(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の板状ワークが所定の間隔をあけて並べられて収納されるカセットと、前記カセットが浸漬される処理液が貯溜された処理槽と、前記カセットを前記処理液から引き上げる引き上げ装置とを有する浸漬処理装置において、
前記カセットは、前記板状ワークの側端部を各々支持するように前記板状ワークが並ぶ方向に延びた複数本の横側支持軸とを有し、
前記横側支持軸は、前記板状ワークが並ぶ方向において隣り合う前記板状ワークの間に張り出しているパネルガイド部を備え、
該パネルガイド部は、前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状であるとともに、該パネルガイド部が前記カセットから横方向外側にはみ出ない平坦面を有し、
前記引き上げ装置は、前記カセットの前記板状ワークの下側を支持する下側支持軸よりも上側の位置に配置される前記横側支持軸以外の部分が前記処理液の液面に対して傾くように斜め姿勢で当該カセットを引き上げることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記処理液は、温水であることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記パネルガイド部は、前記カセットを前記処理液から引き上げる方向に向かっても尖った形状を有していることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記パネルガイド部は、該パネルガイド部を前記横側支持軸に対して直交する方向からみたとき前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有していることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項５】
請求項４において、前記パネルガイド部は、該パネルガイド部の下端に１本の稜線を形成するように連接する２つの錐面を当該稜線の両側に備えていることにより、該パネルガイド部を前記横側支持軸に対して直交する横方向からみたとき前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有していることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記パネルガイド部は、前記横側支持軸が延びている方向からみたとき前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有していることを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに規定する浸漬処理装置を用いて、前記板状ワークを前記処理液に浸漬させる浸漬処理を行うとともに、当該板状ワークを前記処理液から引き上げながら乾燥させる乾燥処理を行うことを特徴とする浸漬処理方法。
【請求項８】
請求項７に規定する浸漬処理方法を用いて、電気光学物質を保持する基板を前記板状ワークとして前記浸漬処理を行うとともに、前記乾燥処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、前記基板上に形成された薄膜をレジストマスクによってパターニングするパターニング工程を行い、次に、当該基板を強酸化性液に浸漬して前記レジストマスクを除去するマスク除去工程を行った後、当該基板に付着している強酸化性液を洗い落とす洗浄工程を行い、しかる後に前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記強酸化性液は、濃硫酸と過酸化水素水とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記乾燥処理の後に、前記基板に前記薄膜として形成された第１金属膜に陽極酸化を施し、次に再び、前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行い、しかる後に前記第１金属膜の表面に形成された陽極酸化膜の表面に第２金属膜を形成して薄膜ダイオード素子を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９または１０において、前記基板に前記浸漬処理を行う前に前記基板に前記薄膜として形成された第１金属膜に陽極酸化を施し、次に、前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行い、しかる後に前記第１金属膜の表面に形成された陽極酸化膜の表面に第２金属層を形成して薄膜ダイオード素子を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、浸漬処理装置、浸漬処理方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器では、表示部として液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。
【０００３】
このような電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子（Thin Film Diode／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置では、一方の基板にＴＦＤ素子や画素電極が形成され、他方の基板にはストライプ状の対向電極（信号電極）が形成されている。ここで、ＴＦＤ素子などを構成する金属層などは、基板全面に形成された薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングによって各々、所定のパターンで形成したものである。従って、液晶装置の製造工程では、パターニング工程の数だけ、それに用いたレジストマスクを除去するマスク除去工程が行われる。
【０００４】
一般に、マスク除去工程では、レジストマスクが形成されている基板を濃硫酸と過酸化水素水との混液（強酸化性液）に浸漬してレジストマスクをアッシングした後、基板を純水中に浸漬して基板に付着している硫酸を洗い落とす。このような洗浄を行った後、基板に付着している水分を乾燥する必要があるが、基板に乾燥ムラが残っていると、基板上に形成するＴＦＤの電気特性がばらつくなどの原因となり、液晶装置では表示の品位が低下してしまう。
【０００５】
そこで、図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すカセット２００に複数枚の素子基板２０を立てた状態で収納し、素子基板２０をカセット２００に収納した状態のまま温水中に浸漬した後、素子基板２０に付着した温水が蒸発する速度に合わせて、カセット２００を温水中から一定速度で引き上げる方法が採用されている。このような温水浸漬処理によれば、素子基板２０が温水の液面から引き上げられる際の液面との接触条件が素子基板２０の表面全体にわたって均一である。このため、素子基板２０の表面全面において乾燥条件の特異点が発生することがないので、乾燥ムラが発生しない。
【０００６】
このような温水浸漬処理に用いられるカセット２００は、立てた素子基板２０の両側で素子基板２０の側端部を各々支持するように横方向に延びた複数本の横側支持軸２１０を有しており、これらの横側支持軸２１０は、その長手方向において所定の間隔を隔てた位置で隣り合う素子基板２０の間に向けて張り出す複数のパネルガイド部２２０を備えている。
【０００７】
これらのパネルガイド部２２０は、従来、図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に、図８に矢印で示す各方向からみた様子をそれぞれ示すように、周方向に帯状に延びた側端面２２８を有しており、この側端面２２８の両側に円錐面２２９が連接している形状になっている。従って、素子基板２０は、隣接するパネルガイド部２１０の間に位置決めされた状態でカセット２００に収納される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の浸漬処理装置で素子基板２０に温水浸漬処理を行い、この素子基板２０を用いて液晶装置を製造すると、基板表面の乾燥ムラ（しみ）に起因する表示品位の低下を確実に防止できないという問題点がある。
【０００９】
このような問題が発生する原因について、本願発明者が繰り返し行った実験、検討によれば、カセット２００を温水から引き上げていく際、パネルガイド部２２０の下端部が液面から離れる瞬間に温水の表面が波立ち、このような波立ちが発生したとき、素子基板の表面には、波をかぶって温水が大量に付着したまま引き上げられた部分と、波の谷間に位置して温水の付着量が少ない状態で引き上げられた部分との間に乾燥ムラが発生し、この乾燥ムラが発生した部分で表示品位の低下が起こるという知見が得られた。
【００１０】
ここに、本発明は、このような知見に基づいてなされたものであり、本発明の課題は、温水などの処理液に浸漬した後、付着した処理液が蒸発乾燥可能な速度で板状ワークを引き上げる際、乾燥ムラの発生しない浸漬処理装置、浸漬処理方法、電気光学装置の製造方法、この製造方法によって製造された電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、複数枚の板状ワークが所定の間隔をあけて並べられて収納されるカセットと、前記カセットが浸漬される処理液が貯溜された処理槽と、前記カセットを前記処理液から引き上げる引き上げ装置とを有する浸漬処理装置において、前記カセットは、前記板状ワークの側端部を各々支持するように前記板状ワークが並ぶ方向に延びた複数本の横側支持軸を有し、前記横側支持軸は、前記板状ワークが並ぶ方向において隣り合う前記板状ワークの間に張り出しているパネルガイド部を備え、該パネルガイド部は、前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有していることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る浸漬処理装置は、例えば、板状ワークをカセットに収納した状態のまま温水などの処理液に浸漬し、しかる後に、板状ワークに付着した温水が蒸発乾燥していく速度に合わせて、カセットを温水中から一定速度で引き上げていく。従って、板状ワークが温水の液面から引き上げられる際の液面との接触条件が板状ワークの表面全体にわたって均一である。しかも、カセットは、パネルガイド部の下端部が尖っているので、パネルガイド部の下端部が液面から離れる瞬間においても、温水の表面が波立つことがない。それ故、パネルガイド部が液面から離れる際に、板状ワークは、波をかぶって温水が大量に付着したまま引き上げられるなどといった特異な条件に晒される部分がない。よって、このような波に起因する乾燥ムラが発生しないので、表示装置において、基板の乾燥ムラに起因する表示品位の低下という問題などを回避することができる。
【００１３】
本発明において、前記処理液は、例えば温水である。
【００１４】
本発明において、前記パネルガイド部は、前記カセットを前記処理液から引き上げる方向に向かっても尖った形状を有していることが好ましい。このように構成すると、パネルガイド部の上端が液面から出る瞬間もパネルガイド部に起因する波立ちが発生しない。
【００１５】
本発明において、前記パネルガイド部は、該パネルガイド部を前記横側支持軸に対して直交する横方向からみたとき前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有している構成を採用することができる。例えば、前記パネルガイド部の下端に１本の稜線を形成するように連接する２つの錐面を当該稜線の両側に備えていることにより、該パネルガイド部を前記横側支持軸に対して直交する方向からみたとき、前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状とすることができる。
【００１６】
また、本発明では、前記パネルガイド部は、前記横側支持軸が延びている方向からみたとき前記カセットを前記処理液から引き上げる方向と反対方向に向かって尖っている形状を有しているものを採用してもよい。
【００１７】
本発明において、前記カセットは、例えば、前記引き上げ装置によって、前記板状ワークが面内方向に傾く斜め姿勢で引き上げられる。
【００１８】
本発明に係る浸漬処理装置を用いれば、前記板状ワークを前記処理液に浸漬させる浸漬処理を行うとともに、当該板状ワークを前記処理液から引き上げながら乾燥させる乾燥処理を行うことができ、このような浸漬処理方法は、例えば、電気光学物質を保持する基板を前記板状ワークとして前記処理液への浸漬処理を行うとともに、当該基板を引き上げるときに乾燥処理を同時に行うことができる。
【００１９】
例えば、電気光学装置の製造方法において、前記基板上に形成された薄膜をレジストマスクによってパターニングするパターニング工程を行い、次に、当該基板を強酸化性液に浸漬して前記レジストマスクを除去するマスク除去工程を行った後、当該基板に付着している強酸化性液を洗い落とす洗浄工程を行い、しかる後に前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行う場合に、前記基板を前記板状ワークとして前記カセットに複数枚、収納して前記浸漬処理および前記乾燥処理を行う。
【００２０】
このようなマスク除去工程は、各種電気光学装置を製造する際、いくつかの工程で実施される。とりわけ、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を製造するのに本発明を適用すると効果的である。この種の液晶装置を製造する際、例えば、前記乾燥処理の後に、前記基板に前記薄膜として形成されたＴａ膜あるいはＴａ合金膜からなる第１金属膜に陽極酸化を施し、次に再び、前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行い、しかる後に前記第１金属膜の表面に形成された陽極酸化膜の表面に第２金属膜を形成して薄膜ダイオード素子を形成する。また、前記基板に前記浸漬処理を行う前に、前記基板に前記薄膜として形成されたＴａ膜あるいはＴａ合金膜からなる第１金属膜に陽極酸化を施し、次に、前記基板に前記浸漬処理を行った後、前記乾燥処理を行い、しかる後に前記第１金属膜の表面に形成された陽極酸化膜の表面に第２金属層を形成して薄膜ダイオード素子を形成する。このような浸漬工程において、乾燥ムラが発生すると、ＴＦＤ素子の電気特性がばらつき、表示の品位が低下する。しかるに、このような工程に対して本発明を適用すると、乾燥ムラが発生しないので、乾燥ムラに起因する表示の品位の低下が発生しない。
【００２１】
このようなレジストマスクの除去に用いる前記強酸化性液は、例えば、濃硫酸と過酸化水素水とを含む混液である。
【００２２】
本発明を適用した方法で製造した電気光学装置は、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【００２４】
［液晶装置の構成］
図１は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２は、この液晶装置の構造を示す分解斜視図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、図３（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、各画素に形成されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【００２５】
図１に示すように、液晶装置１では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。
【００２６】
このような構成のアクティブマトリクス方式の液晶装置１は、図２に示すように、液晶６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板２０では、複数本の走査線５１が延びており、各走査線５１には、ＴＦＤ素子５６を介して、画素電極６６が電気的に接続している。これに対して、対向基板１０には、素子基板２０の走査線５１と交差する方向に延びた複数列の帯状のデータ線５２が形成され、このデータ線５２と画素電極６６が重なり合う位置に画素５３（図１）が形成される。また、これらのデータ線５２の上層には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成されている。
【００２７】
従って、素子基板２０に形成されている走査線５１の各々に走査信号を供給する一方、対向基板１０に形成されているデータ線５２にデータ信号を供給すると、画素電極６６とデータ線５２とが対向する部分において、そこに保持されている液晶６を駆動することができる。それ故、バックライト装置３から出射された光は、素子基板２０および画素電極６６を透過して液晶６の層に入射した後、この液晶６によって画素毎に光変調され、この変調された光は、矢印Ｌで示すように、データ線５２および対向基板１０を透過して出射される。この際、光は、カラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂによって着色されるので、カラー表示を行うことができる。なお、液晶６として通常のＴＮモードの液晶を用いた場合、この種の液晶６は、光の偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基板１０および素子基板２０の各外側表面には偏光板８、９が重ねて配置される。
【００２８】
なお、ここに示す例では、素子基板２０に走査線５１を形成し、対向基板１０にデータ線５２を形成したが、素子基板２０にデータ線を形成し、対向基板１０に走査線を形成してもよい。
【００２９】
ＴＦＤ素子５６は、例えば、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、素子基板２０の表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。
【００３０】
第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂは、第１金属層６２と、この第１金属層６２の表面に形成された絶縁膜６３と、絶縁膜６３の表面に互いに離間して形成された第２金属層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１金属層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁膜６３は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【００３１】
第２金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層６４ａは、そのまま走査線５１の第３層５１ｃとなり、他方の第２金属層６４ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続されている。
【００３２】
なお、画素電極６６は、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成されることもある。
【００３３】
［液晶装置の製造方法］
（製造工程全般）
図４、図５、および図６は、それぞれ図１に示す素子基板２０の製造方法を示す工程断面図である。
【００３４】
液晶装置１の素子基板２０は、以下に説明する各工程により製造される。なお、素子基板２０および対向基板１０を製造する場合、各液晶装置１のサイズに応じた単品の基板を複数枚、多数取りできる大型の元基板の状態でＴＦＤ素子５６などの各要素の形成を行うが、以下の説明では、単品の基板と元基板とを区別せず、素子基板２０および対向基板１０と称する。
【００３５】
まず、図４において、下地層形成工程（ａ）では、素子基板２０の表面にＴａ酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層６１を形成する。
【００３６】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、下地層６１上にＴａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いて走査線５１の第１層５１ａ、および第１金属層６２などを同時に形成する。このとき、走査線５１の第１層５１ａと第１金属層６２とはブリッジ部６９で繋がっている。
【００３７】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、走査線５１の第１層５１ａを陽極として陽極酸化処理を行い、その走査線５１の第１層５１ａの表面および第１金属層６２の表面に絶縁膜である陽極酸化膜を一様な厚さで形成する。これにより、走査線５１の第２層５１ｂとなる絶縁膜が形成されるとともに、第１のＴＦＤ素子５６ａおよび第２のＴＦＤ素子５６ｂの絶縁膜６３が形成される。
【００３８】
次に、図５の第２金属層形成工程（ｄ）において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、走査線５１の第３層５１ｃ、第１のＴＦＤ素子５６ａの第２金属層６４ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層６４ｂを形成すると共に、ブリッジ部６９（図４を参照）を素子基板２０から除去する。
【００３９】
以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が形成される。
【００４０】
次に、下地層除去工程（ｅ）において、画素電極６６の形成予定領域の下地層６１を除去した後、電極形成工程（ｆ）において、画素電極６６を形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極６６をその一部が第２金属層６４ｂと重なるように形成する。これらの一連の工程により、図２および図３に示すＴＦＤ素子５６および画素電極６６が形成される。
【００４１】
しかる後には、図示を省略するが、素子基板２０の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成した後、配向膜に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００４２】
これに対して、図２に示す対向基板１０を製造するには、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂを形成した後、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上に平坦化層（図示せず）を形成し、しかる後に、ＩＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極、すなわち、データ線５２を形成する。次に、データ線５２等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜（図示せず）を形成した後、配向膜に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板１０が完成する。
【００４３】
その後、素子基板２０と対向基板１０とを位置合わせした上でシール材（図示せず）を挟んで基板同士を貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶６を減圧注入した後、液晶注入口（図示せず）に対して樹脂等の封止材を塗布して、封止すれば液晶装置１が完成する。
【００４４】
（マスク除去工程）
このような製造方法において、素子基板２０を形成するにあたっては、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニングが何度か行われ、このパターニングを行うたびにレジストマスクを除去する必要がある。このような工程を、図４に示す第１金属層形成工程（ｂ）を例に説明する。
【００４５】
第１金属層形成工程（ｂ）では、図６に各工程ｂ１、ｂ２、及びｂ３を示すように、まず、工程ｂ１において、下地層６１の表面全体にＴａを成膜したあとレジストマスク６８を塗布し、工程ｂ２において、フォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク６８を感光、現像してレジストマスク６８に対して所定の開口６８０を形成し、工程ｂ３において、レジストマスク６８の開口６８０を介してドライエッチングを行って走査線５１の第１層５１ａと第１金属層６２を形成する。
【００４６】
これらの工程ｂ１、ｂ２及びｂ３を終えた後には、図７、図８及び図９を参照して、以下に説明する浸漬処理装置を用いてレジストマスクを除去する。
【００４７】
（浸漬処理工程および浸漬処理装置）
図７は、液晶装置１の素子基板２０を製造するのに用いた浸漬処理装置の全体構成を示す平面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ図７に示す浸漬処理装置に用いたカセットの平面図、正面図、および側面図である。図９は、このカセットを温水から引き上げる様子を示す説明図である。図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明を適用した浸漬処理装置の横側支持軸に形成されているパネルガイド部のＡ矢視図、Ｂ矢視図、Ｃ矢視図、Ｄ矢視図、およびＥ矢視図である。
【００４８】
レジストマスク６８を除去するにあたって、本形態では、図７に示す浸漬処理装置１００を用いてマスク除去工程と洗浄工程とを行い、かつ、この洗浄工程では乾燥工程も同時に行う。この浸漬処理装置１００は、処理対象としての素子基板２０の搬送方向（矢印Ｗで示す）に沿って、複数枚の素子基板２０を板状ワークとしてカセット２００に一括して移載するための移載機１１１および反転機１１２が配置されたローダ部１１０と、カセット２００に収納された素子基板２０に形成されているレジストマスク６８をアッシングするための強酸化性液として、濃硫酸と過酸化水素水との加熱混液が貯溜されている強酸化液槽１２０と、この強酸化液槽１２０から引き上げられた複数枚の素子基板２０が収納されたカセット２００を水に浸漬する洗浄槽１３０と、この洗浄槽１３０から引き上げられた複数枚の素子基板２０が収納されたカセット２００を浸漬するリンス槽１４０と、このリンス槽１４０から引き上げられた複数枚の素子基板２０が収納されたカセット２００を温水（処理液）に浸漬する温水処理槽１５０と、この温水処理槽１５０から引き上げられたカセット２００から複数枚の素子基板２０を一括して取り出す反転機１６１および移載機１６２が配置されたアンローダ部１６０とがこの順に配置されている。
【００４９】
ここで、複数枚の素子基板２０は、同じカセット２００に保持されたまま、ワーク搬送ロボット（図示せず）によって、強酸化液槽１２０への浸漬、洗浄槽１３０への浸漬、リンス槽１４０への浸漬、温水処理槽１５０への浸漬がこの順に行われる。また、ワーク搬送ロボットは、素子基板２０をカセット２００に収納した状態のまま温水処理槽１５０の温水中に浸漬した後、素子基板２０に付着した温水が蒸発して乾燥する速度に合わせてカセット２００を温水中から一定速度で引き上げていく引き上げ装置としての機能を備えている。
【００５０】
このような浸漬処理装置１００において、カセット２００は、図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、立てた状態において素子基板２０の下端部を支持するように横方向に延びた複数本の下側支持軸２５０、および立てた状態において素子基板２０の両側で素子基板２０の側端部を各々支持するように横方向に延びた複数本の横側支持軸２１０とを有しており、これらの支持軸２１０、２５０の両端は枠体２６０に連結されている。また、カセット２００において、上枠２６１と下枠２６２との間は、上下方向に延びる補強枠２６５によっても連結されている。
【００５１】
このカセット２００では、各四隅で上下方向に延びる枠体２６０の上端部２６６が上方に突き出た構成になっており、この４本の上端部２６０がワーク搬送ロボットに保持される。
【００５２】
また、カセット２００は、温水処理槽１５０の温水中から引き上げられる時には、図９に示すように、素子基板２０の面内方向に傾いて姿勢で引き上げられる。
【００５３】
ここで、横側支持軸２１０は、その長手方向において所定の間隔を隔てた位置に、素子基板２０の各間に向けて張り出す複数のパネルガイド部２２０を備えている。
【００５４】
本形態において、パネルガイド部２２０は、図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、１本の稜線２２１を形成するように連接する２つの錐面２２９を稜線２２１の両側に備えており、パネルガイド部２２０を横側支持軸２１０に対して直交する横方向からみたとき下方（カセット２００を温水から引き上げる方向と反対方向）、および上方（カセット２００を温水から引き上げる方向）、の双方に向かって尖っている。また、パネルガイド部２２０は、図１０（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、素子基板２０が位置側（内側）については、やはり上下方向のいずれの側からみても１本の稜線２２１を形成するように尖っている。これに対して、パネルガイド部２２０は、図１０（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、素子基板２０が位置する側とは反対側（外側）については、パネルガイド部２２０がカセット２００から横方向外側にはみ出ないように平坦面２２４になっている。
【００５５】
このように構成したカセット２００に対して、複数枚の素子基板２０を所定の間隔をあけて立てた状態に配置したとき、各素子基板２０の間にパネルガイド部２２０が入り込んで、素子基板２０を所定の位置に保持する。
【００５６】
このように構成した浸漬処理装置１００を用いてマスク除去工程を行う際には、まず、レジストマスク６８が形成されている素子基板２０をカセット２００に保持したまま、強酸化液槽１２０において濃硫酸と過酸化水素水との混液（強酸化性液）を加熱したものに浸漬してレジストマスク６８をアッシングし、次に、素子基板２０をカセット２００に保持したまま洗浄槽１３０の洗浄水中に浸漬して素子基板２０に付着している硫酸などを洗い落とす。このような洗浄を行った後、素子基板２０をカセット２００に保持したままリンス槽１４０の純水中に浸漬して素子基板２０をすすぐ。
【００５７】
しかる後、素子基板２０をカセット２００に保持したまま温水処理槽１５０の５５℃〜７５℃の温水に１２０秒間、浸漬した後（浸漬処理）、素子基板２０に付着した温水が蒸発する速度に合わせてカセット２００を温水から一定速度、例えば、３．０〜３．８ｍｍ／ｓｅｃの速度で引き上げていく。その結果、素子基板２０に付着していた温水が完全に乾燥、除去される（乾燥処理）。
【００５８】
また図４（ｃ）に示す工程において絶縁膜６３（陽極酸化膜）を形成した後、再び素子基板２０をカセット２００に保持したまま温水処理槽１５０の５５℃〜７５℃の温水に１２０秒間浸漬し（浸漬処理）、次に素子基板２０に付着した温水が蒸発する速度に合わせてカセット２００を温水から一定速度、例えば、３．０〜３．８ｍｍ／ｓｅｃの速度で引き上げる。その結果、素子基板２０に付着していた温水が完全に乾燥、除去される（乾燥処理）。
【００５９】
このような引き上げ法によれば、素子基板２０が温水の液面から引き上げられる際、液面との接触条件が素子基板２０の表面全体にわたって均一である。このため、素子基板２０の表面全面において乾燥条件の特異点が発生することがないので、乾燥ムラが発生しない。
【００６０】
さらに、本形態では、パネルガイド部２２０の下端部２２２が１本の稜線２２１になって尖っているので、カセット２００を温水から引き上げていく途中、パネルガイド部２２０の下端部２２２が液面から離れる瞬間においても、温水の表面が波立つことがない。それ故、パネルガイド部２２０の上面が液面から離れる際に、素子基板２０は、波をかぶって温水が大量に付着したまま引き上げられるなどといった特異な条件に晒される部分がない。よって、このような波に起因する乾燥ムラが発生しないので、この素子基板２０を用いた液晶装置１では、素子基板２０の乾燥ムラに起因する表示品位の低下という問題を回避することができる。
【００６１】
さらにまた、本形態において、パネルガイド部２２０は、上方に向かっても尖った形状を有しているため、パネルガイド部２２０が液面から出始める瞬間においても、パネルガイド部２２０に起因する波立ちが発生しない。それ故、パネルガイド部２２０が液面から出始める際にも、素子基板２０は、波をかぶるなどといった特異な条件に晒されない。
【００６２】
しかも、ＴＦＤ素子５６において、絶縁膜６３と第２金属層６４ａ、６４ｂとの界面状態は、絶縁膜６３の表面状態で大きく変動する。従って、絶縁膜６３と第２金属層６４ａ、６４ｂとの界面状態がばらつくと、ＴＦＤ素子５６の電気特性が大きくばらついて表示の品位が低下してしまう。しかるに、本形態では、第２金属層６４ａおよび６４ｂを形成する工程前において、絶縁膜６３表面での乾燥ムラの発生を確実に防止したので、絶縁膜６３と第２金属層６４ａ、６４ｂとの界面状態が安定している。それ故、本形態によれば、乾燥ムラに起因する表示の品位の低下を確実に防止できる。
【００６３】
（パネルガイド部２２０の変形例）
なお、上記形態では、パネルガイド部２２０を横側支持軸２１０に対して直交する方向からみたとき下方に向かって尖っている形状を有していたが、図１１にＥ矢視図を示すように、横側支持軸２１０が延びている方向からみたとき下端部２２２が下方に向かって尖っている形状を有している構成であっても、パネルガイド部２２０が液面から離れる際の波立ちを防止することができる。
【００６４】
［その他の実施の形態］
なお、上記実施形態では、ＴＦＤ素子５６を製造する際、走査線５１の第１層５１ａおよび第１金属層６２をパターニングするのに用いたレジストマスク６８を除去する工程後の素子基板２０の浸漬処理および乾燥処理と、絶縁膜６３を形成後の素子基板２０の浸漬処理および乾燥処理とに対して本発明を適用したが、これに限らず、素子基板２０あるいは対向基板１０において、その他の薄膜をパターニングするのに用いたレジストマスクを除去する工程、あるいはその他の洗浄処理などを行う際に、本発明を適用してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、絶縁膜６３を形成後であって第２金属層６４ａ及び６４ｂを形成する工程前に素子基板２０の浸漬処理と乾燥処理とを行うので、レジストマスク６８を除去する工程後の素子基板２０の浸漬処理および乾燥処理を行わなくてもよい。
【００６６】
また、能動素子としてＴＦＤ素子５６を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置１に限らず、能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置を製造するのに本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００６７】
［電子機器の実施形態］
図１２は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶装置７５としては、前述した液晶装置１を用いることができる。
【００６８】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００６９】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００７０】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００７１】
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、例えば、板状ワークをカセットに収納した状態のまま温水などに浸漬し、しかる後に、板状ワークに付着した温水が蒸発する速度に合わせて、カセットを温水中から一定速度で引き上げていく際、カセットのパネルガイド部の下端部は、尖っているので、温水の表面が波立つことがない。それ故、パネルガイド部が液面から離れる際に、板状ワークは、波をかぶって温水が大量に付着したまま引き上げられるなどといった特異な条件に晒される部分がない。よって、このような波に起因する乾燥ムラが発生しないので、表示装置において、基板の乾燥ムラに起因する表示品位の低下という問題などを回避することができる。また、上記構成をもつパネルガイド部を具備したカセットをＴＦＤ素子の製造工程に用いることにより、ＴＦＤ素子を構成する陽極酸化膜の表面に乾燥ムラが発生することを抑えることができ、この乾燥ムラに起因するこのＴＦＤ素子を用いた電気光学装置の表示品位の低下を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】図１に示す液晶装置の構造を示す分解斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、図３（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、各画素に形成されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【図４】図１に示す液晶装置の素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図１に示す液晶装置の素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】図１に示す液晶装置の素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】液晶装置の素子基板を製造するのに用いた浸漬処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ図７に示す浸漬処理装置に用いたカセットの平面図、正面図、および側面図である。
【図９】図８に示すカセットを温水から引き上げる様子を示す説明図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、それぞれ本発明を適用した浸漬処理装置のカセットにおいて、その横側支持軸に形成されているパネルガイド部のＡ矢視図、Ｂ矢視図、Ｃ矢視図、Ｄ矢視図、およびＥ矢視図である。
【図１１】本発明を適用した浸漬処理装置の別のカセットにおいて、その横側支持軸に形成されているパネルガイド部のＥ矢視図である。
【図１２】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１３】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１４】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、それぞれ従来の浸漬処理装置のカセットにおいて、その横側支持軸に形成されているパネルガイド部のＡ矢視図、Ｂ矢視図、Ｃ矢視図、Ｄ矢視図、およびＥ矢視図である。
【符号の説明】
１  液晶装置
２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ  カラーフィルタ層
６  液晶
１０  対向基板
２０  素子基板
５１  走査線
５２  データ線
５３  画素
５４  液晶層
５６  ＴＦＤ素子
５６ａ  第１のＴＦＤ素子
５６ｂ  第２のＴＦＤ素子
５６  ＴＦＤ素子
５７  走査線駆動回路
５８  データ線駆動回路
６１  下地層
６２  第１金属層
６３  絶縁膜
６４ａ、６４ｂ  第２金属層
６６  画素電極
６９  ブリッジ部
６８  レジストマスク
１００  浸漬処理装置
１１０  ローダ部
１１１  移載機
１１２  反転機
１２０  強酸化液槽
１３０  洗浄槽
１４０  リンス槽
１５０  温水処理槽
１６０  アンローダ部
１６１  反転機
１６２  移載機
２００  カセット
２１０  横側支持軸
２２０  パネルガイド部
２２１  稜線
２２２  パネルガイド部の下端部
２２９  錐面
２５０  下側支持軸
２６０  枠体
２６１  上枠
２６２  下枠
２６５  補強枠
２６６  枠体の上端部
６８０  レジストマスクの開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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