(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の板面を搬送方向の側方に向けて基板を保持することが可能なキャリアと、このキャリアを多角形状の搬送路に沿って周状に搬送する搬送系と、基板が真空中を搬送されて基板に対して真空中で連続的に成膜処理が施されるよう搬送路に沿って配置された複数の真空室とから構成されたインライン式成膜装置であって、
前記複数の真空室は、前記多角形状の搬送路に配置された成膜処理室を含み、前記搬送系は、多角形状の搬送路の角の部分においてキャリアを所定角度を回転させて基板の板面が搬送方向の側方に向くようにする回転機構を複数含んでおり、
前記多角形状の搬送路は無終端周状であって、無終端周状の搬送路に沿って前記複数の真空室が途切れることなく設けられおり、キャリアは搬送路上の各真空室を通して搬送されることで真空中を循環する構造となっており、
さらに、前記搬送路上のいずれかの真空室においてキャリアに基板を投入しキャリアから基板を回収する真空用ロボットを備えていることを特徴とするインライン式成膜装置。
【請求項２】
前記成膜処理室は前記多角形状の搬送路の少なくとも二つの辺に設けられていることを特徴とする請求項１記載のインライン式成膜装置。
【請求項３】
前記成膜処理室は前記多角形状の搬送路の少なくとも二つの辺にそれぞれ複数設けられていることを特徴とする請求項１記載のインライン式成膜装置。
【請求項４】
前記複数の真空室は、多角形状の搬送路の角の部分に配置された回転室を含み、前記回転機構は、この回転室においてキャリアを回転させるものであることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のインライン式成膜装置。
【請求項５】
前記搬送系は、前記回転室においてキャリアを一時的に待機させることが可能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載のインライン式成膜装置。
【請求項６】
前記複数の真空室は、基板をキャリアに搭載するための仕込室と、成膜済みの基板をキャリアから回収するための回収室とを含んでおり、前記真空用ロボットは、仕込室と回収室の各々に備えられていることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載のインライン式成膜装置。
【請求項７】
前記仕込室と前記回収室とは、一つの真空室で兼用されていることを特徴とする請求項６に記載のインライン式成膜装置。
【請求項８】
前記多角形状の搬送路は、方形の搬送路であることを特徴とする請求項１乃至７に記載のインライン式成膜装置。
【請求項９】
前記成膜処理室は複数設けられていてこれら複数の成膜処理室は前記方形の搬送路のうちの三つの辺に配置されており、残りの一辺に仕込室及び回収室が配置され、方形の搬送路の四つの角の部分には、キャリアを９０度回転させることが可能な前記回転機構を備えた回転室がそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項８に記載のインライン式成膜装置。
【請求項１０】
前記キャリアは、複数の基板を同時に保持するよう構成されていることを特徴とする請求項１乃至９に記載のインライン式成膜装置。
【請求項１１】
前記成膜処理室は複数設けられていてこれら複数の成膜処理室は前記多角形の搬送路のうちの三つの辺に配置されていることを特徴する請求項１乃至７いずれかに記載のインライン式成膜装置。
【請求項１２】
前記搬送路は、合流点も分岐点も無い形状であることを特徴とする請求項１乃至１１いずれかに記載のインライン式成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願の発明は、基板の搬送路に沿って配置された複数の真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板表面に薄膜を作成する成膜装置は、各種のタイプのものが知られている。このうち、磁気ディスクや光ディスク等の情報記録用の基板に対する成膜処理などでは、基板の搬送路に沿って配置された複数の真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式成膜装置が多用されている。
図９は、従来のインライン式成膜装置を説明する平面概略図である。図９に示すインライン式成膜装置は、基板の搬送路３０に沿って配置された複数の真空室２と、搬送路３０に沿って基板を搬送するための不図示の搬送系と、所定の真空室２において所定の成膜処理を行うために当該真空室２に配置された処理手段４とから主に構成されている。
【０００３】
複数の真空室２は、直方体状の真空容器２０を搬送路３０に沿って並べて設けることにより形成されている。各々の真空容器２０は、搬送方向の前後の器壁部分に基板の通過のための開口を有し、この開口にはそれぞれゲートバルブ２１が配設されている。
また、所定の真空容器２０の搬送方向側方の器壁部分には、処理手段４が設けられている。この処理手段４の構成は、成膜処理の内容によって決まる。例えばスパッタリングによって成膜する場合には、ターゲットを有したカソード機構が処理手段４として配設される。このような処理手段４は、通常複数の真空室２に配設され、基板に対して複数の成膜処理を行えるよう構成されている。このような複数の成膜処理は、複数の薄膜を積層して形成したりする場合や、成膜の前に加熱やエッチング等の処理を行ったりする場合に好適に採用される。
【０００４】
尚、搬送路３０に沿って最も手前の真空室２は基板搬入用の予備室として用いられ、最も後方の真空室２は基板搬出用の予備室として用いられる。
多くの場合基板はキャリア３に保持されて搬送され、ゲートバルブ２１を通過しながら各真空室２に順次搬送される。そして各真空室２に必要に応じて配置された処理手段４により、基板の表面に所定の成膜処理が順次行われ、これらの成膜処理を経て所定の薄膜が基板の表面に作成される。
【０００５】
尚、上記の説明から明かな通り、本願における「成膜処理」とは、文字通り「成膜」が行われる処理のみならず、「成膜」の前又は後に行われる他の処理も含んだ概念である。
上記のようなインライン式成膜装置では、キャリア３に保持された基板は、大気に晒されることなく真空中で順次成膜処理を行うことができるため、品質の良い薄膜を作成できる長所がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来のインライン式成膜装置では、各真空室を搬送路に沿って直線的に並べて配置しているため、多くの成膜処理を経て成膜が完成するような装置では、多数の真空室を並べなければならないため、装置がいたずらに長くなってしまうという欠点がある。
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、多くの成膜処理を経て成膜が完成するような場合であっても、装置がいたずらに長くなることのないインライン式成膜装置の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願の請求項１記載の発明は、基板の板面を搬送方向の側方に向けて基板を保持することが可能なキャリアと、このキャリアを多角形状の搬送路に沿って周状に搬送する搬送系と、基板が真空中を搬送されて基板に対して真空中で連続的に成膜処理が施されるよう搬送路に沿って配置された複数の真空室とから構成されたインライン式成膜装置であって、
前記複数の真空室は、前記多角形状の搬送路に配置された成膜処理室を含み、前記搬送系は、多角形状の搬送路の角の部分においてキャリアを所定角度を回転させて基板の板面が搬送方向の側方に向くようにする回転機構を複数含んでおり、
前記多角形状の搬送路は無終端周状であって、無終端周状の搬送路に沿って前記複数の真空室が途切れることなく設けられおり、キャリアは搬送路上の各真空室を通して搬送されることで真空中を循環する構造となっており、
さらに、前記搬送路上のいずれかの真空室においてキャリアに基板を投入しキャリアから基板を回収する真空用ロボットを備えているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記成膜処理室は前記多角形状の搬送路の少なくとも二つの辺に設けられているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記成膜処理室は前記多角形状の搬送路の少なくとも二つの辺にそれぞれ複数設けられているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項４記載の発明は、上記請求項１乃至３いずれかの構成において、前記複数の真空室は、多角形状の搬送路の角の部分に配置された回転室を含み、回転機構は、この回転室においてキャリアを回転させるものであるという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項５記載の発明は、上記請求項４の構成において、搬送系は、回転室においてキャリアを一時的に待機させることが可能に構成されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項６記載の発明は、上記請求項１乃至５いずれかの構成において、複数の真空室は、基板をキャリアに搭載するための仕込室と、成膜済みの基板をキャリアから回収するための回収室とを含んでおり、前記真空用ロボットは、仕込室と回収室の各々に備えられているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項７記載の発明は、上記請求項６の構成において、仕込室と回収室とは、一つの真空室で兼用されているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項８記載の発明は、上記請求項１乃至７いずれかの構成において、多角形状の搬送路は、方形の搬送路であるという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項９記載の発明は、上記請求項８の構成において、前記成膜処理室は複数設けられていてこれら複数の成膜処理室は方形の搬送路のうちの三つの辺に配置されており、残りの一辺に仕込室及び回収室が配置され、方形の搬送路の四つの角の部分には、キャリアを９０度回転させることが可能な回転機構を備えた回転室がそれぞれ配置されているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項１０記載の発明は、上記請求項１乃至９いずれかの構成において、キャリアは、複数の基板を同時に保持するよう構成されているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項１１記載の発明は、上記請求項１乃至７いずれかの構成において、前記成膜処理室は複数設けられていてこれら複数の成膜処理室は前記多角形の搬送路のうちの三つの辺に配置されているという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項１２記載の発明は、上記請求項１乃至１１いずれかの構成において、前記搬送路は、合流点も分岐点も無い形状であるという構成を有する。
【０００８】
【実施例】
以下、本願の発明の実施例を説明する。
図１は、本願の発明のインライン式成膜装置の実施例について説明する平面概略図である。図１に示すインライン式成膜装置は、基板の板面を搬送方向の側方に向けて基板を保持することが可能なキャリア３と、このキャリア３を多角形状の搬送路３０に沿って周状に搬送する搬送系と、基板に対して真空中で連続的に成膜処理が施されるよう搬送路３０に沿って配置された複数の真空室２とから主に構成されている。
【０００９】
図１に示すように、本実施例の装置では、方形の搬送路３０が設定され、図１中不図示の搬送系は、この方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を搬送するよう構成されている。そして、その方形な搬送路３０に沿って複数の真空容器２０が並べて配置され、方形な搬送路３０に沿って複数の真空室２が連続して設けられた状態となっている。図１に示すように、搬送路３０は、合流点も分岐点も無い形状であり、また無終端の周状である。
各々の真空容器２０には、不図示の排気系が設けられている。各々の排気系は、各々の真空容器２０に独立して設けられる場合もあるし、幾つかの真空容器２０について一つの排気系が併用される場合もある。
【００１０】
そして、各々の真空室２のうち、方形な搬送路３０のうちの三つの辺の部分に配置された真空室２が成膜処理室となっている。また、本実施例の装置では、方形の搬送路３０の角の部分には、キャリア３の回転のための真空室即ち回転室２５１，２５２，２５３，２５４が配置されている。この回転室２５１，２５２，２５３，２５４に後述する回転機構が設けられている。
尚、各々の真空室の境界部分には、それぞれゲートバルブ２１が設けられており、キャリア３を通過を許容しつつ各々の真空室を区画して独立の真空雰囲気とすることを可能にしている。
【００１１】
次に、図２及び図３を使用して、図１の装置に採用されたキャリア３の構成について説明する。図２は、図１のインライン式成膜装置に採用されたキャリア３及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。図３は、図２のキャリア３の構成をさらに詳しく説明するための図であり、図２のキャリア３のＡ−Ａでの平面断面概略図になっている。
本実施例におけるキャリア３は、二枚の基板１を同時に保持可能に構成されたものであり、図２に示すような外観を有している。図２に示すキャリア３は、板状の部材を図２に示すような形状にくり貫いたような外形のキャリア本体３１と、キャリア本体３１に固定されたフィンガ板３２，３３，３４と、キャリア３の下縁に形成した基板搬送用のキャリア側磁石３５とから主に構成されている。
【００１２】
キャリア本体３１は、板面を基板搬送方向の側方（図２では紙面垂直方向）に向けて鉛直な姿勢で配置されている。このキャリア本体３１は、基板１の搬送方向に沿って二つのほぼ方形なくり貫き部分を上縁から設けたような外形であり、その各々のくり貫き部分の内縁にそれぞれ三つのフィンガ板３２，３３，３４が固定されている。
三つのフィンガ板３２，３３，３４は、鉛直即ちキャリア３の板面に平行な姿勢で基板１を保持するよう構成されている。一つのフィンガ板３２は、鉛直な基板１の下縁の部分で基板１を支えるよう構成されており、他の二つのフィンガ板３３，３４は、基板１の側縁の部分でかつ基板１のほぼ真ん中の高さの位置で基板１を左右から挟み込むよう構成されている。
【００１３】
図３に示すように、フィンガ板３２，３３，３４の先端には断面Ｖ字状の溝が形成されており、その断面Ｖ字状の溝に基板１の縁を落とし込むようにして基板１を保持している。図３には左右のフィンガ板３３，３４が示されているが、下側のフィンガ板３２の先端も同様であり、断面Ｖ字状の溝に基板１の下縁を落とし込んでいる。
上述した三つのフィンガ板３２，３３，３４の構成は、二つのくり貫き部分に同じように設けられており、これによって二枚の基板１を同時に保持することができるようになっている。尚、本実施例では、ハードディスク用等の金属、ガラス又はシリコン等よりなる基板１に対して成膜を行っている。そして、基板１に接触するフィンガ板３２，３３，３４は、電気的には接地されており、従って基板１も、金属よりなる場合、キャリア３に保持された際には接地された状態となる。また、本実施例の装置では基板１を後述のように３５０℃程度まで加熱するので、キャリア３の各構成部材は、この加熱温度まで充分耐えられるステンレス等の材料で構成されている。
【００１４】
次に、図２及び図４を使用して、図１の装置に採用された搬送系の構成について説明する。図４は、図１の装置におけるキャリア３、搬送系及び処理手段４の構成について説明する側面概略図である。
本実施例の搬送系の特徴は、上述のようにキャリア３に保持された基板１を、その板面が搬送方向の側方に向くようにして搬送させることである。この搬送系は、上述したキャリア３に磁気的に結合する磁気結合ローラ５と、この磁気結合ローラ５を回転させてキャリア３を移動させる回転機構とから主に構成されている。
【００１５】
基板搬送に中心的な役割を果たす磁気結合ローラ５は、図２に示すように搬送方向に沿って配置されている。この磁気結合ローラ５は、円柱状又は円筒状の部材であり、図２に示すようにその周面に螺旋状の磁極５１，５２が形成されている。この螺旋状の磁極５１，５２は、磁気結合ローラ５の周面に形成された螺旋状の部分を図２に示すような小さな部分に区画しながらそれぞれ同極性に磁化することで構成されたものである。
そして、図２に示すように、螺旋状の磁極５１，５２は前後にずらして二本設けられている。二本の螺旋状の磁極５１，５２のうちの一方がＳ極５１を形成し、他方がＮ極５２を形成している。
【００１６】
一方、前述したようにキャリア本体３１の下縁には、キャリア側磁石３５が設けられている。このキャリア側磁石３５は小さな直方体状の磁石であり、搬送方向に沿ってキャリア本体３１の下縁に所定間隔で多数設けられている。この多数のキャリア側磁石３５は上下面に磁極が現れるようになっているが、交互に磁極が異なるように配置されている。各々のキャリア側磁石３５の配置間隔は、下方の磁気結合ローラ５の二つの螺旋状の磁極の間隔に相当している。尚、キャリア側磁石３５と磁気結合ローラ５との間には、後述のような外カバー５８が存在するが、図２では図示が省略されている。また、キャリア側磁石３５の下縁と磁気結合ローラ５の磁極５１，５２の上縁との間隔は、４ｍｍ程度の小さなものに設定されている。
【００１７】
上述のような構成の磁気結合ローラ５には、後述する回転機構が付設されている。回転機構は、磁気結合ローラ５の中心軸を回転軸として磁気結合ローラ５を回転させるものであり、この回転によってキャリア３が搬送方向に移動するよう構成されている。
即ち、上述の通り、キャリア本体３１の下縁には多数のキャリア側磁石３５が配置され、それに対応するようにして磁気結合ローラ５の周面に二つの螺旋状の磁極５１，５２が形成されている。各々のキャリア側磁石３５は、下方の磁気結合ローラ５の磁極に磁気的に結合している。即ち、Ｎ極のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５のＳ極５１に結合し、Ｓ極のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５のＮ極５２に結合している。この状態で磁気結合ローラ５が回転すると、磁気結合ローラ５の周面の磁極５１，５２は螺旋状なので、その磁極５１，５２は回転の方向に従って前又は後ろに動いていくような状態となる。上方のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５の磁極５１，５２に磁気的に結合しているので、磁気結合ローラ５の回転に従ってキャリア３全体が前又は後ろに移動することになる。従って、磁気結合ローラ５の回転の方向を適宜選択することにより、キャリア３を搬送方向に移動させて基板１を搬送することが可能となる。
【００１８】
一方、上述のように搬送されるキャリア３は、図４に示すように三つのプーリ３６，３７，３８に支持されながら搬送されるようになっている。
まず、キャリア本体３１は、搬送方向に直角な鉛直面で見ると、下側部分において板の厚さのほぼ半分程度がえぐられたような形状である。そして、そのえぐられた部分においてキャリア本体３１を下方から支持するようにして支持プーリ３６が配置されている。この支持プーリ３６は、水平な保持棒に保持されて水平な回転軸の周りに回転可能となっている。キャリア本体３１のえぐられた部分の上縁は断面逆Ｖ字状に形成されており、その逆Ｖ字状の縁にはまり込むようにして支持プーリ３６が位置している。
また、キャリア本体３１の下端部分には、両側からキャリア本体３１を挟むようにして左右一対の挟持プーリ３７，３８が配置されている。一対の挟持プーリ３７，３８は垂直な保持棒に保持されて垂直な回転軸の周りに回転可能に配置されている。
【００１９】
尚、支持プーリ３６及び一対の挟持プーリ３７，３８はいずれも従動プーリであり、キャリア本体３１の移動に従って従動して回転する。また、これらプーリ３６，３７，３８は、真空室２内の雰囲気に配置されるので、塵埃等を発生させないよう、その回転機構部に真空用ベアリングを採用している。また、キャリア本体３１のプーリ３６，３７，３８との接触部分は、ステンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成とされており、同様にプーリ３６，３７，３８のキャリア本体３１との接触部分も、ステンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成としている。このような構成によって、摩擦等による塵埃等の発生を抑えている。
キャリア本体３１は、上述のように三つのプーリ３６，３７，３８によって支持されており、この状態で前述の如く搬送される。尚、三つのプーリ３６，３７，３８の組は、搬送方向に沿って所定間隔で複数配置されており、一つのキャリア３は四組程度のプーリ３６，３７，３８の組で支持されて搬送されるよう構成されている。
【００２０】
次に、図４及び図５を使用して、上記搬送系の構成をさらに詳しく説明する。図５は、図１の装置に採用された搬送系の構成をさらに詳しく説明するための平面概略図である。
上述した磁気結合ローラ５は、図５に示すように、搬送方向に沿って二つ配置されており、二つの磁気結合ローラ５は連結棒５３によって連結されている。そして、連結棒５３のほぼ中央の位置には、傘歯車５４が設けられている。一方、連結棒５３に直角に交差する駆動棒５５が配置され、その駆動棒５５の先端には連結棒５３の傘歯車５４に螺合する傘歯車５６が設けられている。駆動棒５５は、不図示の連結機構を介して移動用モータ５７に連結されており、移動用モータ５７によって棒の中心軸を回転軸として回転するよう構成されている。
【００２１】
移動用モータ５７が駆動棒５５を駆動して回転させると、傘歯車５４，５６の螺合部分を経由して回転駆動が伝達され、連結棒５３が回転する。これによって連結棒５３の両側の磁気結合ローラ５が回転し、その結果、前述の通りキャリア３が移動する。
また、磁気結合ローラ５は、図４及び図５に示すように実際には円筒状の外カバー５８の内部に配置されている。この外カバー５８は磁気結合ローラ５の配置空間を真空室２内の真空雰囲気から区画するためのものである。即ち、図４に示すように、外カバー５８は真空容器２０の器壁を貫通して真空容器２０外にまで延びており、従って外カバー５８の内部は大気圧雰囲気となっている。このように外カバー５８を配置するのは、上述のような磁気結合ローラ５の駆動機構はギヤ結合等を含んでおり、グリース等の塵埃を発生させる部材を使用することになるからである。尚、外カバー５８は、ＳＵＳ・３０１やＳＵＳ・３０４等のステンレス又はアルミニウム等の透磁率の高い材料で形成され、前述したキャリア側磁石３５と磁気結合ローラ５との磁気結合に支障が無いようにしている。
【００２２】
尚、上述のような二つの磁気結合ローラ５とそれらを連結する連結棒５３、外カバー５８、駆動棒５５、不図示の連結機構及び移動用モータ５７の組が、図１に示す一つ一つの真空室２ごとに配置されている。これによって、方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を周状に搬送することができるようになっている。
上述の通り、磁気結合ローラ５の駆動機構はすべて大気圧中に配置されており、摩擦などを伴う部分から発生する塵埃が真空室２内に進入しないようになっている。
【００２３】
次に、図１の装置に採用された回転機構の構成について説明する。
図６は、図１に示す装置に採用された回転機構の構成を説明する側面概略図である。図６に示す回転機構は、上述した構成と同様の磁気結合ローラ５の駆動機構（以下、直線移動機構）を保持した保持体６１と、この保持体６１を回転させて移動機構ごとキャリア３を回転させる回転用モータ６２とから主に構成されている。
【００２４】
まず、図１に示す回転室においても、図２，図３及び図５に示す構成と同様な二つの磁気結合ローラ５及びそれらの連結する連結棒５３が配置されている。この連結棒５３には、図５に示すのと同様に駆動棒５５が傘歯車５４，５６を介して連結している。この駆動棒５５の後端には、図６に示すように別の傘歯車５５１が設けられている。この別の傘歯車５５１には、鉛直な姿勢の動力伝達棒５９が連結されている。即ち、動力伝達棒５９の先端には傘歯車５９１が設けられて駆動棒５５の後端の傘歯車５５１に螺合している。動力伝達棒５９の後端は、移動用モータ５７の出力軸が連結されている。
【００２５】
一方、回転機構を構成する保持体６１は、円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛直にして配置されている。保持体６１は、図６に示すように、鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿通された状態で上記動力伝達棒５９が配置されている。貫通孔の内面と動力伝達棒５９との間の間隙部分には、ベアリング５９２が配置され、動力伝達棒５９の回転を許容しつつ貫通孔の部分に動力伝達棒５９を保持している。
【００２６】
上記保持体６１は、より大きな径のほぼ円筒状の保持体カバー６２の内側に配置されている。この保持体カバー６２は、内側に保持体６１を収納して保持するとともに回転機構が配置された回転室の底板部分２２に取り付けられている。即ち、回転室の底板部分２２には、保持体カバー６２の外径に適合する大きさの円形の開口を有し、この開口に保持体カバー６２をはめ込んで固定している。保持体カバー６２と底板部分２２との接触面にはＯリング等のシール材が設けられている。
【００２７】
また、保持体カバー６２とその内側の保持体６１との間の間隙には、上下に並べて設けた四つのベアリング６３と、上側の二つのベアリング６３の間に挟み込むようにして設けたメカニカルシール６４とが設けられている。メカニカルシール６４は、保持体６１の回転を許容しつつ保持体６１と保持体カバー６２との間の間隙を真空シールするためのものであり、磁性流体を使用したシール機構等が好適に使用できる。
【００２８】
また一方、保持体６１の下面にはプーリ取付具６９０が設けられており、このプーリ取付具６９０の下端に保持体側プーリ６９が固定されている。保持体側プーリ６９は、保持体６１の中心軸と同心状に配置されたものである。さらに、保持体側プーリ６９と同じ高さの位置には、モータ側プーリ６５が配置されている。このモータ側プーリ６５には、上方に突出させた回転用モータ６２の出力軸が連結されている。また、モータ側プーリ６５と保持体側プーリ６９とを連結するようにして、ベルト６６が張架されている。具体的には、保持体側プーリ６９及びモータ側プーリ６５はタイミングプーリから構成され、ベルトはタイミングベルトから構成されている。
【００２９】
また、保持体６１の上面には、図６に示すような移動機構保持枠６７が固定されている。移動機構保持枠６７は、前述したキャリア３や磁気結合ローラ５等を全体に保持するためのものである。移動機構保持枠６７の下側部分の先端には、図６に示すように支柱６７１が数本配置されており、この支柱６７１によって前述した支持プーリ３６や一対の挟持プーリ３７，３８が保持されている。また、この移動機構保持枠６７の下側部分の上には、磁気結合ローラ５を駆動する駆動棒５５を収容した駆動棒カバー５５２が載置固定されている。駆動棒５５と駆動棒カバー５５２との間の間隙には、ベアリング５５３が数個間隔をおいて配置されている。
また、移動機構保持枠６７の上側部分は、駆動棒５５を覆うようにして配置され、駆動棒５５が配置された空間を真空容器２０内の真空雰囲気から隔絶するよう構成されている。また、移動機構保持枠６７の上側部分の先端は、上記駆動棒カバー５５２の上面を覆っている。尚、駆動棒カバー５５２の移動機構保持枠６７との間に真空シール部６８が配置されており、移動機構保持枠６７の内部からの真空室２内へのリークを防止している。
【００３０】
このような回転室の直線移動機構及び回転機構の動作について説明する。
まず、直線移動機構は、上述した成膜処理室の直線移動機構とほぼ同様に動作する。即ち、移動用モータ５７が駆動されると、動力伝達棒５９、駆動棒５５、連結棒５３をそれぞれ介して磁気結合ローラ５に回転駆動が伝達されて磁気結合ローラ５が回転する。これによって、上方のキャリア３が直線移動する。
キャリア３が移動して回転室内の所定位置に達すると、回転用モータ６２が駆動される。回転用モータ６２の動力は、モータ側プーリ６５からベルト６６によって保持体側プーリ６９に伝えられ、保持体側プーリ６９を回転させる。これによって、上方の保持体６１が回転し、保持体６１上に保持されていた直線移動機構が全体に回転する。この結果、キャリア３も回転する。回転角度が９０度に達すると回転用モータ６２は駆動を停止し、キャリア３の回転も停止する。これによって、キャリア３の搬送の向きが９０度曲げられる。
次に、所定の制御信号を受けた後さらに直線移動機構が駆動され、９０度曲げられた搬送路３０に沿ってキャリア３を移動させ、次の真空室２までキャリア３を搬送させる。従って、曲げられた後の搬送路３０においても、基板１の板面は搬送方向の側方に向くようになっている。
【００３１】
上記構成に係る回転機構の構成において、９０度等の所定角度の回転の制御は、回転用モータ６２の制御によって行っても良いし、保持体６１が所定角度回転したのを検出する不図示のセンサ機構等によって行ってもよい。
上記構成に係る回転機構の構成では、回転のための機構がすべて大気圧中に配置されており、真空容器２０内の真空雰囲気に露出しないようになっている。このため、摩擦等を伴う部分からの塵埃が真空室２内に進入することが防止されている。
【００３２】
次に、図４を使用して、処理手段４の構成について説明する。
処理手段４は、成膜処理室として機能させるべき真空室２に配置されるものであり、成膜処理の内容によってその構成が決定される。本実施例の装置では、スパッタリングによって成膜を行っており、図４にはマグネトロンスパッタリング用のカソード機構の例が示されている。図４に示す処理手段４は、厚い円盤状のカソード４１と、このカソード４１の前面に設けたターゲット４２と、ターゲット４２の裏側であってカソード４１の内部に設けた一対の磁石４３，４４と、カソード４１に所定の電位を与えるための電源４５とから主に構成されている。
【００３３】
ターゲット４２は、成膜する材料によって形成された円板状の部材であり、交換可能にカソード４１の前面に取り付けられている。本実施例の装置では、一つの処理手段４で二枚の基板１に同時に成膜する例であり、従ってターゲット４２の直径は、基板１の直径のおよそ二倍程度に設定されている。
一対の磁石４３，４４は、中央に配置された円柱状の磁石４３と、その周囲に所定の間隙を有して配置したリング状の磁石４４とから構成されており、ターゲット４２側の表面の磁極が相異なるように磁化されている。磁石の裏側には、ヨーク４６が配置されており、中央の磁石４３と周囲の磁石４４との間の磁路を形成するよう構成されている。
【００３４】
上記カソード機構においては、中央の磁石４３と周囲の磁石４４とをつなぐようにしてアーチ状の磁力線が設定される。一方、電源４５によってカソード４１に所定の電位が印加され、前述の通り接地される基板１との間に所定の電界が設定される。この電界は、上記一対の磁石４３，４４による磁力線と直交し、この直交電磁界によってマグネトロン放電が達成されてスパッタが行われる。
尚、成膜処理室を形成する真空室２には、不図示のガス導入系が付設されて所定のガスが導入されるようになっている。上述したカソード機構が処理手段４として採用されている成膜処理室には、アルゴン等の不活性ガスを導入するガス導入系が採用されており、導入された不活性ガスは電離して上記マグネトロン放電を生ずる。
【００３５】
他の処理手段４の例としては、基板を加熱する加熱機構、基板の表面酸化膜等を除去するためのエッチングを行うエッチング機構、成膜処理中に昇温した基板を冷却する冷却機構等が挙げられる。加熱機構としては、真空雰囲気中であるため赤外線ランプのような輻射加熱によるものが好適に採用される。エッチング機構としては、所定のガスを導入するガス導入機構及び所定の電圧が印加される電極機構等が処理手段４として採用される。さらに、冷却機構は、冷媒を循環させるパイプが配設された冷却パネルを基板に対向させて配設し、この冷却パネルと基板との間に水素等の熱伝導性の良いガスを流す構成等が採用し得る。
【００３６】
尚、処理手段４を設けた真空容器２０の器壁部分は、図１に示したように一方の側縁を中心にして回転して開くようになっている。この構造は処理手段４のメンテナンス等のためのものであり、例えばカソード機構のターゲット４２が消耗したので新品と交換する場合等に、図１のように器壁部分を開けてメンテナンス等の作業を行う。尚、内側に配置された処理手段４に対してもメンテナンスが必要であるが、外側の器壁部分を開ければ内側の処理手段４にも手が届くような場合には、内側の器壁部分は開閉可能とする必要はない。但し、必要に応じて内側の器壁部分も開閉可能としてもよい。
【００３７】
次に、図１の装置における仕込室２３および回収室２４の構成について説明する。
本実施例の装置の特徴の一つは、上述の通りキャリア３が基板１を搬送方向の側方に板面を向けた状態で基板１を保持することである。仕込室２３は、このような姿勢でキャリア３に基板１を搭載するための真空室であり、その内部には、真空用ロボット２３１が配置されている。
【００３８】
真空用ロボット２３１は、真空中において動作することを想定されたロボットであり、塵埃等を発生させないクリーンな構造となっている。このような真空用ロボット２３１としては、（株）メックス社製のＵＴＶ−２０００等の市販のものを適宜選択して採用することができる。本実施例の装置で成膜処理される基板１は、ハードディスク用の基板１等のような中央に円形の開口を有した円盤状のものであり、真空用ロボット２３１は、そのアームの先端部分を基板１の中央の開口に挿入してその先端部分で基板１を保持するようになっている。
アームの先端部分の上面には、アームの幅方向に延びる溝が形成され、その溝に基板１の中央の開口の縁を落とし込んだ状態でアームは基板１を保持するようになっている。従って、真空用ロボット２３１が動作してアームが振られた際でも、基板１がアームの先端部分からずり落ちないようになっている。
【００３９】
また一方、上記のような真空用ロボット２３１が配設された仕込室２３の外壁には、ゲートバルブ２１を介して仕込用補助真空室２３２が設けられている。この仕込用補助真空室２３２は、成膜処理すべき基板１をオペレーターが搬入するためのものであり、オペレーターが位置する手前側に搬入用扉２３３を有している。オペレーターは、処理すべき基板１を基板カセットに多数収容し、搬入用扉２３３を開けて基板カセットを仕込用補助真空室２３２内に搬入するようになっている。基板カセットは、通常２５枚の基板１を収納可能となっており、真空用ロボット２３１の動作を阻害しないよう、垂直な姿勢の基板１の下縁を支持して収納するものである。尚、このような仕込用補助真空室２３２は、仕込室２３の外壁に二つ並んで設けられている。
【００４０】
基板１の仕込動作について説明すると、オペレーターは、一方の仕込用補助真空室２３２の搬入用扉２３３を開け、上述のように多数の基板１を収納した基板カセットを仕込用補助真空室２３２に搬入する。搬入用扉２３３を閉じると、当該仕込用補助真空室２３２の排気系（不図示）が動作し、所定の真空圧力に達すると仕込用補助真空室２３２と仕込室２３との境界部分のゲートバルブ２１が開く。
次に、仕込室２３内の真空用ロボット２３１が動作し、基板カセット内で最も先端側に保持されていた基板１の中央の開口に真空用ロボット２３１のアームが進入してこの基板１を保持する。そして、真空用ロボット２３１が所定の動きを行ってアームの先端部分が図２に示すキャリア３の上方位置に達する。この状態で真空用ロボット２３１はアームを下降させるよう動作し、これによって基板１は下降し、対向する左右一対のフィンガ板３３，３４の間に位置に達する。基板１が所定位置まで下降するとアームの下降は停止し、基板１は下側のフィンガ板３２に支持されるとともに左右一対のフィンガ板３３，３４により側縁を挟持された状態となる。これにより、キャリア３への基板１の搭載動作が完了する。
【００４１】
真空用ロボット２３１は、上記とほぼ同様な動きをもう一度行う。即ち、上記基板１のすぐ後ろの位置で基板カセット内に収納されていた基板１をアームが取り出し、キャリア３に設けられたもう一方の三つのフィンガ板３２，３３，３４の組によって保持される位置に、この基板１を移動させる。
二枚めの基板１のキャリア３への搭載が完了すると、仕込動作が完了する。このようにして二枚の基板１を保持したキャリア３は、上述した搬送系によって搬送されるとともに上述した回転機構によって所定場所で回転し、方形な搬送路３０に沿って搬送されることになる。
【００４２】
尚、他方の仕込用補助真空室２３２は、一方の仕込用補助真空室２３２から真空用ロボット２３１により基板１の仕込動作を行っている間に一旦大気圧に戻され、上述のような基板カセットの搬入動作をオペレーターが行う。そして、一方の仕込用補助真空室２３２からの仕込動作がすべて終了した後、この他方の仕込用補助真空室２３２からの仕込動作を同様に行う。このように、二つの仕込用補助真空室２３２からの仕込動作を交互に行うようになっている。このため、効率の良い仕込動作が可能となっている。
【００４３】
図１に示すように、仕込室２３の隣りには回収室２４が配置されている。この回収室２４は、成膜が済んだ基板１をキャリア３から回収するための真空室である。この回収室２４にも、仕込室２３のものと同様な真空用ロボット２４１が配設されている。また、回収室２４の外壁には、回収用補助真空室２４２が同様に二つ並んで設けられている。この回収用補助真空室２４２には、空の基板カセットが予め配置されている。
成膜処理がすべて完了した基板１は、キャリア３に保持されながら搬送系によって回収室２４に搬送される。そして、回収室２４の真空用ロボット２４１が動作して、アームがその先端部分を前述のように保持する。アームは垂直に上昇しながらキャリア３の左右一対のフィンガ板３３，３４の間から基板１を引き抜き、所定の動作を経て基板カセットのところまで基板１を移動させる。そして、基板１を基板カセットに渡して支持させる。
【００４４】
真空用ロボット２４１は、キャリア３に保持されていたもう一方の基板１についても同様の動作を行い、基板１を基板カセットに収容する。このようにして順次搬送されるキャリア３から基板１を引き抜きて基板カセット内に収容し、所定の枚数の収容が完了すると、回収用補助真空室２４２内を大気圧に戻してからオペレーターが搬出用扉２４３を開け、内部の基板カセットを搬出する。その間、真空用ロボット２３１は、もう一方の回収用補助真空室２４２内の基板カセットに対して、上述した基板回収動作を繰り返す。従って、回収動作についても、上記仕込動作と同様、回収用補助真空室２４２を交互に使用して効率のよい動作が行えるようになっている。
尚、基板１が回収されたキャリア３は、ゲートバルブ２１を通って回収室２４から仕込室２３に搬送され、仕込室２３で再び上述の仕込動作を行う。つまり、キャリア３は方形な搬送路に沿って無終端状に循環し、その循環の過程で基板の受け渡しを行いながら成膜処理が行われるようになっている。
【００４５】
次に、メンテナンス作業を考慮した本実施例の装置の構成について、図７を使用しながら補足的に説明する。
図７は、図１に示す装置の側面外観図である。図７に示すように、本実施例における真空容器２０は殆どが架台２００の上に載っているが、少なくとも一つの真空容器２０１は架台２００の上には配置されず、両側の真空容器２０の間に中吊りされた状態で配置されている。従って、中吊りされた真空容器２０１の下には一定のスペースがあり、ここを通り人間が内側に入れるようになっている。
図１に示す通り、本実施例の装置は真空容器２０の内側の器壁部分も処理手段４が取り付けられており、メンテナンス等のためには、方形に連続して設けられた真空容器２０の内側に入る必要があるが、すべての真空容器２０を架台２００上に配置してしまうと、人間が内側に入ることが困難となる。そこで、本実施例では、図７に示すごとく、少なくとも一つの真空容器２０１を中吊り状態で配置し、人間が内側に入れるようにしている。
【００４６】
次に、図１のような装置を使用する成膜処理の例について説明しながら、本実施例のインライン式成膜装置の全体の動作を簡単に説明する。
例えば高密度記録用のハードディスクを作成する場合を例に取って説明すると、エッチング、加熱、多層薄膜形成、冷却等の処理を経て基板に対する成膜処理が完了する。
【００４７】
まず、基板１としてはアルミ等の金属が使用され、その表面はＮｉＰメッキ等の下地膜が形成されている。このような基板１は、まずエッチングを行って下地膜の表面に存在する酸化膜や水分等を除去する。エッチングは、例えば高周波によってプラズマを形成するとともにキャリア３を介して基板１に高周波電圧を印加して高周波スパッタを行い、この高周波スパッタによってイオンを基板１の表面に衝突させる。これによって下地膜表面の酸化膜や水分等をスパッタエッチングして除去する。
【００４８】
次に、基板１を３５０℃程度まで加熱する。加熱は、後の成膜処理において結晶成長等が良好に行われるようにするために行うものである。
このような加熱の後、基板１の表面にまず下地としてＣｒの薄膜を例えば７００オングストローム程度形成する。即ち、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用してスパッタリングを行い、Ｃｒ薄膜を形成する。次に、磁気記録の主たる役割を果たすＣｏＣｒＴａ等の薄膜を形成する。即ち、ＣｏＣｒＴａ等よりなるターゲット４２（合金または焼結体）を使用してスパッタリングを行い、ＣｏＣｒＴａ等の薄膜を形成する。このＣｏＣｒＴａ等の薄膜は、例えば３００オングストローム程度形成される。尚、ＣｏＣｒＴａ等の薄膜を形成するに際し、結晶性を良くするため基板１にバイアス電圧を−３００Ｖ程度印加する場合もある。
【００４９】
次に、基板１を一旦１５０℃程度まで冷却する。そして、最後にカーボンの薄膜を保護膜として形成し、これによって成膜処理が終了する。基板１を冷却してからカーボンの成膜を行うのは、基板１の温度が低い方がカーボン膜の緻密性が良いためである。
【００５０】
上記のような一連を図１の装置で行う場合、各真空室２は例えば以下のように構成される。
以下の説明では、図１に示す方形な搬送路３０の四つの角の部分に配置された真空室２を、搬送の順に第一回転室２５１、第二回転室２５２、第三回転室２５３、第四回転室２５４と呼ぶ。
【００５１】
まず、第一回転室２５１と第二回転室２５２との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第一回転室２５１に隣接する真空室２が、上記エッチングを行う第一成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、高周波電圧の印加機構や放電ガスの導入系等によって構成される。
次に、第一回転室２５１と第二回転室２５２との間の辺の真ん中に配置された真空室２は、上記加熱処理を行う第二成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、赤外線ランプおよびその赤外線ランプへの給電機構等によって構成される。そして、第一回転室２５１と第二回転室２５２との間の辺に配置された第二回転室２５２よりの真空室２も、同様に加熱処理を行う第三成膜処理室となる。つまり、第二成膜処理室に引き続いて第三成膜処理室でも同様な加熱が行われる。
【００５２】
次に、第二回転室２５２と第三回転室２５３との間の辺に配置された二つの真空室２のうちの第二回転室２５２よりの真空室２が、Ｃｒの薄膜を作成する第四成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用したカソード機構等によって構成される。
さらに、この第三成膜処理室の隣りに配置された真空室２が、ＣｏＣｒＴａの薄膜を作成する第五成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、ＣｏＣｒＴａよりなるターゲット４２を使用したカソード機構等で構成される。
【００５３】
そして、第三回転室２５３と第四回転室２５４との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第三回転室２５３よりの配置された真空室２が、冷却を行う第六成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、冷却パネル等を備えた冷却機構により構成される。
最後に、第三回転室２５３と第四回転室２５４の間の辺の真ん中に配置された真空室２が、保護膜としてのカーボン薄膜を形成する第七成膜処理室である。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、カーボンよりなるターゲット４２を使用したカソード機構等で構成される。また、メタンガス及び水素ガスをアルゴンなどの不活性ガスに混合したガスを導入して反応性スパッタを行い、基板１の表面上に所定のカーボン薄膜を堆積させる場合もある。そして、第三回転室２５３と第四回転室２５４との間に配置された真空室２のうちの第四回転室２５４よりの真空室２も、同様にカーボン薄膜を作成する第八成膜処理室であり、第七成膜処理室におけるのと同様な処理手段４が配置される。
【００５４】
上記のように、方形な搬送路３０に沿って配置された複数の真空室２に対し、要求される成膜処理のステップに応じて成膜処理室の割り当てを行っているので、方形な搬送路３０に搬送される過程で基板１に所望の成膜処理が連続して行われる。各真空室２での成膜処理の際にはキャリア３の搬送は停止され、基板１が静止した状態で処理が行われる。但し、薄膜や成膜処理の内容によってはキャリア３を移動させながら成膜処理を行うようにする場合もある。尚、成膜処理室における処理時間は、各々の成膜処理室で異なる場合がある。このような成膜処理に要する時間の相違を調整するため、キャリア３はそれぞれの真空室２又は回転室２５１，２５２，２５３，２５４で所定時間停止する場合もある。
【００５５】
上述のように、本実施例の装置では、方形の搬送路３０に沿って成膜処理室を配置して成膜処理を行うよう構成されているので、真空室２の直線的に並べて配置した従来の装置に比べ、装置の長さが格段に短くできる。特に、最近の成膜処理では成膜工程が複雑化し、多数の成膜処理を基板１に連続して行う必要があるが、本実施例の装置によれば、成膜処理室を多くしても装置の長さは従来のようにいたずらに長くなることはない。
【００５６】
次に、本願発明の他の実施例について説明する。
図８は、本願発明の他の実施例の構成について説明する平面概略図である。この実施例の装置では、三角形状の搬送路３０が設定され、この搬送路３０に沿って複数の真空室２がゲートバルブ２１を介して隣接して配置されている。そして、角の部分に配置された真空室２は、前述と同様な回転機構（図８中不図示）が配置された回転室になっている。尚、前述の例では、回転機構はキャリア３を９０度回転させるものであったが、この例では１２０度回転させる機構である。
【００５７】
また、三角形の二つの辺に配置された真空室２は、所定の処理手段４を配置した成膜処理室になっている。この例では、二つの辺に二つずつ計四つの成膜処理室を配置している。そして、他の一辺に配置された二つの真空室２が、仕込室２３と回収室２４とになっている。仕込室２３と回収室２４には、前述と同様の仕込用補助真空室２３２と回収用補助真空室２４２とがそれぞれ隣接して配置されている。
この実施例の装置では、キャリア３が三角形状の搬送路３０に沿って搬送される過程で所定の成膜処理が連続して施される。この装置の動作は、前述した実施例の装置と搬送路３０の形状等が異なるのみで、他の部分では本質的に同様である。
【００５８】
このように、本願発明における「多角形状の搬送路」は、三角形、四角形（方形）、五角形、六角形……のように、任意の角数を設定することができる。また、図１や図８に示された例のように正多角形の形状でなくともよく、特定の目的のために正多角形以外の形状を選択する場合もある。なお、図１に示すような方形の搬送路３０を採用すると、装置全体の占有スペースの平面形状がほぼ方形となる。既存の生産設備の多くが同様に方形の占有スペースを有しているので、このような装置は、既存の生産設備に交換して導入したり割り込ませて導入したりする際に、無駄になるスペースが少なくできるという点で好適である。
【００５９】
また、上述した実施例の装置では、二枚の基板１を同時に保持するキャリア３を採用して二枚の基板１を同時に処理しているので、一枚の基板の場合に比べ生産性が倍増している。このような観点から、二枚、三枚、四枚……の基板を同時に保持するキャリア３を採用すれば、さらに生産性の向上が期待できる。
【００６０】
尚、上述した各実施例では、回転機構を配置した専用の真空室即ち回転室が設けられているが、これは必須の条件ではなく、成膜処理室等に連続した空間内に回転機構を配置してもよい。但し、搬送路３０の角の部分の両側に成膜処理室が配置されている場合、その角の部分に専用の回転室を形成しておくと、両側の成膜処理室を区画して両者の雰囲気の相互汚染を防止する機能が得られる。また、上述したように、成膜処理室と区画された回転室を備えることによって、前後の成膜処理室における処理時間を相違を調整するための基板静止動作を付加することができる。
【００６１】
さらに、上述した実施例では、仕込室２３と回収室２４と別々の真空室２としたが、これを一つの真空室２として省スペース化を図ることも可能である。この場合、真空用ロボット２３１等の基板着脱機構を二つ配置してもよいし、両者を兼務する一つの機構で着脱を行うようにしてもよい。なお、仕込室２３や回収室２４を真空室とすることによって、基板１の着脱動作が真空中で行えることとなり、基板１の着脱の際の基板１への異物の付着などの問題が防止されて良質な成膜が可能となる。
【００６２】
また、上述した実施例では、基板１の両面に同時に成膜処理するため、真空容器２０の外側の器壁部分と内側の器壁部分の両方に処理手段４を設け、処理手段４が搬送路３０を挟んで対向するように構成したが、片方ずつに成膜処理を行う場合や基板１の片面のみに成膜処理を行う場合などでは、一方の側の器壁部分のみに処理手段４を配置する場合もある。
【００６３】
尚、前述した例ではハードディスクの例が取り上げられたが、光ディスク、光磁気ディスク等の他の情報記録ディスク用の基板についても本願発明は実施可能である。またＬＳＩ（大規模集積回路）用の基板やＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用の基板等に対する成膜処理についても、本願発明の装置は適用可能である。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本願の請求項１記載のインライン式成膜装置によれば、方形の搬送路に沿って成膜処理室を配置して成膜処理を行うよう構成されているので、多くの成膜処理を経て成膜が完成するような場合であっても装置がいたずらに長くなることがない。このため、装置の占有面積が大きくならず、クリーンルーム等の限られたスペースに配置する際に好適な装置となる。
また、請求項２の発明によれば、上記請求項１の効果において、回転機構が専用の回転室に配置されているので、前後の成膜処理室の相互汚染を防止することが可能となる。
また、請求項３の発明によれば、上記請求項２の効果において、前後の成膜処理室における処理時間の相違を調整することが可能となり、処理時間の相違する成膜処理を容易に行うことができる。
また、請求項４の発明によれば、上記請求項１，２又は３の効果において、仕込室と回収室が真空室で構成されているので、基板の着脱動作が真空中で行えることとなり、基板着脱の際の異物の付着などの問題が防止されて良質な成膜が可能となる。
また、請求項５の発明によれば、上記請求項４の効果において、仕込室と回収室とが一つの真空室で兼用されているので、真空室を少なくして省スペース化を図ることが可能となる。
また、請求項６又は７の発明によれば、上記請求項１，２，３，４又は５の効果において、方形の搬送路に沿って複数の真空容器が配設されるので、装置全体の占有スペースの平面形状がほぼ方形となり、既存の生産ラインへの導入に際し無駄になるスペースが少なくできるという効果が得られる。
また、請求項８の発明によれば、上記請求項１，２，３，４，５，６又は７の効果において、成膜処理の効率が向上し、生産性の点で優れた装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願の発明のインライン式成膜装置の実施例について説明する平面概略図である。
【図２】図１のインライン式成膜装置に採用されたキャリア及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。
【図３】図２のキャリアの構成をさらに詳しく説明するための図であり、図２のキャリアのＡ−Ａでの平面断面概略図になっている。
【図４】図１の装置におけるキャリア、搬送系及び処理手段の構成について説明する側面概略図である。
【図５】図１の装置に採用された搬送系の構成をさらに詳しく説明するための平面概略図である。
【図６】図１の装置に採用された回転機構の構成を説明する側面概略図である。
【図７】図１に示す装置の側面外観図である。
【図８】本願発明の他の実施例の構成について説明する平面概略図である。
【図９】従来のインライン式成膜装置を説明する平面概略図である。
【符号の説明】
１  基板
２  真空室
２３  仕込室
２４  回収室
３０  搬送路
３  キャリア
４  処理手段
【図１】
0003732250.tif 000002
【図２】
0003732250.tif 000003
【図３】
0003732250.tif 000004
【図４】
0003732250.tif 000005
【図５】
0003732250.tif 000006
【図６】
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【図７】
0003732250.tif 000008
【図８】
0003732250.tif 000009
【図９】
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