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【手続補正書】
【提出日】平成30年9月6日(2018.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する方法であって、
取り出した構成部品に基本洗浄工程を施すことであって、前記取り出した構成部品が、前記構成部品に堆積した少なくとも１つの物質を含む、基本洗浄工程の適用と、
前記取り出した構成部品を脱脂することと、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質を除去して、洗浄済みの構成部品を生み出すこととであって、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質に、加熱した酸化性溶液を適用して、前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質の第１の部分を酸化させることと、
前記取り出した構成部品に剥離液を適用して、前記少なくとも１つの物質の前記酸化した第１の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、
エッチング液を適用して、前記少なくとも１つの物質の第２の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、を含み、
前記加熱した酸化性溶液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）との混合物を、水酸化カリウム（ＫＯＨ）約５と過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）約２の割合で含む、前記少なくとも１つの物質の除去と、
前記洗浄した構成部品を乾燥させることと
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記剥離液は、フッ化水素酸（ＨＦ）を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記剥離液は、硝酸（ＨＮＯ３）を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記剥離液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合物を含む、方法。
【請求項５】
プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する方法であって、
取り出した構成部品に基本洗浄工程を施すことであって、前記取り出した構成部品が、前記構成部品に堆積した少なくとも１つの物質を含む、基本洗浄工程の適用と、
前記取り出した構成部品を脱脂することと、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質を除去して、洗浄済みの構成部品を生み出すこととであって、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質に、加熱した酸化性溶液を適用して、前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質の第１の部分を酸化させることと、
前記取り出した構成部品に剥離液を適用して、前記少なくとも１つの物質の前記酸化した第１の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、
エッチング液を適用して、前記少なくとも１つの物質の第２の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、を含み、
前記剥離液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合物を、フッ化水素酸（ＨＦ）約１と硝酸（ＨＮＯ３）約１の割合で含む、前記少なくとも１つの物質の除去と、
前記洗浄した構成部品を乾燥させることと
を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）を含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチング液は、硝酸（ＨＮＯ３）を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチング液は、酢酸（ＨＡｃ）を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＨＡｃ）との混合物を含む、方法。
【請求項１０】
プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する方法であって、
取り出した構成部品に基本洗浄工程を施すことであって、前記取り出した構成部品が、前記構成部品に堆積した少なくとも１つの物質を含む、基本洗浄工程の適用と、
前記取り出した構成部品を脱脂することと、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質を除去して、洗浄済みの構成部品を生み出すこととであって、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質に、加熱した酸化性溶液を適用して、前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質の第１の部分を酸化させることと、
前記取り出した構成部品に剥離液を適用して、前記少なくとも１つの物質の前記酸化した第１の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、
エッチング液を適用して、前記少なくとも１つの物質の第２の部分を前記取り出した構成部品から除去することと、を含み、
前記エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＨＡｃ）との混合物を、フッ化水素酸（ＨＦ）約１、硝酸（ＨＮＯ３）約７．５および酢酸（ＨＡｃ）約３．７の割合で含む、前記少なくとも１つの物質の除去と、
前記洗浄した構成部品を乾燥させることと
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化性溶液、前記剥離液および／もしくは前記エッチング液のうちの少なくとも１つは、水で希釈される、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄した構成部品をプラズマ処理チャンバ内に設置することと、
前記プラズマ処理チャンバ内に基板を配置することと、
前記基板にプラズマ処理を施すことと
をさらに含む、方法。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する方法であって、
取り出した構成部品に基本洗浄工程を施すことであって、前記取り出した構成部品が、前記構成部品に堆積した少なくとも１つの物質を含む、基本洗浄工程の適用と、
前記取り出した構成部品を脱脂することと、
洗浄済みの構成部品を生み出すために、前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質を除去することと、
前記洗浄した構成部品を乾燥させることと、を含み、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質を除去することは、
前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質に、加熱した酸化性溶液を適用して、前記取り出した構成部品に堆積した前記少なくとも１つの物質の第１の部分を酸化させることであって、前記酸化性溶液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）との混合物を、水酸化カリウム（ＫＯＨ）約５および過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）約２の割合で含む、前記少なくとも１つの物質への酸化性溶液の適用と、
前記取り出した構成部品に剥離液を適用して、前記少なくとも１つの物質の前記酸化した第１の部分を前記取り出した構成部品から除去することであって、前記剥離液は、フッ化水素酸（ＨＦ）および硝酸（ＨＮＯ３）の混合物を、フッ化水素酸（ＨＦ）約１および硝酸（ＨＮＯ３）約１の割合で含む、前記取り出した構成部品への剥離液の適用と、
エッチング液を適用して、前記少なくとも１つの物質の第２の部分を前記取り出した構成部品から除去することであって、前記エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ３）および酢酸（ＨＡｃ）の混合物を、フッ化水素酸（ＨＦ）約１、硝酸（ＨＮＯ３）約７．５および酢酸（ＨＡｃ）約３．７の割合で含む、エッチング液の適用と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に成膜するための方法であって、
処理室の反応容量において基板支持部上に基板を配置することと、
選択的に処理ガスを前記処理室の反応容量に導入し、高周波プラズマを生成して、前記基板上に膜を成膜することと、
前記成膜中に前記基板を前記基板支持部にクランプすることと、
反応ガスを前記基板の裏面端部にパージガスとして供給して、前記成膜中、および、前記反応容量における前記高周波プラズマの生成中に、前記基板の裏面端部をパージすることと、
を備え、
前記パージガスを供給することは、
前記パージガスを１５０ｓｃｃｍ以上の速さで流して、前記高周波プラズマの生成中に前記裏面端部をパージすることと、
酸素分子を前記パージガスとして供給することと、
前記酸素分子を前記パージガスとして供給して、（ｉ）前記反応容量における前記高周波プラズマの生成中に、前記裏面端部付近でのプラズマ点火およびホロー陰極放電の特性のうちの少なくとも１つを抑制し、（ｉｉ）前記パージガスに関連する寄生電力損失を抑制することと、を含む、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記基板を前記基板支持部にクランプするために真空圧力を用いる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記膜は二酸化ケイ素を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記膜は原子層堆積を用いて成膜される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理室を２から３トールの真空圧力に維持すること、
をさらに備える、方法。
【請求項６】
請求項２に記載の方法であって、前記クランプは、
前記基板支持部の基板に面する表面上に、弁と流体連通する空洞を配置することと、
真空源を前記弁と流体連通して配置することと、
前記基板を前記基板支持部に真空クランプするために、前記弁を制御することと、
を備える、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記反応ガスを供給することは、
前記基板の端部に隣接する前記基板支持部の基板に面する表面上に、弁と流体連通する空洞を配置することと、
反応ガス源を前記弁と流体連通して配置することと、
前記弁を制御して前記反応ガスを供給し、前記基板の裏面端部をパージすることと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の工程は、酸化物半導体膜を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、前記酸化物半導体膜上に、酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第３の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、
前記第４の工程は、前記保護膜を介して、前記酸化物絶縁膜に酸素を添加する工程を有し、
前記第１の工程において、
前記酸化物半導体膜は、酸素欠損が形成される条件で成膜され、
前記第４の工程のあとに、
前記酸化物絶縁膜中の前記酸素が、前記酸素欠損を補填する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１乃至第５の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の工程は、酸化物半導体膜を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、前記酸化物半導体膜上に、酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第５の工程は、前記酸化物絶縁膜を加熱する工程を有し、
前記第３の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、
前記第４の工程は、前記保護膜を介して、前記酸化物絶縁膜に酸素を添加する工程を有し、
前記第１の工程において、
前記酸化物半導体膜は、酸素欠損が形成される条件で成膜され、
前記第４の工程のあとに、
前記酸化物絶縁膜中の前記酸素が、前記酸素欠損を補填する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１乃至第６の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の工程は、酸化物半導体膜を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、前記酸化物半導体膜上に、酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第５の工程は、前記酸化物絶縁膜を加熱する工程を有し、
前記第３の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、
前記第４の工程は、前記保護膜を介して、前記酸化物絶縁膜に酸素を添加する工程を有し、
前記第６の工程は、前記保護膜を除去する工程を有し、
前記第１の工程において、
前記酸化物半導体膜は、酸素欠損が形成される条件で成膜され、
前記第４の工程のあとに、
前記酸化物絶縁膜中の前記酸素が、前記酸素欠損を補填する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１乃至第７の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の工程は、酸化物半導体膜を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、前記酸化物半導体膜上に、酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第５の工程は、前記酸化物絶縁膜を加熱する工程を有し、
前記第３の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、
前記第４の工程は、前記保護膜を介して、前記酸化物絶縁膜に酸素を添加する工程を有し、
前記第６の工程は、前記保護膜を除去する工程を有し、
前記第７の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、窒化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第１の工程において、
前記酸化物半導体膜は、酸素欠損が形成される条件で成膜され、
前記第４の工程のあとに、
前記酸化物絶縁膜中の前記酸素が、前記酸素欠損を補填する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１乃至第１０の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第８の工程は、ゲート電極を形成する工程を有し、
前記第９の工程は、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第１の工程は、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する工程を有し、
前記第１０の工程は、前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第５の工程は、前記酸化物絶縁膜を加熱する工程を有し、
前記第３の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、
前記第４の工程は、前記保護膜を介して、前記酸化物絶縁膜に酸素を添加する工程を有し、
前記第６の工程は、前記保護膜を除去する工程を有し、
前記第７の工程は、前記酸化物絶縁膜上に、窒化物絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第１の工程において、
前記酸化物半導体膜は、酸素欠損が形成される条件で成膜され、
前記第４の工程のあとに、
前記酸化物絶縁膜中の前記酸素が、前記酸素欠損を補填する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記保護膜は、
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｔａ、ＭｏまたはＳｉの中から選ばれる少なくとも１以上を有する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、
Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月5日(2018.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載され、基板と、前記基板上に設けられた発光素子とを有するチップと、
前記チップの側部に対向する内壁と、前記内壁の反対側の外壁とを有する壁部と、
前記リードフレームの外縁部に設けられたリフレクタと、
前記リフレクタで囲まれた領域における少なくとも前記チップの上に設けられた蛍光体層と、
を備え、
前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離は、前記チップの厚さよりも小さく、
前記リードフレームの上面と前記内壁とがなす角は、前記リードフレームの前記上面と前記外壁とがなす角よりも小さく、
前記リフレクタの内壁は、前記リードフレームの上面に対して鈍角を形成して傾斜している半導体発光装置。
【請求項２】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載され、基板と、前記基板上に設けられた発光素子とを有するチップと、
前記チップの側部に対向する内壁と、前記内壁の反対側の外壁とを有する壁部と、
前記壁部の前記内壁の内側の領域の範囲内の前記チップ上に設けられ、前記チップよりも薄い蛍光体層と、
を備え、
前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離は、前記チップの厚さよりも小さい半導体発光装置。
【請求項３】
前記壁部の前記内壁は、前記チップの前記側部に対して平行に対向している請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離が、３０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記壁部は樹脂を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記蛍光体層は、前記壁部の前記内壁の内側の領域の範囲内の前記チップ上に設けられている請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記基板はシリコン基板である請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記壁部をまたいで前記チップの上面と前記リードとを接続するワイヤをさらに備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記リードフレームは、前記チップが搭載される第１領域と、ワイヤがボンディングされる第２領域とを有し、
前記リードフレームにおける前記第１領域および前記第２領域以外の領域の表面が、樹脂で覆われている請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記リードフレーム上に搭載され、前記発光素子と電気的に並列接続されたツェナーダイオードをさらに備えた請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記チップおよび前記蛍光体層が設けられた領域を覆い、前記ツェナーダイオードを覆わないレンズをさらに備えた請求項１０記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記蛍光体層は、
樹脂と、
前記樹脂中に分散された複数の蛍光体と、
前記樹脂中に分散された複数の光散乱材と、
を有する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記チップに近い側で、前記蛍光体の濃度は前記光散乱材の濃度よりも高い請求項１２記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記蛍光体層上に設けられ、複数の光散乱材が分散された樹脂層をさらに備えた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記チップおよび前記蛍光体層が設けられた領域を覆うレンズをさらに備えた請求項１２〜１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記レンズは、
凸面と、
前記凸面の下に続き、前記凸面よりも曲率が小さい側面と、
を有する請求項１１または１５に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記凸面および前記側面は、変曲点を介さずに連続している請求項１６記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
第１方向に連続したインナーリード部と、前記インナーリード部に対して一体に設けられるとともに、前記第１方向に分離した複数のアウターリード部と、を有する第１リードフレームと、
前記第１リードフレームに対して前記第１方向に離間して設けられた第２リードフレームと、
を備えたリードフレーム。
【請求項１９】
前記複数のアウターリード部の裏面の間のピッチと、前記アウターリード部の裏面と前記第２リードフレームの裏面との間のピッチは等しい請求項１８記載のリードフレーム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態によれば、半導体発光装置は、リードフレームと、チップと、壁部と、リフレクタと、蛍光体層と、を備えている。前記チップは、前記リードフレーム上に搭載され、基板と、前記基板上に設けられた発光素子とを有する。前記壁部は、前記チップの側部に対向する内壁と、前記内壁の反対側の外壁とを有する。前記リフレクタは、前記リードフレームの外縁部に設けられている。前記蛍光体層は、前記リフレクタで囲まれた領域における少なくとも前記チップの上に設けられている。前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離は、前記チップの厚さよりも小さい。前記リードフレームの上面と前記内壁とがなす角は、前記リードフレームの前記上面と前記外壁とがなす角よりも小さい。前記リフレクタの内壁は、前記リードフレームの上面に対して鈍角を形成して傾斜している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月18日(2018.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力増幅器のモジュール、無線周波数通信のデバイス、及び無線周波数信号を増幅する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数通信回路用の電力増幅器のモジュールであって、
無線周波数信号を受信する入力を有するドライバ段増幅器と、
最終段増幅器と、
前記ドライバ段増幅器及び前記最終段増幅器の少なくとも一方に電力を与える包絡線追跡モジュールと
を含み、
前記ドライバ段増幅器には、前記無線周波数信号を増幅するべく前記ドライバ段増幅器の第１ノードと第２ノードとの間に適用される供給電圧が与えられ、
前記最終段増幅器は、増幅された無線周波数信号を前記ドライバ段増幅器の第１ノードにおける出力から受信し、
前記最終段増幅器には前記最終段増幅器の両端間に適用される供給電圧が与えられ、
前記最終段増幅器は増幅された出力信号を与え、
バイアス電流が前記最終段増幅器の入力に適用されかつ前記ドライバ段増幅器の第２ノードに電力を供給するべく適用されることにより、前記ドライバ段増幅器を流れる電流が低減されるモジュール。
【請求項２】
前記包絡線追跡モジュールは前記最終段増幅器に電力を供給する請求項１のモジュール。
【請求項３】
前記ドライバ段増幅器は固定電源から電力が供給される請求項２のモジュール。
【請求項４】
前記固定電源は電池を含む請求項３のモジュール。
【請求項５】
前記包絡線追跡モジュールは前記ドライバ段増幅器及び前記最終段増幅器の双方に電力を供給する請求項２のモジュール。
【請求項６】
前記ドライバ段増幅器は第１トランジスタを含み、
前記最終段増幅器は第２トランジスタを含み、
前記第１トランジスタのベースは前記ドライバ段増幅器の入力を形成し、
前記第１トランジスタのコレクタは前記ドライバ段増幅器の出力を形成し、かつ、前記最終段増幅器の出力を形成する前記第２トランジスタのベースに接続され、
前記第２トランジスタのコレクタは前記最終段増幅器の出力を形成する請求項１のモジュール。
【請求項７】
前記第２トランジスタのベースは、電流によってバイアスがかけられかつ前記ドライバ段増幅器のエミッタに電気的に接続される請求項６のモジュール。
【請求項８】
前記ドライバ段増幅器に電力を供給するべく前記最終段増幅器のベース電流バイアスを再使用することにより、３％電力付加効率の近似的効率改善が得られる請求項１のモジュール。
【請求項９】
無線周波数通信のデバイスであって、
無線周波数入力及び無線周波数出力と、
第１ノード及び第２ノードを有する第１増幅器、及び第２増幅器を有する二段電力モジュールと、
前記第１増幅器及び前記第２増幅器の双方に電力を供給する電力供給部と、
相互接続部と
を含み、
前記第１増幅器の入力は前記無線周波数入力からの無線周波数信号を受信し、
前記第１増幅器の第１ノードにおける出力は前記第２増幅器の入力に与えられ、
前記第２増幅器の入力はさらにバイアス信号を受信し、
前記第２増幅器の出力が前記無線周波数出力へと与えられ、
前記第１増幅器及び前記第２増幅器の少なくとも一方には、包絡線追跡モジュールによる前記無線周波数信号の包絡線追跡に基づいて電力が与えられ、
前記相互接続部は、前記バイアス信号が、前記第１増幅器に電力を供給するべく前記第１増幅器の電力供給部に与えられるように、前記第２増幅器の入力を前記第１増幅器の第２ノードにおける電力供給部に相互接続するデバイス。
【請求項１０】
前記包絡線追跡モジュールは前記第２増幅器に電力を供給する請求項９のデバイス。
【請求項１１】
前記第１増幅器は固定電源から電力が供給される請求項１０のデバイス。
【請求項１２】
前記固定電源は電池を含む請求項１１のデバイス。
【請求項１３】
前記包絡線追跡モジュールは前記第１増幅器及び前記第２増幅器の双方に電力を供給する請求項１０のデバイス。
【請求項１４】
前記第１増幅器は第１トランジスタを含み、
前記第２増幅器は第２トランジスタを含み、
前記第１トランジスタのベースは前記第１増幅器の入力を形成し、
前記第１トランジスタのコレクタは、前記第１増幅器の出力を形成し、かつ、前記第２増幅器の入力を形成する前記第２増幅器の前記ベースに接続され、
前記第２トランジスタのコレクタは前記第２増幅器の出力を形成する請求項９のデバイス。
【請求項１５】
前記第２トランジスタのベースは、電流によってバイアスがかけられかつ前記第１増幅器のエミッタに電気的に接続される請求項１４のデバイス。
【請求項１６】
送信モード及び受信モード間のスイッチングを行うスイッチングネットワークをさらに含む請求項９のデバイス。
【請求項１７】
前記包絡線追跡モジュール及び前記スイッチングネットワークを制御するプロセッサ及びコンピュータ可読媒体をさらに含む請求項１６のデバイス。
【請求項１８】
無線周波数信号を増幅する方法であって、
第１ノード及び第２ノードを有する第１増幅器において第１信号を増幅することと、
前記第１増幅器の第１ノードの出力を第２増幅器に与えることと、
前記第１増幅器及び前記第２増幅器に電力を供給することと、
前記第２増幅器の入力に対してバイアス信号によってバイアスをかけることと、
前記第２増幅器に適用された前記バイアス信号の少なくとも一部を、前記第１増幅器の第２ノードに電力を供給するべく前記第１増幅器に与えることと
を含む方法。
【請求項１９】
前記第１増幅器及び前記第２増幅器に電力を供給することは、
前記第１信号の包絡線を検出することと、
前記第１信号の包絡線の少なくとも一部に基づいて前記第１増幅器及び前記第２増幅器の少なくとも一方に可変電力を供給することと
を含む請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記第１増幅器及び前記第２増幅器の少なくとも一方に可変電力を供給することは、
前記第２増幅器に可変電力を供給することと、
前記第１増幅器に固定電力を供給することと
を含む請求項１９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月15日(2018.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和二塩基酸エステルを生成する方法であって、
末端オレフィンエステル及び内部オレフィンエステルを有する反応物質組成物を提供するステップであって、前記末端オレフィンエステルが、９−デセン酸エステルであり、前記内部オレフィンエステルが、９−ウンデセン酸エステルまたは９−ドデセン酸エステルである、ステップと、
第一メタセシス触媒の存在下の反応器中で、前記末端オレフィンエステルを前記内部オレフィンエステルと反応させ、不飽和二塩基酸エステル及び第一末端オレフィンを生成するステップであって、前記不飽和二塩基酸エステルが、９−オクタデセン二酸のジエステルである、ステップと；
を含み、
前記反応物質組成物中の前記末端オレフィンエステルの少なくとも一部は、第二メタセシス触媒の存在下で、前記内部オレフィンエステルを末端オレフィンと反応させることにより生成され、前記末端オレフィンは、エチレン、プロピレン、１−ブテン、またはこれらの任意の混合物である、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記反応中に、前記第一末端オレフィンの少なくとも一部を前記反応器から除去する方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記内部オレフィンエステルは、９−ドデセン酸エステルである方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか記載の方法において、前記反応物質組成物における前記末端オレフィンエステルと前記内部オレフィンエステルとの重量比は、１：５〜５：１である方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記不飽和二塩基酸エステルは、９−オクタデセン二酸ジメチルエステルである方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか記載の方法において、前記不飽和二塩基酸エステルの収率は、少なくとも７０％である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それを必要とするヒト対象における脳腫瘍を治療、予防、又は管理するための医薬組成物であって、IL-13Rα2ペプチド、EphA2ペプチド、配列番号9からなるスルビビン・ペプチド、及び破傷風トキソイド・ペプチドを含み、乳化物として製剤化され、ベバシズマブと同時投与される、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記対象に対して皮下に投与されるように用いられる、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項３】
一種以上の免疫調節薬とも同時に投与される、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記一種以上の免疫調節薬が、タンパク性の薬剤、核酸分子、小分子、有機化合物、無機化合物、メトトレキセート、レフルノミド、シクロホスファミド、サイトキサン、イムラン、シクロスポリンA、ミノサイクリン、アザチオプリン、抗生物質、メチルプレドニゾロン、コルチコステロイド、ステロイド、ミコフェノール酸モフェチル、ラパマイシン、ミゾリビン、デオキシスペルグアリン、ブレキナール、マロノニトリロアミンデ、T細胞受容体モジュレーター、サイトカイン受容体モジュレーター、肥満細胞モジュレーター、化学療法剤、GM-CSF、及び/又はイミキモドを含む、請求項3記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記一種以上の免疫調節薬が、核酸分子を含む、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記IL-13Rα2ペプチドが、配列番号１〜４のいずれか一つを含み；前記EphA2ペプチドが、配列番号５を含み；かつ前記破傷風トキソイド・ペプチドが、配列番号10を含む、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項７】
モンタニドISA-51によって乳化される、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項８】
ベバシズマブを含む第二の医薬組成物、及び一種以上の免疫調節薬を含む第三の医薬組成物と同時投与されるように用いられる、請求項3記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記医薬組成物が、皮下に投与され、前記ベバシズマブが、静脈内に投与され、かつ前記一種以上の免疫調節薬が、筋肉内又は皮下に投与されるように用いられる、請求項3記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記医薬組成物が、皮下に投与され、前記第二の医薬組成物が、静脈内に投与され、かつ前記第三の医薬組成物が、筋肉内又は皮下に投与されるように用いられる、請求項8記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記対象が寛解期にあり；再発状態にあり；かつ/又は失敗に終わった少なくとも一つの従前の治療を経験している、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記対象が寛解期にあり；再発状態にあり；かつ/又は失敗に終わった少なくとも一つの従前の治療を経験している、請求項8記載の医薬組成物。
【請求項１３】
少なくとも一つの追加の癌治療と組み合わせて用いられる、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記脳腫瘍が、神経膠腫、聴神経鞘腫、頭蓋咽頭腫、髄膜腫、髄芽腫、原発性中枢神経系リンパ腫、松果体及び下垂体の腫瘍、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫／乏突起膠腫、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫、成人低悪性度浸潤性テント上乏突起膠腫、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫／乏突起膠腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人低悪性度浸潤性テント上乏突起膠腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人頭蓋内上衣腫、成人頭蓋内上衣腫（上衣下腫及び粘液乳頭状を除く）、成人頭蓋内未分化上衣腫、未分化神経膠腫、未分化膠芽細胞腫、毛様細胞性星状細胞腫、上衣下腫、粘液乳頭状、1乃至3個の限定された転移性実質内病変、3個よりも多い転移性実質内病変、軟膜転移、原発性CNSリンパ腫、転移性脊椎腫瘍、及び/又は髄膜腫を含む、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記神経膠腫が、星状細胞腫、膠芽細胞腫、乏突起膠腫、脳幹神経膠腫、非脳幹神経膠腫、上衣腫、二種以上の神経膠細胞型を含む混合腫瘍、再発性悪性神経膠腫、高リスクWHOグレードII星状細胞腫、乏突起星細胞腫、再発性WHOグレードII神経膠腫、新たに診断された悪性又は内因性脳幹神経膠腫、不完全に切除された非脳幹神経膠腫、及び/又は再発性の切除不能な低悪性度神経膠腫を含む、請求項14記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記神経膠腫が、膠芽細胞腫である、請求項15記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記脳腫瘍が、神経膠腫、聴神経鞘腫、頭蓋咽頭腫、髄膜腫、髄芽腫、原発性中枢神経系リンパ腫、松果体及び下垂体の腫瘍、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫／乏突起膠腫、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫、成人低悪性度浸潤性テント上乏突起膠腫、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫／乏突起膠腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人低悪性度浸潤性テント上星状細胞腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人低悪性度浸潤性テント上乏突起膠腫（毛様細胞性星状細胞腫を除く）、成人頭蓋内上衣腫、成人頭蓋内上衣腫（上衣下腫及び粘液乳頭状を除く）、成人頭蓋内未分化上衣腫、未分化神経膠腫、未分化膠芽細胞腫、毛様細胞性星状細胞腫、上衣下腫、粘液乳頭状、1乃至3個の限定された転移性実質内病変、3個よりも多い転移性実質内病変、軟膜転移、原発性CNSリンパ腫、転移性脊椎腫瘍、及び/又は髄膜腫を含む、請求項8記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記神経膠腫が、星状細胞腫、膠芽細胞腫、乏突起膠腫、脳幹神経膠腫、非脳幹神経膠腫、上衣腫、二種以上の神経膠細胞型を含む混合腫瘍、再発性悪性神経膠腫、高リスクWHOグレードII星状細胞腫、乏突起星細胞腫、再発性WHOグレードII神経膠腫、新たに診断された悪性又は内因性脳幹神経膠腫、不完全に切除された非脳幹神経膠腫、及び/又は再発性の切除不能な低悪性度神経膠腫を含む、請求項17記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記神経膠腫が、膠芽細胞腫である、請求項18記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同時投与、個別投与又は逐次投与のための、
（ａ）式
【化１２】
2018109022.tif 000001
のＢ−Ｒａｆ阻害薬又は医薬として許容されるその塩、
（ｂ）セツキシマブ又はエルロチニブであるＥＧＦＲ阻害薬、及び場合によっては
（ｃ）化合物Ｂ：
【化１５】
2018109022.tif 000002
（Ｂ）
又は医薬として許容されるその塩であるＰＩ３Ｋ−α阻害薬
を含む組合せ医薬。
【請求項２】
ＥＧＦＲ阻害薬が、エルロチニブである、請求項１に記載の組合せ医薬。
【請求項３】
ＥＧＦＲ阻害薬が、セツキシマブである、請求項１に記載の組合せ医薬。
【請求項４】
それを必要とする対象における増殖性疾患の治療に使用するための、請求項１に記載の組合せ医薬。
【請求項５】
増殖性疾患の治療用の医薬品の調製に使用するための、請求項１に記載の組合せ医薬。
【請求項６】
増殖性疾患がＢ−Ｒａｆ変異を特徴とする、請求項５に記載の組合せ医薬。
【請求項７】
Ｂ−Ｒａｆ変異がＶ６００変異である、請求項６に記載の組合せ医薬。
【請求項８】
増殖性疾患が結腸直腸がんである、請求項７に記載の組合せ医薬。
【請求項９】
増殖性疾患の治療用の医薬品の製造のための、請求項１に記載の組合せ医薬の使用。
【請求項１０】
ヒト患者における増殖性疾患の治療用の医薬品の製造のための、
（ａ）式
【化１６】
2018109022.tif 000003
のＢ−Ｒａｆ阻害薬又は医薬として許容されるその塩、
（ｂ）セツキシマブ又はエルロチニブであるＥＧＦＲ阻害薬、及び場合によっては
（ｃ）化合物Ｂ：
【化１７】
2018109022.tif 000004
（Ｂ）
又は医薬として許容されるその塩であるＰＩ３Ｋ−α阻害薬
の使用であって、前記増殖性疾患がＢ−Ｒａｆ変異を特徴とする、使用。
【請求項１１】
Ｂ−Ｒａｆ変異がＶ６００変異である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
増殖性疾患が結腸直腸がんである、請求項１１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月9日(2018.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造を持つＣ−５修飾アミノカルボニルピリミジン：
【化１】
2018109050.tif 000001
式中、
Ｒ’は、−Ｈ、−Ａｃ、−Ｂｚ、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＯＣＨ３および−ＳｉＭｅ２ｔＢｕからなる群より選択され；
Ｒ”は、Ｈ、ＤＭＴ、及び三リン酸（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２）又はその塩からなる群より選択され；
Ｘは、−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＭｅ、−Ｏ−アリル、−Ｆ、−ＯＥｔ、−ＯＰｒ、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３、及び−アジドからなる群より選択され；
Ｒは、−（ＣＨ２）ｎ−ＲＸ１からなる群より選択され；
ＲＸ１は：
【化２】
2018109050.tif 000002
からなる群より選択され；
＊は、ＲＸ１基の（ＣＨ２）ｎへの付加点を示し；
ＲＸ４は、分岐鎖又は直鎖の低級アルキル（Ｃ１−Ｃ２０）からなる群より選択され；そして、
ｎ＝０〜１０である。
【請求項２】
以下の構造を持つＣ−５修飾アミノカルボニルピリミジン：
【化３】
2018109050.tif 000003
式中、
Ｒ’は、−Ｈ、−Ａｃ、−Ｂｚ、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＯＣＨ３および−ＳｉＭｅ２ｔＢｕからなる群より選択され；
Ｒ”は、Ｈ、ＤＭＴ、及び三リン酸（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２）又はその塩からなる群より選択され；
Ｘは、−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＭｅ、−Ｏ−アリル、−Ｆ、−ＯＥｔ、−ＯＰｒ、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３、及び−アジドからなる群より選択され；
Ｒは、−（ＣＨ２）ｎ−ＲＸ１からなる群より選択され；
ＲＸ１は：
【化４】
2018109050.tif 000004
からなる群より選択され；
＊は、ＲＸ１基の（ＣＨ２）ｎへの付加点を示し；
ＲＸ４は、分岐鎖又は直鎖の低級アルキル（Ｃ１−Ｃ２０）からなる群より選択され；そして、
ｎ＝０〜１０である。
【請求項３】
以下の構造を持つＣ−５修飾アミノカルボニルピリミジンの３’−ホスホロアミダイト：
【化５】
2018109050.tif 000005
式中、
Ｒ”は、Ｈ、ＤＭＴ、及び三リン酸（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２）又はその塩からなる群より選択され；
Ｘは、−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＭｅ、−Ｏ−アリル、−Ｆ、−ＯＥｔ、−ＯＰｒ、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３、及び−アジドからなる群より選択され；
Ｒは、−（ＣＨ２）ｎ−ＲＸ１からなる群より選択され；
ＲＸ１は：
【化６】
2018109050.tif 000006
及び
【化７】
2018109050.tif 000007
からなる群より選択され；
＊は、ＲＸ１基の（ＣＨ２）ｎへの付加点を示し；
ＲＸ４は、分岐鎖又は直鎖の低級アルキル（Ｃ１−Ｃ２０）からなる群より選択され；そして、
ｎ＝０〜１０である。
【請求項４】
以下の構造を持つＣ−５修飾アミノカルボニルピリミジンの５’−三リン酸：
【化８】
2018109050.tif 000008
式中、
Ｒ’は、−Ｈ、−Ａｃ、−Ｂｚ、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＯＣＨ３および−ＳｉＭｅ２ｔＢｕからなる群より選択され；
Ｘは、−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＭｅ、−Ｏ−アリル、−Ｆ、−ＯＥｔ、−ＯＰｒ、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３、及び−アジドからなる群より選択され；
Ｒは、−（ＣＨ２）ｎ−ＲＸ１からなる群より選択され；
ＲＸ１は：
【化９】
2018109050.tif 000009
及び
【化１０】
2018109050.tif 000010
からなる群より選択され；
＊は、ＲＸ１基の（ＣＨ２）ｎへの付加点を示し；
ＲＸ４は、分岐鎖又は直鎖の低級アルキル（Ｃ１−Ｃ２０）からなる群より選択され；そして、
ｎ＝０〜１０である。
【請求項５】
ｎ＝０、１又は２である、請求項１から４のいずれかに記載されるＣ−５修飾アミノカルボニルピリミジン。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月31日(2018.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腱鞘炎の発症を予防するための手袋であって、
手袋本体に、人の指節骨から中手骨までを模した線を表示する第一の表示部を備えたことを特徴とする腱鞘炎発症予防手袋。
【請求項２】
前記手袋本体に、前記線の周りに存在するツボを模した点を表示する第二の表示部を備えたことを特徴とする請求項１記載の腱鞘炎発症予防手袋。
【請求項３】
前記手袋本体に、人の手首にあたる部位と手根骨にあたる部位とを表示する第三の表示部を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の腱鞘炎発症予防手袋。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の腱鞘炎発症予防手袋を用いて手のストレッチが行われることを特徴とする腱鞘炎発症予防手袋の使用方法。
【請求項５】
さらにツボ刺激が行われることを特徴とする請求項４記載の腱鞘炎発症予防手袋の使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、腱鞘炎の発症を予防するための手袋であって、手袋本体に、人の指節骨から中手骨までを模した線を表示する第一の表示部を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、手袋本体に、人の指節骨から中手骨までを模した線を表示する第一の表示部を備えたので、手の構造を正確に理解して、手のストレッチを正確に行うことができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。また、骨をそのまま表示するのではなく、線で模しているので、手袋としてのデザインを配慮して、思わず着用したくなるような趣向性を持たせることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の発明のように、前記手袋本体に、前記線の周りに存在するツボを模した点を表示する第二の表示部を備えることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２記載の発明によれば、前記手袋本体に、前記線の周りに存在するツボを模した点を表示する第二の表示部を備えたので、手のツボ刺激を正確に行うことができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。また、ツボをそのまま表示するのではなく、点で模しているので、手袋としてのデザインを配慮して、思わず着用したくなるような趣向性を持たせることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３記載の発明のように、前記手袋本体に、人の手首にあたる部位と手根骨にあたる部位とを表示する第三の表示部を備えることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３記載の発明によれば、前記手袋本体に、人の手首にあたる部位と手根骨にあたる部位とを表示する第三の表示部を備えたので、手の構造をさらに正確に理解して、手のストレッチをより正確にすることができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。また、骨をそのまま表示するのではなく、部位で模しているので、手袋としてのデザインを配慮して、思わず着用したくなるような趣向性を持たせることもできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の腱鞘炎発症予防手袋を用いて手のストレッチが行われることを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか１項に記載の腱鞘炎発症予防手袋を用いて手のストレッチが行われるので、手の構造を正確に理解して、手のストレッチを正確に行うことができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５記載の発明のように、さらにツボ刺激が行われることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５記載の発明によれば、さらにツボ刺激が行われるので、手のツボ刺激を正確に行うことができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、手袋本体に、人の指節骨から中手骨までを模した線を表示する第一の表示部を備えたので、手の構造を正確に理解して、手のストレッチを正確に行うことができる。その結果、腱鞘炎の発症を有効に予防することができる。また、骨をそのまま表示するのではなく、線で模しているので、手袋としてのデザインを配慮して、思わず着用したくなるような趣向性を持たせることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダ本体と、
前記シリンダ本体に進退可能に装備された出力部材と、
前記出力部材を進出側と退入側の少なくとも一方に駆動する為の油室と、
前記シリンダ本体内に形成され且つ一端部に加圧エアが供給され他端部が外界に連通し
たエア通路と、
前記エア通路を開閉可能な開閉弁機構とを備えた油圧シリンダであって、
前記開閉弁機構は、
前記シリンダ本体に形成した装着孔に進退可能に装着され、小径軸部と前記小径軸部に対して前記油室の反対側に設けられた大径軸部とが一体成形された弁体本体を含む弁体と、
前記弁体の前記大径軸部を前記油室側に弾性付勢して前記弁体を前記油室側に進出させた状態に保持する弾性部材と、
前記シリンダ本体の前記装着孔の途中部に設けられ、前記弁体本体の前記小径軸部が挿通される貫通孔を有する環状部材と、
前記装着孔の開放側部分に固定され、前記弁体本体の前記弾性部材が装着される凹穴を有するキャップ部材と、
前記環状部材と前記キャップ部材との間に形成され、前記弁体を収容する収容室とを含み、
前記出力部材が所定の位置に達したときに、前記出力部材により前記弁体を移動させて前記開閉弁機構の開閉状態を前記エア通路を閉じる閉弁状態に切り換え、前記エア通路のエア圧を介して前記出力部材が前記所定の位置に達したことを検知可能に構成したことを特徴とする油圧シリンダ。
【請求項２】
前記開閉弁機構は、前記弁体に当接可能な弁座をさらに備え、
前記弁体は、前記弁体本体に外嵌状に装着され且つ前記弁座に接近・離隔可能な可動弁体を備えることを特徴とする請求項１に記載の油圧シリンダ。
【請求項３】
前記小径軸部の外周側に設けられ、前記油室と前記収容室との間をシールする第１シール部材と、
前記キャップ部材により塞がれた前記装着孔の内部と外界との間をシールする第２シール部材とをさらに備えた、請求項１または請求項２に記載の油圧シリンダ。
【請求項４】
前記所定の位置が、前記出力部材の上昇限界位置、作動途中位置、下降限界位置のうちの何れかの位置であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の油圧シリンダ。
【請求項５】
前記出力部材からなるクランプロッドを備え、請求項４に記載の油圧シリンダによりクランプロッドを駆動するように構成したことを特徴とするクランプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る油圧シリンダは、シリンダ本体と、前記シリンダ本体に進退可能に装備された出力部材と、前記出力部材を進出側と退入側の少なくとも一方に駆動する為の油室と、前記シリンダ本体内に形成され且つ一端部に加圧エアが供給され他端部が外界に連通したエア通路と、前記エア通路を開閉可能な開閉弁機構とを備えた油圧シリンダであって、前記開閉弁機構は、前記シリンダ本体に形成した装着孔に進退可能に装着され、小径軸部と前記小径軸部に対して前記油室の反対側に設けられた大径軸部とが一体成形された弁体本体を含む弁体と、前記弁体の前記大径軸部を前記油室側に弾性付勢して前記弁体を前記油室側に進出させた状態に保持する弾性部材と、前記シリンダ本体の前記装着孔の途中部に設けられ、前記弁体本体の前記小径軸部が挿通される貫通孔を有する環状部材と、前記装着孔の開放側部分に固定され、前記弁体本体の前記弾性部材が装着される凹穴を有するキャップ部材と、前記環状部材と前記キャップ部材との間に形成され、前記弁体を収容する収容室とを含み、前記出力部材が所定の位置に達したときに、前記出力部材により前記弁体を移動させて前記開閉弁機構の開閉状態を前記エア通路を閉じる閉弁状態に切り換え、前記エア通路のエア圧を介して前記出力部材が前記所定の位置に達したことを検知可能に構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
尚、小径軸部５８ａの外周側をシールするシール部材６０と、大径軸部５８ｂの外周側をシールするシール部材６１と、大径軸部５８ｂと可動弁体５９間をシールするシール部材６２も設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月11日(2018.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の側壁を有する貯湯タンクと、
前記貯湯タンクを収容する外箱と、
前記貯湯タンクと前記外箱との間に充填される硬質ポリウレタンフォームの発泡断熱材と、を備え、
前記外箱は、
前記発泡断熱材を充填するための充填孔を有する第１壁部と、
前記第１壁部に対向する第２壁部と、
前記第１壁部及び前記第２壁部と共に前記貯湯タンクの前記側壁を囲む一対の第３壁部と、上方に位置する上板と、下方に位置する底板とを有し、
前記貯湯タンクに設けられ前記底板に固定された内脚と、
前記貯湯タンク上部であって、前記第１壁部と前記貯湯タンクとの間に支持部材を備えた
ことを特徴とする貯湯タンクユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、円筒状の側壁を有する貯湯タンクと、前記貯湯タンクを収容する外箱と、前記貯湯タンクと前記外箱との間に充填される硬質ポリウレタンフォームの発泡断熱材と、を備え、前記外箱は、前記発泡断熱材を充填するための充填孔を有する第１壁部と、前記第１壁部に対向する第２壁部と、前記第１壁部及び前記第２壁部と共に前記貯湯タンクの前記側壁を囲む一対の第３壁部と、上方に位置する上板と、下方に位置する底板とを有し、前記貯湯タンクに設けられ前記底板に固定された内脚と、前記貯湯タンク上部であって、前記第1壁部と前記貯湯タンクとの間に支持部材を備えたことを特徴とする。