(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ／Ｗアンプが磁気抵抗効果型再生ヘッドへ第１のセンス電流を通じ、当該磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間の信号を当該Ｒ／Ｗアンプが増幅し、その直流成分をアナログ／デジタル変換器がデジタル信号に変換し、コントローラが、当該デジタル信号から、予め作成された対応テーブルに基づき、第２のセンス電流を選択することにより１つのセンス電流を定める第１のステップと、
前記コントローラが、第１のステップで定めたセンス電流に応じた設定信号を、センス電流設定回路へ送り、当該センス電流設定回路が１つのセンス電流値を、複数のセンス電流の候補値から選択する第２のステップと、
第２のステップで選択したセンス電流値を、前記Ｒ／Ｗアンプが、前記磁気抵抗効果型再生ヘッドへ流す第３のステップを有する、磁気抵抗効果型再生ヘッドへのセンス電流の供給方法。
【請求項２】
請求項１記載のセンス電流の供給方法において、
第１のステップの第１のセンス電流と、第２のステップの複数のセンス電流の候補値との対応関係が、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間の直流電圧の値を、センス電流の値で除した値を横軸とし、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、許容される最大値を越えない範囲となるよう定められたセンス電流値を縦軸とする対応関係であり、プログラムに記載されていることを特徴とする、磁気抵抗効果型再生ヘッドへのセンス電流の供給方法。
但し、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差とは、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗から、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗以外の抵抗分を差し引いた抵抗値の両端に出現する電位差をいう。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録に係り、特に磁気抵抗効果型電磁変換素子を用いて情報を再生する磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気テープ装置や磁気ディスク装置では、情報の再生素子として、磁気抵抗効果型素子が採用されつつある。磁気抵抗効果型素子は、記録媒体からの漏洩磁界に対応した抵抗率変化（磁気抵抗効果）を利用するものである。磁気抵抗効果型素子は、従来の誘導型素子に比べると再生感度が高く、かつ、磁気テープの走行速度や磁気ディスク媒体の回転速度に対する依存性（周速依存性）がない。このような特性は、磁気テープ装置の小形化や磁気ディスク装置の大容量化、テープ媒体の高記録密度化又はディスク媒体の小径化に極めて有効であり、現在、磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドが急速に普及しつつある。
【０００３】
図２は、一般的に使用されている記録媒体（磁気テープ又は磁気ディスク）と、磁気ヘッドの磁気抵抗型素子部の構成を模式的に示したものである。磁気抵抗効果型素子１の電極２に挟まれた領域は、ほぼ単一磁区を形成し、かつ、記録媒体４からの漏洩磁界が無い場合に、所定の向きに磁化されるようにバイアス磁界が印加されている。この領域は感磁部と呼ばれ、記録媒体４から発生する漏洩磁界６が重畳することで磁化がバイアス状態から回転しやすく、この回転角に応じて磁気抵抗効果型素子１の抵抗率が変化する。
【０００４】
従って、この領域が情報再生に有効に働き、この領域の幅が磁気ヘッドの再生トラック幅に相当する。磁気抵抗効果型素子１の両側にあるシールド膜３は空間分解能を向上して、記録媒体４に高密度に情報が記録された場合にも、各々の情報に対応する漏洩磁界６が干渉することを防ぎ、各々の情報を区別できるようにするためのものである。
【０００５】
記録媒体４からの漏洩磁界６に対応した磁気抵抗効果型素子１の抵抗率変化は、磁気抵抗効果型素子１にセンス電流５と呼ばれる一定電流を流した場合の素子両端の電圧降下、又は、磁気抵抗効果型素子１に一定電圧を印加した場合に流れるセンス電流５の変化を抽出することで電気信号に変換できる。
【０００６】
磁気抵抗効果型素子用の再生回路として一般的に使用されている回路構成の一例を、図３に示す。この構成では、センス電流設定用の外部抵抗素子７で決定される値の電流が、磁気抵抗効果型素子１に流れるように、素子両端の印加電圧を帰還制御する。ローパスフィルターＬＰＦ８により、低い周波数応答に対してのみ帰還が行われる。これにより、磁気抵抗効果型素子１には、その抵抗値に依らずに一定のセンス電流５が流れる。また、漏洩磁界による磁気抵抗効果型素子１の抵抗変化に対しては、磁気抵抗効果型素子１は定電圧駆動されることにより、抵抗変化に対応してセンス電流が変化する。このセンス電流変化を負荷抵抗９で電圧変化に変換し、再生信号として取り出す。
【０００７】
このため、再生素子として磁気抵抗効果型素子を用いた、例えば、磁気ディスク装置の再生チャネルは、一般的に図４のブロック図に示すような構成となる。再生素子が磁気抵抗効果型素子であることによる再生チャネルの特徴として、Ｒ／Ｗアンプ１０には、センス電流設定用の抵抗素子７が接続される。この抵抗素子７により設定されたセンス電流５が磁気抵抗効果型素子１に供給されることにより、上記の原理により再生信号を得ている。他の再生チャネル構成は、磁気抵抗効果型素子以外の誘導型素子を用いた場合と同様である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術では、磁気抵抗効果型素子の抵抗率変化を一定電流に対する電圧降下の変化、又は、一定電圧に対する素子電流の変化として検知するため、磁気抵抗効果型素子の寸法ばらつき（分散）に起因する素子抵抗値のばらつきがあると、再生信号振幅が大きく分散してしまう。例えば、特開平５−３２５１１０号は磁気ディスク装置の技術を開示しているが、ＭＲヘッドの再生レベルが最大になるようにセンス電流を制御している。そして、図１５に示すように、ＭＲヘッドの個体差により最大の再生出力を与えるセンス電流が異なっている。  センス電流を大きくすると、磁気抵抗効果型素子の寿命が短くなるので、センス電流は必要以上には大きくできない。このため所定のセンス電流の上限を設定して、当該上限値以下で使用せざるをえない。
【０００９】
以下の説明のため、図５に示すように磁気抵抗効果型素子の寸法を定義する。
【００１０】
図の下方が記録媒体側、奥行き方向が記録トラック幅方向を示している。ここで、磁気抵抗効果型素子の素子高さ(ｈ)は、通常、素子の機械加工により決まるため、加工精度により分散しやすい。他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)は、通常、薄膜プロセスにより決定される。このため、素子高さ(ｈ)のばらつき比率は、他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)のばらつき比率に比べて大きく、その影響が現われやすくなる。
【００１１】
素子高さが通常よりも低い場合、素子抵抗は大きくなるので、一定の電流を通じたときには、素子の端子電圧に現れる再生信号の振幅は通常より大きくなる。また、通常よりも電流密度が大きくなるため、マイグレーションや発熱による破壊が起こりやすくなり、寿命の観点からは信頼性が劣化する。
【００１２】
この関係を図６を用いて説明する。図６は、磁気抵抗効果型素子の素子高さのばらつきに起因して抵抗ばらつきが起こる場合を示している。磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗に対して、図６上部は再生出力の変化を示し、図６下部は磁気抵抗効果型素子の電流密度変化を示している。
【００１３】
磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗は、磁気抵抗効果型素子自身の有する抵抗と電極及び配線等の抵抗からなる。その結果、図６のような特性を示す。図４に示すような従来の磁気ディスク装置用の再生チャネルでは、磁気抵抗効果型素子の抵抗値に依らずにセンス電流を一定に設定する。そのため、磁気抵抗効果型素子抵抗にばらつきがある場合、磁気抵抗効果型素子内の電流密度もばらついてしまう。再生性能の観点からは、できるだけ再生出力を大きくなるようにセンス電流を大きく設定したい。しかし、図６下部に示すように、磁気抵抗効果型素子の通電寿命の観点から電流密度の上限を超えない範囲にセンス電流を設定する必要があった。その結果、再生出力は図６上部に示す範囲でばらつくことになる。ここで、素子高さの高い素子は抵抗値が小さくなるため（図５）、再生信号振幅は低くなる。
【００１４】
このように、素子高さの高い素子は、素子自身の抵抗値が低いので再生出力が小さく、あたかも性能が低いように見えてしまう。しかし、素子高さの高い素子の電流密度は小さいため、電流密度の上限値を超えない範囲でセンス電流を大きくすれば信頼性を確保したまま再生出力を大きくすることが可能である。即ち本願の発明者らは、従来技術では素子高さの高い素子の性能を十分に利用できていないことを発見した。
【００１５】
ここまで、素子高さのばらつきに関して述べてきたが、素子厚さに関しても同様のことが言える。
【００１６】
本発明の目的は、上記のような素子高さ、素子厚さのばらつきに起因する、見かけ上の性能不足を補償し、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を十分に引き出すようにした磁気抵抗効果型再生ヘッドへのセンス電流の供給方法を提供することにある。
【００１７】
上記課題を達成するために、本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドへのセンス電流の供給方法は、Ｒ／Ｗアンプが磁気抵抗効果型再生ヘッドへ第１のセンス電流を通じ、当該磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間の信号を当該Ｒ／Ｗアンプが増幅し、その直流成分をアナログ／デジタル変換器がデジタル信号に変換し、コントローラが、当該デジタル信号から、予め作成された対応テーブルに基づき、第２のセンス電流を選択することにより１つのセンス電流を定める第１のステップと、前記コントローラが、第１のステップで定めたセンス電流に応じた設定信号を、センス電流設定回路へ送り、当該センス電流設定回路が１つのセンス電流値を、複数のセンス電流の候補値から選択する第２のステップと、第２のステップで選択したセンス電流値を、前記Ｒ／Ｗアンプが、前記磁気抵抗効果型再生ヘッドへ流す第３のステップを有する。
【００１８】
また上記課題を達成するために、本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドへのセンス電流の供給方法は、第１のステップの第１のセンス電流と、第２のステップの複数のセンス電流の候補値との対応関係が、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間の直流電圧の値を、センス電流の値で除した値を横軸とし、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、許容される最大値を越えない範囲となるよう定められたセンス電流値を縦軸とする対応関係であり、プログラムに記載されていることを特徴とする。但し、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差とは、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗から、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗以外の抵抗分を差し引いた抵抗値の両端に出現する電位差をいう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の適用対象である磁気テープ装置を、図１６を用いて簡単に説明する。
磁気テープは、テープ走行系に設置された磁気ヘッドに接触又は僅かな間隙を保って走行することにより、情報の記録又は再生を行う。本装置では、磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドが、テープの幅方向ｃに沿って複数設けられている。磁気テープは正方向又は逆方向に走行可能であり（方向ａ又は方向ｂ）、いづれの場合にも情報の記録又は再生を行うことができる。磁気ヘッドはＲ／Ｗアンプ１１に接続され、磁気テープから検出した微小な信号の増幅、書込みの際の情報信号の増幅、及び本発明の実施に際して所定の選択機能を有している。
【００２０】
次に、本発明の別の適用対象である磁気ディスク装置を、図１３及び図１４を用いて説明する。磁気ディスク装置は、密閉容器４０、磁気媒体であるディスク４１、ディスク４１を支持し、かつ、回転させるスピンドルモータ４２、ディスク４１からの情報を読み出す磁気ヘッド及びサスペンションアームを持つヘッドアッセンブリ４３及びヘッドアッセンブリを支持し、かつ、ディスク上を揺動させるピボットシャフト４４を含むスイングアーム、スイングアームを駆動するボイスコイルモータ４５、それに、ディスク４１への書き込み及びディスク４１からの読み出しを磁気ヘッドにさせる回路５１やスピンドルモータ４２及びボイスコイルモータ４５の作動を制御するコントローラに電気的接続を行う印刷配線板４６を具備している。ディスク４１、スピンドルモータ４２、ヘッドアッセンブリ４３、印刷配線板４６、ボイスコイルモータ４５は容器４０の内部にあり、容器４０によって密閉されている。
【００２１】
スピンドルモータ４２は、外周にディスク４１を固定するハブと、ハブの内部に回転子及び固定子を配置したインハブタイプのモーターであり、容器４０を構成するベース部材に設置されている。ただし、インハブタイプのモーターに限定されない。ディスク４１は、磁気ディスク装置のデータ格納容量を決める重要部品である。通常は容量に応じて、例えば、１枚から数枚で構成される。本磁気ディスク装置では、ディスク４１は、ディスクスペーサ４８ａ（図１４）と、交互にスピンドルモータ４２のハブに挿入されている。ディスククランプ４８ｂは、ディスクの積層体をスピンドルモータ４２の軸方向に押さえることによって、ディスク４１をスピンドルモータ４２に固定している。
【００２２】
スイングアームは、ディスク４２の枚数に応じて数本有り、磁気ヘッドを搭載している複数のスライダ４９、サスペンションアーム５０（図１３）から構成される。スイングアームは、ピボットシャフト４４により回転自在にベース部材に固定されている。磁気ヘッドは、書き込みのための薄膜ヘッドと読み取りのための磁気抵抗効果型ヘッドとを一体化したデュアルヘッドが搭載されており、スライダ４９の各々に取付けられている。
【００２３】
次に、本実施の態様である磁気記録装置の再生チャネルのブロックを、図１を用いて説明する。本再生チャネルは、少なくとも、磁気抵抗効果型素子１に接続してセンス電流５を供給するとともに、再生出力端子１７に、差動再生信号と、これに磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧を重畳して出力するＲ／Ｗアンプ１１と、前記差動再生信号を入力する自動利得制御増幅器（ＡＧＣアンプ）及びこれに接続された再生チャネル（ローパスフィルタＬＰＦ、適応等価器、復号回路）と、記差動再生信号の直流成分を抽出するＬＰＦ１３と、前記ＬＰＦ１３により抽出された直流成分を入力してディジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換器１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジタル信号を入力し、前記メモリ１６内の対応テーブルを参照して、センス電流設定信号１８を出力するコントローラー１５と、前記センス電流設定信号１８を入力し、センス電流５を切り替えるセンス電流設定回路１２により構成される。
【００２４】
前記メモリ１６内の対応テーブルは、コントローラ１５を制御するプログラムの中に記載されていても良い。この場合には、メモリ１６は不要となる。
【００２５】
図７に、前記Ｒ／Ｗアンプの一構成例を示す。磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、バッファを介してＬＰＦに入力された後に、該ＬＰＦにより高周波を除去した端子間電圧となる。この高周波が除去された端子間電圧を基準にして、出力差動信号が出力される。ここで、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗のうち、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗値以外は、おおむね一定であり、事前に測定し評価できる。この素子以外の抵抗値とセンス電流に対応するセンス電流設定信号との変換テーブルが、メモリ１６（図１）に格納される。それゆえ設定しているセンス電流値と磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗から、磁気抵抗効果型素子両端の電位差を算出できる。素子自身の両端の電位差を所定の値にするためのセンス電流値を算出した後、センス電流設定回路１２に送る設定信号値を求めることができる。以上により磁気抵抗効果型素子の両端の電位差をほぼ一定の値に設定することが可能となる。
【００２６】
次に、本実施の態様の効果を説明する。従来の再生チャネルにより、センス電流を一定値に設定した場合、磁気抵抗効果型再生ヘッド６００ユニットの再生出力を、図８に示す。横軸は各磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗（素子自身の端子間抵抗ではない）であり、最大２７Ωまで分散している。ここではセンス電流は１１ｍＡ(ミリアンペア)に固定されている。この電流値は、ヘッドに流す最大電流密度（概略、２０ＭＡ／平方ｃｍ）以下に設定するという制約から決められている。
【００２７】
この結果、再生出力は４００μＶｐｐから７００μＶｐｐの範囲（より図８に則して表現すれば、３５０μＶｐｐから７５０μＶｐｐの範囲）で分散し、このときの磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、最大で２９７ｍＶにまで達する。図８の特性は、図６に示すような直線的な相関を示していないが、これはヘッドの浮上量ばらつきや素子幅ばらつき、素子感度ばらつき等を含むためである。しかしながら、概略右上がりの相関があることを示しており、前述したような、素子高さ及び素子厚さのばらつきの影響が大きいことを示している。
【００２８】
一方、本発明により、センス電流を制御した再生出力を、図９に示す。ここでは、図８の例と同様に最大電流密度を２０ＭＡ(メガアンペア)／平方ｃｍに制限し、また、センス電流の切り替えは８段階とした。
【００２９】
制御目標とするセンス電流値の設定方法について、図１０を用いて説明する。まず、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗のうち、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗以外の抵抗分は、ヘッド単品の測定及び評価から、ほぼ５Ωであることが分かっている。このため、センス電流を１１ｍＡに固定した上記の従来例では、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、最大２４２ｍＶに達する。
【００３０】
従って、磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、２４２ｍＶを越えない範囲でセンス電流を増加しても、磁気抵抗効果型素子の電流密度は従来例と同程度に抑えられ、通電寿命等の信頼性も従来例と同程度に確保できる。
【００３１】
図１０に示す×印は、各磁気効果型再生ヘッドにおける磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、前記の２４２ｍＶにほぼ一致すると推定されるセンス電流値をプロットしたものである。横軸は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧Ｖを、端子間電圧測定時のセンス電流Ｉｓで規格化して表示した値（Ｖ／Ｉｓ）である。また横軸は、アナログ／ディジタル変換器１４（図１）の出力であるディジタル信号と、センス電流設定値とからディスクコントローラー１５が評価可能な値に対応している。
【００３２】
制御目標とするセンス電流値は、図１０の×印を上回らないように実線で示すように決定する。この結果、磁気抵抗効果型素子の通電寿命等の信頼性を維持したまま、再生感度を向上できる。図１７に示す変換テーブルは図１０から作成され、これに相当するデータがメモリ１６（図１）に格納される。ディスクコントローラー１５は、センス電流設定信号１８を、センス電流設定回路１２に送り、図１０に示す関係のセンス電流の切り換えを達成する。
【００３３】
本発明では、図９に示すように、再生出力は４８０μＶｐｐから８００μＶｐｐの範囲（より図９に則して表現すれば、４２０μＶｐｐから８００μＶｐｐの範囲）で分散することが分かる。図８の従来例に比べて、本発明では分散の下限出力を約２０％増加できるとともに、再生出力の分散全体を減少できた。この結果、磁気ディスク装置、磁気テープ装置その他磁気記録装置の完成品を輩出する割合が向上できた。
【００３４】
以上のように、本実施の態様によれば、磁気抵抗効果型素子のセンス電流を、従来のセンス電流の最大電流密度と同等レベルに保つことができ、素子の通電寿命等の信頼性を低下することなく、再生出力を約２０％増加することができる。これにより磁気記録再生の信号のＳ／Ｎ比を向上できるので、磁気記録装置の全体の性能を向上できる。
【００３５】
なお本実施の態様においては、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧の違いを評価した結果に基づいてセンス電流を切り替え、再生感度ばらつきを低減することが本質であり、必ずしも最大電流密度が同等レベルになるようにセンス電流を切り替える必要はない。
【００３６】
本実施の態様のセンス電流設定回路１２は、Ｒ／Ｗアンプ１１に内蔵されていてもよい。また、ＬＰＦ１３やＡＤＣ１４が他の機能ブロックとともにＲ／ＷチャネルＩＣ若しくはコントローラー１５に内蔵されていてもよい。
【００３７】
また、本実施の態様のＲ／Ｗアンプ１１は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧を再生出力端子１７に重畳せずに、別の端子を設けて出力し、直接、ＡＤＣ１４に入力しても良い。この場合にはＬＰＦ１３は不要となる。
【００３８】
磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、常時監視する必要は無く、ヘッド毎又はシリンダ位置毎の評価を装置起動の際に実施し、メモリ１６に格納しておいてもよい。更には、磁気ディスク装置の出荷前に係る評価を実施し、磁気ディスク媒体上に記録しておき、装置起動の際に読み出してメモリ１６に格納してもよい。
【００３９】
次に、本発明の第２の実施の態様について説明する。図８に示したように、センス電流が一定の場合、再生出力は磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗と相関がある。このように相関があることから、ヘッド端子間抵抗値のモニタとして、再生出力を用いることが可能となる。再生出力に基づきセンス電流を制御した第２の実施の態様を、図１１を用いて説明する。再生チャネルは、少なくとも磁気抵抗効果型素子１に接続してセンス電流５を供給するとともに、再生出力端子１７に差動再生信号を出力するＲ／Ｗアンプ１０と、前記の差動再生信号を入力するＡＧＣアンプとこれに接続された通常の再生チャネル（ローパスフィルタ、適応等価回路及び復号回路）と、前記の差動再生信号１７とサーボゲート信号及びサーボＡＧＣホールド信号２１を入力して、サーボ基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を出力する振幅評価回路１９と、前記の振幅評価回路１９により抽出されたサーボ信号基準振幅評価値を入力して、ディジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換器ＡＤＣ１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジタル信号を入力して、前記対応テーブルを参照して、センス電流設定信号１８を出力するディスクコントローラー２０と、前記センス電流設定信号１８を入力してセンス電流を切り替えるセンス電流設定回路１２により構成される。
【００４０】
第１の実施の態様と同様に、前記メモリ１６内の対応テーブルは、コントローラ２０を制御するプログラムの中に記載されていても良い。この場合には、メモリ１６は不要となる。
【００４１】
磁気記録媒体には、予めサーボトラックのようなトラッキング情報が記録されており、前記のトラッキング情報には、少なくとも基準振幅信号を含んでいる。図１１の構成により、前記の基準振幅信号の振幅又は実効値が、振幅評価回路１９により評価される。ここで、振幅評価回路１９をピークホールド回路により構成すれば、振幅評価回路１９は前記基準振幅信号の振幅を評価することができる。また、振幅評価回路１９を全波整流と積分回路で構成すれば、その実効値を予め定めた基準値と比較することで、実効値的な評価をすることができる。
【００４２】
ピークホールド回路により構成された振幅評価回路１９の構成及びタイミングの一例を、図１２に示す。サーボ部の再生信号（図１２-（ａ））には、基準振幅信号が含まれており、振幅評価回路１９に含まれる全波整流回路２２に入力されて、全波整流波形（図１２-（ｂ））に変換され、ピークホールド回路２３に送られる。ピークホールド回路２３は、サーボゲート信号とサーボＡＧＣホールド信号２１（図１２-（ｃ））のタイミングを利用して基準振幅信号区間のピークホールド波形（図１２-（ｄ））を生成して出力する。このピークホールド波形はＡＤＣ１４を介して、前記サーボＡＧＣホールド信号の立ち上がりタイミングでサンプリングされてディスクコントローラー２０（図１１）に取り込まれる。これ以降の処理は、前記第１の実施の態様と同様である。
【００４３】
以上のように、トラッキング情報に含まれる基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を用いることにより、データの再生状態又は磁気ヘッドを移動する際の磁気記録装置の動作状態に依らず、第１の実施の態様と同様の制御を行うことが可能となる。
【００４４】
【発明の効果】
磁気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型素子において、素子高さその他の素子形状の分散に起因する、見かけの性能劣化（再生出力の低下）を軽減して、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を引き出すことができるため、磁気記録装置の性能を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す磁気記録装置の再生チャネルのブロック図である。
【図２】磁気ヘッドにおける磁気抵抗効果型素子部分の構成を示す模式図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型素子用再生回路を示す図である。
【図４】従来の磁気記録装置（磁気ディスク装置）の再生チャネルのブロック図を示す図である。
【図５】磁気抵抗効果型素子の寸法の定義を説明するための図である。
【図６】磁気抵抗効果型素子の素子高さのばらつきに起因する、再生ヘッド端子間抵抗と再生出力、電流密度の関係を示す概念図である。
【図７】本発明に係る磁気抵抗効果型素子用再生回路の一構成例を示す図である。
【図８】従来技術によりセンス電流を一定にした場合の再生出力ばらつきを示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の態様により、センス電流を制御した場合の再生出力ばらつきを示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の態様におけるセンス電流の制御値の決定方法を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の態様における、磁気記録装置の再生チャネルの機能ブロックを示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の態様における振幅評価を説明するための図である。
【図１３】本発明の適用対象である磁気ディスク装置の平面図である。
【図１４】図１３の磁気ディスク装置の側面図である。
【図１５】磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドにおいて、ヘッドの出力が最大となるような、従来のセンス電流制御を説明するための図である。
【図１６】本発明の適用対象である磁気テープ装置の斜視図である。
【図１７】本発明の第１の実施の態様におけるセンス電流設定テーブルである。
【符号の説明】
１…磁気抵抗効果型素子、２…電極、３…シールド膜、
４…記録媒体、５…センス電流、６…漏洩磁界、
７…センス電流設定用抵抗素子、８…ＬＰＦ、９…負荷抵抗、
１０、１１…磁気抵抗効果型素子用再生回路、
１２…センス電流設定回路、１７…再生出力端子、
１８…センス電流設定信号、
２１…サーボ基準振幅信号のタイミング信号。
【図１】
0003757113.tif 000002
【図２】
0003757113.tif 000003
【図３】
0003757113.tif 000004
【図４】
0003757113.tif 000005
【図５】
0003757113.tif 000006
【図６】
0003757113.tif 000007
【図７】
0003757113.tif 000008
【図８】
0003757113.tif 000009
【図９】
0003757113.tif 000010
【図１０】
0003757113.tif 000011
【図１１】
0003757113.tif 000012
【図１２】
0003757113.tif 000013
【図１３】
0003757113.tif 000014
【図１４】
0003757113.tif 000015
【図１５】
0003757113.tif 000016
【図１６】
0003757113.tif 000017
【図１７】
0003757113.tif 000018