(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１，第２，第３の磁性層と、該第１磁性層の上層であって光の入射側に形成された光学マスク層とを備え、前記光学マスク層が金属転移層を誘電体層で挟んだ３層構造であり、前記金属転移層が第２磁性層のキュリー温度よりも低い温度で金属酸化物から金属に転移する材料で形成され、光ビームの照射により、低温領域では外部磁界により第２磁性層および第１磁性層の磁化がそれぞれ一方向に揃って磁気的マスクが形成され、高温領域では前記光学マスク層により光学マスクが形成され、中間温度領域では第３磁性層に記録された記録マークを、その上層の第２磁性層を介してさらにその上層の第１磁性層に転写して再生できる構成であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
光の入射領域の中で、前記金属転移層の金属酸化物から金属に転移した高温部分に、下層の磁性層にまで光を到達させないような透過率の低い領域が形成されていることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記金属転移層が、ＡｇＯで形成されていることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第３磁性層の下層に接して、熱伝導層を備えていることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記熱伝導層が、ＡｌＣｒであることを特徴とする請求項４の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光磁気記録媒体に関し、特に、レーザ照射と磁場印加を行い、情報を熱磁気的に記録再生する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来より、近接場光を利用した高密度記録再生の技術が開発されている（たとえば、特開２０００−２４２９６９号，特開２０００−３４８３４８号，特開２０００−３４８３７７号，特開２００１−５６９６１号公報）。
これらは、光ビームのスポット径より短い周期で記録されたマークを検出する光記録再生の技術であるが、主として光の照射により透過率の変化が生ずるマスク層を用いて、このマスク層周辺に発生する近接場と記録層との相互作用を利用したものである。
【０００３】
たとえば、特開２０００−２４２９６９号公報では、温度とともに結晶質相から非晶質相に相変化する材料を活性層（マスク層）に用い、光照射により透過率が増加した微小開口を通して、近接場光により記録層の微小情報を再生することができる光記録媒体が記載されている。
【０００４】
また、特開２０００−３４８３４８号公報では、室温で透過率が高く、高温で透過率が低下する材料からなるマスク層を記録層の上に備え、透過率が低下したマスク層の領域近辺に発生する近接場と記録層との相互作用により、近接場光を用いて微小マークを再生する光学再生記録方法が記載されている。ここでは、記録層には、垂直磁化の光磁気記録材料が用いられている。
【０００５】
また、特開２０００−３４８３７７号公報では、マスク層が、光照射により化学変化を起こして屈折率変化領域（光学的なアパーチャ）を生じ、その化学変化が可逆的な材料により形成され、アパーチャの開閉速度が高速で、情報の読み出しを高速に行うことのできる光学試料体が記載されている。
【０００６】
このマスク層を用いた媒体は、高温で透過率が低下した領域からの近接場光を利用して情報を再生しようとするものであるが、低温の透過率の高い領域を通して記録層に直接入射する通常光を遮断することは難しく、再生信号の干渉により高分解能再生が困難となると思われる。さらに近接場の光強度は本質的に小さいため、近接場光のみ効率良く集光再生することが難しい。
【０００７】
さらに、特開２００１−５６９６１号公報では、マスク層を、光照射による温度上昇で絶縁体から金属に転移し、さらに温度上昇すると金属から再び絶縁体に変化する材料で形成し、光スポットの周辺に形成された環状の金属転移領域により近接場光を増強させて、高温の透過率の高い中心部の絶縁体領域から情報を再生する光記録媒体及びその再生方法が記載されている。
【０００８】
この媒体を用いれば、環状のマスク領域に局在した大きな電磁場が近接場と相互作用し、近接場光の強度を増幅させ、光スポットよりも狭小な金属転移領域を通して高密度の再生が可能となる。
しかし、温度の上昇とともに絶縁体−金属−絶縁体へと変化するマスク層は結晶材料を用いなければならないため、基板材料が限定されると同時に均一な結晶膜形成に高度な技術を要し、製膜工程が増える。
【０００９】
一方、近接場光を用いずに光スポット径より短い周期で記録されたマークを記録再生することのできる光磁気記録媒体の他のものとして、特開２０００−２００４４８号公報に、３層の磁性層からなる磁気超解像媒体が提案されている。
【００１０】
この３層構成の記録媒体は、ビームスポット内に形成される温度分布の低温領域と高温領域とにマスクを形成するダブルマスクの磁気超解像（Double mask Rear Aperture Detection：D-RAD）媒体である。この媒体では、トラックピッチ０．９μｍのランド基板上の０．３８μｍマークが３００Oe以内の再生磁場で検出できる。
さらに高密度化するためには、半径方向のトラックピッチを詰めてマークサイズも短くする必要があるが、ランドグルーブ基板を用い、ランドとグルーブの両方にマークを記録する方法も提案されている。上記D-RAD媒体はビームスポット内に２つのマスク領域を形成しアパーチャ−領域が狭いことから、分解能が高く、かつランドグルーブ基板を用いても隣接トラックからのクロストークがほとんどないという特徴を持つ。しかし、さらなる大容量化を目指してランドグルーブ基板のトラックピッチを極端に狭めた場合には、ノイズが増大すると同時に隣接トラックからのクロストークが無視できなくなるという問題を生じる。
【００１１】
ノイズの増大は、次のような原理で発生していると考えられる。ランドグルーブ基板の溝は、レーザーによる原盤露光、エッチングによるスタンパ作製、基板転写などの過程を経て形成される。このとき溝形状はレーザーの安定性、エッチング条件、転写条件によって左右され、狭ピッチの基板になるほど均一にむらなく作製することが難しくなる。
【００１２】
むらがあるような基板に磁性膜が形成されると垂直磁化が周内で場所的に揺らぐことに起因して偏光性のノイズが発生する。D-RAD媒体の場合、高温領域のマスクは再生層の磁化が外部磁場方向に向けられることで形成されるが、記録層に比べて垂直磁気異方性が小さな再生層の磁化は、下地の構造の影響を受けやすい。
特に狭トラックピッチになった場合、むらができやすいランドとグルーブの境界がビーム強度の強い領域で再生されることになるため、ノイズの増大がより顕著になる。
またクロストークは、トラックピッチが狭くなり、高温マスクが隣接トラックのマークに近づくと磁気的な影響で転写されやすくなることが考えられる。
【００１３】
以上述べたように、近接場光を用いた光記録再生の場合には、十分な光強度で高速に高分解能再生できる媒体を簡単な方法で製造するような条件を全て満足することが難しく、また、D-RAD媒体を用いた場合には、トラックピッチを極端に詰めた場合に高温マスクに起因したノイズおよびクロストークが顕著になるという問題があった。
【００１４】
そこで、この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、高密度記録再生をすることのできる狭トラックピッチ基板を用いて、低ノイズ化，低クロストーク化を実現し、従来と同様な製造工程で容易に製造することのできる光磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、少なくとも第１，第２，第３の磁性層と、該第１磁性層の上層であって光の入射側に形成された光学マスク層とを備え、前記光学マスク層が金属転移層を誘電体層で挟んだ３層構造であり、前記金属転移層が第２磁性層のキュリー温度よりも低い温度で金属酸化物から金属に転移する材料で形成され、光ビームの照射により、低温領域では外部磁界により第２磁性層および第１磁性層の磁化がそれぞれ一方向に揃って磁気的マスクが形成され、高温領域では前記光学マスク層により光学マスクが形成され、中間温度領域では第３磁性層に記録された記録マークを、その上層の第２磁性層を介してさらにその上層の第１磁性層に転写して再生できる構成であることを特徴とする光磁気記録媒体を提供するものである。
【００１７】
これによれば、光照射領域の所定の高温領域に光学的なマスクが形成されるので、狭トラックピッチ基板を用いた光磁気記録媒体でも、ノイズとクロストークを抑制することができ、高分解能再生が可能である。
【００１８】
ここで、前記金属転移層は、ＡｇＯ（酸化銀）のような金属酸化物で形成できる。
ＡｇＯのような金属酸化物は、室温程度では、光を照射するとほとんどそのまま透過するという点で非金属的な性質を示し、光の照射により所定の温度Ｔo以上となった部分ではＡｇとＯとに分解し光の透過率が低下して光学マスクが形成されるという点で金属的な性質を示すということができる。
すなわち、この発明の金属転移層として用いる金属酸化物であるＡｇＯは、所定の温度Ｔoを境に、金属酸化物と金属、あるいは非金属と金属との間を可逆的に転移する材料である。
【００１９】
この発明では、前記したように、所定の温度Ｔoは、第２磁性層のキュリー温度Ｔｃよりも低く設定する。
また、光の入射領域の中で、前記金属転移層の金属酸化物から金属に転移した高温部分に、下層の磁性層にまで光を到達させないような透過率の低い領域が形成される。この透過率の低い領域を光学マスクと呼ぶ。
【００２０】
光学マスク層の上方から光を入射すると、室温で非金属的性質を示すＡｇＯは、金属転移温度以上では金属であるＡｇとなり、光の入射領域のうちＡｇが形成された領域（高温領域）の光の透過率が低下するため、光学的なマスクが形成される。光学的なマスクが形成された領域の下方の磁性層には光は透過しないので、この高温領域を通しては第３磁性層の情報は再生されない。ここで、金属転移温度は、第２誘電体層の成膜ガス圧により異なるが、０．８Ｐａのとき１７０℃程度となる。
【００２１】
また、光の入射領域のうち所定の温度以下の領域（低温領域）では、いわゆる第１及び第２磁性層により磁気的なマスクが形成されているため、この低温領域を通しては第３磁性層の情報は再生されない。中間温度領域においてマークが転写されはじめる温度を転写温度と呼ぶ。したがって、光入射領域のうち、低温領域及び高温領域を通しては情報は再生されないが、この２つの領域にはさまれた中間温度領域において第３磁性層の情報が第２磁性層を介し、第１磁性層に転写されることにより再生される。ここで、第１磁性層を再生層，第２磁性層を中間層，第３磁性層を記録層と呼ぶ。
【００２２】
また、金属転移温度を第２磁性層のキュリー温度よりも低く設定するのは、高温領域において磁気的なマスクが形成される前に、金属転移層に光学マスクを形成するためである。金属転移温度は、いわゆる転写温度よりも高く、第２磁性層のキュリー温度よりも低く設定する必要がある。
【００２３】
また、この発明において、前記第３磁性層の下層に、熱伝導層を備えてもよい。
この熱伝導層は、ＡｌＣｒで形成することができる。これによれば、光スポットの温度分布がゆるやかになり、クロストークを低減できる。
【００２４】
また、この発明はランド及びグルーブに記録マークを有する基板上に、少なくとも光学マスク層，第１，第２及び第３磁性層をこの順に形成した光磁気記録媒体であって、前記光学マスク層が、金属転移層を誘電体層で挟んだ３層構造であり、前記金属転移層が第２磁性層のキュリー温度よりも低い温度で金属酸化物から金属に転移する層であり、基板側から光を入射したときに、第３磁性層に記録された記録マークを、第２磁性層を介してさらにその上層の第１磁性層に転写して再生することを特徴とする光磁気記録媒体を提供するものである。
【００２５】
さらに、ランド及びグルーブに記録マークを有する基板上に、少なくとも記録層と磁気的マスク層と光学マスク層がこの順に形成された光磁気記録媒体の再生方法であって、前記光学マスク層側から光ビームを照射することにより、低温領域では外部磁界により磁気的マスク層の磁化が同一方向に揃えられて磁気的マスクが形成され、高温領域では光学マスク層が金属に転移して光学マスクが形成され、中間温度領域では記録層の磁化が磁気的マスク層に転写されて記録層に記録された記録マークが再生されることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法を提供をするものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
＜第１実施例＞
図１に、この発明の光磁気記録媒体の第１実施例の概略断面構成図を示す。
この発明の光磁気記録媒体は、ランドグルーブ基板１の上に、光学的なマスク層（２，３，４），第１磁性層５，第２磁性層６，第３磁性層７，誘電体層８，熱伝導層９を、この順に形成して構成される。
第１磁性層５と第２磁性層６とは第３磁性層７に記録された情報の再生可否を制御するという意味で、磁気的なマスク層と呼ぶ。
【００２７】
記録再生のための光ビームは、基板１の側から照射される。但し、この基板を上記熱伝導層９の側に設け、第１誘電体層２側から光を入射させるようにしてもよい。
光学的なマスク層は、第１誘電体層２，金属転移層３，第２誘電体層４から構成される。金属転移層３の部分は、酸化銀（ＡｇＯ）を用いるが、所定の温度で非金属的性質を示す組成から金属に転移する材料で、所定温度より低温側で光ビームを通過するものであればよい。
【００２８】
ここで第１誘電体層２，第２誘電体層４は、たとえば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2で形成できるが、高屈折率のＳｒＴｉＯ3，ＴｅＯ2，ＢａＴｉＯ3，ＺｒＯ2などの酸化物を用いることもできる。
【００２９】
磁気的なマスク層である第１磁性層５及び第２磁性層６、第３磁性層７とを合わせて、磁性層は３層構成を持つ。
たとえば、第１磁性層５は、Ｇｄ２５Ｆｅ６２Ｃｏ１３を用いたが、その他ＧｄＦｅＣｏＣｒを用いることができる。
第２磁性層６は、（Ｇｄ３４Ｆｅ６２Ｃｏ４）９２Ｓｉ８を用いたが、ＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴｉを用いることができる。
第３磁性層７はＴｂ２２Ｆｅ６０Ｃｏ１８を用いることができる。
【００３０】
第３誘電体層８は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることができるが、その他に前記した誘電体材料を用いてもよい。
熱電導層９は、ＡｌＣｒ，ＡｌＴｉ，ＡｇＰｄＣｕなどの熱伝導率の高い材料を用いることができる。
【００３１】
第１磁性層５（再生層）と第３磁性層７（記録層）は常温で垂直磁化を示す。第２磁性層６（中間層）は、単層では室温からそのキュリー温度（２００℃程度）までは面内磁化を示すが、上記三層構成では転写温度で垂直磁化を示す。
【００３２】
このように、この発明の光磁気記録媒体は、基板１の上に８つの薄膜層を形成することにより構成されるが、各層は順次所定のガス圧等の条件を設定し、いわゆるＤＣスパッタ法により形成できる。
この実施例では、基板１としては、トラックピッチ０．４５μｍでランド及びグルーブに記録マークを有するランドグルーブ基板を用いるものとする。ただし、ランドのみあるいはグルーブのみに記録マークを有するランド基板，グルーブ基板を用いてもよい。
【００３３】
第１，第２及び第３誘電体膜２，４，８の形成は、アルゴンのガス圧を０．８Ｐａ，投入電力０．８ｋｗとして行う。
磁性層５，６，７及び熱伝導層９の形成は、アルゴンガス圧０．５〜１．９Ｐａ，投入電力０．５〜０．８ｋｗとして行う。
金属転移層３としての酸化銀層３の形成は、アルゴンガスＡｒの中に酸素ガスを流量比３０％で導入した混合ガスを用い、ガス圧０．８Ｐａ，投入電力０．８ｋｗとして行う。
【００３４】
また、各層の膜厚は、第１誘電体層（２）５０ｎｍ，金属転移層（３）１５ｎｍ，第２誘電体層（４）２０ｎｍ，第１磁性層（５）４０ｎｍ，第２磁性層（６）４０ｎｍ，第３磁性層（７）５０ｎｍ，第３誘電体層（８）６０ｎｍ，熱伝導層（９）１５ｎｍとする。
ただし、各層の膜厚は、各層の役割を果たすことができる範囲内で適宜変更してもよい。
【００３５】
特に、後述するように、金属転移層３としての酸化銀層３は、所定の金属転移温度で銀と酸素に分離し光学マスクが生成される。前記した従来技術の項で述べた近接場光を利用した媒体では光学マスク層が記録層に接近してないといけないが、本発明では通常光を用いるため従来技術のように近接場光が必ずしも記録層７にまで到達するように各層の膜厚を設計する必要はない。
したがって、低温部分の高透過率領域において所定のエンハンス条件を満たすように、第１誘電体層２，金属転移層３，第２誘電体層４の合計膜厚を調整しさえすれば、それぞれ層の膜厚は自由に変えることができる。
【００３６】
次に、図２に、この発明の光磁気記録媒体の再生時における磁化状態の説明図を示す。ここで、白抜き矢印は、その層内の正味の磁化方向を示す。
この光磁気記録媒体を回転した状態で、基板１側の上方向から光ビームＳが照射され反対方向から再生磁場２１が印加されると、図２に示すように、光スポット中に低温領域Ａ，中間温度領域Ｂ，高温領域Ｃができる。
【００３７】
光スポットの低温領域Ａでは、室温で単層のとき面内磁化を示していた第２磁性層６の磁化が再生磁場２１と同じ方向（図では上方向）に向けられる。
このとき、この第２磁性層６の磁化と交換結合することにより、第１磁性層５の磁化方向は、再生磁場２１と逆方向（図２の下方向）に向くことになる。したがって、この低温領域Ａにおいては、記録層としての第３磁性層７の磁化情報は、磁気的にマスクＡ１が形成されたことになる。このとき第２磁性層６と第３磁性層７との間には磁気的な界面磁壁２２が形成されている。
次に、光スポットの中間温度領域Ｂにおいては、第３磁性層７と第２磁性層６、および第２磁性層６と第１磁性層５との間の各交換結合力により、第３磁性層７の磁化が第２磁性層６を介して第１磁性層５に転写される。
【００３８】
一方、光スポットの高温領域Ｃは、第２磁性層６のキュリー温度Ｔｃよりも高温となった部分をいうが、この部分には、図に示すような光学マスクＣ１が形成される。この高温領域Ｃでは、第１誘電体層２と第２誘電体層４に挟まれた酸化銀層３が、銀と酸素成分に分解され、金属である銀自体により光の反射率が高くなる。逆に光の透過率は低くなる。
【００３９】
すなわち、高温領域Ｃに入射した入射光のほとんどは、この銀により反射され、第１磁性層５へは到達しないことになるので、この意味で、金属転移層３の高温領域は、光学マスクＣ１が形成されていると言える。
したがって、高温領域Ｃにおいては、この光学マスクＣ１のために、記録層７の情報は読み出されない。
このように低温領域では磁気的マスクが形成され、高温領域では光学マスクが形成されるので、中間温度領域Ｂの記録層７の情報のみが、再生層５に転写されて再生されることになる。
【００４０】
図２においては、高温領域Ｃの第１磁性層５の磁化は再生磁場２１により、この磁場方向を向いたものを示しているが、この磁化が消失するような特性を持つ磁性膜を第１磁性層５に用いてもよい。
【００４１】
ところで金属転移温度とは、金属転移層３が室温で非金属的性質を持つ金属酸化物（たとえばＡｇＯ）から金属（Ａｇ）に転移することにより光学マスクＣ１が形成される温度を意味する。この金属への金属転移温度は、第２磁性層６のキュリー温度Ｔｃよりも低い温度に設定する。
【００４２】
たとえば、この実施例において、第２磁性層６のキュリー温度Ｔｃが１９０℃であるとすると、金属転移温度はそれより２０℃程度低い温度（１７０℃）となるように設定した。あるいは、この金属転移温度を１９０℃とする場合には、第２磁性層６のキュリー温度をそれより２０℃程度高い２１０℃とした。あるいは、第２磁性層のキュリー温度を金属転移温度よりももっと高く設定しても良い。例えば金属転移温度１９０℃，キュリー温度２６０℃としてもよい。
【００４３】
すなわち、光学マスクを適切に形成するためには、金属転移温度が、第２磁性層６のキュリー温度よりも少し低い温度となるように、光学マスク層の誘電体の成膜条件、例えばガス圧を制御する。
【００４４】
また、金属転移温度は、前記した転写温度よりも高く設定する。たとえば、転写温度が１００℃程度であるとすると、金属転移温度はこれより高い１７０℃程度に設定すればよい。この金属転移温度は、バイアス電圧印加や、第２誘電体層４の製膜ガス圧を変えることにより調整できる。
【００４５】
次に、図３に、この発明の消去ノイズの再生パワー依存性の測定グラフを示す。
横軸が再生パワー（Ｐｒ）であり、縦軸が消去ノイズの値を示す。
消去ノイズとは、記録層７の磁化を一定方向にそろえるために、この発明の記録媒体にいわゆる消去処理をした後に、測定したノイズを意味する。
図３では、この消去処理後に、外部再生磁場を加えた場合（Ｈｒ＝４５０Ｏｅ）と、加えない場合（Ｈｒ＝０）を示している。
【００４６】
図４は、図３との比較のために示した、従来の磁気超解像媒体のノイズの再生パワー依存性の測定グラフである。
図４の従来媒体は、いわゆる光学マスク層（２，３，４）に相当する部分を単層のＳｉＮ層で形成された通常のＤ−ＲＡＤ媒体である。
図４の従来のものは、磁場（Ｈｒ＝４００Ｏｅ）を加えたときのノイズが、加えないときのノイズよりも大きくなる傾向が見られるが、図３のこの発明の媒体では、磁場の印加をするしないにかかわらず、ほとんどノイズに差はない。
すなわち、この発明の媒体では、実際に再生磁場を印加する再生時においても、ノイズが増加することはなく、高分解能再生が可能であると言うことができる。
【００４７】
図４の通常のＤ−ＲＡＤ媒体では、高温領域にリアマスクが形成される程度の再生パワー（３．２ｍＷ以上）を印加すると、消去ノイズが増加している。
これは、高温領域の再生層５の磁化方向が外部磁場２１方向にそろえられたとき、基板の溝形状や下地構造（層２〜４）の影響で、再生層５の垂直磁化の方向がばらつきを生じるために、偏光性のノイズが発生したと考えられるからである。このことは、別の実験で磁化方向が再生磁場方向にそろうように磁場強度をさらに強めた場合、消去ノイズが少し低下したことからもわかった。
【００４８】
一方、図３のこの発明の媒体において消去ノイズに差がないのは、偏光性ノイズが発生しないためと考えられる。すなわち、高温領域では、酸化銀が銀と酸素とに分離するが、透過率の低い銀が、再生層５の磁化方向のばらつきをマスクするように機能したために、偏光性ノイズが発生しなかったものを考えられる。
【００４９】
また、高温領域に従来のようなリアマスクが形成されないような場合でも、消去ノイズの増大は観測されないので、高温領域にマスクが形成されていることを確認するため以下のような実験を行った。ＬＤ波長＝６３５ｎｍ、ＮＡ＝０．６のＭＯテスターを用いて、線速７．５ｍ／ｓで、最短マーク長０．２０μｍの２Ｔと８Ｔの混在したパターンをこの発明の媒体に記録し、ＭＯ信号の振幅を測定した。
その結果、２Ｔと８ＴのＭＯ振幅は、ほとんど同じで分解能は１００％近くあった。また、線速を１２ｍ／ｓまで上昇させた場合でも、同様に１００％近い分解能で再生可能であり、高速転送が可能であった。
このことより、この発明の媒体では、再生磁場を印加してもノイズは上昇せず、高温領域にいわゆるリアマスクが形成されていると言うことができる。
【００５０】
図６に、従来のＤ−ＲＡＤ媒体とこの発明の記録媒体のＭＯ波形の比較図を示す。図の縦軸はＭＯ振幅のpeak−to−peak（１００ｍＶ）を示しており、横軸は時間を示している。図６（ａ）は、Ｄ−ＲＡＤ媒体のＭＯ波形であり、図６（ｂ）はこの発明の記録媒体のＭＯ波形である。
この発明の媒体と従来のＤ−ＲＡＤ媒体の２ＴパターンのＭＯ波形を比較すると、Ｄ−ＲＡＤ媒体（図６（ａ））では、波形のリア部分にわずかに歪みが生じており非線形となっていた。これは、第１磁性層５に転写されたマークと、高温領域に形成される磁気マスクとが同じ方向を示すために、マークが移動して高温マスク領域にかかった瞬間に磁気的な相互作用が生じ、ＭＯ波形のリア部分の歪みとして観測されたものと考えられる。
【００５１】
一方、この発明の媒体図６（ｂ））では、リア部分の歪みはほとんど観測されなかった。すなわち、この発明の媒体では、波形の線形性が改善され、再生信号処理の精度の向上に有利な波形が得られることがわかる。
この発明では、高温領域において、磁気マスクが形成されても、光の入射側にさらに光学マスクが形成されているので、この磁気マスクの影響が抑えられたものと考えられる。
【００５２】
したがって、高温領域に磁気マスクが形成されるような媒体では、前記したように、光学マスクが形成される転移温度を、第２磁性層のキュリー温度よりも多少低めに設定することが好ましい。あるいは逆に、第２磁性層のキュリー温度が、この転移温度よりも高くなるように第２磁性層を形成すればよい。
【００５３】
また、この発明の媒体と従来のＤ−ＲＡＤ媒体のクロストークの再生パワー依存性を測定すると、この発明の媒体では、ほとんどクロストークは観測されなかった。
この発明と同じトラックピッチ０．４５μｍのランドグルーブ基板上に製膜した従来のＤ−ＲＡＤ媒体では、再生し始めるパワー（Ｐｒｔｈ＝３．４ｍＷ）より１０％程度高い再生パワーをかけると隣接トラックの漏れ込み信号が観測された（再生パワーマージン±４％）。
一方、この発明の媒体で再生し始めるパワー（Ｐｒｔｈ＝３．４ｍＷ）よりも３５％高い再生パワーをかけても、クロストークはほとんど観測されなかった（再生パワーマージン±１５％）。
【００５４】
また、ＬＤ波長＝４０５ｎｍの青色レーザを用いて線速７．５ｍ／ｓで、同様にクロストークの再生パワー依存性を測定した。この場合、再生パワーを上げていくとキャリアの低下がみられ、ＬＤ波長＝６３５ｎｍのときと比べて、再生パワーのマージンは狭くなるが、従来のＤ−ＲＡＤ媒体よりはクロストークは少なく、広い再生パワーマージンが得られた。
【００５５】
従来のＤ−ＲＡＤ媒体では、再生パワーＰｒｔｈ＝２．１ｍＷに対して１１％高い再生パワーをかけると漏れ込み信号が観測された（再生パワーマージン±５％）。一方、この発明の媒体では、再生パワーＰｒｔｈ−２．１ｍＷに対して３３％高い再生パワーをかけてもクロストークは観測されなかった（再生パワーマージン±１４％）。
以上より、図１に示したこの発明の光磁気記録媒体によれば、ノイズが少なく、クロストークも低い高分解能の光磁気記録媒体を提供することができる。また、前記したように、各層の形成も、ＤＣスパッタ法という従来と同様の方法により容易に行うことができる。
【００５６】
＜第２実施例＞
ところで、前記したように、ＬＤ波長４０５ｎｍの青色レーザを用いた場合、ＬＤ波長６３５ｎｍのレーザの場合よりも再生パワーマージンが低下するのは、光スポット内の温度分布がより急峻となったためと考えられる。すなわち、ＬＤ波長４０５ｎｍの青色レーザを用いた場合は、低再生パワーでも光スポット内の温度は同じピーク温度に到達すると考えられ、このことはＬＤ波長６３５ｎｍのような高い再生パワーをかけることができないことを意味する。
【００５７】
そこで、ここでは、光スポットの温度分布をゆるやかにしてクロストークの低減を図るために、熱伝導層１０をさらに追加した構成の光磁気記録媒体について説明する。
【００５８】
図５に、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の断面構成図を示す。
図５の媒体では、図１と異なり、第２熱伝導層１０を第３磁性層７と第３誘電体層８との間に設ける。第２熱伝導層１０はＡｌＣｒを用いて同様のＤＣスパッタ法にて形成する。
また、第１誘電体層２の膜厚を２０ｎｍ、第２熱伝導層１０の膜厚を１５ｎｍ、最下層の熱伝導層９の膜厚を２５ｎｍとする。さらに、構成上の差ではないが、第３磁性層７のキュリー温度を３５０℃程度に上昇させるために、図１の媒体の第３磁性層７よりもＣｏ成分の量を５〜６％程度増加させる。ここで、第３磁性層のキュリー温度を上昇させるのは、高再生パワーを加えてマークが消失するのを避けるためである。
基板１は、トラックピッチ０．３５μｍのランドグループ基板を用いた。
【００５９】
このように、第３磁性層（記録層）７に直接接するように、熱伝導層１０を設けることにより、熱伝導率が高くなり、光スポットの温度分布を緩やかにすることができる。温度分布が緩やかになると、クロストークの低減と、再生パワーマージンの改善ができる。
【００６０】
このような図５の媒体に対して、ＬＤ波長４０５ｎｍの青色レーザを用いて、クロストークの評価を行った。図５の媒体では、図１の媒体よりもさらに狭トラックピッチ（＝０．３５μｍ）の基板を用いているにもかかわらず、再生パワーＰｒｔｈよりも１５％程度高い再生パワーでも隣接トラックからのクロストークは観測されなかった。また、ＬＤ波長６３５ｎｍのレーザを用いた場合と同程度の再生パワーマージン（±１２％）を得ることができた。
【００６１】
以上より、この第２実施例によれば、第３磁性層に密着させて熱伝導膜を設け、熱伝導性を高くしているので、さらに短い波長のレーザを用いた場合においても、狭トラックピッチの基板において、低ノイズかつ低クロストークの光磁気記録媒体を提供することができる。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではない。例えば第１実施例の媒体構成のうち第１磁性層のみを形成しない媒体でも第２磁性層だけで磁気的マスクが形成されるので、同様の効果を生ずる。また、第２磁性層と第３磁性層との交換結合力を制御するためにこれらの層間に非極性層を設けてもよい。
【００６２】
【発明の効果】
この発明によれば、狭トラックピッチの基板においても、高分解能再生が可能で、低ノイズかつ低クロストークの光磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の光磁気記録媒体の一実施例の概略断面構成図である。
【図２】この発明の光磁気記録媒体における再生時の磁化状態の説明図である。
【図３】この発明の消去ノイズの再生パワー依存性の測定グラフである。
【図４】従来の光磁気記録媒体の消去ノイズの再生パワー依存性の測定グラフである。
【図５】この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の断面構成図である。
【図６】この発明の記録媒体と従来のＤ−ＲＡＤ媒体のＭＯ波形図である。
【符号の説明】
１  基板
２  第１誘電体層
３  金属転移層
４  第２誘電体層
５  第１磁性層（再生層）
６  第２磁性層（中間層）
７  第３磁性層（記録層）
８  第３誘電体層
９  熱伝導層
１０  第２熱伝導層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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