(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室は排気系に連結した上下処理室からなり、該下処理室は高周波電極と該高周波電極に対向配備されるワーク保持部材と反応ガスを供給するガス管とを有し、前記ワーク保持部材の保持面に保持されたワークに保護薄膜を形成するプラズマＣＶＤ膜製造装置において、
前記下処理室内壁の表面が絶縁物によって被覆され、該下処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極のワーク保持部材に対向する表側および前記ワーク保持部材のワーク保持面を除く部材の表面は絶縁物からなり、前記高周波電極を覆う絶縁物の表面はアース線により接地されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ膜製造装置。
【請求項２】
処理室は排気系に連結した上下処理室からなり、該下処理室は高周波電極と該高周波電極に対向配備されるワーク保持部材と反応ガスを供給するガス管とを有し、前記ワーク保持部材の保持面に保持されたワークに保護薄膜を形成するプラズマＣＶＤ膜製造装置において、
前記上下処理室内壁の表面が絶縁物によって被覆され、該上下処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極のワーク保持部材に対向する表側および前記ワーク保持部材のワーク保持面を除く部材の表面は絶縁物からなり、前記高周波電極を覆う絶縁物の表面はアース線により接地されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ膜製造装置。
【請求項３】
前記下処理室内に配備されたワーク保持部材の支軸の軸受部分を封止するように絶縁性の可撓材料からなるリップ部材あるいはシール部材を設けたことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置。
【請求項４】
前記処理室内を内外に貫通する内外貫通部材は、絶縁物からなり、処理室外でその外表面がアース線により接地されることを特徴とする請求項１、２または３記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置。
【請求項５】
前記処理室が排気系に連結された真空槽内に配備され、巻き取りローラおよび繰り出しローラを前記処理室外の前記真空槽内に配備するものであることを特徴する請求項１、２、３または４記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁気テープやＬＳＩの製造等に用いるプラズマＣＶＤ膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、オーディオテープやビデオテープ等の磁気テープは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のベースフィルムに、コバルトやニッケルの金属磁性材料の磁性層を積層して構成される。また、近年の磁気テープでは、磁性層上に重ねてプラズマ重合膜等の保護層を形成し、この保護層により磁性層を保護するとともに潤滑性の改善を図り、高密度記録を達成している。そして、磁性層や保護層は、一般に、プラズマＣＶＤ法によるプラズマＣＶＤ膜製造装置を用いて形成される。
【０００３】
このプラズマＣＶＤ膜製造装置としては、従来、特開昭６１−２１４１１８号公報、特開平２−１２６４２２号公報、特開平５−２３４０７５号公報あるいは特開平５−３２５１７５号公報等に記載されたものが知られる。例えば、特開平５−３２５１７５号公報には、壁面が接地された処理室内に接地されたローラを回転自在に設けてベースフィルムを巻回するとともに、このローラに対向して電極を設け、処理室内に反応ガスを導入して電極に高周波電圧を印加し、ローラの回転で走行するベースフィルムの磁性層上に保護層の薄膜を形成するプラズマＣＶＤ膜製造装置が記載される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平５−３２５１７５号公報に記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置にあっては、処理室は壁がステンレス等から構成され、この処理室の壁面が接地されるため、処理室の内壁面等にも膜が成長し、長時間にわたって運転した場合に、処理室の内壁面等に成長した膜が内部応力により剥離してベースフィルム等に付着し、この付着した剥離物との間で異常放電が生じて薄膜の膜厚不良等の製品不良を招くという問題があった。
一方、上述した問題は、電極と処理室の壁面とを大きく隔てること、例えば、７０ｃｍ以上に隔てることで解決できるとも考えられるが、装置が全体として大型化するため結果としてＣＶＤ膜の製造コストの増大を引き起こすという新たな問題が生じる。
【０００５】
また、上述したプラズマＣＶＤ膜製造装置にあっては、一般に、樹脂等の絶縁体からなる冷却水還流用のチューブを処理室壁を貫通して設け、このチューブを通る冷却水により電極やローラを冷却するが、このチューブの処理室外部分と処理室外壁や他の機器との間で放電が発生し、周辺の他の機器に電磁ノイズ等の悪影響を及ぼすという問題もあった。
本発明は、これら各問題に鑑みてなされたもので、製品不良を生じること無く長時間の運転が可能で小型化が図れるプラズマＣＶＤ膜製造装置、また、処理室外の冷却水循環用のチューブ等からの放電を防止でき周辺の他の機器に悪影響を及ぼすことがないプラズマＣＶＤ膜製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は、処理室は排気系に連結した上下処理室からなり、該下処理室は高周波電極と該高周波電極に対向配備されるワーク保持部材と反応ガスを供給するガス管とを有し、前記ワーク保持部材の保持面に保持されたワークに保護薄膜を形成するプラズマＣＶＤ膜製造装置において、
前記下処理室内壁の表面が絶縁物によって被覆され、該下処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極のワーク保持部材に対向する表側および前記ワーク保持部材のワーク保持面を除く部材の表面は絶縁物からなり、前記高周波電極を覆う絶縁物の表面はアース線により接地したものである（請求項１）。
また、前記上下処理室内壁の表面が絶縁物によって被覆され、該上下処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極のワーク保持部材に対向する表側および前記ワーク保持部材のワーク保持面を除く部材の表面は絶縁物からなり、前記高周波電極を覆う絶縁物の表面はアース線により接地したものである（請求項２）。
【０００７】
そして、この発明のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、前記下処理室内に配備されたワーク保持部材の支軸の軸受部分を封止するように絶縁性の可撓材料からなるリップ部材あるいはシール部材を設けた態様（請求項３）に構成することができる。
【０００８】
また、この発明のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、前記処理室内を内外に貫通する内外貫通部材が、絶縁物からなり、処理室外でその外表面がアース線により接地された態様（請求項４）のものである。また、前記処理室が排気系に連結された真空槽内に配備され、巻き取りローラおよび繰り出しローラを前記処理室外の真空槽内に配備した態様（請求項５）に構成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
請求項１記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置によれば、処理室の壁面等が絶縁物により被覆されているので、この絶縁物の表面にイオンや電子等のスピーシスが付着して帯電するが、一旦帯電した後はさらに付着するスピーシスが減少し、長時間の運転を行っても処理室の内壁面等に膜が成長することがなく、膜の脱落等に起因した製品不良等の発生が防止でき、また、ワークと壁面等とを接近させることができ、装置全体としての小型化も図れる。
【００１０】
また、請求項２記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置では、前記処理室内壁表面および処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極の表側および前記ワーク保持面を除いて少なくとも下処理室内壁の表面を絶縁物により積層被覆してあるので、膜の脱落等に起因した製品不良等の発生が未然に防止できるし、効率良好にベースフィルム磁性層上に保護膜を形成することができると共に、絶縁物の使用を減らすことができ装置コストを低減できる。
【００１１】
また、請求項３記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、前記下処理室内に配備されたワーク保持部材の支軸の軸受部分を封止するように絶縁性の可撓材料からなるリップ部材あるいはシール部材を設けたものであり、支軸や可撓部材（リップ部材）に絶縁物を被覆または配備したため、これら可動部材等における膜の成長も防止でき、可動部分等の耐久性が改善され、メンテナンスの頻度を低くすることができる。
さらに、請求項４記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、前記処理室内を内外に貫通する内外貫通部材が、絶縁物からなり、処理室外でその外表面をアース線により接地されるものであり、絶縁物の表面に帯電した電荷を放電することができ、膜の成長も防止できる。
【００１２】
さらに、請求項５記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、前記処理室が排気系に連結された真空槽内に配備され、巻き取りローラおよび繰り出しローラを前記処理室外の前記真空槽内に配備するものであるので、処理室内でのローラからのガス放出を効率よく防止し、保護膜の膜質も向上し欠陥の少ない磁気テープ保護膜の形成が可能で高品質のテープにすることができる。
【００１３】
【実施例】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１から図３はこの発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置を模式的に表し、図１が全体断面図、図２が一部を拡大した断面図、図３が他の一部を拡大した断面図である。
【００１４】
図１において、真空槽１０は、ステンレス等から構成されて処理室Ｃを画成し、その槽壁が複数カ所でアース線（図示せず）により接地されている。これらのアース線は各部の電位を一定にするため互いに接続され１か所で接地される。この真空槽１０には、処理室Ｃの対向する内側壁にそれぞれ絶縁物からなる凸部１１，１１が一体的に突設され、これら凸部１１，１１間にメインローラ（ワーク保持部材）１２が支軸１３により回転自在に支持される。凸部１１，１１は先端面が部分円筒面形状を有してメインローラ１２周面と微少間隔を隔て対向し、これら凸部１１，１１とメインローラ１２により処理室Ｃが上処理室Ｃａと下処理室Ｃｂとに画成される。
【００１５】
前記下処理室Ｃｂの内壁面には、絶縁物からなる被覆層１９が形成されている。この被覆層１９は、絶縁物のタイルやブロック、あるいは、シート（フィルム）から構成され、タイル等から構成する場合は５ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以上の厚みに、また、シートにより構成する場合は２５μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上の厚みに構成される。そして、この被覆層１９および前記凸部１１，１１を構成する絶縁物としては、テトラフルオロエチレン重合体やテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体などのフッ素系ポリマー、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンなどの耐熱性エンジニアリングプラスチックから、あるいは、シリカ、アルミナ、ジルコニア、カルシア、チッ化チタン、チッ化クロムなどのセラミックス等から適宜選択され、シート状の場合は上述の耐熱性プラスチックフィルムを用いる。
【００１６】
なお、上記被覆層１９を構成する絶縁物は上述したフッ素系ポリマー等に限られるものではなく、絶縁性でかつ耐熱性のある材料であれば使用できることは述べるまでもない。
また、この被覆層１９は処理室Ｃの全内壁面、すなわち、上処理室Ｃａの内壁面を含む全内壁面に形成することも可能である。
【００１７】
メインローラ１２は、金属等の導電性材料からなり、アース線（図示せず）により電気的に接地される。図２に示すように、メインローラ１２の外周面には、両側部および端面に絶縁物の被覆層１２ａが形成され、被覆層１２ａの間の面（ワーク保持面）で後述する繰り出しローラ２１から繰り出された磁気テープ（ウェブ）Ｔが巻回される。この被覆層１２ａは、前述したフッ素系ポリマー等の２５〜１００μｍ程度、好ましくは５０〜１００μｍ程度の絶縁物フィルムによって形成される。
なお、メインローラ１２は、両端側部分を上述したプラスチックやセラミックスからなる円筒（円柱）状の部材を別個に形成し、これら部材を組み付けて被覆層１２ａに代えることも可能である。さらにメインローラ１２は端面を絶縁物で被覆した磁気テープと略同一巾のローラとしてもよい。
【００１８】
そして、図２に示すように、メインローラ１２の被覆層１２ａにはそれぞれ処理室Ｃの内壁面に取り付けられた略環状のリップ部材（可撓性の絶縁物）１７が摺接する。このリップ部材１７は、シリコーンゴム等の絶縁性の可撓材料から構成され、支軸（可動部材）１３の軸受部分（相対運動部分）を封止する。なお、上述したリップ部材１７は、メインローラ１２の被覆層１２ａに設けることも可能であり、また、通常のシール部材（Ｏ−リング等）をメインローラ１２の端面と処理室Ｃの内面との間に介装して代替することも可能である。
【００１９】
また、メインローラ１２は、図２に示すように、支軸１３が処理室Ｃの側壁をベアリング１４を介して回転自在に貫通し、支軸１３の端部が処理室Ｃ外へ延出してモータ等の回転駆動機構（図示せず）に連結される。このメインローラ１２は、回転駆動機構により回転駆動され、後述する磁気テープＴの張力を一定とするように回転が制御される。
【００２０】
さらに、メインローラ１２は、樹脂等の絶縁体からなる冷却水循環用のチューブ（内外貫通部材）３９が支軸１３内等を経て（あるいは、真空槽１０の壁を貫通して）接続され、チューブ３９を経て循環する冷却水により冷却される。このチューブ３９は、図３に示すように、処理室Ｃ内外で外表面が前述したフッ素系ポリマー等の絶縁物のシート（あるいはフィルム）３８により被覆され、また、処理室Ｃ外において薄膜３８に金属テープ３７でアース線３６が止着され、このアース線３６により接地される。
なお、上述したシート３８は、必ずしも設ける必要はなく、チューブ３９が絶縁性の樹脂からなる場合は、チューブ３９外面に直接にアース線３６を止着することも可能である。
【００２１】
前記真空槽１０の上処理室Ｃａ内には、繰り出しローラ２１、巻き取りローラ２２および一対のパスローラ２３，２３が回転自在に支持され、また、真空ポンプ（図示せず）と連絡した吸引口５０が開口する。繰り出しローラ２１には磁気テープＴが巻き取り保持され、この磁気テープＴが上述した回転駆動機構により駆動されるメインローラ１２の回転で繰り出され、パスローラ２３を経て巻き取りローラ２２に巻き取られる。後に述べるように、この磁気テープＴは、ベースフィルムに磁性層を形成された状態で繰り出しローラ２１に装填され、下処理室Ｃｂ内において保護層が形成された後に巻き取りローラ２２に巻き取られる。
【００２２】
そして、真空槽１０の下処理室Ｃｂ内には、部分円筒面状（断面部分円弧状）の電極板３１が設けられ、この電極板３１の下方に複数のガス管３２，３２がメインローラ１２の回転軸方向に延設される。電極板３１は、放電電源３３と接続されて直流あるいは高周波電圧が印加され、メインローラ１２と対向する面を除いて微少間隔を隔てカバー部材３４により覆われる。カバー部材３４は、絶縁材料から構成され、その表面がアース線により接地されているので、表面に形成された膜が放電によって剥離するのを防止できる。図中明示しないが、これら電極板３１とカバー部材３４には長手方向或いは巾方向に延在する複数のスリットが形成され、反応ガスの流れを許容するが、必要に応じパンチングプレート或いはスリットをあけて並列した板状電極が用いられる。また前記カバー部材３４は延長してメインローラ１２とともに電極板３１を囲う（プラズマ形成部を閉じる）ように設けてもよい。
【００２３】
なお、放電電源３３は、直流から高周波（ＲＦ波）まで特に制限を受けないが、前述した磁気テープＴの保護層を形成する場合には、高い緻密性を得るためには１０kHz 〜１３．５６MHz 程度の周波数、特に、１００kHz 〜４００kHz が望ましい。
【００２４】
前記ガス管３２は、長手方向に所定間隔でノズル孔が形成され、図示しない反応ガス供給源と連絡される。このガス管３２は、供給源から供給される反応ガスをノズル孔から噴射する（図１中の矢印参照）。このガス管３２（内外貫通部材）も、前述した冷却水循環用のチューブ３９と同様に、表面が前述したフッ素系ポリマー等の絶縁物のシートまたはフィルムにより被覆され、また、処理室Ｃ外において薄膜の外表面が金属テープ等により止着されたアース線で接地される（図３参照）。
【００２５】
反応ガスは、磁気テープＴの保護層の形成に適用する場合は、原料ガスとしてメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、エチレン、プロピレン、アセチレン、メチルアセチレン、トルエンなどの炭化水素系のガス、また、シラン、メチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシシラン、テトラエトキシシランなどの沸点が２５０°Ｃ以下のシリコン系のガス、また、アルシン、ジボランなどのＣＶＤ用のガスから一種または複数種が選択されて用いられ、添加ガスとして水素、アルゴン、酸素、ヘリウム、窒素などの無機ガスから一種または複数種が選択されて用いられ、これら原料ガスと添加ガスとを１〜０．０１のガス比、望ましくは、０．２〜０．０５のガス比で混合して用いる。
【００２６】
なお、上述した実施例では、処理室Ｃの壁面とメインローラ１２の外周面の両側部に設けた絶縁物の被覆層１９，１２ａを例示するが、処理室Ｃ内に接地された他の部材が存在する場合は当該部材の表面にも絶縁層が設けられる。
また、上述した実施例では、処理室Ｃの内外を貫通する部材としてチューブ３９とガス管３２を例示するが、処理室Ｃの壁を貫通する種々の部材にも適用できることは述べるまでもない。
【００２７】
この実施例にあっては、処理室Ｃ内を吸引口５０から真空ポンプにより排気した後、処理室Ｃ内を１０-5Toor以上、通常、１〜１０-5Toorの圧力に維持し、また、原料ガスと添加ガスとを混合した反応ガスをガス供給源からガス管３２に供給してそのノズルから下処理室Ｃｂ内に噴出させる。そして、ベースフィルムに磁性層が形成された磁気テープＴをメインローラ１２に巻回し、この磁気テープＴを繰り出しロール２１から巻き取りロール２２に向かい走行させて磁性層上に保護膜を形成する。この保護膜は、通常は３〜１０ｎｍ程度の膜厚に、水分透過性の制御を目的とする場合は２０ｎｍ以上の膜厚に形成される。
【００２８】
ここで、保護膜の形成に際しては、反応ガスは下処理室Ｃｂ内の電極板３１とメインローラ１２に巻回した磁気テープＴとの間でプラズマ状態に励起され、下処理室Ｃｂ内にはラジカル、イオン、電子等のスピーシスが浮遊し、これらのスピーシスが磁気テープＴの磁性層上のみならず下処理室Ｃｂの内壁面にも付着する。しかしながら、下処理室Ｃｂの内壁面には絶縁物の被覆層１９が形成され、この被覆層１９表面にスピーシスが一層付着して一旦帯電すると以後は付着するスピーシスが減少し、下処理室Ｃｂの壁面における成膜が防止される。
【００２９】
同様に、メインローラ１２にはその外表面の両側部分に被覆層１２ａが形成されるため、被覆層１２ａの表面にスピーシスが一層付着して被覆層１２ａが帯電すると以後のスピーシスの付着が抑制でき、成膜が防止される。また、支軸１３の軸受部分はリップ部材１７により封止され、支軸１３の室壁貫通部分やベアリング１４へのスピーシスの付着が抑制され、これらへの成膜が防止できる。したがって、長時間運転しても、処理室Ｃｂの内壁面やメインローラ１２の磁気テープＴが接触しない部分に成長した膜の剥離等に起因した前述の従来の問題が生じることは少なく、欠陥の少ない磁気テープＴの保護膜を形成でき、また、支軸１３やベアリング１４に膜が成長して回転運動を阻害することもなく長時間にわたって安定した運転が行える。
【００３０】
また、上述した実施例にあっては、前記真空槽１０の処理室Ｃ内外を貫通して設けられたチューブ３９とガス管３２は、処理室Ｃ外において絶縁性薄膜３８により被覆されて金属テープ３７とアース線３６により接地されるため、放電を防止でき、周辺の装置に悪影響を及ぼすこともない。すなわち、前述した従来の装置では絶縁性の材料からなるチューブ３９とガス管３２は下処理室Ｃｂ内において帯電してこの電荷が処理室Ｃ外で放電するが、この実施例ではチューブ３９とガス管３２をアース線３６により接地するため放電を有効に防止することができる。
【００３１】
図４の例では、処理室Ｃのある真空槽１０を排気口２のある外側真空槽１内に配備し、繰り出しローラ２１及び巻き取りローラ２２を真空槽１０外で外側真空槽１内に備え、該繰り出しローラ２１から繰り出される磁気テープＴが真空槽１０内のパスローラ２３，２３1 を経てメインローラ１２に巻回され、さらにパスローラ２３，２３1 から前記巻き取りローラ２２に巻き取られるようになっている。該真空槽１０の上処理室Ｃａは排気口５０で外側真空槽１に連通され、またガス圧力の調整などのために必要に応じて下処理室Ｃｂは逆止弁５２のある排気口５１でケース１内に連通され、磁気テープＴの変形等の抑制、並びにテープの保護を適確にできると共に、処理室Ｃの処理条件により適切化できるため保護膜の特性向上を図ることができる。
【００３２】
また、図５の例では、前記真空槽１０の処理室Ｃの上処理室Ｃａ及び下処理室Ｃｂの内壁面に絶縁物からなる被覆層１９を形成して、膜の脱落等に起因した製品不良等の発生が未然に防止できるし、効率良好にベースフィルム磁性層上に保護膜を形成できるようにしてある。
なお、この実施例では上述した実施例と対応する部分には、同一の符号を付して図示してあるが、電極板３１の変形としてパンチングプレート或いは並列した板状電極を用いることができる。
【００３３】
図６は、この発明の他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の模式断面図である。
なお、この実施例はバッチ式のプラズマＣＶＤ膜製造装置に適用したものであり、上述した実施例と対応する部分には同一の番号を付して一部の説明と図示を省略する。
【００３４】
同図に示すように、この実施例にあっては、真空槽１０の処理室Ｃ内に電極板３１とテーブル（ワーク保持部材）７１が対向して配置され、電極板３１が放電電源３３と接続され、テーブル７１が接地される。電極板３１はテーブル７１と対向する面を除いた部分に上述した絶縁物からなる被覆層５５が積層形成され、また、テーブル７１は電極板３１と対向したワーク保持面を除いた面に絶縁物の被覆層７２が積層形成され、これら被覆層５５，７２の表面が接地される。
なお、真空槽１０には処理室Ｃ内外を貫通するチューブ３９やガス管３２等が設けられ、これらが上述した実施例と同様にして処理室Ｃ外で接地されるが、その図示と説明は割愛する。
【００３５】
この実施例にあっても、処理室Ｃの内壁面の絶縁物の被覆層１９やテーブル７１の被覆層７２の表面にスピーシスが一層付着して一旦帯電すると以後はスピーシスの付着が抑制されるため処理室Ｃｂの壁面やテーブル７１の裏面等における成膜が防止され、また、チューブ３９やガス管３２が処理室Ｃ外部分で放電することを有効に防止することができる。
【００３６】
図７の例では図６の変形適用例で真空槽１０の下処理室Ｃｂには内壁面に被覆層１９を設け、必要に応じ逆止弁５２のある排気口５１を備え、対向した電極板３１に上下室を区画する絶縁物５５1 が配備され、欠陥の少ないプラズマＣＶＤ膜の形成を確実にできるようにした好適例である。
【００３７】
図８は、この発明のまた他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の模式斜視図である。なお、前述した図１の実施例と同一の部分には同一の番号を一部の説明を割愛する。
この実施例は、図１に示す実施例を竪型とすれば、横型にしたものである。すなわち、キャン対向電極型プラズマＣＶＤ製造装置に適用されたものであり、排気口５０から真空状態に排気される処理室Ｃ内に送りロール２１、巻取ロール２２、一対のパスロール２３、メインロール１２および電極板３１が回転可能に設けられる。処理室Ｃ内には、排気口５０と対向してガス管３２が開口し、このガス管３２から反応ガスが導入される。送りロール２１と巻取ロール２１との間には磁気テープＴがパスロール２３により案内されて走行可能に掛装され、磁気テープＴがメインロール１２に巻回される。
【００３８】
図示しないが、前述した実施例と同様に、処理室Ｃはその壁面に前述した実施例と同様の絶縁物の薄膜が形成され、また、送りロール２１、巻取ロール２２およびメインロール１２にはそれぞれテープＴが係合（接触）する部分を除いて絶縁物の皮膜が形成され、さらに、電極板３１には裏面および側面に絶縁物の皮膜が形成されている。これら皮膜は複数のアース線（図示せず）により各部の電位が一定となるように接地されている。
【００３９】
上述した実施例と同様に、上記メインロール１２には上記テープＴの温度上昇による変形等を抑制することを目的に内部に図示しない冷却装置が設けられ、この冷却装置に連絡する冷却水チューブには処理室Ｃ外の部分に接地された絶縁物の膜が形成される。
なお、電極板３１の側方部には、保護膜の原料ガスおよびキャリアガスを導入するガス導入口が設けられるが、その図示と説明は省略する。
【００４０】
この実施例において、上述のＣＶＤ装置により保護膜形成を行うには、真空槽１０の処理室Ｃを一定の圧力に保ち、ガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入しながら、電極板３１に高周波電力を供給して、走行する磁気テープＴの表面に保護膜を被着させる。このとき、電極板３１から磁気テープＴへと保護膜材料の粒子が飛行する方向は水平方向であるので、磁気テープＴに被着しなかった保護膜材料は上記電極板３１より上方に付着することはなく、電極板３１の側方あるいは下方に付着し、保護膜の材料が上記電極板３１上に落下することがない。
【００４１】
また、この実施例も、前述した実施例と同様に、繰り出しロール２１，巻き取りロール２２やメインロール１２の磁気テープＴと接触しない部分には絶縁物の皮膜が、また、処理室Ｃの内壁面にも絶縁物の皮膜が形成されるため、これらへの膜の成長が抑制され、さらに、冷却水チューブは処理室Ｃ外で接地されるため放電が防止され、膜が成長することもない。
【００４２】
そして、上述した図１の実施例のプラズマＣＶＤ膜製造装置、また、他の実施例のプラズマＣＶＤ膜製造装置をそれぞれ運転し、従来のプラズマＣＶＤ膜製造装置と比較したところ表１，表２に示す結果が得られ、本発明が優れていることが実証された。なお、表１はそのＲｕｎＮｏ．１〜１０が図１の実施例に関する実施例、ＲｕｎＮｏ．１１〜２０が図６の実施例に関する実施例で、処理室Ｃの内壁面等に被覆層を形成したもの（実施例）と被覆層を設けないもの（比較例）との実験結果、表２は図１の実施例に相当するリップ部材を設けたもの（実施例）と設けないもの（比較例）の実験結果を示す。ＲｕｎＮｏ．２１〜２４が図５の実施例のもの、Ｎｏ．２５〜２８が図７の実施例のもの、Ｎｏ．２９が図４の実施例のものである。
またＲｕｎＮｏ．２９に関してはＲｕｎＮｏ．４とともに磁気テープとしてのスチル耐久性について１０点のバラツキを測定したが、ともにスチル耐久時間に問題はないものＲｕｎＮｏ．２９の方がバラツキが少なく生産品質が向上した。
【００４３】
【表１】
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【表２】
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【表３】
0003838694.tif 000004
【００４４】
但し、図１の実施例に相当するプラズマＣＶＤ膜製造装置は、１０ミクロンの厚さのＰＥＴフィルム上に酸素を導入しながらコバルトを２層蒸着して磁性層を形成し、この原反（ウェブ）上にメタンとアルゴンを０．１のガス比で導入し、所定の圧力の下で５０ｋＨｚの電源にて放電を発生させて保護膜を形成した。原反の送り速度は２ｍ／分、投入パワーは３Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００４５】
また、図６の実施例に相当するプラズマＣＶＤ膜製造装置は、５インチシリコンウェハを基板として上記図１の実施例に相当するプラズマＣＶＤ膜製造装置と同一の条件で放電を行った。
なお、電源は異常放電が発生すると異常信号が出力されるように構成してこの信号の有無で異常を判断し、また、長時間運転の可否は異常放電が３０分当たり５回発生するまでの時間で判定した。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置によれば、処理室の壁面等が絶縁物により被覆され、この絶縁物の表面にイオンや電子等のスピーシスが付着して帯電するため、一旦帯電した後はさらにスピーシスの付着が抑制され、長時間の運転を行っても処理室の内壁面等に膜が成長することがなく、膜の脱落等に起因した不良の発生が防止でき、また、ワークと壁面等とを接近させることができ、装置全体としての小型化も図れる。
【００４７】
また、請求項２記載のプラズマＣＶＤ膜製造装置は、回転軸等の可動部材や冷却水チューブ等の可撓部材に可撓性絶縁物を被覆または配備し、この可撓性絶縁物の表面を接地するため、回転軸等における膜の成長も防止でき、耐久性が改善され、メンテナンスの頻度を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式断面図である。
【図２】同プラズマＣＶＤ膜製造装置の一部を拡大した模式断面図である。
【図３】同プラズマＣＶＤ膜製造装置の他の一部を拡大した模式断面図である。
【図４】この発明の他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式断面図である。
【図５】この発明のまた他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式断面図である。
【図６】この発明のさらにまた他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式断面図である。
【図７】また、この発明の他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式断面図である。
【図８】さらにまた、この発明の他の実施例にかかるプラズマＣＶＤ膜製造装置の全体模式斜視図である。
【符号の説明】
１０        真空槽
１２        メインローラ（ワーク保持部材）
１２ａ      被覆層
１３        支軸
１４        ベアリング
１７        可撓性の絶縁物
１９        被覆層
２１        繰り出しローラ
２２        巻き取りローラ
３１        電極板
３２        ガス管（内外貫通部材）
３３        放電電源
３４        カバー部材
３６        アース線
３８        薄膜
３９        チューブ（内外貫通部材）
５０        排気口
５５        被覆層
７１        テーブル（ワーク保持部材）
７２        被覆層
Ｃ          処理室
Ｃａ        上処理室
Ｃｂ        下処理室
Ｔ          磁気テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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