(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするセラミック基板において、先に分割するための一次スリットと後で分割するための前記一次スリットよりも浅い二次スリットを有し、該二次スリットに於ける前記一次スリットと交わる部位の前記一次スリットの両側での深さが前記一次スリット間の中央の部分よりも相対的に浅く形成されていることを特徴とする電子部品用セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするための分割溝が形成された電子部品用セラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、チップ抵抗器等のチップ状電子部品を製造する場合、絶縁材料としてセラミック基板が多く使用されている。これらの基板には、図３（ａ）に示すように、縦横に互いに直交する複数本の分割溝の一次スリット２並びに二次スリット３が形成されている。この一次スリット２並びに二次スリット３は、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板１の各部において各々の深さは均一である。
【０００３】
電子部品の製造工程においては、まず分割前のセラミック基板１に抵抗体、導体、保護層等を形成したあと、図４に示すように、直交する分割溝の一次スリット２に沿って棒状に分割し、その後、分割されたセラミック基板１の端面に導体を形成し、図５に示すように、セラミック基板１を二次スリット３に沿って単体に分割することにより、チップ状電子部品となる。
【０００４】
従来より、一次スリット２の分割の際の分割不良低減のため、これらの互いに直交する一次スリット２と二次スリット３の深さは、先に分割する一次スリット２の深さを深くし、後で分割する二次スリット３の深さは相対的に浅く形成することが行われている。（特開平３−１６７０４号、特公平５−５４２４１号公報参照)
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが従来の分割溝は、一次スリット２および二次スリット３のそれぞれの深さは、セラミック基板１の各部で均一であり、一次スリット２を棒状に分割する際の分割不良を低減するために一次スリット２を深く形成すると、セラミック基板１の製造工程において、一次スリット２のクラックや割れにより歩留まりの低下となり、またその後の電子部品製造工程においても割れを生じやすく歩留まりの低下の原因となっていた。
また、二次スリット３の深さが深すぎると、一次スリット２の棒状への分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良という不具合が発生し、反対に二次スリット３の深さが浅いと、二次スリット３の分割の際に綺麗に分割されずバリ等が発生する原因となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、これらに鑑みて行われたもので、縦横に互いに直交する複数本の分割溝が形成されたチップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするセラミック基板において、先に分割するための一次スリットと後で分割するための前記一次スリットよりも浅い二次スリットを有し、該二次スリットに於ける前記一次スリットと交わる部位の前記一次スリットの両側での深さが前記一次スリット間の中央の部分よりも相対的に浅く形成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態について詳述する。
図１に示すように、本発明のセラミック基板１は、分割溝として互いに直交する複数の一次スリット２と二次スリット３を有しており、これら一次スリット２および二次スリット３のうち、後で分割される一次スリット２よりも浅い二次スリット３の深さが、一次スリット２と交わる部位の一次スリット２の両側で、即ち分割後の単体の端部に相当する部位付近で浅く、他の一次スリット２間の中央の部分で相対的に深くなるように形成されている。
このことにより、セラミック基板１を一次スリット２に沿って棒状に分割する際には、一次スリット２と交わる部位の二次スリット３の一次スリット２の両側での深さが、他の一次スリット２間の中央の部分での二次スリット３の深さより相対的に浅く形成されているため、二次スリット３が分割されてしまうバー折れ不良が発生しにくく歩留まりが向上する。
また、最終的に二次スリット３に沿って単体に分割する工程においては、二次スリット３の単体の端部付近の深さは浅いが、他の中央の部分で相対的に深く形成されているため、バリ等の分割不良が発生しにくく歩留まりが向上する。
一次スリット２並びに二次スリット３の深さの好ましい範囲は、図２（ａ）で説明すると、セラミック基板１の厚みＴ、一次スリット２の深さＤ１、二次スリット３の最深部の深さＤ２、二次スリット３の最浅部の深さＤ３としたとき、Ｄ１＝０．２５Ｔ〜０．５５Ｔ、Ｄ２＜Ｄ１、Ｄ２＝０．１５Ｔ〜０．４５Ｔ、Ｄ３＜Ｄ２、Ｄ３＝０．０８Ｔ〜０．２５Ｔである。
これは、一次スリット２の深さＤ１が０．５５Ｔより大きいと、セラミック基板１の製造工程並びに電子部品の分割前までの工程においてクラックや割れが発生しやすく、またＤ１が０．２５Ｔより小さいと、一次スリット２の分割の際に容易に分割出来ないため、Ｄ１＝０．２５Ｔ〜０．５５Ｔの範囲が好ましい。これに対し、二次スリット３の最深部の深さＤ２は、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良を防止するために、Ｄ２＜Ｄ１とし、０．４５Ｔより大きいとバー折れ不良となりやすく、また、０．１５Ｔより小さいと単体の端部にバリが発生するため、Ｄ２＝０．１５Ｔ〜０．４５Ｔが好ましい範囲である。また二次スリット３の最浅部の深さＤ３は、Ｄ３＜Ｄ２とし、０．２５Ｔより深いとバー折れ不良となりやすく、０.０８Ｔより小さいと単体の端部にバリが発生しやすいため、Ｄ３＝０．０８Ｔ〜０．２５Ｔの範囲とすることが好ましい。また、二次スリット３の形状は図２（ａ）に示すように逆放物線状に深くなることが好ましいが、図２（ｂ）に示すように矩形状に深くなる形状、もしくは、図２（ｃ）に示すように一次スリット２と交わる部位からＣ面状に深くなる形状でも良い。この場合に於いては、一次スリット２間のピッチＬ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１、Ｃ面状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２としたとき、Ｌ１＝Ｌ２＝０．１Ｌ〜０．２Ｌで最大値は２.０ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００８】
これは、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１または、Ｃ面状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．１Ｌより小さいと、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良となりやすく、反対に０. ２Ｌより大きいと単体に分割する二次スリット３の分割の際に、バリ等が発生し分割不良となるためである。
以上のように本発明では一次スリット２の深さＤ１は、セラミック基板１の製造工程並びに電子部品の分割前迄の工程で、クラックや割れが発生しない範囲で深めの設定とし、セラミック基板１のどの箇所でも一次スリット２の深さＤ１は均一としている。二次スリット３の最深部の深さＤ２は、一次スリット２の深さＤ１に比較し僅かに浅めとし、単体に分割する際の分割性を落とさず単体の端部へのバリ発生を防止しうる値としている。また二次スリット３の最浅部の深さＤ３並びに、二次スリット３の矩形状における二次スリット３の最浅部の長さＬ１および、二次スリット３のＣ面状の形状における二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２は、一次スリット２の分割の際に二次スリット３迄分割されるバー折れ不良と、単体に分割する二次スリット３の分割の際に単体端部へのバリ等の発生を防止しうる値としている。
また一次スリット２、二次スリット３の先端角は３０〜６０°の範囲としておくことが好ましい。
【０００９】
本発明のセラミック基板１の材質は、アルミナの外、窒化アルミニウム、炭化珪素などを主成分とするセラミックス、またはガラスセラミック等に適用でき、その製造方法は、金型に備えられた刃をセラミックグリーンシートに押し当てて一次スリット２並びに二次スリット３を形成し、その後所定の温度で焼成し製造される。該二次スリット３の逆放物線状または矩形状またはＣ面状の形状は、二次スリット３用の刃をその形状に加工したものを使用する。
本発明のセラミック基板１は、所定のパターンで導体などを印刷し分割することによって、最終的にチップ抵抗器等の電子部品を製造することができる。
【００１０】
【実施例】
Ａｌ2 Ｏ3 含有率９６％のセラミックグリーンシートに、金型に備えられた刃を押し当てて分割溝を形成しその後所定の温度で焼成することによりセラミック基板１を作製した。本発明実施例および従来品比較例のセラミック基板１について、それぞれ一次スリット２並びに二次スリット３の深さと、セラミック基板１の製造工程に於けるクラック、割れ不良、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良について調べた結果を表１に示す。
尚、本発明実施例並びに従来品比較例共、焼成後のセラミック基板１の厚みは０．４ｍｍで、一次スリット２間のピッチＬは２. ０ｍｍである。またスリットの深さの測定はマジックインクにてスリットに着色浸透後分割し、工具顕微鏡でその分割断面の着色部分の深さを測定した。このスリットの深さは各所において０. ０１ｍｍ程度のバラツキがあるため、任意の１０箇所の測定値の平均値で表記した。また、クラック、割れ不良並びに一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良の評価は、各各２００シートの試料における従来品比較例の最も悪い不良率を×とし、この不良率に対し低減出来たものの半減を超えるものを△とし、半減以下となった良好なものを○と評価した。
【００１１】
【表１】
0003838810.tif 000002
【００１２】
比較例である従来品のセラミック基板１は、通常設定する一次スリット２並びに二次スリット３の深さの範囲内でそれぞれ変化させたものを作製し評価した。従来品Ａは、一次スリット２の深さＤ１を０．１９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．０７ｍｍとし、いずれも各部における深さは均一としたもので、セラミック基板１の製造工程におけるクラックや割れの発生並びに一次スリット２の分割不良はなかったものの、二次スリット３の分割の際に単体端部でのバリの発生がみられた。また、従来品Ｂは、一次スリット２の深さＤ１を０．１９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．１１ｍｍとし、各部における深さは均一としたものであるが、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良が多発した。従来品Ｃは、一次スリット２の深さＤ１を０．２３ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．１１ｍｍとし各部における深さは均一としたものであるが、セラミック基板１の製造工程において一次スリット２のクラックや割れが多発した。尚、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良は発生しなかった。
【００１３】
本発明実施例は、二次スリット３の形状が図２（ａ）に示す逆放物線状と、図２（ｂ）に示す矩形状と、図２（ｃ）に示すＣ面形状の３形状で、一次スリット２の深さＤ１を、０．０９、０．１０、０．１９、０．２２、０．２３ｍｍの５段階とし、二次スリット３の最深部の深さＤ２をそれぞれ一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．０５、０．０６、０．１１、０．１８、０．１９ｍｍの５段階とし、二次スリット３の最浅部の深さＤ３も同様に一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．０３０、０．０３２、０．０７、０．１０、０．１１ｍｍの５投階とし、各浅いものＡから深いものＥ迄の５段階を、二次スリット３の形状が逆放物線状と矩形状とＣ面形状の３形状について各各作製した。尚、二次スリット３の形状が矩形状とＣ面形状の２種の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びに二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２は、一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．４１、０．４０、０．２５、０．２０、０．１９ｍｍの５段階とした。
【００１４】
本発明実施例の結果は、二次スリット３の形状が逆放物線状、矩形状、Ｃ面形状とも、本発明実施例Ａつまり、一次スリット２の深さＤ１が０．０９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．０５ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．０３０ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．４１ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中でのクラックや割れ不良はなかったものの、一次スリット２および二次スリット３の分割の際に端部にバリ発生のあるものがあり、 従来品比較例に対し、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良率を半減以下にすることは出来なかった。
【００１５】
本発明実施例Ｅつまり、一次スリット２の深さＤ１が０．２３ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．１９ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．１１ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．１９ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中で一次スリット２のクラックや割れ不良が発生し、従来品比較例に対しクラック、割れの不良率を半減以下にすることは出来なかった。また一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良も一部発生し、従来品比較例に対し一次スリット２の分割不良率も半減以下にすることは出来なかった。しかし、正常に分割されたものには端部へのバリの発生はなかった。
【００１６】
本発明実施例Ｂ、Ｃ、Ｄつまり、二次スリット３の形状が逆放物線状、矩形状、Ｃ面形状とも、一次スリット２の深さＤ１が０．１０、０．１９、０．２２ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．０６、０．１１、０．１８ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．０３２、０．０７、０．１０ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．４０、０．２５、０．２０ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中で一次スリット２のクラックや割れの不良率は従来品比較例に対し半減以下となり、また一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良並びに一次スリット２並びに二次スリット３の分割の際の端部へのバリ発生のいずれの不良率も従来品比較例に対し半減以下となった。
また、これらのことより電子部品の分割前までの工程における割れ等の発生も著しく低減出来るといえる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明によれば、チップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするセラミック基板において、先に分割するための一次スリットと、後で分割するための二次スリットを有し、該二次スリットにおける一次スリットと交わる部位の一次スリットの両側での深さを他の一次スリット間の中央の部分よりも相対的に浅く形成することにより、セラミック基板の製造工程並びにその後の電子部品の分割前までの工程において、クラックや割れの発生を防止でき、また電子部品の製造工程における一次スリットの分割不良や二次スリットの分割不良の発生も防止でき、分割後のバリの発生も防止できるなど歩留まりの向上並びに生産性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品用セラミック基板の分割溝の断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の電子部品用セラミック基板の分割溝の断面図である。
【図３】（ａ）は分割溝が形成された電子部品用セラミック基板の斜視図で、（ｂ）は従来の分割溝の断面図である。
【図４】棒状に分割されたセラミック基板の斜視図である。
【図５】単体に分割されたセラミック基板の斜視図である。
【符号の説明】
１：セラミック基板
２：一次スリット
３：二次スリット
Ｔ：セラミック基板の厚み
Ｄ１：一次スリットの深さ
Ｄ２：二次スリットの最深部の深さ
Ｄ３：二次スリットの最浅部の深さ
Ｌ：一次スリット間のピッチ
Ｌ１：二次スリットの最浅部の長さ
Ｌ２：二次スリットの最浅部からのＣ面の長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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