(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学的に活性な材料からなる基板（７８）と、基板（７８）の長さ方向に延びるように配置して基板（７８）の基板上面をなす第１の面（７１）上に形成される光導波管（１２）とよりなる一体化光学チップ（８２）であって、
一体化光学チップ（８２）は光導波管（１２）に入力された光信号を受けるように配置した入力ファセット（５０）と、一体化光学チップ（８２）から光信号出力を出力させるように配置した出力ファセット（５２）とを有し、
基板（７８）はその内部に、光導波管（１２）と直角に基板を横切るとともに第１の面（７１）と反対側の基板底面をなす第２の面（７２）から第１の面（７１）に向けて、基板（７８）の厚さの７５％から９５％の範囲となる深さまで延びるように入力ファセット（５０）近くに、かつ入力ファセット（５０）から離れる側に傾斜して、または入力ファセットに近づく側に傾斜して形成され、傾斜側において第２の面（７２）に対し反時計方向または時計方向に約６０度の鋭角をなすスロットとして形成される第１のトレンチ（８４）または（１０３）と、
前記第１のトレンチ（８４）または（１０３）に対して光導波管と直角な一体化光学チップ（８２）の中心軸について回転対称に、かつ出力ファセット（５２）近くに基板（７８）内に形成される第２のトレンチ（８６）または（１０５）とを備える一体化光学チップ（８２）。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一体化光学チップあるいは装置、更に詳細にはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板上に形成される一体化光学部品を有した多機能一体化光学チップに関する。このチップに形成される一体化光学部品には導波管が含まれ、光学カプラ、偏光子、あるいは位相変調器として機能させるよう配列可能である。多機能を果たす装置が単一の装置に内蔵させる場合、インターフェース分離装置と関連するロス若しくはエラーの発生を回避し得る。本発明は特に、光導波管と接続される光ファイバピグテールを経て光ファイバにクロスカップリングされる表面波の伝播の結果、多機能一体化光学チップの偏光非相反（ＰＮＲ）エラーを減少させる方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多機能の一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）は通常従来のフォトマスク、真空蒸着、化学浴、プロトン交換、拡散、及びエッチングの各技術を用いてニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなる３〜４インチウエハ上に大量に製造し、多数の同一部品を低コスト、高信頼性をもって形成する。上述した多機能を実現するＭＩＯＣは中間及び高い精度の光ファイバジャイロスコープ（ＦＯＧ）若しくは回転センサの製造に使用される。ＦＯＧはサニャック効果を利用してコイル状の光ファイバに対し直角な軸を中心とする回転速度を測定する。ＭＩＯＣはまたマッハツェンダー干渉計またはマイケルソン干渉計の原理に基く水管検漏器若しくはジオフォンのような他の光ファイバ光学センサを製造する場合にも使用可能である。
【０００３】
光ファイバジャイロスコープには、互いに反対方向に進む波を光信号源から光ファイバコイル内に導入する手段が含まれる。コイル平面に対し直角な軸を中心とするコイルの回転により、時計回り及び反時計回りの波の間にサニャック効果により位相差が生じる。この位相差は、回転方向にコイルを横断する波がコイルを反対方向に横断する波より光ファイバコイルを経てトランジット時間が長くなるために生じる。これら波はコイルを経て伝播した後、合流される。この合流波により干渉パターンが形成され、処理されて回転速度が決定される。回転速度を決定する技術は当業者には周知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光信号源と通常偏波面保存ファイバからなる光ファイバコイルとの間に多機能を有する一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）を含むようにＦＯＧを形成することは通例である。ＭＩＯＣには通常、Ｙ接合をなすべく配置された複数の光導波管が含まれる。Ｙ接合の基部は光信号源と接続され、一方Ｙ接合のアーム部は光ファイバコイルの端部とインターフェースを構成する。多機能の一体化光学チップへの光信号の入力はＹ接合で分割され、互いに反対方向に進む波として光ファイバコイルの端部へ入力される光信号となる。コイルを伝播した後、波はＹ接合のアーム部を構成する光導波管に入る。次に波はＹ接合内で合流され、Ｙ接合の基部から光ファイバへ出力される。合流波は光検出器へ案内され、光検出器は電気信号を発生し、電気信号が処理されて回転速度が決定される。
【０００５】
光ファイバ回転センサ内での所望状態は通路長を付加することなしに光ファイバコイル内及び光導波管内を伝播するＴＥモードである。通路長の付加を有するＴＥモード及びＴＭモードの伝播は望ましくない状態である。位相差（あるいは常時ファイバ内で２偏光成分を有することに関連する偏光非相反（ＰＮＲ））を加える偏光クロスカップリング（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｃｒｏｓｓ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）のような誤差源はサニャック効果と直接争う付加光路差として現れる。これらの誤差源のため、ＭＩＯＣ内の位相変調器により使用される周波数で変調されるときに位相バイアス誤差及び振幅バイアス誤差が生じる。偏光クロスカップリングによる光ファイバ回転センサ内のバイアス成分は偏光消光比の絶対値の平方根に逆比例する。消光比はデシベル単位で表される偏光モードの所望パワー（所望モードのパワー）に対する不都合なパワー（望ましくないモードのパワー）の比の対数の１０倍として定義される。ＭＩＯＣ内のクロスカップリングを最小にすると（消光比の絶対値を最大にすると）、この種のバイアス誤差が減少される。
【０００６】
更に背景技術としてここに開示されるような一体化光学チップ（ＩＯＣ）は、「高電気光学係数を有する多機能の一体化光学チップを製造する方法」と題し、１９９３年３月９日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，１９３，１３６号；「一体化光学チップ及びそれに光ファイバコイルを接続する方法」と題し、１９９１年９月１０日に公布されたチン・エル・チャンによる米国特許第５，０４６，８０８号；「一体化光学チップ及びニオブ酸リチウム基板に対する光ファイバの付設のためのレーザアブレーション法」と題し、１９９５年２月２８日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，３９３，３７１号；「電気光学導波管、位相変調器及びそれらを製造する方法」と題し、１９９５年８月１５日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，４４２，７１９号；及び「一体化光学チップに対しファイバの堅牢な接続のための方法及びその製品」と題し、１９９０年１２月１１日に公布されたジョージ・エイ・パビラスによる米国特許第４，９７６，５０６号に開示されると同様の処理若しくは工程を用いて形成される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による一体化光学チップは電気光学的に活性な材料からなる基板と、基板の長さ方向に延びるように配置して基板の基板上面をなす第１の面上に形成される光導波管とよりなり、更に、光導波管に入力された光信号を受けるように配置した入力ファセットと、一体化光学チップから光信号出力を出力させるように配置した出力ファセットとを有し、基板はその内部に光導波管と直角に基板を横切るとともに第１の面と反対側の基板底面をなす第２の面から第１の面に向けて基板の厚さの７５％から９５％の範囲となる深さまで延びるように入力ファセット近くに、かつ入力ファセットから離れる側に傾斜して、または入力ファセットに近づく側に傾斜して形成され、傾斜側において第２の面に対し反時計方向または時計方向に約６０度の鋭角をなすスロットとして形成される第１のトレンチと、前記第１のトレンチに対して光導波管に直角な中心軸について回転対称に、かつ出力ファセット近くに基板内に形成される第２のトレンチとを含む。
【０００８】
添付図面を参照し好ましい実施形態に沿った以下の説明から、本発明の目的及び構造及びその動作法が完全に理解されよう。
【０００９】
【発明の実施の形態】
ここに開示される図面のいずれも一定の割合で拡大して示してある。図面に示される構成部品の一部の寸法は他の構成部品に比べ拡大して示す必要があるほど小さい。
【００１０】
図１Ａには基板１６上に形成される３個の光導波管１２−１４からなる光導波管ネットワーク１１を含む第１の周知のＭＩＯＣ１０が示される。基板１６はこのような装置の製造に通常使用されるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）のような電気光学的に活性な材料で作られる。光導波管１２−１４は当業者には周知の処理法を用いて基板１６の一部をドーピング処理することにより形成される。
【００１１】
導波管１２は基板１６の縁部１８から光導波管１２−１４が交差するＹ接合部２０へ向って延びている。光導波管１３、１４はＹ接合部２０と平行部２６、２８との間をそれぞれ延びる角度部２２、２４を有している。光導波管１３、１４は基板１６のＹ接合部２０と縁部３０との間に延び、縁部１８、３０は全体として平行にされる。
【００１２】
光導波管１２、１４は、光ファイバ３２〜３４がそれぞれ突き合わせ接合されてＭＩＯＣ１０を他の構成部品（図示せず）とのインターフェースをなすように形成される。従来例及び本発明の両方を説明し易いように、光ファイバコイル３２は以下入力ファイバピグテールと、また光ファイバ３３、３４は出力ファイバピグテールと呼ぶ。
【００１３】
一対の足部３６、３８がそれぞれ端面１８、３０の近傍において基板１６の上面４０上に装着される。
【００１４】
ＭＩＯＣ１０は基板１６の底面４２からの単一跳ね返り反射を阻止するように設計される。例えば、光信号が入力ファイバピグテール３２からＭＩＯＣ１０へ入力される場合、入力信号の大半は光導波管１２内に入りＹ接合部２０へ、更に光導波管１３、１４へ連結され、且つ出力ファイバピグテール３３、３４へと連結される。一方入力ファイバピグテール３２からの入力信号の少量が基板１６内を伝播する。基板１６の下面４２から反射する光は入射角を有するので、反射光が出力ファイバピグテール３３、３４へ伝播し光導波管１３、１４と結合される。この角度はＭＩＯＣ１０の寸法に左右され、一応ＭＩＯＣの長さ及び厚さが既知となると容易に計算できる。代表的なＭＩＯＣの基板１６は長さが約２６〜２８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さが１ｍｍである。
【００１５】
底面４２からの単一反射される光の光路はＭＩＯＣに形成された浅い３個のトレンチあるいは溝４４〜４６により阻止される。トレンチ４４〜４６は基板１６の中央領域内の光が反射され、ＭＩＯＣ１０の反対端部でピグテールに達する必要がある部分に配置される。図１〜図２Ｃに示すように、トレンチ４４〜４６は平行であり光導波管１２、１４により形成される光路に対しほぼ垂直な方向に基板１６を横断して延びる。通常トレンチは光導波管１２、１４により形成される光路に対し垂直な線に対し０〜１５度をなす。トレンチ４４〜４６は通常底面４２から基板１６内に約５０〜３００μｍ延びている。通常トレンチ４４〜４６の深さは基板１６の高さの半分より大幅に小さい。トレンチ４４〜４６にはインディアンインクのような物質で充填され、望ましくない光線の抑制を高めることができる。
【００１６】
トレンチ４４〜４６の１の側面に入射される光はＭＩＯＣ１０のピグテール、入力部、あるいは出力部３２〜３４に達しないような角度で反射される。ＭＩＯＣ１０は約−５５〜−６５デシベルの範囲の消光比を有している。
【００１７】
図２ＡはＭＩＯＣ６０の長さに対し１／４、１／２及び３／４で等間隔で離間される３個のトレンチ６２〜６４を有したＭＩＯＣ６０を示す。図２Ｂは中央底部領域で単一のトレンチ６６を有する別の種類の周知のＭＩＯＣ６５を示す。この両方とも足部５９、６１を設けたもの、あるいは設けなかったものを製造可能である。
【００１８】
図２ＣはＭＩＯＣ６０の入力ファセット６７から底面６９へ伝播する光線６８Ａ、６８Ｂを示す。トレンチ６２により光線６８Ｂが阻止され、トレンチ６３により光線６８Ａが阻止される。またこの構成は足部５９、６１を設けたもの、あるいは設けなかったものを製造可能である。
【００１９】
図３は基板７８の底面７２および側面７４、７６からの光路の反射を示す周知のＭＩＯＣ７０の斜視図である。光線８０は入力ファイバピグテール３２と光導波管１２との間のインターフェースで基板７８に入る。光線８０はまず近くの側面７４から底面７２へと反射する。光線は底面から遠い側面７６へ反射し、更に側面７６により光線は出力ピグテール３３へ反射される。これらの反射は周知のトレンチでは阻止されず、上述したように偏光消光比が劣化されＰＮＲとなる。
【００２０】
周知の技術ではチップの側面からの反射及び側面と底面の両方を組み合わせた反射について何も開示されていない。周知技術では一方のピグテールインターフェースで開始し対向ピグテールで終了する散乱光の２本の最簡潔の光路のみについて開示しているにすぎない。
【００２１】
ＭＩＯＣの消光比を更に改良するには、基板１６の上面４０及び底面４２の面から単一及び３重に跳ね返り反射させる２本の最簡潔な光以外の光線も阻止する必要があることが判明している。
【００２２】
図４及び図５は包封されたＭＩＯＣ８２を示す。図４はＭＩＯＣ８２の側面図及び図５はその底面図である。ＭＩＯＣ８２には、基板７８の上面７１に形成される光導波管１２、１４（側面図には光導波管１４は図示されていない）からなる光導波管ネットワーク１１が含まれる。ファイバピグテール３２〜３４は上述したようにＭＩＯＣ８２に付設される。ＭＩＯＣ８２は入力ファセット５０及び出力ファセット５２とを含む。
【００２３】
ＭＩＯＣ８２は一対の角度付けされたトレンチ８４、８６を含む。図５に示すように、第１と第２のトレンチ８４、８６は基板７８の幅をほぼ垂直に横断して延びる。図４に示すように、第１のトレンチ８４は基板７８の、入力ファセット５０を有する側の端部８８の近傍から開始し光導波管１２へ角度を持って延びている。第１のトレンチ８４は底面７２から反時計方向に約６０度の角度をなすことが好ましい。第１のトレンチ８４の底部８４Ａ（図５に点線で示す）は底面７２での開口部から基板７８の中心部へと変位される。第２のトレンチ８６は第１のトレンチ８４に対し対称に配置される。従って第２のトレンチ８６は基板７８の端部９０の近傍から開始し、底面７２から反時計方向に約１２０度の角度で光導波管１３、１４へ延びている。第２のトレンチ８６の底部８６Ａ（図５に点線で示す）は底面７２における開口部から基板７８の中心部へ変位される。
【００２４】
トレンチ８４、８６はインディアンインクのような吸光材８５で充填可能である。
【００２５】
図４の光導波管１２から出る実線矢印は入力ピグテール３２の近傍で基板７８内で散乱された光線９７、９９を示す。矢印８９は光導波管１２の散乱場所から散乱した光線を示す。散乱した光線は図３に示すように基板７８の面で反射される。一方角度付けされたトレンチ８４、８６によりこのような光線はほとんどすべて阻止される。トレンチ８４あるいはトレンチ８６に入射され光線８９、９７、９８、９９により示されるような光線はＭＩＯＣ８２のピグテール、つまり入力部あるいは出力部３２〜３４に達しないような角度で反射される。光線の一部はまたトレンチ８４、８６内に配置されるインディアンインクのような吸光材により吸収できる。ＭＩＯＣ８２の消光比は−７０〜−８２デシベルの範囲内にある。
【００２６】
図４の点線矢印は出力ファイバピグテール３３、３４へ向い角度付けされたトレンチ８４、８６により阻止される光線の光路を示す。
【００２７】
トレンチ８４、８６は幅が約０．００３〜０．０１２インチであり、基板７８の底面７２からトレンチ９５の最上位位置へ垂直に測定された垂直深さが約７５０〜８５０μｍだけ基板７８内に延びている。従ってトレンチ８４、８６の深さは基板７８の厚さの約７５〜８５％であることが好ましい。一方トレンチの深さは基板の厚さの９５％ほどに深くできる。
【００２８】
ＭＩＯＣ８２は端面８８、９０の近傍で基板７８上にそれぞれ装着される一対の足部９２、９４、あるいは端面８８、９０から充分に延びる全長カバー９６（点線で示す）を含むことができる。足部９２、９４はＭＩＯＣ８２に対し機械的強度を与えるために使用され、足部がなければ角度付けされたトレンチ８４、８６の深さのためもろくなろう。
【００２９】
図６はＭＩＯＣ８２と同様なＭＩＯＣ１０１を示す。唯一の違いは、ＭＩＯＣ１０１が上面側で互いに離間してそれぞれ入力・出力ピグテールに近づくように延びるトレンチ１０３、１０５を有し、一方図４、５のＭＩＯＣ８２のトレンチ８４、８６は上面側においてピグテールから互いに離間するように形成されていることにある。
【００３０】
図７Ａ及び図７ＢはＭＩＯＣ１０４の基板７８内に形成された一対のトレンチ１００、１０２を含む本発明の別の実施形態を示す。トレンチ１００、１０２は基板７８の底面に対しほぼ平行にされる。ＭＩＯＣ１０４は構造的に一体性を与えるため全長カバー１０６を含む。
【００３１】
図８及び図９はトレンチを有する本発明の別の実施形態を示す。ＭＩＯＣ１０８は基板７８内に上述したように形成される光導波管１２、１４（光導波管１４は側面図には示されていない）を含む。ファイバピグテール３２〜３４は上述したようにＭＩＯＣ１０８に付設される。一対のトレンチ１１０、１１２は端面８８、９０の近傍で基板７８の矩形部分を除去することにより形成される。ＭＩＯＣ１０８はまた中央トレンチ１１４を有することができる。
【００３２】
図８は基板７８内を伝播する２本の光線１１６、１１８を示す。光線１１６は端部トレンチ１１０の上部により基板７８の上部へ反射される。光線１１６は中央トレンチ１１４を外れるがトレンチ１１２に当たり阻止される。光線１１８もトレンチ１１２により阻止される。インディアンインクのような吸光材がトレンチ１１０、１１２の表面に使用される場合、光は吸収可能である。ＭＩＯＣ１０８はまた全長カバー１１９を含む。
【００３３】
図１０はＭＩＯＣ１２４の基板７８内に形成された角度付けされた２個のトレンチ１２０、１２２を有する本発明の別の実施形態を示す。トレンチ１２０、１２２は共に基板７８の幅を完全に横切って延びることが好ましい。更に好ましい実施形態ではトレンチ１２０、１２２は対称にできる。トレンチ１２０は基板の縁部１２５から延び、上面１２６へ向って上方へ角度付けされる。トレンチ１２２は基板７８の底面１２８で開始し上面１２６へ向って角度付けされる。基板７８の底面１２８から約３０度あるいは６０度の角度はトレンチ１２０、１２２にとって好ましい。好ましい深さは図４で説明した場合と同じである。
【００３４】
図１１はＭＩＯＣ１２９の基板７８内に形成され角度付けされた一対のトレンチ１３０、１３２を有する本発明の更に別の実施形態を示す。トレンチ１３０、１３２は図１０の角度付けされたトレンチに相当するが、基板７８の底面の一部へ向って延びるあるいはそれを含むトレンチの下部の追加くさび形状部分が除去される。更に好ましい実施形態では、トレンチ１３０、１３２は対称に形成される。好ましい深さは図４で説明した場合と同様である。この構成は端面１３１から端面１３３へ延びる全カバー足部１３６を点線で示す、あるいは基板７８の端部１３１、１３３の近傍に配置される足部１３４、１３５を含むことができる。
【００３５】
図１２は基板７８の端部１４６、１４８の近傍で角度付けされたトレンチ１４２、１４４を有する本発明のＭＩＯＣ１４０の斜視図である。トレンチ１４２、１４４は基板７８の側面及び底面の両方に対し角度付けされる。好ましい実施形態においては、トレンチの基部が端部１４６、１４８に対しほぼ平行であり、全てトレンチ上部の基板面内の光導波管１２、１４に対する垂直線から０〜１５度の角度をなす。更にこれは光線８０が基板７８の側面及び底面から連続的に反射し出力ピグテール３３に連結されることをトレンチ１４２により阻止される状態を示している。角度付けされたトレンチがないので、出力ピグテール３３と連続的に連結される、図３と同様の光路が示される。端面１４６から端面１４８へ延びる全カバー１４５あるいは端部１４６、１４８の近傍に配置される２個の足部１４１、１４３はＭＩＯＣ１４０の構造的な一体性のために必要である。
【００３６】
本発明のＭＩＯＣ構造体は一体化光学チップの上面、底面及び側面からの反射を経て潜在的にクロスカップリングする各種光線を消滅あるいは捕捉するように設計される。トレンチの位置及び角度は入力ピグテールからの光線がトレンチの面に対し垂直にトレンチに入射しないように選択される。この光線は少なくとも一部吸収あるいは捕捉されずピグテール内へ逆に反射されよう。
【００３７】
ＴＥモード及びＴＭモードは単一、二重、３重跳ね返り光路で可能である。更に導波管に沿った面あるいはサブ面散乱点により、ＴＥモードクロスカップリングの光路が付加される。本発明はチップの側面に対し垂直あるいはある角度をなし、チップの底面に対し平行あるいはある角度をなすトレンチを使用する。本発明では一体性のための全カバーが必要ではないが、少なくとも足部が必要になろう。
【００３８】
本発明に含まれるトレンチ構成はトレンチと基板面との間で光を阻止し捕捉する。角度付けされたトレンチ構成はまた、チップ面に対し平行な最小面を与え、その結果反射できる。このトレンチは周知のものより深くされるが、同様な結果を得るのに垂直トレンチを必要とするほど深くはない。このトレンチは材料の厚さのほぼ３／４の深さであり、構成が特定の装置の場合垂直深さは７５０〜８５０μｍである。カバーなしの装置の全深は１０００μｍである。本発明によれば通常５０〜３００μｍの垂直深さを用いる周知技術の場合よりより多くの反射を阻止できる。トレンチの最適長さ（チップの長さに沿った距離）は全チップ長、基板の厚さ、ＩＯＣ設計許容度、及び一体化光学チップの表面に対するトレンチの垂直変位により決定される。更にチップの全幅を横断するトレンチはチップの側面及び底面からの角度付き反射も捕獲できるという利点も付加されるが、不都合な光を阻止するためにトレンチはチップの全幅を経て延びる必要はない。
【００３９】
この構成においてはトレンチの垂直深さが基板厚さ（カバー若しくは足部を含まない）の少なくとも７５％であるとき、トレンチあるいは角度付けされたトレンチのチップ長に沿った距離がチップの全長の１２．５〜２５％にする必要がある。チップの長さに沿って測定されるトレンチ距離の計算は別のトレンチの垂直深さに対しては幾分難しいであろう。この構成の場合底面から単一及び３重に跳ね返る反射光が捕捉される。またトレンチの端部から再び上面へ及び底面へ反射する光も捕捉され、このため光が再び対向するピグテールに入ることが防止される。導波管に沿い側面及び底面からの反射光及び欠陥あるいは欠陥源からの反射光も最小にされる。角度付けされたトレンチの角度は１５〜７５度の範囲にされよう。一方ピグテール内に再び直接反射されるので、約４５度は避けるべきである。約３０度及び６０度の角度が望ましい。
【００４０】
またチップの端部の近傍にあるこれらのトレンチの位置のため、既存の足部を利用して機械的安定性を与える利点が付加される。トレンチ構成が角度付けされているので、ピグテールの端面を十分に使用でき、反射表面積が最小にされて、ＩＯＣで足部若しくは全カバー構成を使用可能である。またインディアンインクのような吸光材がトレンチの表面に使用される場合、光が吸収可能である。
【００４１】
ここで開示する構造及び方法は本発明の原理を示すためである。本発明はその精神あるいは本質的な特性から離れることなく他の具体的形態に変更可能である。上述した実施形態は全ての点で制限するものではなく一例であり、説明のためと考えるべきである。従って上述の説明ではなく添付の請求項により本発明の範囲が限定される。請求項の等価物の意味及び範囲内に入るここに説明した実施形態に対する全ての設計変更は本発明の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】  図１Ａは従来のＭＩＯＣの斜視図である。
【図１Ｂ】  図１Ｂは図１ＡのＭＩＯＣの底面図である。
【図１Ｃ】  図１Ｃは図１Ａ及び図１ＢのＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ａ】  図２Ａは単一及び３重跳ね返り反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ｂ】  図２Ｂは単一跳ね返り反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ｃ】  図２Ｃは単一及び３重跳ね返り反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図であり、単一及び３重跳ね返り反射の光路をも示す。
【図３】  図３は物質内の反射光線を示す従来のＭＩＯＣの上部斜視図である。
【図４】  図４は本発明による角度付けされた一対のトレンチを有するＭＩＯＣの第１の実施形態の側面図である。
【図５】  図５は図４のＭＩＯＣの平面図である。
【図６】  図６は本発明によるＭＩＯＣの第２の実施形態の側面図である。
【図７Ａ】  図７Ａは本発明によるＭＩＯＣの第３の実施形態の側面図である。
【図７Ｂ】  図７Ｂは図７ＡのＭＩＯＣの端面図である。
【図８】  図８は本発明によるＭＩＯＣの第４の実施形態の側面図である。
【図９】  図９は図８のＭＩＯＣの底面斜視図である。
【図１０】  図１０は本発明のＭＩＯＣの第５の実施形態の側面図である。
【図１１】  図１１は本発明のＭＩＯＣの第６の実施形態の側面図である。
【図１２】  図１２は図４に示す第１の実施形態の阻止された光線路を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０；ＭＩＯＣ、１１；光導波管ネットワーク、１２；光導波管、１３；光導波管、１４；光導波管、１６；基板、１８；縁部、２０；Ｙ接合部、３０；縁部、３２；入力ファイバピグテール、３３；出力ピグテール、３６；スラブ光導波管、３８；４０；頂部、４２；底部、４４；上面層、（４４〜４６）；トレンチ、５０；入力ファセット、（６２〜６４）；トレンチ、６６；トレンチ、６７；入力ファセット、７１；上面、７２；底面、７４；側面、７６；側面、７８；基板、８４；トレンチ、８６；トレンチ、９４；散乱源、９０；ＭＩＯＣ、１０４；ＭＩＯＣ、１０８；ＭＩＯＣ、１１０；端部トレンチ、１１２；トレンチ、１１９；全長バー、１１４；中央トレンチ、１２４；ＭＩＯＣ、１４０；ＭＩＯＣ、１４２；トレンチ、１４４；側部溝
【図１Ａ】
0003804451.tif 000002
【図１Ｂ】
0003804451.tif 000003
【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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