(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、
上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とこれら第２の電源配線と第２のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、
上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とこれら第３の電源配線と第３のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、
上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、
前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、
前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、
前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、
前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とこれら第１の電源配線と第１のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、
上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、
上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とこれら第３の電源配線と第３のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、
上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、
前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、
前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、
前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、
前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とこれら第１の電源配線と第１のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、
上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、
上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、
上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とこれら第４の電源配線と第４のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、
前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、
前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、
前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、
前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項４】
上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、
上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とこれら第２の電源配線と第２のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、
上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、
上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とこれら第４の電源配線と第４のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、
前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、
前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、
前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、
前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子回路基板等に使用される多層配線基板に関し、より詳細には多層配線基板における電気配線用導電層の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子が搭載され、電子回路基板等に使用される多層配線基板においては、電気配線用導電層の形成にあたって、アルミナ等のセラミックスから成る絶縁層とタングステン等の高融点金属から成る電気配線用導電層とを交互に積層して多層配線基板を形成していた。
【０００３】
従来の多層配線基板においては、電気配線用導電層のうち信号配線は通常はストリップ線路構造とされており、すなわち、信号配線として形成された導電層の上下に絶縁層を介してベタパターン形状のグランド層が形成されていた。
【０００４】
また、多層配線基板に搭載される半導体素子への電源供給を安定化させるため、多層配線基板内に形成されたベタパターン形状のグランド層と電源配線としての導電層とを絶縁層を介して交互に積層することによりグランド層と電源配線用の導電層との間に容量を形成することが行なわれていた。
【０００５】
また、多層配線基板が取り扱う電気信号の高速化に伴い、比誘電率が10程度であるアルミナセラミックスに代えて比誘電率が3.5 〜５と比較的小さいポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を絶縁層として形成し、この絶縁層上に蒸着法やスパッタリング法等の気相成長法による薄膜形成技術を用いて銅（Ｃｕ）からなる電気配線用導電層を形成し、フォトリソグラフィ法により微細な配線パターンを形成して、この絶縁層と導電層とを多層化することにより高密度・高機能でかつ半導体素子の高速動作が可能となる多層配線基板を得ることも行なわれていた。
【０００６】
さらに、このポリイミド樹脂やエポキシ樹脂により絶縁層が形成された多層配線基板においては、多層プロセスにおける樹脂のキュア工程において、下層にある樹脂中に存在する未反応成分および樹脂が吸着した水分の蒸発により、樹脂上に形成されたソリッドプレーンにおいて、前記未反応成分や水分が外気中に放散する経路が断たれるため、ソリッドプレーンが膨れるという問題点があることからグランド層がメッシュ状に形成され、従来のセラミックス絶縁層を用いた多層配線基板にて形成していたベタパターン形状のグランド導体層と電源配線用導電層との積層による容量の形成が困難であるため、半導体素子への電源供給の安定化のために、多層配線基板上にチップコンデンサを搭載することが行なわれていた。
【０００７】
しかしながら、従来のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の絶縁層を用いて多層化する場合、グランド層がメッシュ状に形成されているため、そのグランド層に上下から絶縁層を介して挟まれた信号配線用の導電層はメッシュ状のグランド層を形成する金属層が形成されている部分と金属層の欠損している部分とに対向して配線されることとなり、信号配線の特性インピーダンスはその信号配線とグランド層との位置関係により変化してしまうこととなっていた。
【０００８】
このため上記従来の多層配線基板では、近年にいたり半導体素子のさらなる高速化に伴って電気信号の高速化が進められる中で、信号配線を通過する高速の電気信号は異なった特性インピーダンスを持つ信号配線を伝播することとなるために信号の一部が反射されてしまい、入力された電気信号が正しく出力側に伝送されず電子回路や半導体素子の誤動作を起こしてしまうという問題点があった。
【０００９】
また、多層配線基板上に実装された半導体素子への電源供給において、電源供給の安定化のためのチップコンデンサから半導体素子までの配線のインダクタンスおよび供給線路の長さのため、半導体素子への電源供給として必要な電力を高速に伝送することができないという問題点もあった。
【００１０】
そこで、上記従来の多層配線基板の欠点を解消するために、例えば特開平９−18156 号公報ならびに米国アーカンソ大学の研究発表"Modeling and Experimental Verification of the Interconnected Mesh Power System (IMPS) MCM Topology" IEEE TRANSACTION ON COMPONENTS, PACKAGING, AND MANUFACTURING TECHNOLOGY - PART B. VOL.20, NO.1, FEBRUARY 1997, p42-49において、多層プリント配線板において電源配線部とグランド配線部と信号配線部とを同一層内に形成し、電源配線部とグランド配線部に挟まれる位置に信号配線部を配置することによりコプレーナ線路構造を形成し、さらにこのコプレーナ線路をねじれの位置に多層化することにより多層回路基板を形成し、メッシュ状グランド構造の問題点である信号配線部の特性インピーダンスの不均一化を解消することが提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記コプレーナ配線構造による多層配線基板においては、電源配線部とグランド配線部とが容量を形成していないため、半導体素子への電源供給はチップコンデンサから電源配線部およびグランド配線部を通して行なわれていることから、電源配線部とグランド配線部のインダクタンス成分および電源供給経路が長くなることにより、半導体素子への安定した電源供給ができず、そのため半導体素子の誤動作を生じるという問題点があった。
【００１２】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、多層回路基板において信号配線の特性インピーダンスを均一にしつつ電源配線とグランド層間に容量を持たせることにより、半導体素子の直近に電源を配置するとともに電源配線およびグランド層の特性インピーダンスを減少させ、電源供給経路の合成インダクタンス成分を減少させて半導体素子に対して安定した電源を供給し、半導体素子の誤動作を防止することができる多層配線基板を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とこれら第２の電源配線と第２のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とこれら第３の電源配線と第３のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また本発明の多層配線基板は、上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とこれら第１の電源配線と第１のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とこれら第３の電源配線と第３のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の多層配線基板は、上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とこれら第１の電源配線と第１のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とこれら第４の電源配線と第４のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の多層配線基板は、上面に第１の電源配線と第１のグランド配線とが略平行に配設されて成る第１の絶縁層と、上面に第２の電源配線と第２のグランド配線とこれら第２の電源配線と第２のグランド配線との間に第１の信号配線とが略平行に配設されて成る第２の絶縁層と、上面に第３の電源配線と第３のグランド配線とが略平行に配設されて成る第３の絶縁層と、上面に第４の電源配線と第４のグランド配線とこれら第４の電源配線と第４のグランド配線との間に第２の信号配線とが略平行に配設されて成る第４の絶縁層とが、前記第１の電源配線と前記第２のグランド配線が、および前記第１のグランド配線と前記第２の電源配線がそれぞれ第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに、前記第３の電源配線と前記第４のグランド配線が、および前記第３のグランド配線と前記第４の電源配線がそれぞれ第４の絶縁層を挟んで略平行に対向し、かつ、前記第１の絶縁層上および前記第２の絶縁層上の各配線の方向と前記第３の絶縁層上および前記第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように順次積層されて成り、前記第１乃至第４の電源配線ならびに前記第１乃至第４のグランド配線がそれぞれスルーホール導体を介して接続されていることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の多層回路基板によれば、第１の信号配線が第２の電源配線と第２のグランド配線との間または第１の電源配線と第１のグランド配線との間に略平行に配設されて成り、また、第２の信号配線が第３の電源配線と第３のグランド配線との間または第４の電源配線と第４のグランド配線との間に略平行に配設されて成り、いずれもいわゆるコプレーナ線路構造を形成していることから、信号配線の特性インピーダンスを均一にしつつ安定した特性インピーダンスを得ることができる。
【００１８】
また、本発明の多層配線基板によれば、第１の電源配線と第１のグランド配線とが略平行に配設された第１の絶縁層上に、第２の電源配線と第２のグランド配線とが略平行に配設された第２の絶縁層が、第１の電源配線と第２のグランド配線が第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに第１のグランド配線と第２の電源配線が第２の絶縁層を挟んで略平行に対向するように積層され、また、第３の電源配線と第３のグランド配線とが略平行に配設された第３の絶縁層上に、第４の電源配線と第４のグランド配線とが略平行に配設された第４の絶縁層が、第３の電源配線と第４のグランド配線が第４の絶縁層を挟んで略平行に対向するとともに第３のグランド配線と第４の電源配線が第４の絶縁層を挟んで略平行に対向するように積層されていることから、第１の電源配線と第２のグランド配線・第１のグランド配線と第２の電源配線・第３の電源配線と第４のグランド配線・第３のグランド配線と第４の電源配線がそれぞれ絶縁層を介して容量を形成し、特性インピーダンスの一般的な式（Ｚ0 ＝√（Ｌ／Ｃ））よりわかるように、電源配線−グランド配線間の容量が増加することによりそれぞれの配線間の合成インピーダンスが小さくなるため、多層配線基板上に搭載された半導体素子に対して電源が安定して供給されることとなり、半導体素子の誤動作を防止することができる。
【００１９】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、第１の絶縁層上および第２の絶縁層上の各配線の方向と第３の絶縁層上および第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように積層されていることから、これら直交する部分の信号伝搬の電磁界も直交するため、直交部分における信号のクロストークの発生を抑制することができる。
【００２０】
従って本発明によれば、信号配線の特性インピーダンスを均一にしつつ半導体素子に対して安定した電源を供給し、半導体素子の誤動作を防止することができる多層配線基板を提供することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
【００２２】
図１〜図４は本発明の多層配線基板の実施の形態の例を示す平面図および断面図であり、それぞれ多層配線基板の一部における各配線の位置関係を説明するためのやや斜めから透視した状態の平面図と、その平面図に示した多層配線基板を下方から透視した状態の断面図と、その平面図に示した多層配線基板を右方から透視した状態の断面図とを示している。
【００２３】
これらの図において、Ｉ１〜Ｉ４はそれぞれ第１〜第４の絶縁層であり、Ｐ１〜Ｐ４はそれぞれ第１〜第４の電源配線、Ｇ１〜Ｇ４はそれぞれ第１〜第４のグランド配線、Ｓ１・Ｓ２はそれぞれ第１・第２の信号配線である。各絶縁層上の各配線はそれぞれ略平行に配設され、また、第１の電源配線Ｐ１と第２のグランド配線Ｇ２・第１のグランド配線Ｇ１と第２の電源配線Ｐ２・第３の電源配線Ｐ３と第４のグランド配線Ｇ４・第３のグランド配線Ｇ３と第４の電源配線Ｐ４がそれぞれ絶縁層を挟んで略平行に対向して配置されている。また、Ｔ１〜Ｔ５はそれぞれスルーホール導体である。
【００２４】
まず、図１の例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１の電源配線Ｐ１と第１のグランド配線Ｇ１が、第２の絶縁層Ｉ２上に第２の電源配線Ｐ２と第２のグランド配線Ｇ２とそれらの間に第１の信号配線Ｓ１が、第３の絶縁層Ｉ３上に第３の電源配線Ｐ３と第３のグランド配線Ｇ３とそれらの間に第２の信号配線Ｓ２が、第４の絶縁層Ｉ４上に第４の電源配線Ｐ４と第４のグランド配線Ｇ４がそれぞれ配設された例を示している。
【００２５】
また、第２の電源配線Ｐ２と第３の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ１を介して、第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して、第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して、第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して、第１の電源配線Ｐ１と第４の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ５を介してそれぞれ接続されている。なお、第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とは、それぞれ異なる信号を伝送する配線として分離されていてもよい。
【００２６】
図１に示した例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１のグランド配線Ｇ１と第１の電源配線Ｐ１とが略平行に配設され、第１の電源配線Ｐ１は上方に配置される第４の電源配線Ｐ４とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を有している。この第１の電源配線Ｐ１と第４の電源配線Ｐ４とを接続するための端部は、同図に示すように第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して直角に配設されている場合、第２のグランド配線Ｇ２とそれにスルーホール導体Ｔ４を介して接続される第３のグランド配線Ｇ３により形成される角の外側に形成される。これにより、グランド配線Ｇ２・Ｇ３および電源配線Ｐ１・Ｐ４は信号配線Ｓ１・Ｓ２に近づくことなく配置されるので、信号配線Ｓ１・Ｓ２の特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００２７】
また、第１のグランド配線Ｇ１は上方に配置される第４のグランド配線Ｇ４とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有しており、この例では第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して直角に配設されている。
【００２８】
第２の絶縁層Ｉ２上には第２のグランド配線Ｇ２と第２の電源配線Ｐ２と、これらの間に配設された第１の信号配線Ｓ１とが略平行に配設され、第２のグランド配線Ｇ２は第１の電源配線Ｐ１に対して、第２の電源配線Ｐ２は第１のグランド配線Ｇ１に対してそれぞれ第２の絶縁層Ｉ２を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して配設される。また、第２の電源配線Ｐ２は上方に配置される第３の電源配線Ｐ３とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を有している。この第２の電源配線Ｐ２と第３の電源配線Ｐ３とを接続するための端部は、同図に示すように第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して直角に配設されている場合、第１のグランド配線Ｇ１とそれにスルーホール導体Ｔ２を介して接続される第４のグランド配線Ｇ４により形成される角の内側に形成される。これにより、グランド配線Ｇ１・Ｇ４および電源配線Ｐ２・Ｐ３は信号配線Ｓ１・Ｓ２に近づくことなく配置されるので、信号配線Ｓ１・Ｓ２の特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００２９】
また、第２のグランド配線Ｇ２は上方に配置される第３のグランド配線Ｇ３とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有しており、この例では第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して直角に配設されている。
【００３０】
第３の絶縁層Ｉ３上には第３のグランド配線Ｇ３と第３の電源配線Ｐ３と、これらの間に配設された第２の信号配線Ｓ２とが略平行に配設され、これらの各配線の方向は第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００３１】
第３の電源配線Ｐ３は下方に配置された第２の電源配線Ｐ２とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有しており、第３のグランド配線Ｇ３は下方に配置された第２のグランド配線Ｇ２とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有している。また、第２の信号配線Ｓ２と第１の信号配線Ｓ１も同様にスルーホール導体Ｔ３を介して接続される。
【００３２】
第４の絶縁層Ｉ４上には第４のグランド配線Ｇ４と第４の電源配線Ｐ４とが略平行に配設され、第４のグランド配線Ｇ４は第３の電源配線Ｐ３に対して、第４の電源配線Ｐ４は第３のグランド配線Ｇ３に対して、それぞれ第４の絶縁層Ｉ４を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して、また第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００３３】
第４の電源配線Ｐ４は下方に配置された第１の電源配線Ｐ１とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有しており、第４のグランド配線Ｇ４は下方に配置された第１のグランド配線Ｇ１とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有している。
【００３４】
このような図１に示した構成の多層配線基板によれば、信号配線に対して電源配線およびグランド配線のそれぞれが信号配線の配線領域全体にわたって均一な位置関係にあるため、信号配線の特性インピーダンスが一定となり安定した信号伝搬が可能となるとともに、電源配線−グランド配線間の合成インピーダンスが電源配線−グランド配線間の容量により低くなるため、搭載される半導体素子に対して安定した電源供給が可能となる。
【００３５】
次に、図２の例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１の電源配線Ｐ１と第１のグランド配線Ｇ１とそれらの間に第１の信号配線Ｓ１が、第２の絶縁層Ｉ２上に第２の電源配線Ｐ２と第２のグランド配線Ｇ２が、第３の絶縁層Ｉ３上に第３の電源配線Ｐ３と第３のグランド配線Ｇ３とそれらの間に第２の信号配線Ｓ２が、第４の絶縁層Ｉ４上に第４の電源配線Ｐ４と第４のグランド配線Ｇ４がそれぞれ配設された例を示している。
【００３６】
また、第２の電源配線Ｐ２と第３の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ１を介して、第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して、第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して、第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して、第１の電源配線Ｐ１と第４の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ５を介してそれぞれ接続されている。なお、この第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とも、それぞれ異なる信号を伝送する配線として分離されていてもよい。
【００３７】
図２に示した例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１のグランド配線Ｇ１と第１の電源配線Ｐ１と、これらの間に配設された第１の信号配線Ｓ１とが略平行に配設され、第１の電源配線Ｐ１は上方に配置される第４の電源配線Ｐ４とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有している。
【００３８】
また、第１のグランド配線Ｇ１は上方に配置される第４のグランド配線Ｇ４とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有しており、この例でも第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して直角に配設されている。
【００３９】
第２の絶縁層Ｉ２上には第２のグランド配線Ｇ２と第２の電源配線Ｐ２とが略平行に配設され、第２のグランド配線Ｇ２は第１の電源配線Ｐ１に対して、第２の電源配線Ｐ２は第１のグランド配線Ｇ１に対して、それぞれ第２の絶縁層Ｉ２を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して配設される。
【００４０】
また、第２の電源配線Ｐ２は上方に配置される第３の電源配線Ｐ３とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有している。
【００４１】
また、第２のグランド配線Ｇ２は上方に配置される第３のグランド配線Ｇ３とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有しており、この例でも第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して直角に配設されている。
【００４２】
第３の絶縁層Ｉ３上には第３のグランド配線Ｇ３と第３の電源配線Ｐ３と、これらの間に配設された第２の信号配線Ｓ２とが略平行に配設され、これらの各配線の方向は第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００４３】
第３の電源配線Ｐ３は下方に配置された第２の電源配線Ｐ２とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有しており、第３のグランド配線Ｇ３は下方に配置された第２のグランド配線Ｇ２とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有している。また、第２の信号配線Ｓ２と第１の信号配線Ｓ１も同様にスルーホール導体Ｔ３を介して接続される。
【００４４】
第４の絶縁層Ｉ４上には第４のグランド配線Ｇ４と第４の電源配線Ｐ４とが略平行に配設され、第４のグランド配線Ｇ４は第３の電源配線Ｐ３に対して、第４の電源配線Ｐ４は第３のグランド配線Ｇ３に対して、それぞれ第４の絶縁層Ｉ４を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して、また第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００４５】
第４の電源配線Ｐ４は下方に配置された第１の電源配線Ｐ１とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有しており、第４のグランド配線Ｇ４は下方に配置された第１のグランド配線Ｇ１とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有している。
【００４６】
このような図２に示した構成の多層配線基板によっても、信号配線に対して電源配線およびグランド配線のそれぞれが信号配線の配線領域全体にわたって均一な位置関係にあるため、信号配線の特性インピーダンスが一定となり安定した信号伝搬が可能となるとともに、電源配線−グランド配線間の合成インピーダンスが電源配線−グランド配線間の容量により低くなるため、搭載される半導体素子に対して安定した電源供給が可能となる。
【００４７】
次に、図３の例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１の電源配線Ｐ１と第１のグランド配線Ｇ１とそれらの間に第１の信号配線Ｓ１が、第２の絶縁層Ｉ２上に第２の電源配線Ｐ２と第２のグランド配線Ｇ２が、第３の絶縁層Ｉ３上に第３の電源配線Ｐ３と第３のグランド配線Ｇ３が、第４の絶縁層Ｉ４上に第４の電源配線Ｐ４と第４のグランド配線Ｇ４とそれらの間に第２の信号配線Ｓ２がそれぞれ配設された例を示している。
【００４８】
また、第２の電源配線Ｐ２と第３の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ１を介して、第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して、第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して、第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して、第１の電源配線Ｐ１と第４の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ５を介してそれぞれ接続されている。なお、この第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とも、それぞれ異なる信号を伝送する配線として分離されていてもよい。
【００４９】
図３に示した例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１のグランド配線Ｇ１と第１の電源配線Ｐ１と、これらの間に配設された第１の信号配線Ｓ１とが略平行に配設され、第１の電源配線Ｐ１は上方に配置される第４の電源配線Ｐ４とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有している。
【００５０】
また、第１のグランド配線Ｇ１は上方に配置される第４のグランド配線Ｇ４とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有しており、この例でも第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して直角に配設されている。
【００５１】
第２の絶縁層Ｉ２上には第２のグランド配線Ｇ２と第２の電源配線Ｐ２とが略平行に配設され、第２のグランド配線Ｇ２は第１の電源配線Ｐ１に対して、第２の電源配線Ｐ２は第１のグランド配線Ｇ１に対して、それぞれ第２の絶縁層Ｉ２を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して配設される。
【００５２】
また、第２の電源配線Ｐ２は上方に配置される第３の電源配線Ｐ３とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有している。
【００５３】
また、第２のグランド配線Ｇ２は上方に配置される第３のグランド配線Ｇ３とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有しており、この例でも第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して直角に配設されている。
【００５４】
第３の絶縁層Ｉ３上には第３のグランド配線Ｇ３と第３の電源配線Ｐ３とが略平行に配設され、これらの各配線の方向は第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００５５】
第３の電源配線Ｐ３は下方に配置された第２の電源配線Ｐ２とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有しており、第３のグランド配線Ｇ３は下方に配置された第２のグランド配線Ｇ２とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有している。
【００５６】
第４の絶縁層Ｉ４上には第４のグランド配線Ｇ４と第４の電源配線Ｐ４と、これらの間に配設された第２の信号配線Ｓ２とが略平行に配設され、第４のグランド配線Ｇ４は第３の電源配線Ｐ３に対して、第４の電源配線Ｐ４は第３のグランド配線Ｇ３に対して、それぞれ第４の絶縁層Ｉ４を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して、また第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００５７】
第４の電源配線Ｐ４は下方に配置された第１の電源配線Ｐ１とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有しており、第４のグランド配線Ｇ４は下方に配置された第１のグランド配線Ｇ１とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有している。また、第２の信号配線Ｓ２と第１の信号配線Ｓ１も同様にスルーホール導体Ｔ３を介して接続される。
【００５８】
このような図３に示した構成の多層配線基板によっても、信号配線に対して電源配線およびグランド配線のそれぞれが信号配線の配線領域全体にわたって均一な位置関係にあるため、信号配線の特性インピーダンスが一定となり安定した信号伝搬が可能となるとともに、電源配線−グランド配線間の合成インピーダンスが電源配線−グランド配線間の容量により低くなるため、搭載される半導体素子に対して安定した電源供給が可能となる。
【００５９】
次に、図４の例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１の電源配線Ｐ１と第１のグランド配線Ｇ１が、第２の絶縁層Ｉ２上に第２の電源配線Ｐ２と第２のグランド配線Ｇ２とそれらの間に第１の信号配線Ｓ１が、第３の絶縁層Ｉ３上に第３の電源配線Ｐ３と第３のグランド配線Ｇ３が、第４の絶縁層Ｉ４上に第４の電源配線Ｐ４と第４のグランド配線Ｇ４とそれらの間に第２の信号配線Ｓ２がそれぞれ配設された例を示している。
【００６０】
また、第２の電源配線Ｐ２と第３の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ１を介して、第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して、第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とがスルーホール導体Ｔ３を介して、第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して、第１の電源配線Ｐ１と第４の電源配線Ｐ３とがスルーホール導体Ｔ５を介してそれぞれ接続されている。なお、この第１の信号配線Ｓ１と第２の信号配線Ｓ２とも、それぞれ異なる信号を伝送する配線として分離されていてもよい。
【００６１】
図４に示した例では、第１の絶縁層Ｉ１上に第１のグランド配線Ｇ１と第１の電源配線Ｐ１とが略平行に配設され、第１の電源配線Ｐ１は上方に配置される第４の電源配線Ｐ４とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有している。
【００６２】
また、第１のグランド配線Ｇ１は上方に配置される第４のグランド配線Ｇ４とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有しており、この例でも第１のグランド配線Ｇ１と第４のグランド配線Ｇ４とがスルーホール導体Ｔ２を介して直角に配設されている。
【００６３】
第２の絶縁層Ｉ２上には第２のグランド配線Ｇ２と第２の電源配線Ｐ２と、これらの間に配設された第１の信号配線Ｓ１とが略平行に配設され、第２のグランド配線Ｇ２は第１の電源配線Ｐ１に対して、第２の電源配線Ｐ２は第１のグランド配線Ｇ１に対して、それぞれ第２の絶縁層Ｉ２を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して配設される。また、第２の電源配線Ｐ２は上方に配置される第３の電源配線Ｐ３とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有している。
【００６４】
また、第２のグランド配線Ｇ２は上方に配置される第３のグランド配線Ｇ３とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有しており、この例でも第２のグランド配線Ｇ２と第３のグランド配線Ｇ３とがスルーホール導体Ｔ４を介して直角に配設されている。
【００６５】
第３の絶縁層Ｉ３上には第３のグランド配線Ｇ３と第３の電源配線Ｐ３とが略平行に配設され、これらの各配線の方向は第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００６６】
第３の電源配線Ｐ３は下方に配置された第２の電源配線Ｐ２とスルーホール導体Ｔ１を介して接続するための端部を直角の内側に有しており、第３のグランド配線Ｇ３は下方に配置された第２のグランド配線Ｇ２とスルーホール導体Ｔ４を介して接続するための端部を有している。
【００６７】
第４の絶縁層Ｉ４上には第４のグランド配線Ｇ４と第４の電源配線Ｐ４と、これらの間に配設された第２の信号配線Ｓ２とが略平行に配設され、第４のグランド配線Ｇ４は第３の電源配線Ｐ３に対して、第４の電源配線Ｐ４は第３のグランド配線Ｇ３に対して、それぞれ第４の絶縁層Ｉ４を挟んで容量を形成するように真上になる位置に略平行に対向して、また第１の絶縁層Ｉ１上および第２の絶縁層Ｉ２上に配設された各配線の方向と略直交するように配設される。
【００６８】
第４の電源配線Ｐ４は下方に配置された第１の電源配線Ｐ１とスルーホール導体Ｔ５を介して接続するための端部を直角の外側に有しており、第４のグランド配線Ｇ４は下方に配置された第１のグランド配線Ｇ１とスルーホール導体Ｔ２を介して接続するための端部を有している。また、第２の信号配線Ｓ２と第１の信号配線Ｓ１も同様にスルーホール導体Ｔ３を介して接続される。
【００６９】
このような図４に示した構成の多層配線基板によっても、信号配線に対して電源配線およびグランド配線のそれぞれが信号配線の配線領域全体にわたって均一な位置関係にあるため、信号配線の特性インピーダンスが一定となり安定した信号伝搬が可能となるとともに、電源配線−グランド配線間の合成インピーダンスが電源配線−グランド配線間の容量により低くなるため、搭載される半導体素子に対して安定した電源供給が可能となる。
【００７０】
以上のような本発明の多層配線基板において、第１〜第４の絶縁層Ｉ１〜Ｉ４としては、誘電率２〜５の樹脂で、例えばフッ素樹脂・ポリノルボルネン・ベンゾシクロブテン・ポリイミド・エポキシ樹脂等を使用し、これらの樹脂は、例えばスピンコート法等の方法により基板上に塗布され成膜される。
【００７１】
成膜された樹脂は、表面に銅やアルミニウム等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により所定のビアパターンが形成され、このビアパターンをメタルマスクとして例えばリアクティブイオンエッチング法によりビアホールが形成され、その後メタルマスクが除去されることにより、樹脂に所定のビアホールが形成される。または、感光性樹脂（感光性ベンゾシクロブテン・感光性ポリイミド・感光性エポキシ等）を使用して絶縁層を形成後、フォトリソグラフィ法によりビアホールが形成される。または、絶縁層の樹脂形成後、エキシマレーザにより直接ビアホールが形成される。
【００７２】
絶縁層樹脂の厚みとしては、第１の絶縁層Ｉ１については３μｍ以上であることが好ましい。３μ未満の場合、下地に使用したセラミック基板の表面粗さの影響を受けて信号配線・電源配線・グランド配線が表面粗さを持つようになるため、また、下地のセラミック基板の誘電率の影響を受けるため、高速の信号を伝搬することが難しくなる傾向がある。
【００７３】
また、第２・第４の絶縁層Ｉ２・Ｉ４については0.5 μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。0.5 μｍ未満では電源配線−グランド配線間において絶縁不良を起こす傾向があり、また、３μｍを超えると電源配線−グランド配線間の十分な容量が得られない傾向がある。
【００７４】
また、第３の絶縁層Ｉ３については0.5 μｍ以上であることが好ましく、0.5 μｍ未満ではこの絶縁層Ｉ３の上下に配設される各配線間の絶縁性が十分に確保できなくなる傾向がある。
【００７５】
なお、第１・第３の絶縁層Ｉ１・Ｉ３の厚みの上限については、電気的特性上は何ら制限されるものではないが、20μｍを超えるとビアホール導体による電気的接続が困難となる傾向があるため、20μｍ以下とすることが好ましい。
【００７６】
また、第１〜第４の電源配線Ｐ１〜Ｐ４・第１〜第４のグランド配線Ｇ１〜Ｇ４ならびに第１・第２の信号配線Ｓ１・Ｓ２としては、例えば銅または金等を主導体金属層とし、必要に応じてクロム・チタン・モリブデン・ニオブ等を密着金属層として用いるとよく、これらの金属層は例えばスパッタリング法・真空蒸着法またはメッキ法により形成され、フォトリソグラフィ法により所定の配線パターンが形成される。
【００７７】
この主導体金属層の厚みは１〜10μｍとすることが好ましい。１μｍ未満であると配線の抵抗が大きくなるため、半導体素子への良好な電源供給や安定したグランドの確保・良好な信号の伝搬が困難となる傾向が見られる。また、10μｍを超えると絶縁層による被覆が不十分となって絶縁不良となる場合がある。
【００７８】
また、密着金属層は必要に応じて設ければよいが、設ける場合には密着金属層の厚みは0.03〜0.2 μｍとすることが好ましい。0.03μｍ未満では主導体金属層の密着性を向上させる効果が十分でなく、また、0.2 μｍを超えると例えば10ＧＨｚの信号を伝送する場合にその信号伝搬にかかわる金属の厚み（スキンデプス）がおおよそ0.6 μｍとなってその３分の１以上を密着金属層が占めることとなり、低い抵抗を持つ銅や銀等の主導体金属層の役割が不十分となってしまう傾向がある。
【００７９】
そして、各配線の位置関係としては、信号配線に対して電源配線・グランド配線が均等な位置関係になるような配置とすることが好ましい。
【００８０】
なお、本発明の多層配線基板は、以上の各例に対して第１の絶縁層Ｉ１の下に絶縁基体を配してもよく、第４の絶縁層Ｉ４とその上の各配線とを覆うようにさらに絶縁層を積層してもよい。また、各配線はそれぞれ複数本配設してもよく、これら第１の絶縁層Ｉ１〜第４の絶縁層Ｉ４により構成される多層配線基板の上にさらに第１の絶縁層Ｉ１〜第４の絶縁層Ｉ４により構成される多層配線基板を種々組み合わせて積層してもよい。
【００８１】
本発明の多層配線基板に対して第１の絶縁層Ｉ１の下に配する絶縁基体としては、例えばアルミナセラミックス等からなる絶縁基体を用いることができる。このような絶縁基体は、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）等のセラミック原料粉末に適当な溶剤・溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを従来周知のドクターブレード法によりシート状と成すとともに高温で焼成することにより作製される。
【００８２】
この絶縁基体の上面には、従来周知のイオンプレーティング法・スパッタリング法等の気相成長法によりアルミ（Ａｌ）等からなる下地導体層が形成され、その上からポリイミド樹脂等の高分子材料をスピンコーティングし、加熱処理を行うことにより第１の絶縁膜Ｉ１を形成する。
【００８３】
次いで、フォトリソグラフィにより、多層構造とするための接続用ビアホールを形成し、第１の絶縁膜Ｉ１上に気相成長法により下地金属層および主導体層および保護金属層を成膜し、ビアホール導体を形成するとともに、フォトリソグラフィにより第１の電源配線と第１のグランド配線と、仕様に応じて第１の信号配線とを形成する。
【００８４】
さらに、この第１の絶縁層Ｉ１および各配線の上にポリイミド樹脂を周知のスピンコーティングにより塗布して加熱処理する事により、１〜３μｍの厚みを有する第２の絶縁層Ｉ２を形成する。
【００８５】
次いで、フォトリソグラフィにより多層構造とするための接続用ビアホールを形成し、さらに第２の絶縁層Ｉ２上に気相成長法により下地金属層・主導体層・保護金属層からなる導電層を成膜し、ビアホール導体を形成するとともに、フォトリソグラフィにより第２の電源配線と第２のグランド配線と、仕様に応じて第１の信号配線とを形成する。
【００８６】
さらに、第１の絶縁層Ｉ２と各配線の上にポリイミド膜をスピンコートして加熱処理する事により、５〜20μｍの厚みを有する第３の絶縁層Ｉ３を形成し、次いでフォトリソグラフィによりこの第３の絶縁層Ｉ３上に形成する各配線を下部にある各配線と接続するためのビアホールを形成する。
【００８７】
このようにして順次各絶縁層および各配線を形成してゆくが、ここで第１の絶縁層Ｉ１上と第２の絶縁層Ｉ２上の各配線をＸ方向の配線とした場合、第３の絶縁層Ｉ３上と第４の絶縁層Ｉ４上の各配線をそれとは直交するＹ方向の配線となるように配置する。
【００８８】
また、第１〜第４の電源配線はすべて絶縁層に設けられた接続用ビアホール導体により電気的に接続されている。
【００８９】
同様に、第１〜第４のグランド配線も絶縁層に設けられたビアホール導体により電気的に接続され、さらに、第１の信号配線と第２の信号配線は、Ｘ，Ｙ方向の配線として接続が必要になるときは、絶縁層に設けられたビアホール導体により電気的に接続される。
【００９０】
このようにして、各絶縁膜と各配線とビアホール導体とを順次形成して積層することにより多層の配線基板とすることができる。
【００９１】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、同一層内に複数の信号配線を配設する場合、図５に図１〜図４と同様の平面図で示すように、電源配線・グランド配線をビアホール導体により接続する端部を図１〜図４に示したように直角の外側あるいは内側に設けずに、端部に適当な切欠きを設ける等して配線幅内に収めて、特性インピーダンスの均一性を保つように直角に接続されるような構造としてもよい。
【００９２】
【発明の効果】
本発明の多層回路基板によれば、信号配線が電源配線とグランド配線との間に略平行に配設されて成り、いわゆるコプレーナ線路構造を形成していることから、信号配線の特性インピーダンスを均一にしつつ安定した特性インピーダンスを得ることができる。
【００９３】
例えば、第１の信号配線が、半導体素子の動作によりグランド配線に接続された場合、第１の信号配線は第１のグランド配線および第２のグランド配線と電磁的に結合し、また、半導体素子の動作により第１の信号配線が電源配線に接続された場合には、第１の信号配線は第１の電源配線および第２の電源配線と電磁的に結合するため、半導体素子の動作の状態にかかわらず第１の信号配線は安定して電源配線およびグランド配線と電磁的結合を行なうこととなり、安定した特性インピーダンスを得ることができる。
【００９４】
また、本発明の多層配線基板によれば、電源配線とグランド配線とが絶縁層を挟んで略平行に対向するように積層されていることからそれぞれの配線間の合成インピーダンスが小さくなるため、多層配線基板上に搭載された半導体素子に対して電源が安定して供給されることとなり、半導体素子の誤動作を防止することができる。
【００９５】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、第１の絶縁層上および第２の絶縁層上の各配線の方向と第３の絶縁層上および第４の絶縁層上の各配線の方向とが略直交するように積層されていることから、直交部分での信号の電磁界は互いに直交しており、直交部分でのクロストークの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す平面図と断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図と断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図と断面図である。
【図４】本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図と断面図である。
【図５】本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図と断面図である。
【符号の説明】
Ｉ１〜Ｉ４・・・・第１〜第４の絶縁層
Ｇ１〜Ｇ４・・・・第１〜第４のグランド配線
Ｐ１〜Ｐ４・・・・第１〜第４の電源配線
Ｓ１、Ｓ２・・・・第１、第２の信号配線
Ｔ１〜Ｔ５・・・・第１〜第５のスルーホール導体
【図１】
0003732927.tif 000002
【図２】
0003732927.tif 000003
【図３】
0003732927.tif 000004
【図４】
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【図５】
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