(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部物質膜上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして、前記下部物質膜を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
露出した前記下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、前記コンタクトホールを形成する段階でできた損傷膜を除去するドライ洗浄段階と、
前記損傷膜の除去された前記下部物質膜上に酸化物反応ガスを供給して、前記損傷膜を除去する段階でできた自然酸化膜を除去する段階と、
前記ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別途のチャンバで行うことにより前記ドライ洗浄された前記コンタクトホール内の露出した前記下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、前記コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階とを含む半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法であって、
前記ソースガスは、３フッ化窒素ガスおよび酸素ガスと、ヘリウムガス又はアルゴンガスとを含み、
前記自然酸化膜を除去する段階は、前記酸化物反応ガスとしてフッ化ガスを用いるとともに、水素プラズマを前記自然酸化膜上に供給して行われ、
前記フッ化ガスは３フッ化窒素ガスであり、
前記水素プラズマは、マイクロ波方式により励起されてダウンフロー方式により前記自然酸化膜上に供給されることを特徴とする半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項２】
前記自然酸化膜を除去する段階は、
前記損傷膜を除去する段階と真空断絶なしに行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項３】
前記導電膜を形成する段階は、
前記自然酸化膜を除去する段階と真空断絶なしに行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項４】
前記ソースガスの前記酸化性ガスは、
酸素ガスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項５】
前記ソースガスの前記酸化物反応ガスは、
フッ化ガスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項６】
前記フッ化ガスは、
フッ化窒素ガス、又はフッ化炭素ガスであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【請求項７】
前記プラズマは、
マイクロ波方式により前記ソースガスから励起されてダウンフロー方式により前記損傷膜上に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化が進むにつれて、洗浄工程が重要視されつつある。例えば、ドライエッチング方法等によりコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを埋め込む工程の前段階として、コンタクトホールにより露出された半導体基板上、又はコンタクトホールの側壁などを洗浄する工程が重要視されつつある。
パターニングのためのドライエッチングは、プラズマに含まれた反応性イオンを電圧差を用いて加速させ、これにより半導体基板上の物質膜などをエッチングする方法である。このドライエッチングは、半導体装置に適用されるパターンが微細化するにつれてその利用が増加している。しかし、このドライエッチングは、イオン衝撃効果（ｉｏｎ  ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ  ｅｆｆｅｃｔ）を伴ってパターニングされる物質膜下部の半導体基板、又はポリシリコン膜に格子欠陥又は格子歪み現象を起こす可能性がある。
【０００３】
この格子欠陥又は格子歪み等が原因となって、ドライエッチングにより露出される半導体基板上には損傷膜が形成される。損傷膜は、電気的伝導度を低下させるなど、半導体基板の電気的性質の変化をきたす可能性がある。
この損傷膜を除去したり、又は損傷膜に起因する電気的特性の劣化を補うため、次のような方法が用いられている。例えば、アニーリング工程、又はコンタクトホールを埋め込むプラグなどの導電性物質膜を形成した後のイオン打ち込み工程、すなわち、プラグイオン打ち込み工程などを施して電気的特性の劣化を補う。又は、ドライエッチング工程の直後に、ドライエッチングでエッチングマスクとして用いられたフォトレジストパターンを除去するアッシング工程等により半導体基板の表面を酸化させた後に、形成された酸化膜をウェットエッチング法により除去する方法が用いられている。或いは、コンタクトホールを埋め込む導電膜の下部に形成される障壁膜を形成する工程前に、このコンタクトホールをウェット洗浄する工程等により半導体装置の電気的特性の劣化を防止する方法が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前述のアニーリング工程、又はプラグイオン打ち込み工程は、追加のコスト及び工程の複雑化を招く。また、ウェット洗浄法を用いる場合には、コンタクトホールの形成される絶縁膜パターンを構成する絶縁物質が種々であって、絶縁物質のそれぞれに対するウェットエッチング量が変わり、コンタクトホールの側壁に凹凸など側壁プロファイルが損傷される不良が起こり易い。
さらに、前述のウェット洗浄工程等は、導電性物質を蒸着する蒸着装置とは別の装置で独立的に行われる。例えば、バッチ式洗浄装置、例えばウェットステーション等でウェット洗浄工程を行った後に、前記蒸着が行われる枚葉式蒸着装置に洗浄された半導体基板が移動される。この移動中に、洗浄された半導体基板の表面などが大気中に曝されて自然酸化膜の形成、又は不純物の吸着などの汚染が生じうる。自然酸化膜等は、電気的伝導度を低下させるなど、半導体装置の電気的特性を低下させる重要な要因となりうる。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、ドライエッチング工程により露出される半導体基板又は導電膜上に形成される損傷膜又は自然酸化膜などを簡単に除去し、再汚染を防止して接触抵抗の増加などの電気的な特性の低下が防止できる半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法を提供するところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、下部物質膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして前記下部物質膜を露出させるコンタクトホールを形成する。前記コンタクトホールを埋め込む前に、露出する前記下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、前記コンタクトホールを形成する段階で起こされた損傷膜を除去してドライ洗浄する。
【０００７】
前記ドライ洗浄段階は、酸素ガスなどの酸化性ガス及び３フッ化窒素ガスなどのフッ化ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを用いる。このとき、前記ソースガスには、ヘリウムガス又はアルゴンガスがさらに含まれうる。前記プラズマは、マイクロ波方式により前記ソースガスから励起されてダウンフロー方式により前記下部物質膜上に供給される。このとき、電圧差を印加してプラズマを加速する工程は排除されることが好ましい。
また、前記損傷膜の除去された前記下部物質膜上に酸化物反応ガスを供給して、前記損傷膜を除去する段階でできた自然酸化膜を除去する段階がさらに含まれうる。このとき、前記酸化物反応ガスとして３フッ化窒素ガスなどの反応性ガスを水素プラズマと共に前記自然酸化膜上に供給して行われる。このとき、前記水素プラズマは、マイクロ波方式により励起されてダウンフロー方式により前記自然酸化膜上に供給可能である。
【０００８】
つぎに、本発明は、前記ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別のチャンバで行うことにより前記ドライ洗浄された前記コンタクトホール内の露出される前記下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、前記コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階を含む。
本発明によると、コンタクトホールを形成するドライエッチングにより誘発される損傷膜を効果良く除去することができる。さらに、洗浄されたコンタクトホールの内部が再度汚れることが防止でき、コンタクトホールを埋め込む導電膜と下部物質膜との接触抵抗の増加が防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、添付された図面に基づき、本発明の実施の形態を詳細に説明する。但し、本発明の実施形態は各種に変形可能であり、本発明の範囲が後述する実施形態により限定されるものではない。本発明の実施形態は当業界における通常の知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。よって、図面における膜の膜厚等はより明確な説明を強調するために誇張されたものであり、また図面上で同じ符号にて示された要素は同じ要素を表わす。さらに、ある膜が他の膜又は半導体基板の"上"にある、又は接触してあると記された場合、その膜は他の膜又は半導体基板に直接的に接触して存在することもできれば、その間に第３の膜が介在して存在してもよい。
【００１０】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法を説明するために概略的に示す工程フローチャートである。
本実施形態は、ドライエッチングにより誘発される損傷膜を除去するために、導電膜にてコンタクトホールを埋め込む前に、コンタクトホール内をドライ洗浄する方法を提示する。具体的に、絶縁膜上にプラズマを加速してドライエッチングによりコンタクトホールを形成し（ステップ１０）、ドライエッチングのためにエッチングマスクとして用いられた残留するフォトレジスト膜を除去する（ステップ２０）。次に、コンタクトホールをドライ洗浄し、コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する（ステップ３０）。
【００１１】
このドライ洗浄は、プラズマを用いるソフトエッチングにより行われ、ドライエッチングにより誘発された損傷膜を除去する。損傷膜は、コンタクトホール内に露出された下部物質膜、例えば、シリコン半導体基板、又は導電性のポリシリコン膜の表面に誘発されるが、主としてドライエッチングに用いられるプラズマによるイオン衝撃現象により誘発される。このイオン衝撃現象は、主としてドライエッチングの効率を高めるためプラズマに電圧差を印加して加速させることに起因すると言われている。この損傷膜の存在は、半導体装置の電気的な特性を低下させる要因として働くため、除去することが好ましい。
【００１２】
上記のようなドライ洗浄、例えば、プラズマを用いるソフトエッチングは、上記した損傷膜を除去するときにイオン衝撃現象が誘発されることを最小化するように行われる。例えば、通常のドライエッチング工程は、励起されたプラズマを加速してエッチング効果を極大化する方式で行われるが、ソフトエッチングは、プラズマを加速する工程を導入しないか、或いは最小化する方式で行われる。好ましくは、プラズマを加速する工程を導入せずに行われる。
【００１３】
以下、以上のような本発明の実施の形態を図面に基づき具体的に説明する。
図２〜図５は、本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法を説明するための概略的な断面図である。
図６及び図７は、本発明の実施の形態によるドライ洗浄段階に用いられるドライ洗浄モジュールを説明するための概略図であり、図８は、図６又は図７に示されたドライ洗浄モジュールを含む洗浄及び蒸着システムの構成を説明するための概略的な断面図である。
【００１４】
図２を参照すると、半導体基板１００上に絶縁膜２００を形成し、つぎにフォトレジスト膜３００をエッチングマスクとして用いて絶縁膜２００をパターニングしてコンタクトホール２５０を形成する。コンタクトホール２５０は、シリコンよりなる半導体基板１００を露出させる場合を例にとっているが、コンタクトホール２５０がポリシリコン膜（図示せず）を露出させる場合にも本発明が適用可能である。半導体基板１００上には、トランジスタ構造（図示せず）などの動作素子が形成されており、かかる動作素子を絶縁する絶縁膜２００を様々な絶縁物質を用いて形成する。
絶縁膜２００は、必要に応じて各種の絶縁物質よりなる多重膜構造から形成可能である。例えば、膜厚が略５，０００ÅのＢＰＳＧ膜を第１副絶縁膜２０１として形成した後、膜厚が略１０，０００ÅのＰＥ−ＴＥＯＳ膜を第２副絶縁膜２０５として形成して多重膜構造を形成し、絶縁膜２００として利用可能である。かかる多重膜構造の絶縁膜２００は、半導体装置が高集積化するにつれて次第に高まる段差を克服するため必須に用いられている。
【００１５】
上記したように絶縁膜２００を形成した後、絶縁膜２００をフォトエッチング工程によりパターニングして、下部の半導体基板１００を露出させるコンタクトホール２５０を形成する。このとき、パターニング工程は、ドライエッチング方法を用いて行われる。このドライエッチング方法は、プラズマを前記した絶縁膜２００上に供給し、このとき、前記プラズマに電圧差を印加してプラズマを加速することにより、プラズマによるエッチング効果を極大化する。ところが、このように電圧差により加速されたプラズマは、絶縁膜２００の下部の半導体基板１００上を損傷するおそれがある。すなわち、コンタクトホール２００により露出される半導体基板１００上にイオン衝撃効果による損傷膜１１０が誘発可能である。
【００１６】
この損傷膜１１０は、主として、前記ドライエッチングによるイオン衝撃により、露出される半導体基板１００の表面近くに格子欠陥又は格子歪みが生じて誘発される。この損傷膜１１０の存在は、後続工程で接触抵抗を増加させる要因として働き、結果として半導体装置の電気的な特性を劣化させる要因となる。このため、この損傷膜１１０は除去されることが好ましい。
一方、前述のように、コンタクトホール２５０をパターニングした後に、絶縁膜２００上に残留するフォトレジスト膜３００を除去する。例えば、半導体基板１００をアッシングシステム及びウェットステーション等により順次移動させて、残留するフォトレジスト膜３００をアッシングし、硫酸ストリップ工程により除去する。このとき、コンタクトホール２５０内には、有機成分の残留物が残存する場合がある。
【００１７】
図３を参照すると、半導体基板１００上に誘発された損傷膜１１０を除去する。この損傷膜１１０の除去は、プラズマを用いるソフトエッチングを含むドライ洗浄工程により行われる。ソフトエッチングは、プラズマの化学的エッチング作用を主として用いる。すなわち、プラズマの化学反応的要素を主として用いる。従って、半導体基板１００の背面にバイアス電圧を印加することによりプラズマに電圧差を与え、物理的なエッチング作用が発生することを防止する。
このため、ソフトエッチングに用いられるプラズマは、リモート方式により励起され、ダウンフロー方式により半導体基板１００上に供給されることが好ましい。さらに、プラズマを励起するために印加されるパワー条件及びプラズマソースガス供給条件などの制御条件が調節された誘導結合プラズマ又は反応性イオンエッチング方式により前記したソフトエッチングを行っても良い。
【００１８】
リモート方式を適用する場合、図６に示されたように、リモートプラズマモジュールを含むプラズマ装置を用いて前記したドライ洗浄のためのソフトエッチングを行うことができる。移動されるプラズマソースガスは、マイクロ波によりプラズマに励起される。このようなプラズマはダウンフローされて半導体基板１００上に達することになる。
このようなプラズマは、損傷膜１１０を酸化させて、損傷されない半導体基板１００から選択的に除去する。このとき、プラズマは、損傷膜１１０を酸化させるための酸化性ラジカルを含有し、酸化された損傷膜１１０を除去する酸化物除去用ラジカルなどを含有することが好ましい。例えば、前記したプラズマは、損傷膜をなすシリコンが酸化可能な酸化性ガスと、酸化物除去用ラジカルが生成可能な酸化物反応ガス、例えば、フッ化ガスを含有するプラズマソースガスから励起できる。
【００１９】
酸化性ガスとしては酸素ガス（Ｏ2）が使用でき、フッ化ガスとしては３フッ化窒素ガス（ＮＦ3）などのフッ化窒素ガス又は、４フッ化炭素ガス（ＣＦ4）などのフッ化炭素ガスが使用できる。本発明の実施形態では、３フッ化窒素ガスを用いる場合を例にとっている。このプラズマソースガスは、ヘリウムガス（Ｈｅ）又はアルゴンガス（Ａｒ）などの不活性ガスをより含むことができる。
プラズマソースガスは、図６に示されたように、半導体基板１００が装着されるチャンバ５１００に供給される。このとき、ソースガスは、第１導入管５２００を介してＭＦＣ（Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）により制御されてチャンバ５１００に供給され、途中で提供されるマイクロ波によりプラズマに励起される。例えば、３フッ化窒素ガスを略３０ｓｃｃｍないし略１３０ｓｃｃｍに供給し、酸素ガスを略５０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍ、ヘリウムガスを略１０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍに供給する。好ましくは、略３５ｓｃｃｍの３フッ化窒素ガス、７０ｓｃｃｍの酸素ガス及び５００ｓｃｃｍのヘリウムガスを供給する。このようなソースガスに窒素ガス（Ｎ2）を略１０ｓｃｃｍ〜略１０００ｓｃｃｍで追加して供給しても良い。
【００２０】
このプラズマソースガスからリモート方式で励起されるプラズマ５３００は、チャンバ５１００に導入されてダウンフロー方式により下部の半導体基板１００上に供給される。プラズマ５３００が導入されるチャンバ５１００には、石英シールド５１０１が設けられる。半導体基板１００は、ヒーター部５４００に装着された加熱ランプ５４０１により加熱される。このヒーター部５４００上には、石英ウィンドウ５５００が介在する。
【００２１】
チャンバ５１００は、ターボ機械式ポンプ及びドライポンプにより真空排出されて圧力が略０．１Ｔｏｒｒ〜略１０Ｔｏｒｒ（略１３．３Ｐａ〜１，３３０Ｐａ）に保たれる。そして、半導体基板１００の温度は、加熱ランプ５４０１により略５℃〜２００℃に保たれる。好ましくは、略０．７Ｔｏｒｒ（略９３Ｐａ）の圧力条件及び略４０℃の温度条件を維持する。一方、マイクロ波は、略５００Ｗ〜略２０００Ｗのパワー、好ましくは、略１，０００Ｗのパワーで提供される。この工程条件下でプラズマを用いるソフトエッチングは、略１００秒行われる。この時間は、工程の諸般条件に応じて変わることがある。
【００２２】
一方、前記したような損傷膜１１０を除去する段階で用いられるＮＦ3ガス及びＯ2ガスの供給量を調節することにより、半導体基板１００又はポリシリコン膜をなすシリコン及びＢＰＳＧ膜２０１などの絶縁膜２００のエッチング速度の調節が可能である。例えば、ＮＦ3ガスの供給を増やすと、ＢＰＳＧのエッチング速度が高まる。このとき、シリコン又はポリシリコンの場合、エッチング速度が高まる。さらに、Ｏ2ガスを増大させると、シリコン又はポリシリコンの場合エッチング速度が減少する。
【００２３】
このように、ソースガスに含まれるＮＦ3ガス及びＯ2の流量比を相対的に制御することにより、シリコン／ＢＰＳＧのエッチング率を略０．５３〜３．１３程度に調節することができる。好ましくは、略２以下に調節することができる。このように、シリコン／ＢＰＳＧのエッチング率を制御することにより、上記したソフトエッチングによりコンタクトホール（図２における２５０）の側壁に露出されるＢＰＳＧ膜２０１などが大いに侵害されることを抑えることができる。
【００２４】
前記のように供給されるプラズマにより、半導体基板１００上に誘発された損傷膜１１０はソフトエッチングされて除去される。このソフトエッチングは、行われる条件により変わるが、略２Å〜４００Å程度の膜厚の露出される半導体基板１００をエッチングして損傷膜１１０を除去する。
【００２５】
ソフトエッチングによる損傷膜１１０を除去する段階は、前記のようにマイクロ波により励起されるプラズマをダウンフロー方式により供給して行いうるが、必要に応じて、前記した誘導結合プラズマ又は反応性イオンエッチング方式により前記したソフトエッチングを行うことができる。例えば、誘導結合プラズマ方式を利用する場合、略０．５Ｔｏｒｒ（略６７Ｐａ）の圧力条件及び略２００Ｗの印加パワー及び略２０℃の温度条件下に、１５／１０／６２５のＮＦ3／Ｏ2／Ｈｅ流量比で供給されるソースガスからプラズマを発生させて前記したソフトエッチングを行うことができる。また、反応性イオンエッチング方式を利用する場合、略１５０ｍＴｏｒｒの圧力条件及び略２００Ｗの印加パワー及び略４０℃の温度条件下に、５／５０／２００のＣＦ4／Ｏ2／Ａｒの流量比に供給されるソースガスからプラズマを発生させて前記したソフトエッチングを行うことができる。このとき、前記のように誘導結合プラズマ方式または反応性イオンエッチング方式を利用する場合、プラズマ損傷が最小化又は実質的に発生しない条件、例えば、電圧差によるプラズマを加速しない条件で行うことが好ましい。すなわち、バイアス電圧を印加することを排除することが好ましい。
【００２６】
この損傷膜１１０を除去する段階で、付加的に、フォトレジスト膜３００を除去する工程により誘発される有機成分の残留物も合わせて除去できる。すなわち、フォトレジスト膜３００を除去するアッシング工程またはストリップ工程でコンタクトホール２５０内に有機成分の残留物が残存する場合がある。プラズマ内には酸素プラズマなどの酸化性ラジカルが含まれるため、有機成分の残留物は前記酸化性ラジカルと反応させて気相で除去できる。
一方、損傷膜１１０が除去されて露出された半導体基板１００の表面には、前記したプラズマにより自然に酸化されて自然酸化膜１５０が誘発される。すなわち、プラズマに含まれた酸素プラズマなどにより、露出された半導体基板１００が自然に酸化される可能性がある。この自然酸化膜１５０も接触抵抗などを増加させる要因として作用する場合があるため、除去されることが好ましい。
【００２７】
図４を参照すると、損傷膜１１０を除去するソフトエッチングで誘発される自然酸化膜１５０を除去する。自然酸化膜１５０を除去する段階は、前記した損傷膜１１０を除去する段階と真空断絶無しにその状態を保ったままで行うことが好ましい。例えば、図７に示されたようなリモートプラズマモジュールのチャンバ５１００内に損傷膜１１０が除去された半導体基板１００を導入した後、プラズマを半導体基板１００上に導入する。また、前記したプラズマと合わせて半導体基板１００上に３フッ化窒素ガスなどのフッ化ガスを酸化物反応ガスとして供給する。
【００２８】
前記したプラズマは、前記３フッ化窒素ガスなどの酸化物反応ガスが自然酸化膜１５０と反応できるように誘導する機能をする。例えば、プラズマは、水素ガス及び窒素ガスを含むソースガスから励起できる。詳細には、図７に示されたように、第１導入管５２００を介してＭＦＣにより流量比が制御される水素ガス及び窒素ガスをチャンバ５１００内に供給する。途中で、水素ガス及び窒素ガスにマイクロ波を印加して水素ラジカルを含有するプラズマを励起する。
【００２９】
窒素ガスは、略５０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの流量に供給でき、水素ガスを略５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの流量に供給できる。好ましくは、水素ガスを略１０ｓｃｃｍ程度に供給し、窒素ガスを略４００ｓｃｃｍ程度に供給し、途中で略３００Ｗ程度のパワーのマイクロ波を印加してプラズマを励起する。一方、チャンバ５１００に別設される第２導入管５２５０を介して３フッ化窒素ガスがチャンバ５１００に供給される。例えば、３フッ化窒素ガスを１ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ程度、好ましくは、略９０ｓｃｃｍ程度にガス状態で供給して前記自然酸化膜１５０をエッチングする。このとき、チャンバは、０．０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ（略１．３３Ｐａ〜１３３００Ｐａ）程度、好ましくは、略３Ｔｏｒｒ（略３９９Ｐａ）程度の圧力に維持し、半導体基板１００の温度を略５℃〜２００℃程度、好ましくは、略２５℃程度に維持する。
【００３０】
このように供給される３フッ化窒素ガスは、プラズマ内に含まれた水素ラジカルと共に自然酸化膜１５０をなすシリコン酸化物（ＳｉＯx）と反応する。詳細には、３フッ化窒素ガスが水素ラジカルと反応して３フッ化窒素水素ラジカル（ＮＦ3Ｈ＊）などの中間反応物が形成され、この中間反応物がシリコン酸化物と反応して６フッ化２窒素シリコン（Ｎ2ＳｉＦ6）及び水蒸気などの気相副産物が生成される。これにより、自然酸化膜１５０は除去される。発生された気相の反応副産物は真空排出によりチャンバ５１００の外側に排出される。この副産物を除去するため、略１５０℃程度の温度条件下で略１分程度パージ及びポンピングするアニーリングを前記した自然酸化膜１５０を除去する段階後に行うことができる。
前記のように、自然酸化膜１５０を除去する段階は、略３分程度行われる。このとき、前記のような自然酸化膜１５０の除去条件としては、略２Å／分の酸化膜エッチング速度を得ることができる。従って、工程時間などを調節して略２Å〜４００Åの自然酸化膜を完全に除去する。このように自然酸化膜１５０が除去されることにより、汚れずにキュアリングされたきれいな半導体基板１００の表面が露出される。
【００３１】
このように自然酸化膜１５０を除去する工程は、損傷膜１１０を除去する工程が行われたチャンバ（図６における５１００）でその状態を保ったまま（インシツー）で順次行われる。すなわち、損傷膜１１０を除去する工程を前述のように行った後、中間段階としてチャンバ５１００内をポンピング及びパージした後、前記のように水素プラズマ及び３フッ化窒素ガスを供給して自然酸化膜１５０を除去する段階を行うことができる。
必要に応じて、前記した自然酸化膜１５０を除去する工程を行う図７に示されたような自然酸化膜１５０除去用ドライ洗浄モジュールを別設し、図６に示されたような損傷膜１１０を除去する工程を行うドライ洗浄モジュールと連結して、真空断絶なしに半導体基板１００が順次移動されるようにすることができる。
前述のように、損傷膜１１０の除去及びこれにより誘発される自然酸化膜１５０をインシツーで除去することにより、コンタクトホール２５０内をドライ洗浄する段階が行われうる。
【００３２】
図５を参照すると、ドライ洗浄されたコンタクトホール２５０を埋め込む導電膜４５０を形成する。例えば、コンタクトホール２５０により露出される半導体基板１００上にタングステン膜を形成して前記した導電膜４５０として利用可能である。この導電膜４５０は、化学気相蒸着法或いはスパッタ法により形成できる。さらに、導電膜４５０の下部には、半導体基板１００との界面に介在して拡散を防止する障壁膜４１０が付随的に形成可能である。
【００３３】
前記のように、導電膜４５０を形成する段階は、前記した損傷膜１１０又は自然酸化膜１５０を除去する段階を含むドライ洗浄段階と真空断絶なしに行える。例えば、図８に示されたように、前述したドライ洗浄段階をドライ洗浄モジュール８１００のチャンバで行った後、前記したドライ洗浄モジュール８１００のチャンバに連結された蒸着モジュール８２００のチャンバに半導体基板１００を順次移動させる。このとき、移動モジュール８６００を介して半導体基板１００が移動され、この移動モジュール８６００は真空或いは不活性ガス雰囲気に維持されるので、半導体基板１００は酸化雰囲気などの汚染源に露出されることが防止できる。すなわち、このように、ドライ洗浄段階と真空断絶なしに導電膜４５０を形成することにより、ドライ洗浄された半導体基板１００が再汚染されることが防止できる。
【００３４】
前記のように、損傷膜１１０除去段階及び自然酸化膜１５０除去段階並びに導電膜４５０形成段階を真空断絶なしに行うためには、図８に示されたように、ドライ洗浄モジュール８１００と、導電膜４５０又は拡散障壁膜４１０の蒸着のための多数の蒸着モジュール８２００、８３００、８４００、８５００とが集団で構成される洗浄及び蒸着システムを利用できる。ドライ洗浄モジュール８１００は、図６または図７に示されたように構成でき、蒸着モジュール８２００、８３００、８４００、８５００は、通常の枚葉式化学気相蒸着システム又はスパッタリングシステムが利用可能である。
【００３５】
このドライ洗浄モジュール８１００及び蒸着モジュール８２００、８３００、８４００、８５００は、移動モジュール８６００を中心に設けられ、この移動モジュール８６００に設けられるロボットアーム（図示せず）により半導体基板が順次移動できる。また、この移動モジュール８６００には、ロードロックチャンバモジュール８０００が連結されて前記した洗浄及び蒸着システムへの半導体基板の導入及び搬出を可能にする。この移動モジュール８６００及びロードロックチャンバモジュール８０００は真空に維持できるので、前記のようなドライ洗浄段階及び導電膜４５０の形成段階が真空断絶なしに行われる。
【００３６】
以下、本発明の実施形態による効果を図面に基づき具体的に説明する。
図９は、本発明の実施形態によるドライ洗浄により損傷膜が除去された半導体基板の表面で測定された接触角を示すグラフである。図３を参照して説明したように、コンタクトホールを形成するときに誘発される損傷膜をプラズマを用いるソフトエッチングにより除去した後、露出される半導体基板の表面で接触角を測定して損傷膜が除去される効果の度合いを測定した。このとき、本発明の実施形態によるソフトエッチングは、略０．７Ｔｏｒｒ（略９３Ｐａ）の圧力条件、１１００Ｗのマイクロ波の印加条件、４０℃程度の温度条件下にＮＦ3／Ｏ2／Ｈｅの流量比を３５／７０／５００に調節して行った。また、前記したソフトエッチングにより損傷膜を除去した後、図４を参照して説明したように、ＮＦ3ガス及び水素プラズマを利用する自然酸化膜の除去を行った。
【００３７】
一般に、接触角は、物質膜の表面状態を測定するための手段として用いられる。接触角は、物質膜上に液体を滴下したとき、物質膜の表面状態に応じて液相の表面が前記物質膜の表面と接触する角を意味する。従って、測定される接触角は、物質膜の表面による表面張力により変わる。一般に、損傷又は汚染が発生しないベアーな半導体基板の場合、接触角は略７７゜になることが知られている。そして、半導体基板上が汚染又は損傷されると、接触角が下がることが知られている。
【００３８】
図９のグラフによると、略１００秒程度のソフトエッチングにより損傷膜が完全に除去できることが分かる。これに対し、従来の湿式洗浄を利用する場合には、損傷膜の除去が容易でないことが次の図１０から分かる。
図１０は、湿式洗浄により損傷膜を除去した半導体基板の表面で測定した接触角を示すグラフである。このとき、湿式洗浄は、ＳＣ−１洗浄液を用いて行われ、自然酸化膜を除去するために２００：１に希釈されたＨＦ溶液処理を後工程として行った。このように処理された半導体基板の表面で接触角を測定した。ＳＣ−１洗浄液は、通常ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏが配合された洗浄液を意味する。前記したＳＣ−１洗浄液を利用する湿式洗浄は、各回数で略１０分程度に行った。
ＳＣ−１洗浄液による湿式洗浄は、繰り返される回数により接触角が変わる傾向を示すが、７回〜９回程度ＳＣ−１を利用する湿式洗浄を行っても、ベアーな基板で測定された接触角は略７７゜以下であった。従って、図１０に示された結果は、湿式洗浄を利用する場合、半導体基板の表面から損傷膜を完全に除去することは難しいことを示している。
【００３９】
図９及び図１０に示された結果から、本発明のソフトエッチングを用いて損傷膜を除去する場合、従来の湿式洗浄に比べ効果的に損傷膜が除去できることが分かる。図９に示されたように、本発明のソフトエッチングを利用する場合、略１００秒程度のソフトエッチングを適用する場合、実質的にベアーな基板の表面に等しい接触角を得ることができる。これは、本発明のソフトエッチングを含むドライ洗浄の場合、損傷膜を完全に除去できることを示している。これに対し、図１０に示されたように、ＳＣ−１で湿式洗浄をする場合、少なくとも９０分以上の長時間の洗浄時間を消費しても、ベアーな基板の水準に損傷を回復することは容易でない。
前述のように、本発明の効果は、図１１に示すようにサーマウェーブ（ｔｈｅｒｍａ  ｗａｖｅ）の測定によっても分かる。サーマウェーブは表面状態をサーマウェーブ指数により測定する測定方法であって、損傷または汚染のない表面状態を持つベアーな基板の場合に、低いサーマウェーブ指数を有する。そして、損傷または汚染が激しいほど高いサーマウェーブ指数が測定される。
【００４０】
図１１は、サーマウェーブ測定方法により測定されたサーマウェーブ指数を示す棒グラフである。このとき、測定のなされたサンプルは、図９及び図１０に示す場合と同一の条件下に用意された。
図１１に示すように、略１００秒程度のソフトエッチングを行う場合、測定されるサーマウェーブ指数がほぼベアな基板の水準に減少する。これに対し、湿式洗浄の場合、ＳＣ−１を利用して９回繰り返し湿式洗浄を行った場合にも、ベアな基板に比べて高いサーマウェーブ指数を示す。これは、損傷膜が完全に除去されなかったことを意味する。
このとき、前記したソフトエッチングを略１００秒程度行った場合、半導体基板の表面が損傷膜の表面から略３３０Å程度にエッチングされる。これに対し、湿式洗浄を９回繰り返す場合、略２７０Å程度のエッチングがなされる。これを前記のようなサーマウェーブ指数の測定及び接触角の測定結果と連関づけると、本発明によるソフトエッチングの方が、実質的に損傷膜をより完壁に除去できることが分かる。
【００４１】
一方、本発明の実施の形態によるソフトエッチングを含むドライ洗浄を行う場合、コンタクトホールのプロファイルが損傷されることを防止できる。一般に、コンタクトホールをなす絶縁膜は、様々な絶縁物質よりなる多数の副絶縁膜が重なり合った多重膜構造に形成される。従って、従来の湿式洗浄で用いられる洗浄液に対し、前記した副絶縁膜はそれぞれ別々のエッチング率を示す。表１に、各種の化学溶液に対する各種の物質膜の湿式エッチング量を示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１に示すように、一般に、絶縁物質の種類によりそれぞれの洗浄液に対して異なるエッチング量を示す。通常の場合、コンタクトホールの側壁は多重に重畳された副絶縁膜が露出する。従って、従来の湿式洗浄を利用する場合、露出する副絶縁膜がそれぞれ異なるエッチング量を示し、結果としてコンタクトホールの側壁プロファイルが悪化する場合がある。
【００４４】
例えば、ＢＰＳＧ膜上にＰＥ−ＴＥＯＳ膜を重畳して絶縁膜を形成し、この絶縁膜をパターニングしてコンタクトホールを形成した場合、コンタクトホールの側壁に露出されるＢＰＳＧ膜及びＰＥ−ＴＥＯＳ膜は、表１に示されたように、湿式エッチング量に大きい差がある。従って、湿式洗浄、例えば、ＳＣ−１を用い、後工程として２００：１ＨＦの希釈溶液処理を行う場合、コンタクトホールの側壁に段差が生じるなど、側壁プロファイル不良が生じうる。この側壁プロファイル不良は、後続する導電膜を形成する工程でコンタクトホール埋め込み不良の要因として作用するおそれがある。このコンタクトホールの側壁プロファイルが不良になった例として、図１２に走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭ）写真を示す。
【００４５】
図１２は、湿式洗浄によるコンタクトホールのプロファイル変形を表わすＳＥＭ写真である。前述のように、ＳＣ−１にて湿式洗浄を行った後、２００：１ＨＦの希釈溶液にて略３０秒程度処理をした後に、導電膜として拡散障壁膜／タングステン膜を蒸着した構造の断面をＳＥＭにて観察した。このとき、絶縁膜は、ＢＰＳＧ膜を５０００Å程度の膜厚にて形成し、ＢＰＳＧ膜上にＰＥ−ＴＥＯＳ膜を略１００００Å程度形成された構造を用いた。図１２から明らかなように、ＢＰＳＧ膜が形成された部分でコンタクトホールの側壁に段差が生じる現象が発生する。これは、表１に示されたように、ＳＣ−１及びＨＦ溶液によるＢＰＳＧ膜の湿式エッチング量がＰＥ−ＴＥＯＳ膜に比べはるかに大きいことに起因する。
【００４６】
これに対し、本発明の実施の形態によるドライ洗浄の場合、ドライ洗浄の特性によって絶縁膜の種類別によるエッチング量の違いが僅かにできる。これは、次の図１３に示されたＳＥＭ写真から明らかになる。
図１３は、本発明の実施の形態によるドライ洗浄によるコンタクトホールのプロファイルを示すＳＥＭ写真である。このとき、ＢＰＳＧ膜を５０００Å程度に形成してＢＰＳＧ膜上にＰＥ−ＴＥＯＳ膜を１００００Å程度形成して絶縁膜として用いた。コンタクトホールのプロファイル変形が実質的に抑えられたことが分かる。
このような本発明による効果は、次の図１４から明らかになる。
【００４７】
図１４は、様々な絶縁物質の熱酸化膜に対する相対的なエッチング率を示す棒グラフである。図１４を参照すると、本発明の実施の形態によるソフトエッチングにより損傷膜を除去した後、Ｈ2／ＮＦ3ガスを用いて自然酸化膜を除去するドライ洗浄工程の場合、絶縁物質の種類に依らずに、ほとんど一定したエッチング率を示す。すなわち、熱酸化膜に対し略１程度のエッチング率を示す。
これに対し、従来のＳＣ−１及び２００：１ＨＦの希釈溶液を用いて湿式洗浄を行う場合、絶縁物質の種類により熱酸化膜に対するエッチング率が大きく異なる。特に、ＢＰＳＧの場合、熱酸化膜に対し５２．１程度大きなエッチング率となる。ＰＥ−ＴＥＯＳの場合、ＢＰＳＧに比べて相対的に低いエッチング率を示す。これにより、図１２に示すように、ＢＰＳＧ膜／ＰＥ−ＴＥＯＳ膜の絶縁膜を利用する場合、相対的にＢＰＳＧ膜が優勢してエッチングされ、コンタクトホールの側壁に段差が形成する場合がある。すなわち、コンタクトホールの側壁プロファイルが不良になる問題が生じる。ところが、前記のように、本発明のドライ洗浄を用いる場合、図１３に示されたように、良好なコンタクトホールの側壁プロファイルが維持できる。これにより、導電膜によりコンタクトホールを埋め込む時、埋め込み不良が生じることを防止できる。
【００４８】
また、本発明によると、図１５に示すように、接触抵抗の増加を抑えることができる。
図１５は、本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法による接触抵抗の減少効果を説明するためのグラフである。まず、ＳＣ−１及び２００：１ＨＦの希釈溶液にて湿式洗浄したコンタクトホールを導電膜により埋め込んだ後、接触抵抗を測定した従来の湿式洗浄を利用する場合に対するグラフ１５１０を示した。このとき、導電膜は、タングステン膜を用い、接触抵抗値は単位セル当りの平均値として求めた。
比較例として、ＳＣ−１で湿式洗浄をした後、本発明による自然酸化膜の除去工程を行った場合に対して測定されたグラフ（１５３０）を示した。また、本発明の実施の形態によるソフトエッチング及び自然酸化膜の除去を含むドライ洗浄を行う場合に対して測定されたグラフ（１５５０）も示した。このグラフは、コンタクト寸法による接触抵抗値の変化を表わす。
【００４９】
図１５から明らかなように、本発明の実施の形態による参照符号１５５０の場合、湿式洗浄を利用する場合の参照符号１５１０に比べ相対的に非常に低い接触抵抗を示す。ＳＣ−１で湿式洗浄をした後、本発明の実施の形態による自然酸化膜の除去工程を行った場合に対して測定されたグラフ１５３０も、相対的に低い接触抵抗を示し、これは本発明の実施の形態による自然酸化膜の除去工程が極めて効果的なものであることを意味する。
【００５０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によると、コンタクトホールを形成するドライエッチングにより誘発される損傷膜を効率良く除去することができる。さらに、洗浄されたコンタクトホールの内部が再度汚れることが防止でき、コンタクトホールを埋め込む導電膜と下部物質膜との接触抵抗の増加が防止できる。
以上、本発明を具体的な実施の形態を用いて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術的な思想内で当分野における通常の知識を有した者にとってその変形や改良が可能なことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法を説明するために示す概略的な工程フローチャート。
【図２】本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法を説明するために示す概略的な断面図（その１）。
【図３】本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法を説明するために示す概略的な断面図（その２）。
【図４】本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法を説明するために示す概略的な断面図（その３）。
【図５】本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法を説明するために示す概略的な断面図（その４）。
【図６】本発明の実施の形態によるドライ洗浄段階に用いられるドライ洗浄モジュールを説明するために示す概略図（その１）。
【図７】本発明の実施の形態によるドライ洗浄段階に用いられるドライ洗浄モジュールを説明するために示す概略図（その２）。
【図８】図６または図７に示されたドライ洗浄モジュールを含む洗浄及び蒸着システムの構成を説明するために示す概略図。
【図９】本発明の実施の形態によるドライ洗浄により損傷膜が除去された半導体基板の表面で測定された接触角を示すグラフ。
【図１０】湿式洗浄により損傷膜を除去した半導体基板の表面で測定された接触角を示すグラフ。
【図１１】サーマウェーブ測定方法により測定されたサーマウェーブ指数を示す棒グラフ。
【図１２】湿式洗浄によるコンタクトホールのプロファイル変形を表わすＳＥＭ写真。
【図１３】本発明の実施の形態によるドライ洗浄によるコンタクトホールのプロファイルを表わすＳＥＭ写真。
【図１４】様々な種類の絶縁物質の熱酸化膜に対する相対的なエッチング率を示す棒グラフ。
【図１５】本発明の実施の形態によるコンタクトホール埋め込み方法による接触抵抗減少の効果を説明するために示すグラフ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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