(57)【要約】ガラス基板においても高透過率を得ることはもちろん、ガラス基板以外の透明基板においても最表面層の導電性と必要な抵抗値を確保しつつ、高透過率、高耐久性を得ることができる導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を提供することを目的として、透明基板上に透明誘電体の薄膜と透明導電体の薄膜とを積層する導電性を有する多層反射防止膜付透明基板において、前記透明基板側から順に、前記透明基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記透明基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層と、最外層に透明導電体の第３薄膜層との少なくとも３層を有し、前記第３薄膜層はＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とした。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に透明誘電体の薄膜と透明導電体の薄膜とを積層する導電性を有する多層反射防止膜付透明基板において、前記透明基板側から順に、前記透明基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記透明基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層と、最外層に透明導電体の第３薄膜層との少なくとも３層を有し、前記第３薄膜層はＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜付透明基板。
【請求項２】
請求の範囲１の多層反射防止膜付透明基板において、前記多層反射防止膜付基板は、前記透明基板の屈折率と各薄膜層の屈折率とを考慮することにより決定される光学膜厚にて各々積層してなることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜付透明基板。
【請求項３】
請求の範囲１の多層膜反射防止膜付透明基板において、前記第３薄膜層は所期する表面抵抗値を得る膜厚とし、前記第１薄膜層及び第２薄膜層は、所期するその物理膜厚を変数として変化させた場合に理論視感反射率が所定の値未満となる光学膜厚を持ち、前記第１薄膜層の光学膜厚はｎｄ＞λ／４であることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜付透明基板。
【請求項４】
請求の範囲１の多層反射防止膜付透明基板において、前記第３薄膜層は、前記ＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上３０％以下とすることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜付透明基板。
【請求項５】
請求の範囲１の多層反射防止膜付透明基板は、前記第３薄膜層上を荷重２５０ｇにて１０万回の摺動動作を行うペン摺動試験において、該ペン摺動試験後のリニアリティ変化率が１．５％以内であることを特徴とする多層反射防止膜付透明基板。
【請求項６】
透明固定基板と、この透明固定基板に離間して設けられた透明可撓性基板と、この透明可撓性基板側に外部回路に電気的に接続する接続手段とを備え、前記透明固定基板と透明可撓性基板とが向き合う少なくとも何れか一方の面上に、この面上に設けられる基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記面上に設けられる基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層および最外層に透明導電体の第３薄膜層との少なくとも３層を有する導電性多層反射防止膜であって、前記第３薄膜層はＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなることを特徴とする透明タッチパネル。
【請求項７】
請求の範囲６の透明タッチパネルにおいて、多層反射防止膜は、前記面上に設けられる基板の屈折率と各薄膜層の屈折率とを考慮することにより決定される光学膜厚にて各々積層してなることを特徴とする透明タッチパネル。
【請求項８】
請求の範囲６の透明タッチパネルにおいて、多層反射防止膜の第３薄膜層は所期する表面抵抗値を得る膜厚とし、第１薄膜層及び第２薄膜層は、所期するその物理膜厚を変数として変化させた場合に理論視感反射率が所定の値未満となる光学膜厚を持ち、前記第１薄膜層の光学膜厚はｎｄ＞λ／４であることを特徴とする透明タッチパネル。
【請求項９】
請求の範囲６の透明タッチパネルにおいて、第３薄膜層は、ＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上３０％以下とすることを特徴とする導電性を有する透明タッチパネル。
【請求項１０】
請求の範囲６の透明タッチパネルであって、第３薄膜層上を荷重２５０ｇにて１０万回の摺動動作を行うペン摺動試験において、該ペン摺動試験後のリニアリティ変化率が１．５％以内であることを特徴とする多層反射防止膜付透明基板。
【請求項１１】
透明固定基板と、この透明固定基板に離間して設けられた透明可撓性基板と、この透明可撓性基板側に外部回路に電気的に接続する接続手段とを有し、前記透明固定基板と透明可撓性基板とが向き合う少なくとも何れか一方の面上に、この面上に設けられる基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記面上に設けられる基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層と、最外層に透明導電体のＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなる第３薄膜層との少なくとも３層を有する導電性多層反射防止膜により構成される透明タッチパネルを表示装置面側に備え、前記透明タッチパネルを押圧して得られる制御信号を処理する制御回路とからなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、高透過率が得られる導電性を有する多層反射防止膜付透明基板に関し、さらに詳しくは、この多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルおよびこの透明タッチパネルを用いた電子機器に関するものである。
背景技術
従来、多層膜反射防止膜付透明基板においては、ガラス板やプラスチック板等の透明基板にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜を形成して、液晶等の表示装置またはタッチパネルの電極として利用するものが知られている。
このような多層膜反射防止膜付透明基板は、薄膜干渉によって反射防止効果を得るための膜設計が行われている。
しかしながら、例えばタッチパネルに使用する多層反射防止膜付基板においては、その反射防止効果により高透過率が得られていても、膜の耐久性が弱いためにタッチペン等の使用によって透明導電性薄膜層に擦傷等が生じてしまうことがある。このような擦傷が生じると所望する抵抗値が得られなくなり、タッチパネルとしての機能を十分に果たすことができなくなってしまう。
本発明においては、上記従来技術の問題点に鑑み、高透過率、高耐久性を得ることができる導電性を有する多層反射防止膜付透明基板、さらには多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルおよびこの透明タッチパネルを用いた電子機器を提供することを技術課題とする。
発明の開示
上記課題を解決するために、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とする。
（１）透明基板上に透明誘電体の薄膜と透明導電体の薄膜とを積層する導電性を有する多層反射防止膜付透明基板において、前記透明基板側から順に、前記透明基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記透明基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層と、最外層に透明導電体の第３薄膜層との少なくとも３層を有し、前記第３薄膜層はＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなることを特徴とし、導電性反射防止膜に異なる屈折率を有する薄膜層を積層形成し、光の干渉により反射を抑えるため、高い透過率を得られるとともに高耐久性を有する。
（２）上記（１）の多層反射防止膜付透明基板において、前記多層反射防止膜付基板は、前記透明基板の屈折率と各薄膜層の屈折率とを考慮することにより決定される光学膜厚にて各々積層してなることを特徴とし、導電性反射防止膜に異なる屈折率を有する薄膜層を積層形成し、光の干渉により反射を抑えるため、高い透過率を得られるとともに高耐久性を有する。
（３）上記（１）の多層膜反射防止膜付透明基板において、前記第３薄膜層は所期する表面抵抗値を得る膜厚とし、前記第１薄膜層及び第２薄膜層は、所期するその物理膜厚を変数として変化させた場合に理論視感反射率が所定の値未満となる光学膜厚を持ち、前記第１薄膜層の光学膜厚はｎｄ＞λ／４とすることにより、指向性が良く膜厚制御が行い易いという作用を有する。
（４）上記（１）の多層反射防止膜付透明基板において、前記第３薄膜層は、前記ＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上３０％以下とすることを特徴とすることにより、導電性反射防止膜に異なる屈折率を有する薄膜層を積層形成し、光の干渉により反射を抑えるため、高い透過率を得られるとともに高耐久性を有する。
（５）上記（１）の多層反射防止膜付透明基板は、前記第３薄膜層上を荷重２５０ｇにて１０万回の摺動動作を行うペン摺動試験において、該ペン摺動試験後のリニアリティ変化率が１．５％以内であり、高い耐久性を備えるという作用を有する。
（６）透明固定基板と、この透明固定基板に離間して設けられた透明可撓性基板と、この透明可撓性基板側に外部回路に電気的に接続する接続手段とを備え、前記透明固定基板と透明可撓性基板とが向き合う少なくとも何れか一方の面上に、この面上に設けられる基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記面上に設けられる基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層および最外層に透明導電体の第３薄膜層との少なくとも３層を有する導電性多層反射防止膜であって、前記第３薄膜層はＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなることを特徴とする。
（７）上記（６）の透明タッチパネルにおいて、多層反射防止膜は、前記面上に設けられる基板の屈折率と各薄膜層の屈折率とを考慮することにより決定される光学膜厚にて各々積層してなることを特徴とする。
（８）上記（６）の透明タッチパネルにおいて、多層反射防止膜の第３薄膜層は所期する表面抵抗値を得る膜厚とし、第１薄膜層及び第２薄膜層は、所期するその物理膜厚を変数として変化させた場合に理論視感反射率が所定の値未満とな、る光学膜厚を持ち、前記第１薄膜層の光学膜厚はｎｄ＞λ／４であることを特徴とする。
（９）上記（６）の透明タッチパネルにおいて、第３薄膜層は、ＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上３０％以下とすることを特徴とする導電性を有する。
（１０）上記（６）の透明タッチパネルであって、第３薄膜層上を荷重２５０ｇにて１０万回の摺動動作を行うペン摺動試験において、該ペン摺動試験後のリニアリティ変化率が１．５％以内であることを特徴とする。
（１１）透明固定基板と、この透明固定基板に離間して設けられた透明可撓性基板と、この透明可撓性基板側に外部回路に電気的に接続する接続手段とを有し、前記透明固定基板と透明可撓性基板とが向き合う少なくとも何れか一方の面上に、この面上に設けられる基板の屈折率より高い屈折率である透明誘電体の第１薄膜層と、前記面上に設けられる基板の屈折率より低い屈折率である透明誘電体の第２薄膜層と、最外層に透明導電体のＳｎＯ２の含有率を２０重量％以上とするＩＴＯからなる第３薄膜層との少なくとも３層を有する導電性多層反射防止膜により構成される透明タッチパネルを表示装置面側に備え、前記透明タッチパネルを押圧して得られる制御信号を処理する制御回路とからなることを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜について、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の第１の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜の積層構成を示す概念図である。
１は透明の基板である。基板１は通常に入手できるものであればよく、屈折率は１．４８以上１．７以下程度のものを使用する。具体的に、基板材料としてはガラス類（屈折率１．４８〜１．７０）、プラスチック類（ポリカーボネイト（届折率１．５９）、ポリエチレンテレフタラート（屈折率１．６６）等）が用いられ、光学的に透明であれば特に限定されない。
２は基板１上に多層膜の成膜前に事前に形成される薄膜層である。この薄膜層２は、多層膜を成膜する前に基板１にコートをすることにより、基板１の表面を硬化させ、傷等から保護するためや、基板１と多層膜との間の密着力を上げるために形成される層である（以下、アンダーコート層と記す）。一般的に、アンダーコート層２においては、基板１の表面を保護するとともに、基板１と多層膜との間の密着力を上げることが可能なハードコートがよく利用される。
また、基板１にアンダーコート層２を形成しないで、基板１上に直接多層膜を成膜することも可能であるが、前述したように多層膜の保護や密着力向上のために、基板１上に事前にハードコート等のアンダーコート処理を行なっておくことが好ましい。また、ハードコートではなく、単に基板１と多層膜との間での密着力向上のために真空蒸着等にて基板にアンダーコートを行なうこともある。
何れの場合においても、アンダーコートの膜厚は光学的な阻害が起こらない程度の膜厚であることが好ましい。また、基板１の裏側（多層膜を形成しない側）にも反射防止膜のコートを施すことで、さらに透過率を向上させることもできる。
３はアンダーコート層２上に積層され、基板１の屈折率よりも高い屈折率をもつ透明誘電体の第１薄膜層である。第１薄膜層に使用される透明誘電体は、使用する基板１に応じて適宜選択されるが、基板１の屈折率よりも高い屈折率が必要なため、基板１の最低屈折率１．４８より高い必要がある。また同時に、安価に入手可能でかつ安定した成膜が確認されているものが好ましいため、それらを考慮して屈折率が１．５０以上２．５０以下程度の範囲のものが使用される。具体的には、第１薄膜層３の主成分にはＺｒＯ２（屈折率１．９）や、ＴｉＯ２（屈折率２．２）、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６）等が挙げられる。第１薄膜層３の光学的膜厚ｎｄ（以後、単に膜厚と記す）は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。さらに成膜の際の膜厚制御を考慮するとλ／４以上が好ましく、生産性を考慮するとλ以下が好ましい。また、膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４は第１薄膜層３上に積層され、基板１の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明誘電体の第２薄膜層である。第２薄膜層４に使用される透明誘電体は、使用する基板１に応じて適宜選択されるが、基板１の屈折率よりも低い屈折率が必要なため、基板１の最高屈折率１．７０より低くする必要がある。また同時に、安価に入手可能でかつ安定した成膜が確認されているものが好ましいため、それらを考慮して屈折率が屈折率１．３５以上１．６０以下程度の範囲のものが使用される。具体的には、第２薄膜層４の主成分にはＳｉＯ２（屈折率１．４６）やＭｇＦ２（屈折率１．３８）が挙げられる。また、第２薄膜層４の膜厚は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
５は第２薄膜層４上に積層され、最外層となる導電性を有する第３薄膜層である。第３薄膜層５の透明導電体にはＩＴＯやＡＴＯ、ＳｈＯ２、ＩｎとＺｎの混合材料等が挙げられる。第３薄膜層５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合には膜厚を薄くすればよい。
使用目的に応じて表面抵抗値を適宜決定すれば良いが、電気光学素子用、光電変換素子用、液晶用、タッチパネル用等に用いるのであれば、好ましくは表面抵抗値が１００Ω／□以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００Ω／□以上１０００Ω／□以下である。
また、表面抵抗値と対応する第３層５の膜厚は１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
また、各層の最適な膜厚は以下の方法により決定される。
初めに、用途に応じて必要な表面抵抗値が得られるような最外層（ここでは第３薄膜層５）の膜厚を決定させておく。次に第１薄膜層３、第２薄膜層４に使用する材料の屈折率を固定値とし、最適化アルゴリズムを用いながら第１薄膜層３、第２薄膜層４の物理膜厚を変化させていく。このような手法により最も高い透過率若しくは最も低い反射率が得られるような第１薄膜層３、第２薄膜層４の膜厚を求める。最適化アルゴリズムは例えば、Ａｄａｐｔｉｖｅ　Ｒａｎｄｏｍ　ＳｅａｒｃｈやＭｏｄｉｆｉｅｄ　Ｇａｒｄｉｅｎｔ、Ｍｏｎｔｅ　Ｃａｒｉｌｏ　ｍｅｔｈｏｄ、Ｓｉｍｕｒａｔｅｄ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ等、メリット関数を使用した様々な最適化手法を基に与えられる。本実施の形態では、特性マトリクスによって得られた分光特性と式１に示す等色関数
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とを考慮することにより得られる三刺激値のＹ（視感反射率）の値が最小となるように、第１薄膜層３、第２薄膜層４、の膜厚を決定した。ここではトライ　アンド　エラーにより、最適化を行うため最小値とならない場合もある。しかしながら、本発明の多層反射防止膜付透明基板においては、その性能が極めて優れているため、視感反射率の値が最小値から０．２〜０．３程度離れた値を略最小値として第１薄膜層３、第２薄膜層４、の膜厚を決定しても、従来の多層反射防止膜付透明基板に比べて十分優れた透過性を有する。
上記で示した第１薄膜層３、第２薄膜層４、第３薄膜層５からなる多層膜を基板１上に形成する方法としては、物理的気層成長方法（ＰＶＤ）では熱蒸着方法やスパッタ方法、イオンプレーティング方法等が挙げられる。また、化学的気層成長方法（ＣＶＤ）ではめっき方法や化学的気層成長方法等が挙げられる。これらの成膜方法は本実施の形態としてすべて使用可能であるが、成膜に際して高温を伴うような方法では熱によるプラスチック基板の変形等が考えられるため、プラスチック基板での多層膜の成膜は高熱を必要としない真空蒸着方法やスパッタ方法が好適に用いられる。
また、真空蒸着方法やスパッタリング方法にて膜厚制御をする場合には、蒸着機に設けた光学膜厚計を使用し、光電測光法にて制御するのが簡単で実用的である。この光電測光法はチョッピングされた光（単色光）をモニタ硝子に照射し、反射光を膜厚計に入射させて、光量変化を検出する方法である。
光量変化は基板上に形成される膜厚によって変化し、光学膜厚（ｎｄ）＝λ／４の時、単色光の波長で反射光が最大（最小）となる。反射光が増大する場合は基板の屈折率に対して蒸着する膜の屈折率が高い場合であり、反射光が減少する場合はその逆となる。このため膜厚をλ／４にて制御することは膜厚計によって測定される反射光の最大値（最小値）を見ておればよいため、簡単である。
しかしながら、本発明の場合、使用目的に応じて最外層の透明導電体の膜厚を決定させておき、多層膜における視感透過率が最大値を得られるように（視感反射率が最小値を得られるように）基板上に積層する各薄膜層における光学膜厚を各々変化させて最適化させるため、必ずしも光学膜厚がλ／４やその整数倍とはならない。
また、薄膜の屈折率は蒸着機内の状況や、材料の加熱状況により微妙に変化するため、反射光の最大値（最小値）の発生位置（時間）も変化する。このためλ／４未満の膜厚で制御しようとすると、λ／４で発生する反射光の最大値（最小値）の発生位置を経験等から予想しておいて膜厚制御を行うこととなる。このため、特に第１薄膜層３の光学膜厚は、λ／４を超えてから制御を行うことが好ましい。また、第１薄膜層３とアンダーコート層２を合せてλ／４以上の光学膜厚を形成することはさらに好ましい。
また、表１、表２に３層の多層膜を成膜する際に、膜厚制御を考慮しない場合の最適な膜厚構成と、膜厚制御を考慮した場合（第１層目の膜厚をｎｄ＞λ／４とする）の最適な膜厚構成とを示す。ただし、基板はポリカーボネイト（屈折率１．５９）とし、ＩＴＯの膜厚は表面抵抗値が６００Ω／□（表１）、５５０Ω／□（表２）程度となるように定めた。
【表１】
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【表２】
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上記のように、膜厚制御を考慮せず最適な膜厚を各々求めた方が、若干視感反射率は良い。しかしながら、体感的にはこの程度の差は無視できる。また、このように第１薄膜層３と第２薄膜層４の各膜厚を各々変えて最適化を行うことで、表面抵抗値が２５０Ω／□〜７５０Ω／□程度の範囲では理論値における視感反射率が１％未満となった。また、この時の透過率は９０％を超えており、非常に高性能を有する多層反射防止膜付透明基板が得られた。さらに表１、表２に示すように視感反射率が０．６〜０．７付近であるため、従来の多層反射防止膜付透明基板に比べ０．５程度の差が出ているものと思われる。
したがって、０．２〜０．３程度の視感反射率の損失を許容することが十分可能であるため、例えば膜の保護処理等を従来の多層反射防止膜付透明基板に比べ、より多く行うことができる。
また、第１薄膜層３とアンダーコート層２との間に、基板１の屁折率よりも低い屈折率の薄膜層を積層して（膜厚は最適化アルゴリズムにて決定しておく）合計４層の多層膜としても本実施の形態の効果と同様である。
さらに、上記で示した最外層（ここでは第３薄膜層５）の導電体にＩＴＯを使用する場合、ＩＴＯにおける酸化錫（ＳｎＯ２）の含有率を調整することにより、多層反射防止膜付基板における耐久性を向上させることができる。
ＩＴＯに添加されるＳｎＯ２の量（含有率）は、従来は５重量％ほどであるが、これは比抵抗が最も良く、高透過率が得られ易いとされているからである。本実施の形態では、ＳｎＯ２の含有率を多くすることにより比抵抗を悪くしておき、所望する抵抗値を得るためのＩＴＯの膜厚を厚くすることにより高耐久性を持たせる。高耐久性を持たせるためのＩＴＯにおけるＳｎＯ２の含有率は、好ましくは２０重量％以上３０重量％以下であり、さらに好ましくは２０重量％以上２５重量％以下である。
また、ＩＴＯに含有するＳｎＯ２の量が３０重量％を超えても耐久性は良くなるが、指向性が悪くなるとともに、所望する抵抗値を得るためのＩＴＯの膜厚制御が難しくなる。
＜実施例１＞
ハードコート付きポリカーボネイト基板（屈折率１．５９）を用意し、基板表面の汚れをとるために超音波洗浄機で洗浄する。基板を乾燥させた後、真空蒸着装置に基板を投入し、排気を行なう。排気を始めてから基板への成膜完了後リークするまで、装置内のマイクロヒーター、ハロゲンヒーターは１３０℃で加熱を行なう。マイクロヒーター、ハロゲンヒーターは共に基板の加熱を行なう。また、装置内には予め、第１薄膜層から第３薄膜層までの成膜用の薬品を準備しておく。
加熱を始めてから約１時間後、成膜を開始する。装置内に予め設置しておいた第１薄膜層蒸着用の薬品（オプトロン社製ＺｒＯ２タブレット）を使用し、アンダーコート層であるハードコート上に第１薄膜層としてＺｒＯ２を主成分とする薄膜層を形成する。蒸着時間は約３分３０秒、膜厚は１４０ｎｍとした。
次に、第２薄膜層蒸着用の薬品（オプトロン社製ＳｉＯ２ザラメ）を使用し、第１薄膜層上に第２薄膜層としてＳｉＯ２を主成分とする薄膜層を形成する。蒸着時間は約５分、膜厚は８０ｎｍとした。
次に、第３薄膜層蒸着用の薬品（オプトロン社製ＩＴＯタブレット）を使用し、第３薄膜層としてＩＴＯを主成分とする薄膜層を形成する。第３薄膜層の薄膜層を形成している間はプラズマ処理（ＲＦ処理）を行なっておく。膜厚は３５ｎｍとした。
このようにして得られた導電性を有する多層反射防止膜を徐冷し、試料とした。この試料の可視光透過率を分光光度計により測定した。その結果を第２図、第１１図に示す。点線が成膜前の基板の透過率、実線が成膜後の透過率を表している。図に示すように波長５３０ｎｍにてピークを持ち、５５０ｎｍでの透過率は９４．５％を示した。また、朝日分光社製　視感度透過率計ＭＯＤＥＬ３０４を用いて光源の視感度に対する透過率の測定を行なった。得られた視感透過率は９３．５％であった。また、表面抵抗値は５５０Ω／□を示した。
＜実施例２＞
実施例１と同一基板（ハードコート済ポリカーボネイト）を真空蒸着装置に投入後、第１薄膜層としてＴｉＯ２を主成分とする薄膜層を形成する。蒸着時間は４分、膜厚は６５ｎｍであった。また、第２薄膜層としてＳｉＯ２を主成分とする薄膜層を形成し、その膜厚を１１５ｎｍとした。第３薄膜層はＩＴＯを主成分とする薄膜層を形成し、その膜厚を３０ｎｍとして成膜を行なった。
このようにして得られた導電性を有する多層反射防止膜の透過率を第３図、第１２図に示す。これらの図に示すように波長５４０ｎｍにてピークを持ち、５５０ｎｍでの透過率は９４．５％を示し、視感透過率は９３．５％であった。また、表面抵抗値は５５０Ω／□を示した。
＜実施例３＞
実施例１と同一基板（ハードコート済ポリカーボネイト）を真空蒸着装置に投入後、第１薄膜層としてＴｉＯ２を主成分とする薄膜層を形成する。蒸着時間は４分、膜厚は２０４ｎｍであった。また、第２薄膜層としてＳｉＯ２を主成分とする薄膜層を形成し、その膜厚を６２ｎｍとした。第３薄膜層はＩＴＯを主成分とする薄膜層を形成し、その膜厚を３０ｎｍとして成膜を行なった。
視感透過率は９４．５％であった。また、表面抵抗値は５５０Ω／□を示した。
＜実施例４＞
実施例４では、ＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の量を種々変えることによる多層反射防止膜付基板の耐久性の変化を検討した。実施例１と同一基板（ハードコート済ポリカーボネイト）、第１薄膜層としてＺｒＯ２を主成分とする薄膜層、第２薄膜層はＳｉＯ２を主成分とする薄膜層、第３薄膜層としてＩＴＯを主成分とする薄膜層を形成した。このとき第３薄膜層のＩＴＯに含まれるＳｎＯ２の含有率を、それぞれ５重量％、１０重量％、２０重量％、２５重量％、３０重量％と変化させ成膜を行った。ＩＴＯの膜厚は、抵抗値が３００Ω／□前後の値が得られる膜厚とし、第１薄膜層、第２薄膜層の膜厚は前述した最適化アルゴリズムを用いて決定した。
耐久テストは成膜の完了した多層反射防止膜付基板の最上面を、一定の荷重にてポリアセタール製のペン先で同じ場所を往復摺動させ、性能劣化を確認するペン摺動試験にて行った。ペン摺動試験は２５０ｇ荷重にて１０万回往復摺動を行なった後、リニアリティ変化率と目視にて白濁線の確認とを行った。その結果を表３に示す。表中に「Ｌｉｎ変化」とあるのは、リニアリティ変化率を意味する。
また、表中「白濁」の評価において「○」は白濁線が全く表れない場合、「△」は薄い白濁線が表れた場合、「×」は白濁線が明確に表れた場合を示している
【表３】
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表３に示すようにＩＴＯにおいてＳｎＯ２の含有率が５重量％のときは、２５０ｇ、１０万回後のリニアリティ変化率が４０％台後半と極めて劣化しているのに対し、２０〜３０重量％ではリニアリティ変化率が１％台と非常によい耐久性を示した。また、ＳｎＯ２の含有率が２０以上３０重量％以下のときの視感度透過率９２％〜９３％台となり高透過率を示した。
＜比較例１＞
実施例１と同一基板を真空蒸着装置に投入後、基板に第１薄膜層としてＩＴＯのみを光学膜厚で４０ｎｍ成膜した。この結果、得られた導電性を有する多層反射防止膜の透過率を第４図に示す。図に示すように波長５５６ｎｍでの透過率は８６．６％を示し、視感透過率は８９．６％であった。また、表面抵抗値は５５０Ω／□を示した。
＜比較例２＞
実施例１と同一基板を使用し、第３薄膜層にはＩＴＯの薄膜を膜厚３０ｎｍとして、第１薄膜層の膜厚がλ／４（ただしλ＝５００ｎｍ）、第２薄膜層と第３薄膜層を合せた膜厚がλ／４になるように調整したときの透過率（理論値）と、導電膜である第３薄膜層の膜厚を同様に決定させた状態にて最適化アルゴリズムを使用して第１薄膜層と第２薄膜層の膜厚を決定させたときの透過率（理論値）を求めた。
その結果を第１３図に示す。曲線（ａ）は膜厚をλ／４とした場合、曲線（ｂ）は最適化アルゴリズムを使用した場合の透過率を示す。第１薄膜層はＴｉＯ２を使用し、曲線（ａ）での膜厚は１２５ｎｍ、曲線（ｂ）での膜厚は６５ｎｍである。第２薄膜層はＳｉＯ２を使用し、曲線（ａ）での膜厚は９５ｎｍ、曲線（ｂ）での膜厚は１１５ｎｍである。
以上のように、実施例１、２のように薄膜層を形成する主成分を変えても、このような膜構成を用いることで、表面抵抗値５５０Ω／□を確保しながら波長５５０ｎｍでの透過率は９４．５％を得ることができ、ガラス基板に比べ透過率の悪いプラスチック基板であるにもかかわらず、非常に高い透過率が得られた。また、実施例１、２、３のような膜構成でない比較例１では、波長５５０ｎｍでの透過率が８６．６％と低い透過率であった。
一般的に反射防止膜を形成する場合、最外層は低屈折率の薄膜層にし、かつ形成する層の膜厚はλ／２膜、λ／４膜等とすることが解析的、経験的に知られている。しかしながらタッチパネル等に使用する多層膜では、導電性を有する薄膜を最外層に成膜することが必須となり、その膜厚は用途に応じて決定される。
比較例２のような場合、曲線（ａ）のように第２薄膜層と第３薄膜層との膜厚の関係が定義されてしまうと、第３薄膜層に形成される膜厚によっては思うような透過率が出ないことが多い。本発明では、各層の膜厚をλ／２膜、λ／４膜等に限ることなく、各層の屈折率、第３層（最外層）にて決定される膜厚の範囲を基に最適化アルゴリズムにて算出された各層の膜厚にて多層膜を形成することにより、従来に比べ格段に透過率の良い反射防止膜を得ることが見出された。
（第２の実施の形態）
以下、第２の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルについて、図面を参照しながら説明する。
第５図は、本発明の第２の実施の形態における導電性多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。本実施の形態における導電性多層反射防止膜は、第１の実施の形態の第１図で説明した第１薄膜層３、第２薄膜層４および第３薄膜層５からなる少なくとも３層の多層膜と同一（以下、少なくとも第１薄膜層３、第２薄膜層４および第３薄膜層５からなる多層膜を総称して、「導電性多層反射防止膜」と記す。）であるので、詳細な説明は省略する。
図において、２１は透明の透明固定基板で、その下面に製造時に透明固定基板２１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした透明固定基板側ハードコート膜２２を備えている。具体的に、透明固定基板２１の材料としてはポリカーボネイト等が用いられ、その厚さは約１．０ｍｍである。
２３は透明固定基板２１の上面に設けられた主成分をアクリルとする透明固定基板側アンダーコート層である。この透明固定基板側アンダーコート層２３は、多層膜を成膜する前に透明固定基板２１にコートすることにより、透明固定基板２１の表面を硬化させ傷等から守るためや、透明固定基板２１と後述する多層反射防止膜との間の密着力を上げるために形成される層である。この透明固定基板側アンダーコート層２３は、透明固定基板２１の表面を保護するとともに、透明固定基板２１と多層反射防止膜との間の密着力を上げることが可能なハードコートを用いる。
また、透明固定基板２１に透明固定基板側アンダーコート層２３を形成しないで、透明固定基板２１上に直接多層反射防止膜を成膜することもあるが、前述したように多層反射防止膜の保護や密着力向上のために、透明固定基板２１上に事前にハードコート等のアンダーコート処理を行なっておくことが望ましい。また、ハードコートでなく、単に透明固定基板２１と多層反射防止膜との間での密着力向上のために真空蒸着法等にて透明固定基板２１にアンダーコートを行うこともある。
何れの場合においても、アンダーコートの膜厚は光学的な阻害が起こらない程度の膜厚であることが好ましい。
３は透明固定基板側アンダーコート層２３上に積層され、透明固定基板２１の屈折率よりも高い屈折率をもつ透明透明誘電体の第１薄膜層である。第１薄膜層３に使用される透明誘電体は、使用する透明固定基板２１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．５０以上２．５０以下の範囲のものが使用される。具体的には、第１薄膜層３の主成分にはＺｒＯ２（屈折率１．９０）や、ＴｉＯ２（屈折率２．２０）、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６０）等が挙げられる。
第１薄膜層３の膜厚は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。さらに成膜の際の膜厚制御を考慮するとλ／４以上が好ましく、生産性を考慮するとλ以下が好ましい。また、膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４は第１薄膜層３上に積層され、透明固定基板２１の屈折率よりも低い屈折率を持つ透明誘電体の第２薄膜層である。第２薄膜層４に使用される透明誘電体は、使用する透明固定基板２１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．３５以上１．６以下のものが使用される。具体的には、第２薄膜層４の主成分にはＳｉＯ２（屈折率１．４６）やＭｇＦ２（屈折率１．３８）が挙げられる。また、第２薄膜層４の膜厚は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
５は第２薄膜層４の上面の最外層に積層された導電性を有する第３薄膜層である。第３薄膜層５の主成分にはＩＴＯやＡＴＯ、ＦＡＴＯ等が挙げられる。第３層薄膜５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合は膜厚を薄くすればよい。使用目的に応じて表面抵抗値を適宜選択すれば良いが、好ましくは表面抵抗値が１００以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００以上１０００Ω／□以下である。また、表面抵抗値と対応する第３層５の膜厚は２０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０以上３００ｎｍ以下である。
これら少なくとも第１薄膜層３、第２薄膜層４および第３薄膜層５とにより、導電性反射防止膜３１を構成するものである。
４１は絶縁層４２を介して導電性反射防止膜３１に離間して対向するように設けられた透明の透明可撓性基板で、その上面にペンまたは指での押圧時に透明可撓性基板４１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした鉛筆硬度３Ｈ程度の透明可撓性基板側ハードコート膜４３を備えている。具体的に、透明可撓性基板４１の材料としてはポリエチテンテレフタレート等が用いられ、その厚さは約０．１７５ｍｍである。
４４は透明可撓性基板４１の下面に設けられた主成分をアクリルとする透明可撓性基板側アンダーコート層である。この透明可撓性基板側アンダーコート層４４は、薄膜を成膜する前に透明可撓性基板４１にコートすることにより、透明可撓性基板４１の表面を硬化させ傷等から守るためや、透明可撓性基板４１と後述する薄膜との間の密着力を上げるために形成される層である。
４５は透明可撓性基板側アンダーコート層４４の最下層に設けられた透明導電体の第４薄膜層である。第４薄膜層４５の主成分にはＩＴＯやＡＴＯ、ＦＡＴＯ等が挙げられる。第４層薄膜４５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合は膜厚を薄くすればよい。使用目的に応じて表面抵抗値を適宜選択すれば良いが、好ましくは表面抵抗値が１００以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００以上１０００Ω／□以下である。また、表面抵抗値と対応する第４薄膜層４５の膜厚は１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０以上３００ｎｍ以下である。
５１は第４薄膜層４５と導電性反射防止膜３１の第３薄膜層５とを電気的に接続するとともに、後述する外部回路５２と電気的に接続する銀ペーストにより形成された接続手段である。この接続手段５１と電気的に接続される外部回路５２は、フレキシブル配線板５３に所望の配線パターン５４を備えてものである。
以上のように構成された透明タッチパネルについて、以下にその動作を説明する。
透明可撓性基板側ハードコート層４３の上方をペンまたは指で押圧すると、その押圧力が透明可撓性基板４１および導電性反射防止膜３１に伝達される。その際、透明可撓性基板４１の最外層の第４薄膜層４５と導電性反射防止膜３１の第３薄膜層５とが接触する。接触すると、第４薄膜層４５および第３薄膜層５のそれぞれの両端に印加された電圧を押圧した位置の電圧比率として外部回路５２に出力し、所望の制御信号を生成するものである。
なお、本実施の形態の透明可撓性基板４１は、接着層による貼付られた少なくとも２枚のフィルムにより構成することにより、外力による損傷等に対する保護できるため、信頼性が向上するという効果を奏するものである。
（第３の実施の形態）
以下、第３の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルについて、図面を参照しながら説明する。
第６図は、本発明の第３の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。ここで、第２の実施の形態の第５図と同一構成要素は同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
第６図において、２１は透明の透明固定基板で、その下面に製造時に透明固定基板２１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂としたハードコート膜２２を備えている。具体的に、透明固定基板２１の材料としてはポリカーボネイト等が用いられ、その厚さは約１．０ｍｍである。
２３は透明固定基板２１の上面に設けられた主成分をアクリルとする透明固定基板側アンダーコート層である。この透明固定基板側アンダーコート層２３は、薄膜層を成膜する前に透明固定基板２１にコートすることにより、透明固定基板２１の表面を硬化させ傷等から守るためや、透明固定基板２１と後述する薄膜層との間の密着力を上げるために形成される層である。
５は透明固定基板側アンダーコート層２３の最上層に設けられた透明導電体の第３薄膜層である。第３薄膜層５の主成分にはＩＴＯやＡＴＯ、ＦＡＴＯ等が挙げられる。第３層薄膜５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合は膜厚を薄くすればよい。使用目的に応じて表面抵抗値を適宜選択すれば良いが、好ましくは表面抵抗値が１００以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００以上１０００Ω／□以下である。また、表面抵抗値と対応する第３薄膜層５の膜厚は１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０以上３００ｎｍ以下である。
４１は絶縁層４２を介して第３薄膜層５に離間して対向するように設けられた透明の透明可撓性基板で、その上面にペンまたは指での押圧時に透明可撓性基板４１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした鉛筆硬度３Ｈ程度の透明可撓性基板側ハードコート膜４３を備えている。具体的に、透明可撓性基板４１の材料としてはポリエチテンテレフタレート等が用いられ、その厚さは約０．１７５ｍｍである。
４４は透明可撓性基板４１の下面に設けられた主成分をアクリルとする透明可撓性基板側アンダーコート層である。この透明可撓性基板側アンダーコート層４４は、薄膜を成膜する前に透明可撓性基板４１にコートすることにより、透明可撓性基板４１の表面を硬化させ傷等から守るためや、透明可撓性基板４１と後述する薄膜との間の密着力を上げるために形成される層である。一般的に、透明可撓性基板側アンダーコート層４４においては、透明可撓性基板４１の表面を保護するとともに、透明可撓性基板４１と多層反射防止膜との間の密着力を上げることが可能なハードコートがよく利用される。
また、透明可撓性基板４１に透明可撓性基板側アンダーコート層４４を形成しないで、透明可撓性基板４１上に直接多層反射防止膜を成膜することも可能であるが、前述したように多層反射防止膜の保護や密着力向上のために、透明可撓性基板４１上に事前にハードコート等のアンダーコート処理を行っておくことが望ましい。また、ハードコートでなく、単に透明可撓性基板４１と多層反射防止膜との間での密着力向上のために真空蒸着法等にて透明可撓性基板４１にアンダーコートを行うこともある。
何れの場合においても、アンダーコートの膜厚は光学的な阻害が起こらない程度の膜厚であることが好ましい。
４６は透明可撓性基板側アンダーコート層４４の下面に積層され、透明可撓性基板４１の屈折率よりも高い屈折率をもつ透明透明誘電体の第６薄膜層である。第６薄膜層４６に使用される透明誘電体は、使用する透明可撓性基板４１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．５０以上２．５０以下の範囲のものが使用される。具体的には、第６薄膜層４６の主成分にはＺｒＯ２（屈折率１．９０）や、ＴｉＯ２（屈折率２．２０）、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６０）等が挙げられる。
第６薄膜層４６の膜厚は１０以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０以上５５０ｎｍ以下である。さらに成膜の際の膜厚制御を考慮するとλ／４以上が好ましく、生産性を考慮するとλ以下が好ましい。また、膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４７は第６薄膜層４６の下面に積層され、透明可撓性基板４１の屈折率よりも低い屈折率を持つ透明誘電体の第５薄膜層である。第５薄膜層４７に使用される透明誘電体は、使用する透明可撓性基板４１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．３５以上１．６以下のものが使用される。具体的には、第５薄膜層４７の主成分にはＳｉＯ２（屈折率１．４６）やＭｇＦ２（屈折率１．３８）が挙げられる。また、第５薄膜層４７の膜厚は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４５は第５薄膜層４７の下面の最外層に積層された導電性を有する第４薄膜層である。第４薄膜層４５の主成分にはＩＴＯやＡＴＯ、ＦＡＴＯ等が挙げられる。第４層薄膜４５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合は膜厚を薄くすればよい。使用目的に応じて表面抵抗値を適宜選択すれば良いが、好ましくは表面抵抗値が１００以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００以上１０００Ω／□以下である。また、表面抵抗値と対応する第４層４５の膜厚は１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０以上３００ｎｍ以下である。
これら少なくとも第４薄膜層４５、第５薄膜層４７および第６薄膜層４６とにより、第２の導電性反射防止膜６１を構成するものである。
５１は第２の導電性反射防止膜６１の第４薄膜層４５と第３薄膜層５とを電気的に接続するとともに、後述する外部回路５２と電気的に接続する銀ペーストにより形成された接続手段である。この接続手段５１と電気的に接続される外部回路５２は、フレキシブル配線板５３に所望の配線パターン５４を備えてものである。
以上のように構成された透明タッチパネルについて、以下にその動作を説明する。
透明可撓性基板側ハードコート層４３の上方をペンまたは指で押圧すると、その押圧力が第２の導電性反射防止膜６１および透明固定基板２１に伝達される。その際、透明固定基板２１の最外層の第３薄膜層５と第２の導電性反射防止膜６１の第４薄膜層４５とが接触する。接触すると、第４薄膜層４５および第３薄膜層５のそれぞれの両端に印加された電圧を押圧した位置の電圧比率として外部回路５２に出力し、所望の制御信号を生成するものである。
（第４の実施の形態）
以下、第４の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルについて、図面を参照しながら説明する。
第７図は、本発明の第４の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
本実施の形態における透明タッチパネルは、第２の実施の形態の第５図で説明した「透明可撓性基板４１」を、第３の実施の形態の第６図で説明した「第２の導電性反射防止膜６１を備えた」もので、それ以外の構成要素は第２の実施の形態の第５図と同一である。
本実施の形態の説明は、第２の実施の形態の第５図で説明したものと相違する「絶縁層４２を介して導電性反射防止膜３１に離間して対向するように設けられた透明の透明可撓性基板４１」に関連する構成要素のみ説明し、それ以外の説明は省略する。
第４図において、４１は絶縁層４２を介して導電性反射防止膜３１に離間して対向するように設けられた透明の透明可撓性基板で、その上面にペンまたは指での押圧時に透明可撓性基板４１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした鉛筆硬度３Ｈ程度の透明可撓性基板側ハードコート膜４３を備えている。具体的に、透明可撓性基板４１の材料としてはポリエチテンテレフタレート等が用いられ、その厚さは約０．１７５ｍｍである。
４４は透明可撓性基板４１の下面に設けられた主成分をアクリルとする透明可撓性基板側アンダーコート層である。この透明可撓性基板側アンダーコート層４４は、薄膜を成膜する前に透明可撓性基板４１にコートすることにより、透明可撓性基板４１の表面を硬化させ傷等から守るためや、透明可撓性基板４１と後述する薄膜との間の密着力を上げるために形成される層である。一般的に、透明可撓性基板側アンダーコート層４４においては、透明可撓性基板４１の表面を保護するとともに、透明可撓性基板４１と多層反射防止膜との間の密着力を上げることが可能なハードコートがよく利用される。
また、透明可撓性基板４１に透明可撓性基板側アンダーコート層４４を形成しないで、透明可撓性基板４１上に直接多層反射防止膜を成膜することも可能であるが、前述したように多層反射防止膜の保護や密着力向上のために、透明可撓性基板４１上に事前にハードコート等のアンダーコート処理を行なっておくことが望ましい。また、ハードコートでなく、単に透明可撓性基板４１と多層反射防止膜との間での密着力向上のために真空蒸着法等にて透明可撓性基板４１にアンダーコートを行なうこともある。
何れの場合においても、アンダーコートの膜厚は光学的な阻害が起こらない程度の膜厚であることが好ましい。
４６は透明可撓性基板側アンダーコート層４４の下面に積層され、透明可撓性基板４１の屈折率よりも高い屈折率をもつ透明透明誘電体の第６薄膜層である。第６薄膜層４６に使用される透明誘電体は、使用する透明可撓性基板４１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．５０以上２．５０以下の範囲のものが使用される。具体的には、第６薄膜層４６の主成分にはＺｒＯ２（屈折率１．９０）や、ＴｉＯ２（屈折率２．２０）、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６０）等が挙げられる。第６薄膜層４６の膜厚は１０以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０以上５５０ｎｍ以下である。さらに成膜の際の膜厚制御を考慮するとλ／４以上が好ましく、生産性を考慮するとλ以下が好ましい。また、膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４７は第６薄膜層４６の下面に積層され、透明可撓性基板４１の屈折率よりも低い屈折率を持つ透明誘電体の第５薄膜層である。第５薄膜層４７に使用される透明誘電体は、使用する透明可撓性基板４１に応じて適宜選択されるが、屈折率１．３５以上１．６以下のものが使用される。具体的には、第５薄膜層４７の主成分にはＳｉＯ２（屈折率１．４６）やＭｇＦ２（屈折率１．３８）が挙げられる。また、第２薄膜層４の膜厚は１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。膜厚がこれ以上薄くても厚くても、反射防止効果が得られにくい。
４５は第５薄膜層４７の下面の最外層に積層された導電性を有する第４薄膜層である。第４薄膜層４５の主成分にはＩＴＯやＡＴＯ、ＦＡＴＯ等が挙げられる。第４層薄膜４５の膜厚により表面抵抗値が決定されるため、表面抵抗値を低抵抗値に設定する場合には膜厚を厚く、高抵抗値にする場合は膜厚を薄くすればよい。使用目的に応じて表面抵抗値を適宜選択すれば良いが、好ましくは表面抵抗値が１００以上５０００Ω／□以下であり、より好ましくは１００以上１０００Ω／□以下である。また、表面抵抗値と対応する第４層４５の膜厚は１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０以上３００ｎｍ以下である。
これら少なくとも第４薄膜層４５、第５薄膜層４７および第６薄膜層４６とにより、第２の導電性反射防止膜６１を構成するものである。
５１は第２の導電性反射防止膜６１の第４薄膜層４５と第３薄膜層５とを電気的に接続するとともに、後述する外部回路５２と電気的に接続する銀ペーストにより形成された接続手段である。この接続手段５１と電気的に接続される外部回路５２は、フレキシブル配線板５３に所望の配線パターン５４を備えてものである。
以上のように構成された透明タッチパネルについて、以下にその動作を説明する。
透明可撓性基板側ハードコート層４３の上方をペンまたは指で押圧すると、その押圧力が第２の導電性反射防止膜６１および第１の導電性反射防止膜３１に伝達される。その際、第１の導電性反射防止膜３１の最外層の第３薄膜層５と第２の導電性反射防止膜６１の第４薄膜層４５とが接触する。接触すると、第４薄膜層４５および第３薄膜層５のそれぞれの両端に印加された電圧を押圧した位置の電圧比率として外部回路５２に出力し、所望の制御信号を生成するものである。
（第５の実施の形態）
以下、第５の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルについて、図面を参照しながら説明する。
第８図は、本発明の第５の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
本実施の形態における透明タッチパネルは、第２の実施の形態の第５図で説明した「透明固定基板側ハードコート層２２および透明可撓性基板側ハードコート層４３のそれぞれ基板を有する面と反対側の面に、反射防止膜を備えた」もので、それ以外の構成要素は第２の実施の形態の第５図と同一である。
本実施の形態の説明は、第２の実施の形態の第５図で説明したものと相違する「透明固定基板側ハードコート層２２および透明可撓性基板側ハードコート層４３のそれぞれ基板を有する面と反対側の面に、反射防止膜を備えた」に関連する構成要素のみ説明し、それ以外の説明は省略する。
第８図において、２１は透明の透明固定基板で、その下面に製造時に透明固定基板２１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした透明固定基板側ハードコート膜２２を備えている。この透明固定基板側ハードコート膜２２の下面である透明固定基板２１の反対側の面に、第１の反射防止膜７１を備えている。この第１の反射防止防止膜７１、ＳｉＯ２とＴｉＯ２とを繰返して３層の層状として構成するものである。
また、４１は透明可撓性基板で、その上面にペンまたは指での押圧時に透明可撓性基板４１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした鉛筆硬度３Ｈ程度の透明可撓性基板側ハードコート膜４３を備えている。この透明可撓性基板側ハードコート膜４３の上面である透明可撓性基板４１の反対側の面に、第２の反射防止防止膜７２を備えている。この第２の反射防止膜７２、ＳｉＯ２とＴｉＯ２とを繰返して３層の層状として構成するものである。
本実施の形態では、反射防止膜を透明固定基板側ハードコート層２２および透明可撓性基板側ハードコート層４３のそれぞれ基板を有する面と反対側の面に設けたが、どちらか一方でも良い。
（第６の実施の形態）
以下、第６の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルについて、図面を参照しながら説明する。
第９図は、本発明の第６の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
本実施の形態における透明タッチパネルは、第２の実施の形態の第５図で説明した「透明可撓性基板４１と透明可撓性基板側ハードコート層４３との間に偏光板８１を備えた」もので、それ以外の構成要素は第２の実施の形態の第５図と同一である。
本実施の形態の説明は、第２の実施の形態の第５図で説明したものと相違する「透明可撓性基板４１と透明可撓性基板側ハードコート層４３との間に偏光板８１を備えた」に関連する構成要素のみ説明し、それ以外の説明は省略する。
４１は光の乱反射が少ないという複屈折率の低い環状オレフィン系フィルム（ＪＳＲ社製アートン）からなる透明可撓性基板で、その上面にペンまたは指での押圧時に透明可撓性基板４１のキズ等を保護する主成分をアクリル樹脂とした鉛筆硬度３Ｈ程度の透明可撓性基板側ハードコート膜４３を備えている。この透明可撓性基板４１と透明可撓性基板側ハードコート膜４３との間に、偏光板８１を備えている。この偏光板４１を有することにより、光線透過率を１／２にすることができ、透明タッチパネルの反射光も１／２以下にすることができる。
（第７の実施の形態）
以下、第７の実施の形態における透明タッチパネルを用いた電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態における電子機器としては、ハンドヘルドコンピュータを一例として説明する。
第１０図は、本発明の第７の実施の形態におけるハンドヘルドコンピュータの分解斜視図である。本実施の形態における透明タッチパネルは、第２の実施の形態〜６の第５図〜第９図で説明した何れかと同一であるので、その詳細な説明は省略する。
第１０図において、９１は上部ケース９２の下面に装着された透明タッチパネルである。
９３は透明タッチパネル９１の下方に配設された液晶表示装置である。
９４は液晶表示装置９３の下方に配設され、中央演算処理装置、記憶素子等の電子部品から構成された制御回路部である。９５は制御回路部９４へ電源を供給する電池である。
これらの部材が上部ケース９２と下部ケース９６により保持されており、透明タッチパネル４１と液晶表示装置４３は、それらの側部から導出された第１、第２フレキシブル配線板９７、９８により制御回路部９４と電気的に接続されている。
以上のように構成されたハンドヘルドコンピュータは、透明タッチパネル９１上面をペンまたは指で押圧することにより、ハンドヘルドコンピュータの動作に関わる中央演算処理装置、記憶素子を含む制御回路部９４は、電源のＯＮ／ＯＦＦ、ソフトウエアの選択、選択されたソフトウエアの機能などを動作させるように設定されており、液晶表示装置９３により各機能に対応した表示が施されるように構成されている。本実施の形態によれば、落下による衝撃や、携帯時の不測の過度な荷重による透明タッチパネルの破損が発生し難く、軽量であり、しかも文字、絵、図面、写真等複雑かつ大容量化する表示の視認性を大幅に向上でき、入力位置の検出直線性、入力耐久性が非常に優れた使い勝手のよいハンドヘルド・コンピュータを提供できるという効果を奏するものである。
産業上の利用可能性
以上の実施の形態に基づく説明から明らかなように、本発明によれば、透過率の悪いプラスチックの基板においても可視光透過率の良い導電性を有する多層反射防止膜、この多層反射防止膜を用いた透明タッチパネルおよびこの透明タッチパネルを用いた電子機器を提供できるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、膜の構成を示す概略断面図である。
第２図は、本発明の実施例１における透明基板に形成された膜の波長に対する透過率を示す図である。
第３図は、本発明の実施例２における透明基板に形成された膜の波長に対する透過率を示す図である。
第４図は、本発明の比較例１における透明基板に形成された膜の波長に対する透過率を示す図である。
第５図は、本発明の第２の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
第６図は、本発明の第３の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
第７図は、本発明の第４の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
第８図は、本発明の第５の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
第９図は、本発明の第６の実施の形態における導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルの断面図である。
第１０図は、本発明の第７の実施の形態におけるハンドヘルドコンピュータの分解斜視図である。
第１１図は、本発明の実施例１における透明基板に形成された膜の波長に対するピーク部周辺の透過率を示す図である。
第１２図は、本発明の実施例２における透明基板に形成された膜の波長に対するピーク部周辺の透過率を示す図である。
第１３図は、本発明の比較例２における透明基板に形成された膜の波長に対するピーク部周辺の透過率を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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