(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留し、該処理液内に基板を浸漬して所定処理を施す基板処理槽において、
基板処理槽内に配され、前記基板処理槽内に処理液を供給する一対の処理液吐出ノズルと、前記処理液吐出ノズルのそれぞれに接続された一対の処理液供給管と、前記処理液供給管のそれぞれの途中に設けられ、前記処理液供給管を流れる処理液の供給圧力を可変させる一対の空気調圧式レギュレータとを有し、
前記一対の空気調圧式レギュレータは、処理液の供給圧力を両側で、略サインカーブで経時的に交互に増減するように制御されることを特徴とする基板処理槽。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理槽において、
前記一対の空気調圧式レギュレータには、エアー配管を介してエアー圧力を可変可能な電空レギュレータがそれぞれ接続されていることを特徴とする基板処理槽。
【請求項３】
基板を処理液に浸漬させてその表面に各種処理を施す基板処理部を有する基板処理装置において、
前記基板処理部に、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理槽が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用の半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板を浸漬させてその表面にエッチングや洗浄などの各種処理を施す処理液を貯留する基板処理槽および、この基板処理槽が基板処理部に用いられている基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置用の半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などを用いた精密電子基板の製造プロセスにおいては、各種処理液をそれぞれ貯留した複数の処理槽にわたって基板を順次浸漬させることにより基板に薬液処理や水洗処理などの一連の各種処理が施されている。この一連の各種処理として、例えば窒化膜除去処理があるが、これは、窒化膜除去用の薬液として燐酸溶液を貯留した燐酸槽と、燐酸槽での処理後、基板に燐酸が残っていると必要以上に窒化膜除去が進行するので、これを防止するために基板に残っている燐酸を純水によって洗い流す機能水洗槽と、さらに精密に基板を水洗する最終水洗槽と、最終水洗槽での処理を終えた基板を乾燥させるスピンドライヤなどが用いられる。なお、機能水洗槽では燐酸の付着した基板の収容後、貯留していた純水を排出し、その後、基板を収容したまま新たな純水を供給して基板をさらに水洗した後、再び水洗に使用した純水を排出するという工程を幾度か繰り返して急速に基板に付着した燐酸を洗い流すものである。また、最終水洗槽とは水洗に使用して排出された純水の比抵抗を測定し、所定の比抵抗になるまで水洗することにより基板を精密に水洗するものである。このような窒化膜除去処理の他に、一連の各種処理として、レジスト剥離処理、酸化膜エッチング処理、ライトエッチング処理および拡散前洗浄処理などがある。
【０００３】
また、このような多槽式の基板処理装置に対して、単槽式の基板処理装置としては、処理槽に異なる種類の処理液を順次供給し、例えば、エッチング処理と水洗処理といった異なる処理を単一の処理槽を用いて順次行っている。
【０００４】
これらの多槽式の燐酸槽などの薬液槽、機能水洗槽および最終水洗槽などの処理槽や、単槽式の処理槽などでは、複数の基板をその主面同士を平行に対向させて一列に整列させて収容している。そして、これら複数の基板は処理槽内の基板保持部によって直接、またはキャリアに収容された状態で保持されている。そして、前記処理槽内の底部には一対の管状の処理液吐出ノズルがその長手方向を複数の基板の列と同じ方向に向けた状態で配設されている。処理液吐出ノズルには処理液を吐出する吐出口が開けられている。吐出口は基板に向かって処理液を吐出するように処理液吐出ノズルの基板に面する側に開けられたり、処理槽底面に向かって処理液を吐出し、処理液を処理槽底面に一旦当てて緩やかに上昇させるために処理槽底面に面する側に開けられたりしている。また、処理槽底面が２つの傾斜面からなる側面視Ｖ字状の谷部を形成している場合、一対の処理液吐出ノズルから吐出される処理液をそれぞれ傾斜面に沿って吐出し、谷部の最深部にて処理液を合流させて上昇させるために傾斜面の傾斜方向に吐出口を開けている場合もある。
【０００５】
以上のようにして供給された処理液は処理槽上部の開口からオーバーフローする。このとき、処理によって生じたパーティクルなどの汚染物質が処理液と共に処理槽外に排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上記従来の基板処理槽では処理槽内の例えば基板保持部近辺や底面の外周部分、すなわち底面と側面とがなす隅部などが処理液の流れが遅い滞留個所となっており、これら滞留個所では薬液と純水との置換や汚染物質の追い出しなどが妨げられて基板品質に影響を及ぼしているという問題を有していた。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、処理液の滞留個所をなくして薬液と純水との置換や汚染物質の追い出しなどを確実に行って基板品質を向上させることができる基板処理槽および基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の基板処理槽は、処理液を貯留し、該処理液内に基板を浸漬して所定処理を施す基板処理槽において、基板処理槽内に配され、前記基板処理槽内に処理液を供給する一対の処理液吐出ノズルと、前記処理液吐出ノズルのそれぞれに接続された一対の処理液供給管と、前記処理液供給管のそれぞれの途中に設けられ、前記処理液供給管を流れる処理液の供給圧力を可変させる一対の空気調圧式レギュレータとを有し、前記一対の空気調圧式レギュレータは、処理液の供給圧力を両側で、略サインカーブで経時的に交互に増減するように制御されることを特徴とするものである。
【０００９】
上記構成により、処理液の供給圧力を可変させる一対の空気調圧式レギュレータが、その処理液の供給圧力が両側で、略サインカーブで経時的に交互に増減するように制御されるので、処理槽内で対流が起こると共にその対流が前記サインカーブに沿って経時的に変化することで、処理液の滞留個所が無くなり薬液の置換や汚染物質の追い出しが確実に行われる。
【００１０】
また、本発明の請求項２に記載の基板処理槽は、請求項１に記載の基板処理槽において、前記一対の空気調圧式レギュレータには、エアー配管を介してエアー圧力を可変可能な電空レギュレータがそれぞれ接続されていることを特徴とするものである。
【００１１】
上記構成によれば、上記一対の空気調圧式レギュレータの、処理液の供給圧力を両側で経時的に交互に増減させる制御が、エアー配管を介してエアー圧力を可変可能な電空レギュレータにより行われるようになる。
【００１２】
さらに、本発明の請求項３に記載の基板処理装置は、基板を処理液に浸漬させてその表面に各種処理を施す基板処理部を有する基板処理装置において、基板処理部に、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理槽が設けられたことを特徴とするものである。
【００１３】
上記構成により、請求項１または２に記載の基板処理槽は、基板処理装置に容易に適応可能であって、基板に対して満遍なく薬液処理や洗浄処理をすることが可能となり、品質の良い基板処理を行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の一実施形態における基板処理槽が適用されている基板処理装置の概略構成を示す断面図である。ここでは、半導体ウエハを被処理基板として、エッチング処理と水洗処理とを単一の装置で行う単槽式の基板処理装置を例に説明する。
【００１５】
図１において、基板処理装置１には、処理液２を貯留するための処理槽３が設けられており、貯留された、例えばフッ酸などの処理液２に基板４が浸漬されることによりエッチングなどの各種処理が施されるようになっている。この処理槽３は、例えば上部が開口し横断面が矩形の箱型に形成され、そして、底面は２つの傾斜面からなる側面視Ｖ字状の谷部を有している。そして、その全体は例えば石英またはＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＦＡ（４フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）などの耐化学薬品性（耐侵食性）を有する樹脂材料から構成されている。
【００１６】
また、この基板処理装置１には基板４を保持して処理槽３に対して昇降することによって、基板４を処理槽３内の処理液２に浸漬または、処理液２から露出させるハンドリング装置５が設けられている。このハンドリング装置５は背板６とこの背板６の下端において背板６に対して、長手方向が垂直に配された３本のアーム部材７からなる基板保持部８を有している。これら３本のアーム部材７の上面にはアーム部材７の長手方向に対して直角方向に伸びる溝部が形成されており、各溝部により基板４がそれぞれ保持されている。また、これらの溝部はアーム部材７の長手方向に複数形成されており、複数の溝部によって複数の基板４がそれぞれの主面が平行になる状態で所定距離を置いて保持されている。
【００１７】
さらに、このハンドリング装置５は処理槽３に対して上昇した状態で図示しない搬送手段から基板４を受け取り、基板処理時にはハンドリング装置５は降下して基板４を処理槽３内の処理液２に浸漬するようになっている。また、基板処理が終了するとハンドリング装置５が上昇して基板４を処理液２から露出させ、この状態で搬送手段が基板４を次工程へと搬送するようになっている。
【００１８】
さらに、この処理槽３の底部には、処理槽３内に処理液２を供給する一対の処理液吐出ノズル９が備えられており、これらの処理液吐出ノズル９も上記処理槽３と同様に石英またはＰＴＦＥなどの耐侵食性のある樹脂材料から構成されている。なお、一対の処理液吐出ノズル９のうち、図１左側に示されているものを第１処理液吐出ノズル９１、右側に示されているものを第２処理液吐出ノズル９２とする。この処理液吐出ノズル９は、それぞれ吐出口１０を有する外管１１と、これに内設され、吐出口１０と略反対側に開口する開口部１２を有する内管１３とを備えた二重管構造となっている。この内管１３は処理液供給システム１４に接続されており、基板４の各種の処理時には、内管１３から外管１１を通じて処理槽３内に処理液２が供給されるとともに、このような処理液２の供給が継続的に行われることにより、処理液２が基板４から脱落したパーティクルなどの汚染物質と共に処理槽３の上部開口部のオーバーフロー面１５を越えてオーバーフローして排出されるようになっている。このとき、内管１３に供給された処理液２は一旦外管１１の内周面に衝突し、その後、吐出口１０を介して処理槽３内に噴出するため、処理槽３内では均一な処理液２の対流が得られるようになっている。
【００１９】
この処理液供給システム１４は、純水の供給源から２方向に分岐して一対の処理液吐出ノズル９に至る処理液供給管１６に、開閉バルブ１７を介して薬液（フッ酸原液）の供給源に接続される薬液供給管１８が接続された構成となっており、基板４の水洗処理時には、上記開閉バルブ１７が閉じられて純水のみが上記処理槽３に供給され、エッチング処理時には、上記開閉バルブ１７が開かれて薬液（フッ酸原液）が純水に混入されることにより所定濃度の薬液が生成されて、処理液供給管１６さらに一対の処理液吐出ノズル９を介して処理槽３内に供給されるようになっている。この２方向に分岐した各処理液供給管１６の途中にはそれぞれ、第１処理液吐出ノズル９１に至る空気調圧式レギュレータ１９、第２処理液吐出ノズル９２に至る空気調圧式レギュレータ２０が設けられており、各処理液供給管１６をそれぞれ通過する処理液の流れる圧力を可変可能に構成している。これらの空気調圧式レギュレータ１９，２０にはそれぞれ、各エアー配管２１，２２をそれぞれ介して、コントローラ２３で制御されてエアー圧力を可変可能な電空レギュレータ２４，２５がそれぞれ接続されており、各処理液供給管１６をそれぞれ通過する処理液の供給圧力がコントローラ２３および電空レギュレータ２４，２５で制御される空気圧によって、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２からの処理液供給量が、経時的に交互に異なるようになっている。これらの電空レギュレータ２４，２５には開閉バルブ２６を介して分岐したエアー配管２７が接続され、各電空レギュレータ２４，２５にそれぞれエアーを供給している。
【００２０】
このとき、コントローラ２３は、電空レギュレータ２４，２５に対してそれぞれが出力する空気圧が図２（ａ）に示すように略サインカーブで経時的に交互に増減する空気圧に制御されている。図２（ａ）に示すように空気圧が制御されると、これに同期して空気調圧式レギュレータ１９，２０で処理液が流れる圧力が可変されることになって、処理液供給管１６さらに第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２を介して図２（ｂ）に示すような経時的に交互に異なる処理液流量に制御されて、処理槽３内に供給されるようになっている。
【００２１】
上記構成により、以下、その動作を説明する。
まず、純水の供給源から処理液供給管１６を介して純水が供給され処理液吐出ノズル９から純水が供給される。このとき処理槽３のオーバーフロー面１５を越えて処理槽３内の汚染物質が排出される。
【００２２】
純水が処理槽３からオーバーフローすると、上昇した状態において搬送手段から基板４を受け取ったハンドリング装置５が降下し、基板４を純水に浸漬する。その後、薬液の供給源に接続された開閉バルブ１７を開けて所定濃度の薬液を処理液吐出ノズル９から吐出し処理槽３内の純水を薬液に置換する。この実施形態ではフッ酸を用いることによって基板４にエッチング処理を施す場合を例に説明する。
【００２３】
このとき、コントローラ２３は、各電空レギュレータ２４，２５をそれぞれ介して左右の空気調圧式レギュレータ１９，２０毎に空気圧がそれぞれ図２（ａ）に示すように略サインカーブで経時的に交互に異なるように制御されており、空気調圧式レギュレータ１９，２０をそれぞれ介して一対の第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２から図２（ｂ）に示すような経時的に交互に異なる流量の薬液が基板４の左右下方の両側から中央部側に向けて供給される。例えば、時間ｔ１では、電空レギュレータ２４が出力する空気圧が最大であり、電空レギュレータ２５が出力する空気圧が最小になるように制御されており、これに連動して、第１処理液吐出ノズル９１に接続された空気調圧式レギュレータ１９では薬液の流量が最大となり、かつ、第２処理液吐出ノズル９２に接続された空気調圧式レギュレータ２０では薬液の流量が最小となって、図１に示すように、第１処理液吐出ノズル９１から勢い良く薬液が吐出され、第２処理液吐出ノズル９２からは薬液が少ししか出ないことになる。このため、処理槽３内の薬液の流れは大きく第１処理液吐出ノズル９１側から第２処理液吐出ノズル９２側に旋回するように流れることになる。さらに、時間が経過して、例えば、時間ｔ２では、電空レギュレータ２４による空気圧と、電空レギュレータ２５による空気圧とは同等であり、これに連動して、空気調圧式レギュレータ１９による薬液の流量と、空気調圧式レギュレータ２０による薬液の流量とにおいても同等となるので、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２から吐出される薬液の量は等しくなる。よって、処理槽３内の薬液の流れは、図３に示すように、保持されている基板４の下方中央部で当たって上昇することになる。さらに、時間が経過して、例えば、時間ｔ３では、電空レギュレータ２４に対して空気圧が最小となり、電空レギュレータ２５に対しては空気圧が最大になるように制御されており、これに連動して、空気調圧式レギュレータ１９では薬液の流量が最小となり、かつ、空気調圧式レギュレータ２０では薬液の流量が最大となって、図４に示すように、第２処理液吐出ノズル９２から勢い良く薬液が吐出され、第１処理液吐出ノズル９１からは薬液が少ししか出ないことになり、処理槽３内の薬液の流れは大きく第２処理液吐出ノズル９２側から第１処理液吐出ノズル９１側に旋回するように流れることになる。このように、一対の第１処理液吐出ノズル９１と第２処理液吐出ノズル９２とから吐出される薬液の量を経時的に交互に異なるように変化させるため、薬液の流れは大きく第１処理液吐出ノズル９１側から第２処理液吐出ノズル９２側へ旋回するように流れたり、また、その逆に第２処理液吐出ノズル９２側から第１処理液吐出ノズル９１側へ旋回するように流れたりして、処理液の流れ方向（対流）および流れる強さが順次変化してスイングすることになる。このため、従来、滞留しやすかった基板支持部や槽端部などの滞留個所においても、処理液の流れが起こって滞留状態とはならず、これらの滞留個所での純水から薬液への置換や汚染物質の追い出しも良好に行われることになる。このように、処理液の流れ方向がスイングすることで処理槽３内の全ての個所で満遍なく対流が起こるため、薬液によるエッチング処理で生じた汚染物質は、その対流による上昇流と共に効率良く表面に浮いてくる。さらに、薬液の供給が継続して行われるため、薬液が、処理槽３のオーバーフロー面１５を越えてオーバーフローすることで、汚染物質は処理槽３の外部に薬液と共に排出されることになる。
【００２４】
このようにして、一定時間エッチング処理が施されると、次いで、上記処理液供給システム１４の開閉バルブ１７が閉じられて処理槽３内に純水が供給される。純水が供給されると、処理槽３内の薬液がオーバーフローに伴い処理槽３の外部に排出される一方、処理槽３に純水が貯留され、これにより基板４に水洗処理が施される。このときにもエッチング処理時と同様に、純水の流れ方向がスイングするように純水が継続して供給されることにより、処理槽３内の全ての個所で満遍なく対流が起こるため、薬液から純水への置換やパーティクルなどの汚染物質の追い出しも良好に行われて、処理槽３のオーバーフロー面１５から純水がオーバーフローし、水洗処理によって生じたパーティクルなどの汚染物質が処理槽３の外部に純水と共に効率良く排出されることになる。
【００２５】
このような水洗処理が終了すると、上記ハンドリング装置５が上昇し、基板４が搬送手段によって次工程へと搬送される。
【００２６】
なお、本実施形態の基板処理装置１では、本発明に係る基板処理槽３が適用される単槽式の基板処理装置の一例であって、基板処理装置や処理槽の具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、単槽式の基板処理装置だけではなく多槽式の基板処理装置に対しても適用可能なことはいうまでもないことである。要は、本願発明の構成は、処理液に基板４を浸漬させて処理を行うタイプの基板処理装置であればよく、１種類または２種類以上の処理を行う基板処理装置に対して容易に適用可能であることはいうまでもないことである。
【００２７】
（第１変形例）
図５は処理槽３の平面図である。前記実施形態の基板処理装置１では、コントローラ２３によって制御される各電空レギュレータ２４，２５さらに空気調圧式レギュレータ１９，２０で処理液が流れる圧力が変化させられて、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２からの処理液流量が交互に経時的に異なるように制御することで、処理槽３の全ての位置で対流させるべく対流方向を順次交互に変化させたが、本第１変形例では、これらの各電空レギュレータ２４，２５および空気調圧式レギュレータ１９，２０の代わりにポンプ３２，３３を用いる。図５に示すようにポンプ３２，３３は処理液の供給源に接続されている。そして、さらにポンプ３２，３３はそれぞれ処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａに接続されており、処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａに処理液を供給する。また、ポンプ３２，３３はコントローラ３１に接続されている。コントローラ３１はポンプ３２，３３の処理液の送出量を制御する。その制御は以下の通りである。すなわち、ポンプ３２の処理液の送出量を増加させているときポンプ３３の処理液の送出量を減少させ、また、一定時間が経過したときは逆にポンプ３２の処理液の送出量を減少させる一方、ポンプ３３の処理液の送出量を増加させる。そして、この制御を連続して行う。これによって、処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａからの処理液の吐出量が交互に経時的に異なるように制御することができ、処理槽３の全ての位置で対流させるべく対流方向を順次交互に変化させることができる。なお、本変形例１ではポンプ３２，３３の送出量を増減させたが、コントローラ３１によってポンプ３２，３３を所定時間毎に交互にスイッチングするように制御してもよい。
【００２８】
（第２変形例）
図６は処理槽３の平面図である。本第２変形例では開閉バルブ群４２，４３が処理液の供給源に接続されている。そして、さらに開閉バルブ群４２，４３はそれぞれ処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａに接続されている。開閉バルブ群４２，４３はそれぞれ、同様の複数の開閉バルブ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ・・および、同様の複数の開閉バルブ４３ａ，４３ｂ，４３ｃ・・が処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａと処理液の供給源との間で並列に接続されたものである。また、開閉バルブ群４２，４３はコントローラ４１に接続されている。
【００２９】
本第２変形例ではコントローラ４１によって開閉バルブ群４２の内、開いている開閉バルブ数を増加させる一方で開閉バルブ群４３の内、開いている開閉バルブ数を減少させる。そして、一定時間が経過したときは逆に開閉バルブ群４２の内、開いている開閉バルブ数を減少させる一方、開閉バルブ群４３の内、開いている開閉バルブ数を増加させる。このような制御を連続して行うことによって、処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａからの処理液の吐出量が交互に経時的に異なるように制御することができる。なお、開閉バルブ４２ａ〜４２ｃ・・が並列に接続された開閉バルブ群４２と、開閉バルブ４３ａ〜４３ｃ・・が並列に接続された開閉バルブ群４３とを交互に開閉するようにしてもよい。
【００３０】
（第３変形例）
図７は第３変形例に係る基板処理槽の要部拡大図である。本変形例の処理液供給管１６ａは図１の処理液供給管１６途中にある空気調圧式レギュレータ１９，２０を用いずに図１の処理液供給管１６の分岐部分Ａにダンパ５１を設けたものである。該ダンパ５１は駆動部５３によって図７の矢印Ｂのように揺動する。そして、前記駆動部５３にはコントローラ５２が接続されている。前記コントローラ５２は駆動部５３を制御してダンパ５１を揺動させる。こうすることによって、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２からの処理液の吐出量が交互に経時的に異なるように制御することができ、処理槽３の全ての位置で対流させるべく対流方向を順次交互に変化させることができる。この場合、ダンパ５１による流路開口面積を順次増加、減少させるようにしてもよいし、ダンパ５１によって、第１処理液吐出ノズル９１に至る流路と第２処理液吐出ノズル９２に至る流路とを選択的に交互に開閉してもよい。
【００３１】
（第４変形例）
図８は第４変形例にかかる基板処理槽の縦断面図である。本変形例では図６に示す第２変形例のコントローラ４１で制御される開閉バルブ群４２，４３のそれぞれに接続される処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａの代わりにコントローラ６１で制御される開閉バルブ６２，６３のそれぞれに接続される第１処理液吐出ノズル９１ｂ、第２処理液吐出ノズル９２ｂおよび、開閉バルブ６４，６５のそれぞれに接続される第１処理液吐出ノズル９１ｃ、第２処理液吐出ノズル９２ｃを上下に２対配設するようにしてもよい。この場合、開閉バルブ６２，６４を一組とし、開閉バルブ６３，６５を一組としてそれぞれ交互に開閉を行ってもよい。また、こうすれば、第１処理液吐出ノズル９１ｂと第３処理液吐出ノズル９１ｃとから吐出される処理液の量と第２処理液吐出ノズル９２ｂと第４処理液吐出ノズル９２ｃとから吐出される処理液の量とが交互に経時的に変化する。
【００３２】
また、最初、すべての開閉バルブ６２，６３，６４，６５を開けた状態から、ある時点では開閉バルブ６２，６４の何れかを開け、かつ開閉バルブ６３，６５の両方を開け、また、一定時間経過後は、その逆に、開閉バルブ６３，６５の何れかを開け、かつ開閉バルブ６２，６４の両方を開けることで処理液の吐出量を経時的に変化させてもよい。
【００３３】
さらに、本実施形態では、処理槽３内の対流方向を経時的に交互に変化させてスイングさせるべく、両側の処理液吐出ノズル９からの処理液吐出圧力（処理液吐出量）を制御したが、この処理液吐出圧力の制御方法の他にも、処理液吐出ノズル９の吐出口１０の開口方向を上下所定角度範囲内で可変制御することによっても、処理槽３内の対流方向を経時的に交互に変化させてスイングさせることができる。この場合には、左右両側の各処理液吐出ノズル９を回動させる新たなる回動機構が必要になると共に、回動部分と固定部分とのシール性や、相互のこすれによるパーティクル対策など、その構成が複雑なものとなる。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、処理液の供給圧力を可変させる一対の空気調圧式レギュレータが、その処理液の供給圧力が両側で、略サインカーブで経時的に交互に増減するように制御されるので、処理槽内で満遍なく対流が起こって処理液の滞留個所が無くなり純水と薬液との置換や汚染物質の追い出しを確実に行うことができる。
【００３５】
また、請求項２の発明によれば、一対の空気調圧式レギュレータの、処理液の供給圧力を両側で経時的に交互に増減させる制御が、エアー配管を介してエアー圧力を可変可能な電空レギュレータにより行われるようになるので、処理槽内での対流の方向を変化させることができて、処理槽内の全ての位置でより満遍なく対流させて純水と薬液との置換や汚染物質の追い出しを確実に行うことができる。
【００３６】
さらに、請求項３の発明によれば、請求項１または２に記載の基板処理槽を基板処理装置に容易に適応させることができて、満遍なく薬液処理や洗浄処理をすることができ、品質の良い基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態における基板処理槽が適用されている基板処理装置の概略構成を示すと共に左対流状態を示す縦断面図である。
【図２】  （ａ）は図１のコントローラによる電空レギュレータの空気圧制御を示す図、（ｂ）は図１の電空レギュレータによる空気調圧式レギュレータの処理液流量制御を示す図である。
【図３】  図１の基板処理装置の左右吐出量が同等の状態を示す断面図である。
【図４】  図１の基板処理装置の右対流状態を示す断面図である。
【図５】  図１の処理液スイング供給システムとは別の例を模式的に示す平面図である。
【図６】  図１および図５の処理液スイング供給システムとはさらに別の例を模式的に示す平面図である。
【図７】  図１および図５、図６の処理液スイング供給システムとはさらに別の例を模式的に示す平面図である。
【図８】  図１および図５〜図７の処理液スイング供給システムとはさらに別の例を模式的に示す縦断面図である。
【符号の説明】
１    基板処理装置
２    処理液
３    処理槽
４    基板
９，９ａ，９ｂ，９ｃ    処理液吐出ノズル
１０    吐出口
１１    外管
１３    内管
１４    処理液供給システム
１６，１６ａ    処理液供給管
１７，２６，４２ａ〜４２ｃ・・，４３ａ〜４３ｃ・・，６２〜６５    開閉バルブ
１８    薬液供給管
１９，２０    空気調圧式レギュレータ
２１，２２，２７    エアー配管
２３，３１，４１，５２，６１    コントローラ
２４，２５    電空レギュレータ
３２，３３    ポンプ
４２，４３    開閉バルブ群
５１    ダンパ
５３    駆動部
９１    第１処理液吐出ノズル
９２    第２処理液吐出ノズル
９１ａ，９２ａ    処理液吐出ノズル
９１ｂ    第１処理液吐出ノズル
９１ｃ    第３処理液吐出ノズル
９２ｂ    第２処理液吐出ノズル
９２ｃ    第４処理液吐出ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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