(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを集束して被描画材料に照射すると共に、電子ビームを描画パターンに応じて偏向し、被描画材料上に所望のパターンの描画を行うようにした電子ビーム描画装置において、ブランキング偏向器と、ブランキング偏向器によって偏向された電子ビームの遮断か投入を行うための絞りを設け、絞りの開口部の位置を調整する調整機構とを備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
ブランキング偏向器は２段構成とされており、２段の偏向器の中間に絞りが配置された請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
電子ビームを集束して被描画材料に照射すると共に、電子ビームを描画パターンに応じて偏向し、被描画材料上に所望のパターンの描画を行うと共に、ブランキング偏向器とブランキング偏向器によって偏向された電子ビームを遮断する絞りとによって電子ビームをブランキングするようにした電子ビーム描画装置において、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにした電子ビームのブランキング方法。
【請求項４】
電子ビームを遮断する絞りの開口部エッジを跨いで平面状に電子ビームを走査し、開口部のエッジ付近を通過する電子ビームをモニター上で輝影として表示し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにした請求項３記載の電子ビームのブランキング方法。
【請求項５】
電子ビームを遮断する絞りの開口部エッジを跨いで直線状に電子ビームを走査し、波形モニター上に開口部を通過する電子ビームの信号波形を表示し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにした請求項３記載の電子ビームのブランキング方法。
【請求項６】
電子ビームを遮断する絞りの開口部を通過する電子ビームの電流量を測定し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにした請求項３記載の電子ビームのブランキング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被描画材料に照射される電子ビームを低い電圧でブランキングすることができる電子ビーム描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高密度化にともない、高い精度の描画が要求されている。スポットビーム描画装置での描画寸法は、１０ｎｍ以下になろうとしている。このような超微細寸法を描画するためには、細いビームと、これを走査する微細な走査インクリメントが要求される。
【０００３】
走査インクリメントが微細になると、より高速な走査が必要となる。例えば、高分解能レジスト感度を２５０μＣ／ｃｍ2、ビーム電流１ｎＡ、走査インクリメント２ｎｍでは、走査インクリメントの周波数は１００ＭＨｚとなる。このようにビーム走査が高速になると、描画パターンごとのビーム遮断と、ビーム投入を制御するビームブランキング応答は、ビーム走査周波数以上の高速応答が要求される。
【０００４】
従来のビームブランキング制御は、１段の偏向器の中心（偏向主面）に材料面上のビーム像に対応する物点像を結像させるような電子光学系を使用し、この偏向器の真下に絞りを設けて、偏向されたビームを受けるようにしていた。しかし、ビームを受ける絞り位置のビームは広がりを持っているので、ビームを遮断するためには、絞りの大きさをビームの大きさより大きくせねばならない。
【０００５】
また、この絞りの大きさは、ビーム軸合わせを容易にするために、比較的大きい絞りを使わざるを得なかった。この対策として、ブランキング偏向器を２段にして、この中間（２段偏向系の偏向主面）に材料面上のビーム像に対応する物点像を結像させるような電子光学系を使用し、２段ブランキング偏向器の中間（物点像位置）に、ビーム遮断絞りを配置する方法が使用されている。
【０００６】
この場合にも、ビーム軸合わせ上、遮断絞りの開口径はある程度大きくせねばならないので、偏向するビームの大きさが小さいとはいえ、ビームを遮断するまでには、偏向電圧の７〜８割程度の電圧を必要とする。偏向電圧は、描画装置の加速電圧が高くなればなるほど高い電圧を必要とし、偏向電圧が高くなれば、応答速度は長くなる。
【０００７】
以下、図を用いて更に詳細に説明する。図１に従来の電子ビーム描画装置を示すが、図において１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥＢは、第１のレンズ２、第２のレンズ３、第３のレンズ４によって集束される。第１のレンズ２は、電子銃１で発生するクロスオーバＣ０をブランキング偏向器５の主面にクロスオーバーＣ１として結像する。
【０００８】
第２のレンズ３は、クロスオーバーＣ１をレンズ３の像面側の位置にクロスオーバーＣ２として縮小結像する。第３のレンズ４は、クロスオーバーＣ２を被描画材料６上に投影結像して、クロスオーバーＣ３を発生させる。
【０００９】
電子ビームの光軸に沿って絞り７が配置されているが、この絞り７はブランキング偏向器５によって偏向された電子ビームを遮断する役割を有している。また、第２レンズ３内には絞り８が設けられているが、この絞り８は電子ビームを制限するためのものである。更に第３レンズ４の位置には、電子ビームを描画パターンに応じて偏向するための偏向器９が設けられている。
【００１０】
前記電子銃１には、電子銃制御電源１０から所定の加速電圧等が印加される。また、第１の電子レンズ２にはレンズ電源１１から所望のレンズ電流が供給され、第２の電子レンズ３にはレンズ電源１２から所望のレンズ電流が供給され、第３の電子レンズ４にはレンズ電源１３から所望のレンズ電流が供給される。
【００１１】
偏向器９には、描画パターン処理ユニット１４からの描画データに基づく偏向信号が、ＤＡ変換器１５、増幅器１６を介して供給される。なお、描画パターン処理ユニット１４からブランキング偏向器５には増幅器１７を介してブランキング信号が供給される。描画パターン処理ユニット１４にはコンピュータ１８から描画データが供給される。コンピュータ１８は、電子銃制御電源１０、第１レンズ２のレンズ電源１１、第２レンズ３のレンズ電源１２、第３レンズ４のレンズ電源１３を制御する。
【００１２】
被描画材料６は、移動ステージ１９上に載置されているが、移動ステージ１９はコンピュータ１８によって制御されるステージ駆動電源２０によって駆動される。このような構成の動作を次に説明する。
【００１３】
被描画材料６に照射される電子ビームの位置データと寸法データは、あらかじめコンピュータ１８に書き込まれて記憶されている。コンピュータ１８に記憶されたデータは描画パターン処理ユニット１４に供給されて加工処理される。ここでこの処理内容を図２を用いて説明する。
【００１４】
コンピュータ１８に記憶されているデータは、半導体素子となる領域に含まれるパターン全てであるが、説明を簡単化するために、図２（ａ）に示すように、領域Ｒの中に４個のパターンＰ１〜Ｐ４が存在する場合の描画を例にして説明する。半導体素子領域Ｒは、描画フィールドより通常は大きいので、描画データは、複数のフィールドＦ１１〜Ｆ４４に分割されたフィールドごとの情報としてコンピュータ１８には記憶させておく。
【００１５】
フィールドＦ２２に跨がるパターンＰ１、Ｐ３は、フィールド境界で分割され、図２（ｂ）に示すように、パターンＰ１３、Ｐ３３となる。描画フィールドに跨がらないパターンＰ２はフィールド境界で分割されず、パターンＰ２のままである。パターンＰ２を例にとると、その位置はフィールドの原点コーナーからの位置Ｘ０，Ｙ０と長さＷ、高さＨで表現されており、これを描画パターン処理ユニット１４は、図２（ｃ）に示すように、電子ビームが走査できる範囲（以下ビーム走査範囲という）に分割する。なお、このビーム走査範囲は、図１でｒとして示してある。
【００１６】
分割された各パターンは、分割前のパターンの原点Ｘ０，Ｙ０からの位置とビーム走査範囲を情報としたデータで記憶される。ビーム走査できる範囲ＦＷ，ＦＨは、図２（ｄ）に示すように、偏向制御系の能力で決まる最大走査範囲である。ただし、ビーム走査できる範囲は、分割されたパターンの大きさにより、図２（ｅ）に示すように、最大走査範囲以下となる場合がある。なお、図２（ｄ）でＳはビーム走査開始位置を示し、Ｅはビーム走査終了位置を示す。
【００１７】
描画パターン処理ユニット１４では、描画パターンの指定された描画位置に対応する位置信号と描画パターン寸法に基づき、ビームで塗り潰し走査を行うための走査信号を発生する。描画位置を表すアドレス信号と塗り潰しを行う走査信号は、パルス信号でＤＡ変換器１５に与えられる。
【００１８】
描画位置がアナログ信号に変換された直後に、走査信号は走査長ＦＷに相当するビームインクリメント数（走査長を走査インクリメントで割った数）のパルス信号を指定周波数で発生し、走査高さＦＨに相当する本数（走査高さを走査インクリメントで割った数）分までをＤＡ変換器１５に与える。ＤＡ変換器１５でアナログに変換された描画位置と走査信号は、ビーム走査偏向に必要な電圧に増幅器１６で増幅されて偏向器９に供給される。
【００１９】
描画パターン処理ユニット１４は、分割演算の他に、描画パターン終了後次に描画する描画パターンの位置決めの期間、材料６への電子ビームの照射を遮断するためのブランキング信号を発生する。ブランキング信号は増幅器１７に供給されてビーム遮断電圧が発生され、この電圧はブランキング偏向器５に供給される。この遮断電圧は高速に応答することが要求される。
【００２０】
ブランキング制御は、１段の偏向器５の中心（偏向主面）に、材料面上のビーム像に対応する物点像Ｃ１を結像させるように電子光学系を動作させ、このブランキング偏向器５の直下に、開口部を有する絞り７を設けて、偏向されたビームを開口部外で受けるようにしている。なお、開口部は、ブランキング偏向されない、すなわち、材料６上にビームを照射しているときのビームが通る通過口となる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上記した構成で、開口部を通過するビームは、広がりＡを有しているので、ビームを遮断するには、開口部の大きさをビームの大きさより大きくせねばならない。また、開口部の大きさは、ビーム軸合わせを容易にするために、比較的大きな寸法にせざるを得ない。これらのことから、ビームを遮断するための偏向電圧は高い電圧となり、応答速度が長くなる。
【００２２】
この応答時間を短縮する方法として、図３に示す偏向系が用いられている。この方法は、ブランキング偏向器を上段の偏向器２２と下段の偏向器２３の２段構成とすることを基本としている。そして、この中間（２段偏向系の仮想偏向主面位置で、この位置は上下の偏向器の寸法差や供給電圧差の選択により、仮想偏向主面の位置は決められるので、必ずしも中間である必要はない）位置に、材料面上のビーム像に対応する物点像Ｃ１を結像させるような電子光学系を使用し、２段ブランキング偏向器の中間（物点像位置）に、ビーム遮断絞り２４を配置する方法である。
【００２３】
この方法では、ビームＥＢはブランキングされるとＥＢ´のように偏向を受け、絞り２４によって遮断される。なお、Ｃ１ｂは偏向によって移動したクロスオーバー位置である。
【００２４】
ビーム遮断絞り２４の位置に結像しているビームは、数μｍ以下であるが、ビーム軸合わせ上、ビーム遮断絞り２４の開口部寸法は、ある程度大きくせねばならないので、偏向するビームの大きさが小さいとはいえ、ビームが遮断されるまでには偏向電圧の全電圧を必要とする。
【００２５】
図４はこの様子を示しており、図４（ａ）のようにビーム軸ＥＢがビーム遮断絞り２４の開口部ｄ２の中心にあるときは、偏向電圧で決まる距離Ｌbkの半分の距離（Ｌbkが開口部寸法と同一とした場合）でビームは遮断されるが、図４（ｂ）のように、ビーム軸ＥＢがビーム遮断絞り２４の開口部ｄ２の端にあるときには、偏向電圧で決まる距離Ｌbkの距離を偏向されてビームは遮断される。すなわち、前者は偏向全電圧の半分で、後者は偏向全電圧で偏向され、前者の方が遮断までの応答時間は短い。
【００２６】
このように、ビーム軸がビーム遮断絞り２４の開口部ｄ２を中心に必ず位置することが確認できる構成でも、ビーム遮断に要する偏向電圧は最大出力の半分が必要となる。偏向電圧は、描画装置の加速電圧が高くなればなるほど高い電圧を必要とし、偏向電圧が高くなれば応答速度も長くなる。このため、ビーム走査の周波数が非常に高くなると、パターン描画開始位置（図２（ｄ）のＳ）、終了位置（図２（ｄ）のＥ）でのビームが所定の時間より多く照射される現象が生じて、描画したパターンのエッジ解像度の低下の要因となる。
【００２７】
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目的は、ビーム遮断偏向時の全偏向振幅よりはるかに小さい距離で遮断絞りエッジにビームを到達させ、ビーム遮断までの時間を大幅に短縮して描画パターンのエッジ解像度を向上させることができる電子ビーム描画装置を実現するにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に基づく電子ビーム描画装置は、電子ビームを集束して被描画材料に照射すると共に、電子ビームを描画パターンに応じて偏向し、被描画材料上に所望のパターンの描画を行うようにした電子ビーム描画装置において、ブランキング偏向器と、ブランキング偏向器によって偏向された電子ビームの遮断か投入を行うための絞りを設け、絞りの開口部の位置を調整する調整機構とを備えたことを特徴としている。
【００２９】
第１の発明では、絞りの開口部の位置を調整し、電子ビームの軸位置を絞りの開口部のエッジ近傍に位置させる。
第２の発明に基づく電子ビーム描画装置は、第１の発明において、ブランキング偏向器を２段構成とし、２段の偏向器の中間に絞りを配置した。
【００３０】
第３の発明に基づく電子ビーム描画装置における電子ビームのブランキング方法は、電子ビームを集束して被描画材料に照射すると共に、電子ビームを描画パターンに応じて偏向し、被描画材料上に所望のパターンの描画を行うと共に、ブランキング偏向器とブランキング偏向器によって偏向された電子ビームを遮断する絞りとによって電子ビームをブランキングするようにした電子ビーム描画装置において、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにしたことを特徴としている。
【００３１】
第４の発明に基づく電子ビーム描画装置における電子ビームのブランキング方法は、第３の発明において、電子ビームを遮断する絞りの開口部エッジを跨いで平面状に電子ビームを走査し、開口部のエッジ付近を通過する電子ビームをモニター上で輝影として表示し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにしたことを特徴としている。
【００３２】
第５の発明に基づく電子ビーム描画装置における電子ビームのブランキング方法は、第３の発明において、電子ビームを遮断する絞りの開口部エッジを跨いで直線状に電子ビームを走査し、波形モニター上に開口部を通過する電子ビームの信号波形を表示し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにしたことを特徴としている。
【００３３】
第６の発明に基づく電子ビーム描画装置における電子ビームのブランキング方法は、第３の発明において、電子ビームを遮断する絞りの開口部を通過する電子ビームの電流量を測定し、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにしたことを特徴としている。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図５は本発明に基づく電子ビーム描画装置の一例を示す図であり、図１、図４の従来装置と同一ないしは類似の構成要素には同一番号が付し、その詳細な説明は省略する。
【００３５】
図５において、描画材料６上のビームを遮断、投入するブランキング偏向器２２，２３は２段偏向系を構成し、同一方向にビームを偏向する。２つの偏向器２２，２３の上下電極の構造寸法、供給電圧比を選定することにより、任意の位置に２段偏向系の仮想偏向定点を決めることができる。
【００３６】
ここでは、２段偏向器の中間を２段偏向系の仮想偏向主面にとり、この位置に材料面上のビーム像に対応する物点像Ｃ１を結像させる結像系と、ビーム遮断絞り２４を配置している。この絞り２４に設けられた開口部の位置は、調整機構２５により調整することができる。なお、パターン処理ユニット１４からのブランキング信号は、増幅器１７ａを介して上段の偏向器２２に供給され、増幅器１７ｂを介して下段の偏向器２３に供給される。
【００３７】
ビーム遮断絞り２４の位置に結像しているビームは数μｍ以下であるから、遮断絞り２４の開口部の寸法は、これ以上の大きさでなければならないので、数十μｍ（例えば５０μｍ）寸法の開口を使用する。図６はこの開口部とビームの位置関係を示す。図６（ａ）にビーム遮断絞り２４の開口部の構成例を示す。同じ寸法の開口部ｄ２を複数個設け（単一でも良い）、開口部ｄ２とは別の大きい寸法の開口部ｄ１も設ける。
【００３８】
開口部ｄ２を複数設けるのは、ビーム遮断時にビーム遮断絞り２４上でビームを受けている箇所に汚れが生じて使用できなくなったときに切り換えて使用するためである。大きい寸法の開口部ｄ１は、ビーム軸合わせを行うときに、ビームを容易に通すために使用する。開口部の調整機構２５には、水平位置を調節する移動機構も有している。
【００３９】
ビーム軸合わせ後、開口部調整機構２５により、ビーム遮断絞り２４の位置を開口部ｄ２位置に切り換える。しかし、開口部ｄ２は小さいので、簡単にはビームを通過させることができない。この調整方法を図７を用いて説明する。図１と同一番号の構成要素は同一機能を有するので、その詳細な説明は省略する。２段のブランキング偏向系の上部には、２次元平面をビーム走査するための偏向器２６（図では電磁偏向器で示したが、静電偏向器でも良い）が設けられており、この偏向器２６には走査信号発生器２７から走査信号が供給される。この結果、ビーム遮断絞り２４の開口部はビームによって走査される。
【００４０】
開口部ｄ２ではビームは通過し、通過ビームはビーム軸上に挿入（本調整中のみ）されたビーム受け板２８によって検出され、変換器２９によって電圧信号に変換される。この電圧信号は、走査信号発生器２７からの走査信号が供給されるモニター３０に輝度信号として供給される。この結果、走査信号発生器２７の走査信号振幅を大きくすると、開口部形状がモニター３０上に輝影（開口部が円形の場合は円）ＡＰ１として現れる。
【００４１】
この輝影のエッジをモニター３０画面の中央に位置するように、開口部調整機構２５の水平位置調節機構を調節する。走査信号発生器２７の走査信号振幅を小さくすると、モニター３０上の輝影は大きくなり、輝影の一部がＡＰ２のようにモニター画面上に現れる。この輝影のエッジがモニター３０の画面中央に位置するように、開口部位置調整機構を調整する。モニター中央と水平方向にずらした位置との差が、図６（ｃ）のＬonに相当する。この差が大きいと、図６（ｂ）に示すＬONのようになり、ビームが遮断されるまでの時間が長くなる。
【００４２】
ビーム軸合わせ後の開口部ｄ２の位置合わせの別の調節方法を図８に基づき説明する。この方法は、調節のための偏向器の追加を必要としない例である。走査信号発生器３２は、鋸歯状波あるいは三角波の線走査信号を発生する。切換え器ＳＷは、ビーム遮断絞り２４の上側の偏向器２２に与える信号を走査信号発生器３２からの線走査信号と、増幅器１７ａからのビーム遮断信号とを切換えるスイッチである。
【００４３】
走査信号発生器３２からの線走査信号は、ビーム遮断絞り２４の開口部位置付近をビームによって走査する。開口部ｄ２を通過したビームは、ビーム受け板２８で検出され、電圧変換器２９で電圧信号に変換される。モニター（オシロスコープ）３３の一つの入力（図示外）に走査信号発生器３２からの走査信号を供給して、モニター３３上に線走査信号の波形を表示し、もう一つの入力（図示外）に、ビーム受け板２８で検出された電圧信号を供給し、モニター上に検出信号波形を表示する。
【００４４】
走査信号発生器３２の線走査信号振幅を大きくすると、開口部以外でビームは遮断されるので、モニター上にパルス状の波形ＰＬが得られる。開口部以外で遮断されている部分がＩｏ、開口部を通過している部分がＩｂである。このパルス状の波形の立ち下がり部ＰＤ位置が線走査信号の走査開始位置Ｓｓに近付くように、絞り２４の位置を水平位置調節機構２５で調節する。
【００４５】
なお、走査信号発生器３２の線走査信号振幅を小さくして、モニター３３上のパルス波形の立ち下がり部ＰＤ位置が線走査開始位置Ｓｓに近付くように、水平位置調節機構で調節できる。このパルス波形の立ち下がり部ＰＤ位置と、線走査開始位置Ｓｓとの差が、図６（ｃ）のＬonに相当する。この差が大きいと、図６（ｂ）に示すようになり、ビームが遮断されるまでの時間が長くなる。なお、線走査信号が与えられていない場合には、モニターの中心がビーム位置であり、線走査方向はビーム遮断偏向方向となっている場合の例で説明した。
【００４６】
ビーム軸合わせ後のビーム遮断絞り位置合わせの更なる調節方法は、ビーム走査を必要としない方法である。開口部ｄ２を通過したビームは、ビーム受け板２８で電流検出される。検出電流計をモニターしながら、電流値がなくなりかける位置に水平位置調節機構を調節する。この状態で、ビームがビーム遮断開口部ｄ２のエッジに位置したことになる。この位置からエッジをわずかだけ（数十μｍ）水平位置調節機構でビーム遮断偏向方向に動かす。このエッジがビーム遮断偏向方向側のエッジか、反対側のエッジか分からないので、水平位置調節機構をビーム遮断偏向方向に動かして、検出電流計が電流値を示すことによりこれを確認する。
【００４７】
また、ビーム遮断偏向方向に直交するエッジか否かは、水平位置調節機構をビーム遮断偏向方向と直交する方向に移動させて、検出電流計の指示値が、微小変化範囲内でこの微小変化範囲を与える移動機構範囲の中央位置となるように調節した後、水平位置調節機構のビーム遮断偏向方向を調節して位置を決める。この方法は、水平位置調節機構の２軸移動方向がビーム遮断偏向方向に平行と直交であることはいうまでもない。
【００４８】
以上詳細に説明したように、ビーム遮断偏向により、ビームが偏向し始めるごく近傍に、ビーム受け遮断開口部のエッジを位置調節することにより、描画材料上でのビーム遮断時間を数ｎｓｅｃにすることが可能となる。図９を用いてこの内容をより詳しく説明する。
【００４９】
図９（ａ）は遮断開口部の位置調整がされていない場合で、ビームが正常通過する位置（描画中のビーム軸位置）から遮断開口部エッジまで遠く、ビーム遮断偏向開始からビーム遮断開口部までＬona の距離を有するため、ビームが正常通過する位置に戻るまでに時間ｔｄａを要する。全偏向距離Ｌbkに相当する時間が１５ｎｓｅｃとすると、１０ｎｓｅｃ程度が見込まれ、場合によっては１５ｎｓｅｃかかることもあり得る。
【００５０】
図９（ｂ）は遮断開口部の位置調整がなされている場合で、ビームが正常通過する位置（描画中のビーム軸位置）から遮断開口部エッジまでが近く、ビーム遮断偏向開始からビーム遮断開口部のエッジまでの距離Ｌonb が短いので、完全にビームが正常通過する位置に戻るまでの時間ｔｄｂは短い。全偏向距離Ｌbkに相当する時間が１５ｎｓｅｃとすると、２ｎｓｅｃ程度とすることができる。
【００５１】
例えば、ビーム走査が１００ＭＨｚ周期でパターン塗り潰し走査している場合の走査インクリメント上でのビーム停止時間は１０ｎｓｅｃであり、ビーム遮断時間はこれより短くせねばならない。ビーム遮断時間が長いと、走査開始位置Ｓあるいは走査終了位置Ｅで、ビーム照射時間の増大（上の例では１インクリメント分の２倍）が発生して、描画パターンのエッジ解像度を低下させる要因となっている。ビーム遮断時間を描画インクリメント停止時間の１０ｎｓｅｃより短くすれば、エッジ解像度低下を防止することができる。
【００５２】
以上本発明の実施の形態を詳述したが、本発明はこの形態に限定されない。例えば、ブランキング偏向器を２段構成としたが、１段の偏向器を用いた場合にも本発明を適用することができる。また、絞りに設けられた電子ビームの通過開口の形状は円形であっても矩形であっても良い。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、第１、第２の発明では、絞りの開口部の位置を調整し、電子ビームの軸位置を絞りの開口部のエッジ近傍に位置させるように構成したので、電子ビーム遮断偏向時の全偏向振幅よりはるかに小さい距離で、遮断絞りエッジにビームを到達させて、ビーム遮断までの時間を大幅に短縮させることができる。その結果、描画パターンのエッジ解像度を著しく向上させることができ、高い精度の描画が達成される。
【００５４】
第３〜第６の発明では、絞りの開口部の位置を調整し、ビーム軸を前記開口部中のビーム遮断偏向方向側のエッジ近傍に位置させ、この状態で電子ビームのブランキングを行うようにしたので、電子ビーム遮断偏向時の全偏向振幅よりはるかに小さい距離で、遮断絞りエッジにビームを到達させて、ビーム遮断までの時間を大幅に短縮させることができる。その結果、描画パターンのエッジ解像度を著しく向上させることができ、高い精度の描画が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の電子ビーム描画装置を示す図である。
【図２】スポットビームによる描画方法を説明するための図である。
【図３】２段偏向器によるビームブランキングの様子を示す図である。
【図４】ブランキング動作によるビームの移動の様子を示す図である。
【図５】本発明に基づく電子ビーム描画装置を示す図である。
【図６】図５の装置に用いられる絞りの形状とブランキング時のビームの移動の様子を示す図である。
【図７】絞り位置の調整のための構成の一例を示す図である。
【図８】絞り位置の調整のための構成の一例を示す図である。
【図９】ブランキング時間短縮の様子を示す図である。
【符号の説明】
１  電子銃
２，３，４  電子レンズ
６  被描画材料
９  偏向器
１０  電子銃制御電源
１１，１２，１３  レンズ電源
１４  描画パターン処理ユニット
１５  ＤＡ変換器
１６，１７  増幅器
１８  コンピュータ
２２，２３  ブランキング偏向器
２４  絞り
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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