(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のピクセルエレメント（２１）が配置されていて、入射光エネルギーを受け取って電気的エネルギーに変換するための表面（２７）と、少なくとも一つの増幅器（２４）と、その少なくとも一つの増幅器（２４）を介して、ピクセルエレメント（２１）により受け取られた信号の関数として供給される複数の刺激電極（２５）とを有する網膜インプラントにおいて、少なくとも一つの感光性の基準素子（２２，２２ａ，ｂ，ｃ）が、前記少なくとも一つの増幅器（２４）と結合されていて、前記少なくとも一つの基準素子（２２）に衝突する光エネルギーの関数としてその増幅を制御することを特徴とする網膜インプラント。
【請求項２】
共通の基準素子（２２）が、前記表面（２７）の選択された部分の上に広がって提供され、基準素子（２２）の上で分離された領域として、好適にはグリッドパターンに従って、配置されるピクセルエレメント（２１）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の網膜インプラント。
【請求項３】
複数の基準素子（２２，２２ａ，ｂ，ｃ）が表面（２７）の選択された部分の上に、ピクセルエレメント（２１）間の前もって決定されたパターンに従って分布されたことを特徴とする、請求項１に記載の網膜インプラント。
【請求項４】
基準素子（２２ａ，ｂ，ｃ）が表面の選択された部分の上に、ストライプのようにおよび／または直交または斜めのグリッドのように分布されたことを特徴とする、請求項３に記載の網膜インプラント。
【請求項５】
各基準素子（２２ａ）が複数のピクセルエレメント（２１）と関係していることを特徴とする、請求項３に記載の網膜インプラント。
【請求項６】
各ピクセルエレメント（２１）がそれと関係する一つの基準素子を有することを特徴とする、請求項３に記載の網膜インプラント。
【請求項７】
一つのピクセルエレメント（２１）がそれと関係する複数の基準素子（２２ｃ）を有することを特徴とする、請求項３に記載の網膜インプラント。
【請求項８】
各ピクセルエレメント（２１）がそれと関係する増幅器（２４）および刺激電極（２５）を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項９】
さらに基準素子（２２ｂ）が隣接するストライプ（２２ａ）およびピクセルエレメント（２１）間に配置されたことを特徴とする、請求項４または５に記載の網膜インプラント。
【請求項１０】
複数の基準素子（２２ｃ）が表面（２７）の選択された部分の上にチェス盤パターンで分布し、各ピクセルエレメント（２１）はお互いに斜めに配置された複数の基準素子（２２ｃ）により囲まれていることを特徴とする、請求項８に記載の網膜インプラント。
【請求項１１】
少なくとも一つの増幅器（２４）がピクセルエレメント（２１）とそれに関係する基準素子（２２，２２ａ，ｂ，ｃ）との出力信号間の差を増幅し、および増幅された信号の関数として関係する刺激電極（２５）をコントロールすることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項１２】
ピクセルエレメント（２１）および少なくとも一つの基準素子（２２，２２ａ，ｂ，ｃ）が同一の波長感度を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項１３】
ピクセルエレメント（２１）および少なくとも一つの基準素子（２２，２ａ，ｂ，ｃ）が光半導体として形作られることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項１４】
ピクセルエレメント（２１）だけでなく少なくとも一つの基準素子（２２；２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）のおのおのが、入射光に面する前もって決定された表面を有し、基準素子（２２）の表面または複数の基準素子（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）の表面の和、それぞれがそれと関連したピクセルエレメント（２１）の表面よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項１５】
ピクセルエレメント（２１）および少なくとも一つの基準素子（２２；２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）が異なる構成部分として形作られたことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【請求項１６】
ピクセルエレメントおよび少なくとも一つの基準素子が互いに同一の構成部分であることを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の網膜インプラント。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は網膜インプラントに関するものである。たとえば、網膜インプラントは、入射光エネルギーを受けて電気的エネルギーに変換するための複数のピクセルエレメントが配置された表面と、少なくとも一つの増幅器と複数の刺激電極から成っており、刺激電極は、少なくとも一つの増幅器を通して、ピクセルエレメントにより受け取られた信号の関数として供給される。
【０００２】
前述の種類の網膜インプラントは米国特許公報第４，６２８，９３３号に開示されている。
【０００３】
この網膜インプラント先行技術は、いわゆる網膜上（epiretinal）インプラントと呼ばれるもので、網膜の表面上に置かれる。本質的にそれは、複数の感光性素子を有するチップから成っており、眼の水晶体に面した網膜表面に供給され、水晶体を通して投影されたイメージを、対応する電気的信号に変換し、網膜に配置された光レセプターを刺激する。感光性素子により受け取られた個々の電気的信号は、チップの後ろ側に配置された関係する刺激電極に供給するために増幅されることがあり、それらは網膜細胞を刺激するために提供される。
【０００４】
このシステムの本来備わった不利益から、最近は、網膜上（epiretinal）インプラントの開発から離れ、より下方の（低い）網膜層に移植される網膜下方（subretinal）インプラントが開発されている。この種の網膜下方（subretinal）インプラントは、例えばＷＯ９８／１７３４３に開示されている。
【０００５】
この網膜下方（subretinal）インプラント先行技術においては、多数の感光性ピクセルエレメントが、水晶体に面した網膜表面に配置されている。多数のピクセルエレメントは水晶体を通して入ってくるイメージを、対応する電気的信号に変換する。エネルギーを供給する目的のために、ピクセルエレメントの後ろに位置する光起電層を通して、眼に付加的に照射される赤外線照射の助けにより、電気的信号は電気的刺激信号に変換される。これらの刺激信号は、刺激電極を通して隣接する網膜細胞に与えられる。この刺激電極も、同様に、水晶体に面したインプラントの表面に配置されている。
【０００６】
網膜下インプラントにとってと同様、網膜上インプラントにとっても、インプラントに外部エネルギーを結合させることが必要であると判明しており、それは、入射光信号を、対応する電気的刺激信号に変換するためであり、その刺激信号はインプラントに隣接する網膜細胞にとって十分な刺激である。不可視の赤外光線の結合に加えて、結合エネルギーのためのその他のオプションについても述べられており、例えば、コイルを通して、あるいは外部電池または移植電池の利用によって基準エネルギーを結合させるオプションなどである。
【０００７】
しかしながら、網膜インプラント先行技術においては、入射光エネルギーを広い強度範囲にわたってほぼ直線的に電気的刺激信号に変換するのが困難だという問題が生じている。
【０００８】
従って、本発明の根本的な目的は、改良された網膜インプラントを提供することであり、それは、入射光エネルギーを、できる限り広い強度範囲を覆う、適当な電気的刺激信号に変換することを可能にする。
【０００９】
最初に特定されたインプラントによれば、この目的は少なくとも一つの感光性の基準素子により達成される。その基準素子は、少なくとも一つの増幅器と結合されていて、少なくとも一つの基準素子に衝突する光エネルギーの関数としてその増幅を制御する。
【００１０】
そうすることにより、放出された電気的刺激信号は平均光強度に順応し、それは同様に、周囲の光状態における変化に関連した眼の自然な順応過程においても行われている。従って一方では、比較的明るい周囲の光のもとでは、刺激電極が強すぎる電気的信号を隣接する網膜細胞に送ることは、過剰刺激あるいはさらにこれらの細胞の損傷という結果に終わる可能性があるが、これは避けられている。これに対し、非常に弱い周囲の光状態のもとでは、十分な強度の刺激信号を隣接の網膜細胞に送ることが可能になり、そのため周囲の光状態が変化する中であっても患者に対し実質的に改良された視覚補助器具が提供される。
【００１１】
実際は、少なくとも一つの基準素子は、個々のピクセルエレメントの表面エリアよりも大きい少なくとも一つの表面エリアを提供されるべきであり、あるいは、表面の選択された部分を平均化することができる複数の基準素子が提供されるべきである。従って、少なくとも一つの基準素子は、個々のピクセルエレメントの使用できる範囲を決定するための標準であり、また増幅特性曲線は平均発光強度の関数としてシフトされる。
【００１２】
少なくとも一つの基準素子の大きさは、平均光強度が決定される表面部分に依存する。その大きさは、それにより、数μｍ２と数ｍｍ２の間で変化する。
【００１３】
本発明の好適な実施態様において、共通の基準素子は表面の選択された部分の上に広がって提供され、ピクセルエレメントは分離されたエリアとして、好適にはグリッドパターンに従って基準素子上に配置される。
【００１４】
この特徴は比較的単純な設計および全体の平均光強度に順応する実現性を可能にしている。
【００１５】
本発明の他の変形例によれば、複数の基準素子はピクセルエレメント間の前もって決定されたパターンに従って、表面の選択された部分全体に分布している。
【００１６】
そうすることにより、平均光強度を決定している間に、患者の個人的な生理学的状態にも順応できる、特別な特徴が得られる。
【００１７】
この実施態様の変形例によれば、基準素子は、表面の選択された部分上に、ストライプ状におよび／または直交または斜めのグリッド状に、分布している。
【００１８】
そのような配列は平均光強度の決定のために異なる変形例を許容し、これは一方では、単純な設計を許容するとともに、他方では前もって決定されたパラメータへ最適に順応することを許容する。
【００１９】
基準素子の数、配列および回路に応じて、一つの基準素子が複数のピクセルエレメントに各々関係したり、また各ピクセルエレメントがそれに関係する一つの基準素子を有していたり、または一つのピクセルエレメントがそれに関係する複数の基準素子を有していたりする。
【００２０】
本発明の他の好適な実施態様によれば、各ピクセルエレメントは増幅器とそれに関係した刺激電極を有している。
【００２１】
このことは、個々のピクセルエレメントにより受け取られた光信号を、最大限の解像力で、隣接する細胞を刺激するために利用することを可能にしている。
【００２２】
本発明の他の変形例によれば、基準素子はその表面の選択された部分上にストライプ状に分布しており、さらに基準素子は個々のストライプとピクセルエレメントとの間に配置されている。
【００２３】
このこともまた、前もって決定された患者の外部または生理学上のパラメータに最適に順応することを許容する。  本発明のさらに他の実施態様によれば、複数の基準素子は、表面の選択された部分上に、チェス盤パターンで分布している。その中で各ピクセルエレメントは複数の基準素子により囲まれており、基準素子は互いに斜めに配置されている。
【００２４】
そうしたとき、基準素子は、関係したピクセルエレメントと比較してより大きな長さまたは幅を有しており、特に選択された幾何学上の配置に依存し、または個々のピクセルエレメントに関係した個々のセグメントにまで細分類される。
【００２５】
そうすることにより、表面の選択された部分を重複させることが可能であり、これは個々のピクセルエレメントに対する基準信号の決定にとって必要である。
いくつかの基準素子または基準素子のいくつかのセグメントは、それぞれ、表面のより大きな部分上の平均光強度を決定するために一つのピクセルエレメントと関係している。他方では、その表面のより大きく選択された部分上に分布する個々の基準素子を、複数のピクセルエレメントまたは網膜インプラント全体のための基準として用いることも可能である。
【００２６】
このような方法で、平均光強度を決定するために、網膜インプラントの表面全体を利用するチップセグメントが生み出されている。従って、もし基準素子が稼働しなくなると、網膜インプラントのその部分に限り、その実施可能性を失う。
【００２７】
本発明のさらに他の実施態様によれば、少なくとも一つの増幅器はピクセルエレメントからの出力信号とそれに関係した基準素子からの出力信号との差を増幅し、かつ関係した刺激電極を増幅された信号の関数としてコントロールする。
【００２８】
このことが、特に単純で信頼性のある設計の増幅回路という結果になる。さらに進んで、平均化する手段または同様のものは必要とされていない。
【００２９】
本発明のさらに他の実施態様によれば、ピクセルエレメントおよび少なくとも一つの基準素子は同一の波長感度を有している。
【００３０】
そうすることにより、少なくとも一つの基準素子が、通常の増幅器の操作範囲を決定するために直接的に用いられる。
【００３１】
本発明の他の実施態様によれば、ピクセルエレメントおよび少なくとも一つの基準素子は光ダイオードとして形作られている。
【００３２】
同様のものを製造するための適当な方法はよく知られており、高充填密度をもってずらりと並んだ多数のピクセルエレメントの規則正しい配列を許容する。
【００３３】
増幅器または複数の増幅器は直線のまたは対数の特性曲線を有している。
【００３４】
対数特性曲線を持つ増幅器の利用が有利であり、なぜなら、広い強度範囲を覆う入力信号の大きな変動をともなった状態においてでさえ、出力信号は比較的小さな範囲でしか変化しないからである。
【００３５】
前に述べた機能および以下に述べる機能は、特に与えられた組み合わせにおいて利用されるだけでなく、他の組み合わせまたは単独でも、本発明の範囲から逸脱することなく利用される。
【００３６】
本発明のさらなる機能および利点は、先の実施態様について、図を参照した後の説明から明らかになるだろう。
【００３７】
図１において、参照番号１０は眼の全体、例えば人の眼を示している。水晶体１１および網膜１２は、眼１０の中に概略的に表示されている。
【００３８】
網膜下インプラントは１３で示され、インプラント１３は網膜１２の下層の中に配置されている。
【００３９】
対象物１４は、光線１６、１７および逆さまのイメージ１５で指し示されるように、従来どおりの方法で、水晶体１１を通して網膜１２上に再生される。
【００４０】
図１中の参照符号１８は、不可視の光線例えば赤外光線の光線束を示し、光線束１８はインプラント１３の表面全体の上に当たるようになっている。その目的のため、光線束１８は、眼１０中の１８’で示されるように、水晶体１１により少しだけ変形される。そのような、網膜インプラント１３に電流を供給するための、眼への外部のカップリングエネルギーを得るためのオプションは、ＷＯ９８／１７３４３により十分に知られている。
【００４１】
本発明のインプラント１３は特別な設計および構造により特徴づけられ、後の図２〜図４からの実施例として見られる。
【００４２】
言うまでもなく、以下に説明される、電流の供給を目的として、赤外線エネルギーを通してカップリングエネルギーを得るためのオプションは、カップリングエネルギーを得るための他の知られたオプション、すなわち特に、誘導的にカップリングする基準エネルギーを得るためのオプションが、みな同様に使用されているからといって、限定として理解されるべきでない。
【００４３】
複数の感光性ピクセルエレメントは水晶体１１に面したインプラント１３の活性表面２７の上に配置されている。ピクセルエレメント２１は、矢印１６’により図２中に例示されている入射光エネルギーを、対応する電気的信号に変換する。
【００４４】
入射赤外線照射は１８’で例示され、電流の供給を成立させる目的を有しており、また増幅回路２４に対する供給として役立つ下にある赤外線光ダイオードを通って、電気的エネルギーに変換される。増幅回路２４は、入射光エネルギーの関数として刺激電極２５を制御し、隣接する網膜細胞を刺激する。
【００４５】
本発明によると、少なくとも一つの感光性の基準素子２２は感光性のピクセルエレメント２１に付加的に提供されている。基準素子２２は図２においてピクセルエレメント２１の隣に概略的に示されている。
【００４６】
ＷＯ９８／１７３４３による先行技術の配列においては、ピクセルエレメントにより受け取られた電気的信号は刺激電極２５と対応する刺激信号に直接的に変換されているが、一方現在では、基準素子２２の助けにより、表面２７のあらかじめ選択された部分全体で、平均光強度を決定することが教えられている。平均光強度は増幅器の特性曲線を調整するのに用いられ、刺激電極２５へは増幅器を通して供給される。
【００４７】
図２の実施態様において、基準素子２２およびピクセルエレメント２１は、さらに、本来知られているように、赤外線照射１８’をブロックするフィルター２３によって覆われている。
【００４８】
さらに、この実施態様は例としてのみ理解されるべきであるということが強調されており、そして代替案としては、選択的吸収の（すなわち付加的なフィルター層のない）原理が用いられたり、またさらにもっぱら他の種類のカップリングエネルギーが用いられたりする。
【００４９】
本発明の基本的原理は、この配列とは関係なく、図４からの詳細にさらに取り入れられている。
【００５０】
図４において、刺激電極２５から放出される出力信号の出力電流強度ＩＡは、入射光強度ＩＥの関数としてルクスで与えられる。
【００５１】
一方で、従来の配列は、例えば米国特許公報第４，６２８，９３３号によれば、図４において点線２９で示されるように、おおよそ直線の特性曲線を有しているが、本発明は光状態の変化に適応すること、すなわち平均光強度の関数として増幅器２４の特性曲線Ｋをシフトすることを教えており、それは、矢印２８で示されるように、基準素子２２によってなされる。低い平均光強度は左手側への特性曲線Ｋのシフトを生じ、一方高い平均光強度は右手側への特性曲線Ｋのシフトを生じる。
【００５２】
これは、増幅器２４がピクセルエレメント２１と基準素子２２との間の信号の差を決定し、および同様に増幅する中で、極めて単純に行われる。基準素子２２は、それにより、回路の操作の範囲を決定し、その結果ピクセルエレメントの範囲内で増幅器２４の出力信号は、ピクセルエレメント２１の光強度がどのくらい基準素子２２の光強度から離れるかによってのみ決まる。言うまでもなく、それゆえに、基準素子２２はピクセルエレメント２１よりも大きな表面を有し、および／または複数の基準素子２２が平均光強度の決定のために利用される。
【００５３】
もちろん、増幅は電流強度または電圧に限定されず、これらの単位に由来している他の単位に対してもまた適用され、その中で増幅は低いかまたは極めて高く、１０，０００またはそれ以上になる。従って、増幅器２４は１段または多段になる。さらに、増幅器２４の特性曲線は直線的に（図４に示されるように）、または別の方法で、例えば対数関数的に、光強度に依存する。特性曲線は、さらに、小さな明度範囲に制限されるか、または１０倍またはそれ以上の明るさに拡大される。増幅器２４の出力信号は時がたてば一定になり、もしくは付加的な回路または他の外部装置により制限される。出力信号はパルスシーケンスとしてまたはｃｗ信号として伝達される。
【００５４】
原理の問題として、各ピクセルエレメント２１はそれに関係した最高の解像力を得るために増幅器２４および刺激電極２５も有している。さらに複数のピクセルを一つの増幅器２４に結合させることや、または複数のピクセルエレメント２１を一つの刺激電極２５に結合させることも考慮されるかもしれない。
【００５５】
本発明による網膜インプラント１３の構造の中では、図２中の実証された形態として示されるように、チップ２０は、複数のピクセルエレメント２１、増幅器２４、刺激電極２５、並びにその上に少なくとも一つまたはそれ以上の基準素子２２を有し、ＣＭＯＳ技術または石版法を用いて、よく知られた方法により製造される。
【００５６】
これは本発明の主題ではないので、それに関してそれ以上の詳細は提供されない。
【００５７】
図３および図３ａから図３cの参照により、ピクセルエレメント、基準素子お よび刺激電極のいくつか考えられる配列が今から述べられるが、これは、しかしながら、例としてのみ理解されるべきである。
【００５８】
図３は高度に拡大した尺度で、活性表面２７の断面の概略化した平面図を示しており、言い換えれば、表面は活性回路素子であり、言い換えればピクセルエレメントおよび刺激電極を提供された表面である。この最初の実施態様の中に、ただ一つの連続的な基準素子２２が提供されている。ピクセルエレメント２１の対は付近の刺激電極２５と共にその上に配置されている。基準素子２２の下に、関連した増幅器２４が提供される。個々のピクセルエレメント２１および刺激電極２５は、もちろん、関係する基準素子２２と電気的に絶縁されており、これはピクセルエレメント２１および刺激電極２５の誤動作を避けるためである。
【００５９】
図３ａの実施態様において、ストライプ形状の基準素子２２ａは活性表面２７ａ上に、活性表面２７ａの選択された部分の上に配置されている。増幅器２４と関係したピクセルエレメント２１および刺激電極２５の対は、隣接したストライプ形状の基準素子２２の間に配置されており、このように隣接した対の間に間隔が形作られる。
【００６０】
その限りにおいて、複数のピクセルエレメント２１を備えた基準素子２２は、それぞれ個々の関係した増幅器２４を経由して結合される。
【００６１】
図３ｂはピクセルエレメント２１および基準素子２２ａ，２２ｂの他の配列を概略的に示す。また、ストライプ形状の基準素子２２ａは活性表面２７ｂ上に、活性表面２７の選択された部分の上に、お互いの間に通常の間隔をもって配置され、かつピクセルエレメント２１および刺激電極２５の対はそれぞれストライプ形状の基準素子２２ａ間に配列され、お互いの間におよび互いに横方向に間隔を形作っている。さらに一つの長方形の基準素子２２ｂは隣接した対のピクセルエレメント２１および刺激電極２５との間に提供される。
【００６２】
その限りにおいて、基準素子２２ａ，２２bおよび増幅器２４の回路の多数の 変形例が可能である。
【００６３】
図３ｃは、ピクセルエレメント２１、関係した増幅器２４を備えた刺激電極２５および基準素子２２ｃの配列の実施態様の他の実施例を示す。
【００６４】
複数の基準素子２２ｃは活性表面２７ｃの上に、チェス盤パターンに従って、および表面２７ｃの選択された部分の上に分布される。その限りにおいて、一個のピクセルエレメント２１はおのおの刺激電極２５と結合され、正方形の表面を有し、かつ１対の各基準素子２２ｃにより互いに取り囲まれた対となる。個々の基準素子２２ｃはより細く、しかしながら、より長い長さを有し、完全な４対の基準素子２２ｃがピクセルエレメント２１およびそれに関係する刺激電極２５により形作られた正方形の周囲に配置され、それは横方向の過剰部分により刺激電極２５と関係されている。従って、他の閉じられた正方形は、基準素子２２ｃの対により輪郭として形作られている。その限りにおいて、各基準素子２２ｃの対の外側はそれぞれ隣接する基準素子２２の対およびピクセルエレメント２１および刺激電極２５の対と共に正方形のように再び結合され、それは前述の正方形に対しずれた関係で配置されている。
【００６５】
全体として見れば、ピクセルエレメント２１、刺激電極２５および基準素子２２ｃの定常パターンはそれぞれ正方形に形作られており、その正方形はピクセルエレメントおよび刺激電極２５からなり、完全な形の４つの基準素子２２ｃの対によって囲まれており、横方向の過剰部分により側面が正方形の大きさを超えて延長され、およびより大きな正方をお互いに補充している。
【００６６】
いくつかのピクセルエレメント２１と基準素子２２との間の関係は、平均光強度の決定のための異なる変形例を提供するために、異なる方法で今変えられる。
【００６７】
図３ｃにおいて、例として、４つの基準素子２２ｃの完全な形は、配列パターンにより示され、それはピクセルエレメント２１および刺激電極２５の中心対とともに、ピクセルエレメント２１および刺激電極２５により星形パターンに形作られ、その正方形状の中心には４つの放射状に伸びた薄い長方形の基準素子２２ｃにはそれぞれ９０度ずれた角がある。この回路において、４つの基準素子２２ｃがピクセルエレメント２１の増幅器２４と関係している。そうすることにより、刺激電極２５の出力信号は、ある限られた周囲の状況にあるピクセルエレメント２１の周辺で決定された、平均光強度の関数として、関係した増幅器２４を通して制御される。さらに、複数の刺激電極２５を制御するためにも、これらの基準素子２２ｃを利用することが、考慮され得る。これらの基準素子２２ｃまたは描写されている基準素子２２ｃの他の部分的な量を、チップ２０の全体またはそれの部分的な範囲の光強度の決定のために利用できる。
【００６８】
そうすることにより、平均光強度の決定のためにチップ２０の表面全体を利用するチップセグメントが作られているが、もし基準素子が故障したとき、チップ２０の一部分に限りその機能が失われる。
【００６９】
前に述べた実施態様の変形例において、ピクセルエレメント２１それ自体を基準素子２２として利用することは原理的に可能である。その目的のため、ピクセルエレメント２１により受け取られた信号は平均値を決定するために周期的に集積され、その平均値は保存され、かつ保存された平均値の関数として増幅の制御のために利用されなければならないだろう。平均化は前もって決定された時間の間隔で繰り返されることにより行われなければならないだろう。
【００７０】
そのような配列により、分解能はさらに向上し、およびチップ２０の構造は単純になり、それぞれ、基準素子２２が使用されなくなるが、しかしながら、このことが平均化、集積化および計時のために付加的な方法が提供されることを要求するからである。さらに、インプラントはピクセルエレメントにより受け取られた信号の平均化および処理が実施される瞬間において活性ではなく、従って結果としてあるデッドタイムが生じる。
【００７１】
しかしながら、そのような配列は原理上可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  眼の高度に図式化した断面図を示す。目の網膜には本発明によるインプラントが提供されている。
【図２】  本発明の網膜インプラントの考えられる実施態様の断面の概略を示しており、網膜下的な設計で、高度に拡大した規模であり、かつ断面図である。
【図３】  網膜インプラントの表面の概略平面図を示している。それにより、第一に考えられるピクセルエレメントの配列や、刺激電極を伴った増幅器、および共通の基準素子が明白になっている。図３ａは、ピクセルエレメント、電極および基準素子の他の配列の概略図である。図３の実施態様と比較して変形されている。図３ｂは、図３ａの実施態様の他の変形例である。図３ｃは、図３ｂの実施態様の他の変形例である。
【図４】  本発明の基本原理の概略図であり、平均光強度の関数として増幅特性曲線がシフトすることの基準を示している。
【符号の説明】
１０  眼
１１  水晶体
１２  網膜
１３  網膜インプラント
１６、１７  光線
【図１】
0003732741.tif 000002
【図２】
0003732741.tif 000003
【図３】
0003732741.tif 000004
【図４】
0003732741.tif 000005