(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法において、
前記基板ステージに配された第１の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さを計測する第１の計測段階と、
前記基板ステージに配された、前記第１の基板とは異なる第２の基板に関し、該基板上の１箇所の高さを計測する第２の計測段階と、
前記第１の計測段階で計測された複数箇所それぞれの高さの情報、および前記第２の計測段階で計測された１箇所の高さの情報に基づいて、前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する算出段階と、
前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記算出段階で算出された前記駆動量に基づき、前記基板ステージを高さ方向に駆動する駆動段階と、
前記駆動段階での前記基板ステージの駆動により移動したアライメントマークを、前記顕微鏡を介して検出する検出段階と
を有することを特徴とする検出方法。
【請求項２】
前記第１の計測段階での計測結果に基づき前記基板ステージの傾きを求める段階をさらに有し、
前記算出段階において、前記基板ステージの傾きの情報、前記１箇所の高さの情報、および前記第２の基板上のアライメントマークのあるべき位置の情報に基づいて、前記駆動量を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の検出方法。
【請求項３】
前記第１の計測段階において、前記第１の基板に設けられた複数のアライメントマークそれぞれの高さを計測し、
前記第２の計測段階において、前記第２の基板に設けられた複数のアライメントマークのうち、１つのアライメントマークの高さを計測し、
前記算出段階において、前記第１の計測段階で計測された複数のアライメントマークそれぞれの高さの情報、および前記第２の計測段階で計測された１つのアライメントマークの高さの情報に基づいて、前記第２の基板に設けられた他のアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の検出方法。
【請求項４】
前記第１および第２の基板は、同じ処理工程を経た同じロットに属する基板であることを特徴とする請求項３に記載の検出方法。
【請求項５】
基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された基板の高さを計測する計測手段と、
顕微鏡を含み、前記基板ステージに保持された基板に設けられたアライメントマークの位置を検出する検出手段と、
前記基板ステージ、前記計測手段、および前記検出手段の動作を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された第１の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さの情報を得、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された、前記第１の基板とは異なる第２の基板に関し、該基板上の１箇所の高さの情報を得、
前記複数箇所それぞれの高さの情報、および前記１箇所の高さの情報に基づいて、前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出し、
前記駆動量の情報に基づき、前記基板ステージを高さ方向に移動させ、
前記駆動量の情報に基づく前記基板ステージの移動により移動した前記アライメントマークの位置を前記検出手段に検出させる
ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法、基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置、および該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１に半導体露光装置のー例を示す。該半導体露光装置の位置合わせはプリアライメント工程と精密アライメント工程の二工程から成る。
プリアライメント工程では顕微鏡７によりアライメントマークの検出を行なうのだが、この際顕微鏡７のベストフォーカス位置にθＺステージ１４を駆動するためには、θＺステージの駆動再現性のバラツキやウエハ厚のバラツキが存在するため、１枚毎にフォーカス計測をする必要がある。従ってプリアライメント工程ではまずウエハ１２はθＺステージ１４によって吸着保持された状態でＸＹステージ１５により投影レンズ２下に移動し、フォーカス光源ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニット５およびフォーカス制御装置６からなるフォーカス検出系によりウエハ１２の表面高さを計測する。その後ＸＹステージ１５によりウエハ１２を顕微鏡７の下に移動して、該計測した高さからアライメントマーク検出時のウエハ１２表面の位置が顕微鏡７のべストフォーカス位置を算出し、該算出したべストフォーカス位置にθＺステージ１４を駆動してウエハ１２上のアライメントマークを検出しウエハ１２のずれ量を算出し位置合わせを行なう。
【０００３】
プリアライメント工程終了後にθＺステージ１４から微小θＺステージ１３にウエハ１２を受け渡し、前記フォーカス検出系と同じ検出領域を持つ不図示の高倍顕微鏡により精密な位置合わせ工程を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】
図２に図１の半導体露光装置のウエハステージの詳細を示す。このウエハステージは、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４およびＸＹステージ１５により構成される。θＺステージ１４は微小θＺステージ１３とは独立して駆動できる構造になっており、該ウエハステージ上へウエハ１２を供給する際にはθＺステージ１４が微小θステージ１３よりも高い位置に駆動され、ウエハ１２はθＺステージ１４に吸着保持される。このウエハ１２がθＺステージ１４に吸着保持された状態でプリアライメント工程を行なう。プリアライメントエ程が終了した後θＺステージ１４を下の方向に、微小θステージ１３を上の方向に駆動することによりウエハ１２は微小θステージ１３に受け渡されて吸着保持され、次の精密アライメント工程へ進む。
【０００５】
前記プリアライメント工程においてθＺステージ１４に吸着保持されたウエハ１２は、θＺステージ１４自体の傾き、θＺステージ１４の構造、ウエハ１２の自重によるたわみ、重ね焼き工程によるウエハ１２の変形などにより、ウエハ１２の表面高さを水平に保つことは困難である。図３にθＺステージ１４上のウエハ１２の状態を示す。このためアライメントマーク位置に依存してアライメントマーク検出時のベストフォーカス位置におけるθＺステージ１４のＺ位置が異なるため、プリアライメント工程内のフォーカス計測時には複数のアライメントマーク各々について高さを計測する必要がある。
【０００６】
図４に従来の方法によるプリアライメント工程のフローチャートを示す。以下に図４を用いて従来の方法によるプリアライメント工程を説明する。
まずステップＳ１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップＳ２において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したアライメントマークの高さを制御演算装置９に記憶する。次にステップＳ３において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳ１からステップＳ２の動作を繰り返す。ステップＳ３で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらステップＳ４に進みアライメントマークの位置計測を行なう。
【０００７】
ステップＳ４においてアライメントマーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はステップＳ１からステップＳ２において制御演算装置９に記憶したアライメントマークの高さを用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップＳ５において顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行なう。次にステップＳ６において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳ４からステップＳ５の動作を繰り返す。ステップＳ６で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアライメント工程を終了する。
【０００８】
以上説明した従来の方法では全アライメントマークのフォーカス計測を繰り返すために、プリアライメント工程の処理の効率を悪くしている。特に半導体露光装置のように大量のウエハを処理する装置においては処理能力を著しく損ねてしまう。
【０００９】
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑みてなされたもので、効率の良いアライメントマーク検出技術を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため本発明の検出方法は、基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法において、
前記基板ステージに配された第１の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さを計測する第１の計測段階と、
前記基板ステージに配された、前記第１の基板とは異なる第２の基板に関し、該基板上の１箇所の高さを計測する第２の計測段階と、
前記第１の計測段階で計測された複数箇所それぞれの高さの情報、および前記第２の計測段階で計測された１箇所の高さの情報に基づいて、前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する算出段階と、
前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記算出段階で算出された前記駆動量に基づき、前記基板ステージを高さ方向に駆動する駆動段階と、
前記駆動段階での前記基板ステージの駆動により移動したアライメントマークを、前記顕微鏡を介して検出する検出段階と
を有することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明の露光装置は、基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された基板の高さを計測する計測手段と、
顕微鏡を含み、前記基板ステージに保持された基板に設けられたアライメントマークの位置を検出する検出手段と、
前記基板ステージ、前記計測手段、および前記検出手段の動作を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された第１の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さの情報を得、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された、前記第１の基板とは異なる第２の基板に関し、該基板上の１箇所の高さの情報を得、
前記複数箇所それぞれの高さの情報、および前記１箇所の高さの情報に基づいて、前記第２の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出し、
前記駆動量の情報に基づき、前記基板ステージを高さ方向に移動させ、
前記駆動量の情報に基づく前記基板ステージの移動により移動した前記アライメントマークの位置を前記検出手段に検出させることを特徴とする。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とする。
【００１３】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
図１は、本発明の実施例の適用対象である半導体露光装置の概略ブロック図を示す。同図において、１はレチクル、２は縮小投影レンズ、３はフォーカス光源ユニット、４はミラー、５はフォーカス受光ユニット、６はフォーカス制御装置、７は顕微鏡、８は検出装置、９は制御演算装置、１０はＸＹθＺステージ制御装置、１１は操作端末、１２はウエハ、１３は微小θＺステージ、１４はθＺステージ、１５はＸＹステージである。フォーカス光源ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニット５およびフォーカス制御装置６は、フォーカス検出系を構成し、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４およびＸＹステージ１５はウエハステージを構成している。
【００１４】
図５に本発明の第ーの実施例に係るフローチャート、図６〜図８にウエハの傾きを説明するモデルを示す。
まず、図６〜図８を用いて１つのアライメントマークの高さから他のアライメントマークの高さを算出する方法について説明する。図６はθＺステージ１４上のウエハ１２の傾きを示す。図中ｘ方向の傾きをωｘ、ｙ方向の傾きをωｙで表わす。図７はウエハ上のアライメントマーク配置を示す。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはアライメントマーク、（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭの座標を表わす。図８に図７に示すウエハのＡ−Ａ’の断面図を示す。図中ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍはアライメントマークＭの高さを表わす。図６〜図８に示すウエハの傾きのモデルにおいてアライメントマークＭの高さｚｍをウエハ中心Ｃの高さｚｃを用いてｘ方向、ｙ方向のそれぞれにー次的に傾いていると近似して算出すると、
【００１５】
【数１】
0003815759.tif 000002
で表わされる。
【００１６】
ここで、近似式（１）中の前記ウエハ１２のＸ方向の傾きωｘおよびｙ方向の傾きωｙはθＺステージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演算装置９に記憶されている定数である。ωｘおよびωｙを求めるには、例えばガラスウエハ等の平面度が優れた基板をθＺステージ１４上に保持し、該基板上の３点の高さをフォーカス検出系３〜６により計測して算出する。すなわち、基板上の３点として例えば図７に示すＣ（０，０）、Ｐｘ（ｘ１，０）およびＰｙ（０，ｙ１）を選択し、これら３点の高さをフォーカス検出系３〜６により計測した結果をＺ０、ＺｘおよびＺｙとすると、
【００１７】
【数２】
0003815759.tif 000003
となる。
【００１８】
次に、図５に示すフローチャートを用いて本発明によるプリアライメント工程を図１に示す半導体露光装置に適用した例を説明する。
まずステップＳＳ１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をフォーカス計測中心がウエハ中心に位置するように駆動する。
次にステップＳＳ２において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したウエハ中心の高さを制御演算装置９に記憶する。
【００１９】
次にステップＳＳ４においてアライメントマーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はステップＳＳ２において制御演算装置９に記憶したウエハ中心の高さを用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップＳＳ５において顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行なう。
【００２０】
次にステップＳＳ６において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳＳ４からステップＳＳ５の動作を繰り返す。ステップＳＳ６で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアライメント工程を終了する。
【００２１】
ここで、前記ステップＳＳ４のべストフォーカス位置算出方法について図９を用いて捕捉説明する。
図９はウエハ１２上のマークＭを顕微鏡７で計測する時のθＺステージ１４の駆動量を説明するための図である。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはアライメントマーク、（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭのウエハ中心Ｃを原点とする座標、ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍはアライメントマークＭの高さ、ｚｂは顕微鏡７のべストフォーカス位置で、顕微鏡７によりー意に決まる定数であり制御演算装置９に記憶されている定数である。前記ステップＳＳ４においてフォーカス計測により求められるのは、図９に示すウエハ中心Ｃの高さｚｃである。
【００２２】
ここで、求めるべきアライメントマークＭを計測するためのθＺステージ１４の駆動量をＺＭと定義する。アライメントマークＭを計測するためのθＺステージ１４の駆動量ＺＭはベストフォーカス位置ｚｂとアライメントマークＭの高さｚｍの差分であり、
【００２３】
【数３】
0003815759.tif 000004
で表わされる。
【００２４】
次に式（２）に近似式（１）を適用する。ここで、近似式（１）中の前記ウエハ１２のＸ方向の傾きωｘおよびｙ方向の傾きωｙは上述のようにθＺステージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演算装置９に記憶されている定数である。最終的に、式（２）に近似式（１）を適用してアライメントマークＭを計測するためのθＺステージ１４の駆動量ＺＭをウエハ中心Ｃの高さｚｃ、べストフォーカス位置ｚｂ、ｘ方向の傾きωｘ、ｙ方向の傾きωｙを用いて求めると、
【００２５】
【数４】
0003815759.tif 000005
で表わすことが出来る。
【００２６】
以上述べてきた本発明による第１の実施例ではウエハ１２の傾きを直線による近似式（１）を用いて算出する方法で説明してきたが、θＺステージ１４の形状に対応した最適な近似式を用いて本発明を適用することにより様々なシステムに対応した効率のよい位置合わせ工程を実現することが可能となる。
【００２７】
実施例２
前記実施例１では露光処理工程が進みウエハ表面の変形の進んだウエハではウエハの変形を近似することが困難になる。以下にかかる問題を考慮した本発明による位置合わせ方法の第２の実施例について述べる。
【００２８】
図１０は第２の実施例のプリアライメント工程を示すフローチャートで、図中（Ｆ１）は１枚目のウエハのプリアライメント工程を示すフローチャート、（Ｆ２）は２枚目以降のウエハのプリアライメント工程を示すフローチャートである。以下に図１０を用いて図１に示す半導体露光装置に適用した場合の本発明による第２の実施例を述べる。
【００２９】
最初に（Ｆ１）を用いて１枚目のウエハのプリアライメント工程を説明する。まずステップＳ１１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップＳ１２において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したアライメントマークの高さを制御演算装置９に記憶する。
ここで、該１枚目のウエハのＮ個目のアライメントマークの高さをＺ［Ｎ］と定義する。
【００３０】
次にステップＳ１３において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳ１１からステップＳ１２の動作を繰り返す。ステップＳ１３で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらステップＳ１４に進みアライメントマークの計測を行なう。
【００３１】
次にステップＳ１４においてアライメントマーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はステップＳ１１からステップＳ１２において制御演算装置９に記憶したアライメントマークの高さＺ［Ｎ］を用いて算出した該アライメントマークのべストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップＳ１５において顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行なう。
次にステップＳ１６において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳ１４からステップＳ１５の動作を繰り返す。ステップＳ１６で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたら１枚目のウエハのプリアライメント工程を終了する。
【００３２】
次に（Ｆ２）を用いて２枚目以降のウエハのプリアライメント工程を説明する。
まずステップＳ２１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４を１ショット目のアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップＳ２２において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測した１ショット目のアライメントマークの高さを制御演算装置９に記憶する。
ここで、該計測された１ショット目のアライメントマークの高さをＺ１と定義する。
【００３３】
次にステップＳ２３においてアライメントマーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置するように駆動する。この際、θＺステージ１４は（Ｆ１）に示すフローチャートのステップＳ１１からステップＳ１２において、制御演算装置９に記憶したアライメントマークの高さＺ［Ｎ］およびステップＳ２２において記憶した１ショット目のアライメントマークの高さＺ１を用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
【００３４】
次にステップＳ２４において顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行なう。
次にステップＳ２５において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップＳ２３からステップＳ２４の動作を繰り返す。ステップＳ２５で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらウエハのプリアライメント工程を終了する。
【００３５】
前記ステップＳ２３における２枚目以降のべストフォーカス位置算出方法について捕捉説明する。
まず記憶した１枚目のウエハのアライメントマーク高さＺ［Ｎ］のデータから１ショット目のアライメントショットの高さとＮショット目のアライメントマークの高さの差を求める。該高さの差をΔＺ［Ｎ］と定義すると、
【００３６】
【数５】
0003815759.tif 000006
で表わすことができる。
【００３７】
ここで、同じ処理工程を経た同ーロットのウエハにおいてはウエハの変形は同様に進んでいるものと考えられる。従って、各アライメントショット間の高さの位置関係は２枚目以降のウエハにおいても１枚目のウエハと同様であるといえる。すなわち、２枚目以降のＮショット目のアライメントマークの高さをＺｎ［Ｎ］と定義すると、
【００３８】
【数６】
0003815759.tif 000007
で表わすことができる。
【００３９】
以上の事を用いて、求めるべき２枚目以降のＮショット目のアライメントマークを計測するためのθＺステージ１４の駆動量をＺＮとすると、θＺステージ１４の駆動量ＺＮはベストフォーカス位置ｚｂとアライメントマーク高さＺｎ［Ｎ］の差分、すなわち、
【００４０】
【数７】
0003815759.tif 000008
で表わされる。
【００４１】
最終的に、式（４）および式（５）を式（６）に適用して２枚目以降のＮショット目のアライメントマークを計測するためのθＺステージ１４の駆動量ＺＮをベストフォーカス位置ｚｂ、１枚目のウエハのＮショット目のアライメントマーク高さＺ［Ｎ］、２枚目以降の１ショット目のアライメントマークの高さＺ１を用いて、
【００４２】
【数８】
0003815759.tif 000009
で表わすことができる。
【００４３】
以上説明してきたように、同ーロット内のウエハの処理においては処理する１枚目のウエハのアライメントマークの高さの位置関係を２枚目以降のウエハに適用することにより、ウエハの変形の影響を受ける事なく各工程に最適で効率の良い位置合わせ工程が実現できる。
【００４４】
デバイス生産方法の実施例
次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図１１は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。ー方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４５】
図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４６】
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、効率の良いアライメントマーク検出技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の適用対象の一例である半導体露光装置の概略を示すブロック図である。
【図２】  図１に示す半導体露光装置のＸＹステージの詳細を示す図である。
【図３】  ウエハの変形を示す図である。
【図４】  従来のアライメント方法におけるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図５】  本発明の第１の実施例によるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図６】  ウエハの傾きを示す図である。
【図７】  ウエハ上のアライメントマーク位置を示す図である。
【図８】  ウエハの断面を示す図である。
【図９】  アライメントマーク計測時のθΖステージの駆動量を示す図である。
【図１０】  本発明の第２の実施例によるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図１１】  微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図１２】  図１１におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１：レチクル、２：縮小投影レンズ、３：フォーカス光源ユニット、４：ミラー、５：フォーカス受光ユニット、６：フォーカス制御装置、７：顕微鏡、８：検出装置、９：制御演算装置、１０：ＸＹθＺステージ制御装置、１１：操作端末、１２：ウエハ、１３：微小θＺステージ、１４：θＺステージ、１５：ＸＹステージ、ωｘ：ｘ方向のウエハの傾き、ωｙ：ｙ方向のウエハの傾き、Ｃ：ウエハ中心、Ｍ：アライメントマーク、ｚｃ：ウエハ中心の高さ、ｚｍ：アライメントマークの高さ、ｚｂ：顕微鏡のベストフォーカス位置。
【図１】
0003815759.tif 000010
【図２】
0003815759.tif 000011
【図３】
0003815759.tif 000012
【図４】
0003815759.tif 000013
【図５】
0003815759.tif 000014
【図６】
0003815759.tif 000015
【図７】
0003815759.tif 000016
【図８】
0003815759.tif 000017
【図９】
0003815759.tif 000018
【図１０】
0003815759.tif 000019
【図１１】
0003815759.tif 000020
【図１２】
0003815759.tif 000021