(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体又は表面をメタライズした誘電体からなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出力導波管と、導波管−マイクロストリップ変換基板を介して上記入出力導波管に接続され上記気密ケースに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタライズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカバーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設けられた接続導波管と、上記接続導波管に接続され、上記カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され、上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、側面をメタライズされ、上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路からなる側面メタライズ誘電体導波路とを備え、上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上を平行に並べてＴＥ１０モードのＨ面どうしを重ねて貼り合わせ、上記角穴にロウ付け、又はハンダ付けするロウ材又はハンダとで取り付けて気密導波路を構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項２】
導体又は表面をメタライズした誘電体からなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出力導波管と、導波管−マイクロストリップ変換基板を介して上記入出力導波管に接続され上記気密ケースに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタライズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカバーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設けられた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され、上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路からなる誘電体導波路とを備え、上記側面メタライズ導波路２つ以上を平行に並べてＴＥ１０モードのＨ面どうしを重ねて貼り合わせ、上記角穴に導電性接着剤で接着して気密導波路を構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項３】
導体又は表面をメタライズした誘電体からなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出力導波管と、導波管−マイクロストリップ変換基板を介して上記入出力導波管に接続され上記気密ケースに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタライズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカバーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設けられた接続導波管と、上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路からなる２つ以上の誘電体導波路と、上記カバーに設けられ、上記接続導波管に接続されて上記接続導波管のＨ面と平行な面で２つ以上に分割された磁界面分割角穴と、上記磁界面分割角穴に接続され上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管とを備え、上記２つ以上の誘電体導波路はＴＥ１０モードのＨ面に平行な面で隣り合わせて上記磁界面分割角穴に平行に並べてそれぞれ圧入され気密導波路を構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項４】
導体又は表面をメタライズした誘電体からなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出力導波管と、導波管−マイクロストリップ変換基板を介して上記入出力導波管に接続され上記気密ケースに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタライズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカバーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設けられた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カバーに設けられた第１の導波管インピーダンス変成器と、上記第１の導波管インピーダンス変成器に接続され上記カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され上記カバーに設けられた第２の導波管インピーダンス変成器と、上記第２の導波管インピーダンス変成器に接続され上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、側面をメタライズされ上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路からなる側面メタライズ誘電体導波路とを備え、上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上を平行に並べてＴＥ１０モードのＨ面どうしを重ねて貼り合わせ、上記角穴にロウ付け、又はハンダ付けするロウ材又はハンダとで接続して気密導波路を構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項５】
導体又は表面をメタライズした誘電体からなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出力導波管と、導波管−マイクロストリップ変換基板を介して上記入出力導波管に接続され上記気密ケースに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタライズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカバーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設けられた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カバーに設けられた第１のテーパー導波管と、上記第１のテーパー導波管に接続され上記カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され上記カバーに設けられた第２のテーパー導波管と、上記第２のテーパー導波管に接続され上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、側面をメタライズされ上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路からなる側面メタライズ誘電体導波路とを備え、上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上を平行に並べてＴＥ１０モードのＨ面どうしを重ねて貼り合わせ、上記角穴に接合して気密導波路を構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、耐環境性向上のため気密を保った高周波気密モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２５は従来の高周波気密モジュールを示す斜視図、図２６は図２５のＡ７視図、図２７は図２５のＡ７方向からの平面透視図、図２８はＢ７−Ｂ７断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤである。
【０００３】
ここで、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５と角穴６にロウ材又はハンダ９によりロウ付け又はハンダ付けされた１個の側面メタライズ誘電体導波路８とモジュール出力導波管７に接続され、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【０００４】
このように、従来の高周波気密モジュールでは、導波管の気密を１個の側面メタライズ誘電体導波路８をカバー４の角穴にロウ付け、又はハンダ付けすることにより行っており、高周波入出力信号のインタフェースは１個の側面メタライズ誘電体導波路８を介して行っていた。例えば高周波回路部３が導波管−マイクロストリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス用気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワイヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子１５に入力される。また、モジュール入出力導波管７から入力された信号は側面メタライズ誘電体導波路８と接続導波管５を通過し、入出力導波管２に入力される。この信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１にロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた導波管−マイクロストリップ変換器基板１１によりマイクロストリップモードに変換された後、マイクロストリップ線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積回路基板１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回路基板１３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワイヤ１６を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器基板１１のマイクロストリップ線路１２、に出力され、導波管モードに変換された後、入出力導波管２に出力され接続導波管５、側面メタライズ誘電体導波路８を通過してモジュール入出力導波管７から出力される。ここで、側面メタライズ誘電体導波路８の寸法は、導波路の基本モードの共振（ＴＥ１０１）を利用しインピーダンス整合をとるため、入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで、且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなる寸法となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図２５に示すような高周波気密モジュールでは、高周波信号の入出力に１つの側面メタライズ誘電体導波路８だけを用い帯域内の不要モードの共振がないよう開口寸法を小さく絞っているため通過損失が大きくなるという問題点があった。
【０００６】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高周波気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１の発明による高周波気密モジュールは、高周波入出力気密端子に、ＴＥ１０モードで管内波長の２分の１長さの誘電体導波路の代わりに、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの側面メタライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせロウ付け、又はハンダ付けして並列誘電体導波路を作ることにより、各々の線路は不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることにより、高周波入出力気密端子の通過損失を減らした気密モジュールを実現したものである。
【０００８】
また、第２の発明による高周波気密モジュールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周波入出力気密端子を各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界面どうしで合わせて導電性接着剤で接着して並列誘電体導波路としたものである。
【０００９】
また、第３の発明による高周波気密モジュールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周波入出力気密端子を入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの誘電体からなる誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界面に平行な面で隣り合わせて磁界面分割角穴に圧入して並列誘電体導波路としたものである。
【００１０】
また、第４の発明による高周波気密モジュールは第１の発明による高周波気密モジュールにおいて、高周波気密モジュールの高周波入出力気密端子を各々が接着剤又はポッティング剤を充填したとき、入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ導波管のＴＥ１０モードの磁界面に平行な面で分割された磁界面分割角穴と、磁界面分割角穴を充填する接着剤又はポッティング剤で構成して並列誘電体導波路としたものである。
【００１１】
また、第５の発明による高周波気密モジュールは第１の発明による高周波気密モジュールにおいて、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の両端に導波管インピーダンス変成器を接続したものである。
【００１２】
また、第６の発明による高周波気密モジュールは第１の発明による高周波気密モジュールにおいて、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の両端にテーパ導波管を接続したものである。
さらにまた、第７の発明による高周波気密モジュールは、高周波集積回路基板の設けられた気密ケースと、気密ケースに設けられ、高周波集積回路基板に接続されたマイクロストリップ線路を有する導波管−マイクロストリップ変換基板と、気密ケースに設けられ、導波管−マイクロストリップ変換基板と導波管モードで接続される入出力導波管と、気密ケースに接合されたカバーと、カバーに設けられたモジュール出力導波管と、モジュール出力導波管と入出力導波管との間に配置されて夫々の導波管と直列に接続され、２つの誘電体導波路を並列に配置して成る気密導波路とを備えたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１を示す斜視図、図２は図１のＡ１視図、図３は図１のＡ１方向からの平面透視図、図４はＢ１−Ｂ１断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤである。
【００１４】
ここで、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００１５】
また、各々が入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ、導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。
【００１６】
例えば高周波回路部３が導波管−マイクロストリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス用気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワイヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子１５に入力される。また、モジュール入出力導波管７から入力された信号は、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８と接続導波管５を通過し、入出力導波管２に入力される。この信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１にロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた導波管−マイクロストリップ変換器基板１１によりマイクロストリップモードに変換された後、マイクロストリップ線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積回路基板１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回路基板１３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワイヤ１６を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器基板１１のマイクロストリップ線路１２、に出力され、導波管モードに変換された後、入出力導波管２に出力され接続導波管５、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８を通過してモジュール入出力導波管７から出力される。このようにして気密モジュールの入出力の通過損失を減らすことができるため、増幅器の雑音指数の低減、高利得、高出力化ができる。
【００１７】
実施の形態２．
図５はこの発明の実施の形態２を示す斜視図、図６は図５のＡ２視図、図７は図５のＡ２方向からの平面透視図、図８はＢ２−Ｂ２断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１７は誘電体導波路、１８は導電性接着剤である。
【００１８】
この場合にも、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせて導電性接着剤１８により接着された２つ以上の誘電体導波路１７からなる気密導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００１９】
また、各々が入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に誘電体導波路のメタライズが不要となり、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに導電性接着剤１８による接着を行えばよく、安価に気密モジュールを作ることができる。
【００２０】
実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３を示す斜視図、図１０は図９のＡ３視図、図１１は図９のＡ３方向からの平面透視図、図１２はＢ３−Ｂ３断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、７はモジュール出力導波管、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１７は誘電体導波路、１９は磁界面分割角穴である。
【００２１】
この場合にも、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は２つ以上の磁界面分割角穴１９に誘電体導波路１７を２つ以上磁界面どうしを隣り合わせて圧入した気密導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００２２】
また、各々が入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを隣り合わせて磁界面分割角穴１９に圧入して並列誘電体導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に誘電体導波路のメタライズが不要となるとともにロウ付け、ハンダ付け、接着も不要となるため、より安価に気密モジュールを作ることができる。
【００２３】
実施の形態４．
図１３はこの発明の実施の形態４を示す斜視図、図１４は図１３のＡ４視図、図１５は図１３のＡ４方向からの平面透視図、図１６はＢ４−Ｂ４断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、７はモジュール出力導波管、９はロウ材、又はハンダ１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１９は磁界面分割角穴、２０は接着剤又はポッティング剤である。
【００２４】
この場合にも、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は２つ以上の磁界面分割角穴１９に接着剤又はポッティング剤２０を充填した気密導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００２５】
また、２つ以上に分割した磁界面分割角穴１９の各々を、接着剤又はポッティング剤２０が充填されたとき入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法にすることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に側面メタライズ誘電体導波路が不要となるとともに、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに接着剤の充填を行えばよく、いっそう安価に気密モジュールを作ることができる。そして、充填する接着剤又はポッティング剤２０の量を調整することにより、基本モードの共振周波数を入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数に合わせることができるため、通過損失も更に低減できる。
【００２６】
実施の形態５．
図１７はこの発明の実施の形態５を示す斜視図、図１８は図１７のＡ５視図、図１９は図１７のＡ５方向からの平面透視図、図２０はＢ５−Ｂ５断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２１は第１の導波管インピーダンス変成器、２２は第２の導波管インピーダンス変成器である。
【００２７】
この場合にも、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は第１の導波管インピーダンス変成器２１と接続され、第１の導波管インピーダンス変成器２１は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密導波路及び第２の導波管インピーダンス変成器２２を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００２８】
また、各々が入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間を導波管インピーダンス変成器で接続しているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過損失を低減できる。
【００２９】
実施の形態６．
図２１はこの発明の実施の形態６を示す斜視図、図２２は図１１のＡ６視図、図２３は図２１のＡ６方向からの平面透視図、図２４はＢ６−Ｂ６断面図である。これらの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２３は第１のテーパー導波管、２４は第２のテーパー導波管である。
【００３０】
この場合にも、気密ケース１に設けられた高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５は第１のテーパー導波管２３と接続され、第１のテーパー導波管２３は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密導波路及び第２のテーパー導波管２４を介してモジュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００３１】
また、各々が入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間をテーパー導波管で接続しているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過損失をよりいっそう低減できる。
【００３２】
【発明の効果】
第１の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴＥ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができ気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。
【００３３】
また、第２の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ以上の誘電体導波路をＴＥ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴に導電性接着剤で接着した並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。そして誘電体導波路のメタライズが不要となり、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに作業性の良い導電性接着剤による接着を行っているため、安価に気密モジュールを作ることができる。
【００３４】
また、第３の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の誘電体導波路を２つ以上ＴＥ１０モードの磁界面どうしを隣り合わせて導波管の面に平行な面で２つ以上に分割した磁界面分割角穴に圧入した並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に誘電体導波路のメタライズが不要となるとともにロウ付け、ハンダ付け、接着も不要となるため、より安価に気密モジュールを作ることができる。
【００３５】
また、第４の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、導波管の面に平行な面で２つ以上に分割した磁界面分割角穴の各々を接着剤、又はポッティング剤が充填されたとき、入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法として接着剤、又はポッティング剤を充填した並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に側面メタライズ誘電体導波路が不要となるとともに、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに接着剤の充填を行えばよく、安価に気密モジュールを作ることができる。そして、充填する接着剤、又はポッティング剤の量を調整することにより、容易に基本モードの共振周波数を入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数に合わせることができるため、更に通過損失を低減できる。
【００３６】
また、第５の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴＥ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間を導波管インピーダンス変成器で接続しているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過損失を低減できる。
【００３７】
また、第６の発明によれば、高周波信号入出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴＥ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更に接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間をテーパー導波管で接続しているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過損失をよりいっそう低減できる。
さらにまた、第７の発明によれば、モジュール出力導波管と入出力導波管との間に、２つの誘電体導波路を並列に配置して成る気密導波路を備えたことにより、モジュール内の気密を保ちながら、入出力導波管とモジュール出力導波管との間を伝搬される高周波信号の通過損失を、減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す斜視図である。
【図２】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す図１におけるＡ１視図である。
【図３】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す図１におけるＡ１方向からの平面透視図である。
【図４】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す図１におけるＢ１−Ｂ１断面図である。
【図５】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す斜視図である。
【図６】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す図５におけるＡ２視図である。
【図７】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す図５におけるＡ２方向からの平面透視図である。
【図８】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す図５におけるＢ２−Ｂ２断面図である。
【図９】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す斜視図である。
【図１０】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す図９におけるＡ３視図である。
【図１１】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す図９におけるＡ３方向からの平面透視図である。
【図１２】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す図９におけるＢ３−Ｂ３断面図である。
【図１３】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す斜視図である。
【図１４】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す図１３におけるＡ４視図である。
【図１５】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す図１３におけるＡ４方向からの平面透視図である。
【図１６】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す図１３におけるＢ４−Ｂ４断面図である。
【図１７】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す斜視図である。
【図１８】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１７におけるＡ５視図である。
【図１９】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１７におけるＡ５方向からの平面透視図である。
【図２０】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１７におけるＢ５−Ｂ５断面図である。
【図２１】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す斜視図である。
【図２２】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す図２１におけるＡ６視図である。
【図２３】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す図２１におけるＡ６方向からの平面透視図である。
【図２４】  この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す図２１におけるＢ６−Ｂ６断面図である。
【図２５】  従来の高周波気密モジュールを示す斜視図である。
【図２６】  従来の高周波気密モジュールを示す図２５におけるＡ７視図である。
【図２７】  従来の高周波気密モジュールを示す図２５におけるＡ７方向からの平面透視図である。
【図２８】  従来の高周波気密モジュールを示す図２５におけるＢ７−Ｂ７断面図である。
【符号の説明】
１  気密ケース、２  入出力導波管、３  高周波回路部、４  カバー、５  接続導波管、６  角穴、７  モジュール出力導波管、８  側面メタライズ誘電体導波路、９  ロウ材又はハンダ、１０  バイアス用気密貫通端子、１１  導波管−マイクロストリップ変換基板、１２  マイクロストリップ線路、１３  高周波集積回路基板、１４  入出力端子、１５  バイアス端子、１６  導体ワイヤ、１７誘電体導波路、１８  導電性接着剤、１９  磁界面分割角穴、２０  接着剤又はポッティング剤、２１  第１の導波管インピーダンス変成器、２２  第２の導波管インピーダンス変成器、２３  第１のテーパー導波管、２４  第２のテーパー導波管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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