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【手続補正書】
【提出日】平成29年11月2日(2017.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショ糖と塩基性触媒とを含む水溶液を調製する工程と、
当該工程で得られた水溶液と、脂肪酸アルカリ金属塩と、脂肪酸エステル（ただし、パルミチン酸エステル及びステアリン酸エステルを除く）とを混合して減圧下で撹拌して加熱することによってショ糖脂肪酸エステルを生成する工程と、を備え、
前記ショ糖脂肪酸エステルを生成する工程は、混合物から水を除去する前段の工程と、当該工程の後にエステル交換を行う後段の工程とを有しており、
前記後段の工程では、混合物が前記ショ糖の分解温度未満となるように加熱する、ショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項２】
製造対象が、モノエステルの重量割合が６０重量％以上であるショ糖脂肪酸エステルである、請求項１記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項３】
前記脂肪酸エステルは、炭素数が８から２４の飽和及び不飽和脂肪酸から選ばれる少なくとも１種を構成脂肪酸とする脂肪酸エステル（ただし、パルミチン酸エステル及びステアリン酸エステルを除く）である、請求項１または請求項２記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項４】
脂肪酸エステルと、アルカリ金属塩を溶媒に溶解させた溶液とを混合して加熱することによって脂肪酸アルカリ金属塩を生成する工程をさらに備え、
前記ショ糖脂肪酸エステルを生成する工程で使用される脂肪酸アルカリ金属塩は、前記脂肪酸アルカリ金属塩を生成する工程で生成されたものである、請求項１から請求項３のいずれか記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項５】
前記後段の工程では、混合物の温度が前記分解温度より２５℃低い温度以上、前記分解温度未満となるように加熱する、請求項１から請求項４のいずれか記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項６】
前記後段の工程において、混合物が昇温するように加熱する、請求項１から請求項５のいずれか記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【請求項７】
前記後段の工程における加熱時間は、６時間以下である、請求項１から請求項６のいずれか記載のショ糖脂肪酸エステルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月18日(2018.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療的に有効な量の、長さが３００アミノ酸残基以下であり、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基４８〜２９１のアミノ酸配列、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基４８〜２９１に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、単離されたＬｕｋＥポリペプチドと、
薬学的に許容される担体と
を含む、組成物。
【請求項２】
前記単離されたＬｕｋＥポリペプチドがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基２９〜３１１、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基２９〜３１１に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記単離されたＬｕｋＥポリペプチドがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基４８〜３０１、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１１のアミノ酸残基４８〜３０１に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記単離されたＬｕｋＥポリペプチドが２００〜２５０アミノ酸長である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記単離されたＬｕｋＥポリペプチドが２５０〜３００アミノ酸長である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
３００以下のアミノ酸長であり、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３０７のアミノ酸配列、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３０７に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、単離されたＬｕｋＤポリペプチドをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
治療的に有効な量の、３００以下のアミノ酸長であり、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３０７のアミノ酸配列、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３０７に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、単離されたＬｕｋＤポリペプチドと、
薬学的に許容される担体と
を含む、組成物。
【請求項８】
前記単離されたＬｕｋＤポリペプチドがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基２７〜３１２、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基２７〜３１２に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項7に記載の組成物。
【請求項９】
前記単離されたＬｕｋＤポリペプチドがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３１２、または、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２２のアミノ酸残基４６〜３１２に対して90％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項7に記載の組成物。
【請求項１０】
前記単離されたＬｕｋＤポリペプチドが２５０〜３００アミノ酸長である、請求項7に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物の前記単離されたポリペプチドが、免疫原性担体分子に連結されている、請求項１または7に記載の組成物。
【請求項１２】
前記免疫原性担体分子が、前記単離されたポリペプチドに共有結合または非共有結合で結合している、請求項11に記載の組成物。
【請求項１３】
前記免疫原性担体分子が、ウシ血清アルブミン、ニワトリ卵オボアルブミン、キーホールリンペットヘモシアニン、破傷風トキソイド、ジフテリアトキソイド、サイログロブリン、肺炎球菌莢膜多糖、ＣＲＭ１９７、および髄膜炎菌性外膜タンパク質からなる群から選択される、請求項11に記載の組成物。
【請求項１４】
α溶血素抗原、プロテインＡ、血清型３３６多糖抗原、コアグラーゼ、クランピング因子Ａ、クランピング因子Ｂ、フィブロネクチン結合タンパク質、フィブリノーゲン結合タンパク質、コラーゲン結合タンパク質、エラスチン結合タンパク質、ＭＨＣ類似タンパク質、多糖類細胞内接着、β溶血素、δ溶血素、γ溶血素、パントンバレンタインロイコシジン、ロイコシジンＡ、ロイコシジンＢ、ロイコシジンＭ、表皮剥脱毒素Ａ、表皮剥脱毒素Ｂ、Ｖ８プロテアーゼ、ヒアルロン酸リアーゼ、リパーゼ、スタフィロキナーゼ、エンテロトキシン、毒素性ショック症候群毒素−１、ポリ−Ｎ−スクシニルβ−１→６グルコサミン、カタラーゼ、βラクタマーゼ、テイコ酸、ペプチドグリカン、ペニシリン結合タンパク質、走化性阻害タンパク質、補体阻害因子、Ｓｂｉ、５型抗原、８型抗原、リポテイコ酸、および、宿主分子を認識する微生物表面成分からなる群から選択される１つ以上のさらなる黄色ブドウ球菌抗原をさらに含む、請求項１または7に記載の組成物。
【請求項１５】
アジュバントをさらに含む、請求項１または7に記載の組成物。
【請求項１６】
前記アジュバントが、フラジェリン、フロイント完全または不完全アジュバント、水酸化アルミニウム、リゾレシチン、プルロニックポリオール、ポリアニオン、ペプチド、油乳剤、ジニトロフェノール、イスコマトリックス、およびリポソームポリカチオンＤＮＡ粒子からなる群から選択される、請求項15に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月13日(2018.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドアノブに人が近接したことを検知するセンサ、テンキー、無線通信回路を設けるとともに、前記ドアノブとは別の場所に設置された錠管理サーバーは、鍵管理ソフトウエアを搭載し、管理者の要求にもとづいて、一時的に有効な所定の番号形式の暗証番号を設定し、前記センサは前記ドアノブに人が近接したことを検知し、人が前記テンキーに入力した暗証番号が前記無線通信回路より無線通信網を介して前記錠管理サーバーに送られ、前記錠管理サーバーでは暗証番号の一致を確認し、ドアの開錠指令を前記ドアノブに送り、ドアを開錠するとともに、オートロック機構を具備しない錠においては開錠後所定の時間が経過したときドアを閉錠することを特徴とする錠の開閉管理システム。
【請求項２】
ドアノブに人が近接したことを検知するセンサ、テンキー、無線通信回路を設けるとともに、前記ドアノブとは別の場所に設置された錠管理サーバーは、鍵管理ソフトウエアを搭載し、居住者の要求にもとづいて、一時的に有効な所定の番号形式の暗証番号を設定し、センサは前記ドアノブに人が近接したことを検知し、人が前記テンキーに入力した暗証番号が前記無線通信回路より無線通信網を介して前記錠管理サーバーに送られ、錠管理サーバーでは暗証番号の一致を確認し、ドアの開錠指令をドアノブに送り、ドアを開錠するとともに、ドアの内側に設けたドアの開閉キーの開閉状態を前記錠管理サーバに連絡し、前記ドアの開閉状態を特定の人のみが錠管理ソフトウエアを閲覧可能とすることを特徴とする錠の開閉管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
これらの一連の鍵管理を行うため、錠管理サーバー５には、鍵管理アプリケーションソフトウエアがインストールされている。鍵管理アプリケーションソフトウエアでは、表１のような管理テーブルを用いて、管理する鍵の個々の鍵の開錠、施錠時刻などを全体管理している。表１におけるアパート名、部屋番号は戸建住宅の場合は不要であり、マンションの場合はアパート名欄にはマンション名が使用される。表１では、全体で、１１２５個の住宅を管理する場合の例である。鍵IDは前記のように下見の時にのみ有効とするので、それ以外の時は、鍵NGを示すような符号を設定しておき、部屋の鍵に、誰かが適当な数字をいれてみても、錠管理サーバーからは、まちがっても、開錠命令信号を送出しないようにしておく。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
鍵IDは、居住者の携帯電話にインストールされている住宅管理アプリケーションソフトウエアを使い、段落００３８で示したように居住者が錠管理サーバに設定の依頼をする方法のほかに、居住者が住宅管理アプリケーションソフトウエアで任意にIDを設定し、錠管理サーバへ連絡することも可能である。一度設定した鍵IDのままでもよいが、不安なら、住宅管理アプリケーションソフトウエアの鍵ID設定メニュ(図示せず)を用い、IDを変更する。また平常時は、錠管理サーバーから開錠命令信号を送らないように設定しておくこともできる。この場合、鍵忘れ時には、前記鍵ID設定メニュで新たな鍵IDを設定し、暗証番号をテンキー１８より入力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、アパートの持ち主や管理を委託されている不動産事業者は、アパートの住人が在宅かどうか、通常の在宅時間の傾向についての情報は有用であるが、個人の住宅で、親が子供の在宅状態をモニタする場合と異なり、アパートの借主（住人）の在宅状態をモニタするには、予め住人の承諾が必要である。ただし、犯罪が発生するなど警察が捜査対象とするときは別である。いずれにせよ、ドアノブ内側のキーの開閉状態を管理している管理サーバにアクセスし錠管理ソフトウエアを閲覧できるのは、居住者、警察、あるいは、居住者の承諾を得た不動産管理人など特定の人に限定される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに独立してＮＣ制御移動または角度制御回転を行う２基の研削ワークテーブルと、研削ワークテーブルに対応してＮＣ制御移動を行う１基の研削ヘッドとを備え、一方の研削ワークテーブルがガラス板を保持して上記研削ヘッドによって研削加工中、他方の研削ワークテーブルは、ガラス板の搬出、次のガラス板の受け取りを行う動作を交互に繰り返すようになっているガラス板の加工装置。
【請求項２】
ガラス板の搬送装置の搬送方向に直交し、かつ互いに独立してＹ軸移動する２基の研削ワークテーブルと、上記搬送方向に平行してＸ軸移動する１基の研削ヘッドとを備え、一方の研削ワークテーブルがガラス板を保持して研削ヘッドにより研削加工中、他方の研削ワークテーブルは、ガラス板の搬出、次のガラス板の受け取りを行う動作を交互に繰り返すようになっているガラス板の加工装置。
【請求項３】
互いに独立して角度制御回転し、かつガラス板の搬送方向に直交したＹ軸移動を行う２基の研削ワークテーブルと、この２基の研削ワークテーブルの各々と交互して平面座標系移動を行う１基の研削ヘッドとを備え、一方の研削ワークテーブルがガラス板を保持して研削ヘッドにより研削加工中、他方の研削ワークテーブルは、ガラス板の搬出、次のガラス板の受け取りを行う動作を交互に繰り返すようになっているガラス板の加工装置。
【請求項４】
研削ワークテーブルは、互いに独立して角度制御回転を行い、研削ヘッドがＸ軸に沿って研削ワークテーブルに対してＹ軸移動を行うようにした請求項３に記載のガラス板の加工装置。
【請求項５】
搬送装置は、互いに独立して往復動を行う搬送シャトルを備えている請求項２に記載のガラス板の加工装置。
【請求項６】
搬送シャトルは、ガラス板を吸着するガラス板吸着装置を備え、搬送シャトルは、ガラス板吸着装置によりガラス板を吸着した状態で、研削ワークテーブルへ搬送するようになっている請求項５に記載のガラス板の加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の半導体と、
前記半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２のゲート電極と、を有するトランジスタを有し、
前記半導体は、開口部を有し、
前記開口部内に設けられ、且つ前記トランジスタと電気的に接続されたプラグを有し、
前記プラグは、前記半導体と接する領域を有する第１の導電体と、前記第１の導電体上の第２の導電体とを有し、
前記第１の導電体は、金属窒化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記プラグは、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月21日(2017.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上および前記第２のトランジスタ上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２の基板と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層と、第１のゲート電極と、前記第１の酸化物半導体層と前記第１のゲート電極との間の第１のゲート絶縁膜と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層と、第２のゲート電極と、前記第２の酸化物半導体層と前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、単層であり、
前記第２の酸化物半導体層は、少なくとも二層以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のゲート電極は、前記第２のトランジスタのチャネル幅方向において、前記第２のゲート絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体層の上面および側面を覆う領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、可撓性を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体を介して前記酸化物半導体と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁体と前記酸化物半導体との間に、ホウ素またはリンを含む領域を有し、
前記領域は、前記ゲート電極とは重ならないことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体上のゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体を介して前記酸化物半導体と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁体と前記酸化物半導体との間に、ホウ素またはリンを含む領域を有し、
前記領域は、前記ゲート電極とは重ならず、
前記領域は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁体は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンであることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
光透過性基板と、
前記光透過性基板の第１の面に載置され、励起光を生成するように動作可能な固体発光体の第１のアレイと、
少なくとも１つのフォトルミネセンス材料の粒子と光反射材料の粒子との混合物を含む、フォトルミネセンス波長変換コンポーネントであって、動作中、前記第１のアレイの固体発光体によって生成される前記励起光の一部分が、前記フォトルミネセンス波長変換コンポーネントを通じて放出されて、最終的な可視発光産物に寄与するように構成される、フォトルミネセンス波長変換コンポーネントと、を備える、発光デバイス。
【請求項２】
前記光透過性基板の第２の面に載置された、固体発光体の第２のアレイを更に備える、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記光透過性基板は、可視光に対して少なくとも５０％の透過率を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記光透過性基板は、熱伝導性である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記光透過性基板の少なくとも一部は、酸化マグネシウム、サファイア、酸化アルミニウム、石英ガラス、窒化アルミニウム、及びダイヤモンドからなる群から選択される、請求項４に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記フォトルミネセンスコンポーネントは、固体発光体の前記アレイ又はそれぞれのアレイに直接適用される、前記少なくとも１つのフォトルミネセンス材料と前記光反射材料の粒子との混合物を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記フォトルミネセンスコンポーネントは、固体発光体の前記アレイ又はそれぞれのアレイに対して遠隔である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記波長変換コンポーネントの表面は、前記複数の固体発光体から少なくとも５ｍｍの距離で位置付け可能である、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記波長変換コンポーネントは、実質的に円筒形の管を備える、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記光反射材料は、０．０１μｍ〜１０μｍ、０．０１μｍ〜１μｍ、及び０．１μｍ〜１μｍからなる群から選択される範囲の粒径を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのフォトルミネセンス材料に対する光反射材料の重量充填百分率は、０．０１％〜１０％、０．０１％〜１％、０．１％〜１％、及び０．５％〜１％からなる群から選択される範囲である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記光反射材料は、酸化マグネシウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記波長変換コンポーネントは、少なくとも１つの層として提供される、フォトルミネセンス材料と光反射材料との混合物、及び前記光透過性基板の体積全体に均一に分布された、フォトルミネセンス材料と光反射材料との混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記光反射材料の前記粒子は、前記粒子が、前記固体発光体によって生成される励起光を、前記少なくとも１つの蛍光体材料によって生成される光よりも相対的に多く散乱させるような粒径に対応する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記フォトルミネセンス波長変換コンポーネントに隣接する光拡散層を更に備える、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記光拡散層は、前記粒子が、前記固体発光体によって生成される励起光を、前記少なくとも１つのフォトルミネセンス材料によって生成される光よりも相対的に多く散乱させるような粒径に対応する光反射材料の粒子を含む、請求項１５に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記光反射材料は、１００ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲の粒径を有する、請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記固体発光体の第１のアレイは、前記光透過性基板の前記第１の面に電気的に接続されている、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記固体発光体の第２のアレイは、前記光透過性基板の前記第２の面に電気的に接続されている、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記光透過性基板は光透過性回路基板を備える、請求項１に記載の発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを用いた第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の酸化アルミニウム膜と、
前記酸化アルミニウム膜上の酸化物半導体を用いた第２のトランジスタと、を有し、
前記酸化物半導体は、前記シリコンよりも水素濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化アルミニウム膜は、Ｘ線反射率測定法によって、密度が３．２ｇ／ｃｍ３未満の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層に含まれる水素濃度が、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化アルミニウム膜と前記第２のトランジスタとの間に、過剰酸素を含む絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の酸化防止膜と、
前記酸化防止膜と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化防止膜と接する領域を有するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記酸化防止膜を前記ゲート電極上からみたとき、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接しない領域の幅は、記ソース電極と接する領域及び前記ドレイン電極と接する領域の幅より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化防止膜と接する領域を有するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜を前記ゲート電極上からみたとき、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接しない領域の幅は、記ソース電極と接する領域及び前記ドレイン電極と接する領域の幅より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化防止膜と接する領域を有するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜を前記ゲート電極上からみたとき、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接しない領域の幅は、記ソース電極と接する領域及び前記ドレイン電極と接する領域の幅と等しく、
前記第２の酸化物半導体膜を前記ゲート電極上からみたとき、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接しない領域の幅は、記ソース電極と接する領域及び前記ドレイン電極と接する領域の幅より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、電子スピン共鳴スペクトルにおいて、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルが観測されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、水素濃度が５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、電子スピン共鳴スペクトルにおいて、窒素酸化物に起因するシグナルが観測されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記窒素酸化物は、一酸化窒素または二酸化窒素であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月4日(2017.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を介して前記酸化物半導体と重なる領域を有する第１電極と、
前記第１絶縁膜上の第２絶縁膜と、を有し、
前記第１電極は第１導電膜および前記第１導電膜上の第２導電膜を含み、
前記第１導電膜は、Ｃｕ−Ｘ合金（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇまたはＣａ、あるいはこれら２種以上の混合物）を含み、
前記第２導電膜はＣｕを含み、
前記第２絶縁膜は前記第１電極の側面と接する領域を有し、
前記第１電極の側面において、前記第１導電膜は、前記第２絶縁膜と前記第２導電膜との間に挟まれた領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１電極の上面に接する領域を有する第３絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、第１の酸化物半導体、第２の酸化物半導体および第３の酸化物半導体からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記基板と前記酸化物半導体との間の第４絶縁膜と、を有し、
前記第２絶縁膜と前記第４絶縁膜の各々は、水素および酸素に対するブロッキング機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２の酸化物半導体と前記第３の酸化物半導体との間に、第２電極および第３電極を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記第２絶縁膜と前記第４絶縁膜の各々は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２絶縁膜上の第５絶縁膜を有し、
前記第１電極、前記第２絶縁膜、および前記第５絶縁膜の各々の上面の高さが揃っていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する一対の電極層と、
前記酸化物半導体層及び前記一対の電極層に接する第２の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記第２の絶縁層を介して対向するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第３の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層の少なくとも一方は、ボロンを含む酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁層又は前記第３の絶縁層に対するＳＩＭＳ分析によるボロンの最大濃度が５．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
Ｑ０・Ｘｙ・Ｌｚ  
を有する錯体を含む組成物であって、
式中、Ｑ０は、ゼロ価元素であり、Ｘは、水素化物であり、ｙは、ゼロより大きい整数または分数であり、Ｌは、ニトリルであり、ｚは、ゼロより大きい整数または分数であり、
前記水素化物は、二元の金属水素化物、二元のメタロイド水素化物、複合金属水素化物、および複合メタロイド水素化物のうちいずれか１つである、組成物。
【請求項２】
Ｑ０は、遷移金属である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｑ０は、マンガンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
Ｘは、水素化ホウ素リチウムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
Ｌは、ドデカンニトリルである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ｙおよびｚの各々は、約４以下である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
ゼロ価金属を含有する調製物と、水素化物と、ニトリルとを含む混合物をボールミリングするステップを含む試薬錯体を合成するための方法。
【請求項８】
前記水素化物は、複合金属水素化物または複合メタロイド水素化物である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記水素化物は、水素化ホウ素リチウムである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記水素化物と前記ゼロ価金属を含有する調製物とは、実質的に等モル比で混合される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記水素化物は、約４倍以下のモル過剰量で、ゼロ価金属を含有する調製物と混合される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記ボールミリングするステップは、無酸素環境、無水環境、または無水無酸素環境の下で行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゼロ価金属を含有する調製物は、遷移金属を含有する調製物である、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記ゼロ価金属を含有する調製物は、マンガンを含有する調製物である、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
水素化物とゼロ価金属を含有する調製物との混合物をボールミリングするステップを含む方法により製造された結合型試薬錯体。
【請求項１６】
前記水素化物は、複合金属水素化物または複合メタロイド水素化物である、請求項１５に記載の結合型試薬錯体。
【請求項１７】
前記水素化物は、水素化ホウ素リチウムである、請求項１５に記載の結合型試薬錯体。
【請求項１８】
前記ボールミリングするステップは、無酸素環境、無水環境、または無水無酸素環境の下で行われる、請求項１５に記載の結合型試薬錯体。
【請求項１９】
前記ゼロ価金属を含有する調製物は、遷移金属を含有する調製物である、請求項１５に記載の結合型試薬錯体。
【請求項２０】
前記ゼロ価金属を含有する調製物は、マンガンを含有する調製物である、請求項１５に記載の結合型試薬錯体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月28日(2017.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
用紙カセットと用紙タイプを対応づけて記憶する記憶手段と、
外部の装置から画像データと、前記画像データに基づく印刷に用いられる用紙の用紙タイプを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された用紙タイプと対応づけて前記記憶手段に記憶された用紙カセットを選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された用紙カセットから給紙される用紙に画像を印刷する印刷手段と、
いずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットから給紙される用紙の用紙タイプを検知する検知手段と、
いずれの用紙タイプにも対応づけられていない前記用紙カセットから給紙された用紙に対する前記検知手段の検知結果を、前記用紙カセットと対応づけて前記記憶手段に登録する登録手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、用紙カセットと用紙サイズを対応づけて記憶し、
前記受信手段は、外部の装置から画像データと用紙タイプに加え、前記画像データに基づく印刷に用いられる用紙の用紙サイズを受信し、
前記選択手段は、前記受信手段により受信された用紙タイプと用紙サイズに対応づけられた用紙カセットが前記記憶手段に記憶されている場合、前記用紙タイプと前記用紙サイズに対応づけられた用紙カセットを選択し、前記受信手段により受信された用紙タイプと用紙サイズに対応づけられた用紙カセットが前記記憶手段に記憶されていない場合、前記用紙サイズに対応する用紙カセットを選択することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記受信手段により受信された用紙タイプと用紙サイズに対応づけられた用紙カセットが前記記憶手段に記憶されていない場合、いずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットを選択することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記検知手段は、前記選択手段により選択されたいずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットから給紙される用紙の用紙タイプを検知することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記検知手段は、前記選択手段が前記受信手段により受信された用紙タイプに対応づけられた用紙カセットを選択したことに従って、前記選択手段により選択された用紙カセットから給紙される用紙の用紙タイプを検知しないことを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記選択手段は、前記受信手段により受信された用紙タイプに対応づけられた用紙カセットが前記記憶手段に記憶されていないことに従って、いずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットを選択し、
前記印刷手段は、前記受信手段により受信された用紙タイプと、前記検知手段により検知された用紙タイプが一致する場合、前記選択手段により選択された用紙カセットから給紙された用紙に画像を印刷することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記印刷手段は、前記受信手段により受信された用紙タイプが前記検知手段により検知された用紙タイプと異なることに従って、前記選択手段により選択された用紙カセットから給紙される用紙に画像を印刷しないことを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記用紙タイプは、前記用紙カセットから給紙される用紙の厚み、又は、表面性を示す情報であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記登録手段は、用紙カセットに対してユーザにより指定された用紙タイプを登録できることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記検知手段は、用紙カセットから給紙された用紙が前記印刷手段に到達するまでの間に用紙タイプを検知することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
用紙カセットに収容された用紙の用紙サイズを検知するサイズ検知手段をさらに有し、
前記登録手段は、用紙カセットに用紙が収容されたことに従って、前記サイズ検知手段により検知された用紙サイズと前記用紙カセットを対応づけて記憶することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
外部の装置から画像データと、前記画像データから生成される画像の印刷に用いられる用紙の用紙タイプを受信する受信工程と、
前記受信工程において受信された用紙タイプに基づいて、記憶手段に記憶された用紙カセットから用紙の給紙元となる用紙カセットを選択する選択工程と、
前記選択工程において選択された用紙カセットから用紙を搬送する搬送工程と、
前記選択工程において選択された用紙カセットに対応づけられた用紙タイプを用いて、前記搬送工程において搬送される用紙に画像を印刷する印刷工程と、
前記選択工程において選択されたいずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットから搬送される用紙の用紙タイプを検知する検知工程と、
前記検知工程において検知された用紙タイプと前記選択工程において選択された用紙カセットを対応づけて記憶手段に登録する登録工程と、
を含むことを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータが実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明の画像形成装置は、用紙カセットと用紙タイプを対応づけて記憶する記憶手段と、外部の装置から画像データと、前記画像データに基づく印刷に用いられる用紙の用紙タイプを受信する受信手段と、前記受信手段により受信された用紙タイプと対応づけて前記記憶手段に記憶された用紙カセットを選択する選択手段と、前記選択手段により選択された用紙カセットから給紙される用紙に画像を印刷する印刷手段と、いずれの用紙タイプにも対応づけられていない用紙カセットから給紙される用紙の用紙タイプを検知する検知手段と、いずれの用紙タイプにも対応づけられていない前記用紙カセットから給紙された用紙に対する前記検知手段の検知結果を、前記用紙カセットと対応づけて前記記憶手段に登録する登録手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月6日(2018.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともハードコート層、密着層、及び反射防止層がこの順に積層されてなる反射防止フィルムにおいて、
前記ハードコート層が、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均粒径を有する複数の金属酸化物粒子を含有し、前記密着層との積層面に前記金属酸化物粒子が突出した複数の突出部を有し、
前記密着層が、前記複数の突出部を被覆し、前記金属酸化物粒子と同種の金属を有する酸素欠損状態の金属酸化物もしくは前記金属酸化物粒子と同種の金属からなる１０ｎｍ以下の膜厚を有し、
前記反射防止層が、高屈折率の誘電体からなる高屈折率層と、前記高屈折率の誘電体よりも低い低屈折率の誘電体からなる低屈折率層とが交互に積層されてなる反射防止フィルム。
【請求項２】
前記複数の突出部の金属酸化物粒子の平均粒径に対する突出割合の平均値が、６０％以下である請求項１記載の反射防止フィルム。
【請求項３】
前記複数の突出部の金属酸化物粒子の平均粒径に対する突出割合の平均値が、１０％以上３０％以下である請求項１記載の反射防止フィルム。
【請求項４】
前記高屈折率の誘電体が、Ｎｂ２Ｏ５又はＴｉＯ２であり、
前記低屈折率の誘電体が、ＳｉＯ２である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項５】
前記金属酸化物粒子の含有量が、前記ハードコート層の樹脂組成物の固形分全体に対し、２０質量％以上５０質量％以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項６】
前記金属酸化物粒子が、ＳｉＯ２からなり、
前記密着層が、ＳｉＯｘ（０≦ｘ＜２）からなる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項７】
前記反射防止層上にアルコキシシラン化合物からなる防汚層をさらに備える請求項１乃至６のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項８】
前記ハードコート層が、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーと、３官能以上の（メタ）アクリレートモノマーと、２官能の（メタ）アクリレートモノマーと、光重合開始剤とを含有する紫外線硬化型樹脂からなる請求項１乃至７のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項９】
少なくともハードコート層、密着層、及び反射防止層がこの順に積層されてなる反射防止フィルムの製造方法において、
２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均粒径を有する複数の金属酸化物粒子を含有するハードコート層の表面に、前記金属酸化物粒子が突出した複数の突出部を形成する工程と、
前記ハードコート層の金属酸化物粒子露出面に、前記金属酸化物粒子と同種の金属を有する酸素欠損状態の金属酸化物もしくは前記金属酸化物粒子と同種の金属からなる密着層を１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する工程と、
前記密着層上に、高屈折率の誘電体からなる高屈折率層と、前記高屈折率の誘電体よりも低い低屈折率の誘電体からなる低屈折率層とが交互に積層されてなる反射防止層を成膜する工程と
を有する反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記複数の突出部を形成する工程では、グロー放電処理により金属酸化物粒子を突出させる請求項９記載の反射防止フィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射防止フィルム、及び反射防止フィルムの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、有機層と無機層との密着性に優れる反射防止フィルム、及び反射防止フィルムの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、有機層と無機層との間の密着性が優れる反射防止フィルム、及び反射防止フィルムの製造方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明に係る反射防止フィルムは、少なくともハードコート層、密着層、及び反射防止層がこの順に積層されてなる反射防止フィルムにおいて、前記ハードコート層が、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均粒径を有する複数の金属酸化物粒子を含有し、前記密着層との積層面に前記金属酸化物粒子が突出した複数の突出部を有し、前記密着層が、前記複数の突出部を被覆し、前記金属酸化物粒子と同種の金属を有する酸素欠損状態の金属酸化物もしくは前記金属酸化物粒子と同種の金属からなる１０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記反射防止層が、高屈折率の誘電体からなる高屈折率層と、前記高屈折率の誘電体よりも低い低屈折率の誘電体からなる低屈折率層とが交互に積層されてなることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る反射防止フィルムの製造方法は、少なくともハードコート層、密着層、及び反射防止層がこの順に積層されてなる反射防止フィルムの製造方法において、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均粒径を有する複数の金属酸化物粒子を含有するハードコート層の表面に、前記金属酸化物粒子が突出した複数の突出部を形成する工程と、前記ハードコート層の金属酸化物粒子露出面に、前記金属酸化物粒子と同種の金属を有する酸素欠損状態の金属酸化物もしくは前記金属酸化物粒子と同種の金属からなる密着層を１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する工程と、前記密着層上に、高屈折率の誘電体からなる高屈折率層と、前記高屈折率の誘電体よりも低い低屈折率の誘電体からなる低屈折率層とが交互に積層されてなる反射防止層を成膜する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
そして、発行された認可トークンを用いてＡＰＩを呼び出すことにより、スコープの範囲内のＡＰＩのみの呼出しが許可され、アクセスが可能となる。前述の処理により、ＡＰＩごとのアクセス権をスコープという単位で区分することが可能である。そして、スコープが指定された認可トークンを持つクライアントからの目的のＡＰＩへのアクセスのみを許可することができる。設定ボタン５１３を押下すると、ブラウザー３１１からＷｅｂＵＩ３０３に設定要求が送信される（ステップＳ４１０）。そして、ＷｅｂＵＩ３０３が入力された設定値を保存し（ステップＳ４１１）、設定要求に応答する（ステップＳ４１２）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、図４に示すステップＳ４１６の説明に戻る。ブラウザー３１１は、ＷｅｂＵＩ３０３対して、ビーコン認証オプション設定画面６００の取得要求を行う（ステップＳ４１６）。次に、ＷｅｂＵＩ３０３からビーコン認証オプション設定画面６００を取得して（ステップＳ４１７）、ブラウザー３１１に表示する（ステップＳ４１８）。また、ビーコン認証オプション設定画面６００内の詳細設定ボタンが押下された場合、詳細設定画面６１０を取得して、ブラウザー３１１表示する。同様に、ビーコン認証オプション設定画面６００内のビーコン判定条件設定ボタンが押下された場合は、ビーコン判定条件設定画面７００を取得して、ブラウザー３１１に表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
一方、ビーコン認証オプション選択フィールド６０１でスコープ単位が選択された場合は、設定対象スコープ名を表示し、スコープごとにビーコン認証オプションの有効または無効の選択値、ビーコン識別情報を入力するフィールドとなる。設定ボタン６０３を押下すると、ブラウザー３１１からＷｅｂＵＩ３０３に設定要求が送信される（ステップＳ４１９）。そして、フィールドに入力された値が、表５に示すビーコン認証オプション管理テーブルに保存され（ステップＳ４２０）、ＷｅｂＵＩ３０３が設定要求に応答する（ステップＳ４２１）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016128988.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系が備える光学補正手段を用いて像ブレを補正する像ブレ補正装置であって、
検出されたパンニング速度と、検出されたフレーム間での被写体の動きベクトルとに基づいて、被写体の角速度を算出する第１の算出手段と、
前記算出された被写体の角速度の複数フレームでの平均値を算出する第２の算出手段と、
前記算出された平均値に基づいて前記光学補正手段を駆動制御する制御手段とを備える
ことを特徴とする像ブレ補正装置。
【請求項２】
前記パンニング速度を検出する第１の検出手段と、
前記被写体の動きベクトルを検出する第２の検出手段とを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の像ブレ補正装置。
【請求項３】
前記第２の検出手段は、像面上で予め設定された複数の検出領域からフレーム毎に前記動きベクトルを検出する
ことを特徴とする請求項２に記載の像ブレ補正装置。
【請求項４】
前記第２の算出手段は、フレーム毎の前記動きベクトルが検出された検出領域の数に応じて、前記第１の算出手段によって算出されたフレーム毎の被写体の角速度を第１の重み付け率で重み付けして、前記被写体の角速度の平均値を算出する
ことを特徴とする請求項３に記載の像ブレ補正装置。
【請求項５】
前記第２の算出手段は、現在のフレームから過去に遡った複数のフレームの各々について、前記第１の算出手段によって算出されたフレーム毎の被写体の角速度を前記現在のフレームから過去に遡るフレームほど値が低い第２の重み付け率で重み付けして、前記被写体の角速度の平均値を算出する
ことを特徴とする請求項４に記載の像ブレ補正装置。
【請求項６】
前記第２の算出手段は、前記現在のフレームから過去に遡った複数のフレームについての前記第１または第２の重み付け率の合計に基づいて、前記被写体の角速度の平均値の算出に用いるフレーム数を決定する
ことを特徴とする請求項５に記載の像ブレ補正装置。
【請求項７】
前記第２の算出手段は、像面上で予め設定された複数の検出領域のうち、前記被写体の動きベクトルが検出された検出領域の数が閾値以下である場合に、前記被写体の角速度の平均値を算出する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の像ブレ補正装置。
【請求項８】
前記第２の算出手段は、前記検出されたパンニング速度が閾値以上である場合に、前記平均値の算出に用いるフレーム数を前記パンニング速度に応じた数に制限する
ことを特徴する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の像ブレ補正装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記光学補正手段を駆動制御することで像ブレを補正する第１の制御と、前記光学補正手段を駆動制御することで、撮影画像における被写体の位置を所定の位置にする第２の制御とを切り替えて実行する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の像ブレ補正装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の像ブレ補正装置を有する光学機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光学機器として機能する撮像装置。
【請求項１２】
撮像光学系が備える光学補正手段を用いて像ブレを補正する像ブレ補正装置の制御方法であって、
検出されたパンニング速度と、検出されたフレーム間での被写体の動きベクトルとに基づいて、被写体の角速度を算出する第１の算出工程と、
前記算出された被写体の角速度の複数フレームでの平均値を算出する第２の算出工程と、
前記算出された平均値に基づいて、前記光学補正手段を駆動制御する制御工程とを有する
ことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施形態の像ブレ補正装置は、撮像光学系が備える光学補正手段を用いて像ブレを補正する機能を有する。前記像ブレ補正装置は、検出されたパンニング速度と、検出されたフレーム間での被写体の動きベクトルとに基づいて、被写体の角速度を算出する第１の算出手段と、前記算出された被写体の角速度の複数フレームでの平均値を算出する第２の算出手段と、前記算出された平均値に基づいて前記光学補正手段を駆動制御する制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
[0034]
各磁石３０の極円弧角（pole arc angle）θと１８０度の角度との比は、０．７５〜０．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは、０．９〜０．９５の範囲内である。ここで用いる「極円弧角」という語は、半径方向外面４０の円弧面部４６の２つの円周方向の端部と回転軸２８の中心軸とを連結する仮想線によって形成される角度を意味する。同一側の２つの磁石３０の半径方向外面４０の２つの平面部４８は、同一平面にある。２つの同一平面の平面部４８の２つの円周方向の端部間の距離ｄ１は、２ｍｍ〜９．５ｍｍの範囲内である。２つの共面連結面４４の２つの外端間の距離ｄ２とオーバーモールド成形品３２の外面の直径ｄ３との比は、０．８２〜０．９５の範囲内である。一実施形態では、磁石３０の極円弧角θは、１６６度よりも大きく、２つの同一平面の平面部４８の２つの円周方向の端部間の距離ｄ１は、２ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲内である。オーバーモールド成形品３２の外側リング３６の軸方向の端部は、少なくとも２つの位置決め溝５２を形成し、位置決め溝５２は、円周方向に互いに離間して設けられ、オーバーモールド成形品３２の形成処理時に２つの磁石３０を位置決めするようになっている。各位置決め溝５２は、２つの磁石３０の同じ側の２つの平面部４８が完全に露出した状態で、２つの磁石３０が互いに接触する領域に設けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
１０  ポンプ
１２  ポンプチャンバ
１４  ポンプハウジング
１６  入口
１８  出口
２０  インペラ
２２  モータ
２６  ロータ
２８  回転軸
３０  磁石（永久磁石）
３２  オーバーモールド成形品
３４  内側リング
３６  外側リング
３８  エンドプレート
３９  凹凸構造
４０  半径方向外面
４２  半径方向内面
４４  共面連結面
４６  円弧部（円弧面部）
４８  平面部
５０  内孔
５２  位置決め溝
５４  ステータコア
５６  ステータ巻線
５８  底部
６０  分岐部
６２  極
６４，６５  側面
６６  極円弧面
６８  組立穴
７０  突起
７２  凹部
７４  円周方向の端部
７５  開口スロット
７６  エアギャップ
７８  始動溝
８０  絶縁巻線ブラケット
８２  回路基板
８４  過熱保護部
８６  導線
８８  入力端子
９０  出力端子
９２  管状部
９４  端壁
９５  巻線空間
９６  配線案内スロット
９８  分離壁
１００  カバー本体
１０２  底板
１０４  封止リング
１０６  半径方向の溝
１０８  上板
１１０  密閉側板
１１２，１１３  スナップ係止構造（係止スロット，突起）
１１４  弾性アーム
１１６  段部
１１８  ブロック
１２０  開口部
１２２  ポンプチャンバ底壁
１２４  ロータハウジング
１２６  エンドキャップ
１２８，１３０  軸受
１３２  緩衝器
１３４  隆起
１３６  溝
１３８  軸受座
１４０  内歯
１４２，１４４  リブ
１４６  モータカバー本体
１４８  底壁
１５０  側壁
１５２，１５４  スナップ係止構造（突出ブロック，フック）
１５６  位置決め突起
１５８  位置センサ
１６０  基板
１６２  ブレード
１６４  長ブレード群
１６６  短ブレード群
１６８  流路
１７０  取付ポスト
１７２  軸スリーブ
１７４  射出成形部
１７６  洗浄装置
１７８  洗浄チャンバ
１８０  給水路
１８２  排水路
１８４  循環路
１８６  循環ポンプ
１８８  制御システム
ａ１  距離
ｂ１  最大幅
ｂ２  最小距離
ｂ３  最大長
ｂ４  最大距離
ｂ５  距離
ｄ１，ｄ２  距離
ｄ３  直径
Ｓ１  極軸
Ｓ２  中心軸
θ  極円弧角