(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射像を形成する反射層と、低屈折率誘電体及び高屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第１の誘電体多層膜と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第２の誘電体多層膜とを順に積層した構造体と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有するイメージングデバイスにおいて、
前記低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、前記高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることを特徴とするイメージングデバイス。
【請求項２】
前記支持体を、オクタキス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンの共重合体を用いて形成した請求項１記載のメージングデバイス。
【請求項３】
前記構造体を複数積層した請求項１又は２に記載のイメージングデバイス。
【請求項４】
前記反射層下に保護層を設ける請求項１〜３のいずれか１項に記載のイメージングデバイス。
【請求項５】
前記反射層と、前記構造体の前記第１の誘電体多層膜との間に、新たに偏光子層を設ける請求項１〜４のいずれか１項に記載のイメージングデバイス。
【請求項６】
前記反射層と、前記透明磁性体との間に、新たに偏光子層を設ける請求項３項に記載のイメージングデバイス。
【請求項７】
前記反射層の表面粗さを２０〜１００ｎｍとした請求項１〜６のいずれか１項に記載のイメージングデバイス。
【請求項８】
反射像を形成する反射層と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する誘電体多層膜と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有するイメージングデバイスにおいて、
前記低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、前記高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることを特徴とするイメージングデバイス。
【請求項９】
前記支持体を、オクタキス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンの共重合体を用いて形成した請求項８記載のメージングデバイス。
【請求項１０】
前記反射層下に保護層を設ける請求項８又は９に記載のイメージングデバイス。
【請求項１１】
前記反射層の表面粗さを２０〜１００ｎｍとした請求項８〜１０のいずれか１項に記載のイメージングデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はイメージングデバイスに関し、特に自然光の反射によって画像を形成するイメージングデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、磁性体を磁化し、磁化方向に対して平行に直線偏光を入射させると、その直線偏光は磁性体を通過することによって光の偏光面が回転することはファラデー効果としてよく知られている。このファラデー効果を有する材料、及び材料を用いた磁気記録媒体が作製されている。
【０００３】
例えば、特公昭５６−１５１２５号公報（従来例１）にはイットリウム及び希土類鉄ガーネットとその誘導体を用いた磁気光学材料が開示されている。また、特開昭６１−８９６０５号公報（従来例２）には六方晶フェライトを用いた磁気記録媒体が開示されている。更に、特開昭６２−１１９７５８号公報（従来例３）にはイットリウム鉄ガーネット粒子を用いた塗布型磁気記録媒体が開示されている。また、特開平４−１３２０２９号公報（従来例４）には希土類鉄ガーネット微粒子を用いた塗布型磁気記録媒体が開示されている。
【０００４】
これらの磁気記録媒体は、磁性体あるいは磁性体微粒子を基板上に薄膜状に記録層として形成した構造を有している。
【０００５】
このような磁気記録媒体に画像を表示させ、イメージングデバイスとして利用する場合には、表示面積が大きく、しかも取り扱いやすいように屈曲性があることが重要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例１，２では、ＰＶＤ法（物理的薄膜形成法）のような薄膜法で作製しようとすると膜の透明性は高いものの４００度以上の温度に基板を加熱しなければ磁性材料が結晶化せず、よって石英ガラスのような耐熱性の非常に高き基板を用いる必要があり、このような耐熱性基板用いた場合薄くて屈曲性がある透明基板を得ることが困難であるという問題点があった。また、上記従来例３，４では、粉末磁性材料を結合剤と共に基板上に塗布したため、作製時の温度は低温で可能であるが十分な可視光域での透明性が得られないという問題点があった。
【０００７】
従って、いずれの従来例では、ファラデー効果を用いたイメージングデバイスにおいて画像濃度が高くてデバイス自体に屈曲性があって取り扱い易いイメージングデバイスを作製することは困難であった。
【０００８】
本発明はこれらの問題点を解決するためのものであり、高いコントラストの画像が得られ、適度な屈曲性を有すると共に取り扱い易いイメージングデバイスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記問題点を解決するために、反射像を形成する反射層と、低屈折率誘電体及び高屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第１の誘電体多層膜と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第２の誘電体多層膜とを順に積層した構造体と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有し、低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることに特徴がある。よって、磁気記録時の磁気ヘッドとの距離を近くすることができ、コントラストの高い画像が得られ、また適度の屈曲性を有することにより取り扱いやすいイメージングデバイスを提供できる。
【００１０】
また、支持体を、オクタキス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンの共重合体を用いて形成したことにより、高温でしか作製できない希土類鉄ガーネット膜が利用可能となる。
【００１１】
更に、構造体を複数積層したことにより、ファラデー効果を増大できる。
【００１２】
また、反射層下に保護層を設けることにより、反射層のキズや剥離等の損傷を防止でき、長期に渡って安定して使用可能となった。
【００１３】
また、反射層と構造体の第１の誘電体多層膜との間に新たに偏光子層を設けることにより、又は反射層と透明磁性体との間に、新たに偏光子層を設けることにより、画像濃度が向上してコントラストの高い画像が得られた。
【００１４】
そして、反射層の表面粗さを２０〜１００ｎｍとしたことにより、光の散乱が発生して視野角が大きくなった。
【００１５】
更に、別の発明として、反射像を形成する反射層と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する誘電体多層膜と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有し、低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることに特徴がある。よって、ファラデー回転角増大効果を維持したままでより簡単な製作を可能とした。
【００１６】
【発明の実施の形態】
反射像を形成する反射層と、低屈折率誘電体及び高屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第１の誘電体多層膜と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第２の誘電体多層膜とを順に積層した構造体と、支持体と、偏光子層とを順に積層した本発明のイメージングデバイスにおいて、低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５である。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
はじめに、本発明におけるイメージングデバイスの基本的な構成について同デバイスの基本的な構成を示す図１に従って説明する。同図において、本発明におけるイメージングデバイス１は、反射像を可能とする反射層１２と、低屈折率及び高屈折率の屈折率の異なる２つの誘電体を交互に積層した、一対の誘電体多層膜１３，１５と、この一対の誘電体多層膜で挟んだ透明磁性体１４とからなる構造体と、支持体１６と、磁化像を可視化するための偏光子層１７とが順に、保護層１１の片面に積層されて設けられた構成を有している。このような基本構成を有する本発明によれば、偏光子層１７側から入射した可視光は、偏光子層１７で直線偏光となり、この偏光面は図１の誘電体多層膜１３／透明磁性体１４／誘電体多層膜１５の構造体で大きく回転し、反射層１２で反射した後更に回転して、最上層の偏光子層１７を通過できなくなって暗くなる。透明磁性体１４の非磁化部位を通過した光は、偏光面の回転が無くそのまま反射するため、偏光子層１７を通過して明るくなる。従って、磁化部位と非磁化部位ではコントラストが得られる。本発明の第一の特徴は、このような構成をとる反射型イメージングデバイスとすることによって、可視光に対して不透明な耐熱性支持体を利用可能としたことである。この基本的構成において、特に透明磁性体１４を一対の誘電体多層膜１３，１５で挟んだ構造体によれば、光が透明磁性体１４に閉じ込められてファラデー回転角が増大してよりコントラストの高い画像が得られる。また、図２に示すようにこの構造体を繰り返して（図２では２つ）積層すれば更に高いコントラストとなる。構造体と構造体との間には透明磁性体１８を設け、反射膜１２は誘電体多層膜１３と保護層１１の間にのみ設けられる。
【００１８】
このような反射型イメージングデバイスにおいて、磁性層を磁化する方法は主として２つある。１つは永久磁石や電磁石を具備した磁気ペンで偏光子層側から磁気記録する方法であり、もう一つは磁気ヘッドアレイ（例えばコイルのピッチが１２７μｍ，画像分解能２００ｄｐｉ）を用いて支持体側から記録する方法である。後者の支持体側から記録する方法には、大きな技術的課題があることがわかった。それは、磁気ペンは比較的容易に磁石の磁界を大きくできるが、コイルのピッチが１００μｍ程度の磁気ヘッドアレイでは大きな磁界を発生することが困難である。即ち、コイルに用いる導線の太さを大きくできないため、大きな電流を流すことができず、また導線巻数も多くすることができない。
【００１９】
更に、以下に列記する問題点がわかった。
▲１▼大きな磁化を得るために透明磁性体はできる限り磁気ヘッドアレイに近接した配置で記録できるようにすることが重要である。コイルピッチが１２７μｍの場合、１００ｍＡの電流をコイルに流して得られる表面磁界強度は１５００ガウス程度である。よって、コイルからの距離がより離れて、例えば５０μｍより大きくなると、磁性層の磁化は磁界強度が急激に低下して困難となり、また画像がボケて鮮明とならないことがわかった。
【００２０】
▲２▼更にこのようなイメージングデバイスにおいては、大面積でも軽く、特に屈曲性が必要であり、石英ガラス板の場合では重く、容易に破損するなど非常に不都合で実用的でない。
【００２１】
▲３▼もう一つ支持体にとって重要なことがある。それは、透明磁性体にはいろいろな材料があるが透明性が高くてファラデー回転角が大きい所謂性能指数が大きな材料には希土類鉄ガーネットが最も適している。しかし、この材料は結晶化温度が高く、ＰＶＤ法で作製する場合は、４５０度以上の支持体温度が必要である。また、成膜時の支持体温度は高い方が希土類鉄ガーネット磁性膜の透過率が高くなることがわかった。
【００２２】
▲４▼最後に表面平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下であることが、鮮明画像形成上必要であることが実験でわかった。
【００２３】
なお、もちろん非磁性でなければならないことは当然である。
【００２４】
よって、高温度において変化の少ない支持体には、可視光に対して不透明な、特殊なジルコニアとポリイミドフィルム、そして金属箔等しか見当らなかったために、偏光子層／誘電体多層膜／透明磁性体／誘電体多層膜／反射層／支持体の構成しかとれず、上記▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼を満足するためには、支持体厚みを５０μｍ以下と薄くすることが最重要であった。
【００２５】
そこで、本発明は可視光に透明で、かつ曲げても折れにくい屈曲性を有して、耐熱温度が４５０度以上という耐熱性が高い支持体を用いて、上述の基本構成による構成で使用することにより、上記▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼を満足できることを見い出したのである。また、誘電体多層膜／透明磁性体／誘電体多層膜／反射層の構成では層の数が多いが厚みとしては１μｍ程度と薄くでき、磁気ヘッドアレイの電流値を大きくしたりして磁化強度を上げなくてもコントラストの高い画像を形成することができる。この場合の可視光に対して透明であり、屈曲性があり、かつ耐熱温度が４５０度以上である支持体は、オクタキス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンを白金触媒を使って常温常圧で作製した共重合体を用いる。この共重合体は珪素を骨格とした分子と、ベンゼン環を中核とした分子が互い違いに結合した構造を有し「Ｔ８ジイン」という名称を持つものである。この共重合体は浴媒に溶かして基板に塗布した後これを乾燥して透明な薄膜に加工した。
【００２６】
上述の本発明の基本構成では偏光子層は１枚であった（図１参照）が、２枚の偏光子層の偏光軸（吸収又は透過軸）を、上記偏光面回転部位と非回転部位でコントラストが最も大きくなるように回転させておくと、偏光面回転部位では透過光のため白く、非回転部位では両偏光子を通過できないために黒く見えることになる。当然ながら磁化の方向を逆（＋と−）にして、同様な原理で明暗を出せばコントラストは２倍となり効果が増大する。
【００２７】
なお、図１の誘電体多層膜１３／透明磁性体１４／誘電体多層膜１５の構造体がファラデー回転角を増大させる意味で重要であることを上述したが、光を閉じ込める方法としては支持体側の誘電体多層膜１３をいわゆる反射層単層としても良い。ただし、図１の誘電体多層膜１３／透明磁性体１４／誘電体多層膜１５の構造体を繰り返す場合（図２参照）は最も支持体に近い膜だけを反射層に取り替えないと光が通過しないことになる。
【００２８】
また、図１の保護層１１には、ＳｎＳ、ＳｉＯ2 、ＴａＯ5 、ＩＴＯ、ＺｒＣ、ＴｉＣ、ＭｇＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 などの無機物やそれらの混合物が利用できる。有機樹脂保護膜としては、重合性モノマー及びオリゴマーを主成分とする光硬化性樹脂組成物や熱硬化性樹脂組成物を用いることができる。なお、厚みは１〜３０μｍの範囲が好ましい。
【００２９】
更に、図１の反射層１２においては、反射率を高める意味では、表面の粗さは小さい方が好ましい。しかし、このようなイメージングデバイスにおいては正反射する光だけでは見る方向によって画像が見にくくなる。従って、少し反射層の表面を粗くして散乱光を増やした方が良いことがわかった。この場合の表面粗さは２０〜１００ｎｍであることがわかった。この反射層１２としては、金属又は金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物などと金属との混合物、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｈｆ等の金属やこれらの合金、これらとＺｒ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物、Ａｌ、Ｈｆ、Ｐｄの合金などは膜の形成が容易であり、好ましい。膜厚は１０〜３００ｎｍの範囲で、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲とするのが良い。膜は各種のＰＶＤ、ＣＶＤ法を用いて作製される。
【００３０】
また、図１の誘電体磁気層１３，１５には、図３に示す材料が用いられる。これらの材料の中から適宜選択しても良いし、またこれ以外の例えば有機物であっても構わない。多層膜の各膜厚は５０ｎｍから２００ｎｍ程度が好ましい。特定波長（λ）の磁気光学効果増大を目的とする場合、誘電体の膜厚はλ／４ｎ（ｎはλにおける誘電体の屈折率である）とする。また、低屈折率及び高屈折率の誘電体を積層したものを１ペアとすると、ペア数に制限はないが、３〜２０の層が性能上又はコスト上好ましい。透明磁性体と接する２つの誘電体多層膜は全く同一の構成を有することが好ましいが必ずしもこれに限定するものではない。ただし、透明磁性体に直接に接する膜の種類は同じ誘電体を用いるので、積層順序は逆になる。
【００３１】
更に、図１の偏光子層１６には、各種の市販の偏光フィルムや、ビームスプリッターを用いた高透過率偏光子などが用いられる。偏光フィルムには大別して多ハロゲン偏光フィルム、染料偏光フィルム、金属偏光フィルムなどがある。多ハロゲン偏光フィルムは２色性物質にヨウ素を用いているために、可視領域全般についてフラットな特性を有するが、湿度、高温等に弱いという欠点を有する。また、染料偏光フィルムは偏光性能においてヨウ素より劣るものの、熱、光、そして湿度に対して耐性が大きいという特徴を有している。偏光子層の露出面には傷が付きやすいので保護膜を設けることが好ましい。次のような各種の偏光子も利用できるがこれらに制限されるものではない。
【００３２】
（１）強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子を含む偏光層を基板表面に一定方向に配列して固着形成することにより光学的特性の優れた偏光板がある（特開平１−９３７０２号公報）。
【００３３】
（２）２．５μｍより長い波長の光に対する偏光子は、透明基板（臭化銀、ポリエチレン等）に微小な間隔で金やアルミニウムの線を引いたものがある（東京農工大学  佐藤勝昭教授著「現代人の物理１−光と磁気」１９８８年出版第１０３頁に記載）。この偏光子はワイヤグリッド偏光子とよばれ、線の間隔をｄ、波長をλとすると、λ≫ｄの波長の光に対して、透過光は当該線に垂直な振動面を持つほぼ完全な直線偏光になることを利用しているものである。中赤外用（２．５μｍから２５μｍ）としては臭化銀基板にｄ＝０．３μｍ間隔で金線を引いたものが、遠赤外用（１６μｍから１００μｍ）としてはポリエリレン板にｄ＝０．７μｍでアルミニウムを引いたものが用いられる。偏光度は９７％程度といわれている。
【００３４】
（３）長く延伸させた金属銀をガラス自身の中に一方向に配列させることにより、偏光特性をもたせたガラスで、従来の有機物偏光素子と異なり、耐熱性、耐湿性、耐化学薬品性、レーザに対する耐性において非常に優れている。赤外線用が主であるが、特殊仕様として可視光用がある。
【００３５】
（４）東北大学のグループによって報告されているもので、赤外線用にアルミニウムの表面を陽極酸化させてアルミナとし、微細な穴を開けてこの中にＮｉやＣｕなどの金属を入れた偏光子があり、マイクロワイヤアレイと呼ばれている。
【００３６】
（５）東北大学電気通信研究所の川上彰二郎教授が１９９１頃に発表されたもので、可視光用にＲＦスパッタリング法で６０〜８０Åの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）と、１μｍの厚みのＳｉＯ2 を交互に６０μｍの厚みになるまで積層して作製したものがある。これは積層型偏光子と呼ばれている。０．６μｍの波長で測定した性能指数αTE／αTM（この比はＴＥ波とＴＭ波に対する減衰定数の比である）は４００近くであり、０．８μｍの波長で測定した消光比は３５ｄＢ、挿入損出は０．１８ｄＢであり、可視光に対して十分なものである。
【００３７】
（６）薄膜を何層も重ねて作製した反射タイプ（ＳとＰの偏光のうち一方を反射して、他方を通過させる）の偏光子があり、反射型偏光子と呼ばれているものがある。
【００３８】
また、図１の透明磁性体１４には、従来一般に用いられている磁気光学効果を示す透明磁性材料で良いが、ファラデー効果が大きくて、透明性の大きい所謂性能指数の大きい磁性材料が好ましい。特に、Ｒ3-x Ａx Ｆｅ5 Ｏ12、但し０．２＜ｘ＜２であり、Ｒはイットリウム及び希土類元素から成る群から選んだ少なくとも１種類の元素を表す化学式で表される組成を有する、またＡはＢｉ又はＣｅである、イットリウム及び希土類鉄ガーネット及びその誘導体を主体とするもので、一般式Ｒ3-x Ａx Ｆｅ5-y Ｂy Ｏ12、ただし０．２＜ｘ＜２，０≦ｙ＜５で代表される、Ｂｉ又はＣｅを含むイットリウム及び希土類元素から成る群の内から選んだ少なくとも１種類の元素を表し、２種、３種以上含むものをすべて包含することを意味している。Ｂは各種金属が用いられるが、代表的にはＡｌが用いられる。磁気光学効果は、光の進行方向とスピンの方向とが平行の場合に最も大きな効果が得られるので、これらの材料は膜面に対して垂直に磁気異方性を有する膜が好ましい。これらの透明磁性材料には、一般的なスパッタ、真空蒸着、ＭＢＥ、などのＰＶＤ法やＣＶＤ法、メッキ法等が用いられる。
【００３９】
次に、本発明の第１の実施例について詳細に説明する。先ず、オクタミス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンの共重合体を白金触媒を使って常温常圧で共重合体を作製した。この共重合体は浴媒に溶かして石英ガラス基板に塗布した後これを乾燥して８０μｍ厚の透明な支持体に加工した。この支持体は透明で、かつ容易に手で曲げることができる。この支持体上に、イオンプレーティング法を用いて、ＳｉＯ2 （低屈折率層、屈折率ｎ＝１．４７）を８８ｎｍ、Ｔａ2 Ｏ5 （高屈折率層、ｎ＝２．１５）を６１ｎｍとして交互に６層づつ、合計１２層積層した。基板温度は３００℃、酸素ガス圧力はＳｉＯ2 の場合１．０×１０-4Ｔｏｒｒ、Ｔａ2 Ｏ5 の場合は１．１×１０-4Ｔｏｒｒであった。製膜レイトはＳｉＯ2 の場合、２ｎｍ／秒、Ｔａ2 Ｏ5 の場合０．５ｎｍ／秒であった。各誘電体膜の膜厚分布は、最も厚いところと薄いところの差異が全膜厚の３％であった。そして、上記誘電体多層膜の上に、イオンビームスパッタ法を用いてＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜を、平均膜厚が５２０／２＝２６０ｎｍとなるように作製した。基板温度は５５０℃とした。膜の組成はＢｉ2.2 Ｄｙ0.8 Ｆｅ3.8 Ａｌ1.2 Ｏ12であった。磁気光学効果測定装置（日本分光株製Ｋ２５０、ビーム径２ｍｍ角）で測定したファラデー回転角の波長依存性から、ピークの半値幅を求めると２０ｎｍであった。波長５２０ｎｍでは、回転角のピーク値は１．８度であった。ＶＳＭで磁界を膜面に対して垂直に印加して測定した保磁力は６４０エルステットであった。次いで、このＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜上にイオンプレーティング法を用いて、上記と全く同様に、ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 の多層膜を作製した。Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット膜に接している膜はＴａ2 Ｏ3 であり、最表面側はＳｉＯ2 である。ファラデー回転角の波長依存性から、波長５２０ｎｍでは前記１．８の約６倍の、１１．５度の回転角であった。
【００４０】
上記のようにして作製した膜上に、図１の誘電体多層膜１３／透明磁性体１４／誘電体多層膜１５の構造体を２回繰り返して作製した。波長５２０ｎｍでは２１．１度の回転角であった。また、波長５２０ｎｍを中心とした回転角ピークの半値幅は７３ｎｍであった。
【００４１】
以上のようにして作製した多層膜構造体の上に、厚みが２００ｎｍになるようにＡｌ膜を真空蒸着法を用いて作製した。更に、このＡｌ膜の上にスパッタ法を用いて１μｍ厚のＳｉＯ2 膜を作製して保護膜とした。
【００４２】
そして、この多層構造体が形成されていない支持体面上に、市販のヨウ素タイプフィルム偏光子を貼り付けた。
【００４３】
次に、以下のように磁気ヘッドアレイを作製した。ピッチ１５０μｍで銅線の円形コイルを全長約５０ｍｍとなるように、１ラインだけを無電界メッキ法を用いて作製した。電磁コイル用銅線の幅は約５μｍ、深さ約１０μｍで３層とし、コイルの巻数は合計で１２ターンとした。コイルの中心にはパーマロイ（Ｎｉ８０％）を、円柱状に磁束を集中させるようにして電気メッキ法で作製した。
【００４４】
作製した磁気ヘッドアレイ上に、偏光子／（誘電体多層膜／透明磁性層／誘電体多層膜）×３／Ａｌ反射層／ジルコニア支持体の構成物を配置した。全電磁コイル列に１つずつ順に、１００ｍＡの電流を１０ｍ秒づつ流して、ベタ黒画像を得た。コイルの中心の表面磁界強度は１６６０ガウスであった。作製したイメージングデバイス（図１）の未記録部に対する画像部分のコントラストは５．６であった。
【００４５】
ここで、従来の方法である下記の各比較例と下記の各実施例との比較について説明する。
【００４６】
第１の比較例は、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット膜の代わりにＢｉ置換しない希土類鉄ガーネット膜とＢａフェライト膜を用いた以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。Ｂｉ置換しない希土類鉄ガーネット膜を用いた場合は、コントラストは２．２であり、Ｂａフェライト膜を用いた場合は、コントラストは１．６であり、両者共に低かった。
【００４７】
第２の比較例は、０．５ｍｍ厚の石英ガラスと５０μｍ厚の銅箔を用いた以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。０．５ｍｍ厚の石英ガラスを用いた場合は、重くまた落すことによって破損した。５０μｍ厚の銅箔を用いた場合は、不透明であるために画像を見ることができなかった。
【００４８】
第３の比較例は、Ａｌ反射層上に保護膜を設けなかった以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。この場合は容易にＡｌ膜にキズが発生した。
【００４９】
次に、第２の実施例は、第１の実施例のイメージングデバイスで反射層１２直上の図１の誘電体多層膜１３を設けずにそのままＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜を作製した以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。未記録部に対する画像部分のコントラストは５．０であった。
【００５０】
また、第３の実施例は、第１の実施例のイメージングデバイスで図１の反射層１２と誘電体多層膜１３の間に市販の反射タイプ偏光子を設けた以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。偏光子を２枚としたために、未記録部に対する画像濃度が向上して、コントラストは５．９であった。
【００５１】
更に、第４の実施例は、第１の実施例のイメージングデバイスで図１の反射層１２直上の図１の誘電体多層膜１３を設けずに、直ぐにＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜を作製し、反射層１２と誘電体多層膜１３の間に市販の反射タイプ偏光子を設けた以外全く第１の実施例と同一になるようにイメージングデバイスを作製した。偏光子を２枚としたために、未記録部に対する画像濃度が向上して、コントラストは６．０であった。
【００５２】
また、第５の実施例は、第１の実施例のイメージングデバイスで最後の誘電体多層膜作製後のＡＬ反射層作製時に、先ずＡｒガスを３０ｃｃｍの流量で流しながら５０ｎｍ厚のＡｌ膜を作製した。この時のＡｌ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）は２６ｎｍであった。この後２００ｎｍ厚のＡｌ膜を第１の実施例と同様にしてイメージングデバイスを作製した。未記録部に対する画像部分のコントラストは６．２で、広い視野から画像観察が可能であった。
【００５３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載であれば多種の変形や置換可能であることは言うまでもない。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反射像を形成する反射層と、低屈折率誘電体及び高屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第１の誘電体多層膜と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する第２の誘電体多層膜とを順に積層した構造体と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有し、低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることに特徴がある。よって、磁気記録時の磁気ヘッドとの距離を近くすることができ、コントラストの高い画像が得られ、また適度の屈曲性を有することにより取り扱いやすいイメージングデバイスを提供できる。
【００５５】
また、支持体を、オクタキス・ヒドリドシルセスキオキサンとビス・フェニルエチニル・ベンゼンの共重合体を用いて形成したことにより、高温でしか作製できない希土類鉄ガーネット膜が利用可能となる。
【００５６】
更に、構造体を複数積層したことにより、ファラデー効果を増大できる。
【００５７】
また、反射層下に保護層を設けることにより、反射層のキズや剥離等の損傷を防止でき、長期に渡って安定して使用可能となった。
【００５８】
また、反射層と構造体の第１の誘電体多層膜との間に新たに偏光子層を設けることにより、又は反射層と透明磁性体との間に新たに偏光子層を設けることにより、画像濃度が向上してコントラストの高い画像が得られた。
【００５９】
そして、反射層の表面粗さを２０〜１００ｎｍとしたことにより、光の散乱が発生して視野角が大きくなった。
【００６０】
更に、別の発明として、反射像を形成する反射層と、膜面に対して垂直な方向に磁気異方性を有する透明磁性体と、高屈折率誘電体及び低屈折率誘電体の順にかつ交互に積層して構成する誘電体多層膜と、支持体と、偏光子層とを順に積層した構成を有し、低屈折率誘電体はＳｉＯ２であり、高屈折率誘電体はＴａ２Ｏ５であることに特徴がある。よって、ファラデー回転角増大効果を維持したままでより簡単な製作を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるイメージングデバイスの基本構成の積層構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例におけるイメージングデバイスの積層構造を示す概略断面図である。
【図３】本発明における誘電体多層膜の誘電体磁気材料を示す図である。
【符号の説明】
１  イメージングデバイス
１１  保護膜
１２  反射層
１３，１５  誘電体多層膜
１４，１８  透明磁性体
１６  支持体
１７  偏光子層
【図１】
0003792917.tif 000002
【図２】
0003792917.tif 000003
【図３】
0003792917.tif 000004