(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシックなマイクロレーザキャビティであって、
活性レーザ媒質と、
前記活性レーザ媒質にポンピングビームを入力するポンプ入力手段と、
前記マイクロレーザキャビティの入口及び出口の各々に配置された第１、第２球面ミラーとを備え、
前記第１、第２球面ミラーの各々は、前記活性レーザ媒質中におけるポンピングビームの寸法を定義する焦点距離を有し、
前記第１球面ミラーが前記活性レーザ媒質の中に前記ポンピングビームを集光するとともに前記第２球面ミラーが前記活性レーザ媒質の通過後に吸収されなかった前記ポンピングビームのエネルギーを前記活性レーザ媒質の中に反射して再度集光させ、前記第２球面ミラーが前記活性レーザ媒質中において発振しているレーザビームの寸法以下の寸法に前記ポンピングビームを集光させることにより前記ポンピングビームを前記活性レーザ媒質中で発振している前記レーザビームに全体的に重畳させ、前記マイクロレーザキャビティの動作効率を向上させるように、前記第１、第２球面ミラーの前記焦点距離が与えられたミラーの間隔及び活性レーザ媒質に対して設定されている
ことを特徴とするモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２】
前記マイクロレーザキャビティの入口の前記第１球面ミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の透過係数を有し、前記マイクロレーザキャビティにより放射される前記レーザビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項１記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項３】
前記マイクロレーザキャビティの出口の前記第２球面ミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項１又は２記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項４】
低動作電圧の電気−光学的なスイッチング要素をさらに具備することを特徴とする請求項１又は２記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項５】
前記活性レーザ媒質は４準位媒質であることを特徴とする請求項１又は２記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項６】
前記活性レーザ媒質は３準位媒質であり、前記第１、第２球面ミラーの前記焦点距離は前記ポンピングビームの寸法が前記活性媒質中のレーザビームの寸法に実質的に等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項１又は２記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項７】
前記活性レーザ媒質は前記ポンピングビームの方向に３００μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１又は２記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項８】
請求項１又は２記載のモノシリックなマイクロレーザキャビティと、
前記マイクロレーザキャビティをポンピングする手段と
を具備することを特徴とするマイクロレーザ。
【請求項９】
モノリシックなマイクロレーザキャビティであって、
活性レーザ媒質と、
前記活性レーザ媒質にポンピングビームを入力するポンプ入力手段と、
前記マイクロレーザキャビティの入口及び出口の各々に配置された第１、第２フレネルミラーとを備え、
前記第１、第２フレネルミラーの各々は、前記活性レーザ媒質中におけるポンピングビームの寸法を定義する焦点距離を有し、
前記第１フレネルミラーが前記活性レーザ媒質の中に前記ポンピングビームを集光するとともに前記第２フレネルミラーが前記活性レーザ媒質の通過後に吸収されなかった前記ポンピングビームのエネルギーを前記活性レーザ媒質の中に反射して再度集光させ、前記第２フレネルミラーが前記活性レーザ媒質中において発振しているレーザビームの寸法以下の寸法に前記ポンピングビームを集光させることにより前記ポンピングビームを前記活性レーザ媒質中で発振している前記レーザビームに全体的に重畳させ、前記マイクロレーザキャビティの動作効率を向上させるように、前記第１、第２フレネルミラーの前記焦点距離が与えられたミラーの間隔及び活性レーザ媒質に対して設定されている
ことを特徴とするモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１０】
前記マイクロレーザキャビティの入口の前記第１フレネルミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の透過係数を有し、前記マイクロレーザキャビティにより放射される前記レーザビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項９記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１１】
前記マイクロレーザキャビティの出口の前記第２フレネルミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項９又は１０記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１２】
低動作電圧の電気−光学的なスイッチング要素をさらに具備することを特徴とする請求項９又は１０記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１３】
前記活性レーザ媒質は４準位媒質であることを特徴とする請求項９又は１０記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１４】
前記活性レーザ媒質は３準位媒質であり、前記第１、第２フレネルミラーの前記焦点距離は前記ポンピングビームの寸法が前記活性媒質中のレーザビームの寸法に実質的に等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項９又は１０記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１５】
前記活性レーザ媒質は前記ポンピングビームの方向に３００μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項９又は１０記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１６】
請求項９又は１０記載のモノシリックなマイクロレーザキャビティと、
前記マイクロレーザキャビティをポンピングする手段と
を具備することを特徴とするマイクロレーザ。
【請求項１７】
モノリシックなマイクロレーザキャビティであって、
活性レーザ媒質と、
前記活性レーザ媒質にポンピングビームを入力するポンプ入力手段と、
前記マイクロレーザキャビティの入口及び出口の各々に配置された第１、第２ホログラフミラーとを備え、
前記第１、第２ホログラホログラフミラーの各々は、前記活性レーザ媒質中におけるポンピングビームの寸法を定義する焦点距離を有し、
前記第１ホログラフミラーが前記活性レーザ媒質の中に前記ポンピングビームを集光するとともに前記第２ホログラフミラーが前記活性レーザ媒質の通過後に吸収されなかった前記ポンピングビームのエネルギーを前記活性レーザ媒質の中に反射して再度集光させ、前記第２ホログラフミラーが前記活性レーザ媒質中において発振しているレーザビームの寸法以下の寸法に前記ポンピングビームを集光させることにより前記ポンピングビームを前記活性レーザ媒質中で発振している前記レーザビームに全体的に重畳させ、前記マイクロレーザキャビティの動作効率を向上させるように、前記第１、第２ホログラフミラーの前記焦点距離が与えられたミラーの間隔及び活性レーザ媒質に対して設定されている
ことを特徴とするモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１８】
前記マイクロレーザキャビティの入口の前記第１ホログラフミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の透過係数を有し、前記マイクロレーザキャビティにより放射される前記レーザビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項１７記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項１９】
前記マイクロレーザキャビティの出口の前記第２ホログラフミラーは、前記ポンピングビームの波長では最大の反射係数を有することを特徴とする請求項１７又は１８記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２０】
低動作電圧の電気−光学的なスイッチング要素をさらに具備することを特徴とする請求項１７又は１８記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２１】
前記活性レーザ媒質は４準位媒質であることを特徴とする請求項１７又は１８記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２２】
前記活性レーザ媒質は３準位媒質であり、前記第１、第２ホログラフミラーの前記焦点距離は前記ポンピングビームの寸法が前記活性媒質中のレーザビームの寸法に実質的に等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項１７又は１８記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２３】
前記活性レーザ媒質は前記ポンピングビームの方向に３００μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１７又は１８記載のモノリシックなマイクロレーザキャビティ。
【請求項２４】
請求項１７又は１８記載のモノシリックなマイクロレーザキャビティと、
前記マイクロレーザキャビティをポンピングする手段と
を具備することを特徴とするマイクロレーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体の光学的なポンピングマイクロレーザの分野に関する。マイクロレーザ（microlaser）は、レーザ材料が固体であるレーザである。レーザキャビティ（laser cavity）の増幅器を形成する固体は、光源（光学的ポンピング；optical pumping）によって励起される。それは、結晶（ドープされた酸化物結晶、半導体結晶、その他）又はアモルファス（ガラス）であり得る。ポンピング光子は、不純物の形でドープすることによって固体の中に導入された、又は固体の構成要素である活性レーザ中心に吸収される。マイクロレーザにおいては、レーザ媒質は、縦方向にポンピングされる。すなわち、ポンピンング源は、レーザの軸上に配され、ポンピングビームの軸は、レーザビームの軸と同じである。
【０００２】
マイクロレーザは、小さな寸法の単一のブロックであり、占有容積は、約１［ｍｍ3］あるいはそれ以下である。この小さな寸法により、コヒーレントな光源として多数のシステムの中に集積することが可能である。マイクロレーザの全ての部品は、単一のモノリシックな部品を形成するような種々の方法で組み立てられる。このモノリシックな構造により、マイクロレーザは、小さく、強固で、簡単な光源であり、非常に信頼性がある。
【０００３】
マイクロレーザの重要な特徴の１つは、製造コストが低いことである。マイクロレーザは容易に大量生産できるので、安価な光源である。マイクロレーザは、異なる複数の工程に従って、異なる厚さ及び種類の複数の層を重ね合わせて組み立てたものである。レーザ材料は基板を構成し得る。プレーナ製造方法を用いて、小さな、薄いプレートが処理され、非常に多くの単体に切断される。このように、数百ミクロン及び直径が数インチのプレートにより、数千のレーザが提供される。単一のレーザ材料インゴットを用いると、数万のマイクロレーザを得ることが可能である。この大量生産により非常に低コストになり、これはマイクロレーザの一つの特徴である。さらに、このコストにポンピング光源のコストが加えられなければならない。
【０００４】
【従来の技術】
２枚の平面鏡を備えた共振キャビティを用いたマイクロレーザが知られており、マイクロレーザの２つの磨かれた端面を形成する。この構造の問題は、２枚の平面鏡を備えたキャビティが幾何学的に不安定であるということである。安定性は表れるが、これは温度に対する材料の指標の変化の影響、及び、温度と材料の利得による影響とに関して増加する、圧力に関する指標の変化の影響による。これらの全ての影響は、ポンピングビームの軸に沿って発生する。最初の２つの影響は、レーザ材料の加熱に関連付けられており、材料の指標の局所的な上昇により、光学的ガイドを形成せしめ得る。半導体レーザにおいて勝っている第３のものは、ポンピングレーザを充分ガイドし得る。これら全ての影響の問題の一つは、それらを制御するのが困難であるということである。
【０００５】
図８に示されているように、マイクロレーザ上に凸面を入口あるいは出口の一方に作ることにより、安定なキャビティを形成することも可能である。２はマイクロレーザの活性媒質、６は出力ミラー、４は凹面の入力ミラーを示している。ミラーはレーザ材料の研磨面の上に誘電体を堆積することにより得られる。ポンピングビーム８は、凸面を有する側からレーザ媒質に入り、レーザビーム１０は、レーザ媒質の平らな面から取り出される。凸面はマイクロレーザの大量生産では制御するのが困難な研磨により、あるいは、大量生産でより容易に実行可能なエッチングにより得られる。これらの半球型キャビティを用いて測定されたレーザ動作閾値は、平面−平面型キャビティのマイクロレーザの場合よりも低い。半球型キャビティを用いることにより、よりよい変換効率を有し、連続動作するマイクロレーザを得ることが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一面が平らでもう一面が凹面であるキャビティによって生ずる問題は、この構造において比較的低い性能の材料及び／又は低いパワーポンピング手段を用いた場合、マイクロレーザの製造が可能でないということである。一般的に、一面が平らでもう一面が凹面であるキャビティによって得られる効率レベルは不十分である。
【０００７】
本発明の目的は、マイクロレーザの動作効率の向上を可能にする、マイクロレーザに対するキャビティ構造を提案することであり、特に比較的低い性能の材料での、及び／又は、低いパワーポンピング手段でのマイクロレーザの製造を可能とすることである。さらに、この構造は、大量生産、すなわち、マイクロレーザに関連して知られている低いコストの製造工程に適合するものでなければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明は、活性レーザ媒質と、キャビティの入口及び出口に配置された球面ミラー、フレネルミラー、及びホログラフミラー（以下、これらを反射手段ともいう）の何れかとを備えるモノリシックなマイクロレーザキャビティに関し、活性レーザ媒質中においてポンピングビームの寸法がレーザビームの寸法以下の寸法となるよう集光され、活性レーザ媒質中でポンピングビームがレーザビームに全体的に重畳されるように上記反射手段の焦点距離が設定されていることを特徴とする。
このように、ポンピングビームとレーザビームとを熱効果に無関係に、形成することを可能にする構造が得られ、それは、キャビティを安定化し、レーザ材料の中のレーザビームの有効な容積の中のポンピングビームの吸収の観点からマイクロレーザの動作効率を最適化することができる。このことは、ポンピングビームとレーザビームとの重畳に関連する抽出効率の向上を導く。
【０００９】
ポンピングビーム吸収効率を向上させるため、したがってさらに装置の効率を改良するために、出口の反射手段はポンピングビームの波長においては最大の反射係数を有するという具合に処理され、入口の反射手段は、ポンピングビームの波長においては最大の透過係数を有するとともに、レーザビームの波長においては最大の反射係数を有するという具合に処理され得る。したがって、吸収される総光量は、さらに増加される。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、前記反射手段は、球面のミラー（それの曲率半径は、ポンピングビームの寸法が、活性媒体の中のレーザビームの寸法以下になるという具合に計算される）である。
本発明によって解かれる第２の問題は、球面ミラー型の光学的な部品が、曲率半径に依存するのみである焦点特性を有しているということである。波長の関数として反射手段の焦点距離を変更できるということは、所定の場合には有利となり得る。この問題は、反射手段としてフレネル型の回折ミラーあるいはホログラフミラーを用いることによって解決される。
追加の問題は、能動あるいは受動の切り換えられたモードキャビティ(an active or passive switched mode cavity)であり得る。
【００１１】
したがって、上述され、しかし能動の切り換えられたモードで動作する型のキャビティを作成するために、上記キャビティは、電気−光学的な取り外し部あるいは解除部(trip or release)を一体化することもできる。そのような取り外し部あるいは解除部は、マイクロレーザに関連して知られているが、それらは、約１０００ボルトの高い動作電圧で動作する。本発明によるマイクロレーザにおいて用いられるときには、動作電圧は、約１００ボルトに低減することができる。
【００１２】
活性レーザ媒質は、４準位型であり得る。それは、また、３準位型であり得て、キャビティの反射手段は、ポンピングビームの寸法が活性媒質の中のレーザビームの寸法に実質的に等しいという具合に寸法を与えられる。
本発明の利点の一つは、ポンピングビーム方向に制限された厚み（≦３００［μｍ］）の活性媒体を具備するマイクロレーザの製造を可能にするということである。
【００１３】
最後に、本発明は、前述のようなキャビティと、前記キャビティのためのポンピング手段とを具備するマイクロレーザにも関連する。
本発明の特徴と利点は、非制限的な実施形態の次の記載に照らし、付属の図面を参照して、より明かとなろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態を図１を参照して説明する。図１において、１２はマイクロレーザの活性媒質、１４，１６はそれの入口面と出口面とを示している。１８はポンピングビーム（pumping beam）であり、２０はレーザビームである。入口面１４及び出口面１６は凸形であり、誘電体被覆を堆積することにより、上記入口と出口との面のそれぞれの上に球面のミラーを形成することができる。
【００１５】
得られたミラーはポンピングビーム１８とレーザビーム２０との波長において、異なる反射特性と透過特性とを有する２色性ミラー（dichroic mirrors）であることが好ましい。入力及び出力ミラー各々は、活性材料１２の中のポンピングビームの寸法が、同じ材料中のレーザビームの寸法以下になる（いわゆる重複条件;so-called overlap condition）ように決定される曲率半径を有する。
【００１６】
マイクロレーザの変換効率の要因の一つである、吸収ポンピングエネルギ量は、幾つかの影響によって決定される。すなわち、レーザ材料の吸収特性及びポンピングビームによって横断される材料長である。吸収されるポンピングエネルギ量は、αがレーザ材料の吸収係数であり、ｌが横断材料長であるとき、ｅｘｐ（−αｌ）に比例する。
【００１７】
固定された材料に対しては、長さｌが長ければ長いほど、吸収効率はより良くなる。しかしながら、長さが極めて長い場合は意味がない。なぜならば、ある点から、エネルギは既にほとんど全部吸収されているので、長さが長くなっても、吸収は無視できる。
レーザモードとポンピングビームとの重複の作用は、レーザの型、３又は４準位、あるいは中間のレーザシステムの作用と同じような重要性を有していない。
【００１８】
図２に示されるように、ある材料は、レーザ動作原理において４スペクトルエネルギ準位（four spectroscopic energy levels）、すなわち、基本準位０、及び３つの励起準位１，２，３を伴っている。ポンピング光子は、基本準位と最高励起準位（３）との間で吸収される。この準位に励起された活性中心は、直下の準位（２）に下方遷移される。誘導放出による活性中心の放射性の下方遷移の結果として、この準位と基本準位の上の準位（１）との間でレーザ効果が生ずる。したがって、吸収現象に対する２つの準位（０及び３）と、誘導放出現象に対する２つの準位（１及び２）とは独立である。ポンプ（pump）の吸収とレーザ放射は、相互作用しない。
【００１９】
図３（ａ），３（ｂ）に示されるように、ポンピングビーム２２が、完全にレーザモード２４に含まれている（“良い”重複）ときには、全てのポンピングエネルギは、レーザの有効体積の中に吸収される。利得による導波効果とポンピングビームによる加熱による寄生熱効果を無視できる時からある程度まで、このエネルギは、それがレーザビームの中に吸収されるやいなやレーザ効果に有効に関与する。図３（ｃ），３（ｄ）にビームの重複が悪い状況が示されている。この場合、ポンピングビーム２５の寸法がレーザビーム２７のそれよりも大である。これらの図面中の斜線部分がポンピングエネルギの損失を表している。
【００２０】
図４に示されるように、ある材料はレーザ動作のための３つのエネルギ準位が用いられる。活性中心は最高の励起準位（２）にポンプの吸収によって励起され、次に直下の準位（１）に緩和される。活性中心が下方遷移されるときに、光子の誘導放出によるレーザ効果が生ずるのは、後者の準位と基本準位（０）との間である。さらに、このことは、レーザ材料が、基本準位と、追加の損失を生成するより高いレーザレベル（１）との間で光子を吸収する、レーザ光子が再吸収されるということを意味している。さらに、誘導放出を得るために、より高いレーザ準位（１）が到着準位以上の分布を有していることが必要である。このことは、基本準位が希薄になるということを意味している。ポンプの吸収は低減される。
【００２１】
要するに、４準位レーザの動作と比較して、２つの不利な現象が生ずる。すなわち、レーザキャビティ内での高い損失、及び、ポンピング光吸収効率の低減を導くポンプの吸収飽和に通じる放射された光子の再吸収である。図５（ｃ），５（ｄ）に見られるように、もしも、ポンピングビーム２６が完全にレーザモード２８の中にないようなビームの重複であるなら、レーザモードの外で吸収されるエネルギは有用でない。
【００２２】
それは、レーザビームの通路上に利得を確立することに関与せず、このことは、レーザ材料の再吸収による有義な損失の場合にそれだけ多く不利な立場におくこととなる。しかしながら、図５（ａ），５（ｂ）に示されるように、仮に、ポンピングビーム２７が、完全にレーザモード２９の中にあり、レーザモードのそれよりも十分に小さい寸法であるならば、２つの予め決められた要因を考慮しなければならない。
【００２３】
すなわち、吸収されるポンプがないレーザモードの領域は、追加の損失領域であり、ポンプの吸収の飽和に注意を払わなければならない。故に、３準位のみのシステムは困難である。なぜならば、レーザモードにおけるどのランダムな点においてもポンプを吸収するのが充分でないからである。さらに、ポンピングビームの寸法は、レーザビームの寸法に等しいか、あるいは、ほぼ等しいことが必要である。
【００２４】
図６は本発明による最適化された効率のマイクロレーザの設計のための一般的な図面である。図６において、ポンピング源３４によって照射される２つの球面ミラー３０，３２を有するマイクロレーザの特定の場合が示されているが、この設計は他の反射手段（後に説明されるようなフレネルミラーあるいはホログラフミラーのようなもの）のために用いることができる。
【００２５】
ポンピング源は、振幅がｆ0（ｘ，ｙ，ｚ）で示される光波を放射する。この波は入口面を通ることによって変化し、その振幅はｆ1（ｘ，ｙ，ｚ）となる。指数ｎのマイクロレーザ中を伝搬した後、その波は出口面によって反射され、ポンピング波の振幅はｆ2（ｘ，ｙ，ｚ）となる。レーザキャビティ中において、コヒーレントな光波は２つのミラー３０，３２の間で発振し、その振幅はｇ（ｘ，ｙ，ｚ）となる。
【００２６】
マイクロレーザの利得媒質（gain medium）中においては、２つの波（ポンプとレーザ）の振幅と位相とを決定することは可能である。計算は、２つの波の間の第１の単純な重複積分Ｒを伴い、マイクロレーザの中に存在する２つの波、すなわち、レーザ波ｇ（ｘ，ｙ，ｚ）と、外向きの経路上のポンピング波ｆ1（ｘ，ｙ，ｚ）及び戻り経路上のポンピング波ｆ2（ｘ，ｙ，ｚ）との積の和として書かれる。
【００２７】
【数１】
0003798053.tif 000002
【００２８】
３次反射及びより高次の反射の結果として生じる他のポンピング波は考慮されていない。なぜならば、ポンピングビームの外向き及び戻り経路上には実質的に完全な吸収が存在するからである。
【００２９】
ポンピングビームの振幅の伝搬の計算及びマイクロキャビティにおいて発振するレーザビームの計算は、異なる理論を適用することにより行われる。解決方法は、例えば、電磁気学、回折又はガウスビーム伝搬式（Gaussian beam propagation equations）から得られる。
【００３０】
ガウスビームの伝搬を用いたマイクロレーザキャビティの特性の計算に対する一つの方法が与えられる。ガウスビームは単一横モードを有するレーザの特徴である。図７（ａ），７（ｂ）にそのようなビームのプロファイル及び伝搬がそれぞれ示される。ガウスビームは、その波長λと、軸Ｏz上のビームのくびれの位置ｄと、ビームの半径ｗとによって特徴づけられ、伝搬軸Ｏzに沿って次式で表される。
【００３１】
【数２】
0003798053.tif 000003
【００３２】
３つの仮定された同軸ビーム各々に対する伝搬軸に沿った直径を表す関数Ｚiは、次式で示される。
−  レーザビーム：Ｚl（ｚ）
−  外向きの経路上のポンピングビーム：Ｚa（ｚ）
−  戻りの経路上のポンピングビーム：Ｚr（ｚ）
【００３３】
したがって、これらの３つの関数は、軸ｚの座標上の２次多項式（second degree polymomials）である。これらの多項式の係数は、実数であり、マイクロレーザのキャビティの幾何学的な特徴とポンピングビームとによって決定される。それらを得るために、よく知られたガウスビーム伝搬計算方法が用いられる。この方法は、ＡＢＣＤマトリックス方法として知られている（例えば、Anaviev著“光学的共振器とレーザ放射の発散問題”（"Optical resonators and divergence problems of the laser radiation"），Mir Publications， Moscow， 1982に記載されている）。次のことが分かる。
【００３４】
−  Ｚl（ｚ）は、レーザ波長（ｆ1及びｆ2）におけるマイクロミラーの焦点距離及びマイクロレーザの厚さ（ｅ）に依存し、
−  Ｚa（ｚ）は、ポンプ（f′1）に対する入力成分の焦点距離と同様に、入射するポンピングビームの特徴（ポンピング源の寸法と位置）に依存し、
−  Ｚr（ｚ）は、入射するポンピングビームと、ポンプ（f′1）に対する入力成分の焦点距離と、マイクロレーザの厚さ（ｅ）と、ポンプ（f′2）の反射成分の焦点距離に依存する。
次の２つの多項式は、それぞれ外向き及び戻り経路の上のレーザビームの寸法とポンピングビームの寸法との間の軸の各点における差をそれぞれ表している。
【００３５】
【数３】
0003798053.tif 000004
【００３６】
レーザビームとポンピングビームとの相対位置を評価する図３（ａ）〜３（ｄ）と、図５（ａ）〜５（ｄ）とを比較すると、これら２つの多項式はレーザビーム及びポンピングビームの位置を表しているということが見て取れる。もしも、上式が正であるならば、ポンピングビームがレーザビームの中にあることを意味し、これは、４エネルギ準位（図２及び図３（ａ）〜３（ｄ））を有するレーザの場合の第１近似において十分である。
【００３７】
３準位（図４及び図５（ａ）〜５（ｄ））を有するレーザの場合には、２つの多項式の値が、軸に沿ってできるだけ低いことが必要である。したがって、ポンピングビームよりも大きなレーザビームに対して、ポンピングビームとレーザビームとの間の空間は追加の損失源であり、不適切なポンピングビーム寸法と、それによる２つのビームの間の有意な差により、吸収が飽和することがある。
【００３８】
このことは次の数学的基準によって説明され得る。ここで、ａ及びｂはマイクロミラー、又は、より一般的には、ビームの軸ｚ上の反射手段の位置である。
−  ４準位基準：レーザビーム中の局部的な吸収：
ａ＜ｚ＜ｂに対して、Ｐa（ｚ）＞０及びＰr（ｚ）＞０
−  ３準位基準：ａ＜ｚ＜ｂに対して、Ｐa（ｚ）＞０及びＰr（ｚ）＞０、
並びに、吸収の最少の追加及び飽和損失：
【００３９】
【数４】
0003798053.tif 000005
【００４０】
これらの基準を用いて、最も可能性のある妥協が、マイクロレーザの特性に対してなされ得る。一般に、他を考慮することにより、所定のパラメータが課せられる。例えば、予想された適用に関連した強制は、マイクロレーザの厚み（もしも、単一周波数の放射が要求されているならば、最大値が課せられ、３準位マイクロレーザの場合には、利得と損失とを平衡させる最適な長さが存在する）、あるいは、マイクロレーザに関するポンピング源の位置が課せられる（もしも、マイクロレーザが、ポンピング源に結合されているならば、むき出しのレーザダイオードあるいは光ファイバ）。
【００４１】
したがって、決定されるべき変数は以下の通りである。
−  入力マイクロミラー（あるいは、より一般的には入口における反射手段）の焦点距離ｆ1及びｆ′1、
−  出力ミラー（あるいは、より一般的には出口における反射手段）の焦点距離ｆ2，ｆ′2、
−  ポンピング源の寸法、
−  ポンピング源がマイクロレーザに近接している範囲でのポンピング源の位置。
決定（寸法、位置）されたポンピング源に関しては、マイクロミラーの製造上の特性を扱うことが必要である。
【００４２】
もしも、ｆ1＝ｆ′1及びｆ2＝ｆ′2を課することにより、問題を解くことができるならば、単純なマイクロミラーが使用できるということを意味している。したがって、決定されるべき変数は、入力マイクロミラーの曲率半径（Ｒ1）と出力マイクロミラーの曲率半径（Ｒ2）とである。これらの半径は、焦点距離から直接求められる。
【００４３】
予想される数値の範囲は、曲率半径に対しては数ミリメータである（０．５［ｍｍ］から５［ｍｍ］まで）。ポンピング源の寸法に対しては、数十マイクロメータ（５［μｍ］から５０［μｍ］までの半径）であり、キャビティ長に対しては数百マイクロメータ（３００［μｍ］から１０００［μｍ］まで）である。ポンピング源はマイクロレーザに結合されているか、あるいはそこに焦点を合わされていると考えられる。
【００４４】
本発明によるキャビティの入口あるいは入力面１４（図１）は、ポンピングビームを結晶（crystal）の中に集光する。したがって、入口面はレーザモードとポンピングビームとに対する２つの分離した機能を有する。それは２色性の誘電体処理によって覆われているという有益性である（例えば、ポンプの波長における最大透過係数、及びレーザ波長における最大反射係数）。
【００４５】
さらに、マイクロレーザの出口あるいは出力面は、レーザモード及びポンプのそれぞれに対する２つの機能を果たす。レーザキャビティの第２のミラーを形成することはさておき、一回の通過後に吸収されなかったポンピングビームのエネルギが結晶の中に反射され再び焦点が合う。また、２色性の処理（ポンピング波長における最大反射及び選択的にレーザ波長における最大透過）によって覆われているという有益性を有する。
【００４６】
入口及び出口において従来のミラーの代わりに回折用部品を用いることは有益であるかもしれない。なぜならば、これらの部品は、波長とともに重要に変化する光学的特性、例えば、顕著な色収差を有しているからである。例えば、従来のミラーは曲率半径に依存するのみである焦点距離を変化させないのに対して、フレネルレンズ又はホログラフミラーの焦点距離は、波長とともに直接に変化する。したがって、レーザ及びポンプに対する反射係数及び透過係数が変化するのみでなく、前記２つのビームに対する焦点合わせ特性が変化する部品を得ることが可能である。
【００４７】
したがって、フレネルレンズは、一つ置きに明るいリング（最大透過）が設けられた一連の暗いリング（ゼロ透過）を設けて透明なプレートの上に作られる。連続するリングの半径は以下の式によって与えられる。
【００４８】
【数５】
0003798053.tif 000006
【００４９】
この場合、ｎは整数、λは入射ビームの波長、ｆはレンズの焦点距離である。したがって、上述のように与えられた計算は直接に適用可能である。なぜならば、ミラーの焦点距離の決定が一旦行われれば、連続するリングの半径は決定されるからである。
この方法で定義された第１の円形領域は、暗くも明るくもあり得る。それの半径はａである。したがって、√ｎ（ｎの平方根を√ｎと表す）の進行とともにそれを取り囲むリングが存在する。そのようなレンズの主焦点距離は、次式で与えられる。
【００５０】
【数６】
0003798053.tif 000007
【００５１】
従って、この式において、焦点距離のはっきりした波長依存性がある。同じ型（フレネル）のミラーが、反射リングと非反射リング（すなわち、最大透過又は最大吸収、あるいは最大拡散）とを１つおきに用いて得られる。
ホログラフの要素は、非常によく開発された光学的部品である。さらに、それの焦点距離は１／λであり、したがって、焦点距離の値に基づいて、それらの特性を決定することが可能である。それらは、２つの手段、主として、２つのコヒーレントな光ビームの間の複雑な干渉像又はパターンの実験的な記録と、干渉パターンのシミュレーション及び透明プレートの上への様々な手段による書き込みあるいは記録によって得られる。
【００５２】
両方の場合において、プレートは、変化に富むグレーレベル、すなわち、変化に富む透過値を有する非常に複雑なパターンとともに得られる。パターンの寸法は、シミュレーション計算あるいは記録に用いられる波長とほぼ同じである。これらのホログラムは、振幅ホログラムと呼ばれ、一般的には限度のある全体的な透過度（固有の黒の領域により）を有し、数次に回折する。
【００５３】
位相ホログラムを得ることも可能である。それらは透明である。なぜなら、そのパターンはそのエネルギではなく、入射波の位相を劣悪化させるパターンであるからである。このため、変調されるものは、もはやプレートの透明性でなく、その厚みである。これらのホログラムは、誘電体堆積のような屈折性ミラーで覆われ得る。
さらに、いわゆるブラッグホログラムを用いることが可能である。主回折次数（main diffraction order）は、最大光エネルギを集中させ、実質的には可視である唯一のものであり、他の次数は非常に弱い。このタイプのホログラムは最大効率条件を有する。
【００５４】
本発明によるレーザキャビティの効果（重畳状態を実現させる）は、エネルギ平衡の観点から観察し得る。エネルギの立場から、レーザ源はレーザ動作閾値によって特徴づけられる。このレーザ動作閾値はレーザ効果（laser effect;Ｐs）及び微分効率（differential efficiency;η）を得るための最少ポンピングパワー又はエネルギを表し、閾値を超えるポンピングパワーあるいはエネルギの関数としてレーザパワーあるいはエネルギを与える。全体の効率は、キャビティの全損失、レーザ材料のレーザスペクトル特性（laser spectroscopic characteristics）、レーザビームの有効容積、及びポンピング光子の値に依存する閾値におけるポンピングパワーを考慮したものである。全体の効率は、下式のように表される。
【００５５】
【数７】
0003798053.tif 000008
【００５６】
したがって、達成され得る全体の最大効率は微分効率に等しい。ポンピングパワー又はエネルギが閾値におけるそれらの値に比較して高くなるとき、この値は近づきつつある。レーザの微分効率は、幾つかの要因の積である。
【００５７】
【数８】
0003798053.tif 000009
【００５８】
この場合、
−  ｈν1/ｈνpはレーザとポンプとの光子のエネルギの比（ポンプとレーザとの波長の比）である。
−  ηquantはポンピング光子の吸収に対応するより高いエネルギ準位へのイオンの励起と、レーザ移行（この過程は、寄生エネルギ準位を有する移行によって劣質化されることがある）の開始準位への前記イオンの下方遷移との間の量子効率（quantum efficiency）である。
−  ηabsは全体の基台の上でレーザ材料を通って吸収されたポンピングエネルギ量に対応するポンピング光吸収効率である。
−  ηextは吸収されたエネルギの一部に対応し、レーザビームを増幅するために実際に用いられるポンプとレーザとのビームの間の重畳に関連した抽出効率である。
−  ηlossesはレーザキャビティの有効及び無効な損失に関連した要因である。
【００５９】
既知のマイクロレーザにおいては、特に一面が平らでもう一面が凹面である構造においては、理想化されるのは、値ηabsである。しかしながら、本発明によるマイクロレーザは、異なる要因、すなわち、ηextを考慮に入れる。このことにより、マイクロレーザのエネルギ効率を最適化することが可能となる。全ての場合において、本発明において提案されている解決は、２つのビームの重畳と、それによってポンピング効率を最適化するように、独立した方法でレーザビームとポンピングビームとの寸法を決定することを可能にする。マイクロレーザの形状を変えるために事実２つのパラメータ（例えば、球面の入力／出力ミラーの場合の２つの曲率半径）がある。
【００６０】
キャビティの中に、動作電圧が低い電気−光学的な解除部あるいは取り外し部（electro-optical release or trip）、あるいは無効にされた全反射による解除部あるいは取り外し部に対する、全反射によってビームを反射するためのプレート、あるいは小型の音響−光学的な解除部あるいは取り外し部のような、追加的な要素を組み込むマイクロレーザの製造に対しては、前記要素におけるビームの寸法を制御することは有益である。
さらに、２つの曲面は、キャビティの要素において平行あるいは集光されたビームを有することを可能にする。これは、その回折効率が平行なビームに対して最適な準位にある音響−光学的効果による解除部の場合において有用である。
【００６１】
電気−光学的な解除部の場合において、そのような要素は、J.J.Zayhowski等による論文（題名“Diode-pumped microchip lasers electro-optically Q switched at high pulse repetition rate”in Optics Letters， vol. 17， No. 17， pp1201-1203， 1992.）からのマイクロレーザに関連して知られている。しかしながら、この型の装置は、約１［ｍｍ］の内部電極間隔により数百ボルトの電圧（実践の際には約１００［Ｖ］）で動作する。
【００６２】
本発明による装置に関して、レーザ媒質内のビームの寸法が小さくされており、そのことは、例えば、近接した電極を有するLiTaO3からなり、約１００［Ｖ］の電圧を印加することが必要であるのみである、電気−光学的セルを用いることを可能にしている。この装置に関するコスト利益は、非常に有利である。なぜならば、複雑な電子技術は、電気−光学的な媒質の解除部に対して、もはや必要ではないからである。
【００６３】
本発明によるマイクロレーザの構成は、ポンピングビームと、同時に、相当の自由範囲をもつレーザビームの形成を可能にしている。従って、適切な方法で、マイクロレーザの端面のそれぞれの曲率半径、より一般的には、キャビティ入口及び出口における反射手段（フレネルあるいはホログラフのミラー）の特性を定義することによって、マイクロレーザの所望の特徴の関数として２つのビームのそれぞれを修正することが可能である。
２つのビームの重畳量を増加させることにより、本発明に従って、レーザ動作閾値を低減させ、ポンプの吸収効率、及びそれによるマイクロレーザの変換効率を向上させることが可能である。
【００６４】
本発明によるマイクロレーザは、レーザシステムが安価であることを確実にする大量生産原理に依然として適合している。この面は、本発明によるマイクロレーザの製造工程の記載に関連して、以降に発展させられる。
本発明によるマイクロレーザの形状（すなわち、重畳条件を満足する）は、エネルギ効率の観点から満足すべきレーザ特性がいっそう少ないが、特別の有利性を有する結晶を使用することを可能にする。
【００６５】
したがって、実現するのが困難であるレーザ装置が、本発明による幾何学的な形状で得られる。最適化された形状により、レーザ材料の劣悪な特性からもたらされる、初期の高いレーザ動作閾値の値が低減される。したがって、非常に制限された厚さ（例えば、３００あるいは５００［μｍ］以下）のマイクロレーザを動作させること、ポンピング波長に対して低吸収材料を用いること、レーザ材料の吸収に対して特に適切でないポンピング源を用いること、又は３つのエネルギ準位を有する又はレーザ波長において再吸収性を有するレーザシステムを用いることが可能である。
【００６６】
例えば、ツリウム（Tm）がドープされたマイクロレーザは、高い閾値の平面−平面キャビティを有する部品である。これらのマイクロレーザは、ほとんど常に平面／球面キャビティを伴って製造され、本発明によるキャビティを伴って有利に動作し得る。
さらなる例においては、あるパワーのポンピングダイオードが提供され、このパワーがマイクロレーザの動作閾値に到達するのに充分でないならば、最良の可能性のあるポンピング効率を得ること、及び前記マイクロレーザの動作をもたらすことが可能な本発明（満足のいく重畳条件）によって最適化されたキャビティを用いることが可能である。
【００６７】
一般に、総ポンピング効率に対してなされる改善は、およそ２である。３準位を有するレーザの特定の場合においては、レーザの微分効率が倍にされるだけでなく、レーザ動作閾値が半分の高さのパワーによって到達される。このことは、この閾値が３準位のシステムでは非常に高いので、なによりも重要である。したがって、閾値に到達するのに用いられるポンピングパワーは倍の効率を有するレーザエネルギを発生させるのに半分で充分である。
【００６８】
次に、本発明によるマイクロレーザの製造方法を説明する。
マイクロレーザの製造方法は、プレーナマイクロリソグラフ方法（planar microlithography methods）を用いる。この方法は大量のユニットに適用できる。この大量生産は、低い製造コストでマイクロレーザを得ることが可能である。２つの球面のマイクロミラー、２つのフレネルミラー、又は２つのホログラフミラーを備えたマイクロレーザを製造するために、この低コストの製造の考えを採用しなければならない。
【００６９】
上記工程は、以下の段階１から８までを有する。
１）マイクロレーザを作成する基板と構造との選択。マイクロレーザは一個体として形成され、後に２面でエッチングされなければならない。その代わりに、マイクロレーザは、数個の個体あるいはブロックとして作成され、その後に組み立てられる。この場合、マイクロレーザの終端のブロックあるいは個体の単一の面がエッチングされる。
【００７０】
燐酸ガラス、結晶（YAG，LMA，YVO4，YLF，SYS，CYS，SPF，CPF，CaSiO，ASN，・・・）の非常に多様なレーザ材料が用いられ、異なるイオン（Nd，Er，Yb，Tm，Ho，Cr）でドープされる。さらに、化学量論的な材料（stoichiometric materials）があり、それらは、母材（LNP，NdPP，・・）の成分として活性イオンを組み込んでいる。このことは、幾つかの波長、すなわち、１［μｍ］（マーキングのために充分なパワーをもったレーザ）、１．５及び２［μｍ］（レーザ遠隔伝送のための視覚器官に安全な波長）において放射するマイクロレーザを作ることを可能とする。さらに、無水珪酸は、マイクロミラーを作成するために使用されうる。電気光学的／音響光学的な結晶は、それの変調（modulation）を得るためにマイクロレーザの中に結合されうる（パルス型のマイクロレーザ解除部、距離と速度との検出のための周波数変調）。
【００７１】
２）マイクロレーザキャビティは上述の方法に従って設計される。球面のミラーに対しては、その曲率半径、直径、上記要素のキャビティの長さが決定される。従来の方法を用いて他のパラメータの計算が行われる（反射／透過係数）。その値はマイクロレーザ源に対しての適用内容と、予想される装置に従って得られる。
【００７２】
３）レーザ材料は、一般にインゴットの形であり、複数の部分に切断される。これらの部分の厚みは、マイクロキャビティの中の材料の長さ（典型的には１００［μｍ］から５［ｍｍ］まで）に対応する。この部分の大きさ（直径又は辺）は、残りの工程において用いられる機械に適合していなければならない（例えば、直径２インチ）。これらの部分は、両面が研磨される。
【００７３】
４）キャビティは、設計によって与えられる仕様に従って、２つの端面を機械加工することによって製造される。この機械加工は、下記の幾つかの部分工程（以降、４．１から４．５まで番号が付けられる）を有する。機械加工（machining）は、同一材料の２つの面に行われるか、又は、以降に組み立てられる２つの材料の一方の面に行われる。この後に、第１のミラーの製造が続く。
【００７４】
４．１．最初に、所望のミラー形状を獲得するのを可能にするマスクの定義が行われる。黒及び白の２つのレベルを備えたマスク、あるいは可変濃度灰色マスクが使用可能である。マスクは開口、焦点距離、及びマイクロミラーに対する全ての所望のパラメータの関数として計算され設計される。
４．２．正しく選択された樹脂が旋回器具を用いて基板の上に広げられる。
４．３．次に、樹脂がマスクを通して照射される（紫外線）。
４．４．これに続いて樹脂の現像が行われ、その形と配置とがマスクによって定義されていたものに対応する樹脂の浮き彫りが残される。もしも、マスクが可変濃度マスクであるならば、所望のミラー形状は、樹脂の層の中に再現される。もしも、マスクが２値を有するものならば、同じ高さの隔離されたプレートの形の浮き彫りが得られる。次に、基板を所定の温度に上昇させ、樹脂の点は溶け始める。溶けた樹脂の表面張力は、その点に半球の形をもたらす。この形は、基板が冷却されるとき、堅くなり固定される。
【００７５】
４．５．上記記プレートをエッチングすることにより樹脂の形が基板に移行される。エッチング方法は、基板の機能として適用される（イオンエッチング、反応性エッチング、ドライエッチング、その他）。樹脂と基板材料との間のエッチングの選択性により、樹脂の浮き彫りの形が修正される。
同様な工程により第２のミラーが作成される。もしも、第２のミラーの機械加工が第１のミラーと同じ部分に行われるならば、第２のミラーのマスクを、第１のミラーによって得られたパターンに合わせなければならない。このマスク合わせは、ほとんどのマスク機械において行われる。もし、第２のミラーが、第１のミラーの基板とは異なる基板上で作られるならば、前記合わせは、組み立て段階で行われる。
【００７６】
マイクロレンズ又はマイクロミラーは、レーザ結晶において、あるいは、一般的に、レーザキャビティを閉塞あるいは封止している終端部品において、直接エッチングされ得る。もしも、材料のエッチングが困難すぎるならば、エッチングを可能にさせる基板（例えば、無水珪酸；シリカ）の上にマイクロミラーを作成した後に、マイクロミラーをレーザ結晶あるいは終端部品に結合させることが常に可能である。
【００７７】
このように、２つの球面ミラーがマイクロレーザのために作られる。ミラーは、マイクロレーザポンピング源を装着するのを簡単にする同じ軸の上に整列されるのが好ましいが、レーザの実際の動作に対しては必要でない。マイクロレンズが直接的にエッチングで作られる場合には、上記整列は、フォトグラフ段階の間にマスクを調整することにより効果的に実行される。もしも、そうでなければ、調整は光学的方法を用いて、レーザ材料のプレート等の上にマイクロミラーのプレートを装着する、あるいは同様の際に実行されるであろう。この場合、参照マークを、例えば、それらを顕微鏡で合わせることができるように、プレートの上に設けることが必要である。
【００７８】
５）キャビティを形成しているミラーは、今や所望の形を有しており、ポンピング波長とレーザ波長における所望の反射係数と透過係数とをミラー面に与えるために、真空反射処理が用いられ、実行される。
６）もしも、マイクロレーザが数個の要素から形成されているならば、プレートは光学的な接着剤を用いて接着されるか、あるいは他の工程によって組み立てられる。要素の調整、特に２つのマイクロミラーに関する調整に注意することが必要である。
７）最後に、得られたプレートは、ダイヤモンドブレードあるいはワイヤソーをもちいて個々のレーザチップに切断する段階に送られる。チップの典型的な寸法は、１×１［ｍｍ2］である。
【００７９】
８）レーザチップあるいはマイクロレーザは、光ファイバの端末に装着され、むきだしのレーザダイオードに接着されるか、機械的な部品に装着される。全ては、密封されたケースの中に封入され得る。装着されたマイクロレーザは設計段階で決定されたポンピング状態の下で試験される。
前述の段階は本発明によるマイクロレーザの製造に関係し、反射手段は球面のマイクロミラーを定義する。
【００８０】
回折要素（フレネルあるいはホログラフミラー）が用いられる場合には、相変わらず主たる段階１〜３及び６〜８が適用される。回折要素は、C.LIEGOISによる論文（題名“Les optiques holographiques”， published in Opto， No. 67， May/June 1992， pp28-34）に記載の工程の一つに従って作られ得る。
フレネルミラーは、例えば、マイクロレンズのエッチングと同じ方法でマイクロレーザの終端の平面の直接エッチングによって作られ得る。
【００８１】
ホログラフの部品は、既存のコード（existing codes）に従って設計されたマスクによって作られ得る（例えば、A.Bruel等による論文（題名“Calcul digital d'holograms”， published in Nouvelle Revue d'Optique Appliquee， 1970， vol. 1， No. 5， pp 325-332）。そして次に、例えば、感光性の乳剤のコーティングを堆積し、ホログラムの書き込みあるいは記録を行い（露光）、そのホログラムの現像を行う（例えば、ホトグラフ型）。
【００８２】
この新しい最適化されたマイクロレーザの適用は、現存のマイクロレーザのそれと少なくとも同じである。次のリストは全てというわけではない。
−  レーザシステムの中へのパワー注入
−  化学的な種類の検出：ガス、汚染物質、その他
−  ヘリウム磁気測定
−  遠隔測定：車に対する障害物の検出、携帯型の遠隔測定器、その他
−  マイクロライダー（microlidar）
−  工業部品のマイクロマーキング
【００８３】
この最適化されたマイクロレーザの適用の分野は、より良い性能特性を有する全ての型のレーザ材料を用いてキャビティが作成できる可能性の結果としてより広くなる。
−  例えば、視覚の安全性を有するエルビウムドープレーザのような一般に３準位をもつレーザ（レーザ波長における再吸収を有するレーザシステム）
−  一般的に、小さく有効な誘導放出断面を有するが、可変光源（tunable sources）の製造を可能にする広い放射帯を有するレーザ材料
同様な具合に、ファブリ・ペロー共振器の形状を完全に決定することにより、遠隔測定や工業用マーキング等の数多くの適用において重要な利点であるレーザビームの形状の所定の制御が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるマイクロレーザキャビティを示している。
【図２】４準位を有するレーザの動作原理を示している。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、４準位を有するレーザにおけるビームの重なりの問題を示している。
【図４】３準位レーザの動作原理を示している。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、３準位を有するレーザにおけるビームの重なりの問題を示している。
【図６】本発明によるマイクロレーザに対する最適化原理を示している。
【図７】（ａ），（ｂ）は、ガウスビームの形状と伝搬とをそれぞれ示している。
【図８】一面が平らでもう一面が凹面であるマイクロレーザの従来例を示している。
【符号の説明】
１２                    活性媒質
１４                    入口面
１６                    出口面
１８，２５，２６        ポンピングビーム
２０，２２，２７，２９  レーザビーム
２４，２８              レーザモード
【図１】
0003798053.tif 000010
【図２】
0003798053.tif 000011
【図３】
0003798053.tif 000012
【図４】
0003798053.tif 000013
【図５】
0003798053.tif 000014
【図６】
0003798053.tif 000015
【図７】
0003798053.tif 000016
【図８】
0003798053.tif 000017