(57)【要約】本出願には、下記Ａ層及びＢ層を隣接して有することを特徴とする回路基板用フィルムが開示されている。このフィルムを使用すれば、導体層の接着強度に優れた回路基板を簡便に製造することができる。Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、およびＢ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層。
2003009655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記Ａ層及びＢ層を隣接して有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、および
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層。
【請求項２】
下記Ａ層、Ｂ層及びＣ層からなり、Ｃ層、Ｂ層およびＡ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層、および
Ｃ層：剥離性支持フィルム層。
【請求項３】
下記Ａ層、Ｂ層及びＤ層からなり、Ｄ層、Ｂ層およびＡ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層、および
Ｄ層：導体層。
【請求項４】
導体層が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）であることを特徴とする請求項３記載の回路基板用フィルム。
【請求項５】
導体層が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）及び電気銅メッキ層（Ｄ２層）からなることを特徴とする請求項３記載の回路基板用フィルム。
【請求項６】
下記Ａ層、Ｂ層及びＣ層からなり、Ｃ層、Ｂ層、Ａ層、Ｂ層およびＣ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍ粗化性樹脂硬化物層、および
Ｃ層：剥離性支持フィルム層。
【請求項７】
下記Ａ層、Ｂ層及びＤ層からなり、Ｄ層、Ｂ層、Ａ層、Ｂ層およびＤ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍ粗化性樹脂硬化物層、および
Ｄ層：導体層。
【請求項８】
導体層が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）であることを特徴とする請求項７記載の回路基板用フィルム。
【請求項９】
導体層が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）及び電気銅メッキ層（Ｄ２層）からなることを特徴とする請求項７記載の回路基板用フィルム。
【請求項１０】
下記Ａ層、Ｂ層、Ｃ層、Ｅ層及びＦ層からなり、Ｃ層、Ｂ層、Ａ層、Ｅ層及びＦ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍ粗化性樹脂硬化物層、
Ｃ層：剥離性支持フィルム層、
Ｅ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、厚さ５〜２０μｍ樹脂硬化物層、および
Ｆ層：銅箔。
【請求項１１】
下記Ａ層、Ｂ層、Ｄ層、Ｅ層及びＦ層からなり、Ｄ層、Ｂ層、Ａ層、Ｅ層及びＦ層の順の層構成を有することを特徴とする回路基板用フィルム。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍ粗化性樹脂硬化物層、
Ｄ層：導体層、
Ｅ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、厚さ５〜２０μｍ樹脂硬化物層、および
Ｆ層：銅箔。
【請求項１２】
導体層（Ｄ層）が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）であることを特徴とする請求項１１記載の回路基板用フィルム。
【請求項１３】
導体層（Ｄ層）が無電解銅メッキ層（Ｄ１層）及び電気銅メッキ層（Ｄ２層）であることを特徴とする請求項１１記載の回路基板用フィルム。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の回路基板用フィルムを使用して製造されたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、回路基板、特に携帯電話、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）、ノートパソコンなどの携帯型機器の電子回路等に利用することのできる回路基板用のフィルム、特にフレキシブル回路基板用に適したフィルムに関する。
（背景技術）
ポリイミド樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム、アラミド樹脂フィルム及びポリエーテルエーテルケトンフィルム等は、優れた耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性及び電気的、機械的特性を有していることから、電子機器等の絶縁材料として広く利用されている。特にポリイミド樹脂フィルム上に導体層を形成したものは、テープオートメーティッドポンディング（ＴＡＢ）などのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）に多用されている。
従来ポリイミド樹脂フィルム上に導体層を形成する方法としては、ポリイミド樹脂フィルムと銅箔を接着剤（熱硬化性樹脂組成物）で貼り合わせるラミネート法が主流であった。しかしながら、該方法で製造される銅箔付きの基板用フィルムは回路形成の際の穴あけ工程が煩雑である。例えば、基板用フィルム両面に形成された回路を接続するためのスルーホール形成をレーザーで行う場合、まず両面の銅箔にエッチングにより穴をあける工程を経た後、絶縁層部分にレーザーで穴をあけることが必要となる。また、ラミネート法では例えば３５μｍ、１８μｍ、１２μｍなどある程度の厚みを有する銅箔が使用されているが、厚みが増すとサブトラクティブ法による微細な回路形成が困難となる一方、厚みを薄くすると高価になるという問題がある。特にスルーホール内壁をメッキする場合、銅箔上にもメッキが形成されることにより厚みが増し微細な回路形成に不都合となる。
このような問題点を解決する為に、ポリイミド樹脂フィルム上に直接スパッタリング、蒸着等の乾式プロセスで下地となる金属層を形成した後、無電解銅メッキ、更には電気銅メッキにより導体層を形成する方法（特開２００１−７７４９３号公報および特開平９−１３６３７８号公報）やポリイミド樹脂フィルム上に直接メッキを施し導体層を形成する方法（特開平８−３１８８１号公報および特開平７−２４３０４９号公報）が試みられている。前者は、ポリイミド樹脂フィルムと導体層との密着性向上の為に、コバルト、ニッケル、クロムといった下地となる金属層をスパッタリング、真空蒸着等の乾式のメタライジング方式により形成する必要があり、工程が複雑であり且つ、ピンホールの発生を防ぐ事が難しい。また、後者の場合も、ポリイミド樹脂フィルムの表面の特殊な親水化処理に加え、無電解銅メッキや電気銅メッキ工程に先立ち、無電解ニッケルメッキ等の工程が必要な為、工程が複雑であり、また接着強度においても必ずしも満足のいくレベルではない。
（発明の開示）
本発明は、導体層の接着強度に優れる回路基板を簡便に製造するためのフィルム、更には微細な回路形成に適した回路基板用フィルムを提供することを目的とする。
本発明者等は前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定のポリイミド樹脂、液晶ポリマー等の耐熱樹脂層上に特定の粗化性樹脂硬化物層を形成させたフィルムにより粗化、無電解銅メッキおよび電気メッキといった汎用のプロセスを用いて、密着性に優れた導体層を有する回路基板が簡便に製造できることを見いだし、更には該フィルムが微細な回路形成を行う回路基板にも適したフィルムとなることを見い出し、このような知見に基いて本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記Ａ層及びＢ層を隣接して有することを特徴とする回路基板用フィルムに関する。
Ａ層：ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層、
Ｂ層：少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層。
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の回路基板用フィルムは、「ガラス転移点が２００℃以上又は分解温度が３００℃以上である耐熱樹脂からなる厚さ２〜２５０μｍの耐熱樹脂層」（本明細書においては、Ａ層または「耐熱樹脂層」と略称することがある）を有する。
本発明で用いられる耐熱樹脂はガラス転移点が２００℃以上であるか、または分解温度が３００℃以上であり、多層プリント配線板の製造において要求される半田耐熱性を満たすものである。ここで、分解温度とは、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｋ７１２０（プラスチックの熱重量測定方法）に従って測定したときの質量減少率が５％となる温度で定義される。
耐熱樹脂層を構成する耐熱樹脂は、好ましくは、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー、アラミド樹脂又はポリエーテルエーテルケトンから選択される。特に、ポリイミド樹脂が好ましい。なお、液晶ポリマーは構造的に全芳香族ポリエステルである液晶ポリマーが好ましく用いられる。
耐熱樹脂層の厚さが２μｍ未満では絶縁層や多層プリント配線板の機械強度が十分でない場合があり、２５０μｍを超えるとコスト高となる上、必要以上に絶縁層が厚くなり、好ましくない。フレキシブル回路基板用としては２〜７５μｍのものが通常用いられる。７５〜２５０μｍのものは、例えばＣＳＰ（チップサイズパッケージ）用インターボーザーに用いるのに適している。
本発明の回路基板用フィルムにおける耐熱樹脂層にはフィルム状で市販されている耐熱樹脂を用いることができ、例えば、宇部興産（株）製ポリイミドフィルム「ユーピ  レックス−Ｓ」、東レ・デュポン（株）製ポリイミドフィルム「カプトン」、鐘淵化学工業（株）製ポリイミドフィルム「アピカル」、旭化成（株）製アラミドフィルム「アラミカ」、東レ（株）製アラミドフィルム「ミクトロン」、（株）クラレ製液晶ポリマーフィルム「ベクスター」、住友ベークライト（株）製ポリエーテルエーテルケトンフィルム「スミライトＦＳ−１１００Ｃ」等のフィルム状の耐熱樹脂を用いることができる。
耐熱樹脂層（Ａ層）は表面処理を施したものを用いてもよい。表面処理としてはコロナ放電、プラズマ、イオンビーム処理などの乾式処理、溶剤、酸、アルカリ等の化学的処理、機械研磨処理等が挙げられる。特にＢ層との密着性の観点から、プラズマ処理が施されているのが好ましい。
本発明の回路基板用フィルムは、また、「少なくとも成分（ａ）１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂及び成分（ｂ）エポキシ硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の熱硬化物であって、酸化剤による粗化が可能な熱硬化物からなる厚さ５〜２０μｍの粗化性樹脂硬化物層」（本明細書においては、Ｂ層または「粗化性樹脂硬化物層」と略称することがある）を有する。以下、これについて説明する。
成分（ａ）である「１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂」としては、耐熱性を上げるため分子中に芳香環骨格を有する芳香族系エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、等であって１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を挙げることができる。また、難燃性を付与するために上記エポキシ樹脂を臭素化等したものでもよい。
また、成分（ｂ）である「エポキシ硬化剤」としては、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの等を挙げることができる。また、これらの硬化剤はポットライフが長いものが好ましい。エポキシ硬化剤は２種以上を組み合わせて用いることもできる。
エポキシ硬化剤の具体例としては、例えば、ジシアンジアミド、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２−メチル−１−イミダゾリルエチル）−１，３，５−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−（２−ウンデシル−１−イミダゾリルエチル）−１，３，５−トリアジン等を挙げることができる。
エポキシ硬化剤としては、特に窒素原子を有するフェノール系硬化剤が好ましい。窒素原子を有するフェノール系硬化剤を用いた場合、絶縁層の耐熱性、難燃性および接着性を向上させる効果が得られる。このようなエポキシ硬化剤としては、例えば、トリアジン構造含有ノボラック樹脂（例えば、大日本インキ化学工業（株）製「フェノライト７０５０シリーズ」）、メラミン変性フェノールノボラック樹脂（例えば、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＬＨ８２８」）などを挙げることができる。
熱硬化性樹脂組成物における、これらエポキシ硬化剤は、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤およびイミダゾール系硬化剤の場合、通常２〜１２重量％の範囲で用いられ、フェノール系硬化剤および酸無水物系硬化剤の場合は、熱硬化性樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して、フェノール性水酸基当量または酸無水物当量換算で通常０．５〜１．３当量の範囲で用いることができる。
また、エポキシ硬化剤に加え、硬化促進剤を添加することもできる。このような硬化促進剤としては、イミダゾール系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。硬化促進剤を用いる場合、好ましくは熱硬化性樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂に対して０．５〜２重量％の範囲で用いることができる。
本発明の回路基板用フィルムにおける粗化性樹脂硬化物層の原料である熱硬化性樹脂組成物は、ガラス転移点が１５０℃以上のものを用いるのが好ましい。これは、例えば成分（ａ）として分子中に芳香環骨格を有する芳香族系エポキシ樹脂を用いることにより、あるいは更に成分（ｂ）として窒素原子を有するフェノール系硬化剤を用いることにより、当業者であれば容易に調製することができる。
本発明における熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後に、酸化剤により硬化物表面の粗化が可能なものである。硬化物表面を粗化することにより、メッキによりピール強度に優れた導体層を容易に形成することができる。
このように硬化した樹脂組成物表面の粗化を可能とするには、熱硬化性樹脂組成物中に粗化成分を含ませればよい。また、本発明における熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ硬化剤（成分（ｂ））としてフェノール系硬化剤を使用し、ビスフェノールＳ骨格を有する重量平均分子量が５，０００〜１００，０００であるフェノキシ樹脂を含有する場合、粗化成分を特に含有しなくても酸化剤による粗化が可能である。
粗化成分としては、ゴム成分、アミノ樹脂、無機フィラー、有機フィラー等を挙げることができる。
ゴム成分としては、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性ポリブタジエンゴム、ウレタン変性ポリブタジエンゴム、アクリロニトリル変性ポリブタジエンゴム、メタクリロニトリル変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を有するアクリロニトリル・ブタジエンゴム、カルボキシル基を有するメタクリロニトリル・ブタジエンゴム、アクリルゴム分散型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
アミノ樹脂としては、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂又はこれらアミノ樹脂をアルキルエーテル化したもの等を挙げることができる。
無機フィラーとしては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等を挙げることができる。
そして、有機フィラーとしては、粉体エポキシ樹脂、架橋アクリルポリマー、上記アミノ樹脂を熱硬化させ微粉砕したもの等を挙げることができる。
本発明に係わる熱硬化性樹脂組成物において、粗化成分を有する場合の粗化成分の含有割合は好ましくは５〜４０重量％、更に好ましくは１０〜３０重量％である。５重量％未満であると粗化が十分でない場合があり、一方、４０重量％を越えると硬化後における絶縁層の絶縁性、耐薬品性および耐熱性が悪くなる傾向にある。
重量平均分子量が５，０００〜１００，０００であるフェノキシ樹脂としては、例えば「フェノトートＹＰ５０」（東都化成（株）製）、「Ｅ−１２５６」（ジャパンエポキシレジン（株）製）等のフェノキシ樹脂、「ＹＰＢ−４０−ＰＸＭ４０」（東都化成（株）製）等の臭素化フェノキシ樹脂を挙げることができ、また、ビスフェノールＳ骨格を有する重量平均分子量が５，０００〜１０，０００であるフェノキシ樹脂としては、「ＹＬ６７４７Ｈ３０」（ジャパンエポキシレジン（株）製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂「エピコート８２８」とビスフェノールＳからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス：不揮発分３０重量％、重量平均分子量４７，０００）、「ＹＬ６７４６Ｈ３０」（ジャパンエポキシレジン（株）製、ビキシレノール型エポキシ樹脂「エピコートＹＸ４０００」とビスフェノールＳからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス：不揮発分３０重量％、重量平均分子量４０，０００）等を挙げることができる。このようなフェノキシ樹脂は熱硬化性樹脂組成物中に５〜５０重量％の割合で含有されることが好ましい。
なお、熱硬化性樹脂組成物においては諸機能を付与するため、上述した粗化成分として用いる無機フィラー以外の無機フィラーを含有することもできる。このように添加剤として用いる無機フィラーとしては例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、無定型シリカ、タルク、クレー、雲母粉等を挙げることができる。これらの粗化成分以外の無機フィラーは必要に応じて熱硬化性樹脂組成物中１０〜８０重量％の範囲で用いることができる。
また、本発明の熱硬化性樹脂組成物は必要に応じてこの分野において用いられるその他の各種の樹脂添加剤を含むことができる。このような添加剤としては、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤、難燃助剤、無機フィラー、有機フィラー等を挙げることができる。
粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）を形成する方法としては、例えば、適当な有機溶媒に既に説明した熱硬化性樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、剥離性支持フィルム層（Ｃ層）を支持体として、この樹脂ワニスを塗布し、加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、まず熱硬化性樹脂組成物層を形成させる。得られた剥離性支持フィルム層（Ｃ層）及び熱硬化性樹脂組成物層からなるフィルムの熱硬化性樹脂組成物側を耐熱フィルム層（Ａ層）の両面又は片面に張り合わせる。得られたフィルムを加熱し熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させ、粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）とする。硬化の条件は熱硬化性樹脂組成物の成分によっても異なるが、硬化温度が通常１００〜２００℃、そして硬化時間が通常１０分〜１５時間の範囲で選択される。硬化中、比較的低い硬化温度から高い硬化温度へ上昇させで硬化した方がそうしない場合に較べて形成される粗化性樹脂硬化物層の表面のしわやボイド発生を防止する観点から好ましい。
Ｂ層の厚さは、５〜２０μｍ、好ましくは７〜１５μｍである。Ｂ層の厚さが５μｍ未満では十分な粗化面の形成が困難であり、一方、２０μｍを超えるとフレキシブル回路基板として用いる際の屈曲性が不十分であったり、また樹脂組成物を硬化する際の硬化物層の反りが大きくなったり、更に穴あけ加工が困難になる場合がある。
熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテートなどの酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類、カルビトール、ブチルカルビトールなどのカルビトール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類、等を挙げることができる。これらの有機溶剤は２種以上を併用することもできる。
本発明における剥離性支持フィルムは、熱硬化性樹脂組成物から粗化性樹脂硬化物層を形成する際の支持体及び熱硬化に際し、粗化性樹脂硬化物層へのゴミ等の付着を防止する役割も果たす。
剥離性支持フィルム層（Ｃ層）として使用される剥離性フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、離型紙、等のフィルム状のものを用いることができる。剥離性支持フィルムの厚さとしては１０〜１５０μｍが一般的であり、好ましくは２５〜５０μｍの範囲で用られる。なお、剥離性支持フィルムにはマット（ｍａｔ）処理、コロナ処理、離型処理等が施してあってもよい。
本発明における剥離性支持フィルムは、熱硬化性樹脂組成物を熱硬化し粗化性樹脂硬化物層を形成した後に剥離する方が好ましい。剥離性支持フィルムには通常予め離型処理が施される。
剥離性支持フィルムを剥離後、必要により貫通穴（スルーホール）を形成する。フィルムの両面に回路が形成される場合には、通常両面の回路を接続するためのスルーホールが形成される。なお、耐熱樹脂層の片面側に銅箔を有する層構成の場合は、粗化性樹脂硬化物層側からブラインドビアを形成すればよい。
スルーホール、ブラインドビアの形成方法としてはドリルまたはレーザーを用いる方法が挙げられるが、より小さい径の穴を形成する上でレーザーが好ましく用いられる。レーザーとしては炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。特に穴の直径が５０μｍ未満の小径の場合には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーが好ましい。
硬化物表面及びスルーホール若しくはブラインドビア内壁の粗化処理に使用する酸化剤としては、アルカリ性過マンガン酸溶液や、重クロム酸塩、過酸化水素、硫酸、硝酸等の酸化剤の溶液が挙げられるが、特にアルカリ性過マンガン酸溶液が好ましく、アルカリ性過マンガン酸溶液としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に、過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。
次に、粗化処理された絶縁層（粗化性樹脂硬化物層）表面及びスルーホールもしくはピアホール内壁にメッキにより導体層を形成し、更には絶縁層表面に回路を形成して回路基板を作成する方法、すなわち、本発明の回路基板用フィルムを使用して回路基板を作成する方法について説明する。
まず、アルカリ性過マンガン溶液等の酸化剤で粗化性樹脂硬化物層の表面を粗化処理し、凸凹のアンカーを形成する。次いで、無電解メッキと電解メッキを組み合わせた方法で導体層を形成する。また、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成することもできる。なお、導体層形成後、１５０〜２００℃で２０〜９０分アニール（ａｎｎｅａｌ）処理することにより、導体層の接着強度を向上させ、安定化させることができる。なお、本発明の回路基板用フィルムが例えば直径５０μｍ未満のスルーホールまたはブラインドビアを有する場合、通常メッキによる工程により絶縁層表面の導体層の形成と同時にスルーホールまたはブラインドビアを導体で充填することができる。
また、導体層をパターン加工して回路形成する方法としては、例えば当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディディブ法などを用いることができる。
サブトラクティブ法の場合、無電解銅メッキ層の厚みは０．１〜３μｍ、好ましくは０．３〜２．０μｍである。その上に電気銅メッキ層（パネルメッキ層）を３〜３５μｍ、好ましくは５〜２０μｍの厚みで形成した後、エッチングレジストを形成し、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液でエッチングすることにより導体パターンを形成した後、エッチングレジストを剥離することにより、回路基板を得ることができる。また、セミアディティブ法の場合には、無電解銅メッキ層を０．１〜３μｍ、好ましくは０．３〜２．０μｍの厚みで形成後、パターンレジストを施し、所望の厚み（例えば９〜１８μｍ）の電気銅メッキ層（パターンメッキ層）を形成後、パターンレジストを剥離することにより回路基板を得ることができる。特にセミアディティブ法は微細な回路形成に適している。
本発明による回路基板用フィルムの好ましい層構成としては、例えば以下の層構成例１〜８を挙げることができる。これらの層構成例のうち層構成例１〜４は、耐熱樹脂層（Ａ層）の両面に粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）を形成した例である。耐熱樹脂層の両面に粗化性樹脂組成物層を形成した場合でも、片面のみに導体層を形成することもできる。なお、片面のみに粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）を形成させることもできるが、硬化物層形成時のフィルムの反りが大きくなる傾向にあるため好ましくない。
また、層構成例５〜８のように耐熱樹脂層の片面にのみ粗化性樹脂硬化物層を形成させ、残る片面は樹脂硬化物層（Ｅ層）を形成し、銅箔を貼りつけて導体層を形成させるなど、従来技術と組み合わせて本発明を用いることも任意である。ここで、樹脂硬化物層（Ｅ層）は粗化の必要がないため、Ｅ層の形成に用いる樹脂組成物は、通常、Ｂ層のように粗化成分を含ませる等、粗化が可能な樹脂組成とする必要はないが、Ｂ層をＥ層として用いることもできる。Ｆ層形成に用いる樹脂組成物は、例えば前述した成分（ａ）及び成分（ｂ）を含有する熱硬化性樹脂組成物のほか、公知の熱硬化性樹脂組成物を用いることができる。銅箔（Ｆ層）も特に限定されず、従来から使用されているものを用いることができ、例えば厚みが３〜１８μｍの銅箔などを用いることができる。
層構成例１：粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）、
層構成例２：剥離性支持フィルム層（Ｃ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／剥離性支持フィルム層（Ｃ層）、
層構成例３：無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）、
層構成例４：電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／電気銅メッキ層（Ｄ２層）、
層構成例５：粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）、
層構成例６：剥離性支持フィルム層（Ｃ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）、
層構成例７：無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）、そして
層構成例８：電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）。
（発明を実施するための最良の形態）
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中、部は重量部を意味する。
実施例１
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂「エピコート８２８」（エポキシ当量１９０、ジャパンエポキシレジン（株）製）２０部およびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂「エピクロンＮ−６７３」（エポキシ当量２１５、軟化点７８℃、大日本インキ化学工業（株）製）３５部を２−ブタノンに攪拌しながら加熱溶解させてから室温まで冷却した後、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂の２−ブタノン溶液「フェノライトＬＡ−７０５２」（不揮発分６０％、不揮発分のフェノール水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業（株）製）４５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂「エピコートＹＸ−４０００」（エポキシ当量１８５、ジャパンエポキシレジン（株）製）とビスフェノールＳからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノン溶液「ＹＬ−６７４６Ｈ３０」（不揮発分３０重量％、重量平均分子量３０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）７０部、さらに球形シリカ１８部、および微粉砕シリカ２部を添加し、熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを作製した。そのワニス状の熱硬化性樹脂組成物を厚さ３８μｍのポリエチレンナフタレートフィルムの離型処理面上に塗工し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥させ（残留溶媒量２重量％）、厚さ１０μｍの膜厚で熱硬化性樹脂組成物層を形成し、ロール状に巻き取った。
次いで、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム「カプトンＥＮ」（両面プラズマ処理、東レ・デュポン（株）製）の両面に、上記厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂組成物面を同時に貼り合わせ、ロール状に巻き取った後、硬化温度を低温から高温へ上昇させて、すなわち、１２０℃で３０分、その後引き続き１７０℃で３０分硬化させた。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、ポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム（Ｃ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム（Ｃ層））である。
実施例２
臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂「ＹＤＢ−５００」（エポキシ当量５００、東都化成（株）製）５０部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂「エピクロンＮ−６７３」（エポキシ当量２１５、軟化点７８℃、大日本インキ化学工業（株）製）２０部、および末端エポキシ化ブタジエンゴム「デナレックスＲ−４５ＥＰＴ」（ナガセ化成工業（株）製）１５部を２−ブタノン／トルエン混合溶媒に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへエポキシ硬化剤として２，４−ジアミノ−６−（２−メチル−１−イミダゾリル）−エチル−１，３，５−トリアジン４部を加え、さらに微粉砕シリカ２部および炭酸カルシウム１０部を添加し、熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを作成する。そのワニス状の熱硬化性樹脂組成物を厚さ２５μｍのポリエチレテレフタレートフィルムの離型処理面上に塗工し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥させ（残留溶媒量２重量％程度とする）、厚さ１０μｍの膜厚で熱硬化性樹脂組成物層を形成し、ロール状に巻き取る。
次いで、厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルム「アピカルＨＰ」（両面コロナ放電処理、鐘淵化学工業（株）製）の片面に、上記厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂組成物面を貼り合わせ、ロール状に巻き取った後、１２０℃で８時間、その後引き続き１５０℃で４時間硬化させる。
得られる（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、ポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離性支持フィルム（Ｃ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））となる。
実施例３
実施例１で得られたフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム層）を剥がして粗化性樹脂硬化物層をむき出しにし、膨潤液「Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ」（アトテック  ジャパン（株）製）に８０℃で５分間浸漬して粗化性樹脂硬化物層表面を膨潤後、アルカリ性過マンガン酸溶液に８０℃で１０分間浸漬して粗化を行った後、粗化性樹脂硬化物層表面上に残ったマンガンを還元除去した。
引き続き、無電解銅メッキの触媒付与を行った後、無電解銅メッキ液に３２℃で３０分間浸漬して１．５μｍの無電解銅メッキ被膜を形成させ１２０℃で３０分間乾燥させた。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）である。
得られた該フィルムを酸で洗浄した後、含リン銅板をアノードとし、陰極電流密度２．０Ａ／ｄｍ２で１２分間電気銅メッキを行い、厚さ５μｍの銅メッキ被膜を形成させ、１７０℃で６０分間アニールを行った。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／電気銅メッキ層（Ｄ２層）である。メッキ被膜の接着強度は０．７ｋｇ／ｃｍであった。
実施例４
実施例２で得られるフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム層）を剥がして粗化性樹脂硬化物層をむき出しにし、膨潤剤「Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ」（アトテック  ジャパン（株）製）に８０℃で５分間浸漬して粗化性樹脂硬化物層表面を膨潤後、アルカリ性過マンガン酸水溶液に８０℃で１０分間浸漬して粗化を行った後、粗化性樹脂硬化物層表面上に残ったマンガンを還元除去する。
引き続き、無電解銅メッキの触媒付与を行い、無電解銅メッキ液に３２℃で１５分間浸漬して０．８μｍの無電解銅メッキ被膜を形成させ、１２０℃で３０分間乾燥させる。
得られる（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））となる。
次に、該フィルムを酸で洗浄した後、含リン銅板をアノードとし、陰極電流密度２．０Ａ／ｄｍ２で２０分間電気銅メッキを行い、厚さ８μｍの銅メッキ被膜を形成させ、１７０℃で６０分間アニール処理を行う。
得られる（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））となる。
実施例５
実施例１で得られたフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム層）を剥がして粗化性樹脂硬化物層をむき出しにし、ＵＶ−ＹＡＧレーザーで直径３０μｍのピアホールを形成後、膨潤液「Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ」（アトテック  ジャパン（株）製）に８０℃で５分間浸漬して粗化性樹脂硬化物層表面を膨潤後、アルカリ性過マンガン酸溶液に８０℃で１０分間浸漬して粗化を行った後、粗化性樹脂硬化物層表面上に残ったマンガンを還元除去した。
引き続き、無電解銅メッキの触媒付与を行った後、無電解銅メッキ液に３２℃で３０分間浸漬して１．５μｍの無電解銅メッキ被膜を形成させ１２０℃で３０分間乾燥させた。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）である。
得られた該フィルムを酸で洗浄した後、含リン銅板をアノードとし、陰極電流密度２．０Ａ／ｄｍ２で１２分間電気銅メッキを行い、厚さ５μｍの銅メッキ被膜を形成させ、１７０℃で６０分間アニールを行った。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／ポリイミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／電気銅メッキ層（Ｄ２層）である。メッキ被膜の接着強度は０．７ｋｇ／ｃｍであった。
実施例６
実施例１と同じ熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを用いて、厚さ１８μｍの銅箔のマット面上に塗工し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥させ（残留溶媒量１．８重量％）、厚さ１０μｍの膜厚で熱硬化性樹脂組成物層を形成し、この熱硬化物樹脂組成物層に厚さ４．５μｍのアラミドフィムル「アラミカ」（両面プラズマ処理、旭化成（株）製）をラミネートした後、ロール状に巻き取った。この時点でのフィルムの層構成は、アラミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）である。
次いで、実施例１と同じ熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを用いて、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面上に塗工して、８０〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥させ（残留溶媒量２．０重量％）、厚さ１０μｍの膜厚で熱硬化性樹脂組成物層を形成し、この熱硬化物樹脂組成物層に上記の通り予め作製しておいたアラミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）の層構成のフィルムのアラミドフィルム面をラミネートし、ロール状に巻き取った。硬化温度を低温から高温へ上昇させて、すなわち、１００℃で２時間、その後引き続き１５０℃で１時間硬化させた。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、ポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離性支持フィルム（Ｃ層））／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／アラミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）である。
本実施例においては、粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）と樹脂硬化物層（Ｅ層）は同じ熱硬化性樹脂組成物の樹脂ワニスを用いている。
実施例７
実施例６で得られたフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（剥離性支持フィルム層）を剥がして粗化性樹脂硬化物層を剥き出しにして、ＵＶ−ＹＡＧレーザーで直径２５μｍのブラインドビアホールを形成後、膨潤液「Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ」（アトテック  ジャパン（株）製）に６０℃で５分間浸漬して粗化性樹脂硬化物表面を膨潤後、アルカリ性過マンガン酸溶液に８０℃で１０分間浸漬して粗化を行った後、粗化性樹脂硬化物層表面に残ったマンガンを還元除去した。
引き続き、無電解銅メッキの触媒付与を行った後、無電解銅メッキ液に３２℃で３０分間浸漬して１．５μｍの無電解銅メッキ被膜を形成させ１２０℃で３０分間乾燥させた。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／アラミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）である。
得られた上記フィルムを酸で洗浄した後、含リン銅板をアノードとして、陰極電流密度２．０Ａ／ｄｍ２で３０分間電気銅メッキを行い、厚さ１２μｍの銅メッキ被膜を形成させ、１７０℃で６０分間アニールを行った。
得られた（フレキシブル）回路基板用フィルムの層構成は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／アラミドフィルム（耐熱樹脂層（Ａ層））／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）である。メッキ被膜の接着強度は０．７５ｋｇ／ｃｍであった。
比較例１
２５μｍのポリイミドフィルム「カプトンＥＮ」上に、Ｎｉシード層をスパッタで形成し、銅メッキ（８μｍ）した市販の「Ｓ´ＰＥＲＦＬＥＸ」（住友金属鉱山（株）製）のメッキ被膜の接着強度は０．５ｋｇ／ｃｍであった。
（産業上の利用可能性）
本発明の（フレキシブル）回路基板用フィルムを使用することにより、メッキによりファインパターン形成が可能な接着強度の高い導体層を有する回路基板を簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）の層構成を示す。
図２は、剥離性支持フィルム層（Ｃ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／剥離性支持フィルム層（Ｃ層）の層構成を示す。
図３は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）の層構成を示す。
図４は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／電気銅メッキ層（Ｄ２層）の層構成を示す。
図５は、粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）の層構成を示す。
図６は、剥離性支持フィルム層（Ｃ層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）の層構成を示す。
図７は、無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）の層構成を示す。
図８は、電気銅メッキ層（Ｄ２層）／無電解銅メッキ層（Ｄ１層）／粗化性樹脂硬化物層（Ｂ層）／耐熱樹脂層（Ａ層）／樹脂硬化物層（Ｅ層）／銅箔（Ｆ層）の層構成を示す。
図９は、図１で示した層構成の回路基板用フィルムにピアホールを形成した場合の概念図である。
図１０は、図５で示した層構成の回路基板用フィルムにブラインドビアを形成した場合の概念図である。
【図１】
2003009655.tif 000003
【図２】
2003009655.tif 000004
【図３】
2003009655.tif 000005
【図４】
2003009655.tif 000006
【図５】
2003009655.tif 000007
【図６】
2003009655.tif 000008
【図７】
2003009655.tif 000009
【図８】
2003009655.tif 000010
【図９】
2003009655.tif 000011
【図１０】
2003009655.tif 000012
【国際調査報告】
2003009655.tif 000013
2003009655.tif 000014
2003009655.tif 000015
2003009655.tif 000016