【手続補正書】
【提出日】平成29年12月6日(2017.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜の第１の開口部及び前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接続され、
前記第１の酸化物半導体膜は、不純物元素を有する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、不純物元素を有する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、不純物元素を有する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、不純物元素を有する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜の第１の開口部及び前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接続され、
前記第１の酸化物半導体膜は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、または希ガス元素を有する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、または希ガス元素を有する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、または希ガス元素を有する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、または希ガス元素を有する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜の第１の開口部及び前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接続され、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のチャネル形成領域と、第１の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第１の領域のキャリア密度は、前記第１のチャネル形成領域のキャリア密度より高く、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２のチャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２の領域のキャリア密度は、前記第２のチャネル形成領域のキャリア密度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の下方に、第１の絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第１の導電膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上方に、第１のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第１の酸化物半導体膜の第１のチャネル形成領域と重なる領域を有する、前記第２の導電膜を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第２の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のソース電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第１のドレイン電極を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のチャネル形成領域と、第１の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の導電膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第１の領域のキャリア密度は、前記第１のチャネル形成領域のキャリア密度より高く、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の上方に、第２のゲート絶縁膜を介して配置され、かつ前記第２の酸化物半導体膜の第２のチャネル形成領域と重なる領域を有する、第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第３の導電膜の端部より突出した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のソース電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と電気的に接続された、第２のドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２のチャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第３の導電膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極と、重ならない領域であり、
前記第２の領域のキャリア密度は、前記第２のチャネル形成領域のキャリア密度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に、容量素子及びトランジスタを有し、
前記容量素子は、第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側に第１の領域と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜のキャリア密度及び前記第１の領域のキャリア密度は、前記チャネル形成領域のキャリア密度より高いことを特徴とする半導体装置。