(57)【要約】重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された蛍石光学部材の光学面の微小変形に起因する波面収差の悪化が抑えられ、良好な光学性能を有する光学系。立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸（ＡＸ２）に沿って配置された光学部材（２３）を備えている。光学部材は、結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が光軸とほぼ一致するように配置されている。また、その結晶軸［０１０］（または該結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）が、重力方向と光軸とを含む面に沿って配置されている。
2003023480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が前記光軸とほぼ一致するように配置されていることを特徴とする光学系。
【請求項２】
請求の範囲第１項に記載の光学系において、
前記結晶の結晶軸［０１０］（または該結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面またはその近傍の面に沿って配置されていることを特徴とする光学系。
【請求項３】
請求の範囲第１項に記載の光学系において、
前記結晶の結晶軸［０１０］（または該結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して任意角度をなして配置されていることを特徴とする光学系。
【請求項４】
立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１１０］（または該結晶軸［１１０］と等価な結晶軸）と前記光軸とがほぼ一致するように設定されていることを特徴とする光学系。
【請求項５】
請求の範囲第４項に記載の光学系において、
前記結晶の結晶軸［１−１０］（または該結晶軸［１−１０］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して任意角度をなして配置されていることを特徴とする光学系。
【請求項６】
請求の範囲第５項に記載の光学系において、
前記任意角度は、約９０度であることを特徴とする光学系。
【請求項７】
立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１１１］（または該結晶軸［１１１］と等価な結晶軸）が前記光軸とほぼ一致するように配置され、
前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して０度よりも実質的に大きい角度をなすように設定されていることを特徴とする光学系。
【請求項８】
請求の範囲第７項に記載の光学系において、
前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して任意角度をなして配置されていることを特徴とする光学系。
【請求項９】
請求の範囲第８項に記載の光学系において、
前記任意角度は、約３０度または約６０度であることを特徴とする光学系。
【請求項１０】
請求の範囲第１項乃至第９項のいずれか１項に記載の光学系において、
前記重力方向の光軸に沿って配置された光学部材をさらに備え、
前記所定の角度は、６０度から９０度までの範囲にあることを特徴とする光学系。
【請求項１１】
請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれか１項に記載の光学系において、
前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることを特徴とする光学系。
【請求項１２】
マスクを照明するための照明光学系と、
前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか１項に記載の光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
マスクを照明するための請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか１項に記載の光学系と、
前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求の範囲第１２項または第１３項に記載の露光装置を用いて前記マスクのデバイスパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光学系および該光学系を備えた露光装置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置に好適な投影光学系や照明光学系に関するものである。
背景技術
半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、フォトマスクまたはレチクル（以下、総称して「マスク」という）のパターン像を投影光学系を介して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ（またはガラスプレート等）上に露光する露光装置が使用されている。そして、半導体素子等の集積度が向上するにつれて、露光装置の投影光学系に要求される解像力（解像度）が益々高まっている。その結果、投影光学系の解像力に対する要求を満足するために、照明光（露光光）の波長を短くするとともに投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする必要がある。
しかしながら、照明光の波長が短くなると光の吸収が顕著となり、実用に耐え得る硝材（光学材料）の種類は限定される。特に、照明光の波長が１８０ｎｍ以下になると、実用的に使用可能な硝材はフッ化カルシウム結晶（蛍石）だけに限定される。その結果、屈折型の投影光学系では、色収差の補正が不可能となる。ここで、屈折型の光学系とは、パワーを有する反射鏡（凹面反射鏡または凸面反射鏡）を含むことなく、レンズ成分のような透過光学部材だけを含む光学系である。
上述のように、単一の硝材からなる屈折型の投影光学系では許容色収差に限界があり、レーザー光源の極狭帯化が必須となる。この場合、レーザー光源のコストの増大および出力の低下は免れない。また、屈折光学系では、像面湾曲量を決定するペッツバール和を０に近づけるために、多数の正レンズおよび負レンズを配置する必要がある。これに対して、凹面反射鏡は光を収束する光学素子として正レンズに対応するが、色収差が生じない点、およびペッツバール和が負の値をとる（ちなみに正レンズは正の値をとる）点において、正レンズとは異なる。
凹面反射鏡とレンズとを組み合わせて構成された、いわゆる反射屈折光学系では、凹面反射鏡の上述の特徴を光学設計上において最大限に活用し、単純な構成にもかかわらず色収差の良好な補正や像面湾曲をはじめとする諸収差の良好な補正が可能である。そこで、たとえば波長が１８０ｎｍ以下の露光光を用いる露光装置では、投影光学系を反射屈折型の光学系として構成することが提案されている。
しかしながら、従来の技術では、反射屈折型の投影光学系において、重力方向と一致しない光軸（典型的には水平方向に延びる光軸）に沿って配置される蛍石光学部材（典型的には蛍石レンズ）の結晶軸と重力方向との相対関係について特別の考慮をしていない。その結果、たとえば水平方向に延びる水平光軸に沿って配置される蛍石レンズの結晶軸［１１１］と水平光軸とを一致させ、その結晶軸［１００］（または結晶軸［０１０］や結晶軸［００１］）を重力方向上向きに配置した場合が考えられているが、この配置では重力の影響により発生する蛍石レンズの光学面の微小変形に起因して波面収差、特に非点収差（アスティグマチズム）が発生し易く、ひいては波面収差が悪化し易いという不都合がある。
発明の開示
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された蛍石光学部材の光学面の微小変形に起因する波面収差の悪化が抑えられ、良好な光学性能を有する光学系および該光学系を備えた露光装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明の第１発明では、立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が前記光軸とほぼ一致するように配置されていることを特徴とする光学系を提供する。
第１発明の好ましい態様によれば、前記結晶の結晶軸［０１０］（または該結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面またはその近傍の面に沿って配置されている。
本発明の第２発明では、立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１１０］（または該結晶軸［１１０］と等価な結晶軸）と前記光軸とがほぼ一致するように設定されていることを特徴とする光学系を提供する。
第２発明の好ましい態様によれば、前記結晶の結晶軸［１−１０］（または該結晶軸［１−１０］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して約９０度の角度をなすように配置されている。
本発明の第３発明では、立方晶系に属する結晶で形成され、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された光学部材を備え、
前記光学部材は、前記結晶の結晶軸［１１１］（または該結晶軸［１１１］と等価な結晶軸）が前記光軸とほぼ一致するように配置され、
前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して０度よりも実質的に大きい角度をなすように設定されていることを特徴とする光学系を提供する。
第３発明の好ましい態様によれば、前記結晶の結晶軸［１００］（または該結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が、前記重力方向と前記光軸とを含む面に対して約６０度の角度をなすように設定されている。
第１発明〜第３発明の好ましい態様によれば、前記重力方向の光軸に沿って配置された光学部材をさらに備え、前記所定の角度は、６０度から９０度までの範囲にある。また、前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることが好ましい。
本発明の第４発明では、マスクを照明するための照明光学系と、
前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための第１発明〜第３発明の光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第５発明では、マスクを照明するための第１発明〜第３発明の光学系と、
前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
発明を実施するための最良の形態
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の実施形態にかかる光学系を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。本実施形態では、反射屈折型の投影光学系に本発明を適用している。なお、第１図において、反射屈折型の投影光学系ＰＬの基準光軸ＡＸに平行にＺ軸を、光軸ＡＸに垂直な面内において第１図の紙面に平行にＹ軸を、光軸ＡＸに垂直な面内において第１図の紙面に垂直にＸ軸を設定している。
図示の露光装置は、紫外領域の照明光を供給するための光源１００として、たとえばＦ２レーザ（波長１５７．６ｎｍ）を備えている。光源１００から射出された光は、照明光学系ＩＬを介して、所定のパターンが形成されたレチクル（マスク）Ｒを均一に照明する。なお、光源１００と照明光学系ＩＬとの間の光路はケーシング（不図示）で密封されており、光源１００から照明光学系ＩＬ中の最もレチクル側の光学部材までの空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
レチクルＲは、レチクルホルダＲＨを介して、レチクルステージＲＳ上においてＸＹ平面に平行に保持されている。レチクルＲには転写すべきパターンが形成されており、パターン領域全体のうちＸ方向に沿って長辺を有し且つＹ方向に沿って短辺を有する矩形状（スリット状）のパターン領域が照明される。レチクルステージＲＳは、図示を省略した駆動系の作用により、レチクル面（すなわちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル移動鏡ＲＭを用いた干渉計ＲＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。
レチクルＲに形成されたパターンからの光は、反射屈折型の投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウエハＷ上にレチクルパターン像を形成する。ウエハＷは、ウエハテーブル（ウエハホルダ）ＷＴを介して、ウエハステージＷＳ上においてＸＹ平面に平行に保持されている。そして、レチクルＲ上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、ウエハＷ上ではＸ方向に沿って長辺を有し且つＹ方向に沿って短辺を有する矩形状の露光領域にパターン像が形成される。ウエハステージＷＳは、図示を省略した駆動系の作用によりウエハ面（すなわちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はウエハ移動鏡ＷＭを用いた干渉計ＷＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。
また、図示の露光装置では、投影光学系ＰＬを構成する光学部材のうち最もレチクル側に配置された光学部材と最もウエハ側に配置された光学部材との間で投影光学系ＰＬの内部が気密状態を保つように構成され、投影光学系ＰＬの内部の気体はヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
さらに、照明光学系ＩＬと投影光学系ＰＬとの間の狭い光路には、レチクルＲおよびレチクルステージＲＳなどが配置されているが、レチクルＲおよびレチクルステージＲＳなどを密封包囲するケーシング（不図示）の内部に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
また、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の狭い光路には、ウエハＷおよびウエハステージＷＳなどが配置されているが、ウエハＷおよびウエハステージＷＳなどを密封包囲するケーシング（不図示）の内部に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。あるいは、ケーシングを設けることなく、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の狭い光路を局所パージ（光軸と交差する方向から不活性ガスを常に流すなど）している。このように、光源１００からウエハＷまでの光路の全体に亘って、露光光がほとんど吸収されることのない雰囲気が形成されている。
上述したように、投影光学系ＰＬによって規定されるレチクルＲ上の照明領域およびウエハＷ上の露光領域は、Ｙ方向に沿って短辺を有する矩形状である。したがって、駆動系および干渉計（ＲＩＦ、ＷＩＦ）などを用いてレチクルＲおよびウエハＷの位置制御を行いながら、矩形状の露光領域および照明領域の短辺方向すなわちＹ方向に沿ってレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとを、ひいてはレチクルＲとウエハＷとを同じ方向へ（すなわち同じ向きへ）同期的に移動（走査）させることにより、ウエハＷ上には露光領域の長辺に等しい幅を有し且つウエハＷの走査量（移動量）に応じた長さを有する領域に対してレチクルパターンが走査露光される。
第２図は、本実施形態にかかる投影光学系の構成を概略的に示す図である。第２図を参照すると、投影光学系ＰＬは、重力方向に一致する鉛直方向の基準光軸ＡＸに沿って配置される光学部材を保持するための縦向き鏡筒２１と、基準光軸ＡＸに対して垂直な水平方向の第２光軸ＡＸ２に沿って配置される光学部材を保持するための横向き鏡筒２２とを備えている。
なお、Ｆ２レーザー光のような短波長の紫外線が良好に透過し且つ良好な均一性を有する光学材料は、現状では蛍石に限定されている。したがって、縦向き鏡筒２１の内部には、図中破線で示す光路偏向手段としての直角プリズム２５を含む複数の蛍石レンズ（蛍石で形成されたレンズ：不図示）が配置されている。また、横向き鏡筒２２の内部には、蛍石レンズ２３と、図中破線で示す凹面反射鏡２６とが配置されている。以下、横向き鏡筒２２に保持金物２４を介して取り付けられた蛍石レンズ２３に着目して、本実施形態の作用を説明する。
第３図は、蛍石のような立方晶系の結晶における結晶軸の名称などを説明する図である。立方晶系とは、立方体の単位胞がその立方体の各辺の方向に周期的に配列した結晶構造である。第３図に示すように、立方体の各辺は相互に直交しており、これをＸａ軸，Ｙａ軸，Ｚａ軸とする。このとき、Ｘａ軸の＋方向が結晶軸［１００］の方向であり、Ｙａ軸の＋方向が結晶軸［０１０］の方向であり、Ｚａ軸の＋方向が結晶軸［００１］の方向である。
より一般的には、上記の（Ｘａ，Ｙａ，Ｚａ）座標系において方位ベクトル（ｘ１，ｙ１，ｚ１）をとるとき、その向きが結晶軸［ｘ１，ｙ１，ｚ１］の方向となる。たとえば、結晶軸［１１１］の向きは、方位ベクトル（１，１，１）の向きと一致する。また、結晶軸［１１−１］の向きは、方位ベクトル（１，１，−１）の向きと一致する。もちろん、立方晶系の結晶において、Ｘａ軸とＹａ軸とＺａ軸とは、光学的にも機械的にも互いに全く等価であり、実際の結晶において何ら区別をつけることはできない。また、結晶軸［０１１］，［０−１１］，［１１０］等のように３個の数字の並びおよびその符号を変えた各結晶軸も、光学的にも機械的にも全く等価（同等）である。
本実施形態では、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置するとともに、その結晶軸［０１０］が基準光軸ＡＸと第２光軸ＡＸ２とを含む面に沿って配置されている。その結果、後述する作用に基づいて、重力の影響により発生する蛍石レンズ２３の光学面の鞍型変形に起因して非点収差が発生し難く、ひいては波面収差が悪化し難い。すなわち、重力方向と９０度をなす第２光軸ＡＸ２に沿って配置された蛍石レンズ２３の光学面の微小変形に起因する波面収差の悪化が抑えられ、良好な光学性能を有する投影光学系ＰＬを実現することができる。ここで、鞍型変形について説明する。鞍型変形とは、光学面が回転対称に変形しない状態で、変形の大きい方向と変形の小さい方向とがある変形をいう。
第４図および第５図は、光軸に対する蛍石レンズの結晶軸の配置と重力の影響による蛍石レンズの光学面の変形量との関係を示す図である。第４図および第５図において、横軸は第２光軸ＡＸ２に対する蛍石レンズ２３の結晶軸の配置を示している。ここで、横軸のＢは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１００］が基準光軸ＡＸと第２光軸ＡＸ２とを含む面（以下、「基準面」という）に沿って配置された状態、すなわち従来技術の状態を示している。
また、横軸のＣは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１００］が基準面に対して３０度の角度をなすように配置された状態を示している。さらに、横軸のＤは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１００］が基準面に対して６０度の角度をなすように配置された状態を示している。なお、結晶軸［１００］が基準面に対して９０度の角度をなすように配置された状態はＢの状態と等価であり、結晶軸［１００］が基準面に対して１２０度の角度をなすように配置された状態はＣの状態と等価であり、結晶軸［１００］が基準面に対して１５０度の角度をなすように配置された状態はＤの状態と等価である。また、基準面に対する結晶軸［１００］のそれぞれの角度は、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］を第２光軸ＡＸ２と一致するように配置し、かつその結晶軸［１００］を基準面に沿って配置した状態から、その結晶軸［１１１］を中心に結晶軸［１００］を回転させた角度である。
また、横軸のＥは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１０］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１−１０］が基準面に沿って配置された状態を示している。さらに、横軸のＦは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１０］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１−１０］が基準面に対して９０度の角度をなすように配置された状態を示している。なお、結晶軸［１−１０］が基準面に対して１８０度の角度をなすように配置された状態はＥの状態と等価である。また、基準面に対する結晶軸［１−１０］の角度は、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１０］を第２光軸ＡＸ２と一致するように配置し、かつその結晶軸［１−１０］を基準面に沿って配置した状態から、その結晶軸［１１０］を中心に結晶軸［１−１０］を回転させた角度である。
また、横軸のＧは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［０１０］が基準面に沿って配置された状態を示している。さらに、横軸のＨは、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［０１０］が基準面に対して４５度の角度をなすように配置された状態を示している。なお、結晶軸［０１０］が基準面に対して９０度の角度をなすように配置された状態はＧの状態と等価であり、結晶軸［０１０］が基準面に対して１３５度の角度をなすように配置された状態はＨの状態と等価である。また、基準面に対する結晶軸［０１０］の角度は、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］を第２光軸ＡＸ２と一致するように配置し、かつその結晶軸［０１０］を基準面に沿って配置した状態から、その結晶軸［１００］を中心に結晶軸［０１０］を回転させた角度である。
ところで、横軸のＡは、比較例として、あらゆる方向に沿って剛性の等しい等方性の材料でレンズが形成された状態を示している。一方、第４図において、縦軸は、計測光の波長（６３３ｎｍ）をλとしたときの重力の影響による変形量のＰ−Ｖ値（ｐｅａｋ  ｔｏ  ｖａｌｌｅｙ：最大最小の差）を示している。また、第５図において、縦軸は、計測光の波長（６３３ｎｍ）をλとしたときの重力の影響による変形量のＲＭＳ値（ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ：自乗平均平方根）を示している。変形量のＰ−Ｖ値は、鞍型変形において、変形の大きい方向の変形量から変形の小さい方向の変形量を差し引いた値である。
第４図を参照すると、折れ線Ｌ１は、回転対称成分とランダム成分との総計であるトータル成分、すなわちトータルＰ−Ｖ値を示している。また、折れ線Ｌ２は、トータル成分から回転対称成分を除いたランダム成分、すなわちランダムＰ−Ｖ値を示している。さらに、折れ線Ｌ３は、変形量をツェルニケ表示したときの２θ成分、すなわち非点収差の発生の原因となる鞍型変形成分を示している。また、第５図を参照すると、折れ線Ｌ４は、回転対称成分とランダム成分との総計であるトータル成分、すなわちトータルＲＭＳ値を示している。また、折れ線Ｌ５は、トータル成分から回転対称成分を除いたランダム成分、すなわちランダムＲＭＳ値を示している。
第４図および第５図を参照すると、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［０１０］が基準面に沿って配置された本実施形態の状態（Ｇの状態）では、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［１００］が基準面に沿って配置された従来技術の状態（すなわちＢの状態）よりも、重力の影響による変形量（特に非点収差の発生の原因となる鞍型変形成分）が実質的に小さいことがわかる。換言すると、本実施形態では、重力の影響により発生する蛍石レンズ２３の光学面の鞍型変形に起因して非点収差が発生し難く、ひいては波面収差が悪化し難いことがわかる。
なお、上述の実施形態では、重力の影響により発生する蛍石レンズ２３の光学面の鞍型変形に起因して発生する非点収差を最も小さく抑えるために、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［０１０］が基準面に沿って配置されている。しかしながら、これに限定することなく、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］（またはこの結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置するだけで、必ずしもその結晶軸［０１０］（またはこの結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）が基準面に沿って配置されなくても、即ち、結晶軸［０１０］（またはこの結晶軸［０１０］と等価な結晶軸）の基準面に対する角度を規定しなくても、従来の技術の状態よりも重力の影響による変形量が実質的に小さくなる。このことは、第４図及び第５図に示された、蛍石レンズ２３の結晶軸［１００］が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置され、且つその結晶軸［０１０］が基準面に対して１３５度の角度をなすように配置された状態（Ｈの状態）を参照すれば明らかである。
また、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１０］（またはこの結晶軸［１１０］と等価な結晶軸）が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置するだけで、必ずしもその結晶軸［１−１０］（またはこの結晶軸［１−１０］と等価な結晶軸）が基準面に沿って配置されなくても、即ち、結晶軸［１−１０］（またはこの結晶軸［１−１０］と等価な結晶軸）の基準面に対する角度を規定しなくても、従来の技術の状態よりも重力の影響による変形量が実質的に小さくなる。ただし、重力の影響により発生する蛍石レンズ２３の光学面の鞍型変形に起因して発生する非点収差を最も良好に抑えるには、結晶軸［１−１０］（またはこの結晶軸［１−１０］と等価な結晶軸）の基準面に対する角度を９０度に設定することが好ましい。
さらに、蛍石レンズ２３の結晶軸［１１１］（またはこの結晶軸［１１１］と等価な結晶軸）が第２光軸ＡＸ２と一致するように配置するとともに、その結晶軸［１００］（またはこの結晶軸［１００］と等価な結晶軸）が基準面に対して０度よりも実質的に大きい角度をなすように設定することにより、本発明の効果が得られることも明らかである。この場合、重力の影響により発生する蛍石レンズ２３の光学面の鞍型変形に起因して発生する非点収差を最も良好に抑えるには、結晶軸［１００］（またはこの結晶軸［１００］と等価な結晶軸）の基準面に対する角度を６０度に設定することが好ましい。
また、上述の実施形態では、重力方向に垂直な光軸ＡＸ２に沿って配置される蛍石レンズに本発明を適用しているが、これに限定されることなく、たとえば重力方向に対して６０度以上の鋭角をなす光軸に沿って配置される蛍石レンズにも本発明を適用することができる。
さらに、上述の実施形態では、蛍石レンズに本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の一軸性結晶、たとえばフッ化バリウム結晶（ＢａＦ２）、フッ化リチウム結晶（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム結晶（ＮａＦ）、フッ化ストロンチウム結晶（ＳｒＦ２）、フッ化ベリリウム結晶（ＢｅＦ２）など、紫外線に対して透明な他の結晶材料で形成された光学部材に本発明を適用することもできる。
上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル（マスク）を照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき第６図のフローチャートを参照して説明する。
先ず、第６図のステップ３０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ３０４において、その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ３０１〜ステップ３０５では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、本実施形態の露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、第７図のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。第７図において、パターン形成工程４０１では、本実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程４０２へ移行する。
次に、カラーフィルター形成工程４０２では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程４０２の後に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
その後、モジュール組み立て工程４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
また、上述の実施形態では、露光装置の投影光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、露光装置の照明光学系を含む一般的な光学系に本発明を適用することもできる。
産業上の利用の可能性
以上説明したように、本発明では、重力方向と所定の角度をなす光軸に沿って配置された蛍石光学部材の結晶軸の光軸に対する配置を考慮することにより、その光学面の微小変形に起因する波面収差の悪化を抑えて、良好な光学性能を有する光学系を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施形態にかかる光学系を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。
第２図は、本実施形態にかかる投影光学系の構成を概略的に示す図である。
第３図は、蛍石のような立方晶系の結晶における結晶軸の名称などを説明する図である。
第４図は、光軸に対する蛍石レンズの結晶軸の配置と重力の影響による蛍石レンズの光学面の変形量との関係を示す図である。
第５図は、光軸に対する蛍石レンズの結晶軸の配置と重力の影響による蛍石レンズの光学面の変形量との関係を示す図である。
第６図は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。
第７図は、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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