(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列接続された複数のスイッチング用半導体素子と前記各スイッチング用半導体素子とそれぞれ逆並列接続された複数の還流用半導体素子により構成された上アーム及び下アームが直列接続されてなる相インバータ回路を有するモータ駆動用のインバータモジュールであって、
前記上アームの複数のスイッチング用半導体素子と複数の還流用半導体素子は基板上で所定方向へ交互に隣接配置され、前記下アームの複数のスイッチング用半導体素子と複数の還流用半導体素子は基板上で所定方向へ交互に隣接配置されていることを特徴とするモータ駆動用のインバータモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のモータ駆動用のインバータモジュールにおいて、
同一相、同一サイドの複数の前記スイッチング用半導体素子と複数の前記還流用半導体素子を一列に交互配置してなる素子列を有し、前記素子列の一方側に隣接し、前記素子列と平行に、前記相インバ−タ回路の低位直流端又は交流出力端をなす導体パターンが前記基板上に延設されることを特徴とするモータ駆動用のインバータモジュール。
【請求項３】
請求項２記載のモータ駆動用のインバータモジュールにおいて、
前記素子列の他方側に隣接し、前記素子列と平行に、前記同一相、同一サイドの複数のスイッチング用半導体素子を制御する前記制御入力端をなす導体パターンが延設されることを特徴とするモータ駆動用のインバータモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、単一の基板に三相インバータ回路を搭載してなるモータ駆動用のインバータモジュールに関し、特にモータ動作及び回生動作を実施する回生式モータを駆動するインバータモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
モータ駆動用のインバータモジュールは、制動時に回生動作により負荷の回転エネルギを電力として直流電源側に回収することができるので、電気自動車の走行モータ駆動用などのモータ駆動制御に広く採用されている。
特開平４−１５２６６３号公報は、三相インバータ回路を構成する６ア−ムのうちの２ア−ム分すなわち一相分を実装したインバータモジュールを開示している。
【０００３】
このインバータモジュールでは、各ア−ムは、互いに並列接続された３個のスイッチング用半導体素子と、これらスイッチング用半導体素子と逆並列接続された３個の還流用半導体素子とからなり、各ア−ムの３個のスイッチング用半導体素子は基板上に互いに隣接して配設され、また各ア−ムの３個の還流用半導体素子も基板上に互いに隣接して配設されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のインバータモジュールでは、３個のスイッチング用半導体素子が互いに隣接し、３個の還流用半導体素子が互いに隣接して配設されているので、スイッチング用半導体素子を作動して交流電力を出力する場合には、隣り合う３個のスイッチング用半導体素子の発熱が互いに影響しあって、それらの温度上昇が増大し、また、モ−タの回生動作のように３個の還流用半導体素子が作動する場合には、隣り合う３個の還流用半導体素子の発熱が互いに影響しあって、それらの温度上昇が増大した。
【０００５】
また、このインバータモジュールの絶縁基板上には導体パターンが設けられるが、この導体パターンの発熱が近接するスイッチング用半導体素子や還流用半導体素子に影響してますますそれらの温度上昇が増大するという問題があった。
インバータモジュールの大形化と素子配置密度及び導体パターンの広幅化を図ることにより、これら素子温度上昇問題は緩和されるが、インバータモジュールの大形化は、コスト増大、設置スペ−スの増大を招いてしまう。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、体格の増大を図ることなく、素子温度の低下を実現可能なインバータモジュールを提供することをその目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のモータ駆動用のインバータモジュールは、並列接続された複数のスイッチング用半導体素子と前記各スイッチング用半導体素子とそれぞれ逆並列接続された複数の還流用半導体素子により構成された上アーム及び下アームが直列接続されてなる相インバータ回路を有するモータ駆動用のインバータモジュールであって、前記上アームの複数のスイッチング用半導体素子と複数の還流用半導体素子は基板上で所定方向へ交互に隣接配置され、前記下アームの複数のスイッチング用半導体素子と複数の還流用半導体素子は基板上で所定方向へ交互に隣接配置されていることを特徴としている。
請求項１記載のモータ駆動用のインバータモジュールの好適態様によれば、絶縁基板上に三相インバータ回路の各アームを構成するスイッチング用半導体素子及び還流用半導体素子がそれぞれ複数配設される。本構成では特に、スイッチング用半導体素子と還流用半導体素子とを所定方向へ交互に隣接配置させる。
【０００８】
このようにすれば、同時的に通電発熱するスイッチング用半導体素子同士又は還流用半導体素子同士を近接させることがないので、スイッチング用半導体素子の温度上昇を低減でき、還流用半導体素子の温度上昇を低減することができる。すなわち、スイッチング用半導体素子と還流用半導体素子とは、たとえ同一アーム内のものであっても同時的に通電が生じることはほとんどない。
【０００９】
したがって、スイッチング用半導体素子と還流用半導体素子とを隣り合わせとすることにより、従来のように、同時的に作動するスイッチング用半導体素子同士が互いに熱的に影響しあってそれらの温度が上昇したり、同様に同時的に作動する還流用半導体素子同士が互いに熱的に影響しあってそれらの温度が上昇したりすることがなく、素子接合温度の上昇を抑止することができ、信頼性向上、電流アップなど大きな効果を奏することができる。
【００１０】
なお、これら還流用半導体素子を挟んで配列される一対のスイッチング用半導体素子としては、同じ相かつ同じサイドのもの（同一アームのもの）、同じ相で反対サイドのもの、異なる相で同じサイドのもの、異なる相で異なるサイドのもののいずれでもよい。
たとえば、同じ相で反対サイドのものの場合、交流出力においてはこの相の相インバ−タ回路の交流出力端の電位は交流電位変化するわけであり、結局、同じ相で反対サイドのスイッチング用半導体素子同士は１８０度位相が異なるが同期作動するので、ほとんど同時運転され、同時発熱するとみなせる。同様に、異なる相のスイッチング用半導体素子同士でも三相交流電圧を出力する以上、位相が異なるもののほとんど同時的に運転され、同時発熱するとみなせる。
【００１１】
なお、三相インバータ回路を運転して三相交流電圧を出力する場合、スイッチング用半導体素子の断によりフライバック電流が還流用半導体素子に流れ、スイッチング用半導体素子も還流用半導体素子も発熱する。
しかし、電気自動車などの走行モータでは、回生（制動）運転を行うが、この回生運転では、発電された交流電流は各還流用半導体素子からなる三相全波整流回路により整流されて出力される。したがって、この回生運転時の還流用半導体素子に流れる電流量は上述したスイッチング用半導体素子の遮断時のフライバック電流より格段に大きく、還流用半導体素子はこれに合わせて作製されることになる。すなわち、回生時には、モータが強力な三相交流発電機となり、スイッチング用半導体素子断時のフライバック電流より格段に大きな発電電流が三相全波整流器としての各還流用半導体素子を通じて流れる。
【００１２】
すなわち、回生時には主として還流用半導体素子が発熱し、力行時にはスイッチング用半導体素子が主として発熱するので、これらを互い違いに配置することにより発熱の集中を緩和して、素子の温度上昇を抑止することができる。
請求項２記載の構成によれば請求項１記載のインバータモジュールにおいて更に、同一相、同一サイドのすなわち同一アームの複数のスイッチング用半導体素子と複数の還流用半導体素子とが交互に一列に配列される。素子列の一方側に隣接して相インバ−タ回路の低位直流端又は交流出力端をなす導体パターンが延設される。
【００１３】
このようにすれば、この同一アームのスイッチング用半導体素子及び還流用半導体素子の上側の主電極をこの導体パターンに最短距離のワイヤボンディングで接続することができ、配線構成が簡素となる
請求項３記載の構成によれば請求項２  載のインバータモジュールにおいて更に、素子列の他方側に隣接して素子列中のスイッチング用半導体素子を制御するための制御入力端をなす導体パターンが延設される。
【００１４】
このようにすれば、この同一アームのスイッチング用半導体素子の制御電極をこの導体パターンに最短距離のワイヤボンディングで接続することができ、配線構成が簡素となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
電力用スイッチング素子には、ＭＯＳ、バイポーラ、ＳＩＴ、ＩＧＢＴなどを採用できる。
三相インバータ回路は、星型接続モ−タの中性点電流を制御するための第４番目の相インバ−タ回路をもつことも可能である。
（実施例１）
以下、本発明の三相インバータモジュールを用いた電気自動車用三相交流モ−タ制御装置の回路を図１に示す。
【００１７】
（全体構成）
１は三相インバータモジュール、２はバッテリ、４ａ、４ｂはリレー、６は電気自動車の走行モ−タをなす三相交流モ−タ、７は電流センサ、８は内部コントロ−ラ、９はスイッチ、１０は補機バッテリ、１１は車両用電子制御回路、１３はゲートコントローラ、１４は電圧異常検出保護回路、１５はモータコントローラ装置、２７は平滑コンデンサである。
【００１８】
三相インバータモジュール１は、一枚のベース上に搭載されており、周知のように６個のアーム３ａ〜３ｆにより構成され、上アーム３ａと下アーム３ｂとは互いに直列に接続されてＵ相の相インバ−タ回路を構成し、上アーム３ｃと下アーム３ｄとは互いに直列に接続されてＶ相の相インバ−タ回路を構成し、上アーム３ｅと下アーム３ｆとは互いに直列に接続されてＷ相の相インバ−タ回路を構成している。
【００１９】
上アーム３ａは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ａと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ａとからなる。下アーム３ｂは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ｂと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ｂとからなる。
上アーム３ｃは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ｃと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ｃとからなる。下アーム３ｄは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ｄと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ｄとからなる。
【００２０】
上アーム３ｅは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ｅと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ｅとからなる。下アーム３ｆは、スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ｆと、それと逆並列に接続されたダイオ−ド３２ｆとからなる。
スイッチング用半導体素子であるＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆはそれぞれ３個のＩＧＢＴチップを並列接続してなり、還流用半導体素子であるダイオ−ド３２ａ〜３２ｆもそれぞれ３個のダイオ−ドチップを並列接続してなる。
【００２１】
３５ａ、３５ｃ、３５ｅは三相インバータモジュール１の高位直流端子であり、ブスバーを通じ、リレ−４ａ、４ｂを通じてバッテリ２の高位端子に接続されている。３５ｂ、３５ｄ、３５ｆは三相インバータモジュール１の低位直流端子であり、ブスバーを通じてバッテリ２の高位端子に接続されている。３６〜３８は三相インバータモジュール１の交流出力端子であり、ケーブルを通じて、三相交流モ−タ６に給電している。
制御回路８は、起動スイッチ９がオンされると補機バッテリ１０から電力の供給を受けるとともに、車両用電子制御回路１１からのアクセル指令信号と電流センサ７からの検出信号とを入力し、半導体モジュール１の各ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆのゲート電圧を制御するものである。ここで、制御回路８は、補機バッテリ１０を電源として各ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆのゲ−トに電圧を印加及び解除する駆動回路１３、および、直流電源電圧を監視して異常時には保護をおこなう主電圧異常保護回路１４を内蔵する。
【００２２】
（基本動作）
以下、この装置の基本動作を簡単に説明する。
車両用電子制御回路１１により、スイッチ１０がオンされると内部コントロ−ラ８が起動し、リレ−４ａ、４ｂが順次オンされると三相インバータモジュール１に給電される。内部コントロ−ラ８は電流センサ７から検出した電流信号や三相インバータモジュール１や車両用電子制御回路１１からの信号に基づいて、ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆのゲ−ト電圧を制御し、それらを所定の順番で断続して、三相交流モ−タ６に三相交流電力を給電する。平滑コンデンサ２７は三相インバータモジュール１に入力される直流電圧の電圧変動を抑制する。
【００２３】
（三相インバータモジュール１の詳細構造）
三相インバータモジュール１の模式平面図を図２に示し、そのＡ−Ａ線矢視断面図を図３に示す。
セラミックス材（例えばＳｉＣ）にアルミニウムを含浸させてなる複合材からなる、熱伝動性と機械的強度に優れた平板上のベ−ス２０を備える。
【００２４】
ベ−ス２０の上面には、公知のハンダ付けまたはアルミろう付けまたはベ−ス２０に含まれるアルミとの溶融接合により例えば、熱伝導性の良いＡＩＮからなるセラミック基板などの絶緑基板２１〜２３が接合されている。ベ−ス２０としては、熱伝導に優れた例えばＣｕからなる金属を用いることもできる。また、金属の場合はベ−ス２０に搭載する絶緑基板２１〜２３の熱膨張係数とベース部材２０の熱膨張係数を近づけるために、例えばＣｕとＭｏ、またはＣｕとＷの合金を使用してもよい。
【００２５】
絶縁基板２１〜２３の上面には、６つの導体パターン（例えばＣｕまたはＡｌ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆがろう付けにより接合されている。各導体パターン２４ａ〜２４ｆの上面には上述した各ＩＧＢＴ及び各ダイオードがハンダ付けにより接合されている。絶縁基板２１〜２３の上には、６つの導体パターン２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５ｆも接合されている。
【００２６】
上述したように、ＩＧＢＴ３１ａは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌａ、３１２ａ、３１３ａからなり、ダイオード３２ａは、並列接続されたダイオード３２１ａ、３２２ａ、３２３ａからなる。同様に、ＩＧＢＴ３１ｂは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌｂ、３１２ｂ、３１３ｂからなり、ダイオード３２ｂは、並列接続されたダイオード３２１ｂ、３２２ｂ、３２３ｂからなる。また、ＩＧＢＴ３１ｃは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌｃ、３１２ｃ、３１３ｃからなり、ダイオード３２ｃは、並列接続されたダイオード３２１ｃ、３２２ｃ、３２３ｃからなる。同様に、ＩＧＢＴ３１ｄは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌｄ、３１２ｄ、３１３ｄからなり、ダイオード３２ｄは、並列接続されたダイオード３２１ｄ、３２２ｄ、３２３ｄからなる。更に、ＩＧＢＴ３１ｅは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌｅ、３１２ｅ、３１３ｅからなり、ダイオード３２ｅは、並列接続されたダイオード３２１ｅ、３２２ｅ、３２３ｅからなる。同様に、ＩＧＢＴ３１ｆは、並列接続されたＩＧＢＴ３１ｌｆ、３１２ｆ、３１３ｆからなり、ダイオード３２ｆは、並列接続されたダイオード３２１ｆ、３２２ｆ、３２３ｆからなる。
【００２７】
ベ−ス２０上の周縁部には樹脂製の絶縁ケース２６が接着されており、絶縁ケース２６の上面には高位直流端子３５ａ、３５ｃ、３５ｅと、低位直流端子３５ｂ、３５ｄ、３５ｆ及び交流出力端子３６〜３８がインサ−ト成形により固定されている。図示しないが、これら高位直流端子３５ａ、３５ｃ、３５ｅと、低位直流端子３５ｂ、３５ｄ、３５ｆとの間に平滑コンデンサ２７の正、負の端子がブスバ−で固定されており、交流出力端子３６〜３８には三相交流モ−タ６が接続されている。
【００２８】
ＩＧＢＴ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａとダイオ−ドチップ３２１ａ、３２２ａ、３２３ａとは、図示のように交互に一列に配列されている。以上の構成は、他の５つのアーム３ｂ〜３ｆについても同じであるが、その説明は省略する。
直流電源の正極につながる高位直流端子３５ａ、３５ｃ、３５ｅは導体パターン２４ａ、２４ｃ、２４ｅに個別に接続され、導体パターン２４ａ、２４ｃ、２４ｅには、ＩＧＢＴチップ及びダイオ−ドチップ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａ、３２１ａ、３２２ａ、３２３ａ、３１１ｃ、３１２ｃ、３１３ｃ、３２１ｃ、３２２ｃ、３２３ｃ、３１１ｅ、３１２ｅ、３１３ｅ、３２１ｅ、３２２ｅ、３２３ｅの上面側の主電極がボンディングワイヤで接続されている。
【００２９】
直流電源の負極につながる低位直流端子３５ｂ、３５ｄ、３５ｆは導体パターン２５ｂ、２５ｄ、２５ｆに個別に接続され、導体パターン２５ｂ、２５ｄ、２５ｆは、ＩＧＢＴチップ及びダイオ−ドチップ３１１ｂ、３１２ｂ、３１３ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ、３２３ｂ、３１１ｄ、３１２ｄ、３１３ｄ、３２１ｄ、３２２ｄ、３２３ｄ、３１１ｆ、３１２ｆ、３１３ｆ、３２１ｆ、３２２ｆ、３２３ｆの上面側の主電極にボンディングワイヤで接続されている。
【００３０】
交流出力端子３６〜３８は、導体パターン２４ｂ、２４ｄ、２４ｆとボンディングワイヤで接続される。また、交流出力端子３６〜３８は、ＩＧＢＴチップ及びダイオ−ドチップ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａ、３２１ａ、３２２ａ、３２３ａ、３１１ｃ、３１２ｃ、３１３ｃ、３２１ｃ、３２２ｃ、３２３ｃ、３１１ｅ、３１２ｅ、３１３ｅ、３２１ｅ、３２２ｅ、３２３ｅとボンディングワイヤで導通接続された導体パターン２５ａ、２５ｃ、２５ｅとボンディングワイヤで接続されている。
【００３１】
ＩＧＢＴチップ３１１ａ〜３１３ａ、３１１ｂ〜３１３ｂ、３１１ｃ〜３１３ｃ、３１１ｄ〜３１３ｄ、３１１ｅ〜３１３ｅ、３１１ｆ〜３１３ｆと、絶縁ケース２６にインサート成型された導体部３９ａ、３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９ｅ、３９ｆは、ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ、４０ｆで接続されており、導体部３９ａ〜３９ｆは、直上に配置された制御回路８とハンダ付けされている。
【００３２】
（三相インバータモジュール１の動作）
以下、この三相インバータモジュール１の動作を説明する。
三相交流モ−タ６の力行動作時にはＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆの通電電流が、ダイオ−ド３２ａ〜３２ｆのそれより格段に大きく、ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆの発熱が支配的となる。すなわち、ダイオ−ド３２ａ〜３２ｆは、誘導負荷を駆動する場合に必要とされる公知の環流ダイオ−ドとして動作するので、ダイオ−ド３２ａ〜３２ｆの平均電流及びその発熱はＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆに比べて格段に小さい。一方、回生動作時には、ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆとダイオ−ド３２ａ〜３２ｆの導通関係が逆転し、ダイオ−ド３２ａ〜３２ｆが支配的に通電されて発熱し、ＩＧＢＴ３１ａ〜３１ｆの損失はダイオ−ド３２ａ〜３２ｆの損失に比べて格段に小さくなる。電気自動車の場合、力行状態は通常走行に当たり、回生状態はブレーキを掛けた状態に相当する。つまり、これら両者が同時に最大損失を発生することはないわけである。
【００３３】
以下、Ｕ相の上アームについて説明するが、他のアームについても作動は同等である。ＩＧＢＴチップ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａで発生した損失すなわち熱は、ベ−ス２０より冷却されるため、ＩＧＢＴチップ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａからベ−ス２０に向かっておよそ４５度の角度で広がりながら伝熱する。したがって、力行動作時のＩＧＢＴチップどうし、および回生動作時のダイオ−ドチップどうしの熱流が重なり合わず、素子の接合温度を低く抑えることができ、各チップの通電電流を低く制限することなく、かつ、チップの信頼性向上も実現できる。
【００３４】
この実施例の他の特徴についてＷ相の下アームを参照して以下に説明する。
３つの並列接続されたＩＧＢＴチップ３１１ｆ、３１２ｆ、３１３ｆのエミッタ（チップの上面側の主電極）は、ボンディングワイヤで導体パターン２５ｆに接続されており、導体パターン２５ｆはボンディングワイヤを介して低位直流端子３５ｆに接続されている。導体パターン２５ｆを流れる電流は、ＩＧＢＴチップ３１３ｆから３１１ｆに向かうに従って増加する。したがって、導体パターン２５ｆの幅を上記方向に向けて次第に太くすることにより、少ないスペースで電流密度を均一にできる。
【００３５】
次に、左から２番目のアームはハイサイドであるため、上記ローサイドの場合とは電流の流れる向きが反対となる。ＩＧＢＴチップ３１１ｅ、３１２ｅ、３１３ｅのエミッタからワイヤボンディングで接続された導体パターン２５ｅの幅を交流出力端子３８へ向けて徐々に太くする。
結局、互いに隣接する交流出力端子向けの導体パターンと低位直流端子向けの導体パターンの幅が互いに逆方向に広がっているので、電流が増大する部位の抵抗が減少し、全体としての配線損失及び発熱を低減することができ、しかも導体パターン配設スペ−スも節約することができる。更に、これら交流出力端子及び低位直流端子向けの導体パターンは、ＩＧＢＴチップやダイオ−ドチップと近接しているので、これら導体パターンの発熱低減により、それらの素子温度を低減できるという効果を奏する。
【００３６】
この実施例の更なる他の特徴についてＷ相の下アームを参照して以下に説明する。
この実施例では、導体パターン２４ｅは、直流電源２の正極側の電位をもつ。そこで、この導体パターン２４ｅと、制御回路８に導通している導体部３９ｅ内の導体とをボンディングワイヤ６０で接続する。
【００３７】
以上の構成とすることにより、ケーブルを必要とせず、ボンディングワイヤを一本一箇所追加するだけで、簡単に直流電源２の正極電位をその上に重なる制御回路８で検出できる。なお、導体部３９ａ〜３９ｆは、接続されるボンディングワイヤの本数と同数以上の、電気的に独立した複数の導体を含んだ総称である。また同様に、負極電位も導体２５ｆから同様な方法で制御回路８にケーブルを用いることなく導入が可能である。このようにして制御回路８で検出された直流正極電位は、負極電位との差をとり、主電圧異常保護回路１４に使用されることができる。なお、ボンディングワイヤ６０は、直流電源２の正極側の電位と同電位である、導体パターン２４ａまたは２４ｃに設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の三相インバータモジュールを採用するモ−タ制御装置の一実施例を示す回路図である。
【図２】図１に示す三相インバータモジュール１の平面図である。
【図３】図２に示す三相インバータモジュール１のＡーＡ線矢視縦断面図である。
【符号の説明】
１は三相インバータ回路、
２はバッテリ、
３１ａ〜３１ｆはＩＧＢＴ（スイッチング用半導体素子）、
３２ａ〜３２ｆはダイオ−ド、
６は三相交流モ−タ、
２０はベース、
２１〜２３は絶縁基板、
２４ａ〜２４ｆ、２５ａ〜２５ｆは導体パターン、
２６はケ−ス、
３５ａ、３５ｃ、３５ｅは三相インバータモジュール１の高位直流端子、
３５ｂ、３５ｄ、３５ｆは三相インバータモジュール１の低位直流端子、
３６〜３８は交流出力端子、
３１１ａ、３１２ａ、３１３ａはＵ相のハイサイドのＩＧＢＴ、
３１１ｂ、３１２ｂ、３１３ｂはＵ相のロ−サイドのＩＧＢＴ、
３１１ｃ、３１２ｃ、３１３ｃはＶ相のハイサイドのＩＧＢＴ、
３１１ｄ、３１２ｄ、３１３ｄはＶ相のロ−サイドのＩＧＢＴ、
３１１ｅ、３１２ｅ、３１３ｅはＷ相のハイサイドのＩＧＢＴ、
３１１ｆ、３１２ｆ、３１３ｆはＷ相のロ−サイドのＩＧＢＴ、
３２１ａ、３２２ａ、３２３ａはＵ相のハイサイドのダイオ−ド、
３２１ｂ、３２２ｂ、３２３ｂはＵ相のロ−サイドのダイオ−ド、
３２１ｃ、３２２ｃ、３２３ｃはＶ相のハイサイドのダイオ−ド、
３２１ｄ、３２２ｄ、３２３ｄはＶ相のロ−サイドのダイオ−ド、
３２１ｅ、３２２ｅ、３２３ｅはＷ相のハイサイドのダイオ−ド、
３２１ｆ、３２２ｆ、３２３ｆはＷ相のロ−サイドのダイオ−ド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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