(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（II）
【化１】
0003732528.tif 000060
〔式（II）中、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4は、それぞれ独立したＯＲ基を０〜２個有するベンゼン環またはナフタレン環骨格を表わし、かつＬ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4のうち少なくとも１つはＯＲ置換基を１個以上含有する。ＯＲ置換基は（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素オキシ基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素オキシ基を表わす。但し、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4に有する全てのＯＲ置換基のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素オキシ基である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で表される光吸収化合物。
【請求項２】
下記一般式（III）
【化２】
0003732528.tif 000061
〔式（III）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるナフタロシアニン化合物である請求項１の光吸収化合物。
【請求項３】
一般式（III）において、ＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3及びＯＲ4の置換位置が各々１または６、７または１２、１３または１８、及び１９または２４のα位である請求項２の光吸収化合物。
【請求項４】
下記一般式（IV）
【化３】
0003732528.tif 000062
〔式（IV）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるナフタロシアニン化合物である請求項１の光吸収化合物。
【請求項５】
一般式（IV）において、ＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3及びＯＲ4の置換位置が各々６、１２、１８、及び２４のα位である請求項４の光吸収化合物。
【請求項６】
下記一般式（Ｖ）
【化４】
0003732528.tif 000063
〔式（Ｖ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物である請求項１の光吸収化合物。
【請求項７】
一般式（Ｖ）において、ＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3、ＯＲ4、ＯＲ5、ＯＲ6、ＯＲ7及びＯＲ8の置換位置が各々１、４、５、８、９、１２、１３及び１６のα位である請求項６の光吸収化合物。
【請求項８】
一般式（Ｖ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が二重結合を含有している不飽和炭化水素基であり、ＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3及びＯＲ4の置換位置が１又は４位、５又は８位、９又は１２位、及び１３又は１６位であり、かつｋ，ｌ，ｍ及びｎが０である請求項６の光吸収化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の光吸収化合物を記録層に含有して形成される光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、情報記録、表示センサー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な役割を果たす光線吸収剤として有用な化合物、それを記録層に含有してなる光ディスク及び光カード等の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザー光は光ディスク、光カード装置等における書き込み及び読み取りのために利用されている。特にこれらの装置で用いられる光記録媒体の記録方式は、実用レベルとしては通常、光・熱変換を経たヒートモード記録（熱記録）が採用されており、そのために記録層として低融点金属、有機高分子、更には融解、蒸発、分解、あるいは昇華等の物理変化または化学変化を起こす有機色素が種々提案されている。中でも、融解、分解等の温度が低い有機色素系は記録感度上好ましいことから、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素などを中心に記録層として開発されてきている。
【０００３】
例えば、特開平２−１４７２８６号公報において、記録層にシアニン系色素を含む光記録媒体が提案されている。しかしながら、この媒体系は長期保存性及び耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。
【０００４】
アントラキノン色素（例えば、特開昭５８ー２２４４４８号公報）、ナフトキノン色素（例えば、特開昭５８−２２４７９３号公報）を記録層に含む光記録媒体も提案されているが、いずれもシアニン系色素と同様に長期保存性及び耐光性に劣り、記録特性も不十分であった。
【０００５】
特開昭６１−２５８８６号公報、特開平２−４３２６９号公報（ＵＳＰ  ４，９６０，５３８）、特開平２−２９６８８５号公報等においては、記録層にナフタロシアニン色素を含む光記録媒体が提案されている。この媒体系では、耐光性は優れるが、記録層の反射率が低く、記録特性も不十分であった。
【０００６】
また、光記録媒体の記録層にフタロシアニン色素、特にアルコキシ置換フタロシアニンを利用する技術は、特開昭６１−１５４８８８号公報（ＥＰ  １８６４０４）、同６１−１９７２８０号公報、同６１−２４６０９１号公報、同６２−３９２８６号公報（ＵＳＰ  ４，７６９，３０７）、同６３−３７９９１号公報、同６３−３９３８８号公報等により広く知られている。これらの特許に開示されているフタ口シアニン色素を用いた光記録媒体においては、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言い難かった。それを改良したのが特開平３−６２８７８号公報（USP 5,124,067）であるが、その改良化合物においても、レーザー光による記録時の誤差が大きく未だ実用上十分ではなかった。
【０００７】
特開平２−４３２６９号公報（ＵＳＰ  ４，９６０，５３８）及び特開平２−２９６８８５号公報においてアルコキシ置換ナフタロシアニン、特開昭６３−３７９９１号公報において脂肪族炭化水素オキシ置換フタロシアニン、特開昭６３−３９３８８号公報においてはアルケニルチオ置換フタロシアニンの光記録媒体への利用を提案しているが、発明の詳細な説明及び実施例において、二重結合を含む不飽和炭化水素オキシまたはチオ基の記述はなく、無論、本発明における特に炭素間三重結合または二重結合を含む不飽和炭化水素オキシ基が光記録媒体の感度、記録特性に効果があると言うことは記載されていない。
【０００８】
尚、その他の公知の色素を用いた光記録媒体の記録特性においても十分な性能を有しているものは見出されていない。
【０００９】
光記録媒体への書き込み及び読み出しは４００〜９００ｎｍのレーザー光を利用するので、記録材料の使用レーザー発振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き込み時における精度の良いピット形成が重要である。このことは、最近願望されている高速記録、高密度記録においては特に重要である。そのため、構造安定性が高く、レーザー発振波長近傍の光に対して屈折率が高く、分解特性が良好で、かつ感度の高い光記録媒体用色素の開発が必要となる。ところが従来開発された光記録媒体用色素は、記録媒体に用いた時、特に高速記録、高密度記録時の感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パワー）、記録特性（ジッター、デビエイション）について欠点を有するという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記欠点を改善し、高速記録、高密度記録時においても感度が高く、記録特性の良好な光記録媒体を提供し得る色素を供給することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、それらの色素を用いた、感度が高く、記録特性の良好な光記録媒体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前項の問題点を解決すべく鋭意検討の結果、上述の目的に合う新規な光吸収化合物を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明は、下記一般式（II）
【００１６】
【化５】
0003732528.tif 000002
〔式（II）中、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4は、それぞれ独立したＯＲ基を０〜２個有するベンゼン環またはナフタレン環骨格を表わし、かつＬ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4のうち少なくとも１つはＯＲ置換基を１個以上含有する。ＯＲ置換基は（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素オキシ基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素オキシ基を表わす。但し、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4に有する全てのＯＲ置換基のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素オキシ基である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で表される光吸収化合物である。
【００１７】
特に、一般式（II）において、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4に有するＯＲ置換基が分岐した飽和または不飽和炭化水素オキシ基であること、及びＬ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4に有するＯＲ置換基が不飽和炭化水素オキシ基であり、かつ１個以上の二重結合を有し、該二重結合が芳香環結合酸素原子の隣の炭素原子から数えて２、３番目の炭素原子間に存在することが好ましい。
【００１８】
更に上記一般式（II）で表わされる化合物のより好ましい実施態様として次の一般式（III）〜（Ｖ）で表わされる化合物が挙げられる。
【００１９】
【化６】
0003732528.tif 000003
〔式（III）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるナフタロシアニン化合物、特に、一般式（III）においてＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3及びＯＲ4の置換位置が各々１または６、７または１２、１３または１８、及び１９または２４のα位であることが好ましい。
【００２０】
【化７】
0003732528.tif 000004
〔式（IV）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるナフタロシアニン化合物、特に、一般式（IV）においてＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3及びＯＲ4の置換位置が各々６、１２、１８、及び２４のα位であることが好ましい。
【００２１】
【化８】
0003732528.tif 000005
〔式（Ｖ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に（ａ）炭素数１〜２０の置換または未置換の飽和炭化水素基または、（ｂ）炭素数５〜１０の分岐した不飽和炭化水素基を表わす。但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも１つは前記（ｂ）の不飽和炭化水素基である。ｋ，ｌ，ｍ及びｎはＯＲの数を表わすもので、０または１である。Ｍｅｔは２個の水素原子、２価金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物、特に、一般式（Ｖ）においてＯＲ1、ＯＲ2、ＯＲ3、ＯＲ4、ＯＲ5、ＯＲ6、ＯＲ7及びＯＲ8の置換位置が各々１、４、５、８、９、１２、１３及び１６のα位であることが好ましい。
【００２２】
本発明において、二重結合とは芳香環でない炭素間二重結合を意味する。
【００２３】
一般式（II）〜（Ｖ）において、置換の飽和または不飽和の炭化水素オキシ基の置換基としては、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリール基が挙げられる。
【００２４】
一般式（II）〜（Ｖ）において、不飽和炭化水素オキシ基あるいは不飽和炭化水素基は、不飽和結合である炭素間三重結合及び／または二重結合を１〜４個含み、炭素間三重結合と二重結合は混在していても良い。一般式（II）で示される光吸収化合物とは、４００〜９００ｎｍの波長の光を吸収する化合物を示す。さらに一般式（II）〜（Ｖ）中、ＯＲ基の炭素数は、２〜２０、好ましくは３〜１２で、さらに好ましくは５〜１０であり、また光吸収化合物全体として有するＯＲ基の半分以上が炭素数３〜１２または５〜１０であっても良い。
【００２５】
本発明の光吸収化合物は、ＯＲ基に炭素間三重結合または炭素間二重結合が存在することにより、従来の記録法のみならず、従来に比較して高速である記録、あるいは高密度の記録法においても光記録媒体の感度、記録特性の向上に効果を上げた。機構は未だ明らかでなく現在検討中であるが、炭素間三重結合及び二重結合の存在により、記録時に色素の分解・溶融が制御され精度の高いピット形成が行われたこと、分解発熱量の減少により記録媒体の樹脂基板へのダメージが減少したこと、反射層を有する記録媒体の場合は記録層と反射層である金属層との密着性が向上したことなどが挙げられる。特にＯＲ基が、二重結合を酸素原子の隣の炭素原子から数えて２、３番目の炭素原子間に有する不飽和炭化水素オキシ基である場合、光記録媒体の感度及び記録特性の向上に著しい効果があった。この効果は、不飽和炭化水素基のクライゼン転位及び脱離によるものと考えられる。即ち、低パワーのレーザー光で生じるクライゼン転位及び脱離の前後の吸光度・反射率の差を利用して、記録・再生を行うことにより、感度が良好で、樹脂基板へのダメージが小さく、精度の高いピット形成が行われたと考えられる。
【００２６】
本発明の光吸収化合物のうち、例えばフタロシアニン及びナフタロシアニン系化合物において、ＯＲ基の少なくとも１個が、その芳香環結合酸素原子の隣の炭素原子から数えて２、３番目の炭素原子間に二重結合を有する不飽和炭化水素オキシ基である場合、約２００℃の加熱によりナフタロシアニンまたはフタロシアニン骨格を維持したまま不飽和炭化水素基のクライゼン転位および僅かな脱離を生じることは、1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトル測定及び熱分析（熱重量法：ＴＧ、示差熱分析：ＤＴＡ、示差走査熱量測定：ＤＳＣ）等により明かになった。例えば、1Ｈ−ＮＭＲにおける加熱経時変化では、アリル基領域（δ＝3.0〜5.8ppm）で酸素原子に結合したアリル基に由来したシグナルが減少し、高磁場領域に新たに芳香族環に結合したアリル基に由来すると考えられるシグナルが出現した。マススペクトルにおいては、加熱して転位反応を生じたと思われるものには、加熱前に存在していた不飽和炭化水素基部分の欠如したフラグメントピークが小さくなるかまたは観測されなくなる。ＴＧにおいては、２００℃前後からわずかに重量減少が観測され、ＤＳＣでは２００℃前後で発熱が観測された。ＴＧ及びＤＳＣでのこれらの現象は、対応する飽和炭化水素オキシ基のみを有するフタロシアニンまたはナフタロシアニン系化合物では観測されなかった。さらに、不飽和炭化水素基のクライゼン転位及び脱離反応を生じたナフタロシアニンまたはフタロシアニン系化合物の７８０ｎｍ近傍の溶液中での吸光度は、反応前のものに比較して２〜２０倍に増大した。これらの化合物をガラス基板上に塗布して形成した光記録媒体において、７８０ｎｍ近傍の反射率は、反応前のものに比較して２／３〜１／１０に減少する。従って、ピット部分とピット以外の部分とのレーザー光の反射光量に大きな違いが生じ、再生信号の変調度を大きくとることが可能である。上記の効果、特にクライゼン転移による効果は、他の光吸収化合物においても同様の傾向が見られた。
【００２７】
本発明の光吸収化合物のうち、特にフタロシアニン及びナフタロシアニン系化合物は、６５０〜９００ｎｍにシャープな吸収を有し、分子吸光係数は150,000以上と高く、長期安定性及び耐光性にも優れるため、半導体レーザーを用いる光記録媒体（光ディスク、光カード等）の記録材料に好適である。
【００２８】
以下に本発明の好ましい態様を詳述する。
【００２９】
一般式（II）〜（Ｖ）中、ＯＲ基で示される置換基の具体例としては、置換または未置換の炭素数１〜２０の飽和炭化水素オキシ基または炭素数２〜２０の不飽和炭化水素オキシ基であるが、入手の容易さや溶解度を考慮して好ましくは炭素数３〜１２である置換または未置換の飽和炭化水素オキシ基または不飽和炭化水素オキシ基である。
【００３０】
例えば、未置換の飽和炭化水素オキシ基の例としては、n-プロピルオキシ基、iso-ブチルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、t-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基、2-メチルブチル-3-オキシ基、n-ヘキシルオキシ基、cyclo-ヘキシルオキシ基、2-メチルペンチル-4-オキシ基、2-メチルペンチル-3-オキシ基、3-メチルペンチル-4-オキシ基、n-ヘプチルオキシ基、2-メチルヘキシル-5-オキシ基、2,4-ジメチルペンチル-3-オキシ基、2-メチルヘキシル-3-オキシ基、ヘプチル-4-オキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシル-1-オキシ基、2,5-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,4-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,2,4-トリメチルペンチル-3-オキシ基、n-ノニルオキシ基、3,5-ジメチルヘプチル-4-オキシ基、2,6-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、2,4-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、n-ドデシルオキシ基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル-3-オキシ基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基等が挙げられる。
【００３１】
置換飽和炭化水素オキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、γ−メトキシプロピルオキシ基、γ−エトキシプロピルオキシ基等のアルコキシアルコキシ基、エトキシエトキシエトキ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシアルコキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、2-アミノ-2-メチルヘキシル-3-オキシ基等のアミノアルコキシ基、ベンジルオキシ基、フェニルエチルオキシ基、ナフチルオキシ基、3-ベンジル-3-メチルブチル-2-オキシ基等のアラルキルオキシ基、2-ヒドロキシエチル-1-オキシ基、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル-1-オキシ基等のヒドロキシアルコキシ基、アセトキシエチルオキシ基、アセトキシエトキシエチルオキシ基等のアシルオキシアルコキシ基、等が挙げられる。
【００３２】
置換または未置換の不飽和炭化水素オキシ基において、オキシ酸素原子の隣の炭素原子から数えて二、三番目の炭素原子間に二重結合を有する不飽和炭化水素オキシ基の例として、2-プロペニル-1-オキシ基、1-ブテニル-3-オキシ基、2-ブテニル-1-オキシ基、3-ブテニル-2-オキシ基、1-ヒドロキシ-2-ブテニル-4-オキシ基、2-ペンテニル-1-オキシ墓、3-ペンテニル-2-オキシ基、1-ペンテニル-3-オキシ基、1,4-ペンタジエニル-3-オキシ基、1-ヘキセニル-3-オキシ基、2-ヘキセニル-1-オキシ基、2-ヘキセニル-4-オキシ基、3-ヘキセニル-2-オキシ基、4-ヘキセニル-3-オキシ基、2,4-ヘキサジエニル-1-オキシ基、1,4-ヘキサジエニル-3-オキシ基、1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、1-ヒドロキシ-2,4-ヘキサジエニル-6-オキシ基、2,5-ヘキサジエニル-1-オキシ基、1,3-ヘキサジエニル-5-オキシ基、1-ヘプテニル-3-オキシ基、2-ヘプテニル-4-オキシ基、3-ヘプテニル-5-オキシ基、1,4-ヘプタジエニル-3-オキシ基、1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、1,5-ヘプタジエニル-3-オキシ基、2,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、1-オクテニル-3-オキシ基、2-オクテニル-4-オキシ基、1-ノネニル-3-オキシ基、4-ジメチルアミノ-1-ブテニル-3-オキシ基、4-メチルチオ-1-ブテニル-3-オキシ基、1-シクロペンチル-2-メチル-2-プロペニル-1-オキシ基、1-シクロヘキシル-2-メチル-2-プロペニル-1-オキシ基、2-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、2-メチル-3-ブテニル-2-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-2-オキシ基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、2,3-ジメチル-3-ブテニル-2-オキシ基、2-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、3-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、4-メチル-3-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、3-メチル-4-ペンテニル-3-オキシ基、2-メチル-4-ペンテニル-3-オキシ基、2,4-ジメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2,3-ジメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2,4-ジメチル-1,4-ペンタジエニル-3-オキシ基、2,4,4-トリメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、4-メチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-1-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、3-メチル‐3-ヘキセニル-2-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘキセ二ル-4-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘキサジエニル-4-オキシ基、5-メチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2,5-ジメチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2,2-ジメチル-5-ヘキセニル-4-オキシ基、2,3,4-トリメチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、5-メチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、4-メチル-4-ヘプテニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、2,4-ジメチル-2,6-ヘプタジエニル-1-オキシ基、2,6-ジメチル-2,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、3,5-ジメチル-1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2-メチル-4-ジメチルアミノ-1-ブテニル-3-オキシ基、2-メチル-4-メチルチオ-1-ブテニル-3-オキシ基、3-メチル-2-ペンテニル-4-イン-1-オキシ基等が挙げられる。
【００３３】
上記以外の置換または未置換の不飽和炭化水素オキシ基の例としては、エテニルオキシ基、3-ブテニル-1-オキシ基、5-ヘキセニル-2-オキシ基、5-ヘキセニル-1-オキシ基、3-ヘキセニル-1-オキシ基、4-ヘキセニル-1-オキシ基、1-オクテニル-4-オキシ基、2-メチル-3-ブテニル-1-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-1-オキシ基、3-メチル-4-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル-4-ペンテニル-2-オキシ基、2-メチル-4-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル-4-ヘキセニル-2-オキシ基、5-メチル-5-ヘキセニル-2-オキシ基、5-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、6-メチル-5-ヘプテニル-2-オキシ基、2,2-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、5-メチル-1-ヘプテニル-4-オキシ基、6-メチル-6-ヘプテニル-3-オキシ基、3,5-ジメチル-1,6-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,6-ジメチル-1-ノネニル-3-イン-5-オキシ基、1-フェニル-4-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、4-エチル-1-ヘキシニル-3-オキシ基、2,6-ジメチル-6-ヘプテニル-4-イン-3-オキシ基、4-メチル-1-ペンチニル-3-オキシ基等が挙げられる。
【００３４】
特に好ましい例としては、色素の融点を考慮して炭素数５〜１０で、分岐して立体障害が大きく、芳香環の垂直方向に張り出し易く、かつ単位重量当たりの吸光係数が大きくできる基、また、光記録媒体とした時感度向上に有効な基であり、具体的には、2-メチルペンチル-4-オキシ基、2-メチルペンチル-3-オキシ基、3-メチルペンチル-4-オキシ基、2-メチルヘキシル-5-オキシ基、2,4-ジメチルペンチル-3-オキシ基、2-メチルヘキシル-3-オキシ基、2,5-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,4-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,2,4-トリメチルペンチル-3-オキシ基、3,5-ジメチルヘプチル-4-オキシ基、2,6-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、2,4-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル-3-オキシ基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-1-オキシ基、4-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2-メチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2-メチル-4-ペンテニル-3-オキシ基、2,4-ジメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2,4,4-トリメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2-メチル-1-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、4-メチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘキサジエニル-4-オキシ基、5-メチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2,2-ジメチル-5-ヘキセニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘキセニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-1,5-ヘキサジエニル-4-オキシ基、2-メチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、4-メチル-4-ヘプテニル-3-オキシ基、5-メチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、3,5-ジメチル-1,6-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、3,5-ジメチル-1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、4-メチル-4-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル-1-ペンチニル-3-オキシ基、5-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基等である。
【００３５】
また、式（II）〜（Ｖ）中、Ｍｅｔで示される２価金属原子の例としては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｈｇ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ等が挙げられ、１置換の３価金属原子の例としては、Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｉ，Ｇａ−Ｆ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｇａ−Ｉ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，Ｔｌ−Ｉ，Ａｌ−Ｃ6Ｈ5，Ａｌ−Ｃ6Ｈ4（ＣＨ3），Ｉｎ−Ｃ6Ｈ5，Ｉｎ−Ｃ6Ｈ4（ＣＨ3），Ｍｎ（ＯＨ），Ｍｎ（ＯＣ6Ｈ5），Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ3）3〕，Ｆｅ−Ｃｌ，Ｒｕ−Ｃｌ等が挙げられ、２置換の４価金属原子の例としては、ＣｒＣｌ2，ＳｉＦ2，ＳｉＣｌ2，ＳｉＢｒ2，ＳｉＩ2，ＳｎＦ2，ＳｎＣｌ2，ＳｎＢｒ2，ＺｒＣｌ2，ＧｅＦ2，ＧｅＣｌ2，ＧｅＢｒ2，ＧｅＩ2，ＴｉＦ2，ＴｉＣｌ2，ＴｉＢｒ2，Ｓｉ（ＯＨ）2，Ｓｎ（ＯＨ）2，Ｇｅ（ＯＨ）2，Ｚｒ（ＯＨ）2，Ｍｎ（ＯＨ）2，ＴｉＡ2，ＣｒＡ2，ＳｉＡ2，ＳｎＡ2，ＧｅＡ2〔Ａはアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＯＡ’）2，Ｓｎ（ＯＡ’）2，Ｇｅ（ＯＡ’）2，Ｔｉ（ＯＡ’）2，Ｃｒ（ＯＡ’）2〔Ａ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＳＡ”）2，Ｓｎ（ＳＡ”）2，Ｇｅ（ＳＡ”）2〔Ａ”はアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕等が挙げられ、オキシ金属原子の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯ等が挙げられる。特に好ましい例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＳｉＣｌ2，Ｓｉ（ＯＨ）2，Ｓｉ（ＯＡ’）2，ＶＯ等である。
【００３６】
例えば、一般式（Ｖ）で示されるフタロシアニン化合物の合成法としては、下式（VI）
【００３７】
【化９】
0003732528.tif 000006
〔式（VI）におけるベンゼン環は、一般式（Ｖ）で述べたような置換基を有していて良い。〕で表される化合物の１〜４種を混合して、例えば１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、金属誘導体とアルコール中で加熱反応する。あるいは、金属誘導体とクロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱反応する方法が挙げられる。また、式（VI）で表される化合物を、アルコール中、ナトリウムメチラートを触媒にアンモニアと反応して式（VII）で表されるジイミノイソインドリンを中間体として同様に反応する方法等が挙げられる。
【００３８】
【化１０】
0003732528.tif 000007
また、式（VI）で表される化合物の合成は、特開昭６１−１８６３８４（ＵＳＰ４７６９３０７）号公報、NOUVEAU JOURNAL DE CHIMIE, VOL.6, NO.12, PP653〜658 (1982)に記載の方法等にて行った。
【００３９】
一般式（III）及び（IV）で示されるナフタロシアニン化合物の合成法としては、例えば、J. Am. Chem. Soc., 106, 740(1984); J. Org. Chem., 28, 3379(1963); J. Chem. Soc., 1744(1936)に記載の方法等が挙げられる。
【００４０】
即ち、一般式（III）で示される化合物は、下式（VIII）または（IX）
【００４１】
【化１１】
0003732528.tif 000008
〔式（VIII）及び（IX）におけるナフタレン環は、一般式（III）で述べたような置換基を有していて良い。〕で表される化合物の１〜４種を混合して、上述したフタロシアニン化合物と同様の方法で合成される。
【００４２】
同様に一般式（IV）で示される化合物は、下式（Ｘ）または（XI）
【００４３】
【化１２】
0003732528.tif 000009
〔式（Ｘ）及び（XI）におけるナフタレン環は、一般式（IV）で述べたような置換基を有していて良い。〕から合成される。
【００４４】
また、式（VI）、（VIII）及び（X）または（VII）、（IX）及び（XI）を混合して金属誘導体と加熱反応させることにより、ベンゼン骨格とナフタレン骨格とが混在する一般式（II）に包含される化合物も合成することができる。
【００４５】
本発明の光吸収化合物を用いて光記録媒体を製造する方法には、透明基板上に本発明の光吸収化合物を含む１〜３種の化合物を１層または２層に塗布、あるいは蒸着する方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０％と、本発明の光吸収化合物０．０５〜２０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％となるように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法等がある。また蒸着方法としては１０-5〜１０-7ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上に堆積させる方法等がある。
【００４６】
基板としては、光学的に透明な樹脂であれば良い。例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂等が挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂により表面処理がなされていても良い。
【００４７】
光記録媒体（光ディスク、光カード等）を作製する場合、コストの面、ユーザーの取り扱いの面より、基板はポリアクリレート基板またはポリカーボネート基板を用い、かつスピンコート法により塗布されるのが好ましい。
【００４８】
基板の耐溶剤性より、スピンコートに用いる溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオクタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等）、あるいはそれらの混合溶媒が好適に用いられる。
【００４９】
記録媒体として加工するには、上記の様に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、エアーギャップを設けて対向させて張り合わせる、または、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設け、熱硬化性または光硬化性樹脂の保護層を積層する方法などがある。保護層として、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＳｎＯ2等の無機化合物を利用しても良い。
【００５０】
本発明で得られる光記録媒体は、各種レーザー光によって記録・再生が可能である。但し、レーザー波長により記録層に含有させる本発明の光吸収化合物を選択することで、より感度・記録特性の良い光記録媒体を得ることができる。例えば、780nm前後の波長のレーザー光の時は一般にフタロシアニン系化合物が好ましく、830nm前後のレーザー光の時は一般にフタロシアニン系化合物よりも光吸収が長波長側にシフトするナフタロシアニン系化合物が好ましい。
【００５１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
【００５２】
実施例１
撹拌器、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に、６０％水素化ナトリウム９．６ｇ（０．２４モル）及びジメチルホルムアミド１５０ｍｌを装入し、窒素通気下撹拌する。これに２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇ（０．２５モル）を温度２０〜３０℃１時間で滴下する。同温度で３時間撹拌しナトリウムアルコラート溶液を調製する。
【００５３】
次に、撹拌器、還流冷却器を備えた容器に、３−ニトロフタロニトリル３４．６ｇ（０．２モル）およびジメチルホルムアミド１５０ｍｌを装入し溶解させる。これに、予め調製したナトリウムアルコラート溶液を、０〜１０℃で３時間で滴下し、滴下終了後、温度を２０〜３０℃に昇温し３時聞撹拌して、反応を終了する。終了後、３ｌの水に排出し３０分撹拌する。これにトルエン５００ｍｌを加え３０分撹拌後、静置し、トルエン層を分離する。トルエンを減圧留去後、ｎ−ヘキサン６００ｍｌで再結晶して３−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル３９．４ｇ（収率８２．０％）を得た。液体クロマトグラフィーでの純度分析では純度は９９．２％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【００５４】
0003732528.tif 000010
【００５５】
次に、撹拌器、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に、３−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル２４．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）、及びｎ−アミルアルコール１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で２０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）して、目的とするα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合物の濃緑色結晶を得た。収量は１６．８ｇ（収率６３％）であった。高速液体クロトグラフィーによる純度測定の結果は９９．０％であった。可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りである。
【００５６】
可視吸収：λmax＝６９２ｎｍ
εg＝２．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000011
【００５７】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコートした後、光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であり、カーボンアーク灯６３℃、２００時間の耐久試験においても変化はなかった。
【００５８】
実施例２
実施例１と同様の容器に、３−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル２４．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−アミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下で１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で１０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）して、目的とするα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン銅化合物の濃緑色結晶を得た。収量は１９．８ｇ（収率７７．１％）であった。高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．６％であった。可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りである。
【００５９】
可視吸収λmax＝７０８ｎｍ
εg＝２．４×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000012
【００６０】
上記フタロシアニン化合物のジブチルエーテル溶液（１０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピンコーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であり、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなかった。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も記録再生に支障はなかった。
【００６１】
実施例３
実施例１と同様の容器に、３−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル２４．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−アミルアルコール１２０ｇを装人し、窒素雰囲気下で１００℃まで昇温させた。次に、同温度で三塩化バナジウム４．７ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で１０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）して、目的とするα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンオキシバナジウム化合物の濃緑色結晶を得た。収量は１１．６ｇ（収率４５．３％）であった。液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．０％であった。可視吸光スペクトルおよび元素分析の結果は以下の通りである。
【００６２】
可視吸収：λmax＝７３３ｎｍ
εg＝２．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000013
【００６３】
上記フタロシアニン化合物１０ｇをジブチルエーテルとジイソプロピルエーテル３：１（体積比）混合溶媒５００ｍｌに溶解し、スピンコーターによりポリカーボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を設けて光カ一ドを作製した。このカードは、８００ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は６１ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。さらにこの光カードは保存安定性も良好なものであった。
【００６４】
実施例４
実施例１と同様の容器に、３−（２，４−ジメチルー１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル２４．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−アミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下で１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化マグネシウム２．８ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で１５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン：酢酸エチル＝８：２体積比）して、目的とするα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンマグネシウム化合物の濃緑色結晶を得た。収量は１３．８ｇ（収率５６．２％）であった。液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９８．９％であった。可視吸光スペクトルおよび元素分析の結果は以下の通りである。
【００６５】
可視吸収λmax＝７０４ｎｍ
εg＝２．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000014
【００６６】
上記フタロシアニン化合物のエチルシクロヘキサン溶液（２０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピンコーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速２．８ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であり、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなかった。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も記録再生に支障はなかった。
【００６７】
実施例５
実施例１と同様の容器に、３−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリル２４．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−アミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下で１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化亜鉛４．１ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で２５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン：酢酸エチル＝８：２体積比）して、目的とするα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン亜鉛化合物の濃緑色結晶を得た。収量は１６．９ｇ（収率６５．８％）であった。液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．１％であった。可視吸光スペクトルおよび元素分析の結果は以下の通りである。
【００６８】
可視吸収λmax＝７０６ｎｍ
εg＝２．５×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000015
【００６９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【００７０】
実施例６
３−ニトロフタロニトリルの代わりに４−ニトロフタロニトリルを用いる以外は実施例１と同様の操作を行い４−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリルを合成し、β位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合物を得た。
【００７１】
４−（２，４−ジメチル−１−ペンテニル−３−オキシ）フタロニトリルの収量は４１．０ｇ（収率８５．３％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９８．９％であった。元素分析の結果は以下の通りである。
【００７２】
0003732528.tif 000016
【００７３】
フタロシアニンパラジウム化合物の収量は１８．７ｇ（収率７０．２％）であり、液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．０％であった。可視吸光スペクトルおよび元素分析の結果は以下の通りである。
【００７４】
可視吸収λmax＝６８８ｎｍ
εg＝１．５×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000017
【００７５】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレ一トは、０．２％未満であった。
【００７６】
実施例７〜９
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに４−メチル−４−ヘプテン−３−オール３２．１ｇを用いる以外は実施例１〜３と同様な操作を行い、３−（４−メチル−４−ヘプテニル−３−オキシ）フタロニトリルを合成し、さらにα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム，銅及びオキシバナジウム化合物を得た。
【００７７】
３−（４−メチル−４−ヘプテニル−３−オキシ）フタロニトリルの収量は４１．２ｇ（収率８１．０％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．０％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【００７８】
0003732528.tif 000018
【００７９】
フタロシアニンパラジウム、銅及びオキシバナジウム化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【００８０】
フタロシアニンパラジウム化合物（実施例７）
収量１７．４ｇ（収率６２．０％）、純度９９．１％
可視吸収：λmax＝６９１ｎｍ
εg＝２．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000019
【００８１】
フタロシアニン銅化合物（実施例８）
収量２０．６ｇ（収率７６．２％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７０７ｎｍ
εg＝２．５×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000020
【００８２】
フタロシアニンオキシバナジウム化合物（実施例９）
収量１２．０ｇ（収率４４．１％）、純度９８．８％
可視吸収：λmax＝７３０ｎｍ
εg＝２．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000021
【００８３】
上記各フタロシアニン化合物において、ジメチルシクロヘキサン溶液（１０ｇ／ｌ）をスピンコーターによりＰＭＭＡ製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を形成し、光カードを作製した。これらの光カードは、７８０ｎｍ（フタロシアニンオキシバナジウム化合物を用いた媒体の時のみ８００ｎｍ）、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷの半導体レーザー光により記録することが可能で、その際のＣＮ比は５８〜６１ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調べたところ１０5回の再生が可能であった。さらに、上記各フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。これらの媒体に、波長７８０ｎｍ（フタロシアニンオキシバナジウム化合物を用いた媒体の時のみ８００ｎｍ）のレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【００８４】
実施例１０
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに２−メチル−４−ヘキセン−３−オール２８．５ｇを用いる、及び塩化パラジウム５．３ｇの代わりに塩化ニッケル３．９ｇを用いる以外は実施例１と同様な操作を行い、３−（２−メチル−４−ヘキセニル−３−オキシ）フタロニトリルを合成し、さらにα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンニッケル化合物を得た。
【００８５】
３−（２−メチル−４−ヘキセニル−３−オキシ）フタロニトリルの収量は４０．０ｇ（収率８３．２％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．１％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【００８６】
0003732528.tif 000022
【００８７】
フタロシアニンニッケル化合物の収量は１７．１ｇ（収率６４．１％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度測定の結果は９８．８％であった。可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りである。
【００８８】
可視吸収：λmax＝７００ｎｍ
εg＝２．０×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000023
【００８９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【００９０】
実施例１１
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに２−メチル−１，５−ヘプタジエン−４−オール３１．６ｇを用いること、及び塩化パラジウム５．３ｇの代わりに塩化コバルト３．９ｇを用いる以外は実施例１と同様な操作を行い、３−（２−メチル−１，５−ヘプタジエニル−４−オキシ）フタロニトリルを合成し、さらにα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンコバルト化合物を得た。
【００９１】
３−（２−メチル−１，５−ヘプタジエニル−４−オキシ）フタロニトリルの収量は４２．１ｇ（収率８３．０％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９８．８％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【００９２】
0003732528.tif 000024
【００９３】
フタロシアニンコバルト化合物の収量は１３．５ｇ（収率５０．３％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度測定の結果は９８．８％であった。可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りである。
【００９４】
可視吸収：λmax＝６９５ｎｍ
εg＝２．１×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000025
【００９５】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【００９６】
実施例１２〜１４
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに３，５−ジメチル−１，６−ヘプタジエン−４−オール３５ｇを用いる以外は実施例１と同様な操作を行い、３−（３，５−ジメチル−１，６−ヘプタジエン−４−オキシ）フタロニトリルを合成し、さらにα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム，銅及びオキシバナジウム化合物を得た。
【００９７】
３−（３，５−ジメチル−１，６−ヘプタジエン−４−オキシ）フタロニトリルの収量は４４．７ｇ（収率８４．０％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．１％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【００９８】
0003732528.tif 000026
【００９９】
フタロシアニンパラジウム、銅及びオキシバナジウム化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１００】
フタロシアニンパラジウム化合物（実施例１２）
収量１９．０ｇ（収率６５．０％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝６９０ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000027
【０１０１】
フタロシアニン銅化合物（実施例１３）
収量２１．４ｇ（収率７６％）、純度９９．６％
可視吸収：λmax＝７０６ｎｍ
εg＝１．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000028
【０１０２】
フタロシアニンオキシバナジウム化合物（実施例１４）
収量１５．５ｇ（収率５４．８％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７３３．５ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000029
【０１０３】
上記各フタロシアニン化合物において、ジメチルシクロヘキサン溶液（１０ｇ／ｌ）を実施例３と同様にポリカーボネート製光カード基板上に塗布し、塗布面に保護層を形成し、光カードを作製した。これらの光カードは、７８０ｎｍ（フタロシアニンオキシバナジウム化合物を用いた媒体の時のみ８００ｎｍ）、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷの半導体レーザー光により記録することが可能で、その際のＣＮ比は５８〜６１ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調べたところ１０5回の再生が可能であった。さらに、上記各フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。これらの媒体に、波長７８０ｎｍ（フタロシアニンオキシバナジウム化合物を用いた媒体の時のみ８００ｎｍ）のレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１０４】
実施例１５、１６
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに２，５−ジメチル−５−ヘキセン−３−オール３２ｇを用いる以外は実施例１と同様な操作を行い、３−（２，５−ジメチル−５−ヘキセン−３−オキシ）フタロニトリルを合成し、さらにα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム及び銅化合物を得た。
【０１０５】
３−（２，５−ジメチル−５−ヘキセン−３−オキシ）フタロニトリルの収量は４３．７ｇ（収率８６．０％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．０％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【０１０６】
0003732528.tif 000030
【０１０７】
フタロシアニンパラジウム及び銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１０８】
フタロシアニンパラジウム化合物（実施例１５）
収量１７．４ｇ（収率６２．１％）、純度９９．９％
可視吸収：λmax＝６８８．５ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000031
【０１０９】
フタロシアニン銅化合物（実施例１６）
収量２２．０ｇ（収率８１．５％）、純度９９．２％
可視吸収：λmax＝７０５ｎｍ
εg＝２．１×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000032
【０１１０】
上記各フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。これらの媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。また、これらの媒体にキセノンランプ５０℃による耐光性試験を行ったところ、２００時間経過しても変化がなかった。
【０１１１】
実施例１７
２，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール２８．５ｇの代わりに２，４−ジメチル−３ペンタノール２９．１ｇを用いる以外は実施例１と同様な操作を行い、３−（２，４−ジメチルペンチル−３−オキシ）フタロニトリルを合成した。収量は３８．７ｇ（収率８０％）であり、高速液体クロマトグラフィーによる純度分析の結果は９９．１％であった。元素分析の結果は以下の通りであった。
【０１１２】
0003732528.tif 000033
【０１１３】
得られた３−（２，４−ジメチルペンチル−３−オキシ）フタロニトリルと実施例７〜９で合成した３−（４−メチル−４−ヘプテニル−３−オキシ）フタロニトリルとを１：１モル比で混合し、実施例１と同様にα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合物を得た。
【０１１４】
フタロシアニンパラジウム化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１１５】
収量１７．４ｇ（収率６２．１％）、純度９９．９％
可視吸収：λmax＝６９１．０ｎｍ
εg＝２．５×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000034
【０１１６】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。これらの媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１１７】
実施例１８
下記構造式（Ａ）
【０１１８】
【化１３】
0003732528.tif 000035
で示されるフタロニトリル誘導体２９．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇの混合溶液中に塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で２０時間反応させた。反応混合物をメタノール１４００ｇ中に排出し、結晶を析出させ、得られた結晶をカラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合物を得た。
【０１１９】
フタロシアニンパラジウム化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１２０】
収量１４．６ｇ（収率４５．３％）、純度９９．３％
可視吸収：λmax＝７２４．０ｎｍ
εg＝１．７×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000036
【０１２１】
上記フタロシアニン化合物のジブチルエーテル溶液（１０ｇ／ｌ）をポリカーボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を設けて光カ一ドを作製した。このカードは、７８０ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は６０ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。さらにこの光カードは保存安定性も良好なものであった。
【０１２２】
実施例１９
塩化パラジウム５．３ｇの代わりに塩化第一銅３．０ｇを添加する以外は実施例１８と同様の操作を行い、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１２３】
フタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１２４】
収量１７．９ｇ（収率５７．２％）、純度９９．４％
可視吸収：λmax＝７４０．０ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000037
【０１２５】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８００ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１２６】
実施例２０
塩化パラジウム５．３ｇの代わりに塩化第一鉄３．８ｇを添加する以外は実施例１８と同様の操作を行い、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン鉄化合物を得た。
【０１２７】
フタロシアニン鉄化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１２８】
収量１３．４ｇ（収率４３．２％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７３０．０ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000038
【０１２９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８００ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も記録再生に支障はなかった。
【０１３０】
実施例２１
下記構造式（Ｂ）
【０１３１】
【化１４】
0003732528.tif 000039
で示されるフタロニトリル誘導体２９．８ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇの混合溶液中に塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で１０時間反応させた。反応混合物をメタノール１４００ｇ中に排出し、結晶を析出させ、得られた結晶をカラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、８つのα位に飽和または不飽和の炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１３２】
フタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１３３】
収量１７．３ｇ（収率５５．１％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７３９．５ｎｍ
εg＝１．９×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000040
【０１３４】
上記フタロシアニン化合物のジメチルシクロヘキサン溶液（１０ｇ／ｌ）をスピンコーターによりポリカーボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を設けて光カ一ドを作製した。このカードは、８００ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は５９ｄＢであった。また、実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８００ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も記録再生に支障はなかった。
【０１３５】
実施例２２
下記構造式（Ｃ）
【０１３６】
【化１５】
0003732528.tif 000041
で示されるフタロニトリル誘導体３２．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇの混合溶液中に塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で１０時間反応させた。反応混合物をメタノール１４００ｇ中に排出し、結晶を析出させ、得られた結晶をカラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１３７】
フタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１３８】
収量２４．５ｇ（収率７２．４％）、純度９９．２％
可視吸収：λmax＝７３６．５ｎｍ
εg＝１．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000042
【０１３９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例２１と同様にして光カ一ド型媒体を作製した。この媒体に８００ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は５７ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。さらに保存安定性も良好なものであった。
【０１４０】
実施例２３
下記構造式（Ｄ）
【０１４１】
【化１６】
0003732528.tif 000043
で示されるジイミノイソインドリン誘導体３１．３ｇ（０．１モル）及びキノリン２００ｇの混合溶液中に四塩化珪素３４．０ｇ（０．２モル）を添加し、１８５〜１９５℃で５時間反応させた。反応混合物をメタノール２０００ｇ中に排出し、結晶を析出させ、得られた結晶をカラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン：酢酸エチル＝８：２（体積比））することにより、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するフタロシアニン珪素化合物（中心金属はＳｉＣｌ2）を得た。
【０１４２】
フタロシアニン珪素化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１４３】
収量１２．５ｇ（収率３９．０％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７４３．０ｎｍ
εg＝２．２×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000044
【０１４４】
上記フタロシアニン化合物のジブチルエーテル溶液（１０ｇ／ｌ）をポリカーボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を設けて光カ一ドを作製した。このカードは、８００ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は５９ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。
【０１４５】
実施例２４
下記構造式（Ｅ）
【０１４６】
【化１７】
0003732528.tif 000045
で示されるナフタロニトリル誘導体２９．０ｇ（０．１モル）、モリブデン酸アンモニウム０．０３ｇ、尿素１５００ｇ、塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）からなる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で１時間反応させた。次に反応溶液にクロロホルムを加え、不溶物を濾過後、濾液を濃縮し、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、α位に不飽和炭化水素オキシ基を有するナフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１４７】
ナフタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１４８】
収量３．１ｇ（収率１０．０％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝８２５．０ｎｍ
εg＝２．２×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000046
【０１４９】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８３０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１５０】
実施例２５
下記構造式（Ｆ）
【０１５１】
【化１８】
0003732528.tif 000047
で示されるナフタロニトリル誘導体３４．６ｇ（０．１モル）、モリブデン酸アンモニウム０．０３ｇ、尿素１５００ｇ、塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）からなる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で２時間反応させた。次に反応溶液にクロロホルムを加え、不溶物を濾過後、濾液を濃縮し、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、８つのα位に不飽和炭化水素オキシ基を有するナフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１５２】
ナフタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１５３】
収量２．９ｇ（収率８．１％）、純度９９．１％
可視吸収：λmax＝８５３．０ｎｍ
εg＝２．１×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000048
【０１５４】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例２３と同様にして光カ一ドを作製した。このカードは、８３０ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は５８ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。さらに保存安定性も良好なものであった。
【０１５５】
実施例２６
前記構造式（Ｅ）及び構造式（Ｆ）で示されるナフタロニトリル誘導体を１：１のモル比で混合したものを、実施例２４において、塩化第一銅の代わりに塩化ニッケルと加熱反応させることによりナフタロシアニンニッケル化合物を得た。
【０１５６】
ナフタロシアニンニッケル化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１５７】
収量３．３ｇ（収率９．８％）、純度９９．９％
可視吸収：λmax＝８１５．０ｎｍ
εg＝２．２×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000049
【０１５８】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８３０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であり、カーボンアーク灯６３℃、２００時間の耐久試験においても変化はなかった。
【０１５９】
実施例２７
下記構造式（Ｇ）
【０１６０】
【化１９】
0003732528.tif 000050
で示されるナフタロニトリル誘導体２７．４ｇ（０．１モル）、１−クロロナフタレン１５０ｇ及び三塩化バナジウム４．７ｇ（０．０３モル）からなる混合物を加熱し、２３０℃で４時間反応させた。反応溶液を７５％メタノール水に排出し、析出した固体を瀘別し、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、α位に不飽和炭化水素オキシ基を有する１，２−ナフタロシアニンオキシバナジウム化合物を得た。
【０１６１】
１，２−ナフタロシアニンオキシバナジウム化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１６２】
収量５．９ｇ（収率２０．２％）、純度９９．０％
可視吸収：λmax＝７５０．０ｎｍ
εg＝２．０×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000051
【０１６３】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例２３と同様にして光カ一ドを作製した。この媒体に波長８３０ｎｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷのレーザー光により記録した時、ＣＮ比は５８ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光安定性を調ベたところ、１０5回の 再生が可能であった。さらに保存安定性も良好なものであった。
【０１６４】
実施例２８
下記構造式（Ｈ）
【０１６５】
【化２０】
0003732528.tif 000052
で示されるナフタロニトリル誘導体４０．３ｇ（０．１モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエタノール３２０ｇ、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及び塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）からなる混合物を加熱し、還流下６時間反応させた。反応溶液を５％塩酸水に排出した。析出した結晶を濾別し、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）することにより、不飽和炭化水素オキシ基を有する１，２−ナフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１６６】
１，２−ナフタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１６７】
収量７．９ｇ（収率１８．９％）、純度９９．９％
可視吸収：λmax＝７２７．０ｎｍ
εg＝１．８×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000053
【０１６８】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８００ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１６９】
実施例２９
前記構造式（Ｈ）の代わりに下記構造式（Ｊ）
【０１７０】
【化２１】
0003732528.tif 000054
で示されるナフタロニトリル誘導体４０．３ｇ（０．１モル）を用いた以外は実施例２８と同様にして不飽和炭化水素オキシ基を有する１，２−ナフタロシアニン銅化合物を得た。
【０１７１】
１，２−ナフタロシアニン銅化合物の収量、高速液体クロマトグラフィーによる純度、可視吸光スペクトル及び元素分析の結果を以下に示す。
【０１７２】
収量１２．１ｇ（収率２８．９％）、純度９９．５％
可視吸収：λmax＝７１５．０ｎｍ
εg＝１．６×１０5 cm2 g-1（溶媒：トルエン）
0003732528.tif 000055
【０１７３】
上記ナフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長８００ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、０．２％未満であった。
【０１７４】
比較試験
以上得られた光吸収化合物を用いた光記録媒体と、公知の光吸収化合物を用いた光記録媒体についてその性能を比較した。本発明の媒体として、実施例１、２、１０、１１、１３、１７、１８、２４及び２７の化合物を用いて実施例１と同様にして作製した媒体を使用し、比較例として下記３種の公知アルコキシフタロシアニンまたはアルコキシナフタロシアニンを用いて実施例１と同様にして作製した媒体を使用した。
【０１７５】
比較例１：下記構造式で示される特開平３−６２８７８号公報（USP 5,124,067）の例示化合物
【０１７６】
【化２２】
0003732528.tif 000056
【０１７７】
比較例２：下記構造式で示される特開平２−２９６８８５号公報の例示化合物
【０１７８】
【化２３】
0003732528.tif 000057
【０１７９】
比較例３：下記構造式で示される特開平２−４３２６９号公報（USP 4,960,538）の例示化合物
【０１８０】
【化２４】
0003732528.tif 000058
【０１８１】
光吸収化合物の吸収波長に合わせて適切なレーザー波長での記録・再生を行った。具体的には、フタロシアニン系化合物を用いた媒体は７８０ｎｍのレーザー、フタロシアニン系化合物より吸収波長が高波長側にずれるナフタロシアニン系化合物を用いた媒体は波長８３０ｎｍのレーザーを使用し、下記３種の方法で記録した。
通常記録：線速度１．４ｍ／ｓ（１倍速）で６３分の情報を記録する。
高速記録：線速度５．６ｍ／ｓ（４倍速）で６３分の情報を記録する。
高密度記録：線速度１．２ｍ／ｓで７４分の情報を記録する。
【０１８２】
尚、通常記録の時のみ６．０と３．６ｍＷの２つのレーザーパワーで記録し、他の記録方法による時は６．０ｍＷで記録した。
【０１８３】
さらに記録感度（Ｃ／Ｎ比）、ジッター及びデビエイションをそれぞれＣＤデコーダー（ＤＲ３５５２、ケンウッド社製）、ＬＪＭ−１８５１ジッターメーター（リーダー電子製）、ＴＩＡ−１７５タイムインターバルアナライザー（ＡＤＣ社製）を用いてそれぞれ計測した。これらの評価結果を表１に示す。
【０１８４】
【表１】
0003732528.tif 000059
【０１８５】
評価基準
感度（Ｃ／Ｎ比）
Ａ：≧５５ｄＢ
Ｂ：＜５５ｄＢ
ジッター
Ａ：３Ｔピットジッター及び３Ｔランドジッターが  ＜３５ｎｓ
Ｂ：３Ｔピットジッター及び３Ｔランドジッターが  ≧３５ｎｓ
デビエイション
Ａ：  −５０ｎｓ＜  ３Ｔ及び１１Ｔデビエイション  ＜５０ｎｓ
Ｂ：  ３Ｔ及び１１Ｔデビエイション  ≧５０ｎｓ
又は３Ｔ及び１１Ｔデビエイション  ≦−５０ｎｓ
【０１８６】
表１から分かるように、本発明の光吸収化合物、特に芳香環に結合している置換基ＯＲが、その芳香環結合酸素原子の隣の炭素原子から数えて２、３番目の炭素原子間に二重結合を有する不飽和炭化水素オキシ基である化合物、を用いた光記録媒体は、通常記録の６．０ｍＷレーザーパワー及び３．６ｍＷ低レーザーパワー、高速記録及び高密度記録において良好な感度、記録特性を示した。それに対して比較例１〜３の公知化合物を用いた光記録媒体では、通常記録で６．０ｍＷ以上のレーザーパワーの場合は良好な感度、記録特性を示すが、低レーザーパワー、高速記録及び高密度記録の場合の感度、記録特性は不十分であった。
【０１８７】
【発明の効果】
本発明の光吸収化合物は、分子内にある芳香環に炭素間三重結合または炭素間二重結合を含有する不飽和炭化水素オキシ基の導入したものであり、この化合物を用いた光記録媒体においては、反射層である金属層との密着性が増し、書き込み時の分解を制御できたことから通常記録時のみならず高速記録、高密度記録時における感度及び記録特性が向上した。さらに、特定の位置に炭素間二重結合を有する不飽和炭化水素オキシ基のクライゼン転位を利用して、低レーザーパワーでの、感度、記録特性の良好な光記録媒体への書き込みを可能にした。