【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電子部品搭載領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれた配線層であって、前記絶縁層の電子部品搭載領域の表面から露出する第１面と、前記絶縁層で被覆された、前記第１面と反対側の第２面と、側面とを備える前記配線層と
を有し、
前記絶縁層から露出する前記配線層の第１面に電子部品の端子が接続され、
前記配線層の第２面の表面粗さは、前記側面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線層の第１面の表面粗さは、前記側面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線層は、電解金属めっき層のみから形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線層は、配線部と、前記電子部品の端子が接続されるパッドとを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
表面に電子部品搭載領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれた配線層であって、前記絶縁層の電子部品搭載領域の表面から露出する第１面と、前記絶縁層で被覆された、前記第１面と反対側の第２面と、側面とを備える前記配線層と
を有し、
前記配線層の第２面の表面粗さが、前記側面の表面粗さよりも大きく設定された配線基板と、
前記配線基板の配線層の第１面に端子が接続された電子部品と
を有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項６】
下地層の上に配線層を形成する工程と、
前記配線層の上面の表面粗さが側面の表面粗さより大きくなるように、前記配線層を粗化処理液で粗化する工程と、
前記下地層及び前記配線層の上に絶縁層を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記下地層は最上に金属層又は金属箔を含み、
前記配線層を形成する工程は、
前記金属層又は金属箔の上に、開口部が設けられためっきレジスト層を形成する工程と、
前記金属層又は金属箔をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジスト層の開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジスト層を除去する工程とを含み、
前記絶縁層を形成する工程の後に、
前記下地層を除去して、前記配線層の下面を露出させる工程と、
前記配線層の下面を粗化する工程と有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記下地層は絶縁層であり、
前記配線層を形成する工程は、
前記絶縁層の上にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、開口部が設けられためっきレジスト層を形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジスト層の開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジスト層を除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記下地層の金属層又は金属箔は、ニッケルから形成され、
前記配線層は銅から形成されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線層を粗化する工程において、
前記粗化処理液が上方から前記配線層にスプレーされることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、表面に電子部品搭載領域を有する絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた配線層であって、前記絶縁層の電子部品搭載領域の表面から露出する第１面と、前記絶縁層で被覆された、前記第１面と反対側の第２面と、側面とを備える前記配線層とを有し、前記絶縁層から露出する前記配線層の第１面に電子部品の端子が接続され、前記配線層の第２面の表面粗さは、前記側面の表面粗さよりも大きい配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらに、図３（ｂ）に示すように、ニッケル層２６をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層１２の開口部１２ａ内に銅などからなる金属めっき層３０ｘを形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次いで、図４に示すように、めっきレジスト層１２を除去する。これにより、金属めっき層３０ｘから第１配線層３０が形成される。第１配線層３０は全体にわたって同じ金属から形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上により、第１配線層３０の上面Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲、特に好適な範囲としては、３９０ｎｍ〜４５０ｎｍに設定される。また、第１配線層３０の側面Ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲、特に好適な範囲としては、２５０ｎｍ〜３００ｎｍに設定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本実施形態では、金属めっき層３０ｘのみから第１配線層３０が形成され、シード層をエッチングする工程がないため、第１配線層３０の基部でのアンダーカットが発生しない。よって、より微細な配線層を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図１１に示すように、第１実施形態の配線基板１は、電子部品搭載領域Ｒを有する絶縁層４０を備えている。絶縁層４０に第１配線層３０が埋め込まれている。第１配線層３０は、電解めっきによる金属めっき層３０ｘのみから形成され、シード層を備えていない。第１配線層３０は、全体にわたって銅などの同じ金属から形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ…配線基板、１ｘ…多層配線基板、２，２ａ，２ｂ，２ｃ…電子部品装置、５，５ａ…積層基板、１０…プリプレグ、１２，１４…めっきレジスト層、１２ａ，１４ａ，４２ａ，４４ａ，４６ａ，８４ａ，８６ａ…開口部、２０…キャリア付き銅箔、２２…キャリア銅箔、２４…薄膜銅箔、２６…ニッケル層、２６ａ…被覆部、３０ａ…微細配線部、３０ｘ…金属めっき層、３０，７０…第１配線層、３２，７２…第２配線層、３４，７４…第３配線層、４０…絶縁層、４１…下側絶縁層、４２，４４，４６，８４，８６…ソルダレジスト層、５０…半導体チップ，５２…端子、５４…アンダーフィル樹脂、５６…はんだ、６０…コア基板、６２…スルーホールめっき層、６４…樹脂体、７２ａ…シード層、７２ｂ…金属めっき層、８０…第１絶縁層、８２…第２絶縁層、Ａ…上面、Ｂ…側面、Ｃ…下面、Ｐ１…電子部品搭載パッド、Ｐ２…ビア受けパッド、Ｐ３…外部接続パッド、Ｐ４…積層用接続パッド、Ｒ…電子部品搭載領域、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ，ＶＨ１，ＶＨ２，ＶＨｘ…ビアホール。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
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