(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件（１）および（２）で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。
（１）  陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ２で１０秒〜５分間
（２）  陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２で１５〜１８０分間
【請求項２】
条件（１）の前に、下記条件（３）で酸性銅めっきを行うことを特徴とする請求項第１項記載の基板のめっき方法。
（３）  陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２で５〜４０分間
【請求項３】
酸性銅めっきに先立ち、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液中で、下記条件（４）で電解することを特徴とする請求項第１項記載の基板のめっき方法。
（４）  陰極電流密度０．５〜５Ａ／ｄｍ２で１０秒〜５分間
【請求項４】
酸性銅めっきに用いるめっき浴が以下の成分（ａ）〜（ｅ）
（ａ）  ５０〜２００ｇ／Ｌの銅イオン
（ｂ）  ５０〜２００ｇ／Ｌの有機酸または無機酸
（ｃ）  ５〜１００ｍｇ／Ｌの、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテルまたはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルからなる群から選ばれる１種または２種以上の成分、
（ｄ）  ５〜２０ｍｇ／Ｌの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカルバミン酸誘導体からなる群から選ばれる１種または２種以上の成分
（ｅ）  ５〜２０ｍｇ／Ｌの、ポリアルキレンイミン、１−ヒドロキシエチル−２−アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよびその誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる１種または２種以上の成分
を含有するものである請求項第１項または第２項記載の基板のめっき方法。
【請求項５】
成分（ａ）の銅イオン源として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、ピロリン酸銅、アルカンスルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅および有機酸銅からなる群から選ばれる銅化合物の１種または２種以上を使用する請求項第３項記載の基板のめっき方法。
【請求項６】
成分（ｂ）の有機酸または無機酸として、硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１種または２種以上を用いる請求項第３項または第４項記載の基板のめっき方法。
【請求項７】
酸性銅めっき浴中の塩素濃度が１０〜１００ｍｇ／Ｌである請求項第１項ないし第５項のいずれかの項記載の基板のめっき方法。
【請求項８】
成分（ｂ）の有機酸または無機酸が硫酸である請求項第１項ないし第６項の何れかの項記載の基板のめっき方法。
【請求項９】
導電化処理を、無電解金属めっき、スパッタリング、蒸着または化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により行う請求項第１項ないし第６項のいずれかの項記載の基板のめっき方法。
【請求項１０】
ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、最初に、下記の成分（ａ）〜（ｄ）を含有する酸性銅めっき浴を用いて、酸性銅めっきを下記条件（１）及び（２）で順次行い、次いで、下記の成分（ａ）〜（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴を用いて、酸性銅めっきを下記条件（１）及び（２）で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。
（ａ）  ５０〜２００ｇ／Ｌの銅イオン
（ｂ）  ５０〜２００ｇ／Ｌの有機酸または無機酸
（ｃ）  ５〜１００ｍｇ／Ｌの、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテルまたはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルからなる群から選ばれる１種または２種以上の成分、
（ｄ）  ５〜２０ｍｇ／Ｌの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカルバミン酸誘導体からなる群から選ばれる１種または２種以上の成分
（ｅ）  ５〜２０ｍｇ／Ｌの、ポリアルキレンイミン、１−ヒドロキシエチル−２−アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよびその誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる１種または２種以上の成分
（１）  陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ２で１０秒〜５分間
（２）  陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２で１０〜１８０分間
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小孔を有する基板のめっき方法に関する。さらに詳細には、ブラインドの微小孔と貫通した微小孔が混在するプリント基板等の基板において、ブラインドの微小孔であるビアホール（以下、「ビアホール」という）には十分に金属を充填し、かつ貫通した微小孔であるスルーホール（以下、「スルーホール」という）内には均一に金属を析出させることが可能なめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、携帯電話、パソコン、ビデオ、ゲーム機等の電子機器の回路実装法として、ビルドアップ工法が適用されるようになってきた。このビルドアップ工法では、積層板にビアホールやスルーホール等の微小孔が設けられており、この微小孔中に析出させた金属によって各回路層間の接続が行われている。
【０００３】
この微小孔のうち、ビアホールについては、従来からビアホールの内側面および底面に金属皮膜を形成させるビアホールめっきやビアホール内に金属を充填するビアフィリングによって各層間の接続が施されていたが、最近では、ビアホールめっきでは、穴の上にさらに導体層を積み上げることは難しいとの理由で、ビアホール内に電気めっきで金属を充填するビアフィリングが主流となっている。
【０００４】
一方、スルーホールについては、現在もスルーホールの内側面に均一に金属皮膜を形成させるスルーホールめっき法により、各層間の接続が行われている。
【０００５】
上記したビアフィリング法やスルーホールめっき法は、それぞれほぼ完成された技術ではあるが、これらの方法をビアホールとスルーホールの混在した基板に適用することは難しく、大きな問題となっていた。
【０００６】
すなわち、ビアホールとスルーホールの混在する基板に単純にビアフィリングめっきを行うと、スルーホール内部での金属皮膜の均一性が保証できず、性能的に問題が生じることになる。一方、この問題を避けるために、スルーホール内の金属皮膜の均一性を重視すると、ビアフィリング性能が低下し、めっき処理に長時間を要することになるという別の問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、ビアホール及びスルーホールが混在する基板において、簡単な操作で、ビアホール内に効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することができる技術の提供が求められていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意検討を行った結果、電析初期の一定時間の電流を、それ以降の条件より高電流とすることにより、ビアホールに対しては、ビアホール内に十分に金属を充填することができ、また、スルーホールに対しては、スルーホール内に均一に金属を析出することが可能とすることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
すなわち本発明は、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきをおこなうめっき方法において、酸性めっきを次の条件（１）および（２）で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法を提供するものである。
（１）  陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ２で１０秒〜５分間
（２）  陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２で１５〜１８０分間
【００１０】
また、本発明は、条件（１）の前に、下記条件（３）で酸性銅めっきを行うことを特徴とする請求項第１項記載の基板のめっき方法を提供するものである。
（３）  陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２で５〜４０分間
【００１１】
さらに、本発明は、酸性銅めっきに先立ち、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液中で、下記条件（４）で電解することを特徴とする請求項第１項記載の基板のめっき方法をも提供するものである。
（４）  陰極電流密度０．５〜５Ａ／ｄｍ２で１０秒〜５分間
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明方法を実施するには、まず、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理することが必要である。
【００１３】
本発明の方法の対象となる基板は、穴径５０〜１８０μｍ程度、深さ（樹脂層厚さ）３０〜１００μｍ程度のブラインドビアホール及び穴径３００〜５００μｍのスルーホールを有するプリント基板等の基板である。具体的な基板の例としては、ＩＣベアーチップが直接実装されるパッケージ基板等が挙げられる。この基板には、更にトレンチがあっても良い。
【００１４】
この基板の導電化処理は、通常の方法、例えば無電解めっきによる金属被覆処理、スパッタリング、蒸着または化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）により行うことができる。
【００１５】
次に、導電化処理された基板は、酸性銅めっき浴で銅めっきされる。本発明においては、このめっきにおいて、次の条件（１）および（２）の順で酸性銅めっきを行うことが必要である。
【００１６】
まず、陰極電流密度を５〜１０Ａ／ｄｍ２、好ましくは５〜７Ａ／ｄｍ２とし、１０秒〜５分間、好ましくは３０秒〜２分間めっきを行う（条件（１））。
【００１７】
次に、陰極に電流密度を０．５〜３Ａ／ｄｍ２、好ましくは、０．５〜２Ａ／ｄｍ２とし、１５〜１８０分間、好ましくは４５〜１８０分間めっきを行う（条件（２））。
【００１８】
条件（２）によるめっきは、条件（１）のめっきの後酸性銅めっきが完了するまで行えばよいが、電流密度を上記条件（２）の範囲内の一定の電流密度に固定しても良いし、上記電流密度の範囲内で低電流密度から階段的に電流密度を上昇させてもよい。
【００１９】
条件（１）と条件（２）のめっきにおいて、条件（１）の電流密度は、条件（２）の電流密度の２から２０倍程度とすることが好ましく、また、条件（１）のめっき時間は、条件（２）のめっき時間の０．００１から０．２倍程度とすることが好ましい。
【００２０】
更に、本発明方法においては、上記条件（１）の前に、下記条件（３）で電解電解することにより、ビアホールの埋め込み性を更に改善することができる。
【００２１】
この電解条件（条件（３））は、陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ２、好ましくは、１〜２Ａ／ｄｍ２で、５〜４０分間、好ましくは１０〜３０分間電解することが好ましい。
【００２２】
更にまた、本発明方法では、酸性銅めっきに先立って、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液を調整し、該溶液中で下記条件（４）で電解することにより、添加剤を基板に有効に吸着させ、以降のの電気酸性銅めっきでより効率的な銅めっきを可能にするできる。
【００２３】
この電解条件（条件（４））は、陰極電流密度０．５〜５Ａ／ｄｍ２、好ましくは、０．５〜３Ａ／ｄｍ２で、１０秒〜５分間、好ましくは３０秒〜３分間電解することが好ましい。かかる電解が終わった後、酸性銅めっき浴中で、上記条件（１）および（２）の順で酸性銅めっきを行えばよい。
【００２４】
上記の条件（１）ないし条件（３）のめっきで使用される酸性銅めっき浴としては、特に制限なく通常使用されている酸性銅めっき浴を利用することができるが、例えば下記の各成分を含有するものであることが好ましい。
【００２５】
まず、酸性銅めっき浴において含有される銅イオン源成分としては、通常、酸性溶液において溶解する銅化合物であれば特に制限なく使用することができる。この銅化合物の具体例としては、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、ピロリン銅や、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅等のアルカンスルホン酸銅、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等のアルカノールスルホン酸銅、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などの有機酸銅及びその塩などが挙げられる。これらの銅化合物は、１種を単独で使用することもでき、また２種以上を混合して使用することもできる。
【００２６】
上記の銅化合物の濃度は、酸性銅めっき浴の組成において２５〜３００ｇ／Ｌであればよく、好ましくは６５〜２００ｇ／Ｌである。
【００２７】
なお、上記条件（４）で使用される溶液は、上記した酸性銅めっき浴で、銅成分を除いたものを使用すればよい。
【００２８】
また、酸性銅めっき浴は、構成成分として有機酸あるいは無機酸を含有させることができる。該有機酸あるいは無機酸は、銅を溶解しうるものであれば特に制約なく使用できる。好ましい具体例としては、硫酸、メタンスルホン酸、プロパンスルホン酸等のアルカンスルホン酸類、イセチオン酸、プロパノールスルホン酸等のアルカノールスルホン酸類、クエン酸、酒石酸、ギ酸などの有機酸類などが挙げられる。これらの有機酸または無機酸は、１種を単独で使用するすることもでき、また２種以上を混合して使用することもできる。
【００２９】
上記の有機酸あるいは無機酸の濃度は、酸性銅めっき浴の組成において、２５〜３００ｇ／Ｌであればよく、好ましくは５０〜２００ｇ／Ｌである。
【００３０】
なお、上記成分の他に塩素イオンが存在することが好ましく、その濃度は塩素濃度として１０〜１００ｍｇ／Ｌであり、特に３０〜７０ｍｇ／Ｌとすることが好ましい。
【００３１】
さらに、酸性めっき浴には、その構成成分として、一般にポリマー成分といわれる成分、キャリアー成分またはブライトナー成分といわれる成分およびレベラーといわれる成分を含有させることができる。
【００３２】
そのうち、ポリマー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【００３３】
(１)：  次式（Ｉ）で表されるポリプロピレングリコール
【化１】
0003780302.tif 000002
（式中、ｎ１は１から２０の数を示す）
【００３４】
（２）：  次式（II）で表されるプルロニック型界面活性剤
【化２】
0003780302.tif 000003
（式中、ｎ２およびｌ２は１から３０の数を、ｍ２は１０から１００の数を示す）
【００３５】
（３）：  次式（III）で表されるテトロニック型界面活性剤
【化３】
0003780302.tif 000004
（式中、ｎ３は１から２００の数を、ｍ３は１から４０の数を示す）
【００３６】
（４)：  次式（IＶ）で表されるポリエチレングリコール・グリセリルエーテル
【化４】
0003780302.tif 000005
（式中、ｎ４、ｍ４およびｌ４はそれぞれ１から２００の数を示す）
【００３７】
（５）：  次式（Ｖ）で表されるポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル
【化５】
0003780302.tif 000006
（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子または炭素数１から５の低級アルキル基を示し、ｎ５は２から２００の数を示す）
【００３８】
上記のポリマー成分は、いずれか１種類を単独で、もしくは２種以上を混合して用いることができ、その濃度としては、５〜１００ｍｇ／Ｌ程度、好ましくは１０〜１００ｍｇ／Ｌ程度である。
【００３９】
また、キャリアー成分ないしブライトナー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【００４０】
(６)：  次式（ＶI）で表されるスルホアルキルスルホン酸塩
【化６】
0003780302.tif 000007
（式中、Ｌ１は炭素数１から１８の飽和または不飽和のアルキレン基を示し、Ｍ１はアルカリ金属を示す）
【００４１】
(７)：  次式（ＶII）で表されるビススルホ有機化合物
【化７】
0003780302.tif 000008
（式中、Ｌ２およびＬ３は炭素数１から１８の飽和または不飽和のアルキレン基を示し、Ｘ１およびＹ１は硫酸塩残基またはリン酸塩残基を示す）
【００４２】
(８)：  次式（ＶIII）で表されるジチオカルバミン酸誘導体
【化８】
0003780302.tif 000009
（式中、Ｒ３およびＲ４は水素原子または炭素数１から３の低級アルキル基、Ｌ４は炭素数３から６のアルキレン基を示し、Ｘ２は硫酸塩残基またはリン酸塩残基を示す）
【００４３】
この成分も、いずれか１種類を単独で、もしくは複数を混合して用いることができ、その濃度としては、５〜２０ｍｇ／Ｌ程度、好ましくは１０〜１５ｍｇ／Ｌ程度である。
【００４４】
更にレベラー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【００４５】
(９)：  次式（IＸ）で表されるポリアルキレンイミン
【化９】
0003780302.tif 000010
（式中、Ｌ５、Ｌ６およびＬ７は炭素数１から３の低級アルキレン基を示し、ｎ６およびｍ５は１から２００の数を示す）
【００４６】
(１０)：  次式（Ｘ）で表される１−ヒドロキシエチル−２−アルキルイミダゾリン塩
【化１０】
0003780302.tif 000011
（式中、Ｒ５は炭素数１４から２０の飽和または不飽和のアルキル基を示し、Ｘ３はハロゲン原子を示す）
【００４７】
(１１)：  次式（ＸI）で表されるオーラミン及びその誘導体
【化１１】
0003780302.tif 000012
（式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は水素原子または炭素数１から３の低級アルキル基を示す）
【００４８】
(１２)：  次式（ＸII）で表されるメチルバイオレットまたはクリスタルバイオレット及びそれらの誘導体
【化１２】
0003780302.tif 000013
（式中、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１から３の低級アルキル基を示し、Ｘ４はハロゲン原子を示す）
【００４９】
(１３)：  次式（ＸIII）で表されるヤヌスブラック及びその誘導体
【化１３】
0003780302.tif 000014
（式中、Ｒ１６およびＲ１７は低級アルキル基を、Ｒ１８は水酸基、アミノ基、ヒドロキシフェニル基またはヒドロキシフェニルジアゾ基を示し、Ｘ５はハロゲン原子を示す）
【００５０】
（１４）：  次式（ＸIＶ）で表されるヤヌスグリーン
【化１４】
0003780302.tif 000015
（式中、Ｒ１９およびＲ２０は水素、メチルおよびエチル基から成る群から選択された基、Ｘ−は塩素、臭素、ヨウ素、フッ素、硫酸、重硫酸および硝酸イオンから成る群から選択されたアニオン、ＹはＨ、−ＮＨ２、−Ｎ（ＣＨ３）２および−Ｎ＝Ｎ−Ｚ、Ｚはフェニル、ナフチルから成る群から選択された芳香族基並びにアミノ基、アルキル置換アミノ基、ヒドロキシおよびアルコキシ置換基によって置換されるフェニルおよびナフチル基である）
【００５１】
このレベラー成分も、いずれか１種類を単独で、もしくは２種以上を混合して用いることができ、その濃度としては、５〜２０ｍｇ／Ｌ程度、好ましくは１０〜１５ｍｇ／Ｌ程度である。
【００５２】
また、上記酸性めっき浴の電流密度およびめっき時間以外の条件は、一般的なもので良く、例えば、酸性銅めっき浴の浴温は、１５〜３５℃程度、好ましくは２０〜３０℃である。また、一般には、エアレーションによる攪拌を行うことが好ましい。
【００５３】
以上説明した本発明のめっき方法で、ビアホール及びスルーホールを完全に埋めるまでの時間は、スルーホール及びビアホールの直径や、その深さにより異なるが、例えば穴の直径がφ３００μｍのスルーホール及び穴の直径がφ１５０ｍｍで、深さが５０μｍであるビアホールを完全に埋めるためには、まず、５Ａ／ｄｍ２の電流密度で１分程度酸性銅めっきし、その後  １Ａ／ｄｍ２の電流密度で９０分間酸性銅めっきすればよく、このときの表面（ビアホール及びスルーホール以外の部分）のめっき厚は、２５μｍ程度となる。
【００５４】
また、本発明のめっき方法では、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後に、酸性銅めっきを行う際に、まず最初に、上記の成分（ａ）〜（ｄ）を含有する酸性銅めっき浴を用い、酸性銅めっきを、これも上記した条件（１）及び（２）で順次行い（これを第１めっきと呼ぶ）、次いで、下記の成分（ａ）〜（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴を用いて、再び酸性銅めっきを下記条件（１）及び（２）で順次行うことにより（これを第２めっきとよぶ）、ビアホール内のビアフィリングの形成と、スルーホール内への均一な金属を析出をさらに優れたものとすることができる。
【００５５】
この場合、第１めっきは、成分（ａ）〜（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴から、いわゆるレベラー成分である成分（ｅ）を除いためっき浴でめっきを行うことで、スルーホールやビアホールに対して均一にめっきを行う役割を果たす。次いで、第２めっきとして、成分（ａ）〜（ｅ）を含有した酸性銅めっき浴を用いて第２めっきを行うことにより、ビアホールに対してフィリングを優先的に行い、スルーホール及びビアホールに対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能となるのである。
【００５６】
本めっき方法を用いる場合には、酸性銅めっき浴成分は、上記した（ａ）〜（ｄ）成分（第１めっき）および（ａ）〜（ｅ）成分（第２めっき）を用いればよく、各成分の濃度も上記した範囲のものを用いることができる。また、めっき条件の条件（１）及び条件（２）についても、上記した陰極電流密度及びめっき時間の範囲の条件を用いることができる。ただし、条件（２）のめっき時間については、第１めっきにおいては、１０〜７５分間行えばよく、１５〜６０分間が好ましい。また、第２めっきにおいては、３０〜２００分間行えばよく、４５〜１８０分間行うことが好ましい。さらに、それ以外のめっき浴の条件も、上記したものと同様であり、例えば、酸性銅めっき浴の浴温は、１５〜３５℃程度、好ましくは２０〜３０℃であり、一般には、エアレーションによる攪拌を行うことが好ましい。更にまた、上記成分の他に塩素イオンが存在することが好ましいことも同様で、その濃度は塩素濃度として１０〜１００ｍｇ／Ｌであり、特に３０〜７０ｍｇ／Ｌとすることが好ましい。
【００５７】
【実施例】
次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるものではない。
【００５８】
実 施 例 １
ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり性の評価（１）：サイズ５ｃｍ×２ｃｍ、厚さ７．３ｍ銅張りエポキシ樹脂プリント基板に、図１で模式的に示すようにφ５００μｍ、φ３００μｍのスルーホール及び直径φ１８０μｍ、φ１５０μｍ、φ１００μｍ、深さ７５μｍのブラインドビアホールをあけ、テストピース基板とした。このテストピース基板について、まず無電解銅めっきを行い、ビアホール及びスルーホール内壁及び基板の表面に無電解銅層を０．５μｍの厚さで形成した（以下、「導電化処理」という）。この無電解銅めっきには、ライザトロンプロセス（荏原ユージライト社製）を用いた。
【００５９】
次に、この導電化処理を行ったテストピース基板を、下記組成の酸性銅めっき浴（Ｉ）を用い、以下の電析条件１〜３を用いて硫酸銅めっきを行ない電解銅層を形成した。なお、ここで使用した電析条件のうち３は、一般的なプリント基板用硫酸銅めっきの電析条件である。
【００６０】
酸性銅めっき後のテストピース基板について、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微鏡により観察した。この結果を図２〜図７に示した。
【００６１】
（  硫酸銅めっき浴（Ｉ）組成  ）
１．  硫酸銅（５水塩）                              ６５ｇ／Ｌ
２．  硫  酸                                      ２００ｇ／Ｌ
３．  塩素イオン                                    ５０ｍｇ／Ｌ
４．  ポリエチレングリコール＊１                    １０ｍｇ／Ｌ
（平均分子量４０００）
５．  ＳＰＳ＊２                                    １０ｍｇ／Ｌ
６．  ヤヌスグリーン＊３                            １０ｍｇ／Ｌ
＊１：  マクロゴール４０００（三洋化成工業（株）製）
＊２：  化合物（II）中、Ｌ２＝Ｌ３＝Ｃ３Ｈ６、Ｘ１＝Ｙ１＝ＳＯ３Ｈ
＊３：  ヤヌスグリーン（和光純薬工業（株）製）
【００６２】
（電析条件１）
陰極の電流密度を５Ａ／ｄｍ２で３分間、その後１Ａ／ｄｍ２で７５分間酸性銅めっきを行った。
【００６３】
（電析条件２）
陰極電流密度を１Ａ／ｄｍ２で２０分間、その後５Ａ／ｄｍ２で１分間、更に１Ａ／ｄｍ２で１２０分間酸性銅めっきを行った。
【００６４】
（電析条件３：対照条件）
陰極電流密度を３Ａ／ｄｍ２で３０分間酸性銅めっきを行った。
【００６５】
（  結  果  ）
図２〜図５の結果から明らかなように、電析条件１及び２で酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、ビアホール内に金属を充填し、かつスルーホール内にも均一に金属が析出されていた。特に、電析条件２で酸性銅めっきを行ったものは、直径が１８０μｍのビアホールに対しても、十分に金属を充填することができ、表面全体を平坦にめっきすることができた。
【００６６】
一方、図６及び図７の結果より、電析条件３で酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、スルーホール内壁左右の膜厚差が大きく、またコーナー部片側の膜厚が薄く、スルーホール内に均一に金属を析出することができなかった。また、ビアホール内のめっきも、ビアホールの径が大きくなるにつれて、ビアホール内に金属を充填するのが困難であった。
【００６７】
実 施 例 ２
ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり性の評価（２）：実施例１で用いたものと同仕様のテストピース基板を使用して、これも実施例１と同様にライザトロンプロセスを用いて無電解めっきを施した。
【００６８】
次に、この導電化処理を行ったテストピース基板を、下記組成の酸性銅めっき浴（II）を用い、下記電析条件４を用いて硫酸銅めっきを行ったあと（第１めっきと呼ぶ）、さらに、実施例１用いた酸性銅めっき浴（Ｉ）を用いて、下記電析条件５を用いて硫酸銅めっきを行い（第２めっきと呼ぶ）、電解銅層を形成した。なお、酸性銅めっき浴（II）は、実施例１で用いた酸性銅めっき浴（Ｉ）より、レベラー成分の添加剤（ヤヌスグリーン）を除いたものである。
【００６９】
酸性銅めっき後のテストピース基板について、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微鏡により観察した。第２めっき後の断面写真を図８及び図９、第１めっき後の断面写真を図１０及び図１１に示した。
【００７０】
（  硫酸銅めっき浴（II）組成  ）
１．  硫酸銅（５水塩）                              ６５ｇ／Ｌ
２．  硫  酸                                      ２００ｇ／Ｌ
３．  塩素イオン                                    ５０ｍｇ／Ｌ
４．  ポリエチレングリコール＊１                    １０ｍｇ／Ｌ
（平均分子量４０００）
５．  ＳＰＳ＊２                                    １０ｍｇ／Ｌ
＊１、２：  上と同じ
【００７１】
（電析条件４）
陰極の電流密度を５Ａ／ｄｍ２で１分間、その後１Ａ／ｄｍ２で３０分間酸性銅めっきを行った。
【００７２】
（電析条件５）
陰極電流密度を５Ａ／ｄｍ２で２０分間、その後１Ａ／ｄｍ２で９０分間酸性銅めっきを行った。
【００７３】
（  結  果  ）
図１０及び図１１の結果から明らかなように、電析条件４及び５で２種類の酸性銅めっき浴を用いて酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、ビアホール内に金属を充填し、かつスルーホール内にも均一に金属が析出されており、上記実施例１での電析条件１及び２の結果と比較しても、より優れたものであった。
【００７４】
また、図８及び９は、第１めっき終了後のスルーホール及びビアホールの断面状態を示すものである。このように、本実施例のプロセスでは、まず、第１めっきにより、スルーホールやビアホールに対して均一にめっきを行い、その後、第２めっきを行い、ビアホールに対してフィリングを優先的に行い、スルーホール及びビアホールに対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能とするのである。
【００７５】
【発明の効果】
本発明のめっき方法を用いれば、ビアホールとスルーホールが混在する基板に対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能となる。従って、ビルドアップ基板などの高性能で信頼性の高い微細パターンを有したプリント基板を、効率よく簡便に製造することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１及び２で用いたプリント基板のビアホール及びスルーホールを模式的に示した図面である。
【図２】  実施例１において、電析条件１で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図３】  実施例１において、電析条件１で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【図４】  実施例１において、電析条件２で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図５】  電析条件２で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【図６】  電析条件３で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図７】  電析条件３で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した図面である。
【図８】  実施例２において、第２めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図９】  実施例２において、第２めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した図面である。
【図１０】  実施例２において、第１めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図１１】  実施例２において、第１めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【符号の説明】
１ … …  絶縁樹脂
２ … …  絶縁層
以    上
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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