【手続補正書】
【提出日】平成29年12月21日(2017.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面上のギャップを満たす方法であって、
（ａ）その中に前記半導体基板を有する反応チャンバに気相の第１の反応物を導入し、前記第１の反応物を前記半導体基板表面上に吸着させ、
（ｂ）前記第１の反応物の流れが停止した後に、前記反応チャンバをパージし、
（ｃ）前記第１の反応物が前記半導体基板の表面上に吸着される間に、気相の第２の反応物を前記反応チャンバに導入し、
（ｄ）前記半導体基板の表面上における前記第１の反応物と前記第２の反応物との間の表面反応を促して、前記ギャップを縁取る膜層を形成させるために、パルスプラズマであるプラズマに前記半導体基板の表面を暴露し、
（ｅ）前記プラズマを消滅させ、
（ｆ）前記反応チャンバをパージすること、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記半導体基板の表面をプラズマに暴露する動作中におけるプラズマパルスの周波数は、約２５Ｈｚから約５０００Ｈｚの間である、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記プラズマパルスの周波数は、約１００Ｈｚから約５００Ｈｚの間である、方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
堆積される前記膜層は、シリコン窒化物膜層又はシリコン炭窒化物膜層である、方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
堆積される前記膜層は、酸化物である、方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
動作（ｃ）及び動作（ｄ）は、少なくとも部分的に、同時に発生する、方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマは、容量結合プラズマ又は誘導結合プラズマである、方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマは、ＲＦプラズマ発生器を使用して生成される、方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の方法であって、
プラズマ電力は、約５０Ｗ／ステーションから約２５００Ｗ／ステーションの間である、方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップの側壁の中間部分におけるウェットエッチング速度（ＷＥm）と、前記ギャップの頂部におけるウェットエッチング速度（ＷＥt）及び／又は前記ギャップの底部におけるウェットエッチング速度（ＷＥb）との比は、約０．２５から約３の間である、方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップ内の中間部分に形成される膜層は、垂直方向に測定されたときに、約１Å／分から約２５Å／分の間のウェットエッチング速度を示す、方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップの側壁における平均の炭素：シリコン比は、少なくとも約０．４である、方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記膜層の組成は、前記膜層の全体を通じて実質的に均一である、方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
動作（ａ）から動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるパルス周波数で実施される、方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
動作（ａ）から動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるデューティサイクルで実施される、方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
動作（ａ）から動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるＲＦ電力で実施される、方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パルスプラズマは、オン状態とオフ状態との間でパルス化される、方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パルスプラズマは、少なくとも第１の電力状態と第２の電力状態との間でパルス化され、前記第１の電力状態の最中に供給される電力は、前記第２の電力状態の最中に供給される電力とは異なり、前記第１の電力状態及び前記第２の電力状態のいずれも、オフ状態に対応しない、方法。
【請求項１９】
基板上に膜を堆積させるための装置であって、
反応チャンバと、
気相の反応物を前記反応チャンバに供給するための入口と、
パルスプラズマを前記反応チャンバに提供するためのプラズマ発生器と、
コントローラであって、
（ａ）気相の第１の反応物を前記反応チャンバに導入するための命令と、
（ｂ）気相の第２の反応物を前記反応チャンバに導入するための命令と、
（ｃ）前記基板の表面上における前記第１の反応物と前記第２の反応物との間の表面反応を促して、前記膜を形成させるために、前記第１の反応物の前記気相の流れが停止したときにパルスプラズマを定期的に打ち出して、前記基板の表面をパルスプラズマに暴露するための命令と、
を有するコントローラと、
を備える装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記コントローラは、動作（ｃ）の最中に約２５Ｈｚから約５０００Ｈｚの間の周波数で前記プラズマをパルス化させるための命令を有する、装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の装置であって、
前記コントローラは、動作（ｃ）の最中に約１００Ｈｚから約５００Ｈｚの間の周波数で前記プラズマをパルス化させるための命令を有する、装置。
【請求項２２】
請求項１９から請求項２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、動作（ｂ）及び動作（ｃ）を少なくとも部分的に同時に実施するための命令を有する、装置。
【請求項２３】
請求項１９から請求項２２のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、動作（ｃ）を約５％から約９５％の間のプラズマデューティサイクルで実施するための命令を有する、装置。
【請求項２４】
請求項１９から請求項２３のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、動作（ａ）から動作（ｃ）までを繰り返すための命令を有し、前記コントローラは、動作（ｃ）の一度目の繰り返しを動作（ｃ）の二度目の繰り返しとは異なるパルス周波数、及び／又はデューティサイクル、及び／又はＲＦ電力で実施するための命令を有する、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
図７Ａ及び図７Ｂは、連続波プラズマによって堆積された膜（図７Ａ）及びパルスプラズマによって堆積された膜（図７Ｂ）の、ＳＴＥＭ−ＥＥＬ解析によって測定された炭素及びシリコンについての相対的な面密度地図を示している。これらの図は、堆積された膜の様々な部分におけるＣ：Ｓｉ比を示すことを目的として色で示されている。２枚の膜の側壁を比較すると、パルスプラズマによる膜は、連続波プラズマによって用意された膜よりも高いＣ：Ｓｉ比を有することが明らかである。この高い側壁Ｃ：Ｓｉ比は、パルスプラズマ膜によって成膜された特徴の側壁で観察される低いウェットエッチング速度と矛盾しない。特定の実施形態では、膜の側壁は、（側壁の実質的に垂直な部分において、図に応じてＳＴＥＭ−ＥＥＬ解析にしたがって又は同等な解析にしたがって測定された、平均で、）少なくとも約０．４又は約０．５又は約０．６のＣ：Ｓｉ比を有する。図７Ａに示された例では、パルスプラズマによる膜の平均の側壁Ｃ：Ｓｉ比が約０．６５である一方で、図７Ｂにおける連続波による膜は、約０．３５の平均側壁Ｃ：Ｓｉ比を有する。
適用例１：半導体基板表面上のギャップを満たす方法であって、
（ａ）その中に前記基板を有する反応チャンバに気相の第１の反応物を導入し、前記第１の反応物を前記基板表面上に吸着させ、
（ｂ）前記第１の反応物の流れが停止した後に、前記反応チャンバをパージし、
（ｃ）前記第１の反応物が前記基板表面上に吸着される間に、気相の第２の反応物を前記反応チャンバに導入し、
（ｄ）前記基板表面上における前記第１の反応物と前記第２の反応物との間の表面反応を促して、前記ギャップを縁取る膜層を形成させるために、パルスプラズマであるプラズマに前記基板表面を暴露し、
（ｅ）前記プラズマを消滅させ、
（ｆ）前記反応チャンバをパージすること、
を備える方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、
前記基板表面をプラズマに暴露する前記動作中における前記プラズマパルスの周波数は、約２５Ｈｚから約５０００Ｈｚの間である、方法。
適用例３：適用例２に記載の方法であって、
前記プラズマパルスの周波数は、約１００Ｈｚから約５００Ｈｚの間である、方法。
適用例４：適用例１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積される膜は、シリコン窒化物膜又はシリコン炭窒化物膜である、方法。
適用例５：適用例１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積される膜は、酸化物である、方法。
適用例６：適用例１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記動作（ｃ）及び前記動作（ｄ）は、少なくとも部分的に、同時に発生する、方法。
適用例７：適用例１から請求項６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマは、容量結合プラズマ又は誘導結合プラズマである、方法。
適用例８：適用例１から請求項７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマは、ＲＦプラズマ発生器を使用して生成される、方法。
適用例９：適用例１から請求項８のいずれか一項に記載の方法であって、
プラズマ電力は、約５０Ｗ／ステーションから約２５００Ｗ／ステーションの間である、方法。
適用例１０：適用例１から請求項９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップの側壁の中間部分におけるウェットエッチング速度（ＷＥm）と、前記ギャップの頂部におけるウェットエッチング速度（ＷＥt）及び／又は前記ギャップの底部におけるウェットエッチング速度（ＷＥb）との比は、約０．２５から約３の間である、方法。
適用例１１：適用例１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップ内の中間部分に形成される膜は、垂直方向に測定されたときに、約１Å／分から約２５Å／分の間のウェットエッチング速度を示す、方法。
適用例１２：適用例１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ギャップの側壁における平均の炭素：シリコン比は、少なくとも約０．４である、方法。
適用例１３：適用例１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記膜の組成は、前記膜全体を通じて実質的に均一である、方法。
適用例１４：適用例１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記動作（ａ）から前記動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、前記動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、前記動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるパルス周波数で実施される、方法。
適用例１５：適用例１から請求項１４のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記動作（ａ）から前記動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、前記動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、前記動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるデューティサイクルで実施される、方法。
適用例１６：適用例１から請求項１５のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記動作（ａ）から前記動作（ｆ）までを繰り返すことを備え、前記動作（ｄ）の一度目の繰り返しは、前記動作（ｄ）の二度目の繰り返しとは異なるＲＦ電力で実施される、方法。
適用例１７：適用例１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パルスプラズマは、オン状態とオフ状態との間でパルス化される、方法。
適用例１８：適用例１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パルスプラズマは、少なくとも第１の電力状態と第２の電力状態との間でパルス化され、前記第１の電力状態の最中に供給される電力は、前記第２の電力状態の最中に供給される電力とは異なり、前記第１の電力状態及び前記第２の電力状態のいずれも、オフ状態に対応しない、方法。
適用例１９：基板上に膜を堆積させるための装置であって、
反応チャンバと、
気相の反応物を前記反応チャンバに供給するための入口と、
パルスプラズマを前記反応チャンバに提供するためのプラズマ発生器と、
コントローラであって、
（ａ）気相の第１の反応物を前記反応チャンバに導入するための命令と、
（ｂ）気相の第２の反応物を前記反応チャンバに導入するための命令と、
（ｃ）前記基板表面上における前記第１の反応物と前記第２の反応物との間の表面反応を促して、前記膜を形成させるために、前記第１の反応物の前記気相の流れが停止したときにパルスプラズマを定期的に打ち出して、前記基板表面をパルスプラズマに暴露するための命令と、
を有するコントローラと、
を備える装置。
適用例２０：適用例１９に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記動作（ｃ）の最中に約２５Ｈｚから約５０００Ｈｚの間の周波数で前記プラズマをパルス化させるための命令を有する、装置。
適用例２１：適用例２０に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記動作（ｃ）の最中に約１００Ｈｚから約５００Ｈｚの間の周波数で前記プラズマをパルス化させるための命令を有する、装置。
適用例２２：適用例１９から請求項２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記動作（ｂ）及び前記動作（ｃ）を少なくとも部分的に同時に実施するための命令を有する、装置。
適用例２３：適用例１９から請求項２２のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記動作（ｃ）を約５％から約９５％の間のプラズマデューティサイクルで実施するための命令を有する、装置
適用例２４：適用例１９から請求項２３のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記動作（ａ）から前記動作（ｃ）までを繰り返すための命令を有し、前記コントローラは、前記動作（ｃ）の一度目の繰り返しを前記動作（ｃ）の二度目の繰り返しとは異なるパルス周波数、及び／又はデューティサイクル、及び／又はＲＦ電力で実施するための命令を有する、装置。