(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムまたはステンレスからなる基材表面に、爆発溶射法により、ＹＡＧ膜が形成される工程と、前記ＹＡＧ膜の表面に、プラズマ溶射法により、イットリア膜が形成される工程を含むことを特徴とする耐プラズマ性部材の製造方法。
【請求項２】
前記ＹＡＧ膜とイットリア膜の膜厚比は、ＹＡＧ膜：イットリア膜＝１：１．５以下であることを特徴とする請求項１記載の耐プラズマ性部材の製造方法。
【請求項３】
前記イットリア膜の膜厚は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の耐プラズマ性部材の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかに記載の耐プラズマ性部材の製造方法において、アルミニウムからなる基材表面に、ＹＡＧ膜が形成される前に、アルマイト層が形成されることを特徴とする耐プラズマ性部材の製造方法。
【請求項５】
前記耐プラズマ性部材は、チャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の耐プラズマ性部材の製造方法。
【請求項６】
前記アルミニウムまたはステンレスからなる基材は、ガス通気孔を備え、前記ガス通気孔の内壁面には、ＹＡＧまたはイットリアの焼結体が設けられている電極基材であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の耐プラズマ性部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐プラズマ性部材の製造方法に関し、より詳細には、半導体または液晶の製造等におけるドライプロセス装置に好適に用いられる耐プラズマ性部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体または液晶製造のためのドライプロセスにおいては、低圧高密度プラズマ源が用いられ、腐食性の高いフッ素系や塩素系のガスが用いられている。低圧高密度プラズマは、電子温度およびイオン衝撃エネルギーが高いため、これらのプラズマに直接曝される部材には、高い耐プラズマ性が要求される。
【０００３】
従来、上記のようなドライプロセス装置用部材には、主にアルミニウムが用いられ、プラズマによる腐食を抑制するため、通常、アルミニウム基材表面を陽極酸化処理したアルマイトが用いられていた。
しかしながら、アルマイト層の厚さは、高々５０μｍ程度であり、フッ素系ガスのプラズマを使用するプロセスにおいては、反応生成物であるフッ化アルミニウムが生じ、これがチャンバー内の耐プラズマ性の劣る部分に堆積し、パーティクル源となるという問題を生じていた。
また、アルマイト層が消耗してアルミニウム基材が露出した部分は、プラズマによる腐食が著しく進行し、これに伴い、フッ化アルミニウムのダストが多量に発生するという問題も生じていた。
【０００４】
そこで、最近では、上記アルミニウム系材料よりも１０倍以上も耐プラズマ性に優れたＹＡＧ（３Ｙ2Ｏ3・５Ａｌ2Ｏ3；イットリウム・アルミニウム・ガーネット）やイットリア（Ｙ2Ｏ3）が用いられるようになってきた。
【０００５】
しかしながら、ＹＡＧやイットリアは、原料が高価であり、アルマイトに比べて機械的強度や破壊靭性値が低いことから、実際には、例えば、エッチング装置用のチャンバー等の場合は、アルミニウム等の金属基材の表面に、溶射等により薄膜処理されたものが用いられている。
【０００６】
ところで、金属表面に耐プラズマ性を有する膜を形成する一般的な溶射方法としては、フレーム溶射、プラズマ溶射等の方法がある。これらの溶射方法を用いて、プラズマに対する耐食性を発現させるためには、均一で緻密な溶射膜を形成させる必要がある。
溶射膜が緻密でなければ、耐プラズマ性が低下するだけでなく、長時間の使用により、溶射膜中の気孔を通過した腐食性ガスが、基材である金属を徐々に腐食するため、基材と溶射膜との密着性が低下し、膜剥離を生じる。
この剥離した溶射膜自体がパーティクルとなり、さらに、膜剥離によって露出したアルミニウム基材表面がプラズマと反応して発生するフッ化アルミニウムがパーティクル源となるという問題を招くことになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記理由から、緻密な溶射膜を形成するためには、溶射材を十分に溶融して、高速で基材に衝突させることが必要である。
ここで、上記したフレーム溶射法とプラズマ溶射法とを比較すると、一般に、フレーム溶射法は、プラズマ溶射法に比べて低温で行われるが、高速で溶射材を衝突させることができるという特徴を有している。
【０００８】
一方、プラズマ溶射法は、プラズマ炎を利用するため、高融点の溶射材を用いた場合でも、十分に溶融させることができる。特に、ＹＡＧやイットリアは高融点であり、フレーム溶射ではこれらの溶射材を十分に溶融させることが困難であるため、通常は、プラズマ溶射法が使用されている。
【０００９】
しかしながら、プラズマ溶射法では、基材が高温のプラズマ炎に曝されるため、基材温度が上昇する。この際、基材であるアルミニウムの方が、溶射膜であるＹＡＧやイットリア等よりも、熱膨張係数が数倍大きいため、溶射膜に圧縮応力が生じ、膜厚が大きくなるほど、膜剥離が生じやすい。
上記のように、溶射膜密度および密着力は、溶射材の溶融具合と基材への衝突速度に関係しており、プラズマ溶射法では、溶射材の衝突速度は比較的小さいため、膜の緻密化は困難であり、密着力も低いものであった。
【００１０】
これに対して、フレーム溶射法の一種に、爆発溶射法がある。この爆発溶射法は、燃焼熱の高いアセチレンと酸素の混合ガスを爆発させ、これにより発生する高速燃焼エネルギーを利用して溶射する方法であり、溶射材が音速の約２倍（約７００ｍ／ｓ）の速度で基材に激突するため、高い密着力が得られる利点を有する。
しかしながら、爆発溶射法では、融点が高いイットリアの溶融は不十分となるため、このような未溶融のイットリア粒子が溶射膜組織に取り込まれると、溶射膜密度は低下し、緻密な膜を形成することは困難であり、また、膜の密着力も低いものであった。
一方、ＹＡＧは、イットリアより融点が低いため、爆発溶射法でも、溶射膜を緻密化することはできるが、耐プラズマ性がイットリアよりも劣り、また、上述したようなフッ化アルミニウムのダストの発生を抑制することは困難であった。
【００１１】
上記した各種の溶射法は、アンカー効果を利用して、物理的な密着を行う方法であるため、溶射材は、基材に対して垂直に衝突させたときに密着力が最大となり、溶射膜が剥離し難くなるという特徴を有している。
しかしながら、例えば、プラズマエッチング装置の電極に設けられる直径０．５〜０．８ｍｍ程度のガス通気孔の内壁面等の狭小部分においては、この内壁面等に対して溶射材を垂直に衝突させることは困難である。また、ガス通気孔内を溶射材で埋めた後、加工により、内壁面にこれらの膜を形成させたとしても、密着力が非常に低いため、膜は剥離してしまう。
【００１２】
このため、前記電極のガス通気孔の内壁面等には、アルマイト処理等が必要となる。
この際、先に、前記電極に溶射処理を行う場合は、溶射膜によりガス通気孔が閉塞されてしまい、再度穿孔加工等が必要となるが、アルマイト層等に損傷を与えることなく加工することは、非常に困難である。
一方、前記電極に溶射処理を施した後、ガス通気孔の穿孔加工を行い、アルマイト処理を施す場合は、アルマイト処理液である硫酸やシュウ酸により溶射膜が多少溶解し、溶射膜界面のアルマイト処理が不完全となるため、その部分がプラズマによって選択的に腐食され、短時間で溶射膜が剥離してしまうという課題を有していた。
【００１３】
上記のように、ドライプロセス装置のチャンバー内においては、プラズマによる熱サイクルおよび腐食性ガス等に起因する溶射膜の剥離が問題となっており、特に、プラズマの入射角依存性により、凸部等の腐食の程度が選択的に激しく、ドライプロセス装置用部材の中でも、電極のガス通気孔のエッジ部における溶射膜の剥離が激しかった。
【００１４】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、プラズマに対する耐食性の向上を図り、半導体または液晶製造のためのドライプラセス装置に用いられるチャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板、電極等の部材に好適に用いることができる耐プラズマ性部材の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る耐プラズマ性部材の製造方法は、アルミニウムまたはステンレスからなる基材表面に、爆発溶射法により、ＹＡＧ膜が形成される工程と、前記ＹＡＧ膜の表面に、プラズマ溶射法により、イットリア膜が形成される工程を含むことを特徴とする。
爆発溶射法を用いることにより、基材の温度上昇が抑制され、溶射材と基材の熱膨張係数との相違による溶射膜の剥離が生じることなく、しかも、緻密な膜を形成することができるため、金属基材表面に、プラズマに対する耐食性に優れた被膜を形成することができる。
また、耐プラズマ性により優れたイットリア膜を部材の外表面に形成した多層（２層）構造とすることにより、プラズマに対する耐食性をさらに向上させることができる。
【００１７】
前記ＹＡＧ膜とイットリア膜の膜厚比は、ＹＡＧ膜：イットリア膜＝１：１．５以下であることが好ましい。
前記ＹＡＧ膜は、耐プラズマ性を付与するものであり、また、イットリア膜形成の下地として、溶射膜の剥離に至る応力の発生を低減させる役割を有するものである等の観点から、イットリア膜との膜厚比を規定したものである。
【００１８】
また、前記イットリア膜の膜厚は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
上記範囲内の膜厚であれば、溶射時の熱応力による膜剥離を防止することができ、また、消耗または剥離等を生じた場合にも、下地に上記膜厚比によりＹＡＧ膜が形成されていることから、基材を構成する金属が露出し、直接プラズマに曝されて、腐食やパーティクルが発生することを防止することができる。
【００１９】
上記耐プラズマ性部材の製造方法においては、アルミニウムからなる基材表面に、ＹＡＧ膜が形成される前に、アルマイト層が形成されることが好ましい。
このように、アルマイト層が形成されていると、長時間使用による部材の消耗、ハンドリングにおける部材表面の損傷等が生じた場合であっても、アルマイト層がバリアとなり、直接アルミニウムが露出することを防止することができる。
【００２０】
前記耐プラズマ性部材は、チャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板のいずれかであることが好ましい。
本発明に係る製造方法は、半導体または液晶製造等のドライプロセス装置において、従来アルマイト等が用いられていたあらゆる部材に適用することができ、特に、上記のような部材に好適な方法である。
【００２１】
上記耐プラズマ性部材の製造方法は、前記アルミニウムまたはステンレスからなる基材が、ガス通気孔を備え、前記ガス通気孔の内壁面には、ＹＡＧまたはイットリアの焼結体が設けられている電極基材である場合にも好適である。
これらの焼結体は、溶射膜よりも緻密化を図ることができるため、耐プラズマ性にもより優れており、溶射膜の形成が困難であるガス通気孔の内壁面に設けることにより、ガス通気孔のエッジ部等のプラズマの入射角に依存する位置選択的な腐食を防止することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をより詳細に説明する。
本発明に係る耐プラズマ性部材の製造方法は、耐プラズマ性材料であるＹＡＧを溶射材として、爆発溶射法により、アルミニウムまたはステンレスからなる基材表面に、溶射膜であるＹＧＡ膜を形成することにより、耐プラズマ性部材を得ることを特徴とするものである。
爆発溶射法は、高速かつ断続的に溶射材を基材に衝突させる方法であるため、基材の温度上昇が抑制され、溶射材と基材の熱膨張係数との相違による溶射膜の剥離が生じることなく、しかも、緻密な膜を高い密着力で形成することができる。これにより、金属基材表面にプラズマに対する耐食性に優れた被膜を形成することができる。
【００２３】
前記耐プラズマ性部材の製造方法においては、前記ＹＡＧ膜の表面に、さらにプラズマ溶射法により、イットリア膜を形成して、多層（２層）構造とすることが好ましい。
イットリアの方が、ＹＡＧよりも耐プラズマ性に優れているが、イットリアは融点が高いため、爆発溶射の温度では溶融が不十分となり、上述したように、緻密なイットリア膜を基材表面に、爆発溶射法により直接形成させることは困難である。
一方、プラズマ溶射法により、基板表面にイットリア膜を直接形成する場合は、上述したように、基板とイットリアとの熱膨張係数の相違により、高温のプラズマ炎によって膜剥離が生じ、しかも、爆発溶射法よりも膜の密着力が低い。
このため、予めＹＡＧ膜を形成した表面に、イットリア膜をプラズマ溶射法、好ましくは、減圧プラズマ溶射法により形成させる。
このようにして、耐プラズマ性により優れたイットリア膜を部材の外表面に形成することにより、プラズマに対する耐食性をさらに向上させることができる。
【００２４】
なお、上述したように、アンカー効果による溶射膜は物理的な結合により形成されるため、通常のフレーム溶射法やプラズマ溶射法等では、アンカー効果による密着力の向上を図るため、一般に、予めサンドブラスト等により、基材表面を荒らしておく。しかも、これらの溶射法は、連続的な溶射により溶射膜を形成させる方法であるため、溶射膜表面は比較的滑らかになり、多層膜を形成する場合には、その都度、表面を荒らす加工が必要である。
これに対して、爆発溶射法は、断続的に高速で溶射されるため、溶射膜表面は、適度に面荒れしたものとなる。また、基材表面に衝突した溶射材の隙間に、さらに溶射材が打ち込まれるようにして溶射膜が形成されて緻密化するため、溶射膜の表層部は、多孔質層になる傾向がある。
このため、本発明において、爆発溶射法で形成されたＹＡＧ膜の表面は、サンドブラスト等により表面を荒らす加工を施す必要がなく、その表面に直接プラズマ溶射法により、イットリア膜を形成することが可能である。しかも、ＹＡＧ膜の多孔質層の隙間に、溶融したイットリア膜が入り込むことにより、ＹＡＧ膜とイットリア膜との溶射膜間においても、高い密着力が得られるという利点も有している。
【００２５】
上記のように、基材表面が、ＹＡＧ膜とイットリア膜の２層構造により構成される場合は、前記ＹＡＧ膜と前記イットリア膜との膜厚比は、ＹＡＧ膜：イットリア膜＝１：１．５以下であることが好ましい。より好ましくは、ＹＡＧ膜：イットリア膜＝１：１以下である。
前記ＹＡＧ膜は、耐プラズマ性を付与することはもちろんであるが、イットリア膜を形成するための下地となるものであり、主として溶射膜厚を大きくするために形成されるものである。また、溶射膜の剥離に至る応力の発生を低減させる観点からも、上記膜厚比とすることが好ましい。
【００２６】
また、前記ＹＡＧ膜の膜厚は、１００μｍ前後とし、前記イットリア膜の膜厚は、５０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましい。
溶射膜の膜厚は大きすぎると、膜自体の応力が増大し、剥離を生じるため、全体として、膜厚は３００μｍ程度以下とすることが好ましい。
イットリア膜の膜厚は大きいほど、耐プラズマ性に優れたものとなるが、膜厚が１５０μｍを超えると、溶射時の熱応力が大きくなるため、剥離しやすくなる。
一方、基材に対するＹＡＧ膜の密着力は、イットリア膜の密着力に比べて大きく、イットリア膜の２倍弱程度である。このため、もし溶射膜の剥離が生じるような場合であっても、イットリア膜のみが剥離することとなるが、基材表面には、膜厚１００μｍ前後のＹＡＧ膜が形成されていることにより、基材を構成する金属が、露出して直接プラズマに曝されることはなく、膜剥離による急激な異常放電によって、腐食やパーティクルが発生することを防止することができる。
【００２７】
上記耐プラズマ性部材の製造方法においては、アルミニウムからなる基材表面に、ＹＡＧ膜が形成される前に、アルマイト層が形成されることが好ましい。
アルミニウムからなる基材表面にアルマイト層が形成されていると、長時間使用による部材の消耗、ハンドリングにおける部材表面の損傷等が生じた場合であっても、アルマイト層がバリアとなり、直接アルミニウムが露出することを防止することができる。
【００２８】
本発明に係る製造方法は、半導体または液晶製造等のドライプロセス装置において、従来アルマイト等が用いられていたあらゆる部材に適用することができ、特に、チャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板等の部材に好適な方法である。
本発明に係る製造方法を用いることにより、これらの部材は従来のものよりも、耐プラズマ性が向上し、１０倍以上も長い耐用時間を得ることができる。
【００２９】
また、本発明においては、上記製造方法を用いて製造される耐プラズマ性部材が、ガス通気孔を有する電極である場合には、電極基材表面に爆発溶射を行う前に、ガス通気孔の内壁面をＹＡＧまたはイットリアの焼結体で形成しておくことが好ましい。
これらの焼結体は、溶射膜よりも緻密化を図ることができるため、耐プラズマ性にもより優れている。
したがって、狭小であるために、溶射膜の形成が困難であるガス通気孔の内壁面にこれらの焼結体を設けることにより、ガス通気孔のエッジ部等のプラズマの入射角に依存する位置選択的な腐食を防止することができる。
【００３０】
なお、前記電極基材のガス通気孔の内壁面に、前記ＹＡＧまたはイットリアの焼結体を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、焼き嵌めや接着、または、ネジ形状として埋め込むことにより形成することができる。
そして、この電極基材の表面に、上述した方法により、ＹＡＧ膜およびイットリア膜を形成した後、前記ＹＡＧまたはイットリアの焼結体部分にガス通気孔の穿孔加工を施すことによって、基材のアルミニウム等を露出させることなく、ガス通気孔部においても耐プラズマ性に優れた電極が得られる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
アルミニウム基材表面に、爆発溶射法により、厚さ２００μｍのＹＡＧ膜を形成した後、さらにそのＹＡＧ膜の表面に、減圧プラズマ溶射法により、厚さ１００μｍのイットリア膜を形成させた試料（ＹＡＧ膜厚：イットリア膜厚＝１：０．５）を作製した。
得られた試料を半導体製造用のプラズマエッチング装置のチャンバー内壁面にセットし、合計２００時間のエッチングプロセスによる耐久試験を行った。
その結果、被膜していない通常のアルマイト製部材の場合と比較して、フッ化アルミニウムの堆積物は発生せず、また、パーティクルの突発的な発生もなく、全体としてのパーティクル発生量も、７０％以上減少した。
【００３２】
さらに２００時間の耐久試験を継続したところ、特に変化はなく、この耐プラズマ性部材は、通常のアルマイト製のものに比べて、耐用時間が１０倍以上長くなり、長時間の安定した使用が可能であることが認められた。
また、試料の表面にピンを立てて付着させ、このピンを引っ張って剥離する方法（ボンドキャップ法）により、溶射膜の密着力を測定したところ、基材とＹＡＧ膜との密着力は５０ＭＰａ以上であり、ＹＡＧ膜とイットリア膜との密着力は４０〜５０ＭＰａであり、剥離した部分を観察したところ、ＹＡＧ膜とイットリア膜との界面で剥離していた。
【００３３】
［実施例２］
アルミニウム基材表面に、爆発溶射法により、厚さ１００μｍのＹＡＧ膜を形成した後、さらにそのＹＡＧ膜の表面に、減圧プラズマ溶射法により、厚さ２００μｍのイットリア膜を形成させた試料（ＹＡＧ膜厚：イットリア膜厚＝１：２）を作製した。
得られた試料を半導体製造用のプラズマエッチング装置のチャンバー内壁面にセットし、合計２００時間のエッチングプロセスによる耐久試験を行った。
その結果、被膜していない通常のアルマイト製部材の場合と比較して、直接プラズマに照射されない部分に、フッ化アルミニウムの堆積物が生じていた。また、パーティクルの突発的な発生はなく、全体としてのパーティクル発生量は、１０〜２０％減少した。
また、外観を観察したところ、一部イットリア膜が剥離している部分があり、特に、エッジ部が選択的に剥離しており、ＹＡＧ膜が露出し、やや腐食していた。
また、溶射膜の密着力をボンドキャップ法により測定したところ、基材とＹＡＧ膜との密着力は５０ＭＰａ以上であり、ＹＡＧ膜とイットリア膜との密着力は２５ＭＰａ前後であり、ＹＡＧ膜とイットリア膜との界面で剥離が生じていた。
【００３４】
［比較例１］
アルミニウム基材表面に、減圧プラズマ法により、膜厚３００μｍのイットリア膜を形成させた試料を作製した。
得られた試料を半導体製造用のプラズマエッチング装置のチャンバー内壁面にセットし、エッチングプロセスによる耐久試験を行った。
５０時間経過後、パーティクル数が規格値を大幅に上回ったため、チャンバーを開放して確認したところ、イットリア膜は剥離して、アルミニウムが露出し、フッ化アルミニウムがチャンバー内全面に堆積していた。剥離状態としては、エッジ部を起点としているものが多く見られた。
また、溶射膜の密着力をボンドキャップ法により測定したところ、基材とイットリア膜の密着力は２０ＭＰａ前後であった。
【００３５】
上記のように、アルミニウム基材表面に、爆発溶射法によりＹＡＧ膜を形成し、さらに減圧プラズマ溶射法によりイットリア膜を形成させた部材（実施例１、２）は、イットリア膜のみを形成した部材（比較例１）に比べて、フッ化アルミニウムの堆積物およびパーティクルの発生が抑制され、膜の密着力も高く、耐久性に優れていることが認められた。また、ＹＡＧ膜とイットリア膜の膜厚比は、１：１．５以下である場合（実施例１）の方が、より耐久性に優れたものであることが認められた。
【００３６】
［参考例］
図１に示すような電極を作製した。まず、直径８〜１０ｍｍのガス通気孔部を備えた厚さ２０ｍｍのアルミニウム電極基板１に厚さ３０μｍのアルマイト層２を形成した後、前記ガス通気孔部に円柱状のＹＡＧ焼結体３を埋め込み、エポキシ樹脂により接着した。
この電極基板表面に、爆発溶射法により、厚さ５００μｍのＹＡＧ膜４を形成した。
そして、ＹＡＧ焼結体３を埋め込んだ部分に穿孔加工を施し、直径０．５ｍｍのガス通気孔５を形成して、図１に示すような構成を有するガス通気孔を備えた電極とした。
得られた電極をプラズマエッチング装置にセットし、２００時間のエッチングプロセスにおける耐久試験を行った。
その結果、ガス通気孔部および電極表面のいずれにおいても、消耗量は数十Å／ｈｒであった。
【００３７】
［比較例２］
図２に示すような電極を作製した。
直径０．５ｍｍのガス通気孔部を備えた厚さ２０ｍｍのアルミニウム電極基板１に５０μｍのアルマイト層２を形成して、図２に示すような構成を有するガス通気孔を備えた電極とした。
得られた電極をプラズマエッチング装置にセットし、２００時間のエッチングプロセスにおける耐久試験を行った。
その結果、ガス通気孔部および電極表面のいずれにおいても、消耗量は数μｍ／ｈｒであった。
【００３８】
［比較例３］
図３に示すような電極を作製した。
まず、直径０．５ｍｍのガス通気孔部を備えた厚さ２０ｍｍのアルミニウム電極基板１に３０μｍのアルマイト層２を形成した後、基板表面に、爆発溶射法により、厚さ５００μｍのＹＡＧ膜４を形成した。
そして、ガス通気孔部に穿孔加工を施し、直径０．５ｍｍのガス通気孔５を形成して、図３に示すような構成を有するガス通気孔を備えた電極とした。
なお、穿孔加工の際、アルマイト層が研削されて、ガス通気孔内壁面において、一部アルミニウムが露出してしまった。
得られた電極をプラズマエッチング装置にセットし、２００時間のエッチングプロセスにおける耐久試験を行った。
その結果、ガス通気孔のエッジ部において、ＹＡＧ膜の剥離が生じ、アルマイトとＹＡＧ膜の界面において、選択的に消耗していた。
【００３９】
上記のように、ガス通気孔を有する電極においては、ガス通気孔の内壁面にＹＡＧ焼結体を設けて、電極表面にＹＡＧ膜を形成した場合（参考例）は、ガス通気孔の内壁面がアルマイト層からなる場合（比較例２、３）に比べて、ガス通気孔部における消耗も抑制され、耐プラズマ性により優れたものとなることが認められた。
【００４０】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によれば、半導体または液晶の製造等におけるドライプロセス装置用部材の耐食性の向上を図ることができ、パーティクルの発生を低減させることができる耐プラズマ性部材が得られる。
したがって、本発明に係る方法を用いて製造された耐プラズマ性部材は、プラズマエッチング等のドライプロセス装置内においても、長時間安定した使用が可能であり、また、これを用いることにより、半導体または液晶製造等における製造コストの低減および歩留まりの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  参考例における電極基板のガス通気孔部の構成を模式的に示した断面図である。
【図２】比較例２における電極基板のガス通気孔部の構成を模式的に示した断面図である。
【図３】比較例３における電極基板のガス通気孔部の構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
１  アルミニウム電極基板
２  アルマイト層
３  ＹＡＧ焼結体
４  ＹＡＧ膜
５  ガス通気孔
【図１】
0003850277.tif 000002
【図２】
0003850277.tif 000003
【図３】
0003850277.tif 000004