(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化物半導体を選択成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、
基板上に保護膜を成膜し、部分的に保護膜に開口部を形成する第１の工程と、保護膜の開口部から露出した基板表面をエッチングする第２の工程と、前記保護膜を除去した後、基板上に形成されたエッチング領域から第１の窒化物半導体を選択的に成長させ、該第１の窒化物半導体を核として第２の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板のエッチング領域には基板表面のエッチングにより形成された隆起柱を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記隆起柱は高さが１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記隆起柱は幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングにより形成されたエッチング領域はドライエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記ドライエッチングは、反応性イオンエッチング法、又は誘導結合型プラズマを用いた反応性イオンエッチング法であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板のエッチング領域は基板表面との断面形状が凹凸に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板のエッチング領域は凹部であって、凹凸の高低差は０．０２μｍ以上であることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程と第２の工程を連続的に行うことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の窒化物半導体を成長させ表面を平坦化させることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の窒化物半導体は第１の窒化物半導体より高温で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）の成長方法に係り、特に発光素子及び受光素子、電子デバイス等へ利用できる窒化物半導体基板の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、サファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と異なる異種基板上に、窒化物半導体を成長させる研究が種々検討されている。これは発光素子等に利用可能な結晶性のよい窒化物半導体のバルク単結晶が  実用化レベル  で得ることが困難なためである。
異種基板上に窒化物半導体を成長させることで窒化物半導体基板を形成するには、窒化物半導体（例えば、ＧａＮ）との格子定数差や熱膨張係数差が一致する異種基板が存在しないため異種基板上に直接に窒化物半導体を成長させると窒化物半導体に転位欠陥を多く発生してしまう。そのため、このような課題を解決すべく以下に示す方法が報告されている。
【０００３】
上記に示すような転位欠陥を低減させる方法として、横方向成長を利用することにより窒化物半導体基板を形成するものである。ＪＰＮ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９８）ｐｐ．Ｌ３０９−Ｌ３１２には、サファイアのＣ面上に成長させた窒化物半導体上にＳｉＯ２等の保護膜を部分的に形成し、この保護膜上に窒化物半導体を横方向成長させることにより、転位欠陥の少ない窒化物半導体を得ることを開示している。
この方法によれば、保護膜上に窒化物半導体を横方向に成長させることにより、転位欠陥を窒化物半導体の成長方向である横方向に曲げることができる。さらに、窒化物半導体の成長を続けることで、保護膜上で窒化物半導体同士を接合させ、表面を平坦化させる。以上より、この方法によれば、転位欠陥は保護膜を有しない範囲に発生するが、保護膜上には転位欠陥を低減させた領域を有する窒化物半導体基板を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記に示す成長方法では、保護膜上に低転位欠陥領域を形成することができるものの保護膜上への窒化物半導体の横方向成長時や発光素子等の窒化物半導体素子の成長時に保護膜の分解による汚染が発生していた。そのため、半導体素子の特性劣化が問題となっている。
本発明の目的は、窒化物半導体基板の形成後のみならず窒化物半導体の成長時においても保護膜を有しない窒化物半導体基板であって、
低転位欠陥、かつ結晶性の良い窒化物半導体基板の成長方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明における窒化物半導体基板の製造方法は、基板上に窒化物半導体を選択成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、基板上に保護膜を成膜し、部分的に保護膜に開口部を形成する第１の工程と、保護膜の開口部から露出した基板表面をエッチングする第２の工程と、前記保護膜を除去した後、基板上に形成されたエッチング領域から第１の窒化物半導体を選択的に成長させ、該第１の窒化物半導体を核として第２の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを備えたことを特徴とする。
【０００６】
前記基板のエッチング領域には基板表面のエッチングにより形成された隆起柱を有することを特徴とする。この隆起柱を形成することで窒化物半導体を選択的に隆起柱から成長させることができる。これは窒化物半導体の原料が基板表面上でマイグレーションを起こし、隆起柱で止まるためであると考えられる。そのため、隆起柱に窒化物半導体核が形成される。この隆起柱はエッチング領域に部分的に形成されるものであるから、窒化物半導体の成長を続ければ前記窒化物半導体核同士が接合する。これにより図１（ｄ）に示す第１の窒化物半導体が形成される。さらに成長を続けることで第１の窒化物半導体を成長起点として第２の窒化物半導体を成長させて平坦化させることで窒化物半導体基板ができる。前記第２の工程で保護膜下にあった領域はエッチングの影響を受けていないため、表面に隆起柱を有することはない。そのため、マイグレーションを起こした原料はこの領域で止まることはあったとしても窒化物半導体の成長時（反応時）には対流もあるため分解しやすい。これは止まることができる柱が存在しないからである。そのため、隆起柱を有するエッチング領域からの窒化物半導体の成長が選択的に行うことができる。
【０００７】
前記隆起柱は高さが１００ｎｍ以下であることが好ましい。これは、原料が止まることができる高さが必要なためである。また、前記隆起柱の幅が１００ｎｍ以下であることが好ましい。この隆起柱の幅は、以下に下底幅と称する場合がある。この下底幅も原料を止めるためには、上記の幅が必要となる。また、エッチング領域に部分的に形成された隆起柱同士の間隔が１００ｎｍ以上とすることができれば、隆起柱の高さ及び下底幅を１００ｎｍ以上としてもいい。これは、隆起柱同士の間隔が１００ｎｍ以上あれば形成された窒化物半導体の核から第1の窒化物半導体を形成した時に転位欠陥を横方向に散らすことができるからである。
【０００８】
前記エッチングにより形成されたエッチング領域はドライエッチングにより形成されることを特徴とする。好ましくは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、又は誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）を用いた反応性イオンエッチングであることを特徴とする。これらの方法であれば、基板の表面にナノメートル（ｎｍ）オーダーで部分的に隆起部を形成することができる。ステップ基板は階段状の段差であるため、本発明のような隆起部は有さず、窒化物半導体核を形成することはできない。
【０００９】
前記基板のエッチング領域は基板表面との断面形状が凹凸に形成されていることを特徴とする。また前記基板のエッチング領域は凹部であって、凹凸の高低差は０．０２μｍ以上であることが好ましい。この凹凸の断面図を図２（ｃ）に示す。このような凹凸を形成することで、マイグレーションは基板表面の全面でおこるが凹部内に入った原料のマイグレーションは凹部内に限定させることができる。そのため、下底からの成長ではあるが、窒化物半導体を成長させる選択性は向上するため、第１の窒化物半導体を形成する成長時間は同じか短縮させることができ、さらに図２（ｄ）に示すように凹部から成長した第１の窒化物半導体は基板との密着性が増し、発光素子や受光素子の成長時やデバイス工程での基板剥がれを無くし歩留まりの向上も期待できる。
【００１０】
前記第１の工程と第２の工程を連続的に行うことを特徴とする。保護膜に開口部を形成するためエッチングにより保護膜を部分的に除去させる。これにより基板表面は露出する。このエッチングをさらに続けることで露出した基板表面をエッチングし、エッチング領域を形成するものである。これにより工程の効率向上が実現できる。そのためには、保護膜の除去のみが可能なエッチング法を連続的に行うのではなく、基板表面のエッチング領域に隆起柱を形成するエッチング法を行うものとする。
【００１１】
前記第３の工程は、隆起柱より成長させた第１の窒化物半導体をエッチング領域に形成する。その後、第１の窒化物半導体を核として第２の窒化物半導体を成長させる。隣り合う第１の窒化物半導体より成長した窒化物半導体同士が接合し、さらに表面を平坦化させた窒化物半導体基板となる。本発明では窒化物半導体基板の形成を基板加工後は反応装置内で一度の連続反応により行うことができる。また、保護膜無しで横方向成長をすることができる。保護膜が無いから窒化物半導体基板を薄膜で得ることができる。
【００１２】
前記第２の窒化物半導体は第１の窒化物半導体より高温で形成されることを特徴とする。第１の窒化物半導体は縦方向の成長を優先して図１（ｄ）に示すように核を形成する。その条件としてはＭＯＣＶＤ装置においては反応温度を９５０℃以上とする。第２の窒化物半導体を平坦化させるには横方向の成長を優先させる。これにより窒化物半導体基板の薄膜化を実現できる。第２の窒化物半導体の成長条件は第１の窒化物半導体よりも高温で行う。好ましくは１０００℃以上とする。さらに、ＩＩＩ族原料に対するＶ族原料の比（Ｖ／ＩＩＩ比）については第１の窒化物半導体が第２の窒化物半導体よりも大きくする。好ましくはＶ／ＩＩＩ比を２倍以上とする。この比が高ければ縦方向の成長が促進される。
【００１３】
ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長では窒化物半導体を保護膜上に横方向成長させた場合に応力が発生し、さらに窒化物半導体同士が接合することで形成された接合部には段差やチルトが発生していた。このような窒化物半導体基板上にレーザ素子や高出力型ＬＥＤ素子、又は受光素子等を形成すれば光学特性や寿命特性の問題が生じる。しかしながら、本発明における成長方法では、窒化物半導体の成長を強引に横方向成長させるのではなく、隆起柱より成長した第１の窒化物半導体を成長核として横方向成長させるためストレスを有さない。そのため、表面形状が平坦かつ鏡面となる。以上より、隣接する第１の窒化物半導体を核として成長した第２の窒化物半導体は、第１の窒化物半導体上には転位欠陥が存在するが横方向成長した領域は低転位欠陥となる。単位面積あたりの転位欠陥数をＣＬ測定によれば５×１０６個／ｃｍ２以下とすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１乃至図２は、本発明における窒化物半導体基板の成長方法について実施形態を段階的に示した模式図である。
【００１５】
第１の実施形態として、まず図１（ａ）に示すように、基板１上に保護膜２を成膜する。次に、図１（ｂ）に示すように、保護膜２にエッチングにより開口部を形成し、さらにエッチングをすることで露出した基板表面にエッチング領域を形成する。その後、図１（ｃ）に示すように、基板上の保護膜２を除去する。次に、図１（ｄ）に示すように選択的に第１の窒化物半導体３をエッチング領域上に成長させる。さらに、図１（ｅ）に示すように第１の窒化物半導体３を核として第２の窒化物半導体４を横方向及び縦方向に成長させることで、この第２の窒化物半導体４同士が接合し、表面が平坦かつ鏡面である窒化物半導体基板となる。第２の実施形態としては、図２（ａ）〜（ｅ）に示すように保護膜２に開口部を形成後、さらにエッチングを続けることで基板１に凹凸段差を形成する。段差を形成した底面はエッチング面となり、図２（ｄ）に示すように選択的に第１の窒化物半導体３が成長する。その後、第２の窒化物半導体が成長することで第１の実施形態で得られた窒化物半導体基板と同様の効果を有する窒化物半導体基板を得る。
【００１６】
以下に上記各工程ごとに更に詳細に説明する。
図１（ａ）は基板１上に、保護膜２を成膜させたものである。この基板１としては、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化物半導体と格子接合する酸化物基板等を用いることができる。また、同種基板である窒化物半導体を用いることもできる。
【００１７】
この保護膜としては、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）等の酸化物、窒化物、またはこれらの多層膜や１２００℃以上の融点を有する金属などが挙げられる。保護膜２の成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング及び、蒸着法等を用い成膜させる。また保護膜の膜厚としては、保護膜下の基板表面に荒れ領域を形成しない範囲であれば特に限定する必要はないが０．２μｍ以上の範囲が好ましい。
【００１８】
図１（ｂ）は基板１上に保護膜２を成膜させた後に、保護膜に開口部を形成した模式的断面図である。保護膜に開口部を形成し、露出した基板表面をさらにエッチングを行い表面に隆起柱を有するエッチング領域を形成する。
【００１９】
サファイア基板の表面形状を図３（ＡＦＭ写真）に示す。断面形状の解析図を図５に示す。これはエッチング領域を示すものであり、基板表面に局所的に隆起柱を形成したものである。この隆起柱には選択的に窒化物半導体が成長する。低温成長させるバッファ層であっても同様である。図４には保護膜下にあった基板表面のＡＦＭ写真を示す。図４に示す基板表面には隆起柱が存在しない。図６には保護膜下にあった基板表面の断面形状の解析図を示す。この断面写真からも明らかなように、表面に段差は存在するが隆起柱は存在しない。このため、原料のマイグレーションが起こったとしても止まる場所がない。そのため、隆起柱を有するエッチング領域において選択成長が促進されるのである。
【００２０】
この保護膜２の平面形状としては、保護膜の開口部にエッチング領域を形成できるものである。このエッチング領域より窒化物半導体を選択的に成長させ、横方向成長させることで窒化物半導体基板を平坦化できるものであればよい。例えば、ストライプ形状や格子状、その他に島状、円形、又は多角形の開口部を有するものがある。また、多角形の開口部の具体的なパターン形状としては六角形状が挙げられる。
【００２１】
保護膜２の開口部（エッチング領域の幅）としては、後工程において、保護膜を除去後に第２の窒化物半導体同士が接合することが可能な幅であればよい。例えば保護膜をストライプ形状とする場合の開口部の幅としては１〜１００μｍ、好ましくは２〜１５μｍである。これに対して保護膜の幅も同様に１〜１００μｍ、好ましくは２〜１５μｍである。
【００２２】
また、保護膜２をストライプ状に形成する場合に、基板１をサファイア基板とすれば、オリフラ面をサファイアのＡ面とし、このオリフラ面の垂直軸に対して左右どちらかにずらして形成してもよい。これにより、窒化物半導体を成長させた後の表面を平坦で得ることができる。具体的には、このオリフラ面の垂直軸に対して左右にθ＝０°〜５°の範囲であればよい。
【００２３】
保護膜に開口部を形成するエッチング方法、エッチング領域を形成するエッチング方法としては、ドライエッチング法がある。ドライエッチングには、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、その他に電子サイクロトロンエッチングやアッシャー等の装置がある。ここに示すいずれの方法もエッチングガスを適宜選択することにより、保護膜に開口部を形成することやエッチング領域を形成するエッチングとすることができる。
【００２４】
上記に示すエッチングにおいて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）を用いたエッチングが保護膜とのエッチングレート差が大きいため好ましい。ＲＩＥを用いた場合は、基板を露出した状態からのエッチング条件を圧力を３０Ｐａ以下とする。ＩＣＰを用いた場合も同様である。また、エッチング雰囲気は酸素及び、又はフッ化物（ＣＦ４、ＣＨＦ３）、アルゴン雰囲気とする。このエッチングにより基板表面にエッチング領域を形成する。このエッチング領域は基板表面に部分的に隆起柱を有し、ここに選択的に窒化物半導体が成長するものである。隆起柱は局所的に形成された凸部形状である。ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置とは、エッチング反応槽内におかれた上下平行平板電極間に高周波放電でプラズマを発生させ負の電位によって加速された反応性イオンが基板表面にほぼ垂直の方向から入射、衝突し異方性エッチングを行う装置である。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、保護膜２を除去する。この保護膜の除去方法としては、基板に物理的ダメージを与えないウェットエッチングが好ましい。保護膜２を除去した後に横方向成長をするため、成長時にＳｉＯ２等の保護膜が分解拡散する問題がなくなる。このため窒化物半導体に異常成長や結晶性の低下等が発生するのを抑制することができる。
【００２６】
次に、開口部より図１（ｄ）に示すように、第１の窒化物半導体３を成長させる。この第１の窒化物半導体３としては、基板表面のエッチング領域を成長起点として成長させる。最初に低温バッファ層（図示されていない）を成長させる。その後、第１の窒化物半導体３を成長させる。バッファ層としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層は、３００℃以上９００℃以下の温度で、膜厚１０オングストローム以上０．５μｍ以下で成長される。これは基板１と第１の窒化物半導体３との格子定数不整を緩和するためであり、結晶欠陥を低減させる点で好ましい。次に、基板１上に成長する第１の窒化物半導体３としては、アンドープの窒化物半導体、及びＳｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＳ等のｎ型不純物をドープした窒化物半導体を用いることができ、第１の窒化物半導体は、成長温度を９００℃〜１１００℃で基板上に成長する。また、第１の窒化物半導体の膜厚は、特に限定されないが、１．５μｍ以上であると表面上にピットの少ない、鏡面を形成することができるため好ましい。
【００２７】
さらに、図１（ｅ）に示すように、第１の窒化物半導体を核として第２の窒化物半導体４を成長させるものである。ここで、第１の窒化物半導体を３μｍ以上で成長させれば、第２の窒化物半導体４を成長後に第１の窒化物半導体３の両隣には空洞を形成することもできる。この空洞により窒化物半導体基板に発生する応力（反り）を抑制させることができる。
【００２８】
第２の窒化物半導体４としては、アンドープの窒化物半導体、およびＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等のｎ型不純物をドープした窒化物半導体、またはＭｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物をドープした窒化物半導体、その他にｎ型不純物とｐ型不純物とを同時ドープさせた窒化物半導体を用いることができる。また、第２の窒化物半導体４の成長温度としては、９００〜１１００℃とする。この第２の窒化物半導体４の膜厚としては、窒化物半導体基板を形成するために、窒化物半導体同志が接合できる膜厚であればよく、３μｍ以上、好ましくは５〜３０μｍとする。以上により転位欠陥を低減させた単位面積あたりの転位数が５×１０６個／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板を得ることができる。なお、本発明ではエッチング領域とはドライエッチングを行った領域とし、ウェットエッチングのみを行った領域はエッチング領域以外と表現する。
【００２９】
本発明において、バッファ層（図示されていない）、第１の窒化物半導体３、第２の窒化物半導体４は、いずれも一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）によって表される組成を有する。但し、これらは互いに異なる組成であってもよい。また、本発明の窒化物半導体の成長方法としては、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等の気相成長方法を適用することができる。
【００３０】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれに限定されない。
［実施例１］
Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板１を用い、この基板１の表面上にＣＶＤ法によりＳｉＯ２よりなる保護膜２を０．５μｍの膜厚で成膜し、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＲＩＥによりストライプ幅１０μｍ、開口部幅１０μｍのＳｉＯ２よりなる保護膜２を形成する。なお、この保護膜２のストライプ方向はサファイアＡ面に対して垂直な方向とする。保護膜２に開口部を形成した後、さらにエッチングを続けて基板表面にエッチング領域を形成する。このエッチング条件はＲＩＥで圧力を２０Ｐａでエッチング時間を４５０秒で行う。この反応雰囲気はＣＦ４及び酸素雰囲気である。その後、ウェットエッチング（ＮＨ４Ｆ）で保護膜を除去する。
【００３１】
次に、ＭＯＣＶＤ装置を用い、温度を５００℃、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板１上にＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストロームの膜厚でエッチング領域に選択成長させる。
【００３２】
さらに、基板をＭＯＣＶＤ装置において、常圧条件で温度を１０１０℃にして、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）を１６０μｍｏｌ／ｍｉｎ（Ｖ／III比＝２２００）、アンモニアを０．３６ｍｏｌ／ｍｉｎ用い、アンドープＧａＮよりなる第１の窒化物半導体３を２．５μｍの膜厚で成長させる（図１（ｄ））。これにより第２の窒化物半導体を成長させる核形成ができる。
【００３３】
その後、ＭＯＣＶＤ装置において、上記第１の窒化物半導体３を成長起点として第２の窒化物半導体４を成長させる。このＭＯＣＶＤ装置内での反応は連続反応とする。この第２の窒化物半導体４は窒化物半導体基板の表面を平坦化できればよく、膜厚としては８μｍで成長させる。成長条件としては、常圧で温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＧ２３０μｍｏｌ／ｍｉｎ（Ｖ／III比＝７９０）、アンモニアを０．２ｍｏｌ／ｍｉｎ用い、アンドープＧａＮを成長させる。以上より、隣り合う第２の窒化物半導体４同士が接合することで平坦である転位欠陥が１×１０７個／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板となる。
【００３４】
［実施例２］
実施例１において、基板表面を露出した後、さらにエッチングを続け基板の断面に凹凸段差を形成する（図２（ｂ））。この段差は０．３μｍとする。その他の条件は実施例１と同様にして窒化物半導体基板を形成する。ここで得られる窒化物半導体基板も実施例１とほぼ同等の転位欠陥となる。
【００３５】
［実施例３］
実施例１において、第２の窒化物半導体の成長条件にシランガスを加える他は、実施例１と同様に成長させる。得られる窒化物半導体基板はＳｉドープのｎ型窒化物半導体基板を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】
上記に示すように、本発明の窒化物半導体基板の成長方法によれば、保護膜を用いること無く窒化物半導体を選択的に縦方向及び横方向に成長させ、低転位欠陥の窒化物半導体基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明において得られる窒化物半導体基板の各工程を示す模式的断面図である。
【図２】本発明において得られる窒化物半導体基板の各工程を示す模式的断面図である。
【図３】本発明において得られたサファイア基板におけるエッチング領域のＡＦＭ写真である。
【図４】本発明において得られたサファイア基板におけるエッチング領域以外のＡＦＭ写真である。
【図５】本発明において得られたサファイア基板におけるエッチング領域の断面ＡＦＭ解析図である。
【図６】本発明において得られたサファイア基板におけるエッチング領域以外の断面ＡＦＭ解析図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・保護膜
３・・・第１の窒化物半導体
４・・・第２の窒化物半導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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