(57)【要約】発光素子および受光素子を備えた第一の基板と、第二の基板上に一体成形され、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面水平方向に集束する複数の基板面水平方向集束用光学素子を有する光学構造体と、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズを備えたことにより、製作コストのかかる３層導波路および取り扱い性の悪い光ファイバーを用いることなく、小型且つ安価に光学式距離センサを得ることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子からの光線を測定対象物体に照射し該測定対象物体からの反射光を受光素子にて検出し、三角測量法に基づいて上記測定対象物体のある基準点からの距離あるいは移動量を測定する光学式距離センサにおいて、上記の発光素子および受光素子を備えた第一の基板と、第二の基板上に一体成形され、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面水平方向に集束する複数の基板面水平方向集束用光学素子を有する光学構造体と、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズを備えた光学式距離センサ。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、発光素子からの光線を測定対象物体に照射し、反射光を受光素子にて検出し、三角測量法に基づいて上記測定対象物体のある基準点からの距離あるいは移動量を測定する光学式距離センサに関するものである。
背景技術
第１図は国際特許出願番号ＰＣＴ／ＪＰ９８／０４１４４に示された三角測量法により測定対象物体の位置検出を行う従来の光学式距離センサである。第１図において、１は入力光ファイバ、２ａおよび２ｂは出力光ファイバ、３は屈折率の若干高いコア層３ａを２つのクラッド層３ｂで挟みこんだ３層導波路、４ａおよび４ｂは３層導波路３の側壁で構成され、反射膜が付着された平面ミラー、５ａおよび５ｂは３層導波路３の側壁で構成され、反射膜が付着された曲面ミラー、６ａおよび６ｂは３層導波路３の側壁で構成されるレンズ接合端面、７ａおよび７ｂは柱状レンズ、８ａは柱状レンズ７ａから出射される光線、８ｂは測定対象物体上で反射し柱状レンズ７ｂに入射する光線、９は分岐導波路である。
次に動作について説明する。
検出用の光線は入射光ファイバ１により３層導波路３に導入され、導波路厚み方向に閉じ込められ、平面ミラー４ａで反射後、曲面ミラー５ａにて所定位置に焦点を持つよう基板面水平方向に集束される。曲面ミラー５ａで反射した光はレンズ接合端面６ａから出射し柱状レンズ７ａに入射する。光線は柱状レンズ７ａ内で光軸を変換しつつ所定位置に焦点を持つように導波路厚み方向に集束される。
この光線は出射方向前面に配置された測定対象物体（不図示）上で反射して柱状レンズ７ｂに入射し、レンズ接合端面６ｂより３層導波路３に再度導入される。導入された光線は導波路厚み方向には閉じ込められ、基板面水平方向には曲面ミラー５ｂにて集束されつつ、平面ミラー４ｂで反射し、分岐導波路９の分岐点に結像される。分岐点での光線は、その結像位置に応じた光量の比で分離された後、出力光ファイバ２ａ，２ｂに導入され外部に取り出される。
上記分岐導波路９の分岐点に結像される光スポットは、三角測量法に基づき測定対象物体の位置に応じて結像位置が変化する。つまり、出力光ファイバ２ａ，２ｂに導入される光量の比が変化する。この変化を上記出力光ファイバ２ａ，２ｂ端に接続された光検出器（不図示）にて測定することにより測定対象物体の位置を特定する。
従来の光学式距離センサは上記のように構成されているので、基板面水平方向の集束機能を持つ３層導波路３を製作する際、コア層３ａとクラッド層３ｂを交互に積み重ねるため、一括成形が不可能であり、製作コストが高くなる。また、光入出力に光ファイバを用いるため取扱い性が悪いという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小型でかつ安価、取扱い性の良い光学式距離センサを得ることを目的とする。
発明の開示
この発明に係る光学式距離センサは、発光素子からの光線を測定対象物体に照射し、反射光を受光素子にて検出し、三角測量法に基づいて上記測定対象物体のある基準点からの距離あるいは移動量を測定する光学式距離センサにおいて、上記の発光素子および受光素子を備えた第一の基板と、第二の基板上に一体成形され、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面水平方向に集束する複数の基板面水平方向集束用光学素子（例えばミラーあるいはレンズ）を有する光学構造体と、上記発光素子からの出射光と上記測定対象物体からの反射光を第二の基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズを備えたものである。
このことによって、第二の基板面水平方向に集束する複数の基板面水平方向集束用光学素子を光学構造体として一括成形で製作できるため、製作コストを低減でき、各基板面水平方向集束用光学素子の小型化と相対位置精度を高くできる。第一の基板あるいは第二の基板上で出射光あるいは検出光が反射すると光信号の損失に繋がるが、第二の基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズを配置することで該基板上での反射を抑制できるため、信号対雑音比を向上させることができる等の効果がある。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための最良の形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
第２図はこの発明の実施の形態１による光学式距離センサを示す斜視図、第３図はその側面図、第４図はその平面図である。例えばシリコンで作製された基板（第一の基板）１０１上には必要な電気配線１１０と共に、半導体レーザや発光ダイオードのような発光素子１０３が出射出射光線１０５ａの光軸の高さと基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａの中心軸の高さが概略一致するようにスペーサ１１１を介して設けられ、ＰＳＤ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ　Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　Ｄｅｖｉｃｅ）や分割型フォトダイオードなどの位置検出型受光素子１０４がモノリシックに形成されている。
セラミックなどで作製された基板（第二の基板）１０２下にはフォトリソグラフィ技術、あるいはそれにより派生する樹脂成形により一体成形された集光・偏向機能を持つ基板面水平方向集束用ミラー（基板面水平方向集束用光学素子）１０６ａ〜１０６ｆと光軸偏向用ミラー１０９を備えた光学構造体１１２が設けられている。
この光学構造体１１２の全てのミラー面は蒸着などにより反射膜を備えるとともに、他の垂直壁にも外乱光や迷光を防ぐため反射膜あるいは吸収膜が設けられている。また、出射光線１０５ａ、出射光線１０５ｂを基板面垂直方向に集束し、基板１０１、基板１０２にて反射、散乱しないように柱状体の基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂが設けられている。なお、図中１１３は発光素子１０３と電気配線１１０を電気的に接続する金属ワイヤーである。
次に動作について説明する。
発光素子１０３から出射された出射光線１０５ａは、基板面水平方向集束用ミラー１０６ａと１０６ｂにより光軸を曲げつつ、基板面水平方向に集束され、柱状体の基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａにより基板面垂直方向に集束される。この後、出射光線１０５ａは平行光あるいは、対象物体の測定範囲内で結像するような光線として測定対象物体１０８に照射される。
照射光は測定対象物体１０８で散乱し、その一部である出射光線１０５ｂが再び光学式センサに入射される。出射光線１０５ｂは基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂにて基板面垂直方向に集束され、基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆにより基板面水平方向に集束される。さらに出射光線１０５ｂは光軸偏向用ミラー１０９にて光軸を９０度折り曲げられた後、位置検出型受光素子１０４に入射する。
基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂの曲率と、基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆの曲面形状と光軸に対する傾きは、出射光線１０５ｂが位置検出型受光素子１０４上で、位置検出型受光素子１０４の有効受光面に対し十分小さく集束されるように設定されている。このとき基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂにより、出射光線１０５ａ，１０５ｂの基板１０１、基板１０２での反射、散乱は抑制されるので光損失を抑えることができ、この結果、信号対雑音比を向上することができる。また、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂは測定対象物体１０８からの散乱光に対する受光角を大きくするため、その中心軸が測定範囲の概略中心位置で出射光線１０５ｂと交わるように設定されている。
測定対象物体１０８が距離Ｚだけ光学式距離センサから遠方に移動すると、出射光線１０５ｂは出射光線１０５ｂ’のように移動し、位置検出型受光素子１０４上への入射位置が距離Ｘだけ変化する。すなわち位置検出型受光素子１０４上の光線入射位置を検出すれば、測定対象物体１０８の位置および移動量を測定できる。
第５図は実施の形態１による光学式距離センサに適用して、測定対象物体からの散乱光を検出する三角測量法に基づく一般的変位計の原理説明図である。第４図と同様、発光素子２０１から出射された光線２０６はレンズ２０３にて集束された後、測定対象物体２０５に照射される。散乱光の一部である光線２０７はレンズ２０４にて集束された後、位置検出型受光素子２０２に入射する。測定対象物体２０５が光学式距離センサより遠方方向に移動すると、光線２０７’のように位置検出型受光素子上の入射位置が変化する。このとき測定対象物体２０５の位置Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ次の（１）式、（２）式のように表すことができる。
2002048646.tif 000003
従って、測定対象物体２０５の変位量Ｚは次の（３）式のように書ける。
2002048646.tif 000004
三角測量法に基づく一般的な変位計は上式のように、測定対象物体２０５の位置Ｌ１と光線入射位置Ｘ１は比例関係ではなく、反比例関係にある。従って、測定対象物体２０５の位置により、測定対象物体２０５の変位に対する位置検出型受光素子２０２の出力変化量が異なる。つまり、測定分解能が測定対象物体２０５の位置により異なる。
本実施の形態１の光学式距離センサでは、第４図のように基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂの出射光線１０５ｂに対する入射開口幅に対し、その開口から位置検出型受光素子１０４までの光路長を長くとり、また基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆの曲面形状を正円の一部ではなく、曲率が連続的に変化する非正円としている。
これにより、測定対象物体１０８の位置によって変化する出射光線１０５ｂの位置検出型受光素子１０４への入射位置設定の自由度が増す。主に基板面水平方向集束用ミラー面１０６ｅ，１０６ｆが出射光線１０５ｂの位置検出型受光素子１０４への入射位置を決定している。従って、第４図におけるＺとＸの関係を概略比例関係にでき、測定分解能が測定対象物体１０８の位置には依存しない。
このように非正円の曲面形状を持ったミラーを組み合わせる場合、ミラー間の相対的な位置決め精度がその性能を決めるが、本実施例においては光学構造体１１２をフォトリソグラフィ技術、あるいはそれにより派生する樹脂成形により一体成形しているので、極めて高い相対的位置精度で複数の基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆを形成することができる。当然の事ながら、基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆの曲面形状と光軸に対する傾きは、上述一般的な変位計の原理式に基づくように設定することも可能である。
以上のように、この実施の形態１によれば、光学構造体１１２をフォトリソグラフィ技術、あるいはそれにより派生する樹脂成形により一体成形できるので、小型化が容易で、極めて高い相対的位置精度で複数の基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆを形成することができる。また、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂは光学構造体１１２に設けられた垂直構造物の少なくとも２面に接するように配置されるため、位置決めが容易で基板面水平方向集束用ミラーに対する相対位置精度も高くできる。この結果、製作コストのかかる３層導波路および取り扱い性の悪い光ファイバーを用いることなく、三角測量法に基づく一般的変位計として適用できる光学式距離センサを小型且つ安価に得ることができる。
第６図は光学構造体１１２の作製工程の説明図である。材料にはフォトリソグラフィで使用されるレジスト材料、例えばＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ　ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）が用いられている。厚膜レジストの精度の良い露光にはＸ線を用いた露光が最適であり、ＬＩＧＡ（ドイツ語の頭文字、ＬＩ：Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ＝リソグラフィー、Ｇ：Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ＝電気鋳造、Ａ：Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ＝成形）という名称で知られるプロセスが適用できる。Ｘ線の直進性が良いため正確な柱状構造体が数百μｍから１ｍｍ程度の厚膜レジストに転写できる。
第６図（ａ）において、基板１０２上にレジスト３０１が配置されている。マスク３０２には基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆとその他の基板面垂直方向に形成される構造物を描写した金などのＸ線吸収膜３０３が備えられている。マスク３０２の上方には真鍮などのＸ線吸収材料で作製されたアパーチャー３０４が設けられ、されに上方よりＸ線３０５が照射される。レジスト３０１のＸ線吸収膜３０３とアパーチャー３０４に隠れない部分、つまり露光エリア３０６のみがＸ線に照射される。
第６図（ｂ）において、アパーチャー３０４をアパーチャー３０７に交換し、Ｘ線照射方向を４５度傾け照射する。ここでは、露光エリア３０８のみがＸ線３０５に照射される。露光後、現像すれば露光エリア３０６，３０８は除去され、基板１０２上に第６図（ｃ）に示す基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆなどの垂直構造物と光軸偏向用ミラー１０９が一体成形される。
但し、光軸偏向用ミラー１０９を用いない光学式距離センサに対しては第６図（ｂ）の工程は省かれる。ＰＭＭＡは一般には透明樹脂であるので、このあと全てのミラー面は蒸着などにより反射膜を備え、他の垂直壁にも迷光を防ぐため反射膜あるいは吸収膜が設けられる。
また、前記ＬＩＧＡプロセスでは量産性を向上し、製作コストを低減するためにモールディングプロセスが導入可能である。この場合には、現像後の光学構造体を装着した基板に電気鋳造を行って基板表面にＮｉなどの金属を堆積する。鋳造後前記金属を分離すれば該金属に該光学構造体が転写されており、これを雌型として射出成形などの樹脂成形を行えば、樹脂の複製を多数得ることができる。
基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの作製に対しても上記ＬＩＧＡプロセスを適用できる。本実施の形態では柱状体レンズを用いているので、Ｘ線露光は第６図に示した２回の露光とは異なり１回で良い。
基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂは光学構造体１１２に設けられた垂直構造物の少なくとも２面に接するように配置されるため、位置決めが容易で基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆに対する相対位置精度も高い。固定には配置精度を維持するため粘性の低い紫外線硬化樹脂接着剤を用いるのが望ましい。
基板面垂直方向に集束する基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂを備えた光学構造体１１２および基板１０２（第二の基板）は、発光素子１０３、位置検出型受光素子１０４を備えた基板１０１（第一の基板）に位置決めマーク（図示はしていない）などを用いて組み合わされる。固定には配置精度を維持するため、粘性の低い紫外線硬化樹脂接着剤を用いるのが望ましい。
本実施の形態１においては基板面水平方向集束用ミラーの枚数は、出射光線１０５ａの集束用に２枚、出射光線１０５ｂの集束用に４枚備えられているが、それぞれ１枚以上であればこれに限るものではない。また、凹面ミラーのみではなく、凹面ミラーと凸面ミラーとの組み合わせにより、全体として高精度の基板面水平方向集束用光学素子を構成するようにしても良い。
実施の形態２．
第７図はこの発明の実施の形態２による光学式距離センサを示す平面図である。基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの位置は、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａから出射された出射光線１０５ａの測定対象物体１０８上での正反射光４０１が、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂに入射されるように配置されている。
次に動作について説明する。
発光素子１０３から出射された出射光線１０５ａは、基板面水平方向集束用ミラー１０６ａと１０６ｂと基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａとにより、平行光、あるいは対象物体の測定範囲内で結像するような光線として測定対象物体１０８に照射される。
測定対象物体１０８で反射した光線のうち、主に正反射光線４０１が基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂに入射する。正反射光線４０１は実施の形態１と同様に、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂと基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆにより集束され、光軸偏向用ミラー１０９にて光軸を９０度折り曲げられた後、位置検出型受光素子１０４に入射する。基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂの曲率と、基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆの曲面形状と光軸に対する傾きは、正反射光線４０１が位置検出型受光素子１０４上で、位置検出型受光素子１０４の有効受光面に対し十分小さく集束されるように設定されている。
測定対象物体１０８が距離Ｚだけセンサから遠方に移動すると、正反射光線４０１は正反射光線４０１’のように移動し、位置検出型受光素子１０４上への入射位置が距離Ｘだけ変化する。すなわち位置検出型受光素子１０４上の光線入射位置を検出すれば、測定対象物体１０８の位置および移動量を測定できる。
第８図は実施の形態２による光学式距離センサに適用して、測定対象物体からの散乱光を検出する三角測量法に基づく一般的変位計の原理説明図である。第７図と同様、発光素子５０１から出射された光線５０６はレンズ５０３にて集束された後、測定対象物体５０５に照射される。正反射光５０７はレンズ５０４にて集束された後、位置検出型受光素子５０２に入射する。測定対象物体５０５が光学式距離センサより遠方方向に移動すると、光線５０７’のように位置検出型受光素子上の入射位置が変化する。このとき測定対象物体５０５の移動量Ｚは次の（４）式のように表すことができ、Ｘを検出すれば移動量Ｚを測定できる。
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そして、この原理に基づくように基板面水平方向集束用ミラー曲面形状の曲率と光軸に対する傾きが設定されている。
以上のように、この実施の形態２によれば、光学構造体１１２をフォトリソグラフィ技術、あるいはそれにより派生する樹脂成形により一体成形できるので、小型化が容易で、極めて高い相対的位置精度で複数の基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆを形成することができる。また、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂは光学構造体１１２に設けられた垂直構造物の少なくとも２面に接するように配置されるため、位置決めが容易で基板面水平方向集束用ミラーに対する相対位置精度も高くできる。
実施の形態３．
第９図はこの発明の実施の形態３による光学式距離センサを示す斜視図である。発光素子１０３を備えた基板９０１と受光素子８０１を備えた基板９０２を組み合わせた積層基板によって、実施の形態１，２に示した基板（第一の基板）１０１と同様な機能を実現している。基板９０１と基板９０２の電気的接続は金属ワイヤー１１３にて行っている。
つまり、実施の形態１，２と異なり受光素子８０１はモノリシック形成されなくとも良い。また、ここでは発光素子１０３に半導体レーザを用いている。このとき光軸偏向ミラー１０９とフォトダイオードやフォトトランジスタのような受光素子９０３を加えることにより、出射光線１０５ａと逆方向に進む光線９０４の光量を検出できる。出射光線１０５ａの光量と光線９０４の光量は比例関係にあるので、光線９０４の光量を制御することで光学式距離センサから出射される出射光線１０５ａの光量を制御することが可能となる。なお、上記受光素子８０１，９０３の高さは光学構造体１１２への接触を避けるため基板９０１より低く設定されている。
以上のように、実施の形態３によれば、光学構造体１１２の形状、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの形状を最適化することで、実施の形態１，２と同様に距離測定を行うことができる。
実施の形態４．
第１０図はこの発明の実施の形態４による光学式距離センサを示す斜視図である。この光学式距離センサでは、発光素子１０３と受光素子８０１を備えた基板１０１は、光学構造体１１２を備えた基板１０２の側方から組み合わされており、発光素子１０３には垂直共振型の半導体レーザを用いている。
従って、光学構造体１１２中に実施の形態１，２に記載のような光軸偏向用ミラー１０９は必要ない。発光素子１０３と受光素子８０１の電気入出力は図示していないが、電気配線と金属ワイヤーにより行われる。また、外乱光を防ぐために光学構造体１１２上に基板１０２と同程度の大きさの、シリコンなどの板を被せても良い。垂直共振型の半導体レーザは一般に、光放射面積が広いためビーム放射角が狭く、また円形ビームを有するためビーム整形用の光学系設計が容易になる。
以上のように、この実施の形態４によれば、光学構造体１１２の形状、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの形状を最適化することで、実施の形態１，２と同様に距離測定を行うことができる。
実施の形態５．
第１１図はこの発明の実施の形態５による光学式距離センサを示す側面図である。発光素子１０３には垂直共振型の半導体レーザを用いて、この発光素子１０３の上方に光軸偏向用ミラー１０９が備えられ、発光素子１０３から出射した出射光線１０５ａは光軸偏向ミラー１０９によりその進行方向を９０度偏向するようになっている。
以上のように、この実施の形態５によれば、光学構造体１１２の形状、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの形状を最適化することで、実施の形態１，２と同様に距離測定を行うことができる。
実施の形態６．
第１２図はこの発明の実施の形態６による光学式距離センサを示す平面図である。光学構造体１１２には基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆ、光軸偏向用ミラー１０９と共に基板面水平方向に集光機能を持つレンズ（基板面水平方向集束用レンズ）１２０１ａ，１２０１ｂが一体成形されている。本実施の形態の場合、出射光線１０５ｂを基板面水平方向に集束する機能を主にレンズ１２０１ａ，１２０１ｂに持たせることが可能である。設定によっては基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆの一部あるいは全部は平面ミラーであっても良い。
本実施の形態の場合、光学構造体１１２は出射光線１０５ｂが透過するＰＭＭＡなどの透明樹脂が良い。基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ〜１０６ｆ、光軸偏向用ミラー１０９は蒸着などにより反射膜を備える必要があるが、反射膜作製時には基板面水平方向集束用レンズ１２０１ａ，１２０１ｂへの反射膜塗布を防ぐために、光学構造体１１２上に真鍮などで作製したマスクを備える必要がある。
基板面垂直方向集束用レンズ１０７ｂから受光素子８０１までの光路長を長くする必要があるときは、基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆは光学構造体１１２の小型化に有効であるが、上記光路長を長くする必要がないときなどは基板面水平方向集束用ミラー１０６ｃ〜１０６ｆは必要なく、基板面水平方向集束用レンズのみで出射光線１０５ｂを基板面水平方向に集束することができる。また、出射光線１０５ａを基板面水平方向に集束する基板面水平方向集束用ミラー１０６ａ，１０６ｂの代替として基板面水平方向集束用レンズを用いることも可能である。
以上のように、この実施の形態６によれば、光学構造体１１２の形状、基板面垂直方向集束用レンズ１０７ａ，１０７ｂの形状を最適化することで、実施の形態１，２に述べた距離測定を行うことができる。
産業上の利用可能性
以上のように、この発明に係る光学式距離センサは、三角測量法に基づいて上記測定対象物体のある基準点からの距離あるいは移動量を測定するのに適している。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光学式距離センサを示す斜視図である。
第２図はこの発明の実施の形態１による光学式距離センサを示す斜視図である。
第３図は実施の形態１による光学式距離センサを示す側面図である。
第４図は実施の形態１による光学式距離センサを示す平面図である。
第５図は実施の形態１による光学式距離センサで三角測量法を実施する説明図である。
第６図は光学構造体の作製工程の説明図である。
第７図はこの発明の実施の形態２による光学式距離センサを示す平面図である。
第８図は実施の形態２による光学式距離センサで三角測量法を実施する説明図である。
第９図はこの発明の実施の形態３による光学式距離センサを示す斜視図である。
第１０はこの発明の実施の形態４による光学式距離センサを示す斜視図である。
第１１図はこの発明の実施の形態５による光学式距離センサを示す側面図である。
第１２図はこの発明の実施の形態６による光学式距離センサを示す平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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