(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する不純物を回収し分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収方法において、
疎水性処理を施した半導体ウエハ表面に回収液を滴下する工程と、
滴下されて表面張力により球状となった回収液を表面張力を維持したまま前記半導体ウエハ半径方向に細長く広げる工程と、
細長く広げた回収液を前記半導体ウエハ表面に接触させながら相対的に回転走査させ回収液に不純物を取り込む工程と、
不純物を取り込んだ後細長く広がった回収液を元の球状に戻す工程と、
球状に戻った回収液を前記半導体ウエハ表面上から回収する工程と
を含み、
前記細長く広がった回収液を元の球状に戻す工程は、走査終了後、走査板の半導体ウエハエッジ側を持ち上げて徐々に半導体ウエハ表面との角度を開くことによって走査板を回収液から引き離し、回収液の形状を表面張力により元の球状に戻しつつ半導体ウエハ中心側に集めることを特徴とする半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハ表面に回収液を滴下する工程において、シリンジを用いて半導体ウエハ半径のほぼ中間位置に回収液を滴下することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハ表面に滴下した回収液を細長く広げる工程において、滴下して球状となった回収液に横方向から半径強の長さを有する走査板を回転させて押し当て、走査板と半導体ウエハ表面との境界に沿って表面張力を利用して回収液を広げることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項４】
回収液は半導体ウエハの中心からエッジまでの半径長さ一杯に広げることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項５】
走査板は半導体ウエハ表面と接触しない程度にわずかの隙間を開けるかあるいは軽く接触させて回転走査させることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項６】
細長く広げた回収液を半導体ウエハ表面に接触させながら回転走査させて不純物を取り込む工程において、回収液は細長く広げた一端を回転中心として半導体ウエハエッジまでの半径長さで半導体ウエハ全面を走査し不純物を取り込むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項７】
細長く広げた回収液を半導体ウエハ表面に接触させながら回転走査させ不純物を取り込む工程において、半導体ウエハと走査板の両方を回転させるか、あるいは半導体ウエハと走査板のいずれか一方を回転させて不純物を取り込むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項８】
半導体ウエハ表面上から回収液を回収する工程において、球状に戻った回収液をシリンジで吸引し回収することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
【請求項９】
半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する不純物を回収し分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収装置において、
疎水性処理を施した半導体ウエハを回転載置台に載置し回転する手段と、
前記半導体ウエハ表面に回収液を滴下する手段と、
滴下されて表面張力により球状となった回収液を表面張力を維持したまま前記半導体ウエハ半径方向に細長く広げる手段と、
細長く広げた回収液を前記半導体ウエハ表面に接触させながら相対的に回転走査させて不純物を取り込む手段と、
不純物を取り込んだ後細長く広がった回収液を元の球状に戻す手段と、
球状に戻った回収液を前記半導体ウエハ上から回収する手段と
を含み、
前記細長く広がった回収液を元の球状に戻す手段は、走査板の一端を垂直回転軸に軸支して他端を上下方向に回転可能とするリンク機構を備え、他端を上方向に回転させて半導体ウエハとの角度を徐々に開き、細長く広がった回収液を表面張力により半導体ウエハ中心側に集めることを特徴とする半導体ウエハ表面不純物の回収装置。
【請求項１０】
前記半導体ウエハ表面に滴下した回収液を細長く広げる手段において、回転載置台に水平に載置された半導体ウエハ中心部の上方に垂直に設置された垂直回転軸と、この垂直回転軸に半導体ウエハ表面と接触しない程度にわずかの隙間を開けて取付けられるかあるいは軽く接触させて取り付けられた半導体ウエハ半径強の長さを有する走査板とを有し、走査板を垂直回転軸周りに回転させて球状回収液に横方向から押圧接触させ、回収液を走査板と半導体ウエハとの境界に沿って半導体ウエハ半径方向に細長く広げることを特徴とする請求項９記載の半導体ウエハ表面不純物の回収装置。
【請求項１１】
走査板は半導体ウエハサイズに対応して交換可能としたことを特徴とする請求項９記載の半導体ウエハ表面不純物の回収装置。
【請求項１２】
走査板は細長く広げられた回収液にかぶさるように半導体ウエハ面に対し直角位置から傾けて垂直回転軸に取り付けられていることを特徴とする請求項９記載の半導体ウエハ表面不純物の回収装置。
【請求項１３】
走査板を傾ける角度は直角位置から１０〜４５度であることを特徴とする請求項１２記載の半導体ウエハ表面不純物の回収装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する微量の不純物を回収し、分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ表面上の汚染状態を常に監視しながら工程を進めて行く必要がある。特に、金属不純物による汚染が発生すると、リーク電流の増大や耐圧の劣化の原因となりデバイスの信頼性を大きく損なうことになる。そこで、汚染の程度を調べるために半導体ウエハ表面から金属不純物を回収し、化学分析を行なって金属不純物の種類や量を特定する検査が行なわれている。この際、金属不純物の回収を不要とするＴＸＲＦ（全反射蛍光Ｘ線分析）による測定方法もあるが、この方法はＡｌ、Ｎａなど分析不可能な元素があったり感度の悪い元素もあるため、回収を行なって化学分析を行なう方法が必要となる。
【０００３】
この金属不純物の回収方法として、例えば、特開平５−２８３４９８号公報あるいは特開平５−８２４９５号公報に示されているように、被検査半導体ウエハの表面上に回収液となる液を滴下し、この液滴を表面張力を利用して球形状を保ったまま半導体ウエハ表面に接触させながら走査させ、半導体ウエハ表面に存在している金属不純物を液滴に取り込んで回収する方法が行われている。
【０００４】
この従来の回収方法の一例について、図４の工程図を用いて説明する。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれは、回収工程を平面方向から見た図及び側面方向から見た図が示されている。
【０００５】
まず、被検査物である半導体ウエハの表面に存在する金属不純物をＨＦ蒸気で分解・溶解（ＶＰＤ処理）して半導体ウエハ表面を疎水性の状態にしておく。次に、図４（ａ）に示すように、この半導体ウエハ１を真空チャック等で回転載置台４に水平に固定し、上方からテフロン（登録商標）製のシリンジ３を半導体ウエハ１の表面に対し垂直となるようにして半導体ウエハ１の表面に接近させ、シリンジ３の先端から半導体ウエハ１の中心部に回収液を滴下する。この時、シリンジ３の先端と半導体ウエハ１の表面との間は適当な間隔をおいて接触しないようにし、滴下された液滴２が表面張力を保ってシリンジ３の先端で球状を維持できる状態にしてシリンジ３で液滴２を支持している。また、回収液としては、疎水性状態にある半導体ウエハ表面と接触して十分な表面張力が得られるようなＨＦ、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ2、純水などの液を用いている。このように、シリンジ３から滴下された回収液の液滴２は、そのままシリンジ３と半導体ウエハ１で挟み込まれた状態となり、表面張力によって球形を維持している。
【０００６】
次いで、図４（ｂ）に示すように、液滴２を挟み込んだ状態で半導体ウエハ１を中心部を軸にして回転させ、同時にシリンジ３をそのまま半導体ウエハ１の半径方向（Ｆ方向）に移動させることによって、液滴２は球形を保ったまま半導体ウエハ２の表面に接触しつつ中心部から周辺部に向かってスパイラル状の軌跡を画いて走査することになる。その結果、半導体ウエハ表面全面にわたって存在する金属不純物は万遍なく液滴に取り込まれる。走査終了後、図４（ｃ）に示すように、今度はシリンジ３で液滴２を吸引し回収が行われる。上記した回収液の滴下から回収までの操作は、自動化された装置を用いて行われることが多いが手作業でも行なわれており、その場合には、液滴の回収走査はシリコン基板チップ（２〜３ｃｍ角に割ったもの）を使用し、例えば、図５の平面図に示すような軌跡で液滴２を半導体ウエハ１の表面上で転がし、回収走査を行なっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の回収方法には次のような問題点がある。まず、回収処理に要する時間が非常に長くかかることである。その理由として、できるだけ高感度に金属不純物を回収したいために回収液量を０．５ｍｌ以下と少なくしており、そのため、液滴サイズが小さくなって半導体ウエハと回収液との接触面積が少なくなり、その分だけ走査距離が長くなって走査に時間がかかることになる。
【０００８】
また、液滴サイズが小さいため低速で走査させないと表面張力を保つことができなくなり、液滴がバラバラに分かれてしまい、全液回収が難しくなる。また、手動の場合は回収走査時に半導体ウエハエッジから液滴がこぼれ落ちることがある。さらに、回収走査時間が長くなると、雰囲気からの汚染や回収液の揮発が懸念され、半導体ウエハが大口径化するにつれてこの問題も深刻な問題となっている。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、不純物の回収走査時間の短縮を図ることによって半導体ウエハの汚染を防ぎ、デバイスの信頼性向上を図ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する不純物を回収し分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収方法において、疎水性処理を施した半導体ウエハ表面に回収液を滴下する工程と、滴下されて表面張力により球状となった回収液を表面張力を維持したまま前記半導体ウエハ半径方向に細長く広げる工程と、細長く広げた回収液を前記半導体ウエハ表面に接触させながら相対的に回転走査させ回収液に不純物を取り込む工程と、不純物を取り込んだ後細長く広がった回収液を元の球状に戻す工程と、球状に戻った回収液を前記半導体ウエハ表面上から回収する工程とを含み、前記細長く広がった回収液を元の球状に戻す工程は、走査終了後、走査板の半導体ウエハエッジ側を持ち上げて徐々に半導体ウエハ表面との角度を開くことによって走査板を回収液から引き離し、回収液の形状を表面張力により元の球状に戻しつつ半導体ウエハ中心側に集める回収方法である。
【００１１】
また、本発明は、前記半導体ウエハ表面に回収液を滴下する工程において、シリンジを用いて半導体ウエハ半径のほぼ中間位置に回収液を滴下するようにし、また、前記半導体ウエハ表面に滴下した回収液を細長く広げる工程において、滴下して球状となった回収液に横方向から半径強の長さを有する走査板を回転させて押し当て、走査板と半導体ウエハ表面との境界に沿って表面張力を利用して回収液を広げるようにする。この際、回収液は半導体ウエハの中心からエッジまでの半径長さ一杯に広げるようにし、また、走査板は半導体ウエハ表面と接触しない程度にわずかの隙間をあけるかあるいは軽く接触させて回転走査させる。
【００１２】
また、本発明は、細長く広げた回収液を半導体ウエハ表面に接触させながら回転走査させて不純物を取り込む工程において、回収液は細長く広げた一端を回転中心として半導体ウエハエッジまでの半径長さで半導体ウエハ全面を走査し不純物を取り込むようにし、また、走査の際は、半導体ウエハと走査板の両方を回転させるか、あるいは半導体ウエハと走査板のいずれか一方を回転させて不純物を取り込むようにする。
【００１３】
また、本発明は、半導体ウエハ表面上から回収液を回収する工程において、球状に戻った回収液をシリンジで吸引し回収するようにする。
【００１４】
また、本発明は、半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する不純物を回収し分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収装置において、疎水性処理を施した半導体ウエハを回転載置台に載置し回転する手段と、前記半導体ウエハ表面に回収液を滴下する手段と、滴下されて表面張力により球状となった回収液を表面張力を維持したまま前記半導体ウエハ半径方向に細長く広げる手段と、細長く広げた回収液を前記半導体ウエハ表面に接触させながら相対的に回転走査させて不純物を取り込む手段と、不純物を取り込んだ後細長く広がった回収液を元の球状に戻す手段と、球状に戻った回収液を前記半導体ウエハ上から回収する手段とを含み、前記細長く広がった回収液を元の球状に戻す手段は、走査板の一端を垂直回転軸に軸支して他端を上下方向に回転可能とするリンク機構を備え、他端を上方向に回転させて半導体ウエハとの角度を徐々に開き、細長く広がった回収液を表面張力により半導体ウエハ中心側に集めるように構成される。
【００１５】
また、本発明は、前記半導体ウエハ表面に滴下した回収液を細長く広げる手段において、回転載置台に水平に載置された半導体ウエハ中心部の上方に垂直に設置された垂直回転軸と、この垂直回転軸に半導体ウエハ表面と接触しない程度にわずかの隙間を開けて取付けられるかあるいは軽く接触させて取り付けられた半導体ウエハ半径強の長さを有する走査板とを有し、走査板を垂直回転軸周りに回転させて球状回収液に横方向から押圧接触させ、回収液を走査板と半導体ウエハとの境界に沿って半導体ウエハ半径方向に細長く広げるようにし、また、走査板は半導体ウエハサイズに対応して交換可能とし、また、走査板は細長く広げられた回収液にかぶさるように半導体ウエハ面に対し直角位置から傾けて垂直回転軸に取り付けられており、この走査板を傾ける角度は直角位置から１０〜４５度の範囲としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図２は本発明の一実施の形態に使用する半導体ウエハ表面不純物の回収装置の概略構造を示す正面図、図３は図２のＸ−Ｘにおける断面図である。
【００１８】
図２に示すように、被検査物である半導体ウエハ１を水平に載置して真空チャック等で固定しＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能な回転載置台４と、この回転載置台４の上方に設置された垂直回転軸５と、この垂直回転軸５の下部に設けられたリンク機構７に取り付けられた走査板６とを有する。リンク機構７は回転支点１０ａ、１０ｂで垂直回転軸５に取り付けられている。走査板６は半導体ウエハ１の半径強の長さに形成（例えば、直径３００ｍｍウエハの場合は１５５ｍｍなど）され、半導体ウエハ１の表面に接触しない程度にわずか隙間を開けるかあるいは軽く接触させた状態でリンク機構７に取り付けられている。そして、回転載置台４に載置した半導体ウエハ１の中心を垂直回転軸５の軸位置に合わせ、半導体ウエハ１と走査板６とを相対的に回転させることによって、走査板６は半導体ウエハ１の表面全体を回転走査できるようになっている。
【００１９】
また、図３に示すように、走査板６は所望の傾斜角度αに設定した後、固定ネジ８でリンク機構７に固定される。また、図２に示すように、走査板６はリンク機構７の回転により端部を徐々に持ち上げる方向（矢印Ｅ）に回転できるように調節ネジ９で操作される。リンク機構７は自重により回転（矢印Ｅの反対方向）しようとするが調節ネジ９でロックされており、この調節ネジ９を回すことによってＤ方向への回転角度あるいは回転速度を調節することができる。また、走査板６はリンク機構７に着脱自在となっており、半導体ウエハサイズに応じて長さを変えられるように何種類かを準備しておくことが望ましい。なお、走査板６の材質は、シリコン基板、テフロン（登録商標）樹脂などの疎水性表面が得られる材質が望ましい。また、図示していないが、本回収装置は上記機構の他に半導体ウエハ上に回収液を滴下又は吸引するためのシリンジを備えている。
【００２０】
次に、このような回収装置を使用して行なう本発明一実施の形態における回収方法について、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程図を用いて説明する。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれは、回収工程を平面方向から見た図及び側面方向から見た図が示されている。
【００２１】
まず、従来と同様、回収液を滴下するのに先立って、被検査半導体ウエハ表面に存在する金属不純物をＨＦ蒸気で分解・溶解（ＶＰＤ処理）し、半導体ウエハ表面を疎水性の状態にする。次に、図１（ａ）に示すように、この半導体ウエハ１を回転載置台４に真空チャック等で水平に固定する。半導体ウエハ１表面の半径のほぼ中間付近にシリンジ３から回収液を０．５〜３ｍｌ滴下する。回収液は従来と同様、ＨＦ、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ2、純水などの表面張力が得られる液体を使用する。滴下された回収液は表面張力により球状の液滴２となり、半導体ウエハ１の表面にとどまる。シリンジ３は回収液を滴下したのち退く。そして、半導体ウエハ１の半径強の長さのある走査板６を垂直回転軸の回転により矢印Ａ方向に回転させ、液滴２に横方向から押圧接触させる。走査板６は半導体ウエハ１の表面に対し平行で、かつ半導体ウエハ１の表面との間に接触しない程度のわずかの隙間をあけるかあるいは軽く接触させて設置されている。
【００２２】
この軽く接触させてもよい理由としては、半導体ウエハ裏面などの凸凹した面を回収走査する場合には、軽く接触した方が回収しやすいこと、また、分析用の半導体ウエハは、実際のデバイス用ウエハとは別のものを使うことが多いため、軽く接触して傷が入ったとしても問題がないこと、などがあげられる。
【００２３】
次いで、図１（ｂ）に示すように、走査板６と液滴２が接触すると同時に液滴２は球状が変形し、表面張力を維持した状態で走査板６と半導体ウエハ１の表面との境界に沿って半導体ウエハ１の半径一杯の長さに細長く広がり、細長液滴２ａを形成する。この時、走査板６は半導体ウエハ１の表面に対し直角ではなく、細長液滴２ａにかぶさるように走査方向Ｄに対して傾斜角αを１０〜４５度の範囲で傾けておくと細長液滴２ａを支持しやすい。傾斜角αは回収条件に応じて実験等によって最適の角度に設定し、図３のようにリンク機構７に固定ネジ８で固定する。また、細長液滴２ａは細長く広がっても表面張力により一つにまとまった状態で半導体ウエハ１の表面に均一に接触しており、半導体ウエハ１のエッジからこぼれ落ちることはない。
【００２４】
次に、同じく図１（ｂ）に示すように、走査板６に沿って半導体ウエハ１の半径一杯に広がった細長液滴２ａを走査板６で押しながら半導体ウエハ１の全面に走査させる。走査は、走査板６だけを矢印Ｂ方向に回転させるか、あるいは半導体ウエハ１だけを矢印Ｃ方向に回転させるか、あるいは走査板６と半導体ウエハ１の両方をゆっくり回転させるかして、半導体ウエハ１の全表面にわたって細長液滴２ａで走査させる。走査板６の回転は、図２に示した回収装置の垂直回転軸５を回転させることによって行い、また、半導体ウエハ１の回転は回収装置の回転載置台４を回転させることによって行なう。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１の全表面走査が終了した時点で、走査板６の半導体ウエハエッジ側から走査板６をＥ方向にゆっくり持ち上げるようにわずかずつ回転させて行く。この回転は、図２の回収装置の調節ネジ９をわずかずつ回すことによってリンク機構７を動かして行なう。すなわち、走査板６は、回収装置の垂直回転軸５に設けられた支点１０ｂ回りに回転することになる。この走査板６の動きによって、走査板６は半導体ウエハ１の表面から徐々に離間して行き、それにつれて細長液滴２ａは半導体ウエハエッジ側から短くなって半導体ウエハ１の表面の中心方向に集まって行く。
【００２６】
その結果、走査の終了した回収液は、表面張力によって徐々に半導体ウエハ中心側にきれいに集まり、細長く広がった形状から元の球状の液滴２に戻る。この半導体ウエハ１の中心付近に集まった回収液の液滴２を、既知の吸引方法あるいはシリコン基板チップ等で捕集する。本発明によれば、回収液を広げたことによって半導体ウエハ表面に接触する面積が広くなり、広げた状態で回転走査させるため回収走査が簡単に済む。また、回収液は広げても表面張力が働いているため半導体ウエハエッジからこぼれ落ちることはない。
【００２７】
このようにして捕集された回収液の分析を行なう際には、ＡＡＳ（原子吸光分析）、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析）などの化学分析装置を用いて金属濃度測定を行なう。または、走査後、回収液を捕集せずに載せたまま半導体ウエハを乾燥させ、回収液を濃縮させてＴＸＲＦ（全反射蛍光Ｘ線分析）測定することもできる。また、本発明は、回収液を広げる関係で回収液を多少増やす必要があるが、回収液量が増えることで感度低下を懸念する場合には、この回収液を乾燥濃縮する方法を用いればよい。ただし、ＩＣＰ−ＭＳは高感度なので、乾燥濃縮をしなくても数ｍｌの回収液で１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下の感度を得ることは容易である。
【００２８】
次に、上記した一実施の形態の具体例について述べる。具体例１は、本発明の回収装置及び回収方法を用いて金属不純物の濃度を測定することによって、どの程度の回収率が得られたかを実験によって確認したものである。まず、直径３００ｍｍのベアウエハを準備し、表面にＦｅ、Ａｌがそれぞれ１×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2になるようにスピンコート法で強制的に汚染させる。この既知の汚染割合を基準にして測定結果に基づく回収率を算出するものとする。
【００２９】
次に、この汚染されたベアウエハを検査する場合、まず、従来と同じく準備したベアウエハ表面に存在する金属不純物であるＦｅ、ＡｌをＨＦ蒸気で分解・溶解（ＶＰＤ処理）してベアウエハ表面を疎水性にする。次に、このベアウエハを本発明の回収装置に載せ、ベアウエハ上に回収液となる純水１ｍｌを滴下し、上記した本発明の手順に従って回収走査を行なう。走査はベアウエハ及び走査板の両方を３ｒｐｍで１ｍｉｎ回転させ、同一個所を３回走査した。走査後、回収液を捕集し、ＩＣＰ−ＭＳにより濃度測定を行なった。その結果、Ｆｅが９．７×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、Ａｌが１．０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の結果が得られ、９７％以上の安定した回収率で回収できた。ちなみに、同様の実験を手動回収による方法で行なった場合は８５〜９７％と回収率にバラツキが生じ、本発明のように安定した回収率は得られなかった。
【００３０】
次に、本実施の形態の具体例２について述べる。まず、直径３００ｍｍのベアウエハ表面に１０ｎｍの厚さに熱酸化膜を形成し、その上にＣｕが１×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2になるようにスピンコート法で強制的に汚染させる。このベアウエハを検査する場合、まず従来どおり、ベアウエハ上の熱酸化膜とその表面に存在する金属不純物のＣｕをＨＦ蒸気で分解・溶解（ＶＰＤ処理）してベアウエハ表面を疎水性にする。次に、このベアウエハを本発明の回収装置に載せ、ベアウエハ上に回収液である１％ＨＦ＋５％Ｈ2Ｏ2混合液１ｍｌを滴下し、本発明の手順に従って回収走査を行なう。回収は、ベアウエハ及び走査板の両方を１ｒｐｍで１ｍｉｎ回転させ、同一個所を１回走査した。走査後、回収液を捕集し、ＩＣＰ−ＭＳにより濃度測定を行なった。その結果、Ｃｕの濃度が９．０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で９０％以上の回収率で回収できた。同様の実験を従来装置（スパイラル走査）で行なって回収液を回収すると、Ｃｕが８．５×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で８５％以上の回収率となった。従来装置の場合は、同一個所は１回しか走査できず、しかも１０分／枚と回収に時間がかかり、そのため回収液が蒸発して液量が減り、回収率、測定濃度に悪影響が出たためと思われる。
【００３１】
【発明の効果】
従来の不純物回収装置においては、直径３００ｍｍの半導体ウエハ上の同じ位置を１回走査させる場合、早くても約１０分を要し、最大でも６枚／時間の処理能力しか得られない。これに対し、本発明の不純物回収方法によれば、半導体ウエハだけを１ｒｐｍで回転させて半導体ウエハ表面を１回走査させる場合でも１分で処理が終わり、最大で６０枚／時間と従来の１０倍の処理能力を得ることができる。また、半導体ウエハサイズが変わっても長さの異なる走査板を何種類か用意しておくだけで対応が可能であり、しかも、半導体ウエハサイズに関係なく同じ処理時間で回収が可能である。このように、本発明によれば、半導体ウエハの大口径化に対応でき、かつ金属不純物の回収に要する時間が短縮されたことから、雰囲気による汚染や回収液の蒸発がなくなり、回収率が向上することによってデバイスの品質向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における不純物回収方法を説明する工程図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）である。
【図２】本発明の一実施の形態に使用する不純物回収装置を説明する正面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】従来の不純物回収方法を説明する工程図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）である。
【図５】従来の走査軌跡の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１    半導体ウエハ
２    液滴
２ａ    細長液滴
３    シリンジ
４    回転載置台
５    垂直回転軸
６    走査板
７    リンク機構
８    固定ネジ
９    調節ネジ
１０ａ、１０ｂ    回転支点
【図１】
0003784696.tif 000002
【図２】
0003784696.tif 000003
【図３】
0003784696.tif 000004
【図４】
0003784696.tif 000005
【図５】
0003784696.tif 000006