(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，
基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，
当該ダミーディスペンスを行う工程は，供給される処理液の種類がロット間で変更されること，若しくは前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了したことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われ，
ダミーディスペンスを行う必要がないロット処理数を，使用される複数種類の処理液毎に求め，それらのロット処理数の中で最も少ないものを，前記ロット処理の所定数として設定することを特徴とする，処理方法。
【請求項２】
基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，
基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，
当該ダミーディスペンスを行う工程は，処理液の種類がロット間で変更されること，前のロットの処理が終了してから所定時間が経過したこと，若しくは前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了したことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われ，
ダミーディスペンスを行う必要がないロット処理数を，使用される複数種類の処理液毎に求め，それらのロット処理数の中で最も少ないものを，前記ロット処理の所定数として設定することを特徴とする，処理方法。
【請求項３】
前記条件の所定数を認識するために処理したロットの数がカウントされており，
当該処理したロットの数のカウントは，前記ダミーディスペンスが行われる毎にリセットされることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては，例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）にレジスト液を供給し，ウェハ表面上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われる。
【０００３】
このレジスト塗布処理は，例えばレジスト塗布装置においてノズルからウェハの中心部に所定量のレジスト液を供給し，当該ウェハを回転させて，その遠心力によってレジスト液をウェハ表面に拡散させることによって行われる。このときのノズルへのレジスト液の供給は，例えば貯留タンク内のレジスト液を，供給管を通じてポンプにより圧送することによって行われている。レジスト塗布装置には，次々にウェハが搬入され，各ウェハに対して上記レジスト塗布処理が連続して行われている。そして，この連続するレジスト塗布処理は，各ロット毎に順次行われていく。
【０００４】
ところで，ウェハへのレジスト液の供給を停止すると，ノズルや供給管内にレジスト液が残存する。この残存したレジスト液は，長時間放置されると乾燥したり，変質したりする。このため，ウェハのロットの処理の切れ目には，ノズルや供給管内のレジスト液を排出する，いわゆるダミーディスペンスが行われる。そして，このダミーディスペンスは，従来より制御が簡単である等の理由により，一律にウェハのロットが変わる度に必ず行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このようにロットが変更される度にダミーディスペンスが行われると，ダミーディスペンスによるレジスト液がほとんど廃棄されることから無駄になるレジスト液の量が多くなる。また，一旦ダミーディスペンスが行われるとその間次のウェハ処理が開始できないので，ダミーディスペンスの回数が多いほど，処理のスループットが低下する。
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レジスト液等の処理液のダミーディスペンスの回数を可能な限り減少させるウェハ等の基板の処理方法を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，当該ダミーディスペンスを行う工程は，供給する処理液の種類がロット間で変更される場合にのみ行われる処理方法が提案される。
【０００８】
上記参考例によれば，ロット間で処理液の種類が変更された場合にのみダミーディスペンスが行われ，従来のようにロットが変更される度に行われないのでダミーディスペンスの回数を減らすことができる。したがって，トータルの処理液の消費量を減らすことができる。また，ダミーディスペンスが行われない場合には，直ちに次の基板の処理を開始することができ，基板の処理効率の向上が図られる。
【０００９】
参考例として，基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，当該ダミーディスペンスを行う工程は，供給する処理液の種類がロット間で変更されること，若しくは前のロットの処理が終了してから所定時間が経過したことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われる処理方法が提案できる。なお，「前のロットの処理」とは，前記ロットの切れ目の直前のロットの処理である。
【００１０】
上記参考例によれば，処理液の種類を変更する場合にダミーディスペンスを行うので，従来よりダミーディスペンスの頻度が減り，処理液の消費量を低減できる。また，前ロットの処理が終了してから新しいロットの処理が開始されるまでの時間が長いと，ノズルや供給管等の処理液供給機構内の処理液が劣化するおそれがある。本発明によれば，前のロットの処理が終了してから所定時間経過した場合にもダミーディスペンスを行うようにしたので，基板に供給される処理液の品質を十分に確保できる。
【００１１】
本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，当該ダミーディスペンスを行う工程は，供給される処理液の種類がロット間で変更されること，若しくは前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了したことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われ，ダミーディスペンスを行う必要がないロット処理数を，使用される複数種類の処理液毎に求め，それらのロット処理数の中で最も少ないものを，前記ロット処理の所定数として設定することを特徴とする処理方法が提供される。
【００１２】
本発明によれば，処理液の種類を変更する場合にダミーディスペンスを行うので，従来よりダミーディスペンスの頻度が減り，処理液の消費量を低減できる。また，前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了している場合にもダミーディスペンスを行うようにしたので，例えば処理液を連続供給することによって徐々に蓄積されていくノズルや供給管内の気泡等を適切に排除することができる。これにより，基板に供給される処理液内に気泡等が含まれることを抑制できる。
【００１３】
本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，当該ダミーディスペンスを行う工程は，処理液の種類がロット間で変更されること，前のロットの処理が終了してから所定時間が経過したこと，若しくは前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了したことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われ，ダミーディスペンスを行う必要がないロット処理数を，使用される複数種類の処理液毎に求め，それらのロット処理数の中で最も少ないものを，前記ロット処理の所定数として設定することを特徴とする処理方法が提供される。
【００１４】
本発明によれば，ロット間で処理液の種類が変更された場合にダミーディスペンスを行うので，従来に比べダミーディスペンスの回数が減り，処理液の消費量を低減できる。また，前ロットの処理が終了してから所定時間経過した時にもダミーディスペンスを行うようにしたので，基板に供給される処理液の劣化が防止できる。さらに，前のダミーディスペンスが行われてから所定数のロットの処理が終了している場合にもダミーディスペンスを行うようにしたので，例えば処理液を連続供給することによって蓄積されるノズルや供給管内の気泡等を排出することができる。これにより，基板に供給される処理液内に気泡等の不要物が含まれることを抑制できる。なお，前のダミーディスペンスは，以前に行われたダミーディスペンスの中で最後に行われたものであれば好ましい。
【００１５】
前記条件の所定数を認識するために処理したロットの数がカウントされており，当該処理したロットの数のカウントは，前記ダミーディスペンスが行われる毎にリセットされるようにしてもよい。これにより，レジスト液の種類の変更等の他の条件によるダミーディスペンスが行われた場合であっても，ロット数のカウントがリセットされ，結果的にロットの処理数の条件によるダミーディスペンスが行われたものとみなされるので，ダミーディスペンスの頻度を減らすことができる。
【００１６】
別の参考例として，基板に処理液を供給する基板処理を複数の基板に対して順次行う処理方法であって，基板のロットの切れ目に処理液のダミーディスペンスを行う工程を有し，当該ダミーディスペンスを行う工程は，供給する処理液の種類がロット間で変更されること，前のロットの処理が終了してから所定時間が経過したこと，若しくは前のダミーディスペンスが行われてから所定枚数の基板が処理されたことのいずれかの条件を満たす場合にのみ行われる処理方法が提案できる。
【００１７】
上記参考例によれば，ロット間で処理液の種類が変更された場合にダミーディスペンスを行うので，従来に比べダミーディスペンスの頻度を減らすことができる。また，前ロットの処理が終了してから所定時間経過した時にもダミーディスペンスを行うようにしたので，基板に供給される処理液の劣化が防止できる。さらに，前のダミーディスペンスが行われてから所定枚数の基板が処理されている場合にもダミーディスペンスを行うようにしたので，ノズルや供給管内に多量の気泡が蓄積される前に当該気泡を排出することができる。これにより，基板に供給される処理液の品質を一定に維持できる。なお，前記条件の所定枚数を認識するために前記基板の処理枚数がカウントされており，当該基板の処理枚数のカウントは，前記ダミーディスペンスが行われる度にリセットされるようにしてもよい。
【００１８】
最初のロット処理の開始時にも，前記ダミーディスペンスを行うようにしてもよい。この発明によれば，最初のロットの処理が開始される前，例えば当該処理方法を実施する処理装置の立ち上げ時にダミーディスペンスを行うことができる。これにより，最初のロットの処理から基板に所望の処理液を供給し，適切な処理を施すことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理方法が実施できる塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２０】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２２】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできる。
【００２３】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5内に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能である。
【００２４】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，本実施の形態にかかる処理方法が実施されるレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2にも同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２５】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００２６】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２７】
インターフェイス部４の中央部には，図１に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００２８】
次に，上述したレジスト塗布装置１７の構成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１７の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，レジスト塗布装置１７の横断面の説明図である。
【００２９】
レジスト塗布装置１７は，例えば図４に示すようにケーシング１７ａを有し，このケーシング１７ａ内の中央部には，ウェハＷを保持し回転させるためのスピンチャック５０が設けられている。スピンチャック５０の上面は，水平に形成されており，当該上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない吸引口が設けられている。これにより，スピンチャック５０は，ウェハＷを水平に吸着保持することができる。
【００３０】
例えばスピンチャック５０の下部には，スピンチャック５０の駆動部５１が設けられている。この駆動部５１は，例えばスピンチャック５０を所定の速度で回転させるためのモータやスピンチャック５０を上下動させるためのシリンダ等を備えている。
【００３１】
スピンチャック５０の外方には，ウェハＷから飛散したレジスト液等を受け止め，回収するためのカップ５２が設けられている。カップ５２は，上面が開口した略円筒形状を有し，スピンチャック５０上のウェハＷの外方と下方とを取り囲むように形成されている。カップ５２の下面５２ａには，例えば回収したレジスト液等を排液する排液管５３とカップ５２内の雰囲気を排気する排気管５４とが設けられている。
【００３２】
カップ５２の内側であって，スピンチャック５０に保持されたウェハＷの下方側には，洗浄液供給ノズル５５が設けられている。この洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの裏面にシンナー等の洗浄液を供給してウェハＷの裏面を洗浄することができる。
【００３３】
レジスト塗布装置１７には，例えば図５に示すようにウェハＷにレジスト液を供給する２つのレジスト液供給ノズル６０，６１が備えられている。レジスト液供給ノズル６０，６１は，図４に示すようにノズルアーム６２に保持される。ノズルアーム６２は，例えば垂直方向に延びる支柱６３と，当該支柱６３から水平方向，例えばＸ方向に延びる水平軸６４と，水平軸６４の先端部に位置し，レジスト液供給ノズル６０，６１を保持する保持部６５とで構成されている。支柱６３は，例えばシリンダ等の駆動機構により上下方向に伸縮自在であり，水平軸６４も，例えばモータ等の駆動機構により水平方向に伸縮自在である。これにより，保持部６５を上下方向，Ｘ方向に移動させることができる。保持部６５には，例えばソレノイド等の着脱機構（図示せず）が設けられており，保持部６５は，所定のタイミングでレジスト液供給ノズル６０又は６１を保持し又は離脱させることができる。
【００３４】
また，図５に示すようにカップ５２のＸ方向負方向側（図５の左方向）には，Ｙ方向に延びるレール６６が設けられており，ノズルアーム６２は，当該レール６６上を駆動機構（図示しない）により移動自在に設けられている。これにより，ノズルアーム６２は，後述するレジスト液供給ノズル６０，６１の待機部Ｓからカップ５２上まで移動可能であり，これによりノズルアーム６２は，かかる区間でレジスト液供給ノズル６０，６１を搬送できる。
【００３５】
待機部Ｓには，例えば２つのレジスト液供給ノズル６０及び６１が待機できる。待機部Ｓには，例えば，シンナー等の洗浄液を貯留する貯留槽６７が設けられている。貯留槽６７には，当該洗浄槽６７内に洗浄液を供給する洗浄液供給管６８と洗浄槽６７内の洗浄液等を排液する排出管６９とが設けられている。この貯留槽６７内に所定量の洗浄液を貯留し，待機時にレジスト液供給ノズル６０，６１を当該洗浄液内に浸漬することができる。また，レジスト液供給ノズル６０，６１から洗浄槽６７内にレジスト液のダミーディスペンスを行い，当該吐出されたレジスト液を排出管６９から排液することもできる。
【００３６】
各レジスト液供給ノズル６０，６１は，例えば図６に示すようにそれぞれ供給管７０，７１に接続されており，当該供給管７０，７１は，それぞれレジスト液の供給源である貯留タンク７２，７３に連通接続されている。貯留タンク７２には，レジスト液Ａが貯留されており，貯留タンク７３には，レジスト液Ｂが貯留されている。したがって，レジスト液供給ノズル６０からは，貯留タンク７２から供給管７０を通じて供給されたレジスト液Ａが吐出され，レジスト液供給ノズル６１からは，貯留タンク７３から供給管７１を通じて供給されたレジスト液Ｂが吐出される。
【００３７】
各供給管７０，７１には，それぞれレジスト液をレジスト液供給ノズル６０，６１に圧送するためのポンプ７４，７５と，レジスト液の吐出量を制御するための調節弁７６，７７とが設けられている。
【００３８】
ポンプ７４，７５及び調節弁７６，７７の動作は，例えば主制御部７８により制御されている。主制御部７８は，例えばレジスト塗布装置１７の他の駆動機構，例えば駆動部５１等の動作も制御することができ，レジスト塗布装置１７全体の制御を行うことができる。なお，主制御部７８には，ＣＰＵ等の制御部（図示しない），ＲＡＭ等の記憶部（図示しない），設定値等を入力する入力部（図示しない），各駆動部等に命令信号を出力する出力部（図示しない）等で構成されている。
【００３９】
主制御部７８には，各ロット毎のウェハＷの処理条件が設定された処理プログラムＰ１が記憶されている。主制御部７８は，当該処理プログラムＰ１を実行することにより，ポンプ７４，７５，調節弁７６，７７等を制御して各ロットの所定の処理を実行できる。
【００４０】
主制御部７８には，例えばレジスト液のダミーディスペンスを行うか否かを判断するための判定プログラムＰ２が記憶されている。この判定プログラムＰ２の実行により，主制御部７８は，例えば前後するロット処理間でレジスト液の種類の変更されたこと（条件▲１▼），前ロット処理が終了してからの経過時間Ｔが予め設定された許容時間ＴＭ例えば６００ｓｅｃを超えたこと（条件▲２▼），若しくは前ダミーディスペンスが行われてからのロット処理数Ｎが予め設定された許容ロット処理数ＮＭ例えば１０ロットを超えていること（条件▲３▼）のいずれかの条件を満たした場合には，ダミーディスペンスを行う判定を行い，いずれも満たしていない場合には，ダミーディスペンスを行わない判定を行う。そして，ダミーディスペンスを行う判定がされると，主制御部７８の指示により，ポンプ７４，７５等が作動され，ダミーディスペンスが行われる。
【００４１】
上記条件▲１▼のレジスト液の種類が変更されるか否かは，例えば処理プログラムＰ１の設定条件により知得できる。また，主制御部７８は，例えば時間計測機能７９とロット処理数カウント機能８０を備え，条件▲２▼の経過時間Ｔは，時間計測機能７９により計測され，条件▲３▼のロットの処理数Ｎは，ロット処理数カウント機能８０により計測できる。ロット処理数カウント機能８０は，ダミーディスペンスが行われる度にリセットされ，カウント数が零に戻される。
【００４２】
ケーシング１７ａの上面には，図４に示すように温度及び湿度が調節され，清浄化された窒素ガス，不活性気体，エア等の気体をカップ５２内に供給するダクト８１が接続されている。これにより，例えばウェハＷの塗布処理時，レジスト液のダミーディスペンス時に当該気体を供給し，カップ５２内を所定の雰囲気に維持することができる。
【００４３】
次に，以上のように構成されたレジスト塗布装置１７で実施されるウェハＷの処理方法について，塗布現像処理システム１で行われる一連のフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４４】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送される。
【００４５】
レジスト塗布装置１７においてレジスト塗布処理が終了したウェハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に戻され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４６】
次に，上述のレジスト塗布処理のプロセスについて説明する。塗布現像処理システム１の立ち上げ時，すなわち最初のロット処理の開始時には，例えば当該ロット処理で用いられるレジスト液供給ノズル６０からレジスト液Ａのダミーディスペンスが行われる。そして，各ロットのウェハ処理においては，処理プログラムＰ１が実行され，当該処理プログラムＰ１に従ってレジスト塗布処理が行われる。
【００４７】
例えばウェハＷがケーシング１７ａ内の搬送される前に，ダクト８１から所定の温度，湿度に調節されたエアが供給され，ケーシング１７ａ内が所定の雰囲気に維持される。このとき，供給されているエアは，排気管５４からレジスト塗布装置１７外に排気される。
【００４８】
そして，ウェハＷが主搬送装置１３によりケーシング１７ａ内に搬入されると，ウェハＷは，予め上昇していたスピンチャック５０に受け渡されスピンチャック５０上に吸着保持される。続いてスピンチャック５０が下降し，ウェハＷがカップ５２内に収容される。そして待機部Ｓで待機していた例えばレジスト液供給ノズル６０がノズルアーム６２に保持され，カップ５２内のウェハＷの中心部上方まで移動される。
【００４９】
レジスト液供給ノズル６０がウェハＷの中心部上方に位置すると，主制御部７８の指示によりポンプ７４及び調節弁７６が作動して，レジスト液供給ノズル６０から所定量のレジスト液Ａが吐出される。これによりウェハＷの中心部に所定量のレジスト液Ａが供給される。続いてウェハＷが所定の回転速度，例えば１５００ｒｐｍで回転され，このウェハＷの回転により，レジスト液ＡがウェハＷ表面に拡散される。このレジスト液の拡散が，所定時間行われ，レジスト液がウェハＷ全面に拡散されると，ウェハＷの回転速度が，例えば２０００ｒｐｍに加速され，レジスト液の液膜の膜厚が調整される。
【００５０】
膜厚が調節されると，ウェハＷの回転速度が，例えば５００ｒｐｍに低下される。そして，洗浄液供給ノズル５５からウェハＷの裏面にシンナー等の洗浄液が供給され，ウェハＷの裏面洗浄が行われる。その後洗浄液の供給が停止され，ウェハＷが例えばそのまま５００ｒｐｍで回転されて，ウェハＷの乾燥処理が行われる。
【００５１】
ウェハＷの乾燥処理が終了すると，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷがスピンチャック５０から主搬送装置１３に受け渡され，ケーシング１７ａ外に搬出されて，ウェハＷの一連のレジスト塗布処理が終了する。
【００５２】
ウェハＷのレジスト塗布処理が終了すると，直ちに次のウェハが搬入され，同様の処理が行われる。こうして枚葉式に所定枚数のウェハの処理が行われ，このロットの処理が終了する。
【００５３】
例えば図７に示すようにロットＲ１の処理が終了すると，時間計測機能７９により時間の計測が開始される。そして，例えば次のロットＲ２の処理が開始される直前に，主制御部７８において判定プログラムＰ２が実行され，上述の条件▲１▼〜▲３▼を満たしているか否かが判断される。すなわち，次のロットＲ２で使用されるレジスト液が，例えばロットＲ１のレジスト液Ａと異なるレジスト液Ｂであるか，経過時間Ｔ＞許容時間ＴＭであるか，或いはロット処理数Ｎ＞許容ロット処理数ＮＭであるかが判断される。そして，条件▲１▼〜▲３▼のいずれかの条件を満たしている場合には，次のウェハがレジスト塗布装置１７内に搬入される前に，次のロットＲ２で使用されるレジスト液のポンプ７５又は７６，調節弁７６又は７７を作動させ，当該レジスト液のダミーディスペンスが行われる。このとき，レジスト液供給ノズル６０及び６１は，洗浄槽６７内にあり，ダミーディスペンスは，洗浄槽６７内に行われる。そして，時間計測機能７９及びロット処理数カウント機能８０がリセットされる。
【００５４】
一方，上記条件▲１▼〜▲３▼のいずれにも該当しない場合には，ダミーディスペンスが行われず，例えば判定プログラムＰ２の実行が終了され，次のロットＲ２の処理が開始される。このように，一のロットの処理が終了する度に主制御部７８が，判定プログラムＰ２を実行し，上記条件▲１▼〜▲３▼が満たされているか否かが判定され，いずれか一つの条件が満たされている場合には，ダミーディスペンスが行われ，全ての条件が満たされていない場合には，ダミーディスペンスが行われない。
【００５５】
本実施の形態によれば，条件▲１▼〜▲３▼のいずれかを満たした場合にのみダミーディスペンスが行われるので，ロットが変更される度にダミーディスペンスを行っていた従来に比べダミーディスペンスの回数を減少させることができる。これにより，レジスト液の消費量を減らすことができる。ロット処理間でレジスト液の種類が変更された場合には，ダミーディスペンスが行われるので，例えば前のロット処理で使用されなかったレジスト液供給ノズル６０，６１，供給管７０，７１内に残留し劣化したレジスト液を排出することができる。これにより，ウェハＷ上に変質したレジスト液が供給されることを防止できる。
【００５６】
また，前のロット処理が終了してから許容時間ＴＭの時間が経過した場合にもダミーディスペンスが行われる。すなわち次のロット処理が開始されるまでに時間が空き，レジスト液供給ノズル６０，６１や供給管７０，７１内に残存したレジスト液が劣化した場合にも，ダミーディスペンスが行われる。これにより劣化したレジスト液がウェハＷ上に吐出されることを防止できる。さらに，前にダミーディスペンスが行われてからのロット処理数Ｎが許容ロット処理数ＮＭを上回った場合もダミーディスペンスが行われるので，例えばポンプ７４，７５内に徐々に蓄積される気泡等を排除して，処理時のレジスト液中に気泡が混入されないようにすることができる。なお，例えば１ロットが，通常２５枚のウェハＷの処理の場合であって，その連続したロット処理の中にウェハＷが１２枚以下のロットが含まれていた時に，当該１２枚以下のロットを１／２ロットとカウントするようにしてもよい。
【００５７】
本実施の形態では，ダミーディスペンスが行われる度にロット処理数Ｎのカウントをリセットするようにしたので，結果的に条件▲１▼，▲２▼が連続して満たされず，ロットの処理数Ｎが許容ロット処理数ＮＭを超えた場合にのみ，条件▲３▼を満たすことになる。したがって，条件▲１▼によりダミーディスペンスが行われた直後に条件▲３▼でダミーディスペンスが行われるようなことがなくなり，ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。
【００５８】
最初のロット処理の開始時にダミーディスペンスを行うようにしたので，最初のロット処理から所望のレジスト液を用いて処理することができる。
【００５９】
以上の実施の形態で記載したレジスト液供給ノズルは，二系統であったが，その数は，これに限らず任意の数（複数）を選択できる。
【００６０】
以上の実施の形態では，条件▲１▼をロット間でレジスト液の種類が変更されたこととしたが，条件▲１▼を，ロット間でレジスト塗布処理における所定ステップ時のウェハＷの回転数が変更されたこととしてもよい。
【００６１】
例えば図８に示すようにレジスト塗布処理が３つのステップ，例えばウェハＷが第１の回転数Ｒ１，例えば２０００ｒｐｍで回転され，ウェハ表面温度が均されるステップＳ１と，第２の回転数Ｒ２，例えば３５００ｒｐｍで回転されたウェハＷ上にレジスト液が滴下され，当該ウェハＷ上にレジスト膜が形成されるステップＳ２と，ウェハＷが第３の回転数Ｒ３，例えば２５００ｒｐｍで回転され，ウェハＷ上のレジスト膜が安定化され，さらに当該レジスト膜が乾燥されるステップＳ３と，を有しているものとする。そして，例えばかかるレジスト塗布処理におけるステップＳ２の第２の回転数Ｒ２がロット間で変更されたことを条件▲１▼としてもよい。このステップ２は，ウェハＷ表面上のレジスト液の拡散を伴うもので，回転数Ｒ２は，レジスト液の粘性等によって決定される。レジスト液の種類が異なるとレジスト液の粘性が異なり，回転数Ｒ２も違うので，条件▲１▼の判定の対象をレジスト液の種類とせず，レジスト塗布処理のステップ２の回転数Ｒ２としても，実質的に同じ効果が得られる。なお，ステップＳ２に代えて，他のステップＳ１，Ｓ３の回転数Ｒ１，Ｒ３を条件▲１▼の判定の対象としてもよい。
【００６２】
また，前記条件▲２▼の許容時間ＴＭは，使用されるレジスト液の粘度，レジスト液に含有する溶剤の種類，感光剤成分等によって適宜定めるようにしてもよい。例えば，複数のレジスト液の劣化時間，乾燥時間等を実験により求め，当該劣化時間等から各レジスト液の適正許容時間を予め算出する。そして，当該適正許容時間を，例えば主制御部７８に保存しておき，処理プログラムＰ１が組まれたときに，その処理プログラムで使用される複数のレジスト液の中で最も適正許容時間の短いものを，許容時間ＴＭとして判定プログラムＰ２に設定する。このようにレジスト液の種類によって許容時間ＴＭを定めることにより，いずれのレジスト液が使用されても，ダミーディスペンスが適正なタイミングで行われ，劣化したレジスト液がウェハＷ上に吐出されることを防止できる。
【００６３】
また，前記条件▲３▼の許容ロット処理数ＮＭも，使用されるレジスト液の粘度，レジスト液に含まれる溶剤の種類等のレジスト液の種類に応じて定めるようにしてもよい。この場合も，例えば各種レジスト液とレジスト液供給ノズルの先端部の汚れとの相関関係を実験等により求め，当該相関関係から各レジスト液における適正許容ロット処理数を予め算出しておく。そして，例えば当該適正許容ロット処理数を主制御部７８に保存しておき，処理プログラムＰ１が組まれたときに，その処理で使用される複数種類のレジスト液の中で最も適正許容ロット処理数が少ないものを許容ロット処理数ＮＭとして判定プログラムＰ２に設定する。こうすることにより，使用するレジスト液の種類によって，その都度適正な許容ロット処理数ＮＭが定められ，ダミーディスペンスが適正なタイミングで行われる。
【００６４】
以上の実施の形態では，条件▲３▼を前のダミーディスペンスが行われてからのロット処理数Ｎが許容ロット処理数ＮＭを超えていることとしたが，ロット処理数に代えてウェハＷの処理枚数としてもよい。このとき，条件▲３▼は，例えば前のダミーディスペンスが行われてからのウェハの処理枚数が許容処理枚数を超えていることになる。この場合，処理枚数計測機能によりウェハの処理枚数がカウントされ，条件▲１▼〜▲３▼のいずれかの条件が満たされた場合にダミーディスペンスが行われる。そして，前記ウェハの処理枚数のカウントは，ダミーディスペンスが行われる度にリセットされる。
【００６５】
また，前記実施の形態では，ダミーディスペンスを行う条件として条件▲１▼〜▲３▼を課したが，条件▲１▼と条件▲２▼，すなわち前後するロット処理間でレジスト液の種類が変更されること，前のロットが終了してから許容時間ＴＭが経過したことのいずれかの条件が満たされる場合にダミーディスペンスを行うようにしてもよい。かかる場合においても，レジスト液の種類が変更されるか，許容時間ＴＭが経過しない限り，ダミーディスペンスが行われないので，ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。一方で，必要な場合にダミーディスペンスを行ってウェハＷに劣化したレジスト液が供給されることがないので，レジスト塗布処理を適切に行うことができる。
【００６６】
さらに，条件▲１▼と条件▲３▼，すなわちレジスト液の種類が変更されること，直前のダミーディスペンスが行われてからのロット処理数Ｎが許容ロット処理数ＮＭを超えたことのいずれかの条件を満たす場合にダミーディスペンスを行うようにしてもよい。かかる場合でも，レジスト液の種類が変更されるか，ロット処理数Ｎ＞許容ロット処理数ＮＭにならない限り，ダミーディスペンスが行われないので，その分レジスト液の消費量を低減できる。なお，条件▲１▼，すなわち前後するロット処理間でレジスト液の種類が変更された時にのみダミーディスペンスを行うようにしてもよく，この場合でも従来に比べてダミーディスペンスの回数を減らすことができるので，レジスト液の消費量の低減が図られる。
【００６７】
図９に示すようにレジスト塗布装置１７内の洗浄槽９０は，例えば密閉可能な筐体９０ａと，各レジスト液供給ノズル６０，６１に洗浄液を噴出する洗浄液噴出ノズル９１，９２と，を備えていてもよい。筐体９０ａの上面には，各レジスト液供給ノズル６０，６１を筐体９０ａ内に挿入するための挿入口９３，９４が設けられている。また，筐体９０ａの下面には，当該筐体９０ａ内に洗浄液を供給する洗浄液供給管９５と筐体９０ａ内の洗浄液等を排液する排出管９６とが設けられている。そして，洗浄槽９０内の下部に所定量，例えば５〜２０ｃｃの洗浄液を貯留し，当該洗浄槽９０の上部に洗浄液の揮発雰囲気を形成し，当該揮発雰囲気内にレジスト液供給ノズル６０，６１を収容する。こうすることによって，待機時にレジスト液供給ノズル６０，６１の先端部が洗浄液の揮発雰囲気に曝され，レジスト液供給ノズル６０，６１の先端部に付着したレジスト液の乾燥を抑制できる。また，例えばダミーディスディスペンスが実行される直前に，待機しているレジスト液供給ノズル６０，６１に対し洗浄液噴出ノズル９１，９２から洗浄液を噴出し，レジスト液供給ノズル６０，６１の先端部に付着しているレジスト液等を洗浄，溶解させるようにしてもよい。さらに，その後ダミーディスペンスが実行された後に，洗浄槽９０内の洗浄液を排出管９６から排出して，新しい洗浄液を洗浄液供給管９５から供給して，洗浄槽９０内の洗浄液を交換するようにしてもよい。こうすることにより，ダミーディスペンス等で汚れた洗浄液を新しい洗浄液に置換することができる。
【００６８】
以上の実施の形態は，本発明をウェハＷにレジスト液を供給する処理方法に適用したものであったが，本発明は，他の処理液，例えば現像液，洗浄液，層間絶縁膜を形成する塗布液等をウェハＷに供給する処理方法にも適用できる。また，本発明は，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板，マスク基板，レクチル基板等の処理方法にも適用できる。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば，ダミーディスペンスの回数を減らすことができるので，処理液の消費量が低減され，コストダウンが図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】レジスト液供給ノズルの供給機構を模式的に示す説明図である。
【図７】ロット処理間の処理フローを示す説明図である。
【図８】レジスト塗布処理の各ステップのウェハの回転数を示す表である。
【図９】洗浄槽の他の構成例を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１７    レジスト塗布装置
６０，６１  レジスト液供給ノズル
７８    主制御部
Ｐ２  判定プログラム
Ｗ    ウェハ
【図１】
0003760131.tif 000002
【図２】
0003760131.tif 000003
【図３】
0003760131.tif 000004
【図４】
0003760131.tif 000005
【図５】
0003760131.tif 000006
【図６】
0003760131.tif 000007
【図７】
0003760131.tif 000008
【図８】
0003760131.tif 000009
【図９】
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