(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品端面を、ペースト槽に蓄えられた導電性ペーストに浸漬した後に引き上げて、乾燥、焼成させることにより外部電極を形成するセラミック電子部品の製造方法であって、
前記浸漬の速度を毎秒０．５ｍｍ以下とし、前記部品端面の引き上げ時において、前記ペースト槽の底面から前記部品端面の高さが前記ペースト槽の底面から前記導電性ペーストの液面までの高さ以上で、且つ、１．５倍以内の範囲に前記部品端面がある時に、一定時間に亘り引き上げを一時停止し、停止後の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以上とすることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記部品端面への前記導電性ペーストの浸漬・引き上げが複数回行われ、該複数の浸漬・引き上げのうちの最後の浸漬・引き上げを請求項１に記載の製造方法を用いたセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミック電子部品の製造方法、特に、外部電極を導電性ペーストに浸漬させることにより塗布し、乾燥、焼成することにより形成する製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミック電子部品に外部電極を形成するために、外部電極を形成する電子部品の端面を導電性ペーストに浸漬して、乾燥、焼成する方法が採られていた。しかし、特開平４−２６３４１４号に開示されているように、この導電性ペーストに電子部品端面を浸漬し、引き上げる工程で端子中央部付近にへこみや泡かみが発生してしまうという問題があった。
【０００３】
このへこみや泡かみの発生する要因について、図２を参照して説明する。
図２は電子部品を導電性ペーストに浸漬し、引き上げる工程の導電性ペーストおよび外部電極の状態図である。
【０００４】
図２の（ａ）から順に（ｄ）までは引き上げの各状態を示し、（ｅ），（ｆ）はそれぞれ引き上げ後の外部電極の形状を示す。
【０００５】
図２において、１は電子部品、１１は外部電極、２は導電性ペースト、３は導電性ペーストを満たしたペースト槽、４は空隙、５は外部電極１１のへこみ部、６は外部電極内の泡である。
【０００６】
電子部品１の外部電極を形成すべき端面を導電性ペースト２が満たされたペースト槽３の底面に浸漬する（ａ）。浸漬したのち、所定の速度で電子部品１を引き上げるのであるが、この際、電子部品１とペースト槽３とに挟まれた領域にキャビテーションが発生し、空隙４が発生する（ｂ）。ここで、電子部品１を空隙４が消滅するよりも速い速度で引き上げると、空隙４を内部に有したままで、導電性ペースト２が持ち上げられる（ｃ）。この状態で、引き続き同じ速度で引き上げを続けると、空隙４が完全に、導電性ペースト２の液面よりも高くなり、外部電極を形成するに十分な量の導電性ペーストを引き下げることができない（ｄ）。
【０００７】
このように引き上げ速度を空隙４が消滅する速度より速くすると、（ｅ），（ｆ）に示すように、外部電極１１の中央部にへこみ５ができたり、外部電極１１の中央部に泡６を内在してしまう。これらのへこみ５や内在する泡６は、電子部品の信頼性を低下させる原因となる。
【０００８】
一方、引き上げ工程時に発生する空隙を消滅させる方法として、引き上げ速度を遅くすることが考えられる。
【０００９】
引き上げ速度を遅くした場合の外部電極形成工程を示した状態を図３（ａ）〜（ｄ）に示す。
【００１０】
図３において、１は電子部品、１１は外部電極、２は導電性ペースト、３は導電性ペーストを満たしたペースト槽、４は空隙である。
【００１１】
図３に示すように、引き上げ速度を遅くすることにより、ペースト槽３と電子部品１との間に空隙４は発生しなくなる（ａ）→（ｂ）。しかし、この状態のまま引き上げを行うと、電子部品１に付着した導電性ペースト２が下方に流れる。特に電子部品１の外部電極を形成する端面に垂直な面の導電性ペースト２が奪われる（ｃ）→（ｄ）。これにより、外部電極１１は非常に厚みの薄いものとなり、当然に信頼性が低下する。
【００１２】
また、引き上げ速度を遅くするため、製品のリードタイムが長くなり、生産性が低下する。
【００１３】
このような、問題点を解消する発明が、（1）特開平３−２４８４１０、（2）特開平４−２６３４１４、（3）特開平４−２６３４０９、（4）特開平４−２６３４１０、（5）特開平４−２７５４１２に開示されている。
【００１４】
（1）の発明は、メッシュをペースト槽の底板に貼り付け、このペースト槽に満たされた導電性ペーストに電子部品を浸漬することで、外部電極を均一な厚みに塗布する方法を示している。
【００１５】
（2）の発明は、電子部品をペースト槽内の導電性ペーストに浸漬させた状態で、ペースト槽に対して相対的に横方向に移動することにより、電子部品とペースト槽の内底面との間に発生する泡を除去する方法を示している。
【００１６】
（3）の発明は、電子部品の端面に予め、ローラで導電性ペーストを塗布しておき、その後、ペースト槽に満たされた導電性ペーストに浸漬して、泡の発生を防止する方法を示している。
【００１７】
（4）の発明は、電子部品の外部電極を形成すべき端面を凸状に湾曲させることにより、導電性ペーストに浸漬する場合に、ペースト槽と端面との間で発生するキャビテーションを抑制し、泡の発生を抑える方法を示している。
【００１８】
（5）の発明は、ペースト槽の内底面の表面形状を粗面化することにより、引き上げ時のキャビテーションを抑制し、泡の発生を抑える方法を示している。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これらの従来の外部電極の形成方法には、解決すべき課題が存在した。
【００２０】
（1）の発明においては、メッシュをペースト槽の内底面に貼り付けることで、内底面は粗面化する。しかし、導電性ペーストをペースト槽内に補充し、均一となるように引き伸ばす工程において、この粗面化された部分で泡が発生する。この泡を含んだ導電性ペーストに電子部品の端面を浸漬させるため、外部電極となる導電性ペースト内に泡を含む可能性が生じる。
【００２１】
（2）の発明においては、電子部品を導電性ペースト内で横移動させても、残存する泡は撹拌されて増加していき、結局、泡かみを発生する確率が高まる可能性がある。
【００２２】
（3）の発明においては、浸漬時に濡れを均一にするように、ローラで電子部品の端面に導電性ペーストを塗布する場合においても、ローラが電子部品の端面から離れる瞬間にキャビテーションが発生する可能性がある。
【００２３】
（4）の発明においては、電子部品の端面形状を変更することで、部品設計の共通化を計ることができない。また、端面中央部が盛り上がる形に湾曲しているため、この電子部品を基板等に実装する場合に、半田フィレットが形成しにくくなる可能性がある。
【００２４】
（5）の発明においては、（1）の発明と同様で、端面を粗面化することによる、二次弊害が発生する可能性がある。
【００２５】
また、前述の各発明では、その工法から、機器設備の構造が複雑化し、コストアップすることとなる。
【００２６】
この発明の目的は、泡かみおよびへこみを発生することなく、信頼性の高い外部電極を容易に形成し、高信頼性を有する電子部品を製造することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
また、この発明は、部品端面のペースト槽に蓄えられた導電性ペーストへの浸漬の速度を毎秒０．５ｍｍ以下とし、部品端面の引き上げ時において、ペースト槽の底面から部品端面の高さがペースト槽の底面から導電性ペーストの液面までの高さ以上で、且つ、１．５倍以内の範囲に前記部品端面がある時に、一定時間に亘り引き上げを一時停止し、停止後の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以上として外部電極を塗布し、セラミック電子部品を製造する。
【００２８】
また、この発明は、部品端面への導電性ペーストの浸漬・引き上げを複数回数行って外部電極を形成し、この一連の最後の浸漬・引き上げ方法を前述の外部電極形成方法を用いてセラミック電子部品を製造する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
次に実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法について、図１を参照して説明する。
【００３０】
図１は、積層セラミックコンデンサを導電性ペースト槽に浸漬、引き上げを行う工程においての積層セラミックコンデンサの端面位置と時間との関係を示した図であり、（ｂ）はその速度条件の一覧を示した図である。
【００３１】
本実施形態に示す積層セラミックコンデンサの外部電極は、図１に示すように、二回、導電性ペーストに浸漬して形成されている。
【００３２】
一回目の浸漬（ディップ）は、前述の実施形態と同様で、積層セラミックコンデンサを導電性ペーストに浸漬し（速度Ｄ）、所定時間（時間Ｇ１）停止し、第１の引き上げ速度（速度Ｅ）で引き上げ、所定位置から、第２の引き上げ速度で引き上げている。
二回目の浸漬（ディップ）は、第１の引き上げ速度（速度Ｆ）から第２の引き上げ速度（速度Ｈ）に変更する際に、所定位置（停止位置Ｌ２）で所定時間（時間Ｇ２）に亘り、一旦停止する。
ここで、一回目の浸漬（ディップ）の条件は変更せずに、二回目（最終）の浸漬（ディップ）の条件をそれぞれに振って実験を行った。パラメータは、速度Ｆ、停止位置Ｌ２、時間Ｇ２、速度Ｈであり、各条件下での泡かみ、へこみの各不良発生数、折返し厚みを測定した。この実験において、導電性ペースト液面の高さは、ペースト槽底面から、第１の浸漬を行う槽では５５０μｍ、第２の浸漬を行う槽では１５０μｍである。
【００３３】
この実験の結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
0003855700.tif 000002
表１に示すように、条件６で外部電極を形成した場合は、泡かみ、へこみが発生する。すなわち、第１の引き上げ速度（速度Ｆ）が毎秒０．５ｍｍ以上で且つ停止しない（停止時間が０秒）の場合には問題が解決されない。
【００３５】
また、条件１で外部電極を形成した場合は、泡かみ、へこみは発生しないが、通常信頼性を維持できる外部電極厚である１０μｍを下回り、問題となる。すなわち、第２の引き上げ速度（速度Ｈ）を毎秒０．５ｍｍより遅くすると信頼性上の問題を生じる。
【００３６】
また、条件１１で外部電極を形成した場合においても、同様に外部電極厚が１０μｍを下回る。これは、停止位置Ｌ２が高すぎたため、下方に流れる導電性ペーストが増加することによる。
【００３７】
以上より、次の条件を満たす場合にのみ、高信頼性を有する積層セラミックコンデンサを容易に安定して製造することができる。
【００３８】
（1）第１の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以下とし、第２の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以上とし、速度切替時に所定時間に亘り一旦停止し、且つペースト槽の底面から停止位置がペースト槽の底面から導電性ペーストの高さの１．５倍以下となる位置とする。
（2）第２の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以上とし、速度切替時に所定時間に亘り一旦停止し、且つペースト槽の底面から停止位置がペースト槽の底面から導電性ペーストの高さの１．５倍以下となる位置とする。
【００３９】
なお、本実施形態では、二回浸漬を行ったが、特に回数を限定するものではなく、最終回の浸漬において、前述の条件が適用されればよい。
【００４０】
また、前述の実施形態においては、積層セラミックコンデンサを用いて説明したが、コンデンサに限ることなく、外部電極を導電性ペースト塗布により形成するセラミック電子部品に適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】
この発明によれば、部品端面のペースト槽に蓄えられた導電性ペーストへの浸漬の速度を毎秒０．５ｍｍ以下とし、部品端面の引き上げ時において、ペースト槽の底面から部品端面の高さがペースト槽の底面から導電性ペーストの液面までの高さ以上で、且つ、１．５倍以内の範囲に前記部品端面がある時に、一定時間に亘り引き上げを一時停止し、停止後の引き上げ速度を毎秒０．５ｍｍ以上とすることにより、更に安定して外部電極を形成でき、高信頼性を有するセラミック電子部品を更に安定して製造することができる。
【００４２】
また、この発明によれば、部品端面への導電性ペーストの浸漬、引き上げを複数回数行って外部電極を形成し、この一連の最後の浸漬、引き上げ方法を前述の外部電極形成方法とすることにより、更に安定して高信頼性を有するセラミック電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る積層セラミックコンデンサの端面位置と時間との関係を示した図、およびその速度条件の一覧を示した図
【図２】電子部品を導電性ペーストに浸漬し、引き上げる工程の導電性ペーストおよび外部電極の状態図
【図３】電子部品を導電性ペーストに浸漬し、引き上げる工程の導電性ペーストおよび外部電極の状態図
【符号の説明】
１−電子部品
１１−外部電極
２−導電性ペースト
３−ペースト槽
４−空隙
５−外部電極１１のへこみ部
６−外部電極１１内の泡
【図１】
0003855700.tif 000003
【図２】
0003855700.tif 000004
【図３】
0003855700.tif 000005