(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物に対して高周波による加熱を行う磁界を通過させる金属製の加熱室と、該加熱室に隣接して、高周波加熱機構を駆動するための高圧トランスが取り付けられる機械室とを備えた高周波加熱装置において、
前記高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向に平行な面に沿って発生する交番磁界は、トランス外部に存在する物体に対し振動による悪影響を与えることから、前記１次及び２次のコイルの中心軸方向に対し、前記加熱室の底壁又は側壁を斜めにするために、前記高圧トランスが取り付けられている前記機械室の底面の一部を、前記加熱室の底壁又は側壁の面に対して、所定の角度で斜めに加工し、前記加熱室の底壁又側壁を通過する交番磁界の量を減らしたことを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項２】
被加熱物に対して高周波による加熱を行う磁界を通過させる金属製の加熱室と、該加熱室に隣接して、高周波加熱機構を駆動するための高圧トランスが取り付けられる機械室とを備えた高周波加熱装置において、
前記高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向に平行な面に沿って発生する交番磁界は、トランス外部に存在する物体に対し振動による悪影響を与えることから、前記１次及び２次のコイルの中心軸方向に対し、前記加熱室の底壁又は側壁を斜めにするために、前記加熱室の底壁又は側壁の面の一部を、前記高圧トランスが取り付けられている前記機械室の底面に対して、所定の角度で斜めになるように加工し、前記加熱室の底壁又側壁を通過する交番磁界の量を減らしたことを特徴とする高周波加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加熱物を加熱する加熱室に隣接して形成される機械室に、高周波加熱機構を駆動するための高圧トランスが取り付けられている高周波加熱装置に関し、特に高圧トランスが生じる交番磁界による振動音を抑制する高周波加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、高周波加熱装置は、マグネトロンにより高周波を被加熱物に放射して加熱する構造を有する。図７は、従来の高周波加熱装置の一例を示す断面図である。図７に示す高周波加熱装置は、調理用の加熱装置であり、外箱５１と底板５７により囲まれた内部に加熱室である調理室５２を配置し、その調理室５２の側壁５３近傍に形成された機械室５６内にマグネトロンに高電圧を供給するための高圧トランス５５等を配置する構造である。高圧トランス５５は底板５７に取り付けられている。
【０００３】
ところで、この高周波加熱装置では、高圧トランス５５の交番磁界を最も強く発生する面と加熱室の側壁が平行となっており、交番磁界が該側壁に垂直方向に最も強く影響を与えてしまう。そのため、調理室５２の側壁５３が振動し、振動音が発生するのであるが、これを防ぐためにそして、高圧トランス５５の側面と調理室５２の側壁５３の間に防振ゴム５８が配置されている。
【０００４】
他の構造としては、調理室５２の底壁５４の下方に機械室が設けられ、そこに高圧トランスが配置されるものがある。そして、調理室の底壁と高圧トランスの上面が平行になるように配置されて、調理室の底壁と高圧トランスの上面の間に振動防止のため防振ゴムが配されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、防振ゴムを取り付けて、調理室の振動を吸収し、振動を防止するのであるが、この対処法では、部品点数が多くなると共に、組立工数が増大し、コスト高となる問題点がある。また、防振ゴムは、経年変化によりクッション性が悪化し、防振効果が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術の問題点を鑑みなされたものであって、その目的は、簡単な構成で、高圧トランスの交番磁界による影響を低減して振動音を抑制することができる高周波加熱装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波加熱装置は、被加熱物に対して高周波による加熱を行う磁界を通過させる金属製の加熱室と、該加熱室に隣接して、高周波加熱機構を駆動するための高圧トランスが取り付けられる機械室とを備えた高周波加熱装置において、前記高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向に平行な面に沿って発生する交番磁界は、トランス外部に存在する物体に対し振動による悪影響を与えることから、前記１次及び２次のコイルの中心軸方向に対し、前記加熱室の底壁又は側壁を斜めにするために、前記高圧トランスが取り付けられている前記機械室の底面の一部を、前記加熱室の底壁又は側壁の面に対して、所定の角度で斜めに加工し、前記加熱室の底壁又側壁を通過する交番磁界の量を減らしたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の高周波加熱装置は、被加熱物に対して高周波による加熱を行う磁界を通過させる金属製の加熱室と、該加熱室に隣接して、高周波加熱機構を駆動するための高圧トランスが取り付けられる機械室とを備えた高周波加熱装置において、前記高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向に平行な面に沿って発生する交番磁界は、トランス外部に存在する物体に対し振動による悪影響を与えることから、前記１次及び２次のコイルの中心軸方向に対し、前記加熱室の底壁又は側壁を斜めにするために、前記加熱室の底壁又は側壁の面の一部を、前記機械室の前記高圧トランスが取り付けられている前記機械室の底面に対して、所定の角度で斜めになるように加工し、前記加熱室の底壁又側壁を通過する交番磁界の量を減らしたことを特徴とする。
【００１０】
本発明においては、高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向と、前記加熱室の底壁又は側壁とが斜めになるようにしてある。高圧トランスの１次及び２次コイルの中心軸方向に沿って発生する交番磁界の方向が加熱室の底壁又は側壁に対して斜めになり、従来のようにコイルの中心軸奉公に垂直になっている場合よりは、振動が低減する。したがって、防振ゴムが不要で、簡単な構成で、高圧トランスの交番磁界の影響をより確実に低減し、経年変化がなく振動音を安定的に防止する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明に係る高周波加熱装置の第１の実施形態を示す断面図である。なお、図１は、便宜上、正面からみて右半分の領域の縦断面が示され、左半分が省略されている（以降に示す断面図も同様である）。
図１に示す高周波加熱装置は、外箱１と底板７により外装を形成する。その内部に加熱室である調理室２を配置し、その下方に機械室６が配置されている。調理室２は、底壁４が外箱１の上面と平行になるように取り付けられている。高圧トランス５が底板７に取り付けられ、機械室６内に配置される。
図２に示すように、高圧トランス５は、外観が略直方体状のコア８、コア８内に巻装された１次コイル９と２次コイル１０、コア８の底部に取り付けた足金１１から構成される。一次及び２次コイル９，１０の中心軸ｃ１は、コア８の底部（足金１１）に対し垂直である。高圧トランス５を取り付ける底板７の面は、調理室２の底壁４の面に対し斜めになるように内側に絞り加工が施されている。このため底板７に取り付けられた高圧トランス５の上面Ａは、調理室２の底壁４に平行とならない。
【００１２】
図２に示すように、高圧トランス５に生じる交番磁界は、コア８の上面Ａに垂直な方向に最も影響が大きくなるように生じる。これは交番磁界が１次及び２次コイル９，１０の中心軸ｃ１に沿って発生するためである。従来のように、調理室２の底壁４と高圧トランス５の上面Ａが平行であれば、底壁４は１次及び２次コイル９，１０の中心軸ｃ１の方向、すなわち垂直方向に交番磁界の影響を最も大きく受けて振動を起こす。
しかし、図１の高周波加熱装置は、底壁４と高圧トランス５を取り付ける底板７が斜めになるので、底壁４と高圧トランス５の上面Ａが斜めに対向する。したがって、１次及び２次コイル９，１０の中心軸ｃ１の方向と底壁４が斜めになるので、交番磁界の影響が小さくなって、振動音を抑制することができる。
【００１３】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明に係る高周波加熱装置の第２の実施形態を示す断面図である。図３に示す高周波加熱装置は、基本的構造は図１と同じなので、同一部分には同一符号を付す。この高周波加熱装置は、調理室１２の底壁１４の方を底板１７に対して斜めになるように加工してある。底板１７の高圧トランス５の取り付け面は外箱１の上面と平行になっている。調理室１２の底壁１４は、取り付けられた高圧トランス５の上面Ａに対向する部分を内側に絞った加工が施してあり、高圧トランス５の上面Ａと調理室１２の底壁１４の面とが斜めに対向する。したがって、１次及び２次コイル９，１０の中心軸ｃ１の方向と底壁１４が斜めになるので、調理室１２の底壁１４に対する交番磁界の影響が小さくなり、振動音を押えることができる。
【００１４】
＜第３の実施形態＞
図４は、本発明に係る高周波加熱装置の第４の実施形態を示す断面図である。図４に示す高周波加熱装置は、外箱１と底板２７により外装を形成する。その内部に加熱室である調理室２を配置し、その側壁３の近傍（図中右側側方）に機械室２６が配置されている。調理室２は、側壁３が外箱１の上面と垂直になるように取り付けられている。高圧トランス２５が底板２７に取り付けられ、機械室２６内に配置される。
図５に示すように、高圧トランス２５は、外観が略直方体状のコア２８、コア８内に巻装された１次コイル２９と２次コイル３０、コア２８の底部に取り付けた足金３１から構成される。１次及び２次コイル２９，３０は、コア２８の底部（足金１１）に対し垂直方向に巻装されている。高圧トランス２５を取り付ける底板２７の面は、調理室２の側壁３の面に対し斜めになるように内側に絞り加工が施されている。このため底板７に取り付けられた高圧トランス５の側面Ｂは、調理室２の側壁３に平行とならない。
【００１５】
図５に示すように、高圧トランス２５に生じる交番磁界は、コア２８の側面Ｂに垂直な方向に最も影響が大きくなるように生じる。これは交番磁界が１次及び２次コイル２９，３０の中心軸ｃ２に沿って発生するためである。従来のように、調理室２の側壁３と高圧トランス２５の側面Ｂが平行であれば、側壁３は１次及び２次コイル２９，３０の中心軸ｃ１の方向、すなわち垂直方向に交番磁界の影響を最も大きく受けて振動を起こす。
しかし、図４の高周波加熱装置は、側壁３と高圧トランス２５を取り付ける底板２７が斜めになるので、側壁３と高圧トランス２５の側面Ａが斜めに対向する。したがって、１次及び２次コイル２９，３０の中心軸ｃ２の方向と側壁３が斜めになるので、交番磁界の影響が小さくなって、振動音を抑制することができる。
【００１６】
＜第４の実施形態＞
図６は、本発明に係る高周波加熱装置の第４の実施形態を示す断面図である。図６に示す高周波加熱装置は、基本的構造は図４と同じなので、同一部分には同一符号を付す。この高周波加熱装置は、調理室２２の側壁２３の方を取り付けられた高圧トランスの側面Ｂに対して斜めになるように内側に絞り加工が施してある。底板３７の高圧トランス２５の取り付け面は外箱１の上面と平行になっている。したがって、高圧トランス２５の側面Ｂと調理室２２の側壁２３の面とが斜めに対向する。したがって、１次及び２次コイル２９，３０の中心軸ｃ２の方向と側壁２３が斜めになるので、調理室２２の側壁２３に対する交番磁界の影響が小さくなり、振動音を押えることができる。
【００１７】
なお、本発明は、高圧トランスの交番磁界を垂直方向に最も強く発生する面と、該面に対向する前記加熱室の壁面とが斜めになっていればよく、調理室の壁面や底板の絞り加工に限定されない。また、本実施形態は、調理用の加熱装置であるが、被加熱物は調理物に限定されない。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によれば、高圧トランスに設けられた１次及び２次のコイルの中心軸方向と、前記加熱室の壁面とが斜めになるようにしてあるので、簡単な構成で、高圧トランスの交番磁界による影響を低減して振動音を安定的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波加熱装置の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に用いる高圧トランスの斜視図である。
【図３】本発明に係る高周波加熱装置の第２の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る高周波加熱装置の第３の実施形態を示す断面図である。
【図５】の第３の実施形態に用いる高圧トランスの斜視図である。
【図６】本発明に係る高周波加熱装置の第４の実施形態を示す断面図である。
【図７】従来の高周波加熱装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１  上側ケース
２，１２，２２  調理室
３，２３  調理室の側壁
４，１４  調理室の底壁
５，２５  高圧トランス
６，２６  機械室
７，１７，３７  底板
【図１】
0003815980.tif 000002
【図２】
0003815980.tif 000003
【図３】
0003815980.tif 000004
【図４】
0003815980.tif 000005
【図５】
0003815980.tif 000006
【図６】
0003815980.tif 000007
【図７】
0003815980.tif 000008