(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の端子が接触すべきコンタクト電極と第１の突き当て部分とを有するコンタクタベースと、
半導体素子を保持するための保持部分と、
該第１の突き当て部分と当接可能な第２の突き当て部分とを有するカバーと、
該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接した状態で該カバー及び該保持部分をコンタクタベースにロックするラッチ機構とを備え、
該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該弾性体は、ばねの圧縮がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねであると共に、前記第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接した状態で圧縮状態にあって、コンタクト電極と半導体素子の端子との接触を確実なものとすることを特徴とする半導体素子のコンタクタ。
【請求項２】
該ラッチ機構は、該カバー及び該コンタクタベースの一方に設けられ、該カバーをコンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該カバー及び該コンタクタベースの他方に設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項３】
該ラッチ部材はその端部に設けられた爪を含み、該ラッチ部材が弾性変形する間に該爪が該係止部材に係合することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項４】
該係止部材は間隔をあけて配置された２つの爪からなり、該ラッチ部材の爪は該係止部材の２つの爪の間を通る部分と該２つの爪に係合する部分とを含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項５】
該コンタクト電極は弾性を有し、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされるときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、その後で該コンタクト電極が弾性変形しつつ該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接触した状態に維持されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項６】
該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされるときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、その後で該弾性体が弾性変形しつつ該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接触した状態に維持されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項７】
該コンタクト電極は該コンタクタベースの上に設けられた絶縁性の薄膜の上に設けられ、さらに該コンタクト電極に接続された配線が該絶縁性の薄膜の上に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項８】
該第１の突き当て部分は該コンタクト電極と該配線の外端部に設けられる外部端子との間に位置することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項９】
該保持部分は半導体素子を該保持部分に保持させるための保持手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１０】
該保持手段は該保持部分に設けられた真空導入孔を含み、該真空導入孔を介して導入された真空により半導体素子を該保持部分に保持することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１１】
該保持部分は、真空導入孔を有する板からなり、該カバーが吸着ヘッドを通すヘッド導入孔を有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１２】
該ラッチ機構は、該カバーに設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚部分が該係止部材に係合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１３】
該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該保持部分は中央部分と両脚部分とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部分が該カバーに保持され、該中央部分が半導体素子を保持することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１４】
該ラッチ機構は、該カバーに設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚部分が該係止部材に係合され、
該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該保持部分は中央部分と両脚部分とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部分が該カバーに保持され、該中央部分が半導体素子を保持することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１５】
該保持部分の脚部分は該カバーに設けられたガイド穴に挿入され、異なった大きさの部分を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１６】
該保持部分は少なくとも部分的に摩擦係数の高い材料で作られることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１７】
該第１及び第２の突き当て部分の少なくとも一方は表面を粗くする表面処理を施されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１８】
該保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアは、摩擦係数の高い材料及び熱伝導性の高い材料の１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【請求項１９】
該ラッチ機構が、カバーとコンタクタベースの位置を拘束することのないものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子のコンタクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩやＶＬＳＩ等の半導体素子の高集積化、高密度化の勢いは著しく、半導体素子の端子も微細化される。半導体素子を製造したら、半導体素子を試験する。半導体素子の試験装置は、半導体素子を取り付けるソケットを含み、ソケットに設けた電極に通電しながら半導体素子の試験を行う。
【０００３】
半導体素子が直接にソケットに取付けられない場合には、半導体素子をコンタクタ（又はキャリヤ）に取り付け、半導体素子をコンタクタごとソケットに取り付ける。しかし、半導体素子の電極が微細化するにつれて、コンタクタの供給は大変困難なものとなってきており、半導体素子の開発と同時に適合するコンタクタを準備しておかなければならなくなってきている。
【０００４】
パッケージングされていない状態の半導体素子（ベアチップ）を機器の基板に実装する方向にある。例えば、携帯機器（携帯電話、携帯端末、テレビ一体型ビデオ等）は小型、軽量化のためにベアチップを使用する場合が多い。また、高速性能の観点からも、複数の半導体素子を組み込んだ半導体素子パッケージであるＭＣＭ（マルチチップモジュール）化が進んでいる。このため、パッケージングされていない状態の半導体素子、すなわちベアチップやウエハの状態の半導体素子を試験すること（ＫＧＤ  Known Good Die）が避けて通れない。
【０００５】
しかしながら、パッケージングされていない状態の半導体素子の端子はパッケージングされた状態の半導体素子の端子と比べて著しく小さく、狭いピッチであるため、従来のパッケージングされた状態の半導体素子のために開発されたソケットをそのまま使用することができない。また、パッケージングされた半導体素子デバイスも、ＣＳＰ（Chip Size Package）等は今後さらに端子の狭いピッチ化が進むことが予想され、同様な課題を有している。
【０００６】
コンタクタは、半導体素子の端子が接触すべきコンタクト電極を有するコンタクタベースと、コンタクタベースに配置された半導体素子をコンタクタベースに向かって押圧するためのカバーとを備える。狭いピッチのコンタクト電極の配置自体が上記したように難しいが、コンタクト電極が仮に問題なく配置されたとしても、半導体素子の端子をコンタクタベースのコンタクト電極に正確に位置合わせするのが難しく、なおかつ、一旦位置合わせしても、試験を行う間に受ける外部からの振動や衝撃に対して両者の位置関係を維持するのは非常に難しい。
【０００７】
図３０は従来の半導体素子のコンタクタの一例を示している。図３０において、従来の半導体素子のコンタクタは、コンタクタベース１とカバー５とを備える。コンタクタベース１はコンタクト電極２とガイド壁３とを有し、半導体素子４の端子がコンタクト電極２と接触するようになっている。カバー５は半導体素子４をコンタクタベース１に向かって矢印で示されるように押しつけ、よって半導体素子４の端子が大きな接触圧で確実にコンタクト電極２と接触するようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ガイド壁３は半導体素子４の外形に嵌合するような形状を有し、半導体素子４をガイド壁３に沿って挿入すれば、半導体素子４の端子がコンタクト電極２と位置合わせされるようになっている。しかしながら、上記したように、半導体素子４の端子の微細化が進んでいる状況では、半導体素子４の外形を利用しての機械的な位置合わせでは、半導体素子４の端子を精度よく位置合わせすることが難しい。例えば、ベアチップやＫＧＤ用のコンタクタでも、この方法を採用している事例はあるが、下記のような課題を指摘されている。
【０００９】
（ａ）半導体素子４の外形を精度よくカットする必要があるため、半導体素子４のダイシング工程で通常の半導体素子チップよりも装置、ツールの厳しい管理が必要であり、ダイシングコストが高くなる。具体的には、ダイサーの刃であるブレードの磨耗管理が必要になる。あるいは、ブレードが少しでも磨耗すると、まだカットは可能であるにもかかわらずブレードを交換しなければならないため、高コストになる。
【００１０】
（ｂ）ガイド壁と半導体素子の外形の間には必ずガタ（クリアランス）が存在するため、半導体素子４を支持したコンタクタベース１にカバー５を装着する際に、あるいはカバー５を外す際に、カバー５から半導体素子４に少しでも横方向の力がかかると、半導体素子４がコンタクタベース１に対してずれて、端子の接触位置がずれるため、コンタクト傷（圧痕）が大きくなり、試験後の実装に不利になる可能性がある。
【００１１】
そこで、例えば図３１において、半導体素子４とコンタクタベース１の両方の位置を画像で認識し、両者の位置を補正して位置合わせして、この状態で真空導入孔６から真空を導入しながら両者の位置を保持しながら、カバー５を装着して半導体素子４をコンタクタベース１に押圧保持する方法がある。しかしながら、この方法も次の問題がある。
【００１２】
（ａ）半導体素子４とコンタクタベース１を位置合わせしてカバー５を装着するときに、カバー５装着の衝撃で半導体素子４の位置がずれてしまう。特に、カバー５を矢印で示されるように枢動運動して取付ける場合には、この傾向は著しい。また、カバー５を装着する前に真空導入孔６に真空が導入して半導体素子４をコンタクタベース１に保持させておいても、半導体素子４とコンタクタベース１との間が密閉空間にならないので真空レベルが上がらない。すなわち、コンタクト電極２が凸部となっていて、半導体素子４とコンタクタベース１との間に隙間ができるため、真空圧があまり上がらない。そのため、半導体素子４をコンタクタベース１に保持するための保持力は大きくならない。そこで、カバー５をコンタクタベース１に向かって押圧するとき、大きな横方向の力が半導体素子４にかかると、半導体素子４の位置がずれやすい。
【００１３】
（ｂ）また、最終的には、半導体素子４はカバー５による押圧力によってコンタクタベース１に保持される。カバー５が半導体素子４を押しつける力は、半導体素子４の端子とコンタクト電極２との接触圧と等しく、あまり大きくすることはできない。そこで、コンタクタにこの押圧力よりも大きい力が加わると、半導体素子４の位置ずれを起こす可能性がある。
【００１４】
本発明の目的は、半導体素子をコンタクタに確実に保持することができ、且つコンタクタのカバーをコンタクタベースに押圧する力が半導体素子の端子の接触圧とは独立的に定められるようにした半導体素子のコンタクタを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体素子のコンタクタは、半導体素子の端子が接触すべきコンタクト電極と第１の突き当て部分とを有するコンタクタベースと、半導体素子を保持するための保持部分と、該第１の突き当て部分と当接可能な第２の突き当て部分とを有するカバーと、該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接した状態で該カバー及び該保持部分をコンタクタベースにロックするラッチ機構とを備え、該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該弾性体は、ばねの圧縮がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねであると共に、前記第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接した状態で圧縮状態にあって、コンタクト電極と半導体素子の端子との接触を確実なものとすることを特徴とする。
【００１６】
この構成においては、半導体素子をカバーの保持部分に保持させ、半導体素子の端子がコンタクト電極に対応した位置に位置するように、半導体素子をコンタクタベースに対して位置合わせする。それから、カバーをコンタクタベースへ向かって動かす。最初に、半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、カバーを押し続けると、半導体素子の端子がコンタクト電極に接触する接触圧が大きくなる。
【００１７】
半導体素子の端子がコンタクト電極に適切な接触力で接触した後、第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接するようになっている。第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接すると、カバーがコンタクタベースに向かってさらに動かされることができない。よって、半導体素子の端子とコンタクト電極との間の接触圧は、コンタクト電極又はカバーの保持部分の弾性力、並びに第１の突き当て部分と第２の突き当て部分との互いの当接の時点で定められる適切な値となる。
【００１８】
そこで、ラッチ機構が、第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接した状態でカバーをコンタクタベースにロックする。ラッチ機構はこの状態のままでカバーをコンタクタベースに対して所定のロック力で保持する。こうして、半導体素子の端子とコンタクト電極との間の接触圧は、カバーをコンタクタベースにロックするロック力とは独立的である。カバーをコンタクタベースにロックするロック力は、カバーとコンタクタベースとの間にずれが生じないように十分に大きな値とすることができる。
さらに、保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つコンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該弾性体は、ばねの圧縮がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねである。半導体素子とコンタクト電極が接触しはじめたときは、非線型ばねのばね定数が低く、もし両者の平行度が傾いていた場合でも保持部分が容易に傾きを補正するように動けるため、接触圧が特定の半導体素子の端子及びコンタクト電極に集中するのを軽減し、半導体素子あるいはコンタクタベースを損傷するのを防止する。
【００１９】
好ましくは、該ラッチ機構は、該カバー及び該コンタクタベースの一方に設けられ、該カバーをコンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該カバー及び該コンタクタベースの他方に設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含む。
この場合、該ラッチ部材はその端部に設けられた爪を含み、該ラッチ部材が弾性変形する間に該爪が該係止部材に係合する構成とすることができる。また、該係止部材は間隔をあけて配置された２つの爪からなり、該ラッチ部材の爪は該係止部材の２つの爪の間を通る部分と該２つの爪に係合する部分とを含む構成とすることができる。
【００２０】
好ましくは、該コンタクト電極は弾性を有し、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされるときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、その後で該コンタクト電極が弾性変形しつつ該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接触した状態に維持されるようになっている。
【００２１】
この場合、該保持部分は該カバーに一体的に設けられる構成とすることができる。
好ましくは、該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされるときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、その後で該弾性体が弾性変形しつつ該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接触した状態に維持されるようになっている。
【００２２】
この場合、該コンタクト電極は該コンタクタベースの上に設けられた絶縁性の薄膜の上に設けられ、さらに該コンタクト電極に接続された配線が該絶縁性の薄膜の上に設けられている構成とすることができる。また、該第１の突き当て部分は該コンタクト電極と該配線の外端部に設けられる外部端子との間に位置する構成とすることができる。
【００２３】
好ましくは、該保持部分は半導体素子を該保持部分に保持させるための保持手段を含む。この場合、該保持手段は該保持部分に設けられた真空導入孔を含み、該真空導入孔を介して導入された真空により半導体素子を該保持部分に保持する構成とすることができる。また、該保持部分は、真空導入孔を有する板からなり、該カバーが吸着ヘッドを通すヘッド導入孔を有する構成とすることができる。
【００２４】
好ましくは、該ラッチ機構は、該カバーに設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚部分が該係止部材に係合される。
【００２５】
好ましくは、該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該保持部分は中央部分と両脚部分とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部分が該カバーに保持され、該中央部分が半導体素子を保持する。
さらに好ましくは、該ラッチ機構は、該カバーに設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚部分が該係止部材に係合され、
該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されており、該保持部分は中央部分と両脚部分とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部分が該カバーに保持され、該中央部分が半導体素子を保持する。
【００２７】
好ましくは、該保持部分の脚部分は該カバーに設けられたガイド穴に挿入され、異なった大きさの部分を有する。あるいは、該保持部分は少なくとも部分的に摩擦係数の高い材料で作られることができる。
あるいは、該第１及び第２の突き当て部分の少なくとも一方は表面を粗くする表面処理を施されている。あるいは、保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアは、摩擦係数の高い材料及び熱伝導性の高い材料の１つを含むことができる。あるいは、該ラッチ機構が、カバーとコンタクタベースの位置を拘束することのないものである。
【００３３】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。コンタクタ１０は、半導体素子１２の端子１４が接触すべきコンタクト電極１６と第１の突き当て部分１８とを有するコンタクタベース２０を備える。この例では、コンタクト電極１６は弾性変形可能なピンで形成されている。
【００３４】
さらに、コンタクタ１０は、半導体素子１２を保持するための保持部分２２と第１の突き当て部分１８と当接可能な第２の突き当て部分２４とを有するカバー２６を備える。この例では、保持部分２２はカバー２６と一体的な部分として形成される。第１の突き当て部分１８はコンタクタベース２０の表面に形成され、第２の突き当て部分２４はコンタクタベース２０と対向するカバー２６の表面に形成される。
【００３５】
保持部分２２は半導体素子１２の保持手段として真空導入孔２８を有し、吸着ヘッド３０によって真空導入孔２８に真空を導入し、半導体素子１２をカバー２６の保持部分２２に真空吸着し、保持させることができる。なお、保持部分２２は半導体素子１２の端子１４とは反対側の平坦な表面を吸着するので、図３１を参照して説明した場合よりも真空の逃げる量が少なく、より大きな保持力で半導体素子１２を保持することができる。こうして、半導体素子１２をカバー２６と実質的に一体の物として動かすことができる。
【００３６】
さらに、コンタクタ１０は、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接した状態でカバー２６をコンタクタベース２０にロックするラッチ機構３２を備える。ラッチ機構３２は、カバー２６に設けられ、カバー２６をコンタクタベース２０にロックするために弾性変形可能なラッチ部材３４と、コンタクタベース２０に設けられ、ラッチ部材３４を係止する係止部材３６とを含む。より詳細には、ラッチ部材３４はその端部に設けられた爪３５を含み、ラッチ部材３４が弾性変形する間に爪３５が係止部材３６に係合するようになっている。
【００３７】
第１の突き当て部分１８及び第２の突き当て部分２４、並びにコンタクト電極１６及び保持部分２２は、下記の関係で作られている。すなわち、カバー２６がコンタクタベース２０に向かって動かされるときに、保持部分２２に保持された半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触し、カバー２６がコンタクタベース２０に向かってさらに動かされるときに半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触した状態で第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４が互いに当接し、カバー２６がコンタクタベース２０に向かってさらに動かされるのを阻止する。
【００３８】
つまり、コンタクト電極１６が第１の突き当て部分１８の上面よりもわずかに上側にあり、半導体素子１２の下面は第２の突き当て部分２４の下面とほぼ同一の高さにあるので、カバー２６がコンタクタベース２０に向かって動かされるときに、最初に保持部分２２に保持された半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触する。カバー２６がコンタクタベース２０に向かってさらに動かされると、コンタクト電極１６が弾性変形しながら半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触し続ける。それから、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接し、カバー２６がコンタクタベース２０に向かってさらに動かされるのを阻止する。従って、半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との間の接触圧は、コンタクト電極１６の弾性変形量によって定められる。
【００３９】
ラッチ機構３２のラッチ部材３４は図２に示されるように破線で示される初期の形状から実線で示されるように弾性変形した状態で爪３５が係止部材３６に係合する。カバー２６はラッチ機構３２のラッチ部材３４のこのロック力によってコンタクタベース２０に対してロックされる。このロック力は半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との間の接触圧とは独立的である。
【００４０】
従って、半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との接触圧は一定の値に維持され、且つカバー２６がコンタクタベース２０に対して所定のロック力でロックされた状態で、半導体素子１２はコンタクタ１０内に保持される。コンタクタ１０は半導体素子１２を保持した状態で移動されることができ、例えばコンタクタ１０を試験装置のソケットに運ぶことができる。カバー２６をコンタクタベース２０にロックするロック力は、カバー２６とコンタクタベース２０との間にずれが生じないように十分に大きな値とすることができる。
【００４１】
図３は、図１及び図２のカバー２６の変形例を示す図である。図１のカバー２６の保持部分２２は真空導入孔２８を有し、真空吸着により半導体素子１２を保持部分２２に保持させたのに対し、図３のカバー２６の保持部分２２はそのような真空導入孔２８の代わりに弾性変形可能な爪２８ａを備えている。半導体素子１２は弾性変形可能な爪２８ａによって図３のカバー２６の保持部分２２に保持される。
【００４２】
図４は本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。コンタクタ１０は、コンタクタベース２０と、カバー２６と、ラッチ機構３２とを備えている。コンタクタベース２０は省略的に示されているが、図１のものと同様に構成される。すなわち、コンタクタベース２０はコンタクト電極１６と第１の突き当て部分１８とを有する。
【００４３】
カバー２６は、半導体素子１２を保持するための保持部分２２と第１の突き当て部分１８と当接可能な第２の突き当て部分２４とを有する。この例においては、保持部分２２は、カバー２６とは別の部材として形成され、カバー２６に可動に取付けられる。保持部分２２はコンタクタベース２０に向かう方向に弾性体３８によって付勢されている。
【００４４】
保持部分２２に保持された半導体素子１２の端子１４は第２の突き当て部分２４の下面よりもわずかに下側に位置するので、カバー２６がコンタクタベース２０に向かって動かされるときに、最初に半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触する。この場合、弾性体３８が弾性変形して半導体素子１２の端子１４のコンタクト電極１６に対する接触圧を提供する。
【００４５】
従って、コンタクタベース２０のコンタクト電極１６は図１及び図２に示すように弾性変形するピンでなくてもよい。この場合、コンタクト電極１６は後で説明するメンブレンコンタクト（図１５）として形成されることができる。メンブレンコンタクトは接触によるたわみ量が小さいが、図４の構成により適切な保持力を設定することができる。
【００４６】
より詳細には、保持部分２２は、中央部分２２ａと両脚部分２２ｂとからなる断面逆Π形の部材からなる。中央部分２２ａは板状の部材であって、半導体素子１２はこの中央部分２２ａに保持される。脚部分２２ｂは柱状の部材であって、カバー２６に設けた穴４０に移動可能に且つ抜け止め４１をして保持される。弾性体３８は各脚部分２２ｂのまわりに配置されたコイルバネからなる。
【００４７】
半導体素子１２が保持部分２２に保持された状態では半導体素子１２は第２の突き当て部分２４の下面よりも下に突き出ており、カバー２６をコンタクタベース２０に向かって動かすと、半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触する。カバー２６をさらに動かすと、弾性体３８がたわみつつ、半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触し続ける。
【００４８】
真空導入孔２８はこの中央部分２２ａに設けられる。一方は、カバー２６は吸着ヘッド３０（図１）を通すヘッド導入孔４２を有する。つまり、吸着ヘッド３０はカバー２６のヘッド導入孔４２を通って中央部分２２ａにあてがわれることができる。
図５から図７は、保持部分２２及び半導体素子１２を取り除いた状態でラッチ機構３２のラッチ部材３４を示す図である。図４から図７に示されるように、ラッチ機構３２のラッチ部材３４は、中央部分３４ａと両脚部分３４ｂとからなる断面Π形の部材からなる。中央部分３４ａは穴３４ｃを有し、カバー２６に設けた突起４４が穴３４ｃにスナップフィットされる。こうして、中央部分３４ａはカバー２６に保持され、脚部分３４ｂがコンタクタベース２０の係止部材３６に係合される。
【００４９】
図６に示されるように、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接したときの中央部分３４ａとコンタクタベース２０の係止部材３６との間の距離ｌ1 は、中央部分３４ａと脚部分３４ｂの爪３５との間の距離ｌ2 よりも大きい。従って、図７に示されるように、ラッチ部材３４の脚部分３４ｂの爪３５がコンタクタベース２０の係止部材３６に係合したときには、ラッチ部材３４が大きく弾性変形し、カバー２６をコンタクタベース２０に保持する。カバー２６はラッチ部材３４の変形を吸収するスロット２６ｓを有する。この場合にも、カバー２６をコンタクタベース２０に対してロックするラッチ機構３２のロック力は、半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との間の接触圧とは独立的である。
【００５０】
図８から図１０は図４の保持部分２２の変形例を示す図である。図８は保持部分２２の斜視図、図９は保持部分２２を取付けたカバー２６の平面図、図１０は保持部分２２及びカバー２６の断面図である。保持部分２２は、中央部分２２ａと両脚部分２２ｂとからなり、これらの部分は板金により一体的な構造として形成されている。従って、保持部分２２は放熱性が優れ、半導体素子１２の試験中に発生する熱を放散することができる。
【００５１】
脚部分２２ｂの端部は抜け止め用フック２２ｃを有する。脚部分２２ｂは隣接する２つを互いに近接させながら長穴として形成されたカバー２６の穴４０に挿入され、隣接する２つの脚部分２２ｂが元に戻るときに抜け止め用フック２２ｃが脚部分２２ｂがカバー２６の穴４０から抜けるのを防止する。図９には、ラッチ部材３４を止めるための突起４４、及び孔２８、４２が示されている。
【００５２】
図１１は脚部分２２ｂの変形例を示す図である。２つの脚部分２２ｂは互いに角度をつけて形成されている。抜け止め用フック２２ｃがカバー２６の表面に係合している状態では、脚部分２２ｂの側壁はカバー２６の穴４０の側壁に弾性的に係合し、抜け止め用フック２２ｃがカバー２６の表面から離れるにつれて、破線で示されるように脚部分２２ｂの側壁はカバー２６の穴４０の側壁に弾性的に係合しなくなる。これは、後で説明する非線型バネと同様の作用をする。
【００５３】
図４から図１１のコンタクタ１０の基本的な作用は図１及び図２のコンタクタ１０の作用と同様である。
図１２は本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。コンタクタ１０は、前の実施例と同様に、コンタクタベース２０と、カバー２６と、ラッチ機構３２とを備えている。図１２の実施例が前の実施例と異なる点は、ラッチ機構３２のラッチ部材３４がコンタクタベース２０に設けられ、ラッチ部材３４の爪３５と係合する係止部材３６がカバー２６に設けられていることである。この実施例のコンタクタ１０の基本的な作用は前の実施例のコンタクタ１０の作用と同様である。
【００５４】
図１３はラッチ機構３２の爪の変形例を示す図である。係止部材３６は間隔をあけて配置された２つの爪３６ａからなり、ラッチ部材３４の爪３５は係止部材３６の２つの爪３６ａの間を通る部分と２つの爪３６ａに係合する部分とを含む。従って、ラッチ部材３４の爪３５は例えば図１に示される爪３５のように鋭角的な鉤形状を必要とせず、よって作りやすく且つ磨耗しにくい。
【００５５】
図１４及び図１５はコンタクタベース２０に設けられたコンタタクト電極１６を形成するメンブレンコンタクトの例を示す図である。メンブレンコンタクトはコンタクタベース２０の上に設けられたＰＩ等の絶縁性の薄膜４６の上に設けられた銅等の配線４８を有する。配線４８の内端部にメッキ等により導体の突部を設けてコンタタクト電極１６とする。配線４８の外端部５０は外部端子になる。メンブレンコンタクトは狭いピッチで精度よく配線４８及びコンタタクト電極１６を形成できる。メンブレンコンタクトのコンタタクト電極１６は上下移動量が少ないので、図４に示したようにバネ負荷されて移動可能な保持部分２２をもった構成とともに使用されるのが好ましい。
【００５６】
メンブレンコンタクトを使用する場合、第１の突き当て部分１８はコンタクト電極１６と配線４８の外端部に設けられる外部端子５０との間に位置するようにする。それによって、試験装置の端子が第１の突き当て部分１８に邪魔されることなく外部端子５０に接触せしめられることができる。
図１６は半導体素子１２を保持したカバー２６とコンタクタベース２０との位置合わせ装置の概略を示す図である。コンタクタベース２０は微細送り機構５２上に配置される。微細送り機構５２はＸステージ、Ｙステージ、θステージを含む。カバー２６はＺステージを含む送り機構（図示せず）に取付けられる。
【００５７】
最初に、半導体素子１２をカバー２６の保持部分２２に保持させる。図示の実施例においては、吸着ヘッド３０が真空導入孔２８にあてがわれ、真空を導入することにより半導体素子１２をカバー２６の保持部分２２に保持させる。なお、吸着ヘッド３０がカバー２６全体を支持できる場合には、吸着ヘッド３０をＺステージに取付けておけばよい。
【００５８】
ＣＣＤカメラ等を含む画像認識装置５４がカバー２６とコンタクタベース２０との間に配置される。画像認識装置５４はカバー２６とコンタクタベース２０とを結ぶ線上に進出でき、また同線上から退いた位置へ退避できる。画像認識装置５４のヘッドはハーフミラーを備え、あるいは回転可能であり、カバー２６に支持された半導体素子１２の端子１４とコンタクタベース２０のコンタクト電極１６を検出することができる。従って、画像認識装置５４の出力に応じて微細送り機構５２を作動させて、カバー２６とコンタクタベース２０とを位置合わせすることができる。位置合わせが終了したら、画像認識装置５４を退避させる。
【００５９】
それから、位置合わせした位置関係を維持しながら、カバー２６をコンタクタベース２０に向かって移動させる。吸着ヘッド３０が真空導入孔２８に真空を導入し続け、半導体素子１２は真空吸引によってカバー２６の保持部分２２に保持され続ける。上記したように、半導体素子１２の平坦面がカバー２６の保持部分２２に吸着されるので、吸着力は比較的に大きい。
【００６０】
カバー２６をコンタクタベース２０に向かって移動させると、最初に半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触し、端子１４は弾性体のばね力で定められる保持力でコンタクト電極１６に接触する。このように、カバー２６とコンタクタベース２０とを位置合わせした状態でカバー２６をコンタクタベース２０に向かって移動させるので、半導体素子１２の端子１４はコンタクト電極１６に正確に接触する。
【００６１】
それから第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とを互いに強く当接させ、カバー２６のコンタクタベース２０に向かう運動を停止される。そこで、ラッチ機構３２を係止部材３６に係合させ、カバー２６を所定のロック力でコンタクタベース２０にロックさせる。ラッチ機構３２を操作するときに、コンタクタ１０に衝撃がくわわるが、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とを互いに強く当接させているので、内部の保持部分２２や半導体素子１２には衝撃はあまり伝わらず、位置ずれは生じない。
【００６２】
この後、吸着ヘッド３０の真空を解除し、吸着ヘッド３０をカバー２６の保持部分２２から離す。半導体素子１２の端子１４は弾性体のばね力で定められる保持力でコンタクト電極１６に保持されている。
このように、半導体素子１２の位置合わせは半導体素子１２をカバー２６と一体化させた状態で行い、それからラッチ完了まで、一度も半導体素子１２とカバー２６と吸着ヘッド３０との位置関係が変わらないので、非常に正確な位置合わせができる。また、カバー２６はラッチ機構３２の弾性力でコンタクタベース２０に強く保持されるので、その後の試験工程でコンタクタ１０に振動や衝撃がくわわっても、位置ずれは生じない。
【００６３】
図１７は位置合わせしたカバー２６をコンタクタベース２０から取り外す工程を示す図である。カバー２６をコンタクタベース２０から取り外す工程は図１６を参照して説明した工程の逆を行うことになる。まず、吸着ヘッド３０で半導体素子１２カバー２６の保持部分２２に吸着し、ラッチ機構３２を解除する。このとき、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４とを互いに強く当接させておいて、治具５６を用いてラッチを解除する。
【００６４】
それから、半導体素子１２とカバー２６と吸着ヘッド３０とをコンタクタベース２０に対して移動させる。こうして、半導体素子１２がずれたり、落下したりすることなく、カバー２６をコンタクタベース２０から分離することができる。それから、吸着ヘッド３０の真空を解除し、半導体素子１２をカバー２６から取り外すことができる。
【００６５】
図１８は図１６の実施例の変形例を示す図である。この実施例では、画像認識装置５４の代わりにガイドを用いる。すなわち、半導体素子１２の端子１４をコンタクタベース２０のコンタクト電極１６と位置合わせする工程は、半導体素子１２を保持部分２２に保持した状態でカバー２６をガイドに沿ってコンタクタベース２０に向かって移動させる。
【００６６】
図１８においては、コンタクタベース２０は位置決めガイドピン５８を有し、保持部分２２は位置決め穴６０を有する。こうして、カバー２６をコンタクタベース２０に向かって移動させると、半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６を正しく位置合わせできる。位置決めガイドピン５８と位置決め穴６０は逆でもよい。また、ガイドは位置決めガイドピン５８や位置決め穴６０に限らない。
【００６７】
図１９は非線型ばねを含むカバーの例を示す図である。図１９（Ａ）に示されるように、カバー２６の保持部分２２に取付けられた弾性体３８はばね定数の異なる第１部分３８ａ及び第２部分３８ｂからなる非線型のコイルスプリングである。非線型のコイルスプリング３８は第１部分３８ａ及び第２部分３８ｂが一体的な構造のものでもよく、これらが別体の構造のものでもよい。また、非線型のコイルスプリング３８は２つの部分だけでなく、３つ以上の部分からなるようにしてもよい。
【００６８】
非線型のコイルスプリング３８は、ばねの圧縮がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねである。すなわち、図１９（Ｂ）、（Ｃ）に示されるように、カバー２６がコンタクタベース２０に近づく初期の段階ではばねの圧縮が小さく、主としてばね定数が小さい第２部分３８ｂが大きく変形し、図１９（Ｄ）に示されるように、カバー２６がコンタクタベース２０に近づく最終の段階ではばねの圧縮が大きくなり、ばね定数が大きい第１部分３８ａも大きく変形するようになる。
【００６９】
非線型のコイルスプリング３８は、例えばカバー２６を吸着ヘッド６２で保持してコンタクタベース２０に向かって動かすときに、カバー２６が傾きながらコンタクタベース２０に向かって動く場合に有利である。すなわち、図１９（Ｂ）に示されるように、カバー２６が傾きながらコンタクタベース２０に向かって動く場合には、特定の半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とが集中的に接触する可能性がある。
【００７０】
図１９（Ｃ）に示されるように、非線型のコイルスプリング３８の第２部分３８ｂは小さな力がかかっても大きく変形しやすいため、半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触するときにカバー２６が傾きを補正するように容易に動けるため、カバー２６がコンタクタベース２０に対して平行になった状態で半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とが接触する。従って、特定の半導体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に集中的に接触するのを軽減し、半導体素子１２あるいはコンタクタベース２０（特にコンタクト電極１６）を損傷するのを防止する機能を有する。カバー２６の第２の突き当て部分２４がコンタクタベース２０の第１の突き当て部分１８に当接するような時点では、非線型のコイルスプリング３８は半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との接触を維持する十分に大きな保持力を提供する。
【００７１】
図２０及び図２１は突き当て部分の表面を粗くする表面処理を施されている例を示す図である。カバー２６の第２の突き当て部分２４の突き当て面を粗くし、細かい凹凸を設けてある。こうすれば、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４との間に滑りが起こり難くなり、カバー２６とコンタクタベース２０との間で横ずれが生じにくくなる。特に、コンタクタベース２０の表面に設けたメンブレンコンタクトが設けてある場合、第２の突き当て部分２４が第１の突き当て部分１８の位置する絶縁性の薄膜４６の部分に食い込み、横ずれが生じにくくなる。
【００７２】
図２２及び図２３はカバーの保持部分の脚部分が異なった大きさの部分を有する例を示す図である。この例では、図４の場合と同様に、保持部分２２の脚部分２２ｂはカバー２６の穴４０に挿入され、弾性体３８によって付勢され、抜け止め４１をしてある。保持部分２２の脚部分２２ｂは、異なった大きさの第１の部分２２ｘ及び第２の部分２２ｙを有する。
【００７３】
保持部分２２がカバー２６に対して最下方の位置にあるときには（図２２）、保持部分２２の脚部分２２ｂの第２の部分２２ｙがカバー２６の穴４０にガタなく嵌まり、保持部分２２がカバー２６に対して横方向には移動できない状態になっている。保持部分２２がカバー２６に近づくと、脚部分２２ｂの第２の部分２２ｙがカバー２６の穴４０から抜け、脚部分２２ｂの第１の部分２２ｘがカバー２６の穴４０に入る。脚部分２２ｂの第１の部分２２ｘがカバー２６の穴４０との間に隙間が生じて、保持部分２２がカバー２６に対して微動可能になる。
【００７４】
従って、保持部分２２の脚部分２２ｂの第２の部分２２ｙがカバー２６の穴４０にガタなく嵌まって状態で、半導体素子１２を保持部分２２に吸着することにより、半導体素子１２はカバー２６に対して正確な位置に保持されることができる。この状態で、半導体素子１２は位置認識され、それからカバー２６がコンタクタベース２０に向かって移動される。半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とが接触するときに、保持部分２２がコンタクタベース２０に傾いていても、前の非線型バネを用いた場合と同様に保持部分２２が動くことができ、特定の半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とが集中的に接触するのを防止できる。
【００７５】
また、図１１に示した例でも、保持部分２２が最下方の位置にあるときには、保持部分２２の脚部分２２ｂがカバー２６の穴４０にきつく接触し、保持部分２２がコンタクタベース２０に向かって移動さされた場合には、保持部分２２の脚部分２２ｂがカバー２６の穴４０にゆるく接触する。従って、この場合にも、図２２及び図２３と同様の作用が得られる。
【００７６】
図２４は保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアに摩擦係数の高い材料を張りつけた例を示す図である。つまり、摩擦係数の高い材料の層６４が保持部分２２の下面に取付けられている。摩擦係数の高い材料の層６４は、シリコンゴムとすることができ、これを保持部分２２の下面に張りつけたり、コーティングしたりする。こうすれば、保持部分２２と半導体素子１２との間のすべりをできるだけ防止する。
【００７７】
図２５は保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアに熱伝導性の高い材料６６を張りつけた例を示す図である。さらに、保持部分２２を熱伝導性の高い材料で作ることもできる。半導体素子１２は試験時に熱を発生するので、保持部分２２を放熱フィンとして使用することにより、半導体素子１２の過熱を防止することができる。
【００７８】
図２６及び図２７はラッチ機構の変形例を示す図である。図２６は、ラッチ機構３２のラッチ部材３４の一部及び係止部材３６を示し、図２７は図２６の係止部材３６の部分の平面図である。カバー２６に取付けたラッチ部材３４の爪３５はコンタクタベース２０の係止部材３６に係合するようになっている。係止部材３６はコンタクタベース２０の側面の一部を半円形状にすることにより形成されている。
【００７９】
ラッチ機構３２とコンタクタベース２０との間に角度ずれがある場合に、通常はラッチ機構３２はカバー２６とコンタクタベース２０との間で相対回転運動をさせようにし、カバー２６とコンタクタベース２０との間で位置ずれが生じるが、上記した半円形状を採用することにより、ラッチ機構３２とコンタクタベース２０との間で半円経路に沿った位置ずれがあったとしても、カバー２６とコンタクタベース２０との間では実質的に位置ずれが生じない。従って、半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とは前に正確に位置合わせされた状態に維持される。
【００８０】
図２８は、ラッチ機構の変形例を示す図である。図２６及び図２７の係止部材３６がコンタクタベース２０のコーナー部に設けられているのに対して、図２８の係止部材３６はコンタクタベース２０の辺部に設けられている。
このように、ラッチ機構３４の係止部材３６がカバー２６か、又はコンタクタベース２０に一体化して具備されている場合には、水平方向には微動可能な構造を有し、特に回転方向については、ラッチ機構３２の接触部が線接触にならずに、点接触になるように、係止部材３６の係止突起部を球状、又は半円状にするとよい。
【００８１】
図２９は、半導体素子のコンタクタのセット装置の例を示す図である。コンタクタ１０は上記した例で説明した通りのカバー２６、保持部分２２、及びコンタクタベース２０を備えたものである。
コンタクタのセット（及びリセット）装置は、半導体素子１２を保持部分２２に一時的に吸着保持するための吸着ヘッド３０と、位置合わせのための画像認識装置５４とを備える。さらに、コンタクタのセット（及びリセット）装置は、半導体素子１２を保持部分２２に供給し且つ保持部分２２から取り出すための素子供給装置７０と、カバー２６を保持してコンタクタベース２０に向かって動かすためのカバー把持装置７２と、ラッチ機構３２を係止部材３６に係合させるためのラッチ操作機構７４と、ラッチ機構３２を係止部材３６から解除するためのラッチ解除装置７６とを含む。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体素子をコンタクタに確実に保持することができ、且つコンタクタのカバーをコンタクタベースに押圧する力が半導体素子の端子の接触圧とは独立的に定められることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。
【図２】ロックされた状態にある図１のコンタクタを示す図である。
【図３】図１のカバーの変形例を示す図である。
【図４】  本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。
【図５】ラッチ部材の詳細な例を示す図である。
【図６】図５のラッチ部材の部分拡大図である。
【図７】図６のラッチ部材の変形時を示す図である。
【図８】図４の保持部分の変形例を示す図である。
【図９】図８の保持部分を取付けたカバーの平面図である。
【図１０】図８の保持部分及びカバーの断面図である。
【図１１】図８の保持部分の変形例を示す図である。
【図１２】  本発明の基本的な構成例による半導体素子のコンタクタを示す図である。
【図１３】ラッチ機構の爪の変形例を示す図である。
【図１４】コンタタクト電極を形成するメンブレンコンタクトを示す側面図である。
【図１５】図１４のメンブレンコンタクトを示すコンタクタベースの斜視図である。
【図１６】半導体素子を保持したカバーとコンタクタベースとの位置合わせ装置の概略を示す図である。
【図１７】カバーをコンタクタベースから取り外す工程を示す図である。
【図１８】位置合わせの変形例を示す図である。
【図１９】非線型ばねを含むカバーの例を示す図である。
【図２０】突き当て部分の表面を粗くする表面処理を施されている例を示す図である。
【図２１】図２０の丸枠内の部分の拡大図である。
【図２２】保持部分の脚部分が異なった大きさの部分を有する例を示す図である。
【図２３】図２２の保持部分が異なった位置にあるところを示す図である。
【図２４】保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアに摩擦係数の高い材料を張りつけた例を示す図である。
【図２５】保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアに熱伝導性の高い材料を張りつけた例を示す図である。
【図２６】ラッチ機構の変形例を示す図である。
【図２７】図２６のラッチ部材の部分の平面図である。
【図２８】ラッチ機構の変形例を示す図である。
【図２９】半導体素子のコンタクタのセット装置の例を示す図である。
【図３０】従来の半導体素子のコンタクタの一例を示す図である。
【図３１】従来の半導体素子のコンタクタの他の例を示す図である。
【符号の説明】
１０…コンタクタ
１２…半導体素子
１４…端子
１６…コンタクト電極
１８…第１の突き当て部分
２０…コンタクタベース
２２…保持部分
２４…第２の突き当て部分
２６…カバー
２８…真空導入孔
３０…吸着ヘッド
３２…ラッチ機構
３４…ラッチ部材
３５…爪
３６…係止部材
３８…弾性体
４０…穴
４２…ヘッド導入孔
４４…突起
４６…薄膜
４８…配線
５０…外端部
５２…微細送り機構
５４…画像認識装置
【図１】
0003850144.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003850144.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003850144.tif 000006
【図６】
0003850144.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003850144.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003850144.tif 000011
【図１１】
0003850144.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0003850144.tif 000014
【図１４】
0003850144.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
0003850144.tif 000017
【図１７】
0003850144.tif 000018
【図１８】
0003850144.tif 000019
【図１９】
0003850144.tif 000020
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
0003850144.tif 000027
【図２７】
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【図２８】
0003850144.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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