(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁界により減圧室内にガスプラズマを形成し、被処理物を処理するプラズマ処理装置において、高周波電源に接続された平衡２線伝送線を備え、前記平衡２線伝送線を構成する導体は上下の関係に配置されるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記平衡２線伝送線は前記減圧室内に配置される請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記平衡２線伝送線の上側にガス導入孔を備える請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記平衡２線伝送線はヒータとして形成される請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記平衡２線伝送線には、前記高周波電源からの高周波電流とヒータ用直流電流とが重畳する請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記平衡２線伝送線は前記減圧室外に配置される請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記平衡２線伝送線は、その内の１線が減圧室外に配置され、他の１線が減圧室内に配置される請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記平衡２線伝送線は、誘電体の上下に設けられた２本の導体からなり、該誘電体にガス導入経路及びガス流出孔が設けられる請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記平衡２線伝送線は、各導体がそれぞれ設けられた２枚の誘電体板からなり、該２枚の誘電体板の間がガス導入経路とされ、下部の誘電体板にガス流出孔が設けられる請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記平衡２線伝送線は、折り曲げて配置された請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記平衡２線伝送線は、スパイラル状に配置された請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記平衡２線伝送線は、蛇行線状に配置された請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記平衡２線伝送線は、隣接する伝送線の間隔が一様ではない請求項１０〜１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記平衡２線伝送線は、バランを介して同軸ケーブルによって高周波電源と接続される請求項１〜１３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記被処理物を半導体ウエハとする請求項１〜１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
電磁界により減圧室内にガスプラズマを形成するプラズマ処理装置において、高周波電源に接続されたマイクロストリップ線路を備え、前記マイクロストリップ線路は、接地面と、該接地面と空間を挟んで前記減圧室内に配置されたストリップ導体とからなり、前記空間がガス導入経路とされるとともに、ガスプラズマの原料となるガスが前記ガス導入経路を経て前記減圧室内に導入されるプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記ストリップ導体をスパイラル状に配置する請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記ストリップ導体を蛇行線状に配置する請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記被処理物を半導体ウエハとする請求項１６〜１８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置に関し、たとえば、半導体製造工程におけるプラズマＣＶＤ、プラズマエッチング等のプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、プラズマは、成膜、表面改質、エッチング等を行うプロセスに利用され、大きな成果を得ている。プラズマ状態は、減圧下で直流、高周波、マイクロ波などにより形成された電磁界に不活性ガスや反応性ガスを導入し、加速された電子とガス分子とが衝突電離することにより生じ、化学的に活性なイオンやラジカル（励起原子、分子）などの粒子を生成する。
【０００３】
たとえば、プラズマＣＶＤ技術は、反応性ガスのプラズマ中で生成された活性な粒子により、基板表面での化学反応を促進し、薄膜を形成する技術である。
また、ドライエッチングはエッチングガスを放電分解し、発生したラジカルやイオンによりエッチングを行うもので、電界によりイオンの運動方向と運動エネルギーを制御し、高周波電極上に置かれた試料の異方性エッチングが行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
減圧室におけるプラズマを利用して成膜、表面改質、及びエッチング等を行うプラズマ処理装置においては、均一な特性を達成するために、均一なプラズマを形成することが必要である。特に、半導体製造のためのプラズマＣＶＤ装置及びエッチング装置においては、ウエハ面内での均一な成膜、均一な加工のために、均一なプラズマを形成することが望まれている。特に、ウエハが１２インチのように大口径化し、プロセスの低温化が進行している現在では、ウエハ表面に均一なプラズマを形成する必要性は増大している。そして、均一なプラズマの形成のためには、プラズマ形成のための電磁界を均一に形成することが必要で、重要課題となっている。
【０００５】
従来のプラズマ処理装置の一例である誘導結合型プラズマエッチング装置にあっては、円筒形のプロセスチャンバの側面に高周波コイルを巻回して高周波電磁界をチャンバ内に生成させるものがあったが、発生する電磁界の密度は、コイルの中心部では、周辺部に比べて小さくなり、均一な電磁界を形成することは困難であった。
【０００６】
電界及び磁界の密度はコイル導体からの距離に反比例する。すなわち、電流Ｉの流れる導体からＲ離れた点の磁界の強さＨは、Ｈ＝Ｉ／２πＲ（Ａ／ｍ）で表わされ、また、単位長当たりの電荷Ｑを持つ導体からの距離Ｒ離れた点の電界の強さは、Ｅ＝Ｑ／２πεＲ（Ｖ／ｍ）で表わされる。
したがって、電界及び磁界の密度はコイル導体の直近で最も大きくコイルから離れると弱くなり、コイルの中心が最も弱くなる。したがって、形成される電磁界もコイル近傍が強くコイル中心部が弱くなってしまう。
【０００７】
また、スパイラル状にプロセスチャンバ上部にコイルを配置するものにあっては、スパイラル状のコイル全体のインピーダンスが各種チャンバに適用するごとに変化して、高周波に対して整合がとりにくいという問題点があった。
【０００８】
さらに、スパイラルコイルを複数用いてマルチスパイラル構成とするプラズマ処理装置においても同様に、コイル近傍とコイルから離れた地点とでは、電磁界密度が異なり、均一な電磁界を形成することは困難であった。
【０００９】
アンテナによる放射電磁界を利用してプラズマを形成する方法にあっては、均一な電磁界を形成するための方法として、スロットアンテナやスポークアンテナを利用するものがあるが、どのアンテナも、給電点を中心に同心円状の放射パターンを示し、放射電界も、Ｅ＝６０πＩＬ／λＲ（Ｖ／ｍ）（Ｉは電流、Ｌはアンテナ長、λは波長）で示されるように、給電点からの距離Ｒに反比例する。したがって、面方向に均一な電磁界を形成することは困難である。
【００１０】
その寸法形状も周波数の１／４波長を基本とする制約があり、たとえば使用周波数が８０ＭＨｚであれば、１／４波長は約９０ｃｍとなり、プロセスチャンバに適用するのは無理がある。また、放射電磁波はプロセスチャンバの壁面で反射や干渉を起こし、所望の電磁界を得るための制御は難しい。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、プラズマ処理装置において、高周波を効率的に導入し、電磁界分布を均一にすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高周波を効率的に導入し、電磁界分布を均一にするために、電磁界形成のためのコイルを平衡２線伝送線で形成し、平衡２線を上下の関係になるように配置したものである。
平衡２線伝送線においては、終端部の負荷インピーダンスを平衡２線の特性インピーダンスに等しくすると、整合状態となり、電磁波は進行波のみとなる。したがって、高周波を効率よく伝送することができ、形成される電磁界は伝送方向に進行するので伝送方向に均一となる。
また、平衡２線を上下の関係で配置したから、ウエハ表面に平行な均一電磁界を形成することができる。
さらに、平衡２線伝送線の損失が無視できるものであれば、特性インピーダンスは、Ｚ＝√（Ｌ／Ｃ）となり、使用する高周波の周波数には依存しないので、異なる周波数に対してインピーダンスの変更なしに整合を確保できる。
【００１３】
平衡２線伝送線はウエハ上に折曲して配置すればよく、特にスパイラル状又は蛇行線状に構成することによって、さらに電磁界分布を均一にできる。
本発明の平衡２線伝送線の平面に占める面積は小さいので、ガス導入経路を広く確保することができ、上部からのガス導入も容易となる。
【００１４】
電磁界の前進方向で高周波エネルギーが減衰するときには、隣接する平衡２線伝送線の間隔たとえばスパイラルないし蛇行の間隔を徐々に狭くすることによって、エネルギーの減衰を補償することができる。
外部要因等により電磁界が不均一になる場合にも、隣接する平衡２線伝送線の間隔を調整することにより、均一な電磁界に補正することができる。
【００１５】
平衡２線伝送線は、減圧室内外に配置することができる。また、２線の一方を減圧室に、他方を減圧室外の大気圧側に配置することができる。この場合、平衡２線伝送線を支持する誘電体中にガス導入経路を設けることにより、プラズマ化の効率を上げることができる。
また、平衡２線伝送線は、各１本の導体が設けられた２枚の誘電体板を間隔をあけて上下に配置し、その間をガス導入経路とすることもできる。
なお、平衡２線伝送線を減圧室内に配置する場合、平衡２線伝送線をヒータと兼用することができ、装置構成を簡素化できる。
【００１６】
マイクロストリップ線路のストリップ導体を減圧室に配置すれば、平衡２線伝送線に代えてマイクロストリップ線路を用いることもできる。マイクロストリップ線路として、接地導体面上の空間にワイヤを配置するものを用いて、接地導体面上の空間とワイヤを減圧側に配置し、接地導体面とワイヤ間の空間にガスを導入すれば、装置構成を簡素化できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を示す概略図であり、図２は、本発明のスパイラル状の平衡２線伝送線を示す概略図である。
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置の処理容器はＡｌ等の円筒形の減圧室であるプロセスチャンバ１として形成され、プロセスチャンバ１の下部には、ウエハ３を載置するウエハ載置台２が設けられ、上部には、バラン９、同軸ケーブル８を介して高周波電源７に接続する平衡２線伝送線４を備える。図２に示すように、平衡２線伝送線４は、支持と絶縁と保護とを兼ねる誘電体５で覆われ、平衡２線伝送線４の２線である導体４ａ，４ｂは上下の関係で、ウエハ３の上部に配置され、ウエハないしチャンバの中心部からスパイラル状に周辺部に至っている。
【００１９】
平衡２線伝送線の導体４ａ，４ｂの断面形状は丸、四角、その他いずれでもよく、導体４ａ，４ｂのサイズは、丸型であれば５ｍｍφ〜１０ｍｍφ程度を用いる。その他の断面形状についても、同程度のサイズを用いればよい。平衡２線を構成する２つの導体４ａ，４ｂ間の間隔はあまり小さくすることなく、４０〜６０ｍｍ程度が適当である。スパイラルの間隔Ｌは平衡２線を構成する２つの導体４ａ，４ｂ間の間隔の１〜１．５倍程度でよい。ウエハ３との距離は５〜１０ｃｍ程度が適当である。
【００２０】
平衡２線伝送線４は減圧室であるプロセスチャンバ内に収容されているので、セラミック等の誘電体５で完全に覆う方がよい。導体４ａ，４ｂの材料はいずれでもよい。高温に耐える必要があれば、タングステン線やモリブデン線等を使用してもよいが、プラズマ耐性、金属汚染防止等の必要から、導体表面に溶射等の方法で窒化物、炭化物、酸化物等のセラミックによる被覆を施すか、ホットプレスのような成型加工方法によりセラミックで囲う必要がある。また、平衡２線をまとめて誘電体で覆うのではなく、誘電体で覆われた１本の伝送線を２線上下に配置して、平衡２線伝送線としてもよい。
【００２１】
平衡２線伝送線４への高周波の導入は、高周波電源７から同軸ケーブル８、バラン９を介してプロセスチャンバの上面中央部から行われる。不平衡線である同軸ケーブル８から平衡２線伝送線への給電はバラン９を介して変換する。ここで、バラン９は、長さ４分の１波長の円筒管を同軸ケーブルにかぶせたシュベルトップ型バランを用いている。平衡２線伝送線の終端には負荷インピーダンスＺｌが結線されインピーダンスの整合を行っている。
【００２２】
高周波の導入は、中心部からではなく、周辺部から導入し中心部で負荷に結線してもよく、周辺部から導入する場合、プロセスチャンバ上面からではなく、側面から導入してもよい。
また、プロセスチャンバ１が角型であれば、これに合わせて角型スパイラルとしてもよい。
【００２３】
プラズマ形成時平衡２線伝送線４の電磁界はプラズマのエネルギーとして消費されるのでしだいに減衰してゆくが、減衰量を加味してスパイラルの間隔Ｌを徐々に密になるように調整すれば均一性を確保できる。
また、外部要因等により電磁界が不均一になる場合には、スパイラルの間隔Ｌを調整することにより、均一な電磁界に補正することができる。
【００２４】
平衡２線伝送線４の上部にガス導入のためのガス導入孔６が設けられる。本発明では、平衡２線伝送線４の平面に占める面積が小さいので、平衡２線伝送線４の上部からガスを導入してもウエハ面へのガスの流入が確保される。また、平衡２線伝送線４間を通過することによって、均一な電磁界でプラズマ化が効率よく行われることになる。
【００２５】
平衡２線伝送線４の取り付けの態様は適宜設計的に決定されるが、誘電体の平板で平衡２線伝送線４の上部ないし下部を支持するようにしてもよい。この場合には、支持用の誘電体の平板に適宜貫通孔を設けて、ガスの経路を設ければよい。
【００２６】
図１では、ガス導入孔６を１箇所に示したが、複数設けてもよいし、異なるガスを導入する別のガス導入孔を設けてもよい。複数のガス導入孔をチャンバ中心に対称的に設ければ、ガスの流れをより均一にすることができる。プロセスチャンバの側面のみならず上面に設けてもよい。
また、平衡２線の各々の導体を個別に上下に配置する場合、直接導体間にガスを導入するようにガス導入孔を導体間に配置するようにしてもよく、場合によっては、平衡２線伝送線の下方にガス導入孔を設けることもできる。
【００２７】
ウエハ３を載置するウエハ載置台２の構成は従来のものと同じであるので、詳細は省略する。必要に応じて試料載置台に下部電極を設け、高周波バイアスをかけることもできる。また、図示しないが、ウエハ搬入搬出のためのゲートバルブ、真空排気用の排気管等プラズマ処理装置に必要な部材が備えられているのも従来の装置と同様である。
【００２８】
図３に、図１、２で示したＡ部の電磁界の詳細を示す。
図３に記載した、平衡２線伝送線４の導体４ａの記号×は、電流が紙面の表から裏へ向かうことを示し、導体４ｂの記号・は、電流が紙面の裏から表に向かうことを示す。すなわち、上側の導体４ａには紙面の表から裏へ向かって電流が流れ、下側４ｂの導体は紙面の裏から表へ電流が流れるものである。電界Ｅは実線で、磁界Ｍは破線で示す。磁界は両導体４ａ，４ｂ間及びその近傍に破線で示したように形成され、ウェハ表面にほぼ平行かつ一様に形成される。
【００２９】
なお、図３は、スパイラルの半径方向の一部断面を示す図であり、チャンバの中心に対して対称となる反対側の半径方向断面では、電流の流れる方向は逆に、上側の導体４ａには紙面の裏から表へ向かって電流が流れ、下側の導体４ｂには紙面の表から裏へ電流が流れるが、磁界がウエハ表面に平衡で一様に形成される点では同じである。また、１／２波長が終端抵抗部までの長さより短い周波数においては、半径方向の位置により電界と磁界が反転して現れるが、瞬時に進行方向に移動するため進行方向に均一であることには変わりはない。
【００３０】
このように、平衡２線伝送線４によってスパイラル状に構成されたコイルによる電磁界は、ウエハに対して平行で、円周方向及び半径方向に平面的にほぼ均一な電磁界となり、形成されるプラズマもほぼ均一なものとなる。
また、平衡２線伝送線４の特性インピーダンスは周波数に依存しないため、幅広い周波数を利用することができ、装置の応用範囲が広がる。
【００３１】
ところで、平衡２線伝送線４による電磁界は、平衡２線を構成する導体４ａ，４ｂの各部分が作る電磁界の合成されたものである。すなわち、ある間隔を離して配置された正及び負の導体が作る電磁界の合成であるから、導体４ａ，４ｂの間隔が無視できるほどの遠方では導体４ａ，４ｂからの距離がほぼ等しくなり、各導体４ａ，４ｂによる電磁界は互いに打ち消しあう。
【００３２】
したがって、平衡２線の導体４ａ，４ｂの間隔を小さくとると、打ち消される電磁界が多くなり、近傍の電磁界は弱くなる傾向がある。大きくとると、打ち消される電磁界は小さくなり電磁界はより強くなるがチャンバ内のスペースに収まらなくなる。また、伝送線の特性インピーダンスが変わってくる、したがって、これらの条件を考慮すると、前記したように、導体４ａ，４ｂのサイズは、丸型であれば５ｍｍφ〜１０ｍｍφ程度を用い、平衡２線を構成する２つの導体４ａ，４ｂ間の間隔は４０〜６０ｍｍ程度とするのがよい。
【００３３】
図４（a）に示すように、平衡２線伝送線４をスパイラル状に配置することに代えて、プロセスチャンバの形状にあわせて蛇行線状に配置して、蛇行コイル５とすることもできる。この場合、高周波の導入はプロセスチャンバの側面から行うことになる。
【００３４】
図４（ｂ）には、図４（ａ）のＢ部の電流の流れを示す。平衡２線伝送線４の導体４ａ，４ｂに示す記号は、図３に示した記号と同じで、電流の方向を示す。平衡２線伝送線４を蛇行させると、スパイラル状に形成する場合とは異なり、蛇行することによって隣り合う伝送線に流れる電流の方向が相違することになり、電磁界の形成では不利な点があるが、スパイラル状に配置する場合と同様均一な電磁界が形成できる。また、隣り合う伝送線に流れる電流をスパイラルの場合と同様に同一にするには、蛇行するコーナー部でねじり部を形成し上下逆にすればよい。
【００３５】
図５に示す実施形態では、スパイラル状の平衡２線伝送線４をプラズマ形成のための減圧側１１に設けずに、大気圧側１２に設けたものである。このように大気圧側１２にコイルを配置すると、プラズマによるコイル導体への影響はなく、コイル選択の自由度が大きくなる。図５では、２枚の誘電体板１３、１４の各々にスパイラル状に導体４ａ、４ｂを設けたものを終端部で負荷インピーダンスに結線して上下の導体を組合せ、平衡２線伝送線４を形成したものである。ここで、誘電体１４はたとえば石英でできており、減圧室と大気圧室とを隔てる天板となっている。
【００３６】
この場合、ガス導入孔６は平衡２線伝送線４より下に設けることになり、図１に示す減圧室内に平衡２線伝送線４を配置する例と比較すると、プラズマ形成に利用できる電磁界は少なくなるが、均一な電磁界を形成することができるのは同様である。
【００３７】
図６に示す実施形態は、誘電体をはさんでなる平衡２線伝送線４の２線４ａ，４ｂのうち１線４ａが大気圧側１２、他の１線４ｂは減圧側１１に配置される例である。本例は、誘電体１５の表裏に平衡２線伝送線を構成する各１線４ａ，４ｂを配置したものであり、誘電体１５内にはガス導入経路１７が設けられ、誘電体下部にはガスが流出する貫通孔１８が設けられている。平衡２線伝送線をすべて大気圧側に配置するものに比較して、平衡２線間の均一電磁界を有効に利用できるものである。
【００３８】
本例では、高周波の導入を側面から行っている。平衡２線伝送線がスパイラル状であれば、中心部で負荷インピーダンスが結線され、蛇行線状であれば対向端で負荷インピーダンスが結線される。負荷インピーダンスは、たとえば誘電体の内部を貫通して設けることもできる。
【００３９】
本例では、平衡２線伝送線４は、ガス導入経路１７が設けられた誘電体１５の表裏にスパイラル状の導体４ａ，４ｂを形成したものを使用している。しかし、誘電体表面にスパイラル状の導電体４ａ，４ｂを配置したもの２枚を作成し、これらの裏面を対向させて所望の間隙をあけて配置し、この間隙からなる空間をガス導入経路として用いることも可能である。
【００４０】
図７に示す実施形態（プロセスチャンバのみを図示する。）は、誘電体２０に平衡２線伝送線４の各１線となる導体４ａ、４ｂを埋め込み、上下の対で平衡２線伝送線４とするもので、誘電体中の平衡２線伝送線４の中間部分にガス導入経路２３を設け、誘電体下部のガス流出孔２４からウエハ上にガスを流出させるもので、図６に示した実施形態物と同様に、平衡２線間の均一電磁界を有効に利用できるものである。また、導体４ａ、４ｂを各々埋め込んだ誘電体２枚を間隙を設けて配置し、この間隙をガス導入経路としてもよい。
【００４１】
平衡２線伝送線に代えて、マイクロストリップ線路を利用して本発明の実施形態を構成することも可能である。このようにしても、形成される電磁界の均一性は確保される。
【００４２】
マイクロストリップ線路は接地導体面と間隔を設けてストリップ導体を設けたもので、通常接地導体面とストリップ導体との間には誘電体が介在する。マイクロストリップ線路を平衡２線伝送線に代えて用いるには、ガス導入経路を設けた誘電体の一方の面を接地導体面とし、誘電体のもう一方の面には、ストリップ導体をスパイラル状又は蛇行線状に設け、かつストリップ導体を設けない部分にガス流出孔を設けて、マイクロストリップコイルを形成し、このマイクロストリップコイルのストリップ導体側を減圧側に配置すればよい。
【００４３】
そして、ガス導入孔から誘電体中のガス導入経路を経てガスを導入し、マイクロストリップ線路による均一電磁界によりプラズマ化して、ウエハ上面にプラズマ化したガスを流す。
【００４４】
なお、高周波を導入するには、同軸ケーブルを直接マイクロストリップ線路に接続すればよい。また、誘電体を用いることなく接地導体面上に間隔を設けてワイヤを配置してストリップ線路とするものを用いることも可能である。この場合も、少なくともワイヤを減圧側に配置し、接地導体面とワイヤ間の空間にガスを導入すればよい。
【００４５】
図８及び図９に示す装置は、プロセスチャンバ内の平衡２線伝送線をヒータとして利用するものである。プラズマ環境を適切な温度に設定するためにヒータを備えることが知られているが、この装置は、平衡２線伝送線をヒータとするもので、交流電源３１からトランス３２、全波整流器３３、平滑器３４を介してヒータ用直流電流を得て、平衡２線伝送線に供給する。
【００４６】
図８のものでは、電磁界形成用の高周波電源９は、２次巻線がヒータ用電力供給線に直列に接続されるトランス３５を介して、ヒータ用直流に重畳して高周波電流を供給する。また、図９のものは、電磁界形成用の高周波電源９は、結合コンデンサ３６を介して、ヒータ用電力供給線に並列に接続され、ヒータ用直流に重畳して高周波電流を供給する。
このように構成することによって、ヒータを別途設ける必要のない、簡素な構成の装置を実現できる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明は、平衡２線伝送線を用いることにより、高周波を効率よく伝送することができ、プラズマ形成のための電磁界を均一なものとすることができる。また、平衡２線伝送線の特性インピーダンスは、使用周波数には依存しないので、幅広い周波数に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置を示す概略図である。
【図２】本発明のスパイラル状平衡２線伝送線を示す図である。
【図３】本発明のスパイラル状平衡２線伝送線の一部詳細図である。
【図４】本発明の蛇行線状平衡２線伝送線を示す図である。
【図５】本発明の平衡２線伝送線を大気圧側に配置した実施形態を示す図である。
【図６】本発明の平衡２線伝送線の誘電体にガス導入経路を設けた実施形態を示す図である。
【図７】本発明の平衡２線伝送線の誘電体にガス導入経路を設けた他の実施形態を示す図である。
【図８】本発明の平衡２線伝送線をヒータとする実施形態を示す図である。
【図９】本発明の平衡２線伝送線をヒータとする他の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１…プロセスチャンバ
２…ウエハ載置台
３…ウエハ
４…平衡２線伝送線
５…誘電体
６…ガス導入孔
７…高周波電源
８…同軸ケーブル
９…バラン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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