(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶が封入され、表示領域の外側に光硬化性樹脂からなるシール材を塗布し、前記シール材近傍の液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にして光照射し、前記シール材を硬化させることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にする手段として、前記シール材近傍に垂直配向膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にする手段として、基板面に垂直な方向に電界を発生させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板面に垂直な方向の電界を発生させる手段として、一方の基板に形成された画素電極と、他方の基板に形成された対向電極との間に電圧を印加することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
一対の基板間に液晶が封入され、表示領域の外側に光硬化性樹脂からなるシール材を塗布し、前記シール材近傍の液晶分子のダイレクタ方向を揃え、液晶分子のダイレクタ方向に対し振幅面が垂直な光を照射し、前記シール材を硬化させることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記液晶分子のダイレクタ方向を揃える手段として、基板面に対し平行又は斜め方向に電界を発生させることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記基板面に対し平行な方向の電界を発生させる手段として、隣接する画素電極間に電圧を印加することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記基板面に対し斜め方向の電界を発生させる手段として、一方の基板に形成された画素電極と他方の基板に形成された対向電極との間に電圧を印加することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記振幅面が垂直な光を照射する手段として、前記基板と光照射用光源との間に偏光子を配置することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記光が紫外線であることを特徴とする請求項１又は５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記一対の基板間に滴下注入法により液晶が封入され、請求項１又は５に記載の方法で製造されることを特徴とする液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シール材又は封止材の硬化や表示むらの防止のために紫外線を使用する液晶表示パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、近年、パーソナルコンピュータのディスプレイやテレビ等に広く使用されるようになった。
一般的に、液晶表示装置を構成する表示パネルは、２枚の透明ガラス基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらのガラス基板の相互に対向する２つの面（対向面）のうち、一方の面側にはブラックマトリクス、カラーフィルタ、対向電極及び配向膜等が形成され、また他方の面側にはＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更に各ガラス基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。また、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、電界をかけない状態では光を遮光し、電界を印加した状態では透過するモード、すなわちノーマリーブラックモードとなる。
【０００３】
なお、以下の説明において、液晶表示パネルを構成する２枚の基板のうち、ＴＦＴ等が形成された基板をＴＦＴ基板、カラーフィルタ等が形成された基板をＣＦ基板という。
以下、液晶表示パネルの製造方法の一例として、ディップ注入法といわれる方法について説明する。
【０００４】
まず、第１の透明基板上にブラックマトリクス、カラーフィルタ、対向電極及び配向膜等を形成してＣＦ基板とし、第２の透明基板上にＴＦＴ、画素電極及び配向膜等を形成してＴＦＴ基板とする。その後、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板のいずれか一方の基板上に表示領域（画素電極又はカラーフィルタ等が形成された領域）を囲むようにしてほぼ枠状にシール材（紫外線硬化性樹脂）を塗布する。このとき、後工程でパネル間に液晶を注入するための液晶注入口となる部分にはシール材を塗布しないようにする。その後、基板間の間隔を一定に維持するためのスペーサを挟んでＴＦＴ基板及びＣＦ基板を重ね合わせ、シール材によりＴＦＴ基板及びＣＦ基板を仮接合する。
【０００５】
次に、一方の基板の上に表示領域を覆う遮光板を配置した後、この遮光板を配置した側から紫外線を照射してシール材を硬化させる。
次に、真空装置により基板間を十分に排気した後、液晶注入口を液晶中に浸漬して大気圧に戻し、圧力差により基板間に液晶を注入する。
次いで、液晶注入口に封止材（紫外線硬化性樹脂）を充填し、表示領域の上を遮光板で覆って紫外線を照射し、封止材を硬化させる。これにより、液晶表示パネルが完成する。
【０００６】
また、他の液晶表示パネルの製造方法として、滴下注入法といわれる方法がある。この方法においては、まず、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板のうちの一方の基板の表示領域の外側に、表示領域を完全に囲むようにしてシール材を塗布する。そして、基板上に液晶を滴下し、スペーサを挟んで他方の基板を重ね合わせる。その後、基板上に表示領域を覆う遮光板を配置し、紫外線を照射してシール材を硬化させる。これにより、液晶表示パネルが完成する。
【０００７】
ところで、液晶表示パネル内に封入された液晶中に不純物イオンが含まれると電界保持率が大きく低下して色抜け等の表示むらが発生し、表示品質が劣化する。このような不具合を回避するために、従来、液晶注入口の近傍に一対のイオントラップ電極を設け、液晶を注入する際に電極間に直流オフセット成分を有する交流電圧を印加してイオントラップ電極に不純物イオンを吸着することが提案されている（特開平６−３３１９９５号公報）。また、画素電極の周囲に、画素電極上の配向膜よりもイオン吸着能が高い配向膜を形成して、この配向膜により不純物イオンを吸着することも提案されている（特開平７−１１０４７９号）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶注入時に液晶中の不純物イオンをイオントラップ電極に吸着しても、その後電圧の印加を停止するとイオントラップ電極に吸着されたイオンが再び解離し、熱運動により液晶中に拡散して、表示むらの原因になる。また、図１１に示すように、紫外線硬化性樹脂３３の硬化のために紫外線を照射する際に、遮光板３１の縁部から液晶中に紫外線が進入して液晶分子が分解され、イオンが発生して表示品質の劣化を招くという問題点もある。イオン吸着能が高い配向膜により不純物イオンを吸着する方法でも、紫外線硬化性樹脂を硬化させる際に液晶分子が分解してしまうことを避けることができない。
【０００９】
更に、近年、表示コントラストのむらを抑えるために、液晶表示パネルの全面に紫外線を照射することが提案されている（特開平７−１５２０３４号公報）。この場合、紫外線による液晶分子の分解を防止することができない。
本発明の目的は、紫外線硬化性樹脂の硬化や表示むらの抑制のために紫外線を照射する際に、液晶分子の分解を抑制できる液晶表示パネルの製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、一対の基板間に液晶が封入され、表示領域の外側に光硬化性樹脂からなるシール材を塗布し、前記シール材近傍の液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にして光照射し、前記シール材を硬化させることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法により解決する。
【００１１】
液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にする手段として、シール材近傍に垂直配向膜を形成してもよい。
【００１２】
液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向に対し平行にする手段として、基板面に垂直な方向に電界を発生させてもよい。
【００１３】
上記した課題は、一対の基板間に液晶が封入され、表示領域の外側に光硬化性樹脂からなるシール材を塗布し、前記シール材近傍の液晶分子のダイレクタ方向を揃え、液晶分子のダイレクタ方向に対し振幅面が垂直な光を照射し、前記シール材を硬化させることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法により解決する。
【００１４】
液晶分子のダイレクタ方向を揃える手段として、基板面に対し平行又は斜め方向に電界を発生させてもよい。
【００１５】
上記した課題は、一対の基板間に滴下注入法により液晶が封入された液晶表示パネルにおいて、シール材が上記方法により硬化されて製造されたことを特徴とする液晶表示パネルにより解決する。
【００１６】
以下、本発明の作用について説明する。
図１は、液晶表示パネルの基板表面の液晶分子を示す模式図である。液晶分子はその構造中に多くの不飽和結合を有した棒状分子であり、基板の表面の配向膜（図示せず）により決まる角度で立ち上がり、且つ一定の方向に配向している。液晶分子の長軸方向ｎをダイレクタ方向、液晶分子の立ち上がり角度ψをチルト角、液晶分子の長軸の基板表面への投影線と基板のｘ軸方向とのなす角度Φを方位角という。
【００１７】
液晶中の液晶分子のダイレクタ方向が均一でない場合又は液晶分子が一方の基板側から他方の基板側に方位角が徐々に変化するように捩じれ状態で配向している場合には紫外線の吸収が大きく、特に反応性が高い原子団（＞Ｃ＝Ｏ等）を有している液晶では紫外線でより活性化され、多くのイオンが生成される。一方、液晶分子のダイレクタ方向が光の伝播方向と一致している場合は、液晶分子のダイレクタ方向が紫外線の伝播方向に対し垂直な場合に比べて光の吸収が著しく低減される。そこで、本願発明では、垂直配向膜や電圧の印加により液晶分子のダイレクタ方向を光の伝播方向とほぼ同じ方向にする。例えば、ＴＮ（ツイストネマティック）型液晶表示パネルの場合、表示領域の外側に垂直配向膜を形成しておくことにより、基板間の液晶分子は基板面に対し垂直な方向に配向する。従って、シール材や封止材の硬化の際に遮光膜の縁部から液晶中に紫外線が進入しても、液晶分子の紫外線による分解が抑制される。また、基板面に対し垂直な方向に電界を印加して液晶分子のダイレクタ方向を基板面に対し垂直な方向に揃えると、表示むらを抑えるためにパネル全面に紫外線を照射する場合に、液晶分子による紫外線の吸収が抑制され、液晶分子の分解が抑制される。
【００１８】
表示領域とパネル縁部との間隔が狭いいわゆる狭額縁液晶表示パネルの場合は、シール材又は封止材と表示領域との間隔が狭く、遮光板の縁部から進入した紫外線により表示領域の液晶が分解してしまうことがある。しかしながら、上述のように紫外線照射時に基板面に対し垂直な方向に電圧を印加することにより、シール材硬化時の液晶分子の劣化が回避される。
【００１９】
また、液晶はその分子構造から複屈折性を有しており、液晶分子のダイレクタ方向が同一であり且つ基板面に対し水平又はチルトしているときには、入射光の振幅面と液晶分子の方位角とのなす角が垂直であれば液晶分子と光の衝突割合は最小となり、平行であるときは最大となる性質がある。そこで、本願他の発明では、紫外線を偏光子を介して液晶パネルに照射する。この場合、液晶分子のダイレクタ方向を揃え、この液晶分子の方位角と光の振幅面とが直角になるように偏光子を配置する。これにより、液晶分子の紫外線の吸収が大幅に低減され、シール材や封止材の硬化工程又は表示むらを防止するための紫外線照射工程における液晶分子の劣化が防止される。
【００２０】
液晶分子のダイレクタ方向を基板面に水平に揃えるためには、例えば、ＴＮ型の液晶表示パネルではＴＦＴ基板上の隣接する画素電極（駆動電極）同士に交流電圧を印加し、横方向電界を発生させる。これにより、液晶のダイレクタ方向を基板面に水平且つ同一方向に揃えることができる。また、一対の基板のうちの一方に駆動電極及び対向電極の両方を形成するＩＰＳ（インプレーン・ スイッチング）方式の液晶表示パネルの場合には、紫外線照射時に前記駆動電極及び前記対向電極に電圧を印加することにより、液晶分子のダイレクタ方向を基板面に対し水平方向に揃えることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図２及び図３は本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。なお、本実施の形態はＴＮ型液晶表示パネルをディップ注入法により製造する場合の例である。
【００２２】
まず、ＴＦＴ基板となる透明基板１１上の表示領域にＩＴＯ（インジウム酸化スズ）からなる画素電極１２、ＴＦＴ（図示せず）及びバスライン（図示せず）を形成し、これらの画素電極１２及びＴＦＴを覆うようにして水平配向膜１３ａを形成する。また、基板１１上の表示領域の外側に垂直配向膜１３ｂを形成する。その後、配向膜１３ａ，１３ｂの表面をラビング処理する。
【００２３】
一方、ＣＦ基板となる透明基板２１の表示領域にカラーフィルタ（図示せず）及び画素間を遮光するブラックマトリクス（図示せず）を形成し、これらの上にＩＴＯからなる対向電極２２を形成する。そして、この透明基板２１の表示領域上に水平配向膜２３ａを形成し、表示領域の外側に垂直配向膜２３ｂを形成する。その後、配向膜２３ａ，２３ｂの表面をラビング処理する。
【００２４】
次に、基板１１，２１の各配向膜形成面側を対向させ、基板１１，２１間にスペーサ（図示せず）を散布して、シール材（紫外線硬化性樹脂）により接合してパネルとする。
次いで、基板１１，２１間に液晶を注入し、液晶注入口に封止材（紫外線硬化性樹脂）３を充填する。その後、表示領域を覆う遮光板３１を基板２１上に重ね、基板２１側から紫外線を照射して封止材３を硬化させる。これにより、液晶表示パネルが完成する。
【００２５】
この場合、本実施の形態においては、表示領域の外側に垂直配向膜１３ｂ，２３ｂが形成されているので、図２，図３に示すように、表示領域の外側の液晶分子２は基板１１，２１に対し垂直方向に配列する。そして、紫外線は液晶分子２のダイレクタ方向に伝播方向する。
このように液晶分子２のダイレクタ方向が紫外線の伝播方向に揃っている場合、液晶分子２での紫外線吸収率は極めて小さくなる。これにより、液晶分子２で吸収される紫外線の量が著しく低減され、液晶分子２の劣化が回避される。なお、表示領域の液晶分子２のダイレクタ方向は基板面に対し垂直ではないが、表示領域は遮光板３１で覆われているので、表示領域の液晶分子２の劣化も回避される。
【００２６】
（第２の実施の形態）
図４は本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。なお、本実施の形態は、表示領域とパネル縁部との間の距離が短いいわゆる狭額縁液晶表示パネルの製造に適した製造方法の例である。
まず、ＴＦＴ基板となる透明基板１１上の表示領域に画素電極１２及びＴＦＴ（図示せず）を形成し、これらの画素電極１２及びＴＦＴを覆うようにして水平配向膜１３を形成する。その後、配向膜１３の表面をラビング処理する。
【００２７】
一方、ＣＦ基板となる透明基板２１の表示領域にカラーフィルタ（図示せず）及びブラックマトリクス（図示せず）を形成し、これらの上に対向電極２２を形成する。そして、対向電極２２上に水平配向膜２３を形成し、配向膜２３の表面をラビング処理する。
次いで、基板１１上に表示領域を囲むようにシール材（紫外線硬化性樹脂）４を塗布する。また、基板１１上に液晶を滴下した後、スペーサを挟んで基板１１，２１を貼合わせる。その後、表示領域を覆う遮光板３１を基板２１上に重ねて、画素電極１２と対向電極２２との間に交流電圧を印加しつつ、基板２１側から紫外線を照射してシール材４を硬化させる。これにより、液晶表示パネルが完成する。
【００２８】
この場合、本実施の形態においては、紫外線を照射するときに画素電極１２と対向電極２２との間に電圧を印加するので、液晶分子２が電界に沿って基板面に対し垂直な方向、すなわち光の伝播方向に配列する。これにより、第１の実施の形態と同様に、液晶分子２での紫外線吸収率が極めて小さくなり、液晶分子２の劣化が回避される。
【００２９】
なお、本実施の形態は、表示領域全体の液晶分子を光の伝播方向に配列させるので、表示むらを均一化させるためにパネル全面に紫外線を照射する場合でも、液晶分子の劣化が回避される。また、この場合、第１の実施の形態のように表示領域の外側に垂直配向膜を形成しておくことにより、パネル縁部での紫外線による液晶の劣化を防止できる。
【００３０】
（第３の実施の形態）
図５，図６は本発明の第３の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
まず、ＴＦＴ基板となる透明基板１１上の表示領域に画素電極１２及びＴＦＴ（図示せず）を形成し、これらの画素電極１２及びＴＦＴを覆うようにして水平配向膜１３を形成する。その後、配向膜１３の表面をラビング処理する。
【００３１】
一方、ＣＦ基板となる透明基板２１の表示領域にカラーフィルタ（図示せず）及びブラックマトリクス（図示せず）を形成し、これらの上に対向電極２２を形成する。そして、対向電極２２上に水平配向膜２３を形成し、配向膜２３の表面をラビング処理する。
そして、基板１１，２１の各配向膜形成面側を対向させ、基板１１，２１間にスペーサ（図示せず）を散布して、両者をシール材（紫外線硬化性樹脂）により接合してパネルとする。このとき、後工程で基板１１，２１間に液晶を注入するための液晶注入口を形成しておく。
【００３２】
次いで、基板１１，２１間に液晶を注入し、液晶注入口に封止材（紫外線硬化性樹脂）３を充填する。その後、表示領域を覆う遮光板３１を基板２１上に重ね、基板２１と光源との間に偏光子３２を配置した後、紫外線を照射して封止材３を硬化させる。このとき、図６に示すように、偏光子３２を通過する光の振幅面が液晶２の方位角と垂直になるように、紫外線用光源と遮光板３１との間に偏光子３２を配置する。このようにして、液晶表示パネルが製造される。
【００３３】
ＴＮ型液晶表示パネルにおいて、配向膜１３，２３の近傍の液晶分子２は、一定の角度でチルトした状態で配向膜１３，２３により決まる方向に配向する。本実施の形態においては、偏光子３２を用いて紫外線の振幅面が液晶分子の方位角に対し垂直となる直線偏光成分のみを入射することにより、第１及び第２の実施の形態と同様に、紫外線による液晶分子の劣化が防止されるという効果が得られる。
【００３４】
（第４の実施の形態）
図７，図８は本発明の第４の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
まず、ＴＦＴ基板となる透明基板１１上の表示領域に画素電極１２及びＴＦＴ（図示せず）を形成し、これらの画素電極１２及びＴＦＴを覆うようにして水平配向膜１３を形成する。その後、配向膜１３の表面をラビング処理する。
【００３５】
一方、ＣＦ基板となる透明基板２１の表示領域にカラーフィルタ（図示せず）及びブラックマトリクス（図示せず）を形成し、これらの上に対向電極２２を形成する。そして、対向電極２２上に水平配向膜２３を形成し、配向膜２３の表面をラビング処理する。
次に、基板１１，２１の各配向膜形成面側を対向させ、基板１１，２１間にスペーサ（図示せず）を散布して、両者をシール材（紫外線硬化性樹脂）により接合する。このとき、後工程で基板１１，２１間に液晶を注入するための液晶注入口を形成しておく。
【００３６】
次いで、基板１１，２１間に液晶を注入し、液晶注入口に封止材（紫外線硬化性樹脂）３を充填する。その後、表示領域を覆う遮光板３１を基板２１上に重ね、基板２１と光源との間に偏光子３２を配置する。このとき、偏光子３２を通過する光の振幅面が液晶分子２の方位角に対し垂直になるようにする。そして、図７に示すように、隣接する画素電極１２間に交流電圧を印加する。この電圧の印加により隣接する画素電極１２間に基板面に対し水平方向の電界が発生し、図８に示すように、液晶分子２のダイレクタ方向が基板面に平行な一方向に揃う。このようにして、液晶分子２のダイレクタ方向を一方向に揃えた後、紫外線を照射して封止材３を硬化させる。これにより、液晶表示パネルが完成する。
【００３７】
本実施の形態においても、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。
なお、上記の例ではＴＮ型液晶表示パネルの製造方法について説明したが、ＩＰＳ型液晶表示パネルにおいては、駆動電極及び対向電極が同一基板上に形成されているため、駆動電極と対向電極との間に電圧を印加することにより液晶分子は基板面に水平な一方向に配列する。ＩＰＳ型液晶表示パネルでは、このように駆動電極と対向電極との間に電圧を印加しつつ、紫外線を照射することにより、上述の例と同様の効果が得られる。
【００３８】
（第５の実施の形態）
図９は本発明の第５の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
まず、ＴＦＴ基板となる透明基板１１上の表示領域に画素電極１２及びＴＦＴ（図示せず）を形成し、これらの画素電極１２及びＴＦＴを覆うようにして水平配向膜１３を形成する、その後、配向膜１３の表面をラビング処理する。
【００３９】
一方、ＣＦ基板となる透明基板２１の表示領域にカラーフィルタ（図示せず）及びブラックマトリクス（図示せず）を形成し、これらの上に対向電極２２を形成する。そして、対向電極２２上に水平配向膜２３を形成し、配向膜２３の表面をラビング処理する。
そして、基板１１，２１の各配向膜形成面側を対向させ、基板１１，２１間にスペーサを散布して、両者をシール材（紫外線硬化性樹脂）により接合する。このとき、後工程で基板１１，２１間に液晶を注入するための液晶注入口を形成しておく。
【００４０】
次いで、基板１１，２１間に液晶を注入し、液晶注入口に封止材（紫外線硬化性）３を充填する。その後、表示領域を覆う遮光板３１を基板２１上に重ね、基板２１と光源との間に偏光子３２を配置する。そして、表示領域の最縁部よりも若干内側の画素電極に電圧を印加する。これにより、図９に示すように、表示領域の縁部の液晶分子２のダイレクタ方向が基板面に対し斜め方向に揃う。このようにして液晶分子２のダイレクタ方向を揃えた後、偏光子３２を介して紫外線を照射し、封止材３を硬化させる。この場合、偏光子３２を通過する光の振幅面が液晶分子２の方位に対して垂直になるように偏光子３２を配置する必要がある。このようにして、液晶表示パネルが完成する。
【００４１】
本実施の形態においては、偏光子３２を通過する光の振幅面が液晶２の方位角と垂直になるように偏光子３２を配置するので、紫外線による液晶分子の劣化が防止される。
なお、本実施の形態においては、複数の画素電極のうち表示領域の縁部近傍の画素電極と対向基板との間に電圧を印加して基板面に対し斜め方向の電界を発生させ、この電界に沿って液晶分子のダイレクタ方向を揃える場合について説明したが、上側及び下側の電極を斜め方向に配置し、斜め電界を駆動に用いるスイッチング方式の液晶表示パネルの場合は、そのまま斜め方向の画素電極に交流電圧を印加すればよい。
【００４２】
以下、上述の各実施の形態に示した方法により評価用液晶表示パネルを形成し、その電気的特性を調べた結果について説明する。
（単セルによる電気特性評価）
垂直配向膜に日本合成化学製ポリイミド（JALS-644）、水平配向膜に日産化学製ポリイミド（SE-7792 ）、液晶にメルク製標準液晶（ZLI-4792）を用いて、従来方法（比較例）、第１の実施の形態（実施例１）、第３の実施の形態（実施例２）、第４の実施の形態（実施例３）及び第５の実施の形態（実施例４）に示す方法でツイスト角が９０°のＴＮ型の単セル構造の評価用液晶表示パネルを作成した。
【００４３】
これらの評価用液晶表示パネルは、一方の基板側にＩＴＯ電極パットを形成して１００μｍピッチのストライプ状にエッチングし、他方の基板側に電極パッドを一面に形成したものであり、実際の液晶表示パネルに近い構造とした。
紫外線硬化性樹脂の硬化は、オーク製の中高圧水銀ランプを使用し、基板面上方より２０００ｍＪ／ｃｍ2 （Ｉ線基準）の条件で照射した。
【００４４】
紫外線照射の際に電極間に交流電圧を印加する場合（実施例２〜４）は、電極表面へのイオン吸着を防ぐために、周波数が３０ｋＨｚの高周波電圧を印加した。また、液晶分子を電界により十分に配向させるために、電極間には液晶の飽和電圧の約２倍の１０Ｖを印加した。
下記表１に比較例及び実施例により製造した評価用液晶表示パネルのイオン密度及び電圧保持率を調べた結果を示す。
【００４５】
【表１】
0003847418.tif 000002
【００４６】
この表１から明らかなように、比較例の場合、紫外線の照射によりイオン密度が大きく上昇し、電圧保持率が２．４％も低下した。電圧保持率が低下するとアクティブマトリクス駆動の液晶表示パネルでは次のデータ書き込み時間までの間に電圧が保持されずにリークしてしまい、表示むら（色抜け）が発生してしまうという不具合が発生する。一方、実施例１〜４の液晶表示パネルでは、電圧保持率の低下が０．３〜０．７％と小さく、液晶の光劣化が抑えられることがわかる。
【００４７】
（液晶表示パネルの点灯試験）
次に、滴下注入法により液晶表示パネルを形成し、長時間点灯したときの表示むらの有無を調べた。
すなわち、上述の電気特性の評価において使用した配向膜及び液晶を用いて滴下注入プロセスにより液晶表示パネルを製造した。ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の表示領域には水平配向膜を塗布し、シール材を塗布する領域と表示領域との間には垂直配向膜を塗布して熱硬化を行った。
【００４８】
ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の各配向膜をツイスト角が９０°となるようにラビングした後、一方の基板に紫外線硬化性樹脂（エポキシアクリレート樹脂：協立化学製）を枠状に塗布した。そして、２枚の基板を貼合わせたときに液晶が均等に拡散するように、一方の基板の表示領域上に液晶を多点滴下した。また、他方の基板にはギャップ材（接着スペーサ５μｍ：早川ゴム製）を散布した。その後、両基板を貼合わせ機にセットして、真空中にて貼り合わせを行った。
【００４９】
次いで、表示領域の縁部の近傍の画素電極と対向電極との間に交流電圧（ｆ＝３０ｋＨｚ，Ｖ＝１０Ｖ）を印加しつつ、シール材に紫外線を照射して硬化させた。これにより、図１０に示す液晶表示パネルが完成した。この図１０において、ハッチングで示す領域が表示領域である。この表示領域には水平配向膜が形成されており、表示領域の外側には垂直配向膜１３ｂ，２３ｂが形成されている。また、図中一点鎖線で示す位置よりも外側の画素電極と対向基板との間に電圧を印加した。なお、符号１５は、バスラインに接続された複数の端子が配列された端子領域であり、各端子には、駆動回路基板から駆動用電圧が供給される。
【００５０】
このようにして製造した液晶表示パネルをユニット化し、環境試験機を用いて５０℃の条件下で駆動試験を行った。その結果、５００時間経過した後でも樹脂部近傍で表示むらは発生しなかった。
一方、紫外線照射時に電圧を印加しないこと以外は上記と同様にして液晶表示パネルを形成した。そして、環境試験機を用いて、上記と同様の条件で駆動試験を行った。その結果、点灯初期からシール部近傍に電圧保持率低下による表示むらが発生し、時間の経過とともにその領域が広がっていった。このことから、本願発明が液晶表示パネルの信頼性の向上に極めて有用であることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、シール材又は封止材の硬化時や表示むらを防止するための紫外線照射時に、液晶分子のダイレクタ方向を紫外線の伝播方向に向け、又は偏光子を介して液晶分子の方位に対し垂直な方向の偏光成分のみの紫外線を照射するので、液晶の紫外線による劣化が抑制される。これにより、紫外線を用いたシール材又は封止材の硬化や、滴下注入プロセスでのシール硬化が信頼性よく行えるようになり、液晶表示パネルの製造歩留まりや生産性が大きく向上する。また、表示むらを防止するためにパネル全面に紫外線を照射する場合も、液晶の劣化が回避される。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示パネルの基板表面の液晶分子を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その２）である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その１）である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その２）である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その１）である。
【図８】本発明の第４の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図（その２）である。
【図９】本発明の第５の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
【図１０】点灯試験に使用した液晶表示パネルを示す模式図である。
【図１１】従来の問題点を示す模式図である。
【符号の説明】
２  液晶分子
３  封止材
４  シール材
１１，２１  基板
１２  画素電極
１３，１３ａ，１３ｂ，２３，２３ａ，２３ｂ  配向膜
２２  対向電極
３１  遮光板
３２  偏光子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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