(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に形成されているパターンを基板に投影するための投影光学系と、該基板及び原版の少なくともいずれかの物体を保持して該投影光学系に対して移動可能なステージと、該投影光学系を支持する鏡筒支持体とを備えた露光装置において、
前記ステージに配置されＸＹ平面に対して実質平行な反射面を持つＺ計測用ミラーを用い、該鏡筒支持体に対する該ステージのＺ位置及び変位を測定する干渉計を備えた干渉計システムを含み、
前記干渉計システムは、前記干渉計から出射された計測光が、計測の基準となる前記鏡筒支持体に取り付けられた複数のミラーまたはプリズムを介して前記Ｚ計測用ミラーに入射することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記干渉計システムが装置上に複数配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記複数の干渉計システムの計測結果を利用して、前記ステージの傾き量が計測されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
原版に形成されているパターンを基板に投影するための投影光学系と、該基板及び原版の少なくともいずれかの物体を保持して該投影光学系に対して移動可能なステージと、該投影光学系を支持する鏡筒支持体とを備えた露光装置において、
前記ステージに配置されＸＹ平面に対して実質平行な反射面を持つＺ計測用ミラーを用い、該鏡筒支持体に対する該ステージのＺ位置及び変位を測定する干渉計を備えた干渉計システムを含み、
前記干渉計システムは前記投影光学系をまたいで装置上に複数配置されることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記干渉計システムにおける干渉計は互いに重複した測定可能領域を持ち、該測定可能領域が重複する領域内にステージが位置する場合に、前記干渉計による計測は切り替えられることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記干渉計システムによる位置及び変位の測定結果に基づき、該位置及び変位を補正する制御手段を更に備え、該補正のために前記複数の干渉計の測定値はそれぞれ同期して取り込まれ、該制御手段に送られることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記干渉計が前記ステージ及び該ステージに追従する可動部の少なくともいずれかに搭載され、該干渉計が搭載された可動部のストローク方向に長いＺ計測用の長尺ミラーを該ステージに有し、該Ｚ計測用長尺ミラーはＸ計測用ミラー及びＹ計測用ミラーの少なくともいずれかの上面を利用したものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記干渉計システムは、前記Ｚ計測用ミラーに入射する計測光が反射面に対して略垂直であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記干渉計は計測光と参照光を各２本ずつ計４本出射し、４本のビームの位置関係が十字かつ略等間隔で配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
前記Ｚ計測用ミラーの直前に配置されるミラーまたはプリズムが、計測光を該Ｚ計測用ミラーへ、参照光をもと来た光路へ反射する、少なくとも２つの反射面を持つことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
Ｙ方向に移動可能なＹステージと、
Ｙステージに対してＸ方向に移動可能なＸステージと、
該Ｘステージに搭載され、ＸＹ平面に平行な反射面を持つＺミラーと、
ＹステージからＺ方向に照射されたビームを該Ｚミラーに導くためのミラーまたはプリズムと、
該Ｚミラーから反射したビームを利用して該ＸステージのＺ方向の位置を検出する干渉計と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記干渉計は前記Ｙステージに搭載されていることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記Ｙステージは、Ｙ方向からのビームをＺ方向に反射する反射面を有する光学素子を更に備え、
前記干渉計はＹ方向に平行なビームを該光学素子に向けて照射することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記ビームをＺミラーに導くためのミラーまたはプリズムは、ＹステージからＺ方向に照射されたビームをＸ方向に反射する第１のミラーまたはプリズムと、
前記第１のミラーまたはプリズムから照射されたビームをＺ方向に反射してＺミラーに照射する第２のミラーまたはプリズムと、
を有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１のミラーまたはプリズムと第２のミラーまたはプリズムは、Ｙ方向に長尺であることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２のミラーまたはプリズムは、前記第１のミラーまたはプリズムから照射されるビームのうちの参照光を第１のミラーまたはプリズムに反射する反射面を有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記ステージの中心位置が露光中心の近傍に制御されているとき、前記干渉計システムにおける複数の干渉計は重複した測定可能領域を有することを特徴とする請求項２乃至１６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれかに記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、
該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項１９】
前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、
前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程と、
を更に有することを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２０】
前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１９に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２１】
請求項１乃至１７のいずれかに記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
【請求項２２】
半導体製造工場に設置された請求項１乃至１７のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベースを提供する工程と、
前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工程と、
前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程と、
を有することを特徴とする露光装置の保守方法。
【請求項２３】
請求項１乃至１７のいずれかに記載の露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとを更に有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通信することを可能にしたことを特徴とする露光装置。
【請求項２４】
前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供する保守データベースにアクセスするためのユーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該データベースから情報を得ることを可能にすることを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物体の垂直方向の位置及び変位量を測定するレーザ干渉計システムを含み、液晶基板または半導体デバイスの製造等に用いられる露光装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１３及び図１４に従来の半導体露光装置等に使用される位置決め装置の計測手段の一例を示す。図１３はレーザ干渉計による計測システムの配置を示す斜視図、図１４はこのような計測システムを備えた従来の半導体露光装置の全体を示す正面図である。
【０００３】
図１４において、７はレチクルパターンを照明する照明部、８は転写すべきパターンを有するレチクル、９はレチクルパターンをウエハ上に投影する投影レンズ、１０は投影レンズ９を支持する鏡筒支持体、１１はステージ定盤、１３はＸステージ、１４はＹステージ、１５はＸステージ駆動用のガイド及びＸリニアモータ、１６はＹステージ駆動用のガイド及びＹリニアモータであり、ＸＹステージ上に精密位置決めを行うトップステージ２を搭載する。トップステージ２はガイド１５，１６及びアクチュエータによりＸ軸方向及びＹ軸方向に長ストローク移動し、トップステージ２をＸステージ１３に対してＺ方向に駆動するＺアクチュエータ１７によりＺ軸方向及びωＸ，ωＹ，θの回転方向に短いストローク移動する。
【０００４】
図１３において、１は不図示のウエハを搭載するウエハチャック、２はウエハチャック１を支持し搭載するステージのトップステージであり、３はトップステージ２に取り付けられＸ軸方向に対し垂直な反射面を有するＸミラー、４はトップステージ２に取り付けられＹ軸方向に対し垂直な反射面を有するＹミラー、５ａ，５ｂ，５ｃはＸ方向を計測するＸ干渉計、６ａ，６ｂはＹ方向を計測するＹ干渉計である。Ｘ干渉計５ａ，５ｂ，５ｃ及びＹ干渉計６ａ，６ｂは計測の基準となる、図１４に示す鏡筒支持体１０に支持固定されている。
【０００５】
従来、位置決め装置と称される装置の位置決めには、ステージに取り付けられた反射ミラーの各々所定の位置にレーザ光を入射し、反射光よりビーム入射位置のビーム入射方向に沿った位置変動情報を得て位置検出を行い、この検出結果より位置決め制御を行う。回転方向の検出手段としては、同一軸方向で２ヶ所のビーム入射位置のその軸方向に沿った位置変動情報を得ることにより求める。すなわち、図１３の計測システムでは、Ｘ干渉計５ａ，５ｂ，５ｃに基づく位置変動情報よりＸ，θ，ωＹ方向、Ｙ干渉計６ａ，６ｂによりＹ，ωＸ方向の位置検出を行って、Ｚ軸を除く５軸制御の位置決め制御を、レーザ干渉計による位置検出情報を基に行う。
【０００６】
再び図１４において、１２は前述のステージ内に設けられたリニアエンコーダや静電容量センサ等のＺ変位センサであり、Ｘステージ１３に対するトップステージ２の変位を３ヶ所で測定し、トップステージ２のＺ方向の変位と傾き方向( チルト方向) の変位が測定可能である。また、鏡筒支持体１０からステージ定盤１１のＺ計測を行う不図示の３つの干渉計とＺ変位センサ１２の計測値より、鏡筒支持体１０を基準としたトップステージ２のＺチルト方向を計測でき、その検出結果に基づいて、Ｚ軸方向の位置決め制御が行われる。
【０００７】
また、図１５に示すように干渉計を用いて直接トップステージ２のＺ計測を行う方法もある。同図において、１８はＺ計測を行うため鏡筒支持体１０に取り付けられたミラー、１９はＸミラーとＸミラーに対して鋭角の角度を持つＺ計測ミラーが一体となったものであって、トップステージ２の移動平面に平行に入射された計測光を、Ｚ方向に反射するものであり、２０はＺ計測用の干渉計である。この計測方法では、鏡筒支持体１０を計測の基準として、トップステージ２のＺ方向の位置及び変位を直接測定することが可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＺ方向の位置検出手段を用いた位置決め装置においては、以下のような問題点が生じる。
【０００９】
図１３及び図１４に示した従来例では、トップステージのＺ方向の位置情報をＸステージとトップステージとの位置関係から求めているため、ステージ加減速時の慣性力やステージ自体の自重が移動荷重として作用したときのステージガイド部の変形や、ステージを支持搭載する定盤や構造体の変形が計測誤差となり、高精度な位置決めが難しい。
【００１０】
図１５に示した従来例では、Ｘもしくは、Ｙ計測ミラーと斜面を持つＺ計測ミラーが一体であるため、高い精度が要求されるＸ，Ｙ計測ミラーに、Ｚ計測のための加工やミラーの接着などを行うことにより、平面度の低下を招き、位置決め精度が悪くなる。また重量の増加、接着剤の経時変化による変形などによっても、位置決め精度が悪くなる。
【００１１】
本発明の目的は、上記従来技術の課題に鑑み、ステージにはバーミラーを搭載するだけで、鏡筒支持体を計測の基準としたＺ方向の計測を可能にすることにより、高精度な位置決めを可能にするレーザ干渉計システムを含む露光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決する本発明に係る露光装置は、原版に形成されているパターンを基板に投影するための投影光学系と、該基板及び原版の少なくともいずれかの物体を保持して該投影光学系に対して移動可能なステージと、該投影光学系を支持する鏡筒支持体とを備えた露光装置において、
前記ステージに配置されＸＹ平面に対して実質平行な反射面を持つＺ計測用ミラーを用い、該鏡筒支持体に対する該ステージのＺ位置及び変位を測定する干渉計を備えた干渉計システムを含み、
前記干渉計システムは、前記干渉計から出射された計測光が、計測の基準となる前記鏡筒支持体に取り付けられた複数のミラーまたはプリズムを介して前記Ｚ計測用ミラーに入射することを特徴とする。
【００１３】
具体的には、この露光装置は、原版に形成されているパターンを基板に投影するための投影光学系と、該基板または原版を保持して該投影光学系に対して移動可能なステージと、該投影光学系を支持する鏡筒支持体とを備え、該鏡筒支持体に対する該ステージの位置または変位を測定する干渉計を備えた干渉計システムを有する構成において、前記干渉計は前記ステージのＸ，Ｙの少なくとも一方の可動部上に配置される。また、前記干渉計から出た計測光はＸＹ平面に対して略垂直になるように引廻され、前記鏡筒支持体に設けられた第１反射面によって前記鏡筒支持体中央部に向けて反射されて、中央部に配置された第２反射面に向かう。さらにこの第２反射面によりステージの移動平面に対して実質平行な反射面を持つバーミラーに略垂直に入射し、そこで反射された計測光によりＺ計測を行う。
【００１４】
前記露光装置において、干渉計システムが装置上に複数配置されることが望ましく、前記干渉計が前記ステージ及び該ステージに追従する可動部のいずれかに搭載され、干渉計が搭載された可動部のストローク方向に長いＺ計測用の長尺ミラーを該ステージ上に有し、該Ｚ計測用長尺ミラーはＸ計測用ミラー及びＹ計測用ミラーの少なくともいずれかの上面を利用したものであってもよく、前記Ｚ計測用ミラーに入射する計測光が反射面に対して略垂直であることが好ましい。
【００１５】
また、前記干渉計は計測光と参照光を各２本ずつ計４本出射し、４本のビームの位置関係が十字かつ略等間隔で配置されることが望ましく、前記Ｚ計測用ミラーの直前に配置されるミラーが、計測光を該Ｚ計測用ミラーへ、参照光をもと来た光路へ反射する、少なくとも２つの反射面を持つことが望ましい。
【００１６】
また、本発明に係る露光装置は、Ｙ方向に移動可能なＹステージと、Ｙステージに対してＸ方向に移動可能なＸステージと、該Ｘステージに搭載され、ＸＹ平面に平行な反射面を持つＺミラーと、ＹステージからＺ方向に照射されたビームを該Ｚミラーに導くためのミラーと、該Ｚミラーから反射したビームを利用して該ＸステージのＺ方向の位置を検出する干渉計とを備えることを特徴としてもよい。
【００１７】
この場合、前記干渉計は前記Ｙステージに搭載されていることが望ましく、Ｙ方向に搭載され、Ｙ方向からのビームをＺ方向に反射する反射面を有する光学素子を更に備え、前記干渉計は、Ｙ方向に平行なビームを該光学素子に向けて照射することが望ましく、前記ビームをＺミラーに導くためのミラーは、ＹステージからＺ方向に照射されたビームをＸ方向に反射する第１ミラーと、第１ミラーから照射されたビームをＺ方向に反射してＺミラーに照射する第２ミラーとを有していてもよく前記第１ミラーと第２ミラーは、Ｙ方向に長尺であることが望ましく、前記第２のミラーは、前記第１のミラーから照射されるビームのうちの参照光を第１のミラーに反射する反射面を有することが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、上記いずれかの露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイス製造方法にも適用可能である。前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有することが望ましく、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行うことが好ましい。
【００１９】
また、本発明は、上記いずれかの露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可能にした半導体製造工場にも適用可能である。
【００２０】
また、本発明は、半導体製造工場に設置された上記いずれかの露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する露光装置の保守方法にも適用可能である。
【００２１】
また、本発明は、上記いずれかの露光装置において、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通信することを可能にしたる露光装置にも適用可能である。前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供する保守データベースにアクセスするためのユーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該データベースから情報を得ることを可能にすることが望ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて、本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図２は本発明の特徴を最もよく表す実施形態に係る半導体露光装置の概略正面図である。
【００２４】
同図において、３２は原版であるレチクルを照明する照明部、３３は転写すべきパターンを有するレチクル、３４はレチクル３３上に形成されたパターンを基板であるウエハ上に投影する投影レンズ（投影光学系）、３５はレンズ３４を支持する鏡筒支持体、３６は鏡筒支持体３５を支持して振動を抑え、かつ床からの振動を絶縁する本体用（鏡筒支持体用）アクティブマウント、３８は本体用アクティブマウント３６とステージ用アクティブマウント３７の相対位置関係を位置決めしてこれらのマウントを設置する位置決め定盤である。
【００２５】
２１，２２は鏡筒支持体３５に固定されたＺ計測用の固定ミラーであり、３９は２つの反射面をもったＺ計測用の移動ミラーであって、後述のＹミラー２９と一体化されている。
【００２６】
３１はＹ方向に移動可能なＹステージ、４０はＹステージ３１に対してＸ方向に移動可能なＸステージ、４１はＸステージ４０及びＹステージ３１を支持するステージ定盤、３７はステージの移動により生じるステージ定盤４１の振動を抑え、かつ床からの振動を絶縁するステージ用アクティブマウントである。なお、Ｙステージ３１およびＸステージ４０は、不図示の静圧軸受によって、非接触でステージ定盤４１に支持されている。
【００２７】
４２はＹステージ３１をＹ方向に移動させるための駆動用のＹリニアモータである。Ｙリニアモータ４２は、Ｙステージ３１に可動子が設けられ、ステージ定盤４１上に固定子が設けられている。なお、Ｙリニアモータの固定子は、不図示の静圧軸受によって非接触でステージ定盤４１上に支持されてもよく、または、ステージ定盤４１に固定されていても良い。このほかにＸステージ４０をＸ方向に移動させるための図示しない駆動用のＸリニアモータがある。Ｘリニアモータは、Ｘステージに可動子が設けられ、Ｙステージに固定子が設けられており、Ｙステージ３１とＸステージ４０との間でＸ方向の駆動力を発生する。
【００２８】
２３は鏡筒支持体３５と基板用のトップステージ２７との相対位置を計測し、かつトップステージ２７の姿勢を計測するためのレーザ干渉計、２５はＹステージ３１上から鏡筒支持体３５とトップステージ２７上の移動ミラー３９間の距離を計測し、トップステージ２７のＺ方向の位置を算出するためのＺ干渉計である。なお、トップステージ２７は、Ｘステージ４０上に搭載されており、不図示のアクチュエータによってＸステージ４０に対して微動可能である。
【００２９】
２６はパターンを投影する対象である感光材の塗布された不図示の半導体基板（ウエハ）を保持するためのウエハチャック（基板ホルダ）、２７はウエハチャック２６をＺ，θ，ωＸ，ωＹ方向に位置決めするためのθＺステージ（トップステージ）である。
【００３０】
図１はレーザ干渉計２３，２４とＺ計測用レーザ干渉計２５により、トップステージ２７の位置または変位を計測する干渉計システムの配置を示す。
【００３１】
同図において、２６は不図示のウエハを搭載するウエハチャック、２７はウエハチャック２６を支持し搭載するトップステージであり、このトップステージ２７は不図示のガイド及びアクチュエータによりＸ，Ｙ方向に長ストローク移動し、Ｚ方向及びωＸ，ωＹ，θの回転方向に短いストロークで移動する。
【００３２】
２８はトップステージ２７に取り付けられたＸミラー、２９はトップステージ２７に取り付けられたＹミラーである。３０は、Ｙミラー２９の上面に一体に設けられたＺミラーである。Ｘミラー２８は反射面がＸ方向に対し垂直になるように配置され、Ｙミラー２９は反射面がＹ方向に対し垂直になるように配置され、Ｚミラー３０は反射面がＸＹ平面に対し平行となるように配置された光学部材である。
【００３３】
２３ａ，２３ｂ，２３ｃはＸ方向を計測するＸ干渉計であり、Ｘミラー２８の反射面の各々所定の位置にＸ方向と平行なレーザ光を入射し、その反射光によりビーム入射方向（Ｘ方向）  に沿った位置変動情報を検出する。２４ａ，２４ｂはＹ方向を計測するＹ干渉計であり、Ｙミラー２９の反射面の各々所定の位置にＹ方向と平行なレーザ光を入射し、その反射光によりビーム入射方向（Ｙ方向）に沿った位置変動情報を検出する。
【００３４】
各々の干渉計２３，２４は計測基準となる不図示の支持体に支持固定されている。例えば、干渉計２３、２４は、投影光学系３４と一体的な構造物である鏡筒支持体に固定される。
【００３５】
２５はＺ方向を計測するＺ干渉計であって、Ｙステージ３１上に搭載されており、このＺ干渉計２５から出射するビームがＸＹ平面に対して垂直になるように配置されるか、ミラーなどの光学素子によって垂直に引廻すように構成される。
【００３６】
第１ミラー２１及び第２ミラー２２は、Ｚ干渉計２５からの出射光をＺミラー３０へ導くものであり、計測の基準となる鏡筒支持体３５もしくはＺ干渉計２５からの計測光に対して鋭角の反射面をもつように支持固定されている。第１ミラー２１および第２ミラー２２は、Ｚ干渉計２５の配置された可動部（Ｙステージ３１）のストローク方向（Ｙ方向）に長い長尺ミラーである。
【００３７】
また、Ｚ干渉計２５は、計測光がＺミラー３０により２回反射（ダブルパス）されるプレーンミラー干渉計である。このとき参照光を、図５に示す形状かまたは機能的に同様の第２ミラー２２へ同図のようなビーム配置となるように引廻す。
【００３８】
第１ミラー２１は、Ｚ干渉計２５からＸＹ平面と垂直な方向で出射されたビームを第２ミラー２２へ向けて反射する。さらに、第２ミラー２２は、参照光４４をもときた光路へ反射し、計測光４３をＺミラー３０へと入射させ、Ｚミラー３０によって反射された計測光を第１ミラー２１へ向けて反射する。第１ミラー２１は、反射された参照光４４と計測光４３とをＺ干渉計２５へ向けて反射する。Ｚ干渉計２５は、その反射光によりビーム入射方向（Ｚ方向）に沿った位置変動情報を検出する。すなわち、Ｚ干渉計２５は、参照光４４と計測光４３に基づいて、第２ミラー２２とＺミラー３０との間の光路長変化量を検出する。したがって、第２ミラーは、干渉計２３，２４と同様の計測基準となる不図示の支持体に支持固定されることが望ましい。なお、第１ミラーが同じ不図示の支持体に固定されていても良い。
【００３９】
Ｚミラー３０は、Ｚ干渉計２５からのビームを逆の光路をたどるように反射するものであり、トップステージ２７のＸ方向の移動量に応じた長さを備え、トップステージ２７上に支持固定されている。
【００４０】
上記の各レーザ干渉計は、反射面の位置変化情報（変位量、速度等）を検出する装置であり、構成の詳細は周知なので説明は省略する。
【００４１】
ミラー２８，２９の位置、すなわちトップステージ２７の初期位置は不図示の制御部に記憶されており、トップステージ２７の現在の位置は、この最初の位置に、レーザ干渉計によるミラー２８，２９の変位量を積算することで得られる。トップステージ２７のＸ方向及びＹ方向の位置計測は、それぞれ干渉計２３ａ，２４ａで行う。また、トップステージ２７のθ方向の回転量計測は、レーザ干渉計２３ｂ，２３ｃの検出値差を検出し、制御部で演算処理して行う。また、トップステージ２７のωＹ方向の回転量計測は、レーザ干渉計２３ａ，２３ｂの制御部で演算処理して行う。また、トップステージ２７のωＸ方向の回転量計測は、レーザ干渉計２４ａ，２４ｂ（または２５ａ，２５ｂ）の検出値差を検出し、制御ボックス内で演算処理して行う。
【００４２】
トップステージ２７のＺ方向の位置計測は、前記制御部に記憶されたトップステージ２７の初期位置に、レーザ干渉計２５によるミラー３０の変位量を積算することで得られる。
【００４３】
本実施形態の特徴としては、トップステージ２７上に搭載するミラーは単純であって、▲１▼Ｘミラー２８とＺミラー３０は一体化できる。そのためトップステージ２７の形状を小さくでき、▲２▼トップステージ２７の熱的変形等の不確定な位置決め誤差要因を小さくすることが可能となる。また、トップステージ２７が軽量化できるため、▲３▼トップステージ２７の固有振動数を高くすることができ、位置決め制御性能を高めることが可能となる。
【００４４】
本実施形態ではＹステージにＺ計測用の干渉計を搭載しているが，Ｘステージに搭載した形に置き換えてもまったく同じ効果が得られる。
【００４５】
再び図２において、本実施形態に係る半導体露光装置の動作を始めるときは、最初に、本体用アクティブマウント３６が規定の位置へ移動し、鏡筒支持体３５は床からの振動が除去された状態となる。次にステージ用アクティブマウント３７が規定の位置へ移動し、ステージ定盤４１は床からの振動が除去された状態となる。次にレーザ干渉計を初期化し、各レーザ干渉計は原点出し動作が行われ、各干渉計の値は投影レンズ３４または鏡筒支持体３５を基準とする位置を示すようになる。原点出し動作後のＸステージ４０、Ｙステージ３１及びトップステージ（θＺステージ）２７の位置計測方法は前述した通りである。
【００４６】
ステージ用アクティブマウント３７の制御は、Ｘステージ４０、Ｙステージ３１及びトップステージ（θＺステージ）２７の駆動信号に基づいて、各ステージが駆動するときのステージ定盤４１にかかる反力を計算し、この反力によってステージ定盤４１が振動または変位を起こさないように、ステージ用アクティブマウント３７をフィードフォワード制御してもよい。
【００４７】
レチクル３３は、不図示のレチクルステージに搭載されており、レチクルステージは鏡筒支持体３５に支持されたレチクルステージ定盤上に支持され、回路パターンが形成されたレチクルを搭載して移動可能である。レチクルステージ上に搭載されたレチクル３３のパターンを照明しトップステージ２７上のウエハを露光する露光光は、照明部３２から発生される。
【００４８】
なお、ウエハは、レチクル３３と同期して走査される。レチクルステージとウエハを搭載したウエハステージの走査中、両者の位置はそれぞれ干渉計によって継続的に検出され、レチクルステージとウエハステージの駆動部にそれぞれフィードバックされる。これによって、両者の走査開始位置を正確に同期させるとともに、定速走査領域の走査速度を高精度で制御することができる。投影レンズ３４に対して両者が走査している間に、ウエハ上にはレチクルパターンが露光され、回路パターンが転写される。
【００４９】
本実施形態によれば、可動部上からＸＹ平面に対して垂直方向に出射したビームを、鏡筒支持体３５に取り付けられたミラー２１，２２を介して、トップステージ２７上に取り付けられたＺミラー３０のＸＹ平面と平行な反射面に入射させることでトップステージ２７のＺ方向の位置計測を行うため、干渉計を支持する鏡筒支持体３５を基準に直接的に計測を行うことができる。この結果、ステージガイドが変形したり、ステージの移動に伴ってステージを支持するステージ定盤４１が変形を起こしても、Ｚ方向の位置計測誤差を軽減させることができる。
【００５０】
また、このような計測システムを備えた位置決め装置を半導体露光装置に設けることで、ウエハの位置や姿勢の高精度な計測を行うことができ、高精度な露光が実現できる。
【００５１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について図を用いて説明する。
【００５２】
図３は、図２に示す露光装置に図１で説明したＺ計測を行う干渉計システムを２つ搭載した位置決め装置である。
【００５３】
同図において、図２に示すような露光装置では、計測光を遮る鏡筒が鏡筒支持体３５の中心にあるため、第１実施形態で示したようなＺ干渉計システムではトップステージ２７の可動範囲が長ストロークになる場合、全ストローク範囲でのＺ計測を行うことができない。そこで本実施形態では、重複した測定可能領域を持つ２つのＺ干渉計システムを用いている。２５ａ，２５ｂはＺ方向を計測するＺ干渉計であって、Ｙステージ３１上に搭載されており、このＺ干渉計２５ａ，２５ｂから出射するビームがＸＹ平面に対して垂直になるように配置されるか、ミラーなどの光学素子によって垂直に引廻すように構成され、出射されたビームを、鏡筒支持体３５に取り付けられたミラー２１，２２を介して、トップステージ２７上に取り付けられたＺミラー３０のＸＹ平面と平行な反射面に入射させることでトップステージ２７のＺ方向の位置計測を行う。
【００５４】
本実施形態では、２つのＺミラー３０の反射面測定をトップステージ２７の動作状況（例えばステージの位置）に応じて切り替えて用いることにより、鏡筒に限らず計測光を遮蔽するような障害物を避けてトップステージ２７の計測を行うことができる。切り替えは、これまで計測を行っていた干渉計からこれから測定可能になる干渉計へ不図示の制御部により測定値の引渡しを行う。切り替え時のステージの位置は２つの干渉計システムが重複する測定領域にあるときである。このとき、ステージが移動の最中でも切り換えが可能なように切り替え時間を考慮して重複する測定可能領域を設計する。
【００５５】
また、Ｚ計測に用いるＺ干渉計２５ａ，２５ｂは、計測光と参照光が各２本ずつ出射されるものである。出射されたビームは図４に示すように、Ｚ干渉計２５からＸＹ平面と垂直な方向に出射された計測光４３と参照光４４が第１ミラー２１で反射され、第２ミラー２２へと導かれる。第２ミラー２２によって参照光４４はもときた光路へ反射され、計測光４３はＺミラー３０の反射面へと入射し、その反射光によりビーム入射方向（Ｚ方向）に沿った位置変動情報を検出する。
【００５６】
このとき、第２ミラー２２の形状は図６に示す形状か、機能的に同等の形状で、ミラー２２に入射する計測光４３、参照光４４の位置関係が図６のように十字に配置される。また、ビーム間を線で結んだときの交点からのビーム間隔が等しい場合、ミラーの傾き等による光路差が生じないことから、これに起因する計測誤差がなくなるため、中心からのビーム間隔は等しくなることが望ましい。
【００５７】
本実施形態で示したような干渉計システムを用いる場合、本実施形態のように計測光の光路（デッドパス）が長くなっても、参照光と計測光の光路は測定対象のトップステージ２７の真上（第２ミラー２２）まではほぼ同じであるので、空気ゆらぎ（エア・ タービュランス）などの影響を受けにくく、従来の計測法と比較してより高精度である。
【００５８】
また、本実施形態では干渉計システムをトップステージ２７に１つまたは２つだけ設けた場合を示したが、これに限られるものではなく、３つ以上設けても良い。３ヶ所で測定を行えば、鏡筒支持体３５を基準とするトップステージ２７のＺ方向の変位だけでなく、トップステージ２７のチルト方向（ωＸ，ωＹ）の回転情報も得ることができる。
【００５９】
また、Ｚ干渉計２５ａ，２５ｂからの出射光及びＺミラー３０への入射光は、ＸＹ平面に対して垂直である必要はなく、傾きをもつ入射光であっても良い。
【００６０】
また、本実施形態に係る測定方法及び測定装置または干渉計システムは、露光装置に限らず、他の精密加工機械等の位置決め装置にも適用するこができ、さらに露光装置に用いる場合、上述のウエハステージに限るものではなく、レチクルステージに適用しても良い。さらに、移動体を正確に位置決めさせる位置決め装置に、本実施形態の計測システムを適用しても、同様な効果が得られる。
【００６１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について図を用いて説明する。
【００６２】
図７は、前述の実施形態においてＹステージ３１上に搭載したＺ干渉計２５の代わりに、Ｙ方向から照射される計測光・参照光をＺ方向に反射する光学素子５１を備えた位置決め装置である。
【００６３】
同図において、前述の実施形態と同じ構成要素には、同じ符号を付しているので、ここでは説明を省略する。
【００６４】
５１は、Ｙ方向から照射される計測光・参照光をＺ方向に反射する反射面を備えた光学素子である。５２は、Ｚ方向を計測するＺ干渉計である。Ｚ干渉計５２は、Ｙ方向に平行な計測光・参照光を光学素子５１に向けて出射する。光学素子５１は、Ｚ干渉計５２から照射された計測光・参照光を第１ミラー２１に向けてＺ方向に反射する。第１ミラー２１、第２ミラー２２およびＺミラー３０を経た反射光は、光学素子５１によって干渉計５２に向けて反射される。干渉計５２は、反射光によりＺ方向に沿った位置変更情報を検出する。
【００６５】
本実施形態では、Ｙステージ３１に干渉計を搭載する必要がなく、Ｙステージの軽量化および高剛性化を図ることができる。なお、光学素子５１が搭載されるＹステージ３１はＹ方向に移動するため、光学素子５２は、例えばミラー２１，２２やミラー２８〜３０のような長尺なミラーである必要はない。
【００６６】
その他、本実施形態では、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
＜半導体生産システムの実施形態＞
次に、本発明に係る露光装置による半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００６８】
図８は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００６９】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。
【００７０】
具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００７１】
さて、図９は本実施形態の全体システムを図８とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。
【００７２】
なお、図９では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１０、レジスト処理装置メー
カー２２０、成膜装置メーカー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム２１１、２２１、２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００７３】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図１０に一例を示す様な画面のユーザーインターフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本実施形態の特徴に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本実施形態の特徴を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００７４】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００７５】
図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によりマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことにより、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば，半導体露光装置などに用いられるステージ装置の位置測定をより正確に行うことができ、より高精度な位置決め制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＺ計測の概略を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る露光装置を示す正面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るＺ計測の概略を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る干渉計光路を示す正面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るＺ計測ミラーを示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係るＺ計測ミラーを示す図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係るＺ計測の概略を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】ユーザーインターフェースの具体例を示す図である。
【図１１】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である
【図１２】ウエハプロセスを説明する図である。
【図１３】従来の計測システムの概略を示す斜視図である。
【図１４】従来の露光装置を示す正面図である。
【図１５】従来の別の露光装置を示す正面図である。
【符号の説明】
１：ウエハチャック、
２：トップステージ、
３：Ｘミラー、
４：Ｙミラー、
５ａ，５ｂ，５ｃ：Ｘ干渉計、
６ａ，６ｂ：Ｙ干渉計、
７：照明部、
８：レチクル、
９：投影レンズ、
１０：鏡筒支持体、
１１：ステージ定盤、
１２：Ｚ変位センサ、
１３：Ｘステージ、
１４：Ｙステージ、
１５：Ｘガイド，リニアモータ、
１６：Ｙガイド，リニアモータ、
１７：Ｚアクチュエータ、
１８：Ｚ計測上面ミラー、
１９：Ｘ，Ｚ計測一体ミラー、
２０：Ｚ計測干渉計、
２１：Ｚ第１ミラー、
２２：Ｚ第２ミラー、
２３ａ，２３ｂ：Ｘ干渉計、
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ：Ｙ干渉計、
２５ａ，２５ｂ：Ｚ干渉計、
２６：ウエハチャック、
２７：トップステージ、
２８：Ｘミラー、
２９：Ｙミラー、
３０：Ｚミラー、
３１：Ｙステージ、
３２：照明部、
３３：レチクル、
３４：投影レンズ、
３５：鏡筒支持体、
３６：本体用アクティブマウント、
３７：ステージ用アクティブマウント、
３８：位置決め定盤、
３９：移動ミラー、
４０：Ｘステージ、
４１：ステージ定盤、
４２：Ｙリニアモータ、
４３：計測光、
４４：参照光、
１０１：ベンダの事業所、
１０２，１０３，１０４：製造工場、
１０５：インターネット、
１０６：製造装置、
１０７：工場のホスト管理システム、
１０８：ベンダ側のホスト管理システム、
１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
１１０：操作端末コンピュータ、
１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２００：外部ネットワーク、
２０１：製造装置ユーザの製造工場、
２０２：露光装置、
２０３：レジスト処理装置、
２０４：成膜処理装置、
２０５：工場のホスト管理システム、
２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２１０：露光装置メーカ、
２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、
２２０：レジスト処理装置メーカ、
２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、
２３０：成膜装置メーカ、
２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、
４０１：製造装置の機種、
４０２：シリアルナンバー、
４０３：トラブルの件名、
４０４：発生日、
４０５：緊急度、
４０６：症状、
４０７：対処法、
４０８：経過、
４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能
【図１】
0003762307.tif 000002
【図２】
0003762307.tif 000003
【図３】
0003762307.tif 000004
【図４】
0003762307.tif 000005
【図５】
0003762307.tif 000006
【図６】
0003762307.tif 000007
【図７】
0003762307.tif 000008
【図８】
0003762307.tif 000009
【図９】
0003762307.tif 000010
【図１０】
0003762307.tif 000011
【図１１】
0003762307.tif 000012
【図１２】
0003762307.tif 000013
【図１３】
0003762307.tif 000014
【図１４】
0003762307.tif 000015
【図１５】
0003762307.tif 000016