(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長帯が１〜１０μｍの熱線を反射する熱線反射材料であって、前記熱線に対する透光性を有した材料からなる複数の要素反射層の積層体であり、それら要素反射層は、互いに隣接する２層が、前記熱線に対する屈折率が互いに異なり、かつ、その屈折率差が１．１以上となる材料の組合せからなり、かつ、該第一及び第二の要素反射層を含む積層周期単位が基体表面に２周期以上５周期以下に形成され、前記積層周期単位の厚さを反射すべき前記熱線の中心波長よりも小さく設定され、前記熱線に対する一次元フォトニックバンドギャップ構造が形成されてなることを特徴とする熱線反射材料。
【請求項２】
前記積層体は、屈折率が３以上の半導体又は絶縁体からなる層を前記第一の要素反射層として含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の熱線反射材料。
【請求項３】
前記第一の要素反射層がＳｉ層である請求の範囲第２項記載の熱線反射材料。
【請求項４】
前記積層体が前記第二の要素反射層として、ＳｉＯ２，ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＴｉＮ，ＣＮのいずれかからなる層を含む請求の範囲第２項又は第３項に記載の熱線反射材料。
【請求項５】
前記第一又は第二の要素反射層がＳｉ層であり、これと隣接する他の要素反射層が、ＳｉＯ２層又はＢＮ層であることを特徴とする請求の範囲第１項記載の熱線反射材料。
【請求項６】
前記基体が、Ｓｉ，ＳｉＯ２，ＳｉＣ，ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＴｉＮ及びＣＮのいずれかにて構成されてなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載された熱線反射材料。
【請求項７】
内部に被処理物収容空間が形成された容器と、
前記被処理物収容空間内の被処理物を加熱するための加熱源と、
請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の熱線反射材料により反射面が構成され、前記被処理物収容空間内に生じている熱線を前記反射面にて反射させることにより、前記被処理物に向かう方向に方向転換させる熱線反射部材と、
を有することを特徴とする加熱装置。
【請求項８】
少なくとも熱処理を行なう熱処理室と、該熱処理室の外側に配置された発熱体と、該発熱体と前記熱処理室とを取り囲むとともに、表面が請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の熱線反射材料により構成された熱線反射部材と、を含むことを特徴とする加熱装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、発熱体から放射される特定波長帯の熱線を効率的に反射する熱線反射材料に関し、さらに、それを用いた加熱装置に関する。
背景技術
半導体ウェーハの製造プロセスやその半導体ウェーハを用いたデバイス製造プロセスにおいては、半導体ウェーハを数百℃〜千数百℃程度に加熱するプロセスがあり、抵抗加熱式（ヒータ加熱式）やランプ加熱式などの様々な方式の熱処理炉が用途に応じて用いられている。
例えば、半導体ウェーハの代表例であるシリコン単結晶ウェーハを作製するために、まず、単結晶引き上げ装置を用いシリコン単結晶インゴットが引き上げられる。その単結晶インゴットの引き上げにおいては、原料となる多結晶シリコンを溶融するために、多結晶シリコンを投入する石英ルツボの周囲をヒータで囲繞し、ルツボ内を１４２０℃以上の高温に加熱する。また、製造後のシリコン単結晶をウェーハに加工した後、欠陥除去や不純物拡散、さらには半導体薄膜の気相成長なども加熱雰囲気で行われ、これを実施するために種々の加熱装置が使用される。また、化合物半導体の分野でも、半導体薄膜の気相成長や液相成長あるいはその他の熱処理を行なうために、加熱装置が使用される。
そして、上記のような加熱処理に用いられる熱処理装置においては、加熱効率を高めるため、前記ヒータやランプ等の発熱体の周囲に断熱材を配置して熱が外部に逃げにくくするといった構成を有しているのが一般的である。また、簡易な加熱装置では、小型化のために断熱材が排除されることもある。
ところが、断熱材を配置することによって加熱装置が大型化するだけではなく、断熱材の熱容量が大きいため、断熱材の加熱にも時間が必要となり、熱処理後の冷却にも長時間を要するという問題があった。また、冷却を効率よく行なうための水冷、空冷等の強制冷却設備を設けると更なる装置の大型化が必要であった。また、断熱材に吸収された熱は、当然、被処理物の加熱には寄与しにくいので、エネルギー効率が悪い。そして、断熱材を使用しない加熱装置においては、エネルギーの無駄な放散がさらに著しくなることはいうまでもない。
本発明の課題は、発熱体から放射される熱線を極めて効率的に反射する熱線反射材料と、その熱線反射材料を用いて熱源からの熱線を被処理物に集中させることにより、効率的に昇降温の可能な加熱装置を提供することにある。
発明の開示
上記の課題を解決するために、本発明の熱線反射材料は、特定波長帯の熱線を反射する熱線反射材料であって、熱線に対する透光性を有した材料からなる複数の要素反射層の積層体であり、それら要素反射層は、互いに隣接する２層が、熱線に対する屈折率が互いに異なり、かつ、その屈折率差が１．１以上となる材料の組合せからなることを特徴とする。
上記本発明の熱線反射材料は、熱線に対して透光性を有し、該熱線に対する屈折率が互いに異なり、かつ、その屈折率差が１．１以上となる要素反射層の組合せにより構成している。このように、屈折率差の大きい要素反射層の組合せにて構成することにより、熱線を極めて高い反射率にて反射することができる。また、要素反射層の積層数をそれほど多くしなくとも高い反射率を実現できるので、安価に形成が可能である。屈折率差が１．１未満では、反射率の低下が避けがたくなり、また、反射率を向上させるために積層周期数を多くすることは、コスト上昇につながる。なお、組み合わせる要素反射層間の屈折率差は、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．５以上、さらに好ましくは２．０以上確保されていることが望ましい。
なお、「透光性を有する」とは、物体が光などの電磁波を通す性質を有していることとして定義されるが、本発明においては、反射させるべき熱線の透過率が、使用される層の厚さにおいて、８０％以上となる透光性を有していることが望ましい。透過率が８０％未満であると熱線の吸収率が高まり、本発明の熱線反射材料による熱線の反射効果が十分に得られなくなるおそれがある。上記の透過率は９０％以上が好ましく、さらに望ましくは１００％であるのがよい。この場合の透過率１００％とは、通常の透過率測定方法における測定限界（例えば誤差１％以内）の範囲で、ほぼ１００％であるとみなしうる程度のものをいう。
次に、本発明の加熱装置の第一は、内部に被処理物収容空間が形成された容器と、被処理物収容空間内の被処理物を加熱するための加熱源と、上記本発明の熱線反射材料により反射面が構成され、被処理物収容空間内に生じている熱線を反射面にて反射させることにより、被処理物に向かう方向に方向転換させる熱線反射部材と、を有することを特徴とする。
また、本発明の加熱装置の第二は、少なくとも熱処理を行なう熱処理室と、該熱処理室の外側に配置された発熱体と、該発熱体と熱処理室とを取り囲むとともに、表面が上記本発明の熱線反射材料により構成された熱線反射部材と、を含むことを特徴とする。
本発明の熱線反射材料を用いた熱反射部材を加熱装置に適用し、例えば断熱材の一部又は全部の代替として用いることにより、断熱材の熱容量に起因した熱処理装置の昇降温速度の遅れを改善し、従来に比べ急熱急冷が可能になる。また、従来の熱処理装置に比べて均熱長を長くすることも可能である。そして、発熱体からの熱線のエネルギーを被処理物に効率的に集中できるので、装置の小型化や省エネ効果なども得られる。
そして、熱線反射部材により反射させる熱線の特定波長帯は、１〜１０μｍの範囲内から選択すれば、種々の用途の加熱処理に必要な熱線の波長帯をカバーでき、本発明の効果を享受することができる。本発明の加熱装置の適用可能分野は特に限定されないが、一例をあげれば以下のようなものである。半導体ウェーハの代表例であるシリコン単結晶ウェーハを作製するために、まず、単結晶引き上げ装置を用いシリコン単結晶インゴットが引き上げられる。その単結晶インゴットの引き上げにおいては、原料となる多結晶シリコンを溶融するために、多結晶シリコンを投入する石英ルツボの周囲をヒータで囲繞し、ルツボ内を１４２０℃以上の高温に加熱する。この加熱装置に本発明を適用することができる。この場合、反射すべき熱線の波長帯は１〜５μｍ、好ましくは１〜３μｍであり、半導体の原料融液あるいはその原料融液を溶融状態に維持するためのヒータからの熱線のスペクトルの要部をおおむねカバーでき、これら輻射赤外線の効率的な反射制御が可能となる。
また、製造後のシリコン単結晶をウェーハに加工した後、欠陥除去や不純物拡散、さらには半導体薄膜の気相成長なども、例えば４００〜１４００℃程度の加熱雰囲気で行われ、これを実施するための種々の加熱装置に本発明を適用できる。この場合、反射すべき熱線の波長帯は１〜３０μｍ、好ましくは１〜１０μｍであり、ヒータ等の熱源あるいはそれによって加熱された被処理物自体からの熱線を効率的に反射制御できる。
他方、化合物半導体の分野でも、半導体薄膜の気相成長や液相成長あるいはその他の熱処理を行なうために加熱装置が使用され（温度域４００〜１４００℃程度）、本発明の適用が可能である。反射すべき熱線の波長帯は１〜３０μｍ、好ましくは１〜１０μｍである。
また、加熱処理は、上記のような半導体材料だけにとどまらず、その他の様々な材料や多種多様にわたるプロセスにおいて幅広く実施されている。例えば、金属材料あるいは金属部材の製造に際し、材料の溶解、焼結、熱間加工あるいはその他の熱処理などに、種々の加熱装置が用いられている（温度域：４００〜１８００℃程度、反射すべき熱線の波長帯：０．３〜３０μｍ）。また、セラミックやガラス等の無機材料の製造に際しても、焼成や加工あるいはその他の熱処理を行なうために加熱装置が用いられている（温度域：７００〜１８００℃程度、反射すべき熱線の波長帯：０．３〜２０μｍ）。また、この他、種々の用途で使用される乾燥炉等も一種の加熱装置である。さらに、工業用用途以外では、業務用あるいは家庭用の加熱式調理器具（例えばオーブンなど）を例示できる。これは、例えば２００〜５００℃程度の比較的低温である（反射すべき熱線の波長帯：３〜４０μｍ）。
熱線反射部材を構成する前記積層体は、屈折率の異なる互いに隣接した第一及び第二の要素反射層を含み、該第一及び第二の要素反射層を含む積層周期単位が、基体表面に２周期以上に形成されたものとすることができる。積層体の屈折率を、このように層厚方向において周期的に変化させることにより、熱線の反射率をさらに高めることができる。この場合、積層周期単位を構成する複数種類の材料の屈折率差が大きいほど反射率をより高めることができる。例えば、積層周期単位を最も簡単に構成するには、熱線に対する屈折率が互いに異なる第一要素反射層と第二要素反射層との２層構造とすることができる。この場合、両層の屈折率の差が大きいほど、熱線の反射率を十分に高く確保する上での、必要な積層周期単位数を削減することができる。なお、積層周期単位を構成する要素反射層の層数は３層以上であってもよい。
そして、上記のような積層周期単位は、その厚さを、反射すべき熱線の中心波長よりも小さくすることができる。このようにすると、積層周期単位中の屈折率分布に応じて熱反射層の層厚方向に、特定波長帯の熱線に対する光学的ストップバンド構造（あるいは一次元フォトニックバンドギャップ構造）が形成されるので、該波長帯の熱線を略完全に反射させることができ、前記した本発明の効果を最大限に引き出すことが可能となる。各層の厚さおよび周期数は、反射すべき波長帯の範囲により、計算または実験的に決定することができる。そして、本発明のように屈折率差が１．１以上の材料の組合せを採用することにより、こうした完全反射に近い熱線反射率を有する積層周期構造を、比較的小さい積層周期単位の形成周期数、具体的には、５周期以下にて簡便に実現することができる。特に、屈折率差が１．５以上の組合せを用いると、４周期、３周期、あるいは２周期程度の形成周期数でも上記のような大きな熱線反射率を実現できるようになる。
なお、反射すべき波長帯の範囲は、熱源の温度に依存する。すなわち、ある一定温度の下において物体表面の単位面積から単位時間に放射される放射エネルギーのうち、最大限度の大きさを示すものは完全黒体から放射される単色放射能である。これを式で表すと次式となる（プランクの法則）。
Ｅｂλ＝Ａλ−５（ｅＢ／λＴ−１）−１〔Ｗ／（μｍ）２〕
ここで、Ｅｂλ：黒体の単色放射能〔Ｗ／（μｍ）２〕、λ：波長〔μｍ〕、Ｔ：物体表面の絶対温度〔Ｋ〕、Ａ：３．７４０４１×１０−１６〔Ｗ・ｍ２〕、Ｂ：１．４３８８×１０−２〔ｍ・Ｋ〕である。図８は、物体表面の絶対温度Ｔを変化させたときの黒体の単色放射能（Ｅｂλ）と波長との関係を示すグラフである。Ｔが低くなるにつれて、単色放射能のピークが低下し、長波長側にシフトすることがわかる。
積層体を構成する要素反射層の材料は、高温に対して安定な材料であって、かつ赤外線反射のために必要十分な屈折率差を確保できる材質の組合せを選択することが望ましい。また、積層体は、屈折率が３以上の半導体又は絶縁体からなる層を、高屈折率層となる第一の要素反射層として含むものとして構成することができる。屈折率が３以上の半導体又は絶縁体を第一の要素反射層として用いることにより、これと組み合わされる第二の要素反射層との間の屈折率差を大きく確保することが容易となる。表１に本発明に適用可能な要素反射層材料の屈折率をまとめて示す。屈折率が３以上の物質として、Ｓｉ、Ｇｅ、６ｈ−ＳｉＣ、及びＳｂ２Ｓ３、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＰ、ＺｎＴｅ等の化合物半導体を例示できる。半導体及び絶縁体の場合、反射すべき熱線のフォトンエネルギーに近いバンドギャップエネルギーを有する直接遷移型のものは、熱線吸収を起こしやすいので、熱線のフォトンエネルギーよりも十分大きいバンドギャップエネルギー（例えば２ｅＶ以上）を有するものを使用することが望ましい。他方、これよりもバンドギャップエネルギーが小さいものであっても、間接遷移型のもの（例えばＳｉやＧｅなど）であれば熱線吸収を低くとどめることができ、本発明に好適に使用できる。このうちＳｉは比較的安価で薄層化も容易であり、屈折率も３．５と高い値を示す。従って、第一の要素反射層をＳｉ層とすることで、反射率の高い積層構造を安価に実現することができる。
次に、第二の要素反射層を構成する低屈折率材料としては、ＳｉＯ２、ＢＮ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４及びＣＮ等を例示できる。この場合、選択した第一の要素反射層の材料種別に応じて、屈折率差が１．１以上となるように、第二の要素反射層の材料選定を行なう必要がある。なお、下記表１は、上記材質の屈折率の値をまとめたものである。このうち、特にＳｉＯ２層、ＢＮ層あるいはＳｉ３Ｎ４層を採用することが、屈折率差を大きく確保する上で有利である。ＳｉＯ２層は屈折率が１．５と低く、例えばＳｉ層からなる第一の要素反射層との間に特に大きな屈折率差を付与することができる。また、Ｓｉ層の熱酸化等により形成が容易である利点がある。他方、ＢＮ層は、結晶構造や方位により差を生ずるが、その屈折率は１．６５〜２．１の範囲である。また、Ｓｉ３Ｎ４層は、膜の品質によっても異なるが、１．６〜２．１程度の屈折率を示す。これらはＳｉＯ２と比較すれば多少大きい値であるが、それでもＳｉとの間には１．４〜１．８５もの大きな屈折率差を付与することができる。例えば、シリコンウェーハの製造において通常用いられる温度域（４００〜１４００℃）を考慮すると、前記熱反射層がＳｉ層を必須としてさらにＳｉＯ２層及びＢＮ層の少なくともいずれかを含むように構成すること、例えば要素反射層としてＳｉ層とＳｉＯ２層及び／又はＢＮ層とを含むように構成することが、その輻射熱を効率的に反射する上で有効である。なお、ＢＮは融点がＳｉＯ２と比較して相当高く、超高温用の用途に好適である。さらにＢＮは、高温で分解されてもガスとして出てくるのはＮ２であって、ホウ素は半金属的な状態で表面に残存するため、Ｓｉウェーハ等の半導体ウェーハの電気特性に影響を及ぼさない利点がある。表２に、温度帯別の好適な材料の組合せの例を示す。
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以下、ＳｉとＳｉＯ２を用いて一次元フォトニックバンドギャップ構造を形成することにより、赤外領域をほぼ完全に反射することができる条件を、計算により検討した結果について説明する。Ｓｉは屈折率が約３．５であり、その薄膜は波長約１．１〜１０μｍの赤外領域の光に対して透明である。また、ＳｉＯ２は屈折率が約１．５で、その薄膜は波長約０．２〜８μｍ（可視から赤外領域）の光に対して透明である。図１は、Ｓｉ基体１００上に、１００ｎｍのＳｉ層Ａと２３３ｎｍのＳｉＯ２層Ｂの２層からなる積層周期単位を４周期形成した熱反射層の断面図である。このような構造であれば、図２のように１〜２μｍ帯での赤外線の反射率がほぼ１００％となり、赤外線の透過は禁止される。なお、基体を別材質（例えば石英（ＳｉＯ２））にて構成し、その上に別のＳｉ層を形成して、以降、同様のＳｉ層ＡとＳｉＯ２層Ｂの２層からなる積層周期単位を形成してもよい。
例えば、１６００℃の熱源の最大強度は１〜２μｍ帯にあるが、２μｍ〜３μｍ帯（１０００〜１２００℃程度の熱源からの、熱線スペクトルのピーク波長域に相当する）までカバーしようとすると、反射可能な波長帯の異なる別の周期性のある組合せを付加すればよい。すなわち、前述の１００ｎｍ（Ｓｉ）／２３３ｎｍ（ＳｉＯ２）の組合せ（図１のＡ／Ｂ）に、それぞれの層厚さを増加させた１５７ｎｍ（Ｓｉ）／３６６ｎｍ（ＳｉＯ２）の組合せ（図３のＡ’／Ｂ’）を付加した図３のような構成とすればよい。
このような構成にすると、図４に示すように、前述の１００ｎｍ（Ｓｉ）／２３３ｎｍ（ＳｉＯ２）の４周期構造が１〜２μｍ帯での赤外線の反射率がほぼ１００％となるのに対して、１５７ｎｍ（Ｓｉ）／３６６ｎｍ（ＳｉＯ２）の４周期構造は２〜３μｍ帯での赤外線の反射率がほぼ１００％となる。従って、これらを重ねた図３の構造では、１〜３μｍ帯の反射率がほぼ１００％の材料が得られる。
同様に、３〜４．５μｍ帯については、Ｓｉ層およびＳｉＯ２層ともにさらに厚い膜の組合せを適宜選択して４周期構造を形成すればよい。ＳｉとＳｉＯ２の屈折率差よりも屈折率差の小さい層の組合せでは、必要な周期数を増加させる必要が生ずる場合もあるため、選択する２つの層としては屈折率差が大きい方が有利である。上記組合せでは全体の層の厚さは１．３μｍで１〜２μｍ帯が、３．４μｍで１〜３μｍ帯をほぼ完全に反射する。
一方、図５は、ＳｉとＳｉＯ２同様に、比較的屈折率差の大きい６ｈ−ＳｉＣ（屈折率３．２）とｈ−ＢＮ（屈折率１．６５）とを選択し、９４ｎｍ（ＳｉＣ）／１８２ｎｍ（ＢＮ）の４周期構造を形成した熱反射層の反射率の計算結果である。この場合は、１〜１．５μｍ帯での光（熱線）の反射率がほぼ１００％となることがわかる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図６は、本発明に係る熱線反射材料２０の製造フローを示している。まず、熱線反射材料の基体２３となる材料を選択し、必要な形状に加工する（図６：工程（ａ））。
ここで、必要とされる基体の形状は熱線反射材料の用途により異なるが、例えば、図７Ａ（縦断面図）、図７Ｂ（横断面図）に示すように、半導体ウェーハ用の加熱装置（例えば熱処理用の酸化・拡散炉）２０に適用する場合には、熱処理室（被処理物収容空間）１を有する反応管（容器）２の外側に配置された抵抗発熱体（加熱源）３を取り囲むような形状に加工される。したがって、この基体上に本発明の熱線反射材料を形成した熱線反射部材１０は、発熱体３と熱処理室１とを取り囲むとともに、表面が本発明の熱線反射材料により構成されたものとなる。また、このように構成された加熱装置２０は、内部に被処理物Ｗの収容空間１が形成された反応管（容器）２と、該収容空間１内の被処理物（半導体ウェーハ）Ｗを加熱するための抵抗発熱体（加熱源）３と、本発明の熱線反射材料により反射面１０ａが構成され、収容空間内に生じている熱線を反射面１０ａにて反射させることにより、被処理物（半導体ウェーハ）Ｗに向かう方向に方向転換させる熱線反射部材１０とを有したものとなる。
なお、発熱体３からの熱伝導が大きい場合は、熱線反射部材１０の温度が上昇して基体の変形等が問題になることもありえる。この場合、熱線反射部材１０を冷却するための冷却機構を設けておくことが望ましい。この冷却機構は、例えばフィンなどの放熱部材を有するもの、あるいは冷風を接触させるものなど、空冷式のものを用いてもよいが、本実施形態では、冷却効率の高い水冷式の冷却機構を採用している。具体的には、図７Ａに一点鎖線で示すように、熱線反射部材１０と接する形で水冷通路１２（水循環用の管材あるいはウォータージャケットで構成する）を組み込んだ水冷壁１１を設ける構造を採用している。なお、この実施形態では、熱線反射部材１０と水冷壁１１とを別体に形成しているが、熱線反射部材１０の基体に水冷通路１２を組み込むことにより、熱線反射部材１０自体に冷却機構の機能を組み込むことも可能である。
図６において、基体２３の材料としては、機械的強度のある耐熱性の基体であることが好ましく、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＢＮなどが適している。これらは、半導体デバイスを作製するための基板や、それらの基板を熱処理する一般的な熱処理装置の反応管や熱処理治具等に用いられており、汎用性が高く、様々な形状に加工が可能である。
次に、この基体２３の表面に発熱体から放射される熱線に対して透明な第一の要素反射層Ｂを形成する（図６：工程（ｂ））。その後、第一の要素反射層Ｂの表面に、該第一の要素反射層Ｂとは屈折率が異なる第二の要素反射層Ａを形成する（図６：工程（ｃ））。これらの層の形成方法は特に限定されないが、ＣＶＤ法を用いればＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４などの様々な種類の層を形成することができる。また、基体２３がＳｉ基板の場合には、熱酸化により第一の要素反射層となるＳｉＯ２層の第１層目を形成することができる。同様に、第一又は第二の要素反射層をＳｉ層とした場合にも、熱酸化によりその表面に他の要素反射層としてのＳｉＯ２層を形成することができる。
次に、これら第一および第二の要素反射層を２周期以上形成した周期構造２４を作製することにより、本発明の熱線反射材料２０が形成される（図６：工程（ｄ））。これらの周期性を有する２つの層は、基体の一方の表面のみに形成してもよいし、両面に形成してもよい。また、これらの層の厚さおよび周期数は、前述のＳｉＯ２とＳｉの例からわかる様に、反射すべき波長帯の範囲により、計算または実験的に決定することができる。そして、反射すべき波長帯の範囲は、発熱体の温度に依存する。
本発明の熱線反射材料は、熱処理装置自体に一体不可分に組み込むことも可能であるし、熱処理装置は従来のものを使用して、熱処理を行なう際のダミーウェーハとして本発明の熱線反射材料を用いることもできる。すなわち、図９のように熱処理を行なう半導体ウェーハＷとほぼ同一形状か、あるいはそれよりも直径の大きなウェーハ形状に本発明の熱線反射材料３０を形成し、熱処理ボート上の半導体ウェーハＷの前後に配置することにより、半導体ウェーハの両側に熱線が反射され、熱が逃げにくくなるため、半導体ウェーハＷを効率的に熱処理することができる。
以下、さらに別の実施形態について説明する。
図１１は、金属部材あるいはセラミック部材からなるワークＷの焼結や熱処理に使用する加熱装置４０であり、容器をなす炉壁部材４２の内側に、加熱源としての抵抗発熱体エレメント４１を配置している。また、上記と同様の周期構造からなる本発明の熱線反射材料４３を、炉壁部材４２内面に、抵抗発熱体エレメント４１が配置されていないスペースを利用して設けている。熱線反射材料４３により、抵抗発熱体エレメント４１の熱線をワークＷに集中できるほか、昇温したワークＷからの輻射熱を反射してワークＷに戻すことにより、一層効率的な加熱が可能である。
図１２は、ガスバーナ等の燃焼式熱源５１を用いた加熱装置５０であり、容器をなす炉本体５２の例えば底部に熱源５１が配置され、発生した熱流ＨＳを対流により炉本体５２内部に循環させてワークＷの加熱を行なう。そして、その対流の通路部ＡＰを形成した形で、基体５５上に形成した本発明の熱線反射材料５６を、ワークＷを取り囲むように配置している。加熱されたワークＷからの輻射熱を反射してワークＷに戻すことにより、一層効率的な加熱が可能である。なお、５３は、燃焼ガスの排気通路である。
なお、本発明の熱線反射材料は、前述のような半導体製造プロセスや金属材料製造プロセスへの適用といった比較的高温の発熱体への用途以外にも、数百℃〜１０００℃程度の低温の発熱体への用途も考えられる。そのような場合には、熱線反射材料を形成するための基体や周期構造を形成する層として、ガラス、塗料、プラスチック、空気等の気体を用いることも可能である。
図１３は、食品調理用の加熱装置６０に本発明を適用した例である。食品Ｆを出し入れするための扉６５を有した容器６２の内側に、抵抗発熱線あるいはセラミックヒータ等で構成された加熱源６１が配置され、加熱源６１から食品Ｆに向かう熱線を遮らない位置関係（ここでは、隣り合う加熱源６１，６１の間のスペース）にて、基体６３上に形成された本発明の熱線反射材料６４を配置している。また、扉６５の内面にも熱線反射材料６４を設けている。このようにすることで、食品Ｆに効率よく熱を集中でき、低消費電力で高パワーの調理用加熱装置を実現できる。また、食品Ｆに四方八方から熱を当てることができ、しかも熱線により食品Ｆの内部へも熱を効率よく浸透できるので、分厚い肉なども焼きムラなく調理できる。ここで、扉６５の一部を耐熱ガラス等の透明基体とし、Ｓｉ／ＳｉＯ２のように可視光に対しても透明な熱線反射材料を形成すれば、調理中の食品Ｆの状態を観察できるので便利である。
（実施例）
以下、本発明の効果を確認するために行った実験結果について説明する。
直径１５０ｍｍのシリコンウェーハに１０００℃のドライ酸化により２３３ｎｍ熱酸化膜を形成した。その後、熱酸化膜表面に減圧ＣＶＤ法により厚さ２０５ｎｍの多結晶シリコン層を堆積した。そして、再度熱酸化を行い、１００ｎｍの多結晶シリコンを残して２３３ｎｍの熱酸化膜を形成した。
その後、厚さ２０５ｎｍの多結晶シリコン層、厚さ２３３ｎｍの熱酸化膜の形成を２回繰り返し、最後に１００ｎｍの多結晶シリコン層を堆積して、図１に示すような多結晶シリコン層／熱酸化膜の４周期構造を形成した。これはプロセスの都合上ウェーハの両面に形成した。
このウェーハに赤外光を照射し、透過光を測定することにより吸収スペクトルを測定した。また、リファレンスとして周期構造の層を形成しないシリコンウェーハの吸収スペクトルを測定した。そして、これらの差スペクトルを取り、図１０に示した。図１０の結果から、波長帯約１〜２μｍ（１０００〜２０００ｎｍ）の吸収率が大きいことがわかる。これは、ウェーハ表面の周期構造により波長１〜２μｍ帯の反射率が増大したため、その波長帯の光の透過率が減少したことによって、見かけ上、その波長帯の吸収率が増大したように見えるスペクトルが得られたものである。すなわち、本発明のウェーハは、リファレンスに比べて波長帯約１〜２μｍの赤外光の反射率が極めて高いことを示している。これは、図２の計算結果とほぼ一致するものである。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明のＳｉ層とＳｉＯ２層の４周期構造を有する熱線反射材料の断面図である。
図２は、図１の構造を有する熱線反射材料の熱線反射率特性を示す図である。
図３は、図１の４周期構造に、厚さの異なるＳｉとＳｉＯ２の４周期構造を積層した構造を有する熱線反射材料の断面図である。
図４は、図３の構造を有する熱線反射材料の熱線反射率特性を示す図である。
図５は、本発明の６ｈ−ＳｉＣ層とｈ−ＢＮの４周期構造を有する熱線反射材料の熱線反射率特性を示す図である。
図６は、本発明の周期構造を有する熱線反射材料の製造フローを示す図である。
図７Ａは、本発明の熱線反射材料の、第一の応用例を示す加熱装置の縦断面図である。
図７Ｂは、本発明の熱線反射材料の、第一の応用例を示す加熱装置の横断面図である。
図８は、物体表面の絶対温度Ｔを変化させたときの黒体の単色放射能（Ｅｂλ）と波長との関係を示すグラフである。
図９は、本発明の熱線反射材料の、第二の応用例を示す加熱装置を示す図である。
図１０は、本発明の実施例における熱線反射材料とリファレンスとの吸収率の差スペクトルを示す図である。
図１１は、本発明の熱線反射材料の、第三の応用例を示す加熱装置を示す図である。
図１２は、本発明の熱線反射材料の、第四の応用例を示す加熱装置を示す図である。
図１３は、本発明の熱線反射材料の、第五の応用例を示す加熱装置を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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