(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜を除去し、かつ、前記基板の表面を水素で終端させる工程と、
前記基板上にインジウムからなる緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層上にインジウムとアンチモンからなる初期核層を形成する工程と、
前記基板を４６０℃〜４８０℃に昇温した後、前記基板の温度の関数で近似される保持時間を設け、その後に前記初期核層上にインジウムとアンチモンからなる本成長層を形成する工程と、を備え、
前記基板の温度の関数で近似される保持時間の関係式は、前記本成長層の形成時の表面がシリコン単結晶からなる基板の温度Ｔ（℃）と前記保持時間τ（分）とした場合、
―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ―３７０３＜τ＜―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ―３６９１、かつ、τ＞０
を満足していることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜の除去および水素終端を、フッ化水素水溶液、フッ化アンモニウム水溶液およびこれらの混合水溶液のうちの一つの水溶液を用いて処理することを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項３】
さらに、前記初期核層上にインジウムとアンチモンからなる本成長層を所定膜厚まで相対的に低成長速度で形成したのち、相対的に高成長速度で本成長層の形成を継続する工程を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記本成長層を５〜１００ｎｍの膜厚まで０．０１〜０．５ｎｍ／ｓの低成長速度で形成したのち、０．２〜５ｎｍ／ｓの高成長速度で本成長層の形成を継続することを特徴とする請求項３記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜の除去および水素終端を、フッ化水素水溶液、フッ化アンモニウム水溶液およびこれらの混合水溶液のうちの一つの水溶液を用いて、前記基板の表面が常に活性状態の前記水溶液に曝される状態で処理することを特徴とする請求項１ないし請求項４記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項６】
電子ビーム加熱式真空蒸着法によってインジウムを加熱蒸発させ、蒸発インジウムを表面がシリコン単結晶からなる基板上に堆積させて、前記緩衝層、初期核層および本成長層を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項５記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６記載の半導体薄膜の製造方法のいずれか一つの製造方法によって形成された半導体薄膜を加工し、該加工された半導体薄膜に短絡電極、端子電極および保護膜の少なくとも一つを付設したことを特徴とする素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体薄膜、特に、インジウムアンチモン薄膜の製造方法およびその製造方法による半導体薄膜を備えた磁電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）化合物半導体はキャリア移動度が高く、磁気抵抗素子やホール素子などの磁電変換素子の材料として用いられている。その中でも例えば、ＩｎＳｂ磁気抵抗素子はＩｎＳｂ単結晶バルク薄片を支持基板に接着、研磨し、素子化していたが、高温での信頼性に乏しいという欠点があった。これは、高温での接着力劣化やＩｎＳｂ／接着層／支持基板間の熱膨張係数の差異による剥離、亀裂などの問題が生じるためである。そのため、Ｓｉ基板上にＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を直接成長させる試みが近年盛んになされ、良質なＩｎＳｂ薄膜が得られるようになってきた（特開平７−２４９５７７号公報参照）。Ｓｉ基板上に高品位のＩｎＳｂ薄膜を直接形成して素子化するので、カーエレクトロニクス等の高温用途の磁気抵抗材料として有望視されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平７−２４９５７７号公報で開示されている方法でＳｉ基板上にＩｎＳｂ薄膜を成長させた場合、キャリア移動度は約４２０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以下であり、磁気抵抗素子の感度としては、十分とは言えなかった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、キャリア移動度の高い半導体薄膜の製造方法およびその製造方法による半導体薄膜を備えた磁電変換素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】
以上の目的を達成するため、本発明に係る半導体薄膜の製造方法は、表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜を除去し、かつ、前記基板の表面を水素で終端させる工程と、前記基板上にインジウムからなる緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層上にインジウムとアンチモンからなる初期核層を形成する工程と、前記基板を４６０℃〜４８０℃に昇温した後、前記基板の温度の関数で近似される保持時間を設け、その後に前記初期核層上にインジウムとアンチモンからなる本成長層を形成する工程と、を備え、前記基板の温度の関数で近似される保持時間の関係式は、前記本成長層の形成時の表面がシリコン単結晶からなる基板の温度Ｔ（℃）と前記保持時間τ（分）とした場合、
―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ―３７０３＜τ＜―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ―３６９１、かつ、τ＞０
を満足していることを特徴とする。
【０００６】
表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜の除去および水素終端は、フッ化水素水溶液、フッ化アンモニウム水溶液およびこれらの混合水溶液のうちの一つの水溶液を用いて行うことが好ましい。
【０００７】
以上の方法により、キャリア移動度の高い（４５０００〜５２０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ）半導体薄膜が安定して得られる。
【０００８】
また、本発明に係る半導体薄膜の製造方法は、本成長層を所定膜厚まで相対的に低成長速度で形成したのち、相対的に高成長速度で本成長層の形成を継続する工程を備えたことを特徴とする。より具体的には、本成長層を５〜１００ｎｍの膜厚まで０．０１〜０．５ｎｍ／ｓの低成長速度で形成したのち、０．２〜５ｎｍ／ｓの高成長速度で本成長層の形成を継続することが好ましい。
【０００９】
以上の方法により、本成長層形成過程において、本成長層初期のＩｎとＳｂの供給速度を低く抑えることでＩｎＳｂ結晶性が改善する。所定の膜厚に達した後は、両材料の供給速度を上げても結晶性を悪化させることなく、ＩｎＳｂ薄膜の形成が継続できる。
【００１０】
また、表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜の除去および水素終端を、フッ化水素水溶液、フッ化アンモニウム水溶液およびこれらの混合水溶液のうちの一つの水溶液を用いて、前記基板の表面が常に活性状態の前記水溶液に曝される状態で処理することにより、前記基板の表面全面が均一に水素で終端される。
【００１１】
そして、緩衝層、初期核層および本成長層を形成する際には、電子ビーム加熱式真空蒸着法によってインジウムを加熱蒸発させ、蒸発インジウムを表面がシリコン単結晶からなる基板上に堆積させることが好ましい。
【００１２】
また、本発明に係る磁電変換素子は、前述の特徴を有する製造方法で形成された半導体薄膜を加工し、該加工された半導体薄膜に短絡電極、端子電極および保護膜の少なくとも一つを付設することにより、高温での十分な信頼性を有するとともに、優れた電気特性が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体薄膜の製造方法およびその製造方法による半導体薄膜を備えた磁電変換素子の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１４】
まず、フッ化水素（ＨＦ）水溶液を用いて、Ｓｉ単結晶基板表面を水素で終端（以下、ＨＦ終端と称する）させる。具体的には、Ｓｉ単結晶基板を有機洗浄、酸洗浄、アルカリ洗浄、超音波洗浄した後、５％フッ化水素水溶液中にＳｉ単結晶基板を静止させた状態で１分間浸漬し、超純水中ですすぐ。これにより、Ｓｉ単結晶基板表面の酸化膜がエッチング除去され、露出したＳｉ未結合手が水素と結合することで（Ｓｉ−Ｈ結合）、終端される。こうしてＨＦ終端処理されたＳｉ単結晶基板表面は自然酸化を防止する効果を有する。しかし、製造工程における品質安定化のため、Ｓｉ単結晶基板はＨＦ処理後３０分以内に真空蒸着装置内にセットすることが好ましい。Ｓｉ単結晶基板はｎ型（１１１）面のもので、厚みは２００〜５００μｍ、抵抗率は１ｋΩ・ｃｍ以上である。なお、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）水溶液、あるいは、フッ化水素水溶液とフッ化アンモニウム水溶液の混合水溶液を用いても、同様の水素終端効果が得られる。
【００１５】
図１は真空蒸着装置１の概略構成図である。真空チャンバー２内には、原料であるＩｎを入れたるつぼ３と、Ｓｂを入れた蒸着ボート４と、Ｉｎを加熱するための電子ビーム銃５と、Ｓｉ単結晶基板１１を加熱するためのヒータ７とが収容されている。
【００１６】
ＨＦ終端化処理されたＳｉ単結晶基板１１を真空蒸着装置１内にセットした後、チャンバー２内を真空度が１×１０-3Ｐａ以下になるまで排気する。次に、図２に示すように、ヒータ７にてＳｉ単結晶基板１１を加熱して２７０〜３２０℃まで昇温させる。この後、電子ビーム銃５から電子ビーム８を放射してるつぼ３の中のＩｎを加熱し、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層をＳｉ単結晶基板１１の表面に形成する（図２のＩｎ緩衝層形成過程Ａを参照）。Ｉｎ緩衝層の厚みは０．２〜１．０ｎｍである。
【００１７】
さらに引き続いて、蒸着ボート４に電流を流して蒸着ボート４全体を加熱し、蒸着ボート４の中のＳｂを加熱し、ボート加熱式真空蒸着法によるＳｂと電子ビーム加熱式真空蒸着法によるＩｎとからなる初期核層をＩｎ緩衝層の表面に形成する（図２の初期核層形成過程Ｂを参照）。初期核層の厚みは２〜２００ｎｍである。このときのＩｎとＳｂの供給比率はＳｂ／Ｉｎ＝１．２〜３．０である。このＩｎＳｂ初期核層の結晶性は、ＩｎＳｂ薄膜の出来映えに重要であり、Ｓｉ単結晶基板温度、Ｉｎ緩衝層厚み、Ｉｎ／Ｓｂ供給比率および初期核層厚みに影響される。なお、Ｓｂの蒸着方法として、るつぼをヒータで加熱する抵抗加熱式真空蒸着法を採用してもよい。
【００１８】
次に、本成長層を形成する工程に移る。ここで、本成長層形成時のＳｉ単結晶基板１１の温度と製作されたＩｎＳｂ薄膜のキャリア移動度との間には、図３に示すような密接な関係があることがわかった。すなわち、Ｓｉ単結晶基板１１の温度に対して、ＩｎＳｂ薄膜のキャリア移動度は指数関数的に増加し、４６０℃以上でキャリア移動度は４５０００（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）を越える。ところが、基板１１の温度をさらに昇温して４８０℃を越えると、キャリア移動度は４５０００（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）より小さくなる。
【００１９】
さらに、基板１１の温度をそれぞれ４６５℃、４７５℃および４８０℃にした後、それぞれの基板温度に対し本成長層形成を開始するまでに保持時間を設け、その基板温度と保持時間に対するキャリア移動度の関係を調べたところ、図４に示すように、いずれの温度の場合もキャリア移動度は保持時間によって変化し、最適となる保持時間が存在することがわかった。そこで、４６５℃、４７５℃および４８０℃の各温度の場合について、その温度Ｔ（℃）とキャリア移動度が４５０００（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）を越える場合の保持時間τ（分）との関係をプロットしたところ（図５参照）、それらは２次関数式で近似できることが分かった。つまり、最小二乗法により４５０００（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上のキャリア移動度を得るための本成長層形成時の基板温度Ｔ（℃）および保持時間τ（分）は、以下の関係式（１）で近似できる。
―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ―３７０３＜τ＜―０．０２Ｔ2＋１７．３Ｔ−３６９１…（１）
（ただし、Ｔは４６０℃以上４８０℃以下）
【００２０】
以上のことは、初期核層形成過程においてＳｉ単結晶基板１１上に供給されたＩｎとＳｂを、本成長層形成過程にて加熱処理して化学量論組成のＩｎＳｂ結晶化を誘引するのに、最適な基板温度および保持時間があることを示している。
【００２１】
図６に、本成長層形成過程において、種々の基板温度に対し前記関係式（１）より得られた最適時間を保持したのち形成を行なった場合のＩｎＳｂ薄膜のＸ線回折（ＸＲＤ）ロッキングカーブ半値幅およびキャリア移動度を評価した結果を示す。基板温度が上昇するにつれ半値幅が減少し、キャリア移動度も増加している。つまり、ＩｎＳｂ薄膜の結晶の配向性を高めてキャリア移動度を向上させるのに、基板温度と保持時間で決定されるアニール効果の最適化が寄与していることがわかった。
【００２２】
そこで、図２に示すように、初期核層が所定の膜厚まで形成されたら、一旦蒸着を停止し、Ｓｉ単結晶基板１１の温度を４６０℃〜４８０℃まで昇温させる。Ｓｉ単結晶基板１１の温度が４６０℃〜４８０℃に昇温した後、Ｓｉ単結晶基板１１の温度Ｔ（℃）の関数で近似される保持時間τ（分）を設ける。より具体的には、前記関係式（１）を満足する保持時間τ（分）を設ける（図２の保持過程Ｃを参照）。
【００２３】
保持時間τ（分）の後、ボート加熱式真空蒸着法によるＳｂと電子ビーム加熱式真空蒸着法によるＩｎとからなる本成長層の形成を開始する。この本成長層の成長速度は、開始直後は低速度の０．０１〜０．５ｎｍ／ｓの範囲で行う（図２の低速度での本成長層形成過程Ｄを参照）。本成長層が５〜１００ｎｍの範囲の膜厚まで達したら、０．２〜５ｎｍ／ｓの高速度に切り替え、最終的に２〜４μｍ程度の膜厚になるまでＩｎＳｂ本成長層を形成する（図２の高速度での本成長層形成過程Ｅを参照）。この本成長層形成時のＩｎとＳｂの供給比率は、Ｓｂ／Ｉｎ＝１．４〜４．０である。
【００２４】
このように、本成長層形成過程において、開始初期のＩｎおよびＳｂの供給速度を抑えることで、転移の集中しやすいＳｉとの格子不整合遷移領域のうちは、ＩｎおよびＳｂ原子が表面拡散し安定な格子位置に落ち着くまでの時間的な余裕を与える。これにより、ＩｎＳｂ結晶性が向上し、さらに高いキャリア移動度が得られる。その後、ＩｎＳｂの本成長層の膜厚が厚くなり、Ｓｉ結晶格子の影響の弱くなった純粋なＩｎＳｂ配向成長領域に到達したら、ＩｎおよびＳｂの供給速度を上げても結晶性は悪化しない。
【００２５】
こうして得られたＩｎＳｂ薄膜を反射光速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ線回折（ＸＲＤ）および誘導結合プラズマ発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）分析で評価した。すると、本成長層開始前の初期核層および本成長層は、Ｓｉ（１１１）にエピタキシャル成長した化学量論組成のＩｎＳｂ（１１１）であることがわかった。また、Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法によりキャリア移動度を測定した結果、４５０００〜５２０００ｃｍ2／Ｖ・ｓの高いものであった。
【００２６】
また、本実施形態では、Ｉｎ緩衝層、ＩｎＳｂ初期核層およびＩｎＳｂ本成長層の形成にあたり、電子ビーム加熱方式（ＥＢ方式）を用いてＩｎを真空蒸着している。低融点材料のＩｎを蒸着する場合、一般に抵抗加熱式真空蒸着法を用いるが、本実施形態は蒸着速度の制御が重要であるため、蒸着源に対してより繊細なパワー制御が可能なＥＢ方式を採用した。その結果、従来の抵抗加熱方式での蒸着速度バラツキ±０．１ｎｍ／ｓに対し、±０．０１ｎｍ／ｓ以下での速度制御が可能となり、０．０１ｎｍ／ｓオーダーの低速度での薄膜形成や０．１ｎｍオーダーの高精度の膜厚制御が可能となり、良質な半導体薄膜を形成できる。
【００２７】
なお、前記実施形態では、Ｓｉ単結晶基板１１のＨＦ終端処理のとき、５％フッ化水素水溶液中にＳｉ単結晶基板１１を静止させた状態で１分間浸漬したが、Ｓｉ単結晶基板１１を５％フッ化水素水溶液中で１分間絶えず揺動させながら浸漬させることが好ましい。表１に、静止させた状態で処理したＳｉ単結晶基板１１上に形成されたＩｎＳｂ薄膜と、揺動させながら処理したＳｉ単結晶基板１１上に形成されたＩｎＳｂ薄膜のそれぞれのキャリア移動度の成膜ロット内の統計値を示す。キャリア移動度の平均値は両者とも同等であるが、ばらつき（＝３×標準偏差／平均値）は、揺動させた場合の方が約６０％少ない。つまり、Ｓｉ単結晶基板１１をフッ化水素水溶液中で揺動することで、Ｓｉ単結晶基板１１表面を常に新鮮で活性な状態のフッ化水素水溶液に曝すことができるので、Ｓｉ単結晶基板１１全面で安定したＨＦ終端が得られ、キャリア移動度、比抵抗等の電気的特性のばらつきを低減することができる。
【００２８】
【表１】
0003823693.tif 000002
【００２９】
また、静止保持されたＳｉ単結晶基板１１に対し、
（１）フッ化水素水溶液の槽内にＮ2ブロー等を通すことでバブル攪拌させる
（２）フッ化水素水溶液をノズル等から噴流させる
（３）フッ化水素水溶液を攪拌片（ベーン）等を用いて攪拌させる
ことでも、Ｓｉ単結晶基板１１の表面を常に新鮮で活性な状態のフッ化水素水溶液に曝すことができ、同様の効果が得られる。
【００３０】
図７に示す磁電変換素子の一つである磁気抵抗素子２１は、このＳｉ単結晶基板１１上に形成されたＩｎＳｂ薄膜のフォトリソグラフィーおよびエッチング加工を行って磁気抵抗パターンを形成し、さらにＮｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ａｕ，Ａｌ等の単体もしくは合金または多層膜からなる短絡電極および端子電極をフォトリソグラフィー、エッチングやリフトオフ加工により形成した。Ｓｉ単結晶基板１１の上面１１ａ（以下、検知面１１ａとする）には、所定の磁気抵抗値を得るための蛇行形状の磁気抵抗パターン２２と短絡電極２２’と保護膜（図示せず）が形成されている。基板１１の両端部には端子電極２４ａ，２４ｂが形成されている。この磁気抵抗素子２１は−５０〜＋１５０℃の温度サイクルを繰り返しても、各材料間の密着不良、剥離や特性劣化等の問題もなく、十分高温用途に耐え得る。
【００３１】
図８は、前記磁気抵抗素子２１を備えた磁気センサ３１の構成を示す断面図である。磁気センサ３１は、磁気抵抗素子２１，磁気抵抗素子２１にバイアス磁界を印加する磁石３３，部品２１，３３を搭載するための支持部材である回路基板３４及び非磁性保護ケース３６等にて構成されている。
【００３２】
磁気抵抗素子２１は、接着剤等により回路基板３４上に水平に実装される。一方、端子３８は、回路基板３４に設けた貫通穴３４ａに挿通されている。端子３８の頭部と磁気抵抗素子２１の端子電極２４ａ，２４ｂとは、リードフレーム３７により接続される。また、回路基板３４に設けた回路パターン（図示せず）を介して電気的に接続してもよい。
【００３３】
回路基板３４の磁気抵抗素子２１実装面とは反対側の面には、磁石３３が接着剤を利用して固着される。磁石３３は回路基板３４を挟んで磁気抵抗素子２１に対向している。部品２１，３３，３８を搭載した回路基板３４は、非磁性保護ケース３６内に充填材３５と共に収納される。
【００３４】
また、図９に示す磁電変換素子の一つであるホール素子４１は、このＳｉ単結晶基板１１上に形成されたＩｎＳｂ薄膜のフォトリソグラフィーおよびエッチング加工を行ってホール素子パターンを形成し、さらにＮｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ａｕ，Ａｌ等の単体もしくは合金または多層膜からなる端子電極をフォトリソグラフィー、エッチングやリフトオフ加工により形成した。Ｓｉ単結晶基板１１の検知面１１ａには、十字形状のホール素子パターン４２と保護膜（図示せず）が形成されている。基板１１の四つの側面部には端子電極４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂが形成されている。このホール素子４１は−５０〜＋１５０℃の温度サイクルを繰り返しても、各材料間の密着不良、剥離や特性劣化等の問題もなく、十分高温用途に耐え得る。
【００３５】
なお、本発明に係る半導体薄膜の製造方法およびその製造方法による半導体薄膜を備えた磁電変換素子は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、前記実施形態では、Ｓｉ単結晶基板に（１１１）基板を使用したが、（１００）等の他の方位のものや傾斜基板を用いてもよい。さらには、張り合わせ法やイオン注入法によって形成されるＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造の基板のように、表面がＳｉ単結晶膜であれば、同様に良質な半導体薄膜を得ることができる。特に、ＳＯＩ構造の基板の場合は、半導体であるＳｉ結晶を薄層化することで基板への漏れ電流を極小化できるので、磁電変換素子などに適用する場合は感度特性が良好となる。
【００３６】
また、前記実施形態では、Ｉｎ緩衝層、ＩｎＳｂ初期核層およびＩｎＳｂ本成長層を真空蒸着法で形成したが、ＰＡＤ法（プラズマアシステッドデポジション法）、ＩＣＢ法（イオンクラスタービーム法）等、適切なイオン、プラズマを利用しても、良質な半導体薄膜を形成できる。また、Ｉｎの真空蒸着には、ＥＢ方式の代わりに、抵抗加熱式真空蒸着法を使用してもよい。
【００３７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、表面がシリコン単結晶からなる基板を４６０℃〜４８０℃に昇温した後、所定の温度で所定の保持時間を設け、その後にインジウムとアンチモンからなる本成長層を形成することにより、４５０００（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上の高いキャリア移動度を有する半導体薄膜を得ることができる。この結果、表面がシリコン単結晶からなる基板上に、従来のＩｎＳｂ単結晶バルク薄片と同等のキャリア移動度を持つＩｎＳｂ薄膜を、接着層を介することなく直接形成でき、−５０〜＋１５０℃の温度範囲の用途でも十分満足できる信頼性を持つ優れた半導体磁電変換素子を得ることができる。
【００３９】
また、本成長層を所定膜厚まで相対的に低成長速度で形成したのち、相対的に高成長速度で本成長層の形成を継続することにより、高いキャリア移動度を有する半導体薄膜を効率良く生産することができる。
【００４０】
また、表面がシリコン単結晶からなる基板の表面が常に活性状態のフッ化水素水溶液などの水溶液に曝される状態で、前記基板の表面酸化膜を除去しかつ前記基板の表面を水素で終端させることにより、電気的特性のばらつきの少ない安定した品質の半導体薄膜形成が可能になる。
【００４１】
また、電子ビーム加熱方式を用いてインジウムを真空蒸着することにより、０．０１ｎｍ／ｓオーダーの低速度での薄膜形成や０．１ｎｍオーダーの高精度の膜厚制御が可能となり、良質な半導体薄膜を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体薄膜の製造方法に用いられる真空蒸着装置の概略構成図。
【図２】本発明に係る半導体薄膜の製造方法の一実施形態を示すＳｉ基板温度のタイムチャート図。
【図３】Ｓｉ基板温度とキャリア移動度の関係を示すグラフ。
【図４】保持時間とキャリア移動度の関係を示すグラフ。
【図５】Ｓｉ基板温度と保持時間の関係を示すグラフ。
【図６】各Ｓｉ基板温度でのキャリア移動度と半値幅の関係を示すグラフ。
【図７】本発明に係る磁電変換素子の一実施形態を示す斜視図。
【図８】図７に示した磁電変換素子を用いた磁気センサを示す断面図。
【図９】本発明に係る磁電変換素子の他の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
１…真空蒸着装置
１１…Ｓｉ単結晶基板
２１…磁気抵抗素子
２２…磁気抵抗パターン
４１…ホール素子
４２…ホール素子パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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