(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波で放電ランプを点灯させる点灯回路と、放電ランプの点灯時に放電ランプと器具本体ないし大地との間に流れる漏れ電流を抑制する漏れ電流抑制手段とを備え、点灯回路は、直列接続された一対のスイッチング素子のうちの一方に放電ランプを含む負荷回路を並列に接続したハーフブリッジ型のインバータ回路を備え、漏れ電流均衡手段は、点灯回路の出力端のうち高電位側となる一端と放電ランプとの間に挿入され点灯回路から出力される高周波の高調波成分を低減させるインピーダンス要素であることを特徴とする放電灯点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電灯点灯装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、蛍光灯のような放電ランプの両電極間に直流電圧を印加して点灯させると、陽極付近で輝度が低下する現象が知られている。この現象は、放電ランプ内の水銀イオンが陰極側に集まることに起因しており、電気泳動現象ないしカタホリシス現象と呼ばれている（以下ではカタホリシス現象という）。
【０００３】
カタホリシス現象の発生を防止するには、放電ランプの両電極間に交流電圧を印加するのが有効であると考えられてきた。ところが、近年のようにインバータ回路を用いて放電ランプを高周波で点灯させる技術が普及してくると、高周波交流電圧を放電ランプに印加した場合にも、カタホリシス現象の生じる場合があるということがわかってきた。このようなカタホリシス現象は放電ランプを点灯させる環境温度が低いほど顕著になる。
【０００４】
放電ランプを高周波点灯させた場合にカタホリシス現象が生じるのは、次の理由による。一般に、放電ランプ内の放電プラズマと大地との間には容量成分（浮遊容量）が存在するから、電極間に高周波交流電圧を印加して形成された放電プラズマから浮遊容量を通して高周波電流が大地に流れる。一方、放電プラズマの内部の電荷キャリアは水銀イオンと電子であって、水銀イオンよりも電子のほうが移動度が格段に大きいから、浮遊容量を通して高周波電流が流れる際に、放電ランプの管壁には水銀イオンよりも電子のほうがはるかに多く注入され、結果的に放電ランプの管壁は負に帯電することになる。放電ランプの管壁の負の帯電量は放電プラズマの大地に対する電位差（以下では、対地間電圧という）が大きいほど多くなる。
【０００５】
すなわち、対地間電圧が放電ランプの管長方向の各部位で異なっていると、放電ランプの管壁に負電位の勾配が生じる。水銀イオンは負の帯電量が大きいほうに集まるから、負の帯電量が大きいほうが高輝度になる。その結果、上述のように対地間電圧が放電ランプの管長方向において勾配を有していると、カタホリシス現象が生じることになる。ここに、対地間電圧の高いほうを高圧側とすれば、高圧側のほうが負の帯電量が多いということであるから、低圧側の輝度が高圧側よりも低くなる。
【０００６】
放電ランプに高周波電圧を印加する放電灯点灯装置には各種の構成が知られているが、図３２に示すような回路構成が広く採用されている。この放電灯点灯装置は、交流電源ＡＣをダイオードブリッジよりなる整流器ＤＢ1  で全波整流し、チョッパ回路ＣＨＰでＤＣ−ＤＣ変換した後に、インバータ回路ＩＮＶでＤＣ−ＡＣ変換を行なうものであって、インバータ回路ＩＮＶの高周波出力を放電ランプＬａを含む負荷回路１に印加するのである。ここに、インバータ回路ＩＮＶとしては、チョッパ回路ＣＨＰの出力端間に接続された一対のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３の直列回路を備え、一方のスイッチング素子Ｑ３の両端間に負荷回路１と直流カット用のコンデンサＣ３との直列回路を接続したハーフブリッジ型のものを採用している。
【０００７】
インバータ回路ＩＮＶとしてこのような構成を採用すれば、４個のスイッチング素子をブリッジ接続したインバータ回路に比較すると回路構成素子数が少なく低コストで提供することができ、また、２個のスイッチング素子の直列回路と２個のコンデンサの直列回路とを並列接続したインバータ回路に比較しても回路部品素子数が少なく低コストで提供することができる。しかも、後者のものでは動作開始直後にコンデンサが充電されるまで定常動作にならず、この間に負荷回路１にストレスがかかるという欠点があるのに対して、図３２に示したインバータ回路ＩＮＶではこの種の問題も生じないから、図３２に示す構成のインバータ回路ＩＮＶが広く採用されているのである。
【０００８】
放電灯点灯装置および放電ランプＬａは、器具本体１０に組み込まれるのであって、器具本体１０は一般に金属（板金）により形成されている。チョッパ回路ＣＨＰとインバータ回路ＩＮＶとは整流器ＤＢ１の出力端の負極側で、チョッパ回路ＣＨＰに設けたコンデンサＣ０を通して器具本体１０に接地され、器具本体１０は大地に接地される。しかして、器具本体１０のうち放電ランプＬａにもっとも近接しているのは、放電ランプＬａの光出力の配光を制御する反射板であるから、放電ランプＬａから反射板を通して大地に高周波電流が流れることになる。なお、放電ランプＬａの管長方向における中心線と反射板との距離は一定である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したインバータ回路ＩＮＶでは、放電ランプＬａの一端がコンデンサＣ３およびコンデンサＣ０を介して常時接地されているものであるから、放電ランプＬａの管長方向において電位に偏りがある。すなわち、接地側（図３２における下端側）が低圧側、非接地側が高圧側になっている。したがって、上述したように放電ランプＬａの管壁の負の帯電量に勾配が生じて水銀イオンが偏在し、カタホリシス現象が生じる。
【００１０】
このようなカタホリシス現象を放電ランプＬａからの漏れ電流という観点で説明する。すなわち、放電プラズマの位置ｘにおける大地との間の浮遊容量をＣｘ、同位置での対地間電圧をＶｘとし、インバータ回路ＩＮＶの出力周波数をｆ０とすれば、放電ランプＬａから大地に流れる高周波の漏れ電流ｉｘは、ｉｘ＝２πｆ０ＣｘＶｘである。ここに、放電ランプＬａの管長方向における中心線と反射板との距離は一定であるから、Ｃｘは位置ｘにかかわらず一定とみなすことができ、結局、対地間電圧Ｖｘによって電流ｉｘが決定されることになる。しかして、図３２に示した回路構成では、放電ランプＬａの高圧側の端部のほうが低圧側の端部よりも対地間電圧Ｖｘが高いのであるから、漏れ電流ｉｘも放電ランプＬａの高圧側の端部のほうが低圧側の端部よりも多くなる。漏れ電流ｉｘが多ければそれだけ管壁の負の帯電量が多くなり、水銀イオンが集まることになる。つまり、高圧側の端部のほうが輝度が高くなるわけである。
【００１１】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、放電ランプを高周波で点灯するにあたり、少ない変更で高周波の漏れ電流を制御することにより、カタホリシス現象の発生を防止した放電灯点灯装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、高周波で放電ランプを点灯させる点灯回路と、放電ランプの点灯時に放電ランプと器具本体ないし大地との間に流れる漏れ電流を抑制する漏れ電流抑制手段とを備え、点灯回路は、直列接続された一対のスイッチング素子のうちの一方に放電ランプを含む負荷回路を並列に接続したハーフブリッジ型のインバータ回路を備え、漏れ電流均衡手段は、点灯回路の出力端のうち高電位側となる一端と放電ランプとの間に挿入され点灯回路から出力される高周波の高調波成分を低減させるインピーダンス要素であることを特徴とする。
【００１３】
このように、放電ランプから器具本体ないし大地への高周波の漏れ電流をインピーダンス要素により抑制するから、放電ランプの管長方向における電位勾配の発生を低減することができ、結果的にカタホリシス現象の発生を防止することが可能になる。
【００１４】
とくに、放電ランプの高電位側からの漏れ電流が低減することになり、結果として放電ランプの両電極近傍での漏れ電流の差が少なくなり、放電ランプの管長方向における電位勾配が抑制されてカタホリシス現象の発生が防止される。しかも、漏れ電流が全体としても少なくなるから、電力の利用効率も高いものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施形態）
本実施形態は、図１に示すように、商用電源のような交流電源ＡＣをダイオードブリッジのような整流器ＤＢ１により全波整流し、整流器ＤＢ１の出力をチョッパ回路ＣＨＰによりＤＣ−ＤＣ変換し、チョッパ回路ＣＨＰの直流出力をインバータ回路ＩＮＶによりＤＣ−ＡＣ変換することによって、インバータ回路ＩＮＶから出力される高周波電圧を放電ランプＬａを含む負荷回路１に印加する構成を基本構成としている。放電ランプＬａには放電ガスとして水銀蒸気を含むものを用いている。また、負荷回路１は、放電ランプＬａに並列接続された共振用のコンデンサＣ２と、共振用のコンデンサＣ２に後述するインピーダンス要素Ｌｘを介して直列接続された共振用のインダクタＬ２とを備える。放電ランプＬａは器具本体１０に保持され放電ランプＬａの近傍には器具本体１０に設けた配光制御用の金属製の反射板（後述する）が配置される。
【００１６】
チョッパ回路ＣＨＰは、周知の昇圧型のチョッパ回路であって、整流器ＤＢ１の直流出力端間にインダクタＬ１とスイッチング素子Ｑ１との直列回路を接続し、スイッチング素子Ｑ１の両端間にダイオードＤ１を介して平滑用のコンデンサＣ１を接続した構成を有している。スイッチング素子Ｑ１は図示していない制御回路により高周波（交流電源の周波数よりも十分に高い周波数）でオンオフされる。
【００１７】
したがって、スイッチング素子Ｑ１のオン時には整流器ＤＢ１→インダクタＬ１→スイッチング素子Ｑ１→整流器ＤＢ１の経路で電流が流れてインダクタＬ１にエネルギが蓄積され、スイッチング素子Ｑ１のオフ時には整流器ＤＢ１→インダクタＬ１→ダイオードＤ１→コンデンサＣ１→整流器ＤＢ１の経路で電流が流れ、整流器ＤＢ１の出力電圧とインダクタＬ１の両端電圧との加算電圧がコンデンサＣ１に印加されて、コンデンサＣ１の両端電圧が整流器ＤＢ１の出力電圧よりも昇圧されるのである。
【００１８】
インバータ回路ＩＮＶは、コンデンサＣ１の両端間に一対のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３の直列回路を接続し、一方のスイッチング素子Ｑ３の両端間に負荷回路１と直流カット用のコンデンサＣ３との直列回路を接続したものであって、いわゆるハーフブリッジ型に構成されている。スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３は図示していないインバータ制御回路により高周波で交互にオンオフされる。ここに、インバータ制御回路は他励式でも自励式でもよい。
【００１９】
スイッチング素子Ｑ２がオンの期間には、コンデンサＣ１→負荷回路１→コンデンサＣ３→コンデンサＣ１の経路で電流が流れ、スイッチング素子Ｑ３がオンの期間には、コンデンサＣ３→負荷回路１→スイッチング素子Ｑ３→コンデンサＣ３の経路で電流が流れる。ここに、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３をオンオフさせるスイッチング周波数は、一般にインダクタＬ２およびコンデンサＣ２による直列共振回路の共振周波数よりも高く設定される。
【００２０】
なお、上述のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ３はバイポーラトランジスタのコレクタ−エミッタ間にダイオードを逆並列接続したものやＭＯＳＦＥＴを用いることができる。
【００２１】
チョッパ回路ＣＨＰとインバータ回路ＩＮＶとは整流器ＤＢ１の出力端の負極側で、チョッパ回路ＣＨＰに設けたコンデンサＣ０を通して器具本体１０に接地され、器具本体１０は大地に接地される。負荷回路１に含まれるインピーダンス要素Ｌｘは高周波を阻止するものであって、ローパスフィルタないしはフェライトビーズなどを用いて構成され、放電ランプＬａの高圧側（図１の上側）の一端に接続されている。インピーダンス要素Ｌｘは、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のスイッチング周波数の高調波成分を減衰させるように設計され、放電ランプＬａの高圧側への印加電圧に含まれるスイッチング周波数の高調波成分を従来構成に比較して大幅に低減することになる。つまり、放電ランプＬａの高圧側での高調波成分による漏れ電流の量が減少する分だけ放電ランプＬａの低圧側での漏れ電流の量との差が少なくなる。これにより、放電ランプＬａの管長方向における電位勾配が減少し、カタホリシス現象が低減されることになる。
【００２２】
なお、実験的に求めた結果では、インバータ回路ＩＮＶのスイッチング周波数の３次以上の高調波成分の漏れ電流について、放電ランプＬａの高圧側の漏れ電流をＩＨ、放電ランプＬａの低圧側の漏れ電流をＩＬとして、ＩＨ／ＩＬ≦１．６となるように設定したときに、カタホリシス現象の発生を防止することができた。
【００２３】
図２はインピーダンス要素Ｌｘを用いておらずカタホリシス現象が発生している場合の放電ランプＬａからの漏れ電流の周波数スペクトルを示すものであり、図２（ａ）は放電ランプＬａの高圧側、同図（ｂ）は低圧側を示している。図２（ａ）（ｂ）を比較すれば、放電ランプＬａの高圧側での漏れ電流が低圧側での漏れ電流よりも大きいことがわかる。
【００２４】
一方、図３はインピーダンス要素Ｌｘを用いてカタホリシス現象を発生させないようにした場合の放電ランプＬａからの漏れ電流の周波数スペクトルを示し、図３（ａ）は放電ランプＬａの高圧側、同図（ｂ）は低圧側の漏れ電流をそれぞれ示している。図２（ａ）と図３（ａ）とを比較すれば明らかなように、高圧側での漏れ電流が大幅に低減されている。この例では３次以上の高調波成分について、ＩＨ／ＩＬ≦１．６に設定してある。
【００２５】
（参考例１）
本例は、図４に示すように、従来構成と同様の構成を有するものであって、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のオンオフは他励式のインバータ制御回路ＣＮにより制御される。本例は、インバータ回路ＩＮＶのスイッチング周波数が低いほど放電ランプＬａと器具本体１０との間の浮遊容量によるインピーダンスが大きくなり、放電ランプＬａから反射板１１への漏れ電流が低減することを利用するものである。すなわち、スイッチング周波数を比較的低い適正範囲に設定することにより、漏れ電流の総量を減少させて、カタホリシス現象の発生を防止するものである。
【００２６】
実施形態では３次以上の高調波成分の漏れ電流の比ＩＨ／ＩＬを１．６以下としているが、本例では高圧側の漏れ電流の全体をＩＨ、低圧側の漏れ電流の全体をＩＬとしＩＨ／ＩＬ＜２とすれば、カタホリシス現象が発生しにくくなるという実験結果に基づいてスイッチング周波数の適正範囲を定めている。
【００２７】
いま、放電ランプＬａと器具本体１０との間の浮遊容量をＣとし、スイッチング周波数をｆ１、放電ランプＬａの器具本体１０に対する電位をＶとしたときの漏れ電流Ｉ１は、Ｉ１＝２πｆ１ＣＶになる。ここで、スイッチング周波数をｆ２＝ｆ１／２に変更したときの漏れ電流Ｉ２は、Ｉ２＝２πｆ２ＣＶ＝Ｉ１／２になるから、スイッチング周波数を２分の１に変更すれば、漏れ電流も半減することがわかる。ここで、スイッチング周波数を低くして漏れ電流を減少させたときに、放電ランプＬａの高圧側の漏れ電流の減少量ΔＩＨが、低圧側の漏れ電流の減少量ΔＩＬに比較して大きい（ΔＩＨ＞ΔＩＬ）という知見が得られている。したがって、スイッチング周波数を適切に設定すれば、ＩＨ／ＩＬ＜２とすることが可能になる。
【００２８】
図５は放電ランプＬａの高圧側の漏れ電流の総量と低圧側の漏れ電流の総量との比ＩＨ／ＩＬが２未満となるようにスイッチング周波数を設定した場合の放電ランプＬａからの漏れ電流の周波数スペクトルを示し、図５（ａ）は放電ランプＬａの高圧側、同図（ｂ）は低圧側の漏れ電流をそれぞれ示している。図より明らかなように、スイッチング周波数を適正に設定するだけでも、放電ランプＬａの高圧側と低圧側との漏れ電流の差は小さくなりカタホリシス現象の発生を防止する効果が期待できる。
【００２９】
このように、スイッチング周波数を低く設定すると、カタホリシス現象の発生を防止することが可能であるが、スイッチング周波数が低くても高調波成分は周波数が高いから高調波成分による漏れ電流はあまり減少しない。ただし、図５によれば、３次高調波までは放電ランプＬａの高圧側の漏れ電流ＩＨと低圧側の漏れ電流ＩＬとの差が大きいが、４次以上の高調波では漏れ電流ＩＨ，ＩＬの差が小さくなる傾向にある。一方、放電ランプＬａ、器具本体１０、放電灯点灯装置の仕様にもよるが、概して言えば、漏れ電流は２００ｋＨｚ以下では比較的少なくなることが実験的に確かめられている。このことから、放電ランプＬａの高圧側と低圧側との漏れ電流の差が比較的小さい４次以上の高調波は十分に流すことによって高圧側と低圧側との４次以上の高調波による漏れ電流をほぼ均等にし、漏れ電流の差が比較的大きい３次以下の高調波は漏れ電流が比較的少ない２００ｋＨｚ以下になるように設定するのが望ましい。そこでこのような条件を満足するように、本例では、インバータ回路ＩＮＶのスイッチング周波数を２００ｋＨｚ／３≒７０ｋＨｚ以下に設定することによって、カタホリシス現象の発生を防止するものである。他の構成および動作は実施形態と同様である。
【００３０】
（参考例２）
本例は、参考例１の回路構成において、放電ランプＬａに印加する電圧を、図６に示すように間欠的に高電圧とするものである。本例では、図４に示した参考例１と同様の構成の放電灯点灯装置であるが、放電ランプＬａに印加する電圧を図６の波形とするようにインバータ制御回路ＣＮがスイッチング周波数を制御する点が異なる。放電ランプＬａに印加する電圧が低い期間は高い期間に比較してスイッチング周波数が高く設定される。実際にはスイッチング周波数は不連続に飛躍させるのではなく連続的に変化させる。
【００３１】
いま、放電ランプＬａへの印加電圧の低い期間におけるスイッチング周波数をｆ３、高い期間におけるスイッチング周波数をｆ４とすると、ｆ３＞ｆ４であって、ｆ３は参考例１で考察した条件により、ｆ３＜７０ｋＨｚに設定される。一方、ｆ４は赤外線をワイヤレス信号に用いたリモコン装置で使用されている周波数帯域の制限からｆ４＞４０ｋＨｚに設定される。すなわち、スイッチング周波数について実用的に許容される周波数範囲は４０〜７０ｋＨｚになる。
【００３２】
以下では、スイッチング周波数を変化させる際の周波数範囲の下限値と上限値との差を変調幅と呼ぶことにする。ところで、スイッチング周波数を、４０〜７０ｋＨｚ、４０〜６０ｋＨｚ、５０〜７０ｋＨｚで変化させた場合の漏れ電流の周波数分布は、それぞれ図７、図８、図９のようになる。参考例１において考察したように、スイッチング周波数の３次以下の高調波を２００ｋＨｚ以下とするという条件からスイッチング周波数の上限値は７０ｋＨｚになるが、４次以上の高調波を十分に流して４次以上の高調波による放電ランプＬａの高圧側と低圧側との漏れ電流を均等にするには、４次以上の高調波は２００ｋＨｚ以上に設定するのが望ましい。このことから、２００ｋＨｚ／４＝５０ｋＨｚ以上、つまりスイッチング周波数の下限値は５０ｋＨｚという結論が得られる。
【００３３】
しかして、図７ないし図９を比較すると、図９に示すように、スイッチング周波数を５０〜７０ｋＨｚにした場合にのみ、条件を満たすことが可能であることがわかる。ここに、Ｆ１はスイッチング周波数、Ｆ２〜Ｆ５は２次以上の高調波（添字は次数）を示す。図７、図８のようにスイッチング周波数を４０〜７０ｋＨｚ、４０〜６０ｋＨｚで設定した場合には、いずれの場合も４次の高調波が２００ｋＨｚ以下に存在して４次の高調波による漏れ電流を十分に流すことができないから、放電ランプＬａの高圧側と低圧側とで４次の高調波による漏れ電流が不均等になり、結果的にカタホリシス現象の発生につながるものである。
【００３４】
以上説明したように、スイッチング周波数は５０〜７０ｋＨｚの範囲で設定するのが望ましく、望ましい変調幅は２０ｋＨｚ以下ということになる。このような条件を満たすようにすれば、放電ランプＬａの高圧側と低圧側との漏れ電流の差を小さくすることができ、放電ランプＬａの管長方向における電位勾配を抑制してカタホリシス現象の発生を防止することができる。
【００３５】
（参考例３）
本例は、図１０に示すように、チョッパ部ＣＨＰではなくインバータ部ＩＮＶにおいてスイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３との接続点にバイパス用のコンデンサＣ０１の一端を接続し、コンデンサＣ０１の他端を器具本体１０に接地したものである。つまり、インバータ部ＩＮＶの近傍で高周波成分を器具本体１０にバイパスすることにより、ランプ電流への高次高調波成分の重畳量を低減させて放電ランプＬａと器具本体１０との間の漏れ電流を低減するものである。この構成でも、カタホリシス現象を防止することができる。他の回路構成および回路動作は実施形態と同様である。
【００３６】
（参考例４）
本例は、図１１に示すように、整流器ＤＢ１と交流電源ＡＣとの間にバイパス用のコンデンサＣ０２を設けるとともに、参考例３と同様にインバータ部ＩＮＶにもバイパス用のコンデンサＣ０１を設けたものであって、両コンデンサＣ０１，Ｃ０２はともに一端部を器具本体１０に接地してある。つまり、２個のコンデンサＣ０１，Ｃ０２を高調波成分のバイパスに用いているから、参考例３よりもさらに高調波成分による漏れ電流を低減することができる。つまり、カタホリシス現象を防止することができる。他の回路構成および動作は実施形態と同様である。
【００３７】
（参考例５）
本例は、図１２に示すように、実施形態と同様にチョッパ部ＣＨＰにバイパス用のコンデンサＣ０を設けるとともに、参考例３と同様にインバータ部ＩＮＶにもバイパス用のコンデンサＣ０１を設けたものであって、両コンデンサＣ０，Ｃ０１はともに一端部を器具本体１０に接地してある。つまり、２個のコンデンサＣ０，Ｃ０１を高調波成分のバイパスに用いているから、参考例３よりもさらに高調波成分による漏れ電流を低減することができる。つまり、カタホリシス現象を防止することができる。他の回路構成および動作は実施形態と同様である。
【００３８】
（参考例６）
本例は、図１３に示すように、参考例５におけるインバータ部ＩＮＶのコンデンサＣ０１とスイッチング素子Ｑ３との間に正特性サーミスタ（以下ＰＴＣという）３を挿入したものである。ＰＴＣ３は周囲温度を検出するものであり、ＰＴＣ３の抵抗値は周囲温度が低いほど小さいから、周囲温度が低いほどコンデンサＣ０１を通してバイパスされる高調波成分の量が多くなるように構成してある。つまり、カタホリシス現象は、周囲温度が低いほど生じやすいことが知られているから、周囲温度が低いほど高調波成分のバイパス量を多くして放電ランプＬａからの高次高調波成分の漏れ電流量を低減することで、カタホリシス現象を発生しにくくし、かつ周囲温度が高いときには高調波成分も用いて効率を優先するのである。他の回路構成および動作は実施形態と同様である。
【００３９】
（参考例７）
本例は、図１４に示すように、実施形態の構成において、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のオンオフを制御するインバータ制御回路ＣＮによるスイッチング周波数を周囲温度に応じて変化させるものである。つまり、周囲温度の低い期間にはスイッチング周波数を低く設定することにより放電ランプＬａからの漏れ電流を低減するものである。
【００４０】
具体的にはインバータ制御回路ＣＮにおいて、スイッチング周波数を決定する発振器ＯＳＣの出力周波数を決める時定数回路をコンデンサＣｔと負特性サーミスタ（以下ＮＴＣという）４とにより構成しているのであり、ＮＴＣ４は周囲温度が低くなると抵抗値を大きくするから、時定数が増大してスイッチング周波数が低くなるのである。周囲温度が低いほどスイッチング周波数を低くして放電ランプＬａからの高次高調波成分の漏れ電流量を低減することで、カタホリシス現象を発生しにくくしてある。他の回路構成および動作は実施形態と同様である。
【００４１】
（参考例８）
本例は、図１５に示すように、放電ランプＬａの高圧側の端部の管壁にヒータ５を巻付け、所定温度以下でオンになる温度スイッチＴＳＷをヒータ５への通電経路に挿入したものである。また、ヒータ５に通電するための電源はインダクタＬ２に設けた２次巻線の出力をダイオードブリッジＤＢ２により全波整流することにより得ている。したがって、周囲温度が低いときには温度スイッチＴＳＷがオンになって、ヒータ５に通電され、放電ランプＬａの高圧側が加熱されることになる。
【００４２】
放電ランプＬａの高圧側は低圧側に比較して漏れ電流が多いから、水銀イオンは高圧側が低圧側よりも多い分布になるが、高圧側にヒータ５を設けることにより高圧側の水銀イオンの移動度を大きくし、水銀イオンの偏在によるカタホリシス現象の発生を防止することができるのである。また、周囲温度が比較的高い状態では水銀イオンの移動度が大きいから、カタホリシス現象が生じる程度に周囲温度が低い期間にのみヒータ５に通電されるように温度スイッチＴＳＷをオンにするのである。ここに、ヒータ５を設けたことによって光出力が減少することのないように、ヒータ５は透明電極を用いて構成するのが望ましい。他の構成よび動作は実施形態と同様である。なお、周囲温度に応じてヒータ５への通電をオンオフさせるものであれば必ずしも温度スイッチＴＳＷを用いる必要はなく、温度検出素子を含む電子回路とリレーとの組み合わせなど他の構成を採用し得るものである。また、放電ランプＬａに直接巻き付けたヒータ５に代えて他の加熱手段を用いることにより水銀の移動度を高めるようにしてもよい。
【００４３】
（参考例９）
本例は、図１６に示すように、放電ランプＬａのフィラメントに流す電流を周囲温度に応じて変化させるものである。実施形態ではインダクタＬ２とコンデンサＣ３との間にコンデンサＣ２を接続していたが、本例ではインダクタＬ２とコンデンサＣ３との各一端をそれぞれ放電ランプＬａの両フィラメントの各一端に接続し、コンデンサＣ２を両フィラメントの各他端間に接続してある。また、インダクタＬ２に設けた２個の２次巻線の出力をそれぞれダイオードブリッジＤＢ３１，ＤＢ３２により全波整流し、各ダイオードブリッジＤＢ３１，ＤＢ３２の直流出力端と放電ランプＬａの各フィラメントとの間にそれぞれ温度スイッチＴＳＷ１，ＴＳＷ２とインダクタＬ３１，Ｌ３２との直列回路を挿入してある。温度スイッチＴＳＷ１，ＴＳＷ２は同特性のものであって所定温度以下でオンになる。また、インダクタＬ３１，Ｌ３２は高周波阻止用に設けてある。
【００４４】
この構成ではカタホリシス現象が生じる程度に周囲温度が低いときには温度スイッチＴＳＷ１，ＴＳＷ２がオンになり、フィラメントに流す電流量を増加させるから、参考例８と同様に、放電ランプＬａの温度を上昇させることができ、水銀イオンの移動度を高めて水銀イオンの偏在を防止し、結果的にカタホリシス現象の発生を防止することができる。他は実施形態と同様である。
【００４５】
（参考例１０）
本例は、放電ランプＬａを含む器具本体１０の構成によりカタホリシス現象の発生を防止するものである。すなわち、図１７に示すように、器具本体１０に設けた反射板１１と放電灯（ここでは直管型）Ｌａとの距離を放電ランプＬａの管長方向の各部位で異ならせているものである。放電ランプＬａの点灯装置は実施形態と同様のものを想定しており、放電ランプＬａには高圧側と低圧側とが生じる。そこで、放電ランプＬａの高圧側の端部と反射板１１との距離ｄＨを、低圧側の端部と反射板１１との距離ｄＬよりも大きく設定してある（ｄＨ＞ｄＬ）。ここで、反射板１１は平板状であって放電ランプＬａの長手方向に沿った中心線に対して一定角度で傾斜する。また、器具本体１０は反射板１１のほかに放電ランプＬａを保持するランプソケット１２を備える。
【００４６】
上述の構成では、放電ランプＬａの各端部の反射板１１に対する浮遊容量（反射板１１は回路部と共通に接地されている）は、高圧側のほうが低圧側よりも小さくなる。つまり、同周波数に対して高圧側のほうがインピーダンスが大きくなる。その結果、放電ランプＬａの長手方向に沿った中心線と反射板１１とが平行である場合に比較すると、放電ランプＬａの高圧側と低圧側との漏れ電流量の差を小さくすることができ、カタホリシス現象の発生を防止することになる。なお、Ｔ８型あるいはＴ５型と称するそれぞれ管径が８／８インチ、５／８インチの放電ランプＬａでは高圧側の端部と反射板１１との距離ｄＨを１５ｍｍ以上に設定するのが望ましいという知見を得ている。
【００４７】
（参考例１１）
参考例１０から明らかなように、放電ランプＬａの高圧側の漏れ電流と低圧側の漏れ電流との差を小さくするには、放電ランプＬａの高圧側の端部と反射板１１との間のインピーダンスを低圧側よりも大きくすればよい。そこで、本例では反射板１１に施した塗装の塗膜１１ａ（図１８参照）の誘電率を放電ランプＬａの高圧側と低圧側とで異ならせるようにしてある。つまり、放電ランプＬａの高圧側に対向する塗膜１１ａの誘電率をεＨ、低圧側に対向する塗膜１１ａの誘電率をεＬとするときにεＨ＜εＬの関係とし、中間部分は誘電率が一定の割合で連続的に変化するように塗膜１１ａを形成してある。ここに、放電ランプＬａの点灯装置は実施形態と同様のものを想定している。
【００４８】
放電ランプＬａの長手方向における各部位と反射板１１との間の浮遊容量は、各部位での塗膜１１ａの誘電率に比例するから、放電ランプＬａの高圧側の端部の浮遊容量は低圧側よりも小さくなり、参考例１０と同様に、同周波数に対して高圧側のほうがインピーダンスが高くなる。つまり、高圧側と低圧側との漏れ電流量の差が少なくなってカタホリシス現象の発生が抑制される。なお、一般的な塗装材料の比誘電率は７以上であるが、高圧側には比誘電率が７より小さいものを用いる。また、誘電率を連続的に変化させるには、たとえば誘電率の異なる２種類の塗料を用い、それぞれ厚みを連続的に変化させるとともに２層で一定の厚みになるように塗装すれば、各部位で誘電率が連続的に変化するような塗膜１１ａを形成することが可能である。
【００４９】
（参考例１２）
本例では、図１９に示すように、反射板１１に施した塗装の塗膜１１ａの厚みを放電ランプＬａの長手方向において連続的に変化させるものである。放電ランプＬａの高圧側に対応する塗膜１１ａの厚みをｔＨ、低圧側での塗膜１１ａの厚みをｔＬとするときに、ｔＨ＜ｔＬとなるように塗膜１１ａを形成してある。ここに、放電ランプＬａの点灯装置は実施形態と同様のものを想定している。
【００５０】
この構成によっても、放電ランプＬａの高圧側の端部と反射板１１との間の浮遊容量は低圧側での浮遊容量よりも小さくなるから、放電ランプＬａの両端部の漏れ電流量の差を小さくすることができる。つまり、カタホリシス現象の発生を防止することができる。
（参考例１３）
本例は、図２０に示すように、反射板１１において放電ランプＬａの高圧側の端部に対向する部位に孔１１ｂを形成したものである。ここに、放電ランプＬａの点灯装置は実施形態と同様のものを想定している。
【００５１】
上述のように反射板１１において放電ランプＬａとの対向部位の一部に孔１１ｂを形成すれば、孔１１ｂを形成した部位では反射板１１と放電ランプＬａとの対向面積が減少するから、その部位では浮遊容量も小さくなる。つまり、放電ランプＬａの高圧側の浮遊容量が低圧側よりも減少し、結果的に放電ランプＬａの両端部での漏れ電流量の差が低減されて、カタホリシス現象の発生が抑制される。
【００５２】
（参考例１４）
本例は、参考例１３と同様に、放電ランプＬａと反射板１１との対向部位の一部で他の部位とは対向面積を異ならせるものである。ただし、放電ランプＬａの高圧側との対向部位の面積を小さくするのではなく、図２１に示すように、低圧側との対向面積を大きくするために反射板１１の表面に多数の凹凸を形成した凹凸面１１ｃを設けてある。つまり、放電ランプＬａの低圧側の端部と反射板１１との対向面積を高圧側よりも大きくすることによって、放電ランプＬａの低圧側における反射板１１との間の浮遊容量を高圧側よりも大きくしている。その結果、放電ランプＬａの両端部での漏れ電流量の差が小さくなり、カタホリシス現象の発生が抑制されることになる。本例においても実施形態と同様の回路により放電ランプＬａを点灯させるものであるのはもちろんのことである。
【００５３】
（参考例１５）
本例は、図２２に示すように、放電ランプＬａの中間部に放電ランプＬａを保持するためのランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを複数個（図示例では２個）設けたものである。ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌは金属製であって、互いに導電率の異なる材料を用いて形成してある。すなわち、放電ランプＬａの高圧側に近いランプホルダ１３Ｈの導電率をσＨ、低圧側に近いランプホルダ１３Ｌの導電率をσＬとすれば、σＨ＜σＬとなるように材料を選択してある。放電ランプＬａの点灯装置は実施形態と同様のものを想定している。
【００５４】
いま、各ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを通して放電ランプＬａと反射板１１との間で流れる漏れ電流について考えると、ランプホルダ１３Ｈを通る漏れ電流ＩＨは、ＩＨ∝σＨ×ＶＨとなり、ランプホルダ１３Ｌを通る漏れ電流ＩＬは、ＩＬ∝σＬ×ＶＬとなる。ただし、ＶＨおよびＶＬは、それぞれランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌに対応する部位での放電ランプＬａと反射板１１との間の電位差である。つまり、ＶＨ＞ＶＬである。また、両ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌの形状・寸法がまったく同じであるとすれば、上２式の比例定数は等しい。ここで、ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを通る漏れ電流ＩＨ，ＩＬを、同位置で放電ランプＬａと反射板１１との間の浮遊容量によって生じる漏れ電流よりも十分に大きいから、ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを設けている位置での漏れ電流はＩＨ，ＩＬで決まることになる。そこで、導電率σＨ，σＬを適宜に設定しておけば、ＶＨ＞ＶＬにもかかわらずＩＨ＜ＩＬの関係を得ることができる。
【００５５】
この関係を得るように設定しておけば、放電ランプＬａの各端部において放電ランプＬａと反射板１１との間の浮遊容量による漏れ電流とランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを通して流れる漏れ電流との和をほぼ等しくすることが可能になり、結果的にカタホリシス現象の発生を防止することができる。なお、上述の説明では各ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌを導電率σＨ，σＬの異なる材料により形成した例を示したが、各ランプホルダ１３Ｈ，１３Ｌの形状を異ならせることにより漏れ電流ＩＨ，ＩＬを異ならせるようにしてもよい。
【００５６】
（参考例１６）
本例は、図２３に示すように、点灯回路２から放電灯（ランプソケット１２）ＬＨまでの接続線１４Ｈ，１４Ｌの長さを放電灯ＬＨの高圧側と低圧側とで異ならせているものである。すなわち、高圧側の接続線１４Ｈを低圧側の接続線１４Ｌよりも十分に長くしてある。点灯回路２は図１に示した実施形態の回路から放電ランプＬａおよび交流電源ＡＣを除いたものを想定している。
【００５７】
いま、接続線１４Ｈ，１４Ｌは長さのみが異なり他の条件（器具本体１０との距離など）は等しいものとすれば、長いほうの接続線１４Ｈのほうが全体としての浮遊容量が大きくなる。つまり、接続線１４Ｈでの漏れ電流が大きくなり、放電ランプＬａの高圧側での漏れ電流が減少し、低圧側の漏れ電流との差が少なくなるから、カタホリシス現象の発生が抑制される。別の観点で言えば、接続線１４Ｈは放電ランプＬａに直列にインダクタンス成分を挿入し、大地との間にキャパシタンス成分を挿入したローパスフィルタとみなすことができる。インダクタンス成分およびキャパシタンス成分は接続線１４Ｈが長いほど大きくなるから、接続線１４Ｈが長いほどカットオフ周波数は低くなる。つまり、実施形態と同様に放電ランプＬａに流れる高周波電流のうちの高調波成分が低減されて放電ランプＬａの両端部での漏れ電流の差が小さくなると考えることもできる。
【００５８】
（参考例１７）
本例は、参考例１６と同様に、高圧側の接続線１４Ｈを低圧側の接続線１４Ｌよりも十分に長くしたものであり、この構成に加えて、図２４に示すように、すべての接続線１４Ｈ，１４Ｌの中間部にループ状部分１５を形成してある。この構成によれば、すべての接続線１４Ｈ，１４Ｌが長くなり、かつループ状部分１５によりインダクタンス成分が大きくとれるから、接続線１４Ｈ，１４Ｌをローパスフィルタとみなしたときに、そのカットオフ周波数を参考例１６よりもさらにより引き下げることができる。つまり、放電ランプＬａに流れる高周波電流のうちの高調波成分をより低減させて、放電ランプＬａの両端部での漏れ電流量の差を低減し、カタホリシス現象の発生を防止することができるのである。他の構成および動作は参考例１６と同様である。
【００５９】
（参考例１８）
本例は、参考例１６と同様の構成において、図２５に示すように、接続線１４Ｈ，１４Ｌを器具本体１０に密着させて固定したものである。接続線１４Ｈ，１４Ｌを器具本体１０に密着させる手段としては粘着テープ１６を用いている。つまり、粘着テープ１６と器具本体１０との間に接続線１４Ｈ，１４Ｌを挟み込んだ形で接続線１４Ｈ，１４Ｌを器具本体１０に固定している。
【００６０】
この構成によれば、接続線１４Ｈ，１４Ｌと器具本体１０との距離が小さいことにより、接続線１４Ｈ，１４Ｌの浮遊容量が大きくなり、高圧側の接続線１４Ｈからの漏れ電流が大きいことによって放電ランプＬａの両端部での漏れ電流量の差が小さくなるのである。その結果、カタホリシス現象の発生が抑制される。
【００６１】
（参考例１９）
上述した各例では、器具本体１０を金属製としていたが、本例は器具本体１０を絶縁材料であるセラミックにより形成してある。全体形状としては図２６のようなものであって、器具本体１０の全体がセラミックにより形成され、内蔵した点灯回路２は器具本体１０に接地しているが、器具本体１０には電流は流れない。すなわち、放電ランプＬａと器具本体１０との間で漏れ電流は流れないから、カタホリシス現象が生じないのである。
【００６２】
（参考例２０）
参考例１９のように器具本体１０として絶縁材料を用いればカタホリシス現象は生じないから、本例では器具本体１０の全体を合成樹脂により形成してある。すなわち、図２７に示すように、別体に形成した反射板１１とランプソケット１２とボデイ１７とを組み合わせて器具本体１０を構成してある。反射板１１は断面略コ字形であって、両脚片の基部に組立溝１１ａを設けてある。また、反射板１１の長手方向の両端部には切欠部１１ｂを形成してあり、ランプソケット１２の両側面に設けた取付溝１２ａを切欠部１１ｂの周縁に嵌合させることによって、ランプソケット１２を反射板１１に結合する。ボデイ１７は図２７の上面が開放された直方体状であって、開口側の両側縁には組立溝１１ａに嵌合する突片１７ａを突設してある。つまり、反射板１１にランプソケット１２を結合した状態で、ボデイ１７に反射板１１を嵌着して組立溝１１ａに突片１７ａを嵌合させれば、器具本体１０を組み立てることができる。カタホリシス現象が生じない点は参考例１９と同様である。
【００６３】
（参考例２１）
本例は、図２８に示すように、反射板１１の断面形状を略Ｖ字形としたものである。放電ランプＬａはＶ字の内側に配置される。この器具本体１０は金属製であるが、Ｖ字の両端部を結んだ平面が（二点鎖線で示す）、上述した各例における反射板１１の位置関係と同様の位置関係で反射板１１を形成してある。つまり、反射板１１と放電ランプＬａの管壁との距離は反射板１１が平板である場合に比較すると大きくなるように反射板１１を配置してある。ここに、反射板１１を平板としてＶ字の底付近に配置することが考えられるが、器具本体１０の内部容積を確保しようとすれば、器具本体１０の全体の高さ寸法が大きくなって大型化するという問題が生じる。したがって、器具本体１０の内部容積を確保しながらも器具本体１０の大型化を防止するために、反射板１１として上記形状を採用しているのである。
【００６４】
上述の構成によって、放電ランプＬａの管壁と反射板１１との距離を比較的大きくとることができるから、漏れ電流量が現象し、カタホリシス現象の発生が抑制される。ところで、カタホリシス現象が発生するか否かは放電ランプＬａの器具本体１０に対する浮遊容量に関係しているから、浮遊容量がどの程度であるときにカタホリシス現象が生じるかを知れば有効な設計が可能になる。そこで、以下のような実験によりカタホリシス現象と浮遊容量との関係を考察した。すなわち、器具本体１０のランプソケット１２間に放電ランプＬａと外形の等しい鉄製の棒を保持し、鉄製の棒の表面の器具本体１０に対する浮遊容量を測定した。ここに、器具本体１０として形状の異なるものを用い、他の条件は等しくして浮遊容量を測定した。その結果、測定した浮遊容量が１００ｐＦ以下であるときにカタホリシス現象が発生しないという知見が得られた。実験結果の一部を表１に示す。
【００６５】
【表１】
0003834927.tif 000002
【００６６】
しかして、本例のように反射板１１を断面Ｖ字形に形成したものでは、上記測定による浮遊容量を１００ｐＦ以下にしてカタホリシス現象の発生を防止することができた。また、参考例１９、参考例２０の構成においては器具本体１０が絶縁材料により形成されているから、浮遊容量は１００ｐＦ以下であった。
【００６７】
（参考例２２）
本例は、図２７に示した参考例２０における合成樹脂の器具本体１０と同形状の器具本体１０を用いる。ただし、器具本体１０は金属製であって、組立溝１１ａなどを形成する必要があるから、アルミニウムなどのダイキャストとして製造するのが望ましい。ここで、反射板１１とボディ１７との接触部位には絶縁が施されている。この絶縁は反射板１１側で行なっており、絶縁材料の被膜（合成樹脂により形成する）を反射板１１の表面に形成してある。放電ランプＬａの点灯装置の接地はボディ１７に対して行なってあり、上述のようにボデイ１７と反射板１１とが絶縁されていることにより、放電ランプＬａから反射板１１への漏れ電流は生じない。また、放電ランプＬａからボデイ１７への漏れ電流は生じるが、放電ランプＬａとボデイ１７との距離は比較的大きいから、上述した浮遊容量を１００ｐＦ以下にするという条件を満たすことができる。その結果、カタホリシス現象の発生を防止することができる。
【００６８】
（参考例２３）
本例は、放電ランプＬａの低圧側の端部における漏れ電流を増加させることにより、高圧側の漏れ電流との差を少なくし、カタホリシス現象の発生を防止しようとするものである。ここに、放電ランプＬａの点灯装置は図１に示した実施形態と同様のものを想定している。しかして、図２９に示すように、放電ランプＬａとしてはバルブ１９が直管型である蛍光灯を用いており、この放電ランプＬａの両端部には管長方向に沿って近接導体１８をそれぞれ配設してある。図示例では一対の近接導体１８をバルブ１９の管長方向においては管長のほぼ半分程度の寸法としてある。また、バルブ１９の各端部では各近接導体１８はフィラメント２１の長手方向において互いに反対側に配置してある。つまり、図示例ではフィラメント２１を上下方向に配置してあり、バルブ１９の右端側では近接導体１８をバルブ１９の下側に配置し、バルブ１９の左端側では近接導体１８をバルブ１９の上側に配置してある。ここに、近接導体１８は放電ランプＬａの光出力を妨げないように位置、形状、材料が考慮される。また、近接導体１８はバルブ１９の外周面に密着ないしごく近接して配設され、近接導体１８は回路アースとともに器具本体１０に接続される。
【００６９】
しかして、近接導体１８の存在によって漏れ電流が増加するから、放電ランプＬａの両端部いおいて漏れ電流がほぼ均衡し、漏れ電流の不均衡によるカタホリシス現象の発生を防止することができる。また、このような形状の放電ランプＬａを用いることによって、点灯回路２や器具本体１０は従来のものを用いることができ、しかも、放電ランプＬａに特定の接続極性が生じないものである。
【００７０】
ところで、放電ランプＬａとして特定の接続極性が生じてもよい場合には、低圧側となる端部にのみ近接導体１８を配置すればよい。このような使用形態により、放電ランプＬａの低圧側では近接導体１８を通して漏れ電流が流れやすくなるから、高圧側との漏れ電流量の差が少なくなり、結果的にカタホリシス現象の発生が防止される。
【００７１】
（参考例２４）
本例は、図３０に示すように、放電ランプＬａとして直管型の蛍光灯を用いるものであって、この放電ランプＬａのバルブ１９の長手方向の中間部Ｍを他の部位よりも大径に形成したものである。この放電ランプＬａも図１に示した実施形態と同様の回路により点灯される。しかして、この放電ランプＬａを点灯させると、管径が均一な放電ランプＬａに比較すると、放電ランプＬａの長手方向の中間部での漏れ電流が増加する。つまり、漏れ電流は放電ランプＬａの長手方向の中間部で主として生じるから両端部で生じる漏れ電流量の差が少なくなり、結果的にカタホリシス現象の発生を防止することができる。
【００７２】
（参考例２５）
本例は、図３１に示すように、放電ランプＬａとしての直管型の蛍光灯のバルブ１９の長手方向の中央付近にフィルタ２０を配置したものである。このフィルタ２０は図３１（ｂ）に示すように、格子状（メッシュ状）のものであって、電子は通過させるが水銀イオンは透過させないように格子の寸法が設定されている。したがって、バルブ１９の中でフィルタ２０を挟んで両側に水銀を均等に封入した状態で点灯させると、放電ランプＬａの内部で水銀イオンが大きく偏在することがなく、カタホリシス現象がほとんど生じなくなる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明の構成によれば、放電ランプから器具本体ないし大地への高周波の漏れ電流をインピーダンス要素により抑制するから、放電ランプの管長方向における電位勾配の発生を低減することができ、結果的にカタホリシス現象の発生を防止することが可能になるという利点がある。
【００７４】
とくに、放電ランプの高電位側からの漏れ電流が低減することになり、結果として放電ランプの両電極近傍での漏れ電流の差が少なくなり、放電ランプの管長方向における電位勾配が抑制されてカタホリシス現象の発生が防止されるという利点がある。しかも、漏れ電流が全体としても少なくなるから、電力の利用効率も高いという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態を示す回路図である。
【図２】  比較例の動作説明図である。
【図３】  実施形態の動作説明図である。
【図４】  参考例１を示す回路図である。
【図５】  同上の動作説明図である。
【図６】  参考例２の動作説明図である。
【図７】  比較例を示す動作説明図である。
【図８】  比較例を示す動作説明図である。
【図９】  参考例２の動作説明図である。
【図１０】  参考例３を示す回路図である。
【図１１】  参考例４を示す回路図である。
【図１２】  参考例５を示す回路図である。
【図１３】  参考例６を示す回路図である。
【図１４】  参考例７を示す回路図である。
【図１５】  参考例８を示す回路図である。
【図１６】参考例９を示す回路図である。
【図１７】参考例１０を示す概略側面図である。
【図１８】参考例１１を示す概略側面図である。
【図１９】参考例１２を示す概略側面図である。
【図２０】参考例１３を示す概略平面図である。
【図２１】参考例１４を示す概略側面図である。
【図２２】参考例１５を示す概略側面図である。
【図２３】参考例１６を示す概略側面図である。
【図２４】参考例１７を示す概略側面図である。
【図２５】参考例１８を示す概略側面図である。
【図２６】参考例１９を示す概略斜視図である。
【図２７】参考例２０を示す分解斜視図である。
【図２８】参考例２１を示し、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略側面図である。
【図２９】参考例２３を示す一部破断した側面図である。
【図３０】参考例２４を示す一部破断した側面図である。
【図３１】参考例２５を示し、（ａ）は一部破断した側面図、（ｂ）は同上に用いるフィルタの正面図である。
【図３２】従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
１  負荷回路
２  点灯回路
３  ＰＴＣ
４  ＮＴＣ
５  ヒータ
１０  器具本体
１１  反射板
１１ａ  塗膜
１１ｂ  孔
１１ｃ  凹凸面
１３Ｈ，１３Ｌ  ランプホルダ
１４Ｈ，１４Ｌ  接続線
１５  ループ状部分
１６  粘着テープ
１７  ボディ
１８  近接導体
１９  バルブ
２０  フィルタ
２１  フィラメント
ＡＣ  交流電源
ＣＨＰ  チョッパ回路
Ｃ０  コンデンサ
Ｃ０１  コンデンサ
Ｃ０２  コンデンサ
Ｃｔ  コンデンサ
ＤＢ１  整流器
ＩＮＶ  インバータ回路
Ｌａ  放電ランプ
Ｌｘ  インピーダンス要素
ＯＳＣ  発振器
ＴＳＷ  温度スイッチ
ＴＳＷ１，ＴＳＷ２  温度スイッチ
【図１】
0003834927.tif 000003
【図２】
0003834927.tif 000004
【図３】
0003834927.tif 000005
【図４】
0003834927.tif 000006
【図５】
0003834927.tif 000007
【図６】
0003834927.tif 000008
【図７】
0003834927.tif 000009
【図８】
0003834927.tif 000010
【図９】
0003834927.tif 000011
【図１０】
0003834927.tif 000012
【図１１】
0003834927.tif 000013
【図１２】
0003834927.tif 000014
【図１３】
0003834927.tif 000015
【図１４】
0003834927.tif 000016
【図１５】
0003834927.tif 000017
【図１６】
0003834927.tif 000018
【図１７】
0003834927.tif 000019
【図１８】
0003834927.tif 000020
【図１９】
0003834927.tif 000021
【図２０】
0003834927.tif 000022
【図２１】
0003834927.tif 000023
【図２２】
0003834927.tif 000024
【図２３】
0003834927.tif 000025
【図２４】
0003834927.tif 000026
【図２５】
0003834927.tif 000027
【図２６】
0003834927.tif 000028
【図２７】
0003834927.tif 000029
【図２８】
0003834927.tif 000030
【図２９】
0003834927.tif 000031
【図３０】
0003834927.tif 000032
【図３１】
0003834927.tif 000033
【図３２】
0003834927.tif 000034