(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体であって、
前記金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出しておらず、
前記樹脂薄膜の少なくとも１層は積層方向の貫通孔を有し、
前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が電気的に直接接続され、
前記金属薄膜の少なくとも１層は、前記貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする薄膜積層体。
【請求項２】
前記貫通孔に導電性物質が充填され、前記導電性物質を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項１に記載の薄膜積層体。
【請求項３】
前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が直接接続されている請求項１に記載の薄膜積層体。
【請求項４】
複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体であって、
前記樹脂薄膜の少なくとも１層は周囲の一部に切り欠き部を有し、
前記切り欠き部を介して上下の前記金属薄膜が電気的に直接接続され、
前記金属薄膜の少なくとも１層は、前記切り欠き部を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする薄膜積層体。
【請求項５】
前記切り欠き部に導電性物質が充填され、前記導電性物質を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項４に記載の薄膜積層体。
【請求項６】
前記切り欠き部を介して上下の前記金属薄膜が直接接続されている請求項４に記載の薄膜積層体。
【請求項７】
前記樹脂薄膜が略矩形状であって、前記樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されている請求項４に記載の薄膜積層体。
【請求項８】
複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体を用いてなるコンデンサであって、
前記金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出しておらず、
前記樹脂薄膜の少なくとも１層は積層方向の貫通孔を有し、
前記貫通孔を介して前記金属薄膜が１層おきに同電位となるように電気的に直接接続され、
同電位に接続された前記金属薄膜は、前記貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項９】
前記貫通孔に導電性物質が充填され、前記導電性物質を介して前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項８に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記貫通孔を介して前記金属薄膜が直接接続されている請求項８に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記金属薄膜は同一面上に複数に分離して形成されており、同一面上に複数の静電容量形成領域が形成されている請求項８に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記金属薄膜とは絶縁された貫通電極を更に有する請求項１１に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれかに記載のコンデンサをパッケージ内に内蔵してなる半導体集積回路。
【請求項１４】
請求項８〜１２のいずれかに記載のコンデンサを表面又は内部に接合してなる多層配線基板。
【請求項１５】
複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体を用いてなるコンデンサであって、
前記樹脂薄膜の少なくとも１層は周囲の一部に切り欠き部を有し、
前記切り欠き部を介して前記金属薄膜が１層おきに同電位となるように電気的に直接接続され、
同電位に接続された前記金属薄膜は、前記切り欠き部を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項１６】
前記切り欠き部に導電性物質が充填され、前記導電性物質を介して前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項１５に記載のコンデンサ。
【請求項１７】
前記切り欠き部を介して前記金属薄膜が直接接続されている請求項１５に記載のコンデンサ。
【請求項１８】
前記樹脂薄膜が略矩形状であって、前記樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されている請求項１５に記載のコンデンサ。
【請求項１９】
樹脂薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜とを交互に積層する薄膜積層体の製造方法であって、
前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、
前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、前記貫通孔を介して積層方向の複数の前記金属薄膜を電気的に直接接続することを特徴とする薄膜積層体の製造方法。
【請求項２０】
前記樹脂薄膜の形成後、金属薄膜の形成前に、前記樹脂薄膜の金属薄膜を形成しない領域に第２の貫通孔をさらに形成し、前記第２の貫通孔を積層方向に連続させ、前記連続した第２の貫通孔に導電性材料を充填する請求項１９に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項２１】
前記金属薄膜を形成後、レーザ光を略格子状に走査することにより前記金属薄膜の形成領域を制限する請求項１９に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項２２】
前記樹脂薄膜を形成後、樹脂薄膜表面にオイルを略格子状に付与した後、金属薄膜を形成することにより前記金属薄膜の形成領域を制限する請求項１９に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項２３】
前記薄膜積層体の製造を一方向に移動する支持体上で行ない、
前記樹脂薄膜表面に対向して配列された微細孔を備えた少なくとも一対のノズルを用い、それぞれのノズルの前記微細孔が前記樹脂薄膜上に描く軌跡が前記支持体の移動方向に対して略４５度となるように、前記各ノズルを前記支持体の移動方向と略直交する方向に往復移動させて、前記オイルの付与を行なう請求項２２に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項２４】
樹脂薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法であって、
前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、
前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、前記貫通孔を介して前記金属薄膜を１層おきに電気的に直接接続することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記樹脂薄膜に貫通孔を形成した後、前記金属薄膜を形成する前に、前記貫通孔をプラズマ処理する請求項２４に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２６】
巡回する支持体と、前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、これらを収納する真空槽とを有する薄膜積層体の製造装置であって、
前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置を有し、
前記オイル付与装置は、微細孔を配列したノズルを一対以上有し、対をなすそれぞれのノズルの前記微細孔が前記樹脂薄膜上に描く軌跡が互いに交差する薄膜積層体の製造装置。
【請求項２７】
対をなす前記ノズルのそれぞれが、前記支持体の移動速度と略等速で、前記支持体の移動方向と略直交する方向に往復移動する請求項２６に記載の薄膜積層体の製造装置。
【請求項２８】
対をなすそれぞれの前記ノズルの前記微細孔が前記樹脂薄膜上に描く軌跡と前記支持体の移動方向とがなす角が略４５度であり、かつ、それぞれのノズルの微細孔による軌跡が交差する請求項２６に記載の薄膜積層体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂薄膜と金属薄膜とが積層された薄膜積層体とこれを用いたコンデンサ、及びこれらの製造に好適な製造方法と製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂薄膜を積層する工程と金属薄膜を積層する工程とを一単位として、これを周回する支持体上で繰り返すことにより、樹脂薄膜と金属薄膜とが交互に積層された薄膜積層体を製造する方法、及び得られた薄膜積層体からコンデンサなどの電子部品を得る方法は、例えば、特開平１０−２３７６２３号公報等で公知である。
【０００３】
樹脂薄膜と金属薄膜との薄膜積層体の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
【０００４】
図１５は、従来の薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例の概略を模式的に示した断面図である。
【０００５】
図１５において、９１５は真空槽、９１６は真空槽９１５内部を所定の真空度に維持する真空ポンプ、９１１は真空槽９１５内に設置された、図中の矢印方向に回転する円筒形状のキャンローラ、９１２は樹脂薄膜形成装置、９１３はパターニング材料付与装置、９１４は金属薄膜形成装置、９１７はパターニング材料除去装置、９１８は樹脂硬化装置、９１９は表面処理装置、９２０ａ，９２０ｂは金属薄膜形成領域を他の領域と区別するための隔壁、９２２は隔壁９２０ａ，９２０ｂに設けられた開口、９２３は必要時以外に金属薄膜が形成されるのを防止するために開口９２２を閉じるための遮蔽板である。
【０００６】
樹脂薄膜形成装置９１２は、樹脂薄膜を形成するための樹脂材料を加熱気化又は霧化させて、キャンローラ９１１の外周面に向けて放出する。キャンローラ９１１は所定の温度に冷却されているから、樹脂材料は冷却されてキャンローラ９１１の外周面に膜状に堆積する。
【０００７】
堆積した樹脂材料は、必要に応じて、樹脂硬化装置９１８により電子線又は紫外線等が照射されて所望の硬度に硬化処理される。
【０００８】
次いで、形成された樹脂薄膜は、必要に応じて表面処理装置９１９により酸素プラズマ処理等が施され、樹脂薄膜表面が活性化される。
【０００９】
パターニング材料付与装置９１３は、オイルパターニング法と呼ばれる手法により金属薄膜にマージン部を形成することにより金属薄膜を所定の形状にパターニングするための装置である。樹脂薄膜上に予めパターニング材料を薄く形成した後に、金属薄膜を蒸着などによって形成すると、パターニング材料上には金属薄膜が形成されず、マージン部が形成される。このようにして形成された金属薄膜はパターニング部分が抜けた状態で形成されており、所望のパターンを持つ金属薄膜を形成することが出来る。パターニング材料は、パターニング材料付与装置９１３内で気化されて、所定位置にキャンローラ９１１の外周面に向けて形成された微細孔から放出される。微細孔は、通常キャンローラ９１１の回転軸方向と略平行に所定間隔を隔てて複数個配置される。これにより金属薄膜を形成する面に、予めパターニング材料が複数の帯状に薄くパターン塗布される。パターニング材料としては例えばフッ素系オイルが使用される。
【００１０】
その後、金属薄膜形成装置９１４により金属薄膜が蒸着などによって形成される。
【００１１】
その後、パターニング材料除去装置９１７により余剰のパターニング材料が除去される。
【００１２】
以上の製造装置９００によれば、遮蔽板９２３を待避させて開口９２２を開いた状態では、周回するキャンローラ９１１の外周面上に、樹脂薄膜形成装置９１２による樹脂薄膜と、金属薄膜形成装置９１４による金属薄膜とが交互に積層された積層体が製造され、また、遮蔽板９２３が開口９２２を遮蔽した状態では、周回するキャンローラ９１１の外周面上に、樹脂薄膜形成装置９１２による樹脂薄膜が連続して積層された積層体が製造される。また、キャンローラ９１１の回転と同期させてパターニング材料付与装置９１３をキャンローラ９１１の回転軸と平行方向に移動（例えば往復移動）させることにより、パターン位置の異なる金属薄膜を形成することができる。
【００１３】
このようにして、キャンローラ９１１の外周面上に金属薄膜と樹脂薄膜とからなる円筒状の多層積層体を形成し、その後、積層体を半径方向に切断してキャンローラ９１１から取り外し、平板プレスすることにより、例えば図１６のような積層体母素子９３０を得ることができる。図１６において、９３１は金属薄膜、９３２は樹脂薄膜、９３３はマージン部（金属薄膜の非形成領域）であり、矢印９３８はキャンローラ９１１の外周面の走行方向と一致する。図１６の積層体母素子９３０は、キャンローラ９１１上に、層９３６ａ、層９３５ａ、層９３４、層９３５ｂ、層９３６ｂの順に積層することにより製造される。ここで、層９３６ａ，９３６ｂは遮蔽板９２３を閉じて樹脂薄膜のみを連続して積層した層であり、層９３４及び層９３５ａ，９３５ｂは、遮蔽板９２３を待避させて、金属薄膜９３１と樹脂薄膜９３２とを交互に積層した層である。また、層９３４は、キャンローラ９１１が１回転するごとにパターニング材料の付着位置を変更して積層してある。
【００１４】
この積層体母素子９３０を、例えば切断面９３９ａ，９３９ｂで切断し、切断面９３９ａに外部電極を形成することにより、図１７に示すようなチップコンデンサ９４０を多数得ることができる。図１７において、９４１ａ，９４１ｂは金属薄膜９３１と電気的に接続して形成された外部電極である。
【００１５】
上記の方法で得られたコンデンサは、誘電体層となる樹脂薄膜の厚みを極めて薄くできるので、小型で大容量のコンデンサとなる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法によるコンデンサ等の電子部品の製造では以下の問題があった。
【００１７】
まず、積層体母素子９３０を切断面９３９ａ，９３９ｂで切断する場合、必ず金属薄膜９３１が切断される。切断は例えば刃物を用いてせん断により行なう。このとき切断面には金属薄膜９３１のバリや切りくずが発生する。これらは、樹脂薄膜を挟む上下の金属薄膜同士を短絡させる場合がある。これは、得られるコンデンサの耐電圧や絶縁抵抗を低下させる原因となる。
【００１８】
また、金属薄膜を切断するためには、樹脂薄膜を切断する場合より遙かに大きな切断力が必要になる。従って、切断条件が適切でないと金属薄膜を切断することに起因して切断面付近で積層体が変形したり金属薄膜が引っ張られて積層体内部で金属薄膜が破断したりすることがある。積層体の外形の変形は、電子部品として使用する場合には、回路基板に実装する際の実装性を低下させる。また、金属薄膜の積層体内部での破断は、電子部品の特性の悪化、歩留まりの低下を招く。
【００１９】
さらに、金属薄膜を切断することは、切断面に金属薄膜が露出すること意味する。金属薄膜が切断面に露出していると、切断面から金属薄膜の酸化や錆等の腐蝕が進行する。電極として機能する金属薄膜が腐食すると、得られる電子部品の信頼性が著しく低下する。これを防ぐために切断面に樹脂コーティング等の外装処理を施す必要があり、工程数の増加とコストの上昇を招く。
【００２０】
また、図１７のコンデンサは１つのチップが１つのコンデンサ素子を構成している。従って、回路基板等に複数のコンデンサを搭載する必要がある場合、その数に応じたコンデンサが必要となり、実装面積の小型化を妨げ、また工程数の増大を招く。また、半導体チップの高速駆動のためには半導体チップと周辺素子との接続回路長を短くすることが有効であるが、コンデンサを多数搭載すると、必然的に回路長が長くなり、信号処理の高速化を妨げる。
【００２１】
本発明は、以上のような従来の問題が解決された薄膜積層体とコンデンサ、及びこれらの製造方法と製造装置を提供することを目的とする。即ち、本発明は金属薄膜の切断を可能な限り回避し、金属薄膜が切断面に可能な限り露出しない薄膜積層体とコンデンサ及びこれらの製造方法と製造装置を提供することを目的とする。また、１つの素子内に複数のコンデンサを含み、また、他の素子との複合化等が容易なアレイコンデンサ、及びその製造方法と製造装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために以下の構成とする。
【００２３】
本発明の第１の薄膜積層体は、複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体であって、前記金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出しておらず、前記樹脂薄膜の少なくとも１層は積層方向の貫通孔を有し、前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続され、前記金属薄膜の少なくとも１層は、前記貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。
【００２４】
かかる第１の薄膜積層体によれば、金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出していないから、金属薄膜の腐食等が生じにくい。また、製造過程において金属薄膜を切断することがないから、金属薄膜の切断時に生じる問題、例えば金属薄膜のバリや切りくず、金属薄膜の破断、薄膜積層体の変形などの発生を抑えることができる。また、金属薄膜は貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能にされたことにより、電子部品として使用可能な薄膜積層体を提供できる。
【００２５】
また、本発明の第２の薄膜積層体は、複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体であって、前記樹脂薄膜の少なくとも１層は周囲の一部に切り欠き部を有し、前記切り欠き部を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続され、前記金属薄膜の少なくとも１層は、前記切り欠き部を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。
【００２６】
かかる第２の薄膜積層体によれば、金属薄膜は切り欠き部を介して外部に電極取り出しが可能にされたことにより、電子部品として使用可能な薄膜積層体を提供できる。
【００２７】
上記第２の薄膜積層体において、前記樹脂薄膜が略矩形状であって、前記樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されていることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、金属薄膜の端部が樹脂薄膜の端部より後退して形成されるから、薄膜積層体の外部に露出する金属薄膜を少なくできる。よって、金属薄膜の腐食等が生じにくい。また、製造過程において金属薄膜の切断を少なくできるから、金属薄膜の切断時に生じる問題、例えば金属薄膜のバリや切りくず、金属薄膜の破断、薄膜積層体の変形などの発生を抑えることができる。
【００２８】
次に、本発明の第１のコンデンサは、複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体を用いてなるコンデンサであって、前記金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出しておらず、前記樹脂薄膜の少なくとも１層は積層方向の貫通孔を有し、前記貫通孔を介して前記金属薄膜が１層おきに同電位となるように電気的に接続され、同電位に接続された前記金属薄膜は、前記貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。
【００２９】
かかる第１のコンデンサによれば、金属薄膜の端部は前記薄膜積層体の外部に露出していないから、金属薄膜の腐食等が生じにくい。また、製造過程において金属薄膜を切断することがないから、金属薄膜の切断時に生じる問題、例えば金属薄膜のバリや切りくず、金属薄膜の破断、薄膜積層体の変形などの発生を抑えることができる。また、１層おきに接続された金属薄膜は外部と電気的接続が可能であるから、樹脂薄膜を誘電体層とするコンデンサとして機能する。また、電極取り出しを樹脂薄膜に形成された貫通孔を介して行なうから、基板実装時の実装面積を少なくでき、高密度実装が可能になる。
【００３０】
また、本発明の第２のコンデンサは、複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された薄膜積層体を用いてなるコンデンサであって、前記樹脂薄膜の少なくとも１層は周囲の一部に切り欠き部を有し、前記切り欠き部を介して前記金属薄膜が１層おきに同電位となるように電気的に接続され、同電位に接続された前記金属薄膜は、前記切り欠き部を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。
【００３１】
かかる第２のコンデンサによれば、１層おきに接続された金属薄膜は外部と電気的接続が可能であるから、樹脂薄膜を誘電体層とするコンデンサとして機能する。また、電極取り出しを樹脂薄膜に形成された切り欠き部を介して行なうから、基板実装時の実装面積を少なくでき、高密度実装が可能になる。
【００３２】
上記第２のコンデンサにおいて、前記樹脂薄膜が略矩形状であって、前記樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されていることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、金属薄膜の端部が樹脂薄膜の端部より後退して形成されるから、薄膜積層体の外部に露出する金属薄膜を少なくできる。よって、金属薄膜の腐食等が生じにくい。また、製造過程において金属薄膜の切断を少なくできるから、金属薄膜の切断時に生じる問題、例えば金属薄膜のバリや切りくず、金属薄膜の破断、薄膜積層体の変形などの発生を抑えることができる。
【００３３】
次に、本発明の薄膜積層体の第１の製造方法は、樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層してなる薄膜積層体の製造方法であって、前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更して、樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程と、前記樹脂薄膜と金属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電性材料を充填して、前記金属薄膜の少なくとも一部と前記導電性材料とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
【００３４】
また、本発明の薄膜積層体の第２の製造方法は、樹脂薄膜を形成する工程と、金属薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜及び金属薄膜を貫通する貫通孔を所定位置に形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜とを交互に積層する薄膜積層体の製造方法であって、前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、前記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、前記連続した貫通孔に導電性材料を充填して、前記金属薄膜の少なくとも一部と前記導電性材料とを電気的に接続することを特徴とする。
【００３５】
また、本発明の薄膜積層体の第３の製造方法は、樹脂薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜とを交互に積層する薄膜積層体の製造方法であって、前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、前記貫通孔を介して積層方向の複数の前記金属薄膜を電気的に接続することを特徴とする。
【００３６】
かかる第１〜第３の製造方法によれば、本発明の上記薄膜積層体を効率よく製造することができる。
【００３７】
次に、本発明のコンデンサの第１の製造方法は、金属薄膜を樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更して、樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程と、前記樹脂薄膜と金属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電性材料を充填して、前記金属薄膜を１層おきに電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
【００３８】
また、本発明のコンデンサの第２の製造方法は、樹脂薄膜を積層する工程と、金属薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜及び金属薄膜を貫通する貫通孔を所定位置に形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法であって、前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、前記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、前記連続した貫通孔に導電性材料を充填して、前記金属薄膜を１層おきに電気的に接続することを特徴とする。
【００３９】
また、本発明のコンデンサの第３の製造方法は、樹脂薄膜を形成する工程と、前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、これを支持体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法であって、前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を１層形成するごとに変更し、かつ、前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、前記貫通孔を介して前記金属薄膜を１層おきに電気的に接続することを特徴とする。
【００４０】
かかる第１〜第３の製造方法によれば、本発明の上記コンデンサを効率よく製造することができる。
【００４１】
次に、本発明の薄膜積層体の第１の製造装置は、巡回する支持体と、前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、これらを収納する真空槽とを有する薄膜積層体の製造装置であって、前記金属薄膜形成装置の下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流側に、金属薄膜加工用のレーザパターニング装置を有することを特徴とする。
【００４２】
かかる第１の製造装置によれば、所望するマージン部を有する金属薄膜を容易に得ることができる。よって、この製造装置を使用することにより本発明の薄膜積層体を効率よく製造することができる。
【００４３】
また、本発明の薄膜積層体の第２の製造装置は、巡回する支持体と、前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、これらを収納する真空槽とを有する薄膜積層体の製造装置であって、更に、積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置とを有することを特徴とする。
【００４４】
かかる第２の製造装置によれば、孔加工用のレーザ加工装置を使用することで、樹脂薄膜（及び金属薄膜）を貫通する貫通孔（及び第２の貫通孔）を加工できる。また、オイル付与装置により所望するマージン部を有する金属薄膜を得ることができる。よって、この製造装置を使用することにより本発明の薄膜積層体を効率よく製造することができる。
【００４５】
また、本発明の薄膜積層体の第３の製造装置は、巡回する支持体と、前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、これらを収納する真空槽とを有する薄膜積層体の製造装置であって、前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置を有し、前記オイル付与装置は、微細孔を配列したノズルを一対以上有することを特徴とする。
【００４６】
かかる第３の製造装置によれば、オイル付与装置により所望するマージン部を有する金属薄膜を得ることができる。特に、オイル付与装置が一対以上のノズルを含むことにより、各ノズルをそれぞれ独立して移動させて、略格子状のマージン部が形成された金属薄膜を容易に得ることができる。よって、この製造装置を使用することにより本発明の薄膜積層体を効率よく製造することができる。
【００４７】
また、本発明の薄膜積層体の第４の製造装置は、巡回する支持体と、前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、これらを収納する真空槽とを有する薄膜積層体の製造装置であって、更に、積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置と、前記金属薄膜形成装置の下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流側に、金属薄膜加工用のレーザパターニング装置とを有することを特徴とする。
【００４８】
かかる第４の製造装置によれば、孔加工用のレーザ加工装置を使用することで、樹脂薄膜（及び金属薄膜）を貫通する貫通孔（及び第２の貫通孔）を加工できる。また、オイル付与装置とレーザパターニング装置とを有することにより、所望するマージン部を有する金属薄膜を得ることができる。よって、この製造装置を使用することにより本発明の薄膜積層体を効率よく製造することができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図面を参照しながら具体的に説明する。
【００５０】
Ａ．薄膜積層体及びコンデンサについて
本発明の薄膜積層体及びコンデンサの実施の形態を説明する。
【００５１】
（実施の形態Ａ−１）
図１は、本発明の実施の形態Ａ−１に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図１（Ａ）は正面方向断面図、図１（Ｂ）は右側面図、図１（Ｃ）は平面図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図１（Ｅ）は図１（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。図は、積層構成を模式的に示しており、各種寸法や積層数等は実際の積層体と著しく異なっている。
【００５２】
本実施の形態の薄膜積層体１０は、形成位置が異なる金属薄膜１１ａ，１１ｂが交互に積層され、金属薄膜１１ａと金属薄膜１１ｂとの間に樹脂薄膜１２が積層されて構成される。金属薄膜１１ａ，１１ｂの形成領域は、樹脂薄膜１２の形成領域より小さく、金属薄膜１１ａ，１１ｂの端部は薄膜積層体１０の外周面に露出していない。薄膜積層体１０の積層方向に貫通する２つの貫通孔１３ａ，１３ｂが離間して形成される。金属薄膜との関係では、一方の貫通孔１３ａは金属薄膜１１ａのみを貫通し、他方の貫通孔１３ｂは金属膜層１１ｂのみを貫通する。両貫通孔１３ａ，１３ｂには導電性材料１４ａ，１４ｂが充填されている。導電性材料１４ａは金属薄膜１１ａと電気的に接続され、金属薄膜１１ｂとは絶縁される。また導電性材料１４ｂは金属薄膜１１ｂと電気的に接続され、金属薄膜１１ａとは絶縁される。
【００５３】
かくして、薄膜積層体１０の上面又は下面に露出した導電性材料１４ａ，１４ｂを電極取り出し部（取り出し電極）とし、それぞれに異なる電位を付与すると、金属薄膜１１ａ，１１ｂを電極とし、樹脂薄膜１２を誘電体層とするコンデンサを構成することができる。
【００５４】
外表面に露出した導電性材料１４ａ，１４ｂ上には、金、銀、アルミニウム、銅、半田、導電性ペースト、導電性高分子等からなる電極端子（突起（バンプ）電極）を形成してもよい。
【００５５】
図２に、図１に示したコンデンサ１０を回路基板１７上に実装した状態の概略側面図を示す。貫通孔１３ａ，１３ｂに充填された導電性材料１４ａ，１４ｂ上に形成した電極端子１５と、回路基板１７上の電極端子１９とを接続する。図１７に示した従来のチップコンデンサ９４０の場合、電極９４１ａ，９４１ｂが側面に形成されていたため、チップコンデンサ９４０の上方からの投影面積以上の実装面積が必要であった。ところが、本実施の形態のコンデンサの場合、取り出し電極が下面に形成されているから、必要な実装面積はコンデンサ１０の上方からの投影面積と略同等にすることができる。よって、より高密度の実装が可能になる。
【００５６】
図２では、導電性材料１４ａ，１４ｂ上に電極端子１５を形成して、電極端子１５と回路基板１７上の電極端子１９とを接続したが、電極端子１５を設けることなく導電性材料１４ａ，１４ｂと回路基板１７上の電極端子１９とを直接接続してもよい。
【００５７】
図１では、積層方向に貫通する貫通孔１３ａ，１３ｂに導電性材料１４ａ，１４ｂを充填して、上下面のいずれの面からでも電極取り出し可能に構成したが、孔１３ａ，１３ｂを貫通させず上下面のいずれか一方のみから形成した非貫通孔とし、これに導電性材料を充填することにより、取り出し電極を片面のみに形成したコンデンサとしてもよい。
【００５８】
図１では、コンデンサ用の薄膜積層体を例に説明したが、コンデンサ以外の用途、例えば、コイル、ノイズフィルタ、積層回路基板等に使用することもできる。この場合には、当該用途に応じて積層構成や金属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。
【００５９】
（実施の形態Ａ−２）
図３は、本発明の実施の形態Ａ−２に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図３（Ａ）は正面方向断面図、図３（Ｂ）は右側面図、図３（Ｃ）は底面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図３（Ｅ）は図３（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。図は、積層構成を模式的に示しており、各種寸法や積層数等は実際の積層体と著しく異なっている。
【００６０】
本実施の形態の薄膜積層体２０は、形成位置が異なる金属薄膜２１ａ，２１ｂが交互に積層され、金属薄膜２１ａと金属薄膜２１ｂとの間に樹脂薄膜２２が積層されて構成される。金属薄膜２１ａ，２１ｂの形成領域は、樹脂薄膜２２の形成領域より小さく、金属薄膜２１ａ，２１ｂの端部は薄膜積層体２０の外周面に露出していない。各樹脂薄膜２２には積層方向に貫通する２つの貫通孔２３ａ，２３ｂが離間して形成されている。貫通孔２３ａは金属薄膜２１ａの形成領域内であって、金属薄膜２１ｂの形成領域外に形成され、貫通孔２３ａ内に充填された金属薄膜２１ａの材料を介して上下に積層された金属薄膜２１ａが電気的に接続される。また、貫通孔２３ｂは金属薄膜２１ｂの形成領域内であって、金属薄膜２１ａの形成領域外に形成され、貫通孔２３ｂ内に充填された金属薄膜２１ｂの材料を介して上下に積層された金属薄膜２１ｂが電気的に接続される。これにより、金属薄膜２１ａと金属薄膜２１ｂとは絶縁される。最下層の金属薄膜２１ａ，２１ｂの下の貫通孔２３ａ，２３ｂには金属薄膜２１ａ，２１ｂの材料と同一材料が充填されている。最上層の金属薄膜２１ａ，２１ｂの上の貫通孔２３ａ，２３ｂには、必要に応じて導電性材料２４ａ，２４ｂが充填される。
【００６１】
かくして、薄膜積層体２０の下面の貫通孔２３ａ，２３ｂ内の金属薄膜２１ａ，２１ｂ材料又は薄膜積層体２０の上面の貫通孔２３ａ，２３ｂ内の導電性材料２４ａ，２４ｂを電極取り出し部（取り出し電極）とし、それぞれに異なる電位を付与すると、金属薄膜２１ａ，２１ｂを電極とし、樹脂薄膜２２を誘電体層とするコンデンサを構成することができる。
【００６２】
外表面に露出した貫通孔２３ａ，２３ｂ内の金属薄膜材料及び／又は導電性材料２４ａ，２４ｂ上には、金、銀、アルミニウム、銅、半田、導電性ペースト、導電性高分子等からなる電極端子（突起（バンプ）電極）を形成してもよい。
【００６３】
本実施の形態のコンデンサも、実施の形態Ａ−１と同様に、図２のように実装することができ、高密度実装が可能になる。
【００６４】
図３では、積層方向に貫通する貫通孔２３ａ，２３ｂ設けて、上下面のいずれの面からでも電極取り出し可能に構成したが、孔２３ａ，２３ｂを上面まで貫通させず（即ち、最上層の金属薄膜２１ａ，２１ｂの上の樹脂層には貫通孔を設けず）、取り出し電極を下面のみに形成したコンデンサとしてもよい。
【００６５】
図３では、コンデンサ用の薄膜積層体を例に説明したが、コンデンサ以外の用途、例えば、コイル、ノイズフィルタ、積層回路基板等に使用することもできる。この場合には、当該用途に応じて積層構成や金属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。
【００６６】
（実施の形態Ａ−３）
図４（Ａ）は実施の形態Ａ−３のコンデンサ（アレイコンデンサ）の概略構成を示した平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のコンデンサを回路基板に実装した例を示した側面図である。
【００６７】
図４（Ａ）に示すように、アレイコンデンサ３０は、独立してコンデンサとして機能するコンデンサ要素３６が縦横方向に格子点状に配列されて構成される。各コンデンサ要素３６は実施の形態Ａ−１又はＡ−２に記載のコンデンサと同様の構成を有する。即ち、各コンデンサ要素３６は、樹脂薄膜と金属薄膜３１ａ，３１ｂとが交互に積層されて構成される。各金属薄膜３１ａ，３１ｂは、一対の取り出し電極３５ａ，３５ｂにそれぞれ接続されている。
【００６８】
コンデンサ要素３６の非形成領域には必要に応じて貫通電極３７が形成される。貫通電極３７は、アレイコンデンサ３０を厚み方向に貫通する貫通孔（第２の貫通孔）３８内に、導電性材料３９が充填されて構成される。貫通電極３７はコンデンサ要素３６を構成する各金属薄膜３１ａ，３１ｂとは絶縁される。
【００６９】
取り出し電極３５ａ，３５ｂ及び貫通電極３７上には、金、銀、アルミニウム、銅、半田、導電性ペースト、導電性高分子等からなる電極端子（突起（バンプ）電極）を形成してもよい。
【００７０】
図４（Ｂ）に実装例を示す。回路基板４１上に、アレイコンデンサ３０と、半導体チップ４５を搭載したキャリア４６とが積層される。回路基板４１のある電極端子４２は、アレイコンデンサ３０のコンデンサ素子３６の取り出し電極上に形成された電極端子３５’と接続される。また、回路基板４１の他の電極端子４２はアレイコンデンサ３０の貫通電極３７上に形成された電極端子３７’と接続され、貫通電極３７を介してキャリア４６の電極端子４７と接続され、さらに半導体チップ４５と接続される。
【００７１】
このように、コンデンサ素子３６を同一面上に複数個分離して形成したアレイコンデンサを構成すると、分離独立した個々のコンデンサを配置する場合に比べて実装面積を小さくできる。また実装工程も簡略化できる。さらに、複数のコンデンサ要素を１つの素子内に集積しても個々のコンデンサ要素を構成する電極（金属薄膜）は独立しているために、コンデンサ要素間の相互干渉はほとんど発生せず、また浮遊容量も生じにくい。
【００７２】
さらに、アレイコンデンサ内に貫通電極３７を形成すると、アレイコンデンサの上に他の電子部品（上記の例では半導体チップ４５）を載置して貫通電極３７を介して基板４１と電子部品とを電気的に接続することができる。この結果、実装面積を小さくできることに加えて、載置した電子部品の近傍にコンデンサを配置できるので該電子部品の高周波駆動が可能になる。
【００７３】
また、アレイコンデンサ３０と、キャリア４６と、この上に搭載された半導体チップ４５とを１つのパッケージに収納して半導体集積回路４０を構成することもできる。かかる半導体集積回路４０によれば、所定の機能を発揮させるための半導体部品を１ユニットとして取り扱うことができ、個別に半導体部品を実装する場合に比べて実装工程を簡略化できる。
【００７４】
また、複数の絶縁性基板が所定の配線パターン層を介して積層され、各配線パターン層が絶縁性基板の厚さ方向に形成されたビアホールを介して接続された多層配線基板において、上記アレイコンデンサ３０をビアホールを備えた絶縁性基板の一部として使用することもできる。かかる構成によれば、多層配線基板中にコンデンサ要素などを収納することができ、基板表面にコンデンサなどを実装する場合に比べて、実装面積を大幅に縮小でき、また実装工程も簡略化できる。
【００７５】
（実施の形態Ａ−４）
図５は、本発明の実施の形態Ａ−４に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図５（Ａ）は正面方向断面図、図５（Ｂ）は右側面図、図５（Ｃ）は平面図、図５（Ｄ）は図５（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図５（Ｅ）は図５（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。図は、積層構成を模式的に示しており、各種寸法や積層数等は実際の積層体と著しく異なっている。
【００７６】
本実施の形態の薄膜積層体５０は、形成位置が異なる金属薄膜５１ａ，５１ｂが交互に積層され、金属薄膜５１ａと金属薄膜５１ｂとの間に樹脂薄膜５２が積層されて構成される。薄膜積層体５０の周囲面の２箇所に積層方向に連続する切り欠き部５３ａ，５３ｂが離間して形成されている。図５では、切り欠き部５３ａ，５３ｂは、対向する２側面に、略半円筒形状に形成されている。金属薄膜との関係では、一方の切り欠き部５３ａは金属薄膜５１ａのみを切り欠き、他方の切り欠き部５３ｂは金属膜層５１ｂのみを切り欠いている。両切り欠き部５３ａ，５３ｂには導電性材料５４ａ，５４ｂが充填されている。導電性材料５４ａは金属薄膜５１ａと電気的に接続され、金属薄膜５１ｂとは絶縁される。また導電性材料５４ｂは金属薄膜５１ｂと電気的に接続され、金属薄膜５１ａとは絶縁される。切り欠き部５３ａ，５３ｂが形成された２側面を除く他の２側面には金属薄膜５１ａ，５１ｂが露出しないように、金属薄膜５１ａ，５１ｂは樹脂薄膜５２の形成領域より小さい領域内に形成されている。
【００７７】
かくして、薄膜積層体５０の切り欠き部５３ａ，５３ｂが形成された２側面及び上下面に露出した導電性材料５４ａ，５４ｂを電極取り出し部（取り出し電極）とし、それぞれに異なる電位を付与すると、金属薄膜５１ａ，５１ｂを電極とし、樹脂薄膜５２を誘電体層とするコンデンサを構成することができる。
【００７８】
本実施の形態のコンデンサは、実施の形態Ａ−１のコンデンサと同一の静電容量を有する場合にはさらに小型化することができる。
【００７９】
上下面及び側面に露出した導電性材料５４ａ，５４ｂ上には、金、銀、アルミニウム、銅、半田、導電性ペースト、導電性高分子等からなる電極端子（突起（バンプ）電極）を形成してもよい。
【００８０】
図６に、図５に示したコンデンサ５０を回路基板５７上に実装した状態の概略側面図を示す。
【００８１】
図６（Ａ）は、切り欠き部５３ａ，５３ｂに充填された導電性材料５４ａ，５４ｂ上に形成した電極端子５５と、回路基板５７上の電極端子５９とを接続した場合を示している。本実施の形態のコンデンサを図６（Ａ）のように実装した場合、図１７に示した従来のチップコンデンサ９４０を実装した場合と比べて、実装面積を小さくすることができることはもちろん、実施の形態Ａ−１のコンデンサを実装した場合と比べても、さらに実装面積を小さくでき、高密度実装が可能になる。
【００８２】
図６（Ｂ）は、電極端子５５を形成せずに回路基板５７上にコンデンサ５０を直接設置して、側面に露出した導電性材料５４ａ，５４ｂとコンデンサ５０の周辺に配置した電極端子５９とを半田等の導電性材料５８を用いて接続した場合を示している。このような実装方法を採ることにより、実装高さを低くすることができる。また、導電性材料５８をコンデンサ５０の側面に付着させるので、実装時に導電性材料５８のコンデンサ５０への付着不良が生じても、容易に修正することができる。
【００８３】
図６（Ａ）では、導電性材料５４ａ，５４ｂ上に電極端子５５を形成して、電極端子５５と回路基板５７上の電極端子５９とを接続したが、電極端子５５を設けることなく導電性材料５４ａ，５４ｂと回路基板５７上の電極端子５９とを直接接続してもよい。
【００８４】
図５では、積層方向に貫通するように形成した切り欠き部５３ａ，５３ｂに導電性材料５４ａ，５４ｂを充填して、上下面及び対向する２側面のいずれの面からでも電極取り出し可能に構成したが、切り欠き部５３ａ，５３ｂを貫通させず上下面のいずれか一方のみから形成した非貫通の切り欠き部とし、これに導電性材料を充填することにより、取り出し電極の形成面を上下方向についてはいずれか一面のみとしたコンデンサとしてもよい。
【００８５】
図５では、コンデンサ用の薄膜積層体を例に説明したが、コンデンサ以外の用途、例えば、コイル、ノイズフィルタ、積層回路基板等に使用することもできる。この場合には、当該用途に応じて積層構成や金属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。
【００８６】
また、切り欠き部５３ａ，５３ｂの形成位置も図５の例に限定されない。例えば、対向する２側面に形成するのではなく、４隅うちの２隅に形成してもよい。
【００８７】
（実施の形態Ａ−５）
図７は、本発明の実施の形態Ａ−５に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図７（Ａ）は正面方向断面図、図７（Ｂ）は右側面図、図７（Ｃ）は底面図、図７（Ｄ）は図７（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図７（Ｅ）は図７（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。図は、積層構成を模式的に示しており、各種寸法や積層数等は実際の積層体と著しく異なっている。
【００８８】
本実施の形態の薄膜積層体６０は、形成位置が異なる金属薄膜６１ａ，６１ｂが交互に積層され、金属薄膜６１ａと金属薄膜６１ｂとの間に樹脂薄膜６２が積層されて構成される。各樹脂薄膜６２の周囲面の２箇所には積層方向に連続する切り欠き部６３ａ，６３ｂが離間して形成されている。図７では、切り欠き部６３ａ，６３ｂは、対向する２辺に、略半円筒形状に形成されている。切り欠き部６３ａは金属薄膜６１ａの形成領域内であって、金属薄膜６１ｂの形成領域外に形成され、切り欠き部６３ａ内に充填された金属薄膜６１ａの材料を介して上下に積層された金属薄膜６１ａが電気的に接続される。また、切り欠き部６３ｂは金属薄膜６１ｂの形成領域内であって、金属薄膜６１ａの形成領域外に形成され、切り欠き部６３ｂ内に充填された金属薄膜６１ｂの材料を介して上下に積層された金属薄膜６１ｂが電気的に接続される。これにより、金属薄膜６１ａと金属薄膜６１ｂとは絶縁される。最下層の金属薄膜６１ａ，６１ｂの下の切り欠き部６３ａ，６３ｂには金属薄膜６１ａ，６１ｂの材料と同一材料が充填されている。最上層の金属薄膜６１ａ，６１ｂの上の切り欠き部６３ａ，６３ｂには、必要に応じて導電性材料６４ａ，６４ｂが充填される。切り欠き部６３ａ，６３ｂが形成された２側面を除く他の２側面には金属薄膜６１ａ，６１ｂが露出しないように、金属薄膜６１ａ，６１ｂは樹脂薄膜６２の形成領域より小さい領域内に形成されている。
【００８９】
かくして、切り欠き部６３ａ，６３ｂが形成された２側面及び上下面に露出した金属薄膜材料又は導電性材料６４ａ，６４ｂを電極取り出し部（取り出し電極）とし、それぞれに異なる電位を付与すると、金属薄膜６１ａ，６１ｂを電極とし、樹脂薄膜６２を誘電体層とするコンデンサを構成することができる。
【００９０】
外表面に露出した切り欠き部６３ａ，６３ｂ内の金属薄膜材料及び／又は導電性材料６４ａ，６４ｂ上には、金、銀、アルミニウム、銅、半田、導電性ペースト、導電性高分子等からなる電極端子（突起（バンプ）電極）を形成してもよい。
【００９１】
本実施の形態のコンデンサも、実施の形態Ａ−４と同様に、図６のように実装することができ、同様の効果が得られる。
【００９２】
図７では、最上層の金属薄膜６１ａ，６１ｂの上にも切り欠き部６３ａ，６３ｂを形成し、導電性材料６４ａ，６４ｂを充填し、上面からも電極取り出し可能に構成したが、最上層の金属薄膜６１ａ，６１ｂの上の切り欠き部はなくてもよい。
【００９３】
図７では、コンデンサ用の薄膜積層体を例に説明したが、コンデンサ以外の用途、例えば、コイル、ノイズフィルタ、積層回路基板等に使用することもできる。この場合には、当該用途に応じて積層構成や金属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。
【００９４】
また、切り欠き部６３ａ，６３ｂの形成位置も図７の例に限定されない。例えば、対向する２側面に形成するのではなく、４隅うちの２隅に形成してもよい。
【００９５】
Ｂ．薄膜積層体及びコンデンサの製造方法及び製造装置について
次に、上記Ａ項で説明した薄膜積層体及びコンデンサの製造方法及び製造装置について説明する。
【００９６】
本発明の薄膜積層体及びコンデンサを製造する基本的な工程は、▲１▼支持体上に樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程（交互積層工程）と、▲２▼得られた積層体（積層体簿素子）を所定位置で積層方向に切断する工程（切断分離工程）とからなる。
【００９７】
交互積層工程において積層される金属薄膜は、所定形状にパターニングされる。金属薄膜をパターニングするには、金属薄膜の積層前にオイルを所定形状に付与するオイルパターニング法、又は金属薄膜積層後に積層した金属薄膜にレーザ光を照射して金属薄膜材料を除去するレーザパターニング法、又は前記の両者の組み合わせ、により達成可能である。
【００９８】
実施の形態Ａ−１（図１）に示した貫通孔１３ａ，１３ｂの形成及び導電性材料１４ａ，１４ｂの充填、実施の形態Ａ−４（図５）に示した切り欠き部５３ａ，５３ｂの形成及び導電性材料５４ａ，５４ｂの充填、及び実施の形態Ａ−３（図４）に示した貫通電極３７の形成は、上記交互積層工程が終了後であって切断分離工程開始前に、レーザ光等により積層方向に孔を形成し、次いで該孔に導電性材料を充填することで達成できる。あるいは、交互積層工程において、樹脂薄膜及び／又は金属薄膜を積層するたびに、レーザ光等を照射して所定位置の樹脂薄膜及び金属薄膜を除去し、積層方向に連続する孔を形成し、交互積層工程終了後に、得られた貫通孔に導電性材料を充填してもよい。
【００９９】
また、実施の形態Ａ−２（図３）に示した樹脂薄膜２１ａ，２１ｂを貫通する貫通孔２３ａ，２３ｂの形成、実施の形態Ａ−５（図７）に示した樹脂薄膜６１ａ，６２ｂに形成された切り欠き部６３ａ，６３ｂの形成は、交互積層工程において、樹脂薄膜積層後であって、金属薄膜積層前に、新たに積層した樹脂薄膜の所定位置のみをレーザ光等により除去して樹脂薄膜に貫通孔を形成し、その後金属薄膜を積層すれば、該貫通孔を介して上下の金属薄膜同士を接続させることができる。
【０１００】
本発明の製造方法と製造装置は、上記の各種方法を取捨選択して組み合わせることにより複数の実施形態が可能である。以下に、代表的な実施形態を例示する。
【０１０１】
（実施の形態Ｂ−１）
図８は、本発明の実施の形態Ｂ−１にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。本実施形態では、金属薄膜のパターニングをオイルパターニング法で行ない、貫通孔又は切り欠き部の形成を交互積層工程終了後にレーザ加工装置を用いて行なう。
【０１０２】
図８において、１００は本実施の形態の製造装置、１１５は真空槽、１１６は真空槽１１５内部を所定の真空度に維持する真空ポンプ、１１１は真空槽１１５内に設置された、図中の矢印１１１ａの方向に回転する円筒形状のキャンローラ、１１２は樹脂薄膜形成装置、１３０ａ，１３０ｂはパターニング材料付与装置（ノズル）、１１４は金属薄膜形成装置（金属材料供給源）、１１７はパターニング材料除去装置、１１８は樹脂硬化装置、１１９は表面処理装置、１２０は金属薄膜形成領域を他の領域と区別するための隔壁、１２１は隔壁１２０に設けられた開口、１２３は必要時以外に金属薄膜が形成されるのを防止するために、移動方向１２３ａの方向に移動して開口１２１を開閉する遮蔽板、１２５はレーザ加工装置、１２７はプラズマ照射装置である。
【０１０３】
キャンローラ１１１を回転させることにより、キャンローラ１１１の外周面上に、樹脂薄膜形成装置１１２による樹脂薄膜と、金属薄膜形成装置１１４による金属薄膜とが交互積層された薄膜積層体を形成できる。
【０１０４】
このとき、一対のパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂを用いて、金属薄膜形成前に樹脂薄膜表面にパターニングオイルを所定形状で付与しておくことにより、任意形状にパターニングされた金属薄膜を形成できる。
【０１０５】
パターニング材料付与装置１３０ａとパターニング材料付与装置１３０ｂの基本構成は同一である。図９にパターニング材料付与装置（ノズル）１３０ａ，１３０ｂの概略構成を示す。図９（Ａ）はキャンローラ１１１側から見た正面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。図９（Ａ）中、矢印１１１ｂはキャンローラ１１１の外周面の移動方向を示す。
【０１０６】
パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂは、液体状態のパターニング材料（オイル）１３７を保持する貯蔵槽１３４と、気化したパターニング材料を保持するキャビティ１３３とを有する。貯蔵槽１３４とキャビティ１３３とは連結路１３５で接続されている。キャンローラ１１１側に面する対向面１３２には、キャビティ１３３と接続した複数（図９では５つ）の微細孔１３１が形成されている。複数の微細孔１３１は、キャンローラ１１１の移動方向１１１ｂと略平行に所定距離を隔てて等間隔に配置されている。パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂはパターニング材料（オイル）１３７の気化温度以上に加熱されており、貯蔵槽１３４内のパターニング材料１３７は気化して、キャビティ１３３に移動し、微細孔１３１からキャンローラ１１１の外周面に向けて放出される。放出されたパターニング材料はキャンローラ１１１の外周面上で液化して、パターニング材料の液膜が形成される。
【０１０７】
図８に示した本実施形態の製造装置では、一対のパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂを、それぞれキャンローラ１１１の回転軸方向と略平行（キャンローラ１１１の外周面の移動方向１１１ｂと略直角方向）に往復移動させる。そして、パターニング材料付与装置１３０ａによってキャンローラ１１１の外周面上に形成された複数本のパターニング材料のストライプと、パターニング材料付与装置１３０ｂによってキャンローラ１１１の外周面上に形成された複数本のパターニング材料のストライプとを交差させる。
【０１０８】
図１０は、一対のパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂによってキャンローラ１１１の外周面上に形成されたパターニング材料のストライプパターンの一例の展開図である。矢印１１１ｂはキャンローラ１１１の外周面の移動方向を示す。実線１３８ａは、パターニング材料付与装置１３０ａによってキャンローラ１１１の外周面上に形成された５本のパターニング材料のストライプを示し、点線１３８ｂは、パターニング材料付与装置１３０ｂによってキャンローラ１１１の外周面上に形成された５本のパターニング材料のストライプを示す。図示したように、一対のパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂを、それぞれキャンローラ１１１の回転軸方向と略平行に所定速度で同期させながら往復移動さることで、キャンローラ１１１の外周面上にパターニング材料の格子状の付与パターンを形成することができる。特に、パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂの移動速度をキャンローラ１１１の外周面の移動速度と略同一とすると、各パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂによって形成されるストライプと移動方向１１１ｂとがなす角度を略４５度とすることができる。その結果、ストライプ１３８ａ，１３８ｂが略直交する格子状の付与パターンを得ることができる。
【０１０９】
その後、金属薄膜形成装置１１４で金属薄膜を形成すると、パターニング材料が付与された部分には金属薄膜は形成されないから、格子状にパターニングされた矩形状の金属薄膜を形成することができる。
【０１１０】
更に、キャンローラ１１１が１回転した後に形成される格子状パターンの形成位置が前回の格子状パターンの形成位置と同一位置とならないように、好ましくはストライプ１３８ａ，１３８ｂのいずれかと平行に所定量だけシフトした位置に形成されるようにパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂの移動を制御する。加えて、更に１回転した後に形成される格子状パターンの形成位置は、前回の形成位置とは同様に一致しないが、前々回の形成位置とは一致するように、パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂの移動を制御する。このようにすることで、格子状マージン部パターンが所定量だけずれた２通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層することができる。更に、樹脂薄膜を挟む金属薄膜は、所定の対向部分を有するように、パターン位置をずらしておく。該対向部分はコンデンサの静電容量形成領域を形成する。
【０１１１】
レーザ加工装置１２５は、キャンローラ１１１の外周面に向けてレーザ光を照射する。レーザ加工装置１２５は図示しない走査装置を備えており、キャンローラ１１１の回転軸方向及び／又は外周面の走行方向の任意の位置に、キャンローラ１１１の外周面の略法線方向に、レーザ光を照射することができる。本実施形態では、キャンローラ１１１の外周面上に樹脂薄膜と金属薄膜との交互積層体を形成した後、キャンローラ１１１を回転させながら、その回転と同期させてレーザ光を所定位置に照射する。レーザ加工装置１２５からのレーザ光は樹脂薄膜及び金属薄膜の双方を加熱・溶融（一部は更に蒸発）させて除去することができる。従って、積層体を積層方向に貫通する貫通孔を形成できる。樹脂薄膜及び金属薄膜の双方を加工できるレーザ光源としては、樹脂薄膜材料及び金属薄膜材料とこれらの厚み等にもよるが、例えば、ＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、グリーンレーザ等を用いることができる。
【０１１２】
プラズマ照射装置１２７は、レーザ加工装置１２５の下流側に、キャンローラ１１１の外周面に向けて設置される。プラズマとしては、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、窒素プラズマなどが使用できるが、レーザ加工面の清浄化速度の点からは酸素プラズマが好ましい。
【０１１３】
以下に、図８に示した装置を用いた交互積層工程について説明する。
【０１１４】
真空槽１１５の内部は真空ポンプ１１６により例えば２×１０-2Ｐａ程度に減圧される。
【０１１５】
キャンローラ１１１の外周面は好ましくは−２０〜４０℃、特に好ましくは−１０〜１０℃に冷却される。回転速度は自由に設定できるが、１５〜１００ｒｐｍ程度、周速度は好ましくは１０〜３００ｍ／ｍｉｎである。
【０１１６】
樹脂薄膜形成装置１１２は、樹脂薄膜材料を加熱気化又は霧化させてキャンローラ１１１の外周面に向けて放出する。樹脂薄膜材料はキャンローラ１１１の外周面上で冷却され液膜を形成する。
【０１１７】
樹脂薄膜材料としては、このように堆積して薄膜を形成できるものであれば特に限定されず、得られる積層体の用途に応じて適宜選択できるが、反応性モノマー樹脂であるのが好ましい。例えば、アクリレート樹脂またはビニル樹脂を主成分とするものが好ましく、具体的には、多官能（メタ）アクリレートモノマー、多官能ビニルエーテルモノマーが好ましく、中でも、シクロペンタジエンジメタノールジアクリレート、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルモノマー等若しくはこれらの炭化水素基を置換したモノマーが電気特性、耐熱性、安定性等の点で好ましい。
【０１１８】
堆積した樹脂薄膜材料は、必要に応じて樹脂硬化装置１１８により所望の硬化度に硬化処理してもい。硬化処理としては、樹脂薄膜材料を重合及び／又は架橋する処理が例示できる。樹脂硬化装置としては、例えば電子線照射装置、紫外線照射装置、又は熱硬化装置等を用いることができる。硬化処理の程度は、製造する積層体の要求特性により適宜変更すれば良いが、例えば硬化度が５０〜９５％、更には５０〜７５％になるまで硬化処理するのが好ましい。なお、本発明の硬化度は、赤外分光光度計でＣ＝Ｏ基の吸光度とＣ＝Ｃ基（１６００ｃｍ-1）の比をとり、各々のモノマーと硬化物の比の値をとり、減少分吸光度を１から引いたものと定義する。
【０１１９】
形成された樹脂薄膜は、必要に応じて表面処理装置１１９により表面処理される。例えば、酸素雰囲気下で放電処理又は紫外線照射処理等を行って、樹脂薄膜表面を活性化させて金属薄膜との接着性を向上させることができる。
【０１２０】
次いで、一対のパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂにより、樹脂薄膜上にパターニング材料を図１０に示したような格子状パターンに付与する。パターニング材料を薄く形成した後に、金属薄膜を蒸着などによって形成すると、パターニング材料上には金属薄膜が形成されず、マージン部が形成される。このようにして所望のパターンを持つ金属薄膜を形成することが出来る。
【０１２１】
使用するパターニング材料としては、エステル系オイル、グリコール系オイル、フッ素系オイル及び炭化水素系オイルよりなる群から選ばれた少なくとも一種のオイルであることが好ましい。更に好ましくは、エステル系オイル、グリコール系オイル、フッ素系オイルであり、特に、フッ素系オイルが好ましい。上記以外のパターニング材料を使用すると、積層表面の荒れ、樹脂薄膜や金属薄膜のピンホール、金属薄膜の形成境界部分の不安定化等の問題を生じることがある。
【０１２２】
パターニング材料を付与した後、金属薄膜形成装置１１４により金属薄膜を積層する。金属薄膜の積層方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等周知の真空プロセス手段が適用できるが、本発明では蒸着、特に電子ビーム蒸着が耐湿性の優れた膜が生産性良く得られる点で好ましい。金属薄膜の材料としては、アルミニウム、銅、亜鉛、ニッケル、鉄、コバルト、シリコン、ゲルマニウム若しくはその化合物、若しくはこれらの酸化物、若しくはこれらの化合物の酸化物などが使用できる。中でも、アルミニウムが接着性と経済性の点で好ましい。なお、金属薄膜には、上記以外の他成分を含むものであっても構わない。また、金属薄膜を一種とせず、例えばＡｌ層とＣｕ層の混入とすることによって特性の補完がなされ、使用条件によっては高性能化が図れる場合もありうる。なお、金属薄膜の形成を中断する場合は、開口１２１を遮蔽板１２３で塞ぐ。
【０１２３】
その後、パターニング材料除去装置１１７により余剰のパターニング材料が除去される。パターニング材料の大部分は金属薄膜の形成の際に蒸発して消失してしまうが、一部は金属薄膜の積層後も残存する。残存したパターニング材料は、積層表面の荒れ、樹脂薄膜や金属薄膜のピンホール（積層抜け）、金属薄膜の形成境界部分の不安定化等の問題を発生させる。パターニング材料の除去方法は特に制限はなく、使用するパターニング材料等に応じて選択すればよいが、例えば光照射や電熱ヒータによる加熱除去、プラズマ照射、イオン照射、電子照射による分解除去などにより行なうことができる。
【０１２４】
以上の製造装置１００によれば、開口１２１を開いた状態では、周回するキャンローラ１１１の外周面上に、樹脂薄膜形成装置１１２による樹脂薄膜と、金属薄膜形成装置１１４による金属薄膜とが交互に積層された積層体が製造され、また、開口１２１を遮蔽した状態では、周回するキャンローラ１１０の外周面上に、樹脂薄膜形成装置１１２による樹脂薄膜が連続して積層された積層体が製造される。
【０１２５】
さらに、上記のように、キャンローラ１１１の回転と同期させてパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂの往復移動を制御することにより、金属薄膜の格子状マージン部パターンの位置を、樹脂薄膜を介して交互に２通りに変化させることができる。
【０１２６】
樹脂薄膜及び金属薄膜の積層を終了後、キャンローラ１１１の外周面上に積層体を積層した状態で、レーザ加工装置１２５を用いて積層体に貫通孔を形成する。具体的には、キャンローラ１１１を回転させながら、その回転と同期させてレーザ光を走査して、所定位置にレーザ光を照射する。
【０１２７】
貫通孔の形成後、プラズマ照射装置１２７で貫通孔内壁面にプラズマを照射するのが好ましい。貫通孔内壁面をプラズマ処理することにより、内壁面に露出した樹脂薄膜材料が除去されて、金属薄膜の露出量が増加する。この結果、後に貫通穴内に導電性材料を充填した際に、導電性材料と金属薄膜との電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【０１２８】
図１１に、キャンローラ１１１の外周面上に形成された薄膜積層体の展開平面図を示す。図１１において矢印１１１ｂはキャンローラ１１１の外周面の移動方向を示す。
【０１２９】
略格子状にパターニングされた金属薄膜３１ａと金属薄膜３１ｂとが樹脂薄膜を介して交互に積層されている。金属薄膜３１ａの略格子状のマージン部パターンと金属薄膜３１ｂの略格子状のマージン部パターンとはほぼ同一であり、両パターンは、金属薄膜３１ａと金属薄膜３１ｂとが積層方向に所定の重なり部分を有するように、ずらして形成される。金属薄膜３１ａと金属薄膜３１ｂとの重なり部分がコンデンサとして使用する場合の静電容量形成領域を形成する。
【０１３０】
積層方向の貫通孔３３ａは、金属薄膜３１ａを貫通し、金属薄膜３１ｂは貫通しない位置に形成される。また、積層方向の貫通孔３３ｂは、金属薄膜３１ｂを貫通し、金属薄膜３１ａは貫通しない位置に形成される。
【０１３１】
積層体をキャンローラ１１１から剥離して、平板プレスした後、貫通孔３３ａ，３３ｂに導電性材料（例えば、金属粒子を含有する周知の導電性樹脂）を充填して積層体母素子を得る。
【０１３２】
次に、切断分離工程を行なう。金属薄膜３１ａ，３１ｂが形成されていないマージン部に沿って、即ち切断面７１ａ，７１ｂで積層方向に切断する。これにより、実施の形態Ａ−１（図１）に示したような薄膜積層体を得ることができる。
【０１３３】
以上のように、本実施の形態によれば、切断面７１ａ，７１ｂが金属薄膜３１ａ，３１ｂの形成領域を含まない。即ち、金属薄膜３１ａ，３１ｂを切断しないので、金属薄膜を切断する際に生じるバリや切りくずが発生しない。また、金属薄膜を切断しないので切断力が小さくてすみ、また、切断時に薄膜積層体の変形や金属薄膜の破断が生じにくい。また、切断面に金属薄膜が露出しないので、外装を施さなくても金属薄膜の腐食が発生しにくい。
【０１３４】
また、貫通孔３３ａ，３３ｂの形成はレーザ加工装置１２５を用いて行なうので、加工時に金属薄膜や樹脂薄膜に機械的外力が付与されない。従って、薄膜積層体の変形や金属薄膜の破断が生じることもない。
【０１３５】
なお、上記のようにして得た薄膜積層体の外表面に必要に応じて外装や着色を施すことはもちろん可能である。
【０１３６】
上記において、交互積層工程の最初の段階及び最後の段階に、開口１２１を閉じて樹脂薄膜のみを連続して積層した所定厚さの保護層を形成してもよい。
【０１３７】
上記において、切断面７１ａに代えて、切断面７１ａと平行で、貫通孔３３ａ及び貫通孔３３ｂのそれぞれの略中心を通る面を切断面とすることで、実施の形態Ａ−４（図５）に示した薄膜積層体を得ることができる。この場合、該切断面で金属薄膜３１ａ，３１ｂを切断することになるが、切断面内に切り欠き部５３ａ，５３ｂやマージン部を含むので実際の金属薄膜３１ａ，３１ｂの切断面積は減少する。また、他方の切断面７１ｂでは金属薄膜３１ａ，３１ｂを切断することはない。従って、従来のコンデンサの製造方法における分離切断工程と比較すれば、金属薄膜の切断面積を少なくすることができる。よって、金属薄膜を切断する際に生じるバリや切りくずの発生を少なくすることができる。また、切断力を小さくでき、また、切断時に薄膜積層体の変形や金属薄膜の破断が生じにくい。また、切り欠き部５３ａ，５３ｂの形成面以外の周囲面に金属薄膜が露出しないので、金属薄膜の腐食が発生しにくい。
【０１３８】
さらに、実施の形態Ａ−３（図４）に示したアレイコンデンサ（コンデンサ要素３６を実施の形態Ａ−１のコンデンサとした実施形態）を得るには以下のようにすればよい。即ち、上記において、金属薄膜３１ａ，３１ｂが形成されていないマージン部領域内の所定位置にも必要に応じて貫通孔（第２の貫通孔）を形成し、該第２の貫通孔にも同様に導電性材料を充填して、貫通電極を形成する。その後、金属薄膜３１ａ，３１ｂ及び貫通電極を切断しないように、マージン部領域で切断する。この場合も、金属薄膜３１ａ，３１ｂを切断しないので、金属薄膜を切断する際に生じるバリや切りくずが発生しない。また、金属薄膜を切断しないので切断力が小さくてすみ、また、切断時に薄膜積層体の変形や金属薄膜の破断が生じにくい。また、切断面に金属薄膜が露出しないので、外装を施さなくても金属薄膜の腐食が発生しにくい。
【０１３９】
（実施の形態Ｂ−２）
本実施の形態は、上記の実施の形態Ｂ−１と以下の点で相違する。即ち、実施の形態Ｂ−１では、交互積層工程の終了後に、レーザ加工装置１２５を用いてレーザ光を照射して積層体に貫通孔を形成したが、本実施の形態Ｂ−２では、交互積層工程中にレーザ光を照射する。
【０１４０】
具体的には、キャンローラ１１１が１回転することにより新たに積層された樹脂薄膜及び金属薄膜にレーザ加工装置１２５を用いてレーザ光を照射して所定位置の樹脂薄膜及び金属薄膜を除去する。キャンローラ１１１の回転に同期させてレーザ光を走査することで、積層方向におけるレーザ光の照射位置を一致させる。これにより積層方向に連続する孔を形成でき、結果的に積層方向の貫通孔を形成することができる。貫通電極を形成する場合には、樹脂薄膜の金属薄膜が形成されていない領域にレーザ光を照射して、貫通電極用の貫通孔（第２の貫通孔）を加工すればよい。
【０１４１】
本実施の形態においても、プラズマ照射装置１２７を用いて貫通孔内壁面をプラズマ処理することが好ましい。プラズマ処理は交互積層工程中に随時行なうこともでき、あるいは、交互積層工程終了後に行なうこともできる。
【０１４２】
本実施の形態では、交互積層工程内の所定の時期にレーザ加工装置１２５による穴加工を停止することにより、非貫通孔を容易に形成することができる。例えば、薄膜積層体の上層及び／又は下層に樹脂薄膜のみが連続積層された保護層を形成する場合において、上下のいずれかの保護層部分には孔加工を行なわないことにして、取り出し電極を上下面のいずれか一方のみに形成したコンデンサを得ることができる。
【０１４３】
上記以外は実施の形態Ｂ−１と同様である。
【０１４４】
（実施の形態Ｂ−３）
本実施の形態のは、以下の点で実施の形態Ｂ−２と相違する。即ち、本実施の形態Ｂ−３では、レーザ加工装置１２５として、樹脂薄膜を除去でき、金属薄膜を除去できない特性を有するレーザ加工装置を使用する。このような特性を有するレーザ光源としては、樹脂薄膜材料及び金属薄膜材料にもよるが、例えば、ＣＯ2レーザなどの波長の比較的長いレーザを用いることができる。
【０１４５】
交互積層工程において、金属薄膜形成装置１１４により金属薄膜を、次いで樹脂薄膜形成装置１１２により樹脂薄膜を順に積層した後、レーザ加工装置１２５を用いて所定位置にレーザ光を照射する。レーザ加工装置１２５によるレーザ光は樹脂薄膜を除去し照射位置に樹脂薄膜を貫通する貫通孔を形成する。樹脂薄膜の下に金属薄膜がある場合、レーザパワーを所定の値以下に制御すればレーザ光は該金属薄膜に対しては何ら作用しない。その後、樹脂薄膜に形成された貫通孔を含む領域に金属薄膜を形成すると、該貫通孔を介して樹脂薄膜の上下の金属薄膜が接続される。
【０１４６】
実施の形態Ｂ−１，Ｂ−２と同様に、キャンローラ１１１が１回転するたびに金属薄膜の格子状マージン部パターン位置を変化させる。樹脂薄膜に形成する貫通孔の位置を、一層毎に変化する金属薄膜の格子状パターン位置に対して適切に設定することにより、１層おきの金属薄膜が樹脂薄膜に形成された貫通孔で接続された積層体母素子が得られる。
【０１４７】
この積層体母素子を実施の形態Ｂ−１，Ｂ−２と同様に図１１の切断面７１ａ，７１ｂで切断する。これにより、実施の形態Ａ−２（図３）に示したような薄膜積層体を得ることができる。また、切断面７１ａに代えて、切断面７１ａと平行で、貫通孔３３ａ及び貫通孔３３ｂのそれぞれの略中心を通る面を切断面とすることで、実施の形態Ａ−５（図７）に示した薄膜積層体を得ることができる。
【０１４８】
本実施の形態では、交互積層工程において、樹脂薄膜に貫通孔を形成後、金属薄膜を形成することにより、貫通孔内に金属薄膜材料が充填される。このため、樹脂薄膜に形成した貫通孔を介して金属薄膜が順に接続されていくから、実施の形態Ｂ−１，Ｂ−２のように貫通孔に導電性材料を充填する必要はない。但し、積層体母素子の上表層の樹脂薄膜に孔が形成され、その孔の底部に金属薄膜が露出している場合は、該孔に導電性材料を該金属薄膜と接続するように充填することが好ましい。これにより、充填した導電性材料を介することで電極取り出しを容易に行なえる。
【０１４９】
また、交互積層工程において、金属薄膜を形成しない領域にレーザ光を照射して貫通孔（第２の貫通孔）を形成し、該貫通孔を積層方向に連続させる。これにより、金属薄膜を貫通しない貫通孔を有する積層体母素子が得られる。該貫通孔に実施の形態Ｂ−１，Ｂ−２と同様に導電性材料を充填し、マージン部領域で切断すると、実施の形態Ａ−３に示した貫通電極を備えたアレイコンデンサ（コンデンサ要素３６を実施の形態Ａ−２のコンデンサとした実施形態）を得ることができる。
【０１５０】
本実施の形態においても、交互積層工程中にプラズマ照射装置１２７を用いて貫通穴内壁面をプラズマ処理することが好ましい。
【０１５１】
本実施の形態では、実施の形態Ｂ−２と同様に、交互積層工程内の所定の時期にレーザ加工装置１２５による穴加工を停止してもよい。例えば、薄膜積層体の上層及び／又は下層に樹脂薄膜のみが連続積層された保護層を形成する場合において、上下のいずれかの保護層部分には孔加工を行なわないことにして、電極取り出し面を上下面のいずれか一方のみとしたコンデンサを得ることができる。
【０１５２】
上記以外は実施の形態Ｂ−２と同様である。
【０１５３】
（実施の形態Ｂ−４）
本実施の形態Ｂ−４は、金属薄膜のパターニングをレーザ光を用いたレーザパターニング法により行なう点で、オイルパターニング法により行なう上記の実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３と相違する。
【０１５４】
図１２は、本発明の実施の形態Ｂ−４にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。図８と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１５５】
本実施の形態では、実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３において金属薄膜のパターニングのために使用したパターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂ及びパターニング材料除去装置１１７（図８参照）の代わりに、レーザパターニング装置１４０を使用する。レーザパターニング装置１４０は、金属薄膜形成装置１１４の下流側であって、樹脂薄膜形成装置１１２の上流側に設置される。
【０１５６】
金属薄膜形成後、レーザパターニング装置１４０を用いて金属薄膜表面にレーザ光を照射して、照射箇所の金属薄膜を加熱・溶融（一部は更に蒸発）させて除去し、マージン部を形成する。
【０１５７】
レーザパターニング装置１４０から発射されるレーザ光は、レーザ加工装置１２５からのレーザ光と異なり、金属薄膜に対してのみ作用し、樹脂薄膜に対しては何ら作用しない特性を有する必要がある。係る特性をレーザ光源としては、樹脂薄膜材料及び金属薄膜材料にもよるが、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザ、グリーンレーザ、エキシマレーザなどの比較的波長の短いレーザ光が望ましい。長波長レーザ光は、金属薄膜表面で反射してしまう。また、レーザ光源の出力は、除去しようとする金属薄膜の種類や厚さに応じて選択することができる。
【０１５８】
レーザ光は、所望するマージン部の形状パターンに応じて照射する。マージン部の形状パターンによっては複数のレーザ光源を用いることもできる。例えば、金属薄膜を格子状マージン部を有するようにパターニングする場合には、以下のようにすればよい。第１のレーザ光源からの光をプリズムを用いてキャンローラ１１１の回転軸と平行方向に複数に分割してキャンローラ１１１の外周面に向かって照射して、キャンローラ１１１の外周面の走行方向に連続する帯状のマージン部を複数本形成する。第２のレーザ光源からの光を周知の方法で上記第１のレーザ光源による帯状のマージン部と交差するように走査する。
【０１５９】
本実施の形態のように、金属薄膜のパターニングをレーザパターニング法で行なうと、任意形状のパターニングを容易に作成することができる。また、実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３のオイルパターニング法では、キャンローラ１１１の外周面の走行方向に対して斜めのマージン部が形成されるが、本実施の形態のレーザパターニング法ではキャンローラ１１１の外周面の走行方向と平行方向及び直角方向のマージン部を形成することができる。
【０１６０】
キャンローラ１１１の回転に伴って、レーザパターニング装置１４０により格子状にパターニングされた金属薄膜上に、樹脂薄膜形成装置１１２により樹脂薄膜が積層され、さらにその上に金属薄膜形成装置１１４により金属薄膜が積層される。その後、再度レーザパターニング装置１４０により表層の金属薄膜を格子状にパターニングするが、このときの格子状パターンの形成位置を前回の格子状パターンの形成位置に対して所定量だけずらして形成する。加えて、更にキャンローラ１１１が１回転して積層された金属薄膜に対して形成される格子状パターンの形成位置を、前回の格子状パターン形成位置に対して所定量だけずらし、かつ前々回の格子状パターン形成位置と同一位置になるようにする。このようにすることで、格子状パターン位置が所定量だけずれた２通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層することができる。
【０１６１】
このようにして、キャンローラ１１１の外表面上に図１１に示したのと同様の薄膜積層体を得ることができる。但し、本実施の形態では、キャンローラ１１１の外周面の走行方向１１１ｂと格子状パターン方向との相対的関係は図１１に示すものに限定されないことは上述の通りである。
【０１６２】
上記以外は実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３のいずれかと同様にして、実施の形態Ａ−１，Ａ−２，Ａ−４，Ａ−５に示した薄膜積層体（又はコンデンサ）、あるいは実施の形態Ａ−３に示したアレイコンデンサを得ることができる。
【０１６３】
（実施の形態Ｂ−５）
本実施の形態Ｂ−５は、金属薄膜のパターニングをオイルパターニング法とレーザパターニング法とを併用して行なう点で、オイルパターニング法により行なう上記の実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３と、またレーザパターニング法により行なう実施の形態Ｂ−４と、それぞれ相違する。
【０１６４】
図１３は、本発明の実施の形態Ｂ−５にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。図８、図１２と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１６５】
本実施の形態では、パターニング材料付与装置１４２を、樹脂薄膜形成装置１１２の下流側であって、金属薄膜形成装置１１４の上流側に設置する。パターニング材料付与装置１４２は、オイルパターニング法により複数の帯状のマージン部を形成する。また、レーザパターニング装置１４０を、金属薄膜形成装置１１４の下流側であって、樹脂薄膜形成装置１１２の上流側に設置する。レーザパターニング装置１４０は、パターニング材料付与装置１４２による帯状のマージン部と交差するようなマージン部をレーザパターニング法により形成する。
【０１６６】
パターニング材料付与装置１４２には、キャンローラ１１１の外周面に向けて形成された微細孔が、キャンローラ１１１の外周面の走行方向と直角方向に所定間隔を隔てて複数個配置されている。パターニング材料付与装置１４２の内部で気化されたパターニング材料は該微細孔から放出されてキャンローラ１１１上に積層された樹脂薄膜上に付着して、キャンローラ１１１の外周面の走行方向に平行な複数の帯状の液膜を形成する。
【０１６７】
その後、金属薄膜形成装置１１４により金属薄膜を積層すると、パターニング材料の液膜部分に対応する帯状のマージン部が形成される。
【０１６８】
次いで、レーザパターニング装置１４０を用いて、レーザ光を上記帯状のマージン部と交差するように走査して金属薄膜に照射して、マージン部を形成する。これにより、所望する格子状にパターニングされた金属薄膜を形成することができる。
【０１６９】
本実施の形態においても、ある層の金属薄膜の格子状パターンの形成位置を、その下に樹脂薄膜を介して形成された金属薄膜の格子状パターンの形成位置に対して所定量だけずらし、かつ、さらにその下に樹脂薄膜を介して形成された金属薄膜の格子状パターンの形成位置と一致させる。即ち、格子状パターン位置が所定量だけずれた２通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層する。これを実現するためには例えば以下のようにすればよい。第１の方法として、キャンローラ１１１が１回転するとパターニング材料付与装置１４２をキャンローラ１１１の回転軸方向に所定量だけ移動させ、次の１回転後にもとの位置に戻すという往復運動を行なう。あるいは、第２の方法としてキャンローラ１１１が１回転するとレーザパターニング装置１４０によるレーザ光の照射位置をその走査方向と直角方向にに所定量だけずらし、次の１回転後にもとの位置に戻すという動作を行なってもよい。
【０１７０】
このようにして、キャンローラ１１１の外表面上に図１１に示したのと同様の薄膜積層体を得ることができる。但し、本実施の形態では、金属薄膜の格子状パターンの縦横いずれかのマージン部の方向はキャンローラ１１１の外周面の走行方向１１１ｂと一致する。なお、パターニング材料付与装置１４２をキャンローラ１１１の回転軸方向と平行な方向に移動させることにより、又はレーザパターニング装置１４０によるレーザ光の走査条件を調整することにより、金属薄膜の格子状パターンのマージン部の方向を、キャンローラ１１１の外周面の走行方向１１１ｂと任意の角度で交差させることもできる。マージン部の方向の設定は、設備規模及び使用するレーザの走査速度などを考慮して決定される。
【０１７１】
上記以外は実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−３のいずれかと同様にして、実施の形態Ａ−１，Ａ−２，Ａ−４，Ａ−５に示した薄膜積層体（又はコンデンサ）、あるいは実施の形態Ａ−３に示したアレイコンデンサを得ることができる。
【０１７２】
（実施の形態Ｂ−６）
本実施の形態Ｂ−６では、実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−５で使用した円柱状のキャンローラ１１１に代えて正多角柱形状の支持体を用い、これを断続的に回転させて、その外周に薄膜積層体を形成する。
【０１７３】
図１４は、本発明の実施の形態Ｂ−６にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例の主要構成要素を示した概略断面図である。図１４において、図８，１２，１３と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１７４】
本実施の形態では、正８角柱形状の支持体２１１の外周面に薄膜積層体を形成する。支持体２１１は回転方向２１１ａの向きに４５度ずつ断続的に回転する。
【０１７５】
金属薄膜のパターニングはパターニング材料付与装置２２０，２３０を用いてオイルパターニング法により行なう。
【０１７６】
第１のパターニング材料付与装置２２０には、微細孔２２２が、支持体２１１の外周面に向けて、紙面垂直方向（支持体２１１の外周面の幅方向）に所定ピッチで複数形成されている。支持体２１１の回転が停止しているとき、装置内で気化されたパターング材料を微細孔２２２から放出しながら、パターニング材料付与装置２２０は移動方向２２４の方向に移動する。この結果、支持体２１１の外周面上には外周面の移動方向と平行な複数の帯状のパターニング材料の液膜が形成される。
【０１７７】
その後、支持体２１１が４５度回転することにより、第１のパターニング材料付与装置２２０によりパターニング材料が付与された支持体２１１の外周面は、第２のパターニング材料付与装置２３０と対向する。
【０１７８】
第２のパターニング材料付与装置２３０には、微細孔２３２が、支持体２１１の外周面に向けて、支持体２１１の外周面の移動方向に所定ピッチで複数形成されている。支持体２１１の回転が停止しているとき、装置内で気化されたパターング材料を微細孔２３２から放出しながら、パターニング材料付与装置２３０は紙面と垂直方向（支持体２１１の外周面の幅方向）に移動する。この結果、支持体２１１の外周面上には支持体の幅方向に複数の帯状のパターニング材料の液膜が形成される。
【０１７９】
第１及び第２のパターニング材料付与装置２２０，２３０により略格子状にパターニング材料の液膜が形成された支持体２１１の外周面は、支持体２１１がさらに４５度回転することにより、金属薄膜形成装置１１４と対向し、略矩形状にパターニングされた金属薄膜が形成される。
【０１８０】
その後、金属薄膜が形成された面は樹脂薄膜形成装置２４０と対向する。樹脂薄膜形成装置２４０は、傾斜した加熱板２４３ａ，２４３ｂを有する。液状の樹脂薄膜材料２４１は供給管２４２を通って加熱板２４３ａ上に滴下され、加熱板２４３ａ，２４３ｂ上を順に流動しながら蒸発する。なお、蒸発しきれなかった樹脂薄膜材料はトレイ２４４に回収される。蒸発した樹脂薄膜材料は遮蔽板２４５ａと遮蔽板２４５ｂ，２４５ｃとの間を通過して支持体２１１の外周面に付着して樹脂薄膜を形成する。
【０１８１】
以上のように、正８角柱形状の支持体２１１が回転方向２１１ａの向きに４５度おきに断続的に回転することにより、支持体２１１の外周面上に、矩形状にパターニングされた金属薄膜と樹脂薄膜との交互積層体を形成することができる。
【０１８２】
本実施の形態においても、金属薄膜の格子状パターン位置が所定量だけずれた２通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層することでコンデンサ用の薄膜積層体を得ることができる。金属薄膜の格子状パターンをずらすためには、例えば第１のパターニング材料付与装置２２０又は第２のパターニング材料付与装置２３０を、支持体２１１が１回転するたびにその移動方向と直角方向に所定量だけ移動させることで実現できる。
【０１８３】
図１４には図示していないが、上記の装置は所定の真空度に維持された真空装置に収納される。また、図８，１２，１３に示したように、パターニング材料除去装置１１７、樹脂硬化装置１１８、表面処理装置１１９、遮蔽板１２３、プラズマ照射装置１２７を、支持体２１１の外周面に対向させて配置することができる。
【０１８４】
薄膜積層体の形成後、支持体２１１の外周面上に積層体を積層した状態で、実施の形態Ｂ−１と同様にレーザ加工装置１２５を用いて積層体の所定位置に積層体全体を貫通する貫通孔を形成する。あるいは、交互積層工程中に、支持体２１１の回転が停止するたびに、実施の形態Ｂ−２と同様に、レーザ加工装置１２５を用いて新たに積層された所定位置の樹脂薄膜及び金属薄膜に貫通孔を形成する。交互積層工程終了後、積層体を支持体２１１から剥離して、貫通孔に導電性材料を充填する。その後、所定位置で切断することで、実施の形態Ａ−１（図１）、Ａ−４（図５）に示したような薄膜積層体、実施の形態Ａ−３（図４）に示したアレイコンデンサ（コンデンサ要素３６を実施の形態Ａ−１のコンデンサとした実施形態）を得ることができる。
【０１８５】
また、樹脂薄膜のみ除去加工できるレーザ加工装置１２５を用いて、交互積層工程中に、支持体２１１の回転が停止するたびに、実施の形態Ｂ−３と同様に、新たに積層された所定位置の樹脂薄膜に貫通孔を形成する。その後、積層体を支持体２１１から剥離して所定位置で切断することで、実施の形態Ａ−２（図３）、Ａ−５（図７）に示した薄膜積層体を得ることができる。また、金属薄膜を形成しない領域に貫通電極用の第２の貫通孔を形成しこれに導電性材料を充填し、切断することで、実施の形態Ａ−３に示したアレイコンデンサ（コンデンサ要素３６を実施の形態Ａ−２のコンデンサとした実施形態）を得ることができる。
【０１８６】
図１４の例では、金属薄膜の格子状パターニングを、第１及び第２のパターニング材料付与装置２２０，２３０を用いたオイルパターニング法により行なったが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１及び第２のパターニング材料付与装置２２０，２３０に代えて実施の形態Ｂ−４に示したようなレーザパターニング装置を用いたレーザパターニング法で、金属薄膜のパターニングを行なうことができる。あるいは、第１及び第２のパターニング材料付与装置２２０，２３０のうちのいずれか一方をレーザパターニング装置に代えて、実施の形態Ｂ−５と同様にオイルパターニング法とレーザパターニング法とを併用して、金属薄膜のパターニングを行なうこともできる。
【０１８７】
また、支持体２１１は正８角柱に限定されない。正６角柱、正１０角柱など、他の形状であっても構わない。
【０１８８】
以上のように、本実施の形態によれば、薄膜積層体が支持体２１１の各外周面上に平板状に形成されるから、ロール状支持体を使用する場合に比べて支持体２１１からの剥離後の平板プレス工程などを省略又は簡易化することができる。また、この平板プレス工程での薄膜積層体の割れや金属薄膜の破断等の発生を防止できるので、歩留まりが向上する。
【０１８９】
（実施の形態Ｂ−７）
本実施の形態Ｂ−７は、支持体として所定サイズの平板状の支持体を用いる。係る支持体を複数個連続して搬送させながら、その下面に樹脂薄膜及び金属薄膜を形成する。
【０１９０】
具体的には、複数の支持体を巡回させる搬送経路を形成し、その途中に樹脂薄膜形成装置及び金属薄膜形成装置を配置する。支持体が樹脂薄膜形成装置及び金属薄膜形成装置の上を通過すると、支持体の下面にそれぞれ樹脂薄膜及び金属薄膜が形成される。
【０１９１】
金属薄膜のパターニングをオイルパターニング法を用いて行なう場合には、支持体が樹脂薄膜形成装置上を通過後、金属薄膜形成装置上に到着する前にパターニング材料付与装置上を通過するように構成する。また、金属薄膜のパターニングをレーザパターニング法を用いて行なう場合には、支持体が金属薄膜形成装置上を通過後、樹脂薄膜形成装置上に到着する前にレーザパターニング装置上を通過するように構成する。
【０１９２】
また、貫通孔を形成する場合は、加工対象薄膜に応じて、実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−６の配置に準じて、レーザ加工装置を支持体の巡回経路内に設置することができる。
【０１９３】
その他、パターニング材料除去装置、樹脂硬化装置、表面処理装置、プラズマ処理装置などを必要に応じて実施の形態Ｂ−１〜Ｂ−６の配置に準じて、支持体の巡回経路内に設置することができる。
【０１９４】
以上のようにして、支持体上にパターニングされた金属薄膜と樹脂薄膜との交互積層体を得ることができる。その後、必要に応じて貫通孔に導電性材料を充填した後、切断することで、実施の形態Ａ−１，Ａ−２，Ａ−４，Ａ−５の薄膜積層体あるいは実施の形態Ａ−３のアレイコンデンサを得ることができる。
【０１９５】
【実施例】
（実施例１）
実施の形態Ｂ−１（図８）に示した製造装置を用いて実施の形態Ａ−１（図１）に示した薄膜積層体及びチップコンデンサを製造した例を説明する。
【０１９６】
真空ポンプ１１６により真空槽１１５内を２×１０-2Ｐａとし、また、キャンローラ１１１の外周面を１０℃にまで冷却した。キャンローラ１１１の直径は５００ｍｍ、外周面の移動速度は１００ｍ／分とした。
【０１９７】
樹脂薄膜材料としてジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを用いた。金属薄膜材料としてはアルミニウムを用い、これを蒸着して形成した。パターニング材料としては、フッ素系オイルを用いた。
【０１９８】
積層に先立ち、キャンローラ１１１の外周面にフッ素系離型剤（ダイキン工業（株）製“ダイフリー”）をスプレー塗布し、その後不織布で薄く延ばした。
【０１９９】
まず最初に、樹脂薄膜のみが連続積層された保護層を積層した。上記樹脂薄膜材料を気化して樹脂薄膜形成装置１１２よりキャンローラ１１１の外周面に堆積させた。１層当たりの積層厚さは０．６μｍである。次いで樹脂硬化装置１１８として紫外線硬化装置を用い、上記により堆積させた樹脂薄膜材料を重合し、硬化度が７０％になるまで硬化させた。この操作を、キャンローラ１１１を回転させることにより繰返し、キャンローラ１１１の外周面に厚さ１５μｍの保護層を形成した。この間、開口１２１は遮蔽板１２３で遮蔽しておいた。
【０２００】
次に、コンデンサとしての容量発生部分となる素子層を積層した。上記樹脂薄膜材料を用い、１層当たりの積層厚さは０．１μｍとした。次いで樹脂硬化装置１１８により、樹脂薄膜を硬化度が７０％になるまで硬化させた。その後、表面処理装置１１９により、表面を酸素プラズマ処理した。次に、パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂの微細孔から上記パターニング材料の蒸気を放射させた。パターニング材料付与装置１３０ａ，１３０ｂをキャンローラ１１１の外周面の移動速度と略同一の速度で往復移動させて、キャンローラ１１１の外周面上の樹脂薄膜表面にパターニング材料による格子状の液膜パターンを形成した。次に、金属薄膜形成装置１１４からアルミニウムを金属蒸着させた。積層厚みは３０ｎｍとした。その後、パターニング材料除去装置１１７を用いて遠赤外線加熱とプラズマ放電処理を行ない、残存したパターニング材料を除去した。
【０２０１】
パターニング材料による格子状パターン位置は、キャンローラ１１１が１回転するたびに変化させて、格子状パターン位置が異なる２通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層した。
【０２０２】
以上の操作を、キャンローラ１１１を回転させることにより約３０００回繰り返し、総厚さ３９０μｍの素子層を形成した。
【０２０３】
その後、開口１２１を閉じて保護層を上記保護層の形成と同様にして積層した。
【０２０４】
保護層の形成終了後、樹脂薄膜形成装置を停止させ、キャンローラ１１１を回転させながらレーザ加工装置１２５を用いて所定箇所に積層体全体を貫通する貫通孔を形成した。レーザ加工装置１２５として、ＣＯ2レーザ（出力２０Ｗ）を用いた。このとき、プラズマ照射装置１２７により、形成された貫通穴内を酸素プラズマ処理した。
【０２０５】
次に、積層体をキャンローラ１１１から剥離して、平板プレスし、貫通穴内に導電性樹脂を充填し、積層体母素子を得た。
【０２０６】
その後、金属薄膜を切断しない位置（マージン部）で切断して、図１に示すような薄膜積層体を得た。
【０２０７】
得られた薄膜積層体の外形寸法は縦０．５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ（積層方向高さ）０．４２ｍｍであり、貫通孔径は０．２ｍｍである。また、コンデンサとして機能する金属薄膜の対向領域の面積は縦０．４ｍｍ×幅０．３ｍｍである。一対の貫通孔内の導電性樹脂表面に電極端子を形成してコンデンサとしての特性を評価したところ、容量４０ｎＦであった。
【０２０８】
（実施例２）
樹脂薄膜を挟む上下の金属薄膜の格子状パターンのずらし量を変える以外は実施例１と同様にして積層体母素子を得た。次いで、実施例１と切断面の位置を変更することにより、実施の形態Ａ−４（図５）に示した薄膜積層体を得た。
【０２０９】
得られた薄膜積層体の外形寸法は縦０．５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ（積層方向高さ）０．４２ｍｍであり、半円形の切り欠き部の半径は０．１ｍｍである。また、コンデンサとして機能する金属薄膜の対向領域の面積は縦０．４ｍｍ×幅０．６５ｍｍである。一対の切り欠き部内の導電性樹脂表面に電極端子を形成してコンデンサとしての特性を評価したところ、容量８７ｎＦであった。本実施例のコンデンサは、実施例１のコンデンサに比べて、略同一外形寸法でありながら金属薄膜の対向領域の面積を大きくでき、その結果、容量を大きくすることができた。
【０２１０】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、金属薄膜の腐食等が生じにくく、製造工程において、金属薄膜の切断時に生じる問題、例えば金属薄膜のバリや切りくず、金属薄膜の破断、薄膜積層体の変形などの発生が少ない薄膜積層体及びコンデンサを得ることができる。更に、基板実装時の実装面積を少なくでき、高密度実装が可能なコンデンサを得ることができる。また、小型ながら高容量のコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態Ａ−１に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図１（Ａ）は正面方向断面図、図１（Ｂ）は右側面図、図１（Ｃ）は平面図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図１（Ｅ）は図１（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。
【図２】  本発明の実施の形態Ａ−１にかかるコンデンサを回路基板上に実装した状態の概略側面図を示す。
【図３】  本発明の実施の形態Ａ−２に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図３（Ａ）は正面方向断面図、図３（Ｂ）は右側面図、図３（Ｃ）は底面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図３（Ｅ）は図３（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。
【図４】  図４（Ａ）は実施の形態Ａ−３に係るコンデンサ（アレイコンデンサ）の概略構成を示した平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のコンデンサを回路基板に実装した例を示した側面図である。
【図５】  本発明の実施の形態Ａ−４に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図５（Ａ）は正面方向断面図、図５（Ｂ）は右側面図、図５（Ｃ）は平面図、図５（Ｄ）は図５（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図５（Ｅ）は図５（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。
【図６】  本発明の実施の形態Ａ−４にかかるコンデンサを回路基板上に実装した状態の概略側面図を示す。
【図７】  本発明の実施の形態Ａ−５に係る薄膜積層体を用いたチップコンデンサの概略構成を示しており、図７（Ａ）は正面方向断面図、図７（Ｂ）は右側面図、図７（Ｃ）は底面図、図７（Ｄ）は図７（Ａ）のＤ−Ｄ線での矢印方向から見た断面図、図７（Ｅ）は図７（Ａ）のＥ−Ｅ線での矢印方向から見た断面図である。
【図８】  本発明の実施の形態Ｂ−１にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。
【図９】  パターニング材料付与装置の概略構成を示した図であり、図９（Ａ）はキャンローラ側から見た正面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図１０】  一対のパターニング材料付与装置によってキャンローラの外周面上に形成されたパターニング材料のストライプパターンの一例の展開図である。
【図１１】  実施の形態Ｂ−１においてキャンローラの外周面上に形成された薄膜積層体の展開平面図である。
【図１２】  本発明の実施の形態Ｂ−４にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。
【図１３】  本発明の実施の形態Ｂ−５にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。
【図１４】  本発明の実施の形態Ｂ−６にかかる薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例の主要構成要素を示した概略断面図である。
【図１５】  従来の薄膜積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例の概略を模式的に示した断面図である。
【図１６】  図１５の製造装置によって得られる積層体母素子の概略構成を示した斜視図である。
【図１７】  従来のチップコンデンサの概略構成を示した斜視図である。
【符号の説明】
１０  薄膜積層体
１１ａ，１１ｂ  金属薄膜
１２  樹脂薄膜
１３ａ，１３ｂ  貫通孔
１４ａ，１４ｂ  導電性材料
１５  電極端子
１７  回路基板
１９  電極端子
２０  薄膜積層体
２１ａ，２１ｂ  金属薄膜
２２  樹脂薄膜
２３ａ，２３ｂ  貫通孔
２４ａ，２４ｂ  導電性材料
３０  コンデンサ（アレイコンデンサ）
３１ａ，３１ｂ  金属薄膜
３３ａ，３３ｂ  貫通孔
３５ａ，３５ｂ  取り出し電極
３５’  電極端子
３６  コンデンサ要素
３７  貫通電極
３７’  電極端子
３８  貫通孔
３９  導電性材料
４０  半導体集積回路
４１  回路基板
４２  電極端子
４５  半導体チップ
４６  キャリア
４７  電極端子
５０  薄膜積層体
５１ａ，５１ｂ  金属薄膜
５２  樹脂薄膜
５３ａ，５３ｂ  切り欠き部
５４ａ，５４ｂ  導電性材料
５５  電極端子
５７  回路基板
５８  導電性材料
５９  電極端子
６０  薄膜積層体
６１ａ，６１ｂ  金属薄膜
６２  樹脂薄膜
６３ａ，６３ｂ  切り欠き部
６４ａ，６４ｂ  導電性材料
７１ａ，７１ｂ  切断面
１００  薄膜積層体の製造装置
１１１  キャンローラ
１１２  樹脂薄膜形成装置
１１４  金属薄膜形成装置（金属材料供給源）
１１５  真空槽
１１６  真空ポンプ
１１７  パターニング材料除去装置
１１８  樹脂硬化装置
１１９  表面処理装置
１２０  隔壁
１２１  開口
１２３  遮蔽板
１２５  レーザ加工装置
１２７  プラズマ照射装置
１３０ａ，１３０ｂ  パターニング材料付与装置（ノズル）
１３１  微細孔
１３２  対向面
１３３  キャビティ
１３４  貯蔵槽
１３５  連結路
１３７  パターニング材料
１３８ａ，１３８ｂ  パターニング材料のストライプパターン
１４０  レーザパターニング装置
１４２  パターニング材料付与装置
２１１  支持体
２２０  パターニング材料付与装置
２２２  微細孔
２３０  パターニング材料付与装置
２３２  微細孔
２４０  樹脂薄膜形成装置
２４１  樹脂薄膜材料
２４２  供給管
２４３ａ，２４３ｂ  加熱板
２４４  トレイ
２４５ａ，２４５ｂ，２４５ｃ  遮蔽板
【図１】
0003853565.tif 000002
【図２】
0003853565.tif 000003
【図３】
0003853565.tif 000004
【図４】
0003853565.tif 000005
【図５】
0003853565.tif 000006
【図６】
0003853565.tif 000007
【図７】
0003853565.tif 000008
【図８】
0003853565.tif 000009
【図９】
0003853565.tif 000010
【図１０】
0003853565.tif 000011
【図１１】
0003853565.tif 000012
【図１２】
0003853565.tif 000013
【図１３】
0003853565.tif 000014
【図１４】
0003853565.tif 000015
【図１５】
0003853565.tif 000016
【図１６】
0003853565.tif 000017
【図１７】
0003853565.tif 000018