(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧を発生する基準電圧発生源と、
再生用のレーザパワーを設定し且つ前期基準電圧より低い第１の設定電圧と、記録用のレーザパワーを設定し且つ前期基準電圧より高い第２の設定電圧とを発生する設定電圧発生回路と、
前記第１の設定電圧を第１の利得で増幅して再生用のレーザパワーに対応する第１の変換電圧を出力し、前記第１の利得より高利得である第２の利得で前記第２の設定電圧を増幅して記録用のレーザパワーに対応する第２の変換電圧を出力する折線型増幅回路と、
前記第１あるいは第２の変換電圧に比例したレーザパワーを発生してディスクを照射するレーザ光発生回路とを備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
折れ線型増幅回路は、第１と第２の利得の比が、ほぼ再生と記録のレーザパワーの比になるように、各利得が設定されたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
基準電圧減の基準電圧が、電源電圧の１／２に設定されたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザパワーの設定を最適に制御を行なう光ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばＭＤ（ミニディスク）のような光ディスクに記録再生を行なう光ディスク装置が知られている。これは、記録時には高出力のレーザ光をディスクに照射して光磁気記録を行ない、再生時には低出力のレーザ光をディスクに照射し、ディスク上に記録されているデータ（符号化された音声などの情報信号）により変調された反射光を受光素子で受光してデータの内容を検出するものである。
【０００３】
以下、従来の光ディスク装置について、ＭＤを例に、図面を参照しながら説明する。図３は、従来例における光ディスク装置の構成を示すブロック図である。図３において、光ピックアップ４１は、レーザダイオード４２，信号検出用のフォトダイオード４３，モニター用のフォトダイオード４４，検出用抵抗４５から構成されており、レーザダイオード４２のカソード，フォトダイオード４３のアノードは接地され、フォトダイオード４４は、カソードが電源に接続されアノードが抵抗４５を介して接地されている。レーザダイオード４２から出射されたレーザ光は、ディスク４６で反射されフォトダイオード４３で受光される。また、レーザダイオード４２から出射されたレーザ光の一部は、ディスク４６に関係なく直接フォトダイオード４４で受光される。
【０００４】
ＰＮＰ型トランジスタ４７は、エミッタが電源に接続されコレクタがレーザダイオード４２のアノードに接続される。
【０００５】
演算増幅器（ＯＰ）４８は電流電圧変換を行うものであり、その反転入力端子はフォトダイオード４３のカソードに、非反転入力端子はＤＣ電圧源４９に接続されている。ＤＣ電圧源４９は、例えば電源電圧の１／２の電圧に設定されている。演算増幅器４８の出力用端子５０と反転入力端子は抵抗５１を介して接続されている。
【０００６】
設定電圧発生回路５２は、レーザパワーを設定するＤＣ電圧を出力するものであり、例えば、レーザパワーの設定値に応じたパルス幅変調波形を平滑した電圧を出力するように構成されている。なお再生時には設定電圧発生回路５２からは低い電圧が出力され、記録時には再生時の数倍ないし約１０倍の電圧が出力される。
【０００７】
演算増幅器５３は、非反転入力端子はフォトダイオード４４のアノードに接続され、反転入力端子は設定電圧発生回路５２の出力に接続されている。演算増幅器５３の出力は抵抗５４を介してトランジスタ４７のベースに接続されている。
【０００８】
このように構成された従来例における光ディスク装置の動作を説明すると、レーザダイオード４２から出射されたレーザ光はディスク４６を照射し、その反射光がフォトダイオード４３に受光され電流に変換される。さらにこの変換された電流は演算増幅器４８と抵抗５１で電流電圧変換され端子５０に出力される。この際、ディスク４６からの反射光に含まれるデータ信号あるいはサーボ系信号が端子５０に出力される。なお通常は、反射光に含まれるデータ信号やサーボ系信号は、それぞれ専用のフォトダイオードおよび電流電圧変換回路で再生される場合が多いが、何れも周知の技術なので説明を割愛する。
【０００９】
一方レーザダイオード４２から出射されたレーザ光の一部はフォトトランジスタ４４で受光されることにより、抵抗４５の両端にはレーザダイオード４２のレーザパワーに比例した電圧が出力される。抵抗４５の両端電圧と設定電圧発生回路５２の出力電圧との誤差が０になるように演算増幅器５３，抵抗５４，トランジスタ４７が構成されているので、レーザダイオード４２に負帰還がかかりレーザダイオードのレーザパワーがコントロールされる。
【００１０】
このように、レーザダイオード４２のレーザパワーは設定電圧回路５２の出力電圧に比例関係する。
【００１１】
再生時の場合は設定電圧発生回路５２の出力電圧が低いので、レーザダイオード４２のレーザパワーは低い。記録時は再生時に比べて、レーザパワーが数倍から約１０倍になるように設定電圧発生回路５２の出力電圧が設定されている。
【００１２】
【発明の解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構成では、再生時のように低いレーザパワーを微調整しようとした場合、設定電圧の精度を充分に確保しなければならないという問題がある。特に設定電圧発生回路５２をパルス幅変調やＤＡコンバータで構成している場合、再生用のレーザパワーに対する調整分解能が相対的に粗くなり、装置の性能が低下するという事態が生じる。これに対し低出力の調整分解能を重視するとレーザパワーの最大出力が制限され、またレーザパワーの最大出力と調整分解能との両立を図ろうとすると、ビット数が増え、コストが上昇したり高いクロック周波数が必要になるという問題があった。
【００１３】
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、記録時のような高出力の場合や再生時のような低出力の場合で、それぞれ最適なレーザパワー設定が可能な光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の光ディスク装置は、レーザパワーを設定する設定電圧を発生する設定電圧発生回路と、基準電圧を発生する基準電圧源と、設定電圧が基準電圧より低い場合は設定電圧を第１の利得で増幅して第１の変換電圧を出力し、設定電圧が基準電圧より高い場合は第１の利得より高利得である第２の利得で設定電圧を増幅して第２の変換電圧を出力する折線型増幅回路と、第１あるいは第２の変換電圧に比例したレーザパワーを発生してディスクを照射するレーザ光発生回路とを備える。
【００１５】
この構成によれば、レーザパワーの最大出力値を低下させることなく、低出力におけるレーザパワーの調整精度が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の発明は、レーザパワーを設定する設定電圧を発生する設定電圧発生回路と、基準電圧を発生する基準電圧源と、前記設定電圧が前記基準電圧より低い場合は前記設定電圧を第１の利得で増幅して第１の変換電圧を出力し、前記設定電圧が前記基準電圧より高い場合は前記第１の利得より高利得である第２の利得で前記設定電圧を増幅して第２の変換電圧を出力する折線型増幅回路と、前記第１あるいは第２の変換電圧に比例したレーザパワーを発生してディスクを照射するレーザ光発生回路とを備えたものである。
【００１７】
この構成によれば、折線型増幅回路は、低利得領域と高利得領域とを有するので、レーザパワーの最大出力値を低下させることなく、低出力におけるレーザパワーの調整精度が向上する。
【００１８】
また、本発明の第２の発明は、上記発明に加え、折線型増幅回路は、第１の変換電圧が再生用のレーザパワーに対応するように第１の利得が設定され、第２の変換電圧が記録用のレーザパワーに対応するように第２の利得が設定され、また、第１と第２の利得の比がほぼ再生と記録のレーザパワーの比になるように各利得が設定されたことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、記録時のレーザパワーの最大出力値を低下させることなく、再生時のレーザパワーの調整精度が向上する。
【００２０】
また、本発明の第３の発明は、上記発明に加えて、基準電圧源の基準電圧を電源電圧の１／２に設定することにより、基準電圧を新規に生成することなく光ディスク装置で通常用いられている既存の電圧を流用できるので、装置の複雑化やコストアップを防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明の第４の発明は、上記発明に加えて、設定電圧発生回路が発生する設定電圧が電源電圧に比例し、電源電圧源の基準電圧が電源電圧の１／２に設定され、レーザーパワーに比例したモニター電圧を発生するモニター回路を有し、そのモニター電圧が電源電圧にほぼ比例した値を出力するように設定されているものである。
【００２２】
この構成によれば、据置型光ディスク装置とポータブル型光ディスク装置のように、電源電圧の大きく異なるシステムでも装置（あるいは回路）を共用化することができる。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、ＭＤを一例に、図面を参照しながら説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における光ディスク装置の構成を示すブロック図である。図１において、光ピックアップ１は、レーザダイオード２，信号検出用のフォトダイオード３，モニター用のフォトダイオード４，検出用抵抗５から構成されており、レーザダイオード２のカソード，フォトダイオード３のアノードは接地され、フォトダイオード４は、カソードが電源（Ｖｃｃ）に接続されアノードが抵抗５を介して接地されている。レーザダイオード２から出射されたレーザ光は、ディスク６で反射されフォトダイオード３で受光される。また、レーザダイオード２から出射されたレーザ光の一部は、ディスク６に関係なく直接フォトダイオード４で受光される。
【００２５】
ＰＮＰ型トランジスタ７は、エミッタが電源（Ｖｃｃ）に接続されコレクタがレーザダイオード２のアノードに接続される。
【００２６】
演算増幅器８は電流電圧変換を行うものであり、反転入力端子はフォトダイオード３のカソードに、非反転入力端子はＤＣ電圧源９に接続されている。ＤＣ電圧源９は、例えば電源（Ｖｃｃ）の１／２の電圧に設定されている。演算増幅器８の出力用端子１０と反転入力端子は抵抗１１を介して接続されている。なお通常は、反射光に含まれるデータ信号やサーボ系信号は、それぞれ専用のフォトダイオードおよび電流電圧変換回路で再生される場合が多いが、何れも周知の技術なので説明を割愛する。
【００２７】
演算増幅器１２は、非反転入力端子がフォトダイオード４のアノードに接続され、出力が抵抗１３を介してトランジスタ７のベースに接続されている。
【００２８】
設定電圧発生回路１４は、レーザパワーを設定するＤＣ電圧を出力するものであり、例えばレーザパワーの設定値に応じたパルス幅変調波形を平滑した直流電圧を出力するように構成されている。
【００２９】
基準電圧源１５は基準電圧（Ｖｒｅｆ）を発生する。
【００３０】
折線型増幅回路１６は、設定電圧発生回路１４の出力電圧を変換するものであり、演算増幅器１７，１８，１９、抵抗２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６、ダイオード２７から構成されている。なお、２８，２９，３０，３１は、折線型増幅回路１６における端子である。
【００３１】
折線型増幅回路１６の各構成を具体的に説明すると、演算増幅器１７の反転入力端子は抵抗２０，２１および端子２８を介して設定電圧発生回路１４の出力端子に接続され、抵抗２３は演算増幅器１７の反転入力端子と出力端子３１間に接続され、抵抗２４は端子３１と演算増幅器１８の反転入力端子間に接続され、抵抗２５は電源（Ｖｃｃ）と演算増幅器１８の反転入力端子間に接続され、抵抗２６は演算増幅器１８の反転入力端子と出力端子３０間に接続されている。また抵抗２２は、抵抗２０，２１の接続点と演算増幅器１９の反転入力端子間に接続され、ダイオード２７は、アノードが演算増幅器１９の出力端子にカソードが反転入力端子に接続されている。
【００３２】
端子３０は演算増幅器１２の反転出力端子に接続され、基準電圧源１５は端子２９を介して、演算増幅器１７，１８，１９の各非反転入力端子に接続されている。
【００３３】
この構成により、演算増幅器１７と抵抗２０，２１，２２，２３は反転増幅器を構成し、演算増幅器１８と抵抗２４，２６は反転増幅器を構成し、演算増幅器１９とダイオード２７は理想ダイオードを構成することは明かである。なお抵抗２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６の抵抗値は、それぞれＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７とする。
【００３４】
このように構成された光ディスク装置装置の動作について、図２を参照しながら説明する。
【００３５】
図２は本発明の実施の形態１における光ディスク装置の動作説明図であり、同図（１）は、端子２８に入力した設定電圧に対する端子３１，端子３０の電圧をそれぞれ折線ａ，ｂで表したものであり、同図（２）は設定電圧に対するレーザダイオード２のレーザパワーを表したものである。
【００３６】
まず、折線型増幅回路１６の動作を説明する。端子２８における設定電圧が基準電圧Ｖｒｅｆと等しい場合は、演算増幅器１７，１９の動作により端子３１の出力電圧もＶｒｅｆである。
【００３７】
端子２８における設定電圧がＶｒｅｆより低い場合は、演算増幅器１９の反転入力端子の電圧はＶｒｅｆにクランプされる。従って演算増幅器１７の入力抵抗の合成値は（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ１・Ｒ２／Ｒ３）であり、端子３１電圧利得は、−Ｒ４／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ１・Ｒ２／Ｒ３）である。
【００３８】
次に端子２８における設定電圧がＶｒｅｆより高い場合は、演算増幅器１９の反転入力端子の電圧はオープン状態となる。従って演算増幅器１７の入力抵抗の合成値は（Ｒ１＋Ｒ２）であり、端子３１の電圧利得は、−Ｒ４／（Ｒ１＋Ｒ２）となる。ここでＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の値を選ぶことにより端子３１の出力電圧は、図２の（１）における折線ａを示す。
【００３９】
さらに増幅器１８と抵抗２４，２６は−Ｒ７／Ｒ５の電圧利得を示すので、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７の値を選ぶことにより、端子３０の出力電圧は図２の（１）における折線ｂに示すごとく、設定電圧０Ｖでは端子３０の出力電圧が０Ｖとなり、設定電圧がＶｒｅｆ以上では端子３０の出力電圧の変化が増大する折線特性を示す。
【００４０】
さて、レーザダイオード２から出射されたレーザ光はディスク６を照射し、反射光がフォトダイオード３に受光され電流に変換される。さらにこの変換された電流は演算増幅器８と抵抗１１で電流電圧変換され端子１０に出力される。この際、ディスク６からの反射光に含まれるデータ信号あるいはサーボ系信号が端子１０に出力される。なお通常は、反射光に含まれるデータ信号やサーボ系信号は、それぞれ専用のフォトダイオードおよび電流電圧変換回路で再生される場合が多いが、何れも周知の技術なので説明を割愛する。
【００４１】
一方レーザダイオード２から出射されたレーザ光の一部はフォトトランジスタ４で受光されることにより、抵抗５の両端にはレーザダイオード２のレーザパワーに比例した電圧が出力される。抵抗５の両端電圧と端子３０の電圧との誤差が０になるように演算増幅器１２，抵抗１３，トランジスタ７が構成されているので、レーザダイオード２に負帰還がかかりレーザダイオードのレーザパワーがコントロールされる。このように、レーザダイオード２のレーザパワーは端子３０の電圧に比例する。
【００４２】
なお、抵抗５の抵抗値を大きくすると演算増幅器１２の非反転入力端子の電圧が上昇するのでレーザパワーが減少し、抵抗値を小さくするとレーザパワーが増大する。すなわち抵抗５の値によりレーザパワーの出力感度が増減する。端子電圧３０の出力電圧に対するレーザパワーの出力感度は、抵抗５の値により予め調整されている。
【００４３】
この結果を図２の（２）示す。すなわち、設定電圧０Ｖではレーザパワーが０Ｗとなり、設定電圧がＶｒｅｆ以上ではレーザパワーの変化が増大する折線特性を示す。
【００４４】
このように本実施の形態によれば、設定電圧発生回路１４から出力される設定電圧がＶｒｅｆより低い場合はレーザダイオード２のレーザパワーの変化が小さいので、低いレーザパワーにおいて設定電圧を変化させたときにレーザパワーが相対的に大きく変化してしまうという不都合を防止できる。
【００４５】
（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２における光ディスク装置を、同じく図１，２を参照しながら説明する。
【００４６】
図１において、設定電圧＝Ｖｃｃにおける端子３０の出力電圧が、設定電圧＝Ｖｒｅｆの場合の出力電圧に比べ、少なくとも数倍から約１０倍になるように、抵抗２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６の各抵抗値が予め設定されている。さらに、設定電圧がＶｒｅｆのときレーザダイオード２から出射されるレーザパワーが再生用レーザパワーよりやや大きくなるように、抵抗５の抵抗値が設定されている。その他は、実施の形態１で説明した構成と同一であり詳細な説明を省略する。
【００４７】
このような構成において、設定電圧Ｖｃｃにおける端子３０の出力電圧は、設定電圧Ｖｒｅｆの場合に比べ少なくとも数倍から約１０倍なので、レーザダイオード２から出射されるレーザパワーについても、設定電圧Ｖｃｃの場合には設定電圧Ｖｒｅｆの場合に比べ、数倍から約１０倍となる。
【００４８】
ところで、ＭＤのように記録再生を行なう光ディスク装置においては、再生時のレーザパワーに対し記録時のレーザパワーは数倍から約１０倍である。したがって、設定電圧がＶｒｅｆ以下においてレーザダイオード２は再生用の低いレーザパワーを出射し、設定電圧がＶｒｅｆ以上においてレーザダイオード２は記録用の高いレーザパワーを出射する。
【００４９】
このように本実施の形態によれば、記録用と再生用のレーザパワーを実現しようとする場合、それぞれ専用の装置を設けることなく、再生時には低いレーザパワーの調整をきめ細かく行うことができ、記録時には高出力のレーザパワーを出射することができる。
【００５０】
なお、図１の抵抗２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６の各抵抗値を適当に選択することにより、設定電圧発生回路１４の設定電圧がＶｒｅｆより低い場合と高い場合におけるレーザダイオード２が出射するレーザパワーの変化の比率が、ほぼ再生時と記録時のレーザパワーの比になるように設定してもよい。この場合、Ｖｒｅｆ以下の設定電圧における再生用レーザパワーと、Ｖｒｅｆ以上の設定電圧における記録用レーザパワーについて、それぞれ設定電圧の変化に対するレーザパワーの相対的な変化率を近づけることができ、設定電圧発生回路１４の制御方法がシンプルになる。
【００５１】
（実施の形態３）
次に本発明の実施の形態３における光ディスク装置を、同じく図１，２を参照しながら説明する。
【００５２】
図１において、電圧源１５から出力される基準電圧Ｖｒｅｆは、電源（Ｖｃｃ）の１／２の電圧に設定されている。その他は、実施の形態１で説明した構成と同一であり詳細な説明を省略する。
【００５３】
一般にＭＤのような光ディスク装置では、ＤＣ電圧源９のような電源電圧の１／２の電圧が広く使用されている。
【００５４】
本実施の形態によれば、電源（Ｖｃｃ）の分圧等によって基準電圧Ｖｒｅｆが容易に生成できる上、ＤＣ電圧源９など他の回路と共用化することができ、装置の合理化と安定化を図ることができる。
【００５５】
ここで一例として、Ｖｃｃ＝２Ｖ、Ｖｒｅｆ＝１Ｖ、Ｒ１＝１３０Ω、Ｒ２＝７０Ω、Ｒ３＝７Ω、Ｒ４＝１５０Ω、Ｒ５＝Ｒ７＝９、Ｒ６＝１０Ω、端子３０の出力電圧１Ｖあたりレーザダイオード２のレーザパワー出力が１０ｍＷ、記録用レーザパワーが４．５ｍＷ、再生用レーザパワーが０．６ｍＷとなる光ディスク装置を想定してみる。
【００５６】
これらの条件を図２の（１），（２）に当てはめてみると、設定電圧０において端子３０の出力電圧は０Ｖ，レーザパワー０Ｗであり、設定電圧１Ｖ（Ｖｒｅｆ）において端子３０の出力電圧は０．１Ｖ，レーザパワー１ｍＷであり、設定電圧２Ｖ（Ｖｃｃ）において端子３０の出力電圧は０．８５Ｖ，レーザパワー８．５ｍＷとなる。
【００５７】
また、設定電圧０．６Ｖにおいて端子３０の出力電圧は０．０６Ｖ，レーザパワーは０．６ｍＷであり、設定電圧１．４６７Ｖにおいて端子３０の出力電圧は０．４５Ｖ，レーザパワーは４．５ｍＷとなる。
【００５８】
さらに上記の状況において、再生用および記録用レーザパワーの各設定電圧付近で設定電圧を０．１Ｖ変化させると再生用レーザパワーは０．１ｍＷ変化し、記録用レーザパワーは０．７５ｍＷ変化する。当初に設定されたレーザパワーに対する変化率で比較すると、再生用レーザパワーも記録用レーザパワーも共に、約１７％／０．１Ｖとなる。
【００５９】
このように本実施の形態によれば、設定電圧が０，Ｖｒｅｆ，Ｖｃｃに極端に近づかないような範囲で再生用と記録用のレーザパワーをそれぞれ設定できるので、広範囲のレーザパワーの調整が容易となる。さらに設定電圧の変化に対するレーザパワーの変化率も再生と記録でほぼ同等になるので、レーザパワーの調整の方法が普遍的でシンプルとなる。
【００６０】
（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４における光ディスク装置を、同じく図１，２を参照しながら説明する。
【００６１】
図１において、設定電圧発生回路１４は、ディジタル設定値に応じたパルス幅変調波が生成され、これを平滑した設定電圧を出力するものである。その他は、実施の形態１で説明した構成と同一であり詳細な説明を省略する。
【００６２】
一般にパルス幅変調波形は、波高値が電源電圧（Ｖｃｃ）となる関係上、平滑して出力される設定電圧は電源電圧（Ｖｃｃ）に比例するという特性を有する。従って同一のディジタル値に対し、設定電圧、基準電圧（Ｖｒｅｆ）、端子３０の出力電圧は電源電圧（Ｖｃｃ）に比例する。
【００６３】
ところが、抵抗５は電源電圧に比例した抵抗値に再設定することにより、演算増幅器１２の両入力端子は電源電圧に比例して増減するものの電圧差が生じない。換言すれば異なる電源電圧においても、ディジタル設定値に対するレーザパワーが変化しない。
【００６４】
なお、抵抗５は、電源電圧に応じた複数の抵抗値をスイッチ等を用いて切換えるように構成してもよい。
【００６５】
本実施の形態によれば、抵抗５を電源電圧に比例する抵抗値に再設定することで、高電源電圧で使用される据置型光ディスク装置や、低電源電圧で使用されるポータブル型光ディスク装置において、装置をほとんど共用化できる利点がある。
【００６６】
なお、上記各実施の形態において、光ディスク装置として、ＭＤを例に説明したが、他の光ディスクを用いたものでも良いことは言うまでもない。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように、レーザパワーを設定する設定電圧を発生する設定電圧発生回路と、基準電圧を発生する基準電圧源と、設定電圧が基準電圧より低い場合は設定電圧を第１の利得で増幅して第１の変換電圧を出力し、設定電圧が基準電圧より高い場合は第１の利得より高利得である第２の利得で設定電圧を増幅して第２の変換電圧を出力する折線型増幅回路と、第１あるいは第２の変換電圧に比例したレーザパワーを発生してディスクを照射するレーザ光発生回路とを備え、さらに、折線型増幅回路は、第１の変換電圧が再生用のレーザパワーに対応するように第１の利得が設定され、第２の変換電圧が記録用のレーザパワーに対応するように第２の利得が設定され、また、第１と第2の利得の比がほぼ再生と記録のレーザパワーの比になるように各利得が設定されたことにより、記録時のレーザパワーの最大出力値を低下させることなく、再生時の低出力レーザパワーの調整精度が向上する利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における光ディスク装置の構成を示すブロック図
【図２】同光ディスク装置の動作を説明する折線型増幅回路の特性図
【図３】従来例の光ディスク装置の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１  光ピックアップ
２  レーザダイオード
３，４  フォトダイオード
５，１１，１３，２０〜２６  抵抗
６  ディスク
７  トランジスタ
８，１２，１７〜１９  演算増幅器
９，１５  電圧源
１０，２８，２９，３０，３１  端子
１４  設定電圧発生回路
１６  折線型増幅回路
２７  ダイオード
【図１】
0003838043.tif 000002
【図２】
0003838043.tif 000003
【図３】
0003838043.tif 000004