【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法により第１の基板上に第１のＴｉ膜を形成する工程と、
スパッタリング法により前記第１のＴｉ膜上に第１のＴｉＮ膜を形成する工程と、を有し、
前記第１のＴｉＮ膜を形成する工程は、ＴｉターゲットおよびＡｒ／Ｎ２の混合ガスによるスパッタリング法を用い、Ｎ２ガスの供給をＡｒガスの供給よりも先に停止するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法において、さらに、
スパッタリング法により前記第１のＴｉＮ膜上にＡｌ膜を形成する工程と、
スパッタリング法により前記Ａｌ膜上に前記第１のＴｉ膜と異なる第２のＴｉ膜を形成する工程と、
スパッタリング法により前記第２のＴｉ膜上に前記第１のＴｉＮ膜と異なる第２のＴｉＮ膜を形成する工程と、を有し、
前記第１のＴｉ膜、前記第１のＴｉＮ膜、前記Ａｌ膜、前記第２のＴｉ膜、前記第２のＴｉＮ膜からなる積層膜をフォトリソグラフィおよびドライエッチングによりパターニングすることでＡｌ配線を形成するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法において、
前記第２のＴｉＮ膜を形成する工程は、ＴｉターゲットおよびＡｒ／Ｎ２の混合ガスによるスパッタリング法を用い、Ｎ２ガスの供給をＡｒガスの供給よりも先に停止するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法において、さらに、
前記第２のＴｉＮ膜上に高誘電体膜を形成する工程と、
前記高誘電体膜上に金属膜を形成する工程と、を有し、
前記高誘電体膜、前記金属膜からなる積層膜をフォトリソグラフィおよびドライエッチングによりパターニングすることで容量素子を形成するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項５】
請求項２に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法は、第１の処理室、第２の処理室及び第３の処理室を有するスパッタ装置内で行われ、
前記第１のＴｉ膜と前記第１のＴｉＮ膜を前記第１の処理室で形成し、
前記Ａｌ膜を前記第１の処理室と異なる前記第２の処理室で形成し、
前記第２のＴｉ膜と前記第２のＴｉＮ膜を前記第１の処理室および前記第２の処理室と異なる前記第３の処理室で形成し、
前記第１の処理室で前記第１のＴｉＮ膜を形成した後、前記第１の基板を前記第１の処理室から搬出し、
前記第１の基板と異なる第２の基板を前記第１の処理室に搬入し、
前記第２の基板上に第３のＴｉ膜を形成し、
前記第３のＴｉ膜上に第３のＴｉＮ膜を形成し、
前記第３のＴｉＮ膜の形成は、ＴｉターゲットおよびＡｒ／Ｎ２の混合ガスによるスパッタリング法を用い、Ｎ２ガスの供給をＡｒガスの供給よりも先に停止するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法において、
前記第１のＴｉＮ膜を形成する際、Ｎ２ガスの供給をＡｒガスの供給よりも先に停止したことにより、前記第２の基板上に前記第３のＴｉ膜を形成する際、前記第１の処理室のＴｉターゲットの表面の窒化物がＡｒプラズマにより除去されているＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載のＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法は、第１の処理室を有するスパッタ装置で行われ、
前記第１のＴｉＮ膜を形成後、前記第１の基板を前記第１の処理室から搬出し、
前記第１の基板と異なる第２の基板を前記第１の処理室に搬入し、
前記第２の基板上に第２のＴｉ膜を形成し、
前記第２のＴｉ膜上に第２のＴｉＮ膜を形成し、
前記第２のＴｉＮ膜を形成する際、Ｎ２ガスの供給をＡｒガスの供給よりも先に停止するＴｉ／ＴｉＮ積層膜の形成方法。
【請求項８】
第１の処理室及び前記第１の処理室内に第１のステージを有するスパッタ装置を用いて行われる半導体装置の製造方法であって、
（ａ）第１の基板を前記第１の処理室に搬入し、前記第１のステージ上に載置する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１の処理室を真空排気する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１の処理室にＡｒガスを供給する工程、
（ｄ）前記（ｂ）工程の後、前記第１のステージに対向して配置された第１の金属ターゲットに電圧を印加する工程、
（ｅ）前記（ｂ）工程の後、前記第１の処理室にＮ２ガスを供給する工程、
（ｆ）前記（ｃ）〜（ｅ）工程の後、前記Ｎ２ガスの供給を停止する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記Ａｒガスの供給および前記電圧の印加を停止する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の前に、前記電圧の印加を一旦停止し、
前記（ｅ）工程において窒素ガスの供給を開始した後、前記第１の金属ターゲットに再び電圧を印加する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の金属ターゲットは、Ｔｉを主成分とするＴｉターゲットである半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スパッタ装置は更に第２の処理室及び前記第２の処理室内の第２のステージを有しており、
前記（ｇ）工程の後、さらに
（ｈ）前記第１の基板を前記第１の処理室から搬出する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第１の基板を前記第２の処理室に搬入し、前記第２のステージ上に載置する工程、
（ｊ）前記（ｉ）工程の後、前記第２の処理室を真空排気する工程、
（ｋ）前記（ｊ）工程の後、前記第２の処理室にＡｒガスを供給する工程、
（ｌ）前記（ｊ）工程の後、前記第２のステージに対向して配置されたＡｌターゲットに電圧を印加する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スパッタ装置は更に第３の処理室及び前記第３の処理室内の第３のステージを有しており、
前記（ｌ）工程の後、さらに
（ｍ）前記第１の基板を前記第２の処理室から搬出する工程、
（ｎ）前記（ｍ）工程の後、前記第１の基板を前記第３の処理室に搬入し、前記第３のステージ上に載置する工程、
（ｏ）前記（ｎ）工程の後、前記第３の処理室を真空排気する工程、
（ｐ）前記（ｏ）工程の後、前記第３の処理室にＡｒガスを供給する工程、
（ｑ）前記（ｏ）工程の後、前記第３のステージに対向して配置された第２の金属ターゲットに電圧を印加する工程、
（ｒ）前記（ｏ）工程の後、前記第３の処理室にＮ２ガスを供給する工程、
（ｓ）前記（ｐ）〜（ｒ）工程の後、前記Ｎ２ガスの供給を停止する工程、
（ｔ）前記（ｓ）工程の後、前記Ａｒガスの供給および前記電圧の印加を停止する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の金属ターゲットは、Ｔｉを主成分とするＴｉターゲットである半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程の後、さらに
（ｕ）前記第１の基板を前記第１の処理室から搬出する工程、
（ｖ）前記（ｕ）工程の後、第２の基板を前記第１の処理室に搬入し、前記第１のステージ上に載置する工程、
（ｗ）前記（ｖ）工程の後、前記第１の処理室を真空排気する工程、
（ｘ）前記（ｗ）工程の後、前記第１の処理室にＡｒガスを供給する工程、
（ｙ）前記（ｗ）工程の後、前記第１のステージに対向して配置された前記第１の金属ターゲットに電圧を印加する工程、
（ｚ）前記（ｗ）工程の後、前記第１の処理室にＮ２ガスを供給する工程、
（ａ’）前記（ｘ）〜（ｚ）工程の後、前記Ｎ２ガスの供給を停止する工程、
（ｂ’）前記（ａ’）工程の後、前記Ａｒガスの供給および前記電圧の印加を停止する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の金属ターゲットは、Ｔｉを主成分とするＴｉターゲットである半導体装置の製造方法。