(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金を活性化する場合において、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素とを機械的に混合して少なくとも六方晶系窒化ホウ素を微細化し、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面状態を改質する水素吸蔵材料の活性化方法であって、
当該金属あるいは水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が１０〜５０ｗｔ％であり、
六方晶系窒化ホウ素の結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化して、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面に付着させることを特徴とする水素吸蔵材料の活性化方法。
【請求項２】
請求項１において、機械的混合の手段として高エネルギーボールミルを用いることを特徴とする水素吸蔵材料の活性化方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記機械的混合は不活性ガス雰囲気で行われることを特徴とする水素吸蔵材料の活性化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は水素吸蔵材料の活性化方法、さらに詳細には将来のクリーンエネルギー媒体である水素ガスを貯蔵する場合に用いる水素吸蔵材料を容易に活性化するための方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
水素は容易に電気エネルギー、機械的エネルギーおよび熱エネルギーへ変換可能であり、その際、二酸化炭素等の有害物質を放出しないため、クリーンなエネルギー媒体の一つとして注目されている。
【０００３】
水素が次世代エネルギー媒体として社会に広く普及するためには、その需要・供給量の制御や効率的な輸送を担う水素貯蔵技術の開発が必須である。近年、水素貯蔵の高密度化を目指して、各種水素吸蔵合金および炭素系水素吸蔵材料を中心とした、種々の材料探索が精力的に展開されている。
【０００４】
Ｍｇ，Ｔｉ及びＶはそれぞれ単位金属重量当たり、８．２ｗｔ％、４．１ｗｔ％及び３．９ｗｔ％の大量の水素を吸蔵し、特にＭｇ及びＴｉは安価であることから低コスト貯蔵システム構築のための貯蔵媒体として有望であり、Ｍｇ，Ｔｉを基にした種々の水素吸蔵合金が開発されている。
【０００５】
例えば、Ｍｇ２ＮｉおよびＴｉＦｅはそれぞれ３．６ｗｔ％および１．８ｗｔ％の水素吸蔵量を有している。しかし、以上の金属および合金の表面は通常、酸化物あるいは窒化物で覆われているため、初回の水素との反応性が低く、水素吸蔵時には３００〜５００℃の高温下、数〜数１０ＭＰａの高圧水素下で初期活性化処理を数回行う必要がある。
【０００６】
さらに一度活性化させた金属あるいは合金は大気中の酸素および窒素に対して敏感であり、表面が再汚染されてしまうため、活性化後の特性を維持するには不活性ガス雰囲気下で取り扱う等、細心の注意を要した。
【０００７】
すなわち、活性化前の水素吸蔵材料を水素貯蔵用容器に封入した後、使用する前に高温、高圧水素下での活性化処理が必要となり、それに耐え得る強度を有する容器が要求される。従って、その材料及び構造が著しく制限され、特に燃料電池自動車用水素タンク等、小型、軽量化が要求される場合に大きな問題となる。
【０００８】
以上の問題点を解決するための方策として、高温、高圧水素下での処理を必要としない活性化方法が検討されており、例えばグラファイトによる金属および合金の表面改質が挙げられる。しかし、Ｍｇ，ＴｉあるいはＶへ炭素が固溶し、一部が炭化物に変化してしまうため、水素吸蔵特性の低下が見られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記のような技術の現状のもとでなされたものであって、本発明の目的は高い水素吸蔵能を有するＭｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金を初期活性化する場合において高温、高圧水素下での処理が必要であるという点を解決した簡便な水素吸蔵材料の活性化方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明はＭｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金を活性化する場合において、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素とを機械的に混合して少なくとも六方晶系窒化ホウ素を微細化し、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面状態を改質する水素吸蔵材料の活性化方法であって、当該金属あるいは水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が１０〜５０ｗｔ％であり、六方晶系窒化ホウ素の結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化して、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面に付着させることを特徴とする。
【００１１】
また、六方晶系窒化ホウ素の結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化して、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面に付着させることを特徴とする。
【００１２】
さらに、上記活性化方法は当該金属あるいは水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が１０〜５０ｗｔ％の範囲であり、機械的混合の手段として高エネルギーボールミルを用いる活性化方法である。また、機械的な混合はＡｒガス中などの不活性雰囲気下で行われることを特徴とする。
【００１３】
【作用】
水素が当該水素吸蔵材料内部に水素化物として貯蔵されるためには材料表面を経て水素拡散が起こる必要がある。通常、材料表面は酸化物および窒化物等の不純物膜で覆われており、初期水素拡散を妨げている。当該水素吸蔵材料を高温、高圧水素下に曝すことにより酸化物および窒化物等の不純物膜を還元し、取り除くのが従来の活性化方法であった。本発明の活性化方法によれば高温、高圧水素下に曝すことなく、六方晶系窒化ホウ素共存下で機械的に混合することにより、迅速な活性化が可能である。
【００１４】
本発明について図を用いてさらに詳しく説明する。本発明の活性化方法における効果は以下の２つの因子により発現する。
【００１５】
図１に本発明の活性化処理における水素吸蔵材料の変化の概念図を示す。１は本発明の活性化処理開始時の水素吸蔵材料、２は本発明の活性化処理後の水素吸蔵材料を示している。まず、水素吸蔵材料３の表面が六方晶系窒化ホウ素４との機械的な混合により研磨され、酸化物および窒化物等の不純物膜５が取り除かれる。すなわち、水素吸蔵材料表面が清浄化され材料表面から内部への水素拡散の経路が確保される。
【００１６】
次いで、清浄化された水素吸蔵材料表面が、好ましくは２０ｎｍ以下まで微細構造化した六方晶系窒化ホウ素６により修飾され、水素吸蔵材料から微細構造化窒化ホウ素への電荷移動が起こる。よって、水素吸蔵材料表面の電子密度が低くなり、水素吸蔵材料表面の再酸化および再窒化が抑制される。ここで、六方晶系窒化ホウ素の結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化しない場合には立体的な障害により、六方晶系窒化ホウ素が水素吸蔵材料に近接できにくく、両者の接触界面が少なくなり、このような電子的な相互作用が起こりにくくなる。よって、活性化の効果が低減してしまう。
【００１７】
また、水素吸蔵材料と六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が５０ｗｔ％を超える場合でも活性化の効果が見られるが、水素吸蔵材料の割合が小さくなるため、水素吸蔵材料と六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する水素吸蔵量は小さくなり、実用上好ましくない。なお、六方晶系窒化ホウ素の割合が１０ｗｔ％未満である場合には活性化の効果は限定されたものになる。
【００１８】
以上のように水素拡散経路の確保、水素吸蔵材料表面の再酸化および再窒化の抑制により、本発明は、高温、高圧水素下での還元処理を必要とせず、水素吸蔵材料の簡便な活性化を実現することができる。
【００１９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２０】
【実施例１】
Ｔｉ粉末（０．９ｇ）と六方晶系窒化ホウ素（以下ｈ−ＢＮと記述）粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、１時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００２１】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、Ｔｉに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物等の副生はないことがわかった。
【００２２】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が８ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００２３】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図２に示す。７はｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉにおける水素吸蔵量の経時変化であり、８はｈ−ＢＮ無添加Ｔｉにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加Ｔｉは２４時間後においてもわずかに水素を吸蔵するだけであるが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は２４時間後で３．６ｗｔ％に達した。以上の結果から明らかなように、本発明の活性化方法によりＴｉは高温、高圧水素下で初期活性化することなく２５℃の温和な条件下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００２４】
【実施例２】
Ｔｉ粉末（０．５ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．５ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、０．５〜５時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００２５】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子サイズは機械的混合時間とともに減少し、０．５、１、２、５時間の処理でそれぞれ４０、２０、１５、５ｎｍとなった。
【００２６】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために１ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図３に示す。ｈ−ＢＮの結晶子サイズが小さいほど水素吸蔵速度は速くなり、ｈ−ＢＮの結晶子サイズが５ｎｍの場合には１時間でほぼ、この試料の理論水素吸蔵量（２．０５ｗｔ％）に達していた。結晶子サイズが小さいほどＴｉ表面との電子的な相互作用が強く働くために水素吸蔵速度が増大する。
【００２７】
以上の結果から明らかなように、ｈ−ＢＮの結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化して、Ｔｉの表面に付着させることにより、高い水素吸蔵活性が得られることがわかった。
【００２８】
【実施例３】
Ｔｉ粉末とｈ−ＢＮ粉末をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、１時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。ここで、Ｔｉとｈ−ＢＮの総重量（１．０ｇ）に対するｈ−ＢＮの割合を５〜９０ｗｔ％の範囲で変化させて、種々の試料を作成し、３ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における水素吸蔵量の評価を行なった。その結果を図４に示す。水素吸蔵量は試料中のｈ−ＢＮ含有量が少ないほど直線的に大きくなるが、１０ｗｔ％未満では水素の吸蔵が見られず、すなわち、活性化の効果は全く見られなかった。ｈ−ＢＮ含有量５０ｗｔ％を超える場合でも活性化の効果が見られるが、水素吸蔵を担うＴｉの割合が小さくなるため、水素吸蔵量は小さくなり、実用上好ましくない。
【００２９】
以上の結果から明らかなように、Ｔｉとｈ−ＢＮの総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が１０〜５０ｗｔ％である場合に大量の水素吸蔵が可能となった。
【００３０】
【実施例４】
Ｍｇ粉末（０．９ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、１時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００３１】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、Ｍｇに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物等の副生はないことがわかった。
【００３２】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が１２ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００３３】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２００℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図５に示す。１３はｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇにおける水素吸蔵量の経時変化であり、１４はｈ−ＢＮ無添加Ｍｇにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加Ｍｇは２４時間後においてもほとんど水素を吸蔵していないが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は２４時間後で６．３ｗｔ％に達した。
【００３４】
以上の結果から明らかなように、本発明の活性化方法によりＭｇは高温、高圧水素下で初期活性化することなく２００℃の比較的低温下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００３５】
【実施例５】
Ｖ粉末（０．９ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、１時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００３６】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、Ｖに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物等の副生はないことがわかった。
【００３７】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が８ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００３８】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図６に示す。１５はｈ−ＢＮにより活性化されたＶにおける水素吸蔵量の経時変化であり、１６はｈ−ＢＮ無添加Ｖにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加Ｖは２４時間後においてもほとんど水素を吸蔵しないが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＶでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は２４時間後で３．２ｗｔ％に達した。
【００３９】
以上の結果から明らかなように、本発明の活性化方法によりＶは高温、高圧水素下で初期活性化することなく２５℃の温和な条件下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００４０】
【実施例６】
Ｍｇ２Ｎｉ粉末（０．９ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、２時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００４１】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、Ｍｇ２Ｎｉに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物等の副生はないことがわかった。
【００４２】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が５ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００４３】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２００℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図７に示す。１７はｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇ２Ｎｉにおける水素吸蔵量の経時変化であり、１８はｈ−ＢＮ無添加Ｍｇ２Ｎｉにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加Ｍｇ２Ｎｉは１０時間後においてわずか０．６ｗｔ％水素を吸蔵するだけであったが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇ２Ｎｉでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は１０時間後で３．２ｗｔ％に達した。
【００４４】
以上の結果から明らかなように、本発明の水素吸蔵材料の活性化方法によればＭｇ２Ｎｉを高温、高圧水素下で初期活性化することなく２００℃の比較的低温下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００４５】
【実施例７】
ＴｉＦｅ粉末（０．９ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、２時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００４６】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、ＴｉＦｅに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物の副生はないことがわかった。
【００４７】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が５ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００４８】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図８に示す。１９はｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉＦｅにおける水素吸蔵量の経時変化であり、２０はｈ−ＢＮ無添加ＴｉＦｅにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加ＴｉＦｅは２４時間後においてわずか０．１ｗｔ％水素を吸蔵するだけであったが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉＦｅでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は２４時間後で１．５ｗｔ％に達した。
【００４９】
以上の結果から明らかなように、本発明の活性化方法によりＴｉＦｅは高温、高圧水素下で初期活性化することなく２５℃の温和な条件下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００５０】
【実施例８】
Ｔｉ１．２ＣｒＶ粉末（０．９ｇ）とｈ−ＢＮ粉末（０．１ｇ）をクロム鋼製ボール（７ｍｍφ×２２個）とともにクロム鋼製遊星型ボールミル装置用容器（容量４５ｍｌ）の中に入れ、遊星型ボールミル装置を用いて、Ａｒガス雰囲気下、室温で、２時間機械的混合した。遊星型ボールミル装置の回転数は４００ｒｐｍとした。
【００５１】
ボールミル機械混合後の混合粉末試料のＸ線回折の結果より、Ｔｉ１．２ＣｒＶに帰属されるもの以外のピークは観測されなかったことから水素吸蔵量低下の原因となる窒化物およびホウ化物等の副生はないことがわかった。
【００５２】
一方で、ｈ−ＢＮに帰属されるピークはブロード化し、強度が著しく低下していることからｈ−ＢＮはほぼ無秩序な状態にまで微細化されていることがわかった。Ｘ線回折およびラマン分光スペクトルから結晶子の大きさを見積もったところ、ｈ−ＢＮの結晶子が１０ｎｍ程度まで微細化されていることが明らかとなった。
【００５３】
本試料の水素吸蔵速度を調べるために２ＭＰａの水素雰囲気下、２５℃における本試料の水素吸蔵量の経時変化を測定した。その結果を図９に示す。２１はｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉ１．２ＣｒＶにおける水素吸蔵量の経時変化であり、２２はｈ−ＢＮ無添加Ｔｉ１．２ＣｒＶにおける水素吸蔵量の経時変化である。ｈ−ＢＮ無添加Ｔｉ１．２ＣｒＶは１０時間後においてわずか０．７ｗｔ％水素を吸蔵するだけであったが、ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉ１．２ＣｒＶでは速やかに水素吸蔵が開始され、水素吸蔵量は１０時間後で２．９ｗｔ％に達した。
【００５４】
以上の結果から明らかなように、本発明の活性化方法によりＴｉ１．２ＣｒＶは高温、高圧水素下で初期活性化することなく２５℃の温和な条件下で大量の水素を吸蔵できることがわかった。
【００５５】
なお、上記実施例１〜８において、ボールミルによるＭｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金の粉末と六方晶系窒化ホウ素はＡｒガス雰囲気下、すなわち不活性がス雰囲気下に限定されるものではなく、大気中でも行うことができる。この場合、多少水素吸蔵能が低下する。
【００５６】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、Ｍｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金と六方晶系窒化ホウ素とを六方晶系窒化ホウ素の総重量に対する六方晶系窒化ホウ素の割合が１０〜５０ｗｔ％となるように機械的に混合し、六方晶系窒化ホウ素の結晶子を２０ｎｍ以下まで微細化して、当該金属あるいは当該水素吸蔵合金の表面に付着させることにより、Ｍｇ，Ｔｉ及びＶならびにＭｇ，Ｔｉ及びＶの中から選ばれた少なくとも一種類の金属を含有する水素吸蔵合金を高温、高圧水素下での処理なしに、室温付近で簡便に初期活性化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の活性化処理における水素吸蔵材料の変化を示す図。
【図２】Ｔｉにおける本発明の効果を示す図。
【図３】種々のｈ−ＢＮ結晶子サイズを有する試料における水素吸蔵量の経時変化を示す図。
【図４】ｈ−ＢＮ含有量と水素吸蔵量の関係を示す図。
【図５】Ｍｇにおける本発明の効果を示す図。
【図６】Ｖにおける本発明の効果を示す図。
【図７】Ｍｇ２Ｎｉにおける本発明の効果を示す図。
【図８】ＴｉＦｅにおける本発明の効果を示す図。
【図９】Ｔｉ１．２ＣｒＶにおける本発明の効果を示す図。
【符号の説明】
１      本発明の活性化処理開始時の水素吸蔵材料
２      本発明の活性化処理後の水素吸蔵材料
３      水素吸蔵材料
４      六方晶系窒化ホウ素
５      不純物膜
６      微細構造化した六方晶系窒化ホウ素
７      ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉにおける水素吸蔵量の経時変化
８      ｈ−ＢＮ無添加Ｔｉにおける水素吸蔵量の経時変化
９      ０．５時間機械的混合した試料の水素吸蔵量の経時変化
１０      １時間機械的混合した試料の水素吸蔵量の経時変化
１１      ２時間機械的混合した試料の水素吸蔵量の経時変化
１２      ５時間機械的混合した試料の水素吸蔵量の経時変化
１３      ｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇにおける水素吸蔵量の経時変化
１４      ｈ−ＢＮ無添加Ｍｇにおける水素吸蔵量の経時変化
１５      ｈ−ＢＮにより活性化されたＶにおける水素吸蔵量の経時変化
１６      ｈ−ＢＮ無添加Ｖにおける水素吸蔵量の経時変化
１７      ｈ−ＢＮにより活性化されたＭｇ２Ｎｉにおける水素吸蔵量の経時変化
１８      ｈ−ＢＮ無添加Ｍｇ２Ｎｉにおける水素吸蔵量の経時変化
１９      ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉＦｅにおける水素吸蔵量の経時変化
２０      ｈ−ＢＮ無添加ＴｉＦｅにおける水素吸蔵量の経時変化
２１      ｈ−ＢＮにより活性化されたＴｉ１．２ＣｒＶにおける水素吸蔵量の経時変化
２２      ｈ−ＢＮ無添加Ｔｉ１．２ＣｒＶにおける水素吸蔵量の経時変化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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