(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光コネクタと光学的に結合されるように設けられた半導体受光素子を含む受光デバイス、前記半導体受光素子に電気的に接続された電子素子、前記電子素子を搭載する回路基板、並びに前記回路基板に電気的に接続された複数のリード端子を有する受信アセンブリ部と、
前記受信アセンブリ部をシールドするシールド部材と、
を備える光モジュールであって、
前記受信アセンブリ部は、前記複数のリード端子の少なくとも１つに接続される接続リードを持つ導電部を有し、前記接続リードは、前記シールド部材に接続される一端を有し、
前記シールド部材は、当該光モジュールを搭載するプリント回路基板の基準電位線に接続されるように設けられた複数の端子を有し、
当該光モジュールは、前記受信アセンブリ部の前記回路基板の基準電位線と前記導電部との間に電気的に接続された誘導性素子を更に備える、光モジュール。
【請求項２】
前記回路基板は、一対の面、および前記一対の面の一方の面上に設けられた導電層を有し、
前記電子素子は前記一対の面の他方の面上に搭載され、
前記受信アセンブリ部は、前記回路基板を搭載するアイランドを含むリードフレーム部材を有しており、
前記アイランドは絶縁部材を介して前記回路基板を搭載している、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記受信アセンブリ部を封止する樹脂部材を更に備え、
前記導電部の端部は前記樹脂部材から突出している、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光モジュールには、光受信モジュール、光送信モジュール、および光送受信モジュールがある。光受信モジュールは、受光素子を含み、光信号を電気信号に変換する。光送信モジュールは発光素子を含み、電気信号を光信号に変換する。光送受信モジュールは、受信アセンブリおよび送信アセンブリを有する。受信アセンブリは、受光素子を含み、光信号を電気信号に変換する。送信アセンブリは発光素子を含み、電気信号を光信号に変換する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような光モジュールの中には、電気的な動作を安定させるために金属カバーを備えているものもある。発明者は、このような構造の受信アセンブリおよび光受信モジュールに対して受信感度の向上に関する研究に携わっている。その研究において、発明者は、受信感度の向上のために様々な実験を行った。その結果、発明者は、金属カバーが帯電しているために受信感度が低下していることを発見した。そこで、発明者は、金属カバーの帯電を除去するために接地端子を増加するための構造について検討を行った。
【０００４】
しかしながら、所定の規格が光モジュールに関してピン配置および接地端子の位置を規定している。故に、この規格を満たすように光モジュールを形成する場合、接地端子を増加させることが困難なことが多い。光モジュールのための規格として、例えば、光送受信モジュールに対してはＳＦＦ(Small Form Factor)規格がある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、シールド部材の帯電を低減することができる光モジュールを提供することとした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる光モジュールは、光コネクタと光学的に結合されるように設けられた半導体受光素子を含む受光デバイス、前記半導体受光素子に電気的に接続された電子素子、前記電子素子を搭載する回路基板、並びに前記回路基板に電気的に接続された複数のリード端子を有する受信アセンブリ部と、前記受信アセンブリ部をシールドするシールド部材と、を備える光モジュールであって、前記受信アセンブリ部は、前記複数のリード端子の少なくとも１つに接続される接続リードを持つ導電部を有し、前記接続リードは、前記シールド部材に接続される一端を有し、前記シールド部材は、当該光モジュールを搭載するプリント回路基板の基準電位線に接続されるように設けられた複数の端子を有し、当該光モジュールは、前記受信アセンブリ部の前記回路基板の基準電位線と前記導電部との間に電気的に接続された誘導性素子を更に備える。
また、本発明に係る光モジュールでは、前記回路基板は、一対の面、および前記一対の面の一方の面上に設けられた導電層を有し、前記電子素子は前記一対の面の他方の面上に搭載され、前記受信アセンブリ部は、前記回路基板を搭載するアイランドを含むリードフレーム部材を有しており、前記アイランドは絶縁部材を介して前記回路基板を搭載している。
さらに、本発明に係る光モジュールでは、前記受信アセンブリ部を封止する樹脂部材を更に備え、前記導電部の端部は前記樹脂部材から突出している。
【０００７】
この光モジュールでは、アセンブリ部の導電部が、シールド部材を複数の端子の少なくとも１つに接続している。このため、端子を増やすことなく、シールド部材がアセンブリ部の端子に電気的に接続される。
【０００８】
本発明に係わる光モジュールでは、アセンブリ部はリードフレーム部材を有するようにしてもよい。リードフレーム部材は、アイランド、第１のリード、および第２のリードを有する。アイランドには回路基板が搭載あれている。第１のリードは上記の複数の端子を構成する。第２のリードは上記の導電部を構成する。導電部をリードフレーム部材に含まれるように設ければ、光モジュールは導電部を別個の部材として含む必要がない。
【０００９】
本発明に係わる光モジュールは、電子素子と導電部との間に電気的に接続された誘導性素子を更に備えるようにしてもよい。この誘導性素子は、導電部を伝わる高周波成分が電子素子に与える影響を低減する。また、この誘導性素子は、搭載基板上に配置されたフェライトビーズインダクタを含むようにしてもよい。この形態は、追加される誘導性素子によって光モジュールの体積が増大することを抑えるために有効である。
【００１０】
本発明に係わる光モジュールでは、回路基板は一対の面、およびこの一対の面の一方の面上に設けられた導電層を有するようにしてもよい。電子素子は一対の面の他方の面上に搭載されている。アイランドは、絶縁部材を介して回路基板を搭載している。
【００１１】
絶縁部材は回路基板をアイランドと電気的に絶縁するので、アイランドは誘導性素子を介して回路基板に電気的に接続される。
【００１２】
本発明に係わる光モジュールは、以下の形態を有することができる。回路基板は所定の軸に沿って伸びる一対の辺を有する。回路基板の一対の辺の一方に沿って、上記の複数の端子が配置されている。シールド部材は、回路基板の一対の辺の他方に対面するように配置されている。導電部は、一対の辺の一方から他方へ伸びるように設けられシールド部材に達している。
【００１３】
この形態では、回路基板は、シールド部材と複数の端子との間に配置されている。導電部は、回路基板の一対の辺を横切って設けられている。このため、導電部は、複数の端子が配列されている位置と異なる位置においてシールド部材に電気的に接続されている。
【００１４】
本発明に係わる光モジュールでは、半導体光学素子は半導体受光素子であり、光学デバイスおよび回路基板は所定の軸に沿って配置されているようにしてもよい。光信号を受ける方向と異なる方向において、導電部とシールド部材との接続が行われる。
【００１５】
本発明に係わる光モジュールは、追加のアセンブリ部およびハウジングを更に備えるようにしてもよい。追加のアセンブリ部は、発光デバイス、追加の回路基板および複数の端子を有する。発光デバイスは半導体発光素子を含み、この半導体発光素子は、光コネクタと光学的に結合されるように設けられている。追加の回路基板は、半導体発光素子に電気的に接続された追加の電子素子を搭載する。複数の端子は、追加の回路基板に電気的に接続されている。ハウジングは、保持部およびレセプタクル部を有する。保持部は、アセンブリ部および追加のアセンブリ部を保持する。レセプタクル部は、光コネクタを受け入れるように設けられている。
【００１６】
追加の回路基板は所定の軸に沿って伸びる一対の辺を有する。追加のアセンブリ部の複数の端子は、追加の回路基板の一対の辺の一方に沿って配置されている。シールド部材は、回路基板の一対の辺の他方に対面するように配置されている。シールド部材は、追加のアセンブリ部をシールドしている。この光モジュールでは、アセンブリ部および追加のアセンブリ部は、光信号の送受信を実現でき、導電部に接続されたシールド部材によりシールドされている。
【００１７】
本発明に係わる光モジュールでは、アセンブリ部および別のアセンブリ部は所定の平面に沿って配置されている。この形態を採用すると、光モジュールは一対のアセンブリ部を備えると共に、シールド部材に電気的に接続された導電部を備えることができる。
【００１８】
本発明に係わる光モジュールは、アセンブリ部を封止する樹脂部材を更に備えるようにしてもよい。導電部の端部は、この樹脂部材から突出している。この形態を採用すると、樹脂部材により電子素子が保護された状態で、導電部がシールド部材に電気的に接続される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより明らかになる。本発明の知見は、例示として示される添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２０】
図１は、本実施の形態の光モジュールの分解斜視図を示す。光モジュール１は、ハウジング２と、シールド部材４と、受信アセンブリ６と、送信アセンブリ８とを備える。受信アセンブリ６および送信アセンブリ８は、それぞれ半導体光素子を含む。
【００２１】
受信アセンブリ６は、樹脂部材６ａと、スリーブ６ｂと、複数のリード端子６ｃと、導電部６ｄとを有する。スリーブ６ｂは、所定の軸に沿って樹脂部材６ａから突出している。スリーブ６ｂの他端には、半導体光素子として半導体受光素子(図示せず)が配置されている。半導体受光素子の光軸は、所定の軸に沿うように合わされている。複数のリード端子６ｃは、樹脂部材６ａの一対の辺の一辺に沿って配置されており、その各々は光軸に交差する方向に向けて配置されている。導電部６ｄは、樹脂部材６ａの一対の辺の他辺に配置されており、光軸に交差する方向に向けて配置されている。送信アセンブリ８は、樹脂部材８ａと、スリーブ８ｂと、複数のリード端子８ｃとを有する。スリーブ８ｂは、所定の軸に沿って樹脂部材８ａから突出している。スリーブ８ｂの他端には、半導体光素子として半導体発光素子(図示せず)が配置されている。半導体発光素子の光軸は、所定の軸に沿うように合わされている。複数のリード端子８ｃは、この光軸に交差する方向に向けて配置されている。
【００２２】
ハウジング２は、筐体１０と、レセプタクルシールド１２と、アセンブリシールド１４とを有する。筐体１０は、樹脂製の本体１０ａおよび後壁１０ｂを矢印Ａのように組合せることによって得られる。また、筐体１０は、所定の軸に沿って配置されるレセプタクル部１０ｃおよびアセンブリ収容部１０ｄを有する。レセプタクル部１０ｃは、所定の軸に沿ってアセンブリ収容部１０ｄまで伸びる一対の受容孔１０ｅ、１０ｆを有し、一対の受容孔１０ｅ、１０ｆは光コネクタを受け入れ可能なように設けられている。アセンブリ収容部１０ｄは、所定に軸に沿って伸びる隔壁１０ｇによって分離されている。受信アセンブリ６および送信アセンブリ８は、矢印Ｂ、Ｃのように受容孔１０ｅ、１０ｆに挿入される。これによって、隔壁１０ｇを挟んで、受信アセンブリ６および送信アセンブリ８が配置される。
【００２３】
レセプタクルシールド１２は、矢印Ｄのようにレセプタクル部１０ｃに填め合わされる。これによって、レセプタクルシールド１２は、所定の軸に沿って伸びるレセプタクル部１０ｃの３つの外壁上に配置され、受容孔１０ｅ、１０ｆ内の受信アセンブリ６および送信アセンブリ８だけでなく光コネクタもまたシールドする。
【００２４】
アセンブリシールド１４は、隔壁部１４ａを有し、矢印Ｅのように隔壁１０ｇに沿って配置される。隔壁部１４ａは受信アセンブリ６と送信アセンブリ８とを電気的にシールドする。また、アセンブリシールド１４は、レセプタクル部１０ｃの底部上に配置される底面部１４ｂと、この底面部１４ｂの一対の辺からそれぞれ伸びる一対の腕部１４ｃとを有する。一対の腕部１４ｃは、レセプタクル部１０ｃの側壁に沿って配置され、矢印Ｅ、Ｆのようにレセプタクル部１０ｃの上部に填め合わされる。
【００２５】
シールド部材４は導電性部材からなる。シールド部材４は、アセンブリ収容部１０ｄを覆う。これによって、受信アセンブリ６および送信アセンブリ８がハウジング１０に配置された状態で、アセンブリ収容部１０ｄのアセンブリ６、８を電気的にシールドできる。シールド部材４は、受信アセンブリ６または送信アセンブリ８のリード端子と同じ方向に伸びる複数の端子４ａを有する。複数の端子４ａは、光モジュール１がプリント回路基板に配置されるとき、この基板と電気的に接続される。また、シールド部材４は、上板部に設けられた接続孔４ｂと、接続孔４ｂ内に設けられた接続突起４ｃとを有し、接続突起４ｃは受信モジュール６の導電部６ｄに電気的に接続される。これによって、追加のリード端子を設けることなく、シールド部材４がリード端子６ｃに電気的に接続されることを可能にする。また、導電部６ｄは接続突起４ｃに半田で接続されていてもよい。
【００２６】
図２(ａ)は、光モジュール１とプリント回路基板１６とを示す斜視図である。プリント回路基板１６は、受信アセンブリ６のリード端子６ａのためのスルーホール１６ａ、送信アセンブリ８のリード端子８ａのためのスルーホール１６ｂ、およびシールド部材４の端子４ａのためのスルーホール１６ｃを備える。光モジュール１は、プリント回路基板１６に搭載された状態で、矢印Ｈ方向から挿入される光コネクタを受け入れる。
【００２７】
図２(ｂ)は、シールド部材４の接続孔４ｂ近傍の拡大図を示す。受信アセンブリ６の導電片６ｄは、導電性だけでなく弾性も有するので、この弾性力によって、導電片６ｄは、シールド部材４の接続突起４ｃの２面において支持される。故に、導電片６ｄは、確実に、シールド部材４と電気的に接続される。
【００２８】
次いで、受信アセンブリ６について説明する。図３(ａ)は、受信アセンブリ６のためのリードフレーム３０を示す。リードフレーム３０には、アイランド３２と受光デバイス配置部３８とが所定の軸に沿って配置されている。リードフレーム３０は、その上に回路基板(図４の４０)および半導体受光素子を備える受光デバイス(図５の５２)が配置された後に、リードフレーム３０の主要部が残されるように切断されると、リードフレーム部材３０ａになる。
【００２９】
図３(ｂ)は、リードフレーム３０の主要部からなるリードフレーム部材３０ａを示す。リードフレーム３０の主要部は、アイランド３２と、リード端子３４と、導電部３６とを含む。リードフレーム部材が樹脂部材により樹脂封止されたときでも、リード端子３４のアウタリード３４ａおよび導電部３６の導電片３６ｂは樹脂部材に覆われることなく、受光アセンブリ６の外観に現れる。
【００３０】
図３(ａ)および図３(ｂ)を参照すると、複数のリード端子３４は、所定の軸１００に沿って配列されている。各リード端子３４は、所定の軸１００と交差する方向に伸び、内部リード部３４ａおよび外部リード部３４ｂを有する。複数のリード端子３４の内の１つは、導電部３６に接続されている。導電部３６は、ある内部リード３４ａから、アイランド３２から隔置されるように所定の軸１００と交差する方向に伸びる接続リード３６ａと、接続リード３６ａの一端に設けられた導電片３６ｂとを有する。図３(ａ)および図３(ｂ)において、破線は、回路基板(図４の４０)が配置される位置を示している。
【００３１】
図４は、受信アセンブリ６のための回路基板４０を示す。回路基板４０は、例えば、熱膨張係数１２ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であり、ガラス転移点１７３℃以上１８３℃以下を有する。回路基板４０としては、好ましくは、ガラスエポキシ基板が採用される。回路基板４０は、電子素子が搭載される素子搭載面(図５の４０ａ)と、アイランド３２の搭載面(図３の３２ａ)と対面する接触面４０ｂとを有する。図４は、接触面４０ｂを示している。接触面４０ｂ上には、基準電位層４２が設けられている。また、回路基板４０は、一対の辺４０ｃ、４０ｄを有し、その一方の辺４０ｃには、回路基板４０の導電層を内部リード３４ｂの各々と接続するために複数の電極部４６ａ、４６ｂが設けられている。
【００３２】
接触面４０ｂ上には、絶縁性部材４４が設けられている。絶縁層４４は、アイランド３２が基準電位層４２に電気的に接続されるように、開口部４４ａを有している。しかしながら、絶縁層４４は、導電部３６が基準電位層４２に電気的に接続されないように、開口部４４ａ以外の面に形成されている。
【００３３】
図４においては破線で示されるように、リードフレーム部材の導電部３６は絶縁層４４に接触しながら、開口部４４ａを避けるように、回路基板４０の一対の辺４０ｃ、４０ｄの一方から他方へ通過する。一対の辺４０ｃ上においては、導電部３６は電極４６ｂの位置を通過する。故に、導電部３６は、電極４６ｂを介して回路基板４０と電気的に接続される。
【００３４】
図５(ａ)は、受信アセンブリ６のための中間生産物を示している。中間生産物５０は、リードフレーム３０、回路基板４０、および受光デバイス５２を有する。受光デバイス搭載部３８には、受光デバイス５２が配置されている。リードフレーム３０のアイランド３２上には、回路基板の端子４６ａがリード３４に接続できるように、回路基板４０が搭載されている。回路基板４０には、フェライトビーズインダクタといった誘導性素子５４および電子素子５８が配置されている。受光デバイス５２では、金属製のスリーブ５２ａ、半導体受光素子５２ｂ、およびレンズ５２ｃが所定の軸に沿って配置されている。ＲＯＳＡ用パッケージ５２ｅは、スリーブ５２ａ、レンズ５２ｃ、および半導体受光素子５２ｂを収容している。また、パッケージ５２ｅには、半導体受光素子５２ｂに電気的に接続されたプリアンプを備えることができる。パッケージ５２ｅは、例えばＴＯ型パッケージであることができ、所定に軸の方向に沿って設けられたリードピン５２ｄを有する。リードピン５２ｄは、ボンディングワイヤ５６を介して、回路基板４０の搭載面４０ａ上に設けられたパッド４０ｃに電気的に接続されている。このために、リードピン５２ｄは、その端部が搭載面４０ａと同一の平面に含まれるように屈曲されている。この屈曲は、ＧＮＤリードが最短になるように行われている。リードフレーム３０、回路基板４０、および受光デバイス５２は、電気的な接続が完了した後に、封止用樹脂部材６ａによって封止される。樹脂部材６ａによって封止された後にリードフレーム３０は切断され、その主要部からなるリードフレーム部材が形成される。
【００３５】
図５(ｂ)は、リードフレーム３０と回路基板４０との接続部分を示している。内部リード３４ａは、半田バンプといった導電性部材５０を介して回路基板４０の電極４６ｂと接続されている。
【００３６】
図６は、送信アセンブリ８のための中間生産物の平面図を示す。中間生産物５１は、リードフレーム３１、回路基板４１、および発光デバイス５３を有する。発光デバイス搭載部３９には、発光デバイス５３が配置されている。リードフレーム３１のアイランド上には、回路基板の端子４７ａがリード３５に接続できるように、回路基板４１が搭載されている。回路基板４１には、電子素子５９が配置されている。発光デバイス５３では、金属製のスリーブ５３ａ、半導体発光素子５３ｂ、およびレンズ５３ｃが所定の軸に沿って配置されている。ＴＯＳＡ用パッケージ５３ｅは、スリーブ５３ａ、レンズ５３ｃ、および半導体発光素子５３ｂを収容している。また、パッケージ５３ｅは、例えばＴＯ型パッケージであることができ、所定に軸方向に沿って設けられたリードピン５３ｄを有する。リードピン５３ｄは、ボンディングワイヤ５７を介して、回路基板４１の搭載面４１ａ上に設けられたパッド４１ｃに電気的に接続されている。このために、リードピン５３ｄは、その端部が搭載面４１ａと同一の平面に含まれるように屈曲されている。リードフレーム３１、回路基板４１、および発光デバイス５３は、電気的な接続が完了した後に、封止用樹脂部材(図１の８ａ)によって封止される。樹脂部材８ａによって封止された後にリードフレーム３１は切断され、その主要部からなるリードフレーム部材が形成される。これまでの説明から、送信モジュール８は受信アセンブリ６とほぼ同様の構造を備えるので、更なる説明を省略する。
【００３７】
図７は、受信アセンブリ６の等価回路図を示す。等価回路図には、受光アセンブリ６の主要な構成要素、つまり、リード端子６ｃと、リードフレーム部材３０ａと、ＴＯ型キャンパッケージといった受光デバイス用ハウジング５２ｅと、フォトダイオードといった半導体受光素子５２ｂと、信号処理集積回路といった電子素子５８とが示されている。これらは、シールド部材４によって電気的に遮蔽されている。
【００３８】
複数のリード端子６ｃとしては、Ｖｅｅ端子、ＲＤ端子、ＲＤＢ端子、ＳＤ端子、Ｖｃｃ端子、およびＶｐｄ端子が設けられている。Ｖｐｄ端子は、受光デバイス５２ｅ内の半導体受光素子５２ｂのカソードに接続されている。半導体受光素子５２ｂのアノードはプリアンプ５２ｆの入力に接続されている。プリアンプ５２ｆのＶｄｄ端子は、Ｖｃｃ端子に接続されている。プリアンプ５２ｆのＶｓｓ端子は、Ｖｅｅピンに接続されている。プリアンプ５２ｆの相補出力ＯＵＴ、ＯＵＴＢは、カップリングキャパシタＣ１、Ｃ２を介して信号処理集積回路５８の信号入力Ｄ、ＤＢに接続されている。信号処理集積回路５８のいくつかのＶｅｅピンは、リードフレーム部材３０ａの基準電位線に接続されている。信号処理集積回路５８のＶｃｃピンは、Ｖｃｃ端子に接続されている。信号処理集積回路５８は、入力信号の有無を識別する機能を有し、この識別結果を示す信号検出信号ＳＤ(signal detection)を生成すると共に、データ信号ＲＤを出力する。信号検出信号ＳＤはＳＤ端子に提供され、データ信号ＲＤは相補信号としてＲＤ端子およびＲＤＢ端子に提供される。
【００３９】
受光デバイスにおいて、ＶｅｅピンはＴＯ型キャンパッケージに接続され、Ｖｅｅピンは内部Ｖｅｅ電位線に接続されている。内部Ｖｅｅ電位線は、誘導性素子５４を介してＶｅｅ端子に接続されている。リードフレーム部材３０ａの基準電位線およびＴＯ型キャンパッケージも、内部Ｖｅｅ電位線に接続されている。Ｖｃｃ端子と内部Ｖｅｅ電位線との間には、キャパシタＣが接続されている。Ｖｅｅ端子は、プリント回路基板の基準電位線に接続される。
【００４０】
また、Ｖｅｅ端子は、リードフレーム部材３０ａの導電部３６を介してシールド部材４にも接続されている。シールド部材４は、光モジュール１の動作中に帯電することがある。シールド部材４は導電部３６を介してＶｅｅ端子に接続されているので、シールド部材４に帯電した電荷はプリント回路基板のＶｅｅ電位線に逃がされる。このため、シールド部材の帯電を低減できる。加えて、Ｖｅｅ端子は、誘導性素子５４を介して内部Ｖｅｅ電位線に接続されているので、電荷を逃がす際にＶｅｅ端子に生じることがある高周波ノイズが内部Ｖｅｅ電位線に伝搬し難い。
【００４１】
これまで説明してきた光モジュールにおける最小受光感度に関する実験結果を示す。
導電部３６による接続がある場合
送信アセンブリが動作中：−２２．９８ｄＢｍ
送信アセンブリが停止中：−２４．４９ｄＢｍ
クロストークにより劣化：  １．５１ｄＢ
導電部３６による接続がない場合
送信アセンブリが動作中：−２１．８４ｄＢｍ
送信アセンブリが停止中：−２４．２３ｄＢｍ
クロストークにより劣化：  ２．３９ｄＢ
となった。クロストークにより劣化の点において、感度改善量を見積もると０．８８ｄＢとなる。
【００４２】
以上説明したように、本実施の形態に係わる光モジュールでは、カバー部材はリードフレーム部材の導電部を介してグランドに電気的に接続されている。この導電部によって、カバー部材とグランド電位線との間の高周波的なインピーダンスが低減された。このため、電荷が送信アセンブリから放出されても、カバー部材に蓄積されることなく、受信アセンブリの導電部を通して放出される。
【００４３】
また、導電部と回路基板のＶｅｅ電位線との間にフェライトビーズインダクタを挿入すれば、導電部とＶｅｅ電位線との間を高周波的に分離できる。故に、導電部から受信回路部へノイズが伝わることを低減できる。
【００４４】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更されることができることは、当業者によって認識される。例えば、光モジュールが受信アセンブリおよび送信アセンブリを備える場合について説明したけれども、光モジュールが複数の受信アセンブリを備える場合、光モジュールが複数の送信アセンブリを備える場合にも変更されることができる。また、受信アセンブリが導電片を備える場合について説明したが、送信アセンブリ用リードフレームに導電片を追加するようにしてもよい。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００４５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係わる光モジュールでは、アセンブリ部の導電部が、シールド部材を複数の端子の少なくとも１つに接続している。このため、端子を増やすことなく、シールド部材がアセンブリ部の端子に電気的に接続される。したがって、シールド部材の帯電を低減することができる光モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施の形態に係わる光モジュールの分解斜視図である。
【図２】図２(ａ)は、本実施の形態に係わる光モジュールとプリント回路基板とを示す斜視図である。図２(ｂ)は、導電片とシールド部材との接触部の拡大図である。
【図３】図３(ａ)は、リードフレームを示す平面図である。図３(ｂ)は、リードフレーム部材を示す平面図である。
【図４】図４は、回路基板の裏面を示す平面図である。
【図５】図５(ａ)は、受信アセンブリの中間生産物を示す平面図である。図５(ｂ)は、リード端子と回路基板との接続部を示す拡大図である。
【図６】図６は、送信アセンブリの中間生産物を示す平面図である。
【図７】図７は、受信アセンブリの等価回路図である。
【符号の説明】
１…光モジュール、２…ハウジング、４…シールド部材、４ｂ…接続孔、４ｃ…接続突起、６…受信アセンブリ、６ａ…樹脂部材、６ｂ…スリーブ、６ｃ…複数のリード端子、８…送信アセンブリ、１０…筐体、１２…レセプタクルシールド、１４…アセンブリシールド、１６…プリント回路基板、３０…リードフレーム、３６…導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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