(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
無水アンチモン酸亜鉛半導体をガス検知部に用いたガス検知用センサー。
【請求項２】
検知するガスが硫化水素ガスである請求項１に記載のガス検知用センサー。
【請求項３】
０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、３００〜６８０℃で焼成後、粉砕して得られた導電性無水アンチモン酸亜鉛を含有するゾルを素子基板に塗布した後、６８０℃を越え１０００℃未満の温度で加熱処理することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガス検知用センサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、硫化水素を始めとする各種還元性ガスを検知する無水アンチモン酸亜鉛半導体ガスセンサー及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
硫化水素、水素及び燃料ガス（都市ガス、プロパンガス）等の各種還元性ガス用センサーの検知部としてＳｎＯ2焼結体及び薄膜が広く実用化されている。特開平１−１８９５５３号公報にはスパッタリング法でＳｎＯ2とＰｄ、Ｒｕ等の金属の酸素活性化吸着触媒を同時蒸着させた薄膜センサーが水素ガスやメタンガス等を検知できることが記載されている。特に硫化水素ガスに関しては、ジャーナル オブ マテリアルズサイエンス レターズ（ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＳＣＩＥＮＣＥ ＬＥＴＴＥＲＳ）１４巻、１３９１頁（１９９５年）にＳｎＯ2ゾルをスピンコート後７００℃で加熱処理して得られたＳｎＯ2薄膜センサーが記載されていて、またジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）３４巻、Ｌ４５５頁（１９９５年）にはＳｎＯ2ゾルをスピンコート後６００℃で加熱処理して得られたＳｎＯ2薄膜に酸化銅を担持させた薄膜センサーが記載されている。また、ジャーナル オブ マテリアルズケミストリー（ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ）４巻、１２５９頁（１９９４年）にＳｎＯ2焼結体に酸化銅を担持させた焼結体センサーがＨ2Ｓに対して特異的に高い反応性のため高感度、高選択性を示すことが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、焼成、粉砕して得られた導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛ゾルを素子基板上にディップコート法等で塗布した後、加熱処理することにより高感度で硫化水素を検知できる薄膜センサー及びその製造方法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本願発明は請求項１として、無水アンチモン酸亜鉛半導体をガス検知部に用いたガス検知用センサーである。
また請求項２として、検知するガスが硫化水素ガスである請求項１に記載のガス検知用センサーである。
【０００５】
そして請求項３として、０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、３００〜６８０℃で焼成後、粉砕して得られた導電性無水アンチモン酸亜鉛を含有するゾルを素子基板に塗布した後、６８０℃を越え１０００℃未満の温度で加熱処理することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガス検知用センサーの製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本願発明は、無水アンチモン酸亜鉛をガス検知部に用いるガス検知用センサー部品に関する。その無水アンチモン酸亜鉛は半導体特性を有するものである。即ち、半導体特性を有する無水アンチモン酸亜鉛をガス検知部に用いた事を特徴とするガス検知用センサーである。
【０００７】
本願発明においてガス検知部で検出可能なガスは硫化水素ガスである。
本願発明に用いる半導体特性を有する無水アンチモン酸亜鉛は、特開平６−２１９７４３号公報に記載の方法で得られた導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛を、更に特定の温度で焼成して使用する事が好ましい。
導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛の製造法では、コロイダル酸化アンチモンが酸化アンチモンゾルである場合は、酸化アンチモンゾルと亜鉛化合物を混合し、更に乾燥した後、３００〜６８０℃で焼成する事により製造することができる。
【０００８】
上記の亜鉛化合物は、水酸化亜鉛、酸化亜鉛、亜鉛の無機酸塩及び亜鉛の有機酸塩からなる群より選ばれた少なくとも１種の亜鉛化合物である。
亜鉛の無機酸塩としては、炭酸亜鉛、塩基性炭酸亜鉛、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛等が挙げられる。また、亜鉛の有機酸塩としては、ギ酸亜鉛、酢酸亜鉛、シュウ酸亜鉛等が挙げられる。これらの亜鉛化合物は工業薬品として市販されている物を用いることができるが、水酸化亜鉛や酸化亜鉛を用いる場合は、一次粒子径が１００ｎｍ以下のものが好ましい。特に焼成により揮散する酸を持った塩、すなわち炭酸塩、有機酸塩が好ましく、これらは一種または数種混合して使用することができる。
【０００９】
コロイダル酸化アンチモンは一次粒子径が１００ｎｍ以下の酸化アンチモンであり、五酸化アンチモンゾル、十三酸化六アンチモンゾル、水和四酸化アンチモンゾル、コロイド状三酸化アンチモンなどがある。五酸化アンチモンゾルは公知の方法、例えば三酸化アンチモンを酸化する方法（特公昭５７−１１８４８号公報）、アンチモン酸アルカリをイオン交換樹脂で脱アルカリする方法（米国特許第４１１０２４７号明細書）、アンチモン酸ソーダを酸処理する方法（特開昭６０ー４１５３６号公報、特開昭６２−１８２１１６号公報）などにより製造することができる。十三酸化六アンチモンゾルは三酸化アンチモンを酸化する方法（特開昭６２−１２５８４９号公報）で、また水和四酸化アンチモンゾルも三酸化アンチモンを酸化する方法（特開昭５２−２１２９８号公報）で製造することができる。コロイド状三酸化アンチモンは気相法（特公昭６１−３２９２号公報）によって製造することができる。
【００１０】
本願発明において使用する酸化アンチモンゾルは、一次粒子径が２〜１００ｎｍ、好ましくは２〜５０ｎｍでアミンやナトリウムのような塩基を含有していない酸性のゾルが特に好ましい。酸化アンチモンゾルは酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ5あるいはＳｂ6Ｏ13あるいはＳｂ2Ｏ4）濃度が１〜６０重量％のものを使用できるが、これをスプレードライ、真空乾燥又は、凍結乾燥などの方法により乾燥した酸化アンチモンゾルの乾燥物として使用することもできる。上記コロイダル酸化アンチモンは五酸化アンチモンゾル、五酸化アンチモン粉末、又は超微粒子三酸化アンチモン粉末の形態で工業薬品として市販されているものを使用することができる。
【００１１】
原料として用いる酸化アンチモンは、亜鉛化合物と焼成して導電性無水アンチモン酸亜鉛に変化する際に、ごく僅かな粒子径変化を伴う為に、得られる導電性無水アンチモン酸亜鉛の粒子径範囲よりやや広い粒子径範囲を選択する事が出来る。
本願発明で原料として五酸化アンチモンゾルを使用する場合、例えば、三酸化アンチモンと塩基性炭酸亜鉛を、ＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ3モル比で０．０１〜０．２の割合に水に分散させ、過酸化水素で反応させて得られるＺｎＯをドープさせた五酸化アンチモンのゾルを原料として使用する事が出来る。この時、ドープさせたＺｎＯは最終的に得られた導電性無水アンチモン酸亜鉛の０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に含まれるものである。
【００１２】
上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾルの混合はサタケ式攪拌機、ファウドラー型攪拌機、ディスパーなどの装置を用い、混合温度は０℃〜１００℃、混合時間は０．１〜３０時間で行うことができる。上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾルの乾燥物あるいはコロイド状三酸化アンチモンの混合は乳鉢、Ｖ型ミキサー、ヘンシェルミキサー、ボールミルなどの装置により行うことができる。
【００１３】
本願発明において、０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に、上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾル或いはその乾燥物又はコロイド状三酸化アンチモンを混合することが好ましい。本願発明において上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾルの混合物（スラリー）の乾燥はスプレードライヤー、ドラムドライヤー、箱型熱風乾燥器、真空乾燥器、凍結乾燥器などにより、３００℃以下で行うことができる。またこのスラリーを吸引濾過、遠心濾過、フィルタープレス等で分離し、場合によっては原料からくる可溶性不純物（焼成により揮散しにくいＳＯ4など）を注水洗浄によって除去し、ウェットケーキとした後、このケーキを上記の箱型熱風乾燥器などにより室温〜３００℃で乾燥することもできる。上記乾燥は、装置あるいは操作及び次の焼成温度から考えて３００℃以下で行うのが好ましい。
【００１４】
本願発明において上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾルの混合物の乾燥物又は、上記亜鉛化合物と酸化アンチモンゾルの乾燥物或いはコロイド状三酸化アンチモンとの混合物を、３００〜６８０℃で焼成して一次粒子径が５〜５０ｎｍの導電性無水アンチモン酸亜鉛（ＺｎＳｂ2Ｏ6）が得られる。ここで一次粒子径とは凝集形態にある粒子の直径ではなく、個々に分離した時の１個の粒子の直径であり、電子顕微鏡観察によって測定する事ができる。
【００１５】
この導電性無水アンチモン酸亜鉛を得る方法の中で、０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、水蒸気を含有するガス中で、３００〜６８０℃の温度で、好ましくは３５０以上５００℃未満の温度で、最も好ましくは４００℃以上５００℃未満の温度で、０．５時間〜５０時間好ましくは２時間〜２０時間で焼成が行われる。導電性が良好で凝集性の少ないゾルを得る点で、４００℃以上５００℃未満の温度が最も好ましい。
【００１６】
上記方法で得られた導電性無水アンチモン酸亜鉛は、焼成による焼結が著しく小さい為ジェット・オ・マイザー、ピンディスクミル、ボールミルなどの乾式粉砕法により、凝集体粒子であっても容易に２μｍ以下に粉砕することができる。
上記の導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛を水または有機溶媒中でサンドグラインダー、ボールミル、ホモジナイザー、ディスパー、コロイドミルなどにより湿式粉砕することで容易に水性ゾルまたは有機溶媒ゾルを得ることができる。また本願発明の導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛は、水中で粉砕や加温することによっても含水塩とはならず無水のままであることを確認した。
【００１７】
本願発明では、０．８〜１．２のＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、３００〜６８０℃で焼成後、粉砕して得られた５〜５０ｎｍの一次粒子径を有する導電性無水アンチモン酸亜鉛（ＺｎＳｂ2Ｏ6）粒子を含有するゾルを素子基板上に塗布した後、６８０℃を越え１０００℃未満の温度で加熱処理を行って、半導体特性を持った無水アンチモン酸亜鉛からなる検知部を有するガス検知用素子が製造される。
【００１８】
本願発明では金櫛形電極を付けたアルミナ基板に、上記の導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛ゾルをディッピング方法等で塗布した後、そのアルミナ基板を６８０℃を越え１０００℃未満の温度で焼成することによりガス検知用センサーを製造する事が出来る。ディッピングは、例えば無水アンチモン酸亜鉛ゾル中に上記基板を沈め、そして基板を引き上げる方法で行うことが出来る。
【００１９】
本願発明で、加熱処理温度が６８０℃を越え１０００℃未満の温度の場合は、無水アンチモン酸亜鉛の塗布膜の抵抗は、加熱前に比べて２桁以上高くなり、半導体特性を有する。そして５〜５０ｎｍの一次粒子を有する導電性無水アンチモン酸亜鉛粒子は粒子間の融着が起こり、５０〜１５０ｎｍまで粒子成長し、それに伴い５０〜２００ｎｍの空隙が基板上の塗布膜中に生成するためガスが塗布膜内を通過し易くなりガスの検知感度が向上する。
【００２０】
一方、加熱処理温度が６８０℃以下の場合、無水アンチモン酸亜鉛の塗布膜の抵抗は２００〜５００Ωと低いことから電子濃度が高すぎるため、少量の電子が動いても応答せずガス検知感度が悪くなる。しかも５〜５０ｎｍの一次粒子径を有する導電性無水アンチモン酸亜鉛粒子は、ほとんど粒子成長せず１０ｎｍ以下の空隙が少量存在するだけの緻密な塗布層であるため、ガスが通過し難くガス検知感度が悪くなる。
【００２１】
また加熱処理温度が１０００℃以上の場合、櫛形電極の金が溶解するため好ましくない。
本願発明で、導電性の無水アンチモン酸亜鉛ゾルを用いる時の濃度は、８〜６０重量％、好ましくは１０〜４０重量％である。ゾルの濃度が８重量％より低いと塗布膜が不均一になりガス検知感度が低下する。またゾルの濃度が６０重量％より高いと無水アンチモン酸亜鉛粒子の塗布層が厚くなりすぎるためガスが通過し難くなりガス検知感度が低下する。
【００２２】
本願発明のガス検知用センサーの検知部の製造方法では、上記の亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合後３００〜６８０℃で焼成して導電性無水アンチモン酸亜鉛を得た後、この導電性無水アンチモン酸亜鉛を含有するゾルをガス検知用センサーとするセラミックス（アルミナ）基板上に塗布して、その後その基板を６８０℃を越え１０００℃未満の温度で焼成して基板上の無水アンチモン酸亜鉛（ＺｎＳｂ2Ｏ6）に半導体特性を付与すると共に、無水アンチモン酸亜鉛粒子の焼結によって基板上に検出ガスの通過に適切な空隙構造を作るものである。
【００２３】
上記の製造方法において亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合したスラリーを基板に塗布した後、その基板を直接に６８０℃を越え１０００℃未満の温度で焼成した場合は、無水アンチモン酸亜鉛が半導体特性を持たない非導電性と成り好ましくなく、また粒子径と空隙のコントロールが難しく適切なガス透過性構造層を基板上に作ることが出来ない。
【００２４】
【実施例】
実施例１
三酸化アンチモン（三国精錬（株）製）１１０ｋｇと塩基性炭酸亜鉛〔堺化学（株）製、３ＺｎＣＯ3・４Ｚｎ（ＯＨ）2、ＺｎＯに換算して７０重量％含有〕８６０ｇを水１３６３ｋｇに分散させ、次いで３５％過酸化水素水１４６ｋｇと８７重量％蟻酸を８７４ｇ添加し、９０〜１００℃に加温し、２時間反応させ、五酸化アンチモンゾルを得た。得られたゾルは比重１．１６８、ｐＨ１．８５、粘度１．８ｍＰａ・ｓ、Ｓｂ2Ｏ5として１６．３重量％、透過型電子顕微鏡観察による１次粒子径は２０〜３０ｎｍ、ＢＥＴ法による比表面積３０．７ｍ2／ｇであった。得られた五酸化アンチモンゾル３３４ｋｇを純水にてＳｂ2Ｏ5１３．３重量％に希釈した後、塩基性炭酸亜鉛〔堺化学（株）製、３ＺｎＣＯ3・４Ｚｎ（ＯＨ）2、ＺｎＯに換算して７０重量％含有〕１７．４ｋｇを添加した後、６時間攪拌を行いスラリーを得た。このスラリーはＺｎＯとして３．１重量％、Ｓｂ2Ｏ5として１２．７重量％、ＺｎＯ／Ｓｂ2Ｏ5モル比０．９７であった。このスラリーをスプレードライヤーで乾燥し粉体を得た。この粉体のＸ線回折測定の結果、含水五酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ5・ｘＨ2Ｏ）のピークと一致した。この乾燥粉６ｋｇを１５０ｍｍφの流動焼成炉に仕込み、空気を流量２リットル／分で７０℃の温浴にバブリングさせることにより得られた水蒸気／空気の分圧比として０．３０の混合ガスをガラス焼成管に導入し、５９５℃で５時間焼成した。得られた粉末は濃青色で、Ｘ線回折測定の結果、無水アンチモン酸亜鉛（ＺｎＳｂ2Ｏ6）のピークと一致した。この焼成粉のＢＥＴ法による比表面積は４７．９ｍ2／ｇ、比表面積より算出した粒子径は２０．２ｎｍであった。またこの粉末を３００ｋｇ／ｃｍ2でプレス成形したものは、テスターによる導電性は１４Ω、四探針法導電性測定装置（ロレスター三菱化学（製））による比抵抗値は１５０Ω・ｃｍの導電性を示した。この粉末をピンディスクで粉砕した後、粉砕粉７００ｇと水１４００ｇを５リットルのアトライター（三井鉱山（株）製）に仕込み、ガラスビーズ（１〜１．５ｍｍφ）で１６時間湿式粉砕を行った。湿式粉砕後、純水５．０ｋｇを用いガラスビーズを分離し無水アンチモン酸亜鉛水性ゾル７．０ｋｇを得た。得られた水性ゾルをロータリーエバポレーターで２．３ｋｇまで濃縮した。得られた無水アンチモン酸亜鉛水性ゾルは透明性を有する濃青色で、比重１．３４７、ｐＨ６．９、粘度３．４ｍＰａ・ｓ、ＺｎＳｂ2Ｏ6濃度３０．４重量％であった。またこのゾルは５０℃に１ケ月においても安定であった。このゾルは透過型電子顕微鏡観察により１次粒子径が１０〜５０ｎｍで、レーザー散乱法粒度分布測定機（商品名コールターＮ4、コールター社製）による測定では１３０ｎｍ、遠心沈降法（商品名ＣＡＰＡ−７００、（株）堀場製作所製）による測定では平均粒子径が８０ｎｍであった。また、このゾルの乾燥物のＢＥＴ法による比表面積は４８．６ｍ2／ｇ、比表面積より算出した粒子径は１９．９ｎｍであった。
【００２５】
線幅０．３８ｍｍ、行間距離が０．２５ｍｍの金櫛形電極を付けたアルミナ基板（９ｍｍ×１３ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）に上記ゾルをディップコートした。この塗布基板を電気炉で９００℃で４時間加熱処理して薄膜素子を作成した。
空気中でのアンチモン酸亜鉛の塗布膜の抵抗は、９００℃の加熱処理前は３００Ωであったものが、９００℃の加熱処理後は１０6Ωになった。また走査型電子顕微鏡観察では、無水アンチモン酸亜鉛粒子が５０〜１５０ｎｍまで粒子成長し、それに伴い５０〜２００ｎｍの空隙が多数観察された。また塗布膜の厚さは１．０〜１．５μｍであった。
【００２６】
実施例２
導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛水性ゾルを純水で２倍希釈してＺｎＳｂ2Ｏ6濃度を１５．２重量％にして、金櫛形電極を付けたアルミナ基板（９ｍｍ×１３ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）をディップコートした以外は実施例１と同様の操作をした。
【００２７】
空気中でのアンチモン酸亜鉛の塗布膜の抵抗は、９００℃の加熱処理前は３００Ωであったものが、９００℃の加熱処理後は１０7Ωになった。また走査型電子顕微鏡観察では、無水アンチモン酸亜鉛粒子が５０〜１５０ｎｍまで粒子成長し、それに伴い５０〜２００ｎｍの空隙が多数観察された。また塗布膜の厚さは０．５〜０．７μｍであった。
【００２８】
比較例１
ディップコートした後の塗布基板の加熱処理を６００℃で４時間行った以外は実施例１と同様の操作をした。
空気中でのアンチモン酸亜鉛の塗布膜の抵抗は、６００℃の加熱処理前は３００Ωであったものが、６００℃の加熱処理後でも２００Ωであった。また走査型電子顕微鏡観察では、無水アンチモン酸亜鉛粒子は１０〜５０ｎｍであり、ほとんど粒子成長せず、また基板上の塗布膜中には１０ｎｍ以下の空隙が少数観察されるのみであった。
【００２９】
比較例２
ディップコートした後、加熱処理を１０００℃で４時間行った以外は実施例１と同様の操作をした。走査型電子顕微鏡観察で、無水アンチモン酸亜鉛粒子上に溶融した金が観察された。
比較例３
導電性を有する無水アンチモン酸亜鉛水性ゾルを純水で５倍希釈してＺｎＳｂ2Ｏ6濃度を６．１重量％にして、アルミナ基板をディップコートした以外は実施例１と同様の操作をした。
【００３０】
参考例１
１０重量％の酸化スズゾル（一次粒子径３ｎｍ）を櫛形電極を付けたアルミナ基板（９ｍｍ×１３ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）上にスピンコートした基板を箱型電気炉に仕込み７００℃で３０分間加熱処理をして素子を作成した。
参考例２
参考例１で作成した素子を増感剤である０．０５モル／リットルのＣｕＣｌ2水溶液と１モル／リットルのＣＨ3ＣＯ2ＮＨ4水溶液の混合溶液に３０℃で２４時間浸漬させることによりＣｕＯ換算で５重量％の増感剤を付与させた素子を作成した。
（ガスの検出感度測定）
実施例１〜２、比較例１〜３及び参考例１〜２で作製した素子を所定の温度において大気中の電気抵抗Ｒａ、また所定の温度、硫化水素ガス濃度において硫化水素ガス中の電気抵抗Ｒｇを測定し、Ｒａ／Ｒｇ値から感度を求めた。
【００３１】
表１に測定温度３５０℃、硫化水素ガス４０ｐｐｍでの硫化水素ガス検知感度を示した。比較例３は硫化水素ガス中の電気抵抗Ｒｇが高すぎて感度は測定できなかった。
【００３２】
【表１】
表１         
実施例１         ３０
比較例１           １
比較例２         ２０   
表２に測定温度３００℃、各硫化水素ガス濃度での硫化水素ガス検知感度を示した。
【００３３】
【表２】
0003823520.tif 000002
上記表２中の（−−）は測定できる感度以下のため未測定である。
【００３４】
比較例１は、実施例１と比較して感度が悪いことがわかる。
参考例１及び２の酸化スズゾルを塗布して作成した薄膜センサーは、硫化水素ガス濃度が高濃度の場合、感度が非常に高いが、硫化水素ガス濃度が低くなると感度が急激に低下し、しかも硫化水素などの悪臭ガスセンサーとして使うために必要な０．０１ｐｐｍでの感度が、ほとんどなくなっていることがわかる。一方、実施例１及び２は、硫化水素濃度に対して感度の低下は少なく、特に実施例２は、０．０１ｐｐｍでも感度があることがわかる。これは実施例２の塗布膜は５０〜１５０ｎｍのアンチモン酸亜鉛粒子がほぼ単一層を形成しているため、ガスの通りが良くなり感度が向上したと推定される。
【００３５】
【発明の効果】
本願発明は、無水アンチモン酸亜鉛半導体をガス検知部に用いた硫化水素ガスセンサー及びそのセンサーの製造方法を提供するものである。特に、本願発明の無水アンチモン酸亜鉛半導体は、広く実用化されているＳｎＯ2焼結体及びスパッタリング法によるＳｎＯ2薄膜と同等以上の硫化水素を高感度に検出でき、しかも硫化水素濃度が０．０１ｐｐｍまで検知でき、他の材料でここまで検知できるものはほとんどないことから、悪臭ガス用としての高性能ガスセンサーである。更に本願発明は、塗布法によって高性能な薄膜状ガスセンサーが作成できるため、蒸着法に比較して低コストである。
【図面の簡単な説明】
【図１】測定温度３００℃、各硫化水素ガス濃度での硫化水素ガス検知感度を示すグラフである。
【符号の説明】
●  実施例１で作成した薄膜素子
○  実施例２で作成した薄膜素子
■  参考例１で作成した薄膜素子
□  参考例２で作成した薄膜素子
【図１】
0003823520.tif 000003