(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、室温において面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる第１磁性層と、非磁性材料からなる第１中間層と、垂直磁化膜からなる第２磁性層と、垂直磁化膜からなりかつ前記第２磁性層よりも室温での保磁力が低くキュリー点が高い第３磁性層とが順次形成されており、前記第１磁性層が垂直磁化状態になる温度において、
前記第３磁性層の補償温度が、第２磁性層のキュリー点と等しく、
前記第２磁性層の情報が前記第１磁性層に転写されることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性材料からなる第１中間層が、透光性誘電体であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性材料からなる第１中間層が、光反射性金属であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性材料からなる第１中間層が、透光性誘電体／光反射性金属の積層であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光カード等に用いられる光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録方式とは、基板上に磁性体からなる垂直磁化膜を形成したものを記録媒体とし、以下の方法で記録、再生を行うものである。
【０００３】
記録の際には、記録媒体をまず強力な外部磁場等によって初期化し、磁化の方向を一方向（上向き、または下向き）に揃えておく。その後、記録したいエリアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度をキュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱し、その部分の保磁力（Ｈc）をゼロ、またはほとんどゼロとした上で、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁場（バイアス磁場）を印加して磁化の向きを反転させる。レーザビームの照射を止めると、記録媒体は常温に戻るので反転した磁化は固定される。つまり、情報が熱磁気的に記録される。
【０００４】
再生の際には、直線偏光したレーザビームを記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気ファラデー効果）を利用して、光学的に情報の読み出しを行う。
【０００５】
また、記録方法としては、記録層を交換結合２層膜にし、初期化磁界（Ｈi）と記録磁界（Ｈw）を利用し光強度を変調してオーバーライトする、いわゆる光変調オーバーライトが提案されている。光変調オーバーライトのうち、まずＨiを小さくし、かつ記録ビットの安定性に優れた光磁気記録媒体とするために、図１８に示すように、第２磁性層２５と第３磁性層２６の間に第８磁性層２９を設けた特開昭６３−３１６３４３号公報の場合のオーバーライトの手順につき簡単に説明する。
【０００６】
図１９は、第２磁性層２５、第３磁性層２６、第８磁性層２９の磁化状態をそれぞれ示し、横軸は温度を示している。各層は希土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向きを示している。
【０００７】
室温では、第２磁性層２５の磁化の向きが上向き（「０」）か下向き（「１」）かにより情報が記録されている。初期化においては、図１９に示すように、初期化磁界（Ｈi）を印加することにより第３磁性層２５の磁化のみを一方向（図では上向き）に揃える。Ｈiの大きさは、第２磁性層２５の室温での保磁力より小さく、第３磁性層２６の室温での保磁力より大きいので、第２磁性層２５の磁化の反転は生じない。第８磁性層２９は、室温で面内磁気異方性であるため、第２磁性層２５、第３磁性層２６の交換力による結合を妨げる効果を有する。
【０００８】
記録は、記録磁界（Ｈw）を印加しながら、ハイパワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照射することにより行う。ハイパワーのレーザ光が照射されると、媒体は第３磁性層２６のキュリー点付近まで昇温し、ローパワーのレーザ光が照射されると、第２磁性層２５のキュリー点付近まで昇温するように、ハイパワー、ローパワーは設定されている。
【０００９】
従って、ハイパワーのレーザ光が照射されると、第３磁性層２６の磁化は図１９に示すように、Ｈwにより下向きに反転し、冷却の過程で界面に作用する交換力により垂直磁気異方性となっている第８磁性層２９に転写され、さらに第２磁性層２５に転写される。従って、第２磁性層２５の向きは下向き（「１」）となる。
【００１０】
一方、ローパワーのレーザ光が照射されても、第３磁性層２６の磁化はその保磁力がＨwより大きいため、Ｈwにより反転することはない。第２磁性層２５の磁化は、上記と同様に冷却の過程で界面に作用する交換力により第３磁性層２６の磁化の向きと一致する。従って、第２磁性層２５の向きは上向き（「０」）となる。
【００１１】
なお、再生時のレーザパワーは、記録時のローパワーよりもかなり小さいレベルに設定されている。
【００１２】
次に、Ｈiを完全になくし、従来装置で記録再生ができる光磁気記録媒体とするために、図２０に示すように、第２磁性層２５、第３磁性層２６、第９磁性層３０、第１０磁性層３１を設けたＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６７（９），１９９０，Ｐ４４１５に記載のオーバーライトの手順につき簡単に説明する。
【００１３】
図２１は、各磁性層の磁化状態の遷移を説明するものである。室温においては、第２磁性層２５の磁化の向きが上向き（「０」）か下向き（「１」）かにより情報が記録されている。また、第１０磁性層３１の磁化は常に一方向（図中上向き）に揃えられており、第３磁性層２６の磁化は、記録前には第９磁性層３０を通して第１０磁性層３１の磁化と同じ方向に揃えられている。すなわち、第１０磁性層３１が、上述の初期化磁界の働きを行っている。
【００１４】
記録は、Ｈwを印加しながらハイパワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照射することにより行い、上記図１９の場合と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の光磁気記録媒体では、光変調オーバーライトが可能でＨiがある程度小さく、かつ記録ビットが安定な光磁気記録媒体を供給することができたものの、第１磁性層のキュリー点が低く再生信号特性が低い、光ビームの径より小さい記録ビットの再生が行えず高密度記録に適さない等の問題点を有している。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、基板上に、室温において面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる第１磁性層と、非磁性材料からなる第１中間層と、垂直磁化膜からなる第２磁性層と、垂直磁化膜からなりかつ前記第２磁性層よりも室温での保磁力が低くキュリー点が高い第３磁性層とが順次形成されており、前記第１磁性層が垂直磁化状態になる温度において、前記第２磁性層の情報が前記第１磁性層に転写されることを特徴としている。
【００１７】
また、上記の光磁気記録媒体は、非磁性材料からなる第１中間層が、透光性誘電体であることが好ましい。
【００１８】
また、上記の光磁気記録媒体は、非磁性材料からなる第１中間層が、光反射性金属であることが好ましい。
【００１９】
また、上記の光磁気記録媒体は、非磁性材料からなる第１中間層が、透光性誘電体／光反射性金属の積層であることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２１】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体は図１に示すように、透光性基板（基板）１上に、透光性を有する誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７とが順次形成された構成になっている。さらに光磁気記録媒体の保護のために、オーバーコート層８が形成されている。
【００２２】
図２は、第１磁性層３の磁気状態を示している。第１磁性層３は、希土類遷移金属合金からなり、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償温度（Ｔcomp）の近辺（図中、斜線で示される領域）では垂直磁化を示し、キュリー温度（Ｔc）以下のそれ以外の領域では面内磁化を示す。また希土類金属と遷移金属の磁気モーメントの温度特性は異なり、高温では遷移金属の磁気モーメントが希土類金属のそれに比べて大きくなる。
【００２３】
このため、Ｔcompが室温となる組成よりも希土類金属の量を多くした組成（図中、Ｐで示される組成）の合金を用いる。この組成の合金は、室温で面内磁化を示し、所定温度以上になると遷移金属の磁気モーメントが相対的に大きくなり、希土類金属の磁気モーメントと釣り合うようになって垂直磁化を示すようになる。すなわち、室温から温度Ｔ1までの温度では面内磁化を、温度Ｔ2から温度Ｔ3までの温度では垂直磁化を、温度Ｔ3からＴcまでの温度では面内磁化を示す。
【００２４】
上記の構成において、再生動作時に基板１側から集光レンズを介して再生光ビームが第１磁性層３に照射されると、再生光ビームの中心部近傍に対応する磁性層３の部位の温度が上昇しＴ1に達する。これは、再生光ビームが集光レンズにより回折限界まで絞り込まれ、その光強度分布がガウス分布となり、磁性層３の温度分布もほぼガウス分布となるためであり、Ｔ1以上の温度を有する領域は、再生光ビーム径よりも小さくなっている。第１磁性層３のうち、再生光ビームの中心部近傍に対応し温度がＴ1以上になった部位は垂直磁化となり、磁気光学カー効果を示すが、それ以外の部位では温度上昇が生じず、面内磁化となり、磁気光学カー効果をほとんど示さない。
【００２５】
この時、例えば情報が図１の第２磁性層５に示すように記録されていると、第２磁性層５から発生する磁界により、第１磁性層３のＴ1以上の温度を有する領域にのみ情報が転写されるので、再生光ビームの径より小さい記録ビットの再生を行うことができ、記録密度が著しく向上することになる。
【００２６】
また、記録方法においては、初期化磁界（Ｈi）と記録磁界（Ｈw）を利用し、光強度を変調してオーバーライトする。
【００２７】
図３は、第２磁性層５及び第３磁性層６の温度と保磁力の関係を示している。また図４は、第１磁性層３、第２磁性層５、第３磁性層６の磁化状態を示し、横軸は温度を示している。各層は希土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向きを示す。
【００２８】
室温では、第２磁性層５の磁化の向きが上向き（「０」）か下向き（「１」）かにより情報が記録されている。初期化においては、図４に示すようにＨiを印加することにより、第３磁性層６の磁化のみを一方向（図では、上向き）に揃える。Ｈiの大きさは、第２磁性層５の室温での保磁力より小さく、第３磁性層６の室温での保磁力より大きいので、第２磁性層５の磁化の反転は生じない。
【００２９】
記録はＨwを印加しながら、ハイパワー（Ｐh）とローパワー（Ｐl）に強度変調されたレーザ光を照射することにより行う。Ｐhのレーザ光が照射されると媒体は第３磁性層６のキュリー点付近まで昇温し、Ｐlのレーザ光が照射されると第２磁性層５のキュリー点付近まで昇温するように、Ｐh、Ｐlはそれぞれ設定されている。
【００３０】
従って、Ｐhのレーザ光が照射されると、第３磁性層６の磁化は図４に示すようにＨwにより下向きに反転し、冷却の過程で界面に作用する交換力により、第２磁性層５に転写される。すなわち、第２磁性層５の向きは下向き（「１」）となる。
【００３１】
一方、Ｐlのレーザ光が照射されても、第３磁性層６の磁化はその保磁力がＨwより大きいため、Ｈwにより反転することはない。第２磁性層５の磁化は、上記と同様に冷却の過程で界面に作用する交換力により第３磁性層６の磁化の向きと一致する。従って、第２磁性層５の向きは、図３に示すように上向き（「０」）となる。
【００３２】
また、第１磁性層３、第１中間層４が形成されているため、従来の第８磁性層２９が形成されている光磁気記録媒体と同じように、光変調オーバーライトがより円滑となる。
【００３３】
次に、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃１を示す。透光性基板１は、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラスからなっている。基板１の片側の表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラックが反応性イオンエッチング法により直接形成されている。トラックピッチは１．６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は０．８μｍ、ランド（凸部）の幅は０．８μｍである。
【００３４】
基板１のガイドトラック側の面上に、反応性スパッタリングにより膜厚７０ｎｍのＡｌＮからなる誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３と、反応性スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる第１中間層４と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる第２磁性層５と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚１００ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層６と、膜厚３０ｎｍのＡｌＮからなる保護層７とを積層した。
【００３５】
第１磁性層３、第２磁性層５、第３磁性層６の成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体層２、第１中間層４、保護層７の成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００３６】
さらに、保護層７の上にアクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化させて、オーバーコート層８を形成した。
【００３７】
第１磁性層３は、希土類金属リッチ、Ｔc1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直磁化となる特性を示し、第２磁性層５は、遷移金属リッチ、Ｔc2＝２３０℃、室温での保磁力（Ｈc2）＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第３磁性層６は、希土類金属リッチ、Ｔc3＝２８０℃、Ｔcomp3＝２３０℃、室温でのＨc3＝１６０ｋＡ／ｍとなる特性を示す。
【００３８】
サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝３２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐr）と信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定した。
【００３９】
Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となり、このレーザパワーで、磁性層３の温度はＴ1以上になり、垂直磁化で磁気光学カー効果を示し、Ｐr＝２ｍＷ以下では、第１磁性層３の温度はＴ1以下になり、面内磁化で磁気光学カー効果を示していないことがわかった。また高温高湿テストを行ったところ、信頼性に関しても問題ないことがわかった。
【００４０】
次に、図１８に示す従来例のサンプルに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝４０ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定した。その結果、サンプル＃１に比べてＨw、Ｐlともに感度が悪く、さらにＰr＝２〜３．５ｍＷの範囲でもＣ／Ｎは４５ｄＢ未満となり、高密度記録に適さないことがわかった。
【００４１】
〔実施の形態２〕
本発明の第２の実施の形態について、図１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００４２】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第１中間層４を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃２を示す。
【００４３】
第１中間層４は、Ａｌターゲットのスパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＡｌからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。
【００４４】
サンプル＃２の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝３２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１に比べると、第１中間層４の形成時間が約１／６となり、生産効率が向上した。
【００４５】
〔実施の形態３〕
次に、本発明の第３の実施の形態について、図１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００４６】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第１中間層４を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃３を示す。
【００４７】
第１中間層４は、反応性スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＡｌＮとＡｌターゲットのスパッタリングにより膜厚１０ｎｍのＡｌの積層からなり、成膜時のスパッタリング条件は、それぞれ、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗ、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００４８】
サンプル＃３の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝３２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５．５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１に比べると、再生信号特性を改善することができた。
【００４９】
〔実施の形態４〕
次に、本発明の第４の実施の形態について、図５に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００５０】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第４磁性層９を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃４を示す。
【００５１】
第４磁性層９は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。第４磁性層９は、希土類金属リッチ、Ｔc4＞３００℃、Ｔcomp4＝１５０℃、室温でのＨc4＝２４ｋＡ／ｍとなる特性を示す。
【００５２】
サンプル＃４の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１、＃２、＃３に比べると、Ｈwを低減することができた。
【００５３】
〔実施の形態５〕
次に、本発明の第５の実施の形態について、図６に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００５４】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第５磁性層１０を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃５を示す。
【００５５】
第５磁性層１０は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。第５磁性層１０は、希土類金属リッチ、Ｔc5＞３００℃、Ｔcomp5＝２５０℃、室温で面内磁化となる特性を示す。
【００５６】
サンプル＃５の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２００ｋＡ／ｍ、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１、＃２、＃３に比べると、Ｈi及びＨwを低減することができた。
【００５７】
〔実施の形態６〕
次に、本発明の第６の実施の形態について、図７に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００５８】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第２中間層１１を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃６を示す。
【００５９】
第２中間層１１は、反応性スパッタリングにより膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００６０】
サンプル＃６の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝９ｍＷ、Ｐl＝４ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１、＃２、＃３に比べると、Ｈw及びレーザパワーを低減することができた。
【００６１】
〔実施の形態７〕
次に、本発明の第７の実施の形態について、図８に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６２】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、界面層１２を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃７を示す。
【００６３】
界面層１２は、ＧｄターゲットもしくはＦｅターゲットのスパッタリングにより膜厚１ｎｍのＧｄもしくはＦｅからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。
【００６４】
サンプル＃７の光磁気ディスクに対して、Ｈi＝２４０ｋＡ／ｍ、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝９ｍＷ、Ｐl＝４ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１、＃２、＃３に比べると、Ｈw及びレーザパワーを低減することができた。
【００６５】
〔実施の形態８〕
次に、本発明の第８の実施の形態について、図９及至図１１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６６】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は図９に示すように、第６磁性層１３、第７磁性層１４を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。図１０は、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３及び第７磁性層１４の温度と保磁力との関係を示し、また図１１は、記録プロセスを説明する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
【００６７】
記録方法は、Ｈwを利用し、ＰhとＰlに強度変調されたレーザ光を照射することにより行うものであり、第１の実施の形態の場合と同じであるので詳細な説明は省略するが、第３磁性層６の磁化は、記録する前に第６磁性層１３を通して第７磁性層１４の磁化と同じ方向に揃えられている。すなわち、第７磁性層１４が上述のＨiの働きをするため、Ｈiは必要なくなる。
【００６８】
以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃８を示す。第６磁性層１３は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなり、第７磁性層１４は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚６０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる。成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。
【００６９】
第６磁性層１３は、遷移金属リッチ、Ｔc6＝１６０℃、室温でのＨc6＝１６０ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第７磁性層１４は、希土類金属リッチ、Ｔc7＞３００℃、Ｔcomp7＝２８０℃、室温でのＨc7＝３２０ｋＡ／ｍとなる特性を示す。
【００７０】
サンプル＃８の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝３２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃１、＃２、＃３に比べると、Ｈiを省略することができた。
【００７１】
〔実施の形態９〕
次に、本発明の第９の実施の形態について、図９、図１２及び図１３に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００７２】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は図９に示すように、第６磁性層１３、第７磁性層１４を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃１と同じである。図１２は、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３及び第７磁性層１４の温度と保磁力との関係を示し、また図１３は、記録プロセスを説明する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
【００７３】
記録方法は、Ｈwを利用し、ＰhとＰlに強度変調されたレーザ光を照射することにより行うものであり、実施の形態１の場合と同じであるので詳細な説明は省略するが、第３磁性層６の磁化は、記録する前に第６磁性層１３を通して第７磁性層１４の磁化と同じ方向に揃えられている。すなわち、第７磁性層１４が上述のＨiの働きをするため、Ｈiは必要なくなる。
【００７４】
以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃９を示す。第６磁性層１３は、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚２０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなり、第７磁性層１４は、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚６０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなる。成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。
【００７５】
第６磁性層１３は、遷移金属リッチ、Ｔc6＝１００℃、室温でのＨc6＝１６０ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第７磁性層１４は、希土類金属リッチ、Ｔc7＝１５０℃、Ｔcomp無し、室温でのＨc7＝２４０ｋＡ／ｍとなる特性を示す。
【００７６】
サンプル＃９の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝３２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃８に比べると、第７磁性層はそのＴc7が低いためＨwにより初期化され、第７磁性層を初期化しておく必要がなくなった。
【００７７】
〔実施の形態１０〕
次に、本発明の第１０の実施の形態について、図１４に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００７８】
本実施例に係る光磁気記録媒体の構成は、第４磁性層９を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３、第７磁性層１４、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃８もしくはサンプル＃９と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃１０を示す。
【００７９】
第４磁性層９は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。第４磁性層９は、希土類金属リッチ、Ｔc4＞３００℃、Ｔcomp4＝１５０℃、室温でのＨc4＝２４ｋＡ／ｍとなる特性を示す。
【００８０】
サンプル＃１０の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃８、＃９に比べると、Ｈwを低減することができた。
【００８１】
〔実施の形態１１〕
次に、本発明の第１１の実施の形態について、図１５に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００８２】
本実施例に係る光磁気記録媒体の構成は、第５磁性層１０を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３、第７磁性層１４、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃８もしくはサンプル＃９と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃１１を示す。
【００８３】
第５磁性層１０は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。第５磁性層１０は、希土類金属リッチ、Ｔc5＞３００℃、Ｔcomp5＝２５０℃、室温で面内磁化となる特性を示す。
【００８４】
サンプル＃１１の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝５ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃８、＃９に比べると、Ｈwを低減することができた。
【００８５】
〔実施の形態１２〕
次に、本発明の第１２の実施の形態について、図１６に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００８６】
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第２中間層１１を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３、第７磁性層１４、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃８もしくはサンプル＃９と同じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル＃１２を示す。
【００８７】
第２中間層１１は、反応性スパッタリングにより膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００８８】
サンプル＃１２の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝９ｍＷ、Ｐl＝４ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃８、＃９に比べると、Ｈw及びレーザパワーを低減することができた。
【００８９】
〔実施の形態１３〕
次に、本発明の第１３の実施の形態について、図１７に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００９０】
本実施例に係る光磁気記録媒体の構成は、界面層１２を除いては、透光性基板１、誘電体層２、第１磁性層３、第１中間層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第６磁性層１３、第７磁性層１４、保護層７、オーバーコート層８は、サンプル＃８もしくはサンプル＃９と同じである。以下、光磁気記録媒体の１例として、光磁気ディスクのサンプル＃１３を示す。
【００９１】
界面層１２は、ＧｄターゲットもしくはＦｅターゲットのスパッタリングにより膜厚１ｎｍのＧｄもしくはＦｅからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗである。
【００９２】
サンプル＃１３の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝２４ｋＡ／ｍ、Ｐh＝９ｍＷ、Ｐl＝４ｍＷにて、記録ビット長＝０．５μｍの記録ビットを記録し、ＰrとＣ／Ｎの関係を測定したところ、Ｐr＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上となった。またサンプル＃８、＃９に比べると、Ｈw及びレーザパワーを低減することができた。
【００９３】
以上の実施の形態において、透光性基板１としてはガラスを用いたが、これ以外にも、化学強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エポキシ等を基板１として使用することが可能である。
【００９４】
上記誘電体層２のＡｌＮの膜厚は、８０ｎｍに限定されるものではない。誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスクを再生する際に第１磁性層あるいは再生磁性層からの極カー回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮して決定される。つまり再生時のＣ／Ｎをできるだけ大きくするには、極カー回転角をできるだけ大きくすることが必要であり、このため誘電体層２の膜厚は、極カー回転角が大きくなるように設定される。
【００９５】
また、誘電体層２は上記のカー効果エンハンスメントだけでなく、保護層７とともに希土類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割がある。さらにＡｌＮは、Ａｌターゲットを用いて、Ｎ2ガスもしくはＡｒとＮ2の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直流電源）スパッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大きい点でも有利である。
【００９６】
ＡｌＮ以外の誘電体層２の材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3等が好適である。このうち、特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【００９７】
各磁性層の希土類金属−遷移金属合金の材料、組成は、上記の材料、組成に限定されるものではない。各磁性層の材料として、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄから選ばれた少なくとも１種の希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれた少なくとも１種の遷移金属からなる合金を使用しても、同様の効果が得られる。また上記材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１種類の元素を添加すると、各磁性層自体の耐環境性が向上する。すなわち、水分、酸素侵入による酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【００９８】
各磁性層の膜厚は、その材料、組成との兼ね合いで決まるものであり、上記膜厚に限定されるものではない。本実施例では、保護層７のＡｌＮの膜厚は３０ｎｍとしたが、これに限定されるものではない。保護層７の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍが好適である。
【００９９】
保護層７は、誘電体層２とともにその熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼす。このことは、光磁気ディスクの記録感度を保護層７の膜厚である程度制御できるということを意味し、例えば、記録感度を上げる（低いレーザパワーで記録消去が行える）目的であれば、保護層７の膜厚を薄くすれば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすために記録感度がある程度高い方が有利であり、保護層７の膜厚は薄い方が良い。
【０１００】
ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優れるので、保護層７として用いた場合、膜厚を薄くすることができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供することができる。本実施例では、保護層７を誘電体層２と同じＡｌＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供でき、かつ保護層７と誘電体層２を同じ材料で形成することで、生産性も向上させることができる。
【０１０１】
また、保護層７の材料としては、ＡｌＮ以外にも前述の目的、効果を考慮すれば、上述の誘電体層２の材料として用いられるＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3が好適である。このうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【０１０２】
上記実施の形態で説明した光磁気ディスクは、一般に片面タイプと呼ばれる。誘電体層２〜保護層７の薄膜部分を総じて記録媒体層と称することにすると、片面タイプの光磁気ディスクは、基板１、記録媒体層、オーバーコート層の構造となる。これに対して、基板１の上に記録媒体層を形成したもの２枚を、記録媒体層が対向するように接着層で接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれている。
【０１０３】
接着層の材料は、ポリウレタンアクリレート系接着剤が特に良い。この接着剤は、紫外線、熱及び嫌気性の３タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化が熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安定性に極めて優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【０１０４】
片面タイプは、両面タイプと比べて素子の厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録再生装置において有利であり、両面タイプは、両面再生が可能なため、例えば大容量を要求される記録再生装置において有利である。
【０１０５】
以上の実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、光磁気カードにも本発明を応用することができる。
【０１０６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の請求項１に係る光磁気記録媒体によれば、光変調オーバーライトが可能で、かつ再生信号特性が高く、さらに光ビームの径より小さい記録ビットの再生が行え高密度記録に適した光磁気記録媒体を供給することができるという効果を奏する。
【０１０７】
また、本発明の請求項２に係る光磁気記録媒体によれば、光ビームの径より小さい記録ビットの再生を行うことができ、さらに信頼性を改善できるという効果を奏する。
【０１０８】
また、本発明の請求項３に係る光磁気記録媒体によれば、光ビームの径よりも小さい記録ビットの再生を行うことができ、さらに生産効率を改善できるという効果を奏する。
【０１０９】
また、本発明の請求項４に係る光磁気記録媒体によれば、光ビームの径よりも小さい記録ビットの再生を行うことができ、さらに再生信号特性を改善できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１、第２または第３の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図２】図１の光磁気記録媒体における第１磁性層の組成とキュリー温度、補償温度の関係を示す図である。
【図３】図１の光磁気記録媒体における第２磁性層、第３磁性層の温度と保磁力の関係を示す図である。
【図４】図１の光磁気記録媒体における記録プロセスを説明する図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図９】本発明の第８または第９の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１０】図９の光磁気記録媒体における第２磁性層、第３磁性層、第６磁性層、第７磁性層の温度と保磁力の関係を示す図である。
【図１１】図９の光磁気記録媒体における記録プロセスを説明する図である。
【図１２】図９の光磁気記録媒体における第２磁性層、第３磁性層、第６磁性層、第７磁性層の温度と保磁力の関係を示す図である。
【図１３】図９の光磁気記録媒体における記録プロセスを説明する図である。
【図１４】本発明の第１０の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１５】本発明の第１１の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１６】本発明の第１２の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１７】本発明の第１３の実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１８】従来の光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１９】図１８の光磁気記録媒体における記録プロセスを説明する図である。
【図２０】従来の別の光磁気記録媒体の構成及び再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図２１】図２０の光磁気記録媒体における記録プロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１、２１    基板
２、２２    誘電体層
３    第１磁性層
４    第１中間層
５、２５    第２磁性層
６、２６    第３磁性層
７、２７    保護層
８、２８    オーバーコート層
９    第４磁性層
１０    第５磁性層
１１    第２中間層
１２    界面層
１３    第６磁性層
１４    第７磁性層
【図１】
0003770389.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003770389.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003770389.tif 000006
【図６】
0003770389.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003770389.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003770389.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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