【手続補正書】
【提出日】平成30年9月20日(2018.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサチップであって、当該センサチップは、
基板（１）と、当該基板（１）内の開口部（１３）と、誘電層および導電層から成るスタック（２）と、コンタクトパッド（２９、３２）と、センシングエレメント（４）とを有しており、
前記基板（１）は、前面（１１）と後面（１２）とを備えており、
前記開口部（１３）は、前記基板（１）の後面（１２）から前記基板（１）の前面（１１）へと貫通しており、
前記スタック（２）は前記基板（１）の前記前面（１１）に配置されており、当該スタック（２）の一部分は、前記基板（１）内の前記開口部（１３）にわたって延在しており、
前記コンタクトパッド（２９、３２）は、前記センサチップを電気的に接続するために、前記基板（１）の前記前面（１１）に配置されており、
前記センシングエレメント（４）は、前記開口部（１３）にわたって延在している前記スタック（２）の前記一部分に、前記開口部（１３）に面している当該一部分の片側に配置されており、
前記基板（１）は、半導体基板であり、
前記基板（１）の前記前面（１１）で、電子回路（１０）が前記センサチップ内に集積されている、
ことを特徴とするセンサチップ。
【請求項２】
さらに伝導エレメント（３３）を有しており、当該伝導エレメント（３３）は、前記コンタクトパッド（２９、３２）に配置されており、かつ、前記基板（１）の前側面から突出している、請求項１記載のセンサチップ。
【請求項３】
前記センシングエレメント（４）と相互作用する電極（２４）を有しており、当該電極（２４）は、前記開口部（１３）にわたって延在する、前記スタック（２）の一部分上にまたは当該一部分内に配置されている、請求項１または２記載のセンサチップ。
【請求項４】
前記スタック（２）は底面誘電層（２１）を有しており、当該底面誘電層（２１）は、前記開口部（１３）にわたって延在している、前記スタック（２）の前記一部分において、前記開口部（１３）に面しており、
前記電極（２４）は、前記スタック（２）の前記底面誘電層（２１）内にまたは前記底面誘導層（２１）上に配置されている、請求項３記載のセンサチップ。
【請求項５】
前記センシングエレメント（４）を加熱する加熱構造体（２５）を有しており、当該加熱構造体（２５）は、前記開口部（１３）にわたって延在している、前記スタック（２）の前記一部分上に、または、前記一部分内に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のセンサチップ。
【請求項６】
前記スタック（２）は底面誘電層（２１）を有しており、当該底面誘電層（２１）は、前記開口部（１３）にわたって延在している、前記スタック（２）の前記一部分において、前記開口部（１３）に面しており、
前記加熱構造体（２５）は、前記スタック（２）の前記底面誘導層（２１）内にまたは前記底面誘導層（２１）上に配置されている、請求項５記載のセンサチップ。
【請求項７】
前記スタック（２）の導電層から加工処理されたコンタクトパッド（２９）を有しており、前記導電層は、接触を可能にするために部分的に露出されている、または、
前記スタック（２）は再配線層（３）によって被覆されており、当該再配線層（３）は導電構造を含む絶縁層を含んでおり、かつ、前記スタックの前記コンタクトパッド（２９）に接続しており、かつ、外部からアクセス可能な自身のコンタクトパッド（３２）を提供する、請求項１から６までのいずれか１項記載のセンサチップ。
【請求項８】
誘電層と導電層とから成る前記スタック（２）は、ＣＭＯＳ製造プロセスの使用に対して規定されているＣＭＯＳ層から成るスタックである、請求項７記載のセンサチップ。
【請求項９】
前記電極（２４）と前記センシングエレメント（４）との間、または、前記加熱構造体（２５）と前記センシングエレメント（４）との間に配置された保護コーティング（５）を有している、請求項３または５記載のセンサチップ。
【請求項１０】
前記基板（１）の前記後面（１２）に配置されており、かつ、前記開口部（１３）にわたって延在しているメンブラン（６）を有しており、
前記メンブラン（６）は、測定されるべき媒体に対して透過性である、請求項１から９までのいずれか１項記載のセンサチップ。
【請求項１１】
前記センシングエレメント（４）は少なくとも１つの測定量に対して感度を有し、
ａ）前記少なくとも１つの測定量は湿分を含んでいる、または、
ｂ）前記少なくとも１つの測定量は、湿分以外の物質を含んでいる、請求項１から１０までのいずれか１項記載のセンサチップ。
【請求項１２】
前記基板（１）の後面（１２）から前記基板（１）の前面（１１）まで貫通している、前記基板（１）内の他の開口部（１３１）と、
前記基板（１）内の前記他の開口部（１３１）にわたって延在している、前記スタック（２）の他の一部分と、
前記他の開口部（１３１）にわたって延在している、前記スタック（２）の前記他の一部分に、前記他の開口部（１３）に面している前記他の一部分の片側に配置されている他のセンシングエレメント（４１）とを有している、請求項１から１１までのいずれか１項記載のセンサチップ。
【請求項１３】
センサモジュールであって、当該センサモジュールは、
回路基板（８）と、請求項１から１２までのいずれか１項に記載されたセンサチップとを有しており、
前記回路基板（８）は、コンタクトパッド（８１）を有しており、
前記センサチップは、前記回路基板（８）に面している前記スタック（２）と、前記回路基板（８）に背いている前記センシングエレメント（４）と共に前記回路基板（８）に配置されており、
前記センサチップの前記コンタクトパッド（３２）は、前記回路基板（８）の前記コンタクトパッド（８１）に電気的に接続されている、
ことを特徴とするセンサモジュール。
【請求項１４】
センサチップを製造する方法であって、当該方法は、
前面（１１）と後面（１２）とを備えた基板（１）と、前記基板（１）の前記前面（１１）に配置されている、誘電層と導電層とから成るスタック（２）とを提供するステップと、
前記基板（１）内に、当該基板（１）の後面（１２）から、前記スタック（２）の一部分を露出させるために開口部（１３）を形成するステップと、
前記開口部（１３）を通じて、前記スタック（２）の前記露出されている一部分に、センシングエレメント（４）を設けるステップとを有しており、
前記基板（１）は、半導体基板であり、
前記基板（１）の前記前面（１１）で、電子回路（１０）が前記センサチップ内に集積されている、
ことを特徴とする、センサチップを製造する方法。
【請求項１５】
前記基板（１）の前記開口部（１３）を通じて、前記基板（１）の後面（１２）から反応性材料を非接触分注することによって前記センシングエレメント（４）を設ける、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記基板（１）内の前記開口部（１３）を、前記基板（１）の後面（１２）から前記基板（１）をエッチングすることによって形成する、請求項１４または１５記載の方法。
【請求項１７】
前記開口部（１３）を通じて前記センシングエレメント（４）を設ける前に、当該センシングエレメント（４）と相互作用する電極（２４）を、前記開口部（１３）を通じて、前記スタック（２）の前記露出されている一部分上に、または、当該一部分内に製造する、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記開口部（１３）を通じて前記センシングエレメント（４）を設ける前に、当該センシングエレメント（４）を加熱する加熱構造体（２５）を、前記開口部（１３）を通じて、前記スタック（２）の前記露出されている一部分上に、または、当該一部分内に製造する、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
前記センシングエレメント（４）を設ける前、かつ、前記電極（２４）または前記加熱構造体（２５）を製造した後、保護コーティング（５）を前記電極（２４）または前記加熱構造体（２５）の上部に設け、
前記センシングエレメント（４）を前記保護コーティング（５）上に設ける、請求項１７または請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記基板（１）を、複数のセンサチップを構築するための１つのウェハの形態で提供し、
複数のセンシングエレメント（４）に対する開口部（１３）を、前記ウェハ内に、当該ウェハの後面（１２）から成形し、
センシングエレメント（４）を、前記ウェハの各開口部（１３）内に設け、
前記センシングエレメント（４）を設けた後、前記ウェハを前記複数のセンサチップにダイシングする、請求項１４から１９までのいずれか１項記載の方法。