【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを処理するための半導体ウエハ処理装置であって、
内部で半導体ウエハが処理される処理チャンバと、
前記処理チャンバと流体連通し、前記処理チャンバに処理ガスを供給するよう適合された処理ガス源と、
処理ガスおよび前記処理の副生成物を前記処理チャンバから排出するよう適合された真空源と、
静電チャックアセンブリと、を備え、
静電チャックアセンブリは、
前記処理チャンバ内での前記半導体ウエハの処理中に前記半導体ウエハを支持するセラミック材料層に設けられた支持面と、
前記セラミック材料層に埋め込まれた少なくとも１つの静電クランプ電極であって、前記静電クランプ電極に静電クランプ電圧が印加されたとき、前記支持面上の前記半導体ウエハに静電クランプ力を印加するよう動作可能な静電クランプ電極と、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極の上に位置し、前記セラミック材料層に埋め込まれた少なくとも１つのデクランプ電極であって、前記静電クランプ電圧が前記静電クランプ電極に印加されなくなったとき、前記半導体ウエハと前記支持面との間の任意の残留電荷を排出するための経路を提供するよう動作可能なデクランプ電極と
を備える半導体ウエハ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の処理装置であって、
前記静電チャックアセンブリは、前記支持面上に複数のメサを備えるメサパターンをさらに備え、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、前記少なくとも１つの静電クランプ電極が前記複数のメサのうちの１つのメサの直下にならないようにパターン化され、および／または、前記少なくとも１つの静電デクランプ電極は、前記少なくとも１つの静電デクランプ電極が前記複数のメサのうちの１つのメサの直下にならないようにパターン化される、処理装置。
【請求項３】
請求項１の処理装置であって、
（ａ）前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、導電性材料の少なくとも１つのパターンを含み、
前記少なくとも１つのデクランプ電極は、導電性材料の少なくとも１つのパターンを含み、
前記静電クランプ電極の少なくとも１つのパターンおよび前記デクランプ電極の少なくとも１つのパターンは、重なり合い、同じパターンを有し、および／または
（ｂ）前記少なくとも１つの静電クランプ電極および前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記半導体ウエハを支持する任意の表面の直下にない、処理装置。
【請求項４】
請求項１の処理装置であって、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、前記支持面の外側環状端部シールの下に環状クランプ電極を備え、
前記少なくとも１つの静電デクランプ電極は、前記支持面の前記外側環状端部シールの下に環状デクランプ電極を備え、
前記環状デクランプ電極は、前記環状クランプ電極の上に位置する、処理装置。
【請求項５】
請求項１の処理装置であって、
（ａ）前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記静電チャックアセンブリの前記支持面の上面より約１０ミクロン以下の下の位置にあり、および／または
（ｂ）前記少なくとも１つのクランプ電極は、前記静電チャックアセンブリの前記支持面の上面より約１００ミクロン以上の下の位置にある、処理装置。
【請求項６】
請求項１の処理装置であって、
（ａ）前記静電チャックアセンブリは、前記支持面に設けられ前記半導体ウエハの裏面に伝熱ガスを送る少なくとも１つの流出口と、前記セラミック材料層に設けられた少なくとも１つのガス通路であって、所望の圧力の伝熱ガスを前記少なくとも１つのガス通路に供給するよう動作可能な伝熱ガス源に接続された少なくとも１つのガス通路と、をさらに備え、
（ｂ）前記静電チャックアセンブリの前記セラミック材料層の下面は、ヒータプレートの上面に接着され、前記ヒータプレートの下面は、温度制御されたベースプレートの上面に接着され、
（ｃ）前記静電チャックアセンブリは、前記静電チャックアセンブリの前記支持面上に前記半導体ウエハを降ろし、前記静電チャックアセンブリの前記支持面から前記半導体ウエハを持ち上げるように、動作可能なリフトピンをさらに備え、
（ｄ）前記処理装置は、前記処理チャンバ内で前記処理ガスをプラズマ状態に励起するよう適合されたＲＦエネルギ源をさらに含み、および／または
（ｅ）前記静電チャックアセンブリは、独立的に制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層をさらに備える、処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の処理装置であって、前記静電クランプ電極は、単極または双極静電クランプ電極である、処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載の処理装置であって、さらに、
前記処理装置が行う処理を制御するよう構成された制御システムと、
前記処理装置を制御するためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体と、を備える、処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の処理装置であって、
前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記支持面の外側環状端部シールの下に設けられた環状デクランプ電極であり、
前記環状デクランプ電極は、前記静電クランプ電極の上に設けられ、および／または、前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記支持面の内側環状端部シールの下に設けられた環状デクランプ電極であり、
前記環状デクランプ電極は、前記静電クランプ電極の上に設けられる、処理装置。
【請求項１０】
ウエハ処理装置の処理チャンバで有用な静電チャックアセンブリであって、
前記処理チャンバ内での半導体ウエハの処理中に前記半導体ウエハを支持するセラミック材料層に設けられた支持面と、
前記セラミック材料層に埋め込まれた少なくとも１つの静電クランプ電極であって、静電クランプ電圧が前記静電クランプ電極に印加されたとき、前記支持面上のウエハに静電クランプ力を加えるよう動作可能な静電クランプ電極と、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極の上に設けられ前記セラミック材料層に埋め込まれた少なくとも１つのデクランプ電極であって、前記静電クランプ電圧が前記静電クランプ電極に印加されなくなったとき、前記半導体ウエハと前記支持面との間の任意の残留電荷を排出するための経路を提供するよう動作可能なデクランプ電極と
を備える静電チャックアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
前記支持面上に複数のメサを備えるメサパターンをさらに備え、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、前記少なくとも１つの静電クランプ電極が前記複数のメサのうちの１つのメサの直下にならないようにパターン化され、および／または、前記少なくとも１つの静電デクランプ電極は、前記少なくとも１つの静電デクランプ電極が前記複数のメサのうちの１つのメサの直下にならないようにパターン化される、静電チャックアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
（ａ）前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、導電性材料の少なくとも１つのパターンを含み、
前記少なくとも１つのデクランプ電極は、導電性材料の少なくとも１つのパターンを含み、
前記静電クランプ電極の少なくとも１つのパターンおよび前記デクランプ電極の少なくとも１つのパターンは、重なり合って同じパターンを有し、および／または
（ｂ）前記少なくとも１つの静電クランプ電極および前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記半導体ウエハを支持する任意の表面の直下にない、静電チャックアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの静電クランプ電極は、前記支持面の外側環状端部シールの下の環状クランプ電極を含み、
前記少なくとも１つの静電デクランプ電極は、前記支持面の前記外側環状端部シールの下の環状デクランプ電極を含み、
前記環状デクランプ電極は、前記環状クランプ電極の上に位置する、静電チャックアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
（ａ）前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記静電チャックアセンブリの前記支持面の上面より約１０ミクロン以下の下の位置にあり、および／または
（ｂ）前記少なくとも１つのクランプ電極は、前記静電チャックアセンブリの前記支持面の上面より約１００ミクロン以上の下の位置にある、静電チャックアセンブリ。
【請求項１５】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
（ａ）前記静電チャックアセンブリは、前記支持面に設けられ前記半導体ウエハの裏面に伝熱ガスを送る少なくとも１つの流出口と、前記セラミック材料層に設けられた少なくとも１つのガス通路であって、所望の圧力の伝熱ガスを前記少なくとも１つのガス通路に供給するよう動作可能な伝熱ガス源に接続された少なくとも１つのガス通路と、をさらに備え、
（ｂ）前記セラミック材料層の下面は、ヒータプレートの上面に接着され、前記ヒータプレートの下面は、温度制御されたベースプレートの上面に接着され、
（ｃ）前記静電チャックアセンブリは、前記静電チャックアセンブリの前記支持面上に前記半導体ウエハを降ろし、前記静電チャックアセンブリの前記支持面から前記半導体ウエハを持ち上げるように、動作可能なリフトピンをさらに備え、
（ｄ）前記静電チャックアセンブリは、独立的に制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層をさらに備える、静電チャックアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、前記静電クランプ電極は、単極または双極静電クランプ電極である、静電チャックアセンブリ。
【請求項１７】
請求項１０に記載の静電チャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記支持面の外側環状端部シールの下に設けられた環状デクランプ電極であり、
前記環状デクランプ電極は、前記静電クランプ電極の上に設けられ、および／または、前記少なくとも１つのデクランプ電極は、前記支持面の内側環状端部シールの下に設けられた環状デクランプ電極であり、
前記環状デクランプ電極は、前記静電クランプ電極の上に設けられる、静電チャックアセンブリ。
【請求項１８】
請求項１に記載の装置内で半導体ウエハを処理後、静電チャックアセンブリの支持面から前記半導体ウエハを脱離する方法であって、
前記処理ガス源から前記処理チャンバに前記処理ガスを供給することと、
前記処理中に前記少なくとも１つのデクランプ電極を電気的に浮遊させながら、前記静電チャックアセンブリの前記支持面に前記半導体ウエハをクランプするために、前記少なくとも１つの静電クランプ電極に電圧を印加させながら、前記処理チャンバ内で前記半導体ウエハを処理することと、
前記半導体ウエハの処理後、前記静電クランプ電極への電圧をオフするとともに、前記デクランプ電極を導電路に電気的に接続することによって、前記少なくとも１つのデクランプ電極を用いて前記半導体ウエハと前記支持面との間の任意の残留電荷を排出するための経路を設け、その結果、前記静電チャックアセンブリの前記支持面から前記半導体ウエハを脱離することと、
を備える方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
（ａ）前記半導体ウエハと前記支持面との間の任意の残留電荷を排出するため、前記導電路を接地し、または、電圧源に接続すること、および／または、
（ｂ）前記半導体ウエハと前記支持面との間の任意の残留電荷を排出しつつ、前記半導体ウエハを前記静電チャックアセンブリの前記支持面から持ち上げること、
を備える方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、前記処理は、ＲＦエネルギを前記処理チャンバに供給することによって、前記処理ガスをプラズマに生成して、前記半導体ウエハをプラズマエッチングすること、または、堆積処理をすることを含む、方法。