(57)【要約】基板上に、Ｃｒ系材料で形成した下地層と、該下地層上にＣｏ系の磁性材料をエピタキシャル成長させて形成した磁気記録層とを積層した構造を含む磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、Ｃｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物を、多層に積層して形成されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、Ｃｒ系材料で形成した下地層と、該下地層上にＣｏ系の磁性材料をエピタキシャル成長させて形成した磁気記録層とを積層した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、Ｃｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物を、多層に積層して形成されている、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に、Ｃｒ系材料で形成した下地層と、該下地層上にＣｏ系の磁性材料をエピタキシャル成長させて形成した磁気記録層とを積層した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、Ｃｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物で形成した第１磁性層と、該第１磁性層上にＣｏ系合金で形成した第２磁性層とを積層して形成されている、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気記録媒体において、
前記第１磁性層が、前記混合物を多層に積層した構造で形成されている、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記磁気記録層上にＣｒ層を有する、ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記Ｃｏ系合金に酸化物を添加した混合物は、ＣｏＰｔ合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ基合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ合金−Ａｌ２Ｏ３及びＣｏＰｔ基合金−Ａｌ２Ｏ３からなる群から選択される、ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記Ｃｏ系合金に窒化物を添加した混合物は、ＣｏＰｔ合金−Ｓｉ３Ｎ４及びＣｏＰｔ基合金−Ｓｉ３Ｎ４からなる群から選択される、ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
基板へ加熱及びバイアス電圧の供給を行わない状態で、該基板上にＣｒ系材料を堆積して下地層を形成すると共に、前記下地層上にＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した磁性混合物をエピタキシャル成長させる堆積処理を前記混合物の組成を変えて複数回行い、多層の磁気記録層を形成する積層工程と、
前記磁気記録層の結晶の粒界でのＣｒ偏析を促進する加熱処理工程とを含む、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
基板へ加熱及びバイアス電圧の供給を行わない状態で、該基板上にＣｒ系材料を堆積して下地層を形成してから、前記下地層上にＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した磁性混合物をエピタキシャル成長させる堆積処理を少なくとも１回行って第１磁性層を形成すると共に、前記第１磁性層上に前記酸化物及び窒化物を含まないＣｏ系合金を堆積処理して第２磁性層を形成して多層の磁気記録層を形成する積層工程と、
前記磁気記録層の結晶の粒界でのＣｒ偏析を促進する加熱処理工程とを含む、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の磁気記録媒体の製造方法において、
前記加熱処理工程前に、前記磁気記録層上にＣｒ膜を堆積させるＣｒ堆積工程を含む、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、
残留ガスに対する暴露量が０．６Ｌ（ラングミュア）を越えない真空度を維持して前記各工程を実行する、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、
前記下地層の堆積前に、該下地層の粒子径を微細化するため島状構造の核生長サイト層を形成するサイト形成工程を含む、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、
前記磁気記録層はＲＦスパッタ法を用いて形成される、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体を搭載した磁気記憶装置。
【請求項１４】
請求項７から１１のいずれかにより製造された磁気記録媒体を搭載した磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ハードディスクドライブ装置等の磁気記憶装置に搭載される磁気記録媒体に関する。より詳しくは、磁気記録層を構成する磁性粒子が下地層上でエピタキシャル成長する際に肥大化することを抑制し、より高記録密度化させた磁気記録媒体に関する。
背景技術
磁気記憶装置は、１ビット当りのメモリ単価が安く大容量化が図れるデジタル信号記録装置である。よって、近年、パーソナルコンピュータの外部記憶装置として一般に広く採用されている。
さらに、近い将来には、テレビのデジタル放送が開始されることに伴って、家庭でのテレビ放送の記録装置として需要の飛躍的な増大が見込まれている。したがって、テレビ用のビデオ信号を記録することができるように、磁気記憶装置の記録容量の更なる増大化が必要となる。そして、家庭用であるためメモリ単価をより安くすることにも配慮する必要がある。
前述した理由から、磁気記録媒体をより高記録密度化することが必要となる。そのためには、記録ビット面積に対応させた磁性粒子の微細化及び均一化、並びに低ノイズ化を図ることが磁気記録媒体を開発する上でより一層重要な課題となる。
この課題に対処するには、磁性粒子の結晶軸制御を図りつつ、微細粒子を堆積させて形成した磁気記録層を備えた磁気記録媒体を製造することが必要である。
ところが、従来の一般的な磁気記録媒体の製造工程では、スパッタ法により下地層、磁気記録層を順に堆積させて、多結晶構造膜を積層した構造を得ている。
この製造工程は、下地層を構成する結晶粒上に磁性粒子を十分にエピタキシャル成長させることなく堆積する。この製造工程では、磁気記録層を堆積する際に例えばＢ、Ｔａ等の粒子径調整剤を添加することによって磁性粒子を微細化させる手法が提案されている。
しかしながら、下地層上に磁性粒子を堆積させる際に、これを十分に（略完全に）エピタキシャル成長させたながら磁気記録層を形成しようとする場合には、前述したようなＢ、Ｔａ等を添加して磁性粒子の微細化を図る手法を用いることができない。
そのため、まず下地層を形成する粒子の微結晶粒化が図られる。そして、この微結晶粒化された下地層上に、磁性粒子を十分にエピタキシャル成長させながら堆積させることにより、その磁気記録層の微結晶粒化を図るという間接的な手法が用いられる。
上記間接的な手法を用いると、堆積中に磁性粒子が下地層上で３次元的に成長するので、格子定数の大きな結晶面が優先成長して磁性粒子が肥大化するという問題を生じる。特に、この肥大化の問題は、各層がエピタキシャル成長して形成されるよにスパッタ装置の高真空化が促進されると顕著なものとなって現われる。
そして、上記の磁性粒子の肥大化を抑制しつつ、低ノイズ化することについても配慮する必要もある。
したがって、本発明の主の目的は、下地層上に磁気記録層を構成する磁性粒子をエピタキシャル成長させる際に、その肥大化を抑制して高記録密度化を図った磁気記録媒体を提供することである。そして、さらに低ノイズ化も促進させた磁気謀体を提供することである。
発明の開示
本発明者は、微結晶粒に形成した下地層上に磁性粒子を十分にエピタキシャル成長さながら堆積する場合に生じる前述した磁性粒子の肥大化の問題は、磁性材料に酸化物或いは窒化物を添加した混合物を用いることにより、磁性粒子の粒成長を抑制できること、を見出し本発明に至ったものである。
すなわち、前述した問題は、磁気記録層として広く採用されるＣｏ系合金材料に酸化物或いは窒化物を添加した磁性混合物を少なくとも磁気記録層の一部として用いることによって解決される。
また、本発明者は、上記磁性混合物が磁性粒子の粒界に偏析して粒子の孤立化を促進するクロムの移動を制限する作用があることも確認しており、この点にも配慮した磁気記録媒体の低ノイズ化を図る手法も案出している。
すなわち、上記目的は請求項１に記載の如く、
基板上に、Ｃｒ系材料で形成した下地層と、該下地層上にＣｏ系の磁性材料をエピタキシャル成長させて形成した磁気記録層とを積層した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、Ｃｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物を、多層に積層して形成されている磁気記録媒体により達成される。
請求項１に記載の発明では、酸化物及び窒化物は、磁気記録層を構成する磁性粒子が肥大化を抑制する機能を有している。よって、予め下地層を微結晶化して形成しておけばこの下地層の微結晶に倣って、磁性粒子が肥大化することなく同様に所定の結晶軸方位を持って微結晶粒状態に形成される。したがって、高記録密度化した磁気記録媒体を提供できる。
なお、磁気記録層を構成する各層での上記酸化物及び窒化物の添加比率は、原子比率（ａｔ％）で１０ａｔ％程度とするのが好ましい。上記肥大化抑制効果はこの比率が高い程に顕著となるが、過度に高いと信号出力を低下させ、またエピタキシャル成長を阻害するので好ましくない。
また、磁気記録層を多層に形成することから各層は従来の磁気記録層より薄膜化されるのでこの点からも磁性粒子の肥大化が抑制できる。
また、上記目的は請求項２に記載の如く、
基板上に、Ｃｒ系材料で形成した下地層と、該下地層上にＣｏ系の磁性材料をエピタキシャル成長させて形成した磁気記録層とを積層した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、Ｃｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物で形成した第１磁性層と、該第１磁性層上にＣｏ系合金で形成した第２磁性層とを積層して形成されている磁気記録媒体、によっても達成される。
本請求項２に記載の発明のように、磁気記録層の一部が酸化物或いは窒化物を添加した混合物で形成されていてもよい。請求項２に記載の発明でも、酸化物及び窒化物によって磁気記録層を構成する磁性粒子が肥大化を抑制される。よって、予め下地層を微結晶化して形成しておけばこの下地層の微結晶に倣って、磁性粒子が肥大化することなく同様に所定の結晶軸方位を持って微結晶粒状態に形成される。
さらに、前記第１磁性層は、前記混合物を多層に積層した構造で形成されていてもよい。
また、前記磁気記録層上にＣｒ層を有する構成とすれば、磁性層を構成する磁性子粒界でのＣｒ偏析を担保して低ノイズ化を促進することができる。
前記Ｃｏ系合金に酸化物を添加した混合物は、ＣｏＰｔ合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ基合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ合金−Ａｌ２Ｏ３及びＣｏＰｔ基合金−Ａｌ２Ｏ３からなる群から選択でき、また前記Ｃｏ系合金に窒化物を添加した混合物は、ＣｏＰｔ合金−Ｓｉ３Ｎ４及びＣｏＰｔ基合金−Ｓｉ３Ｎ４からなる群から選択できる。
また、Ｃｏ系合金としてＣｒを含むＣｏＣｒＰｔを採用しても良く、この場合には磁性粒子内のＣｒが粒界に析出して低ノイズ化を促進する。
さらに、上記目的は、請求項７に記載の如く、
基板へ加熱及びバイアス電圧の供給を行わない状態で、該基板上にＣｒ系材料を堆積して下地層を形成すると共に、前記下地層上にＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した磁性混合物をエピタキシャル成長させる堆積処理を前記混合物の組成を変えて複数回行い、多層の磁気記録層を形成する積層工程と、
前記磁気記録層の結晶の粒界でのＣｒ偏析を促進する加熱処理工程とを含む、磁気記録媒体の製造方法としても達成される。
また、請求項８に記載の如く、
基板へ加熱及びバイアス電圧の供給を行わない状態で、該基板上にＣｒ系材料を堆積して下地層を形成してから、前記下地層上にＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した磁性混合物をエピタキシャル成長させる堆積処理を少なくとも１回行って第１磁性層を形成すると共に、前記第１磁性層上に前記酸化物及び窒化物を含まないＣｏ系合金を堆積処理して第２磁性層を形成して多層の磁気記録層を形成する積層工程と、
前記磁気記録層の結晶の粒界でのＣｒ偏析を促進する加熱処理工程とを含む、磁気記録媒体の製造方法によっても達成される。
上記請求項７及び８に記載の発明によると、磁気記録層を構成する磁性粒子が下地層上でエピタキシャル成長する際の肥大化を抑制して、高記録密度化を図り、さらにはこれと共に低ノイズ化をも図った磁気記録媒体を製造できる。
そして、前記低ノイズ化をより確実なものとするために
前記加熱処理工程前に、前記磁気記録層上にＣｒ膜を堆積させるＣｒ堆積工程を含むこととしてもよい。
また、残留ガスに対する暴露量が０．６Ｌ（ラングミュア）を越えない真空度を維持して前記各工程を実行することが好ましい。
前記下地層の堆積前に、該下地層の粒子径を微細化するため島状構造の核生長サイト層を形成するサイト形成工程を含むと、下地層の微結晶状態を向上させることができる。なお、前記磁気記録層はＲＦスパッタ法を用いて形成することができる。
そして、前述したような磁気記録媒体を搭載した磁気記憶装置は高記録密度で低ノイズの好ましい記録装置として提供できる。
発明の実施をするための最良の形態
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照して説明する。
（第１実施例）
図１は、第１実施例の磁気記録媒体の要部層構成を示した図である。
第１実施例の磁気記録媒体１０は、基板１１上にＣｒ系の下地層１２と磁気磁性とが下から順に形成されている。この磁気記録層は複数の磁性層により多層に形成されている。図１の場合は磁性層１３、１４の２層で形成されている。
各磁性層１３、１４はＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加した混合物を、下地層１２上に十分エピタキシャル成長させることにより形成されている。磁性材料であるＣｏ系合金に酸化物及び窒化物の少なくとも一方を添加すると、磁性粒子の肥大化を抑制した磁性層を形成できる。
上記酸化物としては、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。また、上記窒化物としては例えばＳｉ３Ｎ４等を用いることができる。
上記磁性層を構成するＣｏ系合金には、従来から広く用いられている磁性材を同様に用いることができるが、例えばＣｏＰｔ合金や、このＣｏＰｔ合金に他の金属材料も含むＣｏＰｔ基合金を用いることができる。ＣｏＰｔ基合金として、例えばＣｏＣｒＰｔ等を用いることができる。
上記磁性層１３、１４を形成するため、Ｃｏ系合金材に酸化物或いは窒化物を添加した混合物を調製する。例えば、酸化物を添加した混合物としは、ＣｏＰｔ合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ基合金−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔ合金−Ａｌ２Ｏ３及びＣｏＰｔ基合金−Ａｌ２Ｏ３を用いることができ、また窒化物を添加した混合物としては、ＣｏＰｔ合金−Ｓｉ３Ｎ４及びＣｏＰｔ基合金−Ｓｉ３Ｎ４を用いることができる。
上記磁性層１３、１４は、互いに異なる材料を用いた混合物、或いは同じ材料を含む場合でも組成比が異なる材料を用いた混合物、により形成される。
また、上記混合物における酸化物或いは窒化物の添加比率には特に限定はないが、グラニュラ膜のように酸化物或いは窒化物の添加比率が５０ａｔ％近くの高含有ではなく、例えば１０ａｔ％程度である。
例えば、上記混合物における酸化物或いは窒化物の添加比率は、好ましくは１０ａｔ％程度、より好ましいくは５ａｔ％程度である。
また、各磁性層１３、１４での酸化物或いは窒化物の添加比率は異なるように設定することが好ましい。
ところで、本第１実施例のように磁気記録層を多層に形成すると各層の層厚は、単一の磁気記録層で形成した場合よりも薄く形成できる。このように各層を薄く形成することになればエピタキシャル成長させて堆積された磁性粒子の成長も制限される。よって、本実施例の磁気記録媒体は、磁気記録層を多層としたことによっても肥大化が抑制されている。
以下さらに、図２に基づいて第１実施例の磁気記録媒体１０の製造工程を説明する。なお、図２では、より好ましい製造工程を例示するという観点から、下地層の微結晶粒化を図る核生長サイト層を形成する工程から示している。また、磁気記録媒体の基本骨格が形成された後についても、磁性粒子の孤立化を促進して低ノイズ化する構成としてＣｒキャップ層を形成する工程、その後のポストアニール処理で磁性粒子の粒界でのＣｒ偏析を促進させる工程まで含めて説明する。
なお、図２Ａ〜Ｅでは、図１の構成に対応する部位に同一の符号を用いて示している。
本製造工程例では、前処理として、基板１１上に形成するＣｒ下地層１２の微結晶粒化を図るために粒生長核サイト（ＮＳＬ：Ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ  Ｓｉｔｅ  Ｌａｙｅｒ）層１８を形成する。また、本製造工程例は後処理としてポストアニール処理を行って磁性粒界でのＣｒ析出を促進して低ノイズ化にも配慮している。
図２に基づいて説明する。非晶質のＳＩＯ２膜が表面に形成されたＳｉディスク基板１１を真空雰囲気とされたＲＦスパッタ装置（図示せず）内に装着する。上記ＲＦスパッタ装置内で磁気記録媒体を構成する各層をエピタキシャル成長させながら順次堆積させる。
なお、以下に示す各工程は、残留ガスに対する媒体の暴露量が０．６Ｌ（ラングミュア）を越えない真空度を維持して実行することが好ましい。
上記基板１１表面は、大気中に放置されていた時に自然吸着したガスによって覆われている。本実施例では、図２Ａに示す様に、この状態の基板１１上に１ｎｍ厚のＣｏ９０Ｐｔ１０膜を堆積した。その後、図２Ｂに示す様に、約３５０℃の加熱処理を行なって凝集現象を生じさせ、島状構造のＣｏ９０Ｐｔ１０で構成されたＮＳＬ層１８を形成する。
この後十分に冷却してから、図２Ｃに示す様に、１９ｎｍ程度の膜厚のＣｒ下地層１２を形成した。このＣｒ下地層１２は上記ＮＳＬ層１８の島を粒生長の核として成膜されているので、好ましい微結晶状態となる。
次に、図２Ｄに示すように、２つ磁性層１３、１４を順に積層した。
１段目の磁気記録層となる磁性層１３は（Ｃｏ８８Ｐｔ１２）９０−（ＳｉＯ２）１０或いは（Ｃｏ８８Ｐｔ１２）９０−（Ｓｉ３Ｎ４）１０の薄膜であり、２段目の磁気記録層となる磁性層１４は（Ｃｏ８８Ｐｔ１２）９５−（ＳｉＯ２）５或いは（Ｃｏ８８Ｐｔ１２）９５−（Ｓｉ３Ｎ４）５の薄膜であり、両者で１１ｎｍ程度の膜厚で形成した多層の磁気記録層とする。
さらに、図２Ｅに示すように、Ｃｒ膜（Ｃｒ−Ｃａｐ）を１．６ｎｍ程度に堆積して磁気記録媒体１０の基本構造を完成させる。
図２では図示を省略しているが、上記磁気記録媒体１０を約３５０℃でポストアニール処理（加熱処理）し、約３ｎｍ厚のＣ膜（保護膜層）を堆積して磁気記録媒体を得る。
上記のように製造された磁気記録媒体１０は、磁性粒子の肥大化が抑制されているので、遷移ノイズがを抑制した高感度な媒体性能を備えている。また、磁性粒子側へＣｒが移行して粒界での偏析を促進するので各磁性粒子の孤立化が進み低ノイズ化も図られた磁気記録媒体となる。
なお、本発明者はＣｏ系合金に酸化物及び窒化物を添加しない従来の磁性材料を用いてＣｏＰｔ合金膜を２層に積層した場合と、同様に酸化物及び窒化物を添加しないＣｏＰｔ合金膜を単層とした場合とについて、それらの磁性粒子の結晶状態を観測して磁性粒子に肥大化が発生していることを確認した。このため、酸化物及び窒化物を添加しない磁気記録層では、遷移ノイズの増大が発生して磁気記録媒体性能として重要なＳ／Ｎｍ値が悪化した。
なお、上記実施例では各層を形成する際に基板加熱及びバイアス供給を行わずポストアニールを用る製造工程を示した。しかし、従来から広く採用されているポストアニールを用いずに基板加熱及びバイアス印加を併用した方法を用いた場合でも、本発明による磁性粒子の肥大化抑制の効果を享受して媒体性能を向上させることができる。
（第２実施例）
本第２実施例の磁気記録媒体は、酸化物又は窒化物を添加した少なくとも１層の磁性層（第１磁性層）上に、酸化物及び窒化物を添加しない磁性層（第２磁性層）を積層した磁気記録層を備えている。
図３及び図４は、第２実施例の磁気記録媒体の要部層構成を示した図である。なお、第１実施例の図１と同様の構成部分には同一の符号を付している。
図３は、酸化物或いは窒化物が添加されている磁性層（第１磁性層）２１と、その上の酸化物及び窒化物を添加しない磁性層（第２磁性層）２２との２層で形成した磁気記録層を含む磁気記録媒体２０である。
また、図４は酸化物或いは窒化物が添加されている磁性層を複数形成した積層状態の磁性層（第１磁性層）２１と、その上の酸化物及び窒化物を添加しない磁性層（第２磁性層）２２とで、多層に形成した磁気記録層を含む磁気記録媒体３０を示している。なお、図４の第１磁性層は２１−Ａ及び２１−Ｂの２層に形成した場合を例示している。
上記第１磁性層２１は、第１実施例の磁気記録層１３、１４と同様にＣｏ系合金に酸化物或いは窒化物を添加した混合物により形成される。一方、第２磁性層は酸化物及び窒化物を含まないＣｏ系合金であり、例えばＣｏＰｔ合金や、このＣｏＰｔ合金に他の金属材料を含むＣｏＰｔ基合金を用いて形成される。ＣｏＰｔ基合金として、例えばＣｏＣｒＰｔ等を用いることもできる。
本実施例の磁気記録媒体２０、３０でも磁気記録層の一部が酸化物或いは窒化物を添加した磁性材料により形成されるので、磁性粒子の肥大化が抑制でき遷移ノイズの低減を図ることができる。
ところで、上記酸化物或いは窒化物が添加されている第１磁性層２１は、ポストアニールによって誘起されるＣｒの粒界偏析を若干抑制する作用がある。そのため、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させ磁性粒子を孤立化させる効果を抑制する傾向にある。
本実施例で酸化物又は窒化物を添加しない第２磁性層を設けている。この第２磁性層は酸化物或いは窒化物を含まないので磁性粒肥大化の傾向を示すことになる。しかし、本実施例の磁気記録層は多層構造であり、従来の磁気記録層と比較して第２層が薄膜状態に形成される。よって、従来のように磁性粒子が肥大化して問題となることはない。
そして、本実施例の磁気記録媒体２０、３０も第１実施例について示した図２の製造方法に順じて製造することができる。磁気記録媒体２０、３０の上部にもＣｒ層が形成されるので磁性粒子の粒界での偏析が確保され、低ノイズ化が促進される。
図５は、第２実施例の図３で示した磁気記録媒体２０のように、酸化物或いは窒化物が添加されている磁性層（ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２）と、その上の酸化物及び窒化物を添加しない磁性層（ＣｏＰｔ）との２層で形成した磁気記録層を含む磁気記録媒体のＳ／Ｎｍの試験結果について示している。この図５は、（Ｃｏ８８Ｐｔ１２）９５−（ＳｉＯ２）５の組成を有する第１磁性層として２．０ｎｍ、２．４ｎｍ及び２．８ｎｍとしたものを準備し、この上に第２磁性層としてＣｏ９０Ｐｔ１０の膜厚Ｘ１〜Ｘ３を２．４〜４．２ｎｍの範囲で変化させた場合を示している。膜厚の異なる積層体を形成して信号出力の異なる媒体を形成して、Ｓ／Ｎｍ値を比較している。
この図５の結果から、磁気記録層を厚くした場合に、酸化物又は窒化物を添加した磁性層を用いることの優位性が顕著に示されている。
また、図５から、本実施例の磁気記録媒体によると、比較として示した従来の酸化物及び窒化物を含まない単層の磁気記録層及び酸化物又は窒化物を添加しているが単層である磁気記録層を用いた場合より高Ｓ／Ｎｍ化を得られることが確認できる。これは、磁性膜を厚くする程、酸化物又は窒化物を添加しない磁性膜での磁性粒子が肥大化する状態が顕著に現れ、その逆に酸化物或いは窒化物を添加した磁性膜では磁性粒子の肥大化抑制効果が顕在化されることを反映した結果となる。
以上の結果から、酸化物或いは窒化物を添加した磁性層（第１磁性層）上に、酸化物及び窒化物が添加されていない磁性層（第２磁性層）を積層して磁気記録層を積層構造化した本第２実施例の有効性が確認できる。
前述した第１及び第２実施例の磁気記録媒体に関して、磁気記録層の磁性粒子肥大化の抑制効果は、上記酸化物又は窒化物の添加比率が高い程、顕著となる。しかし、この添加比率が過度に高くなると、単位磁性層厚さ当りの信号出力が低下する傾向が現われる。この場合、高密度記録化への障害にもなる。この障害を軽減するには、本実施例で説明したように酸化物或いは窒化物の添加比率が異なるＣｏＰｔ合金を積層させることが有効である。
次に、上記磁気記録媒体を搭載した磁気記憶装置の一例を図６及び図７と共に説明する。図６は一例の磁気記憶装置の要部を示す断面図であり、図７は同装置の要部を示す平面図である。
図６及び図７に示すように、磁気記憶装置は大略ハウジング４３からなる。ハウジング４３内には、モータ４４、ハブ４５、複数の磁気記録媒体４６、複数の記録再生ヘッド４７、複数のサスペンション４８、複数のアーム４９及びアクチュエータユニット４１が設けられている。磁気記録媒体４６はモータ４４により回転されるハブ４５に取付けられている。記録再生ヘッド４７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからな複合型の記録再生ヘッドである。各記録再生ヘッド４７は、対応するアーム４９の先端にサスペンション４８を介して取付けられている。アーム４９はアクチュエータユニット４９により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
上記磁気記憶装置の実施例は磁気記録媒体４６に特徴がある。各磁気記録媒体４６は、図１から図３で説明した構成を有する。勿論、磁気記録媒体４６の数は３枚には限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であってもよい。
本磁気記障装置の基本構成は、図６及び図７に示すものに限定されるものではない。また、本発明で用いる磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるものではない。
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれば、微結晶粒状態に形成した下地層上に磁性粒子を略完全にエピタキシャル成長させながら堆積して形成される磁気記録層を備えた磁気記録媒体で、堆積時の磁性粒子の肥大化という問題を解決して高密度記録化を図ることができる。この結果、磁気記録媒体のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、第１実施例の磁気記録媒体の要部層構成を示した図である。
図２は、第１実施例の磁気記録媒体の製造工程について示した図である。
図３は、第２実施例の磁気記録媒体の要部層構成を示した図である。
図４は、第２実施例の磁気記録媒体の他の要部層構成を示した図である。
図５は、第２実施例の磁気記録媒体で磁性層厚さを変えることによって信号出力を変化させＳ／Ｎｍ値を比較した試験結果について示した図である。
図６は、一例の磁気記憶装置の要部を示す断面図である。
図７は、図６に示した装置の要部を示す平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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