(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーンルーム内に設置され、室温を冷却目標温度として基板を冷却する基板冷却装置であって、
基板を近接させて冷却するための室温に温度調整されたクーリングプレートの表面に突出して設けられ、少なくとも基板の中央部を含む部分を吸着するとともに、当該部分に密接しつつ当該部分を冷却する基板吸着面を有する吸着部と、
上記クーリングプレートの表面のうちの上記吸着部の周囲に設けられ、上記基板とクーリングプレートの表面との間に上記基板の全周に開放した所定の間隙を規制する複数のプロキシミティボールを備え、当該間隙を保った状態で基板を冷却する間隙部と、
上記間隙部において、上記基板とクーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を換気する換気手段とを含み、
上記換気手段は、上記間隙部において、上記基板とクーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を排気する手段であることを特徴とする基板冷却装置。
【請求項２】
上記間隙の雰囲気を排気する手段は、上記クーリングプレートの表面に形成された排気口を有することを特徴とする請求項１記載の基板冷却装置。
【請求項３】
上記吸着部は、その中心位置が、上記冷却される基板の中心位置にほぼ一致するように設けられており、
上記吸着部の外形は、上記冷却される基板の外形に対してほぼ相似した形状となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板冷却装置。
【請求項４】
クリーンルーム内で、室温に温度調整されたクーリングプレートの表面に基板を近接させ、室温を冷却目標温度として、基板を冷却する基板冷却方法において、
基板の中央部を、上記クーリングプレートの表面に突出して設けた吸着部の基板吸着面に吸着させて密接させるとともに、この基板の周辺部において該基板と上記クーリングプレートの表面との間に該基板の全周に開放した間隙を設けた状態で、該基板を冷却することと、
上記基板の周辺部における上記基板と上記クーリングプレートの表面との間隙を複数のプロキシミティボールによって規制することと、
上記基板と上記クーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を排気することと
を含むことを特徴とする基板冷却方法。
【請求項５】
上記間隙の雰囲気の排気を上記クーリングプレートの表面に形成された排気口を介して行うことを特徴とする請求項４記載の基板冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用ガラス基板などの各種被処理基板に対して、冷却処理を行うための基板冷却装置および基板冷却方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置の製造工程では、フォトリソグラフィ工程により、ガラス基板の表面に種々の薄膜が繰り返しパターン形成される。フォトリソグラフィ工程では、基板のレジスト膜を露光機によって露光し、この露光後のレジスト膜を現像することによって、所要のパターンのレジスト膜が基板上に形成される。
【０００３】
露光機における露光精度を高めるためには、露光処理前の基板温度を厳密に管理して、基板の熱伸縮による露光位置や露光焦点のずれを最小化しなければならない。そのため、露光機に搬入される前の基板は、クーリングプレートと呼ばれる基板冷却体を有する基板冷却装置に搬入され、たとえば、２３℃（常温）に冷却される。
【０００４】
基板冷却装置には、従来から、クーリングプレートの表面に基板を真空吸着させることにより、熱伝導によって基板からの熱を奪う吸着式のものが広く用いられてきた。しかし、取り扱われる基板が大型化し、かつ、基板表面に形成される素子構造が微細化してきた今日では、基板を吸着式のクーリングプレートから剥離するときに生じる剥離帯電による静電破壊の問題が顕著になってきている。また、この剥離帯電によって発生する静電気が基板搬送用のロボットに流れ込み、基板の搬送が停止してしまうなどの周辺機器への悪影響もあった。そのため、いわゆるプロキシミティ式の基板冷却装置が好まれるようになってきている。
【０００５】
プロキシミティ式の基板冷却装置では、クーリングプレートの表面に複数のプロキシミティボールが突設されており、このプロキシミティボール上に処理対象の基板が載置される。そして、基板とクーリングプレートとの間の間隙（０．１ｍｍないし５ｍｍ）における熱対流やその間の空気を介しての熱伝導により、基板から熱が奪われ、基板の冷却処理が達成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このプロキシミティ式の基板熱処理装置における問題は、基板のクーリングプレート対向面とその反対の面との間の温度差のために、基板に熱反りが生じることである。
【０００７】
すなわち、たとえば、基板加熱処理装置によって加熱された後の基板をクーリングプレート上に載置して基板を冷却する場合には、図６に示すように、クーリングプレート１の基板冷却面１Ａに対向した状態でプロキシミティボール３によって支持されている基板Ｓの下面の冷却は、その上面の冷却よりもすみやかに進行する。そのため、基板Ｓの下面の熱収縮量がその上面の熱収縮量よりも多くなり、基板Ｓの中央部Ｍがクーリングプレート１の基板冷却面１Ａから浮き上がることになる。
【０００８】
このような基板の熱反りのために、基板の全部分に対して均一な冷却処理を施すことができなくなるから、冷却処理後の基板の各部における温度分布が均一にならないという問題がある。すなわち、たとえば、図７に示すように、基板の中央部と周縁部とにおいて、比較的大きな温度差ΔＴ１が生じていた。
【０００９】
また、基板の一部が、基板冷却面から浮き上がることにより、基板の冷却効率が悪く、基板に対する冷却処理に時間がかかるという問題もあった。
【００１０】
さらに、基板加熱処理装置によって加熱された後の基板は、クーリングプレート１まで搬送されるまでの間に、基板Ｓの中央部よりもその周辺部のほうが自然放熱量が大きいため中央部に熱が篭り、クーリングプレート１に載置されるときには、基板Ｓの中央部の温度が周辺部に比べて必ず高くなっており、このことがさらに基板の温度分布の不均一の要因となっている。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板に対して均一に冷却処理を施すことができる基板冷却装置および基板冷却方法を提供することである。
【００１２】
また、この発明の他の目的は、基板に対する冷却処理を効率的に行える基板冷却装置および基板冷却方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、クリーンルーム内に設置され、室温を冷却目標温度として基板を冷却する基板冷却装置であって、基板を近接させて冷却するための室温に温度調整されたクーリングプレートの表面に突出して設けられ、少なくとも基板の中央部を含む部分を吸着するとともに、当該部分に密接しつつ当該部分を冷却する基板吸着面を有する吸着部と、上記クーリングプレートの表面のうちの上記吸着部の周囲に設けられ、上記基板とクーリングプレートの表面との間に上記基板の全周に開放した所定の間隙を規制する複数のプロキシミティボールを備え、当該間隙を保った状態で基板を冷却する間隙部と、上記間隙部において、上記基板とクーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を換気する換気手段とを含み、上記換気手段は、上記間隙部において、上記基板とクーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を排気する手段であることを特徴とする基板冷却装置である。
【００１４】
上記の構成によれば、基板の中央部を吸着部の基板吸着面に吸着した状態で冷却処理が行われるので、冷却処理中に基板の熱反りが生じることがない。これにより、基板の全域をクーリングプレートの表面に近接させた状態で基板を冷却できるので、基板の各部を均一に冷却でき、そのうえ、冷却効率が向上され、基板冷却処理に要する時間を短縮できる。
【００１５】
また、温度が高く、冷却の困難な基板中央部の冷却を、吸着部によって確実に行うことができるから、基板の温度均一性のさらなる向上が図られる。
【００１６】
一方、吸着部の周囲には間隙部が設けられているので、基板と吸着部との接触面積が過大になることがなく、そのため、基板をクーリングプレートの表面から離隔させる際に、基板上の素子構造等の静電破壊や周辺機器への悪影響を生じさせるほどの帯電が生じることがない。
【００１８】
また、この発明では、間隙部材によって、基板とクーリングプレートの表面との間隙を間隙部の各部において均一にできるから、さらに、基板の温度均一性を向上できる。
【００２０】
さらに、基板とクーリングプレートの表面との基板の全周に開放した間隙の雰囲気を排気することによってこの空間を換気することができるから、この空間に熱雰囲気が滞留することがない。これにより、基板の周辺部の冷却速度を向上できる。
【００２１】
請求項２記載の発明は、上記間隙の雰囲気を排気する手段は、上記クーリングプレートの表面に形成された排気口を有することを特徴とする請求項１記載の基板冷却装置である。
請求項３記載の発明は、上記吸着部は、その中心位置が、上記冷却される基板の中心位置にほぼ一致するように設けられており、上記吸着部の外形は、上記冷却される基板の外形に対してほぼ相似した形状となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板冷却装置である。すなわち、吸着部の外周と基板の外周までの距離がいずれの方向においてもほぼ等しくされている。
【００２２】
この構成によれば、基板の中央部および周辺部において、基板の中央から臨む全方向に関してほぼ均一な冷却処理を行うことができる。これにより、基板の温度均一性をさらに向上することができる。
【００２３】
請求項４記載の発明は、クリーンルーム内で、室温に温度調整されたクーリングプレートの表面に基板を近接させ、室温を冷却目標温度として、基板を冷却する基板冷却方法において、基板の中央部を、上記クーリングプレートの表面に突出して設けた吸着部の基板吸着面に吸着させて密接させるとともに、この基板の周辺部において該基板と上記クーリングプレートの表面との間に該基板の全周に開放した間隙を設けた状態で、該基板を冷却することと、上記基板の周辺部における上記基板と上記クーリングプレートの表面との間隙を複数のプロキシミティボールによって規制することと、上記基板と上記クーリングプレートの表面との間の間隙の雰囲気を排気することとを含むことを特徴とする基板冷却方法である。
【００２４】
この方法により、請求項１の発明と同様な効果を達成できる。
【００２５】
請求項５記載の発明は、上記間隙の雰囲気の排気を上記クーリングプレートの表面に形成された排気口を介して行うことを特徴とする請求項４記載の基板冷却方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
図１は、この発明の一実施形態の基板冷却装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板冷却装置は、クリーンルーム内に設置されて用いられ、たとえば、液晶表示装置の製造工程において、液晶表示装置用ガラス基板Ｓ（以下単に「基板Ｓ」という。）を室温（たとえば、２３℃）を冷却目標温度として冷却するための装置である。
【００２８】
このような基板冷却装置は、たとえば、フォトリソグラフィ工程において適宜用いられる。すなわち、フォトリソグラフィ工程には、基板Ｓの表面にレジストを塗布し、このレジストにベーク処理を施して乾燥させることによりレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、レジスト膜が形成された基板Ｓを露光機に搬入し、レジスト膜を露光して潜像を形成する露光工程、露光されたレジスト膜に現像液を供給して潜像を現像する現像工程が含まれる。これらの工程のなかで、たとえば、レジスト塗布処理の前および露光処理の前などに、基板Ｓの冷却処理が行われる。図１の装置は、いずれの冷却処理にも適用可能であるが、たとえば、レジスト塗布後にレジストを乾燥させるプリベーク処理などのような加熱処理が施された後の基板Ｓを冷却する場合に、とくに有利に用いることができる。
【００２９】
具体的構成について説明すると、この基板冷却装置は、隔壁１０で区画されたほぼ直方体形状の処理室１１内に、処理対象の基板Ｓよりも若干大きめのクーリングプレート１２（基板冷却体）を有している。このクーリングプレート１２は、ほぼ水平な表面１２Ａを有し、この表面１２Ａには、基板Ｓの中央部を吸着して冷却する吸着部５１と、この吸着部５１の周囲において、表面１２Ａとの間に一定の間隙（０．１〜５ｍｍ）を設けて基板Ｓの下面を支持する間隙部５２とが設けられている。
【００３０】
クーリングプレート１２の内部には、冷却水経路１４が形成されており、この冷却水経路１４に、温調水ユニット１５からの温度調整された冷却水（たとえば２３℃。すなわち室温）が供給され、冷却水経路１４を出た冷却水は再び温調水ユニット１５に帰還されるようになっている。
【００３１】
クーリングプレート１２を上下方向に貫通するように複数本のリフトピン１６が配置されており、このリフトピン１６と、このリフトピン１６を昇降するエアシリンダなどを含む昇降駆動機構１７とによって、基板Ｓをクーリングプレート１２の表面１２Ａに対して近接／離隔させる近接／離隔機構が構成されている。リフトピン１６は、その上端に基板Ｓを支持することができ、昇降駆動機構１７による昇降によって、基板Ｓを、図外の基板搬送ロボットとの間での基板受け渡しのための基板受け渡し高さ（二点鎖線の位置）に支持できる他、クーリングプレート１２の表面１２Ａよりも下方にその上端を埋没させることにより、基板Ｓを表面１２Ａ上に載置することができる（実線の位置）。
【００３２】
基板搬送ロボットが対向可能な前面隔壁１０Ａには、基板受け渡し高さに対応する位置に、基板通過口１９が形成されており、この基板通過口１９を開閉するためのシャッタ機構２０が設けられている。このシャッタ機構２０は、基板通過口１９を閉塞することができるシャッタ板２１と、このシャッタ板２１を、基板通過口１９を閉塞した閉成位置と、基板通過口１９を開放した開成位置との間で移動させるシャッタ駆動機構２２とを有している。シャッタ板２１を開成位置として基板通過口１９を開放した状態では、基板搬送ロボットの基板保持ハンドは、処理室１１内に入り込んで、リフトピン１６との間で基板Ｓの授受を行うことができる。
【００３３】
前面隔壁１０Ａに対向する後面隔壁１０Ｂは、大略的にホーン形状に形成されており、そのほぼ中央部には、排気口３０が形成されている。この排気口３０には、排気ダクト３１の一端が接続されている。そして、この排気ダクト３１の途中部に介装された排気弁３３を開閉することにより、必要に応じて、処理室１１内の雰囲気の排気を行えるようになっている。
【００３４】
上記温調ユニット１５、昇降駆動機構１７、シャッタ駆動機構２２および排気弁３３の開閉などは、マイクロコンピュータなどを備えた制御装置３５によって制御される。
【００３５】
図２は、クーリングプレート１２による基板Ｓの保持構造を示す拡大断面図であり、図３は、クーリングプレート１２の平面図である。クーリングプレート１２は、基板Ｓとほぼ相似形で、かつ、この基板Ｓよりも大きな長方形の表面１２Ａを備えている。このクーリングプレートの表面１２Ａの中央付近には、平面視において基板Ｓとほぼ相似の長方形に構成された上記の吸着部５１が設けられており、その周辺のクーリングプレートの表面１２Ａ上の領域が間隙部５２となっている。吸着部５１は、その中心位置が、基板Ｓの中心位置とほぼ一致するように設けられている。
【００３６】
間隙部５２には、ほぼ球状のプロキシミティボール５３（間隙部材）が、たとえば格子状に複数個配列されている。これにより、間隙部５２においては、基板Ｓは、クーリングプレートの表面１２Ａとの間に一定の間隙δを保持した状態で、支持されていて、この間隙δは基板Ｓの全周に開放している。
【００３７】
一方、吸着部５１は、間隙部５２における表面１２Ａよりも、上記間隙δにほぼ等しい高さだけ突出し、間隙部５２における表面１２Ａとほぼ平行な基板吸着面５５を有している。この基板吸着面５５には、複数の吸着口５６が、たとえば格子状に配列されて、開口している。
【００３８】
吸着口５６は、クーリングプレート１２の内部に形成された吸着路５７を介して配管５８に接続されている。この配管５８は、真空源６１に接続されている吸着配管６２と、吸着解除用ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給源に接続された吸着解除配管６３との両方に接続されている。吸着配管６２には、吸着用バルブ６５が介装されており、吸着解除配管６３には、吸着解除バルブ６６が介装されていて、これらは、制御装置３５によって開閉制御されるようになっている。
【００３９】
一方、間隙部５２におけるクーリングプレート１２の表面１２Ａには、プロキシミティボール５３を避けた位置に、複数の排気口７０が、たとえば格子状に配列されて形成されている。クーリングプレート１２の内部には、これらの複数の排気口７０と連通した排気通路７１が形成されており、この排気通路７１は、排気管７２を介して適当な排気設備（図示せず）に接続されている。上記排気口７０、排気通路７１および排気管７２などが、換気手段を構成している。
【００４０】
この基板冷却装置の動作について概説すれば次のとおりである。
【００４１】
たとえば、図示しない加熱処理装置による加熱処理を受けた後の基板は、基板搬送ロボットによって、処理室１１内に搬入される。このとき、制御装置３５は、シャッタ駆動機構２２を制御してシャッタ板２１を開成させるとともに、昇降駆動機構１７を制御して、リフトピン１６を上昇させておく。基板搬送ロボットは、この上昇位置にあるリフトピン１６に、未処理の基板Ｓを置くことになる。
【００４２】
その後、制御装置３５は、吸着用バルブ６５を開成する。このとき、吸着解除バルブ６６は閉成状態に保持されている。
【００４３】
そして、制御装置３５は、昇降駆動機構１７を制御してリフトピン１６を下降させ、基板Ｓをクーリングプレート１２の表面１２Ａに近接させていき、この表面１２Ａの上に載置する。これにより、基板Ｓの中央部は基板吸着面５５に密接して支持され、基板Ｓの周辺部はプロキシミティボール５３によって、表面１２Ａから一定の間隙δを保持した状態で支持される。さらに、吸着部５１においては、吸着路５７などを介して、基板吸着面５５と基板Ｓとの間の空隙が減圧される。これにより、基板Ｓの中央部は、基板吸着面５５に吸着される。
【００４４】
この状態で、予め定めた所定時間（たとえば、４５秒）に渡って基板Ｓが冷却される。すなわち、基板Ｓの中央部においては、基板吸着面５５と基板Ｓとの間の熱伝導により、基板Ｓの熱が奪われる。また、基板Ｓの周辺部においては、クーリングプレート１２の表面１２Ａと基板Ｓの下面との間の雰囲気の換気によって、基板Ｓの熱が奪われる。
【００４５】
この冷却処理の際、基板Ｓの下面の冷却は、基板Ｓの上面の冷却よりもすみやかに進行するので、基板Ｓの上下面における熱収縮量の相違により、基板Ｓは、その中央部が浮き上がるように変形しようとする。ところが、基板Ｓの中央部のクーリングプレート１２から離反する方向への変位は、吸着部５１による基板Ｓの下面の吸着によって規制される。そのため、上記のような変形が生じることがなく、冷却処理中に、いわゆる基板の熱反りが生じるおそれはない。
【００４６】
一方、基板Ｓの周辺部を冷却する間隙部５２においては、排気口７０、排気路７１および排気管７２を介する排気が常時行われているので、基板Ｓとクーリングプレート１２の表面１２Ａとの間の空間の換気が行われることになる。そのため、この空間に熱雰囲気が滞留することを効果的に防止できるので、基板Ｓの冷却を効率的に行える。
【００４７】
上記所定時間の冷却処理の後には、制御装置３５は、吸着用バルブ６５を閉成し、代わって、吸着解除バルブ６３を開成する。これにより、吸着路５７などを介して、吸着口５６に窒素ガスが供給され、吸着部５１における基板Ｓの吸着が解除される。
【００４８】
その後、制御装置３５は、昇降駆動機構１７を制御してリフトピン１６を上昇させ、基板Ｓを基板受け渡し高さに導く。そして、シャッタ板２１が開成され、基板通過口１９を介して、基板搬送ロボットに冷却処理後の基板Ｓが受け渡される。
【００４９】
この実施形態の基板冷却装置によって冷却された基板の温度分布を、図４の曲線Ｌ１に示す。この図４において、曲線Ｌ０は、従来の装置による基板冷却処理を受けた基板の温度分布を示している。この図４から、この実施形態により、基板Ｓの温度分布の均一性が格段に向上されていることが理解される。すなわち、従来技術により処理された基板の中央部と周縁部との温度差ΔＴ１（図６参照）に比較して、この実施形態により処理された基板Ｓの中央部と周縁部との温度差ΔＴ２は、格段に小さい。
【００５０】
以上のようにこの実施形態によれば、基板Ｓの中央部を吸着部５１によって吸着しているので、基板Ｓの熱反りを防止できる。これにより、基板Ｓの全域を均一に加熱することができるので、冷却処理後の基板Ｓの温度分布の均一性を向上できる。しかも、冷却処理中、基板の全域をクーリングプレート１２の表面１２Ａに確実に近接させておくことができるので、冷却効率が良く、冷却処理時間を短縮することができる。
【００５１】
また、基板Ｓの中央部を吸着部５１に吸着させていることにより、熱が籠もりやすく温度の高い基板Ｓの中央部の冷却を確実に行うことができ、このことが、基板Ｓの温度均一性を向上する他の要因となっている。
【００５２】
また、基板Ｓの中央部の比較的小さい面積部分を吸着するようにしているため、基板Ｓとの接触面積が大きくなることがなく、基板Ｓを剥離する際の剥離帯電に起因する静電破壊や周辺機器への悪影響の問題が生じることがない。
【００５３】
この発明の一実施形態について説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上述の実施形態では、水冷式のクーリングプレート１２について説明したが、他にも、電子冷熱素子（ペルチエ素子など）によって吸熱を行う方式のクーリングプレートを用いることもできる。
【００５５】
また、上述の実施形態では、液晶表示装置用ガラス基板に対するフォトリソグラフィ工程における冷却処理に本発明が適用された例について説明したが、この発明は、半導体ウエハなどの他の種類の基板に対する処理にも適用でき、また、フォトリソグラフィ工程以外の工程における基板冷却処理に対しても適用することができる。
【００５６】
たとえば、円形の半導体ウエハＷに本発明が適用される場合には、図５に示すように、円形のクーリングプレート８０の中央部に、半導体ウエハＷの外形とほぼ相似形である円形の吸着部８１をウエハＷとほぼ同心に配置するとともに、その周辺部に間隙部８２を配置することが好ましい。８３は、半導体ウエハＷの下面を支持するほぼ球状のプロキシミティボールである。
【００５７】
処理される基板の中央部に対応して設けられる吸着部は、その基板の外形と相似形であることが好ましいが、必ずしもその基板の外形と相似形である必要はなく、角型の基板の吸着部が円形であってもよいし、円形の基板の吸着部が角型であってもよい。ただし、処理対象の基板の外形と相似形の吸着部を備えることによって、基板の中央から臨むあらゆる方向に関する基板冷却処理を均一に行えるから、基板の温度均一性をさらに向上できる。
【００５８】
上記の実施形態では、間隙部５２にプロキシミティボール５３を配設して基板Ｓとクーリングプレートの表面１２Ａとの間隙を規定している。
【００５９】
これにより、間隙部５２における基板Ｓとクーリングプレート１２の表面１２Ａとの間隙を各部で一定にできるとともに基板Ｓの全周に間隙を開放できるから、基板Ｓの温度分布の均一性を高めることができる。
【００６０】
なお、本明細書でいう基板の近接とは、クーリングプレートの表面に対して基板を直接接触させて近接させること、およびクーリングプレートの表面に対して基板を所定の間隙をもって近接させることの両方を含む。
【００６１】
上記の他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態の基板熱処理装置である基板冷却装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図２】上記基板冷却装置のクーリングプレートによる基板の保持構造を示す拡大断面図である。
【図３】上記クーリングプレートの平面図である。
【図４】冷却処理後の基板の温度分布を示すグラフである。
【図５】半導体ウエハを冷却する装置にこの発明が適用された例を示すクーリングプレートの平面図である。
【図６】従来技術の問題点を説明するための図である。
【図７】従来技術による基板冷却処理を受けた基板の温度分布を示すグラフである。
【符号の説明】
１２    クーリングプレート
１２Ａ  クーリングプレートの表面
５１    吸着部
５２    間隙部
５３    プロキシミティボール
５５    基板吸着面
５６    吸着口
７０    排気口
８０    クーリングプレート
８１    吸着部
８２    間隙部
８３    プロキシミティボール
【図１】
0003803487.tif 000002
【図２】
0003803487.tif 000003
【図３】
0003803487.tif 000004
【図４】
0003803487.tif 000005
【図５】
0003803487.tif 000006
【図６】
0003803487.tif 000007
【図７】
0003803487.tif 000008