(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または内部に形成された複数の配線導体層と、２つの配線導体層間を接続するためのビアホール導体を具備する配線基板において、前記ビアホール導体が、接続される２つの配線導体層間の距離に対して±５μｍ以内の直径を有する金属球と光硬化性樹脂とからなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記金属球が、銅を主体とする金属コア球の表面に、少なくともＳｎを含有する低融点金属からなる外層が形成されてなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記金属球の直径Ｄが前記絶縁層１層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線導体層が金属箔からなり、前記絶縁層の表面に埋設されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
少なくとも熱硬化性樹脂を含有する未硬化あるいは半硬化状態の絶縁シートにビアホールを形成する工程と、直径が前記ビアホール径以下、接続される２つの配線導体層間の距離に対して±５μｍ以内の直径を有する金属球と光硬化性樹脂成分とを含有する導体ペーストを調製する工程と、前記ペーストを用いて前記ビアホール内に金属球を光硬化性樹脂成分とともに埋設する工程と、該絶縁シートに光照射して、前記ビアホール内の光硬化性樹脂を硬化する工程と、前記光硬化されたビアホール導体形成部を含む前記絶縁シートの表面に配線導体層を被着形成する工程と、前記配線導体層が形成された絶縁シートを熱硬化する工程と、を具備する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属球が、銅を主体とする金属コア球の表面に、少なくともＳｎを含有する低融点金属からなる外層が形成されてなることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体ペースト中における前記金属球と前記光硬化性樹脂との重量比率が８５：１５〜９５：５であることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記光硬化性樹脂成分が、紫外線硬化型エポキシ樹脂とその光架橋剤とからなることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記光架橋剤がビスアジド化合物からなることを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線導体層が金属箔からなり、前記絶縁シートの表面に被着形成する際に前記配線導体層が前記絶縁シートの表面に埋設されることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板を具備する配線基板と、その製造方法に関し、特に、ビアホール内に金属球を埋設した場合において、ビアホール内での保形性、および配線基板の平坦性の改良に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に配線導体層を形成した、いわゆるプリント基板が、回路基板や半導体素子を載したパッケージ等に適用されている。このようなプリント基板において、配線導体層を形成する方法としては、絶縁基板の表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして配線回路を形成する方法、または、配線回路に形成された銅箔を絶縁基板に転写する方法、絶縁基板の表面に金属メッキ法によって回路を形成する方法等が用いられている。
【０００３】
また、配線の多層化に伴い、異なる層間に形成された配線導体層をビアホール導体により電気的に接続することも行われている。このビアホール導体は、一般に、配線基板の所定の箇所にドリル等でビアホールを開けた後に、ビアホール内の内壁にメッキを施して形成される。
【０００４】
ところが、上記のような方法では、化学的なメッキ処理にかかる処理薬品が高価であり、処理時間も長いなど生産性と経済性に難がある。また、多層化した配線基板を作製する場合、技術的にも、ビアホール導体を多層構造における任意の層間に形成することが難しいことから、配線導体層の密度を向上できないという問題がある。
【０００５】
そこで、最近では配線導体層を、銀、銅、ハンダなどの導電性粉末を含む導体ペースト等を用い、これをビアホール内に充填することにより任意に場所にビアホール導体を形成した後、それらを積層して多層化する方法が、特許第２６０３０５３号公報、特許第２５８７５９６号公報、特開平８−２０４３４２号公報、特開平８−１９１１８４号公報、特開平９−２９３９６８号公報等にて提案されている。
【０００６】
導体ペーストにおける有機バインダとしては、一般にセルロース系などが用いられるが、充填性の改善のために、最近では配線導体層を、銀、銅、ハンダなどの導電性粉末を含む液状エポキシ系樹脂と硬化剤とを有機バインダーとして含む低粘度の導体ペースト等を用い、これを絶縁基板の表面に塗布したり、ビアホール内に充填し、積層して多層化する方法も提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金属粉末を含有するペーストでは、金属粉末間の接触が不十分であったり、ペースト中の有機バインダー等が粉末間に介在してペースト自体の導電性を低下させてしまう結果、従来からプリント配線基板に用いられているメッキなどによって形成されたビアホール導体に比較して信頼性が低いという問題があった。
【０００８】
そこで、このような問題に対してビアホール内に直径が１００〜５００μｍの大きさの金属球をビアホール内に埋設することが特開平９−２９３９６８号にて提案されている。
【０００９】
このような金属球のビアホールへの埋設方法として、絶縁シートに形成された多くのビアホール内に個々に微細な金属球を埋設することは時間を要し、量産性に欠ける。
【００１０】
そこで、金属球を溶媒中に分散してペーストを作製し、複数のビアホールが形成された絶縁シート表面をスクリーン印刷法によって上記ペーストをスキージ処理して金属球をビアホール内に金属球を埋設することが考えられる。
【００１１】
しかしながら、この金属球は、金属粉末に比較してペースト中での分散性が悪く、ペースト中に有機バインダーを全く含まない場合、滑り性が低下するためにビアホール中に金属球を埋設できない部分が発生する。
【００１２】
そこで、有機バインダーとして従来から用いられている液状エポキシ系樹脂等を用いるとビアホール内への埋設性はよくなるが、挿入した金属球が絶縁シートのビアホールからその後の工程中に脱落してしまったり、有機バインダーが表面にしみだし外観を損ねる等の問題がある。
【００１３】
逆に、導体ペーストの粘度が高い場合には金属球は一旦ビアホール内に埋設されると抜け落ちることはないが、ビアホールへの埋設性に欠けるという問題がある。
【００１４】
また、金属球の大きさとしては、通常、絶縁層表面に形成される配線回路層との接続信頼性を高めるために絶縁層１層の厚さよりも大きい直径のものが用いられるが、その場合、金属球は剛性が高いために、金属粉末の導体ペーストに比較して流動性がないために、金属球の形状が配線回路層の表面に現れ、平坦度が損なわれるという問題があった。
【００１５】
したがって、本発明は、このような欠点を解消し、金属球のビアホール内への埋設性に優れ、有機バインダーのしみだしによる外観不良などのない高い導電性を有するビアホール導体を具備する配線基板と、それを製造するための方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題に対して検討を重ねた結果、ビアホール導体を形成する金属球をビアホール内に埋設するにあたり、金属球の直径を絶縁シートやビアホール径に基づいて特定の条件を満足するように定め、且つ有機バインダとして光硬化性樹脂を用い、埋設後に光照射することにより、ビアホールへの埋設性とともに絶縁シート内に埋設された金属球の脱落を防止できることを見出した。
【００１７】
即ち、本発明の配線基板は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または内部に形成された複数の配線導体層と、２つの配線導体層間を接続するためのビアホール導体を具備する配線基板において、前記ビアホール導体が、接続される２つの配線導体層間の距離に対して±５μｍ以内の直径を有する金属球と光硬化性樹脂とからなることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する未硬化あるいは半硬化状態の絶縁シートにビアホールを形成する工程と、直径が前記ビアホール径以下、接続される２つの配線導体層間の距離に対して±５μｍ以内の直径を有する金属球と光硬化性樹脂成分とを含有するペーストを調製する工程と、前記ペーストを用いて前記ビアホール内に金属球を光硬化性樹脂成分とともに埋設する工程と、該絶縁シートに光照射して、前記ビアホール内の光硬化性樹脂を硬化する工程と、前記光硬化されたビアホール導体形成部を含む前記絶縁シートの表面に配線導体層を被着形成する工程と、配線導体層が形成された絶縁シートを熱硬化する工程と、を具備することを特徴とするものである。
【００１９】
特に、前記導体ペースト中における前記金属球と前記光硬化性樹脂との重量比率は８５：１５〜９５：５であることがビアホール内への金属球の埋設性を高める上で好適である。
【００２０】
また、前記金属球は、銅を主体とする金属コア球の表面に、少なくともＳｎを含有する低融点金属からなる外層が形成されてなることがビアホール導体の低抵抗化とともに配線導体層との接続性を高めることができる。
【００２１】
前記光硬化性樹脂成分としては、紫外線硬化型エポキシ樹脂とその光架橋剤とからなることが望ましく、前記光架橋剤がビスアジド化合物からなることが望ましい。
【００２２】
さらに、前記配線導体層が金属箔からなり絶縁層あるいは絶縁シートの表面に埋設されてなることが、配線基板の平坦性を高める上で望ましい。
【００２３】
本発明の配線基板によれば、ビアホール導体が金属球から形成されることから、従来のような金属粉末の粒界接触部の減少により、ビアホール導体の導電性が高められ、特に金属球として銅からなる金属コア表面に少なくともＳｎを含有する低融点金属からなる外層を形成することにより、配線導体層との接続性を高めることができる。
【００２４】
更に、本発明における前記製造方法によれば、ビアホール導体を形成する導体ペースト中に、有機バインダーとして光硬化性樹脂成分を含有することにより、絶縁シートに形成されたビアホール内に、上記ペーストを埋設した後、光照射することにより、ビアホール内に埋設された金属球の保形性が高まるとともにバインダーのしみだし等を防止することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板によれば、配線基板におけるビアホール導体を金属球と、有機バインダとして光硬化性樹脂成分によって構成することが重要である。また、この光硬化性樹脂成分は、光硬化型樹脂と、光架橋剤とから構成されるものである。
【００２６】
光硬化性樹脂としては、紫外線硬化型樹脂が望ましく、エポキシ系樹脂、ビニルフェノール系樹脂の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、この中でも樹脂の粘度性やビアホールへの埋設性の観点から、紫外線硬化型液状エポキシ樹脂からなることが望ましい。
【００２７】
また、光架橋剤としては、非水系ポリマーの光架橋剤、好適には、芳香族ジアゾニウム塩、具体的には、ビスアジド化合物を含有するものが望ましい。ビスアジド化合物としては、２，６−（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン、４，４−ジアジドフェニルメタン、４，４−ジアジドフェニルスルホンの群から選ばれる１種、または２種以上の混合物が使用可能であるが、高い反応性を有する点で２，６−（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノンを含有することが最適である。なお、光架橋剤は、光硬化性樹脂１００重量部に対して、３５．０〜５０．０重量部の割合で添加することが望ましい。
【００２８】
一方、金属球としては、銅、銀の少なくとも１種を主体とするものが用いられるが、絶縁基板へのマイグレーション抑制およびコストの点で銅が、さらにペースト中の粉末の導電性および分散性を高める上で特に電解銅からなる金属球が最適である。
【００２９】
さらに、上記銅からなる金属コア球として、その表面に少なくとも錫（Ｓｎ）を含有する低融点金属、具体的には錫−鉛、あるいは錫−銀−ビスマスの半田など、融点が２５０℃以下の低融点金属からなる外層を形成することにより、金属球と配線導体層との接触部を低融点金属で接続させて配線導体層との接続性を高めることもできる。この場合には、金属球と配線導体層との接触界面にＣｕ3 Ｓｎを析出させて耐熱性を高めることが望ましい。
【００３０】
また、金属球の大きさＤは、接続される２つの配線導体層間の距離Ｔに対して±５μｍ以内、特に±４μｍ以内であることが必要である。これは、金属球の直径Ｄが接続される２つの配線導体層間の距離Ｔよりも小さい場合であっても、配線導体層の変形によって電気的な導通を図ることができる。ところが、Ｄ＜Ｔ−５μｍとなると、配線導体層の変形も限界があり、金属球との接触が難しくなると同時に配線回路層の変形によって配線回路層の表面の平坦度が損なわれてしまう。また、Ｄ＞Ｔ＋５μｍの場合も、配線回路層の変形が大きくなり配線導体層表面の平坦度が損なわれてしまう。
【００３１】
次に、上記配線基板を製造する方法について工程図を示す図１をもとに説明する。まず、図１（ａ）に示すように未硬化または半硬化状態の軟質の絶縁シート１に対して、レーザー加工やマイクロドリルなどによって所定の大きさのビアホール２を形成する。
【００３２】
ここで用いられる絶縁シート１は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁材料から構成され、例えば、熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の合成樹脂およびそれらの混合物が使用可能であるが、とりわけ誘電特性がよく、吸水率が低い点で熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）を含有することが望ましい。
【００３３】
さらに、この絶縁シート１中には、熱硬化性樹脂以外に基板全体の強度を高めるために、フィラーを複合化させることもできる。フィラーとしては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ゼオライト、ＣａＴｉＯ3 等の無機質フィラーが好適に使用される。また、ガラスやアラミド樹脂からなる不織布、織布等に上記樹脂を含浸させて用いてもよい。このように熱硬化性樹脂とフィラーと複合化する場合、熱硬化性樹脂とフィラーとは体積比率で３０：７０〜７０：３０の比率で複合化することが望ましい。
【００３４】
次に、図１（ｂ）に示すように、そのビアホール２内に、前述したようにして金属球３ａと光硬化性樹脂３ｂを含有するペーストをスクリーン印刷法等によってスキージ処理して金属球３ａをビアホール２内に埋設してビアホール導体３を形成する。
【００３５】
ペースト中における上記金属球と有機バインダとは、ビアホールへの埋設性および埋設後のビアホール導体の低抵抗化の観点から、金属球と有機バインダとは、体積比率で８５：１５〜９５：５であることが望ましい。これは、金属球が上記比率よりも多いとペースト化することが難しく、ビアホール内への埋設性が低く、逆に上記比率よりも金属球が少ないとペースト全体の粘度が低下しすぎてしまうとともに、単位体積当たりの金属球の個数が少なくなり、絶縁シートのビアホールの個数によっては、１回のスキージ処理ですべてのビアホール内に埋設できない恐れがある。また、用いる金属球３ａは、ビアホール径以下の直径を有することがビアホール２内への金属球３ａの埋設性を高める上で必要である。
【００３６】
ビアホール導体用の導体ペースト組成物を用いてペーストを調製するには、金属球と光硬化性樹脂からなる有機バインダを混合した組成物に、適宜有機溶剤を添加混合したものを、攪拌脱泡機などで混練することにより、金属球と有機バインダは、その高剪断力によって所定の粘度を有する導体ペーストを作製することができる。
【００３７】
そして、図１（ｃ）に示すように、金属球３ａが埋設されたビアホール導体３が形成された絶縁シート１に対して、ビアホール導体３中の光硬化性樹脂が硬化するに十分な紫外線４を照射する。紫外線照射量は、１００ｍＪ以上であることが望ましい。この紫外線照射によって、ビアホール内に埋設された導体ペーストを半硬化させ、ビアホール導体３における導体ペーストの保形性を高め埋設後のペーストのしみだしの発生を防止することができる。
【００３８】
次に、ビアホール導体を光硬化した絶縁シート１の表面に配線導体層５を形成する。この配線導体層５の形成方法としては、ａ）絶縁シートの表面に金属箔を貼り付けた後、エッチング処理して回路パターンを形成する方法、ｂ）絶縁シート表面にレジストを形成して、メッキにより金属層を形成する方法、ｃ）転写シート表面に金属箔を貼り付けた後、エッチング処理して回路パターンを形成した後、この金属箔の回路パターンを絶縁シート表面に転写させる方法等が挙げられるが、この中でも、絶縁シートをエッチングやメッキ液などに浸漬する必要がなく、ビアホール導体内への薬品の侵入を防止する上では、ｃ）の転写法が最も望ましい。また、上記転写法では、絶縁シートへのビアホール形成や積層化と、配線導体層の形成工程を並列的に行うことができるために、配線基板における製造時間を大幅に短縮することができる点でも有利である。
【００３９】
そこで、ｃ）転写法による配線導体層を例にして以下に説明する。転写シート６の表面に、金属箔からなる配線導体層５を形成する。この配線導体層５は、転写シート６の表面に金属箔を接着剤によって接着した後、この金属箔の表面にレジストを回路パターン状に塗布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って形成される。この時、金属箔からなる配線導体層５露出面は、エッチング等により表面粗さ（Ｒａ）０．１〜５μｍ、特に０．２〜４μｍ程度に粗化されていることが望ましい。
【００４０】
また、配線導体層５を形成する導体成分としては、銅、アルミニウム、金、銀のうちから選ばれる少なくとも１種、または２種以上の合金からなることが望ましく、特に、銅あるいは銅を含む合金からなる厚さ５〜４０μｍの金属箔によって形成することにより、ビアホール導体３を両端を封止して外気の影響を防止でき、しかも導体ペーストを埋設して形成したビアホール導体３との電気的な接続性に優れることから最も望ましい。
【００４１】
次に、図１（ｅ）に示すように、配線導体層５が形成された転写シート６を前記ビアホール導体３が形成された絶縁シート１の表面に位置合わせして加圧積層した後、転写シート６を剥がして配線導体層５を絶縁シート１に転写させることにより絶縁シート１の両面に配線導体層５を形成することができる。このとき、導体ペーストに含まれる光硬化性バインダーの粘着力により配線導体層５とビアホール導体３とを強固に固着する。
【００４２】
この上記転写法においては、配線導体層５転写時に絶縁シート１が軟質状態であることから、転写時、あるいは転写後に圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 以上、温度６０〜１４０℃で加圧処理することにより、配線導体層５を絶縁シート１の表面に埋設し、実質的に絶縁シート１表面と配線導体層５の表面が同一平面とすることができる。
【００４３】
上記のように配線導体層５が絶縁シート１の表面に埋設される場合、金属球３ａの直径Ｄは、絶縁シート１の硬化後の厚さをｔ1 、配線導体層５の厚さをｔ2 とした時、配線導体層５間の距離Ｔ（＝ｔ1 −２ｔ2 ）に対して、ＤがＴ±５μｍ以内であり、またＤ≦ｔ1 を満足する大きさに設定される。
【００４４】
また、ビアホール導体３が１個の金属球３ａであることから、埋設された導体の飛散等が無く、絶縁シート上に飛散した粒子等により電気絶縁性を損なうこともない。更に導電性の高い銅からなる金属コア球の表面にＳｎを含有する低融点金属からなる外層を形成することにより配線導体層との接続性を高めることができる。
【００４５】
そして、ビアホール導体３とその両面に配線導体層５が形成された絶縁シート１を絶縁シート１中の熱硬化性樹脂が硬化するに十分な温度で加熱することにより、２層の配線導体層５が形成され、それらがビアホール導体３によって電気的に接続された配線基板を作製することができる。
【００４６】
なお、この配線基板を多層化する場合には、各絶縁シートに上記と同様にしてビアホール導体と一方の表面または両面に配線導体層を形成したものを、複数層積層圧着し、その後、上記の絶縁シート１中の熱硬化性樹脂が硬化するに十分な温度で加熱するか、またはビアホール導体と一方の表面または両面に配線導体層を形成した絶縁シートをそれぞれ熱硬化させた後に、複数層積層することにより、多層配線基板を作製することができる。
【００４７】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁基板を貫通するドリルを用いてビアホールを形成し、そのホール内壁に金属メッキ層を形成することもできる。
【００４８】
また、上記の製造方法において、絶縁シート１を加熱硬化させる際の加熱温度は、絶縁シート中の熱硬化性樹脂が完全に硬化するに充分な温度であると同時に、ビアホール導体３中の有機バインダが絶縁シート１中の熱硬化樹脂と充分に密着する温度であることが望ましい。
【００４９】
特に、充分な密着性を得る上で、有機バインダ中の光硬化性樹脂成分と、絶縁シート１中の熱硬化性樹脂とが反応することが望ましい。例えば、有機バインダ中の熱硬化性樹脂成分として、紫外線硬化型エポキシ樹脂を用い、光架橋剤としてビスアジド化合物（２，６−（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン）を用い、かつ絶縁シート中の熱硬化性樹脂として、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂を用いた場合、２００℃程度の温度で２０ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で加圧することにより、一旦紫外線硬化したビアホール導体ペーストが、２００℃での硬化プレスによりガラス転移点以上に加熱されるために、導体ペースト中の光硬化した樹脂が低粘度化するために樹脂の流動化が生じ導電性粒子と配線導体の結合を高めることができる。
【００５０】
それと同時に、ビスアジド化合物が絶縁シート１側へ拡散、移動するとともに、絶縁シート１中の熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂とビスアジド化合物との間でジアゾ基を介して反応が生じ、ビアホール導体３の周囲部にビスアジド化合物とＰＰＥ樹脂との反応物が形成される結果、ビアホール導体と絶縁シートとの強固に密着することができる。また、上記反応物は、耐熱性および絶縁性、誘電特性に優れたものであることから、絶縁シートの特性を劣化させることがない。
【００５１】
【実施例】
本発明における導体ペースト組成物の特性を評価するために、以下のようにして単層（１層の絶縁基板の両面に配線導体層が形成されたもの）の配線基板を作製した。
【００５２】
まず、錫銀被覆銅球（平均粒径５０μｍ、錫銀含有量１５重量％）８８〜９４重量％と、光硬化性樹脂成分として、紫外線硬化型液状エポキシ樹脂１００重量部に対して２，６−（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノンの光架橋剤を３０重量部の割合で添加混合した有機バインダを８〜１２重量％の割合で調合し、さらに上記金属球と有機バインダとの合量１００重量部に対して、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを３重量部の割合で添加混合した。そしてこの混合物を３本ロールで混練して導体ペーストを調製した。
【００５３】
調製した導体ペーストを直径２０ｍｍのコーン型粘度計を用いて、せん断速度１００ｓ-1における粘度を測定し、表１に示した。
【００５４】
一方、熱硬化性ポリフェニレンエーテル４０体積％と、シリカを６０体積％からなるＢステージの絶縁シート（硬化後の厚さ＝７０μｍ）に対して、絶縁シートのマイクロドリルによって直径が５０μｍのビアホールをビアホールの中心間の間隔５００μｍで２０個形成し、スクリーン印刷法によって上記ペーストをスキージ処理してビアホール内に金属球を光硬化性樹脂とともに埋設した。その後、このビアホール導体に対して、紫外線照射量が６００ｍＪの紫外線を照射してビアホール導体を硬化させた。
【００５５】
そして、導体ペーストの硬化処理を行ったＢステージの絶縁シートの両面に、厚さ１２μｍの銅箔からなる配線導体層を転写法により前記ビアホール導体の両端を挟持するように貼り合わせた後、２００℃で、２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、６０分間硬化処理を行い、単層の配線基板を作製した。
【００５６】
また、比較例として、有機バインダとして熱硬化型液状エポキシ樹脂（熱硬化温度１５０℃）を用いる以外は全く上記と同様にして配線基板を作製した。
【００５７】
得られた配線基板における配線導体層−ビアホール導体−配線導体層間の体積固有抵抗値を測定した。また、ビアホール導体形成部の断面観察し、導体ペーストの絶縁基板のビアホール導体周囲の表面へのしみだしの有無と、ビアホール内へのペーストの埋設性について評価した。結果は、表１に示した。また、同時に配線基板の表面の平坦度を測定し表１に示した。
【００５８】
【表１】
0003792447.tif 000002
【００５９】
表１の結果に示される通り、ビアホール内に金属球とともに光硬化性樹脂を埋設した場合、いずれも埋設後において金属球が脱落したり、有機バインダーがしみだすことがなく低抵抗で且つ配線導体層と接続抵抗の小さいビアホール導体を形成することができた。
【００６０】
特に、金属球の表面に低融点の外層を形成した場合、外層を形成しない場合に比較してビアホール導体と配線導体層との接触抵抗をさらに低減することができた。また、金属球の直径Ｄと配線導体層間の距離Ｔの差が５μｍ以下の場合において、配線基板表面の平坦度を７μｍ以下に小さくできることがわかった。
【００６１】
これに対して、熱硬化性液状エポキシ樹脂を含有したペーストを用いた試料Ｎo.８では、金属球の脱落や有機バインダーのしみだしが観察され、またアクリル系樹脂を用いた試料Ｎo.９では、ペーストの粘度が高く、金属球の埋設不良が発生した。
【００６２】
また、金属球の大きさが配線回路層間距離に対して、±５μｍよりも大きい試料Ｎo.１０、１２では、いずれも平坦度が７μｍよりも大きくなった。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、金属球とともに光硬化型樹脂成分をビアホール内に埋設し、埋設後に光硬化させることにより、金属球の脱落や有機ダインダーのしみだしを防止し、低抵抗で、且つ配線導体層との接触抵抗の小さいビアホール導体を形成することができ、それによりビアホール導体および配線導体層からなる回路の信頼性の高い配線基板を歩留りよく作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１  絶縁シート
２  ビアホール
３ａ  金属球
３ｂ  光硬化性樹脂
３  ビアホール導体
４  紫外線
５  配線導体層
６  転写シート
【図１】
0003792447.tif 000003