(57)【要約】本発明は、ガラス基板（１）の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝（２）が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、その複数の溝（２）の頭頂部及び内壁面上に蛍光体層（３）が被着形成されてなる表示管用前面側ガラス基板である。かかる本発明によれば、溝内における蛍光体の塗布量を増大させることができ、しかも蛍光体塗布量が主として増大した、溝の側面よりの蛍光体の発光光を、効率良く前面側に放射させることができ、輝度と発光効率が向上した表示管用前面側ガラス基板を得ることができる。
2002061793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、
該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなることを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項２】
請求の範囲第１項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項３】
請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記複数の溝の頭頂部に、光吸収層が被着形成されてなることを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項４】
請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記複数の溝の互いに隣接する上記開口部間の間隙に、光反射層が被着形成されてなることを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項５】
請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記複数の溝の頭頂部に、光吸収層が被着形成されてなると共に、上記複数の溝の互いに隣接する上記開口部間の間隙に、光反射層が被着形成されてなることを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項６】
請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記複数の溝の上記頭頂部及び上記内壁面上で、上記蛍光体層の下層に、透明導電層が被着形成されてなることを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項７】
請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示管用前面側ガラス基板において、
上記蛍光体層上に、光反射導電層を被着形成したことを特徴とする表示管用前面側ガラス基板。
【請求項８】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなる表示管用前面側ガラス基板と、
アドレス電極及びサステイン電極を備える背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、ガスが封入された偏平管体が構成されるようにしたことを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項９】
請求の範囲第８項に記載の平面型放電表示装置において、上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項１０】
請求の範囲第８項又は第９項に記載の平面型放電表示装置において、
上記複数の溝の頭頂部に、光吸収層が被着形成されてなることを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項１１】
請求の範囲第８項又は第９項に記載の平面型放電表示装置において、
上記複数の溝の互いに隣接する上記開口部間の間隙に、光反射層が被着形成されてなることを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項１２】
請求の範囲第８項又は第９項に記載の平面型放電表示装置において、
上記複数の溝の頭頂部に、光吸収層が被着形成されてなると共に、上記複数の溝の互いに隣接する上記開口部間の間隙に、光反射層が被着形成されてなることを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項１３】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなり、上記複数の溝の上記頭頂部及び上記内壁面上で、上記蛍光体層の下層に、電子加速用のアノード電位が与えられる透明導電層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
カソード及び画素選択用制御ゲートを含む電極が被着形成された背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、偏平管体が構成されるようにしたことを特徴とする低速電子線型蛍光表示装置。
【請求項１４】
請求の範囲第１３項に記載の低速電子線型蛍光表示装置において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする低速電子線型蛍光表示装置。
【請求項１５】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなり、上記複数の溝の上記頭頂部及び上記内壁面上で、上記蛍光体層の下層に、電子加速用のアノード電位が与えられる透明導電層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
カソード及び画素選択用制御ゲートを含む電極が被着形成された背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、偏平管体が構成されるようにしたことを特徴とする電界放射型蛍光表示装置。
【請求項１６】
請求の範囲第１５項に記載の電界放射型蛍光表示装置において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする電界放射型蛍光表示装置。
【請求項１７】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなり、上記蛍光体層上に、電子加速用のアノード電位が与えられる光反射導電層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
電子銃及び電子線偏向手段を備えた背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、管体が構成されるようにしたことを特徴とする陰極線管。
【請求項１８】
請求の範囲第１７項に記載の陰極線管において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする陰極線管。
【請求項１９】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなり、上記蛍光体層上に、電子加速用のアノード電位が与えられる光反射導電層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
電子銃及び電子線偏向手段を備えた背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、管体が構成されるようにしたことを特徴とする電界放射型蛍光表示装置。
【請求項２０】
請求の範囲第１９に記載の電界放射型蛍光表示装置において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする電界放射型蛍光表示装置。
【請求項２１】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
上記複数の溝の両端側に位置する一対のコイル状熱陰極を備える背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、管体が構成されてなることを特徴とする照明用放電発光装置。
【請求項２２】
請求の範囲第２１項に記載の照明用放電発光装置において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする照明用放電発光装置。
【請求項２３】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有する複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されると共に、
該複数の溝の頭頂部に電極層が被着形成されてなり、
上記複数の溝の内壁面及び上記電極層上に、蛍光体層が被着形成されてなることを特徴とする平面型放電表示装置用ガラス基板。
【請求項２４】
ガラス基板の一方の面側に、一定間隔を以て互いに平行に形成された略Ｖ字形の同じ断面形状を有する複数の溝に、ペースト状の導電性インクを塗布して、上記複数の溝の頭頂部に、上記ペースト状の導電性インクの溜まりを形成し、
上記複数の溝内の上記ペースト状の導電性インクを乾燥させ、
上記ガラス基板をサンドブラストすることによって、上記複数の溝の内壁面に付着している上記導電性インクを除去して、上記複数の溝の頭頂部上にストライプ状の導電性インクを残存させ、
該残存するストライプ状の導電性インクを焼結して、電極を形成することを特徴とする平面型放電表示装置用ガラス基板の電極の形成方法。
【請求項２５】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｕ字形の同じ断面形状を有する複数の第１の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成され、
該複数の第１の溝のそれぞれの頭頂部に第２の溝が形成され、
該複数の第２の溝内にそれぞれ電極層が被着形成されると共に、
上記複数の第１溝の内壁面上及び上記電極層上に、蛍光体層が被着形成されてなることを特徴とする平面型放電表示装置用ガラス基板。
【請求項２６】
ガラス基板の一方の面側に、一定間隔を以て互いに平行に形成された略Ｕ字形の同じ断面形状を有する複数の第１の溝の頭頂部を除く部分をマスクで被覆し、
該マスクを通じて、上記複数の第１の溝のそれぞれの頭頂部に、サンドブラスト法又は化学エッチング法によって、第２の溝を形成し、
上記複数の第１の溝内及び該複数の第１の溝それぞれの頭頂部の上記第２の溝内に亘って、ペースト状の導電性インクを塗布することによって、上記複数の第２の溝内に、該ペースト状の導電性インクの溜まりを形成し、
上記複数の第１の溝内及び該複数の第１の溝それぞれの頭頂部の上記第２の溝内の上記導電性インクを乾燥させ、
上記ガラス基板をサンドブラストすることによって、上記複数の溝の内壁面に付着している上記導電性インクを除去して、上記複数の第２の溝内にストライプ状の導電性インクを残存させ、
該残存するストライプ状の導電性インクを焼結して、電極を形成することを特徴とする平面型放電表示装置用ガラス基板の電極の形成方法。
【請求項２７】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有する複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されると共に、該複数の溝の頭頂部に、アドレス電極としての電極層が被着形成されてなり、上記複数の溝の内壁面及び上記電極層上に、蛍光体層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
上記複数のアドレス電極と交叉して、ＸＹマトリクスを構成する互いに平行な一対のサステイン電極及び該一対のサステイン電極を被覆する誘電層からなるＡＣ型放電電極を備える背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、ガスが封入された偏平管体が構成されるようにしたことを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項２８】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｕ字形の同じ断面形状を有する複数の第１の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成され、該複数の第１の溝のそれぞれの頭頂部に第２の溝が形成され、該複数の第２の溝内に、それぞれアドレス電極としての電極層が被着形成されると共に、上記複数の第１溝の内壁面上及び上記電極層上に、蛍光体層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
上記複数のアドレス電極と交叉して、ＸＹマトリクスを構成する互いに平行な一対のサステイン電極及び該一対のサステイン電極を被覆する誘電層からなるＡＣ型放電電極を備える背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、ガスが封入された偏平管体が構成されるようにしたことを特徴とする平面型放電表示装置。
【請求項２９】
ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、該複数の溝の上記頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなる前面側ガラス基板と、
上記複数の溝の両端側に位置する一対のＡＣ型放電電極を備える背面側ガラス基板とを有し、
上記前面側ガラス基板及び上記背面側ガラス基板にて、管体が構成されてなることを特徴とする照明用放電発光装置。
【請求項３０】
請求の範囲第２９項に記載の照明用放電発光装置において、
上記複数の溝の断面において、上記頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、上記開口部から上記頭頂部までの高さが、上記開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する上記溝の開口部間の間隙幅が、上記溝の開口部の幅の半分より小さいことを特徴とする照明用放電発光装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、表示管用前面側ガラス基板、平面型放電表示装置、低速電子線型蛍光表示装置、電界放射型蛍光表示装置、陰極線管、照明用放電発光装置、平面型放電表示装置用ガラス基板、平面型放電表示装置用ガラス基板の電極の形成方法、平面型放電表示装置用ガラス基板及び平面型放電表示装置用ガラス基板の電極の形成方法に関する。
背景技術
ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）と称されている平面型放電表示装置においては、蛍光体を背面側ガラス基板に塗布して、前面側ガラス基板側の電極による放電によって発生した紫外線を蛍光体に照射して、その蛍光体を発光させるようにした反射型蛍光面を有する平面型放電表示装置が主流であるが、前面側ガラス基板側に蛍光体を塗布するようにした透過型蛍光面を有する平面型放電表示装置もある。
さて、反射型蛍光面を有する平面型放電表示装置を、透過型蛍光面を有する平面型放電表示装置と比較すると、前者は、画素を形成する隔壁にも蛍光体が塗布されるために、発光面積が広く、輝度が高いのに対し、後者は、前者に比し、輝度の面で劣ると言われていた。
そこで、本願発明と同一出願人及び同一発明者による先願に係る発明（特願平１１−１６４２９２号）による前面側ガラス基板は、図１に示すように、前面側ガラス基板１に直接に、サンドブラスト法あるいは化学エッチング法によって、溝２を形成し、その溝２内に蛍光体３を塗布して構成したものである。この前面側ガラス基板によれば、蛍光体の塗布面積を、従来の前面側ガラス基板のそれの２倍以上確保できるので、輝度の向上効果は十分であった。
しかしながら、このような構造の前面側ガラス基板では、溝の断面形状が、その溝内に塗布される蛍光体の発光輝度に大きく影響するのであるが、この先願に係る発明では、溝の断面形状に関しては言及しておらず、通常考えられるように、前面側から見た場合の溝の中心部、即ち、溝のほぼ平坦な部分である頭頂部からの光放射量を最大にすることが望ましいと考えられていた。
従って、溝の断面形状は、図２Ｂ又はＣに示す如く、頭頂部１４の断面形状の幅（これも１４とする）が出来るだけ、開口部１２の幅（これも１２とする）に近いか、又は、図２Ｂのように、溝と、その溝と隣接する溝との側面の傾斜角１６が大きいことが良いことだと考えられていた。
このような従来の考えによれば、溝の中心部の光放射量を最大にしようとすると、工程上からも溝の深さに限界が生じるため、溝の内壁の側面の面積を増やすことができなかった。又、溝の断面の頭頂部の幅を広くすると、必然的に傾斜角１６が小さくなるために、溝の内壁の側面から正面への光放射量が減少してしまう。以上の理由から、この構造の前面側ガラス基板による輝度の向上には、自ずから限界があるとされていた。
更に、従来の構造の溝付き前面側ガラス基板には、コントラストが悪いという問題があった。通常、コントラストを上げるためには、前面側ガラス基板の蛍光体が塗布されていない部分、即ち、画素間の間隙部分に光吸収層を設ける、即ち、その間隙部分を黒色化することが一般的であった。しかしながら、図１から明らかなように、互いに隣接する溝間の間隙部分は、前面側からみれば、蛍光体塗布部分に挟まれた奥の部分になるので、この部分を黒色化しても、外光を吸収させる効果がなく、コントラストの向上効果は薄かった。尚、この構造の前面側ガラス基板は、平面型放電表示装置のみならず、蛍光体を塗布して発光させる陰極線管（ＣＲＴ：Ｃａｔｈｏｄ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ））、蛍光表示管（ＶＦＤ：Ｖａｃｃｕｍ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等においても応用可能であるから、溝の断面形状に関しては同様な条件が必要である。
次に、図３を参照して、従来の反射型蛍光面を有する３電極面放電型でＡＣ型の平面型放電表示装置（ＰＤＰ）の構造について説明する。この３電極面放電型でＡＣ型の平面型放電表示装置は、前面側ガラス基板（図示を省略）及び背面ガラス基板２１の周辺がフリットガラスによって封止された管体内に、下記の構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はこれらの混合気体等の放電用気体（ガス）が２００ｔｏｒｒ〜４００ｔｏｒｒの圧力で封入されて構成される。
背面側ガラス基板２１上には縦方向に延在するそれぞれ同じ幅の複数のアドレス電極２７が同じ所定の間隔を保って、被着形成されている。背面側ガラス基板２１上及び複数のアドレス電極２７上には、これらを被覆する如く、低融点ガラス等の印刷による誘電層２２が被着形成されている。又、その背面側ガラス基板２１上には、複数のアドレス電極２７を挟む如く、互いに平行に延在された複数の隔壁、即ち、複数のリブ２３が、誘電層２２上に被着形成されいている。互いに対向するリブ２３の壁面と、アドレス電極２７上の誘電層２の面とで構成される溝の内壁には蛍光体２４が塗布されている。
そして、図３では図示が省略された前面側ガラス基板上には、背面側ガラス基板２１の複数のアドレス電極２７及び複数の隔壁２３と略直交する如く、互いに平行で近接する複数組の各対の平板状の同一幅の放電電極としてのサステイン電極（表示電極）２８、２９が被着形成されている。各組の一対のサステイン電極２８、２９のうちの一方の複数の電極２８は、複数のアドレス電極２７との間でＸＹマトリクスを形成している。前面側ガラス基板上及び複数組の各一対のサステイン電極２８、２９上には、これらを被覆する如く、誘電層２５が被着形成されている。誘電層２５は、通常、画素毎に区切ることなく、複数組の各一対のサステイン電極２８、２９の平面上において、均一な厚さで形成される。又、その誘電層２５の表面は、更にＭｇＯ等の保護層２６で覆われている。
このような構造の平面型放電表示装置の複数組のサステイン電極２８、２９を覆う誘電層２５は、放電電極として動作する電極の表面に均一な厚さで形成されている。
かかる、平面型放電表示装置では、前面側ガラス基板側に、主放電用のサステイン電極が配されるので、サステイン電極は蛍光面から前面への光放射を妨げないように、透明に形成する必要があった。
又、図３の平面型放電表示装置の前面側と背面側とを逆にした構造で、前面側ガラス基板に蛍光面を有する透過型の平面型放電表示装置も一部実用化されている。
本出願人と同一出願人及び本願の発明者と同一発明者にかかる特許出願（特願平１１−８０２３５号、特願平１１−１６４２９２号等）においては、ガラス基板に溝を形成して放電空間とし、これを前面側ガラス基板として使用した透過型の平面型放電表示装置も提案されている。
さて、図３に示した従来の平面型放電表示装置では、前面側ガラス基板側のサステイン電極２８、２９は、透明に近いことが要求されるために、工程上の大きな問題であった。又、隔壁の形成にも多くの時間が必要で、これも工程上の問題であった。
一方、ガラス基板に直接、サンドブラスト法又は化学エッチングによって溝を形成し、放電空間を形成する試みもなされているが、形成した溝の内部に電極を形成する方法に適切なものが無かったために、従来の３電極面放電型の平面型放電表示装置の電極構成では、アドレス電極の形成ができなかった。
しかして、本発明は、溝内における蛍光体塗布量を増大させることができ、溝の内壁の側面よりの蛍光体の発光光を、効率良く前面側に放射させることができ、輝度及び発光効率が向上した表示管用前面側ガラス基板及び平面型放電表示装置を提案しようとするものである。
又、本発明は、輝度と、コントラストとを同時に改善することのできる表示管用前面側ガラス基板及び平面型放電表示装置を提案しようとするものである。
発明の開示
本発明は、ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、その複数の溝の頭頂部及び内壁面上に蛍光体層が被着形成されてなる表示管用前面側ガラス基板である。
本発明は、ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有すると共に、略平坦な頭頂部を備える複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されてなり、その複数の溝の内壁面に蛍光体層が被着形成され、略平坦な頭頂部の幅が、開口部の幅の半分以下とされ、開口部から頭頂部までの高さが、開口部の幅より大きく、且つ、互いに隣接する溝の開口部間の間隙幅が、溝の開口部の幅の半分より小さい表示管用前面側ガラス基板である。
本発明は、ガラス基板の一方の面側に、略Ｖ字形の同じ断面形状を有する複数の溝が一定間隔を以て互いに平行に形成されると共に、その複数の溝の頭頂部に電極層が被着形成されてなり、複数の溝の内壁面及び電極層上に、蛍光体層が被着形成されてなる平面型放電表示装置用ガラス基板である。
本発明は、ガラス基板の一方の面側に、一定間隔を以て互いに平行に形成された略Ｖ字形の同じ断面形状を有する複数の溝に、ペースト状の導電性インクを塗布して、複数の溝の頭頂部に、ペースト状の導電性インクの溜まりを形成し、複数の溝内のペースト状の導電性インクを乾燥させ、ガラス基板をサンドブラストすることによって、複数の溝の内壁面に付着している導電性インクを除去して、複数の溝の頭頂部上にストライプ状の導電性インクを残存させ、その残存するストライプ状の導電性インクを焼結して、電極を形成するようにした平面型放電表示装置用ガラス基板の電極の形成方法である。
発明を実施するための最良の形態
先ず、図４、図５及び図６を参照して、本発明の実施の形態の表示装置用前面側ガラス基板の一例の構成を説明する。図４及び図５はそれぞれ、その前面側ガラス基板の一部の斜視図及び断面図である。又、図５では、その前面側ガラス基板のにおける光放射の様子を示している。図６は、図５の一部を示す拡大断面図である。
図４を参照するに、透明な前面側ガラス基板１には、同じ断面形状を有し、互いに一定間隔を以て配された複数の溝２が互いに平行に形成される。その複数の溝２の内壁面には、蛍光体３が塗布されている。この蛍光体３は、図示を省略した背面側ガラス基板に設けられた放電電極の放電によって発生する紫外線、又は、電子銃からの電子線によって励起されて発光する。前面側ガラス基板１は、透明であるから、その蛍光体３よりの発光光は、観察側、即ち、前面側ガラス基板１の前面側に照射される。
図４の前面側ガラス基板１の溝２の断面形状は、円弧、矩形に近い形状、Ｖ字形状、Ｕ字形状等が可能である。
これらの断面形状のいずれかの形状の溝２内の蛍光体３から放射される光の様子を、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６に示すように、蛍光体３からの光のうち、例えば、溝２の内壁面の発光点３０からの光は、この点での壁面の傾斜角１６が小さい場合には、直接前面、即ち、図２の上方に照射される光よりも、隣接する溝２の壁面に向かって照射される光の方が多い。
隣接する溝２の壁面に入射する光は、そのガラスの界面で上方に反射する光と、隣接する溝２の内部、即ち、ガラスの外部に屈折して入射する光及び下方に向かって反射し、何度かの反射を繰り返しながら前側に照射される光とに分けられる。このような条件を満足する溝２を形成するには、溝２の断面形状だけでなく、溝２と、これに隣接する溝２との間の距離も重要になる。そこで、この断面形状の条件を、更に詰めるために、図６及び上述の図２を参照して説明する。
先ず、溝２の頭頂部から直接前面に放射される光を限定するために頭頂部１４の幅（これも１４とする）を底部開口部１２の幅（これも１２とする）に較べて狭くし、溝２の断面形状がＶの字に近くなるようにする。勿論、溝２の側壁面の断面は、必ずしも直線状である必要はないが、底部開口部１２から頭頂部１４に向かって溝２の断面の幅が徐々に滑らかに狭まるように構成される。このような形状の溝２の形成は、化学エッチング法でも可能であるが、サンドブラスト法によれば一層容易である。
又、溝の側壁面と、その溝に隣接する溝の側壁面との間の角度（傾斜角）１６は、一定の角度範囲内に設定するが、互いに隣接する溝の底部の開口部間の距離１３は、短い方が望ましい。
図２を参照することによって、上述の関係がより明確になる。即ち、図２Ａが、本発明の前面側ガラス基板の一例の溝の断面形状を示し、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄは、従来の前面側ガラス基板の溝の断面形状の例を示し、共に無作為に形成された場合の構造例である。従来は、図２Ｂ又は図２Ｃの溝の断面形状が良いとされていた。この場合には、溝の側面からの光は殆ど前面側に出てこない。又、図２Ｄの場合の溝の底部の開口部間の距離１３が広いために、溝の側壁面から発する光が隣接する溝の側壁面で反射することはない。
上述の必要な条件を満たす溝の一例である図２Ａの溝において、その溝の側壁面から、その隣接する溝の側壁面に照射される光の多くの部分は前側に全反射されるための条件は、通常のガラスの屈折率が約１．５であることを考慮すると、傾斜角１６が、隣接溝との間の幅１３がゼロに近い場合には、約４５度以上であることが分かる。しかし、傾斜角１６が９０度を超えると当然ながら隣接する溝の内壁面への照射が無くなる。又、通常、間隙１３は底部開口部１２の２分の１程度はあるので、傾斜角もこれに伴って上述の約４５度よりも若干小さくする必要がある。従って、傾斜角１６は、例えば、３０度以上９０度以下が適当である。
ところで、このような断面形状及び隣接する溝との間の距離を有する溝をガラス基板に形成する場合、工程上、溝の壁面の角度を制御することは困難であるから、形成する溝のパターンの幅と深さで既定する方が望ましい。このような条件を満たすためには、溝２の底部の開口部１２から上方の略平坦な頭頂部分１４に向かって直線状に幅が狭くなるＶ字形、又、緩やかな曲線を以て狭くなるＵ字形であって、頭頂部１４の幅が底部の開口部１２の２分の１以下であり、且つ、底部の開口部１２から頭頂部１２までの高さ、即ち、溝の深さ１１が底部の開口部１２よりも大きく、且つ、隣接する各溝２の間隙幅１３が底部開口部１２の幅１２の２分の１よりも小さいことを要件とする断面形状の溝であれば、上述の如く蛍光面からの光は隣接溝の壁面反射を最大限に利用して有効に前面側に照射される。
次に、図７を参照して、本発明の実施の形態の表示装置用前面側ガラス基板の他の例の構成を説明する。先ず、溝２の形状は、上述の図４〜図６の表示装置用前面側ガラス基板の例の条件を満たしているものとする。図７の表示装置用前面側ガラス基板の特長は、溝２の頭頂部１２のガラス面に、黒色等の光吸収層４を形成したことと、互いに隣接する溝２、２間の間隙のガラス面に白色等の光反射層５を形成したこととである。
光吸収層４は黒色の顔料を溶剤で塗布して沈殿させる方法により容易に形成出来る。又、各溝２の内壁面を、例えば、赤、緑、青等の発光色の蛍光体３で塗り分ける場合には、それに先立って、その蛍光体３に対応した色の顔料を溝２の内壁面上に塗布してカラーフィルタを形成するが、その際に顔料の塗布時の濃度を調節することによって、頭頂部１２の各色の顔料を厚めに付けることで、光吸収層４とすることも出来る。
又、光反射層５は、白色の顔料等を、スクリーン印刷等の方法で、互いに隣接する溝２、２間の間隙のガラス面に塗布することによって、形成する。蛍光体層３は、これら顔料層、光吸収層４及び光反射層５を形成した後に、スクリーン印刷によって溝２の内壁面に塗布する。
図４〜図６及び図７における前面側ガラス基板１の構造は、ガス放電管である平面型放電表示装置の偏平管体を構成する前面側ガラス基板に適用して好適である。
図１０に、かかる前面側ガラス基板を適用した、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置の一例を、分解斜視図として示し、以下に、この平面型放電表示装置の構造を説明する。平面型放電表示装置は、先に、本出願が先に提案した同一発明人に係る先願（特願２０００−１３１８２０号）の平面型放電表示装置に、上述の前面側ガラス基板を適用したものである。
図１０において、１は前面側ガラス基板で、この前面側ガラス基板１は、内壁面にそれぞれ蛍光体３が塗布された、互いに平行で、一定間隔を以て形成された同一断面形状の複数の溝２を有する。この前面側ガラス基板１には、溝２が形成されているので、この前面側ガラス基板１に電極を設けることができない。このため、必要な電極は、背面側ガラス基板４１側に多層電極として設けることになる。
図１０において、背面側ガラス基板４１上には、同じ幅の複数のアドレス電極４２が一定間隔を以て、互いに平行となるように、スクリーン印刷等の方法で形成される。この複数のアドレス電極４２に、絶縁層４３を介して、対向及び交叉するように配されて、ＸＹマトリクスを構成して表示放電を行う、それぞれ複数の交互に配されたサステイン電極４４及び４５を有する。この平面型放電表示装置を特長付ける構造として、貫通孔４６がある。
この貫通孔４６は、アドレス放電が起こり易くするための有効な手段である。これらの複数のサステイン電極４４及び４５は、全体として、上部誘電層４７によって被覆される。従って、この平面型放電表示装置は、所謂単一基板型の３電極ＡＣ型の平面型放電表示装置である。そして、サステイン電極４４及び４５間の放電によって発生する紫外線が、効率良く前面側ガラス基板１の複数の溝２の内壁面にそれぞれ形成された蛍光体層３に照射され、その各蛍光体３から発生した光は、隣接する溝２の壁面で反射され、ある程度の指向性を持った形で前面側に効率良く照射される。
次に、図８を参照して、本発明の実施の形態の表示装置用前面側ガラス基板の他の例の構成を説明する。先ず、溝２の形状は、図４〜図６に示した前面側ガラス基板における条件を満足している。この図８の前面側ガラス基板１は、平面型放電表示装置（ＰＤＰ）よりも、低速電子線型蛍光表示装置（ＶＦＤ：Ｖａｃｕｕｍ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、又は、電界放射型カソードを持つ電界放射型蛍光表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）と呼ばれる電子線型の表示装置の前面側ガラス基板に適している。
図８を参照するに、前面側ガラス基板１の溝２の内壁面には、透明導電膜６が被着形成されている。この透明導電膜６は、酸化インジューム錫等を、溝２の内壁面に真空蒸着することで容易に形成出来る。この透明導電層６は、同じく導電性を有する蛍光体層３にアノード電位を与えて、電子を加速するための電極である。
図１１は、この図８の前面側ガラス基板１を適用した、本発明の実施の形態の電界放射型蛍光表示装置（ＦＥＤ）の一例を示し、以下に、その構造について説明する。背面側ガラス基板４１上には、複数の第１の電極５２が設けられており、その上に、絶縁層５３を介して、複数の第１の電極５２と交叉し、ＸＹマトリクスを構成する複数の第２の電極５４が設けられている。これらのそれぞれ複数の第１及び第２の電極５２、５４は、貫通孔を通して交叉している。複数の第１の電極５２の上には、カソード層５５、即ち、例えば、電界放射型の針状のカソード層やカーボン薄膜等が載置されている。そして、これらのそれぞれ複数の電極５２及び５４間に電圧を印加することで、カソード層５５から電子が放出される。放出された電子は、前面側ガラス基板１の溝２の内壁面の電極６に与えられた電圧によって加速されて、電極６上の蛍光面３に照射されて、その蛍光面３が発光させる。ある溝２の蛍光体３より発生した光は、そのある溝２に隣接する溝２の壁面で反射し、ある程度の指向性を持った形で、前面側に効率良く照射される。
次に、図９を参照して、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の他の例を説明する。この前面側ガラス基板１に形成された溝２は、図４〜図６の前面側ガラス基板１の溝２の条件を満足する。この構造の前面側ガラス基板１は、高速電子線型蛍光表示装置即ち、陰極線管（ＣＲＴ）、又は、電界放射型カソードを持つ電界放射型蛍光表示装置（ＦＥＤ）と呼ばれる電子線型の表示装置に適用して好適である。
図９について説明するに、前面側ガラス基板１の複数の溝２の内壁面には、蛍光体３が塗布されると共に、その蛍光体３の表面を被覆する如く、導電性膜、即ち、金属膜７が塗布されている。この金属膜７は必ずしも透明である必要はなく、例えば、蒸着によるアルミニウム膜が一般的で、陰極線管（ＣＲＴ）ではメタルバック層と呼ばれ、これに電子を加速するためのアノード電位を与えるのみならず、蛍光体３から管内に放射される光を反射する効果もある。
図１２は、図９の前面側ガラス基板を適用した、本発明の実施の形態の陰極線管（ＣＲＴ）の一例の一部の概念図を示す。尚、陰極線管（ＣＲＴ）のその他の構成の図示は、省略するも、前面側ガラス基板１の溝２の背面側、即ち、陰極線管（ＣＲＴ）の管内側には、シャドウマスクやアパーチャーグリルのような色選別機能を持つ金属板が設けられる。そして、電子ビーム６０を発生させる電子銃及び偏向ヨーク等のビーム偏向機構を有することも、通常の陰極線管と同様である。
又、前面側ガラス基板１としては、図７について説明した光吸収層４を付加した構造のものと組み合わせでも良いことは言うまでもない。又、上述の電界放射型カソードを持つ電界放射型蛍光表示装置（ＦＥＤ）の中には、陰極線管（ＣＲＴ）と同様な高速電子型もあるが、その場合には図９について説明した構造の前面側ガラス基板が適している。
次に、図１３を参照して、図４〜図６について説明した前面側ガラス基板を適用した発光管の構造を説明する。この発光管は図１０についで説明した平面型発光表示装置（ＰＤＰ）の構造とよく似ている。一対の放電電極（サステイン電極）４４、４５は、前面側ガラス基板１の溝２の両側の位置にある。尚、このサステイン電極は、一対のみで良い。この場合、発光管では、画素を分離する必要がないので、前面側ガラス基板１と、背面側ガラス基板４１とが接触している必要はなく、若干の間隔を空けた方が発光効率が高くなる。
図１３では、一対のサステイン電極４４、４５をそれぞれ上部誘電層４７で被覆して、平面型放電表示装置（ＰＤＰ）と同様のＡＣ型放電電極としているが、一対のサステイン電極４４、４５を用いて、又はこれらの代わりに、一対のコイル状の熱陰極を設けて、照明用放電発光装置を構成することができる。
以下に、図１４を参照して、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の例の構成を説明する。図１４は、そのガラス基板の断面図を示す。１０１は、ガラス基板を示し、そのガラス基板１０１に、サンドブラスト法、又は、化学エッチング法によって、その断面形状がＶ字形になるように、互いに平行な複数の溝１０２を形成する。この場合、溝１０２の開口幅と、深さとは、例えば、略同じになるように設定されている。そして、溝１０２の深さが開口幅より深い場合（Ｖ字形溝）には、その溝１０２の形成には、サンドブラスト法が適している。又、溝１０２の深さが開口幅より浅い場合（Ｕ字形溝）には、サンドブラスト法及び化学エッチング法のいずれであっても良い。
さて、形成された複数の溝１０２の頭頂部１０３には、電極１０４が形成される。尚、この電極１０４の形成方法については後述する。さて、電極１０４を形成した後、溝１０２の内部、即ち、溝１０２の内壁面上及び電極１０４上に蛍光体層１０５が形成される。尚、図１４では省略されているが、電極１０４を誘電体層で被覆して、所謂ＡＣ型の電極として構成することも可能である。
この図１４のガラス基板１０１は、平面型放電表示装置の前面側ガラス基板及び背面側ガラス基板のいずれにも適用可能である。。図１４のガラス基板１０１を、前面側ガラス基板として使用する場合の平面型放電表示装置の構造は、後述する。又、図１４のガラス基板１０１を、背面側ガラス基板として使用する場合は、蛍光体層５を形成する前に、溝１０２の内壁面に対し白色等の光反射層を形成すれば良い。
この図１４のガラス基板を平面型放電表示装置の前面側ガラス基板として利用する場合は、その溝１０２の壁面に塗布した蛍光体層１０５は、これと対向する背面側ガラス基板上のサステイン電極における放電によって発生する紫外線によって励起発光し、その光がガラス基板１０１を透過して前面側に直接放射されると共に、隣接する溝１０２の壁面でも反射されて、前面側に放射される。
図１４において、溝１０２の開口部に比べて、溝１０２の深さが深い場合には、溝１０２の断面形状が深いＶ字形となって、上述したように、溝１０２の内壁面の面積が広くなるので、蛍光体１０３の塗布面積が広くなり、蛍光体３からの光量が多くなるが、断面がＶ字形のために、頭頂部１０３の電極１０４の上の蛍光体１０５は、紫外線源である放電部から遠くなり、発光が弱く、発光の大部分は溝１０２の壁面から両側の溝１０２の壁面に照射され、そこで反射されて前面に放出される。従って、溝１０２の頭頂部１０３に電極１０４があっても発光量には殆ど影響しない。又、この電極１０４を黒色化することによって、外光が吸収されてコントラスを向上させることができる。
従って、溝１０２の断面形状がＶ字形であることは、溝１０２の壁面の蛍光体の面積を増大させるだけではなく、その発光光を効率よく前側に放射させるのに適した構造となっているために、平面型放電表示装置の輝度とコントラストの両方を増大させることが出来る。
尚、この図１４の構造のガラス基板１０１を、背面側ガラス基板に適用するときは、従来の反射型蛍光面を有する平面型放電表示装置と同様に動作するが、隔壁形成の工程が大幅に簡略化される効果がある。
次に、図１５を参照して、本発明の実施の形態のガラス基板の溝内への電極層１０４の形成方法について説明する。尚、ガラス基板１０１に対する溝１０２自体の形成方法の説明は省略するが、一般的にはサンドブラスト法が適している。
図１５に示すように、Ｖ字形の溝１０２に導電性のペーストインク、例えば、銀、ニッケル等のスクリーン印刷用ペーストを埋め込み、これを一旦乾燥させる。尚、溝１０２の内壁面全体に、スクリーン印刷用ペーストを塗布するように、押し込んでも良いが、より一層の均一性を増すためには、スクリーン印刷がよい。
スクリーン印刷用ペーストを乾燥させると、図１５Ａに示すように、溝１０２の壁面全体にペーストが付着するが、溝の断面がＶ字形状のために、頭頂部１０３にペーストの溜まりができる。そこで、溝１０２の壁面を、サンドブラスト法によって除去すると、ペーストの溜まりの部分だけが残存する。
そこで、この溝１０２に残存するペーストを焼結することによって、図１５Ｂに示すように、溝１０２内に電極層１０４を形成することができる。
尚、乾燥した導電ペーストは、板ガラスよりもサンドブラスト法によって除去され易いから、図１５Ｂのごとき形状に電極１０４を形成することはきわめて容易である。
このように、溝１０２の形状がＶ字形であることを利用して、頭頂部１０３にペーストの溜まりを作ることが出来る。溝１０２の頭頂部１０３を除く、溝１０２の壁面上のペーストをサンドブラスト法によって除去する場合には、乾燥後焼結前の導電ペーストと、板ガラスとの硬さの差を利用して、選択的なマスクパターンを使用しなくても、導電ペーストのみを除去することが容易である。
次に、図１６の断面図を参照して、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の構造を説明する。先ず、ガラス基板１にサンドブラスト法、又は、化学エッチング法によって、断面形状がＵ字形となる溝１０２を形成する。上述したように、溝１０２の開口幅に対して、溝１０２の深さが比較的浅い場合には、サンドブラスト法でも化学エッチング法でも、溝１０２の形成は容易である。この場合には、図１５における断面形状がＶ字形の溝１０２に較べて、頭頂部１０３が平坦に近いので、ここに細い電極形成用の溝として第２の溝１１０を形成する。その後に、第２の溝１１０を導電性インクペーストで満たし、これを上述と同様の方法によって、電極層１０４を形成する。
ガス放電からの紫外線を効率良く蛍光体１０５に照射させるために、溝１０２の断面形状がＶ字形の場合には、溝の開口幅が１００〜２００μｍで、溝の深さが同じく１００〜２００μｍ程度の場合に適している。しかし、これ以上の開口幅を持ち、比較的大きな画素を構成する場合には、溝１０２の断面形状がＶ字形となる効果が少なくなるために、むしろＵ字形状溝の方が適している。
次に、図１７を参照して、図１６について説明した平面型放電表示装置用ガラス基板の製造方法を説明する。図１７Ａには、３に記載する上記実施の形態３のガラス基板の作成方法について説明する。図１７Ａのガラス基板１０１には、サンドブラスト法、化学エッチング法等によって、断面形状がＵ字形の溝１０２が形成されている。
先ず、溝１０２の内壁面を覆うように耐サンドブラスト性、又は、耐溶剤性に優れた樹脂等からなるマスク１１１を、溝１０２の内壁面にスクリーン印刷する。この場合の印刷パターンは、溝１０２の壁面部分のパターンに一致するようになし、印刷された樹脂のマスク１１１は、溝１０２の頭頂部３がストライプ状に欠落するように印刷する。
しかる後、この溝１０２内に、サンドブラスト法、又は、化学エッチング法を施すと、樹脂のマスク１１１があるために、溝１０２の頭頂部１０３に第２の溝１１０が形成される。
その後、図１７Ｃに示す如く、上述と同様に、その第２の溝１１０内に、導電性のインクペースト１０４Ａを埋め込んで乾燥させ、溝１０２の内壁面の第２の溝１１０を除く部分のインクペースト１０４Ａをサンドブラスト法により除去すると、図１７Ｄに示す如く、第２の溝１１０内に電極層１０４が形成される。
上述の如く、断面形状がＵ字形の溝１０２の頭頂部１０３に第２の溝１１０を形成し、その中に細い線幅の電極層１０４を形成することは容易である。
次に、図１８の分解斜視図を参照して、断面形状がＶ字形の溝１０２が形成されたガラス基板１０１を用いたＡＣ型の平面型放電型表示装置の一例の構造を説明する。この例では、図１４のガラス基板１０１を、前面側ガラス基板として用いた場合である。
このＡＣ型の平面型放電型表示装置は、ガラス基板１０１の複数の溝１０２の各頭頂部１０３に形成した複数の電極層１０４を複数のアドレス電極とし、背面側ガラス基板１０６には、複数のアドレス電極１０４と直交してＸＹマトリクスを構成する、それぞれ復数の交互に、互いに平行に配されたサステイン電極１０７、１０８を形成し、更に、それぞれ複数のサステイン電極１０７、１０８を誘電層１０９で被覆して、ＡＣ型放電電極とした、３電極ＡＣ型の平面型放電表示装置である。尚、図１８では、誘電層１０９は、その一部を残し、残りを剥離した状態で、図示している。
背面側ガラス基板１０６上のサステイン電極１０７及び１０８は、銀、ニッケル等の導電性ペーストインクをスクリーン印刷し、それを焼成することで容易に形成される。尚、通常の３電極型の平面型放電表示装置と同様に、サステイン電極１０７、又は、１０８のどちらか一方は、対向するアドレス電極１０４と、ＸＹマトリクスを形成し、他方のサステイン電極は各画素共通に結線されて、サステイン放電のみに用いられる。
これら一対のサステイン電極１０７及び１０８は、その各表面が、誘電層１０９で被覆され、更に、その表面が酸化マグネシュウム等の保護層で被覆されたＡＣ型電極である。尚、図１８では、保護層の図示を省略している。
一方、図１８の前面側には、上述した断面形状がＶ字形の溝を有するガラス基板１０１が前面側ガラス基板として図示されている。この前面側ガラス基板１０１に、断面形状がＵ字形の溝を形成しても良い。
アドレス電極としての電極層１０４の表面を誘電層で被覆して、ＡＣ型電極にすることも可能である。又、電極層１０４を黒色化することで、平面型放電表示装置の表示コントラストを高めることが出来るが、電極層１０４の形成前に、溝１０２に各発光色に応じたカラーフィルターを各色の顔料を塗布して形成すれば、コントラストと色純度の向上を図ることができる。
尚、図１８は蛍光面が前側にある透過型蛍光面をもつ３電極面放電型の平面型放電表示装置であるが、前面側ガラス基板１０１と、背面側ガラス基板１０６を入れ替えて、電極１０７及び１０８を透明電極で形成する等を行えば、反射型蛍光面をもつ３電極面放電型の平面型放電表示装置を構成することができる。
断面形状がＶ字形あるいはＵ字形の溝を有する前面側ガラス基板を応用した透過型蛍光面を持つ３電極面放電型の平面型放電表示装置では、サステイン放電が背面側ガラス基板側のサステイン電極で行われ、そこから発生する紫外線が、前面側ガラス基板の溝内の蛍光面を励起発光する。その発光光は、各溝間の透明なガラス部分に照射され、その大部分の光は隣接する溝の壁面で反射されて前面側に出てくる。溝の頭頂部にあるアドレス電極として動作する電極の部分は、蛍光体からの発光光を通さないが、図１８に示した如く、溝の断面形状がＶ字形の場合には、元々この部分の発光は弱いので、輝度に対しての影響は少なく、むしろ平面型放電表示装置のコントラストを向上させる効果が大きい。又、溝の断面形状がＵ字形の場合は、画素が比較的大きい場合であるから、電極の幅を細くすることで、輝度への影響は少ない。
【図面の簡単な説明】
図１は、従来の前面側ガラス基板の一部を示す斜視図である。図２は、ガラス基板に形成される溝の断面形状の比較のための各種ガラス基板の一部の断面図である。図３は、従来の反射型蛍光面を有する３電極面放電型の平面型放電表示装置（ＰＤＰ）の一部の分解斜視図である。図４は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の一例の一部を示す斜視図である。図５は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の一例の一部を示す拡大断面図である。図６は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の一例の一部を示す拡大断面図である。図７は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の他の例の一部を示す断面図である。図８は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の他の例の一部を示す断面図である。図９は、本発明の実施の形態の前面側ガラス基板の他の例の一部を示す断面図である。図１０は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置（ＰＤＰ）の一例の一部を示す拡大斜視図である。図１１は、本発明の実施の形態の電界放射型蛍光表示装置の一例の一部の分解断面図である。図１２は、本発明の実施の形態の陰極線管の一例の一部を示す断面図である。図１３は、本発明の実施の形態の発光管の一例の一部を示す分解斜視図である。図１４は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の一例の一部を示す断面図である。図１５は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の形成方法の一例を示す断面工程図である。図１６は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の他の例の一部を示す断面図である。図１７は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置用ガラス基板の形成方法の他の例を示す断面工程図である。図１８は、本発明の実施の形態の平面型放電表示装置（ＰＤＰ）の他の例の一部を示す分解斜視図である。
符号及び事項の一覧表
１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・前面側ガラス基板
２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・溝
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・蛍光体
４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光吸収層
５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光反射層
６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透明電動層
７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・金属膜
１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・溝の深さ
１２・・・・・・・・・・・・・・・・・底部開口部及びその幅
１３・・・・・・・・・・・・・・・隣接溝との間隙及びその幅
１４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・頭頂部及びその幅
１５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・溝の側壁
１６・・・・・・・・・・・・・・隣接する溝との側面の傾斜角
２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・背面側ガラス基板
２２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・誘電層
２３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・リブ
２４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・蛍光体
２５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・誘電層
２６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・保護層
２７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・アドレス電極
２８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・サステイン電極
２９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・サステイン電極
４１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・背面側ガラス基板
４２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・アドレス電極
４３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁層
４４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・サステイン電極
４５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・サステイン電極
４６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・貫通孔
４７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・上部誘電層
５２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１の電極
５３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁層
５４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電極
５５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カソード層
６０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電子ビーム
１０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板
１０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１の溝
１０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・頭頂部
１０４・・・・・・・・・・・・・・・・・電極（アドレス電極）
１０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・蛍光体
１０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・背面側ガラス基板
１０７・・・・・・・・・・・・・・・・第１のサステイン電極
１０８・・・・・・・・・・・・・・・・第２のサステイン電極
１０９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・誘電層
１１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２の溝
１１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・マスク
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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