(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性金属層と、該非磁性金属層により磁気的に分離された強磁性材料によるフリー層及び強磁性材料によるピンド層と、該ピンド層に積層されており該ピンド層と交換結合している反強磁性層とを含む磁気抵抗素子の前記ピンド層の磁化方向を制御する磁気特性制御方法であって、該磁気抵抗素子の前記ピンド層の磁化方向に磁界が発生し、かつ発生するジュール熱による該磁気抵抗素子の温度が、前記反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失して前記ピンド層がピンニングされなくなる温度以上かつ該磁気抵抗素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度未満の加熱温度となるように、通常動作時のセンス電流に代えて該磁気抵抗素子に流す離散的パルス電流の方向及び振幅を制御し、次いで、該磁気抵抗素子の温度が該加熱温度から徐々に低減するように、前記離散的パルス電流の振幅を加熱段階の前記振幅に維持した状態で該離散的パルス電流のデューティ比を制御することを特徴とする磁気抵抗素子の磁気特性制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載の制御方法によって磁気抵抗素子の磁気特性を制御することを特徴とする磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法。
【請求項３】
前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッドの製造工程中、又は該磁気ヘッドの特性評価工程中に少なくとも１回行うことを特徴とする請求項２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッドの製造工程後の磁気ディスク装置組立工程中、又は該磁気ディスク装置の特性評価工程中に少なくとも１回行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の制御方法。
【請求項５】
前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の動作時の自己診断中に少なくとも１回行うことを特徴とする請求項２に記載の制御方法。
【請求項６】
非磁性金属層と、該非磁性金属層により磁気的に分離された強磁性材料によるフリー層及び強磁性材料によるピンド層と、該ピンド層に積層されており該ピンド層と交換結合している反強磁性層とを含む磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッド装置であって、該磁気抵抗素子に対して、通常動作時のセンス電流に代えて前記ピンド層の磁化方向に磁界が発生するように離散的パルス電流を流す特性制御回路を備えており、該特性制御回路は、該離散的パルス電流によって発生するジュール熱による該磁気抵抗素子の温度が、前記反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失して前記ピンド層がピンニングされなくなる温度以上かつ該磁気抵抗素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度未満の加熱温度となるように、前記離散的パルス電流の方向及び振幅を制御し、次いで、該磁気抵抗素子の温度が該加熱温度から徐々に低減するように、前記離散的パルス電流の振幅を加熱段階の前記振幅に維持した状態で該離散的パルス電流のデューティ比を制御するように構成されていることを特徴とする磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッド装置。
【請求項７】
前記磁気ヘッド装置は、前記磁気抵抗素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッド制御用の第１のＩＣチップと、該第１のＩＣチップを制御する第２のＩＣチップと、前記磁気ヘッド及び前記第１のＩＣチップを支持するサスペンションとを備えており、前記特性制御回路が、前記第２のＩＣチップ内に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッド装置。
【請求項８】
非磁性金属層と、該非磁性金属層により磁気的に分離された強磁性材料によるフリー層及び強磁性材料によるピンド層と、該ピンド層に積層されており該ピンド層と交換結合している反強磁性層とを含む磁気抵抗素子を有する磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置であって、該磁気抵抗素子に対して、通常動作時のセンス電流に代えて前記ピンド層の磁化方向に磁界が発生するように離散的パルス電流を流す特性制御回路を備えており、該特性制御回路は、該離散的パルス電流によって発生するジュール熱による該磁気抵抗素子の温度が、前記反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失して前記ピンド層がピンニングされなくなる温度以上かつ該磁気抵抗素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度未満の加熱温度となるように、前記離散的パルス電流の方向及び振幅を制御し、次いで、該磁気抵抗素子の温度が該加熱温度から徐々に低減するように、前記離散的パルス電流の振幅を加熱段階の前記振幅に維持した状態で該離散的パルス電流のデューティ比を制御するように構成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばスピンバルブ素子等の交換結合を利用した磁気抵抗（ＭＲ）素子の磁気特性を制御する方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性を制御する方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置（ＨＤＤ）の高密度化に伴って高感度及び高出力の磁気ヘッドが要求されており、このような要求に答えるものとして、巨大磁気抵抗効果を呈する素子の１つであるスピンバルブを利用したＭＲ素子を備えた磁気ヘッドが提案されている（特公平８−２１１６６号公報、特開平６−２３６５２７号公報）。スピンバルブは、２つの強磁性薄膜層を非磁性薄膜層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、その一方の強磁性薄膜層に反強磁性層を積層することによってその界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の強磁性薄膜層（ピンニングされる層、以下ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層と称する）に印加するようにしたものである。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方の強磁性薄膜層（以下フリー層と称する）とでは磁化反転する磁界が互いに異なるので、非磁性薄膜層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層の磁化の向きが平行、反平行と変化し、これにより電気抵抗率が大きく変化するので巨大磁気抵抗効果が得られる。
【０００３】
スピンバルブＭＲ素子の出力特性等は、非磁性薄膜層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層（ピンド層及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー層の磁化方向は磁気媒体からの磁界の方向に従って容易に磁化し、一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層との交換結合により一方向（ピンニングされる方向、以下ピンド方向と称する）に制御される。
【０００４】
反強磁性層と強磁性薄膜層（ピンド層）との間に交換結合を持たせるために、従来は、磁気ヘッドの製造工程中に外部磁界を印加しつつ加熱する磁界中熱処理工程が設けている。即ち、この磁界中熱処理工程において、スピンバルブＭＲ素子をその反強磁性体の磁気的秩序が消失する温度まで加熱した状態で交換結合を与えたい方向に外部磁界を印加した後、冷却する処理がなされていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、反強磁性層と強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるため、従来技術では、磁界中熱処理工程を付加的に設ける必要があり、その分、製造工程が複雑となるのみならず製造コストも増大する。
【０００６】
また、複数の磁気ヘッドに対して同様の磁化処理を同時に行うためには、磁気ヘッドに印加される外部磁界の方向を一様にそろえておく必要があるので、磁界中熱処理工程は、通常、磁気ヘッドのウエハプロセス段階か又はウエハをバー状に切断したバー段階で行われる。これは、磁気ヘッドを各単体に切り離した後にこのような磁界中熱処理を行うのは、その磁化方向を規定するのに手間がかかり非能率的となるからである。しかしながら、磁気ヘッドを各単体に切り離した後をも含め磁気ヘッドがどのような状態であっても、反強磁性層と強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるための処理が容易にできる方が当然に望ましい。
【０００７】
さらにまた、磁気ヘッドのウエハプロセスや加工プロセス等の製造工程中や製造したヘッドのＨＤＤへのアセンブリング工程中において、ヘッドの端子サイドへ何らかの理由で電荷が飛び込むと、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化してしまってヘッドの諸特性が変化し記録信号を正確に再生できない場合がある。これは、飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引き起こす磁界によってピンド方向が変化してしまうためと考えられる。ピンド方向が変化してしまうと、ピンド層及びフリー層の磁化のなす角度が変化することから出力特性等も変わってしまう。このように、スピンバルブＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいては、ピンド方向が正しく制御されていることが非常に重要であるが、磁気ヘッドを各単体に切り離した後にピンド方向が変化してしまった場合、反強磁性層と強磁性薄膜層（ピンド層）との間の交換結合を再度与えてそのピンド方向を正しい方向に戻すことは、前述したように非常に非能率的であるため、従来はこのような処理は行われず、その磁気ヘッドは不良品として扱われていた。
【０００８】
米国特許第５，６５０，８８７号公報には、スピンバルブＭＲ素子に方形波電流を流すことにより発生する熱及び磁界を利用してピンド方向の制御を行う技術が開示されている。しかしながら、この技術によると、スピンバルブＭＲ素子を加熱した後の冷却段階における温度制御及び磁界制御が十分に満足する特性とはならない可能性がある。
【０００９】
従って本発明の目的は、交換結合を利用したＭＲ素子のピンド方向の制御を新たな工程を付加することなくかつ磁気ヘッドを各単体に分離した後にも極めて容易に行うことができるＭＲ素子の磁気特性制御方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、上述のピンド方向制御において、理想的な温度制御及び磁界制御を行うことができるＭＲ素子の磁気特性制御方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法、このＭＲ素子を備えた磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、非磁性金属層と、非磁性金属層により磁気的に分離された強磁性材料によるフリー層及び強磁性材料によるピンド層と、ピンド層に積層されておりピンド層と交換結合している反強磁性層とを含むＭＲ素子のピンド層の磁化方向を制御する磁気特性制御方法であって、ＭＲ素子のピンド層の磁化方向に磁界が発生し、かつ発生するジュール熱による該磁気抵抗素子の温度が、反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失してピンド層がピンニングされなくなる温度以上かつＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度未満の加熱温度となるように、通常動作時のセンス電流に代えてＭＲ素子に流す離散的パルス電流の方向及び振幅を制御し、次いで、ＭＲ素子の温度がこの加熱温度から徐々に低減するように、離散的パルス電流の振幅を加熱段階の上述の振幅に維持した状態で離散的パルス電流のデューティ比を制御するＭＲ素子の磁気特性制御方法及びこの方法によって磁気特性制御されるＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法が提供される。
【００１２】
離散的パルス電流を通電すると共にそのデューティ比を制御することによって、交換結合を付与するのための加熱後冷却処理及び磁化処理を同時に行っている。デューティ比を制御することによって、最適な温度減衰特性を得ることが可能となる。交換結合を利用したＭＲ素子にデューティ比を制御した離散的パルス電流を流すだけでよいので、新たな工程を付加することなく極めて容易に行うことができるのみならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であっても、ＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中においても実施することができ、その場合には、ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持することができる。この場合、ＭＲ素子が、交換結合用の反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失する温度（一般的にはネール温度より３０〜５０℃低い温度）以上かつＭＲ素子の許容温度（ＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度）未満の加熱温度となるように離散的パルス電流の振幅及びデューティ比が制御される。特に本発明では、ＭＲ素子の温度が加熱温度となった後、徐々に低減するように、振幅を一定に維持した状態で離散的パルス電流のデューティ比が制御される。離散的電流のデューティ比を変化させるが振幅を保ったまま温度の減衰制御ができるので、ＭＲ素子に印加される磁界を高い状態に維持した状態で冷却が行われることとなり、より確実なピンド方向制御を行うことができる。
【００１６】
磁気特性の制御を、磁気ヘッドの製造工程中又は磁気ヘッドの特性評価工程中に少なくとも１回行うこと、磁気ヘッドの製造工程後の磁気ディスク装置の組立工程中又は磁気ディスク装置の特性評価工程中に少なくとも１回行うこと、及び／又はこの磁気ディスク装置の動作時の自己診断中に少なくとも１回行うことが好ましい。
【００１７】
さらに、本発明によれば、非磁性金属層と、非磁性金属層により磁気的に分離された強磁性材料によるフリー層及び強磁性材料によるピンド層と、ピンド層に積層されておりピンド層と交換結合している反強磁性層とを含むＭＲ素子に対して、通常動作時のセンス電流に代えてピンド層の磁化方向に磁界が発生するように離散的パルス電流を流す特性制御回路を備えており、この特性制御回路は、離散的パルス電流によって発生するジュール熱によるＭＲ素子の温度が、反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失してピンド層がピンニングされなくなる温度以上かつＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度未満の加熱温度となるように、離散的パルス電流の方向及び振幅を制御し、次いで、ＭＲ素子の温度がこの加熱温度から徐々に低減するように、離散的パルス電流の振幅を加熱段階の上述の振幅に維持した状態で離散的パルス電流のデューティ比を制御するように構成されているＭＲ素子を備えた磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置が提供される。
【００１８】
特性制御回路は、ＭＲ素子が、交換結合用の反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失する温度（一般的にはネール温度より３０〜５０℃低い温度）以上かつＭＲ素子の許容温度（ＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度）未満の加熱温度となるように離散的パルス電流の振幅が制御される。特に本発明では、ＭＲ素子の温度が加熱温度となった後、徐々に低減するように、振幅を一定に維持した状態で離散的パルス電流のデューティ比が制御される。離散的パルス電流のデューティ比を変化させるが振幅を保ったまま温度の減衰制御ができるので、ＭＲ素子に印加される磁界を高い状態に維持した状態で冷却が行われることとなり、より確実なピンド方向制御を行うことができる。
【００２０】
磁気ヘッド装置が、ＭＲ素子を有する磁気ヘッドと、磁気ヘッド制御用の第１のＩＣチップと、第１のＩＣチップを制御する第２のＩＣチップと、磁気ヘッド及び第１のＩＣチップを支持するサスペンションとを備えている場合に、特性制御回路が、第２のＩＣチップ内に設けられていることが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
実施形態により本発明の説明を行う前に、本発明の基本原理を説明する。
【００２３】
図１は、交換結合を利用したＭＲ積層体の一例であるスピンバルブ積層体の基本構造を示す断面図であり、同図において、１０及び１２は２つの強磁性層であり、この強磁性層１０及び１２は非磁性金属層１１で磁気的に分離してサンドイッチ構造とされている。強磁性層１２上には反強磁性層１３が積層されており、その界面で生じる交換バイアス磁界がこの強磁性層（ピンド層）１２に印加されてピンニングされる。強磁性層１０は交換バイアス磁界が印加されないフリー層である。
【００２４】
図２は、このようなスピンバルブ積層体のピンド方向の制御原理を説明する図である。同図（Ａ）に示すように、何らかの原因により、反強磁性層１３に与えられている異方性の方向が矢印Ａに示す誤った方向であり、これにより強磁性層１２のピンド方向が矢印Ｂに示す誤った方向となっているとする。本発明では、このようなスピンバルブ積層体に対して、同図（Ｂ）に示すような方向に離散的電流又は方形波電流ＩCAを流す。この電流のジュール熱により、スピンバルブ積層体は加熱される。反強磁性層１３の温度がネール温度より通常は３０〜５０℃低いある温度以上となると、その磁気的秩序がマクロ的に消失する。これにより、ピンニングされなくなった強磁性層１２は、この電流ＩCAのつくる磁界Ｃに対して容易に磁化され、同図（Ｃ）に示すような方向Ｂ′に磁化される。強磁性層１２の磁化方向は、この電流ＩCAの流れる方向を調整することによって自由に制御可能である。電流ＩCAのデューティ比又は立ち下がり時の時定数を制御することによって、反強磁性層１３の温度が上述の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度より低下すると、この反強磁性層１３には、同図（Ｄ）に示すように、電流ＩCAによる印加磁界方向に依存する方向Ａ′に異方性が発生する。反強磁性層１３に磁気的秩序が戻ると、強磁性層１２はこの方向Ｂ′にピンニングされる。
【００２５】
図３は、本発明によるＭＲ素子又はＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法の一実施形態として、磁気特性の制御回路の概略構成を示すブロック図である。この特性制御回路は、電磁変換特性の評価装置内に設けられる。
【００２６】
この実施形態においては、ウエハプロセスにおいてスピンバルブＭＲ素子に接続される出力電極端子が形成された後、そのスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間に実施される電磁変換特性の評価工程中で、磁気特性を制御する。即ち、磁気ヘッド及びこれに続くＨＤＤの量産工程中の小さなダメージによって、磁気ヘッドの電磁変換特性評価、ρ−Ｈ特性評価では確認できない程度にスピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化する可能性がある。そのようなスピンバルブＭＲ素子は、特性が本来の状態に比して劣化してしまう。そこで本実施形態では、各磁気ヘッドの端子電極に評価装置を接続して電磁変換特性の評価を行う評価装置内にこのような特性制御回路を設置し、本来のピンド方向と同じ方向に磁界が発生するように離散的電流を流す処理を実施し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方向を本来の方向に復帰させる。
【００２７】
図３において、３０は磁気ヘッドのスピンバルブＭＲ素子、３１はこのＭＲ素子３０の電極間に接続された磁気特性制御回路である。磁気特性制御回路３１には、ＭＲ素子３０に接続される定電流回路３２、この定電流回路３２から出力される電流をオン／オフ制御して離散的電流を出力するための断続スイッチ３３、断続スイッチ３３に対して指示されたデューティ比のパルス信号を発生するパルス発生回路３４、Ｄ／Ａ変換器３５、及びマイクロコンピュータで構成される制御回路３６が設けられている。
【００２８】
制御回路３６からは、定電流回路３２から出力されるべき離散的電流のピーク値（振幅）Ｉ0 に関するデータ、初期の加熱段階における方形波電流の持続時間Ｄ0 に関するデータ、加熱段階後の冷却段階における離散的なパルス電流の持続時間Ｄ2 及び休止時間Ｄ1 に関する複数のデータが出力される。
【００２９】
ピーク値（振幅）Ｉ0 のデータに関しては、Ｄ／Ａ変換器３５に印加されてアナログ信号に変換された後、定電流回路３２に印加されてその出力電流のピーク値がＩ0 に設定される。持続時間Ｄ0 、持続時間Ｄ2 及び休止時間Ｄ1 のデータに関しては、パルス発生回路３４に印加され、Ｄ0 、Ｄ1 及びＤ2 の持続時間、休止時間及び持続時間を有する複数のパルスが形成される。これらパルスは断続スイッチ３３に印加されて、持続時間に相当する時間だけ持続する定電流回路３２の出力電流、即ち離散的電流がＭＲ素子３０へ流される。この離散的電流の流れる方向は、当然のことながら、スピンバルブＭＲ素子３０のピンド方向が正しい方向となるような磁界が生じる方向である。なお、磁気特性の制御を行わず、通常のセンス電流をＭＲ素子３０に流す場合は、制御回路３６からその電流値及びセンス電流の通電時間に関するデータが出力され、これによって連続的な定電流が定電流回路３２から出力される。
【００３０】
磁気特性の制御を行う場合、制御回路３６からは、ピーク値に関しての所定の値Ｉ0 が与えられ、持続時間に関しては最初にＤ0 が与えられる。これにより、図４の（Ａ）に示すように、加熱段階として、ピーク値Ｉ0 、持続時間Ｄ0 の方形波電流が流され、スピンバルブＭＲ素子３０の温度は、図４の（Ｂ）に示すように、その反強磁性層１３（図１）の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度（通常はネール温度より３０〜５０℃低い温度）Ｔb 以上の温度Ｔまで上昇せしめられる。同時に、ピンド層１２（図１）は、この電流の作る磁界によって磁化される。この磁化方向は電流を流す方向により正逆方向のいずれにも制御できる。
【００３１】
この加熱段階における素子温度Ｔは、反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度Ｔb 以上でありかつＭＲ素子３０の許容温度（ＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度）Ｔp より低い温度となるように制御する。以下この温度範囲について、図を用いて説明する。
【００３２】
図５は、スピンバルブＭＲ素子の印加温度及び印加磁界に対する出力変化特性及び抵抗変化特性を示す図である。同図における横軸はＭＲ素子の温度［℃］を表わしており、縦軸はＭＲ素子の出力変化率［％］及び抵抗変化率［％］をそれぞれ表わしている。出力変化率における負の部分は、ピンド層１２（図１）の磁化方向が初期の正しいピンド方向から反転したことを意味している。約１７０℃近傍の温度Ｔb において、ピンド層１２（図１）の磁化反転現象が発生し、さらに注入エネルギを増大させていくと、約４００℃近傍の温度Ｔp において抵抗変化が発生し、その抵抗変化に従って出力も低下していく。この温度Ｔp においては、ＭＲ素子は注入エネルギによって物理的ダメージを受けて回復不能となる。これに対して、温度Ｔb 以上〜温度Ｔp 未満の範囲においては、ピンド方向は可逆状態にある。この反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度温度Ｔb の値は、反強磁性層１３（図１）の材料によって異なるが、図５に示したような挙動は全てのスピンバルブＭＲ素子に共通している。従って、加熱段階における温度Ｔは、Ｔb ≦Ｔ＜Ｔp の範囲に設定される。
【００３３】
次いで、冷却が行われる。この冷却段階において、制御回路３６からは、ピーク値に関してはＩ0 がそのまま与えられ、持続時間に関しては持続時間Ｄ2 及び休止時間Ｄ1 というデータが与えられる。これにより、図４の（Ａ）に示すように、Ｄ2 ／Ｄ1 というデューティ比の離散的パルス電流が流され、このデューティ比が変化せしめられることによって、図４の（Ｂ）に示すように、スピンバルブＭＲ素子３０は、反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度温度Ｔb より低い温度、通常は室温まで徐々に冷却される。この冷却段階においても、離散的パルス電流が流されているため、スピンバルブＭＲ素子３０の反強磁性層１３（図１）は、この電流の作る磁界と同じ方向に異方性を持つようになり、しかも、この冷却段階の全ての期間において、この離散的パルス電流がピーク値Ｉ0 という大きな振幅を有しているため、強磁界が印加されることとなる。従って、より確実なピンド方向制御を容易に行うことができる。
【００３４】
ピンド方向制御において、温度減衰特性及びその際の磁界は非常に重要なパラメータとなる。上述した実施形態では、冷却段階において、離散的パルス電流を供給することによって磁場を与えると共に、そのデューティ比Ｄ2 ／Ｄ1 を制御することにより、最適な温度減衰特性を得ているのである。また、加熱段階において、方形波電流のピーク値（振幅）Ｉ0 及び持続時間Ｄ0 を制御した初期エネルギ注入により、素子温度Ｔを、Ｔb ≦Ｔ＜Ｔp の範囲に設定してピンド層の制御可能状態を作り出しているのである。
【００３５】
方形波電流のピーク値（振幅）Ｉ0 の具体的範囲としては、室温（２３℃）における素子抵抗ＲRTがＲRT＝５０．６ΩのスピンバルブＭＲ素子の場合、約１８ｍＡ≦Ｉ0 ≦約４４ｍＡであることが好ましい。これは次のようにして実験的に求められた。
【００３６】
実験から、スピンバルブＭＲ素子を温度Ｔに加熱した際の抵抗値Ｒ（Ω）とその温度Ｔ（℃）と間には、Ｒ／ＲRT＝０．００１７４５２Ｔ＋０．９５９３８０８なる相関関係があることが確認されている。従って、温度Ｔは、Ｔ＝（Ｒ／ＲRT−０．９５９３８０８）／０．００１７４５２となる。一方、Ｄ0 ＝２０ｎｓ、Ｉ0 ＝１８．１ｍＡの電流を流した際の素子抵抗ＲはＲ＝６２．７Ω、印加エネルギは０．３３ｎＪ（＝Ｉ0 2 ＲＤ0 ）であり、Ｄ0 ＝２０ｎｓ、Ｉ0 ＝４４ｍＡの電流を流した際の素子抵抗ＲはＲ＝８４Ω、印加エネルギは１．９６ｎＪ（＝Ｉ0 2 ＲＤ0 ）であった。この素子抵抗Ｒを、上述の相関関係式に代入すると、Ｉ0 ＝１８．１ｍＡの場合に素子温度Ｔ＝１８０．７℃、Ｉ0 ＝４４ｍＡの場合に素子温度Ｔ＝４００℃となる。従って、図５の温度範囲からして、約１８ｍＡ≦Ｉ0 ≦約４４ｍＡが好ましいことが確認できる。なお、このＭＲ素子の通常使用時に流すセンス電流は５ｍＡの連続電流であり、上述したピーク値（振幅）Ｉ0 よりはるかに小さい値である。
【００３７】
持続時間Ｄ0 、持続時間Ｄ2 及び休止時間Ｄ1 の具体的値としては、Ｄ0 ≧約２０ｎｓ、Ｄ2 ＜約２０ｎｓ、及びＤ1 ＜約２０ｎｓであることが好ましい。これは次のようにして実験的に求められた。
【００３８】
図６は、スピンバルブＭＲ素子に流される方形波電流のピーク値Ｉに対するＭＲ素子の出力特性を示す図である。方形波電流の持続時間Ｄを、Ｄ＝１２ｎｓ、２３ｎｓ、３５ｎｓ、５８ｎｓ及び１０３ｎｓと変えた場合の出力特性が示されている。なお、同図の出力における負の部分は、素子温度が反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度Ｔb 近傍に達してピンド層１２（図１）の磁化方向が初期の正しいピンド方向から反転したことを意味している。同図から明らかのように、方形波電流の持続時間Ｄが１２ｎｓの場合を除いて２３ｎｓ以上の場合は、いずれもピーク値Ｉ0 ＝１７．５ｍＡ程度でピンド方向の反転現象が生じており、素子温度が反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度Ｔb 近傍に達していることが分かる。従って、熱的遅延（電流を流してから素子温度が上昇するまでの遅延）が、約２０ｎｓ程度であることが判明したので、加熱段階における方形波電流の持続時間Ｄ0 は、Ｄ0 ≧約２０ｎｓであることが要求される。また、このことから、冷却段階における離散的パルス電流の持続時間Ｄ2 及び休止時間Ｄ1 はいずれも、Ｄ2 ＜約２０ｎｓ、及びＤ1 ＜約２０ｎｓであることが要求される。
【００３９】
以上説明した実施形態では、磁気ヘッドの電磁変換特性の評価工程においてピンド方向制御を行っているが、スピンバルブＭＲ素子のρ−Ｈ特性の評価工程においてピンド方向制御を行ってもよいことは明らかである。
【００４０】
上述したように、本実施形態によるピンド方向制御は、ウエハプロセスにおいてスピンバルブＭＲ素子に接続される出力電極端子が形成された後、そのスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間に実施される電磁変換特性の評価工程と共に行われている。しかしながら、本発明の磁気特性（ピンド方向）制御動作は、電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程とは別個に行ってもよい。即ち、スピンバルブＭＲ素子の磁気特性を制御する必要がある場合であればいかなるときに実施してもよい。
【００４１】
図７は、本発明のピンド方向制御動作を実際にどの時点で実施するかという例を説明するフローチャートである。同図におけるステップＳ１０は、基板上に多数の磁気ヘッドを集積化技術で作成するウエハプロセスを示している。このウエハプロセスＳ１０が終了した後、従来行われていた磁気特性制御のための磁界中熱処理工程（ピンアニール工程）に代えて、ステップＳ１１に示す本発明によるピンド方向制御を実施する。これにより、磁界中熱処理工程よりはるかに簡単な工程でピンド方向制御が可能となる。また、ウエハプロセスＳ１０が終了した後電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程が実施される場合には、ステップＳ１２に示すように、電磁変換特性評価工程中にピンド方向制御を実施してもよい。電磁変換特性評価工程では、前述したように、各磁気ヘッドの電極端子が評価装置に電気的に接続されているため、電流を流すだけで済むこのようなピンド方向制御を非常に簡単に実施することができる。
【００４２】
次のステップＳ１３はウエハを磁気ヘッドが一列に並ぶバーへの切断する工程、ステップＳ１４はスロートハイト等の研磨工程、ステップＳ１５はＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜の成膜工程、ステップＳ１６はレール形成工程をそれぞれ示している。このレール形成工程Ｓ１６が終了した後、従来行われていた磁気特性制御のための磁界中熱処理工程（ステップＳ１０の後に磁気特性制御を行う場合には、ここでは磁気特性制御を行わない）に代えて、ステップＳ１７に示す本発明によるピンド方向制御を実施してもよいし、ステップＳ１８に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中にピンド方向制御を実施してもよい。
【００４３】
次のステップＳ１９はバーから各磁気ヘッドスライダに分離するピースへの切断工程である。このピースへの切断工程Ｓ１９が終了した後、ステップＳ２０に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中にピンド方向制御を実施してもよい。次のステップＳ２１は磁気ヘッドスライダをジンバルにアセンブリングするＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリ）加工工程である。このＨＧＡ加工工程Ｓ２１が終了した後、ステップＳ２２に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中にピンド方向制御を実施してもよい。
【００４４】
次のステップＳ２３は、磁気ヘッドアセンブリの最終的な電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程であり、この電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程Ｓ２３でピンド方向の変化による特性不良と評価された磁気ヘッドアセンブリについては、ステップＳ２４に示す本発明によるピンド方向制御を実施して、本来のピンド方向と同じ方向に磁界が発生するように離散的電流を流し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方向を本来の方向に復帰させる。
【００４５】
次のステップＳ２５では、このようにして製造された磁気ヘッドアセンブリをＨＤＤ内に実装する工程である。このＨＤＤ内への実装工程Ｓ２５の後に、必要に応じてステップＳ２６に示す本発明によるピンド方向制御を実施してもよい。これにより、本来のピンド方向と同じ方向に磁界が発生するように離散的電流を流し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方向を本来の方向に復帰させる。なお、以上述べた全ての時点でピンド方向制御を行う必要はなく、最低限少なくとも１つの時点でピンド方向制御を行えばよい。ただし、ピンド方向制御を行う時点が、製造工程、組立工程の後の方であればあるほど、ピンド方向を正しい方向に維持する確率が高くなるので好ましい。
【００４６】
図８は、図３の実施形態における磁気特性制御回路の変更態様の概略構成を示すブロック図である。この特性制御回路も、図３の実施形態の場合と同様に電磁変換特性の評価装置内に設けられる。
【００４７】
図８において、８０は磁気ヘッドのスピンバルブＭＲ素子、８１はこのＭＲ素子８０の電極間に接続された磁気特性制御回路である。磁気特性制御回路８１には、ＭＲ素子８０に接続される定電流回路８２、この定電流回路８２から出力される方形波電流の立ち下がり時の時定数を制御する時定数制御器８３、Ｄ／Ａ変換器８４、及びマイクロコンピュータで構成される制御回路８５が設けられている。
【００４８】
制御回路８５からは、定電流回路８２から出力されるべき方形波電流のピーク値（振幅）Ｉ0 に関するデータ、及び時定数制御を行うか否かの指示信号が出力される。磁気特性の制御を行わず、通常のセンス電流をＭＲ素子８０に流す場合は、制御回路８５から時定数制御を行わない旨の指示信号と、センス電流の電流値及び通電時間に関するデータが出力され、これによって連続的な定電流が定電流回路８２から出力される。
【００４９】
ピーク値（振幅）Ｉ0 のデータに関しては、Ｄ／Ａ変換器８４に印加されてアナログ信号に変換された後、定電流回路８２に印加されてその出力である方形波電流のピーク値がＩ0 に設定される。また、方形波電流の持続時間Ｄ0 はあらかじめ設定されている。方形波電流の流れる方向は、当然のことながら、スピンバルブＭＲ素子８０のピンド方向が正しい方向となるような磁界が生じる方向である。
【００５０】
磁気特性の制御を行う場合、制御回路８５からは、ピーク値に関しての所定の値Ｉ0 が与えられる。これにより、図４の（Ｃ）に示すように、加熱段階として、ピーク値Ｉ0 、持続時間Ｄ0 の方形波電流が流され、スピンバルブＭＲ素子８０の温度は、図４の（Ｂ）に示すように、その反強磁性層１３（図１）の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度Ｔb 以上の温度Ｔまで上昇せしめられる。同時に、ピンド層１２（図１）は、この電流の作る磁界によって磁化される。この磁化方向は電流を流す方向により正逆方向のいずれにも制御できる。
【００５１】
この加熱段階における素子温度Ｔは、温度Ｔb 以上でありかつＭＲ素子８０の許容温度（ＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度）Ｔp より低い温度となるように制御する。この温度範囲については図３の実施形態の場合と同様である。
【００５２】
次いで、冷却が行われる。この冷却段階においては、あらかじめ定めた時定数で方形波電流を立ち下げることにより、図４の（Ｃ）に示すように、スピンバルブＭＲ素子８０は、反強磁性層１３の磁気的秩序がマクロ的に消失する温度Ｔb より低い温度、通常は室温、まで徐々に冷却される。この冷却段階においても、電流が流されているため、スピンバルブＭＲ素子８０の反強磁性層１３（図１）は、この電流の作る磁界と同じ方向に異方性を持つようになり、しかもこの電流がピーク値Ｉ0 から徐々に低下して流されているため、比較的強い磁界がその冷却段階のかなりの期間中印加されることとなる。従って、より確実なピンド方向制御を容易に行うことができる。
【００５３】
ピンド方向制御において、温度減衰特性及びその際の磁界は非常に重要なパラメータとなる。この変更態様では、冷却段階において、所定の時定数で徐々に立ち下がる方形波電流を供給することによって磁場を与えると共に、その時定数を制御することにより、最適な温度減衰特性を得ているのである。また、加熱段階において、方形波電流のピーク値（振幅）Ｉ0 及び持続時間Ｄ0 を制御した初期エネルギ注入により、素子温度Ｔを、Ｔb ≦Ｔ＜Ｔp の範囲に設定してピンド層の制御可能状態を作り出しているのである。
【００５４】
本変更態様における他の構成及び作用効果、さらにはどの時点でピンド方向制御を行うか等については、図３の実施形態の場合と同様である。
【００５５】
図９は、本発明の他の実施形態における磁気ヘッド装置上のＩＣチップの配置を説明する図である。
【００５６】
同図において、９０は磁気ヘッド装置のサスペンション、９１はこのサスペンションの先端部に取り付けられており読み出し用のスピンバルブＭＲ素子及び書き込み用のインダクティブ素子を具備する複合型磁気ヘッドスライダ、９２はサスペンションの途中に取り付けられており、リード導体９３によってＭＲ素子及びインダクティブ素子に接続された第１のヘッド用ＩＣチップ、９４は第１のヘッド用ＩＣ９２にＦＰＣによるリード線９５を介して接続されている第２のヘッド用ＩＣをそれぞれ示している。第１のヘッド用ＩＣ９２及び第２のヘッド用Ｉ９４は、書き込みデータに応じて極性が変化する書き込み電流をインダクティブ素子に流す書き込み駆動機能と、ＭＲ素子から読み出されたデータ電圧を増幅して出力する読み出しプリアンプ機能とを備えている。第１のヘッド用ＩＣ９２は書き込み駆動機能の最終段及び読み出しプリアンプ機能の初段を主に備えている。第２のヘッド用ＩＣ９４は、これら最終段及び初段に続くアンプ機能を主に備えている。
【００５７】
本実施形態においては、特性制御回路９６が、第２のヘッド用ＩＣチップ９４内に設けられている。特性制御回路９６は、図３又は図８に示すものと同様の構成を備えている。本実施形態では、ピンド方向制御は、第２のヘッド用ＩＣチップ９４が、サスペンション９０上に組み込まれた後に行われる。本実施形態における他の構成及び作用効果については、図３の実施形態の場合と同様である。
【００５８】
図１０は、本発明による磁気ヘッドの磁気特性制御方法の他の実施形態の概略構成を示すブロック図である。この実施形態は、磁気ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に実装された後、実際に使用する際に定期的に磁気特性（ピンド方向）を制御する場合である。即ち、磁気ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に組み込まれた実際の使用状態においても、何らかのダメージによってスピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化する可能性がある。そのようなスピンバルブＭＲ素子は、特性が本来の状態に比して劣化してしまう。そこで本実施形態では、ＨＤＤの電源を投入した際、電源を切断する際、又はその他の動作中の自己診断中に、本来のピンド方向と同じ方向に磁界が発生するように離散的電流又は立ち下がり時に時定数を有する方形波電流を流す処理を付加し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方向を本来の方向に復帰させるものである。
【００５９】
同図において、１００は磁気ディスク、１０１は磁気ディスク駆動用のスピンドルモータ、１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃは実装された磁気ヘッドアセンブリ、１０３はこれら磁気ヘッドアセンブリが取り付けられた駆動アームを駆動するボイスコイルモータをそれぞれ示している。磁気ヘッドアセンブリ１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃはリード／ライトＩＣ１０４の各チャネルに電気的に接続されている。本実施形態において、リード／ライトＩＣ１０４内に、特性制御回路１０５が設けられている。
【００６０】
図１０において、さらに、１０６はリードチャネルＩＣ、１０７はＨＤＤコントローラ、１０８はデータバス、１０９はＲＡＭ、１１０はマイクロプロセッサ、１１１はＩＣサーボタイミング回路、１１２はヘッド位置／モータ速度制御ＩＣをそれぞれ示している。リード／ライトＩＣ１０４内に、特性制御回路１０５が設けた点を除いて、このＨＤＤの構成及び動作は公知である。この特性制御回路１０５は、図３又は図８に示すものと同様の構成を備えている。なお、外部からの電荷の飛び込み時の保護機能として、クランプダイオード等の機能が搭載されている場合には、ピンド方向制御時に、その機能を一時的に停止させる必要がある。
【００６１】
本実施形態において、特に、ＨＤＤの電源が投入された際の自己診断中のみにピンド方向制御を行うように構成すると、このＨＤＤがアシスト方向のセンス電流を流すように構成されている場合は、起動後のＨＤＤの動作中はスピンバルブＭＲ素子にアシスト方向の僅かな電流が常に流れているのでピンド方向の反転が起こりにくいから非常に有効である。もちろん、このようにＨＤＤの起動時のみならず、ＨＤＤの動作中又はＨＤＤの電源を切断する際に同様のピンド方向制御を行ってもよいことは明らかである。本実施形態における他の構成及び作用効果については、図３の実施形態の場合と同様である。
【００６２】
以上述べた実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、離散的パルス電流を通電すると共にそのデューティ比を制御することによって、交換結合を付与するのための加熱後冷却処理及び磁化処理を同時に行っている。デューティ比を制御することによって、最適な温度減衰特性を得ることが可能となる。交換結合を利用したＭＲ素子にデューティ比を制御した離散的パルス電流を流すだけでよいので、新たな工程を付加することなく極めて容易に行うことができるのみならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であっても、ＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中においても実施することができ、その場合には、ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持することができる。この場合、ＭＲ素子が、交換結合用の反強磁性層がマクロ的に磁気的秩序を消失する温度（一般的にはネール温度より３０〜５０℃低い温度）以上かつＭＲ素子の許容温度（ＭＲ素子が物理的ダメージを受けて回復不能となる直前の限界温度）未満の加熱温度となるように離散的パルス電流の振幅が制御される。特に本発明では、ＭＲ素子の温度が加熱温度となった後、徐々に低減するように、振幅を一定に維持した状態で離散的パルス電流のデューティ比が制御される。離散的パルス電流のデューティ比を変化させるが振幅を保ったまま温度の減衰制御ができるので、ＭＲ素子に印加される磁界を高い状態に維持した状態で冷却が行われることとなり、より確実なピンド方向制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スピンバルブ積層体の基本構造を示す断面図である。
【図２】スピンバルブ積層体のピンド方向の制御原理を説明する図である。
【図３】本発明による磁気特性制御方法の一実施形態として、磁気特性の制御回路の概略構成を示すブロック図である。
【図４】図３の実施形態及びその変更態様における方形波及び温度変化の一例を示す図である。
【図５】スピンバルブＭＲ素子の印加温度及び印加磁界に対する出力変化特性及び抵抗変化特性を示す図である。
【図６】スピンバルブＭＲ素子に流される方形波電流の持続時間をパラメータとした、その電流のピーク値に対するＭＲ素子の出力特性を示す図である。
【図７】本発明のピンド方向制御動作を実際にどの時点で実施するかの例を説明するフローチャートである。
【図８】図３の実施形態の変更態様における磁気特性の制御回路の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の他の実施形態における磁気ヘッド装置上のＩＣチップの配置を説明する図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における、磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０、１２  強磁性薄膜層
１１  非磁性金属層
１３  反強磁性薄膜層
３０、８０  スピンバルブＭＲ素子
３１、８１、１０５  磁気特性制御回路
３２、８２  定電流回路
３３  断続スイッチ
３４  パルス発生回路
３５、８４  Ｄ／Ａ変換器
３６、８５  制御回路
８３  時定数制御器
１００  磁気ディスク
１０１  スピンドルモータ
１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ  磁気ヘッドアセンブリ
１０３  ボイスコイルモータ
１０４  リード／ライトＩＣ
１０６  リードチャネルＩＣ
１０７  ＨＤＤコントローラ
１０８  データバス
１０９  ＲＡＭ
１１０  マイクロプロセッサ
１１１  ＩＣサーボタイミング回路
１１２  ヘッド位置／モータ速度制御ＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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