(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非金属基板（１）と、その上に形成された非磁性下地膜（３）、磁性膜（４）および保護膜（５）を基本構成とする磁気記録媒体において、
磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、
非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、
非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる配向調整膜（２）が形成され、
この配向調整膜が、柱状微結晶粒（２ａ）が半径方向に傾いた結晶構造を有し、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性下地膜は、ｂｃｃ構造を有し、かつ配向面が（２００）であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
配向調整膜は、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上からなるものであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
配向調整膜は、Ｃｒを主成分とする合金からなるものであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
配向調整膜は、ＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
配向調整膜は、ＣｒＴａまたはＣｒＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が１５〜７５ａｔ％であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
配向調整膜は、ＮｉＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
配向調整膜は、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
配向調整膜は、Ｃ１５構造を有する非磁性金属からなるものであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
非金属基板と配向調整膜との間に、配向性向上膜（１２）が形成されていることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
配向性向上膜は、Ｂ２構造またはアモルファス構造を有する材料からなるものであることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
配向性向上膜は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成分とするものであることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
非金属基板と、その上に形成された非磁性下地膜、磁性膜および保護膜を基本構成とする磁気記録媒体において、
磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、
非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、
非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させ、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒを１より大きくする配向調整膜が設けられ、
この配向調整膜は、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなり、その表面に酸化膜または窒化膜が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１４】
配向調整膜は、窒素または酸素を１ａｔ％以上含むことを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
請求項２記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出源（２２）から放出させて被付着面（１ａ）に付着させることにより配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道（２６）の被付着面への投影線（２７）が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度（α）が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
配向調整膜に、酸化処理または窒化処理を施すことを特徴とする請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
配向調整膜を形成するにあたって、成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲット（２２）を用いるスパッタ法を採用することを特徴とする請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
配向調整膜を形成するに際し、スパッタ法を採用し、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いることによって酸化処理または窒化処理を行うことを特徴とする請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
酸化処理または窒化処理を、配向調整膜の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることにより行うことを特徴とする請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
請求項２記載の磁気記録媒体を製造する装置であって、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出し被付着面に付着させることにより配向調整膜を形成する放出源と、この放出源から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定手段（２３）とを備え、この方向設定手段は、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することができるようにされていることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項２１】
請求項２記載の磁気記録媒体（７）と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッド（９）とを備えていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気記録媒体用の基板としては、アルミニウム合金等からなる金属基板が多く用いられている。金属基板は、通常、表面にテクスチャ加工が施されて用いられている。
テクスチャ加工は、基板表面に所定方向（通常は円周方向）に沿う凹凸を形成する加工であり、テクスチャ加工を施すことによって、基板上に形成される下地膜、磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁性膜に磁気異方性をもたせ、熱揺らぎ耐性や分解能などの磁気特性を向上させることができる。
ところで、近年では、磁気記録媒体用の基板として、アルミニウム等からなる金属基板に代えて、ガラス、セラミックスなどからなる非金属基板が多く用いられてきている。非金属基板は、硬度が高いためヘッドスラップが生じにくく、しかも表面平滑性が高いためグライドハイト特性の点で有利である。
しかしながら、ガラス基板などの非金属基板には、表面に十分なテクスチャ加工を施すのが難しい問題がある。
【０００３】
このため、ガラス、セラミックスなどからなる非金属基板上に、テクスチャ加工が容易な硬質膜を形成することが提案されている。
例えば特開平５−１９７９４１号公報には、非金属基板表面に、テクスチャ加工が容易な硬質膜であるＮｉＰ膜をスパッタ法により形成した磁気記録媒体が開示されている。
非金属基板表面に硬質膜を設けた磁気記録媒体を製造するには、スパッタ装置などの成膜装置内において基板上に硬質膜を形成した後、基板を一旦成膜装置から搬出し、テクスチャ加工装置を用いてテクスチャ加工を施し、次いで再び成膜装置内に搬入し下地膜や磁性膜の形成を行う方法が採られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の磁気記録媒体では、硬質膜に十分な表面平滑性をもたせることが難しく、磁気異方性の点で劣り、磁気特性が不十分となる不満があった。また製造工程が煩雑であるため製造コストが嵩む不満があり、容易に製造できる磁気記録媒体が要望されていた。
このほか、磁性膜に磁気異方性を与える技術としては、特開平５−１４３９８８号公報に記載された方法がある。この公報に記載された磁気記録媒体の製造方法は、下地層および磁気記録層をスパッタ法で形成するにあたり、スパッタ粒子の入射角を３０〜６５°とする方法である。
しかしながら、この方法によって得られた磁気記録媒体は、非磁性下地膜の優先的な配向面が（１１０）となり、磁性膜の優先的な配向面が（１０１）となるため磁気異方性が不十分となりやすく、磁気特性の点で満足できるものでなかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁気記録媒体、この磁気記録媒体を容易に製造することができる方法および装置、さらには磁気特性に優れた磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成され、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有し、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいことを特徴とする。
非磁性下地膜は、ｂｃｃ構造を有し、かつ配向面が（２００）であることが望ましい。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上からなるものとすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃｒを主成分とする合金からなるものとすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有する構成とすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＣｒＴａまたはＣｒＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が１５〜７５ａｔ％である構成とすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有する構成とすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとすることができる。
配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃ１５構造を有する非磁性金属からなるものとすることができる。
非金属基板と配向調整膜との間には、配向性向上膜を形成することができる。
配向性向上膜は、Ｂ２構造またはアモルファス構造を有する材料からなるものとすることができる。
配向性向上膜は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成分とするものであることが好ましい。
本発明の磁気記録媒体は、非金属基板と、その上に形成された非磁性下地膜、磁性膜および保護膜を基本構成とする磁気記録媒体において、磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させ、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒを１より大きくする配向調整膜が設けられ、この配向調整膜が、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなり、その表面に酸化膜または窒化膜が形成されている構成とすることができる。
本発明では、配向調整膜が、窒素または酸素を１ａｔ％以上含む構成とすることができる。
【０００６】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記磁気記録媒体を製造する方法であって、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出源から放出させて被付着面に付着させることにより配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することを特徴とする。
配向調整膜には、酸化処理または窒化処理を施すのが好ましい。
配向調整膜を形成するにあたっては、成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲットを用いるスパッタ法を採用することができる。
本発明では、配向調整膜を形成するに際して、スパッタ法を採用し、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いることによって酸化処理または窒化処理を行うことができる。
酸化処理または窒化処理は、配向調整膜の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることにより行うことができる。
本発明の磁気記録媒体の製造装置は、前記磁気記録媒体を製造する装置であって、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出し被付着面に付着させることにより配向調整膜を形成する放出源と、この放出源から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することができるようにされていることを特徴とする。
本発明の磁気記録再生装置は、前記磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする。
なお、本明細書中において「配向調整膜」は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させるように構成される。
また、本明細書中において「主成分」とは、その成分の含有率が５０ａｔ％を越えるものをいう。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示す一部断面図で、ここに示す磁気記録媒体は、非金属基板１上に配向調整膜２が形成され、その上に非磁性下地膜３、磁性膜４、保護膜５、潤滑膜６が順次形成されたものである。以下、非金属基板１および配向調整膜２を媒体基板Ｍという。
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す磁気記録媒体の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡大図である。
【０００８】
非金属基板１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなるものが用いられる。特に、耐久性、コストなどの観点からガラス基板を用いるのが好ましい。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスが使用可能であり、アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、それらの繊維強化物などが使用可能である。
【０００９】
配向調整膜２は、直上に形成される非磁性下地膜３の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成される磁性膜４の結晶配向性を調整し、磁性膜４の磁気異方性を向上させるためのものである。
配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させることができるように構成されている。
配向調整膜２の材料としては、非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上を挙げることができる。
【００１０】
配向調整膜２の材料としては、Ｃｒを主成分とする（すなわちＣｒの含有率が５０ａｔ％を越える）合金を用いることもでき、特にＣｒＸ（ＸはＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうち１種または２種以上）系合金を用いるのが好ましい。
ＣｒＸ系合金を用いる場合、Ｘの含有率は、１ａｔ％以上、５０ａｔ％未満とするのが好ましい。これは、Ｘの含有率を上記範囲とすることによって、非磁性下地膜３および磁性膜４の結晶配向性を高め磁気異方性を向上させることができるためである。
配向調整膜２の材料としては、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料であるＣｒＲｕ（Ｒｕの含有率が１〜３０ａｔ％）を用いることもできる。
【００１１】
配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造（空間群（Ｓｐａｃｅ Ｇｒｏｕｐ）表記）またはアモルファス構造を有する構成とするのが好適である。
また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＣｒＴａまたはＣｒＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が１５〜７５ａｔ％である構成とすることもできる。
また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有する構成とすることができる。
配向調整膜２がこれらＣｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＣｒＴａ、ＣｒＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂを主成分とするものである場合において、ＴａまたはＮｂの含有量を上記範囲とするのが好適であるとしたのは、この含有量が低すぎると保磁力が低くなりやすく、含有量が高すぎると磁性膜内の配向性が低下し保磁力が低くなるおそれがあるためである。
【００１２】
また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料、すなわちＴａまたはＮｂを３０ａｔ％以上含有する非磁性合金材料からなるものとすることもできる。
【００１３】
配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとするのが好ましい。
Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属としては、ＣｒＸ系合金のうち、ＣｒＮｂ系（７０Ｃｒ３０Ｎｂなど）、ＣｒＴａ系（６５Ｃｒ３５Ｔａなど）、ＣｒＴｉ系（６４Ｃｒ３６Ｔｉなど）等のＣ１５構造（Ｓｋｒｕｋｔｕｒｂｅｒｃｈｔ  Ｓｙｍｂｏｌ表記）を有する合金が好適である。
配向調整膜２に用いることができるＦｄ３ｍ構造金属としては、このほか、ＣｏＴａ系（６５Ｃｏ３５Ｔａなど）、ＣｏＮｂ系（７０Ｃｏ３０Ｎｂなど）、ＷＨｆ系（６６Ｗ３４Ｈｆ）、ＡｌＹ系（６７Ａｌ３３Ｙなど）等のＣ１５構造を有する合金がある。
また配向調整膜２に用いることができるＦｄ３ｍ構造金属としては、ＣｏＴａ系（比較的Ｃｏ含有率が小さいもの、例えば５０Ｃｏ５０Ｔａなど）、ＦｅＮｂ系（５０Ｆｅ５０Ｎｂなど）等の合金を挙げることができる。
これらＦｄ３ｍ構造を有する材料を用いる場合には、配向調整膜２の形成時に酸化処理または窒化処理（後述）を行うことによってその結晶構造（Ｆｄ３ｍ構造）を整えたものが好ましい。
配向調整膜２は、非磁性下地膜３の結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜３、磁性膜４中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜としても機能する。
【００１４】
配向調整膜２には、窒素または酸素を１ａｔ％以上含有させるのが好ましい。
これは、窒素または酸素を１ａｔ％以上含有させることによって、非磁性下地膜３の結晶を、より正確に（２００）に配向させ、磁性膜４の磁気異方性を高めることができるためである。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂに対して半径方向に傾いた結晶構造を有する。すなわち柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α１（垂直線２ｂに対する柱状微結晶粒２ａ軸方向の傾き）が０°を越え、９０°未満となるようになっている。
柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α１は、１０〜７５°（好ましくは１５〜７５°、さらに好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５°）であることが好ましい。
傾斜角度α１が上記範囲未満である場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。また成膜装置の構成の点から、角度α１を上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。
傾斜角度α１は、１０°以上、３０°未満となる値とすることができる。また６５°を越え、９０°未満となる値とすることもできる。
また配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが周方向にほとんど傾いていないようにするのが好ましい。
【００１６】
配向調整膜２の膜厚は２〜１００ｎｍ（２０〜１０００Å）とするのが望ましい。この膜厚は、上記範囲未満であると磁性膜の磁気異方性が低下し、上記範囲を越えると製造効率が低下する。
【００１７】
非磁性下地膜３は、従来公知の下地膜材料、例えばＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂのうち１種以上、またはこれらに結晶性を損なわない範囲で他の元素を添加した合金からなるものとすることができる。
なかでも特に、ＣｒまたはＣｒ合金（例えばＣｒＴｉ系、ＣｒＷ系、ＣｒＭｏ系、ＣｒＶ系）を用いるのが好適である。
またこの材料としては、Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ）等のＢ２構造を有する材料を用いることもできる。
また非磁性下地膜３は厚さ方向に均一な単層構造としてもよいし、２種類以上の層を複数積層させた多層構造としてもよい。
非磁性下地膜３の厚さは、１〜１００ｎｍ（１０〜１０００Å）、好ましくは２〜５０ｎｍ（２０〜５００Å）とするのが望ましい。
【００１８】
非磁性下地膜３は、ｂｃｃ構造を有する。
非磁性下地膜３は、配向面（非磁性下地膜３の表面における支配的な結晶面）を（２００）とすると、磁性膜４の磁気異方性を高めることができるため好ましい。
また非磁性下地膜３の材料としてＣｒを用いた場合には、非磁性下地膜３の格子定数と磁性膜４の格子定数との差が大きくなるため、非磁性下地膜３と磁性膜４との間にＣｒＸ'（Ｘ'はＭｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗのうち１種以上）からなる中間膜を設け、格子の整合性の向上を図るのが好ましい。
【００１９】
磁性膜４は、ｈｃｐ構造を有し、かつ配向面が（１１０）とされている。
磁性膜４は、この構成によって、高い磁気異方性を得ることができる。
【００２０】
磁性膜４には、Ｃｏを含む材料を用いるのが好ましい。この材料としては、例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｉ、ＦｅおよびＭｏのうち１種以上を、Ｃｏに加えたＣｏ合金を用いることができる。
上記材料の好適な具体例としては、ＣｏＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＷ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＢＺｒ系、ＣｏＮｉＴａ系、ＣｏＮｉＴａＣｒ系、ＣｏＣｒＴａ系等が利用できる。
また、Ａｇ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃ等の非磁性金属、この非磁性金属の化合物、酸化物（ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3等）、窒化物（Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等）、フッ化物（ＣａＦ等）、炭化物（ＴｉＣ等）などの非磁性母材中に磁性粒が分散したグラニュラー膜を採用することもできる。
【００２１】
磁性膜４に、Ｂを含むＣｏ合金（例えばＣｏＣｒＢ系合金、好ましくはＣｏＣｒＰｔＢ系合金）を用いる場合には、Ｃｏ合金中のＢの含有率は、１〜１０ａｔ％（好ましくは２〜７ａｔ％、さらに好ましくは２．５〜６ａｔ％）とするのが好ましい。Ｂの含有率が上記範囲未満であると、保磁力が低くなることに加え、磁性結晶粒が大きくなりノイズが増大する。またこの含有率が上記範囲を越えると、磁性膜内の配向性が低下し保磁力が低くなるおそれがある。
Ｃｏ合金中のＣｒ含有率は、４０ａｔ％以下（好ましくは５〜３５ａｔ％、さらに好ましくは１０〜２５ａｔ％）とするのが好ましい。
Ｃｏ合金中のＰｔの含有率は、１〜３０ａｔ％（好ましくは３〜２７ａｔ％、さらに好ましくは６〜２５ａｔ％）とするのが好ましい。
磁性膜４は単層構造としてもよいし、２種類以上の層を複数積層させた多層構造としてもよい。
磁性膜４の厚さは、５〜３０ｎｍ（５０〜３００Å）とすることができる。
【００２２】
保護膜５の材料としては、従来公知のものを使用してよく、例えばカーボン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム等の単一成分またはこれらを主成分とする材料を使用することができる。
保護膜５の厚さは、２〜１０ｎｍ（２０〜１００Å）とするのが好ましい。
【００２３】
潤滑膜６は、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤などからなるものとすることができる。
【００２４】
上記構成の磁気記録媒体は、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくなる（好ましくは１．１以上、さらに好ましくは１．２以上となる）。
この比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが上記範囲未満であると、磁気記録媒体の磁気異方性が不足し、熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなどの磁気特性が不十分となる。
【００２５】
次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明する。
図２は、本発明の磁気記録媒体の製造装置の一実施形態を示すものである。
ここに示すスパッタ装置２１は、非金属基板１上に配向調整膜２を形成するためのもので、成膜粒子を放出する放出源であるスパッタリングターゲット２２と、このスパッタリングターゲット２２から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定手段である遮蔽板２３とをチャンバ２８内に備えている。
符号２９はスパッタガス等をチャンバ２８内に導入する導入経路であり、符号３０はチャンバ２８内のスパッタガス等を系外に導出する導出経路である。
【００２６】
スパッタリングターゲット２２は、上記配向調整膜２の構成材料からなるものであり、円板状に形成されている。
遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット２２から放出された成膜粒子のうち、目的とする方向以外の方向に放出された成膜粒子を遮ることにより成膜粒子の方向を定めるためのもので、円板状に形成され、ほぼ中央部に、円形の成膜粒子通過口２４が形成されている。
遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット２２に対しほぼ平行に、スパッタリングターゲット２２に対して所定の間隔をおいて設置されている。
遮蔽板２３は、その軸線２３ａがスパッタリングターゲット２２の軸線２２ａに対しほぼ一致するように設置されている。
また成膜粒子の入射角度の精度を高めるためには、遮蔽板２３を可能な限り薄く形成するのが好ましい。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非金属基板１を用いる場合には、遮蔽板２３の厚さは１．５〜５ｍｍ（好ましくは２〜４ｍｍ）とするのが好ましい。
遮蔽板２３には、耐熱性に優れ、不純物発生が少ない材料である金属材料（例えばステンレス、アルミニウム合金）を用いるのが好ましく、特に、付着した成膜粒子を除去する作業が容易であり、しかも安価であることからアルミニウム合金を用いるのが好ましい。
【００２７】
成膜粒子通過口２４の内径は、放出された成膜粒子が非金属基板１の表面１ａの配向調整膜形成領域１ｂに付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対する入射角度αが１０〜７５°となるように設定されている。
この入射角度αとは、非金属基板１に対し垂直な線１ｃに対する角度をいう。
成膜粒子通過口２４の内径は、成膜効率を低下させない範囲で小さくするのが好ましい。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非金属基板１を用いる場合には、成膜粒子通過口２４の内径は２０ｍｍ以下（好ましくは１５ｍｍ以下、さらに好ましくは７ｍｍ以下）とするのが好ましい。
【００２８】
このスパッタ装置２１を用いて配向調整膜２を形成するには、非金属基板１をチャンバ２８内に搬入し、遮蔽板２３のスパッタリングターゲット２２側に対し反対側（図中左側）に非金属基板１を配置する。この際、非金属基板１はスパッタリングターゲット２２、遮蔽板２３に対しほぼ平行に配置する。
【００２９】
次いで、アルゴンなどのスパッタガスを導入経路２９を通してチャンバ２８内に導入するとともに、スパッタリングターゲット２２に給電し、成膜粒子をスパッタ法により放出させる。
この際、スパッタリングターゲット２２の中央部からやや離れた位置の成膜粒子放出箇所２５、２５から放出された成膜粒子のうち、遮蔽板２３中央部に向かったものは、成膜粒子通過口２４を通過し、それ以外のものは遮蔽板２３に遮られる。
【００３０】
図２および図３に示すように、成膜粒子通過口２４を通過した成膜粒子は、ターゲット２２の中央部からやや離れた位置の放出箇所２５から放出され、遮蔽板２３中央部の通過口２４を通過したものである（図２を参照）。
このため、成膜粒子の軌道２６の基板１の表面１ａへの投影線２７は、非金属基板１の径方向に沿うものとなる（図３を参照）。
また、成膜粒子は基板１の周方向に均一に表面１ａに付着する。
成膜粒子は、入射角度αが１０〜７５°となるように、被付着面である表面１ａの環状の配向調整膜形成領域１ｂに付着する。
この入射角度αは、１５〜７５°（好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５°）とするのがさらに好適である。
この入射角度αが上記範囲未満である場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。また装置構成の点から入射角度αを上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。
また傾斜角度αは、１０°以上、３０°未満となる値とすることができる。また６５°を越え、７５°以下となる値とすることもできる。
【００３１】
入射角度αを上記範囲に設定することによって、図１（ｂ）に示すように、配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂに対して半径方向に傾いた結晶構造を有するものとなる。
【００３２】
配向調整膜２には、酸化処理または窒化処理を施すのが好ましい。
酸化処理または窒化処理を行うには、スパッタ装置２１を用いて配向調整膜２を形成するに際し、導入経路２９を通してチャンバ２８に導入するスパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用いる方法を採ることができる。
酸素を含むスパッタガスとしては、酸素とアルゴンの混合ガスを用いることができる。窒素を含むスパッタガスとしては、窒素とアルゴンの混合ガスを用いることができる。
スパッタガス中の酸素または窒素の含有率は、１〜５０ｖｏｌ％とすることができる。
【００３３】
また本発明では、配向調整膜２を形成した後に、その表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させる方法によって酸化または窒化処理を行うこともできる。
酸素含有ガスとしては、空気、純酸素、水蒸気を用いることができる。また空気中の酸素含有率を増加させた酸素富化ガスを用いることもできる。
窒素含有ガスとしては、空気、純窒素、窒素富化ガスを用いることができる。
【００３４】
配向調整膜２表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させる方法の具体例としては、上述のように、スパッタ装置２１内において基板１上に配向調整膜２を形成した後、このスパッタ装置２１のチャンバ２８内に、導入経路２９を通して酸素含有ガスまたは窒素含有ガスを導入する方法を挙げることができる。
酸素含有ガスまたは窒素含有ガス中の酸素または窒素含有率は、１〜１００ｖｏｌ％とするのが好ましい。
酸素含有ガスまたは窒素含有ガスの使用によって、酸化処理または窒素処理を容易な操作で行うことができるようになる。
【００３５】
この酸化処理または窒化処理によって、配向調整膜２は少なくとも表面付近が酸化または窒化される。
なお酸化処理または窒化処理を行うには、スパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用いて配向調整膜２を形成した後に、その表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させる方法を採ることもできる。
【００３６】
非磁性下地膜３、磁性膜４の形成は、スパッタ法により行うことができる。
非磁性下地膜３を形成する際、配向調整膜２の影響下で成長する非磁性下地膜３は、優れた結晶配向性を有するものとなる。非磁性下地膜３は、ｂｃｃ構造を有し、好ましくは配向面（非磁性下地膜３の表面における支配的な結晶面）が（２００）となる。
非磁性下地膜３が優れた結晶配向性を有するものとなる結果、その上に形成される磁性膜４の結晶配向性が向上する。磁性膜４は、ｈｃｐ構造を有し、かつ配向面が（１１０）となる。
【００３７】
また保護膜５は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などにより形成することができる。
潤滑膜６の形成には、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系液体潤滑剤などの潤滑剤を保護膜５上にディッピング法により塗布する方法を採用することができる。
【００３８】
本実施形態の磁気記録媒体は、非金属基板１と非磁性下地膜３との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に配向させる配向調整膜２が形成され、この配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向に傾いた結晶構造を有するので、非磁性下地膜３および磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における周方向の磁気異方性を高めることができる。
【００３９】
一般に、熱揺らぎ耐性は、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が大きい媒体において良好となる。本実施形態の磁気記録媒体では、円周方向の磁気異方性が高められることにより結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が向上することから、熱揺らぎ耐性が高められると考えられる。
なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気記録装置においては、記録したデータの再生出力の経時的な減衰として現れる。
また再生出力ピークの半値幅を小さくし、再生出力の分解能を向上させることができる。従って、エラーレートの点で優れた磁気記録媒体を得ることができる。
また、磁気異方性を高めることによって、保磁力を向上させ、再生出力（Ｓ）を向上させることができる。このため、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。
さらには、非磁性下地膜３内の結晶粒を微細化し、下地膜３の影響下で成長する磁性膜４内の磁性粒を微細化、均一化することができるため、ノイズ（Ｎ）の低減を図ることができる。
このため、磁性膜４を薄膜化することによって、磁性粒の過度の成長を抑制し磁性粒を微細化することができ、さらなるノイズ低減が可能となる。よって、いっそうのＳ／Ｎの向上が可能となる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
【００４０】
また上記構成の磁気記録媒体は、製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を向上させることができるため、テクスチャ加工が不要となり、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
またテクスチャ加工に起因して、配向調整膜２の表面形状が粗くなり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなることによるグライドハイト特性の低下を防ぐことができる。
【００４１】
配向調整膜２を、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に配向させることができる材料である、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとする場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４における結晶配向性を向上させ、磁性膜４における磁気異方性を高めることができる。
【００４２】
また上記実施形態の製造方法は、スパッタリングターゲット２２から成膜粒子を放出させ、非金属基板１の表面１ａに付着させることにより配向調整膜２を形成するにあたり、成膜粒子の軌道２６の非金属基板１への投影線２７が非金属基板１の径方向に沿い、かつ非金属基板１に対する入射角度αが１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定するので、ｈｃｐ構造を有し、（１１０）に優先配向した磁性膜４における磁気異方性を高めることができる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
【００４３】
また、製造に際しテクスチャ加工が不要となるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。またテクスチャ加工に起因して配向調整膜２の表面形状が粗くなり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなることによるグライドハイト特性の低下を防ぐことができる。
【００４４】
また配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理することによって、非磁性下地膜３の結晶を、より正確に（２００）に配向させ、磁性膜４の磁気異方性をさらに高め、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
【００４５】
また上記製造方法では、配向調整膜２を形成するにあたって、成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲット２２を用いるスパッタ法を採用するので、配向調整膜２を容易に形成することができる。
【００４６】
また酸化処理または窒化処理を、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いて配向調整膜２を形成する方法により行うことによって、配向調整膜２の形成と、酸化または窒素処理とを１つの工程で行うことができ、製造工程の簡略化が可能となる。従って、作業を容易にするとともに製造効率の向上を図ることができる。
【００４７】
また酸化処理または窒化処理を、配向調整膜２の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることにより行う場合には、スパッタ装置２１を用いて非金属基板１上に配向調整膜２を形成した後、得られた媒体基板Ｍをこのスパッタ装置２１から搬出することなく、引き続きこのスパッタ装置２１内において配向調整膜２表面の酸化または窒化処理を行うことができる。
従って、製造工程を簡略化し、作業の容易化および製造効率向上を図ることができる。
【００４８】
また上記スパッタ装置２１は、成膜粒子の放出源となるスパッタリングターゲット２２と、放出された成膜粒子の方向を定める遮蔽板２３を備えているので、非金属基板１に対する成膜粒子の入射方向を、正確に定めることができる。
このため、非磁性下地膜３および磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における磁気異方性を確実に高めることができる。
【００４９】
図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体７と、磁気記録媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録媒体７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆動部１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。記録再生信号処理系１１は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【００５０】
この磁気記録再生装置にあっては、磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができるため、Ｓ／Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデータ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
【００５１】
また本発明では、配向調整膜を、アモルファス構造を有するＮｉＰ合金（以下、アモルファスＮｉＰ合金という）からなるものとすることもできる。
配向調整膜をアモルファスＮｉＰ合金からなるものとした磁気記録媒体としては、図１（ａ）に示す構造のものを例示できる。
この図を利用して本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を説明する。
本実施形態の磁気記録媒体では、配向調整膜２がアモルファスＮｉＰ合金からなるものとされ、そのＮｉ含有率は、５０〜９０ａｔ％とするのが好ましい。
アモルファスＮｉＰ合金からなる配向調整膜２は、上記製造方法と同様にして形成することができる。
すなわち、アモルファスＮｉＰ合金からなるスパッタリングターゲット２２と遮蔽板２３を有するスパッタ装置２１を用い、スパッタリングターゲット２２からの成膜粒子を、入射角度αが１０〜７５°となるように非金属基板１の表面１ａに付着させる。
【００５２】
配向調整膜２を形成するに際しては、上述の方法に従って、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いるか、または配向調整膜２表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることによって、配向調整膜２に酸化処理または窒化処理を施す。これによって、配向調整膜２の少なくとも表面が結晶化する可能性がある。
この磁気記録媒体は、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくなる（好ましくは１．１以上、さらに好ましくは１．２以上となる）。
【００５３】
この磁気記録媒体は、配向調整膜２がアモルファスＮｉＰ合金からなるものであり、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされているので、上記第１の実施形態の磁気記録媒体と同様に、非磁性下地膜３および磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高めることができる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
また製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高めることができるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
【００５４】
また、図５に示すように、本発明の磁気記録媒体では、非金属基板１と配向調整膜２との間に、スパッタ法などによって配向性向上膜１２を設けることもできる。
配向性向上膜１２は、配向調整膜２の配向性を調整するとともに、配向調整膜２の基板側からの剥離を防ぐためのもので、材料としては、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉのうち１種以上を主成分とする合金を使用することができ、なかでも特に、ＣｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＶ系、ＣｒＷ系などの合金や、Ｃｒの使用が好適である。
またＢ２構造またはアモルファス構造を有する材料を用いることもできる。
Ｂ２構造を有する材料としては、Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ）、Ｃｏ５０Ａｌ（Ｃｏ−５０ａｔ％Ａｌ）、Ｆｅ５０Ａｌ（Ｆｅ−５０ａｔ％Ａｌ）等を挙げることができる。
アモルファス構造を有する材料としては、ＣｕＺｒ系、ＴｉＣｕ系、ＮｂＮｉ系、ＮｉＰ系などの合金を用いることができる。
【００５５】
配向性向上膜１２の材料の好ましい具体例としては、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成分とするものを挙げることができる。
配向性向上膜１２の膜厚は、２００ｎｍ以下、例えば５〜２００ｎｍとするのが好ましい。２００ｎｍを越えると磁性膜４の磁気異方性を高める効果が低下する。
【００５６】
ここに示す例の磁気記録媒体では、配向性向上膜１２を設けることによって、配向調整膜２の初期成長時の配向性の乱れを防ぎ、非磁性下地膜３および磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４の磁気異方性をさらに高めることができる。
また非金属基板１から配向調整膜２が剥離するのを防ぐことができる。
【００５７】
また本発明では、図６に示すように、配向調整膜を複数設けることもできる。ここに示す磁気記録媒体は、第１および第２の配向調整膜２ｃ、２ｄを備えている。これら配向調整膜２ｃ、２ｄに用いる材料やこれらの厚さは、図１に示す磁気記録媒体の配向調整膜２と同様とすることができる。なお配向調整膜の数は３以上とすることもできる。
【００５８】
また、本発明では、図７に示すように、非磁性下地膜３と磁性膜４との間に、ＣｏＣｒなどからなる非磁性中間膜１３を設けることもできる。
非磁性中間膜１３を設けることによって、磁性膜４の初期成長の乱れを抑制し、磁性膜４の配向性を向上させ、優れた磁気特性を得ることができる。
【００５９】
図８は、本発明の磁気記録媒体の製造装置の他の実施形態を示すもので、ここに示すスパッタ装置３１は、成膜粒子の放出源であるスパッタリングターゲット３２が環状に形成され、遮蔽板３３が、環状の外側遮蔽板３３ａと外側遮蔽板３３ａの開口部内に配設された円板状の内側遮蔽板３３ｂとから構成されている点で図２に示すスパッタ装置２１と異なる。
【００６０】
遮蔽板３３は、内側遮蔽板３３ｂの外径が外側遮蔽板３３ａの内径よりも小さくなるように形成され、外側遮蔽板３３ａの内周縁と内側遮蔽板３３ｂの外周縁との間に、成膜粒子が通過する成膜粒子通過スリット３４が形成されている。
外側遮蔽板３３ａの内径と内側遮蔽板３３ｂの外径は、放出された成膜粒子が、非金属基板１に付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対する入射角度α’が１０〜７５°となるように設定されている。
【００６１】
このスパッタ装置３１を用いて配向調整膜２を形成する際には、スパッタリングターゲット３２から放出されて成膜粒子通過スリット３４を通過した成膜粒子が、非金属基板１に対する入射角度α’が１０〜７５°となるように非金属基板１の表面１ａに付着する。
【００６２】
また本発明では、非磁性下地膜３、磁性膜４を形成する際においても、スパッタ装置２１、３１を用いて、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することもできる。
この方法によれば、磁性膜４の磁気異方性をさらに高めることができる。
【００６３】
また本発明では、配向調整膜を形成する方法として、スパッタ法のほかに、真空蒸着法、ガス中スパッタ法、ガスフロースパッタ法、イオンビーム法などの物理蒸着法を用いることができる。
【００６４】
【実施例】
以下、具体例を挙げて本発明を詳細に説明する。
（試験例１）
配向調整膜２を備えていないこと以外は図１（ａ）に示すものと同様の磁気記録媒体を以下のようにして作製した。
ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いたスパッタ法によって、非金属基板１（アモルファスガラス、直径６５ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）上に、ＣｒＭｏ合金からなる非磁性下地膜３（厚さ３０ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金からなる磁性膜４（厚さ２５ｎｍ）、カーボンからなる保護膜５（厚さ１０ｎｍ）を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロエーテルからなる潤滑膜６を形成した。
成膜の際には、スパッタ装置のチャンバ内を真空到達度２×１０-7Ｐａとなるまで減圧した。また非金属基板１は２００℃に加熱した。スパッタガスとしてはアルゴンを用いた。
【００６５】
得られた磁気記録媒体の静磁気特性を、振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。また周方向の保磁力Ｈｃｃと半径方向の保磁力Ｈｃｒの比（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を測定し磁気異方性の指標とし、表１中に磁気異方性として示した。
また電磁変換特性を、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。電磁変換特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度３５０ｋＦＣＩとして測定を行った。
熱揺らぎ耐性（熱減磁）については、スピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用い、７０℃において記録密度４０ｋＦＣＩでの出力減少を測定した。また表中、ＰＷ５０とは出力ピークの半値幅を示し、Ｓ／Ｎは記録再生出力とノイズの比を示す。試験結果を表１に示す。
【００６６】
（試験例２〜１７）
図１に示す磁気記録媒体を以下のようにして作製した。
スパッタ装置２１を用いて、非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この際、成膜粒子の軌道２６の非金属基板１への投影線２７が非金属基板１の径方向に沿い、かつ非金属基板１に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定した。
配向調整膜２を形成する際には、窒素とアルゴンの混合ガス（窒素含有率２０ｖｏｌ％）をスパッタガスとして用いた。そのほかの条件は試験例１に準じた。
得られた磁気記録媒体断面をＴＥＭにより観察した結果、配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなったことが明らかになった。
試験結果を表１に併せて示す。
【００６７】
（試験例１８〜１９）
配向調整膜２を形成する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角度を限定しないこと以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
試験結果を表２に示す。
【００６８】
（試験例２０〜３０）
配向調整膜２を形成する際に、スパッタガスとして、窒素を表３に示す含有率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いること以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験例２６における配向調整膜２の窒素含有率をオージェ電子分光法で測定したところ、１０ａｔ％であった。
試験結果を表３に示す。
【００６９】
（試験例３１〜３９）
配向調整膜２の材料として表４に示すものを用いること以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験結果を表４に示す。
【００７０】
（試験例４０〜４８）
配向調整膜２を形成する際に、スパッタガスとして、酸素を表５に示す含有率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いること以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験例４１における配向調整膜２の酸素含有率をオージェ電子分光法で測定したところ、４ａｔ％であった。
試験結果を表５に示す。
【００７１】
（試験例４９）
配向調整膜２を形成する際に用いるスパッタガスとしてアルゴンを用いること以外は試験例３４に準じて磁気記録媒体を作製した。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験結果を表６に示す。
【００７２】
（試験例５０〜６９）
配向調整膜２を形成した後、配向調整膜２を表６に示す曝露ガスに曝すこと以外は試験例４９に準じて磁気記録媒体を作製した（試験例５２、５５、５７、５９、６２、６５、６８では曝露を行わなかった）。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験結果を表６に示す。
【００７３】
（試験例７０〜９０）
配向調整膜２を形成するに先だって、非金属基板１と配向調整膜２との間に配向性向上膜１２を形成すること以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験結果を表７に示す。
【００７４】
（試験例９１〜１１５）
配向調整膜２および非磁性下地膜３の材料として表８に示すものを用いること以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製した。
試験例９４、９７、１０２、１０８、１１１、１１５については、配向調整膜２を形成する際に、表８に示す含有率となるように窒素をアルゴンに添加した混合ガスをスパッタガスとして用いた。
他の試験例では、スパッタガスとしてアルゴンを用いた。
配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。
試験結果を表８に示す。
【００７５】
（試験例１１６〜１２７）
配向調整膜２および非磁性下地膜３の材料として表９に示すものを用い、かつ曝露ガスとして表９に示すものを用いること以外は試験例４９〜６９に準じて磁気記録媒体を作製した。
表中、角度限定無しとしたものは、配向調整膜２を形成する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角度を限定しない製造方法を採った。試験結果を表９に示す。
【００７６】
【表１】
0003732769.tif 000002
【００７７】
【表２】
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【００７８】
【表３】
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【００７９】
【表４】
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【００８０】
【表５】
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【００８１】
【表６】
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【００８２】
【表７】
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【００８３】
【表８】
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【００８４】
【表９】
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【００８５】
表１より、配向調整膜２を設けることによって、非磁性下地膜３および磁性膜４がそれぞれｂｃｃ構造、ｈｃｐ構造を有するものとなり、非磁性下地膜３および磁性膜４の配向面がそれぞれ（２００）、（１１０）となったことがわかる。
また磁気異方性が高く、磁気特性を向上させることができたことがわかる。
また試験例７〜９の比較、試験例１１〜１３の比較により、配向調整膜２を構成する材料としてＣｒＸを用い、このＸの含有率を５０ａｔ％未満とすることによって、磁気特性向上効果を高めることができたことがわかる。
表２より、成膜粒子の入射角度を限定し、柱状微結晶粒２ａが半径方向に傾いた結晶構造を有する配向調整膜２を形成することによって、優れた磁気特性向上効果を得ることができたことがわかる。
表３より、スパッタガスとして窒素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を窒化処理する方法によれば、窒化処理を行わない方法に比べ、磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができたことがわかる。
表４より、配向調整膜２の材料として、表に示す単体金属を用いた場合でも優れた磁気異方性が得られたことがわかる。
表５より、スパッタガスとして酸素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を酸化処理する方法によれば、酸化処理を行わない方法に比べ、磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができたことがわかる。
表６より、配向調整膜２形成後に、配向調整膜２表面を酸化または窒化処理する方法によれば、この処理を行わない方法に比べ、磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができたことがわかる。
また配向調整膜２に、ＣｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＮｉＮｂ、ＮｉＴａを用いた場合には、優れた静磁気特性が得られたことがわかる。
表７より、配向性向上膜１２を形成した場合には、これを形成しない場合に比べ、磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができたことがわかる。
さらに、配向性向上膜１２をＢ２構造を有する材料、またはアモルファス構造を有する材料で形成することにより、磁気異方性を高めることができたことがわかる。
表８より、配向調整膜２の材料として、Ｆｄ３ｍ構造を有するＣｒＸ系合金を用いることにより、これ以外の結晶構造を有する材料を用いた場合に比べ、磁気異方性を同等以上に高めることができたことがわかる。
また配向調整膜２に、ＣｏＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂを用いた場合には、優れた静磁気特性が得られたことがわかる。
また試験例９９〜１１５に示すように、配向調整膜２としてＣｒＸ系合金以外の非磁性金属材料でＦｄ３ｍ構造を有する材料を用いた場合にも優れた磁気異方性が得られたことがわかる。
表９より、配向調整膜２にＮｉＰ合金を用いた場合においても、優れた磁気異方性が得られたことがわかる。
また試験例１１８と試験例１１９の比較、試験例１２６と試験例１２７の比較により、配向調整膜２に酸化処理または窒化処理を行うことによって、優れた磁気特性を得ることができたことがわかる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、非金属基板と非磁性下地膜との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成され、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有するので、非磁性下地膜および磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高めることができる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
また製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高めることができるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
【００８７】
また配向調整膜が、アモルファスＮｉＰ合金からなるものであり、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされた構成を採用することによって、非磁性下地膜および磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高めることができる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性を向上させ、高記録密度化を図ることできる。また製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高めることができるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
【００８８】
また本発明の磁気記録媒体の製造方法にあっては、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出源から放出させて被付着面に付着させることにより配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定するので、非磁性下地膜および磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高めることができる。
従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能となる。
また製造に際しテクスチャ加工が不要となるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
【００８９】
本発明の製造装置にあっては、成膜粒子を放出する放出源と、放出された成膜粒子の方向を定める方向設定手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定することができるようにされているので、非金属基板に対する成膜粒子の入射方向を正確に定めることができる。
このため、得られる磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができ、Ｓ／Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデータ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
【００９０】
また本発明の磁気記録再生装置にあっては、磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができるため、Ｓ／Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデータ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   （ａ）本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部断面図である。（ｂ）（ａ）に示す磁気記録媒体の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡大図である。
【図２】   本発明の磁気記録媒体の製造装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図３】   本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明する説明図である。
【図４】   本発明の磁気記録再生装置の一実施形態を示す一部断面図である。
【図５】   本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一部断面図である。
【図６】   本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態を示す一部断面図である。
【図７】   本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態を示す一部断面図である。
【図８】   本発明の磁気記録媒体の製造装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１・・・非金属基板、１ａ・・・非金属基板表面（被付着面）、２・・・配向調整膜、２ａ・・・柱状微結晶粒、３・・・非磁性下地膜、４・・・磁性膜、７・・・磁気記録媒体、９・・・磁気ヘッド、２２・・・スパッタリングターゲット、２３・・・遮蔽板（方向設定手段）、２６・・・成膜粒子の軌道、２７・・・投影線、α、α'・・・入射角度、α１・・・柱状微結晶粒の傾斜角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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