(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層を有するプリント配線板の製造方法であって、
表面の３０μｍ間１０点平均粗さをＲ３０＝０．５μｍ以上２μｍ以下とした上記樹脂絶縁層上に、厚さ１μｍ以下の無電解メッキ層を形成することで、上記無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さを、上記樹脂絶縁層の表面の粗度の影響を受けたＲ３０＝２μｍ以下とする無電解メッキ層形成工程と、
上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記無電解メッキ層は、前記３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝０．５μｍ以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記配線層は、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上２５μｍ以下である導体パターンを備える
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂絶縁層を有するプリント配線板の製造方法に関し、特に、配線層を確実に形成することのできるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、樹脂製のプリント配線板を製造するにあたり、配線層は、例えば次のようにして、樹脂絶縁層上に形成されている。
即ち、図８（ａ）に部分拡大図を示すように、表面に樹脂絶縁層１０２を有する被積層基板１０１を用意し、その全面に無電解メッキを施して、無電解メッキ層１０３を形成する。
【０００３】
次に、図８（ｂ）に示すように、無電解メッキ層１０３上に感光性のドライフィルム１０４を全面に貼り付ける。さらに、図８（ｃ）に示すように、これを露光・現像して、所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する。
次に、図９（ａ）に示すように、電解メッキを施し、メッキレジスト層１０５から露出した無電解メッキ層１０３上に、電解メッキを厚付けして、電解メッキ層１０６を形成する。その後、メッキレジスト層１０５を剥離して、クイックエッチングを行い、不要な無電解メッキ層１０３等をエッチングして除去すると、図９（ｂ）に示すように、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ドライフィルム１０４から所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する際（図８（ｂ）及び（ｃ）参照）、例えば、現像で現像液を噴射したときに、メッキレジスト層１０５の一部が、無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりしてしまうことがある。特に、導体間隙ＤＡ（図９（ｂ）参照）が小さい導体パターンを持つ配線層１０７を形成する場合、即ち、メッキレジスト層１０５のパターンの幅ＲＡ（図８（ｃ）参照）が狭くなると、メッキレジスト層１０５がその部分で無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなる。
【０００５】
本発明者は、検討の結果、メッキレジスト層１０５と無電解メッキ層１０３との密着強度は、無電解メッキ層１０３の表面粗さに影響されることを見出した。即ち、無電解メッキ層１０３の表面粗さが大きいと、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなることを見出した。
【０００６】
通常、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７を形成する場合、樹脂絶縁層１０２と配線層１０７（無電解メッキ層１０３）との密着強度を、アンカー効果により高くするため、無電解メッキ層１０３を形成する前に、予め樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａを粗化している（図８（ａ）参照）。このように粗化された樹脂絶縁層１０２上に、無電解メッキ層１０３を形成すると、無電解メッキ層１０３の表面１０３Ａが、粗化された樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａに伴って粗面となる。このため、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれ易くなると考えられた。
【０００７】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することのできるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、樹脂絶縁層を有するプリント配線板の製造方法であって、表面の３０μｍ間１０点平均粗さをＲ３０＝０．５μｍ以上２μｍ以下とした上記樹脂絶縁層上に、厚さ１μｍ以下の無電解メッキ層を形成することで、上記無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さを、上記樹脂絶縁層の表面の粗度の影響を受けたＲ３０＝２μｍ以下とする無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【０００９】
本発明によれば、樹脂絶縁層は、配線層との密着強度や、さらに樹脂絶縁層を積層する場合には、樹脂絶縁層同士の密着強度を高くするために、その表面が粗化されている。特に、本発明では、樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を、０．５μｍ以上２μｍ以下としている。このような表面粗さを有する樹脂絶縁層の表面上に無電解メッキ層を薄付けした場合、具体的には１μｍ以下に薄付けした場合には、無電解メッキ層の表面粗さも、樹脂絶縁層の表面粗さとほとんど変わらなくなる。従って、この樹脂絶縁層の表面上に、厚さ１μｍ以下の無電解メッキ層を形成することで、無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さをＲ３０＝２μｍ以下とすることができる。
【００１０】
このように無電解メッキ層の表面粗さＲ３０が小さいと、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を高くすることができる。このため、配線層等との密着強度を向上させるために、樹脂絶縁層の表面が粗化されているにも拘わらず、無電解メッキ層の表面粗さＲ３０が小さいので、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制することができる。特に、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上２５μｍ以下の導体パターンを有する配線層を形成する場合には、メッキレジスト層の剥がれや浮きを防止する効果が高い。
【００１１】
従って、その後、配線層形成工程で、電解メッキを施す際、メッキレジスト層の剥がれや浮きがないので、ショートを生じることなく、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができる。さらに、樹脂絶縁層の表面粗さＲ３０を、０．５μｍ以上２μｍ以下としているので、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強度も高い。このため、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することができる。よって、プリント配線板の製造時の歩留まりを向上させることができる。しかも、無電解メッキ層の厚みを１μｍ以下と薄くすることで、無電解メッキのメッキ時間とコストを削減することができる。
【００１２】
なお、樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さが、Ｒ３０＝１．５μｍ以下とされていると、無電解メッキ層を薄付けしたときに、無電解メッキ層の表面粗さも、Ｒ３０＝１．５μｍ以下となるので、メッキレジスト層と無電解メッキ層との密着強度をさらに高くすることができる。
また、樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さが、Ｒ３０＝１μｍ以上とされていると、無電解メッキ層を薄付けしたときに、無電解メッキ層の表面粗さも、Ｒ３０＝１μｍ以上となるので、メッキレジスト層と無電解メッキ層との密着強度をさらに高くすることができる。
【００１３】
なお、本明細書中で、３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０とは、３０μｍの間隔において、ＪＩＳ規定の表面粗さＲｚの測定方法に準じて測定された表面粗さをいう。各点の測定は、電子顕微鏡または光学顕微鏡下で無電解メッキ層等の切断面を拡大して行う。また、プリント配線板製造後に、無電解メッキ層の表面粗さＲ３０を測定する場合において、樹脂絶縁層にビアが形成されているときには、このビアの側面に形成された無電解メッキ層の表面粗さＲ３０を便宜的に測定することもできる。
【００１４】
ここで、樹脂絶縁層としては、配線層（無電解メッキ層）との密着性や熱膨張率等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
また、樹脂絶縁層の表面は、例えば、クロム酸や過マンガン酸カリウムなどで化学的に粗化されたものの他、研磨などで物理的に粗化されたものでも良い。
【００１５】
また、メッキレジスト層の形成方法としては、例えば、感光性のドライフィルムを貼り付け、所定のパターンに露光・現像して形成すれば良い。あるいは、レジスト層を全面に塗布し、所定のパターンに露光・現像して形成しても良い。
また、プリント配線板としては、樹脂絶縁層と配線層とを備えるものであれば良く、例えば、コア基板の片面あるいは両面に、あるいはコア基板なしで、絶縁層と配線層とを順に複数層積層したものなどが挙げられる。さらに、プリント配線板の主面上に、集積回路チップ等の電子部品を搭載したり、他の基板に接続したりするための接続パッドや、入出力端子としてのピンなどを備えるものでも良い。
【００１６】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記無電解メッキ層は、前記３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝１．５μｍ以下であることを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好ましい。
【００１７】
無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０ が、さらに小さくなると、具体的には、１．５μｍ以下になると、メッキレジスト層と無電解メッキ層との密着強度がさらに高くなる。
このため、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのをさらに抑制することができる。従って、さらに確実に配線層を形成することができ、プリント配線板の製造時の歩留まりもさらに向上させることができる。
【００１８】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記無電解メッキ層は、前記３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝０．５μｍ以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００１９】
無電解メッキ層の表面粗さが極端に小さすぎても、レジスト層形成工程で、所定パターンのメッキレジスト層を形成する際に、メッキレジスト層が部分的に剥がれたり、浮いたりし易い傾向がある。
本発明では、無電解メッキ層は、その表面の３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝０．５μｍ以上であるので、無電解メッキ層とメッキレジスト層との密着強度が特に高い。このため、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりすることなく、より確実に電解メッキ層を所定の位置に形成することができる。従って、樹脂絶縁層上に配線層を確実に形成することができ、プリント配線板の製造時の歩留まりも、より向上させることができる。
【００２０】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記無電解メッキ層は、前記３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝１μｍ以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好ましい。
【００２１】
無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さが、Ｒ３０＝１μｍ以上であると、さらに無電解メッキ層とメッキレジスト層との密着強度が高くなる。このため、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを防止する効果がさらに高くなる。
【００２２】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記配線層は、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上２５μｍ以下である導体パターンを備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００２３】
導体間隙の小さい導体パターンを有する配線層を形成する場合、レジスト層形成工程において、その小さい導体間隙に対応して、パターンの幅が狭いメッキレジスト層が形成される。このようなパターン幅の狭い部分を有するメッキレジスト層は、特にその部分で無電解メッキ層から剥がれ易くなる。つまり、配線層の導体間隙が小さくなるほど、メッキレジスト層は無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりし易くなる。
【００２４】
本発明によれば、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上２５μｍ以下の導体パターンを有する配線層を形成する。この範囲の導体間隙を持つ配線層を形成する場合でも、上記の表面粗さを持つ無電解メッキ層を形成すれば、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを防止するために必要な密着強度以上の十分に高い密着強度を得ることができる。このため、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上２５μｍ以下の範囲で、メッキレジスト層の剥がれや浮きが抑制され、十分高い歩留まりで確実に配線層を形成することができる。よって、プリント配線板製造時の歩留まりも向上させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態で製造されるプリント配線板１について、図１（ａ）に主面１Ａ側から見た平面図を、図１（ｂ）に図１（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
このプリント配線板１は、図１（ａ）に示すように、主面１Ａ及び裏面（図示しない）を有し、４２．５×４２．５ｍｍの略正方形板状をなす。この主面１Ａ側には、集積回路チップを搭載するためのＩＣ搭載領域２が形成されている。また、主面１Ａ側には、配線層３が形成されている。
図１（ｂ）に示すように、配線層３の一部は、図中上下方向に、一定の導体間隙ＤＢで櫛状に並んで形成されている。この部分の配線層３の導体幅ＤＨは３０μｍであり、導体間隙ＤＢは２０μｍである。
【００２６】
なお、このプリント配線板１において、配線層３のうち、図１（ｂ）に示す部分の導体間隙ＤＢが、最も幅狭（２０μｍ）にされている。このため、プリント配線板１を製造するにあたり、後述するように、樹脂絶縁層に無電解Ｃｕメッキ層を形成する際、この部分に対応するメッキレジスト層が、無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれたり、浮いたりし易い。
【００２７】
次に、上記プリント配線板１の製造方法について、図２〜図４を参照しつつ説明する。
まず、被積層基板１１を用意する。図２（ａ）は、被積層基板１１のうち図１（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応した部分の部分拡大断面図を示す（図２〜図４の各図についても同じ。）。
この被積層基板１１は、公知の手法により、ＢＴレジンからなるコア基板１２の両面に、エポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層１３，１４が積層されたものである。これら樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａ（被積層基板１１の主面１１Ａ及び裏面１１Ｂ）は、過マンガン酸カリウムによって予め粗化されており、その３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０は、約１．３μｍとされている。
【００２８】
次に、無電解メッキ層形成工程において、図２（ｂ）に示すように、被積層基板１１の全面に無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬社製メッキ液ビルドカッパー）を施し、厚さ０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を形成する。
このとき、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の厚さが、１μｍ以下と比較的薄いため、その下の樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ３０の影響を強く受ける。このため、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０は、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ３０とほぼ同等の約１．３μｍとなる。
【００２９】
このように樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ３０を、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の所望の表面粗さＲ３０と同等にしておくと、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を薄く付けても、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａで所望の粗さＲ３０が得られるので、その時間やコストを削減することができる。しかも、樹脂絶縁層１３，１４が予め粗化されていることにより、樹脂絶縁層１３，１４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度は、十分に高くなっている。
【００３０】
次に、レジスト層形成工程において、図３（ａ）に示すように、これら無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からなる感光性のドライフィルム（ニチゴーモートン社製ＮＩＴ２２５）２１，２２をそれぞれ全面に貼り付ける。
その際、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０は、約１．３μｍとされているので、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８とドライフィルム２１，２２との密着強度は、十分に大きくなる。このため、ドライフィルム２１，２２が、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から容易に剥がれたり、浮いたりしてしまうことはない。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、貼り付けたドライフィルム２１，２２を、所定パターンのマスク（図示しない）を用いて露光し、その後現像して、配線層３等に対応した所定パターンのメッキレジスト層２３，２４を形成する。
その際、特に現像液（Ｎａ２ＣＯ３１．１ｗｔ％）を噴射するときに、その圧力でメッキレジスト層２３，２４、中でもパターンの幅ＲＢが最も狭くなっている部分（図３（ｂ）で示す部分）が剥がれ易い。特に、本実施形態にように、配線層３の最も幅狭な導体間隙ＤＢ（２０μｍ）が狭くなっている場合には、メッキレジスト層２３，２４の剥がれや浮きが発生し易い。
【００３２】
しかし、本実施形態では、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０は、約１．３μｍとされているので、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８とメッキレジスト層２３，２４との密着強度が、十分に高い。このため、この工程で、メッキレジスト層２３，２４が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりすることはない。
【００３３】
次に、配線層形成工程において、図４（ａ）に示すように、電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層２３，２４から露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する。
その際、メッキレジスト層２３，２４には剥がれや浮きがなく、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８に密着しているので、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上にだけ、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができる。
【００３４】
その後、メッキレジスト層２３，２４を剥離し、クイックエッチングにより、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を除去して、図４（ｂ）に示すように、配線層３，４を形成する。
このとき、エッチング液は全面に噴射されるので、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が除去されるとともに、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面も一部除去される。しかし、電解Ｃｕメッキ層２７，２８（厚さ１５μｍ）は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８（厚さ０．７μｍ）よりも十分に厚く形成されているので、配線層３，４がエッチングにより除去されてしまうことはない。
このようにして、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４上に配線層３，４が形成され、プリント配線板１が完成する。
【００３５】
なお、本実施形態では、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａを過マンガン酸カリウムにより粗化しているが、樹脂絶縁層の材質に応じて、例えばクロム酸などにより粗化しても良い。また、その表面１３Ａ，１４Ａを研磨して粗化しても良い。
また、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ３０は、約１．３μｍとされているが、樹脂絶縁層１３，１４と配線層３，４とのアンカー効果をより高くしたい場合には、表面粗さＲ３０をより大きくする、例えば表面粗さＲ３０＝２μｍ以上とすることもできる。この場合、無電解メッキ層形成工程で、無電解Ｃｕメッキを厚く付け、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が、２μｍ以下となるようにすれば良い。さらに、最も好ましくは、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が、１μｍ以上１．５μｍ以下となるようにすると良い。
【００３６】
また、本実施形態では、配線層形成工程で、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、そのままの状態で、エッチング液を噴射して、配線層３，４を形成している。しかし、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面に、ＮｉメッキやＳｎメッキなどの保護膜を形成してから、エッチングを行ってもよい。この場合は、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面が、保護膜によってエッチング液から保護されるので、配線層３，４の表面はエッチングされなくなる。
【００３７】
上記製造方法により製造したプリント配線板１について、レジスト層形成工程後のメッキレジスト層２３，２４の剥がれ・浮きの発生、及びレジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。
また、比較形態として、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さをＲ３０＝４．３とし、厚さ０．７の無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さも、同等のＲ３０＝４．３としたものについても、同様に、メッキレジスト層２３，２４の剥がれ・浮きの発生及び歩留まりを調査した。
測定試料としたプリント配線板は、各７２ヶである。その結果をまとめて表１に示す。
【００３８】
【表１】
0003792068.tif 000002
【００３９】
上記表１から判るように、実施形態では、レジスト層形成工程で所定パターンのメッキレジスト層２３，２４を形成したとき、メッキレジスト層２３，２４が部分的に剥がれたり、浮いたりしたものは、測定試料数７２ヶすべてにおいて認められなかった。従って、レジスト層形成後の歩留まりは、１００％である。
さらに、これらの試料（７２ヶ）については、配線層形成工程において、ショートを生じることなく、配線層３，４が形成された。
【００４０】
これに対し、比較形態では、レジスト層形成工程でメッキレジスト層２３，２４を形成したとき、測定試料数７２ヶすべてについて、メッキレジスト層２３，２４に部分的に剥がれや浮きが見られ、歩留まりは０％となった。
さらに、これらの試料（７２ヶ）については、配線層形成工程において、メッキレジスト層２３，２４に剥がれや浮きが生じた部分と、その下の無電解メッキ層１７，１８との間に、電解Ｃｕメッキ層が形成されてしまい、配線層３等にショートが生じた。
【００４１】
このように、実施形態と比較形態との間で、レジスト層形成後の歩留まりに大きな差異が生じたのは、実施形態では、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さがＲ３０ ＝１．３であるので、メッキレジスト層２３，２４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度が十分に高くされているためである。
一方、比較形態では、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さがＲ３０ ＝４．３と大きいために、メッキレジスト層２３，２４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度が低いので、メッキレジスト層２３，２４が部分的に剥がれ易くなると考えられる。
【００４２】
次に、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を適宜変更し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を、様々に変化させた多数の試料ついても、上記調査と同様にして、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０とメッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まりとの関係について、図５のグラフにまとめた。これらはいずれも、導体幅ＤＨが３０μｍ、最も幅狭な導体間隙ＤＢが２０μｍである。
図５に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まり（％）を示す。
【００４３】
このグラフから判るように、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が大きくなると、即ち、表面粗さＲ３０が２μｍよりも大きくなると、歩留まりが低くなる。これに対し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が２μｍ以下では、歩留まりが高い。特に、表面粗さＲ３０が１．５μｍ以下では、歩留まりが非常に高い。一方で、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が０．５μｍ以上では、歩留まりが高く、特に、表面粗さＲ３０が１μｍ以上では、歩留まりが非常に高い。これらの範囲の中でも、特に、Ｒ３０＝１μｍ以上Ｒ３０＝１．５μｍ以下では、歩留まりが、ほぼ１００％に達しており、非常に高い。
従って、本発明を適用することにより、プリント配線板１の製造時の歩留まりを向上させることができることが判る。
【００４４】
なお、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さを、Ｒ３０＝０．５μｍ以上で設定する場合には、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａを、その設定値となるように粗化し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を薄く（１μｍ以下）形成すれば、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０も、ほぼ同じ値（設定値）となる。このため、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を薄く形成すれば良いので、その時間やコストを削減することができる。
【００４５】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、導体幅ＤＨを３０μｍから２０μｍに変更し、導体間隙ＤＢをそのまま（最も幅狭な導体間隙が２０μｍ）としたプリント配線板についても、上記調査と同様にして、調査した。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を適宜変更し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を、様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０と、メッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図６のグラフにまとめた。
図６に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層形成後の歩留まり（％）を示す。
【００４６】
このグラフから判るように、配線層の導体幅ＤＨ（２０μｍ）が上記実施形態の配線層３の導体幅ＤＨ（３０μｍ）よりも小さくなっても、上記調査（図５参照）と同様に、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が大きくなると、即ち、表面粗さＲ３０が２μｍよりも大きくなると、歩留まりが低くなる。これに対し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が２μｍ以下では、歩留まりが高い。特に、表面粗さＲ３０が１．５μｍ以下では、歩留まりが非常に高い。
一方で、上記調査と同様に、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が０．５μｍ以上では、歩留まりが高く、特に、表面粗さＲ３０が１μｍ以上では、歩留まりが非常に高い。
これらの範囲の中でも、特に、Ｒ３０＝１μｍ以上Ｒ３０＝１．５μｍ以下では、歩留まりはほぼ１００％に達しており、非常に高い。
【００４７】
このように、配線層３の導体幅ＤＨを変更しても、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０に対する歩留まりが、変更前とほとんど変わらないのは、配線層が形成される位置、即ち電解Ｃｕメッキ層が形成される位置には、もともとメッキレジスト層が形成されていないからであると考えられる。即ち、メッキレジスト層のパターンの幅に変更がない限り、メッキレジスト層のパターン同士の間隔は、メッキレジスト層が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりすることには、直接関係がないと考えられる。
【００４８】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙ＤＢを２０μｍから２５μｍに変更し、導体幅ＤＨを３０μｍから２５μｍに変更したプリント配線板についても、上記調査と同様にして、調査した。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を適宜変更し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０を、様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０と、メッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図７のグラフにまとめた。
図７に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ３０（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層形成後の歩留まり（％）を示す。
【００４９】
このグラフから判るように、配線層の導体間隙ＤＢ（２５μｍ）が上記実施形態の配線層３の導体間隙ＤＢ（２０μｍ）よりも大きくなると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が大きくなっても、歩留まりの低下が比較的少ない（図５及び図６参照）。これは、配線層の導体間隙ＤＢが大きくなると、レジスト層形成工程において、メッキレジスト層のパターンの幅ＲＢは、導体間隙ＤＢに対応して大きくなるので、メッキレジスト層が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれ難くなるからであると考えられる。
【００５０】
しかし、この場合においても、上記調査と同様な傾向がみられる。即ち、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が大きくなると、具体的には、表面粗さＲ３０が２μｍよりも大きくなると、歩留まりが徐々に低くなる。これに対し、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が２μｍ以下では、歩留まりが高い。特に、表面粗さＲ３０が１．５μｍ以下では、歩留まりが非常に高い。
また、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が０．５μｍ以上では、歩留まりが高く、特に、表面粗さＲ３０が１μｍ以上では、歩留まりが非常に高い。
これらの範囲の中でも、特に、Ｒ３０＝１μｍ以上Ｒ３０＝１．５μｍ以下では、歩留まりはほぼ１００％に達しており、非常に高い。
【００５１】
このように、配線層３の導体間隙ＤＢを大きくすると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ３０が大きくなっても、歩留まりの低下の割合が少なくなる。しかし、この調査から判るように、最も幅狭な導体間隙ＤＢが２５μｍの配線層を有するプリント配線板においても、本発明を適用することにより、プリント配線板の製造時の歩留まりをさらに向上させることができる。
【００５２】
以上で説明したように、本実施形態のプリント配線板１の製造方法によれば、無電解メッキ層形成工程において、表面の３０μｍ間１０点平均粗さがＲ３０＝１．３の無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が形成される。このため、レジスト層形成工程において、所定パターンのメッキレジスト層２３，２４を形成する際、メッキレジスト層２３，２４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度を十分に高くすることができる。よって、この工程で、メッキレジスト層２３，２４の一部が、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりするのを防止することができる。
従って、その後配線層形成工程で、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する際、所定の位置にだけ、確実に電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができるので、確実に配線層３，４を形成することができ、プリント配線板１の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００５３】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、配線層３は、一定の導体間隙ＤＢで導体が櫛上に並んだ導体パターンを有しているが（図１（ｂ）参照）、導体同士が平行に並んでいない導体パターンをなす配線層においても、本発明を適用することができる。このような場合でも、導体間隙が最も幅狭な部分で、メッキレジスト層が無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれ易くなるので、本発明の適用により、この部分のメッキレジスト層の剥がれや浮きを抑制するようにする。
【００５４】
また、上記実施形態では、導体間隙が２０μｍ以上（最も幅狭な導体間隙が２０μｍ）の配線層３，４を有するプリント配線板１を示したが、最も幅狭な導体間隙は、これに限定されるものではない。ただし、本実施形態のように、最も幅狭な導体間隙が２０μｍ以上であれば、本発明の適用により、メッキレジスト層の剥がれや浮きをより確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１に係るプリント配線板を示す図であり、（ａ）は主面側から見た平面図を示し、（ｂ）は（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
【図２】  実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は被積層基板を示し、（ｂ）は無電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示す。
【図３】  実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はドライフィルムを貼り付けた状態を示し、（ｂ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図４】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【図５】  実施形態１に係り、無電解Ｃｕメッキ層の表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図６】  実施形態１に係り、配線層の導体幅を２０μｍに変更したときの無電解Ｃｕメッキ層の表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図７】  実施形態１に係り、配線層の導体間隙を２５μｍに変更したときの無電解Ｃｕメッキ層の表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図８】  従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は樹脂絶縁層上に無電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は無電解メッキ層上にドライフィルムを貼付した状態を示し、（ｃ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図９】  従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【符号の説明】
１                プリント配線板
３，４            配線層
１１              被積層基板
１３，１４        樹脂絶縁層
１３Ａ，１４Ａ    （樹脂絶縁層の）表面
１７，１８        無電解Ｃｕメッキ層
１７Ａ，１８Ａ    （無電解Ｃｕメッキ層の）表面
２３，２４        メッキレジスト層
２７，２８        電解Ｃｕメッキ層
ＤＢ              導体間隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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