(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長マークおよび短マークから構成された制御パターンを含むテストデータを、前記光記録媒体に記録する第１ステップと、
再生光の光量値を複数の値に切換える第２ステップと、
前記再生光の複数の光量値それぞれについて、テストデータの再生信号品質値と、制御パターンの長マークの振幅値と短マークの振幅値との比である振幅比とを測定する第３ステップと、
前記第３ステップの測定結果に基づいて、最適な再生光の光量値を選び出し、該最適な再生光の光量値における前記振幅比を目標振幅比に決定する第４ステップと、
前記目標振幅比を、該最適な再生光の光量値と対応づけて、前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する第５ステップと、
前記光記録媒体の目標値記録領域に記録された目標振幅比と該目標振幅比に対応する前記最適な再生光の光量値とを読み出す第６ステップと、
前記最適な再生光の光量値を再生光の光量値の制御のための初期値として設定し、前記最適な再生光の光量値を再生光の光量値の制御のための初期値として設定し、光記録媒体の情報記録再生領域に周期的に記録された制御パターンを構成する長マークの振幅値と短マークの振幅値との比である振幅比が、前記目標振幅比に近づくように、再生光の光量値を制御する第７ステップとを備えることを特徴とする光記憶装置における再生光量制御方法。
【請求項２】
光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出する信号量検出手段を有する光記憶装置における再生光量制御装置であって、
長マークおよび短マークから構成された制御パターンを含むテストデータを前記光記録媒体に記録するテストデータ記録手段と、
再生光の光量値を複数の値に切換える光量切換手段と、
前記再生光の複数の光量値それぞれについて、テストデータの再生信号品質値と、制御パターンの長マークの振幅値と短マークの振幅値との比である振幅比とを測定する測定手段と、
前記測定手段による測定結果に基づいて、最適な再生光の光量値を選び出し、該最適な再生光の光量値における前記振幅比を目標振幅比に決定する目標値決定手段と、
前記目標振幅比を、該最適な再生光の光量値と対応づけて、前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する目標値記録手段と、
前記目標振幅比と、該目標振幅比に対応する再生光量値とを再生する再生手段と、
前記最適な再生光の光量値を再生光の光量値の制御のための初期値として設定し、光記録媒体の情報記録再生領域に周期的に記録された制御パターンを構成する長マークと短マークの各振幅値の比である振幅比が、前記目標振幅比に近づくように、再生光の光量値を制御する制御手段とを含むことを特徴とする光記憶装置における再生光量制御装置。
【請求項３】
再生層と記録層を備え、光ビームが照射された光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記録媒体において、
長マークおよび短マークから構成される制御パターンを含むテストデータを記録するためのテストデータ記録領域と、
再生光の複数の光量値それぞれについて、テストデータの再生信号品質値と、制御パターンの長マークの振幅値と短マークの振幅値との比である振幅比とを測定した結果に基づいて選び出された最適な再生光の光量値と、該最適な再生光の光量値における前記振幅比を目標振幅比とし、該目標振幅比を、該最適な再生光の光量値と対応づけて記録するための目標値記録領域とを含み、
前記最適な再生光の光量値を再生光の光量値の制御のための初期値として設定し、光記録媒体の情報記録再生領域に周期的に記録された制御パターンを構成する長マークと短マークの各振幅値の比である振幅比が、前記目標振幅比に近づくように、再生光の光量値を制御された光量値の再生光が照射されることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
前記目標値記録領域は、前記テストデータ記録領域に近接して配置されることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に再生層と記録層とを有する光記録媒体に光ビームを照射し、再生層に光スポット径よりも小さい磁気的なアパーチャを発生させることにより、記録マークの再生を行う光記憶装置において、再生光量を最適に制御するための再生光量制御方法と、その装置、並びに光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上に再生層と記録層とを有する光記録媒体に光ビームを照射し、再生層に光スポット径よりも小さい磁気的なアパーチャを発生させるいわゆる超解像効果により記録密度を向上させる技術が開発されている。この一例として、光ビームの照射による再生層の高温部分がに磁気的アパーチャを発生させ、このアパーチャ部分の再生層と記録層との磁気的結合によって記録情報の読み出しを行う、いわゆる磁気的超解像が知られている。このときの光スポットの照射部分の温度分布はガウス分布となるが、その温度分布は記録媒体の熱容量や環境温度に影響されるため、再生光量の制御によりアパーチャの大きさを常に最適に制御する必要があり、特開平８−６３８１７号公報にはこの装置が開示されている。
【０００３】
以下にこの装置の動作の概略を説明する。図４（ａ）において、光記録媒体に再生光量の光ビームが照射されると、光ビームのガウス分布により中央部が高温になり、この高温部分の再生層に磁気的なアパーチャが発生する。記録層に記録されたマークのうちアパーチャａｐ１よりも大きい長マーク１０１からの再生信号ｃｌの信号量（例えばピークトウピーク振幅）ｖ１と、アパーチャａｐ１よりも小さい短マーク１０２からの再生信号ｃｓの信号量（例えばピークトウピーク振幅）ｖ２とが検出される。再生光量が小さい場合は、実線で示すようにアパーチャａｐ１は小さく、再生光量が大きい場合は、破線で示すようにアパーチャａｐ２は大きくなる。このアパーチャの大きさによって記録マークを読み出すときの分解能が変化する。この分解能は長マーク１０１の再生信号量ｖ１と短マーク１０２の再生信号ｖ２の比ｖ２／ｖ１により代用する事ができ、この値からアパーチャａｐの大きさを検出することができる。同図（ｂ）の横軸は再生光量の大きさＰｒ、縦軸は長短マーク振幅比とエラーレートを示し、再生光量Ｐｒに対して、再生データのエラーレートと上記信号量比ｖ２／ｖ１が図示のように変化する。再生データのエラーレートが最小となるときの再生信号量の比ｖ２／ｖ１が最適振幅比となり、このときの再生光量が最適再生光量となる。この最適振幅比を決定した後は、再生信号から得られる信号振幅比がこの最適振幅比に近づくように再生光量Ｐｒを制御していた。また、光記録媒体に上記長マークと短マークを予め記録しておき、光記録媒体に長マークが繰り返し記録され、短マークが繰り返し記録される制御パターン領域を設けていた。そしてこの領域に記録された長短マークの制御パターンを再生することにより、信号振幅比を検出し、上述の再生光量Ｐｒが最適再生光量Ｐｒ0となるように制御していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
通常、光記録媒体は光記録媒体毎に熱容量のばらつきがあるため、光記録媒体の装填毎に再生光量制御装置において再生データのエラーレートと再生信号の振幅比を測定し、最適振幅比を求め、最適再生光量Ｐｒ0に設定する必要がある。一般的にビットエラーレートが１０-5であれば、誤り訂正技術によってコンピュータ用の記憶装置としてして要求されるビットエラーレートが１０-12が得られる。ビットエラーレートが１０-5台であり、これを１％の誤差で測定するには、少なくともエラービット数１００個の検出と、サンプルビット数が１０7個となる測定を行う必要がある。一般的に光ディスクの転送レートは最大で１０Ｍｂｐｓ程度であり、前記サンプルビット数の測定には速くて１秒かかる。一回の測定で１秒であるから、例えば再生光量を１０段階変化させながらエラーレートの変化を測定すると、最適値を決定するまでに１０秒かかる。すなわち、光記録媒体の装填から情報の記録再生に移行するまでに、最低１０秒間待つ必要があり、装置の高速化に支障が生じていた。
【０００５】
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、最適振幅比の決定に要する時間を短縮し、光記録媒体の装填から、記録再生の準備完了までの動作を高速化することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１記載の光記憶装置における再生光量制御方法は、再生層と記録層を備えた光記録媒体に光ビームを照射し、光スポット径よりも磁気的な小さなアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記憶装置において、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出し、この検出出力より信号量検出手段の出力信号量が目標値に近づくように再生光量を制御する再生光量制御方法であって、
前記光記録媒体にテストデータを記録する第１ステップと、再生光量を複数の光量値に切換える第２ステップと、前記複数の光量値におけるテストデータからの複数の再生信号品質値を測定する第３ステップと、複数の光量値におけるテストデータからの複数の再生信号量を測定する第４ステップと、前記複数の再生信号品質値に基づいて複数の再生信号量の中から最適な再生信号量を選び出し、目標値を決定する第５ステップと、前記目標値を前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する第６ステップと、前記光記録媒体の目標値記録領域に記録された目標値を読み出す第７ステップと、再生信号の信号量が前記目標値に近づくように再生光量を制御する第８ステップとを備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、再生層と記録層を備えた光記録媒体に光ビームを照射し、光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記憶装置において、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出する信号量検出手段を有する再生光量制御装置であって、
複数の光量値における複数の再生信号品質値を測定する測定手段と、前記再生信号品質値に基づいて前記目標値を決定する目標値決定手段と、前記目標値を前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する目標値記録手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記光記録媒体にテストデータを記録するテストデータ記録手段と、再生光量を複数の光量値に切換える光量切換手段とを備え、
前記測定手段において複数の光量値におけるテストデータからの複数の信号品質値を測定し、前記信号量検出手段において複数の光量値におけるテストデータからの複数の信号量を測定し、前記複数の信号品質値に基づいて複数の信号量の中から最適な信号量を選び出すことにより目標値を決定することを特徴とする。
【０００９】
請求項４記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記目標値と共に、この値が得られたときの再生光量値を記録する再生光量値記録手段を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項５記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、再生層と記録層を備えた光記録媒体に光ビームを照射し、光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記憶装置において、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出する信号量検出手段と、前記信号量検出手段の出力信号量が目標値に近づくように再生光量を制御する制御手段を有する再生光量制御装置であって、
前記光記録媒体の目標値記録領域に記録された目標値を読み出す目標値読み出し手段を備え、
前記信号量検出手段の出力信号量が読み出された前記目標値に近づくように再生光量を制御することを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記目標値と共に、この値が得られたときの再生光量値を再生する再生光量値再生手段を備え、再生光量の制御のための初期値を前記再生光量値に設定することを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の光記録媒体は、再生層と記録層を備え、光ビームが照射された光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記録媒体において、
前記光記録媒体に再生光量を制御するための再生信号量の目標値を記録する目標値記録領域を備え、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量が検出され、この再生信号量の検出出力が前記目標値に近づくように制御された再生光量が照射されることを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載の光記録媒体は、前記目標値を決定するためのテストデータを記録するテストデータ記録領域を備え、
前記目標値記録領域が前記テストデータ記録領域に近接して配置されることを特徴とする。
【００１４】
請求項９記載の光記録媒体は、前記目標値が得られたときの再生光量値を記録するための再生光量値記録領域を備えることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
本発明の実施例について図１〜図３を用いて説明する。図１は本実施例の再生光量制御装置を説明する図である。まず、再生光量の制御の目標値を決定し、光磁気ディスクに記録する動作について説明する。光磁気ディスク１のテストデータ記録領域（詳細は図２にて後述する）に、半導体レーザ２とフォトダイオード３を含む光ピックアップを移動する。テストデータ発生手段１６から出力されたテストデータｍをデータ切り替え手段１５にて選択し、駆動手段１４へ送る。ＣＰＵ１０からは光量設定信号ｋが切り替え手段１３を介して駆動手段１４に送られ、記録光量に設定される。駆動電流ｊが半導体レーザ２に送られ、記録用照射光ａｒにより光磁気ディスク１のテストデータ記録領域にテストデータｍが記録される。
【００１６】
次にＣＰＵ１０からは光量設定信号ｋにより、照射光が再生光量に設定される。光磁気ディスク１に再生用照射光ａｓが照射されると、その照射部分にガウス分布による温度分布を生じ、光ビームの中心部分が照射された再生層の温度上昇部分では、記録層との磁気的結合によって記録マークが転写され、読み出しのための磁気的なアパーチャとなる。これがいわゆるＣＡＤ（Ｃｅｎｔｅｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式の磁気的超解像である。これ以外に温度上昇部分が記録層の記録マークをマスクし、光スポットにおける残りの部分がアパーチャとなるいわゆるＲＡＤ（Ｒｅａｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式なども良く知られている。さて反射光または透過光ｂはフォトダイオード３に入力され、読み出し信号ｃは再生光量データ読み取り手段（再生光量値読み取り手段）２０、目標振幅比データ読み取り手段（目標値読み取り手段）７、復調手段６、長マークレベル検出手段５ａと短マークレベル検出手段５ｂに送られる。
【００１７】
復調手段６にて復調されたテストデータｄはエラー計数手段９に入力され、再生信号品質を評価するためにエラー数ｅが計数され、ＣＰＵ１０に送られる。長マークレベル検出手段５ａには、例えばエンベロープ検波器が使用され、長マークの信号量（例えば振幅値）が検出され、長マーク振幅値ｇ１が出力される。同様に短マークレベル検出手段５ｂからは短マーク振幅値ｇ２が出力される。振幅値ｇ１とｇ２は割り算手段１１に入力され、振幅比ｒが減算手段１２とＣＰＵ１０に送られる。ＣＰＵ１０からは光量設定信号ｋが出力され、切り替え手段１３にて選択された後、駆動手段１４から駆動電流ｊが半導体レーザ２に送られ、照射光の再生光量を微増する。再生光量を順次ステップ状に微増しながらエラー数ｅと振幅比ｒを測定する。ＣＰＵ１０では、測定されたエラー数ｅが最低となるか、あるいは所定の値以下となる時の振幅比ｒを記憶して、再生光量の制御目標値となる目標振幅比データｆ１を出力する。また、その時の再生光量値を再生光量データｎ１として目標振幅比データｆ１と共に出力する。
【００１８】
光ピックアップを光磁気ディスク１の目標振幅比データ記録領域（詳細は図２にて後述する）に移動する。データ切り替え手段１５では、目標振幅比データｆ１を選択して、駆動手段１４に送る。ＣＰＵ１０からの光量設定信号ｋにより記録光量に設定され、記録用照射光ａｒが光磁気ディスク１に照射され、目標振幅比データｆ１が光磁気ディスク１の目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録される。また、光ピックアップを光磁気ディスク１の再生光量データ記録領域（詳細は図２にて後述する）に移動する。同様にデータ切り替え手段１５では、再生光量データｎ１を選択して駆動手段１４に送り、光磁気ディスク１の再生光量データ記録領域（再生光量値記録領域）に記録される。
【００１９】
次に、再生光量を目標値に制御する動作について説明する。目標振幅比データ読み取り手段７では、前述の目標振幅比データ記録領域に記録された目標振幅比データｆ２を読み取り、ＣＰＵ１０に出力する。ＣＰＵ１０からはこの目標振幅比ｆ３を減算手段１２に送る。光ピックアップを光磁気ディスク１の再生光量データ記録領域に移動する。再生光量データ読み取り手段２０では、前述の再生光量データ記録領域に記録された再生光量データｎ２を読み取り、ＣＰＵ１０に出力する。ＣＰＵ１０では、再生光量の制御のための初期値をこの値に設定し、光量設定信号ｋへ出力する。これにより、実際の最適光量に近い値からスタートできるため、高速で制御を立ち上げることができる。光ピックアップを光磁気ディスク１の情報記録再生領域に移動する。この領域には、前述した長マークと短マークにより構成された制御パターンが、情報データと情報データの間に周期的に記録されている。次に読み出し信号ｃから得られた検出振幅比ｒと目標振幅比データｆ２を比較して、その差がゼロに近づくように光量制御信号ｈを出力する。これにより、光磁気ディスク１の目標振幅比データ記録領域から読み出した目標振幅比データｆ２に基づいて、再生光量の制御が行われ、再生データのエラーを低く抑えることができる。また、再び光磁気ディスク１が装填された場合に、目標振幅比データｆ２の読み出しによってエラーレートの測定動作を省略することができ、高速で情報データの記録再生動作に移行することができる。
【００２０】
図２は光磁気ディスク１を説明する図である。光磁気ディスクは、ガラスや透明樹脂基板上に形成された少なくとも再生層と記録層の２層構造よりなる。記録層は希土類−遷移金属の合金製の垂直磁化膜であり、垂直磁化の方向によってデジタル情報が記録される。再生層は希土類−遷移金属の合金薄膜であり、その組成比の選択により室温からキュリー温度までが面内磁化となり、キュリー温度以上で記録層の垂直磁化が転写される磁性膜である。再生層に光ビームが照射されてキュリー温度以上に昇温した部分だけが垂直磁化に変化し、いわゆる磁気的なアパーチャを形成する。このような光磁気ディスク１の内周に設けられたテストデータ記録領域１８には、上述のテストデータが記録される。次に再生光量をステップ状に微増しながらこれを読み出し、エラーレートと振幅比を測定する。これにより最適な振幅比が決定される。次にこのテストデータ記録領域１８に近接した目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）１７に、前述の目標振幅比データｆ１が記録される。一度この目標振幅比データｆ１を記録しておけば、次回以降に光磁気ディスク１が装填された場合に、これを読み取るだけで、再生光量の制御をすばやくスタートすることができ、エラーレートの測定動作を省略することができる。また、この目標振幅比データ記録領域１７に近接した再生光量データ記録領域（再生光量値記録領域）２１に、前述の再生光量データｎ１が記録される。これを読み出して再生光量の制御のための初期値として設定することにより、実際の最適光量に近い値からスタートできるため、高速で制御を立ち上げることができる。なお、目標振幅比データ記録領域１７と再生光量データ記録領域２１をテストデータ記録領域１８に近接して配置することにより、光ピックアップの移動を最小限に抑え、目標振幅比の決定動作から目標振幅比データと再生光量データの記録動作へすばやく移行する事ができる。
【００２１】
情報記録再生領域１９には、長マークと短マークにより構成された制御パターンが、情報データと情報データの間に周期的に記録されている。情報データを再生しながら制御パターンの信号量振幅比を検出することにより、絶えず目標振幅比に近づくように再生光量の制御が行われる。
【００２２】
図３は図１における再生光量制御装置の制御方法を説明する流れ図である。ステップ（ｓ１）〜ステップ（ｓ３）は光磁気ディスクを装填して、目標振幅比データを読み出すステップ、ステップ（ｓ４）〜ステップ（ｓ１４）は目標振幅比を決定して、記録するステップ、ステップ（ｓ１５）〜ステップ（ｓ１９）は再生光量を制御するステップである。
【００２３】
まず、ステップ（ｓ１）で光磁気ディスクが光記憶装置に装填される。ステップ（ｓ２）では光磁気ディスクの内周の目標振幅比データ記録領域を読み出す。読みだし出力よりステップ（ｓ３）で目標振幅比データと、その時の再生光量データが記録されているか判別する。データがあればステップ（ｓ１５）に進む。これにより、後述するステップ（ｓ４）からステップ（ｓ１４）までの目標振幅比の決定と記録動作を省略する事ができる。照射光を読み出した再生光量に設定する（ｓ１５）。これにより、最適な再生光量に近い光量からスタートし、制御を高速に立ち上げる。さて、ステップ（ｓ１６）では情報記録再生領域に周期的に記録された制御パターンから長マーク記録領域の振幅値を検出する。次にステップ（ｓ１７）で短マークの記録領域の振幅値を検出する。次にステップ（ｓ１８）で長マークの振幅値と短マークの振幅値の比を計算する。ステップ（ｓ１９）では計算された振幅比と、目標振幅値との差がゼロに近づくように再生光量を変更する。再びステップ（ｓ１６）へ戻って再生光量の制御を繰り返す。
【００２４】
一方、ステップ（ｓ３）において、目標振幅比データと再生光量データが記録されてなければ、まずステップ（ｓ４）において照射光を記録光量に設定する。ステップ（ｓ５）では光磁気ディスクのテストデータ記録領域にテストデータを記録する。このテストデータには、エラーを測定するためのランダムデータと、図４（ａ）で示した振幅比を測定するための長マークと短マークから構成された制御パターンが含まれる。ステップ（ｓ６）で照射光を再生光量の初期値に設定する。ステップ（ｓ７）で制御パターンとテストデータを再生する。ステップ（ｓ８）で制御パターンの振幅比を測定し、続いてステップ（ｓ９）でテストデータのエラーレートを測定する。このときの再生信号の振幅比、エラー数と再生光量を記憶しておく。ステップ（ｓ１０）。ステップ（ｓ１１）では再生光量を複数の光量に微増し、再生光量のテスト範囲の最終値を越えたかステップ（ｓ１２）で判断する。越えていなければステップ（ｓ７）に戻り、越えていれば記憶したエラー数の中から最低値となるものか、あるいは所定値以下となるものを探し、このときの振幅比を目標振幅比に決定する。ステップ（ｓ１３）。得られた目標振幅比と、このときの再生光量を目標振幅比データ記録領域に記録する。ステップ（ｓ１４）。以後はステップ（ｓ１５）に移って、決定した目標振幅比に基づいて再生光量の制御を行う。
【００２５】
なお、上記の実施例ではテストデータを記録する手段を備えているため、たとえ光磁気ディスクの工場出荷時以降に記録特性の経時変化が発生しても、ユーザーが所有する光記憶装置において定期的に最適なテストデータを記録して、目標振幅比のデータを更新することができる。
【００２６】
また、目標振幅比を求めるために再生光量を複数の光量値に微増させながらテストデータのエラー数を行ったが、これに限らず再生信号のジッタを測定し、この値が最低となるか、あるいは所定値以下になる時の振幅比を目標振幅比としても良い。エラー数はジッタ値にほぼ比例するため、同様に再生光量の制御が行われる。
【００２７】
また、上記実施例においては目標振幅比データを光磁気記録方式により記録したが、これに限らず工場出荷時に予め消去できない凹凸の記録形態にて記録しておいても良い。これにより、ユーザーが所有する光記憶装置からエラーレート測定部分と目標振幅比決定部分を取り外すことができる。
【００２８】
また、目標振幅比と再生光量を同一の目標振幅比データ記録領域に記録したが、これに限らず別に再生光量記録領域を設け、ここに目標振幅比が得られた時の再生光量を記録しても良い。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の請求項１記載の光記憶装置における再生光量制御方法は、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出し、この検出出力より前記信号量検出手段の出力信号量が目標値に近づくように再生光量を制御する光記憶装置における再生光量制御方法であって、
光記録媒体にテストデータを記録する第１ステップと、再生光量を複数の光量値に切換える第２ステップと、前記複数の光量値におけるテストデータからの複数の再生信号品質値を測定する第３ステップと、複数の光量値におけるテストデータからの複数の再生信号量を測定する第４ステップと、前記複数の再生信号品質値に基づいて複数の再生信号量の中から最適な再生信号量を選び出し、目標値を決定する第５ステップと、前記目標値を前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する第６ステップと、前記光記録媒体の目標値記録領域に記録された目標値を読み出す第７ステップと、再生信号の信号量が前記目標値に近づくように再生光量を制御する第８ステップとを備えることを特徴とする。
【００３０】
これによれば、目標振幅比（目標値）が光磁気ディスクに一度記録されると、２回目以降の装填後はエラーレートの測定動作を省略できる。そして目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録された目標振幅比（目標値）を読み出した後、これに基づいて即座に再生光量の制御が行われ、再生データのエラーを低く抑えることができる。すなわち、高速で情報データの記録再生動作に移行することができる。また、この方法によれば、光磁気ディスクの工場出荷時に目標振幅比を決定し、目標振幅比データ記録領域に記録し、出荷された光磁気ディスクをユーザーが所有する光記録装置において、即座に情報記録再生動作に移行することができる。
【００３１】
請求項２記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出する信号量検出手段とを有する光記憶装置における再生光量制御装置であって、
複数の光量値における複数の再生信号品質値を測定する測定手段と、前記再生信号品質値に基づいて前記目標値を決定する目標値決定手段と、前記目標値を前記光記録媒体の目標値記録領域に記録する目標値記録手段とを備えることを特徴とする。
【００３２】
これによれば、エラーレートやジッタ等の再生信号品質値によって目標振幅比（目標値）を決定し、目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録することができる。これはユーザーの所有する光記憶装置において記録する。一度、目標振幅比（目標値）を目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録することにより、２回目以降に別の光記憶装置にこの光磁気ディスクが装填されても、この目標振幅比の読み出しによって即座に再生光量の制御が行われ、高速で情報データの記録再生動作に移行することができる。
【００３３】
請求項３記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記光記録媒体にテストデータを記録するテストデータ記録手段と、再生光量を複数の光量値に切換える光量切換手段とを備え、
前記測定手段において複数の光量値におけるテストデータからの複数の信号品質値を測定し、前記信号量検出手段において複数の光量値におけるテストデータからの複数の信号量を測定し、前記複数の信号品質値に基づいて複数の信号量の中から最適な信号量を選び出すことにより目標値を決定することを特徴とする。
【００３４】
これによれば、光磁気ディスクの経時変化によって記録特性が変化しても、ユーザーが所有する光記憶装置において定期的にテストデータを記録して、目標振幅比のデータを更新することができる。
【００３５】
請求項４記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記目標値と共に、この値が得られたときの再生光量値を記録する再生光量値記録手段を備えることを特徴とする。
【００３６】
これによれば、再生光量の制御のための初期値をこの再生光量値に設定するため、実際に必要な再生光量に近い値から制御を開始でき、再生光量の制御の立ち上がりを早くすることができる。
【００３７】
請求項５記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、再生層と記録層を備えた光記録媒体に光ビームを照射し、光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記憶装置において、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量を検出する信号量検出手段と、前記信号量検出手段の出力信号量が目標値に近づくように再生光量を制御する制御手段を有する再生光量制御装置であって、
前記光記録媒体の目標値記録領域に記録された目標値を読み出す目標値読み出し手段を備え、
前記信号量検出手段の出力信号量が読み出された前記目標値に近づくように再生光量を制御することを特徴とする。
【００３８】
これによれば、既に目標振幅比（目標値）が目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録された光磁気ディスクが装填された時に、この目標振幅比の読み出しによって即座に再生光量の制御が行われ、高速で情報データの記録再生動作に移行することができる。
【００３９】
請求項６記載の光記憶装置における再生光量制御装置は、前記目標値と共に、この値が得られたときの再生光量値を再生する再生光量値再生手段を備え、再生光量の制御のための初期値を前記再生光量値に設定することを特徴とする。
【００４０】
これによれば、再生光量の制御のための初期値をこの再生光量値に設定するため、実際に必要な再生光量に近い値から制御を開始でき、再生光量の制御の立ち上がりを早くすることができる。
【００４１】
請求項７記載の光記録媒体は、再生層と記録層を備え、光ビームが照射された光スポット径よりも小さな磁気的なアパーチャを再生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再生する光記録媒体において、
前記光記録媒体に再生光量を制御するための再生信号量の目標値を記録する目標値記録領域を備え、
前記光記録媒体に記録されたマークからの再生信号量が検出され、この再生信号量の検出出力が前記目標値に近づくように制御された再生光量が照射されることを特徴とする。
【００４２】
これによれば、エラーレートやジッタ等の再生信号品質値によって目標振幅比（目標値）を決定し、目標振幅比データ記録領域（目標値記録領域）に記録することができる。これは、メーカー側で工場出荷時に記録したり、ユーザーの所有する光記憶装置において記録する。光記憶装置にこの光磁気ディスクが装填されると、この目標振幅比の読み出しによって即座に再生光量の制御が行われ、高速で情報データの記録再生動作に移行することができる。
【００４３】
請求項８記載の光記録媒体は、前記目標値を決定するためのテストデータを記録するテストデータ記録領域を備え、
前記目標値記録領域が前記テストデータ記録領域に近接して配置されることを特徴とする。
【００４４】
これによれば、テストデータ記録領域における目標振幅比の決定後に、即座に目標振幅比データ記録領域に移動して、目標振幅比の記録ができるため、光ピックアップの移動を最小限に抑え、目標振幅比の決定動作から目標振幅比データの記録動作へすばやく移行する事ができる。
【００４５】
請求項９記載の光記録媒体は、前記目標値が得られたときの再生光量値を記録するための再生光量値記録領域を備えることを特徴とする。
【００４６】
これによれば、再生光量の制御のための初期値をこの再生光量値に設定するため、実際に必要な再生光量に近い値から制御を開始でき、再生光量の制御の立ち上がりを早くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における光記憶装置の再生光量制御装置を示すブッロクダイアグラムである。
【図２】本発明の実施例において使用する光磁気ディスクを説明する図である。
【図３】本発明の実施例における制御方法を示すフローチャートである。
【図４】従来の再生光量制御装置における長短マークの振幅比を使用した再生光量制御方法を説明する図である。
【符号の説明】
１    光磁気ディスク
２    半導体レーザ
３    フォトダイオード
５ａ  長マークレベル検出手段
６ｂ  短マークレベル検出手段
６    復調手段
７    目標振幅比データ読み取り手段
９    エラー計数手段
１０    ＣＰＵ
１１    割り算手段
１２    減算手段
１３    切り替え手段
１４    駆動手段
１５    データ切り替え手段
１６    テストデータ発生手段
１７    目標振幅比データ記録領域
１８    テストデータ記録領域
１９    情報記録再生領域
２０    再生光量データ読み取り手段
２１    再生光量データ記録領域
【図１】
0003798126.tif 000002
【図２】
0003798126.tif 000003
【図３】
0003798126.tif 000004
【図４】
0003798126.tif 000005