(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光硬化性樹脂およびセラミック材料を含有する厚み５０〜１００μｍのセラミック層成形体を露光して一部を硬化させた後、未硬化部分に平均粒径１００μｍ以下の現像液液滴を２ＭＰａ以上の圧力で噴出して、前記未硬化部分を除去し、直径７０〜１００μｍの貫通孔を形成する工程を具備することを特徴とする積層セラミック基板の製法。
【請求項２】
複数のセラミック層を積層してなる積層セラミック基板の製法であって、以下の（ａ）〜（ｇ）の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の積層セラミック基板の製法。
（ａ）少なくとも光硬化性樹脂およびセラミック材料を含有するスリップを作製する工程
（ｂ）前記スリップを支持基板上に塗布、乾燥してセラミック層成形体を形成する工程
（ｃ）前記セラミック層成形体を露光し、硬化させる工程
（ｄ）前記（ｃ）工程で形成されたセラミック層成形体に対して、前記スリップを塗布、乾燥してセラミック層成形体を形成する工程
（ｅ）前記（ｃ）、前記（ｄ）を順次繰り返して前記セラミック層成形体が複数積層された積層成形体を作製すると共に、該積層成形体のセラミック層成形体のうち少なくとも一層において、所定個所を露光して硬化し、未硬化部分に、平均粒径１００μｍ以下の現像液液滴を２ＭＰａ以上の圧力で噴出して、前記未硬化部分を除去し、前記セラミック層成形体に貫通孔を形成し、該貫通孔に導電性ペースト、誘電体ペーストおよび樹脂ペーストのうちいずれかを充填する工程
（ｆ）前記積層成形体を前記支持基板より剥離する工程
（ｇ）前記積層成形体を焼成する工程
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック基板の製法に関し、特に、絶縁層間の内部配線を接続するための微細なビアホールの形成を可能とする積層セラミック基板の製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
一般に積層セラミック基板は、セラミック、またはガラス−セラミックからなる絶縁層を複数積層してなり、絶縁層間には内部配線が形成され、この内部配線にはビアホール導体が接続されている。内部配線やビアホール導体の導体材料としてタングステン等の高融点金属材料や金、銀、銅などの低抵抗材料が用いられている。
【０００３】
このような積層セラミック基板の製造方法として、以下の製造方法が用いられている。その１つが、セラミック層となるガラス粉末・セラミック粉末を含有するスリップ材を形成し、ドクターブレード法などによってグリーンシートを作成し、次に、グリンーシートにビアーホールとなる位置にＮＣパンチや金型などで貫通孔を形成し、次に内部配線のパターン及びビアーホール導体に応じてグリンーシート上に導電性ペーストを印刷・充填し、次に、これらのシートを複数積層して、この積層体を一括同時焼成するグリーンシート積層方式である。
【０００４】
しかしながら、この製造方法は、セラミック層となるグリーンシートを作製するためのテープ成型工程が必要であること、さらに異なるセラミック層間の内部配線を接続するためのビアホールとなる貫通孔を穿設する工程が必要となり、穿設に際しては、金型やＮＣパンチを用いることが一般的であり、ＮＣパンチの場合、１つづつの孔を開けなくてはならないため、工数がかかり高価になる事が課題となっている。
【０００５】
そしてもう一つが、フォトリソ方式による感光性スラリーを用いてセラミック層を形成する方法である。これは、セラミック材料、ガラス材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダ及び有機溶剤とからなるスリップ材を薄層化し乾燥してセラミック層成形体を形成し、露光現像処理により内部配線を接続するための微細なビアホールを形成した後、導電性ペーストの充填、内部配線パターンの印刷を行い、これを繰り返すことにより、積層成形体を作製し、これを焼成して積層セラミック基板を形成するものである。
【０００６】
ここで、現像処理とは、予め露光処理をおこない、紫外線が照射されなかった未硬化の部分のセラミック層成形体を溶解、除去することにより、貫通孔を形成する処理のことをいう。
【０００７】
このフォトリソ法による製造方法は、製造方法が簡略化でき、精度よくビアホール導体の貫通孔を形成でき、高密度の内部配線が可能であり、上記グリーンシート積層方式の問題点を解決するものである。
【０００８】
そして、この微細な貫通孔を高精度に且つ一括で形成することを可能とする現像方法については、従来より多くの方法が検討されている。例えば、特開平４−４８０８５号公報には、基板に現像液を付与する為の揺動する複数個のノズルと、搬送レールを備える現像装置を用い、その基板内の現像バラツキを低減する為に、ノズルの配置やノズル−基板間距離、液圧力を調整し、フレッシュな液の供給が難しい中央部の現像性を向上させる方法等が開示されており、使用されている現像装置は、現像液が収容されたタンクと、３００μｍ以上の現像液滴を噴出するノズルと、外ノズルにタンクの現像液を０．２ＭＰａの圧力で供給するポンプとから構成されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
フォトリソ方式において、微細な貫通孔を形成する場合、セラミック層成形体に含まれる原料粉末等の影響の為、セラミック層成形体に紫外線を照射しても、内部まで充分に硬化する事ができず、特にセラミック層成形体厚み５０〜１００μｍの膜厚において、内部配線を接続するためのビアホールとなる貫通孔以外の部分を十分に硬化させることができないという問題があった。
【００１０】
また、近年において、例えば、ビアホールはその直径が、従来の１５０μｍから７０〜１００μｍ程度とさらに小さくなり、上述した従来のスプレー現像装置では、形成しようとするビアホール径に対して、現像液滴が３００μｍ以上と大きい為、また、圧力が０．２ＭＰａ以下と小さいため、深い貫通孔を理想的な形状に形成できないという問題があった。
【００１１】
即ち、理想的なビアホール形状（テーパ状）である図５に比較して、現像液噴出方向に対して拡幅するような（逆テーパ状）である図６に示す貫通孔が形成され、導体ペースト充填時にペーストが充填し切れず、空洞が形成されるという問題があった。
【００１２】
本発明は、微細な現像液滴を高圧で噴出して小径の貫通孔を深く理想的に形成できる積層セラミック基板の製法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層セラミック基板の製法は、少なくとも光硬化性樹脂およびセラミック材料を含有する厚み５０〜１００μｍのセラミック層成形体を露光して一部を硬化させた後、未硬化部分に平均粒径１００μｍ以下の現像液液滴を２ＭＰａ以上の圧力で噴出して、前記未硬化部分を除去し、直径７０〜１００μｍの貫通孔を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００１５】
このような方法を採用することにより、光硬化性樹脂を含有する成形体の微細な未硬化部分を、微細な現像液液滴を高圧で噴出することにより除去でき、小径の貫通孔を深く形成することができる。
【００１６】
さらに、本発明の積層セラミック基板の製法は、複数のセラミック層を積層してなる積層セラミック基板の製法であって、以下の（ａ）〜（ｇ）の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の積層セラミック基板の製法。
【００１７】
（ａ）少なくとも光硬化性樹脂およびセラミック材料を含有するスリップを作製する工程
（ｂ）前記スリップを支持基板上に塗布、乾燥してセラミック層成形体を形成する工程
（ｃ）前記セラミック層成形体を露光し、硬化させる工程
（ｄ）前記（ｃ）工程で形成されたセラミック層成形体に対して、前記スリップを塗布、乾燥してセラミック層成形体を形成する工程
（ｅ）前記（ｃ）、前記（ｄ）を順次繰り返して前記セラミック層成形体が複数積層された積層成形体を作製すると共に、該積層成形体のセラミック層成形体のうち少なくとも一層において、所定個所を露光して硬化し、未硬化部分に、１００μｍ以下の現像液液滴を２ＭＰａ以上の圧力で噴出して、前記未硬化部分を除去し、前記セラミック層成形体に貫通孔を形成し、該貫通孔に導電性ペースト、誘電体ペーストおよび樹脂ペーストのうちいずれかを充填する工程
（ｆ）前記積層成形体を支持基板より剥離する工程
（ｇ）前記積層成形体を焼成する工程
このような方法を採用することにより、光硬化性樹脂、セラミック材料を含有する成形体の微細な未硬化部分を、微細な現像液液滴を高圧で噴出することにより除去でき、小径の貫通孔を深く理想的に形成でき、この小径の貫通孔内に導電性ペースト、誘電体ペースト、樹脂ペーストのうちいずれかを充填できる。
【００１８】
即ち、本発明によれば、フォトリソ方式を用いた５０〜１００μｍの任意の膜厚の絶縁膜による積層体の製造において、貫通孔を形成する現像プロセスを改善し、特に、内部が露光によって硬化しにくいセラミック層成形体に微細な貫通孔を形成する際、現像液粒径を、必要とする孔径よりも小さな粒径とし、かつ現像液の噴霧打力（噴出力）を利用することで、貫通孔の外周壁面の不要な溶解を引き起こすことが無く、微細な貫通孔を、垂直方向に、精度よく形成することができる。
【００１９】
また、ビアホールの形成工程が、露光・現像による一括処理で可能であり、複数種類の孔径を任意に設定でき、従来得ることができなかった直径７０〜１００μｍの任意の大きさにて、断面形状が露光方向に対して狭まるテーパ状となる貫通孔を形成することができる。また、その相対位置精度が極めて向上するため、高密度配線の積層セラミック基板が作製できる。
【００２０】
さらに、導体パターン上にスラリーを塗布するため、形成されたセラミック層成形体の表面が、複数層形成しても、常に平坦となるため、その後の導体膜の形成が安定する。
【００２１】
さらに、従来薄いセラミック層はグリーンシート積層方式の場合、取り扱いが難しかったが、本発明においては、何等問題がない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、多層セラミック基板の斜視図を示すもので、符号１は絶縁基体を示しており、入出力端子、電源端子、グランド端子等の端子が端面電極２として示されている。端面電極２は絶縁基体１の側面に露出して形成されている。
【００２３】
また、絶縁基体１の上面には表面電極（配線）３が形成され、この表面電極３には抵抗器、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品４が接続されている。
【００２４】
また、絶縁基体１にはキャビティ部５が形成されており、このキャビティ部５には半導体ベアチップ６が収容され、ワイヤにより表面電極３と接続されている。
【００２５】
絶縁基体１は、図２に示すように、セラミック層１ａ〜１ｈ、内部配線１１、ビアホール導体１２とから構成されており、セラミック層１ａ〜１ｈは、例えば、ガラスセラミック材料からなり、それぞれの厚みは４０〜１５０μｍとされている。このようなセラミック層１ｂとセラミック層１ｃ、セラミック層１ｄとセラミック層１ｅ、セラミック層１ｆとセラミック層１ｇ間には内部配線１１が形成されている。内部配線１１は、金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。また、内部配線１１はビアホール導体１２によって接続されているものもあれば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。このビアホール導体１２も内部配線１１と同様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。
【００２６】
絶縁基体１の表面には、ビアホール導体１２と接続する表面電極３が形成されており、この表面電極３上には、必要に応じて厚膜抵抗体膜や厚膜保護膜が形成されたり、メッキ処理されたり、また、図１に示したように、ＩＣ、インダクタ、抵抗、コンデンサを含む各種チップ部品４が半田によって接合されている。
【００２７】
本発明の多層セラミック基板の製法を、図３に基いて説明する。先ず、セラミック層１ａ〜１ｈとなるスリップ材を作製する。スリップ材は、例えば、ガラスセラミックスまたはセラミック原料粉末、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バインダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤とを、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに混合し、ボールミルで混練して作製される。
【００２８】
セラミック原料粉末としては、例えば、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有してなるものが用いられる。
【００２９】
尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を作製しているが、親水性の官能基を付加した光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレートモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性アルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練した水系スリップ材であっても良い。
【００３０】
セラミック原料粉末としては、例えば、ガラス材料であるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とからなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に限定されるものではない。
【００３１】
また、ビアホール導体１２、内部配線１１および表面電極３となる導電性ペーストを作製する。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラス、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノイソブチレートに混合し、３本ローラーにより均質混練して作製される。
【００３２】
本発明の積層セラミック基板の製法は、まず、図３（ａ）に示すように、支持基板２５上に、上述のスリップ材をドクターブレード法によって塗布・乾燥して、セラミック層１ａを形成するセラミック層成形体３１ａを形成する。ここで、支持基板２５としてはマイラーフイルムを用い、焼成工程前に取り外される。
【００３３】
次に、セラミック層成形体３１ａに、図３（ｂ）に示すように、貫通孔３５ａの形成を行う。貫通孔３５ａの形成は、露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理により行う。
【００３４】
露光処理は、セラミック層成形体３１ａ上に、貫通孔３５ａが形成される領域が遮光されるようなフォトターゲットを載置して、例えば、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用いて露光を行なう。
【００３５】
これにより、貫通孔３５ａが形成される領域のセラミック層成形体３１ａにおいては、光硬化可能なモノマの光重合反応がおこらず、貫通孔３５ａが形成される領域以外のセラミック層成形体３１ａにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位を溶化部という。
【００３６】
現像処理は、セラミック層成形体３１ａの溶化部を現像液で除去するもので、具体的には、例えば、トリエタノールアミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行う。この現像処理により、セラミック層成形体３１ａに貫通孔３５ａを形成することができる。
【００３７】
スプレー現像は、平均粒径が１００μｍ以下、特には７０〜１００μｍの現像液液滴を２ＭＰａ以上、特には２〜７ＭＰａの圧力で吹き付けることにより行う。スプレー現像装置は、図５に示すように、現像液が貯蔵されるタンク５１と、１００μｍ以下の現像液液滴を噴出するノズル５３と、ノズル５３にタンク５１の現像液を２ＭＰａ以上の圧力で供給するポンプ５５とを具備して構成されている。
【００３８】
具体的には、現像装置は、パドル処理漕、スプレー処理漕、純水洗浄処理漕の３つの処理漕からなり、ワークがコンベアにより各漕に順に搬送され、各漕の終端にはエアーシャワーを設け、現像液及び純水が充分に除去される構造となっている。
【００３９】
まず初めに投入されるパドル処理漕は、希釈濃度５〜１０％の現像液を使用し、乾燥膜の表面にノズルを用いて放水し、表面張力によりワーク上に現像液を載置することにより３０〜６０秒間浸漬させる処理漕であり、おもに未露光部の溶解を行う処理漕である。
【００４０】
続いて投入されるスプレー処理漕は、希釈濃度１〜２％の現像液を使用し、乾燥膜の表面に、上記したスプレー現像装置を用いて霧状にして３０〜６０秒間噴霧する処理漕であり、おもに未露光部で溶解した膜を除去する処理漕とする。
【００４１】
この時、スプレー現像装置は、現像液の圧力を２〜７ＭＰａの範囲に設定したときに現像液の平均粒径が７０〜１００μｍの範囲となるノズルを選定する。スプレーは３０〜６０ｍｍ間隔で等間隔に配置され、ワークの搬送方向に対して直角に揺動する。これによりワークはスプレー現像装置から噴霧された現像液を受けながら、ノズルの下を一定速度で移動し、搬送速度に応じて設定された時間だけ現像処理を行う。
【００４２】
続いて投入される純水洗浄処理漕は、純水を使用して乾燥膜の表面にノズルを用いて放水し、３０〜６０秒間洗浄する処理漕であり、主に現像液を洗い流す処理漕とする。これにより所望の貫通孔が形成される。セラミック層成形体３１ａを現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程により完全に除去する。
【００４３】
次に、貫通孔３５ａへ導電性ペーストを充填し、乾燥して、導電部材３６ａを形成する。具体的には、図３（ｃ）に示すように、上述の工程で形成した貫通孔３５ａ内に上述の導電性ペーストを充填し、乾燥する。貫通孔３５ａに相当する部位のみに印刷可能なスクリーンを用いて印刷によって導体部材３６ａを形成し、その後、８０℃で１０分乾燥する。
【００４４】
上記のような工程を繰り返して、セラミック層成形体３１ａ〜３１ｇが形成された積層体を作製する。この後、スリップ材をドクターブレード法によって塗布・乾燥して、絶縁基体１の最表面のセラミック層成形体３１ｈを形成する。
【００４５】
このセラミック層成形体３１ｈに上記した露光処理を施し、導電性ペーストを塗布して表面電極を形成する。
【００４６】
このようにして作製された積層成形体を、必要に応じて、プレスで形状を整え、図３（ｄ）に示すような成形体が得られ、この後、支持基板２５が除去され、成形体底面に表面電極を形成する。
【００４７】
そして、成形体の両面から、回路ブロックに分割される位置に鋭利な刃を押し付けて分割溝を形成する。
【００４８】
この後、脱バインダー工程と、本焼成工程からなる焼成を行ない、脱バインダー工程において、含まれている有機バインダ、光硬化可能なモノマを消失し、本焼成工程により焼結し、分割溝で分割する。
【００４９】
その後、表面処理として、さらに、厚膜抵抗膜や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さらにＩＣチップを含む電子部品４、６の接合を行う。
【００５０】
尚、図１においては、絶縁基体１の上面側のみに表面電極３、電子部品４、６が形成されているが、絶縁基体１の下面側にも形成してもよい。
【００５１】
また、表面電極３は、絶縁膜１ａ〜１ｈの焼成された積層体の表面に、印刷・乾燥し、所定雰囲気で焼きつけを行っても良い。例えば、内部配線１１にＡｇ系導体を用い、表面電極３としてＣｕ系導体を用いる場合、セラミック層１ａ〜１ｈと内部配線１１の導体膜からなる積層体を、酸化性雰囲気又は中性雰囲気で焼成し、焼成された積層体の表面に、Ｃｕ系導体の印刷・乾燥を行い、中性雰囲気又は還元性雰囲気・７８０℃（ＡｇとＣｕの共晶点）以下の温度で焼成する。
【００５２】
尚、上記態様では、積層セラミック基板の製法について説明したが、光硬化性樹脂と有機樹脂とを用いてセラミック層成形体を作製しても良い。
【００５３】
また、上記態様では、貫通孔３５ａ内に上述の導電性ペーストを充填した例について説明したが、本発明では、必要に応じて貫通孔内に誘電体ペーストや樹脂ペーストを充填しても良い。
【００５４】
【実施例】
先ず、マイラーフィルム上に感光性スラリーを塗布乾燥し、セラミック層成形体を形成した。感光性スラリーは、セラミック原料粉末と、光硬化可能なモノマー（ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート）と、有機バインダ（アルキルメタクリレート）と、可塑剤とを、有機溶剤（エチルカルビトールアセテート）に混合し、ボールミルで混練して作製した。
【００５５】
セラミック原料粉末は、０．９５ＭｇＴｉＯ3 −５ＣａＴｉＯ3 で表される主成分１００重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換算で１０重量部、ＬｉをＬｉＣＯ3 換算で５重量部添加したものを用いた。
【００５６】
次に、セラミック層成形体上に、フォトターゲットを載置して、超高圧水銀灯（照度３０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として１０秒間露光した。
【００５７】
次に、本発明の現像装置を用いて現像処理を行った。この現像装置は、パドル処理漕、スプレー処理漕、純水洗浄処理漕の３つの処理漕からなり、ワーク( セラミック層成形体）をコンベアにより各漕を順に搬送し、各漕の終端においてはエアーシャワーにより、現像液及び純水を充分に除去した。
【００５８】
現像処理においては、まず初めに、希釈濃度５％の現像液を使用し、乾燥膜の表面にノズルを用いて放水し、表面張力によりワーク上に現像液を載置することにより３０秒間浸漬させ、パドル処理を行った。
【００５９】
次に、スプレー処理を行った。本実施例においてスプレー処理におけるスプレー噴霧圧力および現像液液滴の平均粒径を代えて実験を行った結果を表１に示した。
【００６０】
即ち、表１に示す膜厚のセラミック層成形体に対し、表１に示す径の貫通孔の現像処理として、希釈濃度１％の現像液を、乾燥膜の表面に、表１に示す現像液液滴の平均粒径、液噴霧圧力のスプレー噴霧条件にて３０秒間噴霧した。スプレーは０．０５ｍ間隔で等間隔に配置され、ワークの搬送方向に対して直角に揺動し、ワークはスプレーから噴霧された現像液を受けながら、ノズルの下を一定速度で移動し、搬送速度に応じて設定された時間だけ現像処理を行った。
【００６１】
続いて、純水洗浄処理漕は、純水を使用して乾燥膜の表面にノズルを用いて放水し、６０秒間洗浄した。この後、８０℃にて１０分間の乾燥を行った。この後、貫通孔の形状を観察し、その結果を表１に示した。尚、試料Ｎｏ．９、１０は参考試料を示す。
【００６２】
【表１】
0003792457.tif 000002
【００６３】
この表１から、本発明の試料では、図５に示すようにテーパ状の貫通孔断面形状が得られたが、比較例の試料では、図６に示すように貫通する前に逆テーパ形状となった。また、試料Ｎo.７に示すように、平均粒径を３００μｍとした場合も同様に逆テーパ状となった。また、実施例８〜１０に示すように、形成する孔径が５０００μｍまではこの現像条件にてテーパ状の貫通孔断面形状を形成することができた。また、試料Ｎo.１１に示すように、セラミック層成形体の厚み１００μｍまではこの現像条件にてテーパ状の貫通孔断面形状を形成することができる。
【００６４】
尚、上記実施例では示さなかったが、スラリー塗布をセラミック層成形体上に行って形成したセラミック層成形体に、上記のような露光現像を行った場合でも、同様の結果が得られる。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、少なくとも光硬化性樹脂を含有する成形体を露光して一部を硬化させた後、未硬化部分に１００μｍ以下の現像液液滴を２ＭＰａ以上の圧力で噴出して、未硬化部分を除去するため、光硬化性樹脂を含有する成形体の微細な未硬化部分を、微細な現像液液滴を高圧で噴出することにより除去でき、小径の貫通孔を深く形成することができる。
【００６６】
このため、グリーンシートの積層方式やスリップ材と導電性ペーストを交互に印刷による印刷積層方式では、得ることができなっかったビアホール導体の孔径、例えば約７０μｍから５０００μｍ程度の任意の大きさにて、断面形状が露光方向に対してテーパ状となる貫通孔を簡単に形成でき、高密度内部配線パターンの多層セラミック基板を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層セラミック基板を示す斜視図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】本発明の多層セラミック基板の工程図である。
【図４】本発明のスプレー現像装置を示す概念図である。
【図５】本発明の理想的なビアホール形状を示す図である。
【図６】ビアホール形状が逆テーパ状に形成された図である。
【符号の説明】
１・・・・・・多層セラミック基板
１ａ〜１ｈ・・・セラミック層
７・・・・・・・内部配線
８・・・・・・・ビアホール導体
２５・・・・・・支持基板
５１・・・タンク
５３・・・ノズル
５５・・・ポンプ
【図１】
0003792457.tif 000003
【図２】
0003792457.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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