(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波回路内のＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗、ゲート・ソース間容量、およびゲート・ドレイン間容量の内の少なくとも１つがゲート電圧によって制御できる特性を利用して前記ゲート電圧を温度補償する、同一温度係数をもつ複数のマイクロ波回路の温度補償回路であって、
前記各マイクロ波回路の制御に必要となる上限電圧を発生する第１の基準電圧発生手段と、
前記各マイクロ波回路の制御に必要となる下限電圧を発生する第２の基準電圧発生手段と、
前記第１の基準電圧発生手段で発生した上限電圧、温度計測手段で得られた環境温度、予め決めた基準温度、および前記各マイクロ波回路に共通の温度係数を入力し、温度補償された上限電圧を出力する第１の電圧発生手段と、
前記第２の基準電圧発生手段で発生した下限電圧、前記温度計測手段で得られた環境温度、予め決めた基準温度、および前記各マイクロ波回路に共通の温度係数を入力し、温度補償された下限電圧を出力する第２の電圧発生手段と、
前記第１の電圧発生手段で得られた温度補償された上限電圧、前記第２の電圧発生手段で得られた温度補償された下限電圧、および前記各マイクロ波回路のゲート端子の制御用の各制御信号を入力して、前記各マイクロ波回路用のゲート電圧を出力する複数個の可変電圧発生手段とを有し、
前記各マイクロ波回路の前記ゲート端子に印加すべきゲート電圧Ｖg1，Ｖg2，・・・・,Ｖgnに相当する信号を前記制御信号として前記各可変電圧発生手段に入力し、
前記上限電圧をＶmax、前記下限電圧をＶminとし、前記環境温度と前記基準温度との差をΔＴとし、前記温度係数をαとしたとき、前記第１の電圧発生手段から「Ｖmax＋ΔＴ×α」に相当する上限電圧を出力し、前記第２の電圧発生手段から「Ｖmin＋ΔＴ×α」に相当する下限電圧を出力し、これらを前記各可変電圧発生手段に入力して、各ゲート電圧「Ｖg1＋ΔＴ×α」，「Ｖg2＋ΔＴ×α」，・・・・，「Ｖgn＋ΔＴ×α」を発生させ、前記各マイクロ波回路のゲート端子に同時に出力することを特徴とした温度補償回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数のマイクロ波回路を集積／実装した装置、例えば、フェーズドアレーアンテナ給電用のビーム形成装置等に対する温度補償回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波回路の温度変動要因として、そのマイクロ波回路を構成するＦＥＴや伝送線路などの回路素子パラメータが温度によって変化することが挙げられる。そのようなマイクロ波回路に対する温度補償回路としては、
(1)．マイクロ波のバイアス回路にＦＥＴやダイオードなどを装荷して、装荷したＦＥＴやダイオードの温度変動特性を用いてマイクロ波回路へ与えるゲート電圧やドレイン電流を調整する方法、
(2)．温度に応じて減衰量が変化するような可変減衰器を伝送路上に装荷する方法、
(3)．温度毎に特性を測定し、各温度における特性を表にしたデータテーブルを構築して、温度変化に応じた設定に変更する方法、
などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロ波回路に対する温度補償回路は、前記の(1)、(2)の方法では、回路毎に温度補償回路を付加する必要があり、(3)の方法では、温度毎に測定を実施して、データテーブルを構築する必要がある。例えば、フェーズドアレーアンテナ給電用のビーム形成装置のように、集積／実装されるマイクロ波回路の数が、[（ビーム数）×（放射素子数）]分となるような大規模な装置の場合、回路毎に温度補償回路を付加すると、回路数に応じた温度補償回路が必要となり、装置の重量、大きさおよびコストが増大する。特に衛星搭載装置での適用を考慮すると、装置の重量、大きさの増大は非常に大きな課題となる。またデータテーブルを構築する場合は、温度変化が生ずるたびにデータテーブルを参照し、設定を変更しなければならない課題とともに、温度補償すべき回路規模に比例してデータテーブルを構築するための測定時間が増加するという課題がある。
【０００４】
本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易に温度補償が行え、回路種が同一である限り共通に温度補償が行え、回路規模を大幅に縮小することができるようにした温度補償回路を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、マイクロ波回路内のＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗、ゲート・ソース間容量、およびゲート・ドレイン間容量の内の少なくとも１つがゲート電圧によって制御できる特性を利用して前記ゲート電圧を温度補償する、同一温度係数をもつ複数のマイクロ波回路の温度補償回路であって、前記各マイクロ波回路の制御に必要となる上限電圧を発生する第１の基準電圧発生手段と、前記各マイクロ波回路の制御に必要となる下限電圧を発生する第２の基準電圧発生手段と、前記第１の基準電圧発生手段で発生した上限電圧、温度計測手段で得られた環境温度、予め決めた基準温度、および前記各マイクロ波回路に共通の温度係数を入力し、温度補償された上限電圧を出力する第１の電圧発生手段と、前記第２の基準電圧発生手段で発生した下限電圧、前記温度計測手段で得られた環境温度、予め決めた基準温度、および前記各マイクロ波回路に共通の温度係数を入力し、温度補償された下限電圧を出力する第２の電圧発生手段と、前記第１の電圧発生手段で得られた温度補償された上限電圧、前記第２の電圧発生手段で得られた温度補償された下限電圧、および前記各マイクロ波回路のゲート端子の制御用の各制御信号を入力して、前記各マイクロ波回路用のゲート電圧を出力する複数個の可変電圧発生手段とを有し、前記各マイクロ波回路の前記ゲート端子に印加すべきゲート電圧Ｖg1，Ｖg2，・・・・,Ｖgnに相当する信号を前記制御信号として前記各可変電圧発生手段に入力し、前記上限電圧をＶmax、前記下限電圧をＶminとし、前記環境温度と前記基準温度との差をΔＴとし、前記温度係数をαとしたとき、前記第１の電圧発生手段から「Ｖmax＋ΔＴ×α」に相当する上限電圧を出力し、前記第２の電圧発生手段から「Ｖmin＋ΔＴ×α」に相当する下限電圧を出力し、これらを前記各可変電圧発生手段に入力して、各ゲート電圧「Ｖg1＋ΔＴ×α」，「Ｖg2＋ΔＴ×α」，・・・・，「Ｖgn＋ΔＴ×α」を発生させ、前記各マイクロ波回路のゲート端子に同時に出力することを特徴とした温度補償回路とした。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明では、ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗、ゲート・ソース間容量およびゲート・ドレイン間容量のいづれかがゲート電圧によって制御できる特性を利用したマイクロ波回路の温度変動特性に着目し、任意に定めた基準温度からの温度変動量ΔＴに対して、予め求めておいた該マイクロ波回路の温度係数αと温度変動量ΔＴの積で与えられる補正電圧を、基準電圧での該マイクロ波回路のゲート端子に印加すべき電圧に重畳して、該マイクロ波回路の温度による特性変動を抑圧することを特徴としている。
【０００８】
本発明にかかる温度補償回路は、任意に定めた基準温度からの温度変動に応じた補正電圧を、該マイクロ波回路のゲート端子に印加すべき電圧に重畳することで実現できるため、該マイクロ波回路の温度係数が同一であれば、温度補償を実現する手段を複数のマイクロ波回路に供用することができる。特にフェーズドアレーアンテナ給電用のビーム形成装置は、放射ビームに応じた入力信号を放射素子数分に分配後、分配された各々の信号の振幅および位相を制御する機能を具備する必要があるため、[（ビーム数)×（放射素子数）]分以上の非常に多数の振幅制御回路および位相制御回路を実装する必要がある。実装される振幅制御回路および位相制御回路は、使用する周波数帯においては通常同一設計であるため、温度係数はほぼ同一の値をとる。よって回路種別毎に本発明の温度補償回路を用いればよい。このことにより、従来の技術(1)、(2)に示した回路毎に温度補償回路を付加しなければならない課題は解決できる。また、従来の技術(3)に示した課題は、温度補償回路を付加することで温度毎のデータテーブルの構築、参照とも不要になるため解決できる。
【０００９】
本発明においては、温度係数を求める必要があるが、その測定は簡単であり、また係数として一度設定すれば変更の必要はない。
【００１０】
［参考例］
図１は本発明の参考例の温度補償回路の構成のブロック図である。この温度補償回路は、測定した温度データ（環境温度）に応じて制御信号を温度補償して変換する制御信号変換手段１と、制御信号に応じて制御電圧を発生する可変電圧発生手段２と、第１、第２の基準電圧発生手段３，４を有する。５は環境温度を計測する温度計測手段、６は最終的に温度補償されるマイクロ波回路である。
【００１１】
制御信号変換手段１は、温度計測手段５からの環境温度データＴempを入力する温度データ入力端子１ａ、制御信号入力端子１ｂ、制御信号出力端子１ｃ、基準温度Ｔoを設定する基準温度設定端子１ｄ、マイクロ波回路６の温度係数αを設定する温度係数設定端子１ｅを備える。
【００１２】
可変電圧発生手段２は、制御信号入力端子２ａ、上限電圧（Ｖmax）入力端子２ｂ、下限電圧（Ｖmin）入力端子２ｃ、出力端子２ｄを備え、制御信号入力端子２ａに制御信号変換手段１の制御信号出力端子１ｃから制御値Ｃが制御信号入力端子２ａに入力されると、
Ｖout(C)=Ｖmin+{(Ｃ-Ｃmin)(Ｖmax-Ｖmin)}/(Ｃmax-Ｃmin)    (1)
Ｖmax：上限基準電圧入力端子２ｂに入力された値
Ｖmin：下限基準電圧入力端子２ｃに入力された値
Ｃmax：制御値Ｃの最大値
Ｃmin：制御値Ｃの最小値
に示す電圧Vout(C)を出力端子２ｄから出力する機能を有している。
【００１３】
マイクロ波回路６のゲート端子６ａに印加すべき電圧がＶｇのとき、可変電圧発生手段２の制御信号入力端子２ａにはその電圧Ｖｇに相当する制御値Ｃ＝Ｖout-1（Ｖｇ）が入力される。Ｖout-1はＶout(Ｃ)の逆関数を表す。
【００１４】
制御信号変換手段１は、制御信号入力端子１ｂに入力された電圧Ｖｇに相当する制御値Ｃ＝Ｖout-1（Ｖｇ）、温度データ入力端子１ａに入力された環境温度Ｔempと基準温度Ｔｏからの差（すなわち温度変動量ΔＴ）と、あらかじめ設定したマイクロ波回路６の温度係数αに応じて、その制御値Ｃ＝Ｖout-1（Ｖｇ）を「Ｖｇ＋ΔＴ×α」に相当する制御値Ｃ＝Ｖout-1（Ｖｇ＋ΔＴ×α）に変換して、制御信号出力端子１ｃに出力する。基準温度Ｔｏおよび温度係数αの設定は、基準温度設定端子１ｄおよび温度係数設定端子１ｅへ信号を入力することによって行なうが、通常は一度で十分であり、その値は保持される。制御信号を制御変換手段１を介して可変電圧発生手段２に入力することで、出力端子２ｄにはマイクロ波回路６の温度変動を抑える補償電圧「ΔＴ×α」がＶｇに重畳されて出力されるため、該マイクロ波回路６の温度補償が可能となる。
【００１５】
以下に、ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗、ゲート・ソース間容量およびゲート・ドレイン間容量のいづれかがゲート電圧によって制御できる特性を利用したマイクロ波回路に対して、本発明にかかる温度補償回路が、該マイクロ波回路の温度変動特性を補償する動作原理を説明する。
【００１６】
ＦＥＴのゲート電圧に対するドレイン・ソース間抵抗、ゲート・ソース間容量およびゲート・ドレイン間容量は、藤井らの論文「”スイッチ動作ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ用大信号モデル”電子情報通信学会論文誌VOL．J82-C-I NO5,pp.265-272,MAY 1999」によると、ゲート電圧Ｖｇに対するドレイン・ソース間抵抗Ｒds、ゲート・ソース間容量Ｃgsおよびゲートドレイン間容量Ｃgdはそれぞれ、
Ｒds（Ｖｇ）＝ｆ(Ｖｇ−Ｖ１）
Ｃgs（Ｖｇ）＝ｇ(Ｖｇ−Ｖ２）
Ｃgd（Ｖｇ）＝ｈ(Ｖｇ−Ｖ３）                            (2)
のように、ゲート電圧Ｖｇと固有電圧値（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３：フィッティングパラメータ）との差の関数で近似できることが示されている。
【００１７】
ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗Ｒdsがゲート電圧Ｖｇによって制御できる特性を利用したマイクロ波回路の例として、可変減衰回路が挙げられる。図２(a)、(b)にマイクロ波可変減衰回路の構成例を示す。図２(a)の可変減衰回路は３ｄＢ結合器２１にＦＥＴ１、２を接続して構成し、ゲート電圧Ｖｇで両ＦＥＴ１，２のドレイン・ソース間抵抗Ｒdsを制御するようにしたものである。また図２(b)の可変減衰回路は、抵抗Ｒ１，Ｒ２、キャパシタＣ１，Ｃ２、インダクタＬ１、およびＦＥＴ３、４から構成し、ゲート電圧Ｖｇで両ＦＥＴ３、４のドレイン・ソース間抵抗Ｒdsを制御するようにしたものである。
【００１８】
いずれの場合も、ゲート電圧Ｖｇを変化させることによって、入力端子ＲＦinと出力端子ＲＦout間の減衰量を変化させることができる。このとき減衰量Ｌ（ｄＢ）は、ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗Ｒds＝Ｒを変数とする関数として表すことができる。図２(a)の可変減衰回路では、
Ｌ＝２０log｜(Ｚo−Ｒ)/(Ｚo＋Ｒ）｜                      (3)
であり、また図２(b)の可変減衰回路では、
Ｌ＝２０log（１＋Ｒ／Ｚo）                               (4)
である。Ｚoは可変減衰回路の入出力インピーダンスである。
【００１９】
次に、ＦＥＴのゲート・ソース間容量Ｃgsおよびゲート・ドレイン間容量Ｃgdがゲート電圧Ｖｇによって制御できる特性を利用したマイクロ波回路の例として、可変移相回路が挙げられる。図３にマイクロ波移相回路の構成例を示す。図３の可変移相回路は、３ｄＢ結合器２２、ＦＥＴ５，６、キャパシタＣ３，Ｃ４からなる。ここでは、ＦＥＴ５，６のゲート電圧Ｖｇを変化させることによって、移相量を変化させることができる。このとき移相量θ（degree)は、容量値ＣFET＝Ｃgs＋Ｃgdを変数とする関数として、
θ＝−π/２−２tan-1（ωＣFETＺo）                        (5)
で表せる。同様に、Ｚoは可変移相回路の入出力インピーダンスである。
【００２０】
本発明は、前述の固有電圧値（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３：Ｖi）が
0003859056.tif 000002
のように温度変動ΔＴに対して係数αを用いた上式のような負の温度特性を持つことを実験によって発見したことに基づき発明したものである。
【００２１】
マイクロ波可変減衰回路の減衰量やマイクロ波可変移相回路の移相量の温度変動は、固有電圧値（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３）の温度変化が要因であると言える。このとき、温度変化による固有電圧値の変動分を打ち消すような補正電圧「＋ΔＴ×α」をゲート電圧に重畳することで、上記固有電圧値（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３）は温度によらず一定となる。つまり、ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗Ｒds、ゲート・ソース間容量Ｃgsおよびゲート・ドレイン間容量Ｃgdは温度によらず一定の値となるため、ゲート電圧Ｖｇに対する減衰量および移相量の温度補償が実現できる。
【００２２】
［実施例］
図４は本発明の実施例の温度補償回路の構成（請求項１の発明）のブロック図である。これは、同一の温度係数を有する複数のマイクロ波回路６１〜６ｎに対する温度補償回路である。この温度補償回路は、第１〜第ｎのマイクロ波回路６１〜６ｎのゲート端子６１ａ〜６ｎａに電圧を印加するための第１〜第ｎの可変電圧発生手段２１〜２ｎ、第１、第２の基準電圧発生手段３，４、第１、第２の電圧発生手段７，８、および温度計測手段５で構成される。
【００２３】
第１、第２の電圧発生手段７，８は、温度計測手段５からの温度データの入力端子７ｂ，８ｂと、基準電圧入力端子７ａ，８ａと、出力端子７ｃ，８ｃと、基準温度入力端子７ｄ，８ｄと、マイクロ波回路６１〜６ｎの共通の温度係数αの入力端子７ｅ，８ｅを備える。これらの第１、第２の電圧発生手段７，８は、入力端子７ｂ，８ｂに入力された温度データＴempと入力端子７ｄ，８ｄに入力される任意に定めた基準温度Ｔoとの差をΔＴとすると、このΔＴと温度係数αとで与えられる電圧を、電圧入力端子７ａ，８ａに入力された電圧Ｖmax，Ｖminに重畳して、つまりここで電圧Ｖmax、Ｖminを温度補償して、出力端子７ｃ，８ｃより出力する機能を有している。そして、第１〜第ｎの可変電圧発生手段２１〜２ｎは、前述したように、制御信号入力端子２１ａ〜２ｎａに制御値Ｃが入力されると、
Ｖout(C)=Ｖmin+{(Ｃ-Ｃmin)(Ｖmax-Ｖmin)}/(Ｃmax-Ｃmin)     (7)
Ｖmax：上限基準電圧入力端子２１ｂ〜２ｎｂに入力された値
Ｖmin：下限基準電圧入力端子２１ｃ〜２ｎｃに入力された値
Ｃmax：制御値Ｃの最大値
Ｃmin：制御値Ｃの最小値
に示す電圧Ｖout(C)を出力端子２１ｄ〜２ｎｄから出力する機能を有している。
【００２４】
つまり、第１の基準電圧発生手段３の出力Ｖmaxを第１の電圧発生手段７の電圧入力端子７ａに接続し、その第１の電圧発生手段７の出力「Ｖmax＋ΔＴ×α」を各可変電圧発生手段２１〜２ｎのそれぞれの上限基準電圧入力端子２１ｂ〜２ｎｂに入力し、また、第２の基準電圧発生手段４の出力Ｖminを第２の電圧発生手段８の第２の電圧入力端子８ａに接続し、その第２の電圧発生手段８の出力「Ｖmin＋ΔＴ×α」を各可変電圧発生手段２１〜２ｎのそれぞれの下限基準電圧入力端子２１ｃ〜２ｎｃに入力することで、各可変電圧発生手段２１〜２ｎの制御信号入力端子２ｉａ（ｉ＝１〜ｎ）に入力された制御値Ｃｉ（ｉ＝１〜ｎ）には、温度変化に応じた「ΔＴ×α」の補正電圧が２つの基準電圧Ｖmax、Ｖminに重畳されるため、可変電圧発生手段２ｉ（ｉ＝１〜ｎ）の出力は、
0003859056.tif 000003
となり、同一の温度係数を有する複数のマイクロ波回路６１〜６ｎのゲート電圧がそれぞれ異なる場合であっても、同時に共通に温度補償が実現できる。
【００２５】
［実験例］
ここで、実際に試作したビーム形成回路を用いて、本温度変動特性抑圧法を適用しない場合と適用した場合を比較する。基準温度は＋２０℃とし、基準電圧から±３０℃の温度変化を与えた。温度係数αは振幅および位相制御回路ともに−0.001Ｖ／℃としている。
【００２６】
図５(a)および(b)に振幅制御電圧０Ｖを基準とした可変振幅特性を、図６(a)および(b)に位相制御電圧０Ｖを基準とした可変移相特性を示す。可変振幅特性、可変移相特性ともに、図５(a)および図６(a)に示す本発明を適用しない場合に比較して、図５(b)および図６(b)に示す本発明を適用した場合は、温度変動による変動幅が小さいことが確認できる。
【００２７】
本発明の効果をより定量的に表すために図５および図６の制御電圧に対する可変振幅および可変移相の変動量、つまり基準温度の測定値との差分を、それぞれ図７および図８にプロットする。可変振幅変動量に関して図７(a)に示す本発明を適用しない場合の変動幅が−2.8ｄＢ〜＋2.5ｄＢであるのに対し、図７(b)に示す本発明を適用した場合は−1.3ｄＢ〜＋1.0ｄＢに変動量を抑えることができる。また、可変移相変動量に関して図８(a)に示す本発明を適用しない場合の変動幅が−２０度〜＋２４度であるのに対し、図８(b)に示す本発明を適用した場合は−８度〜＋１２度に変動量を抑えることができる。
【００２８】
さらに、それぞれ３１個の振幅制御回路および位相制御回路を縦属接続して、一括温度補償（温度係数αは全て−0.00１Ｖ／℃）を行なった場合の本発明の効果を図９および図１０に示す。図９(a)および(b)、図１０(a)および(b)は同様に、基準温度は＋２０℃とし、基準温度から±３０℃の温度変化を与えたとき、３１系統通過振幅および通過位相の温度変動の標準備差をプロットしたものである。各系統の制御電圧は、２０℃、2.6575ＧＨｚで特定の通過特性を得るように設定している。図９(a)および図１０(a)は本発明を適用しない場合の測定結果であり、図９(b)および図１０(b)本発明を適用した場合の測定結果である。一括温度補償を行なった場合でも振幅、位相ともに温度変動特性が改善されていることをを確認できる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の温度補償回路は、マイクロ波回路の温度係数を用いて補償するために、簡易に実現できる。また、ＦＥＴやダイオードを用いる従来例に対して精度よく補償できる。さらにマイクロ波回路に対して回路毎ではなく回路種別毎に適用できるため、温度補償回路数を大幅に削減することができる。特に衛星搭載機器での適用を考慮すると回路数が削減できることで、装置の重量、大きさの増大を抑える効果があり、その効果に伴い大幅なコスト削減が期待できる。また、本発明の効果は、回路規模に比例して大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例の温度補償回路の構成例を示すブロック図である。
【図２】  （ａ）、（ｂ）は可変減衰回路の回路図である。
【図３】  可変移相回路の回路図である。
【図４】  本発明の実施例の温度補償回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】  ビーム形成回路の可変振幅特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【図６】  ビーム形成回路の可変移相特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【図７】  ビーム形成回路の可変振幅変動特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【図８】  ビーム形成回路の可変移相変動特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【図９】  ビーム形成回路の振幅変動特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【図１０】  ビーム形成回路の位相変動特性を示す図で、(a)は本発明を適用しない場合、(b)は本発明を適用した場合の特性図である。
【符号の説明】
１：制御信号変換手段、１ａ：温度データ入力端子、１ｂ：制御信号入力端子１ｃ：制御信号出力端子、１ｄ：基準温度設定端子、１ｅ：温度係数設定端子
２，２１〜２ｎ：可変電圧発生手段、２ａ，２１ａ〜２ｎａ：制御信号入力端子、２ｂ，２１ｂ〜２ｎｂ：上限基準電圧入力端子、２ｃ，２１ｃ〜２ｎｃ：下限基準電圧入力端子、２ｄ，２１ｄ〜２ｎｄ：出力端子
３，４：基準電圧発生手段
５：温度計測手段  ６，６１〜６ｎ：マイクロ波回路、６ａ，６１ａ〜６ｎａ：ゲート端子
７，８：電圧発生手段、７ａ，８ａ：電圧入力端子、７ｂ，８ｂ：温度データ入力端子、７ｃ，８ｃ：出力端子、７ｄ，８ｄ：基準温度設定端子、７ｅ，８ｅ：温度係数設定端子
【図１】
0003859056.tif 000004
【図２】
0003859056.tif 000005
【図３】
0003859056.tif 000006
【図４】
0003859056.tif 000007
【図５】
0003859056.tif 000008
【図６】
0003859056.tif 000009
【図７】
0003859056.tif 000010
【図８】
0003859056.tif 000011
【図９】
0003859056.tif 000012
【図１０】
0003859056.tif 000013