(57)【要約】落下衝撃測定システムは、複数の自由振動部を有し且つそれぞれの自由振動部からの取出電極が独立している複数のバイモルフ型加速度センサと、その複数のバイモルフ型加速度センサの出力を選択するスイッチ部と、そのスイッチ部を介して印加されるバイモルフ型加速度センサからの信号を増幅する増幅回路と、この増幅回路の出力を論理判定しその論理判定結果を基にスイッチ部を制御する論理判定回路を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の自由振動部を有し且つそれぞれの前記自由振動部からの取出用電極が独立している複数のバイモルフ型加速度センサと、前記取出用電極を介して得られる前記複数のバイモルフ型加速度センサの出力を選択するスイッチ部と、前記スイッチ部を介して印加される前記バイモルフ型加速度センサからの電圧または電流の少なくとも一方を増幅する増幅回路と、前記増幅回路の出力を論理判定し前記論理判定の結果を基に前記スイッチ部を制御する論理判定回路を備える落下衝撃測定システム。
【請求項２】
複数の片持ち梁構造の自由振動部と、前記自由振動部で発生する信号を取り出す為の取出用電極を有するバイモルフ型加速度センサに使用されるバイモルフ型加速度センサ用素子。
【請求項３】
前記複数の自由振動部はそれぞれの長さが異なり且つそれぞれが電気的に独立している請求項２記載のバイモルフ型加速度センサ用素子。
【請求項４】
前記複数の自由振動部は同一の長さであり且つ電気的に並列に接続される請求項２記載のバイモルフ型加速度センサ用素子。
【請求項５】
複数の両持ち梁構造の自由振動部と、前記自由振動部で発生する信号を取り出す為の取出用電極を有するバイモルフ型加速度センサに使用されるバイモルフ型加速度センサ用素子。
【請求項６】
前記複数の自由振動部はそれぞれ長さが異なり且つそれぞれが電気的に独立している請求項５記載のバイモルフ型加速度センサ用素子。
【請求項７】
前記複数の自由振動部は同一の長さで且つ電気的に並列に接続される請求項５記載の加速度センサ用素子。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、携帯電話などの携帯用電子機器における落下衝撃試験に用いる落下衝撃測定システムおよびこの落下衝撃測定システムに用いられる加速度センサ用素子に関する。
背景技術
携帯電話、ノート型コンピュータ、携帯用カセットテーププレイヤー、ＣＤプレイヤー、ＭＤプレイヤーなどの携帯用電子機器にとっては、それらの使用形態からして落下は避けては通れないため、落下衝撃に対する保護が強く要求される。故障の大半は、落下衝撃による実装用基板が撓み、その実装様基盤に実装されているさまざまな部品の断線あるいは欠落によるものである。従って、このような故障を防止するためには、材料と構造を決定し、落下高さと方向を指定して、電子機器の各部に加わる衝撃加速度をシミュレートし、その結果を基板の固定位置や固定方法などの内部構造設計にフィードバックするという手法を取る必要がある。しかし、落下時に印加される落下衝撃加速度は落下対象物によって大きく異なること、印加加速度が非常に大きいこと、落下物の構造により落下衝撃時の共振周波数が大きく異なること等の理由によって、落下時の衝撃加速度を検出することは非常に困難である。
発明の開示
落下衝撃測定システムは、複数の自由振動部を有し且つそれぞれの自由振動部からの取出電極が独立している複数のバイモルフ型加速度センサと、その取出電極を介して得られる前記複数のバイモルフ型加速度センサの出力を選択するスイッチ部と、そのスイッチ部を介して印加されるバイモルフ型加速度センサからの電圧または電流の少なくとも一方を増幅する増幅回路と、この増幅回路の出力を論理判定しその論理判定結果を基にスイッチ部を制御する論理判定回路を備える。
バイモルフ型加速度センサ用素子は、それを構成する複数の自由振動部は片持ち梁構造であり、この自由振動部で発生する信号は取出電極を介してスイッチ部に接続される。
バイモルフ型加速度センサ用素子は、それを構成する複数の自由振動部は両持ち梁構造であり、この自由振動部で発生する信号は取出電極を介して前記スイッチ部に接続される。
発明を実施する最良の形態
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における落下衝撃測定システムの回路図を示している。加速度センサ部１０１〜１０３は、それぞれグランド１０９とスイッチ１０６〜１０８に接続されている。スイッチ１０６〜１０８の内の１つが閉じ、加速度センサ部１０１〜１０３の内の１つの出力信号が増幅回路１０４に供給される。増幅回路１０４は、入力された信号を増幅する。増幅回路１０４は加速度に相当する信号を端子１１０を介して出力する。論理判定回路１０５は、増幅回路１０４から出力される信号が所定の閾値内であるかどうかや、共振状態であるかどうかを検知し、それを基にして論理判定結果を出力する。論理判定回路１０５は、この論理判定結果に基づいて、スイッチ１０６〜１０８の中どれを閉じるべきかを判断し、スイッチ１０６〜１０８を制御する。
図５Ａ〜図５Ｄは、加速度センサ部１０１〜１０３の主要構成要素である加速度センサ用素子の構成を示す。図５Ａ〜図５Ｄは両持ち梁型の加速度センサ用素子を示している。図５Ａは上面図、図５Ｂは底面図、図５Ｃは側面図、図５Ｄは斜視図である。図５Ａ〜図５Ｄにおいて、自由振動部５４５〜５４７はバイモルフの構造であり、加わる衝撃によって歪や振動を生じる構造である。自由振動部５４５〜５４７の上面には主電極５０１〜５０３が、下面には主電極５２０〜５２２が形成されている。取出用電極５０４及び５０５は主電極５０１と、取出用電極５０６及び５０７は主電極５０２と、取出用電極５０８及び５０９は主電極５０３とそれぞれ電気的に接続されている。自由振動部５４５〜５４７はバイモルフ構造であるから、形状の変形に応じて電荷を発生する。自由振動部５４５〜５４７の上面側に発生する電荷は、それぞれ主電極５０１〜５０３に伝わり、主電極５０１〜５０３に伝わった電荷はそれぞれ取出用電極５０４〜５０９に伝わる。一方、自由振動部５４５〜５４７の下面側に発生する電荷は、それぞれ主電極５２０〜５２２に伝わり、主電極５２０〜５２２に伝わった電荷はそれぞれ取出用電極５２３〜５２８に伝わる。但し、主電極５２０〜５２２に伝えられる電荷は主電極５０１〜５０３に伝えられる電荷と逆極性である。取出用電極５２３〜５２８は支持体５４１〜５４４の側面を経由して支持体５４１〜５４４の底部迄伸びて、底部で露出している。
自由振動部５４５〜５４７が変形することで生じる相反する極性の電荷の内、一方は上面の取出用電極５０４〜５０９から、他方は支持体５４１〜５４４の底部に露出した取出用電極５２３〜５２８からそれぞれ取り出される。
尚、自由振動部５４５〜５４７に形成された取出用電極５０４〜５０９及び５２３〜５２８を自由振動部５４５〜５４７の一部に形成する理由は、自由振動部５４５〜５４７での応力分布による出力電荷の相殺を防ぐ為である。例えば、取出用電極５０４と５０５の幅は主電極５０１の幅の５分の１以下に設定される。
また、自由振動部５４５〜５４７の長さはそれぞれＬ３、Ｌ２、Ｌ１であり、Ｌ３は最も長くＬ１は最も短い。各自由振動部５４５〜５４７はそれぞれ電気的に独立している。
図２Ａは図１の加速度センサ部１０１〜１０３の回路図を示す。加速度センサ用素子２０１は、図５Ａから図５Ｄで示された加速度センサ用素子である。図５Ａから図５Ｄの取出用電極５２３または５２４は図２Ａのグランド２０５に接続され、図５Ａから図５Ｄでの取出用電極５０４または５０５は図２Ａの抵抗器２０２に接続されている。取出用電極５０４または５０５からの出力電荷を抵抗器２０２に流すことで、発生した電荷は電流に変えられる。また、この電流が抵抗器２０２を流れることで抵抗器２０２に電圧が発生する。抵抗器２０２を１ＭΩ以上の大きい抵抗値にする必要がある場合は、ＦＥＴ２０３を用いて回路のインピーダンスが低減される。ＦＥＴ２０３のソースは端子２０６を介して正電源に接続され、ゲートは加速度センサ用素子２０１と抵抗器２０２に接続され、ドレインは抵抗器２０４に接続される。抵抗器２０４の他の端子はグランド２０５に接地される。ドレインの電位は端子２０７を介して取り出される。この回路構成により、端子２０７の出力インピーダンスは低くなる。
尚、図５Ａ〜図５Ｄの加速度センサ用素子には更に自由振動部５４６および自由振動部５４７が存在し、これらの２つの自由振動部からの信号も図２Ａと同様の回路でそれぞれ処理される。
端子２０７からの信号は、スイッチ１０６〜１０８の内の対応するスイッチに供給される。
ところで、自由振動部５４５〜５４７を含む加速度センサ部にそれぞれ識別番号１〜３が与えられる。この識別番号は「Ｓ」で表される。自由振動部５４５を含む加速度センサ部１０１のＳは１、自由振動部５４６を含む加速度センサ部１０２のＳは２、自由振動部５４７を含む加速度センサ部１０３のＳは３である。また、加速度センサ部の総数は「Ｎ」で表される。図５Ａ〜図５Ｄでは、Ｎは３である。
以上の説明では、取出用電極５０４または５０５からの出力電荷を移動させて電流とし、その電流を抵抗器２０２に流して電圧に変換し、その電圧を増幅する構成を示している。この方法に限らず、電流を直接増幅する構成も可能である。
ところで、一般に、加速度センサ用素子２０１は静電容量を伴っているので、この静電容量と抵抗器２０２とで低域カットフィルタが必然的に形成される。従って、加速度センサ用素子２０１で生成される信号の低域側周波数は制限される。この際の低域カットオフ周波数Ｆｃは、加速度センサ用素子２０１の静電容量をＣｓ、抵抗器２０２の抵抗値をＲとすると下記の式で表される。
Ｆｃ＝１／（２π×Ｒ×Ｃｓ）            （式１）
次に、図３は図１での落下衝撃検知のフローを示している。
まず、図５Ａ〜図５Ｄでの長さの異なる自由振動部５４５〜５４７の中で、最も感度が高く共振周波数の低い自由振動部に対応する加速度センサ部が選ばれる。最も感度が高く共振周波数が低い加速度センサ部は自由振動部５４５を含む加速度センサ部１０１である。即ち、Ｓは１に設定される。（３００）
次に、スイッチ１０６〜１０８の内、選択した加速度センサ部に相当するスイッチのみを閉じて、センサ切り替えが実行される。この時点で、Ｓは１であるから、図１のスイッチ１０６のみが閉じる。（３０１）
次に、落下が開始される。（３０２）。
次に、落下衝撃測定が実行される。増幅回路１０４は落下衝撃によって加速度センサ部１０１で発生した信号を増幅し、落下衝撃測定結果（即ち、衝撃加速度）を図１の端子１１０から出力する（３０３）。
次に、論理判定回路１０５は、増幅回路１０４の出力信号が所定の閾値以内であるかどうかと共振の有無を判定する。（３０４）。
次に、所定の閾値以内の場合（３０６）は、その衝撃加速度を表示する（３１２）。衝撃加速度の表示に関しては、図１には示されていない。
一方、所定の閾値を超えている場合（３０５）は、現時点でのＳはＮに等しくないかどうかが判定される。（３０７）
ＳはＮと等しい場合（３０９）、図５Ａ〜図５Ｄでの自由振動部５４５〜５４７の全てで増幅回路１０４の出力信号が閾値を超えることに相当するので、エラー表示が実行される。（３１１）
ＳはＮに達していなければ（３０８）、センサ番号更新が実行され、Ｓは１増加される。（３１０）
そうして、センサ切り替えにより、新たなセンサ番号Ｓが選択され（３０１）、再度落下が開始される。（３０２）
ところで、図４も図１での落下衝撃検知のフローを示している。図３でのフローは、落下衝撃測定（３０３）の結果がセンサ番号Ｓの閾値以内でなかった場合（３０５）にセンサ番号Ｓを１つずつ増加（３１０）させて改めて落下を開始する（３０２）方式でのフローである。一方、図４は、最初の落下衝撃測定の結果がセンサ番号Ｓの閾値以内でなかった場合でも、検出信号を論理判定することで適切なセンサ番号を割り出してそのセンサ番号で改めて落下を実行するフローである。
まず、Ｓは１に設定される。（４００）
次に、落下試験が開始される。（４０１）
次に、増幅回路１０４が、スイッチ１０６を経由して入力されている加速度センサ部１０１の出力信号を増幅する。（４０２）
次に、論理判定回路１０５は、増幅回路１０４の出力信号が所定の閾値以内であるかどうかと共振の有無を判定する。（４０３）。
次に、所定の閾値以内であると判断された場合（４０４）は、その衝撃加速度を表示する（４０８）。衝撃加速度の表示に関しては、図１には示されていない。
一方、所定の閾値を超えていると判断された場合（４０５）は、論理判定回路１０５は、増幅回路１０４の出力信号を基にして最適なセンサ番号を選択する。（４０６）
次に、最適なセンサ番号に対応するスイッチが閉じて、再度落下が開始される。（４０７）
そうして、落下衝撃が検出され、表示される。（４０８）
ところで、落下衝撃を検知するための加速度センサには幅広い共振周波数が要求される。即ち、共振周波数は単一ではなく、複数種類の共振周波数を有する加速度センサが望まれる。
図５Ａ〜図５Ｄに示された加速度センサ用素子の共振周波数をｆｒ、自由振動部の長さをＬ、厚みをＴ、定数をαとすると、共振周波数ｆｒは次式で与えられる。
ｆｒ∝α×Ｔ／Ｌ２              （式２）
すなわち、共振周波数ｆｒは自由振動部の長さの２乗に反比例する。図５Ａ〜図５Ｄに示された加速度センサ用素子の自由振動部５４５〜５４７はそれぞれ長さが異なるので、複数の共振周波数が存在する。従って、図５Ａ〜図５Ｄに示された加速度センサ用素子は幅広い共振周波数に対応した加速度センサ用素子である。
このような加速度センサ用素子を用いて落下衝撃測定システムを構成すると、落下時の共振周波数を予め予測できない場合でも容易に衝撃加速度を検知することが可能であり、筐体の構造設計等が容易になる。
次に、図７Ａ〜図７Ｃおよび図８Ａ〜図８Ｄは、片持ち梁構造の加速度センサ用素子を示している。
図７Ａは上面図、図７Ｂは底面図、図７Ｃは斜視図である。自由振動部７４１〜７４３の一端が支持体７４４で支持され、片持ち梁構造が形成されている。自由振動部７４１〜７４３の上面には主電極７０１〜７０３が形成され、自由振動部７４１〜７４３の下面には主電極７２１〜７２３が形成されている。取出用電極７０４〜７０６はそれぞれ主電極７０１〜７０３と電気的に接続されている。支持体７４４の底面には、取出電極７２４〜７２６が形成されており、この取出電極７２４〜７２６はそれぞれ主電極７２１〜７２３と電気的に接続されている。
図８Ａ〜図８Ｄは、別の片持ち梁構造の加速度センサ用素子を示している。図８Ａは上面図、図８Ｂは底面図、図８Ｃは斜視図である。自由振動部８４１及び８４２の一端が支持体８４３で支持され、片持ち梁構造が形成されている。自由振動部８４１の上面には主電極８０１が形成され、自由振動部８４１の下面には主電極８２１が形成されている。自由振動部８４２の上面には主電極８０２が形成され、自由振動部８４２の下面には主電極８２２が形成されている。取出用電極８０３及び８０４はそれぞれ主電極８０１及び８０２と電気的に接続されている。支持体８４３の底面に形成された取出用電極８２３は、支持体側面８４４を経由して主電極８２１と電気的に接続されている。支持体８４３の底面に形成された取出用電極８２４は、支持体側面８４４と反対側の支持体側面を経由して主電極８２２と電気的に接続されている。
図７Ａ〜図７Ｃや図８Ａ〜図８Ｃに示された片持ち梁構造の加速度センサ用素子は、図５Ａ〜図５Ｄに示された両持ち梁構造の加速度センサ用素子に比べて、同一寸法で出力電荷量が約４〜５倍となる。従って、図５Ａ〜図５Ｄに示した両持ち梁構造の加速度センサ用素子を使用する場合に必要であった図１の増幅回路１０４を省略することも可能である。増幅回路１０４を省略することで、低コストの落下衝撃試験システムを提供することができる。また、自由振動部７４１〜７４３が並列に形成されているため、加速度センサ用素子自体の大きさを小型化することができ、落下衝撃試験システム自体を小型化することが可能である。
以上に示された実施の形態１によって、共振周波数の大きく異なる１０００Ｇ以上の大衝撃加速度でも容易に実測可能な落下衝撃測定システムの提供が可能になる。また、共振周波数の異なる衝撃加速度を検知可能な加速度センサ用素子の提供が可能になる。
（実施の形態２）
図１は実施の形態２における落下衝撃測定システムの回路図も示している。図２Ｂは実施の形態２における加速度センサ部の回路図である。図３及び図４は、実施の形態２での落下衝撃測定システムによる検出方法のフローチャートも示している。図６Ａ〜図６Ｃは実施の形態２における片持ち梁の加速度センサ用素子を示す図である。
図６Ａは上面図、図６Ｂは底面図、図６Ｃは斜視図である。自由振動部６４１〜６４４の一端は支持体６４５に支持され固定されている。自由振動部６４１〜６４４の上面にはそれぞれ主電極６０１〜６０４が形成され、自由振動部６４１〜６４４の下面には主電極６２０〜６２３が形成されている。主電極６０１〜６０４はそれぞれ取出用電極６０５〜６０８と電気的に接続されており、主電極６２０〜６２３はそれぞれ取出用電極６２４〜６２７と電気的に接続されている。取出用電極６２４〜６２７は、支持体６４５の底部に露出している。自由振動部６４１〜６４４の長さＬ４〜Ｌ７はすべて同一である。
図６Ａ〜図６Ｃに示された加速度センサ用素子を用いて、図２Ｂに示す加速度センサ部が構成される。図２Ｂにおいて、加速度センサ用素子２２０は図６Ａ〜図６Ｃの自由振動部６４１、主電極６０１及び６２０、取出用電極６０５及び６２４で形成される加速度センサ用素子である。加速度センサ用素子は４個存在する。加速度センサ用素子２２１は、図６Ａ〜図６Ｃでの残り３つの内の１つである。取出用電極６２４〜６２７はグランド２２５に接地され、取出電極６０５〜６０８は電気的に並列に接続されて抵抗器２２２と接続される。図２Ｂの抵抗器２２２、抵抗器２２４、ＦＥＴ２２３、端子２２６及び端子２２７は、それぞれ図２Ａの抵抗器２０２、抵抗器２０４、ＦＥＴ２０３、端子２０６及び端子２０７と同じであり、個々の説明は省略する。この様にして形成された加速度センサ部は、図１の加速度センサ部１０１として使用される。
同様に、加速度センサ部１０２と加速度センサ部１０３が形成される。しかし、加速度センサ部１０１〜１０３で使用される加速度センサ用素子の共振周波数がそれぞれ異なっているので広い共振周波数を実現できる。
大きな落下衝撃加速度を検出するためには、加速度センサ用素子を小型化して機械強度を増加させる方法が考えられる。しかし、従来の加速度センサ用素子では小型化すると電気容量が低下し、加速度センサ用素子自体の耐ノイズ性が劣化する。実施の形態２で示した加速度センサ用素子では同じ共振周波数を持つ自由振動部が電気的に並列で使用されるので、加速度センサ用素子自体を小型化してもその電気容量は低下しない。従って、本実施の形態２は耐ノイズ性の優れた加速度センサ用素子と落下衝撃測定システムを構築できる。
また、従来の加速度センサ用素子では小型化すると電気容量が低下する。その結果、式１で示される低域カットオフ周波数Ｆｃが高くなる。一方、実施の形態２で示した加速度センサ用素子では、加速度センサ用素子自体を小型化してもその電気的容量は低下しないので、低域カットオフ周波数Ｆｃの上昇が避けられる。
尚、実施の形態２では、図６Ａ〜図６Ｃに示された形状の加速度センサ用素子で構成されている。この形状に限られることはなく、図７Ａ〜図７Ｃの自由振動部７４１〜７４３の長さＬ１０〜Ｌ８を同一にした形状や、図８Ａ〜図８Ｃの自由振動部８４１及び８４２の長さＬ１１〜Ｌ１２を同一にした形状や、図５Ａ〜図５Ｄの自由振動部５４５〜５４７の長さＬ３〜Ｌ１を同一長さにした形状により、同様の効果を得ることができる。
産業の利用可能性
本発明による落下衝撃測定システムおよびこの落下衝撃測定システムに用いる加速度センサ用素子は、広い共振周波数や大きな衝撃加速度に対応でき、小型化が可能で、耐ノイズ性の改善も図れる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の実施の形態１及び形態２における落下衝撃測定システムの回路図である。
図２Ａは実施の形態１における加速度センサ部の回路図である。
図２Ｂは実施の形態２における加速度センサ部の回路図である。
図３は実施の形態１及び実施の形態２における落下衝撃測定システムの落下衝撃加速度検出フローを示すフロー図である。
図４は実施の形態１及び実施の形態２における落下衝撃測定システムの落下衝撃加速度検出フローを示すフロー図である。
図５Ａは実施の形態１における両持ち梁の加速度センサ用素子の上面図である。
図５Ｂは実施の形態１における両持ち梁の加速度センサ用素子の底面図である。
図５Ｃは実施の形態１における両持ち梁の加速度センサ用素子の側面図である。
図５Ｄは実施の形態１における両持ち梁の加速度センサ用素子の斜視図である。
図６Ａは実施の形態２における片持ち梁の加速度センサ用素子の上面図である。
図６Ｂは実施の形態２における片持ち梁の加速度センサ用素子の底面図である。
図６Ｃは実施の形態２における片持ち梁の加速度センサ用素子の斜視図である。
図７Ａは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の上面図である。
図７Ｂは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の底面図である。
図７Ｃは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の斜視図である。
図８Ａは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の上面図である。
図８Ｂは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の底面図である。
図８Ｃは実施の形態１における片持ち梁の加速度センサ用素子の斜視図である。
図面の参照符号の一覧表
１０１、１０２、１０３  加速度センサ部
１０４  増幅回路
１０５  論理判定回路
１０６、１０７、１０８  スイッチ
１０９  グランド
１１０  端子
２０１、２２０、２２１  加速度センサ用素子
２０２、２０４、２２２、２２４  抵抗器
２０３、２２３  ＦＥＴ
２０６、２０７、２２６、２２７  端子
５０１、５０２、５０３、５２０、５２１、５２２  主電極
５０４、５０５、５０６、５０７、５０８、５０９、５２３、５２４、５２５、５２６、５２７、５２８  取出用電極
５４１、５４２、５４３、５４４  支持体
５４５、５４６、５４７  自由振動部
６０１、６０２、６０３、６０４、６２０、６２１、６２２、６２３  主電極
６０５、６０６、６０７、６０８、６２４、６２５、６２６、６２７  取出用電極
６４１、６４２、６４３、６４４  自由振動部
６４５  支持体
７０１、７０２、７０３、７２１、７２２、７２３  主電極
７０４、７０５、７０６、７２４、７２５、７２６  取出用電極
７４１、７４２、７４３  自由振動部
７４４  支持体
７４５  支持体側面
８０１、８０２、８２１、８２２  主電極
８０３、８０４、８２３、８２４  取出用電極
８４１、８４２  自由振動部
８４３  支持体
８４４  支持体側面
【図１】
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【図２Ａ】
2003016920.tif 000004
【図２Ｂ】
2003016920.tif 000005
【図３】
2003016920.tif 000006
【図４】
2003016920.tif 000007
【図５Ａ】
2003016920.tif 000008
【図５Ｂ】
2003016920.tif 000009
【図５Ｃ】
2003016920.tif 000010
【図５Ｄ】
2003016920.tif 000011
【図６Ａ】
2003016920.tif 000012
【図６Ｂ】
2003016920.tif 000013
【図６Ｃ】
2003016920.tif 000014
【図７Ａ】
2003016920.tif 000015
【図７Ｂ】
2003016920.tif 000016
【図７Ｃ】
2003016920.tif 000017
【図８Ａ】
2003016920.tif 000018
【図８Ｂ】
2003016920.tif 000019
【図８Ｃ】
2003016920.tif 000020
【国際調査報告】
2003016920.tif 000021
2003016920.tif 000022
2003016920.tif 000023
2003016920.tif 000024