(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイド及び該ソレノイドへの通電電流に応じて変位する可動体を有する比例ソレノイドバルブと、車体と車軸との間に伸縮自在に介装されて可動体の変位に応じた減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバと、所望の減衰力に対応した指令電流に重畳され該指令電流と共に前記通電電流を構成するディザ電流を発生するディザ発生手段とを備え、前記可動体を前記指令電流に応じた位置で、前記ディザ電流に応じた振幅で振動させるサスペンション制御装置であって、
前記通電電流に対する前記ショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域における前記指令電流に重畳するディザ電流の振幅を、減衰力の変化が小さい領域における前記指令電流に重畳するディザ電流の振幅に比べ小さい値に設定するディザ振幅設定手段を設けたことを特徴とするサスペンション制御装置。
【請求項２】
ソレノイド及び該ソレノイドへの通電電流に応じて変位する可動体を有する比例ソレノイドバルブと、車体と車軸との間に伸縮自在に介装されて可動体の変位に応じた減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバと、所望の減衰力に対応した指令電流に重畳され該指令電流と共に前記通電電流を構成するディザ電流を発生するディザ発生手段とを備え、前記可動体を前記指令電流に応じた位置で、前記ディザ電流に応じた周波数で振動させるサスペンション制御装置であって、
前記通電電流に対する前記ショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域で、前記指令電流に重畳するディザ電流の周波数を大きい値に設定すると共に、前記減衰力の変化が大きい領域を除く他の領域で、前記ディザ電流の周波数を小さい値に設定するディザ周波数設定手段を設けたことを特徴とするサスペンション制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車等に用いられるサスペンション制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のサスペンション制御装置の一例として、ソレノイドへの通電電流に応じて変位する可動体（スプール）を有しこの可動体の変位に応じて油液の通過量を調整する比例ソレノイドバルブと、車体と車軸との間に介装されて前記通電電流、ひいては可動体の変位に応じた大きさの減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバと、車体の上下方向の加速度を検出する加速度センサとを備え、加速度センサの検出値に基づいて通電電流（出力電流）の大きさを決めて、所望の大きさの減衰力（伸び側、縮み側の減衰力）を発生し、車両ばね上の揺れを抑制し快適な乗り心地を確保する装置がある。この装置に適用されるショックアブソーバとして、図１０に示すように縮み側の減衰力が小さい値の場合、伸び側の減衰力が大きい値から小さい値に変化し、伸び側の減衰力が小さい値の場合、縮み側の減衰力が小さい値から大きい値に変化する、いわゆる減衰力反転タイプがある。
【０００３】
さらに、この装置では、通電電流を、加速度センサの検出値から定まる所望の大きさの指令電流（目標電流、通電電流の平均値）と、ＰＷＭ信号に基づいて得られる比較的高い（ＰＷＭ信号に比しては低い）周波数の電流（ディザ振動）との重畳により構成し、可動体を所定位置を中心にして微振動（ディザ）させておき、可動体の変位を容易に行って減衰力調整の応答性等を向上するようにしている。この場合、ディザ振動は、例えば次のようにして得るようにしている。
【０００４】
すなわち、ソレノイドと電源との間に介装されたスイッチング手段（トランジスタ）をＰＷＭ信号に応じてオン・オフするように設ける。この際、ソレノイドに流れる電流は、過渡現象によりＰＷＭ信号のＨレベル時（例えばデューティ比７５％で、この場合ＰＷＭ信号の周期の７５％分トランジスタをオンさせて、２５％分トランジスタをオフさせる。）には逓増し、続くＬレベル時（例えばデューティ比２５％で、この場合ＰＷＭ信号の周期の２５％分トランジスタをオンさせて、７５％分トランジスタをオフさせる。）には逓減する。この場合、例えば図９に示すように、ＰＷＭ信号のデューティ比を増加させると（Ａ区間）、逓増割合（トランジスタオン時間がＰＷＭ信号周期の７５％）が逓減割合（トランジスタオフ時間がＰＷＭ信号周期の２５％）に比して大きくなり、ソレノイドに流れる電流（通電電流）はＰＷＭ信号の周期毎に増加することになる（この際のデューティ比を、以下、便宜上、上昇デューティ比という。）。
【０００５】
また、ＰＷＭ信号のデューティ比を減少させると（Ｂ区間）、逓減割合（トランジスタオフ時間がＰＷＭ信号周期の７５％）が逓増割合（トランジスタオン時間がＰＷＭ信号周期の２５％）に比して大きくなり、ソレノイドに流れる電流はＰＷＭ信号の周期毎に減少することになる（この際のデューティ比を、以下、便宜上、下降デューティ比という。）。そして、ＰＷＭ信号のデューティ比をデューティ比増減切換え周期（ディザ電流の一周期の１／２）毎に上昇デューティ比、下降デューティ比に、切換えることにより、比較的高い（ＰＷＭ信号に比しては低い）周波数（デューティ比増減切換え周期の２倍）で所定振幅のディザ電流が得られ、このディザ電流の平均値が指令電流（目標電流）となるように、ＰＷＭ信号を調整する。そして、可動体の位置を変化させる初期または終了段階において上昇デューティ比と下降デューティ比の差を大きくしたり、また、Ａ区間とＢ区間の時間を長くすることによりディザ振幅を大きくすることができる。前記ディザ振動の振幅、周波数を、以下、便宜上、それぞれディザ振幅、ディザ周波数という。
【０００６】
このサスペンション制御装置では、図１０に示すように、ディザ振幅Ｄ、ディザ周波数ｆ0 を一定に設定し、かつあらかじめ定めた指令電流領域Ｓ（ショックアブソーバの減衰力の領域）内で、減衰力に対応した大きさの指令電流を変化させることにより、所望の大きさの電流（通電電流）をソレノイドに供給し、図１０の上段部に示すような減衰力を発生するようにしている。
【０００７】
図１０において、指令電流領域Ｓ2 は、縮み側の減衰力が小さい値で伸び側の減衰力が大きい値から小さい値に所定の割合で変化し、かつ指令電流（通電電流）が比較的小さい領域（以下、便宜上、第２領域という。）を示す。また、指令電流領域Ｓ4 は、伸び側の減衰力が小さい値で縮み側の減衰力が小さい値から大きい値に所定の割合で変化し、かつ指令電流（通電電流）が比較的大きい領域（以下、便宜上、第４領域という。）を示す。そして、第２領域Ｓ2 に比して指令電流（通電電流）が小さい領域を第１領域Ｓ1 とし、第２領域Ｓ2 と第４領域Ｓ4 との間の領域を第３領域Ｓ3 とし、第４領域Ｓ4 に比して指令電流（通電電流）が大きい領域を第５領域Ｓ5 とする。
【０００８】
そして、前記第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 においては、他の領域（第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 ）に比して、ソレノイドに供給される電流（通電電流）の変化に対する減衰力変動幅（減衰力の変化量）が大きくなっている。この例では、第２領域Ｓ2 の減衰力変動幅ＦR が第４領域Ｓ4 の減衰力変動幅ＦC に比して大きく（ＦR ＞ＦC ）なるように設定されている。ここで、第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 の指令電流を便宜上、以下、それぞれＩR ，ＩC という。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したサスペンション制御装置では、一定の振幅Ｄ、一定の周波数ｆ0 のディザ電流を指令電流に重畳してソレノイドに供給する電流を得るようにしているので、指令電流（通電電流）が例えば第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 内の大きさの電流であると、微振動（ディザ）によってショックアブソーバの減衰力の変化量が他の領域（第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 ）に比して、より大きくなる。そして、例えば第２領域Ｓ2 の減衰力変動幅ＦR や第４領域Ｓ4 の減衰力変動幅ＦC が所定値（許容最大減衰力変動幅）ＦMAX に比して大きい（ＦR ＞ＦC ＞ＦMAX ）場合には、不要な音や振動を発生させたり、目標とする減衰力が得られないということが起こり得た。
【００１０】
この問題点に対して、ディザ振幅を小さい値に設定したり、あるいはディザ周波数を大きい値に設定すると、音や振動は小さくなるものの、減衰力のヒステリシスの増大（応答性の悪化）を招き、良好な乗り心地を損ねてしまうという問題を惹起する虞があった。
【００１１】
ここで、減衰力のヒステリシスとは、次のことをいう。すなわち、同等の大きさの減衰力を得る際に、減衰力を大きくするときと、小さくするときとで、ソレノイドに必要とされる電流が異なり、電流を横軸、減衰力を縦軸にして、減衰力−電流波形を描くと、略平行四辺形の環状の曲線（ヒステリシス）となる。そして、このヒステリシスの大きさ（例えば、同等減衰力を得るために減衰力を大きくするときに必要とされる電流と、小さくするときに必要とされる電流との差分電流）は極力小さいことが望まれる。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ヒステリシスの増加を最小限に抑えて音や振動の発生の防止を図ることができるサスペンション制御装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、ソレノイド及び該ソレノイドへの通電電流に応じて変位する可動体を有する比例ソレノイドバルブと、車体と車軸との間に伸縮自在に介装されて可動体の変位に応じた減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバと、所望の減衰力に対応した指令電流に重畳され該指令電流と共に前記通電電流を構成するディザ電流を発生するディザ発生手段とを備え、前記可動体を前記指令電流に応じた位置で、前記ディザ電流に応じた振幅で振動させるサスペンション制御装置であって、前記通電電流に対する前記ショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域における前記指令電流に重畳するディザ電流の振幅を、減衰力の変化が小さい領域における前記指令電流に重畳するディザ電流の振幅に比べ小さい値に設定するディザ振幅設定手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の発明は、ソレノイド及び該ソレノイドへの通電電流に応じて変位する可動体を有する比例ソレノイドバルブと、車体と車軸との間に伸縮自在に介装されて可動体の変位に応じた減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバと、所望の減衰力に対応した指令電流に重畳され該指令電流と共に前記通電電流を構成するディザ電流を発生するディザ発生手段とを備え、前記可動体を前記指令電流に応じた位置で、前記ディザ電流に応じた周波数で振動させるサスペンション制御装置であって、
前記通電電流に対する前記ショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域で、前記指令電流に重畳するディザ電流の周波数を大きい値に設定すると共に、前記減衰力の変化が大きい領域を除く他の領域で、前記ディザ電流の周波数を小さい値に設定するディザ周波数設定手段を設けたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態のサスペンション制御装置を図１ないし図５に基づいて説明する。図１において、サスペンション制御装置は、バッテリ（電源）１に一端側が接続されたソレノイド２及びソレノイド２への通電電流に応じて変位する可動体（スプール）３を有しこの可動体３の変位に応じて油液４の通過量を調整する比例ソレノイドバルブ５と、車体（図示省略）と車軸（図示省略）との間に介装されて前記通電電流、ひいては可動体３の変位に応じた大きさの減衰力を発生する減衰力可変型のショックアブソーバ６と、車体の上下方向の加速度を検出する加速度センサ７と、ソレノイド２の他端側に接続されたコントローラ８とから大略構成されている。
【００１６】
コントローラ８は、ソレノイド２の他端部と、接地部９との間にこの順で介装されるトランジスタ１０、シャント抵抗１１とを有し、トランジスタ１０によって電流を可変制御してソレノイド２に通電電流を流すようにしている。この場合、通電電流は、後述するようにして、通電電流の平均値に相当する指令電流と、この指令電流に重畳されるディザ電流とから構成し、指令電流に応じた部分に可動体３を位置させて、ショックアブソーバ６に所望の減衰力を発生させると共に、該位置においてディザ電流に応じて可動体３を微振動（ディザ）させ、可動体３、ひいてはショックアブソーバ６の減衰力変更の応答性を向上するようにしている。
【００１７】
コントローラ８は、更に、加速度センサ７の検出信号に応じて所望の減衰力を得るための指令電流を求めて後述のディザ調整回路１３及び加算回路１４に出力すると共に、所定の大きさの振幅のディザ電流をディザ調整回路１３に出力するＣＰＵ（ディザ発生手段）１２と、ＣＰＵ１２から出力されたディザ電流の振幅を後述するように調整するディザ調整回路（ディザ振幅設定手段）１３と、ディザ調整回路１３の出力信号及びＣＰＵ１２から出力された指令電流を加算する加算回路１４と、加算回路１４の出力値に対してシャント抵抗１１の端子電圧値（検出値）をフィードバックしてトランジスタ制御信号を求める電流フィードバック回路１５とを備え、このトランジスタ制御信号でトランジスタ１０を制御することにより、指令電流にディザ電流が重畳された通電電流をソレノイド２に流すようにしている。
【００１８】
前記ディザ調整回路１３は、実験であらかじめ求めた図５の下段部に示すような指令電流−ディザ振幅データ（マップ）を格納している。この指令電流−ディザ振幅データは、ショックアブソーバ６が図５の上段部のような指令電流（通電電流）−減衰力特性を有することに基づいて、次のように求められている。
すなわち、本実施の形態では、指令電流が、第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 の範囲に入る場合、ディザ電流の振幅（ディザ振幅）を小さい値に設定している。例えば、指令電流が第２領域Ｓ2 内の大きさの場合、ディザ振幅をＤR1（ＤR1＜Ｄ）に設定し、ディザ振幅ＤR1に対応する減衰力変動幅ＦR1が所定値ＦMAX （図１０参照）に比して小さく（ＦR1＜ＦMAX ）なるようにする。また、指令電流が第４領域Ｓ4 内の大きさの場合、ディザ振幅をＤC1（ＤC1＜Ｄ）に設定し、ディザ振幅ＤC1に対応する減衰力変動幅ＦC1が所定値ＦMAX に比して小さく（ＦC1＝ＦR1＜ＦMAX ）なるようにしている。
なお、図５上段部には、ディザ振幅ＤR1に対応して減衰力変動幅がＦR1となること及びディザ振幅ＤC1に対応して減衰力変動幅がＦC1となることを、それぞれ指令電流ＩR 、指令電流ＩC に対応させて示している。なお、ここで、減衰力変動幅がＦC1＝ＦR1＜ＦMAX となるように設定したが、第４領域Ｓ4 の減衰力の変化の割合（減衰力の変化量）が第２領域Ｓ2 のそれに対して小さいので、ＦC1＜ＦR1＜ＦMAX となるように設定してもよい。
【００１９】
そして、ディザ調整回路１３は、図５の指令電流−ディザ振幅データ（マップ）を後述するように利用し、ＣＰＵ１２、加算回路１４、電流フィードバック回路１５と協働して、以下のように演算処理しディザ電流の振幅を調整するようにしている。
【００２０】
ここで、ディザ調整回路１３、ＣＰＵ１２、加算回路１４、及び電流フィードバック回路１５の演算処理内容を、図２及び図３に基づいて説明する。
まず、イニシャライズを行い（ステップS1）、制御周期ｔms経過したか否かの判定をYES と判定するまで行う（ステップS2）。ステップS2でYES と判定すると、前制御周期で算出された信号に基づいてソレノイド２を駆動する（ステップS3）。
ステップS3に続いて、ソレノイド２以外の部材、部分（ＬＥＤ等）に出力する（ステップS4）。
【００２１】
次のステップS5で加速度センサ７の検出値が入力される。続くステップS6で、ステップS5で読み込まれた加速度センサ７の検出値に基づいて、車体の制振に必要な減衰力及びこの減衰力を発生させるために必要な指令電流（通電電流の平均値）を求める。続くステップS7では、ディザ調整回路１３がディザ電流設定処理（サブルーチン）を行う。
【００２２】
このディザ電流設定サブルーチンを図３に基づいて説明する。
まず、ステップS6で求めた指令電流に基づき、図５の下段部のマップからディザ電流の振幅を算出する（ステップS10 ）。次のステップS11 でＩ＝（ディザ振幅）／２の演算を行ない、ディザ電流の平均値を求める。続いてステップS12 で、次式（１）を演算して、通電電流（出力電流）ＩOUT （指令電流にディザ電流の平均値を加算することにより、指令電流を中心としたディザ振幅が重畳されたもの）を求める。
【００２３】
ＩOUT ＝（指令電流値）＋Ｉ  …  （１）
【００２４】
そして、次の制御周期のステップS3で通電電流（出力電流）ＩOUT を出力し、最終的に出力される通電電流（出力電流）ＩOUT の平均値が指令電流となるようにトランジスタ１０を制御し、図４のような通電電流（出力電流）ＩOUT を得る。
【００２５】
上述したように構成したサスペンション制御装置では、ステップS10 の処理を行い、ソレノイドへの通電電流の変化に対するショックアブソーバの減衰力の変化が大きいとき（即ち、第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 のとき）、指令電流に重畳するディザ電流の振幅（ディザ振幅）を小さい値〔ＤR1（ＤR1＜Ｄ）、またはＤC1（ＤC1＜Ｄ）〕に設定するので、減衰力変動幅は小さくなる〔第２領域Ｓ2 においては減衰力変動幅ＦR1（ＦR1＜ＦMAX ）、第４領域Ｓ4 においては減衰力変動幅ＦC1（ＦC1＜ＦMAX ）となる〕。このため、従来技術で発生したショックアブソーバの音や振動を招くことが抑制される。この場合、通電電流に対する減衰力の変化が大きい領域のみについてディザ振幅を小さくするので、減衰力のヒステリシスの増大（応答性の悪化）を必要最小限に抑えることができる。
【００２６】
次に、本発明の第２実施の形態のサスペンション制御装置を図６ないし図８に基づいて説明する。なお、図１ないし図５、図１０及び図９に示す部分、部材と同等の部分、部材についての説明、図示は、適宜、省略する。
【００２７】
第２の実施の形態のディザ調整回路（ディザ周波数設定手段）１３Ａは、実験であらかじめ求めた図８の下段部に示すような指令電流−ディザ周波数データ（マップ）を格納している。この指令電流−ディザ周波数データは、ショックアブソーバ６が図８の上段部のような指令電流（通電電流）−減衰力特性を有することに基づいて、次のように求められている。
【００２８】
すなわち、本実施の形態では、指令電流が第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 内の大きさの場合、ディザ電流の周波数（ディザ周波数）を上述した従来技術のディザ周波数ｆ0 に比して大きいディザ周波数ｆd ，ｆc （ｆd ＞ｆc ＞ｆ0 ）に設定する一方、指令電流が第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 内の大きさの場合、従来技術のディザ周波数ｆ0 に比して小さいディザ周波数ｆt （ｆt ＜ｆ0 ）に設定している。
【００２９】
なお、ディザ電流を用いたサスペンション制御装置では、一般に指令電流にディザ電流を重畳することにより、減衰力のヒステリシスを小さくするようにしているが、ディザ周波数に応じてヒステリシス低減効果が異なり、周波数が低い程ヒステリシス低減効果が大きくなる（ヒステリシスを、より小さくできる）特性を有することが知られている。そして、本実施の形態のサスペンション制御装置は、この特性に基づいて、上述したように通電電流に対する減衰力の変化が大きい領域（第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 ）で、ディザ電流の周波数（ディザ周波数）を大きい値（それぞれｆd ，ｆc 〔ｆd ＞ｆc ＞ｆ0 〕）にすると共に、減衰力の変化が大きい領域（第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 ）を除く他の領域（第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 ）でディザ周波数を小さい値（ｆt 〔ｆt ＜ｆ0 〕）にするようにしている。
【００３０】
そして、ディザ調整回路１３Ａは、図８の指令電流−ディザ周波数データ（マップ）を後述するように利用し、ＣＰＵ１２、加算回路１４、電流フィードバック回路１５と協働して、以下のように演算処理しディザ電流の周波数を調整するようにしている。
【００３１】
この第２の実施の形態では、コントローラ８は、第１の実施の形態が実行する図３のディザ電流設定サブルーチンに代えて、図７のディザ電流設定サブルーチンを実行するものになっている。
図７のサブルーチンは、図３のサブルーチンに比して、ステップS10 に代えてステップS10Aを実行することが異なっている。このステップS10Aでは、ステップS6で求めた指令電流に基づき図８の下段部のマップからディザ周波数を算出する。
【００３２】
上述したように構成したサスペンション制御装置では、ステップS10Aの処理（図８の下段部の指令電流−ディザ周波数データからのディザ周波数の算出）を行い、指令電流が、減衰力の変化が大きい領域（第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 ）内の大きさの場合、ディザ電流の周波数（ディザ周波数）を大きい値（それぞれｆd ，ｆc 〔ｆd ＞ｆc ＞ｆ0 〕）にする一方、指令電流が、減衰力の変化が大きい領域（第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 ）を除く他の領域（第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 ）内の大きさの場合、ディザ周波数を小さい値（ｆt 〔ｆt ＜ｆ0 〕）にする。
【００３３】
上述したようにソレノイドへの通電電流の変化に対する減衰力の変化が大きくて、音や振動が発生しやすい第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 では、ディザ周波数が大きい値（それぞれｆd ，ｆc 〔ｆd ＞ｆc ＞ｆ0 〕）に設定されることにより、比例ソレノイドバルブ５の可動体３の動きが抑制（可動体３の追従性が抑制）されて、その分、音や振動の発生が防止されることになる。一方、指令電流が第１、第３、第５領域Ｓ1 ，Ｓ3 ，Ｓ5 内にある場合には、ディザ周波数が小さいことにより、可動体３が動きやすくなり（可動体３の追従性が向上）、ひいては応答性が良くなる（ヒステリシスが小さくなる。すなわち、ヒステリシスの低減効果が大きくなる。）。このため、ショックアブソーバの減衰力の領域全体として、ヒステリシスの増加を最小限に抑えて音や振動の発生の防止を図ることができる。
【００３４】
なお、本実施の形態では、指令電流の各領域における周波数の大きさの関係をｆd ＞ｆc ＞ｆ0 ＞ｆt となるように設定していたが、減衰力の変化が大きい領域（第２、第４領域Ｓ2 ，Ｓ4 ）において、音や振動の発生が防止できるのであれば、周波数の大きさの関係はｆd ＝ｆc ＞ｆ0 ＞ｆt または、ｆc ＞ｆd ＞ｆ0 ＞ｆt であっても構わない。
【００３５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明は、ソレノイドへの通電電流に対するショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域における指令電流に重畳するディザ電流の振幅を、減衰力の変化が小さい領域における指令電流に重畳するディザ電流の振幅に比べ小さい値に設定するので、比例ソレノイドバルブのスプールが動きにくくなり、音や振動の発生を抑制できる。
【００３６】
請求項２記載の発明は、ソレノイドへの通電電流の変化に対するショックアブソーバの減衰力の変化が大きい領域で、指令電流に重畳するディザ電流の周波数を大きい値に設定することにより、比例ソレノイドバルブの可動体が動きにくくなって、その分、音や振動の発生が防止されると共に、減衰力の変化が大きい領域を除く他の領域でディザ電流の周波数を小さい値に設定することにより、比例ソレノイドバルブの可動体が動きやすくなってヒステリシスが小さくなる（応答性が良くなる）。このため、ショックアブソーバの減衰力の領域全体として、ヒステリシスの増加を最小限に抑えて音や振動の発生の防止を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のサスペンション制御装置を模式的に示す図である。
【図２】図１のコントローラの演算処理内容を示すフローチャートである。
【図３】図２のフローチャートのディザ電流設定処理サブルーチンを示すフローチャートである。
【図４】図１の装置の指令電流、ディザ電流及び出力電流の対応関係を模式的に示す図である。
【図５】図１の装置の電流変化に対する減衰力変動特性とこの減衰力変動特性に対応する指令電流−ディザ振幅マップを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態のサスペンション制御装置を模式的に示す図である。
【図７】図６のコントローラの演算処理内容を示すフローチャートである。
【図８】同第２の実施の形態の作用を示す図である。
【図９】ＰＷＭ信号とディザ振動との関係を模式的に示す波形図である。
【図１０】電流変化に対する減衰力変動特性を示す図である。
【符号の説明】
２    ソレノイド
３    可動体
５    比例ソレノイドバルブ
６    ショックアブソーバ
８    コントローラ
１２  ＣＰＵ（ディザ発生手段）
１３  ディザ調整回路（ディザ振幅設定手段）
１３Ａディザ調整回路（ディザ周波数設定手段）
【図１】
0003855209.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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