(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む２つの磁性層と、
これら２つの磁性層あるいはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイル部が、
螺旋状に形成された第１の薄膜コイルと、
前記第１の薄膜コイルの頂部と、前記第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面とを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜により覆われた螺旋状溝の内部に前記絶縁膜と直接接触するようにして埋め込まれると共に前記絶縁膜を介して前記第１の薄膜コイルの頂部の一部を覆うように形成され、前記第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するＴ字型の断面形状をなす第２の薄膜コイルと
を含み、
前記第２の薄膜コイルのうちの前記螺旋状溝を占める部分の幅が、前記第１の薄膜コイルの幅よりも小さい
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記薄膜コイル部が、さらに、
層間絶縁膜を介して前記第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルとは別層として形成されると共に、第１の薄膜コイルの内周端と第２の薄膜コイルの外周端との間または第１の薄膜コイルの外周端と第２の薄膜コイルの内周端との間を接続する第３の薄膜コイル
を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の薄膜コイルが、
薄い下地導電膜と、
この下地導電膜をシード層として選択的に形成された導電めっき層と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２の薄膜コイルが、
薄い下地導電膜と、
この下地導電膜をシード層として選択的に形成された導電めっき層と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記絶縁膜と前記第２の薄膜コイルとの間に、少なくともチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）のうちのいずれかを含んでなる下地層を有する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第２の薄膜コイルは、気相成長法により形成された気相成長導電層を含んで構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記気相成長法が、化学気相成長法であることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記絶縁膜が、無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記無機絶縁膜が、酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、それが前記第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の少なくとも底面および側面を覆った状態においても前記螺旋状溝に対応した溝形状が残存し得る程度の膜厚を有するように形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記薄膜コイル部が、層間絶縁膜を介して階層的に複数形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
さらに、読み出し用の磁気抵抗素子を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む２つの磁性層と、
これら２つの磁性層あるいはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイル部と
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜コイル部の形成工程が、
螺旋状の第１の薄膜コイルを形成する工程と、
前記第１の薄膜コイルの頂部と、前記第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面とを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜により覆われた螺旋状溝の内部に前記絶縁膜と直接接触するように埋め込むと共に前記絶縁膜を介して前記第１の薄膜コイルの頂部をも覆い、かつ、前記第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するように導電層を形成する工程と、
前記導電層上に、前記螺旋状溝の真上を通ると共に前記第１の薄膜コイルの頂部の一部にも差しかかるようにレジストパターンを形成したのち、そのレジストパターンを用いて選択的に前記導電層をエッチングすることにより、前記螺旋状溝の内部を占めると共に前記第１の薄膜コイルの頂部の一部をも覆うＴ字型の断面形状をなす第２の薄膜コイルを形成する工程と
を含み、
前記第１の薄膜コイルを形成する工程では、前記第２の薄膜コイルのうちの前記螺旋状溝を占める部分の幅が前記第１の薄膜コイルの幅よりも小さくなるように前記螺旋状溝を形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
さらに、
第１の薄膜コイルの内周端と第２の薄膜コイルの外周端との間または第１の薄膜コイルの外周端と第２の薄膜コイルの内周端との間を接続するための第３の薄膜コイルを、層間絶縁膜を介して、前記第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルとは別層として形成する工程
を含むことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
第１の薄膜コイルの形成工程は、
薄い下地導電膜を形成する工程と、
前記下地導電膜をシード層として選択的にめっき成長を行わせる工程と
を含むことを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
第２の薄膜コイルの形成工程は、
薄い下地導電膜を形成する工程と、
前記下地導電膜をシード層として選択的にめっき成長を行わせる工程と
を含むことを特徴とする請求項１３ないし請求項１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜と前記第２の薄膜コイルとの間に、少なくともチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）のうちのいずれかを含んでなる下地層を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１３ないし請求項１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第２の薄膜コイルの形成工程は、選択的に気相成長を行わせる工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし請求項１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記選択的に気相成長を行わせる工程は、化学気相成長法により行われることを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁膜が、無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１３ないし請求項１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記無機絶縁膜が、酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記絶縁膜は、それが前記第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の少なくとも底面および側面を覆った状態においても前記螺旋状溝に対応した溝形状が残存し得る程度の膜厚を有するように形成されることを特徴とする請求項１３ないし請求項２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記薄膜コイル部が、層間絶縁膜を介して階層的に複数形成されることを特徴とする請求項１３ないし請求項２２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】
さらに、読み出し用の磁気抵抗素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし請求項２３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭＲ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭＲ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上はＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭＲ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよりも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができると言われている。
【０００４】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜を変える方法がある。一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜、スピンバルブ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。このように、再生ヘッドは、例えば、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることで、容易に、性能を向上するという目的を達せられる。
【０００５】
再生ヘッドの性能を決定する要因としては、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれる。
【０００６】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００７】
記録ヘッドの性能を決定するその他の要因としては、スロートハイト（Throat Height ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリング面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）を言う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００８】
さらに、記録ヘッドの性能を向上させるために、下部磁極および上部磁極の、薄膜コイルを挟む部分の長さ（以下、磁路長という。）を短くすることが提案されている。
【０００９】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドおよび再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【００１０】
以下、上記した磁路長の決定要因である薄膜コイルの構造および形成方法を、図面を参照して説明する。
【００１１】
図２４〜図３１は、従来の標準的な複合型薄膜磁気ヘッドの一例として、ＭＲ素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の主要部を表すものである。これらの図は、各工程における中間生成体の要部をエアベアリング面に垂直な平面で切ったときの断面を示す。なお、ここでは、磁気抵抗効果型の再生用薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の記録用薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドの場合について例示する。
【００１２】
まず、図２４に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基体１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる絶縁層１０２を約５〜１０μｍの厚みに堆積する。この絶縁層１０２の上に、再生ヘッドのＭＲ素子（後述するＭＲ膜１０５）を外部磁界の影響から保護する磁気シールド層を構成する下部シールド層１０３を３〜４μｍの厚みで形成する。次に、下部シールド層１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成したのち、その上に、再生ヘッドのＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。次に、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ層１０５上にシールドギャップ膜１０６を形成して、ＭＲ膜１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次に、シールドギャップ膜１０６上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる磁性層１０７を３〜４μｍの膜厚に形成する。この磁性層１０７は、上述した下部シールド層１０３と共に再生ヘッドのＧＭＲ素子を磁気遮蔽する上部シールド層の機能を有するだけでなく、記録ヘッドの下部磁極としての機能をも有するものである。ここでは、説明の便宜上、磁性層１０７が記録ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目して、以下、単に下部磁極１０７と記すものとする。
【００１３】
次に、図２５に示したように、下部磁極１０７の上に、例えばアルミナ等の非磁性材料からなる記録ギャップ層１０９を約２００ｎｍの膜厚に形成し、後に磁極部分を構成する部分を除いて、記録ギャップ層１０９の上にスロートハイトの基準位置を決定するフォトレジスト１１０を形成し、さらに表面全体に、銅（Ｃｕ）等からなる厚さ１００ｎｍ程度の薄いシード層１１１をスパッタにより形成する。このシード層１１１は、後に電気めっきによって薄膜コイルを形成するときのシード(seed)となるものである。次に、シード層１１１の上に３〜４μｍの厚いフォトレジスト１１２を形成し、フォトリソグラフィ法により、フォトレジスト１１２にシード層１１１まで達する螺旋状の開口１１３を形成する。この開口１１３の深さは膜厚に等しく、幅は２μｍ程度である。開口１１３により形成される螺旋状のフォトレジストパターンの幅もまた２μｍ程度である。
【００１４】
次に、図２６に示したように、硫酸銅のめっき液を用いて銅の電気めっき処理を行い、フォトレジスト１１２の開口１１３内に第１層目の薄膜コイルを構成するコイル状体１１４を形成する。このコイル状体１１４の膜厚は、開口１１３の深さよりも小さくするのが好適であり、例えば２〜３μｍとする。
【００１５】
次に、図２７に示したように、フォトレジスト１１２を除去した後、図２８に示したように、アルゴンイオンビームＩＢによるミリング（以下、イオンミリングという。）を施して、シード層１１１を除去してコイル状体１１４の巻線体間を相互に分離し、第１層目のコイル１１４ａを形成する。このイオンミリングの際には、コイル状体１１４の巻線体間の底部にあるシード層１１１が薄膜コイルよりも外方に突出して残るのを抑止するために、イオンミリングは５〜１０°の角度を以て行なう。このようにイオンミリングを垂直に近い角度で行うと、シード層１１１を構成する材料がイオンビームの衝撃によって飛散して再付着し、巻線体間を完全に分離することができなくなることがあるので、コイル状体１１４の巻線体間隔を比較的広くする必要がある。この点については後述する。
【００１６】
次に、図２９に示したように、第１層目のコイル１１４ａおよびフォトレジスト１１０を覆うようにフォトレジスト１１５を形成したのち、第１層目のコイル１１４ａの平坦化および後述するエイペックス・アングルの決定等を目的として、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理を行う。次に、同図に示したように、図２５〜図２８に示した工程と同様の工程により、フォトレジスト１１５上に、シード層１１６を含む第２層目のコイル１１７ａを形成し、さらにフォトレジスト１１８を形成する。次に、図３０に示したように、コイル１１４ａ，１１７ａよりも後方（図３０における右側）の位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を選択的にエッチングしたのち、パーマロイ等からなる上部磁極１１９を３〜５μｍの膜厚に形成する。この上部磁極１１９は、コイル１１４ａ，１１７ａよりも後方の位置において、下部磁極１０７と接触し、磁気的に連結している。
【００１７】
次に、図３１に示したように、上部磁極１１９の磁極部分１１９ａをマスクとして記録ギャップ層１０９および下部磁極１０７を約０．５μｍ程度エッチングして後述するトリム構造を形成したのち、図３０に示したように、全体を覆うようにして、例えばアルミナから成るオーバーコート層１２０を形成する。なお、図３１は、図３０における積層構造を、ＭＲ層１０５を通りエアベアリング面１２２に平行な面で切った状態を表すものである。この図では、ＭＲ膜１０５を他の層と電気的に絶縁するとともに磁気的に遮蔽するシールドギャップ層１０４，１０６を分離して表すと共に、ＭＲ膜１０５に対する電気接続を行なうための導電層からなるリード層１２１ａおよび１２１ｂをも図示している。但し、オーバーコート層１２０の図示を省略している。
【００１８】
最後に、スライダの機械加工を行って、図３０に示したように記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１２２を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１９】
図３０において、ＴＨはスロートハイトを表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。これらのスロートハイトやＭＲハイト等の他に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、図３０においてθで示したエイペックスアングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１０，１１５，１１８のエアベアリング面側の側面の角部を結ぶ直線Ｓと上部磁極１１９の上面とのなす角度である。
【００２０】
図３１において、Ｐ２Ｗは磁極幅を表している。この図に示したように、上部磁極１１９の磁極部分１１９ａ、記録ギャップ層１０９および下部磁極１０７の一部１０７ａの各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００２１】
なお、実際の薄膜磁気ヘッドの製造においては、上述した構造を多数形成したウェファを多数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバーに分割し、このバーの側面を研磨してエアベアリング面１２２（図３０）を得るようにしている。このエアベアリング面１２２の形成過程においてＭＲ膜１０５も研磨され、所望のスロートハイトおよびＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル１１４ａ，１１７ａおよびＭＲ膜１０５に対する電気的接続を行なうための接点パッドが形成されているが、以上説明した図では図示を省略してある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにして形成された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に記録ヘッドの微細化の点で以下のような問題がある。
【００２３】
一般に、磁路長ＬＭを短くすることによって、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux Rise Time) や非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift:NLTS) 特性や重ね書き(Over Write)特性等を改善できることが知られている。ここで、磁路長ＬＭとは、図３０に示したように、第１層目のコイル１１４ａおよび第２層目のコイル１１７ａを囲む部分における下部磁極１０７および上部磁極１１９の長さ（すなわち、エアベアリング面から記録ギャップ層１０９に形成された開口までの距離）である。また、磁束立ち上がり時間は、第１層目のコイル１１４ａおよび第２層目のコイル１１７ａからなる薄膜コイルに電流を流してから、下部磁極１０７および上部磁極１１９からなる磁気回路における磁束密度が所定レベルに達するまでの時間であり、記録時における高周波特性を左右するものである。また、非線形トランジションシフトは、データ記録時において、直前に記録した磁区からの磁束が記録ヘッドの磁束と相互作用を起こし、新たに記録しようとするトランジション（磁化方向が反転している部分）の位置をシフトさせる現象をいい、データ記録位置の正確さ、ひいては記録時における面密度特性を左右するものである。
【００２４】
磁路長ＬＭを短くするためには、下部磁極１０７および上部磁極１１９によって囲まれた第１層目のコイル１１４ａおよび第２層目のコイル１１７ａのコイル束幅ＬＣを短くする必要がある。このコイル束幅ＬＣを短くするためには、第１層目のコイル１１４ａおよび第２層目のコイル１１７ａ（以下、特に断わらない限り、単に薄膜コイルという。）の各巻線体幅を小さくするか、あるいは各巻線体間隔を狭くする必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、以下のような理由から、薄膜コイルの巻線体幅または巻線体間隔を現状よりも狭くするのは困難であった。
【００２５】
まず、薄膜コイルの電気抵抗を小さくする必要があることから、巻線体幅を短くすることにはおのずから制限がある。たとえ、薄膜コイルの抵抗値を低くするために導電率の高い銅を用いたとしても、薄膜コイルの断面積の確保のために２〜３μｍ程度の高さは必要なので、薄膜コイルの巻線体幅を１．５μｍ以下と狭く形成するのは形状安定性の点で問題だからである。したがって、薄膜コイルの巻線体幅をこれよりも狭くすることは困難であった。
【００２６】
一方、薄膜コイルの巻線体間隔を狭くすることは次の２つの理由から困難であった。
【００２７】
第１の理由は次の通りである。すなわち、従来より、薄膜コイルの形成は、図２６において説明したように電気めっき法により行っているが、その際、フォトレジスト１１２に形成した開口１１３内にウェファ全体に亘って均一に銅を堆積させるために、予め薄いシード層１１１を形成するようにしている。そのため、電気めっき処理によって開口１１３内にコイル状体１１４を形成したのち、その巻線体間を分離するために開口１１３内のシード層１１１を選択的に除去する必要がある。このシード層１１１の除去は、図２８で説明したように、コイル状体１１４をマスクとして例えばアルゴンを用いるイオンミリングによって行われる。ここで、イオンミリングは基本的には基体表面に対してほぼ垂直な方向から行なうのが良いが、このようにすると、エッチングされた銅の再付着が発生して、薄膜コイルの巻線体間がショートして絶縁不良が起こりやすくなるので、そのような不都合を避けるために、基板の垂線に対してある程度の角度を保ってイオンミリングを行う必要がある。一般には、例えば４０〜４５度という大きな角度をもってイオンミリングを行うようにすれば、エッチング材の再付着がほとんど発生しない。ところが、このような大きな角度でイオンミリングを行うと、コイル状体１１４の影の部分にはイオンが十分に照射されず、開口１１３内のシード層１１１が大きく残ってしまう。したがって、図２８で説明したように、一般には５〜１０度の角度を以てイオンミリングを行うようにしている。しかしながら、薄膜コイルの巻線体間隔をさらに狭くしようとしたときには、５〜１０度という小さな角度であってもコイル状体１１４の影の部分にはイオンが十分に照射されず、シード層１１１が部分的に残ってしまい、巻線体間のショートの原因となる。上記した５〜１０度以下の角度でイオンミリングを行うと、上記したように、エッチング材の再付着によってやはり巻線体間のショートが発生する。したがって、薄膜コイルの巻線体間隔を２〜３μｍ以下とすることは困難であった。
【００２８】
第２の理由は次の通りである。すなわち、コイル状体１１４の巻線体間隔を１μｍ以下と狭くするためには、図２５に示したように、フォトレジスト１１２の螺旋状パターンの線幅（壁厚）を狭く（薄く）する必要がある。その一方、上記したように薄膜コイルの高さを２〜３μｍとするためには、開口１１３の深さ、すなわちフォトレジスト１１２の膜厚を３〜４μｍとする必要がある。ところが、図２６において説明したように電気めっき法によって薄膜コイルを形成する際には、形成膜厚の均一性を確保するために硫酸銅等の電解メッキ液を攪拌する必要がある。このため、コイル状体１１４の巻線体間隔を狭くするためにフォトレジスト１１２の螺旋状パターンの線幅（壁厚）をあまりに薄くすると、電解めっき液の攪拌によってこの薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確に形成することができない。したがって、薄膜コイルの巻線体間隔を狭くすることは困難であった。
【００２９】
以上のことから、薄膜コイルの巻線体幅および巻線体間隔を現状よりも狭くすることは容易でなく、その結果、コイル束幅ＬＣを短くすることは困難であった。
【００３０】
また、記録ヘッドの上記ＮＬＴＳ特性を向上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くすることが考えられる。しかし、コイル束幅ＬＣを増加させることなく、かつ、薄膜コイルの巻線体幅および巻線体間隔を縮小することなく、コイル巻回数を多くするには、薄膜コイル層の層数を４層、５層と多くする必要がある。ところが、薄膜コイル層の層数を増加すると、上記したアペックスアングルθが大きくなってしまい、狭トラック幅（図３０における磁極幅Ｐ２Ｗの狭小化）を達成することができなくなる。アペックスアングルを所定の範囲に収めるためには、薄膜コイル層の層数は３層以下、好適には２層以下とするのが望ましいが、これではコイル巻回数を多くすることはできず、結局、ＮＬＴＳ特性を改善することが困難である。
【００３１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、コイル束幅の狭小化による磁路長の短縮化によって各種特性を改善することができる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む２つの磁性層と、これら２つの磁性層あるいはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイル部が、螺旋状に形成された第１の薄膜コイルと、第１の薄膜コイルの頂部と、第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面とを覆うように形成された絶縁膜と、絶縁膜により覆われた螺旋状溝の内部に、絶縁膜と直接接触するようにして埋め込まれると共に絶縁膜を介して第１の薄膜コイルの頂部の一部を覆うように形成され、第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するＴ字型の断面形状をなす第２の薄膜コイルとを含むようにしたものである。第２の薄膜コイルのうちの螺旋状溝を占める部分の幅は、第１の薄膜コイルの幅よりも小さくなるように構成されている。
【００３３】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面を覆うように形成された絶縁膜によって覆われた螺旋状溝の内部に、第２の薄膜コイルが、絶縁膜に直接接触するようにして埋め込まれて形成されている。ここで、「第２の薄膜コイルが、絶縁膜に直接接触するようにして埋め込まれて形成されている」とは、上記の絶縁膜によって覆われた螺旋状溝の内部空間が、他のものを介さずに直接、第２の薄膜コイルによって隙間なく埋め尽くされていることを意味する。さらに、第２の薄膜コイルのうちの螺旋状溝を占める部分の幅が、第１の薄膜コイルの幅よりも小さくなっている。このような構成により、第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルが絶縁膜を介して同一階層に属することとなり、薄膜コイル部における単一階層当たりの巻線体ピッチが縮小される。
【００３４】
さらに、第２の薄膜コイルが、絶縁膜を介して第１の薄膜コイルの頂部の一部をも覆うように形成され、第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するＴ字型の断面形状をなすように構成される。これにより、第２の薄膜コイルの断面積が大きく確保される。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上記の薄膜コイル部が、さらに、層間絶縁膜を介して第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルとは別層として形成されると共に第１の薄膜コイルの内周端と第２の薄膜コイルの外周端との間または第１の薄膜コイルの外周端と第２の薄膜コイルの内周端との間を接続する第３の薄膜コイルを含むようにしてもよい。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の薄膜コイルまたは第２の薄膜コイルが、薄い下地導電膜と、この下地導電膜をシード層として形成された導電めっき層とを含んで構成されるようにしてもよい。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁膜と第２の薄膜コイルとの間に、少なくともチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）のうちのいずれかを含んでなる下地層を有することが望ましい。
【００３７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２の薄膜コイルが、気相成長法により形成された気相成長導電層を含んで構成されるようにしてもよい。この場合において、気相成長法としては化学気相成長法を用いることができる。
【００３８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上記の絶縁膜が無機絶縁膜であるようにしてもよい。この場合において、無機絶縁膜としては酸化アルミニウムを用いることができる。
【００３９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上記の絶縁膜は、それが第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の少なくとも底面および側面を覆った状態においても螺旋状溝に対応した溝形状が残存し得る程度の膜厚を有するように形成されるのが好適である。
【００４０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル部が、層間絶縁膜を介して階層的に複数形成されるようにしてもよい。
【００４１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、さらに、読み出し用の磁気抵抗素子を有していてもよい。
【００４２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む２つの磁性層と、これら２つの磁性層あるいはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、薄膜コイル部の形成工程が、螺旋状の第１の薄膜コイルを形成する工程と、第１の薄膜コイルの頂部と、第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面とを覆うように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜により覆われた螺旋状溝の内部に絶縁膜と直接接触するように埋め込むと共に絶縁膜を介して第１の薄膜コイルの頂部をも覆い、かつ、第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するように導電層を形成する工程と、導電層上に螺旋状溝の真上を通ると共に第１の薄膜コイルの頂部の一部にも差しかかるようにレジストパターンを形成したのち、そのレジストパターンを用いて選択的に前記導電層をエッチングすることにより、螺旋状溝の内部を占めると共に第１の薄膜コイルの頂部の一部をも覆うＴ字型の断面形状をなす第２の薄膜コイルを形成する工程とを含むものである。第１の薄膜コイルを形成する工程では、第２の薄膜コイルのうちの螺旋状溝を占める部分の幅が第１の薄膜コイルの幅よりも小さくなるように螺旋状溝を形成する。
【００４３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の薄膜コイルが、絶縁膜を介して第１の薄膜コイルの頂部の一部をも覆い、第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するＴ字型の断面形状をなすように形成される。これにより、第２の薄膜コイルの断面積が大きく確保される。
【００４４】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、さらに、第１の薄膜コイルの内周端と第２の薄膜コイルの外周端との間または第１の薄膜コイルの外周端と第２の薄膜コイルの内周端との間を接続するための第３の薄膜コイルを、層間絶縁膜を介して、第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルとは別層として形成する工程を含むようにしてもよい。
【００４５】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の薄膜コイルの形成工程または第２の薄膜コイルの形成工程が、薄い下地導電膜を形成する工程と、下地導電膜をシード層として選択的にめっき成長を行わせる工程とを含むようにしてもよい。
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁膜と第２の薄膜コイルとの間に、少なくともチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）のうちのいずれかを含んでなる下地層を形成する工程をさらに含むことが望ましい。
【００４６】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の薄膜コイルの形成工程が、選択的に気相成長を行わせる工程を含むようにしてもよい。この場合において、選択的に気相成長を行わせる工程は、化学気相成長法により行われるようにすることが可能である。
【００４７】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁膜が無機絶縁膜であるようにしてもよい。この場合において、無機絶縁膜としては酸化アルミニウムを用いることができる。
【００４８】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁膜は、それが第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の少なくとも底面および側面を覆った状態においても螺旋状溝に対応した溝形状が残存し得る程度の膜厚を有するように形成されるのが好適である。
【００４９】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイル部が、層間絶縁膜を介して階層的に複数形成されるようにしてもよい。
【００５０】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、さらに、読み出し用の磁気抵抗素子を形成する工程を含むようにしてもよい。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００５２】
図１ないし図１２は本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの各製造工程を表すものである。これらの図において、それぞれ、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。なお、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下、併せて説明する。
【００５３】
本実施の形態に係る製造方法では、まず図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ；酸化アルミニウム）からなる絶縁層２を、約５μｍ程度の厚みで堆積する。次に、図２に示したように、絶縁層２上に、フォトレジスト膜（図示せず）をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を約２〜３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。
【００５４】
次に、図３に示したように、下部シールド層３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャップ膜４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を数十ｎｍ程度の厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。次に、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。なお、図示していないが、ＭＲ膜５に対する電気的な接続を行なうための一対のリード層も選択的に形成する。ここで、ＭＲ膜５が本発明における「読み出し用の磁気抵抗素子」に対応する。
【００５５】
次に、図４に示したように、シールドギャップ膜６上に、例えばめっき法により、パーマロイ等からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４μｍの厚みで選択的に形成する。ここで、下部磁極７が本発明における「２つの磁性層」の一方に対応する。
【００５６】
次に、下部磁極７上に、無機系絶縁膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を約１〜２μｍの厚みで形成した後、テーパエッチングを施して、選択的にパターニングして、エイペックスアングルおよびスロートハイトを規定するための絶縁層８を形成する。このときのエッチングは、ドライエッチング、特にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法により行う。この場合、例えばＢＣｌ3 （三塩化ボロン），Ｃｌ2 （塩素），ＣＦ4 （四フッ化炭素），またはＳＦ6 （六フッ化硫黄）等のガスを用いて、ＲＩＥ法により行うことが望ましい。なお、絶縁層８としては、シリコン酸化膜に限らず、アルミナ膜や、シリコンチッ化膜（ＳｉＮ）等の他の無機系絶縁膜を用いてもよい。さらには、絶縁層８としてフォトレジスト層を用いてもよい。
【００５７】
次に、図５に示したように、絶縁層８および下部磁極７を覆うようにして、例えばアルミナや窒化アルミニウム等の非磁性材料からなる記録ギャップ層９を約１００〜３００ｎｍの膜厚に形成したのち、下部磁極７と後述する上部磁極とを接続する領域（図５の右側領域）に開口２０を形成する。
【００５８】
次に、同図に示したように、例えばパーマロイ等から成る磁性層を３〜４μｍ程度の膜厚に形成したのち、これをエッチングによってパターニングして、上部磁極片１０ａ，１０ｂを形成する。このとき、上部磁極片１０ａは、エアベアリング面となる側から絶縁層８の一方のテーパ部を経て絶縁層８上のエアベアリング面側の一部にまで延びるように形成され、上部磁極片１０ｂは、上記した記録ギャップ層９の開口２０を覆うと共に絶縁層８の他方のテーパ部を経て絶縁層８上のエアベアリング面でない側の一部にまで延びるように形成される。これにより、上部磁極片１０ｂは、上記の記録ギャップ層９の開口２０を介して下部磁極７と接触し、磁気的に連結する。
【００５９】
次に、図５（ｂ）に示したように、上部磁極片１０ａをマスクとして記録ギャップ層９および下部磁極７を約０．５μｍ程度エッチングし、トリム構造を形成する。
【００６０】
次に、図６に示したように、例えば銅からなる厚さ約５０〜１００ｎｍ程度の薄いシード層１１をスパッタリング等により全面に形成したのち、従来と同様のフォトリソグラフを利用するプロセスによってシード層１１の上に選択的に銅を電気めっき法によって形成し、コイル状体１２を形成する。ここで、シード層１１が本発明における「下地導電膜」に対応し、コイル状体１２が本発明における「導電めっき層」に対応する。
【００６１】
具体的には、シード層１１の上に３．０〜４．０μｍの厚いフォトレジスト（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィ法により、フォトレジストにシード層１１まで達する螺旋状の開口（図示せず）を形成する。この開口の深さはフォトレジストの膜厚に等しく、開口の幅は１．５〜２．０μｍ程度である。開口により画成される螺旋状のフォトレジストパターンの幅は１．５〜２．５μｍ程度である。次に、このようなフォトレジストパターンをマスクとして、硫酸銅のめっき液を用いて銅の電気めっき処理を行い、フォトレジストの開口内に、第１のコイルを構成することとなるコイル状体１２を形成する。これにより、コイル状体１２の巻線体幅は１．５〜２．０μｍ程度となり、巻線体間隔は１．５〜２．５μｍ程度となる。また、コイル状体１２の膜厚は、フォトレジストの開口の深さよりも小さく、例えば２．５〜３．０μｍとする。
【００６２】
この場合、選択的電気めっきに用いるフォトレジストのパターン幅（ここでは、１．５〜２．５μｍ）は、その膜厚（ここでは３．０〜４．０μｍ）の約２分の１と比較的大きくて形状が安定しているので、電気めっき処理においてめっき液を攪拌してもフォトレジストが倒壊するおそれは非常に少ない。
【００６３】
次に、選択的電気めっきに用いた上記フォトレジストを除去したのち、図７に示したように、例えばアルゴンイオンビームＩＢによるイオンミリングを施して、コイル状体１２の巻線体間（凹部）の底部のシード層１１を除去し、コイル状体１２の巻線体間を相互に分離して、第１のコイル１２ａを形成する。このイオンミリングは、例えば５度〜１０度の角度を以て行なう。このようにイオンミリングを垂直に近い角度で行うと、シード層１１を構成する材料がイオンビームの衝撃によって飛散して再付着するおそれがあるが、本実施の形態では上記したようにコイル状体１２の巻線体間隔は１．５〜２．５μｍ程度と比較的大きいので、飛散したシード層構成材料の再付着によって、巻線体間がショートするおそれは少なく、完全に分離することが可能である。また、コイル状体１２の巻線体間隔が大きいことから、イオンミリングの角度を上記した角度（５度〜１０度）以上にしても、コイル状体１２の影の部分にまでイオンが十分に照射されるため、シード層１１が部分的に残ってしまうということがない。ここで、第１のコイル１２ａが本発明における「第１の薄膜コイル」に対応する。
【００６４】
次に、図８に示したように、例えばアルミナからなる厚さ３００〜５００ｎｍ程度の絶縁膜１３を全面に形成したのち、全面の凹凸形状を覆うようにして、例えば銅からなる厚さ３．０〜４．０ｎｍ程度の導電層１４を形成する。但し、絶縁膜１３は、例えばシリコン酸化膜や窒化アルミナ膜等を用いて形成してもよい。このとき、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝の内部が導電層１４によって完全に埋め尽くされる。この導電層１４の形成は、気相成長法、特にＭＯ−ＣＶＤ(Metal Organic-CVD) 法により行うことが好ましい。この方法は、例えば、銅−ヘキサフルオエースティレーストネート(copper hexafluoacetylacetonate;hfac) およびトリメチルビニルシラン(trimethylvinylsilane;tmvs) を用いて、約１５０〜２００°Ｃの温度にて行う。ここで、絶縁膜１３が本発明における「絶縁膜」に対応し、導電層１４が本発明における「気相成長導電層」に対応する。
【００６５】
但し、ＭＯ−ＣＶＤ法に代えて、導電層１４をスパッタリング等の気相成長法、あるいは電気めっき処理法等によって形成してもよい。この場合には、例えば銅からなる厚さ５０〜１００ｎｍ程度のシード層をスパッタリングにより全面に形成したのち、これをシードとして硫酸銅等のめっき液中で銅層を成長させるようにする。
【００６６】
なお、導電層１４の剥離の防止とその均一な成膜を可能とするために、導電層１４の形成前に予め、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）または窒化タンタル（ＴａＮ）等からなる下地層をＣＶＤまたはスパッタリングにより形成するようにしてもよい。
【００６７】
次に、図９に示したように、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により、全面を所定量だけ研磨する。このときの研磨量は、図示のように第１のコイル１２ａの上部の導電層１４が僅かに残ると共に上部磁極片１０ａおよび上部磁極片１０ｂの一部が露出する程度とする。
【００６８】
次に、同図に示したように、第１のコイル１２ａが形成された領域における導電層１４の上に、フォトリソグラフィ法により、螺旋状のフォトレジストパターン１５を形成する。このフォトレジストパターン１５は、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝２２ａの真上を通ると共に螺旋状陵部（巻線体）２２ｂ上の一部にまで差しかかるように形成する。
【００６９】
次に、図１０に示したように、フォトレジストパターン１５をマスクとして、イオンミリングまたはスパッタエッチングによって導電層１４を絶縁膜１３が露出するまでエッチングし、第２のコイル１４ａを形成する。その後、フォトレジストパターン１５を除去する。これにより、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝の内部から螺旋状陵部（巻線体）上にかけて、Ｔ字型の断面形状を有する第２のコイル１４ａが形成される。このように、Ｔ字型の断面形状とすることにより、第２のコイル１４ａの断面積を大きく確保することができる。ここで、第２のコイル１４ａが本発明における「第２の薄膜コイル」に対応する。
【００７０】
次に、図１１に示したように、フォトリソグラフィ法により、主として第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａが形成された領域の上に選択的にフォトレジスト層１６を形成する。次に、同図に示したように、例えばめっき法により、パーマロイ等からなる厚さ３〜５μｍ程度の上部磁極１７を選択的に形成する。この上部磁極１７は、絶縁層８の前端部領域において上部磁極片１０ａと接触して磁気的に連結すると共に、絶縁層８の後端部領域において上部磁極片１０ｂと接触して磁気的に連結する。こうして、上部磁極片１０ａ、上部磁極１７、上部磁極片１０ｂおよび下部磁極７によって磁路が形成される。ここで、上部磁極片１０ａが本発明における「２つの磁性層」のうちの他方に対応し、上部磁極１７が本発明における「他の磁性層」に対応する。
【００７１】
次に、図１２に示したように、全面を覆うようにして、例えばアルミナからなるオーバーコート層１８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、複合型薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７２】
図１３は、本実施の形態に係る製造方法によって製造される複合型薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、主要な層のみを図示し、オーバーコート層１８やその他の層の図示を省略している。この図において、符号ＴＨは、絶縁層８のエアベアリング面側の端縁によって規定されるスロートハイトを表している。下部磁極７と上部磁極１７との間は、記録ギャップ層９（本図では図示せず）に形成された開口２０（図５参照）を介して連結されている。
【００７３】
図１４は第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａの巻回方向および接続の態様を線図的に簡略化して表すものである。なお、実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、これらのコイル１２ａ，１４ａは、下部磁極７と上部磁極１７とを連結する部分（図１３に示した開口２０）を囲むように形成されているが、その部分の図示を省略している。この図に示したように、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａは、互いに組み合わされるようにして形成されている。各コイルの巻線体の巻回半径が減少する方向を基準としたときの各コイルの巻回方向は必ず同一のものとなるが、ここでは、この巻回方向を右巻きと呼ぶことにする。
【００７４】
図１４において、第１のコイル１２ａの外側端に形成した接点パッドＰ１は、図示しないリードによって第１の外部端子（図示せず）に接続されている。この第１のコイル１２ａの内側端に形成した接点パッドＰ２は、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａとは別の階層に選択的に形成された直線状の中継リード２１によって、第２のコイル１４ａの外側端に形成した接点パッドＰ３に接続されている。この第２のコイル１４ａの内側端に形成した接点パッドＰ４は、図示しない他のリードによって第２の外部端子（図示せず）に接続されている。すなわち、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａは、中継リード２１を介して、共に右巻きとなるように直列に接続されている。そして、上記した第１および第２の外部端子間に電圧を印加することにより、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａに同じ方向に電流を流すことができる。これにより、上部磁極片１０ａ、上部磁極１７、上部磁極片１０ｂおよび下部磁極７からなる磁路中に磁束が発生し、記録ギャップ層９を挟んで対向する上部磁極片１０ａと下部磁極７との間に発生する磁束によって、図示しない記録媒体への磁気記録が行われる。
【００７５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋溝状の凹部内に、第２のコイル１４ａを絶縁膜１３と直接接触するように埋め込むようにしたので、第１のコイル１２ａの各形成工程における加工精度を特段に高めなくても、薄膜コイルの巻線体ピッチを縮小することが可能となる。但し、ここでいう「薄膜コイルの巻線体ピッチ」とは、単一の階層に着目した場合における巻線体ピッチ、すなわち、単層当たりの巻線体ピッチを意味するものとする。
【００７６】
すなわち、従来においては、図３０に示したように、薄膜コイルの巻回数を多くするために、第１層目のコイル１１４ａと第２層目のコイル１１７ａとをそれぞれ別の階層として形成しているが、これを単一の階層として形成しようとすると、第２層目のコイル１１７ａを第１層目のコイル１１４ａの横方向に並べる形となるので、コイル束幅ＬＣは相当長くなり、この結果、磁路長ＬＭもまた、長くなってしまう。この場合、上記した単層当たりの巻線体ピッチは、図３０に示したように、第１層目のコイル１１４ａまたは第２層目のコイル１１７ａ自体の形成ピッチであるＣＰ１である。
【００７７】
これに対し、本実施の形態では、図１２に示したように、第２のコイル１４ａが、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝の内部に埋め込まれた形で形成されているので、上記した「薄膜コイルの巻線体ピッチ」、すなわち、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａの双方を含めた薄膜コイルの単層当たりの巻線体ピッチＣＰ２は、従来（図３０）の単層当たりの巻線体ピッチＣＰ１の約２分の１となる。このため、薄膜コイルの階層数を増やすことなく、かつ、コイル束幅ＬＣを増やすことなく、巻線体の巻回数を増やすことが可能となる。言い換えると、薄膜コイルの階層数および巻線体の巻回数が同じという条件の下では、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａ自体の各巻線体間隔を縮小しなくてもコイル束幅ＬＣをより縮小することが可能である。このコイル束幅ＬＣの縮小は、磁路長ＬＭを縮小できることを意味し、この結果、記録ヘッドの磁束立ち上がり時間、非線形トランジションシフト（ＮＬＴＳ）特性および重ね書き特性等を改善することが可能である。また、磁路長ＬＭの縮小によって薄膜磁気ヘッド自体のサイズをコンパクト化することも可能である。また、巻線体の巻回数およびコイル束幅ＬＣが同じという条件の下では、薄膜コイルの階層数をより少なくすることができるので、エイペックスアングルθをより小さくすことができる。このため、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することが可能である。
【００７８】
また、本実施の形態によれば、第２のコイル１４ａが、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝の内部のみならず、螺旋状陵部（巻線体）上の一部にまで差しかかるようにして、その断面形状をＴ字型としたので、断面積を大きくすることができ、第２のコイル１４ａの電気抵抗、ひいては第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａからなる薄膜コイル全体としての電気抵抗をさらに小さくすることが可能である。
【００７９】
また、本実施の形態では、図６で説明したように、第１のコイル１２ａの巻線体間隔を大きくしてもよいので、選択的めっきに使用するフォトレジストパターンの加工が容易であり、しかも、フォトレジストパターンにおけるレジスト高さに対するレジスト幅の比率を大きくできるので、電気めっき液中でフォトレジストパターンが倒壊するおそれが少ない。さらに、第１のコイル１２ａの巻線体間隔を大きくできることから、電気めっき処理による成膜後にイオンミリングによって巻線体間のシード層を除去する際に、イオンビームの照射角度を比較大きくすることができるので、巻線体の陰となって除去できないシード層部分が生ずるというおそれが少なく、しかも、イオンミリングにより飛散したシード層材料の再付着が生じにくい。このため、第１のコイル１２ａの巻線体間におけるショートの発生を回避することができる。
【００８０】
また、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、図３０に示したように、フォトレジスト１１０によってスロートハイトＴＨが規定されているが、このフォトレジスト１１０は、図２８に示したようにシード層１１１をエッチングにより除去する際にエッチングされてその前端縁（図２８では左端）が後退してしまい、完成した薄膜磁気ヘッドにおいて正確に設計値通りのスロートハイトを得ることができなかった。
【００８１】
これに対して、本実施の形態では、スロートハイトを規定する絶縁層８を無機系絶縁膜で形成したので、図７に示したシード層１１のエッチングの際における絶縁層８の端縁の位置変動（パターンシフト）が生じることがない。そのため、スロートハイトの正確な制御が可能になる。さらに、ＭＲハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な制御も可能となる。
【００８２】
このようにして、本実施の形態によれば、磁極幅、スロートハイト、ＭＲハイトおよびエイペックスアングルが正確に制御され、かつ狭トラック化を実現できる高性能の薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００８３】
なお、本実施の形態では、図９に示したように、ＣＭＰ法による導電層１４等の研磨の際に第１のコイル１２ａの上方に導電層１４を僅かに残しておき、その後、フォトリソグラフィ法を用いて選択的エッチングを行うことにより、第２のコイル１４ａが、絶縁膜１３によって覆われた第１のコイル１２ａの螺旋状溝の内部のみならず、螺旋状陵部（巻線体）上の一部にまで差しかかるようにして、その断面形状をＴ字型としたが、このほか、例えば図１５および図１６に示したように形成してもよい。ここで、図１５は図８に示した工程に続く工程の変形例を表し、図１６は図１２（ａ）に対応する他の工程を表すものである。この変形例に係る形成方法では、図１５に示したように、ＣＭＰ法による研磨の際に第１のコイル１２ａの上方に導電層１４を残さないようにする。すなわち、ＣＭＰ法による研磨工程のみによって、第１のコイル１２ａの巻線体間を分離するのである。そして、その後、図１６に示したように、フォトレジスト層１６および上部磁極１７を順次選択的に形成し、さらに、オーバーコート層１８を全面に形成する。この方法によれば、上記の図１２において行ったフォトレジストパターン１５の形成工程およびこのフォトレジストパターン１５をマスクとした導電層１４のエッチング工程が不要となるので、製造工程をより簡略化することができる。
【００８４】
また、上記実施の形態では、図１２に示したように、薄膜コイルとしては第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａのみを形成すると共に、これらのコイル間を、図１４に示したような、別の階層に選択的に形成された直線状の中継リード２１によって接続するようにしたが、この中継リード２１に代えて、第３のコイルを別の階層に形成し、この第３のコイルによって第１のコイル１２ａと第２のコイル１４ａとの間を直列に接続するようにしてもよい。すなわち、図１７に示したように、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａを覆うようにしてフォトレジスト層１６を形成したのち、その上にシード層２３を形成し、この上に選択的電気めっき法によってコイル状体を形成する。そして、このコイル状体の巻線体間におけるシード層２３を除去して、第３のコイル２４を形成する。これ以降の工程は上記実施の形態の場合と同様であり、第３のコイル２４を覆うようにしてフォトレジスト層２５を選択的に形成したのち、このフォトレジスト層２５の上に上部磁極１７を選択的に形成し、さらに、オーバーコート層１８を全面に形成する。ここで、第３のコイル２４が本発明における「第３の薄膜コイル」に対応する。
【００８５】
本変形例では、図１８に示したように、第１のコイル１２ａの内側端の接点パッドＰ２と第３のコイル２４の内側端の接点パッドＰ２′との間を接続すると共に、この第３のコイル２４の外側端の接点パッドＰ３′と第２のコイル１４ａの外側端の接点パッドＰ３の間を接続する。第１のコイル１２ａの外側端に形成した接点パッドＰ１および第２のコイル１４ａの内側端に形成した接点パッドＰ４は、それぞれ、図示しない第１および第２の外部端子に接続する。なお、図１８（ａ）は第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａの巻回方向および接続の態様を、同図（ｂ）は第３のコイル２４の巻回方向の態様を、それぞれ線図的に簡略化して表すものである。これらの図に示したように、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａは、中継リードとしての役割をも有する第３のコイル２４によって直列に接続され、しかも、その巻き方向はすべて右巻きとなる。このため、上記した第１および第２の外部端子間に電圧を印加することにより、第１のコイル１２ａ、第３のコイル２４および第２のコイル１４ａに同じ巻き方向に電流を流すことができる。より具体的には、Ｐ１−Ｐ２−Ｐ２′−Ｐ３′−Ｐ３−Ｐ４という順序、あるいはその逆の順序で電流が流れる。したがって、コイル束幅ＬＣが等しいという条件の下では、上記実施の形態の場合よりも薄膜コイルの巻回数をさらに増加させることができる。逆に、薄膜コイルの巻回数が等しいという条件の下では、コイル束幅ＬＣをさらに短縮することが可能である。なお、図１８に示した例では、第１のコイル１２ａの内側端の接点パッドＰ２と第２のコイル１４ａの外側端の接点パッドＰ３との間を第３のコイルによって接続するようにしたが、そのほか、第１のコイル１２ａの外側端の接点パッドＰ１と第２のコイル１４ａの内側端の接点パッドＰ４との間を第３のコイル２４によって接続するようにしてもよい。この場合には、接点パッドＰ２，Ｐ３をそれぞれ上記第１および第２の外部端子に接続する。
【００８６】
また、例えば図１９に示したように、第３のコイル２４に加えて、さらに、第４のコイルを形成するようにしてもよい。この場合の第４のコイルの形成工程は、第２のコイル１４ａの形成の場合と同様である。すなわち、第３のコイル２４を覆うようにして絶縁層２７を形成したのち、その上にＭＯ−ＣＶＤ等によって導電層を形成し、これをフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングして、絶縁層２７によって覆われた第３のコイル２４の螺旋状溝内部に埋め込まれた第４のコイル２８を形成する。この場合も、第２のコイル１４ａと同様に、第４のコイル２８が螺旋状陵部（巻線体）上にまで差しかかるように形成し、その断面がＴ字型となるようにしてもよい。この図１９において、フォトレジスト層１６が本発明における「層間絶縁膜」に対応する。
【００８７】
本変形例では、図２０に示したように、第２のコイル１４ａの内側端の接点パッドＰ４を第４のコイル２８の内側端の接点パッドＰ４′に接続すると共に、この第４のコイル２８の外側端の接点パッドＰ５を図示しない第２の外部端子に接続する。その他の接続関係は図１８の場合と同様である。なお、図２０（ａ）は第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａの巻回方向および接続の態様を、同図（ｂ）は第３のコイル２４および第４のコイル２８の巻回方向および接続の態様を、それぞれ線図的に簡略化して表すものである。これらの図に示したように、第１のコイル１２ａ、第３のコイル２４、第２のコイル１４ａおよび第４のコイル２８は、この順で直列に接続され、しかも、その巻き方向はすべて右巻きとなる。このため、上記した第１および第２の外部端子間に電圧を印加することにより、これらのコイルに同じ巻き方向に電流を流すことができる。より具体的には、Ｐ１−Ｐ２−Ｐ２′−Ｐ３′−Ｐ３−Ｐ４−Ｐ４′−Ｐ５という順序、あるいはその逆の順序で電流が流れる。したがって、コイル束幅ＬＣが等しいという条件の下では、上記変形例（図１７，図１８）の場合よりも薄膜コイルの巻回数をさらに増加させることができる。逆に、薄膜コイルの巻回数が等しいという条件の下では、コイル束幅ＬＣをさらに短縮することが可能である。
【００８８】
図２１は、従来の薄膜磁気ヘッドおよび本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を比較して表すものである。この図の（ａ）は、図３０に示した従来の薄膜磁気ヘッドの平面構成を表し、（ｂ）は図１９に示した本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構成を表す。これらの薄膜ヘッドは、いずれも、図３０および図１９に示したように２階層構造として形成されたものであり、また、各コイルの巻線体の間隔および巻回数はほぼ等しく形成されているが、２階層分のすべてのコイルを考慮した場合における薄膜コイルの巻線体ピッチＣＰは、本発明の実施の形態では従来の２分の１以下に縮小されている。このため、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁路長ＬＭ２（図２１（ｂ））は、従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長ＬＭ１（同図（ａ））の約３分の２程度に縮小されており、これにより、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、従来に比べて、磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳや重ね書き特性等の諸特性が一段と向上している。
【００８９】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記の図１９および図２０に示した変形例では、第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａを同一階層に形成し、第３のコイル２４および第４のコイル２８をその上の階層に形成して、２階層構造としたが、より多くの階層構造としてもよい。この場合、全コイル数を偶数として形成するのがより効率的であり、好適である。また、図２０に示した例では、第１階層と第２階層との間を絶縁分離する層間絶縁膜を有機膜であるフォトレジスト層１６としたが、すべての階層間の絶縁分離を例えばシリコン酸化膜等の無機絶縁層によって行うようにしてもよい。
【００９０】
また、上記各実施の形態およびその変形例では、基板１および絶縁層２からなる基体の表面を平坦に形成するものにしたが、このほか、予め基板１または絶縁層２に凹部を形成してから下部シールド層３ないし記録ギャップ層９までの各層を積層し、この凹部領域内に第１のコイル１２ａおよび第２のコイル１４ａ等の薄膜コイルを順次形成するようにしてもよい。この場合には、エイペックスアングルθをさらに小さくすることが可能である。
【００９１】
また、上記実施の形態およびその変形例では、基板１および絶縁層２からなる基体の側に下部磁極７を形成し、記録ギャップ層９を介して上部磁極片１０ａを形成する構成としたが、これとは逆に、基体の側に上記実施の形態における上部磁極と同様の機能を有する磁性層を形成し、記録ギャップ層９を介して上記実施の形態における下部磁極と同様の機能を有する磁性層を形成するようにしてもよい。具体的には、図１２（ｂ）に示したトリム構造において下部磁極７と上部磁極片１０ａとを逆転した構造としてもよい。そのためには、例えば、基体側に磁極幅Ｐ２Ｗに相当する溝を形成して、この溝に、図１２（ｂ）の上部磁極片１０ａに相当する形状および機能をもつ下部磁極片を埋め込むようにして形成すると共に、その上に記録ギャップ層９を介して、図１２（ｂ）の下部磁極７に相当する形状および機能をもつ上部磁極を形成するようにすればよい。すなわち、主として下部磁極によって磁極幅Ｐ２Ｗを規定すると共に、上部磁極の一部および記録ギャップ層を磁極幅がＰ２Ｗとなるように形成するのである。
【００９２】
また、上記実施の形態およびその変形例では、例えば図１９に示したように、上側の磁性層をなす上部磁極片１０ａと上部磁極１７とが基体面とほぼ平行な平面を境界面として接触して連結しているが、このほか、例えば図２２に示したように、上部磁極片１０ａ′の上面のみならずその端面をも上部磁極１７′と接触させて、上部磁極１７′が上部磁極片１０ａ′をくわえ込むようにしてもよい。このような構成の場合には、上部磁極１７′と上部磁極片１０ａ′との接触面積をより大きくすることができ、したがって、この接触部分での磁束の飽和を抑制することができる。このような効果は、特に、ポールチップを構成する上部磁極片１０ａの幅（すなわち、磁極幅Ｐ２Ｗ）を例えば１μｍ以下というように小さくした場合にきわめて顕著となり、オーバーライト特性を改善することができる。なお、この図２２において、図１９に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付している。この図２２に示した例では、フォトレジスト層１６の形成後に記録ギャップ層９を形成し、記録ギャップ層９が第１階層の薄膜コイルと第２階層の薄膜コイルとの間に配置される構造としている。
【００９３】
また、上記実施の形態およびその変形例では、例えば図１９に示したように、記録ギャップ層９を介して下部磁極７と対向する上側の磁極が上部磁極１７と上部磁極片１０ａとに分割形成されたものである場合について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、上部磁極全体を一体に形成するようにしてもよい。この場合には、例えば図２３に示したように、フォトレジスト層２５を形成したのち、上部磁極１７および上部磁極片１０ａに代わる一体の上部磁極３７を選択的に形成すればよい。なお、この図２３において、図１９に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。この図２３に示した例では、薄膜コイル部の下部の絶縁層として、図１９における無機材料からなる絶縁層８に代えてフォトレジスト層３０を形成し、また、記録ギャップ層９をフォトレジスト層３０の形成前に形成した構造としている。
【００９４】
また、上記の実施の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層の順序を入れ換えた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１３ないし請求項２４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の薄膜コイルの巻線体間領域である螺旋状溝の底面および側面を覆うように形成された絶縁膜によって覆われた螺旋状溝の内部に、第２の薄膜コイルが、絶縁膜に直接接触するようにして埋め込まれて形成されるようにしたので、第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルが絶縁膜を介して同一階層に属することとなり、第１の薄膜コイルの形成工程における加工精度を特段に高めなくても、薄膜コイル部における単一階層当たりの巻線体ピッチを縮小することが可能となる。このため、薄膜コイル部の階層数や薄膜コイル部の全束幅を増やすことなく、コイル巻回数を増やすことが可能となる。換言すると、薄膜コイル部の階層数および巻線体の巻回数が同じという条件の下では、薄膜コイル部の全束幅をより縮小でき、この結果、２つの磁性層により形成される磁気回路の長さである磁路長を縮小可能である。したがって、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける諸特性を向上させることができると共に、薄膜磁気ヘッド自体のサイズのコンパクト化が可能になるという効果を奏する。
さらに、第２の薄膜コイルが、絶縁膜を介して第１の薄膜コイルの頂部の一部をも覆うように形成され、第１の薄膜コイルよりも大きな厚みを有するＴ字型の断面形状をなすようにしたので、断面積を大きくすることができ、第２の薄膜コイルの電気抵抗、ひいては第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルからなる薄膜コイル部全体としての電気抵抗をさらに小さくすることが可能である。
【００９６】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、絶縁膜と第２の薄膜コイルとの間に、少なくともチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）のうちのいずれかを含んでなる下地層を設けるようにしたので、第２の薄膜コイルの剥離を防止することができるうえ、第２の薄膜コイルの均質化を図ることができる。
【００９７】
また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイル部が、さらに、第１の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルとは別層として絶縁層を介して形成され第１の薄膜コイルの内周端と第２の薄膜コイルの外周端との間または第１の薄膜コイルの外周端と第２の薄膜コイルの内周端との間を接続する第３の薄膜コイルを含むようにしたので、第１の薄膜コイル、第３の薄膜コイルおよび第２の薄膜コイルの順でこれらの薄膜コイルが直列に接続されると共にすべての薄膜コイルの巻回方向が同一となり、薄膜コイル部としての全巻回数をさらに増加させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１４】図１３に示した薄膜磁気ヘッドの第１のコイルおよび第２のコイルの平面構造および接続関係を簡略化して表す平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態の一変形例に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を表す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態の一変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面を表す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態の他の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面を表す断面図である。
【図１８】図１７に示した薄膜磁気ヘッドの第１のコイルないし第３のコイルの平面構造および接続関係を簡略化して表す平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面を表す断面図である。
【図２０】図１９に示した薄膜磁気ヘッドの第１のコイルないし第４のコイルの平面構造および接続関係を簡略化して表す平面図である。
【図２１】図３０に示した従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長と、本発明の一実施の形態に係る図１９に示した薄膜磁気ヘッドの磁路長とを比較して説明するための各薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面を表す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面を表す断面図である。
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図である。
【図３１】図３０に示した薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８，１３，２７…絶縁層、９…記録ギャップ層、１０ａ，１０ａ′…上部磁極片、１０ｂ，１０ｂ′…上部磁極片、１１，２３…シード層、１２…コイル状体、１２ａ…第１のコイル、１４…導電層、１４ａ…第２のコイル、１５…フォトレジストパターン、１６，２５，３０…フォトレジスト層、１７，１７′，３７…上部磁極、１８…オーバーコート層、２１…中継リード、２４…第３のコイル、２８…第４のコイル、Ｐ１〜Ｐ５，Ｐ１′〜Ｐ４′…接点パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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