(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板に搭載された配線板の一方の面に、前記実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置において、
前記ランド端子は、縦横のマトリックス状に配置されるものであって、第１のランド端子と該第１のランド端子のランド径及び厚さにおける外形サイズよりも大きい外形サイズで形成された第２のランド端子からなり、
前記複数のバンプ電極は縦横のマトリックス状に配置されるものであって、前記第１のランド端子と対応する位置に設けられた第１のバンプ電極と前記第２のランド端子と対応する位置に設けられた第２のバンプ電極からなり、当該第１及び第２のバンプ電極は前記ランド端子に接続される前の状態において全て同一サイズで形成され、
さらに、前記第２のランド端子と前記マトリックスの縦方向横方向にて隣り合う所定の前記第１のランド端子及び前記所定の第１のランド端子に対応する前記第１のバンプ電極は削除されており、かつ、前記第２のバンプ電極と該第２のバンプ電極と隣り合う前記第１のバンプ電極とのそれぞれの中心同士の縦方向または横方向にて規定される距離が、前記第１のバンプ電極間のそれぞれの中心同士の縦方向または横方向にて規定される距離の整数倍になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のバンプ電極は、前記第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のランド端子の表面に前記第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材を設けたことにより、前記第１のランド端子の外形サイズよりも前記導電材を含めた前記第２のランド端子の厚さ方向における外形サイズを大きくしたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のランド端子は、前記実装基板の一方の面の周縁領域に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記マトリックス状に配置された前記ランド端子のうち、前記第２のランド端子は前記実装基板の一方の面の四隅に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装基板に搭載された配線板の一方の面に、実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
この種の半導体装置として、例えば、特開平１１―３１７４６８号公報に開示されているようなＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置がある。図６には、このＢＧＡ型半導体装置を実装基板に搭載させたときの断面構造を示す。
【０００３】
図６に示されるように、ＢＧＡ型半導体装置１０は、回路配線を有する配線板１の表面に半導体チップ２を搭載し、回路配線と半導体チップ２をＡｕなどからなるワイヤ３で電気的に接続した後に、樹脂封止体４で半導体チップ２及びワイヤを封止しており、また、配線板１の裏面には半導体チップ２と電気的に接続された複数の電極パッド１Ａが設けられており、この電極パッド１Ａの上にバンプ電極５を形成して外部電極としている。
【０００４】
そして、このＢＧＡ型半導体装置１０を、電極パッド１Ａと対向する位置に設けられたランド端子２０Ａを有する実装基板２０の上に位置決めして搭載し、ＢＧＡ型半導体装置１０及び実装基板２０に加熱を施すことによりバンプ電極５を溶融して、配線板１の裏面に設けられた電極パッド１Ａと実装基板２０の表面に設けられたランド端子２０Ａとを接続するという実装方法を用いている。
【０００５】
ここで、このＢＧＡ型半導体装置１０は、実装基板２０に実装する際に、溶融したバンプ電極５が実装基板２０のランド端子２０Ａに接触して濡れ拡がり、その後、濡れ拡がったバンプ電極５の表面張力によって、所定の搭載位置からずれた位置ずれを矯正するセルフアライメント機能（自動位置合わせ機能）が作用する。
【０００６】
従って、ＢＧＡ型半導体装置１０においては、所定の搭載位置から多少ずれた状態で実装基板２０の実装面に搭載されていても、セルフアライメント機能によって所定の搭載位置に矯正されるので、実装基板２０のランド端子２０Ａとの接続を確実に行うことができる。
【０００７】
ところが、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を搭載した時の位置ずれがバンプ電極５の配列ピッチに対して大きすぎると、隣のランド端子２０Ａにバンプ電極５が接触し、バンプ電極５の溶融時に半田ブリッジが発生したり、場合によっては隣のランド端子２０Ａにバンプ電極５が接続されてしまうことがあるので、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良を招く恐れがある。
【０００８】
近年、半導体チップ２に搭載される回路システムの高集積化や多機能化により、外部接続用端子であるバンプ電極５の数は増加され、これに伴ってバンプ電極５の配列ピッチは狭くなる傾向にあるので、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を搭載した時の位置ずれにより、バンプ電極５は隣のランド端子２０Ａと接触し易くなる。
【０００９】
そこで、上記従来公報では、実装基板２０の一方の面の所定位置には、バンプ電極５の融点よりも低い融点を有する導電材で形成された低融点バンプ６が設けられているため、バンプ電極５を溶融することなく低融点バンプ６を溶融することができる。
【００１０】
さらに、この低融点バンプ６は、バンプ電極５の外形サイズよりも大きい外形サイズで形成されているため、溶融によって作用するセルフアライメント機能の矯正範囲をバンプ電極５よりも大きくすることができる。
【００１１】
従って、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を実装する際には、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を搭載した時の位置ずれが低融点バンプ６の溶融によるセルフアライメント機能の矯正範囲内であれば、実装基板２０のランド端子２０Ａとバンプ電極５との位置合わせをバンプ電極５の溶融前に事前に行うことができるので、隣のランド端子２０Ａとバンプ電極５との接触を回避することができる。
【００１２】
この結果、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良を低減することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＢＧＡ型半導体装置１０は、実装基板２０に実装する前に、例えば、図７に示されるような箱状のＩＣ検査用ソケット３０を用いて、その性能を検査する必要がある。
【００１４】
検査方法としては、ＩＣ検査用ソケット３０の内部にＢＧＡ型半導体装置１０を配設して、スプリング３２の高さを可変することにより調整手段３３が設けられた複数のピン３１の高さを調整し、バンプ電極５及び低融点バンプ６と対応するようにＩＣ検査用ソケット３０の裏面に設けられた複数のピン３１を通して電気的な検査をすることにより、ＢＧＡ型半導体装置１０の性能を検査している。
【００１５】
しかしながら、上記従来公報のようにバンプ電極５の外形サイズよりも大きい外形サイズで形成された低融点バンプ６を設けた場合、バンプ電極５の数が増減することにより、低融点バンプ６に対応するように設けられたピン３１の配置位置が異なってしまうため、ピン３１の設計が標準化ができないという問題がある。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑み、実装基板に搭載された配線板の一方の面に、実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置において、特定のバンプ電極の外形サイズを大きくすることなく、実装不良を低減することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の半導体装置は、実装基板に搭載された配線板の一方の面に、実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置において、ランド端子は、第１のランド端子とこの第１のランド端子の外形サイズよりも大きい外形サイズで形成された第２のランド端子からなり、バンプ電極は全て同一サイズで形成されるとともに、第１のランド端子と対応する位置に設けられた第１のバンプ電極と第２のランド端子と対応する位置に設けられた第２のバンプ電極からなり、第２のランド端子と隣り合う所定の第１のランド端子及び所定の第１のランド端子に対応する第１のバンプ電極は削除されており、第２のバンプ電極と第２のバンプ電極と隣り合う第１のバンプ電極との距離が、第１のバンプ電極間の距離の整数倍になっていることを特徴としている。
【００１８】
請求項１に記載の発明によれば、縦横のマトリックス状に配置されるランド端子のうち、第２のランド端子は第１のランド端子のランド径および厚さにおける外形サイズよりも大きい外形サイズで形成されているため、実装基板に半導体装置を実装する際には、第１のバンプ電極が第１のランド端子に接触する前に第２のバンプ電極が第２のランド端子に接触するとともに、溶融によって作用するセルフアライメント機能の矯正範囲は、第１のバンプ電極よりも第２のバンプ電極の方が大きい。
【００１９】
従って、実装基板に半導体装置を実装する際に、実装基板に半導体装置を搭載したときの位置ずれが第２のバンプ電極の溶融によるセルフアライメント機能の矯正範囲であれば、第２のランド端子と第２のバンプ電極との位置合わせを第１のランド端子と第１のバンプ電極との接合前に行うことができる。
【００２０】
その結果、特定のバンプ電極の外形サイズを大きくすることなく、隣のランド端子とバンプ電極との接触を回避することができ、半導体装置の実装不良を低減することができる。
【００２１】
また、上述のように、第１のランド端子の外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子を設けたことにより、第２のランド端子と隣り合う第１のランド端子及びこの第１のランド端子に対応する第１のバンプ電極を削除する必要がある。
【００２２】
そこで、本発明では、ランド端子に接合前のバンプ電極のサイズを全て同一にするとともに、第２のバンプ電極とこの第２のバンプ電極と隣り合う第１のバンプ電極との距離（それぞれの中心同士の縦または横方向にて規定される距離）を第１のバンプ電極間の距離の整数倍にしているため、バンプ電極の配列ピッチを全て均一にすることができる。
【００２３】
その結果、第１のランド端子の外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子を設けたとしても、半導体装置を検査する冶具の設計を変更する必要はない。
【００２４】
請求項２に記載の半導体装置は、第２のバンプ電極は、第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材で形成されていることを特徴としている。
【００２５】
請求項２に記載の発明によれば、第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材で第２のバンプ電極を形成しているため、第１のバンプ電極を溶融することなく、第２のバンプ電極を溶融することができる。
【００２６】
従って、実装基板に半導体装置を実装する際に、第２のランド端子と第２のバンプ電極との位置合わせを第１のバンプ電極の溶融前に事前に行うことができるので、隣のランド端子とバンプ電極との接触を回避することができ、半導体装置の実装不良を低減することができる。
【００２７】
請求項３に記載の半導体装置は、第２のランド端子の表面に第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材を設けたことにより、第１のランド端子の外形サイズよりも導電材を含めた第２のランド端子の厚さ方向における外形サイズを大きくしたことを特徴としている。
【００２８】
請求項３に記載の発明によれば、第１のバンプ電極の融点よりも低い融点を有する導電材を第２のランド端子の表面の設けているため、第１のバンプ電極を溶融することなく、第２のランド端子の表面に設けられた導電材を溶融することができる。
【００２９】
従って、実装基板に半導体装置を実装する際に、第２のランド端子と第２のバンプ電極との位置合わせを第１のバンプ電極の溶融前に事前に行うことができるので、隣のランド端子とバンプ電極との接触を回避することができ、半導体装置の実装不良を低減することができる。
【００３０】
請求項４に記載の半導体装置は、第２のランド端子は実装基板の一方の面の周縁領域に設けられていることを特徴としている。具体的には、請求項５に記載のように、ランド端子及びバンプ電極はマトリックス状に配置された状態で、第２のランド端子が実装基板の一方の面の四隅に設けられている。
【００３１】
請求項４または５に記載の発明によれば、第１のランド端子の外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子を設けたことにより、第２のランド端子と隣り合う第１のランド端子及びこの第１のランド端子に対応する第１のバンプ電極を削除する必要があるが、第２のランド端子を実装基板の一方の面の四隅に設けたことにより、削除する第１のバンプ電極の数を最小にすることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置をＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に適用した一実施形態を、図面に従って説明する。尚、本実施形態のＢＧＡ型半導体装置は、例えば、携帯電話などの情報端末機器やメモリモジュール、ＣＰＵモジュールなどの電子装置に用いられる。
【００３３】
図１には、本発明の一実施形態におけるＢＧＡ型半導体装置１０を実装基板２０に搭載させたときの断面構造を示す。また、図２には図１における実装基板２０の平面構造を示し、図３には図１における配線板１の平面構造を示す。
【００３４】
まず、図１に示されるように、本実施形態のＢＧＡ型半導体装置１０は、配線板１の表裏面のうちの一方の面（図中の下面）に外部接続用端子として同一サイズのバンプ電極５Ａ、５Ｂを設けて、他方の面（図中の上面）に半導体チップ２を搭載した構成になっている。尚、この半導体チップ２は、配線板１の他方の面のチップ搭載領域に接着剤（図示せず）を介在して固着されている。
【００３５】
また、配線板１は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含浸させた多層配線構造の樹脂板で構成され、その平面形状は方形状で形成されており、半導体チップ２は、例えば、単結晶珪素からなる半導体基板及びこの半導体基板上に形成された配線層を主体とする構成になっており、その平面形状は方形状で形成されている。
【００３６】
さらに、配線板１の一方の面には、複数の電極パッド１Ａが形成され、配線板１の他方の面には複数の電極パッド１Ｂが形成されている。尚、これら電極パッド１Ａ、１Ｂの夫々は、その平面形状は円形状で形成されるとともに、配線板１に形成された配線を介して互いに電気的に接続されている。
【００３７】
また、複数の電極パッド１Ａは、配線板１の一方の面においてマトリックス状に配列され、複数の電極パッド１Ｂは、配線板１の他方の面のチップ搭載領域を囲むその周辺領域において半導体チップ２の各辺に沿って配列されている。
【００３８】
また、半導体チップ２には、図示しないが、論理回路システム、記憶回路システム、Ａ／Ｄ変換回路システム、増幅回路システム、或いはこれらの混合回路システム等が搭載されている。尚、これらの回路システムは、半導体基板に形成された半導体素子、配線層に形成された配線等によって構成されている。
【００３９】
そして、半導体チップ２の表裏面のうちの表面である回路形成面には、半導体チップ２の外周囲の各辺に沿って複数の電極パッド（ボンディングパッド）２Ａが形成されている。
【００４０】
この複数の電極パッド２Ａの夫々は、配線層のうちの最上層の配線層に形成され、回路システムを構成する半導体素子に配線を介して電気的に接続されている。尚、複数の電極パッド２Ａの夫々は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜またはアルミニウム合金膜等で形成されている。
【００４１】
そして、半導体チップ２の電極パッド２Ａは、導電性のワイヤ３を介して、配線板１の他方の面に設けられた電極パッド１Ｂに電気的に接続されている。尚、ワイヤ３としては例えば金（Ａｕ）ワイヤを用いており、ワイヤ３の接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法を用いている。
【００４２】
また、半導体チップ２やワイヤ３は、配線板１の他方の面に形成された樹脂封止体４によって封止されている。尚、樹脂封止体４は、例えば、フェノール系硬化剤やシリコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系の樹脂などで形成されている。
【００４３】
また、図２に示されるように、実装基板２０の一方の面には、配線板１の一方の面に設けられた複数の電極パッド１Ａと対応するように配置された複数の第１のランド端子２０Ａがマトリックス状に設けられている。尚、この第１のランド端子２０Ａは、その平面形状は円形状で形成されている。
【００４４】
さらに、実装基板２０の一方の面の四隅には、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも大きい外形サイズで形成された第２のランド端子２０Ｂが設けられている。尚、この第２のランド端子２０Ｂは、上記第１のランド端子２０Ａと同様に、その平面形状は円形状で形成されている。
【００４５】
本実施形態では、第１のランド端子２０Ａの縦方向の高さ（実装基板２０の表面から最上部までの高さ）Ｈ１は、例えば０．０５［ｍｍ］程度に設定され、第２のランド端子２０Ｂの縦方向の高さ（実装基板２０の表面から最上部までの高さ）Ｈ２は、例えば０．１［ｍｍ］程度に設定されている（図１参照）。また、第１のランド端子２０Ａのランド径（最大となる中間部分での幅）Ｗ１は、例えば０．２５［ｍｍ］程度に設定され、第２のランド端子２０Ｂのランド径（最大となる中間部分での幅）Ｗ２は、例えば０．４［ｍｍ］程度に設定されている（図２参照）。
【００４６】
また、図３に示されるように、配線板１の一方の面には、実装基板２０の一方の面に設けられた第１のランド端子２０Ａと対応するように配置された第１のバンプ電極５Ａと、実装基板２０の一方の面に四隅に設けられた第２のランド端子２０Ｂと対応するように配置されるとともに、第１のバンプ電極５Ａの融点よりも低い融点を有する導電材で形成された第２のバンプ電極５Ｂが設けられている。
【００４７】
これら第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂは、電極パッド１Ａを介して半導体チップ２の電極パッド２Ａに電気的に接続されている。尚、これら第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂは、導電材として錫（Ｓｎ）―銀（Ａｇ）組成の半田材で球形状に形成されている。
【００４８】
本実施形態では、第１のバンプ電極５Ａの外形サイズと第２のバンプ電極５Ｂの外形サイズは同一サイズに設定されている。また、第１のバンプ電極５Ａ間の配列ピッチＷ３は、例えば０．３［ｍｍ］程度に設定され、第１のバンプ電極５Ａと第２のバンプ電極５Ｂとの間の配列ピッチＷ４は、例えば０．６［ｍｍ］程度に設定されている。
【００４９】
そして、これら第１のランド端子２０Ａ及び第２のランド端子２０Ｂと電極パッド１Ａとを対向させた状態でＢＧＡ型半導体装置１０は実装基板２０の上に搭載されており、これらＢＧＡ型半導体装置１０と実装基板２０との間には、第１のランド端子２０Ａ及び第２のランド端子２０Ｂと電極パッド１Ａとを電気的に接続する第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂが介在されるような構成になっている。
【００５０】
次に、ＢＧＡ型半導体装置１０の製造方法について簡単に説明する。
【００５１】
まず、配線板１を準備し、配線板１の他方の面のチップ搭載領域に接着剤を介在して半導体チップ２を搭載する。
【００５２】
続いて、半導体チップ２の電極パッド２Ａと配線板１の電極パッド１Ｂとを導電性のワイヤ３で電気的に接続し、これら半導体チップ２及びワイヤ３を樹脂封止体４で封止する。
【００５３】
続いて、配線板１の一方の面を上向きにした状態で、配線板１に形成された複数の電極パッド１Ａ上にＳｎ−Ａｇ組成の半田ボールを供給し、その後、所定の温度でこの半田ボールを溶融して第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂを形成することにより、ＢＧＡ型半導体装置１０が完成する。尚、半田ボールの供給は、例えばガラスマスクを用いたボール供給法または吸引治具を用いたボール供給法で行うことができる。
【００５４】
次に、上記製造方法にて完成したＢＧＡ型半導体装置１０を実装基板２０に実装する方法について、図４を用いて説明する。
【００５５】
まず、図４（ａ）に示すような実装基板２０を準備する。この実装基板２０は、実装面の装置搭載領域に第１のランド端子２０Ａ及び第２のランド端子２０Ｂを設けた構成になっている。そして、第１のランド端子２０ＡはＢＧＡ型半導体装置１０の第１のバンプ電極５Ａと同一の配列状態で配列され、第２のランド端子２０ＢはＢＧＡ型半導体装置１０の第２のバンプ電極５Ｂと同一の配列状態で配列されている。これら第１のランド端子２０Ａ、第２のランド端子２０Ｂの夫々の平面形状は円形状で形成され、第２ランド端子２０Ｂは、第１のランド端子２０Ａの外形サイズ（縦方向の高さＨ１及びランド径Ｗ１）よりも大きい外形サイズ（縦方向の高さＨ２及びランド径Ｗ２）で形成されている。
【００５６】
続いて、図４（ａ）に示されるように、実装基板２０の実装面の装置搭載領域にＢＧＡ型半導体装置１０を搭載機（図示せず）により位置合わせして搭載する。この工程において、溶融によって作用するセルフアライメント機能の矯正範囲は第１のバンプ電極５Ａよりも第２のバンプ電極５Ｂの方が大きいことから、搭載機の位置合わせ精度は第２のバンプ電極５Ｂの溶融によって作用するセルフアライメント機能の矯正範囲であれば良いので、搭載速度の速い搭載機を用いることができる。
【００５７】
続いて、ＢＧＡ型半導体装置１０及び実装基板２０をリフロー炉（図示せず）に搬送し、その後、熱処理を施して第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂを溶融する。この工程において、溶融した第２のバンプ電極５Ｂは第２のランド端子２０Ｂに濡れ拡がり、その後、濡れ拡がった第２のバンプ電極５Ｂの表面張力によるセルフアライメント機能によって、図４（ｂ）に示されるように、ＢＧＡ型半導体装置１０は所定の搭載位置に位置合わせされながら実装基板２０に接近し、第１のランド端子２０Ａに第１のバンプ電極５Ａが接触する。
【００５８】
その後、溶融した第１バンプ電極５Ａが第１のランド端子２０Ａに濡れ拡がり、その後、濡れ拡がった第１のバンプ電極５Ａの表面張力によるセルフアライメント機能によって、図４（ｃ）に示されるように、ＢＧＡ型半導体装置１０は所定の搭載位置に位置合わせされながら実装基板２０に接近する。
【００５９】
その後、熱処理温度を降下させ、第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂを硬化させることにより、ＢＧＡ型半導体装置１０を実装基板２０に実装する工程は完了する。
【００６０】
このように、本実施形態では、第２のランド端子２０Ｂは、第１のランド端子２０Ａの外形サイズ（縦方向の高さＨ１及びランド径Ｗ１）よりも大きい外形サイズ（縦方向の高さＨ２及びランド径Ｗ２）で形成されているため、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を実装する際には、第１のバンプ電極５Ａが第１のランド端子２０Ａに接触する前に第２のバンプ電極５Ｂが第２のランド端子２０Ｂに接触するとともに、溶融によって作用するセルフアライメント機能の矯正範囲は、第１のバンプ電極５Ａよりも第２のバンプ電極５Ｂの方が大きい。
【００６１】
従って、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を実装する際に、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を搭載したときの位置ずれが第２のバンプ電極５Ｂの溶融によるセルフアライメント機能の矯正範囲であれば、第２のランド端子２０Ｂと第２のバンプ電極５Ｂとの位置合わせを第１のランド端子２０Ａと第１のバンプ電極５Ａとの接合前の行うことができる。
【００６２】
その結果、特定のバンプ電極５の外形サイズを大きくすることなく、隣の第１のランド端子２０Ａと第１のバンプ電極５Ａとの接触を回避することができ、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良を低減することができる。
【００６３】
ところで、ＢＧＡ型半導体装置１０は、実装基板２０に実装する前に、例えば、図７に示されるような箱状のＩＣ検査用ソケット３０を用いて、その性能を検査する必要がある。
【００６４】
検査方法としては、ＩＣ検査用ソケット３０の内部にＢＧＡ型半導体装置１０を配設して、スプリング３２の高さを可変することにより調整手段３３が設けられた複数のピン３１の高さを調整し、第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂと対応するようにＩＣ検査用ソケット３０の裏面に設けられた複数のピン３１を通して電気的な検査をすることにより、ＢＧＡ型半導体装置１０の性能を検査している。
【００６５】
しかしながら、従来技術のように、特定のバンプ電極５の外形サイズを大きくした場合、バンプ電極５の数が増減することにより、外形サイズの大きいバンプ電極５に対応するように設けられたピン３１の配置位置が異なってしまうため、ピン３１の設計が標準化ができないという問題がある。
【００６６】
また、上述のように、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子２０Ｂを設けたことにより、図２及び図３に示されるように、第２のランド端子２０Ｂと隣り合うランド端子２０Ｃ及びこのランド端子２０Ｃに対応するバンプ電極５Ｃを削除する必要がある。
【００６７】
そこで、本実施形態では、図３に示されるように、第１のバンプ電極５Ａ間の配列ピッチＷ３は０．３［ｍｍ］程度に設定され、第１のバンプ電極５Ａと第２のバンプ電極５Ｂとの間の配列ピッチＷ４は０．６［ｍｍ］程度に設定されている。即ち、第２のバンプ電極５Ｂとこれと隣り合う第１のバンプ電極５Ａとの距離が、第１のバンプ電極５Ａ間の距離の整数倍になっている。
【００６８】
このように、バンプ電極５の外形サイズを全て同一サイズにするとともに、第２のバンプ電極５Ｂと第２のバンプ電極５Ｂと隣り合う第１のバンプ電極５Ａとの距離を第１のバンプ電極５Ａ間の距離の整数倍にしたことにより、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子２０Ｂを設けたとしても、図７に示すようなＩＣ検査用ソケット３０のピン３１の設計を変更する必要はないので、ピン３１の設計を標準化することができる。
【００６９】
さらに、本実施形態では、第２のバンプ電極５Ｂは、第１のバンプ電極５Ａの融点よりも低い融点を有する導電材で形成されているため、第１のバンプ電極５Ａを溶融することなく、第２のバンプ電極５Ｂを溶融することができる。
【００７０】
従って、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を実装する際に、第２のランド端子２０Ｂと第２のバンプ電極５Ｂとの位置合わせを第１のバンプ電極５Ａの溶融前に事前に行うことができるので、隣の第１のランド端子２０Ａと第１のバンプ電極５Ａとの接触を回避することができ、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良をより低減することができる。
【００７１】
また、上述のように、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子２０Ｂを設けたことにより、第２のランド端子２０Ｂと隣り合うランド端子２０Ｃ及びこのランド端子２０Ｃに対応するバンプ電極５Ｃを削除する必要があるが、本実施形態では、図２に示されるように、第２のランド端子２０Ｂを実装基板２０の一方の面の四隅に設けているため、削除するバンプ電極５の数を最小にすることができる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、搭載機の位置合わせ精度は、第２のランド端子２０Ｂに対応する第２のバンプ電極５Ｂの矯正範囲であれば良いので、搭載速度が速い搭載機を用いることができ、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装効率を高めることができる。
【００７３】
また、本実施形態によれば、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良を低減することができるので、このＢＧＡ型半導体装置１０を実装基板２０に実装して形成される電子装置の歩留まりを高めることができる。
【００７４】
尚、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、様々な態様に適用可能である。
【００７５】
例えば、上記実施形態では、半導体装置としてＢＧＡ型半導体装置に適用した例について説明したが、これに限られるものではなく、例えば、基板上に直接配線が施され、半導体チップとほぼ同等あるいはわずかに大きいサイズのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）にも適用可能である。
【００７６】
また、上記実施形態では、第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂを球形状で形成した例について説明したが、これに限られるものではなく、第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂは必ずしも球形状で形成する必要はなく、少なくとも、実装の溶解による表面張力によってセルフアライメント機能が働くものであればよい。
【００７７】
また、上記実施形態では、第１のバンプ電極５Ａ及び第２のバンプ電極５Ｂを錫（Ｓｎ）―銀（Ａｇ）組成の半田材で形成した例について説明したが、これに限られるものではなく、例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）組成の半田材で形成してもよい。
【００７８】
また、上記実施形態では、第２のランド端子２０Ｂを実装基板２０の一方の面の四隅に設けた例について説明したが、第２のランド端子２０Ｂの数及び配置は上記実施形態に限定されるものではない。
【００７９】
また、上記実施形態では、図２及び図３に示されるように、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも大きい外形サイズの第２のランド端子２０Ｂを設けたことによって削除するランド端子２０Ｃ及びバンプ電極５Ｃを夫々２つとしているが、これに限られるものではなく、削除するランド端子２０Ｃ及びバンプ電極２０Ｃは３つ以上であってもよい。この場合、第２のバンプ電極５Ｂの溶融によるセルフアライメント機能の矯正範囲を広くすることができるため、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良をより低減することができる。
【００８０】
また、上記実施形態では、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも第２のランド端子２０Ｂの外形サイズを大きくする手段として、第２のランド端子２０Ｂ自体の外形サイズを大きくしているが、これに限られるものではなく、例えば、図５に示されるように、第２のランド端子２０Ｂの表面に導電材４０を設けたことにより、第１のランド端子２０Ａの外形サイズよりも第２のランド端子２０Ｂの外形サイズを大きくしても良い。
【００８１】
この場合、第２のランド端子２０Ｂの表面に設けられた導電材４０としては、第１のバンプ電極５Ａの融点よりも低い融点を有する導電材を用いると、第１のバンプ電極５Ａを溶融することなく、第２のランド端子２０Ｂの表面に設けられた導電材４０を溶融することができる。従って、実装基板２０にＢＧＡ型半導体装置１０を実装する際に、第２のランド端子２０Ｂと第２のバンプ電極５Ｂとの位置合わせを第１のバンプ電極５Ａの溶融前に事前に行うことができるので、隣の第１のランド端子２０Ａと第１のバンプ電極５Ａとの接触を回避することができ、ＢＧＡ型半導体装置１０の実装不良をより低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＢＧＡ型半導体装置を実装基板に搭載させたときの断面構造を示す図である。
【図２】図１における実装基板の平面構造を示す図である。
【図３】図１における配線板の平面構造を示す図である。
【図４】（ａ）から（ｃ）は本発明の一実施形態に係るＢＧＡ型半導体装置の実装方法を説明するための断面構造を示す図である。
【図５】その他の実施形態を示す図である。
【図６】従来技術のＢＧＡ型半導体装置を実装基板に搭載させたときの断面構造を示す図である。
【図７】ＩＣ検査用ソケットにＢＧＡ型半導体装置を配設した状態を示す図である。
【符号の説明】
１…配線板、
１Ａ、１Ｂ…電極パッド、
２…半導体チップ、
２Ａ…電極パッド、
３…ワイヤ、
４…樹脂封止体、
５Ａ…第１のバンプ電極、
５Ｂ…第２のバンプ電極、
５Ｃ…削除バンプ電極、
１０…ＢＧＡ型半導体装置、
２０…実装基板、
２０Ａ、２０Ｂ…ランド端子、
２０Ｃ…削除ランド端子、
３０…ＩＣ検査用ソケット、
３１…ピン、
３２…スプリング、
３３…調整手段、
４０…導電材、
Ｈ１、Ｈ２…ランド端子の縦方向の高さ、
Ｗ１、Ｗ２…ランド端子のランド径、
Ｗ３、Ｗ４…配列ピッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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