(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に粘着層の形成された絶縁フィルムの、前記粘着層が形成されている面と、表面に剥離膜が形成され、前記剥離膜上に膜の形成された第１基板の、前記膜が形成されている面と、を対向させ、前記粘着層と前記膜とを接着する工程と、
前記膜を前記第１基板上の前記剥離膜から剥離させ、前記膜と前記粘着層とが平板状の面を形成するよう前記絶縁フィルム上に転写する工程と、
前記膜および前記粘着層を含む前記平板状の面を第２基板に接着させ、前記絶縁フィルムと前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記膜が導電膜である、配線板の製造方法。
【請求項３】
第１基板上に撥液層を形成する工程と、
前記撥液層上に銀を含む液体材料を液滴吐出装置により吐出し塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に前記熱処理を行い導電膜に変換する工程と、
表面に粘着層の形成された絶縁フィルムの、前記粘着層が形成されている面と前記導電膜とを接着する工程と、
前記導電膜を前記第１基板から剥離させ、前記導電膜と前記粘着層とが平板状の面を形成するよう前記絶縁フィルム上に転写する工程と、
前記導電膜および前記粘着層を含む前記平板状の面を第２基板に接着させ、前記絶縁フィルムと前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の配線板の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デバイスの製造方法並びにデバイス、非接触カード媒体及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
周知のように、上記各種電子装置に組み込まれるプリント配線板や各種の半導体デバイスの配線パターンの形成にはフォトリソグラフィ法が一般的に用いられている。このフォトリソグラフィ法は、基板上に形成した膜についてエッチング処理により必要部分のみを残して除去することを繰り返すことにより基板上に各種の回路素子や配線パターンを形成するものである。このようなフォトリソグラフィ法はエッチング処理により膜の多くの部分を除去することを繰り返すものであるため、膜を形成するための材料に無駄が多いという欠点がある。そして、このような欠点を克服する方法として、基板上に導電性液体をインクジェット方式により局部的に順次連続的に吐出することにより配線パターンを描画的に直接形成する方法が提案されている。
【０００３】
しかしながら、上記インクジェット方式による配線パターンの形成方法には、以下のような問題点がある。すなわち、微細かつ厚膜の配線パターンを形成するには、導電性液体を吐出する基板に撥液性が要求されるために、前処理として基板の表面に撥液性を確保するための表面処理を施す必要があり、この表面処理の分、製造工程が複雑となる。また、多種多様な基板に対して一定レベルの撥液性を付与するためには基板の材質に応じた表面処理条件を模索する必要があると共に、実際の配線パターンの形成時には基板の材質に応じた表面処理条件を設定する必要がある。また、基板の材質によっては、一定レベルの撥液性を付与するための表面処理条件を実現できないもの、つまり表面処理が極めて困難なものも存在する。さらには、多層配線を形成する場合の層間絶縁膜をインクジェット方式により形成することが提案されているが、層間絶縁膜を形成する度に上記表面処理を行った上で配線パターンの形成を行う必要があるので、製造工程が複雑となる。
【０００４】
一方、インクジェット方式による配線パターンの形成方法の場合、基板表面に吐出した導電性液体は熱処理によって導電膜に変換する必要があるので、基板の材質としては、この熱処理に耐え得るものでなくてはならない。例えばプラスチックを材質とする基板は上記熱処理に対する耐性を備えていないので、インクジェット方式による配線パターンの形成方法に適用することはできない。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、以下の点を目的とするものである。
（１）基板の材質の性状に依らずインクジェット方式によって良好な配線パターンを形成する。
（２）一定レベルの撥液性を付与するための表面処理を行うことなくインクジェット方式によって配線パターンを形成する。
（３）インクジェット方式による多層配線の形成工程を単純化する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明にかかる配線板の製造方法は、表面に粘着層の形成された絶縁フィルムの、前記粘着層が形成されている面と、表面に剥離膜が形成され、前記剥離膜上に膜の形成された第１基板の、前記膜が形成されている面と、を対向させ、前記粘着層と前記膜とを接着する工程と、前記膜を前記第１基板上の前記剥離膜から剥離させ、前記膜と前記粘着層とが平板状の面を形成するよう前記絶縁フィルム上に転写する工程と、前記膜および前記粘着層を含む前記平板状の面を第２基板に接着させ、前記絶縁フィルムと前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、膜と粘着層とが形成する平板状の面が平坦であるため、例えば絶縁フィルムを第２基板に接着した際、凹凸が生じることがなく、配線板の質を向上することができる。
【０００８】
上記配線板の製造方法において、前記膜が導電膜であることが好ましい。
【０００９】
また、本発明にかかる配線板の製造方法は、第１基板上に撥液層を形成する工程と、前記撥液層上に銀を含む液体材料を液滴吐出装置により吐出し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に熱処理を行い導電膜に変換する工程と、表面に粘着層の形成された絶縁フィルムの、前記粘着層が形成されている面と前記導電膜とを接着する工程と、前記導電膜を前記第１基板から剥離させ、前記導電膜と前記粘着層とが平板状の面を形成するよう前記絶縁フィルム上に転写する工程と、前記導電膜および前記粘着層を含む前記平板状の面を第２基板に接着させ、前記絶縁フィルムと前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、導電膜と粘着層とが形成する平板状の面が平坦であるため、例えば絶縁フィルムを第２基板に接着した際、凹凸が生じることがなく、配線板の質を向上することができる。
【００１６】
また、本発明にかかる電子機器の製造方法は、上記配線板の製造方法を用いることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係わるデバイスの製造方法並びにデバイス、非接触カード媒体及び電子機器の一実施形態について説明する。
【００２３】
なお本発明において、液滴吐出法とは、液滴を所望の領域に吐出することにより、被吐出物を含む所望のパターンを形成する方法であり、インクジェット法と呼ばれることもある。但しこの場合、吐出液滴は、印刷物に用いられる所謂インクではなく、デバイスを構成する材料物質を含む液状体であり、この剤両物質は、例えばデバイスを構成する導電物質または絶縁物質として機能し得る物質を含むものである。さらに、液滴吐出とは、吐出時に噴霧されるものに限らず、液状体の１滴１滴が連続するように吐出される場合も含む。
【００２４】
図１は、本実施形態に係わる多層配線パターンの要部断面図である。この図において、符号１は基板、２Ａは端子、２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3は配線、３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3は粘着層、４Ｂ1，４Ｂ2，４Ｂ3は絶縁層（粘着材）、Ｐ12，Ｐ23，Ｐ3はスルーホールである。基板１は、例えばガラスを材料とするガラス基板である。
【００２５】
端子２Ａは、導電性材料からなり、基板１を加工することにより当該基板１内に埋め込まれた配線の一部をなす特定配線である。各配線２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3のうち、配線２Ｂ1は、粘着層３Ｂ1及び絶縁層４Ｂ1と共に第１層を構成しており、粘着層３Ｂ1によって絶縁層４Ｂに接着されると共に、上記基板１内の端子２Ａ及びスルーホールＰ12に接続されている。配線２Ｂ2は、粘着層３Ｂ2及び絶縁層４Ｂ2と共に第２層を構成しており、粘着層３Ｂ2によって絶縁層４Ｂ2に接着されると共に、上記スルーホールＰ12及びスルーホールＰ23に接続されている。配線２Ｂ3は、粘着層３Ｂ3及び絶縁層４Ｂ3と共に第３層を構成しており、粘着層３Ｂ3によって絶縁層４Ｂ3に接着されると共に、上記スルーホールＰ23及びスルーホールＰ3に接続されている。
【００２６】
各粘着層３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3のうち、粘着層３Ｂ1は、絶縁層４Ｂ1の下面に設けられており、当該絶縁層４Ｂ1を端子２Ａ、配線２Ｂ1及び基板１に接着する。粘着層３Ｂ2は、絶縁層４Ｂ2の下面に設けられており、当該絶縁層４Ｂ2を配線２Ｂ2及び第１層の絶縁層４Ｂ1に接着する。粘着層３Ｂ3は、絶縁層４Ｂ3の下面に設けられており、当該絶縁層４Ｂ3を配線２Ｂ3及び第２層の絶縁層４Ｂ2に接着する。
【００２７】
各絶縁層４Ｂ1，４Ｂ2，４Ｂ3は例えばポリイミドから形成されており、絶縁層４Ｂ1は第１層と第２層との電気的絶縁を確保するため、絶縁層４Ｂ2は第２層と第３層との電気的絶縁を確保するため、また絶縁層４Ｂ3は第３層と図示を略した第４層との電気的絶縁を確保するために設けられている。なお、この図１では、便宜上、各粘着層３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3及び各配線２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3の各厚さを各絶縁層４Ｂ1，４Ｂ2，４Ｂ3の厚さに対して強調して描いている。実際の各絶縁層４Ｂ1，４Ｂ2，４Ｂ3の厚さは、各粘着層３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3及び各配線２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3の厚さよりもかなり厚くなっている。
【００２８】
各スルーホールＰ12，Ｐ23，Ｐ3のうち、スルーホールＰ12は、第１層の絶縁層４Ｂ1を上下方向に貫通する状態で形成されており、第１層の配線２Ｂ1と第２層の配線２Ｂ2とを接続する。スルーホールＰ23は、第２層の絶縁層４Ｂ2を上下方向に貫通する状態で形成されており、第２層の配線２Ｂ2と第３層の配線２Ｂ3とを接続する。スルーホールＰ3は、第３層の絶縁層４Ｂ3を上下方向に貫通する状態で形成されており、第３層の配線２Ｂ3と第４層の配線とを接続する。
【００２９】
このように本多層配線パターンは基板１上に多層構造をなす状態で形成されているが、端子２Ａ及び各配線２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3が所望の接続状態となるように各層を位置合わせして各粘着層粘３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3によって多重に貼り合わせた構造を備える点を特徴としている。
【００３０】
なお、多層ではなく単層、すなわち第１層と基板１のみから配線パターンを構成しても良いことは勿論である。この場合には、第１層の絶縁層４Ｂ1にスルーホールＰ12を貫通形成する必要がないので、絶縁層４Ｂ1としてスルーホールＰ12を形成するための貫通孔を備えない完全に平板状のものを用いる。また、基板として端子２Ａを備えないもの、つまり第１層の配線２Ｂ1のみによって所望の配線パターンを形成するようにしても良い。
【００３１】
さらには、基板１と第１層との間にチップ状の回路素子を挟み込むことが考えられる。この場合には、回路素子の接続端子が基板１の端子２Ａあるいは第１層の配線２Ｂ1に接続するように回路素子を位置決めする必要がある。
【００３２】
次に、上記多層配線パターンの形成方法について、図２〜図８を参照して詳しく説明する。なお、これら図２〜図８は、本多層配線パターンの形成方法における第１工程〜第７工程までの各工程を示す工程図である。
【００３３】
第１工程では、図２に示すように平板状の基材５ａの表面に剥離膜５ｂが予め成膜された仮基板５上にインクジェットヘッドＨから導電性液体Ｌ、例えば金属である銀微粒子を含む液体をインクジェット方式によって吐出する。上記剥離膜５ｂは、所望レベルの撥液性を有するものである。そして、この仮基板５の剥離膜５ｂ上にパターン状に付着した導電性液体Ｌを３００°Ｃ程度の温度環境下で熱処理（焼成処理）することにより、図３に示すように上記導電性液体Ｌを第１層の配線２Ｂ1（銀配線）とする（第２工程）。
【００３４】
このようにして仮基板５上（正確には剥離膜５上）に配線２Ｂ1が形成されると、図４に示すように上記スルーホールＰ12用に予め貫通孔４ａが形成されると共に下面に粘着層３Ｂ1が設けられた絶縁フィルムを配線２Ｂ1の上に貼り合わせる（第３工程）。この場合、絶縁フィルムは上記絶縁層４Ｂ1を構成するものであり、当該絶縁フィルムは、貫通孔４ａが所定の配線２Ｂ1の直上に配置するように位置決めされて粘着層３Ｂ1によって配線２Ｂ1及び剥離膜５ｂの一部（配線２Ｂ1が存在しない部分）に接着される。
【００３５】
この状態で、図５に示すように仮基板５を剥離膜５ｂと共に剥離して除去する（第４工程）。剥離膜５ｂは撥液性が良好なので剥離性にも優れており、容易に粘着層３Ｂ1から剥離する。そして、図６に示すように、上記仮基板５に代えて本基板つまり上記基板１を粘着層３Ｂ1を介して絶縁フィルムに接着する（第５工程）。この第５工程が完了することにより、基板１上への第１層の形成が完了する。
【００３６】
このような第１層の形成方法によれば、基板１上に導電性液体Ｌを直接吐出して配線２Ｂ1を形成するのではなく、所望レベルの撥液性が確保された仮基板５上（正確には剥離膜５ｂ上）に導電性液体Ｌを直接吐出して配線２Ｂ1を形成した後に基板１上に接着するので、基板１の材質に関わりなくつまり基板１の撥液性に関わりなく、インクジェット方式に基づいて形成された配線２Ｂ1を基板１上に配置することができる。
【００３７】
さて、このようにして第１層が形成されると、図７に示すように、インクジェットヘッドＨから貫通孔４ａの周縁部近傍を目掛けて導電性液体Ｌを吐出する（第６工程）。この結果、導電性液体Ｌは、図示するように表面張力の作用によって配線２Ｂ1から上記周縁部を介して貫通孔４ａの上端近傍に亘ってブリッジ状に付着する。そして、上記第２工程と同様に、３００°Ｃ程度の温度環境下で導電性液体Ｌを熱処理（焼成処理）することにより、図８に示すようなスルーホールＰ12（銀スルーホール）を形成する（第７工程）。さらに、以上の各工程を繰り返すことにより上層、つまり第２層、第３層、……並びに各層を相互接続するスルーホールＰ23，Ｐ3，……が形成され、最終的に図１に示した多層配線パターンが完成する。
【００３８】
さらに、上記多層配線パターンの形成方法に基づいて製造される多層配線板の構成を図９〜図１２に示す正面図を用いて具体的に説明する。なお、この多層配線板は、上述した基板１及び第１層と第２層とから構成される２層配線板であり、上述した説明と対応させて各構成要素の構造を説明する。
【００３９】
図９は第１層を構成するための仮基板５及び絶縁フィルム（絶縁層４Ｂ1）並びに上記基板１の構造を示す正面図である。この図９において、（ａ）は上記基板１（本基板）の正面図であり、（ｂ）は第１層の配線２Ｂ1が形成された状態の仮基板５の正面図であり、また（ｃ）は第１層の絶縁フィルム（絶縁層４Ｂ1）の正面図である。
【００４０】
図９（ａ）に示すように、本基板１には端子２Ａが予め埋め込み形成されている。また、図９（ｂ）に示すように仮基板５上にはインクジェット方式により配線２Ｂ1が所定形状かつ所定配置の線パターンとして形成される一方、図９（ｃ）に示すように絶縁フィルム４Ｂ1には、上述したスルーホールＰ12を形成するための複数の貫通孔４ａが所定位置に配置されると共に、その中央部には上記端子２Ａを露出させるための端子用開口４ｂが形成されている。なお、このような本基板１、仮基板５及び絶縁フィルム４Ｂ1は何れも方形状に外形設定されており、その外形サイズは、仮基板５と絶縁フィルム４Ｂ1が同一、本基板１は仮基板５と絶縁フィルム４Ｂ1よりも多少大きめに設定されている。
【００４１】
また、図１０において、（ａ）は上記仮基板５に絶縁フィルム４Ｂ1とを重ねて接着した状態を示す正面図、（ｂ）は仮基板５に絶縁フィルムとを接着したものを上記基板１に接着した状態、つまり基板１上に第１層が形成された状態を示す正面図である。
【００４２】
同一外形サイズの上記仮基板５と絶縁フィルム４Ｂ1とは、図１０（ａ）に示すように、位置合わせされた状態で重ねられ、絶縁フィルム４Ｂ1の下面に設けられた粘着層３Ｂ1によって貼り合わせられる。この状態において、各貫通孔４ａは所定の配線２Ｂ1の直上に位置している。そして、このような絶縁フィルム４Ｂ1は、仮基板５が除去された状態、つまり配線２Ｂ1のみが絶縁フィルム４Ｂ1に接着された状態で、図１０（ｂ）に示されるように本基板１と位置合わせされて貼り合わせられる。この状態では、本基板１上の各端子２Ａは、各々に所定の配線２Ｂ1と一部が重なり合った状態で接触すると共に、他の部分が端子用開口４ｂから露出した状態である。
【００４３】
続いて、図１１は第２層を構成するための仮基板５及び絶縁フィルム（絶縁層４Ｂ2）の構造を示す正面図である。この図１１において、（ａ）は第２層の配線２Ｂ2が形成された状態の仮基板５を示す正面図、（ｂ）は第２層の絶縁フィルム（絶縁層４Ｂ2）を示す正面図である。図１１（ａ）に示すように、仮基板５上にはインクジェット方式により第１層の配線２Ｂ1を相互に接続するための配線２Ｂ2が所定形状かつ所定配置の線パターンとして形成されている。
【００４４】
また、絶縁フィルム４Ｂ2には、図１１（ｂ）に示すように上述したスルーホールＰ23を形成するための複数の貫通孔４ａが所定位置に配置され、かつその中央部には本基板１上の上記端子２Ａを露出させるための端子用開口４ｂが形成されている。このような仮基板５及び絶縁フィルム４Ｂ2とは、上述した第１層を構成する仮基板５及び絶縁フィルム４Ｂ1と同様に、何れも方形状に外形設定されており、その外形サイズは同一である。
【００４５】
このような仮基板５上に位置合わせした状態で絶縁フィルム４Ｂ2を重ねて接着すると、図１２（ａ）のように配線２Ｂ2上の所定位置に各貫通孔４ａが配置される。そして、図１０（ａ）に示した第１層の上の各貫通孔４ａにインクジェット方式によりスルーホールＰ12を形成した上で、上記絶縁フィルム４Ｂ2を位置決めして接着すると、図１２（ｂ）に示すように２層配線板が完成する。この２層配線板では、第１層の配線２Ｂ1はスルーホールＰ12によって第２層の所定の配線２Ｂ2に接続されており、このように相互接続された第１層の配線２Ｂ1と第２層の配線２Ｂ2とによって所望の回路が形成される。そして、端子用開口４ｂから露出した状態の各端子２Ａには、例えば接触ピン等を介して外部から各種信号や電源が供給される。
【００４６】
次に、図１３は、基板１（本基板）と第１層との間にチップ状の回路素子（ＩＣチップ７）を挟み込んだ単層配線板よりなる非接触型カード媒体の構成例を示す斜視図である。絶縁フィルム４Ｂ1の下面には２本の配線２Ｂ1が接着されている。一方の配線２Ｂ1は、図示するようにループアンテナを構成するように解放ループ状に形状設定されており、他方の配線２Ｂ1は略直線状に形状設定されている。これに対して、基板１上には所定位置に配線を設けその上に絶縁膜６を配置することで２つの端子２Ａが形成されていると共に、ベアチップ形状のＩＣチップ７が所定位置に接着固定されている。このＩＣチップ７の上面には外部接続用端子７ａ，７ｂが設けられている。
【００４７】
このように構成された基板１上に絶縁フィルム４Ｂ1を位置決めした状態で接着すると、図示するように、略直線状の配線２Ｂ1については、一端が外部接続用端子７ａに重なるように接続され、他端が一方の端子２Ａに重なるように接続される。また、解放ループ状の配線２Ｂ1については、一端が外部接続用端子７ｂに重なるように接続され、他端が他方の端子２Ａに重なるように接続される。すなわち、ＩＣチップ７が各配線２Ｂ1によって相互接続されてループアンテナ回路を含む非接触型カード媒体が形成される。この非接触型カード媒体は、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本実施形態によれば、所定の撥液性を有する仮基板上にインクジェット方式により導電性液体を吐出した後、熱処理を施すことによって配線を形成する工程と、配線上に粘着材を介して絶縁フィルムを接着する工程と、仮基板を剥離して除去する工程と、本基板上に配線を絶縁フィルムと共に粘着材で接着固定する工程とを有するので、基板の材質の性状に依らずインクジェット方式によって良好な配線を形成することができる。すなわち、従来のようにインクジェット方式により導電性液体を、実際に配線を形成すべき本基板に直接吐出して配線パターンを形成するものではなく、一定レベルの撥液性が確保された仮基板上に導電性液体を吐出して先に配線を形成し、この配線を絶縁フィルムと共に粘着材で本基板上に接着固定するので、本基板に一定レベルの撥液性を付与するための表面処理を行う必要がなく、この分インクジェット方式による多層配線の形成工程を単純化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの要部断面図である。
【図２】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第１工程を示す要部断面図である。
【図３】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第２工程を示す要部断面図である。
【図４】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第３工程を示す要部断面図である。
【図５】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第４工程を示す要部断面図である。
【図６】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第５工程を示す要部断面図である。
【図７】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第６工程を示す要部断面図である。
【図８】   本発明の一実施形態に係わる多層配線パターンの形成方法の第７工程を示す要部断面図である。
【図９】   本発明の一実施形態に係わる多層配線板の構成を示す図であり、（ａ）は基板（本基板）の正面図、（ｂ）は第１層を構成する配線が形成された仮基板の正面図、また（ｃ）は第１層を構成する絶縁フィルムの正面図である。
【図１０】   本発明の一実施形態に係わる多層配線板の構成を示す図であり、（ａ）は上記図９（ｂ）の仮基板上に図９（ｃ）の絶縁フィルムを接着した第１層を示す正面図、（ｂ）は図９（ａ）の基板上にこの第１層を接着した状態を示す正面図である。
【図１１】   本発明の一実施形態に係わる多層配線板の構成を示す図であり、（ａ）は第２層を構成する配線が形成された仮基板の正面図、また（ｂ）は第２層を構成する絶縁フィルムの正面図である。
【図１２】   本発明の一実施形態に係わる多層配線板の構成を示す図であり、（ａ）は上記図１１（ａ）の仮基板上に図１１（ｂ）の絶縁フィルムを接着した第２層を示す正面図、（ｂ）はこのような第２層を図１０（ｂ）の第１層上に接着した状態を示す正面図である。
【図１３】   本発明の一実施形態に係わる本基板と第１層との間に回路素子を挟み込んだ単層配線パターンよりなる非接触型カード媒体を示す斜視図である。
【符号の説明】
１……基板（本基板）
２Ａ……端子（特定配線）
２Ｂ1，２Ｂ2，２Ｂ3……配線
３Ｂ1，３Ｂ2，３Ｂ3……粘着層
４Ｂ1，４Ｂ2，４Ｂ3……絶縁層（粘着材）
４ａ……貫通孔
４ｂ……端子用開口
Ｐ12，Ｐ23，Ｐ3……スルーホール
５ａ……基材
５ｂ……剥離膜
５……仮基板
６……絶縁膜
７……ＩＣチップ
Ｈ……インクジェットヘッド
Ｌ……導電性液体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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