(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に処理ガスを導入し、被処理体に対してプラズマ雰囲気下で前記被処理体のシリコン酸化膜に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法において、
前記処理ガスとして、Ｃ（炭素）とＦ（フッ素）を含むガスと、Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスとの混合ガスを使用すると共に、前記Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスの流量を調節して、前記Ｃ（炭素）とＦ（フッ素）を含むガスの解離反応によって生ずる過剰なフッ素ラジカルとＳ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスとを反応させてその抑制の制御を行うことを特徴とする、エッチング方法。
【請求項２】
前記Ｃ（炭素）とＦ（フッ素）を含むガスは、ＣｘＦｙ系のハロゲン化炭素化合物のガスであり、
前記Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスは、ＳＯＢｒ２等のチオニル類、又はＳＯ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ、Ｓ２Ｏ３、Ｓ２Ｏ７、ＳＯ４等の硫黄酸化物ガスであることを特徴とする、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記ＣｘＦｙ系のハロゲン化炭素化合物は、ＣＦ４であること特徴とする、請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記プラズマ雰囲気は、処理容器内に設けられた上部電極とサセプタに高周波電力を印加することによって発生され、
前記高周波電力は、変圧部を介して前記処理容器とは切り離された一次側の高周波電源によって供給され、かつ前記変圧部を介した二次側の波形に対して各々マッチングがとられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記上部電極とサセプタに印加される高周波電力は、位相が１８０度ずれていることを特徴とする、請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記処理ガスには、さらにＮ２又は不活性ガスが含まれていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＬＳＩ等の半導体デバイスがその表面に形成される半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）を例にとって説明すると、従来から気密に構成された処理室内にエッチングガスを導入し、高周波電力の印加によって前記処理室内にプラズマを発生させ、このプラズマ雰囲気中でウエハに対して例えばコンタクトホール形成のためのエッチング処理が行われている。
【０００３】
これを例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングに基づいて説明すると、従来からウエハ上に形成されているシリコン酸化膜に対してエッチングを実施する場合、エッチングガスとして例えばＣＦ４などのＦ（フッ素）系ガス、ＣＣｌ４などのＣｌ（塩素）系ガス、さらにはＣＣｌＦ３などのＦ−Ｃｌ系ガスなどが多く用いられている。
そして前記各種系のガスのうち、例えばＣＦ４の場合には、プラズマによってガス分子を解離させて生じたＦ＊（フッ素ラジカル）により、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が除去される。
【０００４】
ところで今日ではデバイスの高集積化に伴い、ハーフミクロン、クォーターミクロンに対応した超微細加工が可能なエッチング方法が求められており、そのため例えばコンタクトホールも０．３５μｍ以下に形成することが必要となってくるが、このような微細なコンタクトホールを形成するためには、高密度のプラズマ雰囲気中で選択比の高い異方性エッチングを実現する必要がある。
【０００５】
しかしながら高密度のプラズマ雰囲気の下では、プラズマに吸収されるエネルギーが高いため、ガス分子の解離が進行し、その結果例えば前出ＣＦ４の場合には、Ｆ＊（フッ素ラジカル）が過剰に生成されてしまい、選択比が低下してエッチングが等方性へとシフトしてしまう傾向がある。
【０００６】
従って、前記過剰なフッ素ラジカルを何らかの手段で除去する必要があるが、この点最近では、そのようなフッ素ラジカルと容易に反応してこれを無能化させる、例えばＳｉ（珪素）などの材質によって、電極プレートなど処理室内の部材を構成することが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、そのように処理室内の部材にＳｉ単体を用いる方法では、まずこの部材自体を適宜の加熱手段によって３００゜Ｃ程度の高温に加熱する必要がある。また処理回数を重ねていくと、部材表面の表面積が変化していって反応表面積が変化し、その結果フッ素ラジカルと反応する量が一定とはならず、肝要なエッチング処理自体がウエハ毎に異なってくるというおそれも生ずる。
さらには、一定処理回数毎にメンテナンスが必要となり、スループットも低下してしまう。
【０００８】
本発明はそのような問題点に鑑みてなされたものであり、基本的には等方性エッチングへとシフトさせてしまう過剰なラジカル成分を、定混合量ガスによって吸収除去して、異方性エッチングの選択比を向上させることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的達成のため、請求項１に記載のエッチング方法は、処理室内に処理ガスを導入し、被処理体に対してプラズマ雰囲気下で前記被処理体のシリコン酸化膜に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法において、前記処理ガスとして、Ｃ（炭素）とＦ（フッ素）を含むガスと、Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスとの混合ガスを使用すると共に、前記Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスの流量を調節して、前記Ｃ（炭素）とＦ（フッ素）を含むガスの解離反応によって生ずる過剰なフッ素ラジカルとＳ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスとを反応させてその抑制の制御を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
前記エッチング方法において、前記プラズマ雰囲気は、処理容器内に設けられた上部電極とサセプタに高周波電力を印加することによって発生され、前記高周波電力は、変圧部を介して前記処理容器とは切り離された一次側の高周波電源によって供給され、かつ前記変圧部を介した二次側の波形に対して各々マッチングがとられるようにしてもよい。
【００１１】
なお本発明における炭素とフッ素を含むガスとしては、例えば既述のＣＦ４を始めとしたＣｘＦｙ系のハロゲン化炭素化合物のガスが挙げられる。
【００１２】
また前記Ｓ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないガスは、たとえばＳＯＢｒ２等のチオニル類、又はＳＯ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ、Ｓ２Ｏ３、Ｓ２Ｏ７、ＳＯ４等の硫黄酸化物ガスが挙げられる。
【００１３】
本発明において、前者のＣ（炭素）とフッ素を含むガスはいわゆる反応ガスとして機能し、プラズマ中で解離反応を起こして、エッチングを行うためのラジカル成分などのエッチャントが発生する。
他方後者のＳ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないＳ（硫黄）系ガスは、前記反応ガスの解離が進行してしまって過剰なラジカル成分が生成されたときに、この過剰なラジカル成分と反応して、これを除去する。
【００１４】
したがって、過剰なラジカル成分の発生具合、即ち反応ガスの解離程度に応じて、例えばマスフローコントローラなどによって、後者のＳ（硫黄）とＯ（酸素）とを含みかつＦ（フッ素）を含まないＳ（硫黄）系ガスの流量を制御することにより、過剰なラジカル成分を抑制して、エッチングの選択比を向上させ、垂直異方性を高めた異方性エッチング処理を実施することが可能になる。
【００１５】
なお、かかる各ガスの機能に鑑みれば、実際のエッチング処理において処理室内に導入する処理ガスは、他に例えばＮ２、Ａｒガスなどの不活性ガス等を併用することは妨げない。
【００１６】
本発明のようにＦ（フッ素）を含まずＯ（酸素）を含むＳ（硫黄）系ガスを用いた場合には、このＯ（酸素）が例えば処理ガス中の過剰なＣ（炭素）と反応して、
Ｃ  ＋  Ｏ２  →  ＣＯ２↑
となり、これを排気させる。
従って処理ガス中に異方性エッチングを妨げる過剰な炭素も除去することが可能となっている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づき説明すると、図１は本実施の形態を実施するために用いたプラズマエッチング装置１の断面を模式的に示しており、このプラズマエッチング装置１は、電極板が平行に対向した所謂平行平板型ＲＩＥ装置として構成されている。
【００１８】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒あるいは矩形状に成形された処理容器２を有しており、この処理容器２は接地されている。
前記処理容器２内に形成される処理室内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理体、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が収容され、さらにこのサセプタ支持台４の上部には、下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。なお本実施の形態においては、シリコン基板を有する前記ウエハＷ上のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングを実施する場合について説明する。
【００１９】
前記サセプタ支持台４の内部には、冷媒室６が設けられており、この冷媒室６には例えば液体窒素などの温度調節用の冷媒が冷媒導入管７を介して導入可能であり、導入された冷媒はこの冷媒室６内を循環し、その間生ずる冷熱は冷媒室６から前記サセプタ５を介して前記ウエハＷに対して伝熱され、このウエハＷの処理面を所望する温度まで冷却することが可能である。
なお冷媒として、例えば前記したような液体窒素を用いた場合、その核沸騰により生じた窒素ガスは冷媒排出管８より処理室２外へと排出されるようになっている。
【００２０】
前記サセプタ５は、その上面中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、２枚の高分子ポリイミド・フィルムによって導電層１２が挟持された構成を有しており、この導電層１２に対して、処理容器２外部に設置されている直流高圧電源１３から、例えば１．５ｋＶの直流高電圧を印加することによって、この静電チャック１１上面に載置されたウエハＷは、クーロン力よってその位置で吸着保持されるようになっている。
【００２１】
前記サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は反応性イオンを引き寄せない絶縁性の材質からなり、プラズマよって発生した反応性イオンを、その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめるように構成されている。
【００２２】
そしてこのフォーカスリング１５の材質を例えば、ＳｉＯ（一酸化珪素）によって構成することより、後述の如く、フッ素ラジカルと反応して、これを除去することが可能になっている。
【００２３】
前記サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して、これより約１５〜２０ｍｍ程度離間させて位置に、上部電極２１が、絶縁材２２を介して、処理容器２の上部に支持されている。
【００２４】
この上部電極２１は、前記サセプタ５との対向面に、多数の拡散孔２３を有する、例えばＳｉＣ又はアモルファスカーボンからなる電極板２４と、この電極板２４と平行に位置して、両者間に中空部を形成する例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニウムからなる支持板２５とを有し、さらに前記電極板２４の上面には、ガス拡散板２６が設けられている。
【００２５】
前記ガス拡散板２６は、図２に示したような形態を有しており、図３に示したように、例えばボルトなどの固定部材２７によって前記電極板２４に固定されている。
そしてこのガス拡散板２６の材質は、多数の孔を有する例えばカーボンやガラスカーボンなどの導電材から構成されているが、その他絶縁材であるセラミックスや石英などで構成してもよい。但し、前者の導電材で構成したほうが、前記電極板２４と同電位となるため、異常放電の可能性はなくなるので好ましい。
【００２６】
前記上部電極２１における支持板２５の中央には、図３に示したように、ガス導入口２８が設けられ、さらにこのガス導入口２８には、図１に示したように、ガス導入管２９が接続されている。
このガス導入管２９には、図１に示したように、ガス供給管３１が接続されており、さらにこのガス供給管３１は３つに分岐されて、各々バルブ３２、マスフローコントローラ３３を介して、それぞれ対応する処理ガス供給源３４、３５、３６に通じている。
本実施の形態においては、処理ガス供給源３４からはＣＦ４ガス、処理ガス供給源３５からはＳＯガス、処理ガス供給源３６からはＮ２ガスが供給されるように設定されている。
【００２７】
前記処理容器２の下部には排気管４１が接続されており、この処理容器２とゲートバルブ４２を介して隣接しているロードロック室４３の排気管４４共々、ターボ分子ポンプなどの排気手段４５に通じており、所定の減圧雰囲気まで真空引きできるように構成されている。
そして前記ロードロック室４３内に設けられた搬送アームなどの搬送手段４６によって、被処理体であるウエハＷは、前記処理容器２とこのロードロック室４３との間で搬入、搬出されるように構成されている。
【００２８】
また前記プラズマエッチング装置１におけるパワーユニットは、高周波電源部を前記処理容器２から切り離したいわゆるパワースプリット構成を採っている。
即ち、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を発振させる高周波電源５１は、誘導コイルなどで構成される変圧部５２の一次側に設置されており、さらにこの変圧部５２の誘導コイルなどの二次側に、接地されるスライドコントローラ５３が設けられている。
【００２９】
そしてこの変圧部５２の二次側は、それぞれ第１整合器５４、ブロッキングコンデンサ５５を介して前出上部電極２１の電極板２４と、第２整合器５６、ブロッキングコンデンサ５７を介して、前出サセプタ５とに各々接続されており、それぞれ二次側の波形に対してマッチングを行い、上部電極２１とサセプタ５とに、各々１８０゜位相のずれた高周波電力を印加するように構成されている。
【００３０】
本実施の形態を実施するためのプラズマエッチング装置１は以上のように構成されており、次にその動作等について説明すると、まず被処理体であるウエハＷは、ゲートバルブ４２が開放された後、搬送手段４６によってロードロック室４３から処理容器２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして高圧直流電源１３の印加によって前記ウエハＷは、この静電チャック１１上に吸着保持される。その後搬送手段４６がロードロック室４３内へ後退したのち、処理容器２内は排気手段４５によって真空引きされていく。
【００３１】
他方バルブ３２が開放されて、マスフローコントローラ３３によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給源３４からはＣＦ４ガスが、また処理ガス供給源３５からはＳＯガスが、ガス供給管３１、ガス導入管２９、ガス導入口２８を通じて、上部電極２３の中空部内へと導入される。
さらにこの中空部から、前記ＣＦ４ガスとＳＯガスとの混合ガスが、ガス拡散板２６、拡散孔２３を通じて、前記ウエハＷに対して吐出されるのであるが、図３に示したように、このガス拡散板２６は多孔体で構成されており、直接の吐出口となる前記複数の拡散孔２３の構成と相俟って、前記ウエハＷに対しては極めて均等に吐出されるものである。
【００３２】
そして処理容器２内の圧力は例えば１０ｍＴｏｒｒに設定、維持された後、高周波電源５１が作動して、変圧部５２のスライドコントローラ５３でその出力調整がなされつつ、前記上部電極２１とサセプタ５とに対して、位相が１８０゜異なった高周波電力が印加されて、これら上部電極２１とサセプタ５との間にプラズマが発生し、前記導入されたＣＦ４ガスの解離によって生じたラジカル成分によって、ウエハＷに対して所定のエッチングが施される。
【００３３】
このときＣＦ４は、
・ＣＦ３  ＋    Ｆ−
ＣＦ３−  ＋  ・Ｆ
ＣＦ３＋  ＋    Ｆ−
ＣＦ３＋  ＋  ・Ｆ  ＋  ｅ−
のように、多段階に解離していき、 Ｆ−  →  Ｆ＊  ＋  ｅ−  となって、このＦ＊（フッ素ラジカル）がウエハＷ表面のＳｉＯ２に対してエッチングを行う。
【００３４】
しかしながらこのまま前記した解離が最終段階まで進行してしまって、フッ素ラジカルが過剰に生成されると、エッチングの垂直異方性が損なわれて選択比が低下し、全体として等方性エッチングとなってしまう。
【００３５】
ところが本実施の形態においては、ＣＦ４ガスと共にＳＯガスを混合して処理容器２内に導入しているので、例えば次のような反応が生起され、過剰なフッ素ラジカルは吸収、除去される。即ち、
Ｆ＊  ＋  ＳＯ  →  ＳＦ６↑  ＋  Ｏ２↑  （係数は任意）
となり、またＣＦ４中における過剰のＣ（炭素）は、
Ｃ  ＋  Ｏ２  →  ＣＯ２↑
となって、排気される。
【００３６】
従って、選択比を低下させる過剰なフッ素ラジカルは抑制されて、垂直異方性の良好なエッチングを実施することが可能である。
しかも本実施の形態においては、Ｆ（フッ素）を含まずＯ（酸素）を含むＳ（硫黄）系のガスであるＳＯガスを用いているので、前記したように過剰のＣ（炭素）がＳＯ中のＯと反応してＣＯ２（二酸化炭素）となって排気される。従ってフロン系ガスとしてＣ（炭素）を含むガスと混合させて使用した場合、被処理体表面にＣが堆積して異方性エッチングを阻害することが防止できる。
【００３７】
しかもかかる過剰フッ素ラジカル抑制の制御は、例えばＳＯガスの流量の調節によって行うことが可能であるから、対応するマスフローコントローラ３３の制御によってこれを容易になし得ることが可能である。
【００３８】
なお前記上部電極２１とサセプタ５に対して印加される高周波電力は、それぞれ二次側において、各々第１整合器５４、第２整合器５６によってマッチングされているので、図４に示したように、歪みのない正常な正弦波を有する高周波電力を印加させることが可能である。
この点、従来のパワースプリット構成を有するこの種の装置においては、一次側にのみ整合器をおいてマッチングをとっていたので、図５に示したような、歪みのある略ラムプ形の波形となっていた。そのため、当該歪みによってエッチング特性が劣化したり、制御が困難になって所期のエッチング処理が行えないおそれがあった。
【００３９】
この点、前記プラズマエッチング装置１では、二次側にそれぞれ第１整合器５４、第２整合器５６を設けて有るので、図４に示したように歪みのない正弦波形を有する高周波電力を印加させることが可能である。従って、この点からも所定のエッチング処理を行うことが可能になっている。
なおこの場合、各第１整合器５４、第２整合器５６を例えば差動バリコンで制御するように構成してもよい。
【００４０】
なお前記した実施の形態で用いたプラズマエッチング装置１の上部電極２３内に使用されたガス拡散板２６は、従来のアルミニウム系材質とは異なり、既述の如くカーボン、ガラスカーボン、セラミックス、石英等で構成されている。従って、エッチングガスとして、例えばＣＣｌ４などの塩素系ガスを用いた場合であっても、腐食することはない。
【００４１】
また従来は多数の拡散孔を有する拡散板を複数用いて均等吐出させる構成を採っており、そのため取付け、メンテナンスの際に煩雑であったが、前記した実施の形態で用いたプラズマエッチング装置１においては、多孔体のガス拡散板２６を用いているから、これを１枚使用するだけでも十分な均等吐出効果が得られ、またボルト等の固定部材２７による固定で取り付けることが可能となっている。従って、取付け、メンテナンスが極めて容易となっている。
【００４２】
なお前記した実施の形態においては、エッチャントを発生させるガスとしてＣＦ４ガスを用い、過剰なラジカル成分を吸収除去させる成分を発生させるガスとしてＳＯを用いたが、本発明はもちろんこれらガスに限定されるものではない。
例えばエッチャントを発生させるガスとしては、前記ＣＦ４を始めとしたＣｘＦｙ系のハロゲン化炭素化合物、を用いることが可能である。
【００４３】
また他方、過剰なラジカル成分を吸収除去させる成分を発生させるガスとしては、Ｆ（フッ素）含まないＳ（硫黄）系ガス、例えばＳＯＢｒ２（臭化チオニル）等のチオニル類、ＣＳ２、Ｈ２Ｓ、Ｎ２Ｓ２、Ｎ４Ｓ４、Ａｓ４Ｓ４、Ａｓ２Ｓ３、Ｐ４Ｓ７、Ｐ２Ｓ５等の硫化物、ＳＯ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ、Ｓ２Ｏ３、Ｓ２Ｏ７、ＳＯ４等の硫黄酸化物のガスを用いることが可能である。
【００４４】
また特に実施の形態でも使用したＳＯを始めとしたＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ、Ｓ２Ｏ３、Ｓ２Ｏ７、ＳＯ４等の硫黄酸化物のように、Ｆ（フッ素）含まずＯ（酸素）を含むＳ（硫黄）系のガスを用いれば、前記のＣＦ４を始めとしたＣｘＦｙ系のハロゲン化炭素化合物（いわゆるフレオンガス）と混合させた場合、過剰なＣ（炭素）とＯ（酸素）とが反応してＣＯ２（二酸化炭素）となって排気されるので、異方性エッチングを阻害させる炭素化合物が被処理体表面に体積することが防止できる。
【００４５】
ところで本実施の形態に用いた前記プラズマエッチング装置１の処理容器２内のサセプタ５の上端周縁部には、環状のフォーカスリング１５が配置されているが、このフォーカスリング１５の材質を例えば、ＳｉＯ（一酸化珪素）によって構成すると、次のような作用効果が得られる。
【００４６】
即ちＳｉＯは、図６に示したように、その表面に不動態であるＳｉＯ２を容易に形成させる。そうすると、ウエハＷに対するシリコン酸化膜のエッチングの際には、このフォーカスリング１５表面のＳｉＯ２も同時にエッチングされ、内部のＳｉＯが露出する。
そうするとこのＳｉＯが既述のＦ＊（フッ素ラジカル）と反応して、
ＳｉＯ  ＋  Ｆ＊  →  ＳｉＦ４  ＋  Ｏ２↑
という反応が起こり、やはり過剰なフッ素ラジカルを吸収、除去させることが可能となる。またその際の生成反応物はＳｉＦ４であるから、処理容器内を汚染するおそれもない。しかも不動体であるＳｉＯ２は常温にてＳｉＯの表面に形成されるので、例えばＳｉＯによって前出フォーカスリング１５を構成しても、別途専用の加熱手段等は不要であり、しかも取扱も容易である。その他、例えば処理容器２の内壁をＳｉＯで構成しても同様な効果が得られる。
【００４７】
なお前出実施の形態に用いた装置は、いわゆる平行平板型のプラズマエッチング装置であったが、本発明を実施するには、これに限らず、他のエッチング装置、例えばマグネトロンＲＩＥ装置、ＥＣＲエッチング装置を用いてもよい。もちろん被処理体も既述の如き半導体ウエハに限らず、例えばＬＣＤ基板であっても全く同様な効果が得られる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、処理容器内に導入する処理ガスによって、垂直異方性を妨げるラジカル成分の抑制が行えるので、選択比を向上させた異方性エッチングが実現可能である。しかも前記処理ガスの流量を制御することにより、前記抑制の制御を容易になしえる。また異方性エッチングを妨げる過剰なＣ（炭素）が処理ガス中にあっても、これも除去することが可能であり、さらにこの点からも選択比を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を実施する際に用いたプラズマエッチング装置の側面の説明図である。
【図２】図１のプラズマエッチング装置における上部電極内に用いたガス拡散板の斜視図である。
【図３】図１のプラズマエッチング装置における上部電極の縦断面の説明図である。
【図４】図１のプラズマエッチング装置において印加された高周波の波形を示す説明図である。
【図５】従来のパワースプリット型のプラズマ装置において印加された高周波の波形を示す説明図である。
【図６】図１のプラズマエッチング装置におけるフォーカスリングにＳｉＯを用いた場合の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１              プラズマエッチング装置
２              処理容器
５              サセプタ
２１              上部電極
２３              拡散孔
２６              ガス拡散板
２９              ガス導入管
３４、３５、３６  処理ガス供給源
４５              排気手段
５１              高周波電源
５４              第１整合器
５５              第２整合器
Ｗ              ウエハ
【図１】
0003807598.tif 000002
【図２】
0003807598.tif 000003
【図３】
0003807598.tif 000004
【図４】
0003807598.tif 000005
【図５】
0003807598.tif 000006
【図６】
0003807598.tif 000007