(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界変調を加えた半導体に光を照射して、半導体からの反射光に基づき半導体の各接合界面における電界強度を測定する反射変調分光法を用いて半導体の各接合界面における接合容量を評価する方法であって、
前記半導体からの反射光の波長を変化させながら、各波長に対応した反射光のエネルギー強度と反射光強度の変化率との対応データを検出する工程と、
前記検出したデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、前記検出したデータを複数の周波数帯域のデータに分離する工程と、
前記分離した各帯域データのピーク値の周波数に基づき半導体の各接合界面における電界強度を算出する工程と、
前記算出した電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を求める工程とを含むことを特徴とする半導体の接合容量評価方法。
【請求項２】
前記反射変調分光法は、半導体に励起光を照射する方法により半導体の電界を変調させるフォトリフレクタンス法であることを特徴とする請求項１に記載の半導体の接合容量評価方法。
【請求項３】
半導体の電界を変調させる電界変調手段と、
前記電界変調手段により電界変調を加えられた半導体に光を照射する照射手段と、
前記照射手段による照射光又はこの照射光に対する半導体からの反射光の中から特定の波長の分光を取り出す分光手段とを備え、
前記分光手段により取り出す分光の波長を変化させながら、この波長の変化に伴う半導体からの反射光強度の変化率に基づき半導体の各接合界面における電界強度を測定し、これらの電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を測定する装置であって、
前記分光手段により取り出される分光の波長の変化に伴う半導体からの反射光強度の変化率を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出されたデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、前記検出されたデータを複数の周波数帯域のデータに分離する分離手段と、
前記分離手段により分離された各帯域データのピーク値の周波数に基づき半導体の各接合界面における電界強度を算出する電界強度算出手段と、
前記電界強度算出手段により算出された電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を算出する接合容量算出手段と
を備えたことを特徴とする半導体の接合容量測定装置。
【請求項４】
前記電界変調手段は、半導体に励起光を照射する方法により半導体の電界を変調させることを特徴とする請求項３に記載の接合容量測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロバイポーラトランジスタやＦＥＴ等の半導体デバイスに関するバンド構造の評価方法に係わり、特に変調分光法を用いて半導体の各接合界面における電解強度と接合容量を評価する方法、及びこの評価方法を用いた半導体の接合容量測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスの各接合界面における接合容量を評価する場合には、半導体デバイスに電極を作成して、この電極を用いて電気的に接合容量を計測していた。しかし、このような電極作製による評価方法は、一種の破壊評価であるため、生産プロセス上の検査方法には適していない。そこで、最近、光変調分光法という技術を用いて非破壊で半導体デバイスの各接合界面における接合容量を見積もる方法が提案されており（例えば、特開平７−９８２７２号公報等参照）、この方法を用いた接合容量測定装置も製品化され始めた。この光変調分光法とは、変調分光法の一種で、光で周期的に測定物質に変調を加えながら、この変調に伴う反射光又は吸収光の信号の変化分を測定する技術である。半導体デバイスに対する光変調は、光照射による光起電圧で半導体デバイスの内部電界を変調することであり、光変調分光法を採用することにより非破壊で半導体デバイスの電界変調を実現できるメリットがある。また、変調分光には反射分光と吸収分光とがあるが、このうち吸収分光は、物質を透過しないと測定できないため、バンドギャップの異なる半導体を接合したヘテロ構造の半導体デバイスの測定に使用するには適していない。このような観点から、光変調反射分光法すなわちフォトリフレクタンス法（以下、ＰＲ法という）が広く用いられている。米国ではこのＰＲ法を用いた半導体デバイス、特にヘテロバイポーラトランジスタの接合評価法が普及し、この評価法が世界的なスタンダードとなる可能性がある。
【０００３】
また、従来の半導体の評価方法において、フーリエ変換赤外分光光度計の赤外スペクトルに基づき半導体の薄膜膜質の均一性と不純物の存在を評価する方法が知られている（例えば、特開平６−１７４６３７号公報参照）。さらにまた、半導体薄膜からの反射光を測定することにより得られた空間干渉強度波形のデータをフーリエ変換して、変換後の反射スペクトルの最も低い周波数成分の中心線が反射率のゼロ点となるようにゼロ点補正を行った後に、補正後の反射スペクトルを逆フーリエ変換することで、空間干渉強度波形の原点にピークの存在しない望ましい反射スペクトルを得るようにした半導体薄膜の膜厚測定方法が知られている（例えば、特開２０００−２９２１２８号公報参照）。また、埋設界面を内蔵する半導体デバイスに赤外光を照射し、反射信号をフーリエ変換を用いて解析することで埋設界面の深さを測定する方法が知られている（例えば、特開平１１−２６０８７６号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来のＰＲ法を用いた半導体デバイスの接合評価方法では、複雑な変調スペクトルをそのまま解析して、半導体の接合界面における電界強度を求める必要があるため、トレーニングされた特定の者でなければ正確な電界強度を求めることができないという問題があった。以下に、従来の半導体の接合界面における電界を求める方法について説明する。例えば、GaAs（ガリウムヒ素）のような単純なp-n接合の構造を持つ半導体では、図６に示されるように、バンドギャップ（GaAsの場合は約１．４ｅＶ）以上のエネルギー領域（図中のバンドギャップ相当位置よりも右側の領域）に振動的な信号変化が観測される。これは、フランツケルディッシュ振動と呼ばれるものであり、フォトリフレクタンス法により検出した反射光強度信号の変化率のスペクトル（以下、ＰＲスペクトルという）に特有の構造である。この振動のｎ番目のピーク値に対応した点ｎ１〜ｎ４を図７に示されるグラフ上にプロットして、これらの点ｎ１〜ｎ４に沿った直線Ｌ１０１の勾配を得る。
【０００５】
上記の直線Ｌ１０１の勾配に基づいてｎ番目のピーク値に対応した理論上の光のエネルギーＥｎを求める。例えば、３番目のピーク値に対応した理論上の光のエネルギーＥ３は、図に示される値となる。理論上の光のエネルギーＥ１〜Ｅ４は、下記の（１）式を満たしており、この（１）式と下記の（２）式より半導体の接合界面における電界Ｆの値を求めることができる。
【０００６】
【数１】
0003777394.tif 000002
【０００７】
【数２】
0003777394.tif 000003
【０００８】
しかし、図８に示されるヘテロバイポーラトランジスタのような複雑な多層構造からなる半導体デバイスに光を照射した場合には、図９に示されるように、半導体デバイスから返ってくる信号が単純ではないため、ＰＲスペクトルの解析をする際に、どのピーク値をどの接合界面の電界測定に用いればよいかという判断をすることが難しい。このため、ある接合界面から返ってきた信号のピーク値を他の接合界面における電界の測定に用いてしまうことがあるので、各接合界面における電界強度の測定精度が低くなってしまい、測定した電界強度を用いて各接合界面における接合容量を正確に評価することができないという問題があった。図９に示される各ＰＲスペクトルは、同じ構造を持つように設計されたヘテロバイポーラトランジスタから得られたフォトリフレクタンス信号（反射光強度の変化率を表す信号：以下、ＰＲ信号と略す）を並べたものであるにも拘わらず、多様な形状となっている。この事実は、スペクトル解析の困難性を予期させるものである。
【０００９】
また、特開平６−１７４６３７号公報等に示されるような従来の半導体の薄膜や埋設界面の評価方法では、半導体デバイスの各接合界面における電界強度や接合容量を評価することができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、ＰＲスペクトルに基づき半導体デバイスの各接合界面における電界強度を正確に測定することができるようにして、これらの電界強度に基づき各接合界面における接合容量を正確に評価することが可能な半導体の接合容量評価方法及び接合容量測定装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、電界変調を加えた半導体に光を照射して、半導体からの反射光に基づき半導体の各接合界面における電界強度を測定する反射変調分光法を用いて半導体の各接合界面における接合容量を評価する方法であって、半導体からの反射光の波長を変化させながら、各波長に対応した反射光のエネルギー強度と反射光強度の変化率との対応データを検出する工程と、検出したデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、検出したデータを複数の周波数帯域のデータに分離する工程と、分離した各帯域データのピーク値の周波数に基づき半導体の各接合界面における電界強度を算出する工程と、算出した電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を求める工程とを含むものである。
【００１２】
上記の方法により、検出したデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、検出したデータを半導体の各接合界面から取得した異なる周波数帯域のデータに分離することができる。これにより、ある接合界面から取得したデータを他の接合界面における電界の測定に用いてしまうことを防ぐことができるので、半導体の各接合界面における電界強度を正確に算出することができ、従って、算出した電界強度に基づき各接合界面における接合容量を正確に算出することができる。
【００１３】
また、上記の反射変調分光法は、半導体に励起光を照射する方法により半導体の電界を変調させるフォトリフレクタンス法であることが望ましい。これにより、非接触で半導体の電界を変調させることができる。
【００１４】
また、請求項３の発明は、半導体の電界を変調させる電界変調手段と、電界変調手段により電界変調を加えられた半導体に光を照射する照射手段と、照射手段による照射光又はこの照射光に対する半導体からの反射光の中から特定の波長の分光を取り出す分光手段とを備え、分光手段により取り出す分光の波長を変化させながら、この波長の変化に伴う半導体からの反射光強度の変化率に基づき半導体の各接合界面における電界強度を測定し、これらの電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を測定する装置であって、分光手段により取り出される分光の波長の変化に伴う半導体からの反射光強度の変化率を検出する検出手段と、検出手段により検出されたデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、検出されたデータを複数の周波数帯域のデータに分離する分離手段と、分離手段により分離された各帯域データのピーク値の周波数に基づき半導体の各接合界面における電界強度を算出する電界強度算出手段と、電界強度算出手段により算出された電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を算出する接合容量算出手段とを備えたものである。この構成においては、上記請求項１と同様な作用を得ることができる。
【００１５】
また、電界変調手段は、半導体に励起光を照射する方法により半導体の電界を変調させるものであることが望ましい。これにより、上記と同様な作用を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態による半導体の接合容量評価方法を適用した接合容量測定装置について図面を参照して説明する。図１に本実施形態による接合容量測定装置の構成を示す。この接合容量測定装置（以下、測定装置と略す）１は、半導体デバイス４に対する照射光の光源となるタングステンランプ２（照射手段）と、このランプ２からの照射光を分光するためのモノクロメータ３（分光手段）と、４８８ｎｍの波長を持つアルゴンレーザ光（励起光）を出射するレーザ光源５と、レーザ光源５からのレーザ光の強度を減衰させるためのＮＤフィルタ６と、ＮＤフィルタ６を透過したレーザ光を変調させるためのチョッパ７とを有している。レーザ光源５、ＮＤフィルタ６及びチョッパ７は、請求項における電界変調手段に相当する。
【００１７】
また、上記の測定装置１は、モノクロメータ３からの分光に対する半導体デバイス４からの反射光の強度を検出するための光検出器８（検出手段）と、光検出器８で検出された反射光強度信号に基づいてレーザ光が照射されていない状態における反射光強度信号Ｒを求める平滑回路１０と、光検出器８で検出された反射光強度信号のうちのレーザ光照射による変化分の信号△Ｒを取り出すロックイン増幅器９とを持つ。さらにまた、測定装置１は、レーザ光照射による反射光強度の変化率△Ｒ／Ｒに基づいて半導体デバイス４の各接合界面における電界強度及び接合容量を測定するためのマイクロコンピュータ１１と、反射光強度信号Ｒの大きさが一定となるように光検出器８の信号検出感度にフィードバックをかけるためのフィードバック回路１２と、チョッパ７及びロックイン増幅器９に変調周期信号を与える制御回路１３とを有している。マイクロコンピュータ１１は、請求項における検出手段、分離手段、電界強度算出手段及び接合容量算出手段としても機能する。
【００１８】
次に、上記の測定装置１の動作について説明する。レーザ光源５から出射されたレーザ光は、ＮＤフィルタ６により減衰された上でチョッパ７によりパルス励起光Ｐ２に変更されて、半導体デバイス４上に照射される。一方、タングステンランプ２から発せられた光は、モノクロメータ３により特定の波長の分光Ｐ１とされ、半導体デバイス４上のパルス励起光Ｐ２の照射箇所に照射される。モノクロメータ３により取り出される分光Ｐ１の波長は、マイクロコンピュータ１１からの指示に基づいて順次変化していくため、半導体デバイス４上には順次異なる波長の分光Ｐ１が照射される。光検出器８は、モノクロメータ３により選択された波長の分光Ｐ１に対応した反射光強度信号を検出して、検出した信号をロックイン増幅器９と平滑回路１０とに出力する。
【００１９】
上記の平滑回路１０は、入力された反射光強度信号の直流成分、すなわち、パルス励起光Ｐ２が照射されていない状態における反射光強度信号Ｒを取り出して、マイクロコンピュータ１１に出力する。また、ロックイン増幅器９は、パルス励起光Ｐ２による反射光強度信号の変化分、すなわち、パルス励起光Ｐ２が照射されている状態における反射光強度信号（Ｒ＋△Ｒ）からパルス励起光Ｐ２が照射されていない状態における反射光強度信号Ｒを引いた差分値の信号△Ｒを取り出す。マイクロコンピュータ１１は、モノクロメータ３に指示を与えて半導体デバイス４上に照射する分光Ｐ１の波長に変化を与えながら、平滑回路１０より送られた反射光強度信号Ｒとロックイン増幅器９より送られた差分値信号△Ｒとに基づいて、分光Ｐ１の各波長における光のエネルギーと反射光強度信号の変化率△Ｒ／Ｒとの対応関係を表すスペクトルを測定する。このスペクトルは、上記図６に示される従来の測定装置で得られるスペクトルと同じものである。次に、マイクロコンピュータ１１は、このスペクトル上のデータの中でバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したデータをフーリエ変換することにより、この領域のデータを複数の周波数帯域のデータに分離し、分離した各帯域データのピーク値の周波数に基づき半導体の各接合界面における電界強度を算出する。そして、算出した電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を測定する。
【００２０】
図２に同じ構造を持つように設計された４つのヘテロバイポーラトランジスタのサンプルから得られた各ＰＲスペクトルを示す。図中の各ＰＲスペクトルＳ１〜Ｓ４は、異なる４つのサンプルから得られたそれぞれのフォトリフレクタンス信号（反射光強度の変化率（△Ｒ／Ｒ）に相当する信号：以下、ＰＲ信号と略す）を並べたものである。図に示されるように、各サンプルの半導体接合界面からのＰＲ信号は、フランツケルディッシュ振動として知られている振動的な成分を持つ。従来、ＰＲ信号に基づき半導体の各接合界面における接合容量を評価する場合には、ＰＲスペクトルを構成するＰＲ信号の信号源を区別することなく、ＰＲスペクトルに現れる強度変化を直接解析することにより半導体の各接合界面における電界強度を測定して、この電界強度に基づき各接合界面における接合容量を評価していた。従って、半導体のある接合界面から取得したＰＲ信号を他の接合界面における電界強度の測定に用いてしまう場合があるため、この電界強度に基づき半導体の各接合界面における接合容量を正確に評価することができなかった。
【００２１】
そこで、本測定装置１は、上記のＰＲ信号が持つ振動の周期性に着目して、ＰＲスペクトル上のデータをフーリエ変換することにより半導体の各接合界面からのＰＲ信号を分類する方法を採用する。フーリエ変換は信号を周波数領域に変換する手法であり、フーリエ変換を用いることにより異なる周波数成分を持つ信号を異なる信号として区別して表すことが可能になる。一般にトランジスタデバイスなどにおける半導体接合は多層構造であるため、これらのデバイスから取得したＰＲ信号の信号源となる接合界面を特定するのが困難とされていたが、ＰＲ信号のデータをフーリエ変換することによりＰＲ信号の信号源となる接合界面を区別することができる。従って、ＰＲスペクトルを構成するＰＲ信号を信号源となる接合界面の差異に基づき分類することができる。
【００２２】
次に、上記のＰＲ信号を分類する方法の具体的な原理について説明する。ＰＲ信号に現れるフランツケルディッシュ振動は、半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域においては近似的に以下のcos関数で表されるような振動となる。
【数３】
0003777394.tif 000004
【００２３】
上記の（３）式から上記の振動の周期ｆは、以下の式で与えられる。
【数４】
0003777394.tif 000005
【００２４】
上記の（４）式を用いてＰＲスペクトルを構成する各ＰＲ信号の信号源となる接合界面を区別することができる。具体的には、マイクロコンピュータ１１が検出したＰＲ信号の中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域に対応したＰＲ信号のデータをフーリエ変換することにより、複雑なフランツケルディッシュ振動を構成するＰＲ信号の信号源を周波数帯域で分離する。そして、分離した各周波数帯域におけるＰＲ信号のピーク値の周波数に基づき、半導体の各接合界面における電界を区別して測定する。このように、ＰＲ信号を信号源となる接合界面毎に分離し、それぞれの接合界面から取得したＰＲ信号のみに基づいてそれぞれの接合界面における電界を求めるようにしたことにより、半導体の各接合界面における電界を正確かつ簡便に求めることが可能となった。
【００２５】
図３に上記の方法でＰＲスペクトルに含まれるＰＲ信号のデータをフーリエ変換して得られた代表的なスペクトルを示す。図に示されるように、フーリエ変換後のスペクトルＳ５は明瞭に２つのピークＰＫ１、ＰＫ２を持つ。このことから、元のＰＲ信号には主に２種類のフランツケルディッシュ振動で表されるＰＲ信号が合成されていたことが明らかである。元のＰＲ信号は、ほぼ２つの周波数帯域のＰＲ信号に分離される。図中のＷ１内のＰＲ信号は、エミッタとベースの接合界面から取得したＰＲ信号を示し、Ｗ２内のＰＲ信号は、ベースとコレクタの接合界面から取得したＰＲ信号を示す。Ｗ１内のＰＲ信号のピークＰＫ１における周波数ｆを上記の（４）式に代入して求めた電界Ｆが、エミッタとベースの接合界面における電界であり、Ｗ２内のＰＲ信号のピークＰＫ２における周波数ｆを上記の（４）式に代入して求めた電界Ｆが、ベースとコレクタの接合界面における電界である。これらの電界の値に基づき各接合界面における接合容量を求めると、同じ半導体デバイスのサンプルについて電気的な特性から求めたエミッタ−ベース間容量及びコレクタ−ベース間容量に一致しており、非接触によってこれらの界面における接合容量を見積もることに成功している。
【００２６】
図４に図２中の各ＰＲスペクトルに含まれるＰＲ信号のデータをフーリエ変換して得られた４つのスペクトルを示す。Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０は、それぞれ図２中のＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に対応したスペクトルである。
【００２７】
次に、図５を参照して、上記の方法により求めた電界及び接合容量の値と従来の方法により求めた電界及び接合容量の値とを比較する。図中のＡ１〜Ｆ１は、同じ構造を持つように設計された６つのヘテロバイポーラトランジスタに対して従来の方法を用いて求めた特定の接合界面における電界及び接合容量の値を示し、Ａ２〜Ｆ２は、これらのトランジスタに対して上記のフーリエ変換を用いた方法により求めた特定の接合界面における電界及び接合容量の値を示す。図に示されるように、従来の方法により求めた電界及び接合容量では許容範囲から外れた値のものでも、上記のフーリエ変換を用いた方法により求めた電界及び接合容量では許容範囲内になるものＡ２・Ｂ２・Ｅ２・Ｆ２があり、逆に従来の方法では許容範囲内だったものでも、上記のフーリエ変換を用いた方法により求めた電界及び接合容量が許容範囲を外れるものＣ２・Ｄ２がある。なお、Ｃ２・Ｄ２は設計通りに作成されなかったヘテロバイポーラトランジスタについての測定値であり、許容範囲に入るはずのないものである。このことから、上記フーリエ変換を用いた方法により電界と接合容量の高い相関関係が得られ、電界測定により接合容量を正確に評価できることが分かる。
【００２８】
上述したように、本実施形態による測定装置１によれば、半導体デバイスからのＰＲ信号のデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域のデータをフーリエ変換することにより、これらのＰＲ信号のデータを半導体の各接合界面等から取得した異なる周波数帯域のデータに分離するようにした。これにより、半導体の接合界面の電界に起因する振動的なデータと他の振動的なデータとを容易に区別することができ、また、半導体のある接合界面から取得したデータを他の接合界面における電界の測定に用いてしまうことを防ぐことができる。従って、半導体の各接合界面における電界強度を該当の接合界面から取得したデータのみに基づいて正確に測定して、これらの電界強度に基づき各接合界面における接合容量を正確に評価することができる。
【００２９】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、本実施形態では、半導体に励起光を照射するＰＲ法を採用した測定装置に本発明を適用した例を示したが、Electron-Beam Er(EBER)法等の他の反射変調分光法を採用した測定装置に本発明を適用してもよい。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように請求項１又は請求項３の発明によれば、半導体からの反射光強度の変化率に関するデータの中で半導体のバンドギャップ以上のエネルギー領域のデータをフーリエ変換することにより、これらのデータを半導体の各接合界面等から取得した異なる周波数帯域のデータに分離するようにした。これにより、半導体の接合界面の電界に起因する振動的なデータと他の振動的なデータとを容易に区別することができ、また、半導体のある接合界面から取得したデータを他の接合界面における電界の測定に用いてしまうことを防ぐことができる。従って、半導体の各接合界面における電界強度を該当の接合界面から取得したデータのみに基づいて正確に測定し、測定した電界強度に基づき各接合界面における接合容量を正確に評価することができる。
【００３１】
また、請求項２又は請求項４の発明によれば、半導体に励起光を照射する方法により半導体の電界を変調させるフォトリフレクタンス法を使用することにより、非接触で半導体の電界を変調させることができる。これにより、半導体の接合容量を容易に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態による接合容量測定装置の構成図。
【図２】  上記測定装置を用いて同じ構造を持つように設計された４つの半導体デバイスから取得したＰＲスペクトルを示す図。
【図３】  上記測定装置によりＰＲスペクトルに含まれるＰＲ信号のデータをフーリエ変換して得られた代表的なスペクトルを示す図。
【図４】  上記測定装置により図２中の各ＰＲスペクトルに含まれるＰＲ信号のデータをフーリエ変換して得られた４つのスペクトルを示す図。
【図５】  上記測定装置によりフーリエ変換を用いて求めた電界及び接合容量の値と従来の方法により求めた電界及び接合容量の値とを示す図。
【図６】  GaAsのような単純なp-n接合の構造を持つ半導体から取得したフォトリフレクタンス信号のスペクトルを示す図。
【図７】  従来の半導体の接合界面における電界の求め方を示す図。
【図８】  ヘテロバイポーラトランジスタの構造を示す図。
【図９】  同じ構造を持つように設計された複数のヘテロバイポーラトランジスタのサンプルから得られたフォトリフレクタンス信号を並べた図。
【符号の説明】
１      接合容量測定装置
２      タングステンランプ（照射手段）
３      モノクロメータ（分光手段）
４      半導体デバイス
５      レーザ光源（電界変調手段）
７      チョッパ（電界変調手段）
８      光検出器（検出手段）
１１    マイクロコンピュータ（検出手段、分離手段、電界強度算出手段、接合容量算出手段）
Ｐ２    パルス励起光（励起光）
【図１】
0003777394.tif 000006
【図２】
0003777394.tif 000007
【図３】
0003777394.tif 000008
【図４】
0003777394.tif 000009
【図５】
0003777394.tif 000010
【図６】
0003777394.tif 000011
【図７】
0003777394.tif 000012
【図８】
0003777394.tif 000013
【図９】
0003777394.tif 000014