(57)【要約】エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおけるパターンにおいて、転写パターンが、少なくとも周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンである場合は、転写マスク上パターン表面部の表面積／支持部している部分の断面積の比が、５０００より大きい遮蔽パターン部分を分割展開する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンであって、転写マスク上パターン表面部の表面積／支持部している部分の断面積の比が、５０００より大きい遮蔽パターン部分を分割展開した転写パターンを備えた転写用マスク。
【請求項２】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンであって、転写マスク上パターン表面部の表面積／支持部している部分の断面積の比が、５０００以下である遮蔽パターン部分を分割展開せずに形成された転写パターンを備えた転写用マスク。
【請求項３】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に２箇所支持固定された遮蔽パターン部分が密に隣り合うタイプの遮蔽パターンを形成するための転写用マスクであって、転写用マスク上での遮蔽パターン長さが、式２で示される遮蔽パターンの許容長さｙ以上となるパターンを、前記許容長さｙより小さくなりかつパターンが疎密度がより疎となるように分割展開されたパターンを含むことを特徴とする転写用マスク。
2002021582.tif 000009
【請求項４】
特許請求の範囲１又は２に記載の転写用マスクにおいて、相補型な複数のパターン領域を有することを特徴とする転写用マスク。
【請求項５】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクのパターン分割方法において、
前記転写パターンが周辺部に一箇所が支持固定された遮蔽パターンを備える場合、前記遮蔽パターンの表面積及び支持部の断面積に応じて、開口パターンを分割展開する必要があるか否かを判断することを特徴とする転写用マスクのパターン分割方法。
【請求項６】
前記遮蔽パターンの転写マスク上でのパターン表面部の表面積／支持部している部分断面積の比が、５０００以上である場合にパターンを分割展開し相補型な複数のパターン領域を形成し、それ以外はパターンの分割を行わないことを特徴とする特許請求の範囲５に記載の転写用マスクのパターン分割方法。
【請求項７】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクのパターン分割方法において、
前記転写パターンが少なくとも周辺部に２箇所支持固定された遮蔽パターン部分が密に隣り合うタイプの遮蔽パターンを備える場合、前記遮蔽パターンの長さ及びパターン幅に応じて開口パターンを分割展開する必要があるか否かを判断することを特徴とする転写用マスクのパターン分割方法。
【請求項８】
転写用マスク上での遮蔽パターン長さが、式２で示される遮蔽パターンの許容長さｙ以上となる場合に、前記許容長さｙより小さくなりかつパターンが疎密度がより疎となるようにパターンを分割展開し、前記許容長さｙより小さい場合にはパターンの分割展開を行わないことを特徴とする特許請求の範囲７に記載の転写用マスクのパターン分割方法。
許容パターン長（ｙ）＝４１２．５Ｘ−９５．３３
Ｘ：パターン幅
【請求項９】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクの製造方法において、
パターンデータ上で特許請求の範囲５乃至８のいずれかに記載の方法に従ってパターン分割の要否を判定した後、パターン近接効果補正処理を施し、続いて描画用データに変換し、当該データを基板上感光材に転写し、続いて薄膜部にドライエッチング法により開口パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【請求項１０】
エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクの製造方法において、
パターンデータ上で、近接効果補正処理した後に、パターンデータ上でパターン分割の要否を特許請求の範囲５乃至８のいずれかに記載の方法に従って判定し、続いてパターン近接効果補正処理、描画用データに変換処理を施し、当該データを基板上感光材に転写し、続いて薄膜部にドライエッチング法により開口パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法
【請求項１１】
特許請求の範囲１０又は１１の方法によって製造されたことを特徴とする転写用マスク。
【請求項１２】
特許請求の範囲１乃至４、又は１１のいずれかに記載の転写用マスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電子線プロジェクション露光法を用いて被転写基板にパターン転写を施すための開口パターンを有するステンシルタイプ転写用マスクおよび該転写用マスクを用いたパターン転写方法に関する。
背景技術
配線パターン等を形成するためのリソグラフィー技術において、形成パターンが非常に微細化するに伴い、従来からの汎用技術である光リソグラフィー技術ではパターン形成が困難になり、更なる微細化に向け電子線、イオンビームなどの荷電粒子線やＸ線源等の短波長ビームを用いた露光技術が積極的に検討されている。中でも電子線描画技術は初期の点ビーム描画から、矩形ビームのサイズや形状を変化させて描画を行う可変成形描画法、続いて、パターン精度の向上や描画時間の短縮などの観点から、マスクを介してパターンの一部を部分的に一括して描画しこれを繰り返す部分一括描画法が提案され、発展が図られてきた。そして、部分一括描画法に引き続き、８年程前にＳ．Ｄ．Ｂｅｒｇｅｒらによって新しい電子投射システム（ＳＣＡＬＰＥＬシステム）が提案された。その後、同様の描画システム（ＰＲＥＶＡＩＬシステム）やこれらの描画システムに適用するための転写マスク（レチクル）構造およびその作製方法に関する提案が種々なされてきた。
例えば、特許第２８２９９４２号（特開平７−２０１７２６号）は、Ｈ．Ｃ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒらによって発明されたＰＲＥＶＡＩＬシステムに関するものであり、概略的には各小領域に所定のサイズ、配置にて形成された貫通孔（アパーチャ）パターンを形成したステンシルマスクを用意し、前記小領域に荷電粒子線を照射し、貫通孔パターンによって成形されたビームを光学系にて感光材を形成した被露光基板上に貫通孔パターンを縮小転写するものであり、マスク上に分割形成された所定パターンを被露光基板上にて繋ぎ合わせながらデバイスパターンを形成するものである。このシステムのために提案されている転写マスクは、パターン部が全く遮蔽されない貫通孔からなるステンシルタイプのマスクを主構造としている（特開平１０−２６１５８４、特開平１０−２６０５２３等）。ステンシルタイプのマスクでは、パターン領域を裏面側からストラット（ｓｔｒｕｔ）（桟）構造で分割、補強することによりパターン領域の撓みの低減が図られ、これによってパターン位置精度の向上等が図られている。
またＳＣＡＬＰＥＬシステムのためのマスク構造は主としてステンシルマスクよりも散乱マスク（レチクル）が提案されている。これらについては、例えば文献（Ｓ．Ｄ．Ｂｅｒｇｅｒ＆Ｊ．Ｍ．Ｇｉｂｓｏｎ著、ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴＥＲＳ５７（２）（１９９０）１５３）や、特開平１０−２６１５８４号公報、特開平１０−３２１４９５号公報等に具体的に記載されている。これら記載によれば、マスク構造はＳｉＮ等のメンブレン（自立した薄膜）上に重金属層を形成し、この重金属層に所望のパターン形成を施したものであり、電子ビームは双方の層に照射されるが、電子線散乱体の有無により電子散乱度が異なり、この散乱度の違いを利用してウエハ上でのビームコントラストを得て、パターンの縮小転写を行う方法である。
これらの露光システムは荷電粒子線の特徴である高解像性を満足し、０．１μｍより微細なパターン形成を可能としており、部分一括法と比較した場合、ショットサイズの大幅な拡大（例えば、被露光基板上の最大ショットサイズが５μｍから２５０μｍへ拡大）等によりデバイスの製造におけるスループット向上が図られ（例えば、最小線幅０．０８μｍ、８インチ基板で、３０枚／時以上のスループット）、汎用デバイス生産対応も可能な装置能力を有しており、実用性の高いシステムである。
このように、電子線プロジェクション露光（ＥＰＬ：ＰＲＥＶＡＩＬ、ＳＣＡＬＰＥＬ）では、マスク構造にステンシルタイプとメンブレンタイプの２種類が提案されている。ステンシルマスクはＳＯＩウエハーを用いて、ドライエッチング等の成形加工により作製される。マスク倍率は例えば４倍と低倍率となるため、マスクパターンは非常に微細化される。厚さは加工性、熱伝導性より２μｍが標準である。ステンシルタイプでは、従来よりドーナツ問題と称されるリングパターンの脱落問題があり、対策法としてパターン分割を施した相補形マスク法が提案されている。しかしながら、微細化に伴い転写フィールド内で形成するパターンにより機械的強度が低下することが考えられ、広範囲な相補形化の必要があると考えられる。
このような、パターンの相補形化に関する先行技術としては、例えば特開平１１−２６３７２号公報がある。この公報には、片持パターン（低支持部パターン：一方の端部がマスク材とつながっているパターン）について、相補形化の必要性が記載されている。また、この公報には、両端が支持されているパターンでは、強度的に問題がないと記載されている。
しかしながら、特に片持（リーフ）やＬ＆Ｓ（ブリッジ）部においては、応力集中による破損や機械的強度の低さによるマスク加工性が懸念される。本発明者は、片持ちパターンのパターンサイズと強度との関係、また両端支持パターンの強度との関係を研究し、本発明に至った。
発明の開示
上述の課題を解決するための手段としての第１発明は、
（１）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンであって、転写マスク上パターン表面部の表面積／支持部している部分の断面積の比が、５０００より大きい遮蔽パターン部分を分割展開した転写パターンを備えた転写用マスク。
（２）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンであって、転写マスク上パターン表面部の表面積／支持部している部分の断面積の比が、５０００以下である遮蔽パターン部分を分割展開せずに形成された転写パターンを備えた転写用マスク。
（３）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクが、少なくとも周辺部に２箇所支持固定された遮蔽パターン部分が密に隣り合うタイプの遮蔽パターンを形成するための転写用マスクであって、転写用マスク上での遮蔽パターン長さが、式２で示される遮蔽パターンの許容長さｙ以上となるパターンを、前記許容長さｙより小さくなりかつパターンが疎密度がより疎となるように分割展開されたパターンを含むことを特徴とする転写用マスク。
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（４）上記（１）又は（２）に記載の転写用マスクにおいて、相補型な複数のパターン領域を有することを特徴とする転写用マスク。
（５）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクのパターン分割方法において、
前記転写パターンが周辺部に一箇所が支持固定された遮蔽パターンを備える場合、前記遮蔽パターンの表面積及び支持部の断面積に応じて、開口パターンを分割展開する必要があるか否かを判断することを特徴とする転写用マスクのパターン分割方法。
（６）上記（５）に記載の転写用マスクのパターン分割方法において、前記遮蔽バターンの転写マスク上でのパターン表面部の表面積／支持部している部分断面積の比が、５０００以上である場合にパターンを分割展開し相補型な複数のパターン領域を形成し、それ以外はパターンの分割を行わないことを特徴とする転写用マスクのパターン分割方法。
（７）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクのパターン分割方法において、
前記転写パターンが少なくとも周辺部に２箇所支持固定された遮蔽パターン部分が密に隣り合うタイプの遮蔽パターンを備える場合、前記遮蔽パターンの長さ及びパターン幅に応じて開口パターンを分割展開する必要があるか否かを判断することを特徴とする転写用マスクのパターン分割方法。
（８）転写用マスク上での遮蔽パターン長さが、式２で示される遮蔽パターンの許容長さｙ以上となる場合に、前記許容長さｙより小さくなりかつパターンが疎密度がより疎となるようにパターンを分割展開し、前記許容長さｙより小さい場合にはパターンの分割展開を行わないことを特徴とする特許請求の範囲７に記載の転写用マスクのパターン分割方法。
許容パターン長（ｙ）＝４１２．５Ｘ−９５．３３
Ｘ：パターン幅
（９）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクの製造方法において、
パターンデータ上で上記（５）乃至（８）のいずれかに記載の方法に従ってパターン分割の要否を判定した後、パターン近接効果補正処理を施し、続いて描画用データに変換し、当該データを基板上感光材に転写し、続いて薄膜部にドライエッチング法により開口パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
（１０）エネルギービームを用いて転写パターンを被転写基板に転写するための転写用マスクであって、支持枠部に支持された薄膜部に開口パターンを形成してなる転写用マスクの製造方法において、
パターンデータ上で、近接効果補正処理した後に、パターンデータ上でパターン分割の要否を上記（５）乃至（８）のいずれかに記載の方法に従って判定し、続いてパターン近接効果補正処理、描画用データに変換処理を施し、当該データを基板上感光材に転写し、続いて薄膜部にドライエッチング法により開口パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法
（１１）上記（１０）又は（１１）の方法によって製造されたことを特徴とする転写用マスク。
（１２）上記（１）乃至（４）、又は（１１）のいずれかに記載の転写用マスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
である。
発明を実施するための最良の形態
（実施例１）
本実施例では、転写パターンが周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンを備える場合について説明したものである。
まず、周辺部の一箇所で支持された遮蔽パターンを備える転写パターンを形成するためのステンシルマスク上開口パターンの評価を行った。
評価パターンはサイズ、アスペクト（縦横比）を種々変更したＬ＆Ｓ、サイズを変更した低支持部パターンを用いた。ＳＯＩ基板（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：二枚のシリコン基板をＳｉＯ２を介して貼り合わせた構造の基板）を用いてマスクを作製し、光学顕微鏡等による外観観察により評価を行った。これは微細化に伴い、パターン横方向への剛性が低下し、自立化時に純粋などの表面張力の影響を受けた結果と判断される。また、ＳｉＯ２層除去は希フッ酸やＢＨＦで処理するため、シリコン表面が活性であったことも認められた。これは局部的な応力集中によるものと考えられる。このような機械的強度低下に起因する形状不良に対しては相補形化が必要である。
第１図は、低支持パターンの例である。これらのパターンについて、表１のように、サイズを種々変更したパターンの強度を確認した。
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その結果、大きいサイズ（例えば、厚さ２μｍの場合、面積０．０４ｍｍ２以上）のパターンでは、支持部エリアが低支持パターン外周の１／４以下の場合には支持形状及び支持サイズによらず、加工プロセス中に開口部端部での応力集中により容易に破損を生じてしまうことがわかった。また、小サイズ（例えば、厚さ２μｍの場合、面積０．０１ｍｍ２以下）のパターンでは、片持ちパターンなどの低支持パターンでも破損は生じず、相補形化の必要がないことが判明した。即ち、低支持パターンにおいては、面積効果が大きく、大サイズでは相補形化が必要であり、小サイズでは逆に相補形化が必要ないことがわかった。この結果により、低支持パターンであるからといって無理に相補形化する必要がなく、パターンエリアの低減化につながる。また小サイズの低支持パターンでの分割回避により、パターンデータのボリュームが極端に増加する事を避けることができる。
即ち、上記の結果から、パターンのスプリット化（相補形化）は、低支持パターン（片持パターン）については、支持部で支えているパターンの一面の表面積と支持している部分の断面積の比が５０００より大である場合にパターン分割を行う。この場合には、パターン面積のパターン表面積と支持部断面積の比が最大でも其々５０００以下となるように分割する。
次に、上記評価結果に基づき、転写パターンがマスク上の表面積と支持部断面積の比が５０００より大きいのものについて、ステンシルマスク上にコンプリメンタリー（相補型）な分割を施す。
分割方法は露光エリア内のパターン面積密度がほぼ均一になるように実施し、且つパターン分割により微小なパターンが生じない様に実施する。２つのマスク領域を形成し、転写パターンがマスク上の面積で０．０１ｍｍ２以下のもの（パターンの表面積と支持部断面積の比が５０００以下）については、相補形化せずに１つのパターン領域を上述の評価と同じ方法で形成した。
即ち、ステンシルマスクは例えば次のような方法により製造される。
パターンデータ処理は次のように行う。パターンデータは、いわゆる輪郭化処理が施された後、上記方法に従ってパターンの分割の要否が判定される。そして、判定結果に従って必要なものについてはパターンの分割が施された後、いわゆる近接効果補正処理が施され、それがＥＢ（電子線描画）データに変換される。
マスク作製は、まず、ＳＯＩ基板上にエッチングマスク層用薄膜（ＳｉＯ２等）を形成し、裏面凹部の加工を行ったマスクブランクス上にレジスト形成する。レジストに前記ＥＢデータを描画した後現像してレジストパターンを形成する。その後エッチングマスク層を形成した後ドライエッチングにより開口パターン（散乱層パターン）を形成し、エッチングマスク層除去する。その後、洗浄、検査を行って転写用マスクが完成する。
これらのマスクを用いて、例えばＥＢステッパーのような装置を用いて転写パターンを形成すれば、先端デバイス用１００ｎｍ以下の微細な転写パターンを形成できる。
尚、周辺部に一箇所がつながった遮蔽パターンを備える転写パターンは、上記のようなパターンに限らず、複雑形状な低支持パターンについても上記基準は適応可能である。
（実施例２）
本実施例は、転写パターンの両端がつながった遮蔽パターンを備える場合について説明したものである。
まず、このような転写パターン両端がつながった遮蔽パターンを形成するためのステンシルマスク上の開口パターンについて評価した。
次に表２のような種々サイズのラインパターンについて強度を確認した。
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尚、評価はウエットクリーニング処理プロセス後に行った。評価におけるパターンたわみ量見積りは、式１で示すことができる。
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ここで、
δ：パターンたわみ量
Ｅ：ヤング率
Ｉ：断面２次モーメント
Ｗ：等分布荷重
ｌ：パターン長
また、曲げ剛性ＥＩは、
2002021582.tif 000007
を用いて求めることができる。但しａはパターン幅、ｂはパターン長である。
ステンシルマスクで一般的に言われているパターン強度は垂直方向に関してである。ＥＰＬステンシルマスクにおいては、厚さは２μｍであり、垂直方向についてはさほど問題とはされなかった。実際加工してみても、垂直方向の強度は、特開平１１−２６３７２で述べられているように、パターン幅／長さ比２０００程度までは問題はなかった。しかしながら、ＮＧＣ（次世代リソグラフィー）スペックのパターン形成のためには、ＥＰＬステンシルマスクに形成される開口（ステンシル）パターンは、最小０．２〜０．３μｍ幅程度となり、横方向への曲げ剛性（ＥＩ）は非常に低くなり、その結果パターン強度が低下することがわかり、プロセス中の、例えば純粋リンスなどの溶媒の表面張力により変形され、密なパターン部では隣合うパターン同士が分子間力などで固着してしまうことが判明した。この問題により従来問題なしとされていた両端支持パターンにおいてもパターンの相補形化が必要であることが判明した。第２図に、ライン系（直線、Ｌ字、十字等）のパターンのスプリットに関して、１：１Ｌ＆Ｓの場合の許容されるパターン長を示す。尚、重力による弾性範囲内のパターン変形に関して式１で求められる。
このに示す式はマスク作製工程に使用される純水処理を施し、純水などの表面張力効果も加味し、マスク作製プロセスを施した場合の正常加工可能なパターン長を実験より求めたものである。
なお計算式は最も重要な０．２μｍ〜０．５μｍのパターンサイズ範囲に関して一次近似したものである。将来的に更なる微細化が進み、マスク上パターンサイズは０．２μｍより微細になった場合には、この計算式の限りではない。
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例えば、０．２μｍサイズの１：１Ｌ＆Ｓパターンの最大許容パターン長は上記計算式より、
３．６７μｍである。即ちこれ以上の長さを有するパターンではパターン分割を行う。
この場合、例えば０．２μｍサイズ、２μ厚さのパターンであっても、デューティー比が１：２Ｌ＆Ｓであれば、許容パターン長は６９．７μｍとなる。この様にパターン分割の有無はパターンディーティー比、厚さなどに依存することが明らかになり、このため分割すべきパターンの数量が制約できることから、パターンデータ量の極端な増加を抑制する
ことが可能となる。
次に、上記評価結果に基づき、転写する為の遮蔽パターン長が式─２を満たす様にステンスルマスクにコンプリメンタリー（相補型）処理を行う。例えば、第３図に示すような開口パターン部１と遮蔽パターン部２を有する１：１Ｌ＆Ｓパターンを分割する場合、第４図のように、単にパターン長さ／幅の比（アスペクト比）で単に分割すると分割部が２次元的に一定の位置で分割されてしまう。この場合は応力集中の原因になり、メンブレン破損の要因になるため好ましくない。従って、パターンを一定の長さで極力分割しないと共に、例えば１：１Ｌ＆Ｓパターンを第５図のように分割することによりパターンの粗密度の偏りを防止すると共にパターンの応力の集中を防止することができ、また第６図のようなデューティー比が１：３になるように分割を施すことにより粗密度を低減することができるため、好ましい。ここで、第４図〜第６図において、黒く塗りつぶされた部分は、コンプリメンタリー処理が施される部分である。
２つのマスク領域を形成し、転写遮蔽パターンが式２より求められる許容パターン長以下のものについては、相補形化せずに１つのパターン領域を上述の評価と同じ方法で形成した。具体的なステンシルマスクの製造方法は実施例１と同様である。これらのマスクを用いて転写パターンを形成すれば、１００ｎｍ以下の微細パターンを転写形成できる。
尚、本発明においては、ステンシルマスクの構造、製造方法等には上記実施例に限るものではない。
産業上の利用可能性
本発明は、電子線プロジェクション露光法に用いられる転写用マスクを得るのに利用できる。特に、相補形化が必要か否かを判断して開口パターンを形成するため、パターンエリアの低減化ができ、パターンデータの極端な増加を抑制し、さらに高精度な転写パターンを転写することができる転写用マスクを得ることを可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、実施例１における低支持パターンの模式図であり、第２図は、実施例２におけるライン系パターンのスプリットに関するパターン長とパターン幅との関係を示す図であり、第３図は実施例２のパターン模式図（基データ）であり、第４図は実施例２におけるパターン分割例（好ましくない例）を示すパターン模式図であり、第５図は実施例２におけるパターン分割例（好ましい例）を示すパターン模式図であり、第６図は実施例２におけるパターン分割例（好ましい例）を示すパターン模式図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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