(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極において、
前記絶縁層の厚さが０．５μｍより大きく、かつ１μｍ以下であり、
前記カーボンナノチューブは、その精製工程においてろ過により前記絶縁層の厚さよりも短いカーボンナノチューブを分離抽出したものである
ことを特徴とする電界放出型冷陰極。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブは、粉砕、酸化剤を含むガス中での加熱処理、またはイオンビーム照射処理の後に、前記ろ過を行ったものであることを特徴とする請求項１に記載の電界放出型冷陰極。
【請求項３】
前記絶縁層が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、前記電圧をＶｇとするとき、前記カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短いことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の電界放出型冷陰極。
【請求項４】
カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された厚さが０．５μｍより大きくかつ１μｍ以下の厚さの絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極の製造方法において、
カーボンナノチューブ粗生成物をろ過することで、前記絶縁層の厚さよりも短い長さのカーボンナノチューブを分離抽出するろ過工程と、
その長さ制御されたカーボンナノチューブからなるエミッタ材を導電性基板もしくはガラス基板上に形成された導電層上に固着する工程と、
その上層に絶縁層およびゲート電極層を順次形成する工程と、
前記絶縁層およびゲート電極層をエッチングし、開口部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項５】
カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された厚さが０．５μｍより大きくかつ１μｍ以下の厚さの絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極の製造方法において、
導電性基板もしくはガラス基板上に形成された導電層上に、絶縁層およびゲート電極層を順次形成する工程と、
前記絶縁層およびゲート電極層をエッチングし、開口部を形成する工程と、
カーボンナノチューブ粗生成物をろ過することで、前記絶縁層の厚さよりも短い長さのカーボンナノチューブを分離抽出するろ過工程と、
その長さ制御されたカーボンナノチューブからなるエミッタ材を前記開口部およびゲート電極層上に固着する工程と、
前記エミッタ材をエッチングし、ゲート開口部内のみにエミッタ材を残す工程と、
を含むことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項６】
前記ろ過工程に先立ち、前記カーボンナノチューブ粗生成物を粉砕する工程をさらに有することを特徴とする、請求項４または５に記載の電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項７】
前記ろ過工程に先立ち、前記カーボンナノチューブ粗生成物を酸化剤を含むガス中で加熱する工程をさらに有することを特徴とする、請求項４または５に記載の電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項８】
前記ろ過工程に先立ち、前記カーボンナノチューブ粗生成物にイオンビームを照射する工程をさらに有することを特徴とする、請求項４または５に記載の電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項９】
上記請求項４〜８のいずれかに記載の電界放出型冷陰極の製造方法を含むことを特徴とする平面ディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、平面ディスプレイ，ＣＲＴ，電子顕微鏡，電子ビーム露光装置，および各種電子ビーム装置の電子ビーム源として利用することが可能な電界放出型冷陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、カーボンナノチューブは、電界放出型冷陰極のエミッタ材料としてその応用が期待されている。カーボンナノチューブは、炭素原子が規則的に配列したグラフェンシートを丸めた中空の円筒であり、その外径はｎｍオーダーで、長さは０．５μｍ〜数１０μｍの極めてアスペクト比の高い微小な物質である。そのため、先端部分には電界が集中しやすく高い放出電流密度が期待される。また、カーボンナノチューブは、化学的，物理的安定性が高いという特徴を有するため、動作真空中の残留ガスの吸着やイオン衝撃等に対して影響を受けづらいことが予想される。
【０００３】
カーボンナノチューブを電界放出型冷陰極として用いた従来例として、特開平９−２２１３０９号公報には、図２１に示すような電界放出型冷陰極が開示されている。カーボンナノチューブ８は、炭素質基板７上にイオンを照射することによって形成され、カーボンナノチューブ形成領域を取り囲むように電極９，絶縁層１０および電子線引き出し用のグリッド１１が配置される。カーボンナノチューブ８の外径は２〜５０ｎｍで、その長さは０．０１μｍ〜５μｍであることが記載されている。絶縁層膜厚やエミッタ径に関する記述はないが、５００Ｖで１０ｍＡのエミッション電流が発生すると記載されている。
【０００４】
図２２，２３は、特開平１０−１９９３９８号公報に開示された平面ディスプレイの構造図である。ガラス基板１上にグラファイトからなるカソード材１６が１μｍ設けられ、その上にアーク放電法やレーザーアブレーション法等により、カーボンナノチューブ８をカソード材１６上に数μｍ堆積させる。このナノチューブは、直径１０ｎｍ〜４０ｎｍ、長さは０．５μｍ〜数μｍである。これらは、図２３に示す断面図に対して垂直方向にライン状に形成されている。ライン状電子放出層８の両側には、厚さ７μｍで幅２０μｍのシリコン酸化膜からなる絶縁層１０がライン状に設けられている。その上層には電子を引き出すためのグリッド電極７が配置されている。グリッド電極７に正の電圧、カソード１６に負の電圧を印加することによって図中に示す矢印１７の方向に電子が放出される。
【０００５】
特開平１０−１２１２４号公報には、図２４に示すように、カーボンナノチューブ８をアルミニウム１２の陽極酸化膜の細孔中に成長させた電界放出型冷陰極が開示されている。ここで示される電界放出型冷陰極は、まず、ガラス基板上にアルミニウム膜１２を堆積し、陽極酸化処理を行うことにより微細孔を形成する。その後、微細孔内にカーボンナノチューブの成長核となるニッケル１３を埋め込み、メタンガスと水素ガス中でナノチューブ８を成長させる。反応温度は１０００度〜１２００度である。このような手法を用いることにより、基板に垂直方向に配高性を持たせたナノチューブ８を成長することが可能である。最終的にグリッド電極１１を取り付けることにより、電界放出型冷陰極を形成することができる。また、素子分離領域１４を隔てた複数のエミッタと、それらと対向する位置に蛍光体１５を配置することにより、平面ディスプレイを形成することが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来例において、エミッタを取り囲むように絶縁層およびゲート電極（グリッド電極）が形成された電界放出型冷陰極は、エミッタからの放出電子量をゲートとエミッタ間の電界によって制御することが可能である。ゲートとエミッタとの間の電界は、ゲートに加える電圧を絶縁層の膜厚で割ったものにほぼ等しい。すなわち、絶縁層が厚い場合は大きなゲート電圧を印加する必要があるが、絶縁層が薄い場合は小さなゲート電圧で同一のエミッション電流を得ることができる。また、エミッタから放出した電子は、ゲート電位によって放出方向に対して垂直方向の運動エネルギーを持つため、放出電子の軌道は広がることになる。ゲート電圧が低い場合には比較的収束性のよい電子ビームを得ることが可能であるが、ゲート電圧が大きくなると電子の広がりが増大する。複数の画素を独立に制御する平面ディスプレイでは、放出電子の広がりは隣接する画素に電子が射突することを意味し、画像がぼけたり、コントラストが低下することになる。したがって、絶縁層の薄膜化は低電圧駆動化、ドライブ回路の小型化および低コスト化，ビーム広がりの抑制等を実現するために必須である。
【０００７】
しかしながら、カーボンナノチューブをエミッタに用いた電界放出型冷陰極では絶縁層を薄膜化し、良好な電子放出特性を実現する際に、以下に述べる問題点があった。
【０００８】
まず、エミッタ表面の平坦化が困難であるということである。一般的なカーボンナノチューブの生成方法であるアーク放電法やレーザーアブレーション法によって得られるカーボンナノチューブは、外径はほぼ一定でｎｍオーダーであるが、その長さは０．５μｍから１００μｍの様々な長さを有する。また、カーボンナノチューブは柔軟性に富んでいるため互いに絡みやすいという特徴をもつ。そのため、長さの大きなナノチューブが互いに絡み合うと、大きな糸屑のような形状になり、エミッタの平坦性を低下させる要因になる。また、生成後の粗カーボンナノチューブにはグラファイトやアモルファスカーボンが含まれ、それに加えて単層ナノチューブの場合には触媒金属が含有される。カーボンナノチューブは、このような不純物にも絡みやすく、大きな塊を形成する。これらの局所的な突起は、図２５に示すように、その上部に形成された絶縁層４およびゲート電極５を湾曲させ、電位分布を不均一にさせる。また、局所的な突起がゲート開口部に生じると、その部分に電界が集中しやすくなり電子放出特性の均一性を劣化させる。さらに、複数のエミッタを二次元的に配列した平面ディスプレイにおいては、このような局所的な突起部が各エミッタ（画素）間の特性を不均一にさせ、画像のムラの要因となる。
【０００９】
次に、第２の問題点は、ゲート電極およびエミッタがカーボンナノチューブを介して導通するという問題がある。絶縁層の膜厚よりも大きな長さを持つカーボンナノチューブがエミッタ表面にある場合には、それがゲート電極５に接触し、ゲート電極層５とエミッタ３とが導通する場合がある。このようなエミッタとゲート電極のショートは、電子放出量の低下や素子破壊の要因になる。上述した第１の問題点と同様に、ゲート電極とエミッタとの電気的な短絡は電子放出特性の不均一性の要因になり、特に平面ディスプレイでは不安定なムラの多い画像になる。
【００１０】
先に示した特開平９−２２１３０９号公報記載の電界放出型冷陰極では、形成されたカーボンナノチューブの長さが０．０１μｍ〜５μｍと記載されているが、仮に絶縁層膜厚が５μｍ以下の場合では、上述したように、ゲート電極とエミッタとがナノチューブによって短絡したり、ゲート開口内部で大きなナノチューブの塊が局所的に発生する可能性がある。また、特開平１０−１９９３９８号公報に開示される電界放出型冷陰極においても絶縁層膜厚（７μｍ）よりも長いカーボンナノチューブが多数含まれる場合には同様な問題点が生じることになる。さらに、これらの２つ従来例では基板上に直接ナノチューブを成長させるため、ナノチューブの長さを制御することは困難である。したがって、従来の方法では均一な電子放出特性を実現することは困難であり、絶縁層の薄膜化には限界がある。一方、特開平１０−１２１２４号公報に開示される方法は、ナノチューブを制御性良く基板垂直方向に成長させることが可能であるが、ナノチューブの成長温度がおよそ１０００度であり、工程が複雑なため、ガラス基板上に複数のエミッタを形成する平面ディスプレイ等の製造には不向きである。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、上記問題を解決すべく、ゲート電極とエミッタ間の絶縁性を保持し、エミッタ表面の平坦性を向上させ、均一で安定な高放出電流を発生可能な電界放出型冷陰極を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、上記電界放出型冷陰極の製造方法を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明のまた他の目的は、上記電界放出型冷陰極の製造方法を含む平面ディスプレイの製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電界放出型冷陰極は、カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極において、  前記絶縁層の厚さが０．５μｍより大きく、かつ１μｍ以下であり、前記カーボンナノチューブは、その精製工程においてろ過により前記絶縁層の厚さよりも短いカーボンナノチューブを分離抽出したものであることを特徴とする。
【００１５】
また、絶縁層が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短いのが好ましい。
【００１６】
また、本発明の電界放出型冷陰極の一形態は、カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された厚さが０．５μｍより大きくかつ１μｍ以下の厚さの絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極の製造方法において、カーボンナノチューブ粗生成物をろ過することで、前記絶縁層の厚さよりも短い長さのカーボンナノチューブを分離抽出するろ過工程と、その長さ制御されたカーボンナノチューブからなるエミッタ材を導電性基板もしくはガラス基板上に形成された導電層上に固着する工程と、その上層に絶縁層およびゲート電極層を順次形成する工程と、前記絶縁層およびゲート電極層をエッチングし、開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明の電界放出型冷陰極の他の形態は、カーボンナノチューブからなるエミッタと、前記エミッタを取り囲むように配置された厚さが０．５μｍより大きくかつ１μｍ以下の厚さの絶縁層と、ゲート電極とを備え、前記エミッタに対して電圧を印加して電子を放出させる電界放出型冷陰極の製造方法において、導電性基板もしくはガラス基板上に形成された導電層上に、絶縁層およびゲート電極層を順次形成する工程と、前記絶縁層およびゲート電極層をエッチングし、開口部を形成する工程と、カーボンナノチューブ粗生成物をろ過することで、前記絶縁層の厚さよりも短い長さのカーボンナノチューブを分離抽出するろ過工程と、その長さ制御されたカーボンナノチューブからなるエミッタ材を前記開口部およびゲート電極層上に固着する工程と、前記エミッタ材をエッチングし、ゲート開口部内のみにエミッタ材を残す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、カーボンナノチューブの長さ制御は、カーボンナノチューブをろ過によって特定の長さのカーボンナノチューブを分離し抽出することによって行うのが好ましい。
【００１９】
さらに、カーボンナノチューブの長さ制御は、カーボンナノチューブを粉砕し、ろ過によって特定の長さのカーボンナノチューブを分離し抽出することによって行うのが好ましい。
【００２０】
また、カーボンナノチューブの長さ制御は、カーボンナノチューブを酸素等の酸化剤を含むガス中で加熱し、ろ過によって特定の長さのカーボンナノチューブを分離し抽出することによって行うのが好ましい。
【００２１】
さらに、カーボンナノチューブの長さ制御は、カーボンナノチューブにイオンビームを照射し、ろ過によって特定の長さのカーボンナノチューブを分離し抽出することによって行うのが好ましい。
【００２２】
また、本発明の平面ディスプレイの製造方法は、上記電界放出型冷陰極の製造方法のいずれかを含むことを特徴とする。
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、特に、エミッタに少なくとも絶縁層の膜厚より短いカーボンナノチューブを用いることにより、ゲート電極とエミッタ間の絶縁性を保持し、エミッタ表面の平坦性を向上させ、均一で安定な高放出電流を発生可能な電界放出型冷陰極および平面ディスプレイを製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２５】
図１〜図５は、本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面図である。エミッタを形成する基板は、導電性基板、もしくは図１に示すように導電層２が形成されたガラス基板１を用いる。エミッタを構成するカーボンナノチューブは、アーク放電法やレーザーアブレーション法等で作製可能であるが、ここではアーク放電を用いて作製した。この方法は、反応容器内を５００ＴｏｒｒのＨｅガスで満たし、触媒金属が含有した２本の炭素棒を対向させ、両者の間でアーク放電を起こすと、陰極炭素棒表面および反応容器内壁にカーボンナノチューブを含んだ固体が堆積する。放電は、１８Ｖの電圧を２つの炭素棒の間に印加し、１００Ａの電流を流す。生成した固体中にはカーボンナノチューブの他に直径１０ｎｍから１００ｎｍ程度の粒径のグラファイトやアモルファスカーボン，触媒金属等が含まれる。得られたカーボンナノチューブは、単層ナノチューブであり、その直径は、およそ１ｎｍ〜５ｎｍである。長さは０．５μｍ〜１００μｍで、その平均長さは約２μｍである。なお、アーク放電以外にレーザアブレーション法によって作製したナノチューブも、基本的に同等のサイズのナノチューブが形成される。上記の粗生成物をエタノール中に懸濁させ、超音波粉砕する。次に、ポアサイズが０．２２μｍのメンブランフィルターを用いて懸濁液をろ過する。カーボンナノチューブ以外の不純物微粒子は、フィルターのポアサイズよりも小さいためにフィルターを通り抜けるが、０．５μｍ以上の長さを持つカーボンナノチューブは、フィルター上に残存する。フィルター上に残ったナノチューブを抽出することにより、ナノチューブのみを回収することができる。なお、ナノチューブの精製は、特開平８−２３１２１０号公報に開示される方法等を用いると、より純度の高いナノチューブを得られるため、これらの方法を適用することも可能である。次に、後述するように絶縁層の膜厚である１μｍよりも短い長さのナノチューブを抽出するために、０．８μｍのポアサイズを持つメンブランフィルターを用いて、精製したナノチューブを再びろ過する。フィルター上には約０．８μｍ以上の長さをもつナノチューブは残存するが、０．８μｍ以下の長さをもつナノチューブはフィルターを通り抜けることができる。フィルターを通り抜けたナノチューブを回収することにより、０．８μｍ以下すなわち絶縁層膜厚以下の長さに制御したナノチューブを得ることができる。なお、この工程は、遠心分離等の方法を用いてもよい。
【００２６】
このようにして得られたカーボンナノチューブは、再度、エタノール中に分散させ、これを導電層２上に塗布し、真空中もしくは不活性ガス中で３００度，１０分以上の加熱を行い、エタノールを蒸発させる。上記熱処理はエタノールが完全にカーボンナノチューブから脱離する条件であることをガス分析により確認している。また、エタノールの熱脱離は、カーボンナノチューブ表面の仕事関数を低下させるため、放出電子量を増加させる。しかし、エタノールを用いたナノチューブの導電層２上への固着は、付着力が弱いため、付着力を強めるにはバインダー等を用いる必要がある。バインダーとしては、レジストや水ガラス等が使用できる。重量比としては、例えば、バインダー：カーボンナノチューブ＝２０：１になるように混合し、超音波にて充分に攪拌する。その後、ナノチューブが含有したバインダーを導電層２上にスピンコーターを用いて塗布し、真空中もしくは窒素等の不活性ガス中で４００度程度の加熱を行なう。これにより、カーボンナノチューブ３は導電層２上に強く固着することができる（図２）。なお、ここではナノチューブ層の形成にスピンコートを行ったが、それ以外にスクリーン印刷や噴霧等の手法を用いることも可能である。
【００２７】
次に、図３に示すように、カーボンナノチューブからなるエミッタ層３を形成した後、シリコン酸化膜もしくはポリイミド膜等の絶縁層４を１μｍ堆積し、図４に示すように、その上層にゲート電極５としてアルミニウムを０．５μｍ形成する。次に、図５に示すように、ゲート電極層５および絶縁層４の一部をエッチングし、ゲート開口部６を形成する。
【００２８】
このようにして得られた電界放出型冷陰極は、エミッタ中に絶縁層の膜厚より長いナノチューブが含有されないため、図２５に示した従来技術と比較してエミッタ３とゲート電極層５とがナノチューブを介して接触しているような箇所は見られない。また、ナノチューブが互いに絡み合ったとしてもその径は非常に小さく、従来例よりも平坦性の高いエミッタが得られる。なお、ここでは単層ナノチューブを用いたが、多層ナノチューブを用いても同様な効果を実現することができる。ただし、多層ナノチューブは、単層ナノチューブに比べて、柔軟性が低いため、互いに絡みにくい傾向があり、単層ナノチューブの場合よりも平坦性の高いエミッタが得られる。
【００２９】
図６〜図１１は、本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面図である。上述した第１の実施例との大きな相違点は、エミッタの形成を絶縁層およびゲート電極層の形成前に行なうか、形成後に行なうかである。図６に示すような、ガラス基板１上に導電層２が形成された基板上に、図７に示すように、シリコン酸化膜もしくはポリイミド膜等の絶縁層４を３μｍ堆積し、その上層に、図８に示すように、ゲート電極５としてアルミニウムを０．５μｍ形成する。次に、図９に示すように、ゲート電極層５および絶縁層４の一部をエッチングし、ゲート開口部６を形成する。その後、図１０に示すように、第１の実施例で示した０．８μｍ以下のカーボンナノチューブを含むバインダーをその上層に塗布し、真空中もしくは窒素等の不活性ガス中で４００度程度の加熱を行なう。なお、エミッタの形成法は、塗布以外にスクリーン印刷や噴霧等の手法を用いることも可能である。ゲート電極５上およびゲート開口部６内に付着したナノチューブは、酸素プラズマ照射によってエッチングし、図１１に示すように、２μｍの厚みをもつエミッタ層３をゲート開口底部に残す。これにより、第１の実施例と同様に、エミッタ表面から１μｍの絶縁層を隔ててゲート電極を配置することができる。ナノチューブの長さは、第１の実施例で述べたように絶縁層膜厚よりも短い。ここで仮に、図１０の工程を１μｍ以上の長さのナノチューブを含むバインダーにて行った場合には、ゲート電極層５上もしくはゲート開口部６内に大きなナノチューブの塊が生じ、ゲート開口内のエミッタ層３の膜厚制御が困難になる。また、ゲート電極層５上にはプラズマ照射後にもナノチューブの塊が残ることが多く、それらがゲート開口部に付着した場合にはエミッタ３とゲート電極５の短絡の原因になる。しかしながら、本実施例によって形成される電界放出型冷陰極は、エミッタ中に絶縁層の膜厚より短いナノチューブのみによって構成されるため、ナノチューブが互いに絡み合ったとしてもその径は比較的小さく、上述した問題はほとんど生じない。なお、本実施例は第１の実施例と比較してエミッタの形成を絶縁層４とゲート電極層５の形成後に行なうため、図１０に示すような絶縁層およびゲート電極層の湾曲は生じないが、ナノチューブを酸素プラズマでエッチングする工程が増えるという特徴をもつ。
【００３０】
以上説明した第１の実施例および第２の実施例に従って作製された電界放出型冷陰極の電子放出特性を図１２に示す。図１２は、エミッタに対してゲート電極に印加した電圧（ゲート電圧）と放出電流量の関係である。なお、放出電流量は素子から１ｃｍ離れたところにアノード電極を配置し、エミッタに対して５００Ｖの電圧を印加する際に検出される電流値である。絶縁層の膜厚は１μｍでゲート開口は５μｍｍ角である。ゲートに流れる電流はｎＡ以下であり、絶縁リークおよび電子の広がりが小さい良好な素子特性が得られた。放出電流量はゲート電圧が約３５Ｖの時には１０μＡにも達する。また、このような電子放出特性は再現性よく得られることを確認している。さらに、本発明に従って形成されるエミッタは、短い長さのナノチューブで構成されるため、電界が集中しやすいナノチューブ先端部が実質的に多くなり、放出電子量を増加させる。参考として、ナノチューブの長さを制御せずに形成した電界放出型冷陰極の特性は素子間のばらつきが大きく、ゲート電圧３５Ｖでの放出電流量は、最大でも０．１μＡである。また、このような電子放出領域の増加は、各電子放出点からの電流変動を平均化させる効果があるため、電流安定性も向上させることができる。
【００３１】
図１３〜図１６は、第１の実施例を基に作製される平面ディスプレイの製造方法を示した断面構造図であり、図１７の線Ａ−Ａの断面を示すものである。まず、図１３に示すように、ガラス基板１上に導電層２を紙面に対して垂直方向に膜厚が０．５μｍになるようにストライプ状に形成し、その上層に０．８μｍ以下のカーボンナノチューブを含むバインダーを塗布し、第１の実施例記載の方法により導電層２に固着させ、エミッタ３を形成する。なお、このストライプ状の電導層２とエミッタ３とは、図１７の点線部に相当する。図１３の構造を形成した後、基板全面を覆うように酸化膜もしくはポリイミド膜からなる絶縁層４を１μｍ成膜する（図１４）。その後、図１５に示すように、紙面と平行方向にストライプ状のゲート電極５を０．５μｍ形成する。形成されたゲート電極５と絶縁層４はＲＧＢの各画素を形成するために、およそ１００μｍ角の４角形にエッチングし、ゲート開口部６が形成される（図１６）。これにより、ＲＧＢの各画素に対応する電子放出部が形成される。なお、ここでは第１の実施例に従う方法にてエミッタ形成を行ったが、第２の実施例に記載する方法を用いてもよい。
【００３２】
上記平面ディスプレイの各画素（エミッタ）は、１００μｍ角の領域によって形成される例を示したが、エミッタの面積が大きくなると、開口部内周辺と中心部の電界強度が不均一になる。これは、ゲート電圧がゲート電極に近いエミッタ表面ほど大きくなるためである。従って、１つの画素が大きな平面ディスプレイやエミッタエリアが比較的大きな電子放出デバイスにおいては、エミッタ表面の電界分布の均一性を向上させる必要がある。図１８は、ゲート電極層５中に１つのゲート開口部をもつエミッタ３を示すもので、先に示した構造と同一であるが、図１９は、一つのエミッタを複数の長方形または正方形に分割した場合の構造図である。これにより、分割されたゲート開口部周辺とゲート開口部の中心との距離が小さくなり、開口部内のエミッタ表面に均一な電界を印加することが可能である。また、ゲート開口部の分割は６角形等の多角形でもよく、例えば、図２０に示すように、円形であってもよい。以上のように、ゲート開口部の分割はエミッタ領域内の電界分布を均一化させ、均一な高放出電流を実現することができる。ただし、あらかじめ決められた一定エミッタエリア内でゲート開口部を分割すると、そのなかに占めるゲート電極の面積が大きくなるため、実質的なエミッタエリアは減少する。したがって、素子を設計する際にはエミッタエリア内のゲート電極の幅を小さくし、有効なエミッタエリアをできるだけ大きくする必要がある。
【００３３】
以上述べたように、少なくとも絶縁層膜厚以下のカーボンナノチューブを抽出して、それをエミッタに用いることにより、安定で均一性の高い電界放出型冷陰極および平面ディスプレイを製造することが可能である。しかしながら、第１の実施例から第３の実施例で用いたカーボンナノチューブの長さの制御は粗生成物中に絶縁層膜厚（ここでは１μｍ）より短い長さのナノチューブがあらかじめ含まれているために、それらをろ過のみによって分離，抽出することができる。しかし、その収率はごくわずかであり、生成したナノチューブの大部分を使用しないことになる。また、絶縁層膜厚が０．５μｍ以下になると粗生成物中にその長さ以下のナノチューブが存在しないため、上記の方法では本発明の意図する効果を得ることができない。生成したカーボンナノチューブを充分に活用し、しかも短い長さのナノチューブを得るには以下に示す方法を用いることができる。
【００３４】
第１は、ナノチューブを粉砕し、長いナノチューブを分断する方法である。精製後のカーボンナノチューブを乳鉢もしくはボールミル等の粉砕器を用いて機械的に分断することにより、比較的短いナノチューブを多数得ることが可能である。粉砕時にはアルミナやジルコニア等の硬度の高い微小球を含有させることにより、粉砕効率を高めることができる。粉砕後は先述した方法と同様にフィルターを用いて特定の長さ以下のナノチューブのみを分離し、抽出する。これにより、収率が向上し、しかも０．５μｍ以下のナノチューブも得ることができる。
【００３５】
第２は、ナノチューブを酸化剤（大気，酸素，水，二酸化炭素等）を含むガス中で加熱することによってその長さを短くする方法である。この方法はナノチューブの精製方法として特開平７−４８１１０号公報に記載されている。本手法はナノチューブの先端（両端）部分が酸素と反応して消失しやすいという特徴を利用したものである。大気中で加熱した場合、多層ナノチューブは７００度から１０００度の温度が適している。また、単層ナノチューブの場合は多層ナノチューブに比べて消失しやすいため、４５０度から６００度の温度が適している。加熱時間は目的の長さ以下のナノチューブの収率が最も高くなるような時間を消失速度から逆算することで設定する。加熱後のナノチューブはアルコール中に懸濁させた後、フィルターによって所望の長さ以下のナノチューブを分離，抽出する。この方法はナノチューブ自身を消失させるため全体としての収率は低下するが、短い長さのナノチューブを容易に得ることができる。また、粗生成物中に含まれるようなグラファイトやアモルファスカーボン等の不純物の燃焼速度がナノチューブよりも速いという性質を利用すると、あらかじめ粗生成物からナノチューブを精製することなしに、この手法のみを用いて、ナノチューブの長さ制御と精製を同時に行なうことも可能である。
【００３６】
第３は、高エネルギーの収束イオンビームを照射することによってナノチューブを分断する方法である。精製後のカーボンナノチューブ懸濁液を加熱し、エタノールを蒸発させる。その後、収束イオンビーム発生装置内に入れ、所望の長さ以下になるようにＧａやＡｕ等のイオンビームを走査し、ナノチューブを分断する。
【００３７】
上記の３つの方法による長さ制御を経たナノチューブを含む電界放出型冷陰極は、第１の実施例〜第３の実施例で示した冷陰極と比較して、より大きな電流量を示す。これは、ナノチューブが分断もしくは燃焼することによって、その先端部分または側面に欠陥が発生しそれらの箇所に電界が集中しやすくなったためと考えられる。従って、先に示した３つの長さ制御法を用いることによって、さらに高い放出電流を得ることが可能である。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、エミッタに少なくとも絶縁層の膜厚より短いカーボンナノチューブを用いることにより、ゲート電極とエミッタ間の絶縁性を保持し、エミッタ表面の平坦性を向上させ、均一で安定な高放出電流を発生可能な電界放出型冷陰極および平面ディスプレイを製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図２】本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図３】本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図４】本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図５】本発明の電界放出型冷陰極の第１の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図６】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図７】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図８】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図９】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図１０】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図１１】本発明の電界放出型冷陰極の第２の実施例の製造工程を示す断面構造図である。
【図１２】本発明にしたがって形成した電界放出型冷陰極の放出電流量とゲート電圧の関係を示す図である。
【図１３】本発明の電界放出型冷陰極の第３の実施例（平面ディスプレイ）の製造工程を示す断面構造図である。
【図１４】本発明の電界放出型冷陰極の第３の実施例（平面ディスプレイ）の製造工程を示す断面構造図である。
【図１５】本発明の電界放出型冷陰極の第３の実施例（平面ディスプレイ）の製造工程を示す断面構造図である。
【図１６】本発明の電界放出型冷陰極の第３の実施例（平面ディスプレイ）の製造工程を示す断面構造図である。
【図１７】本発明におけるエミッタ領域を示す平面構造図である。
【図１８】従来例における電界放出型冷陰極を示す平面構造図である。
【図１９】従来例における電界放出型冷陰極を示す平面構造図である。
【図２０】従来例における電界放出型冷陰極を示す平面構造図である。
【図２１】従来例における電界放出型冷陰極を示す断面構造図である。
【図２２】従来例における平面ディスプレイを示す斜視図である。
【図２３】従来例における平面ディスプレイを示す断面図である。
【図２４】従来例における電界放出型冷陰極を示す断面構成図である。
【図２５】従来例における電界放出型冷陰極を示す断面構成図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  導電層
３  エミッタ（長さ制御したカーボンナノチューブ）
４  絶縁層
５  ゲート電極層
６  ゲート開口部
７  炭素質基板
８  エミッタ（カーボンナノチューブ）
９  電極
１０  絶縁層
１１  グリッド
１２  アルミニウム
１３  金属触媒
１４  素子分離領域
１５  蛍光板
１６  カソード材
１７  電子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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