(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス−セラミック材料からなる未焼成基板上に、表面配線導体となるＡｇを主成分とする金属粉末から成る導体膜を形成した後、前記導体膜及び未焼成基板とを一体的に焼結して成る低温焼成回路基板において、前記表面配線導体に、ＰｔおよびＣｕ2Ｏを含有させることを特徴とする低温焼成回路基板。
【請求項２】
前記表面配線導体のＣｕ2Ｏは、金属粉末１００ｗｔ％に対して０．２〜１ｗｔ％含有することを特徴とする請求項１記載の低温焼成回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基板材料に、ガラス−セラミック材料を用いて、低温、例えば８００〜１０５０℃で焼成可能な低温焼成回路基板に関するものであり、特に、信頼性の高い表面配線導体を有する低温焼成回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の焼成温度を８００〜１０５０℃と比較的低い温度で焼成可能な材料の検討がされてきた。これは、例えば多層回路基板において、内部配線導体やビアホール導体をＡｇ系、Ｃｕ系、Ａｕ系などの低抵抗材料を用いることにより、回路の高速化を図るためである。このようなＡｇ系、Ｃｕ系、Ａｕ系などの低抵抗材料は、融点が比較的低いことから、融点以下の温度で焼成可能な基板材料が研究されてきた。
【０００３】
このような基板材料として、一般にガラス−セラミック材料、例えば、コージェライト、ムライト、アノートサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、オオスミライト及びその置換誘導体などの結晶相のうち少なくとも１種類を析出し得る低融点ガラス成分とクリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）のうち少なくとも１種類のセラミック材料（無機物フィラー）とをからなっていた。特に、このようなガラス−セラミック基板の混合比率はセラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、低融点ガラス成分が９０ｗｔ％〜４０ｗｔ％と、低融点ガラス成分が多いものであった。
【０００４】
実際、このような基板材料を用いて、回路基板を構成するには、回路基板の表面に表面配線導体を形成する必要がある。また、製造工程上、基板の焼成と表面配線導体の焼成工程を共通化して、製造方法の簡略化を図ることが考えられていた。
【０００５】
基板と一体的に焼成される表面配線導体としては、Ａｇ系導体やＣｕ系導体などが例示できる。しかしながら、表面配線導体にＩＣチップなどをワイヤボンディング細線で接続するためには、専らＡｇ系導体に限られていた。
【０００６】
従来、基板と一体的に焼成されるＡｇ系表面配線導体は、例えば金属成分中約９９ｗｔ％Ａｇ系金属粉末、金属成分中約１ｗｔ％Ｐｔ系金属粉末、ホウケイ酸系低融点ガラス、有機バインダー、有機溶剤を均質混合したＡｇ系導電性ペーストを用いて、未焼成状態の基板（単板または内部に配線導体膜が形成された多層基板）上に、スクリーン印刷で所定形状の導体膜を形成し、基板と一体的に酸化性雰囲気、大気雰囲気でピーク温度８００〜１０５０℃で焼成することによって形成されていた。
【０００７】
特に、表面配線導体を形成するための表面配線用Ａｇ系導電性ペーストに含まれるホウケイ酸系低融点ガラスの添加量は、例えば金属成分に対して１．０ｗｔ％程度であり、焼成された基板上に後に焼きつけする場合の表面配線用Ａｇ系導電性ペーストに含まれるホウケイ酸系低融点ガラスの添加量（金属成分に対して３．０〜５．０ｗｔ％程度）に比較して非常に少なくなっている。これは、表面配線導体が基板と一体的に焼成される場合、焼成処理中において基板材料のガラス成分が表面配線導体に大きく影響し、基板の表面にまで多量のガラス成分が析出してくるためである。
【０００８】
そして、上述のように表面配線導体及び基板とが一体的に形成された回路基板としては、表面配線導体上に、厚膜抵抗体膜や絶縁保護膜を被着形成し、さらに、各種電子部品などが半田を介して接続されて達成されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のように形成された表面配線導体の初期強度は１．５ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、例えば３．３ｋｇｆ／２ｍｍ□と非常に強固なものであるが、温度サイクル（−４０℃〜１２５℃、各３０分）試験後の強度は１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以下となり、例えば、電子部品などを実装した後、過酷な環境で使用された場合、基板と表面配線導体との接合信頼性が低くなってしまう。
【００１０】
これは、Ａｇ系表面配線導体を構成するＡｇ粒子と、基板材料のガラス成分とのアンカー効果（Ａｇ粒子と基板材料のガラス成分との界面でスパイク構造が形成され、両者が強固に接合しあう）が、スパイク構造が脆弱な場合、熱的に過酷な条件が加わると、スパイク構造が破壊されてしまうと考えられる。
【００１１】
本発明は上述の問題点に問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、表面の半田濡れ性に優れ、温度サイクル（−４０℃〜１２５℃、各３０分）試験後であっても充分な接着強度の表面配線導体を有する実用性に優れた低温焼成回路基板を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガラス−セラミック材料からなる未焼成基板上に、表面配線導体となるＡｇを主成分とする金属粉末から成る導体膜を形成した後、前記導体膜及び未焼成基板とを一体的に焼結して成る低温焼成回路基板において、前記表面配線導体に、ＰｔおよびＣｕ2Ｏを含有させることを特徴とするものである。
【００１３】
このましくは、前記Ｃｕ2 Ｏは、金属粉末１０ｗｔ％に対して０．２〜１ｗｔ％含有している。
【００１４】
【作用】
本発明によれば、表面配線導体を、ガラス−セラミックからなる未焼成の基板上に、Ａｇ系導電性ペーストを用いて印刷・乾燥を行い、一体的に焼成して形成するが、この時、Ａｇ系導電性ペースト中にＣｕ2 Ｏを添加しておくことにより、特に、Ａｇ系導電性ペーストを構成するＡｇ粒子への基板材料のガラス成分によるアンカー効果が助長され、これにより温度サイクル（−４０℃〜１２５℃、各３０分）試験をおこなっても、接着強度が劣化することを防止できる。Ａｇ粉末の焼成時に発生する収縮反応を遅らせることができ、これにより、基板の反りも有効に防止することができる。
【００１５】
特に、Ｃｕ2 Ｏの添加量が、０．２〜１ｗｔ％に設定すると、温度サイクル（−４０℃〜１２５℃、各３０分）試験後であっても、接着強度が１．０Ｋｇｆ／２ｍｍ□と非常に優れ、且つ表面の半田濡れ性も優れた低温焼成回路基板となる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の低温焼成回路基板を図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る低温焼成回路基板の断面図である。尚、実施例では、基板として、ガラス−セラミック層を５層積層して成る多層回路基板で説明する。
【００１７】
図１において、１０は低温焼回路基板であり、１は、内部に所定回路を構成する内部配線導体を有する積層体、２は積層体１の表面に形成した表面配線導体、３は内部配線導体、４はビアホール導体、５は厚膜抵抗膜であり、６は各種電子部品である。
【００１８】
積層体１は、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅと、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅの各層間には、所定回路網を達成するや容量成分を発生するための内部配線導体３が配置されている。また、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅには、その層の厚み方向を貫くビアホール導体４が形成されている。
【００１９】
ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅは、例えば８５０〜１０５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−セラミック材料からなる。具体的なセラミック材料としては、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライトなどが例示できる。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を含むガラスフリットを焼成処理することによって、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出するものである。このガラス−セラミック層１ａ〜１ｅの厚みは例えば１００〜３００μｍ程度である。
【００２０】
内部配線導体３、ビアホール導体４は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）など導体からなり、内部配線導体３の厚みは８〜１５μｍ程度であり、ビアホール導体４の直径は任意な値とすることができるが、例えば直径は８０〜２５０μｍである。
【００２１】
また、積層体１の両主面には、表面配線導体２が形成されている。表面配線導体２は、金属酸化物Ｃｕ2 Ｏを含有するＡｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）導体から成る。
【００２２】
また、表面配線導体２のＡｇ系導体は、積層体１の焼成時に同時に焼成されて形成されるものであり、電子部品６をＡｇ系の表面配線導体２上に半田接合したときに、Ａｇ系表面配線導体２に半田食われが発生しないように、Ａｇ系導体にＰｔなどを若干添加されている。
【００２３】
表面配線導体２は、入出力端子部分や電子部品搭載パッドを含むものであり、必要に応じて、厚膜抵抗体膜５や絶縁保護膜が形成され、さらにチップ状コンデンサ、チップ状抵抗、トランジスタ、ＩＣなどの各種電子部品６などが半田やワイヤボンディングなどによって搭載されている。
【００２４】
上述の低温焼成回路の製造方法について説明する。
【００２５】
積層セラミック回路基板１の製造方法は、まず、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅとなるガラス−セラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具体的には、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリット、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクタブレード法によって所定厚みにテープ成型して、所定大きさに切断してシートを作成する。
【００２６】
セラミック粉末は、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライトなどの絶縁セラミック材料、ＢａＴｉＯ3 、Ｐｂ4 Ｆｅ2 Ｎｂ2 Ｏ12、ＴｉＯ2 などの誘電体セラミック材料、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト（広義の意味でセラミックという）なとの磁性体セラミック材料などが挙げられ、その平均粒径１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜４．０μｍに粉砕したものを用いる。尚、セラミック材料は２種以上混合して用いられてもよい。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に有利となる。
【００２７】
低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理することによってコージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶やスピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例えば、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。この様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広くまた屈伏点が６００〜８００℃付近にあるため、８５０〜１０５０℃程度の低温焼成に適し、Ａｇ系内部配線導体３、Ａｇ系表面配線導体２となる導体膜との焼結挙動が近似している。尚、このガラスフリットの平均粒径は、１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜３．５μｍである。
【００２８】
上述のセラミック材料とガラス材料との構成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温で焼成する場合には、セラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、好ましくは３０〜５０ｗｔ％であり、ガラス材料が９０〜４０ｗｔ％、好ましくは７０〜５０ｗｔ％である。
【００２９】
有機バインダは、固形分（セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視する必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。
【００３０】
溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用いることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２．２．４−トリメチル−１．３−ペンタジオールモノイソベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
【００３１】
その付加量は酸価で表せば２〜３００あり、好ましくは５〜１００である。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
【００３２】
次に、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートの夫々に、各層のビアホール導体４の形成位置に、所定径の貫通穴をパンチングによって形成する。
【００３３】
次に、グリーンシートの貫通穴に、ビアホール導体４の導体をＡｇ系導電性ペーストを印刷・充填するとともに、ガラス−セラミック層１ｂ〜１ｅとなるグリーンシート上に、各内部配線導体３となる導体膜を印刷し、乾燥処理を行う。
【００３４】
ここで、内部配線用のＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）導電性粉末、必要に応じて所定量のホウケイ酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。
【００３５】
また、ガラス−セラミック層１ａとなるグリーンシート上に、表面配線導体２となる導体膜を表面配線用のＡｇ系導電性ペーストを用いて印刷し、乾燥処理を行う。
【００３６】
ここで、表面配線用のＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末、Ｐｔ粉末、所定量のＣｕ2 Ｏ粉末、有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。尚、Ｃｕ2 Ｏ以外の微量の金属酸化物が含有していても構わない。
【００３７】
このようにビアホール導体４となる導体、内部配線導体３となる導体膜、表面配線導体２となる導体膜が形成されたグリーンシートを、積層体１のガラス−セラミック層１ａ〜１ｅの積層順に応じて積層一体化する。
【００３８】
次に、未焼成の積層体を、酸化性雰囲気または大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。
【００３９】
脱バインダ過程は、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅとなるグリーンシート、内部配線導体３となる導体膜、ビアホール導体４となる導体、表面配線導体２となる導体膜に含まれる有機成分を焼失するためのものであり、例えば６００℃以下の温度領域で行われる。
【００４０】
また、焼結過程は、ガラス−セラミックのグリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセラミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体に一定強度を与え、内部配線導体３となる導体膜、ビアホール導体４となる導体、表面配線導体２となる導体膜の導電材料、例えば、Ａｇ系粉末を粒成長させて、低抵抗化させ、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｅと一体化させるものである。これは、ピーク温度８５０〜１０５０℃に達するまでに行われる。
【００４１】
これにより、表面配線導体２が形成された積層体が達成され、その後、必要に応じて、表面配線導体２に接続する厚膜抵抗素子５や絶縁保護膜を形成して、各種電子部品６を半田などで接合・実装を行う。
【００４２】
これにより、表面配線導体２が積層体１と一体的に焼成処理された低温焼成回路基板が達成することになる。
【００４３】
本発明において、積層体１と一体的に焼成処理される表面配線導体２は、表面配線用Ａｇ系導電性ペーストを詳細に説明すると、たとえば、平均粒径３μｍのＡｇ粉末と平均粒径０．５μｍのＰｔ粉末と、Ｃｕ2 Ｏ粉末の金属酸化物と、エチルセルロースなどの有機バインダー、ペンタンジオールイソブレートなどの有機溶剤が均質混合されて形成される。
【００４４】
ここで、Ａｇ粉末は導電性を与える主要な導電材料であり、金属成分中、例えば約９９ｗｔ％の割合で添加されている。
【００４５】
ここで、Ｐｔ粉末は、表面配線導体２上に電子部品７などを半田を介して接合した時にＡｇ成分が半田に食われることを防止するために添加するものであり、金属成分中、例えば約１ｗｔの割合で添加されている。
【００４６】
Ｃｕ2 Ｏの金属酸化物の粉末は、Ａｇ系粉末と、例えば積層体１のガラス−セラミック材料のガラス成分とのアンカー効果のスパイク構造をより強固にするものであり、全金属成分（Ａｇ、Ｐｔ）に対して０．１〜２ｗｔ％の範囲で添加されている。
【００４７】
上述のように、表面配線導体２となるＡｇ系導電性ペーストに、Ｃｕ2 Ｏ粉末を添加しているため、上述のようにアンカー効果によるスパイク構造を従来以上に助長させることができる。これは、Ａｇ系粒子の凹凸表面に、ガラス−セラミック材料のガラス成分を安定に付着させることができ、これにより、長期にわたり、アンカー効果を持続・維持させることができ、積層体１と表面配線導体２との接着強度が長期にわたり安定させることができる。さらに、Ｃｕ2 Ｏは、主に積層体１との表面配線導体２のとの界面部分に作用するため、表面配線導体２の表面に析出されることが少ないため、表面配線導体２の表面において、半田の濡れ性を阻害することがない。
【００４８】
〔実験例〕
本発明者は、積層体１と一体的に焼成される表面配線導体２について、特に、Ｃｕ2 Ｏの及ぼす影響を調べた。
【００４９】
表面配線用Ａｇ系導電性ペーストとして、表１に示す固形成分のペーストを作成した。尚、有機バインダー、有機溶剤などは省略した。
【００５０】
試料の積層体を形成するにあたり、基板材料であるガラス−セラミック材料は、アノーサイト系の結晶を析出し得るガラス成分とアルナ粉末とからなる２００μｍのグリーンシートを５枚作成し、積層体の下側となるグリーンシート上に内部配線用のＡｇ系導電性ペーストで所定パターンの導体膜を、最上層となるグリーンシート上に、表１に示す表面配線用Ａｇ系導電性ペーストで所定形状の導体膜を夫々形成した後、積層圧着を行い、大気雰囲気中で９５０℃で焼成処理した。
【００５１】
〔半田濡れ性の評価〕
このようにして得られた試料をロジン系フラックス溶液に浸漬した後、２３０℃の２％Ａｇ入りＳｎ−Ｐｂ共晶半田浴中に浸漬し、表面配線導体２の表面の半田濡れ性を調べた。半田濡れ性は、全表面面積に対して９０％以上の面積で半田が付着しているものを「優」として、それ以下を「劣」とした。
【００５２】
〔接着強度の評価〕
接着強度は２ｍｍ□の表面配線導体２に０．６ｍｍφの鉛メッキ導線を半田接合して、ピール法で、▲１▼初期状態の接着強度、▲２▼−４０℃〜１２５℃、各３０分を１００サイクルを施した温度サイクル試験（サイクル）後の接着強度をそれぞれ調べた。
【００５３】
本発明では、初期状態で２．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、サイクル試験後で１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上が信頼性の高い表面配導体とした。
【００５４】
〔基板の反りの評価〕
また、焼成後の寸法で８．５ｍｍ角の表面配線導体２を形成し、積層体一の反りの状況を測定するとともに、外観での積層体の変色の状況を測定した。
【００５５】
本発明では、基板の反りが０．０３ｍｍを越えるものはと、実用性に劣る回路基板とした。
【００５６】
その結果を、表１に合わせて示す。
【００５７】
【表１】
0003792271.tif 000002
【００５８】
上述の表１から明らかのように、表面配線用Ａｇ系導電性ペーストに金属酸化物として、所定量のＣｕ2 Ｏ粉末を添加すること（試料１、２）によって、初期の接着強度で２．０Ｋｇｆ／２ｍｍ□を達成し、しかも、−４０℃〜１２５℃、各３０分を１００サイクルを施した温度サイクル試験（サイクル）後の接着強度でも１．０Ｋｇｆ／２ｍｍ□以上の１．５〜１．６Ｋｇｆ／２ｍｍ□を達成している。
【００５９】
即ち、過酷な条件に晒されても、長期的に表面配線導体２と積層体１と接着強度が高く、且つ安定した低温焼成回路基板が達成されることが分かる。
【００６０】
これに対して、金属酸化物として、ＳｉＯ2 を添加した場合（試料４）、通常のホウケイ酸系低融点ガラスフリットを添加した場合（試料５）では、初期状態の接着強度は、夫々２．６Ｋｇｆ／２ｍｍ□、３．３Ｋｇｆ／２ｍｍ□と非常に高い値を示すものの、温度サイクル試験後では、０．７Ｋｇｆ／２ｍｍ□と急激に低下してしまい、長期的に強固な接着強度を維持できず、表面配線導体と積層体との接着信頼性が低い低温焼成回路基板となってしまう。
【００６１】
次に、表面配線用Ａｇ系導電性ペーストに金属酸化物Ｃｕ2 Ｏ粉末の添加量を検討すると、試料３に示すように、添加量が金属成分に対して１．５ｗｔ％となると、基板の反りが０．２１ｍｍと急激に大きくなり実質的に回路基板として用いることができなくなる。
【００６２】
また、試料６に示すように、Ｃｕ2 Ｏの添加量が０となると、試料４、５と同様に、初期状態の接着強度は、夫々２．６Ｋｇｆ／２ｍｍ□、３．３Ｋｇｆ／２ｍｍ□と非常に高い値を示すものの、温度サイクル試験後では、０．７Ｋｇｆ／２ｍｍ□と急激に低下してしまい、長期的に強固な接着強度を維持できず、表面配線導体と積層体との接着信頼性が低い低温焼成回路基板となり、しかも、基板の反りが０．０５ｍｍと非常に大きいものとなり、実質的に回路基板として用いることができなくなる。
【００６３】
このことから、第２の発明に示すように、表面配線導体２として、金属成分に対して、Ｃｕ2 Ｏを添加し、具体的には０．２ｗｔ％以上添加することが重要であり、上限として、１．５ｗｔ％未満、具体的には、１．２ｗｔ％以下の範囲で添加量することが、半田の濡れ性に優れ、基板の反りが少なく、初期状態、サイクル試験などの過酷な条件をおこなっても接着強度の高い表面配線導体となり、長期にわたり接着信頼性の高い低温焼成回路基板となる。
【００６４】
尚、上述の実施例において、基板として、複数のガラス−セラミック層１ａ〜１ｅが積層し、その間に内部配線導体３を有する積層回路基板で説明したが、未焼成状態のガラス−セラミック材料からなる単板であっても構わない。
【００６５】
また、積層体の形成工程がグリーンシートの積層による方法で説明したが、ガラス−セラミック材のペーストを順次印刷した印刷多層により積層体を形成してもよく、また、ガラス−セラミック材からなるスリッフプ材に光硬化モノマーを添加して、ビアホール導体となる貫通穴を露光・現像によって形成する方法を含む積層体の形成方法であってもよく、要は未焼成状態の基板（積層体）の表面に表面配線用のＡｇ系導電性ペーストを用いて、表面配線導体となる導体膜を形成し、その後、基板（積層体）と同時に焼成した低温焼成回路基板であれば、基板（積層体）の構造・形成方法は任意に変更できる。
【００６６】
また、上述の表面配線用Ａｇ系導電性ペーストとは、上述のようにｐｔ粉末を若干添加したものであってもよく、その主成分がＡｇ系（Ａｇ単体、またたＡｇ合金）粉末であるものを言い、さらに、Ａｇ系としては、上述のＡｇ粉末であってもよく、また、Ａｇ−Ｐｄ合金のようよに、Ａｇ系合金粉末であっても構わない。
【００６７】
さらに、Ａｇ系材料を主成分とする金属材料に対して、金属酸化物として、Ｃｕ2 Ｏを添加したが、表面配線導体２の半田濡れ性を阻害しない範囲で、その他の金属酸化物が微量に含まれていても構わない。
【００６８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面配線導体を、ガラス−セラミックからなる未焼成の基板上に、Ｃｕ2 Ｏを含むＡｇ系導電性ペーストを用いて印刷・乾燥を行い、一体的に焼成して形成した低温焼成回路基板である。
【００６９】
このように、Ａｇ系の表面配線導体にＣｕ2 Ｏが含まれることにより、表面配線導体のＡｇ粒子への基板材料のガラス成分からのアンカー効果が助長され、長期にわたり安定且つ強固な接着強度が維持でき、接着信頼性に優れた低温焼成回路基板となる。また、基板の反りも有効に防止することができ、実用性に優れた低温焼成回路基板となる。
【００７０】
また、Ｃｕ2 Ｏの添加量を０．２〜１ｗｔ％に設定すると、接着信頼性、基板の反りに加え、表面の半田濡れ性も優れた低温焼成回路基板となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る低温焼成回路基板の断面図である。
【符号の説明】
１０・・・・・・積層セラミック回路基板
１・・・・・・・積層体
１ａ〜１ｅ・・・セラミック層
３・・・・・・・内部配線導体
４・・・・・・・ビアホール導体
２・・・・・・・表面配線導体
【図１】
0003792271.tif 000003