(57)【要約】本発明は、高純度セラミックス部品を簡単に接合でき、高温環境下でも耐え得る高強度な接合が可能で複雑形状にも対応可能な接合方法の提供を目的とする。本発明は、高純度セラミックス部品１０（１）、１０（２）を、接合部位１３（１）、１３（２）の密着性を確保するか、間隔を保持して配置し、表面にＣＶＤ−ＳｉＣ被膜２３を形成して接合体３０とする高純度セラミックス部品の接合方法である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミックス被接合部品を、所望の接合部位を近接せしめて配置し、前記セラミックス被接合部品の表面に化学気相成長法によりＳｉＣ固定被覆層を形成して前記セラミックス被接合部品を接合することを特徴とする高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項２】
所望の接合部位を接触させて配置させる請求項１記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項３】
所望の接合部位間に間隙部を設けて配置させる請求項１記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項４】
間隙部の表面間距離が１０〜１，０００μｍである請求項３記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項５】
前記接合部位表面の、表面平均表面粗さＲａが１μｍ以下で、かつ最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下である請求項１、２、３または４記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項６】
前記ＳｉＣ固定被覆層の厚みが２０〜２０００μｍである請求項１〜５のいずれか記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項７】
高純度セラミックス部品がＳｉＣからなる請求項１〜６のいずれか記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項８】
高純度セラミックス部品が化学気相成長法により形成された炭化ケイ素からなる請求項７記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項９】
高純度セラミックス部品がＳｉを含浸したＳｉＣからなる請求項７記載の高純度セラミックス部品の接合方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法により接合されたセラミックス接合体からなるセラミックス製品。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ウエハーボートやプラズマエッチャー装置の治具等、半導体製造用治具に主に使用される高純度セラミックス部品の接合方法に関し、特に炭化ケイ素からなる高純度セラミックス部品の接合方法に関する。
背景技術
酸化拡散工程やＣＶＤ（以下、化学気相成長法ともいう）工程、また、近年ではプラズマエッチング工程などの半導体製造装置用治具として各種セラミックスが使用されている。なかでも炭化ケイ素からなるセラミックス（以下、ＳｉＣ質セラミックスという）は、熱伝導性、耐熱性、耐酸性に優れる材料であることから半導体製造装置用部品として広く使用されている。
半導体製造装置用のセラミックス製品としては、複雑形状や大型形状が要求されることも多い。しかし、ＳｉＣ質セラミックスをはじめとするセラミックスは、一般に難加工性であり、複雑形状の焼結体等を一体加工で製造することは困難なことが多く、また大型形状についても焼成炉等の製造設備の制約から製造できないことも多い。
従って、通常は、所望の製品を複数個の部品（以下、エレメントともいう）に分割して構成し、それぞれの部品を接合して最終製品（接合体製品）とすることが行われている。
従来、一般的なセラミックス部品の接合方法としては、焼成前の状態でのバインダー類での接合、焼成後での有機系・無機系バインダー類での接合などが知られているが、焼成前でのバインダー類での接合は、手間がかかり、焼成後では修正がきかないという問題点があり、一方、焼成後のバインダー類による接合は、強度や気密性に劣り、純度も悪くなるという大きな問題があった。また、従来の接合方法では、破損した製品を修復することは難しかった。
また、特開平１０−８７３７６号には、雄雌の接合部位を備えたＳｉＣ質部品を組合せ、その接合部位が形成する間隙を連通し合うようにして、当該間隙を毛細管作用により溶融Ｓｉを充填・凝固せしめて接合する方法が提案されているが、間隙を充填するＳｉ部分の耐熱性および耐酸性について問題があった。
一方、特開平９−２４９４５５号には、炭素部品を組合せ、これを炭素粒子を含む熱硬化性樹脂接着剤で接合して接合体とし、当該接合体を接着剤部分を含めてＳｉＣに転化し、さらにその表面に化学気相成長法によるＳｉＣ被膜を形成する方法が提案されている。しかし、この方法では、樹脂接着剤を用いているので、接合部分の強度が弱くなり、また炭素部品を出発部材とするので工程が多く手間もかかるという問題があった。
また、特開平９−１０７０２４号には、ＳｉＣ被膜を形成した黒鉛製品を製造するに際し、黒鉛製品を面接触により密着させて接続した後、化学気相成長法によりＳｉＣ被膜を形成することが提案されているが、基体部品として強度が弱い黒鉛が使用されているので、面接触で強く密着させることは困難である。また、接合面の間隙部を高温接着剤からなる目地埋め込み材で充填し熱処理して炭素化し、密着性を確保することも提案されているが、基本的に基体である黒鉛等とＳｉＣ被膜とは熱膨張率が異なるので、常に密着性を保持することは難しい。
すなわち、従来、高純度セラミックス部品を簡単に、かつ純度を下げることなく接合でき、しかも得られる接合体が高温強度、耐熱性、耐食性に優れ、複雑形状にも対応可能である接合方法を見出すことは難しかった。
発明の開示
本発明は、複数のセラミックス被接合部品を、所望の接合部位を近接せしめて配置し、前記セラミックス被接合部品の表面に化学気相成長法によりＳｉＣ固定被覆層を形成して前記セラミックス被接合部品を接合することを特徴とする高純度セラミックス部品の接合方法（以下、本接合方法という）を提供する。
本接合方法の態様としては、大別して、所望の接合部位を密着させて配置させる場合と、所望の接合部位間に間隙部を設けて配置させる場合とがある。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を詳細に説明する。
本接合方法が適用できる高純度セラミックス部品としては、非酸化物系セラミックスや酸化物系セラミックスのほか、金属シリコン、石英ガラス等が使用できる。セラミックスとしては、例えば炭化ケイ素、シリコン、窒化ケイ素、炭化チタン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニア、石英、ムライト、サイアロン等が挙げられる。なお、本明細書において高純度セラミックスとは概ね不純物が０．１％以下のものをいう。
これらのセラミックスは複合化されていてもよい。例えば一つのセラミックスがマトリックスとなり、そのマトリックス中に繊維状や粒子状の他のセラミックスのフィラーが分散され強化体を形成していてもよい。
また、これらのセラミックスは、多孔質であってもよく、さらにこの空隙部が別のセラミックスで充填されていてもよい。例えば、多孔質のＳｉＣ焼結体に溶融金属Ｓｉを含浸せしめてその空隙をＳｉで完全に充填し、緻密化・ガス不透過性としたＳｉ含浸ＳｉＣなどが好ましいものとして挙げられる。
また、化学気相成長法により形成された炭化ケイ素からなる高純度セラミックス部品は、金属不純物の含有量が特に少ないことから半導体製造装置用部品として好ましい。
本発明の接合方法は、このようなセラミックスで形成された部品を接合する方法であるが、部品の形状としては特に限定するものではなく、その基本的な形態としては、例えば円柱状、棒状、円筒状、板状、シート状、フィルム状、角柱状、プレート状、円錐状、角錐状、球状等が挙げられる。この接合は同種の形態の部品間、例えば板状部品間だけではなく、異なった形態の部品間においても行われる。例えば板状部品と棒状部品、板状部品とシート状部品の間においても行われる。なお、本明細書では、接合される高純度セラミックス部品のことをセラミックス被接合部品といい、また接合とは複数のセラミックス被接合部品を最終的に一体とすることをいう。
これらの部品は、通常そのセラミックスの原料粉末を、所望の型により成形した後、焼結することによって得られるが、部品の形状が板状、シート状、フィルム状の場合は、化学気相成長法により形成することも可能である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。本接合方法は、複数のセラミックス被接合部品をその接合部位を近接せしめて配置するものであり大別すると２つの態様がある。すなわち、その接合部位が接触するまで近接せしめる場合と間隙部を設けるように近接させる場合である。
まず接合部位を接触せしめて配置する（以下、単に接触配置と略す）場合について説明する。接触配置の場合、複数のセラミックス被接合部品を、接合部位が接触するように配置して組合わせ、まず部品の組合せ体を構成する。
ここで高純度セラミックス部品として図１に示すような二つの板状部品１０（１）、１０（２）について、その側面部１３（１）、１３（２）や表面部１５（１）、１５（２）で接合する場合を考える。
まず、側面部での接合を考察する。
接合部位である、側面部１３（１）、１３（２）は、その表面の密着性を確保するように組合せられ、図２に示すように、組合せ体２０を構成する。
接合部位の接触を充分なものとするためには、両者が面接触で密着することが好ましく、基本的に両側面は平行であって反り等が無く、その表面が隙間無く重なり合うと、強固に接合された組合せ体２０が形成できるため好ましい。
さらに両表面は、良く研磨処理され、表面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下であり、最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下、好ましくは１．５μｍであることが望ましい。平均表面粗さＲａが１μｍ以下で、かつ最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下であるとさらに好ましい。なお、平均表面粗さＲａ及び最大表面粗さＲｍａｘは、電子式表面粗さ計を用いてＪＩＳＢ−０６０１等に従って測定できる。
さらに好ましくは、接合部位の表面を鏡面加工し、充分な平滑度及び平坦度を確保することにより、接合部位の表面の密着性は、一層向上する。
次に、接触配置の場合は、図３に示すように、この部品の組合せ体２０の表面に、化学気相成長法によるＳｉＣ（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣという）の固定被覆層２３を形成する。すなわち、硬度の高いＳｉＣ被膜がこの組合せ体２０の外表面全体を被覆する高硬度の外殻（シェル）となり、内部の組合せ体２０がこの外殻により完全に固定され、全体として強固な接合体３０が形成されるのである。
この接合体３０は、板状部品を側面部で接合することにより、厚みが一定のより広い表面積を有する板状部材としたものである。
一方、二つの板状部品１０（１）、１０（２）の表面部１５（１）、１５（２）での接合も同様にできる。この板状部品の表面同志の接合により、セラミック積層体が形成される。この態様も本発明の重要なものの一つである。
接合部位である、表面部１５（１）、１５（２）は、その表面が充分に接触するように重ねて組合せられ、図４に示すように、積層された部品の組合せ体２０’を構成する。
側面の接合の場合と同様に、両表面が面接触で密着する程、すなわち、両表面がよく研磨処理され、表面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下および／または最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下、であると充分な接触がなされ好ましい。ただし、積層体の場合は、面接触させるべき表面積が大きいので、その全面で接触させるためには、表面の平坦度や平行度がよい程さらに好ましい。
側面の接合の場合と同様にして、図５に示すように、この組合せ体２０’の表面に、ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層２３’を形成する。かくして、高硬度のＳｉＣ被膜がこの組合せ体の外表面全体を被覆する外殻（シェル）となり、内部の積層状の組合せ体が完全に固定され、全体として強固な接合体３０’が形成される。
本発明において、高純度セラミックス部品を接合する際に形成されるＳｉＣ固定被覆層の厚みは、２０〜２，０００μｍ、好ましくは３０〜１，０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍとするのが望ましい。これより薄い膜厚では、充分な強度又は剛性が得られない。また、あまり厚い膜厚の場合は、これを化学気相成長法により形成するのに極めて長時間を要するため、生産性が低下し、コスト的に不利である。
高純度セラミックス部品の組合せ体は、カーボンやＳｉＣ質セラミックスの保持治具等により保持されて、ＣＶＤ炉内に設置され、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜が形成される。なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜は、組合せ体の表面に形成されるだけでなく、これら保持治具の表面にも形成されるので、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜による組合せ体の被覆を行う際に、組合せ体が保持治具とも接合されてしまう。従って、これらの保持治具は、高純度セラミックス部品の接合後にサンドブラストや切削加工により、接合体から除去されることが好ましい。
次に、所望の接合部位間に間隙部を設けて配置（以下、単に間隙部配置と略す）する場合について説明する。間隙部配置においては、接合すべき複数の高純度セラミックス部品を、その接合部位の表面間距離を保持するようにして組み合わせ、間隙部を有する部品の組合せ体を構成する。
接触配置の場合と同様にして、図１に示すような二つのセラミックス板状部品１０（１）、１０（２）について、その側面部１３（１）、１３（２）や表面部１５（１）、１５（２）を接合する場合を考える。
まず、側面部での接合を考えると、接合部位である、側面部１３（１）、１３（２）は、図６に示すように、間隔（接合部位の表面間距離）ｄを保持するように組合せ、部品の組合せ体２００を構成する。
間隔ｄは、１０〜１，０００μｍとすると好ましい。間隔ｄが１０μｍ未満であると、当該隙間にＣＶＤの原料ガスが充分に入っていかず接合部分の強度が弱くなるため好ましくなく、また、間隔ｄが１，０００μｍを超えると、その隙間を埋めるのに大量の原料ガスが必要となるほか、ＣＶＤ時間も長時間となりコスト的に不利となる。
間隙配置の場合には、接合部位に間隔ｄを設け、この間隔を、ＣＶＤ−ＳｉＣで充填するため、接合部位間がより高強度に接合される。
間隙配置の場合にも、接合部位表面が、良く研磨処理され、表面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下であり、最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下、好ましくは１．５μｍであると、原料ガスが均等に入りやすく、原料ガスの濃度分布が均一化し、間隙部分の接合体に空隙が形成されにくくなるため望ましい。平均表面粗さＲａが１μｍ以下で、かつ最大表面粗さＲｍａｘが３μｍ以下であるとさらに好ましい。
最終的には、図７に示すような接合体３００が得られる。すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層２３０が高硬度の外殻（シェル）となり、セラミックス板状部品１０（１）、１０（２）を完全に固定し、また接合部位の間隔ｄを充たしているＳｉＣ部（２３０ｄ）と、この固定被覆層２３０とは、その上部開口ｅ及び下部開口ｅ’において連続して一体となっている。
同様にして、板状部品を表面部で接合し、図８に示す如き積層体（接合体）３００’を形成することも可能である。
なお、図８のように、部品を表面部を離隔して積層させる場合には、両者を垂直に立ててその間隔ｄを保持したり、カーボンやＳｉＣ質のスペーサを表面部間に挿入して間隔ｄを保持することが好ましい。これらのスペーサは、実質的に問題が無い場合は、製品である接合体中（ＳｉＣ被膜中）にそのまま残存させてもよいし、必要に応じて接合体からサンドブラストや切削加工により取り除くこともできる。
なお、本発明においては、接合体を形成する部品の一方の表面に突出部（凸部、雄部、突条部）を、他方にこの突出部が嵌入しうる嵌合部（凹部、雌部、溝部）を形成することにより、高純度セラミックス部品同志の接合をより確実にすることもできる。
以上のようにして配置した高純度セラミックス部品の組合せ体が、カーボンやＳｉＣ質セラミックスの保持治具等により保持されて、ＣＶＤ炉内に設置され、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜が形成されることは接触配置の場合と同様である。
本発明を実施するためのＣＶＤ炉としては、特に限定されるものではないが、横型タイプ、縦型タイプ、ベルジャータイプ等が好ましく使用され、また加熱方法としては、直接通電法、高周波誘導加熱またはレーザー加熱法が適用される。
ＣＶＤ−ＳｉＣ膜は、基本的に、１，０００〜１，６００℃、好ましくは１，１００〜１，５００℃の非酸化性雰囲気中に原料ガスを導入することにより堆積される。
原料ガスとしては、（１）ＳｉとＣを異なる化合物より供給する原料ガス系、例えば、ＳｉＣｌ４とＣＨ４、ＳｉＣｌ４とＣ３Ｈ８、ＳｉＣｌ４とＣ６Ｈ１４、ＳｉＣｌ４とＣＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６とＣＨ４等でもよいし、（２）またはＳｉとＣを同一化合物より供給する原料ガス系、例えば、ＣＨ３ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）４Ｓｉ、ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２であってもよい。これら原料ガスは、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ等のキャリヤガスとともに炉内に導入される。
ＣＶＤ−ＳｉＣ膜形成時の圧力については、特に限定はないが、部品の組合せ体の間隙部内にまで原料ガスを充分導入し、この間隙部を実質的に完全にＳｉＣで充填するために、１〜３００Ｔｏｒｒ、好ましくは１０〜１００Ｔｏｒｒ程度の減圧とすることが望ましい。
すでに述べたように、上記したＣＶＤ条件により、接合すべき部品としての板状、シート状、フィルム状、薄板状のＳｉＣを予め形成することができる。すなわちこの場合は、基板として黒鉛やカーボンの基体を使用し、この上に所望の厚みのＳｉＣ被膜を形成し、基板の黒鉛等は、後で空気中、１，０００℃程度の温度で熱分解する等の手段により除去して薄板状のＳｉＣ（ＣＶＤ−ＳｉＣ）を得ることができる。
なお、本発明により得られる高純度セラミックス部品の接合体を、半導体の製造装置用治具として用いる場合には、接合する高純度セラミックス部品としては、不純物の少ないものが望ましく、特に金属不純物の合計量が４０ｐｐｍ以下、好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以下、最も好ましく１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。
ここに云う金属不純物とは、Ｓｉを除く、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ａｌ等であり、ウエハに取り込まれ、半導体デバイスに対し、絶縁抵抗の低下やＳｉＯ２の耐電圧低下さらにはｐｎ接合リーク不良等を引き起こす可能性のある有害な元素である。
また、この高純度セラミックス部品の表面に形成されるＣＶＤ−ＳｉＣ被覆層の純度は、金属元素合計量が５０ｐｐｂ以下、好ましくは３０ｐｐｂ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｂ以下であることが望ましい。
実施例
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
（１）高純度セラミックス部品の組合せ体の形成
〔実施例１〕
まず、セラミックス被接合部品として、図１に示したような４ｃｍ角で厚みが１ｍｍのβ型結晶構造をもつＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。なお、ＣＶＤ−ＳｉＣウエハの平均表面粗さＲａは０．２μｍであり、最大表面粗さＲｍａｘが２．０μｍであった。
これらの部品を、その両端をカーボン治具（図示せず）で押さえ、図２に示したようにして、その側面で接触させて配置した。すなわち、２つの部品を、４ｃｍ×８ｃｍ×１ｍｍの形状の部品の組合せ体を形成するように密着させた。
〔実施例２〕
セラミックス被接合部品として、実施例１と同じＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。これを図４に示したようにして２枚の表面を接触させて積層して設置した。
〔実施例３〕
実施例１と同じＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。続いて、カーボン治具を用いて２枚のウエハー部品がＴ字型になるように配置した。
〔実施例４〕
実施例１と同じＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。２枚のウエハを図６に示すように、側面部間隔ｄが５００μｍになるように配置し組合せ体とした。
〔実施例５〕
高純度セラミックス部品としてＳｉ含浸ＳｉＣウエハを用いた以外は、実施例１と同様にして２枚のウエハを配置した。なお、Ｓｉ含浸ＳｉＣウエハの平均表面粗さＲａは０．２μｍであり、最大表面粗さＲｍａｘが２．２μｍであった。
（２）ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層の形成
続いて、実施例１〜５で配置した高純度セラミックス部品の組合せ体をＣＶＤ炉内に設置し、真空中１，０００℃に加熱してベーキング処理を行った。すなわち、この状態でＨ２ガスを導入し、１００Ｔｏｒｒに圧力調整して６０分間保持した。続いて、１５℃／分の昇温速度で加熱して１，２５０℃の成膜温度まで昇温させた。
その後、ＳｉＣの固定被覆層形成用の原料化合物としてＣＨ３ＳｉＣｌ３を導入し、高純度セラミックス部品の表面にそれぞれ２５０μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を形成した。
なお、実施例１〜５について接合前と接合後の表面の金属不純物濃度を測定した。実施例１〜４では、接合前、接合後ともに４０ｐｐｂであった。また実施例５では、接合前が１８ｐｐｍ、接合後が４５ｐｐｂであった。
ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層の形成された接合体をカーボン治具から取り外すことにより、それぞれＳｉＣ接合体が得られた。これら接合体をインストロン試験機で引張試験を行ったが、引張強度は非常に高く、接合部分の強度は他の部分と比較しても劣らないものとなっており、純度・耐酸性にも優れた接合体であることがわかった。
〔比較例１〕
実施例１と同様に４ｃｍ角１ｍｍ厚のＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。接着剤として、変性フェノール樹脂を６５質量％と鱗状天然黒鉛粉末３５質量％とを混練したものを用い、実施例１と同様に密着させた。
続いて、空気中で２００℃に加熱し、接着剤を硬化させ、さらに非酸化性雰囲気中にて１，０００℃まで昇温して接着剤中の樹脂を炭化した。このようにしてＳｉＣ接合体を得た。接着剤層の厚みは、２００μｍとなっていた。
（３）曲げ強度及び耐熱衝撃性
実施例１、実施例４および比較例１で得られた接合体を用いて曲げ強度および耐熱衝撃性の評価を行った。
▲１▼曲げ強度
ＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定された方法に準拠し、ＳｉＣ接合体の室温での４点曲げ強度を測定した。
▲３▼耐熱衝撃性
サーマルショック法により耐熱衝撃性の評価を行った。ＳｉＣ接合体を加熱した後、水中投下して急冷することにより温度差を与え、ＳｉＣ接合体の強度変化を測定した。
表１に、強度変化が急激となる最低の温度差（耐熱衝撃温度ΔＴ）の値を曲げ強度の値と共に示す。
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産業上の利用可能性
本発明の高純度セラミックス部品の接合方法によれば、従来の接合方法に比べて、複雑形状や大型形状を有し、高強度で、耐熱性、耐酸性に優れ、かつ高純度であるセラミックス接合体が簡単に得られる。
特に、高純度セラミックス部品がＣＶＤ−ＳｉＣやＳｉ含浸ＳｉＣ等からなるＳｉＣ質部品である場合、ＣＶＤ−ＳｉＣで固定被覆層を形成すると、高純度セラミックス部品と固定被覆層が基本的に同レベルの高純度のＳｉＣ質の材質となり、高強度で、耐熱性、耐酸性に優れ、しかも純度レベルの高い接合体が得られる。
また、本発明の接合方法は、種々の大きさの高純度セラミックス部品の接合に適用でき、例えば数ｍｍの小さな部品から、１ｍを超える大きな部品の接合にまで適用できる。
本発明の方法によれば、種々の形状の高純度セラミックス部品の接合が可能であり、ウエハボート等の複雑形状の治具を製造する際に部品どうしを接合するのに適している。このように本発明の方法によって得られるセラミックス接合体は、耐熱性や耐酸性に優れ、高強度でかつ高純度の半導体製造用治具として好適に使用される。
さらに本発明の接合方法によれば、従来の接合方法では不可能であった破損した高純度ＳｉＣ治具等の修復も可能となる。また、本発明の方法は、半導体製造工程以外の用途においても同様に使用される。
【図面の簡単な説明】
図１：  接合すべき高純度セラミックス部品を示す斜視図である。
図２：  高純度セラミックス部品を側面部を接触させて接合する状態を示す縦断面図である。
図３：  組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。
図４：  高純度セラミックス部品を表面部を接触させて接合する状態を示す縦断面図である。
図５：  組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。
図６：  高純度セラミックス部品を間隔を保持して側面で接合する状態を示す縦断面図である。
図７：  組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。
図８：  組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。
符号の説明
１０（１）、１０（２）：  板状部品、  １３（１）、１３（２）：  側面部
１５（１）、１５（２）：  表面部      ２０、２０’：  部品の組合せ体
２３、２３’：  ＳｉＣ固定被覆層（外殻）  ３０，３０’：  接合体
２００、２００’：  部品の組合せ体
２３０、２３０’：  ＳｉＣ固定被覆層（外殻）
２３０ｄ：  ＳｉＣ充填体                ３００、３００’：接合体
ｄ  ：  接合部位表面間距離              ｅ  ：  上部開口
ｅ’：  下部開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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2002060834.tif 000013
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