(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持する第１の基板上の所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁膜の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域の双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びている電気光学装置において、
前記ストライプ状電極の下層側には、前記絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に相当する部分に段差が形成され、
前記複数のストライプ状電極は、前記段差上を通る部分が前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分になっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して幅が狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記絶縁膜は、該絶縁膜の下層側に形成されたカラーフィルタによって形成された凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、スパッタ形成した導電膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、導電性の金属酸化膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、ＩＴＯ膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分は、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造になっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記第１の基板と、該第１の基板とシール材を介して貼り合わされた第２の基板との間には、前記シール材で囲まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分は、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造とし、電極幅が狭くなっている部分の電気的抵抗を下げることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶などの電気光学物質を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置において電気光学物質を駆動するためのストライプ状電極の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表示部として、液晶装置などの電気光学装置が広く用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば、能動素子として２端子型非線形素子であるＴＦＤ素子（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置では、ＴＦＤ素子および画素電極がマトリクス状に形成された素子基板と、ストライプ状電極が形成された対向基板とがシール材を介して所定の間隙を介して貼り合わされ、これらの基板間のうち、シール材で区画された領域内に液晶が注入、保持されている。
【０００３】
ここで、対向基板は、図１６に示すように、シール材６で区画される領域内に、ストライプ状電極からなる液晶駆動用のデータ線５２が複数、所定の間隔を介して並列して形成されているとともに、データ線５２の各々からは、液晶駆動用ＩＣチップの実装領域８０ｂに向けて配線部分５２０が延びている。
【０００４】
また、液晶装置においてカラー画像を表示する場合、対向基板７ｂの各位置での断面（図１６のＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面、Ｃ−Ｃ′断面、Ｄ−Ｄ′断面）を図１７にそれぞれ示すように、対向基板７ｂの基体たる透明基板１７ｂの表面側には、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜４３、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、絶縁性のオーバーコート層４５、データ線５２、および配向膜６８がこの順に積層されている。ここで、オーバーコート層４５は、下層側に形成されたカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｂ、４０Ｂによって生じた凹凸を解消するための膜であり、対向基板７ｂの表面のうち、シール材６で囲まれた領域内の所定領域（図１６の二点鎖線Ｌ２で囲まれた領域）にのみ形成されている。このため、データ線５２は、図１６に円Ｆ，Ｇで囲んだ領域をそれぞれ図１８（ａ）、（ｂ）に拡大して示すように、オーバーコート層４５の形成領域４５ａおよび非形成領域４５ｂの双方に跨って等幅で延びている。なお、図１６、図１８（ａ）、（ｂ）において、シール材６が形成される領域は一点鎖線Ｌ１で示し、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂとの境界部分は二点鎖線Ｌ２で示し、画面見切り用の遮光膜４４の形成領域は点線Ｌ３で示してある。また、図１７に示すＤ−Ｄ′断面は、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂの境界部分に相当し、オーバーコート層４５は表されているが、遮光膜４３、４４、およびカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂはここには形成されていないので、図には表されていない。
【０００５】
このような構成の対向基板７ｂの製造工程において、データ線５２を形成する際には、まず、図１９（ａ）に示すように、透明基板１７ｂの表面に、遮光膜４３、４４、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、およびオーバーコート層４５をこの順に形成した後、オーバーコート層４５の上層側に、データ線５２を形成するためのＩＴＯ膜５２′を基板表面全体に形成し、次に、ＩＴＯ膜５２′の表面全体に感光性レジスト６００を塗布した後、この感光性レジスト６００を露光マスク６１０を介して露光、現像して、図１９（ｂ）に示すように、エッチング用のレジストマスク６０１を形成する。次に、レジストマスク６０１を介してＩＴＯ膜５２′をドライエッチングなどの方法でパターニングし、図１９（ｃ）に示すように、ストライプ状のデータ線５２を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶装置に対しては画像の高精細化などといった表示品位の向上が強く要求される中、対向基板７ｂでは、データ線５２のピッチをさらに狭め、その分、データ線５２の数を増やそうという動きがあるが、このような対応を行うと、データ線５２の短絡に起因する不具合が発生しやすくなるという問題点がある。このような不具合について本願発明者が種々、検討を行った結果、以下に述べる理由から、データ線５２同士の短絡は、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂとの境界部分で発生しやすいという知見を得た。
【０００７】
すなわち、オーバーコート層４５は、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂによって生じた凹凸を解消することを目的としていることから、例えば、２０００ｎｍ〜３０００ｎｍという分厚い膜として形成される。このため、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂとの境界には、図１７に示すように、大きな段差４５０が形成され、この段差４５０上をデータ線５２が通ることになる。このため、図１９（ａ）に示す露光工程を行う際、段差４５０に起因する影の影響によって、本来露光されるべき部分のレジスト６００が露光されず、段差４５０に相当する部分では図１９（ｂ）に点線Ｌ４で示すように、ＩＴＯ膜６００を除去すべき位置に余計なレジストマスク６０１′が残ってしまう。その結果、ＩＴＯ膜５２′をパターニングしたとき、図１８（ａ）、および図１９（ｃ）に示すように、データ線５２の間に余計なＩＴＯ膜５２″が残ってしまい、この余計なＩＴＯ膜５２″によって、データ線５２同士が短絡してしまうのである。
【０００８】
また、レジスト６００に対する露光に異常が発生しなくても、図１９（ｂ）に示すパターニング工程で、ＩＴＯ膜５２′をドライエッチングによりパターニングする際、段差４５０に起因する影の影響でデータ線５２の間に余計なＩＴＯ膜５２″が残ってしまい、この余計なＩＴＯ膜５２″によって、データ線５２同士が短絡してしまうこともある。
【０００９】
しかも、ＩＴＯ膜５２′をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂが形成されている場合には、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを構成する有機物の耐熱性からみて、ＩＴＯ膜５２′をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成したＩＴＯ膜５２′は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計なＩＴＯ膜５２″が残りやすいという影響もある。
【００１０】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ストライプ状電極が段差上を通る構成であっても、この段差上でストライプ状電極が短絡することを確実に回避することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、電気光学物質を保持する第１の基板上の所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁膜の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域の双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びている電気光学装置において、前記ストライプ状電極の下層側には、前記絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に相当する部分に段差が形成され、前記複数のストライプ状電極は、前記段差上を通る部分が前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっていることを特徴とする。
【００１２】
電気光学装置において、オーバーコート層などとして形成した絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に大きな段差が形成され、この段差上をストライプ状電極が通っている場合でも、本発明では、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分が絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。このため、ストライプ状電極をパターニング形成するためのレジストマスクを形成するための露光時に段差に起因する影によって露光異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。また、ストライプ状電極をパターニング形成するためのドライエッチングを行った際、段差に起因する影によってエッチング異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。
【００１３】
本発明において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分になっていることが好ましい。ストライプ状電極の幅を狭くすると、この部分の電気的抵抗が大きくなるが、短絡が発生しやすい段差上のみ括れさせた構成であれば、このような電気的抵抗の増大を最小限に止めることができる。
【００１４】
本発明において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して幅が狭くなっている構成であってもよい。ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分は、駆動用ＩＣあるいは外部から信号供給する配線部分として所定のパターンに引きまわれることになるが、このような配線部分を細幅に形成すれば、狭い領域内に多数の配線を引き回すことができるので、ストライプ状電極の数の増大に対応することができる。
【００１５】
本発明において、前記絶縁膜は、該絶縁膜の下層側に形成されたカラーフィルタによって形成された凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜である。ストライプ状電極を形成するための導電膜をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタが形成されている場合には、カラーフィルタの耐熱性からみて導電膜をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成した導電膜は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計な導電膜が残りやすい。それでも、本発明では、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分の幅が狭くなっているため、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。
【００１６】
本発明において、前記ストライプ状電極は、スパッタ形成した膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてなる。この場合、ストライプ状電極は、ＩＴＯ膜などといった導電性の金属酸化膜などから構成される。
【００１７】
本発明においては、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分については、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造になっていることが好ましい。このように構成すると、電極幅が狭くなっている部分の電気的な抵抗を小さくできるので、前記ストライプ状電極に信号供給する際、信号の遅延が発生しない。
【００１８】
本発明が適用される電気光学装置は、例えば、前記第１の基板と、該第１の基板とシール材を介して貼り合わされた第２の基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保持された液晶装置である。
【００１９】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器の表示部として用いられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【００２１】
［液晶パネルの構成］
図１は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する対向基板（第１の基板）および素子基板（第２の基板）のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＩ−Ｉ′断面図である。なお、本形態の液晶装置に用いた対向基板は、基本的な構成が共通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
【００２２】
図１に示すように、液晶装置に用いられる液晶パネル２では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成され、この画素５３では、液晶層５４とＴＦＤ素子５６とが直列に接続されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。本実施形態において、走査線駆動回路５７およびデータ線駆動回路５８は、図３を参照して後述する液晶駆動用ＩＣ８ａおよび液晶駆動用ＩＣ８ｂにそれぞれ構成されている。
【００２３】
図２（ａ）、（ｂ）において、ＴＦＤ素子５６は、素子基板７ａの表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂは、第１金属層６２と、この第１金属層６２の表面に形成された絶縁層６３と、絶縁層６３の表面に互いに離間して形成された第２金属層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１金属層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁層６３は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【００２４】
第２金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層６４ａは、そのまま走査線５１となり、他方の第２金属層６４ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続されている。
【００２５】
なお、以下に説明する液晶装置は、透過型であるため、画素電極６６をＩＴＯ膜から構成したが、画素電極６６をＡｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成すれば、反射型の液晶装置を構成することができ、この場合、後述するバックライト装置は使用されない。また、画素電極６６をＡｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料で構成し、かつ、画素電極６６の一部に開口部を形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。さらに、画素電極６６の下層側などに半透過・半反射性の膜を形成しても半透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。このような半透過・半反射型の液晶装置では、夜間などはバックライト装置からの光を利用して画像を表示し、昼間などは外光を利用して画像を表示することができる。
【００２６】
また、素子基板７ａを構成する基板１７ａは、対向基板７ａを構成する基板１７ｂ（図３および図４参照）と同様、例えば、石英、ガラス、プラスチック等によって形成される。ここで、全反射型の場合には基板１７ａが透明であることは、必須要件ではないが、本実施形態のような透過型の場合、あるいは前記した半透過・半反射型の液晶装置では、素子基板１７ａが透明であることは必須の要件となる。
【００２７】
［液晶装置の構成］
このようにして走査線５１およびＴＦＤ素子５６が形成された素子基板７ａは、図３および図４を参照して説明するように、ＩＴＯ等といった透明導電材からなるデータ線５２がストライプ状に形成された対向基板７ｂと対向配置され、素子基板７ａと対向基板７ｂは、一列分の画素電極６６と１本のデータ線５２とが互いに対向する位置関係となるように互いに貼り合わされる。対向基板７ｂの詳細な構成は、図５、図６および図７を参照して後述する。
【００２８】
図３および図４はぞれぞれ、液晶装置の分解斜視図およびその断面図である。
【００２９】
図３および図４に示すように、液晶装置１は、例えば、液晶パネル２にＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：可撓性プリント基板）３ａ、３ｂを接続し、さらに液晶パネル２の裏面側に導光体４を取り付け、さらに導光体４の裏面側に制御基板５を設けることによって形成される。
【００３０】
液晶パネル２において、素子基板７ａと対向基板７ｂとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗布されたシール材６によって貼り合わされている。素子基板７ａのうち、対向基板７ｂから張り出す部分の表面には、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）９によって液晶駆動用ＩＣ８ａがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装されている。また、対向基板７ｂのうち、素子基板７ａから張り出す部分には、ＡＣＦ９によって液晶駆動用ＩＣ８ｂがＣＯＧ実装されている。
【００３１】
図４に示すように、素子基板７ａの内面には、図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明した複数の画素電極６６がマトリクス状に形成され、その外面には、光学シートとしての偏光板１２ａが貼着されている。なお、素子基板７ａの内面には液晶Ｌの配向を揃えるための配向膜６７が形成されている。この配向膜６７は、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成され、ポリイミドのポリマー主鎖がラビング処理によって所定の方向へ延伸されることにより、基板間に封入された液晶Ｌ内の液晶分子が配向膜の延伸方向に沿って方向配位する。
【００３２】
また、詳しくは後述するが、対向基板７ｂの内面には複数のデータ線５２がストライプ状に形成され、その外面には、光学シートとしての偏光板１２ｂが貼着されている。そして、素子基板７ａと対向基板７ｂとの基板間のうち、シール材６によって区画された間隙（セルギャップ）に液晶Ｌが封入されている。対向基板７ｂの内面にも、液晶Ｌの配向を揃えるための配向膜６８が設けられる。この配向膜６８も、配向膜６７と同様、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成される。
【００３３】
図３において、素子基板７ａの張出し部分には複数の端子１３ａが形成され、これらの端子は、素子基板７ａの表面に画素電極６６を形成する際に同時に形成される。また、対向基板７ｂの張出し部分にも複数の端子１３ｂが形成され、これらの端子は、対向基板７ｂの表面にデータ線５２を形成する際に同時に形成される。ＦＰＣ３ｂの端部には複数の端子２２が設けられ、ＡＣＦ等を用いてそれらの端子が対向基板７ｂの端子１３ｂに導電接続されている。また、ＦＰＣ３ｂの他の端部に形成された複数の端子２３は、制御基板５の端子（図示せず）に接続されている。ＦＰＣ３ａでは、裏面側端部に複数のパネル側端子１４が形成され、その反対側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子１６が形成されている。ここで、ＦＰＣ３ａの表面には配線パターン１８が適宜、形成され、この配線パターン１８は、一方の端部で制御基板側端子１６に直接に接続し、他方の端部がスルーホール１９を介してパネル端子１４に接続している。
【００３４】
導光体４の液晶パネル２側の表面には、拡散板２７が貼着等によって装着され、導光体４の液晶パネル２と反対側の表面には、反射板２８が貼着等によって装着される。また、導光体４の１つの側面に設定された光取込み面４ａに対向して発光手段としての複数のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）２１がＬＥＤ基板３８に支持されて配置されている。
【００３５】
図４に示すように、導光体４は、ゴム、プラスチック等によって形成された緩衝材３２を挟んで液晶パネル２の裏面側に取り付けられる。また、制御基板５は導光体４の反射板２８が装着された面に対向して配設される。なお、制御基板５の端部には、外部回路との接続をとるための端子３３が形成される。
【００３６】
このように構成した液晶装置１のバックライト装置において、ＬＥＤ２１が発光すると、その光が導光体４へ導入され、その導入された光が反射板２８で反射して液晶パネル２の方向へ進行し、拡散板２７によって平面内で一様な強度となるように拡散された状態で液晶パネル２へ供給される。供給された光は、導光体４側の偏光板１２ａを通過した成分が液晶Ｌの層へ供給され、さらに画素電極６６とデータ線５２との間に印加される電圧の変化に応じて画素毎に配向が制御された液晶Ｌによって画素毎に変調され、さらにその変調光を表示側の偏光板１２ｂに通すことにより、外部に像を表示する。
【００３７】
［対向基板７ｂの構成］
図５は、本発明を適用した液晶装置に用いた対向基板の平面図である。図６は、図５に示す対向基板を図５のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線で切断したときの断面図である。図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図５に示す対向基板の円Ｆおよび円Ｇで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。なお、図５、図７（ａ）、（ｂ）において、シール材が形成される領域は一点鎖線Ｌ１で示し、オーバーコート層の形成領域と非形成領域との境界部分は二点鎖線Ｌ２で示し、画面見切り用の遮光膜の形成領域は点線Ｌ３で示してある。また、図１７に示すＤ−Ｄ′断面は、オーバーコート層の形成領域と非形成領域の境界部分に相当し、オーバーコート層は表されているが、遮光膜およびカラーフィルタはここには形成されていないので、図には表されていない。
【００３８】
液晶装置１においてカラー表示を行う場合、対向基板２４ｂは、以下に説明するように構成される。まず、図５に示すように、対向基板７ａには、シール材６で区画される領域内に、ストライプ状電極からなるデータ線５２が複数、所定の間隔を介して並列して形成されているとともに、データ線５２の各々からは、液晶駆動用ＩＣチップの実装領域８０ｂに向けて配線部分５２０が延びている。
【００３９】
また、対向基板７ａには、図６に対向基板７ｂの各位置での断面（図５のＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面、Ｃ−Ｃ′断面、Ｄ−Ｄ′断面）をそれぞれ示すように、透明基板１７ｂの表面側には、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜４３、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、絶縁性のオーバーコート層４５、データ線５２、および配向膜６８がこの順に積層されている。また、シール材６で囲まれた領域の内側にはシール材６に沿って画面見切り用の遮光膜４５が形成され、この遮光膜４５で囲まれた領域は、画像が表示される画像表示領域となる。従って、画面見切り用の遮光膜４５で囲まれた領域の内側にのみカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂや遮光膜４３が形成されている。なお、遮光膜４３は、図４からわかるように、素子基板７ａに形成されている画素電極６６に対向しない領域に形成され、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂは、画素電極６６に対向する領域に形成されている。
【００４０】
再び図６において、オーバーコート層４５は、下層側に形成されたカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｂ、４０Ｂによって生じた凹凸を解消するための分厚い有機絶縁膜あるいは無機絶縁膜から構成され、その上層側にデータ線５２が形成されている。オーバーコート層４５は、対向基板７ｂの表面のうち、画面見切り用の遮光膜４５で囲まれた領域よりも広いが、シール材６で囲まれた領域よりも狭い領域に形成されている。これに対して、データ線５２は、一方の端部４５１がオーバーコート層４５の形成領域４５ａからはみ出ている一方、他方側は、オーバーコート層４５の形成領域４５ａからさらにシール材６が形成されている領域を通って液晶駆動用ＩＣ８ｂがＣＯＧ実装される領域にまで延びている。このため、データ線５２は、図５、図６および図７（ａ）、（ｂ）に示すように、オーバーコート層４５の形成領域４５ａおよび非形成領域４５ｂの双方に跨って延びている。ここで、オーバーコート層４５は、例えば、２０００ｎｍ〜３０００ｎｍという分厚い絶縁膜からなるため、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂとの境界には大きな段差４５０が形成され、この段差４５０上をデータ線５２が通っている。
【００４１】
ここに、データ線５２は、段差４５０上を通る部分が、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。すなわち、データ線５２のうち、段差４５０上を通る部分は、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分、およびオーバーコート層４５の非形成領域４５ｂ上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分５２５になっている。このため、以下に説明する方法で液晶装置１を製造したとき、データ線５２は、段差４５０上で短絡することがない。
【００４２】
［液晶装置１および対向基板７ｂの製造方法］
図８は、本形態の液晶装置１の製造方法を示す工程図である。図９および図１０は、本形態の液晶装置１に用いた対向基板７ｂの製造方法を示す工程断面図である。
【００４３】
図８に示すように、液晶装置１および液晶パネル２を製造するにあたっては、能動素子形成工程Ｐ１１〜シール材印刷工程Ｐ１５からなる素子基板形成工程と、遮光膜形成工程Ｐ２１〜ラビング処理工程Ｐ２６からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。
【００４４】
まず、素子基板７ａを形成するにあたっては、基板１７ａの表面に対して、能動素子形成工程Ｐ１１において走査線５１およびＴＦＤ素子５６を形成した後、画素電極形成工程Ｐ１２において画素電極６６を形成する。次に、配向膜工程Ｐ１３において基板１７ａの表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜６７を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１４において配向膜６７に対してラビング処理その他の配向処理を行う。次に、シール材印刷工程Ｐ１５においてディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材６を環状に塗布する。なお、シール材６の一部分には、液晶注入用の開口６ａが形成される。
【００４５】
一方、対向基板７ｂを形成するにあたっては、まず、遮光膜形成工程Ｐ２１において、図９（ａ）に示すように、透明基板１７ｂの表面の所定領域にフォトリソグラフィ技術を用いて遮光膜４３、４４を形成する。次に、カラーフィルタ形成工程Ｐ２２において、図９（ｂ）に示すように、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを形成する。このようなカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂは、フレキソ印刷、フォトリソグラフィ技術、あるいはインクジェット法などによって形成される。次に、オーバーコート層形成工程Ｐ２３において、図９（ｃ）に示すように、フレキソ印刷、あるいはフォリソグラフィ技術を用いて絶縁性のオーバーコート層４５を形成する。次に、データ線形成工程Ｐ２４において、ＩＴＯ膜によりストライプ状電極、すなわち、データ線５２を形成する。
【００４６】
それにはまず、図９（ｄ）に示すように、透明基板１７ｂの表面全体にスパッタ法によりＩＴＯ膜５２′を形成する。次に、図１０（ａ）に示すように、ＩＴＯ膜５２′の表面全体に感光性レジスト６００を塗布した後、この感光性レジスト６００を露光マスク６１０を介して露光、現像して、図１０（ｂ）に示すように、レジストマスク６０１を形成する。次に、レジストマスク６０１を介してＩＴＯ膜５２′をパターニングして、図１０（ｃ）に示すように、ストライプ状のデータ線５２を形成する。
【００４７】
次に、配向膜形成工程Ｐ２５において、データ線５２等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜６８を形成した後、ラビング処理工程Ｐ２６において、配向膜６８に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板７ｂが完成する。
【００４８】
このような工程は、素子基板７ａおよび対向基板７ｂをそれぞれ多数枚取りできる大型のマザー基板の状態で行われる。従って、上記の各工程を終えた後、マザー基板同士をシール材６を挟んで貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ３１）、次に、紫外線硬化その他の方法でシール材６を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ３２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体の所定位置に切断溝を形成し、さらにそのスクライブ溝を基準にパネル構造体を短冊状に切断する（１次ブレイク工程Ｐ３３）。これにより、各液晶パネルのシール材６の液晶注入用の開口６ａが外部に露出する短冊状の空のパネル構造体が形成される。次に、露出した液晶注入用の開口６ａからパネルの内側に液晶を減圧注入した後、各開口６ａを樹脂等によって封止する（液晶注入・注入口封止工程Ｐ３４）。その後、パネル構造体に再び切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体を切断することにより、複数個の液晶パネルが切り出される（２次ブレイク工程Ｐ３５）。このようにして製造された液晶パネル２に対して、図４に示すように、偏光板１２ａ、１２ｂを貼り付ける（偏光板貼り付け工程Ｐ１７）。しかる後に、図３に示すように、液晶駆動用ＩＣ８ａ、８ｂ、制御基板５を実装し、さらにＦＰＣ３ａ、３ｂを接続することにより、液晶装置１が完成する（実装工程Ｐ３７）。
【００４９】
［本形態の効果］
このような製造工程のうち、対向基板７ｂにデータ線５２を形成するデータ線形成工程Ｐ２４において、図１０（ａ）に示すように露光を行う際、オーバーコート層４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂとの境界に形成されている段差４５０に起因する影の影響によって、本来露光されるべき部分のレジスト６００が露光されず、図１０（ｂ）に点線Ｌ４で示すように、ＩＴＯ膜６００を除去すべき位置に余計なレジスト６０１が残ってしまうと、ＩＴＯ膜５２′をパターニングしたとき、余計なレジスト６０１が残っていた部分では、図７（ａ）、（ｂ）、および図１０（ｃ）に示すように、データ線５２の間に余計なＩＴＯ膜５２″が残ってしまうことがある。また、レジスト６００に対する露光に異常が発生しなくても、ＩＴＯ膜５２′をドライエッチングによりパターニングする際、段差４５０に起因する影によって、データ線５２の間に余計なＩＴＯ膜５２″が残ってしまうこともある。しかも、ＩＴＯ膜５２′をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂが形成されているので、カラーフィルタ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを構成する有機物の耐熱性からみて、ＩＴＯ膜５２′をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成したＩＴＯ膜５２′は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計なＩＴＯ膜５２″が残りやすい。しかるに本形態では、データ線５２は、段差４５０上を通る部分がオーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分、およびオーバーコート層４５の非形成領域４５ｂ上を通る部分と比較して幅が狭い括れ部分５２５になっているため、段差４５０上に余計なＩＴＯ膜５２″が残っていてもデータ線５２が短絡することがない。それ故、データ線５２のピッチを狭めることができる。
【００５０】
また、データ線５２の幅を狭くすると、この部分の電気的抵抗が大きくなるが、本形態では、短絡が発生しやすい段差４５０上に括れ部分５２５を設け、その他の部分は、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分と略等しい幅である。それ故、データ線５２の電気的抵抗の増大を最小限に止めることができる。
【００５１】
［その他の実施の形態］
図１１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた別の対向基板において、図５の円Ｆおよび円Ｇに相当する位置を拡大して示す平面図である。図１２（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた各対向基板においてデータ線の構成を示す断面図である。
【００５２】
上記実施形態では、データ線５２のうち、段差４５０上を通る部分については、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分、およびオーバーコート層４５の非形成領域４５ｂ上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分５２５を設けたが、図１１（ａ）、（ｂ）に示す対向基板７ｂでは、データ線５２のうち、段差４５０上を通る部分およびオーバーコート層４５の非形成領域４５ｂを通る配線部分５２０が、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分と比較して幅が狭くなっている。その他の構成は前記した形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして説明を省略する。
【００５３】
このように構成した場合も、段差４５０上において、データ線５２の間に余計なＩＴＯ膜５２″が残ったとしてもデータ線５２が短絡することがないので、データ線５２のピッチを狭めることができる。また、データ線５２から延びてオーバーコート層４５の非形成領域４５ｂ上を通る配線部分５２０はＩＣの実装領域に向けて収束するように斜めに引き回されるが、このような配線部分５２０を細幅に形成すれば、狭い領域内に多数の配線を形成できるので、ストライプ状電極５２の数を増やした場合に有利である。
【００５４】
なお、上記のいずれの形態でも、図１１（ａ）に示すように、データ線５２および配線部分５２０がＩＴＯ膜（金属酸化膜）から構成されていたが、データ線５２のうち、オーバーコート層４５の形成領域４５ａ上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分については、図１２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、ＩＴＯ膜などの金属酸化膜と、金属膜Ｍとの多層構造になっている構成を採用すれば、電極幅が狭くなっている部分の電気的抵抗を下げることができる。ここで、図１２（ｂ）に示すデータ線５２は、ＩＴＯ膜などの金属酸化膜の上層に金属膜Ｍが積層された構造になっている。図１２（ｃ）に示すデータ線５２は、ＩＴＯ膜などの金属酸化膜の下層に金属膜Ｍが積層された構造になっている。この場合、金属膜Ｍの下地との密着性が弱い場合、あるいは、金属膜Ｍから液晶への不純物の溶出が問題となる場合には、図１２（ｄ）に示すように、ＩＴＯ膜などの金属酸化膜、金属膜Ｍ、およびＩＴＯ膜などの金属酸化膜をこの順に積層した構造にすればよく、かつ、金属膜Ｍよりも上層および下層のＩＴＯ膜を幅広に形成して金属膜ＭをＩＴＯ膜で完全に覆うすれば、金属膜Ｍからの不純物の溶出や密着性の問題を解消することができる。ここで、金属膜は、銀単体、９８％程度の銀の他に白金（Ｐｔ）や銅（Ｃｕ）を含む合金、銀−金−銅合金、銀−ルテニウム−銅合金などを用いることができる。
【００５５】
また、上記のいずれの形態でも、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置１を例に説明したが、基板上にストライプ状に形成されている電気光学装置であれば、パッシブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００５６】
［電子機器の実施形態］
図１３は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１および液晶パネル２を用いることができる。
【００５７】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００５８】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００５９】
図１４は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００６０】
図１５は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、オーバーコート層などとして形成した絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に大きな段差が形成され、この段差上をストライプ状電極が通っている場合でも、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分が絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。このため、ストライプ状電極をパターニング形成するためのレジストマスクを形成するための露光時に段差に起因する影によって露光異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。また、ストライプ状電極をパターニング形成するためのドライエッチングを行った際、段差に起因する影によってエッチング異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。それ故、ストライプ状電極のピッチを狭めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＩ−Ｉ′線断面図である。
【図３】液晶装置の分解斜視図である。
【図４】液晶装置の断面図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置に用いた対向基板の平面図である。
【図６】図５に示す対向基板を図５のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線で切断したときの断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図５に示す対向基板の円Ｆおよび円Ｇで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図５に示す対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、図５に示す対向基板の製造工程のうち、図９に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた別の対向基板において、図５の円Ｆおよび円Ｇに相当する位置を拡大して示す平面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた各対向基板においてデータ線の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１４】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１５】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１６】従来の液晶装置に用いた対向基板の平面図である。
【図１７】図１６に示す対向基板を図１６のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線で切断したときの断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１６に示す対向基板の円Ｆおよび円Ｇで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。
【図１９】図１６に示す対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１  液晶装置（電気光学装置）
２  液晶パネル
６  シール材
７ａ  素子基板
８ａ、８ｂ  液晶駆動用ＩＣ
１７ａ  素子基板を構成する基板
１７ｂ  対向基板を構成する透明基板
４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ  カラーフィルタ
４３、４４  遮光膜
４５  オーバーコート層（絶縁膜）
４５ａ  オーバーコート層の形成領域
４５ｂ  オーバーコート層の非形成領域
５１  走査線
５２  データ線（ストライプ状電極）
５２′  ＩＴＯ膜
５２″  余計なＩＴＯ膜
５３  画素
５４  液晶層
５６  ＴＦＤ素子
５７  走査線駆動回路
５８  データ線駆動回路
６６  画素電極
４５０  段差
５２０  配線部分
５２５  括れ部分
６００  フォトレジスト
６０１  レジストマスク
６１０  露光マスク
６０１′  余計なレジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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