(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体において、感光層が炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位を有する架橋性ポリカーボネートを架橋した架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
架橋性ポリカーボネートが、炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位と下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を有し、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘度が０．０５〜２０．０ｄｌ／ｇであるものである請求項１記載の電子写真感光体。
【化１】
0003786741.tif 000151
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化２】
0003786741.tif 000152
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。］
【請求項３】
炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位が下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）である請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【化３】
0003786741.tif 000153
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、Ｒ2とＲ3とは炭素数１〜４のメチレン鎖で互いに連結されていてもよく、n1及びn2は各々独立に０又は１の整数を表す。）
【請求項４】
炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位が下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩＩ）である請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【化４】
0003786741.tif 000154
（式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n3及びn4は各々独立に０〜４の整数を表し、n5は０〜６の整数を表し、n6は１又は２であり、n1は０又は１であり、n14は１又は２であり、ただしn1＋n14は２である。）
【請求項５】
炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位が下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位（ＩＶ）である請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【化５】
0003786741.tif 000155
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n3、n4、n7及びn8は各々独立に０〜４の整数を表し、n5は各々独立に０〜６の整数を表し、n6は各々独立に１又は２であり、ただしn7＋n8は１〜８の整数であり、n3＋n7は０〜４の整数であり、n4＋n8は０〜４の整数であり、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化６】
0003786741.tif 000156
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。］
【請求項６】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体において、感光層が下記一般式（Ｖ）で表される末端基（Ｖ）を有する架橋性ポリカーボネートを架橋した架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化７】
0003786741.tif 000157
（式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n5は０〜６の整数を表し、n6は１又は２であり、n9は０〜４の整数を表し、n10は１〜５の整数を表し、n9＋n10は１〜５の整数を表す。）
【請求項７】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体において、感光層が下記一般式（ＶＩ）で表される末端基（ＶＩ）を有する架橋性ポリカーボネートを架橋した架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化８】
0003786741.tif 000158
（式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n9は０〜４の整数を表し、n13は０〜５の整数を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、Ｒ2とＲ3とは炭素数１〜４のメチレン鎖で互いに連結されていてもよく、n11及びn12は各々独立に０又は１であり、n11＋n12は１又は２であり、n2は０又は１である。）
【請求項８】
架橋性ポリカーボネートが、さらに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を有し、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘度が０．０５〜２０．０ｄｌ／ｇであるものである請求項６又は７記載の電子写真感光体。
【化９】
0003786741.tif 000159
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化１０】
0003786741.tif 000160
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。］
【請求項９】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体において、感光層がエポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位或はエポキシ基と結合可能な基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートをエポキシ基を有する化合物により架橋した架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１０】
架橋性ポリカーボネートが、エポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位と下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を有し、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘度が０．０５〜２０．０ｄｌ／ｇであるものである請求項９記載の電子写真感光体。
【化１１】
0003786741.tif 000161
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化１２】
0003786741.tif 000162
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。］
【請求項１１】
エポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位が下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＶＩＩＩ）である請求項９又は１０記載の電子写真感光体。
【化１３】
0003786741.tif 000163
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n3及びn4は各々独立に０〜４の整数を表し、Ｖは
【化１４】
0003786741.tif 000164
（式中、Ｒは上記と同じ意味を有し、n5は０〜６の整数を表わし、ＦＧは
【化１５】
0003786741.tif 000165
を表し、Ｒ7及びＲ8は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
【請求項１２】
エポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位が下記一般式（ＩＸ）で表される繰り返し単位（ＩＸ）である請求項９又は１０記載の電子写真感光体。
【化１６】
0003786741.tif 000166
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n3、n4、n7及びn8は各々独立に０〜４の整数を表し、n5は各々独立に０〜６の整数を表し、ただし、n7＋n8は１〜８の整数であり、n3＋n7は０〜４の整数であり、n4＋n8は０〜４の整数であり、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化１７】
0003786741.tif 000167
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表し、ＦＧは
【化１８】
0003786741.tif 000168
を表し、Ｒ7及びＲ8は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基を表し、同一繰り返し単位中に存在する２つの−ＣＯＯＨ基は下記式（ｂ）
【化１９】
0003786741.tif 000169
の構造をとっていてもよい。］
【請求項１３】
架橋性ポリカーボネートが、エポキシ基と結合可能な基を持つ末端基と下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を有し、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘度が０．０５〜２０．０ｄｌ／ｇであるものである請求項９記載の電子写真感光体。
【化２０】
0003786741.tif 000170
［式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【化２１】
0003786741.tif 000171
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。］
【請求項１４】
エポキシ基と結合可能な基を有する末端基が下記一般式（Ｘ）で表される末端基（Ｘ）である請求項９又は１０記載の電子写真感光体。
【化２２】
0003786741.tif 000172
（式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、n5は０〜６の整数を表し、n9は０〜４の整数を表し、n10は１〜５の整数を表し、n9＋n10は１〜５の整数を表し、ＦＧは
【化２３】
0003786741.tif 000173
を表し、Ｒ7及びＲ8は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基を表し、同一繰り返し単位中に存在する２つの−ＣＯＯＨ基は下記式（ｂ）
【化２４】
0003786741.tif 000174
の構造をとっていてもよい。。）
【請求項１５】
エポキシ基と結合可能な基を有する末端基が下記一般式（ＸＩ）で表される末端基（ＸＩ）である請求項９又は１３記載の電子写真感光体。
【化２５】
0003786741.tif 000175
（式中、n5は０〜６の整数を表し、ＦＧは
【化２６】
0003786741.tif 000176
を表し、Ｒ7及びＲ8は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体に関し、より詳しくは、長時間にわたり繰り返し使用に対して優れた機械的強度及び電子写真特性を維持し、種々の電子写真分野に好適に利用できる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の電子写真分野においては、積層型の電子写真感光体、即ち、感光層が、露光により電荷を発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷を輸送する電荷輸送層（ＣＴＬ）との少なくとも２層を有する積層型の有機電子写真感光体（ＯＰＣ）や、感光層が電荷発生物質及び電荷輸送物質をバインダー樹脂に分散させた単一層からなる単層型の電子写真感光体が提案され利用されている。
【０００３】
一方、電子写真感光体には、適応される電子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、光学特性を備えていることが要求される。特に、繰り返し使用される感光体には、その感光体の表面層、即ち基体（通常は導電性基板）より最も離れて位置する層には、コロナ帯電、トナー現像、紙への転写、クリーニング処理等の際に、電気的、機械的外力が直接に加えられるため、それらに対する耐久性が要求される。具体的には、摩擦による表面の摩耗や傷の発生、高温下においてのコロナ帯電時に発生するオゾンによる表面の劣化などに対する耐久性が要求される。そこで、このような要求に対応するために、上記積層型の電子写真感光体の電荷輸送層や単層型電子写真感光体の感光層のバインダー樹脂としては、電荷輸送物質との相溶性がよく、しかも機械強度が高いビスフェノールＡあるいはビスフェノールＺを原料とするポリカーボネート樹脂が広く利用されてきた。しかしながら、このビスフェノールＡやビスフェノールＺを原料とするポリカーボネート樹脂をもってしても上記要求を満足させるには不十分である。
【０００４】
すなわち、ビスフェノールＡやビスフェノールＺを原料とするポリカーボネート樹脂は、溶媒に溶解させて感光層を形成するための塗工液を調製する際に、塗工液が白化又はゲル化し、塗工、乾燥後の感光層が結晶化を起こすことがある。この結晶化を起こした部分では、光減衰がなく、電荷は残留電位となって残り、画質上ディフェクトとなって出現する。
【０００５】
また、ビスフェノールＡやビスフェノールＺを原料とするポリカーボネート樹脂を用いた感光体はその表面硬度不足から、摩耗や傷の発生が起こり耐久性に劣る。
これらの問題を解決すべく、剛直成分であるビフェノール骨格を共重合により導入したポリカーボネート（特開平４−１７９９６１号公報）、及びビニル型架橋構造の導入（特開平４−２９１３４８号公報）等が提案されている。しかし、剛直成分としてビフェノール骨格を導入したポリカーボネートに関しては、分子鎖の絡み合いが十分でなく、機械的強度が不足しているため、十分な耐摩耗性が得られていない。また、ビニル型架橋ポリカーボネートにおいては、耐摩耗性にある程度の向上はみられるが依然十分ではなく、また、架橋にラジカル化学種が用いられるため、ラジカル化学種に敏感な電荷発生物質、電荷輸送物質などの劣化の問題が生じている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、バインダー樹脂としてビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、４，４′−ビフェノール、ビニル架橋性ビスフェノールを原料とする上記のポリカーボネートを用いた電子写真感光体に認められる上記の問題点を解決し、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさず、かつ、高い表面硬度及び耐摩耗性を有するポリカーボネートを用いて作製される長期間に亘って優れた電子写真特性を維持する電子写真感光体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記問題点を解決すべく研究を重ねた結果、電荷輸送層のバインダー樹脂原料であるポリカーボネートをイオン機構により三次元網目構造に架橋させることにより、分子鎖が十分に絡み合って高い表面硬度及び耐摩耗性が向上し、しかも、イオン機構で架橋するため、ラジカルに敏感な電荷発生物質や電荷輸送物質の劣化も防ぐことができ、その結果長期間の繰り返し使用に対しても優れた耐摩耗性及び電子写真特性に優れた電子写真感光体が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体において、感光層がイオン機構で架橋した架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有することを特徴とする電子写真感光体を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の電子写真感光体は上記特定の物質で形成された感光層が導電性基体上に形成されたものである限り、その構造に特に制限はなく、単層型、積層型等の公知の種々の形式の電子写真感光体はもとより、どのようなものとしてもよい。積層型電子写真感光体は、通常、感光層が電荷発生物質を含有する少なくとも１層の電荷発生層と、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する少なくとも１層の電荷輸送層とを有するものであり、単層型電子写真感光体は、通常、感光層が電荷発生物質、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する１層のみからなるものである。
【００１０】
架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂とする電子写真感光体は、通常、導電性基体上に架橋前の架橋性ポリカーボネート及び架橋剤を含有する感光層を形成した後、この架橋性ポリカーボネートを架橋させることによって製造される。
本発明の電子写真感光体の製造においては、架橋性ポリカーボネートの架橋は、架橋剤を用いるイオン機構による架橋反応によって行う。
【００１１】
イオン機構による架橋反応は、求核性基を持つ架橋性ポリカーボネートと求電子性架橋剤の反応による架橋、求電子性基を持つ架橋性ポリカーボネートと求核性架橋剤の反応による架橋、ルイス酸により重合を起こす反応基を持つ架橋性ポリカーボネートとルイス酸性架橋剤による架橋、及び、求核性基をもつ架橋性ポリカーボネートと求電子性基を持つ架橋性ポリカーボネートとの反応による架橋が挙げられる。
【００１２】
求核性基としては−ＯＨ（エポキシ基の開環による生じる−ＯＨも含む）、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＮＨ2、−ＮＲＨ、−ＮＲ2等が挙げられる。求電子性基としてはエポキシ基、ハロゲン基、カルボニル基、シアノ基、イソシアネート基、イミノ基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。ルイス酸により重合反応を起こす反応基としては、エポキシ基、カルボニル基、ビニル基などが挙げられる。
【００１３】
求核性架橋剤としては、脂肪族ポリアミン、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス−アミノプロピルピペラジン、ジシアンジアミド、ポリオキシプロピレンジアミン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、イソホロンジアミン等、芳香族アミン、例えば、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、フェニレンジアミン、トルイレンジアミン、キシリレンジアミン等、３級アミン、例えばジメチルアミノメチルフェノール、更に、ケチミン、イミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。
【００１４】
求電子性架橋剤としては、酸無水物、例えば、無水マレイン酸、無水ドデセニルこはく酸、無水クロレンディック酸、無水セバシン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、シクロペンタン・テトラカルボン酸二水和物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラメチレン無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル・テトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸等、イソシアナート、ブロックイソシアナート、エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：通常、１５０〜４０００）、ノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量：通常、１５０〜４０００）多塩基酸のグリシジルエステル、多価アルコールのグリシジルエーテル、多価アミンのグリシジル付加体等のグリシジル型樹脂等）、及びジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の非グリシジル型樹脂などが挙げられる。
【００１５】
ルイス酸性架橋剤としては、ハロゲン化ホウ素錯化合物、例えば、３フッ化ホウ素・モノメチルアミン錯化合物、３フッ化ホウ素・トリエタノールアミン錯化合物、３フッ化ホウ素・ピペリジン錯化合物、３フッ化ホウ素・ｎ−ブチルエーテル錯化合物、３フッ化ホウ素・アミン錯化合物などが挙げられる。
上記のうち、求核性基と求電子性架橋剤の全ての組み合わせ、求電子性基と求核性架橋剤の全ての組み合わせ、及びルイス酸による重合反応を起こす反応基とルイス酸性架橋剤の全ての組み合わせにより、本発明におけるバインダー樹脂材料であるイオン架橋ポリカーボネートが生成可能である。中でも好ましい組み合わせは以下の通りである。
（１）架橋性ポリカーボネートが求核性基としてアミノ基、特に−ＮＨ2又は−ＮＨＲ2を持つもので、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂；
（２）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＣＯ2Ｈ又は−（ＣＯ2）Ｏを持つもので、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂；
（３）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＯＨを持つものであり、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂；
（４）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＳＨを持つものであり、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂；
（５）架橋性ポリカーボネートが求電子性基としてエポキシ基を有するものであり、求核性架橋剤が脂肪族ポリアミン；
（６）架橋性ポリカーボネートがルイス酸により重合反応を起こす反応基としてエポキシ基を有するものであり、ルイス酸性架橋剤がハロゲン化ホウ素。
【００１６】
即ち、本発明においては、イオン機構で架橋反応しうる官能基を有するポリカーボネートとして、炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位或は炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネート、又は、エポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位或はエポキシ基と結合可能な基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートを用いることが好ましい。
【００１７】
また、これらの架橋性ポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘度が通常０．０５〜２０．０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．１〜５．０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．１〜０．５ｄｌ／ｇであることが望ましい。還元粘度が０．１ｄｌ／ｇ未満の架橋性ポリカーボネートを用いると、架橋後であっても得られる架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有する層の表面硬度が不足し、電子写真感光体表面が摩耗しやすくなることがある。また、架橋性ポリカーボネートの還元粘度が２０．０ｄｌ／ｇを超えると、架橋性ポリカーボネートの溶液粘度が上昇し、塗工液の塗布による電子写真感光体の製造が困難になることがある。
【００１８】
炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位或は炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートとしては、特に、下記構造を有するものが好適である。
【００１９】
【化２８】
0003786741.tif 000002
【００２０】
［式中、ｓ、ｔ及びｕはモル数を表し、
Ａは下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を表し、
【００２１】
【化２９】
0003786741.tif 000003
【００２２】
（式中、Ｒは各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ5Ｒ6−（Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の置換若しくは無置換の１，１−シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基又は下記式（ａ）
【００２３】
【化３０】
0003786741.tif 000004
【００２４】
（式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基を表す。）
Ｗ1は下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）を表し、
【００２５】
【化３１】
0003786741.tif 000005
【００２６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキルオキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基又は炭素数６〜１２のアリールチオ基を表し、Ｒ2とＲ3とは炭素数１〜４のメチレン鎖で互いに連結されていてもよく、n1及びn2は各々独立に０又は１の整数を表す。）
【００２７】
【化３２】
0003786741.tif 000006
【００２８】
（式中、Ｒ、Ｒ1及びn1は上記と同じ意味を有し、n3及びn4は各々独立に０〜４の整数を表し、n5は０〜６の整数を表し、n6は１又は２であり、n14は１又は２であり、ただしn1＋n14は２である。）
【００２９】
【化３３】
0003786741.tif 000007
【００３０】
（式中、Ｒ、Ｙ、n3、n4、n5及びn6は上記と同じ意味を有し、n7及びn8は各々独立に０〜４の整数を表し、ただしn7＋n8は１〜８の整数であり、n3＋n7は０〜４の整数であり、n4＋n8は０〜４の整数である。）
Ｚ1は下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される末端基（Ｖ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）を表す。
【００３１】
【化３４】
0003786741.tif 000008
【００３２】
（式中、Ｒ、n5及びn6は上記と同じ意味を有し、n9は０〜４の整数を表し、n10は１〜５の整数を表し、ただしn9＋n10は１〜５の整数である。）
【００３３】
【化３５】
0003786741.tif 000009
【００３４】
（式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、n2及びn9は上記と同じ意味を有し、n13は０〜５の整数を表し、n11及びn12は各々独立に０又は１であり、n11＋n12は１又は２である。）
【００３５】
【化３６】
0003786741.tif 000010
【００３６】
（式中、n5は０〜６の整数を表し、n6は１又は２である。）］
エポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位又はエポキシ基と結合可能な基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートとしては、特に、下記構造を有するものが好適である。
【００３７】
【化３７】
0003786741.tif 000011
【００３８】
［式中、ｓ、ｔ及びｕはモル数を表し、
Ａは上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）を表し、
Ｗ2は下記一般式（ＶＩＩＩ）又は（ＩＸ）で表される繰り返し単位（ＶＩＩＩ）又は（ＩＸ）を表し、
【００３９】
【化３８】
0003786741.tif 000012
【００４０】
（式中、Ｒ、n3及びn4は上記と同じ意味を有し、Ｖは
【００４１】
【化３９】
0003786741.tif 000013
【００４２】
（式中、Ｒ及びn5は上記と同じ意味を有し、ＦＧは
【００４３】
【化４０】
0003786741.tif 000014
【００４４】
を表し、Ｒ7及びＲ8は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数５〜７の置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は炭素数６〜２４の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
【００４５】
【化４１】
0003786741.tif 000015
【００４６】
（式中、Ｒ、Ｙ、ＦＧ、n3、n4、n5、n7及びn8は上記と同じ意味を有し、同一繰り返し単位中に存在する２つの−ＣＯＯＨ基は下記式（ｂ）
【００４７】
【化４２】
0003786741.tif 000016
【００４８】
の構造をとっていてもよい。）
Ｚ2は下記一般式（Ｘ）又は（ＸＩ）で表される末端基（Ｘ）又は（ＸＩ）を表す。
【００４９】
【化４３】
0003786741.tif 000017
【００５０】
（式中、Ｒ、ＦＧ、n5、n9及びn10は上記と同じ意味を有する）
【００５１】
【化４４】
0003786741.tif 000018
【００５２】
（式中、ＦＧ及びn5は上記と同じ意味を有する。）］
上記の架橋性ポリカーボネートとしては、直鎖状、環状のいずれであってもよく、更に、合成時に末端停止剤や分岐剤等を用いることにより、ポリマー末端に特殊な末端構造や特殊な分岐構造が導入されているものであってもよい。
上記の炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ繰り返し単位或は炭素数２又は３の環状エーテル基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートにおいて、繰り返し単位Ａ及びＷ1並びに末端基Ｚ1のモル数を表すｓ、ｔ及びｕ、並びに、上記のエポキシ基と結合可能な基を持つ繰り返し単位又はエポキシ基と結合可能な基を持つ末端基を有する架橋性ポリカーボネートにおいて、繰り返し単位Ａ及びＷ2並びに末端基Ｚ2のモル数を表すｓ、ｔ及びｕは、ｓ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．９９、ｔ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．９９、ｕ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．３０、（ｓ＋ｔ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．０１〜１．００、（ｔ＋ｕ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．０１〜１．００の関係を有する。好ましくは、ｓ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．３０〜０．９５、ｔ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．７０、ｕ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．３０、（ｓ＋ｔ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．３０〜１．００、（ｔ＋ｕ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．０５〜０．７０である。より好ましくは、ｓ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．５０〜０．９０、ｔ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．５０、ｕ／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．００〜０．３０、（ｓ＋ｔ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．５０〜１．００、（ｔ＋ｕ）／（ｓ＋ｔ＋ｕ）＝０．１０〜０．５０である。
【００５３】
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表すハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、特に塩素原子が好ましい。
上記一般式中のＲ5及びＲ6が表す炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
【００５４】
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7及びＲ8が表す炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
【００５５】
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7及びＲ8が表す炭素数５〜１１のシクロアルキル基、並びにＲ5及びＲ6が表す炭素数５〜７のシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基が挙げられる。
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す炭素数１〜１０のアルキルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基が挙げられ、特にメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましい。
【００５６】
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す炭素数１〜１０のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基が挙げられ、特にメチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基が好ましい。
【００５７】
上記一般式中のＲ5及びＲ6が表す炭素数６〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びビフェニリル基が挙げられ、特にフェニル基が好ましい。
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7及びＲ8が表す炭素数６〜２４のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、アントラセニル基、フェナントレニル基が挙げられ、特にフェニル基が好ましい。
【００５８】
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す炭素数６〜１２のアリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ビフェニリルオキシ基が挙げられ、特にフェニルオキシ基が好ましい。
上記一般式中のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す炭素数６〜１２のアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ビフェニリルチオ基が挙げられ、特にフェニルチオ基が好ましい。
【００５９】
なお、上記のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8が表す各種アルキル基、並びに、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す各種アルキルオキシ基の置換基としては、各々独立に、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなるハロゲン基、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素、例えばフェニル基、ナフチル基及びビフェニル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びイソブトキシ基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、炭素数６〜１２のアリールチオ基、例えばフェニルチオ基が挙げられ、このうち１つ、又は複数の置換基が各々独立に、結合可能な全ての位置に結合することができる。
【００６０】
また、上記のＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8が表す各種アリール基、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7及びＲ8が表す各種シクロアルキル基、並びに、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が表す各種アリールオキシ基の置換基としては、各々独立に、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなるハロゲン基、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びイソブチル基、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素、例えばフェニル基、ナフチル基及びビフェニル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びイソブトキシ基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、炭素数６〜１２のアリールチオ基、例えばフェニルチオ基が挙げられ、このうち１つ、又は複数の置換基が各々独立に、結合可能な全ての位置に結合することができる。
【００６１】
上記の繰り返し単位（ＩＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００６２】
【化４５】
0003786741.tif 000019
【００６３】
上記の繰り返し単位（ＩＩＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００６４】
【化４６】
0003786741.tif 000020
【００６５】
上記の繰り返し単位（ＩＶ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００６６】
【化４７】
0003786741.tif 000021
【００６７】
上記の末端基（Ｖ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００６８】
【化４８】
0003786741.tif 000022
【００６９】
上記の末端基（ＶＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００７０】
【化４９】
0003786741.tif 000023
【００７１】
上記の末端基（ＶＩＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００７２】
【化５０】
0003786741.tif 000024
【００７３】
上記の繰り返し単位（ＶＩＩＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００７４】
【化５１】
0003786741.tif 000025
【００７５】
上記の繰り返し単位（ＩＸ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００７６】
【化５２】
0003786741.tif 000026
【００７７】
上記の末端基（Ｘ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００７８】
【化５３】
0003786741.tif 000027
【００７９】
上記の末端基（ＸＩ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００８０】
【化５４】
0003786741.tif 000028
【００８１】
上記のイオン機構で架橋反応しうる官能基を有する架橋性ポリカーボネートは、（１）イオン機構で架橋反応しうる官能基を有する２価フェノール類に、炭酸エステル形成性化合物を反応させることにより、又は（２）イオン機構で架橋反応しうる官能基を持たない２価フェノール類及びイオン機構で架橋反応しうる官能基を有する２価フェノール類に炭酸エステル形成性化合物を反応させることにより、又は（３）イオン機構で架橋反応しうる官能基を有する２価フェノール類及びイオン機構で架橋反応しうる官能基を有する１価フェノール又はアルコール類に炭酸エステル形成性化合物を反応させることにより、又は（４）イオン機構で架橋反応しうる官能基を持たない２価フェノール類、イオン機構で架橋反応しうる官能基を有する２価フェノール類及びイオン機構で架橋反応しうる官能基を有する１価フェノール又はアルコール類に炭酸エステル形成性化合物を反応させることにより、又は（５）イオン機構で架橋反応しうる官能基を持たない２価フェノール類及びイオン機構で架橋反応しうる官能基を有する１価フェノール又はアルコール類に炭酸エステル形成性化合物を反応させることにより、合成することができる。
【００８２】
また、イオン機構で架橋反応しうる官能基は、ポリカーボネートの重合を行った後に、高分子反応で導入することもできる。例えば、エポキシ基を有する架橋性ポリカーボネートは、エチレン性二重結合を有する２価フェノール類を用いてポリカーボネートを合成したのち、得られたポリカーボネートの酸化反応によりエポキシ化することができる。
【００８３】
上記各種のポリカーボネートの合成方式としては例えば、炭酸エステル形成性化合物としてホスゲン等を用い、適当な酸結合剤の存在下に上記１価及び２価フェノール類と重縮合させるか、或は炭酸エステル形成性化合物としてビスアリールカーボネートを用い、エステル交換反応を行う方式が挙げられる。１価及び２価フェノール類としては、特に制限はなく、公知のものを含む化合物から各々１種又は２種以上を任意に選択して用いることができる。
【００８４】
以下に、本発明に好適な前記架橋性ポリカーボネートの合成に用いられる１価及び２価フェノール類について説明する。
一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）の導入には、下記一般式（Ｉ′）で表される２価フェノール（Ｉ′）が用いられる。
【００８５】
【化５５】
0003786741.tif 000029
【００８６】
（式中、Ｒ、Ｙ、ａ及びｂは上記と同じ意味を有する。）
この一般式（Ｉ′）で表される２価フェノール類（Ｉ′）の具体例としては、例えば、４，４′−ジヒドロキシビフェニル、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル等の４，４′−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：ビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラフルオロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラクロロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラブロモビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル等のビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン類；４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノン；９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９−（４−ヒドロキシフェニル）−９−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等の９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニルフルオレン類などが挙げられる。
【００８７】
中でも好適に用いられる２価フェノール類は、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）プロパン、４，４′−ジヒドロキシビフェニル及びビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホンであり、特に２，２ービス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好適に用いられる。
【００８８】
これらの２価フェノールは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）の導入には、下記一般式（ＩＩ′−１）又は（ＩＩ′−２）で表される２価フェノール（ＩＩ′−１）又は（ＩＩ′−２）が用いられる。
【００８９】
【化５６】
0003786741.tif 000030
【００９０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、n1及びn2は上記と同じ意味を有する。）
これらの２価フェノール（ＩＩ′−１）及び（ＩＩ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００９１】
【化５７】
0003786741.tif 000031
【００９２】
上記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩＩ）の導入には、下記一般式（ＩＩＩ′−１）又は（ＩＩＩ′−２）で表される２価フェノール（ＩＩＩ′−１）又は（ＩＩＩ′−２）が用いられる。
【００９３】
【化５８】
0003786741.tif 000032
【００９４】
（式中、Ｒ、Ｒ1、n1、n3、n4、n5、n6及びn14は上記と同じ意味を有する。）
これらの２価フェノール（ＩＩＩ′−１）及び（ＩＩＩ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００９５】
【化５９】
0003786741.tif 000033
【００９６】
上記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位（ＩＶ）の導入には、下記一般式（ＩＶ′−１）又は（ＩＶ′−２）で表される２価フェノール（ＩＶ′−１）又は（ＩＶ′−２）が用いられる。
【００９７】
【化６０】
0003786741.tif 000034
【００９８】
（式中、Ｒ、Ｙ、n3、n4、n5、n6、n7及びn8は上記と同じ意味を有する。）
上記の２価フェノール（ＩＶ′−１）及び（ＩＶ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００９９】
【化６１】
0003786741.tif 000035
【０１００】
これらの２価フェノール（ＩＩ′−１）、（ＩＩ′−２）、（ＩＩＩ′−１）、（ＩＩＩ′−２）、（ＩＶ′−１）及び（ＩＶ′−２）は、各々単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記一般式（Ｖ）で表される末端基（Ｖ）の導入には、下記一般式（Ｖ′−１）又は（Ｖ′−２）で表される１価フェノール（Ｖ′−１）又は（Ｖ′−２）が用いられる。
【０１０１】
【化６２】
0003786741.tif 000036
【０１０２】
（式中、Ｒ、n5、n6、n9及びn10は上記と同じ意味を有する。）
上記の１価フェノール（Ｖ′−１）及び（Ｖ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１０３】
【化６３】
0003786741.tif 000037
【０１０４】
上記一般式（ＶＩ）で表される末端基（ＶＩ）の導入には、下記一般式（ＶＩ′−１）又は（ＶＩ′−２）で表される１価フェノール（ＶＩ′−１）又は（ＶＩ′−２）が用いられる。
【０１０５】
【化６４】
0003786741.tif 000038
【０１０６】
（式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、n2、n9、n11、n12及びn13は上記と同じ意味を有する。
上記の１価フェノール（ＶＩ′−１）及び（ＩＶ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１０７】
【化６５】
0003786741.tif 000039
【０１０８】
上記一般式（ＶＩＩ）で表される末端基（ＶＩＩ）の導入には、下記一般式（ＶＩＩ′−１）又は（ＶＩＩ′−２）で表される１価アルコール（ＶＩＩ′−１）又は（ＶＩＩ′−２）が用いられる。
【０１０９】
【化６６】
0003786741.tif 000040
【０１１０】
（式中、n5及びn6は上記と同じ意味を有する。）
上記の１価アルコール（ＶＩＩ′−１）及び（ＶＩＩ′−２）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１１１】
【化６７】
0003786741.tif 000041
【０１１２】
これらの１価フェノール（Ｖ′−１）、（Ｖ′−２）、（ＶＩ′−１）、（ＶＩ′−２）及び１価アルコール（ＶＩＩ′−１）及び（ＶＩＩ′−２）は、各々単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記一般式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＶＩＩＩ）の導入には、下記一般式（ＶＩＩＩ′）で表される２価フェノール（ＶＩＩＩ′）が用いられる。
【０１１３】
【化６８】
0003786741.tif 000042
【０１１４】
（式中、Ｒ、Ｖ、n3及びn4は上記と同じ意味を有する。）
上記の２価フェノール（ＶＩＩＩ′）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１１５】
【化６９】
0003786741.tif 000043
【０１１６】
上記一般式（ＩＸ）で表される繰り返し単位（ＩＸ）の導入には、下記一般式（ＩＸ′）で表される２価フェノール（ＩＸ′）が用いられる。
【０１１７】
【化７０】
0003786741.tif 000044
【０１１８】
（式中、Ｙ、ＦＧ、n3、n4、n5、n7及びn8は上記と同じ意味を有する。）
上記の２価フェノール（ＩＸ′）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１１９】
【化７１】
0003786741.tif 000045
【０１２０】
これらの２価フェノール（ＶＩＩＩ′）及び（ＩＸ′）は、各々単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記一般式（Ｘ）で表される末端基（Ｘ）の導入には、下記一般式（Ｘ′）で表される１価フェノール（Ｘ′）が用いられる。
【０１２１】
【化７２】
0003786741.tif 000046
【０１２２】
（式中、Ｒ、ＦＧ、n5、n9及びn10は上記と同じ意味を有する。）
上記の１価フェノール（Ｘ′）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１２３】
【化７３】
0003786741.tif 000047
【０１２４】
上記一般式（ＸＩ）で表される末端基（ＸＩ）の導入には、下記一般式（ＸＩ′）で表される１価アルコール（ＸＩ′）が用いられる。
【０１２５】
【化７４】
0003786741.tif 000048
【０１２６】
上記の１価アルコール（ＸＩ′）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【０１２７】
【化７５】
0003786741.tif 000049
【０１２８】
これらの１価フェノール（Ｘ′）及び１価アルコール（ＸＩ′）は、各々単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、上記各種２価フェノール、１価フェノール、１価アルコールのうち、エチレン性二重結合を有するものを用いてポリカーボネートを合成した場合は、得られたポリカーボネートを前駆体として、例えば、二重結合に対して過剰量のメタクロロ過安息香酸を塩化メチレン中で一昼夜ほど反応させることにより、エポキシ基を有する架橋性ポリカーボネートとすることができる。
【０１２９】
また、上記のイオン機構により架橋しうる官能基を有するポリカーボネートの合成に際しては、上記原料以外にも、必要に応じ、分岐剤、末端停止剤を用いてもよい。
分岐剤としては、３価以上のフェノール又はカルボン酸を用いることができる。
【０１３０】
分岐剤の例としては、フロログリシン、ピロガロール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、２，４−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−３−ヘプテン、１，３，５−トリス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル）プロパン、２，４−ビス｛２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル｝フェノール、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラキス（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノキシ）メタン、１，４−ビス（４′、４″−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５−クロロイサチン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブロモイサチン等が挙げられる。
【０１３１】
この中で好ましく用いられるのは、フロログリシン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等である。
末端停止剤としては、一価のカルボン酸及びその誘導体、一価のフェノールを用いることができる。
【０１３２】
具体的な例としては、フェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、ｐ−エチルフェノール，ｐ−プロピルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、ｐ−ぺンチルフェノール、ｐ−ヘキシルフェノール、ｐ−ヘプチルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−デシルフェノール、ｐ−ウンデシルフェノール、ｐ−ドデシルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ペンチル−４−メチルフェノール、３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−メチル−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール、２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルフェノール、２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチル−４−メチルフェノール、ｏ−アニソール、ｍ−アニソール、ｐ−アニソール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｍ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｏ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｐ−シアノフェノール、ｐ−ニトロフェノール、３−メチル−６−イソプロピルフェノール、２−メチル−５−イソプロピルフェノール、パーフルオロブタン酸、パーフルオロぺンタン酸、パーフルオロヘキサン酸、パーフルオロヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロノナン酸、パーフルオロデカン酸、パーフルオロウンデカン酸、パーフルオロドデカン酸、パーフルオロトリデカン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パーフルオロぺンタデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パーフルオロオクタデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオぺンタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロトリデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロオクタン酸、２Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，５Ｈ−パーフルオペンタン酸、２Ｈ，２Ｈ，６Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ，７Ｈ−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２Ｈ，８Ｈ−パーフルオロオクタン酸、２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１１Ｈ−パーフルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１２Ｈ−パーフルオロドデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１３Ｈ−パーフルオロウン��カン酸、又はこれらの酸ハロゲン化物、ｐ−（パーフルオロペンチル）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘキシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘプチル）フェノール、ｐ−（パーフルオロオクチル）フェノール、ｐ−（パーフルオロノニル）フェノール、ｐ−（パーフルオロデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロウンデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロペンタデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロブチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロオクチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロノニルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロデシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロウンデシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロペンタデシルオキシ）フェノール、４−パーフルオロオクチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロノニル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロウンデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロドデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロトリデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロテトラデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロペンタデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、３−メチル−４−パーフルオロノニルフェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロノニルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウンデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロドデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキシカルボニル）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロノニルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウンデシ��オキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロドデシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシルオキシ）フェノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロペンチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロヘキシル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロヘプチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロオクチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロノニル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロデシル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロウンデシル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロヘキサン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロヘプタン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロオクタン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロノナン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロウンデカン、（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロドデカン等が挙げられる。
【０１３３】
この中で好ましく用いられるのは、ｐ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−（パーフロオロノニルフェニル）フェノール、ｐ−（パーフルオロキシルフェニル）フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、１−（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカン、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキシカルボニル）フェノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノール、２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸等が挙げられる。
【０１３４】
末端停止剤（上記の炭素数２又は３の環状エーテル基又はエポキシ基と結合可能な基を持つ１価フェノール及び１価アルコールを含む。）及び分岐剤は、上記の２価フェノール類と共存させて使用するが、その方法としては、上記２種又は３種の原料化合物と最初から共存させて反応を行い高分子量化する方法、２価フェノール類からなるオリゴマーを作った後、高分子量化する際に両方とも共存させ高分子量化する方法、２価フェノール類からなるオリゴマーを作った後、先にオリゴマーに末端停止剤を共存させてオリゴマーと反応させ、次に分岐剤を共存させ高分子量化する方法、２価フェノール類からなるオリゴマーを作った後、先にオリゴマーに分岐剤を共存させてオリゴマーと反応させ、次に末端停止剤を共存させ高分子量化する方法等、各種の方法を採用することができる。
【０１３５】
炭酸エステル形成性化合物として前記ホスゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、クロロホルメート等のハロホルメート類、炭酸エステル化合物などを用い、酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応は、通常、溶媒中で行われる。ホスゲン等のガス状の炭酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好適に採用できる。
【０１３６】
炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整すればよい。
前記酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、ピリジン等の有機塩基或いはこれらの混合物などが用いられる。
【０１３７】
酸結合剤の使用割合も、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜定めればよい。具体的には、使用する２価フェノール類の合計モル数（通常１モルは２当量に相当）に対して２当量若しくはこれより過剰量、好ましくは２〜１０当量の酸結合剤を用いることが好ましい。
前記溶媒としては、公知のポリカーボネートの製造に使用されるものなど各種の溶媒を１種単独で或いは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例としては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンをはじめとするハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。互いに混ざり合わない２種の溶媒を用いて界面重縮合反応を行ってもよい。
【０１３８】
また、重縮合反応を促進するために、トリエチルアミン等の第三級アミン又は第四級アンモニウム塩などの触媒を添加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。反応は、通常、０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温度で行われる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいずれでも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自圧程度で好適に行い得る。反応時間は、反応温度等によって左右されるが、通常０．５分間〜１０時間、好ましくは１分間〜２時間程度である。
【０１３９】
また、まず２価フェノール類からなる反応原料の一部と炭酸エステル形成性物質とを反応させてオリゴマーを生成せしめ、次いで残りの反応原料を添加して重縮合を完結させる２段階法を用いることもできる。このような２段階法によれば、反応の制御が容易であり、精度の高い分子量コントロールを行うことができる。
【０１４０】
後者の２価フェノール類とビスアリールカーボネートとのエステル交換法に用いられるビスアリールカーボネートとしては、例えば、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。
このエステル交換法の反応形式としては、溶融重縮合法、固相重縮合法などが好適である。溶融重縮合法を行う場合は、２価フェノール類とビスアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温において溶融状態で反応させる。反応は、通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲の温度において行われる。固相重縮合法を行う場合は、２価フェノール類とビスアリールカボネートとを混合し、固相状態のまま、生成架橋性ポリカーボネートの融点以下の温度に加熱して重縮合を行う。いずれの場合においても、反応の最終段階で減圧度を好ましくは１ｍｍＨｇ以下にして、エステル交換反応により生成した上記ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に応じて前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して反応を行ってもよい。
【０１４１】
得られる架橋性ポリカーボネートの還元粘度を前記の範囲にするには、例えば、前記反応条件の選択、前記分岐剤や末端停止剤の使用量の調節など、各種の方法によってなすことができる。また、場合により、得られた架橋性ポリカーボネートに適宜物理的処理（混合、分画など）及び／又は化学的処理（ポリマー反応、架橋処理、部分分解処理など）を施して、所定の還元粘度の架橋性ポリカーボネートとして取得することもできる。
【０１４２】
架橋剤の使用量は、上記架橋性ポリカーボネート１重量部に対し、通常、０．０１〜１．０重量部、好ましくは０．０５〜０．５重量部とすることが好ましい。架橋剤の使用量が０．０１重量部未満では架橋が十分に進行せず、１．０重量部を超えると、未反応の架橋剤が架橋ポリカーボネートの耐摩耗性や電子写真感光体の電子写真特性に悪影響を及ぼすことがある。
【０１４３】
また、必要に応じて、フェノール系、トリフェニルホスフェート系、三級アミン系、イミダゾール系、ポリメルカプタン系等の硬化促進剤などを添加することもできる。
このイオン機構による架橋性ポリカーボネートの架橋反応は、架橋性ポリカーボネートを含有する感光層材料を導電性基体上に塗工した後、架橋剤に関する公知文献（大成社、架橋剤ハンドブック、２４４−２５７頁、１９８１、等）、ポリカーボネートに関する公知文献（日刊工業社、プラスチック材料講座［５］、ポリカーボネート樹脂、３９〜４３頁、等）、エポキシ樹脂に関する公知文献（接着の技術、１４、３、１〜３３頁、１９９４、等）などに記載された方法に準拠して行うことができる。
【０１４４】
例えば、架橋反応条件は、上記架橋性ポリカーボネート、架橋剤等の組み合わせ等で異なるが、架橋温度が５０℃〜２５０℃、好ましくは１００〜２００℃、架橋時間が５０時間以内、好ましくは１〜１０時間となる組み合わせを選択することが好ましい。架橋温度が５０℃未満であると、樹脂溶液の保存安定性が悪くなり、２５０℃を超えると加熱により電荷発生物質、電荷輸送物質等が劣化し、電子写真特性に悪影響を与えることがある。また、架橋時間が５０時間を超えると、電荷発生物質、電荷輸送物質等の加熱による劣化が進行すると共に、電子写真感光体の生産性が悪くなる。
【０１４５】
本発明の電子写真感光体は、感光層中のバインダー樹脂材料として、イオン機構により架橋反応しうる架橋性ポリカーボネートを用い、上記の架橋反応を行うことによって好適に製造することができる。
本発明の電子写真感光体に用いられる導電性基体の材料としては、公知のものなど各種のものを使用することができ、具体的にはアルミニウム、ニッケル、クロム、パラジウム、チタン、金、銀、銅、亜鉛、ステンレス、モリブデン、インジウム、白金、真鍮、酸化鉛、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ若しくはグラファイトの板、ドラム及びシート、並びに蒸着、スパッタリング、塗布等によりコーティングするなどして導電処理したガラス、布、紙若しくはプラスチックのフィルム、シート及びシームレスベルト、アルミニウム等の金属箔を積層したプラスチックフィルム、シート及びシームレスベルト、並びに金属板のフィルム状シート及びシームレスベルト、並びに電極酸化などにより金属酸化処理した金属ドラムなどを使用することができる。
【０１４６】
積層型電子写真感光体の電荷発生層は少なくとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発生層はその下地となる基板上に真空蒸着、スパッタ法、ＣＶＤ法等により電荷発生物質の層を形成せしめるか、又はその下地となる層上に電荷発生物質をバインダー樹脂を用いて結着してなる層を形成せしめることによって得ることができる。バインダー樹脂を用いる電荷発生層の形成方法としては公知の方法等、各種の方法を使用することができるが、通常、例えば、電荷発生物質をバインダー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解した塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥せしめる方法が好適に用いられる。
【０１４７】
前記電荷発生物質としては、公知のものなど各種のものを使用することができ、具体的には、非晶質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、テルル単体、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金等のセレンの合金、Ａｓ2Ｓｅ3等のセレン還元化合物若しくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化アンチモン、硫化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ等の合金、第１２族及び第１６族元素からなる無機材料、酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシリコンなどのシリコン系材料等の各種の無機材料、τ型無金属フタロシアニン、χ型無金属フタロシアニン等の無金属フタロシアニン顔料、α型銅フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ型銅フタロシアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フタロシアニン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタニルフタロシアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ型チタニルフタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニン、Ｆ型チタニルフタロシアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニン、Ｇ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニルフタロシアニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チタニルフタロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、Ｙ型チタニルフタロシアニン、オキソチタニウムフタロシアニン、Ｘ線回折図におけるブラック角２θが２７．３±０．２度に強い回折ピークを示すチタニルフタロシアニンなどの金属フタロシアニン顔料、シアニン染料、アントラセン顔料、ビスアゾ顔料、ピレン顔料、多環キノン顔料、キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ぺリレン顔料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料、ポリビニルカルバゾール、スクェアリウム顔料、アントアントロン顔料、ベンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、チオインジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクウェアリウム染料、トリアリールメタン染料、キサンチン染料、チアジン染料などが挙げられる。
【０１４８】
例えば、下記一般式で表されるような化合物が好適に用いられる。
【０１４９】
【化７６】
0003786741.tif 000050
【０１５０】
［式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は各々独立にピロール環上の２個の炭素原子と共に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環若しくは複素環を形成することができる原子団を表し、Ｍは２個の水素原子又は配位子を有していてもよい金属原子若しくは金属化合物を表す。］
【０１５１】
【化７７】
0003786741.tif 000051
【０１５２】
［式中、Ａｒ6は芳香族系炭化水素環又は複素環を含んでいてもよい共役系を有するｔ価の残基を表し、ｔは１以上の正数であり、Ｃｐは芳香族系水酸基を有するカップラー残基を表し、ｔが２以上の場合は、各々のＣｐは同一であっても異なっていてもよい。］
【０１５３】
【化７８】
0003786741.tif 000052
【０１５４】
［式中、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4及びＸ5は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表し、ＲP及びＲQは炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアリール基を表し、Ｘ2若しくはＸ3とＲP及びＸ4若しくはＸ5とＲQとで置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。］
フルオレン系ジスアゾ顔料としては、以下のような例がある。
【０１５５】
【化７９】
0003786741.tif 000053
【０１５６】
【化８０】
0003786741.tif 000054
【０１５７】
【化８１】
0003786741.tif 000055
【０１５８】
ペリレン系顔料としては、以下のような例がある。
【０１５９】
【化８２】
0003786741.tif 000056
【０１６０】
【化８３】
0003786741.tif 000057
【０１６１】
多環キノン顔料としては、以下のような例がある。
【０１６２】
【化８４】
0003786741.tif 000058
【０１６３】
アントアントロン顔料としては、以下のような例がある。
【０１６４】
【化８５】
0003786741.tif 000059
【０１６５】
ジベンズピレンキノン顔料としては、以下のような例がある。
【０１６６】
【化８６】
0003786741.tif 000060
【０１６７】
ピラントロン顔料としては、以下のような例がある。
【０１６８】
【化８７】
0003786741.tif 000061
【０１６９】
これらの顔料を単独または２種以上を混合して用いることもできる。
電荷発生層の厚さは、０．０１〜２．０μｍが好ましく、０．１〜０．８μｍがより好ましい。０．０１μｍ未満であると、電荷発生層を均一に形成することが困難であり、２．０μｍを超えると、電子写真特性が低下する傾向がある。
前記電荷発生層に用いられるバインダー樹脂としては、特に制限はなく、公知のものなど各種のものを使用できる。具体的には、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ボリカーボネート、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポリエステル、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、メタクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、ニトロセルロース、カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ビニルトルエン−スチレン共重合体、大豆油変性アルキッド樹脂、ニトロ化ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリチオカーボネート、ポリアリレート、ポリハロアリレート、ポリアリルエーテル、ポリビニルアクリレート、メラミン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステルアクリレート等の熱硬化性樹脂を使用することができる。
【０１７０】
上記電荷発生層におけるバインダー樹脂材料として上記の架橋性ポリカーボネートを上記架橋剤とともに使用することもできる。
次に、電荷輸送層は、下地となる層（例えば電荷発生層）上に、電荷輸送物質をバインダー樹脂で結着してなる層を形成することによって得ることができる。この電荷輸送層の形成方法としては、公知の方法等の各種の方式を使用することができるが、通常、上記電荷輸送物質を上記架橋前の架橋性ポリカーボネート及び、架橋反応に必要な架橋剤等と共に適当な溶媒に分散若しくは溶解した塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥及び架橋性ポリカーボネートを架橋させる方式などが使用される。電荷輸送層形成に用いられる電荷輸送物質と架橋性ポリカーボネートとの配合割合は、好ましくは重量で２０：８０〜８０：２０、更に好ましくは３０：７０〜７０：３０である。
【０１７１】
この電荷輸送層の形成において、上記架橋性ポリカーボネートは１種単独で用いることもできるし、また、２種以上を混合して用いることもできる。また、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、前記電荷発生層に用いられるバインダー樹脂として挙げたような他の樹脂を上記架橋性ポリカーボネートと併用することもできる。
【０１７２】
電荷輸送物質としては、公知のものなど各種のものを使用することができる。例えば、カルバゾール化合物、インドール化合物、イミダゾール化合物、オキサゾール化合物、ピラゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ピラゾリン化合物、チアジアゾール化合物、アニリン化合物、ヒドラゾン化合物、芳香族アミン化合物、脂肪族アミン化合物、スチルべン化合物、フルオレノン化合物、キノン化合物、キノジメタン化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾロン化合物、イミダゾリジン化合物、ビスイミダゾリジン化合物、オキサゾロン化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンズイミダゾール化合物、キナゾリン化合物、ベンゾフラン化合物、アクリジン化合物、フェナジン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール樹脂、あるいはこれらを主鎖、側鎖に有する重合体が用いられ、好ましくは下記一般式で表されるような化合物が用いられる。
【０１７３】
【化８８】
0003786741.tif 000062
【０１７４】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3は各々独立に、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2、Ａｒ2とＡｒ3及びＡｒ3とＡｒ1で環を形成していてもよい。］
【０１７５】
【化８９】
0003786741.tif 000063
【０１７６】
［式中、ＲA、ＲB、ＲC及びＲDは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは各々独立に、０〜５の整数である。］
【０１７７】
【化９０】
0003786741.tif 000064
【０１７８】
［式中、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は環を形成してもよい。ＲAはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲEはエチレン基又はエテニレン基を表し、Ｅは０〜４の整数である。］
【０１７９】
【化９１】
0003786741.tif 000065
【０１８０】
［式中、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は環を形成してもよい。ＲAはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲF及びＲGは各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｅは０〜４の整数である。］
【０１８１】
【化９２】
0003786741.tif 000066
【０１８２】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ6とＡｒ7は各々独立に、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は環を形成してもよい。］
【０１８３】
【化９３】
0003786741.tif 000067
【０１８４】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は環を形成してもよい。ＲH及びＲIは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｅ及びＦは各々独立に０〜４の整数である。］
【０１８５】
【化９４】
0003786741.tif 000068
【０１８６】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は環を形成してもよい。ＲA、ＲB及びＲCは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｅ、Ｆ及びＧは各々独立に０〜４の整数である。Ｘ1は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、−ＣＲJＲK−、−ＳｉＲJＲK−、−ＮＲJ−又は−ＰＲJ−（式中、ＲJ及びＲKは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表す。）を表す。］
【０１８７】
【化９５】
0003786741.tif 000069
【０１８８】
［式中、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は環を形成してもよい。ＲAはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａは０〜５の整数である。］
【０１８９】
【化９６】
0003786741.tif 000070
【０１９０】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲA及びＲBは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は環を形成してもよい。Ｆ及びＥは各々独立に０〜４の整数である。］
【０１９１】
【化９７】
0003786741.tif 000071
【０１９２】
［式中、Ａｒ1は水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲA、ＲB及びＲCは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ａ、Ｂ及びＣは各々独立に０〜５の整数である。］
【０１９３】
【化９８】
0003786741.tif 000072
【０１９４】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲA及びＲCは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ＲB′は水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数である。］
【０１９５】
【化９９】
0003786741.tif 000073
【０１９６】
［式中、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立に、水素原子、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は環を形成してもよい。］
【０１９７】
【化１００】
0003786741.tif 000074
【０１９８】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は環を形成してもよい。］
【０１９９】
【化１０１】
0003786741.tif 000075
【０２００】
［式中、ＲA、ＲB、ＲC、ＲD、ＲH及びＲIは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｉ及びＪは各々独立に０〜５の整数である。］
【０２０１】
【化１０２】
0003786741.tif 000076
【０２０２】
［式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ6は炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は環を形成してもよく、ｎは０又は１である。］
【０２０３】
【化１０３】
0003786741.tif 000077
【０２０４】
［式中、ＲL、ＲM、ＲN及びＲOは各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表す。］
具体的には次に示すような化合物が用いられる。
【０２０５】
【化１０４】
0003786741.tif 000078
【０２０６】
【化１０５】
0003786741.tif 000079
【０２０７】
【化１０６】
0003786741.tif 000080
【０２０８】
【化１０７】
0003786741.tif 000081
【０２０９】
【化１０８】
0003786741.tif 000082
【０２１０】
【化１０９】
0003786741.tif 000083
【０２１１】
【化１１０】
0003786741.tif 000084
【０２１２】
【化１１１】
0003786741.tif 000085
【０２１３】
【化１１２】
0003786741.tif 000086
【０２１４】
【化１１３】
0003786741.tif 000087
【０２１５】
【化１１４】
0003786741.tif 000088
【０２１６】
【化１１５】
0003786741.tif 000089
【０２１７】
【化１１６】
0003786741.tif 000090
【０２１８】
【化１１７】
0003786741.tif 000091
【０２１９】
【化１１８】
0003786741.tif 000092
【０２２０】
【化１１９】
0003786741.tif 000093
【０２２１】
【化１２０】
0003786741.tif 000094
【０２２２】
【化１２１】
0003786741.tif 000095
【０２２３】
【化１２２】
0003786741.tif 000096
【０２２４】
【化１２３】
0003786741.tif 000097
【０２２５】
【化１２４】
0003786741.tif 000098
【０２２６】
【化１２５】
0003786741.tif 000099
【０２２７】
【化１２６】
0003786741.tif 000100
【０２２８】
【化１２７】
0003786741.tif 000101
【０２２９】
【化１２８】
0003786741.tif 000102
【０２３０】
【化１２９】
0003786741.tif 000103
【０２３１】
【化１３０】
0003786741.tif 000104
【０２３２】
【化１３１】
0003786741.tif 000105
【０２３３】
【化１３２】
0003786741.tif 000106
【０２３４】
【化１３３】
0003786741.tif 000107
【０２３５】
【化１３４】
0003786741.tif 000108
【０２３６】
【化１３５】
0003786741.tif 000109
【０２３７】
【化１３６】
0003786741.tif 000110
【０２３８】
【化１３７】
0003786741.tif 000111
【０２３９】
【化１３８】
0003786741.tif 000112
【０２４０】
【化１３９】
0003786741.tif 000113
【０２４１】
【化１４０】
0003786741.tif 000114
【０２４２】
【化１４１】
0003786741.tif 000115
【０２４３】
【化１４２】
0003786741.tif 000116
【０２４４】
【化１４３】
0003786741.tif 000117
【０２４５】
【化１４４】
0003786741.tif 000118
【０２４６】
【化１４５】
0003786741.tif 000119
【０２４７】
【化１４６】
0003786741.tif 000120
【０２４８】
【化１４７】
0003786741.tif 000121
【０２４９】
【化１４８】
0003786741.tif 000122
【０２５０】
【化１４９】
0003786741.tif 000123
【０２５１】
上記電荷輸送物質は単独で又は２種以上を混合して用いることができる。電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、初期電位が低くなり、１００μｍを超えると、電子写真特性が低下する傾向がある。
導電性基体と感光層との間に通常使用されるような公知の下引き層を設けることができる。下引き層としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、ジルコニア、チタン酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラック、シリカ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化珪素等の微粒子、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セルロース、ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール樹脂等の成分を使用することができる。これらの微粒子や樹脂を単独で又は２種以上混合して使用することができる。特に微粒子を用いると、微粒子に樹脂が吸着され、平滑な皮膜を得ることができるため、微粒子と樹脂を併用することが望ましい。また、下引き層には前記バインダー樹脂を用いることができる。また、上記の架橋ポリカーボネート樹脂も用いることもできる。
【０２５２】
下引き層の厚さは、通常０．０１〜１０．０μｍ、好ましくは０．０１〜１．０μｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、下引き層を均一に形成することが困難になり、１０．０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがある。
また、導電性基体と感光層との間に通常使用されているような公知のブロッキング層を設けることができる。ブロッキング層には前記バインダー樹脂を用いることができる。ブロッキング層の厚さは、通常０．０１〜２０．０μｍ、好ましくは、０．１〜１０．０μｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、ブロッキング層を均一に形成することが困難になり、２０．０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがある。
【０２５３】
本発明の電子写真感光体には、感光層の上に保護層を積層してもよい。保護層の膜厚は０．０１〜２０μｍが可能であり、より好ましくは０．１〜１０μｍである。保護層には前記バインダー樹脂を用いることができる。保護層には、前記の電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、金属及びその酸化物、窒化物、塩、合金、カーボンなどの導電材料を含有してもよい。
【０２５４】
更に、本発明の電子写真感光体には、その性能を向上させるために電荷発生層、電荷輸送層に結合剤、可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御剤、電子写真感度を改良するための分光感度増感剤（増感染料）、分光感度増感剤とは別に、繰り返し使用に対しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感度の低下を防止する目的の種々の化学物質、酸化防止剤、界面活性剤、カール防止剤、レベリング剤等などの添加剤を添加することができる。
【０２５５】
結合剤の具体的な例としては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイソプレン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリクロロプレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ホルマール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、ポリエステルカーボネート樹脂等が挙げられる。また、熱及び／又は光硬化性樹脂も使用できる。いずれにしても、電気絶縁性で通常の状態で皮膜を形成しうる樹脂であれば、特に制限はない。
【０２５６】
結合剤は電荷輸送物質に対して、５〜２００重量％添加することが好ましく、１０〜１００重量％がより好ましい。５重量％未満では感光層の皮膜が不均一となりやすく、画質が劣る傾向がある。２００重量％を超えると、感度が低下し、残留電位が高くなる傾向がある。
可塑剤の具体的な例としては、ビフェニル、塩化ビフェニル、ｏ−ターフェニル、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチレングリコールフタレート、トリフェニルフォスフェート、ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ラウリル酸ブチル、メチルフタリールエチルグリコレート、ジメチルグリコールフタレート、メチルナフタレン、ベンゾフェノン、ポリプロピレン、ポリスチレン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられる。
【０２５７】
硬化触媒の具体的な例としては、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸等が挙げられる。
流動付与剤としては、モダフロー、アクロナール４Ｆ等が挙げられる。
ピンホール制御剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。
【０２５８】
可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御剤は、前記電荷輸送物質に対して、５重量％以下で用いることが好ましい。
増感染料の具体的な例としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、ビクトリアブルー等で代表されるトリフェニルメタン系染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等に代表されるアクリジン染料、メチレンブルー、メチレングリーン等に代表されるチアジン染料、カプリブルー、メルドラブルー等に代表されるオキサジン染料、その他シアニン染料、メロシアニン染料、スチリル染料、ピリリュウム塩染料、チオピリリュウム塩染料等が挙げられる。
【０２５９】
感光層には感度の向上、残留電位〜反復使用時の疲労低減等を目的として、電子受容性物質を加えることができる。
電子受容性物質としては、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，５−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロマニル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベンゾキノン、ジクロロジシアノパラベンゾキノン、ナフトキノン、ジフェノキノン、トロポキノン、アントラキノン、１−クロロアントラキノン、ジニトロトロアントラキノン、４−ニトロベンゾフェノン、４，４−ニトロベンゾフェノン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、α−シアノ−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エチル、９−アントラセニルメチルマロンジニトリル、１−シアノ−（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロフェニル）エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸など、電子親和力が大きい化合物がある。
【０２６０】
この電子受容性物質は、電荷輸送層、電荷発生層のいずれに加えてもよく、電荷輸送物質又は電荷発生物質に対して通常０．０１〜２００重量％、より好ましくは０．１〜５０重量％配合される。
また、表面性の改良のために、四フッ化エチレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体、フッ素系グラフトポリマーを用いてもよい。
【０２６１】
これらの表面改質剤は前記バインダー樹脂に対して０．１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０重量％配合される。０．１重量％より少ないと耐摩耗性、表面耐久性、表面エネルギー低下等の表面改質が十分でなく、６０重量％より多いと電子写真特性が悪くなることがある。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、有機リン酸系酸化防止剤などが挙げられる。
【０２６２】
これらの酸化防止剤は電荷輸送物質に対して通常０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜２重量％配合される。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、以下の例がある。
【０２６３】
【化１５０】
0003786741.tif 000124
【０２６４】
【化１５１】
0003786741.tif 000125
【０２６５】
【化１５２】
0003786741.tif 000126
【０２６６】
芳香族アミン系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０２６７】
【化１５３】
0003786741.tif 000127
【０２６８】
ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、以下のような例がある。
【０２６９】
【化１５４】
0003786741.tif 000128
【０２７０】
スルフィド系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０２７１】
【化１５５】
0003786741.tif 000129
【０２７２】
有機リン酸系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０２７３】
【化１５６】
0003786741.tif 000130
【０２７４】
ヒンダードフェノール構造単位とヒンダードアミン構造単位を分子内に有する酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０２７５】
【化１５７】
0003786741.tif 000131
【０２７６】
これら添加剤は１種単独で用いてもよいし、あるいは、２種類以上を混合するなどして併用してもよい。これらの添加剤は保護層、下引き層、ブロッキング層に添加してもよい。
前記電荷発生層、電荷輸送層の形成の際に使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等を挙げることができる。
【０２７７】
これらの溶媒は、１種単独で使用してもよく、或いは、２種以上を混合溶媒として用いてもよい。
電荷輸送層を形成する方法としては、前記電荷輸送物質、添加剤、上記の架橋性ポリカーボネート及び架橋剤などを溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基体、層上に浸漬塗工法、静電塗工法、粉体塗工法、スプレー塗工法、ロール塗工法、アプリケーター塗工法、スプレーコーター塗工法、バーコーター塗工法、ロールコーター塗工法、ディップコーター塗工法、ドクターブレード塗工法、ワイヤーバー塗工法、ナイフコーター塗工法、アトライター塗工法、スピナー塗工法、ビード塗工法、ブレード塗工法、カーテン塗工法などの塗工法を用いて塗工し、乾燥及び架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋反応を行って形成することができる。
【０２７８】
その分散又は溶解法としては、ボールミル、超音波、ペイントシェーカー、レッドデビル、サンドミル、ミキサー、アトライターなどを用いることができる。亜共反応は減圧から加圧の如何なる圧力下でも行い得るが、好ましくは減圧又は常圧下で行われる。
単層型電子写真感光体の感光層の形成は、前記電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、上記架橋性ポリカーボネート及び架橋剤などを溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基体上に塗布し、乾燥及び架橋性樹脂を架橋させることによって行われる。塗布方法、架橋方法、添加剤等は上記と同様である。また、上記と同様に保護層、下引き層、ブロッキング層を設けてもよい。
【０２７９】
単層型感光体の膜厚は通常５〜１００μｍが好ましく、８〜５０μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、初期電位が低くなりやすく、１００μｍを超えると電子写真特性が低下する傾向がある。
単層型電子写真感光体製造に用いられる電荷発生物質：架橋性ポリカーボネート樹脂の重量による割合は、好ましくは１：９９〜３０：７０、さらに好ましくは３：９７〜１５：８５である。また、電荷輸送物質：架橋性ポリカーボネート樹脂の重量による割合は、好ましくは１０：９０〜８０：２０、さらに好ましくは３０：７０〜７０：３０である。
【０２８０】
また、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、他の樹脂を上記架橋性ポリカーボネート樹脂と併用することも可能である。
なお、本発明の電子写真感光体の感光層の層構成としては、上記架橋性ポリカーボネート樹脂を含む層が感光層の表面層となる構成とすることが好ましい。このようにして得られる本発明の電子写真感光体は高い表面硬度を有し、長期間にわたって優れた耐刷性を維持する感光体であり、複写機（モノクロ、マルチカラー、フルカラー；アナログ、デジタル）、プリンター（レーザー、ＬＥＤ、液晶シャッター）、ＦＡＸ、製版機等の各種の電子写真分野に好適に利用することができる。
【０２８１】
本発明の電子写真感光体を使用するにあたって、帯電器は、コロナ放電（コロトロン、スコトロン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）などが用いられる。露光は、ハロゲンランプ、蛍光灯、レーザー（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、感光体内部露光方式で行われる。現像工程はカスケード現像、二成分磁気ブラシ現像、一成分絶縁トナー現像、一成分導電トナー現像などの乾式現像方式や湿式現像方式などが用いられる。転写工程はコロナ転写、ローラ転写、ベルト転写などの静電転写法、圧力転写法、粘着転写法が用いられる。定着は、熱ローラ定着、ラジアント・フラッシュ定着、オーブン定着、圧力定着などが用いられる。クリーニング・除電には、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリーナー、静電ブラシクリーナー、磁気ローラクリーナー、ブレードクリーナーなどが用いられる。
【０２８２】
【実施例】
以下、本発明の実施例及びその比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
合成例１  （ＰＣ−１）の合成
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７４ｇを６重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液５５０ｍｌに溶解した溶液と塩化メチレン２５０ｍｌとを混合して撹拌しながら、冷却下、該溶液中にホスゲンガスを９５０ｍｌ／分の割合で１５分間吹き込んだ。次いで、この反応液を静置して有機層を分離し、分子末端がクロロホルメート基であるビスフェノールＡ（２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン）のポリカーボネートオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
【０２８３】
上記オリゴマーの塩化メチレン溶液に塩化メチレンを加えて全量を４５０ｍｌとした後、８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌと混合し、これに式Ａの化合物（３，３′−ビス（２−プロペニル）−４，４′−ビフェノール）
【０２８４】
【化１５８】
0003786741.tif 000132
【０２８５】
２７．９ｇ及び分子量調節剤であるｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール３．０ｇを加えた。次いで、この混合液を激しく撹拌しながら、触媒として７重量％濃度のトリエチルアミン水溶液を２ｍｌ加え、２８℃において撹拌下で１．５時間反応を行った。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン１リットルで希釈し、次いで水１．５リットルで２回洗浄した。得られた溶液を氷浴し、５１．６ｇのメタクロロ過安息香酸（ＭＣＰＢＡ）を数回に分け、ゆっくり添加した。全量を加えた後、室温に戻し、２４時間撹拌を継続した。続いてこれを０．０１規定ＮａＯＨ水溶液で洗い、０．０１規定塩酸１リットルで１回、水１リットルで２回の順で洗浄し、有機層をメタノール中に投入し、析出したポリマーを濾過、乾燥し、９３ｇのポリカーボネート（ＰＣ−１）を得た。
【０２８６】
このようにして得られたポリカーボネートの塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の２０℃における還元粘度［ηsp／ｃ］は０．７５ｄｌ／ｇであった。還元粘度の測定は、（株）離合社製、自動粘度測定装置ＶＭＲ−０４２を用い、自動粘度用ウッベローデ改良型粘度計（ＲＭ型）で測定した。
得られたポリカーボネート（ＰＣ−１）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、１１３０ｃｍ-1にエポキシ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びエポキシ結合を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−１）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−１）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０２８７】
【化１５９】
0003786741.tif 000133
【０２８８】
合成例２  （ＰＣ−２）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを式Ｂの化合物（２，２−ビス（３−（２−プロペニル）−４−ヒドロキシフェニル）プロパン）
【０２８９】
【化１６０】
0003786741.tif 000134
【０２９０】
３２．３ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−２）（［ηsp／ｃ］＝０．７７ｄｌ／ｇ）１０２ｇを得た。
得られたポリカーボネート（ＰＣ−２）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、１１３０ｃｍ-1にエポキシ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びエポキシ結合を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−２）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−２）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０２９１】
【化１６１】
0003786741.tif 000135
【０２９２】
合成例３  （ＰＣ−３）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを式Ｃの化合物
【０２９３】
【化１６２】
0003786741.tif 000136
【０２９４】
４８．１ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−３）（［ηsp／ｃ］＝０．７５ｄｌ／ｇ）９５ｇを得た。得られたポリカーボネート（ＰＣ−３）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、１１３０ｃｍ-1にエポキシ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びエポキシ結合を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−３）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−３）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０２９５】
【化１６３】
0003786741.tif 000137
【０２９６】
合成例４  （ＰＣ−４）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを４，４′−ビフェノール１９．５ｇ及び３−アミノフェノール２．２ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−４）（［ηsp／ｃ］＝０．４６ｄｌ／ｇ）８７ｇを得た。
【０２９７】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−４）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1付近に幅広いアミノ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びアミノ基を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−４）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−４）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０２９８】
【化１６４】
0003786741.tif 000138
【０２９９】
合成例５  （ＰＣ−５）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを４，４′−ビフェノール１９．５ｇ及び３−ヒドロキシフタル酸無水物３．３ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−５）（［ηsp／ｃ］＝０．４３ｄｌ／ｇ）９１ｇを得た。
【０３００】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−５）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、１８２０ｃｍ-1に酸無水物由来の吸収が見られ、カーボネート結合及び酸無水物構造を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−５）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−５）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３０１】
【化１６５】
0003786741.tif 000139
【０３０２】
合成例６  （ＰＣ−６）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを４，４′−ジヒドロキシカルコン２３．５ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−６）（［ηsp／ｃ］＝０．７４ｄｌ／ｇ）９３ｇを得た。
【０３０３】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−６）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、１１３０ｃｍ-1にエポキシ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びエポキシ結合を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−６）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−６）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３０４】
【化１６６】
0003786741.tif 000140
【０３０５】
合成例７  （ＰＣ−７）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン酸３０．０ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−７）（［ηsp／ｃ］＝０．７５ｄｌ／ｇ）９３ｇを得た。
【０３０６】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−７）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1にカルボン酸由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びカルボン酸構造を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−７）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−７）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３０７】
【化１６７】
0003786741.tif 000141
【０３０８】
合成例８  （ＰＣ−８）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇをビス（４−ヒドロキシフェニル）アミン２１．１ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−８）（［ηsp／ｃ］＝０．７５ｄｌ／ｇ）８３ｇを得た。
【０３０９】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−８）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1にアミン由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びアミン構造を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−８）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−８）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３１０】
【化１６８】
0003786741.tif 000142
【０３１１】
合成例９  （ＰＣ−９）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン３９．８ｇ及び２−（４−ヒドロキシフェニル）エタノール２．８ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−９）（［ηsp／ｃ］＝０．４６ｄｌ／ｇ）１０３ｇを得た。
【０３１２】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−９）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1付近に幅広い水酸基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及び水酸基を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−９）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−９）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３１３】
【化１６９】
0003786741.tif 000143
【０３１４】
合成例１０  （ＰＣ−１０）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを式Ｄの化合物
【０３１５】
【化１７０】
0003786741.tif 000144
【０３１６】
３９．８ｇ及び４−ヒドロキシチオフェノール２．５ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−１０）（［ηsp／ｃ］＝０．４６ｄｌ／ｇ）１００ｇを得た。
得られたポリカーボネート（ＰＣ−１０）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1付近に幅広いチオール由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びチオール構造を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−１０）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−１０）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３１７】
【化１７１】
0003786741.tif 000145
【０３１８】
合成例１１  （ＰＣ−１１）の合成
合成例１において、式Ａの化合物２７．９ｇを３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル２２．７ｇに変更し、ＭＣＰＢＡとの反応、及びその後のＮａＯＨ水溶液による洗浄を行わない以外は合成例１と同様の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−１１）（［ηsp／ｃ］＝０．７５ｄｌ／ｇ）８３ｇを得た。
【０３１９】
得られたポリカーボネート（ＰＣ−１１）のＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ-1にカーボネート基による吸収、３３００ｃｍ-1付近に幅広いアミノ基由来の吸収が見られ、カーボネート結合及びアミノ基を有することが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−１１）の共重合組成は1Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−１１）は下記の繰り返し単位を、下記の組成で含有することがわかった。
【０３２０】
【化１７２】
0003786741.tif 000146
【０３２１】
実施例１（求電子性ポリカーボネートの求核性架橋剤による架橋）
電荷輸送物質として（Ｃ−１）
【０３２２】
【化１７３】
0003786741.tif 000147
【０３２３】
を用い、バインダー樹脂材料として（ＰＣ−１）、架橋剤としてキシリレンジアミン（ＭＸＤＡ）を用い、（Ｃ−１）：（ＰＣ−１）：ＭＸＤＡ：塩化メチレン＝１：１：０．２：８（重量比）の溶液を調製し、塗工液とした。この塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかった。アルミニウム製導電性基板上にオキソチタニウムフタロシアニン：ブチラール樹脂：塩化メチレン＝１：１：３８（重量比）の分散液を浸漬塗工法により塗布し、オキソチタニウムフタロシアニンの層（約０．５μｍ）を電荷発生層として形成し、その電荷発生層上に上記塗工液を浸漬塗工法により塗布し、乾燥後、引き続き１５０℃、１０時間の条件で架橋反応を行い、約２０μｍの電荷輸送層を形成し、積層型電子写真感光体を作製した。塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
【０３２４】
得られた電子写真感光体の電子写真特性の評価は、静電気帯電試験装置ＥＰＡ−８１００（株式会社川口電機製作所製）を用い、−６ｋＶのコロナ放電を行い、初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）を測定することによって行った。結果を表１に示す。
更に、電荷輸送層の耐摩耗性を、スガ摩耗試験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型（スガ試験機（株）製）を用いて評価した。試験条件は、２００ｇの荷重をかけた摩耗試験紙（スガ摩耗試験機（株）製、３μｍ研摩紙）上で上記積層型電子写真感光体のサンプルを１２００回往復運動させ、その減少量の変化を測定することにより評価した。結果を表２に示す。
【０３２５】
実施例２（求核性ポリカーボネート（エポキシ基の開環で生じる−ＯＨ基）の求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−２）を用い、ＭＸＤＡの代わりに無水クロレンディック酸を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３２６】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例３（求電子性ポリカーボネートの求核性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−３）を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３２７】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例４（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−４）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１３００）を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３２８】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例５（求電子性ポリカーボネートの求核性架橋剤による架橋（非エポキシ架橋））
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−５）を用い、乾燥後の架橋条件を２００℃２０時間に変更した以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３２９】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例６（ルイス酸によるエポキシポリカーボネートの架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−６）を用い、ＭＸＤＡの代わりに３フッ化ホウ素・ピペリジン錯化合物を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３０】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例７（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−７）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３１】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例８（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−８）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３２】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例９（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−９）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３３】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例１０（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−１０）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３４】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
実施例１１（求核性ポリカーボネートの求電子性架橋剤による架橋）
実施例１で用いた（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−１１）を用い、ＭＸＤＡの代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた以外は実施例１と同様の方法で積層型電子写真感光体を作製し、同様の方法で初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【０３３５】
なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
比較例１（ビニル基を有するポリカーボネートのラジカル機構による架橋）
特開平４−２９１３８４号公報記載の架橋前のポリカーボネートを製造するまでの方法に従い、下記の操作でポリカーボネート（ＰＣ−１２）を合成した。
【０３３６】
攪拌機、温度計、ガス導入管及び還流冷却機を備えた三つ口丸底フラスコに、乾燥窒素ガスを流しながら、４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液５３．７部、水２３０．８部、３，３′−ジアリルビスフェノールＡ３１．４部、ビスフェノールＺ２７．３部を仕込んで溶解した。この溶液を氷浴で２０℃に冷却し、撹拌しながらホスゲンガス２６．２部を１時間かけて徐々に導入した。その後４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液８．４部を加え、更に反応停止剤としてｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．６１部を加えた後、３０℃で１時間重合反応を続けた。反応終了後、塩化メチレン層を分離して塩酸酸性にした後、水洗を繰り返し、溶存塩類を除去した。その後、塩化メチレンを蒸発して固体を得た。得られた固体は、下記の繰り返し単位及び共重合組成を有するものであった。
【０３３７】
【化１７４】
0003786741.tif 000148
【０３３８】
（ＰＣ−１２）：（Ｃ−１）：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート（架橋剤）：イルガキュアー９０７（ラジカル開始剤：チバ・ガイギー社製）：塩化メチレン＝１：１：０．１：０．０１：８（重量比）の溶液を調製し、塗工液とした。以下、電荷発生層の形成、その電荷発生層上への上記塗工液の塗布及び乾燥までを実施例１と同様に行った。乾燥後、８０Ｗ／ｃｍ2の照射エネルギーを持つ高圧水銀灯により５秒間照射し、架橋した積層型電子写真感光体を得た。
【０３３９】
次いで、実施例１と同様にして得られた積層型電子写真感光体の初期表面電位（Ｖ0）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（ＶR）、半減露光量（Ｅ1/2）及び摩耗による電荷輸送層の減少量を測定した。結果を表１及び表２に示す。なお、電荷輸送層形成用の塗工液は１ケ月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られず、また、塗布から架橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかった。
【０３４０】
【表１】
0003786741.tif 000149
【０３４１】
【表２】
0003786741.tif 000150
【０３４２】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体中のバインダー樹脂は、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさない架橋性ポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂材料として用い、それを架橋させたものであり、高い表面硬度及び耐摩耗性を有する。更に、この架橋性ポリカーボネートの架橋はラジカル機構ではなくイオン機構によって行われるため、ラジカルに敏感な電荷輸送物質等の劣化がなく、長期間に亘って優れた電子写真特性を維持することができる。