(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
高次水平横モードの吸収係数が基本水平横モードの吸収係数より大きくなるように、前記絶縁膜及び吸収膜の膜厚が、それぞれ、設定されている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記絶縁膜として、ＳｉＯ2 膜、Ａｌ2 Ｏ3 膜、ＡｌＮ膜、ＳｉＮx 膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜及びＺｒＯ2 膜のいずれかが、かつ前記吸収膜としてＳｉ膜が、それぞれ、設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
窒化物系III −Ｖ族化合物半導体層からなる共振器構造を基板上に備え、前記上部クラッド層はＡｌＧａＮにより形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上８００Å以下のＳｉＯ2 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１０００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＳｉＮx 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１４００Å以下のＡｌＮ膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＺｒＯ2 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記絶縁膜として、膜厚が１００Å以上８００Å以下のＳｉＯ2 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記絶縁膜として、膜厚が１００Å以上８００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１０００Å以下のＳｉＮx 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１２００Å以下のＡｌＮ膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１０００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記絶縁膜として、２００Å以上１０００Å以下のＺｒＯ2 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記金属膜が前記電極膜と一体に形成され、前記電極膜と共に電極として機能する
ことを特徴とする請求項１０から請求項１５までのいずれか１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１７】
前記リッジの形状が、ストライプ状、テーパ状、及びフレア状のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１８】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上８００Å以下のＳｉＯ2 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１９】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１０００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２０】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＳｉＮx 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２１】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１４００Å以下のＡｌＮ膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２２】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２３】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＺｒＯ2 膜、前記吸収層として、膜厚が５０Å以上のＳｉ膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２４】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が１００Å以上８００Å以下のＳｉＯ2 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２５】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚が１００Å以上８００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２６】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１０００Å以下のＳｉＮx 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２７】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１２００Å以下のＡｌＮ膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２８】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、膜厚２００Å以上１０００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２９】
少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、前記絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、前記リッジの両側面及び両脇の前記上部クラッド層上に形成され、かつ前記積層膜の窓を介して前記リッジの上面に電極膜が電気的に接続され、
前記絶縁膜として、２００Å以上１０００Å以下のＺｒＯ2 膜、前記吸収膜として金属膜がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３０】
前記金属膜が前記電極膜と一体に形成され、前記電極膜と共に電極として機能する
ことを特徴とする請求項２４から請求項２９までのいずれか１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３１】
窒化物系III −Ｖ族化合物半導体層からなる共振器構造を基板上に備え、前記上部クラッド層はＡｌＧａＮにより形成されている
ことを特徴とする２４から請求項２９までのいずれか１に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リッジ導波路型半導体レーザ素子に関し、更に詳細には、θ//が所望の値に制御され、高出力動作時のレーザ特性が良好で、かつ駆動電圧の低いリッジ導波路型半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
長波長域のＧａＡｓ系、ＩｎＰ系半導体レーザ素子、及び短波長域の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子を含めて、半導体レーザ素子では、製作が容易である等の理由から、リッジ導波路型半導体レーザ素子が種々の分野で多用されている。
リッジ導波路型の半導体レーザ素子は、上部クラッド層の上部及びコンタクト層をストライプ状リッジとして形成し、リッジ両側面及びリッジ両脇の上部クラッド層上を絶縁膜で被覆して電流狭窄層とすると共に横方向の実効屈折率差を設け、モード制御を行うインデックスガイド（屈折率導波型）の一つである。
【０００３】
ここで、図１１を参照して、発振波長が４１０ｎｍ付近の従来のリッジ導波路型の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子（以下、窒化物系半導体レーザ素子と言う）の構成を説明する。
従来のリッジ導波路型の窒化物系半導体レーザ素子１０は、基本的には、図１１に示すように、例えばサファイア基板１２上に、ＧａＮ横方向成長層１４、ｎ−ＧａＮコンタクト層１６、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１８、活性層２０、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ−ＧａＮコンタクト層２４の積層構造を備えている。
【０００４】
積層構造のうち、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の上部及びｐ−ＧａＮコンタクト層２４は、ストライプ状リッジ２６として形成されている。また、ｎ−ＧａＮコンタクト層１６の上部、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１８、活性層２０、及びｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の残り層２２ａは、リッジ２６と同じ方向に延在するメサ構造として形成されている。
リッジ２６のリッジ幅Ｗは、例えば１．７μｍ、リッジ２６の両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の残り層２２ａの厚さＴは例えば０．１７μｍである。
【０００５】
そして、リッジ２６の両側面、リッジ２６の両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上からメサ構造の側面、及びｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層１６上には膜厚２０００Å程度のＳｉＯ2 膜からなる絶縁膜２８が形成されている。
ｐ側電極３０が、絶縁膜２８上に形成され、絶縁膜２８の窓を介してｐ−ＧａＮコンタクト層２４と接触している。また、ｎ−ＧａＮコンタクト層１６上にｎ側電極３２が形成されている。
【０００６】
上述したリッジ導波路型の窒化物系半導体レーザ素子１０は、リッジ２６の両側面を被覆する絶縁膜２８が、発振したレーザ光に対して透明なため、導波路損失が小さくなるので、低閾電流値であって、しかも高発光効率の半導体レーザ素子であると評価されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、リッジ導波路型の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子（以下、窒化物系半導体レーザ素子と言う）の用途が拡がるにつれて、キンクレベルを高めて高出力域まで良好な光出力−注入電流特性を維持すると共にヘテロ界面に水平方向の遠視野像（ＦＦＰ）の半値幅（以下、θ//と言う）を大きくすることが要求される。
例えば窒化物系半導体レーザ素子を光ピックアップの光源に適用する際には、ヘテロ界面に水平方向の遠視野像（ＦＦＰ）のθ//を大きくすることが要求される。
本発明者の研究によれば、図１２に示すように、θ//は、リッジ導波路の実効屈折率差Δｎと密接に関係しており、θ//を大きくするためには、Δｎを大きくする必要がある。ここで、リッジ導波路の実効屈折率差Δｎとは、図１１に示すように、発振波長に対するリッジでの実効屈折率ｎeff1とリッジ脇の実効屈折率ｎeff2の差、ｎeff1−ｎeff2である。尚、図１２の黒丸及び白丸は実験結果を示す印である。
【０００８】
しかし、Δｎを大きくしようとすると、高次水平横モードのカットオフ・リッジ幅が狭くなる。高次水平横モードのカットオフ・リッジ幅とは、高次水平横モードが発生しないリッジ幅を言い、リッジ幅がカットオフ・リッジ幅以上になった場合、レーザ発振時に水平横モードが基本モードから１次の高次モードに移り易くなる。
基本水平横モードと高次水平横モードとをからなるハイブリッドモードが発生すると、図１３に示すように、キンクが光出力−注入電流特性に発生し、高出力動作時のレーザ特性が悪くなる。
【０００９】
特に、リッジ導波路型窒化物系半導体レーザ素子はΔｎが小さく、しかも発振波長が短いため、図１４に示すように、高次水平横モードのカットオフ・リッジ幅が狭い。図１４は、Ｇa Ｎ層の屈折率を２．５０４とし、発振波長λを４００ｎｍとしたときの、ＧａＮ層からなるリッジ内及びリッジ脇の実効屈折率差Δｎと、カットオフ・リッジ幅との関係を示すグラフである。
例えば、リッジ導波路の屈折率差Δｎを０．００５〜０．０１に設定した場合、カットオフ・リッジ幅以下のリッジ幅にするためには、リッジ幅を１μｍ程度にまで狭める必要がある。
以上のように、Δｎを大きくしてθ//を大きくしようとすると、カットオフ・リッジ幅が小さくなるために、高出力動作時のレーザ特性が悪くなる。つまり、リッジ幅に関し、θ//を大きくすることと、高出力動作時のレーザ特性を高めることは、二律背反の関係にある。
【００１０】
また、リッジ導波路型の窒化物系半導体レーザ素子の用途の拡大とともに、特に携帯用機器向けの用途が拡大すると共に、半導体レーザ素子の駆動電圧を下げることが要求されている。
しかし、リッジ幅を広げてコンタクト層とｐ側電極との接触面積を拡大して、動作電圧を低下させようとすると、リッジ幅がカットオフ・リッジ幅を超えるために、高出力動作時のレーザ特性が悪くなる。つまり、リッジ幅に関し、駆動電圧を下げることと、高出力動作時のレーザ特性を高めることとは、二律背反の関係にある。
【００１１】
以上のことから、リッジ幅を狭くして、高出力動作時のレーザ特性を高めることは、θ//を大きくすること、及び駆動電圧を下げることに対して二律背反の関係にある。
そこで、従来の窒化物系半導体レーザ素子では、駆動電圧を高くしないために、リッジ幅を余り狭めることができず、カットオフ・リッジ幅以上のリッジ幅が用いられていて、そのため、光出力−注入電流特性で、キンクレベルを所望の高いレベルにまで高められないという問題があり、またΔｎが小さくなってθ//を大きく出来ないと言う問題があった。
以上の説明では、窒化物系半導体レーザ素子を例に挙げて問題点を説明したが、この問題は窒化物系半導体レーザ素子に限らず、窒化物系半導体レーザ素子より発振波長の長いＧａＡｓ系、ＩｎＰ系等の長波長域のリッジ導波路型半導体レーザ素子にも該当する問題である。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、駆動電圧が低く、かつθ//が大きく、しかも高出力域まで光出力−注入電流特性が良好な、つまり高いキンクレベルを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、駆動電圧を高くしないためにリッジ幅を狭めることなく、しかもΔｎを大きくしてθ//を大きくすると共に高出力域まで光出力−注入電流特性を良好に維持する半導体レーザ素子の構成を研究する過程で、リッジの両側面に、レーザ光を余り吸収しない絶縁膜、つまり発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、レーザ光を吸収する吸収膜とを順次積層してなる積層膜を形成すると、図１５に示すように、基本水平横モードと一次水平横モードとの吸収係数に差が生じることを見い出した。
そして、この現象を利用することにより、リッジ幅を狭くすることなく、キンクレベルを実用上問題ないレベルにまで向上させると共にθ//を大きくすることができることを見い出した。
更に、本発明者は、種々の組み合わせの絶縁膜及び吸収膜について多数回の実験を行い、以下の本発明で特定したような膜厚範囲の絶縁膜及び吸収膜の積層膜により、高次の横モード発生を抑制できることを見い出し、本発明を発明するに到った。
【００１４】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る半導体レーザ素子は、少なくとも上部クラッド層の上部がリッジに形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜が、リッジの両側面及び両脇の上部クラッド層上に形成され、かつ積層膜の窓を介してリッジ上面に電極膜が電気的に接続され、
高次水平横モードの吸収係数が基本水平横モードの吸収係数より大きくなるように、絶縁膜及び吸収膜の膜厚が、それぞれ、設定されていることを特徴としている。
【００１５】
本発明では、リッジの平面形状には、制約はなく、例えば、ストライプ状、テーパ状、及びフレア状のいずれかのリッジに好適に適用できる。
また、高次水平横モードの吸収係数が基本水平横モードの吸収係数より大きくなるように、絶縁膜及び吸収膜の膜厚をそれぞれ設定することにより、リッジ幅を狭めることなく、高次水平横モードの発生を抑制してキンクレベルを高出力域に高め、かつΔｎを大きくして、θ//を広くすることができる。
本発明で、絶縁膜は、発振波長に対して実質的に透明である限り、絶縁膜の膜種には制約無く、また、吸収膜は発振波長を吸収する吸収膜である限り、吸収膜の膜種には制約は無い。
発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜とは、膜の吸収端が発振波長より短い絶縁膜であることを意味する。また、吸収膜とは、膜の吸収端が発振波長より長い膜を意味する。
【００１６】
本発明の積層膜では、例えば、絶縁膜としてＳｉＯ2膜、Ａｌ2 Ｏ3 膜、ＡｌＮ膜、ＳｉＮx 膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜及びＺｒＯ2膜のいずれかを、かつ、吸収膜としてＳｉ膜を用いることができる。Ｓｉ膜は、通常、アモルファスＳｉ膜である。
ＳｉＯ2 膜、Ｓｉ膜、ＺｒＯ2膜等の絶縁膜を成膜する際には、好適には蒸着法により成膜する。
【００１７】
上部クラッド層としてＡｌＧａＮクラッド層を備えた、窒化物系III −Ｖ族化合物半導体層からなる共振器構造を基板上に有し、上部ＡｌＧａＮクラッド層の上部層がリッジとして形成されている半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられたＳｉＯ2膜の膜厚が２００Å以上８００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が５０Å以上である。
【００１８】
ここで、Ｓｉ膜の膜厚を５０Åとしているのは、以下のシミュレーション計算に基づいている。つまり、図１６（ａ）に示すように、絶縁膜として膜厚６００ÅのＳｉＯ2 膜を使った積層膜で、Ｓｉ膜の膜厚を変化させたときの基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の変化をシミュレーション計算により求めたところ、図１６（ｂ）に示す結果を得た。尚、図１６（ｂ）では、グラフ（１）は基本水平横モードの吸収係数を示し、グラフ（２）は一次水平横モードの吸収係数を示している。
そして、一次水平横モードの吸収係数αが少なくとも１０ｃｍ-1であることが好ましいので、Ｓｉ膜の膜厚を５０Å以上、好ましくは２００Å以上にする。
【００１９】
好適には、絶縁膜として設けられたＳｉＯ2膜の膜厚が４００Å以上８００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が５０Å以上である。
更に好適には、絶縁膜として設けられたＳｉＯ2膜の膜厚が４００Å以上８００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が２００Å以上である。
ＳｉＯ2 膜の膜厚が８００Åを超えると、水平横高次モードの吸収係数と水平横基本モードの吸収係数との差が無くなり、Δｎが小さくなるからである。また、ＳｉＯ2 膜が４００Å以下では、水平横基本モードの吸収係数が小さくなり過ぎて、閾電流値が高くなる。
【００２０】
また、絶縁膜として設けられたＺｒＯ2膜の膜厚が２００Å以上１２００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が５０Å以上である。
好適には、絶縁膜として設けられたＺｒＯ2膜の膜厚が３００Å以上１１００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が５０Å以上である。更に好適には、絶縁膜として設けられたＺｒＯ2膜の膜厚が６００Å以上１１００Å以下であり、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が２００Å以上である。
ＺｒＯ2 膜の膜厚が１２００Åを超えると、水平横高次モードの吸収係数と水平横基本モードの吸収係数との差が無くなり、Δｎが小さくなるからである。また、ＺｒＯ2 膜が２００Å以下では、水平横基本モードの吸収係数が小さくなり過ぎて、閾電流値が高くなる。
【００２１】
更に、言えば、絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１０００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＳｉＮx 膜、膜厚が２００Å以上１４００Å以下のＡｌＮ膜、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、及び膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＺｒＯ2膜のいずれかが設けられ、かつ吸収層として設けられたＳｉ膜の膜厚が５０Å以上である。
【００２２】
また、積層膜では、絶縁膜として、膜厚が２００Å以上１０００Å以下のＡｌ2 Ｏ3 膜、膜厚が２００Å以上１２００Å以下のＳｉＮx 膜、膜厚２００Å以上１４００Å以下のＡｌＮ膜、膜厚２００Å以上１２００Å以下のＴａ2 Ｏ5 膜、及び２００Å以上１０００Å以下のＺｒＯ2 膜のいずれかを用いると共に、吸収膜として金属膜を用い、これらを組み合わせるようにしてもよい。
絶縁膜として１００Å以上８００Å以下のＳｉＯ2 膜又は２００Å以上１０００Å以下のＺｒＯ2 膜を用いると共に、吸収膜として金属膜を用い、これらの積層膜とすることもできる。金属膜には、例えば、膜厚１０／１００／３００ｎｍのＮｉ、Ｐｔ、Ａｕを用いることができ、また、電極としても機能させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。尚、以下の実施形態例で示す成膜方法、化合物半導体層の組成及び膜厚、リッジ幅、プロセス条件等は、本発明の理解を容易にするための一つの例示であって、本発明はこの例示に限定されるものではない。
実施形態例１
本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子を窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子（以下、窒化物系半導体レーザ素子と言う）に適用した実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、図１に示すように、窒化物系III −Ｖ族化合物半導体層からなる共振器構造を基板上に備え、ＡｌＧａＮからなる上部クラッド層の上部層がリッジとして形成されている窒化物系半導体レーザ素子であって、リッジ２６の両脇の上部クラッド層２２上に設けた電流狭窄層が異なることを除いて、従来の窒化物系半導体レーザ素子１０と同じ構成を備えている。
【００２４】
本実施形態例では、リッジ２６の両脇の上部クラッド層２２上の電流狭窄層として、発振波長に対して実質的に透明なＳｉＯ2 膜と、ＳｉＯ2 膜上に積層され、発振波長を吸収するＳｉ膜との積層膜が、高次横モードの発生を抑制するように設定されたそれぞれの膜厚でリッジの両側面に形成されている。
また、ｐ側電極３０は、積層膜の窓を介してリッジ２６のｐ−ＧａＮコンタクト層２４に電気的に接続されている。
積層膜の形成に際しては、ＳｉＯ2 膜及びＳｉ膜を、順次、蒸着法により堆積させ、次いでフォトリソグラフィ処理とＲＩＥ法によるエッチング加工を行って、ｐ側電極３０形成のために積層膜の窓明けを行う。
【００２５】
本実施形態例を評価するために、アモルファスＳｉ蒸着膜４４の厚さを３００Åに固定し、ＳｉＯ2 蒸着膜４２の厚さを変えて、基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の変化を調べ、図２に示す結果を得た。
図２は、アモルファスＳｉ蒸着膜４４の膜厚を３００Åに固定し、ＳｉＯ2 蒸着膜４２の膜厚を変えたときの、ＳｉＯ2蒸着膜４２の膜厚と基本水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（１）で示し、ＳｉＯ2蒸着膜４２の膜厚と一次水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（２）で示す。
本実施形態例では、リッジ２６にＳｉＯ2 蒸着膜４２とアモルファスＳｉ膜４４との積層膜を設けることにより、図２のグラフ（１）に示すように、基本水平横モードの吸収係数を小さい値に保ちつつ、グラフ（２）で示すように、一次水平横モードの吸収係数を増大させることができるので、リッジ幅を変えることなく、Δｎを大きくすることできる。
【００２６】
本実施形態例では、ＳｉＯ2蒸着膜４２の膜厚は４００Å以上８００Å以下の範囲に設定するのが望ましい。
ＳｉＯ2 蒸着膜の膜厚が４００Å以下では、基本水平横モードの吸収係数αが、１５ｃｍ-1以上になるので、閾電流値が高くなり、発光効率が低下するからである。また、８００Å以上になると、一次水平横モードの吸収係数と基本水平横モードの吸収係数との差がなくなり、Δｎが小さくなるからである。
【００２７】
また、本実施形態例の変形例として、絶縁膜として６００ÅのＳｉＯ2 蒸着膜を、吸収膜として４００ÅのアモルファスＳｉ蒸着膜を使い、かつ上部クラッド層２２の残し厚さ（リッジ脇の上部クラッド層の厚さ）を変えて、種々のリッジ導波路の実効屈折率差Δｎを有するように構成したことを除いて、従来の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成の試料窒化物系半導体レーザ素子を作製し、Δｎとキンクレベルとの関係を調べた。
その結果、図３に示す通りで、試料窒化物系半導体レーザ素子は、従来の窒化物系半導体レーザ素子に比べて、大きなΔｎで同じキンクレベルを維持することができる。例えばキンクレベルが６０ｍＷでは、Δｎを０．００９にでき、１００ｍＷのキンクレベルにするには、Δｎが０．００８５で良いことが判る。
一方、従来の半導体レーザ素子では、キンクレベルを６０ｍＷ及び１００ｍＷにするには、Δｎが、それぞれ、０．００６５及び０．００４５になり、著しく小さい値になるので、θ//が小さくなる。
【００２８】
また、同じ試料窒化物系半導体レーザ素子を使って、キンクレベルとθ//との関係を調べ、図４に示す結果を得た。
図４から判る通り、試料窒化物系半導体レーザ素子は、従来の窒化物系半導体レーザ素子に比べて、同じキンクレベルでθ//が大きい。
【００２９】
以上のことから、本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、低い駆動電流で、高いキンクレベルと大きなθ//とを有する窒化物系半導体レーザ素子であると評価できる。
【００３０】
実施例１
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、実施形態例１の具体例であって、発振波長が４１０ｎｍ付近の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子である。本実施例は、リッジ２６に設けた電流狭窄層が異なることを除いて、従来の窒化物系半導体レーザ素子１０と同じ構成を備えている。リッジ２６のリッジ幅及び、リッジ２６の両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の膜厚は、それぞれ、従来の窒化物系半導体レーザ素子１０と同様に、１．７μｍ及び０．１７μｍである。
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子では、それぞれ、蒸着法で成膜した、膜厚６００ÅのＳｉＯ2蒸着膜４２と、ＳｉＯ2 蒸着膜４２上に積層された膜厚３００ÅのアモルファスＳｉ蒸着膜４４との積層膜が、図１に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
ｐ側電極３０は積層膜の窓を介してｐ−ＧａＮコンタクト層２４と電気的に接続している。
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、以上の構成を備えることにより、キンクレベルが１００ｍＷであり、θ//が９．５°である。
【００３１】
実施形態例２
本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子を窒化物系半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図５は本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、リッジ２６に設けた電流狭窄層が異なることを除いて、実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられたＳｉＯ2蒸着膜４６と、吸収膜として設けられたｐ側電極３０との積層膜が、図５に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
【００３２】
本実施形態例を評価するために、ｐ側電極３０の厚さを４０ｎｍに固定し、ＳｉＯ2 蒸着膜４６の厚さを変えて、基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の変化を調べ、図６に示す結果を得た。
図６は、ｐ側電極３０の厚さを４０ｎｍに固定し、ＳｉＯ2 蒸着膜４６の膜厚を変えたときの、ＳｉＯ2蒸着膜４６の膜厚と基本水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（１）で示し、ＳｉＯ2蒸着膜４６の膜厚と一次水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（２）で示す。
本実施形態例では、リッジ２６にＳｉＯ2 蒸着膜４６とｐ側電極３０との積層膜を設けることにより、図６のグラフ（１）に示すように、基本水平横モードの吸収係数を小さい値に保ちつつ、グラフ（２）で示すように、一次水平横モードの吸収係数を増大させることができるので、リッジ幅を変えることなく、Δｎを大きくすることできる。
【００３３】
本実施形態例では、ＳｉＯ2蒸着膜４６の膜厚は１００Å以上８００Å以下の範囲に設定するのが望ましい。ＳｉＯ2 蒸着膜４６の膜厚が１００Å以下では、基本水平横モードの吸収係数αが、１５ｃｍ-1以上になるので、閾電流値が高くなり、発光効率が低下するからである。また、８００Å以上になると、一次水平横モードの吸収係数と基本水平横モードの吸収係数との差がなくなり、Δｎが小さくなるからである。
以上のことから、本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、低い駆動電流で、高いキンクレベルと大きなθ//とを有する窒化物系半導体レーザ素子であると評価できる。
【００３４】
実施例２
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、実施形態例２の具体例であって、発振波長が４１０ｎｍ付近の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子である。本実施例は、リッジ２６に設けた電流狭窄層が異なることを除いて、従来の窒化物系半導体レーザ素子１０と同じ構成を備えている。リッジ２６のリッジ幅Ｗ及び、リッジ２６の両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の膜厚Ｔは、それぞれ、従来の窒化物系半導体レーザ素子１０と同様である。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられた膜厚４００ÅのＳｉＯ2蒸着膜４６と、吸収膜として設けられた膜厚１０／１００／３００ｎｍでＮｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属膜からなるｐ側電極３０との積層膜が、図５に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
ｐ側電極３０は、ＳｉＯ2 蒸着膜４６の窓を介してｐ−ＧａＮコンタクト層２４と電気的に接続している。
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、以上の構成を備えることにより、キンクレベルが８０ｍＷであり、θ//が９．８°である。
【００３５】
実施形態例３
本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子を窒化物系半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図７は本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、絶縁膜が異なることを除いて、実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられたＺｒＯ2蒸着膜４８と、吸収膜として設けられたアモルファスＳｉ蒸着膜４４との積層膜が、図７に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
【００３６】
本実施形態例を評価するために、アモルファスＳｉ蒸着膜４４の厚さを３００Åに固定し、ＺｒＯ2蒸着膜４８の厚さを変えて、基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の変化を調べ、図８に示す結果を得た。
図８は、アモルファスＳｉ蒸着膜４４の膜厚を３００Åに固定し、ＺｒＯ2蒸着膜４８の膜厚を変えたときの、ＺｒＯ2蒸着膜４８の膜厚と基本水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（１）で示し、ＺｒＯ2蒸着膜４８の膜厚と一次水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（２）で示す。
本実施形態例では、リッジ２６にＺｒＯ2蒸着膜４８とアモルファスＳｉ膜４４との積層膜を設けることにより、図８のグラフ（１）に示すように、基本水平横モードの吸収係数を小さい値に保ちつつ、グラフ（２）で示すように、一次水平横モードの吸収係数を増大させることができるので、リッジ幅を変えることなく、Δｎを大きくすることできる。
【００３７】
本実施形態例では、ＺｒＯ2蒸着膜４８の膜厚は６００Å以上１１００Å以下の範囲に設定するのが望ましい。ＺｒＯ2蒸着膜４８の膜厚が６００Å以下では、基本水平横モードの吸収係数αが、１５ｃｍ-1以上になるので、閾電流値が高くなり、発光効率が低下するからである。また、１１００Å以上になると、一次水平横モードの吸収係数と基本水平横モードの吸収係数との差がなくなり、Δｎが小さくなるからである。
以上のことから、本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、低い駆動電流で、高いキンクレベルと大きなθ//とを有する窒化物系半導体レーザ素子であると評価できる。
【００３８】
実施例３
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、実施形態例３の具体例であって、図７に示すように、リッジ２６に設けた絶縁膜として、膜厚６００ÅのＳｉＯ2 蒸着膜４２に代えて、膜厚８００ÅのＺｒＯ2蒸着膜４８を備えているを除いて、実施例１の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。
本実施例例の窒化物系半導体レーザ素子は、以上の構成を備えることにより、キンクレベルが９５ｍＷであり、θ//が９．６°である。
【００３９】
実施形態例４
本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子を窒化物系半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図９は本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、リッジ２６に設けた絶縁膜が異なることを除いて、実施形態例２の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられたＺｒＯ2蒸着膜５０と、吸収膜ととして設けられたｐ側電極３０との積層膜が、図９に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
【００４０】
本実施形態例を評価するために、ｐ側電極３０の厚さを４０ｎｍに固定し、ＺｒＯ2蒸着膜５０の厚さを変えて、基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の変化を調べ、図１０に示す結果を得た。
図１０は、ｐ側電極３０の厚さを４０ｎｍに固定し、ＺｒＯ2蒸着膜５０の膜厚を変えたときの、ＺｒＯ2蒸着膜５０の膜厚と基本水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（１）で示し、ＺｒＯ2蒸着膜５０の膜厚と一次水平横モードの吸収係数との関係をグラフ（２）で示す。
本実施形態例では、リッジ２６にＺｒＯ2蒸着膜５０とｐ側電極３０との積層膜を設けることにより、図１０のグラフ（１）に示すように、基本水平横モードの吸収係数を小さい値に保ちつつ、グラフ（２）で示すように、一次水平横モードの吸収係数を増大させることができるので、リッジ幅を変えることなく、Δｎを大きくすることできる。
【００４１】
本実施形態例では、ＺｒＯ2蒸着膜５０の膜厚は２００Å以上１０００Å以下の範囲に設定するのが望ましい。ＺｒＯ2蒸着膜５０の膜厚が２００Å以下では、基本水平横モードの吸収係数αが、１５ｃｍ-1以上になるので、閾電流値が高くなり、発光効率が低下するからである。また、１０００Å以上になると、一次水平横モードの吸収係数と基本水平横モードの吸収係数との差がなくなり、Δｎが小さくなるからである。
以上のことから、本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子は、低い駆動電流で、高いキンクレベルと大きなθ//とを有する窒化物系半導体レーザ素子であると評価できる。
【００４２】
実施例４
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、実施形態例４の具体例であって、発振波長が４１０ｎｍ付近の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子である。本実施例は、絶縁膜が異なることを除いて、実施例２の窒化物系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。
本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子では、絶縁膜として設けられた膜厚６００ÅのＺｒＯ2蒸着膜５０と、吸収膜ととして設けられた膜厚１０／１００／３００ｎｍでＮｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属膜からなるｐ側電極３０との積層膜が、図９に示すように、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。
ｐ側電極３０は、ＺｒＯ2蒸着膜５０の窓を介してｐ−ＧａＮコンタクト層２４と電気的に接続している。
本実施例の窒化物系半導体レーザ素子は、以上の構成を備えることにより、キンクレベルが１００ｍＷであり、θ//が９．５°である。
【００４３】
上記実施例１から４の絶縁膜及び吸収膜の膜厚は、リッジ幅１Ｗが１．７μｍ及びｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２の残し膜厚が０．１７μｍのときの値であって、リッジの形状及び寸法がが変わると、膜厚の適正値も変わる。
一次モードの吸収係数が基本モードの吸収係数と比較して大きくなる構造であれば、同様な効果が得られるので、リッジ幅、リッジ両脇のクラッド層厚、絶縁膜層の厚さ及び種類は、実施例１から４の限りではない。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、発振波長に対して実質的に透明な絶縁膜と、絶縁膜上に積層され、発振波長を吸収する吸収膜との積層膜をリッジの両側面及び両脇のクラッド層上に設け、かつ、高次水平横モードの吸収係数が基本水平横モードの吸収係数より大きくなるように、絶縁膜及び吸収膜の膜厚を、それぞれ、設定することにより、リッジ導波路型の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子のリッジ幅を狭めることなく、高次水平横モードの発生を抑制してキンクレベルを高出力域に高め、かつΔｎを大きくして、θ//を広くすることができる。
【００４５】
キンクレベルが高くなるので、窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子の長期信頼性が向上し、ノイズ特性も向上する。また、Δｎを拡げることができるので、プロセスマージンが大きくなる。
また、キンクレベルは共振器長に依存するため、従来構造では共振器長の自由度も制限されていたが、本発明を適用することにより、共振器長の自由度も大きくなる。更には、キンクレベルはリッジ幅に依存し、キンクレベル向上のためにはリッジ幅を狭める必要があったが、本発明を適用することにより、リッジ幅を広くすることもできる。その結果、駆動電圧を下げることができるため、長期信頼性も改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１及び実施例１の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
【図２】実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子のＳｉＯ2蒸着膜の膜厚と基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数との関係を示す。
【図３】実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子と従来の窒化物系半導体レーザ素子のそれぞれのΔｎとキンクレベルとの関係を示すグラフである。
【図４】実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子と従来の窒化物系半導体レーザ素子のそれぞれのθ//とキンクレベルとの関係を示すグラフである。
【図５】実施形態例２及び実施例２の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
【図６】実施形態例２の窒化物系半導体レーザ素子のＳｉＯ2蒸着膜の膜厚と基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数との関係を示す。
【図７】実施形態例３及び実施例３の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
【図８】実施形態例３の窒化物系半導体レーザ素子のＺｒＯ2蒸着膜の膜厚と基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数との関係を示す。
【図９】実施形態例４及び実施例４の窒化物系半導体レーザ素子の要部の構成を示す断面図である。
【図１０】実施形態例４の窒化物系半導体レーザ素子のＺｒＯ2蒸着膜の膜厚と基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数との関係を示す。
【図１１】従来の窒化物系半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図１２】窒化物系半導体レーザ素子のΔｎとθ//との関係を示すグラフである。
【図１３】光出力−注入電流特性でキンクレベルを示すグラフである。
【図１４】窒化物系半導体レーザ素子のΔｎとカットオフ・リッジ幅との関係を示すグラフである。
【図１５】水平横基本モード及び水平横一次モードの吸収損失をそれぞれ説明する模式図である。
【図１６】図１６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、積層膜の構成、及びＳｉ膜の膜厚と基本水平横モードの吸収係数及び一次水平横モードの吸収係数の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０……従来のリッジ導波路型の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体レーザ素子、１２……サファイア基板、１４……ＧａＮ横方向成長層、１６……ｎ−ＧａＮコンタクト層、１８……ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、２０……活性層、２２……ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層、２４……ｐ−ＧａＮコンタクト層、２６……ストライプ状リッジ、２８……ＳｉＯ2 膜、３０……ｐ側電極、３２……ｎ側電極、４２……ＳｉＯ2 蒸着膜、４４……アモルファスＳ蒸着膜、４６……ＳｉＯ2 蒸着膜、４８、５０……ＺｒＯ2蒸着膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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