(57)【要約】雑音の影響を受けない相互誘導内挿プローブを提供すること。相互誘導内挿プローブ（１１）は、渦電流により被検出体（配管（１））の傷（５）を検出するものである。この相互誘導内挿プローブ（１１）は、前記被検出体（配管（１））を励磁する二つのコイル（１３ａ），（１３ｂ）を所定間隔で対峙させてなる励磁コイル（１３）と、前記励磁コイル（１３）に対して直交方向に捲回された検出コイル（１５）とから構成されている。コイル（１３ａ），（１３ｂ）で被検出体（配管（１））に同一値の逆方向の渦電流を発生させる。配管（１）に傷がない場合には、検出コイル（１５）には起電力が発生しない。配管（１）に傷がある場合には、傷の部分で検出コイル（１５）と同一面の方向に渦電流が流れるので検出コイル（１５）に起電力が発生する。
2002097425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブにおいて、前記被検出体を励磁する二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、前記励磁コイルに対して直交方向に捲回された検出コイルとからなることを特徴とする相互誘導内挿プローブ。
【請求項２】
前記励磁コイルは、円形、多角形または矩形に捲回された二つのコイルを所定間隔で対峙配置させてなり、前記検出コイルは、前記励磁コイルの二つのコイルの内側に捲回され、または、前記励磁コイルの二つのコイルの外側に捲回されたものであることを特徴とする請求項１記載の相互誘導内挿プローブ。
【請求項３】
前記励磁コイルは、被検出体が配管である場合に、当該配管の軸方向または周方向に配置されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の相互誘導内挿プローブ。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブに関し、特に被検出体の支持板による雑音の影響をなくした相互誘導内挿プローブに関するものである。
背景技術
従来、配管の傷を検出する方法として、例えば渦流探傷法が提供されている。この渦流探傷法は、配管に載置した上置プローブに所定の周波数の高周波を供給し、前記上置プローブからの検出信号を増幅し処理等をした後に表示しあるいはハードコピーを得るようにしたものである。
この渦流探傷法によれば、配管の軸方向や周方向の傷を検出することができる。
しかしながら、従来の上置プローブを用いた渦流探傷法によれば、配管が支持板で支持されている場合、支持板部分において渦電流が発生し、これが雑音となって傷探傷ができなくなることがあった。
発明の開示
本発明は、上述した欠点を解消し、雑音の影響を受けない相互誘導内挿プローブを提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本願請求項１に係る相互誘導内挿プローブの発明は、渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブにおいて、
前記被検出体を励磁する二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、前記励磁コイルに対して直交方向に捲回された検出コイルとからなることを特徴とするものである。
また、本願請求項２に係る発明では、前記請求項１に係る相互誘導内挿プローブの発明において、前記励磁コイルは、円形、多角形または矩形に捲回された二つのコイルを所定間隔で対峙配置させてなり、
前記検出コイルは、前記励磁コイルの二つのコイルの内側に捲回され、または、前記励磁コイルの二つのコイルの外側に捲回されたものであることを特徴とするものである。
さらに、本願請求項３に係る発明では、前記請求項１または２に係る相互誘導内挿プローブの発明において、前記励磁コイルは、被検出体が配管である場合に、当該配管の軸方向または周方向に配置されたものであることを特徴とするものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［本発明の原理］
図１は本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの原理を説明するための図であり、図１（ａ）が配管上面の説明図、図１（ｂ）が配管下面の説明図である。
これらの図において、配管１は支持板３で支持されいてるものとする。また、配管１の上面には図１（ａ）に示すように傷５があり、配管１の下面には図１（ｂ）に示すように傷がないものとする。
このような状態において、配管１の上面には、図１（ａ）に示すように、渦電流Ｃｕａ、渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃ、渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅが発生する。渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃは、傷５により図１（ａ）に示すような形状に流れている。また、渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅは、支持板３により図１（ａ）に示すような形状に流れている。
一方、管１の下面には、図１（ｂ）に示すように、渦電流Ｃｄａ、渦電流Ｃｄｂ、渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅが発生する。渦電流Ｃｄｂは、傷がないため、図１（ｂ）に示すような形状に流れている。また、渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅは、支持板３により図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）と全く同様な形状で流れている。
これらを差動検出することにより、配管１の配管上面の渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅと配管１の配管下面の渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅとは打ち消されるが、配管１の配管上面の渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃと配管１の配管下面の渦電流Ｃｄｂとは打ち消されないので、傷探傷が確実にできることになる。
そこで、このような考え方に基づき、以下に説明する本発明の実施の形態が提案された。
［第１の実施の形態］
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図２において、本発明の第１の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１は、前記被検出体である配管１を励磁する矩形状に捲回された二つのコイル１３ａ，１３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル１３と、前記励磁コイル１３の二つのコイル１３ａ，１３ｂに対して直交方向でかつ前記二つのコイル１３ａ，１３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル１５とから構成されている。
前記検出コイル１５は、図２に示すように、前記励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂの中央部付近でかつ当該コイル１３ａ，１３ｂの外側に捲回されて構成されている。
また、上記励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂは、配管１の軸方向に配置されるよ・捲回されている。
上記相互誘導内挿プローブ１１は、励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂに所定の周波数の高周波を供給してやると、コイル１３ａ，１３ｂにより、配管１のコイル１３ａ側とコイル１３ｂ側とにそれぞれ渦電流が発生する。
配管１に傷がない場合や支持板３がある場合には、両コイル１３ａ，１３ｂにより配管１のコイル１３ａ側に発生する渦電流とコイル１３ｂ側に発生する渦電流が流れる方向が反対方向でかつ同一値であるため、検出コイル１５には検出電流が発生しない。
一方、配管１の例えばコイル１３ａ側の面に傷があったときには、コイル１３ａ，１３ｂにより発生する渦電流に相違ができ、当該渦電流により検出コイル１５に誘導起電力が発生し、これにより傷の検出が可能になる。
上述した第１の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１によれば、次のような利点がある。
（１）支持板による雑音の影響を小さくすることができる。
（２）信号対雑音比が高く傷を検出することができる。
（３）複雑な形状をした傷の探傷も確実に検出することができる。
なお、上記第１の実施の形態において、励磁コイル１３の形状を矩形と説明したが、これに限定されることなく、他の形状、例えば変形６角形等にしてもよい。また上記第１の実施の形態において、検出コイル１５は、励磁コイル１３に対して直交方向に配置するものとして説明したが、これに限定されるものではなく感度等の条件が許せば所定の範囲内に設定することができる。
［第２の実施の形態］
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図３において、本発明の第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ２１は、前記被検出体である配管１を励磁する矩形状に捲回された二つのコイル２３ａ，２３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル２３と、前記励磁コイル２３の二つのコイル２３ａ，２３ｂに対して直交方向でかつ前記二つのコイル１３ａ，１３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル２５とから構成されている。
前記検出コイル２５は、図３に示すように、前記励磁コイル２３のコイル２３ａ，２３ｂの中央部付近でかつ当該コイル２３ａ，２３ｂの内側に捲回されて構成されている。
また、この第２の実施の形態でも、上記励磁コイル２３のコイル２３ａ，２３ｂは、配管１の軸方向に配置さ黷驍謔、に捲回されている。
このような相互誘導内挿プローブの検出作用を説明する。
図４は、上記第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図であり、図４（ａ）が傷がない場合の説明図、図４（ｂ）が傷がある場合の説明図である。なお、図４では配管１に流れる渦電流の状態と、検出コイル２５を示してある。
これらの図４において、励磁コイル２３のコイル２３ａにより配管１の一面には渦電流Ｃｕａが、励磁コイル２３のコイル２３ｂにより配管１の他面には渦電流Ｃｄａがそれぞれ発生する。
この図４（ａ）に示すように配管１に傷がない場合には、渦電流Ｃｕａと渦電流Ｃｄａとは、流れる方向が逆方向で、かつ、同一値であるので、検出コイル２５には起電力が発生しない。
一方、この図４（ｂ）に示すように配管１に傷５がある場合には、配管１の傷５の部分の両側に検出コイル２５と同方向に渦電流Ｃｐ，Ｃｍが流れて、検出コイル２５に起電力を発生させる。
傷５に近づく場合と、離れる場合とでは、渦電流Ｃｐ，Ｃｍの方向が逆になるので、検出コイル２５に発生する起電力の極性は逆になる。
また、検出コイル２５が傷５の真上にあるときには、渦電流Ｃｐ，Ｃｍが逆方向でかつ同一値であるので、検出コイル２５に発生する起電力が相殺し、検出コイル２５には起電力が発生しない。
したがって、検出コイル２５による探傷信号は、８の字状の軌跡を描くことになる。
上述した第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ２１によれば、第１の実施の形態と同様な利点がある。
なお、上記第２の実施の形態においても、励磁コイル２３の形状を矩形と説明したが、これに限定されることなく、他の形状、例えば変形６角形等にしてもよい。また上記第２の実施の形態において、検出コイル２５は、励磁コイル２３に対して直交方向に配置するものとして説明したが、これに限定されるものではなく感度等の条件が許せば所定の範囲内に設定できる。
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図５において、本発明の第３の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ３１は、前記被検出体である配管１を励磁する円形状に捲回された二つのコイル３３ａ，３３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル３３と、前記励磁コイル３３の二つのコイル３３ａ，３３ｂに対して直交方向でかつ前記二つのコイル３３ａ，３３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル３５とから構成されている。
前記検出コイル３５は、図５に示すように、前記励磁コイル３３のコイル３３ａ，３３ｂの中央部付近でかつ当該コイル３３ａ，３３ｂの内側に捲回されて構成されている。
また、この第３の実施の形態では、上記励磁コイル３３のコイル３３ａ，３３ｂは、配管１の周方向に配置されるように捲回されている。
このような相互誘導内挿プローブの検出作用を説明する。
図６は、上記第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図であり、図６（ａ）が傷がなくかつ支持板がある場合の説明図、図６（ｂ）が傷がある場合の説明図である。なお、図６では配管１に渦電流の流れる状態のみをを示してある。
この第３の実施の形態でも、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すような渦電流が流れ、第２の実施の形態の作用と同様の作用をすることになる。
上述した第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ２１によれば、第１の実施の形態と同様な利点がある。
なお、上記第３の実施の形態では、励磁コイル３３の形状を円形と説明したが、これに限定されることなく、他の形状、例えば６角形等にしてもよい。また上記第３の実施の形態において、検出コイル３５は、励磁コイル３３に対して直交方向に配置するものとして説明したが、これに限定されるものではなく感度等の条件が許せば所定の範囲内に設定できる。
実施例
［第１の実施例］
上記第１の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１について、次のように構成した。まず、励磁コイル１３の各コイル１３ａ，１３ｂは、縦８〔ｍｍ〕×横２５〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕とした。また、検出コイル１５は、縦６〔ｍｍ〕×横１８〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕とした。
この相互誘導内挿プローブ１１の作用と対比するため、上置プローブは、外径６〔ｍｍ〕、巻線断面積１×２〔ｍｍ２〕とした。
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に周方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、コイル１３ａ，１３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図７は配管１に傷がない場合に２次元走査した場合の特性図であり、図７（ａ）が上置プローブの走査結果を、図７（ｂ）が相互誘導内挿プローブ１１による走査結果を、それぞれ示す特性図である。また、図７において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図７（ａ）に示すように、配管１を支える支持板３の部分に雑音が大きくでていることがわかる。これに対して、本発明の相互誘導内挿プローブ１１では、図７（ｂ）に示すように、雑音の影響がほとんでなく、支持板３の端部にわずかに現れているのみである。
図８は配管１に傷がある場合に２次元走査した場合の特性図であり、図８（ａ）が上置プローブの走査結果を、図８（ｂ）が相互誘導内挿プローブ１１による走査結果を、それぞれ示す特性図である。また、図８において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図８（ａ）に示すように、配管１を支える支持板３の部分に雑音が大きくでて傷の検出が困難なことがわかる。これに対して、本発明の相互誘導内挿プローブ１１では、図８（ｂ）に示すように、雑音の影響がほとんどなく、傷検出信号が明確に現れている。なお、傷検出信号が２箇所に現れる理由は、傷の両側に発生している渦電流の流れる方向が逆であるため、傷の部分で傷検出信号がゼロとなり、傷から僅かにはずれた時に最大値の傷検出信号が発生し、傷から遠ざかるに従って徐々に小さくなる傷信号が得られることになる。
以上のことから相互誘導内挿プローブ１１は、支持板の影響を受けずに、配管１の探傷を行なうことができる。
［第２の実施例］
上記第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ２１について、次のように構成した。まず、励磁コイル２３の各コイル２３ａ，２３ｂは、縦８〔ｍｍ〕×横２５〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕とした。また、検出コイル２５は、縦６〔ｍｍ〕×横１８〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕とした。
この相互誘導内挿プローブ１１の作用と対比するため、上置プローブは、外径６〔ｍｍ〕、巻線断面積１×２〔ｍｍ２〕とした。
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に周方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、コイル１３ａ，１３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図９は上置プローブで２次元走査した場合の特性図であり、図９（ａ）が上置プローブで傷のある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図９（ｂ）が上置プローブで配管１の支持板付近を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図９において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図９（ａ）に示す傷検出信号に対して、図９（ｂ）に示す支持板３の影響による雑音が大きいことがわかる。
図１０は相互誘導内挿プローブ２１で２次元走査した場合の特性図であり、図１０（ａ）が相互誘導内挿プローブ２１で傷のある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１０（ｂ）が上置プローブで配管１の支持板付近を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図１０において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
これらの図に示すように、相互誘導内挿プローブ２１によれば、支持板３の影響がないことがわかる。すなわち、相互誘導内挿プローブ２１は、上置プローブに比べて支持板の影響がないことがわかる。
図１１はプローブによる傷検出信号のパターンを示す特性図であり、図１１（ａ）が上置プローブによる傷検出信号のパターンを、図１１（ｂ）が相互誘導内挿プローブ２１による傷検出信号のパターンを、それぞれ示す図である。これらの図において、実線が傷検出信号を示し、点線が支持板による雑音を示す。
上置プローブの場合、図１１（ａ）に示すように、傷検出信号も雑音も、単に曲線状に現れる。これに対して、相互誘導内挿プローブ２１は、傷検出信号も雑音も、８の字状に現れることになる。
ここで、傷検出信号と雑音との比としてＳＮ比を求めれば、上置プローブはＳＮ比＝１．１９で、また、相互誘導内挿プローブ２１はＳＮ比＝３．４１であった。これにより、相互誘導内挿プローブ２１は、上置プローブに比べてＳＮ比が高く、かつ、支持板による雑音の影響が小さいことがわかる。
以上のことから相互誘導内挿プローブ２１は、支持板の影響を受けずに、配管１の探傷を行なうことができる。
［第３の実施例］
上記第３の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ３１について、次のように構成した。まず、励磁コイル３３の各コイル３３ａ，３３ｂは、周方向に外径１８〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕の円形コイルを所定間隔離して配置した。また、検出コイル３５は、縦６〔ｍｍ〕×横７〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕の矩形コイルを軸方向に配置した。
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に軸方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、励磁コイル３３のコイル３３ａ，３３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図１２は相互誘導内挿プローブ３１で２次元走査した場合の特性図であり、図１２（ａ）が相互誘導内挿プローブ３１で傷のみのある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１２（ｂ）が相互誘導内挿プローブ３１で支持板部分の配管１に傷がある部分を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図１２において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
傷検出信号は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）で示すように、現れることになり、支持板の影響がほとんどないことがわかる。
また、傷検出信号は、これらの図からもわかるように、傷を中心として正負の特性として現れる。
図１３は自己誘導型比較方式プローブあるいは相互誘導内挿プローブ３１で２次元走査した場合の特性図であり、図１３（ａ）が自己誘導型比較方式プローブで配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１３（ｂ）が相互誘導内挿プローブ３１で配管１を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、これらの図において、実線は傷のみがある場合の傷検出信号であり、点線は支持板部分に傷がある場合の傷検出信号である。
自己誘導型比較方式プローブは、図１３（ａ）に示すように、傷のみがある場合（実線）と、支持板部分に傷がある場合（点線）場合とで、傷検出信号に大きな違いを生じる。
これに対して、相互誘導内挿プローブ３１は、図１３（ｂ）に示すように、傷のみの場合（実線）と、支持板部分に傷がある場合（点線）とで、傷検出信号の変化が小さいことがわかる。
以上のことから相互誘導内挿プローブ３１は、支持板の影響を受けずに、配管１の探傷を行なうことができる。
産業上の利用可能性
以上説明したように本発明によれば、所定形状の二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、当該励磁コイルに直交方向に配置した検出コイルとからなるので、次のような効果がある。
（１）支持板による雑音の影響を小さくすることができる。
（２）信号対雑音比が高く傷を検出することができる。
（３）複雑な形状をした傷の探傷も確実に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの原理を説明するための図である。
第２図は、本発明の第１の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
第３図は、本発明の第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
第４図は、本発明の第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図である。
第５図は、本発明の第３の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
第６図は、本発明の第２の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図である。
第７図は、第１の実施例であって配管に傷がない場合に２次元走査した場合の特性図である。
第８図は、第１の実施例であって配管に傷がある場合に２次元走査した場合の特性図である。
第９図は、第２の実施例であって上置プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１０図は、第２の実施例であって本発明に係る相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１１図は、第２の実施例であって上置プローブ及び相互誘導内挿プローブによる傷検出信号のパターンを示す特性図である。
第１２図は、第３の実施例であって本発明に係る相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１３図は、第３の実施例であって自己誘導型比較方式プローブあるいは本発明に係る相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
【図１】
2002097425.tif 000003
【図２】
2002097425.tif 000004
【図３】
2002097425.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2002097425.tif 000009
【図８】
2002097425.tif 000010
【図９】
2002097425.tif 000011
【図１０】
2002097425.tif 000012
【図１１】
2002097425.tif 000013
【図１２】
2002097425.tif 000014
【図１３】
2002097425.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月18日(2003.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブにおいて、前記被検出体を励磁する変形多角形または矩形に捲回された二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、前記励磁コイルに対して直交方向でかつ前記二つコイルの中央部付近に捲回された検出コイルとを備え、前記励磁コイルは、前記被検出体が配管である場合に当該配管の軸方向に配置され、かつ、横に長く縦に短い長方形状の検出コイルの横部分に対して直交方向に配置したことを特徴とする相互誘導内挿プローブ。
【請求項２】
前記検出コイルは、前記励磁コイルの二つのコイルの内側に捲回され、または、前記励磁コイルの二つのコイルの外側に捲回されたものであることを特徴とする請求項１記載の相互誘導内挿プローブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
明  細  書
相互誘導内挿プローブ
技術分野
本発明は渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブに関し、特に被検出体の支持板による雑音の影響をなくした相互誘導内挿プローブに関するものである。
背景技術
従来、配管の傷を検出する方法として、例えば渦流探傷法が提供されている。この渦流探傷法は、配管に載置した上置プローブに所定の周波数の高周波を供給し、前記上置プローブからの検出信号を増幅し処理等をした後に表示しあるいはハードコピーを得るようにしたものである。
この渦流探傷法によれば、配管の軸方向や周方向の傷を検出することができる。
しかしながら、従来の上置プローブを用いた渦流探傷法によれば、配管が支持板で支持されている場合、支持板部分において渦電流が発生し、これが雑音となって傷探傷ができなくなることがあった。
このような不都合を解消するものとして、図３に示すような従来の相互誘導内挿プローブが提案された。ここで、図３は、従来の相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図３において、従来の相互誘導内挿プローブ２１は、前記被検出体である配管１を励磁する矩形状に捲回された二つのコイル２３ａ，２３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル２３と、前記励磁コイル２３の二つのコイル２３ａ，２３ｂに対して直交方向でかつ前記二つの


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
コイル２３ａ，２３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル２５とから構成されている。
前記検出コイル２５は、図３に示すように、前記励磁コイル２３のコイル２３ａ，２３ｂの中央部付近でかつ当該コイル２３ａ，２３ｂの内側に捲回されて構成されておいる。
また、前記従来の相互誘導内挿プローブでは、上記励磁コイルの二つのコイル２３ａ，２３ｂは、配管１の軸方向に配置されるように捲回されている。
このような相互誘導内挿プローブの検出作用を説明する。
図４は、上記従来の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図であり、図４（ａ）が傷がない場合の説明図、図４（ｂ）が傷がある場合の説明図である。なお、図４では配管１に流れる渦電流の状態と、検出コイル２５を示してある。
これらの図４において、励磁コイル２３のコイル２３ａにより配管１の一面には渦電流Ｃｕａが、励磁コイル２３のコイル２３ｂにより配管１の他面には渦電流Ｃｄａがそれぞれ発生する。
この図４（ａ）に示すように配管１に傷がない場合には、渦電流Ｃｕａと渦電流Ｃｄａとは、流れる方向が逆方向で、かつ、同一値であるので、検出コイル２５には起電力が発生しない。
一方、この図４（ｂ）に示すように配管１に傷５がある場合には、配管１の傷５の部分の両側に検出コイル２５と同方向に渦電流Ｃｐ，Ｃｍが流れて、検出コイル２５に起電力を発生させる。
傷５に近づく場合と、離れる場合とでは、渦電流Ｃｐ，Ｃｍの方向が逆になるので、検出コイル２５に発生する起電力の極性は逆になる。
また、検出コイル２５が傷５の真上にあるときには、渦電流Ｃｐ，Ｃｍが逆方向でかつ同一値であるので、検出コイル２５に発生する起電力


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
が相殺し、検出コイル２５には起電力が発生しない。
したがって、検出コイル２５による探傷信号は、８の字状の軌跡を描くことになる。
図５は、従来の他の相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図５において、従来の他の相互誘導内挿プローブ３１は、前記被検出体である配管１を励磁する円形状に捲回された二つのコイル３３ａ，３３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル３３と、前記励磁コイル３３の二つのコイル３３ａ，３３ｂに対して直交方向でかつ前記二つのコイル３３ａ，３３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル３５とから構成されている。
前記検出コイル３５は、図５に示すように、前記励磁コイル３３のコイこいル３３ａ，３３ｂの中央部付近でかつ当該コイル３３ａ，３３ｂの内側に捲回されて構成されている。
また、従来の他の相互誘導内挿プローブ３１では、上記励磁コイル３３のコイル３３ａ，３３ｂは、配管１の周方向に配置さように捲回されている。
このような従来の他の相互誘導内挿プローブの検出作用を説明する。
図６は、従来の他の相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図であり、図６（ａ）が傷がなくかつ支持板がある場合の説明図、図６（ｂ）が傷がある場合の説明図である。
なお、図６では配管１に渦電流の流れる状態のみをを示してある。
この従来の他の相互誘導内挿プローブでも、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すような  渦電流が流れ、従来の相互誘導内挿プローブと同様の作用をすることになる。
しかしながら、これら従来の相互誘導内挿プローブや、従来の他の相互誘導内挿プローブによれば、まだまだ信号対雑音比がよくないことや、


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
複雑な傷の探傷に弱いという欠点があった。
発明の開示
本発明は、上述した欠点を解消し、雑音の影響を受けない信号対雑音比のよい相互誘導内挿プローブを提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本願請求項１に係る相互誘導内挿プローブの発明は、渦電流により被検出体の傷を検出する相互誘導プローブにおいて、前記被検出体を励磁する変形多角形または矩形に捲回された二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、前記励磁コイルに対して直交方向でかつ前記二つコイルの中央部付近に捲回された検出コイルとを備え、前記励磁コイルは、前記被検出体が配管である場合に当該配管の軸方向に配置され、かつ、横に長く縦に短い長方形状の検出コイルの横部分に対して直交方向に配置したことを特徴とするものである。また、本願請求項２に係る発明では、前記請求項１に係る相互誘導内挿プローブの発明において、前記検出コイルは、前記励磁コイルの二つのコイルの内側に捲回され、または、前記励磁コイルの二のつのコイルの外側に捲回されたものであることを特徴とするものである。
図面の簡単な説明
第１図は、本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの原理を説明するための図である。
第２図は、本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
第３図は、従来の相互誘導内挿プローブを示す図である。
第４図は、従来の相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第５図は、従来の他の相互誘導内挿プローブを示す図である。
第６図は、従来の他の相互誘導内挿プローブの検出作用を説明するための図である。
第７図は、本発明の実施例であって配管に傷がない場合に２次元走査した場合の特性図である。
第８図は、本発明の実施例であって配管に傷がある場合に２次元走査した場合の特性図である。
第９図は、従来の上置プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１０図は、従来の相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１１図は、従来の上置プローブ及び相互誘導内挿プローブによる傷検出信号のパターンを示す特性図である。
第１２図は、従来の他の相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
第１３図は、従来の他の自己誘導型比較方式プローブあるいは従来の他の相互誘導内挿プローブで２次元走査した場合の特性図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［本発明の原理］
図１は本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブの原理を説明するための図であり、図１（ａ）が配管上面の説明図、図１（ｂ）が配管下面の説明図である。
これらの図において、配管１は支持板３で支持されいてるものとする。また、配管１の上面には図１（ａ）に示すように傷５があり、配管１の下面には図１（ｂ）に示すように傷がないものとする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような状態において、配管１の上面には、図１（ａ）に示すように、渦電流Ｃｕａ、渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃ、渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅが発生する。渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃは、傷５により図１（ａ）に示すような形状に流れている。また、渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅは、支持板３により図１（ａ）に示すような形状に流れている。
一方、管１の下面には、図１（ｂ）に示すように、渦電流Ｃｄａ、渦電流Ｃｄｂ、渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅが発生する。渦電流Ｃｄｂは、傷がないため、図１（ｂ）に示すような形状に流れている。また、渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅは、支持板３により図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）と全く同様な形状で流れている。
これらを差動検出することにより、配管１の配管上面の渦電流Ｃｕｄ，Ｃｕｅと配管１の配管下面の渦電流Ｃｄｄ，Ｃｄｅとは打ち消されるが、配管１の配管上面の渦電流Ｃｕｂ，Ｃｕｃと配管１の配管下面の渦電流Ｃｄｂとは打ち消されないので、傷探傷が確実にできることになる。
そこで、このような考え方に基づき、以下に説明する本発明の実施の形態が提案された。
［本発明の実施の形態］
図２は、本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブを示す図である。
この図２において、本発明の実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１は、前記被検出体である配管１を励磁する矩形状に捲回された二つのコイル１３ａ，１３ｂを所定間隔Ｌで対峙させてなる励磁コイル１３と、前記励磁コイル１３の二つのコイル１３ａ，１３ｂに対して直交方向でかつ前記二つのコイル１３ａ，１３ｂの中央部付近に捲回された検出コイル１５とから構成されている。
前記検出コイル１５は、図２に示すように、前記励磁コイル１３のコ


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
イル１３ａ，１３ｂの中央部付近でかつ当該コイル１３ａ，１３ｂの外側に捲回されて構成されている。
また、上記励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂは、図２に示すように、配管１の軸方向に配置されるように捲回されている。さらに、前記検出コイル１５は、後述するように、縦６［ｍｍ］×横１８［ｍｍ］、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕に構成され、すなわち横に長く縦に短い長方形状をしている。また、上述したように検出コイル１５と前記励磁コイル１３の二つのコイル１３ａ，１３ｂとは直交していることから、図２に示すように前記検出コイル１５と二つのコイル１３ａ，１３ｂとが配置されていることにより、上記励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂは、横に長く縦に短い長方形状をした前記検出コイル１５の横部分に対して直交方向に配置された状態になっている。
上記相互誘導内挿プローブ１１は、励磁コイル１３のコイル１３ａ，１３ｂに所定の周波数の高周波を供給してやると、コイル１３ａ，１３ｂにより、配管１のコイル１３ａ側とコイル１３ｂ側とにそれぞれ渦電流が発生する。
配管１に傷がない場合や支持板３がある場合には、両コイル１３ａ，１３ｂにより配管１のコイル１３ａ側に発生する渦電流とコイル１３ｂ側に発生する渦電流が流れる方向が反対方向でかつ同一値であるため、検出コイル１５には検出電流が発生しない。
一方、配管１の例えばコイル１３ａ側の面に傷があったときには、コイル１３ａ，１３ｂにより発生する渦電流に相違ができ、当該渦電流により検出コイル１５に誘導起電力が発生し、これにより傷の検出が可能になる。
上述した実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１によれば、次のような利点がある。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）支持板による雑音の影響を小さくすることができる。
（２）信号対雑音比が高く傷を検出することができる。
（３）複雑な形状をした傷の探傷も確実に検出することができる。
なお、上記実施の形態において、励磁コイル１３の形状を矩形と説明したが、これに限定されることなく、他の形状、例えば変形６角形等にしてもよい。また上記実施の形態において、検出コイル１５は、励磁コイル１３に対して直交方向に配置するものとして説明したが、これに限定されるものではなく感度等の条件が許せば所定の範囲内に設定することができる。
また、後述するように前記検出コイル１５は縦６［ｍｍ］×横１８［ｍｍ］とされており、また、後述するように励磁コイル１３の各コイル１３ａ，１３ｂは縦８〔ｍｍ〕×横２５〔ｍｍ〕とされており、当該検出コイル１５が励磁コイル１３より明らかに小さいので、前記前記検出コイル１５は、前記励磁コイル１３の二つのコイル１３ａ，１３ｂの内側に捲回されたものであってもよい。
実施例
上記実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１の実施例と、従来の相互誘導内挿プローブ２１及び従来の他の相互誘導内挿プローブ３１の具体例とを以下に説明する。
上記実施の形態に係る相互誘導内挿プローブ１１について、次のように構成した。まず、励磁コイル１３の各コイル１３ａ，１３ｂは、縦８〔ｍｍ〕×横２５〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕とした。また、検出コイル１５は、縦６〔ｍｍ〕×横１８〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕とした。
この相互誘導内挿プローブ１１の作用と対比するため、上置プローブは、外径６〔ｍｍ〕、巻線断面積１×２〔ｍｍ２〕とした。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に  周方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、コイル１３ａ，１３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図７は配管１に傷がない場合に２次元走査した場合の特性図であり、図７（ａ）が上置プローブの走査結果を、図７（ｂ）が本発明の相互誘導内挿プローブ１１による走査結果を、それぞれ示す特性図である。また、図７において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図７（ａ）に示すように、配管１を支える支持板３の部分に雑音が大きくでていることがわかる。これに対して、本発明の相互誘導内挿プローブ１１では、図７（ｂ）に示すように、雑音の影響がほとんどなく、支持板３の端部にわずかに現れているのみである。
図８は配管１に傷がある場合に２次元走査した場合の特性図であり、図８（ａ）が上置プローブの走査結果を、図８（ｂ）が本発明の相互誘導内挿プローブ１１による走査結果を、それぞれ示す特性図である。また、図８において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図８（ａ）に示すように、配管１を支える支持板３の部分に雑音が大きくでて傷の検出が困難なことがわかる。これに対して、本発明の相互誘導内挿プローブ１１では、図８（ｂ）に示すように、雑音の影響がほとんどなく、傷検出信号が明確に現れている。なお、傷検出信号が２箇所に現れる理由は、傷の両側に発生している渦電流の


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
流れる方向が逆であるため、傷の部分で傷検出信号がゼロとなり、傷から僅かにはずれた時に最大値の傷検出信号が発生し、傷から遠ざかるに従って徐々に小さくなる傷信号が得られることになる。
以上のことから相互誘導内挿プローブ１１は、支持板の影響を受けずに、配管１の探傷を行なうことができる。
［従来の相互誘導内挿プローブ２１の具体例］
従来の相互誘導内挿プローブ２１について、次のように構成した。まず、励磁コイル２３の各コイル２３ａ，２３ｂは、縦８〔ｍｍ〕×横２５〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕とした。また、検出コイル２５は、縦６〔ｍｍ〕×横１８〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕とした。
この相互誘導内挿プローブ１１の作用と対比するため、上置プローブは、外径６〔ｍｍ〕、巻線断面積１×２〔ｍｍ２〕とした。
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に  周方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、コイル２３ａ，２３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図９は上置プローブで２次元走査した場合の特性図であり、図９（ａ）が上置プローブで傷のある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図９（ｂ）が上置プローブで配管１の支持板付近を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図９において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
上置プローブでは、図９（ａ）に示す傷検出信号に対して、図９（ｂ）


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
に示す支持板３の影響による雑音が大きいことがわかる。
図１０は従来の相互誘導内挿プローブ２１で２次元走査した場合の特性図であり、図１０（ａ）が相互誘導内挿プローブ２１で傷のある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１０（ｂ）が相互誘導内挿プローブ２１で配管１の支持板付近を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図１０において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
これらの図に示すように、相互誘導内挿プローブ２１によれば、支持板３の影響がないことがわかる。すなわち、相互誘導内挿プローブ２１は、上置プローブに比べて支持板の影響がないことがわかるが、Ｓ／Ｎが小さいことがわかる。
図１１は従来の相互誘導内挿プローブによる傷検出信号のパターンを示す特性図であり、図１１（ａ）が上置プローブによる傷検出信号のパターンを、図１１（ｂ）が従来の相互誘導内挿プローブ２１による傷検出信号のパターンを、それぞれ示す図である。これらの図において、実線が傷検出信号を示し、点線が支持板による雑音を示す。
上置プローブの場合、図１１（ａ）に示すように、傷検出信号も雑音も、単に曲線状に現れる。これに対して、従来の相互誘導内挿プローブ２１は、傷検出信号も雑音も、８の字状に現れることになる。
ここで、傷検出信号と雑音との比としてＳＮ比を求めれば、上置プローブはＳＮ比＝１．１９で、また、従来の相互誘導内挿プローブ２１はＳＮ比＝３．４１であった。これにより、従来の相互誘導内挿プローブ２１は、上置プローブに比べてＳＮ比が高く、かつ、支持板による雑音の影響が小さいことがわかるが、本発明に係る相互誘導内挿プローブ１１は、ＳＮ比＝８．３（図８（ｂ）参照）であることから、本発明に係


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
る相互誘導内挿プローブ１１のほうがＳＮ比が高いことがわかる。
〔従来の他の相互誘導内挿プローブ３１の具体例〕
従来の他の相互誘導内挿プローブ３１について、次のように構成した。まず、励磁コイル３３の各コイル３３ａ，３３ｂは、周方向に外径１８〔ｍｍ〕、巻線断面積２×２〔ｍｍ２〕の円形コイルを所定間隔離して配置した。また、検出コイル３５は、縦６〔ｍｍ〕×横７〔ｍｍ〕、巻線断面積１×１〔ｍｍ２〕の矩形コイルを軸方向に配置した。
さらに、配管１は、外径φ２２〔ｍｍ〕、肉厚１．５〔ｍｍ〕の黄銅管に軸方向に長さ１５〔ｍｍ〕、幅０．５〔ｍｍ〕、肉厚に対して８０［パーセント］の深さのスリット状の傷を放電加工した。
また、配管１の支持板３としては、内径２２．５〔ｍｍ〕、厚さ２６〔ｍｍ〕、幅１５〔ｍｍ〕のリング状の鋼鉄を使用した。
なお、励磁コイル３３のコイル３３ａ，３３ｂには、周波数９［ｋＨｚ］の交流をそれぞれ逆方向に流した。
図１２は相互誘導内挿プローブ３１で２次元走査した場合の特性図であり、図１２（ａ）が相互誘導内挿プローブ３１で傷のみのある配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１２（ｂ）が相互誘導内挿プローブ３１で支持板部分の配管１に傷がある部分を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、図１２において、横軸は回転角度θを、縦軸は移動方向Ｚを、直交軸はプローブの検出値を、それぞれとったものである。
傷検出信号は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）で示すように、現れることになり、支持板の影響がほとんどないことがわかる。
また、傷検出信号は、これらの図からもわかるように、傷を中心として正負の特性として現れる。
図１３は自己誘導型比較方式プローブあるいは相互誘導内挿プローブ


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
３１で２次元走査した場合の特性図であり、図１３（ａ）が自己誘導型比較方式プローブで配管１を走査した結果の傷検出信号を、図１３（ｂ）が従来の相互誘導内挿プローブ３１で配管１を走査した結果の傷検出信号を、それぞれ示す特性図である。また、これらの図において、実線は傷のみがある場合の傷検出信号であり、点線は支持板部分に傷がある場合の傷検出信号である。
自己誘導型比較方式プローブは、図１３（ａ）に示すように、傷のみがある場合（実線）と、支持板部分に傷がある場合（点線）場合とで、傷検出信号に大きな違いを生じる。
これに対して、相互誘導内挿プローブ３１は、図１３（ｂ）に示すように、傷のみの場合（実線）と、支持板部分に傷がある場合（点線）とで、傷検出信号の変化が小さいことがわかる。
以上のことから相互誘導内挿プローブ３１は、支持板の影響を受けずに、配管１の探傷を行なうことができる。
なお、従来の他の相互誘導内挿プローブ３１によるＳＮ比より、本発明に係る相互誘導内挿プローブ１１のＳＮ比（＝８．３（図８（ｂ）参照）が大きいものとなっている。
産業上の利用可能性
以上説明したように本発明によれば、所定形状の二つのコイルを所定間隔で対峙させてなる励磁コイルと、当該励磁コイルに直交方向に配置した検出コイルとからなるので、次のような効果がある。
（１）支持板による雑音の影響を小さくすることができる。
（２）信号対雑音比が高く傷を検出することができる。
（３）複雑な形状をした傷の探傷も確実に検出することができる。




【国際調査報告】
2002097425.tif 000016
2002097425.tif 000017
2002097425.tif 000018
2002097425.tif 000019