(57)【要約】端子部において、その電食の発生を抑制できるとともに、接続される他の電極との接続抵抗を大幅に低減させる。液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に、信号線と、この信号線を被う絶縁膜と、該信号線の一部を前記絶縁膜の穴開けによって露出させた端子部と、この端子部に積層させた導電性の酸化膜とを備え、前記導電性の酸化膜は前記端子部の中央を除く周辺に積層されている。
2002025365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に、信号線と、この信号線を被う絶縁膜と、該信号線の一部を前記絶縁膜の穴開けによって露出させた端子部と、この端子部に積層させた導電性の酸化膜とを備え、
前記導電性の酸化膜は前記端子部の中央を除く周辺に積層されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数の信号線と、これら信号線を被う絶縁膜と、これら各信号線の一部を前記絶縁膜の穴開けによって露出させた端子部とを備え、
各端子部はその信号線に隣接する他の信号線の端子部と隣接して形成され、
各端子部には導電性の酸化膜が積層され、該導電性の酸化膜は該端子部の少なくとも中央部を除いた隣接する他の端子部の側の周辺に積層されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数の信号線と、これら信号線を被う絶縁膜と、これら各信号線の一部を前記絶縁膜の穴開けによって露出させた端子部とを備え、
各端子部はその信号線に隣接する他の信号線の端子部と隣接して形成され、
各端子部には導電性の酸化膜が積層されたものと導電性の酸化膜が積層されていないものとがあるとともに、導電性の酸化膜は端子部の中央を除く周辺に積層され、
かつ、導電性の酸化膜が積層されていない端子部に隣接する他の端子部には導電性の酸化膜が積層されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に、信号線と、この信号線を被う絶縁膜と、該信号線の一部を前記絶縁膜の穴開けによって露出させた端子部と、この端子部を囲むようにして前記絶縁膜上に形成された導電性の酸化膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
導電性の酸化物はＩＴＯ膜あるいはＩＺＯ膜であることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
Ｍｏ−Ｚｒ層はその合金組成がＭｏ−２．６〜２３ｗｔ％Ｚｒとなっていることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｃｒ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
Ｍｏ−Ｃｒ層はその合金組成がＭｏ−０．８４〜３．０ｗｔ％Ｃｒとなっていることを特徴とする請求の範囲第８項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｈｆ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
Ｍｏ−Ｈｆ層はその合金組成がＭｏ−４．９〜４１ｗｔ％Ｈｆとなっていることを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｔｉ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のいちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
Ｍｏ−Ｔｉ層はその合金組成がＭｏ−２．３〜７．６ｗｔ％Ｔｉとなっていることを特徴とする請求の範囲第１２項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
Ａｌ−Ｎｄ層はその合金組成がＡｌ−１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下Ｎｄとなっていることを特徴とする請求の範囲第７項、第９項、第１１項、第１３項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
信号線はＣｕ合金層あるいはＡｇ合金層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
信号線はＴｉ層あるいはＴｉＮ層、Ａｌ層、およびＴｉ層あるいはＴｉＮ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
Ａｌ層はそれに１０ｗｔ％以下のＮｄが合金化されていることを特徴とする請求の範囲第１６項に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層およびＭｏ−ＺｒＮ層との順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
信号線はＡｌ−Ｎｄ層およびＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体からなり、その端子部において導電性の酸化物から露出する前記Ｍｏ−Ｚｒ層の表面にＭｏ−ＺｒＮ層が形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
Ｍｏ−Ｚｒ層の合金組成はＭｏ−４〜２０ｗｔＺｒ％であって、Ｎの混入率が０．０４元素％以上であることを特徴とする請求の範囲第１８項、第１９項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
信号線はＣｒ層およびＣｒとＭｏの合金層との順次積層体から構成されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は液晶表示装置に係り、特に、その端子部の構造の改良に関する。
背景技術
アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線とが形成され、これら各信号線によって囲まれる矩形状の各領域を画素領域としている。
そして、各画素領域には、一方の側のゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一方の側のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とが備えられている。
このため各画素の駆動は走査信号および映像信号の供給によってなされ、該走査信号および映像信号のそれぞれは、画素領域の集合体として形成される表示部の外側の領域にまで延在されて形成されるゲート信号線の端子部およびドレイン信号線の端子部を通して供給されるようになっている。
ゲート信号線およびドレイン信号線は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜としての機能をも有する絶縁膜あるいは該薄膜トランジスタの液晶との直接の接触を回避させる機能をも有する保護膜によって被われ、それらの各端子部は絶縁膜あるいは保護膜に形成された穴開けによって露出されているとともに、いわゆる電食が発生するのを防止するために該露出面をたとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等からなる導電性の酸化物によって被覆する構造のものが知られている。
そして、このような液晶表示装置において、その高透過率を実現するには、信号配線の低抵抗化の達成と画素内の電極として透明電極を設けるということを両立させなければならない。
ここで、信号配線の低抵抗化を考察した場合、まず、たとえばアルミニュウム（Ａｌ）あるいはその合金を含んだ配線（以下、アルミ配線という場合もある）を用いることが考えられる。
一方、信号配線は液晶表示装置に搭載される駆動回路（半導体集積回路）によって電圧が印加されるようになっているが、その接続部（コンタクト部あるいは端子部）における接続抵抗を低減させなければならない要求がある。近年における表示の高精細化にともない、コンタクト部の面積が大幅に減少しその接続抵抗の増大が無視できなくなっているからである。たとえば駆動回路の液晶表示装置に対する搭載方法は従前のＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）方式からＣＯＧ（チップオングラス）方式に移行してきており、この場合のコンタクト部の面積の大幅な減少が顕著となる。
それと同時に、上述したように該コンタクト部においてその電食を回避するためＩＴＯ等からなる導電性の酸化物による被覆がなされるが、前記駆動回路との接続抵抗の低減および信頼性確保の両立を図るため、該酸化物として特に多結晶化したもの（たとえばｐ−ＩＴＯ）を用いることが一般的となっている。
しかし、信号線としてアルミ配線を用い、その端子部に電食を回避させるためにｐ−ＩＴＯ等を用いることによって以下の不都合が生じることが確認された。
すなわち、ｐ−ＩＴＯをエッチングにて加工する際にたとえばＨＢｒ等の強酸を用いざるを得ないが、この強酸は信号線を被覆している絶縁膜（薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能もさせる絶縁膜）および保護膜（薄膜トランジスタの液晶との直接の接触を回避する絶縁膜）等の欠陥部に浸透してしまい、結果的にアルミ配線を溶解せしめてしまう。これは、信号線の断線を引き起こし、製造歩留まりを低下せしめ、コストの増大の要因となる。
この対策としては、ｐ−ＩＴＯの代わりにアモルファスＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）あるいはＩＺＯ（インジウム−亜鉛−酸化物）等を用い、これにより、それらの加工に用いるエッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）を使用することが考えられる。蓚酸はアルミ配線を溶解する程度には酸性が強くないからである。
しかしながら、このようなａ−ＩＴＯやＩＺＯの選択は駆動回路との接続の際の接続抵抗が大幅に高くなってしまい、コンタクト抵抗の低減という当初の目標にほど遠いものとなってしまうことになる。
ちなみに、第２６図は、ｐ−ＩＴＯ、ａ−ＩＴＯ、ＩＺＯのそれぞれの接触抵抗を示すグラフである。その横軸は上記各材料に針を押圧した場合におけるその強さを示し、縦軸はその際における各材料と針との間の接触抵抗を示している。
液晶表示装置において、端子部の信号線に対する駆動回路のバンプの押圧は前記グラフ中ほぼＡの範囲内と考えられ、この場合、接触抵抗の低減の観点からすれば、電食回避材料としてｐ−ＩＴＯを用いる方がａ−ＩＴＯ、ＩＺＯを用いるよりも極めて効果的であることが判る。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、端子部において、その電食の発生を抑制できるとともに、接続される他の電極との接続抵抗を大幅に低減させることができる液晶表示装置を提供することにある。
発明の開示
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
まず、本願発明は、信号線であるアルミ配線の端子部において駆動回路のバンプ等に異方性導電膜を介した構造となっている。他の接続方法と比較して接続抵抗を低減できるからである。
そして、アルミ配線はそれがアルミニウムおよびその合金自体である場合に空気中の酸素や水により酸化され易くなり、接続抵抗を高くしてしまう要因となる。
このため、信号線として、
（１）アルミニウム層あるいはその合金層上にモリブデンあるいはその合金層を積層したもの、
（２）チタンあるいは窒化チタン、アルミニウム、チタンあるいは窒化チタンの順次積層体としたもの、
（３）アルミニウム層あるいはその合金層上に窒素を含むモリブデンあるいはその合金層を積層したもの、
（４）アルミニウム層あるいはその合金層上にモリブデンあるいはその合金層を積層し、少なくとも端子部の駆動回路のバンプ等との接続部に窒化処理が施されているもの、
を用いる。
また、端子部の電食が隣接する端子部との間に水等の存在下で発生する電界による腐食であることに鑑み、
（５）端子部とこれに隣接する他の端子部との間に透明の導電膜を形成する、
（６）端子部の周囲に透明の導電膜を形成する、
（７）端子部とこれに隣接しかつ互いに同電位の他の端子部との間に透明の導電膜を形成せず、端子部とこれに隣接しかつ互いに異なる電位の他の端子部との間に透明の導電膜を形成する。
本発明に係るこれらの及びその他の目的、特徴、及び長所は以下の記載並びに添付された図面を参照することにより更に明確にされる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
実施例１．
《等価回路》
第２図は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
同図において、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを構成するようになっている。
各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬからの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
また、画素電極ＰＩＸと前記一方のゲート信号線ＧＬと隣接する他方のゲート信号線ＧＬとの間には容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長く蓄積させるようになっている。
各画素領域における画素電極ＰＩＸは、液晶を介して対向配置される他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にて各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生せしめるようになっており、これにより各電極の間の液晶の光透過率を制御するようになっている。
各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子部ＤＴＭが形成されている。
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載されたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と称されている。なお、このＣＯＧ方式を用いた液晶表示装置の外観斜視図はたとえば第２５図に示すようになっている。
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになっており、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続されるようになっている。
このようなＣＯＧ方式における特徴は、各半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの各出力側の各バンプにおいて、隣接する他のバンプとの間の距離が極めて小さく形成され、したがって、ゲート信号線ＧＬの各端子部ＧＴＭ、ドレイン信号線ＤＬの各端子部ＤＴＭにおいても、隣接する他の端子部との間の距離も極めて小さく形成されている。
このため、各半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの各出力側の各バンプはもちろんのこと、ゲート信号線ＧＬの各端子部ＧＴＭ、ドレイン信号線ＤＬの各端子部ＤＴＭにおいてその占有面積が極めて小さく、前記バンプと端子部ＧＴＭ、ＤＴＭとの接続抵抗の増大が無視できない状態となっている。
前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板ＳＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっている。
そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機能も兼ねている。
なお、上述した説明では、ＣＯＧ方式を用いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式によって形成されたもので、その出力端子が透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の端子部に接続されるようなっている。
《画素の構成》
第３図は透明基板ＳＵＢ１の一画素領域の構成を示す平面図であり、第２図の点線枠Ａに示す部分に相当する図面である。
また、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図を示し、透明基板ＳＵＢ２の断面図をも示している。
第３図において、まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。
このゲート信号線ＧＬは、この実施例の場合、２層構造となっており、その下層はＡｌとＮｄとの合金層（以下の説明ではこのような合金層をＡｌ−Ｎｄと記す場合がある）からなり、上層はＭｏとＺｒとの合金層（以下の説明ではこのような合金層をＮｏ−Ｚｒと記す場合がある）からなっている。
このような２層構造としたのは、抵抗値を大幅に下げることができ、選択エッチングで加工する際にその断面が順テーパ形状となる等の効果を奏するが、さらに他の効果は後の説明で明らかとなるであろう。
そして、このゲート信号線ＧＬをも被って透明基板ＳＵＢ１の面にたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが形成されている。
この絶縁膜ＧＩは、後述のドイレン信号線ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬとの層間絶縁膜としての機能、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに対してはそのゲート絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに対してはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
画素領域の左下においてゲート信号線ＧＬと重畳する部分において、たとえばａ−Ｓｉからなるｉ型（真性：導電型決定不純物がドープされていない）の半導体層ＡＳが形成されている。
この半導体層ＡＳは、その上面にソース電極およびドレイン電極を形成することによって、前記ゲート信号線の一部をゲート電極とするＭＩＳ型の薄膜トラシジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
この薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２は、前記絶縁膜ＧＩ上に形成されるドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるようになっている。
すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの上面にまで延在させて形成することにより、その延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２として形成される。
また、この時、前記ドレイン電極ＳＤ２と離間させて形成された電極がソース電極ＳＤ１となる。このソース電極ＳＤ１は後述の画素電極ＰＩＸと接続されるもので、その接続部を確保するために、画素領域の中央側に若干延在させた延在部を有するパターンとなっている。
なお、ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極ＳＤ１の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層として機能するようになっている。
前記半導体層ＡＳを形成した後、その表面に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、ドレイン電極ＳＤ２およびソース電極ＳＤ１を形成した後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された不純物がドープされた半導体層をエッチングすることにより、上述した構成とすることができる。
そして、このようにドレイン信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極ＳＤ１）が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該ドレイン信号線ＤＬ等をも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。
この保護膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するため等に設けられるもので、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１の延在部の一部を露出させるためのコンタクトホールＣＨが形成されている。
また、この保護膜ＰＳＶの上面には画素領域の大部分を被ってたとえばＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）膜からなる透明の画素電極ＰＩＸが形成されている。
この画素電極ＰＩＸは、保護膜ＰＳＶの前記コンタクトホールＣＨをも被うようにして形成され、これにより薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と接続されるようになっている。
さらに、このように画素電極ＰＩＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該画素電極ＰＩＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ１によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようになっている。
そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面には、偏光板ＰＯＬ１が被着されている。
一方、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリックスＢＭが形成されている。
このブラックマトリックスＢＭは、外来の光が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するのを回避させるためと、表示のコントラストを良好にするために設けられている。
さらに、ブラックマトリックスＢＭの開口部（光が透過する領域となり、実質的な画素領域となる）には各画素領域に対応した色を有するカラーフィルタＦＩＬが形成されている。
このカラーフィルタＦＩＬは、たとえばｙ方向に並設される各画素領域において同色のフィルタが用いられ、Ｘ方向の各画素領域毎にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に繰り返されて配列されている。
このようにブラックマトリックスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には該ブラックマトリックスＢＭ等をも被ってたとえば塗布等により形成された樹脂からなる平坦化膜ＯＣが形成され、その表面に該ブラックマトリックスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬによる段差が顕在されないようになっている。
そして、この平坦化膜ＯＣの表面には各画素領域に共通にたとえばＩＴＯからなる対向電極ＣＴが形成されている。
この対向電極ＣＴは各画素領域における画素電極ＰＩＸとの間に映像信号（電圧）に対応した電界を発生せしめ、これら各電極との間の液晶ＬＣの配向方向を制御しね前述した偏光板ＰＯＬ１と後述する偏光板ＰＯＬ２との適切な組合せによって光透過率を制御するようになっている。
さらに、このように対向電極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には、該対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ２は液晶と接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ２によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようになっている。
そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面には、偏光板ＰＯＬ２が被着されている。
《端子部の構成》
第１図は前記ゲート端子部ＧＴＭの構成を示す図で、第１図（ａ）は並設されて形成される複数のゲート端子部ＧＴＭのうち２個を示した平面図を、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。
まず、透明基板ＳＵＢ１の表面には、表示部ＡＲから延在されたゲート信号線ＧＬが形成されている。
このゲート信号線ＧＬは、上述したように、Ａｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体からなっている。
このゲート信号線ＧＬは最初にＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩおよびＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶによって被われた状態となっているが、その端子部の形成領域における孔開けによって、該保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜ＧＩから露出されている。
なお、この場合の保護膜ＰＳＶと絶縁膜ＧＩの孔開けはフッ素系ドライエッチングガスによって行うことが好ましい。ドライエッチングはウェットエッチングに比べて加工精度や処理時間制御性に優れており端子部の孔開けや画素部のコンタクトホール等の加工に有利である。また、ゲート信号線ＧＬの上層に形成されたＭｏ−Ｚｒ層は耐ドライエッチング性が高く、エッチングの際にＭｏ−Ｚｒ層が除去されることがないからである。この観点からすれば、ゲート信号線ＧＬをＡｌ−９．８ｗｔ％Ｎｄ層とＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ層との順次積層体で形成することによって耐ドライエッチング性をさらに向上させることができる。
端子部の形成領域におけるゲート信号線ＧＬの露出部には、その中央を除く周辺にたとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜からなる導電性の酸化膜ＥＣＯが積層されている。
換言すれば、導電性の酸化膜ＥＣＯは、孔の周辺の保護膜ＰＳＶに形成され、該孔の保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜ＧＩの各側壁に及び、ゲート信号線ＧＬ上にまで到っているが、該孔によって露出されたゲート信号線ＧＬの中央部は該導電性の酸化膜ＥＣＯが形成されないようになっている。
すなわち、ゲート信号線ＧＬの端子部の中央においては、導電性の酸化物ＥＣＯを介することなく、接続されるべく他の電極と直接に電気的な接続が図れるようになっている。
そして、このように構成される各端子部ＧＴＭは、第５図に示すように、異方性導電膜（シート）ＡＣＦを介して半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプＢＵＰと接続されるようになっている。ここで、異方性導電膜ＡＣＦは多数の導電性粒子が含有されたシート状の樹脂膜からなり、前記端子部ＧＴＭ群と半導体集積回路ＧＤＲＣの間に介在させてある一定の圧力を加えることにより、該バンプＢＵＰと端子部ＧＴＭの導電部材（一部において前記導電性の酸化膜ＥＣＯ、他の部分においてＭｏ−Ｚｒ）は前記導電性粒子を介して電気的に接続されるようになる。
すなわち、前記バンプＢＵＰは該端子部ＧＴＭにおいてゲート信号線ＧＬを構成する導電部材と直接に（換言すれば導電性の酸化膜ＥＣＯを介在させずに）接続される領域を有することになり、その接続抵抗を大幅に低くできるようになる。そして、端子部ＧＴＭの周辺に形成されている導電性の酸化物ＥＣＯは、たとえ端子部の中央を覆うことなく形成されていても、該端子部ＧＴＭにおける電食の発生を充分に回避できるようになる。
また、異方性導電膜の樹脂は、透明基板ＳＵＢ１ともう一方の固定されるべきもの（この場合、半導体集積回路やフレキシブルプリント回路基板等）を接着すると共に、電食の原因となり得る湿気を端子部分へ侵入するのをある程度防止するといった役割を果たす。
第６図は、並設されている各ゲート端子部ＧＴＭのうち２個のゲート端子部ＧＴＭとこれら各ゲート端子部ＧＴＭに接続される半導体集積回路ＧＤＲＣの各バンプＢＵＰとを示した図である。なお、これらの間には異方性導電膜ＡＣＦが介在されていることは上述したとおりである。
ゲート端子部ＧＴＭの電食は、隣接する他の端子部ＧＴＭとの間にたとえば水等の電解液ＥＡが存在し該端子部ＧＴＭと他の端子部ＧＴＭとの電位差に基づく電界Ｅによる酸化現象である。このことから、各ゲート端子部ＧＴＭの周辺に導電性の酸化膜ＥＣＯを存在させることによってのみ、該酸化膜ＥＣＯはそれ自体酸化されていることから前記酸化のストッパー役となり、その酸化膜ＥＣＯによって囲まれたゲート端子部ＧＴＭの中央部（導電性の酸化膜が覆われていない部分）におけるゲート信号線ＧＬの酸化を阻止できるからである。
なお、電食に関係する電界Ｅは、端子部分に係る電圧波形が複雑な場合（たとえば交流波形を呈する映像信号や半導体集積回路に与える信号等）、平均的な大きさによって電食を進行させる速度が左右されると考えてよい。
また、ゲート信号線ＧＬはその上層にＭｏ−Ｚｒ層が形成されているが、このＭｏ−Ｚｒ層とＩＴＯやＩＺＯ等のような導電性の酸化膜ＥＣＯとの電気的な接続抵抗は比較的小さくなることが確かめられており、この観点からしても、ゲート信号線ＧＬの端子部ＧＴＭと他の電極との接続抵抗を全体として低くすることができるようになる。
なお、この実施例では、ゲート端子部ＧＴＭの構成について説明したものである。しかし、それ以外の端子部、すなわち、半導体集積回路ＧＤＲＣの入力側の端子部ＧＴＭ２、この端子部ＧＴＭ２に配線層を介して接続される端子部ＧＴＭ、ドレイン端子部ＤＴＭ３、半導体集積回路ＤＤＲＣの入力側の端子部ＤＴＭ２、この端子部ＤＴＭ２に配線層を介して接続される端子部ＤＴＭ３にも適用されることはいうまでもない。
《製造方法》
次に、上述した液晶表示装置の透明基板ＳＵＢ１側の製造方法の一実施例について第７図ないし第９図を用いて説明する。同図において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は図に示す薄膜トランジスタＴＦＴ部分、右側は第１図に示すゲート端子部ＧＴＭの断面形状で観た加工の流れを示す。
工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｆは各写真処理に対向して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。ここで、写真処理とは本説明ではフォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。
工程Ａ、第７図
ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる透明基板ＳＵＢ１上に膜厚が２０００ÅのＡｌ−Ｎｄ層をスパッタリングにより形成し、さらに連続して膜厚が４００ÅのＭｏ−Ｚｒ層をスパッタリングにより形成する。写真処理後、燐酸、硝酸、酢酸、純水、フッ化アンモニウムなどならなるエッチング液でＭｏ−Ｚｒ層とＡｌ−Ｎｄ層を一括でかつ選択的にエッチングする。
これにより、ゲート電極ＧＴ、ゲート信号線ＧＬ、ゲート端子ＧＴＭを形成する。
工程Ｂ、第７図
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が３５００Åの窒化Ｓｉ膜を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入して、膜厚が１２００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を形成した後、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚が３００ÅのＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜を形成する。
工程Ｃ、第７図
写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６、ＣＣｌ４を使用してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島を形成する。
工程Ｄ、第８図
膜厚が２０００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ３をスパッタリングにより形成する。写真処理後、導電膜ｄ３を工程Ａと同様な液でエッチングし、ドレイン信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を形成する。
つぎに、ドライエッチング装置にＣＣｌ４、ＳＦ６を導入して、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
工程Ｅ、第８図
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が０．４μｍの窒化Ｓｉ膜を形成する。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用して窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることによって、保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜ＧＩをパターニングする。
工程Ｆ、第９図
膜厚が１１５０ÅのＩＺＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）からなる透明導電膜ｉ１をスパッタリングにより形成する。写真処理後、エッチング液として蓚酸の水溶液で透明導電膜ｉ１を選択的にエッチングすることにより、ゲート端子部ＧＴＭの最上層、ドレイン端子部ＤＴＭの最上層を形成する。
なお、ここでは、透明導電膜ｉ１としてＩＺＯを使用したが、代わりに非晶質のＩＴＯ膜を使用してもよい。
エッチング液として蓚酸の水溶液を使用することにより、他の信号線で使用しているＡｌ合金、Ｍｏ合金、Ｃｒ合金等を溶解させずにＩＺＯや非晶質ＩＴＯを加工できた。この結果として、端子部ＧＴＭやＤＴＭ等で露出しているＭｏ合金等を溶解させることなく形成でき、また、保護膜ＰＳＶ等に欠陥があっても配線を溶解させることなく高歩留まりで製造できる。
実施例２．
第１０図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１図（ｂ）と対応した図面となっている。
第１図（ｂ）と異なる構成は、ゲート信号線ＧＬをＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｈｆ層との順次積層体、Ａｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｃｒ層との順次積層体、あるいはＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｔｉ層との順次積層体にしたことにある。
ゲート信号線ＧＬをこのような材料の積層体とすることによって、たとえばＡｌの選択エッチングの際に用いる一般的なウェットエッチング液（リン酸と硝酸が主成分）を用いて一括加工をすることができ、工程の煩雑さを免れることができる。
また、ゲート信号線ＧＬを被う保護膜ＰＳＶと絶縁膜ＧＩの孔開けはフッ素系ドライエッチングガスによって行うことが好ましい。ゲート信号線ＧＬの上層に形成されたＭｏ−Ｈｆ層、Ｍｏ−Ｃｒ層あるいはＭｏ−Ｔｉ層は耐ドライエッチング性が高く、エッチングの際にこれらの層が除去されることがないからである。この観点からすれば、ゲート信号線ＧＬを前記各層をたとえばＡｌ−９．８ｗｔ％Ｎｄ層、Ｍｏ−１．６ｗｔ％Ｃｒ層を上層とする積層体で形成することによって耐ドライエッチング性をさらに向上させることができる。
また、ゲート信号線ＧＬはその上層にＭｏ−Ｈｆ層、Ｍｏ−Ｃｒ層あるいはＭｏ−Ｔｉ層が形成されているが、これら層とＩＺＯやＩＴＯ等のような導電性の酸化膜との電気的な接続抵抗は比較的小さくなることが確かめられており、この観点からしても、ゲート信号線ＧＬの端子部と他の電極との接続抵抗を全体として低くすることができるようになる。
実施例３．
第１１図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１０図と対応した図面となっている。
第１０図と異なる構成は、ゲート信号線ＧＬをＣｕ合金層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体、あるいはＡｇ合金層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体にしたことにある。
このように構成されたゲート信号線ＧＬは電気抵抗が低くなる（たとえばＡｌよりも低い）という効果を奏するようになる。
また、ゲート信号線ＧＬを被う保護膜ＰＳＶと絶縁膜ＧＩの孔開けはフッ素系ドライエッチングガスによって行うことが好ましい。ゲート信号線ＧＬの上層に形成されたＭｏ−Ｚｒ層は耐ドライエッチング性が高く、エッチングの際にこれらの層が除去されることがないからである。
また、ゲート信号線ＧＬはその上層にＭｏ−Ｚｒ層が形成されていることによって、この層とＩＺＯやＩＴＯ等のような導電性の酸化膜との電気的な接続抵抗は比較的小さくなることが確かめられており、この観点からしても、ゲート信号線ＧＬの端子部と他の電極との接続抵抗を全体として低くすることができる。
実施例４．
第１２図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１１図と対応した図面となっている。
第１１図と異なる構成は、ゲート信号線ＧＬをＴｉ層と純Ａｌ層とＴｉ層との順次積層体にしたことにある。
このゲート信号線ＧＬは、純Ａｌ層が介在された構成となっていることから、その電気抵抗を低く抑えることができる。
また、ゲート信号線ＧＬをこのような材料の積層体とすることによって、たとえばＡｌの選択エッチングの際に用いる一般的なドライエッチングガス（塩素系ガス）を用いて一括加工をすることができ、工程の煩雑さを免れることができる。
また、ゲート信号線ＧＬを被う保護膜ＰＳＶと絶縁膜ＧＩの孔開けはフッ素系ドライエッチングガスによって行うことが好ましい。ゲート信号線ＧＬの上層に形成されたＴｉ層は耐ドライエッチング性が高く、比較的短い時間であれば、エッチングの際にこれらの層が除去されることがないからである。
また、ゲート信号線ＧＬはその上層にＴｉ層が形成されることによって、この層とＩＴＯ等のような導電性の酸化膜との電気的な接続抵抗は比較的小さくなることが確かめられており、この観点からしても、ゲート信号線ＧＬの端子部と他の電極との接続抵抗を全体として低くすることができるようになる。
また、上述した説明ではＴｉ層を用いたがこれの代わりにＴｉＮ層であっても同様の効果を得ることができる。
実施例５．
第１３図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１２図と対応した図面となっている。
第１２図と異なる構成は、ゲート信号線ＧＬをＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−ＺｒＮ層との順次積層体にしたことにある。
この場合のＭｏ−ＺｒＮ層は、たとえばＭｏ−Ｚｒ層のスパッタ生成時に窒素を混入させることによって形成でき、耐湿性の高い層として得ることができる。このことは、異方性導電膜ＡＣＦとの接続の信頼性を向上させる効果を奏するようになる。
このゲート信号線ＧＬは、Ａｌが含まれた構成となっていることから、その電気抵抗を低く抑えることができる。
また、ゲート信号線ＧＬをこのような材料の積層体とすることによって、たとえばＡｌの選択エッチングの際に用いる一般的なウェットエッチング液（リン酸と硝酸が主成分）を用いて一括加工をすることができ、工程の煩雑さを免れることができる。
また、ゲート信号線ＧＬを被う保護膜ＰＳＶと絶縁膜ＧＩの孔開けはフッ素系ドライエッチングガスによって行うことが好ましい。ゲート信号線ＧＬの上層に形成されたＭｏ−ＺｒＮ層は耐ドライエッチング性が高く、エッチングの際にこれらの層が除去されることがないからである。
また、ゲート信号線ＧＬはその上層にＭｏ−ＺｒＮ層が形成されることによって、この層とＩＺＯやＩＴＯ等のような導電性の酸化膜との電気的な接続抵抗は比較的小さくなることが確かめられており、この観点からしても、ゲート信号線ＧＬの端子部と他の電極との接続抵抗を全体として低くすることができるようになる。
実施例６．
第１４図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１３図と対応した図面となっている。
第１３図と異なる構成は、ゲート信号線ＧＬをＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ−Ｚｒ層との順次積層体で構成され、ＩＺＯ膜から露出した該Ｍｏ−Ｚｒ層の表面にＭｏ−ＺｒＮ層が形成されていることにある。
この場合のＭｏ−ＺｒＮ層は、ＩＴＯ層の形成後にこのＩＺＯ膜をマスクとしてたとえば窒素プラズマ装置を用いてＭｏ−Ｚｒ層の表面に窒素を混入させることによって形成できる。
このようにした場合の効果は実施例５の場合と同様の効果を奏することができる。
実施例７．
第１５図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第１図（ｂ）と対応した図面となっている。
第１図（ｂ）と異なる構成は、端子部の周囲に形成される導電性の酸化膜ＥＣＯは、ゲート信号線ＧＬと接続されることなく、保護膜ＰＳＶ面に形成されていることにある。
導電性の酸化膜ＥＣＯは、それが形成された端子部と隣接する他の端子部との間に生ずる酸化現象を引き起こす化学反応を阻止する手段であることから、必ずしもゲート信号線ＧＬと接続されている必要はなく、電食が発生する部分を囲むようにして形成されていればよいからである。
なお、このような導電性の酸化膜ＥＣＯの構成は、実施例２（第１０図）ないし実施例６（第１４図）のそれぞれの場合において適用できることはいうまでもない。
実施例８．
上述した各実施例では、端子部ＧＴＭから露出するゲート信号線ＧＬの表面はその中央部において導電性の酸化膜ＥＣＯが形成されていない構成となっているものである。
しかし、第１図に対応する図である第１６図に示すように、前記中央部において島状の導電性の酸化膜ＥＣＯが複数散在するようにして配置されていてもよいことはもちろんである。
この場合、各導電性の酸化膜ＥＣＯの間のゲート信号線ＧＬの露出部において接続抵抗の小さな接続が図れるからである。
同様の趣旨から、第１７図に示すように、端子部ＧＴＭから露出するゲート信号線ＧＬの表面において、該ゲート信号線ＧＬの延在方向に延在する導電性の酸化膜ＥＣＯを該方向に直交する方向に並設させるようにしてもよい。
また、第１８図に示すように、端子部ＧＴＭから露出するゲート信号線ＧＬの表面において、該ゲート信号線ＧＬの延在方向に直交する方向に延在する導電性の酸化膜ＥＣＯを該ゲート信号線ＧＬの延在方向に並設させるようにしてもよい。
ここで、第１７図に示したように構成した場合に次のような効果を奏する、すなわち、半導体集積回路ＧＤＲＣを搭載した後にそれを剥がすような必要が生じた場合、異方性導電膜ＡＣＦの残留物を軽い研磨によって剥がすようになるが、その研磨方向は第１７図の矢印方向Ａのようになり、ゲート信号線ＧＬの表面も併せて削りとってしまうという障害が少なくて済むようになる。
実施例９．
上述した各実施例では、ゲート信号線ＧＬに走査信号を供給するための端子部の構成について示したものである。しかし、ドレイン信号線ＤＬに映像信号を供給するための端子部においても適用できることはいうまでもない。
ドレイン信号線ＤＬの端子部に本願発明を適用させた場合、該ドレイン信号線ＤＬは、上述した各実施例のような積層体として構成され、ゲート信号線ＧＬとの層間絶縁を図るために少なくとも絶縁膜ＧＩの上面に形成されるようになる点で相違を有する。
実施例１０．
端子部の周辺に導電性の酸化膜ＥＣＯを積層させる構成は、たとえば各ゲート信号線ＧＬのそれぞれの端子部の全部に、あるいは各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの端子部の全部に適用させるようにしてもよい。
しかし、近接して並設される各端子部において、たとえば一つ置きの各端子部に上記構成を採用し、他の残りの端子部には導電性の酸化膜を形成しないようにしてもよい。
端子部の電食は隣接する他の端子部との間に電解液が存在し該各端子部に電位差が生じた際に生じる酸化反応であることを考慮すると、一方の端子部において、該酸化反応を生じさせることのない要素（この実施例では導電性の酸化膜）を備えさせることで充分な効果を得ることができるからである。
このことから、各端子部の周辺に導電性の酸化膜ＥＣＯが形成されていない端子部があり、それに隣接する両脇の他の端子部において導電性の酸化膜ＥＣＯを該端子部の周辺に形成させる構成としてもよい。
また、近接して並設される各端子部において、導電性の酸化膜を形成しなくてもよい場合がある。これは、近接する端子間にかかる平均電界がほぼ０になる場合である。具体的には、たとえば交流信号を呈する映像信号の出力端子同士や、他には半導体集積回路に与える信号のうちデジタル信号データ用端子同士等が考えられる。
実施例１１．
上述した実施例では、画素の構成としていわゆる縦電界方式のものを説明したものであるが、これに限定されることなくたとえば横電界方式のものであっても適用できることはもちろんである。
横電界方式の液晶表示装置であっても、その端子部に関して同様の課題が発生していたからである。
第１９図は、横電界方式の液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図である。
この方式は、画素電極ＰＸが形成された側の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に対向電極ＣＴが形成され、これら各電極はそれぞれストライプ状（この図では図中ｙ方向に延在している）のパターンをなし交互に配置されている。
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは絶縁膜を介して異なる層に形成され、これの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を有する電界によって液晶の光透過率を制御するようになっている。
なお、各電極ともその延在方向に複数の屈曲部を有するのは、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界の方向が異なる２つの領域を形成せしめ、表示面に対して異なる方向から観察した場合に色調の変化が生じるのを回避するいわゆるマルチドメイン方式を採用しているからである。
なお、各画素領域はｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬによって囲まれた領域に形成され、一方のドレイン信号線ＤＬは薄膜トランジスタＴＦＴを介して画素電極ＰＸに接続されていることは第３図と同様の構成となっているが、各対向電極ＣＴに対向電圧信号を供給するための対向電圧信号線ＣＬが新たに形成されているところが異なっている。
この対向電圧信号線ＣＬにはたとえば表示部ＡＲの領域外にてその端子部から対向電圧信号が供給されるようになっているが、この対向電圧信号線ＣＬおよびその端子部においても、ゲート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬの端子部ＧＴＭ、ＤＴＭと同様に本願発明を適用できることはいうまでもない。
《考察》
▲１▼上述したように、Ｍｏ合金のような高融点メタル膜はＩＴＯ等の導電性の酸化膜と良好なコンタクトが得られることを説明したが、第２０図には、Ｍｏ合金とＩＴＯ膜とのコンタクトの状態をＣｒ合金とＩＴＯ膜とのコンタクトの状態とを比較したグラフを示している。
同図から、Ｍｏ合金の場合、ＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗は１×１０３Ω・μｍ２以下となり、これはＣＯＧ方式で要求される抵抗となる。
また、導電性の酸化膜としてＩＺＯを用いた場合でも同様に、Ｍｏ合金の場合にコンタクト抵抗をＣｒ合金と比べて低くできた。
▲２▼信号線の最上に形成する層の材料を選定するには、（Ａ）アルミニウム合金との積層配線を、大基板処理で一般的なシャワー式のウェットエッチング等で一括エッチングした場合、断面を順テーパ形状に加工し、その上層に形成される絶縁膜のカバレジを良好にすること、（Ｂ）ＳＦ６等のフッ素ガスによるドライエッチングに対する耐性を確保し、配線上層のＳｉＮ絶縁膜等にコンタクトホール等の接続手段を加工しても信号線の最上に形成する層がコンタクトホール底部で消失することがなく、該層と画素電極等とが接続されること、これらを両立するようにしなければならない。
信号線の最上に形成する層がモリブデン系の合金の場合、上述の（Ａ）、（Ｂ）の両方の課題を同じ解決する組成は、次のようにして選定した。モリブデンに対してクロム、チタン、タンタル、ジルコニウム、ハフニウムの各合金添加元素を種々の濃度添加した合金を調整し、それらモリブデン合金のＳＦ６ガスによるドライエッチングレートと、燐酸−酢酸−硝酸溶液に対するウエットエッチングレートを測定した。第２１図は、その測定結果のまとめであり、その横軸はウエットエッチングレート、縦軸はドライエッチングレートである。なお、ドライエッチングレート検出下限値は０．０２ｎｍ／ｓであった。
この図において、課題（Ａ）を解決するには、少なくともアルミニウム合金と同等以上のウエットエッチングレート（この場合、５．１ｎｍ／ｓ）が必要である。これを満たすにはジルコニウム添加の場合は２３重量％以下、ハフニウム添加の場合は３６重量％以下、クロム添加の場合は３．０重量％以下、チタン添加の場合は７．６重量％以下である。
また、この図において課題（Ｂ）を解決するには、少なくともＳｉＮとの選択比が７以上求められる。ＳｉＮのＳＦ６ガスによるドライエッチングレートは１９．４ｎｍ／ｓであるため、信号線の最上に形成する層のドライエッチングレートは２．７８ｎｍ／ｓ以下である必要がある。
これを満たすには、ジルコニウム添加の場合は２．６重量％以上、ハフニウム添加の場合は４．９重量％以上、クロム添加の場合は０．８４重量％以上、チタン添加の場合は２．３重量％以上である。
モリブデン−タンタル合金は、ドライエッチングレートが低下しない割にウエットエッチングレートが大きく低下するため、上記（Ａ）（Ｂ）の課題解決には適さない。
▲４▼また、Ａｌ合金の信号線において大画面高精細の仕様から５．５μΩ−ｃｍ以下であることが好ましく、また、該信号線の形成の後の約３００℃以下の熱処理を含む工程でいわゆるヒロックと称される髭状の突起を発生させないために、第２２図のグラフから明らかなように、該Ａｌ合金の合金組成はＡｌ−１〜１０ｗｔ％Ｎｄであることが好ましいことが判る。このグラフではＡｌ合金の場合について示したものであるが、他の希土類元素でも同様のことがいえる。
このことから、このような希土類元素の合金の上層にＭｏ合金を積層させて信号線を形成する場合において、該Ｍｏ合金の組成を▲３▼に示した割合にすることが好ましい。
▲５▼信号線をたとえば高融点メタル／Ａｌ／高融点メタルのような三層の構造とした場合、前述した２層構造のものより比抵抗を小さくすることができる。この場合Ａｌ中にはＮｄが０〜１ｗｔ％の範囲で合金化されていても同様の効果を得ることができる。
そして、第２３図のグラフから明らかとなるように、Ａｌ（１１１）の面間隔ｄ０との差が０．４Å以下の下地層を形成することにより、該下地層によるＡｌ配向制御によって、信号線形成後の工程（３００℃以下の熱処理を含む工程）時にヒロックの発生を大幅に抑制することができる。該下地層としてはＴｉあるいはＴｉＮが好適となる。
また、Ａｌ層の上層の高融点メタルとしては、スパッタ装置における生産性あるいは保守性等を考慮するとＴｉあるいはＴｉＮであることが好ましく、この場合、ＴｉあるいはＴｉＮのコンタクト抵抗は約６×１０２Ω・μｍ２となり、上述したＣＧＯ方式の仕様の１×１０３Ω・μｍ２を充分に満足するようになる。▲６▼Ｍｏ合金の耐湿性を向上させるために、該Ｍｏ合金中に窒素元素（Ｎ）を混入させることが有効であることを説明したが、Ｎの最適な混入率を示すグラフを第２４図に示している。
同図から明らかとなるように、Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ中にてＮを０．０２原子％以上混入させることにより、異方性導電膜ＡＣＦとの接続抵抗を極力小さく抑えることができる。
なお、同図では、Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒの場合について示したものであるが、他のＭｏ合金の場合においても電気的特性および組成の点で極めて類似していることから、同様の効果が得られることが確かめられている。
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、その端子部において、その電食の発生を抑制できるとともに、接続される他の電極との接続抵抗を大幅に低減させることができる。
本発明に関するいくつかの実施例が表示され且つ記載されたが、これらはこれら自体に限定されるものでなく、当業者の知り得る範囲で多用に変形又は改善されるものでもあり、その請求の範囲は以上に示され且つ記載された詳細に限定されるものでなく上記変形及び改善を包含するものでもある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要部（端子部）構成図である。
第２図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路を示す図である。
第３図は、本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図である。
第４図は、第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
第５図は、本発明による液晶表示装置の端子部と半導体集積回路のバンプとの接続構成を示す断面図である。
第６図は、端子部とこれに隣接する他の端子部との間に生じる電界によって端子部に電食が発生する原理を示した説明図である。
第７図は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、第８図、第９図と一体となった図面である。
第８図は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、第７図、第９図と一体となった図面である。
第９図は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、第７図、第８図と一体となった図面である。
第１０図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１１図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１２図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１３図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１４図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１５図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部（端子部）断面図である。
第１６図は、本発明による液晶表示装置の端子部の他の実施例を示す構成図である。
第１７図は、本発明による液晶表示装置の端子部の他の実施例を示す平面図である。
第１８図は、本発明による液晶表示装置の端子部の他の実施例を示す平面図である。
第１９図は、本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図である。
第２０図は、端子部におけるＩＴＯとの接続抵抗を示すグラフである。
第２１図は、Ｍｏに添加される元素を上層に有する信号線のウェットエッチングとドライエッチングとの関係を示したグラフである。
第２２図は、Ａｌを含む信号線の上層のＭｏにＮｄの合金化量に対するヒロック数を示したグラフである。
第２３図は、Ｔｉ、ＴｉＮがヒロック抑制に効果的であることを示すグラフである。
第２４図は、Ｍｏ合金膜の耐湿性を該Ｍｏ合金に混入させるＮの量との関係で示したグラフである。
第２５図は、ＣＯＧ方式の液晶表示装置の斜視図を示す図である。
第２６図は、ＩＺＯ、ａ−ＩＴＯ、ｐ−ＩＴＯの他の金属との接触抵抗をその押し圧との関係で示したグラフである。
【図１】
2002025365.tif 000003
【図２】
2002025365.tif 000004
【図３】
2002025365.tif 000005
【図４】
2002025365.tif 000006
【図５】
2002025365.tif 000007
【図６】
2002025365.tif 000008
【図７】
2002025365.tif 000009
【図８】
2002025365.tif 000010
【図９】
2002025365.tif 000011
【図１０】
2002025365.tif 000012
【図１１】
2002025365.tif 000013
【図１２】
2002025365.tif 000014
【図１３】
2002025365.tif 000015
【図１４】
2002025365.tif 000016
【図１５】
2002025365.tif 000017
【図１６】
2002025365.tif 000018
【図１７】
2002025365.tif 000019
【図１８】
2002025365.tif 000020
【図１９】
2002025365.tif 000021
【図２０】
2002025365.tif 000022
【図２１】
2002025365.tif 000023
【図２２】
2002025365.tif 000024
【図２３】
2002025365.tif 000025
【図２４】
2002025365.tif 000026
【図２５】
2002025365.tif 000027
【図２６】
2002025365.tif 000028
【国際調査報告】
2002025365.tif 000029
2002025365.tif 000030