(57)【要約】半導体レーザから出射されたレーザ光を皮膚面に照射して脱毛処理を行うレーザ脱毛方法である。半導体レーザ光は、皮膚面に照射した際のエネルギー密度が０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲となるように制御されつつ、一照射当りに１００ｍｓｅｃ以上の照射時間で皮膚面の処理領域に照射される。このような条件下で半導体レーザ光を皮膚面に照射することによって、レーザ脱毛の処理効果をより確実にかつ効率的に得ることが可能となる。半導体レーザは必要に応じて複数用いられ、より広範囲の皮膚面に対して複数のレーザ光が一括して照射される。
2002060531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから出射されたレーザ光を皮膚面に照射して脱毛処理する方法であって、
前記レーザ光を前記皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御しつつ、前記レーザ光を一照射当りに１００ｍｓｅｃ以上の照射時間で前記皮膚面の処理領域に照射する工程と、
前記レーザ光の照射に基づく熱エネルギーを、前記処理領域の毛包組織全体に伝えて脱毛処理を行う工程と
を具備することを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項２】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記レーザ光は７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有することを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項３】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記レーザ光は０．０１〜５Ｗ／ｍｍ２の範囲の出力密度を有することを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項４】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記レーザ光の一照射当りの照射時間は１００ｍｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下であることを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項５】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記レーザ光の一照射当りの照射時間は１ｓｅｃ以上５ｓｅｃ以下であることを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項６】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記レーザ光のエネルギー密度は０．１〜０．４Ｊ／ｍｍ２の範囲であることを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項７】
請求項１記載のレーザ脱毛方法において、
前記半導体レーザを複数用い、前記複数の半導体レーザから出射された複数のレーザ光を前記皮膚面の処理領域に対して一括して照射することを特徴とするレーザ脱毛方法。
【請求項８】
７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有するレーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射された前記レーザ光が脱毛処理を行う皮膚面に照射されるように、前記レーザ光を導く光路およびレーザ照射面を有する照射ヘッドと、
前記レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上に保ちつつ、前記レーザ光を前記皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御する照射条件制御部と
を具備することを特徴するレーザ脱毛装置。
【請求項９】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光のエネルギー密度が０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲となるように、前記レーザ光の照射時間および出力密度から選ばれる少なくとも１つを制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１０】
請求項９記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下の範囲に制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１１】
請求項９記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光の出力密度を０．０１〜５Ｗ／ｍｍ２の範囲に制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１２】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記レーザ光は７８０〜８１０ｎｍの範囲の波長を有することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１３】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記半導体レーザを複数具備し、さらに前記照射ヘッドのレーザ照射面の全領域が実質的に前記レーザ光で照射されるように、前記複数の半導体レーザから出射された複数のレーザ光を集光および成形する光学系を具備することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１４】
請求項１３記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射ヘッドは矩形状の前記レーザ照射面を有し、かつ前記複数の半導体レーザは前記複数のレーザ光がそれぞれ前記矩形状のレーザ照射面内の実質的に異なる領域を照射するように配置されていることを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のレーザ脱毛装置において、
前記複数の半導体レーザは、それらの各発光点から前記照射ヘッド内の集光点までの距離がそれぞれ略一定となるように、球面状の保持面を有する部材に保持されていることを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１６】
請求項１３記載のレーザ脱毛装置において、
さらに、前記複数の半導体レーザのうち、任意の半導体レーザから前記レーザ光を出射させるレーザ切替部を具備することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体レーザからのレーザ光を使用して脱毛処理を行うレーザ脱毛方法およびレーザ脱毛装置に関する。
背景技術
従来、体毛の脱毛処理（毛の再生抑制や減少のための処理）は、電気針により毛根を焼き切る処理により行われてきた。この処理方法では毛を１本ずつ処理しなければならず、処理時間が極めて長くなると共に、処理に痛みなどを伴う。そこで、電気針による脱毛処理に代って、レーザ脱毛処理が使用されるようになってきている。
レーザ脱毛処理は、毛の根元に存在する毛球の毛母細胞や毛乳頭、さらに毛隆起や皮脂腺に対して、レーザ光で熱的もしくは物理的ダメージを与えることで、毛の再生（成長）を抑制する処理である。従来のレーザ脱毛処理においては、例えば特表２００１−５００５２９号公報（国際公開番号ＷＯ９８／４８７１６）に記載されているように、ＹＡＧレーザ（発振波長：１０６４ｎｍ前後）、ルビーレーザ（発振波長：６９４ｎｍ前後）、アレキサンドライトレーザ（発振波長：７５５ｎｍ前後）、半導体レーザ（発振波長：８００ｎｍ前後）などの各種のレーザ照射装置が用いられている。
これらのうち、ＹＡＧレーザやルビーレーザを用いた脱毛処理装置は、皮膚面に高出力のレーザ光を照射し、毛根や毛母細胞などを直接的に破壊（例えば加熱分解）する装置である。ＹＡＧレーザなどによるレーザ光は波長が長く、毛根や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が悪いことに加えて、高出力であるために１回当りの照射時間が制限されてしまう。さらに、ＹＡＧレーザを用いた脱毛処理装置は、非常に高価な医療用レーザ照射装置を利用しており、さらに脱毛処理を治療行為として行わなければならない。
一方、小型で安価な半導体レーザ（レーザダイオード）を用いたレーザ脱毛装置は、半導体レーザから出射されるレーザ光が低出力（例えば０．０１〜１０Ｗ程度）であるため、美容行為としてレーザ脱毛処理を実施することができる。半導体レーザ光は、例えば７８０〜８１０ｎｍ程度の波長を有する。このような波長のレーザ光は水や血液にほとんど吸収されないのに対し、毛根（毛幹）や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が非常に高いことから、メラニンに吸収されたレーザ光の熱エネルギーによって、毛の再生（成長）を効率よく抑制することができる。
上述したように、半導体レーザを使用したレーザ脱毛装置は、半導体レーザ光の波長が脱毛処理に適するという特徴を有している。しかしながら、従来のレーザ脱毛装置においては、半導体レーザ光を照射する際の照射時間や照射エネルギーなどの各種条件が十分に検討並びに画定されておらず、場合によっては十分な脱毛効果が得られなかったり、さらには逆に育毛になってしまうというような事態も生じている。
例えば、特開２０００−２０１７２６号公報には、５〜１０００ｍＷの光出力を有する半導体レーザと、この半導体レーザから出射されるレーザ光の光出力を調節する光出力調節手段と、レーザ光の照射時間を設定する照射時間設定手段を備えるレーザ脱毛装置が記載されている。ここでは、レーザ光の光出力をレーザパルスのオンタイムにより調節しているため、レーザ光の照射に基づく熱エネルギーを毛包組織全体に有効に伝達することができないおそれがある。さらに、脱毛処理に有効なレーザ光のエネルギー密度などは示されていない。
特開２００１−４６１４１号公報にも、レーザビーム光を照射するレーザダイオードと、レーザビーム光の照射時間を制御する制御部と、レーザダイオードへの印加電圧または供給電流を調整する出力制御回路とを備えるレーザ脱毛装置が記載されている。しかし、上記公報にはレーザビーム光（半導体レーザ光）の具体的な出力や照射時間、さらに脱毛処理に有効なレーザビーム光のエネルギー密度などは示されていない。
なお、特開２０００−２４５５２５号公報には、半導体レーザに波長が近いアレキサンドライトレーザ（発振波長：７５５ｎｍ前後）を用いたレーザ治療装置が記載されている。ここにはレーザ光の出力は１０〜４０Ｊ／ｃｍ２（０．１〜０．４Ｊ／ｍｍ２）の範囲が一般的であることが示されている。しかしながら、アレキサンドライトレーザはＹＡＧレーザと同様に高出力であるため、レーザ照射時間は１０〜４０ｍｓｅｃに限定されている。さらに、高出力のアレキサンドライトレーザでは、ＹＡＧレーザと同様に毛根などを直接的に破壊（焼灼）することにより脱毛処理が実施されるため、半導体レーザのようにレーザ光の熱エネルギーを毛包組織全体に伝達して脱毛処理を行うことはできない。
さらに、従来のレーザ脱毛装置では、脱毛に有効な半導体レーザ光のエネルギー密度などを維持しつつ、１回の処理当りのレーザ光の照射面積を拡大することが難しい。特開２０００−２１７９３８号公報には、円周状に配列した複数の半導体レーザ（レーザダイオード）を有するレーザ脱毛装置が記載されている。複数の半導体レーザを用いることで、レーザ光の照射面積は拡大される。しかし、円周状に配置した複数の半導体レーザでは、レーザ光の照射面積の拡大に限界があり、照射面積を広くしすぎるとレーザ光のエネルギー密度が不均一になるおそれがある。
このようなことから、半導体レーザ光による脱毛効率を高める上で、半導体レーザ光の照射面積の拡大を図ることが望まれている。なお、一部では多数のレーザダイオード素子をアレイ状に配置し、これによりＹＡＧレーザに匹敵するような高出力を有する半導体レーザを使用することが検討されている。しかしながら、このようなレーザ照射装置では各ダイオード素子から出射されたレーザ光が干渉してしまい、出力密度などにバラツキが生じてしまう。さらに、半導体レーザ光の高出力化を図っていることから、メラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を十分に生かすことができない。
本発明の目的は、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かし、レーザ脱毛効果をより確実にかつ効率的に得ることを可能にしたレーザ脱毛方法およびレーザ脱毛装置を提供することにある。さらに、半導体レーザ光による脱毛効果を維持した上で、処理範囲の拡大並びに処理速度の向上を図ったレーザ脱毛装置を提供することを目的としている。
発明の開示
本発明のレーザ脱毛方法は、半導体レーザから出射されたレーザ光を皮膚面に照射して脱毛処理する方法であって、前記レーザ光を前記皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御しつつ、前記レーザ光を一照射当りに１００ｍｓｅｃ以上の照射時間で前記皮膚面の処理領域に照射する工程と、前記レーザ光の照射に基づく熱エネルギーを、前記処理領域の毛包組織全体に伝えて脱毛処理を行う工程とを具備することを特徴としている。本発明のレーザ脱毛方法において、半導体レーザから出射されたレーザ光（半導体レーザ光）は、例えば７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有する。
本発明のレーザ脱毛装置は、７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有するレーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射された前記レーザ光が脱毛処理を行う皮膚面に照射されるように、前記レーザ光を導く光路およびレーザ照射面を有する照射ヘッドと、前記レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上に保ちつつ、前記レーザ光を前記皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御する照射条件制御部とを具備することを特徴としている。
本発明においては、上述したような波長を有する半導体レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上に制御している。これにより、半導体レーザ光の熱エネルギーを有効にかつ効率よく利用することが可能となる。すなわち、半導体レーザ光の照射時間を１００ｍｓｅｃ以上と長くすることによって、毛幹や毛母細胞内のメラニンにより吸収された半導体レーザ光の熱エネルギーを、毛包組織全体（毛球、毛幹、毛幹の周囲に存在する結合組織の鞘、毛隆起、皮脂腺など）に伝達することができる。毛の再生に影響を与える毛包組織全体に熱ダメージが確実にかつ効率よく与えられるため、毛の再生を確実に抑制することが可能となる。
ただし、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間を単に長くしても、半導体レーザ光を皮膚面に照射した際のエネルギー密度が不十分であると、熱エネルギーが不足して毛包組織全体に熱ダメージを効率よく与えることができない。そこで、本発明では毛の再生抑制効果を確実に得るために、半導体レーザ光のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御している。このようなエネルギー密度を有する半導体レーザ光を使用することによって、脱毛効果の高い熱エネルギーを確実にかつ効率よく毛包組織全体に伝達することが可能となる。
本発明のレーザ脱毛装置は、さらに前記半導体レーザを複数具備し、前記照射ヘッドのレーザ照射面の全領域が実質的に前記レーザ光で照射されるように、前記複数の半導体レーザから出射された複数のレーザ光を集光および成形する光学系を具備することを特徴としている。照射ヘッドは例えば矩形状のレーザ照射面を有し、かつ複数の半導体レーザは複数のレーザ光がそれぞれ矩形状のレーザ照射面内の実質的に異なる領域を照射するように配置される。
このような半導体レーザを複数具備するレーザ脱毛装置によれば、広範囲の皮膚面に対して出力密度を略一定とした半導体レーザ光を一括して照射することができる。半導体レーザ光の照射範囲（照射面積）を拡大することによって、１回のレーザ照射で広範囲の脱毛処理を実施することができる。従って、半導体レーザ光による脱毛効果を低下させることなく、処理速度を大幅に高めることが可能となる。
発明を実施するための形態
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態によるレーザ脱毛装置の全体構成を模式的に示す斜視図である。同図において、１は操作パネル２を有するレーザ脱毛装置本体であり、この装置本体１内には主電源、半導体レーザ用電源、半導体レーザの駆動制御やコンプレッサの運転制御などを行う制御回路、確認画面用回路などが内蔵されている。
レーザ脱毛装置本体１には、ケーブル３を介してレーザ照射プローブ４が接続されている。レーザ照射プローブ４は、角度調節アーム５により自在に移動可能とされている。ケーブル３内には、装置本体１の半導体レーザ用電源や制御回路とレーザ照射プローブ４とを接続するリード線、コンプレッサからレーザ照射プローブ４にエアーを供給するエアーチューブなどが収納されている。
なお、レーザ脱毛装置本体１は、図示を省略したＣＣＤカメラ搭載の確認用プローブを有している。レーザ脱毛処理は、確認用プローブのＣＣＤカメラで撮影した画像で皮膚面を確認しながら実施することが可能とされている。ＣＣＤカメラで撮影した画像は、操作パネル２のカラー液晶画面６に映し出される。操作パネル２には、さらにタッチパネル式の操作画面７や主電源スイッチ（図示せず）などが配置されている。
図２、図３および図４はレーザ照射プローブ４の構成を示す図である。図２はレーザ照射プローブ４の正面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿った縦断面図、図４は図２のＢ−Ｂ線に沿った横断面図である。これらの図に示すように、レーザ照射プローブ４内にはレーザ源となる複数の半導体レーザ８、８…が設置されている。なお、半導体レーザ８の数は複数に限られるものではなく、１つの半導体レーザでレーザ脱毛装置を構成することも可能である。複数の半導体レーザ８を使用する場合には、例えば２〜５０個というような半導体レーザ８が用いられる。この実施形態のレーザ脱毛装置は、後述するように２０個の半導体レーザ８を有している。
半導体レーザ８には、例えば波長が７５０〜９００ｎｍの範囲のレーザ光を出射するレーザダイオードが用いられる。波長が７５０〜９００ｎｍの範囲のレーザ光は、例えば人体の皮膚内に比較的深く浸透し、水や血液（ヘモグロビン）などに比べて、毛幹や毛母細胞内のメラニンに優先的に吸収されるため、良好な脱毛効果を得ることができる。すなわち、波長が７５０ｎｍ未満のレーザ光は、メラニンによる吸収率が高いものの、血液などによる吸収も大きいため、レーザ光の脱毛処理への利用効率が低下し、また皮膚などに損傷を与えるおそれがある。一方、レーザ光の波長が９００ｎｍを超えると、メラニンによる吸収率が低下し、良好な脱毛効果が得られない。半導体レーザ光の波長は、特に７８０〜８１０ｎｍの範囲（８００ｎｍ中心）とすることが望ましい。
半導体レーザ８の出力は０．１Ｗ以上であることが好ましい。出力が０．１Ｗ未満の半導体レーザを使用ことも可能であるが、このような低出力の半導体レーザでは波長にもよるが、レーザ光が皮膚内に十分に浸透しないおそれがある。このようなレーザ光は毛球などに十分に到達しないため、良好な脱毛効果を得ることができず、場合によっては育毛になってしまうおそれもある。半導体レーザ８の出力は、レーザ光を効果的に皮膚内に浸透させる上で０．５Ｗ以上とすることがより好ましく、さらに好ましくは１Ｗ以上である。
ただし、半導体レーザ８の出力があまり高すぎると、スポットサイズにもよるが、レーザ光の照射時間を短くする必要が生じることから、半導体レーザ光による熱エネルギーを毛包組織全体に分布させることができないおそれがある。従って、半導体レーザ８の出力は５０Ｗ以下であることが好ましい。このように、本発明においては出力が０．１〜５０Ｗの範囲の半導体レーザ８を使用することが好ましい。半導体レーザ８の出力は０．５〜１０Ｗの範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは１〜１０Ｗの範囲である。
各半導体レーザ８のスポットサイズ（１つの半導体レーザ８によるレーザ照射面積）は、理想的にはレーザ光の浸透深さの２〜４倍程度である。半導体レーザ８の出力を考慮する必要があるが、実用的には半導体レーザ８によるレーザ光の照射面積は０．５〜２０ｍｍ２の範囲に設定することが好ましい。各半導体レーザ８のスポットサイズ（レーザ照射面積）は０．５〜１０ｍｍ２の範囲に設定することがより好ましく、さらに好ましくは０．７〜８ｍｍ２の範囲である。
複数の半導体レーザ８、８…は、略球面状のレーザ保持面を有する保持部材９により保持されている。複数の半導体レーザ８、８…の照射前方には、それぞれレンズ（例えば球状レンズ）１０、１０…が配置されている。各半導体レーザ８から出射されたレーザ光は、各レンズ１０を介して照射ヘッド１１に集光される。照射ヘッド１１は、例えば石英ガラスにより構成されており、レーザ脱毛処理を行う皮膚面との実質的な接触部となる。
照射ヘッド１１は、その内部に各半導体レーザ光を皮膚面の所定の処理領域に導く光路を有している。照射ヘッド１１の前面はレーザ照射面１２となる。複数の半導体レーザ８、８…からそれぞれ出射された各レーザ光は、一旦レンズ１０、１０…により照射ヘッド１１内に集光される。各半導体レーザ光は、それぞれ照射ヘッド１１内の所定の部位を通過するように光路が設定されており、さらに照射ヘッド１１内でレーザ脱毛に適したスポットサイズに成形される。照射ヘッド１１内の各光路は、実質的にレーザ照射面１２の全領域が半導体レーザ光で照射されるように設定されている。従って、複数の半導体レーザ光はレーザ照射面１２の面積に応じた皮膚面に照射される。
複数の半導体レーザ８、８…の保持状態と複数の半導体レーザ光の照射領域との関係について、さらに詳細に述べる。この実施形態のレーザ脱毛装置は、例えば２０個の半導体レーザ８、８…を有している。これら２０個の半導体レーザ８、８…は、基本的には５行×４列のマトリックス状に配置されている。
これら２０個の半導体レーザ８、８…を保持する保持部材９は、図３の縦断面方向には球面状で、かつ図４の横断面方向には曲折面状のレーザ保持面を有する。このような保持部材９によって、２０個の半導体レーザ８、８…はそれぞれ照射ヘッド１１内に集光されるように光軸が設定されている。２０個の半導体レーザ８、８…は、それらの各発光点から照射ヘッド１１内の集光点までの距離がそれぞれ略一定となるように、上記したレーザ保持面を有する保持部材９により保持されている。
一方、照射ヘッド１１は矩形状のレーザ照射面１２を有している。レーザ照射面１２は例えば１５×１２ｍｍという形状を有する。すなわち、照射ヘッド１１は１５×１２ｍｍ（面積＝１８０ｍｍ２）というようなレーザ照射面積を有している。なお、レーザ照射面１２の面積は半導体レーザ８の設置数や処理内容などに応じて適宜設定することができる。１つの半導体レーザを用いる場合には、そのスポットサイズがレーザ照射面積となる。複数の半導体レーザを用いる場合、レーザ照射面１２の面積は１５ｍｍ２以上とすることが好ましく、さらには５０ｍｍ２以上とすることがより好ましい。
各半導体レーザ８から出射された半導体レーザ光は、各レンズ１０による集光、照射ヘッド１１への入射時の屈折、照射ヘッド１１による光路の長さなどによって、それぞれ所定のスポットサイズに成形される。さらに、各半導体レーザ光はそれぞれ保持部材９の形状、半導体レーザ８の保持部材９による保持状態、半導体レーザ８と照射ヘッド１１との位置関係などに基づいて、それぞれ照射ヘッド１１内の所定の部位を通過するように光路が設定されている。各光路は半導体レーザ光がそれぞれレーザ照射面１２内の実質的に異なる領域を照射すると共に、レーザ照射面１２の全領域が実質的に半導体レーザ光で照射されるように設定されている。
すなわち、図５に示すように、複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…はそれぞれレーザ照射面１２内の実質的に異なる領域を照射するように光路が設定されている。複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…のレーザ照射面１２内における照射位置は、半導体レーザ８の数に応じて５行×４列のマトリックス状とされており、レーザ照射面１２の全領域を実質的に網羅するように設定されている。そして、このような複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…によって、矩形状のレーザ照射面１２はその全領域が実質的に半導体レーザ光Ｘで照射される。
なお、複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…をレーザ照射面１２内の実質的に異なる領域に照射する状態とは、少なくとも各半導体レーザ光Ｘの照射中心が異なっていればよく、隣り合う半導体レーザ光Ｘの照射範囲が多少重なっていてもよい。複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…によりレーザ照射面１２内の全領域が実質的に照射される状態とは、レーザ照射面１２の面積に応じた皮膚面全体に半導体レーザ光Ｘによる脱毛効果が生じる状態であればよい。隣り合う半導体レーザ光Ｘの照射範囲の間には多少の隙間が生じていてもよく、このような場合にも半導体レーザ光Ｘの照射熱により脱毛効果を与えることができる。
複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…はそれぞれ略一定の出力密度を有している。従って、照射ヘッド１１のレーザ照射面１２には、実質的に出力密度が略一定とされたレーザ光が一括して照射される。半導体レーザ光Ｘは矩形状のレーザ照射面１２の面積に応じて皮膚面に照射されるため、皮膚面の処理領域内には出力密度が略一定とされたレーザ光が一括して照射されることになる。この実施形態のレーザ脱毛装置は、例えば１５×１２ｍｍという形状のレーザ照射面１２（照射面積：１８０ｍｍ２）を有しているため、実質的に同等の面積の皮膚面に対して半導体レーザ光Ｘを一括して照射することができる。この実施形態のレーザ脱毛装置によれば、複数の半導体レーザ光Ｘ、Ｘ…の照射状態に基づいて、１回のレーザ照射当りの脱毛処理範囲の拡大を図ることが可能となる。
レーザ照射プローブ４の照射ヘッド１１の周囲には、冷却エアーの噴出し口１３が複数設けられている。冷却エアーは、半導体レーザ光の照射前、照射と同時、照射後などのタイミングで供給される。皮膚面に半導体レーザ光を照射した際に、皮膚部分の温度も多少上がるが、半導体レーザ光の照射時に冷却エアーを皮膚面に吹き付けることによって、皮膚の損傷などをより確実に抑制することができる。半導体レーザ光の照射時にはクーリングジェルなどを併用してもよい。
上述した実施形態のレーザ脱毛装置において、半導体レーザ光は脱毛処理を行う人体の皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御しつつ、一照射当りに１００ｍｓｅｃ以上の照射時間で皮膚面に照射される。半導体レーザ光を皮膚面に照射した際のエネルギー密度Ｅは、半導体レーザ光の照射時間Ｔおよび出力密度Ｌの少なくとも一方により制御される。これら半導体レーザ光の各照射条件は、エネルギー密度Ｅ［Ｊ／ｍｍ２］＝出力密度Ｌ［Ｗ／ｍｍ２］×照射時間Ｔ［ｓｅｃ］の関係を満足する。従って、半導体レーザ光の照射時間Ｔや出力密度Ｌを調節することによって、エネルギー密度は所望の範囲に制御される。
半導体レーザ８によるレーザ光の出力密度Ｌは、その照射時間Ｔにもよるが、実用的には０．０１〜５Ｗ／ｍｍ２の範囲に設定することが好ましい。照射領域における半導体レーザ光の出力密度Ｌが０．０１Ｗ／ｍｍ２未満であると、半導体レーザ８の一照射当りの照射時間を長くしても、十分な脱毛効果が得られないおそれがある。一方、出力密度Ｌが５Ｗ／ｍｍ２を超えるような半導体レーザ光では、一照射当りの照射時間を十分に長く設定することができず、熱エネルギーを毛包組織全体に分布させることができないおそれがある。半導体レーザ光の出力密度Ｌは０．０５〜２Ｗ／ｍｍ２の範囲に設定することがより好ましい。
半導体レーザ光の出力密度Ｌは、半導体レーザ８の出力Ｃと半導体レーザ光のスポットサイズＳにより決定される。すなわち、出力密度Ｌ［Ｗ／ｍｍ２］＝出力Ｃ［Ｗ］／スポットサイズＳ［ｍｍ２］の関係を満足する。スポットサイズＳは基本的には一定とされているため、半導体レーザ光の出力密度Ｌは半導体レーザ８の出力Ｃにより制御される。半導体レーザ８の出力（光出力）Ｃは、半導体レーザ（レーザダイオード）８に入力する電圧値もしくは電流値により制御される。
なお、半導体レーザ光の光出力は、例えば半導体レーザ８をパルス発振とし、レーザパルスのオンタイムを変更することによっても制御することができる。しかし、パルス状の半導体レーザ光では熱エネルギーを毛包組織全体に効率よく伝達することできない。半導体レーザ８は熱エネルギーの伝達効率を高めるために連続発振とすることが好ましい。従って、半導体レーザ８の光出力を制御する場合には、半導体レーザ８に入力する電圧値もしくは電流値により制御される。
図６は半導体レーザ８の駆動制御部の構成を示すブロック図である。制御部１０１は操作部１０２から入力された処理モードなどに応じて、記憶部１０３から半導体レーザ８の駆動条件（電圧値もしくは電流値）や駆動時間（レーザ光の照射時間）などの制御信号を読み出す。記憶部１０３から読み出された制御信号のうち、半導体レーザ８の駆動条件信号は制御部１０１からＤ／Ａ変換回路１０４を介してレーザ駆動回路１０５に送られる。半導体レーザ８の駆動時間信号は制御部１０１からレーザ駆動回路１０５に送られる。
レーザ駆動回路１０５は制御信号に基づいて、図示を省略したレーザ駆動電源から半導体レーザ８に所定の電圧値もしくは電流値の電流を入力する。入力電流の印加時間は制御信号に基づいてレーザ駆動回路１０５により制御される。このようにして、半導体レーザ８の出力Ｃと駆動時間（レーザ光の照射時間Ｔ）が制御される。半導体レーザ光のスポットサイズＳは基本的には一定とされているため、半導体レーザ光の出力密度Ｌは半導体レーザ８の出力Ｃにより制御される。
半導体レーザ８の駆動時間（レーザ光の照射時間Ｔ）は１００ｍｓｅｃ以上に設定される。この条件を満たした上で、半導体レーザ光の出力密度Ｌと照射時間Ｔに基づいて、半導体レーザ光を皮膚面に照射した際のエネルギー密度Ｅが制御される。半導体レーザ光の照射エネルギー密度Ｅは、具体的には０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御される。そして、このような照射時間Ｔおよび照射エネルギー密度Ｅを有する半導体レーザ光を皮膚面に照射し、半導体レーザ光の照射に基づく熱エネルギーを毛包組織全体に伝えて脱毛処理が実施される。
半導体レーザ光は一照射当りに１００ｍｓｅｃ以上の照射時間で皮膚面の処理領域に照射することが重要である。ここで、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間とは、図７に示すように、１回の処理当りの半導体レーザ８の点灯時間（オンタイム）Ｔである。半導体レーザ８の駆動は基本的に連続発振とするため、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間は１回の処理当りの照射時間に相当する。
上述したように、一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上に設定した半導体レーザ光を皮膚面に照射することによって、毛幹や毛母細胞内のメラニンにより吸収されたレーザ光の熱エネルギーを、毛包組織全体に伝達することができる。すなわち、図８に示すように、一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上に設定した半導体レーザ光Ｘを皮膚面２１に照射すると、半導体レーザ光Ｘが皮膚内に浸透し、毛幹２２や毛球２３の毛母細胞２４内に存在するメラニンにより選択的に吸収される。半導体レーザ光Ｘを選択的に吸収した毛幹２２や毛母細胞２４は、半導体レーザ光Ｘの熱エネルギーにより所定の温度、例えば６０〜１００℃程度の温度まで熱せられる。
この際、半導体レーザ光Ｘの一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上と長く設定しているため、毛幹２２や毛母細胞２４のメラニンにより吸収された熱エネルギーはその周囲に十分に伝播される。従って、毛幹２２、毛母細胞２４や毛乳頭２５、これらの周囲に存在する結合組織の鞘２６や幹組織２７、皮脂腺２８、毛隆起２９などの毛包組織全体を、脱毛に有効な温度まで確実にかつ効率よく熱することができる。脱毛に有効と考えられる６０〜１００℃程度の温度領域は、おおよそ毛包の直径と同程度もしくはそれ以上となり、そのような温度に達した領域に熱ダメージが与えられる。
上述したように、半導体レーザ光Ｘの一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上とすることによって、毛包組織全体に熱ダメージを有効かつ確実に与えることが可能となる。そして、半導体レーザ光Ｘにより毛包組織全体、すなわち毛幹２２や毛母細胞２４のみならず、結合組織の鞘２６や幹組織２７、さらに皮脂腺２８や毛隆起２９などに対して熱ダメージを与えることによって、毛の再生を確実に抑制することができる。言い換えると、毛の成長抑制効果と減少効果に基づく脱毛効果をより確実にかつ効率的に得ることが可能となる。さらに、皮膚の高温化などを招くこともないため、安全に脱毛処理を実施することができる。
一方、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔが１００ｍｓｅｃ未満であると、同程度の出力密度の半導体レーザ光では熱エネルギーの伝達が不十分となり、毛包組織全体に対して熱ダメージを十分に与えることができない。脱毛効果が得られる程度に半導体レーザ光の出力密度を上げると、毛幹２２や毛母細胞２４が過剰に加熱されて熱的に絶縁状態となり、これらに分解並びに気化などが生じる。これは半導体レーザ光の吸収体がなくなることを意味すると共に、気化熱により温度の低下が起こるため、毛包組織全体に熱ダメージを有効に与えることができない。さらに、皮膚の高温化やそれによる副作用などを招くおそれもある。
半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔは、皮膚の高温化やそれに基づく損傷などを抑え得る範囲で適宜設定可能であるが、実用的には１０ｓｅｃ以下とすることが好ましい。半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔは１００ｍｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下に設定することが好ましい。さらに、レーザ脱毛効果と安全性などを考慮して、半導体レーザ光Ｘの一照射当りの照射時間Ｔは１〜５ｓｅｃの範囲とすることが特に望ましい。
レーザ脱毛効果には半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔのみならず、半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅも関係する。すなわち、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔを長く設定しても、半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅが低すぎると、毛包組織全体に熱ダメージを効率よく与えることができない。このため、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上に保ちつつ、半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅを０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御する。
前述したように、エネルギー密度Ｅと照射時間Ｔは、エネルギー密度Ｅ［Ｊ／ｍｍ２］＝出力密度Ｌ［Ｗ／ｍｍ２］×照射時間Ｔ［ｓｅｃ］の関係を満足する。従って、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上に保ちつつ、半導体レーザ光の照射時間Ｔや出力密度Ｌを調整することによって、半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅを０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御する。このようなエネルギー密度Ｅを有する半導体レーザ光を使用することによって、脱毛効果の高い熱エネルギーを確実にかつ効率よく毛包組織全体に伝達することが可能となる。
半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅが０．０１Ｊ／ｍｍ２未満であると、毛包組織全体に対して熱ダメージを有効に与えることができない。一方、エネルギー密度Ｅが１Ｊ／ｍｍ２を超えると、毛幹や毛母細胞の分解、さらには皮膚の高温化やそれによる副作用を招くおそれがある。半導体レーザ光のエネルギー密度Ｅは、特に０．１〜０．４Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御することが望ましい。このような照射エネルギー密度Ｅによれば、毛包組織に対して熱ダメージをより有効に与えることができる。
上述したように、一照射当りの照射時間Ｔを１００ｍｓｅｃ以上に設定すると共に、照射エネルギー密度Ｅを０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御した半導体レーザ光によれば、毛包組織全体に対して有効かつ確実に熱ダメージを与えることができる。これにより、毛の成長を抑制する効果と減少させる効果を確実にかつ効率的に得ることが可能となる。すなわち、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かして、レーザ脱毛の処理効果を確実にかつ効率的に得ることが可能となる。その上で、皮膚の高温化などを招くこともないため、安全に脱毛処理を実施することができる。
さらに、この実施形態のレーザ脱毛装置においては、複数の半導体レーザ８、８…から出射された複数のレーザ光を集光および成形することよって、照射ヘッド１１のレーザ照射面１２から出力密度が略一定のレーザ光を照射している。出力密度が略一定とされた半導体レーザ光の照射範囲（照射面積）は大幅に拡大されるため、１回のレーザ照射で広範囲の脱毛処理を実施することができる。従って、半導体レーザ光による脱毛効果を低下させることなく、脱毛処理速度を大幅に高めることが可能となる。
特に、この実施形態のレーザ脱毛装置では、複数の半導体レーザ８、８…をｍ行ｎ列のマトリックス状に配置し、この配置状態に応じた複数の半導体レーザ光を矩形状のレーザ照射面１２に照射している。矩形状のレーザ照射面１２内の全領域には、出力密度が略一定の半導体レーザ光が一括して照射されるため、従来の円周状に配列された複数の半導体レーザを有するレーザ脱毛装置などに比べて、１回のレーザ照射で処理可能な領域を大幅に拡大することができる。さらに、拡大されたレーザ照射領域内の脱毛効果をより均一に高めることが可能となる。
具体的なレーザ脱毛処理は、まず皮膚面の毛を剃った後に、処理領域にクーリングジェルなどを塗布して実施される。レーザ脱毛処理工程においては、例えばトリートメント時間を５〜６０分に設定し、この時間内で半導体レーザ光の照射と休止を繰り返す。半導体レーザ光の照射は皮膚面上の場所を徐々にずらしながら実施される。半導体レーザ光の照射時間は、前述したように一照射当りの点灯時間で設定する。半導体レーザ光の照射休止中は、エアー噴出し口１３から冷却エアーを皮膚面に吹き付け、皮膚部分の温度上昇を抑制する。このようにして、脱毛処理が実施される。
この実施形態のレーザ脱毛装置を使用して、実際にレーザ脱毛処理を実施したところ、上述した条件内でレーザ照射を行った場合には良好な脱毛効果が得られることが確認された。レーザ脱毛処理は、具体的には半導体レーザ光の照射時のエネルギー密度が０．１〜０．４Ｊ／ｍｍ２の範囲となるように制御しつつ、一照射当りの照射時間Ｔを３ｓｅｃとして、被験者の脚部に半導体レーザ光（８００ｎｍ中心）を照射することにより実施した。レーザ脱毛処理は８週間にわたって実施した。最初の４週間は週に２回、次の４週間は週に１回のレーザトリートメントを行った。その結果、複数の被験者において、良好な脱毛効果（毛の数の減少、毛幹の直径の縮小（細毛化）、毛の色素の減少など）が得られていることが確認された。
一方、本発明との比較例として、半導体レーザの出力は同一とした上で、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔを４０ｍｓｅｃまで低下させたところ、上記実施例と同一の８週間にわたるトリートメントでは良好な脱毛効果を得ることはできなかった。さらに、半導体レーザ光の一照射当りの照射時間Ｔを４０ｍｓｅｃとした上で、照射エネルギー密度を０．１〜０．４Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御した場合においても、同様に良好な脱毛効果を得ることはできなかった。
上述したように、この実施形態のレーザ脱毛装置およびそれを用いたレーザ脱毛処理によれば、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かして、レーザ脱毛効果をより確実にかつ効率的に得ることが可能となる。なお、上述した実施形態においては、半導体レーザを複数使用する場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、１つの半導体レーザを使用したレーザ脱毛装置にも当然適用可能である。
さらに、複数の半導体レーザ８、８…は、処理中に全て点灯しなければならないものではなく、処理面積や処理領域の形状などに応じて任意の半導体レーザのみを点灯するようにしてもよい。図９は本発明の他の実施形態におけるレーザ駆動制御部の構成を示すブロック図である。この実施形態のレーザ脱毛装置において、半導体レーザ８の駆動時間信号は制御部１０１からスイッチ回路１０６を介してレーザ駆動回路１０５に送られる。複数の半導体レーザ８、８…のうち、点灯させる半導体レーザのスイッチをオンにするように制御部１０１からスイッチ回路１０６に制御信号が送られる。
このようにして、複数の半導体レーザ８、８…のうち、任意の半導体レーザのみからレーザ光を出射させることができる。任意の半導体レーザの選択はレーザ脱毛の処理面積の変更を可能にする。このような機構は１つのレーザ照射プローブ４で処理面積や処理箇所を変更する場合などに有効である。
産業上の利用可能性
本発明のレーザ脱毛方法およびレーザ脱毛装置によれば、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かして、より確実にかつ効率的に脱毛効果を得ることが可能となる。このようなレーザ脱毛方法およびレーザ脱毛装置は、各種の脱毛処理に対して有効に利用されるものである。さらに、複数の半導体レーザを使用することで処理範囲を拡大することができ、これにより脱毛処理速度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の一実施形態によるレーザ脱毛装置の全体構成を模式的に示す斜視図である。
図２は図１のレーザ脱毛装置におけるレーザ照射プローブを示す正面図である。
図３は図２に示すレーザ照射プローブのＡ−Ａ線に沿った縦断面図である。
図４は図２に示すレーザ照射プローブのＢ−Ｂ線に沿った横断面図である。
図５は図２に示すレーザ照射プローブのレーザ照射面内における複数の半導体レーザ光の照射状態を示す図である。
図６は図１に示すレーザ脱毛装置における半導体レーザの駆動制御部の構成を示すブロック図である。
図７は本発明の一実施形態における半導体レーザ光の照射時間を説明するための図である。
図８はレーザ脱毛の処理対象である人体の毛の状態を説明するための図である。
図９は本発明の他の実施形態によるレーザ脱毛装置の半導体レーザの駆動制御部の構成を示すブロック図である。
【図１】
2002060531.tif 000003
【図２】
2002060531.tif 000004
【図３】
2002060531.tif 000005
【図４】
2002060531.tif 000006
【図５】
2002060531.tif 000007
【図６】
2002060531.tif 000008
【図７】
2002060531.tif 000009
【図８】
2002060531.tif 000010
【図９】
2002060531.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月24日(2003.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
削除
【請求項２】
削除
【請求項３】
削除
【請求項４】
削除
【請求項５】
削除
【請求項６】
削除
【請求項７】
削除
【請求項８】
７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有するレーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射された前記レーザ光が脱毛処理を行う皮膚面に照射されるように、前記レーザ光を導く光路およびレーザ照射面を有する照射ヘッドと、
前記レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上に保ちつつ、前記レーザ光を前記皮膚面に照射した際のエネルギー密度を０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲に制御する照射条件制御部と
を具備することを特徴するレーザ脱毛装置。
【請求項９】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光のエネルギー密度が０．０１〜１Ｊ／ｍｍ２の範囲となるように、前記レーザ光の照射時間および出力密度から選ばれる少なくとも１つを制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１０】
請求項９記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光の一照射当りの照射時間を１００ｍｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下の範囲に制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１１】
請求項９記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射条件制御部は、前記レーザ光の出力密度を０．０１〜５Ｗ／ｍｍ２の範囲に制御することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１２】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記レーザ光は７８０〜８１０ｎｍの範囲の波長を有することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１３】
請求項８記載のレーザ脱毛装置において、
前記半導体レーザを複数具備し、さらに前記照射ヘッドのレーザ照射面の全領域が実質的に前記レーザ光で照射されるように、前記複数の半導体レーザから出射された複数のレーザ光を集光および成形する光学系を具備することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１４】
請求項１３記載のレーザ脱毛装置において、
前記照射ヘッドは矩形状の前記レーザ照射面を有し、かつ前記複数の半導体レーザは前記複数のレーザ光がそれぞれ前記矩形状のレーザ照射面内の実質的に異なる領域を照射するように配置されていることを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のレーザ脱毛装置において、
前記複数の半導体レーザは、それらの各発光点から前記照射ヘッド内の集光点までの距離がそれぞれ略一定となるように、球面状の保持面を有する部材に保持されていることを特徴とするレーザ脱毛装置。
【請求項１６】
請求項１３記載のレーザ脱毛装置において、
さらに、前記複数の半導体レーザのうち、任意の半導体レーザから前記レーザ光を出射させるレーザ切替部を具備することを特徴とするレーザ脱毛装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
明  細  書
レーザ脱毛装置
技術分野
本発明は、半導体レーザからのレーザ光を使用して脱毛処理を行うレーザ脱毛装置に関する。
背景技術
従来、体毛の脱毛処理（毛の再生抑制や減少のための処理）は、電気針により毛根を焼き切る処理により行われてきた。この処理方法では毛を１本ずつ処理しなければならず、処理時間が極めて長くなると共に、処理に痛みなどを伴う。そこで、電気針による脱毛処理に代って、レーザ脱毛処理が使用されるようになってきている。
レーザ脱毛処理は、毛の根元に存在する毛球の毛母細胞や毛乳頭、さらに毛隆起や皮脂腺に対して、レーザ光で熱的もしくは物理的ダメージを与えることで、毛の再生（成長）を抑制する処理である。従来のレーザ脱毛処理においては、例えば特表２００１−５００５２９号公報（国際公開番号ＷＯ９８／４８７１６）に記載されているように、ＹＡＧレーザ（発振波長：１０６４ｎｍ前後）、ルビーレーザ（発振波長：６９４ｎｍ前後）、アレキサンドライトレーザ（発振波長：７５５ｎｍ前後）、半導体レーザ（発振波長：８００ｎｍ前後）などの各種のレーザ照射装置が用いられている。
これらのうち、ＹＡＧレーザやルビーレーザを用いた脱毛処理装置は、皮膚面に高出力のレーザ光を照射し、毛根や毛母細胞などを直接的に破壊（例えば加熱分解）する装置である。ＹＡＧレーザなどによるレーザ光は波長が長く、毛根や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
部では多数のレーザダイオード素子をアレイ状に配置し、これによりＹＡＧレーザに匹敵するような高出力を有する半導体レーザを使用することが検討されている。しかしながら、このようなレーザ照射装置では各ダイオード素子から出射されたレーザ光が干渉してしまい、出力密度などにバラツキが生じてしまう。さらに、半導体レーザ光の高出力化を図っていることから、メラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を十分に生かすことができない。
本発明の目的は、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かし、レーザ脱毛効果をより確実にかつ効率的に得ることを可能にしたレーザ脱毛装置を提供することにある。さらに、半導体レーザ光による脱毛効果を維持した上で、処理範囲の拡大並びに処理速度の向上を図ったレーザ脱毛装置を提供することを目的としている。
発明の開示
本発明のレーザ脱毛装置は、７５０〜９００ｎｍの範囲の波長を有するレーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射された前記


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
実施形態におけるレーザ駆動制御部の構成を示すブロック図である。この実施形態のレーザ脱毛装置において、半導体レーザ８の駆動時間信号は制御部１０１からスイッチ回路１０６を介してレーザ駆動回路１０５に送られる。複数の半導体レーザ８、８…のうち、点灯させる半導体レーザのスイッチをオンにするように制御部１０１からスイッチ回路１０６に制御信号が送られる。
このようにして、複数の半導体レーザ８、８…のうち、任意の半導体レーザのみからレーザ光を出射させることができる。任意の半導体レーザの選択はレーザ脱毛の処理面積の変更を可能にする。このような機構は１つのレーザ照射プローブ４で処理面積や処理箇所を変更する場合などに有効である。
産業上の利用可能性
本発明のレーザ脱毛装置によれば、毛幹や毛母細胞内のメラニンによる吸収効率が高いという半導体レーザ光の特徴を活かして、より確実にかつ効率的に脱毛効果を得ることが可能となる。このようなレーザ脱毛装置は、各種の脱毛処理に対して有効に利用されるものである。さらに、複数の半導体レーザを使用することで処理範囲を拡大することができ、これにより脱毛処理速度を向上させることが可能となる。




【国際調査報告】
2002060531.tif 000012
2002060531.tif 000013
2002060531.tif 000014
2002060531.tif 000015
2002060531.tif 000016