(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と裏面とを有する配線基板であって、
コア基板と、
上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、
上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、
一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、
上記チップコンデンサは、
側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有するチップコンデンサであり、
一の上記チップコンデンサの上記共通第１電位に接続される上記側面端子と、他の上記チップコンデンサの上記共通第２電位に接続される上記側面端子とが対向し隣り合って配置され、
上記一のチップコンデンサ内において上記共通第１電位に接続される側面端子と上記共通第２電位に接続される側面端子との間隔よりも、上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う上記共通第１電位に接続される上記側面端子と上記共通第２電位に接続される上記側面端子との間隔を小さくしてなる
配線基板。
【請求項２】
主面と裏面とを有する配線基板であって、
コア基板と、
上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、
上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、
一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、
上記チップコンデンサは、
平面状側面と、
上記平面状側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる複数の側面端子と、を有し、
上記側面端子は、上記平面状側面に沿う上記主面と平行な方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子とが交互に配置されてなる
チップコンデンサであり、
一の上記チップコンデンサの上記平面状側面と他の上記チップコンデンサの上記平面状側面とが対向して配置され、
上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子であり、
上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる
配線基板。
【請求項３】
主面と裏面とを有する配線基板であって、
コア基板と、
上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、
上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、
一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、
上記チップコンデンサは、
略直方体状で、
側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有し、
上記側面端子は、４つの上記側面のうち、
第１側面とこれに対向する第３側面とに同数形成され、
上記第１側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側面とには、形成されないか、同数形成され、
上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４側面の順に巡る周方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子とが交互に配置されてなる
チップコンデンサであり、
上記各チップコンデンサは、隣り合うチップコンデンサの上記第１側面と第３側面とが、または第２側面と第４側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配置され、
隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子であり、
上記隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる
配線基板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板であって、
チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を介設してなる
配線基板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第１電極層と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層されたチップ積層セラミックコンデンサである
配線基板。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち前記主面側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この上面部から上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主面側から前記裏面側に向かって延びる側面端子である
配線基板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記コア基板は、前記裏面側に開口する凹部を有し、
前記チップコンデンサは、上記凹部の底面と上記チップコンデンサの主面側の面とが対向して、上記凹部内に搭載されてなる
配線基板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記樹脂絶縁層のうち、前記複数のチップコンデンサを前記主面側に投影した領域内には、上記主面上に搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続可能な複数のＩＣ接続端子が形成されてなる
配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップコンデンサを裏面側に搭載する配線基板に関し、特に、チップコンデンサに発生するインダクタンスを低減した配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路技術の進歩によりますますＩＣチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこでノイズ除去のため、例えば図１２に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の主面２ｂあるいは裏面２ｃに、別途、チップコンデンサ６を搭載し、チップコンデンサ６の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経由してチップコンデンサ６をＩＣチップ１に接続することが行われている。
【０００３】
一方、積層セラミックタイプのチップコンデンサとしては、図１２に拡大して示すチップコンデンサ６のように、コンデンサ本体７の対向する２つの側面７ｂ，７ｃに形成した側面端子８ｂ，８ｃにより、それぞれの内部電極９ｂ，９ｃを取り出すものが知られている。また、近時では、図１３（ａ）に示すコンデンサ１０のように、コンデンサ本体１１の４つの側面１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅにそれぞれ側面端子１２ｂ〜１２ｋを形成し、図１３（ｂ）に示すようにして、内部電極１３ｂ，１３ｃと接続させたものも提案されている。なお、側面１１ｃ，１１ｅには側面端子が形成されないものもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、チップコンデンサ６または１０を、図１２に示すように、配線基板２の主面２ｂ及び裏面２ｃに搭載した場合には、コンデンサの充放電に際し、側面端子８ｂ，８ｃ、または１１ｂ〜１１ｋにインダクタンスが発生してしまう。これは、チップコンデンサの側面端子８ｂ，８ｃ、または１１ｂ〜１１ｋがそれぞれ側面７ｂ，７ｃまたは１１ｂ〜１１ｅ上を主面側から裏面側に向かって延びているため、コンデンサの充放電に際し、側面端子８ｂ，８ｃ、または１１ｂ〜１１ｋの図中上下方向に電流が流れるためである。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、ノイズを確実に除去でき、チップコンデンサの側面端子に生じるインダクタンスを低減した配線基板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、上記チップコンデンサは、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有するチップコンデンサであり、一の上記チップコンデンサの上記共通第１電位に接続される上記側面端子と、他の上記チップコンデンサの上記共通第２電位に接続される上記側面端子とが対向し隣り合って配置され、上記一のチップコンデンサ内において上記共通第１電位に接続される側面端子と上記共通第２電位に接続される側面端子との間隔よりも、上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う上記共通第１電位に接続される上記側面端子と上記共通第２電位に接続される上記側面端子との間隔を小さくしてなる配線基板である。
【０００６】
本発明の配線基板は、コア基板の主面側に複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。
また、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することが可能になる。
【０００７】
また、本発明の配線基板に用いるチップコンデンサの側面端子は、側面上を主面側から裏面側に向かって延びている。このため、コンデンサの充放電に際し、電流がこの側面端子を主面側から裏面側、または裏面側から主面側に向かって流れ、側面端子にインダクタンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチップコンデンサの隣り合う側面端子同士を違う電位（一方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、対向する側面端子に流れる電流の向きが逆方向になる。さらに、いずれのチップコンデンサも配線基板の裏面側に搭載したため、搭載した全てのチップコンデンサにおいて、それぞれの側面端子に発生するインダクタンスを打ち消し合わせることができ、結局インダクタンスを低減することができる。
【０００８】
なお、チップコンデンサとしては、配線基板の裏面側に搭載できるものであればいずれのものでも良いが、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデンサタイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙げられる。特に、積層セラミックタイプのチップコンデンサは、周波数特性も良好である点、また、搭載させた後の配線基板の製造工程内で熱が掛かるなどしても特性が比較的安定で、配線基板の製造が容易になり歩留まりが向上する点で好ましい。
【０００９】
さらに、配線基板としては、チップコンデンサを搭載できるものであればいずれでも良いが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂などの樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊維などの繊維との複合材料、三次元網目構造のフッ素樹脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料を用いたもの、さらに、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックなどのセラミック基板とこれらの樹脂や複合材料とを組み合わせたものなどが挙げられる。
【００１０】
なお、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有するチップコンデンサであって、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、一の上記チップコンデンサに形成され、上記共通第１電位に接続される上記側面端子と、上記一のチップコンデンサと隣り合って配置された他の上記チップコンデンサに形成され、上記共通第２電位に接続される上記側面端子とが対向して隣り合って配置されてなる配線基板としても、同様にチップコンデンサのインダクタンスを低減させることができる。
【００１１】
さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、上記チップコンデンサは、平面状側面と、上記平面状側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる複数の側面端子と、を有し、上記側面端子は、上記平面状側面に沿う上記主面と平行な方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子とが交互に配置されてなるチップコンデンサであり、一の上記チップコンデンサの上記平面状側面と他の上記チップコンデンサの上記平面状側面とが対向して配置され、上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子であり、上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板である。
【００１２】
本発明の配線基板は、コア基板の主面側に複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。
また、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することが可能になる。
【００１３】
また、本発明の配線基板に用いるチップコンデンサの複数の側面端子は、それぞれ平面状側面上を主面側から裏面側に向かって延びている。このため、コンデンサの充放電に際し、電流がこの側面端子を主面側から裏面側、または裏面側から主面側に向かって流れ、側面端子にインダクタンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチップコンデンサの対向して隣り合う側面端子同士を違う電位（一方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、対向する側面端子に流れる電流の向きが逆方向になるため、それらに発生するインダクタンスを低減できる。しかも、各チップコンデンサについてみると、平板状側面に第１電位側面端子と第２電位側面端子とが交互に配置されているので、対向する２つのチップコンデンサの側面端子は、いずれも一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子となる。従って、この平面上側面に形成され対向する側面端子それぞれについてインダクタンスを低減させることができるから、全体としてさらにインダクタンスを低減させることができる。
【００１４】
さらに、本発明の配線基板について、例えば、１つの側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内でこの側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッチ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定されており、変更することはできないので、両者間に生じる相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダクタンスも一定である。しかし、一のチップコンデンサと他のチップコンデンサとを近接させると、着目している側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子との間隔（ピッチ）は調整できる。
従って、本発明のように、対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれば、対向して隣り合う側面端子同士の結合が大きくなり、相互インダクタンスが大きくなるから、各側面端子についてインダクタンスをさらに効率よく低減させることができる。しかも、平面状側面の複数の側面端子同士の関係にいずれも当てはまるので、全体として特にインダクタンスを低減させることができる。
【００１５】
なお、上記平面状側面を有するチップコンデンサは、平面状側面が対向する２つのチップコンデンサの側面端子の数が異なっていても、対向している側面端子同士について上記のようになっていれば、インダクタンス低減の効果を得ることができる。
【００１６】
さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、上記チップコンデンサは、略直方体状で、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有し、上記側面端子は、４つの上記側面のうち、第１側面とこれに対向する第３側面とに同数形成され、上記第１側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側面とには、形成されないか、同数形成され、上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４側面の順に巡る周方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子とが交互に配置されてなるチップコンデンサであり、上記各チップコンデンサは、隣り合うチップコンデンサの上記第１側面と第３側面とが、または第２側面と第４側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配置され、隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側面端子であり、上記隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板である。
【００１７】
本発明の配線基板は、コア基板の主面側に複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。
また、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することが可能になる。
【００１８】
また、本発明の配線基板に用いるチップコンデンサの側面端子は、上述のように、側面上を主面側から裏面側に向かって延びている。このため、コンデンサの充放電に際し、電流がこの側面端子を主面側から裏面側、または裏面側から主面側に向かって流れ、側面端子にインダクタンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチップコンデンサの隣り合う側面端子同士を違う電位（一方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、流れる電流の向きが逆方向になるから、各側面端子に発生するインダクタンスを低減できる。
しかも、各チップコンデンサを縦横格子状に並べているので、各チップコンデンサの側面端子について、隣り合うチップコンデンサとの間でインダクタンスを低減できる。このため、複数のチップコンデンサ全体としてもインダクタンスの低減を図ることができ、その低減効果がさらに大きくなる。
【００１９】
さらに、本発明の配線基板について、例えば、１つの側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内でこの側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッチ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定されており、変更することはできないので、両者間に生じる相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダクタンスも一定である。しかし、一のチップコンデンサと他のチップコンデンサとを近接させると、着目している側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子とのピッチは調整できる。
従って、本発明のように、対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれば、対向して隣り合う側面端子同士の結合が大きくなり、相互インダクタンスが大きくなるから、これら間でインダクタンスをさらに低減させることができる。しかも、縦横格子状に配列したチップコンデンサのいずれの側面端子同士にも当てはまるので、全体として特にインダクタンスを低減させることができる。
【００２０】
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を介設してなる配線基板とすると良い。
【００２１】
本発明の配線基板では、チップコンデンサ同士の間に絶縁樹脂体を介設しているので、側面端子同士がショートすることが無く、確実に絶縁することができる。逆に、絶縁樹脂体を介設しているので、チップコンデンサの間隔を小さくすることができ、小さな面積に多くのチップコンデンサを並べて配置することができる。
【００２２】
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第１電極層と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層されたチップ積層セラミックコンデンサである配線基板とすると良い。
【００２３】
本発明の配線基板では、チップコンデンサにチップ積層セラミックコンデンサを用いる。積層セラミックコンデンサは周波数特性が良好であるので高周波成分のノイズをキャンセルすることができる。また、チップコンデンサを搭載させた配線基板を製作するに当たって、耐熱性が高いので、製造工程内で掛かる温度にも確実に耐え、特性変化が僅少に抑えられる。従って、信頼性の高い配線基板とすることができる。
【００２４】
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち前記主面側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この上面部から上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主面側から前記裏面側に向かって延びる側面端子である配線基板とすると良い。
【００２５】
本発明の配線基板では、側面端子に上面部を有するので、この上面部からビアや配線を通じて、共通第１電位及び共通第２電位を主面側に容易に引き出すことができる。
なお、上面部としては、チップコンデンサの上面に平板状（パッド状）に形成しても良いが、主面側に盛り上がったバンプ形状としても良い。
【００２６】
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記コア基板は、前記裏面側に開口する凹部を有し、前記チップコンデンサは、上記凹部の底面と上記チップコンデンサの主面側の面とが対向して、上記凹部内に搭載されてなる配線基板とすると良い。
【００２７】
本発明の配線基板では、コア基板に裏面側に開口する凹部を形成し、チップコンデンサをこの凹部内に搭載する。このため、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、本発明の配線基板は、凹部が形成されていない配線基板と比較して、コア基板に凹部を形成して肉厚を薄くした分、主面側のＩＣチップとチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、本発明の配線基板は、凹部が形成されていない配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップとチップコンデンサとを接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することが可能になる。
【００２８】
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記樹脂絶縁層のうち、前記複数のチップコンデンサを前記主面側に投影した領域内には、上記主面上に搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続可能な複数のＩＣ接続端子が形成されてなる配線基板とすると良い。
【００２９】
本発明の配線基板では、樹脂絶縁層のうち、複数のチップコンデンサを主面側に投影した領域内に、主面上に搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続可能な複数のＩＣ接続端子が形成されている。つまり、チップコンデンサとＩＣとが配線基板の積層方向（上下方向）に略対向して搭載される。このため、チップコンデンサとＩＣとの配線経路を短くすることが可能になり、これらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさらに低減することが可能になる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の第１の実施形態を、図１〜図５を参照しつつ説明する。図１に示す配線基板１００は、コア基板１１０と、コア主面１１０ｂ側に積層されたエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層１２２〜１２５、ベタ導体層１２６，１２７、及び配線層１２８，１２９を有する。さらに、樹脂絶縁層１２２〜１２５のうちいずれか、または複数の樹脂絶縁層を貫通するビア導体１３１〜１３３が形成されている。さらに、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃ側には、チップコンデンサ１１３が多数搭載されている。また、樹脂絶縁層１２５上（配線基板１００の主面１００ｂ）のうち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ側に投影した領域Ｅ（図１の中央部）には、バンプ１３４（ＩＣ接続端子）が多数形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの下面ＣＨＡに多数形成された接続端子ＣＨＴとそれぞれフリップチップ接続可能とされている。
【００３１】
コア基板１１０は、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形板状で、厚さ約１．０ｍｍのガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その主面１１０ｂと裏面１１０ｃとの間には、これを貫通する多数のスルーホール用貫通孔１１１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔１１１Ｈ内には、公知のスルーホール導体１１２が形成され、その内側には充填樹脂１１２Ｒが充填されている（図１右下の拡大図参照）。コア基板１１０のコア主面１１０ｂには、スルーホール導体１１２と接続するベタ導体層１２６が形成され、コア裏面１１０ｃには、スルーホール導体１１２と接続するパッド１５１及びソルダーレジスト層１４１が形成されている。
【００３２】
バンプ１３４のうち、一部（図１の左右端）は樹脂絶縁層１２４と１２５との間、あるいは樹脂絶縁層１２３と１２４との間に形成された配線層１２８，１２９によって、それぞれ周縁側（図１中、右または左方向）にファンアウトし、樹脂絶縁層１２４〜１２２あるいは１２３〜１２２をそれぞれ貫通するビア導体１３３、及びスルーホール導体１１２を通じてコア裏面１００ｃに形成されたパッド１５１に接続している。これらは、例えば、信号用配線として使用される。
バンプ１３４のうち、残りは樹脂絶縁層１２５〜１２２あるいは１２５〜１２３をそれぞれ貫通するビア導体１３２によって、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との間、あるいは樹脂絶縁層１２２と１２３との間に形成された略平板状のベタ導体層１２６，１２７に接続する。なお、次述するように本実施形態では、第１ベタ導体層１２６は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベタ導体層１２７は接地電位（共通第２電位）に接続される。
【００３３】
さらに、第１ベタ導体層１２６はコア基板１１０を貫通するスルーホール導体１１２によって、チップコンデンサ１１３の一方の側面端子１１５ｂに接続し、第２ベタ導体層１２７は、樹脂絶縁層１２２を貫通するビア導体１３１、及びコア基板１１０を貫通するスルーホール導体１１２によって、チップコンデンサ１１３の他方の側面端子１１５ｃに接続する。これによって、ＩＣチップＣＨを搭載したときは、コンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが極めて近い距離で接続され、また電源電位及び接地電位が供給される。
【００３４】
チップコンデンサ１１３は、図１左下方に拡大して示すように、ＢａＴｉＯ３系の高誘電体セラミックからなる積層セラミックコンデンサである。このうちコンデンサ本体１１４は、略直方形状（３．２×１．６×０．８ｍｍ）であり、配線基板１００の主面１００ｂ側（図１の上方）を向きコンデンサ上面１１３ｕである上面１１４ｕ、下面１１０ｃ側（図１の下方）を向きコンデンサ下面１１３ｄである下面１１４ｄ、及び４つの側面１１４Ｓ（１１４Ｓ１，１１４Ｓ２，１１４Ｓ３，１１４Ｓ４）を有している（図４参照）。
【００３５】
その内部には、一方の電極層１１４ｂと他方の電極層１１４ｃとが、セラミック高誘電体層１１４ｅを介して交互に、上面１１４ｕに平行に（側面１１４Ｓに垂直に）、従って、主面１００ｂに平行に多数積層されている。これらの電極層１１４ｂ，１１４ｃはＮｉからなる。各電極層１１４ｂ，１１４ｃの一部が、図１３（ｂ）に示したコンデンサと同様に、それぞれ第１側面１１４Ｓ１及び第３側面１１４Ｓ３に引き出されて、Ｃｕからなる側面端子１１５に接続している。具体的には一方の電極層１１４ｂが一方の側面端子１１５ｂに、他方の電極層１１４ｃが他方の側面端子１１５ｃに接続している。
【００３６】
側面端子１１５ｂ，１１５ｃは、それぞれ上面１１４ｕに上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを、下面１１４ｄに下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄをそれぞれ有している。従って、側面端子１１５ｂ，１１５ｃは、この上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕから上面１１４ｕの周縁を越えて、側面１１４Ｓを上面１１４ｕから下面１１４ｄに向かって延び、さらに、下面１１４ｄの周縁を越えて下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄに接続している。
【００３７】
本実施形態のチップコンデンサ１１３では、第１側面１１４Ｓ１とこれに対向する第３側面１１４Ｓ３に、それぞれ４つの側面端子１１５が形成されており、第２側面１１４Ｓ２及び第４側面１１４Ｓ４には側面端子１１５は形成されていない。また、図４に示すように、１つのチップコンデンサ１１３について、第１側面１１４Ｓ１から時計回りに第２側面１１４Ｓ２、第３側面１１４Ｓ３、第４側面１１４Ｓ４の順に見ると、側面端子１１５ｂ，１１５ｃは交互に並んで配置されている。つまり、後述するように、電極層１１４ｂ，１１４ｃをのいずれか一方を＋の電源電位（図４に「＋」で示す）に、他方を接地電位（図４に「Ｇ」で示す）にすると、「＋」で示す電源電位に接続する側面端子１１５ｂと、「Ｇ」で示す接地電位に接続する側面端子１１５ｃとが交互に並ぶ構造とされている。
【００３８】
さらに、チップコンデンサ１１３は、図４及び図５に示すように、隣り合うチップコンデンサ１１３の第１側面１１４Ｓ１と第３側面１１３Ｓ３同士、及び第２側面１１４Ｓ２と第４側面１１４Ｓ４同士が対向するように、主面１００ｂから見て、縦横格子状に配置されている。このため、電源電位と接地電位とを各チップコンデンサ１１３への接続を考慮することにより、図４に示すように、隣り合って対向する側面端子１１５同士を、別の電位にする、つまり一方の側面端子１１５ｂを電源電位に、他方の側面端子１１５ｃを接地電位にすることができる。
【００３９】
ところで、このチップコンデンサ１１３について充放電させると、前記したように、側面端子１１５に電流が流れる（図１及び図５参照）。この電流によって、側面１１４Ｓ１などを上下方向に延びる側面端子１１５には、自己インダクタンスが発生する。なお、図中の矢印は電流の方向を示す。
１つのチップコンデンサ１１３についてみると、隣の側面端子１１５との関係では、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタンスを減少させることができる。
【００４０】
しかも、隣り合ったチップコンデンサ１１３同士についてみると、隣り合って対向する側面端子１１５同士の関係でも、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタンスを減少させることができる。
本実施形態では、チップコンデンサ１１３を縦横格子状に配置している。このため、対向する第１側面１１４Ｓ１と隣のコンデンサの第３側面１１４Ｓ３の側面端子同士について、さらには、対向して隣り合う側面端子１１５のいずれについても、上記のようにインダクタンスを抑制することができるので、全体としてさらにインダクタンスを低下させることができる
【００４１】
その上、本実施形態では、図４に示すように、チップコンデンサ１１３内で隣り合う側面端子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ１＝０．８ｍｍよりも、隣り合うチップコンデンサ１１３同士の隣り合って対向する側面端子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ２＝０．４ｍｍの方が小さくされている。このため、隣り合って対向する側面端子１１５同士の結合が大きくなり、インダクタンスをより小さくすることができる。
【００４２】
この配線基板１００は、上記のようにチップコンデンサ１１３を多数搭載しているため、ノイズを確実に除去できる上、複数のチップコンデンサ１１３を並列に接続しているので、搭載するコンデンサ全体としてのインダクタンスも低減させることができる。しかも、各チップコンデンサ１１３について見ると、隣り合って対向する側面端子１１５同士の極性が異なり、流れる電流の向きが逆向きになる。このため、インダクタンスをさらに減少させることができ、より一層、低インダクタンスでＩＣチップＣＨとコンデンサ１１３とを接続することができる。
また、チップコンデンサ１１３の側面端子１１５には、上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを形成しているので、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃに形成したパッド１５２（１５２ｂ，１５２ｃ）と側面端子１１５（１１５ｂ，１１５ｃ）との接続が容易になる。
【００４３】
また、配線基板１００は、コア基板１１０の主面１１０ｂ側に樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成し、裏面１１０ｃには裏面絶縁層を形成しない、片面積層配線基板である。このため、配線基板１００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、安価である。また、配線基板１００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、配線基板１００は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続することができ、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することができる。
【００４４】
さらに、配線基板１００では、樹脂絶縁層１２５のうち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ側に投影した領域Ｅに、主面１００ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨの複数の接続端子ＣＨＴとそれぞれ接続可能な複数のバンプ１３４が形成されている（図１参照）。つまり、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが配線基板１００の積層方向（上下方向）に略対向して搭載される。このため、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとの配線経路をさらに短くすることができ、これらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさらに低減することができる。
【００４５】
次いで、本実施形態の配線基板１００の製造方法について図１〜図３を参照しつつ説明する。
まず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面１１１ｂ及び裏面１１１ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を張り付けた、３１×３１ｍｍの矩形状で厚さ約１．０ｍｍの両面銅張りのコア基板本体１１１を用意する（図２を参照）。そして、コア基板本体１１１の所定の位置に、ドリルまたはレーザによって、その主面１１１ｂと裏面１１１ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫通孔１１１Ｈを穿孔する。
【００４６】
その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングによって、スルーホール用貫通孔１１１Ｈ内にスルーホール導体１１２を形成し、主面１１１ｂの所定の位置にスルーホール導体１１２と接続するように第１ベタ導体層１２６を形成し、裏面１１１ｃの所定の位置にスルーホール導体１１２と接続するようにパッド１５１，１５２を形成して、コア基板１１０を形成する。なお、図２に拡大して示すように、スルーホール導体１１２としては、スルーホール用貫通孔１１１Ｈの内周に内周スルーホール導体１１２ＴＨを形成するほか、その中心部に充填樹脂１１２Ｒを充填形成した。
【００４７】
次に、２つのコア基板１１０のコア裏面１１０ｃ同士を、接着層１３５によって、その外周縁より外側の不要部１１８（図２の左右下面）で貼りあわせて、一対のコア基板１１０とする（図３参照）。次いで、一対のコア基板１１０のうち２つのコア主面１１０ｂについて、以下の工程を同時に行い、図３に示すように樹脂絶縁層等を積層する。まず、コア主面１１０ｂ上に樹脂絶縁層１２２を形成する。同様に、公知のビルドアップ工法によって、各樹脂絶縁層１２３〜１２５を形成すると共に、各層間には、第２ベタ導体層１２７、配線層１２８，１２９を形成する。また、各樹脂絶縁層を貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形成する。さらに、各ビア導体１３２と接続するように、樹脂絶縁層１２５上にバンプ１３４を形成する。
【００４８】
このように、２つのコア基板１１０を貼りあわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２つのコア基板１１０を貼りあわせることによって、樹脂絶縁層等の積層時に基板が反るのを防止することができるからである。
次に、コア基板１１０同士を貼りあわせている接着層１３５を切り離して、一対のコア基板１１０に樹脂絶縁層等を積層したものを分離する。その後、コア基板１１０の裏面１１０ｃに所定パターンのソルダーレジスト層１４１を形成する（図１参照）。その後、チップコンデンサ１１３を裏面１１０ｃ側に配置し、側面端子１１５ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド１５２ｂとを、側面端子１１５ｃの上面部１１５ｃｕと第２パッド１５２ｃとを、ハンダ１５３によって接続する。このようにして、図１に示すような配線基板１００を完成する。
【００４９】
以上に説明したように、配線基板１００は、２つのコア基板１１０を接着層１３５を介して貼りあわせ、一対のコア基板１１０とした後、このような十分な強度を持つ一対のコア基板１１０の主面１１０ｂ上に絶縁樹脂層及び配線層を積層している。従って、コア基板１１０の片面にだけ樹脂絶縁層が積層されていても、従来のような補強材を取り付けることが不要となり、低コストで製造することが可能となる。
【００５０】
（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について、図６を参照しつつ説明する。本実施形態の配線基板２００は、実施形態１にかかる配線基板１００と比較して、コンデンサ接続用のパッドとＩＣ接続用のバンプとを結ぶ配線については、ほぼ同様の構造を有している。但し、実施形態１では、配線基板の裏面側に突出するようにチップコンデンサを裏面に搭載した。これに対し、本実施形態２では、コア基板に配線基板の裏面側に開口する凹部を形成し、チップコンデンサを凹部内に搭載する。
従って、ここでは、実施形態１と異なる部分を中心に説明し、同様な部分については、説明を省略または簡略化する。
【００５１】
具体的には、本発明の配線基板２００は、図６に示すように、配線基板本体２０１とチップコンデンサ１１３とによって構成されている。
配線基板本体２０１は、裏面２０１ｃ側に開口する凹部２８７が形成されたコア基板２８０と、コア主面２８０ｂ上に積層された、実施形態１と同様の、樹脂絶縁層１２２〜１２５、ベタ導体層２２６，１２７、及び配線層１２８，１２９を有する。さらに、実施形態１と同様に、樹脂絶縁層１２２〜１２５のうちいずれか、または複数の樹脂絶縁層を貫通するビア導体１３１〜１３３が形成されている。また、チップコンデンサ１１３は、チップコンデンサの上面１１３ｕが凹部２８７の底面２８７ｂに対向するように、凹部２８７内に配置されている。
【００５２】
配線基板２００のうちコア基板２８０は、比較的肉薄の第１コア部２６０と比較的肉厚の第２コア部２７０とによって形成される。
第１コア部２６０は、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり、図７に示すように、その中央付近には第１コア部２６０の厚さ方向に貫通する直径約１００μｍの多数のスルーホール用貫通孔２６１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔２６１Ｈ内には、公知のスルーホール導体２６２が形成され、その内側には充填樹脂２６２Ｒが充填されている。（図７の拡大図参照）
第２コア部２７０（図６参照）は、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり、その中央付近には凹部２８７が形成されている。凹部２８７は平面視で縦・横約１５ｍｍ×１５ｍｍの略正方形である。
【００５３】
第１コア部２６０と第２コア部２７０とは、厚さ約６０μｍの接着層２４５を介して貼り合わされることにより積層され、コア基板２８０を形成している。コア基板２８０のうち凹部２８７の周囲（図６の左右）には、図６に拡大して示すように、その厚さ方向に貫通する直径約１００μｍの多数のスルーホール用貫通孔２８１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔２８１Ｈ内には、公知のスルーホール導体２８２が形成され、その内側には充填樹脂２８２Ｒが充填されている。さらに、コア基板２８０のコア裏面２８０ｃには、スルーホール導体２８２と接続するパッド２５５とソルダーレジスト層２４３が形成されている。
また、凹部２８７の底面２８７ｂには、実施形態１のコンデンサ接続用のパッド１５２と同様のコンデンサ接続用のパッド２５２とエポキシ系樹脂からなるソルダーレジスト層２４４とが形成されている。コンデンサ接続用のパッド２５２はスルーホール導体２６２と接続している。
【００５４】
コア基板２８０のコア主面２８０ｂ上に形成されているベタ導体層２２６は、実施形態１のベタ導体層１２６と同様のパターンであり、スルーホール導体２８２と接続している。また、実施形態１と同様に、樹脂絶縁層１２５上（配線基板２００の主面２００ｂ）のうち、チップコンデンサ１１３を主面２００ｂ側に投影した領域Ｅ（図６の中央部）には、バンプ１３４が多数形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの下面ＣＨＡに多数形成された接続端子ＣＨＴとそれぞれフリップチップ接続可能とされている。
【００５５】
上述のような配線基板本体２０１を有する配線基板２００によれば、実施形態１と同様に、バンプ１３４のうち一部（図６の左右端）は、配線層１２８，１２９によってそれぞれ周縁側（図６中、右または左方向）にファンアウトし、ビア導体１３３、及びスルーホール導体２８２を通じてパッド２５５に接続している。これらは、例えば、信号用配線として使用される。さらに、実施形態１と同様に、バンプ１３４のうち残りは、ビア導体１３２によってベタ導体層２２６，１２７に接続する。なお、実施形態１と同様に、第１ベタ導体層２２６は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベタ導体層１２７は接地電位（共通第２電位）に接続される。
【００５６】
さらに、実施形態１と同様に、第１ベタ導体層１２６はスルーホール導体２６２によって、チップコンデンサ１１３の一方の側面端子１１５ｂに接続し、第２ベタ導体層１２７は、ビア導体１３１及びスルーホール導体２６２によって、チップコンデンサ１１３の他方の側面端子１１５ｃに接続する。これによって、ＩＣチップＣＨを搭載したときは、コンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが極めて近い距離で接続され、また電源電位及び接地電位が供給される。
【００５７】
また、凹部２８７内に搭載されているチップコンデンサ１１３は、実施形態１と同様に配置されている。従って、隣り合ったチップコンデンサ１１３同士についてみると、隣り合って対向する側面端子１１５同士の関係で、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタンスを減少させることができる（図５及び図６参照）。さらに、チップコンデンサ１１３は、縦横格子状に配置されているため、対向して隣り合う側面端子１１５のいずれについても、上記のようにインダクタンスを抑制することができるので、全体としてさらにインダクタンスを低下させることができる。その上、図４に示すように、Ｐ１＝０．８ｍｍ、Ｐ２＝０．４ｍｍとなっているため、隣り合って対向する側面端子１１５同士の結合が大きくなり、インダクタンスをより小さくすることができる。
【００５８】
また、本実施形態の配線基板２００は、実施形態１と同様に、コア基板２８０の主面２８０ｂ側に樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成し、裏面２８０ｃには裏面絶縁層を形成しない、片面積層配線基板である。このため、配線基板２００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、安価である。また、配線基板２００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従って、配線基板２００は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続することができ、これらの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減することができる。
【００５９】
さらに、配線基板２００では、実施形態１と同様に、樹脂絶縁層１２５のうち、チップコンデンサ１１３を主面２００ｂ側に投影した領域Ｅに、主面２００ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨの複数の接続端子ＣＨＴとそれぞれ接続可能な複数のバンプ１３４が形成されている（図６参照）。つまり、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが配線基板２００の積層方向（上下方向）に略対向して搭載される。このため、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとの配線経路をさらに短くすることができ、これらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさらに低減することができる。
【００６０】
またさらに、配線基板２００では、チップコンデンサ１１３を、凹部２８７内に搭載している。従って、主面２００ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨとチップコンデンサ１１３とが、肉薄の第１コア部２６０を挟んで搭載される。このため、凹部が形成されていない配線基板と比較して、配線基板のＩＣチップ接続用のバンプとチップコンデンサの端子（上面部）との距離を短くし、さらには、主面上に搭載するＩＣチップとチップコンデンサとの距離を短くすることができる。従って、凹部が形成されていない配線基板と比較して、短い経路で配線基板のＩＣチップ接続用のバンプとチップコンデンサの端子（上面部）とを接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵抗成分やインダクタンス成分をさらに抑制できる。
【００６１】
次いで、本実施形態の配線基板２００の製造方法について、図６〜図１０を参照して説明する。
まず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面２６５ｂ及び裏面２６５ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付けた、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍの両面銅張の第１コア基板本体２６５を用意する（図７参照）。そして、第１コア基板本体２６５の所定の位置に、レーザまたはドリルによって、その主面２６５ｂと裏面２６５ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫通孔２６１Ｈを穿孔する。
【００６２】
その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングによって、スルーホール用貫通孔２６１Ｈ内にスルーホール導体２６２を形成し、主面２６５に銅メッキ層２６８を形成し、裏面２６５ｃの所定の位置に、スルーホール導体２６２と接続するパッド２５２と、配線層２６７を形成する。次いで、裏面２６５ｃの所定の位置にエポキシ系樹脂からなるソルダーレジスト層２４４をパッド２５２が露出するように形成して、第１コア部９１０を含む第１コア基板２６９を形成する。なお、図７に拡大して示すように、スルーホール導体２６２としては、スルーホール用貫通孔２６１Ｈの内周に内周スルーホール導体２６２ＴＨを形成するほか、その中心部に充填樹脂２６２Ｒを充填形成した。
【００６３】
また、図８に示すような、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面２７５ｂ及び裏面２７５ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付けた、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約８００μｍの両面銅張の第２コア基板本体２７５を用意する。そして、第２コア基板本体２７５の主面２７５ｂ側を、エンドミルによって座ぐり加工することにより、図８（ａ）に示すような平面視略ロ字状の凹溝２７３を、第２コア基板本体２７５の中央部に形成する。次いで、主面２７５ｂ側の銅箔をエッチングして、凹溝２７３の周囲に配線層２７７を形成する。このようにして、図８（ｂ）に示すような第２コア部２７０を含む第２コア基板２７９を形成する。
【００６４】
次に、図９に示すように、第１コア基板２６９の裏面２６９ｃと第２コア基板２７９の主面２７９ｂとの間に、接着性のあるプリプレグからなる接着層２４５を配置して、加熱・押圧することによって、第１コア基板２６９と第２コア基板２７９とを接着・積層する。なお、このとき、過剰な接着層２４５がある場合は、凹溝２７３内に収容される。次いで、この周縁部分の所定の位置にレーザまたはドリルによって穿孔し、この厚さ方向に貫通する直径約１００μｍのスルーホール用貫通孔２８１Ｈを形成する。
【００６５】
次いで、図９に示すように、無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを施し、各スルーホール用貫通孔２８１Ｈ内にスルーホール導体２８２、及び主面２８４ｂ上と裏面２８４ｃ上に図示しない銅メッキ層が形成される。そして、主面２８４ｂ上の銅メッキ層を実施形態１と同様のパターンにエッチングして、主面２８４ｂの所定の位置にスルーホール導体２８２と接続するように第１ベタ導体層２２６を形成する。なお、図９に拡大して示すように、スルーホール導体２８２としては、スルーホール用貫通孔２８１Ｈの内周に内周スルーホール導体２８２ＴＨを形成するほか、その中心部に充填樹脂２８２Ｒを充填形成した。このとき、スルーホール導体２８２は、配線層２６７，２７７と接続している。
また、裏面２８４ｃ上の銅メッキ層をエッチングし、パッド２５５を形成する。以上のようにして、図９に示すようなコア基板本体２８４を形成する。
【００６６】
次に、２つのコア基板本体２８４の裏面２８４ｃ同士を、その外周縁より外側の不要部２８４ｄ（図９の左右下面）で貼りあわせて、図示しない一対のコア基板本体２８４とする。次いで、一対のコア基板本体２８４のうち２つの主面２８４ｂについて、以下の工程を同時に行う。実施形態１と同様に、公知のビルドアップ配線基板の形成手法によって、各樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成すると共に、各層間には、第２ベタ導体層１２７、配線層１２８，１２９を形成し、また各樹脂絶縁層を貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形成する。さらに、各ビア導体１３２と接続するように、樹脂絶縁層１２５上にバンプ１３４を形成する。
【００６７】
このように、２つのコア基板本体２８４を貼りあわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２つのコア基板本体２８４を貼りあわせることによって、樹脂絶縁層等の積層時に基板が反るのを防止することができるからである。
次に、コア基板本体２８４同士を貼りあわせている不要部２８４ｄで切り離して、一対のコア基板本体２８４に樹脂絶縁層等を積層したものを分離する。その後、コア基板本体２８４の裏面２８４ｃ上に所定パターンのソルダーレジスト層２４３を形成する（図１０参照）。次に、コア基板本体２８４の裏面２８４ｃ側から、図９に二点鎖線で示すように、凹溝２７３の裏側にエンドミルによって凹溝（二点鎖線部分）を形成し、第２コア基板２７９の中央部分を切り離して除去し、凹部２８７を形成する。（このとき、コア基板本体２８４がコア基板２８０となる。）こうして、図１０に示すような配線基板本体２０１が完成する。
【００６８】
以上に説明したように、配線基板本体２０１は、肉薄の第１コア基板２６９に接着層２４５を介して肉厚の第２コア基板２７９を積層し、コア基板本体２８４を形成した後、このような十分な強度を持つコア基板本体２８４の主面２８４ｂ上に絶縁樹脂層及び配線層を積層している。従って、コア基板本体２８４の片面にだけ樹脂絶縁層が積層されていても、従来のような補強材を取り付けることが不要となり、低コストで製造することが可能となる。
【００６９】
その後、チップコンデンサ１１３を配線基板本体２０１の凹部２８７内に配置し、側面端子１１５ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド２５２ｂとを、側面端子１１５ｃの上面部１１５ｃｕと第２パッド２５２ｃとを、ハンダ１５３によって接続する。このようにして、配線基板２００を完成する。
その後さらに、側面端子１１５ｂの下面部１１５ｂｄ及び側面端子１１５ｃの上面部１１５ｃｄを露出するようにして凹部２８７内に樹脂を充填し、コンデンサ１１３を埋め込んでも良い。
【００７０】
以上において、本発明を実施形態１，２に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態１，２においては、チップコンデンサの第１側面と第３側面にそれぞれ同数の側面端子１１５等が形成されたコンデンサを用いた。しかし、例えば、図１１に示すチップコンデンサ４１３のように、第１側面４１３Ｓ１と第３側面４１３Ｓ３だけでなく、第２側面４１３Ｓ２及び第４側面４１３Ｓ４にも側面端子４１５（４１５ｂ，４１５ｃ）を同数（図では２ヶずつ）形成したものを用いても良い。この際、隣り合う側面端子４１５の電位を、図１１に示すように、共通第１電位（例えば、「＋」で示す電源電位）と共通第２電位（例えば「Ｇ］で示す接地電位）とが交互に現れる配置とする。このようにしたチップコンデンサ４１３を用いても、対向して隣り合う側面端子４１５同士でインダクタンスを打ち消し合うので、より低インダクタンスでチップコンデンサとＩＣチップ等とを接続することができるようになる。
【００７１】
さらに、チップコンデンサ４１３同士を密集して配置し、１つのチップコンデンサにおいて隣り合う側面端子４１５同士の間隔Ｐ１，Ｐ３よりも、隣り合うチップコンデンサ４１３同士の対向する側面端子４１５同士の間隔Ｐ２，Ｐ４を小さくすると、さらに低インダクタンスにすることができる。
また、上記実施形態では、いずれもチップコンデンサとして同一形状のものを用い、これらを縦横格子状に配置した。しかし、隣り合うコンデンサの側面端子同士が対向して隣り合っており、それらの極性が異なるように接続されていれば良い。少なくともこれらの側面端子同士の間ではインダクタンスの低減を図ることができるからである。
【００７２】
さらに、上記実施形態では、チップコンデンサ１１３と主面１００ｂ等との間に、第１ベタ導体層１２６，第２ベタ導体層１２７などを形成した。このようにすると、一般に側面端子１１５等の間隔などに比して、間隔の狭くされているバンプ１３４との接続が容易にできるメリットがある。
しかし、各バンプ１３４のうち所定のバンプとチップコンデンサ１１３の側面端子１１５ｂ，１１５ｃとを適切に接続できれば良く、樹脂絶縁層１２３〜１２５の層間に形成した配線層や樹脂絶縁層１２２等を貫通するビア導体によって、側面端子１１５と各々のバンプ１３４とを接続するようにしても良い。また第１ベタ導体層１２６や第２ベタ導体層１２７として平板状の導体層を形成したが、これらに代えて格子状（メッシュ状）の導体層を用いることもできる。
【００７３】
また、例えば、樹脂絶縁層１２２と１２３の層間やコア基板１１０の主面１１０ｂ上に縞状（ストライプ状）の導体層を設け、各縞状導体層が交互に共通第１電位（電源電位）及び共通第２電位（接地電位）となるように、個々の縞状導体層と側面端子１１５ｂ，１１５ｃを接続する。さらにこの縞状導体層と各バンプ１３４とを接続するという構造にしても良い。
さらにまた、上記実施形態では、コア基板の主面側に樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成したが、これよりも多数または少数の樹脂絶縁層を、コア基板の主面側に積層した配線基板としても良い。また、コア基板の裏面側には裏面絶縁層を形成していないが、主面側の樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を形成しても良い。但し、ＩＣチップとチップコンデンサとの距離が近くなるという点で、裏面絶縁層は少ないほうが良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１にかかる配線基板１００の断面図である。
【図２】  実施形態１にかかる配線基板１００のコア基板１１０の断面図である。
【図３】  実施形態１にかかる配線基板１００の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】  縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１３の各側面端子の電位を示す説明図である。
【図５】  縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１３の様子及び側面端子を流れる電流の方向を示す斜視説明図である。
【図６】  実施形態２にかかる配線基板２００の断面図である。
【図７】  実施形態２にかかる配線基板２００の第１コア基板２６９の断面図である。
【図８】  実施形態２にかかる配線基板２００の第２コア基板２７９を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面拡大図である。
【図９】  実施形態２にかかる配線基板２００のコア基板本体２８４の断面図である。
【図１０】  実施形態２にかかる配線基板２００の配線基板本体２０１の断面図である。
【図１１】  チップコンデンサの他の配列例及び各側面端子の電位を示す説明図である。
【図１２】  基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載した従来の配線基板を示す説明図である。
【図１３】  他のチップコンデンサの形状及び構造を示す説明図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその構造を示す。
【符号の説明】
１００，２００  配線基板
１００ｂ，２００ｂ  主面
１００ｃ，２００ｃ  裏面
１１０，２８０  コア基板
１１１，２８４  コア基板本体
１１２，２６２，２８２  スルーホール導体
１１３，４１３  チップコンデンサ
１１３ｕ  チップコンデンサの上面
１１５ｂ，４１５ｂ  側面端子（第１電位側面端子）
１１５ｃ，４１５ｃ  側面端子（第２電位側面端子）
１１５ｂｕ，１１５ｃｕ  上面部
１２２〜１２５  樹脂絶縁層
１２６，１２７  ベタ導体層
１３４  バンプ（ＩＣ接続端子）
２８７    凹部
Ｅ  チップコンデンサ１１３を主面側に投影した領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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