(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の対向電極となる金属電極と、前記金属電極の表面にセラミック粒子の溶射により形成された誘電体層と、前記誘電体層の表面に、他方の対向電極としてコーテイングによって形成された金属電極とからなるセラミックコンデンサにおいて、前記一方の対向電極の表面に、前記セラミック粒子の溶射によって溶融される絶縁性の樹脂層を形成してなるセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一方の対向電極となる金属板の表面に、誘電体であるセラミック粒子を溶射して誘電体層を形成し、この誘電体層の表面に他方の対向電極となる金属をコーテングしてなるセラミックコンデンサは、すでによく知られている。
【０００３】
図４はその従来例の局部的な拡大断面図を示し、１は母体を兼ね、コンデンサとしての一方の対向電極として利用される金属電極である。この金属電極１の表面に誘電体として供せられるセラミック粒子２が溶射されることにより、誘電体層３が形成される。４はコンデンサとしての他方の対向電極として利用される金属電極で、これは誘電体層３の表面にコーテイングされて形成される。
【０００４】
ところでこのような構成のセラミックコンデンサにおいて、セラミック粒子２の溶射の際のバラツキにより、金属電極１の表面において誘電体層３に局部的な欠落部Ｐが発生することがある。このような欠落部Ｐが発生すると、その部分では金属電極１の表面が局部的に露出してしまう。
【０００５】
しかしこの欠落部Ｐをそのままにして金属電極４を誘電体層３の表面にコーテイングしたとすると、その金属電極４の一部が欠落部Ｐに侵入し、金属電極１の表面に接するようになる。そのため対向電極である両金属電極１、４が短絡してしまうことになる。
【０００６】
またセラミック粒子２に比較してコーテイングされる金属電極４の粒子が小さいときは、その金属電極４の粒子が誘電体層３のセラミック粒子２間の間隙を通って浸透していくことがある。このような浸透によって金属電極４の粒子が金属電極１の表面に到達するようなことが起きれば、前記と同じように両金属電極１、４が短絡してしまうことになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、一方の金属電極の表面にセラミック粒子の溶射により誘電体層を形成し、その表面にコーテイングによつて他方の金属電極を形成するセラミックコンデンサにおいて、コーテイングされる他方の金属電極と前記一方の金属電極との短絡を確実に回避することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一方の対向電極となる金属電極と、この金属電極の表面にセラミック粒子の溶射により形成された誘電体層と、この誘電体層の表面に、他方の対向電極としてコーテイングによって形成された金属電極とからなるセラミックコンデンサにおいて、一方の対向電極の表面に、セラミック粒子の溶射によって溶融される絶縁性の樹脂層を形成してなることを特徴とする。
【０００９】
一方の金属電極の表面を予め絶縁性の樹脂層により被覆しておいてからセラミック粒子を溶射して誘電体層を形成するようにしているので、この誘電体層の表面に他方の金属電極をコーテイングした場合、誘電体層に欠落部があってこの欠落部に他方の金属電極の一部が侵入してきたとしても、樹脂層により遮られるため、一方の金属電極に接することがない。コーテイングされた金属電極が誘電体層の内部を浸透してきた場合でも同様である。このようにして対向する互いの金属電極同志の短絡が回避されることになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図３によって説明する。なお図４に付した符号と同じ符号を付した部分は、同一または対応する部分を示す。本発明にしたがい、金属電極１の表面に予め絶縁性の樹脂をコーテイングして樹脂層５を形成しておく。ここに使用する樹脂としては、溶射されるセラミック粒子２がもつ熱によって溶融され、かつ金属電極４がコーティングされるときの金属電極４がもつ熱によっては溶融されない特性を持っていることが必要である。
【００１１】
前記のように樹脂層５によってコーテングされた金属電極１の表面にセラミック粒子２を溶射して、誘電体層３を形成する。このとき樹脂層５の表面に到達してそれにセラミック粒子が接触すると、その接触した個所の樹脂層は溶射時のセラミック粒子がもつ熱により溶融される。
【００１２】
樹脂層を溶融したセラミック粒子２は金属電極１の表面に到達し、そこに密着する。密着したセラミック粒子にはそのあとに到達したセラミック粒子、あるいは隣合うセラミック粒子と互いに接触し合い、このようにして金属電極１の表面に接する誘電体層３が形成されるようになる。
【００１３】
このように形成された誘電体層３の表面に金属電極４をコーテイングする。このときセラミック粒子２を溶射する過程で、そのバラツキにより図４に示すような欠落部Ｐが誘電体層３に発生していたとすると、金属電極４の一部がその欠落部に侵入する。しかしここに侵入した金属電極４は樹脂層５の表面に到達する。
【００１４】
到達した個所にはセラミック粒子２が存在していないことにより、その個所には樹脂層５が溶融されることなくなお残存している。したがってこの残存している樹脂層５によって金属電極１、４の接触による短絡が回避されるようになる。誘電体層３の内部を浸透する金属電極４がある場合も同様で、その金属電極４は樹脂層５の表面に到達する。したがって浸透する金属電極４が金属電極１に接触することはなく、そのため短絡することはない。
【００１５】
図１に示す実施の形態は、各金属電極１、４を平板状とした例であるが、これにかえて図３に示すように円筒状としたセラミックコンデンサにも本発明は適用可能である。これは母体となる金属電極１を筒または棒状に形成し、その周側面に順次樹脂層５、誘電体層３、金属電極４を形成して構成すればよい。
【００１６】
次ぎに本発明の具体的な実施例について説明する。前記のようにここに使用する樹脂層５のための樹脂は、セラミック粒子２の溶射により溶融し、コーテイングされる金属電極４によっては溶融しないことが要求される。セラミックコンデンサに通常使用されるセラミック材料は、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどが使用される。
【００１７】
また金属電極４としてはアルミニウム、金、銀などが使用される。またここに使用される樹脂層５は、前記のようにセラミック樹脂の溶射によって溶融されることが必要であり、その条件満足するものとしては、たとえばポリプロピレン、ポリプロエチレンテレフタレートなどが好適できる。
【００１８】
本発明者によって製作されたセラミックコンデンサは次の通りである。金属電極１としてアルミニウム板を使用した。樹脂層５のために使用した樹脂はポリプロピレンで、これをもって樹脂層を形成した。また使用したセラミック粒子２はチタン酸ストロンチウムで、これにより誘電体層を形成した。
【００１９】
金属電極４としてアルミニウムを使用し、これをセラミック粒子による誘電体層の表面にコーテイングして形成した。このようにして製作したセラミックコンデンサには、金属電極１、４同志の短絡は皆無であった。ちなみに樹脂層５を形成しない従来のセラミックコンデンサによれば、複数個所において金属電極１、４同志が接触し、短絡していた。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、セラミック粒子を溶射して誘電体層とするセラミックコンデンサにおいて、母体となる金属電極とこれに対向する金属電極との接触による短絡は、母体となる金属電極の表面に樹脂層を形成するだけの簡単な構成によって回避することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の局部的な拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示す部分斜面図である。
【図４】従来例の局部的な拡大断面図である。
【符号の説明】
１  対向する一方の金属電極
２  セラミック粒子
３  誘電体層
４  対向する他方の金属電極
５  樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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