(57)【要約】単体受動素子の基板実装によるモジュールの大型化，実装コストの上昇を改善し、信頼性が高く、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した小型で高性能な電子回路部品を低コストで提供する。絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた面積の異なる複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
2003007379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた面積の異なる複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項２】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記電極の端部以外の部分に設けられた接続部と、前記素子及び前記接続部を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項３】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部でありかつ格子状に配列された金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項４】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の有機絶縁性材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかにおいて、該コンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子と前記絶縁性基板との距離が異なることを特徴とする電子回路部品。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかにおいて、絶縁性基板がガラス基板であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかにおいて、有機絶縁材が感光性有機絶縁材であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかにおいて、有機絶縁材が一般式
【化１】で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることを特徴とする電子回路部品。
【化１】
2003007379.tif 000005
（但し，Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし，Ｒ１は水素，メチル，エチルの何れかを現わし，ｍは１から４，ｎは２以上の整数を現わす。）
【請求項９】
請求項１から６のいずれかにおいて、有機絶縁材がポリイミド樹脂であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかにおいて、有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかにおいて、誘電体材料がＴａ、Ｍｇ、Ｓｒのいずれかの酸化物であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項１２】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた面積の異なる複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１３】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記電極の端部以外の部分に設けられた接続部と、前記素子及び前記接続部を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１４】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部でありかつ格子状に配列された金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１５】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１６】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記絶縁性基板の主面に設けられた前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の第１の有機絶縁材と、前記絶縁性基板の副主面に設けられた前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の第２の有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１７】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部でありかつ前記インダクタ素子と異なる面に設けられた金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１８】
所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導電性物質及び核形成物質及びガラスからなる導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することを特徴とする電子回路部品。
【請求項１９】
請求項１２から１８のいずれかにおいて、該コンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子と前記絶縁性基板との距離が異なることを特徴とする電子回路部品。
【請求項２０】
請求項１２から１９のいずれかにおいて、絶縁性基板がガラス基板であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項２１】
請求項１２から２０のいずれかにおいて、有機絶縁材が感光性有機絶縁材であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項２２】
請求項１２から２０のいずれかにおいて、有機絶縁材が一般式
【化１】で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることを特徴とする電子回路部品。
【化１】
2003007379.tif 000006
（但し，Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし，Ｒ１は水素，メチル，エチルの何れかを現わし，ｍは１から４，ｎは２以上の整数を現わす。）
【請求項２３】
請求項１２から２０のいずれかにおいて、有機絶縁材がポリイミド樹脂であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項２４】
請求項１２から２０のいずれかにおいて、有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項２５】
請求項１２から２４のいずれかにおいて、誘電体材料がＴａ、Ｍｇ、Ｓｒのいずれかの酸化物であることを特徴とする電子回路部品。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電子部品及びその製造技術に関し、特に基板にガラスを用いた電子部品及びその製造に適用して有効な技術に関する。
背景技術
特開平８−２５５９８１号公報は、紫外線による感光性材料の露光処理を用いてガラス基板上に微細なヴィアホールや配線を形成する技術を開示している。この公報は、ガラス基板上にＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｕなどの金属からなる光遮断膜を形成することによって、感光性材料の露光処理に際してガラス基板の上面と下面との間で紫外線の多重反射が生じるのを防いでいる。また、上記金属からなる光遮断膜の膜厚を３μｍ以上とすることによって、ガラス基板の熱伝導性を向上させている。
特開平９−３２１１８４号公報は、高配線密度の半導体チップと低配線密度のプリント配線基板とを接続するための接続基板およびその製造技術を開示している。この接続基板は、感光性ガラス基板からなり、その上面にはチップのバンプが接続される１層の配線が形成されている。また、基板の下面にはプリント配線基板の電極に接続される複数のバンプが形成されている。基板の上面の配線と下面のバンプとは、基板の上下面を貫通する孔を介して電気的に接続されている。これらの貫通孔はフォトリソグラフィ技術によって形成され、その内部にはメッキにより導体が埋め込まれる。
特開２０００−１２４３５８号公報にはシリコン基板上に、ＭＩＭ型の容量とスパイラルインダクタと薄膜抵抗とこれらを接続する金属配線とを配置し、さらにこの上にフリップチップ実装により能動素子を実装した高周波集積回路の技術を開示している。さらに同公報には詳細内容，効果などは記されていないが、ガラス基板を用いたという請求項も記されている。
特開平１０−２８４６９４号公報では抵抗率が２００Ω・ｃｍ以上の多結晶シリコン製基板上に電子回路を構成する技術が開示されている。
電子部品を実装するための配線基板には、ガラス繊維を含有するエポキシ樹脂（ガラエポ）やポリイミド樹脂などからなる樹脂基板にＣｕ配線を形成したもの、あるいはＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＳｉＣ（シリコンカーバイド）などからなるセラミック基板にＷ（タングステン）配線を形成したものが広く使用されている。
しかしながら、樹脂やセラミックといった配線材料は、半導体集積回路の製造に用いられているシリコン基板に比べると反りや寸法変動が大きく、フォトリソグラフィ技術を使ったマイクロメーター（μｍ）オーダーの微細配線やスルーホールを形成することができないため、電子部品を高密度に実装することは困難である。
一方、微細配線の形成に適したシリコン基板は、ガラエポ基板などに比べて高価なため、電子部品を実装するための配線基板としては汎用性が低く、用途が限定されてしまう。さらに単結晶シリコン基板は半導体であるためその上に形成したコンデンサ，インダクタなどの電子部品の効率を下げる要因となる。一方多結晶のシリコン基板はこの効率低下をある程度防ぐことができるが、やはり単結晶基板よりは高価なため、電子部品を実装するための配線基板としては汎用性が低く、用途が限定されてしまう。
ガラスは、樹脂やセラミックに比べて反りや寸法変動が小さく、かつシリコンに比べて安価であるという特長を備えていることから、電子部品を高密度に実装する基板の材料として好適であると考えられる。また、ガラス基板は良好な絶縁体であり、そのためその上に形成されたインダクタなどの素子は高い効率を有する。
しかし、特開２０００−１２４３５８号公報にあるような通常のガラス基板は熱伝導性が悪く、比較的壊れやすいために、ガラス製基板と他の材料（Ｓｉ）との間の熱膨張率差により、基板内にクラックや破損がしばしば発生し、その結果歩留まりが下がり、信頼性も下がることになる。
さらに、ガラス基板に電子部品を高密度に実装したり、ガラス基板を広汎な用途に使用したりするためには、樹脂やセラミックの配線基板で行われているように、外部接続端子となる電極を基板の裏面（電子部品実装面と反対側の面）から取り出す必要がある。
ガラス基板の裏面から外部接続端子を取り出すためには、ガラス基板に高い寸法精度で貫通孔を形成する技術が必要となるが、例えば前述した公報（特開平９−３２１１８４号）に記載されているような特殊な感光性ガラスを使用したのでは基板の製造コストが高くなってしまい、電子部品を実装するための配線基板としては用途が限られてしまう。
さらに、前述した公報（特開２０００−１２４３５８号）にあるような基板上にコンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を全て配置した場合では、集積した電子部品の大きさがかなり大きくなってしまう。
さらに、前記した公報では、ガラス基板上に形成した各構成要素がガラス基板の端面に露出した構成となっているため、電子部品をより大きなガラス基板からダイシングなどで切り出す際に、電子回路部品を構成する各層の界面領域に大きな機械的応力が加わった場合や、電子回路部品の実装時に印加される急激な温度変動に伴い各層の界面領域に大きな熱応力が加わった場合等においては、電子回路部品の端面に露出している基板と各層の界面領城にそれらの応力が集中的に加わり、それによって各層の界面領域が剥離するようになって、電子回路部品が破損してしまうことがある。
このように、既知のこの種の電子回路部品は、必ずしも高い信頼性を得ることができないものであり、しかも、必ずしも高い製造歩留まりを得ることが難しいものであった。
本発明の目的は、コンデンサ，インダクタおよび抵抗などの多様な電子部品を高性能かつ高密度で集積した電子回路部品を提供することにある。
発明の開示
前記目的を達成するため、電子回路部品において、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた面積の異なる複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記電極の端部以外の部分に設けられた接続部と、前記素子及び前記接続部を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部でありかつ格子状に配列された金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積し、接続基板などの他部品との接続が容易な電子回路部品を得ることができる。さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の有機絶縁性材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつ各素子の必要高周波特性に適した有機絶縁性材を選択することでコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で高性能に集積した電子回路部品を得ることができる。
前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた面積の異なる複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記電極の端部以外の部分に設けられた接続部と、前記素子及び前記接続部を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部でありかつ格子状に配列された金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積し、接続基板などの他部品との接続が容易な電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつ各素子の必要高周波特性に適した有機絶縁性材を選択することでコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で高性能に集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記絶縁性基板の主面に設けられた前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の第１の有機絶縁材と、前記絶縁性基板の副主面に設けられた前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う複数の第２の有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつ各素子の必要高周波特性に適した有機絶縁性材を選択することでコンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で高性能に集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、前記金属配線の一部でありかつ前記インダクタ素子と異なる面に設けられた金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつ電子部品が搭載される基板などからインダクタ素子への影響を減少させることができ、コンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で高性能に集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、電子回路部品において、所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面及び副主面の両面あるいは片面に設けられた複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子、インダクタ素子、抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、前記素子を接続する金属配線と、前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導電性物質及び核形成物質及びガラスからなる導体部と、前記金属配線の一部である金属端子部と、前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有することで、製造歩留まりが良好で、かつ基板両面の電気的導通を確実にとることができ、コンデンサ、インダクタ、抵抗などの多様な電子部品を高密度で高性能に集積した電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、複数の電極とその間に挟まれる誘電体材料からなるコンデンサ素子と、インダクタ素子、抵抗素子と前記絶縁性基板との距離が異なることにより、コンデンサ、インダクタ、抵抗など素子をより高密度に集積することができる。
さらに前記目的を達成するため、絶縁性基板にガラス基板を用いることで、ガラス基板の低コスト、高い平滑性、高い絶縁性、低い誘電正接のため、より低コストで高性能な電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、有機絶縁材に感光性有機絶縁材を用いることで、製造時のプロセスが削減され、製造コストが低減できるため、より低コストな電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、有機絶縁材が一般式
【化１】で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることにより、前記低誘電正接樹脂組成物の安価で低い誘電率、誘電正接のため、より高性能で高効率な電子回路部品を安価に得ることができる。
【化１】
2003007379.tif 000003
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１は水素，メチル，エチルの何れかを現わし，ｍは１から４，ｎは２以上の整数を現わす。）
さらに前記目的を達成するため、有機絶縁材がポリイミド樹脂であることにより、ポリイミドの高い熱安定性のため、信頼性の高い電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることにより、ＢＣＢの低い誘電率、誘電正接のため、より高性能で高効率な電子回路部品を得ることができる。
さらに前記目的を達成するため、誘電体材料がＴａ、Ｍｇ、Ｓｒのいずれかの酸化物であるにより、Ｔａ、Ｍｇ、Ｓｒの安価かつ安定性の高い特性により、安価で信頼性の高い高性能な電子回路部品を得ることができる。また、誘電体材料として、Ｔａの酸化物を用いた場合には絶縁耐圧を向上することができ、Ｍｇの酸化物を用いた場合にはＱ値を向上することができ、Ｓｒの酸化物を用いた場合には高εとすることができる。なお、Ｑ値とは共鳴の鋭さ（周波数選択性）を表す量で下式で定義される。
Ｑ＝ω（蓄積エネルギー）／（損失）＝Ｉｍ（Ｚ）／Ｒｅ（Ｚ）
ここで、Ｉｍ（Ｚ）およびＲｅ（Ｚ）はそれぞれ素子の１ポート（端子対）インピーダンスの虚数成分と実数成分である。
本発明のコンデンサ素子とは２つの金属電極で無機材料からなる誘電体材料を挟んだ構造の１つあるいは複数のコンデンサ素子と、２つの金属電極で有機材料からなる誘電体材料を挟んだ構造の１つあるいは複数のコンデンサ素子とからなる。さらにコンデンサ素子がガラス基板に近接する側の金属電極の端部が誘電体材料以外の絶縁体で覆われていることが好ましい。
金属電極は電気抵抗の低い導電性材料が好ましい。具体的には金，銅，ニッケル，アルミニウム，プラチナ，タングステン，モリブデン，鉄，ニオブ，チタン，ニッケル／クロム合金，鉄／ニッケル／クロム合金，窒化タンタル等が挙げられる。特に銅は電気抵抗が小さく好ましい。また、金属電極表面は平坦であることが必要で、表面の凹凸が誘電体材料厚さの１／２５以下であることが好ましい。また、下部電極を高融点の金属材料とすれば、誘電体形成の際にレーザ加工や高温焼成が可能となり、高性能化（高εの誘電体材料が適用可能），製造歩留まりの向上を図ることができる。金属電極の形成方法としては前記導電性材料を所定の膜厚に成膜した後、レジストパターンを形成しドライまたはウエットエッチングにより形成するほか、レジストパターンを形成後、電解または無電解メッキにより形成してもよい。金属電極やその他の配線の形成方法に関し、めっき法を用いた場合には厚膜配線が可能なため低抵抗化、高効率化および高性能化を図ることができる。また、スパッタ法を用いた場合には、微細パターンを形成することが可能なため、微細化、小型化、高性能化を図ることができる。
さらに無機材料とは一般にコンデンサ用誘電体材料として用いられているものであれば制限はなく、例えばＴａ，Ｍｇ，Ｓｒ等の酸化物が挙げられる。具体的にはＴａ２Ｏ５，ＢｓＴ（Ｂａ（ｘ）Ｓｒ（１−ｘ）ＴｉＯ（３），０＜ｘ＜１），ＳｒＴｉＯ３，ＴｉＯ２，ＭｎＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＭｇＴｉＯ３などの酸化物の他、バリウムチタン酸化合物やバリウムチタン酸化合物にジルコニウムや錫をドープした化合物，ＷＯ３，ＳｒＯ、混合されたバリウム／ストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ４，ＣｅＯ２などが挙げられる。その形成法も特に制限はなく、スパッタ法，プラズマＣＶＤ法などのドライ法，陽極酸化法などのウェット法を用いることもできる。その形成法も特に制限はなく、スパッタ法，プラズマＣＶＤ法などのドライ法，陽極酸化法などのウェット法を用いることもできる。スパッタ法、エッチング法などのドライ法による誘電体形成では、微細パターンが可能となり微細化、小型化、高性能化の点で有効である。また、ゾルゲル法、陽極酸化法などのウェット法による誘電体形成では、プロセスの簡略化が可能となり低コスト化に有効である。
さらに、有機材料とは一般に半導体用途に用いられる有機材料であれば特に制限はなく、熱硬化性あるいは熱可塑性いずれであっても良い。例えば、ポリイミド，ポリカーボネート，ポリエステル，ポリテトラフロロエチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリビニリデンフロリド，酢酸セルロース，ポリスルフォン，ポリアクリロニトリル，ポリアミド，ポリアミドイミド，エポキシ，マレイミド，フェノール，シアネート，ポリオレフィン，ポリウレタン及びこれらの化合物を用いることができる。これら化合物にアクリルゴム，シリコーンゴム，ニトリルブタジエンゴムなどのゴム成分や、ポリイミドフィラなどの有機化合物フィラやシリカなどの無機フィラを加えた混合物を用いてもよい。さらには上記材料を含む感光性材料により形成されていてもよい。感光性絶縁材料を用いた場合には、絶縁材上にレジストを形成する工程が省けるため製造歩留まりの向上を図ることできる。また、微細加工も可能となり小型化ができる。
特にポリイミド樹脂は耐熱性や耐薬品性に優れ、感光性を付与されたものは加工性にも優れており好ましい。また、ベンゾシクロブテン樹脂は誘電正接が低く高周波部品として本発明のコンデンサを使用する場合に好ましい。同様に一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物も、伝送ロスが低減され好ましい。この樹脂組成物のスチレン基間を結合する骨格にはメチレン，エチレンなどのアルキレン基を含む炭化水素骨格が好ましい。具体的に１，２−ビス（ｐ−ビフェニル）エタン、１，２−ビス（ｍ−ビフェニル）エタンおよびその類似体，側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼンの単独重合体，スチレン等との共重合体等のオリゴマーが挙げられる。
【化１】
2003007379.tif 000004
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１は水素，メチル，エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
さらに上記有機絶縁材は応力緩衝材としての機能を持たせても良い。具体的にはフッ素ゴム，シリコーンゴム，フッ化シリコーンゴム，アクリルゴム，水素化ニトリルゴム，エチレンプロピレンゴム，クロロスルホン化ポリスチレン，エピクロルヒドリンゴム，ブチルゴム，ウレタンゴムや、ポリカーボネート／アクリロニトリルブタジエンスチレンアロイ，ポリシロキサンジメチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレート共重合ポリブチレンテレフタレート／ポリカーボネートアロイ，ポリテトラフルオロエチレン，フロリネイテッドエチレンプロピレン，ポリアリレート，ポリアミド／アクリロニトリルブタジエンスチレンアロイ，変性エポキシ，変性ポリオレフィン，シロキサン変性ポリアミドイミド等が挙げられる。さらにその形成法としては、印刷法，インクジェット法，電子写真法等のパターン印刷法や、フィルム貼り付け法，スピンコート法等で有機絶縁材を形成した後フォト工程やレーザ等でパターンを形成する方法や、それらを組み合わせた方法がある。
この他にもエポキシ樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，エポキシイソシアネート樹脂，マレイミド樹脂，マレイミドエポキシ樹脂，シアン酸エステル樹脂，シアン酸エステルエポキシ樹脂，シアン酸エステルマレイミド樹脂，フェノール樹脂，ジアリルフタレート樹脂，ウレタン樹脂，シアナミド樹脂，マレイミドシアナミド樹脂等の各種熱硬化性樹脂や上記樹脂を２種以上組み合わせた材料やさらに無機フィラー等を配合した材料でも良い。また、上記樹脂に感光性を付与し所定の露光現像プロセスにより応力緩衝層の形状をコントロールすることも可能である。
また、本発明の有機絶縁材としては、層間で異なる絶縁材料を用いても良い。このように層間で異なる絶縁材料とすれば、低損失が必要な部分や耐薬品性が必要な部分等の必要な特性の材料を適材適所で選択することができ高性能化を図ることが可能である。また、絶縁性基板を挟んで両面に有機絶縁材を形成した場合、面間で異なる絶縁材料を用いても同様の効果を得ることが可能である。
本発明のインダクタ素子とは、いわゆる誘導性回路要素であれば特に制限はなく、例えば平面に形成されたスパイラル型、さらにはそれを複数個重ねたもの、あるいはソレノイド型などが用いられる。またそのインダクタンスは１０ｎＨ／ｍｍ２〜１００ｎＨ／ｍｍ２のものが適当である。
さらにインダクタ素子および金属配線とは同一の素材であっても異なる素材であっても良く、電気伝導性、および周囲の材料との接着性，形成法などによって適宜選択される。さらにその形成方法も特に制限されるものではない。例えばスパッタ法などを用いてＣｕを形成しても良く、周囲の材料との接着性を考慮してその界面にＴｉ，Ｃｒなどを形成しても良い。更にスパッタ法などで種膜となる薄膜をＣｕ等で形成した後、電解めっき法などで形成してもかまわない。さらに配線およびインダクタ素子のパターンニング法としては、エッチング法，リフトオフ法などの一般の配線パターンニング法を用いることができる。また、Ａｇなどの金属を含有する樹脂ペーストを用いて印刷法などで形成しても良い。さらに、前記無機誘電体の形成温度が高い場合には、Ｐｔなどの耐酸化性，耐熱性の高い金属を用いることもできる。インダクタを形成する際、インダクタの配線幅に対し、インダクタを構成する配線と配線との間の距離を小さくすれば、インダクタの中心部分の空間を広くとることができ、高効率化，高性能化を図ることができる。
本発明の抵抗素子とは、２つの金属電極で抵抗材料を挟んだ構造であり、抵抗材料としては一般に抵抗体材料として用いられているものであれば特に制限はなく、例えばＣｒＳｉ，ＴｉＮなどが用いられる。その形成法も特に制限はなく、例えばスパッタ法，プラズマＣＶＤ法などが用いられる。また、抵抗素子を最下層に形成すれば、絶縁材の硬化温度よりも高い温度で焼結が可能なため、製造歩留まり向上、低コスト化の点で有効である。
本発明の絶縁性基板とは各素子の効率を落とさないよう、絶縁性の高い材料であれば特に制限はない。更に本発明のガラス基板とは各素子の効率を落とさないよう、絶縁性の高いガラス基板であれば特に制限はなく、強度，加工性などを考慮して選択される。特にＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの群から選ばれた少なくとも１種の希土類元素を含有することが望ましい。さらには、希土類元素はＬｎ２Ｏ３（Ｌｎは希土類元素）の酸化物換算で、ガラス全体に対して０．５〜２０重量％含有し、他の成分としてＳｉＯ２：４０〜８０重量％，Ｂ２Ｏ３：０〜２０重量％，Ｒ２Ｏ（Ｒはアルカリ金属）：０〜２０重量％，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属）：０〜２０重量％，Ａｌ２Ｏ３：０〜１７重量％を含み、かつＲ２Ｏ＋ＲＯ：１０〜３０重量％であることが望ましい。こうすることでガラス基板の強度が大幅に向上し加工性も格段に良好となる。
本発明における貫通孔はその形状が２つの開孔直径Ｒ１，Ｒ２（Ｒ１≧Ｒ２）とガラス基板の厚さｔとの関係が
７０≦ｔａｎ−１（ｔ／（Ｒ１−Ｒ２））≦８０
であることが望ましく、開孔の直径Ｒ１，Ｒ２、および基板上における配置状況、基板の厚さは実装あるいは集積する素子及び配線の大きさに応じて適宜選択することができる。
更にその形成法はガラス基板に大きな物理的あるいは化学的損傷を与えないものであれば特に制限されない。既知の穴あけ技術を用いることができる。例えばマイクロサンドブラスト法，化学エッチング法，レーザ加工法，感光性ガラスを用いた感光処理法などがある。いずれの方法を用いても、前記したように開口部あるいは貫通孔内部のチッピングやクラックなどの物理的あるいは化学的損傷を与えない方法であることが重要である。
なお、上記貫通孔形成法でチッピングやクラックなどの物理的あるいは化学的損傷が発生した場合でも、それを修復することにより基板として使用することができる。例えばフッ酸などでチッピングあるいはクラックが発生したガラス表面をエッチングして損傷を除去する方法や、ガラスのゾルゲル液でクラックなどを埋める方法や、ガラス基板材料の軟化点近傍で加熱処理をする方法などがある。損傷部分を除去あるいは封止することができる方法であれば特に限定されないことは言うまでもない。
さらに本発明の絶縁性基板に設けられた貫通孔内部に形成された導体部は、絶縁性基板の主面側および副主面側にある金属配線あるいは素子を電気的に導通できれば特に制限はなく、例えば導電性物質及び核形成物質及びガラスからなる導電性物質で形成してもよい。また、ガラス基板両側にある回路部を電気的に接続できるものであれば特に制限はなく、電気伝導性、および周囲の材料との接着性，形成法などによって適宜選択される。さらにその形成方法も特に制限されるものではない。例えばスパッタ法などを用いて貫通孔の壁面にＣｕなどの導体層を形成しても良く、周囲の材料との接着性を考慮してその界面にＴｉ，Ｃｒなどを形成しても良い。更にスパッタ法などで種膜となる薄膜をＣｕ等で形成した後、電解めっき法などで形成してもかまわない。また、無電解めっき法を用いてもかまわない。さらには貫通孔内部にＡｇなどの金属を含有する樹脂ペーストを埋め込んでもよい。
本発明の電極の端部以外の部分に設けられた接続部はその上部の金属配線部と電気的に導通されていれば特に制限はなく、電極を覆う有機絶縁材にエッチング法などで貫通孔を開けた後、めっきなどで上部の金属配線層とともに形成してもよい。さらには貫通孔の形成法としては、有機絶縁材に感光性ポリイミドやＢＣＢなどの感光性有機絶縁材を用いてフォトマスク法により形成してもよい。
本発明の各素子の配置は特に制限はないが、各素子のカップリングによる寄生容量の発生による性能の低下、及び求められる電子回路部品の大きさに基づくその集積度に応じて、各素子の配置を適宜設計する必要がある。
たとえば小型化をさほど必要としない電子回路部品であれば、各素子は同一面上に並べる、あるいは各層間の距離を大きくして各素子間の影響を小さくすることが必要である。設置面すなわちグランド層を設けるのも一つの方法である。
また、より小型化を求めるのならば、基板の両面に各素子を形成することで集積度を上げ、より小型化することができる。
さらに小型化するためには、多数の面上に各素子を形成し、積層構造とすることでより小型化することができる。
また、ガラス基板を挟んで各素子を分けて配置することで、作成上のプロセスが簡便になり、安価な電子回路部品を得ることができる。また、各素子の距離が大きくとれることで、カップリングによる寄生容量の増加を防ぐことができる。
本発明における電子回路部品においては、外部との電気的接続をとるための外部電極が金属端子部上に形成されている必要は特にはないが、必要であれば形成することができる。外部電極は本発明による電子回路部品が搭載される基板や半導体素子と電気的に接続するための導電体で、例えば具体的には錫，亜鉛，鉛、を含む半田合金，銀，銅又は金あるいはそれらを金で被覆しボール状に形成したものが用いられる。これ以外にモリブデン，ニッケル，銅，白金，チタンなどの１つあるいはこれらを２つ以上組み合わせた合金もしくは２つ以上の多重膜とした構造の端子でもよい。また、その形成法もボール上の電極をマスクなどを用いて転写する方法、パターン印刷する方法など、従来公知の方法ならすべて用いることができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。なお、本発明を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施例１）
図１は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図１において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子３は全て下部電極３ａ，誘電体材料３ｂ，上部電極３ｃからなる３層構造である。下部電極３ａはＣｕ、誘電体材料３ｂはＴａの酸化物、上部電極３ｃはＣｕで構成される。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタであり、上記コンデンサ素子３の上部電極３ａと同一面に形成され、その材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図１において６はプリント基板などの実装基板との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図１の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口したこのポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時聞硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し、上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
この有機絶縁材表面に金属端子部を形成するため電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にネガ型液状レジスト材ＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピンコートしプリベークの後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきにより１０μｍのめっき膜を形成した後バリア層として更に２μｍの電気ニッケルめっき膜を形成した。最後にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離し、配線および金属端子部を形成した。
この金属端子部が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
このように、従来単体部品で搭載していたインダクタ，コンデンサ，抵抗などの受動素子を基板上に集積化することで、実装面積を半分にすることができ、より小型にすることができる。さらには基板に絶縁性の高いガラスを用いることで、各素子の効率の低下を防ぐことができ、従来のシリコン基板を用いたものと比較して約５倍の効率が得られる。さらにはシリコン基板を用いたものの半分のコストで製造できる。
さらには、コンデンサ，インダクタ，抵抗などの受動素子をガラス基板の端部よりも内側に形成することにより、電子回路部品の切断時や電子回路部品の実装時に集中的な応力が加わる構成部分をその応力に耐え得るようにし、応力の印加に伴う電子回路部品の破損の発生を大幅に低減させ、信頼性が高く、製造歩留まりが良好な電子回路部品を得ることができる。
なお、図１は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例２）
実施例２として、実施例１で用いた図１のガラス基板１に代えて、次のガラス基板を用いた。本実施例のガラス基板の組成は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの群から選ばれた少なくとも１種の希土類元素をＬｎ２Ｏ３（Ｌｎは希土類元素）の酸化物換算で、ガラス全体に対して０．５〜２０重量％含有し、他の成分としてＳｉＯ２：４０〜８０重量％，Ｂ２Ｏ３：０〜２０重量％、Ｒ２Ｏ（Ｒはアルカリ金属）：０〜２０重量％，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属）：０〜２０重量％，Ａｌ２Ｏ３：０〜１７重量％を含み、かつＲ２Ｏ＋ＲＯ：１０〜３０重量％含有している。またその厚さは実施例１と同様０．５ｍｍである。
また、本実施例においてガラス基板１以外の部分は実施例１と同様である。
また、本実施例の電子回路部品の製造方法は、実施例１と同様である。
実施例１で用いたガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）と実施例２で用いたガラス基板の抗折強度はそれぞれ２００ＭＰａ，３００ＭＰａである。抗折強度は４点曲げで計った値であり、サンプルの形状は１０ｍｍ×３６ｍｍ×０．５ｍｍである。このことからわかるように実施例２で用いたガラス基板は実施例１で用いたガラス基板の約２倍の強度を持つ。
したがって実施例２の電子回路部品は、耐衝撃性などの信頼性がより高いものに成る。
このように、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの群から選ばれた少なくとも１種の希土類元素をＬｎ２Ｏ３（Ｌｎは希土類元素）の酸化物換算で、ガラス全体に対して０．５〜２０重量％含有し、他の成分としてＳｉＯ２：４０〜８０重量％，Ｂ２Ｏ３：０〜２０重量％，Ｒ２Ｏ（Ｒはアルカリ金属）：０〜２０重量％，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属）：０〜２０重量％，Ａｌ２Ｏ３：０〜１７重量％を含み、かつＲ２Ｏ＋ＲＯ：１０〜３０重量％含有しているガラス基板を用いることで、実施例１による効果に加え、より信頼性の高い電子回路部品を得ることができる。
（実施例３）
実施例３では有機絶縁材２として、実施例１で用いた感光性ポリイミドに代えてＢＣＢ（サイクロテン４０２６，ダウケミカル製）を用いている。本実施例において有機絶縁材２以外は実施例１と同様である
また、本実施例の電子回路部品の製造方法は、実施例１と同様である。
ＢＣＢの誘電率は２．６５、誘電正接は０．００３であり、感光性ポリイミドの３．５，０．０１と比較してより小さい。
したがって電子回路の周囲を覆う絶縁層にＢＣＢを用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を低減することができる。
このように、本発明の有機絶縁材にＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、実施例１による効果に加え、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
（実施例４）
実施例４では有機絶縁材２として、実施例１で用いた感光性ポリイミドに代えて、上記一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いている。本実施例において有機絶縁材２以外は実施例１と同様である。
また、本実施例の電子回路部品の製造方法は、後述する前記低誘電正接樹脂組成物の形成法以外は実施例１と同様である。
前記低誘電正接樹脂組成物の形成は以下のようにして行った。合成した１，２−ビス（ビニルフェニル）エタンを３０重量部と環状ポリオレフィンＺｅｏｎｅｘ４８０（日本ゼオン製）を７０重量部、硬化触媒パーヘキシン２５Ｂを０．３重量部の３種の原料をキシレン溶媒中に固形分が３８％になるように溶解しワニスを作成した。
このワニスをスピンコートにより塗布し、ホットプレート上で１２０℃／２分の後２００℃／５分のステップキュアを行い１０μｍの絶縁体を形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐをスピンコートし乾燥した後、露光，現像工程を経て開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口したレジストマスクを形成した。次にＣＦ４で上記低誘電正接樹脂組成物をドライエッチングし、下部電極上の誘電体を露出させた。最後にレジストを剥離した。
低誘電正接樹脂組成物の誘電率は２．４５、誘電正接は０．００１５であり、感光性ポリイミドの３．５，０．００２と比較してより小さい。さらに、ＢＣＢの２．６５，０．００３と比較しても小さい。
さらに、価格は２万円／ｋｇでありＢＣＢの２３万円／ｋｇと比較して約１／１０である。
したがって電子回路の周囲を覆う絶縁層に前記低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができる。
このように、本発明の有機絶縁材に前記低誘電正接樹脂組成物を用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、実施例１による効果に加え、信号の通過損失の小さな電子回路部品を安価に得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
（実施例５）
図２は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図２において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図２において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタであり、その材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図２において６はプリント基板などの実装基板との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図２の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
次にガラス基板上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極３ａ上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極１３ａ上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。この工程において、下部電極３′ａ上に形成された有機絶縁材（ポリイミド）は、コンデンサ素子３′の誘電体材料３′ｂとなる。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し、上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
この有機絶縁材表面に金属端子部を形成するため電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にネガ型液状レジスト材ＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピンコートしプリベークの後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきにより１０μｍのめっき膜を形成した後バリア層として更に２μｍの電気ニッケルめっき膜を形成した。最後にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離し、配線および金属端子部を形成した。
この金属端子部が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、Ｔａの酸化物などの誘電率の高い無機材料とともに、ポリイミドなどの誘電率の低い有機材料を誘電体材料として用いることで、より容量値の小さなコンデンサを精度良く作成することができ、回路の信頼性を向上し、対応できる容量値の範囲を広げることができる。かつ、誘電体材料を素子周囲を覆う絶縁材と同じ材料とすることで、実施例１による効果に加え、より簡便で安価なプロセスで製造することができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
また、有機絶縁材に実施例３のＢＣＢを用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を低減することができる。
また、有機絶縁材に実施例４の低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができる。
なお、図２は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例６）
図３は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図３において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図３において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成きれるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。さらに上部電極上には上層の配線と接続するための接続部８が設けられている。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図３において６はプリント基板などの実装基板との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
さらに図４は図３中のコンデンサ素子の部分を示したものである。図４のコンデンサでは、誘電体材料３ｂを下部電極３ｃの側面を覆うように形成し、上下電極間のリーク不良の低減を図っている。上部電極３ａは下部電極３ｃよりも小さい面積で形成されているため、コンデンサの容量は上部電極の面積に依存する。上部電極３ｃと上層の配線との接続は、図４に示したように上部電極３ｃの端部以外の部分から有機絶縁材２のビアホールを介して上層へ配線を引き出し接続を行っている。上部電極の側面から配線を引き出し接続を行った場合には、下部電極と対向する配線の引き出し部の面積についてもコンデンサの容量となってしまうため、コンデンサを形成する際、細かな精度が要求される。これに対し、図４に示したような接続部８とすることにより、接続部はコンデンサの容量には関係しないため、より精度の高いコンデンサを形成することが可能となる。
次に図３の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
次にガラス基板上スパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層門接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子及び配線及び金属端子を形成した。
この金属端子部インダクタ素子及び配線及びが形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、コンデンサ素子及びインダクタ素子および抵抗素子がそれぞれガラス基板表面から異なる複数の距離で配置されていることにより、より高密度で各素子を集積することができ、実施例５による効果に加え、より小型な電子回路部品を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図３は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例７）
実施例７として、図５に示すＬＣフィルタ回路を１チップ化した電子回路部品の例を示す。図６は本実施例の電子回路部品の断面図である。図７は本実施例の電子回路部品の分解図である。また、図７の分解図で示した各層ごとの平面図を図８〜１４に示す。なお、図６の断面図は、図８〜１４における点線Ａ−Ａ‘の断面を示したものである。
図６及び７において、２６はガラス基板（日本電気ガラス、ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍ、大きさは２ｍｍ×２ｍｍである。２７はＣｕでできた下部電極層であり、図８がその平面図である。２８はＴａの酸化物でできた誘電体層であり、図９がその平面図である。２９は有機絶縁層であり、図１０がその平面図である。３０はインダクタ層と上部電極を兼ねた層であり、図１１がその平面図である。３１は有機絶縁層であり、図１２がその平面図である。３２は配線及び外部との接続を果たす電極層であり、図１３がその平面図である。３３は有機絶縁体でできた表面保護層であり、図１４がその平面図である。３４ははんだボールの外部電極である。Ｃｕでできた下部電極層２７、インダクタ層と上部電極を兼ねた層３０、配線及び外部との接続を果たす電極層３２とはそれぞれの層間にある有機絶縁層２９および３１にあるビアホールにて接続されている。
次に本実施例の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板２６にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極層２７を形成した。下部電極層２７は、コンデンサ素子の下部電極及び配線を兼ねている。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥、露光、現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体層２８を形成した。この際、誘電体層２８は下部電極の側面を覆うように形成されている。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁層２９を形成した。また、有機絶縁層２９には下部電極層２７とその上層の配線とを接続するためのビアホールが形成されている。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極及びインダクタ素子３０を形成した。ここで、上部電極とインダクタ素子を同一層に形成することにより、インダクタ素子とコンデンサ素子との距離を短縮することができ、小型化、低ノイズ化、高効率化及び高性能化を図っている。また本実施例では、図１１の平面図で示したように、インダクタ素子の領域内にもコンデンサ素子を形成している。このような配置とすることで、インダクタ素子とコンデンサ素子との距離の短縮と電子部品におけるコンデンサ素子の占有面積を節約することができ電子部品の小型化を可能としている。
この上部電極及びインダクタ素子３０が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁層３１を形成した。ここで、上部電極と上層との層間接続するための開口部を上部電極の形成面内に位置するように形成することで、コンデンサ素子の上部電極面積のコントロールを容易にし、コンデンサ素子の精度向上を図っている。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し配線及び外部電極層３２を形成した。
この配線及び外部電極層３２が形成された面に感光性ポリイミド感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像してはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁層３３を形成した。
上記配線及び外部電極表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極３４を形成した。外部電極３４は外部配線基板等へのマウントを容易にするため、図７に示したように格子状に配列されている。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
このように従来単体部品により形成されていたＬＣフィルタ回路を基板上に集積化することで、小型化、低抵抗・低インダクタンス化及び低ノイズ化の向上を図ることが可能となる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図５は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例８）
図１５は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１５において１はガラス基板（日本電気ガラス、ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図１５において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成、ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。さらに上部電極上には上部配線と接続するための接続部８が設けられている。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ａと電極５ｂおよび５ｃから構成される。抵抗体はＴａとＴｉの化合物であり、電極５ｂおよび５ｃはＣｕからなる。
図１５において９は応力緩衝機能を持った有機絶縁材であり、ポリイミド微小粒子を分散させた液状ポリイミド材料（日立化成、ＧＨ−Ｐ５００）を用いている。
図１５において６はプリント基板などの実装基板との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図１５の電子回路部品について、その製造方法を述べる。０．５ｍｍ厚のガラス基板にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥、露光、現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光、現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子及び配線を形成した。
その後、ポリイミド微小粒子を分散させた液状ポリイミド材料ＧＨ−Ｐ５００（日立化成）をマスクを用いて印刷塗布し、ホットプレート上で２００℃／２５分、恒温槽中で２５０℃／６０分硬化して応力緩衝機能を持った有機絶縁材を形成した。次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し配線及び金属端子部を形成した。この配線及び金属端子部が形成された面に感光性ポリイミド感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像してはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、金属端子部６の直下に応力緩衝機能を持った有機絶縁材を形成したことにより、プリント基板などの実装基板に接続した際、半導体接続基板と実装基板との熱膨張率の違いにより金属端子部６およびはんだボール７に加わる熱応力を緩和することができる。これにより、実施例６による効果に加え、耐温度サイクル性に優れた半導体接続基板を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図１５は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例９）
図１６は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１６において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図１６において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子３は全て下部電極３ａ，誘電体材料３ｂ，上部電極３ｃからなる３層構造である。下部電極３ａはＣｕ、誘電体材料３ｂはＴａの酸化物、上部電極３ｃはＣｕで構成される。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタであり、上記コンデンサ素子３の上部電極３ａと同一面に形成され、その材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図１６において１２は有機絶縁体であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材１２の内部に構成されるコンデンサ素子１３は全て下部電極１３ａ，誘電体材料１３ｂ，上部電極１３ｃからなる３層構造である。下部電極１３ａはＣｕ、誘電体材料１３ｂはＴａの酸化物、上部電極１３ｃはＣｕで構成される。
インダクタ素子１４はスパイラル型のインダクタであり、上記コンデンサ素子１３の上部電極１３ａと同一面に形成され、その材料はＣｕである。
抵抗素子１５は抵抗体１５ｂと電極１５ａおよび１５ｃから構成される。抵抗体１５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極１５ａおよび１５ｃはＣｕからなる。
図１６において有機絶縁体２および１２の内部に構成される各素子は、ガラス基板１内に設けられた貫通孔２０に充填された導体部２１を介して電気的に接続され、所定の機能を持った回路として成る。
図１６において６は外部との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図１６の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
ガラス基板主面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された表面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光し、現像した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にガラス基板裏面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口したこのポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し、上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
この有機絶縁材表面に金属端子部を形成するため電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にネガ型液状レジスト材ＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピンコートしプリベークの後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきにより１０μｍのめっき膜を形成した後バリア層として更に２μｍの電気ニッケルめっき膜を形成した。最後にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離し、配線および金属端子部を形成した。
この金属端子部が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、貫通孔をもつガラス基板の両面に集積することにより、従来の基板片側に集積していたものよりも集積度を２倍に高めることができ、実施例１による効果に加え、より小型な電子回路部品となる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図１６は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例１０）
図１７は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１７において２２は感光性ガラス基板であり、２３は貫通孔、２４は貫通孔内部の導体部である。また、図１７において感光性ガラス基板２２および貫通孔２３，導体部２４以外の部分は実施例９と同様である。
また、図１７の電子回路部品の製造方法は、後述する貫通孔の形成法以外は実施例９と同様である。
感光性ガラス基板にはＬｉ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２（Ａｕ，Ｃｅ）系の感光性ガラスを用いた。感光性ガラス基板の主面にガラス表面にＣｒで開孔パターンを描いたマスクを密着させ、Ｈｇ−Ｘｅランプを用いて露光する。その後現像し、結晶化することで貫通孔付きガラス基板を得る。
感光性ガラスでは、サンドブラストなどの他の開孔手段を用いた場合と比べて貫通孔の断面がより垂直な構造すなわちテーパ角が大きくなり、より微細な貫通孔の形成が可能である。したがって、より集積度の高い素子形成が可能となり、実施例７あるいは８などの場合と比べて約半分の面積で同等の集積度が出せる。
このように感光性ガラスを基板に用いることで、実施例９による効果に加え、より集積度の高い安価な電子回路部品を得ることができる。
なお、図１７は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例１１）
図１８は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１８において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図１８において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタであり、その材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図１８において１２は有機絶縁体であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材１２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極１３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料１３ｂ、Ｃｕでできた上部電極１３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子１３と、Ｃｕでできた下部電極１３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料１３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極１３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子１３′とからなる。
インダクタ素子１４はスパイラル型のインダクタであり、その材料はＣｕである。
抵抗素子１５は抵抗体１５ｂと電極１５ａおよび１５ｃから構成される。抵抗体１５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極１５ａおよび１５ｃはＣｕからなる。
図１８において有機絶縁体２および１２の内部に構成される各素子は、ガラス基板１内に設けられた貫通孔２０に充填された導体部２１を介して電気的に接続され、所定の機能を持った回路として成る。
図１８において６は外部との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図１８の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
ガラス基板主面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された表面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光し現像した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にガラス基板裏面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型掖状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し、上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この上部電極及び抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
この有機絶縁材表面に金属端子部を形成するため電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にネガ型液状レジスト材ＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピンコートしプリベークの後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきにより１０μｍのめっき膜を形成した後バリア層として更に２μｍの電気ニッケルめっき膜を形成した。最後にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離し、配線および金属端子部を形成した。
この金属端子部が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、Ｔａの酸化物などの誘電率の高い無機材料とともに、ポリイミドなどの誘電率の低い有機材料を誘電体材料として用いることで、より容量値の小さなコンデンサを精度良く作成することができ、回路の信頼性を向上し、対応できる容量値の範囲を広げることができる。かつ、誘電体材料を素子周囲を覆う絶縁材と同じ材料とすることで、実施例９による効果に加え、より簡便で安価なプロセスで製造することができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、ガラス基板に実施例１０で用いた感光性ガラスを用いることで、より集積度の高い安価な電子回路部品を得ることができるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図１８は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例１２）
図１９は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図１９において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図１９において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。
図１９において１２は有機絶縁体であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
インダクタ素子１４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子１５は抵抗体１５ｂと電極１５ａおよび１５ｃから構成される。抵抗体１５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極１５ａおよび１５ｃはＣｕからなる。
図１９において有機絶縁体２および１２の内部に構成される各素子は、ガラス基板１内に設けられた貫通孔２０に充填された導体部２１を介して電気的に接続され、所定の機能を持った回路として成る。
図１９において６は外部との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図１９の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
ガラス基板主面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された表面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光し、現像した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にガラス基板裏面にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し、抵抗体電極及びインダクタ素子を形成した。
この抵抗体電極及びインダクタ素子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
この有機絶縁材表面に金属端子部を形成するため電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にネガ型液状レジスト材ＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピンコートしプリベークの後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきにより１０μｍのめっき膜を形成した後バリア層として更に２μｍの電気ニッケルめっき膜を形成した。最後にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離し、配線および金属端子部を形成した。
この金属端子部が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成した。この際、ポリイミドの被覆部が電子回路部品として切断して個片化するために用いるスクライブエリアよりも８０μｍ内側になるように開口した。さらに、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例によれば、異なる面で各素子を配置することにより、各素子間のカップリングなどの影響を小さくすることができ、寄生容量を小さく抑えることができるため、素子の自己共振周波数を高くすることができ、実施例９及び１１による効果に加え、より高性能な電子回路部品を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、ガラス基板に実施例１０で用いた感光性ガラスを用いることで、より集積度の高い安価な電子回路部品を得ることができるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図１９は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例１３）
図２０は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。図２０において１はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図２０において２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′とからなる。
インダクタ素子４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子５は抵抗体５ｂと電極５ａおよび５ｃから構成される。抵抗体５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極５ａおよび５ｃはＣｕからなる。
図２０において１２は有機絶縁体であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材１２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極１３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料１３ｂ、Ｃｕでできた上部電極１３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子１３と、Ｃｕでできた下部電極１３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料１３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極１３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子１３′とからなる。
インダクタ素子１４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子１５は抵抗体１５ｂと電極１５ａおよび１５ｃから構成される。抵抗体１５ｂはＴａとＴｉの化合物であり、電極１５ａおよび１５ｃはＣｕからなる。
図２０において有機絶縁体２および１２の内部に構成される各素子は、ガラス基板１内に設けられた貫通孔２０に充填された導体部２１を介して電気的に接続され、所定の機能を持った回路として成る。
図２０において６は外部との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図２０の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光，現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離，スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光，現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
ガラス基板主面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子を形成した。
このインダクタ素子が形成された表面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にガラス基板裏面上スパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥，露光，現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光，現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子及び配線及び金属端子を形成した。
この金属端子部インダクタ素子及び配線及びが形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像してはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例によれば、コンデンサ素子及びインダクタ素子および抵抗素子がそれぞれ配置される側のガラス基板表面から異なる複数の距離で配置されていることにより、より高密度で各素子を集積することができ、実施例９及び１１による効果に加え、より小型な電子回路部品を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらに、ガラス基板に実施例１０で用いた感光性ガラスを用いることで、より集積度の高い安価な電子回路部品を得ることができるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図２０は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
（実施例１４）
図２１は本発明の一実施例である電子回路部品の断面図である。
図２１において１はガラス基板（日本電気ガラス、ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍである。
図２１において２及び１２は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成、ＨＤ−６０００）を用いている。
有機絶縁材２及び１２の内部に構成されるコンデンサ素子は、Ｃｕでできた下部電極３ａ，１３ａ、Ｔａの酸化物でできた誘電体材料３ｂ，１３ｂ、Ｃｕでできた上部電極３ｃ，１３ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３，１３と、Ｃｕでできた下部電極３′ａ，１３′ａ、ポリイミドでできた誘電体材料３′ｂ，１３′ｂ、Ｃｕでできた上部電極３′ｃ，１３′ｃからなる３層構造のコンデンサ素子３′，１３′とからなる。さらに上部電極上には上部配線と接続するための接続部８が設けられている。
インダクタ素子４及び１４はスパイラル型のインダクタでありその材料はＣｕである。
抵抗素子５，１５は抵抗体５ａ，１５ａと電極５ｂ，１５ｂおよび５ｃ，１５ｃから構成される。抵抗体はＴａとＴｉの化合物であり、電極５ｂ，１５ｂおよび５ｃ，１５ｃはＣｕからなる。
図２１において有機絶縁体２および１２の内部に構成される各素子は、ガラス基板１内に設けられた貫通孔２０に充填された導体部２１を介して電気的に接続され、所定の機能を持った回路として成る。
図２１において９は応力緩衝機能を持った有機絶縁材であり、ポリイミド微小粒子を分散させた液状ポリイミド材料（日立化成、ＧＨ−Ｐ５００）を用いている。
図２１において６は外部との接続に用いる金属端子部であり、本図の場合は金属端子部６の上にはんだボール７を搭載してある。
次に図２１の電子回路部品について、その製造方法を述べる。
０．５ｍｍ厚のガラス基板に１００μｍのサンドブラスト用フィルムレジスト材オーディル（東京応化製）をラミネートし、露光、現像工程を経てエッチング用レジストを形成した。次にマイクロサンドブラスト法により、ガラス基板に貫通孔を形成した。次にレジストフィルムを剥離、スパッタ法によりガラス基板表面およびビア内壁に電気めっき用種膜Ｃｒ：５０ｎｍ，Ｃｕ：５００ｎｍ成膜した。このＣｕ膜上にめっき用フィルムレジストＨＮ９２０（日立化成製）をラミネート後、露光、現像してめっきレジストマスクを形成後、Ｃｕ電気めっきによりビア内部の導通層を形成した。次にレジストを剥離し、電気めっき種膜を剥離した。
ガラス基板主面上にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥、露光、現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光、現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子を形成した。
このインダクタ素子が形成された表面に感光性ポリイミド感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にガラス基板裏面上スパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し下部電極を形成した。
次に、バリア膜としてＣｒを５０ｎｍスパッタ法により形成した。
次に、前記下部電極上にスパッタ法によりＴａ２Ｏ５を５００ｎｍの厚さに成膜した。このＴａ２Ｏ５上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，５００ｃｐ（東京応化製）を塗布し、乾燥、露光、現像工程をへて誘電体材料のレジストマスクを形成した。次にＣＦ４を用いドライエッチングを行い不用部分を除去したのち、レジストマスクを除去し、更に不用部分のバリア層を過マンガン酸系Ｃｒエッチング液エッチングして誘電体材料を形成した。
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経て下部電極上の誘電体材料を露出させた。この際、ポリイミドの開口端部が下部電極端部よりも２０μｍ内側になるように開口した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し上部電極を形成した。
この上部電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次にＴａＮ膜を５００ｎｍスパッタ法により形成した。この上にポジ型液状レジストＯＦＰＲ８００，１００ｃｐをスピンコートしプリベークした後、露光、現像してレジストパターンマスクを形成した。このマスクを使ってＴａＮ膜をＣＦ４ドライエッチングした。次にレジストを剥離して複数の抵抗素子を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し抵抗体電極を形成した。
この抵抗体電極が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像して層間接続のための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去しインダクタ素子及び配線を形成した。
その後、ポリイミド微小粒子を分散させた液状ポリイミド材料ＧＨ−Ｐ５００（日立化成）をマスクを用いて印刷塗布し、ホットプレート上で２００℃／２５分、恒温槽中で２５０℃／６０分硬化して応力緩衝機能を持った有機絶縁材を形成した。次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光、現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し配線及び金属端子部を形成した。
この配線及び金属端子部が形成された面に感光性ポリイミド感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光、現像してはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
上記金属端子部表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
最後にダイシング装置を用い個片化して電子回路部品を作成した。
本実施例では、金属端子部６の直下に応力緩衝機能を持った有機絶縁材を形成したことにより、プリント基板などの実装基板に接続した際、半導体接続基板と実装基板との熱膨張率の違いにより金属端子部６およびはんだボール７に加わる熱応力を緩和することができる。これにより、実施例１３による効果に加え、耐温度サイクル性に優れた半導体接続基板を得ることができる。
なお、ガラス基板に実施例２で用いたガラスを用いることで、電子回路部品の耐衝撃性などの信頼性がより高いものになるのは言うまでもない。
さらには、ガラス基板に実施例１０で用いた感光性ガラスを用いることで、より集積度の高い安価な電子回路部品を得ることができるのは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例３で用いたＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
さらに、有機絶縁体に実施例４で用いた低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
なお、図２１は本発明の一実施例であり、各素子の配置はこれに限定されるものではない。
以下に本発明の他の実施形態を記載する。
（１）ガラス基板と、（２）前記ガラス基板上に設けられた、コンデンサ素子，インダクタ素子，抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、（３）前記ガラス基板上に設けられ前記素子を接続する金属配線と、（４）前記ガラス基板上に設けられた前記金属配線の一部である金属端子部と、（５）前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有する電子回路部品とすることで、コンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を高性能かつ高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
（１）所定の位置に貫通孔が設けられたガラス基板と、（２）前記ガラス基板の両側あるいは片側に設けられた、コンデンサ素子，インダクタ素子，抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と、（３）前記ガラス基板の両側に設けられ前記素子を接続する金属配線と、（４）前記金属配線を電気的に接続する前記貫通孔内部に形成された導体部と、（５）前記ガラス基板の両側あるいは片側に設けられた前記金属配線の一部である金属端子部と、（６）前記素子および前記金属端子部を除く金属配線部分の周囲を覆う有機絶縁材と、を有する電子回路部品とすることで、コンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を高性能かつ高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
また、コンデンサ素子，インダクタ素子，抵抗素子から選ばれる１つあるいは複数の素子と金属配線と金属端子部と有機絶縁材を、ガラス基板の端部よりも内側に形成することにより、電子回路部品の切断時や電子回路部品の実装時に集中的な応力が加わる構成部分をその応力に耐え得るようにし、応力の印加に伴う電子回路部品の破損の発生を大幅に低減させ、信頼性が高く、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を高密度で集積した電子回路部品を得ることができる。
また、コンデンサ素子が２つの金属電極で無機材料からなる誘電体材料を挟んだ構造の１つあるいは複数のコンデンサ素子と、２つの金属電極で有機材料からなる誘電体材料を挟んだ構造の１つあるいは複数のコンデンサ素子とすることにより、有機あるいは無機材料双方の誘電体を適宜用いることで、高性能で集積度の高い小型な電子回路部品を得ることができる。
また、無機材料からなる誘電体材料がＴａ，Ｍｇ，Ｓｒのいずれかの酸化物であり、有機材料からなる誘電体材料がポリイミドとすることにより、Ｔａ，Ｍｇ，Ｓｒの安価かつ安定性の高い特性及びポリイミドの高い熱安定性により、安価で信頼性の高い高性能な電子回路部品を得ることができる。
また、無機材料からなる誘電体材料がＴａ，Ｍｇ，Ｓｒのいずれかの酸化物であり、有機材料からなる誘電体材料がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）とすることにより、Ｔａ，Ｍｇ，Ｓｒの安価かつ安定性の高い特性及びＢＣＢの低い誘電率及び誘電正接により、安価で信頼性の高い高性能な電子回路部品を得ることができる。
また、無機材料からなる誘電体材料がＴａ，Ｍｇ，Ｓｒのいずれかの酸化物であり、有機材料からなる誘電体材料が上記一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物とすることにより、Ｔａ，Ｍｇ，Ｓｒの安価かつ安定性の高い特性及び前記低誘電正接樹脂組成物の低い誘電率及び誘電正接を安価に得られることにより、安価で信頼性の高い高性能な電子回路部品を得ることができる。
また、コンデンサ素子のガラス基板に近接する側の金属電極の端部が誘電体材料以外の絶縁体で覆われていることを特徴とするコンデンサ素子とすることにより、電極間のショートや絶縁耐圧の低下を防止し、設計自由度を損なうことなく、不良率が低く信頼性の高いコンデンサ素子を提供し、また、このようなコンデンサ素子を複数個内蔵した不良率が低く、信頼性の高い電子回路部品を得ることができる。
また、上述した電子回路部品を用いることで、より高性能で信頼性の高い無線端末装置をより安価で小型に得ることができる。
また、上述した電子回路部品を用いることで、より高性能で信頼性の高い無線基地局装置をより安価で小型に得ることができる。
また、上述した電子回路部品を用いることで、より高性能で信頼性の高い無線計測装置をより安価で小型に得ることができる。
また、貫通孔の２つの開孔直径Ｒ１，Ｒ２（Ｒ１≧Ｒ２）とガラス基板の厚さｔとの関係が
７０≦ｔａｎ−１（ｔ／（Ｒ１−Ｒ２））≦８０
であらわされることにより、より高密度で回路を集積することができるため、より小型な電子回路部品を得ることができる。
また、コンデンサ素子及びインダクタ素子および抵抗素子のいずれかがガラス基板の片側に配置され、残りの素子がガラス基板のもう片側に配置されていることにより、各素子間の影響を小さくすることができ、寄生容量を小さくできるため、素子の自己共振周波数を高くすることができる。
以上の実施例によれば、電子回路部品の切断時や電子回路部品の実装時に集中的な応力が加わる構成部分をその応力に耐え得るようにし、応力の印加に伴う電子回路部品の破損の発生を大幅に低減させ、信頼性が高く、製造歩留まりが良好で、かつコンデンサ，インダクタ，抵抗などの多様な電子部品を高性能かつ高密度で集積した電子回路部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１〜４の実施例をあらわす略断面図である。
図２は、本発明の第５の実施例をあらわす略断面図である。
図３は、本発明の第６の実施例をあらわす略断面図である。
図４は、本発明の第６の実施例のコンデンサ素子をあらわす図である。
図５は、本発明の第７の実施例の電子回路部品の回路図である。
図６は、本発明の第７の実施例をあらわす略断面図である。
図７は、本発明の第７の実施例をあらわす分解図である。
図８〜１４は、本発明の第７の実施例を各層ごとの平面パターン図である。
図１５は、本発明の第８の実施例をあらわす略断面図である。
図１６は、本発明の第９の実施例をあらわす略断面図である。
図１７は、本発明の第１０の実施例をあらわす略断面図である。
図１８は、本発明の第１１の実施例をあらわす略断面図である。
図１９は、本発明の第１２の実施例をあらわす略断面図である。
図２０は、本発明の第１３の実施例をあらわす略断面図である。
図２１は、本発明の第１４の実施例をあらわす略断面図である。
【図１】
2003007379.tif 000007
【図２】
2003007379.tif 000008
【図３】
2003007379.tif 000009
【図４】
2003007379.tif 000010
【図５】
2003007379.tif 000011
【図６】
2003007379.tif 000012
【図７】
2003007379.tif 000013
【図８】
2003007379.tif 000014
【図９】
2003007379.tif 000015
【図１０】
2003007379.tif 000016
【図１１】
2003007379.tif 000017
【図１２】
2003007379.tif 000018
【図１３】
2003007379.tif 000019
【図１４】
2003007379.tif 000020
【図１５】
2003007379.tif 000021
【図１６】
2003007379.tif 000022
【図１７】
2003007379.tif 000023
【図１８】
2003007379.tif 000024
【図１９】
2003007379.tif 000025
【図２０】
2003007379.tif 000026
【図２１】
2003007379.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月25日(2002.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以下であることが好ましい。また、下部電極を高融点の金属材料とすれば、誘電体形成の際にレーザ加工や高温焼成が可能となり、高性能化（高εの誘電体材料が適用可能），製造歩留まりの向上を図ることができる。金属電極の形成方法としては前記導電性材料を所定の膜厚に成膜した後、レジストパターンを形成しドライまたはウエットエッチングにより形成するほか、レジストパターンを形成後、電解または無電解メッキにより形成してもよい。金属電極やその他の配線の形成方法に関し、めっき法を用いた場合には厚膜配線が可能なため低抵抗化、高効率化および高性能化を図ることができる。また、スパッタ法を用いた場合には、微細パターンを形成することが可能なため、微細化、小型化、高性能化を図ることができる。
さらに無機材料とは一般にコンデンサ用誘電体材料として用いられているものであれば制限はなく、例えばＴａ，Ｍｇ，Ｓｒ等の酸化物が挙げられる。具体的にはＴａ２Ｏ５，ＢＳＴ（Ｂａ（ｘ）Ｓｒ（１−ｘ）ＴｉＯ（３），０＜ｘ＜１），ＳｒＴｉＯ３，ＴｉＯ２，ＭｎＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＭｇＴｉＯ３などの酸化物の他、バリウムチタン酸化合物やバリウムチタン酸化合物にジルコニウムや錫をドープした化合物，ＷＯ３，ＳｒＯ、混合されたバリウム／ストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ４，ＣｅＯ２などが挙げられる。その形成法も特に制限はなく、スパッタ法，プラズマＣＶＤ法などのドライ法，陽極酸化法などのウェット法を用いることもできる。その形成法も特に制限はなく、スパッタ法，プラズマＣＶＤ法などのドライ法，陽極酸化法などのウェット法を用いることもできる。スパッタ法、エッチング法などのドライ法による誘電体形成では、微細パターンが可能となり微細化、小型化、高性能化の点で有効である。また


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】第４図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003007379.tif 000028
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】第５図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003007379.tif 000029
【国際調査報告】
2003007379.tif 000030
2003007379.tif 000031
2003007379.tif 000032
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