(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に感光性の膜を形成する工程と、
前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、
前記露光された膜を現像処理することにより、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備し、
前記露光評価パターンに対応する前記フォトマスクのパターンは、
第１の長さの長軸と第２の長さの短軸とを有する楕円と、
前記長軸にほぼ平行し前記第２の長さの短軸と前記短軸にほぼ平行し前記第１の長さの長軸とを有する楕円と、
前記第１の長さの直径を有する円と、
前記第２の長さの直径を有する円と
を有することを特徴とする露光基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に感光性の膜を形成する工程と、
前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、
前記露光された膜を現像処理することにより、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備し、
前記露光評価パターンに対応する前記フォトマスクのパターンは、
第１の長さの長辺と第２の長さの短辺とを有する長方形と、
前記長辺にほぼ平行し前記第２の長さの短辺と前記短辺にほぼ平行し前記第１の長さの長辺とを有する長方形と、
前記第１の長さの辺を有する正方形と、
前記第２の長さの辺を有する正方形と
を有することを特徴とする露光基板の製造方法。
【請求項３】
基板上に膜を形成する工程と、
前記膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記レジスト膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、
前記露光されたレジスト膜を現像処理することによりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記膜をエッチングし、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備し、
前記露光評価パターンに対応する前記フォトマスクのパターンは、
第１の長さの長軸と第２の長さの短軸とを有する楕円と、
前記長軸にほぼ平行し前記第２の長さの短軸と前記短軸にほぼ平行し前記第１の長さの長軸とを有する楕円と、
前記第１の長さの直径を有する円と、
前記第２の長さの直径を有する円と
を有することを特徴とする露光基板の製造方法。
【請求項４】
基板上に膜を形成する工程と、
前記膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記レジスト膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、
前記露光されたレジスト膜を現像処理することによりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記膜をエッチングし、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備し、
前記露光評価パターンに対応する前記フォトマスクのパターンは、
第１の長さの長辺と第２の長さの短辺とを有する長方形と、
前記長辺にほぼ平行し前記第２の長さの短辺と前記短辺にほぼ平行し前記第１の長さの長辺とを有する長方形と、
前記第１の長さの辺を有する正方形と、
前記第２の長さの辺を有する正方形と
を有することを特徴とする露光基板の製造方法。
【請求項５】
前記露光評価パターンは複数あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板は矩形状を有し、
前記フォトマスクは、前記基板の四隅に対応した位置に同一の形状の前記パターンを有し、
前記露光評価パターンは、前記基板の四隅にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項５に記載の露光基板の製造方法。
【請求項７】
前記露光工程においてディストーションの発生がなく形成された露光評価パターンは、基板と平行な平面形状が円状のパターンを有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の長さと前記第２の長さとの差は、前記露光工程で用いられる露光機の解像度により設定されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法。
【請求項９】
前記フォトマスクは、前記基板の中央部に対応した素子用パターンを更に具備し、
前記露光評価パターンの形成と同時に、前記基板の中央部に素子用パターンが形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法。
【請求項１０】
複数のスイッチング素子が配置された露光基板を具備する電気光学装置の製造方法において、
前記露光基板は、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法により製造されてなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の露光基板の製造方法により製造されてなることを特徴とする露光基板。
【請求項１２】
基板と、
投影光学系を用いた投影露光工程を経て、前記基板外周部に形成された露光評価パターンとを具備し、
前記露光評価パターンは、膜に複数の孔が開口されて形成され、
該孔の前記基板と平行な平面形状は、
第１の長さの長軸と第２の長さの短軸とを有する楕円と、
前記長軸にほぼ平行し前記第２の長さの短軸と前記短軸にほぼ平行し前記第１の長さの長軸とを有する楕円と、
前記第１の長さの直径を有する円と、
前記第２の長さの直径を有する円と
を具備することを特徴とする露光基板。
【請求項１３】
基板と、
投影光学系を用いた投影露光工程を経て、前記基板外周部に形成された露光評価パターンとを具備し、
前記露光評価パターンは、膜に複数の孔が開口されて形成され、
該孔の前記基板と平行な平面形状は、
第１の長さの長辺と第２の長さの短辺とを有する長方形と、
前記長辺にほぼ平行し前記第２の長さの短辺と前記短辺にほぼ平行し前記第１の長さの長辺とを有する長方形と、
前記第１の長さの辺を有する正方形と、
前記第２の長さの辺を有する正方形と
を具備することを特徴とする露光基板。
【請求項１４】
前記基板外周部には、前記露光評価パターンが複数配置されてな
ることを特徴とする請求項１２または１３のいずれか一項に記載の露光基板。
【請求項１５】
前記基板は矩形状を有し、
前記基板の四隅に、それぞれ同一のパターンからなる前記露光評価パターンが配置され
てなることを特徴とする請求項１４に記載の露光基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法、並びに露光基板及び電気光学装置の技術分野に属する。特に、投影光学系並びにミラーを用いた投影露光工程のように、フォトマスクを透過した透過光を投影光学系を用いて被露光基板上に結像させる工程を経て製造される露光基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法、並びに露光基板及び電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば電気光学装置としての液晶装置は、対向配置されたＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）アレイ基板と対向基板との間隙に液晶層が保持されて構成されている。ＴＦＴアレイ基板は、石英基板などの基板上に、半導体層が配置され、この半導体層を覆ってゲート絶縁膜が配置され、ゲート絶縁膜上に複数の走査線が配置される。走査線の一部は半導体層のチャネル領域に対応して配置され、スイッチング素子としてのＴＦＴのゲート電極として機能する。更に走査線を覆ってゲート絶縁膜上には第１層間絶縁膜が配置され、第１層間絶縁膜上に走査線と交差して複数のデータ線が配置される。データ線は、ゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して半導体層のソース領域と電気的に接続されている。更に、データ線を覆って第１層間絶縁膜上には第２層間絶縁膜が配置され、第２層間絶縁膜上には、走査線及びデータ線の交差部毎に画素電極が配置されている。画素電極はゲート絶縁膜、第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して半導体層のドレイン領域と電気的に接続されている。
【０００３】
この露光基板としてのＴＦＴアレイ基板の製造工程においては、フォトリソグラフィ工程が複数回行われ、フォトリソグラフィ工程により配線、電極、スイッチング素子の各素子及びコンタクトホールなどが形成される。このフォトリソグラフィ工程は、通常、次のように行われ、以下に絶縁膜にコンタクトホールを形成する場合を例に挙げて説明する。
【０００４】
まず、基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にレジスト膜を形成する。次に、コンタクトホールのパターンが描かれたフォトマスクを介してレジスト膜を露光する。この露光工程により、レジスト膜はフォトマスクのパターンの像に対応して感光され、現像工程を経てレジストパターンが形成される。その後、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより、絶縁膜にコンタクトホールが形成される。
【０００５】
上述の露光工程に用いられる露光装置３１０は、図６（ａ）に示すように、光源３０１を有する照明光学系と、フォトマスク３０２を照明光学系により照明し、その透過光を結像投影光学系３０５により被露光基板３０４上に結像させる投影光学系３０３とから構成される。図６（ｂ）に示すように、フォトマスク３０２を透過した透過光は、結像投影光学系３０５を介して被露光基板上に結像されて像３０６が形成され、正常な場合、図６（ｂ）に示すように、フォトマスク３０２に描かれているパターンと相似形の像３０６が被露光基板上に形成される。しかしながら、レンズを用いた投影露光装置を用いる場合、結像投影光学系３０５の微妙な歪みや露光装置自体の癖などにより、像３０６の形状に歪みが生じる場合がある。このような像面傾斜や像面湾曲といった像面歪曲（ディストーション）が生じると、被露光基板上に形成されるレジストパターンを、基板面内において均一に所望の形状に形成することができない。この結果、このようなレジストパターンをマスクとしてエッチング工程を経てコンタクトホールを形成する場合、コンタクトホールの大きさが基板面内でばらつくこととなり、場合によってはコンタクトホールが開かない場合が生じる。そのため、不良画素が生じたり、基板面内におけるスイッチング素子特性のばらつきが生じてしまうという問題が生じる。更に、このような露光基板をＴＦＴアレイ基板として電気光学装置に用いた場合、表示面内における表示ばらつきが生じ、表示特性が劣ってしまうという問題が生じる。
【０００６】
また、ＴＦＴアレイ基板の製造工程において、図７に示すように、１枚の被露光基板３０４から複数のＴＦＴアレイ基板３０４ａを一括して製造する多面取りを採用する場合、上述のようなディストーションの発生により、各ＴＦＴアレイ基板３０４ａ間における表示特性のばらつきが生じ、常に安定した製品特性を有するＴＦＴアレイ基板を得ることが困難となるという問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、露光工程におけるディストーションの発見を容易にすることにより、基板面内における素子特性のばらつきがなく、常に製品特性が安定した露光基板の製造方法及び露光基板、表示面内における表示ばらつきがなく、常に製品特性が安定した電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を採用している。
【０００９】
本発明の露光基板の製造方法は、（ａ）基板上に感光性の膜を形成する工程と、（ｂ）前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、（ｃ）前記露光された膜を現像処理することにより、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明のこのような構成によれば、基板の外周部に露光評価パターンが形成されるので、高精度に露光工程時のディストーションの発生の有無の確認をすることができるという効果を有する。すなわち、投影光学系を用いた投影露光装置を用いる場合、露光基板の中央部付近にフォーカスがあうように露光装置の投影光学系が調整される。このため、ディストーションが発生した場合、露光基板の中央部に形成されるパターンと比較して、基板外周部に形成されるパターンの方が、ディストーションの発生によるパターン形状の異常が顕著に表れる。従って、基板外周部に露光評価パターンが形成されることにより、高精度に露光工程時のディストーションの発生を発見することができる。ここで、評価の方法としては、ディストーションがない場合の露光評価パターンの形状を予め把握しておくことにより、この正常な場合の露光評価パターンの形状と、形成された露光評価パターンの形状を比較することにより、ディストーションの発生の有無を判断すれば良い。
【００１１】
本発明の他の露光基板の製造方法は、（ａ）基板上に膜を形成する工程と、（ｂ）前記膜上にレジスト膜を形成する工程と、（ｃ）前記基板の外周部に対応した位置にパターンを有するフォトマスクを介して、前記レジスト膜を投影光学系を用いて投影露光する露光工程と、（ｄ）前記露光されたレジスト膜を現像処理することによりレジストパターンを形成する工程と、（ｅ）前記レジストパターンをマスクとして前記膜をエッチングし、前記基板の外周部に露光評価パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、基板の外周部に露光評価パターンが形成されるので、高精度に露光工程時のディストーションの発生の有無の確認をすることができるという効果を有する。すなわち、投影光学系を用いた投影露光装置を用いる場合、露光基板の中央部付近にフォーカスがあうように露光装置の投影光学系が調整される。このため、ディストーションが発生した場合、露光基板の中央部に形成されるパターンと比較して、基板外周部に形成されるパターンの方が、ディストーションによるパターン形状の異常が顕著に表れる。従って、基板外周部に露光評価パターンが形成されることにより、高精度に露光工程時のディストーションの発生を発見することができる。ここで、評価の方法としては、ディストーションがない場合の露光評価パターンの形状を予め把握しておくことにより、この正常な場合の露光評価パターンの形状と、形成された露光評価パターンの形状を比較することにより、ディストーションの発生の有無を判断すれば良い。
【００１３】
また、前記露光評価パターンは複数あることを特徴とする。このような構成によれば、基板面内に対して広範囲にディストーションの発生の有無を確認することができ、更に高精度な露光評価が可能となる。
【００１４】
また、前記基板は矩形状を有し、前記フォトマスクは、前記基板の四隅に対応した位置に同一の形状の前記パターンを有し、前記露光評価パターンは、前記基板の四隅にそれぞれ形成されることを特徴とする。このような構成によれば、基板が矩形状である場合には、基板の四隅がもっとも露光工程時のディストーションによるパターン形状の異常が顕著に表れるため、基板の四隅に露光評価パターンを形成することにより高精度な露光評価が可能となる。また、四隅にそれぞれ形成された露光評価パターンの形状の違いを比較することにより、基板全面におけるディストーションの傾向を把握することができる。
【００１５】
また、前記露光工程においてディストーションの発生がなく形成された露光評価パターンは、基板と平行な断面形状が円状のパターンを有することを特徴とする。このような構成によれば、ディストーションの発生がなく形成された露光評価パターンが、その断面形状が円状のパターンとなるように設定されるので、形成された露光評価パターンの形状を観察することによりディストーションの発生の有無を判断することができる。すなわち、基板上に形成された露光評価パターンの形状だ楕円である場合には、ディストーションが発生されたと判断することができる。
【００１６】
前記フォトマスクのパターンは、第１の長さの長軸と、第２の長さの短軸とを有する楕円と、前記長軸にほぼ平行し前記第２の長さの短軸と、前記短軸にほぼ平行し前記第１の長さの長軸とを有する楕円と、前記第１の長さの直径を有する円と、前記第２の長さの直径を有する円とを有することを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、露光工程時のディストーションの発生がない場合には露光評価パターンの形状はフォトマスクの形状と相似形に形成されるので、露光評価パターンの形状が相似形でないと観察された場合にディストーションが発生したと判断することができる。更に、軸または直径の長さがそれぞれ異なる円または楕円を形成することにより、ディストーションが発生した場合に、露光評価パターンの形状を観察して、どの方向にどの程度の位置ずれが生じているかを判断することができる。
【００１８】
前記フォトマスクのパターンは、第１の長さの長辺と、第２の長さの短辺とを有する長方形と、前記長辺にほぼ平行し前記第２の長さの短辺と、前記短辺にほぼ平行し前記第１の長さの長辺とを有する長方形と、前記第１の長さの辺を有する正方形と、前記第２の長さの辺を有する正方形とを有することを特徴とする。このように、フォトマスクパターンの露光基板転写時の変形をあらかじめ見込んで、それを補正するようにフォトマスクのパターン形状を正方形または長方形としても良い。このような構成においては、露光工程時のディストーションの発生がない場合には、露光評価パターンの形状は、フォトマスクの正方形状のパターンに対しては円形状のパターンが形成され、フォトマスクの長方形状のパターンに対しては楕円状のパターンが形成される。このような場合においても、ディストーションの発生がない場合の露光評価パターンの形状と、形成された露光評価パターンの形状とを比較することにより、ディストーションの発生の有無を判断することができる。更に、辺の長さがそれぞれ異なる正方形状または長方形状のパターンを有するフォトマスクを用いて露光評価パターンを形成することにより、ディストーションが発生した場合に、露光評価パターンの形状を観察して、どの方向にどの程度の位置ずれが生じているかを判断することができる。
【００１９】
また、前記第１の長さと前記第２の長さとの長さの差は、前記露光工程で用いられる露光機の解像度により設定されることを特徴とする。このような構成によれば、ディストーションが発生した場合において、どの方向にどの程度の位置ずれが生じているが正確に判断することができる。例えば、フォトマスクに形成されるパターンの大きさと露光確認パターンの大きさが１：１となるような等倍露光の場合には、第１の長さと第２の長さとの長さの差の値は、解像線幅の値と同じとなる。また、フォトマスクに形成されるパターンの大きさと露光確認パターンの大きさが異なるような縮小露光あるいは拡大露光の場合には、露光確認パターンの第１の長さに対応する長さと露光確認パターンの第２の長さに対応する長さとの差の値が、解像線幅の値となるように、第１の長さと第２の長さとの差の値が設定される。尚、ここで、解像線幅とは、基板上に幅、間隔が同一の線状レジストパターンを形成したときの実用しうる最小線幅のことである。
【００２０】
また、前記フォトマスクは、前記基板の中央部に対応した素子用パターンを更に具備し、前記露光評価パターンの形成と同時に、前記基板の中央部に素子用パターンが形成されることを特徴とする。このような構成によれば、素子用パターンと露光評価パターンとが同時に形成されるので、露光評価パターンの観察によりディストーションが発生していると判断された場合、素子用パターンが所望の形状となっていないと判断することができ、露光基板が良品か否かを容易に判断することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数のスイッチング素子が配置された露光基板を具備する電気光学装置の製造方法において、前記露光基板は、上述に記載の露光基板の製造方法により製造されてなることを特徴とする。このような構成によれば、露光基板に形成された露光評価パターンを観察することにより、良品の露光基板のみを選別し、これを電気光学装置に組み込むことができる。従って、良品の電気光学装置を効率良く得ることができる。
【００２２】
本発明の露光基板は、上述の露光基板の製造方法により製造されてなることを特徴とする。このような構成によれば、露光評価パターンの観察により露光基板が良品か否かを容易に識別できるので、常に安定して良品の露光基板が得られる。
【００２３】
本発明の他の露光基板は、基板と、レンズを用いた投影露光工程を経て、前記基板外周部に形成された露光評価パターンとを具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、基板の外周部に露光評価パターンが配置されるので、高精度に露光工程時におけるディストーションの発生の有無の確認をすることができるという効果を有する。すなわち、投影光学系を用いた投影露光装置を用いる場合、露光基板の中央部付近にフォーカスがあうように露光装置の投影光学系が調整される。このため、ディストーションが発生した場合、露光基板の中央部に形成されるパターンと比較して、基板外周部に形成されるパターンの方が、フォーカスずれによるパターン形状の異常が顕著に表れる。従って、基板外周部に露光評価パターンが形成されることにより、高精度に露光工程時のディストーションの発生を発見することができる。
【００２５】
また、前記基板外周部には、前記露光評価パターンが複数配置されてなることを特徴とする。このような構成によれば、基板面内に対して広範囲にディストーションの発生の有無を確認することができ、更に高精度な露光評価が可能となる。
【００２６】
また、前記基板は矩形状を有し、前記基板の四隅に、それぞれ同一のパターンからなる前記露光評価パターンが配置されてなることを特徴とする。このような構成によれば、基板が矩形状である場合には、基板の四隅がもっとも露光工程時のディストーションによるパターン形状の異常が顕著に表れるため、基板の四隅に露光評価パターンを形成することにより高精度な露光評価が可能となる。また、四隅にそれぞれ形成された露光評価パターンの形状の違いを比較することにより、基板全面におけるディストーションの傾向を把握することができる。
【００２７】
また、前記露光評価パターンは、膜に複数の孔が開口されて形成され、該孔の前記基板と平行な断面形状は、第１の長さの長軸と第２の長さの短軸とを有する楕円と、前記長軸にほぼ平行し前記第２の長さの短軸と、前記短軸にほぼ平行し前記第１の長さの長軸とを有する楕円と、前記第１の長さの直径を有する円と、前記第２の長さの直径を有する円とを具備する。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、上述の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。このような構成によれば、基板面内での表示むらがなく、製品特性が安定した電気光学装置を得ることができる。
【００２９】
また、本発明の電気光学装置は、複数のスイッチング素子が配置された露光基板を具備する電気光学装置において、前記露光基板は上述の露光基板からなることを特徴とする。このような構成によれば、基板面内での表示むらがなく、製品特性が安定した電気光学装置を得ることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、電気光学装置としての液晶装置を例にあげ、図を用いて説明する。尚、各図において、各構成は図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成毎に縮尺を適宜設定している。
【００３１】
まず、液晶装置の構成を図１〜図５、図８を用いて説明する。図１は、露光基板としてのＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。図２は、液晶装置全体の縦断面図であり、対向基板を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図である。図３は、液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画像表示領域に配置された各種素子、配線等の等価回路であり、図４はＴＦＴアレイ基板の画像表示領域を説明する平面図である。図５は、図４のＢ―Ｂ’断面図である。図８は、ＴＦＴアレイ基板の四隅に形成された露光評価パターンとしてのホールパターンの拡大図である。
【００３２】
図１に示すように、液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０の上に、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、額縁状に遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられいる。ＴＦＴアレイ基板の基板外周部である四隅には、ホールパターン４００が配置されている。ホールパターン４００は露光評価パターンとして機能し、ホールパターンのパターン形状を観察することにより、ＴＦＴアレイ基板製造中における露光工程時のディストーションの発生の有無を確認することができる。ホールパターン４００の形状及びディストーションの発生の有無の観察方法については後述する。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図２に示すように、図１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との間には、液晶層５０が挟持されている。
【００３３】
図３、図４に示すように、前述のシールにより囲まれた画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の単位画素領域には、互いに交差する複数の走査線３ａと複数のデータ線６とが配置され、各交差部ごとにマトリクス状に配置された画素電極９ａと、画素電極９ａを制御するためのスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０が配置されている。走査線３ａは、直線部とこの直線部から突出した突起部とからなり、この突起部はＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。更に、走査線３ａとほぼ平行に容量線３ｂが配置され、容量線３ｂと画素電極９ａとは後述する第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜を介して重なりあうことにより蓄積容量７０を形成している。ＴＦＴ３０は、半導体層１、後述するゲート絶縁膜、ゲート電極３ａとを有しており、半導体層１の後述するソース領域は画像信号が供給されるデータ線６と電気的に接続され、半導体層１の後述するドレイン領域は画素電極９ａと電気的に接続されている。データ線６には、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給され、走査線３ａには所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが印加される。走査線３ａに走査信号が印加されることによりＴＦＴ３０のスイッチがオンされ、画素電極９ａにはデータ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に前述した蓄積容量７０が付加される。
【００３４】
図５に示すように、液晶装置２００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持された構成となっている。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０では、石英基板などの基板６０上に半導体層１が配置され、半導体層１を覆ってゲート絶縁膜２が配置されている。ゲート絶縁膜２上には複数の走査線３及び容量線３ｂが配置されている。走査線３の一部であるゲート電極３ａは半導体層１のチャネル領域１ａ上に配置されている。更に、走査線３及び容量線３ｂを覆って第１層間絶縁膜４が配置され、第１層間絶縁膜４上に複数のデータ線６が配置されている。データ線６は、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して半導体層１のソース領域１ｂと電気的に接続されている。データ線６を含む第２層間絶縁膜７上には、画素電極９ａが形成され、更に配向膜１６が形成されている。画素電極９ａは、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して半導体層１のドレイン領域１ｃと電気的に接続されている。容量線３ｂと画素電極９ａとは第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７を介して重なりあった領域で、前述した蓄積容量７０を形成している。画素電極９ａを含む第２層間絶縁膜７上には、ポリイミドからなる配向膜１６が配置されている。
【００３６】
一方、対向基板２０は、ガラス基板などの基板８０上に、ＴＦＴアレイ基板１０上の走査線３及びデータ線６に沿って配置されたマトリクス状の遮光層２３及び額縁状の遮光層５３が配置されている。更に、遮光層を含む基板８０上に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）からなる対向電極２１、ポリイミドからなる配向膜２２が順次配置されている。
【００３７】
次に、上述したホールパターン４００の詳細な形状及びディストーションの発生の有無の観察方法について図８を用いて説明する。図８は、ＴＦＴアレイ基板の四隅に、投影光学系を用いた投影露光装置を用いた露光工程を経て形成されたホールパターンの拡大図である。図８（ａ）は露光工程においてディストーションの発生がない場合に形成されたホールパターンである。図８（ｂ）は露光工程においてディストーションが発生した場合に形成されたホールパターンであり、例えばｘ方向に０．４０μｍの位置ずれが生じた場合のホールパターンである。
【００３８】
ここで、投影光学系を用いた投影露光装置を用いる場合、被露光基板の中央部付近にフォーカスがあうように露光装置の投影光学系を調整する。このため、ディストーションが発生した場合、被露光基板の中央部と比較して基板外周部の方がフォーカスずれによるホールパターン形状の異常の発見が容易となる。本発明においては、被露光基板の四隅にディストーションの発生の有無を確認するためのホールパターンが配置されるので、ディストーションの発生によるホールパターン形状の異常の発見を高精度に行うことができる。従って、ホールパターンの形状を観察することにより、基板中央部、すなわち、ここでは画像表示領域及び駆動回路領域に形成されるパターンが所定の形状となっているか否かの判断を容易に行うことができる。
【００３９】
ホールパターン４００は、膜としてのゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７に複数の孔が形成された形状を有している。これらの孔は、基板とほぼ平行に切断した断面形状が、円形状または楕円形状となるように形成されている。図８の各図は、これら孔の断面形状を示す図であり、基板平面に対し垂直方向に見た場合の図に相当する。また、ホールパターン４００の複数の孔は、その断面形状の楕円の長軸及び短軸がそれぞれ矩形状のＴＦＴアレイ基板の長辺及び短辺にほぼ平行に位置するように形成されている。図８においては、図示するｘ方向に対してＴＦＴアレイ基板の長辺が平行、ｙ方向に対してＴＦＴアレイ基板の短辺が平行となるように、ホールパターン４００がＴＦＴアレイ基板上に配置される。
【００４０】
露光工程において、ディストーションの発生がない場合、ホールパターン４００は、図８（ａ）に示すように形成される。すなわち、図面上、ｘ方向に沿って左から右に、円の直径または楕円のｘ方向に平行した軸の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定され、また、ｙ方向に沿って上から下に、円の直径または楕円のｙ方向に平行した軸の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定されて、複数の孔４０１ａ〜４０１ｅ、４０２ａ〜４０２ｅ、４０３ａ〜４０３ｅ、４０４ａ〜４０４ｅ、４０５ａ〜４０５ｅがマトリクス状に形成される。例えば、孔４０１ａは直径が０．８μｍの円となり、孔４０２ｂは直径が１．００μｍの円となり、孔４０１ｂはｘ方向に沿った長軸の長さが１．００μｍ、ｙ方向に沿った短軸の長さが０．８０μｍの楕円となり、孔４０２ａはｘ方向に沿った長軸の長さが０．８０μｍ、ｙ方向に沿った短軸の長さが１．００μｍの楕円となっている。ディストーションの発生がない場合、ＴＦＴアレイ基板の四隅のそれぞれのホールパターン４００の形状は、全て図８（ａ）に示すような形状となる。尚、本実施形態では、解像度が０．２０μｍの露光装置を用いている。
【００４１】
一方、ディストーションが生じた場合、ＴＦＴアレイ基板の四隅のホールパターン４００の少なくとも１つのホールパターン４００の形状が、例えば図８（ｂ）に示すようになる。図８（ｂ）は、ｘ方向に０．４０μｍの位置ずれが生じた場合の孔の断面形状である。このような位置ずれが生じた場合、本来ならば０．８０μｍの直径の円となる孔５０１ａの形状が、ｘ方向に沿った長軸の長さが１．００μｍ、ｙ方向に沿った短軸の長さが０．８０μｍの楕円となる。そして、図８（ｂ）に示されるホールパターン４００が観察されることにより、ディストーションが発生していることが容易に発見される。これにより、容易に、画像表示領域及び駆動回路領域のパターンが不良であることを発見することができ、常に製品特性が安定したＴＦＴアレイ基板を得ることが可能となる。また、図８（ｂ）においては、孔５０３ａ、５０４ｂ及び５０５ｃの断面形状が円形となっていることにより、ｘ方向に０．４０μｍの位置ずれがあることを判断することができる。
【００４２】
本実施形態においては、円の直径の値または楕円の長軸の値及び短軸の値を、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ段階的に変化させて、断面が円形状または楕円形状の孔を形成しているので、ディストーションが発生した場合であっても、ホールパターンの形状を観察することにより、ｘ方向あるいはｙ方向にどの程度の位置ずれが生じているかということを判断することができる。
【００４３】
また、本実施形態においては、基板の四隅にホールパターンを配置しているため、基板全面におけるディストーションの傾向を把握することができる。
【００４４】
次に液晶装置の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造方法について、図６（ａ）、図９〜図１１を用いて説明する。図６（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板製造工程中の露光工程において用いられる露光装置３１０の斜視図である。図９及び図１０は製造工程を示す工程図である。図９及び図１０は、ＴＦＴアレイ基板の画像表示領域の断面図及びホールパターン４００形成領域の断面図であり、それぞれ図４のＡ−Ａ’の断面図、図８（ａ）のＣ−Ｃ’の断面図に相当する。図１１は、ホールパターン形成時における露光工程で用いられるフォトマスクの部分拡大図であり、ホールパターンに対応するパターンが描かれたフォトマスク部分である。
【００４６】
まず、図９（１）に示すように、石英基板６０上に半導体層１を形成する。詳細には、石英基板６０上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／分のモノシランガス、ジシランガスなどを用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約1〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施すことにより、ポリシリコン膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としてはレーザーアニールなどを用いても良い。ポリシリコン膜形成後、これをフォトリソグラフィ工程、エッチング工程などによりパターニングして半導体層１を形成する。この際、平面的には、図４に示されるように半導体層１は形成される。
【００４７】
次に、図９（２）に示すように、半導体１を覆って、ＰＥＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）と酸素ガスとの混合ガスを原料ガスとして、５０〜１２０ｎｍの膜厚のゲート絶縁膜２を基板６０上に形成する。ここで、原料ガスとしては、ＳｉＨ4と酸素ガスとを用いても良い。
【００４８】
次に図９（３）に示すように、ゲート絶縁膜２上に、ゲート電極を一部とする走査線３ａ、容量線（図示せず）をポリシリコンにより形成する。具体的には、まず、ゲート絶縁膜２上に、減圧ＣＶＤ法などによりポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの厚さにて堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜を導電化する。そして、このポリシリコン膜上にフォトリソグラフィ工程により図４に示す如き走査線３ａ及び容量線３ｂに対応した形状のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングし、レジストパターンを除去することにより、図９（３）に示すように、走査線３ａ及び容量線が形成される。走査線３ａの一部であるゲート電極は、半導体層１の一部と重なりあうように形成される。
【００４９】
その後、ゲート電極をマスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度、例えばＰイオンを１〜３×１０15／ｃｍ2のドーズ量にてドープする。これにより、半導体層１は、チャネル領域１ａを挟んで両側にソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃが形成される。
【００５０】
次に、図９（４）に示すように、走査線３、容量線（図示せず）を覆って、ゲート絶縁膜２上に、ＰＥＣＶＤ法により、原料ガスとしてＴＥＯＳとオゾンガスを用いて、１５００ｎｍの厚みのＳｉＯ2からなる第１層間絶縁膜４を形成する。
【００５１】
次に、フォトリソグラフィ工程により第１コンタクトホール５に対応する領域のみが開口された形状のレジストパターンを第１層間絶縁膜４上に形成し、このレジストパターンをマスクとして第１層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２をエッチングする。その後、レジストパターンが除去されることにより、図９（５）に示すように、後に形成するデータ線６に対する第１コンタクトホール５をゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜４に開孔する。
【００５２】
次に、図９（６）に示すように、第１コンタクトホール５及び切断用孔９１を含むゲート絶縁膜２上に、スパッタ法により、２００〜６００ｎｍの膜厚、ここでは４００ｎｍのアルミニウム膜６を形成する。さらに、アルミニウム膜６上に、フォトリソグラフィ工程によりデータ線に相当する形状のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてアルミニウム膜をエッチングすることにより、図９（７）に示すように、データ線６ａが形成される。その後、レジストパターンが除去される。
【００５３】
次に、図９（８）に示すように、第１層間絶縁膜４上に、ＢＰＳＧ（ボロン及びリンを含むシリケートガラス膜）からなる第２層間絶縁膜７を形成する。
【００５４】
次に、図１０（９）に示すように、第２層間絶縁膜７上にフォトリソグラフィ工程により、コンタクトホール８に対応する部分及び図８に示すが如きホールパターン４００の孔４０１ａ〜４０１ｅ、４０２ａ〜４０２ｅ、孔４０３ａ〜４０３ｅ、孔４０４ａ〜４０４ｅ、孔４０５ａ〜４０５ｅに対応する部分が開口されたレジストパターン４１０が形成される。このレジストパターン４１０の形成は、詳細には以下のように行われる。
【００５５】
まず、第２層間絶縁膜７上に全面にネガ型レジスト膜を形成する。その後、四隅に図１１に示す如きパターンが描かれたフォトマスク５００を介して、図６（ａ）に示す露光装置３１０によりネガ型レジスト膜が露光される。尚、フォトマスク５００の中央部は、コンタクトホール８に対応するパターンが描かれている。
【００５６】
図６（ａ）に示すように、露光装置３１０は、光源３０１を有する照明光学系と、フォトマスク３０２を照明光学系により照明し、その透過光を結像投影光学系３０５により被露光基板３０４上に結像させる投影光学系３０３とから構成される。本実施形態においては、図６（ａ）において符号３０２と付されているフォトマスクとして、一部分が図１１に示されるパターン形状を有するフォトマスク５００が用いられる。また、図６（ａ）において符号３０４と付されている被露光基板として、図９（８）に示される構造の第２層間絶縁膜７上にネガ型レジスト膜が形成された状態の基板が用いられる。
【００５７】
図１１に示すように、ホールパターンに対応する部分のフォトマスク５００は、複数の円形状及び楕円形状のパターン形状を有し、これら円形状及び楕円形状のパターン部分のみが光源３０１からの光を透過するように形成されている。一方、画像表示領域に対応するフォトマスク５００の中央部にはコンタクトホール８に対応する円形状のパターンが形成されており、このパターン部分のみが光源３０１からの光を透過するように形成されている。フォトマスク５００に形成される円形状または楕円形状のパターンは、図面上、ｘ方向に沿って左から右に、円形状のパターンの直径または楕円形状のパターンのｘ方向に平行した軸の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定され、また、ｙ方向に沿って上から下に、円形状のパターンの直径または楕円形状のパターンのｙ方向に平行した軸の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定されており、複数の円形状または楕円形状のパターン５１０ａ〜５１０ｅ、５１１ａ〜５１１ｅ、５１２ａ〜５１２ｅ、５１３ａ〜５１３ｅ、５１４ａ〜５１４ｅがマトリクス状となるように形成されている。例えば、パターン５１０ａは直径が０．８μｍの円となり、円５１１ｂは直径が１．００μｍの円となり、パターン５１０ｂはｘ方向に沿った長軸の長さが１．００μｍ、ｙ方向に沿った短軸の長さが０．８０μｍの楕円となり、パターン５１１ａはｘ方向に沿った長軸の長さが０．８０μｍ、ｙ方向に沿った短軸の長さが１．００μｍの楕円となる。
【００５８】
尚、ここでは、フォトマスクに描かれているパターン形状の大きさと被露光基板に結像される像の大きさが同じとなるように設定されているが、大きさが異なる相似形となるように設定しても良い。また、レジスト膜としてネガ型レジスト膜を用いているが、ポジ型レジスト膜を用いることができ、この場合、フォトマスクとして円形状及び楕円形状のパターン部分のみが光源３０１からの光を遮光するようなものを用いれば良い。
【００５９】
レジストパターン４１０形成後、これをマスクとしてゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７をエッチングし、この後レジストパターンを除去する。これにより、図１０（１０）に示すように、半導体層のドレイン領域１ｃと後に形成する画素電極とを接続するコンタクトホール８が形成される。また、露光工程時にディストーションの発生がない場合には、基板の四隅に図８に示すが如き複数の孔４０１ａ〜４０１ｅ、４０２ａ〜４０２ｅ、４０３ａ〜４０３ｅ、４０４ａ〜４０４ｅ、４０５ａ〜４０５ｅを有するホールパターン４００が形成される。
【００６０】
次に、図１０（１１）に示すように、第２層間絶縁膜７上に、スパッタ法により５０〜２００ｎｍ程度の厚みのＩＴＯ膜９を成膜する。
【００６１】
その後、図１０（１２）に示すように、ＩＴＯ膜９をフォトリソフラフィ工程、エッチング工程などを経てパターニングし、画素電極９ａを得る。その後、図５に示すように、画素電極９を含む第２層間絶縁膜７上にポリイミド膜を形成し、これを配向処理して配向膜１６を形成して、ＴＦＴアレイ基板が製造される。
【００６２】
以上のように製造されたＴＦＴアレイ基板は、四隅に形成されたホールパターンを観察することにより、ディストーションの発生の有無を判断する。この観察によりディストーションの発生がないと判断されたＴＦＴアレイ基板は、画像表示領域及び駆動回路領域といった有効領域内に形成されたパターンに異常がないとみなされ、電気光学装置用のＴＦＴアレイ基板として用いることができる。一方、上述の観察によりディストーションの発生があったと判断されたＴＦＴアレイ基板は、不良品として排除される。
【００６３】
一方、対向基板２０は次のように形成される。まず、ガラス基板などの基板８０上に、ＴＦＴアレイ基板１０の走査線３ａ及びデータ線６に対応した領域に、マトリクス状にＣｒなどの遮光金属や黒色樹脂などからなる遮光層２３及び基板の外縁部にそって額縁状遮光層５３を形成する。次に、遮光層２３及び５３を含む基板８０全面に、ＩＴＯからなる対向電極２１を形成する。その後、対向電極２１上に、ポリイミド膜を形成し、これを配向処理して配向膜２２を形成する。
【００６４】
このように形成された良品と判断されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、図１及び図２に示すように、どちらか一方の基板に、基板外縁部に沿って、後に液晶の注入口５２ａとなる１カ所の開口部を残した矩形状にシール材５２をディスペンサにより塗布する。その後、２枚の基板を貼り合わせ、基板間隙に注入口５２ａから液晶を注入し、開口部を封止材５４により封止して液晶装置が完成される。
【００６５】
尚、ここで、図７に示すように、１枚の露光基板３０４から複数のＴＦＴアレイ基板３０４ａを一括して製造する場合においては、個々のＴＦＴアレイ基板３０４ａそれぞれの四隅にホールパターンが配置されることになる。このような多面取りを採用する場合は、良品と判断されたＴＦＴアレイ基板に対してのみ対向基板が接着され、液晶注入後に、個々のＴＦＴアレイ基板に切断分割されて液晶装置が完成される。このように多面取りを採用する場合においては、良品と判断されたＴＦＴアレイ基板に対してのみ対向基板が接着されるので、不良品であるＴＦＴアレイ基板に対向基板が接着されることがない。従って、対向基板を無駄なく使用することができ、作業効率を高めることができる。
【００６６】
以上、本実施形態においては、基板の四隅にディストーションの発生の有無を確認するためのホールパターンが形成されるため、ＴＦＴアレイ基板が良品か否かの判断が容易となる。従って、基板面内でスイッチング素子特性が均一なＴＦＴアレイ基板を安定して製造することができる。更に、このようなＴＦＴアレイ基板を電気光学装置として用いることにより、基板面内での表示特性が均一な高品質の電気光学装置を安定して製造することができる。
【００６７】
また、上述の実施形態においては、ホールパターンの形成を、コンタクトホール８の形成と同一工程で行っているが、例えばコンタクトホール５の形成と同時に行っても良い。この場合、コンタクトホール５の形成時に行われる露光工程時のディストーションの発生の有無を確認することができる。このように、画像表示領域及び駆動回路領域における素子用パターンの製造中における投影光学系を用いた露光工程時に、ホールパターンの形成を行うことができ、その際の露光時のディストーションの発生の有無を観察することができる。
【００６８】
また、上述の実施形態においては、ホールパターンに対応するフォトマスクのパターン形状が円及び楕円であったが、図１２に示すフォトマスク６００のように、長方形状及び正方形状であっても良い。この場合、フォトマスク６００を介して被露光基板上に結像される像の形状が円状及び楕円状になれば良い。すなわち、フォトマスク６００が、被露光基板へのフォトマスクのパターン転写時の変形を予め見込んで、それを補正する補助パターンとして機能すれば良い。このようなフォトマスク６００を用いて形成されたホールパターンの観察方法は、上述の実施形態におけるホールパターンの観察方法と同じである。
【００６９】
図１２に示すように、フォトマスク６００に形成される正方形状または長方形状のパターンは、それぞれの辺が、図面上、ｘ方向またはｙ方向に平行となるように形成されている。フォトマスク６００に形成されるパターンは、図面上、ｘ方向に沿って左から右に、ｘ方向に平行な辺の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定され、また、ｙ方向に沿って上から下に、ｙ方向に平行な辺の長さが０．８０μｍ、１．００μｍ、１．２０μｍ、１．４０μｍ、１．６０μｍとなるように設定され、複数の正方形状または長方形状のパターンがマトリクス状に配置された状態となっている。
【００７０】
また、上述の実施形態においては、基板の四隅にホールパターンを形成しているが、基板の外周部に１つホールパターンを形成しても良い。この場合、基板全面におけるディストーションの発生の有無は判断できないものの、ホールパターン付近のディストーションの発生の有無について観察することができ、良品か否かを検査することができる。更に、ホールパターンに形成される孔を１つとすることも可能である。このような場合は、正常な状態での孔の断面形状を例えば円形状とすることにより、ホールパターンの孔の形状が円形ではなく楕円形と観察されれば、ディストーションが発生していると判断することができる。
【００７１】
また、上述の実施形態においては、基板の四隅に形成されたそれぞれのホールパターンでは複数の孔が形成されているが、１つの孔でも良い。この場合、四隅にそれぞれ形成されるホールパターンの正常な状態でのパターン形状が同一となるようにすれば良く、その形状は特定されない。この場合、基板の四隅に形成されるホールパターンの形状を比較して、異なる形状のものがあればディストーションが発生していると判断することができる。
【００７２】
また、上述の実施形態においては、矩形状の基板の四隅にホールパターンが形成されるが、四隅に限定されず基板の外周部にホールパターンを形成しても良い。しかしながら、矩形状の基板を被露光基板として、投影光学系を用いて投影露光を行う場合においては、基板の四隅がもっともディストーションによる像の歪みが顕著に表れやすいため、基板の四隅にホールパターンを形成することが望ましい。これにより、より精度良く、ディストーションの発生の有無の観察を行うことができる。
【００７３】
また、上述の実施形態においては、露光基板として、液晶装置のＴＦＴアレイ基板を例に挙げて説明したが、半導体ウエハなどにも適用することもできる。すなわち、投影光学系を用いた露光工程を経て製造されるものに適用可能であり、露光基板の外周部にホールパターンを形成することによりディストーションの発生の有無を容易に行うことができる。半導体ウエハ以外には、例えば液晶装置に用いられるカラーフィルタ基板に適用することも可能である。カラーフィルタ基板では、基板上に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの着色樹脂からなるカラーフィルタパターンが、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経てストライプ状に形成される。このフォトリソグラフィ工程における露光工程時に本発明を適用することができ、画像表示に寄与する領域以外の領域に露光評価パターンを形成することができる。露光評価パターンは、例えば、各色毎に形成され、それぞれ、膜としての着色樹脂に本実施形態のホールパターンのように複数の孔が形成されるようにすれば良い。これにより、各色毎のカラーフィルタパターンの幅やパターン間の距離といったパターン形状が適切に形成されているかどうかを評価することができる。更に、膜としての着色樹脂が感光性樹脂である場合には、上述の実施形態のようなレジストパターンの形成工程を削除しても構わない。すなわち、フォトマスクを介して感光性樹脂を直接露光し、現像して、カラーフィルタパターン及び露光評価パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た実施形態における液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】液晶装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路を説明する平面図である。
【図４】液晶装置の画像表示領域における各種素子、配線などの配置を説明する平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’断面図である。
【図６】図６（ａ）はＴＦＴアレイ基板製造時における露光工程に用いられる露光装置の斜視図であり、図６（ｂ）は露光装置の投影光学系を説明する斜視図である。
【図７】多面取りの露光基板を説明する平面図である。
【図８】ＴＦＴアレイ基板の四隅に形成されたホールパターンの平面拡大図であり、図８（ａ）は露光工程においてディストーションの発生がない場合に形成されたホールパターンを示し、図８（ｂ）は露光工程においてディストーションが発生した場合に形成されたホールパターンを示す。
【図９】実施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程（その１）を説明する平面図である。
【図１０】実施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程（その２）を説明する平面図である。
【図１１】ホールパターンに対応するパターンが描かれたフォトマスクの部分平面図である。
【図１２】ホールパターンに対応するパターンが描かれた他のフォトマスクの部分平面図である。
【符号の説明】
２…ゲート絶縁膜
４…第１層間絶縁膜
７…第２層間絶縁膜
１０…ＴＦＴアレイ基板
６０…基板
２００…液晶装置
３１０…露光装置
３０２、５００、６００…フォトマスク
３０４…被露光基板
３０５…投影光学系（投影レンズ）
４００…ホールパターン
４１０…レジストパターン
５１０a〜５１０ｅ、５１１ａ〜５１１ｅ、５１２ａ〜５１２ｅ、５１３ａ〜５１４ｅ…円状または楕円状のパターン
６１０a〜６１０ｅ、６１１ａ〜６１１ｅ、６１２ａ〜６１２ｅ、６１３ａ〜６１４ｅ…正方形状または長方形状のパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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