(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバーテープの電子部品に向く面が、電子部品のカバーテープに向く面に対し、帯電列のプラス側に帯電しやすい樹脂としてポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、マイナス側に帯電しやすい樹脂としてポリエチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂のそれぞれから選ばれた樹脂を含有し、帯電列のプラス側に帯電しやすい樹脂とマイナス側に帯電しやすい樹脂の重量比が７７：２３〜２３：７７の範囲であるキャリアテープ体。
【請求項２】
カバーテープの電子部品に向く面と電子部品とを、３００往復／分、振幅巾５ｍｍの振動を１分間行ったときの電子部品側の帯電圧が±１０００Ｖ以下であるカバーテープである請求項１のキャリアテープ体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品を収納したキャリアテープ体、それに用いられるカバーテープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体等の電子部品はエンボステープのポケット部に収納され、カバーテープによりシールし蓋をされキャリアテープ体となり、組立部門にてカバーテープが剥がされ使用される。電子部品の中でも半導体は微細化に伴う素子単体の縮小化と酸化膜の薄膜化により破壊電圧の低下が問題となっており、静電気による破壊を受けやすくなっている。静電気はキャリアテープ体に梱包後の運搬時における振動、摩擦等及び収納物を取出す際のカバーテープの剥離により発生する。静電気から半導体を保護するために、低湿度環境下（例えば相対湿度２０％）においても高い導電性を示す１０4から１０9Ωの表面抵抗値を有するキャリアテープ体が使用されている。これは、発生した静電気を抵抗値の低い包装材料を用い効率よく逃がすというものである。
【０００３】
半導体以外の電子部品は静電気により破壊されることはまれであるが、これらは総じて小型軽量化が進んでおり、カバーテープを剥がした際に静電気により部品がカバーテープ側に付着し、エンボステープ側に残らなくなり、組立作業の効率低下に繋がることが問題視されている。そのため、発生した静電気を効率よく逃がしカバーテープ側への付着を防ぐために、高い導電性を有するエンボステープとカバーテープの組合せにて梱包される場合が多々見受けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、静電気による帯電現象そのものを抑制したキャリアテープ体、それに用いられるカバーテープを提供するものである。すなわち、これまでのように発生した静電気を効率よく拡散、除電させることから、電子部品とその包材であるカバーテープの摩擦や剥離といった現象により生じる帯電現象を抑制することにより静電気による電子部品破壊等の問題を解消しようとするものである。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
本発明は電子部品を収納したキャリアテープ体において、カバーテープの電子部品に向く面が、電子部品のカバーテープに向く面に対し帯電列のプラス側に帯電しやすい樹脂とマイナス側に帯電しやすい樹脂を含有するキャリアテープ体である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のキャリアテープ体に用いられるカバーテープの電子部品に向く面は、電子部品のカバーテープに向く面に対し帯電列のプラス側に帯電しやすい樹脂とマイナス側に帯電しやすい樹脂を含有する。
帯電列とは、物質を互いに摩擦しプラスに帯電しやすい物質からマイナスに帯電しやすい物質までを順に並べたものである。物質の帯電極性は摩擦する相手によって変わり、帯電列のプラス側の物質とマイナス側の物質を擦り合わせると、プラス側の物質がプラスに、マイナス側の物質がマイナスに帯電する。この順位は化学ポテンシャルやフェルミ準位により説明され、フェルミ準位の高いものが帯電列のプラス側に、低いものがマイナス側となる。
【０００７】
半導体等の電子部品は収納された包装材料との振動、摩擦等による静電気により帯電し、その電荷が基盤等に実装される際リード線や半田ボールを伝い流れると電流が生じ、ゲート酸化膜や層間配線間の絶縁膜が短絡することにより熱破壊や絶縁膜破壊等のＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）破壊が生じる。従って電子部品そのものを帯電させないことがＥＳＤ破壊を避けるに重要である。
【０００８】
半導体等の電子部品のカバーテープに向く面はモールド樹脂といわれる、クレゾールノボラック系やビスフェノールＡ系のエポキシ樹脂とフェノールノボラック系の硬化剤が使用されている。これらモールド樹脂の中には更に結晶性シリカ、溶融性シリカ等のフィラーが加えられるのが通常である。その他エポキシ樹脂の硬化反応を促進するためのイミダゾールやりん化合物である硬化促進剤等が加えられる。またこのような低圧トランスファー成形法の他にキャスティング法、コーティング法、ディッピング法、ポッティング法、粉体塗装法ではシリコーンやフェノール樹脂が用いられる。
【０００９】
モールド樹脂の主流であるエポキシ樹脂の場合、帯電列で挟み込むような位置にある樹脂としては、帯電列のプラス側の樹脂としてポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂等があり、帯電列のマイナス側の樹脂としてポリエチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等がある。
【００１０】
ポリスチレン系樹脂としては、ポリスチレン、ハイインパクトポリスチレン、スチレン−ブタジエンランダム共重合物、スチレン−ブタジエンブロック共重合物、スチレン−イソプレン共重合物、またαメチルスチレン等スチレンモノマー誘導体とスチレンモノマーの共重合物、無水マレイン酸やアクリル酸モノマーユニットをスチレンモノマーユニットの半分以下で有する共重合物等も挙げられる。ポリカーボネート樹脂としてはエチルカーボネート、ｔ−ブチルカーボネート、シクロヘキシルカーボネート等の脂肪族系ポリカーボネートと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンからなるビスフェノールＡ型ポリカーボネート等芳香族系ポリカーボネートが挙げられる。
アクリル系樹脂としては、アクリル酸、メタクリル酸のメチレート、エチレート、ブチレートおよび２−エチルブチル、２−エチルヘキシル、オクチル、メトキシエチル、エトキシエチル、３−エトキシプロピル、ヘキシル、シクロヘキシル、デシル等のエステルやこれらの共重合体やエチレン酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。
【００１１】
ポリエチレン系樹脂としては、ポリエチレン、及びプロペン、ブテン、ヘキセンなどＣ３以上の側鎖を有するエチレン−αオレフィン共重合体、超低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン等が挙げられる。
【００１２】
帯電列のプラス側の樹脂とマイナス側の樹脂を含有するには前記のような方法のみならず、それらの構造を有する共重合物やグラフト物を用いることによってもよい。このような樹脂としては例えばスチレン鎖をポリエチレン鎖にグラフト重合したようなグラフト共重合物が挙げられる。
【００１３】
帯電列のプラス側の樹脂とマイナス側の樹脂はその重量比が７７：２３〜２３：７７の範囲で好適に使用することができる。その際に各種酸化防止剤等の安定剤をその添加する目的の範疇の量で加えることにおいては本発明に何ら影響を与えるものではない。勿論それと従来からの方法である包材等の帯電から保護する表面抵抗率を下げることを併用することも可能である。
【００１４】
本発明ではカバーテープとして、その電子部品に向く面と電子部品とを、３００往復／分、振幅巾５ｍｍの振動を１分間行ったときの電子部品側の帯電圧が±１０００Ｖ以下であるカバーテープを用いる事が好ましい。ここで電子部品とはキャリアテープ体に収納する電子部品、あるいはＮＥＣ社製２８□ＭＱＦＰである。
【００１５】
【実施例】
本発明の実施例および比較例を以下に示す。
（実施例１〜４）
厚さ２５μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルムの片面にイソシアネート系アンカーコート処理を施し、厚み１５μｍとなるように溶融低密度ポリエチレンを押出し、厚さ４０μｍのフィルムを得た。このフィルムのポリエチレン側に、表1に記載の樹脂を溶融押出しにより厚さ３０μｍとなるように積層した。
【００１６】
（比較例１〜３）
表２に記載した樹脂を用いたこと以外は、実施例と同様に行った。
【００１７】
（帯電圧の測定）
カバーテープの記載樹脂面を上方に向け、除電気にて帯電圧を±０．０３ｋＶにしたＮＥＣ社製２８□ＭＱＦＰのリード線が上方を向くように載せ、振幅巾５ｍｍ、３００往復／分の振動を１分間行った後、絶縁体のピンセットにて電子部品を取り出し帯電圧の測定（非接触にてキーエンス社製帯電圧測定器ＳＫ２００による）をｎ＝１０にて行った。表には測定平均の絶対値を記した。
【００１８】
【表１】
0003789343.tif 000002
【００１９】
【表２】
0003789343.tif 000003
【００２０】
本発明の実施例、比較例で使用した原料は以下の通りである。
スチレン−ブタジエンランダム共重合体：デンカクリアレン（スチレン含量８５ｗｔ％）
Ｃ６直鎖状低密度ポリエチレン：日本ポリケム社製カーネルＫＣ５７０Ｓ
エチレン−グラフトスチレン重合体：日本油脂社製モディパーＡ１１００（エチレン含量７０ｗｔ％）
エチレン−エチルアクリレート：日本ユニカー社製ＮＵＣ６２２１
低密度ポリエチレン：東ソー社製ペトロセン２０３
ハイインパクトポリスチレン：デンカＨＩＥ６（スチレン含量９２ｗｔ％）
エチレン−酢酸ビニル共重合体：日本ユニカー社製ＮＵＣ３７５０
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体等の電子部品とカバーテープが摩擦したり剥離したりする際に電子部品そのものが帯電することを低減すると共に、電子部品の静電気破壊を防止することが出来る。