(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極上に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層と、対電極上に形成された、選択的光照射によりパターン形成されたポリシラン膜の表示パターンを有するポリシラン膜とを電解質層を介在させて対向させてなることを特徴とするエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２】
エレクトロクロミック層が酸化タングステンにより形成されたものである請求項１記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３】
ポリシラン膜が、下記一般式（１）
（Ｒ1mＲ2nＸpＳｉ）q                                                （１）
（式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は置換もしくは非置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基、Ｘはヒドロキシ基、アルコキシ基又はハロゲン原子、ｍは、０≦ｍ≦２、ｎは、０．１≦ｎ≦２、ｐは、０＜ｐ≦０．２であり、かつ、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満たす正数、ｑは、５≦ｑ≦１００，０００の整数である。）
で示されるポリシランで形成されたものである請求項１又は２記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項４】
ポリシラン膜が、有機チタン化合物により架橋されたポリシランにより形成されたものである請求項１、２又は３記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項５】
（１）対電極上に形成したポリシラン薄膜に選択的に光照射し、未露光部のみにポリシラン層を残存させ、パターン形成されたポリシラン膜層を形成する工程、
（２）前記対電極のポリシラン層と、透明電極基板上に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層とを電解質層を介在させて対面させる工程を有することを特徴とするエレクトロクロミックデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、安価で簡便な工程により微細パターン形成が可能で、優れた高速応答性及び良好な安定性といった優れたエレクトロクロミズム特性を有するエレクトロクロミックデバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
エレクトロクロミズムとは、電流あるいは電場を印加することにより電気化学的酸化還元によって物質の光の吸収が変化し、可逆的に着色あるいは色変化する現象をいう。こうした物質をエレクトロクロミック物質といい、この変化を電気化学的に操作できるようにした材料をエレクトロクロミック素子（エレクトロクロミックデバイス）という。
【０００３】
このようなエレクトロクロミック物質としては、還元反応により着色する遷移金属酸化物、ビオロゲンのような窒素含有有機化合物、酸化反応により着色する水酸化イリジウムのような金属水酸化物が知られている。
【０００４】
エレクトロクロミック素子として具体的には、上記エレクトロクロミック物質を透明電極上に薄膜として成形し、ガラスに応用すると、電圧操作によりガラスの光透過率を任意に制御できるエレクトロクロミックガラス（調光ガラス）が得られ、また、このエレクトロクロミックガラスにおいて、対電極としてアルミニウムのような反射性のものを用いることにより、反射率を電圧操作により切り替えられる防眩ミラーが得られる。
【０００５】
こうしたエレクトロクロミック素子は、一般に透明電極、エレクトロクロミック膜、電解質、対電極の積層構造から形成されていて、表示にメモリー性があり、消費電力が少なく、視角依存性がなく、大面積表示に適している等の特徴があり、古くから研究が行われてきている。
【０００６】
しかしながら、従来、エレクトロクロミック素子において特に表示パターンを必要とするときは、例えば光反応性を有するレジスト層を透明電極上のエレクトロクロミック膜の上に形成させ、マスクの上から光照射により選択的にレジスト層にパターン形成した後、エレクトロクロミック層を溶解除去し、次いで、レジスト層を取り除くという非常に煩雑な工程を必要としていた。更に、こうして作成したエレクトロクロミックパターンは、経時で透明電極からの剥離や溶失が生じる場合があり、安定性に欠けるという問題点があった。
【０００７】
特に還元により着色するエレクトロクロミック層は、上述したように一般的に酸化モリブデン、酸化バナジウムや酸化チタンのような遷移金属酸化物等で形成されるが、中でも三酸化タングステンが多く用いられる。この三酸化タングステンは、還元させると無色から青色に変化する。しかし、この場合、電解液として酸性水溶液を用いると、応答は速いものの三酸化タングステンが電解液に侵され溶解してしまうという間題点があり、また、電解液としてリチウム塩の有機溶媒を用いた場合は、応答が遅いという問題点があった。
【０００８】
中でも最も大きな問題点は、陰極で酸化タングステンが還元されるときに、同時に陽極でなんらかの酸化反応が同時に起こらないと水等の分解によるガス発生が起こり、また、この水分を極力排除してしまうと、陰極での酸化タングステンの還元が進まなくなることであった。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、安価で簡便な工程により微細パターン形成が可能で、しかも優れた高速応答性及び良好な安定性といった優れたエレクトロクロミズム特性を有するエレクトロクロミックデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため、鋭意検討を重ねた結果、透明導電基板上に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層に対し、対電極上に形成されたポリシラン膜を電解質層を挟んで対面させることが有効であり、このポリシラン層は、選択的光照射によりパターン形成することで、微細パターン形成が可能であり、優れた高速応答性及び良好な安定性を有するエレクトロクロミックデバイスが得られることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１１】
即ち、近年、極微細なパターンを高精度で形成するフォトレジストの開発を目的として、ポリシランを用いた研究が活発に行われている。ポリシランを用いた多色パターンの形成方法は、光照射によりポリシランから変換したシロキサン層が、顔料や金属酸化物ゾルとの親和性が向上することを利用したものであった。しかし、これはポリシランそのものの利用というよりは、ポリシランのポリシロキサンへの変換特性を応用したものであった（特開平６−２５８５１６号、同７−９２６９５号公報等参照）。
【００１２】
本発明者は、このポリシランが、そのものは電気化学的酸化に対して活性であり、電極反応において電気化学的還元を起こす電極の対極として使用すると、電気化学的還元を非常に促進させること、また、光照射によりＳｉ−Ｓｉ結合が容易にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合やＳｉ−ＯＨ結合に変換された後には、こうした性質が無くなってしまうことに着目し、高価で非常に煩雑な工程を必要とするパターン形成されたエレクトロクロミック表示素子の製造に、ポリシランのこの特性を応用すれば、安価で簡便な安全性の高い手法で製造することができ、経済的にも有利であることを見出したものである。
【００１３】
本発明においては、対極である陽極としてポリシラン薄膜を形成させた電極を用いると、陰極で酸化タングステン等からなるエレクトロクロミック層が還元されるときに、同時に陽極でポリシランの酸化が起こるため、水分を極力排除しても応答が速いこと、しかも、水の分解によるガス発生がないため安定性が向上し、素子化が可能であること、また、紫外線等の光によりポリシランの一部をポリシロキサンに変換しておけば、その部分に対向した酸化タングステンの還元は進まず、ポリシランに対向した酸化タングステンの還元のみが高速で進行するため、パターンニングをレジスト等他の材料を用いることなく行うことができるものである。本発明は、これらの特性を利用したものであり、この特性からエレクトロクロミック素子に極微細なパターンを高精度で形成することができる。
【００１４】
従って、本発明は、透明電極上に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層と、対電極上に形成された、選択的光照射によりパターン形成されたポリシラン膜の表示パターンを有するポリシラン膜とを電解質層を介在させて対向させてなることを特徴とするエレクトロクロミックデバイス、及び、
（１）対電極上に形成したポリシラン薄膜に選択的に光照射し、未露光部のみにポリシラン層を残存させ、パターン形成されたポリシラン膜層を形成する工程、
（２）前記対電極のポリシラン層と、透明電極基板上に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層とを電解質層を介在させて対面させる工程を有することを特徴とするエレクトロクロミックデバイスの製造方法
を提供する。
【００１５】
以下、本発明につき更に詳述すると、本発明のエレクトロクロミックデバイスは、例えば図１に示したように、透明電極１の一面に形成された還元により着色するエレクトロクロミック層２と、対極３上に形成されたポリシラン層４とを、電解質層５を介して対向させたものである。なお、６はリング状スペーサーで、電解質が液状の場合、このスペーサー６内に封入する。
【００１６】
ここで、透明電極としては、例えばガラス基板、エポキシ樹脂基板等の公知の材料からなる透明基板上に、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化インジウム等を用いて透明導電層を０．０１〜１．０μｍ程度の膜厚で形成したものが好適に使用される。
【００１７】
また、還元により着色するエレクトロクロミック層は、例えば酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化チタン等の遷移金属酸化物などを用いて形成することが好ましいが、中でも三酸化タングステンで形成することが好適である。上記エレクトロクロミック層の膜厚は、０．０１〜１．０μｍの範囲が好適である。
【００１８】
エレクトロクロミック層は、上記透明基板上に透明導電層を形成後、その上にエレクトロクロミック層を蒸着やスパッター法にて積層させることにより形成することができる。
【００１９】
一方、対電極は、導電性材料であればどのようなものでもよく、ＩＴＯガラスのような透明電極のほか、金、銅、ステンレスなどの様々な金属、カーボンなどの有機導電材料などが好適に用いられる。
【００２０】
また、ポリシラン層は、主鎖にＳｉ−Ｓｉ結合を持つ下記式（１）で表わされる高分子化合物で形成することが好ましい。
【００２１】
（Ｒ1mＲ2nＸpＳｉ）q                                    （１）
（式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は置換もしくは非置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基、Ｘはヒドロキシ基、アルコキシ基又はハロゲン原子、ｍは、０≦ｍ≦２、ｎは、０．１≦ｎ≦２、ｐは、０＜ｐ≦０．２であり、かつ、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満たす正数、ｑは、５≦ｑ≦１００，０００の整数である。）
【００２２】
ここで、Ｒ1，Ｒ2が非置換の脂肪族又は脂環式炭化水素基の場合、炭素数は１〜１２、好ましくは１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。また、芳香族炭化水素基としては、炭素数は６〜１４、より好ましくは６〜１０のものが好適であり、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等が挙げられる。更に、置換炭化水素基としては、上記に例示した非置換の炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が拳げられる。
【００２３】
Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又はハロゲン原子であり、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のもの、ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子等が挙げられ、通常ポリシラン膜の基板に対する剥離を防止し、密着性を改善するため、クロル基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基が用いられる。
【００２４】
ｍ、ｎ、ｐ、ｑの値は特に重要ではなく、ポリシランが有機溶剤に可溶であり、０．０１〜１００μｍ程度の均一な厚さで対電極にコーティング可能であるように選択すればよいが、上述したように、ｍは、０≦ｍ≦２、特に０．５≦ｍ≦１、ｎは、０．１≦ｎ≦２、特に０．５≦ｎ≦１、ｐは、０＜ｐ≦０．２、特に０＜ｐ≦０．１であり、かつ、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、特に１．５≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは、５≦ｑ≦１００，０００、特に１０≦ｑ≦１０，０００の範囲の整数であることが好ましい。
【００２５】
式（１）のポリシランとしては、例えばジメチルポリシラン、ジヘキシルポリシランのような脂肪族側鎖基ポリシラン、フェニルメチルポリシラン、フェニルハイドロジェンポリシラン等の芳香族側鎖基ポリシラン、（ジメチルアミノフェニル）メチルポリシラン、（カルバゾリルプロピル）メチルポリシラン等のアミノ側鎖基ポリシランなどを好適に用いることができ、中でも芳香族アミノ側鎖基ポリシランはそのポリマー自身エレクトロクロミック特性を持ち、酸化により発色するため、より好ましく用いられる。
【００２６】
上記ポリシランは、相当するジクロロジアルキルシラン等をアルカリ金属によるウルツ型の縮合反応に付すことで容易に製造される。また、必要に応じてジクロロジアルキルシランにトリクロロアルキルシランやテトラクロロシランを混合して共重合することにより、架橋点を増やし、膜強度や耐溶剤性を上げることができる。反応終了後、一部ハロゲンを持つポリシランは、その後の水やアルコールによる後処理でヒドロキシ基やアルコキシ基を持つポリシランに変えることができる。このポリシランの分子量は、スチレン換算の重量平均分子量で３００以上であることが好ましく、重量平均分子量が３００より低い場合は、Ｓｉ−Ｓｉ結合に由来する機能が充分には発現できない場合がある。
【００２７】
対電極上のポリシラン層の膜厚は、０．０１〜１００μｍ、特に０．１〜１．０μｍが望ましく、０．０１μｍに満たないと膜が均一とならず、そのためエレクトロクロミック特性が不均一となる場合があり、１００μｍを超えるとポリシラン層の電気抵抗が高くなるため十分な特性が発揮できない場合がある。
【００２８】
対電極上へのポリシラン層の形成方法としては、特に限定されず、スピンコート法、ディッピング法、キャスト法、真空蒸着法、ＬＢ法（ラングミュアー・ブロジット法）などの通常のポリシラン薄膜形成法が採用できる。特に、ポリシランの溶液を高速で回転させながら成型するスピンコート法が好適に用いられる。更に、ポリシラン膜形成後、しばらく乾燥雰囲気下で静置するとか、減圧下で４０〜６０℃程度の温度に放置して乾燥することは効果的である。
【００２９】
ポリシランを溶解させる溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶剤が好適に用いられる。なお、ポリシラン溶液の濃度は、１〜２０重量％が好適である。
【００３０】
この場合、上記ポリシランの有機溶剤溶液中には、更に有機チタン化合物を添加、溶解させることができ、これにより可撓性、柔軟性に富んだ架橋ポリシラン膜を形成できる。
【００３１】
有機チタン化合物としては、アルコキシチタネート、チタンアセチルアセトナート、チタンカルボン酸塩が好適に用いられる。この場合、アルコキシチタネートとしては一般式（２），（３）、チタンアセチルアセトナートしては一般式（４）、チタンカルボン酸塩としては一般式（５），（６）で表されるものが好ましい。
【００３２】
【化１】
0003801324.tif 000002
（但し、Ｒは炭素原子１〜８を有する１価の脂肪族炭化水素基、Ｒ’は炭素原子１〜１８を有する１価の脂肪族炭化水素基を示す。）
【００３３】
例えば、Ｒとしてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル等、Ｒ’としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、ノニル、ステアリル等を挙げることができる。
【００３４】
こうしたアルコキシチタン化合物やチタンカルボン酸塩は、テトラメチルチタネート、テトラエチルチタネート、テトラｎ−プロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラブトキシチタネート、あるいはオクチル酸チタネートのように市販（例えば、アルドリッチ社）されているものを使用してもよく、またテトラクロロチタンと相当するアルコールを反応させることで合成したり、テトラアルコキシチタネートと別のアルコールやアセチルアセトナートを２種類以上反応させることで合成したり、アルコキシ基を持つチタネートや少量の水分を添加し一部を加水分解することにより、オリゴチタネートにして使用してもよい。
【００３５】
中でも、テトラブトキシチタネート及びそのオリゴマーは、ポリシランとの相溶性もよく、ポリシランの主鎖を切断することなく、ポリシランの製造時に必然的に生成する末端基のヒドロキシ基、アルコキシ基又はハロゲン原子と反応し、架橋構造を生成することにより、薄膜の機械的特性が向上し、クラックや破断を防止できるため、ポリシランに安定な機能性を付与できる最も好適な化合物である。この場合、テトラブトキシチタネート、そのオリゴマーとしては下記のものを使用することができる。
【００３６】
【化２】
0003801324.tif 000003
（但し、nＢｕはノルマルブタンを示し、ｎは１〜１０である。）
【００３７】
上記有機チタン化合物の配合量は、有機チタン化合物の種類、ポリシランの種類によって異なるが、ポリシラン１００重量部に対し１〜１００重量部、望ましくは５〜５０重量部であることがよく、１重量部より少量の添加では、機械的特性、特に脆性が改良された充分な効果が得られず、また１００重量部より多量の添加の場合、機械的特性の向上効果よりも成膜加工性や保存安定性の悪化という負の効果が現われる場合がある。特にポリシラン中に存在するアルコキシ基等加水分解性基の量が多い場合に顕著で、経時でひびわれ等を引き起こすおそれがある。
【００３８】
本発明では、上記対電極上に形成されたポリシラン膜上に選択的光照射によりパターンを形成することができ、これにより表示パターンを有するエレクトロクロミックデバイスを簡単に得ることができる。ここで、このポリシラン膜は、上部からパターンを印刷したマスクを通して紫外線等の光線を照射することにより、紫外線が当たった部分のみはＳｉ−Ｓｉ結合がＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合やＳｉ−ＯＨに変換し、未露光部のみにポリシラン層が残存し、パターンを形成することができるものである。このようなエレクトロクロミックデバイスは、例えば図１に示すようなもので、通電すると、パターン形成されたポリシラン薄膜層４に応じてエレクトロクロミック層２に可逆的に発色消色を起こす層６が形成されて表示パターンとなるものである。
【００３９】
この場合、光照射に用いる光源は、水素放電管、希ガス放電管、タングステンランプ、ハロゲンランプのような連続スペクトル光源でも、各種レーザー、水銀灯のような不連続スペクトル光源でもよいが、安価で取り扱いが容易な水銀灯が好適に用いられる。なお、光量は、ポリシランの厚さ１μｍ当たり０．１〜１００Ｊ／ｃｍ2の範囲が好適である。この工程により、パターン形成されたポリシラン膜を作成することができる。
【００４０】
本発明において、電解質層は、支持電解質を含む溶剤からなることが好適である。この場合、例えば酸化タングステンのエレクトロクロミック現象は、支持電解質中のカチオンがプロトン又はリチウムカチオンの場合、以下のような反応によって還元時に電解質中のカチオンが取り込まれ、青色に発色する。
【００４１】
ＷＯ3（無色）＋ｎＡ+＋ｍｅ-→ＡｎＷＯ3（青色）
Ａ+＝Ｈ+，Ｌｉ+
【００４２】
上記支持電解質は、Ａ−Ｚ（Ａ＝プロトン又はリチウムカチオン、Ｚ＝電気化学的に不活性、相溶性アニオンを表わす）に相当する塩である。このような電気化学的に不活性、相溶性アニオンとしては、例えばパークロレート、ボレート、ホスフェート、スルフォネート等が用いられる。
【００４３】
溶剤としては、電気化学的に不活性で支持電解質を溶解させ、ポリシランを溶解させにくいものが用いられる。こうした溶剤としては、水、アルコール類、エーテル類のほか、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート等の溶剤が好適に用いられる。ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、シクロデキストリン等のポリマーも、密封された素子を作成する時に好適に用い得る。
【００４４】
溶媒中の支持電解質濃度は、通常０．０１〜１Ｍ／Ｌ、より好ましくは０．１〜０．５Ｍ／Ｌが用いられ、０．０１Ｍ／Ｌ未満では電気抵抗が高くなり作動に高電圧を必要とするようになり、１Ｍ／Ｌを超えると電解質の溶解が困難となる場合が生じる。
【００４５】
本発明では、上記エレクトロクロミック層基板と対電極との間に電解質層を挟持させて両極をスペーサー等で固定することにより、目的とするエレクトロクロミックデバイスを得ることができる。
【００４６】
なお、上述したように、ポリシラン膜を有機チタン化合物等を用いて架橋することにより、溶剤への溶解を抑制することができる。
【００４７】
このようにして得られたエレクトロクロミック素子は、例えばパターン形成されたポリシラン膜を持つ導電基板を対電極としてプラスに、酸化タングステン透明電極基板をマイナスに電圧を印加すると、ポリシラン部が残存された部分のみが青色を呈し、極性を逆転させると無色透明となる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明のエレクトロクロミックデバイスは、安価で簡便な工程により微細パターン形成が可能であり、しかも、優れた高速応答性及び良好な安定性を有する。また、本発明のエレクトロクロミックデバイスの製造方法によれば、安価で簡便な工程により、優れたパターン精細度の表示素子を有するエレクトロクロミック素子を得ることができ、光スイッチ素子、光メモリー素子、各種ディスプレイパネル、センサー等、各種表示素子に応用可能な有用なエレクトロクロミックデバイスの形成方法となり得る。
【００４９】
【実施例】
以下、合成例及び実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００５０】
〔合成例〕ポリシランの合成例
ポリシランは、以下のウルツ反応により合成した。ウルツ反応は、まず窒素気流下に、金属ナトリウムをトルエン中に添加し、高速で撹拌しながら１００〜１１０℃に加熱し分散させる。これにジクロルジオルガノシランを撹拌下にゆっくり滴下する。仕込み量は金属ナトリウム２〜３モルに対し、ケイ素化合物１モルである。原料が消失するまで４時間撹拌して反応を完結させ、次いで放冷後、塩を濾過し、濃縮し、精製することでポリシランを簡単に得ることができる。
【００５１】
即ち、フェニルメチルポリシランの合成は以下のように行った。窒素気流下に、金属ナトリウム５．０６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）をトルエン６０ｍｌ中に添加し、高速で撹拌しながら１１０℃に加熱し分散させた。これにフェニルメチルジクロルシラン１９．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）を撹拌下にゆっくり滴下した。原料が消失するまで４時間撹拌し、反応を完結させた。次いで、放冷後、塩を濾過し、濃縮して、ポリシラン粗生成物１０．０ｇ（粗収率８３％）を得ることができた。このポリマーは再度３０ｍｌのトルエンに溶解させ、その溶液にヘキサン１２０ｍｌを添加し析出分離して、重量平均分子量４５，０００のフェニルメチルポリシラン６．６ｇ（収率５５％）を得た。
【００５２】
〔実施例〕
エレクトロクロミック透明電極としては、ガラス板上の厚さ０．４μｍの酸化インジウムスズ透明導電層の上にさらに酸化タングステンの層をスパッター法により厚さ０．２μｍで形成させたものを用いた。
【００５３】
次に、合成例で製造したフェニルメチルポリシランをトルエンに溶解させ、１０％の溶液にした。図２−（Ａ）に示すようにガラス板上に酸化インジウムスズの透明導電層（表面抵抗１０Ω／ｃｍ2）を厚さ０．４μｍで形成させた対電極３の上に、上記ポリシラン溶液をスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾燥させて、厚さ１．０μｍのポリシラン薄膜層４を作り、パターン形成用基板とした。この基板上にパターンが印刷されたマスクを置き、５００Ｗの高圧水銀灯を用いて図２−（Ｂ）のような方法でパターン形成を行い、ポリシラン層４ａとポリシロキサン層４ｂとからなるパターン形成されたポリシラン薄膜を持つ導電基板を作成し、これを対電極とした。
【００５４】
更に、図２−（Ｃ）に示すようにこの対電極と酸化タングステン透明導電基板を厚さ０．１ｍｍのスペーサー６で挟み、エポキシ樹脂で接着した後、この間隙に電解質層５として０．２Ｍ／Ｌのリチウムパークロレートのプロピレンカーボネート溶液を注入した。
【００５５】
この対電極を陽極、酸化タングステン透明導電基板を陰極にして、３Ｖの電圧を印加したところ、酸化タングステン透明導電基板上にパターニングされた青色の発色が見られた。この発色は、電圧を０Ｖにしても変化しなかったが、−３Ｖ印加すると消え、エレクトロクロミックデバイスとして使用できることが確認された。
【００５６】
この最初の状態と３Ｖの電圧を印加した時の状態の吸光度を（株）島津製作所製、分光光度計ＵＶ−３１００を使用し、３００〜９００ｎｍの波長領域を測定し、波長変化を調べた。結果を図３に示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエレクトロクロミックデバイスの構造を示す概略図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明のエレクトロクロミックデバイスの製造方法を順次示す工程図である。
【図３】本発明のエレクトロクロミックデバイスの電圧印加時の吸光度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１  透明電極
２  エレクトロクロミック層
３  対電極
４  ポリシラン薄膜層
５  電解質層
６  スペーサー
【図１】
0003801324.tif 000004
【図２】
0003801324.tif 000005
【図３】
0003801324.tif 000006