(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とでそれぞれ異なるめっきパターンを有する半導体パッケージを複数実装した半導体パッケージの製造パネルのめっき方法であって、
前記複数の半導体パッケージのうちの一部の半導体パッケージの表面と裏面とが、他の半導体パッケージの表面と裏面とは逆になっていることを特徴とする、半導体パッケージの製造パネルのめっき方法。
【請求項２】
前記半導体パッケージは複数の列に並べられ、
前記複数の列のうち少なくとも１列の半導体パッケージの表面と裏面とが、他の列の半導体パッケージの表面と裏面とは逆になっていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージの製造パネルのめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体パッケージの製造パネルのめっき方法に関し、特にセミアディティブ法におけるＯＬＧＡ（Organic Land Grid Array）パッケージの製造において用いられる半導体パッケージの製造パネルのめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体パッケージの１種であるＯＬＧＡパッケージが知られている。ＯＬＧＡパッケージの製造工程においては、複数のＯＬＧＡパッケージを実装（面付け）した製造パネルが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
セミアディティブ法によるＯＬＧＡパッケージの製造においては、めっき対象となるパターンの面積が、めっき条件の決定要素の１つとなっている。
【０００４】
めっき対象となるパターン面積を、めっき工程上の観点より見た場合、パネルの表面／裏面ともに同程度の面積であることが理想的である。しかしながら、実際のパッケージ設計では電気的特性などを追求しなければならない結果、表面と裏面とのパターン面積は大きく食い違っているのが実情である。
【０００５】
図７に、ＯＬＧＡパッケージの表面１００ａの具体例を、図８にＯＬＧＡパッケージの裏面１００ｂの具体例を示す。図において、黒い部分がめっきを行なうパターンである。この図からもわかるように、パターンの面積は表面と裏面とで大きく異なることが多い。
【０００６】
同様に、図９は複数のＯＬＧＡパッケージを実装した製造パネルの表面を示す図であり、図１０は裏面を示す図である。
【０００７】
図９および図１０においては、３行４列の１２個のＯＬＧＡパッケージが製造パネルに実装されている。それぞれの列にＡ〜Ｄの符号を付け、それぞれの行に１〜３の番号を付けている。図９および図１０において、同一の符号および番号で示されるＯＬＧＡパッケージは、同一のものを示している。
【０００８】
このようにパターン面積が、表面と裏面とで大きく食い違っている場合、めっき工程におけるめっき条件の決定、製品の製造品質の確保が困難となる。
【０００９】
たとえば、裏面のパターン面積が表面のパターン面積より大きい場合、裏面と表面とで電流密度などの条件を個別に設定して（パターン面積の大きい面により大電流を流すようにして）めっきを行なう。しかしながら、めっき槽は同一のため、大電流を流している面（裏面）の銅イオンが遊離して、小電流を流している面（表面）に付着し、表面に不要なめっき膜を形成させてしまうという問題が発生する。
【００１０】
特に、ＯＬＧＡパッケージは、コンピュータなどのＭＰＵの実装に使用され、ＭＰＵの処理能力向上に伴い、より一層の小型化および高密度化が求められている。したがって、ＯＬＧＡパッケージの設計は多様な制約条件が増加する方向にあり、前述した表面および裏面のパターン面積を同程度になるように設計することは非常に困難で、また現実的ではない。
【００１１】
そこでこの発明は、パッケージ単体の表裏のアンバランスなパターン面積に左右されることがなく、良好にめっきを行なうことができる半導体パッケージの製造パネルのめっき方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためこの発明のある局面に従うと、半導体パッケージの製造パネルのめっき方法は、表面と裏面とでそれぞれ異なるめっきパターンを有する半導体パッケージを複数実装した半導体パッケージの製造パネルのめっき方法であって、複数の半導体パッケージのうちの一部の半導体パッケージの表面と裏面とが、他の半導体パッケージの表面と裏面とは逆になっていることを特徴とする。
【００１３】
好ましくは半導体パッケージは複数の列に並べられ、複数の列のうち少なくとも１列の半導体パッケージの表面と裏面とが、他の列の半導体パッケージの表面と裏面とは逆になっていることを特徴とする。
【００１４】
この発明によると、半導体パッケージの表面と裏面とでめっきパターンが異なる場合においても、良好にめっきを行なうことができる半導体パッケージの製造パネルのめっき方法を提供することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図であり、図２は裏面を示す図である。
【００１６】
図に示されるように、本実施の形態においては、パッケージの実装面（表面／裏面）を交互にして、半導体パッケージを製造パネルに配列させている。
【００１７】
このため、半導体パッケージ単体の表面と裏面とでパターン面積が違う場合にも、製造パネル全体としては表面と裏面とでめっきを行なうパターンの面積を等しくすることができる。これにより、良好なめっきを行なうことができる半導体パッケージの製造パネルを提供することが可能となる。
【００１８】
なお、この実施の形態においては、めっきを行なうパターンの面積を製造パネルの表面と裏面とで等しくなるように半導体パッケージを配列させることとしたが、複数の半導体パッケージのうちの少なくとも一部の半導体パッケージの表面と裏面とを他の半導体パッケージの表面と裏面とに対して逆にすると、図９および図１０に示される製造パネルにより半導体パッケージの製造を行なうよりも良好なめっきを行なうことができる。
【００１９】
図３は、本発明の第２の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図であり、図４は裏面を示す図である。
【００２０】
本実施の形態においては半導体パッケージを複数の列に並べており、複数の列（Ａ〜Ｄ）のうちの２列の半導体パッケージの表面と裏面とが他の列の半導体パッケージの表面と裏面とは逆になっていることを特徴としている。
【００２１】
このように複数の列のうちの少なくとも１列の半導体パッケージの表面と裏面とを他の列とは逆にすることで、製造パネルの表面と裏面とにおけるめっきを行なうパターン面積の差を小さくすることができ、良好なめっきを行なうことができる。
【００２２】
なお、この実施の形態においては４列の半導体パッケージのうち２列の表面と裏面とを逆にすることとしたが、少なくとも１列の半導体パッケージの表面と裏面とを他の列とは逆にすることで、図９および図１０に示される例よりも良好なめっきを行なうことができる。
【００２３】
図５は、本発明の第３の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図であり、図６は裏面を示す図である。
【００２４】
図に示されるように、本実施の形態においては、製造パネルに配列されたパッケージのうちＢ列のパッケージのみを他の列（ＡおよびＣ）とはその表面と裏面とを逆にするようにしている。
【００２５】
本実施の形態においても、製造パネルの表面と裏面とでめっきを行なうパターンの面積の差を小さくすることができ、良好なめっきを行なうことができる。
【００２６】
上述の実施の形態によると、製造パネルにおける半導体パッケージの表面と裏面とのパターン面積のアンバランスを相殺することができ、結果としてパネルの表面および裏面のパターン面積の差を小さくすることができ、良好なめっきを行なうことができる。
【００２７】
また、製造パネルの表面と裏面とでパターン面積を同一にすれば、表面と裏面とのめっき条件も同等に設定することができる。さらに、条件差分による銅イオンの不正干渉もなくなるため、製造品質を向上させることができる。
【００２８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図である。
【図２】  図１の製造パネルの裏面を示す図である。
【図３】  第２の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図である。
【図４】  図３の製造パネルの裏面を示す図である。
【図５】  第３の実施の形態における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図である。
【図６】  図５の製造パネルの裏面を示す図である。
【図７】  １つの半導体パッケージの表面を示す図である。
【図８】  図７の半導体パッケージの裏面を示す図である。
【図９】  従来技術における半導体パッケージの製造パネルの表面を示す図である。
【図１０】  図９の製造パネルの裏面を示す図である。
【符号の説明】
１００ａ  半導体パッケージの表面、１００ｂ  半導体パッケージの裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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