(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光機能または受光機能を有する半導体チップと、その半導体チップの電極として第１および第２のリード端子を樹脂パッケージ内に封入した形態を有し、これら第１および第２のリード端子それぞれの先端部が上記樹脂パッケージ外に延出することで外部と電気的に接続が可能とされ、上記第１および第２のリード端子それぞれの先端部は、上記樹脂パッケージの相対する両側面から外方に向けて略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成されている光半導体素子であって、
発光機能を有する半導体チップと受光機能を有する半導体チップとが一組となって上記樹脂パッケージ内に封入されている一方、
上記樹脂パッケージは、上記発光用の半導体チップを内蔵する第１透明樹脂部と、上記受光用の半導体チップを内蔵する第２透明樹脂部と、これら各透明樹脂部間を埋め、かつ各透明樹脂部をそれらの上面部および底面部を残して覆う不透明外殻樹脂部とを備えていることを特徴とする、光半導体素子。
【請求項２】
上記樹脂パッケージの相対する両側面は、縦方向末端部に近くなるにしたがい内向傾斜する姿勢の断面くの字状に形成されている、請求項１に記載の光半導体素子。
【請求項３】
上記第１および第２のリード端子それぞれは、上記樹脂パッケージの内外にわたって真一文字状に形成されている、請求項１または請求項２に記載の光半導体素子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光半導体素子と、主面上に導電用のランドが形成された回路基板とを備え、その回路基板の所定箇所には、上記ランドを周囲近辺に位置させ上記光半導体素子の樹脂パッケージ外形に応じた貫通孔が形成され、その貫通孔に上記光半導体素子が主面側から嵌入された状態で、その主面反対側に上記樹脂パッケージの一部が臨ませられ、その樹脂パッケージの両側面から延出する上記第１および第２のリード端子が上記ランドに接合された実装形態を有していることを特徴とする、光半導体素子の実装構造。
【請求項５】
上記回路基板の主面には、その主面上の上記光半導体素子を含む表面全体にわたってコーティング部材が積層されている、請求項４に記載の光半導体素子の実装構造。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光半導体素子の複数個と、片面が粘着面とされたカバーテープと、上記光半導体素子それぞれを個別に収容する複数の陥没部が所定間隔ごとに形成されたキャリア部材とを備え、上記キャリア部材の各陥没部には、上記光半導体素子が底面を上向きとして個別に収容された状態とされ、上記カバーテープの粘着面が上記キャリア部材の陥没部を含む表面全体にわたって密着することで、上記光半導体素子の複数個が上記キャリア部材と上記カバーテープによって包装された形態を有していることを特徴とする、光半導体素子群の包装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、発光機能もしくは受光機能、またはそれらの両機能を合わせ持つ光半導体素子、その光半導体素子を基板に対して実装した光半導体素子の実装構造、およびそれら複数の光半導体素子をひとまとめに包装した光半導体素子群の包装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より採用されている樹脂パッケージ型の光半導体素子の一例を図２０および図２１に示す。この光半導体素子Ｘは、金属板を打ち抜き形成して得られるフレームから製造された、いわゆるフレームタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されたものである。具体的には、それぞれの一端１００ａ，２００ａが対峙するようにして一対のリード端子１００，２００が設けられており、一方のリード端子１００の一端部１００ａには、半導体チップ３００（発光部）が接合されており、この発光部３００の上面３３０と他方のリード端子２００の一端部２００ａとがワイヤＷを介して電気的に接続されている。そして、上記発光部３００およびワイヤＷを封入するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケージ４００が形成されており、上記各リード端子１００，２００のうちの樹脂パッケージ４００に封入された部位がそれぞれ内部リード１１０，２２０とされている。一方、上記各リード端子１００，２００のうちの上記樹脂パッケージ４００から延出する部位は、それぞれ屈曲形成されることで先端部１１１ａ，２２１ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さにあり、かつ所定長さの水平方向に延びた外部リード１１１，２２１とされている。
【０００３】
この発光ダイオードとして機能する光半導体素子Ｘは、フォトトランジスタなどの受光機能を有する光半導体素子と一組となって光センサとして一般に用いられる。この種の光センサは、たとえばＣＤプレーヤ装置などにおけるディスクの挿入、排出を検出するために利用されており、図２１に示すように、一の光半導体素子Ｘは、外部リード１１１，２２１の先端部１１１ａ，２２１ａが回路基板５上のランド５２，５２に接合された状態で、その回路基板５の表面に面実装された形態とされ、その実装面上方に位置する図示しない検出対象物に光を照射するものとされている。なお、受光用の光半導体素子は、この図に示さないが、上記発光用の光半導体素子Ｘと同様に回路基板５に対して面実装された形態とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の光半導体素子Ｘでは、その樹脂パッケージ４００から外部に延出するリード端子１００，２００の先端部１１１ａ，２２１ａが外部リード１１１，２２１として屈曲形成されており、そもそもその外部リード１１１，２２１を介して回路基板５に面実装されることから、樹脂パッケージ４００全体が回路基板５の表面に突き出た形態とされていた。つまり、そうした形態においては、一体化された光半導体素子Ｘと回路基板５との実装モジュール全体の寸法が相当分厚くなり、その実装モジュール全体の薄型化を図る上で一つの難点とされていた。
【０００５】
具体的な実例を挙げると、回路基板に面実装された光半導体素子をＣＤプレーヤ装置などにおける光センサとして用いる場合、一体化された光半導体素子および回路基板からなる実装モジュール全体の占有スペースと、検出対象物となるディスクの占有スペースとを装置内に確保する必要がある。両占有スペースは、できる限り近接して小スペースであることが好ましいが、上述したように、光半導体素子の樹脂パッケージ全体が回路基板の表面に突き出た形態とされることから、その分両占有スペースを大きく確保しなければならず、その結果、装置全体の大きさについても、一層の小型化を図ることができないという問題があった。
【０００６】
一方、回路基板に対して実装する前の光半導体素子は、梱包された状態で出荷されるが、梱包された状態から光半導体素子を取り出す作業は、実装工程における作業を繁雑とするだけでなく、生産効率を低下させる一因ともなり、簡易な形態の包装構造が希求されていた。
【０００７】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、回路基板に対する光半導体素子の実装に際し、その実装形態に適した形状で実装モジュール全体の薄型化を図ることができる光半導体素子、その光半導体素子を実際に実装した形態で薄型化が実現された光半導体素子の実装構造、および作業性、生産効率の向上に寄与することができる光半導体素子群の包装構造を提供することをその課題としている。
【０００８】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
すなわち、本願発明の第１の側面により提供される光半導体素子は、発光機能または受光機能を有する半導体チップと、その半導体チップの電極として第１および第２のリード端子を樹脂パッケージ内に封入した形態を有し、これら第１および第２のリード端子それぞれの先端部が上記樹脂パッケージ外に延出することで外部と電気的に接続が可能とされ、上記第１および第２のリード端子それぞれの先端部は、上記樹脂パッケージの相対する両側面から外方に向けて略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成されている光半導体素子であって、発光機能を有する半導体チップと受光機能を有する半導体チップとが一組となって上記樹脂パッケージ内に封入されている一方、上記樹脂パッケージは、上記発光用の半導体チップを内蔵する第１透明樹脂部と、上記受光用の半導体チップを内蔵する第２透明樹脂部と、これら各透明樹脂部間を埋め、かつ各透明樹脂部をそれらの上面部および底面部を残して覆う不透明外殻樹脂部とを備えていることを特徴としている。
【００１０】
上記技術的手段が講じられた第１の側面により提供される光半導体素子によれば、回路基板などの外部と電気的に接続される第１および第２のリード端子の先端部は、樹脂パッケージの相対する両側面からほぼ水平に延出して真一文字状に形成されているので、この光半導体素子を通常の回路基板に対して面実装するといった形態を採用することは無理である。その代わり、光半導体素子の樹脂パッケージ全体あるいは一部を回路基板に対して嵌め込んだ恰好とし、上記第１および第２のリード端子の先端部を回路基板の片面上に接合した形態とすることができ、そうすることで光半導体素子と回路基板とが両リード端子を介して電気的に接続され、しかも、樹脂パッケージ全体が回路基板の表面において多分に突き出た形態となることはない。したがって、回路基板に光半導体素子を実装する際には、その回路基板に対して樹脂パッケージの全体あるいは一部を嵌め込んだ状態で、真一文字状のリード端子を回路基板の表面所定箇所に接合することができ、光半導体素子と回路基板とを一体とした実装モジュール全体について、面実装の場合に比べて容易に薄型化を図ることができる。また、発光機能を有する半導体チップと受光機能を有する半導体チップとを一組として樹脂パッケージ内に封入されていることにより、発光および受光といった相異なる機能を併有する光半導体素子が構成されるので、たとえばフォトインタラプタあるいはフォトカプラといった種類の光センサや光結合による無接点方式のリレーなどをワンパッケージとした形態で提供することができる。
【００１１】
上記第１の側面にかかる光半導体素子の好ましい実施の形態としては、上記樹脂パッケージの相対する両側面は、縦方向末端部に近くなるにしたがい内向傾斜する姿勢の断面くの字状に形成されている構成とすることができる。
【００１２】
このような構成によれば、光半導体素子を実装する回路基板として、その光半導体素子の樹脂パッケージ外形に応じた貫通孔を有するものが適用され、その貫通孔に対して最終的に樹脂パッケージが嵌め込まれた状態とされる。そして、樹脂パッケージの相対する両側面は、断面くの字状に形成されているので、貫通孔に樹脂パッケージを嵌め込む初期段階においては、その貫通孔と樹脂パッケージとの間に隙間が生じ、それによってスムーズに樹脂パッケージを貫通孔に嵌め込むことができる。一方、嵌め込みの最終段階においては、貫通孔の外形縁端と樹脂パッケージの側面とが密接し、樹脂パッケージが貫通孔に対して嵌め殺しされることから、回路基板の貫通孔に光半導体素子を強固に定置しておくことができる。
【００１３】
他の好ましい実施の形態としては、上記第１および第２のリード端子それぞれは、上記樹脂パッケージの内外にわたって真一文字状に形成されている構成とすることができる。
【００１４】
このような構成によれば、第１および第２のリード端子それぞれが樹脂パッケージの内外にわたって真一文字状に形成されているので、従来のように、リード端子を屈曲形成する必要がなく、単に真一文字状のリード端子の一部分を封入するようにして樹脂パッケージを形成し、その樹脂パッケージの両側面から延び出たリード端子の先端部を所定の長さに切断するだけでよいことから、リード端子をリードフォーミングする必要がなく、その分、光半導体素子の製造工程を簡略化することができる。
【００１９】
本願発明の第２の側面により提供される光半導体素子の実装構造は、上記第１の側面に記載の光半導体素子と、主面上に導電用のランドが形成された回路基板とを備え、その回路基板の所定箇所には、上記ランドを周囲近辺に位置させ上記光半導体素子の樹脂パッケージ外形に応じた貫通孔が形成され、その貫通孔に上記光半導体素子が主面側から嵌入された状態で、その主面反対側に上記樹脂パッケージの一部が臨ませられ、その樹脂パッケージの両側面から延出する上記第１および第２のリード端子が上記ランドに接合された実装形態を有していることを特徴とている。
【００２０】
上記技術的手段が講じられた第２の側面により提供される光半導体素子の実装構造によれば、上記第１の側面において先述したように、光半導体素子における第１および第２のリード端子の先端部は、樹脂パッケージの相対する両側面からほぼ水平に延出して真一文字状に形成されており、その光半導体素子の樹脂パッケージが回路基板の貫通孔に主面側から嵌め込まれた状態とされている。そして、回路基板の主面反対側に位置する貫通孔から樹脂パッケージの一部が臨ませられ、この部分を通じて樹脂パッケージ内の半導体チップと外部との間にわたって光路が形成される一方、上記第１および第２のリード端子は、回路基板の主面上に形成されたランドに接合された形態とされている。そうすることで樹脂パッケージ全体が回路基板の表面において多分に突き出た形態となることはない。つまり、上記第１の側面により得られる効果として既に述べたように、回路基板に光半導体素子を実装する際には、その回路基板の主面側から貫通孔に対して樹脂パッケージの全体あるいは一部を嵌め込んだ状態とし、真一文字状のリード端子を主面側における貫通孔の周囲近辺に位置したランドに接合することができ、光半導体素子と回路基板とを実際に一体化した実装モジュール全体について、面実装の場合に比べてより一層の薄型化を実現することができる。
【００２２】
また、発光用の光半導体素子と受光用の光半導体素子が一組となって回路基板の貫通孔に嵌め込まれた状態で実装されているので、それら発光用および受光用の光半導体素子を一組として光センサが構成され、回路基板の主面反対側に検出対象物を相当近づけることができ、たとえばＣＤプレーヤ装置などにおいて、光半導体素子と回路基板とを一体とした実装モジュール全体と検出対象物となるディスクに必要な占有スペースを装置内においてできる限り小スペースとして確保することができる。
【００２３】
他の好ましい実施の形態としては、上記回路基板の主面には、その主面上の上記光半導体素子を含む表面全体にわたってコーティング部材が積層されている構成とすることができる。
【００２４】
このような構成によれば、回路基板の主面には、その主面上の光半導体素子を含む表面全体にわたってコーティング部材が積層されているので、光半導体素子や配線パターンなどが設けられた回路基板の主面に対して外部からの光や電気的ノイズなどがコーティング部材で遮蔽されることとなり、回路基板に実装された光半導体素子に対して光学的、電気的に優れた防御構造を提供することができる。
【００２５】
本願発明の第３の側面により提供される光半導体素子群の包装構造は、上記第１の側面に記載の光半導体素子の複数個と、片面が粘着面とされたカバーテープと、上記光半導体素子それぞれを個別に収容する複数の陥没部が所定間隔ごとに形成されたキャリア部材とを備え、上記キャリア部材の各陥没部には、上記光半導体素子が底面を上向きとして個別に収容された状態とされ、上記カバーテープの粘着面が上記キャリア部材の陥没部を含む表面全体にわたって密着することで、上記光半導体素子の複数個が上記キャリア部材と上記カバーテープによって包装された形態を有していることを特徴としている。
【００２６】
上記技術的手段が講じられた第３の側面により提供される光半導体素子群の包装構造によれば、上記第１の側面において先述したように、光半導体素子における第１および第２のリード端子の先端部は、樹脂パッケージの相対する両側面からほぼ水平に延出して真一文字状に形成されており、その樹脂パッケージの底面が上向きの姿勢でキャリア部材の陥没部に収容される。そうして、キャリア部材の陥没部に光半導体素子を一つずつ収容した後、そのキャリア部材の陥没部を含む表面全体にわたってカバーテープを密着することで光半導体素子の包装が完成される。そして、回路基板に光半導体素子を実装する段階においては、カバーテープを巻き取るようにしてキャリア部材から引き剥がし、キャリア部材の陥没部に収容された状態にある樹脂パッケージの底面を吸着するなどして取り上げることにより、カバーテープとキャリア部材により包装された各光半導体素子を一つずつ取り外しながらそのまま実装工程へと移行することができる。したがって、カバーテープとキャリア部材によって包装された光半導体素子群の包装構造によれば、アセンブリパーツとして用いられる光半導体素子を容易に取り扱うことができ、それによって光半導体素子の取り扱い時における作業性、生産効率の向上をもたらすことができる。
【００２７】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２９】
図１は、本願発明にかかる光半導体素子の参考例として、その基本的構造を示した全体斜視図、図２は、図１のＩ−Ｉ線断面を示した断面図であって、これらの図に示すように、光半導体素子Ａは、金属板を打ち抜き形成して得られるリードフレームから製造された、いわゆるフレームタイプの半導体デバイスとして構成されたものであり、本実施形態においては、特に断らない限り発光ダイオードとして構成された光半導体素子について説明する。基本的構造としての上記光半導体素子Ａは、発光機能を有する半導体チップ３が接合される第１のリード端子１と、上記半導体チップ３の上面３０とワイヤＷを介して電気的に導通される第２のリード端子２と、上記半導体チップ３およびワイヤＷを封入するようにして略直方体状に形成された樹脂パッケージ４とを具備して概略構成されている。
【００３０】
図１および図２に良く表れているように、上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケージ４の外部において先端部を構成し、略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成された第１の外部リード１１とを有している。
【００３１】
上記第１の内部リード１０は、上記樹脂パッケージ４の底面４１に対して平行に延びる形状とされており、この内部リード１０の基端部１０ａに半導体チップ３がボンディング接合されている。一方、上記第１の外部リード１１は、上記第１の内部リード１０から連続して真一文字状に形成されているとともに、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４２中央付近から外方に向けて略水平に延出する姿勢とされている。
【００３２】
また、上記第２のリード端子２は、上記第１のリード端子１と同様の形態を有し、上記樹脂パッケージ４内に封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケージ４の外部において先端部を構成し、略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成された第２の外部リード２１とを有している。
【００３３】
上記第２の内部リード２０は、その基端部２０ａが上記第１の内部リード１０の基端部１０ａから所定間隔離れた位置で、上記樹脂パッケージ４の底面４１に対して平行に延びる形状とされており、この内部リード２０の基端部２０ａに半導体チップ３に接続されたワイヤＷの一端がボンディング接合されている。一方、上記第２の外部リード２１は、上記第２の内部リード２０から連続して真一文字状に形成されているとともに、上記樹脂パッケージ４の第２の側面４３中央付近から外方に向けて略水平に延出する姿勢とされている。
【００３４】
つまり、上記第１および第２のリード端子１，２それぞれの先端部となる外部リード１１，２１は、上記樹脂パッケージ４の相対する両側面４２，４３から外方に向けて略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成されており、このような形態で最終的に完成品とされた光半導体素子Ａは、図２によく示されるように、上記第１および第２の外部リード１１，２１を上記半導体チップ３の電極として回路基板５に接続された形態で用いられる。
【００３５】
上記樹脂パッケージ４は、後述する金型成形などによって形成されており、上方に突出する半球状の集光レンズ部４４を有しているが、全体形状としては、ほぼ直方体状とされている。上記集光レンズ部４４は、半導体チップ３から発せられた光が四方に拡散しないようにするために設けられたものである。
【００３６】
このように構成された光半導体素子Ａは、図２に良く表れているように、回路基板５の貫通孔５０に嵌め込まれた状態で実装されている。回路基板５について詳しく説明すると、この回路基板５は、面実装型の基板とは異なり、その主面５１上における貫通孔５０の周囲近辺に配線パターンなどに連続してランド５２が形成された基板である。そして、光半導体素子Ａは、回路基板５の主面５１側から貫通孔５０に嵌め込まれた状態とされ、その主面５１反対側に上記集光レンズ部４４が臨ませられている。また、上記樹脂パッケージ４の両側面４２，４３から延び出た上記第１および第２の外部リード１１，２１は、主面５１上の各ランド５２，５２にクリームハンダ５３を介してハンダリフロー処理により接合されている。
【００３７】
このような光半導体素子Ａの回路基板５に対する実装構造は、従来の表面実装型などの実装形態とは全く異なり、回路基板５の体内に樹脂パッケージ４の一部が埋め込まれた恰好となることから、実装モジュール全体の厚みについて相当の薄型化が図られたと言える。
【００３８】
次に、上記光半導体素子Ａの基本的構造を基にして、実用的形態とされた光半導体素子の他の実施形態について詳細に説明する。なお、上記基本的構造と実質的に同一の部材については、図面上同一の符号を付し、本質的に同一の特徴となる点については、その説明を省略する。
【００３９】
図３は、本願発明にかかる光半導体素子の他の参考例として、実用的形態を示した全体斜視図、図４は、図３のII−II線断面を示した断面図、図５は、図３の上面から示した平面図であって、これらの図に示すように、実用的形態とされた光半導体素子Ｂは、先述した光半導体素子Ａの構造に若干の変形を加えたものであり、特に、リード端子１′，２′の形状と樹脂パッケージ４′の外形形状に特徴を有している。この光半導体素子Ｂは、半導体チップ３が接合される第１のリード端子１′と、上記半導体チップ３とワイヤＷを介して導通される第２のリード端子２′と、前後左右の四側面それぞれが断面くの字状に形成された樹脂パッケージ４′とを具備して概略構成されている。
【００４０】
図３ないし図５に良く表れているように、第１のリード端子１′は、上記樹脂パッケージ４′内に封入された第１の内部リード１０′と、上記樹脂パッケージ４′の外部において両先端部を構成し、略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成された第１の外部リード１１′，１２′とを有している。
【００４１】
上記第１の内部リード１０′は、上記樹脂パッケージ４′の相対する両側面４２′，４３′の間にわたり上記樹脂パッケージ４′の底面４１′に対して平行に延びる姿勢とされており、この内部リード１０′の中央部から上記樹脂パッケージ４′の中心側に突出するようにして半島状のダイボンディングパッド１０′ａが形成されている。このダイボンディングパッド１０′ａには、上記半導体チップ３が実装されるのであるが、その基端部側は細幅部１０′ｂとされている。すなわち、上記ダイボンディングパッド１０′ａは、上記細幅部１０′ｂを介して上記第１の内部リード１０′と繋げられた恰好とされている。また、上記第１の内部リード１０′は、上記樹脂パッケージ４′の相対する両側面４２′，４３′の間にわたって真一文字状に形成されている。一方、上記第１の外部リード１１′，１２′は、上記第１の内部リード１０′から連続して真一文字状に形成されているとともに、上記樹脂パッケージ４′の両側面４２′，４３′の中央付近から外方に向けて略水平に延出する姿勢とされている。
【００４２】
また、上記第２のリード端子２′は、上記第１のリード端子１′とほぼ同様の形態を有し、上記樹脂パッケージ４′内に封入された第２の内部リード２０′と、上記樹脂パッケージ４′の外部において両先端部を構成し、略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成された第２の外部リード２１′，２２′とを有している。
【００４３】
上記第２の内部リード２０′は、上記ダイボンディングパッド１０′ａから所定間隔離れた位置で、上記樹脂パッケージ４′の底面４１′に対して平行に延びる形状とされており、この第２の内部リード２０′の中央付近に半導体チップ３に接続されたワイヤＷの一端がボンディング接合されている。また、上記第２の内部リード２０′は、上記樹脂パッケージ４′の相対する両側面４２′，４３′の間にわたって真一文字状に形成されている。一方、上記第２の外部リード２１′，２２′は、上記第２の内部リード２０′から連続して真一文字状に形成されているとともに、上記樹脂パッケージ４′の両側面４２′，４３′の中央付近から外方に向けて略水平に延出する姿勢とされている。
【００４４】
つまり、上記第１および第２のリード端子１′，２′それぞれは、上記樹脂パッケージ４′内における半導体チップ３を基点として枝分かれした形状であり、上記第１の外部リード１１′，１２′および上記第２の外部リード２１′，２２′は、枝分かれした先の部分となって、第１および第２のリード端子１′，２′それぞれの両先端部として構成されている。こうして両先端部となる第１の外部リード１１′，１２′は、上記樹脂パッケージ４′の相対する両側面４２′，４３′から外方に向けて略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成されているとともに、第２の外部リード２１′，２２′も、上記樹脂パッケージ４′の相対する両側面４２′，４３′から外方に向けて略水平に延出する姿勢で、かつ真一文字状に形成されている。このような形態で最終的に完成品とされた光半導体素子Ｂは、上記第１の外部リード１１′，１２′、および第２の外部リード２１′，２２′を上記半導体チップ３の電極として回路基板５に接続された形態で用いられる。
【００４５】
上記樹脂パッケージ４′は、集光レンズ部４４′を有して先述した基本的構造における樹脂パッケージ４と同様の機能を果たすものであるが、光半導体素子Ｂは、回路基板５の貫通孔５０に嵌め込まれた状態で実装されることから、その嵌め込み作業を容易とするため、図４にその特徴部分がよく示されるように、樹脂パッケージ４′における前後左右の四側面４２′，４３′，４５′，４６′それぞれは、水平線に沿った中間部位がわずかに迫り出す形状に形成されている。つまり、樹脂パッケージ４′の相対する２組の両側面４２′，４３′と４５′，４６′は、底面４１′および上面４７′の末端辺に近くなるにしたがい内向傾斜した断面くの字状に形成されている。図４より具体的には、樹脂パッケージ４′の各側面４２′，４３′，４５′，４６′は、緩やかな上下２面の傾斜面によって山型を呈しており、その傾斜面と鉛直平面とのなす傾斜角α，βは、たかだか数度前後の角度とされている。このような側面形状を有する樹脂パッケージ４′を回路基板５の貫通孔５０に嵌め込む初期段階においては、その貫通孔５０と樹脂パッケージ４′の各側面４２′，４３′，４５′，４６′との間に隙間が生じ、それによってスムーズに樹脂パッケージ４′全体を貫通孔５０に嵌め込むことができる。一方、嵌め込みの最終段階においては、貫通孔５０の外形縁端５０ａと樹脂パッケージ４′の側面４２′，４３′，４５′，４６′とが密接することとなり、樹脂パッケージ４′が貫通孔５０に対して嵌め殺しの状態で固定されることとなる。また、図３によく示されるように、樹脂パッケージ４′の一つの側面４６′には、切欠き４６′ａが形成されており、この切欠き４６′ａに近い第２のリード端子２′が正負いずれかの電極であるとして、回路基板５のランド５２に対して第１および第２のリード端子１′，２′を接合する際、その接合方向を間違えないような工夫がなされている。
【００４６】
なお、図３ないし図５に示す光半導体素子Ｂにおいては、第１および第２のリード端子１′，２′それぞれの外部リードである１１′，１２′と２１′，２２′が電極端子として回路基板５のランド５２に接合されているが、一方の外部リードが電気的に導通されていれば、他方の外部リードは、単にランド５２に接合されただけで電気的な導通接続のために用いる必要はない。たとえば、第１の外部リード１１′がランド５２との間で電気的に導通されていれば、他方の第１の外部リード１２′は、電気的に導通されることなくダミー電極として単にランド５２に接合されていれば良い。
【００４７】
このような光半導体素子Ｂの回路基板５に対する実装構造によれば、先述した光半導体素子Ａと同様の利点を有することは言うまでもないが、樹脂パッケージ４′の両側面４２′，４３′から延び出た第１および第２のリード端子１′，２′の外部リード１１′，１２′，２１′，２２′が４本とされているので、これら外部リード１１′，１２′，２１′，２２′が回路基板５のランド５２に接合された状態では、回路基板５に対して光半導体素子Ｂが安定的に固定された状態となる。さらに、ダミー電極として外部リードの本数を増やせば、回路基板５に対して光半導体素子Ｂをより一層安定した状態で固定しておくことができる。
【００４８】
次に上記構成の光半導体素子Ｂの製造方法について図６ないし図８を参照しつつ簡単に説明する。
【００４９】
図６は、上記光半導体素子Ｂの製造に用いられるリードフレームを示した平面図であって、この図に示すリードフレーム６は、銅や鉄などの金属板を打ち抜くなどして得られるものであり、平行に延びる一対のサイドフレーム６０，６０を有している。これらのサイドフレーム６０，６０を掛け渡すようにして２つのクロスフレーム６１ａ，６１ｂからなるクロスフレーム対６１が等間隔毎に形成されている。一のクロスフレーム対６１における両クロスフレーム６１ａ，６１ｂによって囲まれた矩形領域には、一方のクロスフレーム６１ａ側から他方のクロスフレーム６１ｂ側に突出するようにして上記光半導体素子Ｂの構成部分となるべきダイボンディングパッド１０′ａが打ち抜き形成されている。
【００５０】
このように構成されたリードフレーム６においては、まず、上記ダイボンディングパッド１０′ａにおける２点鎖線で囲んだ領域に半導体チップ３が接合される。上記したように上記光半導体素子Ｂが発光素子として構成される場合には、半導体チップ３としては発光ダイオードなどが使用されるが、上記光半導体素子Ｂが受光素子として構成される場合には、上記半導体チップ３としてフォトトランジスタなどの受光素子が使用される。もちろん、用途に応じて例示したもの以外の半導体チップを適宜用いてもよい。
【００５１】
次いで、図７は、ワイヤボンディング工程を説明するために示した説明図であって、この図に示すように、上記半導体チップ３の上面３０と他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３の上面３０について行われるファーストボンディングと他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンドボンディングとからなる。
【００５２】
図７に示すように、ファーストボンディングは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、これを上記半導体チップ３の上面に圧着することによって行われる。セカンドボンディングは、上記キャピラリ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロスフレーム６１ｂの所定領域（ワイヤボンディング領域）にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷを圧着することによって行われる。なお、ワイヤボンディングを行うのに際して、上記リードフレーム６を支持台８などによって加熱してもよく、またセカンドボンディングを行う際に超音波を供給してもよい。
【００５３】
続いて、図６に示すように、所定の金型を用いて上記リードフレーム６において仮想線で囲まれた領域Ｐに樹脂パッケージ４を形成する。図８は、樹脂パッケージング工程を説明するために示した断面図であって、この図に示すように、樹脂パッケージング工程においては、まず、上下の各金型９Ａ，９Ｂによって形成されるキャビティ空間９０内に上記半導体チップ３を収容した状態で上記リードフレーム６の所定領域を挟持するようにして金型の型締めする。そして、上記キャビティ空間９０に溶融したエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入し、注入樹脂が硬化した後に金型を型開きすることによって樹脂パッケージ４′が形成される。このとき、集光レンズ部４４′も同時に形成される。また、各金型９Ａ，９Ｂの内側面９Ａａ，９Ｂａは、樹脂パッケージ４′の側面形状に応じて鉛直面よりやや外開きの形状姿勢とされており、その結果、型開きの際に硬化した樹脂と各金型９Ａ，９Ｂとが離型しやすいものとされている。
【００５４】
上記光半導体素子Ｂが発光素子として構成される場合には、上記樹脂パッケージ４′を形成する材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３としてフォトトランジスタやフォトダイオードなどを採用する場合にも、上記樹脂パッケージ４′を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う光半導体素子とは異なる光半導体素子として構成する場合には、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケージ４′を形成する必要はなく、上記集光レンズ部４４′を設ける必要もない。また、受光用の光半導体素子として赤外光を選択的に受光するように構成されたものを使用する場合には、上記樹脂パッケージ４′としては透明のものでもよいが、他の波長の光（ノイズ）による影響を排除して受光感度を高めるべく赤外光を選択的を透過させる黒色の樹脂を使用するのが好ましい。
【００５５】
このようにして樹脂パッケージ４′が形成された後に、リードフレーム６における一点鎖線で示したラインに沿って切断することによって、図３に示すような光半導体素子Ｂの完成品が得られる。こうして得られた光半導体素子Ｂの完成品は、他の受光用の光半導体素子とともに一組となって回路基板５に実装されることで光センサとして用いられる。
【００５６】
図９は、完成品とされた発光用および受光用の光半導体素子を回路基板に実装する工程を説明するために示した説明図、図１０は、光半導体素子を回路基板に実装して一体化された実装モジュールの利用例を示した断面図であって、これらの図において、受光用の光半導体素子については符号Ｂ′を付すが、その外観形状は、先に説明した発光用の光半導体素子Ｂと同様であることから、同一の外形部分については同一符号を付して以下に説明する。
【００５７】
まず、図９に示すように、回路基板５には、発光用と受光用の各光半導体素子Ｂ，Ｂ′を嵌め込むための貫通孔５０，５０が所定間隔離れた位置に開口形成されており、主面５１上における各貫通孔５０の対辺付近には、上記外部リード１１′，１２′，２１′，２２′と接合するためのランド５２が所定の複数箇所にわたって形成されている。この貫通孔５０の開口面積は、光半導体素子Ｂにおける樹脂パッケージ４′の平面視断面形状に応じた大きさとされており、各貫通孔５０に光半導体素子Ｂ，Ｂ′が主面５１側から嵌め込まれた状態で、その主面５１の反対側に上記樹脂パッケージ４′のこの図に示されない集光レンズ部４４′が臨ませられている。このような光半導体素子Ｂ，Ｂ′の嵌め込み作業は、回路基板５の主面５１側において吸着コレットＫなどで光半導体素子Ｂ，Ｂ′の底面４１′を吸着保持し、回路基板５を図示する矢印の方向に搬送する状態で、所定の位置にきた貫通孔５０に対して一点鎖線で示す方向から光半導体素子Ｂ，Ｂ′を挿入するようにして行われる。その後、この図には示さないが、外部リード１１′，１２′，２１′，２２′と各ランド５２との間には、図４によく示されるように、クリームハンダ５３が介入された状態とされ、そうしてハンダリフロー処理による熱圧着工程などを経て実装形態がほぼ完成される。
【００５８】
こうして発光用および受光用の光半導体素子Ｂ，Ｂ′を回路基板５に実装した後、図１０に示すように、回路基板５の主面５１上における上記光半導体素子Ｂ，Ｂ′を含む表面全体にわたってコーティング部材５４が積層され、最終形態としての実装モジュールＣが完成される。上記コーティング部材５４としては、電気的に絶縁性を有するとともに、光学的に光を透過しない樹脂などが好ましく適用され、このコーティング部材５４によって外部からの光や電気的ノイズなどが遮蔽されることとなり、回路基板５に実装された光半導体素子Ｂ，Ｂ′に対して光学的、電気的に優れた構造となる。
【００５９】
さらに、図１０に示すように、この実装モジュールＣは、一例としてＣＤプレーヤ装置などにおけるディスクＤを検出するために用いられ、そのＣＤプレーヤ装置のスロット内において光半導体素子Ｂ，Ｂ′の各集光レンズ部４４′をディスクＤに対面させた姿勢で配置される。また、発光用の光半導体素子Ｂから発せられた光は、図に一点鎖線で示す光路に沿って導かれ、その光路途中に配置されたプリズムＰを介して受光用の光半導体素子Ｂ′に達する。つまり、ディスクＤがスロット内に挿入されていない状況では、発光用の光半導体素子Ｂから発せられた光が受光用の光半導体素子Ｂ′に受光される状態にあり、一方、ディスクＤがスロット内に挿入されると、そのディスクによって光路が遮断され、発光用の光半導体素子Ｂから発せられた光は、受光用の光半導体素子Ｂ′にて受光されない状態となる。
【００６０】
このようにして、発光用および受光用の光半導体素子Ｂ，Ｂ′を一組とした光センサが構成されるとともに、各光半導体素子Ｂ，Ｂ′が回路基板５の体内に埋め込まれた恰好とされることから、実装モジュールＣ全体の厚みは、従来の面実装型に比べて相当薄型化されていると言える。その結果、回路基板５の主面５１反対側にディスクＤなどの検出対象物を相当近づけることができ、装置内の光センサによる検出スペースをできる限り小スペースとして確保することができる。
【００６１】
次に、本願発明にかかる光半導体素子の実施形態について簡単に説明する。
【００６２】
図１１は、本願発明にかかる光半導体素子の一実施形態として、発光用と受光用の半導体チップをワンパッケージ化した光センサを示した全体斜視図、図１２は、図１１に示す光センサを上面から示した平面図、図１３は、図１２に対応して回路構成を示した回路図、図１４ないし図１７は、製造工程を説明するために示した説明図である。なお、これらの図において、先に説明した部材と実質的に同一の部材については、図面上同一の符号を付し、本質的に同一の特徴となる点については、その説明を省略する。
【００６３】
これらの図に示すように、光センサＥは、発光用の半導体チップ３と受光用の半導体チップ３′とを内蔵する樹脂パッケージ４′と、各半導体チップ３，３′と電気的に導通して樹脂パッケージ４′の外部に延び出た第１および第２のリード端子１，２とを具備して構成されている。樹脂パッケージ４′は、先の図３に示されるものと外観がほぼ同形状であるが、集光レンズ部が設けられておらず、また、切欠き４６′ａは角部に形成されている。一方、第１および第２のリード端子１，２の外部リード１１，２１は、図３に示されるものと同じく合計４本であるが、その形態は、図１に示す光半導体素子Ａの基本的構造に属するものである。つまり、第１の外部リード１１は、発光用と受光用の電極端子として、その２本が樹脂パッケージ４′の一側面４２′から水平に延び出た恰好とされているのに対し、第２の外部リード２１は、上記第１の外部リード１１とは異なる極性の電極端子として、その２本が樹脂パッケージ４′の一側面４２′に相対する他側面４３′から水平に延び出た恰好とされている。
【００６４】
上記樹脂パッケージ４′は、発光用の半導体チップ３を内蔵する第１透明樹脂部４′ａと、受光用の半導体チップ３′を内蔵する第２透明樹脂部４′ｂと、これら各透明樹脂部４′ａ，４′ｂ間を埋め、かつ各透明樹脂部４′ａ，４′ｂをそれらの上面部および底面部を残して覆う不透明外殻樹脂部４′ｃとを備えている。その結果、各透明樹脂部４′ａ，４′ｂは、たとえば透明エポキシ樹脂によって形成され、上記不透明外殻樹脂部４′ｃは、たとえば、黒色の樹脂によって形成される。
【００６５】
各透明樹脂部４′ａ，４′ｂの内部には、その高さ方向の中間位置において、発光用と受光用の半導体チップ３，３′がそれぞれ細帯板状の第１の内部リード１０上にボンディングされた恰好で内蔵されている。そして、各チップ３，３′の上面ともう一方の第２の内部リード２０間は、ワイヤＷによって配線接続されている。また、図１３に一例として示すように、発光用の半導体チップ３としては、ＬＥＤが採用され、受光用の半導体チップ３′としては、フォトトランジスタが採用されている。なお、発光用または受光用の半導体チップ３，３′としては、別の種類のものであってももちろん良い。たとえば、受光用の半導体チップ３′としてフォトダイオードを適用可能である。
【００６６】
上記構成を備える光センサＥは、図１４に示すようなリードフレーム６′を用い、以下に説明する工程を経て製造される。リードフレーム６′は、金属薄板材料を打ち抜きプレスして形成されるものであって、長手方向両側のサイドフレーム６０′，６０′と、両サイドフレーム６０′，６０′から内方に延出するリード部６２′，６２′と、必要に応じてクロスフレーム６３′，６３′を備えており、図１４に符号Ｔで示す区間の構成がリードフレーム６′の長手方向に連続して形成されている。リード部６２′の先端は、それぞれ、チップボンディング部６２′ａあるいはワイヤボンディング部６２′ｂとして機能する。
【００６７】
図１５に示すように、上記リードフレーム６′の各リード部６２′のチップボンディング部６２′ａに対し、発光用および受光用の半導体チップ３，３′をそれぞれボンディングするチップボンディング工程、および、各チップ３，３′の上面と他方リード部６２′のワイヤボンディング部６２′ｂ間をワイヤＷによって結線するワイヤボンディング工程が施される。
【００６８】
次に、図１６に示すように、各チップ３，３′およびその周辺部分を透明樹脂でモールドする一次モールド工程が施される。なお、ここで、発光用および受光用の各半導体チップ３，３′は、それぞれ別個に透明樹脂でモールドされており、こうしてモールド形成された部分が、最終的に上記の第１および第２の透明樹脂部４′ａ，４′ｂを構成する。
【００６９】
さらに、図１７に示すように、上記第１および第２の透明樹脂部４′ａ，４′ｂの間を埋め、かつ第１および第２の透明樹脂部４′ａ，４′ｂの上面部および底面部を残してこれらの透明樹脂部４′ａ，４′ｂを不透明樹脂で覆う二次モールド工程が施される。こうしてモールド形成された全体が、最終的に上記樹脂パッケージ４′の外形となる不透明外殻樹脂部４′ｃを構成する。
【００７０】
こうして得られた光センサＥでは、発光用および受光用の半導体チップ３，３′は、それぞれ透明樹脂部４′ａ，４′ｂに内蔵され、かつ、この透明樹脂部４′ａ，４′ｂは、樹脂パッケージ４′の上面に露出されている。したがって、樹脂パッケージ４′の上面を介して発光用の半導体チップ３から発せられた光を検出対象物などに向けて外部に照射することができ、また、対象物からの反射光は、樹脂パッケージ４′の上面を介して受光用の半導体チップ３′に達することができる。このような発光用と受光用の半導体チップ３，３′をワンパッケージとした光センサＥは、図２、図４、または図１０に示すものと同一の実装形態で回路基板５に対して実装することができ、先の実施形態において説明した光半導体素子Ａ，Ｂと同様に実装モジュール全体の薄型化を図ることができる。特に、図１０に示すように、先の実施形態において光センサを構成するためには、発光用と受光用の光半導体素子Ｂ，Ｂ′をそれぞれ別々にして回路基板５の貫通孔５０に嵌め込む必要があったが、発光および受光用の半導体チップ３，３′をワンパッケージ化した光センサＥでは、その一つを回路基板５の貫通孔５０に嵌め込んで、各外部リード１１，２１をランド５２に接合するだけで良く、実装モジュールの構成をシンプルなものとすることができる。
【００７１】
さらに、図１８は、完成部品とされた光半導体素子群の包装構造を示した断面図、図１９は、包装された状態の光半導体素子を取り出す際の状態を示した断面図である。なお、図を参照して説明する便宜上、図１８および図１９に示す光半導体素子としては、図１に示す符号Ａのものを図示するが、実際には、光センサＥが用いられる。
【００７２】
これらの図に示すように、複数個の光半導体素子Ａは、回路基板５に実装される前の出荷段階などにおいて、薄い帯状のカバーテープＲと、陥没部Ｈ１を有するキャリア部材Ｈを用いて包装された状態で持ち運びされる。このような複数の光半導体素子群の包装構造においては、光半導体素子Ａの複数個と、片面が粘着面Ｒ１とされたカバーテープＲと、上記光半導体素子Ａそれぞれを個別に収容する複数の陥没部Ｈ１が形成されたキャリア部材Ｈとを備えている。また、キャリア部材Ｈの各陥没部Ｈ１には、上記光半導体素子Ａが底面４１を上向きとして個別に収容された状態とされ、上記カバーテープＲの粘着面Ｒ１がキャリア部材Ｈの陥没部Ｈ１を含む表面全体にわたって密着することで、光半導体素子Ａの複数個がキャリア部材ＨとカバーテープＲによって包装された形態とされている。
【００７３】
さらに具体的に説明すると、キャリア部材Ｈは、長尺状のプラスチックなどにエンボス加工を施した、たとえばエンボステープであって、その長手方向に沿って所定ピッチ間隔Ｓで陥没部Ｈ１が形成されているとともに、その幅方向端部には、キャリア部材Ｈを長手方向に搬送する際に用いられるスプロケットホール（図示省略）が等間隔に形成されている。この陥没部Ｈ１は、光半導体素子Ａの集光レンズ部４４を傷つけないように、上段および下段の陥没部Ｈ１ａ，Ｈ１ｂで構成されており、その下段の陥没部Ｈ１ｂ内に集光レンズ部４４を位置させた状態で、第１の陥没部Ｈ１ａに樹脂パッケージ４が載置された状態とされる。つまり、光半導体素子Ａは、キャリア部材Ｈがスプロケットホールを介して搬送される際、吸着コレットなどで持ち上げられつつ、そのキャリア部材Ｈの陥没部Ｈ１に一つずつ収容される。
【００７４】
そうしてキャリア部材Ｈの陥没部Ｈ１に光半導体素子Ａを収容するのと同時に、カバーテープＲがキャリア部材Ｈの陥没部Ｈ１を含む表面全体にわたってラミネート接合され、そうすることで光半導体素子Ａの複数個が各陥没部Ｈ１に収容保持された状態で包装されている。
【００７５】
こうして包装された光半導体素子Ａは、実装工程が始まる直前にキャリア部材ＨとカバーテープＲとの間から自動工程によって取り出されるが、この自動工程における取り出しに際しては、図１９に示すように、キャリア部材ＨおよびカバーテープＲが所定の方向に搬送され、そのカバーテープＲの一端が巻き取られるようにしてキャリア部材Ｈから引き剥がされる。そうして引き剥がされた後に陥没部Ｈ１に残された光半導体素子Ａの底面が吸着コレットＫによって吸着保持され、その吸着保持された状態から図９に示すような実装工程へと光半導体素子Ａが一つずつ移されることとなる。そうすることにより、アセンブリパーツとして包装された光半導体素子Ａを自動的に取り出して容易に実装工程に移すことができ、それによって実装工程における作業性、生産効率の向上をもたらすことができる。また、所望とする使用個数分の光半導体素子Ａを取り出した後、残りの光半導体素子Ａについては、カバーテープＲとキャリア部材Ｈとの間に包装した状態としておけば、外気から遮蔽した状態でそのまま保管しておくことができる。
【００７９】
なお、上記キャリア部材Ｈは、長尺状のエンボステープなどとして説明が、エンボステープとは別に、光半導体素子を収容する陥没部Ｈ１を平面全体にわたって整列成形した皿状の容器であってもよい。この場合、カバーテープＲとしては、キャリア部材Ｈの幅寸法に応じた平面視形状のものが適用されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本願発明にかかる光半導体素子の参考例として、その基本的構造を示した全体斜視図である。
【図２】  図１のＩ−Ｉ線断面を示した断面図である。
【図３】  本願発明にかかる光半導体素子の他の参考例として、実用的形態を示した全体斜視図である。
【図４】  図３のII−II線断面を示した断面図である。
【図５】  図３に示す光半導体素子を上面から示した平面図である。
【図６】  光半導体素子の製造に用いられるリードフレームを示した平面図である。
【図７】  ワイヤボンディング工程を説明するために示した説明図である。
【図８】  樹脂パッケージング工程を説明するために示した断面図である。
【図９】  完成品とされた発光用および受光用の光半導体素子を回路基板に実装する工程を説明するために示した説明図である。
【図１０】  光半導体素子を回路基板に実装して一体化された実装モジュールの利用例を示した断面図である。
【図１１】  本願発明にかかる光半導体素子の一実施形態として、発光用と受光用の半導体チップをワンパッケージ化した光センサを示した全体斜視図である。
【図１２】  図１１に示す光センサを上面から示した平面図である。
【図１３】  図１２に対応して回路構成を示した回路図である。
【図１４】  上記光センサの製造工程を説明するために示した説明図である。
【図１５】  上記光センサの製造工程を説明するために示した説明図である。
【図１６】  上記光センサの製造工程を説明するために示した説明図である。
【図１７】  上記光センサの製造工程を説明するために示した説明図である。
【図１８】  完成部品とされた光半導体素子群の包装構造を示した断面図である。
【図１９】  包装された状態の光半導体素子を取り出す際の状態を示した断面図である。
【図２０】従来の光半導体素子の一例を示した全体斜視図である。
【図２１】  従来例の光半導体素子の断面を示した断面図である。
【符号の説明】
１，１′                                    第１のリード端子
２，２′                                    第２のリード端子
３，３′                                    半導体チップ
４，４′                                    樹脂パッケージ
５                                          回路基板
１１，１１′，１２′                        第１の外部リード
２１，２１′，２２′                        第２の外部リード
４２，４３，４２′，４３′，４５′，４６′  樹脂パッケージの側面
４４，４４′                                集光レンズ部
５０                                        貫通孔
５１                                        主面
５２                                        ランド
５４                                        コーティング部材
Ａ，Ｂ，Ｂ′                                光半導体素子
Ｃ                                          実装モジュール
Ｅ                                          光センサ
Ｒ                                          カバーテープ
Ｒ１                                        粘着面
Ｈ                                          キャリア部材
Ｈ１                                        陥没部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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