(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザと上記光学素子が実装されたモジュール基部とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記モジュール基部に実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項２】
複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザが実装されたサブマウントと、上記サブマウントと上記光学素子が実装されたモジュール基部とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記モジュール基部に実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項３】
複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザと上記光学素子が実装されたサブマウントとを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記サブマウントに実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項４】
請求項３記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記サブマウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、この凹み面に上記光学素子が実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
二つの半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レーザ間に、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子が配置され、該光学素子の反射面が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置されることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記光学素子の形状が直方体または多角柱であることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項７】
請求項６記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記光学素子の基材が半導体材料であることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項８】
請求項７記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記光学素子の基材が単結晶Ｓｉであることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項９】
請求項８記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面からなることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちの何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振波長を持っており、上記光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
【請求項１１】
光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、
上記光源部として、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールを用いたことを特徴とする集積型光ピックアップ。
【請求項１２】
光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、
請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子（ＰＤ）を用いて形成したことを特徴とする集積型光ピックアップ。
【請求項１３】
請求項１１または１２記載の集積型光ピックアップにおいて、
上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板と共に同一平面上に実装したことを特徴とする集積型光ピックアップ。
【請求項１４】
請求項１１または１２記載の集積型光ピックアップにおいて、
上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板上に実装したことを特徴とする集積型光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＤ（コンパクト・ディスク）系の光ディスクやＤＶＤ（デジタル・バーサタイル・ディスク）系光ディスクなど複数種類の光ディスクの記録・再生が可能な光ディスク記録再生装置で、主としてＤＶＤ、Ｓ−ＤＶＤ等の高密度光ディスクが再生可能な高密度光ディスク装置に応用される集積型光ピックアップ用モジュール及び光ピックアップに関し、特に、複数の半導体レーザと光学素子、及びこれらの半導体レーザや光学素子が実装されるサブマウントからなる集積型光ピックアップ用モジュール、及び前記モジュールと受光素子等を集積して一体化した集積型光ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光記録媒体として、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系の光ディスクや、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、Ｓ−ＤＶＤ等のＤＶＤ系高密度光ディスクなど、さまざまな光ディスクが普及しはじめているが、理想的には１つの記録再生装置で複数種類の光ディスクを記録再生できることが望ましい。しかしながらＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系の光ディスクで使用されている波長７８０ｎｍのレーザ光では、光スポットをＤＶＤ系の光ディスク上のピットの大きさまで絞り込むことができない。一方、ＣＤ−Ｒの光ディスクに用いられる色素はＤＶＤ系で使用されている波長６５０ｎｍのレーザ光では反射せず透過してしまい、読み取りをすることができない。したがって、ＣＤ−Ｒの光ディスクとＤＶＤ系の光ディスクを１つの記録再生装置で記録再生できるようにするためには、波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍの２つの半導体レーザ装置を用いなければならない。
【０００３】
しかしながら，波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍの２つの半導体レーザで光学系を共用するためには、二つの発光点の間隔を出来るだけ近く（好ましくは１００μｍ以下に）しなければならない。これまでに波長６５０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体レーザチップを１つのパッケージ上に水平方向に並べて取り付けた半導体レーザ装置が提案されているが、この構成ではレーザチップ幅やサブマウント幅の影響を受け、２つのレーザチップの発光点位置間隔が３００〜４００μｍと大きくなってしまうため、光ピックアップの光学系を設計するのが非常に難しくなってしまう。また、一つのチップから二つの波長を発振できる半導体レーザや、発光点がチップの端に形成された半導体レーザを並べて用いる方法も提案されているが、その様な特殊な構造の半導体レーザは一般には市販されていないため入手が非常に困難である。そこで通常の構造の半導体レーザを用いて、反射面を利用して擬似的に発光点を近接させる方法が提案されている。例えば、特開平１１−３９６８４号公報には、断面が三角形の形状を有するサブマウントにより、発光点を近接させる方法が開示されている。図１３は特開平１１−３９６８４号公報の図２を引用した図である。この図で断面が三角形の形状を有するサブマウント４５により、半導体レーザ３４，３６からの出力Ｂ１，Ｂ２は近接した反射面３２Ｂ，３２Ｃで折り曲げられるので、発光点を擬似的に近接させることが出来る。
【０００４】
しかしながら、このような構造を実現するためには断面が三角形の形状を有する構造を作製しなければならない。特に４５度の角度を持つ断面が三角形の傾斜面を作ることは容易ではなく、これまで何通りかの作製方法が提案されてはいるが、実際に量産に適用できるほど安定して作製できるわけではなかった。また特開２０００−１１３４８６号に開示されるようにマイクロプリズムを用いて断面が三角形の形状を付加することも可能であるが、サブマウント等の個別部品の寸法精度が高くないため実装が非常に難しくなる上に断面三角形の光学部品が必要なため、コスト的に非常に高価になってしまい、光ピックアップへの搭載が現実的ではなくなってしまう。
この様に従来開示された反射面を利用して発光点を擬似的に近接させる方法では、量産に適した簡便な方法ではなく、しかもそれを低コストに実現することが出来なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、通常の構造の半導体レーザを用いて、複数の半導体レーザの発光点間隔を反射面を利用して擬似的に近接させる方法を、量産に適した簡便な方法でしかも低コストに実現した構成の集積型光ピックアップ用モジュール及びそれを用いた集積型光ピックアップを提供することを課題
（目的）とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、請求項１記載の発明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザと上記光学素子が実装されたモジュール基部とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記モジュール基部に実装されている構造としたものである。
また、請求項２記載の発明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザが実装されたサブマウントと、上記サブマウントと上記光学素子が実装されたモジュール基部とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記モジュール基部に実装されている構造としたものである。
さらに請求項３記載の発明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザと上記光学素子が実装されたサブマウントとを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記サブマウントに実装されている構造としたものである。
さらに請求項４記載の発明においては、請求項３記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記サブマウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、この凹み面に上記光学素子が実装されている構造としたものである。
さらに請求項５記載の発明においては、請求項１〜４の何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レーザ間に、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子が配置され、該光学素子の反射面が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置される構造としたものである。
【０００７】
請求項６記載の発明においては、請求項１〜５の何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の形状が直方体または多角柱となるように構成したものである。
また、請求項７記載の発明においては、請求項６記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材が半導体材料からなる構成としたものである。
さらに請求項８記載の発明においては、請求項７記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材が単結晶Ｓｉ（シリコン）からなる構成としたものである。
さらに請求項９記載の発明においては、請求項８記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面からなる構成としたものである。
さらに請求項１０記載の発明においては、請求項１〜９のうちの何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振波長を持っており、上記光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装されている構成としたものである。
【０００８】
請求項１１記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、上記光源部として、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールを用いた構成としたものである。
また、請求項１２記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子（ＰＤ）を用いて形成した構成としたものである。
さらに請求項１３記載の発明においては、請求項１１または１２記載の集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板と共に同一平面上に実装した構造としたものである。
さらに請求項１４記載の発明においては、請求項１１または１２記載の集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板上に実装した構造としたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成、動作及び作用について詳細に説明する。
半導体レーザから放射されるレーザ光は、発光部の光学的な構造を反映した放射角を持っており、その放射角は半導体レーザのヘテロ接合面と平行な方向と垂直な方向では大きく異なっている。記録再生装置である光ディスクドライブに使用される一般的な屈折率導波構造を持つ半導体レーザでは、ヘテロ接合面と平行な方向でおよそ１０°、垂直な方向ではおよそ２５°ぐらいの偏平な放射角をもつビームとなる。これを模式的に書くと図２の様になり、そのビーム形状は半導体レーザ１のヘテロ接合面２に対して垂直な方向に長い楕円形のパターンとなる。特に近年開発が進められている青色半導体レーザでは、光ピックアップ用としての構造の最適化が進んでいないため、ヘテロ接合面と平行な方向でおよそ５°、垂直な方向ではおよそ３０°ぐらいの極端に偏平な放射角となる。したがって半導体レーザからの光出力を有効に利用するためには、この偏平なビーム形状がすべて反射面に当たるように光学系を設計しなければならない。このように半導体レーザ特有の偏平なビーム形状を考慮したうえで、反射面を利用して擬似的に発光点を近接させる方法を考えてみると、従来提案されていた図３に示すような断面が三角形状の光学素子３を用いる場合には、図３（ａ）の配置の場合の発光点間隔ａよりも、図３（ｂ）に示すように半導体レーザのヘテロ接合面と反射面とのなす角が略直角となる配置の場合の発光点間隔ｂのほうが短いことが判る。そこで、請求項１記載の発明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるように構成している。これにより従来よりも大幅に発光点間隔を小さくすることが可能な光ピックアップ用モジュールを実現することができる。
【００１０】
反射面を利用して擬似的に発光点を近接させる構造を実際に作る場合、半導体レーザから放射される光の光軸が反射面で折れ曲がるため、半導体レーザや光学素子の物理的な配置からその実装精度を直感的に確認することが非常に難しくなってしまう。特に最も重要なパラメーターである発光点間隔が外観からわかりにくいということは、量産を行う上で検査工程に余分な手間と時間がかかってしまい好ましくない。しかしながら、二つの半導体レーザを対向して配置し、この半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で反射面を配置した場合に限り、半導体レーザや光学素子の物理的な配置からその実装精度を直感的に確認することが可能となる。これを図４を用いて具体的に説明する。図４において符号４−１，４−２は対向して配置された半導体レーザを、４−３はそれぞれの半導体レーザに対応した反射面を持つ光学素子を示している。各半導体レーザ４−１，４−２からの出力光の光軸は４−４及び４−５に示すように二つの半導体レーザ４−１，４−２の発光点を結んだ線上を進み、光学素子４−３で直角方向に折り返される。この折り返された光軸の間隔が発光点間隔となるが、このような構成をとると、二つの半導体レーザ４−１，４−２の発光点を結んだ線上に光学素子４−３が重なった長さがそのまま発光点間隔となるので、実装後の外観から容易に発光点間隔を確認することが出来る。そこで請求項５の発明においては、請求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レーザ間に配置された光学素子の反射面が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置される構造としている。これにより半導体レーザや光学素子の物理的な配置からその実装精度を容易に確認することが可能となる。また、このような直角や平行、４５度といった角度で構成された構造は、実装の精度も取り易く、より生産性を上げることが出来る。
【００１１】
ところで、半導体レーザからの光出力は発光層となるヘテロ接合面の上下方向に広がって放射されるので、この出力光を有効に利用するためには、光学素子の実装面よりも半導体レーザのヘテロ接合面が高い位置にこなければならない。そこで請求項２記載の発明においては、上記の構成の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レーザ（５−３）が、それぞれサブマウント（５−２）に実装された構造としている（図１）。これにより、サブマウント（５−２）の厚さ調整等によって光学素子（５−４）に対する半導体レーザ（５−３）の出力光位置を容易に調整することができ、半導体レーザからの出力光を有効に利用することが可能となる。ここで、このサブマウントの厚さは、光学素子の高さ(半導体レーザのヘテロ界面に垂直な方向の長さ)の１／２程度であることが好ましい。これはサブマウントにジャンクションダウンで実装された半導体レーザの出力光が光学素子の中央付近を効果的に利用するためである。
【００１２】
次に上記のように半導体レーザのヘテロ接合面と光学素子の反射面とのなす角が略直角となる配置の場合、複数の半導体レーザ同士は数百μｍ離れて実装されることになるが、擬似的な発光点は１００μｍ以下程度に近接しているので、半導体レーザや光学素子の相対位置に要求される位置精度は±３〜５μｍ以下と非常に高精度である。これはサブマウントやステムの一般的な寸法精度である±５０μｍと比べると一桁以上小さい値であるので、個別の部品を組み合わせて実現するのは非常に困難である。これを実現するためには、半導体レーザ実装面と光学素子実装面を精度良く形成したサブマウント上に、半導体レーザと光学素子を直接実装してモジュールとするほうがよい。そこで、請求項３記載の発明においては、上記の構成の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レーザ（１５−３）と光学素子（１５−４）は、サブマウント（１５−２）に実装された構造としている（図５）。また、この構造を実現する上で、半導体レーザからの光出力は発光層となるヘテロ接合面の上下方向に広がって放射されるので、この出力光を有効に利用するためには、光学素子の実装面よりも半導体レーザのヘテロ接合面が高い位置にこなければならない。そこで請求項４記載の発明においては、請求項３に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、サブマウント（１５−２）は直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、この凹み面に上記光学素子（１５−４）が実装された構造としている（図５）。これにより、サブマウントの厚さ調整等によって光学素子に対する半導体レーザの出力光位置を容易に調整することができ、半導体レーザからの出力光を有効に利用することが可能となる。ここで、このサブマウントの凹みの深さは、光学素子の高さ(半導体レーザのヘテロ界面に垂直な方向の長さ)の１／２程度であることが好ましい。これはサブマウントにジャンクションダウンで実装された半導体レーザの出力光が光学素子の中央付近を効果的に利用するためである。
【００１３】
次に請求項１，２，３，４または５記載の発明にある構造を実際に作る上で、反射面を有する光学素子の形状に要求される条件は、対向した半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度を持つ反射面を有することと、これらの反射面が半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な位置関係になることだけである。対向した半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度を持つということは、反射面同士は直交することになる。また反射面が半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な位置関係になるためには、二つの反射面に直交した面を光学素子に設け、半導体レーザのヘテロ接合面と平行な面に光学素子を実装すればよい。つまり光学素子は3つの直交した面を持つ構造であれば良いことになる。このような条件を満たす構造の中で、最も単純で製作の容易な構造は直方体の構造である。また製造法によっては五角柱等の多角柱の方が製造しやすい場合もある。そこで請求項６記載の発明においては、請求項１，２，３，４または５に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の形状が直方体または多角柱となるようにしている。これにより光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型光ピックアップ用モジュール及びそのモジュールを用いた集積型光ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００１４】
請求項６記載の発明に示した直方体または多角柱の光学素子は、反射面を利用するだけなのでその材質に何らかの制約があるものではないのだが、これを大量に製造するためには半導体プロセス技術を応用するのが望ましい。特に近年の半導体プロセス技術は光の波長オーダーの加工精度を有しており光学素子の加工にも適しているが、この技術は半導体基板に対して最適化されており、他の材料を用いる場合には新たにプロセス開発が必要となってしまう。そこで請求項７記載の発明においては、請求項６に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材を半導体材料としている。これにより光学素子の加工に既存の半導体プロセス技術をそのまま適用することが出来、新たな加工プロセスの開発無しに光学素子を作製することが出来る。
【００１５】
半導体材料の中でも単結晶Ｓｉ（シリコン）は最も加工技術の進んだ材料である。例えばウエハー加工時の研磨精度に関しても、他の基板材料に比べて数分の一の精度が得られている。また近年はマイクロマシン技術と呼ばれる加工技術が発達してきており、高いアスペクト比を持つ構造が容易に加工できるようになっている。そこで請求項８記載の発明においては、請求項７に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材を単結晶Ｓｉとしている。この様に加工技術の最も進んだ単結晶Ｓｉを光学素子の基材に使うことにより、光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型光ピックアップ用モジュール及びそのモジュールを用いた集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００１６】
ここで、特定の面方位を持つ単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチング技術を適用することで、直交した反射面を持つ光学素子を容易に作製することが可能になる。単結晶Ｓｉの（１１１）面は、特定のエッチング液を用いたときに他の面方位より極端にエッチング速度が遅くなるので、選択的に（１１１）面の結晶面を得ることが可能である。例えば（１１０）面の基板を用いて異方性エッチングにより（１１１）面と平行な方向の溝を作ることで、基板表面に垂直な溝を作ることが出来る。この面は原子層オーダーで平坦性を持つため反射鏡の用途には特に適している。そこで請求項９記載の発明においては、請求項８に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の反射面を単結晶Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面で構成されるようにしている。これにより、直交する面を持つ光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型光ピックアップ用モジュール及びそのモジュールを用いた集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００１７】
次に請求項１〜９に記載された構造を異なる発振波長を持った半導体レーザで実現する場合、レンズ等の光学系は二つの波長に対して共通で使用されることになる。通常、レンズ等には分散があるために焦点距離は波長によって異なってしまうが、これまではこれを無くすためのいわゆる色消しの設計を行わなければならなかった。しかしながら、請求項１〜９に記載された構造においては、各半導体レーザを光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装するだけでレンズの異なる焦点距離に対応することが可能となる。そこで請求項１０記載の発明においては、請求項１〜９のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振波長を持っており、上記光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装された構成としている。これによりこれまでに必要であったレンズの色消し設計を無理に行わなくてもよくなるので、光学系の設計自由度が増すとともに、安価な光学系を採用することが可能になる。尚、当然のことではあるが、色収差の無い光学系を利用できる場合は、各半導体レーザは光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が等距離に実装されることになる。
【００１８】
請求項１〜１０に記載された集積型光ピックアップ用モジュールは、見かけ上発光点の間隔が非常に狭くなっているので、二つの半導体レーザの光軸を１００μｍ以下にすることが出来る。したがって、このモジュールを用いて集積型光ピックアップを形成すれば、光学系の設計を非常に容易に行うことができる。そこで請求項１１記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、上記光源部として、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールを用いた構成としたものであり、さらに請求項１２記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子（ＰＤ）を用いて形成した構成としたものである。これにより光学系の設計が容易な集積型光ピックアップを実現することが出来る。
【００１９】
従来の集積型光ピックアップにおいては、半導体レーザと受光素子が形成された半導体基板はステムに形成されたヒートシンクの異なる面に実装されていた。このためヒートシンクには高い加工精度が要求されたため、これを低価格で作製するのは難しかった。しかしながら、このような位置、角度の精度を集積型光ピックアップ用モジュール側に持たせることにより、ステムの加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの低価格化が可能となる。そこで請求項１３記載の発明においては、請求項１１または１２に記載された集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板と共に同一平面上に実装した構造としている。これによりステムの加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの低価格化が可能となる。
【００２０】
次世代のＳ−ＤＶＤに対応可能な集積型光ピックアップを実現するためには、現在よりもさらに厳しい実装精度が要求されるが、この場合問題となる一要因として、受光素子が形成された半導体基板の厚さのばらつきが懸念されている。現在最も高い精度が得られているＳｉの８インチ基板においても、その厚さのばらつきは１０μｍ程度となり、光ピックアップの実装精度からみると大きな値となってしまう。しかしながら、これよりもばらつきの少ない高精度な仕様の基板を用いることは、基板の単価が非常に高くなってしまい現実的ではなくなってしまう。そこで請求項１４記載の発明においては、請求項１１または１２に記載された集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板上に実装した構造としている。これにより受光素子が形成された半導体基板の厚さがばらついたとしても、集積型光ピックアップ用モジュールと受光素子の相対的な位置関係に影響を受けることはない。
【００２１】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施例について説明する。
【００２２】
（実施例１）
図１は請求項１，２，５，６，７の発明を適用した集積型光ピックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図であり、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（図１（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなる二つのサブマウント５−２上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ５−３は、光出射面を対向させてモジュール基部５−１上に配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザ５−３のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する光学素子５−４が同じくモジュール基部５−１上に配置されている。図中の符号５−５は二つの半導体レーザ５−３からの出力光を表わしており、この二つの出力光５−５は光学素子５−４により略直角方向に近接して反射されている。本実施例では、光学素子５−４は半導体材料である単結晶ＧａＡｓ基板をへき開して作製しており、その形状は直方体であり、二つの半導体レーザ５−３からの出力光を反射する反射面にはアルミニウム薄膜を蒸着している。
【００２３】
（実施例２）
図５は請求項１，３，４，５，６，７の発明を適用した集積型光ピックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図であり、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（図５（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなるサブマウント１５−２のコの字型をした二つの実装面上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ１５−３は、光出射面を対向させて配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザ１５−３のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する光学素子１５−４がサブマウント１５−２の凹んだ面上に配置されている。図中の符号１５−５は二つの半導体レーザ１５−３からの出力光を表わしており、この二つの出力光１５−５は光学素子１５−４により略直角方向に近接して反射されている。本実施例では、光学素子１５−４は半導体材料である単結晶ＧａＡｓ基板をへき開して作製しており、その形状は直方体であり、二つの半導体レーザ１５−３からの出力光を反射する反射面にはアルミニウム薄膜を蒸着している。尚、本実施例では、半導体レーザ実装面と光学素子実装面を精度良く形成したサブマウント１５−２上に、半導体レーザ１５−３と光学素子１５−４を直接実装してモジュールとしているので、半導体レーザ１５−３と光学素子１５−４の位置合わせを実施例１よりも高精度に行なうことができる。
【００２４】
（実施例３）
図６は請求項１，２，５，６，７，８，９，１０の発明を適用した集積型光ピックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図であり、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（図６（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなる二つのサブマウント６−２，６−６上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ６−３，６−７は、光出射面を対向させてモジュール基部６−１上に配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザ６−３，６−７のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学素子６−４が同じくモジュール基部６−１上に配置されている。ここで、二つの半導体レーザ６−３，６−７は異なる発振波長を有しており、光学素子６−４の反射面から半導体レーザ６−３，６−７までの距離が、発振波長に応じた異なる距離に実装されている。図中の符号６−５は半導体レーザ６−３，６−７からの出力光を表わしており、この二つの出力光６−５は光学素子６−４により略直角方向に近接して反射されている。
【００２５】
本実施例では、直方体形状の光学素子６−４は（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板を異方性エッチング加工して作製しており、図８にその作製プロセスを示す。
図８（ａ）は本プロセスに使用するＳＯＩ基板を示しており、このＳＯＩ基板は、ベースとなるＳｉ基板７−１上に、酸化膜７−２と、（１１０）面のＳＯＩ層７−３が形成されている。この基板のＳＯＩ層７−３に、図８（ｂ）に示すように（１１１）面と平行な溝７−４を異方性エッチングにより形成する。その後、図８（ｃ）に示すように、この溝７−４と直交する方向にダイシングによる溝７−５を形成する。最後に図８（ｄ）に示すように酸化膜７−２をエッチングで除去することにより、Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面を反射面に持つ光学素子６−４が切り離される。尚、実施例１の場合と同様に、光学素子６−４の各反射面にはアルミニウム薄膜が蒸着されている。
【００２６】
（実施例４）
図７は請求項１，３，４，５，６，７，８，９，１０の発明を適用した集積型光ピックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図であり、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（図７（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなるサブマウント１６−２のコの字型をした二つの実装面上に実装された二つの半導体レーザ１６−３，１６−７は、光出射面を対向させて配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザ１６−３，１６−７のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学素子１６−４がサブマウント１６−２の凹んだ面上に配置されている。ここで、二つの半導体レーザ１６−３，１６−７は異なる発振波長を有しており、光学素子１６−４の反射面から半導体レーザ１６−３，１６−７までの距離が、発振波長に応じた異なる距離に実装されている。図中の符号１６−５は半導体レーザ１６−３，１６−７からの出力光を表わしており、この二つの出力光１６−５は光学素子１６−４により略直角方向に近接して反射されている。
本実施例では、直方体形状の光学素子１６−４は（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板を異方性エッチング加工して作製しており、その作製プロセスは図８に示すようなものであり、実施例３の説明と同様である。尚、実施例２の場合と同様に、光学素子１６−４の各反射面にはアルミニウム薄膜が蒸着されている。また、本実施例では、半導体レーザ実装面と光学素子実装面を精度良く形成したサブマウント１６−２上に、半導体レーザ１６−３，１６−７と光学素子１６−４を直接実装してモジュールとしているので、半導体レーザ１６−３，１６−７と光学素子１６−４の位置合わせを実施例３よりも高精度に行なうことができる。
【００２７】
（実施例５）
図９は請求項１１，１２，１３の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例を説明するための図である。図中の符号８−１は実施例１または実施例３に示したような構造の請求項１，２，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピックアップ用モジュールであり、二つのサブマウント８−１−２，８−１−６上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ８−１−３，８−１−７は、光出射面を対向させてモジュール基部８−１−１上に配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学素子８−１−４が同じくモジュール基部８−１−１上に配置されている。また符号８−３は受光素子（ＰＤ）８−４が形成された半導体基板である。
集積型光ピックアップ用モジュール８−１の二つの半導体レーザ８−１−３，８−１−７からの光出力８−１−５は光学素子８−１−４の反射面で略直角方向に反射されて図中の矢印Ａの方向に出力されるが、集積型光ピックアップ用モジュール８−１のモジュール基部８−１−１は、このＡ方向の光出力光軸に垂直な実装面８−５を持ち、この実装面８−５を受光素子８−４が形成された半導体基板８−３と共に同一平面８−２上に実装されている。
尚、図９において、集積型光ピックアップ用モジュール８−１からの光出力方向（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光するための対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光素子８−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系が配設されるが、これらの図示は省略している。
【００２８】
（実施例６）
図１０は請求項１１，１２，１４の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例を説明するための図である。図中の符号９−１は実施例１または実施例３に示したような構造の請求項１，２，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピックアップ用モジュールであり、二つのサブマウント９−１−２，９−１−６上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ９−１−３，９−１−７は、光出射面を対向させてモジュール基部９−１−１上に配置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学素子９−１−４が同じくモジュール基部９−１−１上に配置されている。また符号９−３は受光素子（ＰＤ）９−４が形成された半導体基板である。
集積型光ピックアップ用モジュール９−１の二つの半導体レーザ９−１−３，９−１−７からの光出力９−１−５は光学素子９−１−４の反射面で略直角方向に反射されて図中の矢印Ａの方向に出力されるが、集積型光ピックアップ用モジュール９−１のモジュール基部９−１−１は、このＡ方向の光出力光軸に垂直な実装面９−２を持ち、この実装面９−２を受光素子９−４が形成された半導体基板９−３上に直接実装されている。
尚、図１０において、集積型光ピックアップ用モジュール９−１からの光出力方向（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光するための対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光素子９−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系が配設されるが、これらの図示は省略している。
【００２９】
（実施例７）
図１１は請求項１１，１２，１３の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例を説明するための図である。図中の符号１８−１は実施例２または実施例４に示したような構造の請求項１，３，４，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピックアップ用モジュールであり、１８−３は受光素子（ＰＤ）１８−４が形成された半導体基板である。
このモジュール１８−１の光出力は図中の矢印Ａの方向に出力され、モジュール１８−１は、このＡ方向の光出力光軸に垂直な実装面１８−５で、受光素子１８−４が形成された半導体基板１８−３と共に同一平面１８−２上に実装されている。
尚、図１１において、集積型光ピックアップ用モジュール１８−１からの光出力方向（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光するための対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光素子１８−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系が配設されるが、これらの図示は省略している。
【００３０】
（実施例８）
図１２は請求項１１，１２，１４の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例を説明するための図である。図中の符号１９−１は実施例２または実施例４に示したような構造の請求項１，３，４，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピックアップ用モジュールであり、１９−３は受光素子（ＰＤ）１９−４が形成された半導体基板である。
このモジュール１９−１の光出力は図中の矢印Ａの方向に出力され、モジュール１９−１は、このＡ方向の光出力光軸に垂直な実装面１９−２で、受光素子１９−４が形成された半導体基板１９−３上に直接実装されている。
尚、図１２において、集積型光ピックアップ用モジュール１９−１からの光出力方向（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光するための対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光素子１９−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系が配設されるが、これらの図示は省略している。
【００３１】
以上、実施例に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施例に上げた形状、その他の要素との組合わせなど、ここで示した要件に本発明が限定されるものでは決してない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそぐわない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることが出来る。
また、本発明は光ピックアップに関するものであるが、その動作原理がこの応用のみにとらわれるものではなく、例えば複写機やプリンターの光源等の狭発光点間隔が必要な用途にも容易に応用が可能である。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１記載の発明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子と、上記半導体レーザと上記光学素子が実装されたモジュール基部とを含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるとともに、上記光学素子は上記反射面と直交する面で上記モジュール基部に実装されている構造としたので、これにより従来よりも大幅に発光点間隔を小さくすることが可能な光ピックアップ用モジュールを実現することができる。
【００３３】
また、請求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レーザ間に、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子が配置され、該光学素子の反射面が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置されるように構成することにより（請求項５）、半導体レーザや光学素子の物理的な配置からその実装精度を容易に確認することが可能となる。また、実装の精度も取り易く、より生産性を上げることが出来る。
【００３４】
さらに請求項２記載の発明においては、上記と同様の構成の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レーザがそれぞれサブマウントに実装された構造としているので、これによりサブマウントの厚さ調整等によって光学素子に対する半導体レーザの出力光位置を容易に調整することができ、半導体レーザの出力光を有効に利用することが可能となる。
【００３５】
さらに請求項３記載の発明においては、上記と同様の構成の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レーザと光学素子は、サブマウントに実装されている構造としたので、半導体レーザと光学素子の位置合わせをより高精度に行なうことができる。
また、請求項４記載の発明においては、請求項３記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記サブマウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、この凹み面に該光学素子が実装されている構造としているので、これによりサブマウントの厚さ調整等によって光学素子に対する半導体レーザの出力光位置を容易に調整することができ、半導体レーザの出力光を有効に利用することが可能となる。
【００３６】
さらに請求項６記載の発明においては、請求項１，２，３，４または５に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の形状が直方体または多角柱となるように構成したので、これにより光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型ピックアップ用モジュール及びそれを用いた集積型光ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００３７】
さらに請求項７記載の発明においては、請求項６に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材が半導体材料からなる構成としたので、これにより光学素子の加工に既存の半導体プロセス技術を適用することが出来、新たな加工プロセスの開発無しに光学素子を作製することが出来る。
【００３８】
さらに請求項８記載の発明においては、請求項７に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材が単結晶Ｓｉからなる構成としているので、これにより既存の半導体プロセス技術を用いて光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型ピックアップ用モジュール及びそれを用いた集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００３９】
さらに請求項９記載の発明においては、請求項８に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面からなる構成としているので、これにより直交する面を持つ光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積型ピックアップ用モジュール及びそれを用いた集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。
【００４０】
さらに請求項１０記載の発明においては、請求項１〜９のうちの何れか一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振波長を持っており、上記光学素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装されている構成としているので、これによりこれまでに必要であったレンズの色消し設計を無理に行わなくてもよくなるので、光学系の設計自由度が増し、安価な光学系を採用することが可能になる。
【００４１】
請求項１１記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、上記光源部として、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールを用いた構成としたので、これにより光学系の設計が容易な集積型光ピックアップを実現することが出来る。
【００４２】
請求項１２記載の発明においては、光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップにおいて、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子（ＰＤ）を用いた構成としたので、これにより光学系の設計が容易な集積型光ピックアップを実現することが出来る。
【００４３】
請求項１３記載の発明においては、請求項１１または１２に記載された集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板と共に同一平面上に実装した構造としているので、これによりステムの加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの低価格化が可能となる。
【００４４】
さらに請求項１４記載の発明においては、請求項１１または１２に記載された集積型光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板上に実装した構造としているので、これにより受光素子が形成された半導体基板の厚さがばらついたとしても、集積型光ピックアップ用モジュールと受光素子の相対的な位置関係に影響を受けることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図であり、（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。
【図２】半導体レーザの放射角を説明するための図である。
【図３】請求項１の発明を説明するための図であって、半導体レーザのヘテロ接合面に対する光学素子の反射面の配置と発光点間隔の関係の説明図である。
【図４】請求項２の発明を説明するための図であって、二つの半導体レーザと二つの反射面を有する光学素子の配置の説明図である。
【図５】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュールの別の実施例を説明するための図であり、（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。
【図６】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュールのさらに別の実施例を説明するための図であり、（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。
【図７】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュールのさらに別の実施例を説明するための図であり、（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。
【図８】直方体形状の光学素子の作製プロセスを説明するための工程説明図である。
【図９】本発明に係る集積型光ピックアップの一実施例を説明するための要部斜視図である。
【図１０】本発明に係る集積型光ピックアップの別の実施例を説明するための要部斜視図である。
【図１１】本発明に係る集積型光ピックアップのさらに別の実施例を説明するための要部斜視図である。
【図１２】本発明に係る集積型光ピックアップのさらに別の実施例を説明するための要部斜視図である。
【図１３】従来技術の一例を示す異波長光源モジュールの構成説明図である。
【符号の説明】
１，４−１，４−２，５−３，６−３，６−７，８−１−３，８−１−７，９−１−３，９−１−７，１５−３，１６−３，１６−７：半導体レーザ
２：ヘテロ接合面
３，４−３，５−４，６−４，８−１−４，９−１−４，１５−４，１６−４：光学素子
４−４，４−５，５−５，６−５，８−１−５，９−１−５，１５−５，１６−５：半導体レーザからの出力光
５−１，６−１，８−１−１，９−１−１：モジュール基部
５−２，６−２，６−６，８−１−２，８−１−６，９−１−２，９−１−６，１５−２，１６−２：サブマウント
７−１：ベースとなるＳｉ基板
７−２：酸化膜
７−３：（１１０）面のＳＯＩ層
７−４：（１１１）面と平行な溝
７−５：ダイシングによる溝
８−１，９−１，１８−１，１９−１：集積型光ピックアップ用モジュール
８−２，１８−２：実装面
８−３，９−３，１８−３，１９−３：受光素子が形成された半導体基板
８−４，９−４，１８−４，１９−４：受光素子
８−５，９−２，１８−５，１９−２：モジュールの実装面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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