(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された酸化物超伝導薄膜からなる配線と、前記基板上であって前記配線の周辺領域にその配線に非接触で形成された、前記基板との良好な密着性を有する金属材料の薄膜からなる密着層と、前記配線及び密着層上に被覆された貴金属材料の薄膜からなる導電極とを含んでなる電極構造体。
【請求項２】
前記密着層の膜厚が２００〜３００Åである、請求項１に記載の電極構造体。
【請求項３】
前記密着層がクロム、ニッケル又はその合金の薄膜からなる、請求項１又は２に記載の電極構造体。
【請求項４】
前記導電極が銀、金又はその合金の薄膜からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極構造体。
【請求項５】
請求項１に記載の電極構造体を製造する方法であって、下記の工程：
基板上に酸化物超伝導体を被着及び配線化して酸化物超伝導薄膜からなる配線を形成する工程、
前記基板上であって前記配線の周辺領域に、その配線に非接触で、前記基板との良好な密着性を有する金属材料を被着して金属薄膜からなる密着層を形成する工程、及び
前記基板上に貴金属材料を被着して、前記配線及び密着層を被覆した貴金属薄膜からなる導電極を形成する工程、
を含んでなる、電極構造体の製造方法。
【請求項６】
前記密着層をリフトオフ法により形成する、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記密着層を２００〜３００Åの膜厚で形成する、請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記密着層をクロム、ニッケル又はその合金の薄膜から形成する、請求項５〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
導電極の形成に先がけて、先に形成された密着層を熱処理する工程をさらに含む、請求項５〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記導電極をリフトオフ法又はシャドウマスク法により形成する、請求項５〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記導電極を銀、金又はその合金の薄膜から形成する、請求項５〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電極構造体に関し、さらに詳しく述べると、配線化された酸化物超伝導体を含む、電気的特性及び機械的性質に優れた電極構造体に関する。本発明はまた、このような電極構造体を製造する方法に関する。本発明は、エレクトロニクスの分野において広く有利に使用することができ、一例として、コンピュータの配線、ＳＭＴ−表面実装への対応、その他を挙げることができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、酸化物超伝導体をエレクトロニクスの分野に応用することが試みられている。例えば、酸化物超伝導体を、配線材料として、回路基板等に応用することができる。ここで、酸化物超伝導体を配線化して使用する場合、電気的及び機械的に良好な電極をあわせて形成することが不可欠である。これは、酸化物超伝導体が、通常の金属に比べてキャリア濃度が低く、また異方性を有し、通常金属との界面において半導体又は絶縁体的な層を形成し易いからである。実際、電気的及び機械的に良好な電極を形成するのに適当な材料としては、銀、金等の貴金属しか存在していない。
【０００３】
また、配線化した酸化物超伝導体の上に銀、金等の貴金属の電極を形成するに当たっては、酸化物超伝導体の薄膜上に銀、金等の薄膜をシャドウマスク法、リフトオフ法等で堆積し、次いで酸化物超伝導体の薄膜を配線化する方法が一般的である。
例えば、従来の方法のうちシャドウマスク法を使用した方法は、図８及び図９に順を追って示す工程Ｃ１−Ａ〜Ｃ１−Ｅのようにして実施することができる。先ず、工程Ｃ１−Ａに示すように、基板（ここでは MgO基板）２１上に酸化物超伝導体の薄膜２２を常用の成膜技術に従って堆積する。次いで、形成された酸化物超伝導薄膜２２の上面に、工程Ｃ１−Ｂに示すように、固くて薄い金属板に所望の形をした電極用の穴をあけたマスク２５を載置し、密着させる。その後、このマスク付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、常法に従って電極を蒸着する。すなわち、工程Ｃ１−Ｃに示すように、露出した酸化物超伝導薄膜２２とマスク２５の上方に全面的に電極材料（ここではAg）２３を堆積させる。電極蒸着の完了後、不要となったマスクを基板から取り除くと、工程Ｃ１−Ｄに示すように、酸化物超伝導薄膜２２上の所定の部位（先の電極蒸着中にマスクの穴により露出していた部分）にAg電極２３が残留する。最後に、酸化物超伝導薄膜２２をフォトリソグラフィ法（露光及び現像）によりパターニングし、さらにエッチング法により不要部分を除去する。工程Ｃ１−Ｅに示すように、所望とする超伝導配線が得られる。
【０００４】
また、従来のリフトオフ法を使用した方法は、図１０及び図１１に順を追って示す工程Ｃ２−Ａ〜Ｃ２−Ｅのようにして実施することができる。先ず、工程Ｃ２−Ａに示すように、基板（ここでは MgO基板）２１上に酸化物超伝導体の薄膜２２を常用の成膜技術に従って堆積する。次いで、形成された酸化物超伝導薄膜２２の上面に、工程Ｃ２−Ｂに示すように、フォトレジスト膜３５を形成した後に、電極を形成したい領域に、トルエン等を用いた有機溶剤処理、露光及び現像で、孔２６を形成する。その後、このレジスト膜付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、先に説明したシャドウマスク法と同様にして常法に従って電極を蒸着する。すなわち、工程Ｃ２−Ｃに示すように基板２１の上方に全面的に電極材料（ここではAg）２３を堆積させる。電極蒸着の完了後、不要となったレジスト膜２３をアセトンのような有機溶剤で基板から溶解除去すると、工程Ｃ２−Ｄに示すように、酸化物超伝導薄膜２２上の必要な部位（先の電極蒸着中にレジスト膜の孔により露出していた部分）にAg電極２３が残留する。最後に、先に説明したシャドウマスク法と同様にして酸化物超伝導薄膜２２をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、さらにエッチング法により不要部分を除去する。工程Ｃ２−Ｅに示すように、所望とする超伝導配線が得られる。
【０００５】
しかし、従来一般的に用いられているこれらの方法では、配線を構成する酸化物超伝導体と電極との接触面積が小さく、また一般に酸化物超伝導体のｃ軸方向との接触のため、酸化物超伝導体の特徴である異方性としてｃ軸方向（CuO2面に垂直な方向）は電気伝導性が劣り、半導体的又は絶縁体的な層が接触面に形成され易く、電気的及び機械的に良好な電極を形成することが困難である。
【０００６】
このような不都合を回避するため、酸化物超伝導体と電極との接触面積を増大させ、機械的密着性を改良する試みも提案されている。すなわち、あらかじめ酸化物超伝導体を配線化し、その後で配線の線幅より僅かに大きく電極を形成する方法である。
例えば、従来のシャドウマスク法を使用した方法は、図１２及び図１３に順を追って示す工程Ｃ３−Ａ〜Ｃ３−Ｅのようにして実施することができる。先ず、工程Ｃ３−Ａに示すように基板（ここでは MgO基板）２１上に酸化物超伝導体の薄膜２２を常法に従って成膜した後、これをパターニングする。工程Ｃ３−Ｂに示すように、配線化された酸化物超伝導薄膜２２が基板２１上に形成される。次いで、形成された酸化物超伝導配線２２の上面に、工程Ｃ３−Ｃに示すように、固くて薄い金属板に電極用の穴をあけたマスク２５を載置し、密着させる。ここで使用するマスク２５の穴の大きさは、配線２２の線幅よりも僅かに大きくなるように調整する。その後、このマスク付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、常法に従って電極を蒸着する。工程Ｃ３−Ｄに示すように、酸化物超伝導配線２２、露出した基板２１、そしてマスク２５の上方に全面的に電極材料（ここではAg）２３が堆積される。電極蒸着の完了後、不要となったマスクを基板から取り除くと、工程Ｃ３−Ｅに示すように、酸化物超伝導配線２２を取り囲むようにその配線の上面及び側面にAg電極２３が形成される。
【０００７】
また、もう１つの方法であるリフトオフ法を使用した方法は、図１４及び図１５に順を追って示す工程Ｃ４−Ａ〜Ｃ４−Ｅのようにして実施することができる。先ず、工程Ｃ４−Ａに示すように基板（ここでは MgO基板）２１上に酸化物超伝導体の薄膜２２を常法に従って成膜した後、これをパターニングする。工程Ｃ４−Ｂに示すように、配線化された酸化物超伝導薄膜２２が基板２１上に形成される。次いで、形成された酸化物超伝導配線２２の上面に、工程Ｃ４−Ｃに示すように、フォトレジスト膜３５を形成した後に、配線２２の線幅よりも僅かに大きいサイズの孔２６を形成する。その後、このレジスト膜付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、先に説明したシャドウマスク法と同様にして常法に従って電極を蒸着する。工程Ｃ４−Ｄに示すように、酸化物超伝導配線２２、露出した基板２１、そしてレジスト膜３５の上方に全面的に電極材料（ここではAg）２３が堆積される。電極蒸着の完了後、不要となったレジスト膜を基板から取り除くと、工程Ｃ４−Ｅに示すように、酸化物超伝導配線２２を取り囲むようにその配線の上面及び側面にAg電極２３が形成される。
【０００８】
しかし、これらの従来の方法では、前述した従来の方法の問題点を解決したかのようにみえるけれども、配線の線幅よりも僅かに大きい電極を形成した時に、配線化した酸化物超伝導体の周辺では、基板と電極の接触が発生する。したがって、この方法の場合、良好な酸化物超伝導薄膜を作製するために、基板材料として MgOやSrTiO3等の誘電体材料を使用する必要がある。しかし、酸化物超伝導薄膜と組み合わせて電極として用いられる銀、金等の貴金属は、誘電体基板との密着性が悪く、基板から剥離し易いという問題をかかえている。特に、酸化物超伝導体は、現状では冷却過程が不可欠であり、冷却時においてより深刻な問題となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記したような従来の技術の問題点を解決して、配線化された酸化物超伝導体を含む、電気的特性及び機械的性質に優れた電極構造体を提供することを目的とする。
本発明はまた、このような電極構造体を製造するための方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板と、該基板上に形成された酸化物超伝導薄膜からなる配線と、前記基板上であって前記配線の周辺領域にその配線に非接触で形成された、前記基板との良好な密着性を有する金属材料の薄膜からなる密着層と、前記配線及び密着層上に被覆された貴金属材料の薄膜からなる導電極とを含んでなる電極構造体が提供される。
【００１１】
また、本発明によれば、上記のような電極構造体を製造するためのものであって、下記の工程：
基板上に酸化物超伝導体を被着及び配線化して酸化物超伝導薄膜からなる配線を形成する工程、
前記基板上であって前記配線の周辺領域に、その配線に非接触で、前記基板との良好な密着性を有する金属材料を被着して金属薄膜からなる密着層を形成する工程、及び
前記基板上に貴金属材料を被着して、前記配線及び密着層を被覆した貴金属薄膜からなる導電極を形成する工程、
を含んでなる電極構造体の製造方法も提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその好ましい実施の形態に関して説明する。但し、本発明は、これらの形態にのみ限定されるものではないことを理解されたい。
本発明による電極構造体は、基板、この基板上に順次形成された酸化物超伝導配線及び導電極、そして基板と導電極の密着性を高める密着層を含んで構成される。酸化物超伝導配線等を形成するための基板は、エレクトロニクスの分野に一般的に用いられている基板材料から構成することができる。適当な基板材料は、好ましくは、誘電体材料、例えば、酸化マグネシア（ MgO）, SrTiO3, LaAlO3, NdGaO3, サファイア（α−Al2O3 ）などを包含する。必要に応じて、これらの材料以外で基板を構成してもよい。
【００１３】
基板上に形成された酸化物超伝導配線は、この技術分野においてよく知られた超伝導体材料の薄膜から形成することができる。本発明の実施において有利に使用することのできる酸化物超伝導体材料は、その一例を示すと、ＹBa2Cu3０7-y , Bi2(Pb)Sr2Ca n-1Cun O2n+4, Tl2Ba2Ca n-1Cu n O2n+4, La2-xSrx CuO4, Hg系材料、その他である。酸化物超伝導配線の膜厚は、広く変更することができるというものの、一般に、約１５００〜３０００Åであるのが有利である。
【００１４】
本発明の電極構造体では、基板上に形成された酸化物超伝導薄膜からなる配線の周辺領域に、その配線に非接触で、すなわち、配線から一定の、但し僅かな間隔をあけて、基板との良好な密着性を有する金属材料の薄膜からなる密着層が存在せしめられる。このような形での密着層の存在は、特に、導電極が基板に直接的に接触するのを回避する上で有用であるばかりでなく、それらの中間に特定の金属層を介在させることで、超伝導薄膜と接触する金属材料は導電極の貴金属のみとなり、しかも電気伝導が容易なCuO2面内方向との接触ができるため、配線を構成する超導電体を劣化させずにその配線と導電極の良好な電気的コンタクトを得ることができ、また、基板からの導電極の剥離を防止するのに充分な機械的密着性を得ることもできる。なお、配線と密着層の間の間隔であるが、一般に、約２０００〜５０００Å程度で充分な効果を得ることができる。
【００１５】
密着層の膜厚は、所望とする結果等に応じて広く変更することができる。しかし、この密着層によって得られる積層膜の平坦性が損なわれることがないようにするため、通常、約２００〜３００Åであるのが有利である。
密着層は、その材料が基板との良好な密着性を有しかつその上方に被着される導電極を良好に受け止め、悪く影響することがない限り、任意の金属材料から形成することができる。密着層の形成のために特に適当な材料は、クロム、ニッケル又はその合金である。これらの金属材料は、以下においても説明するように、それらの材料から密着層を成膜した後、高められた温度、好ましくは約２５０〜３５０℃、さらに好ましくは３００℃前後の温度で熱処理を行うことによって、基板との密着性をより一層増加させることができる。
【００１６】
本発明の電極構造体では、さらに、上記した酸化物超伝導配線及び密着層を覆って導電極が形成される。導電極は、電気的及び機械的特性、そして下地の酸化物超伝導配線の特性を劣化させないことなどを考慮に入れて、貴金属材料、好ましくは銀、金又はその合金の薄膜から有利に形成することができる。この導電極の膜厚は、広く変更することができるというものの、一般に、約３０００〜５０００Åであるのが有利である。
【００１７】
本発明の電極構造体は、いろいろな手法に従って製造することができる。これらの電極構造体は、有利には、シャドウマスク法、リフトオフ法あるいはその組み合わせを使用して製造することができる。本発明の電極構造体の有利な製造方法は、次のような工程を包含する。
基板上に酸化物超伝導体を被着及び配線化して酸化物超伝導薄膜からなる配線を形成する工程、
前記基板上であって前記配線の周辺領域に、その配線に非接触で、前記基板との良好な密着性を有する金属材料を被着して金属薄膜からなる密着層を形成する工程、及び
前記基板上に貴金属材料を被着して、前記配線及び密着層を被覆した貴金属薄膜からなる導電極を形成する工程。
【００１８】
第１の、酸化物超伝導配線の形成工程は、常法に従って行うことができる。例えば、上記したような基板上に、スパッタ法、ＣＶＤ法等の成膜法を使用して酸化物超伝導体の薄膜を所定の膜厚で堆積する。次いで、この酸化物超伝導薄膜をパターニングして酸化物超伝導配線とする。この配線化は、酸化物超伝導薄膜をフォトリソグラフィによりパターニングし、次いで薄膜のうちの配線以外の部分をエッチング法により除去することにより行うことができる。
【００１９】
第２の、密着層の形成工程は、有利にはリフトオフ法を用いて行うことができる。例えば、酸化物超伝導配線を有する基板の上にフォトレジストを所定の膜厚で塗布して硬化させ、次いで、密着層の形成を予定している部位においてレジスト膜の孔開けを行う。孔開けは、例えば、トルエン等の有機溶剤処理ならびに露光及び現像を組み合わせて行うことができる。レジスト膜の孔開け後、レジスト膜の全面に密着層形成性金属材料、好ましくは、クロム、ニッケル又はその合金等を蒸着等の手法を用いて付着させる。結果として、レジスト膜の孔により露出した基板表面（密着層形成部位）に密着層形成性金属材料の蒸着膜が形成される。最後に、密着層のみを残すため、不要となったレジスト膜をアセトン等の有機溶剤で溶解除去する。
【００２０】
上記のようにして形成された密着層は、引き続いてその層及び酸化物超伝導配線の上方に導電極を被覆する前、高められた温度で熱処理するのが好ましい。この熱処理は、特に、その密着層の基板との密着性を高めるのに効果的である。密着層の熱処理は、例えば熱処理炉のような加熱炉中で、好ましくは、約２５０〜３５０℃の温度で約３０〜６０分間にわたって行うことができる。なお、上記した範囲よりも高温あるいは長時間の熱処理は、密着層の酸化や酸化物超伝導配線との反応を引き起こし、また、反対に、上記した範囲よりも低温あるいは短時間の熱処理は、場合によって密着層の剥離を引き起こすので、いずれも回避することが望ましい。
【００２１】
密着層の形成後、導電極を形成する。この導電極の形成は、好ましくは、リフトオフ法又はシャドウマスク法を使用して、導電極形成性材料、好ましくは銀、金又はその合金等を用いて行うことができる。ここで、リフトオフ法は、先に説明した密着層の形成と同様にして行うことができ、また、シャドウマスク法は、リフトオフ法において使用した所定の大きさの孔を有するレジスト膜に代えて、密着層の領域まで含んだ電極の大きさの穴が開いたシャドウマスクを基板上に密着させて、真空成膜装置内で導電極形成性材料を蒸着することにより、行うことができる。蒸着後、シャドウマスクを基板から取り除くと、シャドウマスクの穴により露出していた酸化物超伝導配線及び密着層の表面上に付着せしめられた導電極が現れる。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明のいくつかの実施例を添付図面を参照して説明する。なお、下記の実施例において製造した電極構造体は、図１に断面で示すように、酸化マグネシア MgO基板１の表面に、酸化物超伝導体ＹBa2Cu3０7-y の薄膜（配線）２及び密着層Cr３が堆積されており、さらに、これらの配線２及び密着層３を覆って導電極４が形成されている。図示されるように、配線２と密着層３の間には僅かな間隙が設けられており、導電極４の材料が埋め込まれている。
例１
本例では、リフトオフ法を使用して本発明の電極構造体を製造することについて、図２〜図４（工程１−Ａ〜１−Ｉ）を参照して説明する。
【００２３】
先ず、工程１−Ａに示すように、基板（ここでは MgO基板）１上に酸化物超伝導体（ここではＹBa2Cu3０7-y ）の薄膜２をスパッタ法によって堆積する。次いで、形成された酸化物超伝導薄膜２をフォトリソグラフィ法（露光及び現像）によりパターニングし、さらにエッチング法により不要部分を除去する。工程１−Ｂに示すように、所望とする超伝導配線２が得られる。
【００２４】
引き続いて、工程１−Ｃに示すように、フォトレジスト膜５を形成した後に、密着層を形成したい領域に、トルエンを用いた有機溶剤処理、そしてそれに続く露光及び現像で、孔６を開ける。その後、この有孔レジスト膜付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、密着層形成性材料（ここではCr）を常法に従って蒸着する。すなわち、工程１−Ｄに示すように、基板１の上方に全面的にCr３を堆積させる。形成されたCr蒸着層の膜厚は、約２００〜３００Åである。
【００２５】
Cr蒸着の完了後、不要となったレジスト膜５をアセトンで基板から溶解除去すると、工程１−Ｅに示すように、酸化物超伝導配線２の周辺領域にCr密着層３が残留する。密着層３は、さらに、その表面に付着したフォトレジストを十分に除去した後、工程１−Ｆに示すように、熱処理炉７に収容して、３００℃の温度で熱処理する。
【００２６】
熱処理が完了した後、工程１−Ｇに示すように、前記した工程１−Ｃと同様にしてフォトレジスト膜５を形成し、そして導電極を形成したい領域に、トルエンを用いた有機溶剤処理、そしてそれに続く露光及び現像で、孔８を開ける。その後、この有孔レジスト膜付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、導電極形成性材料（ここではAg）を常法に従って蒸着する。すなわち、工程１−Ｈに示すように、基板１の上方に全面的にAg４を堆積させる。形成されたAg蒸着層の膜厚は、約３０００Åである。
【００２７】
Ag蒸着の完了後、不要となったレジスト膜５をアセトンで基板から溶解除去すると、工程１−Ｉに示すように、レジスト膜５上のAg蒸着層は完全に消失し、配線２及び密着層３の上面のみに導電極４が残留する。
以上に説明した一連の処理工程により、配線化した酸化物超伝導体の薄膜からなる配線から僅かに隔離した周辺領域の基板部分上に、基板との密着性に優れたCr蒸着層からなる密着層を形成し、また、この密着層を含めて、酸化物超伝導配線の上面にAg蒸着層からなる導電極を形成することができる。
例２
本例では、リフトオフ法とシャドウマスク法を組み合わせて使用して本発明の電極構造体を製造することについて、図５〜図７（工程２−Ａ〜２−Ｉ）を参照して説明する。
【００２８】
先ず、工程２−Ａに示すように、基板（前記例１と同様に MgO基板を使用）１上に酸化物超伝導体（ここではBi2(Pb)Sr2Ca n-1Cun O2n+4 ）の薄膜２をスパッタ法によって堆積する。次いで、形成された酸化物超伝導薄膜２を前記例１と同様にフォトリソグラフィ法によりパターニングし、さらにエッチング法により不要部分を除去する。工程２−Ｂに示すように、所望とする超伝導配線２が得られる。
【００２９】
引き続いて、工程２−Ｃに示すように、フォトレジスト膜５を形成した後に、密着層を形成したい領域に、孔６を開ける。この工程も、前記例１と同様にして行うことができる。その後、得られた有孔レジスト膜付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、前記例１と同様にして密着層形成性材料（ここではNi）を蒸着する。すなわち、工程２−Ｄに示すように、基板１の上方に全面的にNi３を堆積させる。形成されたNi蒸着層の膜厚は、約２００〜３００Åである。
【００３０】
Ni蒸着の完了後、不要となったレジスト膜５をアセトンで溶解除去する。工程２−Ｅに示すように、酸化物超伝導配線２の周辺領域にNi密着層３が残留する。密着層３は、さらに、その表面に付着したフォトレジストを十分に除去した後、工程２−Ｆに示すように、熱処理炉７に収容して、３００℃の温度で熱処理する。
【００３１】
熱処理が完了した後、工程２−Ｇに示すように、固くて薄い金属板に所望の形をした導電極用の穴９をあけたマスク１０を基板１上に載置し、密着させる。その後、このマスク付きの基板を真空成膜装置（図示せず）に収容して、常法に従って導電極形成性材料（ここではAu）４を蒸着する。すなわち、工程２−Ｈに示すように、露出した酸化物超伝導配線２、密着層３、そしてシャドウマスク１０の上方に全面的にAu４を堆積させる。AU蒸着層の膜厚は、約３０００Åである。AU蒸着の完了後、不要となったシャドウマスクを基板から取り除くと、工程２−Ｉに示すように、配線２及び密着層３の上面のみに導電極４が残留する。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、配線化された酸化物超伝導体から僅かに隔離した周辺領域の基板部分上に基板との密着性に優れた特定の金属からなる密着層を形成し、この密着層を含めた超伝導配線上に特定の貴金属の導電極を形成することで、電気的特性及び機械的性質に優れた電極構造体を提供することができる。本発明は、したがって、酸化物超伝導体の回路基板等のエレクトロニクスへの応用に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電極構造体の好ましい１例を模式的に示した断面図である。
【図２】図１に示した電極構造体の第１の製造工程（その１）を順を追って示した断面図である。
【図３】図１に示した電極構造体の第１の製造工程（その２）を順を追って示した断面図である。
【図４】図１に示した電極構造体の第１の製造工程（その３）を順を追って示した断面図である。
【図５】図１に示した電極構造体の第２の製造工程（その１）を順を追って示した断面図である。
【図６】図１に示した電極構造体の第２の製造工程（その２）を順を追って示した断面図である。
【図７】図１に示した電極構造体の第２の製造工程（その３）を順を追って示した断面図である。
【図８】従来の電極構造体とシャドウマスク法によるその製造工程（前半）を順を追って示した模式図である。
【図９】従来の電極構造体とシャドウマスク法によるその製造工程（後半）を順を追って示した模式図である。
【図１０】従来の電極構造体とリフトオフ法によるその製造工程（前半）を順を追って示した断面図である。
【図１１】従来の電極構造体とリフトオフ法によるその製造工程（後半）を順を追って示した断面図である。
【図１２】従来の別の電極構造体とシャドウマスク法によるその製造工程（前半）を順を追って示した模式図である。
【図１３】従来の電極構造体とシャドウマスク法によるその製造工程（後半）を順を追って示した模式図である。
【図１４】従来の別の電極構造体とリフトオフ法によるその製造工程（前半）を順を追って示した断面図である。
【図１５】従来の別の電極構造体とリフトオフ法によるその製造工程（後半）を順を追って示した断面図である。
【符号の説明】
１…基板
２…酸化物超伝導薄膜の配線
３…密着層
４…導電極
５…フォトレジスト膜
６…レジスト孔
７…熱処理炉
８…レジスト孔
９…マスク穴
１０…シャドウマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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