(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の走査領域中にランダムに混入されかつ磁気的に軟質でバイアス磁界によって着磁させることの可能な低保磁力の磁性材料からなる多数の繊維状の第１の磁性素子と、
上記走査領域中に上記第１の磁性素子と重なり合うようにランダムに混入されかつ磁気的に硬質で上記バイアス磁界よりも強い磁界によって該磁界の磁極に応じた方向に着磁可能な高保磁力の磁性材料からなる多数の繊維状の第２の磁性素子と、
上記第２の磁性素子の着磁方向を異ならせて上記走査領域を上記バイアス磁界のもとで磁気的に複数回走査することによって得た検出信号に関するデータを記録するコード表示部とを具備したことを特徴とする真正さがチェックされる被検出物。
【請求項２】
磁気的に軟質な低保磁力の第１の磁性素子と磁気的に硬質な高保磁力の第２の磁性素子とを走査領域中にランダムに混入した被検出物、の真正さをチェックするための方法であって、
上記被検出物を作成するための作成プロセスと、上記被検出物をチェックするための照合プロセスとを含み、
上記作成プロセスは、上記第１の磁性素子と第２の磁性素子に該第２の磁性素子の保磁力よりも大きな磁界を与えて着磁させたのち上記第１の磁性素子の保磁力よりも大きくかつ上記第２の磁性素子の保磁力よりも小さいバイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第１の走査ステップおよび上記磁界の向きを変えて上記第１の磁性素子と第２の磁性素子の着磁方向を異ならせたのち上記バイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第２の走査ステップによって検出信号を得る検出ステップと、上記検出信号に関するデータをコード表示部に記録する書込みステップとを含み、
上記照合プロセスは、上記第１の磁性素子と第２の磁性素子に該第２の磁性素子の保磁力よりも大きな磁界を与えて着磁させたのち上記バイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第１の走査ステップおよび上記磁界の向きを変えて上記第１の磁性素子と第２の磁性素子の着磁方向を異ならせたのち上記バイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第２の走査ステップによって検出信号を得る検出ステップと、上記コード表示部に記録されているデータを読取るコード読取りステップと、上記データが上記検出信号と対応した時にこの被検出物が真正であると判断する判別ステップとを具備したことを特徴とする被検出物の真正さをチェックする方法。
【請求項３】
磁気的に軟質な低保磁力の第１の磁性素子と磁気的に硬質な高保磁力の第２の磁性素子とを走査領域中にランダムに混入した被検出物、の真正さをチェックするための装置であって、
上記第２の磁性素子の保磁力よりも大きな磁界を上記走査領域の上記第１の磁性素子と第２の磁性素子に与えかつ上記磁界の向きを切替えることの可能な着磁器と、
上記第１の磁性素子の保磁力よりも大きくかつ上記第２の磁性素子の保磁力よりも小さいバイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査することにより検出信号を得る磁気センサと、
１回目の走査と２回目の走査とで上記着磁器の磁界の向きを切替えて上記走査領域を複数回走査することによって得た検出信号に関するデータを暗号化する手段と、
上記暗号化されたデータを被検出物のコード表示部に記録するコード書込み手段と、
上記コード表示部に記録されている上記データを読取る読取り手段と、
上記データと上記検出信号とを照合しかつ両者が互いに対応した時にこの被検出物が真正であると判断する手段と、
を具備したことを特徴とする被検出物の真正さをチェックするための装置。
【請求項４】
上記第１の磁性素子の保磁力をＨ1 、上記第２の磁性素子の保磁力をＨ2 、着磁器の磁界の大きさをＢ1 、磁気センサのバイアス磁界の大きさをＢ2 としたとき、Ｈ1 ＜Ｂ2 ＜Ｈ2 ＜Ｂ1 としたことを特徴とする請求項３記載の被検出物の真正さをチェックするための装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、重要書類や紙幣および小切手等の金券，トラベラーズチェック，ＩＤカード，ＣＤカード，クレジットカード等のカード類，パスポート，あるいは美術品，公営競技投票券などの、偽造を防止する必要のある被検出物と、この被検出物の真正さをチェックするための方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書類やカード等の被検出物の真正さをチェックするために、被検出物の走査領域に多数の磁性素子をランダムに設けたものが知られている。この種の被検出物の真正さをチェックするための装置は、走査領域中の磁性素子を磁気センサによって磁気的に走査することにより、磁性素子の分布状況に応じた固有の波形の検出信号を得るようにしている。
【０００３】
そして被検出物を発行する際に、上記検出信号を暗号化するとともにこの暗号データを被検出物のコード記録部に記録しておく。この被検出物の真正さをチェックする際には、上記走査領域を上記磁気センサによって磁気的に走査することにより検出信号を得るとともに、この検出信号を記録部に記録されている暗号データと照合し、両者が対応したときにこの被検出物が真正であると判断するようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の装置においては、走査領域を磁気センサによって何回走査しても、基本的に同一の検出信号が再現されるようにしている。つまり、走査領域中の磁性素子の分布状況に応じて、特定の１種類の波形が検出される。
【０００５】
従って本発明の目的は、従来よりもさらに多様な検出信号が得られ、偽造防止や不正使用を防止する上でさらに有効な被検出物と、そのチェック方法および装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を果たすために開発された本発明の被検出物は、請求項１に記載したように、基材の走査領域中にランダムに混入されかつ磁気的に軟質でバイアス磁界によって着磁させることの可能な低保磁力の磁性材料からなる多数の繊維状の第１の磁性素子と、上記走査領域中に上記第１の磁性素子と重なり合うようにランダムに混入されかつ磁気的に硬質で上記バイアス磁界よりも強い磁界によって該磁界の磁極に応じた方向に着磁可能な高保磁力の磁性材料からなる多数の繊維状の第２の磁性素子と、上記第２の磁性素子の着磁方向を異ならせて上記走査領域を上記バイアス磁界のもとで磁気的に複数回走査することによって得た検出信号に関するデータを記録するコード表示部とを具備したことを特徴とするものである。
【０００７】
第１の磁性素子としては、例えばパーマロイ，センダスト，Ｃｏ系アモルファス，ソフトフェライトなどのように磁気的に軟質な高透磁率磁性材料からなる繊維状の細線、あるいはこれらの材料からなる粉体を合成樹脂中に混入させた繊維あるいはフレーク状の磁性ポリマー素子などが適している。第１の磁性素子の保磁力は、１０〜２００エルステッド（Ｏe ）の範囲が望ましく、透磁率は１００〜１００００の範囲が望ましい。
【０００８】
第２の磁性素子として、例えばフェライトやＳｍ−Ｃｏ合金，Ｎｄ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金等のように磁気的に硬質な高保磁力材料からなる繊維状の細線、あるいはこれらの材料からなる粉体を合成樹脂中に混入させた繊維あるいはフレーク状の磁性ポリマー素子などが適している。第２の磁性素子の保磁力は、５００〜３５００エルステッドの範囲が望ましい。第１の磁性素子と第２の磁性素子は、いずれも、径あるいは幅が例えば５〜１００μｍ程度であり、その長さは例えば１〜３０ｍｍ程度である。
【０００９】
本発明のチェック方法では、上記被検出物を作成するための作成プロセスと、上記被検出物をチェックするための照合プロセスとを含む。作成プロセスは、上記第１の磁性素子と第２の磁性素子に該第２の磁性素子の保磁力よりも大きな磁界を与えて着磁させたのち上記第１の磁性素子の保磁力よりも小さいバイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第１の走査ステップおよび上記磁界の向きを変えて上記第１の磁性素子と第２の磁性素子の着磁方向を異ならせたのち上記バイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査する第２の走査ステップによって検出信号を得る検出ステップと、上記検出信号に関するデータをコード表示部に記録する書込みステップとを含んでいる。照合プロセスは、作成プロセスと同様の検出ステップと、上記コード表示部に記録されているデータを読取るコード読取りステップと、上記データが上記検出信号と対応した時にこの被検出物が真正であると判断する判別ステップとを含んでいる。上記コード表示部は被検出物自体に設けてもよいし、あるいはホストコンピュータ等の記憶領域に設定されてもよい。
【００１０】
本発明の装置は、上記第２の磁性素子の保磁力よりも大きな磁界を走査領域の上記第１の磁性素子と第２の磁性素子に与えかつ上記磁界の向きを切替えることの可能な着磁器と、上記第２の磁性素子の保磁力よりも弱くかつ上記第１の磁性素子の保磁力よりも大きいバイアス磁界のもとで上記走査領域を磁気的に走査することにより検出信号を得る磁気センサと、１回目の走査と２回目の走査とで上記着磁器の磁界の向きを切替えて上記走査領域を複数回走査することによって得た検出信号に関するデータを暗号化する手段と、上記暗号化されたデータを被検出物のコード表示部に記録するコード書込み手段と、上記コード表示部に記録されているデータを読取る読取り手段と、上記データと上記検出信号とを照合しかつ両者が互いに対応した時にこの被検出物が真正であると判断する手段とを具備している。
【００１１】
上記磁気センサとしては、磁界の強さにほぼ比例して抵抗値が変化する磁気抵抗素子（ＭＲ素子）などの磁電変換素子とバイアス磁界発生用マグネットを組合わせたものが適している。ただし、ＭＲ素子以外に例えば磁気ダイオードやホール素子などのように、磁界の強さに応じて抵抗値等の電気的特性が変化するものが使用されてもよい。
【００１２】
上記第１の磁性素子の保磁力をＨ1 、上記第２の磁性素子の保磁力をＨ2 、着磁器の磁界の大きさをＢ1 、磁気センサのバイアス磁界の大きさをＢ2 としたとき、Ｈ1 ＜Ｂ2 ＜Ｈ2 ＜Ｂ1 とするとよい。
【００１３】
本発明装置において被検出物の真正さのチェックを行う場合、着磁器が走査領域に及ぼす着磁磁界の向きや大きさを変えることにより、第２の磁性素子の着磁状態を切替えながら走査領域を少なくとも２回走査する。こうすることにより、磁性素子の分布は同じても、１回目の走査と２回目の走査とで異なる検出信号が得られる。そして複数種類の検出信号を被検出物の真正さのチェックに用いることで、チェックの精度を高めるとともに、より偽造の困難な被検出物を得るようにしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１および図２に示すように、カード状の被検出物１０の基材１１の中に、多数の第１の磁性素子１２と、第２の磁性素子１３がそれぞれ不特定の方向を向くようにランダムに混入されている。基材１１は紙やプラスチックなどの非磁性体からなる。
【００１５】
第１の磁性素子１２は、例えばパーマロイやセンダスト，ソフトフェライト，Ｃｏ系アモルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の低保磁力の磁気的に軟質な高透磁率材料からなる。第２の磁性素子１３は、例えばフェライトやＳｍ−Ｃｏ合金，Ｎｄ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金などのように磁気的に硬質な高保磁力材料かなる。
【００１６】
これら磁性素子１２，１３の断面形状は円形に限らず、例えば多角形や矩形、長円形、その他の形態であってもよい。図示例の磁性素子１２，１３は繊維状であるが、箔、あるいは粉体であってもよい。また、繊維状のものと箔と粉体が混ざっていてもよい。また、アクリル樹脂等の高分子材料中に、上記磁性材料からなる磁性粉体を混入した繊維状あるいは帯状の磁性ポリマー素子が使われてもよい。これらの磁性素子１２，１３は、被検出物１０を製造する際に、特定の走査領域１７に、ある程度の密度で含まれるようにランダムに混入される。
【００１７】
被検出物１０にコード表示部１８が設けられている。コード表示部１８には、後述するように走査領域１７を磁気的に複数回走査したとき磁性素子１２，１３の分布状態等に応じて得られる固有の検出信号に関するデータが、図３に例示した処理装置２０によって暗号化されて書込まれる。
【００１８】
処理装置２０は、ハウジング２１と移送機構２２を備えている。移送機構２２は、ＤＣモータ等の正逆回転可能なモータ２３によって駆動されるベルトやローラ等の移送用部材２４を有している。モータ２３はモータ制御回路２５によって正転あるいは逆転させられ、被検出物１０を所定速度で、図中の矢印Ｆ，Ｒ方向に往復移動させることができるようになっている。
【００１９】
被検出物１０の移動経路の途中に着磁器３０と磁気センサ３１が設けられている。着磁器３０の一例は、極性を切替えることの可能な着磁用電源回路３２に接続された電磁石３３を備えている。着磁用電源回路３２は電磁石３３に直流電流を供給するものであり、電流の大きさも変化させることができるようになっている。このためこの電磁石３３は、走査領域１７に及ぼす磁界の向きや大きさ等の着磁条件を変化させることができる。
【００２０】
磁気センサ３１は、一対の磁電変換素子の一例としての第１のＭＲ素子３５と第２のＭＲ素子３６を備えている。これらのＭＲ素子３５，３６は被検出物１０の移動方向（走査方向）に並べられている。ＭＲ素子３５，３６の背後に、バイアス磁界発生用のマグネット３７が配置されている。マグネット３７は永久磁石でもよいし、電磁コイルを用いた電磁石が使われてもよい。
【００２１】
ＭＲ素子３５，３６は磁界の強さに応じて電気抵抗値が変化する磁気抵抗素子である。これらのＭＲ素子３５，３６は互いに電気的に接続されており、しかも各ＭＲ素子３５，３６に、マグネット３７による同じ強さの磁界が及ぶようになっている。第１のＭＲ素子３５は直流電源回路４０に接続されている。第２のＭＲ素子３６は、制御・演算手段として機能するコントローラ５０に接続されている。
【００２２】
ＭＲ素子３５，３６の近傍を磁性素子１２，１３が通るとき、磁性素子１２，１３の位置が変化するのに伴って出力電圧が変化する。すなわちＭＲ素子３５，３６の近傍に磁性素子１２，１３が存在しない時には、各ＭＲ素子３５，３６にマグネット３７の磁界が均等にかかる。その場合、ＭＲ素子３５，３６の抵抗値が互いに等しいので入力電圧に対して出力電圧は約半分となる。そしてＭＲ素子３５，３６の近傍を磁性素子１２，１３が通ると、磁性素子１２，１３の位置に応じて、各ＭＲ素子３５，３６を通る磁束が経時的に変化するとともに、各ＭＲ素子３５，３６の抵抗値に差が出るため、出力電圧が変化するようになる。
【００２３】
この出力電圧は、磁性素子１２，１３の分布密度や磁性素子１２，１３の径（または厚さ）、長さ、方向などの分布状態に応じて大きさが変化するので、固有の波形の出力電圧が検出される。
【００２４】
ここで、第１の磁性素子１２の保磁力をＨ1 、第２の磁性素子１３の保磁力をＨ2 、着磁器３０の磁界の大きさ（着磁磁界）をＢ1 、磁気センサ３１のマグネット３７が走査領域１７に及ぼすバイアス磁界の大きさをＢ2 としたとき、Ｈ1 ＜Ｂ2 ＜Ｈ2 ＜Ｂ1 としている。つまり、走査領域１７が着磁器３０の近傍を通ったのち磁気センサ３１の近傍を通ると、高保磁力の第２の磁性素子１３は、着磁磁界Ｂ1 によって磁化（着磁）され、この着磁状態を保持するため、磁気センサ３１のバイアス磁界Ｂ2 にはほとんど影響を受けない。よって、磁気的に硬質な第２の磁性素子１３は、着磁磁界Ｂ1 による磁化が磁気センサ３１によって検出される。
【００２５】
上記処理装置２０は、マイクロコンピュータ等を用いたコントローラ５０と、被検出物１０のコード表示部１８に下記暗号データを記録するためのコード書込み部５１と、コード表示部１８に記録された暗号データを読取るためのコード読取り部５２などを備えている。コード書込み部５１と読取り部５２は、読取り／書込み用の回路５３に接続されている。コントローラ５０は、Ａ／Ｄ変換器６０や比較器６１および暗号コード変換器６２などを含んでいる。コントローラ５０に表示器６５が接続されている。
【００２６】
次に、上記処理装置２０の作用について説明する。
図６は被検出物１０を作成するためのプロセスの概略を示している。製造ステップＳ１においては、被検出物１０の基材１１が製造される際に、多数の第１の磁性素子１２と多数の第２の磁性素子１３が少なくとも走査領域１７中にランダムに混入される。
【００２７】
検出ステップＳ２は、第１の走査ステップＳ３と、第２の走査ステップＳ４を含んでいる。第１の走査ステップＳ３では、被検出物１０が移送機構２２によって所定速度で矢印Ｆ方向に移動させられながら、電磁石３３が所定の磁極の磁界を発生することにより、高保磁力の第２の磁性素子１３が着磁する。第１の磁性素子１２は磁気的に軟質な低保磁力の材料からなるため、着磁してもその磁力は弱いものとなる。
【００２８】
そして走査領域１７が磁気センサ３１のところまで移動することにより、２種類の素子１２，１３にマグネット３７によってバイアス磁界が与えられるとともに、ＭＲ素子３５，３６によって、磁性素子１２，１３の分布状態に応じたアナログ波形の出力が得られる。この１回目の走査において、低保磁力の第１の磁性素子１２は、予め着磁器３０によって着磁されていても、その保磁力が小さいため、磁気センサ３１のバイアス磁界によって再び磁化される。このため、第１の磁性素子１２の出力成分は例えば図４（Ａ）に示す波形Ｗ1 となる。
【００２９】
これに対し、強く着磁している第２の磁性素子１３は、バイアス磁界にかかわらず着磁磁界を保持するため、その出力成分は例えば図４（Ｂ）に示す波形Ｗ2 となる。これら２種類の波形Ｗ1 ，Ｗ2 が合成された波形は、例えば図５（Ａ）に示す波形Ｗ4 となる。
【００３０】
上記１回目の走査が終了したのち、第２の走査ステップＳ４において、モータ２３が逆回転することにより、走査領域１７が再び着磁器３０のところまで戻される。このとき、着磁用電源回路３２の極性が切替わることにより、電磁石３３の磁極が切替わる。この状態で再びモータ２３が正転することにより、走査領域１７が所定速度で矢印Ｆ方向に移動しつつ、着磁器３０によって第２の磁性素子１３が第１の走査ステップＳ３とは逆方向に着磁する。
【００３１】
そして走査領域１７が磁気センサ３１のところまで移動することにより、２種類の素子１２，１３にマグネット３７によってバイアス磁界が与えられるとともに、ＭＲ素子３５，３６によって、磁性素子１２，１３の分布状態に応じたアナログ波形の出力が得られる。すなわち、低保磁力の第１の磁性素子１２は、予め着磁器３０によって逆方向に着磁されていても、その保磁力が小さいため、磁気センサ３１のバイアス磁界によって再び磁化される。このため第１の磁性素子１２の出力成分は１回目と同様となり、図４（Ａ）に例示する波形Ｗ1 のままである。
【００３２】
これに対し第２の磁性素子１３は逆向きに強く着磁しており、バイアス磁界にかかわらず逆向きの着磁磁界を保持するため、その出力成分は例えば図４（Ｃ）に示す波形Ｗ3 となる。これら２種類の波形Ｗ1 ，Ｗ3 が合成された波形は、例えば図５（Ｂ）に示す波形Ｗ5 となる。
【００３３】
このように１回目の走査と２回目の走査とで着磁磁界の向きを逆転させることにより、２種類の出力波形Ｗ4 ，Ｗ5 が検出される。なお、１回目の走査では磁性素子１３の着磁を行わずに（磁性素子１３を消磁した状態で）走査領域１７の走査を行い、２回目は磁性素子１３に着磁して走査領域１７の走査を行うようにしてもよい。この場合、着磁器３０は構成の簡単な永久磁石を用いることができる。すなわちこの明細書でいう着磁条件とは、着磁磁界の向きや大きさ以外に、第２の磁性素子１３の着磁の有無も含むものである。また、着磁器３０による磁界の強さを変えて、第３あるいは第４の走査ステップを行うことにより、３種類以上の出力波形を得るようにしてもよい。
【００３４】
上記波形Ｗ4 ，Ｗ5 の出力電圧は、微小時間ごとに区切られて複数段階にランク付けされ、ディジタル化される。こうして走査領域１７に固有のコード化された検出信号が得られる。
【００３５】
上述の検出信号を、暗号化ステップＳ５において、暗号コード変換器６２によって、特定のルールに従って暗号化する。こうして暗号化されたデータが、書込みステップＳ６において、コード書込み部５１の磁気ヘッドによって、コード表示部１８に記録される。この実施形態のコード表示部１８は磁気帯であるが、例えば印字ヘッドを用いて上記暗号データをコード表示部１８にバーコードで記録するようにしてもよい。
【００３６】
被検出物１０が真正であるか否かのチェックも上記処理装置２０を使って行われる。図７は、被検出物１０の真正さをチェックするための照合プロセスの概略を示している。検出ステップＳ１１は、前述した作成プロセスと同様の第１の走査ステップＳ３と第２の走査ステップＳ４を含んでおり、それぞれ着磁器３０による着磁条件を作成プロセスと同様に切替えながら、磁気センサ３１によって走査領域１７を２回以上走査することにより、磁性素子１２，１３の分布等に応じた検出信号を得る。
【００３７】
コード読取りステップＳ１２においては、コード表示部１８に記録されているデータ（暗号データ）がコード読取り部５２によって読取られる。この暗号データが、コード再生ステップＳ１３において、暗号コード変換器６２によって所定のルールに基いて復号されることにより、照合用コードが再生される。そして判別ステップＳ１４において、上記照合用コードと、検出ステップＳ１１で検出された検出信号とが比較器６１によって比較され、両者が対応した時に、この被検出物１０が本物であると判断され、その照合結果が表示器６５に表示される。
【００３８】
なお、この被検出物１０のセキュリティ性を高めるために、被検出物１０を処理装置２０から排出する際に、消磁器（図示せず）によって走査領域１７を消磁しておくとよい。その場合、着磁器３０の電磁石３３に交流電源を接続することにより、消磁器を兼用させてもよいし、あるいは別途に消磁器を設けるようにしてもよい。
【００３９】
【発明の効果】
請求項１に記載した発明によれば、走査領域に混入された第１および第２の磁性素子の分布状態とその組合わせに応じて、多様な検出信号が得られ、偽造防止や不正使用を防止する上で有効な被検出物が得られる。つまりこの発明では、各磁性素子の分布状態だけでなく、第１の磁性素子と第２の磁性素子の混合状態も被検出物の特徴を表すものとして、真正さのチェックに利用される。
【００４０】
請求項２に記載したチェック方法によれば、第１および第２の磁性素子の分布状態とその組合わせによって多様な検出信号が得られ、偽造防止や不正使用を防止する上で有効である。また、走査領域を３回以上走査するとともに、それぞれの走査で着磁磁界の大きさや磁界の向きを変化させれば、さらに多様な特徴付けを行うことができる。
【００４１】
請求項３に記載した処理装置によれば、低保磁力の第１の磁性素子と高保磁力の第２の磁性素子とを走査領域中にランダムに混入した被検出物の真正さをチェックするにあたって、第１の磁性素子と第２の磁性素子の分布状態と混合状態に応じて、被検出物が真正であるか否かのチェックを行うことができる。
【００４２】
請求項４に記載した処理装置によれば、ＭＲ素子等の磁電変換素子とバイアス磁界発生用のマグネットを組合わせた磁気センサを用いる場合に、低保磁力の第１の磁性素子は着磁磁界で磁化されても磁気センサで保磁力を越える磁界を与えられるため、バイアス磁界による磁化が検出される。高保磁力の第２の磁性素子は、着磁磁界で磁化（着磁）され、これを保持するため、磁気センサのバイアス磁界にはほとんど影響されないため、着磁磁界による磁化が磁気センサによって検出される。こうして、複数回の走査によって多様な検出信号が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態の被検出物を模式的に示す平面図。
【図２】  図１に示された被検出物の一部の拡大図。
【図３】  図１に示された被検出物を処理する装置の概略を一部断面で示す側面図。
【図４】  第１の磁性素子と第２の磁性素子の出力成分を示す波形図。
【図５】  第１の磁性素子と第２の磁性素子の合成出力を示す波形図。
【図６】  被検出物を作成する際の処理のステップを示すフローチャート。
【図７】  被検出物の照合を行う際の処理のステップを示すフローチャート。
【符号の説明】
１０…被検出物
１１…基材
１２…第１の磁性素子
１３…第２の磁性素子
１７…走査領域
１８…コード表示部
２０…処理装置
３０…着磁器
３１…磁気センサ
【図１】
0003762523.tif 000002
【図２】
0003762523.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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