(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象のＩＣを上方向から撮像する撮像手段と、ＩＣの横方向から見た画像を上方向に反射又は屈折させる光学手段と、撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えるか、あるいは検査対象のＩＣを上方向並びに横方向から撮像する複数の撮像手段と、各撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えてなり、画像処理手段は、予め所定箇所の寸法が計測されている治具を撮像手段で撮像して得られる画像から当該所定箇所の検出を行ない、これら所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とに基づいて撮像手段で撮像される画像の座標系を補正し、補正した座標系における所定箇所を検出した検出値を用いてリードが接地する仮想平面を求め、該仮想平面とリードとの距離からリードの浮き量を算出するとともに、治具の複数の所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とを直交座標系の２つの成分毎に平均して横方向から見た画像の補正比率を算出することを特徴とするＩＣリード浮き検査装置。
【請求項２】
請求項１の検査装置を用いて検査対象のＩＣのリードの浮き量を算出することを特徴とするＩＣリード浮き検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣの基板接地面（搭載面）からの各ＩＣリードの浮き（上下方向の曲がり）を非接触で検査するＩＣリード浮き検査装置及び検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＱＦＰ型ＩＣは、パッケージモールド体の四方に突出する多数のリードを介してプリント基板上に搭載され、各リードがプリント基板上に形成されたパターン上に半田付け等により接合される。このようなＩＣの各リードは、矩形のモールド体の４側面から水平に突出し下方に曲げられて、さらに先端の基板接合部が水平に曲げられて、この先端水平部にてプリント基板に接地する。この場合、各リードの曲げ加工精度に応じて多数突出するリードの垂直方向の高さにばらつき（浮き）が生じる。このようなリードの浮きが大きいと、基板搭載面に確実に接触しないリードが生じ、機能の信頼性を低下させる場合がある。
【０００３】
かかる問題の発生を未然に防止するために、ＩＣ製造後にリードの浮きが所定の範囲内に収まっているか否かの検査が行なわれる。なお、このような検査は、リードの変形を極力なくすために非接触で行なうことが望ましい。
従来、ＩＣのリードの浮きを検査する手法としては、モールド体の同一辺（側面）から突出しているリードの垂直方向の高さのばらつきに着目して簡易的に浮きを検査する手法や、ＩＣに光を照射し半透明板に写したリードの影の長さによって浮きを検査する手法、あるいは非接触レーザ変位計を用いてリードの浮きを検査する手法などがある（特開平４−２３６３１１号公報、特開昭６３−２７５９３７号公報、特開平３−１５７０７号並びに特開平３−２６０８号公報等参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＣのモールド体の各辺（側面）から突出するリードのばらつきに着目する手法では、例えばＱＦＰ型ＩＣの場合であれば４辺の全てのリードのばらつきが総合的に判断されていないので、ＩＣを実際に接地した場合の浮き量と異なる虞がある。また、リードの影の長さによって検査する手法では、影を作りだし且つ影の長さを測定するための光学系の調整が困難で立ち上げ調整も難しく、メンテナンスにも手間を要してしまう。さらに、レーザ変位計を使った検査の場合には、ＩＣがＱＦＰ型であるときにはその構造上全てのリードを一度に計測することができず、ＩＣを９０度ずつ回転させながら各辺毎にリードの浮きを計測しなければならず、精度が低下したり計測に多大な時間を要してしまうという欠点がある。
【０００５】
一方、リードの浮きを検査するために実際にＩＣを平坦な面に接地させて各リードの浮き量を計測する方法も考えられるが、計測時にリードが変形する可能性があり、先に述べたようにリードを接地せずに非接触で検査することが望ましい。
そこで、従来はＩＣの各リードの高さを測定し、各リードの高さデータに基づいて演算によりリードがプリント基板に接地するであろう仮想平面を求め、この仮想平面から各リードまでの距離を算出してリード浮きの検査を行なう方法（コプラナリティ検査法）が考えられていた。
【０００６】
しかし、上記コプラナリティ検査法においても、高い精度を得るにはＩＣを撮像するための光学系の調整が必要となり、検査装置の保守及び維持管理や実際の検査に手間がかかってしまうという問題を有している。
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、光学系の調整が簡易に行なえて高精度の検査が可能なＩＣリード浮き検査装置及び検査方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、検査対象のＩＣを上方向から撮像する撮像手段と、ＩＣの横方向から見た画像を上方向に反射又は屈折させる光学手段と、撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えるか、あるいは検査対象のＩＣを上方向並びに横方向から撮像する複数の撮像手段と、各撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えてなり、画像処理手段は、予め所定箇所の寸法が計測されている治具を撮像手段で撮像して得られる画像から当該所定箇所の検出を行ない、これら所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とに基づいて撮像手段で撮像される画像の座標系を補正し、補正した座標系における所定箇所を検出した検出値を用いてリードが接地する仮想平面を求め、該仮想平面とリードとの距離からリードの浮き量を算出するとともに、治具の複数の所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とを直交座標系の２つの成分毎に平均して横方向から見た画像の補正比率を算出することを特徴とし、治具を用いて撮像した画像の座標系を補正することにより光学系の調整が簡易に行なえ、高精度の検査が可能となり、しかも、補正のための演算を簡易化できるとともに治具の所定箇所を検出した検出値の誤差をなまらせることができる。
【０００９】
請求項２の発明は、上記目的を達成するために、請求項１の検査装置を用いて検査対象のＩＣのリードの浮き量を算出することを特徴とし、治具を用いて撮像した画像の座標系を補正することにより光学系の調整が簡易に行なえ、高精度の検査が可能となり、しかも、補正のための演算を簡易化できるとともに治具の所定箇所を検出した検出値の誤差をなまらせることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施形態により詳細に説明する。なお、本実施形態では検査対象としてＱＦＰ型ＩＣを例示するが、これに限定する主旨ではなく対向する２側面からリードが突出したＳＯＰ型ＩＣ等の他の種類のパッケージのＩＣであってもよい。
【００１２】
図１は本実施形態のＩＣリード浮き検査装置を示すブロック図である。この検査装置は、ＱＦＰ型ＩＣ（以下、ワークＷと呼ぶ。）の下方から照射された光源（図示せず）の光を拡散する拡散板６、ワークＷの側面の４方向（図示は一部省略）に配設され入射光を略直角に反射するミラー部７から成る光学系と、ワークＷを上方向から撮像するカメラ１と、カメラ１で撮像されたワークＷの画像を処理する画像処理ブロック２とで構成される。
【００１３】
また、画像処理ブロック２はカメラ１から取り込んだアナログの画像信号をＡ／Ｄ変換して画素（ピクセル）のデータ（濃淡データあるいは２値化データ）を得るＡ／Ｄ変換部３と、得られた画素データを記憶するメモリ部４と、画像処理ブロック２全体の制御並びに画素データに基づいて仮想平面を算出する演算（後述する）を行ない、最終的に各リード８の浮き量を計測するといった種々の演算処理を行なうＣＰＵ５とを備える。
【００１４】
ワークＷを図示しない検査ステージに配置し、拡散板６を通して下方から光を照射すれば、カメラ１では図２に示すようにワークＷの正面の画像（縦横方向の画像）と、ミラー部７で反射されたワークＷの４側面の画像（高さ方向の画像）とが同時に撮像される。なお、ワークＷはリード８の先端部分が上になるように検査ステージに配置することが望ましい。
【００１５】
このように、ミラー部７を備えることによって１台のカメラ１で縦横方向と高さ方向の２種類の画像が同時に撮像可能となり、光学系の構造が簡素化できるとともに画素データを記憶するメモリ部４の容量も少なくできるという利点がある。なお、ミラー部７の代わりにプリズムを用いてもよい。
ところで、検査装置を立ち上げた時にはカメラ１やミラー部７の光学系に微妙な誤差が生じている可能性があり、また検査対象の品種変更時にワークＷの寸法や形状等に応じて上記光学系が交換されると交換時に微妙な誤差が生じる虞がある。例えば、ミラー部７が検査ステージに対して傾いて取り付けられていると、カメラ１で撮像したワークＷの高さ方向の画像も傾いてしまうことになる。そして、カメラ１とミラー部７との位置関係等を３次元的に高精度で調整することは非常に困難且つ多くの時間を要する。
【００１６】
そこで、本発明はワークＷの外形と略同一に形成された治具の所定の位置（点）を予め実測し、この治具をカメラ１で撮像して上記所定位置に対応する画素の座標値を求め、治具の実寸法とカメラ１で撮像して得られる治具の画素データ（座標値）とに基づいて光学系の座標を補正（キャリブレーション）するようにしたものであり、これによって高精度な光学系の調整が簡易に行なえるものである。
【００１７】
図３は本実施形態における補正用の治具１０を示し、検査対象のワークＷであるＩＣと略同一の形状となるように矩形の本体１０ａ側面に櫛歯状の脚片１０ｂが多数列設されて成るものである。このような治具１０は合成樹脂等の材料を適宜選択して製作され、予め従来周知の３次元計測器等を用いて所定位置の座標（基準位置からの距離）が計測される。本実施形態では、図４（ａ）に示すように治具本体１０ａの縦横方向の１つの角をＸ，Ｙ直交座標系の原点とみなして各脚片１０ｂの先端中央と各脚片１０ｂ間の中央の位置（以下、「計測点」と呼ぶ。）をｍｍ単位やμｍ単位で計測するとともに、図４（ｂ）に示すように治具本体１０ａの上面を基準に上記各計測点の高さ寸法をＺ座標値として計測する。そして、得られた計測点の実測値（座標データ）を本実施形態のＩＣリード浮き検査装置の画像処理ブロック２に入力してメモリ部４に記憶させる（図５のフローチャート参照）。なお、実測値（座標データ）の入力はキーボード等から作業者が直接入力してもよいが、シリアル通信を使って転送したり、ＩＣカード等の記録媒体を介して一括入力するようにすれば、データの入力に人手を介さずに済むため、手間が省けるとともに入力ミス等の不具合の発生を防ぐことができる。
【００１８】
また、治具１０の製作後に所定位置（計測点）の実測を行なうので、後述するキャリブレーションの精度は上記治具１０の実測精度に依存することになる。従って、治具１０を高い寸法精度で製作しなくても済み、保存管理等に留意するだけで高い加工精度が要求されずに製造コストを低く抑えることができる。
次に計測点の実測が完了した治具１０を検査ステージに配置するのであるが、後でキャリブレーションを行なうので、例えカメラ１やミラー部７等の光学系の座標が傾いていても作業者は検査ステージ内に簡易に治具１０を配置するだけでよい。そして、配置した治具１０の縦横方向並びに高さ方向の画像をカメラ１で撮像して、図６及び図７に示すような縦横方向並びに高さ方向の画像を得る。画像処理ブロック２では得られた画像の濃淡データあるいは２値化データを画素データとしてメモリ部４に記憶する。
【００１９】
そして、画像処理ブロック２のＣＰＵ５が画素データに基づいて計測点と同じ位置の検出を行なう。すなわち、図８に示すように濃淡サブピクセルエッジ（濃淡データの微分）あるいは２値化エッジ（２値化データの微分）により検出されるエッジを点Ｄ，Ｅとし、線分ＤＥの中点を通り且つ線分ＤＥと直交する直線に沿ってエッジの検出を行なって点Ｆを算出する。さらに、図９に示すように線分ＤＥの延長線上でエッジを検出した点Ｈと点Ｅを結ぶ線分ＥＨの中点を通り且つ線分ＥＨと直交する直線に沿ってエッジの検出を行なって点Ｉを算出する。而して、点Ｆや点Ｉは治具１０の計測点と同じ位置に相当し、以下、全ての計測点と同じ位置（以下、「検出点」と呼ぶ。）の検出値（ピクセル座標（＝画素単位の座標））を算出し、キャリブレーションデータとしてメモリ部４に記憶する。なお、キャリブレーションデータ算出のためにカメラ１で撮像した後は治具１０を検査ステージから取り去ってもよい。また、普段は治具１０を常温で保管しておき、一定期間毎に上記処理を再度行なってキャリブレーションデータの校正を行ない、精度保証を図ることが望ましい。
【００２０】
上述のようにして治具１０の同じ位置（計測点）に対する実測値と検出値とが得られると、画像処理ブロック２のＣＰＵ５において検出値を実測値に合わせるようにして座標系の補正を行なう。また、隣接する計測点間の微小空間の補正、すなわち計測点同士を結んだ線分上の点の補正は、計測点の補正における一定比率で行ない、この一定比率を延長すれば計測点の周囲の２次元空間の補正が行なえる（図１０のフローチャート参照）。このような方法で補正を行なえば、各計測点毎に補正されるためにきめ細かな補正が可能となる。例えば、図１１に示すように光学系（カメラ１やミラー部７）の取付誤差等で治具１０の画像が傾いているような場合にも、上記キャリブレーションを行なうことで検出値の座標系を修正することができる。
【００２１】
なお、治具１０の実測値と検出値の各Ｘ成分とＹ成分毎に平均を算出して高さ画面の補正比率を算出することができる。この方法によれば、補正演算が簡単になり各計測点での計測誤差を鈍らせることができるという利点がある。
次に、ＩＣリードの浮き検査の手順を図１２のフローチャートを参照して説明する。
【００２２】
まず、ワークＷを検査ステージに配置してカメラ１で撮像する。撮像した画像は画像処理ブロック２のＡ／Ｄ変換部３にてディジタル信号（画素データ）に変換されてメモリ部４に記憶される。この時点でワークＷを検査ステージから取り去っても構わない。それから、画像処理ブロック２のＣＰＵ５がメモリ部４に記憶された画素データに基づいて各リードの先端中央（以下、「リード位置」と呼ぶ。）のピクセル座標値を算出する。但し、このようなリード位置の算出方法は治具１０の検出点の算出方法と共通であるから説明は省略する。
【００２３】
続いて、ＣＰＵ５はメモリ部４に記憶されているキャリブレーションデータ（治具１０の実測値及び検出値）を用いて、算出した各リード位置のピクセル座標値のキャリブレーションと、ピクセル値から実測値〔μｍ〕への変換を行なう。具体的に説明すると、図１３に示すように各リード位置Ｐ（Ｘｐ，Ｙｐ）に対して最も近傍に在る治具１０の実測点Ａ（Ｘａ，Ｙａ），Ｂ（Ｘｂ，Ｙｂ）を選び、基点からのベクトルＰ＝ｍ（ベクトルＡ）＋ｎ（ベクトルＢ）の関係を満たす比例定数ｍ，ｎ（つまり、Ｘｐ＝ｍＸａ＋ｎＸｂ，Ｙｐ＝ｍＹａ＋ｎＹｂを満たすｍ，ｎ）の値を算出する。ここで、Ｐ（Ｘｐ，Ｙｐ），Ａ（Ｘａ，Ｙａ），Ｂ（Ｘｂ，Ｙｂ）は何れもピクセル座標値であるが、点Ａ及び点Ｂの実測値に対しても同じ関係式が成立するはずであるから、点Ｐ，Ａ，Ｂの実測値の座標を各々Ｐｒ（ｘｐ，ｙｐ），Ａｒ（ｘａ，ｙａ），Ｂｒ（ｘｂ，ｙｂ）とすれば、ｘｐ＝ｍｘａ＋ｎｘｂ，ｙｐ＝ｍｙａ＋ｎｙｂの式から点Ｐｒの座標値を求めることができる。そして、基点の実測値に求めた点Ｐｒの座標値を加算すれば、最終的にリード位置Ｐの座標をピクセル座標値からμｍ単位の座標値に変換することができる。上記のようなキャリブレーション処理を全てのリード位置について行ない、各リード位置の実寸座標〔μｍ〕を求める。なお、上記説明は縦横方向（ＸＹ平面）についての説明であったが、高さ方向（Ｚ方向）についても同様にリード位置の座標をピクセル座標から実寸座標に変換する。
【００２４】
すなわち、メモリ部４に記憶した画像から算出するリード位置の座標は、カメラ１の分解能に相当する画素（ピクセル）単位の２次元（縦横方向及び高さ方向）の座標であるのに対し、治具１０の実測値は３次元の座標であり、治具１０の実測値と検出値（ピクセル座標値）とに基づいて上記処理を行なえば、ワークＷのリード位置を２次元のピクセル座標系から３次元の実寸座標系に変換することができる。
【００２５】
次に変換後の各リード位置（実寸座標）に基づいてＣＰＵ５が仮想平面を算出するプログラムを実行するのであるが、その仮想平面を求める方法について図１４のフローチャートを参照して説明する。
検査に先立って予めワークＷの重心Ｇの座標を求めておく。そして、ワークＷを平面に置いたときに最も最初に接地するリード位置（点Ａ）を求めていく。まず、Ｚ座標が最も大きい点Ａ1 を求める。但し、Ｚ座標はＩＣのモールド体表面からの高さで表され、座標値が大きいほどモールド体から離れる（下がる）ものとする。点Ａ1 と重心Ｇとを結ぶ直線に対し、残りのリード位置から垂線を下ろす。そして、その垂線と上記直線Ａ1 Ｇとの交点と点Ａ1 との距離ｄが最小となるリード位置を点Ａ2 とする（図１５（ａ）参照）。さらに点Ａ2 と重心Ｇとを通る直線Ａ2 Ｇに対し、残りのリード位置から垂線を下ろし、その交点と点Ａ2 との距離が最小となる点をＡとする（図１５（ｂ）参照）。
【００２６】
次に点Ａと重心Ｇとを通る直線ＡＧに対し、残りのリード位置から垂線を下ろし、その垂線と直線ＡＧとの交点と点Ａとの距離ｄが最小となるリード位置を、２番目に接地する点Ｂとする（図１６参照）。
それから、３番目に接地する点Ｃを以下のように求めれば、仮想平面を決定することができる。そのために、ＩＣのモールド体に対して点Ａ，Ｂのリード位置と同じ側面（辺）に存在しないリード位置の中で直線ＡＢとの距離ｄが最小になるリード位置を求め、この点と点ＡＢを結んでできる三角形の面積が最大となる点をＣとする（サブルーチン▲１▼）。
【００２７】
求めた点ＡＢＣを結んでできる三角形の中に重心Ｇが存在し、且つその三角形の面積が全てのリード位置を結んでできる四角形の面積の８分の１以上であれば、３つの点Ａ，Ｂ，Ｃを接地点としこれらを含む平面を算出して仮想平面とする。また、上記条件の少なくとも一方が満たされない場合には、点Ａを破棄して点Ｂを点Ａに、点Ｃを点Ｂに置き換えて再度点Ｃを求める処理を行なう。
【００２８】
そして、上記処理ループを４回繰り返しても条件を満足する点Ｃが求められない場合には、以下のように別の手順で点Ｃを求める（サブルーチン▲２▼）。
まず、点Ａ，Ｂと重心Ｇを結んでできる三角形の外側にあり、且つ点Ａ，Ｂと同じ辺に存在しないリード位置と直線ＡＢとの距離を求め、その距離が最小になる点Ｑを求める（図１７参照）。さらにその点Ｑと点Ａ，Ｂとを結んでできる三角形の面積が最大になる点をＣとする。つまり、求めようとする仮想平面と点Ｑから直線ＡＢに下ろした垂線とのなす角θが最小となる（三角形ＡＢＱの面積が最大となる）点が最も仮想平面に近いリード位置となる（図１８参照）。そして、このように求めた点Ｃについて上述の検証を行ない、上記条件を満足する点Ｃが求まるまで同じ処理を繰り返す。
【００２９】
このようにして仮想平面が求まれば、後は仮想平面と各リード位置との距離は容易に算出することができ、仮想平面とリード位置の距離がリードの浮き量となる。このとき浮き量の限界値を設定しておけば、検査毎にワークＷの浮き量の良否判定を行なうことができる。
なお、ミラー部７を使って１台のカメラ１で縦横方向と高さ方向の画像を撮像する構成では、図１９に示すように縦横方向と高さ方向の画像を各々別のカメラ１1 〜１3 で撮像する場合に比較して分解能が低下してしまう。つまり、図１９に示すように複数台のカメラ１1 …で撮像すると高分解能にできる。しかしながら、図２０に示すように各カメラ１1 …毎に得られる画像を処理するための画像処理ブロック２を備えるとコストが上昇し、また複数台のカメラ１1 …に対して１つの画像処理ブロック２を兼用すると、各カメラ１1 …の撮像画像を順次に処理しなければならず、処理時間が長くなるという欠点がある。よって、要求される精度、コスト並びに処理時間等の諸条件を考慮して、最適な装置構成を選択することが望ましい。
【００３０】
【発明の効果】
請求項１の発明は、検査対象のＩＣを上方向から撮像する撮像手段と、ＩＣの横方向から見た画像を上方向に反射又は屈折させる光学手段と、撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えるか、あるいは検査対象のＩＣを上方向並びに横方向から撮像する複数の撮像手段と、各撮像手段から得られる画像を処理してＩＣのリードの上下方向の浮き量を算出する画像処理手段とを備えてなり、画像処理手段は、予め所定箇所の寸法が計測されている治具を撮像手段で撮像して得られる画像から当該所定箇所の検出を行ない、これら所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とに基づいて撮像手段で撮像される画像の座標系を補正し、補正した座標系における所定箇所を検出した検出値を用いてリードが接地する仮想平面を求め、該仮想平面とリードとの距離からリードの浮き量を算出するとともに、治具の複数の所定箇所の寸法の計測により得られる座標と検出により得られる座標とを直交座標系の２つの成分毎に平均して横方向から見た画像の補正比率を算出するので、治具を用いて撮像した画像の座標系を補正することにより光学系の調整が簡易に行なえ、高精度の検査が可能となり、しかも、補正のための演算を簡易化できるとともに治具の所定箇所を検出した検出値の誤差をなまらせることができるという効果がある。
【００３２】
請求項２の発明は、請求項１の検査装置を用いて検査対象のＩＣのリードの浮き量を算出するので、治具を用いて撮像した画像の座標系を補正することにより光学系の調整が簡易に行なえ、高精度の検査が可能となり、しかも、きめ細かな補正が可能になり、あるいは、補正のための演算を簡易化できるとともに治具の所定箇所を検出した検出値の誤差をなまらせることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態を示すブロック図である。
【図２】同上においてワークをカメラで撮像した画像を示す図である。
【図３】同上における補正用の治具を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）及び（ｃ）は側面図である。
【図４】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するための図である。
【図５】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】同上における治具を撮像した縦横方向の画像を示す図である。
【図７】同上における治具を撮像した高さ方向の画像を示す図である。
【図８】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するための図である。
【図９】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するための図である。
【図１０】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】同上におけるキャリブレーションの方法を説明するための図である。
【図１２】同上の検査方法を説明するためのフローチャートである。
【図１３】同上の検査方法を説明するための図である。
【図１４】同上における仮想平面の算出方法を説明するためのフローチャートである。
【図１５】同上における仮想平面の算出方法を説明するための図である。
【図１６】同上における仮想平面の算出方法を説明するための図である。
【図１７】同上における仮想平面の算出方法を説明するための図である。
【図１８】同上における仮想平面の算出方法を説明するための図である。
【図１９】他の構成を示すブロック図である。
【図２０】同上におけるワークをカメラで撮像した画像を示す図である。
【符号の説明】
１  カメラ
２  画像処理ブロック
３  Ａ／Ｄ変換部
４  メモリ部
５  ＣＰＵ
６  拡散板
７  ミラー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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