(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層とアルミニウム層とを順次有する積層膜であり、
前記アルミニウム層に結晶粒界がなくかつ
前記アルミニウム層の結晶面（３１１）が、前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°に傾いている
弾性表面波装置。
【請求項２】
圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層とアルミニウム層とを順次有する積層膜であって、当該窒化チタン層とアルミニウム層との間に金属チタン層を有する
弾性表面波装置。
【請求項３】
前記アルミニウム層の結晶面の方位が（１１１）である
請求項２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
窒素ガスとアルゴンガスを導入して窒化チタン層をスパッタ成膜し、
次いで、アルゴンガスのみを導入してアルミニウム層をスパッタ成膜し、これにより結晶粒界がなくかつ結晶面（３１１）が前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°傾いたアルミニウム層を前記窒化チタン層の上に形成する
弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
窒素ガスとアルゴンガスを導入して窒化チタン層をスパッタ成膜し、
その後、窒素ガスの導入を止めてアルゴンガスのみを導入して前記窒化チタン層の上に金属チタン層を成膜し、
次いで、アルゴンガスのみを導入してアルミニウム層をスパッタ成膜し、これにより結晶面（１１１）が前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°傾いたアルミニウム層を前記金属チタン層の上に形成する
弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等に利用する弾性表面波フィルタ、８００ＭHz帯域から特にＧHz帯の高周波数帯域に利用される分波器等、耐電力性を要求される弾性表面波素子の電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波装置、すなわち弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子は、誘電体フィルタに替わって、携帯電話、コードレス電話等の移動体通信機器に用いられるＲＦ帯フィルタに盛んに利用されるようになってきた。この理由として、弾性表面波装置、特に弾性表面波フィルタは、誘電体フィルタに比べて寸法が小さいこと、又、同じ大きさで比較すると電気特性が優れていることなどが挙げられる。
【０００３】
弾性表面波装置は、少なくとも圧電性基板と、この圧電性基板の表面に形成された金属膜からなる櫛形の電極パターンと、この圧電性基板および電極パターンを収容するパッケージとから構成される。圧電性基板には、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、水晶などが用いられ、特に、ＲＦ帯フィルタ用には、大きな電気機械結合係数を有する、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムが多用されている。
【０００４】
弾性表面波素子の電極材料はＡｌ−Ｃｕ合金電極が一般的に用いられている。特に耐電力性が要求される素子には、Ａｌ−Ｃｕ合金のＣｕ濃度を上げる方法がとられてきた。しかし、Ｃｕ濃度を上げた合金材料は、腐食しやすく、特に塩素ガスを用いたドライエッチング後に電極腐食しやすく、製造を安定することに問題があった。
【０００５】
一方、Ａｌ−Ｔｉ合金や、Ａｌ−Ｔａ合金等の腐食し難く、耐電力性に優れた他のアルミニウム系合金を電極材として使用する試みも種々なされている（例えば特公平７−１０７９６７号公報、特開平９−２９８４４２号公報等）。しかし、これらの合金材料はＡｌ−Ｃｕ合金の電気抵抗に比較して抵抗値が高く、高効率の弾性表面波素子へは適用できない。
【０００６】
また、チタン膜とＡｌ−Ｓｃ−Ｃｕ合金膜の四層積層膜、Ａｌ−Ｃｕ合金膜と銅膜の三層積層膜などの異種金属の繰り返し積層により、耐電力性を向上させる試みもなされている（例えば、ＷＯ９９／５４９９５号、特開平５−１２２９６１号公報）。ここで、繰り返し積層膜の場合、１ＧHz帯域以下で用いられる弾性表面波素子においては、アルミニウム合金の膜厚は、０．１μm 以上厚くすることが可能である。しかし、薄膜の抵抗率は、一般に膜厚が薄くなるほど上昇する。このため、上記繰り返し積層膜を１ＧHz以上の高周波数帯域で用いられる弾性表面波素子の電極に適用する場合、全層厚が０．２μm 程度となるため、繰り返し積層膜の各膜厚は０．１μm 以下となり、電気抵抗が上昇してしまう。従って、このような構造では、高効率な弾性表面波素子を実現することには限界がある。
【０００７】
弾性表面波素子を分波器に利用した場合、耐電力性を要求される。耐電力性の劣る電極材料は、弾性表面波による大きな振動により、電極材料がマイグレーションし、ボイドとヒロック、ウイスカー等が生成しやすい。ボイドの発生は電極材料の電気抵抗を上昇させ、表面弾性波素子の挿入損失を劣化に至らせる。ヒロック、ウイスカーの発生は電極指間のショートに至らしめる。ヒロック、ウイスカーの発生は、ボイドとなった材料の移動により局所的な集中によるものと考えられている。つまり、ボイドの発生を低減することにより、ヒロック、ウイスカーの発生を抑制でき、電気抵抗の上昇も抑制できる。
【０００８】
また、Ａｌ−Ｃｕ合金のボイドの発生はＣｕ原子を粒界に偏在させることにより、粒界の耐マイグレーション性を向上し、耐電力性が向上することがＷＯ９７／１１５２６号公報に示されている。つまり、耐電力性の向上のためには、粒界の耐マイグレーション性強化が必要である。
【０００９】
このため、このような弱い粒界が元来無い、単結晶の材料により形成された電極が求められていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、少なくとも弾性表面波の励振電極である電極指の範囲内に結晶粒界が無いアルミニウムの製造方法と、その方法による弾性表面波素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち上記目的は、以下の本発明の構成により達成される。
（１）  圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層とアルミニウム層とを順次有する積層膜であり、
前記アルミニウム層に結晶粒界がなくかつ
前記アルミニウム層の結晶面（３１１）が、前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°に傾いている弾性表面波装置。
（２）  圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層とアルミニウム層とを順次有する積層膜であって、当該窒化チタン層とアルミニウム層との間に金属チタン層を有する弾性表面波装置。
（３）  前記アルミニウム層の結晶面の方位が（１１１）である上記（２）の弾性表面波装置。
（４）  圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
窒素ガスとアルゴンガスを導入して窒化チタン層をスパッタ成膜し、
次いで、アルゴンガスのみを導入してアルミニウム層をスパッタ成膜し、これにより結晶粒界がなくかつ結晶面（３１１）が前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°傾いたアルミニウム層を前記窒化チタン層の上に形成する弾性表面波素子の製造方法。
（５）  圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
窒素ガスとアルゴンガスを導入して窒化チタン層をスパッタ成膜し、
その後、窒素ガスの導入を止めてアルゴンガスのみを導入して前記窒化チタン層の上に金属チタン層を成膜し、
次いで、アルゴンガスのみを導入してアルミニウム層をスパッタ成膜し、これにより結晶面（１１１）が前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°傾いたアルミニウム層を前記金属チタン層の上に形成する弾性表面波素子の製造方法。
【００１２】
【作用】
励振電極の範囲内に粒界の無い電極材料は、アモルファス材料か単結晶材料である。一般的にアルミニウム材料はアモルフアスになりにくいが、下地単結晶基板に、格子整合がとれている緩衝材料を選択し、緩衝材上にアルミニウムを成膜することにより単結晶となる。
【００１３】
ＬｉＴａＯ3 単結晶を、この単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面にした基板に対して、種々の結晶構造をとる窒化チタンは、緩衝材として適している。そして、窒化チタン上にアルミニウムを成膜することにより、アルミニウムは単結晶となり、結晶粒界の存在しない電極膜となる。ところが、窒化チタンは（１１１）面方位を有するアルミニウムに対して、適しているとは言えない。そこで、窒化チタン上に金属チタンを形成し、その上にアルミニウムを形成することで、（１１１）面方位を有するアルミニウム単結晶層が得られる。
【００１４】
また、ＬｉＮｂＯ3 単結晶についても同様な関係があり、ＬｉＴａＯ3 と同様に粒界の無い単結晶アルミニュウム膜を得ることができる。ＬｉＮｂＯ3 単結晶とＬｉＴａＯ3 単結晶の構造はどちらも菱面体構造であり、格子定数は非常に近似した値をとる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の弾性表面波装置は、３３°±９°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）圧電性基板と、この基板表面に形成された少なくとも一対の交差指型電極（櫛型電極）を有する。この交差指型電極は、基板上に形成された窒化チタン下地膜と、この窒化チタン下地膜上に形成されたアルミニウム膜とを含む。
【００１６】
上記圧電性基板は、従来から用いられている３３°±９°回転Ｙ−Ｘ伝搬タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム単結晶を用いて形成される。基板のカット方向は、Ｘ軸を中心にＹ軸を３３°±９°、好ましくは３３°＋９°の範囲で回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断されている。このような面を有し、緩衝層を設けることにより、アルミニウム単結晶層をエピタキシャル成長させることができる。基板のカット方向は、Ｘ線回折により確認でき、結晶学的面方位は（０１２）である。この方位面が、基板表面に平行、あるいは±９°の傾きを有している。
【００１７】
基板の寸法は、特に限定されないが、一般に弾性表面波装置に適用する場合は、弾性表面波伝搬方向は０．１〜１０mm程度、これと直交する方向も０．１〜１０mm程度、厚さは０．２〜０．４mm程度である。ただし、電極形成工程においては、通常直径４インチ若しくは３インチの丸型基板が使用され、この基板上に上記サイズの素子が一括形成される。
【００１８】
上記チタン下地膜は、少なくとも窒化チタン膜を有し、好ましくはアルミニウム膜との間に金属チタン膜を含む。このように（０１２）単結晶基板上に窒化チタン、金属チタン（００２）の下地層を形成することで、その上に良好な膜質の（３１１）、または（１１１）面方位を有するアルミニウム層をエピタキシャル成長させることができる。
【００１９】
窒化チタン膜の膜厚は、好ましくは０．３〜１０nm、特に０．８〜５nmの範囲が好ましい。窒化チタン下地金属膜の厚さが、厚くなるほど内部応力が高くなって亀裂や剥離が生じやすくなる。一方厚さが薄すぎると、緩衝層としての機能を発揮できなくなってくる。
【００２０】
金属チタン膜は、必要により窒化チタン下地膜と、アルミニウム層との間に形成される。窒化チタン上に金属チタン膜を有することで、その上にエピタキシャル形成されるアルミニウムが（１１１）の面方位で形成されるようになる。チタン膜は、その純度が高ければ高い程望ましいが、純度９９．９％以上であれば好ましく用いることができる。
【００２２】
また、下地となる窒化チタン膜から傾斜構造となっているとよい。すなわち、窒化チタンをＴｉＮx と表したとき、膜厚方向にｘが減少していき０、すなわちＴｉとなるように形成されているとよい。また、その厚さは、均質な膜とするために１nm以上であることが好ましい。金属チタン下地膜の厚さの上限は特にないが、厚くなるほど内部応力が高くなって亀裂や剥離が生じやすくなるので、一般に厚さ１００nm以下とすることが好ましい。
【００２３】
窒化チタン、金属チタン下地金属膜は、蒸着法、スパッタ法等により成膜することができる。チタン下地金属膜の成膜レートは、膜厚制御の点から０．０１〜１nm／秒程度であることが好ましい。
【００２４】
また真空槽内の真空度は１×１０-4 Pa以下、特に１×１０-5 Pa以下が好ましく、真空槽内には、スパッタガスとしてＡｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅ等の不活性ガスが導入される。さらに、窒化チタンを成膜する場合には、原料ガスとして窒素ガスを導入するとよい。この場合、窒素ガスの導入量を調整することで、上記傾斜構造を得ることもできる。すなわち、チタンを窒素ガスとアルゴンガス等のスパッタガスを導入してスパッタ成膜し、その後、窒素ガスの導入を止めてアルゴンガスのみ導入してチタンを成膜し、次いで、純アルミニウムをアルゴンガスのみ導入してスパッタ成膜すればよい。このときの各層の膜厚は、成膜レートから計算できるので、最適な膜厚となるよう成膜時間を設定し、原料ガスの切り替えを行えばよい。そして傾斜構造とするには、原料の窒素ガスの流量を徐々に少なくなるようにすればよい。
【００２５】
成膜時に基板を加熱してもよく、その場合の基板温度としては５０〜２００℃程度が好ましい。
【００２６】
チタン下地膜上に形成するアルミニウム膜は、蒸着法、スパッタ法等により成膜することができる。アルミニウム膜の成膜レートは、１〜２０nm／秒程度であることが好ましい。
【００２７】
アルミニウム膜の厚さは、適用される周波数帯域などに応じて適宜決定すればよい。
【００２８】
下地層上に形成されたアルミニウム膜は、エピタキシャル成長により得られた単結晶膜である。このため、アルミニウム層内には結晶粒界が無い。
【００２９】
形成されたアルミニウム膜は、（３１１）または（１１１）若しくはこれと結晶学的に等価な面を有する単結晶膜である。また、アルミニウムの結晶面（３１１）の方位が、前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°に傾いている。このように、アルミニウム結晶の（３１１）または（１１１）若しくはこれと結晶学的に等価な面であることは、Ｘ線回折により確認できる。
【００３０】
特に（１１１）アルミニウム膜は、細密面が表面になることから、そこに形成される酸化膜も緻密なものとなり、耐腐食性が向上してデバイスの寿命を飛躍的に向上させることができる。
【００３１】
本発明の弾性表面波装置は、複数の弾性表面波共振器を組み合わせたラダー型ＳＡＷフィルター等とすることができる。
【００３２】
【実施例】
〔実施例１〕
４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板をアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による超音波洗浄を行った後に純水により有機溶剤を置換して洗浄した。この基板をスパッタ装置の真空排気チャンバーに投入し、真空排気し、１７０℃に予備加熱した。その後にＴｉ成膜チャンバーに移し、Ａｒガスと窒素ガスをそれぞれ１５SCCM導入し、チャンバー内圧力を０．７Paとした。その後にプラズマを発生し金属チタンターゲットにて窒化チタンを反応性成膜した。成膜レートと成膜時間より窒化チタンの設定膜厚は、０．８nmである。その後に窒素ガスを停止し、Ａｒガスにて金属チタンを成膜した。この基板をＡｌ成膜チャンバーに移し、Ａｒガスにてアルミニウムを成膜した。この積層膜の膜厚は蛍光X線膜厚計にて測定した結果、チタン１０nm、アルミニウム３３０nmであった。一方、比較資料として、同じ洗浄を行なった４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板にＡｌ−０．５%Ｃｕ合金（質量比、以下同）単層膜を成膜した。この合金膜の膜厚は３４７nmであった。
【００３４】
２種類のアルミニウム膜をＸ線回折装置にて、Ａｌ（１１１）のロッキングカーブを測定した。その結果は表１に示す通り、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金（質量比、以下同）単層膜はＡｌ（１１１）のθ値１９．２°の位置にピークが観察され、そのピークの半値幅は２．０°であった。しかし、窒化チタン／チタン／アルミニウム積層膜はＡｌ（１１１）のθ値１９．２°の位置にピークが観察されず、２１°の位置に観察され、そのピークの半値幅は０．７６６°であった。これはＡｌ（１１１）面が基板表面から２°傾いていることを示している。
【００３５】
【表１】
0003735550.tif 000002
【００３７】
この積層膜は、アルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果、図１に示すように、粒界の無い単結晶膜であることを確認した。一方、比較サンプルであるＡｌ−０．５％Ｃｕ合金膜には、図２に示すように粒界があることを確認した。
【００３８】
この２種類の膜を電極として、図３、４に示す４段のラダー型ＳＡＷフィルターを作成した。ここで図３はＳＡＷフィルターの構成を示す概略平面図、図４は図３の等価回路図である。図において、入力端子Ｉｎから出力端子Ｏｕｔ間に直列接続された弾性表面波素子Ｓ１〜Ｓ２があり、さらに弾性表面波素子Ｓ１，Ｓ２およびＳ３，Ｓ４間とＧＮＤとが弾性表面波素子Ｐ１およびＰ２により接続されている。そして、このような構成のＳＡＷフィルターを図５に示す構成の測定装置を用い、８５℃雰囲気にて耐電力性測定を行なった。すなわち、恒温槽１５内にＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ）を配置し、この入力端Ｉｎに信号発生器１２から得られた所定の周波数範囲のＲＦ信号を、ＲＦパワーアンプ１３により所定の強度に増幅して印加した。また、その出力端ＯＵＴを電力計１１に接続して出力電力を測定した。また、前記ＳＡＷフィルタの入出力には、方向性カップラ１６および減衰器ＡＴＴ１，ＡＴＴ２を介してネッワークアナライザー１４を接続した。そして、耐電力性を、ＳＡＷフィルタに投入する電力１．５８Ｗ、挿入損失が２dB劣化するまでの寿命として評価した。結果を表２に示す。
【００３９】
【表２】
0003735550.tif 000003
【００４０】
Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金と比較すると、積層膜を電極としたSAWフィルタは、２６０倍の寿命があることが分かる。
【００４１】
また、上記実施例中で使用した基板を４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板から３９°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板に代えて電極を形成し、Ａｌ（１１１）のロッキングカーブを測定したところ、その半値幅は０．７９０となった。また、上記と同様にして耐電力性測定を行ったところほぼ同様の結果が得られた。
【００４２】
〔実施例２〕
実施例１と同様に洗浄した４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板に、アルゴンガスと窒素ガスともに１５SCCM流し、成膜圧力０．７Paで、チタンターゲットを用いて窒化チタンを設定膜厚２．５nmとなるようにスパッタ成膜した。今度は実施例１とは異なり、この窒化チタンの上にアルミニウムをアルゴンガスのみにて膜厚３４３nmとなるよう成膜した。
【００４３】
このアルミニウム膜をＸ線回折装置にてＡｌ（３１１）のロッキングカーブを評価した。この積層膜のＡｌ（３１１）の半値幅は０．６１９°であり、単結晶膜である。
【００４５】
この積層膜を用いて実施例１と同様な図３に示すラダー型弾性表面波フィルターを作成した。図４に示す耐電力評価回路にて、周囲温度８５℃にて耐電力性測定を行なった。耐電力性をＳＡＷフィルタに投入する電力１．５８Ｗ、挿入損失が２dB劣化するまでの寿命を評価した。結果を表３に示す。
【００４６】
【表３】
0003735550.tif 000004
【００４７】
上記表から、発明サンプルをＡｌ−０．５％Ｃｕ合金と比較すると、積層膜を電極としたSAWフィルタは250倍の寿命があることが分かる。
【００４８】
また、上記実施例２中で使用した基板を４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板から３６°、３９°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板に、それぞれ代えて電極を形成し、Ａｌ（１１１）のロッキングカーブを測定したところ、その半値幅は、それぞれ０．５７３、０．５３５となった。また、上記と同様にして耐電力性測定を行ったところほぼ同様の結果が得られた。
【００４９】
〔実施例３〕
ＬｉＴａＯ3 とＬｉＮｂＯ3 との比較
実施例１、実施例２ではＬｉＴａＯ3単結晶基板を例に説明したが、ＬｉＴａＯ3結晶と結晶学的に類似したＬｉＮｂＯ3結晶でも同様な効果が得られる。ＬｉＴａＯ3とＬｉＮｂＯ3単結晶を比較すると、下記表４に示すように、ａ軸長で０．０７０％、ｃ軸長で０．７７８％の差しかない。
【００５０】
【表４】
0003735550.tif 000005
【００５１】
４１°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を実施例1と同様な洗浄を行った。この基板に窒素とアルゴンの混合ガスで成膜圧力０．７Paにて、チタンターゲットを用いて窒化チタンを設定膜厚２．５nm成膜し、その上にアルゴンガスのみによりアルミニウムを膜厚３４３nm成膜した。次にX線回折装置にてＡｌ（３１１）のロッキングカーブを評価したところ、Ａｌ（３１１）の半値幅は実施例２よりも良好で、０．４４４°であった。このＡｌは単結晶膜であった。
【００５２】
したがって、ＬｉＴａＯ3単結晶基板だけでなく、同様な結晶構造であるＬｉＮｂＯ3単結晶にもＡｌの単結晶膜は形成可能である。
【００５３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、少なくとも弾性表面波の励振電極である電極指の範囲内に結晶粒界が無いアルミニウムを製造することで、電気抵抗の上昇がなく、高効率で長寿命の弾性表面波素子、およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１で作製した発明サンプル電極のアルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果を示す図面代用写真である。
【図２】  実施例１で作製した比較サンプル電極のアルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果を示す図面代用写真である。
【図３】  ラダー型弾性表面波フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図４】  図３の等価回路図である。
【図５】  耐電力評価に用いた装置の結線図である。
【符号の説明】
１１    電力計
１２    信号発生器
１３    ＲＦパワーアンプ
１４    ナットワークアナライザー
１５    恒温槽
【図１】
0003735550.tif 000006
【図２】
0003735550.tif 000007
【図３】
0003735550.tif 000008
【図４】
0003735550.tif 000009
【図５】
0003735550.tif 000010