【手続補正書】
【提出日】平成30年7月13日(2018.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の第１の領域上に配置された複数の画素と、前記複数の画素に対して動作可能に接続され、前記複数の画素に対して選択的にバイアスをかけてそれらを読み取るように適合された制御ユニットとを備え、非局所的読出し回路を有する画像センサであって、前記制御ユニットが、
第１のバイアス電圧を供給するための第１のバイアス回路と、
電圧基準に関して前記第１のバイアス電圧に対して実質的に対称な第２のバイアス電圧を供給するための第２のバイアス回路と、
前記複数の画素上に衝突する光によって生成された光信号を読み取るための非局所的読出し回路とを備え、
前記第１のバイアス回路および前記第２のバイアス回路が、それぞれ、前記複数の画素のうち所与の時間に読み取られるべき１つまたは複数の画素に対して選択的にバイアスをかけるための第１の選択手段および第２の選択手段を備え、
前記第１の選択手段および前記第２の選択手段が、前記基板の前記第１の領域の外に配置されること、ならびに
前記複数の画素の各画素が、
２次元材料の少なくとも１つの層を含む輸送層に関連付けられた感光層を備える光活性要素と、
前記光活性要素に近接して配設された非光活性基準要素であって、
前記光活性要素の暗伝導度と実質的に一致する暗伝導度を有する非光活性基準要素と、
前記第１のバイアス回路に対して回路状に接続された第１の接点と、
前記第２のバイアス回路に対して回路状に接続された第２の接点と、
前記非局所的読出し回路に対して回路状に接続された出力接点とを備え、
前記光活性要素が、前記第１の接点と前記出力接点の間に回路状に接続されており、前記非光活性基準要素が、前記出力接点と前記第２の接点の間に回路状に接続されていることを特徴とする画像センサ。
【請求項２】
前記非局所的読出し回路が、前記基板の前記第１の領域の外に配置されている請求項１に記載の画像センサ。
【請求項３】
前記複数の画素のすべての画素に、読出し電子回路が組み込まれていない請求項２に記載の画像センサ。
【請求項４】
前記実質的に対称な第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧が前記電圧基準に関して反対符号を有し、
一方の大きさと他方の大きさの差が、２５％未満である請求項１に記載の画像センサ。
【請求項５】
前記第１のバイアス回路および前記第２のバイアス回路が、それぞれ前記第１のバイアス電圧および前記第２のバイアス電圧を供給する独自の独立した制御電子回路を有する独立したバイアス回路である請求項１に記載の画像センサ。
【請求項６】
前記複数の画素のうち少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素が、２次元材料の少なくとも１つの層を含む前記非光活性基準要素の前記輸送層を備える請求項１に記載の画像センサ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素が、前記非光活性基準要素の前記輸送層に関連付けられた感光層をさらに備える請求項６に記載の画像センサ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素が、前記非光活性基準要素の前記感光層および前記輸送層の上に配設された第１の光遮断層をさらに備える請求項７に記載の画像センサ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素が、前記非光活性基準要素の前記感光層および前記輸送層の下に配設された第２の光遮断層をさらに備える請求項８に記載の画像センサ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの画素に関して、前記非光活性基準要素の前記輸送層が、前記光活性要素の前記輸送層よりも小さい面積を有する請求項６に記載の画像センサ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの画素に関して、前記非光活性基準要素の前記輸送層が、前記光活性要素の輸送層と同一の形状を有する請求項１０に記載の画像センサ。
【請求項１２】
前記複数の画素のうち少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素が、前記少なくとも１つの画素の前記基板と前記光活性要素の間に配置されている請求項１に記載の画像センサ。
【請求項１３】
前記複数の画素の前記光活性要素に関連付けられた１つまたは複数の１次絶縁層をさらに備える請求項１に記載の画像センサ。
【請求項１４】
前記複数の画素のうち少なくとも１つの画素が、
前記少なくとも１つの画素の前記基板と前記光活性要素の間、１次絶縁層と前記基板の間に配設されたバックゲート接点であって、前記１次絶縁層が前記光活性要素と前記基板の間に配設されているバックゲート接点、
および／または
前記少なくとも１つの画素の前記光活性要素の上に配設されたトップゲート接点を備える請求項１３に記載の画像センサ。
【請求項１５】
前記複数の画素の前記非光活性基準要素に関連付けられた１つまたは複数の２次絶縁層をさらに備える請求項６に記載の画像センサ。
【請求項１６】
前記複数の画素のうち少なくとも１つの画素が、
前記少なくとも１つの画素の前記基板と前記非光活性基準要素の間、２次絶縁層と前記基板の間に配設されたバックゲート接点であって、前記２次絶縁層が前記非光活性基準要素と前記基板の間に配設されているバックゲート接点、
および／または
前記少なくとも１つの画素の前記非光活性基準要素の上に配設されたトップゲート接点を備える請求項１５に記載の画像センサ。
【請求項１７】
前記複数の画素がクラスタにグループ化され、各クラスタが１つまたは複数の画素を備え、各クラスタの前記１つまたは複数の画素の前記光活性要素の前記感光層が、光スペクトルの異なる範囲に対して感光性である請求項１に記載の画像センサ。
【請求項１８】
前記複数の画素が、それぞれの行が同数の画素を備える複数の行を備えた２次元配列として配置されており、前記第１の選択手段および前記第２の選択手段が、それぞれ、前記配列の前記複数の行に対して選択的にバイアスをかけるための第１の行選択スイッチおよび第２の行選択スイッチを備える請求項１に記載の画像センサ。
【請求項１９】
前記制御ユニットが、前記第１の行選択スイッチおよび前記第２の行選択スイッチに対して動作可能に接続されており、一度に１つの行の前記第１の行選択スイッチおよび前記第２の行選択スイッチを活性化することによって、前記複数の行を順次に読み取るように構成されている請求項１８に記載の画像センサ。
【請求項２０】
前記非局所的読出し回路が、
各行にある画素と同数の入力端子および１つの出力端子を備えるマルチプレクサであって、前記マルチプレクサの各入力端子が各行の画素の出力接点に対して回路状に接続されているマルチプレクサと、
前記マルチプレクサの前記出力端子に対して動作可能に直列接続された増幅器とを備える請求項１８に記載の画像センサ。
【請求項２１】
前記非局所的読出し回路が、前記複数の画素のうち１つの画素で生成された光信号に比例した電圧を記憶するように構成された記憶要素を任意選択で備え、前記記憶要素が前記増幅器に対して動作可能に直列接続されている請求項２０に記載の画像センサ。
【請求項２２】
前記非局所的読出し回路が、各行にある画素と同数の増幅器を備え、各増幅器が、各行の画素の出力接点に対して回路状に接続された入力端子と出力端子とを有する請求項１８に記載の画像センサ。
【請求項２３】
前記非局所的読出し回路が、各増幅器の出力端子に対して直列接続された記憶要素をさらに備え、各記憶要素が、前記複数の画素のうち１つの画素で生成された光信号に比例した電圧を記憶するように構成されている請求項２２に記載の画像センサ。
【請求項２４】
前記基板が、柔軟、伸縮自在、透明のうち少なくとも１つである材料で製作されている請求項１に記載の画像センサ。
【請求項２５】
前記第１のバイアス回路、前記第２のバイアス回路、および前記非局所的読出し回路を、それぞれ前記複数の画素のうちの前記画素の前記第１、第２、第３の接点に接続する導体線（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｔｒａｃｅ）をさらに備え、前記導体線が、柔軟、伸縮自在、透明のうち少なくとも１つである導電材料で製作されている請求項２４に記載の画像センサ。
【請求項２６】
非局所的読出し回路を有する画像センサを備える光電子デバイスであって、基板と、前記基板の第１の領域上に配置された複数の画素と、前記複数の画素に対して動作可能に接続され、前記複数の画素に対して選択的にバイアスをかけてそれらを読み取るように適合された制御ユニットとを備え、前記制御ユニットが、
第１のバイアス電圧供給するための第１のバイアス回路と、
電圧基準に関して前記第１のバイアス電圧に対して実質的に対称な第２のバイアス電圧を供給するための第２のバイアス回路と、
前記複数の画素上に衝突する光によって生成された光信号を読み取るための非局所的読出し回路とを備え、
前記第１のバイアス回路および前記第２のバイアス回路が、それぞれ、前記複数の画素のうち所与の時間に読み取られるべき１つまたは複数の画素に対して選択的にバイアスをかけるための第１の選択手段および第２の選択手段を備え、
前記第１の選択手段および前記第２の選択手段が、前記基板の前記第１の領域の外に配置されること、ならびに
前記複数の画素の各画素が、
２次元材料の少なくとも１つの層を含む輸送層に関連付けられた感光層を備える光活性要素と、
前記光活性要素に近接して配設された非光活性基準要素であって、
前記光活性要素の暗伝導度と実質的に一致する暗伝導度を有する非光活性基準要素と、
前記第１のバイアス回路に対して回路状に接続された第１の接点と、
前記第２のバイアス回路に対して回路状に接続された第２の接点と、
前記非局所的読出し回路に対して回路状に接続された出力接点とを備え、
前記光活性要素が、前記第１の接点と前記出力接点の間に回路状に接続されており、前記非光活性基準要素が、前記出力接点と前記第２の接点の間に回路状に接続されており、
前記光電子デバイスは着用可能なデバイスであり、かつ／または前記光電子デバイスが、前記画像センサが配設されている透明なパネルを備える光電子デバイス。