Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカスレンズを有する光学系による像を撮像して信号を出力する撮像部と、
前記撮像部から出力された信号に基づいて、前記光学系による像が結像する位置と前記撮像部とのずれ量を検出する検出部と、
前記光学系の光学特性に基づく第１係数または前記第１係数より小さい第２係数と前記ずれ量とに基づいて、前記フォーカスレンズを移動させる移動量を算出する算出部と、
を備え、
前記算出部は、前記ずれ量が閾値未満であると、前記第１係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出し、前記ずれ量が前記閾値以上であると、前記第２係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出する撮像装置。
【請求項２】
フォーカスレンズを有する光学系による像を撮像して信号を出力する撮像部と、
前記撮像部から出力された信号に基づいて、前記光学系による像が結像する位置と前記撮像部とのずれ量を検出する検出部と、
前記光学系の光学特性に基づく第１係数または前記第１係数より小さい第２係数と前記ずれ量とに基づいて、前記フォーカスレンズを移動させる移動量を算出する算出部と、
を備え、
前記算出部は、前記第１係数と前記ずれ量とに基づく前記移動量が閾値以上であると、前記第２係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出する撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の撮像装置において、
前記算出部は、前記光学系が有する絞りの絞り値および前記光学系の瞳距離の少なくとも１方に基づいて変化する前記第１係数または前記第２係数と前記ずれ量とに基づいて、前記移動量を算出する撮像装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置において、
前記算出部は、前記光学系が有する絞りの絞り値に基づいて変化する前記閾値に基づいて、前記移動量を算出する撮像装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置において、
前記算出部は、前記ずれ量に基づいて連続的に変化する前記第１係数または前記第２係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出する撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の撮像装置は、フォーカスレンズを有する光学系による像を撮像して信号を出力する撮像部と、前記撮像部から出力された信号に基づいて、前記光学系による像が結像する位置と前記撮像部とのずれ量を検出する検出部と、前記光学系の光学特性に基づく第１係数または前記第１係数より小さい第２係数と前記ずれ量とに基づいて、前記フォーカスレンズを移動させる移動量を算出する算出部と、を備え、前記算出部は、前記ずれ量が閾値未満であると、前記第１係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出し、前記ずれ量が前記閾値以上であると、前記第２係数と前記ずれ量とに基づいて前記移動量を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
訪問対象となる患者の指定を受け付け、
訪問先位置と駐車位置とを患者に関連付けて記憶する記憶部を前記指定された患者に基づいて参照して、前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を特定し、
前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を含む地図表示データを生成する処理をコンピュータが実行する訪問支援方法。
【請求項２】
請求項１記載の訪問支援方法であって、前記指定された患者に関連する駐車位置を案内先としたルート案内を行うデータを、端末に送信する処理をコンピュータが実行する訪問支援方法。
【請求項３】
請求項２記載の訪問支援方法であって、前記指定された患者に関連する訪問先住所、および、ルート案内先として前記指定された患者に関連する訪問先位置を表示しつつ前記指定された患者に関連する駐車位置をルート案内先とする指示を、前記端末に送信する処理をコンピュータが実行する訪問支援方法。
【請求項４】
請求項１記載の訪問支援方法であって、前記記憶部は患者ごとに、入口位置、および、自宅への進入経路を記憶しており、
前記指定された患者に関連する訪問先位置、前記指定された患者に関連する駐車位置、前記指定された患者に関連する入口位置、および、前記指定された患者に関連する自宅への進入経路を含む地図表示データを生成する処理をコンピュータが実行する訪問支援方法。
【請求項５】
コンピュータに、
訪問対象となる患者の指定を受け付け、
訪問先位置と駐車位置とを患者に関連付けて記憶する記憶部を前記指定された患者に基づいて参照して、前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を特定し、
前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を含む地図表示データを生成する、
処理を実行させるプログラム。
【請求項６】
訪問対象となる患者の指定を受け付け、
訪問先位置と駐車位置とを患者に関連付けて記憶する記憶部を前記指定された患者に基づいて参照して、前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を特定し、
前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を含む地図表示データを生成する処理部
を備える訪問支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一つの案では、訪問支援方法は、訪問対象となる患者の指定を受け付け、訪問先位置と駐車位置とを患者に関連付けて記憶する記憶部を前記指定された患者に基づいて参照して、前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を特定し、前記指定された患者に関連する訪問先位置および前記指定された患者に関連する駐車位置を含む地図表示データを生成する処理をコンピュータが実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィンを主成分とする多孔質フィルムと、
上記多孔質フィルムの片面または両面に積層された、樹脂を含む多孔質層と、を備え、
上記樹脂が、芳香族ポリアミド、ポリイミドまたはポリアミドイミドであり、
（Ａ）上記多孔質層の単位面積当たりに含まれる、上記樹脂の量（ｇ／ｍ２）の増加量に対する、当該多孔質層の絶縁耐力の上昇量（Ｖ・ｍ２／ｇ）と、
（Ｂ）上記多孔質フィルムの単位面積当たりに含まれる上記ポリオレフィンの量（ｇ／ｍ２）の増加量に対する当該多孔質フィルムの絶縁耐力の上昇量（Ｖ・ｍ２／ｇ）と、
の関係が、以下に示す式（１）
（Ａ）＞（Ｂ）…（１）
で示され、かつ、上記多孔質フィルムの平均細孔径（Ｃ）と空隙率（Ｄ）との関係が、以下に示す式（２）
（Ｃ）／（Ｄ）≦０．１３…（２）
で示され、
ここで、上記多孔質フィルムの平均細孔径（Ｃ）は、上記多孔質フィルムにおける細孔の孔径の平均値をμｍ単位にて示した値であり、上記空隙率（Ｄ）は、上記多孔質フィルムに空隙が無いと仮定したときの、そのフィルムの体積を基準とした場合の、実際の上記多孔質フィルムにおける空隙が占める体積の割合を示す値である積層体。
【請求項２】
上記（Ａ）と（Ｂ）とが、さらに、
（Ａ）＞２×（Ｂ）
の関係を満たす、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
上記樹脂は、芳香族ポリアミドである、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
上記多孔質フィルムの膜厚が４μｍ以上１７μｍであり、
上記多孔質フィルムの単位面積当たりの目付が５ｇ／ｍ２以上、１２ｇ／ｍ２以下であり、
上記多孔質層の単位面積当たりの目付が０．１ｇ／ｍ２以上、５ｇ／ｍ２以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項５】
上記平均細孔径（Ｃ）は、ＰＭＩ社製パームポロメーター（型式：ＣＦＰ−１５００Ａ）を用いて、試験液としてＰＭＩ社製GalWick（商品名）を用い、前記多孔質フィルムにおける下記（ｉ）および（ｉｉ）に記載の曲線を測定し、下記（ｉ）および（ｉｉ）の曲線の交点における圧力Ｐの値に基づき、以下の式（３）を用い算出される値である、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層体。
（ｉ）試験液に浸漬した状態の圧力−流量曲線
（ｉｉ）乾燥した状態で測定した流量の１／２とする圧力−流量曲線
（Ｃ）＝４ｃｏｓθｒ／Ｐ…（３）
式（３）中、（Ｃ）は平均細孔径（μｍ）を表し、ｒは試験液の表面張力（Ｎ／ｍ）を表し、Ｐは前記圧力（Ｐａ）を表し、θは前記多孔質フィルムと試験液との接触角（°）を表す。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の積層体を含む非水電解液二次電池用セパレータ。
【請求項７】
正極、請求項６に記載の非水電解液二次電池用セパレータ、および負極がこの順で配置されてなる、非水電解液二次電池用部材。
【請求項８】
請求項６に記載の非水電解液二次電池用セパレータを含む、非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
多孔質層に含まれる樹脂としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、エチレン−プロピレン共重合体等のポリオレフィン；ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）やポリテトラフルオロエチレン等の含フッ素樹脂；フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン−テトラフルオロエチレン共重合体やエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等の含フッ素ゴム；ポリイミド；芳香族ポリアミド：全芳香族ポリアミド（アラミド樹脂）；スチレン−ブタジエン共重合体およびその水素化物、メタクリル酸エステル共重合体、アクリロニトリル−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレンプロピレンラバー、ポリ酢酸ビニル等のゴム類；ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルアミド、ポリエステル等の融点やガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂；ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、セルロースエーテル類、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリメタクリル酸等の水溶性ポリマー等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行および複数の列を構成するように複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを備える固体撮像装置であって、
前記複数の行に平行で、前記マイクロレンズアレイの中心であるアレイ中心を通る第１軸と、前記複数の列に平行で前記アレイ中心を通る第２軸とを定義したときに、前記複数のマイクロレンズのうち前記アレイ中心を中心とする仮想円の上に位置するマイクロレンズは、前記第１軸または前記第２軸の上に位置する第１マイクロレンズと、前記第１軸および第２軸のいずれの上にも位置しない第２マイクロレンズとを含み、
前記第１マイクロレンズおよび前記第２マイクロレンズは、非円形の底面形状を有し、
前記第２マイクロレンズと前記アレイ中心とを通る第２方向における前記第２マイクロレンズの幅は、前記第１マイクロレンズと前記アレイ中心とを通る第１方向における前記第１マイクロレンズの幅より大きく、
前記第１マイクロレンズは、前記第１方向に平行な直線を対称軸とする線対称な形状を有し、前記第２マイクロレンズは、前記第２方向に平行な直線を対称軸とする線対称な形状を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１マイクロレンズの頂点位置は、前記第１方向における前記第１マイクロレンズの幅の中心から前記アレイ中心の側にシフトした位置にあり、前記第２マイクロレンズの頂点位置は、前記第２方向における前記第２マイクロレンズの幅の中心から前記アレイ中心の側にシフトした位置にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２方向に平行な直線に沿って切断された前記第２マイクロレンズの断面形状は、前記第１方向に平行な直線に沿って切断された前記第１マイクロレンズの断面形状の少なくとも一部を拡大した形状を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２方向に平行な直線に沿って切断された前記第２マイクロレンズの断面形状は、前記第１方向に平行な直線に沿って切断された前記第１マイクロレンズの断面形状と相似である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１マイクロレンズの底面の外縁は、前記第１方向に平行な部分、および、前記第１方向に垂直な部分を含み、
前記第２マイクロレンズの底面の外縁は、前記第２方向に平行な部分、および、前記第２方向に垂直な部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１軸と前記第２方向とのなす角をθとしたときに、０°＜θ≦４５°、９０°＜θ≦１３５°、１８０°＜θ≦２２５°、２７０°＜θ≦３１５°の範囲で、前記第２方向における前記第２マイクロレンズの幅は、θの増加に応じて増加し、４５°≦θ＜９０°、１３５°＜θ≦１８０°２２５°＜θ≦２７０°、３１５°＜θ≦３６０°の範囲で、前記第２方向における前記第２マイクロレンズの幅は、θの増加に応じて減少する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数のマイクロレンズは、前記アレイ中心と前記第１マイクロレンズとの間に配置された第３マイクロレンズと、前記アレイ中心と前記第２マイクロレンズとの間に配置された第４マイクロレンズとを含み、前記第３マイクロレンズおよび前記第４マイクロレンズが円形の底面形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、複数の行および複数の列を構成するように複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを備える固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記複数の行に平行で、前記マイクロレンズアレイの中心であるアレイ中心を通る第１軸と、前記複数の列に平行で前記アレイ中心を通る第２軸とを定義したときに、前記複数のマイクロレンズのうち前記アレイ中心を中心とする仮想円の上に位置するマイクロレンズは、前記第１軸または前記第２軸の上に位置する第１マイクロレンズと、前記第１軸および第２軸のいずれの上にも位置しない第２マイクロレンズとを含み、前記第１マイクロレンズおよび前記第２マイクロレンズは、非円形の底面形状を有し、前記第２マイクロレンズと前記アレイ中心とを通る第２方向における前記第２マイクロレンズの幅は、前記第１マイクロレンズと前記アレイ中心とを通る第１方向における前記第１マイクロレンズの幅より大きく、前記第１マイクロレンズは、前記第１方向に平行な直線を対称軸とする線対称な形状を有し、前記第２マイクロレンズは、前記第２方向に平行な直線を対称軸とする線対称な形状を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像装置であって、
複数の画素が配された第１の領域と、前記第１の領域よりも外周側に設けられ、前記複数の画素を制御する回路が配された第２の領域と、前記第２の領域よりも外周側に設けられた第３の領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板の上であって、前記第１の領域と前記第２の領域に設けられた複数の配線層と、
前記複数の配線層のうち最上層の配線層の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に設けられ、かつ、前記第３の領域に第１の開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に設けられ、かつ、前記第１の領域に層内レンズを備えた層内レンズ層と、を有し、
前記層内レンズ層は、前記第３の領域において、前記第１の開口部と連結した第２の開口部を有し、
前記絶縁膜の一部は、前記第１の開口部の下に残存していることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記半導体基板を平面視したときに前記第３の領域に設けられ、複数の配線層とビアプラグからなる保護構造を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記保護構造の上に、前記絶縁膜の第１の開口部と前記層内レンズ層の第２の開口部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記層内レンズ層の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に設けられた反射防止膜を有し、
前記反射防止膜は、前記絶縁膜の第１の開口部の側面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記反射防止膜は、前記層内レンズ層の第２の開口部の側面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記反射防止膜は、前記保護構造を構成する複数の配線層のうち最上層の配線層と接触していることを特徴とする請求項４または５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記半導体基板を平面視したときに、前記絶縁膜の第１の開口部および前記層内レンズ層の第２の開口部は前記第１の領域および前記第２の領域を囲うように形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記絶縁膜と前記層内レンズ層との間であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に設けられた他の反射防止膜を有し、
前記他の反射防止膜は、前記絶縁膜の第１の開口部および前記層内レンズ層の第２の開口部と連結した開口部を有することを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記絶縁膜は酸化シリコンであり、
前記層内レンズ層は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜は酸化シリコンであり、
前記層内レンズ層は窒化シリコンであり、
前記反射防止膜は酸窒化シリコンであることを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記層内レンズの上に平坦化層が設けられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
固体撮像装置の製造方法であって、
複数の画素が配された第１の領域と、前記第１の領域よりも外周側に設けられ、前記複数の画素を制御する回路が配された第２の領域と、前記第２の領域よりも外周側に設けられた第３の領域を含む半導体基板を設ける工程と、
前記半導体基板の上であって、前記第１の領域と前記第２の領域に設けられた複数の配線層を形成する工程と、
前記複数の配線層のうち最上層の配線層の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に層内レンズ層を形成する工程と、
前記層内レンズ層の上にパターニングされたレジストを形成する工程と、
前記パターニングされたレジストをマスクとして、前記第３の領域に設けられた前記層内レンズ層と前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、を有し、
前記開口部を形成する工程において、前記開口部の下に前記絶縁膜の一部が残存するように前記開口部を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記層内レンズ層の上であって、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域に反射防止膜を形成する工程を更に有し、
前記反射防止膜は、前記層内レンズ層の開口部および前記絶縁膜の開口部の側面を覆うように形成されることを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月7日(2018.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第１の導電体と、を有し、
前記第１の絶縁体は、ラザフォード後方散乱分析および水素前方散乱分析により得られる、酸素に対するシリコンの原子数比が、０．５以上０．８以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の絶縁体は、二次イオン質量分析により得られるフッ素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁体は、ラザフォード後方散乱分析および水素前方散乱分析により得られる窒素濃度が５ａｔｏｍｉｃ％以上１５ａｔｏｍｉｃ％以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記基板と、前記第１の絶縁体と、の間に第２の導電体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の導電体と、前記第１の絶縁体と、の間に第４の絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月14日(2018.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像系を用いて生成された互いに視差を有する複数の視差画像を用いて、前記撮像系の収差による劣化が抑制された補正画像を生成する画像処理装置であって、
前記複数の視差画像において同一位置に位置する対応画素の画素値および画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて、前記複数の視差画像のそれぞれに対応する複数の重み付け用データであるウェイトを生成するウェイト生成手段と、
前記複数の視差画像の前記対応画素の画素値を、前記ウェイトを適用して足し合わせることにより前記補正画像を生成する画像生成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ウェイト生成手段は、前記複数の視差画像のうち前記画素値がより低い視差画像に対応する前記ウェイトの値がより大きくなるように前記複数のウェイトを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ウェイト生成手段は、前記複数の視差画像のうち前記画素値勾配がより小さい視差画像に対応する前記ウェイトの値がより大きくなるように前記複数のウェイトを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像生成手段は、
前記複数の視差画像において前記撮像系が合焦した領域である合焦領域を検出し、
前記複数の視差画像における前記合焦領域に対して前記ウェイトを適用することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像生成手段は、
前記複数の視差画像において画素値が飽和している飽和画素を検出し、
前記複数の視差画像における前記飽和画素を含む領域に対して前記ウェイトを適用することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記複数の視差画像に対して周辺光量低下量の差を小さくする補正を行って複数の光量補正視差画像を生成する周辺光量補正手段を有し、
前記ウェイト生成手段は、前記複数の光量補正視差画像における前記画素値および前記画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて前記複数のウェイトを生成し、
前記画像生成手段は、前記複数の光量補正視差画像のそれぞれに対して対応する前記ウェイトを適用することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記ウェイトは、前記画素値に応じた第１のウェイト成分と前記画素値勾配に応じた第２のウェイト成分とを含み、
前記ウェイト生成手段は、前記ウェイトを、前記各視差画像における前記画素値がより低い領域に対しては前記第１のウェイト成分が前記第２のウェイト成分に比べてより重みを有し、かつ前記画素値がより高い領域に対しては前記第２のウェイト成分が前記第１のウェイト成分に比べてより重みを有するように生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項８】
上記画像生成手段は、前記補正画像として、単一の画像または互いに視差を有する複数の画像を生成することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記複数の視差画像は、撮像光学系の射出瞳のうち互いに異なる領域からの複数の光束を撮像素子における互いに異なる光電変換部により光電変換することで生成された画像であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
撮像系を用いて互いに視差を有する複数の視差画像を生成する撮像装置であって、
請求項１から９のいずれか一項に記載の画像処理装置を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
撮像系を用いて生成された互いに視差を有する複数の視差画像を用いて、前記撮像系の収差による劣化が抑制された補正画像を生成する画像処理方法であって、
前記複数の視差画像において同一位置に位置する対応画素の画素値および画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて、前記複数の視差画像のそれぞれに対応する複数の重み付け用データであるウェイトを生成し、
前記複数の視差画像の前記対応画素の画素値を、前記ウェイトを適用して足し合わせることにより前記補正画像を生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
撮像系を用いて生成された互いに視差を有する複数の視差画像を用いて、前記撮像系の収差による劣化が抑制された補正画像を生成する画像処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、
前記画像処理は、
前記複数の視差画像において同一位置に位置する対応画素の画素値および画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて、前記複数の視差画像のそれぞれに対応する複数の重み付け用データであるウェイトを生成し、
前記複数の視差画像の前記対応画素の画素値を、前記ウェイトを適用して足し合わせることにより前記補正画像を生成する処理であることを特徴とする画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての画像処理装置は、撮像系を用いて生成された互いに視差を有する複数の視差画像を用いて、撮像系の収差による劣化が抑制された補正画像を生成する。該画像処理装置は、複数の視差画像において同一位置に位置する対応画素の画素値および画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて、複数の視差画像のそれぞれに対応する複数の重み付け用データであるウェイトを生成するウェイト生成手段と、複数の視差画像の対応画素の画素値を、ウェイトを適用して足し合わせることにより補正画像を生成する画像生成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の他の一側面としての画像処理方法は、撮像系を用いて生成された互いに視差を有する複数の視差画像を用いて、撮像系の収差による劣化が抑制された補正画像を生成する方法である。該画像処理方法は、複数の視差画像において同一位置に位置する対応画素の画素値および画素値勾配のうち少なくとも一方に応じて、複数の視差画像のそれぞれに対応する複数の重み付け用データであるウェイトを生成し、複数の視差画像の対応画素の画素値を、ウェイトを適用して足し合わせることにより補正画像を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影中の撮影位置を検出する撮影位置検出手段と、
撮影中の撮影方位を検出する撮影方位検出手段と、
撮影に使用するカメラの撮影中の傾きを検出する傾き検出手段と、
座標軸を有し、撮影時点より過去に設定した撮影対象の関連情報が前記座標軸上の座標と関連付けられた仮想３次元空間を設定する仮想３次元空間設定手段と、
前記撮影位置、撮影方位、撮影に使用するカメラの撮影中の傾き及びカメラの画角に基づいて、前記仮想３次元空間における撮影中の撮影範囲を特定する撮影範囲特定手段と、
前記仮想３次元空間における撮影範囲に含まれる平面座標を有する関連情報を特定する関連情報特定手段と、
撮影中の画像に前記特定された関連情報を重畳して撮影中に表示する表示手段と、
を備える対象物情報表示装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記撮影範囲及び前記撮影範囲が含まれる地図画像を撮影中の撮影画像とともに表示する、請求項１に記載の対象物情報表示装置。
【請求項３】
撮影機能及び撮影した画像の表示機能を有するタブレット型端末上で構成されている、請求項１または２に記載の対象物情報表示装置。
【請求項４】
撮影対象の撮影中に、前記撮影対象の画像に、撮影時点より過去に設定した前記撮影対象の関連情報を重畳して撮影中に表示する表示手段を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の対象物情報表示装置。
【請求項５】
コンピュータを、
撮影中の撮影位置を検出する撮影位置検出手段、
撮影中の撮影方位を検出する撮影方位検出手段、
撮影に使用するカメラの撮影中の傾きを検出する傾き検出手段、
座標軸を有し、撮影時点より過去に設定した撮影対象の関連情報が前記座標軸上の座標と関連付けられた仮想３次元空間を設定する仮想３次元空間設定手段、
前記撮影位置、撮影方位、撮影に使用するカメラの撮影中の傾き及びカメラの画角に基づいて、前記仮想３次元空間における撮影中の撮影範囲を特定する撮影範囲特定手段、
前記仮想３次元空間における撮影範囲に含まれる平面座標を有する関連情報を特定する関連情報特定手段、
撮影中の画像に前記特定された関連情報を重畳して撮影中に表示する表示制御手段、
として機能させることを特徴とする対象物情報表示プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月13日(2018.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する放電灯に駆動電流を供給する放電灯駆動部と、
前記放電灯駆動部を制御する制御部と、
前記放電灯の電極間電圧を検出する電圧検出部と、
を備え、
前記制御部は、前記放電灯に第１周波数を有する交流電流が供給される第１期間と、前記放電灯に直流電流が供給される第２期間と、が交互に繰り返される混合期間が設けられるように前記放電灯駆動部を制御し、
前記第１周波数は、互いに異なる複数の周波数を含み、
前記制御部は、検出された前記電極間電圧および前記放電灯に供給される駆動電力の少なくとも一方に基づいて、前記第１周波数を変化させることを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項２】
前記制御部は、検出された前記電極間電圧に基づいて、前記第１周波数を設定し、
前記第１周波数は、前記電極間電圧が大きいほど大きく設定される、請求項１に記載の放電灯駆動装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記駆動電力に基づいて、前記第１周波数を設定し、
前記第１周波数は、前記駆動電力が小さいほど大きく設定される、請求項１または２に記載の放電灯駆動装置。
【請求項４】
前記第１期間は、前記放電灯に供給される交流電流の周波数が互いに異なる交流期間を複数有し、
前記第１期間において、時間的に後に設けられる前記交流期間ほど交流電流の周波数が小さくなる、請求項１から３のいずれか一項に記載の放電灯駆動装置。
【請求項５】
前記制御部は、検出された前記電極間電圧および前記駆動電力の少なくとも一方に基づいて、前記第２期間の長さを変化させる、請求項１から４のいずれか一項に記載の放電灯駆動装置。
【請求項６】
前記制御部は、検出された前記電極間電圧が第１所定値よりも大きい場合、または前記放電灯に供給される前記駆動電力が第２所定値よりも小さい場合、前記第２期間の代わりに、第３期間が設けられるように前記放電灯駆動部を制御し、
前記第３期間は、前記放電灯に直流電流が供給される第１直流期間、および前記第１直流期間において前記放電灯に供給される前記直流電流の極性と反対の極性を有する直流電流が前記放電灯に供給される第２直流期間を交互に含み、
前記第１直流期間の長さは、前記第２直流期間の長さよりも大きく、
前記第２直流期間の長さは、０．５ｍｓよりも小さい、請求項１から５のいずれか一項に記載の放電灯駆動装置。
【請求項７】
光を射出する放電灯と、
請求項１から６のいずれか一項に記載の放電灯駆動装置と、
を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出される光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学系と、
を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項９】
電極を有する放電灯に駆動電流を供給して、前記放電灯を駆動する放電灯駆動方法であって、
前記放電灯に第１周波数を有する交流電流が供給される第１期間と、前記放電灯に直流電流が供給される第２期間と、が交互に繰り返される混合期間が設けられ、
前記第１周波数は、互いに異なる複数の周波数を含み、
検出された電極間電圧および前記放電灯に供給される駆動電力の少なくとも一方に基づいて、前記第１周波数を変化させることを特徴とする放電灯駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の光源装置の一つの態様は、光を射出する放電灯と、上記の放電灯駆動装置と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の放電灯駆動方法の一つの態様は、電極を有する放電灯に駆動電流を供給して、前記放電灯を駆動する放電灯駆動方法であって、前記放電灯に第１周波数を有する交流電流が供給される第１期間と、前記放電灯に直流電流が供給される第２期間と、が交互に繰り返される混合期間が設けられ、前記第１周波数は、互いに異なる複数の周波数を含み、検出された電極間電圧および前記放電灯に供給される駆動電力の少なくとも一方に基づいて、前記第１周波数を変化させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
本実施形態において、第１期間Ｐ１の長さｔ１、すなわち、長さｔ１１〜ｔ１４の合計の長さは、例えば、１０ｍｓ（ミリ秒）以上、１０ｓ（秒）以下である。第１期間Ｐ１の長さｔ１がこのように設定されることで、第１電極９２の突起５５２ｐおよび第２電極９３の突起５６２ｐに好適に熱負荷を加えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のコンタクトと、
前記複数のコンタクトをそれぞれ収容する複数の保持溝を有するハウジングと、を備え、
前記複数の保持溝の各々は、第１方向へ延びる内壁を有し、
前記複数のコンタクトの各々は、固定部、接触腕部及び支持腕部を有し、
前記固定部は、前記複数の保持溝の対応する１つに固定され、
前記接触腕部及び前記支持腕部は、前記固定部から前記第１方向へ延び、かつ前記第１方向に直交する第２方向に互いに間隔を空けて配置され、
前記接触腕部は、接点を有し、かつ前記接点が前記第２方向へ移動するように弾性変形可能であり、
前記支持腕部は、少なくとも前記接点が前記支持腕部に近づくように前記接触腕部が弾性変形したときに、前記複数の保持溝の対応する１つの前記内壁に接触する
コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、第１のコネクタとして、
複数のコンタクトと、
前記複数のコンタクトをそれぞれ収容する複数の保持溝を有するハウジングと、を備え、
前記複数の保持溝の各々は、第１方向へ延びる内壁を有し、
前記複数のコンタクトの各々は、固定部、接触腕部及び支持腕部を有し、
前記固定部は、前記複数の保持溝の対応する１つに固定され、
前記接触腕部及び前記支持腕部は、前記固定部から前記第１方向へ延び、かつ前記第１方向に直交する第２方向に互いに間隔を空けて配置され、
前記接触腕部は、接点を有し、かつ前記接点が前記第２方向へ移動するように弾性変形可能であり、
前記支持腕部は、少なくとも前記接点が前記支持腕部に近づくように前記接触腕部が弾性変形したときに、前記複数の保持溝の対応する１つの前記内壁に接触する
コネクタを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態において、コネクタ２０のコンタクト２１は、金属板を打ち抜き加工して形成されている。これに対して、本発明の第２の実施の形態によるコネクタは、図３１に示されるような金属線材からなるコンタクト２１Ａを用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図３１から理解されるように、本実施の形態によるコネクタに用いられるコンタクト２１Ａは、金属線材を曲げて形成されている。即ち、コンタクト２１Ａは、金属線材を曲げて形成されたコンタクトである。コンタクト２１Ａは、第１の実施の形態に用いられるコンタクト２１の外形に対応する外形を持っている。即ち、コンタクト２１Ａは、金属線材からなる接続端子部２１１Ａ、固定部２１２Ａ、接触腕部２１３Ａ、支持腕部２１４Ａを有している。固定部２１２Ａは、接触腕部２１３Ａ及び支持腕部２１４Ａにそれぞれ連続する２つの部分を有する。これら２つの部分の一方は端面２１５Ａを含み、他方は端面２１６Ａを含む。固定部２１２Ａを構成する２つの部分は、接続端子２１１Ａによって互いに連結され、これにより端面２１５Ａと端面２１６Ａとが所定の距離に維持される。また、接触腕部２１３Ａは、接点２１７Ａを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電装置ホルダによって保持された蓄電装置を複数配列してなる配列体と、
前記配列体に対して前記蓄電装置の配列方向に拘束荷重を付加する拘束部材と、を備え、
前記蓄電装置は、上端が開口したケースと、前記ケースの開口を覆い塞ぐ蓋と、前記ケースと前記蓋との間に配置され、前記ケースの開口縁部と前記蓋の縁部とを溶接した溶接部と、を有し、
前記蓄電装置ホルダは、前記蓄電装置が載置される底壁部と、前記蓄電装置を位置決めする１対の側壁部と、を有し、
前記側壁部における前記ケースの側面と対向する位置には、第１凹部が設けられ、
前記側壁部における前記溶接部と対向する位置には、第２凹部が設けられている、蓄電装置モジュール。
【請求項２】
前記第１凹部は、前記ケースの角部を避けるように設けられている、請求項１記載の蓄電装置モジュール。
【請求項３】
前記底壁部における前記ケースの底面と対向する位置には、第３凹部が設けられている、請求項１又は２記載の蓄電装置モジュール。
【請求項４】
前記第３凹部は、前記ケースの下側の角部を避けるように設けられている、請求項３記載の蓄電装置モジュール。
【請求項５】
蓄電装置ホルダによって保持された蓄電装置を複数配列してなる配列体と、
前記配列体に対して前記蓄電装置の配列方向に拘束荷重を付加する拘束部材と、を備え、
前記蓄電装置ホルダは、前記蓄電装置が載置される底壁部と、前記蓄電装置を位置決めする１対の側壁部と、を有し、
前記底壁部における前記蓄電装置の底面と対向する位置において前記配列体に拘束荷重を付加するように前記拘束部材を締結または連結する１対の部材の間には、凹部が設けられている、蓄電装置モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、前記真空容器内部に配置され内側が減圧され当該内側の空間に供給された
処理用ガスを用いてプラズマが形成される真空処理室と、前記真空処理室内部を排気する
排気装置と、前記真空処理室と前記排気装置との間の排気経路の排気の量を調節するバル
ブと、少なくとも前記バルブを制御する制御部とを備え、前記真空処理室内に配置される
被処理基板を当該真空処理室内に形成したプラズマを用いて前記真空処理室内の圧力が所
定の値に調節された状態で処理するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、前記真空処理室内にプラズマが形成された後に予め定められた期間だけ
前記バルブの動作を抑制した後、前記真空処理室内の圧力が前記所定の値を含む特定の範
囲内になったことが検出されてから前記真空処理室内の圧力を前記所定の値となるように
前記バルブの動作を調節することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記予め定められた期間の前記真空処理室内の圧力が一旦上昇した後に前記特定の範囲
以上の値の範囲で下降することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、前記予め定められた期間の後、前記真空処理室内の圧力が最初に前記特
定の範囲内に下降したことを検知して前記バルブの動作の調節を開始することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記バルブは、前記真空処理室の内側であって当該真空処理室の下部に配置された排気
口を覆って配置され当該排気口に対して近接および開離してこの排気口を通る前記真空処
理室からの排気の量を調節することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記特定の範囲は、＋２％以内であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主表面に形成された第１電極層と、前記半導体基板のもう一方の主表面に形成された第２電極層を備え、前記第１電極層と前記第２電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成され、該電気的導通が外部信号により能動的にスイッチ可能な半導体装置であって、
前記第１電極層の領域のうち圧接される第１領域と、圧接される該第１領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第２領域を備え、導通状態において該第２領域が導通抑制部とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１電極層の表面上側、且つ内側に該第１電極層より狭い面積の第３電極層を備え、前記第１電極層の替わりに前記第３電極層と前記第２電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成された請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１電極層の領域のうち前記第３電極層を介して圧接される第１領域と、圧接される該第１領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第２領域を備え、導通状態において該第２領域が導通抑制部とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板内にソース層を含む請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
導通状態において前記第２領域を導通抑制部とするために、前記第２領域における前記ソース層を削減したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記第２電極層が導電材により電極基板に接合されていて、且つ前記第２領域の電流密度が前記第１領域の電流密度の２分の１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板内に第１導電形のエミッタ層を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
導通状態において前記第２領域を導通抑制部とするために、前記第２領域の第１導電形のエミッタ層の代わりに第１導電形の電流抑制エミッタ層あるいは第２導電形の電流抑制層を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２電極層の外側に金属板を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
導通状態において前記第２領域を導通抑制部とするために、前記第２電極層の外側の金属板は前記第２領域には設けないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記第２領域の電流密度が前記第１領域の電流密度の１／１００以下とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１導電形半導体基板の主表面に等間隔に形成された第２導電形ベース層と、前記第２導電形ベース層の表面に断続的に形成された第１導電形ソース層と、前記第１導電形半導体基板と前記第１導電形ソース層に挟まれた前記第２導電形ベース層の表面にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電形ベース層および前記第１導電形ソース層の両方に電気的に接続され、且つ前記第１導電形ソース層の表面に形成された第１電極層とを備え、前記第１導電形半導体基板のもう一方の主表面には第２導電形エミッタ層と、前記第２導電形エミッタ層と電気的に接続し、且つ前記第２導電形エミッタ層の表面に形成された第２電極層を備え、前記第１電極層と前記第２電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成された半導体装置であって、
前記第１電極層の領域のうち圧接される第１領域と、圧接される該第１領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第２領域を備え、該第２領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層が前記第１領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層の密度の１００分の１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１導電形半導体基板の主表面に形成された第２導電形ベース層と、前記第２導電形ベース層に形成されたトレンチゲート電極と、前記第２導電形ベース層の表面に形成され前記トレンチゲート電極と接する第１導電形ソース層と、前記第２導電形ベース層および前記第１導電形ソース層の両方に電気的に接続され、且つ前記第１導電形ソース層の表面に形成された第１電極層とを備え、前記第１導電形半導体基板のもう一方の主表面には第２導電形エミッタ層と、前記第２導電形エミッタ層と電気的に接続し、且つ前記第２導電形エミッタ層の表面に形成された第２電極層を備え、前記第１電極層と前記第２電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成された半導体装置であって、
前記第１電極層の領域のうち圧接される第１領域と、圧接される該第１領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第２領域を備え、該第２領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層が前記第１領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層の密度の１００分の１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第１電極層の表面上側且つ内側に該第１電極層より狭い面積の第３電極層を備え、前記第１電極層の替わりに前記第３電極層と前記第２電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成された請求項８または請求項９記載の半導体装置であって、
前記第１電極層の領域のうち前記第３電極層を介して圧接される第１領域と、圧接される該第１領域の外側の一部分でセンスエミッタ電位を取り出す第２領域を備え、該第２領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層が前記第１領域の前記第１電極層に接する前記第１導電形ソース層の密度の１００分の１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記第２電極層が導電材により電極基板に接合されていて、前記第２領域の電流密度が前記第１領域の電流密度の２分の１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
該半導体装置は複数の半導体チップの並列接続により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
入力端子と、該入力端子に接続され、半導体スイッチング素子と半導体整流素子から構成される単位セルを複数直列接続したアームと、前記アームに接続される出力端子を備え、前記半導体スイッチング素子がオン・オフすることにより電力の変換をする電力変換装置であって、
前記半導体スイッチング素子または前記半導体整流素子の各々が、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路領域および周辺回路領域を備える撮像装置の製造方法であって、
前記画素回路領域および前記周辺回路領域を構成し、前記画素回路領域において光電変換部を有し、前記周辺回路領域においてトランジスタを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に配され、前記画素回路領域から前記周辺回路領域に渡って延在するパッシベーション膜と、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜よりも前記半導体層の近くに配された部材と、
前記半導体層と前記パッシベーション膜との間に配された複数の配線と、
を備える構造体を用意する工程と、
前記構造体に熱処理を施す工程と、を有し、
前記パッシベーション膜および前記部材の少なくとも一方には水素が含まれており、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記複数の配線のうちで前記パッシベーション膜に最も近い配線に重なる部分を有しており、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜には、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない部分を有する貫通孔が設けられていることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記部材には水素が含まれており、
前記部材は、前記画素回路領域から前記周辺回路領域に渡って延在する絶縁膜である、請求項１に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記複数の配線のうちの第１の配線と第２の配線との間に配されている、請求項２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記最も近い配線と前記パッシベーション膜との間に配されている、請求項２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔は空隙である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理を３５０℃以上の温度で行う、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
画素回路領域および周辺回路領域を備える撮像装置であって、
前記画素回路領域および前記周辺回路領域を構成し、前記画素回路領域において光電変換部を有し、前記周辺回路領域においてトランジスタを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に配され、前記画素回路領域から前記周辺回路領域に渡って延在するパッシベーション膜と、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜よりも前記半導体層の近くに配された部材と、
前記半導体層と前記パッシベーション膜との間に配された複数の配線と、
を備え
前記パッシベーション膜および前記部材の少なくとも一方には水素が含まれており、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記複数の配線のうちで前記パッシベーション膜に最も近い配線に重なる部分を有しており、
前記周辺回路領域において前記パッシベーション膜には、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない部分を有する貫通孔が設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
前記周辺回路領域における素子分離部の水素濃度が、前記画素回路領域における前記素子分離部の水素濃度よりも低い、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記部材は酸化シリコン層を有し、前記パッシベーション膜は窒化シリコン層を有し、前記最も近い配線は複数の層を有し、前記最近配線の前記複数の層のうちで前記パッシベーション膜に最も近い層は窒化チタン層である、請求項７または８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記周辺回路領域には信号処理部および出力部が配されており、前記貫通孔は前記半導体層の主面に垂直な方向で前記信号処理部および出力部の少なくとも一方に重なる、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記部材は水素を含む絶縁膜であり、前記絶縁膜は前記画素回路領域および前記周辺回路領域に渡って延在する絶縁膜であり、前記絶縁膜は前記複数の配線のうちの第１の配線と第２の配線の間に設けられている、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記部材は水素を含む絶縁膜であり、前記絶縁膜は前記画素回路領域および前記周辺回路領域に渡って延在する絶縁膜であり、前記絶縁膜は前記最も近い配線とパッシベーション膜の間に設けられている、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記貫通孔は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重なる部分を有する、請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記貫通孔の縁は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない、請求項７乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記パッシベーション膜は前記周辺回路領域において第２の貫通孔を有し、前記第２の貫通孔は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない部分と前記最も近い配線に重なる部分とを有する、請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記第２の貫通孔の縁は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない、請求項１５に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記パッシベーション膜は前記周辺回路領域において第３の貫通孔を有し、前記第３の貫通孔は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重ならない部分と、前記最も近い配線に重なる部分と、を有し、
前記第３の貫通孔の縁は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重なる、請求項１６に記載の撮像装置。
【請求項１８】
前記パッシベーション膜は前記周辺回路領域においてパッド開口を有し、前記パッド開口は、前記半導体層の主面に垂直な方向で、前記最も近い配線に重なる部分を有する、請求項７乃至１７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１９】
前記パッシベーション膜の上の平坦化膜と、
前記平坦化膜の上のカラーフィルタと、をさらに備え、
前記平坦化膜は前記パッシベーション膜の前記貫通孔の中に配された部分を有する、請求項７乃至１８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項２０】
前記半導体層に対して前記パッシベーション膜が配された側とは反対側に配置されたマイクロレンズをさらに備える、請求項７乃至１８のいずれか１項に記載の撮像装置。