(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）；
【化１】
0003803551.tif 000033
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される化合物
の製法であって、
（１）（ａ）下記一般式（ＩＩ）；
【化２】
0003803551.tif 000034
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表す。）
で表される酢酸エステル誘導体に対し、マグネシウム含有塩基を作用させて調製されるエノラートを、下記一般式（ＩＩＩ）；
【化３】
0003803551.tif 000035
（式中、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物に−３０℃以上の温度で反応させるか、又は、
（ｂ）前記式（ＩＩ）で表される酢酸エステル誘導体から塩基又は０価の金属により調製されるエノラートを、前記式（ＩＩＩ）で表される化合物をマグネシウム含有塩基で処理したものと、−３０℃以上の温度で反応させ、下記一般式（ＩＶ）；
【化４】
0003803551.tif 000036
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造し、
（２）更にこの化合物を微生物を用いて還元することにより下記一般式（Ｖ）；
【化５】
0003803551.tif 000037
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造し、
（３）更にこの化合物を酸触媒下、アセタール形成反応剤で処理することにより下記一般式（ＶＩ）；
【化６】
0003803551.tif 000038
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ。Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される化合物を製造し、
（４）更にこの化合物を、アシルオキシ化剤でアシルオキシ化することにより
下記一般式（ＶＩＩ）；
【化７】
0003803551.tif 000039
（式中、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は上記に同じ。Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。）で表される化合物を製造し、
（５）更にこの化合物を塩基存在下に加溶媒分解することからなる一般式（Ｉ）で表される化合物の製造法。
【請求項２】
酢酸エステル誘導体においてＸ２が水素原子であり、エノラート調製にマグネシウム含有塩基として下記一般式（ＶＩＩＩ）；
【化８】
0003803551.tif 000040
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表す。Ｘ３はハロゲン原子を表す。）で表されるマグネシウムアミドを使用する請求項１に記載の製造法。
【請求項３】
マグネシウムアミドにおいて、Ｒ６とＲ７がイソプロピル基である請求項２記載の製造法。
【請求項４】
マグネシウムアミドにおいて、Ｘ３が塩素原子である請求項２または３のいずれかに記載の製造法。
【請求項５】
酢酸エステル誘導体において、Ｘ２がハロゲン原子であり、エノラート調製に０価の金属としてマグネシウムまたは亜鉛のいずれかを使用する請求項１に記載の製造法。
【請求項６】
エノラートを反応させる際に、ポリエーテル類を添加する、請求項１から５のいずれかに記載の製造法。
【請求項７】
ポリエーテルとして、ジメトキシエタンを使用する請求項６に記載の製造法。
【請求項８】
下記一般式（ＩＩＩ）；
【化９】
0003803551.tif 000041
（式中、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物を、
下記一般式（ＩＸ）；
【化１０】
0003803551.tif 000042
（式中、Ｒ８は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ４は、ハロゲン原子を表す。）で表されるマグネシウム含有塩基としてのグリニャール試薬で予め処理し、下記一般式（ＩＩ）；
【化１１】
0003803551.tif 000043
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表す。）で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基又は０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートと、−３０℃以上の温度で反応させ、
下記一般式（ＩＶ）；
【化１２】
0003803551.tif 000044
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造する請求項１に記載の製造法。
【請求項９】
グリニヤール試薬において、Ｒ８がｔｅｒｔ−ブチル基で、Ｘ４が塩素原子である請求項８記載の製造法。
【請求項１０】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を、マグネシウム含有塩基としての塩基及びマグネシウム化合物で予め処理し、一般式（ＩＩ）で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基又は０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートと、−３０℃以上の温度で反応させ、一般式（ＩＶ）で表される化合物を製造する、請求項１に記載の製造法。
【請求項１１】
塩基が、水素化ナトリウム、リチウムジイソプロピルアミド又はマグネシウムジイソプロピルアミドである、請求項１０に記載の製造法。
【請求項１２】
マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム又は臭化マグネシウムである、請求項１０又は１１記載の製造法。
【請求項１３】
酢酸エステル誘導体においてＸ２が水素原子であり、エノラート調製に塩基として下記一般式（Ｘ）；
【化１３】
0003803551.tif 000045
（式中、Ｒ９、Ｒ１０は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表す。）で表されるリチウムアミドを使用する請求項８から１２のいずれかに記載の製造法。
【請求項１４】
リチウムアミドにおいてＲ９とＲ１０がイソプロピル基である請求項１３記載の製造法。
【請求項１５】
微生物を用いて還元する工程において、使用する微生物として、ホルモアスカス属、キャンディダ属、クリプトコッカス属、デバリオマイセス属、ゲオトリカム属、クライシア属、ハンゼヌーラ属、クルイベロマイセス属、ピキア属、ヤマダジーマ属、ロードトルラ属、サッカロマイセス属、シゾブラストスポリオン属、チゴサッカロマイセス属、ブレビバクテリウム属、コリネバクテリウム属、および、ロドコッカス属に属する微生物からなる群から選ばれた微生物の培養液、菌体または菌体処理物を使用することを特徴とする、請求項１から１４のいずれかに記載の製造法。
【請求項１６】
微生物を用いて還元する工程において、使用する微生物が、ホルモアスカス・プラティポディス、キャンディダ・カティヌラータ、キャンディダ・ディバーサ、キャンディダ・フラクタス、キャンディダ・グラエボーサ、キャンディダ・グイラーモンディー、クリプトコッカス・フミコーラ、キャンディダ・インターメディア、キャンディダ・マグノリエ、キャンディダ・ムサエ、キャンディダ・ピントロペジー・バラエティ・ピントロペジー、キャンディダ・ピナス、キャンディダ・サケ、キャンディダ・ソノレンシス、キャンディダ・トロピカリス、クリプトコッカス・ラウレンティー、クリプトコッカス・テレウス、デバリオマイセス・ハンセニー・バラエティ・ファブリー、ゲオトリカム・エリエンス、クライシア・カプスラータ、クルイベロマイセス・マルキアヌス、ピキア・ボビス、ヤマダジーマ・ハプロフィア、ピキア・メンブランファシエンス、ロードトルーラ・グルチニス、サッカロマイセス・セレビシエ、シゾブラストスポリオン・コバヤシー、キャンディダ・クラウセニー、デバリオマイセス・ロウベルティー、チゴサッカロマイセス・ロウジー、ブレビバクテュウム・スタチオニス、コリネバクテリウム・アンモニアゲネス、コリネバクテリウム・フラベセンス、コリネバクテリウム・グルタミカム、および、ロドコッカス・エリスロポリスからなる群から選ばれた微生物である、請求項１から１５のいずれかに記載の製造法。
【請求項１７】
アシルオキシ化剤として、下記一般式（ＸＩ）；
【化１４】
0003803551.tif 000046
（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。）
で表される４級アンモニウムカルボン酸塩を使用する請求項１から１６のいずれかに記載の製造法。
【請求項１８】
４級アンモニウムカルボン酸塩において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４がいずれもｎ−ブチル基である請求項１７に記載の製造法。
【請求項１９】
アシルオキシ化剤として、下記一般式（ＸＩＩ）；
【化１５】
0003803551.tif 000047
（式中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ５は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アシルオキシ基のうちのいずれかを表す。）
で表される４級アンモニウム塩と下記一般式（ＸＩＩＩ）；
【化１６】
0003803551.tif 000048
（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のうちのいずれかを表す。ｎは１または２の整数を表す。）
で表されるカルボン酸塩の混合物を使用する請求項１から１６のいずれかに記載の製造法。
【請求項２０】
４級アンモニウム塩において、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８がいずれもｎ−ブチル基である請求項１９に記載の製造法。
【請求項２１】
４級アンモニウム塩において、Ｘ５が塩素または臭素のいずれかである請求項１９または２０のいずれかに記載の製造法。
【請求項２２】
カルボン酸塩において、Ｍがナトリウムまたはカリウムのいずれかである請求項１９から２１のいずれかに記載の製造法。
【請求項２３】
４級アンモニウム塩を触媒として化学量論量以下の使用量とする請求項１９から２２のいずれかに記載の製造法。
【請求項２４】
アシルオキシ化反応の溶媒にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを使用する請求項１から２３のいずれかに記載の製造法。
【請求項２５】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１から２４のいずれかに記載の製造法。
【請求項２６】
Ｒ２がエチル基である請求項１から２５のいずれかに記載の製造法。
【請求項２７】
Ｒ３がメチル基である請求項１から２６のいずれかに記載の製造法。
【請求項２８】
Ｒ４とＲ５が、いずれもメチル基である請求項１から２７のいずれかに記載の製造法。
【請求項２９】
Ｘ１が、塩素である請求項１から２８のいずれかに記載の製造法。
【請求項３０】
下記一般式（ＩＩ）；
【化１７】
0003803551.tif 000049
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表す。）
で表される酢酸エステル誘導体に対し、マグネシウム含有塩基を作用させて調製されるエノラートを、下記一般式（ＩＩＩ）；
【化１８】
0003803551.tif 000050
（式中、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物に−３０℃以上の温度で反応させ、下記一般式（ＩＶ）；
【化１９】
0003803551.tif 000051
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）
で表される化合物を製造する方法。
【請求項３１】
酢酸エステル誘導体においてＸ２が水素原子であり、エノラート調製にマグネシウム含有塩基として下記一般式（ＶＩＩＩ）；
【化２０】
0003803551.tif 000052
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表す。Ｘ３はハロゲン原子を表す。）で表されるマグネシウムアミドを使用する請求項３０に記載の製造法。
【請求項３２】
マグネシウムアミドにおいて、Ｒ６とＲ７がイソプロピル基である請求項３１記載の製造法。
【請求項３３】
マグネシウムアミドにおいてＸ３が塩素原子である請求項３１または３２のいずれかに記載の製造法。
【請求項３４】
エノラートを反応させる際に、ポリエーテル類を添加する、請求項３０から３３のいずれかに記載の製造法。
【請求項３５】
ポリエーテルとして、ジメトキシエタンを使用する請求項３４に記載の製造法。
【請求項３６】
下記一般式（ＩＩＩ）；
【化２１】
0003803551.tif 000053
（式中、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物を、
下記一般式（ＩＸ）；
【化２２】
0003803551.tif 000054
（式中、Ｒ８は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ４は、ハロゲン原子を表す。）で表されるマグネシウム含有塩基としてのグリニャール試薬で予め処理し、下記一般式（ＩＩ）；
【化２３】
0003803551.tif 000055
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表す。）で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基又は０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートと、−３０℃以上の温度で反応させ、
下記一般式（ＩＶ）；
【化２４】
0003803551.tif 000056
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造する方法。
【請求項３７】
グリニャール試薬において、Ｒ８がｔｅｒｔ−ブチル基で、Ｘ４が塩素原子である請求項３６記載の製造法。
【請求項３８】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を、マグネシウム含有塩基としての塩基及びマグネシウム化合物で予め処理し、一般式（ＩＩ）で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基又は０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートと、−３０℃以上の温度で反応させ、一般式（ＩＶ）で表される化合物を製造する方法。
【請求項３９】
塩基が、水素化ナトリウム、リチウムジイソプロピルアミド、又は、塩化マグネシウムジイソプロピルアミドである請求項３８に記載の製造法。
【請求項４０】
マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム又は臭化マグネシウムである請求項３８又は３９に記載の製造法。
【請求項４１】
酢酸エステル誘導体においてＸ２が水素原子であり、エノラート調製に塩基として下記一般式（Ｘ）；
【化２５】
0003803551.tif 000057
（式中、Ｒ９、Ｒ１０は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表す。）で表されるリチウムアミドを使用する請求項３６から４０のいずれかに記載の製造法。
【請求項４２】
リチウムアミドにおいてＲ９とＲ１０がイソプロピル基である請求項４１記載の製造法。
【請求項４３】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項３０から４２のいずれかに記載の製造法。
【請求項４４】
Ｒ２がエチル基である請求項３０から４３いずれかに記載の製造法。
【請求項４５】
Ｘ１が塩素である請求項３０から４４のいずれかに記載の製造法。
【請求項４６】
下記一般式（ＩＶ）；
【化２６】
0003803551.tif 000058
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物を、ホルモアスカス属、クリプトコッカス属、ゲオトリカム属、クライシア属、ヤマダジーマ属、ロードトルラ属、サッカロマイセス属、シゾブラストスポリオン属、チゴサッカロマイセス属、ブレビバクテリウム属、コリネバクテリウム属、ロドコッカス属、キャンディダ・カティヌラータ、キャンディダ・ディバーサ、キャンディダ・フラクタス、キャンディダ・グラエボーサ、キャンディダ・インターメディア、キャンディダ・マグノリエ、キャンディダ・ムサエ、キャンディダ・ピントロペジー・バラエティ・ピントロペジー、キャンディダ・ピナス、キャンディダ・サケ、キャンディダ・ソノレンシス、キャンディダ・トロピカリス、キャンディダ・クラウセニー、デバリオマイセス・ハンセニー・バラエティ・ファブリー、デバリオマイセス・ロウベルティー、クルイベロマイセス・マルキアヌス、および、ピキア・ボビスからなる群から選ばれる微生物を用いて還元することにより、下記一般式（Ｖ）；
【化２７】
0003803551.tif 000059
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造する方法。
【請求項４７】
微生物を用いて還元する工程において、使用する微生物として、前記微生物の培養液、菌体または菌体処理物を使用することを特徴とする、請求項４６に記載の製造法。
【請求項４８】
微生物を用いて還元する工程において、使用する微生物が、ホルモアスカス・プラティポディス、クリプトコッカス・フミコーラ、クリプトコッカス・ラウレンティー、クリプトコッカス・テレウス、ゲオトリカム・エリエンス、クライシア・カプスラータ、ヤマダジーマ・ハプロフィア、ロードトルーラ・グルチニス、サッカロマイセス・セレビシエ、シゾブラストスポリオン・コバヤシー、チゴサッカロマイセス・ロウジー、ブレビバクテュウム・スタチオニス、コリネバクテリウム・アンモニアゲネス、コリネバクテリウム・フラベセンス、コリネバクテリウム・グルタミカム、および、ロドコッカス・エリスロポリスからなる群から選ばれた微生物である、請求項４６または４７のいずれかに記載の製造法。
【請求項４９】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項４６から４８のいずれかに記載の製造法。
【請求項５０】
Ｘ１が塩素である請求項４６から４９のいずれかに記載の製造法。
【請求項５１】
下記一般式（ＶＩ）；
【化２８】
0003803551.tif 000060
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
で表される化合物に、下記一般式（ＸＩＩ）；
【化２９】
0003803551.tif 000061
（式中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ５は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アシルオキシ基のうちのいずれかを表す。）
で表される４級アンモニウム塩と下記一般式（ＸＩＩＩ）；
【化３０】
0003803551.tif 000062
（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のうちのいずれかを表す。ｎは１または２の整数を表す。）で表されるカルボン酸塩の混合物をアシルオキシ化剤として反応させ、アシルオキシ化することにより、下記一般式（ＶＩＩ）；
【化３１】
0003803551.tif 000063
（式中、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は上記に同じ。Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。）で表される化合物を製造する方法。
【請求項５２】
４級アンモニウム塩において、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８がいずれもｎ−ブチル基である請求項５１に記載の製造法。
【請求項５３】
４級アンモニウム塩において、Ｘ５が塩素または臭素のいずれかである請求項５１または５２のいずれかに記載の製造法。
【請求項５４】
カルボン酸塩において、Ｍがナトリウムまたはカリウムのいずれかである請求項５１から５３のいずれかに記載の製造法。
【請求項５５】
４級アンモニウム塩を触媒として化学量論量以下の使用量とする請求項５１から５４のいずれかに記載の製造法。
【請求項５６】
アシルオキシ化反応の溶媒にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを使用する請求項５１から５５のいずれかに記載の製造法。
【請求項５７】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項５１から５６のいずれかに記載の製造法。
【請求項５８】
Ｒ３がメチル基である請求項５１から５７のいずれかに記載の製造法。
【請求項５９】
Ｒ４とＲ５がいずれもメチル基である請求項５１から５８のいずれかに記載の製造法。
【請求項６０】
Ｘ１が塩素である請求項５１から５９のいずれかに記載の製造法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、医薬品中間体、特にはＨＭＧ−ＣｏＡ還元酵素阻害剤中間体として有用な光学活性２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体の製造法に関するものである。
背景技術
従来、２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体の製造法として、以下の様な方法が知られている。
（１）３−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンを出発物質とし、３，５−ジヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を経由して３，５，６−トリヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を合成する方法。（特開平４−１７３７６７）
（２）３，４−ジヒドロキシブチルニトリルのアセトニドを出発物質とし、３，５−ジヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を経由して３，５，６−トリヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を合成する方法。（特開平２−２６２５３７）
（３）４−クロロ−アセト酢酸エステルをベンジロキシ化した後、還元、増炭等の工程を経て３，５，６−トリヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体に変換する方法。（特開平６−６５２２６）
（４）４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エステルを出発物質とし、増炭、還元等の工程を経て３，５，６−トリヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を合成する方法。（ＵＳ５２７８３１３）
（５）リンゴ酸を出発物質とし、２，４−ジヒドロキシアジピン酸誘導体を経由して３，５，６−トリヒドロキシヘキサン酸エステル誘導体を合成する方法。（特開平４−６９３５５）
しかしこれらの方法は、その製造工程の一部に−８０℃付近の超低温反応や（１、２、４、５）、１００ｋｇ／ｃｍ２もの高圧水素化反応（３）を含んでおり、特別な反応設備を必要としている。また随所に高価な原料を使用しているなど、工業的な生産を行う上で効率的な方法ではない。
例えば従来技術（４）においては、第１工程で４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エステルに対し、酢酸ｔｅｒｔ−ブチルのエノラートを−７８℃の超低温下で高価なリチウムヘキサメチルジシラジドを塩基に用いて反応させ、第２工程では、再び−７８℃の超低温下で高価なジエチルメトキシボランと水素化ホウ素ナトリウムを用い立体選択的還元を行う。さらに第４工程で、高価な１−メチル−２−ピロリジノンを溶媒とし、高価な酢酸テトラｎ−ブチルアンモニウムでアセトキシ化反応を行う。
発明の要約
上記に鑑み、本発明の目的は、医薬品中間体として有用な下記一般式（Ｉ）；
0003803551.tif 000002
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）で示される光学活性２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体を、超低温反応設備などの特別な設備を使わず、安価な原料から簡便に製造できる方法を提供することにある。
本発明者らは、上記現状に鑑み鋭意検討を行った結果、低温反応設備などの特別な設備を使わず、安価で入手容易な原料から下記一般式（Ｉ）；
0003803551.tif 000003
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）で示される光学活性２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体の簡便な製造法を開発するに至った。
すなわち、本発明は、（１）下記一般式（ＩＩ）；
0003803551.tif 000004
（式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表す。）で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基または０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートを、下記一般式（ＩＩＩ）；
0003803551.tif 000005
（式中、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物に−３０℃以上の温度で反応させ、下記一般式（ＩＶ）；
0003803551.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造する工程、及び（２）この化合物を微生物を用いて還元することにより下記一般式（Ｖ）；
0003803551.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ）で表される化合物を製造する工程、及び（３）この化合物を酸触媒下、アセタール形成反応剤で処理することにより下記一般式（ＶＩ）；
0003803551.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｘ１は上記に同じ。Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される化合物を製造する工程、及び（４）この化合物を、アシルオキシ化剤でアシルオキシ化することにより下記一般式（ＶＩＩ）；
0003803551.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は上記に同じ。Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基のいずれかを表す。）で表される化合物を製造する工程、及び（５）この化合物を塩基存在下に加溶媒分解する工程からなる下記一般式（Ｉ）；
0003803551.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は、上記に同じ。）で表される光学活性２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体の製造法である。
発明の開示
以下に本発明を詳述する。
本発明は下記反応式で表されるように、（１）から（５）の５工程の非超低温反応から成立する。
0003803551.tif 000011
以下、本発明を工程ごとに順をおって詳述する。
工程（１）
本工程において、下記一般式（ＩＩ）；
0003803551.tif 000012
で表される酢酸エステル誘導体に対し、塩基または０価の金属のいずれかを作用させて調製されるエノラートを、下記一般式（ＩＩＩ）；
0003803551.tif 000013
で表される（３Ｓ）体の立体配置を有するヒドロキシ酪酸誘導体に−３０℃以上の温度で反応させ、下記一般式（ＩＶ）；
0003803551.tif 000014
で表される（５Ｓ）体の立体配置を有するヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を製造する。
一般に、酢酸エステル等のエノラートが関与する反応を、−３０℃以上といった非超低温反応で行うと、エノラートの自己縮合が主に進行し、目的反応の変換率を著しく低下させる結果となる。しかし、本発明者らにより開発された下記の方法によると、酢酸エノラートの自己縮合を最小限に制御でき、目的反応を高収率で実行することが可能となった。
工程（１）で用いられるヒドロキシ酪酸誘導体、下記一般式（ＩＩＩ）；
0003803551.tif 000015
で表される化合物において、３−位における立体配置は（Ｓ）体であり、Ｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基などがあげられ、好ましくはメチル基またはエチル基があげられる。より好ましくはエチル基である。
また、Ｘ１は、ハロゲン原子を表し、具体的には、塩素、臭素、ヨウ素などがあげられ、好ましくは塩素、臭素があげられる。より好ましくは塩素である。
尚、（３Ｓ）配置を有する光学活性なヒドロキシ酪酸誘導体は公知の方法（例えば、特許第１７２３７２８号明細書）により大量生産が可能である。
工程（１）で用いられる酢酸エステル誘導体において、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基などがあげられ、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基があげられる。
また、Ｘ２は、水素またはハロゲン原子を表し、具体的には、水素、塩素、臭素、ヨウ素などがあげられ、好ましくは水素、臭素などがあげられる。
酢酸エステル誘導体の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、１モル当量から１０モル当量であり、好ましくは１モル当量から５モル当量である。
工程（１）では、酢酸エステル誘導体に対し、塩基または０価の金属のいずれかを作用させてエノラートを調製する。
一般に、酢酸エステルのＸ２が水素であるとき、エノラート調製に塩基が用いられ、Ｘ２がハロゲン原子のとき、エノラート調製に０価の金属が用いられる。
エノラート調製時に用いられる塩基として、例えば、リチウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等のリチウムアミド類、あるいは、塩化マグネシウムジイソプロピルアミド、臭化マグネシウムジイソプロピルアミド、ヨウ化マグネシウムジイソプロピルアミド、塩化マグネシウムジシクロヘキシルアミド等のマグネシウムアミド類、あるいは、ナトリウムアミド、ナトリウムジイソプロピルアミド等のナトリウムアミド類、あるいは、カリウムアミド、カリウムジイソプロピルアミド等のカリウムアミド類、あるいは、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム類、あるいは、メチルマグネシウムブロミド、ｉ−プロピルマグネシウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロリド等のグリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬類、あるいは、ナトリウムメトキシド、マグネシウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド、あるいは、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物があげられる。
塩基として好ましくは、金属水素化物、マグネシウムアミド類、リチウムアミド類あるいはグリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬等である。
尚、これらの塩基は単独もしくは組み合わせて使用する。例えば、リチウムアミド類や金属水素化物は、グリニャール試薬やマグネシウムアミド類等のマグネシウム含有塩基と組み合わせると効果的である。
マグネシウム含有塩基は、塩基と、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム等のマグネシウム化合物を組み合わせて用いてもよい。
マグネシウムアミドは下記一般式（ＶＩＩＩ）；
0003803551.tif 000016
で表される。ここでＲ６、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表し、具体的には、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、フェニルジメチルシリル基などがあげられ、好ましくはイソプロピル基があげられる。またＸ３はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素、臭素、ヨウ素などがあげられる。より好ましくは塩素である。
尚、マグネシウムアミドは、安価で入手容易な第２アミンとグリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬とから公知の方法（例えば特開平８−５２３４２０明細書）により調製できる。あるいは、リチウムアミドとマグネシウムハロゲン化物とから公知の方法（例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９１，５６，５９７８−５９８０）により調製できる。
リチウムアミドは下記一般式（Ｘ）；
0003803551.tif 000017
で表される。ここでＲ９、Ｒ１０は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、または、シリル基のいずれかを表し、具体的には、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、フェニルジメチルシリル基などがあげられ、好ましくはイソプロピル基があげられる。
グリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬は、下記一般式（ＩＸ）；
0003803551.tif 000018
で表される。ここでＲ８は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基などがあげられ、好ましくはメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などがあげられる。より好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基である。またＸ４はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素、臭素、ヨウ素などがあげられる。より好ましくは塩素である。
工程（１）における塩基の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、１モル当量から１０モル当量であり、好ましくは２モル当量から６モル当量である。
工程（１）のエノラート調製時に使用できる０価の金属は、亜鉛、マグネシウム、スズ等であり、好ましくは、亜鉛、マグネシウムである。
工程（１）における０価の金属の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、１モル当量から２０モル当量であり、好ましくは２モル当量から８モル当量である。
工程（１）において、使用できる溶媒としては、例えば、非プロトン性の有機溶媒が挙げられる。上記有機溶媒として、例えばベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。上記溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。上記溶媒においては、ベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒等が好ましく、より好ましくは、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のポリエーテル系溶媒である。ポリエーテル系溶媒は、単独溶媒として使用してもよいが、他の反応溶媒中にこれらを添加物としてヒドロキシ酪酸誘導体に対し１モル当量から１０モル当量程度添加するだけでもよい。なかでも好ましいのはジメトキシエタンである。
工程（１）の反応温度は、好ましくは−３０℃から１００℃、より好ましくは−１０℃から６０℃である。
工程（１）において、反応剤の混合順序は任意であるが、ヒドロキシ酪酸誘導体を、塩基で予め処理してもよい。好ましくは、塩基、及び、マグネシウム化合物で予め処理するとよい。
塩基として好ましくは、金属水素化物、リチウムアミド類等が挙げられる。
マグネシウム化合物として、好ましくは、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム等が挙げられる。
塩基とマグネシウム化合物は、別々の化合物でなくてもよく、マグネシウム含有塩基を使用してもよい。
好ましいマグネシウム含有塩基の例としては、メチルマグネシウムブロミド、ｉ−プロピルマグネシウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロリド等のグリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬、あるいは、塩化マグネシウムジイソプロピルアミド、臭化マグネシウムジイソプロピルアミド、ヨウ化マグネシウムジイソプロピルアミド、塩化マグネシウムジシクロヘキシルアミド等のマグネシウムアミド類等が挙げられる。
ヒドロキシ酪酸を予め処理する際、ヒドロキシ酪酸誘導体と酢酸エステル誘導体の混合溶液に対して処理を行ってもよい。前処理の後、更に、リチウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等のリチウムアミド類あるいはマグネシウムアミド類等の塩基又は塩基の溶液を滴下して反応を行うとよい。
前処理における塩基の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、０．０１モル当量から３モル当量であり、好ましくは、０．５モル当量から１．５モル当量である。
前処理におけるマグネシウム化合物の使用量は、ヒドロシキ酪酸誘導体に対し、０．１モル当量から１０モル当量であり、好ましくは、０．５モル当量から１．５モル当量である。
前処理におけるマグネシウム含有塩基の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、０．０１モル当量から３モル当量であり、好ましくは、０．５モル当量から１．５モル当量である。
前処理の後に作用させる塩基の使用量は、ヒドロキシ酪酸誘導体に対し、１モル当量から２０モル当量であり、好ましくは、２モル当量から８モル当量である。
このように、工程（１）において、ヒドロキシ酪酸誘導体を、塩基、及び、マグネシウム誘導体で前処理した後、引き続き、酢酸エステル誘導体の共存下、塩基を作用させることにより、好適に実施できる。
また、ヒドロキシ酪酸誘導体を、グリニャール試薬で予め処理し、酢酸エステル誘導体に対し、０価の金属を作用させて調製されるエノラートと反応させてもよい。
工程（１）において、反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液と、一般的な無機または有機酸、例えば塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、クエン酸等を混合し、一般的な抽出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等一般的な手法により精製を行い、さらに純度を高めてもよい。
工程（２）
本工程において、工程（１）で得られた下記一般式（ＩＶ）；
0003803551.tif 000019
で表される（５Ｓ）体の立体配置を有するヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を微生物を用いて還元することにより、下記一般式（Ｖ）；
0003803551.tif 000020
で表される（３Ｒ，５Ｓ）体の立体配置を有するジヒドロキシヘキサン酸誘導体を製造する。
一般に上記のようなヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体のカルボニル基を高立体選択的に還元する場合、超低温条件下、アルキルボランの存在下に水素化ホウ素ナトリウム等のヒドリド還元剤で還元する方法がとられる（例えば、ＵＳ５２７８３１３）。
本発明において本発明者らは、ヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を安価に非超低温下で立体選択的に還元するべく、微生物を用いた還元法を開発した。
工程（２）で用いられる、ヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を還元して、ジヒドロキシヘキサン酸誘導体に変換する微生物は、以下に説明する方法によって見い出すことができる。例えば、グルコース５％、ペプトン０．５％、リン酸二水素カリウム０．２％、リン酸水素二カリウム０．１％、硫酸マグネシウム０．０２％、酵母エキス０．１％の組成からなるＡ培地５０ｍＬ（ｐＨ６．５）を５００ｍＬ容坂口フラスコに入れ殺菌後、微生物を植え、３０℃で２〜３日間振とう培養する。その後、菌体を遠心分離によって集め、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを０．１〜０．５％およびグルコース５％を含んだリン酸緩衝液２５ｍＬに懸濁し、５００ｍＬ容坂口フラスコ中で２〜３日間３０℃で振とうする。変換反応ののち反応液と同体積の酢酸エチルを加え抽出を行ない生成する６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを高速液体クロマトクロマトグラフィー（カラム：ナカライテスク社製コスモシール５ＣＮ−Ｒ（４．６ｍｍｘ２５０ｍｍ）、溶離液：１ｍＭリン酸水溶液／アセトニトリル＝５／１、流速：０．７ｍＬ／ｍｉｎ、検出：２１０ｎｍ、カラム温度：３０℃、溶出時間（（３Ｓ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル：１２．５分、（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル：１３．５分、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル：１７分）により分析する。
また、工程（２）で用いられる、ヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を還元して、ジヒドロキシヘキサン酸誘導体に変換する細菌は、以下に説明する方法によって見い出すことができる。例えば、肉エキス１％、ポリペプトン１％、イーストエキス０．５％、グルコース０．５％の組成からなるＢ培地７ｍＬ（ｐＨ７．０）を大型試験管に入れ殺菌後、細菌を植え、３０℃で１／２日間振とう培養する。その後、菌体を遠心分離によって集め、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを０．１〜０．５％およびグルコースを含んだリン酸緩衝液０．５ｍＬに懸濁し、１０ｍＬ容の栓付き試験管中で１〜２日間３０℃で振とうする。変換反応ののち反応液と同体積の酢酸エチルを加え抽出を行い生成する６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを高速液体クロマトグラフィーにより分析する。
本発明に使用しうる微生物としては、ホルモアスカス属、キャンディダ属、クリプトコッカス属、デバリオマイセス属、ゲオトリカム属、クライシア属、ハンゼヌーラ属、クルイベロマイセス属、ピキア属、ヤマダジーマ属、ロードトルラ属、サッカロマイセス属、チゾブラストスポロン属、チゴサッカロマイセス属に属する微生物が使用しうる。具体的には例えば、ホルモアスカス・プラティポディス（Ｈｏｒｍｏａｓｃｕｓ  ｐｌａｔｙｐｏｄｉｓ）ＩＦＯ１４７１、キャンディダ・カティヌラータ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｃａｔｅｎｕｌａｔａ）ＩＦＯ０７４５、キャンディダ・ディバーサ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｄｉｖｅｒｓａ）ＩＦＯ１０１９、キャンディダ・フラクタス（Ｃａｎｄｉｄａ  ｆｒｕｃｔｕｓ）ＩＦＯ１５８１、キャンディダ・グラエボーサ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｇｌａｅｂｏｓａ）ＩＦＯ１３５３、キャンディダ・グイラーモンディー（Ｃａｎｄｉｄａ  ｇｕｉｌｌｉｅｒｍｏｎｄｉｉ）ＩＦＯ０４５４、クリプトコッカス・フミコーラ（Ｃｒｙｐｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｈｕｍｉｃｏｌａ）ＩＦＯ０７６０、キャンディダ・インターメディア（Ｃａｎｄｉｄａ  ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａ）ＩＦＯ０７６１、キャンディダ・マグノリエ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｍａｇｎｏｌｉａｅ）ＩＦＯ０７０５、キャンディダ・ムサエ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｍｕｓａｅ）ＩＦＯ１５８２、キャンディダ・ピントロペジー・バラエティ・ピントロペジー（Ｃａｎｄｉｄａ  ｐｉｎｔｏｌｏｐｅｓｉｉ  ｖａｒ．ｐｉｎｔｏｌｏｐｅｎｉｉ）ＩＦＯ０７２９、キャンディダ・ピナス（Ｃａｎｄｉｄａ  ｐｉｎｕｓ）ＩＦＯ０７４１、キャンディダ・サケ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｓａｋｅ）ＩＦＯ０４３５、キャンディダ・ソノレンシス（Ｃａｎｄｉｄａ  ｓｏｎｏｒｅｎｓｉｓ）ＩＦＯ１００２７、キャンディダ・トロピカリス（Ｃａｎｄｉｄａｔｒｏｐｉｃａｌｉｓ）ＩＦＯ１４０１、クリプトコッカス・ラウレンティー（Ｃｒｙｐｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｌａｕｒｅｎｔｉｉ）ＩＦＯ０６０９、クリプトコッカス・テレウス（Ｃｒｙｐｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｔｅｒｒｅｕｓ）ＩＦＯ０７２７、デバリオマイセス・ハンセニー・バラエティ・ファブリー（Ｄｅｂａｒｙｏｍｙｃｅｓ  ｈａｎｓｅｎｉｉ  ｖａｒ．ｆａｂｒｙｉ）ＩＦＯ００５８、ゲオトリカム・エリエンス（Ｇｅｏｔｒｉｃｈｕｍ  ｅｒｉｅｎｓｅ）ＡＴＣＣ２２３１１、クライシア・カプスラータ（Ｋｕｒａｉｓｈｉａ  ｃａｐｓｕｌａｔａ）ＩＦＯ０７２１、クルイベロマイセス・マルキアヌス（Ｋｌｕｙｖｅｒｏｍｙｃｅｓ  ｍａｒｘｉａｎｕｓ）ＩＦＯ０２８８、ピキア・ボビス（Ｐｉｃｈｉａ  ｂｏｖｉｓ）ＩＦＯ１８８６、ヤマダジーマ・ハプロフィア（Ｙａｍａｄａｚｙｍａ  ｈａｐｌｏｐｈｉｌａ）ＩＦＯ０９４７、ピキア・メンブランファシエンス（Ｐｉｃｈａ  ｍｅｍｂｒａｎａｅｆａｃｉｅｎｓ）ＩＦＯ０４５８、ロードトルーラ・グルチニス（Ｒｈｏｄｏｔｏｒｕｌａ  ｇｌｕｔｉｎｉｓ）ＩＦＯ１０９９、サッカロマイセス・セレビシエ（Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ  ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ）ＩＦＯ０７１８、シゾブラストスポリオン・コバヤシー（Ｓｃｈｉｚｏｂｌａｓｔｏｓｐｏｒｉｏｎ  ｋｏｂａｙａｓｉｉ）ＩＦＯ１６４４、キャンディダ・クラウセニー（Ｃａｎｄｉｄ���  ｃｌａｕｓｓｅｎｉｉ）ＩＦＯ０７５９、デバリオマイセス・ロウベルティー（Ｄｅｂａｒｙｏｍｙｃｅｓ  ｒｏｂｅｒｔｓｉｉ）ＩＦＯ１２７７、チゴサッカロマイセス・ロウジー（Ｚｙｇｏｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ  ｒｏｕｘｉｉ）ＩＦＯ０４９３などを用いることができる。これら微生物は一般に、入手または購入が容易な保存株から得ることができる。また、自然界から分離することもできる。なお、これらの微生物に変異を生じさせてより本反応に有利な性質を有する菌株を得ることもできる。
また、本発明に使用しうる微生物としては、ブレビバクテリウム属、コリネバクテリウム属、ロドコッカス属に属する細菌が使用しうるが、具体的には例えば、ブレビバクテリウム・スタチオニス（Ｂｒｅｖｉｂａｃｔｅｒｉｕｍ  ｓｔａｔｉｏｎｉｓ）ＩＦＯ１２１４４、コリネバクテリウム・アンモニアゲネス（Ｃｏｒｙｎｅｂａｃｔｅｒｉｕｍ  ａｍｍｏｎｉａｇｅｎｅｓ）ＩＦＯ１２０７２、コリネバクテリウム・フラベセンス（Ｃｏｒｙｎｅｂａｃｔｅｒｉｕｍ  ｆｌａｖｅｓｃｅｎｓ）ＩＦＯ１４１３６、コリネバクテリウム・グルタミカム（Ｃｏｒｙｎｅｂａｃｔｅｒｉｕｍ  ｇｌｕｔａｍｉｃｕｍ）ＡＴＣＣ１３２８７、ロドコッカス・エリスロポリス（Ｒｈｏｄｏｃｏｃｃｕｓ  ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｌｉｓ）ＩＡＭ１４７４などを用いることができる。これら細菌は一般に、入手または購入が容易な保存株から得ることができる。また、自然界から分離することもできる。なお、これらの微生物に変異を生じさせてより本反応に有利な性質を有する菌株を得ることもできる。
これらの微生物の培養には、通常これらの微生物が資化しうる栄養源であれば何でも使用しうる。たとえば、グルコース、シュークロース、マルトース等の糖類、乳酸、酢酸、クエン酸、プロピオン酸等の有機酸類、エタノール、グリセリン等のアルコール類、パラフィン等の炭化水素類、大豆油、菜種油等の油脂類、またはこれらの混合物等の炭素源や、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、尿素、酵母エキス、肉エキス、ペプトン、コーンスチープリカー等の窒素源を混合することもできる。更に、その他の無機塩、ビタミン類等の栄養源を適宜混合することもできる。
微生物の培養は通常一般の条件により行なうことができ、例えば、ｐＨ４．０〜９．５、温度範囲２０℃〜４５℃の範囲で、好気的に１０〜９６時間培養する。ヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体に微生物を反応させる場合においては、通常、上記微生物の培養液をそのまま反応に使用することもできるが、培養液の濃縮物も用いることができる。また、培養液中の成分が反応に悪影響を与える場合には、培養液を遠心分離等により処理して得られる菌体または菌体処理物を使用することが好ましい。
上記微生物の菌体処理物としては特に限定されず、例えば、アセトンや五酸化二リンによる脱水処理またはデシケーターや扇風機を利用した乾燥によって得られる乾燥菌体、界面活性剤処理物、溶菌酵素処理物、固定化菌体または菌体を破砕した無細胞抽出標品などをあげることができる。更に、培養物より不斉還元反応を触媒する酵素を精製し、これを使用してもよい。
還元反応の際には、基質であるヒドロキシオキソヘキサン酸誘導体を反応の初期に一括して添加してもよく、反応の進行にあわせて分割して添加してもよい。
また、反応時の温度は通常１０〜６０℃、好ましくは、２０〜４０℃であり、反応時のｐＨは２．５〜９、好ましくは、５〜９である。
反応液中の微生物の濃度はこれらの基質を還元する能力に応じ適宜決定すればよい。また、反応液中の基質濃度は０．０１〜５０％（Ｗ／Ｖ）が好ましく、より好ましくは、０．１〜３０％である。
反応は通常、振とうまたは通気攪拌しながら行なう。反応時間は基質濃度、微生物の濃度およびその他の反応条件により適宜決定される。通常、２〜１６８時間で反応が終了するように各条件を設定することが好ましい。
還元反応を促進させるために、反応液にグルコース、エタノールなどのエネルギー源を１〜３０％の割合で加えると優れた結果が得られるので好ましい。また、一般に生物学的方法による還元反応に必要とされている還元型ニコチンアミド・アデニンジヌクレオチド（ＮＡＤＨ）、還元型ニコチンアミド・アデニンジヌクレオチドりん酸（ＮＡＤＰＨ）等の補酵素を添加することにより、反応を促進させることもできる。具体的には、反応液に直接これらを添加してもよく、ＮＡＤＨ、ＮＡＤＰＨを生成する反応系を酸化型の補酵素とともに反応液に添加してもよい。例えば、ギ酸脱水素酵素がギ酸から二酸化炭素と水とを生成する際にＮＡＤをＮＡＤＨに還元する反応系や、グルコース脱水素酵素がグルコースからグルコノラクトンを生成する際にＮＡＤまたはＮＡＤＰをＮＡＤＨまたはＮＡＤＰＨにそれぞれ還元する反応系を利用することができる。また、トリトン（ナカライテスク社製）、スパン（関東化学社製）、ツイーン（ナカライテスク社製）などの界面活性剤を反応液に添加することも効果的である。さらに、基質および／または還元反応の生成物であるアルコール体による反応の阻害を回避する目的で、酢酸エチル、酢酸ブチル、イソプロピルエーテル、トルエンなどの水に不溶な有機溶媒を反応液に添加してもよい。さらに、基質の溶解度を高める目的で、メタノール、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシドなどの水に可溶な有機溶媒を添加することもできる。
還元反応により生成したジヒドロキシヘキサン酸誘導体の採取は、反応液から直接、あるいは菌体等を分離後、酢酸エチル、トルエン等の溶剤で抽出し、脱溶剤することにより行なう。さらに、再結晶操作、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等により精製すれば高純度のジヒドロキシヘキサン酸誘導体を得ることができる。
工程（３）
本工程において、工程（２）で得られた、下記一般式（Ｖ）；
0003803551.tif 000021
で表される（３Ｒ，５Ｓ）体の立体配置を有するジヒドロキシヘキサン酸誘導体を、公知のアセタール形成反応、例えば、酸触媒下、アセタール形成反応剤で処理することにより下記一般式（ＶＩ）；
0003803551.tif 000022
で表される（４Ｒ，６Ｓ）体の立体配置を有するハロメチルジオキサニル酢酸誘導体を製造する。
工程（３）において、使用できるアセタール形成反応剤としては、例えば、ケトン、アルデヒド、アルコキシアルカン、アルコキシアルケン等が挙げられる。上記ケトン、アルデヒド、アルコキシアルカン、アルコキシアルケンの具体例としては、例えば、アセトン、シクロヘキサノン、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ジメトキシメタン、２，２−ジメトキシプロパン、２−メトキシプロペン、１，１−ジメトキシシクロヘキサン等が挙げられる。好ましくは、アセトン、２−メトキシプロペン、２，２−ジメトキシプロパンである。
工程（３）において使用する、アセタール形成反応剤の使用量は、ジヒドロキシヘキサン酸誘導体に対し、好ましくは１〜１０モル当量であり、より好ましくは１〜５モル当量である。また、反応を速やかに促進させる目的で、アセタール形成反応剤を反応溶媒として使用することができる。
工程（３）において、使用できる酸触媒は、ルイス酸又はブレンステッド酸である。上記ルイス酸、ブレンステッド酸としては、例えば、三塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素、二塩化亜鉛、四塩化スズ等のルイス酸；シュウ酸、ギ酸、酢酸、安息香酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸；メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸；塩酸、硫酸、硝酸、ホウ酸等の無機酸等が挙げられる。好ましくは、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸である。
工程（３）において使用する、酸触媒の使用量は、ジヒドロキシヘキサン酸誘導体に対し、好ましくは０．００１〜０．５モル当量であり、より好ましくは０．００５〜０．１モル当量である。
工程（３）の反応は、無溶媒でも実施できるが、各種有機溶媒を反応溶媒に使用してもよい。上記有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒；ジメチルホルムアミド、アセトアミド、ホルムアミド、アセトニトリル等の含窒素系溶媒；ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。上記有機溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。好ましくは、トルエン、アセトン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、ホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン等である。
工程（３）の反応温度は、−２０℃から１００℃、好ましくは０℃から５０℃である。
工程（３）の反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な抽出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。また、反応終了後、直ちに減圧加熱等の操作により反応溶媒を留去してから同様の操作を行ってもよい。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等一般的な手法により精製を加え、さらに純度を高めてもよい。
工程（３）によって得られる、下記一般式（ＶＩ）；
0003803551.tif 000023
で表されるハロメチルジオキサニル酢酸誘導体において、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基である。
また、Ｒ４、Ｒ５は、互いに結合して環を形成していてもよく、例えば、Ｒ４、Ｒ５が環を形成してシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、ベンゾシクロペンタン環等となって、１，３−ジオキサン環とスピロ構造を形成している場合があげられる。
工程（４）
本工程において、工程（３）で得られた、下記一般式（ＶＩ）；
0003803551.tif 000024
で表される（４Ｒ，６Ｓ）体の立体配置を有するハロメチルジオキサニル酢酸誘導体を、アシルオキシ化剤でアシルオキシ化することにより下記一般式（ＶＩＩ）；
0003803551.tif 000025
で表される（４Ｒ，６Ｓ）体の立体配置を有するアシルオキシメチルジオキサニル酢酸誘導体を製造する。
ここでＲ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基等であり、好ましくは、メチル基である。
工程（４）におけるアシルオキシ化剤として、例えば下記一般式（ＸＩ）；
0003803551.tif 000026
で表される４級アンモニウムカルボン酸塩が使用できる。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基等であり、好ましくは、ｎ−ブチル基である。
ここで用いられる４級アンモニウムカルボン酸塩の使用量は、ハロメチルジオキサニル酢酸誘導体に対し、１モル当量から５モル当量、好ましくは１モル当量から３モル当量である。
また、４級アンモニウムカルボン酸塩の他に、工程（４）におけるアシルオキシ化剤として、例えば下記一般式（ＸＩＩ）；
0003803551.tif 000027
で表される４級アンモニウム塩と下記一般式（ＸＩＩＩ）；
0003803551.tif 000028
で表されるカルボン酸塩の混合物もまた使用できる。
上記の４級アンモニウム塩とカルボン酸塩の混合物によるアシルオキシ化反応は、高価な４級アンモニウムカルボン酸塩を使用せず、比較的高価な４級アンモニウム塩を少量の使用で済ますことができる手法であり、本発明者らによって新たに開発されたものである。
上記４級アンモニウム塩において、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基等であり、好ましくは、ｎ−ブチル基である。
また、Ｘ５は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アシルオキシ基等であり、具体的には、塩素、臭素、ヨウ素、ヒドロキシ基、アセトキシ基、ブチロキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基等であり、好ましくは、塩素、臭素、ヒドロキシ基、アセトキシ基があげられる。より好ましくは塩素又は臭素である。
上記４級アンモニウム塩の使用量は、ハロメチルジオキサニル酢酸誘導体に対し、０．０５モル当量〜２モル当量であり、好ましくは触媒として化学量論量以下、具体的には０．１モル当量から０．９モル当量の量である。
上記カルボン酸塩において、Ｒ３は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基等であり、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロベンジル基等であり、好ましくは、メチル基である。
Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム等があげられ、好ましくはナトリウム、カリウム等が挙げられる。
ｎはＭの価数に従い、１または２の整数を示す。
上記カルボン酸塩の使用量は、ハロメチルジオキサニル酢酸誘導体に対し、１モル当量〜１５モル当量であり、好ましくは１モル当量から５モル当量である。
また、４級アンモニウム塩のＸ５とカルボン酸塩のＭとの好ましい組み合わせは、４級アンモニウム塩のＸ５が塩素でカルボン酸塩のＭがナトリウムの時と、４級アンモニウム塩のＸ５が臭素でカルボン酸塩のＭがカリウムの時である。
工程（４）の反応において、各種有機溶媒を反応溶媒に使用できる。上記有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、ホルムアミド、アセトニトリル等の含窒素系溶媒；ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。上記有機溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、ホルムアミド、アセトニトリル等の含窒素系溶媒；ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等であり、より好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。
工程（４）の反応温度は、０℃から２００℃、好ましくは５０℃から１５０℃である。
工程（４）の反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な抽出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。また、反応終了後、直ちに減圧加熱等の操作により反応溶媒を留去してから同様の操作を行ってもよい。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等一般的な手法により精製を加え、さらに純度を高めてもよい。
工程（５）
本工程において、工程（４）で得られた下記一般式（ＶＩＩ）；
0003803551.tif 000029
で表される（４Ｒ，６Ｓ）体の立体配置を有するアシルオキシメチルジオキサニル酢酸誘導体を、公知の方法等により、塩基存在下に加溶媒分解して一般式（Ｉ）；
0003803551.tif 000030
で表される（４Ｒ，６Ｓ）体の立体配置を有するヒドロキシメチルジオキサニル酢酸誘導体化合物を製造する。
工程（５）の加溶媒分解において使用できる塩基は、無機または有機塩基、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化リチウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等であり、好ましくは炭酸カリウムである。
この場合の塩基の使用量はアシルオキシメチルジオキサニル酢酸誘導体に対し、０．００１当量から５当量、好ましくは、０．０１当量から１．０当量である。
工程（５）では、加溶媒分解を行うために、水またはプロトン性の有機溶媒、あるいは、水またはプロトン性有機溶媒と非プロトン性有機溶媒の混合溶媒中で反応を行う。上記プロトン性有機溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、メトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルアミン、ピロリジン、ピペリジン等のアミン系溶媒；等が挙げられる。上記非プロトン性有機溶媒として、例えば、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒；ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等の含窒素系溶媒；ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。
好ましくは水、メタノール、エタノール等が挙げられる。
工程（５）の反応温度は、−２０℃から１００℃、好ましくは−１０℃から５０℃である。
反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な抽出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。また、反応終了後、直ちに減圧加熱等の操作により反応溶媒を留去してから同様の操作を行ってもよい。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等一般的な手法により精製を加え、さらに純度を高めてもよい。
発明を実施するための最良の形態
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
実施例１
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
アルゴン雰囲気下ｎ−ブチルマグネシウムクロリドのトルエン／テトラヒドロフラン（重量比１：２．５）混合溶液（１．８ｍｏｌ／ｋｇ）１６．７ｇ（３０ｍｍｏｌ）に、撹拌下４０℃で、ジイソプロピルアミン３．３４ｇ（３３ｍｍｏｌ）を滴下し、塩化マグネシウムジイソプロピルアミド液を調製した。
（３Ｓ）−４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル（特許第１７２３７２８号明細書）１．０ｇ（６．０ｍｍｏｌ）と酢酸ｔｅｒｔ−ブチル１．７４ｇ（１５ｍｍｏｌ）を５．０ｍＬのジメトキシエタンに溶解し、アルゴン雰囲気下、０〜５℃で撹拌した。この溶液に先に調製した塩化マグネシウムジイソプロピルアミド液を３時間かけて滴下し、さらに２０℃で１６時間撹拌した。
別の容器で、濃塩酸７．８８ｇ、水２０ｇ、酢酸エチル２０ｍＬを撹拌混合し、上記の反応液をここに注いだ。静置の後、有機層を分離し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、減圧下に溶媒を留去した。
残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｍｅｒｃｋ社製Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ６０、ヘキサン：酢酸エチル＝８０：２０）にて精製し、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル１．１４ｇ（無色油状物）を収率８０％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ／ｐｐｍ）；１．４８（９Ｈ，ｓ），２．８４（１Ｈ，ｄｄ），２．９１（１Ｈ，ｄｄ），３．０５（１Ｈ，ｂｓ），３．４１（２Ｈ，ｓ），３．５５−３．６４（２Ｈ，ｍ），４．２８−４．３６（１Ｈ，ｍ）
比較例１
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
（３Ｓ）−４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル１．０ｇ（６．０ｍｍｏｌ）と酢酸ｔｅｒｔ−ブチル２．７８ｇ（２４ｍｍｏｌ）を５．０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、アルゴン雰囲気下、０〜５℃で撹拌した。この溶液にリチウムジイソプロピルアミド２４ｍｍｏｌ含有のテトラヒドロフラン溶液を２０分かけて滴下し、さらに５〜２０℃で１６時間撹拌した。
別の容器で、濃塩酸６．３１ｇ、水２０ｇ、酢酸エチル２０ｍＬを撹拌混合し、上記の反応液をここに注いだ。静置の後、有機層を分離し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、減圧下に溶媒を留去した。
残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｍｅｒｃｋ社製Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ６０、ヘキサン：酢酸エチル＝８０：２０）にて精製し、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル８６ｍｇ（無色油状物）を収率６％で得た。
実施例２
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
（３Ｓ）−４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル３．０ｇ（１８．０ｍｍｏｌ）と酢酸ｔｅｒｔ−ブチル５．２２ｇ（４５ｍｍｏｌ）と塩化マグネシウム６．８６ｇ（７２ｍｍｏｌ）を１０．０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、アルゴン雰囲気下、０〜５℃で撹拌した。この溶液にリチウムジイソプロピルアミド９０ｍｍｏｌ含有のテトラヒドロフラン溶液を１時間かけて滴下し、さらに２５℃で３時間撹拌した。
別の容器で、濃塩酸２１．７ｇ、水３０ｇ、酢酸エチル３０ｍＬを撹拌混合し、上記の反応液をここに注いだ。静置の後、有機層を分離し、水で２回洗浄後、減圧下で溶媒を留去し、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルを含む赤色の油状物を５．６２ｇ得た。
この油状物を、高速液体クロマトグラフィー（カラム：ナカライテスク社製コスモシール５ＣＮ−Ｒ（４．６ｍｍｘ２５０ｍｍ）、溶離液：水／アセトニトリル＝９／１、流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出：２１０ｎｍ、カラム温度：４０℃、）で分析した結果、反応収率は６５％であった。
実施例３
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
アルゴン雰囲気下ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）１５０ｍＬ（２４０ｍｍｏｌ）に、撹拌下５℃で、ジイソプロピルアミン２６．７１ｇ（２６４ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１８．８ｇからなる溶液を滴下し、リチウムジイソプロピルアミド液を調製した。
（３Ｓ）−４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル１２．５ｇ（７５ｍｍｏｌ）と酢酸ｔｅｒｔ−ブチル１７．４ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、アルゴン雰囲気下、０〜５℃で撹拌した。この溶液に、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロライドのトルエン／テトラヒドロフラン（重量比１：２．５）混合溶液（１．８ｍｏｌ／ｋｇ）４２．９ｇ（７５ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、さらに５℃で３０分攪拌した。ここに、先に調製したリチウムジイソプロピルアミド液を３時間かけて滴下し、さらに５℃で１６時間撹拌した。
別の容器で、濃塩酸６０．３８ｇ、水３１．３ｇ、酢酸エチル５０ｍＬを撹拌混合し、上記の反応液をここに注いだ。静置の後、有機層を分離し、水で２回洗浄後、減圧下に溶媒を留去し、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルを含む赤色の油状物を２２．０ｇ得た。
このものの反応収率を実施例２に記載の方法により分析したところ、７８％であった。
実施例４
（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
前記のＡ培地５０ｍＬを５００ｍＬ容坂口フラスコに入れ殺菌後、表１に示す微生物をそれぞれ植菌した。そして３０℃で２日間好気的に振とう培養を行なった。この培養液から遠心分離によって菌体を集め、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例１に記載の方法にて合成）１％、グルコース２％５０ｍＭリン酸緩衝液（ｐＨ６．５）２５ｍＬに懸濁し、５００ｍＬ容坂口フラスコに入れて３０℃、２０時間振とう反応させた。反応後、反応液に同体積の酢酸エチルを加えて２回抽出し、酢酸エチル相を高速液体クロマトグラフィー（カラム：ナカライテスク社製コスモシール５ＣＮ−Ｒ（４．６ｍｍｘ２５０ｍｍ）、溶離液：１ｍＭリン酸水溶液／アセトニトリル＝５／１、流速：０．７ｍＬ／ｍｉｎ、検出：２１０ｎｍ、カラム温度：３０℃、）で分析して、反応率および生成した（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルのジアステレオマー比を測定した。その結果を表１に示す。
0003803551.tif 000031
実施例５
（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
Ａ培地３Ｌを含む５Ｌ容ミニジャーファーメンターに、キャンディダ・マグノリエ（Ｃａｎｄｉｄａ  ｍａｇｎｏｌｉａｅ）ＩＦＯ０７０５を植菌し、３０℃、通気０．５ｖｖｍ、攪拌５００ｒｐｍにて２４時間培養した。培養終了後、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例１に記載の方法にて合成）３０ｇとグルコース６０ｇを添加し、ｐＨを苛性ソーダで６．５に保ちながら１８時間反応させた。反応終了後遠心分離により菌体を除去した上清を、酢酸エチル１．５Ｌで２回抽出した。得られた有機相を無水芒晶で脱水したのち減圧下脱溶剤し、固体の（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル２４ｇを得た。このもののジアステレオマー比を実施例４記載の方法により分析したところ、（３Ｒ，５Ｓ）／（３Ｓ，５Ｓ）＝１００／０であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ／ｐｐｍ）；１．４７（９Ｈ，ｓ），１．６２−１．７８（２Ｈ，ｍ），２．４３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．５１−３．５８（２Ｈ，ｍ），３．７５（１Ｈ，ｂｓ），３．８４（１Ｈ，ｂｓ），４．０７−４．１３（１Ｈ，ｍ），４．２３−４．２８（１Ｈ，ｍ）
実施例６
２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（クロロメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル
（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例５に記載の方法にて合成）１．０８ｇ（４．５２ｍｍｏｌ）をアセトン４．０ｍＬに溶解し、２，２−ジメトキシプロパン０．８３ｍＬ（６．８ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸８．６ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を順次加え、室温で４．５時間撹拌した。減圧下に反応溶媒と過剰の２，２−ジメトキシプロパンを留去し、残査に飽和重曹水１０ｍＬを加え、ｎ−ヘキサンで３回抽出した。
抽出した有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（クロロメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル１．２５ｇ（無色油状物）を収率９９％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ／ｐｐｍ）；１．２５（１Ｈ，ｄｄ），１．３９（３Ｈ，ｓ），１．４５（９Ｈ，ｓ），１．４７（３Ｈ，ｓ），１．７７（１Ｈ，ｄｔ），２．３３（１Ｈ，ｄｄ），２．４６（１Ｈ，ｄｄ），２．４０（１Ｈ，ｄｄ），２．５１（１Ｈ，ｄｄ），４．０３−４．１０（１Ｈ，ｍ），４．２５−４．３０（１Ｈ，ｍ）
実施例７
２−｛（４Ｒ，６Ｓ）−２，２−ジメチル−６−［（メチルカルボニルオキシ）メチル］−１，３−ジオキサン−４−イル｝酢酸ｔｅｒｔ−ブチル
２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（クロロメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例６に記載の方法にて合成）１．００ｇ（３．６０ｍｍｏｌ）、臭化テトラｎ−ブチルアンモニウム１．１６ｇ（３．６０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム１．７６ｇ（１８．０ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍＬ中に懸濁し、１００℃で２０時間撹拌した。室温まで冷却の後、水２０ｍＬを加え、ｎ−ヘキサンで３回抽出した。
抽出した有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｍｅｒｃｋ社製Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ６０、ヘキサン：酢酸エチル＝８０：２０）にて精製し、２−｛（４Ｒ，６Ｓ）−２，２−ジメチル−６−［（メチルカルボニルオキシ）メチル］−１，３−ジオキサン−４−イル｝酢酸ｔｅｒｔ−ブチル０．８８ｇ（白色固体）を収率８１％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ／ｐｐｍ）；１．２７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２３．９，１１．７Ｈｚ），１．３９（３Ｈ，ｓ），１．４５（９Ｈ，ｓ），１．４７（３Ｈ，ｓ），１．５７（１Ｈ，ｄｍ，Ｊ＝１０．３Ｈｚ），２．０８（３Ｈ，ｓ），２．３２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１，５．９Ｈｚ），２．４５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１，６．８Ｈｚ），３．９７−４．１６（３Ｈ，ｍ），４．２５−４．３３（１Ｈ，ｍ）
実施例８
２−｛（４Ｒ，６Ｓ）−２，２−ジメチル−６−［（メチルカルボニルオキシ）メチル］−１，３−ジオキサン−４−イル｝酢酸ｔｅｒｔ−ブチル
２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（クロロメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例６に記載の方法にて合成）１．００ｇ（３．６０ｍｍｏｌ）、塩化テトラｎ−ブチルアンモニウム０．５ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム０．８９ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍＬ中に懸濁し、１００℃で２０時間撹拌した。室温まで冷却の後、水２０ｍＬを加え、ｎ−ヘキサンで３回抽出した。
抽出した有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。残査に再びｎ−ヘキサン８．０ｍＬを加え、５０℃で加熱溶解した後、−２０℃まで冷却した。析出した結晶をろ別、冷ｎ−ヘキサンによる洗浄、減圧下に乾燥させて、２−｛（４Ｒ，６Ｓ）−２，２−ジメチル−６−［（メチルカルボニルオキシ）メチル］−１，３−ジオキサン−４−イル｝酢酸ｔｅｒｔ−ブチル０．７６ｇ（白色針状結晶）を収率７０％で得た。
実施例９
２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（ヒドロキシメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル
２−｛（４Ｒ，６Ｓ）−２，２−ジメチル−６−［（メチルカルボニルオキシ）メチル］−１，３−ジオキサン−４−イル｝酢酸ｔｅｒｔ−ブチル（実施例８の方法により調製）１０ｇ（３３．１ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのメタノールに溶解し、氷冷撹拌下、炭酸カリウム０．４６ｇ（３．３ｍｍｏｌ）を加え、そのまま氷冷撹拌を４時間継続した。この反応液から減圧下に反応溶媒を留去し、水５０ｍＬを加え、０．１Ｎ塩酸にて中和した。上記溶液を酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を、水洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。残査として得られた油状物を、真空ポンプを用いて１Ｔｏｒｒ以下の高真空下におき、溶媒をほぼ完全に除去して、２−［（４Ｒ，６Ｓ）−６−（ヒドロキシメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸ｔｅｒｔ−ブチル８．６ｇ（無色油状物）を収率１００％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ／ｐｐｍ）；１．２９−１．５２（２Ｈ，ｍ），１．３９（３Ｈ，ｓ），１．４５（９Ｈ，ｓ），１．４７（３Ｈ，ｓ），２．０５（１Ｈ，ｂｓ），２．３３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１，５．９Ｈｚ），２．４４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１，６．８Ｈｚ），３．４７−３．５３（１Ｈ，ｍ），３．５８−３．６４（１Ｈ，ｍ），３．９９−４．０４（１Ｈ，ｍ），４．２７−４．３３（１Ｈ，ｍ）
実施例１０
（３Ｒ，５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
前記のＢ培地７ｍＬを大型試験管に入れ殺菌後、表２に示す細菌をそれぞれ植菌した。そして３０℃で１日間好気的に振とう培養を行った。この培養液から遠心分離によって菌体を集め、（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル０．５％、グルコース１．５％、５０ｍＭリン酸緩衝液（ｐＨ６．５）０．５ｍＬに懸濁し、１０ｍＬ容栓付き試験管に引れ３０℃、２０時間振とう反応させた。反応後、反応液に０．５ｍＬの酢酸エチルを加えて抽出し、酢酸エチル相を高速液体クロマトグラフィー（カラム：ナカライテクス社製コスモシール５ＣＮ−Ｒ（４．６ｍｍ×２５０ｍｍ）、溶離液：１ｍＭリン酸水溶液／アセトニトリル＝５／１、流速：０．７ｍＬ／ｍｉｎ、検出：２１０ｎｍ、カラム温度：３０℃）で分析して、反応率及び生成した（３Ｒ、５Ｓ）−６−クロロ−３，５−ジヒドロキシヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチルのジアステレオマー比を測定した。その結果を表２に示す。
0003803551.tif 000032
実施例１１
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
アルゴン雰囲気下、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５ｍｏｌ／Ｌ）１５ｍＬ（２４０ｍｍｏｌ）に、攪拌下５℃で、ジイソプロピルアミン２．６７ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン５ｍｌからなる溶液を滴下し、リチウムジイソプロピルアミド液を調製した。
水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル混合物）２４０ｍｇ（６ｍｍｏｌ相当）をヘキサンで洗浄し、テトラヒドロフラン６ｍｌを加え、塩化マグネシウム１．７１ｇ（１８．０ｍｍｏｌ）、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル１．７４ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、（３Ｓ）−４−クロロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル１．０ｇ（６ｍｍｏｌ）を、５℃で添加し３０分間攪拌した。この液に、先に調製したリチウムジイソプロピルアミド液を同温度で１０分かけて滴下し、更に２５℃まで昇温し３時間攪拌した。
濃硫酸６．４７ｇ、水１０ｍｌの混合液に、攪拌下、上記反応液を注いだ。水層を分離し有機層を水１０ｍｌで洗浄した後、減圧下に溶媒を留去し、油状物１．７８ｇを得た。これを実施例２に記載の方法により分析したところ、収率６４％であった。
比較例２
（５Ｓ）−６−クロロ−５−ヒドロキシ−３−オキソヘキサン酸ｔｅｒｔ−ブチル
塩化マグネシウムを添加しないで、それ以外は、実施例１１と同様に操作を行った。これを実施例２に記載の方法により分析したところ、収率３％であった。
産業上の利用可能性
本発明は、上述の構成よりなるので、医薬品中間体、特にはＨＭＧ−ＣｏＡ還元酵素阻害剤中間体として有用な光学活性２−［６−（ヒドロキシメチル）−１，３−ジオキサン−４−イル］酢酸誘導体を、低温反応設備などの特別な設備を使わず、安価で入手容易な原料から製造することができる。