(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低域側通過帯域を形成する低域側バンドパスフィルタと、この低域側バンドパスフィルタと並列に接続されると共に前記低域側通過帯域より高い帯域である高域側通過帯域を形成する高域側バンドパスフィルタとを備えると共に複数の誘電体層を有する積層フィルタであって、前記低域側バンドパスフィルタは、前記積層フィルタの端面に配置された信号入力用端面電極及び信号出力用端面電極と、任意の誘電体層の上に配置されると共に開放端側が前記信号入力用端面電極及び前記信号出力用端面電極に高周波的に接続された複数の共振器と、前記任意の誘電体層の上に配置されると共に前記複数の共振器をまとめるように前記複数の共振器の短絡端側に接続された誘導性の接続パターンと、前記積層フィルタの端面に配置されると共に前記接続パターンに接続された接地電極とを有し、前記共振器の前記短絡端側の線路幅と前記共振器の前記開放端側の線路幅とは異なり、前記接続パターンの線路幅は前記共振器の線路幅のうち最小の線路幅以下である積層フィルタ。
【請求項２】
低域側通過帯域を形成する低域側バンドパスフィルタと、この低域側バンドパスフィルタと並列に接続されると共に前記低域側通過帯域より高い帯域である高域側通過帯域を形成する高域側バンドパスフィルタとを備えると共に複数の誘電体層を有する積層フィルタであって、前記低域側バンドパスフィルタは、前記積層フィルタの端面に配置された信号入力用端面電極及び信号出力用端面電極と、任意の誘電体層の上に配置されると共に開放端側が前記信号入力用端面電極及び前記信号出力用端面電極に高周波的に接続された複数の共振器と、前記任意の誘電体層の上に配置されると共に前記複数の共振器をまとめるように前記複数の共振器の短絡端側に接続された接続パターンと、前記積層フィルタの端面に配置されると共に前記接続パターンに接続された誘導性の接地電極とを有し、前記共振器の前記短絡端側の線路幅と前記共振器の前記開放端側の線路幅とは異なり、前記接地電極の線路幅は前記共振器の線路幅のうち最小の線路幅以下である積層フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話機の高周波回路部に使用される積層フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の積層フィルタの通過特性は図６に示されるように、２つの通過帯域、すなわち低域側通過帯域１と高域側通過帯域２を有しており、低域側通過帯域１および高域側通過帯域２のインピーダンス整合をとるために、図７に示すバンドパスフィルタ３１，３２を設計しており、それぞれの通過帯域が互いに影響を及ぼさないようにインピーダンス整合を図るだけで、低域側通過帯域１と高域側通過帯域２の間の帯域３については、考慮していなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成において問題となるのは、低域側通過帯域１および高域側通過帯域２のインピーダンス整合のみを考慮しているため、前記低域側通過帯域１と前記高域側通過帯域２の間の帯域３については減衰量が十分得られないため、携帯電話の高周波回路部の性能劣化が起こるという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明はフィルタの低域側通過帯域１および高域側通過帯域２の挿入損失を劣化させることなく前記低域側通過帯域１と前記高域側通過帯域２の間の帯域３の減衰量を十分得ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために本発明は、前記低域側通過帯域１と前記高域側通過帯域２の間の帯域３に減衰極４を形成し、より大きな減衰量が得られるようにしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、２つまたはそれ以上の通過帯域の間の帯域に減衰極を有する積層フィルタであり、通過帯域内の挿入損失を劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得られるという作用を有する。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、２つまたはそれ以上の通過帯域を有する積層フィルタであり、低域側通過帯域の低域側近傍に減衰極をもち、通過帯域内の挿入損失を劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得られるという作用を有する。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、２つまたはそれ以上の通過帯域を有する積層フィルタであり、高域側通過帯域の高域側近傍に減衰極をもち、通過帯域内の挿入損失を劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得られるという作用を有する。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、複数のシールドパターンを有する誘電体の間に複数のストリップラインを有する誘電体と上記複数のストリップラインに対向する結合部をもつ入出力容量パターンを有する誘電体層とを配し、入出力容量パターンに接続された端面電極を形成し、上記ストリップラインの接地部と接地電極を接続する接続パターンが形成されており、前記接続パターンのストリップライン長方向に垂直方向の線路幅を、ストリップラインの最小線路幅以下として、共振器接地部とアース間にインダクタンス成分を形成し、２つまたはそれ以上の通過帯域間のアドミタンスを０として、減衰極を得て減衰量を十分得られるという作用を有する。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、接地電極の形状をストリップライン長方向に垂直方向のストリップラインの最小線路幅以下とし、共振器接地部とアース間にインダクタンス成分を形成し、２つまたはそれ以上の通過帯域間のアドミタンスを０として、減衰極を得て減衰量を十分得るという作用を有する。
【００１１】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を図１，図２，図３，図４を用いて説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施の形態におけるフィルタの通過特性であり、図２は同実施の形態におけるフィルタの斜視図を示し、図３はその分解斜視図、図４はその等価回路を示している。
【００１３】
本実施の形態は、図３に示されるように、１０層の誘電体１０〜１９を積層した構成を有しており、誘電体１１，１６，１９の上面にはそれぞれシールドパターン１１Ａ，１６Ａ，１９Ａが設けられている。また誘電体１２の上面には入出力容量パターン１２Ａとローディング容量パターン１２Ｂが、誘電体１４の上面には入出力容量パターン１４Ａと段間容量パターン１４Ｂがそれぞれ設けられ、さらに誘電体１３の上面には共振器Ａ，Ｂを構成するストリップライン１３Ａ，１３Ｄが設けられている。また、図２に示すように積層フィルタの両側面には入出力容量パターン１２Ａ，１４Ａのそれぞれにつながる端面電極２０Ａ，２０Ｂが設けられている。
【００１４】
ここで入出力容量パターン１２Ａおよび１４Ａはストリップライン１３Ａ，１３Ｄと誘電体１２および誘電体１３を介して対向して設けられており、図４の等価回路で示される入出力コンデンサＣ１を構成している。同様に、ローディング容量パターン１２Ｂはストリップライン１３Ａ，１３Ｄと誘電体１２を介して対向することにより、ローディングコンデンサＣ２を構成し、さらに段間容量パターン１４Ｂはストリップライン１３Ａ，１３Ｄと誘電体１３を介して対向することにより、段間コンデンサＣ３を、また、ストリップライン１３Ａと１３Ｄは、線路間結合しており、電磁界結合Ｍを構成している。
【００１５】
すなわち、入出力容量パターン１２Ａおよび１４Ａ、ストリップライン１３Ａ，１３Ｄ、ローディング容量パターン１２Ｂと段間容量パターン１４Ｂによって低域側通過帯域１を形成するバンドパスフィルタ２１を構成し、同様に誘電体１７上に設けた入出力容量パターン１７Ａとローディング容量パターン１７Ｂ、段間容量パターン１７Ｃおよび誘電体１８上に設けたストリップライン１８Ａ，１８Ｂにより、高域側通過帯域２を形成するバンドパスフィルタ２２を構成している。
【００１６】
次に、図１に、本発明の一実施の形態におけるフィルタの通過特性を示すが、２つの通過帯域である低域側通過帯域１と高域側通過帯域２の間の帯域３において減衰極４が形成されている。さらに、低域側通過帯域１の低域側近傍帯域５においても減衰極６、高域側通過帯域２の高域側近傍帯域７においても減衰極８がそれぞれ形成されており、これにより、低域側通過帯域１と高域側通過帯域２以外の帯域３，５，７のそれぞれにおいて減衰量が得られている。
【００１７】
ここで、共振器Ａ，Ｂを構成するストリップライン１３Ａ，１３Ｄの接地部１３Ｂと接地電極２０を接続する接続パターン１３Ｃのストリップライン長方向に垂直方向の線路幅を、ストリップライン１３Ａ，１３Ｄの最小線路幅以下とすることにより、前記接続パターン１３Ｃの線路インピーダンスを高くすることができるため、図４に示すようなインダクタンスＬ１を形成することができ、図５に示すように、帯域３においてアドミタンスが容量性から誘導性になるポイント２３、すなわちアドミタンスが０になるポイントを発生させて減衰極４を形成することができ、より大きい減衰量が得られる。また、ストリップライン１３Ａ，１３Ｄの接地電極２０の形状をストリップライン１３Ａ，１３Ｄの最小線路幅以下の寸法を有する形状とすることにより、同様の効果が得られる。
【００１８】
なお、本実施の形態では、２つの通過帯域を有する積層フィルタについて説明したが、複数の通過帯域を有する積層フィルタでも同様に実現できるものである。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように本発明は、２つまたはそれ以上の複数の通過帯域を有する積層フィルタであり、前記複数の通過帯域間の帯域に減衰極を有するフィルタである。
【００２０】
そして以上の構成とすれば、通過帯域間の減衰量が大きく得られるので、信号選択性が向上し、通過帯域内の挿入損失を劣化させずに、フィルタ性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における通過特性を示す図
【図２】同実施の形態の斜視図
【図３】同実施の形態の分解斜視図
【図４】その等価回路図
【図５】そのアドミタンス特性を示す図
【図６】従来の通過特性を示す図
【図７】その等価回路図
【符号の説明】
１  低域側通過帯域
２  高域側通過帯域
３  帯域
４  減衰極
５  低域側近傍帯域
６  減衰極
７  高域側近傍帯域
８  減衰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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