(57)【要約】本発明は、低誘電率化を可能にし、しかも剥離等を防いだ膜を層間絶緑体層または保護膜として備えた、固体装置およびその製造方法を提供する。半導体装置において、ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃやパシベーション膜７として備えた。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁体層または保護膜として備えたことを特徴とする固体装置。
【請求項２】
ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁体層の間または層間絶縁層の表面または下面に備えたことを特徴とする固体装置。
【請求項３】
前記ホウ素炭素窒素膜に原子結合の乱れによるアモルファス相、結晶相および結晶粒界の中の少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の固体装置。
【請求項４】
前記ホウ素炭素窒素膜が六方晶窒化ホウ素構造のホウ素−窒素結合を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の固体装置。
【請求項５】
前記ホウ素炭素窒素膜が比誘電率３．０以下を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体装置。
【請求項６】
被成膜基板を窒素プラズマ雰囲気中に配置し、前記被成膜基板にホウ素原子と炭素原子とを供給し、原子結合の乱れを有するホウ素炭素窒素膜を形成することを特徴とする固体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、固体装置およびその製造方法に関し、詳しくは、層間絶縁体層または保護膜を備えた、固体装置およびその製造方法に関する。
背景技術
固体装置には、半導体集積回路素子、個別半導体素子、半導体レーザ、液晶ディスプレイ動作素子などがある。情報の大容量化に対応していくために、高速動作が固体装置に対して望まれてきた。
これまで、半導体集積回路素子では、シリコン酸化膜（比誘電率ε〜４）が多層配線の層間絶縁体膜として広く用いられてきた。しかし、次世代の高集積化を目指した素子において、設計寸法が０．２５［μｍ］以下に入り、しかも、配線長が増大すると、配線遅延が、トランジスタの特性であるゲート遅延を上回るようになり、配線のＲＣ時定数の低減を考えることが必要となる。このため、配線用材料としては、アルミニウム（比抵抗３［μΩｃｍ］）から銅（比抵抗２［μΩｃｍ］）への変更が試みられ、配線金属の層間絶縁体膜もシリコン酸化膜以外の低誘電率を有する材料の導入が求められている。
また、近年、移動体通信や光通信分野で用いられている化合物半導体で作製される高速電子素子の層間絶縁体膜や保護膜にも、低誘電率を有する材料の導入が求められている。さらに、液晶ディスプレイ素子での高速動作のためにも、素子配線の層間絶縁体膜や薄膜トランジスタの保護膜に、低誘電率の絶縁体薄膜を用いることが望まれる。一方、高速動作を必要とする半導体レーザに対しても、端面保護膜に低誘電率の絶縁体薄膜の導入が望まれる。
ところで、有機系材料がε＜３の低誘電率を有する材料として注目されているが、熱的安定性に劣るという問題がある。また、シリコン酸化膜を多孔質化することによって、低誘電率化を図る試みもなされているが、機械的強度をはじめ、いくつかの検討課題を残している。耐熱性、機械的強度を有し、低誘電率を持つ材料として窒化ホウ素（ＢＮ）が注目され、その低誘電率化が試みられてきた。
窒化ホウ素を材料とするＢＮ薄膜の作製には、プラズマＣＶＤ法が用いられ、六方晶ＢＮ薄膜の作製により、比誘電率εが３以下の絶縁体膜が達成されている。しかし、ＢＮ膜には吸湿性があり、ＢＮ膜内に蓄積された応力と関連して、ＢＮ膜にクラックが入ったり、基板材料からのＢＮ膜の剥離が生じたりして、固体装置への適用は困難であるとされていた。
本発明は、前記の課題を解決し、低誘電率化を可能にし、しかも剥離等を防いだ膜を層間絶縁体層または保護膜として備えた、固体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
発明の開示
前記課題を解決するために、請求項１に記載の本発明は、ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁体層または保護膜として備えたことを特徴とする固体装置である。
請求項２に記載の本発明は、ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁体層の間または層間絶縁層の表面または下面に備えたことを特徴とする固体装置である。
請求項３に記載の本発明は、請求項１に記載の固体装置において、前記ホウ素炭素窒素膜に原子結合の乱れによるアモルファス相、結晶相および結晶粒界の中の少なくとも１つを含有することを特徴とする。
請求項４に記載の本発明は、請求項１に記載の固体装置において、前記ホウ素炭素窒素膜が六方晶窒化ホウ素構造のホウ素−窒素結合を有する。
請求項５に記載の本発明は、請求項１に記載の固体装置において、前記ホウ素炭素窒素膜が比誘電率３．０以下を有していることを特徴とする。
請求項６に記載の本発明は、被成膜基板を窒素プラズマ雰囲気中に配置し、前記被成膜基板にホウ素原子と炭素原子とを供給し、原子結合の乱れを有するホウ素炭素窒素膜を形成することを特徴とする固体装置の製造方法である。
発明を実施するための最良の形態
つぎに、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。
［実施の形態１］
実施の形態１では、本発明の固体装置が半導体装置であり、また、本発明の製造方法がこの半導体装置を製造する方法である。
半導体装置には層間絶縁膜が用いられている。この層間絶縁膜としては、半導体集積回路素子における基板上に設けられた電極や配線を絶縁分離する絶縁膜および保護膜がある。また、トランジスタ等のデバイスを絶縁分離する絶縁膜および保護膜がある。そして、層間絶縁膜は単層膜または多層膜により構成される。
ホウ素炭素窒素膜の形成方法について述べる。成膜法としてプラズマＣＶＤ法を用いる。成膜用基板（被成膜基板）の表面に対して窒素ガス上流部で窒素プラズマを生成し、窒素プラズマ部と基板表面との間にホウ素原子および炭素原子を供給する。窒素供給源として窒素原子と水素原子の結合を有するアンモニア等に代えて、窒素ガスを用い、水素原子の取り込みを抑制する。また、ホウ素、炭素原子を供給する原料ガスとして、三塩化ホウ素およびメタンガスを用いる。基板の温度は室温から４００［℃］の間で制御し、用途に応じて設定される。
ホウ素炭素窒素膜は絶縁体の特性を示す。さらに、ホウ素炭素窒素膜を構成する窒化ホウ素結晶粒子内への炭素の添加により、原子の結合に乱れが生じ、電子分布にも乱れが生じる。そのため、電子分極の低下が起こり、誘電率の減少につながる。低誘電率という特性があるため、層間絶縁膜材料として利用できる。
以下、半導体装置の具体例について説明する。実施の形態１による半導体装置は、図１に示すように、シリコン基板１、ゲート２、酸化膜２Ａ、４、コンタクト３、層間絶縁体層としての層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃ、配線用金属６Ａ〜６Ｆおよび保護膜としてのパシベーション膜７で構成される。
シリコン基板１はｐ型のシリコン半導体基板である。ゲート２、酸化膜２Ａおよびコンタクト３からなるＭＯＳＦＥＴが半導体素子として形成されている。前記ＭＯＳＦＥＴは、酸化膜４の形成により素子分離がされている。
前記ＭＯＳＦＥＴに対する多層配線のために、シリコン基板１、酸化膜４および前記ＭＯＳＦＥＴの表面上に第１層目の層間絶縁膜５Ａが形成されている。層間絶縁膜５Ａはホウ素炭素窒素膜である。層間絶縁膜５Ａは、フォトリソグラフィー工程によって部分的にエッチング除去される。層間絶縁膜５Ａのエッチング除去された部分には、配線用金属６Ａ、６Ｂが形成されている。同じようにして、第２、第３層目の層間絶縁膜５Ｂ、５Ｃに配線用金属６Ｃ〜６Ｆが形成されている。第２、第３層目の層間絶縁膜５Ｂ、５Ｃも層間絶縁膜５Ａと同様にホウ素炭素窒素膜である。
層間絶縁膜５Ｃおよび配線用金属６Ｆの表面上には、パシベーション膜７が形成されている。パシベーション膜７はホウ素炭素窒素膜である。半導体装置はこのような構成である。
前記構成の半導体装置を次に示す手順で作製した。つまり、図２（ａ）に示すｐ型のシリコン基板１の表面上に、図２（ｂ）に示すように、熱酸化法を用いた従来のプロセスにより、前記のＭＯＳＦＥＴを作製した。この後、ＬＯＣＯＳプロセスを用いて酸化膜４を形成し、ＭＯＳＦＥＴの素子分離を行った。
次に、プラズマＣＶＤ法によって、図２（ｃ）に示すように、ホウ素炭素窒素膜を層間絶縁膜５Ａとして形成した。このために、基板温度を３９０［℃］に保ち、窒素ガスをリアクターへ導入して、窒素プラズマを生成し、三塩化ホウ素ガスとメタンガスとを分解して、ホウ素炭素窒素膜を合成した。このとき、圧力は０．６［Ｔｏｒｒ］、基板に１５０［Ｖ］の負バイアスを印加して作製した。その結果、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４の組成比を持つ５［ｎｍ］程度の結晶粒子とアモルファス領域とが混在する薄膜が、層間絶縁膜５Ａとして得られた。
層間絶縁膜５Ａを形成した後、層間絶縁膜５Ａにフォトリソグラフィー工程でパターニングし、三塩化ホウ素と窒素ガスとを用いた反応性イオンエッチング法により、層間絶縁膜５Ａを部分的にエッチング除去した。この後、メッキ法により銅薄膜を形成し、化学機械研磨により平坦化し、配線用金属６Ａ、６Ｂを形成した。
同じようにして、層間絶縁膜５Ｂ、５Ｃと配線用金属６Ｃ〜６Ｆとの形成を繰り返し行い、最後にパシベーション膜７を付けた。パシベーション膜７の部分にも、層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃと同じホウ素炭素窒素膜を用いることができる。
こうして作製された半導体装置は、次の特性をもつ。つまり、層間絶縁膜５として用いる薄膜を同じ合成条件で金属基板上に作製し、その上に金属電極を形成して薄膜の誘電率を評価したところ、誘電率κ＝２．５という値が得られた。この値は、従来のＳｉＯ２膜の誘電率κ＝４と比較して非常に低く、また、電気抵抗率も１０１０［Ωｃｍ］の高い値が得られることを確認した。
このように、実施の形態１によって、低誘電率であり、しかも剥離等を防いだ膜を、層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃやパシベーション膜７として形成することができる。
なお、実施の形態１では、粒子サイズが５［ｎｍ］程度の結晶粒子とアモルファス領域とが混在する薄膜を層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃとして用いたが、結晶の粒子サイズおよびその占有割合はこれに限定されることはなく、結晶粒子と粒界からなる多結晶薄膜も含まれる。また、結晶粒子サイズも数原子の結合のものまで含まれる。
実施の形態１による膜の形成では、結晶粒子の構造は赤外吸収測定により六方晶窒化ホウ素が基盤となっていると評価されたが、六方晶相だけでなく立方晶相が含まれた膜も用いることができる。さらに、ホウ素、炭素、窒素の含有組成比は実施の形態１に限定されることはない。
［実施の形態２］
実施の形態２では、本発明の固体装置が電界効果トランジスタであり、また、本発明の製造方法がこのトランジスタを製造する方法である。実施の形態２では、層間絶縁膜が、単一の電界効果トランジスタに対して、活性層の保護膜として用いられると同時に、電極間の活性層部分と電極金属や配線金属との絶縁分離膜として用いられる。
以下、電界効果トランジスタの具体例について説明する。実施の形態２による電界効果トランジスタは、ガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴであって、図３に示すように、ガリウム砒素基板２１、ガリウム砒素活性層２２、ソース２３、ドレイン２４、ゲート２５および絶縁層２６で構成される。
ガリウム砒素基板２１は半絶縁体基板である。ガリウム砒素基板２１には、ガリウム砒素活性層２２が形成されている。ガリウム砒素活性層２２には、ソース２３とドレイン２４としてオーミック電極が設けられ、ゲート２５としてショットキー接合電極が設けられている。これよって、ＭＥＳＦＥＴが作製される。そして、ソース２３とゲート２５との間およびゲート２５とドレイン２４との間の、ガリウム砒素活性層２２が露出した部分に、絶縁層２６が設けられている。
前記構成の電界効果トランジスタを次に示す手順で作製した。つまり、図４（ａ）に示すように、半絶縁性ガリウム砒素基板２１上にｎ型ガリウム砒素活性層２２（電子濃度１ｘ１０１７［ｃｍ−３］、厚さ１［μｍ］）を有機金属気相合成法によって堆積させた。ガリウム砒素活性層２２を堆積した後、図４（ｂ）に示すように、電子ビーム蒸着法によりＡｕＧｅＮｉを５００［ｎｍ］堆積させ、その後、４２０［℃］で５分間熱処理を行った。これによって、ソース２３およびドレイン２４となる電極をオーミック接触によって形成した。続いて、ソース２３とドレイン２４との間で活性層２２を部分的に薄くして、リセス構造を形成した。
最後に、ゲート２５を作製した。このために、ソース２３とドレイン２４との間に、先ず、絶縁層２６を５００［ｎｍ］堆積させた。絶縁層２６は、三塩化ホウ素ガス、窒素ガスおよびメタンガスを材料ガスとして、プラズマアシスト気相合成法によって合成された。こうして合成された絶縁層２６がホウ素炭素窒素膜である。
この後、三塩化ホウ素と窒素とを用いた反応性イオンエッチングによって、図４（ｃ）に示すように、リセス部分で絶縁層２６に０．３［μｍ］の幅のストライプ窓を開けた。その後、再び、フォトリソグラフィーによって、レジスト膜２７を作製した。この上に、電子ビーム蒸着法によってＴｉＰｔを堆積させ、リフトオフ工程を用いて、図４（ｄ）に示すように、ゲート２５を作製した。
こうして、絶縁層２６として絶縁体薄膜を用いて作製されたガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴは、絶縁体薄膜としてＳｉＮを用いて作製した素子に比べ、周波数特性を向上させることができる。
なお、実施の形態２では、ガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴに絶縁体薄膜を用いたが、ガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴ以外のインジウムリン系ＭＥＳＦＥＴや窒化ガリウム系ＭＥＳＦＥＴにも応用でき、同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態２では、活性層上にホウ素炭素窒素膜のみを有する場合を示したが、実施の形態１で述べた他の薄膜との２層又は多層構造を形成して、使用することもできる。
［実施の形態３］
実施の形態３では、本発明の固体装置が半導体レーザであり、また、本発明の製造方法がこの半導体レーザを製造する方法である。
実施の形態３の半導体レーザは、図５に示すように、ガリウム砒素基板３１、アルミインジウムリンクラッド層３２、３４、インジウムガリウムリン活性層３３、金属電極３５、３６、キャビティー前面保護膜３７およびキャビティー後面保護膜３８で構成される。
前記構成の半導体レーザを次に示す手順で作製した。つまり、有機金属化学気相成長法によって、ガリウム砒素基板３１上にアルミインジウムリンクラッド層３２、インジウムガリウムリン活性層３３、アルミインジウムリンクラッド層３４を成長させて、ダブルヘテロ接合部を形成した。このダブルヘテロ接合部をストライプ状に残し、その両側にアルミインジウムリン層を再び成長させ、ストライプレーザを作製した。インジウムガリウムリン活性層３３は量子井戸構造にした。この後、ガリウム砒素基板３１側に金属電極３５を設け、成長層表面に金属電極３６を設けた。へき開により、キャビティを形成した。
最後に、キャビティ端面にキャビティー前面保護膜３７、キャビティー後面保護膜３８を形成した。キャビティ端面の反射率は、レーザ光Ａが射出される前面で低く、後面で高くし、前面からの光出力の取り出し効率を向上させた。このため、キャビテイ前面保護膜３７として単層のホウ素炭素窒素膜を用い、キャビティ後面保護膜３８としてホウ素炭素窒素膜と窒化シリコン膜を用い、多層構造を形成した。
具体的には、キャビティー前面保護膜３７、キャビティー後面保護膜３８を次のように作製した。プラズマＣＶＤ法により、まず、キャビティー前面保護膜３７を作製した。基板温度を３９０［℃］に保ち、窒素ガスをリアクターへ導入して、窒素プラズマを生成し、三塩化ホウ素ガスとメタンガスとを分解して、ホウ素炭素窒素膜を合成した。圧力は０．６［Ｔｏｒｒ］、基板に１５０［Ｖ］の負バイアスを印加して作製した。その結果、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４の組成比を持つ５［ｎｍ］程度の結晶粒子とアモルファス領域とが混在する薄膜が、キャビティー前面保護膜３７として得られた。キャビティー後面保護膜３８の作製には、まず、上記のようにホウ素炭素窒素膜を形成し、次に、三塩化ホウ素ガスとメタンガスをシランガスに代えて、窒化シリコン膜を形成した。この方法で各４層ずつの膜を形成した。
このようにして製造された半導体レーザでは、従来技術で用いられているアモルファスシリコン膜とアルミナ膜によって保護膜を形成した場合に比べ、ホウ素炭素窒素膜が端面保護膜として用いることによって、高速動作に改善が見られると共に、高出力での信頼性が大きく向上した。つまり、ホウ素炭素窒素膜は低誘電率膜であるので、高速動作につながる。また、ホウ素炭素窒素膜は赤外可視領域のレーザ光の光子エネルギーよりも広い禁止帯幅を持つため、端面での吸収損失がなく、熱伝導に関しても優れた特性を持つので、半導体レーザの信頼性を向上させることができる。
なお、実施の形態３では、ガリウムインジウムリンを活性層（インジウムガリウムリン活性層３３）とする半導体レーザを取り上げたが、窒化ガリウム系で作製される青色―紫外領域のレーザや、インジウムガリウム砒素を活性層とする赤外領域の半導体レーザにも、本発明によるホウ素炭素窒素膜を端面保護膜として応用することができる。
また、キャビティー後面保護膜３８としてホウ素炭素窒素膜と窒化シリコン膜とを用いたが、窒化シリコン膜の代わりにホウ素炭素窒素膜と屈折率の異なる様々な絶縁体膜を用いることができる。ホウ素炭素窒素膜の組成比を変化させて、異なった２種類の屈折率を持つホウ素炭素窒素膜を用いることもできる。
［実施の形態４］
実施の形態４では、本発明の固体装置が液晶ディスプレイである。液晶ディスプレイにおいても、ガラス基板上に形成される薄膜トランジスタや駆動回路を構成する集積素子内の配線に対して、層間絶縁体膜や素子の保護が必要である。特に、液晶ディスプレイ画面上で長大な配線が不可欠であるために、配線遅延を回避することが重要となる。このため、実施の形態１および実施の形態２に示した技術が実施の形態４で用いられる。
以下、液晶ディスプレイの具体例について説明する。実施の形態４による液晶ディスプレイは、アクティブマトリックス型液晶ディスプレイであり、駆動部は、図６の等価回路に示されるように、薄膜トランジスタ４１、液晶セル４２、信号蓄積キャパシタ４３、ゲート電極線４４、ドレイン電極線４５、および、走査線やアドレス設定を行なう駆動回路素子４６で構成されている。
液晶セル４２は、薄膜トランジスタを有し、図７に示すように、ガラス基板５１、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、半導体層（アモルファスシリコン層）５４、ドレイン電極５５、ソース電極５６、保護膜５７、画素電極（ＩＴＯ）５８、偏光板５９、液晶６０、配向膜６１、対向電極（ＩＴＯ）６２、ブラックマトリックス６３、カラーフィルタ６４、偏光板６５、およびバックライト６６で構成されている。
液晶ディスプレイは、各画素に対して１つの薄膜トランジスタ４１が設けられている。液晶ディスプレイでは、走査やアドレスの設定を行なうための配線、つまりゲート電極線４４およびドレイン電極線４５が左右上下に張り巡らされ、層間絶縁膜も必要である。半導体集積回路素子内での配線に比べ、液晶ディスプレイでは配線長が長大になり、それによる遅延が生じる。このため、動作の高速化には層間絶縁膜として低誘電率を有する材料を使用する。また、薄膜トランジスタ４１の保護膜５７にも低誘電率を有する材料を用いる。
このように、液晶ディスプレイの各画素を直接動作させる薄膜トランジスタおよび周辺回路を作製する際の層間絶縁膜としてホウ素炭素窒素膜を利用し、その上、各画素間の配線に対する層間絶縁膜として用いることにより、配線遅延を回避して大きな効果を与えることができる。
以上、本発明の実施の形態１〜４について詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
例えば、実施の形態１および実施の形態２で多数の電子素子を集積した素子および単体の電子素子において、ホウ素炭素窒素膜の層間絶縁体膜および保護膜として用いることができることを述べた。また、実施の形態４では、液晶ディスプレイにおいてガラス基板上に各画素を動作させる薄膜トランジスタや信号処理用集積回路が形成される。基板材料に違いはあるものの、素子間の配線に対する層間絶縁体膜や素子の保護膜が必要とされ、実施の形態１および実施の形態２に示した本発明が同様に用いられる。
［実施の形態５］
実施の形態５は、実施の形態１の固体装置の層間絶縁膜の間にホウ素炭素窒素膜（ＢＮＣ膜）を形成する方法である。
図８に示すように、シリコン基板１、ゲート２、酸化膜２Ａ、４、コンタクト３、層間絶縁体層としての層間絶縁膜５Ａ〜５Ｃ、配線用金属６Ａ〜６Ｆおよび保護膜としてのパシベーション膜７で構成される。
５Ａ〜５Ｃはホウ素炭素窒素膜以外の絶縁膜（例えば、ホウ素炭素膜やＳｉ３Ｎ４膜）を用いればよい。
［実施の形態６］
実施の形態６では、図９に示すように、実施の形態１の固体装置の層間絶縁膜の表面にホウ素炭素窒素膜（ＢＮＣ膜）を形成する方法である。
［実施の形態７］
実施の形態７では、図１０に示すように、実施の形態１の固体装置の層間絶縁膜の下面にホウ素炭素窒素膜（ＢＮＣ膜）を形成する方法である。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明は、プラズマＣＶＤ法によりホウ素炭素窒素膜を作製することにより、比誘電率が３以下の低誘電率材料を得ることができ、多層配線の層間絶縁膜や素子の保護膜として用いることにより、剥離を防止して、付着性を向上させ、配線遅延を低減した固体装置の提供に効果的である。
また、本発明の固体装置はコンピューターをはじめ、それを中心とした高性能情報処理装置、通信装置、制御装置等のキーデバイスとして提供ができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の実施の形態１による半導体装置を示す断面図である。
図２は、実施の形態１の半導体装置の作製手順を説明するための説明図である。
図３は、本発明の実施の形態２による電界効果トランジスタを示す断面図である。
図４は、実施の形態２の半導体装置の作製手順を説明するための説明図である。
図５は、本発明の実施の形態３による半導体レーザを示す断面図である。
図６は、本発明の実施の形態４による液晶ディスプレイの等価回路図である。
図７は、図６の液晶ディスプレイの液晶セルを示す断面図である。
図８は、本発明の実施の形態５による半導体装置を示す断面図である。
図９は、本発明の実施の形態６による半導体装置を示す断面図である。
図１０は、本発明の実施の形態７による半導体装置を示す断面図である。
（符号の説明）
１  シリコン基板
２  ゲート
３  コンタクト
４  酸化膜
５Ａ〜５Ｃ  層間絶縁膜
６Ａ〜６Ｆ  配線用金属
７  パシベーション膜
２１  ガリウム砒素基板
２２  ガリウム砒素活性層
２３  ソース
２４  ドレイン
２５  ゲート
２６  絶縁層
３１  ガリウム砒素基板
３２、３４  アルミインジウムリンクラッド層
３３  インジウムガリウムリン活性層
３５、３６  金属電極
３７  キャビティー前面保護膜
３８  キャビティー後面保護膜
４１  薄膜トランジスタ
４２  液晶セル
４３  信号蓄積キャパシタ
４４  ゲート電極線
４５  ドレイン電極線
４６  駆動回路素子
５１  ガラス基板
５２  ゲート電極
５３  ゲート絶縁膜
５４  半導体層
５５  ドレイン電極
５６  ソース電極
５７  保護膜
５８  画素電極
５９  偏光板
６０  液晶
６１  配向膜
６２  対向電極
６３  ブラックマトリックス
６４  カラーフィルタ
６５  偏光板
６６  バックライト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2002069382.tif 000014