【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の複数の誘電体構造体と、
前記複数の誘電体構造体の一の誘電体構造体上のトランジスタの電極であって、検出する波長範囲の光が前記誘電体構造体に到達することを防ぎ、前記複数の誘電体構造体の他の誘電体構造体は、前記基板とは反対側の前記誘電体構造体側を介して光を受信するように配置される、前記トランジスタの電極と、
前記基板上の複数の導電体構造体であって、前記複数の導電体構造体の連続的な導電体構造体が前記複数の誘電体構造体の対応する誘電体構造体を前記導電体構造体の間に有し、前記複数の導電体構造体のうちの第１の導電体構造体は互いに結合され、前記複数の導電体構造体のうちの第２の導電体構造体は互いに結合され、前記複数の導電体構造体の前記第１の導電体構造体および前記第２の導電体構造体は交互に配置される、複数の導電体構造体と、
前記複数の誘電体構造体および前記複数の導電体構造体上の透明な絶縁層と、
を備え、
前記連続的な導電体構造体および前記対応する誘電体構造体は、検出する波長範囲の前記光の受信に応じて、吸収共鳴を誘導するキャビティを形成することを特徴とする波長範囲および入射角範囲の光を検出するための検出器。
【請求項２】
前記複数の誘電体構造体の連続する構造体の幅が次第に増加することを特徴とする請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記複数の導電体構造体の連続する構造体の幅が次第に増加することを特徴とする請求項１に記載の検出器。
【請求項４】
前記連続的な導電体構造体は変位電圧を受け、
前記変位電圧は、前記導電体構造体および誘電体構造体によって吸収された光に応じて前記キャビティが電流を生成するように誘導することを特徴とする請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記複数の誘電体構造体および前記複数の導電体構造体は前記キャビティを含む複数のキャビティを形成し、前記複数のキャビティの各々は前記波長範囲の受信された前記光に応じて信号を生成し、生成された前記信号は前記波長範囲の受信された前記光の入射角を表わすことを特徴とする請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記複数のキャビティのうち隣接するキャビティにおいて生成された信号を予め定められた位相関係で結合し、前記波長範囲の受信された前記光の入射の角度が前記入射角範囲内にあるときに出力信号を生成する検出回路をさらに備え、
前記入射の角度は、入射平面と前記検出器に直交する垂直平面との間の角度であり、前記入射平面および前記垂直平面の両方は、前記複数のキャビティの一のキャビティの長手方向と平行であることを特徴とする請求項５に記載の検出器。
【請求項７】
各々の光学式光センサが前記光学式光センサに垂直であり、前記光学式光センサのキャビティの長手方向に平行な入射平面を有する波長範囲の光の検出に応じて信号を生成するように配置されている複数の光学式光センサを備え、
前記各々の光学式光センサは、
基板と、
前記基板上の複数の誘電体構造体と、
前記複数の誘電体構造体の一の誘電体構造体上のトランジスタの電極であって、検出する波長範囲の光が前記誘電体構造体に到達することを防ぎ、前記複数の誘電体構造体の他の誘電体構造体は、前記基板とは反対側の前記誘電体構造体側を介して光を受信するように配置される、前記トランジスタの電極と、
前記基板上の複数の導電体構造体であって、前記複数の導電体構造体の連続的な導電体構造体が前記複数の誘電体構造体の対応する誘電体構造体を前記導電体構造体の間に有し、前記複数の導電体構造体のうちの第１の導電体構造体は互いに結合され、前記複数の導電体構造体のうちの第２の導電体構造体は互いに結合され、前記複数の導電体構造体の前記第１の導電体構造体および前記第２の導電体構造体は交互に配置される、複数の導電体構造体と、
前記複数の誘電体構造体および前記複数の導電体構造体上の透明な絶縁層と、
を備え、
前記連続的な導電体構造体および前記対応する誘電体構造体は、検出する波長範囲の前記光の受信に応じて、吸収共鳴を誘導するためのキャビティを形成する、検出器と一体化されたトランジスタを備え、
前記複数の光学式光センサの第１の光学式光センサおよび第２の光学式光センサのキャビティの長手方向は互いに角度をなすことを特徴とする垂直に入射する波長範囲の光を検出するための多重セル検出部。
【請求項８】
横方向に交互に配列される複数のｐ型半導体および複数のｎ型半導体と、
各々が対応する前記ｐ型半導体の一つと対応する前記ｎ型半導体の一つとの間に存在する複数の真性半導体と、
前記複数のｐ型半導体および前記複数のｎ型半導体の上に存在し、対応する前記複数の真性半導体の一つとの間に複数のキャビティを形成する複数の電極と、
前記複数の真性半導体及び前記複数の電極上の透明絶縁層と、
前記キャビティに到達する、検出する波長範囲の光を防ぐように構成され、前記複数のキャビティのうちの第１のキャビティ上のトランジスタのゲート電極と、
を備え、
前記複数のｐ型半導体上の前記複数の電極の第１の電極が互いに接続され、前記複数のｎ型半導体上の前記複数の電極の第２の電極が互いに接続され、
前記複数の電極の前記第１の電極および前記第２の電極は交互に配置され、
前記複数のキャビティのうちの第２のキャビティが長手方向に入射する光に露出され、前記波長範囲の受信した光に応じて、吸収共鳴を誘導するため配置される、検出器と一体化された前記トランジスタを備えることを特徴とする波長範囲の光を検出するための光学式光センサ。
【請求項９】
複数の行導電体と、
前記行導電体と交差する複数の列導電体と、
前記複数の行導電体および列導電体に接続される複数の光学式光センサと、
を備え、
前記複数の光学式光センサの各センサは、検出器と一体化されたトランジスタを備え、前記検出器と一体化された前記トランジスタは、
横方向に交互に配列される複数のｐ型半導体および複数のｎ型半導体と、
各々が対応する前記ｐ型半導体の一つと対応する前記ｎ型半導体の一つとの間に存在する複数の真性半導体と、
前記複数のｐ型半導体および前記複数のｎ型半導体の上に存在し、対応する前記複数の真性半導体の一つとの間に複数のキャビティを形成する複数の電極と、
前記複数の列導電体の一つに接続され、検出する波長範囲の光が前記キャビティに達することを防ぎ、前記複数のキャビティの第１のキャビティの上方のゲート電極と、
を備え、
前記複数のｐ型半導体上の前記複数の電極の第１の電極が互いに接続され、前記複数のｎ型半導体上の前記複数の電極の第２の電極が互いに接続され、前記複数の電極の前記第１の電極および前記第２の電極は交互に配置され、
前記複数のキャビティのうちの一つ以上の第２のキャビティが長手方向に入射する光に露出され、前記波長範囲の受信した光に応じて、吸収共鳴を誘導するため配置されることを特徴とする波長範囲の光を検出するための光学式センシングアレイ。
【請求項１０】
横方向に交互に配列される複数のｐ型半導体および複数のｎ型半導体と、
各々が対応する前記ｐ型半導体の一つと対応する前記ｎ型半導体の一つとの間に存在する複数の真性半導体と、
前記複数のｐ型半導体および前記複数のｎ型半導体の上に存在し、対応する前記複数の真性半導体の一つとの間に複数のキャビティを形成する複数の電極と、
前記複数の真性半導体及び前記複数の電極上の透明絶縁層と、
前記キャビティに到達する、検出する波長範囲の光を防ぐように構成され、前記複数のキャビティのうちの第１のキャビティ上のトランジスタのゲート電極と、
を備え、
前記複数のｐ型半導体上の前記複数の電極の第１の電極が互いに接続され、前記複数のｎ型半導体上の前記複数の電極の第２の電極が互いに接続され、
前記複数の電極の前記第１の電極および前記第２の電極は交互に配置され、
前記波長範囲の受信した光に応じて、吸収共鳴を誘導するため配置される、検出器と一体化された前記トランジスタ、を備えることを特徴とする波長範囲の光を検出するための光学式光センサ。