(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、
前記基板と前記ポリシリコン薄膜トランジスタとの間に形成された半導体薄膜遮光膜とを備え、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜で内部干渉により反射光量が最小になる波長において、内部干渉によって透過光量が最小になるように、前記半導体薄膜遮光膜の厚みが設定されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記基板上に形成された前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置において、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
カラーフィルタを有する液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素に対応するチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
フィールドシーケンシャル駆動により１枚の液晶表示装置によりカラー表示を行なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光の透過量を制御することによって表示を行なう液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置においては、アクティブマトリクス型の表示が主流である。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、２つの基板と、両基板に挟持された液晶とから構成されており、一方の基板には、マトリクス状に配された画素に対応して形成されたスイッチング素子と、そのスイッチング素子に接続された画素電極とが形成され、他方の基板には対向電極が形成されている。このような液晶表示装置においては、画素電極と対向電極との間に表示信号を印加することにより表示を行なう。具体的には、表示電圧を印加することにより、両電極に挟持された液晶の配向状態を変化させ、この液晶を透過する光量を制御することによって表示を行なう。
【０００３】
上記スイッチング素子には、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す。）、ダイオードなどの非線形素子が用いられる。中でも、液晶表示装置の駆動回路と一体形成が可能で、応答速度も速いポリシリコンＴＦＴが通常用いられる。
【０００４】
しかし、上記のように、光の透過量を制御することによって表示を行なう液晶表示装置においては、ポリシリコンＴＦＴに光が照射されることにより、その特性が低下し、クロストークなどの原因になるという問題点があった。
【０００５】
上記のような問題点を解決するために、ポリシリコンＴＦＴが形成されているＴＦＴ基板側、またはその基板に対向する基板側のＴＦＴ形成位置に遮光膜を形成する構造が採られている。
【０００６】
また、トップゲート構造では、ゲートパターン自身でチャネル部の上側を遮光している。
【０００７】
特開平６−１６０８９９号公報に、ＴＦＴ側に戻って来る光（戻り光）によるＴＦＴの特性低下を防止する技術が開示されている。これは、遮光用ポリシリコン膜とその上に形成された透明絶縁膜の膜厚を調整することによって、選択的に遮光することができるという内容である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、液晶表示装置への光の入射方向を限定して直接ＴＦＴに当たる光を遮光しても、遮光膜が形成されていない部分を通り抜けた光が、液晶表示装置の外部に形成されている光学部分（例えば、レンズ、偏光板、ミラー等）または液晶表示装置の内壁等に反射されて、ＴＦＴ側に戻って来ることがある。特にプロジェクション型の表示装置に用いられる液晶表示装置の場合には、画像を拡大投影するために非常に強い光が照射されるため、ＴＦＴ側に戻って来る光（以下、戻り光と呼ぶ。）の量も多く、この戻り光によるＴＦＴの特性低下が著しいという課題が生じる。
【０００９】
また、チャネルポリシリコン膜の吸収は入射光の短波長側で著しく、ＴＦＴの特性には青色光の影響が赤色光、緑色光の影響より大きい。
【００１０】
本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、液晶表示装置に用いたときに、戻り光のうちＴＦＴへ入射する光量を低減するか、戻り光の影響度を低減するか、または青色の戻り光の影響度を低減することにより、ＴＦＴの特性低下を防止することのできる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、前記基板と前記ポリシリコン薄膜トランジスタとの間に形成された半導体薄膜遮光膜とを備え、前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜で内部干渉により反射光量が最小になる波長において、内部干渉によって透過光量が最小になるように、前記半導体薄膜遮光膜の厚みが設定されたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、前記基板上に形成された前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置において、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、カラーフィルタを有する液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素に対応するチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、フィールドシーケンシャル駆動により１枚の液晶表示装置によりカラー表示を行なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１６】
以下、上記構成による作用を説明する。
【００１７】
本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形成され、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による最小反射光量の波長の入射光が内部干渉によって最小透過光量になるように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜とを備えているので、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による最小反射光量の波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および干渉作用によって減衰される。
【００１８】
さらに、基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００１９】
赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置各々で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００２０】
カラーフィルタを有する液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００２１】
また、フィールドシーケンシャル駆動により１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について以下に説明する。
【００２３】
（実施形態１）
図１に、本発明の実施形態１である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示す。この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用するものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が形成されている。
【００２４】
上記構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば石英基板、高歪点ガラス基板等からなる透明基板１上に、ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解によるＬＰＣＶＤ法により、ポリシリコン膜２ａを形成する。このポリシリコン膜２ａの膜厚については詳しく後述する。このポリシリコン膜２ａ上のＴＦＴ用ポリシリコン層４が形成される領域に、フォトリソグラフィ法で保護膜をつける。その保護膜を形成した領域以外のポリシリコン膜２ａをフロン系ガスプラズマによるドライエッチング法で除去することにより、遮光用ポリシリコン膜２を形成する。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、遮光用ポリシリコン膜２が形成された透明基板１上全面に、遮光用ポリシリコン膜２と、以降に形成するＴＦＴ用ポリシリコン層４とが電気的に絶縁されるように、膜厚が２５００〜５０００オングストロームの透明絶縁膜３を形成する。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、透明絶縁膜３上全面に、ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解によるＬＰＣＶＤ法により、ＴＦＴ用ポリシリコン層４となるアモルファスＳｉ膜を形成した後に、結晶化処理を行い、ポリシリコン膜４ａとなる。
【００２８】
以降は、通常の液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６、ＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等を形成する。
【００２９】
上記製造方法によって得られる液晶表示装置用ＴＦＴ基板における遮光作用を説明する。
【００３０】
図３に、実施形態１の液晶表示装置用ＴＦＴ基板における遮光用ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用ポリシリコン層４の分光透過率、およびシリコン単相の吸収係数と膜厚とから算出される分光透過率を示す。図３において、例として、ポリシリコン膜厚２０６４オングストローム（実線）とポリシリコン膜厚８６６オングストローム（一点鎖線）の場合を示す。図示するように、膜厚が、例えば８６６オングストロームのポリシリコン膜では、シリコン単体の吸収係数と膜厚とから算出した分光透過率が約８０〜９０％となるのに対し、実際には、青色光の透過率は約２５％に、緑色光の透過率は約３０％に、赤色光の透過率は約７０％に下がっている。これは、吸収のみでなく、干渉によって透過率が減少したものである。
【００３１】
さらに、図３より、膜厚および波長によって、吸収効率、透過率が異なることがわかる。具体的には、ポリシリコン膜の膜厚が８６６オングストロームの場合には、青色、緑色の光の透過率は３０％以下であるが、赤色の光は７０％程度透過する。一方、ポリシリコン膜の膜厚が２０６４オングストロームの場合には、青色、赤色の光の透過率は３０％以下であるが、緑色の光は６０％程度透過する。
【００３２】
この干渉作用を図４に基づいて説明する。図４は、図１に示す液晶表示装置用ＴＦＴ基板の遮光用ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用ポリシリコン層４の近傍を拡大したものである。実線の矢印は、液晶表示装置用ＴＦＴ基板への入射光Ａの光路を示す。
【００３３】
図示するように、実施形態１の液晶表示装置用ＴＦＴ基板へ透明基板１側からの入射光Ａには、遮光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面を透過し、透明絶縁膜３側の面で反射された後に、透明基板１側の面で反射されて、ＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光Ａ１と、遮光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面および透明絶縁膜３側の面を透過してＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光Ａ２とがある。遮光用ポリシリコン膜２の膜厚をｄ２とすると、この２つの光Ａ１およびＡ２の光路差は、距離２ｄ２×ｎ２（ｎ２は遮光用ポリシリコン膜２の屈折率）となり干渉を起こす。これは、ＴＦＴ用ポリシリコン層４でも同様の現象が発生する。本発明は、この干渉を利用したもので、遮光用ポリシリコン膜２の膜厚ｄ２を調整することにより、遮光用ポリシリコン膜２を出射してＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光のうち、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での内部干渉による最小反射光量の波長の光を減衰させることができる。
【００３４】
さらに詳しく説明すると、ＴＦＴ基板裏面からの入射光量は、
入射光量＝反射光量＋透過光量＋吸収光量
で表され、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での戻り光による特性低下は透過エネルギーと吸収エネルギーの和に依存する。
【００３５】
ＴＦＴ用ポリシリコン層４の膜厚をｄ４、光の波長をλとすると、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での干渉は下記のように数式１で示される関係となる。
【００３６】
（数式１）
（２ｄ４×ｎ４）／λ＝１／２×２ａ    （ａは整数）
この数式１を満たす波長λで反射光量が最小、つまり透過光量と吸収光量の和が最大になる。この波長λの戻り光がＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下に大きく影響しており、波長λの戻り光を遮光用ポリシリコン膜２で効率良く遮光すれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を低減することができる。
【００３７】
遮光用ポリシリコン膜２で波長λの戻り光を効率良く遮光するには、下記に示すように数式２で示される関係である。
【００３８】
（数式２）
（２ｄ２×ｎ２）／λ＝１／２×（２ｂ＋１）    （ｂは整数）
この数式２を満たせば、反射光量が最大、つまり透過光量が最小になる。このような条件を満たす遮光用ポリシリコン膜厚を用いることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが可能になる。
【００３９】
数式１および２を変形すると、数式３となる。
【００４０】
（数式３）
ｄ２＝｛（２ｂ＋１）／２ａ｝×（ｎ４／ｎ２）×ｄ４
数式３を満たす遮光用ポリシリコン膜の膜厚ｄ２を用いることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を低減することができる。
【００４１】
実施形態１では、遮光膜の材料にポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いたが、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、微細結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）、ポリゲルマニウム（Ｐｏｌｙ−Ｇｅ）、アモルファスゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）、ポリＳｉ−ｘＧｅｘ系、アモルファスＳｉ−ｘＧｅｘ系等の半導体薄膜を用いても同等の効果が得られる。
【００４２】
ここで、プロジェクター等の投射時に判別できるクロストークは輝度比で３％以上であり、クロストークを３％以下に抑えることができれば、スクリーン上での表示品位は向上する。ここで、実験よりチャネルポリシリコン膜での光吸収を１．３％以下であれば、クロストークを３％以下に抑えることができるということがわかっている。また、実際にクロストークに寄与して波長範囲は、吸収係数の大きい４００〜４５０ｎｍの範囲であることがわかっている。青色光でもあるこの４００〜４５０ｎｍの波長範囲の光を、可視光短波長領域と呼ぶ。
【００４３】
図５に、チャネルポリシリコン膜の膜厚と可視光短波長領域（波長４００〜４５０ｎｍ）での光吸収との関係を示す。
【００４４】
ＴＦＴ用ポリシリコン層４であるチャネルポリシリコン膜での光吸収は、入射光の短波長側で著しく、チャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以下または５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の光吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが可能になる。
【００４５】
（実施形態２）
本発明の実施形態２である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用するものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が形成されている。
【００４６】
図６に、赤色光（波長範囲６００〜７００ｎｍ）、緑色光（波長範囲５００〜６００ｎｍ）、青色光（波長範囲４００〜５００ｎｍ）での吸収率と、ＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚との依存性を示す。赤色光、緑色光、青色光いずれにおいてもＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層であるチャネルポリシリコン膜での光吸収は減少し、特性低下を防止することが可能になる。
【００４７】
しかしながら、ＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
【００４８】
図６に示すように、赤色光、緑色光は、青色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少なく、赤色用、緑色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚は、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚ほど薄くする必要はない。従って、赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコン層について、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつつ、チャネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止することが可能になる。さらに、各色の波長領域での光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止し、かつ、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良発生を防止するよう、赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚をそれぞれ設定することにより一層の効果が得られる。
【００４９】
ここで、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以下または５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、図５に示すように、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが可能になる。
【００５０】
（実施形態３）
図７に、本発明の実施形態３である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示す。この液晶表示装置は、入射光として白色光を利用し、対向基板またはＴＦＴ基板上に形成されたカラーフィルタによりカラー表示ができるものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が形成されている。
【００５１】
図６に示すように、実施形態２と同様に、赤色光、緑色光、青色光いずれにおいても、ＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層であるチャネルポリシリコン膜での光吸収は減少し、特性低下を防止することが可能になる。
【００５２】
しかしながら、ＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
【００５３】
図６に示すように、赤色光、緑色光は、青色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少なく、赤色用、緑色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚は、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚ほど薄くする必要はない。
【００５４】
従って、赤色用、緑色用、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層のうち、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつつ、チャネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止することが可能になる。
【００５５】
さらに、各色の波長領域での光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止しかつ、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や断線等の不良発生を防止するよう、赤色用、緑色用、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚をそれぞれ設定することでより一層の効果が得られる。
【００５６】
ここで、図５に示すように、青色用画素のチャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが可能になる。
【００５７】
（実施形態４）
本発明の実施形態４の液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。この液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル駆動により、１枚のパネルで対向基板またはＴＦＴ基板上にカラーフィルタを形成せずに、カラー表示を行なうものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が形成されている。
【００５８】
フィールドシーケンシャル駆動であるため、この液晶表示装置は１フィールドで赤・青・緑の信号を切替えて表示するが、赤・青・緑各々の信号で駆動しているとき、それに対応した色の光がパネルに入射することになる。上記のように、青色光がパネルに入射するときに、チャネルポリシリコン膜での光吸収が大きい。
【００５９】
従って、図５に示すように、ＴＦＴ用ポリシリコン層であるチャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが可能になる。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形成され、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による最小反射光量の波長の入射光が内部干渉によって最小透過光量になるように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜とを備えているので、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による最小反射光量の波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および干渉作用によって減衰される。
【００６１】
さらに、基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００６２】
赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置各々で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００６３】
カラーフィルタを有する液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定すると、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【００６４】
また、フィールドシーケンシャル駆動により１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１、２、４の液晶表示装置用ＴＦＴ基板の断面構造図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】特定膜厚のポリシリコン膜における分光透過率を示すグラフである。
【図４】干渉作用を説明するための液晶表示装置用ＴＦＴ基板への入射光の光路図である。
【図５】波長範囲４００〜４５０ｎｍにおける光吸収と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフである。
【図６】赤色・青色・緑色の波長範囲における光吸収と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフである。
【図７】実施形態３の液晶表示装置用ＴＦＴ基板の断面構造図である。
【符号の説明】
１      透明基板
２      遮光用ポリシリコン膜
３      透明絶縁膜
４      ＴＦＴ用ポリシリコン層
５      ゲート絶縁膜
６      ゲート電極
７      ＴＦＴ用金属配線
８      画素電極
Ａ      入射光
ｄ２      遮光用ポリシリコン膜２の膜厚
ｄ４      ＴＦＴ用ポリシリコン層４の膜厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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