(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップに切り出される前の半導体ウエハ状態において、
この半導体ウエハ上に前記半導体チップと、
半導体チップ検査にのみ用いられ、前記複数の半導体チップに切り出された後に機能を停止する通信コイルを備えた半導体回路装置。
【請求項２】
前記通信コイルが前記半導体チップ以外の領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体回路装置。
【請求項３】
前記通信コイルの全部又は一部がスクラブライン上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体回路装置。
【請求項４】
前記通信コイルと前記半導体チップを接続する配線の一部が前記スクラブライン上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体回路装置。
【請求項５】
前記通信コイルの通信距離が隣接する前記半導体チップに影響を与えない距離であることを特徴とする請求項１乃至４いずれか記載の半導体回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか記載の半導体回路装置をスクラブラインで切り分けることにより得られる半導体チップ。
【請求項７】
半導体ウエハ上に半導体チップと半導体チップ検査にのみ用いられる通信コイルを形成するステップと、
前記通信コイルを介して前記半導体チップの検査を行うステップと、
前記半導体ウエハをダイシングして前記半導体チップを切り出すとともに前記通信コイルの機能を停止させるステップとを備えた半導体回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記通信コイルの機能を停止させるステップは、
当該通信コイルの全部又は一部を除去するステップを有することを特徴とする請求項７記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記通信コイルの機能を停止させるステップは、
当該通信コイルと前記半導体チップを接続する配線の一部を切断するステップを有することを特徴とする請求項７記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９いずれか記載の製造方法により製造された半導体回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体回路装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの動作確認等の検査は、接触式機能確認と、非接触式機能確認とがあり、以下のように行われていた。図１１、図１２に、接触式の検査方法を示す。図１１はダイシング工程前の半導体ウエハ上の半導体チップを示している。図１２は接触式検査装置を用いた検査方法を示している。図１１に示すように、半導体ウエハ３上には多数の半導体チップ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが設けられている。それぞれの半導体チップ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの間にダイシング工程で切り分けられるスクライブライン２が設けられている。さらに検査を行うために各々の半導体チップ１上に接続端子６もしくはスクライブライン２上にテスト用端子７が設けられている。
【０００３】
接触式検査装置では、図１２に示すように接続端子６又はテスト用端子７に対して直接ピン４を接触させて検査を行う。そのため各々の半導体チップ１の対して精度良く検査を行うことができる。しかしハンドリングが難しく、ハンドリングの途中で誤って半導体チップ１を傷つけるという問題があった。また、ピン４を接続端子６上又はテスト用端子７上に接触させる際の圧力調整も難しかった。
【０００４】
次に図１３、図１４に非接触方式の検査方法を示す。図１３に示すように半導体チップ１上に通信コイル５が設けられている。そしてこの通信コイル５と接続端子６が配線８により接続されている。この通信コイル５を利用することにより、外部と無線により信号の入出力が可能となる。これにより非接触で半導体チップ１を検査することができる。そのため半導体チップ１を傷つける恐れがなくなる。
【０００５】
図１４に非接触式検査装置を用いた検査方法を示す。まずヘッド９を用いて、半導体ウエハ３上に搭載されている、検査を行う半導体チップ１ａに対して検査信号を無線により送信する。その検査信号に対する半導体チップ１ａからの出力信号を受信することによって、半導体チップ１ａの機能を検査する。この半導体ウエハ３又はヘッド９を移動させることにより半導体ウエハ３上全ての半導体チップ１の検査が可能となる。
【０００６】
しかし半導体チップ１ａ、１ｂの間隔は通常１１０μｍ程度と非常に狭い。それに対して半導体チップの通信距離は通常１．５ｍｍ以上である。そのため、一つの半導体チップ１ａに対してヘッド９から検査信号を送信すると、例えばそれと隣接する半導体チップ1ｂまでも、その検査信号を受信してしまうことになる。従って、ヘッド９に対しては、半導体チップ１ａ及びそれと隣接する半導体チップ１ｂも出力信号を送信することになる。それ故、ヘッド９は、検査をしようとする半導体チップ１ａの信号のみを受信することができず、検査に支障を来たす。即ち、個々の半導体チップに対する機能確認を精度良く行うことができないという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の半導体装置では、検査工程で半導体チップを傷つけるといった問題や、検査を精度良く行うことができないという問題点が生じていた。
【０００８】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、半導体チップを傷つけずに、精度よく検査することができる半導体回路装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体回路装置は、
複数の半導体チップに切り出される前の半導体ウエハ状態において、
この半導体ウエハ（例えば、本実施の形態における半導体ウエハ３）上に前記半導体チップ（例えば、本実施の形態における半導体チップ１）と半導体チップ検査にのみ用いられ、前記複数の半導体チップに切り出された後に機能を停止する通信コイル（例えば、本実施の形態における通信コイル５）を備えた半導体回路装置である。このような構成により検査工程で半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことができる。
【００１０】
上述の通信コイルは半導体チップ以外の領域に設けられていることが望ましい。これにより、半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことができる。
【００１１】
上述の通信コイルはスクライブライン上に設けられていてもよい。これにより半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことがでる。
【００１２】
上述の通信コイルと半導体チップを接続する配線の一部はスクライブライン上に設けられていることが望ましい。これにより半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことがでる。
【００１３】
上述の通信コイルの通信距離は隣接するチップを検査するときに影響与えない距離であることが望ましい。これにより精度良く検査を行うことができる
【００１４】
上述の半導体回路装置をスクライブラインで切り分けることにより半導体チップを得ることができる。
【００１５】
本発明にかかる半導体回路装置の製造方法は、
半導体ウエハ上に半導体チップと半導体チップの検査にのみ用いられる通信コイルを形成するステップと、
前記通信コイルを介して前記半導体チップの検査を行うステップと、
前記ウエハをダイシングして前記半導体チップを切り出すとともに、前記通信コイルの機能を停止させるステップを備えた半導体回路装置の製造方法である。この製造方法により、半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことができる半導体回路装置を製造することができる。
【００１６】
上述の通信コイルの機能を停止させるステップは当該通信コイルの全部又は一部を除去するステップを有していてもよい。こうすることにより、半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことがでる。
【００１７】
上述の通信コイルの機能を停止させるステップは当該通信コイルと半導体チップを接続する配線の一部を切断するステップを有していてもよい。こうすることにより、半導体チップを傷つけることなく、精度良く検査を行うことがでる。
【００１８】
上述の製造方法によると、半導体チップを傷つけることなく、精度よく検査を行うことのできる半導体回路装置を製造することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
【００２０】
本実施の形態１にかかる半導体回路装置を有する半導体チップが切り分けられる前の半導体ウエハ上での構成を図１、図２に示す。図１は半導体ウエハ３の平面図である。半導体ウエハ３上に半導体チップ１が多数配列されている。図２は図１に示された半導体ウエハ３上の半導体１チップが設けられている丸枠の部分の拡大図である。ここでアルファベットのついた１ａ、１ｂの符号は各々の半導体チップ１を示すものとする。図２では半導体チップ１ａ、１ｂの２つのみ図示したが、実際は半導体ウエハ３上に多数の半導体チップ１が配列されている。そしてこの各々の半導体チップ１の間（例えば半導体チップ１ａと１ｂの間）にスクライブライン２が設けられている。このスクライブラインの幅は通常１１０μｍ程度である。そして半導体チップ１を製造する工程で検査にのみ用いられる通信コイル５、接続端子６及び配線８を形成した。本実施の形態では通信コイル５は半導体チップ上に設けられている。またこの通信コイル５は検査にのみ用いられるため、半導体チップ１の機能には影響しない。ここで通信コイル５は矩形スパイラル形状のコイルであり、半導体チップ１の接続端子の形成面側に絶縁性の表面保護膜を介して形成されている。また接続端子６も半導体チップ１上に設けられている。この接続端子６はダイシング工程後のリード・ボンディング工程で、リードフレーム等のリード端子と金属線により接続される。さらに配線８は通信コイル５と接続端子６が、電気的に接続するように設けられている。ここで通信コイル５には二本の配線８が接続されており、その内の一本の配線８はスクライブライン２上を経由して接続端子６に接続されている。すなわち配線８の一部はスクライブライン２上に設けられていることになる。
【００２１】
次に本発明にかかる半導体回路装置を有する半導体チップの非接触方式での検査方法を図３に示す。９は半導体検査装置のヘッドである。このヘッド９が上述の通信コイル５に対し検査信号を無線により半導体チップ１ａに出力する。それに対する半導体チップ１ａからの出力信号を受信することにより半導体チップ１ａの機能を検査する。そして、このヘッド９又は半導体ウエハ３を移動させることにより、半導体ウエハ３上の各々の半導体チップ１に対して検査を行う。これにより非接触方式で半導体チップ１の機能検査を行うことができ、半導体チップ１を傷つけるおそれがなくなる。そしてこの通信コイル５は検査にのみ用いられているため、半導体チップ１の機能には影響を与えない。従ってその通信距離を自由に選択することができる。そのため通信距離を隣接する半導体チップに影響を受けない距離とすることで、隣接する半導体チップを検査している時に誤って信号を出力することがなくなり、精度よく検査することができる。
【００２２】
検査工程後のダイシング工程では、このスクライブライン２に沿って半導体ウエハ３をダイヤモンドカッターで切断し、半導体チップ毎に細断化し、トレイ詰めを行う。この際、図４の点線で示すように、スクライブライン２上に設けられた配線８の一部も切断されるので、通信コイル５の機能を停止させることができる。ダイシング工程で配線８を切断することにより、通信コイル５の機能停止のための新たな工程を追加する必要がなく生産性を下げることもない。
【００２３】
本発明の実施の形態１では、通信コイル５に接続されている二本の配線８の内一本のみスクライブライン２上を経由して接続端子６に接続させたが、二本ともスクライブライン２上を経由させて接続端子６に接続させても同様の効果が得られる。
【００２４】
発明の実施の形態２．
本実施の形態２にかかる半導体回路装置を有する半導体チップが切り分けられる前の半導体ウエハ上での構成を図５、図６に示す。図１、図２で示した記号と同じ記号を付した構成は、図１、図２の構成と同一又は相当部を示すため、説明は省略する。
【００２５】
図５は半導体ウエハ３の平面図である。図６は図５の丸枠で示す、半導体ウエハ３の半導体チップ１が設けられている部分と半導体ウエハ３端部の半導体チップ１が設けられていない部分との境界部分の拡大図である。通信コイル５は半導体ウエハ３端部の半導体チップ１が形成されていない領域に設けられている。そして配線８の一部も通信コイル５と接続しているため、半導体チップ１が設けられていない領域にある。その配線８の一方の端部は接続端子６と接続されており、もう一方の端子は別の接続端子６と接続されている。実施例１と同様にこの通信コイル５を用いることにより、無線による非接触検査が可能となる。またこの通信コイル５の通信距離を、隣接する半導体チップ１の干渉しない程度の近距離にすることにより、精度よい非接触検査が可能である。
【００２６】
図７にダイシング後の半導体チップ１を示す。図７に示すように通信コイル５は半導体チップ１以外の領域に設けられているため、細断化されるときに通信コイル５は除去される。従って通信回路５の機能を停止するための新たな工程を追加する必要がなく生産性を下げることもない
【００２７】
発明の実施の形態３．
本実施の形態３にかかる半導体回路装置を有する半導体チップが切り分けられる前の半導体ウエハ上での構成を図８に示す。図１、図２で示した記号と同じ記号を付した構成は、図１、図２の構成と同一又は相当部を示すため、説明は省略する。
【００２８】
図８は、半導体ウエハ３上の半導体チップ１が形成されている部分（図１の半導体ウエハの丸枠で示す部分に相当する部分）を示す拡大図である。通信コイル５は半導体チップ１間のスクライブライン２上に設けられている。そして配線８は通信コイル５と接続しているため、配線８の一部はスクライブライン２上に設けられている。その配線８の一方の端部は接続端子６と接続されており、もう一方の端子は別の接続端子６と接続されている。実施例１、２と同様にこの通信コイル５を用いることにより、無線による非接触検査が可能となる。またこの通信コイル５は検査にのみ用いられるため、その通信距離を自由に選択できる。よってその通信距離を隣接する半導体チップ１の干渉しない程度の近距離にすることにより、精度よい非接触検査が可能である。
【００２９】
図９にダイシング後の半導体チップ１を示す。通信コイル５はスクライブライン２上に設けられているので細断化される際に通信コイル５は除去される。従って通信コイル５の機能を停止するための新たな工程を追加する必要がなく生産性を下げることもない。
その他の実施の形態
【００３０】
上記に示した実施の形態以外にも少なくとも通信コイル５の一部又は配線８の一部が半導体チップ１以外の領域に設けられていれば同様の効果が得られる。例えば通信コイル５が半導体チップ１とスクライブライン２との境界に設けられている構成、すなわち通信コイルの一部のみがスクライブライン２上に設けられている構成を取ることも可能である。このような構成を取ることにより、ダイシング工程で通信コイル５の一部を除去することができるため、同様な効果を得ることができる。
【００３１】
また図１０に示すように、半導体チップ１の回路及び接続端子６の外周部に通信コイル５を形成して、その一部又は全部をスクライブライン２上に設けてもよい。このような構成を取るとダイシング工程で通信コイル５の外周部を切断することができるため、同様な効果が得られる。
【００３２】
その他の実施の例としては、接続端子６の全部又は一部がスクライブライン２上に設けられており、その接続端子６に接続する配線８がスクライブライン２上に設けられている構成を取ることも可能である。このような構成を取るとダイシング工程で接続端子６及び配線８の一部を切断することができるため、同様な効果が得られる。
【００３３】
上述の通信コイル５は半導体チップ１の検査にのみ用いるため、半導体チップ１の機能には影響がない。よってその通信距離を自由に選択することができる。通信距離を短距離とすることで、相互に信号干渉が生じることを防ぐことができる。こうすることにより、半導体チップ１間で相互に通信干渉を生じることを防止することができる。またこの通信コイル５により非接触による検査を行うことができるため、ピン４のハンドリングが不要であり、半導体チップ１を傷つけることなく機能確認を行うことができる。
【００３４】
上述の通信コイル５は接続端子６の形成面側に酸化シリコン膜や樹脂膜等の絶縁性の表面保護膜を介してスパイラル形状のコイルにすることが望まれる。また通信コイル５を構成する導体は金属スパッタ層、金属蒸着層又は金属めっき層もしくはこれらの組み合わせにより形成することができる。さらには金属スパッタ層又は金属蒸着層と金属めっき層とを有する多層構造にすることが望ましい。金属スパッタ層又は金属蒸着層をＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ又はＣｕから選択される金属又はこれらの金属群から選択される２種以上の金属の合金で形成してもよい。また均質な単層膜とするほか、異なる金属層又は合金層を多層に積層した多層構造とすることができる。一方、金属めっきは銅で形成することが好ましく、無電解めっき法、電気めっき法又は精密電鋳法により形成することができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップを傷つけないで精度良く検査を行うことができる半導体回路装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施の形態１にかかる半導体回路装置を有する半導体ウエハの平面図である。
【図２】本発明実施の形態１にかかる半導体回路装置を有する半導体チップを示す構成図である。
【図３】本発明にかかる半導体チップを非接触方式で検査している時の概略図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体回路装置を有する半導体チップのダイシング工程後の構成図である。
【図５】本発明実施の形態２にかかる半導体回路装置を有する半導体ウエハの平面図である。
【図６】本発明実施の形態２にかかる半導体回路装置を有する半導体チップを示す構成図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかる半導体回路装置を有する半導体チップのダイシング工程後の構成図である。
【図８】本発明実施の形態３にかかる半導体回路装置を有する半導体チップを示す構成図である。
【図９】本発明の実施の形態３にかかる半導体回路装置を有する半導体チップのダイシング工程後の構成図である。
【図１０】本発明のその他の実施の形態にかかる半導体回路装置を有する半導体チップを示す構成図である。
【図１１】接触方式で検査される半導体チップを示す構成図である。
【図１２】半導体チップを接触方式で検査している時の概略図である。
【図１３】従来技術による半導体回路装置を有する半導体チップを示す構成図である。
【図１４】従来技術による半導体回路装置を有する半導体チップを非接触方式で検査している時の概略図である。
【符号の説明】
１  半導体用チップ  ２  スクライブライン  ３  半導体ウエハ  ４  ピン
５  通信コイル  ６  接続端子  ７  テスト用端子  ８  配線  ９  ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003798716.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0003798716.tif 000012
【図１２】
0003798716.tif 000013
【図１３】
0003798716.tif 000014
【図１４】
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