(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記ｎ型窒化物半導体層、前記活性層及び前記ｐ型窒化物半導体層の表面には多層に積層した活性層の発光波長を反射する誘電体多層膜が形成され、その誘電体多層膜の表面に金属薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記誘電体多層膜はＳｉＯ２とＴｉＯ２よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記金属薄膜は、活性層の光を反射する金属薄膜であること特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記金属薄膜は、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔから選択される１つであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記活性層はＩｎを含む窒化物半導体であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
緑色〜紫外にレーザ発振する半導体材料として窒化物半導体が研究されている。窒化物半導体レーザ素子が例えば特開平６−１５２０７２号公報に示されている。この公報では活性層が格子整合したクラッド層で挟まれたダブルへテロ構造のレーザが示されており、素子構造として電極ストライプ型、メサストライプ型、ヘテロアイソレーションストライプ型等の利得導波型レーザ、埋め込みヘテロストライプ型の屈折率導波型レーザ等が示されている。
【０００３】
一般に利得導波型のレーザ素子では、電流がクラッド層中で広がるため、横モードのレーザ光を制御して、単一モードで安定な横モードの光を得ると共に、非点隔差を小さくする目的で活性層の横方向、即ちレーザの共振方向に平行な方向にあたる部分を、活性層よりも屈折率の低い材料で挟んだ屈折率導波型のレーザ素子が採用される。前記公報に示される屈折率導波型のレーザ素子も、横方向にあたる活性層をｉ型のＩｎＡｌＧａＮで挟んでいるが、四元混晶の窒化物半導体は非常に結晶成長が難しく、例えば数μｍもの厚膜で成長させるのが難しいという欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
窒化物半導体レーザ素子のレーザ光の横方向の光閉じ込めを行うためには、もっと現実に即した材料を選定して、効果的に光閉じ込めを行うことが望ましい。そこで本発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって、その目的とするところは、窒化物半導体レーザ素子の活性層の横モードの光閉じ込めを行い安定したレーザ素子を得ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のレーザ素子は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記ｎ型窒化物半導体層、前記活性層及び前記ｐ型窒化物半導体層の表面には多層に積層した活性層の発光波長を反射する誘電体多層膜が形成され、その誘電体多層膜の表面に金属薄膜が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
さらに前記誘電体多層膜はＳｉＯ２とＴｉＯ２よりなることを特徴とする。また前記金属薄膜は、活性層の光を反射する金属薄膜であること特徴とする。また前記金属薄膜は、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔから選択される１つであることを特徴とする。また前記活性層はＩｎを含む窒化物半導体であることを特徴とする。
【０００７】
【作用】
本発明のレーザ素子ではレーザの共振方向に平行な方向にあるｎ型窒化物半導体、活性層及びｐ型窒化物半導体の表面に誘電体薄膜と金属薄膜が形成されている。つまりそのレーザ光の共振方向に平行な方向にある活性層の側面を誘電体薄膜と、金属薄膜とで被覆していることにより、レーザ光の横モードの光閉じ込めができるので、単一モードのレーザ光が得やすい。
【０００８】
さらに、金属薄膜が表面に露出すると、正電極と負電極とが導電性材料を介して短絡すると恐れがあるため、さらにその金属薄膜の表面に第二の誘電体薄膜を形成することにより電極間の短絡を防止することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、図２は図１のレーザ素子の形状を示す斜視図である。なお、図１は図２のレーザ素子を共振面に対して平行な方向で切断した際の断面図である。このレーザ素子の基本的な構造は絶縁性基板１の上に、窒化物半導体よりなるｎ型コンタクト層２、ｎ型光閉じ込め層３、ｎ型光ガイド層４、活性層５、ｐ型光ガイド層６、ｐ型光閉じ込め層７、ｐ型コンタクト層８との積層構造である。さらに、最上層のｐ型コンタクト層８側からｎ型コンタクト層２まで、ストライプ状のエッチングを行い、活性層の幅を狭くして、電流が活性層に集中するようにしている。またエッチングによりストライプ状とされた共振器のｐ型コンタクト層８には正電極３０が設けられ、正電極３０と平行な方向でｎ型コンタクト層２には負電極２０が設けられている。
【００１０】
基板１はサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｃ面、Ｒ面）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４、１１１面）等の絶縁性基板が多く用いられるが、この他ＳｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の単結晶よりなる従来より知られている基板が用いられる。なおこの図では絶縁性基板を使用している。
【００１１】
ｎ型コンタクト層２はＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉをドープしたＧａＮで構成することにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得られ、また負電極２０と好ましいオーミック接触が得られるので、レーザ素子のしきい値電流を低下させることができる。負電極２０の材料としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましいオーミックが得られる。ＧａＮに限らず窒化物半導体は、ノンドープ（不純物をドープしない状態）でも結晶内部にできる窒素空孔のためｎ型となる性質があるが、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等のドナー不純物を結晶成長中にドープすることにより、キャリア濃度が高く、好ましいｎ型特性を示す窒化物半導体が得られる。
【００１２】
ｎ型光閉じこめ層３はＡｌを含むｎ型の窒化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶のＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結晶性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大きくしてレーザ光の縦モードの閉じ込めに有効である。この層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。０．１μｍよりも薄いと光閉じ込め層として作用しにくく、１μｍよりも厚いと、結晶中にクラックが入りやすくなり素子作成が困難となる傾向にある。
【００１３】
ｎ型光ガイド層４は、Ｉｎを含むｎ型の窒化物半導体若しくはｎ型ＧａＮで構成し、好ましくは三元混晶若しくは二元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X＜１）とする。この層は通常１００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより次の活性層５を量子井戸構造とすることが容易に可能になる。
【００１４】
活性層５は先にも述べたように、Ｉｎを含む窒化物半導体で構成し、好ましくは三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜X＜１）とする。三元混晶のＩｎＧａＮは四元混晶のものに比べて結晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上する。その中でも特に好ましくは活性層をＩｎＸＧａ１−ＸＮよりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体よりなる障壁層とを積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi-quantum-well）とする。障壁層も同様に三元混晶のＩｎＸ’Ｇａ１−Ｘ’Ｎ（０≦X'＜１、X'＜X）が好ましく、井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層となるように積層して多重量子井戸構造を構成する。このように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭＱＷとすると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出力なＬＤを実現することができる。さらに、井戸層の上にＩｎＧａＮよりなる障壁層を積層すると、ＩｎＧａＮよりなる障壁層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ結晶に比べて結晶が柔らかい。そのためクラッド層のＡｌＧａＮの厚さを厚くできるのでレーザ発振が実現できる。さらに、ＩｎＧａＮとＧａＮとでは結晶の成長温度が異なる。例えばＭＯＶＰＥ法ではＩｎＧａＮは６００℃〜８００℃で成長させるのに対して、ＧａＮは８００℃より高い温度で成長させる。従って、ＩｎＧａＮよりなる井戸層を成長させた後、ＧａＮよりなる障壁層を成長させようとすれば、成長温度を上げてやる必要がある。成長温度を上げると、先に成長させたＩｎＧａＮ井戸層が分解してしまうので結晶性の良い井戸層を得ることは難しい。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロームしかなく、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製するのが困難となる。それに対し本発明では、障壁層もＩｎＧａＮであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成長できる。従って、先に形成した井戸層が分解することがないので結晶性の良いＭＱＷを形成することができる。これはＭＱＷの最も好ましい態様を示したものであるが、他に井戸層をＩｎＧａＮ、障壁層をＧａＮ、ＡｌＧａＮのように井戸層よりも障壁層のバンドギャップエネルギーを大きくすればどのような組成でも良い。
【００１５】
多重量子井戸構造の活性層５の総膜厚は１００オングストローム以上に調整することが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと、十分に出力が上がらず、レーザ発振しにくい傾向にある。また活性層の膜厚も厚すぎると出力が低下する傾向にあり、１μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以下に調整することが望ましい。１μｍよりも厚いと活性層の結晶性が悪くなるか、レーザ光が活性層中に広がってしまい、しきい値電流が増加する傾向にある。
【００１６】
次にｐ型光ガイド層６は、Ｉｎを含む窒化物半導体若しくはＧａＮで構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＩｎＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y≦１）を成長させるる。この光ガイド層６は、通常１００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次のｐ型光閉じこめ層７を結晶性良く成長できる。なお、ｐ型の窒化物半導体はＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｃａ等のアクセプター不純物を結晶成長中にドープすることによって得られるが、その中でもＭｇが最も好ましいｐ型特性を示す。また結晶成長後、不活性ガス雰囲気中で、４００℃以上でアニーリングすることにより、さらに低抵抗なｐ型を得ることができる。
【００１７】
ｐ型閉じこめ層７は、Ａｌを含むｐ型の窒化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y≦１）とすることにより結晶性の良いものが得られる。このｐ型光閉じこめ層はｎ型光閉じこめ層と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含むｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈折率差を大きくして、縦モードのレーザ光の光閉じ込め層として有効に作用する。
【００１８】
ｐ型コンタクト層８はｐ型ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、正電極３０と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流を低下させることができる。正電極３０の材料としてはＮｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕事関数の高い金属又は合金がオーミックが得られやすい。
【００１９】
次に本発明のレーザ素子では、図１に示すように、ｐ型コンタクト層８、ｐ型光閉じ込め層７、ｐ型光ガイド層６、活性層５、ｎ型光ガイド層４、ｎ型光閉じ込め層３及びｎ型コンタクト層がストライプ状にエッチングされている。活性層５の発光はストライプの長さ方向に共振してレーザ発振する。縦方向の光はｎ型とｐ型の光閉じ込め層で制御される。横方向の光はレーザ光の共振方向に平行な方向にあるエッチング端面に形成された誘電体薄膜４０と金属薄膜５０とで閉じ込められる。
【００２０】
ｐ型コンタクト層８のストライプ幅は特に問うものではないが、１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整すると、レーザの非点隔差が小さくなり、しきい値電流も低くなる。エッチング手段はドライエッチングを好ましく用い、例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、ＥＣＲエッチング、集束イオンビームエッチング、イオンビームアシストエッチング等を用いることができる。
【００２１】
次に、誘電体薄膜４０を形成するには、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、分子線蒸着等の常用されている気相製膜手段を用いることができ、材料としては、例えばＳｉＯX、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等の高誘電体材料が使用できる。またこれらの誘電体を薄膜を多層に積層して、活性層５の横方向の光を反射する誘電体多層膜を形成しても良い。誘電体薄膜は例えば０．０１μｍ〜５０μｍ程度の膜厚で形成できる。
【００２２】
さらに本発明のレーザ素子では誘電体薄膜４０の上に活性層の光を反射する金属薄膜５０を形成している。この金属薄膜５０を形成することにより活性層５の横方向の光を完全に閉じ込めることができる。金属薄膜の材料としてはＡｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ等の窒化物半導体レーザ光（例えば３８０ｎｍ〜５５０ｎｍ）に対して反射率が高い材料を選択することが望ましい。
【００２３】
図３は本発明の他の実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レーザ素子をヒートシンクに半田等の導電性材料９０を介して接続した状態を示している。図３が図１、図２と異なる点は金属薄膜５０の上にさらに第二の誘電体薄膜４１を形成しているところである。
【００２４】
第二の誘電体薄膜４１は金属薄膜５０の表面に形成されて、電極間のショート防止の作用をする。つまりレーザチップをフェースダウンでヒートシンク、サブマウント等の基台に接続した際、電極と基台とを接続する半田等の導電性材料が金属薄膜に触れた状態で、正と負の電極が接続されると電極間ショートを発生させる恐れがある。従って金属薄膜５０の表面をさらに第二の誘電体薄膜４１で覆うことにより、電極間ショートを防止できる。特にこの図に示すように、第二の誘電体薄膜４１を先に形成した誘電体薄膜４０と金属薄膜５０との界面を覆うように連続して形成すると、より効果的である。
【００２５】
［実施例］
以下、図１及び図３を基に本発明の実施例について述べる。スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４、１１１面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板の表面にＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させた。このバッファ層は基板と窒化物半導体との格子不整合を緩和する作用があり、他にＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等を成長させることも可能である。このバッファ層を成長させることにより、基板の上に成長させるｎ型窒化物半導体の結晶性が良くなることが知られているが、成長方法、基板の種類等によりバッファ層が成長されない場合もある。
【００２６】
続いて温度を１０５０℃に上げ、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ４（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２を４μｍの膜厚で成長させた。
【００２７】
次に温度を７５０℃まで下げ、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層を５００オングストロームの膜厚で成長させた。このクラック防止層は特に図示していないが、Ｉｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることにより、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導体よりなるｎ型光閉じこめ層３を厚膜で成長させることが可能となる。ＬＤの場合は、光閉じ込め層、光ガイド層となる層を、例えば０．１μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡｌＧａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮを成長させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入るので素子作製が困難であったが、このクラック防止層が次に成長させる光閉じこめ層３にクラックが入るのを防止することができる。しかも次に成長させる光閉じこめ層３を厚膜で成長させても膜質良く成長できる。なおこのクラック防止層は１００オングストローム以上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと前記のようにクラック防止として作用しにくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、このクラック防止層は成長方法、成長装置によっては省略することもできる。
【００２８】
次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＥＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型光閉じこめ層３を０．５μｍの膜厚で成長させた。
【００２９】
続いて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４を５００オングストロームの膜厚で成長させた。
【００３０】
次に原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いて活性層５を成長させた。活性層は温度を７５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層を成長させた。
【００３１】
活性層５成長後、温度を１０５０℃にしてＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源としてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長させた。このｐ型キャップ層は特に図示していないが、１μｍ以下、さらに好ましくは１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜厚で成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層が分解するのを防止するキャップ層としての作用があり、また活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体よりなるｐ型キャップ層４８を成長させることにより、発光出力が格段に向上する。逆に活性層に接するｐ層をＧａＮとすると素子の出力が約１／３に低下してしまう。これはＡｌＧａＮがＧａＮに比べてｐ型になりやすく、またｐ型キャップ層成長時に、ＩｎＧａＮが分解するのを抑える作用があるためと推察されるが、詳しいことは不明である。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚いと、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難となる傾向にある。なおこのｐ型キャップ層も省略可能である。
【００３２】
次に温度を１０５０℃に保持して、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層６を５００オングストロームの膜厚で成長させた。この第二のｐ型光ガイド層は上記したように、ＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより次のＡｌを含む光閉じこめ層を結晶性良く成長できる。
【００３３】
続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ型光閉じこめ層７を０．５μｍの膜厚で成長させた。
【００３４】
続いて、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８を０．５μｍの膜厚で成長させた。
【００３５】
以上のようにして窒化物半導体を積層したウェーハを反応容器から取り出し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置にて、最上層のｐ型コンタクト層８側から選択エッチを行い、負電極を形成すべきｎ型コンタクト層の表面を露出させると共に、ｐ型コンタクト層８からｎ型コンタクト層２までをストライプ形状にエッチングした。なおストライプ幅は１０μｍとした。
【００３６】
エッチングの終わった窒化物半導体ウェーハの正電極、負電極を形成すべき部分にマスクをかけ、さらにプラズマＣＶＤ装置でＳｉＯ２とＴｉＯ２よりなる誘電体多層膜４０を前記したエッチング端面に総膜厚１０μｍで形成した。なお誘電体多層膜は活性層の発光波長を反射するように設計されていることは云うまでもない。またこの誘電体薄膜は多層膜としたが、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の単一膜で形成しても良い。
【００３７】
次に、誘電体薄膜４０の上にＡｌよりなる金属薄膜５０を蒸着により０．１μｍの膜厚で形成した。
【００３８】
さらに、その金属薄膜５０の上にＳｉＯ２よりなる第二の誘電体薄膜４１を同じくプラズマＣＶＤ法により、１μｍの膜厚で形成した。
【００３９】
ｐ型コンタクト層８にはＮｉとＡｕよりなるストライプ状の正電極３０を絶縁膜１１を介して形成し、先に露出させたｎ型コンタクト層２にはＴｉとＡｌよりなるストライプ状の負電極２０を形成した。
【００４０】
以上のようにしたウェーハを、まずストライプ状の電極に平行な位置で分割した後、次に電極に垂直な方向で分割し、垂直な方向で分割した分割面を研磨して鏡面とした。その共振面に常法に従って反射鏡を形成してレーザチップとした。このレーザチップを図３に示すように、予め電極パターン１００が形成されたヒートシンクに設置し、常温でパルス発振させたところ、しきい値電流密度２ｋＡ／cm２で４１０ｎｍのレーザ発振を示した。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレーザ素子はレーザ光の共振方向に平行な方向の活性層、及びクラッド層が、誘電体薄膜と金属とで覆われているので、完全な横モードの光閉じ込めができ、安定したレーザ光を得ることができる。さらに誘電体薄膜、金属薄膜等は窒化物半導体に比べて容易に薄膜が形成できる。そのため窒化物半導体を形成するのであれば、ストライプ状にクラッド層、活性層をエッチングした後、マスクを形成して高温で選択成長を行わねばならないが、誘電体薄膜、金属薄膜等であれば、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ等、窒化物半導体の成長装置でなくとも、他の簡単なＣＶＤ装置で製膜可能なので、生産技術上非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【図２】  図１のレーザ素子の形状を示す斜視図。
【図３】  本発明の他の実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
１・・・・基板
２・・・・ｎ型コンタクト層
３・・・・ｎ型光閉じこめ層
４・・・・ｎ型光ガイド層
５・・・・活性層
６・・・・ｐ型光ガイド層
５・・・・ｐ型光閉じこめ層
６・・・・ｐ型コンタクト層
４０・・・・誘電体薄膜
５０・・・・金属薄膜
４１・・・・第二の誘電体薄膜
【図１】
0003804494.tif 000002
【図２】
0003804494.tif 000003
【図３】
0003804494.tif 000004