(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する工程と、前記基体及び前記レジストパターン上に薄膜を形成する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成した前記薄膜を除去する工程とを有し、
前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成した前記薄膜を除去する工程は、前記基体を回転させる工程と、複数の高圧ノズルを用いた薬液噴霧工程と、ブラシによる洗浄工程とを含み、
前記薬液噴霧工程において、前記複数の高圧ノズルのうちの少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面に対して垂直方向に配置されており、別の少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面の面内方向に対する傾斜角度が７０度以上かつ９０度未満であり、且つ、垂直方向に配置された前記高圧ノズルの薬液吐出方向と薬液吐出方向とが実質的に前記基板上で交差するように傾斜して配置されていることを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記複数の高圧ノズルを前記基体の中心部から外周部に向けて移動させながら薬液を噴霧することを特徴とする請求項１記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記ブラシによる洗浄工程において、前記ブラシを自転させながら前記基体の中心部から外周部に向けて移動させるとともに、前記ブラシの前記基体表面への押し当て量を０μｍより大きく、かつ４００μｍ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられたマスター情報担体の製造方法であって、
前記基体上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する工程と、エッチングにより前記基体表面に強磁性薄膜埋設用穴を形成する工程と、前記強磁性薄膜埋設用穴および前記レジストパターン上に強磁性薄膜を堆積する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に堆積した前記強磁性薄膜を除去する工程とを有し、
前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に堆積した前記強磁性薄膜を除去する工程は、前記基体を回転させる工程と、複数の高圧ノズルを用いた薬液噴霧工程と、ブラシによる洗浄工程とを含み、
前記薬液噴霧工程において、前記複数の高圧ノズルのうちの少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面に対して垂直方向に配置されており、別の少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面の面内方向に対する傾斜角度が７０度以上かつ９０度未満であり、且つ、垂直方向に配置された前記高圧ノズルの薬液吐出方向と薬液吐出方向とが実質的に前記基板上で交差するように傾斜して配置されていることを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項５】
前記複数の高圧ノズルを前記基体の中心部から外周部に向けて移動させながら薬液を噴霧することを特徴とする請求項４に記載のマスター情報担体の製造方法。
【請求項６】
前記ブラシによる洗浄工程において、前記ブラシを自転させながら前記基体の中心部から外周部に向けて移動させるとともに、前記ブラシの前記基体表面への押し当て量を０μｍより大きく、かつ４００μｍ以下とすることを特徴とする請求項４に記載のマスター情報担体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜パターン形成方法及びマスター情報担体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜パターン形成方法には、フォトリソグラフィでパターン化されたレジストをマスクとして使用してエッチングする方法、電極層上にレジストパターンを形成しレジストの開口部に薄膜を形成するメッキ法、あるいは、基体表面にレジストパターンを形成し、基体及びレジストパターンの表面に薄膜を堆積した後、レジストパターン表面に堆積した薄膜をレジストともに除去するリフトオフ法などがある。
【０００３】
本発明は、リフトオフ法に関するものであり、図５を参照して、従来のリフトオフ法による薄膜形成方法について説明する。
【０００４】
まず、基体１上にレジストパターン２をフォトリソグラフィで形成する（図５（Ａ））。次に金属あるいは絶縁材料よりなる薄膜３をスパッタ法などで成膜する（図５（Ｂ））。次いで図５（Ｃ）に示すように超音波洗浄や高圧ノズルによる薬液噴霧でレジストパターン２及びレジストパターン２上の不要な薄膜３を除去し、薄膜パターン８を得る。
【０００５】
また、従来のリフトオフ法の他の一例を図６を用いて説明する。
【０００６】
まず、基体１上にレジストパターン３２をフォトリソグラフィで形成する（図６（Ａ））。この際、断面形状において、図６（Ａ）に示すように、側壁が逆テーパー形状となるようレジストパターンを形成する。次に、逆テーパー形状のレジストパターン３２及び基体１上に薄膜３を成膜し（図６（Ｂ））、超音波洗浄や高圧ノズルによる薬液噴霧でレジストパターン３２上の薄膜を除去し、薄膜パターン８を得る（図６（Ｃ））。このような逆テーパー形状のレジストパターン３２はその側壁２２に薄膜３の回り込みが少ないため、リフトオフが容易にできるという特徴がある。
【０００７】
従来のリフトオフ技術においては、高圧ノズルによる薬液噴霧を基軸として別の手段を付加的に導入することにより、リフトオフ工程の信頼性を向上せしめる様々な手法が提案されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平０３−２７４７２２号公報
特許文献１には、基板を回転させながらノズルから薬液噴霧を行うとともにブラシで洗浄することを特徴とするリフトオフ技術が記載されている。
【０００９】
【特許文献２】
特開平０１−０４１２１７号公報
特許文献２には、基板を低速回転させながら低圧力でレジスト剥離液を塗布した後、基板を高速回転させながら高圧力でノズルからレジスト剥離液を噴霧することを特徴とするリフトオフ技術が記載されている。
【００１０】
【特許文献３】
特開２０００−１０２７７０号公報
特許文献３には、ノズル圧を１ＭＰａ〜１５ＭＰａとして薬液噴霧を行うことを特徴とするリフトオフ技術が記載されている。
【００１１】
【特許文献４】
特開２０００−２６３０００号公報
特許文献４には、高圧ノズルの角度を基板表面に対して２０度〜４５度として薬液噴霧を行うことを特徴とするリフトオフ技術が記載されている。
【００１２】
また上記のような、従来のリフトオフ技術を用いて製造することのできる薄膜付き部品デバイスの一例として、磁気転写用マスター情報担体がある。
【００１３】
【特許文献５】
特開平１０−０４０５５４号公報
特許文献５には、転写すべきデジタル情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されたマスター情報担体の転写面と、磁気記録媒体の被転写面とを密着させ、マスター情報担体の強磁性薄膜パターンを磁化させることにより、磁気記録媒体に強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを転写記録する方法が記載されている。
【００１４】
上記のようなマスター情報担体を用いて良好に磁気転写記録を行うためには、マスター情報担体の前記強磁性薄膜のパターンが精度よく形成されることが必要である。
【００１５】
図７を参照して、従来のマスター情報担体の製造方法を説明する。
【００１６】
まず、基体１上にフォトリソグラフィでレジストパターン２を形成する（図７（Ａ））。このとき、レジストの開口部１１のパターンは、デジタル情報信号に対応している。次いで、エッチングにより基体１表面に凹部１２を形成する（図７（Ｂ））。次に図７（Ｃ）に示すように、レジストパターン２及び基体１の凹部１２の表面に強磁性薄膜１３を成膜した後、高圧ノズル６を用いてレジスト剥離液を噴霧し、レジストパターン２とレジストパターン２上の強磁性薄膜１３とを除去する。次いで、図７（Ｄ）に示すように、イソプロピルアルコール等の有機溶剤を吐出しながら、ブラシ７を回転させながら基体１及び強磁性薄膜１３上を基体中心部から外周部に向けて移動させ、基体１上を洗浄する。以上により、図７（Ｅ）に示すようにマスター情報担体の強磁性薄膜パターン２３を得る。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
図５に例示した従来のリフトオフ法では、図５（Ｃ）に示すように、薄膜パターン８の側壁にバリ４が残りやすいという課題があった。
【００１８】
これに対して、図６に例示した別のリフトオフ法では、側壁２２への薄膜３の回り込みが少ないため、図５の構成に比べてバリは生じ難い。しかしながらパターンの細線化に伴い、逆テーパ形状のレジストパターン３２が倒れやすくなり、微細パターンの形成が困難であるという課題があった。また、リフトオフ後の薄膜パターン８の断面形状は図６（Ｃ）に示すように台形状となるため、寸法精度が安定しないという課題も有していた。
【００１９】
さらに、図７に例示した従来のリフトオフ技術を用いたマスター情報担体の製造方法では、高圧ノズル６で噴霧したレジスト剥離液や、ブラシ７の先端が薄膜パターン２３の側壁にムラ無くあたらないと、バリ４が残るという課題があった。
【００２０】
このようなバリ４が残ったパターン形状を有するマスター情報担体は、磁気記録媒体の被転写面を傷つけ易く、また、磁気転写する際に磁気記録媒体の被転写面との間に局所的なスペーシングを生じるため、転写信号品質にバラツキを生じる。
【００２１】
本発明は、上記の各問題を解決し、薄膜パターンの端部にバリが残らず、良好な形状の薄膜パターンを形成することができる薄膜パターン形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は、強磁性薄膜パターンの端部にバリが残らず、その結果、被転写面が傷付けられることがなく、安定かつ正確に磁気転写可能なマスター情報担体を製造する方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために以下の構成とする。
【００２３】
本発明の薄膜パターン形成方法は、基体上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する工程と、前記基体及び前記レジストパターン上に薄膜を形成する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成した前記薄膜を除去する工程とを有し、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成した前記薄膜を除去する工程は、前記基体を回転させる工程と、複数の高圧ノズルを用いた薬液噴霧工程と、ブラシによる洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
かかる方法によれば、高圧ノズルを用いてレジストパターン及びレジストパターン上の薄膜の大部分を除去したのち、除去しきれなかった薄膜、特にレジストパターンの側壁近傍に付着した薄膜を、次のブラシ洗浄工程で除去することによって、良好な形状の薄膜パターンを得ることが出来る。
【００２５】
また、複数の高圧ノズルを用いて各々のノズルから基板表面に噴霧される薬液の角度を適切に制御することにより、薬液がレジストパターンの側壁部分を含めてムラ無く噴霧される。このような構成により、レジストパターン及びレジストパターン上の薄膜の除去能力が飛躍的に向上し、短時間で効率よくバリの無い所望の形状の薄膜パターンを得ることができる。
【００２６】
また、本発明のマスター情報担体の製造方法は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられたマスター情報担体の製造方法であって、前記基体上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する工程と、エッチングにより前記基体表面に強磁性薄膜埋設用穴を形成する工程と、前記強磁性薄膜埋設用穴および前記レジストパターン上に強磁性薄膜を堆積する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に堆積した前記強磁性薄膜を除去する工程とを有し、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に堆積した前記強磁性薄膜を除去する工程は、前記基体を回転させる工程と、複数の高圧ノズルを用いた薬液噴霧工程と、ブラシによる洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【００２７】
かかる製造方法によれば、高圧ノズルを用いてレジストパターン及びレジストパターン上の強磁性薄膜の大部分を除去したのち、除去しきれなかった強磁性薄膜、特にレジストパターンの側壁近傍に付着した強磁性薄膜を、次のブラシ洗浄工程で除去することによって、良好な形状の強磁性薄膜パターンを得ることが出来る。
【００２８】
また、複数の高圧ノズルを用いて各々のノズルから基板表面に噴霧される薬液の角度を適切に制御することにより、薬液がレジストパターンの側壁部分を含めてムラ無く噴霧される。このような構成により、レジストパターン及びレジストパターン上の強磁性薄膜の除去能力が飛躍的に向上し、短時間で効率よくバリの無い所望の形状の強磁性薄膜パターンを得ることができる。
【００２９】
その結果、磁気記録媒体の被転写面が傷付けられることがなく、安定かつ正確に磁気転写可能なマスター情報担体を製造することができる。
【００３０】
上記の薄膜パターン形成方法及びマスター情報担体の製造方法においては、前記複数の高圧ノズルのうちの少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面に対して垂直方向に配置されており、別の少なくとも１つの高圧ノズルは、前記基体表面に対する傾斜角度が７０度以上かつ９０度未満となるように傾斜して配置されることが好ましい。これにより、薬液がレジストパターンの側壁部分を含めてムラ無く噴霧されるとともに、レジストパターンと薄膜（又は強磁性薄膜）の除去能力がより向上し、バリの少ない薄膜パターンを得ることができる。
【００３１】
また、前記複数の高圧ノズルを前記基体の中心部から外周部に向けて移動させながら薬液を噴霧することが好ましい。これにより、基体の全面にわたり、所望する形状の薄膜パターンを得ることができる。
【００３２】
また、前記ブラシによる洗浄工程において、前記ブラシを自転させながら前記基体の中心部から外周部に向けて移動させるとともに、前記ブラシの前記基体表面への押し当て量を０μｍより大きく、かつ４００μｍ以下とすることが好ましい。これにより、基体の全面にわたり、バリのない良好な形状の薄膜パターンを安定して得ることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を図面を用いて詳細に説明する。以下に示す実施の形態では、リフトオフ法による薄膜パターン形成方法及びリフトオフ法により薄膜形成するマスター情報担体の製造方法について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく他の薄膜付き部品にも適用することが出来る。
【００３４】
（実施の形態１）
図１に本発明の実施の形態１の薄膜パターン形成方法を示す。
【００３５】
まず、シリコンウエハなどからなる基体１上にフォトリソグラフィでレジストパターン２を形成し（図１（Ａ））、これらの表面上に金属あるいは絶縁材料などの薄膜３を成膜する（図１（Ｂ））。
【００３６】
次に、図１（Ｃ）に示すように、複数本の高圧ノズル６を用いてレジストの剥離液（薬液）を噴霧して、レジストパターン２及びこの上に成膜された薄膜３を除去する。
【００３７】
図１（Ｃ）における複数本の高圧ノズル６の配置例を、図２により詳細に示す。図２に示すように、好ましくは、複数本の高圧ノズルのうちの少なくとも１本の高圧ノズル（第１高圧ノズル）６１は、その中心軸（薬液の吐出方向）が基体１の表面に対してなす角度θ１が９０度となるように配置され、別の少なくとも１本の高圧ノズル（第２高圧ノズル）６２は、その中心軸（薬液の吐出方向）が基体１の表面に対してなす角度θ２が９０度未満となるように傾斜して配置される。この際、第２高圧ノズル６２の前記傾斜角度θ２は７０度以上、かつ９０度未満であることがより好ましい。
【００３８】
このような構成により、複数本の高圧ノズルのうちの少なくとも１本の第１高圧ノズル６１からは基体１の表面に対して垂直に薬液が入射し、リフトオフされる薄膜３が成膜されたレジストパターン２の主として表面部分に向けて薬液が吐出される。一方、別の少なくとも１本の第２高圧ノズル６２からは基体１の表面に対して入射角７０度以上９０度未満の角度で斜めに薬液が入射し、リフトオフされる薄膜３が成膜されたレジストパターン２の主として側壁２２近傍に向けて薬液が吐出される。この結果、薬液がレジストパターン２の表面部分と側壁部分とにムラ無く噴霧される。
【００３９】
さらに、基板１に対して垂直に配置された第１高圧ノズル６１と基板１に対して傾斜して配置された第２高圧ノズル６２とは、両方の高圧ノズル６１、６２からそれぞれ吐出された薬液が基体１の表面上で相互に干渉し合い攪拌されるように、基体１上のほぼ同一の部分に向けて同時に薬液を吐出するように設置されていることが好ましい。リフトオフの際には、上記のように設置された一対の高圧ノズル６１、６２を、基体１を回転させながら基体１の中心部から外周部に向けて移動させ、薬液を噴霧する。
【００４０】
ここで用いられる高圧ノズルの数は２本に限られるものではなく、基体１の表面に対して垂直に配置された第１高圧ノズル６１が少なくとも１本設けられ、且つ、基体１の表面に対して傾斜して配置された第２高圧ノズル６２が少なくとも１本設けられている限り、さらに別の１本もしくは複数のノズルからも同一の部分に向けて同時に薬液を吐出するよう構成しても良い。このように、複数の高圧ノズル６を用いて薬液を噴霧することにより、薄膜３が異なる方向から噴霧された薬液に同時にさらされる結果、１本のみの高圧ノズルを用いていた従来の方法に比べて、バリの除去能力が格段に向上する。
【００４１】
高圧ノズル６は、従来から使用されている公知のものを使用することができる。また、高圧ノズル６からの薬液の噴霧条件は、例えば、高圧ノズル６に供給される薬液の圧力を５〜１０ＭＰａ、高圧ノズル６先端の薬液が吐出されるノズル径を０．１〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
【００４２】
また、高圧ノズル６から噴霧される薬液も、従来から使用されている公知のものを使用することができる。例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを主成分とする市販のレジスト剥離液を用いることができる。一実施例においては、シプレイ社製のマイクロポジットリムーバー１１６５を用いて本発明の効果を充分に得ることが出来た。
【００４３】
次に、基体１を回転させ、かつイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を基体１の表面上に吐出しながら、ブラシ７を回転させながら基体１の中心から外周部に向けて移動させ、基体１及び薄膜パターン３の表面を洗浄する（図１（Ｄ））。ブラシ７は、円盤の片面に耐薬品性の高い材質からなる太さ０．３ｍｍ程度のブラシ毛が多数植設されて構成される。耐薬品性に優れたブラシ毛の材質としては、例えば、ＰＦＡ（パーフルオロ・アルコキシ重合高分子化合物）などが適している。このブラシ洗浄工程を行なうことにより、図１（Ｃ）の薬液噴霧工程で除去しきれなかった薄膜３の端部のバリ４をほぼ完全に除去する。
【００４４】
ここでブラシ７の基体１の表面に対する押し当て量と得られる薄膜パターンの形状（バリの有無の観察結果）について検討した結果を表１に示す。なお、ブラシ７の基体１の表面に対する押し当て量Ｄは、図４に示すように、基体１の厚さをｔ、ブラシ７のブラシ毛の先端と基体１が搭載される基体ホルダー１０の上面との間の距離をｈとしたとき、Ｄ＝ｔ−ｈで表わされる。但し、ここで距離ｈは、基体ホルダー１０上に基体１を搭載していない状態でのブラシ毛先端と基体ホルダー１０の上面との距離を意味する。
【００４５】
【表１】
0003761506.tif 000002
【００４６】
表１より、ブラシ押し当て量が０μｍでは僅かにバリが観察された。また、４００μｍを超えるとブラシの押し当て力が強く、基体１の回転が不安定になった。以上の結果より、ブラシ押し当て量が、好ましくは０μｍより大きく、且つ４００μｍ以下、更に好ましくは５０〜４００μｍのときに、端部にバリのない良好な形状の薄膜パターン８が得られることがわかった（図１（Ｅ））。
【００４７】
（実施の形態２）
図３に本発明の実施の形態２のマスター情報担体の製造方法を示す。
【００４８】
シリコンウエハなどからなる非磁性の基体１上にレジストパターン２をフォトリソグラフィで形成する（図３（Ａ））。このとき、レジストの開口部１１のパターンは、磁気転写されるディジタル情報信号に対応している。
【００４９】
次に、エッチングにより、レジストパターン２が形成されていない部分１１に所定の深さの強磁性薄膜埋設用穴１４を形成する。
【００５０】
次に、レジスト２及び強磁性薄膜埋設用穴１４上に強磁性薄膜１３を成膜する。そして、図３（Ｃ）に示すように、複数本の高圧ノズル６を用いてレジスト剥離液（薬液）を噴霧して、レジストパターン２及びこの上に成膜された強磁性薄膜１３を除去する。好ましくは、図２で説明したのと同様に、複数本の高圧ノズル６のうちの少なくとも１本の第１高圧ノズル６１は基体１の表面に対して垂直に配置され、別の少なくとも１本の第２高圧ノズル６２は基体１の表面に対して傾斜して配置される。
【００５１】
基体表面に対して傾斜して配置された第２高圧ノズル６２の基体１の表面に対する傾斜角度θ２は、実施の形態１と同様に、７０度以上かつ９０度未満の範囲とすることが好ましい。
【００５２】
基体１の表面に対して垂直に配置された第１高圧ノズル６１は、リフトオフされる強磁性薄膜１３が成膜されたレジストパターン２の主として表面部分に向けて薬液を吐出する。一方、基体１の表面に対して上記の傾斜角度θ２で配置された第２高圧ノズル６２は、リフトオフされる強磁性薄膜１３が成膜されたレジストパターン２の主として側壁２２近傍に向けて薬液を吐出する。特に、サブμｍ幅のラインとスペースとの繰り返しパターンで構成されているマスター情報担体のレジストパターン２では、第２高圧ノズル６２の傾斜角度θ２が７０度未満になると、近接するレジストパターン２によるシャドー効果によって薬液がレジストパターンの側壁近傍２４（図２参照）に勢いよく衝突することが出来ず、リフトオフの効率低下やバリ４の取り残しが発生しやすい。
【００５３】
さらに、基板１に対して垂直に配置された第１高圧ノズル６１と基板１に対して傾斜して配置された第２高圧ノズル６２とは、両方の高圧ノズル６１、６２からそれぞれ吐出された薬液が基体１の表面上で相互に干渉し合い攪拌されるように、基体１上のほぼ同一の部分に向けて同時に薬液を吐出するように設置されていることが好ましい。リフトオフの際には、上記のように設置された一対の高圧ノズル６１、６２を、基体１を回転させながら基体１の中心部から外周部に向けて移動させ、薬液を噴霧する。
【００５４】
ここで用いられる高圧ノズルの数は２本に限られるものではなく、基体１の表面に対して垂直に配置された第１高圧ノズル６１が少なくとも１本設けられ、且つ、基体１の表面に対して傾斜して配置された第２高圧ノズル６２が少なくとも１本設けられている限り、さらに別の１本もしくは複数のノズルからも同一の部分に向けて同時に薬液を吐出するよう構成しても良い。このように、複数の高圧ノズル６を用いて薬液を噴霧することにより、薄膜３が異なる方向から噴霧された薬液に同時にさらされる結果、１本のみの高圧ノズルを用いていた従来の方法に比べて、バリの除去能力が格段に向上する。
【００５５】
高圧ノズル６や噴霧する薬液としては、実施の形態１と同様に、従来から使用されている公知のものを使用することができる。また、高圧ノズル６からの薬液の噴霧条件は、実施の形態１において説明した条件と同様でよい。
【００５６】
次に、基体１を回転させ、かつイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を基体１の表面上に吐出しながら、ブラシ７を回転させながら基体１の中心から外周部に向けて移動させ、基体１及び強磁性薄膜３の表面を洗浄する（図３（Ｄ））。ブラシ７の構成は実施の形態１に説明したのと同様のものを用いることができる。本実施の形態においても、実施の形態１に説明したのと同様に、ブラシ７の基体１の表面に対する押し当て量Ｄを、好ましくは０μｍより大きく、且つ４００μｍ以下、更に好ましくは５０〜４００μｍとして洗浄することによって、強磁性薄膜パターンの端部のバリ４が確実に除去されて、高精度な強磁性薄膜パターン２３を有するマスター情報担体を製造することができる（図３（Ｅ））。
【００５７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、高圧ノズルを用いてレジストパターン及びレジストパターン上の薄膜の大部分を除去したのち、除去しきれなかった薄膜、特にレジストパターンの側壁近傍に付着した薄膜を、次のブラシ洗浄工程で除去することによって、良好な形状の薄膜パターンを得ることが出来る。
【００５８】
また、薬液を噴霧する高圧ノズルを複数用いることにより、レジストパターン及びレジストパターン上の薄膜の除去能力が飛躍的に向上し、短時間で効率よく所望する形状の薄膜パターンを得ることができる。
【００５９】
従って、本発明をマスター情報担体の製造に適用すれば、被転写面が傷付けられることがなく、安定かつ正確に転写可能なマスター情報担体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係るリフトオフ法による薄膜パターン形成方法を工程順に示した断面図
【図２】  本発明における高圧ノズルの配置を説明するための説明図
【図３】  本発明の実施の形態２に係るリフトオフ法によるマスター情報担体の製造方法を工程順に示した断面図
【図４】  本発明におけるブラシ押し当て量を説明するための説明図
【図５】  従来のリフトオフ法による薄膜パターン形成方法を工程順に示した断面図
【図６】  従来のリフトオフ法による別の薄膜パターン形成方法を工程順に示した断面図
【図７】  従来のリフトオフ法によるマスター情報担体の製造方法を工程順に示した断面図
【符号の説明】
１・・・・・基体
２・・・・・レジストパターン
３・・・・・薄膜
４・・・・・バリ
６・・・・・高圧ノズル
７・・・・・ブラシ
８・・・・・薄膜パターン
１０・・・・・基体ホルダー
１１・・・・・レジスト開口部
１２・・・・・凹部
１３・・・・・強磁性薄膜
１４・・・・・強磁性薄膜埋設用穴
２２・・・・・レジスト側壁
２３・・・・・強磁性薄膜パターン
３２・・・・・逆テーパー形状のレジストパターン
【図１】
0003761506.tif 000003
【図２】
0003761506.tif 000004
【図３】
0003761506.tif 000005
【図４】
0003761506.tif 000006
【図５】
0003761506.tif 000007
【図６】
0003761506.tif 000008
【図７】
0003761506.tif 000009