(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、前記複数の画素電極を個々にスイッチング駆動する複数のスイッチング素子を有する駆動基板と、前記駆動基板より所定の間隙を介して対向設置された対向基板と、前記所定の間隙に保持された液晶とを有する液晶表示パネルに用いられる前記対向基板であって、
前記対向基板は、透光性を有する基板上に、少なくとも前記スイッチング素子に対応した領域、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路に対応した領域の何れか一方又は両方に遮光性膜が形成されており、
前記遮光性膜は、前記透光性を有する基板側に形成されるとともに前記対向基板に入射する入射光が前記遮光性膜に吸収されることによる液晶表示パネルの誤動作を抑制するような高い反射率を有する高反射膜と、前記駆動基板側に形成されるとともに前記高反射膜の反射率よりも低い反射率を有する低反射膜とを有するものであり、
前記高反射膜は、Ｔｉを含むＡｌ合金であって、前記低反射膜は、窒化クロムであることを特徴とする液晶表示パネル用対向基板。
【請求項２】
前記高反射膜中に含まれる、Ｔｉの量は０．１〜５ａｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル用対向基板。
【請求項３】
前記高反射膜と、前記低反射膜は、連続的に組成変化する連続膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示パネル用対向基板。
【請求項４】
前記高反射膜と前記低反射膜との間に、高反射膜を構成する高い反射率を有する部材であるＴｉを含むＡｌ合金と、低反射膜を構成する低い反射率を有する部材である窒化クロムとが混在する部分が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板。
【請求項５】
前記高反射膜の膜厚は１００〜８００Åであり、前記低反射膜の膜厚は８０〜２０００Åであって、前記高反射膜と低反射膜との合計膜厚が２０００Å以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板。
【請求項６】
前記透光性を有する基板において、対向基板に光が入射する側に、マイクロレンズを形成した基板が設けられており、前記マイクロレンズは、前記画素電極に前記光が投射されるように形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板を用いて製造されたことを特徴とする液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶プロジェクタ等にライトバルブとして用いられる液晶表示パネル（以下、液晶表示パネルと記載する。）に関し、更に詳しくは、液晶表示パネルの対向基板に形成されている遮光性膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタ等にライトバルブとして用いられる液晶表示パネルにおいては、一般に、電気光学物質である液晶相を挟んで駆動基板（ＴＦＴアレイ基板）に対向配置される対向基板の側から強力な投射光が入射される。
【０００３】
そして、この強力な投射光が駆動基板上にあるＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜から構成されたチャネル形成用の領域に入射すると、この領域において光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴのトランジスタ特性を劣化させる。そこで、この現象を抑止するため、各ＴＦＴに夫々対向する位置の対向基板上に、複数のブラックマトリックスと呼ばれるマトリックス状に設けられた遮光性膜を形成することが一般的である。
【０００４】
このような、マトリックス状に設けられた遮光性膜として、通常の液晶表示装置においては、Ｃｒ（クロム）などの金属材料や、カーボンをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料が用いられ、上述のａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に対する遮光効果に加えて、コントラストの向上、およびカラーフィルターにおける色材の混色防止などの機能をも発揮している。
【０００５】
しかし、前記ライトバルブとして用いられる液晶表示パネルに、Ｃｒや樹脂ブラックをマトリックス状に設けられた遮光性膜として使用した場合は、それ自体の光の反射率が低いため、強力な投射光を吸収し液晶表示パネル自体が高温となるため好ましくない。
このため、液晶表示パネルの対向基板にマトリックス状に設けられた遮光性膜には、Ａｌ、Ａｇ等の高反射率を有する金属の薄膜を含む高反射率の膜が一般に使用されている。
さらに、特許文献１では、マトリックス状に設けられた遮光性膜としてガラス基板上に高反射率の膜を設け、その上に黒色樹脂やＣｒ酸化物からなる低反射率の膜を設けることが開示されてなる。
当該発明は、ガラス基板のマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成されていない側より入射してくる投射光は、高反射率の膜で反射することにより液晶表示パネル温度の上昇を防止する一方、液晶セル内にて発生した迷光は、低反射率の膜で吸収することで液晶表示パネルの誤作動を防止することが開示されている。
【特許文献１】
特開平９−２１１４３９号公報（第３−５頁、第１図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術には、以下の問題点がある。
すなわち、投射光を照射されている時間の経過とともに、前記マトリックス状に設けられた遮光性膜にピンホールが形成され、そのピンホールを通過した投射光が、対向する駆動基板上のＴＦＴへ入射し、液晶表示パネルの誤作動を起こしてしまうのである。
【０００７】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、対向基板にマトリックス状に設けられた遮光性膜のピンホールの形成を抑制し、液晶表示パネルの誤作動を起さない信頼性の高い液晶表示パネル用対向基板を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述のように遮光性膜は、特に対向基板における光の入射側には一般に金属薄膜が使用される。
上記課題を解決するために、本発明者らは、マトリックス状に設けられた遮光性膜に発生するピンホールの形成過程について検討した。
その結果、投射光の照射時間の経過とともに、遮光性膜において投射光に照射される金属薄膜にかかる膜ストレスや熱により、この金属薄膜中にてマイグレーションが発生し進行する。そしてこのマイグレーションの発生と進行とが、ピンホールの発生へとつながっているものと考えられた。
そこで、マイグレーションの発生や進行を抑制する効果を有する元素を、マトリックス状に設けられた遮光性膜を構成する金属薄膜へ添加することで、ピンホールの発生を抑制できることに想到し、本発明を完成したものである。
【０００９】
すなわち本発明は以下の構成を有する。
（構成１）複数の画素電極と、前記複数の画素電極を個々にスイッチング駆動する複数のスイッチング素子を有する駆動基板と、前記駆動基板より所定の間隙を介して対向設置された対向基板と、前記所定の間隙に保持された液晶とを有する液晶表示パネルに用いられる前記対向基板であって、
前記対向基板は、透光性を有する基板上に、少なくとも前記スイッチング素子に対応した領域、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路に対応した領域の何れか一方又は両方に遮光性膜が形成されており、
前記遮光性膜は、少なくとも前記透光性を有する基板側が金属薄膜で構成されている液晶表示パネル用対向基板であって、
前記金属薄膜には、マイグレーションの発生を抑制する元素が含まれていることを特徴とする液晶表示パネル用対向基板である。
【００１０】
この構成を採ることで、遮光性膜へかかる膜ストレス、熱的負担等に起因する、金属薄膜におけるマイグレーションの発生や進行を抑制することができる。
この結果、液晶表示パネル用対向基板が、強力な投射光に投射されても、マイグレーションの発生や進行が抑制されるので、マトリックス状に設けられた遮光性膜にピンホールが形成されず、液晶表示パネルの誤作動を防止することができる。
【００１１】
尚、遮光性膜は、少なくとも前記スイッチング素子に対応した領域、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路に対応した領域の何れか一方又は両方に形成される。駆動基板には複数のスイッチング素子と、複数のスイッチング素子を接続するため碁盤の目のように形成された配線（データー線、走査線等）を有するが、複数のスイッチング素子と配線に対し光が入射されないようにマトリックス状に遮光性膜を形成してもよいし、また、複数のスイッチング素子と一方向の配線に対し光が入射されないようにストライプ状に遮光性膜を形成してもよいし、スイッチング素子が形成されている領域に対向するように島状に遮光性膜を形成してもよい。または、これら領域以外に液晶表示パネルを駆動する駆動回路に対応した領域に遮光性膜を形成してもよい。もちろん、駆動回路に対応した領域にのみ遮光性膜を形成しても良い。
【００１２】
（構成２）前記マイグレーションの発生を抑制する元素とは、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれかより選ばれる少なくとも１つの元素であることを特徴とする構成１に記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００１３】
マイグレーションの発生を抑制する効果を有する元素において、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｉは、遮光性膜を構成する金属薄膜への添加が容易である。そして、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれかより選ばれる少なくとも１つの元素が添加された金属薄膜は、遮光性膜としての力学的特性、光学的特性を十分に有している。
この結果、液晶表示パネル用対向基板の光学特性や生産性を低下させることなく、遮光性膜を構成する金属薄膜へマイグレーションの発生を抑制する元素を添加することができる。
【００１４】
（構成３）前記金属薄膜中に含まれる、前記マイグレーションの発生を抑制する元素の量は０．１〜５ａｔ％であることを特徴とする構成１または２に記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００１５】
この構成を採ることで、遮光性膜を構成する金属薄膜を例えばエッチングによってマトリックス状に加工する際は、エッチング特性等を低下させることなく、かつ投射光に投射される際は、マイグレーションの発生と進行とを抑制することができる。
この結果、液晶表示パネル用対向基板の生産性を低下させることなく、マイグレーションの発生を抑制する元素を添加することができる。
【００１６】
（構成４）前記金属薄膜は、対向基板に入射する入射光が前記遮光性膜に吸収することによる液晶表示パネルの誤作動を抑制するように高い反射率を有する高反射膜であることを特徴とする構成１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板である。
液晶表示パネルに入射する光が、対向基板に形成された遮光性膜による吸収によって液晶表示パネルの誤作動の発生を抑制するためには、少なくとも透光性を有する基板側に形成された金属薄膜からなる高反射膜の反射率は、可視光の波長領域において７０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上である。
（構成５）前記高反射膜は、Ａｌ合金および／またはＡｇ合金を含むことを特徴とする構成４記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００１７】
高反射膜として、ＡｌやＡｌ合金、又はＡｇやＡｇ合金の薄膜を用い、そこへマイグレーションの発生を抑制する元素を添加すると、可視光の波長域である３８０ｎｍから７００ｎｍ迄の波長域で光の反射率が高く、また反射率の波長依存性が少なく均一な反射率を有するとともに、投射光に投射されてもマイグレーションの発生と進行とが抑制された金属薄膜を得ることができる。
この結果、高特性を有する液晶表示パネル用対向基板を、容易に作製できる。
【００１８】
（構成６）前記遮光性膜において、前記駆動基板側には前記高反射膜よりも低い反射率を有する低反射膜が成膜されていることを特徴とする構成４又は５に記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００１９】
強力な投射光が液晶表示パネル内を通過する際に迷光が発生するが、この迷光が駆動基板上のＴＦＴ等へ照射されると、液晶表示パネルの誤作動の原因となる。
そこで、この構成を採ることにより、遮光性膜が、投射してきた迷光を駆動基板上のＴＦＴ等へ反射し、液晶表示パネルが誤作動を起こすことを回避することができ、さらに、投影される画像のコントラストが低下するのを防止することもできる。
尚、低反射膜の反射率は、低い方が液晶セル内における迷光の反射を少なくすることができることから３０％以下が好ましく、さらに好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下である。
【００２０】
（構成７）前記低反射膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ、またはこれらの酸化物、またはこれらの窒化物、またはこれらの酸化窒化物、またはこれらの高融点金属シリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物であることを特徴とする構成６記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００２１】
前記低反射膜の反射率は、低い方が液晶セル内における迷光の反射を少なくすることができることから、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ、またはこれらの酸化物、またはこれらの窒化物、またはこれらの酸化窒化物、またはこれらの高融点金属シリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物、あるいは黒色の有機色素を有する材料であることが好ましい。
加えて、これらの部材（低反射膜）は、前記金属薄膜である高反射膜形成後、スパッタリング法や蒸着法等により、容易に対向基板上へ形成することが可能なので、高特性を有する液晶表示パネル用対向基板を、容易に作製できる。
尚、前記低反射膜としてＣｒやＣｒの酸化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの酸化窒化物を用い、前記金属薄膜としてＡｌＴｉ合金と組合せた遮光性膜は、両部材間相互の膜付着力が強い、遮光性膜をエッチング加工する際のパターン断面特性がシャープである、等の点から好ましい。
【００２２】
（構成８）前記高反射膜と、前記低反射膜は、連続的に組成変化する連続膜であることを特徴とする構成４から７のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００２３】
この構成を採ることにより、常温から高温へ、また高温から常温へと温度が大きく変化する環境に置かれた際、前記金属薄膜である高反射膜と、前記低反射膜との熱膨張率差等の物理的性質に起因して発生する応力を低減することができる。
また、高反射膜と前記低反射膜とが、連続的に組成変化する連続膜となっているので、遮光性膜をマトリックス状にエッチングする際の形状安定性が優れている。
【００２４】
さらに、前記高反射膜と、前記低反射膜とをスパッタリング法により連続して形成する際に、高反射膜材料のスパッタ粒子と低反射膜材料のスパッタ粒子が重なり合う部分が生じる様にスパッタリングする形成方法を採ることもできる。
この形成方法によれば、遮光性膜の断面方向において高反射膜と低反射膜とを、段階的または連続的かつ任意の割合で組成変化させることができ、高反射膜と低反射膜との界面での剥離がなく、耐久性の良い遮光性膜が形成される上、微細なパターンのマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成できる。
【００２５】
（構成９）前記透光性を有する基板において、対向基板に光が入射する側に、マイクロレンズを形成した基板が設けられており、前記マイクロレンズは、前記画素電極に前記光が投射されるように形成されていることを特徴とする構成１から８のいずれかに記載の液晶表示パネル用対向基板である。
【００２６】
この構成を採ることで、液晶表示パネル用対向基板に入射する入射光は、例えば、マトリックス状に設けられた各遮光性膜の開口部に対応して設けられた各マイクロレンズを通過する際に光束が絞られる。その結果、大部分の入射光はマトリックス状に設けられた遮光性膜の開口された位置を通過し、さらに駆動基板上に形成されたＴＦＴ（スイッチング素子）等を照射することなく駆動基板を通過する。
従って、対向基板上に形成されたマトリックス状に設けられた遮光性膜および駆動基板上に形成されたＴＦＴに掛かる入射光および迷光に起因する熱的負担が削減され、誤作動が起きない信頼性の高い液晶表示パネル用対向基板が得られるとともに、投射光の利用効率を高めることができる。
この結果、遮光性膜に添加されたマイグレーションを抑制する元素の効果と相俟って、この構成を有する液晶表示パネルは、信頼性が高く、明るい良好な画像を投射することができる。
なお、本発明によれば、上記構成１から構成９の何れかに記載の液晶表示パネル用対向基板を用いて製造されたことを特徴とする液晶表示パネルも提供される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態である対向基板の模式的な断面図である。
まず、図１において、対向基板１００は、透光性基板１０、遮光性膜２０を有している。尚、遮光性膜２０を覆うように透明導電膜を形成して対向基板としても良い。さらに遮光性膜２０は、透光性基板１０側に金属薄膜（以下、高反射膜と記載する。）２１と、図示していない駆動基板側に前記金属薄膜よりも低い反射率を有する部材の薄膜（以下、低反射膜と記載する。）２５とを有している。
遮光性膜２０は、対向基板１００において、透光性基板１０の図示していない駆動基板における画素電極を個々にスイッチング駆動するスイッチング素子と、各スイッチング素子を結ぶ配線に対向する面上に、マトリックス状に設けられている。
【００２８】
透光性基板１０は、強力な投射光の熱作用に耐えられる透明材料であることが求められ、例えば、透明な石英基板、無アルカリガラス基板等が好ましく用いられる。
遮光性膜２０を構成する高反射膜２１には、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ等の金属および、Ｐｄ等の添加金属を少量含んだＡｌ合金、Ａｇ合金が好ましく用いられ、さらにマイグレーションの発生と進行を抑制する元素が添加されている。
特に、高反射薄膜２１に主成分としてＡｌを含む材料を用いると、可視光の波長域である３８０〜７００ｎｍ迄の波長域で光の反射率が高く、反射率の波長依存性が少なく均一な反射率を有し、さらに後述する低反射膜２５との密着性がよく、また、微細なパターンのマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成できること、等から好ましい構成である。
遮光性膜２０を構成する低反射膜２５には、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物、やＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の高融点金属シリサイド、たとえばＷＳｉ（タングステンシリサイド）やＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）の酸化物、窒化物、酸化窒化物、あるいは黒色の有機色素、等が好ましく用いられる。
【００２９】
上述したように、対向基板１００が投射光で投射された際、マトリックス状に設けられた遮光性膜２０にピンホールが発生するのを抑制するため、高反射膜２１にはマイグレーションの発生と進行を抑制する元素が添加されているが、この元素は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｄ、等から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
遮光性膜２０の高反射膜２１の材料としてＡｌを主成分とする材料を使用し、低反射膜２５の材料としてＣｒを主成分とする材料を使用する場合、マイグレーションの発生と進行を抑制する元素としてＴｉを選択すると、遮光性膜２０をパターニングしてマトリックス状の遮光性膜を形成する際に、高反射膜２１と低反射膜２５との間で界面剥離が発生しないなどの点で好ましい。
【００３０】
そこで、以下、マイグレーションの発生を抑制する添加元素としてＴｉを選択し、高反射膜２１は主成分としてＡｌを含み、低反射膜２５はＣｒを含む遮光性膜２０がマトリックス状に形成された対向基板１００を例として、マイグレーションの発生を抑制する添加元素の添加効果について説明する。
【００３１】
高反射膜２１に用いられる主成分としてＡｌを含む膜は、上述したように可視光の波長域である３８０ｎｍから７００ｎｍ迄の波長域で光の反射率が高く、また反射率の波長依存性が少なく均一な反射率を得ることができ、さらに後述する低反射膜２５との密着性がよく、また微細なパターンのマトリックス状の遮光性膜が形成できる等、好ましい金属膜である。
低反射膜２５には、窒化Ｃｒ膜を用いる。低反射膜の反射率は、低い方が液晶セル内における迷光の反射を少なくすることができることから３０％以下が好ましく、さらに好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下であるが、窒化Ｃｒ膜は、低反射膜として好ましい光学特性を有していると同時に、前記Ａｌ膜の上に形成された際、相互間の膜付着力が強く、また、後述する遮光性膜をマトリックス状に形成する際の形状安定性が優れている、などの点から好ましい。尚、Ａｌ膜中へのＴｉの添加方法としては、スパッタリング法により透光性基板１０上へ主成分としてＡｌを含む膜を形成する際、ＡｌまたはＡｌ合金のスパッタリングターゲット中に予め所望量のＴｉを添加しておく方法が作業性、コストの観点より好ましい。
【００３２】
ここで、図２、３を参照しながら、マイグレーションの発生と進行とを抑制する添加元素としてＴｉを、遮光性膜２０へ添加して得られた効果について説明する。
図２は、対向基板における透光性基板上の遮光性膜試料（１〜８）を構成する高反射膜の金属薄膜中において、マイグレーションの発生と進行とを抑制する元素として添加したＴｉの添加量と、遮光性膜試料（１〜８）におけるピンホールの発生率および遮光性膜エッチング時の形状安定性との評価結果を示した表である。
図３は、前記遮光性膜試料をエッチングした後における形状安定性の評価を行う際の、遮光性膜のエッチング形状を模式的に記載した断面図である。
以下、高反射膜の金属薄膜へマイグレーションの発生と進行とを抑制する元素を添加したことによるピンホール発生の抑制効果と、遮光性膜のエッチング時の形状安定性とについて説明する。
【００３３】
まず基板として、厚み１．１ｍｍの無アルカリガラス基板（ＮＡ３５：ＮＨテクノグラス社製）を準備した。
次に、遮光性膜成膜用のスパッタリングターゲットとして、異なる濃度のＴｉが添加量されたＡｌターゲットと、Ｃｒターゲットとを１インチの間隔で近接させて設けたものを準備した。
ここで、前記Ａｌターゲットに対するＴｉの添加量は、図２に示すように０〜６．５ａｔ％の８段階で、各々、試料１〜８に対応するものである。
【００３４】
インラインスパッタ装置を用い、前記ガラス基板上へ、Ｔｉ含有量の異なるＡｌＴｉ薄膜を厚さ１００〜８００Å、好ましくは２００〜４００Å成膜し、次に窒化Ｃｒ薄膜を厚さ８０〜２０００Å、好ましくは３００〜１４００Å成膜し、試料１〜８を調製した。
尚、スパッタリングの際は、インラインスパッタ装置の基板搬出側から窒素を含むアルゴンガスを流しながら成膜した。
成膜後の試料１〜８に、感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法によって所定の厚み（例えば５０００Å）で塗布し、さらに、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍのマトリックス状のレジスト膜を作成した。
このマトリックス状のレジスト膜が作成された試料１〜８へ、Ｃｒエッチング液（ＨＹ液：（和光純薬製））を用いて窒化Ｃｒ薄膜をエッチングした後、さらに、アルカリ水溶液中に浸漬し、レジスト膜を溶解除去すると同時にＡｌＴｉ合金薄膜をエッチングしてマトリックス状の遮光性膜とし液晶表示パネル用の試料１〜８を得た。
【００３５】
ここで、対向基板試料１〜８に形成されたマトリックス状に設けられた遮光性膜の形状安定性について、電子顕微鏡による評価をおこなった。
この評価方法について、図３を参照しながら説明する。
図３は、エッチング後におけるマトリックス状に設けられた遮光性膜を、遮光性膜が形成された上面から電子顕微鏡により観察を行った際の模式図で、マトリックス状の遮光性膜パターンの境界にエッチングによって生じた凹部２６と凸部２７とが観察される。この凹部２６の底部と凸部２７の頂部との間隔をＺとする。
そしてこの凸凹の高低差の間隔Ｚが大きいほど、マトリックス状に設けられた遮光性膜の形状安定性が悪く、後工程において液晶表示パネルの誤作動の原因となるものである。
この表面の凹凸を粗さ（ギザ）と呼び、この凹部２６の底部と凸部の頂部との間隔Ｚを以て粗さ（ギザ）の程度を評価し、さらにこの粗さ（ギザ）の程度を以て、遮光性膜をエッチングして、ブラックマトリクスにする際の形状安定性を評価した。
評価方式は、粗さ（ギザ）Ｚが１μｍを超えた場合を×、粗さ（ギザ）Ｚが０．１〜１μｍの場合を△、粗さ（ギザ）Ｚが０．１μｍ未満の場合を○として評価し、その評価結果を図２に記載した。
【００３６】
次に、対向基板試料１〜８をコンベクショナル・オーブンに入れ、１２０℃、５００時間加熱して、マトリックス状に設けられた遮光性膜におけるピンホール発生の有無を金属顕微鏡にて観察した。
この加熱試験の後、対向基板試料１〜８上にピンホールが発生していた場合は、その発生個数を計測し、その個数を図２に記載した。
尚、ピンホールの発生個数は、対向基板試料１〜８に形成された高反射膜表面５ｍｍ×５ｍｍの領域を金属顕微鏡で観察して計測した。
【００３７】
図２の結果より明らかなように、エッチングの際の形状安定性による評価で、試料１〜６は得られたパターンにギザがなく、極めて良好なパターン形状を有していることが判明した。一方、試料７は０．５μｍ前後のギザが発生し、試料８では、さらに１μｍを超えるギザが発生し、パターン形状が極めて悪いことが判明した。
以上のことより、パターン形状、パターン精度が良好な遮光膜を形成するためには、ＡｌＴｉ合金薄膜中のＴｉの含有率が５ａｔ%以下であることが好ましい。
【００３８】
一方、同じく図２の結果より明らかなように、ピンホール発生個数の評価で、試料１、はピンホール発生個数が２０個以上で、これは液晶表示パネルを作製した際、光コンタミネーションによる誤作動を起こすレベルであることが判明した。
試料２はピンホール発生個数が９個で、これは液晶表示パネルを作製した際、光コンタミネーションによる誤作動を起こす可能性のある境界レベルであることが判明した。
試料３〜８は、ピンホールの発生が０〜１個で、液晶表示パネルを作製した際、光コンタミネーションによる誤作動を起こさないレベルであることが判明した。
以上のことより、光コンタミネーションによる誤作動を起こさないためには、Ａｌ薄膜中のＴｉの含有率が０．１ａｔ%以上であることが好ましい。
上述の結果より、Ａｌ膜中へのＴｉの添加量は、０．１〜５．０ａｔ％が好ましく、さらに好ましくは０．２５〜２．０ａｔ％であることが判明した。
【００３９】
また、上述の対向基板において、マイグレーションの発生と進行とを抑制する添加元素としてＴｉの代りにＳｉ（１ａｔ％）、Ｃｕ（０．５ａｔ％）、Ｓｉ（０．５ａｔ％）＋Ｔｉ（０．５ａｔ％）として、それぞれ高反射膜をＡｌＳｉ合金、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉＴｉ合金として上述と同様にピンホール発生個数と形状安定性の評価を行った。その結果、ＡｌＳｉ合金（Ｓｉ：１ａｔ％）、ＡｌＳｉＴｉ合金（Ｓｉ：０．５ａｔ％、Ｔｉ：０．５ａｔ％）の場合、ピンホール発生個数は０個であったが、ＡｌＣｕ合金の場合、ピンホール発生個数は２個であった。また、形状安定性においては、ＡｌＳｉＴｉ合金（Ｓｉ：０．５ａｔ％、Ｔｉ：０．５ａｔ％）、ＡｌＣｕ合金（Ｃｕ：０．５ａｔ％）が粗さ（ギザ）Ｚが０．１μｍ未満で良好であったが、ＡｌＳｉ合金（Ｓｉ：１ａｔ％）の場合、少し粗さ（ギザ）Ｚが大きく、０．１〜１μｍの範囲となった。
これらの結果から、ＡｌＴｉ合金の代りにＡｌＳｉ合金、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉＴｉ合金も適用できると考えるが、中でもＡｌＴｉ合金、次に、ＡｌＳｉＴｉ合金が好ましいと考える。
【００４０】
ここで、マイグレーションを抑制する元素を添加した高反射膜の上に形成する低反射膜、およびその好ましい形成方法の実施の形態例について説明する。
上述したように、低反射膜には金属、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の高融点金属シリサイド、たとえばＷＳｉ（タングステンシリサイド）やＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）の酸化物、窒化物、酸化窒化物、あるいは黒色の有機色素が好適に用いられる。
そして低反射膜として、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物や高融点金属シリサイド、有機色素を用いる場合、透光性基板に高反射膜を形成後、高反射膜上にスパッタリングや蒸着により均一な薄膜を形成するのが好適である。
【００４１】
さらに低反射膜として金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物の薄膜を用いる場合、これら金属化合物の成膜の際に、膜中へ酸素および／または窒素を導入し、所望の組成を有する金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物を形成する方法、あるいは金属を成膜後、酸素及び／又は窒素雰囲気下で加熱して所望の金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物を形成する方法、さらには金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物のターゲット材を用いて、所望の金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物の薄膜をスパッタリングにより形成する方法が好適である。
【００４２】
一方、低反射膜として高融点金属シリサイドを用いる場合、高融点金属シリサイド化合物のターゲット材を用いて、所望の高融点金属シリサイド薄膜をスパッタリングにより形成する方法、あるいは高融点金属膜とＳｉ膜を蒸着やスパッタリング法により形成後に加熱して高融点金属シリサイド化合物薄膜へ形成することができる。
【００４３】
特に、低反射膜として金属、金属酸化物や金属窒化物や金属酸化窒化物の薄膜を用いると、膜厚が薄くても遮光性が高く、かつ反射率を低くできる。さらに、液晶表示パネルの駆動を妨害するアルカリ金属を含んでいないので、液晶表示パネル用の遮光性膜として最適である。
また、低反射膜として用いた金属酸化物や金属窒化物や金属酸化窒化物の薄膜は、高反射膜上において金属膜の組成が連続して変化する様に形成することにより低反射膜との密着性がさらに向上する。
特に、金属としてＣｒやＮｉ、金属酸化物として酸化クロムや酸化ニッケル、金属窒化物として窒化クロムや窒化ニッケル、金属酸化窒化物として酸化窒化クロムや酸化窒化ニッケルを用いると、マイグレーションを抑制する元素を添加された高反射膜との密着性がよく、また、微細なパターンを有するマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成でき好ましい。
【００４４】
そして、マイグレーションを抑制する元素を添加した高反射膜の膜厚は３００Å以上で投射光に対する十分な反射率を発揮し、低反射膜の膜厚は８０Å以上で液晶セル中の迷光を補足する効果を発揮する。また、高反射膜と低反射膜の合計膜厚が２０００Å以下であれば、遮光性膜上に形成される画素電極の断線を防止できるとともに、遮光性膜にかかる熱応力が極端に大きくなることもなく、好ましい構成である。
ここで少なくとも、高反射膜と、低反射膜とで構成される遮光性膜の光学濃度は３以上、好ましくは４以上である。
【００４５】
高反射膜と低反射膜の材料の選択によっては、高反射膜と低反射膜との界面において、剥離が起こるという問題点が発生することがある。
特に、高反射膜にＡｌまたはＡｌを主成分とする物質を用いた場合、Ａｌの酸化により剥離が発生することがある。
その場合、高反射膜と低反射膜との間に、高反射膜を構成する高い反射率を有する部材と、低反射膜を構成する低い反射率を有する部材とが混在する部分を形成することもできる。このような遮光性膜を形成する方法としては、まず、高反射膜と低反射膜とを形成した後に高温で熱処理し、高反射膜と低反射膜との界面において、高反射膜を形成する物質と、低反射膜を形成する物質とを相互に熱拡散させ、段階的または連続的な組成変化を実現する製造方法を用いることができる。
【００４６】
あるいは、高反射膜と低反射膜とを、互いに反応し化合物形成する物質で形成しておき、加熱等により、高反射膜と低反射膜との界面で反応させるにより製造することができる。例えば、低反射膜をＳｉ、またはＳｉ化合物で形成し、高反射膜をＷ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等のＳｉと反応する物質で形成する。
この方法によれば、遮光性膜が、高温環境と常温環境とに置かれた際に、高反射膜と低反射膜との熱膨張率差等の物理的性質に起因して発生する応力が低減される。
【００４７】
さらに、高反射膜と、低反射膜とをスパッタ法により透光性基板上に連続して形成する際に、高反射膜材料のスパッタターゲットからたたき出された高反射膜の構成物質からなるスパッタ粒子と、低反射膜材料のスパッタターゲットからたたき出された低反射膜の構成物質からなるスパッタ粒子とが、前記透光性基板上で重なり合う（混ぜ合わさる）部分が生じる様にスパッタした製造方法がある。この製造方法によれば、遮光性膜の断面方向において高反射膜の構成物質と低反射膜の構成物質とを、段階的または連続的かつ任意の割合で組成変化させることができ、高反射膜と低反射膜との界面での剥離がなく、耐久性の良い遮光性膜が形成される上、微細なパターンのマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成できる。
【００４８】
ここで、前記透光性基板上で高反射膜の構成物質からなるスパッタ粒子と前記低反射膜の構成物質からなるスパッタ粒子が重なり合う（混ぜ合わさる）部分が生じる様にした製造方法として、例えば、高反射膜を形成する材料のターゲット材と低反射膜を形成する材料のターゲット材とを近接して載置する方法、またはターゲット材と基板間との距離を長くして、基板上でスパッタ粒子が重なり合う部分が生じる様にした製造方法が好適である。
特に、１つのターゲット材に、高反射膜を形成する材料と低反射膜とを形成する材料を並べて形成する方法は、１つのターゲット材で高反射膜と低反射膜とを形成でき、かつターゲット材において、高反射膜を形成するターゲット材と低反射膜とを形成するターゲット材の幅を制御することにより高反射膜と低反射膜の膜厚も制御できる極めて優れた製造方法である。
【００４９】
上述したように、高反射膜にはＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属または、これらの金属へＰｄ等の添加金属を少量添加した合金へ、マイグレーションを抑制する元素を添加した金属薄膜が用いられる。そこで低反射膜にはＣｒやＮｉの金属酸化物として酸化クロムや酸化ニッケル、金属窒化物として窒化クロムや窒化ニッケルを用いると、上述した高反射膜との密着性がよく、微細なパターンのマトリックス状に設けられた遮光性膜が形成できる。ここで低反射膜の酸化物や窒化物において、高反射膜側より駆動基板側へ向けて、酸化度または窒化度が段階的に増加する構成が好ましい。
【００５０】
透光性基板上に、高反射膜であるマイグレーションを抑制する元素を添加したＡｌやＡｌ合金薄膜をスパッタリングまたは蒸着法により形成し、さらに、このＡｌやＡｌ合金薄膜の上に、Ａｌと、低反射膜の成分とが、段階的および／または連続的に組成が変化し混在する領域を形成し、さらにその上に低反射膜を形成する構成もある。
そして、この構成で得られた遮光性膜を、レジスト膜として感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィおよびエッチングにより前記低反射膜をパターニングし、アルカリ性水溶液で感光性樹脂を除去すると同時に前記高反射膜であるＡｌやＡｌ合金薄膜を、エッチングしてマトリックス状に設けられた遮光性膜を形成する。
このマトリックス状に設けられた遮光性膜の製造方法は、高反射膜であるＡｌやＡｌ合金薄膜をエッチングする工程において、低反射膜をエッチングマスクとしてエッチングが進行するため、マトリックス状に設けられた遮光性膜のエッジ形状がシャープになり好ましい。
その上、高反射膜であるＡｌやＡｌ合金薄膜のエッチングとパターニングされた感光性樹脂の除去が同時に行える等、利点の多い優れた方法である。
【００５１】
次に、本発明に係る異なる実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図４は、本発明の異なる実施の形態に係る遮光性膜が高反射膜の１層を有する対向基板２００の模式的な断面図であり、図５は、マイクロレンズ基板付き対向基板の模式的な断面図である。
尚、図１、４、５において相当する部分には、同一の符号を付して示した。また、上述と同様に、遮光性膜２０を覆うように透明導電膜を形成して対向基板としても良い。
【００５２】
図４に示す対向基板２００は、遮光性膜が高反射膜の１層を有するものであって、透光性基板１０、遮光性膜２０を有し、遮光性膜２０を構成する高反射膜２１がある。
対向基板２００において、透光性基板１０上に高反射膜の遮光性膜２０がマトリックス状に設けられている。
遮光性膜２０において、上述したように、強力な投射光が液晶表示パネル内へ入射した際に、液晶表示パネルの温度上昇を抑制するためには、可視光の波長領域において、遮光性膜２０の反射率は７０％以上あることが好ましく、さらに好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上で、一般に、ＡｌやＡｌ合金、又はＡｇやＡｇ合金の薄膜が、高反射膜２１として好適に用いられる。
本発明において、この高反射膜２１へ上述したマイグレーションの発生と進行とを抑制する元素が添加されている。
透光性基板１０は透明な石英基板、無アルカリガラス基板等が好適に用いられる。
この構成を有する対向基板２００は、液晶セル内における迷光の発生が少ない、または駆動基板上のＴＦＴ等が迷光の影響を受けにくい構造を有している、等の液晶表示パネルに好適に用いられる。
【００５３】
図５に示すマイクロレンズ基板付き対向基板３００には、透光性基板１０、遮光性膜２０、透光性基板３１、高屈折率媒質３３があり、遮光性膜２０は高反射膜２１、低反射膜２５より構成され、透光性基板３１の透光性基板１０に接する面には底壁面が曲面をなす多数の凹部３２がマトリックス状に設けられ、凹部３２と高屈折率媒質３３とはマイクロレンズ３５を形成しマイクロレンズアレイを構成している。
マイクロレンズ基板付き対向基板３００において、透光性基板１０、遮光性膜２０、透光性基板３１、および高反射膜２１、低反射膜２５は上述した対向基板１００と同様の構成を有している。
透光性基板１０と、凹部３２が設けられた透光性基板３１との間には高屈折率媒質３３が挟まれており、この、凹部３２と高屈折率媒質３３とは凸レンズの機能を有するマイクロレンズ３５を構成している。このマイクロレンズ３５はその焦点が、マトリックス状に設けられた遮光性膜２０の開口の中心に位置するように、位置、個数、および凹部３２の底壁面の曲面が調整されているものである。
【００５４】
このマイクロレンズ基板付き対向基板３００を用いることにより、液晶表示パネル用対向基板に入射する入射光は、まず透光性基板３１を通過し、次にマイクロレンズ３５を通過する際に光束が絞られる。その結果、大部分の入射光はマトリックス状に設けられた遮光性膜の開口部分を通過し、さらに駆動基板上に形成されたＴＦＴを照射することなく駆動基板を通過する。
この結果、遮光性膜２０および駆動基板上に形成されたＴＦＴに掛かる入射光および迷光による熱的負担が削減されるので、遮光性膜２０に添加されたマイグレーションを抑制する元素の効果と相俟って、誤作動が起きない信頼性の高い液晶表示パネル用対向基板が得られるとともに、光の利用効率を高めることができるので明るい良好な画像を得ることができる。
【００５５】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
（参考例１）＜ＡｌＴｉのみ＞
厚み１．１ｍｍの石英ガラス基板上にスパッタリング法によりＴｉを０．５ａｔ％含むＡｌＴｉ合金薄膜を厚さ５００Åで成膜した。このＡｌＴｉ合金薄膜上に感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法により５０００Åの厚みで塗布し、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍのマトリックス状のレジスト膜を形成した。
次に、このマトリックス状のレジスト膜を形成したガラス基板に対し、りん酸と硝酸の混合溶液を用いてＡｌＴｉ合金をエッチングし、次いでアルカリ水溶液中に浸漬してレジスト膜を溶解除去した。
更に、基板加熱温度１５０℃の条件下でＡｌＴｉ合金パターン上にＩＴＯ膜をスパッタリング成膜して液晶表示パネル用対向基板を得た。
【００５６】
上述の様に作製した液晶表示パネル用対向基板は、ガラス面からの反射率が９２％（即ち、対向基板の入射光側表面（入射側のガラス基板表面反射＋入射側のＡｌＴｉ合金薄膜表面反射））であった。
また、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、ＡｌＴｉ合金薄膜には、ピンホールが発生していないことが確認された。
【００５７】
（参考例２）＜ＡｌＴｉ／ＣｒＯ＞
厚み１．１ｍｍの石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりＴｉを０．５ａｔ％含むＡｌＴｉ合金薄膜を厚さ３００Åで成膜し、さらに、スパッタリング法により酸化Ｃｒ薄膜を８００Åの厚みで成膜した。
そして、このガラス基板上に、感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法により５０００Åの厚みで形成し、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍのマトリックス状のレジスト膜を形成した。このマトリックス状のレジスト膜を形成したガラス基板を塩化第二鉄溶液に浸漬し酸化Ｃｒ薄膜をエッチング後、りん酸と硝酸の混合溶液でＡｌ合金薄膜をエッチングし、 次いでアルカリ水溶液中に浸漬してレジスト膜を溶解除去した。
次に、基板加熱温度１５０℃の条件下でこのＡｌＴｉ合金／酸化Ｃｒパターン上にＩＴＯ薄膜をスパッタリング成膜して液晶表示パネル用対向基板を得た。
【００５８】
上述の様に作製した液晶表示パネル用対向基板は、ガラス面からの反射率が８７％（即ち、対向基板の入射光側表面（入射側のガラス基板表面反射＋入射側のＡｌＴｉ合金薄膜表面反射）），酸化Ｃｒを形成した面からの反射率は１２％であった。
また、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、Ａｌ合金薄膜には、ピンホールが発生していないことが確認された。
【００５９】
（参考例３）＜ＡｌＴｉ／Ｃｒ連続膜＞
厚み１．１ｍｍの無アルカリガラス基板（ＮＡ３５：ＮＨテクノグラス社製）上インラインスパッタ装置でＴｉを０．５ａｔ％含むＡｌＴｉ合金薄膜を厚さ３００Å成膜し、次に、Ｃｒ薄膜を８００Åの厚みで成膜した。尚、オージエ分析で組成変化を確認したとｋろ、ＡｌＴｉ合金薄膜とＣｒ薄膜は連続的に組成変化している連続膜であることが確認された。
ここで、スパッタリングに用いたターゲットは幅６インチのターゲットで、基板搬入側でＡｌＴｉ（Ｔｉ：０．５ａｔ％）を２インチの幅に、基板搬出側でＣｒを４インチの幅に設けたターゲットを用いた。
成膜後のガラス基板上に、感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法により５０００Åの厚みで塗布し、さらに、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍを有するマトリックス状のレジスト膜を作成した。
このマトリックス状のレジスト膜が作成されたガラス基板を、Ｃｒエッチング液（ＨＹ液：（和光純薬製））に浸漬しＣｒをエッチングした後、さらに、りん酸と硝酸の混合溶液でＡｌ合金をエッチングし、 最後に、アルカリ水溶液中に浸漬してレジスト膜を溶解除去した。
このエッチングおよびレジスト膜除去の完了したガラス基板に基板加熱温度１５０℃の条件下でＡｌＴｉ合金／Ｃｒパターン上にＩＴＯ膜をスパッタリングにて成膜し液晶表示パネル用対向基板を得た。
【００６０】
上述の様に作製した液晶表示パネル用対向基板は、ガラス面からの反射率が８８％（即ち、対向基板の入射光側表面（入射側のガラス基板表面反射＋入射側のＡｌＴｉ合金薄膜表面反射）），Ｃｒを形成した面からの反射率は３６％であった。
また、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、Ａｌ合金薄膜には、ピンホールが発生していないことが確認された。
さらに、得られたパターン断面には段差がなく、極めて良好な断面を有していることが確認された。
【００６１】
（実施例１）＜ＡｌＴｉ／ＣｒＮ連続膜＞
厚み１．１ｍｍの無アルカリガラス基板（ＮＡ３５：ＮＨテクノグラス社製）上に、インラインスパッタ装置を用い、Ｔｉを１．０ａｔ%含むＡｌＴｉ合金薄膜を厚さ１００Å成膜し、次に、窒化Ｃｒ薄膜１２００Åを成膜した。このときスパッタリングに用いたターゲットは、ＡｌＴｉ（Ｔｉ：１．０ａｔ％）ターゲットとＣｒターゲットとを１インチの間隔で近接させて設けたもので、スパッタリングの際は、基板搬出側から窒素を含むアルゴンガスを流しながら成膜した。尚、オージエ分析で組成変化を確認したとｋろ、ＡｌＴｉ合金薄膜と窒化Ｃｒ薄膜は連続的に組成変化している連続膜であることが確認された。
成膜後のガラス基板上に、感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法により５０００Åの厚みで塗布し、さらに、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍを有するマトリックス状のレジスト膜を作成した。
このマトリックス状のレジスト膜が作成されたガラス基板を、Ｃｒエッチング液（ＨＹ液：（和光純薬製））を用いて窒化Ｃｒ薄膜をエッチングした後、さらに、アルカリ水溶液中レジスト膜を溶解除去すると同時にＡｌＴｉ合金薄膜をエッチングした。
この、エッチングおよびレジスト膜除去の完了したガラス基板に基板加熱温度１５０℃の条件下でＡｌ合金／Ｃｒパターン上にＩＴＯ膜をスパッタリングにて成膜し液晶表示パネル用対向基板を得た。
【００６２】
上述の様に作製した液晶表示パネル用対向基板は、ガラス面からの反射率が８５％（即ち、対向基板の入射光側表面（入射側のガラス基板表面反射＋入射側のＡｌＴｉ合金薄膜表面反射）），窒化Ｃｒを形成した面からの反射率は１２％であった。
また、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、Ａｌ合金薄膜には、ピンホールが発生していないことが確認された。
さらに、得られたパターン断面には段差がなく、極めて良好な断面を有していることが確認された。
【００６３】
（比較例１）
厚み１．１ｍｍの無アルカリガラス基板（ＮＡ３５：ＮＨテクノグラス社製）上にスパッタリング法によりＡｌ薄膜を厚さ１００Å成膜し、さらにスパッタリング法により、Ｃｒ薄膜を、厚さ１２００Å成膜した。
成膜後のガラス基板上に、感光性樹脂（レジスト）をスピーンコート法により５０００Åの厚みで塗布し、さらに、フォトマスクを用い、幅４μｍ、ピッチ２６μｍを有するマトリックス状のレジスト膜を作成した。
このマトリックス状のレジスト膜が作成されたガラス基板を、Ｃｒエッチング液（ＨＹ液：（和光純薬製））を用いてＣｒ薄膜をエッチングした後、さらに、りん酸と硝酸の混合溶液でＡｌ薄膜をエッチングし、最後に、アルカリ水溶液中に浸漬してレジスト膜を溶解除去した。
この、エッチングおよびレジスト膜除去の完了したガラス基板に基板加熱温度１５０℃の条件下でＡｌ／Ｃｒパターン上にＩＴＯ膜をスパッタリングにて成膜し液晶表示パネル用対向基板を得た。
【００６４】
上述の様に作製した液晶表示パネル用対向基板は、ガラス面からの反射率が５０％（即ち、対向基板の入射光側表面（入射側のガラス基板表面反射＋入射側のＡｌ薄膜表面反射）），Ｃｒを形成した面からの反射率は６０％であった。
また、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、Ａｌ合金薄膜には、直径０．５〜１．０μｍ程度のピンホールが多発していることが確認された。
また、電子顕微鏡によりパターン形状を観察したところ、１μｍ超のギザが発生していた。
【００６５】
（実施例２）
後述するマトリックス状に設けられた遮光性膜の開口の中心に位置するように、予め、位置、個数、および凹部の底壁面の曲面が調整されている凹部を等方エッチングにて形成したガラス基板とカバーガラス基板とを準備した。前記凹部が設けられているガラス面とカバーガラス基板との間に高屈折率樹脂を充填して接合し、多数のマイクロレンズが形成されマイクロレンズアレイを構成したマイクロレンズ基板を作製した。
このマイクロレンズ基板のカバーガラス基板側に、実施例１と同様の方法によりマトリックス状に設けられた遮光性膜とＩＴＯ膜を形成して、マイクロレンズ基板付き対向基板を作製した。
上述の様に作製したマイクロレンズ基板付き対向基板において、１２０℃、５００時間の耐熱試験後、金属顕微鏡による観察の結果、Ａｌ合金薄膜には、ピンホールが発生していないことが確認された。
さらに、得られたパターン断面には段差がなく、極めて良好な断面を有していることが確認された。
このマイクロレンズ基板付き対向基板を用いて、液晶表示パネルを作製したところ、誤作動が起こらず、かつ明るい良好な画面を有する液晶表示パネルを得ることができた。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明は、液晶表示パネル内の遮光性膜において、ＴＦＴ等のスイッチング素子への光コンタミネーションを低く抑えることで、スイッチング素子の誤作動を防止し高いコントラストを発揮する液晶表示パネルを作製するための、液晶表示パネル用対向基板を提供するために、複数の画素電極と、前記複数の画素電極を個々にスイッチング駆動する複数のスイッチング素子を有する駆動基板と、前記駆動基板より所定の間隙を介して対向設置された対向基板と、前記所定の間隙に保持された液晶とを有する液晶表示パネルに用いられる前記対向基板であって、前記対向基板は、透光性を有する基板上に、少なくとも前記スイッチング素子に対応した領域、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路に対応した領域の何れか一方又は両方に遮光性膜が形成されており、前記遮光性膜は、少なくとも前記透光性を有する基板側が金属薄膜で構成されている液晶表示パネル用対向基板であって、前記金属薄膜には、マイグレーションの発生を抑制する元素が含まれていることを特徴とする液晶表示パネル用対向基板を発明したものである。
この発明の結果、マトリックス状に設けられた遮光性膜のピンホールは抑制され、液晶表示パネルの誤作動を起こさない信頼性の高い液晶表示パネル用対向基板を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る対向基板の断面図である。
【図２】ピンホール発生個数とマトリックス状に設けられた遮光性膜パターン形状の評価結果を示した表である。
【図３】マトリックス状に設けられた遮光性膜のパターン形状を評価する方法について説明するための図である。
【図４】本発明の異なる実施の形態に係る遮光性膜が高反射膜の１層を有する対向基板の断面図である。
【図５】本発明の異なる実施の形態に係るマイクロレンズ基板付き対向基板の断面図である。
【符号の説明】
１０…透光性基板、２０…遮光性膜、２１…高反射膜、２５…低反射膜、３５…マイクロレンズ、１００…対向基板、３００…マイクロレンズ基板付き対向基板。
【図１】
0003735814.tif 000002
【図２】
0003735814.tif 000003
【図３】
0003735814.tif 000004
【図４】
0003735814.tif 000005
【図５】
0003735814.tif 000006