(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光源と、前記レーザー光源から出射する波長λのレーザー光を拡大し平行光束の平面波とするための拡大手段と、屈折率ｎの透明材質により形成された板状部材と、前記板状部材に近接して置かれた、表面に感光膜が形成された露光基板とを備え、前記板状部材の露光基板側に面した表面には、凹部及び凸部が繰り返し形成されており、前記凹部又は凸部のピッチが前記凹部及び凸部が繰り返し形成される方向に沿って変化し、前記拡大手段により拡大された平面波が前記凹部又は凸部を透過することで±１次の回折光が発生するものであり、前記感光膜は、前記＋１次の回折光と前記−１次の回折光とが互いに交差する位置に置かれており、前記回折光間の干渉により発生する干渉縞が前記感光膜を感光することを特徴とする露光装置において、
前記凹部又は凸部は、屈折率ｎ０（但し、ｎ０＞ｎ）の透明層に覆われており、前記透明層の膜厚は、前記凹部又は凸部の深さより大きいことを特徴とする請求項第１記載の露光装置。
【請求項２】
回折せずにそのまま透過する０次光の光量は、前記凹部又は凸部を透過する全ての光の光量に対する比が０．１以下であることを特徴とする請求項第１記載の露光装置。
【請求項３】
前記凹部の深さが、ｋ×λ／｛２(ｎ−１)｝（但し、０．８≦ｋ≦１．２）であり、前記凹部又は凸部の断面が実質上矩形形状であり、前記凸部のピッチに対する前記凸部の幅の比が、０．３から０．７の間にあることを特徴とする請求項第１記載の露光装置。
【請求項４】
前記凹部又は凸部のピッチが、λと２λの間にあることを特徴とする請求項第１記載の露光装置。
【請求項５】
前記凹部の深さが、ｋ×λ／｛２(ｎ０−ｎ)｝（但し、０．８≦ｋ≦１．２）であり、前記凹部又は凸部の断面が実質上矩形形状であり、前記凸部のピッチに対する前記凸部の幅の比が、０．３から０．７の間にあることを特徴とする請求項第１記載の露光装置。
【請求項６】
レーザー光源と、
前記レーザー光源から出射する波長λのレーザー光を拡大し平行光束の平面波とするための拡大手段と、
屈折率ｎの透明材質により形成された板状部材と、
前記板状部材に近接して置かれた、表面に感光膜が形成された露光基板とを備え、
前記板状部材の露光基板側に面した表面には、凹部及び凸部が繰り返し形成されており、前記拡大手段により拡大された平面波が前記凹部又は凸部を透過することで０次及び±１次から±ｑ次（ｑ≧２）までの回折光が発生するものであり、前記光の内、０次および偶数次の回折光の光量和と、前記光の内、奇数次の回折光の光量和との比が０．５から２．０の間にあり、前記感光膜はこれらの回折光が互いに交差する位置に置かれており、前記回折光間の干渉により発生する干渉縞が前記感光膜を感光することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記板状部材の前記表面上に形成された前記凹部及び／又は前記凸部は直線状、または円状、または曲線状に形成されていることを特徴とする請求項第１〜６の何れか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記凹部又は凸部のピッチが、前記凹部及び凸部が繰り返し形成される方向に沿って変化することを特徴とする請求項第６に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細なパターンを露光出来る露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術について、例えば微小光学ハンドブック（応用物理学会編集、朝倉書店出版、１９９５）ｐ．６９０に記載の投影露光装置があり、この装置に基づいて説明する。図１１０は従来の露光装置の構成図を示す。光源１４からの光束はビームコンプレッサー１５（またはビームエクスパンダー）で適当な光束に変換されてホモジナイザー１６に入射する。ホモジナイザー１６は３〜６ｍｍ角のレンズアレイより構成されており、照明系の照度分布を均一にするとともに、射出端面付近で二次光源１７を形成する。二次光源１７からの光は照明レンズ１８で露光パターンが描かれているレチクル１９を照明し、結像レンズ２０で露光面２２上に結像する。このとき二次光源１７の像は結像レンズ２０の入射瞳面２１にできる。
【０００３】
この従来の露光装置の解像度Ｒは、照明光の波長をλ、結像光学系の開口数をＮＡ（Numerical Aperture）として次式で表される。
【０００４】
【数１】
Ｒ＝２ｋ1λ／ＮＡ                              ・・・式１
ただし、ｋ1は露光・現像プロセスの条件によって決まる定数であり、一般に０．５〜０．８前後の値をなす。
【０００５】
一方、結像光学系の焦点深度Ｚは次式で与えられる。
【０００６】
【数２】
Ｚ＝λ／２ＮＡ2                                ・・・式２
波長λは光源の種類によって一義的に決まり、一般には４３５ｎｍ（ｇ線）や３６５ｎｍ（ｉ線）が用いられる。光源の短波長化は解像度の向上を図る最も素直な方法であるが、高い値のＮＡの採用でも解像度向上は可能である。しかし、高ＮＡ化は式（２）に基づき焦点深度を浅くし露光位置の誤差余裕をなくすので、せいぜい０．５〜０．６程度が限界である。従って、従来の露光装置の解像度Ｒはｋ1＝０．５、ＮＡ＝０．６としてピッチで１．６λ程度が限界であった。
【０００７】
また、この解像限界を向上させる意味で、位相シフト法と呼ばれる手法も提案されている（微小光学ハンドブックのｐ．６９４に記載）。
【０００８】
これは、従来の露光装置に於けるレチクル上に解像力を向上させるための位相シフターを形成したものである。図１２（Ａ）は、従来の露光装置の原理図を示し、図１２（Ｂ）は、従来の露光装置に於ける位相シフト法の原理図を示す。従来法でのレチクル１９は透明基板１９ａとマスク１９ｂで構成されるが、このときの露光面上での光振幅は２３、光強度は２４で示される。これに対し位相シフト法では、マスク間の隙間に一つおきの割合で位相シフター１９ｃを形成し、位相シフター１９ｃを透過する光の位相をπだけ遅らすことで、露光面上で２３ａ、２４ａに示す光振幅、光強度を得ることができ、従来法に比べコントラストを向上させることができる。
【０００９】
またマスク１９ｂを用いない方法もあり、図１３はその原理図を示す。この場合、レチクル１９は透明基板１９ａと位相シフター１９ｃで構成される。位相シフター１９ｃを透過する光の位相をπだけ遅らすことで、露光面上で２３ｂ、２４ｂに示す光振幅、光強度を得ることができ、コントラストの向上が可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の露光装置に於て、位相シフター１９ｃの有無に関わらず、次の様な課題があった。
【００１１】
以下、より解像度の高い、位相シフター１９ｃを有する露光装置の場合を例にとり、その課題について説明する。
【００１２】
すなわち、この場合、図１３に示した原理に従うと、露光面上での光強度２４ｂの周期はレチクル上の位相シフター１９ｃの周期の半分であり、位相シフト法の採用により露光装置の解像度は、倍になるはずである。しかし、現実にはレチクル１９と露光面の間に結像光学系が介在するため、理論通りの解像度が得られない。
【００１３】
その理由は、つぎの通りである。即ち、図１４は位相シフター付きのレチクルを透過した光の光路を示している。レチクル１９に入射する光２５（波長λ）は位相シフター１９ｃを透過することでそのまま透過する光（０次光）と回折する光（±１次光）に分離する。位相シフター１９ｃの周期をΛとすると、回折光の回折角θは次式で与えられる。
【００１４】
【数３】
sinθ＝λ／Λ                                  ・・・式３
これらの透過、回折光は結像レンズ２０に入射してそれぞれ２６、２６Ａ、２６Ｂのように瞳面２１上に結像する。０次光の結像点は光軸２７上にあるが、±１次光は進行方向が光軸２７に比べθだけ傾いているため、光軸上からｂだけ離れた位置に結像する。ｂの大きさはsinθに比例するので、周期Λがある値よりも小さくなると、±１次光の結像点は瞳面の開口外に位置し（ｂ＞ａ）、瞳の開口外の領域で遮光されてしまう。露光面上の投影パターンは瞳面２１を透過する光によって形成されるので、透過光の一部が蹴られることは投影パターンの解像度の劣化につながる。
【００１５】
この様なことから、位相シフト法の効果は、大きく見積もっても、解像力が３〜４割増しとなるのが限界である。即ち、露光装置の解像度を、露光面２２上に形成される投影パターンのピッチに置き換えて表現すると、１．２λ程度のピッチを形成するのが限界であると言える。
【００１６】
以上の解像度の劣化は、位相シフター１９ｃの有無に関わらず、本質的に発生し、位相シフター１９Ｃを用いない場合は、更に解像度は落ちる。
【００１７】
本発明は、従来の露光装置のこの様な課題を考慮し、露光面上の露光パターンのピッチが光源の波長以下である微細パターンを露光出来る高解像度の露光装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の本発明は、レーザー光源と、前記レーザー光源から出射する波長λのレーザー光を拡大し平行光束の平面波とするための拡大手段と、屈折率ｎの透明材質により形成された板状部材と、前記板状部材に近接して置かれた、表面に感光膜が形成された露光基板とを備え、前記板状部材の露光基板側に面した表面には、凹部及び凸部が繰り返し形成されており、前記凹部又は凸部のピッチが前記凹部及び凸部が繰り返し形成される方向に沿って変化し、前記拡大手段により拡大された平面波が前記凹部又は凸部を透過することで±１次の回折光が発生するものであり、前記感光膜は、前記＋１次の回折光と前記−１次の回折光とが互いに交差する位置に置かれており、前記回折光間の干渉により発生する干渉縞が前記感光膜を感光することを特徴とする露光装置において、前記凹部又は凸部は、屈折率ｎ０（但し、ｎ０＞ｎ）の透明層に覆われており、前記透明層の膜厚は、前記凹部又は凸部の深さより大きいことを特徴とする。
【００１９】
この様な構成により、例えば感光膜上では上記凹部又は凸部のピッチの半分のピッチを持つ干渉縞がコントラストよく形成されるので、高解像であり、かつ±２次以上の回折光の発生を抑えた露光装置が実現出来る。
【００２２】
請求項６記載の本発明は、レーザー光源と、前記レーザー光源から出射する波長λのレーザー光を拡大し平行光束の平面波とするための拡大手段と、屈折率ｎの透明材質により形成された板状部材と、前記板状部材に近接して置かれた、表面に感光膜が形成された露光基板とを備え、前記板状部材の露光基板側に面した表面には、凹部及び凸部が繰り返し形成されており、前記拡大手段により拡大された平面波が前記凹部又は凸部を透過することで０次及び±１次から±ｑ次（ｑ≧２）までの回折光が発生するものであり、前記光の内、０次および偶数次の回折光の光量和と、前記光の内、奇数次の回折光の光量和との比が０．５から２．０の間にあり、前記感光膜はこれらの回折光が互いに交差する位置に置かれており、前記回折光間の干渉により発生する干渉縞が前記感光膜を感光する露光装置である。
【００２３】
この様な構成により、例えば感光膜上では上記凹部又は凸部のピッチと当ピッチを持つ干渉縞がコントラストよく形成されるので、高解像の露光装置が実現出来る。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態を図１から図７に基づいて説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施の形態における露光装置の構成を示す。同図に示す様に、本露光装置は、レーザー光源１、反射ミラー３ａ，３ｂ、ビームエクスパンダー光学系４、位相シフター６、スペーサー７、露光基板９で構成されている。図１に於いて、ＡｒレーザーやＨｅ−Ｃｄレーザーなどの光源１から出射するレーザー光２（波長λ）はミラー３ａ，３ｂを反射し、ビームエクスパンダー光学系４に導かれる。
【００２６】
ビームエクスパンダー光学系４はフォーカシングレンズ４ａ、コリメートレンズ４ｂ、ピンホール４ｃから構成され、レーザー光はフォーカシングレンズ４ａにより集光し、フォーカシングレンズ４ａの焦平面に位置するピンホール４ｃをすり抜け、コリメートレンズ４ｂによってビーム径の拡大した平行光束５に変換される。このとき、ピンホール４ｃは、レーザーのスペックルノイズを除去する作用をなす。平面波の平行光束５は屈折率ｎの透明材質で形成された平行平板状の位相シフター６に垂直入射し、これを透過する。
【００２７】
位相シフター６の出射面側には、平行平板をエッチングするなどの方法で、深さλ／｛２(ｎ−１)｝の周期的凹凸構造６ａ（尚、周期的凹凸構造とは、平板上に凹部と凸部が所定のピッチにより繰り返し形成されている構造を言う）が形成されている。そのため、平面波は、この周期構造を透過することでπの位相差を周期的に繰り返す波面に変換され、その結果±１次の回折光が発生する。
【００２８】
露光基板９の表面には感光膜８が積層されており、この感光膜上で±１次の回折光が干渉しあい、微細なピッチの干渉縞を形成して感光膜を露光する。感光膜８はスペーサー７を介して位相シフター６に対面しており、周期構造面６ａと感光膜８の間はスペーサー７の厚さ分の隙間が存在する。
【００２９】
図２は、本発明の第１の実施の形態における露光装置の位相シフターの断面図を示している。
【００３０】
図２に示す様に、周期的凹凸構造６ａのピッチをΛ、深さをｈとし、凹凸構造が矩形の場合、凸部の幅をεΛで与え、周期的構造面の中心からその法線方向に沿って距離ｚの位置に原点Ｏを置き、点Ｏを通り周期的構造の格子ベクトル（グレーティング方向に直交するベクトル）に沿った方向に座標軸ｘを考える。
【００３１】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第１説明図であり、λ＝０．４５７９μｍ、凹凸構造をΛ＝０．８μｍ、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、ε＝０．５の矩形状として解析した計算結果である。
【００３２】
図３（Ａ）はｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布である。凹凸構造１０のピッチが０．８μｍであるにも関わらず、半ピッチ（０．４μｍピッチ）の強度分布パターン１１が得られている。尚、凹凸構造１０は、説明の便宜上、図２に示す周期的凹凸構造６ａを模式的に表し、図３（Ａ）の横軸の目盛りに合わせて点線で描いたものである。尚、後述する図４（Ａ）〜図６（Ａ）についても同様の趣旨により、点線で描いた凹凸構造１０が描かれている。
【００３３】
この強度分布のｘ＝０μｍに於ける光強度Ｐ１とｘ＝−０．４μｍに於ける光強度Ｐ２が距離ｚとどのような関係にあるかをプロットしたのが図３（Ｂ）であり、実線１２は光強度Ｐ１、破線１３は光強度Ｐ２に対応する。いずれも凹凸構造のｘ軸方向に於ける始終点位置（図２に示す、凹凸構造６ａの境界線６０１，６０２）で発生する境界回折波の影響でわずかなうねりを有するが、おおむねｚによらず等しく均一な値をなす。
【００３４】
すなわち、感光膜８の位置（スペーサー７の厚さ分の隙間）に誤差があっても、強度分布パターンの劣化はなく、露光のコントラストは良好である。従って、露光基板の位置設定は半導体プロセスで用いられる高価な高精度ステッパーである必要がなく、本実施の形態のごとくスペーサー７を挟んで押し当てる程度の位置決めでよい。
【００３５】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第２説明図であり、λ＝０．４５７９μｍ、凹凸構造をΛ＝０．８μｍ、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、ε＝０．４の矩形状として解析した計算結果である。
【００３６】
図４（Ａ）はｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布である。図３（Ａ）、（Ｂ）と同様、凹凸構造１０のピッチが０．８μｍであるにも関わらず半ピッチ（０．４μｍピッチ）の強度分布パターン１１が得られるが、凹凸構造１０のデューティ比εが０．５からずれることで、ｘ＝０μｍに於ける光強度Ｐ１とｘ＝−０．４μｍに於ける光強度Ｐ２の間に差異が生じている。
【００３７】
これらの光強度Ｐ１、Ｐ２が距離ｚとどのような関係にあるかをプロットしたのが図４（Ｂ）であり、実線１２は光強度Ｐ１、破線１３は光強度Ｐ２に対応する。光強度Ｐ１、Ｐ２ともｚに依存した逆位相のうねりを有しているが、最悪条件下でも１．０：０．６程度の強度比である。
【００３８】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第３説明図であり、λ＝０．４５７９μｍ、凹凸構造をΛ＝０．８μｍ、ｈ＝５λ／｛６×２(ｎ−１)｝、ε＝０．５の矩形状として解析した計算結果である。
【００３９】
図５（Ａ）はｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布である。図３（Ａ），（Ｂ）と同様、凹凸構造１０のピッチが０．８μｍであるにも関わらず半ピッチ（０．４μｍピッチ）の強度分布パターン１１が得られるが、凹凸構造１０の深さがλ／｛２(ｎ−１)｝からずれることで、ｘ＝０μｍに於ける光強度Ｐ１とｘ＝−０．４μｍに於ける光強度Ｐ２の間に差異が生じている。
【００４０】
これらの光強度Ｐ１、Ｐ２が距離ｚとどのような関係にあるかをプロットしたのが図５（Ｂ）であり、実線１２は光強度Ｐ１、破線１３は光強度Ｐ２に対応する。光強度Ｐ１、Ｐ２ともｚに依存した逆位相のうねりを有しており、最悪条件下では１．０：０．４程度の強度比である。
【００４１】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第４説明図であり、λ＝０．４５７９μｍ、凹凸構造をΛ＝０．８μｍ、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝の正弦波形状として解析した計算結果である。
【００４２】
図６（Ａ）はｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布である。図３（Ａ），（Ｂ）と同様、凹凸構造１０のピッチが０．８μｍであるにも関わらず半ピッチ（０．４μｍピッチ）の強度分布パターン１１が得られるが、凹凸構造１０の断面形状が矩形形状からずれることで、ｘ＝０μｍに於ける光強度Ｐ１とｘ＝−０．４μｍに於ける光強度Ｐ２の間に大きな差異が生じている。
【００４３】
これらの光強度Ｐ１、Ｐ２が距離ｚとどのような関係にあるかをプロットしたのが図６（Ｂ）であり、実線１２は光強度Ｐ１、破線１３は光強度Ｐ２に対応する。光強度Ｐ１、Ｐ２ともｚに依存した逆位相の大きなうねりを有しており、最悪条件下では１．０：０．１５程度の強度比である。
【００４４】
露光基板位置の誤差余裕を考慮する場合、図３（Ａ）〜図６（Ｂ）に示したことから分かるように、露光のコントラストを最適にするには凹凸構造の断面形状が、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、ε＝０．５の矩形形状であることが好ましく、断面形状を決定する、各パラメータの許容範囲としては、０．３≦ε≦０．７、０．８≦２（ｎ−１）ｈ／λ≦１．２が上げられる。即ち、凹部の深さｈは、ｋ×λ／｛２(ｎ−１)｝（但し、０．８≦ｋ≦１．２）であれば良い。
【００４５】
次に、図７は本発明の第１の実施の形態における露光装置の、位相シフター６上の凹部又は凸部のピッチと露光パターンのピッチとの関係を示す原理説明図である。即ち、同図を参照しながら、凹部又は凸部のピッチと露光パターンのピッチとの関係について説明する。
【００４６】
位相シフター６の周期的構造面６ａに垂直入射する波長λの光５は周期的構造を透過した後回折して、±１次の回折光５Ａ、５Ｂが発生する。周期的構造面６ａ上の点Ｑ1の位置（ｘ＝ｘ1）での周期的構造のピッチをΛ1、点Ｑ2の位置（ｘ＝ｘ2）での周期的構造のピッチをΛ2とすると（Λ1、Λ2は、位相シフター６上の凹部又は凸部のピッチを表している）、点Ｑ1、Ｑ2に於ける回折光の回折角は次式で与えられる。
【００４７】
【数４】
sinθ1＝λ／Λ1                                 ・・・式４
【００４８】
【数５】
sinθ2＝λ／Λ2                                 ・・・式５
点Ｑ1で回折した＋１次の回折光と点Ｑ2で回折した−１次の回折光が露光面８上の点Ｑ12で交差するとすれば、２光束干渉の原理により点Ｑ12上で干渉縞を形成する。点Ｑ12の位置（ｘ＝ｘ3）は次式で与えられる。
【００４９】
【数６】
ｘ3＝ｘ1＋（ｘ2−ｘ1）tanθ1／(tanθ1＋tanθ2）  ・・・式６
また、点Ｑ12での干渉縞のピッチΛ12は式（４）、式（５）より次式で与えられる。
【００５０】
【数７】
Λ12＝λ／（sinθ1＋sinθ2）＝Λ1Λ2／（Λ1＋Λ2）・・・式７
従って、均一ピッチの場合（Λ1＝Λ2）にはΛ12＝Λ1／２となり、周期的構造６ａの半ピッチの強度分布パターンが得られることが分かる。又、Λ1≦λ、Λ2≦λである限り回折光が発生するので、強度分布パターンの最小ピッチ（解像度の限界）はΛ12≧λ／２まで可能である。すなわち、従来例に於ける露光装置に比べ２倍以上の解像度が得られる。
【００５１】
ピッチが位置により異なる場合（Λ2＝Λ1（１＋Δ））点Ｑ12に対応した周期的構造面上の点をＱ3とし、この位置（ｘ＝ｘ3）での周期的構造のピッチをΛ3とすると、ピッチの変化がｘに関して連続であるとしてΛ3は次式に近似できる。
【００５２】
【数８】
Λ3＝（Λ1tanθ2＋Λ2tanθ1）／(tanθ1＋tanθ2）  ・・・式８
従ってΔ≪１の場合（露光位置が周期的構造面に近接している場合はΔ≪１の関係が十分成り立つ）には、tanθ2＝tanθ1(１−Δ/cos2θ1)より次式が成り立つ。
【００５３】
【数９】
Λ3＝Λ1（１＋Δ／２）                            ・・・式９
一方、Δ≪１の場合には、式（７）より干渉縞のピッチΛ12が次式に近似できる。
【００５４】
【数１０】
Λ12＝Λ1（１＋Δ／２）／２                   ・・・式１０
従って、干渉縞のピッチΛ12はそれに対応した周期的構造面上の位置での周期的構造のピッチΛ3の半分に相当し、ピッチが位置により異なる場合でも、半ピッチの関係が精度よく守られる。このように、従来例の露光装置ではレチクル上の露光パターンを歪みなく露光面上に投影するために高精度の結像レンズを必要としたが、本実施の形態では露光位置を周期的構造面（即ち、平板上に凹部と凸部が所定のピッチにより繰り返し形成されている構造面）に近接させるだけで歪みのない半ピッチのパターニングがなされることになる。
【００５５】
なお、露光面８上で干渉縞が形成されるのは、２光束が互いに交差する領域に限られ、周期的構造の始点Ａと終点Ｂから発生する回折光の交点をＣとすると、露光は三角形ＡＢＣに囲まれ、周期的構造に近接した領域に限られる。
【００５６】
周期的構造面６ａを透過する光が０次光（回折せずに透過する成分）やその他の次数の光を含む場合、点Ｑ12での干渉は多光束間でなされるので、干渉縞のコントラストは劣化し、またそのコントラストは露光面位置にも関係してくる。図３（Ａ）、（Ｂ）の例で良好なコントラストの干渉縞が得られたのは、以下に説明するように、±１次以外の回折光が発生しないためである。一般に図２で示した矩形断面の位相シフターを透過することで発生するｎ次回折光の強度をＩnとして各回折光の強度比は次式の通りである。
【００５７】
【数１１】
Ｉ0/Ｉ1=π2{1-2ε(1-ε)(1-cosδ)}/{2(1-cosδ)sin2πε}・・・式１１
【００５８】
【数１２】
Ｉ2/Ｉ1=cos2πε                                ・・・式１２
ただし、δは次式に従う。
【００５９】
【数１３】
δ＝2π(n-1)h/λ                                  ・・・式１３
図３（Ａ）、図３（Ｂ）の条件（ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、ε＝０．５）ではλ＜Λ＜２λであり、２次光は存在せず、式（１１）から０次光もＩ0＝０である。かりに２λ＜Λであっても式（１２）から２次光もＩ2＝０である。
【００６０】
一方、図４（Ａ）、図４（Ｂ）の条件（ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、ε＝０．４）でもλ＜Λ＜２λで２次光は存在しないが、Ｉ0/Ｉ1＝０．１１であり、０次光が発生する（２λ＜Λになると式（１２）から２次光も発生する）。
【００６１】
この様に露光面の位置によらず良好なコントラストの干渉縞を得るためには、０次光量の全回折光量に対する比が小さいこと（例えばＩ0/（Ｉ0＋２Ｉ1）≦０．１）が条件といえる。
【００６２】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００６３】
第２の実施の形態は周期的構造の周期幅、即ち、凹部又は凸部のピッチΛが、λ＜Λ＜２λに限定される以外は第１の実施の形態と全く同一であるので、第１の実施の形態と同じ図面を引用し、重複した説明は省略する。
【００６４】
第１の実施の形態では周期的凹凸構造の断面を矩形としたが、実際には凹凸の境で、だれが存在し、例えば図８に示すような台形状断面となる。図８において、位相シフター６の凹部の底面ＰＱ、凸部の上面ＲＳに入射する光ａ，ｂは界面をそのまま透過するが、斜面部ＱＲ、ＳＴに入射する光ｃ，ｄはこの面を全反射し、凸部の上面ＲＳや対向する斜面部ＳＴ、ＱＲの界面を透過する。
【００６５】
従って光ｃ、ｄが光ａやｂに重畳するため、透過光の位相変調だけでなく振幅変調も乱される。（式１１）、（式１２）はシフターを位相格子とし、位相変調だけを考慮して得られた結果であり、位相変調が乱され、これに振幅変調が加わる場合にはこれらの関係式は成り立たない。（表１）はΛ＝１．０μｍ、ｎ＝１．５、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、λ＝０．４５７９μｍの仕様を目標にして試作したシフターを透過する光の各回折光強度を評価した実験結果を示している。
【００６６】
尚、（表１）にその結果を示した実験は、後述する（表２）に示す実験結果と比較するための比較実験である。
【００６７】
【表１】
0003735441.tif 000002
【００６８】
Ｉ0/Ｉ1（=０．１）がゼロに近いのでδ＝πかつε＝０．５が近似的に成り立ちＩ2/Ｉ1＝０のはずだが、実際のＩ2/Ｉ1（=０．４）は異常に大きく、（式１１）と（式１２）の連立が難しい。この矛盾は図８で示したような全反射による位相変調、振幅変調の乱れの効果が存在するためである。
【００６９】
従って、０次光を無くしたにも関わらず、強い２次光が存在するため、干渉パターンは１次／２次の間の干渉によるシフター周期の等倍が支配的であり、半ピッチ化が実現できない。
【００７０】
しかし、第２の実施の形態では周期幅をλ＜Λ＜２λに限定することを特徴としている。この時、１次までの回折光が発生して２次以上の回折光は原理的に存在しない。
【００７１】
仮に図８に示した如く、斜面部の存在により透過光の光分布が乱される場合でも、２次回折光は存在しない。０次光を消滅させる条件は式（１１）の近傍に必ず存在するので、±１次以外の回折光の発生をほぼ完全に抑えられる。
【００７２】
（表２）はΛ＝１．０μｍ、ｎ＝１．５、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝、λ＝０．５１４５μｍの仕様を目標にして試作したシフターを透過する光の各回折光強度を評価した実験結果を示している。
【００７３】
【表２】
0003735441.tif 000003
【００７４】
この実験では、理論通り±１次以外の回折光の発生をほぼ完全に抑えることができ、顕微鏡観察で半ピッチの強度分布パターンが確認出来た。
【００７５】
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。
【００７６】
第３の実施の形態は位相シフターの構成が異なる以外は第１の実施の形態と全く同一であるので、第１の実施の形態と同じ図面を引用し、重複した説明は省略する。
【００７７】
図９は本発明の第３の実施の形態における露光装置の、位相シフターの断面図を示している。図９において、位相シフター表面は屈折率ｎ0（ｎ0＞ｎ、ｎはシフター６の屈折率）の透明層６ｂに覆われており、凹凸の高さをｈとして屈折率ｎ0は次の関係式を満たす。
【００７８】
【数１４】
ｈ＝λ／｛２（ｎ0−ｎ）｝                       ・・・式１４
位相シフター６の凹部の底面ＰＱ、凸部の上面ＲＳに入射する光ａ，ｂは透明層６ｂとの界面をそのまま透過する。また斜面部ＱＲ、ＳＴに入射する光ｃ，ｄは、ｎ0＞ｎの関係から斜面部での全反射は無くなり、界面をそのまま屈折透過し、一部がｃ’、ｄ’のように反射する。光ｃ’、ｄ’は凸部ＲＳや対向する斜面部ＳＴ、ＱＲの界面を透過して光ａやｂに重畳するが、光量が小さいのでその影響度も小さい。従って透明層６ｂの存在により位相変調、振幅変調の乱れが抑えられるので、２λ＜Λの場合でも（式１１）、（式１２）で示した関係式が成り立ち、±１次以外の回折光の発生を抑えることができる。
【００７９】
（表３）は（表１）で示したサンプルにＺｎＳ（ｎ0＝２．０）を成膜し（膜厚２μｍ）、表面に残ったわずかな凹凸を２Ｐ法によるＵＶ樹脂の充填で平滑化して評価した実験結果を示している（測定波長はλ＝０．４８８μｍ）。
【００８０】
【表３】
0003735441.tif 000004
【００８１】
この実験では、±１次回折光の強度に比べ他の回折光の強度は十分小さく抑えられており、顕微鏡観察でも半ピッチの強度分布パターンが確認出来た。尚、凹部の深さｈは、λ／｛２(ｎ0−ｎ)｝である必要はなく、±１次以外の回折光の発生を抑えられさえすれば良い。
【００８２】
次に、請求項６に記載の本発明の一実施の形態について説明する。
【００８３】
尚、本実施の形態は、従来の露光装置の解像度を改善するものではないが、露光面上に形成した干渉縞を用いて、パターンを形成するものである。
【００８４】
本実施の形態は位相シフターの断面仕様が異なる以外は第１の実施の形態と全く同一であるので、第１の実施の形態と同じ図面を引用し、重複した説明は省略する。本実施の形態に於ける位相シフター断面の仕様は第１の実施の形態での仕様（ε＝０．５、ｈ＝λ／｛２(ｎ−１)｝）から大きくずらす。例えば、ε＝０．４、δ＝１００度とすると、（式１１）、（式１２）からＩ0/Ｉ1＝２．０３、Ｉ2/Ｉ1＝０．０９５、すなわち±１次回折光の強度和（Ｉ1＋Ｉ-1）が０次、±２次回折光の強度和（Ｉ0＋Ｉ2 ＋Ｉ-2）にほぼ等しくなる。図１０の曲線１０はε＝０．４、δ＝１００度の条件で、１０λ離れた感光膜上での光強度分布を示しており、λ＝０．４５７９μｍ、凹凸構造をΛ＝１．０μｍの矩形状（破線１１で表示）として解析した計算結果である。±１次と０次、±１次と±２次回折光の干渉で、シフターと等ピッチ（１．０μｍピッチ）の強度分布パターンが得られている。
【００８５】
本実施の形態における周期的構造の断面仕様の条件は緩く、±１次回折光（または奇数次回折光）の強度和を他の回折光（または偶数次回折光）の強度和と同レベル（例えば１／２〜２倍）にするだけで、容易にシフターと等ピッチの干渉縞を形成できる。すなわち、本実施の形態ではシフターの半ピッチの干渉縞を形成できないが、断面形状に関する複雑な制限条件や２次回折光の除去課題などの複雑な課題がなく、シフターの作製が容易になる。
【００８６】
尚、上記第１、２、３の実施の形態、及び最後の実施の形態では周期的凹凸構造のパターンをストライプ状（直線に沿った形状）として説明したが、円などの曲線に沿った周期パターン（即ち、繰り返し形成されたパターン）であってもよく、また、その凹部又は凸部のピッチが位置によって異なってもよく、凹凸構造の半ピッチ（または等ピッチ）の微細パターン露光が可能であるという効果は同様に得られる。
【００８７】
また、周期的凹凸構造の形成は、平行平板をエッチングする以外に平行平板に屈折率ｎの透明膜を成膜し、パターニングの後この膜をエッチングする方法や、マスターを作製してＵＶ樹脂により形状転写する方法もある。
【００８８】
また、位相シフターへの入射光は、垂直入射である必要はなく、斜入射であっても同等の効果が得られる。さらに、位相シフターは平行平板である必要はなく、出射側が周期的構造付きの平面でありさえすればよい。また、露光光源にレーザーを用いた例で説明したが、部分的コヒーレントな光を放出する光源であってもよい。
【００８９】
また、本発明の板状部材は、上記各実施の形態では、位相シフターを有するレチクルであったが、これに限らず例えば、位相シフターを備えていないレチクルであってもよい。
【００９０】
以上述べた様に、上記実施の形態によれば、複雑な光学系を用いずに、解像度の限界がピッチでλ／２まで可能な高解像度の露光装置を容易に提供できる。また、ピッチが位置に依存するような複雑な露光パターンも歪みなく露光面に転写されるので、高精度の光学系を用いる必要はなく、露光基板の設定位置に多少の誤差があっても露光のコントラストが維持されるので、高価なステッパー（露光基板の移送系）を必要としない効果もある。
【００９１】
【発明の効果】
以上述べたところから明らかなように本発明は、露光面上の露光パターンのピッチを光源の波長以下に出来ると言う長所を有する。又、本発明は、パターンの露光を従来に比べて容易に出来ると言う長所を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における露光装置の構成図
【図２】本発明の第１の実施の形態における露光装置の位相シフターの断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第１説明図で、
（Ａ）は、ｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布図
（Ｂ）は、ｘ＝０μｍとｘ＝−０．４μｍに於ける光強度の関係図
【図４】本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第２説明図で、
（Ａ）は、ｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布図
（Ｂ）は、ｘ＝０μｍとｘ＝−０．４μｍに於ける光強度の関係図
【図５】本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第３説明図で、
（Ａ）は、ｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布図
（Ｂ）は、ｘ＝０μｍとｘ＝−０．４μｍに於ける光強度の関係図
【図６】本発明の第１の実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布の特性を示す第４説明図で、
（Ａ）は、ｚ＝λの位置での、ｘ座標に沿った光強度分布図
（Ｂ）は、ｘ＝０μｍとｘ＝−０．４μｍに於ける光強度の関係図
【図７】本発明の実施の形態における露光装置の周期構造の周期と露光パターンの周期との関係を示す原理説明図
【図８】本発明の第２の実施の形態に於ける台形断面の周期的凹凸構造を透過する光の光路図
【図９】本発明の第３の実施の形態における台形断面の周期的凹凸構造を透過する光の光路図である。
【図１０】本発明の一実施の形態における露光装置の感光膜上での光強度分布図
【図１１】従来の露光装置の構成図
【図１２】（Ａ）は、従来の露光装置の原理図
（Ｂ）は、従来の露光装置における位相シフト法の原理図
【図１３】従来の露光装置における他の位相シフト法の原理図
【図１４】従来の露光装置における、位相シフター付きのレチクルを透過した光の光路図
【符号の説明】
１・・・レーザー光源
２・・・レーザー光
３ａ，３ｂ・・・反射ミラー
４・・・ビームエクスパンダー光学系
４ａ・・・フォーカシングレンズ
４ｂ・・・コリメートレンズ
４ｃ・・・ピンホール
５・・・平行光束
６・・・位相シフター
６ａ・・・周期的凹凸構造
７・・・スペーサー
８・・・感光膜
９・・・露光基板
【図１】
0003735441.tif 000005
【図２】
0003735441.tif 000006
【図３】
0003735441.tif 000007
【図４】
0003735441.tif 000008
【図５】
0003735441.tif 000009
【図６】
0003735441.tif 000010
【図７】
0003735441.tif 000011
【図８】
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【図９】
0003735441.tif 000013
【図１０】
0003735441.tif 000014
【図１１】
0003735441.tif 000015
【図１２】
0003735441.tif 000016
【図１３】
0003735441.tif 000017
【図１４】
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