(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ多数の表示電極が形成された表示エリアを有する一対の透明電極基板を含み、上記表示エリア間に電気光学媒体が封入されているとともに、上記一方の透明電極基板に連設されている端子部に、上記各表示電極から引き出された多数の引出電極が設けられており、上記引出電極に駆動用素子が接続される表示素子において、
上記表示電極およびその引出電極を１本の電極として、上記表示エリア内の隣接する上記電極間における抵抗値の変化率（表示エリア内抵抗変化率）の絶対値がほぼ一定とされているとともに、上記表示エリア外に少なくとも１本のダミー電極が設けられ、
上記表示エリア内の最外部に位置する上記電極と上記ダミー電極との間における抵抗値の変化率（表示エリア外抵抗変化率）が上記表示エリア内抵抗変化率よりも大きく、かつ、上記ダミー電極の抵抗値が上記表示エリア内の上記電極の抵抗値よりも小さく、さらに上記ダミー電極がグランド電位に接続されることを特徴とする表示素子。
【請求項２】
それぞれ多数の表示電極が形成された表示エリアを有する一対の透明電極基板を含み、上記表示エリア間に電気光学媒体が封入されているとともに、上記一方の透明電極基板に連設されている端子部に、上記各表示電極から引き出された多数の引出電極が設けられており、上記引出電極に駆動用素子が接続される表示素子において、
上記表示電極およびその引出電極を１本の電極として、上記表示エリア内の隣接する上記電極間における抵抗値の変化率（表示エリア内抵抗変化率）の絶対値がほぼ一定とされているとともに、上記表示エリア外に複数本のダミー電極が設けられ、
隣接する上記ダミー電極間の少なくとも１箇所の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）が上記表示エリア内抵抗変化率よりも大きく、さらに上記各ダミー電極がグランド電位に接続されることを特徴とする表示素子。
【請求項３】
上記複数本のダミー電極のうち、抵抗値の低いダミー電極が上記表示エリアから遠ざけるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
上記電気光学媒体として、上記一対の透明電極基板間に液晶が封入され、上記端子部の上記引出電極上に上記駆動用素子が実装されていることを特徴とする請求項１，２または３に記載の表示素子。
【請求項５】
上記端子部の上記引出電極にＴＣＰが接続され、上記ＴＣＰを介して上記ダミー電極が上記駆動用素子のグランド電位に接続されることを特徴とする請求項１，２または３に記載の表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示素子に代表される表示素子に関し、さらに詳しく言えば、その端子部に、駆動用素子を直接的に実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）型もしくは同端子部に駆動用素子を有するＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続するようにした表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ドットマトリックス型の表示素子は、表示領域にストライプ状に例えばＸ軸方向に沿ってパターニングされた表示電極を有する第１の電極付き基板と、同第１の電極付き基板の表示電極に対して直交する例えばＹ軸方向に沿ってストライプ状にパターニングされた表示電極を有する第２の電極付き基板とを用い、それらの周辺部でシールを形成し、その内部に電気光学媒体を狭持し、両表示電極の交点で表示を行なうようにしている。その代表的な表示素子として液晶表示素子があり、この液晶表示素子においては、２枚の電極付き基板間に液晶を狭持している。
【０００３】
液晶表示素子は、最近特に高精細な高コントラスト比化が進んでおり、例えば６４０×４８０ドット、８００×６００ドットというような表示が多く行なわれている。当然、カラー表示の場合は信号線がその３倍になるので画素数も３倍となり、より高精細なパターンが要求される。これと併行して、小型軽量化も要求されており、駆動回路をＴＣＰ（従来ＴＡＢとも呼ばれている）や半導体チップで構成することも行なわれ始めている。
【０００４】
小型移動体通信の分野においても、従来のキャラクタータイプのパターン形状から情報量を増やす目的で、ドットマトリックス型のパターンの採用が増加している。また、小型軽量化を実現するため、共通線（コモン線）と信号線（セグメント線）の引出線を同一の基板側に配置し、１つのＴＣＰで駆動することも行なわれ始めている。
【０００５】
その場合、一方の基板に形成されている信号線もしくは共通線を導電体（トランスファ）にて他方の基板側に引き回すため、この他方の基板内に信号線と共通線の各表示電極に至る引き回し電極を配置する必要があり、より高精細なパターンが要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これらの高精細パターニングを必要とする液晶表示素子の表示品位において製造上の大きな課題になるのが、静電気によるすじ状の表示不良である。すなわち、高精細パターンのためその線間が狭く、かつ、液晶自身が誘電体であるため、静電気による部分的な影響を受け、電荷がチャージされ、その結果、すじ状の表示不良が発生する。
【０００７】
このような静電気によるすじ状の表示不良に関しては、高温（例えば、６０℃程度）で処理することにより軽減することが知られているが、発生する表示不良の程度により、その処理時間が数時間から数日、場合によっては数カ月におよぶことがあり、迅速な納期対応に大きな障害をおよぼす原因になっている。
【０００８】
一方、工程的には液晶表示素子の端子部分に導電性のテープ材料を貼り付け信号線と共通線を同電位にすることにより静電気による影響を防止することが行なわれている。しかしながら、導電性テープを貼り付ける工数と剥がす工程とが必要とされるため、好ましい解決策とは言えない。
【０００９】
また、導電性テープは一般的にはカーボン材料を含む粘着材が用いられるため、粘着材が残ることによる短絡、汚れによるＴＣＰの接着強度不足などの不具合を生じることも指摘されている。さらには、導電性テープの価格も高いため、これがパネル製造コストを引きあげる要因になっている。
【００１０】
本発明は、上記した課題を解決するためになされたもので、その目的は、電極パターニング時に表示エリア外にダミー電極を形成することにより、表示エリア内に静電気によるすじ状の表示不良が発生しないようにした表示素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、それぞれ多数の表示電極が形成された表示エリアを有する一対の透明電極基板を含み、上記表示エリア間に電気光学媒体が封入されているとともに、上記一方の透明電極基板に連設されている端子部に、上記各表示電極から引き出された多数の引出電極が設けられており、上記引出電極に駆動用素子が接続される表示素子において、上記表示電極およびその引出電極を１本の電極として、上記表示エリア内の隣接する上記電極間における抵抗値の変化率（表示エリア内抵抗変化率）の絶対値がほぼ一定とされているとともに、上記表示エリア外に少なくとも１本のダミー電極が設けられ、上記表示エリア内の最外部に位置する上記電極と上記ダミー電極との間における抵抗値の変化率（表示エリア外抵抗変化率）が上記表示エリア内抵抗変化率よりも大きく、かつ、上記ダミー電極の抵抗値が上記表示エリア内の上記電極の抵抗値よりも小さく、さらに上記ダミー電極がグランド電位に接続されることを特徴としている。
【００１２】
本発明においては、表示エリア外に複数本のダミー電極が設けられてもよく、その場合には、隣接する同ダミー電極間の少なくとも１箇所の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）が上記の表示エリア内抵抗変化率よりも大きくされることになる。
【００１３】
いずれにしても、ダミー電極は、表示エリア内の電極とほぼ平行に形成されていることが好ましい。
【００１４】
ところで、静電気によるすじ状の表示不良は、偏光板などの高分子フィルムの貼り付け時や、吸着テーブルからの離脱時などに発生する静電気が面内の端子間で放電することにより特定の電極に過電流が流れ、その部分に電荷がチャージしたり、または、その特定の電極上に存在するスペーサの周辺の配向膜に影響をおよぼし閾値電圧が異なることにより生ずると推定される。
【００１５】
本発明によれば、透明電極基板の全面を見た場合、その表示エリア外にダミー電極により最も電位差の大きな部分ができ、しかもダミー電極は表示エリア内の電極より低抵抗であるため、基板に帯電した静電気がダミー電極に集められて、最終的にそこから放電されることになる。したがって、表示エリア内には静電気によるすじ状の表示不良は発生しない。
【００１６】
本発明は、上記電気光学媒体として液晶を用いる液晶表示素子に好ましく適用されるが、その場合、液晶表示素子は端子部の引出電極上に駆動用素子を実装するＣＯＧ型もしくは端子部の引出電極にＴＣＰなどを接続する型式のいずれであってもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の技術的思想をよりよく理解するうえで、図面を参照しながら、本発明をドットマトリクス型の液晶表示素子に適用した実施例について説明する。
【００１８】
まず、図１に基づいて第１実施例を説明する。図１（ａ）が液晶表示素子の第１透明電極基板１０の平面図で、同図（ｂ）にはこの第１透明電極基板１０に貼り合わせられる第２透明電極基板２０が示されている。
【００１９】
この第１実施例において、第１透明電極基板１０には端子部１０１が連設されている。この端子部１０１を除く第１透明電極基板１０の周辺には、第２透明電極基板２０を貼着するためのシール材１２が塗布される。このシール材１２内の鎖線枠で示す領域が表示エリアＬＡであり、この表示エリアＬＡ内にＸ軸方向に沿って多数の表示電極１ａ〜１ｎが形成されている。
【００２０】
この第１実施例において、表示電極１ａ〜１ｎはコモン電極であり、その各表示電極１ａ〜１ｎには、表示エリアＬＡから引き出されて端子部１０１に至る引出電極１１ａ〜１１ｎが連設されている。すなわち、１本の電極は表示電極部と引出電極部とを含み、これら両部分を分けて説明する場合を除いて、電極１本あたりについての参照符号を１とする。
【００２１】
この実施例では、端子部１０１に駆動用素子を有するＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃａｇｅ）１３が接続されるが、この場合、ＴＣＰ１３の端子電極部１３１の電極ピッチは、表示電極１ａ〜１ｎの電極ピッチよりも狭くなされている。
【００２２】
したがって、ＴＣＰ１３の端子電極部１３１が端子部１０１の中央部に配置されるとすると、各引出電極１１ａ〜１１ｎは図１（ａ）のように、端子電極部１３１に向けて収斂するように配線され、各電極１の中で中央に位置する電極Ｃの長さが最も短いことになる。
【００２３】
ここで、各電極１が同一の幅で、かつ、その電極ピッチも同一であるとすると、中央に位置する電極Ｃの抵抗値が最小となる。そして、隣接する電極１間の抵抗値は一定の変化率で小さくもしくは大きくなる。
【００２４】
すなわち、表示電極１ａ〜中央の電極Ｃに至るまでは、隣接する電極１間の抵抗値は一定の変化率で小さくなり、これに対して中央の電極Ｃから表示電極１ｎに至るまでは隣接する電極１間の抵抗値は一定の変化率で大きくなる。この抵抗値の変化状態を図２のグラフに示し、この変化率を表示エリア内抵抗変化率とする。
【００２５】
本発明においては、表示エリアＬＡの外側にダミー電極が配置される。この第１実施例では最外側の表示電極１ｎに隣接する表示エリア外に１本のダミー電極Ｄ１が形成されている。
【００２６】
このダミー電極Ｄ１は最外側の表示電極１ｎとほぼ平行に形成され、好ましくは表示エリアＬＡ内の電極１と同じく端子部１０１に至る引出電極Ｄ１１を有し、その引出電極Ｄ１１がＴＣＰ１３の端子電極部１３１のグランド電位に接続されるとよい。
【００２７】
また、ダミー電極Ｄ１と最外側の表示電極１ｎとのピッチ（間隔）は、表示エリアＬＡ内の電極１間と同じとされ、その間の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）は表示エリア内抵抗変化率の絶対値よりも大きくされる。すなわち、ダミー電極Ｄ１の抵抗値は、最外側の表示電極１ｎの抵抗値よりも十分に小さいものとされる（図２参照）。
【００２８】
一方、図１（ｂ）に示されているように、第２透明電極基板２０側の表示エリアＬＡには多数の表示電極２（２ａ〜２ｎ）がＹ軸方向に沿って形成されている。この第１実施例において、各表示電極２ａ〜２ｎはセグメント電極であり、その各々は同一幅で、かつ、同一ピッチである。
【００２９】
したがって、第２透明電極基板２０の隣接する電極２間の抵抗変化率（表示エリア内抵抗変化率）は「０」の一定となる。この第２透明電極基板２０においても、その表示エリアＬＡの外側にダミー電極Ｄ１Ａが設けられる。
【００３０】
このダミー電極Ｄ１Ａの抵抗値は表示電極２の抵抗値よりも小さくされ、かつ、その表示電極２間のピッチと同一のピッチで表示エリアＬＡ内の最外側の表示電極２ｎに隣接して配置される。これにより、この第２透明電極基板２０においても、ダミー電極Ｄ１Ａと表示電極２ｎとの間の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）は、第１透明電極基板１０と同様に表示エリア内抵抗変化率よりも大きくされる。
【００３１】
なお、各表示電極２は、例えばシール材１２内の図示しない導電体（トランスファ）を介して第１透明電極基板１０側に引き出され、同第１透明電極基板１０に形成されている引き回し配線（図示省略）を介して端子部１０１に至り、ＴＣＰ１３の端子電極部１３１に接続される。
【００３２】
次に、図３の第２実施例について説明する。なお、図３には第１透明電極基板１０側のみが示されており、第２透明電極基板２０については第１実施例と同じであるため、図１（ｂ）を参照されたい。また、第１透明電極基板１０についても、上記第１実施例と同一部分にはそれと同じ参照符号を付し、重複説明は省略する。
【００３３】
この第２実施例では、第１透明電極基板１０の表示エリア外に２本のダミー電極Ｄ１，Ｄ２が配置されている。すなわち、上記第１実施例のダミー電極Ｄ１に隣接してもう１本のダミー電極Ｄ２が設けられている。
【００３４】
この場合、ダミー電極Ｄ１，Ｄ２間のピッチは、好ましくは表示エリアＬＡ内の電極１間のピッチと同じとされ、また、ダミー電極Ｄ１，Ｄ２の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）は、上記した表示エリア内抵抗変化率の絶対値よりも大きくされる。
【００３５】
すなわち、この第２実施例においては、表示エリア内抵抗変化率の絶対値よりも大きな抵抗変化率をダミー電極Ｄ１，Ｄ２間で生ずるようにしている。したがって、ダミー電極Ｄ１の抵抗値＞ダミー電極Ｄ２の抵抗値もしくはダミー電極Ｄ１の抵抗値＜ダミー電極Ｄ２の抵抗値のいずれでもよいことになるが、好ましくはダミー電極Ｄ１の抵抗値＞ダミー電極Ｄ２で、抵抗値の小さい方のダミー電極を表示エリアＬＡから遠ざけるとよい。
【００３６】
図４のグラフに、この第２実施例の表示エリア内抵抗変化率と表示エリア外抵抗変化率の関係を示す。このグラフによると、ダミー電極Ｄ１，Ｄ２の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）が、表示エリア内抵抗変化率の絶対値よりも大きければ、表示電極１ｎとそれに隣接するダミー電極Ｄ１間の抵抗変化率は、表示エリア内抵抗変化率と同じであってもよいことが理解されよう。
【００３７】
図５には、より具体的な構成例としての第３実施例が示されている。この第３実施例においては、同図（ａ）の端子部１０１を有する第１透明電極基板１０側の電極１がセグメント電極とされ、端子部１０１の中央部分にセグメント電極１の端子群１１が形成され、その両側に第２透明基板２０側の電極２に対する端子群２２１，２１２が配置されている。そして、第１実施例と同じく最外側の表示電極１ｎに隣接する表示エリアＬＡの外側に１本のダミー電極Ｄ１が形成されている。
【００３８】
これに対して、図５（ｂ）の第２透明基板２０側の電極２がコモン電極とされている。この第３実施例では配線のスペース上、このコモン電極２は２つのグループに分けられ、一方のグループの引き回し配線は、図において表示領域ＬＡの下部スペースに形成され、他方のグループの引き回し配線は表示領域ＬＡの上部スペースに形成されている。
【００３９】
これらの各引き回し配線は、シール１２内の図示しない導電体（トランスファ）を介して第１透明基板１０の端子部１０１に引き出され、同端子部１０１の両側部に形成されている引出電極群２１１，２１２に接続される。
【００４０】
そして、この第２透明基板２０の表示エリアＬＡの外側には、３本のダミー電極Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂ，Ｄ２Ｃが同一ピッチで形成されている。この第３実施例において、これら各ダミー電極Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂ，Ｄ２Ｃもコモン電極２と同様に引き回し配線を有し、その各々が例えば一方の引出電極群２１１内の対応する引出電極を介してＴＣＰ１３の端子電極部１３１のグランド電位に接続される。
【００４１】
なお、各実施例とも、ダミー電極を表示エリアの片側に設けているが、表示エリアの両側に配置してもよいことはもちろんである。さらには、同様の考えでダミー電極を３本以上とすることもできる。
【００４２】
【実施例】
《実施例１》
セルギャップ６μｍ、９６×５４ドットで、シール内導電ビーズにてコモン電極とセグメント電極の引出電極を一方の基板の端子部に配置した基本的に図５に示されているような移動体通信用の液晶表示パネルにおいて、図５（ｂ）の第２透明基板２０におけるコモン電極２の表示エリアＬＡの外側（図５（ｂ）において右側部）に、その表示エリアＬＡ内の電極ピッチと同じ０．４４ｍｍピッチで、ダミー電極を３本設けた。また、図５（ａ）の第１透明基板１０側については、そのセグメント電極１の表示エリアＬＡの外側（図５（ａ）において下側）に、その表示エリアＬＡ内の電極ピッチと同じ０．２８ｍｍピッチで、ダミー電極を１本設けた。
第２透明基板２０における表示エリア内抵抗変化率の絶対値は４％とし、ダミー電極間の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）は２０％とした。同様に、第１透明基板１０側についても、表示エリア内抵抗変化率の絶対値は４％とし、表示エリア外抵抗変化率は２０％とした。なお、ダミー電極の抵抗値を下げるため、その引出電極部の電極幅を変更（太く）することで抵抗値を下げた。
このように、電極パターンを設けた基板を導電性テープの張り付けを行なわずに、パネルの製造工程に通した。
【００４３】
〈比較例１〉
実施例１と同じ液晶表示パネルに、ダミー電極を一切設けることなく、表示エリア内抵抗変化率の絶対値が４％となるように表示電極を配線した。その他のパネル仕様は実施例１と同じであるが、この比較例１においては、静電気対策として端子部に導電性テープを貼り付けて、パネルの製造工程に通した。
【００４４】
〈比較例２〉
比較例１と同様のパネル仕様で導電性テープ無しで、パネルの製造工程に通した。
【００４５】
上記実施例１および比較例１，２の液晶パネル各５００枚について、製造工程時での静電気によるすじ状表示不良の発生率を測定した。
その結果、実施例１は０．２％、比較例１は１．０％、比較例２は２０．０％であり、きわめて良好な結果が得られた。
【００４６】
《実施例２》
セルギャップ６μｍ、８００×３×６００ドットで、シール内導電ビーズにてコモン電極とセグメント電極の引出電極を一方の基板の端子部に配置した基本的に図１に示されているようなＳＶＧＡカラー液晶表示パネルにおいて、図１（ａ）の第１透明基板１０におけるコモン電極１の表示領域ＬＡの外側（図１において下端部）に、その表示エリアＬＡ内の電極ピッチと同じ０．２８ｍｍピッチで、ダミー電極を３本設けた。また、第２透明基板２０側については、図１（ｂ）に示されているように、そのセグメント電極２の表示領域ＬＡの外側（図１において右側部）に、その表示エリアＬＡ内の電極ピッチと同じ０．０９ｍｍピッチで、ダミー電極を１本設けた。
第１透明基板１０における表示エリア内抵抗変化率の絶対値は０．５％とし、ダミー電極間の抵抗変化率（表示エリア外抵抗変化率）は１０％とした。また、第２透明基板２０側も、同様に、表示エリア内抵抗変化率の絶対値は０．５％とし、表示エリア外抵抗変化率は１０％とした。なお、ダミー電極の抵抗値を下げるため、その引出電極部の電極幅を変更（太く）することで抵抗値を下げた。
このように、電極パターンを設けた基板を導電性テープの張り付けを行なわずに、パネルの製造工程に通した。
【００４７】
〈比較例３〉
実施例２と同じ液晶表示パネルに、ダミー電極を一切設けることなく、表示エリア内抵抗変化率の絶対値が０．５％となるように表示電極を配線した。その他のパネル仕様は実施例２と同じであるが、この比較例３においては、静電気対策として端子部に導電性テープを貼り付けて、パネルの製造工程に通した。
【００４８】
〈比較例４〉
比較例３と同様のパネル仕様で導電性テープ無しで、パネルの製造工程に通した。
【００４９】
上記実施例２および比較例３，４の液晶パネル各３００枚について、製造工程時での静電気によるすじ状表示不良の発生率を測定した。
その結果、実施例２は０．３％、比較例３は４．０％、比較例４は５０．０％であり、きわめて良好な結果が得られた。このように、ＳＶＧＡカラー液晶表示パネルにおいても、きわめて良好な結果が得られた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、表示エリア外にダミー電極を配置し、同ダミー電極の部分を隣接抵抗の変化率が最も大きく、すなわち電位差が最も大きく、かつ、抵抗の低い部分とすることにより、表示エリアに静電気によるすじ状の表示不良が発生することのない表示素子を提供することができる。
【００５１】
したがって、静電気によるすじ状の表示不良対策として、従来行なわれていた高温処理や導電性テープ貼りなどの後処理が不要となり、生産性の向上とコスト低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による表示素子の第１実施例を示した模式図。
【図２】上記第１実施例の表示電極位置とその電極抵抗との相関を示したグラフ。
【図３】本発明による表示素子の第２実施例を示した模式図。
【図４】上記第２実施例の表示電極位置とその電極抵抗との相関を示したグラフ。
【図５】本発明による表示素子の第３実施例を示した模式図。
【符号の説明】
１  電極
１ａ〜１ｎ：２ａ〜２ｎ  表示電極
１１ａ〜１１ｎ  引出電極
１０  第１透明電極基板
１０１  端子部
１２  シール材
１３  ＴＣＰ
１３１  ＴＣＰの端子電極
２０  第２透明電極基板
ＬＡ  表示エリア
Ｄ１，Ｄ１Ａ，Ｄ２  ダミー電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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