(57)【要約】本発明では、絶縁基材と、該絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線と、該絶縁基材内に埋め込まれた導体部材とを備え、導体部材の一端が絶縁基材表面に露出して配線に接続しており、他端は絶縁基材内に埋め込まれている配線基板、該配線基板を用いた半導体装置、及びそれらの製造方法が提供される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
上記絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、
上記絶縁基材内に埋め込まれた導体部材とを備え、
上記導体部材の一端は上記絶縁基材表面に露出して上記配線に接続しており、他端は上記絶縁基材内に埋め込まれている配線基板。
【請求項２】
上記絶縁基材は、エポキシ樹脂硬化物又はポリアミドイミド樹脂硬化物を含む請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁基材と、
上記絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、
上記絶縁基材の他方の面に設けられた支持部材と、
上記絶縁基材内に埋め込まれた、上記配線に接続した導体部材とを備える配線基板。
【請求項４】
上記支持部材は、金属、樹脂及びセラミックのうちの少なくともいずれかを含む請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
上記配線部材は、
複数の配線層と、
上記配線層間を絶縁するための層間絶縁層と、
上記層間絶縁層内に設けられた、上記配線層間を接続するためのバイアホールとを備える請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
上記導体部材の厚さは、０．０１ｍｍ〜０．１５ｍｍであり、
上記絶縁基材の厚さと上記導体部材の厚さとの差は、０．１ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
第１の面に突起状の導体部材を設けた配線部材と、絶縁基材とを、上記導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程を備える請求項１〜６のいずれかに記載された配線基板の製造方法。
【請求項８】
上記絶縁基材の表裏一方の面には支持部材が設けられており、
上記積層工程は、上記配線部材の上記導体部材が設けられた面と、上記絶縁基材の上記支持部材が設けられていない面とを対向させて積層させる工程である請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
上記配線部材の第２の面には仮支持板が設けられており、
上記積層工程の後、上記仮支持板を除去する工程をさらに備える請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記配線部材の上記面に上記導体部材をめっきにより形成する工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
上記配線部材の上記第１の面に設けられた導体膜の一部を除去することにより上記導体部材を形成する工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
導体板の一部を除去することにより上記配線部材及び上記導体部材を形成するエッチング工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
上記導体板は、この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなり、
上記エッチング工程は、
上記第１の導体層の一部をエッチングして上記配線部材を形成する配線部材形成工程と、
上記第３の導体層の一部をエッチングして上記導体部材を形成する導体部材形成工程と、
上記第２の導体層の露出箇所をエッチング除去するエッチングバリア除去工程とを備える請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
上記配線部材形成工程は、上記第１の導体層表面に金めっきパターンを形成し、該めっきパターンをエッチングレジストとして上記第１の導体層をエッチングすることにより上記配線部材を形成する工程である請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた導体層と、絶縁基材とを、上記導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程、及び、
上記導体層の不要な箇所を除去して配線部材を形成する配線部材形成工程を備える請求項１〜６のいずれかに記載された配線基板の製造方法。
【請求項１６】
上記配線部材形成工程は、上記導体層表面に金めっきパターンを形成し、該めっきパターンをエッチングレジストとして上記導体層をエッチングすることにより、上記不要な箇所を除去して上記配線部材を形成する工程である請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
上記絶縁基材の表裏一方の面には支持部材が設けられており、
上記積層工程は、上記導体層の上記導体部材が設けられた面と、上記絶縁基材の上記支持部材が設けられていない面とを対向させて積層させる工程である請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
上記導体層の他方の面には仮支持板が設けられており、
上記積層工程の後、上記仮支持板を除去する工程をさらに備える請求項１５〜１７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
上記導体層の上記面に上記導体部材をめっきにより形成する工程を、さらに備える請求項１５〜１８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
上記導体層の上記面に設けられた導体膜の一部を除去することにより上記導体部材を形成する導体部材形成工程を、さらに備える請求項１５〜１８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２１】
上記導体部材形成工程は、
この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなる導体板の、該第３の導体層の一部をエッチングして上記導体部材を形成する工程と、
上記第２の導体層の露出箇所をエッチング除去する工程とを備える請求項２０記載の配線基板の製造方法。
【請求項２２】
配線部材と、絶縁基材と、支持部材とをこの順で積層させる積層工程を備える請求項３記載の配線基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項１，２，５及び６のいずれかに記載の配線基板の上記配線部材表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記絶縁基材の一部を除去して上記導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項３又は４に記載の配線基板の上記配線部材表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記支持部材の少なくとも一部を除去して上記絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程と、
上記絶縁基材の少なくとも一部を除去して上記導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項３記載の配線基板の配線部材側表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記支持部材の少なくとも一部を除去して上記絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程と、
上記絶縁基材の少なくとも一部を除去して貫通孔を形成し、上記配線の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程と、
上記貫通孔を導体で充填して上記配線に接続した導体部材を形成する導体部材形成工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
上記搭載工程における搭載は、接着剤を介して行われる、請求項２３〜２５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
上記支持部材除去工程における上記支持部材の除去は、研磨、化学エッチング及び機械加工の少なくともいずれかにより行われる、請求項２４又は２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
上記絶縁基材除去工程における上記絶縁基材の除去は、
研磨、レーザ照射及びエッチングの少なくともいずれかにより行われる、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
上記絶縁基材除去工程の後に、
上記導体部材の露出箇所に、金めっき層を形成する工程をさらに備える請求２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
上記絶縁基材除去工程の後に、
上記導体部材の露出箇所に、はんだボールを形成する工程をさらに備える請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
上記搭載工程は、
一つの上記配線基板に、複数の上記半導体素子を搭載する工程である、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
上記搭載工程は、
一つの上記配線基板に、上記半導体素子のほかに、受動部品をさらに搭載する工程である、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
上記半導体素子を封止部材により覆って封止する封止工程をさらに備える、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
上記封止部材を研磨して上記半導体素子の少なくとも一部を露出させる工程をさらに備える、請求項３３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項２３〜３４のいずれかの方法により製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、配線基板と、該配線基板を用いた半導体装置と、それらの製造方法に関する。
背景技術
半導体の集積度が向上するに従い、入出力端子数が増加している。したがって、多くの入出力端子数を有する半導体装置が必要になった。一般に、入出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッチ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端子配置が可能なため、多ピン化に適している。
従来、アレイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は挿入型となり、表面実装には適していない。このため、表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と称するパッケージが開発されている。ＢＧＡの分類としては、（１）セラミックタイプ、（２）プリント配線板タイプ及び（３）ＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）を使ったテープタイプなどがある。このうち、セラミックタイプについては、従来のＰＧＡに比べるとマザーボードとパッケージ間の距離が短くなるために、マザーボードとパッケージ間の熱応力差に起因するパッケージ反りが深刻な問題である。また、プリント配線板タイプについても、基板の反り、耐湿性、信頼性などに加えて基板厚さが厚いなどの問題があり、ＴＡＢ技術を適用したテープＢＧＡが提案されている。
パッケージサイズの更なる小型化に対応するものとして、半導体素子とほぼ同等サイズの、いわゆる素子サイズパッケージ（ＣＳＰ：Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。これは、半導体素子の周辺部でなく、実装領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージである。
具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルムを半導体素子の表面に接着し、素子と金リード線により電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッティングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＆  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ９４．４，Ｎｏ．１４０，Ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体素子及び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプを形成し、半導体素子をフェースダウンボンディング後、仮基板上でトランスファモールドしたもの（Ｓｍａｌｌｅｓｔ  Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  ＣＳＰ；Ｔｈｅ  Ｓｅｃｏｎｄ  ＶＬ  ＳＩ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，ｐ４６−５０，１９９４）などである。
一方、前述のように、ＢＧＡやＣＳＰ分野でポリイミドテープをベースフィルムとして利用したパッケージが検討されている。この場合、ポリイミドテープとしては、ポリイミドフィルム上に接着剤層を介して銅箔をラミネートしたものが一般的であり、耐熱性や耐湿性などの観点から銅箔上に直接ポリイミド層を形成した、いわゆる２層フレキシブル基材が好ましい。
この２層フレキシブル基材の製造方法としては、▲１▼銅箔上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を塗布した後熱硬化させる方法、▲２▼硬化したポリイミドフィルム上に真空成膜法や無電解めっき法などにより金属薄膜を形成する方法、の２つに大別される。
２層フレキシブル基材では、例えばレーザ加工を適用して所望する部分のポリイミドを除去して銅箔に達する凹部を設ける場合には、ポリイミドフィルムができる限り薄いことが好ましい。その反面、２層フレキシブル基材をリードフレーム状に加工してハンドリングする場合、ベースフィルム厚さが薄いとハンドリング性やフレームとしての剛直性に欠けるなどの問題がある。
以上のように小型化高集積度化に対応できる半導体装置として、種々の提案がされているが、性能、特性、生産性等全てにわたって満足するよう一層の改善が望まれている。
発明の開示
本発明は、小型化、高集積度化に対応できる半導体装置（半導体パッケージ）を、生産性良くかつ安定的に製造するための半導体素子搭載用配線基板と、該基板を用いた半導体装置と、それらの製造方法とを提供することを目的とする。
本発明では、絶縁基材と、該絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、該絶縁基材内に埋め込まれた導体部材とを備え、導体部材の一端は絶縁基材表面に露出して上記配線に接続しており、他端は絶縁基材内に埋め込まれている配線基板が提供される。なお、本発明の配線基板は、絶縁基材の他方の面（すなわち、表裏のうち導体部材が露出していない面）に設けられた支持部材を、さらに備えていてもよい。
さらに本発明では、絶縁基材と、該絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、該絶縁基材の他方の面に設けられた支持部材とを備える配線基板が提供される。この配線基板は、絶縁基材内に埋め込まれた、配線に接続した導体部材をさらに備えていてもよいが、導体部材が設けられていなくてもよい。導体部材を設ける場合、その一端は配線に接続している必要があるが、他端は絶縁基材に被覆されていてもよく、支持部材と導体部材とのエッチング条件が異なっていれば、導体部材の他端が支持部材に達していてもよい。
また、本発明では、上述した本発明の配線基板の製造方法として、
（１）表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた配線部材と、絶縁基材とを、導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程を備える配線基板の製造方法、
（２）表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた導体層と、絶縁基材とを、導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程、及び、導体層の不要な箇所を除去して配線部材を形成する配線部材形成工程を備える配線基板の製造方法、並びに、
（３）配線部材と、絶縁基材と、支持部材とをこの順で積層する積層工程を備える配線基板の製造方法、
が提供される。
さらに本発明では、上述した本発明の配線基板の配線部材表面に半導体素子を搭載する搭載工程、半導体素子と配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程、半導体素子を封止部材により覆って封止する封止工程、及び、絶縁基材の一部を除去して導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程を備える半導体装置の製造方法が提供される。なお、半導体素子を封止部材により覆って封止する封止工程をさらに設けてもよい。この場合、封止工程と絶縁基材除去工程とは、いずれが先であっても構わない。
また本発明では本発明の配線基板の配線部材側表面に半導体素子を搭載する搭載工程、半導体素子と配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程、支持部材の少なくとも一部を除去して絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程、絶縁基材の少なくとも一部を除去して貫通孔を形成し、配線の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程、及び、貫通孔を導体で充填して配線に接続した導体部材を形成する導体部材形成工程を備える半導体装置の製造方法が提供される。
なお、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体素子の配線基板への搭載は、接着剤を介して行うことができるが、接着剤を介さずに行ってもよい。
さらに本発明では、上述した本発明の製造方法によって製造された半導体装置が提供される。
発明を実施するための最良の形態
本発明の配線基板は、絶縁基材と、配線部材と、導体部材とを備え、導体部材の一端が絶縁基材表面に露出して配線部材の配線に接続しており、他端が絶縁基材内に埋め込まれている。
この配線部材における絶縁基材の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂などを含む樹脂組成物、樹脂前駆体組成物又はその硬化物を用いることができる。樹脂組成物又は樹脂前駆体組成物はウィスカを含むことが好ましく、樹脂にはポリアミドイミドを用いることが特に好ましい。絶縁基材の樹脂は硬化前又は半硬化状態であっても構わないが、半導体装置においては硬化後であることが望ましい。
本発明において絶縁基材として好適なエポキシ樹脂硬化物は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むエポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる。このエポキシ樹脂組成物（好ましくは熱硬化性樹脂組成物）には、さらに必要に応じて、硬化促進剤、触媒、エラストマ、難燃剤などを配合してもよい。
ここで用いることのできるエポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
本発明において、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用すると、バイアホール等の形成に際して行われる除去処理において、エポキシ樹脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物及びこれらのハロゲン化物などがある。
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール、多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。さらに、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
アミン類の例としては、脂肪族又は芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。これらの化合物には、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，４，０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等が挙げられる。
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定されずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
これらの硬化剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
また、エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
エポキシ樹脂組成物の硬化反応は、反応が進行するのであればどのような温度で行ってもよいが、一般には室温〜２５０℃の範囲で硬化させることが好ましい。またこの硬化反応は、加圧下、大気圧下又は減圧下に行うことができる。
絶縁基材にポリアミドイミド樹脂を用いる場合には、シリコーン変性ポリアミドイミドを用いるのが好ましい。このシリコーン変性ポリアミドイミドは、シロキサン結合、イミド結合及びアミド結合を有する重合体であり、その製造方法には、
（１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を含むジイミドジカルボン酸１ａとジイソシアネート化合物１ｂとを反応させる方法、
（２）シロキサン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物２ａとトリカルボン酸クロライド２ｂとを反応させる方法、
（３）シロキサン結合を有するジイソシアネートを含むジイソシアネート化合物３ａとトリカルボン酸無水物３ｂとを反応させる方法、
の３つの方法がある。
上記（１）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて詳述すると、シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸１ａを含むジイミドジカルボン酸として、例えば、次の化合物がある。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸以外のジイミドジカルボン酸のうちイミド基を連結する２価の残基が芳香族であるジイミドジカルボン酸の例としては、つぎの（１式）及び（２式）のものが挙げられる。
2003021668.tif 000003
また、シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸の例として、１式においてＲ１が２価の脂肪族基（酸素を含んでいてもよい）のものがある。２価の脂肪族基としては、プロピレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、オクタデカメチレン基等のアルキレン基、アルキレン基の両端に酸素が結合した基などがある。
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上記の２価の有機基Ｒ１及びＲ２としては、プロピレン基等のアルキレン基、フェニレン基、アルキル基置換フェニレン基等が挙げられる。
また、ジイソシアネート化合物１ａとしては、芳香族ジイソシアネート化合物として、つぎの（３式）のものが挙げられる。
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また、Ｒ９としては、アルキレン基等の２価の脂肪族基又はシクロアルキレン基等の２価の脂環式基がある脂肪族ジイソシアネート化合物又は脂環式ジイソシアネート化合物がある。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は、それぞれ、シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以外のジアミンと無水トリメリット酸を反応させて得ることができる。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は混合物として使用することが好ましい。
シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以外のジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸混合物を使用することが特に好ましい。
シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミンとしては、芳香族ジアミンが好ましく、特に、芳香族環を３個以上有するジアミンが好ましい。シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミンのうち芳香族ジアミンが５０〜１００モル％になるように使用することが好ましい。
また、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンは（Ａ）／（Ｂ）が９９．９／０．１〜０．１／９９．９モル比）となるように使用することが好ましい。さらに、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンと無水トリメリット酸は、（Ａ）＋（Ｂ）の合計１モルに対して無水トリメリット酸２．０５〜２．２０の割合で反応させることが好ましい。
ジイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネート化合物が好ましく、ジイソシアネート化合物のうち芳香族ジイソシアネート化合物を５０〜１００モル％使用することが好ましい。
ジイミドジカルボン酸全体とジイソシアネート化合物とは前者１モルに対して後者１．０５〜１．５０モルになるように反応させることが好ましい。
ジアミン化合物と無水トリメリット酸とは、非プロトン性極性溶媒の存在下に、５０〜９０℃で反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比で投入し、１２０〜１８０℃で反応を行い、イミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、これとジイソシアネート化合物との反応を行うことが好ましい。ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液から芳香族炭化水素を除去することが好ましい。
イミドジカルボン酸とジイソシアネート化合物との反応温度は、低いと反応時間が長くなることや、高すぎるとイソシアネート同士で反応するのでこれらを防止するため、１００〜２００℃で反応させることが好ましい。
芳香族ジアミンとしては、フェニレンジアミン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、ビス（４−アミノフェニル）カルボニル、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル等があり、特に、芳香族環を３個以上有するジアミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略す）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等がある。
脂肪族ジアミンとしては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、オクタデカメチレンジアミン、末端アミノ化プロピレングリコール等がある。また、脂環式ジアミンとしては、１，４−ジアミノシクロヘキサン等がある。
シロキサンジアミンとしてはつぎの一般式（４式）で表されるものを用いることができる。
2003021668.tif 000006
このようなシロキサンジアミンとしては（５式）で示すものが挙げられる。これらの中でもジメチルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性反応性シリコーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、以上信越化学工業株式会社製商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名などが市販品として挙げられる。
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芳香族ジイソシアネートとして具体的には、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと略す）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマー等が例示できる。特にＭＤＩは、分子構造においてイソシアネート基が離れており、ポリアミドイミドの分子中におけるアミド基やイミド基の濃度が相対的に低くなり、溶解性が向上するため好ましい。
脂肪族又は脂環式ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシルジイソシアネート）等がある。
非プロトン性極性溶媒として、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等が例示できる。イミド化反応には、高温を要するため沸点の高い、Ｎ−メチル−２−メチルピロリドン（以下ＮＭＰと略す）が、特に好ましい。これらの混合溶媒中に含まれる水分量はＴＭＡが水和して生成するトリメリット酸により、充分に反応が進行せず、ポリマの分子量低下の原因になるため０．２重量％以下で管理されていることが好ましい。また、非プロトン性極性溶媒は、特に制限されないが、芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサンジアミン及び無水トリメリット酸を合わせた重量の割合が、多いと無水トリメリット酸の溶解性が低下し充分な反応が行えなくなることや、低いと工業的製造法として不利であることから、１０重量％〜７０重量％の範囲になることが好ましい。
水と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が例示でき、特に沸点が比較的低く、作業環境上有害性の少ないトルエンが好ましく、使用量は、非プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比（１０〜５０重量％）の範囲が好ましい。
つぎに、前記（２）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、シロキサン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物２ａとして、シロキサン結合を有するジアミン、前記（５式）で示される化合物がある。また、その他のジアミンとして、上述したジアミンも使用できる。
トリカルボン酸クロライド２ｂには、トリメリット酸クロライド等があり、良く知られた酸クロライド法により製造することができる。
つぎに、前記（３）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、３ａシロキサン結合を有するジイソシアネートを含むジイソシアネート化合物として、シロキサン結合を有するジイソシアネート化合物、前記（４式）で示されるシロキサンジアミンに対応するジイソシアネート化合物、その他のジイソシアネート化合物として、前記したものを使用することができる。
トリカルボン酸無水物３ｂには、無水トリメリット酸等があり、従来から良く知られたジアミン化合物とジイソシアネート化合物の反応により製造することができる。
また、絶縁基材として、ウィスカを含む樹脂組成物を用いてもよい。特に樹脂が単独でフィルム形成能を有しない場合、ウィスカを配合することが有効である。なお、ここでいうフィルム形成能とは、ワニスをキャリアフィルムに塗工するときに、所定の厚さに制御することが容易であり、加熱乾燥して半硬化状にした後の搬送、切断における作業性が良好であって、積層工程に用いた場合に樹脂の割れや欠落を生じにくく、その後の加熱加圧成形時に層間絶縁層の最小厚さを確保できることを言う。フィルム形成能を有しない樹脂は、通常、分子量が３０，０００を越えない程度の低分子量であることが多い。
具体的には、ガラスクロス基材に含浸させた熱硬化性樹脂が絶縁基材として好ましく、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、イソシアネート樹脂、又はこれらの変性樹脂等を使用することができる。
この中で、積層板の特性を向上する上で、特にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はビストリアジン樹脂は好適である。
さらには、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族環状エポキシ樹脂、及び、これらのハロゲン化物、水素添加物、から選択された１以上のものを使用することができる。なかでも、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂と、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂は、耐熱性に優れ好ましい。
絶縁基材を構成する樹脂組成物に配合するウィスカは、電気絶縁性セラミック系ウィスカであり、弾性率が２００ＧＰａ以上であることが好ましい。２００ＧＰａ未満では、配線板材料あるいは配線板として用いたときに十分な剛性が得られない場合がある。
このようなものとして、例えば、硼酸アルミニウム、ウォラストナイト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化ケイ素及びα−アルミナの中から選ばれた１以上のものを用いることができる。なかでも、硼酸アルミニウムウィスカと、チタン酸カリウムウィスカは、モース硬度が、一般的なプリプレグ基材に用いるＥガラスとほぼ同等であり、従来のプリプレグと同様のドリル加工性を得ることができる。硼酸アルミニウムウィスカは、弾性率がほぼ４００ＧＰａと高く、樹脂ワニスと混合し易く、さらに好ましい。
このウィスカの平均直径は、０．３μｍ〜３μｍであることが好ましく、さらには、０．５μｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましい。このウィスカの平均直径が、０．３μｍ以下であると、樹脂ワニスへの混合が困難となり、３μｍを越えると、微視的な樹脂への分散が十分でなく、表面の凹凸が大きくなり好ましくない。
また、この平均直径と平均長さの比は、１０以上であることが、さらに剛性を高めることができるため好ましく、２０以上であればさらに好ましい。この比が１０未満であると、繊維としての補強効果が小さくなる。この平均長さの上限は、１００μｍであり、さらに好ましくは５０μｍである。この上限を越えると、樹脂ワニス中への分散が困難となる他、２つの導体回路に１つのウィスカが接触する確率が高くなり、ウィスカの繊維に沿って銅イオンのマイグレーションが発生する確率が高くなる。
また、配線基板の剛性、耐熱性及び耐湿性を高めるために、樹脂との濡れ性や結合性に優れたカップリング剤で表面処理した電気絶縁性のウィスカを使用することが好ましく、このようなカップリング剤として、シリコン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング剤、アミノ酸系カップリング剤等から選択して使用することができる。
このような樹脂の硬化剤としては、従来使用しているものが使用でき、樹脂がエポキシ樹脂の場合、例えば、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、並びにこれらのフェノール樹脂のハロゲン化物等を使用できる。なかでも、ビスフェノールＡノボラック樹脂は、耐熱性に優れ好ましい。
この硬化剤の前記樹脂に対する割合は、従来使用している割合でよく、樹脂１００重量部に対して、２〜１００重量部の範囲が好ましく、さらには、ジシアンジアミドでは、２〜５重量部、それ以外の硬化剤では、３０〜８０重量部の範囲が好ましい。
硬化促進剤としては、樹脂がエポキシ樹脂の場合、イミダゾール化合物、有機リン化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等を用いることができる。
この硬化促進剤の前記樹脂に対する割合は、従来使用している割合でよく、樹脂１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部の範囲が好ましく、０．１〜１．０の範囲がより好ましい。
これらは、溶剤に希釈して用い、この溶剤には、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メタノール、エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を使用できる。
この希釈剤の前記樹脂に対する割合は、従来使用している割合でよく、樹脂１００重量部に対して、１〜２００重量部の範囲が好ましく、３０〜１００重量部の範囲がさらに好ましい。
熱硬化性樹脂とウィスカの割合は、硬化した樹脂中のウィスカの体積分率が５％〜５０％の範囲となるように調整することが好ましい。硬化した樹脂中のウィスカの体積分率が５％未満であると、銅箔付プリプレグ（銅箔／熱硬化性樹脂層）が切断時に樹脂が細かく砕けて飛散するなど、取扱いが著しく困難な場合があり、配線板としたときに剛性が低くなる。一方ウィスカの体積分率が５０％を越えると、加熱加圧成形時の穴や回路間隙への埋め込みが不十分となり、成形後にボイドやかすれを発生し、絶縁性が低下する場合がある。また、樹脂とウィスカの割合は、硬化した樹脂中のウィスカの体積分率は、２０〜４０％であることが、さらに好ましい。
本発明に用いられる絶縁基材は、例えば、樹脂と溶剤からなるワニスにウィスカを混合し、撹拌によりウィスカをワニス中に均一に分散させ、それを銅箔などの支持部材の片面に塗工し、加熱乾燥により溶剤を除去するとともに樹脂を半硬化状にして形成できる。
支持部材に上述の樹脂組成物を塗布して絶縁基材を形成する場合、樹脂組成物の塗布方法は特に限定されるものではないが、例えば、ブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファロールコータ等の支持部材（例えば銅箔）と平行な面方向にせん断力を負荷できるか、又は、銅箔の面に垂直な方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を採用することができる。
本発明の配線基板では、絶縁基材の導体部材が露出していない面に支持部材を設けることができる。ここで用いられる支持部材は、ある程度の剛性があれば、その材質は特に限定されるものではないが、例えば、金属、樹脂及びセラミックのうちの少なくともいずれかを含むことができる。本発明における支持部材としては、特に金属板又はプラスチック板が好適である。
金属板としては、銅板、鉄板、アルミニウム板やそれらの金属の合金板が経済的に好ましい。また、プラスチック板としては、熱硬化性樹脂板、熱可塑性樹脂板などを用いることができる。
ここで熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタクリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂などを用いることができる。
熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、４−メチルペンテン−１樹脂、ポリブテン−１樹脂、及び高圧法エチレンコポリマーなどのポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸系プラスチック、ジエン系プラスチック、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアセタール、フッ素系樹脂、ポリウレタン系プラスチック、及び、ポリスチレン系熱可塑性エラストマ、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマ、ポリウレタン系熱可塑性エラストマ、ポリエステル系熱可塑性エラストマ、ポリアミド系熱可塑性エラストマ、低結晶性１，２−ポリブタジエン、塩素化ポリマ系熱可塑性エラストマ、フッ素系熱可塑性エラストマ、あるいはイオン架橋熱可塑性エラストマなどの熱可塑性エラストマなどを用いることができる。
さらに、これらの樹脂を、ガラスファイバやセルロースなどの絶縁性のファイバで織った布、織ってない紙に含浸したもの、ガラスチョップトストランドや絶縁性ウィスカなどの短繊維を混合したもの、又は、フィルム状に成型したものを、支持部材として用いてもよい。
本発明における配線部材は、１層の配線層のみからなっていてもよく、複数の配線層と、該配線層間を絶縁するための層間絶縁層と、層間絶縁層内に設けられた、配線層間を接続するためのバイアホールとを備える多層配線構造体であってもよい。配線層は、複数の回路を備えることができ、通常、銅箔等の導体膜をエッチング等によりパターン化して形成することができる。また、配線部材として多層配線構造体を形成する場合、その形成方法は特に限定されるものでなく、配線層の形成、層間絶縁層の形成及びバイアホールの形成を所定回数繰り返すといった、通常の薄膜プロセスを用いることができる。なお、配線層の形成は、例えば、配線層となる導体層の表面に所定のパターンの金めっき層を形成した後、この金めっき層をエッチングレジストとして導体層をエッチングしてパターン化することによって行ってもよい。
本発明の配線基板では、導体部材が絶縁基材に埋め込まれている。導体部材の厚さは、０．０１ｍｍ〜０．１５ｍｍであることが好ましく、絶縁基材の厚さと導体部材の厚さとの差は、０ｍｍより大きく０．１ｍｍ以下であることが好ましい。導体部材の厚さが０．０１ｍｍ未満では、これに半導体素子を搭載して最終的に得られる半導体装置における絶縁基材の厚さが十分な絶縁性が得られる程厚くできない場合があり、０．１５ｍｍより厚いと、導体部材の形成精度が十分でない場合がある。また、絶縁基材の厚さと導体部材の厚さとの差は、導体部材の一端が絶縁基材に被覆される程度であれば足り、０．１ｍｍを超えると、導体部材を露出させるための研磨量が大きすぎて工業的な生産効率を悪化させる場合がある。なお、絶縁基材裏面に支持部材が設けられている場合には、導体部材と絶縁基材の厚さが同じ（すなわち、導体部材が絶縁基材を貫通している状態）であってもよい。
導体部材が絶縁基材内に埋め込まれている本発明の配線基板では、絶縁基材が比較的厚い状態で半導体素子の搭載等の工程に供することができることから、それらの工程や搬送時等に附加される応力等に耐える十分な強度を得ることができる。特に、絶縁基材裏面（表裏のうち配線部材が設けられていない側の面）に支持部材を設ければ、強度が増すため好ましい。絶縁基材裏面に支持部材が設けられている本発明の配線基板を用いれば、配線部材や絶縁基材が薄くても、それらの工程や搬送時等に附加される応力等に耐える十分な強度を得ることができる。
さらに本発明の配線基板によれば、素子搭載後に絶縁基材の一部を除去し、導体部材を露出させて外部電極とすることから、最終的に得られる半導体装置における絶縁基材の厚さを薄くすることができ、パッケージの小型化に資することができる。
また、本発明の配線基板を用いて半導体装置を作製する場合、絶縁基材から端部を露出させた導体部材を外部電極として用いるため、この外部電極端部に、配線を露出させることなくバンプを形成することができる。
本発明の配線基板は、表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた配線部材と、絶縁基材とを、導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程を備える配線基板の製造方法によって作製することができる。また、本発明の配線基板は、表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた導体層と、絶縁基材とを、導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程、及び、導体層の不要な箇所を除去して配線層を形成する配線層形成工程を備える配線基板の製造方法によって作製することができる。
絶縁基材と配線部材との接着は、例えば、熱硬化性樹脂組成物からなる硬化前の接着剤を絶縁基材として用い、これを配線部材に重ね合わせて加熱加圧して硬化させるといった手法をとることができる。絶縁基材として用いる硬化前の接着剤に自己支持性がない場合には、支持部材表面に硬化前の接着剤を成膜して、これを絶縁基材とすればよい。この場合には、支持部材、絶縁基材、配線部材がこの順で積層され、絶縁基材中に導体部材が埋め込まれた配線基板が得られる。
なお、配線基板に支持部材が設けられている場合には、積層工程を、配線層／導体層の導体部材が設けられた面と、絶縁基材の支持部材が設けられていない面とを対向させて積層させる工程とすればよい。
また、配線層／導体層が薄すぎて自己支持性がない場合などには、配線層／導体層の他方の面（すなわち導体部材が設けられていない面）に仮支持板を設けてもよい。このようにする場合、本発明の配線基板製造方法は、積層工程の後に、仮支持板を除去する工程をさらに備えることが望ましい。
本発明における導体部材は、配線層／導体層表面に設けられた突起状部材である。この導体部材は、めっきにより形成してもよく、導体膜の一部を除去することにより形成してもよい。
また、本発明の配線基板製造方法は、導体板の一部を除去することにより配線層及び／又は導体部材を形成するエッチング工程を、さらに備えていてもよい。この場合、導体板としては、この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなる積層板を用いることができる。このような３層積層板を用いる場合、エッチング工程は、第１の導体層の一部をエッチングして配線層を形成する配線層形成工程と、第３の導体層の一部をエッチングして導体部材を形成する導体部材形成工程と、第２の導体層の露出箇所をエッチング除去するエッチングバリア除去工程とを備えることが望ましい。ここで配線層形成工程は、第１の導体層表面に金めっきパターンを形成し、該めっきパターンをエッチングレジストとして上記第１の導体層をエッチングすることにより配線層を形成する工程とすることができる。
また、本発明の配線基板製造方法は、導体板の一部を除去することにより導体部材を形成する導体部材形成工程を、さらに備えていてもよい。この場合、導体板としては、この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなる積層板を用いることができる。このような３層積層板を用いる場合、導体部材形成工程は、第３の導体層の一部をエッチングして上記導体部材を形成する工程と、第２の導体層の露出箇所をエッチング除去する工程とを備えることが望ましい。
本発明の配線基板は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を製造するのに特に適している。そこで本発明では、上述した本発明の配線基板の配線層表面に半導体素子を搭載する搭載工程、半導体素子と配線層表面の配線とを電気的に接続する接続工程、及び、絶縁基材の一部を除去して上記導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程を備える半導体装置の製造方法、並びに、該方法により製造された半導体装置が提供される。本発明の製造方法により作製された半導体装置では、導体部材は半導体装置の外部電極（外部接続端子）として機能する。
なお、配線基板が支持部材を備える場合、上述した本発明の半導体装置の製造方法は、支持部材の少なくとも一部を除去して絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程をさらに備えることが望ましい。この支持部材除去工程における上記支持部材の除去は、例えば、研磨、化学エッチング及び機械加工の少なくともいずれかにより行うことができる。
また、絶縁基材除去工程における上記絶縁基材の除去は、研磨、レーザ照射及びエッチングの少なくともいずれかにより行うことができる。
絶縁基材の除去によって少なくとも一部が露出した導体部材は、外部電極として機能する。このため、絶縁基材除去工程の後に、導体部材の露出箇所に、金めっき層を形成する工程、及び／又は、導体部材の露出箇所に、はんだボールを形成する工程をさらに設けてもよい。金めっき層を形成する場合、その下地としてニッケルめっきを行ってもよい。
本発明では、一つの配線基板に複数の半導体素子を搭載してもよく、半導体素子のほかに受動部品をさらに搭載してもよい。半導体素子と配線層の配線との接続は、ワイヤボンディングによって行ってもよく、また、素子のバンプを直接配線に接続するフリップ素子接続により行ってもよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を封止部材により覆って封止する封止工程をさらに備えることが望ましい。この場合、封止部材を研磨して半導体素子の少なくとも一部（例えば背面）を露出させる工程をさらに備えることが望ましい。このように半導体素子の一部が露出していれば、放熱特性に優れる半導体装置が得られる。
本発明の半導体装置は、具体的には、例えばつぎのようにして得ることができる。すなわち、まず、支持部材である金属板に、将来外部電極となる柱状の導体部材を形成した導体層（例えば金属層）を、導体部材が支持部材に接するように重ねて、絶縁基材である接着性樹脂を介して貼り合わせる。次に、金属層の不要部分を除去して複数の回路を含む配線層からなる配線部材を形成する。これにより、本発明の半導体素子搭載用配線基板が得られる。なお、層間絶縁層を介しながら配線層を複数積層して、配線部材が多層配線を含むようにしてもよい。続いて、得られた配線基板に半導体素子を搭載し、配線層の回路に半導体素子を電気的に接続した後、半導体素子を樹脂封止（モールド封止）し、支持部材を除去することにより、樹脂封止型半導体装置が得られる。
また、外部電極となる柱状の導体部材を、比較的厚い金属層の片面から、導体部材となる箇所以外の箇所を厚さ方向に部分的にエッチング除去して導体部材を形成した後、この導体部材を形成した金属層と支持部材とを、導体部材が支持部材に接するようにして重ね合わせ、絶縁基材である接着性樹脂を介して貼り合わせ、導体部材を形成した金属層のエッチングされずに残っている厚さ部分の金属層の不要箇所をエッチング除去して配線層からなる配線部材を形成することにより、本発明の半導体素子搭載用配線基板を得ることもできる。上述の場合と同様、得られた配線基板に半導体素子を搭載し、配線層の回路に半導体素子を電気的に接続した後、半導体素子を樹脂封止（モールド封止）し、支持部材を除去することにより、樹脂封止型半導体装置が得られる。
この方法の場合、上述の比較的厚い金属層として、配線層となる第１の導体層と、導体部材となる第３の導体層と、第１及び第３の導体層とはエッチング条件の異なる第２の導体層とを、第１の導体層／第２の導体層／第３の導体層の順に積層した積層膜を用いることもできる。すなわち、この３層積層膜の第３の導体層の不要箇所を除去して、外部電極となる柱状の導体部材を形成し、これによって露出した第２の導体層をエッチング除去した後、この導体部材を形成した３層積層膜と支持部材とを、導体部材が支持部材に接するように重ね、絶縁基材である接着性樹脂を介して貼り合わせ、第１の導体層の不要箇所を除去して複数の回路を含む配線層からなる配線部材を形成することにより、本発明の半導体素子搭載用配線基板を得ることができる。上述の場合と同様、得られた配線基板に半導体素子を搭載し、配線層の回路に半導体素子を電気的に接続した後、半導体素子を樹脂封止（モールド封止）し、支持部材を除去することにより、樹脂封止型半導体装置が得られる。
このように、支持部材を備える配線基板を用いて半導体装置を作製する場合には、通常、素子搭載後に支持部材を除去した後、絶縁基材の表面を研磨すれば、導体部材端部を容易に露出させることができる。また、支持部材を除去した後、埋包された導体部材にレーザを照射してその一部を露出させるようにしてもよい。
本発明では、導体部材を備えない本発明の配線基板を用いて半導体装置を製造することもできる。すなわち、配線部材と絶縁基材と支持部材とがこの順で積層されてなる配線基板を用い、その配線基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子と配線部材表面の配線とを電気的に接続し、支持部材の少なくとも一部を除去して絶縁基材の少なくとも一部を露出させ、絶縁基材の少なくとも一部を除去し貫通孔を形成して配線の少なくとも一部を露出させ、当該貫通孔を導体で充填して配線に接続した導体部材を形成することにより半導体装置を得ることができる。
なお、貫通孔の形成は、研磨、エッチング、レーザ加工などどのような方法により行っても構わない。例えばレーザを照射して貫通孔をあける場合にも、レーザの種類は特に限定されるものではなく、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等を適宜用いることができる。
孔あけ条件は、絶縁基材及び配線層の厚さ及び材質により適宜調整すればよく、実験的に求めるのが好ましい。照射するレーザのエネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御することが望ましい。
なお、レーザは、配線部材の配線に達する貫通孔をあけ、しかも孔径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）照射することが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると孔をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない場合がある。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない場合がある。
このようにして貫通孔を形成した後、貫通孔内の接着剤のかすを除去するためにデスミア処理を行うことが望ましい。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
また、接着剤を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和することが望ましいが、これも一般的な手法を取り入れることができる。例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
実施例
＜実施例１＞
本実施例では、図１ａ〜図１ｇに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔の表裏一方の面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層（図示せず）をめっきした後、その表面に厚さ０．００９ｍｍの銅膜をめっきした。次に、電解銅箔の他方の面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、バンプのパターンを形成し、電解銅箔をアルカリエッチャントでエッチングして高さ０．０３５ｍｍのバンプ（導体部材）３を形成した後、レジストを剥離し、露出したニッケル層を銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した。
続いて、得られたバンプ３付き銅膜と、支持部材である厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、絶縁基材である厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介して、バンプ３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした。
次に、銅メッキ膜に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線めっき用のレジストパターンを形成した後、これに厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル（図示せず）と、厚さ０．０００３ｍｍ以上の純度９９．９％以上の金（図示せず）とをめっきし、アルカリエッチャントで銅をエッチングして配線パターンからなる配線層である配線部材４を得た。これにより、図１ａに示す配線基板１１０が得られた。
続いて、バンプ３を内蔵した配線４を有する配線基板１１０上に、ＬＳＩ（大規模集積回路）素子６を、半導体用の非導電性の接着剤フィルム（ダイボンド材）５を用いて搭載した後（図１ｂ）、ＬＳＩ素子の端子と配線端子４とをワイヤ１００により接続した（図１ｃ）。
このようにして形成した組立体を、トランスファモールド金型にセットして半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止し、金属シート１をエッチングして除去して接着剤２の表面を露出させた後（図１ｅ）、接着剤表面を研磨して、バンプの頂上を露出させた（図１ｆ）。
最後に、露出したバンプの頂部にはんだボール８を配置しリフローし、図１ｇに示す樹脂封止型半導体装置１２０を得た。はんだボール８は、ＬＳＩ素子６の内側に配置されるファンインタイプである。得られた半導体装置１２０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例２＞
本実施例では、図２ａ〜図２ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
実施例１と同様にして、金属支持部材１と配線４とバンプ３とを備える配線基板１１０を作製し（図２ａ）、この基板１１０の配線４上に、端子部に金バンプ２００を備えるＬＳＩ素子６を搭載して、金バンプ２００と配線４とを、熱圧着により相互接続させた後（図２ｂ）、ＬＳＩ素子６と配線基板との間に、液状エポキシ樹脂（アンダーフィル材）１１をフィルして硬化させた（図２ｃ）。
このようにして作製された組立て体をトランスファモールド金型に装着し、半導体封止エポキシ樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ４００）で封止した後（図２ｄ）、金属支持部材である金属シート１のみを酸系エッチング液で除去し、接着剤２を露出させた。
続いて、絶縁基材である接着剤層２を、バンプ３の頂上が露出するように機械的に研磨した後（図２ｅ）、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置して、その位置に再溶融し、図２ｆに示す樹脂封止型半導体装置１３０を得た。得られた半導体装置１３０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例３＞
本実施例では、図３ａ〜図３ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０２０ｍｍの電解銅箔の片面に、厚さ０．００１ｍｍのニッケル層（図示せず）をめっきにより成膜し、このニッケル層表面に、厚さ０．０１２ｍｍの銅層をめっきにより成膜した。次に、電解銅箔の他方の面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、バンプ３のエッチングパターンを形成した後、アルカリエッチング液でエッチングして、導体部材であるバンプ３（高さ０．０２０ｍｍ）を形成した。
続いて、得られたバンプ３付き銅膜と、厚さ０．１００ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、絶縁基材である厚さ０．０３０ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介して、バンプ３が接着剤２に埋まるようにプレス積層した。
次に、銅膜表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線４のエッチングパターンを形成した後、アルカリエッチング液でエッチングして、配線４を形成した。続いて、レジストを除去し、ニッケル選択エッチング液によってニッケル層を除去した。
次に、配線４上に液状コーティング樹脂をスクリーン印刷法によって塗布して、配線４の接続部位を露出させるように絶縁層（ソルダレジスト）１０を形成した後、配線４の露出箇所に、０．００３ｍｍ以上のニッケル膜（図示せず）と、純度９９．９％以上、厚さ０．０００３ｍｍ以上の金膜（図示せず）とを順次めっきにより積層した。これにより、図３ａに示す配線基板３００が得られた。
続いて、得られた配線基板３００の絶縁層１０表面に、半導体用銀ペースト５を用いてＬＳＩ素子６を搭載し（図３ｂ）、ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図３ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止した（図３ｄ）。その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ（図３ｅ）、露出した接着剤２表面を研磨して、バンプ３の頂上を露出させた。
最後に、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローし、図３ｆに示す樹脂封止型半導体装置３１０を得た。得られた半導体装置３１０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例４＞
本実施例では、図４ａ〜図４ｇに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔の片面に、厚さ０．００１ｍｍのニッケル層（図示せず）をめっきし、このニッケル層表面に厚さ０．００９ｍｍの銅膜をめっきした。次に、電解銅箔の他方の面に感光性ドライフィルムレジスト（フォテックＲＹ−３０２５、日立化成工業（株）製）をラミネートし、露光して現像し、バンプ３のエッチングパターンを形成した。続いて、アルカリエッチング液で銅箔をエッチングしてバンプ３を形成した後、レジストを除去し、ニッケル選択エッチング液によってニッケル層を除去した。
次に、得られたバンプ３付き銅膜と、厚さ０．１００ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０４０ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介して、バンプ３が接着剤２に埋まるようにプレス積層した。続いて、銅膜表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、パッド４ａのエッチングパターンを形成した後、アルカリエッチング液で銅膜をエッチングして配線層を構成するパッド４ａを形成した。続いて、レジストを除去し、ニッケル選択エッチング液によりニッケル層を除去した後、パッド４ａ表面に、０．００３ｍｍ以上のニッケル膜（図示せず）と、純度９９．９％以上、厚さ０．０００３ｍｍ以上の金膜（図示せず）とを、順次めっきした。これにより、図４ａに示す配線基板４００が得られた。
続いて、得られた配線基板４００の絶縁基材である接着剤２表面に、半導体用銀ペースト５を用いてＬＳＩ素子６を搭載し（図４ｂ）、ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図４ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止した（図４ｄ）。その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ（図４ｅ）、露出した接着剤２表面を研磨して、バンプ３の頂上を露出させた（図４ｆ）。
最後に、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローし、図４ｇに示す樹脂封止型半導体装置４１０を得た。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の外側に配置されるファンアウトタイプである。得られた半導体装置４１０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例５＞
本実施例では、図５ａ〜図５ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、実施例１と同様にして配線基板５００を作製した。ただし、実施例１では、バンプ３を配線４の内側領域（すなわち、素子搭載領域に近い側の配線部分）に形成したが、本実施例では、図５ａに示すように、バンプ３を配線４の外側領域（すなわち、素子搭載領域から遠い側の配線部分）に形成した。
続いて、配線基板５００の素子搭載領域に、半導体用非導電性フィルム５ａを介してＬＳＩ素子６を搭載した後（図５ｂ）、ＬＳＩ素子６の端子と配線４の接続領域とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図５ｃ）。なお、本実施例では、配線４の接続領域はバンプ３よりも内側（すなわち素子６に近い側）に設けられている。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止した（図５ｄ）。その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ、露出した接着剤２表面を研磨して、バンプ３の頂上を露出させた（図５ｅ）。
最後に、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローし、図５ｆに示す樹脂封止型半導体装置５１０を得た。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の外側に配置されるファンアウトタイプである。得られた半導体装置５１０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例６＞
本実施例では、図６ａ〜図６ｇに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０１８ｍｍの電解銅箔の片面に、厚さ０．００１ｍｍのニッケル層（図示せず）をめっきした後、該ニッケル層表面に、厚さ０．００９ｍｍの銅膜をめっきした。次に、銅めっき膜の表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線２１のエッチングパターンを形成した後、アルカリエッチング液で銅めっき膜をエッチングして、配線２１を形成した。
得られた配線２１付き電解銅箔と、厚さ０．０２５ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０２５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介して、配線２１が接着剤２に埋まるようにプレス積層した。
次に、銅箔のみをアルカリエッチャントでエッチングしてニッケル層を露出させ、該ニッケル層を銅のエッチング性が少ないニッケル剥離液で除去して、銅配線２１を露出させた後、銅配線２１表面に、０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、純度９９．９％以上、厚さ０．０００３ｍｍ以上の金膜とをめっきにより形成した。これにより、図６ａに示す半導体素子搭載用配線基板６００が得られた。
続いて、得られた配線基板６００の絶縁基材側表面に、半導体用非導電性フィルム５ａを用いてＬＳＩ素子６を搭載し（図６ｂ）、ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図６ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止した（図６ｄ）。その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ（図６ｅ）、接着剤２の所定箇所にレーザを照射して貫通孔６１をあけ、配線２１の一部を露出させた（図６ｆ）。
最後に、はんだを貫通孔６１の底部にある配線２１の露出箇所に配置してリフローした。これにより、貫通孔６１内にはんだが充填された導体部材６２が形成されるとともに、その端部にはんだボール８が形成され、図６ｇに示す樹脂封止型半導体装置６１０が得られた。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の内側に配置されるファンインタイプである。得られた半導体装置６１０では、配線２１は導体部材６２とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例７＞
本実施例では、図７ａ〜図７ｇに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）と、厚さ０．０１２ｍｍの銅箔とを、厚さ０．０２５ｍｍの接着剤フィルム２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介してプレス積層した。次に、銅箔の表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて、現像し、配線４を形成するためのめっきレジストパターンを形成した。
続いて、銅箔の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜とをめっきにより順次積層した後、めっきレジストを剥離し、金めっきをエッチングレジストとしてアルカリエッチャントで銅をエッチングして、配線パターン４を得た。これにより、図７ａに示す配線基板７００が得られた。
この配線基板７００を用い、実施例２と同様にして、端子部に金バンプ２００を備えるＬＳＩ素子６を搭載し、金バンプ２００と配線４とを、熱圧着により相互接続させた後（図７ｂ）ＬＳＩ素子６と配線基板との間に液状エポキシ樹脂１１を充填して硬化させ（図７ｃ）、半導体封止エポキシ樹脂（日立化成工業（株）製ＣＥＬ４００）で封止した（図７ｄ）。
その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ（図７ｅ）、接着剤２の所定箇所にレーザを照射して貫通孔６１をあけ、配線４の一部を露出させた（図７ｆ）。
最後に、はんだを貫通孔６１の底部にある配線４の露出箇所に配置してリフローした。これにより、貫通孔６１内にはんだが充填された導体部材６２が形成されるとともに、その端部にはんだボール８が形成され、図７ｇに示す樹脂封止型半導体装置７１０が得られた。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の内側に配置されるファンインタイプである。得られた半導体装置７１０では、配線４は導体部材６２とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例８＞
本実施例では、図８ａ〜図８ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０１２ｍｍの銅箔に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、バンプ３のめっきレジストパターンを形成した。次に、銅箔の露出箇所に、硫酸銅めっき浴により銅めっきを行った後、めっきレジストを剥離して、めっきバンプ３を得た。
得られたバンプ３付き銅箔と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）を介して、接着剤２にバンプ３を埋め込むようにプレスラミネートした。引き続いて、銅箔側に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線４用のめっきレジストパターンを形成した。
次いで、銅箔の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜をめっきにより順次積層した後、アルカリエッチャントで銅箔をエッチングして、配線パターン４を得た。これにより、図８ａに示すバンプ３が絶縁基材２に埋め込まれた配線基板８００が得られた。
続いて、得られた配線基板８００の絶縁基材側表面に、半導体用非導電性接着剤フィルム５ａを用いてＬＳＩ素子６を搭載し（図８ｂ）、ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図８ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により封止した（図８ｄ）。その後、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ、露出した接着剤２表面を研磨して、バンプ３の頂上を露出させた（図８ｅ）。
最後に、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローし、図８ｆに示す樹脂封止型半導体装置８１０を得た。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の内側と外側とに配置されるファンインアウトタイプである。得られた半導体装置８１０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例９＞
本実施例では、図９ａ〜図９ｇに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔の片面に、０．００１ｍｍの厚さのニッケル層（図示せず）をめっきし、このニッケル層表面に厚さ０．００９ｍｍの銅膜をめっきした。次に、電解銅箔表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、バンプ３形成用のエッチングレジストパターンを形成した。次に、電解銅箔をアルカリエッチャントでエッチングして、高さ０．０３５ｍｍのバンプ３を形成した後、レジストを剥離し、露出したニッケルを銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した。
続いて、得られたバンプ３付き銅膜と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした。その後、銅膜側に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線４形成用のめっきレジストパターンを形成し、銅膜の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜を順次めっきした。次いで、めっきレジストを剥離した後、アルカリエッチャントで銅をエッチングして配線パターン４を得た。これにより図９ａに示すバンプ３が絶縁基材２に埋め込まれた配線基板９００が得られた。
続いて、得られた配線基板９００の絶縁基材側表面に、それぞれ半導体用非導電性接着剤フィルム５ａを用いて複数のＬＳＩ素子６を搭載し（図９ｂ）、各ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図９ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、すべての素子６を半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により一括封止した後（図９ｄ）、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させた（図９ｅ）。
続いて、露出した接着剤２表面を研磨してバンプ３の頂上を露出させ、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローした（図９ｆ）。なお、はんだボール８はＬＳＩ素子６の内側に配置されるファンインタイプである。最後に、封止済み組立て体９１０を個片に切り分けて、図９ｇに示す複数の樹脂封止型半導体装置９２０を得た。得られた半導体装置９２０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例１０＞
本実施例では、図１０ａ〜図１０ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層（図示せず）をめっきした後、このニッケル層表面に、厚さ０．００９ｍｍの銅をめっきした。次に、電解銅箔表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、バンプ３形成用のエッチングレジストパターンを形成した。次に、電解銅箔をアルカリエッチャントでエッチングして、高さ０．０３５ｍｍのバンプ３を形成した後、レジストを剥離し、露出したニッケルを銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した。
続いて、得られたバンプ３付き銅膜と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした。
次に、銅膜表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させ、現像して、配線４形成用のめっきレジストパターンを形成した。続いて、銅膜の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜を順次めっきし、めっきレジストを剥離した後、アルカリエッチャントで銅をエッチングして、配線パターン４を得た。これにより、図１０ａに示すバンプ３が絶縁基材２に埋め込まれた配線基板１０００が得られた。
続いて、得られた配線基板１０００の絶縁基材側表面に、それぞれ半導体用非導電性接着剤フィルム５ａを用いて複数のＬＳＩ素子６を搭載し（図１０ｂ）、各ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図１０ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、すべての素子６を半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により一括封止した後（図１０ｄ）、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ、露出した接着剤２表面を研磨してバンプ３の頂上を露出させた（図１０ｅ）。
最後に、はんだボール８をバンプ３の頂上に配置してリフローした後、封止済み組立て体を個片に切り分けて、図１０ｆに示す複数の半導体装置１０１０を得た。はんだボール８はＬＳＩ素子６の内側及び外側に配置されるファンインアウトタイプである。得られた半導体装置１０１０では、配線４はバンプ３とはんだボール８とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例１１＞
本実施例では、図１１ａ〜図１１ｆに示すようにして、樹脂封止型半導体装置を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層（図示せず）をめっきした後、このニッケル層表面に、厚さ０．００９ｍｍの銅をめっきした。次に、電解銅箔表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ３形成用のエッチングレジストパターンを形成した。続いて、銅をアルカリエッチャントでエッチングして高さ０．０３５ｍｍのバンプ３を形成した後、レジストを剥離し、露出したニッケルを銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した。
次に、得られたバンプ３付き銅膜と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした。
続いて、銅膜表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のめっきレジストパターンを形成した後、銅膜の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜とを、順次めっきして積層した。次に、レジストパターンを剥離した後、アルカリエッチャントで銅をエッチングして、配線パターン４を得た。これにより、図１１ａに示すバンプ３を絶縁基材２に内蔵する配線基板１１００が得られた。
続いて、得られた配線基板１１００の絶縁基材側表面に、それぞれ半導体用非導電性接着剤フィルム５ａを用いて複数のＬＳＩ素子６を搭載し（図１１ｂ）、各ＬＳＩ素子６の端子と配線４とをボンディングワイヤ１００によって接続した（図１１ｃ）。
このようにして形成した組立体をトランスファモールド金型にセットし、すべての素子６を半導体封止樹脂７（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−４００）により一括封止した後（図１１ｄ）、支持部材である金属シート１をエッチングして除去し、接着剤２の表面を露出させ、露出した接着剤２表面を研磨してバンプ３の頂上を露出させた（図１１ｅ）。
最後に、露出したバンプ３の頂部にニッケル金をフラッシュめっきし、端子９を形成した後、封止済み組立て体を個片に切り分けて、図１１ｆに示す複数の半導体装置１１１０を得た。端子９はＬＳＩ素子６の内側及び外側に配置されるファンインアウトタイプである。得られた半導体装置１１１０では、配線４はバンプ３と端子９とを介して外部の配線に接続される。
＜実施例１２＞
本実施例では、図１２ａ〜図１２ｇに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層３２をめっきした後、このニッケル層表面に、厚さ０．００９ｍｍの銅膜３３をめっきした（図１２ａ）。次に、電解銅箔３１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ４２形成用のエッチングパターン３４を形成した（図１２ｂ）。続いて、銅箔をアルカリエッチャントでエッチングして、高さ０．０３５ｍｍのバンプ４２を形成した後（図１２ｃ）、レジスト３４を剥離し、露出したニッケル３２を銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した（図１２ｄ）。
次に、得られたバンプ４２付き銅膜３３と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ４２を埋め込むようにしてプレスラミネートした。
続いて、銅膜３３表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用めっきレジストパターン３７を形成した後、銅膜３３の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜３５と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜３６とを、順次めっきにより積層した。次いで、めっきレジスト３７を剥離した後、アルカリエッチャントで銅膜３３の露出箇所をエッチング除去して、銅箔３３、ニッケル膜３５及び金膜３６からなる３層構造の配線パターン４を得た。これにより、図１２ｇに示す配線基板１２００が得られた。
＜実施例１３＞
本実施例では、図１３ａ〜図１３ｇに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔４１の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層３２をめっきした後、このニッケル層３２の表面に、感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＨ−９０５０）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ４３形成用のめっきレジストパターン４４を形成した（図１３ｂ）。続いて、ニッケル層３２の露出箇所に、厚さ０．０３５ｍｍの銅膜をめっきしてバンプ４３を形成した後（図１３ｃ）、レジスト４４を剥離し、露出したニッケル層３２を銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した（図１３ｄ）。
次に、得られたバンプ４３付き銅箔４１と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ４３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした（図１３ｅ）。
引き続いて、銅箔４１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用めっきレジストパターン３７を形成した後、銅箔４１の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜３５と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜３６とを、順次めっきして積層した（図１３ｆ）。次いで、めっきレジスト３７を剥離した後、アルカリエッチャントで銅箔４１をエッチングして、銅箔３３、ニッケル膜３５及び金膜３６からなる３層構造の配線パターン４を得た。これにより、図１３ｇに示す配線基板１３００が得られた。
＜実施例１４＞
本実施例では、図１４ａ〜図１４ｇに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＨ−９０５０）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ４３形成用めっきレジストパターン４４を形成した（図１４ｂ）。続いて、銅箔３１の露出箇所に、厚さ０．０３５ｍｍの銅膜をめっきにより形成してバンプ４３を得た後（図１４ｃ）、レジスト４４を剥離した（図１４ｄ）。
次に、得られたバンプ４３付き銅箔３１と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ４３が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした（図１４ｅ）。
引き続いて、銅箔３１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のめっきレジストパターン３７を形成した後、銅箔３１の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜３５と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜３６とを、順次めっきして積層した（図１４ｆ）。次いで、めっきレジスト３７を剥離した後、アルカリエッチャントで銅箔３１の露出箇所をエッチング除去して、銅箔３１、ニッケル膜３５及び金膜３６からなる３層構造の配線パターン４を得た。これにより、図１４ｇに示す配線基板１４０が得られた。
＜実施例１５＞
本実施例では、図１５ａ〜図１５ｇに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ４０形成用のエッチングレジストパターン３４を形成した（図１５ｂ）。続いて、銅箔３１を０．０３０ｍｍの深さにエッチングしてバンプ４０を形成した後（図１５ｃ）、レジスト３４を剥離した（図１５ｄ）。
次に、得られたバンプ４０付き銅箔３１と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ４０が接着剤２に埋め込まれるようにプレスラミネートした（図１５ｅ）。
引き続いて、銅箔３１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のめっきレジストパターン３７を形成した後（図１５ｆ）、銅箔３１の露出箇所に、厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜とを、順次めっきして積層した。次いで、めっきレジスト３７を剥離した後、銅箔３１の露出箇所をアルカリエッチャントでエッチングして、銅箔３１、ニッケル膜３５及び金膜３６からなる３層構造の配線パターン４を得た。これにより、図１５ｇに示す配線基板１５０が得られた。
＜実施例１６＞
本実施例では、図１６ａ〜図１６ｈに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に、０．００１ｍｍの厚さのニッケル層３２をめっきした後、このニッケル層３２の表面に厚さ０．００９ｍｍの銅膜３３をめっきした（図１６ａ）。次に、銅膜３３表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のエッチングレジストパターン３７を形成した後（図１６ｂ）、銅膜３３の露出箇所をエッチング除去し、レジストパターン３７を剥離して配線４を形成した（図１６ｃ）。
次に、配線４と配線４の間で露出したニッケル層３２との表面に、感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＨ−９０５０）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ４６形成用のめっきレジストパターン３４を形成した後（図１６ｄ）、配線４の露出箇所に厚さ０．０３５ｍｍの銅をめっきし、バンプ４６を形成し（図１６ｅ）、レジスト３４を剥離した。
続いて、得られた配線４及びバンプ４６付き銅箔３１と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ４６を接着剤２に埋め込むようにプレスラミネートした後（図１６ｇ）、銅箔３１をアルカリエッチャントでエッチングしてニッケル層３２を露出させ、この露出したニッケル層３２を銅のエッチング速度が遅いニッケルエッチング液により除去した。次いで、配線４表面に厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜（図示せず）と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜（図示せず）とをめっきした。これにより、図１６ｈに示す配線基板１６０が得られた。
＜実施例１７＞
本実施例では、図１７ａ〜図１７ｅに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層３２をめっきした後、このニッケル層３２表面に厚さ０．００９ｍｍの銅膜３３をめっきした。次に、電解銅箔３１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バンプ３形成用のエッチングレジストパターンを形成した。続いて、銅箔３１の露出箇所をアルカリエッチャントでエッチングして、高さ０．０３５ｍｍのバンプ３を形成した後、レジストを剥離した。
次に、得られたバンプ３つき銅膜３３と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ３を接着剤２に埋め込むようにプレスラミネートした。
引き続いて、銅膜３３表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のエッチングレジストパターンを形成した後、銅膜３３の露出箇所をアルカリエッチャントでエッチングして１層目の配線４を形成し、露出したニッケル層３２を選択的にエッチング除去した（図１７ａ）。
次に、配線４を覆うようにＲＣＣ（樹脂コート銅箔）４６を積層して樹脂層３９及び銅層４５を形成した後（図１７ｂ）、銅層４５表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バイアホール４８用貫通孔４７のエッチングレジストパターンを形成した。
続いて、露出した銅層４５を酸エッチャントでエッチングし、さらに樹脂層３９にＣＯ２レーザで孔開けして、１層目の配線４に達する直径０．１５ｍｍの貫通孔４７を銅層４５及び樹脂層３９に形成した後、貫通孔４７内のクリーニングを通常の方法で行い、貫通孔４７内壁に厚さ０．０１５ｍｍで銅めっき膜４９を形成してバイアホール４８を形成した（図１７ｄ）。
次に、銅めっき膜４９表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用エッチングレジストパターンを形成した後、露出箇所の銅層４９，４５をアルカリエッチャントでエッチングして銅層４９，４５からなる２層目の配線４を形成した。次いで、２層目の配線４の表面に厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜（図示せず）と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜（図示せず）とをめっきした。これにより、図１７ｅに示す配線基板１７０が得られた。
＜実施例１８＞
本実施例では、図１８ａ〜図１８ｅに示すようにして、半導体素子搭載用配線基板を作製した。
まず、厚さ０．０３５ｍｍの電解銅箔３１の片面に０．００１ｍｍの厚さのニッケル層３２をめっきした後、このニッケル層３２の表面に、厚さ０．００９ｍｍの銅膜３３をめっきした（図１８ａ）。次に、銅膜３３表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用のエッチングレジストパターンを形成した。続いて、銅膜３３の露出箇所をアルカリエッチャントでエッチングして１層目の配線４を形成した後、レジストを剥離した（図１８ｂ）。
次に、得られた配線４付き銅箔３１の表面に、配線４を覆うように、ＲＣＣ（樹脂コート銅箔）４６を積層して、樹脂層３９及び銅層４５を形成した（図１８ｃ）。続いて、銅層４５表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、バイアホール４８形成用貫通孔４７のエッチングレジストパターンを形成した。次に、銅層４５の露出箇所を酸エッチャントでエッチングし、さらに樹脂層３９にＣＯ２レーザで孔開けして、１層目の配線４に達する直径０．１５ｍｍの貫通孔４７を銅層４５及び樹脂層３９に形成した後（図１８ｄ）、貫通孔４７内のクリーニングを通常の方法で行い、貫通孔４７内壁に厚さ０．０１５ｍｍで銅めっき膜４９を形成してバイアホール４８を形成した（図１８ｅ）。
次に、銅めっき膜４９表面及び銅箔３１表面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製フォテックＲＹ−３０２５）をラミネートし、露光させて現像し、配線４形成用エッチングレジストパターン及びバンプ３形成用エッチングレジストパターンを形成した。
続いて、露出箇所の銅層４９，４５及び銅箔３１をアルカリエッチャントでエッチングして銅層４９，４５からなる２層目の配線４するとともに、バンプ３を形成し、さらにニッケルの露出箇所を選択エッチングして除去した後、レジストを剥離した（図１８ｆ）。
次いで、得られたバンプ３付き配線部材と、厚さ０．０５０ｍｍの金属シート１（ステンレススチールＳＵＳ３０４）とを、厚さ０．０５ｍｍの接着剤２（日立化成工業（株）製ＳＰＡＩ）により、バンプ３を接着剤２に埋め込むようにプレスラミネートした。続いて、２層目の配線４の表面に厚さ０．００３ｍｍ以上のニッケル膜（図示せず）と、厚さ０．０００３ｍｍ以上、純度９９．９％以上の金膜（図示せず）とをめっきした。これにより、図１８ｇに示す配線基板１８０が得られた。
産業上の利用可能性
上述のように、本発明によれば、小型化、高集積度化に柔軟に対応することができる半導体装置を、生産性良くかつ安定的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
図１ａ〜図１ｇは、本発明による半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図２ａ〜図２ｆは、本発明による半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図３ａ〜図３ｆは、本発明による半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図４ａ〜図４ｇは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図５ａ〜図５ｆは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図６ａ〜図６ｇは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図７ａ〜図７ｇは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図８ａ〜図８ｆは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図９ａ〜図９ｇは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図１０ａ〜図１０ｆは、本発明による半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
図１１ａ〜図１１ｆは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１２ａ〜図１２ｇは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１３ａ〜図１３ｇは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１４ａ〜図１４ｇは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１５ａ〜図１５ｇは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１６ａ〜図１６ｈは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１７ａ〜図１７ｅは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
図１８ａ〜図１８ｇは、本発明による配線基板の製造工程例を示す断面図である。
【図１ａ】
2003021668.tif 000008
【図１ｂ】
2003021668.tif 000009
【図１ｃ】
2003021668.tif 000010
【図１ｄ】
2003021668.tif 000011
【図１ｅ】
2003021668.tif 000012
【図１ｆ】
2003021668.tif 000013
【図１ｇ】
2003021668.tif 000014
【図２ａ】
2003021668.tif 000015
【図２ｂ】
2003021668.tif 000016
【図２ｃ】
2003021668.tif 000017
【図２ｄ】
2003021668.tif 000018
【図２ｅ】
2003021668.tif 000019
【図２ｆ】
2003021668.tif 000020
【図３ａ】
2003021668.tif 000021
【図３ｂ】
2003021668.tif 000022
【図３ｃ】
2003021668.tif 000023
【図３ｄ】
2003021668.tif 000024
【図３ｅ】
2003021668.tif 000025
【図３ｆ】
2003021668.tif 000026
【図４ａ】
2003021668.tif 000027
【図４ｂ】
2003021668.tif 000028
【図４ｃ】
2003021668.tif 000029
【図４ｄ】
2003021668.tif 000030
【図４ｅ】
2003021668.tif 000031
【図４ｆ】
2003021668.tif 000032
【図４ｇ】
2003021668.tif 000033
【図５ａ】
2003021668.tif 000034
【図５ｂ】
2003021668.tif 000035
【図５ｃ】
2003021668.tif 000036
【図５ｄ】
2003021668.tif 000037
【図５ｅ】
2003021668.tif 000038
【図５ｆ】
2003021668.tif 000039
【図６ａ】
2003021668.tif 000040
【図６ｂ】
2003021668.tif 000041
【図６ｃ】
2003021668.tif 000042
【図６ｄ】
2003021668.tif 000043
【図６ｅ】
2003021668.tif 000044
【図６ｆ】
2003021668.tif 000045
【図６ｇ】
2003021668.tif 000046
【図７ａ】
2003021668.tif 000047
【図７ｂ】
2003021668.tif 000048
【図７ｃ】
2003021668.tif 000049
【図７ｄ】
2003021668.tif 000050
【図７ｅ】
2003021668.tif 000051
【図７ｆ】
2003021668.tif 000052
【図７ｇ】
2003021668.tif 000053
【図８ａ】
2003021668.tif 000054
【図８ｂ】
2003021668.tif 000055
【図８ｃ】
2003021668.tif 000056
【図８ｄ】
2003021668.tif 000057
【図８ｅ】
2003021668.tif 000058
【図８ｆ】
2003021668.tif 000059
【図９ａ】
2003021668.tif 000060
【図９ｂ】
2003021668.tif 000061
【図９ｃ】
2003021668.tif 000062
【図９ｄ】
2003021668.tif 000063
【図９ｅ】
2003021668.tif 000064
【図９ｆ】
2003021668.tif 000065
【図９ｇ】
2003021668.tif 000066
【図１０ａ】
2003021668.tif 000067
【図１０ｂ】
2003021668.tif 000068
【図１０ｃ】
2003021668.tif 000069
【図１０ｄ】
2003021668.tif 000070
【図１０ｅ】
2003021668.tif 000071
【図１０ｆ】
2003021668.tif 000072
【図１１ａ】
2003021668.tif 000073
【図１１ｂ】
2003021668.tif 000074
【図１１ｃ】
2003021668.tif 000075
【図１１ｄ】
2003021668.tif 000076
【図１１ｅ】
2003021668.tif 000077
【図１１ｆ】
2003021668.tif 000078
【図１２ａ】
2003021668.tif 000079
【図１２ｂ】
2003021668.tif 000080
【図１２ｃ】
2003021668.tif 000081
【図１２ｄ】
2003021668.tif 000082
【図１２ｅ】
2003021668.tif 000083
【図１２ｆ】
2003021668.tif 000084
【図１２ｇ】
2003021668.tif 000085
【図１３ａ】
2003021668.tif 000086
【図１３ｂ】
2003021668.tif 000087
【図１３ｃ】
2003021668.tif 000088
【図１３ｄ】
2003021668.tif 000089
【図１３ｅ】
2003021668.tif 000090
【図１３ｆ】
2003021668.tif 000091
【図１３ｇ】
2003021668.tif 000092
【図１４ａ】
2003021668.tif 000093
【図１４ｂ】
2003021668.tif 000094
【図１４ｃ】
2003021668.tif 000095
【図１４ｄ】
2003021668.tif 000096
【図１４ｅ】
2003021668.tif 000097
【図１４ｆ】
2003021668.tif 000098
【図１４ｇ】
2003021668.tif 000099
【図１５ａ】
2003021668.tif 000100
【図１５ｂ】
2003021668.tif 000101
【図１５ｃ】
2003021668.tif 000102
【図１５ｄ】
2003021668.tif 000103
【図１５ｅ】
2003021668.tif 000104
【図１５ｆ】
2003021668.tif 000105
【図１５ｇ】
2003021668.tif 000106
【図１６ａ】
2003021668.tif 000107
【図１６ｂ】
2003021668.tif 000108
【図１６ｃ】
2003021668.tif 000109
【図１６ｄ】
2003021668.tif 000110
【図１６ｅ】
2003021668.tif 000111
【図１６ｆ】
2003021668.tif 000112
【図１６ｇ】
2003021668.tif 000113
【図１６ｈ】
2003021668.tif 000114
【図１７ａ】
2003021668.tif 000115
【図１７ｂ】
2003021668.tif 000116
【図１７ｃ】
2003021668.tif 000117
【図１７ｄ】
2003021668.tif 000118
【図１７ｅ】
2003021668.tif 000119
【図１８ａ】
2003021668.tif 000120
【図１８ｂ】
2003021668.tif 000121
【図１８ｃ】
2003021668.tif 000122
【図１８ｄ】
2003021668.tif 000123
【図１８ｅ】
2003021668.tif 000124
【図１８ｆ】
2003021668.tif 000125
【図１８ｇ】
2003021668.tif 000126
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月26日(2003.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
上記絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、
上記絶縁基材内に埋め込まれた導体部材とを備え、
上記導体部材の一端は上記絶縁基材表面に露出して上記配線に接続しており、他端は上記絶縁基材内に埋め込まれている配線基板。
【請求項２】
上記絶縁基材は、エポキシ樹脂硬化物又はポリアミドイミド樹脂硬化物を含む請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁基材と、
上記絶縁基材の表裏一方の面に設けられた配線を有する配線部材と、
上記絶縁基材の他方の面に設けられた支持部材と、
上記絶縁基材内に埋め込まれた、上記配線に接続した導体部材とを備える配線基板。
【請求項４】
上記支持部材は、金属、樹脂及びセラミックのうちの少なくともいずれかを含む請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
上記配線部材は、
複数の配線層と、
上記配線層間を絶縁するための層間絶縁層と、
上記層間絶縁層内に設けられた、上記配線層間を接続するためのバイアホールとを備える請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
上記導体部材の厚さは、０．０１ｍｍ〜０．１５ｍｍであり、
上記絶縁基材の厚さと上記導体部材の厚さとの差は、０．１ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
第１の面に突起状の導体部材を設けた配線部材と、絶縁基材とを、上記導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程を備える請求項１〜６のいずれかに記載された配線基板の製造方法。
【請求項８】
上記絶縁基材の表裏一方の面には支持部材が設けられており、
上記積層工程は、上記配線部材の上記導体部材が設けられた面と、上記絶縁基材の上記支持部材が設けられていない面とを対向させて積層させる工程である請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
上記配線部材の第２の面には仮支持板が設けられており、
上記積層工程の後、上記仮支持板を除去する工程をさらに備える請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記配線部材の上記面に上記導体部材をめっきにより形成する工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
上記配線部材の上記第１の面に設けられた導体膜の一部を除去することにより上記導体部材を形成する工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
導体板の一部を除去することにより上記配線部材及び上記導体部材を形成するエッチング工程を、さらに備える請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
上記導体板は、この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなり、
上記エッチング工程は、
上記第１の導体層の一部をエッチングして上記配線部材を形成する配線部材形成工程と、
上記第３の導体層の一部をエッチングして上記導体部材を形成する導体部材形成工程と、
上記第２の導体層の露出箇所をエッチング除去するエッチングバリア除去工程とを備える請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
上記配線部材形成工程は、上記第１の導体層表面に金めっきパターンを形成し、該めっきパターンをエッチングレジストとして上記第１の導体層をエッチングすることにより上記配線部材を形成する工程である請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
表裏一方の面に突起状の導体部材を設けた導体層と、絶縁基材とを、上記導体部材を内側にして対向させて積層させる積層工程、及び、
上記導体層の不要な箇所を除去して配線部材を形成する配線部材形成工程を備える請求項１〜６のいずれかに記載された配線基板の製造方法。
【請求項１６】
上記配線部材形成工程は、上記導体層表面に金めっきパターンを形成し、該めっきパターンをエッチングレジストとして上記導体層をエッチングすることにより、上記不要な箇所を除去して上記配線部材を形成する工程である請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
上記絶縁基材の表裏一方の面には支持部材が設けられており、
上記積層工程は、上記導体層の上記導体部材が設けられた面と、上記絶縁基材の上記支持部材が設けられていない面とを対向させて積層させる工程である請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
上記導体層の他方の面には仮支持板が設けられており、
上記積層工程の後、上記仮支持板を除去する工程をさらに備える請求項１５〜１７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
上記導体層の上記面に上記導体部材をめっきにより形成する工程を、さらに備える請求項１５〜１８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
上記導体層の上記面に設けられた導体膜の一部を除去することにより上記導体部材を形成する導体部材形成工程を、さらに備える請求項１５〜１８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２１】
上記導体部材形成工程は、
この順で積層された第１の導体層、第２の導体層及び第３の導体層からなる導体板の、該第３の導体層の一部をエッチングして上記導体部材を形成する工程と、
上記第２の導体層の露出箇所をエッチング除去する工程とを備える請求項２０記載の配線基板の製造方法。
【請求項２２】
配線部材と、絶縁基材と、支持部材とをこの順で積層させる積層工程を備える請求項３記載の配線基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項１，２，５及び６のいずれかに記載の配線基板の上記配線部材表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記絶縁基材の一部を除去して上記導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項３又は４に記載の配線基板の上記配線部材表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記支持部材の少なくとも一部を除去して上記絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程と、
上記絶縁基材の少なくとも一部を除去して上記導体部材の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項３記載の配線基板の配線部材側表面に半導体素子を搭載する搭載工程と、
上記半導体素子と上記配線部材表面の配線とを電気的に接続する接続工程と、
上記支持部材の少なくとも一部を除去して上記絶縁基材の少なくとも一部を露出させる支持部材除去工程と、
上記絶縁基材の少なくとも一部を除去して貫通孔を形成し、上記配線の少なくとも一部を露出させる絶縁基材除去工程と、
上記貫通孔を導体で充填して上記配線に接続した導体部材を形成する導体部材形成工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
上記搭載工程における搭載は、接着剤を介して行われる、請求項２３〜２５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
上記支持部材除去工程における上記支持部材の除去は、研磨、化学エッチング及び機械加工の少なくともいずれかにより行われる、請求項２４又は２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
上記絶縁基材除去工程における上記絶縁基材の除去は、
研磨、レーザ照射及びエッチングの少なくともいずれかにより行われる、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
上記絶縁基材除去工程の後に、
上記導体部材の露出箇所に、金めっき層を形成する工程をさらに備える請求２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
上記絶縁基材除去工程の後に、
上記導体部材の露出箇所に、はんだボールを形成する工程をさらに備える請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
上記搭載工程は、
一つの上記配線基板に、複数の上記半導体素子を搭截する工程である、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
上記搭載工程は、
一つの上記配線基板に、上記半導体素子のほかに、受動部品をさらに搭載する工程である、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
上記半導体素子を封止部材により覆って封止する封止工程をさらに備える、請求項２３〜２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
上記封止部材を研磨して上記半導体素子の少なくとも一部を露出させる工程をさらに備える、請求項３３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項２３〜３４のいずれかの方法により製造された半導体装置。
【請求項３６】
上記他端が上記絶縁基材に覆われている請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項３７】
上記他端が上記絶縁基材に覆われている請求項７〜２２のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項３８】
上記他端が上記絶縁基材に覆われている請求項２３〜３４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
上記他端が上記絶縁基材に覆われている請求項３５記載の半導体装置。
【国際調査報告】
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