(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板載置部に基板を載置して所定の処理を行う基板処理装置において、
基板載置部の上方に設けられ、処理前の基板を外部から受け取る基板待機手段と、
基板載置部上の処理後の基板を上昇させて外部の搬送手段に受け渡すと共に、相対的に下降した基板待機手段から前記処理前の基板を受け取り、下降して基板載置部上に載置する基板昇降部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板待機手段は、基板を支持する横方向に開閉自在な一対のアームを備え、この一対のアームは基板を基板昇降部に受け渡した後、基板昇降部の下降時に当該基板と干渉しないように開くことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
一対のアームは、下に向かうにつれて内側寄りになるように傾斜した斜面部と、この斜面部の下端から内側に水平に突出した水平面部とを備え、中心位置の合っていない基板の周縁部が斜面部に案内されて水平面部に落とし込まれて基板の位置合わせ行うように構成したことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板載置部は温度調整部を備えており、基板に対して行われる処理は基板を所定温度に調整する処理であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板載置部に載置された基板の温度を調整している間に、基板待機手段が次に温調する他の基板を外部から受け取ることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
複数枚の基板を収納したカセットが載置されるカセットステーションと、
前記カセットから搬出された基板にレジスト液を塗布する塗布ユニット、及び露光後の基板を現像する現像ユニットを含むプロセスステーションと、
このプロセスステーションと露光ステーションとの間に介在するインターフェースステーションと、を備えた塗布・現像装置において、
前記インターフェースは、請求項４または５に記載の基板処理装置と、露光ステーション側の搬送系に受け渡すための搬出ステージと、プロセスステージでレジスト膜が形成された基板を受け取って前記基板処理装置に受け渡し、基板処理装置で温調された基板を受け取って前記搬出ステージに受け渡す搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布・現像装置。
【請求項７】
基板載置部に基板を載置して所定の処理を行う基板処理方法において、
処理前の基板を基板待機手段が外部から受け取った後、下降して基板昇降部に基板を渡す工程と、
次いで基板昇降部が下降して、前記基板を基板載置部に載置する工程と、
基板載置部に載置された前記基板に対して所定の処理を行う工程と、
前記基板を基板昇降部に渡した後に、次の基板を基板待機手段が外部から受け取って待機させる工程と、
前記所定の処理がされた後、基板昇降部が上昇してこの処理後の基板を外部に渡す工程と、
処理後の基板が外部に渡された後、基板待機手段が下降して、待機していた次の基板を基板昇降部に渡す工程と、
次いで基板昇降部が下降して、前記次の基板を基板載置部に載置する工程と、
基板載置部に載置された前記次の基板に対して所定の処理を行う工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
基板載置部に載置された基板に対して所定の処理を行っている間に、基板待機手段が次の基板を外部から受け取ることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置、基板処理方法および塗布・現像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウェハの表面にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
前記システムの一例について図９を用いて説明すると、システム１は被処理基板例えば半導体ウェハ（以下ウェハという）Ｗに対して例えば塗布および現像などの処理を行うためのプロセスステーション１０と、露光処理を行うための露光ステーション１１とを備えており、プロセスステーション１０と露光ステーション１１との間にはインターフェースステーション１２が設けられている。またプロセスステーション１０には複数のウェハＷが収納されたカセットを搬入出するためのカセットステーション１３が接続されている。前記インターフェースステーション１２には、レジスト膜が形成された露光前のウェハＷを露光ステーション１１の雰囲気温度に予め調整しておくための基板処理装置例えば冷却装置１４が設けられており、更にはこの冷却装置１４にて冷却されたウェハＷを露光ステーション１１の搬送系に受け渡すための搬入ステージ１５と、露光後のウェハＷを受け取るための搬出ステージ１６と、プロセス処理部１０に搬入出するための受け渡しステージ１７および冷却装置１４の間でウェハＷを搬送するための一枚の搬送アーム１８を有する搬送手段が設けられている。
【０００４】
前記冷却装置１４は図１０に示すように、その内部に例えば図示しない冷却手段を含むクーリングプレート１９を備えており、このクーリングプレート１９を上下に貫通するようにしてウェハＷを裏面側から支持した状態で昇降可能な図示しない昇降ピンが突没自在に設けられている。ここで搬送アーム１８によりプロセスステーション１０の受け渡しステージ１７から搬送されてくるレジスト膜のベーク処理を終えたウェハＷは、この搬送アーム１８と前記昇降ピンとの協働作用によりクーリングプレート１９に載置されて所定の温度に冷却された後、当該搬送アーム１８により取り出されて搬入ステージ１５に搬送される。また露光処理を終え搬出ステージ１６に置かれたウェハＷは前記搬送アーム１８により受け渡しステージ１７を介してプロセス処理部１０に戻されて現像処理が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述のシステムにおいては、搬送アーム１８が温調済みのウェハＷを露光ステーション１１に渡してプロセスステーション１０から次のウェハＷを取ってくるまでの間はクーリングプレート１９にウェハＷが載置されておらず、ウェハＷの温調が行われていない。即ち、搬送アーム１８が露光ステーション１１に温調済みのウェハＷを搬入しているとき、あるいは次に温調するウェハＷをプロセスステーション１０から受け取ってくる間は、冷却装置１４はウェハＷの搬入待ちの状態となってしまい、この間冷却装置１４が実質的に作業をしていないこととなる。またプロセスステーション１０にてレジスト膜が形成され、ベーク処理されたウェハＷは冷却装置１４にて先行するウェハＷの冷却処理が終了しても、搬送アーム１８が冷却後のウェハＷを冷却装置１４から搬入ステージ１５に搬送し、この搬送アーム１８が受け取りにくるまで例えば受け渡しステージ１７にて待機していなければならない。このような待ち時間が積算されると時間のロスが大きくなってシステム全体のスループットの低下の要因となる懸念がある。また搬送アーム１８の数を２枚に増やせば受け渡しステージ１７からウェハＷを受け取った後、このウェハＷと冷却後のウェハＷとを入れ替えできるので搬入待ちの時間を少なくすることはできるが、搬送手法が複雑化してコスト高になってしまう場合がある。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、載置部上で処理された基板と次の基板との入れ替えに要する時間を短くしてスループットの向上を図ることのできる基板処理装置およびその方法を提供することにあり、更にこの基板処理装置を用いることにより装置全体のスループットを向上させることのできる塗布・現像装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板処理装置は、基板載置部に基板を載置して所定の処理を行う基板処理装置において、
基板載置部の上方に設けられ、処理前の基板を外部から受け取る基板待機手段と、
基板載置部上の処理後の基板を上昇させて外部の搬送手段に受け渡すと共に、相対的に下降した基板待機手段から前記処理前の基板を受け取り、下降して基板載置部上に載置する基板昇降部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記基板待機手段は、例えば基板を支持する横方向に開閉自在な一対のアームを備え、この一対のアームは基板を基板昇降部に受け渡した後、基板昇降部の下降時に当該基板と干渉しないように開く構成であってもよい。また一対のアームは、例えば下に向かうにつれて内側寄りになるように傾斜した斜面部と、この斜面部の下端から内側に水平に突出した水平面部とを備え、中心位置の合っていない基板の周縁部が斜面部に案内されて水平面部に落とし込まれて基板の位置合わせ行うように構成してもよい。更にまた、基板載置部は温度調整部を備えており、基板に対して行われる処理は基板を所定温度に調整する処理であってもよい。更には基板載置部に載置された基板の温度を調整している間に、例えば基板待機手段が次に温調する他の基板を外部から受け取るようにしてもよい。
【０００９】
本発明の基板処理装置によれば、次に処理する処理前の基板を受け取る基板待機手段を設けることにより、先に搬入されて処理されている基板の処理が終わる前に次の基板を搬入しておくことができる。このためウェハＷの搬入待ちとなっている時間が低減されてスループットの低下を抑えることができる。
【００１０】
本発明の塗布・現像装置は、複数枚の基板を収納したカセットが載置されるカセットステーションと、
前記カセットから搬出された基板にレジスト液を塗布する塗布ユニット、及び露光後の基板を現像する現像ユニットを含むプロセスステーションと、
このプロセスステーションと露光ステーションとの間に介在するインターフェースステーションと、を備えた塗布・現像装置において、
前記インターフェースは、請求項４または５に記載の基板処理装置と、露光ステーション側の搬送系に受け渡すための搬出ステージと、プロセスステージでレジスト膜が形成された基板を受け取って前記基板処理装置に受け渡し、基板処理装置で温調された基板を受け取って前記搬出ステージに受け渡す搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の基板処理方法は、基板載置部に基板を載置して所定の処理を行う基板処理方法において、
処理前の基板を基板待機手段が外部から受け取った後、下降して基板昇降部に基板を渡す工程と、
次いで基板昇降部が下降して、前記基板を基板載置部に載置する工程と、
基板載置部に載置された前記基板に対して所定の処理を行う工程と、
前記基板を基板昇降部に渡した後に、次の基板を基板待機手段が外部から受け取って待機させる工程と、
前記所定の処理がされた後、基板昇降部が上昇してこの処理後の基板を外部に渡す工程と、
処理後の基板が外部に渡された後、基板待機手段が下降して、待機していた次の基板を基板昇降部に渡す工程と、
次いで基板昇降部が下降して、前記次の基板を基板載置部に載置する工程と、基板載置部に載置された前記次の基板に対して所定の処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。また基板載置部に載置された基板に対して所定の処理を行っている間に、基板待機手段が次の基板を外部から受け取るようにしてもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の基板処理装置の実施の形態について説明する前に、この基板処理装置が組み込まれるレジストパターン形成システムの一部である塗布・現像装置の一例の全体について図１および図２を用いて説明する。図１及び図２中、２１は例えば２５枚の被処理基板であるウェハＷが収納されたカセットＣ例えばＦＯＵＰカセットを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション２１には前記カセットＣを載置する載置部２１ａと、カセットＣからウェハＷを取り出すための受け渡し手段２２とが設けられている。カセットステーション２１の奥側には、例えばカセットステーション２１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系等のユニットを多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられている。但し図１では便宜上受け渡し手段２２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
【００１３】
塗布・現像系のユニットＵ１においては、例えば上段には２個の現像ユニット２３が、下段には２個の塗布ユニット２４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４においては、加熱ユニット、冷却ユニット、ウェハＷの受け渡しユニット、疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
【００１４】
この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニットＵ１等が設けられている部分を処理ステーションＳ１と呼ぶことにすると、当該処理ステーションＳ１はインタ−フェイスステーションＳ２を介して露光ステーションＳ３と接続されている。インタ−フェイスステーションＳ２は基板搬送手段である搬送アーム３を有する搬送手段により処理ステーションＳ１の受け渡しユニット２５と、露光ステーションＳ３側の搬入ステージ２６および搬出ステージ２７との間でウェハＷの受け渡しを行うものである。またインタ−フェイスステーションＳ２には、後述する本発明の基板処理装置４が設けられており、露光処理前のウェハＷを所定の温度に調整する処理が行われる。
【００１５】
この装置のウェハＷの流れについて説明すると、先ず外部からウェハＷが収納されたカセットＣが載置部２１ａに載置され、受け渡し手段２２によりカセットＣ内からウェハＷが取り出され、棚ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受け渡される。次いで棚ユニットＵ３の一の棚の処理部内にて例えば疎水化処理が行われた後、塗布ユニット２４にてレジスト液が塗布される。塗布膜が形成されたウェハＷは、加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４に設けられた冷却ユニットで冷却されて熱の粗取りがなされる。続いてユニットＵ４に設けられた受け渡しユニット２５（図２では棚ユニットＵ４の中に設けられている受け渡しユニット２５を示してある）を介して、搬送アーム３がウェハＷを受け取り、基板処理装置４にて例えば所定の温度に調整される。しかる後、ウェハＷは搬送アーム３により搬入ステージ２６に受け渡されて露光ステーションＳ３内の搬送系により搬入され、ここでパタ−ンに対応するフォトマスクを介して露光が行われる。また搬送アーム３は、露光処理後のウェハＷを搬出ステージ２７から受け取り、受け渡しユニット２５を介して処理ステーションＳ１の搬送アームＭＡに受け渡される。
【００１６】
この後ウェハＷは例えば加熱ユニットで所定温度に加熱された後、例えば冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて現像ユニット２３に送られて現像処理がなされてレジスト膜のマスクパターンが形成される。しかる後ウェハＷは載置部２１ａ上のカセットＣ内に戻される。
【００１７】
前記基板処理装置４は、本発明の基板処理装置の一実施の形態をなすものであり、以下にこの基板処理装置４について図３を用いて説明する。図中４０は、被処理基板例えばウェハＷを載置するための基板載置部であるクーリングプレート（冷却板）である。クーリングプレート４０には、ウェハＷの裏面にパーティクルが付着しないようにするために、ウェハＷの裏面がクーリングプレート４０の表面から例えば０．１ｍｍ程度浮かせた状態になるようにしてウェハＷを裏面側から支持するための突起部４２が設けられている。またクーリングプレート４０の例えば内部には、温度調整部としての冷却部４１例えば冷媒通流路が設けられており、この冷却部４１の温調作用によりクーリングプレート４０の表面が冷却され、その表面とウェハＷとの僅かな隙間を介して輻射熱によりウェハＷの温度が例えば２３℃に正確に調整される。なおこのように露光前のウェハＷを所定の温度に調整するのは、露光されるウェハＷの温度が処理毎にばらつきがあると、ウェハＷの熱伸縮によりウェハＷが僅かではあるが変形してしまい、その露光処理にばらつきが生じてしまうことによるものである。
【００１８】
またクーリングプレート４０には、基板昇降部である基板支持ピン４４がクーリングプレート４０を上下方向に貫通して設けられており、昇降機構４５によりウェハＷの裏面を下方向から支持した状態で突没自在なように構成されている。そしてウェハＷを搬入出する際には、基板支持ピン４４と例えば上述の搬送アーム３との協働作用によりウェハＷがクーリングプレート４０から搬出されるように構成されている。
【００１９】
またクーリングプレート４０の上方側には、次に温度調整する処理前のウェハＷを搬送アーム３から受け取って保持するための開閉自在な一対のアーム５ａ、５ｂを備えた基板待機手段５が設けられている。当該アーム５ａ、５ｂは、夫々ウェハＷの一縁側および他縁側の周縁部を裏面側から支持するための水平面部５０ａ、５０ｂを備えている。この水平面部５０ａ、５０ｂは例えば同じ高さ位置に設定されており、ここでウェハＷは略水平姿勢で保持されるように構成されている。更に水平面部５０ａ、５０ｂの表面には、下に向かうにつれて内側よりに傾斜し、ウェハＷがこの傾斜に沿って落とし込まれて水平面部５０ａ、５０ｂの所定の位置に載置させるように作用するアライメント（位置合せ）用の斜面部５１ａ、５１ｂがウェハＷの周縁の外方側を囲むようにして夫々形成されている。
【００２０】
更に前記アーム５ａ、５ｂは、夫々支持部材５２ａ、５２ｂと接続されており、これら支持部材５２ａ、５２ｂの一端側は開閉機構５３により水平方向に開閉できるように構成されている。即ち、この支持部材５２ａ、５２ｂが開閉機構５３より横方向に移動することにより、水平面部５０ａ、５０ｂが左右方向の所定の位置に設定可能なように構成されている。更には、前記開閉機構５３は昇降機構５４に組み合わせて設けられており、水平面部５０ａ、５０ｂがウェハＷを略水平姿勢に保持した状態で昇降可能なように構成されている。更にまた、基板処理装置４は図示しない制御部を備えており、この制御部は例えば搬送アーム３の動作に合わせて昇降機構４５、開閉機構５３、昇降機構５４、更には冷却部４１の動作を制御する機能を有する。
【００２１】
上述のような基板処理装置４を用いてウェハＷを温調する工程について図５、図６を用いて説明する。先ず図５（ａ）に示すように、基板待機部５のアーム５ａ、５ｂがウェハＷを受け入れ可能な状態でクーリングプレート４０の上方側に設定されると共に、基板支持ピン４４が昇降機構４５により上昇位置に設定されて待機されている。ここで図５（ｂ）に示すように、プロセスステーションＳ１にてレジスト膜が形成されてベーク処理がなされたウェハＷが、搬送アーム３により搬送されて基板待機部５の上方側に進入し、次いで搬送アーム３と基板待機部５との協働作用によりウェハＷが搬送アーム３から基板待機部５に渡される。
【００２２】
ここで搬送アーム３から基板待機部５にウェハＷが渡されるときの様子について図７を用いて詳しく説明する。但し、ここでは基板受け部５０のアライメント機能についても併せて述べるため、例えばウェハＷが搬送アーム３の搬送精度やウェハＷの受け取り先のユニットのセンタリング精度が悪かったなどの理由により搬送アーム３上の所定の位置に保持されていない状態で搬入された場合を想定して説明する。なお、この場合の所定の位置に設定されていないとは、例えばウェハＷの中心が予定とする中心位置から外れて保持されていることを意味する。先ず搬送アーム３から基板待機部５にウェハＷが渡される際に、ウェハＷを保持した搬送アーム３が下降していくと、この例では図の左側方向に寄っているウェハＷが下降していくと、ウェハＷの周縁部と斜面部５１ａとが接触する。ここでウェハＷは斜面部５１ａの傾斜面に沿って横方向（図の右側方向）に移動して所定の載置位置に近づきながら下降していく。そして搬送アーム３が更に下降して基板待機部５の水平面部５０ａ、５０ｂを通過したときに、搬送アーム３から基板待機部５の水平面部５０ａ、５０ｂの所定の位置にウェハＷが載置される。なお、図７においては、発明を分かり易くするため、斜面部５１ａ、５１ｂなどを実際よりも大きく記載している。
【００２３】
続いて説明を図５に戻すと、図５（ｃ）に示すように、上述のようにして基板待機部５がウェハＷを受け取った後、搬送アーム３が後退すると、先に図５（ａ）に示すように、基板支持ピン４４が昇降機構４５により上昇して上昇位置に設定されて待機されている。次いで図５（ｄ）に示すように、基板待機部５が昇降機構５４によりウェハＷを保持した状態で下降して、前記上昇位置にある基板支持ピン４４のピン先端高さを通過するときに基板受け部５０上のウェハＷが基板支持ピン４４に渡される。続いて図５（ｅ）に示すように、基板待機部５の各受け部５０ａ、５０ｂが左右に開くようにして水平移動し、ウェハＷと干渉しないように例えばウェハＷの外周縁よりも外側の位置に設定される。更に続いて図５（ｆ）に示すように、基板支持ピン４４が下降してクーリングプレート４０にウェハＷが載置され、ウェハＷの温度調整（冷却処理）が開始される。一方、基板待機部５は上昇して上昇位置に設定される。そして図６（ｇ）に示すように、アーム５ａ、５ｂが閉じるようにして水平移動し、既述の図５（ａ）に示したウェハＷの受け入れ可能な状態に設定される。
【００２４】
ここで次のウェハＷが棚ユニットＵ４の受け渡しユニット２５に載置されると、例えば搬送アーム３が受け渡しユニット２５から当該ウェハ（温調前のウェハ）Ｗを受け取り、図６（ｈ）（ｉ）に示すように基板待機部５に受け渡す。この温調前のウェハＷは、例えば先に搬入されたウェハＷが所定の温度に調整されて搬出されるまでの間、ここで待機状態になる。なお搬送アーム３が受け渡しユニット２５に温調前のウェハＷを受け取りに行くタイミングは、クーリングプレート４０にてウェハＷが所定の温度に温調された後であってもよく、搬送アーム３は露光後のウェハＷを例えばインターフェースステーションＳ３内の図示しない周辺露光部を介して受け渡しユニット２５に受け渡す作業や、プロセスステーションＳ１および露光ステーションＳ２での処理のタイミングがずれたときに図示しないバッファカセット内にウェハＷを一旦保管する作業なども行うため、温調前のウェハＷの搬送のタイミングはこれらの作業のタイミング等を考慮して決められる。いずれにしても搬送アーム３は、温調前のウェハＷを受け渡した後、温調後のウェハＷを次のようにして基板処理装置４から受け取る。即ち、図６（ｊ）に示すように、基板支持ピン４４が上昇してウェハＷを上昇位置に設定する。続いて図６（ｋ）に示すように、搬送アーム３が基板支持ピン４４上の前記ウェハＷの下方側に進入し、基板支持ピン４４と搬送アーム３との協働作用によりウェハＷが搬送アーム３に渡されて搬出される。こうしてウェハＷが搬出されると、図６（ｌ）に示すように、上述の図５（ｃ）に示した状態と同じとなり、再度（ｄ）からの動作が行われてウェハＷの繰り返し処理が行われる。
【００２５】
上述の実施の形態においては、次に温調するウェハＷを受け取って待機させる基板待機手段５を設ける構成とすることにより、先に搬入されたウェハＷの温調処理を行っているときであっても、次の温調前のウェハＷを搬入しておくことができ、更には搬送アーム３が別の場所で作業例えば温調済みのウェハＷを別の場所に移送している間にこの温調前のウェハＷをクーリングプレート４０に載置して温調を開始することができる。即ち、先に搬入されたウェハＷの温調処理が終わるのを待ってから、更には温調済みのウェハＷを搬送アーム３により別の場所に移してから次のウェハＷを取ってきてクーリングプレート４０に載置するといったウェハＷの搬入出における余分な動作を少なくすることができる。このため基板処理装置４がウェハＷの搬入待ちとなっている時間が減るのでスループットの低下を抑えることができる。
【００２６】
更に本例においては、次に温調するウェハＷをクーリングプレート４０の上方側で待機させる構成とすることにより、上述のように先に搬入されたウェハＷの処理が終了する前に次の温調前のウェハＷを搬入することができると共に、この場合には先に搬入されたウェハＷに対する冷却部４１の温調動作の輻射熱により、次に温調するウェハＷもある程度冷却しておくことができる。このためウェハＷがクーリングプレート４０に載置されてから所定の温度に達するまでの時間を短縮することができる。このため既述した搬入出における余分な動作の低減作用と温調時間の短縮作用が相俟って高いスループットを実現できる。
【００２７】
更にまた、本実施の形態においては、基板待機手段５にアライメント機能を設けたことにより、センターリング精度が高くなったので、クーリングプレート４０の所定の場所にウェハＷを載置することができる。即ち、処理毎にウェハＷを高い精度でクーリングプレート４０の所定の位置、つまり同じ位置に載置することができるので、ウェハＷの処理毎の温調精度を均一にすることができる。
【００２８】
本発明においては、基板待機手段５は、一対のアーム５ａ、５ｂを設ける構成に限られず、図８に示すように、例えば既述の水平面部および斜面部と同様の構成である２組目の一対のアーム５ｃ、５ｄを設けた構成であってもよい。このような構成であっても、例えばクーリングプレート４０上でウェハＷが温調されている間に１組目のアーム５ａ、５ｂが他のウェハＷを受け取り、続いて２組目の２のアーム５ｃ、５ｄが更に他のウェハＷを受け取る。そしてクーリングプレート４０からウェハＷが搬出されると１組目のアーム５ａ、５ｂが前記他のウェハＷをクーリングプレート４０上に載置した後、アーム５ｃ、５ｄを跨ぐようにしてその上方側に移動し、その次のウェハＷを受け取ることができ、上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【００２９】
また本発明においては、ウェハＷの温調設定を例えばクリーンルームよりも高い温度に設定し、冷却部４１によりウェハＷを加熱するようにしてもよい。更に本発明の基板処理装置４は、インターフェースステーションＳ２に設ける構成に限られず、例えば棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４のいずれかに設けるようにしてもよい。この場合であっても上述の場合と同様の効果を得ることができるし、冷却部４１をオーブンプレートにしてもよい。更にまた、本発明は被処理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レチクル基板の処理にも適用できる。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、載置部上で処理された基板と次の基板との入れ替えに要する時間を短くすることができるので、基板処理装置あるいは塗布・現像装置のスループットの向上を図ることのできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布・現像装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の塗布・現像装置を示す平面図である。
【図３】本発明の基板処理装置を示す縦断面図である。
【図４】本発明の基板処理装置の基板待機手段を示す斜視図である。
【図５】本発明の基板処理装置を用いた基板の処理の工程を示す説明図である。
【図６】本発明の基板処理装置を用いた基板の処理の工程を示す説明図である。
【図７】前記基板処理装置の基板待機手段のアライメント作用を示す説明図である。
【図８】本発明の基板処理装置の他の基板待機手段を示す説明図である。
【図９】従来の基板処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図１０】従来の基板処理装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
Ｗ      ウェハ
Ｓ１    処理ステーション
Ｓ２    インターフェースステーション
Ｓ３    露光ステーション
４０    クーリングプレート
４１    冷却部
４４    基板支持ピン
５      基板待機手段
５ａ、５ｂ    アーム
５０ａ、５０ｂ    水平面部
５１ａ、５１ｂ  斜面部
【図１】
0003767811.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003767811.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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