(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置を用いて、前記リードを導電性ろう材によって実装用基板にほぼ垂直に接続した後、前記パッケージを傾かせ前記支持用部材によってその傾斜角度を調整することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記支持用部材は、先端を前記リードの先端と同一高さに保つ支持枠を介しその傾斜角度を調整することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその実装方法並びにそれを用いた電子装置に関し、特に、パッケージが傾いた姿勢で実装用基板に実装される半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の代表として知られているＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）や、Ｓ（Ｓｔａｔｉｃ）ＲＡＭなどのＬＳＩ（半導体集積回路装置）は、集積度の向上につれてますます大容量化の傾向にあり、例えばメモリモジュールカードを初めとする各種電子装置に広範囲に用いられている。
【０００３】
このようなＬＳＩを電子装置に組み込む場合は、配線基板からなる実装用基板を用いてＬＳＩを半田付けにより実装することが行われるが、高実装密度を実現するために、半導体チップを封止した例えば方形状のパッケージを実装用基板に対して垂直に立てて実装することが多くなっている。
【０００４】
例えば、日経ＢＰ社発行、「日経マイクロデバイス」、１９９１年１１月号、Ｐ８１には、そのような実装構造が示されている。このような実装構造によれば空間を利用して多くのパッケージを実装することができるので、ＬＳＩの高密度実装が可能となる。
【０００５】
しかしながら、そのように多くのＬＳＩを実装用基板に垂直に立てて実装するようにした実装構造では、各ＬＳＩ間の空気の流れが各パッケージによって遮られてしまうので、ＬＳＩの放熱効果が悪くなるという弊害が生ずる。
【０００６】
このため、ＬＳＩを各々のパッケージが実装用基板に対して傾けられようにして、空気の流れを改善するようにした実装構造が考えられるようになってきている。
【０００７】
例えば、特開平５−３１５５２１号公報には、垂直位置からパッケージを実装用基板に対して２０°程度傾けて実装するようにした実装構造が示されている。
【０００８】
あるいは、高密度実装とともに、厚さの小さい実装構造が可能となるように半導体チップを実装するようにした考えとして、例えば特開平６−２９１２４８号公報に示されるような実装構造が示されている。この実装構造では、半導体チップを実装用基板に対して２０°程度傾けて実装するようにして、前記のような目的を達成するようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前記のような従来の実装構造では、実装用基板に対してパッケージあるいは半導体チップを２０°程度傾けて高密度実装または厚さの小さい実装構造を可能としているが、この程度の傾斜角度ではメモリモジュールカードのような電子装置を組み立てる場合には、傾斜角度が十分でないので、その厚さを予め決められている規格以下に抑えるのが困難になるという問題がある。
【００１０】
すなわち、前記したような公報に示されている従来の実装構造では、パッケージを傾けるためにパッケージの下端に設けた支持用リードを利用しているので、あるいは半導体チップの下端に設けた半田バンプを利用しているので、２０°以上傾けてより低い実装高さを実現しようとすると、各パッケージあるいは各半導体チップが自重により傾き易くなって安定に保持されにくくなる。このため、傾斜角度を十分に大きくなるように設定するのが難しかった。
【００１１】
また、これに伴い、隣接する半導体装置のパッケージ間でクリアランスを保つことが困難になるので、半導体装置を自動実装しようとすると下側の半導体装置を押し倒すおそれがあるため、自動実装が不可能であった。このため、コストアップが避けられなかった。
【００１２】
本発明の目的は、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１６】
（１）本発明の半導体装置は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出され、前記パッケージが傾いた姿勢で前記リードを介して実装用基板に実装される半導体装置であって、前記パッケージの前記リードが引き出された側面以外の他の側面に、パッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けている。
【００１７】
（２）本発明の半導体装置の実装方法は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置を用いて、実装用基板上で前記支持用部材によって前記パッケージを傾かせた状態に支持して、前記リードを導電性ろう材によって前記実装用基板に接続する。
【００１８】
（３）本発明の半導体装置の実装方法は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置を用いて、前記リードを導電性ろう材によって実装用基板にほぼ垂直に接続した後、前記パッケージを傾かせ前記支持用部材によってその傾斜角度を調整する。
【００１９】
（４）本発明の電子装置は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置が複数個用いられて、各々のパッケージが傾いた姿勢で多段に実装用基板に実装されている。
【００２０】
上述した（１）の手段によれば、本発明の半導体装置は、所望の側面から複数のリードが引き出されたパッケージの前記側面以外の他の側面に、パッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けているので、この支持用部材を用いてパッケージの傾斜角度を任意に設定できる。従って、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。また、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能となる。
【００２１】
上述した（２）の手段によれば、本発明の半導体装置の実装方法は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置を用いて、実装用基板上で前記支持用部材によって前記パッケージを傾かせた状態に支持して、前記リードを導電性ろう材によって前記実装用基板に接続する。これにより、支持用部材を用いてパッケージの傾斜角度を任意に設定できる。従って、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。また、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能となる。
【００２２】
上述した（３）の手段によれば、本発明の半導体装置の実装方法は、パッケージの所望の側面から複数のリードが引き出されるとともに、前記側面以外の他の側面にパッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置を用いて、前記リードを導電性ろう材によって実装用基板にほぼ垂直に接続した後、前記パッケージを傾かせ前記支持用部材によってその傾斜角度を調整する。これにより、支持用部材を用いてパッケージの傾斜角度を任意に設定できる。従って、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。また、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能となる。
【００２３】
上述した（４）の手段によれば、本発明の電子装置は、所望の側面から複数のリードが引き出されたパッケージの前記側面以外の他の側面に、パッケージを傾かせるように支持するための支持用部材を設けた半導体装置が複数個用いられて、各々のパッケージが傾いた姿勢で多段に実装用基板に実装されているので、パッケージの傾斜角度を任意に設定して実装することができる。従って、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。また、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能となる。
【００２４】
以下、本発明について、図面を参照して実施形態とともに詳細に説明する。
【００２５】
なお、実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１による半導体装置を示すもので、ＤＲＡＭのような半導体メモリからなるＬＳＩに適用した例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態１の半導体装置１は、例えばエポキシ樹脂などからなる方形状のパッケージ２に半導体チップが封止されていて、この方形状のパッケージ２の一つの側面２Ａからは、各々半導体チップのいづれかの電極に接続された複数のリード３がガルウィング状に引き出されており、いわゆるＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有している。
【００２７】
パッケージ２の一側面２Ａと直交する他の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからは、各々パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている。各支持用リード４は、長さＬを有し、複数のリード３と支持用リード４との先端は、後述するように同一高さに保たれて、実装用基板に半田付けされて実装される。これにより、各パッケージ２は角度θだけ傾斜した状態で実装されることになる。傾斜角度θは支持用リード４の長さを変えることによって、任意の値をとることができるようになっている。
【００２８】
複数のリード３及び一対の支持用リード４は、予めリードフレームの形で一体化されて形成され、半導体チップのボンディング、ワイヤボンディング、パッケージの樹脂成形が終了した後に、複数のリード３が所望の形状に整形されて、本実施形態１の場合ガルウィング状に整形される。
【００２９】
図４は、このような本実施形態１による半導体装置の製造に用いられるリードフレームの一例を示す平面図である。リードフレーム５は例えばＦｅ−Ｎｉ系合金材料が用いられ、その中央部には半導体チップをボンディングするためのダイパッド６が設けられて、このダイパッド６は吊りリード７を介してタイバー８に支持されている。ダイパッド６の周囲には半導体チップの電極とボンディングワイヤを介して接続される複数のリード３が配置されて、これらリード３の途中部分にはダムバー９が設けられて、各リード３はダムバー９を介してタイバー８に支持されている。
【００３０】
ダイパッド６のリード３の反対側の位置にもダムバー９が設けられている。各リード３のダムバー９の内側の部分はインナーリードとなり、ダムバー９の外側の部分はアウターリードとなって実装用電極として使用される。説明を簡単にするため、リード３の数は限られた数だけ配置した例で示している。
【００３１】
タイバー８の外側には支持用リード４が引き出されて、この支持用リード４は枠１０に結合されている。この支持用リード４はタイバー８に対して角度αだけ傾斜して引き出されており、この支持用リード４を介して各構成部分は枠１０に一体に支持されている。支持用リード４を角度αだけ傾斜してリードフレーム５に形成することにより、後程に支持用リード４を折り曲げて傾斜角度θを望ましい範囲に設定する際の作業を容易に行うことができる。
【００３２】
図５は、リードフレーム５をトランスファーモールド装置にセットして、樹脂成形により方形状のパッケージ２を形成した後の構造を示している。この樹脂成形は、図４のダイパッド６に半導体チップをボンディングし、この半導体チップの電極と複数のリード３との間でワイヤボンディングが終了した後に行われ、ダムバー９の内側の領域にある半導体チップ、ボンディングワイヤ及び複数のリード３のインナーリードとなる部分が例えばエポキシ樹脂などからなる方形状のパッケージ２によって封止される。
【００３３】
次に、図６に示すように、タイバー８、ダムバー９及び枠１０をカットすることにより、方形状のパッケージ２の一つの側面２Ａからは、各々半導体チップのいづれかの電極に接続された複数のリード３が引き出されるとともに、パッケージ２の一側面２Ａと直交する他の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからは、各々一対の支持用リード４が引き出された構造が得られる。
【００３４】
続いて、複数のリード３をガルウィング状に整形するとともに、一対の支持用リード４を根元の位置から折り曲げることにより、図１（ａ）、（ｂ）に示すような半導体装置１が得られる。
【００３５】
このような半導体装置１では、パッケージ２の二つの側面２Ｂ、２Ｃから引き出されている一対の支持用リード４によって、常にパッケージ２が十分に大きな傾斜角度θで安定して傾いた姿勢に保持されるので、複数の半導体装置１を実装用基板に実装する場合に、隣接する半導体装置１のパッケージ間でクリアランスを保つことが容易になる。従って、先に実装されている下側の半導体装置を押し倒すおそれはなくなるので、自動実装が可能となる。
【００３６】
以上のような本実施形態１による半導体装置１によれば、次のような効果が得られる。
【００３７】
（１）一つの側面２Ａから複数のリード３が引き出されたパッケージ２の前記側面２Ａ以外の他の側面２Ｂ、２Ｃから、パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されているので、この支持用リード４によってパッケージ２の傾斜角度θを任意に設定できる。従って、半導体装置１をパッケージ２を傾けて高密度実装する場合に、パッケージ２の傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。
【００３８】
（２）半導体装置１をパッケージ２を傾けて高密度実装する場合に、半導体装置１の自動実装が可能となる。
【００３９】
（実施形態２）
図２は本発明の実施形態２による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態２による半導体装置１は、方形状のパッケージ２の一つの側面２ＡからＪリード状の複数のリード３を引き出した例を示すものである。また、パッケージ２の一側面２Ａと直交する他の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからは、各々パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている。
【００４０】
各支持用リード４は、実施形態１と同様に長さＬを有し、複数のリード３と支持用リード４との先端は、後述するように同一高さに保たれて、実装用基板に半田付けされて実装される。これにより、各パッケージ２は角度θだけ傾斜した状態で実装されることになる。傾斜角度θは支持用リード４の長さを変えることによって、任意の値をとることができるようになっている。
【００４１】
Ｊリード状の複数のリード３は、実施形態１による半導体装置１と同様に、複数のリード３及び一対の支持用リード４が予め一体化されて形成されたリードフレーム５を用いて、半導体チップのボンディング、ワイヤボンディング、パッケージの樹脂成形が終了した後に、整形されることにより形成される。
【００４２】
以上のような本実施形態２による半導体装置１によれば、実施形態１に比較して、パッケージ２の一つの側面２Ａから引き出される複数のリード３の形状が異なるだけで、パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている構造は同じなので、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
【００４３】
（実施形態３）
図３は本発明の実施形態３による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態３による半導体装置１は、方形状のパッケージ２の一つの側面２Ａからジグザグ（Ｚｉｇｚａｇ）状の複数のリード３を引き出した例を示すものである。また、パッケージ２の一側面２Ａと直交する他の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからは、各々パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている。
【００４４】
各支持用リード４は、実施形態１と同様に長さＬを有し、複数のリード３と支持用リード４との先端は、後述するように同一高さに保たれて、実装用基板に半田付けされて実装される。これにより、各パッケージ２は角度θだけ傾斜した状態で実装されることになる。傾斜角度θは支持用リード４の長さを変えることによって、任意の値をとることができるようになっている。
【００４５】
ジグザグ状の複数のリード３は、実施形態１による半導体装置１と同様に、複数のリード３及び一対の支持用リード４が予め一体化されて形成されたリードフレーム５を用いて、半導体チップのボンディング、ワイヤボンディング、パッケージの樹脂成形が終了した後に、整形されることにより形成される。
【００４６】
以上のような本実施形態３による半導体装置１によれば、実施形態１に比較して、パッケージ２の一つの側面２Ａから引き出される複数のリード３の形状が異なるだけで、パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている構造は同じなので、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
【００４７】
（実施形態４）
図７は本発明の実施形態４による電子装置の主要部を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態４による電子装置１１は、例えば実施形態１による半導体装置１を複数個用いて、各々のパッケージ２を傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装して組み立てた例を示すものである。
【００４８】
例えば樹脂、セラミックなどからなる実装用基板１２の表面には所望のパターンの配線１３が形成されており、各半導体装置１は複数のリード３及び一対の支持用リード４の先端が同一高さに保たれて、リード３及び一対の支持用リード４が対応した配線１３に半田付けされる。なお、支持用リード４の先端は半田付けしないで単に支持されているだけでも良い。
【００４９】
この場合、各半導体装置１のパッケージ２は、各々が支持用リード４を介して相互に一定のスペースを保持して傾いた姿勢で多段に実装用基板１０に実装されている。各々のパッケージ２の傾斜角度θは支持用リード４の長さを変えることにより、任意の値に設定することができる。少なくとも、従来例のように２０°程度に制約されることなく、２０°以上の十分な大きさに設定することが可能になっている。
【００５０】
なお、各半導体装置１を実装用基板１０に実装する場合、図７（ａ）に示すように、複数のリード３のうち特定のリード３ａ（例えば、ＲＡＳ、ＣＡＳなどのチップセレクト用のリード）のみを、実装用基板１０に設けたスルーホール配線２６に接続するようにすることができる。
【００５１】
図８は、半導体装置１の実装方法の具体例を示すもので、まず（ａ）に示すように、予め半導体装置１を収納するための底面１４ａが傾斜している収納孔１４が複数個設けられた絶縁性材料からなる収納トレー（収納容器）１５を用いて、各収納孔１４に半導体装置１を収納する。この場合、収納孔１４の底面１４ａの傾斜角度を半導体装置１のパッケージ２の傾斜角度θに一致するように設定しておけば、各パッケージ２の表面を平坦に保持した状態で各半導体装置１を収納することができる。
【００５２】
次に、図８（ｂ）に示すように、吸着面１６ａが平坦な真空チャック１６を用いて、その吸着面１６ａを平坦に保持されているパッケージ２の表面に接触して半導体装置１を吸引した状態で、実装用基板１２に移動してマウント（配置）する。実装用基板１２の配線１３には予めクリーム半田が付着されていて、半導体装置１のリード３あるいは支持用リード４は対応した配線１３上に位置決めされる。続いて、同様な操作を繰り返して、順次に複数個の半導体装置１を実装用基板１２にマウントするようにする。このような真空チャック１６によるマウントは、予め半導体装置１を位置決めする実装用基板１２上の位置を決定しておくことにより、自動的に行わせることが可能となる。
【００５３】
続いて、実装用基板１２をリフロー炉を通過させることにより、クリーム半田が溶融して各リード３あるいは支持用リード４は配線１３に接続されるので、各半導体装置１はパッケージ２が傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装されて電子装置１１が組み立てられる。半導体装置１として、図２に示したようなＪリード状の複数のリード３を引き出したもの、あるいは図３に示したようなジグザグ状の複数のリード３を引き出したものを用いても、同様な電子装置１を組み立てることができる。
【００５４】
図９は、半導体装置１の実装方法の他の具体例を示すもので、まず（ａ）に示すように、予め半導体装置１を傾斜して収納する収納孔２９が複数個設けられた絶縁性材料からなる収納トレー（収納容器）２８を用いて、各収納孔２９に半導体装置１を収納する。
【００５５】
次に、図９（ｂ）に示すように、吸着面２７ａが傾斜している真空チャック２７を用いて、その吸着面２７ａを傾斜して保持されているパッケージ２の表面に接触して半導体装置１を吸引した状態で、実装用基板１２に移動してマウント（配置）する。
【００５６】
以降は、図８（ａ）、（ｂ）に準じた方法により半田付け処理を施すことによって、各半導体装置１をパッケージ２が傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装して電子装置１１を組み立てる。
【００５７】
図１０は、このようにして組み立てられた電子装置１１の一例として、メモリモジュールカードを示すものである。ＤＲＡＭなどからなる複数の半導体装置１は傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装されて、絶縁性のカードケース１７に収納される。１８は駆動用半導体装置（ＬＳＩ）で、実装用基板１２から引き出された電気接点はソケット１９を介して、このメモリモジュールカードを装着すべき機器本体に接続可能になっている。
【００５８】
このような電子装置１１では、パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている半導体装置１が複数個用いられて、傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装されているので、パッケージ２の傾斜角度を任意に設定して実装することができる。従って、傾斜角度を十分に大きくとれるので、メモリモジュールカードのような電子装置１１を組み立てる場合に、その厚さを予め決められている規格以下に抑えるのが容易になる。
【００５９】
また、一対の支持用リード４によって、常にパッケージ２が十分に大きな傾斜角度で安定して傾いた姿勢に保持されるので、複数の半導体装置１を実装用基板１２に実装する場合に、隣接する半導体装置１のパッケージ２間でクリアランスを保つことが容易になる。従って、先に実装されている下側の半導体装置１を押し倒すおそれはなくなるので、自動実装が可能となる。
【００６０】
さらに、半導体装置１を実装するに際して、底面１４ａが傾斜している収納孔１４が複数個設けられた収納トレー１５を用いて、半導体装置１をパッケージ２の表面を平坦に保持した状態で収納するようにしたので、吸着面１６ａが平坦な真空チャック１６を用いて半導体装置１を実装用基板１２にマウントできるため、実装作業を簡単に行うことができて、実装効率が向上する。
【００６１】
同様にして、収納孔２９が複数個設けられた収納トレー２８を用いて、半導体装置１を傾斜して保持した状態で収納するようにしたので、吸着面２７ａが傾斜した真空チャック２７を用いて半導体装置１を実装用基板１２にマウントできるため、実装作業を簡単に行うことができて、実装効率が向上する。
【００６２】
以上のような本実施形態４による電子装置によれば、次のような効果が得られる。
【００６３】
（１）パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されている半導体装置１が複数個用いられて、傾いた姿勢で多段に実装用基板１２に実装されているので、パッケージ２の傾斜角度を任意に設定して実装することができる。従って、半導体装置１をパッケージ２を傾けて高密度実装する場合に、パッケージ２の傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。
【００６４】
（２）半導体装置１をパッケージ２を傾けて高密度実装する場合に、半導体装置１の自動実装が可能となる。
【００６５】
（３）半導体装置１を実装して電子装置１１を組み立てる場合、半導体装置１を収納するための底面１４ａが傾斜している収納孔１４が設けられた収納トレー１５、あるいは半導体装置１を傾斜して収納する収納孔２９が複数個設けられた収納トレー２８と、その半導体装置１をマウントするための吸着面１６ａが平坦な真空チャック１６、あるいは吸着面２７ａが傾斜した真空チャック２７とを組み合わせて用いて実装を行うことにより、実装効率が向上する。
【００６６】
（実施形態５）
図１１は本発明の実施形態５による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態５による半導体装置１は、方形状のパッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃから支持用リード４に代えてリード片４Ａを引き出した例を示すものである。
【００６７】
前記各実施形態による半導体装置１のパッケージ２から引き出される支持用リード４は、図４に示したリードフレーム５の形状のように必ずしも一体に形成する必要はなく、基本的に、半導体装置１を実装する場合にパッケージ２を傾かせるような働き（機能）を有していれば良い。
【００６８】
図１２はそのような用途に用いられるリードフレーム５を示すもので、（ａ）に示すように予め支持用リード４をタイバー８に対して傾斜させることなくストレートに引き出しておき、次に、（ｂ）に示すように、支持用リード４の根元部分だけを残して他の部分をカットすることにより、リード片４Ａのみをリードフレーム５に形成しておく。そして、このような形状のリードフレーム５を用いて、半導体チップのボンディング、ワイヤボンディング、パッケージ２の樹脂成形を行って、図１１に示すように、例えばガルウィング状の複数のリード３を有する半導体装置１を製造する。
【００６９】
図１３は、このような半導体装置１を複数個用いて実装用基板１２に実装した構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。実装用基板１２には予めスペーサとして働く一対の支持枠２０を固定しておいて、これら支持枠２０上にリード片４Ａを支持させるように位置決めした状態で各半導体装置１のリード３を対応した配線１３に半田付けする。
【００７０】
まず、図１４（ａ）に示すように、半導体装置１のリード３及びパッケージ２を、ほぼ垂直に保持した状態で各リード３を実装用基板１２上の対応した配線１３に半田付けする。次に、図１４（ｂ）に示すように、リード３を支持枠２０の方向に湾曲させることにより、パッケージ２のリード片４Ａを支持枠２０に接触させる。これにより、パッケージ２は傾斜した状態で実装されることになる。
【００７１】
このような実装方法によれば、パッケージ２におけるリード３とリード片４Ａの高さ位置が異なっているので、パッケージ２を傾かせて実装することができ、支持枠２０によってパッケージ２の傾斜角度θを任意に設定できる。支持枠２０の材料は、絶縁性あるいは導電性のいづれでも良く、支持枠２０の固定は絶縁性接着剤あるいは導電性接着剤を用いて行う。また、各リード片４Ａと支持枠２０との間を接着剤を介して固定するようにしても良い。
【００７２】
以上のような本実施形態５による半導体装置１によれば、実施形態１に比較して、パッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからリード片４Ａを引き出し、実装用基板１２に実装する場合には、支持枠２０を用いてこれによってリード片４Ａを支持してパッケージ２を傾かせて実装するようにしたので、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
【００７３】
（実施形態６）
図１５は本発明の実施形態６による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。本実施形態６による半導体装置１は、方形状のパッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃから支持用リード４に代えて樹脂片４Ｂを引き出した例を示すものである。
【００７４】
実施形態５においては、支持用リード４に代えてリード片４Ａを引き出した例を示したが、本実施形態６においては、パッケージ２をトランスファモールドするときに型の一部を変えることにより、同時に樹脂片４Ｂも形成するようにして、リード片４Ａと同様な機能を持たせるようにする。そして、半導体装置１を複数個用いて実装用基板１２に実装する場合には、図１３（ａ）、（ｂ）に示した構造と同様に、支持枠２０を利用して行うようにする。
【００７５】
以上のような本実施形態６による半導体装置１によれば、実施形態１に比較して、パッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃから樹脂片４Ｂを引き出し、実装用基板１２に実装する場合には、支持枠２０を用いてこれによって樹脂片４Ｂを支持してパッケージ２を傾かせて実装するようにしたので、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
【００７６】
（実施形態７）
図１６は本発明の実施形態７による半導体装置を示す平面図である。本実施形態７による半導体装置１は、方形状のパッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃから支持用リード４を引き出して、この支持用リード４の一端を半導体チップの特定の電極に接続するとともに、その他端を実装用基板の対応した配線に接続するようにした例を示すものである。
【００７７】
このような構造は、特にＤＲＡＭのような半導体メモリからなるＬＳＩに適用して効果的となる。すなわち、半導体メモリにおいてチップに設けられている複数の電極のうち、特に電源またはグランド、あるいはチップセレクト用（ＲＡＳ、ＣＡＳなど）の各電極を他の電極に対して支持用リード４を介してパッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃから外部に引き出すことにより、デザイン上有利な構造とすることができる。例えば、支持用リード４の一端と半導体チップ２３の電源用電極２１との間にワイヤ２２をボンディングして接続するようにする。
【００７８】
図１７は本実施形態７による半導体装置１を、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）構造で実現した構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。例えば電源用電極２１とボンディングワイヤ２２を通じて接続される支持用リード４は、絶縁膜２４を介して半導体チップ２３の表面と接している。
【００７９】
また、図１８は本実施形態７による半導体装置１を、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ  ＯｎＬｅａｄ）構造で実現した構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。例えば電源用電極２１とボンディングワイヤ２２を通じて接続される支持用リード４は、絶縁膜２４を介して半導体チップ２３の裏面と接している。
【００８０】
以上のような本実施形態７による半導体装置１によれば、実施形態１と同様に、一つの側面２Ａから複数のリード３が引き出されたパッケージ２の他の側面２Ｂ、２Ｃから、パッケージ２を傾かせるように支持する一対の支持用リード４が引き出されているので、実施形態１と同様な効果を得ることができるとともに、支持用リード４を半導体チップの特定の電極の引き出しリードとして利用できるので、デザイン上有利となる。
【００８１】
（実施形態８）
図１９は本発明の実施形態８による電子装置の主要部を示す側面図である。本実施形態８による電子装置１１は、実施形態５によって得られた図１１（ａ）、（ｂ）の半導体装置１において、リード片４Ａと半導体チップの特定の電極例えば電源用電極２１との間にワイヤ２２をボンディングするとともに、各半導体装置１に対応して独立した導電性支持枠２５を用いて、複数個の半導体装置１を実装用基板１２に実装するようにしたものである。
【００８２】
各リード片４Ａと各導電性支持枠２５との間は半田、導電性接着剤などにより接続するとともに、各導電性支持枠２５を実装用基板１２の対応した配線１３に半田付けする。
【００８３】
以上のような本実施形態８による電子装置１１によれば、実施形態５と同様に、パッケージ２の二つの側面２Ｂ及び２Ｃからリード片４Ａを引き出し、実装用基板１２に実装する場合には、導電性支持枠２５を用いてこれによってリード片４Ａを支持してパッケージ２を傾かせて実装するようにしたので、実施形態１と同様な効果を得ることができ、またリード片４Ａを半導体チップの特定の電極と接続して導電性支持枠２５を介して実装用基板１２に接続するようにしたので、実施形態７と同様な効果を得ることができる。
【００８４】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００８５】
例えば、前記実施形態ではパッケージから引き出される複数のリードは限られた形状の例で説明したが、特定の形状に限ることなく、すべての形状のリードに適用可能である。
【００８６】
また、支持用リードのような支持用部材は必ずしも実装用基板で支持させることなく、実装用基板に傾いて実装されている隣の半導体装置のパッケージによって支持させるようにしても良い。
【００８７】
さらに、前記実施形態では複数個の半導体装置を実装用基板に実装して電子装置を組み立てる場合は、実装用基板の一方向に沿って各半導体装置を配置した例で示したが、これに限らず各半導体装置は平面内の任意の方向に沿って配置するようにしても良い。
【００８８】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではない。本発明は、少なくとも平坦なパッケージを有する複数の回路素子を実装用基板に高実装密度で実装することを条件とするものには適用できる。
【００８９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【００９０】
所望の側面から複数のリードが引き出されたパッケージの前記側面以外の他の側面から、パッケージを傾かせるように支持する支持用リードが引き出されているので、この支持用リードによってパッケージの傾斜角度を任意に設定でき、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、パッケージの傾斜角度を十分に大きくなるように設定して実装構造の厚さを小さく抑えることが可能となる。また、半導体装置をパッケージを傾けて高密度実装する場合に、半導体装置の自動実装が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の実施形態２による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】本発明の実施形態３による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の実施形態１による半導体装置の製造に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態１による半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態１による半導体装置の製造方法の他の工程を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態４による電子装置の主要部を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図８】本発明の各実施形態による半導体装置の実装方法の具体例を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。
【図９】本発明の各実施形態による半導体装置の実装方法の他の具体例を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。
【図１０】本発明の実施形態４による電子装置の具体例を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態５による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１２】本発明の実施形態５による半導体装置の製造に用いられるリードフレームを示すもので、（ａ）及び（ｂ）は平面図である。
【図１３】本発明の実施形態５による半導体装置を実装用基板に実装した構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１４】本発明の実施形態５による半導体装置を実装用基板に実装する例を示すもので、（ａ）および（ｂ）は断面図である。
【図１５】本発明の実施形態６による半導体装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１６】本発明の実施形態７による半導体装置を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施形態７による半導体装置を実現するＬＯＣ構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１８】本発明の実施形態７による半導体装置を実現するＣＯＬ構造を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１９】本発明の実施形態８による電子装置の主要部を示す側面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…パッケージ、２Ａ…パッケージの一つの側面、２Ｂ、２Ｃ…パッケージの他の側面、３…リード、３ａ…特定のリード、４…支持用リード、４Ａ…リード片、４Ｂ…樹脂片、５…リードフレーム、６…ダイパッド、７…吊りリード、８…タイバー、９…ダムバー、１０…枠、１１…電子装置、１２…実装用基板、１３…配線、１４、２９…収納孔、１４ａ…収納孔の底面、１５、２８…収納トレー（収納容器）、１６、２７…真空チャック、１６ａ、２７ａ…吸着面、１７…カードケース、１８…駆動用半導体装置、１９…ソケット、２０…支持枠、２１…電源用電極、２２…ボンディングワイヤ、２３…半導体チップ、２４…絶縁膜、２５…導電性支持枠、２６…スルーホール配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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