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【手続補正書】
【提出日】平成30年7月24日(2018.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件が成立した場合、遊技者にとって有利な特別遊技を行うか否かの判定を行う特別遊技判定手段と、
遊技者が操作可能な第１操作手段と、
遊技者が操作可能であって、前記第１操作手段と異なる第２操作手段と、
通常遊技状態と、該通常遊技状態よりも前記特別遊技を行う判定がされやすい特定遊技状態と、を有する遊技状態を制御する遊技状態制御手段と、
前記第１操作手段の操作を促す操作演出と、前記第２操作手段の操作を促す操作演出と、を実行可能であって、前記通常遊技状態においては通常用演出決定テーブルを用い、前記特定遊技状態においては特定用演出決定テーブルを用いて、変動演出を決定する演出制御手段と、
を備え、
前記第１操作手段は、
第１の態様から前記第１の態様とは異なる第２の態様に変化可能であって、
前記通常用演出決定テーブルは、
前記特定用演出決定テーブルよりも、前記第１操作手段の操作を促す操作演出を含む前記変動演出の選択確率が高く、
前記特別遊技判定手段により前記特別遊技を行うと判定された場合には、前記第１操作手段を前記第１の態様から前記第２の態様に変化させる演出の選択確率が高い、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明にかかる遊技機は、始動条件が成立した場合、遊技者にとって有利な特別遊技を行うか否かの判定を行う特別遊技判定手段と、遊技者が操作可能な第１操作手段と、遊技者が操作可能であって、前記第１操作手段と異なる第２操作手段と、通常遊技状態と、該通常遊技状態よりも前記特別遊技を行う判定がされやすい特定遊技状態と、を有する遊技状態を制御する遊技状態制御手段と、前記第１操作手段の操作を促す操作演出と、前記第２操作手段の操作を促す操作演出と、を実行可能であって、前記通常遊技状態においては通常用演出決定テーブルを用い、前記特定遊技状態においては特定用演出決定テーブルを用いて、変動演出を決定する演出制御手段と、を備え、
前記第１操作手段は、第１の態様から前記第１の態様とは異なる第２の態様に変化可能であって、前記通常用演出決定テーブルは、前記特定用演出決定テーブルよりも、前記第１操作手段の操作を促す操作演出を含む前記変動演出の選択確率が高く、前記特別遊技判定手段により前記特別遊技を行うと判定された場合には、前記第１操作手段を前記第１の態様から前記第２の態様に変化させる演出の選択確率が高い、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
信号を受信することであって、前記信号は、データパケットをエンコードする、ことと、
前記信号をサンプリングし、サンプリングされた値を生成することと、
前記サンプリングされた値と第１および第２の参照テンプレートを相関させることによって、前記サンプリングされた値から複数のスライスを備えるスライス記録を生成することであって、前記第１の参照テンプレートは、第１の参照関数を備え、前記第２の参照テンプレートは、前記第１の参照関数と直交位相にある第２の参照関数を備える、ことと、
前記スライス記録と記憶されたテンプレートを相互相関させ、相互相関項を生成することと、
前記相互相関項の大きさが前記記憶されたテンプレートの幅に関する所定の閾値を超えるときを判定することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記所定の閾値は、所定の雑音閾値である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記記憶されたテンプレートは、前記データパケットのプリアンブルのスライス記録を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の参照関数は、余弦関数を備え、前記第２の参照関数は、正弦関数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記受信された信号の搬送波周波数を判定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
判定することは、
前記複数のスライスの少なくともいくつかを周波数オフセットによってワーピングすることと、
前記ワーピングされたスライスからフィルタを生成することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記搬送波周波数が前記生成されたフィルタの通過帯域内にあるかどうかを判定することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ワーピングおよび生成することは、前記信号を再取得または再サンプリングせずに、前記生成されたフィルタの中心周波数をシフトさせることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記スライス記録を生成することの後において前記受信された信号の前記サンプリングされた値を破棄することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
方法であって、
信号を受信することと、
前記信号をサンプリングし、サンプリングされた値を生成することと、
前記サンプリングされた値と第１の周波数において得られた値の所定の第１および第２のテンプレートを相関させ、前記第１の周波数における複数のスライスを生成することと、
前記第１の周波数における前記生成された複数のスライスの少なくともいくつかを前記第１の周波数と異なる第２の周波数におけるスライスに変換することと、
第１のフィルタを前記第２の周波数における前記スライスから生成することと、
前記第１の周波数における前記生成された複数のスライスの少なくともいくつかを前記第１および第２の周波数と異なる第３の周波数におけるスライスに変換することと、
前記第３の周波数における前記スライスから第２のフィルタを生成することと
を含む、方法。
【請求項１１】
変換および生成することは、前記信号を再取得または再サンプリングせずに、前記生成された複数のスライスから実施される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の周波数における前記複数のスライスを生成することの後において前記受信された信号の前記生成されたサンプリングされた値を破棄することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のフィルタの通過帯域内の第１の搬送波周波数を検出することと、前記第２のフィルタの通過帯域内の第２の搬送波周波数を検出することとをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
方法であって、
信号を受信することであって、前記信号は、第１の周波数においてデータパケットをエンコードする、ことと、
前記受信された信号を数値化し、所定の雑音閾値を上回るまたは下回るサンプリングされた値を生成することと、
前記サンプリングされた値と、前記第１の周波数と異なる第２の周波数において得られた値の第１および第２のテンプレートを相関させ、前記第２の周波数における複数のスライスを生成することであって、前記スライスのそれぞれは、一対の値を含む、ことと、
前記第２の周波数における前記複数のスライスの少なくともいくつかをあるオフセットをプラスまたはマイナスされた前記第２の周波数におけるスライスに変換することと、
前記変換されたスライスを組み合わせることによって、前記オフセットをプラスまたはマイナスされた前記第２の周波数に中心周波数を有するフィルタを生成することと
を含む、方法。
【請求項１５】
数値化することは、１−ビットアナログ／デジタルコンバータを使用して、前記サンプリングされた値を生成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月16日(2018.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機であって、
遊技領域と、開口部と、を有する遊技板と、
前記遊技領域に設けられ、遊技媒体を受け入れ可能な受入口と、
前記受入口による前記遊技媒体の受け入れを検出可能な遊技媒体検出手段と、
前記遊技媒体検出手段による前記遊技媒体の検出に応じて、抽選情報を取得する抽選情報取得手段と、
遊技者に特典を付与する当りであるかの抽選を、前記抽選情報取得手段によって取得された抽選情報に基づいて行うことが可能な抽選手段と、
前記開口部に配置された表示領域を有する表示手段と、
正面から見た場合に前記表示領域の周囲の位置に配置された可動装飾体と、
前記可動装飾体を動作させる装飾体可動手段と、
音を出力する音出力手段と、
前記表示手段と前記装飾体可動手段と前記音出力手段とをそれぞれ制御可能な演出制御手段と、
を備え、
前記表示手段は、前記抽選情報に基づく前記抽選の結果に応じて、前記表示領域において変動演出を含む表示演出を表示可能であり、
前記演出制御手段は、
前記表示手段に前記表示領域における表示演出を進行させつつ前記音出力手段に特定の音を出力させるとともに、前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように、前記可動装飾体を動作させる可動装飾体演出を実行可能に構成され、
前記可動装飾体演出の実行時に前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように前記装飾体可動手段によって動作される前記可動装飾体は、前記装飾体可動手段による動作が行われていない待機状態において、前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記可動装飾体によって視線が遮られるように前記表示手段の前記表示領域側から遊技者側へ迫り出して設けられており、前記装飾体可動手段によって動作される前の待機状態および前記装飾体可動手段によって動作された後の動作状態のいずれの状態においても前記開口部を介し視認可能となるように配置され、
前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように前記可動装飾体が前記装飾体可動手段によって動作された際に、前記可動装飾体の配置された方向と相対する方向から見た場合に前記可動装飾体演出の実行時に前記演出制御手段により発光制御される前記可動装飾体に設けられた発光部の発光が視認されえる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところが、種々の原因に起因して、遊技者が演出を楽しめなくなる場合があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の主な利点は、遊技者の遊技意欲の低減を抑制できることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［適用例１］
遊技機であって、
遊技領域と、開口部と、を有する遊技板と、
前記遊技領域に設けられ、遊技媒体を受け入れ可能な受入口と、
前記受入口による前記遊技媒体の受け入れを検出可能な遊技媒体検出手段と、
前記遊技媒体検出手段による前記遊技媒体の検出に応じて、抽選情報を取得する抽選情報取得手段と、
遊技者に特典を付与する当りであるかの抽選を、前記抽選情報取得手段によって取得された抽選情報に基づいて行うことが可能な抽選手段と、
前記開口部に配置された表示領域を有する表示手段と、
正面から見た場合に前記表示領域の周囲の位置に配置された可動装飾体と、
前記可動装飾体を動作させる装飾体可動手段と、
音を出力する音出力手段と、
前記表示手段と前記装飾体可動手段と前記音出力手段とをそれぞれ制御可能な演出制御手段と、
を備え、
前記表示手段は、前記抽選情報に基づく前記抽選の結果に応じて、前記表示領域において変動演出を含む表示演出を表示可能であり、
前記演出制御手段は、
前記表示手段に前記表示領域における表示演出を進行させつつ前記音出力手段に特定の音を出力させるとともに、前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように、前記可動装飾体を動作させる可動装飾体演出を実行可能に構成され、
前記可動装飾体演出の実行時に前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように前記装飾体可動手段によって動作される前記可動装飾体は、前記装飾体可動手段による動作が行われていない待機状態において、前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記可動装飾体によって視線が遮られるように前記表示手段の前記表示領域側から遊技者側へ迫り出して設けられており、前記装飾体可動手段によって動作される前の待機状態および前記装飾体可動手段によって動作された後の動作状態のいずれの状態においても前記開口部を介し視認可能となるように配置され、
前記表示領域を前記可動装飾体の配置された方向から斜めに見た場合に前記表示領域を正面から見た場合と比べて前記表示領域の視認可能な領域が小さくなるように前記可動装飾体が前記装飾体可動手段によって動作された際に、前記可動装飾体の配置された方向と相対する方向から見た場合に前記可動装飾体演出の実行時に前記演出制御手段により発光制御される前記可動装飾体に設けられた発光部の発光が視認されえる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成によれば、遊技者の演出に対する関心を向上し、遊技意欲の低減を抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的（１３）に荷電粒子ビーム（１５）を照射するための粒子治療装置（１）であって、前記装置には：
‐前記荷電粒子ビーム（１５）を発生させる粒子加速器；
‐軸Ｙを軸として回転するように構成し、ビーム経路に沿って配置した複数の屈曲磁石を備えるアイソセンターガントリ（３）であって、前記複数の磁石は第１屈曲磁石及び最終屈曲磁石（２１）を含み、前記第１屈曲磁石は軸Ｙに沿って前記粒子ビーム（１５）を受け取り、前記粒子ビーム（１５）を屈曲させて軸Ｙから逸らすように構成しており、前記最終屈曲磁石（２１）は前記粒子ビーム（１５）を屈曲させて前記ガントリ（３）のアイソセンターに向けて最終ビーム方向に一致させるように構成している；
‐自由空隙によって隔てられ、ガントリのアイソセンター（１９）のそれぞれ反対側に配置した第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）を備える磁気共鳴撮像システム（５）であって、前記第１主磁石ユニット（９）は前記ガントリ（３）の前記最終屈曲磁石（２１）に最も近接したユニットであり、前記第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）は、前記ガントリのアイソセンター（１９）において前記最終ビーム方向に平行な主磁場（Ｂｏ）を共に形成するように構成している；
が備えられ、
前記装置（１）には更に、前記磁気共鳴撮像システム（５）の前記第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）を包囲する受動磁気シールド（７）が備えられ、前記受動磁気シールド（７）の一部は前記ガントリ（３）の前記最終屈曲磁石（２１）と前記磁気共鳴撮像システム（５）の前記第１主磁石ユニット（９）との間に配置され、前記受動磁気シールド（７）の前記一部には、前記粒子ビーム（１５）が通過して前記ガントリのアイソセンター（１９）に到達することを可能にする通路を画定する第１貫通孔（２７）が備えられ、更に、前記受動磁気シールド（７）ならびに前記磁気共鳴撮像システム（５）の前記第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）は全て、軸Ｙを軸として前記ガントリ（３）と同期して回転可能であることを特徴とする粒子治療装置（１）。
【請求項２】
前記最終ビーム方向は軸Ｙに垂直な方向であることを特徴とする請求項１に記載の粒子治療装置。
【請求項３】
前記第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）は前記受動磁気シールドに固定し、また／あるいは前記受動磁気シールド（７）は前記ガントリ（３）に固定することを特徴とする請求項１又は２に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項４】
前記受動磁気シールド（７）は、磁気共鳴撮像システム（５）の磁場及び／又は前記ガントリ（３）の磁石の磁場により飽和しないように設計していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項５】
前記装置（１）には更に、ビーム経路に沿って配置され、前記標的（１３）上で粒子ビームを走査するように構成した少なくとも１つの走査磁石が備えられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの走査磁石は前記第１屈曲磁石と前記最終屈曲磁石（２１）との間で前記ガントリ（３）上に配置することを特徴とする請求項５に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項７】
前記受動磁気シールド（７）には前記最終ビーム方向に沿って前記第１貫通孔（２７）に対向する第２貫通孔（２９）が備えられることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項８】
前記受動磁気シールド（７）には、軸が軸Ｙに平行又は一致し、患者がそこを通過できるような寸法の第３貫通孔（３３）が備えられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項９】
前記受動磁気シールド（７）は強磁性材料の少なくとも１つのヨークから成り、好みに応じて前記ヨークは平行六面体形状であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項１０】
前記第１貫通孔（２７）の直径は１０ｃｍ〜５０ｃｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項１１】
前記粒子ビーム（１５）は陽子又はイオンから選択される荷電粒子のビームであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項１２】
前記粒子加速器はサイクロトロン又はシンクロトロンであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項１３】
前記磁気共鳴撮像システム（５）の前記第１及び第２主磁石ユニット（９）及び（１１）はそれぞれ超電導電磁石から成ることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【請求項１４】
前記ガントリ（３）のアイソセンターは前記磁気共鳴撮像システム（５）の画像中心（１９）と一致することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の粒子治療装置（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月18日(2018.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医用画像における部分領域を含む指定領域の拡大画像を生成する生成手段と、
前記拡大画像を表示部に表示させる表示制御手段と、を備え、
前記生成手段は、前記拡大画像における前記部分領域に対応する領域の一部を透過領域とすることを特徴とする医用画像表示装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記医用画像を更に前記表示部に表示させるとともに、前記拡大画像を前記医用画像に重畳して前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１に記載の医用画像表示装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記指定領域を示す記号を前記医用画像に重畳して表示することを特徴とする請求項２に記載の医用画像表示装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記部分領域についての画素値の代表値を前記拡大画像の前記透過領域以外の領域に重畳して前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の医用画像表示装置。
【請求項５】
医用画像における複数の部分領域を含む指定領域の拡大画像を生成する生成手段と、
前記複数の部分領域それぞれにおける画素値の代表値を取得する取得手段と、
前記拡大画像を表示部に表示させる表示制御手段と、を備え、
前記生成手段は、前記拡大画像における前記複数の部分領域それぞれに対応する領域の一部を透過領域とし、前記拡大画像における前記複数の部分領域それぞれに対応する領域における前記一部とは異なる領域に、前記複数の部分領域の並びに対応するように前記代表値を並べることで前記拡大画像を生成することを特徴とする医用画像表示装置。
【請求項６】
医用画像における部分領域を含む指定領域の拡大画像を生成する生成工程と、
前記拡大画像を表示部に表示させる表示制御工程と、を備え、
前記生成工程では、前記拡大画像における前記部分領域に対応する領域の一部を透過領域とすることを特徴とする医用画像表示装置の制御方法。
【請求項７】
医用画像における複数の部分領域を含む指定領域の拡大画像を生成する生成工程と、
前記複数の部分領域それぞれにおける画素値の代表値を取得する取得工程と、
前記拡大画像を表示部に表示させる表示制御工程と、を備え、
前記生成工程では、前記拡大画像における前記複数の部分領域それぞれに対応する領域の一部を透過領域とし、前記拡大画像における前記複数の部分領域それぞれに対応する領域における前記一部とは異なる領域に、前記複数の部分領域の並びに対応するように前記代表値を並べることで前記拡大画像を生成することを特徴とする医用画像表示装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の医用画像表示装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、表示画像と指定領域の拡大画像を、容易に同時に見ることができる表示機能を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の一態様による医用画像表示装置は、
医用画像における部分領域を含む指定領域の拡大画像を生成する生成手段と、
前記拡大画像を表示部に表示させる表示制御手段と、を備え、
前記生成手段は、前記拡大画像における前記部分領域に対応する領域の一部を透過領域とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、表示画像と指定領域の拡大画像を、容易に同時に見ることができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置制御可能な１対の駆動源と、それら１対の駆動源により別々に駆動されて互いに対称に動作する１対の可動部とを備える遊技機において、
前記１対の駆動源の出力が互いに同じ向きとなるように位置制御する位置制御手段と、
前記１対の駆動源の出力が互いに逆向きになって前記１対の可動部に付与されるように前記１対の駆動源を前記１対の可動部に接続する反転接続機構とを備え、
前記１対の駆動源が、共通の駆動回路に並列接続され、
前記１対の駆動源は、回転出力軸を有する端面が同じ向きに配置された１対のモータであり、
前記反転接続機構は、一方の前記モータと一方の前記可動部との間と、他方の前記モータと他方の前記可動部との間との何れか一方又は両方に備えられ、総数が奇数になっているアイドルギヤである遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた請求項１の発明は、位置制御可能な１対の駆動源と、それら１対の駆動源により別々に駆動されて互いに対称に動作する１対の可動部とを備える遊技機において、前記１対の駆動源の出力が互いに同じ向きとなるように位置制御する位置制御手段と、前記１対の駆動源の出力が互いに逆向きになって前記１対の可動部に付与されるように前記１対の駆動源を前記１対の可動部に接続する反転接続機構とを備え、前記１対の駆動源が、共通の駆動回路に並列接続され、前記１対の駆動源は、回転出力軸を有する端面が同じ向きに配置された１対のモータであり、前記反転接続機構は、一方の前記モータと一方の前記可動部との間と、他方の前記モータと他方の前記可動部との間との何れか一方又は両方に備えられ、総数が奇数になっているアイドルギヤである遊技機である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状の導体部材である地板（１０）と、
前記地板と所定の間隔をおいて対向するように設置された板状の導体部材であるパッチ部（２０）と、
前記パッチ部と前記地板とを電気的に接続する導体部材である短絡部（６０）と、
前記パッチ部にとって前記地板が配置されていない側に、前記パッチ部と所定の間隔をおいて対向するように設置された板状の導体部材である付加導体（３０）と、
前記パッチ部に給電するための給電線路（７０）と、を備え、
前記短絡部が備えるインダクタンスと、前記地板と前記パッチ部が形成する静電容量と、前記パッチ部と前記付加導体が形成する静電容量とを用いて並列共振することを特徴とするアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
その目的を達成するための本発明は、板状の導体部材である地板（１０）と、地板と所定の間隔をおいて対向するように設置された板状の導体部材であるパッチ部（２０）と、パッチ部と地板とを電気的に接続する導体部材である短絡部（６０）と、パッチ部にとって地板が配置されていない側に、パッチ部と所定の間隔をおいて対向するように設置された板状の導体部材である付加導体（３０）と、パッチ部に給電するための給電線路（７０）と、を備え、短絡部が備えるインダクタンスと、地板とパッチ部が形成する静電容量と、パッチ部と付加導体が形成する静電容量とを用いて並列共振することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月25日(2017.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第１ドープ要素と、
前記第１バリア層と結合して第１ヘテロ接合を形成する窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、
前記チャネル層と結合して第２ヘテロ接合を形成し、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第２ドープ要素と、を備える装置。
【請求項２】
前記第１および第２ドープ要素は、第１および第２ドープ層をそれぞれ含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１ドープ層は、約１５％の濃度のアルミニウムと、約５×１０１９ｃｍ−３以上のドープ濃度のゲルマニウムとを含み、約１０Åの厚さを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第２ドープ層は、約４％の濃度のアルミニウムと、約５×１０１９ｃｍ−３以上のドープ濃度のゲルマニウムとを含み、約１０Åの厚さを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１および第２ドープ要素は、第１および第２ドープパルスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１ＡｌＧａＮバリア層は、約１５％の濃度のアルミニウムを含み、前記第２ＡｌＧａＮバリア層は、約４％の濃度のアルミニウムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
基板上に、第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層を形成するステップと、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間に第１ドープ要素を形成するステップと、
前記第１ＡｌＧａＮバリア層上に窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネルを形成するステップと、
前記ＧａＮチャネル上に、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層を形成するステップと、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間に第２ドープ要素を形成するステップと、を備える方法。
【請求項８】
前記第１ドープ要素を形成するステップは、約５×１０１９ｃｍ−３以上のドープ濃度を持つドープ層を形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１ドープ要素を形成するステップは、ドープパルスを形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ＲＦ信号を生成するトランシーバと、
前記トランシーバに結合され、前記トランシーバからのＲＦ信号を増幅し、増幅されたＲＦ信号をアンテナスイッチモジュールに供給するパワー増幅器モジュールと、を備え、  前記パワー増幅器モジュールは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含み、前記ＨＥＭＴは、
基板と、
前記基板上に設けられ、第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第１ドープ要素と、
前記第１ＡｌＧａＮバリア層上に設けられるチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第２ドープ要素と、を備えるシステム。
【請求項１１】
前記第１ドープ要素および前記第２ドープ要素は、いずれもゲルマニウムである、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１ＡｌＧａＮバリア層および前記第２ＡｌＧａＮバリア層の少なくとも一方は、約１５％のアルミニウム濃度を含む、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月25日(2017.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ベース層と、
前記ＧａＡｓベース層の上に形成されるインジウムガリウム燐（ＩｎＧａＰ）エミッタ層と、
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層と、前記ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される拡散制御層とを含み、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるエミッタエピタキシャル構造と、
前記ＧａＡｓベース層および前記ＩｎＧａＰエミッタ層の少なくとも一方に結合されるベースコンタクトと、
第１材料と第２材料とが交互に積層された層を有する超格子構造を備え、前記拡散制御層に結合されるエミッタコンタクトと、を備える装置。
【請求項２】
前記ベースコンタクトおよび前記エミッタコンタクトは、共通メタライズ構造を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記共通メタライズ構造は、
第１白金（Ｐｔ）層と、
前記第１Ｐｔ層の上に形成されるチタン（Ｔｉ）層と、
前記Ｔｉ層の上に形成される第２白金（Ｐｔ）層と、
前記第２Ｐｔ層の上に形成される金（Ａｕ）層と、
を備える請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記エミッタコンタクトの前記第１Ｐｔ層は、前記拡散制御層を通じて前記ＩｎＧａＡｓ層の一部まで延びる請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記拡散制御層は、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびＩｎＧａＡｓの少なくとも一つを備える請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記拡散制御層は、約３００〜５００Åの厚さを有するＩｎＧａＰ層である請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記拡散制御層は、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の厚さにほぼ等しい厚さを有するＩｎＧａＰ層である請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記第１材料は、ＩｎＧａＡｓであり、
前記第２材料は、ＧａＡｓ、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）、ＩｎＧａＰおよびアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）の一つである請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記超格子構造は、少なくとも３周期を含み、各周期は、約２０〜１００Åの厚さを有する前記第１材料の層と、約２０〜１００Åの厚さを有する前記第２材料の層とを備える請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記エミッタエピタキシャル構造は、
前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるＧａＡｓ層と、
前記ＧａＡｓ層の上に形成される傾斜ＩｎＧａＡｓ層と、をさらに備え、
前記ＩｎＧａＡｓ層は、前記傾斜ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
無線周波数（ＲＦ）信号を送信および受信するトランシーバと、
前記トランシーバ内に組み込まれ、または、前記トランシーバに結合されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と、を備え、
前記ＨＢＴは、
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ベース層と、
前記ＧａＡｓベース層の上に形成されるインジウムガリウム燐（ＩｎＧａＰ）エミッタ層と、
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層と、前記ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される拡散制御層とを含み、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるエミッタエピタキシャル構造と、
前記ＧａＡｓベース層および前記ＩｎＧａＰエミッタ層の少なくとも一方に結合されるベースコンタクトと、
第１材料と第２材料とが交互に積層された層を有する超格子構造を備え、前記拡散制御層に結合されるエミッタコンタクトと、を含むシステム。
【請求項１２】
パワー増幅器およびパワーコンディショナの少なくとも一方をさらに備え、パワー増幅器およびパワーコンディショナの少なくとも一方が前記ＨＢＴを含む請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と前記ゲート絶縁膜を介して重なるゲート電極層と、を有し、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層はそれぞれ第１の導電層と第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層の上面と接し、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層の側面と接し、
前記第１の導電層および前記第２の導電層は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層はｃ軸に配向する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層上の第１の酸化物半導体層、第２の酸化物半導体層の順で形成された積層と、
前記積層と電気的に接続するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記積層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と接する第３の酸化物半導体層と、
前記第３の酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記積層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第３の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜を介して重なるゲート電極層と、を有し、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層はそれぞれ第１の導電層と第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第２の酸化物半導体層の上面および前記第３の酸化物半導体層と接し、
前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体層および前記第２の酸化物半導体層の側面、ならびに前記第３の酸化物半導体層と接し、
前記第１の導電層および前記第２の導電層は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記第２の酸化物半導体層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層は、ｃ軸に配向する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、窒化チタン、窒化タンタル、金、白金、パラジウム、ルテニウム、酸窒化物半導体から選ばれた材料の単層、または積層で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
前記第２の酸化物半導体上に間隔を開けて配置された、第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の酸化物半導体の側面と接する領域と、前記第２の酸化物半導体の上面及び側面と接する領域と、前記第１の導電体の上面と接する領域と、前記第２の導電体の上面と接する領域と、を有する第３の酸化物半導体と、
前記第３の酸化物半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体及び前記第３の酸化物半導体を介して、前記第２の酸化物半導体の上面及び側面と面する領域を有する第３の導電体と、を有し、
前記第１の酸化物半導体は、前記第３の酸化物半導体よりも密度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
前記第２の酸化物半導体上に間隔を開けて配置された、第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の酸化物半導体の側面と接する領域と、前記第２の酸化物半導体の上面及び側面と接する領域と、前記第１の導電体の上面と接する領域と、前記第２の導電体の上面と接する領域と、を有する第３の酸化物半導体と、
前記第３の酸化物半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体及び前記第３の酸化物半導体を介して、前記第２の酸化物半導体の上面及び側面と面する領域を有する第３の導電体と、を有し、
前記第１の酸化物半導体は、前記第３の酸化物半導体よりも結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁体は、熱処理によって放出されることが可能な酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体は、前記第２の酸化物半導体よりも電子親和力が小さく、
前記第３の酸化物半導体は、前記第２の酸化物半導体よりも電子親和力が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体は、前記第２の酸化物半導体よりもエネルギーギャップが大きく、
前記第３の酸化物半導体は、前記第２の酸化物半導体よりもエネルギーギャップが大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の絶縁体は、二次イオン質量分析法における水素濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一において、
少なくとも、前記第１の絶縁体、前記第１の酸化物半導体、前記第２の酸化物半導体を覆う領域を有する第３の絶縁体を有し、
前記第３の絶縁体は、酸素をブロックする機能と、水素をブロックする機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の絶縁体上に第４の絶縁体を有し、
前記第４の絶縁体は、前記第２の酸化物半導体よりも、二次イオン質量分析法における水素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、
前記第１のゲート絶縁膜の一部、前記第１の酸化物半導体膜の一部および前記第２の酸化物半導体膜の一部をそれぞれエッチングして、エッチングされた第１のゲート絶縁膜、エッチングされた第１の酸化物半導体膜およびエッチングされた第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜に接する一対の電極を形成し、
前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜上および前記一対の電極上に第３の酸化物半導体膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜および前記第２のゲート絶縁膜を介して、前記エッチングされた第１のゲート絶縁膜の側面、前記エッチングされた第１の酸化物半導体膜の側面および前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜の側面と対向する、第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜の一部、前記第１の酸化物半導体膜の一部および前記第２の酸化物半導体膜の一部をそれぞれエッチングして、エッチングされた第１のゲート絶縁膜、エッチングされた第１の酸化物半導体膜およびエッチングされた第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜に接する一対の電極を形成し、
前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜上および前記一対の電極上に第３の酸化物半導体膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜に酸素を添加した後、加熱処理を行い、
前記第３の酸化物半導体膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜および前記ゲート絶縁膜を介して、前記エッチングされた第１のゲート絶縁膜の側面、前記エッチングされた第１の酸化物半導体膜の側面および前記エッチングされた第２の酸化物半導体膜の側面と対向する第２のゲート電極を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
前記半導体層と電気的に接続されるソース電極層およびドレイン電極層と、
を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記半導体層の前記絶縁層と接する長さをａとし、前記半導体層の高さをｂとするとき、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜が接している領域の長さＤは、下記数式（１）の範囲であることを特徴とするトランジスタ。
【数１】
2015135959.tif 000001
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層の前記絶縁層と接する長さａは、１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体層の高さｂは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記半導体層は酸化物半導体層であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
前記半導体層と電気的に接続されるソース電極層およびドレイン電極層と、を有し、
前記半導体層は、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の第３の半導体層と、を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記第２の半導体層の前記第１の半導体層と接する長さをｆとし、前記第２の半導体層の高さをｇとするとき、前記第２の半導体層が前記ゲート絶縁膜および前記第３の半導体層と接している領域の長さＪは、下記数式（２）の範囲であることを特徴とするトランジスタ。
【数２】
2015135959.tif 000002
【請求項６】
絶縁層と、
前記絶縁層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層と電気的に接続するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記第２の半導体層上、前記ソース電極層上、および前記ドレイン電極層上の第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記第２の半導体層の前記第１の半導体層と接する辺の長さをｍとし、前記第２の半導体層の高さをｎとするとき、前記第２の半導体層と前記第３の半導体層が接している領域の長さＱは、下記数式（３）の範囲であることを特徴とするトランジスタ。
【数３】
2015135959.tif 000003
【請求項７】
請求項５または６において、
前記第１の半導体層乃至前記第３の半導体層のそれぞれは、酸化物半導体層であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、
前記第２の半導体層の前記第１の半導体層と接する長さは、１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記第２の半導体層の高さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振れを検出する振れ検出手段と、
前記振れ検出手段から出力される振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段及び第２の光学補正手段と、
静止画撮影動作の前の場合、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、前記静止画撮影動作を行う場合、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御手段と、を備える像振れ補正装置。
【請求項２】
前記静止画撮影動作の前において、前記第２の光学補正手段は像振れ補正の可動範囲の中央位置に保持されている請求項１に記載の像振れ補正装置。
【請求項３】
前記静止画撮影動作を行う場合、前記第１の光学補正手段は前記静止画撮影動作が開始した時の位置に保持されている請求項１に記載の像振れ補正装置。
【請求項４】
前記第２の光学補正手段の位置の分解能は前記第１の光学補正手段の位置の分解能よりも高い請求項１に記載の像振れ補正装置。
【請求項５】
前記静止画撮影動作が終了した後に、前記第２の光学補正手段を前記静止画撮影動作の前の時に保持していた前記中央位置に戻す際に、前記第２の光学補正手段を前記中央位置に戻す際に変化する画角を打ち消すように前記第１の光学補正手段を移動させる請求項２に記載の像振れ補正装置。 
【請求項６】
振れを検出する振れ検出手段と、
前記振れ検出手段から出力される振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段及び第２の光学補正手段と、
動画記録している場合、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、動画記録中に静止画記録を行う場合、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御手段と、を備える像振れ補正装置。 
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の像振れ補正装置を有する撮像装置。
【請求項８】
振れを検出する振れ検出工程と、
前記振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段および第２の光学補正手段とを用意する工程と、
静止画撮影動作の前の場合には、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、または前記静止画撮影動作を行う場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御工程と、を備える像振れ補正方法。 
【請求項９】
振れを検出する振れ検出工程と、
前記振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段および第２の光学補正手段とを用意する工程と、
動画記録している場合には、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、または動画記録中に静止画記録を行う場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御工程と、を備える像振れ補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記背景に鑑み、本発明の目的は、振れを検出する振れ検出手段と、前記振れ検出手段から出力される振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段及び第２の光学補正手段と、静止画撮影動作の前の場合、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、前記静止画撮影動作を行う場合、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御手段とを備える像振れ補正装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、振れを検出する振れ検出手段と、前記振れ検出手段から出力される振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段及び第２の光学補正手段と、動画記録している場合、前記第２の光学補正手段を用いた像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、動画記録中に静止画記録を行う場合、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御手段と、を備える像振れ補正装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、振れを検出する振れ検出工程と、前記振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段および第２の光学補正手段とを用意する工程と、静止画撮影動作の前の場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、または前記静止画撮影動作を行う場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御工程と、を備える像振れ補正方法を提供することにある。
本発明の更なる目的は、振れを検出する振れ検出工程と、前記振れの信号を用いて光学的に像振れ補正を行う第１の光学補正手段および第２の光学補正手段とを用意する工程と、動画記録している場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正の補正範囲を制限するとともに前記第１の光学補正手段を用いて像振れ補正を行い、または動画記録中に静止画記録を行う場合には、前記第２の光学補正手段を用いて像振れ補正を行うように制御する制御工程と、を備える像振れ補正方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー粒子を含有するトナーであって、
該トナー粒子は、非晶性ポリエステル樹脂Ａ、離型剤Ｂ、添加剤Ｃ、及び着色剤を含有し、
該添加剤Ｃは、ポリエステル部（Ｃ１）と結晶性アクリル部（Ｃ２）とが化学的に結合した樹脂であり、
該結晶性アクリル部（Ｃ２）が、下記の化学式（１）で示される部分構造を有することを特徴とするトナー：
【化１】
2015135485.tif 000001
［式中、Ｒは、炭素数１８〜３０の炭化水素基を表し、Ｘは、水素原子或いはメチル基を表す。］。
【請求項２】
前記トナー粒子が粉砕トナー粒子である請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記添加剤Ｃを試料とする示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる温度−吸熱量曲線において、融解ピークが存在し、
前記融解ピークは、
ｉ）ピーク温度Ｔｍｃが５０℃以上７０℃以下であり、
ｉｉ）前記添加剤Ｃの１ｇ当りの融解熱量ΔＨｃが２．００Ｊ／ｇ以上２０．００Ｊ／ｇ以下であり、
ｉｉｉ）半値幅Ｗｃが５．００℃以下である、
請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記離型剤Ｂを試料とする示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られる温度−吸熱量曲線において、融解ピークが存在し、前記融解ピークのピーク温度をＴｍｂ（℃）としたとき、前記離型剤Ｂの融解ピーク温度Ｔｍｂと前記添加剤Ｃの融解ピーク温度Ｔｍｃとが、下記式（１）を満たす請求項３に記載のトナー。
３≦Ｔｍｂ−Ｔｍｃ≦２３        ・・・（１）
【請求項５】
前記トナー粒子が結晶性ポリエステル樹脂Ｄを含有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項６】
前記結晶性アクリル部（Ｃ２）の構成ユニットの９５モル％以上が、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルに由来する構造である請求項１乃至５のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトナー、及び磁性キャリアを含む二成分系現像剤。