(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上面にＩＣチップを固着してワイヤボンディングし、前記ＩＣチップをモールド用樹脂でモールドしてなる樹脂封止型半導体装置において、
前記基板の四隅にはモールド時にモールド用樹脂を流入させる切欠部を設けるとともに、この切欠部は前記モールド用樹脂を流入させて五角形状に硬化させ、硬化した前記モールド用樹脂で前記基板を包み込むようにホールドしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、詳しくはそのパッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、樹脂封止型半導体装置としてＢＧＡ型半導体装置が知られており、図４に示すように、かかるＢＧＡ型半導体装置Ｘは、基板100 にＩＣチップ200 を搭載・固着し、同ＩＣチップ200 の端子と、基板100 上に形成してある導通パタン（図示せず）とをボンディングワイヤ300 で接続し、さらに、ＩＣチップ200 及びボンディングワイヤ300 とを熱硬化性のモールド用樹脂400 でモールドしてパッケージ化している。
【０００３】
基板100 の裏面には半田バンプ500 が形成されており、同半田バンプ500 と前記導通パタンとを、図示しないスルーホールを介して導通させることで、ＩＣチップ200 と半田バンプ500 とを導通させている。
【０００４】
基板100 はリードフレームに連続状に形成されており、前記したようにパッケージ化された後にリードフレームから切り離されて単品化される。
【０００５】
また、基板100 は、ガラスエポキシ樹脂等で板状に形成されたものが一般的であるが、近年では、量産化を図るべく、ポリプロピレン樹脂等からなるフィルム体が用いられることも多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記した従来のＢＧＡ型半導体装置Ｘのパッケージ構造では、図示したように、モールド用樹脂400 が基板100 の上面にのみモールドされているために、基板100 表面との溶着が不十分となって、単品カット時などにモールド用樹脂400 が基板100 から剥離しやすいという欠点があった。
【０００７】
すなわち、基板100 とモールド用樹脂400 との材質が異なるので熱膨張率が異なり、モールド時に反りを生じ、基板100 とモールド樹脂400 との密着性が低下し、さらに、ＢＧＡ型半導体装置Ｘの実装時やリフロー時にも同様に反りを生じるので剥離しやすい。特に、基板100 がフィルム体であると、その傾向が顕著である。
【０００８】
かかる剥離が生じると、接合面から吸湿してＢＧＡ型半導体装置Ｘの実装時やリフロー時にパッケージクラックの原因となるので、モールド用樹脂400 の剥離防止が大きな課題となっている。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決することのできる樹脂封止型半導体装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するために、請求項１記載の本発明では、基板上面にＩＣチップを固着してワイヤボンディングし、前記ＩＣチップをモールド用樹脂でモールドしてなる樹脂封止型半導体装置において、前記基板の四隅にはモールド時にモールド用樹脂を流入させる切欠部を設けるとともに、この切欠部は前記モールド用樹脂を流入させて五角形状に硬化させ、硬化した前記モールド用樹脂で前記基板を包み込むようにホールドした。したがって、モールド部の剥離を防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、基板上面にＩＣチップを固着してワイヤボンディングし、樹脂モールドした樹脂封止型半導体装置において、基板の周側部に、樹脂モールド時にモールド用樹脂を流入させる切欠部を設けたものである。
【００１５】
すなわち、基板の周側部に予め切欠部を設けておき、モールド時に同切欠部内にモールド用樹脂を流入させ、かかるモールド用樹脂を基板の下面まで至らせることで、硬化したときにモールド用樹脂が基板を包み込むようにホールドして密着性を向上させ、モールド用樹脂と基板との剥離を防止したものである。
【００１６】
切欠部を設ける箇所は、半導体装置の機能を阻害することのないように基板上に形成された導通パタンを避ける箇所とし、その箇所としては、例えば基板の周縁とすることが考えられる。
【００１７】
また、切欠部の個数としては特に限定するものではないが、基板の各辺に１個ずつ、もしくは、基板の四隅にそれぞれ設けることができる。
【００１８】
特に、四隅に設けた場合は、少ない個数で効率的に基板とモールド用樹脂との剥離を防止することができる。
【００１９】
また、基板の各辺に複数個の切欠部を設けてモールドすることもでき、モールド用樹脂による基板のホールド力を大きくして密着性をより向上させることもできる。
【００２０】
このように、本発明によれば、モールド用樹脂と基板との密着性が向上してモールド用樹脂の基板からの剥離を効果的に防止することができる。
【００２１】
特に、基板を薄いフィルム体とした場合にはその効果は大きくなり、フィルム体を基板とし、かつ、かかるフィルム基板の欠点であるモールド用樹脂の剥離を防止して不良品の発生を可及的に抑えることにより、薄型で高品質のＢＧＡ型半導体装置の量産化を実現することができる。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２３】
（第１実施例）
図１は第１実施例に係る樹脂封止型半導体装置としてのＢＧＡ型半導体装置Ａの底面図、図２は図１のＩ−Ｉ線における断面図である。
【００２４】
図２に示すように、ＢＧＡ型半導体装置Ａは、ポリプロピレン等の樹脂製のフィルム体からなる略正方形のフィルム基板１の上面にＩＣチップ２を固着し、フィルム基板１上に形成した図示しない導通パタンにワイヤボンィングしている。
【００２５】
３はボンディングワイヤである。
【００２６】
フィルム基板１の裏面には、半田バンプ４がマトリックス状に多数突設されており、同半田バンプ４と前記導通パタンとを図示しないスルーホールを介して導通させている。
【００２７】
そして、ＩＣチップ２とボンディングワイヤ３とを熱硬化性樹脂５によりモールドしてパッケージを構成している。
【００２８】
かかる構成のＢＧＡ型半導体装置Ａにおいて、本発明の要旨となるのは、フィルム基板１の周側部に、モールド用樹脂である熱硬化性樹脂５を流入させる切欠部６を設けたことにある。
【００２９】
すなわち、熱硬化性樹脂５とフィルム基板１とは、その材質の違いにより熱膨張率が異なるので、樹脂モールド時や、後工程の半田バンプ４のリフロー時、あるいは、ＢＧＡ型半導体装置Ａの実装時にパッケージ自体に反りを生じ、フィルム基板１と熱硬化性樹脂５とが剥離しやすくなるものであるが、上記構成としたことにより、モールド時に切欠部６に熱硬化性樹脂５が流入して硬化し、かかる熱硬化性樹脂５がフィルム基板１を包み込むようにホールドすることになるので、フィルム基板１と熱硬化性樹脂５との密着性が向上して両者の剥離を効率良く防止することができる。
【００３０】
本実施例では、切欠部６を、図１に示すように、前記した導通パタン（図示せず）を避ける位置としてフィルム基板１の四隅に形成している。
【００３１】
したがって、熱硬化性樹脂５が剥離しやすいフィルム基板１の各角部を熱硬化性樹脂５が包み込んでホールドするので、切欠部６の個数が少なくても効率的な剥離防止が可能となる。
【００３２】
フィルム基板１の四隅に設ける切欠部６は、各フィルム基板１毎に形成してもよいが、フィルム基板１を多数集合させた大判の集合基板フィルムにマトリックス状に形成すれば、切欠部６を各フィルム基板１の四隅により効率的に形成することができる。
【００３３】
また、切欠部６の形状としては、図１に示したような五角形に限らずいかなる形状であっても構わない。
【００３４】
（第２実施例）
図３に第２実施例に係るＢＧＡ型半導体装置Ａの底面図を示す。なお、本実施例で用いた符号は、同一構成要素については第１実施例と同一のものを用いている。
【００３５】
図示するように、本実施例では、切欠部６をフィルム基板１の周縁部に複数個形成している。
【００３６】
また、切欠部６は熱硬化性樹脂５が最も剥がれやすい四隅と、各辺に設けており、切欠部６の形状は自由であるが、本実施例では、四隅部分には四分円形状のものを、各辺には半円形状のものを形成している。また、各辺に設けた切欠部６は、単数であっても複数であってもよく、本実施例では、一定間隔をあけた複数個設けている。なお、他の構成については第１実施例と同様なのでここでの説明は省略する。
【００３７】
以上の構成としたことから、本実施例では、第１実施例のパッケージ構造に比べて熱硬化性樹脂５によるフィルム基板１のホールド力が大きくなり、密着性がより増大して剥がれを確実に防止することができる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明は上記のような形態で実施されるもので、以下の効果を奏する。
【００３９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の本発明では、基板上面にＩＣチップを固着してワイヤボンディングし、前記ＩＣチップをモールド用樹脂でモールドしてなる樹脂封止型半導体装置において、前記基板の四隅にはモールド時にモールド用樹脂を流入させる切欠部を設けるとともに、この切欠部は前記モールド用樹脂を流入させて五角形状に硬化させ、硬化した前記モールド用樹脂で前記基板を包み込むようにホールドしたことによって、モールド部の剥離を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係るＢＧＡ型半導体装置の底面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図３】第２実施例に係るＢＧＡ型半導体装置の底面図である。
【図４】従来のＢＧＡ型半導体装置のパッケージ構造を示す説明図である。
【符号の説明】
Ａ  ＢＧＡ型半導体装置（樹脂封止型半導体装置）
１  フィルム基板（基板）
２  ＩＣチップ
３  ボンディングワイヤ
４  半田バンプ
５  熱硬化性樹脂（モールド用樹脂）
６  切欠部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0003732660.tif 000005