(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電気変換素子（１２、１３）が組み込まれた光モジュール部（１４）の後端側に接続部品（１５）を介して回路基板（１６）が接続され、
前記回路基板が、前記接続部品の後面側に形成されている基板嵌合溝（１５ｂ）に挿入嵌合され、前記光電気変換素子から前記光モジュール部後端側にほぼ直線状に延出されている複数本のリード（１２ａ、１３ａ）が、前記接続部品に複数開口されている窓（１５ａ）を介して、前記回路基板の上下に振り分けるように配置され、これらの複数本のリードが前記回路基板に接続されて、前記回路基板が前記接続部品によって前記光モジュール部の高さ方向中央部に位置決めされていることを特徴とする光トランシーバ（１０）。
【請求項２】
前記回路基板が前記接続部品によって、前記光モジュール部に横並びに複数組み込まれている前記光電気変換素子の横並びの配列平面（Ｃ）とほぼ平行に位置決めされていることを特徴とする請求項１記載の光トランシーバ。
【請求項３】
前記光モジュール部下部に、前記回路基板が接続されるマザーボード側に対する固定用のマウンティングスタッドピン（１７ａ）が突設されているマウンティングプレート（１７）が取り付けられ、このマウンティングプレートを介して前記光モジュール部が前記マザーボード側と電気導通可能に接続できるようになっていることを特徴とする請求項１または２記載の光トランシーバ。
【請求項４】
前記接続部品に複数開口されている窓は前記光電気変換素子に個別に対応して横並びに配列されており、前記光電気変換素子の複数本のリードは前記複数の窓を介して、前記光モジュール部後端側に突出されて、前記回路基板に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項５】
光電気変換素子（１２、１３）が組み込まれた光モジュール部（１４、３１）と、回路基板（１６）とを、前記光モジュール部の後端に配置した接続部品（１５、４０）を用い、前記回路基板を、前記接続部品の後面側に形成されている基板嵌合溝（１５ｂ）に挿入嵌合し、前記光電気変換素子から前記光モジュール部後端側にほぼ直線状に延出されている複数本のリード（１２ａ、１３ａ）を、前記接続部品に複数開口されている窓（１５ａ）を介して、前記回路基板の上下に振り分けるように配置し、これらの複数本のリードを前記回路基板に接続して、前記回路基板が前記光モジュール部の高さ方向中央部となるように位置決めして接続することを特徴とする光トランシーバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ＬＡＮ等の高速光通信の送受信機等として用いられるＳＦＦタイプ（SFF：Small  Form  Factor）の光トランシーバ及び光トランシーバの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信機器社間の規格SFF  Multi  Source  Agreementに定められるＳＦＦタイプ（SFF：Small  Form  Factor）の光トランシーバとしては、図１３から図１５（ａ）〜（ｄ）に示すように（図中、符号１が光トランシーバ）、回路基板２にＬＤ素子３（ＬＤ：半導体レーザ）及びＰＤ素子４（ＰＤ：フォトダイオード）を取り付け、これを、光コネクタプラグが挿入接続されるレセプタクル部５を含む外ケース６に組み込む構造が広く採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような光トランシーバ１では、以下のような問題点があった。
（１）回路基板２へのＬＤ素子３やＰＤ素子４を取り付け工程から、外ケース６への組み込み工程までを一貫して行って光トランシーバ１全体を組み立てることが一般的であり、複数ラインでの組み立てが困難な構造であるため、製造能率の向上が難しい。
（２）ＬＤ素子３やＰＤ素子４である光電気変換素子の後面から突出されている複数本のリード７を回路基板２上に半田付けする際に、リード７を曲げ加工して回路基板２の所定位置に位置合わせすることが多い。このため、リード７の曲げ加工に手間が掛かる、曲げ加工のためにリード７に確保する長さによって高周波伝送特性が劣化する、リード７から高周波信号の雑音電波が発生してＰＤ側のノイズになり所謂クロストーク特性の悪化の原因になるといった不満がある。
（３）Multi  Source  Agreement規定では、回路基板２が組み込まれるケース６ａ下の所定位置にマザーボード側と電気導通可能に接続されるハウジングリードピン８が必要であるが、ケース６ａと別部品でピンを形成した場合、ケース６ａとの固定や取り合いが難しい。これに対応して、ケース６ａの一部を成形してピン８を形成することが考えられるが、広く採用されているステンレス製のケース６ａでは半田の塗れ性が悪いため、マザーボード側との半田付けが困難である。このため、マザーボード側へのハウジングリードピンの半田付けが容易で、しかも、ハウジングリードピンをケースに簡単に設けることができる構造が求められていた。
（４）ケース６ａと回路基板２との固定並びに電気導通を確実に実現できる適切な技術が無かったため、その開発が求められていた。
（５）回路基板２にケース６ａが装着されると、出力調整用に回路基板２に設けられている調整トリマを操作できないため、調整トリマの操作による出力調整を行うにはケース６ａを取り外す必要がある。
（６）Multi  Source  Agreement規定では、ＬＤ素子３やＰＤ素子４である光電気変換素子をレセプタクル部５に組み込んでなる光モジュール部９の下部に、マザーボード側に対する固定用のマウンティングスタッドピンが必要であるが、このスタッドピンの取り付けを簡単に行える技術の開発が求められていた。
（７）光トランシーバ１内部から放出される高周波電磁波でＥＭＩ特性（電磁波シールド特性）が悪化する。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑み、製造能率の向上、低コスト化等を容易に実現できる光トランシーバ及び光トランシーバの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の光トランシーバは、光電気変換素子が組み込まれた光モジュール部の後端側に接続部品を介して回路基板が接続され、前記回路基板が、前記接続部品の後面側に形成されている基板嵌合溝（１５ｂ）に挿入嵌合され、前記光電気変換素子から前記光モジュール部後端側にほぼ直線状に延出されている複数本のリード（１２ａ、１３ａ）が、前記接続部品に複数開口されている窓（１５ａ）を介して、前記回路基板の上下に振り分けるように配置され、これらの複数本のリードが前記回路基板に接続されて、前記回路基板が前記接続部品によって前記光モジュール部の高さ方向中央部に位置決めされていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光トランシーバにおいて、前記回路基板が前記接続部品によって、前記光モジュール部に横並びに複数組み込まれている前記光電気変換素子の横並びの配列平面とほぼ平行に位置決めされていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の光トランシーバにおいて、前記光モジュール部下部に、前記回路基板が接続されるマザーボード側に対する固定用のマウンティングスタッドピンが突設されているマウンティングプレートが取り付けられ、このマウンティングプレートを介して前記光モジュール部が前記マザーボード側と電気導通可能に接続できるようになっていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の光トランシーバにおいて、前記接続部品に複数開口されている窓は前記光電気変換素子に個別に対応して横並びに配列されており、前記光電気変換素子の複数本のリードは前記複数の窓を介して、前記光モジュール部後端側に突出されて、前記回路基板に接続されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明の光トランシーバの製造方法は、光電気変換素子が組み込まれた光モジュール部と、回路基板とを、前記光モジュール部の後端に配置した接続部品を用い、前記回路基板を、前記接続部品の後面側に形成されている基板嵌合溝（１５ｂ）に挿入嵌合し、前記光電気変換素子から前記光モジュール部後端側にほぼ直線状に延出されている複数本のリード（１２ａ、１３ａ）を、前記接続部品に複数開口されている窓（１５ａ）を介して、前記回路基板の上下に振り分けるように配置し、これらの複数本のリードを前記回路基板に接続して、前記回路基板が前記光モジュール部の高さ方向中央部となるように位置決めして接続することを特徴とする。
【０００６】
本発明の光トランシーバでは、光モジュール部の組み立てと、それ以外の部分の組み立てとを別のラインで並行して行えるから、製造能率の向上、低コスト化を容易に実現できる。
また、光モジュール部の後端側に設けられる接続部品によって、回路基板を光モジュール部の高さ方向中央部となるように位置決めして接続するため、光モジュール部の光電気変換素子から延出されているリードを殆ど（あるいは全く）曲げ加工することなく直線上あるいはほぼ直線状で半田付け等によって回路基板に電気導通可能に接続できる。これにより、受光素子側のノイズの低減等の特性向上を実現できる。
なお、発光素子又は受光素子である光電気変換素子を光モジュール部に複数組み込む構成では、光モジュール部に組み込む光電気変換素子としては、発光素子と受光素子とが混在した構成が採用可能である。また、場合によっては、光モジュール部に組み込む全ての光電気変換素子を発光素子として送信専用とした構成、モジュール部に組み込む全ての光電気変換素子を受光素子として受信専用した構成も採用可能である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る光トランシーバ１０の外観を示す図、図２（ａ）〜（ｅ）は前記光トランシーバ１０の外ケース１１を取り外した状態を示す図、図３は光トランシーバ１０の分解図である。
光トランシーバ１０は、規格SFF  Multi  Source  Agreementに定められるＳＦＦタイプ（SFF：Small  Form  Factor）の光トランシーバである。図１（ａ）〜（ｄ）から図３に示すように、この光トランシーバ１０は、光電気変換素子として発光素子１２と受光素子１３とが組み込まれた光モジュール部１４と、この光モジュール部１４の後端側（図２（ａ）、（ｂ）、図３において、光モジュール部１４の右側）に固定された接続部品１５と、この接続部品１５を介して前記光モジュール部１４に対して接続された回路基板１６と、この回路基板１６を外側から覆う外ケース１１と、光モジュール部１４の下面１４ａに固定されたマウンティングプレート１７と、光モジュール部１４を構成するレセプタクル部１８の外側に装着されたエクスターナルシールド１９とを有している。そして、この光トランシーバ１０は、プレート状の回路基板１６にその下面側（図１（ａ）〜（ｄ）下側、図２（ａ）〜（ｄ）下側、図３下側）に突出させて複数本固定されたリードピン１６ａを、マザーボードに押し込んで半田付け等によって電気導通可能に接続することでマザーボードに対して実装され、これにより、回路基板１６に形成されている回路を介して、発光素子１２と受光素子１３とがマザーボード側の電気回路と電気的に接続される。
発光素子１２としては、ここでは半導体レーザ（ＬＤ）を採用しており、以下、発光素子１２を「ＬＤ１２」と称する場合がある。受光素子１３としては、ここではフォトダイオード（ＰＤ）を採用しており、以下、受光素子１３を「ＰＤ１３」と称する場合がある。
【０００８】
前記光モジュール部１４は、光コネクタプラグ２０が離脱可能に挿入接続されるコネクタ穴２１ａ，２１ｂが横並びに複数形成されているハウジングであるレセプタクル部１８の内部にＬＤ１２とＰＤ１３とを組み込んだ構成になっている。ＬＤ１２及びＰＤ１３は、ここではＣＡＮタイプ（ＴＯＣＡＮタイプ）素子を採用しており、それぞれコネクタ穴２１ａ、２１ｂに対応させて横並びに配列させてレセプタクル部１８の内部に組み込まれている。光モジュール部１４の先端側（図２（ａ）、（ｂ）、図３、図４（ａ）、（ｂ）等において、光モジュール部１４の左側）からコネクタ穴２１ａ，２１ｂに光コネクタプラグ２０を挿入接続すると、この光コネクタプラグ２０に内蔵のフェルールが、光電気変換素子（ＬＤ１２、ＰＤ１３。以下「光電気変換素子１２、１３」と総称する場合がある）に対してその前面側（光モジュール部１４先端側）に配置されているレンズ系部品を介して対面され、このフェルールに挿入固定されている光ファイバが光電気変換素子１２、１３と光信号の送受信可能に光結合される。
【０００９】
なお、図１（ａ）〜（ｄ）から図４（ａ）〜（ｃ）等において、光モジュール部１４は、いわゆるＬＣ形光コネクタプラグ（ルーセントテクノロジー社の商標）である光コネクタプラグ２０の挿入接続に対応する構成を例示している。前記ＬＣ形光コネクタプラグは、径１．２５ｍｍの単心のジルコニアセラミックフェルールをラッチ付きのハウジングに組み込み、光コネクタアダプタや光コネクタレセプタクル等の雌形ハウジングに対してプッシュ・プルで着脱できるように構成したものである。前記光モジュール部１４のレセプタクル部１８は、ＬＣ形光コネクタプラグである光コネクタプラグ２０のラッチが係脱可能な構成になっており、光コネクタプラグ２０がプッシュ・プルで着脱されるようになっている。ＴＯＣＡＮタイプ素子である光電気変換素子１２、１３の先端には前記光コネクタプラグ２０のフェルールが挿入されるキャピラリ（図示略）が装着されており、このキャピラリの中に前記フェルールを挿入することで、光コネクタプラグ２０側の光ファイバが光電気変換素子１２、１３と光結合される。
【００１０】
図２（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、図５（ａ）〜（ｇ）に示すように、接続部品１５は、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）等の合成樹脂による一体成形品である。この接続部品１５に複数開口されている窓１５ａは、光モジュール部１４に組み込まれている各光電気変換素子１２、１３に対応して横並びに配列されている。各光電気変換素子から前記光モジュール部１４後端側に延出されている線状の導体であるリード１２ａ、１３ａは、光電気変換素子に個別に対応する窓１５ａを介して光モジュール部１４後端側に突出されて、回路基板１６に半田付けされる。
【００１１】
この光トランシーバ１０では、光モジュール部１４の後端側に接着剤による接着等により固定された接続部品１５の後面側（回路基板１６側）に形成されている基板嵌合溝１５ｂに回路基板１６を挿入嵌合することで、前記回路基板１６が前記接続部品１５によって前記光モジュール部１４の高さ方向（図２（ｂ）、（ｄ）の上下方向）の中央部に位置決めして、光モジュール部１４に対して接続される。回路基板１６は、その後端側に設けられているグランドパッド１６ｂを、外ケース１１の後壁１１ａから該外ケース１１の内側に突出された接続片１１ｂと半田付けすることで外ケース１１と固定されており、図２（ａ）、（ｂ）等に示すように前記接続部品１５の基板嵌合溝１５ｂと外ケース１１の接続片１１ｂと、側板１１ｃの一部を内側に折り曲げた押さえ片１１ｅとによって、所定の姿勢で前後方向（図２（ａ）左右、図２（ｂ）左右）に沿って延在配置される。接続片１１ｂと押さえ片１１ｅとは回路基板１６を上下から挟み込んで固定する。
【００１２】
なお、光モジュール部１４に対する接続部品１５の固定構造としては、接着剤による接着固定に限定されず、例えば、嵌合爪の嵌合等であっても良い。
前記接続片１１ｂは、外ケース１１の後壁１１ａの加工により形成した小片であり、適宜、側板１１ｃから外ケース１１内側に折り込むようにして折り曲げることで、回路基板１６側のグランドパッド１６ｂと半田付け可能となる。回路基板１６側のグランドパッド１６ｂと外ケース１１側の接続片１１ｂとの半田付け接続は一箇所に限定されず、適宜、複数箇所に設けても良い。また、回路基板１６と外ケース１１との間の電気導通は、回路基板１６に半田付けされ、外ケース１１の装着時に外ケース１１内面に当接されるコンタクト２３等によっても確保できる。また、押さえ片１１ｅは側壁１１ｃの加工により形成した小片である。
【００１３】
ところで、この光トランシーバ１０では、前記接続部品１５（詳細には基板嵌合溝１５ｂ）による回路基板１６の固定位置が、光モジュール部１４の高さ方向の中央部であれば、光モジュール部１４の高さ方向の中央部に搭載されている光電気変換素子１２、１３と位置合わせされることになり、この光電気変換素子１２、１３の後面側から引き出されているリード１２ａ、１３ａを殆ど曲げ加工すること無く、回路基板１６に接続できる。
詳細には、この光トランシーバ１０では、前記接続部品１５（詳細には基板嵌合溝１５ｂ）による回路基板１６の固定位置が、光電気変換素子１２、１３の後面側において複数本のリードが引き出されているリード引き出し領域（ここでは光電気変換素子の後面２２と同じ）の丁度中央部に位置しており（図２（ｄ）参照）、この回路基板１６に接続されるリード１２ａ、１３ａは、ＬＤ１２やＰＤ１３から前記接続部品１５の窓１５ａを介してほぼ直線状に延びて殆ど曲げ加工すること無く（あるいは曲げ加工を全くしないで）回路基板１６に到達され、その先端が回路基板１６の所定位置で回路基板１６の裏表に半田付けして接続されている。図２（ａ）、（ｂ）、（ｄ）等に示すように、前記回路基板１６は、前記接続部品１５によって、前記光モジュール部１４に横並びに複数組み込まれている光電気変換素子１２、１３の横並びの配列平面（図２（ｄ）中、符号Ｃ参照）とほぼ平行に位置決めされているため、どの光電気変換素子１２、１３でも、回路基板１６に接続するリード１２ａ、１３ａの曲げ加工が非常に少なくて済むことは同様である。
各光電気変換素子１２、１３では、複数本のリード１２ａ、１３ａが回路基板１６の上下に振り分けるようにして配置され、それぞれ殆ど（あるいは全く）曲げ加工することなく回路基板１６に半田付けされている。
【００１４】
このように、この光トランシーバ１０では、各光電気変換素子のリード１２ａ、１３ａの曲げ加工を省略できたり曲げ加工が少なくて済むため、回路基板１６に対するリード１２ａ、１３ａの接続作業時間の短縮、能率向上を実現できる。また、リード１２ａ、１３ａに曲げ加工を可能にする長さを確保する必要が無くなり、長さを短くできるから、長さによる高周波伝送特性の劣化を防止でき、この高周波伝送特性を向上できる。また、リード７からの高周波信号の雑音電波の発生を防止できるから、これによりＰＤ側のノイズ、所謂クロストーク特性の悪化を防止できる。
【００１５】
図６（ａ）〜（ｃ）において、回路基板１６の外側に装着される外ケース１１は、金属薄板を加工して、回路基板１６の上側と後端部と左右両側部（左右は図６（ｃ）左右。その他、図１（ｄ）でも左右、図２（ｄ）でも左右）を覆うカバー状になっている。また、この外ケース１１は、全体が半田めっきされた銅合金（銅合金は例えば燐青銅等）によって形成されている。この外ケース１１の左右両側板１１ｃの下端（図６（ｂ）、（ｃ）下側）を成形して形成されたリードピン１１ｄは、前記回路基板１６が接続されるマザーボード側に半田付けされるものである。このリードピン１１ｄも半田めっきされた銅合金によって形成されていることから、このリードピン１１ｄのマザーボード側に対する半田付けは、従来多用されているステンレス製外ケースを成形したものに比べて、迅速かつ確実に行うことができる。回路基板１６に対するリードピン１１ｄの接続にはフロー半田付け等を採用できる。また、外ケースと別部材になっているリードピンに比べて、外ケース１１からの成形のみによって非常に簡単に形成でき、低コスト化できる。
【００１６】
外ケース１１のリードピン１１ｄをマザーボード側の回路に接続して電気導通可能とすると、回路基板１６のグランドパッド１６ｂと外ケース１１の接続片１１ｂとの電気導通可能な接続（半田付け）によって、マザーボード側の回路と回路基板１６との間が外ケース１１を介して電気的に接続されることとなる。接続片１１ｂを回路基板１６のグランドパッド１６ｂに半田付けによって接続する際には、外ケース１１と回路基板１６とを同電位とする。
【００１７】
なお、外ケース１１は、接続部品１５をも覆うようにしてその外側に設けられ、接続部品１５の左右両側に位置する両側板１１ｃの下端を成形して突出状態に形成した折り曲げ爪１１ｅ（図６（ｂ）、（ｃ）参照）を外ケース１１内側に向けて折り曲げることで、接続部品１５を抱え込むようにして固定されるようになっている。
【００１８】
回路基板１６には光電気変換素子１２、１３を高速送受信駆動するための電気回路が形成されており、回路基板１６に設けられている調整トリマ２４（図２（ａ）等参照）を工具（操作用工具）で回転操作すると、この電気回路の出力等を調整できる。外ケース１１には、調整トリマ２４の操作用工具を挿入するための工具挿入穴１１ｆ（図１（ａ）、図６（ａ）参照）が形成されているから、この光トランシーバ１０では、外ケース１１を装着した後でも前記工具挿入穴１１ｆに操作用工具を挿入することで、外ケース１１を離脱すること無く調整トリマ２４を操作して出力調整を行える。
【００１９】
図２（ｂ）、（ｅ）、図３、図７（ａ）〜（ｃ）等に示すように、前記光モジュール部１４下部に固定されるマウンティングプレート１７には、前記回路基板１６が接続されるマザーボード側に対する固定用のマウンティングスタッドピン１７ａが突設されているから、光トランシーバ１０をマザーボードに対してがたつき等を生じること無く安定に固定できる。しかも、このマウンティングプレート１７は、半田めっきされた銅合金によって形成されており、導電性接着剤を用いて、光モジュール部１４表面の導電性めっき層に対する電気導通を確保して光モジュール部１４に接着固定しているので、前記マウンティングスタッドピン１７ａをマザーボード側に電気導通可能に接続すると、光モジュール部１４とマザーボード側との間を電気導通可能に接続できる。
【００２０】
図１（ａ）〜（ｃ）、図３、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、光モジュール部１４の外側に設けられているエクスターナルシールド１９は、ステンレス薄板等の導電性金属薄板から形成されており、光モジュール部１４からの電磁波の放射を防止する。これにより、光モジュール部１４から発生する高周波信号の雑音電波の放射を大幅に低減できるから、前記雑音電波によるＰＤ側のノイズ、クロストーク特性の悪化を効果的に防止することができる。
図８（ａ）〜（ｃ）において、エクスターナルシールド１９は、金属薄板を折り込んで、光モジュール部１４に装着される角筒状に成形した構成になっている。エクスターナルシールド１９の具体的形状は、光モジュール部１４のレセプタクル部１８の形状等に対応して、適宜、変更可能であり、これを構成する金属薄板の折り込み方によって、レセプタクル部や光モジュール部の各種形状に幅広く対応できる。しかも、このエクスターナルシールド１９は、非常に安価で形成でき、低コストで優れたＥＭＩ特性が得られるといった利点もある。
【００２１】
この光トランシーバ１０の製造方法を図３を参照して説明すると、まず、光電気変換素子１２、１３が組み込まれた光モジュール部１４や回路基板１６等をそれぞれ組み立てる。次いで、組み立てた光モジュール部１４の後端に接続部品１５を固定し、この接続部品１５の基板嵌合溝１５ｂに回路基板１６を押し込んで嵌合させ、光電気変換素子１２、１３のリード１２ａ、１３ａを回路基板１６に半田付けする。これにより、回路基板１６が接続部品１５によって光モジュール部１４に対して所定位置に位置決めして接続される。また、回路基板１６へのコンタクト２３の半田付け等も行う。次に、回路基板１６を内側に収容するようにして外ケース１１を装着し、折り曲げ成形した接続片１１ｂの回路基板１６との半田付け等を行い、光トランシーバ１０を完成する。
この製造方法によれば、光モジュール部１４の組み立てを、回路基板１６等の他の部分の組み立てと分離して別工程で行うことができる。このため、光モジュール部１４等の複数部分の組み立てを個別に別ラインで行うことができ、製造能率を向上できる。
【００２２】
（別の実施の形態）
図９（ａ）〜（ｄ）に示す光トランシーバ３０は、多心光コネクタプラグとの接続に対応できる光モジュール部３１を備えたものである。前記光モジュール部３１には、図１０（ａ）、（ｂ）に示す光コネクタプラグ３２が離脱可能に挿入接続される筒状のレセプタクル部３１ｄが設けられている。前記光コネクタプラグ３２は、ＭＴ−ＲＪ形光コネクタと呼ばれるものであり、光コネクタレセプタクルや光コネクタアダプタ３３等の雌形光コネクタに対して係脱可能なラッチ３４付きのハウジング３５先端に多心用（ここでは２心）のフェルール３６を収容したものであり、雌形光コネクタに挿入接続した後、雌形光コネクタに対するラッチ３４の係合解除操作によって雌形光コネクタから抜き去ることができる。前記フェルール３６は、ＪＩＳ  Ｃ  ５９８１に制定されるＭＴ形光コネクタ（ＭＴ：Mechanically Transferable)と同様のピン結合方式によって精密位置決めして突き合わせ接続されるプラスチック製フェルールであるが、但しＭＴ形光コネクタよりもサイズが小さいものである。ここでは、フェルール３６は、２本の光ファイバ３７を保持しその先端を接合端面３６ａに露出させている。
【００２３】
光トランシーバ３０の光モジュール部３１のレセプタクル部３１ｄの内部には、光コネクタプラグ３２のラッチ３４が挿入されるラッチ挿入溝３１ａが設けられている。ラッチ３４は自身のバネ力によってラッチ挿入溝３１ａに沿ってその内面を押圧しながらレセプタクル部３１ｄの奥側へ挿入され、レセプタクル部３１ｄの側壁に開口された係合穴３１ｅに入り込むことでレセプタクル部３１ｄに対して離脱可能に係合する。光コネクタプラグ３２を光モジュール部３１の奥側へ押し込むことで、ハウジング３５先端のフェルール３６の接合端面３６ａが光モジュール部３１側の光ファイバ保持部材３１ｂに当接され、前記接合端面３６ａに露出されている光ファイバ３７が前記光ファイバ保持部材３１ｂに保持されてその端面に露出されている光ファイバ３１ｃに突き合わせ接続される。周知の通り、フェルール３６は、接続する相手側に対してピン結合方式により精密に位置決めして突き合わせ接続されるようになっており、光コネクタプラグ３２では、ハウジング３５先端のフェルール３６の接合端面３６ａの両側のガイドピン穴３６ｂを、レセプタクル部３１ｄの最奥部にて光ファイバ保持部材３１ｂを介して両側に突設されている位置決めピン３１ｆに押圧して挿入、嵌合させることでフェルール３６が精密に位置決めされ、光ファイバ３１ｃ、３７同士の光接続が実現される。
ここでは、光コネクタプラグ３２のフェルール３６に保持されている２本の光ファイバ３７が、光ファイバ保持部材３１ｂ側の２本の光ファイバ３１ｃに接続されるようになっている。光ファイバ保持部材３１ｂ側の光ファイバ３１ｃは、それぞれ、光モジュール部３１に内蔵されている光電気変換素子１２、１３と１：１に個別に光接続されており、この光ファイバ３１ｃに光コネクタプラグ３２側の光ファイバ３７が接続されると、光コネクタプラグ３２側の光ファイバ３７が光ファイバ３１ｃを介して光電気変換素子１２、１３と光接続されることになる。
【００２４】
光モジュール部３１内では、複数の光電気変換素子１２、１３を横並びに配列させて収容しており、この収容状態は、前述の光トランシーバ１０の光モジュール部１４と同様である。
但し、前記光トランシーバ３０では、光モジュール部３１の後端側（図９（ａ）〜（ｃ）で右側）に組み付けた樹脂製の素子収容部３８に光電気変換素子１２、１３を収容、固定している。前記素子収容部３８の形成樹脂としては、例えばウルテム（ポリエーテルイミド樹脂：「ウルテム」はゼネラルエレクトリック社の商標）等の成形性、耐久性等に優れたプラスチック類が各種採用可能である。また、この光トランシーバ３０では、素子収容部３８の下面３８ａ側に突設されたリードピン３９は、該素子収容部３８の形成樹脂に金属ピンをインサート成形によって固定している。
【００２５】
また、この光トランシーバ３０では、図１１、図１２に示すような接続部品４０を採用している。この接続部品４０は、回路基板１６の端部が載置される枠状の基板固定台４１と、この基板固定台４１の中央部から突出された挿入固定片４２とを有しており、素子収容部３８に形成された切り込み３８ｂ（図９（ｃ）参照）に挿入固定片４２を挿入して接着固定することで、光モジュール部３１の後端側に（詳細には素子収容部３８の後端側）の所定位置に基板固定台４１を配置している。挿入固定片４２の基板固定台４１からの突出先端に穿設されている穴４２ａ（図１２参照）に、素子収容部３８から切り込み溝３８ｂ内に突出された突起３８ｃ（図９（ｂ）参照）を挿入嵌合することで、光モジュール部３１に対する接続部品４０の引き抜き耐力を充分に確保できる。
回路基板１６は基板固定台４１上にて接着固定されており、これにより接続部品４０を介して光モジュール部３１に対して位置決めして接続されている。また、回路基板１６に形成されている位置決め穴１６ｃを、基板固定台４１上に突出されている位置決め突起４１ａに嵌合し、さらに、該回路基板１６の光モジュール部３１側端部の左右両側の切欠部１６ｄを、コ字枠状の基板固定台４１の両端に突出されている係合突部４１ｂに係合又は嵌合させることで、接続部品４０を介して光モジュール部３１に対して回路基板１６がしっかりと固定される。図９（ａ）、（ｃ）に示すように、コ字枠状の前記基板固定台４１は、回路基板１６の光モジュール部３１側の端部のグランドパッド（図示略）を避けて配置されており、各光電気変換素子１２、１３から突出されているリード１２ａ、１３ａと干渉しないようになっている。
【００２６】
この接続部品４０による光モジュール部３１に対する回路基板１６の固定位置は、前述の光トランシーバ１０と同じであり、光モジュール部３１の各光電気変換素子１２ａ、１３ａから突出されているリード１２ａ、１３ａが直線状のまま回路基板１６に対して半田付けされている構造も、光トランシーバ１０と同様になっている。
この接続部品４０を用いて回路基板１６を光モジュール部に固定、接続する構造は、光トランシーバ３０に限定されず、前述の光トランシーバ１０等、本発明に係る各光トランシーバに適用可能である。
【００２７】
この光トランシーバ３０でも、光モジュール部３１と、回路基板１６等の光モジュール部３１以外の部分とを別工程で組み立てできるので、製造能率の向上、低コスト化を実現できる。
【００２８】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されず、例えば、外ケース１１や接続部品１５の具体的形状等は適宜変更可能であることは言うまでも無い。
前記実施の形態では、２心用の光トランシーバを例示したが、本発明はこれに限定されず、４心、８心等、さらに多心に対応できる構成も採用可能である。多心に対応するには、光モジュール部に光電気変換素子を増設する。
【００２９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の光トランシーバによれば、光モジュール部の組み立てと、それ以外の部分の組み立てとを別工程とすることができ、各部の組み立てを並行して行うが可能であるから、製造能率の向上、低コスト化を容易に実現できるといった優れた効果を奏する。
また、光モジュール部の後端側に設けられる接続部品によって、回路基板を光モジュール部の高さ方向中央部となるように位置決めして接続するため、光モジュール部の光電気変換素子から延出されているリードを殆ど（あるいは全く）曲げ加工することなく直線上あるいはほぼ直線状で半田付け等によって回路基板に電気導通可能に接続できる。これにより、受光素子側のノイズの低減等の特性向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施の形態の光トランシーバの外観を示す図である。
【図２】  （ａ）〜（ｅ）は、図１の光トランシーバの内部構造を示す図である。
【図３】  図１の光トランシーバを示す分解図である。
【図４】  （ａ）〜（ｃ）は図１の光トランシーバの光モジュール部を示す図である。
【図５】  （ａ）〜（ｇ）は図１の光トランシーバに適用される接続部品の一例を示す図である。
【図６】  （ａ）〜（ｃ）は図１の光トランシーバに適用される外ケースを示す図である。
【図７】  （ａ）〜（ｃ）は図１の光トランシーバに適用されるマウンティングプレートを示す図である。
【図８】  （ａ）〜（ｃ）は図１の光トランシーバに適用されるエクスターナルシールドを示す図である。
【図９】  （ａ）〜（ｄ）は本発明の別の実施の形態の光トランシーバを示す図であって、所謂ＭＴ−ＲＪ形光コネクタの接続に適用可能な光トランシーバを示す。
【図１０】  （ａ）、（ｂ）は、図９の光トランシーバに接続される光コネクタプラグの具体例を示す図である。
【図１１】  図９の光トランシーバの光モジュール部付近を後端側から見た斜視図である。
【図１２】  図９の光モジュールに適用される接続部品を示す斜視図である。
【図１３】  従来例の光トランシーバの外観を示す斜視図である。
【図１４】  図１３の光トランシーバを示す分解図である。
【図１５】  （ａ）〜（ｄ）は、図１３の光トランシーバの内部構造の概略を示す図である。
【符号の説明】
１０…光トランシーバ、１１…外ケース、１１ｂ…接続片、１１ｄ…リードピン、１１ｆ…工具挿入穴、１２…光電気変換素子（発光素子、ＬＤ）、１２ａ…リード、１３…光電気変換素子（受光素子、ＰＤ）、１３ａ…リード、１４…光モジュール部、１５…接続部品、１６…回路基板、１６ａ…グランドパッド、１７…マウンティングプレート、１７ａ…マウンティングスタッドピン、１９…エクスターナルシールド、２４…調整トリマ、３０…光トランシーバ、３１…光モジュール部、４０…接続部品、Ｃ…配列平面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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