【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数を演算によって求める場合の１次項目からｎ次項目（ｎは１以上の整数）の各次項の補正照射係数項を演算する第１の補正照射係数項演算部と、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、前記所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数を求める場合のｋ次項目（ｋは１からｎまでの整数のうちの１つ）までの補正照射係数項を演算する第２の補正照射係数項演算部と、
前記所定の影響を考慮しない前記第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの補正照射係数項のうちのｋ次項目までの補正照射係数項を、前記所定の影響を考慮した前記第２の近接効果補正照射係数用の前記補正照射係数項に置き換えられた第３の近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
前記第３の近接効果補正照射係数を用いて照射量を演算する照射量演算部と、
演算された照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第２の補正照射係数項演算部は、前記補正照射係数項として、前記第２の近接効果補正照射係数を求める場合の１次項目の補正照射係数項を演算し、
前記近接効果補正照射係数演算部は、前記所定の影響を考慮しない前記第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの各次項の補正照射係数項のうち、１次項目の補正照射係数項を、前記所定の影響を考慮した前記第２の近接効果補正照射係数用の前記１次項目の補正照射係数項に置き換えられた前記第３の近接効果補正照射係数を演算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第２の近接効果補正照射係数用の前記１次項目の補正照射係数項は、面積密度と分布関数とを畳み込み積分した値を用いて演算されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記第２の近接効果補正照射係数用の前記１次項目の補正照射係数項は、面積密度を用いて畳み込み積分せずに演算されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記描画部は、
前記試料を載置するステージと、
前記ステージ上に配置され、前記ステージの位置を測定するためのミラーと、
を有し、
前記荷電粒子ビーム描画装置は、
複数のパターンのパターンデータが定義された描画データを記憶する記憶部と、
前記試料と前記ミラーとのうち少なくとも１つの歪みに起因する描画されるパターンの位置ずれに基づいて前記パターンデータを補正する位置ずれ補正部と、
をさらに備え、
前記第２の近接効果補正照射係数用の前記ｋ次項目までの補正照射係数項は、前記描画データが補正される前のパターンデータから得られる面積密度を用いて演算され、
前記照射量は、前記描画データが補正された後のパターンデータから得られる面積密度を用いて演算されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項６】
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数を求める場合の１次項目からｎ次項目（ｎは１以上の整数）の各次項の補正照射係数項を演算する工程と、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、前記所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数を求める場合のｋ次項目（ｋは１からｎまでの整数のうちの１つ）までの補正照射係数項を演算する工程と、
前記所定の影響を考慮しない前記第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの補正照射係数項のうちのｋ次項目までの補正照射係数項を、前記所定の影響を考慮した前記第２の近接効果補正照射係数用の前記補正照射係数項に置き換えられた第３の近接効果補正照射係数を演算する工程と、
前記第３の近接効果補正照射係数を用いて照射量を演算する工程と、
演算された照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ここで、上述した各種の描画方式のうち、ラスター方式およびマルチビーム方式の描画では、パターンのエッジやコーナー部を描画する場合、パターンの端部（境界）と画素の境界がずれている場合、かかるパターンのエッジやコーナー部を設計上の照射量で照射すると、パターンのエッジやコーナー部の形状が所望の形状にならないといった問題があった。そこで、かかる箇所での照射量を変調することで補正することが検討されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数を演算によって求める場合の１次項目からｎ次項目（ｎは１以上の整数）の各次項の補正照射係数項を演算する第１の補正照射係数項演算部と、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数を求める場合のｋ次項目（ｋは１からｎまでの整数のうちの１つ）までの補正照射係数項を演算する第２の補正照射係数項演算部と、
所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの補正照射係数項のうちのｋ次項目までの補正照射係数項を、所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数用の補正照射係数項に置き換えられた第３の近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、
第３の近接効果補正照射係数を用いて照射量を演算する照射量演算部と、
演算された照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、第２の補正照射係数項演算部は、補正照射係数項として、第２の近接効果補正照射係数を求める場合の１次項目の補正照射係数項を演算し、
近接効果補正照射係数演算部は、所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの各次項の補正照射係数項のうち、１次項目の補正照射係数項を、所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数用の１次項目の補正照射係数項に置き換えられた第３の近接効果補正照射係数を演算すると好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数を求める場合の１次項目からｎ次項目（ｎは１以上の整数）の各次項の補正照射係数項を演算する工程と、
荷電粒子ビームによる近接効果を補正するための、所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数を求める場合のｋ次項目（ｋは１からｎまでの整数のうちの１つ）までの補正照射係数項を演算する工程と、
所定の影響を考慮しない第１の近接効果補正照射係数用の１次項目からｎ次項目までの補正照射係数項のうちのｋ次項目までの補正照射係数項を、所定の影響を考慮した第２の近接効果補正照射係数用の補正照射係数項に置き換えられた第３の近接効果補正照射係数を演算する工程と、
第３の近接効果補正照射係数を用いて照射量を演算する工程と、
演算された照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図４は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図４において、実施の形態１における描画方法は、ρ（ｘ）演算工程（Ｓ１０４）と、Ｕ（ｘ）演算工程（Ｓ１０６）と、Ｄｐ（ｘ）演算工程（Ｓ１０８）と、Ｄ（ｘ）演算工程（Ｓ１１０）と、ＧＭＣ補正工程（Ｓ１１１）と、影響係数演算工程（Ｓ１１３）と、Ｕ’（ｘ）演算工程（Ｓ１１５）と、Ｄｐ’（ｘ）演算工程（Ｓ１１６）と、Ｄｐ”（ｘ）演算工程（Ｓ１１８）と、Ｄ”（ｘ）演算工程（Ｓ１１９）と、ρ”マップ作成工程（Ｓ１２０）と、Ｄ’（ｘ）演算工程（Ｓ１２１）と、ｔ’（ｘ）演算工程（Ｓ１２２）と、描画工程（Ｓ１２４）という一連の工程を実施する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ρ”マップ作成工程（Ｓ１２０）として、ρ”マップ作成部６５は、描画データに定義されたＧＭＣ補正された図形パターンを用いて、試料１０１の描画領域、或いは描画されるチップ領域がメッシュ状に仮想分割された複数のメッシュ領域（画素領域）の画素領域毎にその内部に配置されるパターンの面積密度ρ”（ｘ）を算出する。例えば、まず、試料１０１の描画領域、或いは描画されるチップ領域を所定の幅で短冊上のストライプ領域に分割する。そして、各ストライプ領域を複数の画素領域に仮想分割する。画素領域のサイズは、例えば、ビームサイズ、或いは、それ以下のサイズであると好適である。例えば、１０ｎｍ程度のサイズにすると好適である。ρ”マップ作成部６５は、例えば、ストライプ領域毎に、描画データ内に定義された複数の図形パターンを画素領域に割り当てる。そして、画素領域毎に配置される図形パターンの面積密度ρ”（ｘ）を算出すればよい。そして、ストライプ領域毎に、面積密度（ρ”）マップを作成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ブランキングプレート６０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ６０５によって、縮小され、制限アパーチャ部材６０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート６０４の電極２４，２６（ブランカー）によって偏向された電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材６０６（ブランキングアパーチャ部材）の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材６０６によって遮蔽される。一方、ブランキングプレート６０４の電極２４，２６（ブランカー）によって偏向されなかった電子ビーム２０は、図１に示すように制限アパーチャ部材６０６の中心の穴を通過する。かかる個別ブランキング機構のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ部材６０６は、個別ブランキング機構によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材６０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材６０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ６０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器６０８によって、制限アパーチャ部材６０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばＸＹステージ５０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ５０５の移動に追従するように偏向器６０８によって制御される。ＸＹステージ５０５の位置は、ステージ位置検出器５３９からレーザをＸＹステージ５０５上のミラー６１０に向けて照射し、その反射光を用いて測定される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的にはアパーチャ部材６０３の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置５００は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
図１０は、実施の形態３における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１０において、実施の形態３における描画方法は、ρ（ｘ）演算工程（Ｓ１０４）と、Ｕ（ｘ）演算工程（Ｓ１０６）と、Ｄｐ（ｘ）演算工程（Ｓ１０８）と、Ｄ（ｘ）演算工程（Ｓ１１０）と、ＧＭＣ補正工程（Ｓ１１１）と、ショット分割工程（Ｓ１１２）と、影響係数演算工程（Ｓ１１３）と、Ｕ’（ｘ）演算工程（Ｓ１１５）と、Ｄｐ’（ｘ）演算工程（Ｓ１１６）と、Ｄｐ”（ｘ）演算工程（Ｓ１１８）と、Ｄ’（ｘ）演算工程（Ｓ１２１）と、ｔ’（ｘ）演算工程（Ｓ１２２）と、描画工程（Ｓ１２４）という一連の工程を実施する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
実施の形態３の比較例では、上述した式（５）に対して、未知の補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）を求めるために、１次項目からｎ次項目（ｎは１以上の整数）までの繰返し演算を実施し、１次項目からｎ次項目までの補正照射係数項を加算することによって、補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）を演算した（ＰＥＣモード１）。図１１では、かかる補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）を用いて照射量を演算して評価パターンを描画した場合の寸法ずれ結果を示している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
これに対して、実施の形態３では、上述した式（５）に対して、未知の補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）を求めるための１次項目の補正照射係数項ｄ１’のみを演算し、既に演算済の補正照射係数Ｄｐ（ｘ）の１次項目の補正照射係数項ｄ１と入れ替えて補正照射係数Ｄｐ”（ｘ）を求めた（ＰＥＣモード２）。図１２では、かかる実施の形態３の補正照射係数Ｄｐ”（ｘ）を用いて照射量を演算して評価パターンを描画した場合の寸法ずれ結果を示している。図１１と図１２を比較すると、各位置ｘにおける寸法ずれ量ΔＣＤに大差はなく、良好に補正されていることがわかる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図１３は、実施の形態３の条件で評価パターンを描画した場合の寸法ずれ結果の一例を示す図である。評価パターンは図５と同様である。図１３において、縦軸に寸法ずれ量ΔＣＤを示し、横軸に評価パターンの位置ｘを示している。実施の形態３では、未知の補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）を求めるための１次項目の補正照射係数項ｄ１’のみを演算する際、畳み込み積分しない値である面積密度ρ（ｘ）を用いる。その他は実施の形態２（ＰＥＣモード２）と同様である。かかる内容で補正照射係数Ｄｐ”（ｘ）を求めた（ＰＥＣモード３）。図１３では、かかる実施の形態３の補正照射係数Ｄｐ”（ｘ）を用いて照射量を演算して評価パターンを描画した場合の寸法ずれ結果を示している。図１３を、図１１及び図１２と比較すると、ＰＥＣモード３では、ラインアンドスペースパターンとべたパターンの繋がる位置、及び評価パターンの端部付近では精度が劣化するが、ラインアンドスペースパターンの中央部およびべたパターンの中央部では、各位置ｘにおける寸法ずれ量ΔＣＤに大差はなく、良好に補正されていることがわかる。