(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられたフィールド酸化膜と、該フィールド酸化膜に囲まれた前記絶縁膜上に、該フィールド酸化膜とは非接触状態で設けられている第１シリコン層領域と、該第１シリコン層領域の露出表面を覆っていてエピタキシャル成長により形成されている第２シリコン層領域と
を具えることを特徴とする素子分離領域構造。
【請求項２】
請求項１に記載の素子分離領域構造において、前記絶縁膜をＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）構造を構成する膜とすることを特徴とする素子分離領域構造。
【請求項３】
請求項１に記載の素子分離領域構造において、前記第１シリコン層領域と前記第２シリコン層領域によりＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層を構成してあることを特徴とする素子分離領域構造。
【請求項４】
（ａ）絶縁膜上にシリコン層を有する基板を用いて、該基板上に、パッド酸化膜及び窒化膜パターンを順次に形成する工程と、
（ｂ）熱酸化により前記シリコン層の一部領域をフィールド酸化膜に変え、前記窒化膜パターンの下側に半導体素子を形成するための第１シリコン層領域を残存させる工程と、
（ｃ）エッチングにより前記窒化膜パターン、該窒化膜パターンの下面に残存する前記パッド酸化膜および前記フィールド酸化膜の一部を順次除去して、前記絶縁膜上に前記第１シリコン層領域を突出させることにより、前記第１シリコン層領域の裾部と前記フィールド酸化膜の下部とを非接触状態にする工程と、
（ｄ）選択エピタキシャル技術を用いて、前記第１シリコン層領域の表面全体にわたってエピタキシャル成長により第２シリコン層領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする素子分離方法。
【請求項５】
（ａ）絶縁膜上にシリコン層を有する基板を用いて、該基板上にパッド酸化膜および窒化膜パターンを順次に形成する工程と、
（ｂ）熱酸化により前記シリコン層の一部領域をフィールド酸化膜に変え、前記窒化膜パターンの下側に半導体素子を形成するための第１シリコン層領域を残存させる工程と、
（ｃ）ウエットエッチングを用いて前記フィールド酸化膜と前記パッド酸化膜を同時にエッチングして、前記窒化膜パターンの下面に前記パッド酸化膜の一部を残存させかつ前記絶縁膜上に前記第１シリコン層領域を突出させることにより、前記第１シリコン層領域の裾部と前記フィールド酸化膜の下部とを非接触状態にする工程と、
（ｄ）選択エピタキシャル技術を用いて前記第１シリコン層領域の表面にエピタキシャル成長により第２シリコン層領域を形成する工程と、
（ｅ）その後、エッチングにより前記窒化膜パターンおよび該窒化膜パターンの下面に残存する前記パッド酸化膜とを順次除去する工程と
を含むことを特徴とする素子分離方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の素子分離方法において、前記（ａ）と（ｂ）との工程間に、エッチングにより前記窒化膜パターン以外に露出している前記パッド酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする素子分離方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載の素子分離方法において、前記パッド酸化膜およびフィールド酸化膜のエッチング液としてフッ酸系溶液を用いることを特徴とする素子分離方法。
【請求項８】
請求項４または５に記載の素子分離方法において、前記基板として、ＳＯＩ構造を有する基板またはＳＩＭＯＸの構造を有する基板を用いることを特徴とする素子分離方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、素子分離領域構造および素子分離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＭＯＳＦＥＴとして、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を含むＭＯＳＦＥＴが注目されている。ＳＯＩ  ＭＯＳＦＥＴは、それ自体、サブスレッショルド（Ｓ）値の向上、低寄生容量化、ソフトエラー（α線の入射によって引き起こされる誤動作）の低下およびラッチアップの防止等を図る特徴を有しているので、このＳＯＩ  ＭＯＳＦＥＴによって高速デバイスや低消費電力デバイスを実現することができる。
【０００３】
ＳＯＩ構造の素子分離方法としては、ＰＥＬＯＸ（Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ  Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）法を用いた例がある（文献：１９９５、Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  ＶＬＳＩ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，ｐｐ．３７〜３８）。
【０００４】
この従来のＰＥＬＯＸ法によれば、以下の工程により素子間分離を行っている。基板として、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）基板を用いている。この基板は、シリコン基板中に埋め込み酸化膜を形成してシリコン層を２つに分離させた基板である。この基板上にパッド酸化膜及び窒化膜パターンを順次形成する。
【０００５】
次に、ウエットエッチング法を用いて、窒化膜パターンの下面の領域に存在するパッド酸化膜を残存させ、その他のパッド酸化膜をエッチング除去する。
【０００６】
次に、再度、任意好適な方法を用いて露出しているシリコン層上に薄い酸化膜を形成する。
【０００７】
次に、窒化膜パターンおよび酸化膜をポリシリコン層で覆う。続いて、熱酸化によりポリシリコン層の全部を酸化膜に変えると共に、埋め込み酸化膜上のシリコン層の一部をフィールド酸化膜に変え、窒化膜パターンの下側の領域にのみ第１シリコン層領域を残存させる。
【０００８】
その後、エッチングにより窒化膜パターン上のフィールド酸化膜、窒化膜パターンおよび当該窒化膜パターン下面に存在するパッド酸化膜を順次を除去する。
【０００９】
上述の工程を経て、素子間分離を行っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のＰＥＬＯＸ法を用いた素子分離方法によれば、従来のＬＯＣＯＳ法に比べ、工程数が大幅に増加するため、コストアップの原因となっていた。
【００１１】
また、ＰＥＬＯＸ法により素子分離を行った場合、フィールド酸化膜に埋め込まれた第１シリコン層領域の断面を見たとき、第１シリコン層領域が矩形状にはならず、第１シリコン層領域の下部領域がフィールド酸化膜の下側へと裾ひき状に延在してしまう。このような裾ひき状の第１シリコン層領域に、例えばＭＯＳＦＥＴを形成した場合、Ｉｄ−Ｖｇ特性にハンプが発生することが知られている（文献ＩＩ：信学技報、ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ  ＲＥＰＯＲＴ  ＯＦ  ＩＥＩＣＥ．ＳＤＭ９５−２６３，１９９６−０３，ｐｐ．１〜６）。
【００１２】
このようなハンプが発生すると、通常のトランジスタ特性よりも低電圧でトランジスタが動作するため、好ましくない。
【００１３】
そこで、ハンプの発生を防止できる素子分離領域構造および工程数の低減化を図ることができる素子分離方法の出現が望まれていた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このため、この発明の素子分離領域構造によれば、絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられたフィールド酸化膜と、フィールド酸化膜に囲まれた絶縁膜上に、フィールド酸化膜とは非接触状態で設けられている第１シリコン層領域と、第１シリコン層領域の露出表面を覆っていてエピタキシャル成長により形成されている第２シリコン層領域とを具えることを特徴とする。また、この発明では、第１シリコン層領域と第２シリコン層領域とによりＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層を構成してある。
【００１５】
この発明では、第１シリコン層領域と当該第１シリコン層領域の露出表面を覆う第２シリコン層領域とによりＳＯＩ層を構成しているので、ＳＯＩ層の断面形状を見たとき、従来に比べ、第１シリコン層領域の裾ひき部分の膜厚を厚くすることができる。このため、このＳＯＩ層を用いて例えばＭＯＳＦＥＴを形成した場合、Ｉｄ−Ｖｇ特性のハンプを防止することができる。
【００１６】
また、この発明の実施に当り、好ましくは、基板を、ＳＯＩ構造またはＳＩＭＯＸ構造を構成する膜とするのが良い。このようなＳＯＩ構造またはＳＩＭＯＸ構造の基板を用いることにより、第１シリコン層領域は絶縁膜とフィールド酸化膜とにより囲まれることになるので、素子間分離が従来のシリコン基板に比べて良好になる。
【００１７】
また、この発明の素子分離方法によれば、絶縁膜上にシリコン層を有する基板を用いて、この基板上に、パッド酸化膜及び窒化膜パターンを順次に形成する工程と、熱酸化によりシリコン層の一部領域を酸化させてフィールド酸化膜に変え、窒化膜パターンの下側に半導体素子を形成するための第１シリコン層領域を残存させる工程と、エッチングにより窒化膜パターン、当該窒化膜パターンの下面に残存するパッド酸化膜およびフィールド酸化膜の一部を順次除去して、絶縁膜上に第１シリコン層領域を突出させる工程と、選択エピタキシャル技術を用いて、第１シリコン層領域の表面全体にわたってエピタキシャル成長により第２シリコン層領域を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、この発明の素子分離方法によれば、絶縁膜上にシリコン層を有する基板を用いて、この基板上にパッド酸化膜及び窒化膜パターンを順次に形成する工程と、熱酸化によりシリコン層の一部領域をフィールド酸化膜に変え、窒化膜パターンの下側に半導体素子を形成するための第１シリコン層領域を残存させる工程と、ウエットエッチングを用いてフィールド酸化膜とパッド酸化膜を同時にエッチングして、窒化膜パターンの下面に前記パッド酸化膜を一部を残存させかつ絶縁膜上に第１シリコン層領域を突出させる工程と、選択エピタキシャル技術を用いて前記第１シリコン層領域の表面にエピタキシャル成長により第２シリコン層領域を形成する工程と、その後、エッチングにより窒化膜パターンおよび窒化膜パターンの下面に残存するパッド酸化膜とを順次除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１９】
このような工程により、第１シリコン層領域の表面全面にわたって又は第１シリコン層領域の露出表面に第２シリコン層領域を形成しているので、第１シリコン層領域の裾ひき部の膜厚を従来に比べて厚くすることができる。
【００２０】
このため、第１シリコン層領域と第２シリコン層領域とにより構成されたＳＯＩ層上にＭＯＳＦＥＴを形成した場合、Ｉｄ−Ｖｇ特性のハンプの発生を防止することができる。
【００２１】
また、この発明の工程では、ＬＯＣＯＳ法を使用して素子間分離を行っているので、従来のＰＥＬＯＸ法の工程数に比べ、工程数を３〜４工程低減することが出来る。
【００２２】
また、この発明の実施に当り、好ましくは、基板上に、パッド酸化膜および窒化膜パターンを順次形成する工程と、熱酸化によりシリコン層の一部領域をフィールド酸化膜に変え、窒化膜パターンの下側に第１シリコン層領域を残存させる工程との間に、エッチングにより窒化膜パターン以外に露出しているパッド酸化膜を除去する工程を含むのが良い。
【００２３】
このように、窒化膜パターン以外のパッド酸化膜をエッチング除去して露出した絶縁基板上の露出したシリコン層を熱酸化することにより、例えばフィールド酸化膜にイオン注入してダメージを受けたパッド酸化膜を除去することができる。
【００２４】
また、この発明の実施に当り、好ましくは、パッド酸化膜およびフィールド酸化膜のエッチング液としてフッ酸系溶液を用いるのが良い。
【００２５】
このようなフッ酸系溶液を用いることにより、パッド酸化膜およびフィールド酸化膜を同時にエッチングすることができる。また、このようなエッチング液を用いて、絶縁膜上に第１シリコン層領域を突出させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、この発明の素子分離領域構造および素子分離方法の実施の形態につき説明する。なお、図１〜図４は、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
【００２７】
図１の（Ｄ）および図４の（Ｃ）を参照して、この発明の第１および第２の実施の形態の素子分離領域構造につき説明する。なお、図１の（Ｄ）と図４の（Ｃ）とは、フィールド酸化膜に囲まれている複数個形成されているＳＯＩ層部分を切断し、その一部を示した断面図である。
【００２８】
［第１の実施の形態の素子分離領域構造］
この発明の第１の実施の形態の素子分離領域構造は、シリコン層１０２、絶縁膜（ここでは埋め込み酸化膜）１０４、フィールド酸化膜１６およびＳＯＩ層２０により構成されている。
【００２９】
この第１の実施の形態では、絶縁膜１０４をＳＩＭＯＸ基板１０に形成されている埋め込み酸化膜とする。なお、ＳＩＭＯＸ構造の基板１０は、下側のシリコン層１０２、埋め込み酸化膜１０４および上側のシリコン層１０６を積層させて構成してある。
【００３０】
フィールド酸化膜１６は、素子間を分離するための酸化膜であり、埋め込み酸化膜１０４上に設けられている。ここでは、このフィールド酸化膜１６をＳｉＯ2 膜とし、最大膜厚を約４００ｎｍとする。
【００３１】
第１シリコン層領域１０６ａは、フィールド酸化膜１６に囲まれた埋め込み酸化膜１０４上に設けてある。また、この第１シリコン層領域１０６ａは、フィールド酸化膜１６とは実質的に非接触状態で設けられている。すなわち、この実施の形態では、第１シリコン層領域１０６ａの裾部３０とフィールド酸化膜１６の下部とが僅かな領域で互いに接するように設けられている（図１の（Ｄ）の点線で囲まれた領域）が、この接触は、実質的に非接触といえる程度の接触である。なお、この実施の形態では、第１シリコン層領域１０６ａの裾部３０とフィールド酸化膜１６の下部とが接するように構成した例につき説明したが、両者を離間させて構成してあっても良い。
【００３２】
第２シリコン層領域１８は、第１シリコン層領域１０６ａを覆っていてエピタキシャル成長により形成してある。ここでは、第１シリコン層領域１０６ａの表面全体にわたって第２シリコン層領域１８を設けてある。したがって、この実施の形態では、埋め込み酸化膜１０４上に、第１シリコン層領域１０６ａと第２シリコン層領域１８とによりＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層２０が構成されている。
【００３３】
［第１の実施の形態の素子分離方法］
次に、図１の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、第１の実施の形態の素子分離方法につき説明する。なお、図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、第１の実施の形態の素子分離領域構造を形成するための工程を説明するための断面図である。なお、各図は、主要構造段階で得られた構造体の断面切り口を示している。
【００３４】
この実施の形態例では、絶縁膜１０４上にシリコン層１０６を有している基板１０を用いる。ここでは、基板１０として、上述したＳＩＭＯＸ基板を用いる。なお、ＳＩＭＯＸ基板１０の埋め込み酸化膜１０４および上側のシリコン層１０６のそれぞれの膜厚を、約１００ｎｍおよび約１４０ｎｍとする。
【００３５】
この基板１０のシリコン層１０６上に、パッド酸化膜１２および窒化膜パターン１４を順次に形成して図１の（Ａ）に示す構造体を得る。なお、パッド酸化膜１２をＳｉＯ2 膜で形成してあり、その膜厚を約３０ｎｍとする。ここまでの工程は、従来のＰＥＬＯＸ法と同様で行う。
【００３６】
この発明では、熱酸化により図１の（Ａ）の構造体のシリコン層１０６の一部領域を酸化して、フィールド酸化膜１６に変え、窒化膜パターン１４の下側に第１シリコン層領域１０６ａを残存させる（図１の（Ｂ））。すなわち、熱酸化によりシリコン層１０６を酸化させたとき、シリコン層１０６の上側には窒化膜パターン１４があるため酸化が進行せず、第１シリコン層領域１０６ａが残存する。窒化膜パターン１４のない領域はフィールド酸化膜１６に変わる。なお、この工程では、パッド酸化膜１２は、ＳｉＯ2 膜で形成してあるので、パッド酸化膜１２は実質的にフィールド酸化膜１６と同じ膜になる。また、フィールド酸化膜１６の膜厚を約４００ｎｍとする。
【００３７】
また、この工程では、熱酸化によりシリコン層１０６をフィールド酸化膜１６に変えた場合、酸化は、シリコン層１０６の垂直方向だけでなく、水平方向にも進行するため、窒化膜パターン１４の下部にも浸透して成長する。このとき、成長したフィールド酸化膜の体積増長により窒化膜パターンの端部は持ち上げられる。また、熱酸化によりシリコン層１０６をフィールド酸化膜１６に変えたとき、第１シリコン層領域１０６ａの端部にバーズビーク１５が形成される。なお、図１の（Ｂ）では、第１シリコン層領域１０６ａの両端部にのみバーズビーク１５を示してあるが、実際には、第１シリコン層領域１０６ａの周辺端部にバーズビーク１５が形成されている。
【００３８】
次に、エッチングにより、窒化膜パターン１４、当該窒化膜パターン１４の下面に残存するパッド酸化膜１２およびフィールド酸化膜１６の一部を順次に除去して、埋め込み酸化膜１０４上に第１シリコン層領域１０６ａを突出させる（図１の（Ｃ））。このように、第１シリコン層領域１０６ａを埋め込み酸化膜１０４上に突出させることにより、第１シリコン層領域１０６ａの裾部とフィールド酸化膜１６の下部とは非接触状態になる。ここでは、上述したように、第１シリコン層領域の裾部３０とフィールド酸化膜の下部とが接して配設されている。
【００３９】
この実施の形態例では、窒化膜パターン１４のエッチャントとしては、例えば熱りん酸溶液を用いる。また、パッド酸化膜１２とフィールド酸化膜１６とのエッチャントとしては、５重量％フッ酸溶液を用いる。
【００４０】
次に、窒化膜パターン１４を除去した後の構造体を用いて、フッ酸溶液を用いてパッド酸化膜１２およびフィールド酸化膜１６をエッチングしたときのエッチング時間依存性をシュミレーションした結果を図５および図６に示す。なお、図５の（Ａ）〜（Ｂ）および図６の（Ａ）〜（Ｂ）は、エッチング時間に対するバーズビーク長の変化を説明するための図である。図中、縦軸に窒化膜パターン１４の上面からの深さ（μｍ）を取り、横軸にチャネル中央部からの距離（μｍ）を取って表す。
【００４１】
また、このシュミレーションに用いたエッチャントとしては、５重量％ＨＦ溶液を用いる。
【００４２】
図５および図６からも理解できるように、エッチング時間が１分のとき、バーズビーク長（Ｌ0 ）は、約０．５μｍ以上であり（図５の（Ａ））、エッチング時間が２分のとき、バーズビーク長（Ｌ1 ）は、約０．３μｍであり（図５の（Ｂ））、エッチング時間が３分のとき、バーズビーク長（Ｌ2 ）は、約０．１５μｍであり（図６の（Ａ））、エッチング時間が４分のとき、バーズビーク長（Ｌ3 ）は、約０．０５μｍである（図６の（Ｂ））。したがって、エッチング時間を４分程度に設定すれば、ほぼバーズビークを除去することが可能となる。
【００４３】
図１の（Ｃ）の工程に戻って、選択エピタキシャル技術を用いて第１シリコン層１０６ａの表面全体にわたってエピタキシャル成長により第２シリコン層領域１８を形成する（図１の（Ｄ））。このときの第２シリコン層領域１８の形成にはＣＶＤ法を用いる。ＣＶＤ法の成膜条件としては、シラン（ＳｉＨ4 ）ガスを用いて、エピタキシャル成長時の基板温度を例えば５５０〜６００℃の温度範囲に設定して成膜する。ここでは、第２シリコン層領域１８の膜厚を約１００ｎｍとする。
【００４４】
この実施の形態では、第１シリコン層領域１０６ａと第２シリコン層領域１８とによりＳＯＩ層２０が構成されている。
【００４５】
このようにして、第１シリコン層領域１０６ａの表面に第２シリコン層領域１８をエピタキシャル成長させることにより、第１シリコン層領域１０６ａの裾ひき部の膜厚を厚くすることができる。
【００４６】
その後、公知の技術を用いて、ＳＯＩ層２０にゲート酸化膜２４、ゲート電極２６、ソース２２ａおよびドレイン２２ｂをそれぞれ形成してＳＯＩ  ＭＯＳＦＥＴを形成する（図２）。
【００４７】
［第２の実施の形態の素子分離領域構造］
次に、図４の（Ｃ）を参照して、この発明の第２の実施の形態の素子分離領域構造につき説明する。
【００４８】
この第２の実施の形態では、第１シリコン層領域１０６ａの表面に第２シリコン層領域１８を部分的に設けてある。すなわち、第１シリコン層領域１０６ａの中央部に凹部３２を設け、その他の第１シリコン層領域１０６ａの表面を第２シリコン層領域１８で覆っている（図４の（Ｃ））。その他の構成は、上述した第１の実施の形態と同様な構成をしている。したがって、ここでは、詳細な説明を省略する。
【００４９】
［第２の実施の形態の素子分離方法］
次に、図３および図４を参照して、第２の実施の形態の素子分離方法につき説明する。なお、図３の（Ａ）〜（Ｂ）および図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、第２の実施の形態の素子分離領域構造の形成方法を説明するための断面図である。
【００５０】
基板１０上にパッド酸化膜１２および窒化膜パターン１４を順次形成し、その後、熱酸化して窒化膜パターン１４の下側に第１シリコン層領域１０６ａを形成する。ここまでの工程は、上述した第１の実施の形態と同様な工程である。
【００５１】
次に、ウエットエッチングを用いて、図３の（Ｂ）の構造体のパッド酸化膜１２およびフィールド酸化膜１６を同時にエッチングする。このようなエッチングを行うことにより、窒化膜パターン１４の下面にパッド酸化膜１２の一部を残存させかつ埋め込み酸化膜１０４上に第１シリコン層領域１０６ａを突出させる（図４の（Ａ））。
【００５２】
このときの、エッチャントを５重量％ＨＦとし、エッチング時間を約５分程度とする。このようなエッチングを行うことにより、バーズビークはなくなる。
【００５３】
次に、ＣＶＤ法を用いて選択的にエピタキシャル成長させることにより、第１シリコン層領域１０６ａの露出面に第２シリコン層領域１８を形成する（図４のＢ））。
【００５４】
次に、例えば熱りん酸液を用いて窒化膜パターン１４をエッチングし、その後、フッ酸液を用いてパッド酸化膜１２を順次除去する（図４の（Ｃ））。
【００５５】
第２の実施の形態では、第１シリコン層領域の表面全体にではなく、第１シリコン層領域１０６ａの裾部周辺にのみ選択的に第２シリコン層領域１８をエピタキシャル成長させるため、第１の実施の形態に比べ、シラン等のソースガスの消費量を低減することができる。
【００５６】
上述した実施の形態では、基板として、ＳＩＭＯＸ基板を用いたが、何らこの基板に限定されるものではなく、ＳＩＭＯＸ基板の代わりに、例えばはりあわせＳＯＩ基板などのＳＯＩ構造の基板を用いても良い。
【００５７】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この発明の素子分離領域構造および素子分離方法によれば、第１シリコン層領域の表面を第２シリコン層領域で覆ってあるので、第１シリコン層領域の裾ひき部分の膜厚が厚くなる。このため、第１および第２シリコン層領域で構成されているこのＳＯＩ層を用いてＳＯＩ  ＭＯＳＦＥＴを製作した場合、Ｉｄ−Ｖｇ特性のハンプを防止することができる。
【００５８】
また、この発明の素子分離方法では、ＬＯＣＯＳ法を用いて素子分離領域構造を形成するので、従来のＰＥＬＯＸ法に比べて、工程数を４〜５工程低減することが可能となる。したがって、従来に比べ、製品のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第１の実施の形態の素子分離領域構造の形成方法を説明するために供する断面図である。
【図２】この発明の最終工程を経て製作されたＳＯＩ  ＭＯＳＦＥＴ構造を説明するための断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第２の実施の形態の素子分離領域構造の形成方法を説明するために供する断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図３に続く素子分離領域構造の形成方法を説明するために供する断面図である。
【図５】エッチング時間とバーズビーク長の関係を説明するために供する説明図である。
【図６】エッチング時間とバーズビーク長の関係を説明するために供する説明図である。
【符号の説明】
１０：ＳＩＭＯＸ基板
１２：パッド酸化膜
１４：窒化膜パターン
１６：フィールド酸化膜
１８：第２シリコン層領域
２０：ＳＯＩ層
２２ａ：ソース
２２ｂ：ドレイン
２４：ゲート酸化膜
２６：ゲート電極
３０：第１シリコン層領域の裾部
３２：凹部
１０２：シリコン層
１０４：埋め込み酸化膜
１０６：シリコン層
１０６ａ：第１シリコン層領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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