(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成した発光領域と、
前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、
前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、
前記発光領域上から前記絶縁層上に延在し前記絶縁層上で屈折するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、
前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の幅で形成され、前記拡散防止層と前記絶縁層との間の段差部において前記第１の幅より広い第２の幅で形成され、前記絶縁層上において前記第２の幅より狭い第３の幅で形成され、
前記配線層の端部が丸められることを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成した発光領域と、
前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、
前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、
前記発光領域上から前記絶縁層上に延在するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、
前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の幅で形成され、前記拡散防止層上から前記絶縁層上において前記第１の幅より広い第２の幅で形成され、
前記第１の幅が前記第２の幅に延びる方向は前記半導体基板の端部から離れる方向のみであることを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成した発光領域と、
前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、
前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、
前記発光領域上から前記絶縁層上に延在するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、
前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の層厚で形成され、前記拡散防止層上から前記絶縁層上において前記第１の層厚より厚い第２の層厚で形成されることを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のＬＥＤアレイを用いたことを特徴とするＬＥＤプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LEDプリンタに用いられるLEDアレイ、特にLEDアレイの配線構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図8は、従来のLEDアレイ１２の一部であるLED１０を示す概略平面図である。図9は、図8の９ー９の断面図である。
従来のLEDアレイの製造方法は、以下の工程からなる。
先ず、拡散防止層として働くAl2O3層１４が、N-GaAs基板１６に形成される。
【０００３】
次に、Si3N4ような絶縁層１８が、Al2O3層１４上に形成される。
【０００４】
次に、亜鉛（Zn）のようなP型の不純物が気相拡散方法により、Al2O3層１４と絶縁層１８で覆われていないN-GaAs基板１６の表面に拡散される。その結果、発光領域として働くp-GaAsP領域２０がN-GaAs基板１６に形成される。
【０００５】
次に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、配線層２２が選択的にN-GaAs基板１６上に形成される。配線層２２はp-GaAsP領域２０とオーミック接続されており、かつ段差部２４上方で、p-GaAsP領域２０から絶縁層１８の上面へ延在している。
上記の工程を経て、従来のLEDアレイは完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＥＤアレイの配線層がファインピッチになってくると、上述の従来のＬＥＤアレイの製造工程の内の配線層のパターニング工程中に配線層下の段差部に集まるエッチャントによって配線層自体が段切れが起こるといった問題が生じていた。また、ＬＥＤアレイを低コスト化したいという課題があった。本発明は、上述の問題を解決したＬＥＤアレイ及びＬＥＤプリンタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための、本発明の第１の発明のLEDアレイは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成した発光領域と、前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、前記発光領域上から前記絶縁層上に延在し前記絶縁層上で屈折するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の幅で形成され、前記拡散防止層と前記絶縁層との間の段差部において前記第１の幅より広い第２の幅で形成され、前記絶縁層上において前記第２の幅より狭い第３の幅で形成され、前記配線層の端部が丸められることを特徴とする。
【０００８】
次に、本発明の第２の発明のLEDアレイは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成した発光領域と、前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、前記発光領域上から前記絶縁層上に延在するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の幅で形成され、前記拡散防止層上から前記絶縁層上において前記第１の幅より広い第２の幅で形成され、前記第１の幅が前記第２の幅に延びる方向は前記半導体基板の端部から離れる方向のみであることを特徴とする。
【０００９】
次に、本発明の第３の発明のLEDアレイは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成した発光領域と、前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、前記拡散防止層上に形成し、かつ前記発光領域と前記拡散防止層を露出するように形成した絶縁層と、前記発光領域上から前記絶縁層上に延在するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、前記配線層は前記発光領域から前記拡散防止層において第１の層厚で形成され、前記拡散防止層上から前記絶縁層上において前記第１の層厚より厚い第２の層厚で形成されることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
本発明のLEDアレイの第１の実施の形態
図1は本発明の第1の実施の形態であるLEDアレイ２６の概略平面図である。LEDアレイ２６は複数のLED２８を有し、半導体基板表面上で一列に設けられている。図5(f)は、LED２８の断面図である。
【００１３】
本発明の第1の実施の形態であるLEDアレイ２６は、発光領域として働く複数のp-GaAsP領域３２を有しているN-GaAs基板３０（図5(f)参照）からなる。拡散防止層として働くAl2O3層３４が、N-GaAs基板３０に形成され、かつ発光領域３２の表面を露出する開口を有する。Si3N4ような絶縁層３６が、Al2O3層３４上に形成される。複数の配線層３８は、夫々複数のp-GaAsP領域３２と電気的に接続されており、LEDアレイ２６の複数のパッド（図は省略）へ延在している。
【００１４】
配線層３８は幅狭部を有していて、この幅狭部４０はp-GaAsP領域３２とオーミック接続され、かつp-GaAsP領域３２の表面から露出されたAl2O3層３４の表面へ延在する。配線層３８はまた幅広部４４を有していて、この幅広部４４は露出されたAl2O3層３４の表面から絶縁層３６の表面へ延在する。
【００１５】
一般的に、段差部４６上に配置された配線層３８は、この配線層３８のパターニング工程中に配線層３８と段差部４６との間に集まるエッチャントによってエッチングされる。その結果、段差部４６上に配置された配線層３８の膜厚は、絶縁層３６の上に配置された配線層３８より薄くなった場合、段差部４６上に配置された配線層３８の膜厚は、電流集中によって簡単に破壊される。しかしながら、本発明の配線層３８は段差部４６上に幅広部を有しているので、段差部４６上に配置された配線層３８は、電流集中のための段切れがし難くなる。また、本発明の配線層３８はまたp-GaAsP領域３２の表面上を幅狭部としているため、発光領域３２の広い光取り出し面積を確保することができる。
【００１６】
したがって、本発明のLEDアレイの第1の実施の形態では、LEDアレイ２６の光出力効率を妨げることなしに、電流集中のための段切れを防止することができる。
【００１７】
本発明のLEDアレイの第２の実施の形態
図2は本発明の第2の実施の形態であるLEDアレイ５０の概略平面図である。
本発明の第1の実施の形態であるLEDアレイのように、本発明の第2の実施の形態であるLEDアレイ５０は、拡散防止層として働くAl2O3層３４と、Si3N4ような絶縁層３６と、N-GaAs基板に形成され、かつ発光領域として働く複数のp-GaAsP領域３２とからなる。第2の実施の形態の複数の配線層６３は、複数のp-GaAsP領域３２をLEDアレイ５０の複数のパッド（図は省略）と電気的に接続する。複数の配線層６３は、夫々複数のp-GaAsP領域３２とオーミック接続され、かつ段差部４２、４６を介してp-GaAsP領域３２の表面から絶縁層３６の上面へ延在する。
【００１８】
配線層３８は第1の幅狭部を有していて、この第1の幅狭部はp-GaAsP領域３２とオーミック接続され、かつp-GaAsP領域３２の表面から露出されたAl2O3層３４の表面へ延在する。配線層３８はまた第2の幅狭部を有していて、この幅広部は絶縁層３６上に延在する。配線層３８はまた幅広部を有していて、この幅広部は露出されたAl2O3層３４の表面から絶縁層３６の表面へ延在する。
【００１９】
一般的に、段差部４６上に配置された配線層６３は、この配線層６３のパターニング工程中に配線層６３と段差部４６との間に集まるエッチャントによってエッチングされる。その結果、段差部４６上に配置された配線層６３の膜厚は、絶縁層３６の上に配置された配線層６３より薄くなった場合、段差部４６上に配置された配線層６３の膜厚は、電流集中によって簡単に破壊される。しかしながら、本発明の配線層６３は段差部４６上に幅広部４４を有しているので、段差部４６上に配置された配線層６３は、電流集中のための段切れがし難くなる。
【００２０】
また、本発明の配線層６３はp-GaAsP領域３２の表面上を第1の幅狭部６０としているため、LEDアレイ５０は、発光領域３２の広い光取り出し面積を確保することができる。
【００２１】
さらに、本発明の配線層６３は、絶縁層３６上を第2の幅狭部６２としているため、発光領域３２とパッド（図示省略）との間の距離は、縮小化できる。すなわち、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。
【００２２】
したがって、本発明のLEDアレイの第2の実施の形態では、LEDアレイ５０の光出力効率を妨げることなしに、電流集中のための段切れを防止することができる。また、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。つまり、LEDアレイの低コスト化が図れる。
【００２３】
本発明のLEDアレイの第３の実施の形態
図3は本発明の第3の実施の形態であるLEDアレイ８０の概略平面図である。
本発明の第3の実施の形態であるLEDアレイ８０は、拡散防止層として働くAl2O3層３４と、Si3N4ような絶縁層３６と、N-GaAs基板に形成され、かつ発光領域として働く複数のp-GaAsP領域３２とからなる。
【００２４】
図面左側の複数の配線層７２Lと図面右側の複数の配線層７２Rとは、複数のp-GaAsP領域３２とLEDアレイ５０の複数のパッド（図は省略）と電気的に接続する。複数の配線層７２L、７２Rは、夫々複数のp-GaAsP領域３２とオーミック接続され、かつ段差部７４を介してp-GaAsP領域３２の表面から露出されたAl2O3層３４へ延在する。
【００２５】
複数の配線層７２Lは夫々幅広部７６Lを有していて、この幅広部７６Lは露出されたAl2O3層３４の表面から絶縁層３６の表面へ延在する。同様に、複数の配線層７２Rは夫々幅広部７６Rを有していて、この幅広部７６Rは露出されたAl2O3層３４の表面から絶縁層３６の表面へ延在する。幅広部７６Lはダイの左端部６８から離れる方向に延在し、幅広部７６Rはダイの右端部７０から離れる方向に延在する。その結果、ダイシングの時のマージンが大きくなったとしても、複数の配線層７２L、７２Rは、ダイの端部６８、７０に近づけて配置することができる。
【００２６】
一般的に、段差部７８上に配置された配線層７２L、７２Rは、この配線層７２L、７２Rのパターニング工程中に配線層７２L、７２Rと段差部７８との間に集まるエッチャントによってエッチングされる。その結果、段差部７８上に配置された配線層７２L、７２Rの膜厚は、絶縁層３６の上に配置された配線層７２L、７２Rより薄くなった場合、段差部７８上に配置された配線層７２L、７２Rの膜厚は、電流集中によって簡単に破壊される。しかしながら、本発明の配線層７２L、７２Rは段差部７８上に幅広部７６L、７６Rを有しているので、段差部７８上に配置された配線層７２L、７２Rは、電流集中のための段切れがし難くなる。
【００２７】
また、本発明の配線層７２L、７２Rはp-GaAsP領域３２の表面上を第1の幅狭部８０としているため、LEDアレイは、発光領域３２の広い光取り出し面積を確保することができる。
【００２８】
さらに、本発明の配線層７２L、７２Rは、絶縁層３６上を第2の幅狭部８２としているため、発光領域３２とパッド（図示省略）との間の距離は、縮小化できる。すなわち、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。
【００２９】
したがって、本発明のLEDアレイの第3の実施の形態では、LEDアレイの光出力効率を妨げることなしに、電流集中のための段切れを防止することができる。また、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。つまり、LEDアレイの低コスト化が図れる。さらに、ダイシングの時のマージンが大きくなったとしても、複数の配線層７２L、７２Rは、ダイの端部６８、７０に近づけて配置することができる。
【００３０】
本発明のLEDアレイの第4の実施の形態
図4は本発明の第4の実施の形態であるLEDアレイ８４の概略平面図である。
本発明の第4の実施の形態であるLEDアレイ８４は、拡散防止層として働くAl2O3層３４と、Si3N4ような絶縁層３６と、N-GaAs基板に形成され、かつ発光領域として働く複数のp-GaAsP領域３２とからなる。複数の配線層８６は、複数のp-GaAsP領域３２をLEDアレイ８４の複数のパッド（図は省略）と電気的に接続する。複数の配線層８６は、第1の幅狭部８８を有していて、この第1の幅狭部８８はp-GaAsP領域３２とオーミック接続され、かつ段差部９０を介して、p-GaAsP領域３２の表面から絶縁層３６の表面へ延在する。配線層８６は、また段差部９２を介して、p-GaAsP領域３２の表面から露出されたAl2O3層３４へ延在する。段差部９２は、配線層８６の幅広部９４の下に配置されている。さらに、第2の幅狭部９６は幅広部９４からパッド（図は省略）へ延在する。
【００３１】
さらに、第1の幅狭部８８と幅広部９４との境界、及び幅広部９４から第2の幅狭部９６との境界に当たる配線層８６の端部は、湾曲部９８を有している。
【００３２】
一般的に、段差部９２上に配置された配線層８６は、この配線層８６のパターニング工程中に配線層８６と段差部９２との間に集まるエッチャントによってエッチングされる。その結果、段差部９２上に配置された配線層８６の膜厚は、絶縁層３６の上に配置された配線層８６より薄くなった場合、段差部９２上に配置された配線層８６の膜厚は、電流集中によって簡単に破壊される。しかしながら、本発明の配線層８６は段差部９２上に幅広部９４を有しているので、段差部９２上に配置された配線層８６は、電流集中のための段切れがし難くなる。また、本発明の配線層８６はp-GaAsP領域３２の表面上を第1の幅狭部８８としているため、LEDアレイ８４は、発光領域３２の広い光取り出し面積を確保することができる。さらに、本発明の配線層８６は、絶縁層３６上を第2の幅狭部９６としているため、発光領域３２とパッド（図示省略）との間の距離は、縮小化できる。すなわち、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。さらに、第1の幅狭部８８と幅広部９４との境界、及び幅広部９４から第2の幅狭部９６との境界に当たる本発明の配線層８６の端部は、湾曲部９８となっているので、電界集中の直接的影響を防ぐことができる。
【００３３】
したがって、本発明のLEDアレイの第4の実施の形態では、LEDアレイ８４の光出力効率を妨げることなしに、電流集中のための段切れを防止することができる。また、LEDアレイのアレイ方向に垂直な方向にLEDアレイのチップサイズが、縮小化できる。つまり、LEDアレイの低コスト化が図れる。さらに、電界集中の直接的影響を防ぐことができる。
【００３４】
本発明のLEDアレイの製造方法の第１の実施の形態
図5(a)〜図5(f)は本発明の第1の実施の形態であるLEDアレイの製造方法を説明するための断面工程図である。
先ず、拡散防止層として働くAl2O3層３４が、N-GaAs基板３０上に形成される。（図5(a)参照）
次に、発光領域の形成予定領域となるN-GaAs基板３０表面を露出するため、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、Al2O3層３４に開口部を形成する。（図5(b)参照）
次に、亜鉛（Zn）のようなP型の不純物が気相拡散方法により、Al2O3層３４と絶縁層３６で覆われていないN-GaAs基板３０の表面に拡散される。その結果、発光領域として働くp-GaAsP領域３２がN-GaAs基板３０に形成される。（図5(c)参照）
次に、Si3N4ような絶縁層３６が、Al2O3層３４上に形成される。（図5(d)参照）
次に、Al膜１０２が絶縁層３６とp-GaAsP領域３２とを覆うように形成される。（図5(e)参照）
次に、フォトレジストのようなマスク層（図示省略）が、公知のフォトリソグラフィ・プロセスを用いて、Al膜１０２の所望部上に形成される。このマスク層（図示省略）は、図1に示された幅広部４４に対応する幅広部を有し、かつ幅狭部４０に対応する幅狭部を有する。
【００３５】
次に、マスク層（図示省略）を用いて、Al膜１０２がエッチングされる。その結果、図1に示された配線層３８が形成される。（図5(f)参照）
公知のアニーリング・プロセスが、p-GaAsP領域３２と配線層３８との間の良好なオーミック接続を確保することができる。
【００３６】
上述した本発明のLEDアレイの製造方法の第１の実施の形態によれば、段差部４６上に配置された配線層３８が、この配線層３８のパターニング工程中に配線層３８と段差部４６との間に集まるエッチャントによってエッチングされるために配線層３８が段切れするリスクを防止することができる。（図1参照）
本発明のLEDアレイの製造方法の第2の実施の形態
図6(a)〜図6(f)は本発明の第2の実施の形態であるLEDアレイの製造方法を説明するための断面工程図である。
先ず、拡散防止層として働くAl2O3層３４が、N-GaAs基板３０上に形成される。（図6(a)参照）
次に、発光領域の形成予定領域となるN-GaAs基板３０表面を露出するため、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、Al2O3層３４に開口部を形成する。（図6(b)参照）
次に、亜鉛（Zn）のようなP型の不純物が気相拡散方法により、Al2O3層３４と絶縁層３６で覆われていないN-GaAs基板３０の表面に拡散される。その結果、発光領域として働くp-GaAsP領域３２がN-GaAs基板３０に形成される。（図6(c)参照）
次に、Si3N4ような絶縁層３６が、Al2O3層３４上に形成される。（図6(d)参照）
次に、Al膜１０４が絶縁層３６とp-GaAsP領域３２とを覆うように形成される。（図6(e)参照）ここで、Al膜１０４の膜厚は図5(e)で示されるAl膜１０２より厚く形成される。
【００３７】
次に、フォトレジストのような第1のマスク層１０６が、公知のフォトリソグラフィ・プロセスを用いて、Al膜１０４の所望部上に形成される。この所望部は、図1に示される段差部４２に対応する部分になる。（図6(f)参照）
次に、第1のマスク層１０６を用いて、Al膜１０４がエッチングされる。（図6(g)参照）
次に、第1のマスク層１０６を除去した後、第2のマスク層１０８が絶縁層３６の上面を介して、p-GaAsP領域３２からパッド（図示省略）へ延在するようにAl膜１０４上に形成される。（図6(h)参照）
次に、第2のマスク層１０８を用いて、Al膜１０４がエッチングされる。その結果、配線層１１０が形成される。（図6(i)参照）
公知のアニーリング・プロセスが、p-GaAsP領域３２と配線層１１０との間の良好なオーミック接続を確保することができる。
【００３８】
上述した本発明のLEDアレイの製造方法の第2の実施の形態によれば、段差部１１４上に配置された配線層１１０が、この配線層１１０のパターニング工程中に配線層１１０と段差部１１４との間に集まるエッチャントによってエッチングされるために配線層１１０が段切れするリスクを防止することができる。また、配線層１１０には、幅広部を設ける必要がなくなるため、LEDアレイのチップサイズを縮小化することができ、これによって、低コスト化が図れる。
【００３９】
本発明のLEDアレイの製造方法の第3の実施の形態
図7(a)〜図7(f)は本発明の第2の実施の形態であるLEDアレイの製造方法を説明するための断面工程図である。
先ず、拡散防止層として働くAl2O3層３４が、N-GaAs基板３０上に形成される。（図7(a)参照）
次に、発光領域の形成予定領域となるN-GaAs基板３０表面を露出するため、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、Al2O3層３４に開口部を形成する。（図7(b)参照）
次に、亜鉛（Zn）のようなP型の不純物が気相拡散方法により、Al2O3層３４と絶縁層３６で覆われていないN-GaAs基板３０の表面に拡散される。その結果、発光領域として働くp-GaAsP領域３２がN-GaAs基板３０に形成される。（図7(c)参照）
次に、Si3N4ような絶縁層３６が、Al2O3層３４上に形成される。（図7(d)参照）
次に、フォトレジストのような第1のマスク層１１６が、公知のフォトリソグラフィ・プロセスを用いて、p-GaAsP領域３２と絶縁層３６との間に形成される段差部を除くp-GaAsP領域３２上、及び絶縁層３６上に形成される。（図7(e)参照）
次に、配線層に用いられる材料に対しエッチングの選択比の大きい材料からなる金属層１２０が、p-GaAsP領域３２と絶縁層３６との間に形成される段差部上と、第1のマスク層１１６上に形成される。ここで、配線層としてAlを用いる場合、金属層１２０として例えば、AuBe又は、AuZnを用いると良い。（図7(f)参照）
次に、金属層１２２は、第1のマスク層１１６を除去することによって、選択的にp-GaAsP領域３２と絶縁層３６との間に形成される段差部上に形成することができる。（図7(g)参照）
次に、Al膜１２４が、p-GaAsP領域３２と絶縁層３６と金属層１２２とを覆うように形成される。（図7(h)参照）
次に、フォトレジストのような第2のマスク層（図示省略）が絶縁層３６の上面を介して、p-GaAsP領域３２からパッド（図示省略）へ延在するようにAl膜１２４上に形成される。
【００４０】
次に、第2のマスク層（図示省略）を用いて、Al膜１２４がエッチングされる。その結果、配線層１２６が形成される。（図7(i)参照）
次に、公知のアニーリング・プロセスが、p-GaAsP領域３２と配線層１２６との間の良好なオーミック接続を確保することができる。
【００４１】
上述した本発明のLEDアレイの製造方法の第3の実施の形態によれば、配線層に用いられる材料に対しエッチングの選択比の大きい材料からなる金属層１２２を用いるようにしたため、段差部１２８上に配置された配線層１２６が、この配線層１２６のパターニング工程中に配線層１２６と段差部１２８との間に集まるエッチャントによってエッチングされるために配線層１２６が段切れするリスクを防止することができる。また、配線層１２６には、幅広部を設ける必要がなくなるため、LEDアレイのチップサイズを縮小化することができ、これによって、低コスト化が図れる。さらに、配線層に用いられる材料に対しエッチングの選択比の大きい材料からなる金属層１２２として、AuBe又は、AuZnを用いるようにしたため、p-GaAsP領域３２と配線層１２６との間の低コンタクト抵抗化が図れる。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形をすることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００４３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のＬＥＤアレイ及びＬＥＤプリンタによれば、以下のような効果を奏することができる。ＬＥＤアレイの配線層がファインピッチになってくると、ＬＥＤアレイの製造工程の内の配線層のパターニング工程中に配線層下の段差部に集まるエッチャントによって配線層自体が段切れが起こるといった問題が生じることを防止できる。さらに、ＬＥＤアレイのチップサイズの縮小化を可能とし、ＬＥＤアレイの低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第1の実施の形態のLEDアレイを説明するための図である。
【図２】本発明の第2の実施の形態のLEDアレイを説明するための図である。
【図３】本発明の第3の実施の形態のLEDアレイを説明するための図である。
【図４】本発明の第4の実施の形態のLEDアレイを説明するための図である。
【図５】本発明の第1の実施の形態のLEDアレイの製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第2の実施の形態のLEDアレイの製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第3の実施の形態のLEDアレイの製造方法を説明するための図である。
【図８】従来のLEDアレイを説明するための図である。（その1）
【図９】従来のLEDアレイを説明するための図である。（その2）
【符号の説明】
２６：LEDアレイ２６
２８：LED
３０：N-GaAs基板
３２：p-GaAsP領域
３４：Al2O3層
３６：Si3N4
３８：配線層
４４：幅広部
４６：段差部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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