(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイズ、稲、及び大豆から選ばれる有用植物の除草剤耐性作物における不所望の植物生長を制御する方法であって、以下の式（Ｉ）：
【化１】
0003762302.tif 000052
｛式中、
Ｍは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属であり；
ｎは、１又は２であり；
ｒとｓは、各々互いに独立して、０、1/2、１、１ 1/2、２、２ 1/2、又は３であり；そして
Ｌは、酢酸エチル、アセトニトリル、ジメチル・スルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ブタノン、塩化メチレン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジメチル・エーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、メチルｔｅｒｔ−ブチル・エーテル、クロロベンゼン、トルエン又はキシレンである。｝により表される化合物の結晶形を、除草剤として有効な量で、上記植物又はその場に適用し、ここで、上記式（Ｉ）の化合物が、以下のａ）〜ｆ）：
ａ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＢ修飾物であって、
ｄ〔Å〕／強度：１０．０／中；９．２／強；８．６／極弱；８．１／弱；７．２／強；６．９／強；６．４／中；５．８２／強；５．７５／強；５．６４／極強；５．５３／極弱；５．１３／中；４．９７／極強；４．６５／中；４．３０／極強；４．２２／弱；４．１５／極弱；４．０２／弱；３．９４／弱；３．７９／中；３．７３／弱；３．６８／中；３．６１／弱；３．５８／弱；３．５２／極強；３．４２／極弱；３．３７／弱；３．３１／極弱；３．２７／極弱；３．２３／弱；３．１８／中；３．０８／極弱；３．０３／極弱；２．９５／極弱；２．８７／強；２．８２／極弱；２．７９／極弱；２．７３／極弱；２．６８／極弱；２．６５／極弱；２．６３／極弱；２．６０／弱；２．５７／弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｂ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＣ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１３．１／中；１１．０／極強；８．８／弱；７．７／極強；７．２／極強；７．０／弱；６．４／弱；６．２／強；５．９６／弱；５．９０／弱；５．６４／強；５．４７／弱；５．３４／中；５．１９／弱；４．７９／弱；４．７４／中；４．６４／極弱；４．５５／強；４．４７／弱；４．３５／強；４．２６／中；４．１３／弱；４．０６／極弱；３．９２／極強；３．８７／弱；３．７９／極強；３．６７／弱；３．６１／中；３．５８／強；３．４７／弱；３．３２／極弱；３．２４／中；３．１４／弱；３．１２／弱；３．０７／弱；３．０４／強；２．９７／極弱；２．９２／極弱；２．８８／弱；２．８２／弱；２．７７／極弱；２．７４／極弱；２．６９／弱；２．６６／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｃ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが１であり、Ｌがジオキサンであり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＦ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１４．７／極弱；１２．６／極弱；１０．９／中；７．８／中；７．４／極弱；７．０／弱；６．６／弱；６．２／弱；５．４５／強；４．９１／中；４．８３／弱；４．７６／極弱；４．２８／極弱；４．１０／弱；４．００／極弱；３．７５／極強；３．６０／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｄ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが２であり、Ｌがジオキサンであり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＧ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１５．３／強；１２．７／極弱；１０．５／弱；７．９／中；６．９／中；６．６／極弱；６．２／極強；５．９６／中；５．０８／中；４．９８／弱；４．８４／中；４．６０／中；４．５１／中；４．４７／極弱；４．２７／弱；４．２３／中；３．９８／中；３．９１／中；３．８１／弱；３．７１／強；３．６５／中；３．５７／弱；３．５０／中；３．３９／極弱；３．３３／弱；３．０８／極弱；３．０２／極弱；２．９３／弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｅ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＩ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１１．６／弱；９．８／極弱；８．０／極強；７．６／中；６．７／中；６．４／極弱；６．３／弱；６．１／極弱；５．８０／中；５．６６／極弱；５．４７／強；５．１２／極弱；５．０８／極弱；４．８４／弱；４．７６／弱；４．４７／強；４．４０／弱；４．２１／中；４．１９／中；４．１５／極弱；４．００／極弱；３．９３／極弱；３．８４／中；３．７２／極強；３．５８／中；３．５２／中；３．３２／極弱；３．２８／極弱；３．２５／極弱；３．１１／極弱；３．０７／極弱；２．９５／極弱；２．８６／弱；２．８２／極弱；２．７５／極弱；２．５７／弱；２．４９／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；及び
ｆ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＪ修飾物であって、ｄ〔Å〕／強度：１５．７／弱；１０．２／極強；８．２／弱；７．８／弱；７．３／弱；６．７／弱；６．５／極弱；６．２／中；５．６４／極弱；５．５３／弱；５．４２／弱；５．０９／弱；４．９６／中；４．８６／極弱；４．６０／中；４．３７／中；４．２４／弱；４．１１／極強；３．９５／極弱；３．９０／弱；３．８１／極弱；３．７１／中；３．６２／弱；３．５２／極弱；３．４３／強；３．３７／弱；３．３２／極弱；３．２７／弱；２．９４／極弱；２．８２／中；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
から成る群から選ばれる前記方法。
【請求項２】
式（Ｉ）中、
ａ）Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である（Ｃ修飾物）であって、以下の：
ｉ）実質的に非晶質の形態（Ａ修飾物）を９８％相対湿度をもつ空気と接触させるか、又は
ii）０．１：１〜０．４：１の水対Ｋ修飾物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＫ修飾物に添加し、そして得られた生成物を分離し、そしてそれを３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で、乾燥させるかの
いずれかにより得られるもの；又は
ｂ）Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である（Ｂ修飾物）であって、０．５：１〜２０：１の水対化合物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、そしてＬ、ｒ及びｓが式（Ｉ）に関して定義したものと同じである。式（Ｉ）の化合物に添加し、濾過し、そして３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で上記濾過残渣を乾燥させることにより得られるもの；
である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有用植物が、アセトラフテート・シンターゼ（ＡＬＳ）の阻害に耐性の作物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
メイズ、稲、及び大豆から選択される有用植物の除草剤耐性作物における不所望の植物生長の制御における請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物の使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、有用植物の特定の除草剤耐性作物、特にメイズ、大豆、及び稲の除草剤耐性作物における、Ｎ−〔３−（２−トリフルオロ−エトキシ）−ピリジン−２−イル−スルホニル〕−Ｎ′−（４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イル）−ウレアの除草剤として活性な塩の使用に関する。
【０００２】
除草剤の使用は、例えば、その除草剤の濃度及び適用方法、栽培された植物、土壌の性質及び気候条件、例えば、露光期間、温度、及び降雨量に依存して、栽培植物に引き起こされるかなりの傷害をもたらしうる。しかしながら、選択的雑草防除は、育種法又は遺伝子技術により除草剤の植物毒作用に対して有用植物にいくらか耐性を付与している除草剤を作物において使用することにより達成されうる。
【０００３】
有用植物の除草剤耐性作物は、その作用が特異的メカニズム（例えば、アセトラクテート・シンターゼ−インヒビター）に基づくものであるところの、除草剤の植物毒作用に対して一般に耐性である。しかしながら、このような除草剤は、除草剤の上記クラスに耐性な上記栽培植物に対して共通の作用モードをもつにも拘らず、それらの作用においてしばしばひじょうに変化しうる。すなわち、その除草剤の分子構造及び適用率に依存して、栽培された植物な耐性挙動においてかなりの差がある。したがって、特定の除草剤が栽培植物の特定の変種に関してのみしばしば好適である。
【０００４】
ＷＯ９７／４１２１８は、例えば、除草剤、イマゼサピル（ｉｍａｚｅｔｈａｐｙｒ）、イマザキン（ｉｍａｚａｑｕｉｎ）、プリミスルフロン（ｐｒｉｍｉｓｕｌｆｕｒｏｎ）、ニコスルフロン（ｎｉｃｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、スルフォメツロン（ｓｕｌｆｏｍｅｔｕｒｏｎ）、イマザピル（ｉｍａｚａｐｙｒ）、イマザメス（ｉｍａｚａｍｅｔｈ）、及びイマザモックス（ｉｍａｚａｍｏｘ）の植物毒作用に対して耐性である稲植物を記載している。ＵＳ−Ａ−４７６１３７３は、特定のスルホンアミド、例えば、クロルスルフロンの植物毒作用に対して耐性であるメイズ植物を開示している。
【０００５】
今般、Ｎ−〔３−（２−トリフルオロエトキシ）−ピリジン−２−イル−スルホニル〕−Ｎ′−（４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イル）−ウレアの特定の塩が、メイズ、稲、及び大豆から選ばれる除草剤耐性作用における雑草防除に優れて好適であることが発見された。
【０００６】
それ故、本発明に従って、メイズ、稲、及び大豆から選ばれる有用植物の除草剤耐性作物における不所望の植物生長を制御する方法であって、以下の式（Ｉ）：
【０００７】
【化２】
0003762302.tif 000002
【０００８】
｛式中、
Ｍは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属であり；
ｎは、１又は２であり；
ｒとｓは、各々互いに独立して、０、1/2、１、１ 1/2、２、２ 1/2、又は３であり；そして
Ｌは、酢酸エチル、アセトニトリル、ジメチル・スルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ブタノン、塩化メチレン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジメチル・エーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、メチルｔｅｒｔ−ブチル・エーテル、クロロベンゼン、トルエン又はキシレンである。｝により表される化合物を、除草剤として有効な量で、上記植物又はその場に適用する、前記方法が提供される。
【０００９】
本発明においてアルカリ金属又はアルカリ土類金属としてのＭは、ナトリウム、カリウム、マグネシウム又はカルシウムである。
【００１０】
本発明は、式（Ｉ）の化合物により形成されることができる全ての結晶修飾物を含む。
【００１１】
本発明に係る方法にとって好ましい式（Ｉ）の化合物は、式中、Ｌがジオキサン、テトラヒドロフラン又は水である。また、式中、ｎが１であり、Ｍが特にナトリウムである式（Ｉ）の化合物も好ましい。
【００１２】
式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である、式（Ｉ）の化合物も好ましい。
【００１３】
本発明に係る方法に関して、式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である、式（Ｉ）の化合物の非晶質固体形態も特に挙げられる。例えば、上記非晶質固体形態は、他の結晶修飾物、例えば、Ｃ修飾物の製造において使用されうる。
【００１４】
本発明に係る方法における使用のために特に好ましい、式（Ｉ）の範囲からの個々の化合物として、以下の：
ａ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＢ修飾物であって、
ｄ〔Å〕／強度：１０．０／中；９．２／強；８．６／極弱；８．１／弱；７．２／強；６．９／強；６．４／中；５．８２／強；５．７５／強；５．６４／極強；５．５３／極弱；５．１３／中；４．９７／極強；４．６５／中；４．３０／極強；４．２２／弱；４．１５／極弱；４．０２／弱；３．９４／弱；３．７９／中；３．７３／弱；３．６８／中；３．６１／弱；３．５８／弱；３．５２／極強；３．４２／極弱；３．３７／弱；３．３１／極弱；３．２７／極弱；３．２３／弱；３．１８／中；３．０８／極弱；３．０３／極弱；２．９５／極弱；２．８７／強；２．８２／極弱；２．７９／極弱；２．７３／極弱；２．６８／極弱；２．６５／極弱；２．６３／極弱；２．６０／弱；２．５７／弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｂ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＪ修飾物であって、ｄ〔Å〕／強度：１５．７／弱；１０．２／極強；８．２／弱；７．８／弱；７．３／弱；６．７／弱；６．５／極弱；６．２／中；５．６４／極弱；５．５３／弱；５．４２／弱；５．０９／弱；４．９６／中；４．８６／極弱；４．６０／中；４．３７／中；４．２４／弱；４．１１／極強；３．９５／極弱；３．９０／弱；３．８１／極弱；３．７１／中；３．６２／弱；３．５２／極弱；３．４３／強；３．３７／弱；３．３２／極弱；３．２７／弱；２．９４／極弱；２．８２／中；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｃ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＫ修飾物であって、ｄ〔Å〕／強度：１３．４／弱；１０．１／極弱；９．３／極強；７．８／弱；６．９／極弱；６．９／極弱；６．７／極弱；５．６３／極弱；５．３５／中；４．６６／弱；４．４４／極弱；４．３５／弱；４．１２／強；３．９４／強；３．８７／極弱；３．７６／弱；３．６１／中；３．４９／極弱；３．４０／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
ｄ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＣ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１３．１／中；１１．０／極強；８．８／弱；７．７／極強；７．２／極強；７．０／弱；６．４／弱；６．２／強；５．９６／弱；５．９０／弱；５．６４／強；５．４７／弱；５．３４／中；５．１９／弱；４．７９／弱；４．７４／中；４．６４／極弱；４．５５／強；４．４７／弱；４．３５／強；４．２６／中；４．１３／弱；４．０６／極弱；３．９２／極強；３．８７／弱；３．７９／極強；３．６７／弱；３．６１／中；３．５８／強；３．４７／弱；３．３２／極弱；３．２４／中；３．１４／弱；３．１２／弱；３．０７／弱；３．０４／強；２．９７／極弱；２．９２／極弱；２．８８／弱；２．８２／弱；２．７７／極弱；２．７４／極弱；２．６９／弱；２．６６／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；及び
ｅ）式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＩ修飾物であって、ｄ〔Å〕強度：１１．６／弱；９．８／極弱；８．０／極強；７．６／中；６．７／中；６．４／極弱；６．３／弱；６．１／極弱；５．８０／中；５．６６／極弱；５．４７／強；５．１２／極弱；５．０８／極弱；４．８４／弱；４．７６／弱；４．４７／強；４．４０／弱；４．２１／中；４．１９／中；４．１５／極弱；４．００／極弱；３．９３／極弱；３．８４／中；３．７２／極強；３．５８／中；３．５２／中；３．３２／極弱；３．２８／極弱；３．２５／極弱；３．１１／極弱；３．０７／極弱；２．９５／極弱；２．８６／弱；２．８２／極弱；２．７５／極弱；２．５７／弱；２．４９／極弱；を有するＸ線粉末パターンを特徴とするもの；
から選ばれる、化合物が言及される。
【００１５】
ａ）Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＫ修飾物であって、真空下３５〜６５℃の温度で、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）を乾燥させることにより得られるもの；又は
ｂ）Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＣ修飾物であって、以下の：
ｉ）実質的に非晶質の形態（Ａ修飾物）を９８％相対湿度をもつ空気と接触させるか、又は
ii）０．１：１〜０．４：１の水対Ｋ修飾物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＫ修飾物に添加し、そして得られた生成物を分離し、そしてそれを３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で、乾燥させるかの
いずれかにより得られるもの；又は
ｃ）Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＢ修飾物であって、０．５：１〜２０：１の水対化合物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、そしてＬ、ｒ及びｓが式（Ｉ）に関して定義したものと同じである。式（Ｉ）の化合物に添加し、濾過し、そして３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で上記濾過残渣を乾燥させることにより得られるもの、あるいは好ましくは、０．５：１〜２０：１の水対Ｋ，Ｊ，Ｉ又はＣ修飾物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｋ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｉ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｃ修飾物）に、添加し、濾過し、そして３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で上記濾過残渣を乾燥させることにより得られるもの；
も好ましい。
【００１６】
上記Ｋ修飾物の場合には、驚ろくべき高い熱力学的安定性と非吸湿特性が特に挙げられる。特に水の存在下での高程度の安定性も、上記Ｂ修飾物により示される。この特性は、上記活性成分の配合品の製造のために特に有利である。
【００１７】
式（Ｉ）の化合物は、一般方法に従って、以下の式（II）：
【００１８】
【化３】
0003762302.tif 000003
【００１９】
により表される化合物を、酢酸エチル、アセトニトリル、ジメチル・スルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ブタノン、塩化メチレン、トリクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジエチル・エーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、メチルｔｅｒｔ−ブチル・エーテル、クロロベンゼン、トルエン又はキシレン中、以下の式（Ｖ）：
【００２０】
【化４】
0003762302.tif 000004
【００２１】
｛式中、Ｍは式（Ｉ）に関して定めたものと同じである。｝により表される化合物と反応させることにより、調整されうる。
【００２２】
式（II）の化合物と式（III ）の化合物の反応は、−２０〜１８０℃の温度において、好ましくは３０〜８０℃の温度において行われる。式（II）の化合物と式（III ）の化合物は、等価な化学量論量で使用されることができるが、僅かに過剰なイソシアネートも有利でありうる。
【００２３】
式（II）の出発化合物の製造は、例えば、ＥＰ−Ａ−０２３２０６７、第２９頁中に記載されている。式（III ）の化合物は、例えば、以下の式（IV）：
【００２４】
【化５】
0003762302.tif 000005
【００２５】
｛式中、Ｒ1 は−ＣＨ2 −フェニル又はイソプロピルである。｝により表される化合物の、水性塩素化による、以下の式（Ｖ）：
【００２６】
【化６】
0003762302.tif 000006
【００２７】
により表される化合物への変換により、製造されうる。
【００２８】
上記化合物は、水性アンモニアにより処理され、そしてその後、得られたスルホンアミドを３０％ナトリウム・メタノレートと反応させる。この反応は、当業者に知られており、かつ、馴染みのあるものとなるであろう。
【００２９】
式（Ｉ）の化合物の好ましい結晶修飾物は、本発明のために特に開発された方法に従って製造される。
【００３０】
例えば、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトロヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＪ修飾物の製造方法においては、無水テトラヒドロフラン中の４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネートの５〜２５重量％溶液が、無水テトラヒドロフラン中の３−（２−トリフルオロ−エトキシ）−ピリジニル−スルホンアミド・ナトリウム塩の１５〜３５重量％懸濁液に、３５〜６５℃の温度において添加される。
【００３１】
４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネートの添加後、上記反応混合物を、上記変換が完結するまで攪拌する。この方法は、好ましくは、４０〜５０℃の温度において行われる。このようにして得られたＪ修飾物は、濾過により、上記反応混合物から分離されることができる。
【００３２】
式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物のＫ修飾物の製造方法は、以下のように行なわれる：無水テトラヒドロフラン中４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネートの５〜２５重量％溶液を、３５〜６５℃の温度で、無水テトラヒドロフラン中３−（２−トリフルオロエトキシ）−ピリジニル−スルホンアミド・ナトリウム塩の１５〜３５重量％懸濁液に添加し、濾過を行い、そして上記濾過残渣（Ｊ修飾物）を次に、３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で乾燥させる。
【００３３】
４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネートの添加後、上記反応混合物を、変換が完結するまで、攪拌する。乾燥のために、上記の変法においては、４０〜６０℃の温度及び０．０２〜０．０６bar （２０００〜６０００Pa）の圧力が好ましい。
【００３４】
式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＣ修飾物の製造方法は、以下のように実施される：実質的に非晶質の形態（Ａ修飾物）を９８％相対湿度をもつ空気に晒すか、又は０．１：１〜０．４〜１の水対Ｋ修飾物の比で、水をＫ修飾物に添加し、濾過を行い、そして次にその濾過残渣を、３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で乾燥させる。
【００３５】
修飾物Ｃの製造のためには、水対Ｋ修飾物の比は、０．１：１〜０．４：１に変化することができ；０．１：１〜０．３：１の比が特に好ましい。水の添加は、０〜６０℃の温度で、特に５〜４０℃の温度で生じることができる。Ｃ修飾物の乾燥は、好ましくは、４０〜６０℃の温度及び０．０２〜０．０６bar （２０００〜６０００Pa）の圧力で行われる。
【００３６】
Ｃ修飾物は、有利には、Ｎ−〔（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）カルバモイル〕−３−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−ピリジン−２−スルホンアミドを、水性水酸化ナトリウム溶液に添加し、そして次に５０℃の温度で真空下蒸発により濃縮し、そうして得られた残渣をジエチル・エーテルとともに攪拌し、濾過し、≧１２０℃の温度で乾燥させ、そして次に得られた実質的に非晶質な塩（Ａ修飾物）を９８％相対温度をもつ空気に晒すことによっても製造されうる。
【００３７】
式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＩ修飾物の製造方法は以下のように実施される：
無水テトラヒドロフラン中４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネートの５〜２５重量％溶液を、０〜３０℃の温度で、無水テトラヒドロフラン中３−（２−トリ−フルオロエトキシ）−ピリジニルスルホンアミドの１０〜３５重量％懸濁液に添加し、そして次に上記３−（２−トリフルオロエトキシ−ピリジニルスルホンアミドに対して１〜２０モル当量の水を添加する。この変法においては、２〜５モル当量の水の添加が特に好ましい。
【００３８】
式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物のＢ修飾物の製造方法は、以下のように実施される：０．５：１〜２０：１の水対着目化合物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、そしてＬ、ｒ、及びｓが式（Ｉ）に関して定めたものと同じである式（Ｉ）の化合物に添加し、濾過を行い、そしてその濾過残渣を３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力において乾燥させる。
【００３９】
Ｂ修飾物の製造方法の好ましい変法は、以下のように実施される：０．５：１〜２０：１の水対Ｋ，Ｊ，Ｉ又はＣ修飾物の比で、水を、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｋ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロキシフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｉ修飾物）に、又は式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｃ修飾物）に添加し、濾過を行い、そしてその後、３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で上記濾過残渣を乾燥させる。
【００４０】
水の添加温度は０〜８０℃の変化することができ；５〜４０℃の温度が特に好ましい。上記濾過残渣の乾燥は３０〜９０℃の温度及び０．０１〜０．１bar （１０００〜１００００Pa）の圧力で行われることができ；４０〜６０℃の温度及び０．０２〜０．０６bar （２０００〜６０００Pa）の圧力が好ましい。結晶の成長を加速するために、上記懸濁液に上記Ｂ修飾物の種結晶を添加することが特に有利である。
【００４１】
式（Ｉ）の化合物は、修飾されていない形態の除草剤として、すなわち、合成において得られたものとして使用されうるが、好ましくは、それらは、慣用のやり方で、配合技術において慣用されるアジュバントとともに、例えば、直接スプレー用又は希釈溶液、水和性粉末、可溶性又は分散性粉末、可溶性又は分散性粒剤、ダスト及びいわゆる“非水性流動物（ｎｏｎａｑｎｅｏｕｓ  ｆｌｏｗａｂｌｅｓ）”に加工される。本発明に係る特に好ましい組成物は、可溶性又は分散性粒状物の形態にあり、そして式（Ｉ）の化合物として、上記結晶修飾物Ｂを含む。
【００４２】
式（Ｉ）の化合物に好適な配合品は、例えば、ＷＯ９７／３４４８５の第９〜１３頁に記載されている。上記組成物の性質に依存して、適用方法、例えば、スプレー、噴霧、ダスティング、水和、散布（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）又は注ぎ（ｐｏｕｒｉｎｇ）が、意図された目的及び普及環境に従って、選ばれる。
【００４３】
式（Ｉ）の化合物（活性成分）、又は少なくとも１の式（Ｉ）の化合物と一般に１以上の固体又は液体配合アジュバントを含む配合品、すなわち、組成物、調製品又は混合物は、それ自体知られたやり方で、例えば、上記活性成分を、配合アジュバント、例えば、溶媒又は固体担体と均一に混合、及び／又は粉砕することにより調整される。さらに、表面活性化合物（界面活性剤）も上記配合品の製造において使用されうる。
【００４４】
溶媒及び固体担体の例は、例えば、ＷＯ９７／３４４８５，ｐａｇｅ６中に与えられる。
【００４５】
配合されるべき式（Ｉ）の化合物の性質に依存して、好適な表面活性化合物は、非イオン、カチオン、及び／又はアニオン界面活性剤、及び界面活性剤混合物であって、良好な乳化、分散、及び水和特性をもつものである。
【００４６】
好適なアニオン、非イオン、及びカチオン界面活性剤の例は、例えば、ＷＯ９７／３４４８５，ｐａｇｅｓ７  ａｎｄ  ８中に列記される。
【００４７】
とりわけ、“McCutcheon's Detergents and Emulsifiers Annual”MC Publishing Corp., Ridgewood New Jersey, 1981, Stache, H.,“Tensid-Taschenbuch”, Carl Hanser Verlag, Munich/Vienna, 1981、及びM. and J. Ash,“Encyclopedia of Surfactants”, Vol I-III, Chemical Publishing Co., New York, 1980-81中に記載されている、配合技術において慣用される界面活性剤も、本発明に係る除草剤の製造に好適である。
【００４８】
除草殺配合品は、通常、０．１〜９９重量％の、特に、０．１〜９５重量％の除草剤１〜９９．９重量％の、特に５〜９９．８重量％の固体又は液体配合助剤、及び０〜２５重量％の、特に０．１〜２５重量％の界面活性剤を含有する。商業的製品は好ましくは濃縮物として配合されるけれども、最終消費者は通常希釈配合品を使用するであろう。上記組成物は、さらなる成分、例えば、安定剤、例えば、植物油又はエポキシ化植物油（エポキシ化ココナッツ油、ナタネ油又は大豆油）、消泡剤、例えば、シリコーン油、保存料、粘度調節剤、バインダー、粘着剤、そしてまた肥料その他の活性成分をも含有しうる。
【００４９】
式（Ｉ）の化合物は、一般に、０．００１〜０．５kg／haの、特に０．００５〜０．２５kg／haの適用率で植物又はその場に使用される。所望の効果を達成するために要求される濃度は、実験により決定されうる。それは、作用の性質、栽培される植物及び雑草の成長段階、及び適用（場所、時間、方法）に依存し、そして上記パラメーターの関数として広い限界内で変化しうる。
【００５０】
式（Ｉ）の化合物は、それを、除草剤耐性有用植物の作物、特にメイズ、稲、及び大豆の作物において使用しうるものとする除草及び生長阻害特性により著顕なものとされる。用語“作物（Ｃｒｏｐｓ）”とは、慣用の育種又は遺伝子工学方法の結果として除草剤又は除草剤のクラスに対して耐性とされているような作物をも意味すると理解すべきである。
【００５１】
本発明に係る方法のために特に好適な有用植物の変種は、アセトラクテート・シンターゼ（ａｃｅｔｏｌａｃｔａｔｅ  ｓｙｎｔｈａｓｅ（ＡＬＳ））の阻害に対して耐性なものである。除草剤耐性植物の製造のための組織培養技術及び遺伝子方法は、例えば、ＥＰ−Ａ  ０  １５４  ２０４中に記載されている。
【００５２】
いくつかの腸内細菌及び酵母におけるスルホニルウレア及びイミダゾリノン除草剤に対する耐性は、アセトラクテート・シンターゼ（ＡＬＳ）又はアセトヒドロキシ酸シンターゼ（ＡＨＡＳ）をコードし、そして上記ＡＨＡＳ酵素における対応の修飾をもたらす遺伝子内の１以上の突然変異に基づくことがかなり前から知られている、例えば、米国特許第４７６１３７３号は、植物細胞培養物の選択により得られ、そしてメイズ植物の生長を通常阻害する除草剤濃度に対して耐性であるメイズ植物を記載している。その耐性は、ＡＨＡＳ酵素タンパク質における修飾に基づく。ＥＰ−Ａ２５７９９３は、７つのＡＨＡＳコーティング遺伝子のヌクレオチド配列、並びに上記ヌクレオチド配列内に、そしてそれ故対応のアミノ酸配列内に修飾をもつ合計７つの誘導配列であって、慣用される量のスルホニルウレア除草剤に対する耐性をもたらすものを記載している。上記出願は、そのように修飾されたＡＨＡＳ遺伝子が遺伝子工学手順の助けにより植物内に挿入されることを可能にする方法をも開示している。
【００５３】
ＡＨＡＳ酵素は、一般に、高等植物内に、そしてまた、微生物、例えば、酵母、サッカロミセス・セレビシエ（Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ  ｃｅｒｅｒｉｓｉａｅ）又は腸内細菌、例えば、大腸菌（Ｅ．ｃｏｌｉ）、及びサルモネラ・チフィムリウム（Ｓａｌｍｏｎｅｌｌａ  ｔｙｐｈｉｍｕｒｉｕｍ）内に存在することが知られている。タバコ植物においては、そのＡＨＡＳ機能は、対合されていない２つの遺伝子、すなわち、ＳｕＲＡとＳｕＲＢによりコードされている。これらの遺伝子は、ヌクレオチド・レベルとアミノ酸レベルの両者において実質的に同一である。（Lee et al., EMBO J. 7 : 1241-1248, 1988）。しかしながら、シロイヌナズナ（Ａｒａｂｉｄｏｐｓｉｓ）は、単一のＡＨＡＳ遺伝子だけをもち、これは同じく完全に配列決定されている（Mazur et al., Plant Physiol. 85 : 1110-1117, 1987 ）。高等植物におけるＡＨＡＳ遺伝子のヌクレオチド配列の比較は、それらの領域が高程度の保存を示すことをも示している。少なくとも１０のこのような高保存領域が固定されうる。
【００５４】
米国特許第５０１３６５９号は、上記の保存領域の中の１以上の中の少なくとも１のアミノ酸が修飾された除草剤耐性突然変異体を記載している。特に、上記領域内には、その置換が代替アミノ酸により許容され、最終的にそれらの触媒活性を同時に喪失することなく除草剤に対する高められた耐性を有する植物をもたらすようなひじょうに特異的なアミノ酸が存在する。その中に記載された突然変異は、イミダゾリノンとスルホニルウレアに関する交差耐性をコードするか又はスルホニルウレアに対する特異的耐性を有するかのいずれかである。
【００５５】
上記突然変異は、細胞／組織段階において又は種子を使用して生じることができる（例えば、ＥＰ−Ａ  ０  ９６５  ２６５を参照のこと）。この点で、化学的突然変異誘発の範囲内で慣用であるような慣用手順の使用が好ましい。このような方法は、例えば、Kuen and Bright (Kuen, J. S.H. and Bright, S.W. J., Planta, 153 166-171 (1981)中に記載されている。他の化学的突然変異誘発法は、突然変異原として、Ｎ−メチル−Ｎ−ニトロソウレア及びＮ−エチル−Ｎ−ニトロソウレア（Fluhr, R. and Cseplo, A., Methods Enzymol. (Plant Mol. Biol.), 118, 611-623 (1986）、エチル・メタンスルホネート（Sebastian, S.A., et al., Crop Sci., 29, 1403-1408 (1989)）、及びヒドロキシルアミン又はヒドラジン（Khamankar, Y.G., J. Maharashtra Agric. Univ., 14, 322-325 (1989)）を使用している。
【００５６】
細胞培養技術を使用するＡＨＡＳ阻害に基づく除草剤耐性を有する突然変異体のスクリーニング及び選択方法は、例えば、ＵＳ−Ａ−５  ７１８  ０７９中に記載されている。他の方法は、第１スクリーニング・ステップにおいてＡＨＡＳ阻害剤を含有する溶液中でインキュベートされる種子の突然変異誘発にある。第２ステップにおいて、上記種子は、土壌中に播かれ、そして同じＡＨＡＳ阻害剤によりスプレーされる。
【００５７】
正常に生長し、そして正常な表現型を有する植物は、各場合においてＡＨＡＳ阻害剤のクラスに対して耐性であると認められる。
【００５８】
防除されるべき雑草は、単子葉雑草と双子葉雑草の両者であり、例えば、ハコベ（Ｓｔｅｌｌａｒｉａ）、ナスターディウム（Ｎａｓｔｕｒｔｉｕｍ）、ヌカボ（Ａｇｒｏｓｔｉｓ）、ヒメシバ（Ｄｉｇｉｔａｒｉａ）、カラスムギ（Ａｖｅｎａ）、アワ（Ｓｅｔａｒｉａ）、カラシ（Ｓｉｎａｐｉｓ）、ロリウム（Ｌｏｌｉｕｍ）、ナス（Ｓｏｌａｎｕｍ）、ヒエ（Ｅｃｈｉｎｏｃｈｌｏａ）、フトイ（Ｓｃｉｒｐｕｓ）、ミズアオイ（Ｍｏｎｏｃｈｏｒｉａ）、オモダカ（Ｓａｇｉｔｔａｒｉａ）、イヌムギ（Ｂｒｏｍｕｓ）、アロペキュラス（Ａｌｏｐｅｃｕｒｕｓ）、モロコシ・ハレペンス（Ｓｏｒｇｈｕｍ  ｈａｌｅｐｅｎｓｅ）、ロトボエリア（Ｒｏｔｔｂｏｅｌｌｉａ）、カヤツリグサ（Ｃｙｐｅｒｕｓ）、アブチロン（Ａｂｕｔｉｌｏｎ）、シダ（Ｓｉｄａ）、オナモミ（Ｘａｎｔｈｉｕｍ）、ヒユ（Ａｍａｒａｎｔｈｕｓ）、アカザ（Ｃｈｅｎｏｐｏｄｉｕｍ）、サツマイモ（Ｉｐｏｍｏｅａ）、シュンギク（Ｃｈｒｙｓａｎｔｈｅｍｕｍ）、ヤエムグラ（Ｇａｌｉｕｍ）、スミレ（Ｖｉｏｌａ）、及びイヌノフグリ（Ｖｅｒｏｎｉｃａ）であることができる。
【００５９】
式（Ｉ）の化合物は、有利には、多数の他の知られた除草剤と混合されることができ、それにより、例えば、かなり広い雑草スペクトル、そして多くの場合、有用植物に関する選択性の上昇が得られる。本発明はこのような混合物にも関する。特に、式（Ｉ）の化合物の以下の混合物が重要である：
式（Ｉ）の化合物＋アセトクロル（ａｃｅｔｏｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋アシフルオルフェン（ａｃｉｆｌｕｏｒｆｅｎ）
式（Ｉ）の化合物＋アクロニフェン（ａｃｌｏｎｉｆｅｎ）
式（Ｉ）の化合物＋アラクロール（ａｌａｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋アミカルバゾン（ａｍｉｃａｒｂａｚｏｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋アトラジン（ａｔｒａｚｉｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋アザフェニジン（ａｚａｆｅｎｉｄｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋アジムスルフロン（ａｚｉｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ＢＡＹ ＦＯＥ ５０４３
式（Ｉ）の化合物＋ベナゾリン（ｂｅｎａｚｏｌｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ベンスルフロン（ｂｅｎｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ベンタゾン（ｂｅｎｔａｚｏｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ビスピリバック−ナトリウム（ｂｉｓｐｙｒｉｂａｃ−ｓｏｄｉｕｍ）
式（Ｉ）の化合物＋ブロモキシニル（ｂｒｏｍｏｘｙｎｉｌ）
式（Ｉ）の化合物＋ブタクロール（ｂｕｔａｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋ブチレート（ｂｕｔｙｌａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋カルベタミド（ｃａｒｂｅｔａｍｉｄｅ）
式（Ｉ）の化合物＋クロリムロン−エチル（ｃｈｌｏｒｉｍｕｒｏｎ−ｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋シニドン−エチル（ｃｉｎｉｄｏｎ−ｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋シノスルフロン（ｃｉｎｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋クレソジム（ｃｌｅｔｈｏｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋クレソキシジム（ｃｌｅｆｏｘｙｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋クロジナフォップ（ｃｌｏｄｉｎａｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋クロマゾン（ｃｌｏｍａｚｏｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋クロピラリッド（ｃｌｏｐｙｒａｌｉｄ）
式（Ｉ）の化合物＋クロランスラム（ｃｌｏｒａｎｓｕｌａｍ）
式（Ｉ）の化合物＋シハロフォップ（ｃｙｈａｌｏｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋シクロキシジム（ｃｙｃｌｏｘｙｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋２，４−Ｄ
式（Ｉ）の化合物＋２，４−ＤＢ
式（Ｉ）の化合物＋ジカンバ（ｄｉｃａｍｂａ）
式（Ｉ）の化合物＋ジクロフォップ（ｄｉｃｌｏｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋ジクロスラム（ｄｉｃｌｏｓｕｌａｍ）
式（Ｉ）の化合物＋ジフェンゾクアット・メチルスルフェート（ｄｉｆｅｎｚｏｑｕａｔ ｍｅｔｉｌｓｕｌｆａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ジメテナミッド（ｄｉｍｅｔｈｅｎａｍｉｄ）
式（Ｉ）の化合物＋Ｓ−ジメテナミッド（Ｓ−ｄｉｍｅｔｈｅｎａｍｉｄ）
式（Ｉ）の化合物＋ジニトラミン（ｄｉｎｉｔｒａｍｉｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ジウロン（ｄｉｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ＥＰＴＣ
式（Ｉ）の化合物＋エテフォン（ｅｔｈｅｐｈｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋エトキシスルフロン（ｅｔｈｏｘｙｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フェンクロリム（ｆｅｎｃｌｏｒｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋フェントラザミッド（ｆｅｎｔｒａｚａｍｉｄ）
式（Ｉ）の化合物＋フランプロップ（ｆｌａｍｐｒｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋フルザスルフロン（ｆｌｕｚａｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フルアジフォップ（ｆｌｕａｚｉｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋フルフェナビット（ｆｌｕｆｅｎａｚｅｔ）
式（Ｉ）の化合物＋フルメトラリン（ｆｌｕｍｅｔｒａｌｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フルメツラム（ｆｌｕｍｅｔｓｕｌａｍ）
式（Ｉ）の化合物＋フルオキサプロップ（ｆｌｕｏｘａｐｒｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋フルピルスルフロン（ｆｌｕｐｙｒｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フルロキシピル（ｆｌｕｒｏｘｙｐｙｒ）
式（Ｉ）の化合物＋フルチァセット−メチル（ｆｌｕｔｈｉａｃｅｔ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋フルラソフェニム（ｆｌｕｘｏｆｅｎｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋フォメサフェン（ｆｏｍｅｓａｆｅｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フォラムスルフロン（ｆｏｒａｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋グルフォシネート（ｇｌｕｆｏｓｉｎａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋グリフォセート（ｇｌｙｐｈｏｓａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ハロスルフロン（ｈａｌｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ハロキシフォップ（ｈａｌｏｘｙｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋イマザメタベンズ（ｉｍａｚａｍｅｔｈａｂｅｎｚ）
式（Ｉ）の化合物＋イマザピル（ｉｍａｚａｐｙｒ）
式（Ｉ）の化合物＋イマザキン（ｉｍａｚａｑｕｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋イマゼサピル（ｉｍａｚｅｔｈａｐｙｒ）
式（Ｉ）の化合物＋イマゾスルフロン（ｉｍａｚｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋イマザモックス（ｉｍａｚａｍｏｘ）
式（Ｉ）の化合物＋ヨードスルフロン（ｉｏｄｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋イオキシニル（ｉｏｘｙｎｉｌ）
式（Ｉ）の化合物＋イソキサフルトール（ｉｓｏｘａｆｌｕｔｏｌｅ）
式（Ｉ）の化合物＋カルブチレート（ｋａｒｂｕｔｉｌａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ラクトフェン（ｌａｃｔｏｆｅｎ）
式（Ｉ）の化合物＋レナシル（ｌｅｎａｃｉｌ）
式（Ｉ）の化合物＋リヌロン（ｌｉｎｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ＭＣＰＰ
式（Ｉ）の化合物＋メタベンズチアズロン（ｍｅｔｈａｂｅｎｚｔｈｉａｚｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋メタゾール（ｍｅｔｈａｚｏｌｅ）
式（Ｉ）の化合物＋メトブロムロン（ｍｅｔｏｂｒｏｍｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋メトラクロール（ｍｅｔｏｌａｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋Ｓ−メトラクロール（Ｓ−ｍｅｔｏｌａｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋メトスラム（ｍｅｔｏｓｕｌａｍ）
式（Ｉ）の化合物＋メトリブジン（ｍｅｔｒｉｂｕｚｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋メツルフロン−メチル（ｍｅｔｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋モリネート（ｍｏｌｉｎａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ＭＣＰＡ
式（Ｉ）の化合物＋ＮＤＡ−４０２９８９
式（Ｉ）の化合物＋ニコスルフロン（ｎｉｃｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ノルフルラゾン（ｎｏｒｆｌｕｒａｚｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋オリザリン（ｏｒｙｚａｌｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋オキサジアゾン（ｏｘａｄｉａｚｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋オキサスルフロン（ｏｘａｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋オキサシクロメフォン（ｏｘａｃｙｃｌｏｍｅｆｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋オキシフルオルフェン（ｏｘｙｆｌｕｏｒｆｅｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ペンジメタリン（ｐｅｎｄｉｍｅｔｈａｌｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋フェンメジファム（ｐｈｅｎｍｅｄｉｐｈａｍ）
式（Ｉ）の化合物＋フェノキサプロップ−Ｐ−エチル（Ｒ）（ｆｅｎｏｘａｐｒｏｐ−Ｐ−ｅｔｈｙｌ（Ｒ））
式（Ｉ）の化合物＋プレチラクロール（ｐｒｅｔｉｌａｃｈｌｏｒ）
式（Ｉ）の化合物＋プリミスルフロン（ｐｒｉｍｉｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋プロカルバゾン−ナトリウム（ｐｒｏｃａｒｂａｚｏｎｅ−ｓｏｄｉｕｍ）
式（Ｉ）の化合物＋プロメトリン（ｐｒｏｍｅｔｒｙｎ）
式（Ｉ）の化合物＋プロパニル（ｐｒｏｐａｎｉｌ）
式（Ｉ）の化合物＋プロパキザフォップ（ｐｒｏｐａｑｕｉｚａｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋プロスルフロン（ｐｒｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋ピラゾジル（ｐｙｒａｚｏｇｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋ピラゾリネート（ｐｙｒａｚｏｌｙｎａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ピラゾスルフロン−エチル（ｐｙｒａｚｏｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋ピリデート（ｐｙｒｉｄａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ピリミノバック−メチル（ｐｙｒｉｍｉｎｏｂａｃ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋ピリチオバック−ナトリウム（ｐｙｒｉｔｈｉｏｂａｃ−ｓｏｄｉｕｍ）
式（Ｉ）の化合物＋キンクロラック（ｑｕｉｎｃｌｏｒａｃ）
式（Ｉ）の化合物＋キザロフォップ（ｑｕｉｚａｌｏｆｏｐ）
式（Ｉ）の化合物＋リムスルフロン（ｒｉｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋セクエストレン（ｓｅｑｕｅｓｔｒｅｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋セトキシジム（ｓｅｔｈｏｘｙｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋シマジン（ｓｉｍａｚｉｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋セルコトリオン（ｓｕｌｃｏｔｒｉｏｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋スルフェントラゾン（ｓｕｌｆｅｎｔｒａｚｏｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋スルフォセート（ｓｕｌｆｏｓａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋スルフォスルフロン−メチル（ｓｕｌｆｏｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋テプラロキシジム（ｔｅｐｒａｌｏｘｙｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋ターブチラジン（ｔｅｒｂｕｔｈｙｌａｚｉｎｅ）
式（Ｉ）の化合物＋ターブトリン（ｔｅｒｂｕｔｒｙｎ）
式（Ｉ）の化合物＋チアザフルロン（ｔｈｉａｚａｆｌｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋チアゾピル（ｔｈｉａｚｏｐｙｒ）
式（Ｉ）の化合物＋チフェンスルフロン−メチル（ｔｈｉｆｅｎｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋チオベンカーブ（ｔｈｉｏｂｅｎｃａｒｂ）
式（Ｉ）の化合物＋トラルコキシジム（ｔｒａｌｋｏｘｙｄｉｍ）
式（Ｉ）の化合物＋トリアレート（ｔｒｉａｌｌａｔｅ）
式（Ｉ）の化合物＋トリアスルフロン（ｔｒｉａｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋トリフルラリン（ｔｒｉｆｌｕｒａｌｉｎ）
式（Ｉ）の化合物＋トリトスルフロン（ｔｒｉｔｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋トリベヌロン−メチル（ｔｒｉｂｅｎｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）
式（Ｉ）の化合物＋トリクロピル（ｔｒｉｃｌｏｐｙｒ）
式（Ｉ）の化合物＋トリフルスルフロン（ｔｒｉｆｌｕｓｕｌｆｕｒｏｎ）
式（Ｉ）の化合物＋トリネキサバック−エチル（ｔｒｉｎｅｘａｐａｃ−ｅｔｈｙｌ）。
【００６０】
式（Ｉ）の化合物の混合パートナーは、エステル又は塩の形態にあることもでき、例えば、The Pesticide Manual, Eleventh Edition, 1997, BCPC中に言及されるものであることができる。
【００６１】
驚ろくべきことに、ＵＳ−Ａ−５  ０４１  １５７、ＵＳ−Ａ−５  ５４１  １４８、ＵＳ−Ａ−５  ００６  ６５６、ＥＰ−Ａ−０  ０９４  ３４９、ＥＰ−Ａ−０  ５５１  ６５０、ＥＰ−Ａ−０  ２６８  ５５４、ＥＰ−Ａ−０  ３７５  ０６１、ＥＰ−Ａ−０  １７４  ５６２、ＥＰ−Ａ−４９２  ３３６、ＷＯ９１／７８７４、ＷＯ９４／９８７、ＤＥ−Ａ−１９６１２９４３、ＷＯ９６／２９８７０、ＷＯ９８／１３３６１、ＷＯ９８／３９２９７、ＷＯ９８／２７０４９、ＥＰ−Ａ−０  ７１６  ０７３、ＥＰ−Ａ−０  ６１３  ６１８、ＵＳ−Ａ−５  ５９７  ７７６、及びＥＰ−Ａ−０  ４３０  ００４から知られている特定の解毒剤が、式（Ｉ）の化合物との混合のために好適であることが示された。それ故、本発明は、有用植物の作物、特にメイズ、大豆、及び稲の除草剤耐性作物における草（ｇｒａｓｓｅｓ）及び雑草（ｗｅｅｄｓ）を防除するための選択的除草剤組成物であって、式（Ｉ）の除草剤と解毒剤（ｓａｆｅｎｅｒ）（拮抗剤（ｃｏｕｎｔｅｒ−ａｇｅｎｔ）、解毒剤（ａｎｔｉｄｏｔｅ））を含み、かつ、上記有用植物を保護するが、除草剤の植物毒性作用に対しては上記雑草を保護しないもの、並びに有用植物の除草剤耐性作物における雑草の防除における上記組成物の使用にも関する。
【００６２】
本発明に従えば、それ故、有用植物の除草剤耐性作物における使用のための選択的除草剤組成物であって、慣用の不活性配合助剤、例えば、担体、溶媒、及び湿潤剤に加えて、活性成分として、以下のａ）とｂ）の混合物を含むものか提供される：
ａ）除草剤として、有効量の以下の式（Ｉ）：
【００６３】
【化７】
0003762302.tif 000007
【００６４】
｛式中、置換基は先に定めたものと同じである。｝により表される化合物、及び  ｂ）除草剤として拮抗有効量の、以下の式（Ｓ−Ｉ）：
【００６５】
【化８】
0003762302.tif 000008
【００６６】
｛式中、
ＲS1は水素又は塩素であり、そして
ＲS2は水素、Ｃ1 −Ｃ8 アルキル又はＣ1 −Ｃ8 アルキルであってＣ1 −Ｃ6 アルコキシ又はＣ3 −Ｃ6 アルケニルオキシにより置換されたものである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−II）：
【００６７】
【化９】
0003762302.tif 000009
【００６８】
｛式中、
Ｅ1 は窒素又はメチンであり；
ＲS3は−ＣＣｌ3 、フェニル又はハロー置換フェニルであり；
ＲS4とＲS5は各々互いに独立して、水素又はハロゲンであり；そして
ＲS6はＣ1 −Ｃ4 アルキルである。｝により表される化合物；
又は
以下の式（Ｓ−III ）：
【００６９】
【化１０】
0003762302.tif 000010
【００７０】
｛式中、
ＲS7とＲS8は、各々互いに独立して、水素又はハロゲンであり、そして
ＲS9、ＲS10 とＲS11 は、各々互いに独立して、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−IV）：
【００７１】
【化１１】
0003762302.tif 000011
【００７２】
｛式中、
ＲS12 は、以下の基：
【００７３】
【化１２】
0003762302.tif 000012
【００７４】
であり；
ＲS13 は、水素、ハロゲン、シアノ、トリフルオロメチル、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＮＲS18 ＲS19 、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ（Ｏ）−フェニル、又はフェニルであってハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、メトキシ、ニトロ又はトリフルオロメチルにより置換されたもの、又は−ＳＯ2 ＮＲS20 ＲS21 、又は−ＯＳＯ2 −Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS18 、ＲS19 、ＲS20 とＲS21 は、各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS18 とＲS19 又はＲS20 とＲS21 は一緒になってＣ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS14 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ1 −Ｃ6 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ6 アルキルチオ、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＨ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり；又は
ＲS13 とＲS14 は一緒になって、Ｃ3 −Ｃ4 アルキレン橋であってハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルにより置換されうるものを形成するか、又はＲS13 とＲS14 は一緒になって、Ｃ3 −Ｃ4 アルケニレン橋であってハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルにより置換されうるものを形成するか、又はＲS13 とＲS14 は一緒になって、Ｃ4 アルカジエニレン橋であってハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルにより置換されうるものを形成し；
ＲS15 とＲS16 は各々互いに独立して、水素、Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ3 −Ｃ8 シクロアルキル、Ｃ3 −Ｃ8 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルキニル、
【００７５】
【化１３】
0003762302.tif 000013
【００７６】
、又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであって、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ又は
【００７７】
【化１４】
0003762302.tif 000014
【００７８】
により置換されたものであるか；又はＲS15 とＲS16 は一緒になって、Ｃ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、硫黄、ＳＯ、ＳＯ2 、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS22 、ＲS23 、ＲS24 とＲS25 は各々互いに独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、−ＣＯＯＲS26 、トリフルオロメチル、ニトロ又はシアノであり、各場合においてＲS26 は水素、Ｃ1 −Ｃ10アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ジ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルアミノ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ2 −Ｃ8 アルケニル、ハロ−Ｃ2 −Ｃ8 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルキニル、Ｃ3 −Ｃ7 シクロアルキル、ハロ−Ｃ3 −Ｃ7 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ8 アルキルカルボニル、アリルカルボニル、Ｃ3 −Ｃ7 シクロアルキル−カルボニル、ベンゾイルであって非置換であるか又はそのフェニル環上でハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、及びＣ1 −Ｃ4 アルコキシから選ばれる３までの同一又は異なる置換基により置換されたもの；又はフリール又はチエニル；又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであってフェニル、ハロフェニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルフェニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシフェニル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルフェニル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−フェニル、Ｃ1 −Ｃ6 −アルコキシカルボニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ8 アルコキシカルボニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルキニルオキシカルボニル、Ｃ1 −Ｃ8 アルキルチオカルボニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルケニルチオカルボニル、Ｃ3 −Ｃ8 アルキニルチオカルボニル、カルバモイル、モノ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルアミノカルボニル又はジ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルアミノカルボニルにより置換されたもの；又はフェニルアミノカルボニルであってそれ自身が、そのフェニル上で、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロ−Ｃ1 −Ｃ4 −アルコキシ及びＣ1 −Ｃ4 アルコキシから選ばれる３までの同一又は異なる置換基により、又はシアノとニトロから選ばれる１の置換基により置換されうるもの、又はジオキソラン−２−イルであってそれ自身が、１又は２のＣ1 −Ｃ4 アルキル基により置換されうるもの、又はジオキサン−２−イルであってそれ自身が、１又は２のＣ1 −Ｃ4 アルキル基により置換されうるもの、又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであってシアノ、ニトロ、カルボキシル又はＣ1 −Ｃ8 アルキルチオ−Ｃ1 −Ｃ8 アルコキシカルボニルにより置換されたものであり；
ＲS17 は、水素、又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS27 は、水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はメトキシであり；
ＲS28 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ1 −Ｃ6 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ6 アルキルチオ、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS29 は、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＮＲS30 ＲS31 、Ｃ（Ｏ）−フェニル、又はフェニルであってハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、メトキシ又はトリフルオロメチルにより置換されたもの、又は−ＳＯ2 ＮＲS32 ＲS33 、−ＯＳＯ2 −Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ6 アルコキシ、又はＣ1 −Ｃ6 アルコキシであってＣ1 −Ｃ4 アルコキシ又はハロゲンにより置換されたもの、又はＣ3 −Ｃ6 アルケニルオキシ、又はＣ3 −Ｃ6 アルケニルオキシであってハロゲンにより置換されたもの、又はＣ3 −Ｃ6 アルキニルオキシであり；ここで、ＲS30 とＲS31 は各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS30 とＲS31は一緒になって、Ｃ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し、そしてＲS32 とＲS33 は各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS32 とＲS33 は一緒になってＣ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS34 は、水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣＯＮＲS35 ＲS36 であり、ここで、ＲS35 とＲS36 は、各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS35 とＲS36 は一緒になってＣ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS37 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル又はメトキシであり、又はＲS34 とＲS37 は一緒になってＣ3 −Ｃ4 アルキレン橋を形成し；
ＲS38 は、水素、ハロゲン、又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS39 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル又はメトキシであり；
ＲS40 は、水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣＯＮＲS42 ＲS43 であり；
ＲS41 は、水素、ハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；又はＲS40 とＲS41 は一緒になってＣ3 −Ｃ4 アルキレン橋を形成し；
ＲS42 とＲS43 は各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS42 とＲS43 は一緒になってＣ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS44 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル又はメトキシであり；
ＲS45 は、水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣＯＮＲs46 ＲS47 であり；ＲS46 とＲS47 は各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS46 とＲS47 は一緒になって、Ｃ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されうるものを形成し；
ＲS48 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル又はメトキシであり；
ＲS49 は、水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣＯＮＲS50 ＲS51 であり；
ＲS51 とＲS52 は各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS51 とＲS52 は一緒になってＣ4 −Ｃ6 アルキレン橋であって酸素、ＮＨ又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により中断されたものを形成する。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−Ｖ）：
【００７９】
【化１５】
0003762302.tif 000015
【００８０】
｛式中、ＲS53 とＲS54 は各々互いに独立してＣ1 −Ｃ6 アルキル又はＣ2 −Ｃ6 アルケニルであり；又はＲS53 とＲS54 は一緒になって、
【００８１】
【化１６】
0003762302.tif 000016
【００８２】
であり；ＲS55 とＲS56 は各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ6 アルキルであり；又はＲS53 とＲS54 は一緒になって、
【００８３】
【化１７】
0003762302.tif 000017
【００８４】
であり；ここで、ＲS55 とＲS56 は各々互いに独立して、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり、又はＲS55 とＲS56 は一緒になって、
−（ＣＨ2 ）5 であり；
ＲS57 は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又は、
【００８５】
【化１８】
0003762302.tif 000018
【００８６】
であり；又はＲS53 とＲS54 は一緒になって、
【００８７】
【化１９】
0003762302.tif 000019
【００８８】
（式中、ＲS58 、ＲS59 、ＲS60 、ＲS61 、ＲS62 、ＲS63 、ＲS64 、ＲS65 、ＲS66 、ＲS67 、ＲS68 、ＲS69 、ＲS70 、ＲS71 、ＲS72 とＲS73 は各々互いに水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルである。）である。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−VI）：
【００８９】
【化２０】
0003762302.tif 000020
【００９０】
｛式中、ＲS57 は水素又は塩素であり、そしてＲS47 はシアノ又はトリフルオロメチルである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−VII ）：
【００９１】
【化２１】
0003762302.tif 000021
【００９２】
｛式中、ＲS76 は水素又はメチルである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−VIII）：
【００９３】
【化２２】
0003762302.tif 000022
【００９４】
｛式中、
ｒは、０又は１であり；
ＲS77 は、水素、又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであって、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキルスルフィニル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキハスルホニル、ニトロ、シアノ、−ＣＯＯＨ、ＣＯＯ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ＮＲS80 ＲS81 、−ＳＯ2 ＮＲS82 ＲS83 又は−ＣＯＮＲS84 ＲS85 により置換されうるものであり；
ＲS78 は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ又はＣ1 −Ｃ4 ハロアルコキシであり；
ＲS79 は、水素、ハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS80 は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣ1 −Ｃ4 アルキルカルボニルであり；
ＲS81 は、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；又は
ＲS80 とＲS81 は一緒になってＣ4 −又はＣ5 −アルキレン基を形成し；
ＲS82 、ＲS83 、ＲS84 とＲS85 は各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；又は
ＲS82 はＲS83 と又はＲS84 はＲS85 と一緒になって各々互いに独立してＣ4 −又はＣ5 −アルキレンであり、ここで、１の炭素原子が酸素又は硫黄により置換されていることができるか、又は１又は２の炭素原子が−ＮＨ−又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4アルキル）−により置換されていることができ；
Ｅ2 、Ｅ3 、Ｅ4 とＥ5 は、各々互いに独立して酸素、硫黄、Ｃ（ＲS86 ）ＲS87 、カルボニル、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ8 アルキル）−、以下の基：
【００９５】
【化２３】
0003762302.tif 000023
【００９６】
であり、
ＲS86 とＲS87 は、各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ8 アルキルであり；又は
ＲS86 とＲS87 は一緒になって、Ｃ2 −Ｃ6 アルキレンであり；
ＲS88 とＲS89 は、各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ8 アルキルであり；又は
ＲS88 とＲS89 は、一緒になってＣ2 −Ｃ6 アルキレン基であり；
ＲS90 は、ＲS91 −Ｏ−、ＲS92 −Ｓ−又は−ＮＲS93 ＲS94 であり；
ＲS91 とＲS92 は各々互いに独立して、水素、Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ1 −Ｃ8 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 アルケニルオキシ−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル又はフェニル−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、ここで、上記フェニル環は、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、トリフルオロメチル、メトキシ、メチルチオ、メチル−スルフィニル又はメチルスルホニルにより置換されることができ、又はＣ3 −Ｃ6 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ6 ハロアルケニル、フェニル−Ｃ3 −Ｃ6 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ6 アルキニル、フェニル−Ｃ3 −Ｃ6 アルキニル、オクセタニル、フリール又はテトラヒドロフリールであり；
ＲS93 は、水素、Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、フェニル、フェニル−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、ここで、上記フェニル環はフッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、−ＯＣＨ3 、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣＨ3ＳＯ2−により置換されることができ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 アルケニル又はＣ3 −Ｃ6 アルキニルであり；
ＲS94 は、水素、Ｃ1 −Ｃ8 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 アルケニル又はＣ3 −Ｃ6 アルキニルであり；又は
ＲS93 とＲS94 は一緒になって、Ｃ4 −又はＣ5 −アルキレンであり、ここで、１の炭素原子が酸素又は硫黄により置換されていることができるかあるいは１又は２の炭素原子が−ＮＨ−又は−Ｎ（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−により置換されていることができ；
ＲS95 とＲS96 は各々互いに独立して、水素又はＣ1 −Ｃ8 アルキルであり；又は
ＲS95 とＲS96 は一緒になってＣ2 −Ｃ6 アルキレン基を形成する；
但し、
ａ）環員Ｅ2 、Ｅ3 、Ｅ4 とＥ5 の中の少なくとも１がカルボニルであり、かつ、上記基に隣接する環員が以下の基：
【００９７】
【化２４】
0003762302.tif 000024
【００９８】
又は
【００９９】
【化２５】
0003762302.tif 000025
【０１００】
であり、ここで、上記基は１つだけ存在し；かつ
ｂ）２つの隣接環員Ｅ2 とＥ3 、Ｅ3 とＥ4 、そしてＥ4 とＥ5 は同時に酸素であってはならない。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−IX）
【０１０１】
【化２６】
0003762302.tif 000026
【０１０２】
｛式中、ＲS98 は水素、Ｃ1 −Ｃ6 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ3 −Ｃ6 アルケニル又はＣ3 −Ｃ6 アルキニルであり；そして
ＲS99 、ＲS100とＲS101は各々互いに独立して、水素、Ｃ1 −Ｃ6 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル又はＣ1 −Ｃ6 アルコキシである。但し、置換基ＲS99 、ＲS100とＲS101の中の１は水素以外である。｝により表される化合物；又は  以下の式（Ｓ−Ｘ）：
【０１０３】
【化２７】
0003762302.tif 000027
【０１０４】
｛式中、Ｅ6 は窒素又はメチンであり、Ｅ6 が窒素であるとき、ｎは０，１，２又は３であり、そしてＥ6 がメチンであるとき、ｎは０，１，２，３又は４であり、ＲS102は、ムロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 ハロ−アルコキシ、ニトロ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル、フェニル又はフェノキシ、あるいはフェニル又はフェノキシであって各々、Ｃ1 −Ｃ3 アルキル、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ3 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルコキシ、ハロゲン、シアノ又はニトロにより置換されたものであり；
ＲS103は、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS104は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ2 −Ｃ6 アルケニル、Ｃ2 −Ｃ6 アルキニル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ2 −Ｃ6 ハロアルケニル、Ｃ2 −Ｃ6 ハロアルキニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルケニルオキシ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキル又はＣ1 −Ｃ4 アルキニルオキシ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XI）：
【０１０５】
【化２８】
0003762302.tif 000028
【０１０６】
｛式中、Ｅ7 は酸素又はＮ−ＲS105であり、そしてＲS105は、
以下の式：
【０１０７】
【化２９】
0003762302.tif 000029
【０１０８】
（式中、ＲS106とＲS107は各々互いに独立して、シアノ、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ2 −Ｃ6 アルケニル、アリール、フェニル又はヘテロアリール、あるいはアリール又はヘテロアリールであって各々Ｃ1 −Ｃ3 アルキル、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ3 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルコキシ、ハロゲン、シアノ、又はニトロにより置換されたものである。）により表される基である。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XII ）；
【０１０９】
【化３０】
0003762302.tif 000030
【０１１０】
｛式中、Ｅ8 は酸素、硫黄、スルフィニル、スルホニル又はメチンであり、
ＲS108とＲS109は各々互いに独立して、ＣＨ2 ＣＯＯＲS112又はＣ００ＲS113であるか又は一緒になって、式−（ＣＨ2 ）Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ2 ）−の基であり、そしてＲS112とＲS113は各々互いに独立して水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ2 −Ｃ4 アルケニル、Ｃ2 −Ｃ6 アルキニル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、金属カチオン又はアンモニウム・カチオンであり；そして
ＲS110とＲS111は各々互いに独立して水素、ハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 アルキルである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XIII）：
【０１１１】
【化３１】
0003762302.tif 000031
【０１１２】
｛式中、ＲS114とＲS115は各々互いに独立して、水素、ハロゲン又はＣ1 −Ｃ4 ハロアルキルであり、ＲS116は水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ3 −Ｃ4 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ4 アルキニル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、金属カチオン又はアンモニウム・カチオンであり；
Ｅ9 は、窒素、メチン、Ｃ−Ｆ又はＣ−Ｃｌであり、そして
Ｅ10は、以下の式：
【０１１３】
【化３２】
0003762302.tif 000032
【０１１４】
（式中、ＲS118、ＲS119、ＲS121とＲS122は各々互いに独立して水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS117とＲS118は各々互いに独立して、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ3 −Ｃ4 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ4 アルキニル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、金属カチオン又はアンモニウム・カチオンである。）により表される基である。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XIV ）：
【０１１５】
【化３３】
0003762302.tif 000033
【０１１６】
｛式中、ＲS123は、水素、シアノ、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオカルボニル、−ＮＨ−ＲS125−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＲS126、アリール又はヘテロアリール、あるいはアリール又はヘテロアリールであって各Ｃ1 −Ｃ3 アルキル、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ3 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルコキシ、ハロゲン、シアノ又はニトロにより置換されたものであり；  ＲS124は、水素、シアノ、ニトロ、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 チオアルキルであり；そして
ＲS125とＲS126は各々互いに独立して、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ3 −Ｃ4 アルケニル、Ｃ3 −Ｃ4 アルキニル、Ｃ3 −Ｃ4 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルカルボニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、アリール又はヘテロアリール、あるいはアリール又はヘテロアリールであって各々Ｃ1 −Ｃ3 アルキル、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ3 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ3 ハロアルコキシ、ハロゲン、シアノ又はニトロである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XV）：
【０１１７】
【化３４】
0003762302.tif 000034
【０１１８】
｛式中、ＲS127とＲS128は各々互いに独立して水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、モノ−Ｃ1 −Ｃ8 −又はジ−Ｃ1 −Ｃ8 −アルキルアミノ、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 チオアルキル、フェニル又はヘテロアリールであり；
ＲS129は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、モノ−Ｃ1 −Ｃ8−又はジ−Ｃ1 −Ｃ8 −アルキル−アミノ、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 チオアルキル、フェニル、ヘテロアリール、ＯＨ、ＮＨ2 、ハロゲン、ジ−Ｃ1 −Ｃ4 アミノアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル又はＣ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニルであり；
ＲS130は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、モノ−Ｃ1 −Ｃ8 −又はジ−Ｃ1 −Ｃ8 アルキル−アミノ、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 チオアルキル、フェニル、ヘテロアリール、シアノ、ニトロ、カルボニル、Ｃ1 −Ｃ4 −アルコキシカルボニル、ジ−Ｃ1 −Ｃ4 アミノアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、ＳＯ2 −ＯＨ、ジ−Ｃ1 −Ｃ4 −アミノアルキルスルホニル又はＣ1 −Ｃ4 アルコキシスルホニルであり；
ＲS131は、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、モノ−Ｃ1 −Ｃ8 −又はジ−Ｃ1 −Ｃ8 −アルキル−アミノ、Ｃ3 −Ｃ6 シクロアルキル、Ｃ1 −Ｃ4 チオアルキル、フェニル、ヘテロアリール、ＯＨ、ＮＨ2 、ハロゲン、ジ−Ｃ1 −Ｃ4 −アミノアルキル、ピロソジン−１−イル、ピペリジン−１−イル、モルフォリン−１−イル、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルチオ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキルスルホニル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルアミノ、ベンゾイルオキシ又はフェニルスルホニルオキシである。｝により表される化合物；又は
以下の式（Ｓ−XVI ）：
【０１１９】
【化３５】
0003762302.tif 000035
【０１２０】
｛式中、ＲS132は、水素、Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル、Ｃ2 −Ｃ4 アルケニル、Ｃ2 −Ｃ4 アルキニル又はＣ1 −Ｃ4 アルコキシ−Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり；
ＲS133は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル又はＣ1 −Ｃ4 アルコキシであり、そしてＲS134は、水素、ハロゲン、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 ハロアルキル又はＣ1 −Ｃ4 アルコキシである：但し、ＲS133とＲS134は同時に水素ではない。｝により表される化合物。
【０１２１】
本発明に係る組成物のために特に好ましい解毒剤は、以下の式（Ｓ１．１）：
【０１２２】
【化３６】
0003762302.tif 000036
【０１２３】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．２）：
【０１２４】
【化３７】
0003762302.tif 000037
【０１２５】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．３）：
【０１２６】
【化３８】
0003762302.tif 000038
【０１２７】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．４）：
【０１２８】
【化３９】
0003762302.tif 000039
【０１２９】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．５）：
【０１３０】
【化４０】
0003762302.tif 000040
【０１３１】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．６）：
【０１３２】
【化４１】
0003762302.tif 000041
【０１３３】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．７）：
【０１３４】
【化４２】
0003762302.tif 000042
【０１３５】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．８）：
【０１３６】
【化４３】
0003762302.tif 000043
【０１３７】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．９）：
Ｃｌ2 ＣＨＣＯＮ（ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ）（Ｓ１．１９）
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．１０）：
【０１３８】
【化４４】
0003762302.tif 000044
【０１３９】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．１１）：
【０１４０】
【化４５】
0003762302.tif 000045
【０１４１】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．１２）：
【０１４２】
【化４６】
0003762302.tif 000046
【０１４３】
の化合物、及び以下の式（Ｓ１．１３）：
【０１４４】
【化４７】
0003762302.tif 000047
【０１４５】
の化合物から成る群から選ばれる。
【０１４６】
上記式（Ｓ１．１）〜（Ｓ１．１３）の化合物は、知られており、そして例えば、the Pesticide Manual, eleventh ed., British Crop Protection Council, 1997 中、エントリー番号６１（式（Ｓ１．１）、ベノキサコール）、３０４（（式Ｓ１．２）、フェンクロリム）、１５４（式（Ｓ１．３）、クロキントセット）、４６２（式（Ｓ１．４）、メフェンピル−ジエチル）、３７７（式（Ｓ１．５）、フリラゾール）、３６３（式（Ｓ１．８）、フルクソフェニム）、２１３（式（Ｓ１．９）、ジクロミッド）、及び３５０（式（Ｓ１．１０）、フルラゾール）の下、記載されている。式（Ｓ１．１１）の化合物は、ＭＯＮ４６６０（Ｍｏｎｓａｎｔｏ）として知られており、そして例えば、ＥＰ−Ａ−Ｏ  ４３６  ４８３中に記載される。
【０１４７】
式（Ｓ１．６）の化合物（ＡＣ  ３０４４１５）は、例えば、ＥＰ−Ａ  ０  ６１３  ６１８中に記載されており、そして式（Ｓ１．７）の化合物は、ＤＥ−Ａ−２９４８５３５中に記載されている。式（Ｓ１．１２）の化合物は、ＤＥ−Ａ−４３３１４４８中に記載されており、そして式（Ｓ１．１３）の化合物は、ＤＥ−Ａ−３５２５２０５中に記載されている。
【０１４８】
以下の実施例は、本発明をさらに説明するが本発明を限定するものではない。
【０１４９】
配合例：
0003762302.tif 000048
微粉砕した活性成分を、ミキサー内で、ポリエチレン・グリコールで湿らせた担体に、均一に適用する。非発塵性の被覆粒剤を、このやり方で得る。
0003762302.tif 000049
上記活性成分を上記アジュバントと混合し、そして粉砕し、そしてその混合物を水で湿らせる。この混合物をエクストルードし、そしてその後、気流中で乾燥させる。
0003762302.tif 000050
すぐに使用できるダストを、上記活性成分を上記担体と混合し、そしてその混合物を好適なミル内で粉砕することにより得る。
【０１５０】
実施例Ｆ４：式（Ｉ）の化合物の湿潤（水和）性粒状物の調製：
以下の物質をともに混合し、そしてその後、商業的に入手可能なミルを用いて粉砕する：
７５％の式（Ｉ）の化合物の結晶性修飾物Ａ
４％のジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩
８％のナトリウム・リグノスルホネート
０．５％シリコーン消泡剤
１００％までの酸化ケイ素
２２〜２６重量％の水をその後上記混合物に添加し、そして粒状化を行う。商業的に入手可能な連続乾燥機上で＜４．５％の残存水分含量まで乾燥させた後、得られた粒状物を、０．４〜１．６mmの粒子サイズまで飾って（振どう／タンブリング・スクリーン）、結晶性修飾物Ｃの形態で式（Ｉ）の化合物を含む粒剤を得る。
【０１５１】
実施例Ｆ５：式（Ｉ）の化合物の湿潤（水和）性粒状物の調製：
以下の物質をともに混合し、そしてその後、商業的に入手可能なミルを用いて粉砕する：
７５％の式（Ｉ）の化合物の結晶性修飾物Ｂ
４％のジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩
８％のナトリウム・リグノスルホネート
０．５％シリコーン消泡剤
１００％までの酸化ケイ素
１８〜２０重量％の水をその後上記混合物に添加し、そして粒状化を行う。商業的に入手可能な連続乾燥機上で＜４．５％の残存水分含量まで乾燥させた後、得られた粒状物を、０．４〜１．６mmの粒子サイズまで飾って（振どう／タンブリング・スクリーン）、結晶性修飾物Ｂの形態で式（Ｉ）の化合物を含む粒剤を得る。
実施例Ｆ６：式（Ｉ）の化合物の湿潤（水和）性粒状物の調製：
以下の物質をともに混合し、そしてその後、商業的に入手可能なミルを用いて粉砕する：
７５％の式（Ｉ）の化合物の結晶性修飾物Ｋ
４％のジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩
８％のナトリウム・リグノスルホネート
０．５％シリコーン消泡剤
１００％までの酸化ケイ素
４３〜４８重量％の水をその後上記混合物に添加し、そして粒状化を行う。商業的に入手可能な連続乾燥機上で＜４．５％の残存水分含量まで乾燥させた後、得られた粒状物を、０．４〜１．６mmの粒子サイズまで飾って（振どう／タンブリング・スクリーン）、結晶性修飾物Ｂと結晶性修飾物Ｃの混合物の形態で式（Ｉ）の化合物を含む粒剤を得る。
【０１５２】
Ｘ線粉末パターンは、着目の結晶性修飾物の、ｄ−値（平面間距離）、Ｘ線反射と回折角２シータの会合強度（装置特異的）を与える。
【０１５３】
上記Ｘ線粉末パターンの計測を、Ｃｕｋａｌｐｈａｌ照射を用いてＥｎｒａｆ−ＮｏｎｉｕｓからのＧｕｉｎｉｅｒカメラＦＲ５５２を用いて行う。Ｘ線フィルム上に記録されたパターンを、Ｓｃａｎｐｉ−Ｓｏｆｔｗａｒｅを用いてＪｏｈａｎｓｓｏｎからのＬｉｎｅ−Ｓｃａｎｎｅｒ  ＬＳ−１８を用いて評価する。
調製実施例：
実施例Ｐ１：式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）の製造
３００ｇのテトラヒドロフラン（無水）中の４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネート４０ｇの溶液を、４０〜４５℃の温度で、２１０ｇの無水テトラヒドロフラン中３−（２−トリフルオロ−エトキシ）−ピリジニルスルホンアミド・ナトリウム溶液１５９ｇの懸濁液に添加する。次にこの反応混合物を、変換が完結するまで、４０℃の温度で攪拌する。最後に、濾過し、そして無水テトラヒドロフランで洗浄することにより、Ｊ修飾物を得る。
表Ｒ１：修飾物ＪのＸ線粉末パターン：
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
５．６        １５．７      弱
８．６        １０．２      極強
１０．７      ８．２        弱
１１．３      ７．８        弱
１２．１      ７．３        弱
１３．１      ６．７        弱
１３．６      ６．５        極弱
１４．４      ６．２        中
１５．７      ５．６４      極弱
１６．０      ５．５３      弱
１６．３      ５．４２      弱
１７．４      ５．０９      弱
１７．９      ４．９６      中
１８．２      ４．８６      極弱
１９．３      ４．６０      中
２０．３      ４．３７      中
２１．０      ４．２４      弱
２１．６      ４．１１      極強
２２．５      ３．９５      極弱
２２．８      ３．９０      弱
２３．３      ３．８１      極弱
２４．０      ３．７１      中
２４．５      ３．６２      弱
２５．３      ３．５２      極弱
２６．０      ３．４３      強
２６．４      ３．３７      弱
２６．８      ３．３２      極弱
２７．３      ３．２７      弱
３０．４      ２．９４      極弱
３１．７      ２．８２      中
実施例Ｐ２：式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である化合物（Ｋ修飾物）の製造
６０℃の温度及び０．０４bar （４０００Pa）における実施例Ｐ１からのＪ修飾物の乾燥によりＫ修飾物が得られる。この結晶性形態は水−及び溶媒−不含であり：熱重量計測は、１７５℃の温度までで０．１重量％未満の重量損失を示す。
表Ｒ２：修飾物ＫのＸ線粉末パターン
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
６．６        １３．４      弱
８．８        １０．１      極弱
９．５        ９．３        極強
１１．４      ７．８        弱
１２．９      ６．９        極弱
１３．３      ６．７        極弱
１５．７      ５．６３      極弱
１６．６      ５．３５      中
１９．０      ４．６６      弱
２０．０      ４．４４      極弱
２０．４      ４．３５      弱
２１．５      ４．１２      強
２２．６      ３．９４      強
２２．９      ３．８７      極弱
２３．７      ３．７６      弱
２４．６      ３．６１      中
２５．５      ３．４９      極弱
２６．２      ３．４０      極弱
実施例Ｐ３：式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが１であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｉ修飾物）の製造：
３５０ｇのテトラヒドロフラン（無水）中の４，６−ジメトキシ−ピリミジン−２−イソシアネート１９．９ｇの溶液を２５℃の温度で、２００mlの無水テトラヒドロフラン中の３−（２−トリフルオロ−エトキシ）−ピリジニルスルホンアミド・ナトリウム塩の懸濁液に添加する。この反応混合物を、変換が完結するまで２５℃の温度で攪拌する。次に１０ｇの水を添加し、そしてその混合物を１８時間攪拌する。最後に、濾過し、そして無水テトラヒドロフランで洗浄することによりＩ修飾物を得る。
表Ｒ３：修飾物ＩのＸ線粉末パターン：
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
７．６        １１．６      弱
９．０        ９．８        極弱
１１．０      ８．０        極強
１１．６      ７．６        中
１３．３      ６．７        強
１３．７      ６．４        極弱
１４．０      ６．３        弱
１４．４      ６．１        極弱
１５．３      ５．８０      中
１５．６      ５．６６      極弱
１６．２      ５．４７      強
１７．３      ５．１２      極弱
１７．４      ５．０８      極弱
１８．３      ４．８４      弱
１８．６      ４．７６      弱
１９．８      ４．４７      強
２０．１      ４．４０      弱
２１．１      ４．２１      中
２１．２      ４．１９      中
２１．４      ４．１５      極弱
２２．２      ４．００      極弱
２２．６      ３．９３      極弱
２３．２      ３．８４      中
２３．９      ３．７２      極強
２４．８      ３．５８      中
２５．３      ３．５２      中
２６．９      ３．３２      極弱
２７．２      ３．２８      極弱
２７．５      ３．２５      極弱
２８．７      ３．１１      極弱
２９．０      ３．０７      極弱
３０．２      ２．９５      極弱
３１．２      ２．８６      弱
３１．７      ２．８２      極弱
３２．６      ２．７５      極弱
３４．９      ２．５７      弱
３６．０      ２．４９      極弱
実施例Ｐ４：式中、Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｂ修飾物）の製造：
実施例Ｐ２に従って製造されたＫ修飾物１００ｇが１５分間水２３０ｇ中に懸濁され、その後好ましくは、１〜３ｇのＢ修飾物の種結晶を接種し、そしてその懸濁液を、変換が完結するまで２０〜２５℃の温度で攪拌するとき、Ｂ修飾物が選択的に得られる。この懸濁液を濾過し、そして６０℃の温度及び０．０４bar （４０００Pa）の圧力で上記濾過残渣を一定重量に乾燥させる。
表Ｒ４：修飾物ＢのＸ線粉末パターン
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
８．９        １０．０      中
９．６        ９．２        強
１０．３      ８．６        極弱
１１．０      ８．１        弱
１２．２      ７．２        強
１２．９      ６．９        強
１３．８      ６．４        中
１５．２      ５．８２      強
１５．４      ５．７５      強
１５．７      ５．６４      極強
１６．０      ５．５３      極弱
１７．３      ５．１３      中
１７．８      ４．９７      極強
１９．１      ４．６５      中
２０．６      ４．３０      極強
２１．０      ４．２２      弱
２１．４      ４．１５      極弱
２２．１      ４．０２      弱
２２．５      ３．９４      弱
２３．４      ３．７９      中
２３．８      ３．７３      弱
２４．２      ３．６８      中
２４．６      ３．６１      弱
２４．８      ３．５８      弱
２５．３      ３．５２      極強
２６．０      ３．４２      極弱
２６．４      ３．３７      弱
２６．９      ３．３１      極弱
２７．３      ３．２７      極弱
２７．６      ３．２３      弱
２８．０      ３．１８      中
２８．９      ３．０８      極弱
２９．４      ３．０３      極弱
３０．３      ２．９５      極弱
３１．２      ２．８７      強
３１．７      ２．８２      極弱
３２．１      ２．７９      極弱
３２．７      ２．７３      極弱
３３．４      ２．６８      極弱
３３．８      ２．６５      極弱
３４．０      ２．６３      極弱
３４．５      ２．６０      弱
３４．９      ２．５７      弱
同様にして、結晶形態Ａ，Ｃ，Ｆ，Ｉ及びＪをＢ形態に変換することもでき、上記結晶形態を溶媒により湿らせたままにすることもできる。このような場合、水の量は僅かに高められることができる。
【０１５４】
実施例Ｐ５：式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが１である式（Ｉ）の化合物（Ｃ修飾物）の製造：
実施例Ｐ２に従って製造したＫ修飾物１００ｇを、３時間水２０ｇと混合し、そして次に６０℃の温度及び０．０４bar （４０００Pa）の圧力で乾燥させる。
表Ｒ５：修飾物ＣのＸ線粉末パターン：
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
６．７        １３．１      中
８．１        １１．０      極強
１０．１      ８．８        弱
１１．４      ７．７        極強
１２．２      ７．２        極強
１２．７      ７．０        弱
１３．９      ６．４        弱
１４．３      ６．２        強
１４．９      ５．９６      弱
１５．０      ５．９０      弱
１５．７      ５．６４      強
１６．２      ５．４７      弱
１６．６      ５．３４      中
１７．１      ５．１９      弱
１８．５      ４．７９      弱
１８．７      ４．４７      中
１９．１      ４．６４      極弱
１９．５      ４．５５      強
１９．９      ４．４７      弱
２０．４      ４．３５      強
２０．８      ４．２６      中
２１．５      ４．１３      弱
２１．９      ４．０６      極弱
２２．７      ３．９２      極強
２３．０      ３．８７      弱
２３，５      ３．７９      極強
２４．２      ３．６７      弱
２４．６      ３．６１      中
２４．９      ３．５８      強
２５．７      ３．４７      弱
２６．９      ３．３２      極弱
２７．５      ３．２４      中
２８．４      ３．１４      弱
２８．６      ３．１２      弱
２９．１      ３．０７      弱
２９．３      ３．０４      強
３０．１      ２．９７      極弱
３０．６      ２．９２      極弱
３１．０      ２．８８      弱
３１．７      ２．８２      弱
３２．３      ２．７７      極弱
３２．７      ２．７４      極弱
３３．３      ２．６９      弱
３３．７      ２．６６      極弱
実施例Ｐ６：式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物であって実質的に非晶質の形態にあるもの（Ａ修飾物）の製造：
１．５６ｇのＮ−〔（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）カルバモイル〕−３−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−ピリジン−２−スルホンアミドを、２０℃の温度で、４０mlの水性０．１Ｎ水酸化ナトリウム溶液の溶液に添加する。この混合物２０℃の温度で１８時間攪拌する。５０℃の温度で真空下での蒸発による濃縮後に得られた残渣を、エーテルとともに攪拌し、そして濾過する。Ａ修飾物を、高温（＞１２０℃）において上記濾液を乾燥させることにより得る。
【０１５５】
実施例Ｐ７：Ａ修飾物からの式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが０であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物の製造：
Ａ修飾物の結晶を、２０℃の温度において４時間９８％の相対温度の空気に晒す。実施例Ｐ５の下に与える結晶学的データをもつＣ修飾物を得る。
【０１５６】
実施例Ｐ８：式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが２であり、Ｌがジオキサンであり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｇ修飾物）の製造：
例えば、実施例Ｐ６に従って調製したＡ修飾物１５ｇを２０℃の温度で２ 1/2日間、８５ｇのジオキサン中で撹拌し、そして上記混合物をその後濾過する。濾過後、表Ｒ８中に与えるＸ線結晶学的データをもつＧ修飾物が、濾過残渣として得られる。
表Ｒ８：修飾物ＧのＸ線粉末パターン：
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
５．８        １５．３      強
７．０        １２．７      極弱
８．４        １０．５      弱
１１．１      ７．９        中
１２．８      ６．９        中
１３．４      ６．６        極弱
１４．３      ６．２        極強
１４．９      ５．９６      中
１７．４      ５．０８      中
１７．８      ４．９８      弱
１８．３      ４．８４      中
１９．３      ４．６０      中
１９．７      ４．５１      中
１９．８      ４．４７      極弱
２０．８      ４．２７      弱
２１．０      ４．２３      中
２２．３      ３．９８      中
２２．７      ３．９１      中
２３．３      ３．８１      弱
２３．９      ３．７１      強
２４．４      ３．６５      中
２４．９      ３．５７      弱
２５．４      ３．５０      中
２６．２      ３．３９      極弱
２６．７      ３．３３      弱
２８．９      ３．０８      極弱
２９．５      ３．０２      極弱
３０．５      ２．９３      弱
実施例Ｐ９：式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、ｒが１であり、Ｌがジオキサンであり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｆ修飾物）の製造：
８日間にわたり２０〜２５℃の温度及び５０％の相対空気温度に実施例Ｐ８に従って製造されたＧ修飾物を晒すことにより、Ｆ修飾物を得る。
表Ｒ９：修飾物ＦのＸ線粉末パターン：
２θ〔度〕 ｄ〔Å〕 強度
６．０        １４．７      極弱
７．０        １２．６      極弱
８．１        １０．９      中
１１．４      ７．８        中
１２．０      ７．４        極弱
１２．７      ７．０        弱
１３．４      ６．６        弱
１４．３      ６．２        弱
１６．２      ５．４５      強
１８．０      ４．９１      中
１８．４      ４．８３      弱
１８．６      ４．７６      極弱
２０．８      ４．２８      極弱
２１．７      ４．１０      弱
２２．２      ４．００      極弱
２３．７      ３．７５      極強
２４．７      ３．６０      極弱
生物学的実施例
実施例Ｂ１：メイズ及び大豆に対する発芽後の除草作用：
温室内で、プラスチック鉢内の標準土壌中でテスト植物を栽培し、そしてそれに、２−〜３−葉段階において、３０，１５、及び７．５ｇ活性成分／haの濃度に対応する、実施例Ｆ４，Ｆ５又はＦ６に従う７５％水和性粒剤から調製した式（Ｉ）のテスト化合物の水性懸濁液をスプレーした（５００リッターの水／ha）。その後、上記テスト植物を最適条件下で上記温室内で栽培する。
【０１５７】
上記テストを約３週間後に評価する。本テストにおいて、アセトラクテート−シンターゼ阻害性除草剤（ＡＬＳ−阻害剤）に対して耐性であるテスト植物は、式（Ｉ）の化合物の植物毒作用に対して、特に、式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）の植物毒作用に対して良い耐性を示す。
【０１５８】
実施例Ｂ２：稲に対する発芽後除草作用：
プラスチック桶内に水を満たした土壌中に雑草を播き、そして栽培する。稲植物を播き、そして上記雑草から分離して栽培し、そして１０日後に、雑草を含む上記プラスチック桶内に移した。その後テスト化合物を、水性懸濁液の形態で上記植物に適用する。適用後１日目に、水のレベルを３cm程上昇させる（水田系）。
【０１５９】
上記テスト植物をその後、最適条件下で温室内で栽培する。テストを約２１日後に評価する（０％は作用無しを示し、１００％は植物が全て死んだことを示す）。このテストにおいても、アセトラクテート−シンターゼ阻害性除草剤（ＡＬＳ阻害剤）に対して耐性であるテスト植物は、式（Ｉ）の化合物の植物毒作用に、特に式中Ｍがナトリウムであり、ｎが１であり、Ｌがテトラヒドロフランであり、ｒが1/2 であり、そしてｓが０である式（Ｉ）の化合物（Ｊ修飾物）の植物毒作用に対して良い耐性を示す。
【０１６０】
式（Ｉ）の化合物の良い選択作用の例を、表Ｂ１に与える。従来技術との比較のために、（The Pesticide Manual, 10th ed., the British Crop Protection Council, page931から知られる）化合物スルホメツロン−メチルをテストする。スルホメツロン−メチルは、式（Ｉ）の化合物と同じクラスのＡＬＳ阻害剤に属する。式（Ｉ）の化合物とスルホメツロン−メチルを、８ｇ／haの適用率でテストする。
【０１６１】
使用するＡＬＳ阻害剤耐性稲変種は、オリザ・サティバ（Ｏｒｙｚａ  ｓａｔｉｖａ）、リンネ名：ＳＰＣＷ−１、番号ＡＴＣＣ  ９７５２３の下で寄託、寄託者：Louisiana State Univ. Agricultural and Mechanical College lsolation である。
【０１６２】
変種“Ｌｅｍｏｎｔ”を、慣用の稲変種として使用する。
【０１６３】
【表１】
0003762302.tif 000051
【０１６４】
表Ｂ１中の結果は、テストした適用率において、上記２つのスルホニルウレアが、上記慣用“Ｌｅｍｏｎｔ”稲変種と上記雑草の両者を完全に破壊することを示している。それ故、上記２つの化合物は、上記適用率においては、慣用の稲変種の作物における雑草の選択的防除のためには好適でない。上記ＡＬＳ−阻害剤・耐性稲ＡＴＣＣ  ９７５２３は、同様に、スルホメツロン−メチルによりほとんど完全に破壊される（９５％植物毒性）。一方、式（Ｉ）の化合物は、８ｇ／haの適用率においては、驚ろくべきことに、上記稲変種を用いた場合、ほんの４０％の植物毒性をもたらす。それ故、式（Ｉ）の化合物は、ＡＬＳ−耐性稲作物における使用に特に好適であり、一方、式（Ｉ）の化合物に構造上近似する上記スルホニルウレア・スルホメツロン−メチルは、上記作物にとって全く好適ではない。