(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結助剤成分として希土類成分を含有する窒化珪素質セラミック基体中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するセラミックヒータの製造方法において、前記窒化珪素質セラミック基体の成形体又は仮焼体の表面に、Ａｌ成分源物質を接触させた状態にて、前記成形体又は仮焼体を焼成することにより、得られる窒化珪素質セラミック基体の表層部に、内層部よりもＡｌ成分濃度の高いＡｌ成分濃化層を形成するセラミックヒータの製造方法において、
前記焼成を、成形型のキャビティ内面に前記Ａｌ成分源物質を含有した被覆層を形成し、その成形型を用いて前記成形体又は仮焼体をホットプレス成形することにより行うことを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
【請求項２】
前記Ａｌ成分源物質を含有した被覆層は離型剤成分を含有する請求項１記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項３】
焼結助剤成分として希土類成分を含有する窒化珪素質セラミック基体中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するセラミックヒータの製造方法において、前記窒化珪素質セラミック基体の仮焼体の外面に、Ａｌ成分源物質を接触させた状態にて、前記仮焼体を焼成することにより、得られる窒化珪素質セラミック基体の表層部に、内層部よりもＡｌ成分濃度の高いＡｌ成分濃化層を形成するセラミックヒータの製造方法において、
前記焼成を、前記仮焼体の表面に前記Ａｌ成分源物質と離型剤とを含有した被覆層を形成し、該仮焼体をホットプレス成形することにより行うことを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はグロープラグ等に使用されるセラミックヒータとその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミックグロープラグ等に使用されるセラミックヒータとして、絶縁性のセラミック基体に対し、セラミック導電材料等で構成された抵抗発熱体を埋設した構造を有するものが知られている。セラミック基体としては、窒化珪素質セラミックが耐熱衝撃性や高温強度に優れていることから広く用いられている。
【０００３】
ところで、窒化珪素質セラミックも他の多くのセラミックと同様、焼結助剤を添加することが行われている。焼結助剤は焼成時に溶融して液相を形成し、焼結体の緻密化を促進するとともに、得られるセラミック焼結体中において、窒化珪素質主相を結合する粒界相を形成する役割を果たす。そして、窒化珪素質セラミックの製造に使用される焼結助剤としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）系やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とイットリア（Ｙ２Ｏ３）との共添加系が多く使用されてきた。しかしながら、これらの焼結助剤は、焼成により形成される粒界相が軟化点の低いガラス質となりやすく、焼結体の高温強度、特に１２００℃以上での強度が損なわれやすい欠点がある。また、希土類酸化物とシリカとの共添加系は粒界相を結晶化でき、焼結体の高温強度の向上に寄与するが、焼成時に生ずる液相の流動性が悪いため焼結速度が低下し、焼結ムラひいては室温強度のばらつきを生じやすい問題がある。
【０００４】
そこで、特許第２７３５７２１号公報には、希土類酸化物とともにアルミナを共添加した窒化珪素質セラミックをセラミックヒータに使用する発明が開示されている。この構成によれば、Ａｌ２Ｏ３の添加により焼結速度を適度に改善しつつ、粒界相の強化も図ることができるものと思料される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許公報の技術では、セラミック焼結体の全体にわたってＡｌ２Ｏ３の添加がなされるため、粒界相の軟化点はどうしても低くなりがちであり、結局のところ高温強度の低下が避けがたい問題点があった。また、Ａｌ成分がＡｌ２Ｏ３の状態で含有されていることも、粒界相のガラス化を助長しやすく、高温強度改善の観点において不利に作用するものと考えられる。
【０００６】
本発明の課題は、Ａｌ成分添加による窒化珪素質セラミック基体の高温強度低下を抑制しつつ、室温強度のばらつき等も少なくすることができるセラミックヒータと、その製造方法とを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために、本発明のセラミックヒータの第一の構成は、窒化珪素質セラミック基体（以下、単にセラミック基体あるいは基体ともいう）中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するとともに、前記窒化珪素質セラミック基体の表層部に、内層部よりもＡｌ成分濃度の高いＡｌ成分濃化層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記の構成によれば、セラミック基体の表層部にのみＡｌ成分濃化層を形成することで、仮にそのＡｌ成分が粒界相の軟化点を低下させる作用を有していたとしても、その存在領域が焼結体のセラミック基体の表層部に限られていることから、高温強度の低下を生じにくい。また、Ａｌ成分濃化層の形成により、セラミック基体表層部における窒化珪素質主相（以下、単に主相ともいう）粒子の成長が抑制され、破壊の起点となりうる異常成長した粒子が生じにくくなることから、強度、特に室温強度のばらつきを生じにくくなる。
【０００９】
Ａｌ成分濃化層の厚さは、例えば５０〜１０００μｍとなっているのがよい。厚さが５０μｍ未満では窒化珪素質セラミック基体の室温強度のばらつき抑制効果が不十分となる場合があり、１０００μｍ以上では、同じく高温強度が十分に確保できなくなる場合がある。Ａｌ成分濃化層の厚さは、より望ましくは５０〜５００μｍとするのがよい。また、Ａｌ成分濃化層中の平均的なＡｌ成分濃度は、０．１〜５重量％であるのがよい。Ａｌ成分濃度が０．１重量％未満では、セラミック基体表層部における主相粒子の成長抑制効果が不十分となって室温強度のばらつきにつながる可能性があり、５重量％を超えると、Ａｌ成分濃化層自体の高温強度不足を招き、十分な強度改善効果を達成できなくなる場合がある。
【００１０】
また、Ａｌ成分濃化層における主相粒子の成長抑制効果が十分に達成されれば、これに対応して、窒化珪素質主相の平均粒径が、内層部における窒化珪素質主相の平均粒径よりも小となる特有の組織が得られることとなる。この場合、Ａｌ成分濃化層における窒化珪素質主相の平均粒径が０．１〜１μｍであり、内層部の窒化珪素質主相の平均粒径が０．２〜５μｍであるのがよい。いずれも、平均粒径がその下限値未満となることは、これを実現するための原料粉末の調製が困難となり、上限値を超えるとセラミック基体の強度不足等につながる場合がある。また、Ａｌ成分濃化層中の主相結晶粒子の最大値は１０μｍ以下となっていることが、破壊起点形成を抑制する観点において望ましい。なお、本明細書において、粒子径は、断面組織上で観察される結晶粒子の外形線に対し、その外形線と接しかつ粒子内を横切らないように２本の平行線を、その粒子との位置関係を変えながら各種引いたときの、上記平行線間の距離の最大値として定義する。
【００１１】
窒化珪素質セラミック基体の組織は、例えば、窒化珪素を主成分とするＳｉ３Ｎ４相粒子が、後述の焼結助剤成分に由来した粒界相（結合相）により結合された形態のものである。なお、主相は、β化率が７０体積％以上（望ましくは９０体積％以上）のＳｉ３Ｎ４相を主体とするものであるのがよい。この場合、Ｓｉ３Ｎ４相は、ＳｉあるいはＮの一部が、Ａｌあるいは酸素で置換されたもの、さらには、相中にＬｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ等の金属原子が固溶したものであってもよい。例えば、次の一般式にて表されるサイアロンを例示することができる；
β−サイアロン：Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ（ｚ＝０〜４．２）
α−サイアロン：Ｍｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（ｘ＝０〜２）
Ｍ：Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｙ，Ｒ（ＲはＬａ，Ｃｅを除く希土類元素）。なお、本明細書において、「主成分」（「主体」あるいは「主に」等も同義）とは、特に断りがない限り、着目している物質において含有率が５０重量％以上であることを意味する。
【００１２】
セラミック基体中のＡｌ成分は、主にＡｌ２Ｏ３以外の無機化合物形態にて存在していることが望ましい。具体的には、上記のように珪素成分を置換する形で主相中に取り込まれること、あるいは粒界相中に存在する場合でも、窒化物や酸窒化物の形態、あるいは他の焼結助剤成分との複合窒化物、複合酸化物あるいは複合酸窒化物等の形で存在しているのがよい。これにより、粒界相のガラス化抑制、あるいは、主相の結晶粒成長抑制の効果をさらに高めることができ、セラミック基体の高温強度の低下抑制に効果的である。なお、上記の効果は、Ａｌ成分のセラミック基体表層部への濃化が生じているか否かとは無関係に発現しうる。本発明のセラミックヒータの第二の構成は、Ａｌ成分を含有した窒化珪素質セラミック基体中に抵抗発熱体を埋設した構造を有するとともに、Ａｌ成分が窒化珪素質セラミック基体中にて主に、Ａｌ２Ｏ３以外の無機化合物形態にて存在していることを特徴とする。
【００１３】
次に、焼結助剤成分は、主に結合相を構成するが、一部が主相中に取り込まれることもありえる。なお、結合相中には、焼結助剤として意図的に添加した成分のほか、不可避不純物、例えば窒化珪素原料粉末に含有されている酸化珪素などが含有されることがある。
【００１４】
焼結助剤成分は、例えば希土類成分のほか、本発明の効果が損なわれない範囲にて、ＳｉやＡｌなど、周期律表の４Ａ、５Ａ、３Ｂ及び４Ｂの各族の元素成分を使用できる。これらは、原料段階にて主に酸化物の形で添加することができる。そして、得られる窒化珪素質セラミック基体中における焼結助剤成分の含有量は、上記各元素単体の換算重量にて、３〜１５重量％とすることができる。焼結助剤成分が３重量％未満では緻密な焼結体が得にくくなり、１５重量％を超えると強度や靭性あるいは耐熱性の不足を招くことがある。焼結助剤成分の含有量は、望ましくは６〜１０重量％とするのがよい。
【００１５】
なお、希土類成分としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを用いることができる。これらのうちでもＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂは、粒界相の結晶化を促進し、高温強度を向上させる効果があるので好適に使用できる。また、Ａｌ成分添加との相乗効果により、主相結晶粒子の異常成長を抑制する効果が一層高められ、室温強度のばらつきをより効果的に抑制することができる（特に、希土類元素としてＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの１種又は２種以上を用いた場合に顕著である）。その理由としては、上記希土類元素の存在により、Ａｌ成分がＡｌ２Ｏ３以外の無機化合物形態にて存在しやすくなることが推測される。該効果は、セラミック基体中のＡｌ成分含有量が０．１〜５重量％であり、希土類成分含有量が３〜１５重量％である場合に、一層顕著に発揮される。
【００１６】
焼結助剤成分としての希土類成分は、Ｓｉとの複合酸化物形態にて存在していることが、粒界相の結晶化を促進する上で一層望ましい。具体的には、希土類成分をＲとして、上記複合酸化物は、Ｒ２ＳｉＯ５及び／又はＲ２Ｓｉ２Ｏ７の形で含有されているのがよい。これらの複合酸化物が結晶質にて含有されているか否かは、例えば、Ｘ線ディフラクトメータ法による回折パターン測定や、あるいは透過電子顕微鏡法による制限視野回折法など、各種公知の結晶解析方法にて確認することができる。
【００１７】
なお、粒界相の結晶化を促進するためには、主相形成に関与しない過剰な酸化珪素成分が必要十分な量だけ含有されている必要がある。この過剰酸化珪素成分が、例えば前述の複合酸化物の結晶生成を促進する。該過剰酸化珪素成分の含有量は、以下に説明するような過剰酸素量によって見積もることができる。すなわち、セラミック基体中の珪素を除く焼結助剤成分（Ａｌを除く）の含有量と、全酸素含有量とを求め、さらに、焼結助剤成分が全て酸化物として存在するために必要な酸素量を上記全酸素含有量から差し引いた残りの酸素量を、過剰酸素量として定義する。そして、希土類成分を焼結助剤成分として使用することによる前述の効果は、その過剰酸素量がＳｉＯ２換算した値にて、１〜１０重量％となっていることが望ましい。ＳｉＯ２換算した過剰酸素量が１重量％未満では、焼結性が損なわれる場合があり、逆に１０重量％を超えると、粒界相の軟化点が下がって高温強度が損なわれる場合がある。
【００１８】
次に、Ａｌ成分濃化層は、セラミック基体の表面に近づくほどＡｌ成分濃度が高くなる組成傾斜構造を有しているものとして形成することができる。この構成によれば、Ａｌ成分濃化層と内層部との間に組成的な不連続境界部が生じにくくなり、セラミック基体の強度を一層高めることができる。
【００１９】
なお、Ａｌ成分濃化層においてＡｌ成分濃度に傾斜が生じている場合、Ａｌ成分濃化層の厚さｔは、図１１に示すように定義する。すなわち、窒化珪素質セラミック基体の表面から深さ方向ｘにおいて、Ａｌ成分の濃度変化曲線：
Ｃ＝Ｆ（ｘ）‥‥（1）
を測定し、さらに、（1）の曲線から、基体表面でのＡｌ成分の重量含有濃度レベルをＣ0と、基体内部の平均的なＡｌ成分の重量含有濃度レベルＣBとを求め、
Ｃ＝ＣB＋０．５（Ｃ0−ＣB）‥‥（2）
を算出する（ＣBがほぼゼロとなることもありうる）。そして、ｘ−Ｃ平面上にて、曲線（1）と直線（2）との交点Ｂ（曲線（1）に生じているノイズ等の影響により、交点が複数生ずる場合は、その最も表面寄りのものを採用する）を求め、点Ｂのｘ座標の値を上記の厚さｔとして定める。Ａｌ成分の濃度変化曲線は、例えば基体断面において上記のｘ方向に分析線ＡＬを定め、その分析線ＡＬに沿って電子線プローブ微小分析（ＥＰＭＡ）による線分析を行うことにより測定できる。この場合、濃度変化曲線は、分析線ＡＬに沿ったＡｌ成分の特性Ｘ線強度の変化プロファイルとして得られる。なお、本明細書においては、Ａｌ成分の特性Ｘ線強度は濃度に比例して増大するものと考える。
【００２０】
Ａｌ成分濃化層内にＡｌ成分濃度の傾斜構造を生じさせる場合、層表面位置でのＡｌ成分の重量含有濃度をＣ0とし、また、基体中のＡｌの平均的な重量含有濃度をＣBとしたときに、ＣB／Ｃ0（以下、傾斜度ともいう）が０．９以下となっていることが望ましい。
【００２１】
Ａｌ成分濃化層を有した上記のセラミックヒータは、以下のような本発明の製造方法により製造できる。すなわち、該方法は、窒化珪素質セラミック基体の成形体又は仮焼体の表面に、Ａｌ成分源物質を接触させた状態にて、成形体又は仮焼体を焼成することにより、得られる窒化珪素質セラミック基体の表層部に、内層部よりもＡｌ成分濃度の高いＡｌ成分濃化層を形成することを特徴とする。この方法では、基体の表面側からＡｌ成分を拡散させることによりＡｌ成分濃化層を容易に形成でき、また、焼成工程とＡｌ成分濃化層の形成工程とを兼用できるので能率もよい。また、得られる層中のＡｌ濃度の調整も容易である。さらに、Ａｌ成分の一方向的な拡散により、組成傾斜構造も容易に得られる利点がある。
【００２２】
上記の焼成は、例えば、成形型のキャビティ内面にＡｌ成分源物質を含有した被覆層を形成し、その成形型を用いて成形体又は仮焼体をホットプレス成形することにより行うことができる。この場合、Ａｌ成分源物質を含有した被覆層に離型剤成分を含有させておくと、離型剤の塗布により、結果的にＡｌ成分源物質の被覆も同時に行うことができ、工程の短縮を図ることができる。
【００２３】
なお、セラミック基体中のＡｌ成分を、前述のようにＡｌ２Ｏ３以外の無機化合物の形で含有させるために、酸素分圧（例えば不純物として含有されるもの）が０．０１〜１００Ｐａ、窒素分圧が約５×１０４Ｐａ（約０．５気圧）以上の窒素雰囲気にて、１７００℃以上に設定される焼成温度にて焼成する条件を選択することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を参照しつつ説明する。
図１は、本発明に製造方法によって製造されるセラミックヒータを使用したグロープラグを、その内部構造とともに示すものである。すなわち、グロープラグ５０は、その一端側に設けられたセラミックヒータ１と、そのセラミックヒータ１の先端部２が突出するようにその外周面を覆う金属製の外筒３、さらにその外筒３を外側から覆う筒状の金属ハウジング４等を備えており、セラミックヒータ１と外筒３との間及び外筒３と金属ハウジング４との間は、それぞれろう付けにより接合されている。
【００２５】
セラミックヒータ１の後端部には、金属線により両端が弦巻ばね状に形成された結合部材５の一端が外側から嵌合するとともに、その他端側は、金属ハウジング４内に挿通された金属軸６の対応する端部に嵌着されている。金属軸６の他方の端部側は金属ハウジング４の外側へ延びるとともに、その外周面に形成されたねじ部６ａにナット７が螺合し、これを金属ハウジング４に向けて締めつけることにより、金属軸６が金属ハウジング４に対して固定されている。また、ナット７と金属ハウジング４との間には絶縁ブッシュ８が嵌め込まれている。そして、金属ハウジング４の外周面には、図示しないエンジンブロックにグロープラグ５０を固定するためのねじ部５ａが形成されている。
【００２６】
セラミックヒータ１は、図２に示すように、Ｕ字状のセラミック抵抗発熱体（以下、単に発熱体という）１０を備え、その各両端部に線状又はロッド状の電極部１１及び１２の先端部が埋設されるとともに、発熱体１０と電極部１１及び１２の全体が、円形断面を有する棒状の窒化珪素質セラミック基体１３中に埋設されている。発熱体１０は、方向変換部１０ａがセラミック基体１３の末端側に位置するように配置されている。
【００２７】
セラミック基体１３は、例えばＳｉ３Ｎ４粉末に、Ｅｒ２Ｏ３やＹｂ２Ｏ３等の焼結助剤粉末を３〜１５重量％の範囲で添加・混合して焼結したものであり、図１０（ｄ）に示すように、その表層部には、内層部よりもＡｌ成分濃度の高いＡｌ成分濃化層２ｓが形成されている。この、Ａｌ成分濃化層は、前記セラミック基体の表面に近づくほどＡｌ成分濃度が高くなる組成傾斜構造を有している。
【００２８】
また、発熱体１０は、例えば導電性セラミック粉末としてのＷＣあるいはＭｏＳｉ２粉末とＳｉ３Ｎ４粉末との混合粉末に対し、セラミック基体１３に使用されたものと同様の焼結助剤成分を、０．８〜１０．５重量％の範囲で添加・混合して焼結したものであり、その焼結体組織は、Ｓｉ３Ｎ４系基質（マトリックスセラミック相）中にＷＣあるいはＭｏＳｉ２系粒子が分散したものとなっている。一方、電極部１１及び１２は、Ｗ、Ｗ−Ｒｅ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｔａ、ニクロム等の金属線で構成される。
【００２９】
図２において、セラミック基体１３の表面には、その電極部１２の露出部１２ａを含む領域に、ニッケル等の金属薄層（図示せず）が所定の方法（例えばメッキや気相製膜法など）により形成され、該金属薄層を介してセラミック基体１３と外筒３とがろう付けにより接合されるとともに、電極部１２がこれら接合部を介して外筒３と導通している。また、電極部１１の露出部１１ａを含む領域にも同様に金属薄層が形成されており、ここに結合部材５がろう付けされている。このように構成することで、図示しない電源から、金属軸６（図１）、結合部材５及び電極部１１を介して発熱体１０に対して通電され、さらに電極部１２、外筒３、金属ハウジング４（図１）、及び図示しないエンジンブロックを介して接地される。
【００３０】
以下、セラミックヒータ１の製造方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、発熱体１０に対応したＵ字形状のキャビティ３２を有した金型３１に対し電極材３０を、その一方の端部が該キャビティ３２内に入り込むように配置する。そしてその状態で、ＷＣあるいはＭｏＳｉ２粉末、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする粉末及び焼結助剤粉末とからなる原料セラミック粉末と、バインダ（有機結合剤）とを含有するコンパウンド３３を射出することにより、同図（ｂ）に示すように、電極材３０とＵ字状の発熱体成形体３４とが一体化された一体成形体３５を作成する。なお、発熱体成形体３４はほぼ円形の軸断面を有するように形成される。
【００３１】
一方これとは別に、セラミック基体１３を形成するための原料粉末を予め金型プレス成形することにより、図４（ａ）に示すような、上下別体に形成された分割予備成形体３６，３７を用意しておく。これら分割予備成形体３６，３７は、上記一体成形体３５に対応した形状の凹部３８がその合わせ面３９ａに形成されている。次いで、この凹部３８に一体成形体３５を収容し、分割予備成形体３６，３７を該型合わせ面３９ａにおいて型合わせする。そして、図５（ａ）に示すように、その状態でこれら分割予備成形体３６，３７及び一体成形体３５を、金型６１のキャビティ６１ａ内に収容し、パンチ６２，６３を用いてプレス・圧縮することにより、図５（ｂ）及び図６（ａ）に示すように、これらが一体化された複合成形体３９が形成される。ここで、そのプレス方向は、分割予備成形体３６，３７の合わせ面３９ａに対しほぼ直角に設定される。
【００３２】
こうして得られた複合成形体３９は、まず原料粉末中のバインダ成分等を除去するために所定の温度（例えば約６００℃）で仮焼され、図６（ｂ）に示す仮焼体３９’とされる（なお、仮焼体は、広義の意味において複合成形体であるとみなす）。続いて図５（ｂ）に示すように、この仮焼体３９’が、グラファイト等で構成されたホットプレス用成形型６５，６５のキャビティ６５ａ，６５ａにセットされる。
【００３３】
ここで、キャビティ６５ａの内面にはＡｌ成分源物質を含んだ離型剤が塗布される。例えば、図８（ａ）に示すように、溶媒（例えばエタノール）中に離型剤粉末７０（例えば窒化硼素（ＢＮ）の微粉末）とＡｌ成分源粉末７１（例えばアルミナ粉末）とを、分散剤とともに配合して塗布用懸濁液ＳＬを作る。そして、これを図８（ｂ）に示すように、刷毛８０等により手動塗布したり、あるいはスプレーノズル８０により噴霧塗布したりすることができる。塗布後、溶媒を蒸発・乾燥させることにより、離型剤粉末７０とＡｌ成分源粉末７１との複合塗布層７２が形成される。
【００３４】
なお、塗布用懸濁液ＳＬは、均一塗布性と、必要な塗布層厚さとが確保できるように、離型剤粉末７０とＡｌ成分源粉末７１とが主体となる固形分の体積含有率を３〜２０％としておくことが望ましい。ここで、形成すべき複合塗布層７２の厚さは、離型性と形成されるべきＡｌ成分濃化層の厚さ確保のために、２５〜１００μｍ程度に設定するのがよい。また、離型剤粉末７０とＡｌ成分源粉末７１との合計含有量に対するＡｌ成分源粉末７１の含有比率も、同様の観点により１０〜８０重量％の範囲にて調整するのがよい。さらに、焼結時のＡｌ成分拡散を均一に進行させる観点において、Ａｌ成分源粉末７１は平均粒径が０．５〜１０μｍ程度のものを使用するのがよい。
【００３５】
上記のように複合塗布層７２を形成した成形型６５にセットされた仮焼体３９’は、図５（ｂ）に示すように、焼成炉６４（以下、単に炉６４という）内で両成形型６５及び６６の間で加圧されながら所定の焼成保持温度（１７００℃以上：例えば約１８００℃前後）で焼成されることにより、図６（ｃ）に示すような焼成体７０となる。このとき、図４（ｂ）に示す発熱体成形体３４が発熱体１０を、分割予備成形体３６，３７がセラミック基体１３をそれぞれ形成することとなる。また、各電極材３０はそれぞれ電極部１１及び１２となる。
【００３６】
そして、図１０（ａ）に示す複合塗布層７２中のＡｌ成分源粉末からは、同図（ｂ）に示すように、焼結体７０側にＡｌ成分が拡散し、表面側でＡｌ成分濃度が高くなるように組成傾斜したＡｌ成分濃化層７０ｓが形成される。焼成は、不純物酸素分圧を０．０１〜１００Ｐａとした常圧の窒素を導入して焼成温度（例えば１８００℃）まで昇温し、該雰囲気中にて焼成保持する条件を例示できる。
【００３７】
図１２は、Ａｌ成分濃化層７０ｓ中のセラミック組織の一例をごく模式的に示したものである。複合塗布層７２側から拡散してくるＡｌ成分は、例えば窒化珪素質の主相中の珪素成分と置換して、Ｓｉ−Ａｌ複合窒化物（あるいは酸窒化物）を形成したり、あるいは粒界相中にても他の焼結助剤成分との複合窒化物、複合酸化物あるいは複合酸窒化物等、主にアルミナ以外の無機化合物を形成したりする。他方、焼結助剤が希土類成分Ｒを含有する場合は、Ｒ２ＳｉＯ５及び／又はＲ２Ｓｉ２Ｏ７等の珪素との結晶質複合酸化物が形成される。いずれにしろ、Ａｌ成分が、粒界相のガラス化を促進しやすいアルミナではなく、主相表面を覆う複合窒化物や複合酸窒化物、あるいは粒界相中に分散した結晶質の複合無機化合物等の形態で存在することで、焼成時の主相結晶粒子の成長が抑制され、強度ばらつきを起こしやすい局所粒成長した組織が生じにくくなる。
【００３８】
上記焼成により、仮焼体３９’は、図６（ｂ）に示すように、分割予備成形体３６及び３７の合わせ面３９ａに沿う方向に圧縮されながら焼成体７０となる。そして、図６（ｃ）に示すように、発熱体成形体３４の直線部３４ｂは、その円状断面が上記圧縮方向につぶれるように変形することにより、楕円状断面を有した発熱体１０の直線部１０ｂとなる。他方、図１０（ｂ）に示すように、成形型６５のキャビティ６５ａに形成した複合塗布層は、Ａｌ成分が焼結体７０側に拡散して離型剤成分が残留し、離型層７５となる。これにより、図１０（ｃ）に示すように、焼結体７０をキャビティ６５ａから簡単に離脱させることができる。
【００３９】
得られた焼結体７０は、外周面に研磨等の加工を施すことにより、セラミック基体１３の断面が円形に整形されて最終的なセラミックヒータ１となる。ここで、Ａｌ成分濃化層７０ｓは、研磨後においても必要十分な厚さのＡｌ濃化層２ｓを確保できるよう、研摩代を考慮して形成厚さを調整しておく必要がある。
【００４０】
なお、Ａｌ成分源粉末は、仮焼体の外面に塗布してもよい。例えば、図９に示すように、Ａｌ成分源粉末を懸濁させた懸濁液ＳＬを仮焼体３９’に塗布し、乾燥することにより、Ａｌ成分源粉末の塗布層７３を形成することができる。なお、この塗布層７３中には離型剤粉末は含有されていても、含有されていなくてもいずれでもよい。後者の場合は、成形型側に離型剤を塗布しておくことが望ましい。また、懸濁液ＳＬは、ここでは浸漬により塗布しているが、スプレー塗布など他の方法を用いてもよいことはもちろんである。
【００４１】
なお、図７に示すように、セラミック基体粉末の成形体に対し、導電性セラミック粉末のペーストを用いて発熱体形状をパターン印刷し、これを焼成することによりその印刷パターンを焼結して、抵抗発熱体１０とするようにしてもよい。また、抵抗発熱体は、ＷやＷ−Ｒｅ等の高融点金属にて構成してもよい。
【００４２】
【実験例】
セラミック基体用原料粉末は下記のようにして調製した。すなわち、平均粒径０．７μｍのＳｉ３Ｎ４粉末に対し、表１に示す配合比率にて各種焼結助剤粉末を配合し、これをボールミルにて湿式粉砕した。そして、これに所定量のバインダを添加した後、スプレードライ法により乾燥させてセラミック基体用原料粉末とした。一方、発熱体用原料粉末は以下のように調整した。まず、平均粒径１μｍのＷＣ粉末５５質量％、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末４０質量％、焼結助剤としてのＥｒ２Ｏ３粉末５質量％（ただし、ＷＣ粉末、窒化珪素粉末及びＥｒ２Ｏ３粉末の合計を１００質量％とする）を配合し、ボールミルを用いて溶媒とともに５０ｈｒ湿式混合して乾燥後、有機結合剤としてのポリプロピレン及びワックスを添加してコンパウンドを作成し、ペレット造粒した。そして、この造粒ペレットを用いて図３（ａ）に示すように射出成形し、同図（ｂ）に示す一体成形体３５を作成した。
【００４３】
次いで上記原料粉末を用いて前述の方法により、図４（ａ）に示す分割予備成形体３６，３７を作成し、さらにこれと前述の一体成形体３５とを前述の方法により一体プレス成形して、図５（ａ）及び図６（ａ）に示す複合成形体３９を形成した。この複合成形体３９を約６００℃で仮焼して図６（ｂ）に示す仮焼体３９’とし、これをホットプレス焼成した。そして、本発明の実施例品である番号９の試験品については、平均粒径１μｍのＢＮ粉末を質量にて５０部に対し、平均粒径２μｍのアルミナ粉末を質量にて５０部配合し、これをエタノール中に懸濁させた塗布用懸濁液をホットプレス成形型のキャビティ内面に塗布して乾燥することにより、厚さ約５０μｍの複合塗布層を形成した。なお、焼成は、焼成温度を１８００℃、加圧力３００ｋｇｆ／ｃｍ２、焼成キープ時間を３０分に設定するとともに、焼成雰囲気は、不純物酸素分圧を０．０１〜１００Ｐａとした常圧の窒素を導入して１８００℃まで昇温し、該雰囲気中にて焼成保持するようにした。
【００４４】
番号９の試験品については、軸線と直交する断面により切断して表面を研摩し、ＥＰＭＡにより各元素の分布状態を調べた。図１３にその結果を示している。（ａ）はＡｌ、（ｂ）はО（酸素）の特性Ｘ線の強度マッピングであり、いずれも画像上部に円弧状の試験品断面外形輪郭が現れている。領域中、白っぽく現れている部分が特性Ｘ線強度の強い領域、すなわち成分濃度の高い領域である。（ａ）から明らかなように、試験品（窒化珪素質セラミック基体）の表層部には、明らかにＡｌ成分の濃化した領域、すなわちＡｌ成分濃化層が認められ、さらに、Ａｌ濃度は内層側に向かうほど減少する組成傾斜構造が形成されていることがわかる。なお、別途行ったＥＰＭＡによる線分析の結果から、図１１に定義したＡｌ成分濃化層の平均的な厚さは約２８０μｍであった。
【００４５】
さらに、図１４（ａ）は内層部の、同図（ｂ）はＡｌ成分濃化層の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察像である。これによると、Ａｌ成分濃化層のほうが内層部よりも結晶粒子が微細化していることがわかる。なお、（ａ）の画像から推定される内層部の結晶粒子（主相）の平均粒径は約０．３６μｍ、最大粒径は５μｍであり、（ｂ）の画像から推定されるＡｌ成分濃化層の結晶粒子（主相）の平均粒径は約０．２８μｍ、最大粒径は約２．５μｍである。
【００４６】
次に、Ａｌ成分濃化層においてＡｌ成分がＡｌ２Ｏ３の形で存在しているならば、該層において、これに対応した酸素成分の濃化が観察されるはずであるが、図１３の（ａ）と（ｂ）とを比較することにより、そのような酸素の濃化は特に見られないことがわかる。またＥＰＭＡの線分析を利用して、より詳細にО濃度の分布を調査したところ、Ａｌ成分濃化層では内層部よりもО濃度がむしろ減少していることが判明した。これらの実験事実は、Ａｌ成分がＡｌ２Ｏ３以外の無機化合物として存在していることを示唆するものである。
【００４７】
また、図１５は、セラミック基体の表面に入射Ｘ線としてＣｕのＫα1線（波長：約１．５４Å）を入射させたときの、ディフラクトメータ法によるＸ線回折測定の結果である。これによると、主相であるβ−Ｓｉ３Ｎ４のほかに、ＥｒとＳｉとの複合酸化物の結晶が存在していることがわかる。
【００４８】
以上のようにして得られた各セラミックヒータは、セラミック基材の外周面を外径３．５０ｍｍとなるように研摩し（研磨面の算術平均粗さ：０．１μｍ）、室温（試験品数Ｎ＝１０）及び１４００℃（試験品数Ｎ＝５）にて３点曲げ抗折試験を行った（スパン長：１２ｍｍ、クロスヘッド速度：０．５ｍｍ／分）。なお、試料番号９については、研磨後においてもＡｌ成分濃化層が平均厚さにて約２８０μｍ残存していた。以上の結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
この結果から以下のことがわかる。まず、Ａｌ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３系焼結助剤を用いたものは、いずれも１４００℃での高温強度が著しく低くなっている（番号１，２）。また、Ｅｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結助剤を用いたものは、室温強度の最小値が低く、ばらつきが大きい（番号３〜５）。さらに、Ｅｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系焼結助剤を用いたものは、室温強度のばらつきは小さいが、高温強度が伸び悩んでいることがわかる（番号６〜８）。しかしながら、本発明品である番号９においては、高温強度も十分高く、かつ室温強度のばらつきも小さくなっていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミックヒータを採用したグロープラグの一例を示す正面部分断面図。
【図２】そのセラミックヒータの正面断面図。
【図３】セラミックヒータの製造工程説明図。
【図４】図３に続く工程説明図。
【図５】図４に続く工程説明図。
【図６】複合成形体及び焼成体の断面形状変化を示す模式図。
【図７】本発明のセラミックヒータの別実施例を示す断面図。
【図８】本発明のセラミックヒータ製造方法の一実施例における、その特徴部分を、変形例とともに示す工程説明図。
【図９】仮焼体にＡｌ成分源粉末の塗布層を形成する方法を示す工程説明図。
【図１０】本発明のセラミックヒータ製造方法の一実施例における作用説明図。
【図１１】Ａｌ成分濃化層の厚さの定義を示す説明図。
【図１２】本発明のセラミックヒータの窒化珪素質セラミック基体の組織の一例を示す模式図。
【図１３】実験例における発明品断面のＡｌ及びОのＥＰＭＡ二次マッピング画像。
【図１４】実験例における発明品断面の内層部と表層部とのＳＥＭ観察画像に基づく組織スケッチ。
【図１５】実験例における発明品の表層部のＸ線回折プロファイル。
【符号の説明】
１  セラミックヒータ
２ａ  Ａｌ成分濃化層
１３  窒化珪素質セラミック基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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