(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凹部が形成された絶縁基体と、前記凹部の底面に載置された半導体素子と、前記絶縁基体の上面の前記凹部の周囲に取着された金属枠体と、該金属枠体の上面に接合されるとともに上側主面および／または下側主面の中央部に肉厚部が形成された金属蓋体と、前記肉厚部に接合されるとともに多孔質のタングステン焼結体に銅を含浸させて成る板部材とを具備しており、前記金属蓋体は前記肉厚部の側面に全周にわたって断面形状がＶ字状の溝が形成されているとともに、該溝の前記金属蓋体側の内面が前記肉厚部の側面に対して垂直になっていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を収納した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩ（大規模集積回路素子）などの半導体素子を内部に収容した半導体装置は、通常、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部およびその凹部周辺から外周部にかけて導出されたダングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路に電気的に接続するためにメタライズ配線層に銀ろう等のろう材を介してろう付けされた複数個の外部リード端子と、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成る金属蓋体とから構成されている。
【０００３】
そして、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配線層に接続し、しかる後、絶縁基体上面に金属蓋体を溶接し、絶縁基体と金属蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容することによって半導体装置となる。
【０００４】
なお、絶縁基体上に金属蓋体を溶接するには、絶縁基体の上面に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る金属枠体を予めろう付けしておくとともに、金属枠体に金属蓋体をシームウエルド法により溶接する方法が採用されている。このように、絶縁基体上にろう付けされた金属枠体に金属蓋体をシームウエルド法により溶接した半導体装置は、その気密信頼性が極めて高く、例えば通信衛星等に組み込まれて宇宙空間などで使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体装置によれば、宇宙空間で使用した場合、宇宙空間における放射線が、原子量の小さな元素から構成されたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等からなる金属蓋体を透過して半導体素子の表面から侵入してしまい、半導体素子に誤動作を引き起すという問題が発生していた。
【０００６】
従って、本発明はかかる従来の問題に鑑み案出されたものであり、その目的は、半導体装置を通信衛星等に組み込んで放射線の影響の大きい宇宙空間等で使用する場合に、放射線が半導体素子の表面から侵入して半導体素子に誤動作を引起すことのない半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、上面に凹部が形成された絶縁基体と、前記凹部の底面に載置された半導体素子と、前記絶縁基体の上面の前記凹部の周囲に取着された金属枠体と、該金属枠体の上面に接合されるとともに上側主面および／または下側主面の中央部に肉厚部が形成された金属蓋体と、前記肉厚部に接合されるとともに多孔質のタングステン焼結体に銅を含浸させて成る板部材とを具備しており、前記金属蓋体は前記肉厚部の側面に全周にわたって断面形状がＶ字状の溝が形成されているとともに、該溝の前記金属蓋体側の内面が前記肉厚部の側面に対して垂直になっていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体装置によれば、金属蓋体の上側主面および／または下側主面の中央部に肉厚部が形成された金属蓋体と、前記肉厚部に接合されるとともに多孔質のタングステン焼結体に銅を含浸させて成る板部材とを具備したことから、半導体装置を通信衛星等に組み込んで放射線の影響が大きい宇宙空間等で使用した場合、銅を含浸させた多孔質のタングステン焼結体から成る板部材により放射線が半導体素子に侵入するのを阻止することができ、半導体装置の放射線による劣化を抑制して半導体装置を長寿命化することができる。また、金属蓋体に形成された肉厚部により、板部材を金属蓋体に接合する際に、ろう材が金属蓋体の外周部へ流れ出すことを防止して金属蓋体を金属枠体に強固に溶接することができる。
【００１０】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、板部材を肉厚部にろう付けした際にろう材が肉厚部の側面を濡れ広がって、金属枠体の金属蓋体との溶接部に達するのを防ぐことができる。その結果、金属蓋体を金属枠体に強固に溶接することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置を以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は金属蓋体、３は板部材、４は半導体素子、５は金属枠体である。この絶縁基体１と金属枠体５および金属蓋体２とで半導体素子４を収容するための容器が構成される。
【００１２】
本発明の絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子４を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあり、凹部１ａの底面には半導体素子４がろう材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定される。
【００１３】
絶縁基体１は例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約1600℃）で焼成することによって製作される。
【００１４】
また、絶縁基体１にはその上面の凹部１ａ周辺から外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層９が被着形成されており、メタライズ配線層９の凹部１ａ周辺部には半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、また絶縁基体１の外周縁に導出する部位には外部リード端子７がろう材を介してろう付けされる。このメタライズ配線層９は、外部電気回路に接続される外部リード端子７に半導体素子４の各電極を電気的に導通させる作用を為し、Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点金属粉末から成る。
【００１５】
メタライズ配線層９は、例えば、Ｗ等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の所定位置に被着形成される。また、メタライズ配線層９は、その露出する表面にＮｉ，金（Ａｕ）等の耐蝕性に優れかつろう材と濡れ性の良い金属をメッキ法により１〜20μｍの厚みに層着させておくのがよく、メタライズ配線層９の酸化腐食を有効に防止できるとともにメタライズ配線層９とボンディングワイヤ６および外部リード端子７とのろう付け接合を強固にすることができる。
【００１６】
外部リード端子７は、半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成り、絶縁基体１に被着したメタライズ配線層９にろう付けされている。この外部リード端子７は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法により所定の板状に形成することによって製作される。
【００１７】
また、絶縁基体１の上面には、凹部１ａを囲繞するようにしてアルミナセラミックス等から成るセラミック枠体1ｂが積層されており、そのセラミック枠体１ｂの上面にメタライズ金属層８が枠状に被着形成されており、枠状のメタライズ金属層８には金属枠体５がろう材を介してろう付けされている。枠状のメタライズ金属層８は金属枠体５を絶縁基体１にろう付けする際の下地金属層であり、Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点金属粉末によって形成され、メタライズ配線層９と同様の方法で形成される。具体的には、Ｗ等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをセラミック枠体１ｂとなるセラミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の上面に枠状に被着形成される。
【００１８】
金属枠体５は、枠状のメタライズ金属層８に取着されており、金属蓋体２を絶縁基体１に取着する際の下地金属部材であり、絶縁基体１の上面のセラミック枠体1ｂに被着させたメタライズ金属層８に銀ろう等のろう材を介してろう付けすることによって絶縁基体１の上面に取着されている。そして、絶縁基体１の凹部１ａの底面に半導体素子４を接着固定するとともに半導体素子４の各電極とメタライズ配線層９とをボンディングワイヤ６を介して電気的に接続した後、金属枠体５の上面に金属蓋体２をシームウエルド法によって溶接することによって絶縁基体１と金属枠体５と金属蓋体２とから成る容器内部に半導体素子４が気密に封止される。この場合、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金から成る金属枠体５に、同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金から成る金属蓋体２をシームウエルド法により溶接することから、パッケージの気密信頼性が極めて高いものとなる。
【００１９】
金属枠体５および金属蓋体２はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成り、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のインゴット（塊）に所定の金属加工を施すことによって形成される。
【００２０】
さらに、金属蓋体２の上側主面および／または下側主面には、半導体素子４の表面から放射線（α線、β線、γ線、宇宙線等）の侵入を阻止するための板部材３が接合されている。この板部材３は、例えば多孔質のＷ焼結体に５〜30重量％の銅を含浸させたＣｕ−Ｗ複合材料から成り、Ａｇ−Ｃｕ合金等のろう材を介して金属蓋体２の下面に接合されている。この板部材３は、半導体装置内部に収容される半導体素子４の上方を覆うように、金属蓋体２の上側主面および／または下側主面の中央部に接合されており、半導体素子４に不要な放射線が半導体素子４の表面から侵入するのを防止する遮蔽部材として機能する。即ち、板部材３を構成するＷの原子量が180程度と大きなことから、放射線が金属蓋体２を透過するのを有効に阻止することができる。従って、放射線が半導体素子４の表面から侵入して半導体素子４に誤動作を引起すこともなくなる。
【００２１】
なお、板部材３の金属蓋体２へのろう付けは、金属蓋体２と板部材３とをそれらの間にろう材箔を挟んで重ね、約900℃の温度に加熱してろう材箔を溶融させることによって行われる。このとき、金属蓋体２の板部材３がろう付けされる中央部の厚みを金属枠体５に溶接される外周部の厚みよりも厚くして、金属蓋体２の板部材３がろう付けされる中央部と金属枠体５に溶接される外周部との間に高さが0.3〜2.0ｍｍ程度の肉厚部２ａを形成しておくことが好ましい。この肉厚部２ａにより、板部材３を金属蓋体２に接合する際に、ろう材が金属蓋体２の外周部へ流れ出すことが防止され、金属蓋体２の外周部に不要なろう材が付着しないので、金属蓋体２を金属枠体５に強固に溶接させることができる。肉厚部２ａの高さが0.3ｍｍ未満では、肉厚部２ａの高さが低いため、ろう材が金属蓋体２の外周部へ容易に流れ出してしまう。2.0ｍｍを超えると、金属蓋体２の厚みのために半導体装置が不要に厚いものとなってしまう。
【００２２】
さらに、図２に肉厚部２ａの部分拡大断面図を示す。（ａ）は肉厚部２ａの側面に全周にわたって断面形状がコ字状の溝を形成したものであり、（ｂ）は断面形状がＶ字状の溝を形成したものである。このように、肉厚部２ａの側面に溝を形成することでろう材が金属蓋体２の外周部へ流れ出すのをさらに防止することができる。また溝として、断面形状が略Ｖ字状のものであって、板部材３側（下側）の斜面が下側により傾斜して肉厚部２ａの側面に平行に近くなっているとともに、金属蓋体２側（上側）の斜面が肉厚部２ａの側面に略垂直になっている形状がよい。この場合、ろう材の濡れ広がりを確実に溝で阻止することができる。
【００２３】
また、板部材３は、その厚みが0.1ｍｍ未満では放射線の透過を十分に阻止することができなくなる傾向にあり、２ｍｍを超えると、板部材３の厚みのために半導体装置が不要に厚いものとなってしまう傾向にある。従って、板部材３の厚みは0.1〜２ｍｍが好ましい。
【００２４】
さらに、図２に示すように、肉厚部２ａの板部材３が接合される接合面は、板部材３の主面よりも大きいことがよい。この場合、接合面の外周部にろう材のメニスカスが形成されて肉厚部２ａの側面にろう材が這い上がらないようにすることができる。板部材３の周囲に0.1〜1.0ｍｍ程度の幅のろう付け部が全周にわたって形成されるように、肉厚部２ａの接合面が板部材３の主面よりも大きいことがより好ましい。0.1ｍｍ未満では、ろう材が肉厚部２ａの側面に這い上がり易くなり、1.0ｍｍを超えると、肉厚部2aの接合面が不要に大きなものとなってしまい、半導体装置の小型化に対して不適である。
【００２５】
また、板部材３を構成するＣｕ−Ｗ複合材料に含有されるＣｕは、その含有量が５重量％未満であると、板部材３の熱膨張係数がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る金属蓋体２の熱膨張係数よりも極めて小さいものとなる。30重量％を超えると、板部材３の熱膨張係数が金属蓋体２の熱膨張係数よりも極めて大きなものとなる。そして、いずれの場合にも、板部材３を金属蓋体２にろう付けする際に、両者の熱膨張係数の相違に起因して、金属蓋体２に大きな反りが発生し、金属蓋体２を金属枠体５にシームウエルド法で溶接するのが難しくなる。従って、板部材３を構成するＣｕ−Ｗ複合材料に含有されるＣｕの含有量は５〜30重量％が好ましい。
【００２６】
また、板部材３は、粒径が10μｍ程度のＷ粉末をプレス成形により約98000000Ｎ／ｍ2の圧力でブロック状に押し固めて、これを約2300℃の温度で焼成して多孔質のＷ焼結体を得、しかる後、1100℃の温度で加熱溶融させたＣｕをこのＷ焼結体の多孔部分に毛管現象を利用して含浸させることによって製作される。
【００２７】
なお、板部材３のろう付け面に、板部材３と金属蓋体２とのろう付けを容易で強固なものとするために、厚みが１〜５μｍ程度のＮｉめっき層を被着することが好ましい。
【００２８】
また、半導体素子４の上面への放射線の侵入を効果的に阻止するには、板部材３の主面の面積が半導体素子４の上面の面積よりも大きいことが好ましい。
【００２９】
かくして、本発明の半導体装置は、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４をろう材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ６を介してメタライズ配線層９に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面にろう付けした金属枠体５に金属蓋体２をシームウエルド法により溶接し、絶縁基体１と金属蓋体２とから成る容器内部に半導体素子４を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置となる。
【００３０】
【実施例】
本発明の半導体装置の実施例を以下に説明する。
【００３１】
（実施例１）
図１の本発明の半導体装置を以下のようにして構成した。
【００３２】
酸化アルミニウム焼結体（アルミナセラミックス）から成る絶縁基体１の凹部１ａ底面に、ＬＳＩから成る半導体素子４を樹脂接着剤を介して接着固定した。このとき、Ｗから成るとともに表面に厚さ５μｍのＮｉメッキ層および厚さ1.2μｍのＡｕメッキ層を順次被着したメタライズ配線層９に、半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、メタライズ配線層９の絶縁基体１の上面の外周部にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る外部リード端子７をＡｇろうでろう付けした。絶縁基体１上面の凹部１ａの周囲にはアルミナセラミックスから成るセラミック枠体１ｂを積層した。セラミック枠体１ｂの上面のＷから成るメタライズ金属層８に、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る金属枠体５をＡｇろうでろう付けし、金属枠体５の上面に、下側主面に板部材３をろう付けしたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る金属蓋体２をシームウェルド溶接法で溶接した。
【００３３】
板部材３として、Ｗ板、Ｃｕ板、Ｃｕの含有量を種々のものとしたＣｕ−Ｗ複合材料から成るものを作製し、それらを設けた半導体装置について、放射線（高エネルギーの２次宇宙線（γ線）に相当する放射線）を外部から照射した場合の遮蔽性、板部材３の接合性について評価した結果を表１に示す。なお、Ｗ板、Ｃｕ板の場合は平板状のものとし、Ｃｕ−Ｗ複合材料から成るものの場合は肉厚部２ａ以外の厚さが１ｍｍで肉厚部２ａの高さが１ｍｍであるものとした。また、表１でｗｔ％は重量％を意味する。
【００３４】
【表１】
0003850313.tif 000002
【００３５】
表１より、Ｃｕの含有量が５〜30ｗｔ％のＣｕ−Ｗ複合材料から成る板部材３では、放射線の遮蔽性および接合性が良好であった。なお、遮蔽性については、放射線の透過によって半導体素子４に誤動作が生じなかったものを○、誤動作が生じたたものを×とした。接合性については、金属蓋体２の熱膨張係数と板部材３の熱膨張係数との相違によってこれらが変形し、金属蓋体２と板部材３との接合部で板部材３の剥れ等の接合不良が発生しなかったものを○、接合不良が発生したものを×とした。
【００３６】
遮蔽性について、Ｗ板およびＣｕの含有量が40ｗｔ％以下のＣｕ−Ｗ複合材料が、半導体素子４に誤動作が生じなかった。これは、原子量の大きいＷに対する原子量の小さいＣｕの含有量を40ｗｔ％以下とすることにより、板部材３の遮蔽効果が保持されたものである。接合性について、板部材３のＣｕの含有量が５〜30ｗｔ％のＣｕ−Ｗ複合材料で良好であった。それ以外では、板部材３の熱膨張係数とＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る金属蓋体２の熱膨張係数との差により発生する熱応力が、ろう材を介して接合されている金属蓋体２と板部材３の接合部にかかり、この接合部から板部材３が剥れてしまった。
【００３７】
上記の結果より、遮蔽性および接合性を満足する板部材３はＣｕの含有量が５〜30ｗｔ％のＣｕ−Ｗ複合材料であることが判った。なお、ろう付け時（約800℃）のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨脹係数は6.2×10-6／℃、Ｗの熱膨脹係数は5.0×10-6／℃、Ｃｕの熱膨脹係数18.3×10-6／℃である。
【００３８】
（実施例２）
また、Ｃｕの含有量を10重量％としたＣｕ−Ｗ複合材料から成り、肉厚部２ａ以外の厚さが１ｍｍで肉厚部２ａの高さを種々のものとした板部材３を設けた半導体装置を上記実施例１と同様にして作製した。これらの半導体装置について、板部材３を肉厚部２ａにＡｇろうでろう付けした際のＡｇろうの流れについて評価結果を表２に示す。なお、これらの半導体装置について、肉厚部２ａの板部材３が接合される接合面は、板部材３の主面よりも幅0.5ｍｍ分だけ全周にわたって大きいものとした。
【００３９】
【表２】
0003850313.tif 000003
【００４０】
表２より、肉厚部２ａの高さは0.3ｍｍ以上が適合となった。なお、判定は、金属蓋体２の外周部に不要なＡｇろうが流れ出していない場合を○、流れ出している場合を×とした。肉厚部２ａの高さが0.1ｍｍ以下の場合、肉厚部２ａの高さが低いためＡｇろうが金属蓋体２の外周部へ流れ出した。この場合、金属蓋体２の外周部に不要なＡｇろうが付着し、金属蓋体２を金属枠体５に強固に溶接させることができなくなった。0.3ｍｍを超えると、Ａｇろうの流れ出しはなくなったが、2.0ｍｍを超えると、肉厚部２ａの厚みのために半導体装置が不要に厚いものとなった。これにより、肉厚部２ａの高さは0.3〜2.0ｍｍとするのが好ましいことがわかった。
【００４１】
（実施例３）
図２のように肉厚部２ａの側面に、断面形状がコ字状の溝Ａ、Ｖ字状の溝Ｂ、略Ｖ字状であって下側の斜面と肉厚部２ａ側面とのなす角が20°で上側の斜面と肉厚部２ａ側面とのなす角が90°である溝Ｃを形成した３種の半導体装置、および溝のない半導体装置を、上記実施例１と同様にして各10個ずつ作製した。これらについて、板部材３を肉厚部２ａにＡｇろうでろう付けした際のＡｇろうの流れについて評価結果を表３に示す。なお、これらの半導体装置について、肉厚部２ａの板部材３が接合される接合面が板部材３の主面よりも幅0.5ｍｍ分だけ全周にわたって大きくなるようにした。
【００４２】
【表３】
0003850313.tif 000004
【００４３】
表３より、溝ＣはＡｇろうの流れ出しを完全に阻止していることが判った。なお、判定は、肉厚部２ａ以外の金属蓋体２へのＡｇろうの流れ出しがないものを○、Ａｇろうの流れ出しがあるものを×とした。溝のない肉厚部２ａに対し、溝Ａ、溝Ｂおよび溝Ｃは、溝内の角部にメニスカスが形成されＡｇろうの流れ出しを有効に防いでいる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば図２の溝は他の形状であってもよく、円弧状やＵ字状の溝でもよい。また、例えば図３に本発明の実施の形態の他の例を示すように、板部材３が金属蓋体２の上側主面に接合されていてもよい。この場合、板部材３が金属蓋体２の下側主面に接合された場合と同様に放射線が半導体素子４の表面から侵入するのを阻止できる。また、金属蓋体２の上下主面に板部材３が接合されていてもかまわない。さらに、絶縁基体1の下面にも板部材３を接合させて裏面側からの放射線の透過を阻止することもできる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、上面に凹部が形成された絶縁基体と、凹部の底面に載置された半導体素子と、絶縁基体の上面の凹部の周囲に取着された金属枠体と、金属枠体の上面に接合されるとともに上側主面および／または下側主面の中央部に肉厚部が形成された金属蓋体と、肉厚部に接合されるとともに多孔質のタングステン焼結体に銅を含浸させて成る板部材とを具備したことにより、半導体装置を通信衛星等に組み込んで放射線の影響が大きい宇宙空間等で使用した場合、多孔質のタングステン焼結体に銅を含浸させて成る板部材により放射線が半導体素子に侵入するのを阻止することができ、半導体装置の放射線による劣化を抑制して半導体装置を長寿命化することができる。また、金属蓋体に形成された肉厚部により、板部材を金属蓋体に接合する際に、ろう材が金属蓋体の外周部へ流れ出すことを防止して金属蓋体を金属枠体に強固に溶接させることができる。
【００４６】
本発明の半導体装置は、好ましくは、金属蓋体は肉厚部の側面に全周にわたって溝が形成されていることにより、板部材を肉厚部にろう付けした際にろう材が肉厚部の側面を濡れ広がって、金属枠体の金属蓋体との溶接部に達するのを防ぐことができる。その結果、金属蓋体を金属枠体に強固に溶接することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の半導体装置における金属蓋体の肉厚部について実施の形態の例をそれぞれ示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の半導体装置について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１：絶縁基体
１ａ：凹部
１ｂ：セラミック枠体
２：金属蓋体
２ａ：肉厚部
３：板部材
４：半導体素子
５：金属枠体
【図１】
0003850313.tif 000005
【図２】
0003850313.tif 000006
【図３】
0003850313.tif 000007