(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面と第２表面とを有する第１基板であって、前記第１表面側には垂直空洞表面放出レーザが組み込まれており、前記垂直空洞表面放出レーザは前記第２表面に向けられている、前記第１基板と、
第１表面と第２表面とを有する第２基板であって、前記第２基板の前記第１表面側には光検出器が組み込まれ、前記第１表面は前記第１基板の第２表面に隣接して配置され、前記光検出器および前記垂直空洞表面放出レーザを動作可能に結合するように配置する、前記第２基板と、
前記第１基板と前記光検出器との間であって、前記第１基板の前記第２表面の全面に形成された結合領域と、を含み、
前記垂直空洞表面放出レーザは、第１接点領域および第２接点領域を有し、
前記第１接点領域および前記第２接点領域は、前記第１基板の前記第１表面側に形成されており、
前記垂直空洞表面放出レーザは、光学スタックを有し、
複数の前記光学スタックは、距離を有してアレイに配置されており、
前記第１接点領域は、隣り合う前記光学スタックの間に形成された共通電極であり、
前記第２接点領域は、前記光学スタックの上に形成されている、光結合素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に光学素子に関し、特に光結合器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光結合器(optocoupler)は、単一の発光ダイオード(LED)と単一のフォトダイオードとを用いて作られている。典型的に、ＬＥＤとフォトダイオードは互いに並んで配置され、続いて、ＬＥＤからのランダムな光を反射してフォトダイオードに到達させる、光ドーム構造(optical dome structure)内に封入される(encase)。現在製造されている従来の光結合器には、性能の貧弱さ、即ち、速度、駆動電流が大きいこと、サイズが大きいことなど、いくつかの問題点あるいは制限がある。
【０００３】
従来の性能が低い光結合器はＬＥＤを用いているので、スイッチング速度、即ち、ＬＥＤからフォトダイオードへのデータ伝送速度は低く、このため光結合器の性能低下を招いている。また、ＬＥＤからフォトダイオードへの光結合はランダムに行われるので、ＬＥＤとフォトダイオードとの間の光結合は非効率的であり、従来の光結合器の性能を更に低下させることになる。
【０００４】
更に、現在の製造技術および大きなサイズのＬＥＤおよびフォトダイオードを用いる場合、従来の光結合器は、２組のＬＥＤとフォトダイオードを単一パッケージ内に含めるという制約がある。この大きなサイズのために、１つのパッケージ内の素子数が制限され、従来の光結合器は、大量のデータ転送を必要とする大容量の用途(large volume application)には適しておらず、また大量生産にも適していない。加えて、従来の光結合器はサイズが極めて大きく、１ワード全て(a complete word)を結合するように製造することができないため、従来の光結合器は１または２ビットのデータ転送手段(data transfer vehicle)にとどまっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上からわかるように、従来の光結合器では、高い生産性、高性能等のような現在の要件を満たすことができない。したがって、生産性が高く、性能の向上をもたらす光結合器構造があれば、非常に望ましいであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、先に述べたような従来技術の欠点を克服する光結合器が提供される。この光結合器は、第１表面と第２表面とを有する基板を備え、第１表面の側には垂直空洞表面放出レーザが一体化されており、第２表面の側には光検出器が配置されている。垂直空洞表面放出レーザは光信号を光検出器に向けて射出するように位置付けられている。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１に示すのは、光結合スタック(optocoupling stack)１１０，１１５を有する光結合器１００の簡略拡大断面図の一例である。通常、光結合スタック１１０，１１５は、垂直空洞表面放出レーザ(VCSEL:vertical cavity surface emitting laser)１１２，１１３、結合領域１３０、および光検出器１１４，１１６のような、数個の主要素子で構成されている。垂直空洞表面放出レーザ１１２，１１３は、光検出器１１４，１１６と整合されている。矢印１２８，１２９で表された、垂直空洞表面放出レーザ１１２，１１３から射出された光は、光検出器１１４，１１６に向けられることによって、結合領域１３０を通じてＶＣＳＥＬ１１２，１１３を光検出器１１４，１１６に光学的に結合する。より具体的には、垂直空洞表面放出レーザ１１２，１１３は、表面１１７を有する基板１１８、分散ブラグ反射器(DBR: distributed Bragg reflector)のスタック１１９、クラッディング領域１２０、活性部(active area)１２４を有する活性領域(active region)１２２、クラッディング領域１２３、分散ブラグ反射器のスタック１２５、電流制限領域(current confinement region)１２６、および接点領域１２７のような、多くの素子で構成されている。結合領域１３０は、透明な反射防止被膜または層(ARC)１３２、接着層１３３、および誘電体層１３１のようないくつかの素子で構成されている。光検出器１１４，１１６も、ドープ領域１３７、真性領域１３８、ドープ領域１３９、および基板１４０のようないくつかの素子で構成されている。
【０００８】
垂直空洞表面放出レーザ１１２，１１３は処理プロセスによって数種類の構造が可能であることは理解されよう。それらには、平面垂直空洞表面放出レーザ(VCSEL)、隆起導波路VCSEL(ridge-waveguide VCSEL)、埋め込みヘテロ構造素子等があり、このため種々のレーザおよび素子構造を光結合器１００に組み込むことが可能となる。更に、光結合器１００はＶＣＳＥＬ１１２，１１３、および光検出器１１４，１１６を例示するが、それ以外にもＶＣＳＥＬおよびそれ以外の光検出器を形成することによって、ＶＣＳＥＬおよび光検出器のアレイを提供することも可能である。更にまた、２つの光学スタック１１０，１１５のみが図示されているだけであるが、それ以外にも光学スタックを作成し、光学スタックのアレイも形成可能であることは理解されよう。
【０００９】
加えて、説明の都合上、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６は、９，０００ないし１１，０００オングストロームの範囲の波長で動作するように設計されており、好適な範囲は９，４００ないし９，６００オングストロームであり、規準波長(nominal wavelength)は９，５００オングストロームであると仮定する。しかしながら、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６は、組成、厚さのような特定のパラメータ、および以下に示す層を変更することによって、あらゆる適切な波長で動作するように設計可能であることは、当業者には理解されよう。
【００１０】
通常、表面１１７を有する基板１１８は、砒化ガリウム、燐化インジウムのようないずれかの適切な半導体物質であって、ｎ−型にドープされたもの、ｐ−型にドープされたもの、またはドープされないもの等で作られる。しかしながら、本発明の好適実施例では、基板１１８は、ｎ−型にドープされた砒化ガリウムで作られているので、基板１１８上にＤＢＲスタックをエピタキシャル成長させるのが容易となっている。更に、光が基板１１８を通過するように設計されている場合、基板は光１３４に対して透過性があることも理解されよう。
【００１１】
ＤＢＲスタック１１９，１２５、クラッディング領域１２０，１２３、活性領域１２２、および接点領域１２７の部分の堆積または成長は、金属有機化学蒸着(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、分子ビーム・エピタキシ(MBE:Molecular Beam Epitaxy)、化学ビーム・エピタキシ(CBE:Chemical Beam Epitaxy)、スパッタリング、蒸着等のような、いずれかの適切な方法で達成される。
【００１２】
ＤＢＲスタック１１９は、第１ドーパント濃度を有する第１ドーパント型の基板１１８上に配置または堆積される。ＤＢＲスタック１１９は、第１濃度から第２濃度に交互に変化するアルミニウム濃度を有する砒化ガリウム・アルミニウムの交互膜または層で構成されている。ＤＢＲスタック１１９のドーピングは、シリコン(Si)、セレニウム(Se)等のようないずれかの適切なｎ−型ドーパントによって行われる。更に、用途によっては、ＤＢＲスタック１１９，１２５の交互層の間に連続勾配層(continuous grading layer)を介在させることによって、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３の直列抵抗を低下させる。直列抵抗の低下の結果として、それに対応してスレシホールド電圧が低下し、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３の性能が向上する。
【００１３】
通常、交互層のアルミニウム濃度は、規準として(nominally)８０および１５パーセントの間で交互に変化し、これらの濃度値は、７５ないし１００パーセントおよび１ないし２０パーセントの範囲を取る。また、好適な範囲は、それぞれ、７８ないし８２パーセントおよび１３ないし１７パーセントである。ＤＢＲスタック１１９の典型的なドーピング濃度は、１立方センチメートル(cm-3)当たり5E17ないし 5E18の範囲とすることができ、好適な範囲は１立方センチメートル(cm-3)当たり 5E17ないし2E18であり、規準値は１立方センチメートル(cm-3)当たり 1E18である。
【００１４】
通常、交互層の厚さは、ＶＣＳＥＬ即ちＶＣＳＥＬ１１２，１１３が動作するように設計された所望の波長の四分波長(1/4)に調節されている。加えて、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３の製造に用いる交互層即ち対は、いずれかの適切な数でよいが、通常交互層の数を増加させれば、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３の特性が改善されることは理解されよう。また、交互層の対即ち交互層の数は、光１３４がどこから放出されるかによっても異なることも理解されよう。例えば、図２を参照して、光が放出孔２０１，２０２に向かって放出される場合、ＤＢＲスタック１１９の層の対即ち交互層の数は、ＤＢＲスタック１２５に対して多くなる。
【００１５】
クラッディング領域１２０は、ｎ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層と、非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層とを、ＤＢＲスタック１１９上に含み、ｎ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウムはＤＢＲスタック１１９上に堆積され、非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層はｎ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層上に堆積される。典型的に、ｎ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層は、先にＤＢＲスタック１１９について記載したもと同様の濃度および範囲でドープされている。しかしながら、ｎ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層のアルミニウム成分は４０ないし６０パーセント、そして好適な範囲は４５ないし５５パーセントであり、規準値は５０パーセントである。加えて、ｎ−ドープ砒化アルミニウムおよび非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層の厚さは、それぞれ４００および６００オングストローム程度である。また、非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層のアルミニウム成分は、典型的に、１０ないし５０パーセント、好ましい範囲は２０ないし４０パーセント、規準値は３０パーセントである。
【００１６】
既に述べたように、クラッディング領域１２０上に活性領域１２２が堆積すなわち配置されている。活性領域１２２は、少なくとも１つの量子井戸と２つのバリア領域を含むように作られ、量子井戸を２つのバリア領域間に配置する。しかしながら、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３には、いかなる適切な数の量子井戸およびバリア領域でも使用可能であることは理解されよう。バリア領域は非ドープ砒化ガリウム・アルミニウムで作られ、アルミニウム成分は適切な値であればいずれでもよい。典型的に、バリア領域のアルミニウム成分は、１０ないし５０パーセントの範囲であり、好ましい範囲は２０ないし４０パーセント、規準値は３０パーセントである。量子井戸は、非ドープ砒化ガリウム・インディウム等のようないずれかの適切な物質で作られる。しかしながら、量子井戸の物質組成は、図２に示したような他の構造では砒化ガリウムに、そして更に他の適切な半導体組成物に変更可能であることは理解されよう。通常、バリア領域と量子井戸は双方共、厚さが１００オングストローム程度である。
【００１７】
クラッディング領域１２３は、ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層と、非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層とを、活性領域１２２上に含み、非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層が活性領域１２２上に堆積され、ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層が非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層上に堆積される。ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウムのアルミニウム成分は、４０ないし６０パーセントの範囲とすることができ、好ましい範囲は４５ないし５５パーセント、規準値は５０である。ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層および非ドープ砒化ガリウム・アルミニウムの厚さは、それぞれ、４００および６００オングストローム程度である。非ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層は典型的に、１０ないし５０パーセントの範囲のアルミニウム成分を有し、好適な範囲は２０ないし４０パーセント、規準値は３０パーセントである。
【００１８】
ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層、ＤＢＲスタック１２５、および接点領域１２７は、炭素、ベリリウム、亜鉛等のようないずれかの適切なｐ−型ドーパントをドープした砒化ガリウム・アルミニウムで作られる。通常、ｐ−ドープ砒化ガリウム・アルミニウム層およびＤＢＲスタック１２５のドーピング濃度は、１立方センチメートル(cm-3)当たり5E17ないしlEl9であり、好適な範囲は１立方センチメートル(cm-3)当たり5E17ないし4El8、規準値は１立方センチメートル(cm-3)当たり1E18である。しかしながら、接点領域１２７に関しては、本発明の好適実施例では、接点領域１２７には、亜鉛等のようなｐ−型ドーパントをドープし、そのドーパント濃度は１立方センチメートル(cm-3)当たり1E18ないし5El9の範囲であり、規準値は１立方センチメートル(cm-3)当たり2E19である。
【００１９】
ＤＢＲスタック１２５は、砒化ガリウム・アルミニウムで作られた交互層を含み、これら交互層のアルミニウム成分は、先にＤＢＲスタック１１９について述べたように、交互に異なる値を取る。更に、ＤＢＲ１１９を参照して既に述べたように、交互層の厚さは、通常１／４波長となるように構成される。
【００２０】
電流制限領域１２６は、ＤＢＲスタック１２５の部分の結晶構造完全性(crystal structural integrity)を局所的に変化させ、電気抵抗が増大した局所領域を生成することによって形成される。電気抵抗が増大した局所領域を生成することによって、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３の動作の間、電流は活性領域１１２の活性部１２４に向けられるため、光１２８，１２９が発生する。通常、ＤＢＲスタック１２５の構造的完全性を変化させるには、水素、酸素等のようないずれかの適切なイオンを注入し、注入領域におけるエピタキシャル構造を変化させ、その局所抵抗を増大させる。加えて、電流制限領域１２６を生成する際、エッチングのような他の方法を用いれば、隆起導波路構造の形成も可能であることは理解されよう。
【００２１】
接点領域１２１は、例えば、チタン、タングステン、アルミニウムのような金属、チタン・タングステンのような合金のような、いずれかの適切な導電性物質で作られる。接点領域１２１の作成は、堆積、フォトリソグラフィ、エッチング等のようないずれかの適切な作成方法、またはこれらの方法の組み合わせによって行われる。典型的に、接点１２１と接点領域１２７との間に電圧を印加すると、その結果ＶＣＳＬＥ１１２，１１３が光１２８，１２９を発生する。
【００２２】
結合領域１３０は、反射防止層１３２、接着層１３３、および誘電体層１３１のような数枚の層から成る。通常、反射防止層１３２は、光１２８，１２９の反射がＶＣＳＥＬ１１２，１１３に戻ってくるのを防止するために作られ、これにより、結合領域１３０を通過して光検出器１１４，１１６まで達する光１２８，１２９のより効率的な経路を設ける。反射防止層１３２は、窒化物、酸窒化物、または二酸化シリコン等、いずれかの適切な物質で作られ、光１２８，１２９に反射防止層１３２を通過を許しつつ、反射防止機能を与えるように調節されている。典型的に、これは、スネルの法則(Snell's Law)にしたがって反射防止層１３２の厚さを選択することによって達成される。
【００２３】
反射防止層１３２は、例えば、低圧化学蒸着(LPCVD)、プラズマ・エンハンス化学蒸着(PECVD)、高圧化学蒸着(HPCVD)のような化学蒸着(CVD)、およびスパッタリング等のようないずれかの適切な堆積方法によって作成される。
【００２４】
誘電体層１３１は、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６間に電気的絶縁を与える。誘電体層１３１は、窒化物、酸窒化物、二酸化シリコン、または、例えばポリイミド、エポキシ等のプラスチックのような、いずれかの適切な非導電性物質で作られる。窒化物、酸窒化物、および二酸化シリコンに関しては、これらの物質は先に述べたように堆積される。しかしながら、プラスチック物質に関しては、これらの物質は、スピニング・オン(spinning-on)、積層(laminating)等のようないずれかの適切な方法で作成され塗布される。
【００２５】
接着層１３３は光学的に透明であるので接着性を有し、しかも光１２８，１２９がこの接着層１３３を通過するのを可能にする。接着層１３３は、通常、結合領域１３０の接着層によって、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３を光検出器１１４，１１６に取り付ける。接着層１３３は、例えば、ポリイミド、エポキシといったプラスチックのようないずれかの適切な接着性物質で作られ、スピニング積層(spining laminating)等のようないずれかの適切な方法で塗布される。
【００２６】
結合領域１３０は、目的を組み合わせることによって、用途によっては更に簡略化も可能であることは理解されよう。例えば、誘電体層１３１がプラスチック接着剤の場合、誘電体、反射防止、および接着特性(quality)は、１枚の層に組み込まれる。しかしながら、このような組み合わせには、適用の要件を注意深く考慮する必要があることは、当業者には理解されよう。
【００２７】
光検出器１１４，１１６はＶＣＳＥＬ１１２，１１３と整合され、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３からの光１２８，１２９を捕獲する。通常、光検出器１１４，１１６は、フォトリソグラフィ、エッチング、エピタキシャル堆積、イオン注入等、いずれかの適切な方法、またはかかる方法の組み合わせによって形成される。これらの方法は、真性領域１３８がドープ領域１３７とドープ領域１３９との間に位置するように調整された不純物ドーピング特性を備えた、ｐ−ｎ接合を有するｐ−ｉ−ｎフォトダイオードまたはｎ−ｉ−ｐフォトダイオードのいずれかとして、光検出器を作成するものである。
【００２８】
基板１４０は、シリコン、砒化ガリウム、燐化インディウム等のようないずれかの適切な物質で作られる。多くの他の基板も使用可能であることは理解されようが、ここでは例示の目的で、特に指定されていない限り、基板１４０はシリコンであると仮定する。
【００２９】
ドープ領域１３９は、適切なドーピング濃度を有するいずれかの適切な物質で作られる。例えば、基板１４０がシリコンの場合、ドープ領域１３９は、燐等のようなｎ−型ドーパントをドープされたシリコンをエピタキシャル堆積することによって作られ、これにより光検出器１１４，１１６にｎ−ドープ層を設ける。
【００３０】
真性領域(intrinsic region)１３８は、いずれかの適切な非ドープ物質で作られる。例えば、基板１４０がシリコン、ドープ領域１３９がｎ−ドープ・シリコンで作られる場合、非ドープ・シリコンをドープ領域１３９上にエピタキシャル堆積することによって、真性領域１３８を設ける。
【００３１】
ドープ領域１３７は、適切なドーピング濃度を有するいずれかの適切な物質で作られる。例えば、基板１４０が先に述べた構造を有する場合、一部分が露出し、他の部分は覆われるように真性層１３８にマスクする。次に、硼素等のようなｐ−型ドーパントを露出部分にドープする。こうして、光検出器１１４，１１６として図示されているｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを作成する。
【００３２】
図２に示すのは、光学スタック(optical stack)１１０，１１５を有する光結合器２００の拡大簡略断面図の別の例である。先に述べたのと同様の構造および素子には、それらの元の識別番号を引き続き用いることにする。
【００３３】
概略的に言えば、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３は、それぞれ、放出孔２０１，２０２を通じて光検出器１１４，１１６に光１２８，１２９を放出するように変形されている。更に、絶縁層２０５を、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６間に配置することによって、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６の電気的結合を防止する電気絶縁部を設ける。
【００３４】
接点領域２０６は、いずれかの適切な方法または技法で作られ、光１２８，１２９が接点領域２０６を通過できるようにする手段を与え、かつＶＣＳＥＬ１１２，１１３に電気接点を設ける。例えば、接点領域２０６は、先に述べたようにして形成され、更に、酸化チタン・インディウムのような導電性かつ光透過性物質の層が付加される。更に他の例では、接点領域２０６は先に述べたようにして形成され、例えば、金、銀等の導電性金属層が付加され、これを更に処理して放出孔２０１，２０２を設ける。通常、放出孔２０１，２０２は、フォトリソグラフィおよびエッチング・プロセスによって形成される。
【００３５】
絶縁層２０５は、二酸化シリコン、酸窒化物、窒化物、サファイア、ダイアモンド、例えばポリイミドのようなプラスチック等のような、いずれかの適切な光学的に透明な誘電体物質で作られる。更に、絶縁層２０５は、絶縁を強化するように変更することもできる。この場合、絶縁層２０５の厚さを増大させる、誘電体強度(dielectric strength)が高い物質を選択する等、いずれかの適切な方法を用いる。更に、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６を、絶縁層２０５から分離させることによって、絶縁層２０５の各側に絶縁ギャップを設けるように、絶縁層２０５を設計することも可能である。これらの絶縁ギャップは、ポリイミドのようないずれかの適切な光学的に透明な誘電体物質で充填するか、あるいは全く充填しなくてもよい。加えて、導電性物質を用いて絶縁層２０５の各側をパターニングすることによって、絶縁層２０５を用いて、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６のボンディング・パッドのような接点への電気的接続部を引き出すことも可能である。
【００３６】
図１および図２に示したように、光１２８，１２９は、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３から光検出器１１４，１１６に向かって、破線１３４で表された狭い光線の形で射出される。光１２８，１２９は、矢印１３６で示された約５．０゜の半角(half angle)を有するＶＣＳＥＬ１１２，１１３から発生される。ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６は、互いに密接して配置され、これによって小さなパッケージ・サイズの中にアレイの形成が可能となる。これについては、以下で述べる。例えば、光学スタック１１０，１１５は、１．５ミクロン以上の範囲の距離１１１を有することができ、好適な範囲は２００．０ミクロンないし３００．０ミクロン、規準距離は２５０．０ミクロンであるので、光学スタックのアレイを形成することができる。加えて、ＶＣＳＥＬ１１２，１１３および光検出器１１４，１１６はそれぞれ単一基板１１８，１４０上に製造可能であるので、コストの低い大量生産が可能となる。更に、半角１３６が５．０゜未満なので、光学スタック１１０，１１５間のクロストークを根絶または大幅に低減することができる。
【００３７】
更に、これまで光結合器１００，２００は、２枚の基板を含むものとして説明してきたが、用途によっては、光結合器１００，２００を簡素化すれば単一基板上でも形成可能であることは理解されよう。
【００３８】
図３および図４は、それぞれ、複数の光学スタック３０２，４０２をアレイ３００，４００に配置するためのレイアウトの拡大簡略平面図である。複数の光学スタック３０２，４０２は、先に述べた光学スタック１１０，１１５（図１および図２参照）と同様である。
【００３９】
ここでより具体的に図３を参照すると、アレイ３００は複数の光学スタック３０２から成る単一行、即ち、１ｘ８の行を示しており、８ビットを有する１ワード全体を構成する。このように１行全体を用いて送受信することにより、１ワード全体が一度に送出されるので、光結合器１００，２００の性能が向上する。加えて、ワード・サイズは時として、例えば、８、１６、３２ビット・ワードというように変化するので、アレイ３００，４００内の複数の光学スタックを追加することによって、ビット数が多いワードも用いることができる。
【００４０】
次に図４を参照する。アレイ４００は２ｘ４のアレイ、即ち２行ｘ４列のアレイを示す。これによって完全な８ビット・ワードが作られる。アレイ４００を２ｘ４のアレイとして設計することによって、サイズの経済性(economy)が得られるので、大きなワード・サイズでも比較的小さなサイズでの処理が可能となる。更に他の行および列の構成も製造可能であり、種々の光結合器の製造が可能であることも理解されよう。
【００４１】
これまで本発明の具体的な実施例について示しかつ説明してきたが、更に他の変更や改良も当業者には想起されよう。したがって、本発明はかかる特定形態には限定されないものと理解することを望み、特許請求の範囲は本発明の精神および範囲から逸脱しない全ての変更を含むことを意図するものである。
【００４２】
以上の説明から、新規な光結合器およびその製造方法が記載されたことが認められよう。更に、ＶＣＳＥＬは優れた光封じ込み特性を有するので、複数の光学スタックを備えた光結合器は生産性が高く、費用効率も高く、しかも高性能が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を具現化した光結合器の簡略断面図。
【図２】  本発明の具現化した別の光結合器の簡略断面図。
【図３】  光学スタック用レイアウトの平面概略図。
【図４】光学スタック用レイアウトの平面概略図。
【符号の説明】
１１０，１１５  光結合スタック
１１２，１１３  垂直空洞表面放出レーザ
１１４，１１６  光検出器
１１７  表面
１１８  基板
１１９，１２５  分散ブラグ反射器スタック
１２０，１２３  クラッディング領域
１２４  活性部１２４
１２２  活性領域
１２６  電流制限領域
１２７  接点領域
１２８，１２９，１３４  光
１３０  結合領域
１３１  誘電体層
１３２  透明反射防止被膜
１３３  接着層
１３７，１３９  ドープ領域
１３８  真性領域
１４０  基板
２００  光結合器
２０１，２０２  放出孔
２０５  絶縁層
２０６  接点領域
３０２，３０３  光学スタック
３００，４００  アレイ
【図１】
0003791557.tif 000002
【図３】
0003791557.tif 000003
【図２】
0003791557.tif 000004
【図４】
0003791557.tif 000005