(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持部により支持した状態で処理液に浸漬させ、当該基板を当該処理液により処理する方法であって、
前記支持部を、前記基板を前記処理液に浸漬させるために供給される当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる場合において、
前記液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、前記支持部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に設定し、
前記基準の位置に前記支持部が到達した時に、前記第１の速度と異なる第２の速度に前記相対速度を設定し、
前記支持部が前記基準よりも高い位置から前記液面に相対的に下降する場合、前記第２の速度は、前記第１の速度よりも小さいことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合、前記第１の速度は前記第２の速度よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記供給された乾燥蒸気で前記基板を乾燥させるために、前記支持部が前記基板を支持した状態で前記処理液中から前記液面に対して相対的に上昇する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記支持部が前記基板を下方から支持する場合において、前記基準の位置は、前記支持部の最下端が前記液面から所定距離だけ離れた位置であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合において、前記支持部は、前記基準の位置で一旦停止することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合において、前記支持部の上端が前記液面の直下に到達するまでは、当該支持部と当該液面との相対速度は第３の速度に設定され、
前記支持部の上端が前記液面の直下を到達した後は、当該支持部と当該液面との相対速度は第４の速度に設定され、
前記第３の速度は、前記第４の速度よりも大きいことを特徴とする、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板を処理液に浸漬させ、当該基板を当該処理液により処理する装置であって、
前記基板を支持する支持部と、
前記基板を前記処理液に浸漬させるために、前記支持部を当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる昇降部と、
前記昇降部により相対的に昇降させられる前記支持部と前記液面との位置関係を検出する検出部と、
前記検出部が検出した位置関係に基づいて、前記液面から一定距離だけ上方に予め設定された基準の位置に前記支持部が到達する前には、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に制御すると共に、当該基準に当該支持部が到達した時には、当該第１の速度と異なる第２の速度に当該相対速度を制御する制御部とを備え、
前記支持部が前記基準よりも高い位置から前記液面に相対的に下降する場合、前記第２の速度は、前記第１の速度よりも小さいことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項８】
前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合、前記制御部は、前記第１の速度を、前記第２の速度よりも小さく制御することを特徴とする、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理装置は、
前記基板を支持した支持部を、前記処理液の液面に対して相対的に上昇させる上昇部と、
前記上昇部により前記支持部が前記処理液中から前記液面に対して相対的に上昇している最中に、外部から供給される前記乾燥蒸気を前記液面近傍に供給する供給部とをさらに備え、
前記検出部はさらに、前記上昇部によって相対的に上昇させられる前記支持部と前記液面との位置関係を検出し、
前記制御部はさらに、前記検出部が検出した位置関係に基づいて、前記液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、前記支持部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に制御し、当該基準に当該支持部が到達した時に、前記相対速度を第２の速度に制御する、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記支持部が前記基板を下方から支持する場合において、前記基準の位置は、前記支持部の最下端が前記液面から所定距離だけ離れた位置であることを特徴とする、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合において、前記支持部は、前記基準の位置で一旦停止することを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御部はさらに、前記支持部が前記処理液中から前記液面に相対的に上昇する場合において、前記支持部の上端が前記液面の直下に到達するまでは、当該支持部と当該液面との相対速度は第３の速度に設定し、前記支持部の上端が前記液面の直下を到達した後は、当該支持部と当該液面との相対速度は第４の速度に設定し、
前記第３の速度は、前記第４の速度よりも大きいことを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理方法及び装置に関し、より特定的には、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセス等において、シリコンウェハ、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、フォトマスク用ガラス基板、電子部品等の各種基板を処理する基板処理方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記の基板処理装置として、基板の下端部を支持部材で支持した状態で、処理槽に貯留された所定の処理液内に基板を降下させ、基板を処理液中に浸漬させて処理するものが知られている。そして、基板処理装置は基板を処理液に所定時間、浸漬させた後、基板を処理液から引き上げつつ、処理液面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気等の乾燥蒸気を供給して基板を乾燥させる。
また、上述のように基板を処理液の液面に対して引き上げるのではなく、処理槽の下部から処理液を排出して処理槽内の処理液の液面を降下させつつ、処理液の液面に乾燥気体を供給して基板を乾燥させる基板処理装置も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記基板処理装置によると、乾燥処理を終えた基板と支持部材との隙間に残留した処理液が十分に乾燥されず、その隙間に処理液がそのまま残存し、基板を均一に乾燥できないという問題が発生する。
また、このような隙間に処理液が付着した基板が支持部材上から次工程に搬送された後も支持部材には処理液が付着している。処理液が付着した支持部材に新たな基板を載置して、処理液に向けて降下させると、支持部材が液面に達したときに支持部材に付着した処理液が基板の主面に飛散する。その結果、処理液が飛散した個所にパーティクルが発生するという問題が発生する。
【０００４】
それ故に、本発明の目的は、隙間に処理液が残留することを防止して基板を均一に乾燥できる基板処理方法及び装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、支持部材に付着した処理液を基板に飛散させず、基板にパーティクルが発生することを防止できる基板処理方法及び装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第１の発明は、基板を支持部により支持した状態で処理液に浸漬させ、当該基板を当該処理液により処理する方法であって、支持部を、基板を処理液に浸漬させるために供給される当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる場合において、液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、支持部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に設定し、基準の位置に支持部が到達した時に、第１の速度と異なる第２の速度に相対速度を設定し、支持部が基準よりも高い位置から液面に相対的に下降する場合、第２の速度は、第１の速度よりも小さいことを特徴とする。
【０００６】
支持部及び処理槽の相対移動が一定の速い速度で行われると、当該支持部において実際に基板を支持する部分に処理液が残り易くなったり、処理部分に予め残留していた処理液が基板表面に飛散したりする。そこで、第１の発明によれば、相対速度を２種類用意して、基準の位置に基づいて、互いに異なる第１及び第２の速度を使い分ける。そのため、この支持部分に残留しようとする処理液を、貯留された処理液に、その表面張力の作用により取り込めるようになる。したがって、この支持部分には処理液が残り難くなり、パーティクルが付着する可能性を低くすることができる。また、支持部分に処理液が残り難いので、処理液が基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。これによって、本基板処理装置は高品質に基板を処理できる。
また、支持部が処理液に着水する直前に相対速度が小さくなるので、処理液が基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。
【０００７】
第２の発明は、第１の発明において、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合、第１の速度が第２の速度よりも小さいことを特徴とする。
第２の発明によれば、支持部が処理液から露出する直前に相対速度が小さくなるので、上記支持部分には処理液が残り難くなる。
【０００８】
第３の発明は、第１の発明において、支持部が基板を下方から支持する場合において、基準の位置は、支持部の最下端が液面から所定距離だけ離れた位置であることを特徴とする。
第４の発明は、第１の発明において、支持部が基板を下方から支持する場合において、基準の位置は、支持部の最下端が液面から所定距離だけ離れた位置であることを特徴とする。
第５の発明は、第２の発明において、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合において、支持部は、基準の位置で一旦停止することを特徴とする。
【０００９】
第６の発明は、第２の発明において、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合において、支持部の上端が液面の直下に到達するまでは、当該支持部と当該液面との相対速度は第３の速度に設定され、支持部の上端が液面の直下を到達した後は、当該支持部と当該液面との相対速度は第４の速度に設定され、第３の速度は、第４の速度よりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
第７の発明は、基板を処理液に浸漬させ、当該基板を当該処理液により処理する装置であって、基板を支持する支持部と、基板を処理液に浸漬させるために、支持部を当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる昇降部と、昇降部により相対的に昇降させられる支持部と液面との位置関係を検出する検出部と、検出部が検出した位置関係に基づいて、液面から一定距離だけ上方に予め設定された基準の位置に支持部が到達する前には、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に制御すると共に、当該基準に当該支持部が到達した時には、当該第１の速度と異なる第２の速度に当該相対速度を制御する制御部とを備える。支持部が基準よりも高い位置から液面に相対的に下降する場合、第２の速度は、第１の速度よりも小さいことを特徴とする。
第７の発明によれば、第１の発明と同様に、この支持部分には処理液が残り難くなり、パーティクルが付着する可能性を低くすることができる。また、支持部分に処理液が残り難いので、処理液が基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。また、第１の発明と同様に、処理液が基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。
【００１１】
第８の発明は、第７の発明において、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合、制御部が、第１の速度を第２の速度よりも小さく制御することを特徴とする。
上記第８の発明によれば、第２の発明と同様に、上記支持部分には処理液が残り難くなる。
【００１２】
第９の発明は、第８の発明において、基板処理装置は、基板を支持した支持部を、処理液の液面に対して相対的に上昇させる上昇部と、上昇部により支持部が処理液中から液面に対して相対的に上昇している最中に、外部から供給される乾燥蒸気を液面近傍に供給する供給部とをさらに備える。ここで、検出部はさらに、上昇部によって相対的に上昇させられる支持部と液面との位置関係を検出する。制御部はさらに、検出部が検出した位置関係に基づいて、液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、支持部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に制御し、当該基準に当該支持部が到達した時に、相対速度を第２の速度に制御する。
【００１３】
第１０の発明は、第７の発明において、支持部が基板を下方から支持する場合において、基準の位置は、支持部の最下端が液面から所定距離だけ離れた位置であることを特徴とする。
第１１の発明は、第８の発明において、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合において、支持部は、基準の位置で一旦停止することを特徴とする。
【００１４】
第１２の発明は、第８の発明において、制御部はさらに、支持部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合において、支持部の上端が液面の直下に到達するまでは、当該支持部と当該液面との相対速度は第３の速度に設定し、支持部の上端が液面の直下を到達した後は、当該支持部と当該液面との相対速度は第４の速度に設定する。ここで、第３の速度は、第４の速度よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。図２は、図１に示す基板処理装置において、矢印Ａの向きに沿う断面を、矢印Ｂの方向から見たときの断面図である。
図１及び図２の基板処理装置は、処理槽１と、ケーシング２１とシャッター２２とを含む減圧チャンバ２とを備える。
【００１６】
ケーシング２１は、その上端部が開口している箱状に形成されている。その内側面には、処理槽１を完全にかつ固定的に収納するための取付け用部材２４が固着される。また、この内側面において処理槽１の上端部の近傍には、前述のＩＰＡ蒸気等を導入する２本の導入管２５が取り付けられる。導入管２５は、ケーシング２１の底面に対して平行にかつこの内側面に沿って延びており、その両端部は、図示しないが、ケーシング２１の側壁を貫通して、ＩＰＡ蒸気等の供給源等（図示せず）と接続されている。また、導入管２５の所定位置には、供給されたＩＰＡ蒸気等を、処理槽１の上端部に吐出する吐出口２５ａが複数形成される。
シャッター２２は、開閉自在なケーシング２１を蓋として機能し、閉じた際には減圧チャンバ２内の気密状態を保つことができる。
【００１７】
ケーシング２１に収納される処理槽１について説明する。図３は、この処理槽１の構成を示す一部破断斜視図である。処理槽１の形状は外板１０１により規定され、その上端部は開口している略直方体である。また、処理槽１の上部外周を取り囲むように、受け板１０３が設けられる。受け板１０３は、外板１０１の上部周縁と協働して、処理槽１から溢れ出た液体を受けるオーバーフロー溝１０４を形成する。処理槽１の前端近傍であって、受け板１０３の底部には孔が開けられ、この孔にはオーバーフロー排液管１０５（図３参照）の一端が接続される。オーバーフロー排液管１０５の他端は、図示しないが、ケーシング２１の側面を貫通して外部へと導かれ、これによって、オーバーフロー溝１０４に溢れ出た液体は、当該オーバーフロー排液管１０５を介して減圧チャンバ２の外部へと排出される。
【００１８】
処理槽１の前端近傍であって、オーバーフロー排液管１０５の下部には、アップフロー管１０６が設けられる。このアップフロー管１０６の一端は、図示しないが、ケーシング２１の側壁を貫通して外部へと導かれ、純水及び薬液の供給源（図示せず）に接続されている。アップフロー管１０６の他端は処理槽１の左右両側部に設けられた２本の注入管１０７と接続される。これら注入管１０７は、処理槽１の両外側面に沿って延びており、処理槽１の底部と左右側部とを構成する外板１１０の間を連結している（詳しくは図１を参照）。注入管１０７の外周には、その軸方向に沿ってかつ処理槽１内に向けて複数の孔１０７ａが所定間隔毎に形成されている。なお、左右の注入管１０７は、処理槽１の後端近傍において、終端されている。
【００１９】
外板１０１の左右側部であって、注入管１０７の斜め上方には、槽内排液管１０９が設けられる。この槽内排液管１０９の一端は、外板１０１の左右側部に開けられた孔１１０と接続されている。また、左右の槽内排液管１０９は、処理槽１の前端近傍において統合され、その他端は、減圧チャンバ２の本体２１の側面を貫通して外部へと導かれている。これによって、処理槽内の液体が槽内排液管１０９を介して外部へと排出される。
【００２０】
処理槽１内には、左右１対の基板支持部１１１が並列する。これら基板支持部１１１の両端は、処理槽１の対向する２つの内側面に固着される。各基板支持部１１１には、所定間隔で複数の溝が形成されており、この溝に基板Ｗが差し込まれることにより、処理槽１内で基板Ｗが位置決めされて支持される。こうして、処理槽１には、所定枚数の基板Ｗが互いに間隔を開けて、かつ平行に配列される。また、基板支持部１１１の両端は、上記２つの内側面上において、支持された各基板Ｗが確実に処理液（薬液及び洗浄液）に浸漬される位置に固着される。
【００２１】
さらに、上記のような処理槽１に関連して昇降装置４が設けられる。この昇降装置４は、基板ガイド４１と、その下端部にフィン４２１を固着されたシャフト４２と、連結板４３と、タイミングベルト４４と、サーボモータ４５と、第１〜第３のセンサ４６〜４８とを備えている。基板ガイド４１には、前述の基板支持部１１１に形成された溝と同様のピッチで複数の溝が形成されており、この溝に基板Ｗが差し込まれることにより、基板Ｗが支持される。この基板ガイド４１は、連結板４３を介してシャフト４２の上端部分に固定的に取り付けられる。シャフト４２は、鉛直方向に延びており、減圧チャンバ２の気密性を保つようにケーシング２１の底を貫く。シャフト４２の下端は、タイミングベルト４４に固着される。サーボモータ４５は、タイミングベルト４４に固着されたシャフト４２が鉛直方向に沿うようにかつ所定の可動範囲内で移動するような駆動力を発生する。この駆動力により、基板ガイド４１もまた、同様の可動範囲内で鉛直方向に沿って上下移動する。ここで、この基板ガイド４１が上下移動可能な下限位置を、図１及び図２中に示すようにＬＥＰと称し、また上限位置をＵＥＰと称する。また、ＬＥＰ及びＵＥＰの間には、ＩＰを称する中間位置が予め規定されている。これらの３つの位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰは、後述より明らかになるので、ここでは詳細を説明しない。
【００２２】
本実施形態では、図４に示す制御部（後述）がこれら３つの位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰに基づいて、基板ガイド４１の昇降速度を制御する。この３つの位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰを検出するために、第１〜第３のセンサ４６〜４８と、フィン４２１とが用いられる。各センサ４６〜４８は、光学式のセンサで構成されており、取り付け用部材を介して減圧チャンバ２に固定される。ここで、図２中の二点鎖線で囲まれた部分には、同図中、矢印Ｃの向きに沿う断面を、矢印Ｄが示す方向から見たときの断面図である。この断面図によれば、第１のセンサ４６の断面形状は、概ね「凹」の字型をしており、ギャップが形成されていることが分かる。このギャップ内では光の授受が行われている。他の第２のセンサ４７及び第３のセンサ４８も、第１のセンサ４６と同様に構成される。
【００２３】
フィン４２１は、シャフト４２が上下移動する際に、各センサ４６〜４８のギャップ内を通過するように、シャフト４２に固着される。第１のセンサ４６は、自身のギャップ内をフィン４２１が通過し、光の授受が遮断された時に、基板ガイド４１がＬＥＰに到達したことを示す信号であるＤＥＴ1 を出力する。第２のセンサ４７も同様にして、基板ガイド４１がＩＰに到達したことを示す信号であるＤＥＴ2 を出力する。第３のセンサ４８もまた同様にして、基板ガイド４１がＵＥＰに到達したことを示す信号であるＤＥＴ3 を出力する。
【００２４】
これらＤＥＴ1 〜ＤＥＴ3 は制御部５に入力される。制御部５は、図４において点線で囲まれた部分に示されるように、ＣＰＵ５１と、ＲＯＭ５２と、モータ制御回路５３とを含んでいる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５２内のプログラムに従って動作して、上記上下移動の速度を制御する。この制御の詳細については後述するので、ここでは述べない。
【００２５】
また、本基板処理装置において、減圧チャンバ２の外部には、排気系６、処理液供給部７及び処理液排出部８が設けられている。排気系６は、必要に応じて減圧チャンバ２内を減圧する。処理液供給部７は、各工程において必要な処理液（薬液又は洗浄液等）を処理槽１に供給する。処理液排出部８は、槽内排液管１０９を導かれてくる、各工程において不必要となった処理液を処理槽１の外部に排出する。
【００２６】
以下、上記構成の本基板処理装置の動作状態を、各工程別に示した図６〜図１５に基づいて、図１〜図４を参照しつつ説明する。また、図５に示される、本基板処理装置の各工程（ステップＳ５１〜Ｓ５６）を示すフローチャート、及び上記昇降速度の制御時にＣＰＵ５１が実行する動作（ステップＳ５０１〜Ｓ５１４）を示すフローチャートに基づいて説明する。なお、このＣＰＵ５１の動作は、ＲＯＭ５２内のプログラムに従うことを改めて注釈しておく。
【００２７】
まず、図６を参照して、基板処理の準備工程について説明する。準備工程では、減圧チャンバ２の外部に設置される純水供給源（図示せず）から処理液供給部７を介してアップフロー管１０６に純水が供給される。アップフロー管１０６は、供給された純水を注入管１０７へと導く。注入管１０７内へと導かれた純水は図中点線矢印で示されるように、各孔１０７ａ（図３参照）から処理槽１内に噴出し、処理槽１内に貯留されていく。やがて、純水は、処理槽１の開口部分から溢れ出し、オーバーフロー溝１０４内に流れ込み、そして、オーバーフロー排液管１０５（図３参照）を介して減圧チャンバ２の外部へと排出される。そのため、処理槽１内を薬液処理や基板洗浄処理の直前に清潔にする。ＣＰＵ５１は、基板ガイド４１を予め定められた初期位置（本説明では、ＬＥＰと同じ位置）に静止するように、モータ駆動回路５３を介して、サーボモータ４５を制御し（図５；ステップＳ５０１）、これによって、基板処理の準備工程は終了する（図５；ステップＳ５１）。
【００２８】
次に、図７を参照して、基板の搬送／ローディング工程について説明する。この工程において、減圧チャンバ２内は所定の不活性ガスによりパージされる。また、純水の供給は準備工程以降継続されている。フィン４２１は、図７（ｂ）に示すように、ステップＳ５０１で基板ガイド４１が初期位置（ＬＥＰ）に静止するので、前述のＤＥＴ1 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ1 を入力されると第１の速度（以下、Ｖ1 と称す）を選択し、選択したＶ1 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ1 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０２）。ここで、Ｖ1 としては、好ましくは１２[mm/sec]以下の極力遅い速度が選ばれる。この極力遅い速度は、サーボモータ４５のトルクに依存する。なお、Ｖ1 は本願請求項２又は請求項５に係る発明における第１の速度に相当し、Ｖ1 がこのように選ばれる理由は後述する。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ1 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ1 を生成し出力する。このＤＲＶ1 は、５００ [pps](pulse per second)以下のパルス信号である。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３からＤＲＶ1 を入力されると正回転し、これに含まれるパルス数（≦５００ [pps]）に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、図７（ａ）に示すように、純水で満たされている処理槽１内を、ＬＥＰからＶ1 で上昇し始める。基板ガイド４１は、処理槽１内を上昇していくとやがて、その最上端部分から減圧チャンバ２内の雰囲気に露出してくる。
【００２９】
ところで、基板ガイド４１の基板Ｗを支持する溝は、上述及び図示からも明らかなように、入り組んでいて複雑な形状をなしている。それゆえ、この溝には純水が残り易く、この溝に残留する純水がパーティクルの要因となる。しかしながら、本基板ガイド４１が純水で満たされた処理槽１内をＶ1 という低速で上昇するので、相対的に高速で上昇した場合にはこの溝に残留する純水が、その表面張力によって処理槽１側の純水に取り込まれる。これによって、この溝には純水が残留し難くなり、パーティクルが基板Ｗに付着し難くなる。また、Ｖ1 の上限値である１２[mm/sec]は実験結果により得られた値である。本願出願人は、この実験において、Ｖ1 としての様々な試験的な速度で基板ガイド４１を純水中から引き上げ、試験された各速度毎に、いわゆるパーティクルマップを収集した。その結果、Ｖ1 が１２[mm/sec]以下であれば、基板Ｗにパーティクルが付着する割合が極めて少ないことが判明した。以上が、Ｖ1 が１２[mm/sec]以下に選ばれる理由である。
【００３０】
さて、基板ガイド４１が完全に上記雰囲気内に露出した後、当該基板ガイド４１の最下端は、図８（ａ）に示すように、純水面から鉛直上方向に所定距離だけ離れた位置に到達する。この純水面からの所定距離は、好ましくは２〜３[mm]である。本説明では、この純水面は処理槽１の最上部と同じ高さを有する。ＩＰは、純水面から鉛直上方向にこの所定距離だけ離れた位置である。フィン４２１は、基板ガイド４１がＩＰに到達すると、図８（ｂ）に示すように、第２のセンサ４７のギャップに位置するので、前述のＤＥＴ2 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ2 を入力されると、第２の速度（以下、Ｖ2 と称す）を選択し、この選択されたＶ2 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ2 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０３）。なお、Ｖ2 は本願請求項２又は請求項５に係る発明における第２の速度に相当する。このＶ2 としては、好ましくは１６８[mm/sec]程度の極力速い速度が選ばれ、基板処理の高速化が図られる。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ2 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ2 を生成し出力する。このＤＲＶ2 は、７０００ [pps]程度のパルス信号である。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３からＤＲＶ2 を入力されると正回転し、これに含まれるパルス数（≒７０００ [pps]）に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、ＩＰからＶ2 （≒１６８[mm/sec]）で上昇し始める。さらに、この時、減圧チャンバ２のシャッター２２が開けられる。
【００３１】
基板ガイド４１は、図９（ａ）に示すように、上記雰囲気内を上昇していき、ケーシング２１の開口部から減圧チャンバ２の外部に露出しつつ、ＵＥＰに到達する。フィン４２１は、基板ガイド４１がＵＥＰに到達すると、図９（ｂ）に示すように、第３のセンサ４８のギャップに位置するので、前述のＤＥＴ3 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ3 を入力されると、基板ガイド４１を静止させるための第３の速度、（＝０[mm/sec]；以下、Ｖ3 と称す）を選択し、この選択されたＶ3 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ3 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０４）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ3 を入力されると、サーボモータ４５を停止させるために、前述のＤＲＶ3 の生成を停止する。これによって、サーボモータ４５は停止し、基板ガイド４１はＵＥＰに静止する。
【００３２】
ところで、ＣＰＵ５１がステップＳ５０４の実行を終了する頃、搬送ロボット７は、図１０に示すように、他工程の終了した基板Ｗをチャック７１によって所定枚把持し、本基板処理装置の上部まで搬送している。次に、搬送ロボット７は、ＵＥＰで静止中の基板ガイド４１上に、搬送された基板Ｗを載置し、チャック７１を矢印Ａの向きに回動させて、基板Ｗを離す。これによって、基板Ｗは、基板ガイド４１の支持部分に差し込まれ、支持される。以上の説明からも明らかなように、本説明においてＵＥＰは、搬送ロボット７が基板Ｗを基板ガイド４１に受け渡す位置として規定される。
【００３３】
ＣＰＵ５１は、このような基板の受け渡しが終了すると（図５；ステップＳ５０５）、第４の速度（以下、Ｖ4 （＝−Ｖ2 ）と称す）を選択し、選択されたＶ4 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ4 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０６）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ4 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ4 を生成し出力する。このＤＲＶ4 は、７０００ [pps]程度でサーボモータ４５を負回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３からＤＲＶ4 を入力されると、これに含まれるパルス数（≒７０００ [pps]）に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、ＵＥＰから鉛直下方向にＶ4 （≒１６８[mm/sec]）で下降し始める（図１０中の矢印Ｂ参照）。なお、Ｖ4 は本願請求項３又は請求項６に係る発明の第１の速度に相当する。図１１に示されるように、基板ガイド４１及び連結板４３が完全に減圧チャンバ２の雰囲気内に収まると、シャッター２２が閉じられる。
【００３４】
基板ガイド４１は、ＵＥＰから下降し続けていくと、やがてＩＰに到達する。この時、図８（ｂ）と同様に、フィン４２１が第２のセンサ４７のギャップに位置し、ＤＥＴ2 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ2 を入力されると、第５の速度（以下、Ｖ5 と称す）を選択し、選択されたＶ5 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ5 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０７）。このＶ5 としては、鉛直下向きであって、４８[mm/sec]以下の遅い速度が選ばれる。なお、Ｖ5 は本願請求項３又は請求項６に係る発明の第２の速度に相当し、Ｖ5 がこのように選ばれる理由は後述する。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ5 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するためのパルス信号であるＤＲＶ5 を生成し出力する。このＤＲＶ5 は、２０００ [pps]以下でサーボモータ４５を負回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から駆動信号ＤＲＶ5 を入力されると負回転すると共に、基板ガイド４１は、中間位置ＩＰから鉛直下方向にＶ5 （≦４８[mm/sec]）で下降し始める。基板ガイド４１は、中間位置ＩＰが処理槽１の上端部分から所定距離だけ離れているので、Ｖ4 で下降し始めた直後に、図１１からも明らかなように、その最下端部分から純水中に入っていく（同図中の矢印Ａ参照）。
【００３５】
前述した通り、基板ガイド４１は、ＬＥＰからＵＥＰまで上昇する間、相対的に遅く上昇するように制御され、基板Ｗの支持部分には純水が残りにくくなっているが、実際には残る場合もある。この時に、純水が基板ガイド４１に残ってしまうと、パーティクルの要因となるのは、前述した通りである。ここで、基板ガイド４１を高速に入水させる場合の弊害について検討する。基板ガイド４１を高速に入水させればさせる程、処理槽１内の純水が飛沫となって激しく飛散する。その上で、パーティクルの要因となる純水が基板ガイド４１に残っていると、飛沫の飛散に伴って、当該基板ガイド４１に残っていた純水が基板Ｗに飛散する。このように純水が飛散した結果、基板処理後の基板Ｗにはパーティクルが付着していることが多くなる。このことから、基板ガイド４１が着水する直前に、当該基板ガイド４１の下降速度は遅くなるように制御されている。つまり、Ｖ5 は低速であることが好ましい。このようにＶ5 を低速に選ぶことによって、処理槽１内の純水が飛沫となって飛散することを防ぎ、この結果、基板処理後の基板Ｗにはパーティクルが付着し難くなる。また、昇降速度Ｖ5 の上限値である４８[mm/sec]は、Ｖ1 を選んだ場合と同様に、本願出願人が実験した結果より得られた値である。以上が、Ｖ5 が４８[mm/sec]以下に選ばれる理由である。
【００３６】
さて、基板ガイド４１が、Ｖ5 で下降していき、処理槽１内の基板支持部１１１の間を通り抜ける時、各基板Ｗが基板ガイド４１から基板支持部１１１へと受け渡される。各基板Ｗは、基板支持部１１１の溝に差し込まれ、そこで位置決められて支持される。これによって、各基板Ｗは、図１２に示すように、処理槽１内に収納される。その後、基板ガイド４１はＬＥＰに到達し、フィン４２１は、図７（ｂ）と同様に、第１のセンサ４６のギャップ内に位置する。そのため、ＤＥＴ1 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ1 を入力されると、Ｖ3 （＝０[mm/sec]）を選択し、この選択されたＶ3 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ3 を生成し出力する（図５；ステップＳ５０８）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ3 を入力されると、サーボモータ４５を停止させるために、前述のＤＲＶ3 の生成を停止する。これによって、サーボモータ４５は停止し、図１２に示すように、基板ガイド４１はＵＥＰに静止する。これによって、搬送／ローディング工程が終了する（図５；ステップＳ５２）。
【００３７】
次に、再度図１２を参照して、薬液処理工程について説明する。この薬液処理の間中、基板ガイド４１はＬＥＰに静止しており、さらに、所定量の不活性ガスにより減圧チャンバ２内がパージされる。このような状況下で、減圧チャンバ２の外部の薬液供給源（図示せず）からアップフロー管１０６（図２参照）に薬液としてのエッチング液が供給される。供給された薬液は、アップフロー管１０６から注入管１０７へと導びかれ、当該注入管１０７の各孔１０７ａから処理槽１内に噴出する。アップフロー管１０６には、外部の薬液供給源から一定時間継続的に薬液が供給されるため、処理槽１内における薬液の濃度は、徐々に高くなり、やがて一定濃度となる。また、その間に処理槽１から溢れ出す液体（主として純水と薬液との混合液）は、オーバーフロー溝１０４内に流れ込み、オーバーフロー排液管１０５を介して減圧チャンバ２の外部へと排出される。これによって、基板Ｗは、常に新しい薬液に浸漬されることになる。そして、薬液供給源は、薬液処理工程の開始から一定時間経過すると、薬液の供給を停止し、エッチング処理工程等の薬液処理工程が終了する（図５；ステップＳ５３）。
【００３８】
次に、同様に図１２を参照して、洗浄工程について説明する。この洗浄工程が開始されると、基板の洗浄液としての純水が外部の純水供給源（図示せず）からアップフロー管１０６に純水が供給される。この供給された純水は、アップフロー管１０６から注入管１０７へと導かれ、当該注入管１０７の各孔１０７ａから処理槽１内へと噴出する。この噴出した純水は、各基板Ｗの間へと流れ込み、各基板Ｗの表面をまんべんなく洗浄する。また、純水が供給され続けている間に処理槽１から溢れ出る液体（主として純水と薬液との混合液）は、オーバーフロー溝１０４内に流れ込み、オーバーフロー排液管１０５を介して減圧チャンバ２の外部へと排出される。これによって、薬液処理工程時に各基板Ｗを浸漬していた薬液は、処理槽１内に滞留せず、溢れ出た液体と共に外部へと排出される。純水は処理槽１内に継続的に供給されるため、処理槽１内の薬液の濃度は徐々に薄まり、やがて処理槽１内は純水のみに置換される。そして、処理槽１内の液体の比抵抗値が所定値（例えば、純水の比抵抗値）になったことを比抵抗計（図示せず）が検出すると、純水の供給が停止され、洗浄工程が終了する（図５；ステップＳ５４）。なお、上記洗浄工程では基板の洗浄液として純水を用いているが、基板を洗浄できる液体（例えば、ふっ酸添加純水）であれば、何を用いても良い。
【００３９】
次に、図１３及び図１４を参照して、引き上げ乾燥工程について説明する。ＣＰＵ５１は、洗浄工程が終了すると（図５；ステップＳ５０９）、第６の昇降速度（以下、Ｖ6 と称す）を選択し、この選択したＶ6 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ6 を生成し出力する（ステップＳ５１０）。なお、Ｖ6 は本願請求項７又は請求項８に係る発明における第１の速度に相当する。ここで、Ｖ6 の大きさは、１[mm/sec]から５[mm/sec]の範囲が好ましい。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ6 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ6 を生成し出力する。このＤＲＶ6 は、上記Ｖ6 に比例するパルス数を有しており、サーボモータ４５を回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から入力されるＤＲＶ6 が含むパルス数に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、ＬＥＰからＶ6 で上昇し始め、基板支持部１１１の間を通り抜ける時、各基板Ｗが基板支持部１１１から基板ガイド４１へと受け渡される。各基板Ｗは、基板ガイド４１の溝に差し込まれ、そこで位置決められて支持される。これによって、基板ガイド４１に支持される各基板Ｗは、処理槽１から引き上げられ、減圧チャンバ２内の雰囲気に露出してくる。
【００４０】
このように各基板Ｗが引き上げられ始めると、図示しない外部の供給源から、基板を乾燥させるための蒸気としてのＩＰＡ蒸気が導入管２５に供給され始める。供給されたＩＰＡ蒸気は、図１３において矢印で示すように、導入管２５の複数の吐出口２５ａから処理槽１の上端部に向けて吐出され、処理槽１から引き上げられてくる各基板Ｗに吹き付けられる。その結果、各基板ＷではＩＰＡ蒸気が凝縮し、当該各基板Ｗに付着している液滴（主として純水）はＩＰＡに置換される。このように、ＩＰＡ蒸気を吹き付けながら各基板Ｗを引き上げていくと、やがて、図８（ｂ）と同様に、基板ガイド４１がＩＰに到達するので、ＤＥＴ2 がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、このＤＥＴ2 を入力されるとＶ3 を（＝０[mm/sec]）選択し、前述のＭＥＳ3 を生成し、モータ駆動回路５３に出力する（図５；ステップＳ５１１）。モータ駆動回路５３は、前述した通り、入力されたＭＥＳ3 に基づいて、ＤＲＶ2 の生成を停止し、その結果、基板ガイド４１はＩＰで静止する。
【００４１】
このように基板ガイド４１がＩＰで静止すると、図１４に示すように、ＩＰＡ蒸気の供給が停止されると共に、排気系６（図１参照）は、内部の真空ポンプ（図示せず）を作動させ排気を行う。その結果、減圧チャンバ２内は減圧され、現在静止中の各基板Ｗの表面で凝縮して液滴と置換したＩＰＡを蒸発させ、これによって、当該各基板Ｗは乾燥する。排気系６は、内部の真空ポンプを、所定時間だけ動作させた後、停止させる。これによって、引き上げ乾燥工程が終了する（図５；ステップＳ５５）。ここで、この所定時間とは、各基板Ｗを乾燥させるのに十分な時間である。なお、蒸気引き上げ乾燥工程では、乾燥蒸気としてＩＰＡを用いているが、これに限られず、水溶性でかつ基板上に残る水滴の表面張力を低下させる性質を有する有機溶剤の蒸気であれば、何を用いても良い。
【００４２】
次に、図１５を参照して、基板のアンローディング／搬送工程について説明する。ＣＰＵ５１は、上記所定時間が経過すると（図５；ステップＳ５１２）、前述のＶ2 を選択して、前述のＭＥＳ2 を生成し出力する（図５；ステップＳ５１３）。このＶ2 は、本願請求項７又は請求項８に係る発明における第２の速度に相当し、前述したように極力速い速度が選ばれるが、このアンローディング／搬送工程において、このＶ2 は、基板を過剰に乾燥させないための速度でもある。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ2 を入力されると、ＤＲＶ2 を生成し出力する。サーボモータ４５は、入力されるＤＲＶ2 に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、処理槽１内において中間位置ＩＰからＶ2 （≒１６８[mm/sec]）で上昇し始める。さらに、この時、減圧チャンバ２のシャッター２２が開けられる。
【００４３】
基板ガイド４１は、減圧チャンバ２内の雰囲気を上昇して、ＵＥＰに到達した時、ＤＥＴ3 がＣＰＵ５１に出力される。その結果、ステップＳ５０４と同様の処理が実行され、その結果、基板ガイド４１はＵＥＰで静止する（ステップＳ５１４）。そして、図１５の矢印Ａで示すように、搬送ロボット７はチャック７１によって基板Ｗを把持し、他の位置へと搬送する。
【００４４】
なお、本実施形態では、基板ガイド４１は数種類の速度Ｖで移動することが可能であった。しかしながら、少なくとも２つの速度、つまり相対的に速い速度と遅い速度を準備しておけば、処理液面近傍で基板ガイド４１の速度を変化させることができ、これによって基板ガイド４１と基板Ｗとの隙間に付着した純水を十分に乾燥することができる。
【００４５】
次に、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置について説明する。本基板処理装置は、原則として、第１の実施形態と同様であるため、本基板処理装置において、第１の実施形態のものに相当する構成部分には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。しかしながら、本基板処理装置は、第４のセンサ（図示せず）を備える点で相違し、さらにＲＯＭ５２内に書き込まれているプログラムは部分的に相違する。より具体的には、本基板処理装置のＣＰＵ５１は、図５に示すステップＳ５０１〜Ｓ５１４の内、ステップＳ５１０に代えて、図１６に示すようなステップＳ１６０１〜Ｓ１６０２を実行する点で異なる。以下、本基板処理装置について、この相違点を中心に説明する。
【００４６】
洗浄工程は、第１の実施形態でも説明した通り、図５のステップＳ５０９が実行されることにより終了する。ＣＰＵ５１は、ステップＳ５０９の後、第７の昇降速度（以下、Ｖ7 と称す）を選択し、この選択したＶ7 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ7 を生成し出力する（図１６；ステップＳ１６０１）。このＶ7 の詳細については後述するので、ここでは述べない。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ7 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ7 を生成し出力する。このＤＲＶ7 は、上記Ｖ7 に比例するパルス数を有しており、サーボモータ４５を回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から入力されるＤＲＶ7 が含むパルス数に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１は、ＬＥＰからＶ7 で上昇し始め、前述した通り、やがて、各基板Ｗが基板支持部１１１から基板ガイド４１へと受け渡される。各基板Ｗは、基板ガイド４１の溝によって支持される。これによって、基板ガイド４１に支持される各基板Ｗは、処理槽１から引き上げられる。
【００４７】
このように各基板Ｗが引き上げられ始めると、第１の実施形態での説明と同様の方法で、所定の有機溶剤（ＩＰＡ等）の蒸気が、引き上げられてくる各基板Ｗに吹き付けられる（図１３参照）。その結果、各基板ＷではＩＰＡ蒸気が凝縮し、当該各基板Ｗに付着している液滴（主として純水）は所定の有機溶剤に置換される。そのまま、有機溶剤の蒸気を吹き付けながら各基板Ｗを引き上げていくと、やがて、基板ガイド４１の上端部が純水面の直下に到達する。上記第４のセンサは、第１のセンサ４６と同様に構成されており、基板ガイド４１の上端部が純水面の直下に到達した時に、自身のギャップ間をフィン４２１が通過するように予め取り付けられている。また、第４のセンサは、上端部が純水面の直下に到達したことを示す信号であるＤＥＴ4 をＣＰＵ５１に出力する。ＣＰＵ５１は、このＤＥＴ4 を入力されるとＶ8 を選択し、この選択したＶ8 をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ8 を生成し出力する（図１６；ステップＳ１６０２）。このＶ8 の詳細についても後述するので、ここでは述べない。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ8 を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ8 を生成し出力する。このＤＲＶ8 は、上記Ｖ8 に比例するパルス数を有しており、サーボモータ４５を回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から入力されるＤＲＶ8 が含むパルス数に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４１の上昇速度は、基板ガイド４１の上端部が純水面の直下を境に、Ｖ7 からＶ8 に変化する。
【００４８】
この後、やがて、図８（ｂ）と同様に、基板ガイド４１がＩＰに到達するので、ＤＥＴ2 がＣＰＵ５１に出力されるが、これ以降のＣＰＵ５１の動作は、図５のステップＳ５１１以降に示される通りであるため、その説明を省略する。
【００４９】
以上説明したように、第２の実施形態に係る基板処理装置では、基板ガイド４１の上昇速度は、基板ガイド４１の上端部が純水面の直下を境に、Ｖ7 からＶ8 に変化する。ここで、Ｖ7 とＶ8 との関係について説明する。第１の実施形態で説明した通り、基板ガイド４１の溝には基板Ｗの下部が差し込まれる。したがって、支持された基板Ｗにおいて、溝に差し込まれている部分よりも上側（つまり、基板ガイド４１よりも上側）では、当該基板Ｗを相対的に高速に引き上げても、パーティクルの要因とならないことは、第１の実施形態より明らかである。しかしながら、溝に填り込んでいる部分（基板ガイド４１の溝部分）については、パーティクルの要因となるので、基板Ｗを相対的に低速に引き上げる必要がある。したがって、Ｖ7 とＶ8 のと関係は、Ｖ7 ＞Ｖ8 を満たすことが必要最低限の条件となる。Ｖ8 は、本願請求項７又は請求項８に係る発明における第１の速度に相当する。また、Ｖ8 は１[mm/sec] から５[mm/sec] の範囲であることが好ましい。このように、第２の実施形態によれば、引き上げ乾燥を行う場合に、支持された基板Ｗの位置に応じて速度を最適に制御できるようになり、これによって、基板ガイド４１と基板Ｗとの隙間に付着した純水を十分に乾燥することができて基板Ｗ表面にパーティクルが付着したり、ウォーターマークが発生したりすることを抑制できる。
【００５０】
次に、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置について説明する。本実施形態の基板処理装置はいわゆるドレン乾燥工程を実行するが、その処理槽の構造は図３に示すものと同様であり、減圧チャンバの構造も、図１及び図２に示したものと部分的に似ている。そのため、本基板処理装置において、第１の実施形態のものに相当する構成部分には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。図１７は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。図１７に示す減圧チャンバ２は、図１及び図２に示す減圧チャンバと比較すると、その上端面を低くできる点と、導入管２５の設置位置と、第１〜第３のセンサ４６〜４８、フィン４２１及び制御部５に代えて制御部９を備える点で相違する。それ以外の相違点には異なる点は無い。まず、導入管２５は、ケーシング２１内側の最上部近傍に設置される。なお、制御部９については後述するので、ここでは説明しない。
【００５１】
本基板処理装置もまた、第１の実施形態に係るものと同様に、準備工程→搬送／ローディング工程→薬液処理工程→洗浄工程という一連の工程（図５参照）を実行する。図１７はさらに、洗浄工程終了時における基板処理装置の状態も示している。この基板処理終了時には、洗浄液が十分に処理槽１に満たされている。また、基板ガイド４１は、前述のＬＥＰに相当する位置に静止している。このような状況下で、ドレン乾燥工程が開始される。ドレン乾燥工程では、まず最初に、処理槽１内の洗浄液面を微小量低下させるため、槽内排液管１０９から洗浄液が微小量排出される。これは、洗浄液面で凝縮する有機溶剤が処理槽１の外部へと流出することを防ぐためである。
【００５２】
洗浄液を排出後、導入管２５は、図１８に示すように、処理槽１内に貯留されている洗浄液面に向けて、外部の供給源から供給される有機溶剤（前述）の蒸気をその吐出口２５ａから吐出する。その結果、有機溶剤は洗浄液面上で凝縮する。制御部９は、有機溶剤の供給開始から、凝縮した有機溶剤の層が一定の厚さになるような時間経過後、急速開放弁９７を所定量開き、後述する降下速度の制御を実行しつつ、処理槽１内の洗浄液を槽内排液管１０９から排出させる。この排出の間中、導入管２５は有機溶剤の蒸気を供給し続けている。また、制御された降下速度で洗浄液面がこの排出により降下するにつれて、基板支持部１１１に支持された各基板Ｗが減圧チャンバ２内の雰囲気に露出する共に、当該各基板Ｗには洗浄液面で凝縮した有機溶剤が付着する。したがって、各基板Ｗに付着している洗浄液の滴は、凝縮した有機溶剤に置換される。これによって、各基板Ｗの表面にはこの滴が残ることなく、当該表面は十分に乾燥する。そして、図１９に示すように洗浄液面の位置が各基板に対して十分に低下し、かつ各基板Ｗと基板支持部１１１の溝との間に、残留する洗浄液が十分に乾燥すると、有機溶剤の蒸気の供給は終了する。
【００５３】
有機溶剤の蒸気の供給終了後、減圧チャンバ２内は所定量の不活性ガスによりパージされる。同時に、減圧チャンバ２内は排気系６により減圧される。その結果、有機溶剤の沸点が低下し、減圧チャンバ２内に残留している有機溶剤は容易に蒸発し、各基板Ｗの表面は短時間で乾燥する。排気系６は、減圧チャンバ２内の不必要な有機溶剤が減圧により十分に乾燥するような時間経過後、減圧を停止する。この減圧停止後、減圧チャンバ２内では、再度パージが実行されて、減圧チャンバ２内を大気圧まで戻す。こうしてドレン乾燥工程が終了する。以上説明したように、本基板処理装置は減圧チャンバ２及び排気系６によりＬＰＤ(Low Pressure Drying) を実行でき、高品質な基板Ｗを生成できる。
【００５４】
本基板処理装置は、このドレン乾燥工程の終了後、アンローディング／搬送工程を実行するが、これについては図５のステップＳ５６で既に説明しているので、その説明を省略する。
【００５５】
ところで、急速開放弁９７は、槽内排液管１０９から排出される洗浄液を導く配管上に設けられる。この急速開放弁９７のオリフィス径がドレン乾燥工程の間一定に制御されている場合、減圧チャンバ２の外部に排出される洗浄液が当該オリフィスを通過する流量は、処理槽１内に貯留された洗浄液の位置エネルギー、つまり洗浄液面の高さに比例する。そのため、洗浄液面の位置が低くなってくると、急速開放弁９７から排出される洗浄液の流量が減り、その結果、洗浄液面の降下速度は小さくなる。また、図示からも明らかなように、基板支持部１１１の溝には基板Ｗの下部が差し込まれる。したがって、支持された基板Ｗにおいて、溝に填り込んでいる部分よりも上側（つまり、基板支持部１１１よりも上側）では、当該基板Ｗを相対的に高速に引き上げても、パーティクルの要因とならないことは、第１の実施形態より明らかである。
【００５６】
このような背景から、制御部９は、ドレン乾燥工程の間中、以下の洗浄液の降下速度の制御を実行する。前述したように、制御部９は、液面センサ９１と、微圧計９２と、ＣＰＵ９３と、ＲＯＭ９４と、電空レギュレータ９５と、圧力調整器９６（アクチュエータ）と、急速開放弁９７とを含んでいる。液面センサ９１は、処理槽１内に配置されており、微圧計９２により微小量の不活性ガスをドレン乾燥工程の間中継続的に供給される。液面センサ９１は、供給された不活性ガスを、その先端から排出する。排出された不活性ガスは、気泡となって、液面センサ９１を覆う中空円柱状のカバー内を浮上していく（図１８参照）。微圧計９２は、液面センサ９１からの気泡の排出圧に基づいて、処理槽１内における洗浄液面の現在の高さを測定する。ここで、本実施形態では、この微圧計９２が測定する洗浄液面の高さは、上述のＬＥＰに対応するものとする。微圧計９２は、測定した洗浄液面の高さＨを含む信号であるＤＥＴH を一定時間毎にＣＰＵ９２に出力する。
【００５７】
ＲＯＭ９４には、この降下速度の制御のためのプログラムが予め書き込まれている。ＣＰＵ９３は、このプログラムに従って、図２０に示す処理手順を実行して、洗浄液の降下速度を制御する。ＣＰＵ９２は、上述のＤＥＴH が入力されるのを待機している（ステップＳ２０１）。ＣＰＵ９２は、ＤＥＴH が入力されると、ＲＯＭ９４に予め準備されているテーブルにアクセスする（ステップＳ２０２）。このテーブルには、ＤＥＴH が含む高さＨ毎に、最適なオリフィス径（Ｄori と称す）が予め書き込まれている。より具体的には、洗浄液面の高さＨが、処理槽１の上端部の等しい高さ（以下、Ｈ2 と称す）から、基板支持部１１１の最上端部から所定距離だけ離れた直上部分に等しい高さ（以下、Ｈ1 と称す）までの範囲内では、第２の実施形態のＶ7 に相当する相対的に高速な降下速度（以下、Ｖ9 と称す）が得られるようなＤori がテーブルには書き込まれている。それに対して、高さＨがＨ1 からＨ0 （上述のＬＥＰに相当する高さ）までの範囲内では、前述のＶ8 に相当する相対的に低速な降下速度（以下、Ｖ10と称す）が得られるようなＤori がテーブルに書き込まれている。
【００５８】
ＣＰＵ９２は、ステップＳ２０２の後、アクセスしたテーブルから、入力されたＤＥＴH に含まれる高さＨに対応するＤori を取り出し、電空レギュレータ９５に出力して（ステップＳ２０３）、ステップＳ２０１に戻る。電空レギュレータ９５は、所定の演算式に基づいて、ＣＰＵ９２から入力されるＤori を用いてパイロットエアー圧（以下、ＰPAと称す）を演算して、圧力調整器９６に出力する。圧力調整器９６は、入力されるＰPAによって急速開放弁９７の開度（オリフィス径）を調節して、槽内排液管１０９から排出される洗浄液の流量を制御する。これによって、ドレン乾燥工程において、処理槽１の上端部から降下してくる洗浄液面の降下速度は、Ｈ2 ≧Ｈ≧Ｈ1 では一定のＶ9 であり、Ｈ1 ＞Ｈ≧Ｈ0 では一定のＶ10である。こうして、ドレン乾燥工程を実行する基板処理装置においても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
なお、以上の第１〜第２の実施形態に係る基板処理装置は、減圧チャンバ２により減圧乾燥を実行していた。しかしながら、減圧乾燥しないチャンバを備える基板処理装置においても、各実施形態において特有の効果を得ることができる。
また、搬送／ローディング工程（図５；ステップＳ５２）において、基板ガイド４１を固定して、液面を昇降させる場合に本発明を適用してもよい
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置において、二点鎖線で示される矢印Ａの方向に沿う断面を、矢印Ｂの方向から見たときの断面図である。
【図３】図１及び図２に示す処理槽１の構成を示す一部破断斜視図である。
【図４】図２に示す制御部５の構成を示すブロック図である。
【図５】図１〜図３により示される基板処理装置の各工程を示すフローチャート、及び上記昇降速度の制御時にＣＰＵ５１の動作を示すフローチャートである。
【図６】図１〜図３に示す基板処理装置の基板処理の準備工程を説明する図である。
【図７】図１〜図３に示す基板処理装置の基板の搬送／ローディング工程を説明する第１の図である。
【図８】図５に示すステップＳ５０３を説明する図である。
【図９】図５に示すステップＳ５０４を説明する図である。
【図１０】図５に示すステップＳ５０４の実行が終了する頃に、搬送ロボット７が実行する動作を説明する図である。
【図１１】図５に示すステップＳ５０７の実行が終了した直後に、基板ガイド４１がその最下端部分から純水中に入っていく時の様子を説明する図である。
【図１２】図５に示すステップＳ５０８の実行により、各基板Ｗが処理槽１内に収納された時の様子、及び基板ガイド４１がＵＥＰに静止した時の様子を示す図である。
【図１３】図１〜図３に示す基板処理装置の引き上げ乾燥工程を説明する第１の図である。
【図１４】図１〜図３に示す基板処理装置の引き上げ乾燥工程を説明する第２の図である。
【図１５】図１〜図３に示す基板処理装置の基板の搬送／ローディング工程を説明する第２の図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置のＣＰＵ５１が実行する動作を説明する図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。
【図１８】図１７の基板処理装置のドレン乾燥工程において、導入管２５の吐出口２５ａが処理槽１内の洗浄液面に向けて、有機溶剤（前述）の蒸気を吐出する様子を示す図である。
【図１９】図１７の基板処理装置のドレン乾燥工程において、有機溶剤の蒸気の供給は終了した時の様子を示す図である。
【図２０】図１７のＣＰＵ９３がプログラムに従って実行する処理の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…処理槽
２…減圧チャンバ
４…昇降装置
５，９…制御部
１１１…基板支持部
４１…基板ガイド
２５…導入管
２５ａ…吐出口
ＬＥＰ…下限位置
ＩＰ…中間位置
ＵＥＰ…上限位置
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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