(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜に配向処理を施す工程と、
前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の側から前記一対の基板に対して光照射を行い、前記シール材を硬化させる工程と、
液晶を前記一対の基板間に注入する工程と、を有し、
前記シール材を硬化させる工程において、前記一対の基板は液晶封入領域を構成する前記シール材の内側領域において、前記一対の基板の外側に設けられた基体に光変調層を被着した遮光マスクを介して、照射される光を選択的に弱めた状態で光照射が行われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記遮光マスクは前記基体のうちの前記一対の基板に対向する側に設けられてなるとともに前記光変調層と前記一対の基板とは５０μｍ〜１００μｍの間隔を隔てて配置し、前記一対の基板に光照射を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記遮光マスクには前記一対の基板に対向する面上にスペーサが形成されてなり、前記スペーサを前記一対の基板に当接させた状態で光照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜に対して所定方向に配向処理を施す工程と、
前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、
前記一方の基板側から前記配向膜の前記所定方向に交差する方向に偏光された光を前記一対の基板に照射して前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記一対の基板の内面にはそれぞれ前記配向膜が形成され、前記一対の基板における前記配向膜の配向処理方向は互いにほぼ直交する方向であって、前記照射される光は、いずれの前記一対の基板における前記配向処理方向に対してもほぼ４５度で交差する方向に偏光された直線偏光であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４において、前記一対の基板の内面にはそれぞれ前記配向膜が形成され、両基板における前記配向膜の配向処理方向は互いにほぼ平行方向若しくは反平行方向であって、前記照射される光は、いずれの前記一対の基板における前記配向処理方向に対してほぼ直交する方向に偏光された直線偏光であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項において、前記一つの基板の内面には、互いに交差するように形成された複数の走査線と複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有し、
前記一対の基板における前記配向膜の配向処理方向を、前記走査線若しくはデータ線の延長方向にほぼ一致させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の製造方法に係り、特に、基板内面上に配向処理された配向膜を備えた液晶装置の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置の製造方法としては、２枚の一対の透明基板の内面上に配線、電極、アクティブ素子などを形成した後に、その上に配向膜を形成し、この配向膜に対して所定方向に配向処理を施すか、或いは、配向膜を形成する際に同時に配向処理を施してしまう場合がある。前者は配向膜に対してラビング、光（紫外線）照射、イオン照射などによって所定方向に配向処理を施すものであり、後者は斜め蒸着法などによって形成した配向膜自体が配向能力を備えているものである。
【０００３】
このような配向膜を形成した後、２枚の透明基板をシール材を介して貼り合わせる。シール材としては紫外線などを照射することによって重合硬化する光重合性のものがあり、透明基板を貼り合わせた後に光を照射することによって硬化され、液晶装置が形成される。この基板貼り合わせ工程には種々の方法があるが、例えば、シール材を介して２枚の透明基板を貼り合わせた後、シール材を硬化（仮硬化、本硬化の順で行う場合もある。）させてから、液晶を注入する場合がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のシール材を光硬化させる工程（以下、シール材硬化工程という。）においては、例えば紫外線を液晶装置に照射するため、配向処理された配向膜に紫外線が照射されると、配向膜の主鎖が破壊され、配向膜の配向力が弱まるため、液晶分子の配向方向に乱れが発生し、配向不良による表示品位の低下を招く恐れがあるという問題点がある。すなわち、配向膜の配向力の弱まることにより、プレティルト角の低下が発生する。このような低下により、コントラストの低下や液晶の応答遅延が発生することになる。かかる問題は、微細ピッチ化に伴い、顕著な問題となる。
【０００５】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、シール材の光硬化工程を有する液晶装置の製造方法において、光硬化工程に起因する配向不良の防止を図ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が講じた第１の手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面に配向膜を形成する工程と、前記配向膜に配向処理を施す工程と、前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の側から前記一対の基板に対して光照射を行い、前記シール材を硬化させる工程とを有し、前期シール材を硬化させる工程において、前記一対の基板は照射される光が前記シール材の内側領域において選択的に弱め或いは遮断した状態で光照射が行われることを特徴とする。
【０００７】
この手段によれば、液晶が配置されるシール材の内側領域、例えば、液晶表示領域にてシール材を硬化するための光を選択的に弱め或いは遮断した状態で照射することによって、配向膜への光の影響を低減し、配向不良を抑制することができる。
【０００８】
第２の手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面に配向膜を形成する工程と、前記配向膜に配向処理を施す工程と、前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の側から前記一対の基板に対して光照射を行い、前記シール材を硬化させる工程とを有し、前記シール材を硬化させる工程において、光吸収性若しくは光反射性の光変調領域を備えた光学マスクを有する基体を介して前記一対の基板に光照射を行うことを特徴とする。
【０００９】
かかる構成によれば、光吸収性若しくは光反射性の光変調領域を備えた光学マスクを有する基体を介して前記一対の基板に光照射を行うので、配向膜への光の影響を低減し、配向不良を抑制することができる。
【００１０】
また、前記第２の手段において、前記光学マスクの光変調領域は遮光する遮光マスクであることが好ましい。
【００１１】
かかる構成によれば、光学マスクにより、遮光されるため、配向膜への光の影響をさらに低減することができ、配向不良をさらに抑制することができる。
【００１２】
前記第２の手段において、前記遮光膜は前記基体のうちの前記一対の基板に対向する側に設けられてなるとともに前記光学マスクと前記一対の基板とは５０μｍ〜１００μｍの間隔を隔てて配置し、前記一対の基板に光照射を行うことが好ましい。
【００１３】
かかる構成によれば、光学マスクは液晶装置に接近した位置で光変調若しくは遮光を行うことができることから光漏れを低減する上で好ましい。すなわち、斜め光が液晶装置に入り込むことによる配向膜への影響を防ぐことができる。
【００１４】
また、前記第２の手段において、光学マスクが設けられた基体には、一対の基板に対向する面上にフィルムなどのスペーサを取り付け、このスペーサを一対の基板に当接させた状態で光照射すれば、遮光膜と一対の基板との間隔を一定とすることができることから安定した照射を行うことができる。
【００１５】
次に、第３の手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面に配向膜を形成する工程と、前記配向膜に配向処理を施す工程と、前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の一方の基板の前記シール材の内側領域に紫外線を吸収若しくは反射する光学マスクを形成する工程と、前記一対の基板の前記光学マスクが形成された側から前記一対の基板に対して光照射を行い、前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によれば、シール材の内側領域に紫外線を吸収若しくは反射する光学マスクが形成されているため、基板全体に光照射を行っても配向膜への光の影響を低減し、配向不良を抑制することができる。
【００１７】
次に第４の手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面に配向膜を形成する工程と、前記配向膜に配向処理を施す工程と、前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の一方の基板上に前記シール材の内側領域に紫外線を吸収若しくは反射する光学マスクを有する透明基板を形成する工程と、前記透明基板の側から前記一対の基板に対して光照射を行い、前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
かかる構成によれば、シール材の内側領域に光吸収性若しくは反射性の遮光膜が形成されているため、基板全体に光照射を行っても配向膜への光の影響を低減し、配向不良を抑制することができる。また、前記透明基板は一対の基板の一方の基板上に形成されているため、透明基板を有する液晶装置をプロジェクタに用いた場合、透明基板上へのごみの付着を防ぐことができる。このようなごみ等は透明基板上に付着する可能性もあるが、その場合、ごみは液晶装置から離れるためデフォーカスされることになり、表示への影響を抑えることができる。
【００１９】
第５の手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の内面上に配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対して所定方向に配向処理を施す工程と、前記一対の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記一対の基板の少なくとも一方側から前記配向膜の前記所定方向に交差する方向に偏光された光を前記一対の基板に照射して前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
この手段によれば、配向膜の配向処理方向に対して交差する方向に偏光された光によってシール材を硬化させるため、照射光による配向膜の配向処理状態への影響を低減することができ、配向不良などの配向処理状態に起因する問題点の発生を抑制することができる。すなわち、偏光した光は偏光方向に伸びる配向膜の主鎖を切断し、当該偏光方向とは直交する方向に伸びる配向膜の主鎖に対しては影響が少ない。したがって、配向膜の配向処理方向に対して交差する方向に偏光した光を照射することにより、通常の偏光していない光を照射する場合に比べて配向状態の劣化を抑えることができる。
【００２１】
上記の手段において、一対の基板の内面にはそれぞれ前記配向膜が形成され、一対の基板における配向膜の配向処理方向は互いにほぼ直交する方向であって、前記光は、いずれの前記基板における前記配向処理方向に対してもほぼ４５度で交差する方向に偏光された直線偏光にすると良い。かかる構成により、配向膜の配向処理方向に対して交差する方向に偏光した光を照射することにより、通常の偏光していない光を照射する場合に比べて配向状態の劣化を抑えることができる。
【００２２】
上記のいずれかの手段において、前記一つの基板の内面には、互いに交差するように形成された複数の走査線と複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記一対の基板における前記配向膜の配向処理方向を、前記走査線若しくはデータ線の延長方向にほぼ一致させることが好ましい。配向処理方向を基板上に形成された走査線若しくはデータ線の配線方向にほぼ一致させることにより、配線の段差に起因する配向不良、特にラビング処理を行った場合の配向不良の発生を抑制できる。
【００２３】
なお、上記配向膜としては、ポリイミドを主成分としたものが好ましく、シール材の硬化用の光としては紫外線が好ましい。
【００２４】
また、配向処理は２枚の基板のうち一方の内面上のみに施されている場合でもよく、この場合には偏光方向は配向処理方向に対してほぼ直交させることが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る実施形態について詳細に説明する。アクティブマトリクス型のＴＮ液晶セルを備えた液晶装置を製造する場合に関するものであるが、本発明は他のタイプ、形状、構造の各種液晶装置にも適用することができるものである。
【００２６】
最初に図６〜図１０を参照して、本発明に係わる各実施例に共通の事項について説明する。
【００２７】
［液晶装置の構造］
図６は液晶装置１０の平面図であり、図７は図６の断面図である。図６及び図７に示すように、ガラスなどからなる透明基板１１（素子基板）と透明基板１２（対向基板）とがシール材１４を介して所定の間隙（セルギャップ）を有するように貼り合わせられ、シール材１４の内側に構成された液晶封入領域１０ａ内に液晶１３を注入して構成されている。液晶１３はシール材１４に設けられた液晶注入口１４ａから注入され、液晶注入口１４ａはその後樹脂などからなる封止剤１５によって封鎖される。シール材１４としてはエポキシ樹脂、各種の光硬化性樹脂を用いることができる。セルギャップを確保するには、シール材１４内にセルギャップに相当する粒径（約２〜１０μｍ）を備えた無機或いは有機質のファイバ若しくは球体を混入する。
【００２８】
透明基板１１は透明基板１２よりも若干大きな表面積を備えており、その内面に多数の画素に対応して配線層、透明電極、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子が形成されている。透明基板１２の内面にも画素に対応する配線層や透明電極が形成されている。透明基板１２の内面の画素対応領域の外側には、シール材１４の形成領域の内側にて周回状に形成された遮光膜１２ａが形成されている。
【００２９】
透明基板１１の内面上におけるシール材１４の形成領域の外側には、透明基板１１及び１２の内面上に形成された配線層に導電接続された配線パターン１１ａが形成されており、この配線パターン１１ａに合わせて集積回路チップなどからなる走査線駆動回路１７及びデータ線駆動回路１８が実装される。さらに、透明基板１１の一側の外縁部は多数の外部端子１９が配列した外部端子部１１ｂが構成されており、この外部端子部１１ｂに対して異方性導電膜などを介してフレキシブル配線基板１６などの配線部材が導電接続される。
【００３０】
液晶１３は、ＴＮ型、ＳＴＮ型の他、種々のモードの液晶装置に適合したものを用いることができる。上記液晶装置１０では、使用する液晶１３の種類、動作モード、表示モード（ノーマリーホワイト、ノーマリーブラック）等に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などを所定方位に向けた姿勢にて取り付けられる。
【００３１】
図８には、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を構成する場合の透明基板１１（素子基板或いはアクティブマトリクス基板）上の等価回路図を示し、図９には、同じ透明基板１１上の平面配置を拡大して示し、また、図１０には、図９のVI−VI線に沿って切断した断面構造を模式的に示す。図８に示すように、素子基板上には走査線１０１とデータ線１０３が縦横にそれぞれ並列するように形成され、走査線１０１は画素毎に形成されたＴＦＴ１０４のゲートに接続され、ＴＦＴ１０４のソースはデータ線１０３に接続されている。ＴＦＴ１０４のドレインは画素電極１０６に電気的接続されているとともに蓄積容量１０５に電気的接続されている。蓄積容量１０５は容量線１０２に接続されている。この蓄積容量１０５を形成する方法としては、容量線１０２の代わりに前段の走査線１０１との間に接続してもよい。
【００３２】
走査線１０１には走査信号Ｇｎがパルス的に線順次で印加され、データ線１０３には画像信号Ｓｎが線順次に印加されるか、若しくは相隣接する複数のデータ線をグループとするグループ毎に印加される。ＴＦＴ１０４は、走査信号Ｇｎに従ってデータ信号Ｓｎに応じた電位を適宜に画素電極１０６に書き込む。画素電極１０６は図示しない液晶層を介して透明基板１２の内面上に形成された図示しない対向電極に対向し、所定電位が供給される対向電極との間で液晶層に所望の電界を付与する。
【００３３】
図９及び図１０に示すように、ＴＦＴ１０４は図９に図示斜線にて示す領域に延在し、ソース１０４１はデータ線１０３に対して開口部１０４１ａにて導電接続され、ゲート１０４２は走査線１０１と交差して図示しない薄い絶縁膜を介して対向する。ドレイン１０４３は開口部１０４３ａを介して画素電極１０６と導電接続される。これらの構造から延在した下電極１０４０は容量線１０２と絶縁層を介して平面的に重なり、上記蓄積容量１０５を構成している。蓄積容量１０５は、公知のように電荷のリークに対して画素電極１０６の電位を長時間保持するためのものである。
【００３４】
［第１実施形態］
次に、本発明に係る液晶装置の製造方法である第１実施形態について説明する。この実施形態は図６に示す液晶装置１０を形成するためのものである。
【００３５】
まず、上述のように透明基板１１と対向基板１２とをそれぞれ形成した後、透明基板１１，１２の内面上にポリイミドからなる膜を塗布し、焼成させて配向膜を形成する。ポリイミドを主成分とする配向膜素材としては種々のものがあるが、例えば、主鎖型ポリイミドｐｏｌｙ［４，４’−ｏｘｙｄｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｍｉｄｅ］（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）がある。配向膜には、公知のラビング法によって所定方向に配向処理（ラビング処理）が施される。この場合、偏光した紫外線や、イオン照射によって配向処理を施してもよい。ここで、液晶装置面上の所定方向に直線偏光した紫外線によって配向膜中の偏光方向に伸びる結合が乖離するので、配向膜を紫外線の偏光方向と直交する方向にラビング処理した場合と同様の方向に配向処理が施されることができる。また、イオンビームを所定の方位から傾斜（例えば４０〜５０°）させて照射することによって、照射方位の方向に配向処理を施すことができる。
【００３６】
次に、透明基板１１の内面上に未硬化の紫外線硬化型の樹脂からなるシール材１４を塗布し、透明基板１２をその上から貼り合わせる。このときの透明基板１１と透明基板１２の間隔はシール材１４に含まれたスペーサの粒径によって規制される。
【００３７】
透明基板１１と透明基板１２とを位置合わせし、透明基板１１に対して透明基板１２を押圧しながら、透明基板１２の側からシール材１４に対して３０ｍＷ／ｃｍ２  〜１５０ｍＷ／ｃｍ２  の照度で紫外線を数秒間、例えば３〜７秒間照射し、シール材１４を仮硬化させる。この結果、透明基板１１と透明基板１２とは所定間隔を持って貼り合わせられる。
【００３８】
なお、上記の基板の貼り合わせ工程及びシール材の光硬化工程において、本実施形態では、透明基板１１を多数含んだ構造の大判の元基板上に上記透明基板１２を多数貼りつけた状態で、複数の液晶装置部を同時に製造するようになっている。したがって、以下の説明部分においては、上記の元基板と複数の透明基板１２とが貼り合わせられた、複数の液晶装置部を含む大判パネル体１００を前提として図示し、かつ、記述する。
【００３９】
図１は、本発明に係る液晶装置の製造方法の第１実施形態におけるシール材の光硬化工程の様子を示す模式的な概略斜視図である。本実施形態では、上述の紫外線の照射時において、光源と大判パネル体１００との間に、遮光マスク５０を配置する。この遮光マスク５０は透光板の板面の一部に紫外線を弱め、或いは、遮断するために光吸収性あるいは光反射性の光変調領域を形成したものである。
【００４０】
具体的には、ガラスなどの透明板（基体）５１における大判パネル体１００に対向する裏面上にアルミニウムを選択的に蒸着法などによって被着し、遮光層５２を形成することによって遮光マスク５０を構成している。遮光層５２は、大判パネル体１００の複数の液晶装置部毎に、シール材１４の内側の液晶表示領域にほぼ一致した形状及び面積を備えている。
【００４１】
透明板５１の裏面上（透明基板に対向する側）における遮光層５２が形成されていない部分には、薄い透明樹脂性のフィルム５３が貼着され、このフィルム５３（遮光マスク５０と大判パネル体１００との間隔を保持するスペーサとして機能する。）が大判パネル体１００の表面（透明基板１１の液晶表示領域を除く外面部分又は透明基板１２の外周部の外面）上に接触した状態で、紫外線Ｍが照射される。フィルム５３の厚さ（貼着のための粘着層を備えている場合には粘着層の厚さも含む。）は遮光層５２よりも厚いがなるべく薄いことが好ましく、例えば、遮光層５２と大判パネル体１００の上面との間隔が数ｍｍ以内、好ましくは５０μｍ〜１００μｍ程度になるように厚さが調整されている。
【００４２】
このようにして、上述のようにシール材１４に対する光照射を行うと、遮光層５２によって紫外線が液晶表示領域内の配向膜の表面には照射されないようにすることができるので、紫外線照射によって上記配向膜の配向処理状態が損なわれ、液晶の配向秩序度が低下するなど、配向不良による表示品位の低下を低減することができる。
【００４３】
なお、上記遮光マスク５０の遮光層５２は、照射される光を完全に遮断するものでなくてもよく、形成領域を通過する光を弱めることによって配向膜に照射される光を充分に弱め、配向不良を低減できるような光変調層であればよい。
【００４４】
また、図１（ｂ）は上述の実施形態の変形例における光照射を説明するための図である。第１実施形態の変形例は、上述の第１実施形態と同じ構成を有するものであり、異なる点のみ記載する。図１（ｂ）に示されるように、大判パネル１００における複数の透明基板１１を含む大判の基板上に透明基板１２を貼り合わせた後、透明基板１２上におけるシール材が形成された領域以外の部分に光吸収性若しくは反射性の遮光膜が形成されたカバーガラス１３を貼着し、光照射することにより、シール材を硬化させるとともに、表示領域への光の照射を防ぐことができるようにしたものである。
【００４５】
尚、上記のカバーガラス１３を有する液晶装置を後述のプロジェクタに用いた場合、透明基板１２上へのごみの付着を防ぐことができる。このようなごみ等はカバーガラス１３に付着する可能性もあるが、その場合、ごみは液晶装置から離れるためデフォーカスされることになり、表示への影響を抑えることができる。
【００４６】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について詳細に説明する。この実施形態では、基本的に上記第１実施形態と同様のシール材の光硬化工程を有するものであり、異なる点のみ説明する。本実施形態では、マスクを用いる代わりに、照射される紫外線Ｎを所定方向の直線偏光とした点が上記実施形態と異なる。この実施形態では、第１実施形態と同様の透明基板１１、１２の内面上に形成された配向膜に対し、図２（ａ）は本実施形態のシール材の光硬化工程の様子を示す模式的な概略斜視図である。図２（ｂ）は上述のアクティブマトリクス型液晶装置において、走査線とデータ線と配向方向と光の偏光方向を示す図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるように、走査線１０１、データ線１０３の配線方向Ｘ，Ｙに沿ってラビング処理を施している。このように、配線方向Ｘ，Ｙに沿ってラビング処理を施すと、走査線１０１及びデータ線１０３の形成により生じた段差によって生ずる配向不良を低減することができる。本実施形態では、ＴＮ型の液晶セル構造を製造する必要があるため、透明基板１１の配向膜と透明基板１２の配向膜の配向処理方向は、相互に直交している。
【００４７】
大判パネル体１００には、上記のように配向処理された複数の液晶表示領域１００ａが配列形成されている。本実施形態では、この大判パネル体１００に対して、配線方向Ｘ，Ｙのいずれに対しても交差するように、例えば配線方向Ｘ，Ｙに対して共にほぼ４５°傾斜した方向Ｋ、あるいはＫ’に偏光した直線偏光からなる紫外線Ｎを照射する。偏光した紫外線としては、所定の偏光素子を用いて生成する他、レーザー光（例えばＱスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４次高調波（波長２６６ｎｍ）など）を用いることができる。
【００４８】
所定方向ＫあるいはＫ’に偏光した紫外線Ｎは、当該偏光方向Ｋに伸びる配向膜の主鎖を切断し、当該偏光方向とは直交する方向に伸びる配向膜の主鎖に対しては影響をあまり与えないため、配向膜の配向処理方向である配線方向Ｘ，Ｙに対して斜めに交差する方向に偏光した紫外線を照射することによって、通常の偏光していない紫外線を照射した場合よりも、配向膜の配向状態を損なう程度を弱めることができる。したがって、紫外線照射による配向不良の発生を低減することができる。
【００４９】
上記実施形態の変形例を図３及び図４に示す。図３には、液晶表示領域１００ａ内における透明基板１１，１２における配向処理方向Ｐ，Ｑを、配線方向Ｘ，Ｙに対して斜めの方向に設定した場合の紫外線の偏光方向Ｒ、Ｒ’を示す。偏光方向はＲとＲ’のどちらでもよい。通常、ＴＮ型の液晶表示装置においては、矩形の液晶表示領域１００ａに対して、対角方向に近い斜め４５度の方向Ｐ，Ｑにラビング処理を施す場合が多い。このような場合には、図示のように、矩形領域の長辺若しくは短辺に沿った方向に偏光した紫外線を照射することによって、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
図４（ａ）には、２枚の基板においてそれぞれの基板の配向処理方向Ｓを平行に設定した場合の紫外線の偏光方向Ｕを示すものである。この場合には、紫外線の偏光方向Ｕはそれぞれの基板の配向方向Ｓ、Ｔに対して共に直交することとなるため、紫外線照射による配向膜の配向能に対する影響をより小さくすることができる。
【００５１】
図４（ｂ）と図４（ｃ）はＧＨ（ゲストホスト）型の液晶表示装置を用いた場合についての配向方向の模式図である。ＧＨ型の液晶表示装置では、図４（ｂ）に示すように２枚の基板の配向方向Ｓ、Ｔが反平行であるか、或いは図４（ｃ）に示すように一方の基板のみに配向処理を施すようにしているので、紫外線の偏光方向と配向処理方向とを相互に直交させることができる。
【００５２】
上記実施形態では直線偏光した紫外線を照射する場合について述べたが、紫外線の偏光状態は直線偏光に限らず、充分に高い異方性を示すものであれば、楕円偏光であっても構わない。
【００５３】
以下、上記の液晶装置を液晶プロジェクタのライトバルブとして用いた場合について説明する。
【００５４】
［投射型表示装置の構成］
図５は、投射型表示装置である液晶プロジェクタの光学系の構造を示すものである。
【００５５】
液晶プロジェクタ２０のハウジング内には、図示断面で示す光学ユニットが内蔵されており、この光学ユニットには、光源を含む照明用光学系と、光源光を赤、緑、青の各光束Ｒ，Ｇ，Ｂに分離する色分離光学系と、後述する各液晶ライトバルブを透過させた後に各光束Ｒ，Ｇ，Ｂを再合成する色合成光学系と、色分離光学系から色合成光学系へと光束を導く導光系とを備えている。
【００５６】
照明用光学系には、光源ランプ２１と、微小レンズの集合体からなるインテグレータレンズ２２，２３と、偏光分離膜と１／４波長板との集合体からなる偏光変換素子２４と、反射ミラー２５とが設置されている。光源ランプとしてはハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプなどを用いることができる。偏光変換素子２４は、光軸に対して傾斜した偏光分離膜を配列させた状態に内蔵する透光板が１／４波長板に接した構造を備えており、入射光のうちＳ偏光は偏光分離膜を透過し、偏光分離膜にて反射されたＰ偏光は隣接する別の偏光分離膜にて反射されてＳ偏光に変換されるので、入射光をＳ偏光に揃えることができる。
【００５７】
色分離光学系には、赤緑反射ダイクロイックミラー２６と、緑反射ダイクロイックミラー２８が設置されており、赤緑反射ダイクロイックミラー２６において光束Ｒ及びＧは反射され、光束Ｂは透過する。反射された光束Ｒ及びＧのうち、光束Ｇは緑反射ダイクロッイックミラー２８にて反射され、光束Ｒは緑反射ダイクロイックミラー２８を透過する。
【００５８】
導光系においては、光束Ｂは反射ミラー２７にて反射され、集光レンズ３５に入射する。光束Ｇは緑反射ダイクロイックミラー２７から直接集光レンズ３４に入射する。光束Ｒは入射側レンズ２９、反射ミラー３０、中間レンズ３１及び反射ミラー３２を経て集光レンズ３３に入射する。
【００５９】
集光レンズ３３，３４，３５の先には、それぞれ液晶ライトバルブ３６，３７，３８が取り付けられている。これらの液晶ライトバルブは、後述する液晶装置をパネル取付枠に収容し、フレキシブル配線基板などの配線部材を接続させた液晶装置モジュールによって構成され、後述するパネル取付枠を光学ユニット内の支持固定部３９に対して挿入固定することによって設置される。これらのライトバルブは、図示しない制御駆動手段（上記配線部材に導電接続される。）によって所望の画像情報に応じてスイッチングが制御され、各光束Ｒ，Ｇ，Ｂに対する変調を行う。
【００６０】
色合成光学系では、上記液晶ライトバルブ３６，３７，３８によってそれぞれに変調されて所定の画像成分を構成するようにされた各光束Ｒ，Ｇ，Ｂを３つの面にて受けるダイクロイックプリズムを構成するキュービック状のプリズムユニット４０が設置されている。プリズムユニット４０は各光束Ｒ，Ｇ，Ｂを合成し、所望の画像情報を含むカラー画像を構成する。このカラー画像は、投射レンズユニット４１により所定位置にある図示しないスクリーン上に拡大投影される。
【００６１】
このような液晶プロジェクタ２０においては、図５が装置の横断面を表示するものである場合、各液晶ライトバルブ３６，３７，３８によって変調形成された各画像成分のうち、液晶ライトバルブ３６と３８によって形成された画像成分はプリズムユニット４０内の選択的反射面にて反射されるが、液晶ライトバルブ３７によって形成された画像成分は反射されることなくそのままプリズムユニット４０を透過する。したがって、光束Ｒ，Ｂに基づいて形成された画像成分と、光束Ｇに基づいて形成された画像成分とは、左右方向に垂直軸を対称軸として互いにミラー反転された状態で合成され、前方に投射されることになる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、液晶が配置されるシール材の内側領域にてシール材硬化用の光を選択的に弱め或いは遮断した状態で光照射することによって、配向膜への光の影響を低減し、配向不良を抑制することができる。
【００６３】
また、配向膜の配向処理方向に対して交差する方向に偏光された光によってシール材を硬化させるため、照射光による配向膜の配向処理状態への影響を低減することができ、配向不良などの配向処理状態に起因する問題点の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ)は本発明に係る液晶装置の製造方法の第１実施形態を説明するためのシール材の光硬化工程の様子を示す模式的な概略斜視図である。（ｂ）は第１実施形態の変形例を説明するための概略斜視図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る液晶装置の製造方法の第２実施形態を説明するためのシール材の光硬化工程の様子を示す模式的な概略斜視図である。（ｂ）はアクティブマトリクス型液晶装置の走査線及びデータ線と配向方向と紫外線の偏光方向との関係を示す説明図である。
【図３】第２実施形態の変形例を説明するための、パネルの配向処理方向と紫外線の偏光方向との関係を示す説明図である。
【図４】（ａ）は第２実施形態の変形例を説明するための、パネルの配向処理方向と紫外線の偏光方向との関係を示す説明図である。（ｂ）及び（ｃ）はゲストホスト型液晶装置における配向処理方向と紫外線の偏光方向との関係を示す説明図である。
【図５】上記各実施形態により製造された液晶装置をライトバルブとして用いる液晶プロジェクタの構造を示す概略断面図である。
【図６】上記各実施形態により製造される液晶装置の模式的な概略平面図である。
【図７】同液晶装置の模式的な概略断面図である。
【図８】同液晶装置における素子基板上に構成された構造の等価回路を示す回路図である。
【図９】同液晶装置における素子基板上の平面構造を示す平面配置図である。
【図１０】同液晶装置における素子基板上の断面構造を示す（図９のＸ−Ｘ線に沿って切断した状態を示す）模式的な拡大断面図である。
【符号の説明】
１０  液晶装置
１１  透明基板（素子基板）
１２  透明基板（対向基板）
１３  液晶
１４  シール材
２０  液晶プロジェクタ
５０  遮光マスク
５１  透明板
５２  遮光層
５３  フィルム
１００  大判パネル体
Ｍ、Ｎ  紫外線
Ｋ、Ｋ’、Ｒ、Ｒ’、Ｕ  偏光方向
Ｐ、Ｑ、Ｓ、Ｔ  配向処理方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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