(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、情報が記録され且つＴｅＦｅＣｏからなる記録層と、前記記録層に記録された記録磁区が転写された後、拡大され且つ前記情報が読み出される再生層とを備える光磁気記録媒体の製造方法において、
前記記録層をスパッタリングにより成膜し、
前記記録層を成膜する際に、中断と再開からなる操作を一回または二回行なうことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体及びその製造方法に関し、更に詳細には、情報が記録磁区として記録される記録層と、記録磁区を読み出すための再生層を備えた光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、動画像データや音声データなどのデジタルデータを記録または再生することができる情報記録媒体として広く利用されている。近年、動画像や音声データの高画質化、高音質化が進み、それらのデータ量は増加している。このため光磁気記録媒体においては、かかるデータ量の増加に十分に対応するために、更なる大容量化が要望されている。
【０００３】
この要望に応えるために、微小な記録マークを形成して記録密度を向上させ、この微小な記録マークを微小な光スポット径で読み出す方法が検討されている。光スポット径は、光の波長に比例し、光を集光するレンズの開口数に反比例する。したがって光スポット径を微小化するには、記録再生の際に用いるレーザー光を短波長化するか、または対物レンズの開口数を上げることが効果的である。
【０００４】
一方、微小な記録磁区を読み出す技術として、磁気超解像技術や磁区拡大再生技術が知られている。これらの技術は、記録層以外の磁性層として再生層を設けて、再生層に記録磁区を転写して情報の再生を行なう技術であり、特に、磁区拡大再生技術では、再生層に転写された磁区を再生層で拡大させることによって大きな信号振幅を得ることができると注目されている。例えば特開平８−７３５０号公報には、磁区拡大再生方式（ＭＡＭＭＯＳ: Magnetic Amplifying Magneto-Optical System）が開示されている。このＭＡＭＭＯＳでは、再生時に、レーザー光及び外部磁界の少なくとも一方を変調して適用することによって、情報記録層に形成されている記録マーク（記録磁区）を磁区拡大再生層に転写し、転写された磁区を外部磁界により磁区拡大再生層で拡大させる。磁区拡大再生層で拡大した磁区からは増幅された再生信号が検出されるので、記録層に微小な記録マークを形成しても、それを十分な信号強度で再生することができる。こうした技術によって、波長／開口数の１／２の値よりも小さい、微小な記録マークを再生することが可能である。磁区拡大再生技術によれば、例えば、波長６８０ｎｍ、対物レンズの開口数０．５５の光学系を用いて、０．２μｍの最短磁区長の記録磁区を読み出すことができる。
【０００５】
こうした磁区拡大再生技術を良好にするための技術として、本出願人は特願２００１−９５４９７号にて、再生層を成膜する際に、再生層が中断と再開からなる操作を少なくとも一回含む成膜方法により成膜されていることを特徴とする光磁気記録媒体及びその製造方法を提案している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、記録密度の向上のために磁区長１００ｎｍ以下という極めて微小な磁区を記録しようとすると、安定に記録することは難しい。この原因として、磁気力顕微鏡による磁区観察によれば、このように極めて微小な記録磁区では磁区の形状が均一でないことが分かっている。記録された磁区の形状が不均一であると、再生信号のノイズが増える等、不都合を生ずる。前述の特願２００１−９５４９７号においては、再生層の保磁力を低下させるための技術は述べられていたが、記録された磁区の形状を安定にする技術に関しては言及されていなかった。
【０００７】
こうした状況を鑑み、本発明においては磁区長１００ｎｍ以下という極めて微小な磁区であっても、記録磁区形状が安定した記録が可能な光磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に従えば、光磁気記録媒体において、
情報が記録される記録層と；
前記情報を読み出すための再生層と；を備え、
前記記録層は、成膜時に、中断と再開からなる操作を少なくとも一回含む成膜方法により成膜されていることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００９】
本発明の光磁気記録媒体の記録層は、成膜の途中で少なくとも一回中断された後、再開されることによって成膜されている。かかる記録層は、小さな磁界で磁気スピンが容易に反転するような微細な磁性粒子が均一に形成されて構成されているために、微小な記録磁区の形状安定性が向上する。以下にその理由について説明する。
【００１０】
従来、記録層は、スパッタ法等により成膜を開始した後、層厚が所定の厚みになるまで連続して磁性材料を堆積することにより形成されていた。堆積された磁性粒子は、記録層の膜厚が厚くなるに伴って大きく成長するため、記録層中には、大きな磁性粒子の集合体が多数形成されていたと考えられる。こうした大きな磁性粒子の集合体は、記録の際に形成される磁区の形状を不安定にしやすい。従来の記録層は、かかる大きな磁性粒子の集合体を多数含むために、極めて微小な磁区を記録しようとした場合、磁区形状を同一に保つことが困難である。
【００１１】
そこで本発明では、記録層の成膜の際に成膜が少なくとも一回中断することで、中断の時点で磁性粒子の成長または凝集を一旦止めることを試みた。その後、成膜を再開して、磁性膜上に新たに磁性粒子が堆積されることにより、その界面において物理的な粒界または境界が生じ、この粒界または境界により、新たな磁性粒子が中断前の磁性粒子から引き続いて成長または凝集することが防止されると考えられる。すなわち、成膜時の一時的な中断により磁性粒子が大きく成長することが防止されたために、記録層には磁性粒子が比較的均一に且つ微細に形成されていると考えられる。微細な磁性粒子は、磁気スピンを反転させるのに要する磁界強度が小さいために、記録磁界感度を向上させることにも効果があり、結果として、極めて微細な記録磁区であっても安定に記録することが可能となる。
【００１２】
なお、本明細書において、用語「中断」とは、記録層の成膜中に、記録層に磁性粒子が実質的に堆積されないようにする操作をいい、例えば、スパッタ法により成膜する場合には、成膜室にスパッタ雰囲気ガスを導入したまま、投入電力だけを切断または低減することをいう。用語「再開」とは、磁性粒子の堆積が実質的に再開されるようにする操作をいい、例えば、スパッタ法により成膜する場合には切断または低減された投入電力を再投入することをいう。
【００１３】
本発明の光磁気記録媒体において、記録層を形成する材料には、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＣｏのような希土類−遷移金属合金、あるいは、これらの合金にＣｒ、Ｚｒなどを添加した材料を用いることができる。また、再生層を形成する材料にはＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属合金、またはＰｔ層とＣｏ層との交互積層体、ＰｔＣｏ合金等の材料を用いることができる。
【００１４】
本発明の第２の態様に従えば、情報が記録される記録層と、前記情報を読み出すための再生層とを備える光磁気記録媒体の製造方法において、
前記記録層を成膜する際に、中断と再開からなる操作を少なくとも一回含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の製造方法は、記録層を成膜する際に、中断と再開からなる操作を少なくとも一回行なう。すなわち、記録層の成膜中に、記録層の膜厚が所定の膜厚になったときに、成膜を一時的に中断し、所定時間経過後、再び成膜を開始する操作を少なくとも一回実行して記録層を成膜する。かかる成膜方法により成膜された記録層は、微細な磁性粒子が均一に形成されて構成されているので、記録磁区の形状安定性が向上する。すなわち、本発明の製造方法によれば、形状安定性の優れた磁区を記録可能な光磁気記録媒体を製造することができる。
【００１６】
本発明の製造方法において、中断と再開の操作の回数や、中断から再開までの時間間隔は、記録層の膜厚や生産効率に応じて適宜設定することが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光磁気記録媒体の実施例について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１８】
【実施例１】
本実施例では、本発明に従う光磁気記録媒体の一具体例として、基板側から光を入射させる基板面入射タイプの光磁気記録媒体を製造した。図１に、光磁気記録媒体の断面構成の概略を示す。光磁気記録媒体１０は、基板１上に、誘電体層２、再生層３、誘電体層４、記録層５、誘電体層６、ヒートシンク層７及び誘電体層８を順次積層した構造を有する。かかる光磁気記録媒体１０においては、記録再生時に、レーザ光３０が基板１側から入射される。かかる光磁気記録媒体１０の製造方法について以下に説明する。
【００１９】
基板１は、クロックピットに対応した凹凸を表面に有するランド／グルーブ基板であり、ランド幅とグルーブ幅は両方とも０．６μｍとし、厚さは０．６ｍｍ、直径は１２２ｍｍである。かかる基板１は、原盤露光装置（不図示）を用いてガラス原盤上に上記凹凸と逆のランド／グルーブのパターンを形成し、次いで射出成型機（不図示）に上記原盤から複製したスタンパを設置し、ポリカーボネートを基板材料として射出成形することにより作製した。かかる基板１上に、誘電体層２、再生層３、誘電体層４、記録層５、誘電体層６、ヒートシンク層７及び誘電体層８を、スパッタリング装置を用いて順次積層した。
【００２０】
基板１を、複数のスパッタチャンバを有する連続スパッタリング装置の第１スパッタチャンバ内の基板キャリアに装着した。基板キャリアはスパッタチャンバ内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されており、基板１も基板キャリア内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されている。ターゲットとしてＳｉターゲットをスパッタチャンバ内に装着した後、チャンバ内を５×１０−５Ｐａ以下の真空度まで排気して、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層２を厚さ６０ｎｍで成膜した。本実施例では、誘電体層としてＳｉＮを用いたが、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＢＮ等を使用することもできる。
【００２１】
次に、基板キャリアを、第２スパッタチャンバに搬送してＡｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる再生層３を成膜した。第２スパッタチャンバは、ＧｄターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、ＧｄターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットへの投入電力を変更することによって、再生層３の組成比を調整することができる。
【００２２】
再生層３の成膜後、基板キャリアを第３スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第３スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層４を厚さ１０ｎｍで成膜した。
【００２３】
次いで、基板キャリアを第４スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる記録層５を成膜した。第４スパッタチャンバは、ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットへの投入電力を変更することによって、記録層５の組成比を調整することができる。
【００２４】
記録層５の成膜では、成膜の途中で、少なくとも一回の中断と再開の操作を行なった。ここで、中断として、雰囲気ガスは導入したまま、投入電力だけを切断し、再開として、投入電力を再投入した。中断と再開のタイミングや時間などの詳細については後述する。本発明者らの知見によれば、成膜途中に、少なくとも一回以上の中断と再開を行なうことにより、記録された情報を再生するにあたって、再生層に転写された記録磁区を拡大させるために印加する外部磁界を低減させることが可能となる。
【００２５】
次いで、基板キャリアを第５スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第５スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層６を厚さ２０ｎｍで成膜した。
【００２６】
次いで、基板キャリアを第６スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍのＡｌ合金からなるヒートシンク層７を成膜した。第６スパッタチャンバは、Ａｌ合金ターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、スパッタリングを行った。
【００２７】
最後に、基板キャリアを第７スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第７スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層８を厚さ５０ｎｍで成膜した。こうして図１に示す積層構造を有する光磁気記録媒体１０を得た。
【００２８】
次に、光磁気記録媒体１０と同じ構成を有し、従来の製造方法で製造された光磁気記録媒体と、本発明の製造方法で製造した光記録磁気媒体１０とを比較して評価した結果について説明する。本発明の製造方法では、前述したように、記録層の成膜の際に一回以上の成膜の中断と再開を行なうが、その効果について以下に説明する。
【００２９】
記録層５の膜厚は５０ｎｍであるが、中断の回数を０回、１回、２回、３回として記録媒体を作製した。このうち中断の回数が０回の記録媒体は従来通りの製造方法であり、比較用である。中断の回数が１回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２の上に成膜された記録層の膜厚が半分（２５ｎｍ）に達した時点とした。中断の回数が２回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２の上に成膜された記録層の膜厚が１５ｎｍ、３０ｎｍにそれぞれ達した時点とした。中断の回数が３回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２の上に成膜された記録層の膜厚が１０ｎｍ、２５ｎｍ、４０ｎｍにそれぞれ達した時点とした。
【００３０】
こうして製造した光磁気記録媒体１０の評価は、光磁気記録媒体１０に、波長６５０ｎｍ、開口数０．６０の光学系を用いて記録を行なうことによって評価した。記録した記録磁区は、磁区長０．１μｍ、スペース長０．１μｍの連続マークであり、光パルス磁界変調方式によって線速度２．５ｍ／ｓで記録した。このように記録磁区を記録した後に再生を行ってノイズレベルを測定した結果を図２に示す。記録層の成膜の際に中断を行ったことにより、ノイズレベルが低減している傾向が分かる。こうした結果から推測される記録磁区の形状を模式的に示したものが図３である。図３（ａ）は、本発明の製造方法を用いて作製した光磁気記録媒体に記録した磁区の形状の模式図であり、微小な記録磁区でも均一に安定な形状であることを示している。図３（ｂ）は、従来の製造方法を用いて作製した光磁気記録媒体に記録した磁区の形状の模式図であり、記録磁区の境界部分の形状が不安定な形状であることを示している。
【００３１】
上記実施例では、ポリカーボネートを基板材料に用いたが、基板面入射タイプの光磁気記録媒体の場合は、透光性を有する別の基板材料を用いることも可能である。透光性を有する別の基板材料としては、例えば、アモルファスポリオレフィン、ガラス等を用いることができる。
【００３２】
また、上記実施例では、本発明に従う光磁気記録媒体の製造方法として、スパッタリング装置を用いた製造方法の例を説明したが、本発明の製造方法は、これに限定されず、基板面に薄膜を形成する別の製造方法にも適用可能である。例えば、蒸着法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法などの成膜方法にも、本発明の製造方法を適用することができる。また、スパッタリング装置も、ＲＦマグネトロン・スパッタリング方式、ＤＣマグネトロン・スパッタリング方式、枚葉式、自公転方式等の多様な種類のスパッタリング装置が存在するが、薄膜の成膜の制御が可能なスパッタリング装置であれば、どのようなスパッタリング装置であっても本発明の製造方法を適用することができる。
【００３３】
【実施例２】
この実施例では、本発明に従う光磁気記録媒体の変形例として、基板と反対側（膜面側）から光を入射させる膜面入射タイプの光磁気記録媒体を作製した。図４に、膜面入射タイプの光磁気記録媒体の概略断面構造を示す。光磁気記録媒体２０は、基板２１上に、誘電体層２２、ヒートシンク層２３、誘電体層２４、記録層２５、誘電体層２６、再生層２７及び誘電体層２８を順次積層した構造を有する。図４に示すように、レーザ光４０は基板２１と反対側から入射される。かかる光磁気記録媒体２０の製造方法を以下に説明する。
【００３４】
かかる基板２１上に、誘電体層２２、ヒートシンク層２３、誘電体層２４、記録層２５、誘電体層２６、再生層２７及び誘電体層２８を、スパッタリング装置を用いて順次積層した。スパッタリング装置を用いて順次積層した。なお、以下の説明では、本発明に従う製造方法の実施例として、スパッタリング装置を用いた製造方法の例を説明するが、本発明の製造方法は、基板表面に薄膜を形成する別の製造方法にも適用可能である。
【００３５】
基板２１を、複数のスパッタチャンバを有する連続スパッタリング装置の第１スパッタチャンバ内の基板キャリアに装着した。基板キャリアはスパッタチャンバ内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されており、基板２１も基板キャリア内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されている。ターゲットとしてＳｉターゲットをスパッタチャンバ内に装着した後、チャンバ内を５×１０−５Ｐａ以下の真空度まで排気して、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層２２を厚さ５０ｎｍで成膜した。
【００３６】
次に、基板キャリアを、第２スパッタチャンバに搬送してＡｒガスを導入してスパッタリングを行ない、厚さ３０ｎｍのＡｌ合金からなるヒートシンク層２３を成膜した。第２スパッタチャンバは、Ａｌ合金ターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、スパッタリングを行った。
【００３７】
次いで、基板キャリアを第３スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第３スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層２４を厚さ１０ｎｍで成膜した。
【００３８】
次いで、基板キャリアを第４スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスを導入してスパッタリングを行ない、厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる記録層２５を成膜した。第４スパッタチャンバは、ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットへの投入電力を変更することによって、記録層２５の組成比を調整することができる。実施例１と同様に、記録層２５の成膜では、記録層の膜厚が２５ｎｍに達した時点で成膜一時的に中断し、６０秒経過後、スパッタリングを再開して成膜を行った。
【００３９】
次いで、基板キャリアを第５スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第５スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層２６を厚さ１０ｎｍで成膜した。
【００４０】
次いで、厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる再生層２７を、第６スパッタチャンバで成膜した。第６スパッタチャンバは、ＧｄターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、ＧｄターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットへの投入電力を変更することによって、再生層２７の組成比を調整することができる。
【００４１】
次いで、基板キャリアを第７スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第７スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより基板上にＳｉＮからなる誘電体層２８を厚さ６０ｎｍで成膜した。こうして図４に示した積層構造を有する光磁気記録媒体２０を得た。
【００４２】
実施例１と同様に、記録層２５の中断回数を変えてノイズレベルを測定することで評価した結果を、図５に示す。記録層２５の膜厚は５０ｎｍであるが、中断の回数を０回、１回、２回、３回として記録媒体を作製した。実施例１と同様に、このうち中断の回数が０回の記録媒体は従来通りの製造方法であり、比較用である。中断の回数が１回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２４の上に成膜された記録層の膜厚が半分（２５ｎｍ）に達した時点とした。中断の回数が２回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２４の上に成膜された記録層の膜厚が１５ｎｍ、３０ｎｍにそれぞれ達した時点とした。中断の回数が３回の場合、中断のタイミングは、誘電体層２４の上に成膜された記録層の膜厚が１０ｎｍ、２５ｎｍ、４０ｎｍにそれぞれ達した時点とした。こうして製造した光磁気記録媒体を膜面入射用の評価機でノイズ測定を行った結果を、図５に示す。実施例１の光磁気磁気記録媒体と同様に、中断を行うことでノイズレベルの低減が図れ、極めて微小な磁区であっても記録層に安定な形状を保って記録できることを確認できた。
【００４３】
実施例２では、基板２１としてガラス基板を用いたが、膜面入射タイプの光磁気記録媒体の場合は、ポリカーボネート若しくはアモルファスポリオレフィン等の透光性を有する別の基板材料またはＡｌ基板等の透光性を有しない基板材料を用いることができる。
【００４４】
以上、本発明の光磁気記録媒体及びその製造方法について実施例により具体的に説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記実施例では、スパッタ法により再生層を成膜した例を挙げたが、これに限らず、蒸着法等の他の気相法を用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の光磁気記録媒体の記録層は、少なくとも一回の中断と再開からなる操作を含む成膜方法により成膜されているために、均一性の高い微小な磁性粒子から形成されている。このため、記録層に磁区が記録される際の形状安定性が極めて高くなり、１００ｎｍ以下の極めて微小な磁区であっても安定な形状を保って記録できる。さらに、記録層が均一性の高い微小な磁性粒子から形成されているため、記録磁界感度も優れている。
【００４６】
本発明の製造方法は、記録層の成膜の際に、成膜を途中で中断した後、再開する操作を少なくとも一回行なうので、磁性粒子が集合体となって堆積することが抑制され、記録層に、均一性の高い微細な磁性粒子を形成することができる。本発明の製造方法は、情報再生時に記録磁区が転写される再生層を備える光磁気記録媒体、または、転写された磁区が拡大する磁区拡大再生層を備える光磁気記録媒体の製造方法として最適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明に従う実施例１における光磁気記録媒体の概略断面図であり、さらに、レーザ光が基板側から入射している様子を模式的に表した図である。
【図２】  図２は、実施例１における光磁気記録媒体を製造する際に、記録層の成膜時に成膜を中断した回数とノイズレベルとの関係を示したグラフである。
【図３】  図３（ａ）は、本発明に従う光磁気記録媒体の記録層に記録された微小記録磁区を模的に表し、図３（ｂ）は、従来の光磁気記録媒体の記録層に記録された微小記録磁区を模的に表した模式図である。
【図４】  図４は、実施例２における光磁気記録媒体の概略断面図であり、さらに、レーザー光が基板と反対側（誘電体層側）の面から入射している様子を模式的に表した図である。
【図５】  図５は、実施例２における光磁気記録媒体を製造する際に、記録層の成膜時に成膜を中断した回数とノイズレベルとの関係を示したグラフである。
【符号の説明】
１，２１  基板
２，４，６，８，２２，２４，２６，２８  誘電体層
３，２７  再生層
５，２５  記録層
７，２３  ヒートシンク層
１０，２０  光磁気記録媒体
３０，４０  レーザー光
【図１】
0003792592.tif 000002
【図２】
0003792592.tif 000003
【図３】
0003792592.tif 000004
【図４】
0003792592.tif 000005
【図５】
0003792592.tif 000006