(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シュウ酸と、下記（１）式で表されるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩および／または下記（２）式で表されるポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩と、下記（３）式で表されるポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、下記（４）式で表されるポリオキシアルキレンブロックポリマー、下記（５）式で表されるポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする非晶質ＩＴＯ用エッチング剤組成物。
【化１】
0003791597.tif 000004
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウム、アルカリ金属を示す。）
【化２】
0003791597.tif 000005
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数を示す。）
【化３】
0003791597.tif 000006
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは、１〜１０００の整数。）
【化４】
0003791597.tif 000007
（但し、ｌ、ｍおよびｎは、それぞれ１〜１０００の整数。）
【化５】
0003791597.tif 000008
（但し、Ｒはアルキル基、Ｒ1はアルキレン基、ｎは、１〜１０００の整数。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、液晶ディスプレ−等に画素電極として使用される、ＩＴＯ（以下、酸化インジウム錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用されるエッチング剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＴＯ膜をはじめとする透明導電膜は、帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野においては、画素の表示電極として使用され、フォトリソグラフィーのエッチングにより作成される。
しかしながら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣＤの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてきたが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとしてエッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォトレジストを剥離して形成される。
【０００３】
従来、上記多結晶ＩＴＯ膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）等が用いられてきた。上記透明導電膜のウエットエッチング剤は、パタニ−ングの際にＡｌ等への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加工精度良くパタニ−ングすることも困難である。
以上の理由により、基板サイズの大型化、ＴＦＴパネルの大型化、高精細化、配線のＡｌ化などに伴って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問題を解決するために、最近、弱酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜をウエットエッチングする方法が提唱されている。
しかしながら、シュウ酸水溶液を使用し、透明導電膜をウエットエッチングした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、このエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれており、種々の添加物を添加することでエッチング残渣を発生させない方法が提唱されているが、添加物を添加することにより、エッチング剤使用時に泡が発生する問題があり、実使用にあたって問題となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜を、シュウ酸水溶液を用いてウェットエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下でウエットエッチングが行え、泡の発生も抑制したエッチング剤を提供することにある。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩と、
ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜をウエットエッチングする際、温和な条件下でウエットエッチングが出来、泡の発生を抑え、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に使用されるシュウ酸の濃度は、０．０１〜１０重量％である。０．０１重量％以下ではエッチング速度が遅く、また１０重量％以上では、エッチング速度が向上せず、得策ではない。
【０００７】
また、本発明に使用されるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩は、一般式（１）で表される。
【０００８】
【化１】
ＲＯ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)ｎＳＯ3Ｍ        （１）
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウム、アルカリ金属を示す。）
【０００９】
具体的には、商品名として、エマール２０Ｃ(花王製)、ハイテノール３２５Ｄ、ハイテノール１２ (第一工業製薬製)、アルスコープＡＰ−３０、アルスコープＬＥ−２４０（東邦化学製）、サンノール６０５Ｎ（ライオン製）等が好適に使用される。
【００１０】
さらに、本発明に使用されるポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、一般式（２）で表される。
【００１１】
【化２】
0003791597.tif 000002
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数）
具体的には、市販のハイテノールＮＥ−０５、ハイテノールＮ―０７（第一工業製薬製）、エマールＮＣ−３５（花王製）等が好適に使用される。上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩はそれぞれ単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％である。０．０００１重量％以下であると、エッチング時の、残渣物が、発生し、５重量％以上では、ＩＴＯ等の透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
【００１２】
また、本発明に使用されるポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルは、一般式（３）で表される。
【００１３】
【化３】
ＲＯ(Ｃ3Ｈ8Ｏ)ｎＨ      （３）
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは、１〜１０００の整数。）
【００１４】
具体的には、市販の、プロナールＳＴ−１、プロナール６６−Ｐ（以上、東邦化学工業製）ノイゲンＥＴ−１０６Ａ、ノイゲンＥＴ−１１６Ｂ、ノイゲンＤＨ０３００、ノイゲンＤＬ−０２０６(以上、第一工業製薬製)、等が好適に使用される。
【００１５】
本発明に使用されるポリオキシアルキレンブロックポリマーは、一般式（４）で表される。
【００１６】
【化４】
HO(CH2CH2O)ｌ（CHCH3CH2O）ｍ（CH2CH2O）nH    （４）
（但し、ｌ、ｍおよびｎは、それぞれ１〜１０００の整数。）
【００１７】
具体的には、市販のドバノックスＤＨ−１５０９（ライオン製）、エマルゲンＰＰ−１５０、エマルゲンＰＰ−２５０、エマルゲンＰＰ−２９０（以上、花王製）、エパン４１０、エパン７１０、エパン７2０（以上、第一工業製薬製）等が好適に使用される。
【００１８】
本発明に使用されるポリオキシアルキレン脂肪酸エステルは、一般式（５）で表される。
【００１９】
【化５】
RCOO(R1O)ｎOCR              （５）
（但し、Ｒはアルキル基、Ｒ1はアルキレン基、ｎは、１〜１０００の整数。）
【００２０】
具体的には、市販のＣＦ−９００（日立化成工業製）、ノイゲンＥＳ−９９、ノイゲンＥＳ−１４９、ノイゲンＥＳ−１６９（以上、第一工業製薬製）、カデナックスＧＳ−９０、カデナックスＳＯ−８３、リオノンＤＴ−６００、エソファット０／１５、エソファット６０／１５、エソファット２４２／２５（ライオン製）、エマノーン１１１２、エマノーン３１３０、エマノーン３１７０、エマノーン３２９９、エマノーン４１１０（以上、花王製）、ノニオンＬ−２、ノニオンＳ−２、ノニオンＯ−２、ノニオンＴ−４（以上、日本油脂製）、ソルボンＳ−２０、アンステックスＮ−６１、エマルソ３０２、アンチカール１００（以上、東邦化学工業製）等が好適に使用される。
【００２１】
さらに、本発明で使用されるポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは消泡剤として使用されている。
具体的には、市販の、ＫＳ６０４、ＫＳ４９６Ａ、ＫＳ５０２、ＫＳ５０６、ＫＳ６０４（信越化学工業製）、ＹＳＡ６４０６、ＹＳＡ７８０（以上、ＧＥ東芝シリコーン製）等が好適に使用される。
【００２２】
上記ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、全溶液中０．０００１〜２０重量％である。
【００２３】
上記ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは、添加濃度が０．０００１重量％以下であると、消泡効果が十分ではなく、２０重量％以上では、十分に、分散、溶解せず、好ましくない。
【００２４】
加えて、必要に応じて、界面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよび/またはポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルを更に添加し、残渣物の除去能を向上させることができる。
【００２５】
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルは、下記式（６）で表されるものである。
【００２６】
【化６】
ＲＯ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)ｎＨ          （６）
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数）
【００２７】
具体的には、市販の、ノイゲンＥＴ−６０Ｅ、ノイゲンＥＴ−１２０Ｅ、ノイゲンＥＴ−１８０Ｅ、ノイゲンＥＴ−６９、ノイゲンＥＴ−８３、ノイゲンＥＴ−１２９、ノイゲンＥＴ−１７０(以上、第一工業製薬製)、エマルゲン１０４Ｐ、エマルゲン１３０Ｋ、エマルゲン２１０、エマルゲン３０６Ｐ、エマルゲン４０４、エマルゲン４３０、エマルゲン７０７（以上、花王製）、ノニオンＥ−２０６、ノニオンＥ−２１５、ノニオンＰ−２１０、ノニオンＳ−２１５、ノニオンＫ−２２０、ノニオンＴ−２０８．５、パーソフトＮＫ−１００（以上、日本油脂製）、ノニオライトＡＬ−５、ノニオライトＡＣＬ−５、ノニオライトＡＫ−２０、ノニオライトＡＯ−２０、ノニオライトＡＳ−４Ｈ、ノニオライトＡＰ−１１３、ノニオライトＡＳ−２１２（以上、共栄社油脂化学工業製）、ノナール１０６、ノナール２１０、ノナール４３０、ノナールＣ−１８、ノナールＬ−９Ａ（以上、東邦化学工業製）、ニューコール１００４、ニューコール１１００、ニューコール１２０３、ニューコール１１０５、ニューコール１２００、ニューコール１３１０、ニューコール１５１５、ニューコール１５４５、ニューコール１６２０、ニューコール１８２０（以上、日本乳化剤製）、レオコールＳＣ−３０Ｋ、レオコールＳＣ−１２０Ｋ、レオコールＴＤ−１５０Ｋ（以上、ライオン製）等が挙げられる。
【００２８】
また、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルは、一般式（７）で表されるものである。
【００２９】
【化７】
0003791597.tif 000003
（但し、Ｒはアルキル基、ｎは１〜１０００の整数）
【００３０】
具体的には、市販の、ノイゲンＥＡ１６７、ノイゲンＥＡ１７０、ノイゲンＥＰ１２０Ａ、ＤＫＳエレノン(以上、第一工業製薬製)、エマルゲン８１０、エマルゲン８４０Ｓ、エマルゲン９０３、エマルゲン９０９、エマルゲン９１３、エマルゲン９８５（以上、花王製）、ノニオンＮＳ−２０６、ノニオンＮＳ−２１０、ノニオンＮＳ−２７０ノニオンＨＳ−２０６、ノニオンＨＳ−２４０（以上、日本油脂製）、ノナールＣＰ−６０（東邦化学工業製）、サーフィノールＰＣ、サーフィノール１０４、サーフィノールＴＧ（以上、日信化学工業製）、ニューコール５６１Ｈ、ニューコール５６８、ニューコール８６５（以上、日本乳化剤製）、リポノックスＮＣ−１０、リポノックスＮＣ−３８、リポノックスＮＣ−６００、リポノックスＢＣ−１４０（以上、ライオン製）等が挙げられる。
【００３１】
上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルは単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、全溶液中０．０００１〜５重量％である。
【００３２】
上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルの濃度が０．０００１重量％以下であると、残渣物の除去能の向上が望めず、５重量％以上では、透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
【００３３】
本発明の、使用濃度は、常温から９０℃までであり、使用時間は、１〜３０分程度である。
また、本発明は、非晶質ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウムー亜鉛酸化物）等の種々の透明導電膜のウェットエッチングに、好適に使用される。
【００３４】
【実施例】
【００３５】
実施例１
図１に示した基板は、ガラス基板１上に、絶縁膜であるＳｉＮ２を成膜し、さらに非晶質ＩＴＯ３を成膜し、非晶質ＩＴＯ３上にレジスト４を塗布し、現像を行った後の状態である。図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール１２、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト４を剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００３６】
実施例２
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００３７】
実施例３
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００３８】
実施例４
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンブロックポリマー（商品名：エパン４１０、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００３９】
実施例５
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレン脂肪酸エステル（商品名：ＣＦ−９００、日立化成工業製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４０】
実施例６
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．１０重量％のポリオキシアルキレン変性シリコンオイル（商品名：ＫＳ−６０４、信越化学工業製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用し、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４１】
比較例１
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用し、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機で少量の泡の発生が認められた。
【００４２】
比較例２
図１に示した基板を、３．４重量％のシュウ酸を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされたが、図３に示す様に、多数の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４３】
実施例７
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１に示した基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール１２、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）と、０．０１重量％のポリオキシアルキレンアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＥＴ−６０Ｅ、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４４】
実施例８
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール１２、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）と、０．０１重量％のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル（商品名：ノイゲンＥＰ−１２０Ａ、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４５】
実施例９
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）と、０．０１重量％のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル（商品名：ノイゲンＥＰ−１２０Ａ、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４６】
実施例１０
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）と、０．０１重量％のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル（商品名：ノイゲンＥＰ−１２０Ａ、第一工業製薬製）を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４７】
比較例３
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール１２、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされたが、図２に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４８】
比較例４
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．０５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされたが、図２に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００４９】
比較例５
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮＥ−０５、第一工業製薬製）と、０．５重量％のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル（商品名：ノイゲンＤＨ０３００、第一工業製薬製）、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされたが、図２に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００５０】
比較例６
図１に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図１の基板より残りやすい基板を、３．４重量％のシュウ酸を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で４０℃、２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされたが、図３に示す様に、多数の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【００５１】
【発明の効果】
非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜を、エッチング残渣を全く発生せず、温和な条件下でウエットエッチングすることが出来、且つウエットエッチング剤の泡の発生も抑制する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガラス基板上に、絶縁膜であるＳｉＮを成膜し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を行った後の状態である。
【図２】図１で示した基板と同様の構造の基板を、ウエットエッチング後の状態である。
【図３】図１で示した基板と同様の構造の基板を、ウエットエッチング後の状態である。
【符号の説明】
１ガラス基板、２ＳｉＮ、３非晶質ＩＴＯ、４レジスト、５残渣物
【図１】
0003791597.tif 000009
【図２】
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【図３】
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