(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気溶融法によって得られた円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また外周部に容器状電極を配置し、加熱下で前記電極間に直流電圧を印加して、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｂ以下になるよう高純度化した後に、
前記高純度化した石英ガラスインゴットをクリーンルーム内で火炎加工することを特徴とする高純度石英ガラス製品の製造方法。
【請求項２】
電気溶融法によって得られた円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また外周部に容器状電極を配置し、加熱下で前記電極間に直流電圧を印加して、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｂ以下になるよう高純度化した後に、
前記高純度化した石英ガラスインゴットを所要の成型品に研削加工してから洗浄し、
前記洗浄した成型品にクリーンルーム内で火炎加工を施すことを特徴とする高純度石英ガラス製品の製造方法。
【請求項３】
研削加工成型品の洗浄に、界面活性剤を使用することを特徴とする請求項２記載の高純度石英ガラス製品の製造方法。
【請求項４】
円筒状石英ガラスインゴットの内周部と円柱状電極との隙間、もしくは外周部と容器状電極との隙間に、平均粒径１０〜１０００μｍの絶縁性トラップ粉を充填介挿することを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一記載の高純度石英ガラス製品の製造方法。
【請求項５】
絶縁性トラップ粉が結晶質絶縁性粉末であることを特徴とする請求項４記載の高純度石英ガラス製品の製造方法。
【請求項６】
クリーンルーム内で側壁方向から床面側に向かってクリーンエアーを流入させ、かつ天井側へ流して排気することを特徴とする請求項１ないし請求項５いずれか一記載の高純度石英ガラス製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の製造工程などにおける熱処理で、処理装置の部材・付属品、治具などに使用する高純度石英ガラス製品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体の製造プロセス、特に、熱処理プロセスにおいては、耐熱性および純度の点から、処理装置の部材あるいは治具として、石英ガラス製品が使用されている。すなわち、半導体の製造プロセスにおいては、熱処理用炉芯管、ウエハー保持具、あるいはウエハーボートなどとして、円筒形状部材、管形状部材、平板形状部材などの各種形状の高純度石英ガラス製品が広く使用されている。
【０００３】
ところで、石英ガラスは、一般的に、主として水晶粉末、合成石英粉末などの石英ガラス原料を電気溶融法、プラズマ溶融法、あるいは酸水素炎溶融法（ベルヌーイ溶融法）などで溶融して製造されている。そして、上記半導体の製造プロセス用部材は、前記溶融法で製造・成形した石英ガラスインゴット、もしくは石英ガラスインゴットを研削などにより所定の寸法・形状に加工した加工体に、所要の温度に設定された炉内で、所要の直流電圧を印加して、石英ガラスインゴット中の不純物、たとえばＡｌ（アルミニウム）元素、アルカリ元素、アルカリ土類元素などを排除して高純度化している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記電界処理によって溶融石英ガラスを高純度化する場合、＋印加側電極からの金属不純物の移動距離が大きく影響するので、石英ガラスインゴットの形状・寸法などの制約を受けて、高純度化（不純物排除）を十分に達成できない恐れがある。
【０００５】
また、電気溶融石英ガラスは、ＯＨ基含有量が低いため、石英ガラス中での金属不純物が拡散・移動し易い傾向があり、たとえば同じＦｅ含有量の電気溶融石英ガラス、および酸水素炎溶融石英ガラスを用いた各ウエハーボートで、半導体ウエハーを熱処理した場合、後者に比べて前者では、Ｆｅによる半導体ウエハーの汚染が多い傾向にある。
【０００６】
本発明は、上記事情に対処してなされたもので、Ｆｅ濃度が大幅に低減された高純度石英ガラス製品を歩留まりよく製造できる製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、電気溶融法によって得られた円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また外周部に容器状電極を配置し、加熱下で前記電極間に直流電圧を印加して、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｂ以下になるよう高純度化した後に、
前記高純度化した石英ガラスインゴットをクリーンルーム内で火炎加工することを特徴とする高純度石英ガラス製品の製造方法である。
【０００８】
請求項２の発明は、電気溶融法によって得られた円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また外周部に容器状電極を配置し、加熱下で前記電極間に直流電圧を印加して、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｂ以下になるよう高純度化した後に、
前記高純度化した石英ガラスインゴットを所要の成型品に研削加工してから洗浄し、
前記洗浄した成型品にクリーンルーム内で火炎加工を施すことを特徴とする高純度石英ガラス製品の製造方法である。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項２記載の高純度石英ガラス製品の製造方法において、研削加工成型品の洗浄に界面活性剤を使用することを特徴とする。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３いずれか一記載の高純度石英ガラス製品の製造方法において、円筒状石英ガラスインゴットの内周部と円柱状電極との隙間、もしくは外周部と容器状電極との隙間に、平均粒径１０〜１０００μｍの絶縁性トラップ粉を充填介挿してすることを特徴とする。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項４記載の高純度石英ガラス製品の製造方法において、絶縁性トラップ粉が結晶質絶縁性粉末であることを特徴とする。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５いずれか一記載の高純度石英ガラス製品の製造方法において、クリーンルーム内で側壁部から床面側に向かってクリーンエアーを流入させ、かつ天井側へ流して排気することを特徴とする。
【００１３】
請求項１ないし６の発明は、次のような知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明者らは、半導体の製造プロセスで使用する治具、たとえば石英ガラス製ラダーボートなどについて、鋭意検討した結果、（ａ）円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また、外周部に容器状電極を配置した電界処理により、電気溶融石英ガラスインゴット中のＦｅ濃度を１０ｐｐｂ以下に、除去・高純度化（濃度低下）しておくこと、（ｂ）Ｆｅ濃度を１０ｐｐｂ以下とした後、クリーンルーム内で火炎加工して形状・寸法を調整すること、（ｃ）前記クリーンルーム内での火炎加工によりＦｅ濃度を５０ｐｐｂ以下に維持できること、（ｄ）結果としてＦｅ不純物による不都合を容易に防止ないし回避できること、（ｅ）さらに、電界処理に当たって一方の電極との間に絶縁性トラップ粉を介在させると高純度化の促進に有効なことなどを見出し、これらの発明に至ったものである。
【００１４】
請求項１ないし６の発明において、被加工体となる石英ガラスインゴットは、電気溶融法で作製された円筒状であり、その構造ないし形態、寸法などは、特に、制約されない。なお、被加工体となる円筒状石英ガラスインゴットは、通常、Ｆｅ（不純物）を３００〜５００ｐｐｂ程度含有している。また、電界処理した石英ガラスインゴットから研削加工される成型品（成形体）は、ラダーボート、リングボート、フォーカスボート、エッテャー部材などである。
【００１５】
請求項１ないし６の発明において、この被加工体の高純度化は、一般的に、次のように行われる。先ず、たとえば黒鉛やＳＵＳなどの導電性物質から成る円筒容器状の割型ケース（容器状電極）を組み立て、この内側底部に、シリカガラスなどの非晶質絶縁性粉、あるいは水晶、アルミナ、ジルコニアなどの結晶質絶縁性粉末から成るトラップ粉を敷き詰める。ここで、トラップ粉の平均粒径は、円筒状石英ガラスインゴットとの密着性の点から、１０〜１０００μｍ程度が好ましく、より好ましくは５０〜３００μｍ程度である。
【００１６】
次に、前記トラップ粉を敷き詰めた割型ケース内に、円筒状の石英ガラスインゴットを同軸的ないし同心円的に挿入配置し、この石英ガラスインゴットの空間部（内周部）に、円柱状のカーボン電極を同じく同軸的に挿入配置する。その後、石英ガラスインゴットと割型ケースとの間に、上記と同種のトラップ粉末を充填する。次いで、この組み立て体を加熱炉内に配置して、加熱炉内温度を８００〜１４００℃程度として、円柱状のカーボン電極（＋極側）と割れ型ケース（−極側）との間に、３〜５ＫＶ程度の直流電圧を印加して電界処理する。
【００１７】
前記直流電圧の印加により、石英ガラスインゴット中のＦｅ不純物は、−極側（石英ガラスインゴットの外周側）に拡散移動して、外周面に密着的に介在するトラップ粉末にトラップされる。そして、所定時間の電界処理終了後は、加熱炉内で室温まで冷却してから組み立体を炉外に取り出し、割型ケースを分割することで、Ｆｅ含有量１０ｐｐｂ以下の高純度化させた円筒状石英ガラスが得られる。
【００１８】
上記電界処理においては、シリカガラスなどの非晶質絶縁性粉、あるいは水晶、アルミナ、ジルコニアなどの結晶質絶縁性粉末のいずれかをトラップ粉末として介在させることにより、石英ガラスインゴット中のＦｅ不純物が、容易に−極側へ拡散移動する。ここで、トラップ粉末を介在させない場合は、Ｆｅ不純物が石英ガラスインゴットの外周面領域に残留するので、最終的には外周面領域の研削加工などを要する。
【００１９】
なお、上記トラップ粉末の使用において、非晶質絶縁性粉を介在させる場合は、加熱炉内の温度を１０００℃以下に設定することが望ましい。つまり、非晶質絶縁性粉の場合、１０００℃を超える温度では、石英ガラスインゴットの外周面に焼結付着する恐れがある。ただし、電界処理時の加熱温度を１０００℃以下に設定すると、Ｆｅ不純物の拡散移動性が低下するので、電界処理時間が長くなって、石英ガラスインゴットが失透する可能性もある。このような意味で、トラップ粉末としては、上記結晶質絶縁性粉末が望ましく、この場合は、電界処理時の加熱温度を１２００〜１４００℃に設定して、高純度化を効率よく進めることができる。
【００２０】
また、上記電界処理は、割型ケースの内周面に円筒状石英ガラスインゴットの外周面を当接させて配置・装着し、円筒状石英ガラスインゴットの内周側にトラップ粉末を介してカーボン電極を挿入配置する構成を採って行ってもよい。そして、この場合には、割型ケースを＋極側、カーボン電極を−極側として電界処理を行う。
【００２１】
さらに、上記電界処理の時間は、円筒状石英ガラスインゴットの寸法・構造もしくは形態、印加する直流電圧、加熱温度などによって異なるが、たとえば加熱雰囲気が大気中、加熱温度１３６０℃、印加直流電圧４ＫＶ、約２０時間で、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｂ以下に高純度化する。そして、高純度化した石英ガラスインゴットなどの加工は、初期クリーン度が１０／ＣＦ（Ｃｕｂｉｃ  Ｆｏｏｔ）であり、加工工程時に１０，０００／ＣＦクリーン度が維持されたクリーンルーム内で、いわゆる火炎加工方式で行われる。
【００２２】
つまり、円筒状の石英ガラスインゴットの高純度化（電界処理）を行った後、石英ガラスインゴットの伸延、曲げ、溶接などの加工をクリーンルーム内で、火炎加工方式により行うことによって、Ｆｅの含有量を５０ｐｐｂ以下に維持した高純度石英ガラス製品が得られる。
【００２３】
請求項２の発明において、Ｆｅ含有量が１０ｐｐｂ以下に高純度化した石英ガラスインゴットの研削加工は、いわゆるブロックから所望成形品を作製したり、あるいは成形したブロック（一次成形体）の形状・寸法を補正するために行われる。なお、この研削加工後に、クリーンルーム内で火炎加工を施す際、前記研削加工で付着した微細な加工屑類、有機物などが残存していると高純度化が損なわれ恐れがある。
【００２４】
したがって、前記研削加工後、たとえば純水、フッ化水素水溶液、弱アルカリ水溶液、界面活性剤などの洗浄剤で、その研削加工品を洗浄して清浄化しておくことが好ましい。なお、洗浄剤としては、清浄化作用および後工程への影響などを考慮すると、たとえば  デペール（商品名、日化精工社）ＥＲＭ−Ｃ（商品名、三菱化学社）、クリーンスルー（商品名、花王社）などの炭化水素、およびアルキレンオキサイド化合物を主成分とした非イオン性の界面活性剤が好ましい。
【００２５】
請求項１ないし５の発明において、クリーンルーム内での火炎加工に当たり、いわゆるクリーンエアーは、常套的に、ダウンフローで床面側から吸い込み・排気する方式でもよいが、室内側壁面から床面側に向かってクリーンエアーを流入させ、かつ天井側へ流して排気する方式が好ましい。
【００２６】
すなわち、火炎加工を行うクリーンルーム内では、火炎加工により石英ガラスからシリカのベーパーが発生する。そして、上記クリーンエアーのダウンフロー方式の流れでは、シリカベーパーが十分に排気されず、クリーンルーム内に残留して、二次汚染を招来する恐れがある。これに対して、クリーンエアーを床面側に向かって流入させ、かつ天井側へ流して排気する方式は、シリカベーパーが十分に排気され、クリーンルーム内での残留を回避ないし防止できる。
【００２７】
請求項１の発明では、電気溶融法で得られた円筒状石英ガラスインゴットを素材とし、その内周部に円柱状電極を挿入配置し、また、外周部にこれを覆うような容器状電極を配置した電極間に、直流電圧をする電界処理によって、前記石英ガラスインゴットのＦｅ濃度が大幅に低減化（高純度化）され、加えて、クリーンルーム内で所要の火炎加工が行われる。そして、石英ガラスインゴットは、高純度化され、かつ高純度化された状態を保持できる環境において、火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度石英ガラス製品の提供が可能になる。
【００２８】
請求項２の発明では、電気溶融法で得られた円筒状石英ガラスインゴットを素材とし、その内周部に円柱状電極を挿入配置し、また、外周部にこれを覆うような容器状電極を配置し、これら電極間に、直流電圧をする電界処理によって、前記石英ガラスインゴットのＦｅ濃度が大幅に低減化（高純度化）され、クリーンルーム内での火炎加工に先だって、一次的な研削加工を行った後に洗浄するため、石英ガラスインゴットの寸法精度などの改善も図られ、高純度を維持することができる。つまり、石英ガラスインゴットは、高純度化され、かつ寸法精度を向上させ、研削加工時に付着した不純物を確実に除去でき、高純度状態を保持したまま火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない精度の高い高純度石英ガラス製品の提供がより容易に可能となる。
【００２９】
請求項３の発明では、クリーンルーム内での火炎加工に先立つ一次的な研削加工後において、石英ガラスインゴットを界面活性剤で洗浄処理する。この洗浄処理においては、研削加工面などに発生するマイクロクラックに残存する研削液なども簡単に除去されるので、研削加工に伴う表面汚染の清浄化が図られる。つまり、石英ガラスインゴットは、高純度化され、寸法精度も向上されるとともに、清浄化された状態を保持したまま火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度石英ガラス製品の提供がより容易に可能となる。
【００３０】
請求項４および５の発明では、電気溶融法で得られた円筒状石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また、外周部にこれを覆うように容器状電極を配置し、この電極間に、直流電圧をする電界処理するに当たって、円筒状石英ガラスインゴットの内周部と円柱状電極との隙間、もしくは外周部と容器状電極との隙間に、絶縁性のトラップ粉を充填・介挿させ対接する電極との密着化を図っているため、前記石英ガラスインゴットのＦｅ濃度の低減化（高純度化）が、より促進され、かつ石英ガラスインゴットの歩留まりを高めることがでる。特に、絶縁性のトラップ粉の平均粒径を５０〜３００μｍ程度に設定した場合、絶縁性のトラップ粉の材質を結晶質系とした場合は、効率よく高純度化が図られる。
【００３１】
請求項６の発明では、クリーンルーム内において、室内側面（室内側壁部）からクリーンエアーを下方もしくは床面側に吹き出し、上方もしくは天井側に排気されるように澱みを発生しない流れを形成するため、火炎加工によって発生したシリカベーパーもスムースに排除される。つまり、クリーンルーム内にシリカベーパー残留することがなくなるので、二次汚染の現象が解消され、より高純度な石英ガラス製品を提供し易くなる。
【００３２】
【発明の実施形態】
【００３３】
以下、図１および図２を参照して実施例を説明する。
【００３４】
実施例１
【００３５】
水晶などの天然の結晶質二酸化ケイ素（シリカ）を粉砕して得た粒径１０〜１０００μｍのシリカ粉末を精製後、電気溶融法によって石英ガラスを製造する。次に、前記溶融石英ガラスを外径２１０ｍｍ、内径７０ｍｍ、長さ４５０ｍｍの円筒体（石英ガラスインゴット）に成形する。その後、図１に実施態様の概略を示すように、たとえば黒鉛などの導電性物質から成る割型ケース（容器状電極）１を組み立て、この内側底部に、平均粒径５０〜３００μｍ程度の水晶粉末から成るトラップ粉２を敷き詰める。
【００３６】
次に、前記トラップ粉２を敷き詰めた割型ケース１内に、円筒状の石英ガラスインゴット３を同軸的ないし同心円的に挿入配置し、この石英ガラスインゴット３の空間部（内周部）に、円柱状のカーボン電極４を密着的に挿入配置する。その後、石英ガラスインゴット３と割型ケース１との間に、上記と同種のトラップ粉末２を充填する。次いで、この組み立て体を加熱炉（図示省略）内に装着・配置して、加熱炉内（雰囲気：大気中）温度を１３６０℃として、円柱状のカーボン電極（＋電極）４と割れ型ケース（−電極）１との間に、４ＫＶの直流電圧を約３０時間印加して電界処理を行った。この電界処理後、石英ガラスインゴット３の一部を破壊し、Ｆｅ濃度を測定したところ７ｐｐｂであった。
【００３７】
その後、上記電界処理した石英ガラスインゴット３を、酸水素火炎バーナーを内装した初期クリーン度が１０／ＣＦのクリーンルーム内に移し、火炎温度２０００℃程度の酸水素火炎バーナーによって、半導体の製造プロセスで使用するラダーボートに加工した。なお、火炎加工時のクリーンルームのクリーン度が１０，０００／ＣＦとなるように制御した。こうして得たラダーボートは、表面領域におけるＦｅ濃度は、高々３５ｐｐｂに過ぎなかった。
【００３８】
すなわち、前記ラダーボートについて、酸素雰囲気下、１２００℃で１時間加熱して、Ｓｉウエハーへの影響をキャリアライフタイムで評価したところ、ラダーボート内部のＦｅ濃度は５ｐｐｂ、表層２０μｍ内のＦｅ濃度は２０ｐｐｂであり、そして、キャリアライフタイムは２１００μｓｅｃであった。また、ＦｅのＳｉウエハーへの転写量を表面ＭＣＬで測定したところ、２．５ｘ１０１０ａｔｍｓ／ｃｍ２であり、従来の技術手段で作製したラダーボートに較べ、重金属による半導体の汚染問題も改善され、半導体の製造歩留まりの向上、高性能化が図られることも確認された。
【００３９】
この実施例１において、図２に模式的に示すように、クリーンルーム５内のクリーンエアーの流れを側壁面側から床面５ａ側に向かって流入させ、かつ天井側５ｂへ流して排気する方式を採ると、より容易に、二次汚染を起こす恐れのない高純度のラダーボートが得られる。すなわち、火炎加工を行うクリーンルーム５内では、火炎加工により石英ガラスからシリカのベーパーが発生する。ここで、クリーンエアーを床面５ｂ側に向かって流入させ、かつ天井５ｂ側へ流して排気した場合は、シリカベーパーが十分に排気され、クリーンルーム５内での残留を回避ないし防止できるからである。なお、図２において、６ａ、６ｂはクリーンエアー供給部（吹き出し口）、７は排気フード（排気口）である。
【００４０】
実施例２
【００４１】
水晶などの天然の結晶質二酸化ケイ素（シリカ）を粉砕して得た粒径１０〜１０００μｍのシリカ粉末を精製後、電気溶融法によって石英ガラスを製造する。次に、前記溶融石英ガラスを外径２１０ｍｍ、内径７０ｍｍ、長さ４５０ｍｍの円筒体（石英ガラスインゴット）に成形する。その後、実施例１の場合と同様に電界処理を行う。この電界処理後、石英ガラスインゴットの一部を破壊し、Ｆｅ濃度を測定したところ１０ｐｐｂであった。
【００４２】
次いで、前記電界処理した円筒状の石英ガラスインゴットを、ダイヤモンドホイール研削加工法で、半導体の製造プロセスで使用する内径１５０ｍｍ、外径２８０ｍｍ、厚さ３．２ｍｍの石英ガラスリングを具備するリングボートに加工した。その加工後、直ちに、炭化水素およびアルキレンオキサイド化合物を主成分とした非イオン性の界面活性剤であるクリーンスルー（商品名，花王社製）水溶液で洗浄処理して、加工面に付着している二次不純物汚染を排除・清浄化した。
【００４３】
その後、前記洗浄処理した石英ガラス製リングボートを、酸水素火炎バーナーを内装したクリーンルーム（初期クリーン度が１０／ＣＦ）内に移し、火炎温度２０００℃程度の酸水素火炎バーナーによって、ファイヤーポリシッング加工などを施した。なお、火炎加工終了までのクリーンルームのクリーン度は、８，０００／ＣＦとなるように制御した。
【００４４】
上記ポリシッング加工したリングボートは、表面領域におけるＦｅ濃度が高々２０ｐｐｂに過ぎなかった。すなわち、前記リングボートについて、酸素雰囲気下、１２００℃で１時間加熱して、Ｓｉウエハーへの影響をキャリアライフタイムで定量化したところ、リングボート中のＦｅ濃度は５ｐｐｂ、表層２０μｍ内のＦｅ濃度は２０ｐｐｂであり、そして、キャリアライフタイムは２２５０μｓｅｃであった。また、ＦｅのＳｉウエハーへの転写量を表面ＭＣＬで測定したところ、２．２ｘ１０１０ａｔｍｓ／ｃｍ２であった。
【００４５】
この実施例２において、上記図２に模式的に示すように、クリーンルーム５内のクリーンエアーの流れを床面５ａ側に向かって流入させ、かつ天井側５ｂへ流して排気する方式を採ると、上記実施例１の場合と同様に、より容易に、二次汚染を起こす恐れのない純度のリングボートが得られる。
【００４６】
比較例
【００４７】
水晶などの天然の結晶質二酸化ケイ素（シリカ）を粉砕して得た粒径１０〜１０００μｍのシリカ粉末を精製後、電気溶融法によって石英ガラスを製造する。次ぎに、前記溶融石英ガラスを外径２１０ｍｍ、内径７０ｍｍ、長さ４５０ｍｍの円筒体（石英ガラスインゴット）に成形する。その後、円筒体（石英ガラスインゴット）の両端面に電極板を配置し、所要の温度に設定された炉内で、所要の直流電圧を印加して、円筒状石英ガラスインゴット中の不純物、たとえばＡｌ元素、アルカリ元素などを排除して高純度化する。
【００４８】
次に、前記電界処理した円筒状の石英ガラスインゴットを、ダイヤモンドホイール研削加工法で、半導体の製造プロセスで使用する内径１５０ｍｍ、外径２８０ｍｍ、厚さ３．２ｍｍの石英ガラスリングを具備するリングボートに加工し、また、酸水素バーナーによって、ファイヤーポリシッング加工などを施した。なお、この際の作業場のクリーン度は、１００，０００／ＣＦであった。
【００４９】
上記石英ガラス製リングボートについて、酸素雰囲気下、１２００℃で１時間加熱して、Ｓｉウエハーへの影響をキャリアライフタイムで定量化したところ、ラダーボート中のＦｅ濃度は３００ｐｐｂ、表層２０μｍ内のＦｅ濃度は６００ｐｐｂでありそして、キャリアライフタイムは４８５μｓｅｃであった。また、ＦｅのＳｉウエハーへの転写量を表面ＭＣＬで測定したところ、１５ｘ１０１０ａｔｍｓ／ｃｍ２であった。
【００５０】
上記実施例２および比較例から、この発明に係る製造方法で製造したリングボートは、従来の製造方法で製造したリングボートに比べ、重金属による半導体の汚染問題が大幅に改善されることが確認された。
【００５１】
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる。たとえば石英ガラス製品は、リングボートやラダーボート以外に、半導体製造プロセスで使用する他の石英ガラス部材にも適用できる。
【００５２】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、石英ガラスインゴットは、高純度化され、かつ高純度化された状態を保持する環境において、火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度の石英ガラス製品を容易に提供できる。
【００５３】
請求項２の発明によれば、石英ガラスインゴットは、高純度化され、かつ寸法精度を向上させ、研削加工時に付着した不純物を確実に除去でき、高純度な状態を保持したまま火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度石英ガラス製品を容易に提供できる。
【００５４】
請求項３の発明によれば、石英ガラスインゴットは、高純度化され、寸法精度も向上されるとともに、清浄化された状態を保持したまま火炎加工されるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度石英ガラス製品がより容易に提供できる。
【００５５】
請求項４および５の発明によれば、石英ガラスインゴットは、より容易に高純度化され、また、この高純度化も量産的、かつ歩留まりよく行われるため、半導体の製造プロセスで、悪影響を及ぼす恐れのない高純度石英ガラス製品がより低コストで提供できる。
【００５６】
請求項６の発明によれば、クリーンルーム内にシリカベーパーが残留することがなくなるので、二次汚染の現象が解消され、より高純度な石英ガラス製品が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る電界処理の実施態様の概略を模式的に示す断面図。
【図２】実施例に係る火炎加工を行うクリーンルーム内におけるクリーニングガスの流れ状態例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
１……割型ケース（容器状電極…−電極）
２……絶縁性トラップ粉
３……円筒状石英ガラスインゴット
４……カーボン電極（円柱状電極…＋電極）
５……クリーンルーム
５ａ……天井側
５ｂ……床面側
６ａ、６ｂ……クリーンエアー供給口
７……排気フード
【図１】
0003823017.tif 000002
【図２】
0003823017.tif 000003