(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子ドットを活性層に用いた半導体レーザ装置において、量子ドットを設けた領域をレーザの光軸方向に周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも前記量子ドットが設けられていない領域に量子井戸層を設け、前記量子井戸層が、前記量子ドットを設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
上記量子ドットは、自己形成的に形成された量子ドットであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
上記量子井戸層が、上記量子ドットと同時に形成される濡れ層であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に、量子ドット構造を有する利得結合型の分布帰還型半導体レーザ装置における漏れ電流を低減するための構成に特徴がある半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザの単一モード動作を目的とした構造の一つに、構造内に光の管内波長の１／２の自然倍数と同程度の周期的な起伏をもたせた分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザがあり、この分布帰還型半導体レーザはさらに、屈折率を分布させるか或いは活性層を分布させるかにより、屈折率結合型と利得結合型とに分類される。
【０００３】
この内、屈折率結合型分布帰還型半導体レーザにおいては優れた波長選択性が実現されており、一方、利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいても同等もしくはそれ以上の性能を示すものと考えられている。
なお、これらの分布帰還型半導体レーザにおける活性層としては、通常多重量子井戸構造が採用されている。
【０００４】
一方、近年の半導体プロセスの進歩に伴い、ナノスケールの成長技術・微細加工技術が半導体装置の作製に利用されるようになり、このナノスケールの成長技術・微細加工技術によって、量子力学的効果を利用した歪量子井戸半導体レーザ等が実用化されている。
【０００５】
この様な量子力学的効果を利用した一次元量子井戸構造半導体レーザにおいても、多くの電子が移動するために生ずる発熱に起因する発振しきい値、しきい値の温度特性、或いは、変調特性の改善の限界が指摘されており、この限界を解決するための方法の一つとして量子力学的効果を利用した究極の構造として３次元量子井戸構造である量子箱（ＱＷＢ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ  Ｂｏｘ）、即ち、量子ドットの採用が提案されており、それによって、半導体レーザの性能向上が見込まれている。
【０００６】
この様な量子ドットを簡単な工程によって形成する技術として、量子ドットを自己形成させる方法が見いだされ、具体的には、格子不整合の半導体をある条件で気相エピタキシャル成長させることにより３次元の微細構造、即ち、量子ドット構造を自己形成する方法が提案されている。
【０００７】
この自己形成方法は、実施するのが容易であり、しかも人為的に加工する場合に比べて、極めて均一性が高く、且つ、高個数密度で、高品質の半導体量子ドットが得られるものであり、例えば、この自己形成量子ドットを用いた半導体レーザが実際に報告されるようになり、半導体量子ドット素子の可能性が現実のものとなりつつある（必要ならば、特開平９−３２６５０６号公報参照）。
【０００８】
そこで、この様な自己形成した量子ドットを利用した利得結合型のＤＦＢ（分布帰還）型半導体レーザに転用してしきい値電流、しきい値電流の温度特性、及び、変調特性を改善することが考えられるので、図５を参照して量子ドットを利用したＤＦＢ型半導体レーザの一例を説明する。
図５（ａ）参照
図５（ａ）は、量子ドットを利用したＤＦＢ型半導体レーザの概略的断面図であり、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層３３を順次堆積させたのち、周期的利得領域３４を形成し、次いで、再び、ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６、及び、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７を順次堆積させたものである。
【０００９】
図５（ｂ）参照
図５（ｂ）は、図５（ａ）における破線の円内の概略的拡大図であり、周期的利得領域３４は、ＩｎＧａＡｓ濡れ層３８上に自己形成されたＩｎＧａＡｓ量子ドット３９、及び、ｉ型ＧａＡｓカバー層４０からなる積層体を複数層形成したのち、干渉露光法を用いて周期的パターンを形成したレジストマスクを利用してパターニングしたものである。
【００１０】
次に、図６及び図７を参照して、ＩｎＧａＡｓ量子ドットを形成するための自己形成方法を説明する。
まず、図６を参照して、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（ストランスキー−クラスタノフ）モードの量子ドットの形成過程を説明する。
図６（ａ）参照
まず、ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、ＴＥＧａ（トリエチルガリウム）及びＡｓＨ3 を供給することによって厚さ５００ｎｍ（＝０．５μｍ）のＧａＡｓバッファ層４１を形成したのち、基板温度を５００℃とした状態で、ＡｓＨ3 ４２、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）４３、及び、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）４４を同時供給すると、成長開始当初はＩｎＧａＡｓ成長層が格子不整合に基づく弾性限界を越えないので２次元的に成長が行われ、ＩｎＧａＡｓ濡れ層（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）４５が成長する。
【００１１】
図６（ｂ）参照
成長を続けると、ＩｎＧａＡｓ濡れ層４５の厚さが弾性限界を越えた時点で、ＩｎＧａＡｓ濡れ層４５の表面に量子ドットを形成するための成長核となるオングストロームオーダーの３次元核４６が離散的に形成される。
【００１２】
図６（ｃ）参照
さらに、成長を続けると、３次元核４６を成長核としてＩｎ組成比が相対的に大きなナノメートルオーダーのＩｎＧａＡｓ量子ドット４７が形成され、ＩｎＧａＡｓ量子ドット４７の周辺部はＩｎ組成比が相対的に小さなＩｎＧａＡｓ濡れ層４５となる。
【００１３】
これは、ＩｎＧａＡｓ濡れ層４５の厚さが弾性限界を越える場合、Ｉｎ組成比が相対的に大きなＩｎＧａＡｓ量子ドット４７を局所的に発生させることによってＩｎＧａＡｓ成長層全体としてはＩｎＧａＡｓ成長層の全面に歪が発生する場合よりも低歪エネルギーとなり、結晶学的に安定した成長になるためと考えられる。
【００１４】
次に、図７を参照して、従来の原料交互供給法による量子ドットの形成過程を説明する。
図７（ａ）参照
まず、ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＴＥＧａ及びＡｓＨ3 を供給して、厚さが、例えば、０．５μｍのＧａＡｓバッファ層５１を形成したのち、成長温度を５００℃とした状態でＴＭＩｎ５３及びＡｓＨ3 ５２をＩｎＡｓ換算で１ＭＬ（モノレーヤー）分だけ同時供給する。
この成長開始当初においては、２次元的成長が起こりＩｎＧａＡｓ濡れ層５４が形成される。
【００１５】
図７（ｂ）参照
このＩｎＧａＡｓ濡れ層５４の膜厚が弾性限界を越えた時点で、ＩｎＧａＡｓ濡れ層５４の表面にオングストロームオーダーの３次元核５５が比較的高密度で形成される。
なお、ここまでは、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードで成長が行われる。
【００１６】
図７（ｃ）参照
次いで、同じく基板温度を５００℃とした状態で、まず、ＴＭＩＤＭＥＡ〔トリメチルインジウムジメチルエチルアミンアダクト：Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｉｎｄｉｕｍ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｄｄｕｃｔ、分子式：Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 Ｎ（ＣＨ3 ）2 （Ｃ2 Ｈ5 ）〕５６を供給したのち、ＴＭＧａ５７を供給する。
この時点において、３次元核５５を核としてＩｎとＧａが付着してＩｎ＋Ｇａからなる金属島５８が形成される。
【００１７】
図７（ｄ）参照
次いで、同じく基板温度を５００℃とした状態で、ＡｓＨ3 ５２を供給することによって、表面において再構成が起こり、金属島５８の部分にＩｎ組成比が相対的に大きなＩｎＧａＡｓ量子ドット５９が形成され、ＩｎＧａＡｓ量子ドット５９の周囲及び表面を覆うようにＩｎ組成比が相対的に小さなＩｎＧａＡｓ層６０が形成され、ＩｎＧａＡｓ量子ドット５９がＩｎＧａＡｓ層６０の中に埋め込まれた状態となる。
この様な、交互供給サイクルを１０サイクル繰り返すことによって多層の量子ドット構造が得られる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の量子ドットを用いた利得結合型のＤＦＢ型半導体レーザにおいては、図５（ｂ）において矢印Ａで示す、周期的利得領域３４を通るキャリアはレーザ発振に寄与するものの、図５（ｂ）において矢印Ｂで示す、周期的利得領域３４の間を通るキャリアは漏れ電流となってレーザ発振に寄与しないので、この漏れ電流がレーザ特性を低下させる原因となる。
【００１９】
したがって、本発明は、周期的利得領域の間を通るキャリアによる漏れ電流を低減させて、低しきい値電流Ｉth、高特性温度動作化、高速動作を実現することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１は、活性層近傍の概略的要部断面図である。
図１参照
（１）本発明は、量子ドット１を活性層に用いた半導体レーザ装置において、量子ドット１を設けた領域をレーザの光軸方向に周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも量子ドット１が設けられていない領域に量子井戸層２を設け、量子井戸層２が、量子ドット１を設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触していることを特徴とする。
【００２１】
この様に、量子ドット１を設けた領域をレーザの光軸方向に周期的に設けて形成した周期的利得領域の間に量子井戸層２を設けることによって、周期的利得領域の間を通るキャリアを量子井戸層２で捕獲することができ、それによって、無効電流となる漏れ電流を大幅に低減することができる。
なお、この場合、量子井戸層２は量子ドット１に物理的に接触している必要は必ずしも無く、キャリアのトンネルが可能な程度離れた状態である電気的に接触した状態であっても良い。
【００２２】
（２）また、本発明は、上記（１）において、量子ドット１は、自己形成的に形成された量子ドット１であることを特徴とする。
【００２３】
この様に、量子ドット１として、フォトリソグラフィー工程によって形成した量子ドット１ではなく、自己形成的に形成された量子ドット１を用いることによって、量子ドット１の密度を高めることができ、それによって、高出力化が可能になる。
【００２４】
（３）また、本発明は、上記（１）または（２）において、量子井戸層２が、量子ドット１と同時に形成される濡れ層であることを特徴とする。
【００２５】
この様に、量子井戸層２としては、量子ドット１の自己形成に伴って付随して形成される濡れ層（ウェッティング層）を用いれば、特に工程を工夫すること無く量子井戸層２を量子ドット１に物理的に接触させることができる。
【００２６】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、量子ドット１を光の伝搬方向に対して管内波長の１／２の自然整数倍と同程度の周期で配置したことを特徴とする。
即ち、量子ドット１の群を、（λ／２）・ｎ（但し、λは管内波長、ｎは自然整数）とすることによって、利得結合型のＤＦＢ型半導体レーザを構成することができる。
【００２７】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、量子井戸層２の基底準位間のエネルギーギャップが、量子ドット１の基底準位間のエネルギーギャップより大きく、且つ、分離閉じ込め層３，４のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする。
この様なエネルギー関係にすることによって、量子ドット１を設けていない領域における分離閉じ込め（ＳＣＨ：Ｓｅｐａｒａｔｅ  ＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層３，４と通るキャリアを量子井戸層２に導くとともに、量子ドット１において再結合発光させることができる。
【００２８】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、量子ドット１が、クラッド層に設けた周期的凹凸状のストライプ状溝の底部と頂部とに設けられた量子ドット１であることを特徴とする。
【００２９】
この様に｛１１１｝Ｂ面を主面とし、周期的凹凸状のストライプ状溝の延在方向を〔０−１１〕方向にすることによって、量子ドット１を周期的凹凸状のストライプ状溝の底部と頂部とに選択的に形成することができ、量子ドット１の形成後に周期的構造を形成するためのエッチング工程が不要になる。
したがって、量子井戸層２となる濡れ層が前記エッチング工程中に誤って消失することがなく、量子ドット１からなる周期的利得領域及び量子井戸層２を容易に形成することができる。
特に、量子ドット１を複数層積層させる場合、全ての濡れ層を量子井戸層２として有効に用いることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の実施の形態の製造工程を説明するが、ｎ型ＧａＡｓ基板及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層については図３（ｄ）を参照して説明する。
図２（ａ）参照
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さが、例えば、１４００ｎｍのｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層１２（いずれも、ここでは図示を省略）、及び、厚さが、例えば、１１０ｎｍのｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層１３を成長させる。
【００３１】
次いで、成長温度を５００℃とした状態でＴＭＩｎ及びＡｓＨ3 をＩｎＡｓ換算で１ＭＬ（モノレーヤー）分だけ同時供給する。
この成長開始当初においては、図７に示したように、２次元的成長が起こりＩｎＧａＡｓ濡れ層が形成され、このＩｎＧａＡｓ濡れ層の膜厚が弾性限界を越えた時点で、ＩｎＧａＡｓ濡れ層の表面にオングストロームオーダーの３次元核が比較的高密度で形成される。
なお、３次元核が発生しだす厚さのＩｎＧａＡｓ濡れ層が、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４となる。
【００３２】
次いで、同じく基板温度を５００℃とした状態で、まず、ＴＭＩＤＭＥＡを供給したのち、ＴＭＧａを供給すると、３次元核を核としてＩｎとＧａが付着してＩｎ＋Ｇａからなる金属島が形成される。
【００３３】
次いで、同じく基板温度を５００℃とした状態で、ＡｓＨ3 を供給することによって、表面において再構成が起こり、金属島の部分にＩｎ組成比が相対的に大きなＩｎＧａＡｓ量子ドット１５が形成される。
【００３４】
ついで、ｉ型ＧａＡｓカバー層１６を形成したのち、この様な交互供給サイクルを１０サイクル（図においては、３サイクル分を図示している）繰り返すことによって量子ドット活性層を形成する。
【００３５】
図２（ｂ）参照
次いで、干渉露光法によって形成した周期的なレジストパターン（図示せず）をマスクとして最下層のＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４のみを残すようにドライエッチングを施すことによって、周期的利得領域１７を形成する。
なお、この場合の周期的利得領域１７の周期が、管内波長の１／２の自然整数倍になるようにレジストパターンを形成する。
【００３６】
図２（ｃ）参照
次いで、再び、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＴＥＧａ及びＡｓＨ3 を供給して、厚さが、例えば、２００ｎｍのｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層１８を形成して、周期的利得領域の間をｉ型ＧａＡｓ層で埋め込む。
【００３７】
図３（ｄ）参照
引き続いて、ＭＯＶＰＥ法によって、厚さが、例えば、１４００ｎｍのｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層１９、及び、厚さが、例えば、４００ｎｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０を順次成長させる。
なお、図３（ｄ）における破線で示す円内は、図２（ｃ）に示した状態になっている。
【００３８】
以降は、図示しないものの、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面にｎ側電極を設けると共に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０上にｐ側電極を設けることによって量子ドットを有する利得結合型のＤＦＢ型半導体レーザが完成する。
【００３９】
この様に、本発明の第１の実施の形態の形態においては、量子ドットを有する利得結合型のＤＦＢ型半導体レーザを形成する際に、最下層のＩｎＧａＡｓ濡れ層を残してＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４としているので、周期的利得領域１７の間を通るキャリアはｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層１３，１８のバンドギャップエネルギーより小さな基底準位間のギャップエネルギーのＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４に捕獲される。
【００４０】
捕獲されたキャリアはＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４に沿って移動して、周期的利得領域１７においてＩｎＧａＡｓ量子ドット１５に注入されて再結合発光することになる。
したがって、周期的利得領域１７の間を通るキャリアはレーザ発振に寄与することになるので、無効電流は低減し、それによって、しきい値電流Ｉthの小さな、単一モード動作、高特製温度動作、高速動作が可能な半導体レーザを実現することが可能になる。
【００４１】
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態の量子ドットを用いた利得分布型のＤＦＢ型半導体レーザを説明する。
図４参照
図４は、量子ドットを用いた利得分布型のＤＦＢ型半導体レーザの活性層近傍の概略的要部断面図であり、まず、（１１１）Ｂ面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（図示せず）を成長させたのち、ストライプ方向が〈０−１１〉方向となる周期的なラインアンドスペースのレジストパターン（図示せず）を設け、ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：２０のエッチャントを用いて、例えば、１０℃においてエッチングを施すことによって周期的な凹凸を形成する（必要ならば、Ｔ．Ｓａｉｔｏｈ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．２Ｂ，ｐｐ．１３７０−１３７４，１９９６参照）。なお、この場合、周期的凹凸の周期が管内波長の１／２の自然整数倍になるようにするとともに、周期的凹凸の頂部と底部とに平坦面が形成されるようにエッチング時間を制御する。
【００４２】
次いで、表面にｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層２１を形成したのち、上記の第１の実施の形態と同様の量子ドットの形成方法を行うことによって、ＩｎＧａＡｓ濡れ層からなるＩｎＧａＡｓ量子井戸層２２及びＩｎＧａＡｓ量子ドット２３を形成し、ｉ型ＧａＡｓカバー層２４を介して繰り返しＩｎＧａＡｓ量子ドット２３（図においては２サイクル分示している）を形成する。
【００４３】
この場合、ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層２１の表面は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層に形成した周期的凹凸の形状をほぼそのまま反映した形状となり、周期的凹凸の頂部と底部は（１１１）Ｂ面となり、側面は異なった面で構成されるので、頂部と凹部の平坦面にのみＩｎＧａＡｓ量子ドット２３が選択的に形成される。
【００４４】
以降は、ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層２５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層（いずれも図示せず）を順次成長させることによって半導体レーザの基本的構成が完成する。
【００４５】
この様に、本発明の第２の実施の形態においては、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層に周期的凹凸を形成することによって量子ドットを選択的に形成することができ、したがって、量子ドットを形成したのちにエッチング工程を必要としないので、全てのＩｎＧａＡｓ濡れ層をＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４として利用することができ、それによって、無効電流をより低減することが可能になる。
【００４６】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、量子ドットを形成する際に、原料の交互供給法を用いているが、原料を同時供給して、通常のＳｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードで形成しても良いのである。
【００４７】
また、上記の各実施の形態においては、最下層の濡れ層を残して量子井戸層としているが、周期的利得領域を形成する際に、周期的利得領域間の濡れ層を全て除去し、周期的利得領域間を埋め込む際に新たに量子井戸層を形成しても良いものである。
なお、この場合、量子井戸層は量子ドットと必ずしも物理的に接触している必要はなく、キャリアがトンネルできる程度に離れた電気的に接触している状態でも良い。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、量子ドットを用いて利得結合型の分布帰還型半導体レーザを構成する際に、周期的利得領域の間を量子井戸層で物理的或いは電気的に結合しているので、周期的利得領域の間を流れるキャリアをレーザ発振に寄与させることが可能になり、それによって、無効電流を低減することができ、ひいては、半導体レーザ装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の量子ドットを用いたＤＦＢ型半導体レーザの概略的要部断面図である。
【図５】従来の量子ドットを用いたＤＦＢ型半導体レーザの説明図である。
【図６】Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードによる半導体量子ドットの形成過程の説明図である。
【図７】従来の原料交互供給法による半導体量子ドットの形成過程の説明図である。
【符号の説明】
１  量子ドット
２  量子井戸層
３  分離閉じ込め層
４  分離閉じ込め層
５  クラッド層
１１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１２  ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層
１３  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
１４  ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
１５  ＩｎＧａＡｓ量子ドット
１６  ｉ型ＧａＡｓカバー層
１７  周期的利得領域
１８  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
１９  ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層
２０  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２１  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
２２  ＩｎＧａＡｓ量子井戸層
２３  ＩｎＧａＡｓ量子ドット
２４  ｉ型ＧａＡｓカバー層
２５  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
３１  ｎ型ＧａＡｓ基板
３２  ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３３  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
３４  周期的利得領域
３５  ｉ型ＧａＡｓＳＣＨ層
３６  ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３７  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
３８  ＩｎＧａＡｓ濡れ層
３９  ＩｎＧａＡｓ量子ドット
４０  ｉ型ＧａＡｓカバー層
４１  ＧａＡｓバッファ層
４２  ＡｓＨ3 
４３  ＴＭＩｎ
４４  ＴＭＧａ
４５  ＩｎＧａＡｓ濡れ層
４６  ３次元核
４７  ＩｎＧａＡｓ量子ドット
５１  ＧａＡｓバッファ層
５２  ＡｓＨ3 
５３  ＴＭＩｎ
５４  ＩｎＧａＡｓ濡れ層
５５  ３次元核
５６  ＴＭＩＤＭＥＡ
５７  ＴＭＧａ
５８  金属島
５９  ＩｎＧａＡｓ量子ドット
６０  ＩｎＧａＡｓ層
【図１】
0003849115.tif 000002
【図２】
0003849115.tif 000003
【図３】
0003849115.tif 000004
【図４】
0003849115.tif 000005
【図５】
0003849115.tif 000006
【図６】
0003849115.tif 000007
【図７】
0003849115.tif 000008