(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
【化１】
0003798458.tif 000025
（式中のＲ1及びＲ2は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基又はハロゲン原子若しくはアルコキシル基で置換されていてもよい炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である）
で表わされるオキシムスルホネート化合物。
【請求項２】
Ｒ1及びＲ2が共に低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である請求項１記載のオキシムスルホネート化合物。
【請求項３】
一般式
【化２】
0003798458.tif 000026
（式中のＲ1及びＲ2は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基又はハロゲン原子若しくはアルコキシル基で置換されていてもよい炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である）
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成るレジスト用酸発生剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なオキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤に関するものであり、さらに詳しくは、レジスト用酸発生剤として有用なシアノ基をもつオキシムスルホネート基２個を有する化合物、及びこの化合物から成るレジスト用酸発生剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまで、オキシムスルホネート化合物に関する技術としては、酸硬化性のアミノ樹脂とオキシムスルホネートとを含有する熱硬化性塗布液（ヨーロッパ特許出願第４４１１５Ａ１号公報）、酸硬化性樹脂とオキシムスルホネート化合物を含有する焼き付け仕上げ材料を短波光で照射し硬化させる方法（特開昭６０−６５０７２号公報）、重合性エチレン型不飽和基、エポキシ基、水酸基などの置換基を有するオキシムスルホネート化合物及びそのポリマー（特開昭６１−２５１６５２号公報）、フィルム形成性有機材料とオキシムスルホネート基及び芳香族基を有する感光性物質とから成る組成物を用いる画像形成方法（特開平１−１２４８４８号公報）、アルカリ可溶性樹脂、オキシムスルホネート化合物及び感度増強性架橋剤を含むレジスト組成物（特開平２−１５４２６６号公報）、オキシムスルホネート化合物を用いたネガ型パターンの形成方法（特開平２−１６１４４４号公報）、オキシムスルホネート化合物を含むｉ線用レジスト（特開平６−６７４３３号公報）などが知られ、これらには以下のシアノ基を有するオキシムスルホネート化合物が記載されている。
【０００３】
（イ）α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル
【化３】
0003798458.tif 000002
（ロ）α‐（４‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル
【化４】
0003798458.tif 000003
（ハ）α‐（４‐ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル
【化５】
0003798458.tif 000004
（ニ）α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル
【化６】
0003798458.tif 000005
（ホ）α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐クロロフェニルアセトニトリル
【化７】
0003798458.tif 000006
（ヘ）α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロフェニルアセトニトリル
【化８】
0003798458.tif 000007
（ト）α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，６‐ジクロロフェニルアセトニトリル
【化９】
0003798458.tif 000008
（チ）α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル
【化１０】
0003798458.tif 000009
（リ）α‐（２‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル
【化１１】
0003798458.tif 000010
（ヌ）α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２‐チエニルアセトニトリル
【化１２】
0003798458.tif 000011
（ル）α‐（４‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル
【化１３】
0003798458.tif 000012
（ヲ）α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル
【化１４】
0003798458.tif 000013
（ワ）α‐（４‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル
【化１５】
0003798458.tif 000014
（カ）α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐３‐チエニルアセトニトリル
【化１６】
0003798458.tif 000015
このようなオキシムスルホネート化合物は、放射線を感受するとスルホン酸エステルの結合が切断され、相当するスルホン酸を発生するため、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられている。
【０００４】
このようなオキシムスルホネート化合物は、１分子から１分子のスルホン酸しか発生しないため、添加量に基づく酸発生量が少なく、例えば、ネガ型レジストに使用した場合、レジストパターンのトップ部分が細くなり、良好なパターン形状が得られないという欠点がある上、マスクパターンに対するレジストパターンの寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性についても十分満足しうる結果が得られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、レジストの酸発生剤として用いた場合、酸の発生効率が高く、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与える新規なオキシムスルホネート化合物を提供することを目的としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、レジストの酸発生剤として好適なオキシムスルホネート化合物について鋭意研究を重ねた結果、シアノ基をもつオキシムスルホネート基がフェニレン基に２個結合した構造のオキシムスルホネート化合物は、レジスト用の酸発生剤としたときに、酸の発生効率が高く、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与えることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、一般式
【化１７】
0003798458.tif 000016
（式中のＲ1及びＲ2は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基又はハロゲン原子若しくはアルコキシル基で置換されていてもよい炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である）
で表わされるオキシムスルホネート化合物、及びこのオキシムスルホネート化合物から成るレジスト用酸発生剤を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のオキシムスルホネート化合物は、前記一般式（Ｉ）で表わされる文献未載の新規な化合物であって、一般式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2の炭化水素基は、芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基のいずれでもよい。この芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１４のものである。このようなものとしては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基などが挙げられる。また、脂肪族炭化水素基は不飽和のもの飽和のもののいずれでも、また直鎖状、枝分れ状のいずれでもよいが、炭素数１〜１２のものである。この脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ドデシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ヘキセニル基、オクタジエニル基などを挙げることができる。さらに脂環式炭化水素基は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基を、シクロアルケニル基の例としては、１‐シクロブテニル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基のような炭素数４〜１２のものである。
【０００９】
一方、Ｒ1及びＲ2の脂肪族又は脂環式炭化水素基は、その中の水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。また、芳香族炭化水素基は、その中の水素原子の一部がハロゲン原子又はアルコキシル基で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子などがある。ハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素基の中で、特に好ましい例は、クロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２‐ブロモプロピル基のような炭素数１〜４のハロゲン化アルキル基である。また、アルコキシル基で置換された芳香族炭化水素基で特に好ましいのはメトキシフェニル基である。なお、該Ｒ1及びＲ2はたがいに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１０】
本発明のオキシムスルホネート化合物は、１分子から２分子のスルホン酸を発生するため、同一露光量でも酸の発生効率が高い。また、このオキシムスルホネート化合物の分子が大きすぎると耐熱性が悪くなる傾向があるので、Ｒ1及びＲ2は、共にアルキル基やハロゲン化アルキル基の場合が好ましい。このようなオキシムスルホネート化合物は、露光光に対する透明性が高く、レジスト中の添加量を増やしてもレジストの透明性を下げないため、感度を向上させることができる上、解像度や断面形状の優れたレジストパターンを与える。レジストパターン形状に起因する露光後加熱処理（Ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ）時における酸の拡散しやすさを考慮すると、Ｒ1及びＲ2がアルキル基やハロゲン化アルキル基であるもの、中でも炭素数１〜４の低級アルキル基や炭素数１〜４の低級ハロゲン化アルキル基が好ましい。
【００１１】
本発明の一般式（Ｉ）で表わされるオキシムスルホネート化合物は、それ自体公知の方法を参考にして、製造することができる。すなわち、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ‐メチルピロリドンなどの有機溶媒中において、ピリジン、トリエチルアミンなどの塩基性触媒の存在下、オキシム基含有化合物とスルホン酸クロリド基含有化合物とをエステル化反応することにより製造できる。また、原料として用いられるオキシム基含有化合物は、公知の方法［「ザ・システマティック・アイデンティフィケイション・オブ・オーガニック・コンパウンズ（Ｔｈｅ  Ｓｙｓｔｅｍａｔｉｃ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ），第１８１ページ（１９８０年）、「ディ・マクロモレキュラレ・ヘミー（Ｄｉｅ  Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒｅ  Ｃｈｅｍｉｅ）」，第１０８巻，第１７０ページ（１９６７年）、「オーガニック・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」，第５９巻，第９５ページ（１９７９年）］に記載されている方法によって製造することができる。
【００１２】
本発明の一般式（Ｉ）で表わされるオキシムスルホネート化合物の例としては、次に示すものを挙げることができる。
【００１３】
【化１８】
0003798458.tif 000017
【００１４】
【化１９】
0003798458.tif 000018
【００１５】
本発明はまた、前記一般式（Ｉ）で表わされるオキシムスルホネート化合物から成るレジスト用酸発生剤をも提供するものであり、このレジスト用酸発生剤をフィルム形成性物質と混合して、レジスト用感光性組成物を調製することができる。この際の配合量としては、フィルム形成性物質１００重量部に対し、１〜３０重量部が適当である。
【００１６】
【発明の効果】
本発明のオキシムスルホネート化合物は、文献未載の新規な化合物であって、レジストの酸発生剤として有用である。すなわち、レジストの酸発生剤として用いた場合、酸の発生効率が高く、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与えることができるといった効果が発揮される。
【００１７】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００１８】
実施例１
以下のようにして、式
【化２０】
0003798458.tif 000019
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリル２０ｇ（０．０９３モル）と、トリエチルアミン２２．６ｇ（０．２３３モル）を含むテトラヒドロフラン２００ｍｌとを反応容器に入れ、この溶液を−５℃に冷却したのち、メシルクロリド ２６．７ｇ（０．２３３モル）を２時間かけて滴下した。反応混合物を−５℃で２時間かきまぜたのち、約２５℃でさらに２０時間かきまぜた。次いで、テトラヒドロフランを真空下３０℃で留去したのち、得られた生成物２２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点２６３℃の白色結晶１２．５ｇ（理論量の３６．３％）を得た。
【００１９】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７６９ｃｍ-1、８４０ｃｍ-1、１１８９ｃｍ-1、１３８２ｃｍ-1、２２４０ｃｍ-1にピークが認められた。またプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）を測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ6）、３．６８ｐｐｍ、８．１５ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λmax＝２２０ｎｍ、ε＝７９００、λmax＝３０１ｎｍ、ε＝１２２００であった。
【００２０】
実施例２
以下のようにして、式
【化２１】
0003798458.tif 000020
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
実施例１において、ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリルの代わりにビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリルを用いた以外は、実施例１と同様にして反応を行い、得られた生成物３０ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点１９６℃の白色結晶２５．８ｇ（理論量の７２．０％）を得た。
【００２１】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７８２ｃｍ-1、８４４ｃｍ-1、１１９１ｃｍ-1、１３８２ｃｍ-1、２２３８ｃｍ-1にピークが認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ6）、３．６５ｐｐｍ、７．８９ｐｐｍ、８．２７ｐｐｍ、８．２９ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λmax＝２１１ｎｍ、ε＝６５００、λmax＝２６９ｎｍ、ε＝１２１００であった。
【００２２】
実施例３
以下に示すようにして、式
【化２２】
0003798458.tif 000021
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
実施例１において、ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリルの代わりにビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリルを用い、かつメシルクロリドの代わりに１‐ブタンスルホニルクロリド３６．３ｇ（０．２３３モル）を用いた以外は、実施例１と同様にして反応を行い、得られた生成物３２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点９８℃の白色結晶２０．５ｇ（理論量の４８．５％）を得た。
【００２３】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７８３ｃｍ-1、８４４ｃｍ-1、１１９１ｃｍ-1、１３８２ｃｍ-1、２２３９ｃｍ-1にピークが認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：アセトン‐ｄ6）、０．９８ｐｐｍ、１．５２ｐｐｍ、１．９２ｐｐｍ、３．７０ｐｐｍ、７．９１ｐｐｍ、８．２７ｐｐｍ、８．４０ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λmax＝２１１ｎｍ、ε＝７１００、λmax＝２６８ｎｍ、ε＝１３５００であった。
【００２４】
実施例４
以下のようにして、式
【化２３】
0003798458.tif 000022
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリル１０ｇ（０．０４６５モル）と、トリエチルアミン１１．３ｇ（０．１１６モル）を含むテトラヒドロフラン２００ｍｌとを反応容器に入れ、この溶液を−５℃に冷却したのち、ｐ‐トルエンスルホニルクロリド２２．１ｇ（０．１１６モル）を２時間かけて滴下した。反応混合物を−５℃で２時間かきまぜたのち、約２５℃でさらに２０時間かきまぜた。次いで、テトラヒドロフランを真空下３０℃で留去したのち、得られた生成物１２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点２０５℃の白色結晶１０ｇ（理論量の４１．３％）を得た。
【００２５】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７７３ｃｍ-1、８３６ｃｍ-1、１１９７ｃｍ-1、１３９４ｃｍ-1、２２３７ｃｍ-1にピークが認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ6）、２．４２ｐｐｍ、７．５２ｐｐｍ、７．７７ｐｐｍ、７．９８ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λmax＝２３０ｎｍ、ε＝２４０００、λmax＝２７０ｎｍ、ε＝１７３００であった。
【００２６】
実施例５
以下のようにして、式
【化２４】
0003798458.tif 000023
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
実施例２において、メシルクロリドの代わりに無水トリフルオロメタンスルホン酸６４．７ｇ（０．２３３モル）を用いた以外は、実施例２と同様にして上記オキシムスルホネート化合物を得た。
【００２７】
実施例６
以下のようにして、式
【化２５】
0003798458.tif 000024
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
実施例４において、ｐ‐トルエンスルホニルクロリドの代わりに４‐メトキシベンゼンスルホニルクロリド２４．０ｇ（０．１１６モル）を用いた以外は、実施例４と同様にして上記オキシムスルホネート化合物を得た。
【００２８】
実施例７
重量平均分子量２５００のヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体１００重量部及びメラミン樹脂であるＭｗ−３０（三和ケミカル社製）１５重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３８４重量部とＮ‐メチル‐２‐ピロリドン９６重量部との混合溶剤に溶解し、これに酸発生剤として、実施例２で得られた化合物３重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を得た。
【００２９】
次に、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で９０℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚１．０μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）により、レベンソン型位相シフトマスクを介してｉ線（３６５ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃、９０秒間露光後加熱（ＰＥＢ）処理し、次いで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。現像後の形成された０．３０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。また、露光余裕度として（Ｅｏｐ／Ｅｇ）を求めたところ、１．７０であった。なお、Ｅｏｐとは、０．３０μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される露光量であり、Ｅｇは０．３０μｍのマスクパターンの露光部が像形成され始める露光時間である。
【００３０】
比較例１
実施例７において、酸発生剤として、実施例２で得られた化合物の代わりにα‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル３重量部を用いた以外は、実施例７と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００３１】
次に、このレジスト溶液を実施例７と同様な条件でパターニングした。形成された０．３０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、トップ部分が細くなったレジストパターンであった。また、露光余裕度についても実施例７と同様にして求めたところ、１．６０であった。
【００３２】
実施例８
重量平均分子量１００００のｍ‐クレゾールのホルマリン縮合物であるクレゾールノボラック樹脂１００重量部及びメラミン樹脂であるＭｗ−３０（三和ケミカル社製）１０重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２７０重量部に溶解し、これに酸発生剤として、実施例２で得た化合物１．５重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を得た。
【００３３】
次に、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で９０℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚２．０μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）により、ｉ線（３６５ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃で９０秒間ＰＥＢ処理したのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。この際、０．８０μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される露光時間を感度としてｍＪ／ｃｍ2（エネルギー量）単位で測定したところ、７５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００３４】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。また、寸法忠実性として１μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される時間を上記感度で割った値を求めたところ、１．１５であった。また、耐熱性として０．８μｍのレジストパターンをホットプレート上で加熱しレジストパターンがフローする温度を求めたところ、２００℃であった。
【００３５】
比較例２
実施例８において、酸発生剤として、実施例２で得られた化合物の代わりにα‐（４‐トルエンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセトニトリル３重量部を用いた以外は、実施例８と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００３６】
次に、このレジスト溶液を実施例８と同様な条件でパターニングし、同様な定義の感度を測定したところ、３００ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００３７】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、トップ部分が細くなったレジストパターンであった。また、寸法忠実性、耐熱性についても実施例８と同様にして求めたところ、１．３５と１４０℃であった。
【００３８】
実施例９
実施例８において、酸発生剤として、実施例２で得られた化合物の代わりに実施例３で得られた化合物１．５重量部を用いた以外は、実施例８と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００３９】
次に、このレジスト溶液を実施例８と同様な条件でパターニングし、同様な定義の感度を測定したところ、６５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００４０】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。さらに、寸法忠実性、耐熱性についても実施例８と同様にして求めたところ、１．１８と２００℃であった。