(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を減圧下で処理する処理室と、この処理室に隣接するロードロック室とを備えた基板の処理装置において、前記ロードロック室には不活性ガスを導入するための配管が接続され、この配管の途中にはロードロック室よりも大容量のバッファタンクが設けられ、このバッファタンク内には加圧下で前記不活性ガスが導入され、前記ロードロック室を大気圧にすることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理装置において、前記処理室及びロードロック室は複数配置され、バッファタンクの容量は複数のロードロック室の容量の合計よりも大容量であることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板の処理装置において、前記ロードロック室の不活性ガス導入口にはフィルタが設けられていることを特徴とする基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハやガラス基板等の基板に減圧下でアッシング処理等を行う処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に対するアッシング処理等の減圧下での処理を効率良く行うため、従来から処理室にロードロック室を付設した処理装置が知られている。
この処理装置による処理の手順は、処理室で基板に処理を施している間に、次に処理する基板をロードロック室に入れ、ロードロック室を処理室と同圧程度まで減圧して待機し、処理室での処理が終了したら、処理室内の基板を取り出すとともにロードロック室で待機していた未処理の基板を処理室内に搬入し、処理室とロードロック室間をシャッターで遮断し、この後、ロードロック室と外部とを遮断しているシャッターを開けてロードロック室内にある既処理の基板を外部に搬出するとともに新たな基板をロードロック室内に取り入れるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した処理装置で、ロードロック室内の既処理の基板を外部に搬出するとともに新たな基板を搬入するにあたっては、ロードロック室内に窒素ガス等の不活性ガスを導入し、ロードロック室内を大気圧にしてから外部との間のシャッタを開けて搬出・搬入を行うようにしている。
【０００４】
そして従来にあっては、ロードロック室内に窒素ガス等を導入するために、ガスボンベから配管を介して直接窒素ガス等を導入するようにしている。しかしながら、ガスボンベから直接導入した場合にはロードロック室内を大気圧にするまでにガスボンベの配管が細い為時間がかかってしまう。この傾向は複数の処理装置を併設し、１本のガスボンベで全ての処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入する場合に顕著となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入する配管の途中にロードロック室よりも大容量のバッファタンクを設けた。
尚、ロードロック室が複数の場合には、全てのロードロック室の容量を合計した容量よりもバッファタンクの容量が大きいことが必要である。
また、ロードロック室の不活性ガス導入口からは短時間のうちに大容量の不活性ガスが導入されるので、導入口にはフィルタを設けておくのが好ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入する配管の途中にロードロック室よりも大容量のバッファタンクを設け、このバッファタンク内には加圧下で不活性ガスを導入し、前記ロードロック室を大気圧にする。尚、ロードロック室が複数の場合には、全てのロードロック室の容量を合計した容量よりもバッファタンクの容量が大きいことが必要である。また、ロードロック室の不活性ガス導入口からは短時間のうちに大容量の不活性ガスが導入されるので、導入口にはフィルタを設けておくのが好ましい。
【０００７】
この実施例にあっては基板の処理装置１を２台併設している。各処理装置１は処理室２とロードロック室３から構成され、処理室２とロードロック室３との間はシャッタ４で、ロードロック室３と外部との間はシャッタ５で気密に閉塞される。
【０００８】
処理室２にはチャンバー６が設けられ、このチャンバー６の小径の上半部には図示しない電極が設けられ、上半部内をプラズマの発生領域とし、チャンバー６の大径の下半部を処理領域としている。
【０００９】
また、ロードロック室３内には基板Ｗを処理室２内に搬入し、また処理室２内から基板Ｗを搬出するハンドラーユニット７を配置している。このハンドラーユニット７は軸８に上下２本の湾曲したアーム９の基端部を水平面内で回動自在に支持し、各アーム９の先端にはハンド部１０を設けている。
【００１０】
また、２台の処理装置１の間には１台の搬送ロボット１１が設けられ、この搬送ロボット１１によってハンドラーユニット７とカセット１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うようにしている。
【００１１】
次に配管系について説明する。先ず、チャンバー６の上部には反応ガスの導入管１３が接続され、チャンバー６の下部には真空ポンプ１４につながる排気管１５が接続されている。
【００１２】
一方、ロードロック室３には真空ポンプ１６につながる排気管１７が接続され、更にロードロック室３には窒素ガス等の不活性ガス導入管１８が接続されている。この不活性ガス導入管１８の途中にはバッファタンク１９が設けられ、このバッファタンク１９にガスボンベ２０から不活性ガスが供給される。尚、バッファタンク１９の容量は２つのロードロック室３の容量を合計したものより大きく設定されている。
ここで容量とは、実質的に容積を意味するが、バッファタンク１９の容積を小さくして、基板の処理装置を小さくするためには、バッファタンク１９内に加圧下で不活性ガスを導入すればよい。また加圧しておくと、ロードロック室３内に不活性ガスを導入する時に短時間で行えるという効果を奏することができる。
なお、バッファタンク１９は各ロードロック室３に１個ずつ設けてもよい。
【００１３】
更に、不活性ガス導入管１８のバッファタンク１９よりも下流側には弁機構２１を設け、ロードロック室３の不活性ガス導入口にはフィルタ２２を設けている。
【００１４】
以上の構成からなる処理装置による処理手順を説明する。尚、説明は一方の処理室２とロードロック室３について行い、また減圧下の処理室２には未処理の基板Ｗが収納され、シャッタ４，５はいずれも閉状態を出発点として説明する。
【００１５】
上記の状態のまま、処理室２内で未処理の基板Ｗに対し、減圧下でアッシング等の所定の処理を行い、この処理が終了したならば、シャッタ４を開ける。このとき処理室２とロードロック室３の内部圧力は等しくなっている。
【００１６】
次いで、ハンドラーユニット７を操作して処理室２内で処理済の基板Ｗを受け取り、処理済の基板Ｗをロードロック室３内に戻す。この後、再びハンドラーユニット７を操作してロードロック室に待機する未処理の基板Ｗを処理室２内に挿入して処理室２内のチャックに未処理の基板Ｗを受け渡す。次いで、シャッタ４を閉じ、所定の圧力にした処理室２内でアッシング処理等を行う。
【００１７】
そして、上記の処理の間に、弁機構２１を操作し、バッファタンク１９よりロードロック室３内に窒素ガスを導入し、ロードロック室３内を大気圧にする。この後、シャッタ５を開け、搬送ロボット１１を操作してロードロック室３内から処理済の基板Ｗを受け取り、この処理済の基板Ｗをカセット１２に戻し、これと並行してカセット１２内の未処理の基板Ｗをロードロック室３内に搬入する。
【００１８】
以上の処理が終了したら、シャッタ５を閉じロードロック室３内を処理室２と同圧程度になるまで減圧し、処理室２内での処理が終了するまで待機し、処理室２内での処理が終了したら、前記と同様の操作を繰り返す。
【００１９】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、基板の処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入する配管を接続し、この配管の途中にロードロック室よりも大容量のバッファタンクを設けたので、極めて短時間の間にロードロック室を窒素ガス等によって大気圧にすることができ、処理装置によるトータルの処理時間を短縮することが可能になる。また、バッファタンク内を加圧することで、さらに短時間でロードロック室を大気圧にすることが可能となる。
【００２０】
また、本発明によれば極めて短時間のうちにロードロック室内に窒素ガス等が導入されるので、導入口にフィルタを設けておくことで、ロードロック室内の雰囲気の乱れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板の処理装置の概略構成図
【図２】同基板の処理装置の処理室とロードロック室の斜視図
【符号の説明】
１…基板の処理装置、２…処理室、３…ロードロック室、４，５…シャッタ、６…チャンバー、７…ハンドラーユニット、１１…ロボット、１２…カセット、１３…反応ガスの導入管、１４，１６…真空ポンプ、１５，１７…排気管、１９…バッファタンク、２０…ガスボンベ、２１…弁機構、２２…フィルタ、Ｗ…基板
【図１】
0003784117.tif 000002
【図２】
0003784117.tif 000003