【手続補正書】
【提出日】平成30年3月14日(2018.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、発光要素として、
青色半導体発光素子、
緑色蛍光体、および、
赤色蛍光体を有する発光装置であって、
前記発光装置から主たる放射方向に出射される光は、以下の条件１、条件３、条件４、及び条件Ｉから条件ＩＶのすべてを満たすことを特徴とする発光装置。
条件１：
波長をλとし、前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬに応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光のＴＳＳＬに応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲で、前記ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘ（ｎｍ）とした際に、前記λＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘ）／２となる波長Λ４が存在する場合においては、
下記数式（１）で表される指標Ａｃｇが、
−１０．０  ＜  Ａｃｇ  ≦  １２０．０
であり、
一方、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲で、前記ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘ（ｎｍ）とした際に、前記λＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＳＳＬ−ＲＬ−ｍａｘ）／２となる波長Λ４が存在しない場合においては、
下記数式（２）で表される指標Ａｃｇが、
−１０．０  ＜  Ａｃｇ  ≦  １２０．０
である。
【数１】
2015144231.tif 000001
【数２】
2015144231.tif 000002
条件３：
前記光の分光分布φＳＳＬ（λ）は、４３０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下の範囲における分光強度の最大値をφＳＳＬ−ＢＭ−ｍａｘ、４６５ｎｍ以上５２５ｎｍ以下の範囲における分光強度の最小値をφＳＳＬ−ＢＧ−ｍｉｎと定義した際に、
０．２２５０  ≦  φＳＳＬ−ＢＧ−ｍｉｎ／φＳＳＬ−ＢＭ−ｍａｘ  ≦  ０．７０００
である。
条件４：
前記光の分光分布φＳＳＬ（λ）は、５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲における分光強度の最大値をφＳＳＬ−ＲＭ−ｍａｘと定義した際に、前記φＳＳＬ−ＲＭ−ｍａｘを与える波長λＳＳＬ−ＲＭ−ｍａｘが、
６０５（ｎｍ）  ≦  λＳＳＬ−ＲＭ−ｍａｘ  ≦  ６５３（ｎｍ）
である。
条件Ｉ：
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記主たる放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の前記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが、
−４．００  ≦  ΔＣｎ  ≦  ８．００  （ｎは１から１５の自然数）
である。
条件ＩＩ：
下記式（３）で表される前記飽和度差の平均が、
【数３】
2015144231.tif 000003
【数４】
2015144231.tif 000004
である。
条件ＩＩＩ：
前記飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、前記飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差｜ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ｜が、
２．００  ≦  ｜ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ｜  ≦  １０．００
である。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票
＃０１        ７．５  Ｐ    ４    ／１０
＃０２      １０      ＰＢ  ４    ／１０
＃０３        ５      ＰＢ  ４    ／１２
＃０４        ７．５    Ｂ  ５    ／１０
＃０５      １０      ＢＧ  ６    ／  ８
＃０６        ２．５  ＢＧ  ６    ／１０
＃０７        ２．５    Ｇ  ６    ／１２
＃０８        ７．５  ＧＹ  ７    ／１０
＃０９        ２．５  ＧＹ  ８    ／１０
＃１０        ５        Ｙ  ８．５／１２
＃１１      １０      ＹＲ  ７    ／１２
＃１２        ５      ＹＲ  ７    ／１２
＃１３      １０        Ｒ  ６    ／１２
＃１４        ５        Ｒ  ４    ／１４
＃１５        ７．５  ＲＰ  ４    ／１２
条件ＩＶ：
前記発光装置から前記主たる放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の前記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記主たる放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬに応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の前記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が、
０．００  度  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  １２．５０  度  （ｎは１から１５の自然数）
である。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が条件７を満たすことを特徴とする発光装置。
条件７：
２１０．０  ｌｍ／Ｗ  ≦  Ｋ  ≦  ２９０．０  ｌｍ／Ｗ
である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置であって、
前記ＴＳＳＬ（Ｋ）が条件８を満たすことを特徴とする発光装置。
条件８：
２６００  Ｋ  ≦  ＴＳＳＬ  ≦  ７７００  Ｋ
である。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記φＳＳＬ（λ）は３８０ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の範囲において前記発光要素由来の実効強度を有さないことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記青色半導体発光素子は、前記青色半導体発光素子単体のパルス駆動時のドミナント波長λＣＨＩＰ−ＢＭ−ｄｏｍが４４５ｎｍ以上４７５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記緑色蛍光体は広帯域緑色蛍光体であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記緑色蛍光体は、前記緑色蛍光体単体の光励起時の発光強度最大値を与える波長λＰＨＯＳ−ＧＭ−ｍａｘが５１１ｎｍ以上５４３ｎｍ以下であり、
その半値全幅ＷＰＨＯＳ−ＧＭ−ｆｗｈｍが９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置は、実質的に黄色蛍光体を含まないことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記赤色蛍光体は、前記赤色蛍光体単体の光励起時の発光強度最大値を与える波長λＰＨＯＳ−ＲＭ−ｍａｘが６２２ｎｍ以上６６３ｎｍ以下であり、
その半値全幅ＷＰＨＯＳ−ＲＭ−ｆｗｈｍが８０ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記青色半導体発光素子は、ＡｌＩｎＧａＮ系発光素子であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記緑色蛍光体は、Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＣＳＭＳ蛍光体）、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ（ＣＳＯ蛍光体）、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＬｕＡＧ蛍光体）、またはＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ（Ｇ−ＹＡＧ蛍光体）であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記赤色蛍光体は（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ蛍光体）、ＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）３：Ｅｕ（ＣＡＳＯＮ蛍光体）、またはＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（ＣＡＳＮ蛍光体）を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記青色半導体発光素子は、前記青色半導体発光素子単体のパルス駆動時のドミナント
波長λＣＨＩＰ−ＢＭ−ｄｏｍが４５２．５ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であるＡｌＩｎＧａＮ系発光素子であり、
前記緑色蛍光体は、前記緑色蛍光体単体の光励起時の発光強度最大値を与える波長λＰＨＯＳ−ＧＭ−ｍａｘが５１５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下で、その半値全幅ＷＰＨＯＳ−ＧＭ−ｆｗｈｍが９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることを特徴とするＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ（ＣＳＯ蛍光体）またはＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＬｕＡＧ蛍光体）であり、
前記赤色蛍光体は、前記赤色蛍光体単体の光励起時の発光強度最大値λＰＨＯＳ−ＲＭ−ｍａｘを与える波長が６４０ｎｍ以上６６３ｎｍ以下で、その半値全幅ＷＰＨＯＳ−ＲＭ−ｆｗｈｍが８０ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であることを特徴とするＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）３：Ｅｕ（ＣＡＳＯＮ蛍光体）またはＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（ＣＡＳＮ蛍光体）である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光装置が、パッケージ化ＬＥＤ、チップオンボード型ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ電球、ＬＥＤ照明器具、またはＬＥＤ照明システムであることを特徴とする発光装置。