(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、
間隔をおいて互いに平行に縦列配置された、複数の短冊状リードを同一平面内に備えるリードフレームを準備し、
上記リードフレームの少なくとも一のリード表面に、複数の半導体素子を横列に固定し、各半導体素子の電極と、縦方向に隣接し、該半導体素子が載置されていない他のリードとをそれぞれ電気的に接続し、
上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記複数の半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填し、
上記リードを、上記半導体素子の両側で縦方向のみに切断して、上記半導体素子が搭載された該リードをダイボンドパッドとし、該半導体素子の電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記リードの裏面に樹脂シートを貼り付けて、上記封止樹脂を充填することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記リード間を、アクリル樹脂およびエポキシ樹脂からなる組から選択されるマスク材で埋めて、上記封止樹脂を充填することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記封止樹脂を充填した後に、上記リードの裏面上に回り込んだ該封止樹脂を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記半導体素子が搭載される上記リードの縦方向の幅が、該半導体素子の縦方向の幅と同等又はより狭いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記半導体素子が、上記リード上に導電性若しくは絶縁性接合材で固定されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
縦方向に配置された異なるリード上に固定された複数の半導体素子が、同一の封止樹脂に埋め込まれるように、該封止樹脂を切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
樹脂封止型の半導体装置であって、
半導体素子を上面に搭載したダイボンドパッドと、
該ダイボンドパッドを挟んで平行に縦列配置され、該半導体素子が載置されないワイヤボンドパッドと、
該半導体素子を埋め込む封止樹脂を含み、
該封止樹脂が、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの裏面が露出するように、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの上面上から充填され、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの側面間にも充填され、
該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドとが、該半導体装置の横方向に、該半導体装置の両側面の間を渡るように設けられた短冊状パッドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
樹脂封止型の半導体装置であって、
半導体素子を上面に搭載したダイボンドパッドと、
該ダイボンドパッドを挟んで平行に縦列配置され、該半導体素子が載置されないワイヤボンドパッドと、
該ダイボンドパッドの側面と上記ワイヤボンドパッドの側面との間に挟まれた、アクリル樹脂およびエポキシ樹脂からなる組から選択されるマスク材と、
該半導体素子を埋め込む封止樹脂とを含み、
該封止樹脂が、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの裏面が露出するように、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの上面上から充填され、
該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドとが、該半導体装置の横方向に、該半導体装置の両側面の間を渡るように設けられた短冊状パッドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドが、その上面及び／又は底面に複数の凹部を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドの側面が、複数の凹部を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記凹部が、該凹部を設けた上記ダイボンドパッド又は上記ワイヤボンドパッドの縦方向の切断面がいずれかの該凹部を横切るように設けられたことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドの縦方向の断面形状が、上面が裏面より大きい台形であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記ダイボンドパッドの縦方向の幅が、該ダイボンドパッドに搭載された上記半導体素子の縦方向の幅と同等又はより狭いことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記半導体素子と、該半導体素子が搭載された上記ダイボンドパッドに対して縦列配置された他のダイボンドパッドに搭載された他の半導体素子とが、同一の上記封止樹脂に埋め込まれてなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法及びその構造に関し、特に、小型化、薄型化、軽量化、低価格化を可能とする樹脂封止型の半導体装置の製造方法及びその構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５は従来構造のガルウイング型半導体装置であり、図１５（ａ）に断面図を、図１５（ｂ）に上面図を示す。
かかる半導体装置は、一般には、図１６に示すような工程に従って製造される。即ち、図１７に示すようなアイランド２４とリード１とを備えたリードフレーム６のアイランド２４上に、半導体素子３がダイボンド材２により固定される。続いて、アイランド２４の周囲のリード１のインナーリード部と半導体素子３上の電極パッドが金線等のワイヤ４を用いたワイヤボンディングにより接続された後、封止用樹脂５を用いて、リードフレーム６両側から、各素子毎に個別に樹脂封止が行われる。図１８は、樹脂封止後の従来構造にかかる半導体装置の上面図である。最後に、リード１のアウターリード部には、すず等のメッキが施され、リードフレーム６から切断されて、ガルウイング型に成形され、図１５に示すような半導体装置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の製造方法では、予め、半導体素子３の大きさに合わせたアイランド２４等を備えたリードフレーム６を準備する必要があり、また、各半導体素子３毎に樹脂封止用のモールド金型（図示せず）が必要となる。従って、仕様の異なる半導体素子３を用いる場合、夫々の仕様に応じたリードフレーム６、及びモールド金型を準備することが必要となる。
また、図１５に示すような従来の半導体装置では、リードフレーム６の両面に樹脂が形成されるため、半導体装置の小型化、軽量化に一定の限界があった。
更には、半導体素子３の放熱が、リード６を通して行われるため、放熱量の大きい高出力用トランジスタ等に用いることが困難であるとともに、半導体素子３とマザーボードとの接続距離も比較的長くなるため、高周波トランジスタ等に用いることも困難であった。
【０００４】
これに対して、例えば、特開昭６２−１３４９４５号公報では、リードの片面のみに樹脂モールドされたモールドトランジスタが提案されているが、かかるモールドトランジスタの製造には、従来通り、仕様に応じたリードフレームが必要となるとともに、樹脂モールドも各半導体素子毎に個別に行われるために、モールド用金型も各仕様に応じて準備することが必要となり、上述の問題点を解決するものではない。
また、平坦なリードを用いてマザーボードに実装されるが、リード面積が比較的狭いため、熱放出量の大きい素子への適用は困難であった。
そこで、本発明は、半導体素子の仕様によらず、同じリード等を用いて半導体素子の樹脂封止を行う半導体装置の製造方法及び、放熱特性、高周波特性に優れ、小型、軽量化の可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、発明者らは鋭意研究の結果、略平行に設けたリードを有するリードフレームに複数の半導体素子を搭載して、全体を樹脂封止した後に、各半導体装置に切断することにより、半導体素子の仕様によらずに同じリードフレームを用いて半導体装置が作製できること、かかる半導体装置では、放熱特性、高周波特性の向上が可能となることを見出し、本発明を完成した。
【０００６】
即ち、本発明は、ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、間隔をおいて互いに略平行に縦列配置された複数のリードを同一平面内に備えるリードフレームを準備し、上記リードフレームの少なくとも一のリード表面に、複数の半導体素子を横列に固定し、各半導体素子の電極と、縦方向に隣接する他のリードとをそれぞれ電気的に接続し、上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記複数の半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填し、上記リード及び上記封止樹脂を、上記半導体素子の間で縦方向に切断して、上記半導体素子が搭載された該リードをダイボンドパッドとし、該半導体素子の電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとすることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
かかる半導体素子の製造方法では、搭載される半導体素子のサイズ等に合わせてリードフレームを準備する必要がなく、リードフレームの共有化が可能となるため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
また、半導体素子を固定したリードフレームを一括して樹脂封止するため、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型を準備することが不要となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
特に、かかる製造方法では、連続して半導体素子を固定したリードフレームを切断して半導体装置を作製するため、リードフレームに無駄になる部分が発生せず、リードフレームの単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【０００７】
また、本発明は、上記リードの裏面に樹脂シートを貼り付けて、上記封止樹脂を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
かかる工程を備えることにより、樹脂封止時にリードの間からリード裏面に封止樹脂が回り込むのを防止でき、半導体装置をマザーボード上に接続する場合の接続不良の発生を防止することが可能となる。
なお、樹脂シートは、リードの裏面全面に設けても良く、また一部にのみ設けても良い。
【０００８】
また、上記リードの側面間をマスク材で埋め込んで、上記封止樹脂を充填するものであっても良い。
リードの側面間にマスク材を設けることによってもリード裏面への封止樹脂の回り込みを防止することができるからである。
【０００９】
また、本発明は、上記封止樹脂を充填した後に、上記リードの裏面に回り込んだ該封止樹脂を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
かかる工程を備えることにより、リード裏面に回り込んだ封止樹脂による接続不良を防止することが可能となる。
【００１０】
また、本発明は、上記リードが、同一平面内に間隔をおいて略平行に設けられた導電性リードが枠体に固定されたリードフレームとして供給されることを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
このように、いわゆる簾状のリードが設けられたリードフレームを用いることにより、製造工程における取り扱いを容易とすることができる。
【００１１】
上記半導体素子が搭載される上記リードの縦方向の幅は、該半導体素子の縦方向の幅と同等又はより狭いことが好ましい。
リード間の間隔を、半導体素子の幅と同等又はより狭くすることにより、半導体装置を小型化した場合でも、リード間の距離をより広くすることができ、半導体装置をマザーボード上に接続する場合のリード間の短絡を防止することが可能となる。
【００１２】
上記半導体素子は、上記リードの表面上に、導電性若しくは絶縁性接合材で固定されるものであっても良い。
特に、導電性樹脂で固定することにより、半導体素子とダイボンドパッドとを電気的に接続することが可能となる。
【００１３】
また、本発明は、上記リードに垂直な方向に配置された複数の上記半導体素子が、同一の上記封止樹脂に埋め込まれるように、複数の該半導体素子の外側で該封止樹脂を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
かかる方法を用いることにより、複数の半導体素子が、一の封止樹脂中に埋め込まれたアレイ状の半導体装置を容易に作製することが可能となる。
【００１４】
また、本発明は、間隔をおいて互いに略平行に縦列配置された複数のリードを、同一平面内に備えることを特徴とするリードフレームでもある。
【００１５】
また、本発明は、半導体素子を上面に搭載したダイボンドパッドと、該ダイボンドパッドを挟んで略平行に縦列配置されたワイヤボンドパッドと、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置であって、上記封止樹脂が、上記ダイボンドパッドと上記ワイヤボンドパッドの裏面が露出するように、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの上面上から充填され、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの側面間にも充填されてなることを特徴とする半導体装置でもある。
かかる半導体装置では、半導体装置の表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっているため、半導体装置の裏面を用いて直接マザーボードに接続することが可能となり、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、半導体素子からの放熱特性を向上させることができ、発熱量の大きい高出力素子に適用することも可能となる。
また、マザーボードと半導体素子との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【００１６】
上記ダイボンドパッドと上記ワイヤボンドパッドとは、上記半導体装置の横方向に、該半導体装置の両側面の間に渡るように設けられたことが好ましい。
かかる構造とすることにより、半導体装置の裏面のダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドの面積を広くすることができ、放熱特性の向上や、固定強度の向上が可能となる。
【００１７】
上記ダイボンドパッドと上記ワイヤボンドパッドの側面間に、上記封止樹脂に代えて、マスク材を埋め込んだものであっても良い。
かかるマスク材を設けることにより、リード裏面への封止樹脂の回り込みを防止することが可能となる。
【００１８】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドは、その上面及び／又は底面に複数の凹部を備えることが好ましい。
このように、リードが凹部を備えることにより、その上に充填された封止樹脂、又はマザーボードとの接続に用いる半田材との接触面積が大きくなり、両者の密着性が高くなり、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
また、かかる構造では、リードの切断面の断面積を小さくすることができるため、ダイシング時の切断面積が減少し、切断時のストレスを軽減でき、ダイシング用ブレードの摩耗も少なくすることが可能となる。
【００１９】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドの側面は、複数の凹部を備えることが好ましい。
かかる構造でもリードと封止樹脂との接触面積を大きくすることができるからである。
【００２０】
上記凹部は、該凹部を設けた上記ダイボンドパッド又は上記ワイヤボンドパッドの縦方向の切断面がいずれかの該凹部を横切るように設けられたことが好ましい。
【００２１】
上記ダイボンドパッド及び／又は上記ワイヤボンドパッドの縦方向の断面形状は、上面が裏面より大きい台形であることが好ましい。
【００２２】
上記ダイボンドパッドの縦方向の幅は、該ダイボンドパッドに搭載された上記半導体素子の縦方向の幅と同等又はより狭いことが好ましい。
半導体装置の小型化に伴って、ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドとの距離が小さくなった場合であっても、かかる構造を用いることにより、両者の距離を大きく保ち、半田ブリッジの発生を防止できるからである。
【００２３】
また、本発明は、上記半導体素子と、該半導体素子が搭載された上記ダイボンドパッドに対して縦列配置された他のダイボンドパッドに搭載された半導体素子とが、同一の上記封止樹脂に埋め込まれてなる半導体装置でもある。
複数の半導体素子を一体化することにより、半導体装置の小型化が可能となるからである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１について、図１〜３を参照しながら説明する。
図１は、本発明にかかる半導体装置であり、図１（ａ）は、Ａ−Ａ’における断面図、図１（ｂ）は上面図、図１（ｃ）は裏面図を示す。図中、１は外部電極（ワイヤボンドパッド）、２はダイボンド材、３は半導体素子、４は金線等のワイヤ、５は封止用樹脂である。
【００２５】
次に、図１の半導体装置の製造方法について、図２、３を用いて説明する。
まず、図２に示すような、複数のリードが、間隔を隔てて平行に配置され、いわゆる簾状に連なったリードフレーム６を準備する。図２（ａ）中、右図はリードフレーム６の上面図、左図はＢ−Ｂ’における断面図である。以下、図２、３において、右図は上面図、左図はＢ−Ｂ’相当箇所における断面図である。かかるリードフレーム６の材料には、銅、４・２アロイ等を用いることが好ましい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）のダイボンド工程に示すように、複数の半導体素子３をエポキシ樹脂等のダイボンド材２でリードフレーム６上に接着し、固定する。
【００２７】
次に、図２（ｃ）のワイヤボンド工程に示すように、金線等のワイヤ４を用いて、個別半導体素子３の電極（図示せず）と、半導体素子３を固定したリードフレームに隣接したリードフレーム６とを接続し、配線する。
【００２８】
次に、図３（ａ）の樹脂封止工程に示すように、熱硬化性エポキシ樹脂等の封止用樹脂５で、複数の半導体素子３が搭載され、配線されたリードフレーム６の片面を覆う。かかる工程では、各半導体素子３毎に樹脂封止用モールド金型を用いて樹脂封止を行うのではなく、複数の半導体素子３全体を、１つの樹脂封止用モールド金型を用いて封止する。
【００２９】
次に、図３（ｂ）のマーキング工程に示すように、封止樹脂５の所定の位置に、レーザ等によりマーク７を施す。かかるマーキング工程は、例えば、ＹＡＧレーザ等を用いて、封止樹脂５の所定箇所を変質させることにより行われる。
【００３０】
次に、図３（ｃ）の分割工程に示すように、同一の封止樹脂５で封止された半導体素子１１を分割して、個々の半導体装置を作製する。ここでは、ダイシング装置を用いた切断により、各半導体装置への分割を行っている。
かかる工程では、まず、樹脂封止された半導体素子は、固定用フレーム１０に固定された塩化ビニル等の粘着テープ９上に貼り付けられる。このように固定することにより、各半導体装置に分割した時のバラケを防止することができる。
続いて、ダイシング装置（図示せず）により、切断ライン８で切断され、各半導体素子に分割される。かかるダイシング工程では、封止樹脂５を切断するとともに、リードフレーム６のリードも同時に切断される。これにより、半導体素子３が固定されたリードはダイボンドパッドとなり、また、半導体素子３とワイヤ４で接続されたリードはワイヤボンドパッドとなる。分割された半導体装置は、粘着テープ９に貼り付けた状態で電気的特性のテストが行われる。
続いて、粘着テープ９から各半導体装置を取り外すことにより、半導体装置が完成する。
尚、粘着テープ９より半導体装置を取り外した後に、電気的特性のテストを行っても良い。
【００３１】
最後に、図３（ｄ）の包装工程に示すように、半導体装置を紙等のテーピング用エンボステープ１２又はトレー等に並べて梱包する。かかる状態で製品として出荷が可能となる。
【００３２】
このように、本実施の形態にかかる半導体装置は、半導体装置の表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっている。
従って、図１２に示す従来構造の半導体装置のように、アウターリード１ｂを用いてマザーボードに接続されるのではなく、半導体装置の裏面を用いて直接接続されるため、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
【００３３】
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、従来構造に比べて、半導体素子からの放熱特性を向上させることができる。これにより、半導体素子３に発熱量の大きい高出力素子を用いた場合でも安定した動作を確保することが可能となる。
【００３４】
また、インナーリード１ａ、アウターリード１ｂを用いてマザーボードと接続する従来構造に比べて、マザーボードと半導体素子３との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子３に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
【００３５】
また、封止樹脂５とダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドとの接続面積が、図１２の従来構造の半導体装置に比べて大きくなるため、両者の間に加わる熱ストレス等による封止樹脂５とダイボンドパッド等の剥離を防止することが可能となり、半導体装置の信頼性の向上を図ることも可能となる。
【００３６】
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【００３７】
特に、図２０（ａ）に示すように、半導体装置をマザーボード１７上に固定する場合には、半田ペースト２６をマザーボード１７の電極パッド２７に転写し、その上に半導体装置を搭載した後、リフローして半田ペースト２６を溶融させて半田１５とすることにより、半導体装置を電極パッド２７上に固定する。かかる場合、電極パッド２７間での半田ブリッジの発生を防止するために、一般には、半田ペースト２６の転写位置の間隔をできるだけ離れるように形成する。
従って、本実施の形態にかかる半導体装置では、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドの面積が広いため、例えば、図８（ａ）に示すように、半田ペースト２６をパッド電極２７の外方に転写し、半田ペースト２６間の距離（ダイボンドパッド上に転写された半田ペースト２６と、ワイヤボンドパッド上に転写された半田ペースト２６との距離）を大きくすることができため、パッド電極２７間での半田ブリッジの発生を防止することが可能となる。これにより、製品の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３８】
また、本実施の形態にかかる半導体素子の製造方法では、いわゆる簾状のリードフレーム６に複数の半導体素子を固定し、樹脂封止した後に切断して半導体装置を形成する。
このため、図１７に示すような、搭載される半導体素子に合ったアイランド２４を備えたリードフレーム６を準備する従来の方法に比較して、リードフレーム６の共有化を図ることが可能となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００３９】
また、半導体素子３を固定したリードフレームを一括して樹脂封止するため、各半導体装置毎に樹脂封止を行っていた従来方法のように、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型が必要とならず、製造コストの低減が可能となる。
【００４０】
また、ダイシング位置を変更することにより、容易に半導体装置の形状の変更を行うことができ、半導体装置の設計変更に容易に対応することが可能となる。
【００４１】
特に、量産工程においては、図３（ａ）のように、連続して半導体素子を固定したリードフレーム６を切断して半導体装置を作製するため、リードフレーム６に無駄になる部分が発生せず、リードフレーム６の単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００４２】
なお、例えば、特開昭６２−１３４９４５号公報には、図１９（ｂ）（ｃ）に示すようなモールドトランジスタが記載されているが、かかるモールドトランジスタは、半導体素子３に応じたリードフレーム６（図１９（ａ））を用いて、各半導体装置毎にモールド金型を用いて樹脂封止される点で、本実施の形態にかかる半導体装置と製造方法が異なっている。
また、図１の本実施の形態にかかる半導体装置では、ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドが、上記半導体装置の、上記リードに対して垂直な方向の両側面の間に渡るように設けられている点で、図１９に示す従来構造の半導体装置とは、構成を異にしている。即ち、図１９に記載の半導体装置では、放熱特性の向上を特に意図しておらず、ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドの面積を広くして放熱特性の向上、マザーボードへの固定強度の向上等を目的とする本実施の形態にかかる半導体装置とは異なっている。
【００４３】
実施の形態２．
本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置について、図４〜６を参照しながら説明する。
図４は、リードの上面に複数の凹部を備える半導体装置であり、右図が上面図（透視図）、左図がＥ−Ｅ’における断面図である。図中、図１と同一符号は、同一または相当箇所を示す。特に、図４では、ダイシング位置がどの場所であっても、リード１の上面に設けた凹部が切断される構造となっている。
【００４４】
また、図５は、リードの側面が凹凸を備える半導体装置であり、右図が上面図（透視図）、左図が上記Ｅ−Ｅ’相当箇所における断面図である。図中、図１と同一符号は、同一または相当箇所を示す。図５では、ダイシング位置がどの場所であっても、リード１の側面に設けた凹部が切断される構造となっている。
【００４５】
また、図６は、リードの断面形状が、上面が底面より大きい台形である半導体装置であり、右図が上面図（透視図）、左図が上記Ｅ−Ｅ’相当箇所における断面図である。図中、図１と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
【００４６】
このように、本実施の形態にかかるリード１を用いることにより、リード１と、その上に充填された封止樹脂５との接触面積が大きくなり、両者の密着性が高くなり、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００４７】
また、かかる構造では、リード１の切断面の断面積が、従来構造に比較して小さくすることができるため、例えば、図３（ｃ）の分割工程でダイシング装置等で半導体装置の分割を行う場合に、リード１の切断面積が減少し、切断時に半導体装置に付加されるストレスを軽減できるとともに、ダイシング用ブレードの摩耗も少なくすることが可能となる。
【００４８】
特に、図６に示す形態では、各リード１間の距離２０を、従来構造のリードを用いる場合に比べて大きくすることができるため、半導体装置をマザーボード上に半田で接続する場合の、リード１間での半田ブリッジの発生を防止することが可能となる。
【００４９】
実施の形態３．
本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置について、図７、８を参照しながら説明する。
図７は、リードの裏面に複数の凹部を備える半導体装置であり、右図が上面図（透視図）、左図がＥ−Ｅ’相当箇所における断面図である。図中、図１と同一符号は、同一または相当箇所を示す。特に、図７では、ダイシング位置がどの場所であっても、リード１の裏面に設けた凹部が切断される構造となっている。
【００５０】
図８は、本実施の形態にかかる半導体装置をマザーボード１７に固定する場合の概略図である。図中、２６は転写形成した半田ペースト、２７はマザーボード上に形成したパッド電極、１５は半田ペーストをリフローして形成した半田、２３はリードに形成された半田フィレットである。
【００５１】
このように、リード裏面が凹部を備えることにより、マザーボード１７上半導体装置を半田１５で電極パッド２７に固定する場合、図８（ａ）に示すように、半田１５のはい上がりが良好な半田フィレット２３を有することにより、半田付けを強固にすることが可能となる。
【００５２】
また、半田接続部の良否を目視検査する場合においても、半田１５の接続状態が把握しやすく、良否判定を容易に行うことが可能となる。
【００５３】
特に、リード１の材料に銅を用いた場合には、リード１の表面に金のワイヤ４等が接続しやすくするために、リード１の表面に金メッキ等が行われる。従って、リード１の凹部の窪みにも金メッキが施されていることとなり、半田１５等の接合材が容易にその窪みにはい上がり、良好な半田１５等のフィレットが形成される。これにより、マザーボードと半導体装置とを強固に接合することが可能となる。
【００５４】
なお、本実施の形態でも、リードの切断面が凹部を通るため、リードの切断断面積が小さくなり、上記実施の形態２と同様の効果を得ることも可能となる。
【００５５】
実施の形態４．
本発明の他の実施の形態について、図９を参照しながら説明する。
実施の形態１の図３（ａ）に示す樹脂封止工程において、ワイヤボンドが完了した半導体装置を封止樹脂５で封止する場合、リードフレームの変形等でリード１の裏面に封止樹脂５が流れ込み、樹脂バリ１４が発生することがある（図９（ａ））。
樹脂バリ１４が発生すると、マザーボード１７と半導体装置を半田１５で電気接続する場合、１６に示すように、半田の濡れ性が悪い箇所が発生し、接続不良を引き起こす場合がある（図９（ｃ））。
従って、本実施の形態では、樹脂封止工程の後に樹脂バリ除去工程（図９（ｂ））を設け、リード１の裏面に付着した不要な樹脂バリを除去することとしている。かかる樹脂バリの除去には、例えば、水の中で撹拌されたガラスビーズ粉を高圧でリード１に吹き付ける方法を用いることができる。
このように、樹脂封止工程の後に樹脂バリ除去工程を設けることにより、マザーボード１７と半導体装置とを接続する半田１５の充分な濡れ性を確保することができる。
【００５６】
実施の形態５．
本発明の他の実施の形態について、図１０を参照しながら説明する。
本実施の形態は、実施の形態１の図３（ａ）の樹脂封止工程の前に、マスキング工程を設けるものである。
即ち、実施の形態４に示したように、樹脂封止工程においては、リード１の裏面に封止樹脂が回り込み、半田不良の発生原因となる場合があった。
そこで、本実施の形態では、図１０（ａ）に示すように、樹脂封止工程に先立って、マスキング材１８をリード１の裏面全面（図１０中央）または一部（図１０右）に形成し（図１４にマスキング形成後の状態図を示す）、樹脂封止時の樹脂の回り込みを防止するものである。
これにより、リード１の裏面を保護し、半導体装置とマザーボードとの接続不良の発生を防止することができる。
マスキング材１８には、ポリイミドテープ等を用い、樹脂封止後に剥離もしくは溶解等により除去する（図１０（ｃ））。
【００５７】
なお、図１０の右図のように、マスキング材１８を部分的に形成した場合は、樹脂封止工程において、封止用樹脂５がリード１の裏面に部分的に回り込むため、リード１を抱え込むような形状となり、封止用樹脂５とリード１との密着性を向上させ、信頼性を向上させることが可能となる。
【００５８】
実施の形態６．
本発明の他の実施の形態について、図１１を参照しながら説明する。
本実施の形態は、実施の形態１の図３（ａ）の樹脂封止工程の前に、フレーム間への樹脂形成工程を設けるものである。
即ち、樹脂１１（ａ）に示すように、リード１の間１９に、アクリルやエポキシ樹脂等のマスク材１８を、予め印刷等により充填し、形成するものである。
かかる工程を備えることにより、図１１（ｂ）に示すように、樹脂封止工程におけるリード１の間１９からの樹脂もれを防止し、リード１の裏面への樹脂の回り込みを防止することが可能となる。
【００５９】
実施の形態７．
本発明の他の実施の形態について、図１２を参照しながら説明する。
本実施の形態では、図３（ｃ）の分割工程において、ダイシング位置を変えて、複数の半導体素子３ａ、３ｂが同一の封止樹脂１５に封止された半導体装置を得るものである（図１２）。
即ち、リード１に平行な方向のダイシング位置は、リードフレーム６の切断を伴わないため、任意に選択できるため、複数の半導体素子３の周囲にダイシング位置を選択することにより、図１２のような複数の半導体素子３がアレイ状に配置された半導体装置を作製することが可能となる。
かかる場合、半導体素子３の個数は、設計等に応じて選択することができ、また種類の異なる半導体素子３を備えた半導体装置を作製することも可能となる。
【００６０】
実施の形態８．
本発明の他の実施の形態について、図１３を参照しながら説明する。
リード１の間隔２０が狭い場合には、半導体装置をマザーボード１７上に接続した時に、図１４左図に示すような、ブリッジ２１が発生し、接続不良を引き起こす場合がある。
そこで、本実施の形態にかかる半導体装置では、半導体素子３を固定したリード１（ダイボンドパッド）の幅寸法（図１４の横方向）を、半導体素子３の幅寸法と同等又はより狭くすることにより、リード１の間隔２０を広くとることができ、接続不良を予防することができる（図１３）。
【００６１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体素子の製造方法では、搭載される半導体素子に合わせてリードフレームを準備する必要がなく、リードフレームの共有化が可能となるため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００６２】
また、半導体素子を固定したリードフレームを一括して樹脂封止するため、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型を準備することが不要となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００６３】
特に、かかる製造方法では、連続して半導体素子を固定したリードフレームを切断して半導体装置を作製するため、リードフレームに無駄になる部分が発生せず、リードフレームの単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００６４】
また、リードが凹部を備えることにより、その上に充填された封止樹脂、又はマザーボードとの密着性を高くし、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００６５】
また、リードの切断面の断面積を小さし、切断時に半導体装置にかかるストレスを軽減し、ダイシング用ブレードの摩耗を少なくすることが可能となる。
【００６６】
また、半導体装置の小型化に伴って、ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドとの距離が小さくなった場合であっても、両者の距離を大きく保ち、半田ブリッジの発生を防止することができる。
【００６７】
また、本発明にかかる半導体装置では、半導体装置の表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっているため、半導体装置の裏面を用いて直接マザーボードに接続することが可能となり、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
【００６８】
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、半導体素子からの放熱特性を向上させることができ、発熱量の大きい高出力素子に適用することも可能となる。
【００６９】
また、マザーボードと半導体素子との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
【００７０】
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置である。
【図２】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図３】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図４】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置である。
【図５】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置である。
【図６】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置である。
【図７】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置である。
【図８】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置である。
【図９】  本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１０】  本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１１】  本発明の実施の形態６にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１２】  本発明の実施の形態７にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１３】  本発明の実施の形態８にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１４】  本発明の実施の形態８にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１５】  従来構造にかかる半導体装置である。
【図１６】  従来構造にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１７】  従来構造にかかる半導体装置の製造に用いるリードフレームである。
【図１８】  従来構造にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１９】  従来構造にかかる他の半導体装置である。
【図２０】  従来構造にかかる他の半導体装置の製造工程図である。
【符号の説明】
１  リード、２  ダイボンド材、３  半導体素子、４  ワイヤ、５  封止樹脂、６  リードフレーム、７  マーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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