(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置と配線基板との電気的接続を行う電気的接続治具であって、
該電気的接続治具は、絶縁性フィルムと板ばね状に形成された導電性配線とを有しており、
該導電性配線は、絶縁性フィルムに接着固定され配線基板上の所定の配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固定される固定部と、半導体装置の接続端子と接触して電気的に接続を行う可動部とを有し、
該絶縁性フィルムは、該導電性配線が接着固定される四角形の棒状部と、該棒状部から張り出した張り出し部とを備え、該張り出し部には、この電気的接続治具を該配線基板へ取り付けるためのネジ穴が形成されていることを特徴とする電気的接続治具。
【請求項２】
前記導電性配線の可動部は前記棒状部内に形成された開口部の中心に向かって上方にせり上がっていることを特徴とする請求項１に記載の電気的接続治具。
【請求項３】
前記導電性配線は、絶縁性フィルムを介して多層化されるとともに、下層の導電性配線ほど配線が長いことを特徴とする請求項１または２に記載の電気的接続治具。
【請求項４】
接地線として用いる導電性配線と、信号線として用いる導電性配線とを別の層に形成したことを特徴とする請求項３に記載の電気的接続治具。
【請求項５】
前記絶縁性フィルムを介して対向配置された接地線として用いる導電性配線と信号線として用いる導電性配線とが、マイクロストリップ線路を形成していることを特徴とする請求項４に記載の電気的接続治具。
【請求項６】
接地線として用いる導電性配線は、半導体装置に形成された接地端子の形状に合わせて、幅広に形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか1項に記載の電気的接続治具。
【請求項７】
半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接続を行い、前記半導体装置の特性測定を行う、半導体装置の特性測定装置であって、
該特性測定装置は、少なくとも、電気的接続治具と、前記外部装置と電気的に接続された配線基板と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを搭載する台座と、前記電気的接続治具と前記配線基板を台座に固定するハウジングとを有しており、
前記電気的接続治具は、請求項１から６のいずれか1項に記載の電気的接続治具であることを特徴とする半導体装置の特性測定装置。
【請求項８】
前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可能な開口部が形成されており、前記電気的接続治具の導電性配線の可動部が該開口部内に突出していることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の特性測定装置。
【請求項９】
前記台座には接地電極が形成され、前記配線基板には、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続するスルーホールを有していることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の特性測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置と配線基板間の電気的接続のために使用する電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置に係るものであり、特に高速半導体装置、高周波半導体装置またはパワー半導体装置の特性測定に好適な構造を有する電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話やワイヤレスＬＡＮ等の普及により、これらの機器に使用される高周波半導体装置の生産量は年々増加の一途をたどっている。また、これらの機器の小型化、高機能化に伴い、高周波半導体装置も小型化、高密度実装化が進められている。
【０００３】
図１０は、携帯電話やワイヤレスＬＡＮ用の高周波送信パワーアンプ素子に用いられている半導体装置１００の一般的な概略図を示したものである。図１０（ａ）は半導体装置１００の裏面、図１０（ｂ）は半導体装置１００の側面、図１０（ｃ）は図１０（ａ）のａ−ａ’断面を示したものである。
【０００４】
高周波入出力信号線と、パワーアンプの動作レベルを決めるバイアス設定信号（ＤＣレベル；直流電圧）が入力されるバイアス設定信号線とは、半導体装置１００のパッケージ樹脂部１１２の四方側面のリード端子１１３として複数配置されており、半導体装置の小型化に伴って、リード端子１１３のリード端子ピッチは０．４ｍｍ〜０．６５ｍｍ程度に微細化されている。
【０００５】
また、半導体装置１００の内部には、半導体チップ１１６が、接地されたスラグ１１４の上に搭載されている。高周波入出力信号線とバイアス設定信号線は、半導体チップ１１６上のパッド（図示せず）から半導体装置１００のリード端子１１３まで金線等のワイヤ１１９ａにより電気的に接続することにより構成されている。
【０００６】
また、接地線は、半導体チップ１１６上のパッド（図示せず）からスラグ１１４まで金線等のワイヤ１１９ｂにより電気的に接続することにより構成されている。そして、半導体装置１００は、半導体チップ１１６を保護するためにパッケージ樹脂部１１２で封止された構造となっている。
【０００７】
パッケージ樹脂部１１２の裏面中央に配置されているスラグ１１４は、接地端子であるとともに、半導体チップ１１６の自己発熱による熱を放熱するための放熱板を兼ねている。このような構造としている理由は、（１）半導体チップ１１６からの放熱性をよくするため、（２）グランドインダクタンスを低減するためである。いずれも半導体チップ１１６の特性劣化を防ぐことが目的であり、そのために、半導体チップ１１６から半導体装置１００が実装される回路基板までの接地電極の長さを最小限短くし、かつ、接地電極の面積が最大限大きくなるように構成されている。
【０００８】
また、図１１は、小型化に伴う最近の傾向としてリードレス化された半導体装置の一例であるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の概略図である。図１１（ａ）は、リードレス化された半導体装置の断面、図１１（ｂ）は、リードレス化された半導体装置の裏面を示したものである。
【０００９】
半導体チップ１１６は、配線を有した基板１２０（例えば、セラミック基板やポリイミド基板）の上に搭載されており、半導体チップ１１６上のパッド（図示せず）と基板１２０上の配線１２３はワイヤ１１９によって接続されている。また、基板１２０上の配線１２３と外部接続端子１２１（ランドやハンダボール）との接続は基板１２０を貫通するスルーホール１２２を介して電気的に接続されている。パッケージサイズが小さいことから外部接続端子１２１はアレイ状や千鳥状に配設されており、外部接続端子１２１間のピッチは狭くなっている。
【００１０】
従来、半導体装置１００の特性測定を行う場合、半導体装置１００のリード端子１１３と回路基板との電気的接続をとるための電気的接続治具（コンタクタ）としては、一般的なＩＣソケット（図示せず）に使用されている、図１２（ａ）（ｂ）に示すＵ字型コンタクタ１１５や「ポゴピン」と呼ばれるスプリングプローブピン１１７が使用されている。
【００１１】
しかしながら、Ｕ字型コンタクタ１１５やスプリングプローブピン１１７を使用すると、電気的接続治具（コンタクタ）とリード端子１１３との接触面積が小さく、また、リード端子１１３から回路基板までの信号経路が細く、かつ、長くなってしまうため、寄生インダクタンスが非常に大きくなる。このため、およそ１００ＭＨｚを超える帯域での特性測定には、Ｕ字型コンタクタ１１５やスプリングプローブピン１１７を使用することができない。上述した携帯電話やワイヤレスＬＡＮ用の高周波半導体装置は、１ＧＨｚを超える帯域で使用されるものであるため、Ｕ字型コンタクタ１１５やスプリングプローブピン１１７を使用することができないので、１ＧＨｚを超える帯域でも使用可能な特性測定装置が提案されている。
【００１２】
その一例は、特開平５−１７４８８０に示されている特性測定装置であり、Ｓ字型をした小型の電気的接続治具（コンタクタ）をハウジング本体に弾性要素２本にて保持し、これを多数並べた構造をとっている。この構造は、電気的接続治具（コンタクタ）の信号経路を太く、短くすることによって寄生インダクタンスを低減し、高周波性能を向上させたものである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平５−１７４８８０に示されている特性測定装置には以下のような問題点がある。
【００１４】
この特性測定装置では、弾性要素にて保持されたＳ字型コンタクタ（電気的接続治具）が半導体装置１００のリード端子１１３に下から押し付けられて、Ｓ字型コンタクタのＳ字上端部とリード端子１１３とが接触状態となったとき、弾性要素が変形することにより、弾性変形の反力によって一定の接触圧を得るとともに、Ｓ字型コンタクタの該上端部は、リード端子１１３上を摺動して良好な電気的接続を得ることができる（ワイピング効果）。
【００１５】
一方、Ｓ字型コンタクタのＳ字下端部は、配線基板（通常プリント基板）の接続端子の表面上を摺動するため、接続端子の表面はわずかに削られることになる。半導体装置の特性評価のために、配線基板の接続端子は繰り返し使用されることから、配線基板の接続端子の摩耗によって、導通不良を起こす問題点がある。
【００１６】
また、上記のＳ字型コンタクタを図１０に示すような形状の高周波半導体装置の特性評価に使用した場合、特に、ローインダクタンスと放熱性を要求されるスラグ１１４に対する接触面積を十分なものとすることができない。
なぜなら、スラグ１１４に対し接点を形成するとき、Ｓ字型コンタクタ１個当たりの接触面積が小さいからであり、また、たとえＳ字型コンタクタを複数使用したとしても、Ｓ字型コンタクタを配置するスペースに限りがあるため、使用個数もまた制限されるからである。
このため、スラグ１１４に対するＳ字型コンタクタの接触面積を十分大きくできないので、寄生インダクタンスを十分に下げることができず、また放熱性も悪い。さらに、半導体装置がパワーアンプ等の発熱量の大きい半導体装置である場合、熱がＳ字型コンタクタに伝わるためこれを保持している弾性要素が高温となり、その結果、弾性要素の劣化が早まり、特性測定装置の寿命が短くなるという問題点がある。
【００１７】
本発明は、上述の問題点を解決するものであり、配線基板の接続端子を摩耗させることなく、半導体装置の端子と配線基板の端子とを接続する導電性配線を太く短くできる電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置は次の構成を有する。
【００１９】
・本発明の電気的接続治具は、半導体装置と配線基板との電気的接続を行う電気的接続治具であって、該電気的接続治具は、絶縁性フィルムと板ばね状に形成された導電性配線とを有しており、該導電性配線は、絶縁性フィルムに接着固定され配線基板上の所定の配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固定される固定部と、半導体装置の接続端子と接触して電気的に接続を行う可動部とを有し、該絶縁性フィルムは、該導電性配線が接着固定される四角形の棒状部と、該棒状部から張り出した張り出し部とを備え、該張り出し部には、この電気的接続治具を該配線基板へ取り付けるためのネジ穴が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の構成によれば、電気的接続治具の該導電性配線の固定部は、配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固定されているので、導電性配線と配線基板とが摺動することがない。すなわち、半導体装置と配線基板との電気的接続を、電気的接続治具を介して行う際に、電気的接続治具が配線パターンに対し摺動することがない。したがって、配線パターンに形成された接続端子が摩耗しない。
【００２１】
これにより、半導体装置と配線基板との電気的接続を長期にわたり安定化させることができるので、量産のテスト工程に非常に適した構造の電気的接続治具を提供することができる。
また、電気的接続治具の該導電性配線を板ばね状に形成したことにより、特開平５−１７４８８０に示されたＳ字型コンタクタを複数並べて導電性配線を太くする代わりに、板ばねの幅を広く取るだけで、簡単に導電性配線を太くすることができる。
しかも、導電性配線自体に弾性要素としての特性を持たせたから、導電性配線を半導体装置に押し付けて電気的接続状態を保つための弾性要素を別部材として設ける必要が無い。したがって、 弾性要素の経時的な熱的劣化の問題が発生せず、さらに、電気的接続治具の構造が簡単になる分、導電性配線の長さを必要最小限の最短に設計することも容易となる。
【００２２】
これにより、半導体装置と配線基板までの信号経路を太くかつ短くすることができるので、特に高周波特性に悪影響を与える対接地側の電気的接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【００２３】
なお、板ばね状に形成された導電性配線の可動部が、半導体装置の接続端子と接触するようになっているので、導電性配線に半導体装置を押し付けた際、導電性配線のばね性によって、可動部は接続端子に対し、電気的接続の良好な位置まで摺動するワイピング効果を得ることもできる。
【００２４】
・本発明の電気的接続治具の導電性配線の可動部は前記棒状部内に形成された開口部の中心に向かって上方にせり上がっていることを特徴とする。
【００２５】
これにより、導電性配線の自由端は、導電性配線の可動部として、半導体装置のスラグ、あるいは、リード端子と接触し、電気的に接続し得る。
【００２６】
・本発明の電気的接続治具の前記導電性配線は、絶縁性フィルムを介して多層化されるとともに、下層の導電性配線ほど配線が長いことを特徴とする。
本発明の構成によれば、絶縁性フィルムを介して前記導電性配線を多層化し、かつ、下層の導電性配線ほど長くすることにより、下層の導電性配線ほど半導体装置に形成された複数の接続端子の内、遠い位置の接続端子に接触することができる。また、下層の導電性配線は、上層の導電性配線の下から露出することができる。これとは逆に、上層の導電性配線ほど長くすると、下層の導電性配線は、上層の導電性配線に隠れてしまい、露出することができない。
すなわち、絶縁性フィルムを介して導電性配線を多層化し、下層の導電性配線ほど長くすると、半導体装置に接触できる導電性配線の数を増やすことができ、接続端子の数の多い半導体装置に適応することができる。また、上層の導電性配線と下層の導電性配線とは、絶縁性フィルムが介在する分、高低差を持っているため、互いの短絡を回避することが可能である。
これにより、より多数の接続端子を、より多様なレイアウトで形成した半導体装置に適合した電気的接続治具を提供することができる。
【００２７】
・本発明の電気的接続治具は、接地線として用いる導電性配線と、信号線として用いる導電性配線とを別の層に形成したことを特徴とする。
【００２８】
本発明の構成によれば、前述のように、下層の導電性配線ほど配線を長くしているので、別々の層に形成した接地線用導電性配線と、信号線用導電性配線とは、配線の長さが異なり、半導体装置の異なる位置に形成された接続端子と接続することができる。この結果、接地線用の接続端子および信号線用の接続端子の、それぞれの形成数および形成幅等に合わせて、接地線用導電性配線および信号線用導電性配線を設けることが容易となる。
【００２９】
・本発明の電気的接続治具は、前記絶縁性フィルムを介して対向配置された接地線として用いる導電性配線と信号線として用いる導電性配線とが、マイクロストリップ線路を形成していることを特徴とする。
【００３０】
本発明の構成によれば、マイクロストリップ線路は半導体装置の接続端子近傍に形成される。また、マイクロストリップ線路の性質として、信号線用導電性配線の線幅と絶縁性フィルムの厚さとを調整するだけで、簡単に特性インピーダンスを設定することができる。したがって、半導体装置の接続端子近傍まで、特性インピーダンスを一定値にしてインピーダンス整合を図ることができる。
また、隣接する信号線用導電性配線を同層に多数形成したとしても、マイクロストリップ線路を形成する場合には、信号線用導電性配線から絶縁性フィルムを介して真下の接地線用導電性配線に向かう電気力線が形成されるので、隣接の信号線用導電性配線の電気力線が相互に影響を受けにくくなる。これにより、隣接する信号線用導電性配線間のクロストークを低減することができる。
【００３１】
・本発明の電気的接続治具における接地線として用いる導電性配線は、半導体装置に形成された接地端子の形状に合わせて、幅広に形成されていることを特徴とする。
【００３２】
本発明の構成によれば、半導体装置の接地端子と導電性配線とを太い配線で接続することができる。これにより、電気的接続治具を半導体装置の特性測定装置に用いる場合に、特性測定装置における電気的接続治具の寄生インダクタンスを小さくすることができる。特に、高周波特性に悪影響を与える対接地側のインダクタンスの低減に効果がある。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【００３３】
・本発明の半導体装置の特性測定装置は、半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接続を行い、前記半導体装置の特性測定を行う、半導体装置の特性測定装置であって、該特性測定装置は、少なくとも、電気的接続治具と、前記外部装置と電気的に接続された配線基板と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを搭載する台座と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを台座に固定するハウジングとを有しており、前記電気的接続治具は、上述した構成の電気的接続治具のいずれかであることを特徴とする。
【００３４】
本発明の構成によれば、上述の電気的接続治具を介して、半導体装置と外部装置との信号経路を太くかつ短くすることができる。また、ハウジングにより、電気的接続治具と配線基板とを台座に固定するので、導電性配線と配線基板が摺動することがなく、配線基板の接続端子が摩耗しない。
【００３５】
これにより、半導体装置と配線基板までの信号経路を太くかつ短くすることができるので、電気的接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、半導体装置の特性評価のために、繰り返し使用しても配線基板の接続端子が摩耗しないので長期間使用することができる。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【００３６】
・本発明の半導体装置の特性測定装置における前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可能な開口部が形成されており、前記電気的接続治具の導電性配線の可動部が該開口部内に突出していることを特徴とする。
【００３７】
本発明の構成によれば、ハウジングには開口部が形成され、電気的接続治具の導電性配線の可動部が該開口部内に突出しているので、被測定物である半導体装置を該開口部内に嵌入させることにより、導電性配線の可動部に半導体装置を当接させることができる。したがって、その当接部位に端子が形成された半導体装置であれば、該開口部内に嵌入させることにより、導電性配線を介して配線基板に電気的に接続することができ、特性の測定を行うことができる。
このとき、前記ハウジングの開口部が半導体装置の搭載ガイドとして作用し、特性測定装置に対する半導体装置の装着を確実に行うことができる。これにより、半導体装置の端子と電気的接続治具との電気的接続を良好に行うことができる。
【００３８】
・本発明の半導体装置の特性測定装置における前記台座には接地電極が形成され、前記配線基板には、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続するスルーホールを有していることを特徴とする。
【００３９】
本発明の構成によれば、配線基板を台座に搭載するだけで、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続するための回路を形成することができる。したがって、配線基板に形成する配線パターンの簡素化に寄与する。
また、配線基板を搭載する台座の搭載面を活用して、大面積の接地電極を形成することができるので、安定した接地を取りやすくなる効果、およびスルーホールの形成位置の自由度が増す効果も得られる。
なお、台座自体を導電性材料で形成すれば、台座自体が接地電極となるので、別途、接地電極を形成する手間が不要になるとともに、電気的接続治具の導電性配線、配線基板のスルーホールを介して、半導体装置が発する熱を効率良く台座に逃がすことができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００４１】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１に係る特性測定装置の断面図であり、図１０に示す半導体装置１００の外形形状に適合する形状の特性測定装置の一例である。特性測定装置２０は、電気的接続治具１と、特性の測定対象である半導体装置１００を電気的接続治具１に接触させる押さえノズル１０と、外部端子（例えば同軸アダプター）１１と、外部端子１１を介して外部装置（図示せず）と電気的に接続された配線基板７と、電気的接続治具１のハウジング５と、ハウジング５を押さえとして、電気的接続治具１と配線基板７とを支持固定する台座６とを有している。
【００４２】
台座６は、半導体装置１００の発生する熱を効率よく放熱するとともに、安定した接地状態を確保するため、アルミニウムや真鍮等の電気的及び熱的良導体でできている。
【００４３】
また、外部端子１１が配置された側板１２は、台座６を挟み込むとともに、配線基板７と外部端子１１とを電気的に接続している。
【００４４】
ハウジング５は、例えば樹脂製であり、配線基板７及び電気的接続治具１を接触させた状態で、台座６とともに挟持するようになっている。例えば、ハウジング５と台座６とをネジ止め（図示せず）することにより、電気的接続治具１と配線基板７を台座６に固定するとともに、電気的接続治具１と配線基板７との電気的接続をおこなっている。
【００４５】
押えノズル１０は、図５に示すように、電気的接続治具１上に装着された半導体装置１００を、電気的接続治具１に対し適度な圧力で押し付けることで、半導体装置１００のスラグ１１４またはリード端子１１３と電気的接続治具１の電気的接続を行うとともに、押えノズル１０の底面に、半導体装置１００のパッケージ樹脂部１１２の形状に合わせて形成された凹部により、半導体装置１００と電気的接続治具１との位置合わせを行う。
【００４６】
図２は本発明の実施形態１に係る特性測定装置の接点構造を説明する図であり、図１０に示した半導体装置１００の外形形状に適合する形状の電気的接続治具１の一例を示している。また、図２（ａ）は電気的接続治具の上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ’断面図である。
【００４７】
電気的接続治具１は、図２（ｂ）に示すようにスラグ用コンタクタ１ａ（接地線として用いる導電性配線）、下層ベースフィルム２ａ（絶縁性フィルム）、リード端子用コンタクタ１ｂ（信号線として用いる導電性配線）、上層ベースフィルム２ｂ（絶縁性フィルム）から構成される４層構造となっている。
【００４８】
各ベースフィルム２ａ、２ｂは同一形状であり、スラグ用コンタクタ１ａ及びリード端子用コンタクタ１ｂの取り付け部として、四角形の棒状部ＢＦ１と、後述するネジ穴３及び位置決め穴４の形成部として、該棒状部ＢＦ１の四隅の各々から外側へ張り出した張り出し部ＢＦ２とを備えている。
【００４９】
電気的接続治具１の１層目には、半導体装置１００のスラグ１１４と接触する屈曲した板ばね状のスラグ用コンタクタ１ａが配置されている。スラグ用コンタクタ１ａは、ばねとしての特性と電気的特性の観点から、燐青銅やベリリウム銅の表面に金めっきを施したものが適している。スラグ用コンタクタ１ａの一端は、下層ベースフィルム２ａの棒状部ＢＦ１の裏面に接着固定され、後述のように配線基板７に対して固定される固定部となる一方、自由端としての他端は、棒状部ＢＦ１内に形成された開口部の中心に向かって、やや上方にせり上がっている。これにより、スラグ用コンタクタ１ａの自由端は、導電性配線の可動部として、半導体装置１００のスラグ１１４と接触し、電気的に接続し得る構成となっている。
【００５０】
なお、スラグ１１４との接触面積を大きくして、放熱特性の向上とローインダクタンス化を図るために、スラグ用コンタクタ１ａは、半導体装置１００のリード端子１１３に接触しない範囲で、できる限り幅広に形成され、さらに、２枚のスラグ用コンタクタ１ａが、上記開口部の中心付近で向かい合わせとなるように、棒状部ＢＦ１に取り付けられている。ただし、スラグ用コンタクタ１ａの枚数は２枚に限定されるものではなく、リード端子用コンタクタ１ｂと接触しないスペースの範囲内で、３枚以上の複数枚を棒状部ＢＦ１に取り付けても良い。
【００５１】
このように、接地線としてのスラグ用コンタクタ１ａを、板ばね状に形成することにより、スラグ１１４の幅に合わせて、板ばねの幅を決めることが容易であり、リード端子１１３に接触しない範囲であれば、スラグ１１４の幅以上にスラグ用コンタクタ１ａを幅広にすることもでき、放熱特性の向上とローインダクタンス化とを充分に図ることを第１として、電気的接続治具１を設計することができる。
【００５２】
２層目は、絶縁性であり、撓みに強いポリイミド等でできている下層ベースフィルム２ａが配置されており、スラグ用コンタクタ１ａとリード端子用コンタクタ１ｂとを分離する構造となっている。
【００５３】
３層目には、半導体装置１００のリード端子１１３のそれぞれに対応する複数本のリード端子用コンタクタ１ｂが配置されており、下層ベースフィルム２ａ及び上層ベースフィルム２ｂの各棒状部ＢＦ１間に接着固定され、後述のように配線基板７に対して固定される固定部となる。一方、リード端子用コンタクタ１ｂの自由端は、上記開口部の中心に向かってやや上方にせり上がっている。これにより、リード端子コンタクタ１ｂの自由端は、導電性配線の可動部として、スラグ用コンタクタ１ａの上方で半導体装置１００のリード端子１１３と接触し、電気的に接続し得る構成となっている。
また、リード端子用コンタクタ１ｂの配線基板７側の他端は、上記棒状部ＢＦ１の外縁から外方へ突出し、該他端の下面は、１層目のスラグ用コンタクタ１ａの下面と同一平面になるように、折り曲げ加工がなされた屈曲部１ｂ１となっている。
【００５４】
４層目は、絶縁性であり、撓みに強いポリイミド等でできている上層ベースフィルム２ｂが配置されており、リード端子用コンタクタ１ｂの中央の平坦部に上記棒状部ＢＦ１が配されて接着固定されている。
【００５５】
なお、スラグ用コンタクタ１ａの長さは、リード端子用コンタクタ１ｂの長さより長く設定されている。この長さの関係と、リード端子用コンタクタ１ｂが下層ベースフィルム２ａによってスラグ用コンタクタ１ａから隔てられ、別々の層として高低差を持っていることとによって、スラグ用コンタクタ１ａおよびリード端子用コンタクタ１ｂが、互いに短絡することなく、開口部の中心に向かって突出できるようになっている。
ここで、スラグ用コンタクタ１ａのスラグ１１４との接触面と、リード端子用コンタクタ１ｂのリード端子１１３との接触面とは、ほぼ同一の高さに形成されている。これは、図１０（ｂ）に示すように、リード端子１１３の下面とスラグ１１４の下面とがほぼ同一面に揃っていることに合わせるためである。このとき、半導体装置１００がハウジング５内に装着され、押えノズル１０で押さえられた状態で、スラグ用コンタクタ１ａとリード端子用コンタクタ１ｂのばね特性を得るために、接触面の高さは上層ベースフィルム２ｂの上面の高さより、高い位置に形成されていることが望ましい。
また、電気的接続治具１の上層に位置するリード端子用コンタクタ１ｂより、下層に位置するスラグ用コンタクタ１ａを長く形成したことにより、スラグ用コンタクタ１ａは、リード端子用コンタクタ１ｂと比べて半導体装置１００の中心部近くまで届くことができる。つまり、スラグ用コンタクタ１ａおよびリード端子用コンタクタ１ｂと、半導体装置１００とが接触する位置を異ならせることができる。
このように、導電性配線を絶縁性フィルムを介して多層化した積層構造とした場合、下層の導電性配線ほど、長く形成することによって、半導体装置１００の底面に形成されたより多くの端子と接触することが可能になり、半導体装置１００の多様な端子レイアウトに対応しやすくなる。
【００５６】
また、上層ベースフィルム２ｂと下層ベースフィルム２ａの張り出し部ＢＦ２には、配線基板７およびハウジング５への取り付け用のネジ穴３と、ハウジング５側に設けられた位置決めピン（図示せず）に適合する位置決め穴４が設けられている。
【００５７】
図３は本発明の実施形態１に係る特性測定装置の配線基板７の上面図（電気的接続治具１を搭載する面）である。
【００５８】
配線基板７（例えばプリント基板）は台座６の上に搭載され、半導体装置１００に接触する面（上面）には配線パターンとしてメタライズ面８ａ、接続端子８ｂ、メタライズ配線８ｄを有している。また、台座６に接触する面（裏面）には、安定した接地状態を確保するため、全面メタライズ面８ｃ（図４参照）が形成され、台座６に固定されている。
【００５９】
一方、配線基板７の半導体装置１００が搭載される面であって、上記棒状部ＢＦ１の内周縁より若干外側に広い領域には、スラグ用コンタクタ１ａを接地電位に保つために上記メタライズ面８ａが配設されている。さらにメタライズ面８ａと配線基板７の裏面の全面メタライズ面８ｃとは、スルーホール９（図１、４、５参照）により接続されている。すなわち、メタライズ面８ａは台座６と電気的に接続しており、接地されている。
また、電気的接続治具１のリード端子用コンタクタ１ｂの上記屈曲部１ｂ１に接触するように接続端子８ｂ（半導体装置１００に対する信号入力用及び電源供給用）が配設されている。すなわち、接続端子８ｂは、略四角状のメタライズ面８ａの周囲を取り囲むように、メタライズ面８ａからやや離れた位置に、リード端子用コンタクタ１ｂと同数配設されている。接続端子８ｂからはメタライズ配線８ｄを介して入力側及び出力側の外部端子（同軸アダプター）１１に接続されている。
【００６０】
図４は本発明の実施形態１に係る特性測定装置の測定待機状態を示す断面図である。
電気的接続治具１と回路基板７は、ハウジング５と台座６に挟み込まれており、ハウジング５と台座６とは、電気的接続治具１に形成された前記ネジ穴３を通してネジ止めされている（図示せず）。これにより、電気的接続治具１のスラグ用コンタクタ１ａは回路基板７のメタライズ面８ａ、スルーホール９、回路基板７の裏面の全面メタライズ面８ｃを介して台座６と電気的に接続し、接地されている。同様に、電気的接続治具１のリード端子用コンタクタ１ｂは回路基板７の接続端子８ｂ、メタライズ配線８ｄを介して入力側及び出力側の外部端子（同軸アダプター）１１に接続されている。この状態が測定待機状態である。
【００６１】
次に、図５は本発明の実施形態１に係る特性測定装置に半導体装置１００を装着した状態を示す断面図である。
【００６２】
特性測定対象である半導体装置１００は、押えノズル１０の凹部により位置決めされつつ、下方に適度な圧力で押しつけられる。半導体装置１００は、スラグ１１４とスラグ用コンタクタ１ａとが接触し、リード端子１１３とリード端子用コンタクタ１ｂとが接触した位置から、さらに０．１〜０．３ｍｍ程度下方に、押し付けられた位置で保持される。
【００６３】
このとき、スラグ用コンタクタ１ａとリード端子用コンタクタ１ｂは、可動部としての自由端がそれぞれ下方に押されることにより板ばね状にたわみ、それぞれがスラグ１１４とリード端子１１３の表面を摺動することにより、いわゆる「ワイピング効果」で良好な電気的接続状態を得ることができる。
【００６４】
一方、電気的接続治具１と配線基板７とは、スラグ用コンタクタ１ａの固定部が配線基板７のメタライズ面８ａに固定されるとともに、リード端子用コンタクタ１ｂの固定部である屈曲部１ｂ１が配線基板７の接続端子８ｂに固定された状態で、ハウジング５と台座６とにより固定されているので、半導体装置１００を脱着する際に、全く可動しない。このため、配線基板７のメタライズ面８ａと接続端子８ｂは摩耗することがないので、電気的接続治具１と常に良好な電気的接続状態を得ることができる。
【００６５】
また、電気的接続治具１はハウジング５と台座６とに挟み込まれ、ネジ止めされているので、電気的接続治具１の交換が必要となった場合には、容易に交換可能である。
【００６６】
さらに、ハウジング５には、開口部が設けられ、その開口部内壁が押えノズル１０の下降を案内するので、半導体装置１００の位置合わせを容易に行うことができる。
【００６７】
図６は、本発明の実施形態１の特性測定装置を用いて半導体装置の特性評価をしたときに電気的接続治具１に働く電気力線Ｌを説明する図である。
【００６８】
電気的接続治具１は多層構造となっており、スラグ用コンタクタ１ａを接地状態にし、その上層に下層ベースフィルム２ａを介して、リード端子用コンタクタ１ｂを配置し、リード端子用コンタクタ１ｂを信号線としているので、信号線の電気力線Ｌは、そのほとんどが下方に位置する接地状態のスラグ用コンタクタ１ａに向かってほぼ垂直に達する。このため、隣接する信号線間、すなわちリード端子用コンタクタ１ｂ間において、相互に電気力線Ｌの影響を受けることがなく、その結果としてクロストークを低減することができる。
【００６９】
また、信号線であるリード端子用コンタクタ１ｂの幅と、リード端子用コンタクタ１ｂとスラグ用コンタクタ１ａとの間、またはリード端子用コンタクタ１ｂとメタライズ面８ａとの間にある下層ベースフィルム２ａの厚さを調整することにより、容易にマイクロストリップ線路を形成することができるので、所望の特性インピーダンス値を得ることができる。すなわち、半導体装置１００のリード端子１１３近傍までインピーダンス整合を取って特性評価を行うことができる。
なお、マイクロストリップ線路とは、汎用されているプリント基板やポリイミドフィルム等のシート状誘電体の上下に幅の狭い帯状の導体（ストリップ導体）と幅の広い導体とを配した構造の伝送線路のことで、数１００ＭＨｚを超える高周波数の信号伝送に適しているとともに、幅の広い導体を接地電極とすることにより、その高周波数の信号伝送のための５０Ω、７５Ω等のインピーダンス整合線路を最も簡易かつ平面的に形成できる利点を持つ。このため、現在では、マイクロストリップ線路は、携帯電話の実装基板やマイクロ波通信機器など、広く工業上用いられている。
また、特性インピーダンスを５０Ωの一定値にしたマイクロストリップ線路を形成するためには、下層ベースフィルム２ａの誘電率を５、厚みをＴ、リード端子用コンタクタ１ｂの幅をＷとすると、Ｗ／Ｔ＝１．５程度にすれば良い。例えば、下層ベースフィルム２ａの誘電率を５、厚みを２００μｍ、リード端子用コンタクタ１ｂの幅を３００μｍにすれば、５０Ωのマイクロストリップ線路を形成することができる。
【００７０】
なお、下層ベースフィルム２ａまたは上層ベースフィルム２ｂの絶縁性のフィルム上に、スラグ用コンタクタ１ａまたはリード端子用コンタクタ１ｂの導電性配線を形成し、導電性配線の一部を折り曲げ加工することは、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）形成技術と同じであり、既存の技術で製造可能である。
【００７１】
また、本実施形態においては、絶縁性のフィルムである下層ベースフィルム２ａを挟んで、リード端子用コンタクタ１ｂとスラグ用コンタクタ１ａを配設する構成を例に説明を行ったが、特にこれに限定するものではない。信号線を形成した絶縁性のフィルムを更に多層構造とし、リード端子用コンタクタ１ｂを２層以上で形成しても良い。この場合、半導体装置１００のリード端子１１３が多い場合の対応が容易になる。
【００７２】
さらに、リード端子用コンタクタ１ｂを２層以上で形成する場合、異なるリード端子用コンタクタ１ｂを形成した絶縁性フィルム層の層間にスラグ用コンタクタ１ａまたは接地線を形成した絶縁性フィルムを挟み込んでサンドイッチ構造としても良い。
【００７３】
また、本実施形態では、スラグ用コンタクタ１ａはスラグ１１４との接触面積を大きくし、放熱性や低インダクタンス化の効果を大きくするため、幅広の板状の形状としたが、本実施形態で示したリード端子用コンタクタ１ｂのような細長い板状のものを複数使用しても良い。
【００７４】
また、スラグ用コンタクタ１ａを設けずに、多層すべてリード端子用コンタクタ１ｂにしても良い。すなわち、実施形態１では、スラグ用コンタクタ１ａを含む例で説明しているが、半導体装置がスラグ端子を持っていない場合（ＧＮＤがリード端子）には、すべてリード端子用コンタクタ１ｂであっても良い。
【００７５】
（実施形態２）
図９は本発明の実施形態２に係る特性測定装置の接点構造を説明する図であり、図７に示した半導体装置１０１の外形形状に適合する形状の電気的接続治具１の一例を示している。また、図９（ａ）は電気的接続治具の上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＺ−Ｚ’断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＹ−Ｙ’断面図である。
【００７６】
本発明の実施形態２の電気的接続治具１は、前述した実施形態１と比べて、導電性配線が多層化されていない点において異なっている。
【００７７】
図７に示した半導体装置１０１の場合は、リード端子１１３は、半導体装置１０１の四方側面のうち、２つの側面にのみ形成されているので、リード端子１１３が形成されていない、他の２つの側面から半導体装置１０１のスラグ１１４に接続するスラグ用コンタクタ１ａを形成する構成としている。
【００７８】
また、実施形態２では、スラグ用コンタクタ１ａは、スラグ端子１１４と略同じ幅の１枚続きの板ばねを形成しており、スラグ用コンタクタ１ａの両端が上層ベースフィルム２ｂと配線基板７のメタライズ面８ａとの間に挟み込まれる構造となっている。さらに、スラグ用コンタクタ１ａの中央部は、上層ベースフィルム２ｂの開口部の中央において山状に隆起し、板ばねの可動部として作用しながら半導体装置１０１のスラグ端子１１４と電気的に接続する構造となっている。
【００７９】
また、リード端子用コンタクタ１ｂは、その一端は配線基板７の接続端子８ｂに接続されるとともに、その接続箇所の内側では、上層ベースフィルム２ｂと配線基板７の樹脂部との間に挟み込まれて固定され、他端は自由端として、上層ベースフィルム２ｂの開口部の中央の方へせり上がり、半導体装置１０１のリード端子１１３と電気的に接続する構造となっている。
【００８０】
図８は本発明の実施形態２に係る特性測定装置の配線基板７の上面図（電気的接続治具１を搭載する面）である。メタライズ配線８ｄはメタライズ面８ａの４辺のうち、２辺にのみ形成されている点と、メタライズ面８ａがリード端子用コンタクタ１ｂと短絡することのないように、対向するリード端子用コンタクタ１ｂ間の距離より狭い範囲に形成されている点とが、図３に示す実施形態１の場合と異なっている。上述した以外の構成は図３に示す実施形態１の場合と同じである。
なお、実施形態１と同様の大きさでメタライズ面８ａを形成し、リード端子用コンタクタ１ｂとメタライズ面８ａとの間に他のベースフィルムを挟む構造とすることによって、上述したようなマイクロストリップ線路を形成してもよい。
【００８１】
（実施形態３）
図９に示した電気的接続治具１は、図１１に示すリードレス化された半導体装置においても好適である。
【００８２】
すなわち、図１１に示すリードレス化された半導体装置に対して使用する場合には、リード端子用コンタクタ１ｂを外部接続端子１２１に接続し、スラグ用コンタクタ１ａを基板１２０の中央部に接触させる構成とする。
【００８３】
この場合、リード端子用コンタクタ１ｂは外部端子用コンタクタとして、また、スラグ用コンタクタ１ａは放熱用コンタクタとして作用する。つまり、スラグ用コンタクタ１ａを半導体装置の基板１２０の中央部と接触させることにより、半導体装置からの放熱専用経路としてスラグ用コンタクタ１ａを使用することができる。
【００８４】
なお、本発明の特性測定装置は、被測定半導体装置の端子と測定治具上の配線基板との電気的接続を行うための電気的接続装置を含んで構成された測定治具で、
該電気的接続装置は絶縁性フィルムを介して多層に形成された導電性配線層を有し、多層に形成された該導電性配線層の一方は各々該絶縁性フィルム領域から突き出した形状でフォーミングされ該被測定半導体装置の端子と電気的接続するための板ばね状接続端子となり、多層に形成された該導電性配線層の別の一方は各々該測定治具上の配線基板と電気的接続を行うための接続端子を形成しており、該測定治具とは該測定治具上の配線基板と電気的接続を行うための接続端子領域で電気的接続を行いつつ固定されていても良い。
【００８５】
また、本発明の特性測定装置において、配線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は接地線であり、被測定半導体装置の接地端子と電気的接続されている構成としても良い。
【００８６】
また、本発明の特性測定装置において、配線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は面形状をした接地面であり、被測定半導体装置の接地面と電気的に接続されている構成としても良い。
【００８７】
また、本発明の特性測定装置において、板ばね状接続端子は、被測定半導体装置の設置面に合わせた幅広の板ばね形状をもつ構成としても良い。
【００８８】
また、本発明の特性測定装置において、配線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は面形状をした接地面と、この接地面とは絶縁性フィルムを介して別の層に形成された配線とは、絶縁性フィルムを介してマイクロストリップ線路を形成する構成としても良い。
【００８９】
また、本発明の特性測定装置において、絶縁性フィルム上の設置配線もしくは接地配線面は、接地配線もしくは接地配線面と電気的接続する配線基板上の接続端子部領域及び被測定半導体装置搭載領域下部に形成されているスルーホールを介して配線基板の別の面の導電性面と電気的に接続され、かつ、導電性面と測定治具とは電気的に接続されている構成としても良い。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、配線基板の接続端子を摩耗させることなく、半導体装置の端子と配線基板の端子とを接続する導電性配線を太く短くできる。
【００９１】
以下、本発明による効果を請求項毎に記載する。
【００９２】
・本発明の電気的接続治具は、半導体装置と配線基板との電気的接続を行う電気的接続治具であって、該電気的接続治具は、絶縁性フィルムと板ばね状に形成された導電性配線とを有しており、該導電性配線は、絶縁性フィルムに接着固定され配線基板上の所定の配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固定される固定部と、半導体装置の接続端子と接触して電気的に接続を行う可動部とを有し、該絶縁性フィルムは、該導電性配線が接着固定される四角形の棒状部と、該棒状部から張り出した張り出し部とを備え、該張り出し部には、この電気的接続治具を該配線基板へ取り付けるためのネジ穴が形成されていることを特徴とする。
【００９３】
本発明の構成によれば、半導体装置と配線基板との電気的接続を、電気的接続治具を介して行う際に、電気的接続治具が配線パターンに対し摺動することがない。したがって、配線パターンに形成された接続端子が摩耗しない。
これにより、半導体装置と配線基板との電気的接続を長期にわたり安定化させることができるので、量産のテスト工程に非常に適した構造の電気的接続治具を提供することができる。
また、電気的接続治具の該導電性配線を板ばね状に形成したことにより、板ばねの幅を広く取るだけで、簡単に導電性配線を太くすることができる。
しかも、導電性配線自体に弾性要素としての特性を持たせたから、導電性配線を半導体装置に押し付けて電気的接続状態を保つための弾性要素を別部材として設ける必要が無い。したがって、 弾性要素の経時的な熱的劣化の問題が発生せず、さらに、電気的接続治具の構造が簡単になる分、導電性配線の長さを必要最小限の最短に設計することも容易となる。
【００９４】
これにより、半導体装置と配線基板までの信号経路を太くかつ短くすることができるので、特に高周波特性に悪影響を与える対接地側の電気的接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【００９５】
・本発明の電気的接続治具の導電性配線の可動部は、前記棒状部内に形成された開口部の中心に向かって上方にせり上がっていることを特徴とする。
【００９６】
これにより、導電性配線の自由端は、導電性配線の可動部として、半導体装置のスラグ、あるいは、リード端子と接触し、電気的に接続し得る。
【００９７】
・本発明の電気的接続治具の前記導電性配線は、絶縁性フィルムを介して多層化されるとともに、下層の導電性配線ほど配線が長いことを特徴とする。
本発明の構成によれば、絶縁性フィルムを介して前記導電性配線を多層化し、かつ、下層の導電性配線ほど導電性配線を長くすることにより、下層の導電性配線ほど半導体装置に形成された複数の接続端子の内、遠い位置の接続端子に接触することができる。すなわち、絶縁性フィルムを介して導電性配線を多層化し、下層の導電性配線ほど長くすると、半導体装置に接触できる導電性配線の数を増やすことができ、接続端子の数の多い半導体装置に適応することができる。また、上層の導電性配線と下層の導電性配線とは、絶縁性フィルムが介在する分、高低差を持っているため、互いの短絡を回避することが可能である。
これにより、より多数の接続端子を、より多様なレイアウトで形成した半導体装置に適合した電気的接続治具を提供することができる。
【００９８】
・本発明の電気的接続治具は、接地線として用いる導電性配線と、信号線として用いる導電性配線とを別の層に形成したことを特徴とする。
【００９９】
本発明の構成によれば、前述のように、下層の導電性配線ほど配線を長くしているので、別々の層に形成した接地線用導電性配線と、信号線用導電性配線とは、配線の長さが異なり、半導体装置の異なる位置に形成された接続端子と接続することができる。この結果、接地線用の接続端子および信号線用の接続端子の、それぞれの形成数および形成幅等に合わせて、接地線用導電性配線および信号線用導電性配線を設けることが容易となる。
【０１００】
・本発明の電気的接続治具は、前記絶縁性フィルムを介して対向配置された接地線として用いる導電性配線と信号線として用いる導電性配線とが、マイクロストリップ線路を形成していることを特徴とする。
【０１０１】
本発明の構成によれば、半導体装置の接続端子近傍まで、特性インピーダンスを一定値にしてインピーダンス整合を図ることができる。
また、マイクロストリップ線路を形成する場合には、信号線用導電性配線から絶縁性フィルムを介して真下の接地線用導電性配線に向かう電気力線が形成されるので、隣接の信号線用導電性配線の電気力線が相互に影響を受けにくくなる。これにより、隣接する信号線用導電性配線間のクロストークを低減することができる。
【０１０２】
・本発明の電気的接続治具における接地線として用いる導電性配線は、半導体装置に形成された接地端子の形状に合わせて、幅広に形成されていることを特徴とする。
【０１０３】
本発明の構成によれば、半導体装置の接地端子と導電性配線とを太い配線で接続することができる。これにより、電気的接続治具を半導体装置の特性測定装置に用いる場合に、特性測定装置における電気的接続治具の寄生インダクタンスを小さくすることができる。特に、高周波特性に悪影響を与える対接地側のインダクタンスの低減に効果がある。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【０１０４】
・本発明の半導体装置の特性測定装置は、半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接続を行い、前記半導体装置の特性測定を行う、半導体装置の特性測定装置であって、該特性測定装置は、少なくとも、電気的接続治具と、前記外部装置と電気的に接続された配線基板と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを搭載する台座と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを台座に固定するハウジングとを有しており、前記電気的接続治具は、上述した構成の電気的接続治具のいずれかであることを特徴とする。
【０１０５】
本発明の構成によれば、上述の電気的接続治具を介して、半導体装置と外部装置との信号経路を太くかつ短くすることができる。また、ハウジングにより、電気的接続治具と配線基板とを台座に固定するので、導電性配線と配線基板が摺動することがなく、配線基板の接続端子が摩耗しない。
【０１０６】
これにより、半導体装置と配線基板までの信号経路を太くかつ短くすることができるので、電気的接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、半導体装置の特性評価のために、繰り返し使用しても配線基板の接続端子が摩耗しないので長期間使用することができる。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うこともできる。
【０１０７】
・本発明の半導体装置の特性測定装置における前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可能な開口部が形成されており、前記電気的接続治具の導電性配線の可動部が該開口部内に突出していることを特徴とする。
【０１０８】
本発明の構成によれば、被測定物である半導体装置を該開口部内に嵌入させることにより、導電性配線の可動部に半導体装置を当接させることができる。したがって、その当接部位に端子が形成された半導体装置であれば、該開口部内に嵌入させることにより、導電性配線を介して配線基板に電気的に接続することができ、特性の測定を行うことができる。
このとき、前記ハウジングの開口部が半導体装置の搭載ガイドとして作用するので、半導体装置の端子と電気的接続治具との電気的接続を良好に行うことができる。
【０１０９】
・本発明の半導体装置の特性測定装置における前記台座には接地電極が形成され、前記配線基板には、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続するスルーホールを有していることを特徴とする。
【０１１０】
本発明の構成によれば、配線基板を台座に搭載するだけで、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続するための回路を形成することができる。したがって、配線基板に形成する配線パターンの簡素化に寄与する。
また、配線基板を搭載する台座の搭載面を活用して、大面積の接地電極を形成することができるので、安定した接地を取りやすくなる効果、およびスルーホールの形成位置の自由度が増す効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態１に係る特性測定装置の断面図である。
【図２】  上記特性測定装置の接点構造を説明する図であり、図２（ａ）は電気的接続治具の上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ’断面図である。
【図３】  上記特性測定装置の配線基板における、電気的接続治具を搭載する面を示す上面図である。
【図４】  上記特性測定装置の測定待機状態を示す要部断面図である。
【図５】  上記特性測定装置に半導体装置を装着した状態を示す要部断面図である。
【図６】  上記特性測定装置を用いて半導体装置の特性評価をした場合に電気的接続治具に働く電気力線を説明する図である。
【図７】  本実施形態２で特性測定対象とした半導体装置の概略図であり、図７（ａ）は裏面図、図７（ｂ）は側面図である。
【図８】  本発明の実施形態２に係る特性測定装置の配線基板における、電気的接続治具を搭載する面を示す上面図である。
【図９】  上記実施形態２に係る特性測定装置の接点構造を説明する図であり、図９（ａ）は電気的接続治具の上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＺ−Ｚ’断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＹ−Ｙ’断面図である。
【図１０】  本実施形態１で特性測定対象とした半導体装置の概略図であり、図１０（ａ）は裏面図、図１０（ｂ）は側面図、図１０（ｃ）はａ−ａ’断面図である。
【図１１】  本実施形態３で特性測定対象としたリードレス化された半導体装置の概略図であり、図１１（ａ）は断面図、図１１（ｂ）は裏面図である。
【図１２】  従来の特性測定装置に使用される電気的接続治具（コンタクタ）の形状を示す図であり、図１２（ａ）はＵ字型コンタクタ、図１２（ｂ）はスプリングプローブピンである。
【符号の説明】
１…電気的接続治具
１ａ…スラグ用コンタクタ、（接地線として用いる導電性配線）
１ｂ…リード端子用コンタクタ、（信号線として用いる導電性配線）
２ａ…下層ベースフィルム（絶縁性フィルム）
２ｂ…上層ベースフィルム（絶縁性フィルム）
５…ハウジング
６…台座
７…配線基板
８ａ…メタライズ面
８ｂ…接続端子（配線パターン）
８ｃ…全面メタライズ面
８ｄ…メタライズ配線（配線パターン）
９…スルーホール
１０…押さえノズル
１１…外部端子（同軸アダプター）
２０…特性測定装置
１００…半導体装置
１０１…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003732437.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003732437.tif 000006
【図６】
0003732437.tif 000007
【図７】
0003732437.tif 000008
【図８】
0003732437.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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