(57)【要約】フレキシブル基板２を用いたコンデンサ１において、上部電極７を外部引出電極４に接続するための誘電体６に設けた孔部６ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が、０．１度〜２０度で下端部から上端部まで少なくとも一部が続くように形成する。これにより、上部電極７における誘電体６の孔部６ａに沿って傾斜する傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、上部電極７における誘電体６の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度となり、この結果、上部電極７の前記角部への応力集中が大幅に軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
2002089161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向するように配置された上部電極とを備え、
前記誘電体に、前記上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極の上面に臨む側に向けて傾斜しながら貫通する孔部が形成され、
前記誘電体における孔部の傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、
前記上部電極が前記誘電体の孔部の傾斜壁面に沿って傾斜しながら窪んで形成されて、前記外部引出電極の上面に接続されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
誘電体の孔部の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。
【請求項３】
誘電体の孔部が、上部電極に臨む側から外部引出電極に臨む側に向けて逆円錐形状または逆角錐形状に貫通する形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
誘電体の孔部の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面が上部電極に形成され、
この上部電極の傾斜面に、この傾斜面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のコンデンサ。
【請求項５】
上部電極の傾斜面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項４記載のコンデンサ。
【請求項６】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、
前記誘電体における前記外部引出電極に対応する位置に孔部をその壁面の少なくとも一部が傾斜するように貫通させて形成し、この際に、前記傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けらるように形成する孔部形成工程と、
前記孔部を含む前記誘電体上に上部電極を形成してこの上部電極と前記外部引出電極とを導通させてなる上部電極形成工程と
を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項７】
孔部形成工程において、マスクを誘電体から所定間隔あけた状態でマスクの孔を通してプラズマ流を透過させることにより誘電体に孔部を形成することを特徴とする請求項６記載のコンデンサの製造方法。
【請求項８】
孔部形成工程において、マスクと誘電体との間にスペーサを介装することを特徴とする請求項６または７に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項９】
孔部形成工程において、マスクを移動させながらマスクの孔を通してプラズマ流を透過させることにより誘電体に孔部を形成することを特徴とする請求項７に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向するように配置された上部電極とを備え、
前記誘電体における前記外部引出電極の上方に位置する壁面の少なくとも一部が、上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜するように形成され、
前記誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、
前記上部電極が前記誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜して形成されて、その下端部が前記外部引出電極の上面に接続されている
ことを特徴とするコンデンサ。
【請求項１１】
誘電体の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項１０記載のコンデンサ。
【請求項１２】
誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面が上部電極に形成され、
この上部電極の傾斜面に、この傾斜面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項１０または１１に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
上部電極の傾斜面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項１２記載のコンデンサ。
【請求項１４】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、
前記誘電体における前記外部引出電極に対応する位置に傾斜壁面を形成し、この際に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成する傾斜壁面形成工程と、
前記傾斜壁面を含む前記誘電体上に上部電極を形成してこの上部電極と前記外部引出電極とを導通させてなる上部電極形成工程と
を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項１５】
フレキシブル基板と、
フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記下部電極の上方位置にそれぞれ誘電体を介して複数層に形成され、外部引出電極または下部電極側に延びる傾斜下延部と接続部とを介して外部引出電極または下部電極に接続された複数の上部電極とを備え、
各上部電極の直下の誘電体における傾斜下延部に臨む壁面が、その上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極または下部電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜するように形成され、
全ての誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられている
ことを特徴とするコンデンサ。
【請求項１６】
各誘電体の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項１５記載のコンデンサ。
【請求項１７】
各上部電極の傾斜下延部に、この傾斜下延部の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項１５または１６に記載のコンデンサ。
【請求項１８】
各上部電極の傾斜下延部に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする請求項１７記載のコンデンサ。
【請求項１９】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記下部電極の上方位置にそれぞれ誘電体を介して複数層に上部電極を形成し、各上部電極を、外部引出電極または下部電極側に延びる傾斜下延部および接続部を介して外部引出電極または下部電極に接続する誘電体・上部電極形成工程とを備え、
前記誘電体・上部電極形成工程において、各上部電極の直下の誘電体における傾斜下延部に臨む壁面が、その上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極または下部電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜し、全ての誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように前記誘電体の傾斜壁面を形成する
ことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２０】
誘電体の傾斜壁面を形成する工程において、マスクを誘電体から所定間隔あけた状態でスパッタリングすることを特徴とする請求項１４または１９に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２１】
誘電体の傾斜端部壁面を形成する工程において、マスクと誘電体との間にスペーサを介装することを特徴とする請求項２０記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２２】
誘電体の傾斜端部壁面を形成する工程において、マスクを移動させながらスパッタリングすることを特徴とする請求項２０に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２３】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記外部引出電極の上面および下部電極の上面にまたがって形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極と、
前記外部引出電極と下部電極との間の前記間隙を埋める絶縁体とを備え、
前記誘電体が前記絶縁体も覆うように形成されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２４】
外部引出電極と下部電極との間の間隙を埋めた絶縁体上に形成された箇所の、外部引出電極の上面と下部電極の上面とにそれぞれ接する箇所の少なくとも一部の傾斜角度が、±２０度の範囲内であることを特徴とする請求項２３記載のコンデンサ。
【請求項２５】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記外部引出電極と下部電極との間の前記間隙を絶縁体により埋める間隙埋め工程と、
前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、
誘電体の上面に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程と
を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２６】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記外部引出電極の上面および下部電極の上面にまたがって形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極とを備え、
前記外部引出電極と下部電極との前記間隙に臨む各端面が、フレキシブル基板の上面に対して傾斜する形状に形成され、
前記外部引出電極の傾斜端面および前記下部電極の傾斜端面に、これらの傾斜端面の下端部から上端部まで、フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、
これらの外部引出電極と下部電極との傾斜端面に沿って誘電体および上部電極が形成されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２７】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記外部引出電極の上面と下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、
誘電体に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程と
を有し、
前記外部引出電極・下部電極形成工程において、前記間隙に臨む前記外部引出電極と下部電極との各端面を、フレキシブル基板の上面に対して傾斜する形状に形成するとともに、この際に、前記外部引出電極の傾斜端面および前記下部電極の傾斜端面に、これらの傾斜端面の下端部から上端部まで、フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成し、
前記誘電体および上部電極を、前記外部引出電極と下部電極との各傾斜端面に沿わせて形成した
ことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２８】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、
前記間隙に臨む前記外部引出電極の端面部および前記下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部に壁面が傾斜するようにそれぞれ埋め込まれ、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられた絶縁体と、
前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の傾斜面とにまたがって形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極とを備えた
ことを特徴とするコンデンサ。
【請求項２９】
フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、
前記間隙に臨む前記外部引出電極の端面部および前記下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部に壁面が傾斜するようにそれぞれ絶縁体を埋め込み、この際の、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成する絶縁体埋め込み工程と、
前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の傾斜面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、
前記誘電体に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程と
を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項３０】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成された下部電極接続用の外部引出電極と、
前記フレキシブル基板に形成された上部電極接続用の外部引出電極と、
前記フレキシブル基板における前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に埋め込まれ、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記下部電極接続用の外部引出電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられた絶縁体と、
前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部近傍箇所と前記絶縁体の傾斜面とフレキシブル基板の外部露出面とにまたがって形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された誘電体と、
前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記上部電極接続用の外部引出電極と導通させて設けられた上部電極と
を備えたことを特徴とするコンデンサ。
【請求項３１】
フレキシブル基板に、下部電極接続用の外部引出電極を形成する下部電極接続用外部引出電極形成工程と、
前記フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極を形成する上部電極接続用外部引出電極形成工程と、
下部電極接続用の外部引出電極の端面部とフレキシブル基板における前記端面部近傍箇所との隅部に、絶縁体を、フレキシブル基板に対して端面が０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜させて形成する絶縁体形成工程と、
前記フレキシブル基板における前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に絶縁体を埋め込み、この場合に、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記下部電極接続用の外部引出電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられるように絶縁体を形成する絶縁体形成工程と、
前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部近傍箇所と前記絶縁体の傾斜面とフレキシブル基板の外部露出面とにまたがって下部電極を形成する下部電極形成工程と、
下部電極上に誘電体を形成する誘電体形成工程と、
誘電体を挟んで下部電極に対向して、上部電極を、前記上部電極接続用の外部引出電極と導通させて設ける上部電極形成工程と
を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項３２】
絶縁体は樹脂であることを特徴とする請求項２３、２４、２８、３０の何れかに記載のコンデンサ。
【請求項３３】
誘電体が、ポリフェニレンサルファイド、二酸化ケイ素、ジビニルベンゼン重合体、チタン酸ストロンチウム、シンジオタクチックポリスチレン、サイクリックオレフィンコポリマフィルム、ポニフェニレンオキサイド、ポリベンゾシクロブテン重合体、ジビルナフタレン重合体、ジビニルビフェニル重合体、酸化アルミニウム、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の何れか一つの材料または複数の混合物で形成されていることを特徴とする請求項１〜５、１１〜１５、２１、２２、２４、２６、２８、２９の何れかに記載のコンデンサ。
【請求項３４】
フレキシブル基板が樹脂製フィルムであることを特徴とする請求項１〜５、１０〜１３、１５〜１８、２３、２４、２６、２８、３０、３２の何れかに記載のコンデンサ。
【請求項３５】
誘電体形成工程において、フィルム状の誘電体が貼り付けられて形成されていることを特徴とする請求項６〜９、１４、１９〜２２、２５、２７、２９、３１の何れかに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項３６】
誘電体形成工程において、誘電体が蒸着されて形成されていることを特徴とする請求項６〜９、１４、１９〜２２、２５、２７、２９、３１の何れかに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項３７】
スペーサがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートの何れか、またはこれらの混合物で形成されていることを特徴とする請求項８または２１に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はコンデンサおよびその製造方法に関する。
背景技術
従来の小型のコンデンサとしては、セラミックやエポキシ樹脂などの比較的大きな剛性を有する基板上に、薄膜誘電体層や金属膜からなる電極部を形成するものが知られている。しかし、このようなコンデンサでは、薄膜誘電体層や電極部については薄くできるものの、この種の基板についてはある程度の厚み（例えば０．５ｍｍ）がなければ割れて損傷するおそれがあるため、コンデンサとしても薄くすることに限界があり、このようなコンデンサを厚みが１ｍｍもない製品に用いることは困難であった。
これに対処するものとして、例えば特開平１１−９７２８７号公報などにも開示されているように、厚みが０．１ｍｍ以下の大きな可撓性を有するポリイミドなどの有機樹脂基板などからなるフィルム状のフレキシブル基板を用いたものがある。この種のコンデンサによれば、フレキシブル基板を薄くしてもこのフレキシブル基板自体が湾曲可能であるため、割れて損傷することがなく、その肉厚を薄くできるため、ひいてはコンデンサ全体としても薄くでき、厚みが１ｍｍ程度のＩＣカードやそれ以下の厚みの薄型製品に用いることも可能となる。
この種のコンデンサは、例えば図２３（ａ）〜（ｃ）に示すようにして製造される。まず、図２３（ａ）に示すように、大きな可撓性を有するフィルム状のフレキシブル基板１０１の両側部から上面にかけて、互いに間隙１０２を有して非導通状態となるように下部電極１０３および外部引出電極１０４を形成する。そして、下部電極１０３および外部引出電極１０４にまたがってこれらの上面に誘電体１０５を形成した後、図２３（ｂ）に示すように、誘電体１０５における外部引出電極１０４に対応する位置にコンタクトホール用の孔１０５ａを貫通させて形成し、この孔１０５ａを含む誘電体１０５上に上部電極１０６を形成して上部電極１０６と外部引出電極１０４とを導通させる。なお、この後、必要に応じてこれらの上に保護層１０７を形成する。
これにより、図２３（ｃ）に示すように、誘電体１０５を挟んで下部電極１０３と上部電極１０６とで容量をなすコンデンサが構成される。この場合に、フレキシブル基板１０１を薄いものを用いるとともに、下部電極１０３、外部引出電極１０４、誘電体１０５、上部電極１０６などを薄肉に形成することで、極めて薄いコンデンサを構成することができる。そして、フレキシブル基板１０１を用いているため、フレキシブル基板１０１として薄いものを用いても、この基板部分が割れて損傷するような不具合を生じることがない。
また、複数層の誘電体１０５Ａ，１０５Ｂや上部電極１０６Ａ，１０６Ｂを有するコンデンサは、例えば図２４（ａ）〜（ｄ）に示すようにして製造される。まず、図２４（ａ）に示すように、大きな可撓性を有するフィルム状のフレキシブル基板１０１の両側部から上面にかけて、互いに間隙１０２を有して非導通状態となるように下部電極１０３および外部引出電極１０４を形成する。次に、図２４（ｂ）に示すように、下部電極１０３の上面部および外部引出電極１０４の上面部とに第１の誘電体１０５Ａを形成した後、第１の誘電体１０５Ａの上面および外部引出電極１０４の上面に第１の上部電極１０６Ａを形成するとともに、第１の上部電極１０６Ａの一部を外部引出電極１０４上に延びるように形成して外部引出電極１０４に導通させる。次に、図２４（ｃ）に示すように、第１の上部電極１０６Ａの上に第２の誘電体１０５Ｂを形成し、さらにこの上に、第２の上部電極１０６Ｂを形成するとともに、第２の上部電極１０６Ｂの一部を下部電極１０３上に延びるように形成して下部電極１０３に導通させる。さらに複数層の誘電体や上部電極を必要とする場合は、これらの誘電体と上部電極との形成動作を繰り返す。なお、この後、必要に応じてこれらの上に保護層１０７を形成する。
これにより、図２４（ｄ）に示すように、第１、第２の誘電体１０５Ａ、１０５Ｂを挟んで下部電極１０３と第１、第２の上部電極１０６Ａ、１０６Ｂとで容量をなすコンデンサが構成される。この場合においても、フレキシブル基板１０１を薄いものを用いるとともに、下部電極１０３、外部引出電極１０４、誘電体１０５Ａ、１０５Ｂ、上部電極１０６Ａ、１０６Ｂなどを薄肉に形成することで、極めて薄いコンデンサを構成することができる。
また、さらに他の例としては、図２５（ａ）に示すように、フィルム状のフレキシブル基板１０１の両側部に、下部電極１０３に接続される下部電極接続用の外部引出電極１１１と、上部電極１０６に接続される上部電極接続用の外部引出電極１０４とを形成し、下部電極接続用の外部引出電極１１１の端面部近傍箇所とフレキシブル基板１０１の外部露出面とにまたがって下部電極１１２を形成して、下部電極１１２を下部電極接続用の外部引出電極１１１に接続する。この後、図２５（ｂ）に示すように、下部電極１１１および上部電極接続用の外部引出電極１０４にまたがってこれらの上面に誘電体１０５を形成した後、誘電体１０５における上部電極接続用の外部引出電極１１１に対応する位置に孔１０５ａを貫通させて形成し、この孔１０５ａを含む誘電体１０５上に上部電極１０６を形成して上部電極１０６と外部引出電極１０４とを導通させる。なお、この後、必要に応じてこれらの上に保護層１０７を形成する。
これにより、誘電体１０５を挟んで下部電極１１２と上部電極１０６とで容量をなすコンデンサが構成される。この場合にも、フレキシブル基板１０１を薄いものを用いるとともに、下部電極接続用の外部引出電極１１や上部電極接続用の外部引出電極１０４、下部電極１１２、誘電体１０５、上部電極１０６などを薄肉に形成することで、極めて薄いコンデンサを構成することができる。
ここで、図２３に示すようなコンデンサにおいては、図２６に拡大して示すように、上部電極１０６を外部引出電極１０４に接続するために、誘電体１０５に設けた孔部１０５ａの壁面は、フレキシブル基板１０１に対してほぼ垂直の角度（約８０度から９０度）に形成されており、したがって、この誘電体１０５の孔部１０５ａに沿って形成される上部電極１０６の角部１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄは、ほぼ直角に近い角度で屈曲された形状に形成されている。
また、下部電極１０３と外部引出電極１０４との互いに間隙１０２を介して臨む各端面は、フレキシブル基板１０１に対してほぼ垂直の角度に形成されているため、これらの間隙１０２に沿って形成される誘電体１０５の角部１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ，１０５ｅや上部電極１０６の角部１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ，１０６ｈもほぼ直角に近い角度で屈曲された形状に形成されている。
また、図２４に示すようなコンデンサにおいては、図２７に拡大して示すように、第１、第２の上部電極１０６Ａ、１０６Ｂを外部引出電極１０４や下部電極１０３に接続するために下方に延ばした下延部１０６ｉ，１０６ｊがそれぞれ臨んでいる、第１、第２の誘電体１０５Ａ，１０５Ｂの端面１０５ｓ，１０５ｐを、下部電極１０３や第１の上部電極１０６Ａ上にほぼ垂直の角度に立設するように形成しているため、これに伴って、第１、第２の上部電極１０６Ａ、１０６Ｂの上端や下端の角部１０６ｋ、１０６ｍ、１０６ｎ、１０６ｏは、ほぼ直角に近い角度で屈曲された形状に形成されている。
さらに、図２５に示すようなコンデンサにおいては、図２８に拡大して示すように、下部電極１１２が接続される下部電極接続用の外部引出電極１１１の端面１１１ａはフレキシブル基板１０１に対してほぼ垂直の角度に形成されているため、この端面１１１ａに沿って形成される下部電極１１２の角部１１２ａ，１１２ｂもほぼ直角に近い角度で屈曲された形状に形成されている。
ところで、この種のフレキシブル基板１０１を用いたコンデンサでは、極めて薄型化できる利点がある反面で、フレキシブル基板１０１を用いているために比較的変形し易いという性質がある。したがって、コンデンサが用いられている薄型製品が振動するなどして、比較的小さな外部からのストレス（外力）が作用した際や、各構成部分材料の温度による膨張率の違いによりストレスを生じた場合には、このストレスを、剛性の大きな金属材料部分でを受けることとなり、特に、薄肉の電極部分である上部電極１０６、１０６Ａ、１０６Ｂや下部電極１０３、１１２において、ほぼ直角に折れ曲がっている前記した角部１０６ａ〜１０６ｏ、１１２ａ，１１２ｂの箇所に応力が集中するおそれがある。
このように上部電極１０６、１０６Ａ、１０６Ｂや下部電極１１２の角部１１２ａ，１１２ｂに応力が集中することが何度も繰り返されて、万一クラックなどを生じた場合には、クラックが進行して切断状態となったり、クラックのために、通電できる部分が細くなり、比較的大きな電流が流れた際にクラックが広がって切断状態となるおそれがある。また、特に、上部電極１１６、１１６Ａ、１１６Ｂや下部電極１１２を蒸着して形成した場合には、その角部１１６ａ〜１１６ｏ、１１２ａ，１１２ｂなどが薄くなる傾向があるため、この問題が顕著化する恐れがある。
発明の開示
上記問題を解決するために本発明の請求項１記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向するように配置された上部電極とを備え、前記誘電体に、前記上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極の上面に臨む側に向けて傾斜しながら貫通する孔部が形成され、前記誘電体における孔部の傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、前記上部電極が前記誘電体の孔部の傾斜壁面に沿って傾斜しながら窪んで形成されて、前記外部引出電極の上面に接続されていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のコンデンサにおいて、誘電体の孔部の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載のコンデンサにおいて、誘電体の孔部が、上部電極に臨む側から外部引出電極に臨む側に向けて逆円錐形状または逆角錐形状に貫通する形状であることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れかに記載のコンデンサにおいて、誘電体の孔部の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面が上部電極に形成され、この上部電極の傾斜面に、この傾斜面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載のコンデンサにおいて、上部電極の傾斜面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
これらの請求項１〜５記載の構成によれば、誘電体における孔部の傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられているので、この部分に臨む上部電極における傾斜面の部分も０．１度〜２０度に近い緩やかな角度で傾斜することとなり、この部分には、応力が集中することが軽減されてクラックが生じなくなる。
また、請求項２、５記載の構成によれば、誘電体における孔部の傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、前記誘電体における孔部の傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度であり、上部電極における誘電体の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、上部電極における誘電体の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とも、同様な緩やかな角度となるので、上部電極の前記角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項６記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、前記誘電体における前記外部引出電極に対応する位置に孔部をその壁面の少なくとも一部が傾斜するように貫通させて形成し、この際に、前記傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けらるように形成する孔部形成工程と、前記孔部を含む前記誘電体上に上部電極を形成してこの上部電極と前記外部引出電極とを導通させてなる上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
この方法により、請求項１に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
請求項７記載の発明は、請求項６記載のコンデンサの製造方法における孔部形成工程において、マスクを誘電体から所定間隔あけた状態でマスクの孔を通してプラズマ流を透過させることにより誘電体に孔部を形成することを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項６または７に記載のコンデンサの製造方法における孔部形成工程において、マスクと誘電体との間にスペーサを介装することを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７に記載のコンデンサの製造方法における孔部形成工程において、マスクを移動させながらマスクの孔を通してプラズマ流を透過させることにより誘電体に孔部を形成することを特徴とする。
請求項７〜９記載のコンデンサの製造方法によれば、誘電体に、外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で、その下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられている孔部を良好に形成することができる。
本発明の請求項１０記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向するように配置された上部電極とを備え、前記誘電体における前記外部引出電極の上方に位置する壁面の少なくとも一部が、上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜するように形成され、前記誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、前記上部電極が前記誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜して形成されて、その下端部が前記外部引出電極の上面に接続されていることを特徴とする。
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載のコンデンサにおいて、誘電体の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項１０または１１に記載のコンデンサにおいて、誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面が上部電極に形成され、この上部電極の傾斜面に、この傾斜面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項１２記載のコンデンサにおいて、上部電極の傾斜面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
これらの請求項１０〜１３に記載の構成によれば、誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、前記上部電極が前記誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜して形成されて、その下端部が前記外部引出電極の上面に接続されているので、上部電極における前記誘電体の緩やかな傾斜部分に対応する傾斜面の角度も０．１度〜２０度に近い緩やかな角度となり、その結果、上部電極の傾斜面および角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
また、請求項１１、１３記載の構成によれば、誘電体における孔部の傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、前記誘電体における孔部の傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が少なくとも一部に設けられ、この部分では、上部電極における誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、上部電極における誘電体の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とも、同様な緩やかな角度となるので、上部電極の前記角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項１４記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記外部引出電極の上面と前記下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、前記誘電体における前記外部引出電極に対応する位置に傾斜壁面を形成し、この際に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成する傾斜壁面形成工程と、前記傾斜壁面を含む前記誘電体上に上部電極を形成してこの上部電極と前記外部引出電極とを導通させてなる上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
この方法により、請求項１０〜１３に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
本発明の請求項１５記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記下部電極の上方位置にそれぞれ誘電体を介して複数層に形成され、外部引出電極または下部電極側に延びる傾斜下延部と接続部とを介して外部引出電極または下部電極に接続された複数の上部電極とを備え、各上部電極の直下の誘電体における傾斜下延部に臨む壁面が、その上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極または下部電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜するように形成され、全ての誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
請求項１６に記載の発明は、請求項１５記載のコンデンサにおいて、各誘電体の傾斜壁面に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
請求項１７に記載の発明は、請求項１５または１６に記載のコンデンサにおいて、各上部電極の傾斜下延部に、この傾斜下延部の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
請求項１８に記載の発明は、請求項１７に記載のコンデンサにおいて、各上部電極の傾斜下延部に、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられていることを特徴とする。
これらの請求項１５〜１８に記載の構成によれば、全ての誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられているので、上部電極における各誘電体の緩やかな傾斜部分に対応する傾斜面の角度も０．１度〜２０度に近い緩やかな角度となり、その結果、上部電極の傾斜面および角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
また、請求項１６、１８記載の構成によれば、各誘電体の傾斜壁面における、その上端角部の下方への傾斜角度と、その下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度である部分が設けられており、この部分では、上部電極における誘電体の傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面上端角部の下方への傾斜角度と、傾斜面下端角部の上方への傾斜角度とも、同様な緩やかな角度となるので、上部電極の前記角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項１９記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記下部電極の上方位置にそれぞれ誘電体を介して複数層に上部電極を形成し、各上部電極を、外部引出電極または下部電極側に延びる傾斜下延部および接続部を介して外部引出電極または下部電極に接続する誘電体・上部電極形成工程とを備え、前記誘電体・上部電極形成工程において、各上部電極の直下の誘電体における傾斜下延部に臨む壁面が、その上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極または下部電極の上面に臨む側に向けて下方に傾斜し、全ての誘電体における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように前記誘電体の傾斜壁面を形成することを特徴とする。
この方法により、請求項１５〜１８に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
請求項２０に記載の発明は、請求項１４または１９に記載のコンデンサの製造方法における誘電体の傾斜壁面を形成する工程において、マスクを誘電体から所定間隔あけた状態でスパッタリングすることを特徴とする。
請求項２１に記載の発明は、請求項２０記載のコンデンサの製造方法における誘電体の傾斜端部壁面を形成する工程において、マスクと誘電体との間にスペーサを介装することを特徴とする。
請求項２２に記載の発明は、請求項２０記載のコンデンサの製造方法における誘電体の傾斜端部壁面を形成する工程において、マスクを移動させながらスパッタリングすることを特徴とする。
請求項２０〜２２記載のコンデンサの製造方法によれば、誘電体に、外部引出電極の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられている傾斜端部壁面を良好に形成することができる。
本発明の請求項２３記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記外部引出電極の上面および下部電極の上面にまたがって形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極と、前記外部引出電極と下部電極との間の前記間隙を埋める絶縁体とを備え、前記誘電体が前記絶縁体も覆うように形成されていることを特徴とする。
請求項２４に記載の発明は、請求項２３記載のコンデンサにおいて、外部引出電極と下部電極との間の間隙を埋めた絶縁体上に形成された箇所の、外部引出電極の上面と下部電極の上面とにそれぞれ接する箇所の少なくとも一部の傾斜角度が、±２０度の範囲内であることを特徴とする。
これらの請求項２３、２４記載の構成によれば、下部電極と外部引出電極との間の間隙が絶縁体にて埋められているため、この間隙箇所の誘電体や上部電極に角部を生じなくなったり、角部の傾斜角度が緩やかとなったりし、その結果、角部への応力集中がなくなったり軽減されたりして、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項２５記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記外部引出電極と下部電極との間の前記間隙を絶縁体により埋める間隙埋め工程と、前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、誘電体の上面に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
この方法によれば、請求項２３、２４に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
本発明の請求項２６記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記外部引出電極の上面および下部電極の上面にまたがって形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極とを備え、前記外部引出電極と下部電極との前記間隙に臨む各端面が、フレキシブル基板の上面に対して傾斜する形状に形成され、前記外部引出電極の傾斜端面および前記下部電極の傾斜端面に、これらの傾斜端面の下端部から上端部まで、フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、これらの外部引出電極と下部電極との傾斜端面に沿って誘電体および上部電極が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、外部引出電極と下部電極との間隙に臨む各端面が、フレキシブル基板の上面に対して傾斜する形状に形成され、前記外部引出電極の傾斜端面および前記下部電極の傾斜端面に、この傾斜端面の下端部から上端部まで、フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられ、これらの外部引出電極と下部電極との傾斜端面に沿って誘電体および上部電極が形成されているので、この間隙箇所の誘電体やこの上方に配設されている上部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項２７記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記外部引出電極の上面と下部電極の上面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、誘電体に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程とを有し、前記外部引出電極・下部電極形成工程において、前記間隙に臨む前記外部引出電極と下部電極との各端面を、フレキシブル基板の上面に対して傾斜する形状に形成するとともに、この際に、前記外部引出電極の傾斜端面および前記下部電極の傾斜端面に、これらの傾斜端面の下端部から上端部まで、フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成し、前記誘電体および上部電極を、前記外部引出電極と下部電極との各傾斜端面に沿わせて形成したことを特徴とする。
この方法によれば、請求項２６に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
本発明の請求項２８記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に互いに間隙を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極および下部電極と、前記間隙に臨む前記外部引出電極の端面部および前記下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部に壁面が傾斜するようにそれぞれ埋め込まれ、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられた絶縁体と、前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の傾斜面とにまたがって形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記外部引出電極と導通させて設けられた上部電極とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、間隙に臨む外部引出電極の端面部および下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部に壁面が傾斜するようにそれぞれ絶縁体が埋め込まれ、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられているため、この間隙箇所の誘電体やこの上方に配設されている上部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項２９記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極とを互いに間隙を有して非導通状態となるようにするように形成する外部引出電極・下部電極形成工程と、前記間隙に臨む前記外部引出電極の端面部および前記下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部に壁面が傾斜するようにそれぞれ絶縁体を埋め込み、この際の、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記外部引出電極および下部電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられるように形成する絶縁体埋め込み工程と、前記外部引出電極の上面と下部電極の上面と絶縁体の傾斜面とにまたがって誘電体を形成する誘電体形成工程と、前記誘電体に上部電極を形成するとともに上部電極と外部引出電極とを導通させる上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
この方法によれば、請求項２８に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
本発明の請求項３０記載のコンデンサは、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に形成された下部電極接続用の外部引出電極と、前記フレキシブル基板に形成された上部電極接続用の外部引出電極と、前記フレキシブル基板における前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に埋め込まれ、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記下部電極接続用の外部引出電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられた絶縁体と、前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部近傍箇所と前記絶縁体の傾斜面とフレキシブル基板の外部露出面とにまたがって形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記下部電極に対向して、前記上部電極接続用の外部引出電極と導通させて設けられた上部電極とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、フレキシブル基板における下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に、前記フレキシブル基板に対して０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記下部電極接続用の外部引出電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられた絶縁体が埋め込まれているため、この間隙の下部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、下部電極にクラックが生じなくなる。
本発明の請求項３１記載のコンデンサの製造方法は、フレキシブル基板に、下部電極接続用の外部引出電極を形成する下部電極接続用外部引出電極形成工程と、前記フレキシブル基板に、上部電極接続用の外部引出電極を形成する上部電極接続用外部引出電極形成工程と、下部電極接続用の外部引出電極の端面部とフレキシブル基板における前記端面部近傍箇所との隅部に、絶縁体を、フレキシブル基板に対して端面が０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜させて形成する絶縁体形成工程と、前記フレキシブル基板における前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に絶縁体を埋め込み、この場合に、前記フレキシブル基板の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内であり、かつ、前記下部電極接続用の外部引出電極の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内で、その傾斜面の下端部から上端部まで続く部分が少なくとも一部に設けられるように絶縁体を形成する絶縁体形成工程と、前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部近傍箇所と前記絶縁体の傾斜面とフレキシブル基板の外部露出面とにまたがって下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極上に誘電体を形成する誘電体形成工程と、誘電体を挟んで下部電極に対向して、上部電極を、前記上部電極接続用の外部引出電極と導通させて設ける上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
この方法によれば、請求項３０に記載のコンデンサを良好に製造することができる。
請求項３２に記載の発明は、請求項２３、２４、２８、３０の何れかに記載のコンデンサにおいて、絶縁体は樹脂であることを特徴とする。
請求項３３に記載の発明は、請求項１〜５、１１〜１５、２１、２２、２４、２６、２８、２９の何れかに記載のコンデンサにおいて、誘電体が、ポリフェニレンサルファイド、二酸化ケイ素、ジビニルベンゼン重合体、チタン酸ストロンチウム、シンジオタクチックポリスチレン、サイクリックオレフィンコポリマフィルム、ポニフェニレンオキサイド、ポリベンゾシクロブテン重合体、ジビルナフタレン重合体、ジビニルビフェニル重合体、酸化アルミニウム、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の何れか一つの材料または複数の混合物で形成されていることを特徴とする。
請求項３４に記載の発明は、請求項１〜５、１０〜１３、１５〜１８、２３、２４、２６、２８、３０、３２の何れかに記載のコンデンサにおいて、フレキシブル基板が樹脂製フィルムであることを特徴とする。
請求項３５に記載の発明は、請求項６〜９、１４、１９〜２２、２５、２７、２９、３１の何れかに記載のコンデンサの製造方法における誘電体形成工程において、フィルム状の誘電体が貼り付けられて形成されていることを特徴とする。
請求項３６に記載の発明は、請求項６〜９、１４、１９〜２２、２５、２７、２９、３１の何れかに記載のコンデンサの製造方法における誘電体形成工程において、誘電体が蒸着されて形成されていることを特徴とする。
請求項３７に記載の発明は、請求項８または２１に記載のコンデンサの製造方法において、スペーサがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートの何れか、またはこれらの混合物で形成されていることを特徴とする。
（実施の形態１）
以下、本発明を図面に基づき説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るコンデンサの断面図、図２は同コンデンサの部分切欠断面斜視図、図３は同コンデンサの要部拡大断面図、図４は誘電体に孔部を形成している状態を示す拡大断面図、図５（ａ）〜（ｆ）と図６（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図である。なお、以下の実施の形態を含む明細書中においては、その配置が明確になるように、容量が形成される側が基板の上側であり、上部電極が下部電極の上側に配置されている場合を説明しているが、コンデンサの製造時や製品の使用時に、この上下方向を限定するものではないことはいうまでもない。
図１および図２に示すように、このコンデンサ１は、フィルム状で大きな可撓性を有するフレキシブル基板２と、フレキシブル基板２に互いに間隙３を有して非導通状態となるように形成された上部電極接続用の外部引出電極４および下部電極５と、外部引出電極４の上面および下部電極５の上面にまたがって形成された誘電体６と、誘電体６を挟んで下部電極５に対向するように配置された上部電極７と、これらを保護するために上部電極７などの上から覆うように形成された保護層８とを備えている。また、外部引出電極４および下部電極５と誘電体６との間には製造工程途中で接着層９が形成され、さらに誘電体６と上部電極７との間には金属酸化物層１０が形成されている。
フレキシブル基板２は、厚みが約５０μｍの柔軟性を有するフィルムにて構成されている。このフレキシブル基板２の上面に、例えば０．１ｍｍの間隙３をあけて外部引出電極４および下部電極５が非導通状態で配置され、この間隙３はポリイミドなどの絶縁体１１により埋められている。
また、外部引出電極４と下部電極５とはそれぞれコンデンサ１の側面部を介して下面の一部まで回り込んで外部引出電極部４ａ，５ａが形成されている。そして、各種製品などにこのコンデンサ１が搭載された場合には、この外部引出電極４および下部電極５における外部引出電極部４ａ，５ａが、前記製品のプリント基板と、はんだ付けあるいは導電ペーストなどにより接続される。コンデンサ１の各側面における側面幅方向の中央部分には上下に貫通して延びる半円柱形状のスルーホール部１２がそれぞれ形成されている。これらのスルーホール部１２に臨む壁面部分により、外部引出電極４における上面側部分と外部引出電極部４ａとが導通され、また、下部電極５における上面側部分と外部引出電極部５ａとが導通されている。
誘電体６には、上部電極７に臨む側から外部引出電極４に臨む側に向けて逆円錐形状（下すぼまりの形状）に貫通するコンタクトホール用の孔部６ａが形成されている。そして、上部電極７における誘電体６の孔部６ａに臨む部分が、この孔部６ａに沿って傾斜しながら窪んで外部引出電極４に接続されている。ここで特に、図３に示すように、誘電体６は、その孔部６ａの傾斜壁面と外部引出電極４の上面４ｂとの傾斜角度αが約１度であるように形成されている。そして、上部電極７が、誘電体６の孔部６ａの傾斜壁面に沿って傾斜して形成されて外部引出電極４と接続されており、これにより、上部電極７における誘電体６の孔部６ａの傾斜壁面に沿って傾斜する傾斜面７ａの、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度βも約１度とされている。
また、誘電体６や上部電極７の上面部分は、フレキシブル基板２や下部電極５、外部引出電極４の上面部分とほぼ平行になるように形成されている。したがって、誘電体６における孔部６ａの傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度α１と、誘電体６における孔部６ａの傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度α２と、上部電極７における誘電体６の孔部６ａに沿って傾斜する傾斜面上端角部７ｂの下方への傾斜角度β１と、上部電極７における誘電体６の孔部６ａに沿って傾斜する傾斜面下端角部７ｃの上方への傾斜角度β２とが、それぞれ約１度となるように形成されている。
この構成によれば、上部電極７における外部引出電極４との接続部近傍箇所が、傾斜角度αが約１度である誘電体６の逆円錐形状に貫通するコンタクトホール用の孔部６ａに沿って形成されており、この上部電極７における誘電体６の孔部６ａに沿って形成された傾斜面７ａや角部７ｂ、７ｃの傾斜角度β１、β２も１度に近い緩やかな角度となるので、コンデンサ１が用いられている薄型製品が振動するなどして、比較的小さな外部からのストレス（外力）が作用した際や、各構成部分材料の温度による膨張率の違いによりストレスを生じた場合でも、ストレスが前記角部７ｂ、７ｃへ集中することが軽減され、上部電極７においてクラックを生じることが防止される。
また、下部電極５と外部引出電極４との間の間隙３が絶縁体１１にて埋められているため、この間隙３が設けられている箇所の誘電体６や上部電極７に殆ど段差および角部を生じなくなり、その結果、この箇所にストレスが集中することがなくなり、これによっても、上部電極７においてクラックを生じることを防止できる。
次に、前記コンデンサ１の製造方法を、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、長さが２．０ｍｍ、幅が１．２ｍｍであり、そして厚みが約０．１ｍｍであるコンデンサ１を製造する場合について説明する。なお、図５、図６においては横方向に４列以上並べられたコンデンサ１を製造した後、単体のコンデンサ１になるように分割して製造する場合を説明する。
第１工程（外部引出電極・下部電極形成工程）
まず、図５（ａ）に示すように、厚みが５０μｍで約１０ｃｍ角のポリイミドシートからなるフレキシブル基板２の両面に、厚み１０μｍの銅からなるめっき層１５、１６を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、両面にめっき層１５、１６が形成されたフレキシブル基板２の両面に、ホトレジスト法によりホトレジスト層１７、１８を形成する。この場合に、上面のめっき層１５側では、下部電極５と外部引出電極４とが電気的に短絡しないようにこれらの間の間隙（ピッチング溝）３が最終的に例えば０．１ｍｍとなるようにするべく、この間隙３に対応する箇所を除く部分にホトレジスト層１７を形成する。また、下面のめっき層１６側では、外部引出電極４および下部電極５の外部引出電極部４ａ，５ａを形成するため、これらの外部引出電極部４ａ，５ａ対応する箇所を除く部分にホトレジスト層１８を形成する。そして、塩化第二鉄溶液等で化学エッチング処理を行った後に、ホトレジスト層１７、１８を剥離し、水洗い洗浄を行って乾燥する（図５（ｃ）参照）。
第２工程（外部引出電極・下部電極形成工程（スルーホール部形成工程））
次に、図５（ｄ）に示すように、上下に貫通するスルーホール部１２を形成する。このスルーホール部１２は、後述するコンデンサ１を単体に分割する切断予定線の、隣接するコンデンサ１同士の中央部分に対応する箇所に形成される。そして、コンデンサ１を単体に分割するために、切断したときにフレキシブル基板２が破損しない程度（例えば直径が０．６ｍｍ）のスルーホール部１２としての丸孔を整列させて開け、この後、スルーホール部１２周壁のめっき層１５、１６のばりを除去し、洗浄して乾燥する。スルーホール部１２を開ける方法としてはドリル、パンチングやレーザーなどの公知の方法が用いられ、前記ばりを除去する方法としては、化学エッチングや電気エッチング、レーザー、そして研磨などの方法が用いられる。
第３工程（外部引出電極・下部電極形成工程）
次に、図５（ｅ）に示すように、スルーホール部１２の壁面に金めっきを施して、洗浄し乾燥する。このめっき部１３により、めっき層１５とめっき層１６とが上下に接続されて、外部引出電極４と下部電極５とが形成される。なお、この時のめっき方式は化学めっきや電気めっき方式が好ましい。なぜなら、真空蒸着方式やスパッタ方式ではフレキシブル基板２の熱や湿気による伸び縮みによる機械的ストレスにより、スルーホール部１２が断線する危険性が高いからである。
第４工程（間隙埋め工程）
この後、図５（ｆ）に示すように、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３にポリアミック酸溶液をコーティングし、有機溶剤を加熱除去した後、２６０℃以上に加熱して縮合反応させ、完全にポリイミドに変化させて、絶縁体１１を埋め込み状態に形成する。この絶縁体１１を設けない場合には、めっき層１５の厚み分、すなわち約１０μｍの段差が生じることとなるが、前記のように、絶縁体１１を設けることで、めっき層１５（外部引出電極４と下部電極５との上面部分）との段差を１〜３μｍ程度以内に抑えることができる。この時必要に応じて、オゾンガスによる表面の有機物の酸化除去を行ってもよい。
なお、間隙３に絶縁体１１を埋め込む方法としては、スキージを用いた工法やインクジェットを用いた工法が適している。ここで、スキージ工法を用いる場合は、絶縁体１１の材料として高粘度のものでも使用できる利点があり、インクジェット工法を用いる場合は、高精度に形成できる利点があるが、材料としては訂粘度である必要がある。
また、絶縁体１１の材料としては、耐熱性のある、熱硬化性樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂など）や紫外線硬化性樹脂が適しており、これらの樹脂を埋める際に、ブタノール、イソプロピルアルコール、ペンタノールなどのアルコール類を添加することで、表面張力が低くなって、接触壁面との角度がなだらかになる利点がある。
第５工程（誘電体形成工程）
次に、図６（ａ）に示すように、誘電体６として、約１０ｃｍ角に切断された厚み１．２μｍのポリフェニレンサルファイドのフィルムを、下部電極５が形成された上面側に載せ、この誘電体６とフレキシブル基板２との両者を、可とう性のある厚みが約１ｍｍの平坦な有機樹脂シートで上下から挟み、平均圧力が４．９ニュートン／平方センチメートル、平均温度が２４０℃の条件で、６０分間ホットプレスする。この結果、フィルム状の誘電体６と、下部電極５や外部引出電極４さらには絶縁体１１、そして露出したフレキシブル基板２の表面との間に、モノマの重合単位が３から６程度のナトリウム４−クロロフェニルサルファイドの脱塩化ナトリウム重合物からなるオリゴマーが滲み出てきて接着層７を形成し、これらが安定な状態で接着される。
なお、この接着工程の際の温度および時間により、接着層７の強度は変わり、プレス温度が２３０℃以下である場合には如何にプレス圧を上げたり、時間を長くしても必要な強度は得られず、逆に、プレス温度が２７０℃では如何にプレス圧を下げたり、時間を短くしても接着層７の接着力が過剰となり、１６Ｖの耐電圧を示さないことが分かった。分析の結果、プレス温度を上昇させると、フィルムのすべり性を向上させるために添加しているフィラーの近辺を中心にピンホール数が増えており、フィルムの軟化と強い収縮応力等が原因でピンホールが発生し、耐電圧が低下したことがわかった。
第６工程（孔部形成工程）
次に、図４に示すように、厚みが０．１ｍｍの金属製のマスク１４を誘電体６から１０μｍ離した姿勢に位置させる。このマスク１４には、各コンデンサ１の外部引出電極４の上面部に対応する箇所に、直径が約０．１ｍｍの円形の小孔１４ａが２個ずつ形成されている。ここで、このマスク１４は、パルスモーターにより回転されるスクリューネジの動作に伴って移動する台に取付けられており、一定速度で横方向に移動可能とされている。
その状態で真空度が約１０パスカル、酸素分圧が２０％の雰囲気中で、高周波プラズマを発生させ、得られたプラズマ流をマスク１４の小孔１４ａを通してプラズマ流を拡散透過させ、一定時間後にマスク１４が６８μｍずれるように前記パルスモーターを駆動する。これにより、誘電体６に、その壁面の傾斜角度（外部引出電極４の上面（接触面）４ｂに対する傾斜角度）αが１度であるコンタクトホール用の孔部６ａを形成することができる（図４および図６（ｂ）参照）。このときに、プラズマのパワーを増加すると、形成のための時間は反比例して短くなるので、前記パルスモーターの駆動速度は速くする必要がある。誘電体６にコンタクトホール用の孔部６ａを形成した後は、酸素ガスのリークを停止し、フレキシブル基板２を加熱して反応生成物を真空乾燥し、乾燥後、冷却して大気中に取出す。
なお、この孔部形成工程におけるマスク１４と誘電体６との距離は、１０μｍに限るものではなく、例えば１００μｍで、マスク１４が上記の半分の距離（６８μｍ）ずれるようにパルスモーターを駆動しても、同様に、孔部６ａの壁面の傾斜角度αが１度であるように形成することができる。しかし、マスク１４と誘電体６との距離を１０μｍよりも狭くすると、フレキシブル基板２やめっき層１５、１６の製造時の厚みのばらつきにより、誘電体６の一部にマスク１４が接触じて断線やショート部分を生じることがあるので、好ましくない。
第７工程（上部電極形成工程）
次に、コンタクトホール用の孔部６ａに対応する箇所を隠した金属マスク（図示せず）に切り替え、真空度が約１パスカルのアルゴン下で二酸化ケイ素の厚み約５ｎｍの金属酸化物層１０を形成して大気中に取出す。続いて、コンタクトホール用の孔部６ａを含む上部電極１１を形成するための金属マスク（図示せず）を誘電体６に密着させ、真空度が約１パスカルのアルゴン下で厚み約１００ｎｍのアルミニウムの上部電極７を形成し、大気中に取出す（図６（ｃ）参照）。これにより、上部電極７が、コンタクトホール用の孔部６ａ内に導入された箇所で外部引出電極４と接続される。また、この場合に、この上部電極７の下部電極５との接続箇所近傍部（コンタクトホール用の孔部６ａに沿う箇所）では、傾斜角度αが１度である誘電体６の逆円錐形状に貫通する孔部６ａに沿って形成されているので、この上部電極７における接続部近傍箇所の傾斜面７ａ（図３参照）の角度も１度に近い極めて緩やかな角度となる。
第８工程（保護層形成工程）
この後、上部電極７が形成されたフレキシブル基板２の上面全面に、スチレンとブタジエンとを重量比で１対１に配合して有機過酸化物を１％添加した塗料を塗布して硬化させる。そしてさらに上面全面に、ジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを主成分とし、ベンゾインイソプロピルエーテルを３％溶解した紫外線硬化性塗料を、平均厚み１０μｍで塗布して紫外線硬化させて、保護層８を形成する（（図６（ｄ）参照））。保護層８の形成方法としては、真空蒸着方式やグラビアコーティング方式、インクジェット方式、スキージー方式等の方法が利用できる。
第９工程（電気特性検査工程）
この後、電気特性の検査を行う。すなわち、試験台に、フレキシブル基板２を固定し、裏面の、外部引出電極４の外部引出電極部４ａと下部電極５の外部引出電極部５ａとにテスト端子を当て、静電容量、損失角、Ｑ値、共振周波数、絶縁抵抗の電気特性の検査を行う。この時、最終的にトリミングを行わない場合には、基準値に対して±２％の精度のコンデンサが必要な時があり、その場合、静電容量を計測しながら反対面からレーザー光線をレンズで絞って集束光をスキャンし、高精度の静電容量を得るためにトリミングを実施する。一般的には、このコンデンサ１の製品をプリント配線基板に組込んだ後にレーザートリミングを行うことが多い。
第１０工程（切断・外観検査工程）
電気特性の検査が終わると、上部電極７、誘電体６、下部電極５などが形成されたフレキシブル基板２をコンデンサ１の形状単位に切断し、外観検査を行う。そして、この後、コンデンサ１をにテーピング包装して、製品が完成する。なお、フレキシブル基板２の切断時に過度の力を加えると、電気特性を損なったり、上部電極７、下部電極５、外部引出電極４の変形やばりの発生が生じたりして、好ましくないので、フレキシブル基板２の切断時に過度の力が加わらないようにして切断する。切断の際は常にフレキシブル基板２の一方向から切断刃を入れ、反対面には受け台を設ける必要がある。さらには切断刃の侵入角度は大きいほど上部電極７、誘電体６、下部電極５などにゆがみが生じ易いため、４５度以下の浅い角度で侵入させることが好ましい。
以上のようにして、誘電体６におけるコンタクトホール用孔部６ａの傾斜側壁面と外部引出電極４の上面との傾斜角度αが約１度であり、これに伴って上部電極７の傾斜面７ａの傾斜角度もほぼ同等である、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１００ＴΩのコンデンサ１（実施例１）を製造した。
また、このコンデンサ１においては、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３に絶縁体１１を埋め込んでいるため、めっき層１５（外部引出電極４および下部電極５の上面側部分）と絶縁体１１との段差を１〜３μｍ程度以内に抑えることができる。これにより、この間隙３箇所の上方に積層される誘電体６や上部電極７などにも殆ど段差を生じることがなくなって応力集中を引き起こす角部自体がなくなり、その結果、上部電極７にクラックが生じることを防止できる。
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、誘電体６にコンタクトホール用の孔部６ａを形成する工程において、マスク１４を誘電体６から１０μｍ離した姿勢で、パルスモーターを駆動してマスク１４を横方向に移動させながらプラズマ流を透過させたが、この実施の形態では、パルスモーターを停止させた状態（マスク１４を誘電体６から１０μｍ離した姿勢は維持する）で、プラズマ流を透過させた。この製造方法により、外部引出電極４上での誘電体６の孔部６ａおよび上部電極７の孔部６ａに沿う傾斜面７ａの傾斜角度αが約７度である点だけが実施の形態１で述べた実施例１のコンデンサとは異なり、他は同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサ（実施例２）を製造した。
（実施の形態３）
前記実施の形態１、２では、誘電体６にコンタクトホール用の孔部６ａを形成する工程において、パルスモーターにより移動可能な台に金属マスク１４を取り付けたが、この実施の形態３においては、これに代えて、金属マスク１４と誘電体６との間に、厚みが２μｍでコンタクトホール用の孔部６ａに対応する位置に直径０．３ｍｍの孔の開いたポリフェニレンサルファイドフィルムをスペーサとして用いて、このスペーサを介して金属マスク１４を密着させた状態で、プラズマ流を透過させた。この方法により、外部引出電極４上での誘電体６の孔部６ａおよび上部電極７の孔部６ａに沿う傾斜面７ａの傾斜角度αが約２０度である点だけが実施の形態１のコンデンサとは異なり、他は同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサ（実施例３）を製造した。
なお、スペーサの材料として、ポリフェニレンサルファイドに代えて、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートを用いてもよい。
（比較例１）
実施の形態１における、誘電体６にコンタクトホール用の孔部６ａを形成する工程において、金属マスク１４の代りにホトレジスト膜を用いて、コンタクトホール用の孔部６ａを形成した。これにより、外部引出電極４上での誘電体６の孔部６ａおよび上部電極７の孔部６ａに沿う傾斜面７ａの傾斜角度αが約８０度である点だけが実施の形態１のコンデンサとは異なり、他は同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサ（比較例１）を製造した。
（比較例２）
実施の形態１における、誘電体６にコンタクトホール用の孔部６ａを形成する工程において、金属マスク１４を誘電体６と密着させて、コンタクトホール用の孔部６ａを形成した。これにより、外部引出電極４上での誘電体６の孔部６ａおよび上部電極７の孔部６ａに沿う傾斜７ａの傾斜角度αが約２５度である点だけが実施の形態１のコンデンサとは異なり、他は同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサ（比較例２）を製造した。
（比較例３）
実施の形態１においては、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３に絶縁体１１を埋め込み、この上に誘電体６などを形成したが、この比較例においては従来の技術で説明したものとほぼ同等のものを製造した。
すなわち、図２３や図２４に示すように、外部引出電極１０４と下部電極１０３との間の間隙１０２に絶縁体を設けることなく、この上に誘電体１０５などを形成してコンデンサ（比較例３）を製造している。このように絶縁体を設けない場合には、図２６に示すように、めっき層（外部引出電極１０４および下部電極１０３の上面側部分）の厚み分、すなわち約１０μｍの段差が間隙１０２の箇所に生じている。したがって、この間隙１０２の箇所の上方に積層される誘電体１０５や上部電極１０６などにも段差を生じている。
また、コンタクトホール用の孔部１０５ａの壁部の外部引出電極１０４に対する角度も約８０度から９０度であり、その上の上部電極１０６の壁面の下部電極の上面に対する角度も約８０度から９０度とされている。これにより、外部引出電極１０４上での誘電体１０５の孔部１０５ａおよび上部電極１０６の孔部１０５ａに沿う壁部分の傾斜角度αが約８０度から９０度で、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサ（比較例３）を製造した。
（比較結果）
本発明の実施の形態１〜３に係る実施例１〜３のコンデンサと、比較例１〜３のコンデンサとの、それぞれ１００個ずつを、温度が−５５℃と１２５℃との間で急熱、急冷を行うヒートサイクル試験を行った。この実験での、コンデンサの静電容量の低下率が１０％を超える比率は、以下の［表１］に示す通りとなった。
2002089161.tif 000003
また、別の性能の試験として、実施例１〜３のコンデンサと比較例１〜３のコンデンサとの、それぞれ１００個ずつを、１６Ｖの試験電圧で直列抵抗を０．１Ωとして充放電した。この実験での、充放電試験回数に対する上部電極７が１層分切れた静電容量を示したコンデンサの比率は、以下の［表２］に示す通りとなった。
2002089161.tif 000004
［表１］および［表２］に示す実験結果より、上部電極７の角部７ｂ、７ｃ（図３参照）の傾斜角度が、ヒートサイクル試験での電気的な接続性と充放電試験の電気的な接続性である耐電流性とのそれぞれに関係することがわかる。これらの静電容量の低下したコンデンサを光学顕微鏡により観察した結果、上部電極７の角部７ｂ、７ｃが途中で切断していることが確認された。そして、この電極が切断する現象のメカニズムは、傾斜面７ａの角度が増することで、応力が集中しやすくなるとともに、上部電極７を構成する柱状結晶の隣合う位置のずれが増すため、フレキシブル基板２であるがゆえ、低温と高温での収縮や膨張の繰返しによるストレスにより破断したり、あるいは瞬時的な大電流により、マイグレーションを起こして破断したりすると考えられる。
また、実施例１〜３および比較例１〜３のコンデンサをレーザートリミングにより静電容量を１０％低下させた各１０個ずつのコンデンサを、温度が６０℃で湿度が９５％、試験電圧が直流１６Ｖで１０００時間連続通電を行う６０℃耐湿負荷試験を行った。その結果、実施例１〜３では各１０個全てが静電容量、損失角共に変化は±３％以内であったが、従来例１では１０個中５個、そして実施例２では１０個中２個が、静電容量および損失角の少なくとも一方の変化が±３％以上であり、上部電極７を蒸着により形成した場合には、前記コンタクトホール用の孔部６ａに上部電極７を蒸着する際の湿気による腐食が生じた。
これらの結果からもわかるように、本発明に係るコンデンサ１によると、上部電極７の良好な耐電流性が安定して得られ、フレキシブル基板２の特性を維持できるとともにすぐれた特性のコンデンサ１が得られるようになった。
そして、上記実施の形態では、誘電体６として、ポリフェニレンサルファイドのフィルムのみについて述べたが、これに限るものではなく、樹脂ペレットとしてポリエーテルエーテルケトン樹脂やシンジオタクチックポリスチレンを用い、１５０℃で２時間乾燥し、融点より２０℃高い温度で溶融し、ダイから押し出されて逐次二軸延伸された直後のまだ暖かい約１０ｃｍ幅の厚み１．２μｍのフィルムを誘電体６として用いても同様に良好な特性を得た。また、誘電体６として、ポリフェニレンオキサイドや、ポリシクロブテン、ジビルナフタレン、酸化アルミニウムなどを用いてもよい。
また、上記実施の形態におけるフレキシブル基板２としては、厚み５０μｍのポリイミドについて述べたが、これに限るものではなく、厚みが２０μｍから１５０μｍまでの範囲のシートを用いても同様な特性が得られた。また材質については、ポリイミドとして、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル・無水ピロメリット酸重縮合物が一般的に使用できるが、無水ピロメリット酸の代りに無水トリメリット酸や２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−［イソプロピリデンビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物、１，２；４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二酸無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を用いたり、前述の酸無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの代りに、４，４’−ジアミノジフェニルメタンやｍ−フェニレンジアミンや３，３’−ジアミノベンゾフェノン等を用いて得られた重縮合物のシートを用いても同様の特性が得られた。
また、前記保護層８に用いるブタジエンに対するスチレンの量を重量比で３０：７０から１００対０の範囲で、厚みが１μｍから３０μｍの範囲で検討した結果、全ての組み合わせで同様の良好な特性が得られた。また、保護層８に用いる紫外線硬化性樹脂として、他に炭素数が６から２０個の直鎖状または側鎖にメチル基を１個以上含む化合物、または炭素数が６から２０個で脂環式６員環を１個以上含む化合物に２個のアクリロイルオキシ基を付加したモノマ、あるいは芳香族環が１個に２個のヒドロキシル基を付加したものやビスフェノール系化合物にエチレングリコールあるいはプロピレングリコールを付加反応させその末端をアクリル酸でエステル化したモノマを単独かあるいは併用しても同様の優れた特性が得られた。
また、コンタクトホール用の孔部６ａの直径ａ（単位はｍｍ）は、前記耐電流性に影響を有しており、孔部６ａの直径ａが大きいほど耐電流性が大きくなる。しかし、コンタクトホール用の孔部６ａの直径ａやスルーホール部１２の曲率半径ｂを大きくすると、コンデンサ１としての容量をなす電極の面積が減少するので、この容量部分の電極の面積はできるだけ広く確保することが望ましい。したがって、コンタクトホール用の孔部６ａの最適な直径ａの値としては、コンデンサ１の幅ｃ（単位はｍｍ）とスルーホール部１２の曲率半径ｂとの影響を受け、スルーホール部１２の曲率半径ｂの値はコンデンサ１の幅ｃの値の２５％から７５％が望ましく、また、コンタクトホール用の孔部６ａとスルーホール部１２とは一方を大きくすると他方を小さくせざるを得ないため、コンタクトホール用の孔部６ａの直径ａの値はスルーホール部１２の曲率半径ｂの値の逆数の１２％から３２％が好ましい。
また、上記実施の形態にかかる実施例１〜３のコンデンサでは、誘電体６における孔部６ａの傾斜壁面全体の、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度αが０．１度〜２０度の範囲内である場合を述べ、この場合には、孔部６ａに沿う上部電極７の傾斜面７ａ全体の外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度もほぼ同等となり、クラックが生じることをほぼ完全に防止できて極めて信頼性の高いコンデンサを得ることができる。しかしながら、これに限るものではなく、誘電体６における孔部６ａの傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度αが０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が一部だけに設けられている構成でもよく、この場合でも、前記緩やかな角度で下端部から上端部まで続く部分ではクラックを生じることを防止できて、良好に導電状態を保持することが可能となる。
また、上記実施の形態にかかる実施例１〜３のコンデンサでは、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３を埋める絶縁体１１により、絶縁体１１の上面が外部引出電極４の上面４ｂや下部電極５の上面と同一となった場合を述べたが、これに限るものではなく、前記絶縁体１１の、外部引出電極４の上面４ｂと下部電極５の上面とにそれぞれ接する傾斜角度が、±２０度の範囲内であれば、上記上部電極７の傾斜面７ａの場合と同様に、クラックを生じることを防止できて、良好に導電状態を保持することが可能となる。
（実施の形態４）
次に、本発明の第４の実施の形態にかかるコンデンサについて説明する。
図７はこのコンデンサ２０を示す斜視図、図８はこのコンデンサ２０の断面図であり、このコンデンサ２０においては、上部電極７と外部引出電極４との接続部分を楕円形状にすべく、誘電体２６の孔部が楕円形状とされているものの、基本的には上記実施の形態１〜３のコンデンサ１と同様な構造とされている。
しかし、誘電体２６の材質および形成方法と保護層２８の材質および形成方法とが上記実施の形態１〜３とは異なっている。すなわち、この実施の形態４においては、実施の形態１における、一部の工程である第５工程と第８工程とを、以下のように変更してコンデンサを製造している。
第５工程（誘電体形成工程）
フレキシブル基板２の裏面からスルーホール部１２にワックスチップ等を押し込みスルーホール部１２を塞ぐ。そして、フレキシブル基板２の下部電極５が形成された表面に、ジビニルベンゼンのモノマ蒸気を１０ｋｅＶの電子線を照射させて蒸着させることで、厚み０．３μｍの誘電体２６を形成する（図６（ａ）参照）。
第８工程（保護層形成工程）
フレキシブル基板２の表面から全面に、スチレンとブタジエンとを重量比で１対１に配合し、さらに有機過酸化物を１％添加した塗料を、平均厚みが１０μｍとなるように塗布して、まず電子線を照射して流れなくする。次いで、さらにこの上面全面に、ジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを主成分とし、紫外線増感剤を３％溶解して得た紫外線硬化性塗料を、平均厚み１μｍで塗布して紫外線照射して、保護層２８を形成する。その後、真空下で１６０℃以上の加熱処理を行い、誘電体２６および保護層２８を完全硬化すると同時に前記ワックスチップを真空乾燥して、有機物のないめっき電極面を露出させる。ここで、保護層２８の形成方法としては、真空蒸着方式やグラビアコーティング方式、インクジェット方式、スキージー方式等の方法が利用できる。
実施の形態１における第５工程と第８工程とを、このように置き換えて製造することにより、外部引出電極４の上面４ｂに対する、誘電体２６の孔部２６ａの傾斜壁面および上部電極７の孔部２６ａに沿う傾斜面７ａの傾斜角度αが１度で、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ静電容量が４０ｐＦ、損失角が０．００１、絶縁抵抗１００ＴΩであるコンデンサを製造した。このコンデンサのヒートサイクル試験および充放電試験の結果は上記実施の形態と同様の良好な結果を得た。
またモノマ蒸気としてジビニルベンゼンの代りに、ジビニルビフェニルあるいはジビニルナフタレートを用いても同様に良好な結果を得た。
さらに、誘電体２６として二酸化ケイ素を厚みが約０．６μｍとなるように真空蒸着し、さらに第６工程における酸素ガスの代りに、有機フッ素化合物蒸気を用いることで、同様にコンタクトホール用の孔部２６ａを形成することができ、得られたコンデンサも良好な結果を得た。同様に、誘電体２６としてチタン酸ストロンチウムを厚みが約０．６μｍとなるように反応性スパッタリング蒸着し、さらに第６工程における酸素ガスの代りに、有機塩素化合物蒸気を用いることで、同様にコンタクトホール２６ａを良好に形成することができ、得られたコンデンサも良好な結果を得た。
なお、この実施の形態のコンデンサでは、誘電体２６における孔部２６ａの傾斜壁面全体の、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度αが１度である場合を述べ、この場合には、クラックが生じることをほぼ完全に防止できて極めて信頼性の高いコンデンサを得ることができる。しかしながら、これに限るものではなく、誘電体２６における孔部２６ａの傾斜壁面に、孔部２６ａの下端部から上端部まで、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度αが０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が一部だけに設けられている構成でもよく、この場合でも、前記緩やかな角度で下端部から上端部まで続く部分ではクラックを生じることを防止できて、良好に導電状態を保持することが可能となる。
（実施の形態５）
次に、本発明の第５の実施の形態にかかるコンデンサについて説明する。図９はこのコンデンサを示す断面図、図１０は同コンデンサにおける第１上部電極の傾斜下延部およびその近傍箇所の要部拡大図、図１１は同コンデンサにおける第２上部電極の傾斜下延部およびその近傍箇所の要部拡大図、図１２（ａ）〜（ｆ）と図１３（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図である。
図９に示すように、このコンデンサ３０においては、誘電体３１、３３と上部電極３２、３４とが複数層（図９においては２層の場合を示す）形成されている。すなわち、間隙３を介して上部電極接続用の外部引出電極４と下部電極５とが形成されたフレキシブル基板２の上面に、第１誘電体３１を介して第１上部電極３２が形成され、さらにこの第１上部電極３２上に、第２誘電体３３を介して第２上部電極３４が形成されている。また、第１上部電極３２は斜め下方に延びるその傾斜下延部３２ａとこの傾斜下延部３２ａに続く接続部３２ｂとを介して外部引出電極４に接続され、第２上部電極３４は斜め下方にのびるその傾斜下延部３４ａとこの傾斜下延部３４ａに続く接続部３４ｂとを介して下部電極５に接続されている。
そして、第１、第２誘電体３１、３３における第１、第２上部電極３２、３４の傾斜下延部３２ａ、３４ａに臨む端部壁面３１ａ、３３ａが、第１、第２上部電極３２、３４の下面に臨む側から外部引出電極４や下部電極５の上面に臨む側に向けて以下に述べる角度で傾斜するように形成されている。ここで、第１誘電体３１における傾斜端部壁面３１ａの外部引出電極４の上面に対する傾斜角度α３は０．２５度とされ、また、第２誘電体３３における傾斜端部壁面３３ａの下部電極５の上面に対する傾斜角度α４は約２度とされている。
また、第１、第２上部電極３２、３４も第１、第２誘電体３１、３３に沿って傾斜しながら窪んで外部引出電極４と下部電極５とに接続されており、第１、第２誘電体３１、３３や第１、第２上部電極３２、３４の上面部分は、フレキシブル基板２や下部電極５、外部引出電極４の上面部分とほぼ平行に形成されている。したがって、図１０に示すように、第１誘電体３１の傾斜端部壁面３１ａおける上端角部の下方への傾斜角度α５と、第１上部電極３２の傾斜下延部３２ａにおける上端角部３２ｃの下方への傾斜角度β３と、第１誘電体３１の傾斜端部壁面３１ａおける下端角部の上方への傾斜角度α３と、第１上部電極３２の傾斜下延部３２ａにおける下端角部３２ｄの上方への傾斜角度β４とが、それぞれ０．２５度に形成され、また、図１１に示すように、第２誘電体３３の傾斜端部壁面３３ａおける上端角部の下方への傾斜角度α６と、第２上部電極３４の傾斜下延部３４ａにおける上端角部３４ｃの下方への傾斜角度β５と、第２誘電体３３の傾斜端部壁面３３ａおける下端角部の上方への傾斜角度α４と、第２上部電極３４の傾斜下延部３４ａにおける下端角部３４ｄの上方への傾斜角度β６とが、それぞれ約２度に形成されている。
この構成によれば、第１上部電極３２における下延部３２ａの上端および下端の角部３２ｃ，３２ｄの角度が０．２５度とされて極めて緩やかな角度に形成されているだけでなく、第２上部電極３４における下延部３４ａの上端および下端の角部３４ｃ，３４ｄの角度も約２度の極めて緩やかな角度とされているので、コンデンサ３０が用いられている薄型製品が振動するなどして、比較的小さな外部からのストレス（外力）が作用した際や、各構成部分材料の温度による膨張率の違いによりストレスを生じた場合でも、ストレスが第１、第２上部電極３２、３４の角部３２ｃ，３２ｄ、３４ｃ，３４ｄへ集中することが軽減され、第１、第２上部電極３２、３４にクラックを生じることが防止される。
また、この実施の形態においても、下部電極５と外部引出電極４との間の間隙３が絶縁体１１にて埋められているため、この間隙３が設けられている箇所の第１、第２誘電体３１、３３や第１、第２上部電極３２、３４にほとんど角部を生じなくなり、その結果、この箇所にストレスが集中することがなくなり、これによっても、第１、第２上部電極３２、３４にクラックを生じることを防止できる。
次に、このコンデンサ３０の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、長さが２．０ｍｍ、幅が１．２ｍｍであり、そして厚みが約０．１ｍｍであるコンデンサ３０を製造する場合について説明する。なお、図１２においては４つ以上のコンデンサ３０を製造した後、各コンデンサ３０に分割する場合を説明する。
第１工程（外部引出電極・下部電極形成工程）
まず、図１２（ａ）に示すように、厚みが５０μｍで約１０ｃｍ角のポリイミドシートからなるフレキシブル基板２の両面に、厚み１０μｍの銅からなるめっき層１５、１６を形成する。
次に、図１２（ｂ）に示すように、両面にめっき層１５、１６が形成されたフレキシブル基板２の両面に、ホトレジスト法によりホトレジスト層１７、１８を形成する。この場合に、上面のめっき層１５側では、下部電極５と外部引出電極４とが電気的に短絡しないようにこれらの間の間隙（ピッチング溝）３が最終的に例えば０．１ｍｍとなるようにするべく、この間隙３に対応する箇所を除く部分にホトレジスト層１７を形成する。また、下面のめっき層１６側では、外部引出電極４および下部電極５の外部引出電極部４ａ，５ａを形成するため、これらの外部引出電極部４ａ，５ａ対応する箇所を除く部分にホトレジスト層１８を形成する。そして、塩化第二鉄溶液等で化学エッチング処理を行った後に、ホトレジスト層１７、１８を剥離し、水洗い洗浄を行って乾燥する（図１２（ｃ）参照）。
第２工程（外部引出電極・下部電極形成工程（スルーホール部形成工程））
次に、図１２（ｄ）に示すように、スルーホール部１２を形成する。このスルーホール部１２は、後述するコンデンサ１を単体に分割する切断予定線の、隣接するコンデンサ３０同士の中央部分に対応する箇所に形成される。そして、コンデンサ３０を単体に分割するために、切断したときにフレキシブル基板２が破損しない程度（例えば直径が０．６ｍｍ）のスルーホール部１２としての丸孔を整列させて開け、この後、スルーホール部１２周壁のめっき層１５、１６のばりを除去し、洗浄して乾燥する。スルーホール部１２を開ける方法としてはドリル、パンチングやレーザーなどの公知の方法が用いられ、前記ばりを除去する方法としては、化学エッチングや電気エッチング、レーザー、そして研磨などの方法が用いられる。
第３工程（外部引出電極・下部電極形成工程）
次に、図１２（ｅ）に示すように、残った銅めっき層１５、１６上とスルーホール部１２の内面とにめっき方式により１０μｍの銅めっきを施し、さらに４μｍのニッケルメッキ、０．０８μｍ金メッキを施して、洗浄し乾燥する。このめっき部１３により、めっき層１５とめっき層１６とが上下に接続されて、外部引出電極４と下部電極５とが形成される。
第４工程（間隙埋め工程）
この後、図１２（ｆ）に示すように、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３にスクリーン印刷法によりポリアミック酸溶液をコーティングし、加熱して縮合反応させ、完全にポリイミドに変化させて、間隙３に絶縁体１１を埋め込む。この絶縁体１１を設けない場合には、めっき層１５の厚み分、すなわち約１０μｍの段差が生じることとなるが、前記のように、絶縁体１１を設けることで、めっき層１５（外部引出電極４と下部電極５との上面部分）との段差を１〜３μｍ程度以内に抑えることができる。
第５工程（第１誘電体および傾斜面形成工程）
次に、図１３（ａ）に示すように、厚みが３００ｎｍのチタン酸ストロンチウムをスパッタリング方式により所定のパターンの開口マスクを通して堆積させて、第１誘電体３１を形成する。このとき、第１誘電体３１は下部電極５と絶縁体１１および外部引出電極４の一部までに渡って形成され、外部引出電極４上に存在する第１誘電体３１の端部はスパッタリング時に傾斜角度が約０．２５度となるように形成されている。この傾斜角度を形成するために、マスク１４（図４参照）をフレキシブル基板２から離したり、前記マスク１４の厚みを０．１ｍｍ以上として厚み方向の開口径をスパッタ粒子入射側の開口径よりも基板側の開口径を大きくすることや、あるいは図４に示したように、厚みが約０．１ｍｍのマスク１４を誘電体６から約１０μｍ離してパルスモーター等のモーターやソレノイドコイル等により約６８μｍの寸法にわたって移動あるいは振動させる方法や、熱膨張係数の大きな材料に熱を加えて生じる寸法変化を利用して僅かな寸法範囲で移動させるなどの方法が用いられており、これらの方法により同様の傾斜を得ることができる。
第６工程（第１上部電極形成工程）
そして、図１３（ｂ）に示すように、厚みが１００ｎｍのアルミニウムを、同様にスパッタリング方式により所定のパターンの開口マスクを通して堆積させ、第１上部電極３２を第１誘電体３１および外部引出電極４上に形成する。この時、第１上部電極３２は、第１誘電体３１の、角度が約０．２５度の傾斜面の上にも傾斜下延部３２ａとして形成され、前記傾斜下延部３２ａに続く接続部３２ｂにより外部引出電極４と接続される。
第７工程（第２誘電体および傾斜面形成工程）
次に、図１３（ｃ）に示すように、上記第５工程と同じ操作を繰返して、第１上部電極３２上に、厚みが約３００ｎｍの第２誘電体３３を形成する。そのとき、第２誘電体３３における下部電極５や外部引出電極４上に到達する部分の角度は約２度の傾斜となる。
第８工程（第２上部電極形成工程）
そして、図１３（ｄ）に示すように、上記第６工程と同じ操作を繰返して、第２誘電体３３上に厚みが１００ｎｍの第２上部電極３４を形成する。この第２上部電極３４は、第１上部電極３２とは異なり、接続部３４ａにより下部電極５に接続される。
第９工程（誘電体および上部電極多層形成工程）
以後、コンデンサ３０の静電容量が所定の値になるまで、上記第５工程から第８工程までを繰返す。このとき、誘電体の外部引出電極４や下部電極５上での角度は徐々に増加するが、最大傾斜角度が約２０度を超えると、１％のコンデンサ素子が１００００サイクルの充放電試験後に断線不良を起こし、また、２５度を超えると、５％のコンデンサ素子が断線不良を起こすことが分かったため、最大傾斜角度は約２０度を超えないように構成する必要がある。そのため、１００層の積層を行う場合、誘電体の厚みが約３００ｎｍの時は、各々の外部引出電極４や下部電極５上での傾斜角度は０．２度以下に抑える必要のあることを見出した。
第１０工程（保護層形成工程）
そして、図１３（ｅ）に示すように、第１上部電極３２や第２上部電極３４を含めて、最終の上部電極上に、厚みが１μｍの二酸化ケイ素をスパッタリング方式により堆積させて、保護層８を形成する。
第１１工程（切断・外観検査工程）
次に、図１３（ｆ）に示すように、保護層８などが形成されたフレキシブル基板２を切断予定の位置（コンデンサ１の形状単位）で切断して、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１０Ｖ、静電容量が０．０１μＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１０ＴΩであるコンデンサ３０を製造した。
（実施の形態６）
上記実施の形態５では、複数層の誘電体および上部電極を製造したが、この実施の形態６においては、上記実施の形態５における第５工程から第８工程の繰返しを実質的に誘電体３１を１層のみ、上部電極３２を１層のみとし、その他同じ工程条件で製造した。これにより、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面および傾斜下延部３１ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が約０．２５度であり、また、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１００ＴΩであるコンデンサを製造した。
（実施の形態７）
上記実施の形態５においては、マスク１４の移動または振動させる範囲が約６８μｍの寸法にわたって移動あるいは振動させる場合を述べたが、この実施の形態７においては、マスク１４の移動または振動させる範囲を約４０μｍの寸法とし、その他同じ工程条件で製造した。これにより、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面ならびに傾斜下延部３２ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が約０．４３度であり、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１００ＴΩであるコンデンサを製造した。
（実施の形態８）
上記実施の形態５、７においては、パルスモーターを駆動させてマスク１４を移動または振動させたが、この実施の形態８では、上記実施の形態５における第５工程において、パルスモーターを停止させてマスク１４をさせた状態でスパッタリングした。これにより、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面ならびに傾斜下延部３２ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が約７度であり、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１００ＴΩであるコンデンサを製造した。
（実施の形態９）
前記実施の形態５〜８では、誘電体３１を形成する工程において、パルスモーターにより移動可能な台に金属マスク１４を取り付けたが、この実施の形態９においては、これに代えて、金属マスク１４と誘電体３１との間に、厚みが２μｍのポリフェニレンサルファイドフィルムをスペーサとして用いて、このスペーサを介して金属マスク１４を密着させた状態で、スパッタリングした。これにより、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面ならびに傾斜下延部３２ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が約２０度であり、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が２０ｐＦ、損失角が０．０００６、絶縁抵抗１０００ＴΩであるコンデンサを製造した。
（比較例４）
上記実施の形態５における、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面ならびに傾斜下延部３２ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が２５度である点だけが異なり、その他の点では同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が０．０１μＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１０ＴΩであるコンデンサを製造した。
（比較例５）
上記実施の形態５における、誘電体３１および上部電極３２の傾斜壁面ならびに傾斜下延部３２ａの、外部引出電極４の上面に対する傾斜角度が８０度である点だけが異なり、その他の点では同様に、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が０．０１μＦ、損失角が０．００８、絶縁抵抗１０ＴΩであるコンデンサを製造した。
（比較結果）
本発明の実施の形態５〜９に係る実施例５〜９のコンデンサと、比較例４、５のコンデンサとの、それぞれ１００個ずつを、温度が−５５℃と１２５℃との間で急熱、急冷を行うヒートサイクル試験を行った。この実験での、コンデンサの静電容量の低下率が１０％を超える比率は、以下の［表３］に示す通りとなった。
2002089161.tif 000005
また、別の性能の試験として、実施例４〜９のコンデンサと比較例４、５のコンデンサとの、それぞれ１００個ずつを、１６Ｖの試験電圧で直列抵抗を０．１Ωとして充放電した。この実験での、充放電試験回数に対する上部電極が１層分切れた静電容量を示したコンデンサの比率は、以下の［表４］に示す通りとなった。
2002089161.tif 000006
［表３］および［表４］に示す実験結果より、上部電極３２，３４の角部３２ｃ、３２ｄ、３４ｃ、３４ｄの傾斜角度が、ヒートサイクル試験での電気的な接続性と充放電試験の電気的な接続性である耐電流性とのそれぞれに関係することがわかる。この上部電極３２，３４が切れる現象のメカニズムとしては、上部電極３２，３４と前記誘電体３１，３３との積層数が増えることで、マスク位置がずれる現象が起こるとともに、上面側の１層毎の凹凸が加算されて多大となり、特にその側面部（角部）の傾斜角が２０度以上の構造では、部分的に見ると最も上層の上部電極３４や誘電体３３の側面部分の傾斜角が９０度になるため、上部電極３４の形成が不完全となるためと考えられる。特に、多層積層を行った場合は、上層の上部電極の傾斜面角度が増すことで、蒸着電極を構成する柱状結晶の隣合う位置のずれが、特に誘電体３３の傾斜が始まったり終わる位置がずれて生じる凹凸により傾斜角が急に変動して、見かけ上大きな傾斜となる確率が高くなり、低温と高温での収縮や膨張の繰返しによるストレスにより応力が集中しやすくなって、上部電極３４の角部３４ｃ，３４ｄが破断したり、あるいは瞬時的な大電流により、マイグレーションを起こして破断したためと考えられる。従って、本発明の実施の形態によると、上部電極３４の耐電流性が安定して得られ、すぐれた特性のコンデンサが得られる。
なお、保護層８として、二酸化ケイ素の膜下にスチレンとブタジエンを重量比１対１で配合し、有機過酸化物で共重合した厚み２０μｍの膜を形成しても同様の優れた特性を得ることができた。
また、上記実施の形態にかかる実施例５〜９のコンデンサでは、各誘電体３１、３３における傾斜壁面の、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度が、全て０．１度〜２０度の範囲内である場合を述べ、この場合には、各誘電体３１、３３における傾斜壁面に沿う上部電極３２、３４の傾斜下延部３２ａ，３４ａ全体の外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度もほぼ同等となり、クラックが生じることをほぼ完全に防止できて極めて信頼性の高いコンデンサを得ることができる。しかしながら、これに限るものではなく、各誘電体３１、３３における傾斜壁面に、この傾斜壁面の下端部から上端部まで、外部引出電極４の上面４ｂに対する傾斜角度αが０．１度〜２０度の範囲内で続く部分が一部だけに設けられている構成でもよく、この場合でも、前記緩やかな角度で下端部から上端部まで続く部分ではクラックを生じることを防止できて、良好に導電状態を保持することが可能となる。
また、実施の形態１、５で述べたように、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３に絶縁体１１を埋め込むことで、この箇所の段差を抑えて、応力集中を引き起こす角部自体をなくしたり角部の傾斜角度を緩やかに構成となったりでき、前記段差が僅かに生じている場合でも、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３を埋めた絶縁体１１上に形成された箇所の、各誘電体および上部電極の角部の傾斜角度が、−２０度から＋２０度の範囲内であれば、上記のように、上部電極の耐電流性が安定して得られ、すぐれた特性のコンデンサが得られる。
また、この場合に、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３を埋めた絶縁体１１上に形成された箇所に臨む、各誘電体および上部電極の角部の全ての傾斜角度が、−２０度から＋２０度の範囲内であれば、最も望ましいが、これに限るものではなく、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３を埋めた絶縁体１１上に形成された箇所に臨む、各誘電体および上部電極の角部の一部の下方への傾斜角度γが、図１４に示すように、０度から２０度の範囲内であったり、図１５に示すように、０度から−２０度の範囲内（すなわち、絶縁体が若干盛り上がって埋められている）であったりしてもよく、この−２０度から＋２０度の範囲内の角度で、傾斜面の下端部から上端部に続いていればよく（さらには、盛り上がった部分から下方に傾斜する形状となるなど、凹凸が複数ある場合でも、全ての部分が−２０度から＋２０度の範囲内の角度で続いておればよい）、この場合においても、この箇所に対応する第１、第２上部電極３２、３４の部分に緩い傾斜部分が設けられるため、この箇所でクラックを生じることを防止できて、導電状態を保持することが可能となる。
（実施の形態１０）
上記実施の形態５における第１、第２誘電体３１、３３として、厚み０．３μｍのジビニルベンゼンのモノマ蒸気に１０ｋｅＶの電子線を照射して得られた重合体を用い、外部引出電極４上での傾斜角度が約０．２５度であり、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み約０．１ｍｍで、定格電圧が１６Ｖ、静電容量が０．００１μＦ、損失角が０．００１、絶縁抵抗１０ＴΩであるコンデンサを製造した。充放電試験結果は実施の形態５の実施例５に係るコンデンサと同様の良好な結果を得た。
また、モノマ蒸気としてジビニルベンゼンの代りに、ジビニルビフェニルあるいはジビニルナフタレートを用いても同様に良好な結果を得た。
さらに、フレキシブル基板２の材料として芳香族系二酸無水物や芳香族系ジアミンを組み合わせたポリイミドを用いても同様に良好な結果を得た。
（実施の形態１１）
上記実施の形態においては、何れも、外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３を絶縁体１１により埋めた場合を述べたが、本実施の形態においては、図１６に示すように、間隙３に絶縁体１１が埋められておらず、間隙３に臨む外部引出電極４と下部電極５との各端面４ｃ、５ｃが、これらの間隙寸法が上方ほど広がるようにフレキシブル基板２の上面に対して０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜する形状に形成されている。
この構成によっても、この間隙３に対応する箇所の誘電体３１、３３および上部電極３２、３４が若干窪むことにはなるものの、この場合でも、これに対応する上部電極３２、３４の傾斜面３２ｆ、３４ｆが、ほぼ０．１度〜２０度の極めて緩やかな傾斜角度で傾斜することとなる。したがって、この構成によっても、この箇所に対応する上部電極３２、３４の部分でクラックを生じることを防止できて、導電状態を良好に保持することが可能となる。
なお、必ずしも、間隙３に臨む外部引出電極４と下部電極５との各端面４ｃ、５ｃの全ての領域において、これらの間隙寸法が上方ほど広がるようにフレキシブル基板２の上面に対して０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜する形状でなくてもよく、間隙３に臨む外部引出電極４と下部電極５との各端面４ｃ、５ｃの領域の一部において、フレキシブル基板２の上面に対して０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜しており、この緩やかな傾斜面が、各端面４ｃ、５ｃの下端部から上端部まで続く部分が存在するように形成されておればよい。すなわち、この場合においても、この箇所に対応する上部電極３２、３４の部分に緩い傾斜部分が設けられるため、この箇所でクラックを生じることを防止できて、導電状態を保持することが可能となる。
（実施の形態１２）
この実施の形態においては、間隙３に臨む外部引出電極４と下部電極５との各端面４ｄ、５ｄは、フレキシブル基板２の上面に対してほぼ垂直となる形状とされているが、図１７に示すように、間隙３に臨む外部引出電極４の端面部４ｄおよび下部電極５の端面部５ｄとフレキシブル基板２における前記両方の端面部４ｄ、５ｄ近傍箇所との２つの隅部に、その壁面が傾斜するようにそれぞれ絶縁体４１、４２が埋め込まれている。そして、この絶縁体４１、４２に形成された傾斜面４１ａ、４２ａの、フレキシブル基板２の上面に対する下方への傾斜角度が２０度以内に構成されている。
この構成によっても、絶縁体４１、４２の傾斜面４１ａ、４２ａにより、この間隙３の上方に位置する上部電極３２、３４の傾斜面３２ｆ、３４ｆが、２０度以内の極めて緩やかな傾斜角度で傾斜することとなる。したがって、この場合においても、この箇所に対応する上部電極３２、３４の傾斜面３２ｆ、３４ｆの両端角部でクラックを生じることを防止できて、導電状態を良好に保持することが可能となる。
また、この場合においても、絶縁体４１、４２が設けられている傾斜面４１ａ、４２ａの全ての箇所において、フレキシブル基板２の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内に構成されている必要はなく、一部だけで前記角度範囲であり、下端部から上端部まで緩やかな傾斜角度度で続くような傾斜面が絶縁体４１、４２に形成されていればよい。また、図１８に示すように、絶縁体４１、４２の一部が盛り上がるように形成されていても差し支えはなく、盛り上がる傾斜部４１ｂ、４２ｂの傾斜角度、ならびに続いて下方に傾斜する傾斜部４１ｃ、４２ｃの傾斜角度が、フレキシブル基板２の上面に対して２０度以内であればよい。
（実施の形態１３）
また、上記実施の形態では何れも、下部電極が外部引出電極の機能を有する場合を述べたが、これに限るものではなく、下部電極接続用の外部引出電極５１が下部電極５とは別途に設けられている場合にも、適用できることはもちろんである。しかしながら、この場合に、従来の技術でも述べたように（図２５、図２８参照）、下部電極１１２が接続される外部引出電極１１１の端面１１１ａは、一般に、フレキシブル基板１０１に対してほぼ垂直の角度に形成されているため、下部電極１１２を単に外部引出電極１１１の端面１１１ａに沿って形成すると、外部引出電極１１１の端面１１１ａに臨む箇所に形成される下部電極１１２の角部１１２ａ，１１２ｂもほぼ直角に近い角度で屈曲された形状に形成されることとなり、この屈曲部に応力集中を生じやすい。
これに対処すべく、この実施の形態に係るコンデンサでは、図１９に示すように、フレキシブル基板２における下部電極接続用の外部引出電極５１の端面部に臨む隅部に、傾斜面５２ａを有する絶縁体５２を埋め込み、絶縁体５２の傾斜面５２ａがフレキシブル基板２に対して０．１度〜２０度の傾斜角度となるように形成している（ただし、図１９においては、上部電極７が１層である場合を例示している）。
この構成によれば、下部電極接続用の外部引出電極５１と絶縁体５２とを上方から覆うように下部電極５を形成した際に、下部電極５における絶縁体５２近傍に位置する２箇所の角部５ｅ，５ｆの傾斜角度（上部の角部５ｅについては、下部電極５における外部引出電極５１を覆っている箇所の上面に対する下方への傾斜角度であり、下部の角部５ｆについてはフレキシブル基板２の上面に対する上方への傾斜角度である）が、絶縁体５２の傾斜角度である０．１度〜２０度とほぼ同様の極めて緩やかな傾斜角度となるので、コンデンサが用いられている薄型製品が振動するなどして、比較的小さな外部からのストレス（外力）が作用した際や、各構成部分材料の温度による膨張率の違いによりストレスを生じた場合でも、ストレスが前記角部５ｅ，５ｆへ集中することが軽減されてクラックが生じなくなる。
また、この場合においても、絶縁体５２が埋め込まれている全ての箇所において、絶縁体５２に形成された傾斜面５２ａの、フレキシブル基板２の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内に構成されている必要はなく、その傾斜面５２ａの下端部から上端部まで前記角度範囲で続くような部分が傾斜面５２ａの一部に形成されていればよい。
また、図１８に示す場合と同様に、絶縁体５２の一部が盛り上がるように形成されていても差し支えはなく、盛り上がる傾斜部ならびに続いて下方に傾斜する傾斜部の傾斜角度や上記角度範囲内、すなわち、下部電極５における外部引出電極５１を覆っている箇所の上面に対する、絶縁体５２の下方への傾斜角度が±２０度の傾斜角度範囲内であればよい。
さらには、絶縁体５２を設ける代わりに、図２０に示すように、この箇所の外部引出電極５１の端部が傾斜するように形成し、この端部傾斜面５１ａの、フレキシブル基板２の上面に対する傾斜角度が０．１度〜２０度の範囲内になるように構成してもよい。この場合においても、外部引出電極５１の端部傾斜面５１ａにおける全ての箇所において、フレキシブル基板２の上面に対する傾斜角度が０  １度〜２０度の範囲内に構成されている必要はなく、一部だけで前記角度範囲であり、下端部から上端部まで緩やかな傾斜角度で続くような端部傾斜面５１ａが外部引出電極５１に形成されていればよい。
（実施の形態１４）
この実施の形態においては、図２１、図２２に示すように、上部電極接続用の外部引出電極４と下部電極５との間の間隙３が大きめである場合を示している（ただし、上部電極が１層である場合を例示している）。
しかし、このような実施の形態においても、上記実施の形態１１で述べた場合と同様に、図２１に示すように、間隙３に臨む外部引出電極４と下部電極５との各端面４ｃ、５ｃを、これらの間隙寸法が上方ほど広がるようにフレキシブル基板２の上面に対して０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜する形状に少なくとも一部がなるように形成したり、図２２示すように、上記実施の形態１２で述べた場合と同様に、間隙３に臨む外部引出電極４の端面部４ｄおよび下部電極５の端面部５ｄとフレキシブル基板２における前記両方の端面部４ｄ、５ｄ近傍箇所との２つの隅部に、その壁面が傾斜するようにそれぞれ絶縁体４１、４２を埋め込み、この絶縁体４１、４２に形成された傾斜面４１ａ、４２ａの、フレキシブル基板２の上面に対する傾斜角度が±２０度の範囲内に少なくとも一部がなるように構成したりしている。
これにより、この場合においても、上部電極７における外部引出電極４の端部に対応する箇所の傾斜面や、上部電極７における下部電極５の端部に対応する箇所の傾斜面が、ほぼ０．１度〜２０度の極めて緩やかな傾斜角度で傾斜することとなるので、この箇所に対応する上部電極７の部分でクラックを生じることを防止できて、導電状態を良好に保持することが可能となる。
なお、上部電極７を外部引出電極４に接続する箇所での構造も、図２１に示すように、実施の形態１で述べた場合と同様に、外部引出電極４と上部電極７との接続部近傍箇所の誘電体６に形成した孔部の傾斜面の角度が０．１度〜２０度の範囲内になるように形成したり、図２２に示すように、誘電体６の傾斜端部壁面の角度が０．１度〜２０度の範囲内になるように形成したりすることで、上部電極７における接続部近傍箇所の各部の傾斜角度を緩やかとなるように形成でき、これらの場合においても、少なくとも一部に緩やかな傾斜面が続いていればよい。
すなわち、この場合においても、この箇所に対応する上部電極７の部分に緩い傾斜部分が設けられるため、この箇所でクラックを生じることを防止できて、導電状態を保持することが可能となる。
また、上記実施の形態１〜４においては、フィルム状の誘電体６を貼り付けて形成し、上記実施の形態５〜１０においては、誘電体３１、３３を蒸着して形成した場合を述べたが、これに限るものではなく、上記実施の形態１〜４において誘電体を蒸着して形成したり、上記実施の形態５〜１０においてフィルム状の誘電体を貼り付けて形成したりしてもよいことは申すまでもない。
さらに上記実施の形態に係るコンデンサにおいて、上部電極にレーザートリミングを行い、保護層上にさらに厚い被覆層を形成させたり、その面上をニッケルや銅とニッケルの二層構造で被覆させてりしてもよい。この構造によれば電磁遮蔽を容易に実現することができ、その被覆層と一方の電極を電気的に接続すると貫通コンデンサの構造となり、低ノイズ部品とすることや、ノイズの影響を受け難い部品とすることができて、すぐれた性能と特性安定性を得ることができる。
以上のように本発明によれば、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、上部電極を外部引出電極に接続するための誘電体に設けた孔部の、外部引出電極の上面に対する傾斜角度が、０．１度〜２０度で下端部から上端部まで少なくとも一部が続くように形成することにより、上部電極における誘電体の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面上端角部の下方への傾斜角度と、上部電極における誘電体の孔部に沿って傾斜する傾斜壁面下端角部の上方への傾斜角度とが、それぞれ０．１度〜２０度となり、この結果、上部電極の前記角部への応力集中が大幅に軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなる。これにより、フレキシブル基板を用いて、このコンデンサを極めて薄い製品に用いることができながら、従来はストレスに弱いシート状のコンデンサが、大きな機械的・電気的ストレスに耐えられるようになり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、誘電体における外部引出電極の上方に位置する端部壁面を、上部電極の下面に臨む側から前記外部引出電極の上面に臨む側に向けて傾斜するように形成し、誘電体における傾斜端部壁面の、前記外部引出電極の上面に対する傾斜角度が、０．１度〜２０度となるように形成することにより、上部電極における外部引出電極に接続する箇所近傍の角部角度も０．１度〜２０度に近い緩やかな角度となり、その結果、上部電極の角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、上部電極の直下の誘電体における下延部に臨む端部壁面を、その上部電極の下面に臨む側から外部引出電極または下部電極の上面に臨む側に向けて傾斜するように形成し、全ての誘電体における傾斜端部壁面の、前記外部引出電極または下部電極の上面に対する傾斜角度が、０．１度〜２０度であるように形成することで、上部電極における外部引出電極に接続する箇所近傍の角部角度も０．１度〜２０度に近い緩やかな角度となり、その結果、上部電極の角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、外部引出電極と下部電極との間の間隙を絶縁体で埋めることにより、この間隙箇所の誘電体や上部電極に角部を生じなくなったり、角部の傾斜角度が緩やかとなったりし、その結果、角部への応力集中がなくなったり軽減されたりして、上部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極との間の間隙に臨む前記外部引出電極と下部電極との各端面を、これらの間隙寸法が上方ほど広がるようにフレキシブル基板の上面に対して０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜する形状に形成し、これらの外部引出電極と下部電極との傾斜する端面に沿って誘電体および上部電極を形成することにより、この間隙箇所の誘電体や上部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、上部電極接続用の外部引出電極と下部電極との間の間隙を臨む、前記外部引出電極の端面部および前記下部電極の端面部とフレキシブル基板における前記両方の端面部近傍箇所との２つの隅部にそれぞれ絶縁体を埋め込み、この絶縁体を、フレキシブル基板に対して端面が０．１度〜２０度の傾斜角度で傾斜させて配設することにより、この間隙箇所の誘電体や上部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、上部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、フレキシブル基板を用いたコンデンサにおいて、フレキシブル基板における前記下部電極接続用の外部引出電極の端面部に臨む隅部に絶縁体を埋め込み、この絶縁体に、フレキシブル基板に対して０．１度〜２０度の傾斜角度である傾斜面を形成したことにより、この間隙の下部電極の角部の傾斜角度が緩やかとなり、その結果、角部への応力集中が軽減されて、下部電極にクラックが生じなくなり、良好な信頼性を得ることができる。
また、これらの構成によれば、あらゆる部分での段差が小さくなり、全体としてゆるやかになったことから、保護層も傷つきにくくなり、そのため耐湿性も安定となり、さらに部品の吸湿量もより小さく安定となって、トリミング後の安定性も高まり、非常に安定性の高い部品が提供できるようになる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の第１〜３の実施の形態に係るコンデンサの断面図、
図２は同コンデンサの部分切欠断面斜視図、
図３は同コンデンサの要部拡大断面図、
図４は同コンデンサの製造方法における、誘電体に孔部を形成している状態を示す拡大断面図、
図５の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図、
図６の（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図、
図７は本発明の第４の実施の形態にかかるコンデンサを示す斜視図、
図８は同コンデンサの断面図、
図９は本発明の第５の実施の形態にかかるコンデンサを示す断面図、
図１０は同コンデンサにおける第１上部電極の傾斜下延部およびその近傍箇所の要部拡大断面図、
図１１は同コンデンサにおける第２上部電極の傾斜下延部およびその近傍箇所の要部拡大断面図、
図１２の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図、
図１３の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同コンデンサの各製造工程を示す断面図、
図１４は本発明の他の実施の形態にかかるコンデンサを示す要部拡大断面図、
図１５は本発明のその他の実施の形態にかかるコンデンサを示す要部拡大断面図、
図１６は本発明の第１１の実施の形態にかかるコンデンサを示す要部拡大断面図、
図１７は本発明の第１２の実施の形態にかかるコンデンサを示す要部拡大断面図、
図１８は本発明の第１２の実施の形態にかかるその他のコンデンサを示す要部拡大断面図、
図１９は本発明の第１３の実施の形態にかかるコンデンサの断面図、
図２０は本発明の第１３の実施の形態にかかるその他のコンデンサの断面図、
図２１は本発明の第１４の実施の形態にかかるコンデンサの断面図、
図２２は本発明の第１４の実施の形態にかかるその他のコンデンサの断面図
図２３の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ従来のコンデンサの各製造工程を示す断面図、
図２４の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ従来のその他のコンデンサの各製造工程を示す断面図、
図２５の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来のさらに他のコンデンサの各製造工程を示す断面図、
図２６は従来のコンデンサの問題を説明するための要部拡大断面図、
図２７はその他の従来のコンデンサの問題を説明するための要部拡大断面図、
図２８はさらに他の従来のコンデンサの問題を説明するための要部拡大断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【国際調査報告】
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