(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）側に電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、熱可塑性樹脂よりなる基材（２１）の一面（２２）に導体パターン（２３）が所定パターンに形成されたフレキシブル基板（２０）とを用意し、
前記ＩＣチップの一面と前記基材の一面とを対向させ、且つ、前記電極と前記導体パターンとを位置合わせした状態で前記ＩＣチップを前記フレキシブル基板に載置し、前記電極と前記導体パターンとが前記ＩＣチップと前記基材とに挟まれた状態とする工程と、
熱および圧力を加えて、前記電極と前記導体パターンとを接合するとともに、前記フレキシブル基板の構成材料である前記熱可塑性樹脂を軟化させて前記電極と前記導体パターンとの接合部を樹脂封止する工程とを備えることを特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
【請求項２】
電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、導体パターン（２３）が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板（２０）とを用意し、
前記電極と前記導体パターンとを位置合わせした状態で前記ＩＣチップを前記フレキシブル基板に載置する工程と、
熱および圧力を加えて、前記電極と前記導体パターンとを接合するとともに、前記フレキシブル基板の構成材料である前記熱可塑性樹脂を軟化させて前記電極と前記導体パターンとの接合部を樹脂封止する工程とを備え、
前記電極（１２）と前記導体パターン（２３）との間に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物を介在させた状態で、前記電極と前記導体パターンとの接合を行うことを特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
【請求項３】
電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、導体パターン（２３）が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板（２０）とを用意し、
前記電極と前記導体パターンとを位置合わせした状態で前記ＩＣチップを前記フレキシブル基板に載置する工程と、
熱および圧力を加えて、前記電極と前記導体パターンとを接合するとともに、前記フレキシブル基板の構成材料である前記熱可塑性樹脂を軟化させて前記電極と前記導体パターンとの接合部を樹脂封止する工程とを備え、
前記ＩＣチップ（１０）と前記フレキシブル基板（２０）との間で、両者の重ね合わせ面全体にアルカン類を介在させた状態で前記樹脂封止を行うことを特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記電極（１２）と前記導体パターン（２３）とを金バンプ（３０）を介して接合することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項５】
電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、プリント配線基板（４０）の電極（４１）へ接続可能な端子（２３ａ）を有する導体パターン（２３）が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板（２０）とを用意し、
前記ＩＣチップの電極と前記導体パターンとを位置合わせした状態で前記ＩＣチップを前記フレキシブル基板に載置する工程と、
熱および圧力を加えて、前記ＩＣチップの電極と前記導体パターンとを接合するとともに、前記熱可塑性樹脂を軟化させて前記ＩＣチップの電極と前記導体パターンとの接合部を樹脂封止することにより、前記ＩＣチップと前記フレキシブル基板とが一体化したパッケージ（１００）を形成する工程と、
しかる後、用意された前記プリント配線基板に前記パッケージを載置し、前記導体パターンの端子を含む前記フレキシブル基板の局部を、前記プリント配線基板に押しつけるように圧力を加えながら加熱することにより、前記導体パターンの端子と前記プリント配線基板の電極とを接合すると共に、前記熱可塑性樹脂を軟化させて前記導体パターンの端子と前記プリント配線基板の電極との接合部を樹脂封止する工程とを備えることを特徴とするＩＣパッケージの実装方法。
【請求項６】
前記導体パターン（２３）の端子（２３ａ）と前記プリント配線基板（４０）の電極（４１）との間に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物を介在させた状態で、前記導体パターンの端子と前記プリント配線基板の電極との接合を行うことを特徴とする請求項５に記載のＩＣパッケージの実装方法。
【請求項７】
前記ＩＣチップ（１０）と前記フレキシブル基板（２０）との間、および、前記フレキシブル基板と前記プリント配線基板（４０）との間で、両者の重ね合わせ面全体にアルカン類を介在させた状態で前記樹脂封止を行うことを特徴とする請求項５に記載のＩＣパッケージの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップをフレキシブル基板に一体化してなるＩＣパッケージの製造方法、並びに、そのようなＩＣパッケージのプリント配線基板への実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のＩＣパッケージとしては、ポリイミド樹脂を基材とするフレキシブル基板（ＦＰＣ）にＩＣチップを搭載して樹脂で封止してなるＩＣパッケージ（ＴＡＢ）がある。さらに、このＩＣパッケージは、通常、プリント配線基板に実装されて用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のＩＣパッケージでは、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合部を保護するために、封止樹脂を用いている。しかし、フレキシブル基板の基材と封止材が別の材料である（ちなみに、基材と同一材料の封止樹脂は無い）ため、基材と封止材との界面が剥離（層間剥離）しやすく、そこから水分等が侵入してＩＣチップの特性劣化を起こす等の問題がある。
【０００４】
本発明は上記問題に鑑み、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合部の封止を高い信頼性にて実現できるようなＩＣパッケージおよびその製造方法並びにその実装方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は製造方法に係るものであり、一面（１１）側に電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、熱可塑性樹脂よりなる基材（２１）の一面（２２）に導体パターン（２３）が所定パターンに形成されたフレキシブル基板（２０）とを用意し、ＩＣチップの一面と基材の一面とを対向させ、且つ、電極と導体パターンとを位置合わせした状態でＩＣチップをフレキシブル基板に載置し、電極と導体パターンとがＩＣチップと基材とに挟まれた状態とする工程と、熱および圧力を加えて、電極と導体パターンとを接合するとともに、フレキシブル基板の構成材料である熱可塑性樹脂を軟化させて電極と導体パターンとの接合部を樹脂封止する工程とを備えることを特徴としている。
【０００６】
本発明のＩＣパッケージの製造方法によれば、フレキシブル基板を構成する樹脂材料自体を用いて封止が行われ、そもそも従来のような層間剥離を起こすことがないため、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合部の封止を高い信頼性にて実現できる。また、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合およびその接合部の樹脂封止を同時に達成できるため、工数削減にも寄与する。
【０００７】
また、請求項４に記載の発明では、電極（１２）と導体パターン（２３）とを金バンプ（３０）を介して接合することを特徴としており、それによれば、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとが、金バンプを介した金属拡散接合により接合されるため、十分な接合強度を得ることができ、好ましい。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明では、電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、導体パターン（２３）が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板（２０）とを用意し、電極と導体パターンとを位置合わせした状態でＩＣチップをフレキシブル基板に載置する工程と、熱および圧力を加えて、電極と導体パターンとを接合するとともに、フレキシブル基板の構成材料である熱可塑性樹脂を軟化させて電極と導体パターンとの接合部を樹脂封止する工程とを備え、電極（１２）と導体パターン（２３）との間に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物を介在させた状態で、電極と導体パターンとの接合を行うことを特徴としている。
【０００９】
このような、炭化水素化合物を電極と導体パターンとの間に介在させた状態で、熱および圧力を加えて両者の接合を行うようにすれば、電極と導体パターンとの接合強度をより十分なものにすることができ、好ましい。
【００１０】
これは、炭化水素化合物を加熱することにより、炭化水素化合物を熱分解して炭化水素化合物から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって電極や導体パターンの表面に形成された酸化膜を還元しつつ、接合を行うことができるためである。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は実装方法に係るものであり、電極（１２）を有するＩＣチップ（１０）と、プリント配線基板（４０）の電極（４１）へ接続可能な端子（２３ａ）を有する導体パターン（２３）が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板（２０）とを用意し、上記請求項１の製造方法と同様に、ＩＣチップをフレキシブル基板に載置しＩＣチップの電極と導体パターンとの接合部を樹脂封止することにより、ＩＣチップと前記フレキシブル基板とが一体化したパッケージ（１００）を形成した後、用意されたプリント配線基板にパッケージを載置し、導体パターンの端子を含むフレキシブル基板の局部を、プリント配線基板に押しつけるように圧力を加えながら加熱することにより、導体パターンの端子とプリント配線基板の電極とを接合すると共に、熱可塑性樹脂を軟化させて導体パターンの端子とプリント配線基板の電極との接合部を樹脂封止することを特徴としている。
【００１２】
本発明のＩＣパッケージの実装方法によれば、請求項１の発明と同様の理由から、形成されたパッケージにおいて、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合部の封止を高い信頼性にて実現できる。そして、このようなＩＣパッケージがプリント配線基板に実装された実装構造を得ることができる。
【００１３】
また、フレキシブル基板の導体パターンの端子とプリント配線基板の電極との接合部も、フレキシブル基板を構成する樹脂材料自体を用いて樹脂封止されるため、この接合部においても層間剥離を防止した信頼性の高い封止構造を達成することができる。
【００１４】
また、ＩＣチップの電極とフレキシブル基板の導体パターンとの接合およびその接合部の樹脂封止の同時達成、フレキシブル基板の導体パターンの端子とプリント配線基板の電極との接合およびその接合部の樹脂封止の同時達成により、工数削減にも寄与する。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明では、導体パターン（２３）の端子（２３ａ）とプリント配線基板（４０）の電極（４１）との間に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物を介在させた状態で、導体パターンの端子とプリント配線基板の電極との接合を行うことを特徴としている。
【００１６】
それによれば、請求項２の発明と同様の理由から、導体パターンの端子とプリント配線基板の電極との接合強度をより十分なものにすることができ、好ましい。
【００１９】
また、請求項３または請求項７に記載の発明のように、ＩＣチップ（１０）とフレキシブル基板（２０）との間、フレキシブル基板とプリント配線基板（４０）との間で、両者の重ね合わせ面全体にアルカン類を介在させた状態で樹脂封止を行うことが好ましい。
【００２０】
これは、アルカン類を介在させた状態で熱可塑性樹脂を軟化させて樹脂封止するので、熱可塑性樹脂フィルム界面で、アルカン類が熱可塑性樹脂に浸透して弾性率が下がることにより、接着力が向上し、高い信頼性が得られるためである。
【００２１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係るＩＣパッケージの製造方法および実装方法を工程順に示す概略断面図である。また、図２において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１（ａ）、図１（ｂ）の上視概略平面図である。
【００２３】
また、図１（ｂ）は本実施形態に係るＩＣパッケージ１００を示し、図１（ｃ）は、このＩＣパッケージ１００の実装構造を示す。以下、本実施形態に係るＩＣパッケージの製造方法および実装方法について、製造工程順に説明していく。
【００２４】
まず、図１（ａ）、図２（ａ）に示す様なＩＣチップ１０およびフレキシブル基板（ＦＰＣ）２０を用意する。ＩＣチップ１０は、半導体基板等よりなり、一面１１側に金またはアルミ等よりなる電極（以下、チップ電極という）１２が形成されている。
【００２５】
フレキシブル基板２０は熱可塑性樹脂よりなる基材２１を有し、この基材２１の一面２２には、銅等よりなる導体パターン（配線パターン）２３が、メッキ法や箔を貼り付ける方法等によって所定パターンに形成されている。
【００２６】
また、導体パターン２３の表面において、ＩＣチップ１０のチップ電極１２に対応した位置、及び、後述するプリント配線基板（ＰＷＢ）４０の電極（以下、ＰＷＢ電極という）基板４１に対応した位置には、金バンプ３０がメッキ法や蒸着法等を用いて形成されている。ここで、導体パターン２３のうちＰＷＢ電極４１に対応した部位は、ＰＷＢ電極４１へ接続可能な端子２３ａとして構成されている。
【００２７】
このフレキシブル基板２０の基材２１を構成する熱可塑性樹脂として、本例では、ポリエーテリケトン（ＰＥＥＫ）樹脂を６５〜３５重量％とポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂を３５〜６５重量％含む混合物（以下、ＰＥＥＫ−ＰＥＩという）が使用されている。このＰＥＥＫ−ＰＥＩは、そのガラス転移温度（１５０℃〜２３０℃）以上の温度において軟化する。
【００２８】
そして、図１（ａ）、図２（ａ）に示す様に、上記両部材１０、２０の互いの一面１１、２２を対向させ、且つ、チップ電極１２と導体パターン２３における金バンプ３０の形成部とを位置合わせした状態で、ＩＣチップ１０をフレキシブル基板２０に載置する（チップ載置工程）。
【００２９】
次に、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示す様に、熱および圧力を加えて、チップ電極１２と導体パターン２３とを接合するとともに、フレキシブル基板２０の基材構成材料である熱可塑性樹脂を軟化させてチップ電極１２と導体パターン２３との接合部を樹脂封止する（ＩＣパッケージ形成工程）。
【００３０】
具体的には、図示しないパルスヒート方式の熱圧着ツールを用いて、ＩＣチップ１０をフレキシブル基板２０に押し付ける。本例では、熱圧着の条件として、ＰＥＥＫ−ＰＥＩのガラス転移温度（１５０℃〜２３０℃）以上の温度となるように、圧力を加える。例えば、加熱温度は２４０℃〜３４０℃であり、５秒〜１５秒間加熱および加圧を継続する。
【００３１】
この加熱・加圧により、チップ電極１２と金バンプ３０との界面および金バンプ３０と導体パターン２３との界面にて、各界面を超えて相対する両者の金属原子が熱拡散する。つまり、チップ電極１２と導体パターン２３とが、金バンプ３０を介して金属拡散接合により電気的に接合される。
【００３２】
それとともに、フレキシブル基板２０の熱可塑性樹脂（本例ではＰＥＥＫ−ＰＥＩ）が溶融して軟化し、ＩＣチップ１０の押し付け圧力によって、導体パターン２３の間からＩＣチップ１０の周囲にてＩＣチップ１０側へ盛り上がるように移動する。この盛り上がった熱可塑性樹脂２４により、チップ電極１２と導体パターン２３との接合部が封止される。
【００３３】
これらチップ載置工程とＩＣパッケージ形成工程を行うことにより、チップ電極１２とフレキシブル基板２０の導体パターン２３との接合およびその接合部の樹脂封止が同時に達成され、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示すＩＣパッケージ１００が完成する。ここまでの工程が本実施形態に係るＩＣパッケージの製造方法である。なお、本製造方法はフレキシブル基板２０をリール状で送りながら連続して行うことも可能である。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すパッケージ実装工程を行う。すなわち、用意された上記プリント配線基板４０にＩＣパッケージ１００を載置し、上記端子２３ａを含むフレキシブル基板２０の周辺部を、プリント配線基板４０に押しつけるように圧力を加えながら加熱する。
【００３５】
それにより、端子２３ａの金バンプ３０とＰＷＢ電極４１とが接合されると共に、フレキシブル基板２０の熱可塑性樹脂を軟化させて金バンプ３０とＰＷＢ電極４１との接合部を樹脂封止する。
【００３６】
本工程においても、具体的には、図示しないパルスヒート方式の熱圧着ツールを用いて、上記フレキシブル基板２０の周辺部をプリント配線基板４０に押し付けるようにする。本例における熱圧着の条件は、上記パッケージ形成工程と同様にすることができる。
【００３７】
そして、本工程においても、加熱・加圧により、ＰＷＢ電極４１と導体パターン２３の端子２３ａとが、金バンプ３０を介して金属拡散接合により電気的に接合される。それとともに、フレキシブル基板２０の周辺部の熱可塑性樹脂（本例ではＰＥＥＫ−ＰＥＩ）が溶融して軟化し、押し付け圧力によってプリント配線基板４０へ移動し、移動した熱可塑性樹脂２５により、ＰＷＢ電極４１と導体パターン２３との接合部が封止される。
【００３８】
このパッケージ実装工程を行うことにより、プリント配線基板４０のＰＷＢ電極４１とフレキシブル基板２０の導体パターン２３との接合およびその接合部の樹脂封止が同時に達成され、図１（ｃ）に示すＩＣパッケージ１００が完成する。これらチップ載置、パッケージ形成及びパッケージ実装工程により、本実施形態に係るＩＣパッケージの実装方法が構成される。
【００３９】
ところで、本実施形態のＩＣパッケージの製造方法によれば、フレキシブル基板２０を構成する樹脂材料自体を用いて封止が行われ、そもそも従来のような層間剥離を起こすことがないため、チップ電極１２とフレキシブル基板２０の導体パターン２３との接合部の封止を高い信頼性にて実現できる。また、チップ電極１２と導体パターン２３との接合およびその接合部の樹脂封止を同時に達成できるため、工数削減にも寄与する。
【００４０】
また、本実施形態のＩＣパッケージの製造方法及び実装方法では、チップ電極１２と導体パターン２３、及びＰＷＢ電極４１と導体パターン２３を金バンプ３０を介して接合しており、それによれば、両電極１２、４１と導体パターン２３とが、金バンプ３０を介した金属拡散接合により接合されるため、十分な接合強度を得ることができ、好ましい。
【００４１】
本実施形態のＩＣパッケージの実装方法によれば、チップ電極１２とフレキシブル基板２０の導体パターン２３との接合部の封止を高い信頼性にて実現したＩＣパッケージ１００が、プリント配線基板４０に実装された実装構造を得ることができる。
【００４２】
また、フレキシブル基板２０の導体パターン２３の端子２３ａとプリント配線基板４０のＰＷＢ電極４１との接合部も、フレキシブル基板２０を構成する樹脂材料自体を用いて樹脂封止されるため、この接合部においても層間剥離を防止した信頼性の高い封止構造を達成することができる。
【００４３】
また、フレキシブル基板２０の導体パターン２３の端子２３ａとプリント配線基板４０のＰＷＢ電極４１との接合およびその接合部の樹脂封止の同時達成により、工数削減にも寄与する。
【００４４】
さらに、本実施形態のＩＣパッケージの製造方法によれば、導体パターン２３が形成された熱可塑性樹脂よりなるフレキシブル基板２０と、このフレキシブル基板２０と対向して配置され、チップ電極１２を有するＩＣチップ１０とを備え、チップ電極１２と導体パターン２３とが電気的に接合され、当該熱可塑性樹脂の一部がＩＣチップ１０の周囲にてＩＣチップ１０側へ盛り上がり、チップ電極１２と導体パターン２３との接合部が樹脂封止されているＩＣパッケージ１００を得ることができる。
【００４５】
このＩＣパッケージ１００によれば、上述したように、フレキシブル基板２０を構成する樹脂材料自体によりチップ電極１２とフレキシブル基板２０の導体パターン２３との接合部が封止されているため、層間剥離を防止でき、当該接合部の封止を高い信頼性にて実現できる。
【００４６】
また、上記製造方法及び上記実装方法においては、電極１２、４１と導体パターン２３との間に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物を介在させた状態で、電極１２、４１と導体パターン２３との接合を行うことが好ましい。
【００４７】
具体的には、ＩＣチップ１０をフレキシブル基板２０に載置する前に、及び、ＩＣパッケージ１００をプリント配線基板４０に載置する前に、それぞれ、電極１２、４１の表面及びフレキシブル基板２０の導体パターン２３の金バンプ３０の表面の少なくとも一方に、上記炭化水素化合物を塗布する。
【００４８】
このような、炭化水素化合物を電極１２、４１と導体パターン２３との間に介在させた状態で、熱および圧力を加えて両者の接合を行うようにすれば、電極１２、４１と導体パターン２３との接合強度をより十分なものにすることができ、好ましい。
【００４９】
これは、以下の理由による。銅等よりなる各電極１２、４１や導体パターン２３の表面には空気酸化により酸化膜（酸化銅の膜等）が形成されやすい。この酸化膜が存在すると電極１２、４１と導体パターン２３との接合強度が低下する。
【００５０】
このとき、上記炭化水素化合物を介在させることで、接合時の加熱により、炭化水素化合物を熱分解して炭化水素化合物から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって電極１２、４１や導体パターン２３の表面に形成された酸化膜を還元しつつ、接合を行うことができる。そのため、電極１２、４１と導体パターン２３との接合強度をより十分なものにすることができる。
【００５１】
ここで、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーとは、炭化水素化合物がそれぞれ電子を保有しつつアルキル基と水素とに解離するために必要なエネルギーであり、それぞれの物質の分子軌道計算から算出されるものである。換言すれば、それぞれの物質のＣ−Ｈ結合解離エネルギーは、炭化水素化合物のアルキル基と水素とへの解離のしやすさを示しており、このエネルギーの小さい物質ほど、アルキル基と水素とに解離しやすい。
【００５２】
そして、炭化水素化合物がそれぞれ電子を保有しつつアルキル基と水素とに解離すると、そのアルキル基がラジカルな状態となり、酸化銅等から酸素を奪って、すなわち酸化銅を還元して、自身はアルカン酸化物となって安定する。
【００５３】
このようなＣ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物としては、例えば、シクロオクタン、テトラメチルペンタデカン、トリフェニルメタン、ジジクロペンタジエン、及びジヒドロアントラセンの少なくとも１つを有するものを挙げることができる。
【００５４】
また、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌよりも大きい炭化水素化合物を用いた場合でも、加熱・加圧により、この炭化水素化合物がＰＥＥＫ−ＰＥＩの表層部に浸透し、この表層部の弾性率をＰＥＥＫ−ＰＥＩの本来の弾性率よりも低下し得るとの利点がある。
【００５５】
このため、上記のように、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌよりも大きい炭化水素化合物をフレキシブル基板２０とＩＣチップ１０およぶプリント配線基板４０との重ね合わせ面全体に塗布しても良い。このような炭化水素化合物の例としては、エイコサン、テトラデカン等のアルカン類がある。
【００５６】
（他の実施形態）
なお、金バンプ３０の代わりに、ハンダバンプ等を用いても良い。つまり、バンプとして採用可能な導電性材料であれば、特に限定されるものではない。
【００５７】
また、可能であるならば、金バンプ３０を介在させず、チップ電極１２と導体パターン２３、および、導体パターン２３の端子２３ａとＰＷＢ電極４１を、互いに直接、固相接合するようにしても良い。この場合にも、もちろん上記炭化水素化合物を介在させても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るＩＣパッケージの製造方法および実装方法を示す工程図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）の上視概略平面図、（ｂ）は図１（ｂ）の上視概略平面図である。
【符号の説明】
１０…ＩＣチップ、１２…ＩＣチップの電極、２０…フレキシブル基板、
２３…フレキシブル基板の導体パターン、２３ａ…導体パターンの端子、
３０…金バンプ、４０…プリント配線基板、４１…プリント配線基板の電極、
１００…ＩＣパッケージ。
【図１】
0003743293.tif 000002
【図２】
0003743293.tif 000003