Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月7日(2018.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（２５，２６，２８）と、前記光源（２５，２６，２８）を点灯させる電気素子（２７）と、前記光源（２５，２６，２８）及び前記電気素子（２７）が配置された基板（１５，１７，１９）と有する灯火装置において、
前記基板（１５，１７，１９）は、独立して複数枚設けられ、前記複数の基板（１５，１７，１９）が間隔を空けて配置されていることを特徴とする灯火装置。
【請求項２】
前記基板（１５，１７，１９）を固定する支柱（１６）と、前記支柱（１６）に固定されて前記複数の基板（１５，１７，１９）の間に配置される仕切り部（１６ｂ）とを備えることを特徴とする請求項１に記載の灯火装置。
【請求項３】
前記支柱（１６）を支持するハウジング（１１）と、前記ハウジング（１１）と共に前記複数の基板（１５，１７，１９）を収容する収容部（１３）を形成するアウターレンズ（１２）と、前記アウターレンズ（１２）の内側に設けられるとともに前記複数の基板（１５，１７，１９）の間に配置されて前記支柱（１６）に支持されるインナーレンズ（１８）とを有することを特徴とする請求項２に記載の灯火装置。
【請求項４】
前記アウターレンズ（１２）は、その一部にレンズカットが施されたレンズカット部（１２ｚ）を有し、前記インナーレンズ（１８）は、後面視で、前記アウターレンズ（１２）の前記レンズカット部（１２ｚ）と重ならない箇所にレンズカット部（１８ｐ）を有することを特徴とする請求項３に記載の灯火装置。
【請求項５】
前記アウターレンズ（１２）は、尾灯であり、前記アウターレンズ（１２）の下面の一部に、車体後部に取付けられるライセンスプレート（５０）へ照射するために前記光源（２８）の光を透す透光部（１２ｍ）を有し、前記透光部（１２ｍ）と前記ハウジング（１１）の下部との境界部（１１ｄ２）は、前記アウターレンズ（１２）と前記ハウジング（１１）との上部の境界部（１１ｄ１）よりも車体前方に位置することを特徴とする請求項３又は４に記載の灯火装置。
【請求項６】
後面視で、前記アウターレンズ（１２）の中央部に前記レンズカット部（１２ｚ）が設けられ、前記アウターレンズ（１２）のレンズカット部（１２ｚ）の両側の前記インナーレンズ（１８）に前記レンズカット部（１８ｐ）が設けられ、前記アウターレンズ（１２）と前記インナーレンズ（１８）との間に配置された前記基板（１９）は、前記アウターレンズ（１２）の前記レンズカット部（１２ｚ）の輪郭よりも内側に配置されることを特徴とする請求項４又は５に記載の灯火装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池システムであって、
燃料電池と、
前記燃料電池から排出されたアノード排出ガスを前記燃料電池に還流するアノードガス還流管に設けられたアノードポンプと、
カソード排出ガスを前記燃料電池から排出するカソードガス排出管に設けられて前記燃料電池のカソード背圧を調整する調圧弁と、
前記燃料電池のインピーダンスまたはその上昇率を測定するインピーダンスセンサと、
前記インピーダンスセンサの測定値を用いて前記アノードポンプと前記調圧弁との動作を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
第１アノードポンプ回転数と第１カソード背圧とを含む通常運転条件で前記アノードポンプ及び前記調圧弁の動作を制御し、前記インピーダンスセンサによって測定された前記燃料電池のインピーダンス又はその上昇率が予め定められた閾値以上となった場合に、前記第１アノードポンプ回転数よりも高い第２アノードポンプ回転数と、前記第１カソード背圧よりも高い第２カソード背圧との組み合わせを含む湿潤運転条件で前記アノードポンプ及び前記調圧弁の動作を制御し、第１の組み合わせを含む前記湿潤運転条件と第２の組み合わせを含む前記湿潤運転条件のうち、消費電力のより低い組み合わせを含む前記湿潤運転条件を選択する、
燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
本発明の第１の形態は、燃料電池システムであって、
燃料電池と、
前記燃料電池から排出されたアノード排出ガスを前記燃料電池に還流するアノードガス還流管に設けられたアノードポンプと、
カソード排出ガスを前記燃料電池から排出するカソードガス排出管に設けられて前記燃料電池のカソード背圧を調整する調圧弁と、
前記燃料電池のインピーダンスまたはその上昇率を測定するインピーダンスセンサと、
前記インピーダンスセンサの測定値を用いて前記アノードポンプと前記調圧弁との動作を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
第１アノードポンプ回転数と第１カソード背圧とを含む通常運転条件で前記アノードポンプ及び前記調圧弁の動作を制御し、前記インピーダンスセンサによって測定された前記燃料電池のインピーダンス又はその上昇率が予め定められた閾値以上となった場合に、前記第１アノードポンプ回転数よりも高い第２アノードポンプ回転数と、前記第１カソード背圧よりも高い第２カソード背圧との組み合わせを含む湿潤運転条件で前記アノードポンプ及び前記調圧弁の動作を制御し、第１の組み合わせを含む前記湿潤運転条件と第２の組み合わせを含む前記湿潤運転条件のうち、消費電力のより低い組み合わせを含む前記湿潤運転条件を選択する、燃料電池システム。
また、本発明は、以下の形態としても実現可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、燃料電池ＦＣから排出される反応後の酸化剤ガスには、式（２）に示されるように生成水が含まれる。この生成水は酸化剤ガス排出管１２０中に水蒸気として存在するため、カソード背圧が増加すると、水蒸気の分圧が減少し、水蒸気の排出量が減少する。すなわち、調圧弁１４０を調整してカソード背圧を増加すれば、燃料電池ＦＣのセルスタックの乾燥を抑制できる。なお、カソード背圧を増加する際に、酸化剤ガスの流量を一定に維持するために、エアコンプレッサＡＣＰの回転数を増加することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月13日(2018.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をステージに搬送する搬送装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記基板の高さを検出する検出部と、
前記保持部に前記基板を搬送する第１搬送部と、
前記保持部から前記ステージに前記基板を搬送する第２搬送部と、
前記第１搬送部に前記基板を搬送させている状態で前記基板の高さを前記検出部に検出させ、前記基板の搬送方向における前記基板の高さの分布を示す第１分布に基づいて決定した経路で前記第２搬送部に前記基板を前記ステージに搬送させる制御部と、
を有することを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記第１搬送部に搬送される前記基板の搬送方向と異なる方向に互いにずらして配置されている複数の検出部を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板が前記ステージに接触することを回避するように前記経路を決定する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の高さに基づいて前記基板が前記保持部に接触するか否かを判断し、前記基板が前記保持部に接触すると判断した場合には前記第１搬送部による前記保持部への前記基板の搬送を中止する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の搬送装置。
【請求項５】
基板をステージに搬送する搬送装置であって、
前記基板を保持して回転させる保持部と、
前記基板の高さを検出する検出部と、
前記保持部から前記ステージに前記基板を搬送する第２搬送部と、
前記保持部に前記基板を保持して回転させている状態で前記基板の高さを前記検出部に検出させ、前記基板の周方向における前記基板の高さの分布を示す第２分布に基づいて決定した経路で前記第２搬送部に前記基板を前記ステージに搬送させる制御部と、
を有することを特徴とする搬送装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記ステージに前記基板を受け渡す際に前記ステージから突出させるピンの突出量を前記第２分布に基づいて変更する、ことを特徴とする請求項５に記載の搬送装置。
【請求項７】
前記検出部は、前記保持部が前記基板を回転させる回転中心と前記基板の高さを検出するための検出領域との距離が互いに異なる複数の検出部を有する、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の搬送装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記基板が前記ステージに接触することを回避するように前記経路を決定する、ことを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項９】
前記基板のエッジを検出する第２検出部を更に有し、
前記第２検出部は、前記保持部に前記基板を回転させた状態で前記基板のエッジを検出し、
前記制御部は、前記基板のエッジ及び前記第２分布に基づいて前記経路を決定する、ことを特徴とする請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１０】
前記保持部に前記基板を搬送する第１搬送部を有し、
前記制御部は、前記第１搬送部に前記基板を搬送させている状態で前記基板の高さを前記検出部に検出させ、前記基板の搬送方向における前記基板の高さの分布を示す第１分布と前記第２分布とに基づいて前記経路を決定する、ことを特徴とする請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記基板の高さ方向の経路が変更されるように前記経路を決定する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１２】
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の搬送装置と、
前記搬送装置によって基板が搬送され、前記基板を保持して移動するステージを有し、前記ステージによって保持された前記基板にパターンを形成する形成部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１３】
基板をステージに搬送する搬送方法であって、
前記基板を保持する保持部に前記基板を搬送している状態で前記基板の高さを検出する検出工程と、
前記ステージに前記基板を搬送する経路を前記基板の搬送方向における前記基板の高さの分布を示す第１分布に基づいて決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記経路で前記基板を前記ステージに搬送する搬送工程と、
を有することを特徴とする搬送方法。
【請求項１４】
基板をステージに搬送する搬送方法であって、
前記基板を保持して回転させる保持部が前記基板を保持して回転させている状態で前記基板の高さを検出する検出工程と、
前記ステージに前記基板を搬送する経路を前記基板の周方向における前記基板の高さの分布を示す第２分布に基づいて決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記経路で前記基板を前記ステージに搬送する搬送工程と、
を有することを特徴とする搬送方法。
【請求項１５】
基板を保持する保持部に前記基板を搬送している状態で前記基板の高さを検出する検出工程と、
ステージに前記基板を搬送する経路を前記基板の搬送方向における前記基板の高さの分布を示す第１分布に基づいて決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記経路で前記基板を前記ステージに搬送する搬送工程と、
前記搬送工程で前記ステージに搬送された前記基板にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、
前記加工工程で加工された前記基板の少なくとも一部を含む物品を得る工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１６】
基板を保持して回転させる保持部が前記基板を保持して回転させている状態で前記基板の高さを検出する検出工程と、
ステージに前記基板を搬送する経路を前記基板の周方向における前記基板の高さの分布を示す第２分布に基づいて決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記経路で前記基板を前記ステージに搬送する搬送工程と、
前記搬送工程で前記ステージに搬送された基板にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、
前記加工工程で加工された前記基板の少なくとも一部を含む物品を得る工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての搬送装置は、基板をステージに搬送する搬送装置であって、前記基板を保持する保持部と、前記基板の高さを検出する検出部と、前記保持部に前記基板を搬送する第１搬送部と、前記保持部から前記ステージに前記基板を搬送する第２搬送部と、前記第１搬送部に前記基板を搬送させている状態で前記基板の高さを前記検出部に検出させ、前記基板の搬送方向における前記基板の高さの分布を示す第１分布に基づいて決定した経路で前記第２搬送部に前記基板を前記ステージに搬送させる制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電源システムおよび第２電源システムと、
前記第１電源システムに接続され、第１通信を行なう第１シールド電線と、
前記第２電源システムに接続され、前記第１シールド電線に近接して配置され、第２通信を行なう第２シールド電線と、を備え、
前記第１シールド電線は、第１電線部と、前記第１電線部を被覆するシールド層と、を含み、
前記シールド層の一部は、第１ドレン線として引き出され、前記第１電源システムか、もしくは前記第１電源システムと同電位の部位に接地されており、
前記第１電線部は、第１芯線および第２芯線を含み、
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムまでの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムまでの距離とが略同じである、
通信システム。
【請求項２】
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムまでの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムまでの距離と、前記第１ドレン線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムまでの距離とが略同じである、
請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
第１電源システムおよび第２電源システムと、
前記第１電源システムに接続され、第１通信を行なう第１シールド電線と、
前記第２電源システムに接続され、前記第１シールド電線に近接して配置され、第２通信を行なう第２シールド電線と、を備え、
前記第１シールド電線は、第１電線部と、前記第１電線部を被覆するシールド層と、を含み、
前記シールド層の一部は、第１ドレン線として引き出され、前記第１電源システムか、もしくは前記第１電源システムと同電位の部位に接地されており、
前記第１電線部は、第１芯線および第２芯線を含み、
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムと同電位の部位までの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムと同電位の部位までの距離とが略同じである、
通信システム。
【請求項４】
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムと同電位の部位までの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムと同電位の部位までの距離と、前記第１ドレン線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記第２電源システムと同電位の部位までの距離とが略同じである、
請求項３に記載の通信システム。
【請求項５】
第１電源システムおよび第２電源システムと、
前記第１電源システムに接続され、第１通信を行なう第１シールド電線と、
前記第２電源システムに接続され、前記第１シールド電線に近接して配置され、第２通信を行なう第２シールド電線と、を備え、
前記第１シールド電線は、第１電線部と、前記第１電線部を被覆するシールド層と、前記シールド層を被覆する外側シールド層と、を含み、
前記シールド層の一部は、第１ドレン線として引き出され、前記第１電源システムか、もしくは前記第１電源システムと同電位の部位に接地されており、
前記外側シールド層の一部は、第２ドレン線として引き出され、前記第２電源システムか、もしくは前記第２電源システムと同電位の部位に接地されており、
前記第１電線部は、第１芯線および第２芯線を含み、
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記外側シールド層までの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記外側シールド層までの距離とが略同じである、
通信システム。
【請求項６】
前記第１芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記外側シールド層までの距離と、前記第２芯線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記外側シールド層までの距離と、前記第１ドレン線のうちの前記シールド層によって被覆されていない部分から前記外側シールド層までの距離とが略同じである、
請求項５に記載の通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信システム
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の熱伝導体と第２の熱伝導体とが交互に巻回された巻回体を備える応力緩和構造体であって、
前記第１の熱伝導体は金属箔であり、前記第２の熱伝導体は多孔質金属箔であることを特徴とする応力緩和構造体。
【請求項２】
前記金属箔及び前記多孔質金属箔の材質は、銅又はニッケルであることを特徴とする請求項１に記載の応力緩和構造体。
【請求項３】
前記巻回体は、芯材を備え、前記芯材の周囲に前記第１の熱伝導体と前記第２の熱伝導体とが交互に巻回されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の応力緩和構造体。
【請求項４】
前記芯材は、板状の形状を有することを特徴とする請求項３に記載の応力緩和構造体。
【請求項５】
前記第１の熱伝導体と前記第２の熱伝導体とが接合されていることを特徴とする請求項１に記載の応力緩和構造体。
【請求項６】
前記巻回体の巻回軸方向の端面において、前記金属箔と前記多孔質金属箔がともに露出していることを特徴とする請求項１に記載の応力緩和構造体。
【請求項７】
前記第２の熱伝導体は、前記第１の熱伝導体の表面に形成されたポーラス状被膜であることを特徴とする請求項１に記載の応力緩和構造体。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の応力緩和構造体と、該応力緩和構造体に接合された熱電変換素子とを備えることを特徴とする熱電変換モジュール。
【請求項９】
前記応力緩和構造体と前記熱電変換素子は、金属層を介して接合されていることを特徴とする請求項８に記載の熱電変換モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月18日(2018.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層と、
を有し、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下であって、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上であり、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に増加している
請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって一定となっている
請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している
請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって単調に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項６】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって線形に徐々に減少している
請求項５に記載の窒化物半導体基板。
【請求項７】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって階段状に徐々に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項８】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって非線形に徐々に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項９】
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度の１／３倍以上である請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１０】
前記ドリフト層は、水素を含み、
前記ドリフト層中の前記水素の濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１１】
ｎ型の半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層と、
を有し、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下であって、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上であり、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している半導体装置。
【請求項１２】
ｎ型の半導体からなる基板上に、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層を形成する工程を有し、
前記ドリフト層を形成する工程では、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度を、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下としつつ、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上とし、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差を、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少させる窒化物半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子が載置される幅広部と、前記幅広部から延伸し前記幅広部よりも幅が狭い幅狭部と、前記幅狭部から延伸し前記幅狭部よりも幅が広い端子部と、を備える第一リードと、
前記発光素子と電気的に接続される第二リードと、
前記第一リード及び第二リードを支持し、凸部を備える樹脂部材と、
前記発光素子を囲み、前記凸部の少なくとも一部を被覆する樹脂枠と、を有し、
前記樹脂部材は、前記幅広部と前記幅狭部と前記端子部とに囲まれる位置に前記凸部の少なくとも一部を備える発光装置。
【請求項２】
前記樹脂枠は前記幅狭部を跨ぐ請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
発光素子と、
前記発光素子が載置される幅広部と、前記幅広部から延伸し前記幅広部よりも幅が狭い幅狭部と、前記幅狭部から延伸し前記幅狭部よりも幅が広い端子部と、を備える第一リードと、
前記発光素子と電気的に接続される第二リードと、
前記第一リード及び第二リードを支持し、凸部を備える樹脂部材と、
前記発光素子を囲み、前記幅狭部及び前記凸部の少なくとも一部を被覆する樹脂枠と、を有する発光装置。
【請求項４】
前記凸部が、前記幅広部と前記端子部とから離間する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記凸部が、前記幅狭部を被覆する請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記凸部は、上面と側面とを備えており、前記上面及び前記側面が前記樹脂枠に被覆される請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第一リードにおける前記樹脂枠に被覆されている部位と、前記凸部における前記樹脂枠に被覆されている部位との最短距離が前記樹脂枠の幅よりも短い請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記凸部の厚みが、前記樹脂枠の厚みの０．４倍以上１倍未満である請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記樹脂枠が前記凸部の表面の全てを被覆する請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂部材は、前記凸部を２つ備えており、
前記２つの凸部の間に前記第一リードが位置し、
前記一方の凸部から前記他方の凸部に亘って前記樹脂枠が配置されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光素子のピーク波長における前記樹脂枠の反射率が、前記発光素子のピーク波長における前記樹脂部材の反射率よりも高い請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記発光素子と前記第二リードとはワイヤによって電気的に接続されており、前記ワイヤと前記第二リードとの接続部は前記樹脂枠によって被覆される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記樹脂枠がシリコーン樹脂を含有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記凸部の形状が円柱である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月17日(2018.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置に入力される印刷データとしてのデバイス依存値を補正する色補正テーブルを作成する色補正テーブル作成方法であって、
デバイス非依存値から基準印刷装置におけるデバイス依存値に変換する変換手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を前記印刷装置に入力することによって作成された印刷物の測色結果を、出力値として取得する出力値取得手順と、
前記取得された出力値が前記基準印刷装置によって作成された印刷物によって実現されるためのデバイス依存値を、色補正における入力値として取得する入力値取得手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を、前記入力値に対応する補正値として取得する補正値取得手順と、
前記入力値と前記補正値との関係を利用して前記色補正テーブルを作成する作成手順と、
を含む色補正テーブル作成方法。
【請求項２】
前記入力値と前記補正値との関係を補完する補完手順を更に含み、
前記作成手順では、前記色補正テーブルの格納対象となる前記入力値の少なくとも一部に対し、前記補完した結果を利用して前記補正値を決定する
請求項１に記載の色補正テーブル作成方法。
【請求項３】
前記補完手順では、スプライン関数を用いる
請求項２に記載の色補正テーブル作成方法。
【請求項４】
前記補完手順において用いる、３次スプライン関数の各格子点における２次微分パラメーターの２乗和が最小になるように、前記入力値を決定する
請求項３に記載の色補正テーブル作成方法。
【請求項５】
前記入力値取得手順において前記印刷物の測色に用いる測色装置の特性と、基準測色装置の特性とのずれを補正する測色装置補正手順を更に含み、
前記入力値取得手順では、前記測色装置補正手順において取得されたデバイス依存値と出力値との対応関係を用いて、前記入力値を取得する
請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の色補正テーブル作成方法。
【請求項６】
前記変換手順で用いる前記デバイス非依存値の色は、無彩色と肌色との少なくとも何れかである
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の色補正テーブル作成方法。
【請求項７】
印刷装置に入力される印刷データとしてのデバイス依存値を補正する色補正テーブルを作成する色補正テーブル作成装置であって、
デバイス非依存値から基準印刷装置におけるデバイス依存値に変換する変換手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を前記印刷装置に入力することによって作成された印刷物の測色結果を、出力値として取得する出力値取得手順と、
前記取得された出力値が前記基準印刷装置によって作成された印刷物によって実現されるためのデバイス依存値を、色補正における入力値として取得する入力値取得手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を、前記入力値に対応する補正値として取得する補正値取得手順と、
前記入力値と前記補正値との関係を利用して前記色補正テーブルを作成する作成手順と、
を実行する色補正テーブル作成装置。
【請求項８】
印刷装置に入力される印刷データとしてのデバイス依存値を補正する色補正テーブルを作成するためのプログラムであって、
デバイス非依存値から基準印刷装置におけるデバイス依存値に変換する変換手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を前記印刷装置に入力することによって作成された印刷物の測色結果を、出力値として取得する出力値取得手順と、
前記取得された出力値が前記基準印刷装置によって作成された印刷物によって実現されるためのデバイス依存値を、色補正における入力値として取得する入力値取得手順と、
前記変換手順によって得られたデバイス依存値を、前記入力値に対応する補正値として取得する補正値取得手順と、
前記入力値と前記補正値との関係を利用して前記色補正テーブルを作成する作成手順と、
をコンピューターに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一形態は、印刷装置に入力される印刷データとしてのデバイス依存値を補正する色補正テーブルを作成する色補正テーブル作成方法であって；デバイス非依存値から基準印刷装置におけるデバイス依存値に変換する変換手順と；前記変換手順によって得られたデバイス依存値を前記印刷装置に入力することによって作成された印刷物の測色結果を、出力値として取得する出力値取得手順と；前記取得された出力値が前記基準印刷装置によって作成された印刷物によって実現されるためのデバイス依存値を、色補正における入力値として取得する入力値取得手順と；前記変換手順によって得られたデバイス依存値を、前記入力値に対応する補正値として取得する補正値取得手順と、；前記入力値と前記補正値との関係を利用して前記色補正テーブルを作成する作成手順と、を含む色補正テーブル作成方法である。この形態によれば、測色数が少なくても、色補正テーブルによる色補正は精度が高いものになり、特に特定色について、高精度が期待できる。上記先行技術のような色補正方法を混色領域の色補正にも適用しようとする場合、通常は、デバイス非依存値全域に対する補正を実施することになるが、ＩＣＣプロファイルによるカラーマネージメントでは、Ｂ２Ａテーブルで変換されうるデバイス非依存値以外の領域は実印刷には用いられないため、デバイス非依存値全域に対して補正を行うことは、使用しない領域に対する補正を含むことになり、非効率である。当該補正を実施する場合の測色数をそれほど多くすることができない場合、その弊害が顕在化するケースが多発するため、本実施形態によれば、効率的な色補正を実現できる。また、使用する色彩値領域全体で、同程度に高精度な補正をしなければいけないことはなく、例えば、使用頻度が高い色や重要な特定色を高精度に、それ以外の色はそれほど精度を求めないケースも多い。本実施形態によれば、特定色を指定することにより、所望の色の精度を高めることができる。さらに、入力値と補正値との関係も、精度が高いものになる。なぜなら、入力値と補正値とのそれぞれについて、あまり誤差を含まない値を取得できるからである。補正値については、出力値取得手順において入力される値であるので、誤差は生じない。入力値があまり誤差を含まないのは、入力値取得手順において、基準印刷装置の特性を利用しているからである。基準印刷装置の特性は、多数の組み合わせについて予め決定しておくことができる。よって、内挿等を実施するにしても、高精度で実施できるので、誤差が小さくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記形態において、前記変換手順で用いる特定色の前記デバイス非依存値の色は、無彩色と肌色との少なくとも何れかであってもよい。この形態によれば、特に色精度を高くしたい色を対象に、入力値と補正値との関係を高精度にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイ（Ｄｉｅ）を電気的に連結するための高密度のブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）回路を具備したブリッジ回路層；および
前記ブリッジ回路層が内蔵され、前記ブリッジ回路よりも密度が低い低密度回路を具備した低密度回路層を含み、
前記ブリッジ回路層の一面または他面には接続パッドが形成され、前記接続パッドはビアまたはソルダーバンプを通じて前記低密度回路と電気的に連結される、印刷回路基板。
【請求項２】
前記ブリッジ回路は、前記複数のダイと接続する複数のパッドおよび前記複数のパッドを連結する微細回路パターンを含む、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
前記ブリッジ回路は、電気検査に利用される検査回路パターンをさらに含む、請求項２に記載の印刷回路基板。
【請求項４】
前記ブリッジ回路層の層間隔は前記低密度回路層の層間隔より狭い、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の印刷回路基板。
【請求項５】
前記ブリッジ回路層の一面上に形成されて前記複数のダイと前記ブリッジ回路を連結させる外層回路をさらに含み、
前記外層回路に前記複数のダイが結合される、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の印刷回路基板。
【請求項６】
外層回路は前記ブリッジ回路をファンアウト（ｆａｎ−ｏｕｔ）させるファンアウト回路パターンを含む、請求項５に記載の印刷回路基板。
【請求項７】
前記ブリッジ回路層に前記複数のダイが結合される、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の印刷回路基板。
【請求項８】
低粗度の第１キャリアに高密度のブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）回路を具備したブリッジ回路層を形成する段階；
前記ブリッジ回路層に仮接合される第２キャリアを接合し、前記第１キャリアを分離する段階；および
低密度回路を具備した低密度回路層に前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階を含む、印刷回路基板製造方法。
【請求項９】
前記第１キャリアはガラス基板を含む、請求項８に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１０】
前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、
前記低密度回路を具備した低密度回路層を形成する段階；
前記低密度回路層に前記ブリッジ回路層を結合させて電気的に連結する段階；
前記第２キャリアを分離させる段階；および
前記ブリッジ回路層を埋め立てる段階を含む、請求項８または請求項９に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１１】
前記低密度回路層と前記ブリッジ回路層はソルダーバンプを通じて連結される、請求項１０に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１２】
前記ブリッジ回路と連結された外層回路を形成する段階をさらに含む、請求項１０または請求項１１に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１３】
前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、
第３キャリアに前記ブリッジ回路層を装着させる段階；
前記第２キャリアを分離させる段階；
前記第３キャリアに前記ブリッジ回路層を埋め立てる前記低密度回路層をビルドアップ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）する段階；および
前記第３キャリアを分離する段階を含む、請求項８〜請求項１２のいずれか一項に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１４】
前記ビルドアップする段階は、
前記ブリッジ回路層と低密度回路層をビアで連結する段階を含む、請求項１３に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１５】
前記ブリッジ回路と連結された外層回路を形成する段階をさらに含む、請求項１３または請求項１４に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１６】
前記ブリッジ回路層の少なくとも一面に結合した剛性補強層をさらに含む請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項１７】
前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、
前記低密度回路層を具備した低密度回路層を形成する段階；
前記低密度回路層に前記ブリッジ回路層を結合させて電気的に連結する段階；および
前記第２キャリアが結合された前記ブリッジ回路層を埋め立てる段階を含む、請求項８に記載の印刷回路基板製造方法。
【請求項１８】
前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、
第３キャリアに前記ブリッジ回路層を装着させる段階；
前記第３キャリアに、前記第２キャリアが結合された前記ブリッジ回路層を埋め立てる前記低密度回路層をビルドアップ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）する段階；および
前記第３キャリアを分離する段階を含む、請求項８に記載の印刷回路基板製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の表面に形成された金属膜の第１の領域に第１のマスクを形成する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスのプラズマを用いて、露出している前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる工程と、
（ｃ）前記第1のマスクを除去する工程と、
（ｄ）前記金属膜の第２の領域に第２のマスクを形成する工程と、
（ｅ）第２の処理ガスのプラズマを用いて、露出している前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる工程と、
を有し、前記（ａ）〜（ｅ）は当該順に順次実行される半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）及び（ｅ）の少なくともいずれかにおいて、酸素含有ガスのプラズマを用いて、露出している前記金属膜の領域を酸化する工程と、水素含有ガスのプラズマを用いて、酸化された前記金属膜の領域を還元する工程と、を行うことにより、露出した前記金属膜の領域から窒素を除去して仕事関数を低下させる、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）では、露出している前記金属膜の領域に前記第１の処理ガスに含まれる第１の元素を注入することにより、露出している前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｅ）では、露出している前記金属膜の領域に前記第２の処理ガスに含まれる第２の元素を注入することにより、露出している前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の領域の前記金属膜はＰ型ＭＯＳのゲート電極を構成し、前記第２の領域の前記金属膜はＮ型ＭＯＳのゲート電極を構成する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ｆ）前記第２のマスクを除去する工程と、（ｇ）前記金属膜の第３の領域に第３のマスクを形成する工程と、（ｈ）第３の処理ガスのプラズマを用いて、露出している前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる工程と、を更に有し、前記（ｆ）〜（ｈ）は当該順に順次実行される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の領域と前記第２の領域は互いに異なる領域である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の領域は、前記第１の領域と少なくとも一部が異なる領域である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板を収容する処理室と、
前記基板を前記処理室外と前記処理室内の間で搬入及び搬出するよう構成された基板搬入／搬出機構と、
前記処理室内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記処理室内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記処理室内のガスをプラズマ励起させるように構成されたプラズマ生成部と、
前記処理室内を排気するように構成された排気部と、
（ａ）前記基板搬入／搬出機構を制御して、表面に金属膜が形成されるとともに前記金属膜の表面の第１の領域に第１のマスクが形成された基板を処理室に搬入させる工程と、
（ｂ）前記第１のガス供給系と前記プラズマ生成部を制御して、前記処理室内に導入された前記第１の処理ガスをプラズマ励起して、前記処理室内空間に露出した前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる工程と、
（ｃ）前記基板搬入／搬出機構を制御して、前記処理室から前記基板を搬出させる工程と、
（ｄ）前記基板搬入／搬出機構を制御して、前記基板を搬出させる工程で搬出された前記基板であって、前記第1のマスクが除去されるとともに、前記金属膜の表面の第２の領域に第２のマスクが形成された基板を前記処理室に搬入させる工程と、
（ｅ）前記第２のガス供給系と前記プラズマ生成部を制御して、前記処理室内に導入された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させて、前記処理室内空間に露出した前記金属膜の領域の仕事関数を変化させる工程と、を前記（ａ）〜（ｅ）の順に順次実行するよう構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記（ｂ）及び（ｅ）の少なくともいずれかの工程において、露出した前記金属膜の領域から窒素を除去して仕事関数を低下させるように、酸素含有ガスのプラズマを用いて露出している前記金属膜の領域を酸化する工程と、水素含有ガスのプラズマを用いて酸化された前記金属膜の領域を還元する工程と実行するように構成されている、請求項９に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
筒部６５は、図３に示すように、圧接部４２が挿通される挿通孔６６が形成されており、カバー６０がリード端子２２Ａ，２２Ｂの上方に取付けられた状態では、圧接部４２は、筒部６５に包囲される。カバー本体６１における挿通孔６６の上方は、視認孔６７が連通している。カバー６０の上方から視認孔６７を介してリード端子２２Ａ，２２Ｂが圧接部４２に圧接された状態を視認することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部の膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、を備える基板処理装置の管理方法であって、
前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピを取得するレシピ取得工程と、
前記基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を前記撮像部により撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する測定処理工程と、
前記膜の除去幅の設定値と、前記測定工程により測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する作成工程と、
を備えることを特徴とする基板処理装置の管理方法。
【請求項２】
前記作成された管理リストに基づき基板処理の状態を分析する分析工程と、
前記分析工程による分析結果に応じて、使用者に対して所定の報知を行う報知工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項３】
前記分析工程は、前記膜の除去幅の設定値と測定値の差分が所定の閾値を超えているか否かを判断し、超えていると判断した場合に、前記報知工程は、所定の報知を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項４】
前記所定の閾値として、第１閾値と前記第１閾値よりも小さい第２閾値を含み、
前記分析工程は、前記膜の除去幅の設定値と測定値の差分が第１閾値及び第２閾値を超えているか否かを判断し、前記報知工程は、第１閾値及び第２閾値のいずれを超えているかで、報知の内容を変更することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項５】
前記測定処理工程は、前記基板の前記回転保持部に対する偏芯量の情報を測定し、
前記作成工程は、前記管理リストに測定された偏芯量の情報を関連付け、
前記分析工程は、前記管理リストの偏芯量が所定の閾値を越えているか否かを判断し、
超えていると判断した場合に、前記報知工程は、所定の報知を行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項６】
前記報知工程は、前記作成工程において作成した管理リストに基づき測定結果の経時変化を示すグラフを作成することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項７】
前記報知工程は、表示装置を用いて前記報知を視覚的に行うことを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
【請求項８】
基板の周縁部の膜を除去する処理を行う基板処理装置と、撮像画像に基づく測定処理を行う測定処理装置と、測定処理に関する情報を管理する情報処理装置と、前記基板処理装置を制御する制御装置と、から構成される基板処理システムであって、
前記基板処理装置は、
基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部に対して前記膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
を備え、
前記測定処理装置は、
前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する制御部を備え、
前記情報処理装置は、
基板の識別情報と、前記膜の除去幅の設定値と、前記測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する制御部を備えることを特徴とする基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置の管理方法は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部の膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、を備える基板処理装置の管理方法であって、前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピを取得するレシピ取得工程と、前記基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を前記撮像部により撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する測定処理工程と、前記膜の除去幅の設定値と、前記測定工程により測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する作成工程と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材シート、保護シート、および色材受容層が積層された転写材であって、
前記色材受容層は、少なくとも水溶性樹脂及び無機微粒子を含有した空隙吸収型であり、
前記基材シートおよび前記保護シートは、前記色材受容層内の気体を外部に放出可能な通路を含むことを特徴とする転写材。
【請求項２】
前記通路は、穿孔された細孔によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の転写材。
【請求項３】
前記基材シートおよび保護シートは、複数の空隙を形成する成分を含有し、
前記通路は、前記複数の空隙が連なることによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の転写材。
【請求項４】
前記通路の平均径は、０．００１〜１０．μｍであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の転写材。
【請求項５】
前記通路は、５ｍｍ2に１つ以上形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の転写材。
【請求項６】
画像支持体、画像が記録された色材受容層、および保護シートが積層された記録物であって、
前記受容層および前記保護シートは、請求項１から５のいずれか１項に記載の転写材から転写されたものであることを特徴とする記録物。
【請求項７】
画像支持体、画像が記録された色材受容層、および保護シートが積層された記録物の製造方法であって、
請求項１から５のいずれか１項に記載の転写材の色材受容層にインクジェット記録により画像を記録する工程１と、
前記転写材の前記色材受容層を前記画像支持体に加熱圧着する工程２と、
前記転写材から前記基材シートを剥離して、前記画像支持体、前記画像が記録された前記前記転写材から前記基材シートを剥離する工程３と、
を含むことを特徴とする記録物の製造方法。
【請求項８】
画像支持体、画像が記録された色材受容層、および保護シートが積層された記録物の製造装置であって、
前記請求項１から５のいずれか１項に記載の転写材の色材受容層にインクジエットにより画像を記録する記録部と、
前記画像が記録された転写材を画像支持体に加熱圧着させる加熱圧着部と、
前記転写材から前記基材シートを剥離する剥離部と、
を備えることを特徴とする記録物の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズルからなる第一ノズル列と第二ノズル列を有するノズルプレートを備えた液体噴射ヘッドにおいて、
前記第一ノズル列の前記複数のノズルに連通する複数の第一吐出溝と、前記第二ノズル列の前記複数のノズルに連通する複数の第二吐出溝とを有する圧電プレートを備え、
前記第一吐出溝と前記第二吐出溝は、前記第一吐出溝と前記第二吐出溝の間に位置する隔壁によって分離されており、
前記第一ノズル列の配列方向において前記第一吐出溝と交互に形成された複数の第一非吐出溝と、前記第二ノズル列の配列方向において前記第二吐出溝と交互に形成された複数の第二非吐出溝とを有し、
前記第一吐出溝および前記第二吐出溝の供給経路が共通化されている、
液体噴射ヘッドであって、
前記第一吐出溝に連通し前記第一吐出溝に液体を供給する第一供給インク室、前記第一吐出溝から液体を排出する第一排出インク室、前記第二吐出溝に連通し前記第二吐出溝に液体を供給する第二供給インク室および前記第二吐出溝から液体を排出する第二排出インク室を有するカバープレートを備え、かつ
前記第一供給インク室と前記第二供給インク室への供給経路を内部で共通化する、前記カバープレートに付設された流路部材を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記第一ノズル列と前記第二ノズル列の配列方向と、前記第一吐出溝と前記第二吐出溝の長手方向が直交していることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記第一ノズル列と前記第二ノズル列の配列方向に対し、前記第一吐出溝と前記第二吐出溝の長手方向が所定角度傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記第一吐出溝と前記第二非吐出溝および前記第二吐出溝と前記第一非吐出溝は、前記隔壁を介して隣り合うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記第一吐出溝と前記第二吐出溝および前記第一非吐出溝と前記第二非吐出溝は、前記隔壁を介して隣り合うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項６】
前記複数のノズルは、ノズルの配列方向において前記第一ノズル列のノズルが前記第二ノズル列のノズル間に位置する千鳥配列であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項７】
前記流路部材は、前記第一供給インク室と前記第二供給インク室へ液体を供給する供給ポートおよび前記第一排出インク室と前記第二排出インク室から液体を排出する排出ポートを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項８】
前記ノズルプレートと前記圧電プレートの間に接合された補強板を有し、前記補強板は前記複数のノズルと前記第一吐出溝および前記第二吐出溝とをそれぞれ連通する複数の貫通穴を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドを有する液体噴射装置。