(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光、発光又は光変調を行う素子を有する光学的部品と、該光学的部品が実装される実装基板と、前記素子を封止するために前記素子に対し間隔を有して配置された光透過性の封止部材と、を有し、
前記光学的部品は、前記素子を前記実装基板側に向けて実装され、
前記実装基板は、前記素子に対向する領域に開口が形成される光学的変換装置。
【請求項２】
請求項１記載の光学的変換装置において、
前記封止部材は、前記素子を気密封止する光学的変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光学的変換装置において、
前記封止部材の少なくとも一部が前記実装基板の開口内に位置する光学的変換装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記封止部材は、ガラスである光学的変換装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記光学的部品は、導電性の接合部を有し、前記導電性の接合部が前記実装基板上の配線に接続される光学的変換装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記実装基板における前記光学的部品が搭載された面側に、前記光学的部品に関連して使用されるＩＣが導電性の接合部を介して接続されてなる光学的変換装置。
【請求項７】
請求項６記載の光学的変換装置において、
前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の表面に、遮光層が設けられる光学的変換装置。
【請求項８】
請求項６記載の光学的変換装置において、
前記実装基板の前記ＩＣが実装された面の反対側の面に、前記ＩＣの少なくとも一部と重なりを有する形態で遮光層が形成される光学的変換装置。
【請求項９】
請求項６記載の光学的変換装置において、
前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の内部に遮光層が設けられる光学的変換装置。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記遮光層は、実装基板の配線層と同一の材料からなる光学的変換装置。
【請求項１１】
請求項６から１０のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面に放熱板が接着される光学的変換装置。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記光学的部品に放熱板が接着される光学的変換装置。
【請求項１３】
請求項６から１０のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面と、前記光学的部品と、に放熱板が接着される光学的変換装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の光学的変換装置において、
前記放熱板は、前記実装基板に固定される光学的変換装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記光学的部品における前記実装基板への実装面以外の面と、前記実装基板上の配線とが電気的に接続される光学的変換装置。
【請求項１６】
請求項１２又は１３記載の光学的変換装置において、
前記放熱板は、前記光学的部品における前記実装基板への実装面とは反対側の面に、電気的に導通するように接着され、かつ、前記実装基板上の配線に電気的に接続される光学的変換装置。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の光学的変換装置において、
前記素子は、光変調を行う素子であって、光の反射を制御して表示出力を変化させる機能をもつ反射型ミラーデバイスとして構成されてなる光学的変換装置。
【請求項１８】
受光、発光又は光変調を行う素子を有する光学的部品を、開口が形成された実装基板に実装することを含み、
前記素子は、前記素子に対し間隔を有して配置された光透過性の封止部材によって封止され、
前記光学的部品は、前記素子を前記実装基板の前記開口に向けて実装する光学的変換装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の光学的変換装置の製造方法において、
前記光学的部品に関連して使用されるＩＣを、導電性の接合部を直接前記実装基板の配線に接続することにより前記実装基板に実装する光学的変換装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の光学的変換装置の製造方法において、
前記ＩＣを、前記光学的部品と同時に実装する光学的変換装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の光学的変換装置の製造方法において、
前記ＩＣを、前記光学的部品と同一の接続方式により前記実装基板に実装する光学的変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的変換装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
基板に素子等を直接実装する実装形態としては、総称してＣＯＸ（Ｘ＝Ｂ，Ｇ等）がある。
【０００３】
その中で、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）は、図１３に示すように、ガラス基板上に素子を例えばフェースダウンボンディングにて実装する形態である。
【０００４】
図１３に示される液晶表示装置は、ガラス基板（ベース部材）３０００，対向基板（封止部材）３１００ならびに封止材３２００により液晶を封入したものである。駆動用ＩＣ３３００，３４００等の各素子がガラス基板３０００上に実装されている。
【０００５】
また、図１４にはＣＯＧ実装の他の例が示されている。図１４では、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）チップ３６００が、透明なガラス基板３０１０上にバンプ３７００を介してフェースダウンボンディングされている。また、ＩＣチップ３３１０もバンプ３７１０を介してガラス基板３０１０にフェースダウンボンディングされている。なお、図１４中、参照番号３８００，３８１０，３８２０は配線層である。
【０００６】
ここで、図１３に示す液晶表示装置は、光を通す必要があるため、ベース部材をガラス基板３０００で構成することが不可欠である。また、光学的変換装置は、図１４に示すＣＣＤチップ３６００のように、受光面（又は発光面）とバンプとが同じ面に位置する。したがって、図１４に示すガラス基板３０１０のような透明な基板を用いなければならない。
【０００７】
しかし、ガラス基板上には導電層の積層構造を形成しにくく、高密度実装に限界があった。
【０００８】
本発明はこのような問題に着目してなされたものであり、その目的は、光を通す必要がある光学的変換装置や、液晶などを封入した封止体を、高密度、簡易かつ低コストで実装基板に実装する新規な実装技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る光学的変換装置は、受光素子を有する光学的部品と、該光学的部品が実装される実装基板と、を有し、
前記光学的部品は、前記受光素子を前記実装基板側に向けて実装され、
前記実装基板は、前記受光素子に対向する領域に開口が形成される。
（２）この光学的変換装置において、
前記光学的部品は、前記受光素子を気密封止する封止部材を有してもよい。
（３）この光学的変換装置において、
前記封止部材の少なくとも一部が前記実装基板の開口内に位置してもよい。
（４）この光学的変換装置において、
前記封止部材は、光を透過することが可能な材料から構成されていてもよい。
（５）この光学的変換装置において、
前記封止部材は、ガラスであってもよい。
（６）この光学的変換装置において、
前記封止部材と、前記受光素子とは、所定の間隔を隔てて設けられていてもよい。
（７）この光学的変換装置において、
前記光学的部品と、前記実装基板の開口の内壁と、の間の間隙に、樹脂が充填されてもよい。
（８）この光学的変換装置において、
前記光学的部品は、導電性の接合部を有し、前記導電性の接合部が前記実装基板上の配線に接続されてもよい。
（９）この光学的変換装置において、
前記実装基板における前記光学的部品が搭載された面側に、前記光学的部品に関連して使用されるＩＣが導電性の接合部を介して接続されていてもよい。
（１０）この光学的変換装置において、
前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の表面に、遮光層が設けられてもよい。
（１１）この光学的変換装置において、
前記実装基板の前記ＩＣが実装された面の反対側の面に、前記ＩＣの少なくとも一部と重なりを有する形態で遮光層が形成されてもよい。
（１２）この光学的変換装置において、
前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の内部に遮光層が設けられてもよい。
（１３）この光学的変換装置において、
前記遮光層は、実装基板の配線層と同一の材料から構成されてもよい。
（１４）この光学的変換装置において、
前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面に放熱板が接着されてもよい。
（１５）この光学的変換装置において、
前記光学的部品に放熱板が接着されてもよい。
（１６）この光学的変換装置において、
前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面と、前記光学的部品と、に放熱板が接着されてもよい。
（１７）この光学的変換装置において、
前記放熱板は、前記実装基板に固定されてもよい。
（１８）この光学的変換装置において、
前記光学的部品における前記実装基板への実装面以外の面と、前記実装基板上の配線とが電気的に接続されてもよい。
（１９）この光学的変換装置において、
前記放熱板は、前記光学的部品における前記実装基板への実装面とは反対側の面に、電気的に導通するように接着され、かつ、前記実装基板上の配線に電気的に接続されてもよい。
（２０）この光学的変換装置において、
光の反射を制御して表示出力を変化させる機能をもっていてもよい。
（２１）本発明に係る光学的変換装置の製造方法は、受光素子を有する光学的部品を、開口が形成された実装基板に実装することを含み、
前記光学的部品は、前記受光素子を前記実装基板の前記開口に向けて実装する。
（２２）この光学的変換装置の製造方法において、
前記封止部材の少なくとも一部が、光が透過可能な材質で構成されていてもよい。
（２３）この光学的変換装置の製造方法において、
前記光学的部品に関連して使用されるＩＣを、導電性の接合部を直接前記実装基板の配線に接続することにより前記実装基板に実装してもよい。
（２４）この光学的変換装置の製造方法において、
前記ＩＣを、前記光学的部品と同時に実装してもよい。
（２５）この光学的変換装置の製造方法において、
前記ＩＣを、前記光学的部品と同一の接続方式により前記実装基板に実装してもよい。
封止体の実装基板への実装方法は、ベース部材の一部に前記ベース部材から突出した状態にて封止部材を固定することで凸型形状の封止体を、実装基板に実装する方法であって、
前記実装基板の一部に開口部を設け、前記ベース部材における前記封止部材よりも外側の表面に導電性の接合部を設ける工程と、
前記封止部材の少なくとも一部が前記実装基板の前記開口部内に位置する状態で、前記導電性の接合部を前記実装基板上の配線に接続する工程と、を含む。
【００１０】
導電性突起（バンプ）のような導電性の接合部を用いたフェースダウンボンディングにより、封止体が実装基板に搭載される。
【００１１】
この場合、封止体は所定の厚み（少なくともベース部材と封止部材とを合算した厚み）をもっており、特にベース部材からみれば封止部材の厚み分突出することになってしまう。このような封止体を用いてフェースダウンボンディングを行おうとした場合、ベース部材に形成された導電性接合部（例えばバンプ電極）は実装基板にとどかず、フェースダウンボンディングの妨げになる（フェースダウンボンディングできない場合もある）。
【００１２】
そこで、実装基板に、所定の開口部を設けておき、その開口部に封止体の封止部材の少なくとも一部をさし込む形態として、封止体の封止部材の厚みを実装基板の厚み方向に逃がすことで、フェースダウンボンディングを可能とした。
【００１３】
本実装方式を採用することにより、ワイヤー接続のように一箇所毎の接合ではなく気密封止体を実装基板に一括接合できるため、特に多接合箇所を有するものの場合には極めて有利である。またワイヤーの引き出し等が不要になり、その分実装スペースの削減や、作業の簡素化、さらにはコストの低減を図ることができる。
【００１４】
前記封止部材の少なくとも一部が光が透過可能な材質で構成されてもよい。このことによって、封止体を光学的変換装置として構成することができる。
【００１５】
なお、「光学的変換装置」とは、光の入射または光の出射を伴う処理を行うもので、例えば、フォトダイオード等の受光素子，半導体レーザー等の発光素子，液晶や反射型ミラーデバイス等の光変調素子を用いた表示装置がある。つまり、「受光素子」は光を受けて電気信号（電圧または電流）に変換する機能をもち、「発光素子」は、電気信号（電圧または電流）を光に変換する機能をもつ。また、液晶等の表示装置は、電気信号（電圧または電流）により光の透過や反射を制御して表示出力（つまり、光出力）を変化させるという機能をもつ。このように、本明細書では、「光学的変換装置」を、「光の入射または光の出射を伴う処理を行う機能をもつ装置」の意味で用いる。
【００１６】
本実装方式によれば、光の照射面積や有効表示面積を増大させつつ、効率的に光学的処理機能をもつ封止体を実装基板に実装できる。
【００１７】
前記封止体に関連して使用されるＩＣを、導電性の接合部を直接前記実装基板の配線に接続することにより前記実装基板に実装してもよい。
【００１８】
また、ＩＣは、前記封止体と同時に実装されてもよく、さらに、同一の接続方法（例えば、バンプを用いた方式）により周辺ＩＣ（封止体に関連して用いられるＩＣ）を実装基板上に実装してもよい。
【００１９】
本実装技術を用いればＩＣも同時に実装でき、実装基板への実装作業がより効率化される。
【００２０】
光学的変換装置は、
光学的変換機能を具備する光学的変調部品と、該光学的変調部品が実装される実装基板と、を有し、
前記光学的変調部品は、能動面を前記実装基板の実装面に向けて実装され、
前記実装基板は、前記光学的変調部品の前記能動面の光学変換における能動領域に対向する部分を完全に含んだ開口部が形成される。
【００２１】
上述のとおり、図１４のような透明なガラス基板を用いた実装方式においては、ガラス基板は積層構造をとりにくいため、高密度実装に限界がある。そこで、導体層の積層構造を採用することができる「実装基板」に光学的変調部品を搭載する。導体層の積層構造の採用により、高密度実装が可能となる。
【００２２】
但し、プリント配線基板やセラミック基板等の実装基板は不透明であるため、光学的変調部品をフェースダウンボンディングして搭載すると、光学的変調部品の能動面への光の照射や能動面からの光の導出ができない。そこで、実装基板の所定の箇所に開口部を設け、その開口部を介して光学的変調部品の能動面への光の照射や能動面からの光の導出を可能とするものである。
【００２３】
前記光学的変調部品は、封止体であり、
前記封止体は、ベース部材の一部に封止部材を固定することで気密封止構造を有し、かつ、前記ベース部材における前記封止部材よりも外側の表面に導電性の接合部が設けられ、
前記封止部材の少なくとも一部が前記実装基板の前記開口部内に位置する状態で、前記導電性の接合部が前記実装基板上の配線に接続されてもよい。
【００２４】
これは、上述した実装方式を用いて製造された光学的変換装置である。特にベース部材から突出した厚みの少なくとも一部を実装基板に吸収させることができるので、小型な光学的変換装置が得られる。
【００２５】
前記光学的変調部品と、前記実装基板の開口部の内壁と、の間の間隙に、樹脂が充填されてもよい。
【００２６】
実装基板の開口部の周辺の間隙から漏れ出す光を遮断するため、樹脂を充填したものである。
【００２７】
樹脂の充填に際しては、封止部材と実装基板の開口部における内壁とが樹脂の広がりを防ぐダムの役割を果たし、よって、充填量の調整や充填の位置決めが容易である。
【００２８】
前記実装基板における前記光学的変調部品が搭載された面側に、前記光学的変調部品に関連して使用されるＩＣが導電性の接合部を介して接続されてもよい。
【００２９】
そして、前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の表面に、遮光層が設けられても良い。この遮光層は、実装基板の配線層と同一の材料からなるものでもよい。
【００３０】
光学的変調部品はフェースダウンボンディングされており、よって、光は前記実装基板の開口部から入射し、あるいは下側へと照射される。この場合、迷光が生じるとＩＣの動作に悪影響を与える。つまり、光が、実装基板を透過してＩＣにまで到達したり、開口部における間隙を介してＩＣに伝わったりすると、ＩＣの動作に悪影響を与えるおそれがある。
【００３１】
そこで、実装基板の配線材料等を用いて、ＩＣの下側の実装基板の表面に遮光層を形成し、光を遮断するものである。
【００３２】
前記実装基板の前記ＩＣが実装された面の反対側の面に、前記ＩＣの少なくとも一部と重なりを有する形態で遮光層が形成されてもよい。
【００３３】
実装基板の裏面に遮光層を設けることにより、実装基板の遮光性が向上する。よって、ＩＣの誤動作を効果的に防ぐことができる。
【００３４】
また、遮光層を実装基板の裏面の表面層（最外層）に設けるようにすれば、遮光層は後から設ける（後付けする）ことができる。つまり、基板製造工程は従来の工程をそのまま用いてそれに遮光層を設ける工程を単に増やせばよいだけである。従って、遮光層を設けないといった選択も簡易に行うことができ、選択の幅が広がることになる。さらに遮光層の設けられる面は、ＩＣが実装される面と対向する面のため、配線やＩＣの接合位置等を気にすることなく、単に所望位置全体に遮光層を設ければよく簡易に設けられることになる。
【００３５】
また、本構造をとる場合には、両面基板（コア層（絶縁層）の両面にそれぞれ配線層が形成されている基板）を用いても良い。すなわち、多層基板（配線金属層と絶縁層とを交互に積層した基板）でなくともよく、この場合にはコスト面で有利である。
【００３６】
前記ＩＣの下に位置する前記実装基板の内部に遮光層が設けられても良く、この遮光層は、実装基板の配線層と同一の材料からなるものでもよい。遮光層を実装基板内に埋め込んで形成したものである。
【００３７】
前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面に放熱板が接着されてもよい。こうすることで、ＩＣの熱を効率的に放散することができる。
【００３８】
前記光学的変調部品に放熱板が接着されるように構成してもよい。こうすることで、光学的変調部品の冷却を図ることができる。
【００３９】
あるいは、前記ＩＣの前記接合部の形成された面とは反対の面と、前記光学的変調部品と、に放熱板が接着されてもよい。このとき、放熱板は、面積を大きくとることができるので、薄型化したまま放熱効率を高めることができる。
【００４０】
さらに、前記放熱板は、前記実装基板に固定されてもよい。こうすることで、実装基板と放熱板が一体化して、全体的な強度が向上する。
【００４１】
前記光学的変調部品における前記実装基板への実装面以外の面と、前記実装基板上の配線とが電気的に接続されてもよい。
【００４２】
この場合、前記放熱板は、前記光学的変調部品における前記実装基板への実装面とは反対側の面に、電気的に導通するように接着され、かつ、前記実装基板上の配線に電気的に接続されることが好ましい。
【００４３】
これによれば、光学的変調部品の裏面と、実装基板上の配線の電位とを同電位にすることができる。したがって、例えば、配線のＧＮＤ電位と、光学的変調部品の裏面とを接続すれば、光学的変調部品の裏面に帯電した電荷を逃がすことができる。ここで、光学的変調部品の裏面と、実装基板上の配線との接続手段として、放熱板が使用されているので、部品点数を増やす必要がない。
【００４４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４５】
（１）第１の実施の形態
図１は本発明の第１の実施の形態を示す図であり、上側に平面形態が示され、下側に底面からみた形態が示され、中央に断面構造が示されている。
【００４６】
光学的処理機能を有する素子（光学的変調素子；例えば、ＣＣＤ）１４０は、ベース部材（基板）１００上に搭載されており、かつ、封止材１２０ならびに封止部材（対向基板）２００により取り囲まれて気密的に封止（ハーメチックシール）されている。つまり、光学的変換機能をもつ封止体が構成されている。
【００４７】
封止部材（対向基板）２００は、ガラスや透明なプラスチック等の光が透過可能な材料で構成されており、光は、この封止部材（対向基板）２００を介して受光素子１４０に入射する。
【００４８】
また、ベース部材（基板）１００の周辺には、導電性の接合部（以下、突起部（バンプ）の例にて示す）３６０ｂ，３６０ｃが形成されている。
【００４９】
プリント配線基板４００の中央には開口部３４０が形成されている。なお、本実施の形態では実装基板にプリント配線基板を用いているが、これに限定されるものではなく、実装基板であればよい。例えば、セラミック基板も使用可能である。このことは、他の実施の形態においても同様である。
【００５０】
そして、光変換機能をもつ封止体は、封止部材２００がその開口部３４０に差し込まれる形態でフェースダウンボンディングされている。つまり、導電性の突起部（バンプ）３６０ｂ，３６０ｃがそれぞれ、プリント配線基板上の配線５００ｂ，５００ｃに接続されている。
【００５１】
また、ＩＣ（半導体装置）３００ａ，３００ｂが、同様に導電性の突起部（バンプ）３６０ａ，３６０ｄを用いて、プリント配線基板４００上の配線５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄにフェースダウン方式で接続されている。
【００５２】
ここで、封止体の突起部（バンプ）３６０ｂ，３６０ｃと、ＩＣ３００ａ，３００ｂの突起部（バンプ）３６０ａ，３６０ｄとは、全く同じ方式で接続されてもよいし、フェースダウン方式としては同じでも別の方式で接続されてもよい。また、接続の順序も、同時であっても、同時でなくても良い。
【００５３】
なお、図１中、参照番号３８０ａ，３８０ｂ，３８０ｃ，３８０ｄは、樹脂等からなるコーティング層である。
【００５４】
また、図１において、ＩＣ３００ａ，３００ｂに接続される配線としては、代表的配線５００ａ〜５００ｄのみを記載してある。さらに、図１では、ＩＣ３００ａ，３００ｂは、ベース基板１００の二方向側にのみ実装されているが、これに限定されるものではなく、ＩＣはベース基板１００の周囲のどこに実装されてもよい。
【００５５】
図１から明らかなように、光学的変換機能をもつ封止体の厚みが、プリント配線基板の開口部３４０により吸収され、プリント配線基板４００における高さは、ＩＣ３００ａ，３００ｂの高さとほぼ同一となっている。よって、封止体を、ＩＣの実装と同時に、かつ導電性の突起部（バンプ）を用いて、プリント配線基板に容易に実装することができる。すなわち、ＩＣと同程度の高さが維持できれば、実装工程（素子の実装の順序）を気にしなくてもよくなる。つまり、実装時には所定のツールを使用するので、素子の高さが違えば低い方から実装せざるを得ないが、素子の高さがどれも同程度であれば、そのような実装上の制限は生じない。つまり、素子の実装の自由度が向上する。
【００５６】
実装は、例えば、封止体とＩＣ３００ａ，３００ｂとを所定位置に位置決めしておき、熱を加えてバンプをプリント配線基板上の配線に接続することにより行われる。
【００５７】
導電性の突起部（導電性の接合部）の構造としては、例えば、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すとおり、種々のものが考えられる。
【００５８】
図２（Ａ）は、封止部材１００上に設けられた金属電極（アルミ電極等）７００，７１０上に、はんだバンプ７２０が形成されており、そのはんだバンプ７２０を、プリント配線基板４００上の配線５００上に接続する。
【００５９】
図２（Ｂ）では、金（Ａｕ）バンプ７３０の先端にＩｎ等の合金部７４０を設けた構造となっている。
【００６０】
図２（Ｃ）は、異方性導電膜を用いたバンプ構造を示す。つまり、封止部材上の電極７５０上の導電性を帯びたボール８００を介してプリント基板上の配線５００に接続するものである。
【００６１】
また、上述の各構造を組み合わせて用いてもよい。図３は、図２（Ａ）のバンプを用いる方式と、図２（Ｃ）の異方性導電膜を用いる方式とを併用したものである。図３において、参照番号７５０はバンプ電極である。
【００６２】
本実施の形態では、プリント配線基板への、封止体やＩＣの実装作業が容易である。また、無駄なスペースがなく、コストも低減できる。
【００６３】
また、図１の形態では、プリント配線基板４００には開口部３４０が形成される分、プリント配線基板４００自体の剛性が低下する。しかし、そのプリント配線基板（の特に開口部の近傍）には封止体が接続されるため、その封止体の存在により、実際にはプリント配線基板４００の剛性の低下は生じず、場合によっては、開口部を設けない場合よりも剛性が向上することも期待できる。したがって、装置自体の信頼性を維持することができる。
【００６４】
（２）第２の実施の形態
図４に本発明の第２の実施の形態が示される。
【００６５】
本実施の形態の特徴は、プリント配線基板上に搭載されたＩＣ（半導体集積回路装置）の迷光対策として、ＩＣの下側に遮光層を設けたことである。
【００６６】
つまり、プリント配線基板４００の、ＩＣ３００ａおよび３００ｂの下に位置する表面上には遮光層９００，９２０が設けられている。また、プリント配線基板４００の内部にも遮光層９１０，９３０が埋め込まれて設けられている。なお、内部に設ける遮光層は、実装されるＩＣ３００ａ、３００ｂの面積よりも広く、しかも完全に重なりＩＣが遮光層内に含まれるように設けることが、遮光性の観点からは好ましい。あるいは、比較的狭い複数の遮光層を設けるだけでも効果がある。この場合には、特に多層構造をなすように遮光層を設けることが好ましい。詳しくは、多層構造をなす複数の遮光層によって、広い遮光領域が形成されるように、少なくとも遮光層のお互いが一部において重なるように平面的にずらして配置することが好ましい。
【００６７】
また一方で、設計上等の諸制約により遮光層が十分にとれない場合、例えばＩＣの実装面積分を完全にカバーできない場合には、特に光に対して誤作動しやすい場所（電圧変換回路部分等）に遮光層を設けるだけでも、必要最低限の遮光効果は得られる。
【００６８】
これらの遮光層９００〜９３０は、プリント配線基板４００上の配線層５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄと同一の材料（例えば、銅（Ｃｕ）やその合金）で構成され、プリント配線基板４００の製造工程において、あらかじめ形成されるものである。なお、セラミック基板に遮光層を形成するときには、遮光層の材料として、金、銀、銀パラジウム、銅、顔料又はタングステンなどを用いても良い。
【００６９】
プリント配線基板４００内に埋め込まれた遮光層９１０，９３０は、多層配線基板の製造技術を用いれば容易に形成できる。
【００７０】
また、遮光層９００〜９３０は、グランド配線または電源配線等と兼用することもできる。こうすることで、電源配線やグランド配線を遮光層としても機能させることができ、かつ、電磁ノイズ等の遮へいにも有効である。
【００７１】
銅などの導電性材料のパターンは不透明であり、光を透過させないため、図４において矢印で示される迷光Ｌ１は遮光層９００〜９３０で反射もしくは吸収され、よって、ＩＣ３００ａ，３００ｂに光が到達しない。光の照射は半導体基板内で電子・正孔対が発生してＩＣノイズの原因となる。したがって、光の遮断により、ＩＣの誤動作の防止を図ることができる。
【００７２】
また、遮光層を設ける位置は、少なくともＩＣ３００ａ，３００ｂの下側であって、ＩＣの底面と重なりを有するような位置でなければならない。
【００７３】
本実施の形態では、プリント配線基板４００の表面だけでなく、その内部にも遮光層９１０，９３０を形成してある。プリント配線基板４００の表面に形成された遮光層９００，９２０は、ＩＣ３００ａ，３００ｂのボンディング領域には設けることができないため、導電性突起（バンプ）３６０ａ，３６０ｄの近傍（ボンディング領域分）において迷光を完全に遮断することは難しい。しかし、プリント配線基板４００の内部に設けられた遮光層９１０，９３０は、ボンディング領域を気にすることなく全体に渡り配設することができ、したがって、確実な遮光が可能である。
【００７４】
但し、必ずしも遮光層９００〜９３０の全てを設ける必要はなく、場合によっては、プリント基板上の遮光層のみ、あるいはプリント配線基板の内部の遮光層のみを形成するようにしてもよい。
【００７５】
また、遮光性をより向上させたい場合には、プリント配線基板４００のＩＣ実装面と反対の面（つまりプリント配線基板の裏面）の表面に遮光層をさらに設ければよい。この遮光層は、図４に示される遮光層９００，９１０，９２０，９３０と同じ材料、すなわちプリント配線基板の配線材料により構成できる。遮光層を実装基板の裏面の表面層（最外層）に設けるようにすれば、遮光層は後から設ける（後付けする）ことができる。つまり、基板製造工程は従来の工程をそのまま用いてそれに遮光層を設ける工程を単に増やせばよいだけである。従って、遮光層を設けないといった選択も簡易に行うことができ、選択の幅が広がることになる。さらに遮光層の設けられる面は、ＩＣが実装される面と対向する面のため、配線やＩＣの接合位置等を気にすることなく、単に所望位置全体に遮光層を設ければよく簡易に設けられることになる。
【００７６】
また、本構造をとる場合には、両面基板を用いる。すなわち、多層基板でなくとも用いることができ、コスト面で有利である。
【００７７】
なお、本実施の形態で使用している光学的変換機能をもつ封止体は、図１と同じものである。
【００７８】
（３）第３の実施の形態
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に、本発明の第３の実施の形態が示される。
【００７９】
図５（Ａ）に示される実施例の特徴は、「ＣＣＤ等の光学的変調素子を、開口部を有する遮光性をもつ実装基板にフェースダウンボンディングし、かつ、開口部を介して光学的変調素子の能動面に光を照射するようにしたこと」である。
【００８０】
図５（Ａ）では、プリント配線基板３０１０には開口部３５００が設けられ、ＣＣＤ等の光学的変調素子３６００がバンプ３７００を用いてフェースダウンボンディングされている。また、ＩＣチップ３３１０もバンプ３７１０を用いてフェースダウンボンディングされている。なお、参照番号３８００，３８１０，３８２０は配線層である。
【００８１】
上述のとおり、図１４のような透明なガラス基板を用いた実装方式では、導体層の積層化が困難であり、高密度実装に限界がある。そこで、本実施の形態では、導体層の積層構造を採用することができる「プリント配線基板等の実装基板」に光学的変調素子を搭載した。これにより、導体層の積層構造の採用が可能となり、その結果、特に、ＩＣの入出力配線を積層形成することができ、よって、ＩＣと基板端部間との距離を縮めることができる。したがって、高密度実装が可能となり、装置の小型化に絶大なる効果が得られる。
【００８２】
但し、プリント配線基板やセラミック基板等の実装基板は不透明であるため、光学的変調素子を通常の（何の工夫もない）実装基板にフェースダウンボンディングして搭載すると、光学的変調素子の能動面への光の照射や能動面からの光の導出ができない。そこで、実装基板の所定の箇所に開口部３５００を設け、その開口部３５００を介して光学的変調素子３６００の能動面への光の照射や能動面からの光の導出を可能としたものである。
【００８３】
また、図５（Ｂ）では、さらに、遮光層３９００，３９１０を設けている。プリント配線基板の裏面から照射される光がＩＣ３３１０に到達することも考えられるので、本実施の形態では、遮光層３９００，３９１０を設けて、ＩＣを光から保護している。これにより、ＩＣの誤動作を防止できる。なお、遮光層３９００，３９１０は、少なくともいずれか一方を設けるだけでも足りる。
【００８４】
（４）第４の実施の形態
図６は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。
【００８５】
本実施の形態の特徴は、図１に示される光学的変換装置の所定の箇所に樹脂を充填し、遮光性を向上させたことである。
【００８６】
図６において、樹脂層１２００，１２２０は、プリント配線基板４００に設けられた開口部３４０の周辺の間隙から漏れ出す光を遮断するために充填されたものである。
【００８７】
樹脂の充填に際しては、封止部材２００とプリント配線基板の開口部における内壁とが樹脂の広がりを防ぐダムの役割を果たし、よって、充填量の調整や充填の際の位置決めが容易である。
【００８８】
なお、樹脂層１２００，１２２０は、開口部３４０内にすきまなく充填されることが好ましい。
【００８９】
また、樹脂層１２４０，１２６０は、プリント配線基板４００の実装面にまで漏れてきた光を遮断するために、ベース部材１００とＩＣ３００ａ，３００ｂとの間の間隙に充填されている。
【００９０】
樹脂の充填に際しては、ベース部材１００とＩＣ３００ａ，３００ｂの側面とが樹脂の広がりを防ぐダムの役割を果たし、よって、充填量の調整や充填の際の位置決めが容易である。なお、ベース部材１００とＩＣ３００ａ，３００ｂとが離れている場合には、それぞれの端部に別個に樹脂を設けても良い。
【００９１】
樹脂の充填により、ＩＣ３００ａ，３００ｂに光が到達することがなく、光学的変換装置の信頼性が向上する。なお、必ずしも樹脂層１２００，１２２０，１２４０，１２６０の全てを設ける必要はなく、例えば、樹脂層１２００，１２２０のみを設けるようにしてもよい。
【００９２】
また、本実施形態では、突起部（バンプ）３６０ａ〜３６０ｄと、配線５００ａ〜５００ｄとの電気的な接続に、異方性導電膜５１０が用いられているが、異方性導電膜５１０を用いなければこの領域に空間が形成される。この空間には、樹脂層１２４０、１２６０を構成する樹脂が流入して保護層を形成するようになる。
【００９３】
さらに、本実施の形態では、ＩＣ３００ａ，３００ｂが搭載されているプリント基板の実装面は、光が入射する方向とは反対の面であるため、プリント配線基板の開口部３４０を介して漏れ込んでくる光のみを遮断すればよく、よって、遮光性が高い。
【００９４】
なお、充填する樹脂は光を吸収する作用のある色、特に黒色の樹脂を用いることが好ましい。また、材質の観点では、シリコーン系もしくはエポキシ系の樹脂を用いるとよい。
【００９５】
また、樹脂は、ＩＣ３００ａ，３００ｂの上面（即ち、接合面の反対面）側、全面或いはその一部にかかるように設けてもよく、さらに、ＩＣ３００ａ，３００ｂの側面全体或いはその一部に設けてもよい。これにより、遮光性がさらに向上し、ＩＣの耐湿性も向上する。
【００９６】
また、プリント配線基板４００の素子実装面と相対向する面（光の当たる側の基板表面）全面に樹脂を塗布してもよい。
【００９７】
また、プリント配線基板４００の素子実装面と相対向する面（光の当たる側の面）の全面に遮光層を設けてもよい。このような構成は、プリント配線基板のみならず、ガラス基板に用いても有効である。特に、ガラス基板のような透光性の基板上にＩＣを実装する場合にＩＣの誤動作を防止することができ、有益である。なお、基板の裏面に設ける遮光層は必ずしも全面に設ける必要はなく、必要な箇所のみに設けてもよい。基板の裏面の遮光層は、例えば、基板に樹脂を塗布してその樹脂を硬化させることにより形成できる。
【００９８】
（第５の実施の形態）
図７は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。
【００９９】
本実施の形態の特徴は、図６の光学的変換装置（樹脂を充填したもの）において、図４に示される遮光層をさらに追加して設けたことである。
【０１００】
図７に示すように、ＩＣ３００ａ，３００ｂの下側に、プリント配線基板の配線と同じ材質の遮光層９００，９１０，９２０，９３０が設けられている。これにより、ＩＣ３００ａ，３００ｂに対する光の遮断性が高まり、さらに信頼性が向上する。
【０１０１】
また、遮光性をより向上させたい場合には、プリント配線基板４００のＩＣ実装面と反対の面（つまりプリント配線基板の裏面）の表面に遮光層をさらに設ければよい。この遮光層は、図７に示される遮光層９００，９１０，９２０，９３０と同じ材料、すなわちプリント配線基板の配線材料により構成できる。
【０１０２】
（第６の実施の形態）
図８は、本発明の第６の実施の形態を示す図である。同図に示す光学的変換装置１０は、図１に示す光学的変換装置に、放熱板１２、１３を取り付けたものである。詳しくは、同図のおいてプリント配線基板１４に設けられたＩＣ１６の上面、すなわち実装面とは反対側の面１６ａに、放熱板１２が、熱伝導性の接着剤１８を介して接着されている。また、封止体１５にも、熱伝導性の接着剤１８を介して放熱板１３が接着されている。
【０１０３】
本実施形態によれば、放熱板１２、１３によって、ＩＣ１６及び封止体１５を冷却することができる。特に、接着剤１８が熱伝導性であることから、ＩＣ１６及び封止体１５の熱を放熱板１２、１３に伝えやすくなっており、放熱効果が高い。
【０１０４】
さらに、放熱板１２によってＩＣ１６の少なくとも一部が覆われて遮光が図られる。このことによって、ＩＣ１６の誤作動を防止することができる。
【０１０５】
その他の構成については、図１に示す光学的変換装置と同様であるので説明を省略する。なお、本実施形態において、封止体の代わりに光学的変調素子を実装して、光学的変調素子の冷却を図っても良い。
【０１０６】
（第７の実施の形態）
図９は、本発明の第７の実施の形態を示す図である。同図に示す光学的変換装置２０は、図１に示す光学的変換装置に、放熱板２２を取り付けたものである。この放熱板２２は、ＩＣ２６のみならず封止体２４にも取り付けられる点で、図８に示す放熱板１２と相違する。なお、封止体２４は、光学的処理機能を有する素子２４ａが封止されて構成される。詳しくは、図１に示すものと同様である。
【０１０７】
この放熱板２２も、熱伝導性の接着剤２８を介して接着されている。本実施形態によれば、ＩＣ２６のみならず封止体２４の冷却も図ることができる。しかも、放熱板２２が広い面積となっているので、冷却効果が一層向上するばかりか、遮光性も高まり、ＩＣ２６の誤作動を一層防止することができる。
【０１０８】
なお、本実施形態において、封止体の代わりに光学的変調素子を実装して、光学的変調素子の冷却を図っても良い。
【０１０９】
（第８の実施の形態）
図１０は、本発明の第８の実施の形態を示す図である。同図に示す光学的変換装置３０は、図１に示す光学的変換装置に、放熱板３２を取り付けたものである。この放熱板３２は、プリント配線基板３４に固定される点で、図９に示す放熱板２２と相違する。
【０１１０】
すなわち、放熱板３２の端部には、プリント配線基板３４に対向する面に、支持部３２ａが形成されている。そして、この支持部３２ａにて支持されて、放熱板３２及びプリント配線基板３４を貫通するネジ３６によって、放熱板３２とプリント配線基板３４とが固定されている。その他の構成は、図９に示す光学的変換装置２０と同様である。
【０１１１】
本実施形態によれば、放熱板３２とプリント配線基板３４とが一体化するので、機械的強度が向上し、強度の点で信頼性が増す。また、放熱板３２が、図１０に示すように、プリント配線基板３４に等しいほどの大きさとなっているので、放熱面積が広くなり放熱効率も向上する。したがって、フィンなどを形成しなくても十分な放熱機能を有する。さらに、放熱板３２及び支持部３２ａによってＩＣ３８が覆われるので、光によるＩＣ３８の誤動作を防止することができる。
【０１１２】
なお、本実施形態において、封止体の代わりに光学的変調素子を実装して、光学的変調素子の冷却を図っても良い。
【０１１３】
（第９の実施の形態）
図１１は、本発明の第９の実施の形態を示す図である。同図に示す光学的変換装置４０は、光学的変調素子４２と、プリント配線基板４４の配線４４ａと、がワイヤ４６によって接続された点を除き、図５（Ａ）に示す光学的変換装置と同様である。
【０１１４】
こうすることで、光学的変調素子４２と配線４４ａとが導通するので、光学的変調素子４２に帯電した電位を配線４４ａに逃がすことができる。そのためには、配線４４ａがＧＮＤ電位であることが好ましい。あるいは、配線４４ａが所定の電位であれば、光学的変調素子４２の接続部分の電位を所定の電位とすることができる。
【０１１５】
なお、本実施形態において、光学的変調素子４２の代わりに、封止体を実装してもよい。この場合、封止体のベース部材を導電材料で構成し、光学的処理機能を有する素子とベース部材とが導通するようにし、ベース部材と配線とをワイヤで接続する構成が考えられる。
【０１１６】
（第１０の実施の形態）
図１２は、本発明の第１０の実施の形態を示す図である。同図に示す光学的変換装置５０は、図５（Ａ）に示す光学的変換装置に、放熱板５２を取り付けたものである。この放熱板５２は、放熱性に優れかつ導電性を有し、プリント配線基板５４に固定される。
【０１１７】
詳しくは、放熱板５２は、熱伝導性かつ導電性の接着剤６０を介して、ＩＣ６２及び光学的変調素子６４に接着されている。接着剤６０が熱導電性を有することから、ＩＣ６２の熱を放熱板５２に伝えて冷却できるようになっている。
【０１１８】
また、放熱板５２の端部には、プリント配線基板５４に対向する面に、支持部５２ａが形成されている。そして、この支持部５２ａにて支持されて、放熱板５２及びプリント配線基板５４を貫通するネジ５６及びこれに螺合するナット５８によって、放熱板５２とプリント配線基板５４とが固定されている。
【０１１９】
さらに、ネジ５６は、プリント配線基板５４に形成された配線５４ａも貫通する。そして、ネジ５６の頭部５６ａとナット５７とで、プリント配線基板５４及び配線５４ａを挟み込み、ネジ５６と配線５４ａとが電気的に導通するようになっている。そのためには、ネジ５６が導電性を有することが前提となる。
【０１２０】
こうすることで、光学的変調素子６４と配線５４ａとを電気的に接続することができる。すなわち、光学的変調素子６４と導電性の放熱板５２とが、導電性の接着剤６０を介して導通し、放熱板５２と配線５４ａとが、導電性のネジ５６を介して導通する。
【０１２１】
この構成によれば、光学的変調素子６４に帯電した電位を配線５４ａに逃がすことができる。そのためには、配線５４ａがＧＮＤ電位であることが好ましい。あるいは、配線５４ａが所定の電位であれば、光学的変調素子６４の接続部分の電位を所定の電位とすることができる。
【０１２２】
また、本実施形態によれば、ネジ５６及びナット５８によって、放熱板５２とプリント配線基板５４とが一体化するので、機械的強度が向上し、強度の点で信頼性が増す。また、放熱板５２が、図１２に示すように、プリント配線基板５４に等しいほどの大きさとなっているので、放熱面積が広くなり放熱効率も向上する。したがって、フィンなどを形成しなくても十分な放熱機能を有する。さらに、放熱板５２及び支持部５２ａによってＩＣ６２が覆われるので、光によるＩＣ６２の誤動作を防止することができる。
【０１２３】
なお、本実施形態において、光学的変調素子６４の代わりに、封止体を実装してもよい。この場合、封止体のベース部材を導電材料で構成し、光学的処理機能を有する素子とベース部材とが導通するようにし、ベース部材と配線とを接続する構成が考えられる。
【０１２４】
本発明は、フォトダイオード等の受光素子，半導体レーザー等の発光素子，液晶や反射型ミラーデバイス等の光変調素子を用いた表示装置の実装技術として、広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す図であり、上側に平面形態が示され、下側に底面からみた形態が示され、中央に断面構造が示される。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、導電性接合部（例えば、導電性突起）の構造の例を示す図である。
【図３】図３は、導電性突起（バンプ）と異方性導電膜とを併用したボンディングの例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第６の実施の形態を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第７の実施の形態を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第８の実施の形態を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第９の実施の形態を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１０の実施の形態を示す図である。
【図１３】図１３は、光学的変換装置の一例（液晶表示装置）を示す図である。
【図１４】図１４は、光学的変換装置の一例（ＣＣＤ等の光変調素子をガラス基板に搭載した例）を示す図である。
【符号の説明】
１００  ベース部材
１２０  封止材
１４０  受光素子
２００  封止部材
３００ａ，３００ｂ  ＩＣ
３４０  開口部
３６０ａ〜３６０ｄ  突起部
３８０ａ〜３８０ｄ  コーティング層
４００  プリント配線基板
５００ａ〜５００ｄ  配線層
【図１】
0003781111.tif 000002
【図２】
0003781111.tif 000003
【図３】
0003781111.tif 000004
【図４】
0003781111.tif 000005
【図５】
0003781111.tif 000006
【図６】
0003781111.tif 000007
【図７】
0003781111.tif 000008
【図８】
0003781111.tif 000009
【図９】
0003781111.tif 000010
【図１０】
0003781111.tif 000011
【図１１】
0003781111.tif 000012
【図１２】
0003781111.tif 000013
【図１３】
0003781111.tif 000014
【図１４】
0003781111.tif 000015