【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型又はｐ型のいずれか一方の第１導電型半導体層、発光層及び他方の第２導電型半導体層を、下面側から上面側に向かって順に有する半導体積層体を含み、前記上面側から光を取り出す半導体発光素子であって、
前記第１導電型半導体層上に設けられ、第１パッド部と、前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、を有する第１電極と、
前記第１延伸部を覆う第１絶縁膜と、
前記第２導電型半導体層の上面に接続され、前記第１絶縁膜上に延在する透光性電極と、
前記第１絶縁膜上において前記透光性電極に接続された第２電極であって、第２パッド部と、前記第２パッド部から前記第１延伸部に沿って延伸し前記第１延伸部と重なるように配置された第２延伸部と、を有する第２電極と、
前記第２導電型半導体層上に設けられた第２絶縁膜と、
を備え、
前記半導体積層体は、前記第２導電型半導体層側に、前記第１導電型半導体層を露出させる露出部を有し、
前記第１延伸部は、前記露出部内に露出した前記第１導電型半導体層上から、前記第２絶縁膜を介して前記第２導電型半導体層上まで延在して配置されており、
前記第１パッド部は、前記第２絶縁膜を介して前記第２導電型半導体層上に配置されたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
上面視において、前記第２電極の９０％以上が前記第１電極と重なっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記露出部は複数設けられており、複数の前記露出部の合計面積は、前記半導体発光素子の全体の面積の１０％以下である、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２パッド部は、上面視において前記第１電極と重ならない位置に配置されており、
前記半導体発光素子は、前記第２パッド部の直下に、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層から絶縁された金属反射膜をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１延伸部は下側金属層から形成され、
前記第１パッド部は前記下側金属層上に設けられた上側金属層から形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１延伸部及び前記第２延伸部の少なくともいずれか一方は、同じ方向に延伸する部分を複数有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１導電型半導体層、発光層及び第２導電型半導体層をこの順に形成する工程と、
前記第２導電型半導体層及び前記発光層を部分的に除去して前記第１導電型半導体層が露出した露出部を形成する工程と、
前記露出部と接続された第１電極であって、第１パッド部と、前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１延伸部を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第２導電型半導体層の上面に接続し且つ前記第１絶縁膜上に延在する透光性電極を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上において前記透光性電極に接続された第２電極であって、第２パッド部と、前記第２パッド部から前記第１延伸部に沿って延伸し前記第１延伸部と重なるように配置された第２延伸部と、を有する第２電極を形成する工程と、を含み、
さらに、前記第１電極を形成する工程より前に、前記第２導電型半導体層上に第２絶縁膜を形成する工程を含み、
前記第１延伸部は、前記露出部に露出した前記第１導電型半導体層上から、前記第２絶縁膜を介して前記第２導電型半導体層上まで延在して配置されており、
前記第１パッド部は、前記第２絶縁膜を介して前記第２導電型半導体層上に配置されたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記透光性電極を形成する工程は、
前記第２導電型半導体層の上面に導電性酸化物からなる第１透明導電層を形成し、第１の温度で熱処理する工程と、
前記第１透明導電層と前記第２電極とを接続するように前記第１絶縁膜上に導電性酸化物からなる第２透明導電層を形成し、前記第１の温度よりも低温の第２の温度で熱処理する工程と、を含み、
前記第１の温度で熱処理する工程は、前記第１電極を形成する工程及び前記第２電極を形成する工程より前に行い、
前記第２の温度で熱処理する工程は、前記第１電極を形成する工程及び前記第２電極を形成する工程より後に行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第２透明導電層は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜の上にのみ形成する、請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
実施の形態１〜４では、略正方形の発光素子において、延伸電極１２、２２を略正方形に配線し、パッド部１１、２１を２つ備えた形態を例示してきたが、これに限定されず、様々な変更が可能である。例えば、長方形の発光素子において、延伸電極を任意形状（例えば格子状、円形状など）に配線し、パッド部を３つ以上備えた形態にすることもできる。
なお、本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
（態様１）
ｎ型又はｐ型のいずれか一方の第１導電型半導体層、発光層及び他方の第２導電型半導体層を、下面側から上面側に向かって順に有し、前記上面側から光を取り出す半導体発光素子であって、
前記第１導電型半導体層上に設けられ、第１パッド部と、前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、を有する第１電極と、
前記第１延伸部を覆う第１絶縁膜と、
前記第２導電型半導体層の上面に接続され、前記第１絶縁膜上に延在する透光性電極と、
前記第１絶縁膜上において前記透光性電極に接続された第２電極であって、第２パッド部と、前記第２パッド部から前記第１延伸部に沿って延伸し前記第１延伸部と重なるように配置された第２延伸部と、を有する第２電極と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子。
（態様２）
上面視において、前記第２電極の９０％以上が前記第１電極と重なっていることを特徴とする態様１に記載の半導体発光素子。
（態様３）
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層が露出した露出部上に形成されていることを特徴とする態様１又は２に記載の半導体発光素子。
（態様４）
前記第１電極は、前記露出部上から前記第２導電型半導体層の前記上面まで延在しており、
前記半導体発光素子は、前記第１電極と前記第２導電型半導体層との間に形成され、前記第１電極と前記第２導電型半導体層とを絶縁する第２絶縁膜をさらに備えることを特徴とする態様３に記載の半導体発光素子。
（態様５）
前記第１パッド部は、前記第２絶縁膜を介して前記第２導電型半導体層上に配置されていることを特徴とする態様４に記載の半導体発光素子。
（態様６）
前記第２パッド部は、上面視において前記第１電極と重ならない位置に配置されており、
前記半導体発光素子は、前記第２パッド部の直下に、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層から絶縁された金属反射膜をさらに備えることを特徴とする態様１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
（態様７）
前記第１延伸部は下側金属層から形成され、
前記第１パッド部は前記下側金属層上に設けられた上側金属層から形成されていることを特徴とする態様１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
（態様８）
前記第１延伸部及び前記第２延伸部の少なくともいずれか一方は、同じ方向に延伸する部分を複数有することを特徴とする態様１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
（態様９）
第１導電型半導体層、発光層及び第２導電型半導体層をこの順に形成する工程と、
前記第２導電型半導体層及び前記発光層を部分的に除去して前記第１導電型半導体層が露出した露出部を形成し、前記露出部と接続された第１電極であって、第１パッド部と、前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１延伸部を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第２導電型半導体層の上面に接続し且つ前記第１絶縁膜上に延在する透光性電極を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上において前記透光性電極に接続された第２電極であって、第２パッド部と、前記第２パッド部から前記第１延伸部に沿って延伸し前記第１延伸部と重なるように配置された第２延伸部と、を有する第２電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
（態様１０）
前記透光性電極を形成する工程は、
前記第２導電型半導体層の上面に導電性酸化物からなる第１透明導電層を形成し、第１の温度で熱処理する工程と、
前記第１透明導電層と前記第２電極とを接続するように前記第１絶縁膜上に導電性酸化物からなる第２透明導電層を形成し、前記第１の温度よりも低温の第２の温度で熱処理する工程と、を含み、
前記第１の温度で熱処理する工程は、前記第１電極を形成する工程及び前記第２電極を形成する工程より前に行い、
前記第２の温度で熱処理する工程は、前記第１電極を形成する工程及び前記第２電極を形成する工程より後に行うことを特徴とする態様９に記載の半導体発光素子の製造方法。