(57)【要約】絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法。無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって平板状のセラミック基板を作製した後、予め定められた装置デザインに従って形状加工を行い、付形されたセラミック基板の表面にメタライズ層を形成し、セラミック基板の所定の領域に電子要素を実装し、そしてさらにセラミック基板を蓋部材で封止する。
2003017364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって平板状のセラミック基板を作製した後、
前記セラミック基板を予め定められた装置デザインに従って形状加工して、付形されたセラミック基板を形成する工程と、
前記付形されたセラミック基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記付形されたセラミック基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記セラミック基板を前記蓋部材で封止する工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記付形されたセラミック基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって、前記電子装置の複数個を最終的に提供できる大きさを有する平板状の大判セラミック基板を作製した後、
前記大判セラミック基板を予め定められた装置デザインに従って形状加工して、付形された大判セラミック基板を形成する工程と、
前記付形された大判セラミック基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記付形された大判セラミック基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記大判セラミック基板を前記蓋部材で封止して複数個の電子装置を製造する工程と、
前記大判セラミック基板から前記電子装置を個々に切り離す工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記付形された大判セラミック基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することを特徴とする請求項３に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって、前記電子装置の複数個を最終的に提供できる大きさを有する平板状の大判セラミック基板を作製した後、
予め定められた装置デザインに従って、前記大判セラミック基板のなかにユニット基板を枠取りするとともに、それぞれのユニット基板を形状加工して、付形されたユニット基板を形成する工程と、
前記大判セラミック基板から前記ユニット基板を切り出す工程と、
前記ユニット基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記ユニット基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記ユニット基板を前記蓋部材で封止して電子装置を製造する工程と、
前記ユニット基板から前記電子装置を個々に切り離す工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記大判セラミック基板の一部に仮基準位置を設けて前記ユニット基板を枠取りすることを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記大判セラミック基板のなかに複数個の前記ユニット基板を枠取りすることを特徴とする請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ユニット基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の表面に厚膜導体ペーストを塗布し、焼成することによって前記メタライズ層を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記形状加工工程において、前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の予め定められた位置にその基板を貫通する少なくとも１個のスルーホール及び（又は）少なくとも１個の電子要素搭載用キャビティを形成することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スルーホールに厚膜導体ペーストを充填し、焼成することによってメタライズ加工を施し、前記電子要素を外部の要素等と接続するための電気的導通部を形成することを特徴とする請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記厚膜導体ペーストとしてＡｇを主成分とするペーストを使用することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記メタライズ層の上にめっき層をさらに形成することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記蓋部材による封止を、前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の表面に形成された低温金属ロウ材又は低融点ガラスからなる接合層を介して行うことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１５】
前記低温金属ロウ材として、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金又はＡｇ−Ｇｅ合金の箔又はペーストを使用することを特徴とする請求項１４に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電子要素として水晶振動体を使用することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１７】
絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置において、
前記筐体のセラミック基板が、無機粉末とバインダを含む複合物を焼成して形成された平板状のセラミック基板からなり、
前記セラミック基板には、前記電子要素を外部の要素等と接続するための少なくとも１個の電気的導通部が備わっており、
前記電気的導通部は、前記セラミック基板の焼成後にそのセラミック基板を貫通して形状加工によって形成されたスルーホールに厚膜導体ペーストを充填し、焼成によってメタライズ加工することによって形成されたものであり、
前記セラミック基板の表面には、前記セラミック基板の焼成後に厚膜導体ペーストの焼成によって形成されたメタライズ層が備わっており、そして
前記セラミック基板と前記蓋部材とが、前記セラミック基板上に形成された低温金属ロウ材又は低融点ガラスからなる接合層を介して溶着されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１８】
前記電子要素が、前記セラミック基板の焼成後にそのセラミック基板を形状加工することによって形成されたキャビティに実装されていることを特徴とする請求項１７に記載の電子装置。
【請求項１９】
前記厚膜導体ペーストが、Ａｇを主成分とするペーストからなることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の電子装置。
【請求項２０】
前記メタライズ層の上にめっき層をさらに有することを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項２１】
前記低温金属ロウ材が、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金又はＡｇ−Ｇｅ合金の箔又はペーストであることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項２２】
前記電子要素が水晶振動体であることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電子装置の製造方法に関し、さらに詳しく述べると、セラミック製の筐体に半導体素子や水晶振動体などを実装した電子装置の製造方法に関する。本発明方法は、特に多数個取り方式で電子装置を製造するのに有用である。本発明はまた、かかる製造方法を使用して製造される電子装置に関する。
背景技術
周知の通り、現在、各種の電子装置が提案され、実用に供されている。一例を示すと、ＩＣチップを搭載したＩＣパッケージ、水晶振動体を搭載した水晶振動子、ＩＣチップと水晶振動体を搭載した水晶発振器などがある。これらの電子装置は、通常、絶縁基板とそのカバーとから構成される筐体（ケースあるいはケーシングとも呼ばれる）に電子要素を実装し、封止することによって製造されている。絶縁基板の材料としては、ガラス、セラミックス、シリコンなどの無機材料が使用されている。
最近では、電子装置を大量に生産するため、多数個取り方式が提案されている。この方式を使用すると、１枚の大型無機材料基板を用意した後、その基板に多数の筐体を作り込み、電子要素を実装した後、完成した電子装置を単個に切り離すことにより、１つの製造工程で多数個の電子装置を同時に製造することができる。
例えば、特開昭６０−１８７１７４号公報には、それぞれ凹部を備えた第１及び第２のガラス板を封止してケーシングを構成し、そのケーシングの内部に圧電素子を配設することによって、多数の圧電振動子を同時に製造する方法が開示されている。この製造方法によると、それぞれのガラス板に多数の凹部を化学的エッチングによって形成し、圧電素子を取り付けた後、２枚のガラス板を凹部どうしが向き合うようにして重ね合わせ、真空中で加熱することによって接着、封止する。最後に、封止された２枚のガラス板をスクライブし、スクラッチ線にそって割れば、多数の圧電振動子を得ることができる。
また、特開平５−１２１９８５号公報にも、圧電振動子の製造方法が開示されている。この製造方法によると、複数の圧電振動子片を実装する第１の基板と、この基板と対向する第２の基板とを接合して圧電振動子片を密閉内蔵する接合基板を形成した後、接合基板を切断して、多数の圧電振動子を得ることができる。基板には、シリコンウエハやガラス基板が使用され、また、圧電振動子片を収納するためのキャビティを形成するため、選択エッチング法が使用される。
上記したように、圧電振動子を多数個取り方式で製造する従来の方法の場合、キャビティを形成する筐体の材料として、シリコンやガラスを使用した例は存在しているけれども、セラミックスを使用した例はあまり知られていない。これは、セラミックスから筐体を形成するためには、焼成前の未収縮のグリーンシートの状態で早くも筐体あるいはそれに近い形態に加工しなければならず、所定のパターンで高温金属材料の配線を形成した後、約１５５０〜１６５０℃の高温で焼成しなければならないので、約２０％の寸法収縮を甘受しなければならないからである。焼成後の基板にこのような寸法収縮があると、得られる筐体の形状や寸法にバラツキが発生し、歩留まりの低下を避けられない。
セラミックスから筐体を製造する場合に発生する上述のような寸法収縮の問題点は、焼成後の基板が大型であればあるほど深刻である。例えば、特開平１１−３４０３５号公報には、セラミックグリーンシートを積層して、複数個のキャビティを形成後、焼成して各キャビティの位置に相応した一体型の蓋体を重ね、一度に全てのキャビティを封止して複数個の筐体を形成する方法が提案されているが、焼成時の約２０％の寸法収縮による問題点を解消することができない。つまり、複数個の筐体を同時に形成するために、寸法マージンを多く取る必要があり、焼成後の大型基板を多数個取り用の加工装置や実装装置に装填した場合に、複数の筐体間の寸法精度の悪さによって、連続したインデックス加工ができないからである。
このような問題点を説明するため、基板材料としてセラミックスを使用して多数個取り方式で水晶振動子を製造する従来の方法を以下に説明する。
まず、それぞれ第１Ａ図及び第１Ｂ図に示すように、２種類の定尺シート２ａ及び２ｂを用意する。そのために、セラミック粉末、バインダ等を含むスラリーから長尺で定尺幅のグリーンシートを成形する。この長尺シートから、予め設定された収縮率に基づいた寸法に定尺シート２ｂ（第１Ｂ図）を外形プレス抜きし、その際、積層処理のための作業基準穴２７も開孔する。次いで、定尺シート２ｂの作業基準穴２７を基準に、電子要素を収容するキャビティ１２をプレス抜きして定尺シート２ａ（第１Ａ図）を形成する。引き続いて、所定の枚数の定尺シート２ａ及び２ｂを予め定められた組合せで積層圧着させる。積層工程は、例えば、２００〜２５０℃で一定時間にわたってプレス圧着することによって行うことができる。第２図は、このようにして得られた積層グリーンシート２を示したものであり、図には、以下の工程で作り込まれるブレイク線２９なども、理解の補助のため、便宜的に示されている。
次いで、得られた積層グリーンシート２を、それぞれ第２図の線分ＩＩＩ−ＩＩＩにそった断面図である第３Ａ図〜第３Ｅ図に示すように、順を追って加工する。
まず、得られた積層グリーンシート２の作業基準穴２７を基準に、第３Ａ図に示すように、表裏面の導通をとるためのスルーホール１３を開孔する。
次いで、第３Ｂ図に示すように、積層グリーンシート２に表面配線層２１及び２６、裏面配線層２２、そして電気的導通部２３を形成する。この工程のため、先の工程で開孔したスルーホール１３にＷ，Ｍｏ等の高融点金属を充填して電気的導通部２３とする。次いで、表面配線層２１及び２６、裏面配線層２２を、Ｗ，Ｍｏ等の高融点金属を塗布することにより形成する。その後、金型にて、積層グリーンシート２の厚みの約５０％の所まで切り込みを入れ、ブレイク線２９を形成する。ブレイク線２９は製造工程の途中でセラミック基板を電子装置の単位で切り離すためのものである。その後、積層グリーンシート２を水素雰囲気中で１５５０〜１６５０℃で焼成する。この焼成で２０％寸法収縮が成され、キャビティ、スルーホール、配線層、ブレイク線が形成されたセラミック基板２が完成する。
引き続いて、セラミック基板２をそのブレイク線２９のところで切り分ける。第３Ｃ図に示すように、それぞれが目的とする電子装置の単位に相当するセラミック基板２が得られる。すなわち、このセラミック基板２は、電子装置の前駆体であると言うことができる。
次いで、セラミック基板２を第３Ｄ図に示すように、キャリヤ（冶具）３０に装填し、第３Ｅ図に示す最終の製造工程に移行する。まず、セラミック基板２に形成したキャビティ１２に水晶振動体１を実装する。この実装のため、セラミック基板２の上の配線層２１に導電ペースト２４を塗布し、水晶振動体１を実装した後に加熱する。例えば、導電ペーストがＡｇ含有の熱硬化性樹脂である時、その加熱温度は約１８０℃である。
水晶振動体１の実装が完了した後、セラミック基板２の上面に蓋部材（ここでは、コバールを使用）３を重ね合わせて気密封止する。この気密封止のため、セラミック基板２の接合位置に箔状の低温金属ロウ材（ここでは、Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材を使用）を配設して接合層２５を形成した後、セラミック基板２と蓋部材３を接合層２５を介してロウ付けする。このようにして作製した水晶振動子１０は、完成検査の後に市場に出される。
ところで、上記した製造方法やその他の多数個取り方式に基づく製造方法には、多くの問題点が存在している。例えば、セラミック基板上に複数のキャビティを形成するとしているが、個々のキャビティの位置精度が悪いので、複数個の蓋部材を同時に一体化することはできず、キャビティを単個に切り離し、冶具に装填してから電子要素の実装や蓋部材の封止をすることが必要であり、製造工程が煩雑である。また、各キャビティを単個に切り離す際に、切り粉がキャビティの内部に入り込むという問題や、キャビティ付きのセラミック基板を冶具に装填する段階で、キャビティにゴミ類が入り込むという問題がある。
発明の開示
本発明の目的は、上述のような従来の技術の問題点を解決して、水晶振動子や水晶発振器を含めた各種の電子装置を、その電子要素を収納する筐体をセラミックスから構成して、多数個取り方式で簡単にかつ歩留まりよく製造することが可能な製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、また、そのような電子装置の製造方法であって、キャビティの内部に切り粉やゴミ類が入り込むことがないような製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、さらに、水晶振動子、水晶発振器を含めた各種の電子装置であって、その電子要素を収納する筐体がセラミックスから形成されているにもかかわらず多数個取り方式で製造することが可能な電子装置を提供することにある。
本発明のこれらの目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
本発明は、その１つの面において、絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって平板状のセラミック基板を作製した後、
前記セラミック基板を予め定められた装置デザインに従って形状加工して、付形されたセラミック基板を形成する工程と、
前記付形されたセラミック基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記付形されたセラミック基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記セラミック基板を前記蓋部材で封止する工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法にある。
この製造方法では、前記付形されたセラミック基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することが好ましい。
また、本発明は、そのもう１つの面において、絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって、前記電子装置の複数個を最終的に提供できる大きさを有する平板状の大判セラミック基板を作製した後、
前記大判セラミック基板を予め定められた装置デザインに従って形状加工して、付形された大判セラミック基板を形成する工程と、
前記付形された大判セラミック基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記付形された大判セラミック基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記大判セラミック基板を前記蓋部材で封止して複数個の電子装置を製造する工程と、
前記大判セラミック基板から前記電子装置を個々に切り離す工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法にある。
この製造方法でも、前記付形された大判セラミック基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することが好ましい。
さらに、本発明は、そのもう１つの面において、絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置を製造する方法において、
無機粉末とバインダを含む複合物の焼成によって、前記電子装置の複数個を最終的に提供できる大きさを有する平板状の大判セラミック基板を作製した後、
予め定められた装置デザインに従って、前記大判セラミック基板のなかにユニット基板を枠取りするとともに、それぞれのユニット基板を形状加工して、付形されたユニット基板を形成する工程と、
前記大判セラミック基板から前記ユニット基板を切り出す工程と、
前記ユニット基板の表面にメタライズ層を形成する工程と、
前記ユニット基板の所定の領域に前記電子要素を実装する工程と、
前記電子要素を実装した前記ユニット基板を前記蓋部材で封止して電子装置を製造する工程と、
前記ユニット基板から前記電子装置を個々に切り離す工程
を含んでなることを特徴とする電子装置の製造方法にある。
この製造方法では、前記大判セラミック基板の一部に仮基準位置を設けて前記ユニット基板を枠取りすること、前記大判セラミック基板のなかに複数個の前記ユニット基板を枠取りすること、及び（又は）前記ユニット基板の表面のうち前記蓋部材と当接させる領域にも前記メタライズ層を形成することが好ましい。
これらの電子装置の製造方法は、特に、次のようにして実施することが好ましい。
（１）前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の表面に厚膜導体ペーストを塗布し、焼成することによって前記メタライズ層を形成すること。
（２）前記形状加工工程において、前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の予め定められた位置にその基板を貫通する少なくとも１個のスルーホール及び（又は）少なくとも１個の電子要素搭載用キャビティを形成すること。
（３）前記スルーホールに厚膜導体ペーストを充填し、焼成することによってメタライズ加工を施し、前記電子要素を外部の要素等と接続するための電気的導通部を形成すること。
（４）前記厚膜導体ペーストとしてＡｇを主成分とするペーストを使用すること。
（５）前記メタライズ層の上にめっき層をさらに形成すること。
（６）前記蓋部材による封止を、前記セラミック基板、大判セラミック基板又はユニット基板の表面に形成された低温金属ロウ材又は低融点ガラスからなる接合層を介して行うこと。
（７）前記低温金属ロウ材として、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金又はＡｇ−Ｇｅ合金の箔又はペーストを使用すること。
さらにまた、本発明は、そのもう１つの面において、絶縁性のセラミック基板と該セラミック基板の表面を覆った蓋部材とから構成される筐体を含み、該筐体の内部に少なくとも１個の電子要素が実装されている電子装置において、
前記筐体のセラミック基板が、無機粉末とバインダを含む複合物を焼成して形成された平板状のセラミック基板からなり、
前記セラミック基板には、前記電子要素を外部の要素等と接続するための少なくとも１個の電気的導通部が備わっており、
前記電気的導通部は、前記セラミック基板の焼成後にそのセラミック基板を貫通して形状加工によって形成されたスルーホールに厚膜導体ペーストを充填し、焼成によってメタライズ加工することによって形成されたものであり、
前記セラミック基板の表面には、前記セラミック基板の焼成後に厚膜導体ペーストの焼成によって形成されたメタライズ層が備わており、そして
前記セラミック基板と前記蓋部材とが、前記セラミック基板上に形成された低温金属ロウ材又は低融点ガラスからなる接合層を介して溶着されていることを特徴とする電子装置にある。
本発明の電子装置では、前記電子要素が、前記セラミック基板の焼成後にそのセラミック基板を形状加工することによって形成されたキャビティに実装されていることが好ましい。
また、前記厚膜導体ペーストが、Ａｇを主成分とするペーストからなることが好ましい。さらに、厚膜導体ペーストから形成されたメタライズ層の上にさらにめっき層を有することが好ましい。前記低温金属ロウ材は、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金又はＡｇ−Ｇｅ合金の箔又はペーストであることが好ましい。
ここで、本願明細書において使用されている用語について説明しておくと、「電子要素」とは、広義で用いられており、電子装置に通常実装されている半導体素子、例えばＩＣチップ、ＬＳＩチップ、ＶＬＳＩチップなどや、キャパシタ、レジスタ、コンダクタなどの部品や、水晶振動体などを包含している。また、したがって、「電子装置」なる語は、それを本願明細書で使用した場合、電子要素を用いた各種の装置、例えば半導体装置や水晶振動子、水晶発振器などを意味している。すなわち、本発明を効果的に適用できる限り、電子装置や、それに実装される電子要素は、特に種類を限定されるものではない。さらに、「グリーンシート」は、必ずしも湿式ドクターブレード法による成形体を指すものではなく、無機粉末とバインダの複合物を成形してなるシート状の未焼成体すべてを指している。
発明を実施するための最良の形態
本発明による電子装置の製造方法及び電子装置は、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。
本発明方法で製造される電子装置は、上記したように、各種の電子装置を包含するが、その筐体は、基本的に、絶縁基板と、その絶縁基板の表面を覆った蓋部材とから構成される。また、筐体は、その内部に少なくとも１個の電子要素を収納するため、それらの電子要素の収納に十分な形状及び寸法を有するキャビティ（いわば容器部）を備えているのが一般的である。キャビティは、通常、基板の表面に所定の深さで穿たれた凹部と、それを閉塞するように被せられた蓋部材の裏面とによって規定される。別法によれば、キャビティは、平板状の基板と、その基板の上に重ね合わされた中央に開口をもった枠体とによって規定されてもよい。蓋部材の裏面は、平坦であってもよく、あるいは、基板の凹部に対応する領域に所定の深さの凹部を有していて、両者の凹部の組み合わせによって１つのキャビティを形成していてもよい。基板の表面と蓋部材の裏面の両方に凹部が存在していると、それらによって形成されるキャビティのほぼ中央部に電子要素を配置することができるので、キャビティの内壁に電子要素が不用意に接触するのを防止できるといった効果もある。
電子装置の筐体についてさらに説明すると、筐体の一方を構成する絶縁基板は、平板状のセラミック基板である。基板材料としてのセラミック材料は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、アルミナ、ムライト、コージライト、ガラスセラミックスなどを包含する。とりわけ、アルミナ、ガラスセラミックスなどが基板材料として好適である。
セラミック基板は、プレス成形法、押出成形法、ドクターブレード法などで製造できるが、通常、広い面積をもったセラミック基板の製造には、原料の無機粉末やバインダなどを含むスラリーからグリーンシートを成形し、さらにこれを焼成することによって製造する方法がとられる。グリーンシートの成形には好ましくはドクターブレード法が用いられ、その際に使用される無機粉末は、上記したような基板材料の粉末であり、その粒径は、通常、約０．３〜０．６μｍである。このようなセラミック粉末をバインダ、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などの有機バインダ、可塑剤、溶剤などと混合してスラリーを調製した後、グリーンシートに加工する。グリーンシートの厚さは、適用された成形条件などに応じて広く変動可能であるが、通常、約１００〜３００μｍである。次いで、得られたグリーンシートの必要枚数を積層して、所望とするセラミック基板に対応する厚さをもった積層体となす。グリーンシートの積層数は、したがって、その厚さやセラミック基板の厚さに応じて変動可能である。また、最適な積層数を決定するに当たって、積層体の寸法は、その後の焼成工程で通常２０％ほど収縮可能であることを考慮に入れることが好ましい。
上記のようにしてドクターブレード法によりグリーンシートから積層体を作製した後、焼成工程に移行する。すなわち、本発明方法では、従来の方法のようにその軟らかい積層体にキャビティ用の凹部やスルーホールなどを形成し、引き続いて焼成を行うことは不要であり、基板の変形や寸法精度のばらつきの発生などを防止できる。焼成工程は、作製した積層体を焼成炉に入れ、常法に従って行うことができる。ここで、アルミナセラミックスの場合、好ましくは、酸化雰囲気が適用される。焼成温度は、通常、約１５５０〜１６５０℃の範囲である。焼成温度は、必要に応じて、この温度範囲よりも低温あるいは高温であってもよい。焼成によって得られるセラミック基板の厚さは、通常、約３００〜５００μｍである。
セラミック基板は、好ましくはその表面にキャビティを有する。このキャビティは、上記のようにしてセラミック基板の焼成が完了した後にその基板の表面に形成されたものである。キャビティの形成に使用する加工方法としては、特に限定されないけれども、レーザートリミング、ホーニングなどを挙げることができる。このようにして形成されるキャビティの形状及びサイズは、電子要素の詳細、電子装置のデザインなどに応じて広く変動することができ、その深さは、通常、約０．０３〜０．１ｍｍである。
セラミック基板のキャビティには、電子要素が実装される。電子要素は、前記したように、半導体素子や、水晶振動体などである。これらの電子要素は、通常、１個のみでキャビティ内に実装されるが、電子装置のデザインなどによっては２個もしくはそれ以上の電子要素が組み合わさって、あるいは互いに独立して、実装されていてもよい。また、キャビティの内部には、特にその空き領域を利用して、電子装置の完成に必要な追加の要素、例えば各種の部品が実装されていてもよく、配線層、電極などが配設されていてもよい。
また、セラミック基板のキャビティには、電子要素を外部の要素等と接続するための内部配線など（本願明細書では、総称して「電気的導通部」と呼ぶ）を備えることが好ましい。この電気的導通部は、特に製造工程の簡略化から、セラミック基板の側に備えることが好ましい。基板にキャビティの凹部を形成する工程と同時あるいは別の工程で、基板にスルーホールを形成した後、そのスルーホールに好ましくは厚膜導体ペーストを充填し、焼成によってメタライズ加工することによって、配線層と同時に形成することができるからである。厚膜導体ペーストは、好ましくは、配線層の形成に用いられるものと同じＡｇ／Ｐｄペーストなどである。
上記したような電子要素は、例えばセラミック基板の表面などに所定のパターンで配線層を形成した後、それに接続するようにして配設することができる。配線層は、好ましくは、厚膜導体ペーストを所定のパターンで塗布し、焼成することによってメタライズ層となすことによって形成することができる。厚膜導体ペーストとしては、好ましくは、Ａｇを主成分とする金属ペースト、例えばＡｇ，Ａｇ／Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄペーストなど、あるいはＣｕペースト、Ａｕペーストなどの各種の金属ペーストを用途により使い分けることができる。とりわけＡｇ／Ｐｄペーストが有用である。かかる配線層の厚さは、広い範囲で変更することができるというものの、通常、約５〜３０μｍであり、好ましくは約１０〜２０μｍである。
筐体の形成のためにセラミック基板と組み合わせて用いられる蓋部材は、特に限定されるものではなく、平板状でもよく、平板に凹部を備えた箱状でもよい。蓋部材のサイズは、上記したセラミック基板に準じることができ、その厚さは、通常、約０．１〜１．０ｍｍであり、好ましくは約０．０５〜０．２０ｍｍである。また、蓋部材の形成材料も特に限定されるものではなく、例えばコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金、セラミックスなどの金属材料から蓋部材を形成してもよく、あるいは例えばガラス、セラミックス等の絶縁材料から、ロウ付け接合部が厚膜導体ペーストでメラライズされない蓋部材を形成してもよい。この蓋部材にも、必要に応じて、配線層などの加工が施されていてもよい。
本発明の電子装置において、その筐体は、セラミック基板と蓋部材を低温金属ロウ材を介して溶着することによって一体化することによって形成され、好ましくは気密封止される。セラミック基板と蓋部材の溶着は、セラミック基板上に、その表面にすでに形成されている配線層、好ましくは厚膜導体ペーストのメタライズ化による配線層の上に蓋部材の裏面が当接するようにして蓋部材を載置した後、その当接面を低温金属ロウ材からなる接合層を介してロウ付けすることにより有利に行うことができる。低温金属ロウ材のロウ付けは、常法に従って行うことができる。
接合層を形成するための低温金属ロウ材は、例えばＡｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金、Ａｇ−Ｇｅ合金等の箔、ペーストなどを使用することができる。かかる接合層の厚さは、広い範囲で変更することができるというものの、通常、約５〜２５μｍである。
また、セラミック基板と蓋部材の接合強度を高めることなどのため、両者の接合構造をいろいろに改良することが推奨される。例えば、厚膜導体ペーストのメタライズによる配線層の上にさらにめっき層を形成した後、上述のような接合層を設けることが好ましい。めっき層は、例えばＮｉ＋Ａｕの無電解めっき層などが有用である。このようなめっき層は、工程中のロウ付け面や接合面を保護し、低温金属ロウ材との濡れ性を向上させ、耐蝕性を高めるのに有効である。また、かかるめっき層の厚さは、広い範囲で変更することができるというものの、通常、無電解Ｎｉ層は約３μｍ以上、Ａｕ層は約０．０５〜１μｍである。
本発明による電子装置は、いろいろな手法を使用して製造することができる。好ましくは、本発明の電子装置は、平板状のセラミック基板をその原料から積層、焼成等の一連の加工処理を経て作製した後、そのセラミック基板の表面に厚膜導体ペーストからメタライズ層を形成し、セラミック基板のメタライズ層と蓋部材とを低温金属ロウ材を介して溶着することによって有利に製造することができる。
本発明の電子装置は、特に、次のような工程を順に実施することによって有利に製造することができる。なお、それぞれの工程において、その詳細がすでに説明されている時は、その重複した説明を省略する。また、各工程は、必要ならばその順序を変更して実施してもよい。
（１）セラミック基板の形成
プレス成形法、押出成形法、ドクターブレード法などによってグリーンシートを成形し、さらにこれを焼成して平板状のセラミック基板を形成する。
（２）キャビティの形成
セラミック基板の表面に、電子要素を収容するキャビティを形成する。また、このキャビティの形成と同時に、あるいはその前後で、電気的導通部を形成するためのスルーホールやその他の加工部を形成する。
（３）メタライズ層の形成
セラミック基板の表面に予め定められたパターンで厚膜導体ペースト塗布し、焼成することによってメタライズ層を形成する。この場合に、もしもセラミック基板にスルーホールがあるのならば、メタライズ層の形成前にそのスルーホールにも厚膜導体ペーストを充填及び焼成し、電気的導通層を合わせて形成してもよい。
また、セラミック基板と蓋部材の溶着は、引き続く工程で形成される接合層を介して有利に実施することができるけれども、さらに好ましくは、すでに形成されているメタライジング層の上に、めっき層、好ましくはＮｉ＋Ａｕの無電解めっき層を形成することができる。このめっき層には耐蝕性を改善する働きなどがあり、両者間においてより高められた接合強度を得ることができるからである。
（４）電子要素の実装
セラミック基板に形成したキャビティに電子要素を実装する。実装方法は、常用の技法を使用して実施することができる。例えば、セラミック基板上の配線層に導電ペーストを介して電子要素を実装することができる。また、導電ペーストの使用以外の実装方法としては、例えば、ＢＧＡ法、ロウ付け法などを挙げることができる。
（５）接合層の形成
セラミック基板及び（又は）蓋部材の接合位置に低温金属ロウ材を配設して接合層を形成する。
（６）セラミック基板と蓋部材の溶着
セラミック基板と蓋部材を接合層を介して溶着する。目的とする電子装置が得られる。得られた電子装置は、通常、完成検査に供される。
本発明の電子装置は、また、単個取りで製造してもよく、さもなければ、多数個取りで製造してもよい。本発明の電子装置は、特に多数個取りで製造するのが有利であり、そのようにすることによって本発明の作用効果をいかんなく発揮することができる。すなわち、本発明の電子装置は、大判サイズのセラミック基板を積層、焼成等の一連の加工処理を経て作製した後、そのセラミック基板の表面において電子要素を収容するためのキャビティの形成から、電気的導通部の形成、電子要素の実装、そして蓋部材によるキャビティの封止までの一貫した工程を実施し、最後に、セラミック基板の上に作り込まれた複数個の電子装置を１個ずつ切り離すことを基本としている。
本発明の電子装置の製造方法は、特に、次のような工程を順に実施することによって有利に製造することができる。なお、それぞれの工程において、その詳細がすでに説明されている時は、その重複した説明を省略する。また、各工程は、必要ならばその順序を変更して実施してもよい。
（１）セラミック基板の形成
プレス成形法、押出成形法、ドクターブレード法などにより長尺及び定尺幅のグリーンシートを成形する。グリーンシートは、電子装置の多数個取りに使用するのでそれに十分なサイズを有していることが少なくとも必要である。次いで、２枚もしくはそれ以上のグリーンシートを積層して所定の厚さの積層体を得る。この積層体を通常酸化雰囲気中で約１５５０〜１６５０℃で焼成すると、約２０％の寸法収縮を伴って目的とする平板状のセラミック基板が得られる。
（２）ユニット基板の枠取りとキャビティ等の加工
セラミック基板の表面に、その外形を基準としてユニット基板を枠取りする。ここで枠取りするユニット基板の数は特に限定されないというものの、通常、２個もしくはそれ以上である。また、このユニット基板の枠取りとともに、そのセラミック基板の表面に、電子要素を収容するためのキャビティ、電気的導通部を形成するためのスルーホール、最後の段階でセラミック基板から電子装置を切り離すためのブレイク線を加工する。この加工工程は、レーザートリミングやホーニングなどで行うことができる。
（３）ユニット基板の切り出し
上記のようにしてキャビティ等の加工が完了した後、それぞれにキャビティ等を備えたユニット基板をセラミック基板から切り出す。この切り出し工程は、常用のスライサーなどを使用して行うことができる。
（４）メタライズ加工
切り出したユニット基板の一部に本基準位置を設けて、メタライズ加工を行う。本基準位置としては、通常、ユニット基板の隣接する外周の二辺が用いられる。まず、メタライズ加工のため、厚膜導体ペーストをユニット基板のスルーホールに充填するとともに、ユニット基板の表面にも予め定められたパターンで厚膜導体ペースト塗布する。次いで、厚膜導体ペーストを、酸化雰囲気中で約８５０〜９００℃で焼成する。メタライズ層（配線パターン、電極パターンなど）と電気的導通層（内部配線）がそれぞれのユニット基板に形成される。
また、ユニット基板と蓋部材の溶着は、引き続く工程で形成される接合層を介して有利に実施することができるけれども、さらに好ましくは、すでに形成されているメタライズ層（配線パターン）の上に、めっき層、好ましくはＮｉ＋Ａｕの無電解めっき層を形成することができる。このめっき層には工程中のロウ付け面や接合面の耐蝕性や低温金属ロウ材との濡れ性を改善する働きなどがあり、両者間においてより高められた接合強度を得ることができるからである。
（５）電子要素の実装
ユニット基板に形成したキャビティに電子要素を実装する。実装方法は、常用の技法を使用して実施することができる。例えば、ユニット基板上の配線層に導電ペースト、例えばＡｇ含有熱硬化性樹脂を塗布した後に電子要素の一端を取り付け、約２８０℃で加熱することによって電子要素を実装することができる。また、導電ペーストの使用以外の実装方法としては、例えば、ＢＧＡ法、ロウ付け法などを挙げることができる。
（６）蓋部材によるユニット基板のキャビティの封止
ユニット基板及び（又は）蓋部材の接合位置に低温金属ロウ材を配設して接合層を形成した後、ユニット基板と蓋部材をその接合層を介して溶着する。ロウ材は、箔、ペーストなどである。また、ユニット基材や蓋部材の材質によっては、ロウ材以外のものから接合層を形成してもよい。キャビティが気密封止され、複数個の電子装置が作り込まれた電子装置が得られる。
（７）電子装置の切り離し
ユニット基板から、予め切り込まれているブレイク線に沿って電子装置を切り離す。この切り離し工程も、常用のスライサーなどを使用して行うことができる。切り離されたそれぞれの電子装置は、通常、完成検査に供される。
実施例
次に、本発明をその実施例により更に説明する。言うまでもなく、ここに掲げる実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。
第４図は、本発明方法により製造される水晶振動子の好ましい１形態を示した断面図である。水晶振動子１０は、平板状のセラミック基板２と、その表面を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の蓋部材３とから構成される筐体を備えている。セラミック基板２は、アルミナを主原料として含むスラリーの成形により得たグリーンシートを焼成することによって製造したものである。セラミック基板２の表面には、方形のキャビティ１２が形成されている。キャビティ１２と箱型の蓋部材３の内部空間とによって規定される空間には、水晶振動体１が実装されている。水晶振動体１の一端は、セラミック基板２の表面に形成された配線層２１の上に導電ペースト２４を介して取り付けられている。配線層２１は、図示されるように、蓋部材３と導通しないように縁切りされている。また、この配線層２１は、セラミック基板２を貫通して形成された内部配線２３を介してセラミック基板２の裏面（筐体の表面）に形成された配線層２２に接続されている。配線層２１，２２及び２６は、セラミック基板２の表面に厚膜導体ペーストを塗布し、焼成すること（メタライズ加工）によって形成されたものであり、また、内部配線２３は、セラミック基板２に形成されたスルーホールに厚膜導体ペーストを充填し、同様にメタライズ加工することによって形成されたものである。ここで使用した厚膜導体ペーストは、Ａｇ／Ｐｄペーストである。また、図示しないが、厚膜導体ペーストから形成された配線層の上にめっき層、例えばＮｉ＋Ａｕの無電解めっき層を施してもよい。
セラミック基板２と蓋部材３とは、図示のように、セラミック基板２の上に順次形成された配線層２６と低温金属ロウ材からなる接合層２５を介して溶着されている。ここで使用した低温金属ロウ材は、２０％Ｓｎ−Ａｕからなるロウ材である。また、このロウ材に代えて、同様な組成のペーストなどを使用してもよい。
第５図は、第４図の水晶振動子の１変形例である。この水晶振動子１０では、セラミック基板２とソーダガラスよりなる蓋部材３とが、セラミック基板２の上に形成された低融点ガラスよりなる接合層２９を介して溶着されている。その他の構成は、第４図の水晶振動子に基本的に同じである。
第６図は、本発明による電子装置である水晶発振器の好ましい１形態を示した断面図である。水晶発振器５０は、図示の通り、先に第４図を参照して説明した水晶振動子１０を備えるとともに、そのセラミック基板２の裏面に、ＩＣチップ６０が実装されている。ＩＣチップ６０は、ポリイミド樹脂６１で基板上に封止されるとともに、ボンディングワイヤ６２を介して配線層２２に接続されている。装置の気密封止には、蓋部材６３が用いられている。
また、第７Ａ図〜第７Ｆ図は、第４図に示した水晶振動子の本発明方法による製造工程を順を追って示したものである。
工程（Ａ）：セラミック基板の形成
下記の組成のスラリーを調製する。
セラミック粉末：アルミナ（粒径０．４μｍ）      １００重量部
バインダ、可塑剤、分散剤：ポリビニルブチラール  （ＰＶＢ）、
オレイン酸                                        ２．５重量部
溶剤：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                ５５重量部
このスラリーからドクターブレード法によって幅２５０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ及び厚さ１３０μｍの長尺及び定尺幅のグリーンシートを成形する。それぞれのグリーンシートを焼成後の寸法が幅２００ｍｍ×長さ２００ｍｍの外形を有するようにプレス抜きした後、合計４枚のグリーンシートを積層し、酸化雰囲気中で約１５５０〜１６５０℃で約２時間にわたって焼成する。第７Ａ図に示す厚さ４００μｍの平板状のセラミック基板２が得られる。
工程（Ｂ）：ユニット基板の枠取り及びキャビティ等の加工
第７Ｂ図に示すように、セラミック基板２に設けた仮基準位置（図示せず）を枠取り冶具４０の位置決め突起４１，４２及び４３に押し付けてセラミック基材２を固定する。次いで、第７Ｃ図に示すように、セラミック基板２のなかに４個の作業基準穴２７を形成し、かつ４個のユニット基板２０を枠取りする。なお、作業基準穴やユニット基板の数は任意に変更可能である。また、この枠取りと一緒に、セラミック基板２はそのままの状態で、それぞれのユニット基板２０のなかに複数個（図では９個）のキャビティ１２をレーザードリリングによって形成する。また、このキャビティ１２の形成と同時に、内部配線を形成するためのスルーホール（図示せず）もレーザートリミングによって形成する。スルーホール１３の孔径は、約１００μｍである。さらに、最終製品をユニット基板から切り離すブレイク線（図示せず）も、セラミック基板にその厚さの約５０％まで切り欠きを入れることによって形成する。
工程（Ｃ）：ユニット基板の分離
上記のようにしてそれぞれのユニット基板２０にキャビティ等を加工した後、それぞれが複数個のキャビティ１２を有するユニット基板２０をスライシングし、第７Ｃ図に示すようにセラミック基板２から分離する。
工程（Ｄ）：配線層などの形成
第７Ｃ図に示したユニット基板２０の線分Ｄ−Ｄに沿った一部拡大断面図である第７Ｄ図に示すように、Ａｇ／Ｐｄ厚膜ペーストをスルーホール（参照番号２３に対応する領域）に充填した後、同じＡｇ／Ｐｄ厚膜ペーストをセラミック基板２の表裏両面に予め定められたパターンで厚さ３０μｍで塗布する。その後、Ａｇ／Ｐｄ厚膜ペーストを酸化雰囲気中で約８５０℃で約１時間にわたって焼成する。メタライズ層からなる配線層２１，２２及び２６ならびに内部配線２３が形成される。なお、参照番号２９は、最終製品の切り離しのために先の工程で加工されたブレイク線である。
さらに、図示しないが、上記のようにして形成した配線層２１，２２及び２６の上に、それぞれ、Ｎｉ＋Ａｕなどの無電解めっき層を形成するのが好ましい。これらのめっき層は、工程中のロウ付け面や接合面の耐蝕保護と、低温金属ロウ材との濡れ性の向上に有効である。
工程（Ｅ）：水晶振動体の実装
第７Ｅ図に示すように、セラミック基板２の配線層２１上に水晶振動体１を実装する。配線層２１の所定の部位と水晶振動体１の一端に導電ペースト（Ａｇ含有熱硬化性樹脂）２４を塗布し、約１８０℃で硬化処理する。なお、この段階で水晶振動体の周波数調整も行う。
工程（Ｆ）：セラミック基板と蓋部材の溶着
第７Ｆ図に示すように、セラミック基板２の蓋部材接合位置に低温金属ロウ材（Ａｕ−Ｓｎロウ）を配設して接合層２５を形成した後、セラミック基板２とコバール製の蓋部材３を接合層２５を介してロウ付けにより溶着する。完全に気密封止された水晶振動子１０が得られる。本例では、１個のユニット基板に合計９個の水晶振動子１０が作り込まれたこととなる。
上記した一連の工程を経てそれぞれのユニット基板に９個の水晶振動子を作り込んだ後、水晶振動子をブレイク線２９に沿ってスライシングし、分離する。最後に、それぞれの水晶振動子の完成検査を行う。
第４図に示した水晶振動子は、以下に第８Ａ図〜第８Ｇ図を参照して順を追って説明するように、単個取りでも有利に製造できる。
工程（Ａ）：セラミック基板の形成
下記の組成のスラリーを調製する。
セラミック粉末：アルミナ（粒径０．４μｍ）    １００重量部
バインダ、可塑剤、分散剤：ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、
オレイン酸                                      ２．５重量部
溶剤：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）              ５５重量部
このスラリーからドクターブレード法によって厚さ１３０μｍのグリーンシートを成形する。４枚のグリーンシートを積層し、酸化雰囲気中で約１５５０〜１６５０℃で約１時間にわたって焼成する。第８Ａ図に示す厚さ４００μｍの平板状のセラミック基板２が得られる。
工程（Ｂ）：キャビティ及びスルーホールの形成
セラミック基板２の表面に、第８Ｂ図に示すような直方体状のキャビティ１２をホーニングによって形成する。また、このキャビティ１２の形成と同時に、電気的導通部を形成するためのスルーホール１３もレーザートリミングによって形成する。スルーホール１３の孔径は、約１５０μｍである。
工程（Ｃ）：配線層などの形成
Ａｇ／Ｐｄ厚膜ペーストをスルーホール１３に充填した後、同じＡｇ／Ｐｄ厚膜ペーストをセラミック基板２の表裏両面に予め定められたパターンで塗布する。その後、Ａｇ／Ｐｄ厚膜ペーストを酸化雰囲気中で約８５０℃で約１時間にわたって焼成する。第８Ｃ図に示すように、メタライズ層からなる配線層２１、２２及び２６ならびに電気的導通部２３が形成される。
工程（Ｄ）：めっき層の形成
上記のようにしてメタライズ層から形成した配線層２１、２２及び２６の上にさらにめっき層を形成するのが好ましい。第８Ｄ図では、３μｍ厚の無電解Ｎｉめっき層＋０．５μｍ厚の無電解Ａｕめっき層３１及び３２を形成した。これらのめっき層は、工程中のロウ付け面や接合面の耐蝕保護と低温金属ロウ材の濡れ性の向上に有効である。なお、以下の工程では、これらのめっき層を有しないセラミック基板を使用した例について説明する。
工程（Ｅ）：水晶振動体の実装
第８Ｅ図に示すように、セラミック基板２の配線層２１上に水晶振動体１を実装する。配線層２１の所定の部位と水晶振動体１の一端に導電ペースト（Ａｇ含有熱硬化性樹脂）２４を塗布し、約１８０℃で硬化処理する。なお、この段階で水晶振動体の周波数調整も行う。
工程（Ｆ）：接合層の形成
第８Ｆ図に示すように、セラミック基板２の蓋部材接合位置に低温金属ロウ材（Ａｕ−Ｓｎロウ）を配設して接合層２５を形成する。
工程（Ｇ）：セラミック基板と蓋部材の溶着
セラミック基板２とコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の蓋部材３を接合層２５を介してロウ付けにより溶着する。第８Ｇ図に示すように、完全に気密封止された水晶振動子１０が得られる。
また、上述のような一連の製造工程において、蓋部材としてコバールに代えてガラス（絶縁材料）を使用し、セラミック基板と蓋部材を低融点ガラスを介して溶着すると、第５図に模式的に示した水晶振動子１０が得られる。最後に、この水晶振動子１０の完成検査を行う。
産業上の利用可能性
以上に説明したように、本発明によれば、水晶振動子、水晶発振器、半導体装置などの電子装置を製造する際に、その電子要素を収納する筐体をセラミックスから形成してコストの低減を図ることができる。
また、本発明によれば、電子装置の製造に多数個取り方式を採用することができので、電子装置を一度に大量にかつ短縮された工程で歩留りよく製造することができ、その際、セラミックスの収縮に原因する欠陥の発生もない。
さらに、セラミック基板上に多数個のキャビティを形成する場合、金属配線の形状や位置がばらつくので、電子要素の実装、蓋部材の封止等の後工程が実施困難になっていたが、本発明ではそのような困難がない。また、高密度ＩＣの実装等に対応して微細な配線を筐体内に形成する場合に、さらなる位置精度が要求されるが、本発明の場合、この要求も満足できる。
さらにまた、本発明によれば、セラミック基板から切り出されたユニット基板が従来の冶具の役割を果たすことができるので、電子装置の製造工程中で、セラミック基板に開けたキャビティの内部に切り粉やゴミ類が入り込むこともない。
さらにまた、従来の技術ではキャビティの寸法精度が低く、そのばらつきを補完するために箔状の低温金属ロウ材を厚膜で使用しなければならなかったが、本発明ではそのような不具合もない。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図及び第１Ｂ図は、それぞれ、従来の水晶振動子の製造に使用される定尺シートの平面図であり、
第２図は、定尺シートの積層によって製造された積層グリーンシートの平面図であり、
第３Ａ図〜第３Ｅ図は、それぞれ、第２図の積層グリーンシートを使用して水晶振動子を製造する従来の方法を順を追って示した断面図であり、
第４図は、本発明による水晶振動子の好ましい１例を示した断面図であり、
第５図は、本発明による水晶振動子のもう１つの好ましい例を示した断面図であり、
第６図は、本発明による水晶発信器の好ましい１例を示した断面図であり、
第７Ａ図〜第７Ｆ図は、本発明の水晶振動子を多数個取り方式で製造する方法を順を追って示した断面図であり、そして
第８Ａ図〜第８Ｇ図は、本発明の水晶振動子を単個取り方式で製造する方法を順を追って示した断面図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【国際調査報告】
2003017364.tif 000027
2003017364.tif 000028
2003017364.tif 000029
2003017364.tif 000030