(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、
前記半導体堆積体の外側面に接触して形成され、エネルギー照射により硬化する樹脂からなる絶縁層とを含み、
前記絶縁層は、その平面形状に起因した異方的な応力を有し、該異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行う、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記異方的な応力は、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力とを含み、該ｘ軸方向への応力と該ｙ軸方向への応力が異なる大きさを有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記絶縁層の外側面の平面形状が、
前記中心から、前記ｘ軸と前記絶縁層の外側面との第１の交点までの距離と、
前記中心から、前記ｙ軸と前記絶縁層の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、
前記半導体堆積体の外側面に接触して形成され、エネルギー照射により硬化する樹脂からなる絶縁層とを含み、
前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記絶縁層の外側面の平面形状が、
前記中心から、前記ｘ軸と前記絶縁層の外側面との第１の交点までの距離と、
前記中心から、前記ｙ軸と前記絶縁層の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記絶縁層の外側面の平面形状は、前記ｘ軸および前記ｙ軸のうち少なくとも一方に関して線対称である、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記絶縁層の外側面の平面形状は、前記半導体堆積体を中心として、２回回転対称である、面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記絶縁層は、埋め込まれて形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の面発光型半導体レーザを複数個並べることにより形成された、面発光型半導体レーザアレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に対して垂直にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザおよび前記面発光型半導体レーザを用いた面発光型半導体レーザアレイに関する。
【０００２】
【背景技術】
面発光型半導体レーザは、半導体基板に対して垂直にレーザ光を出射する半導体レーザであり、半導体基板上に垂直方向に共振器が設けられている。この共振器は、レーザ光を発振させた後出射させるものであり、反射層、活性層、反射層が順に堆層されて構成される。
【０００３】
面発光型半導体レーザは、アレイ化（同一半導体基板上に多数のレーザを配置すること）が容易、しきい値が小さい、発振波長が安定、端面レーザに比べてレーザ放射角が等方的で、かつ小さい等の優れた特徴を有する。よって、面発光型半導体レーザは、２次元集積化が可能な半導体レーザとして、光並列通信や光並列演算、レーザビームプリンタ等のへの応用が期待されている。
【０００４】
一方、半導体レーザを用いて光学装置を構築する場合、偏光子やビームスプリッタなどの機器を使用することが多い。偏光子やビームスプリッタなどの機器は、反射率が偏光方向に依存する。このため、半導体レーザを光学装置に組み込んで使用する場合、レーザ光の偏光方向の制御が不十分であると、方向により光の強度が変化する等の問題が発生するため、レーザ光の偏光方向を制御することが重要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、面発光型半導体レーザは、共振器が等方的な構造を有することから、共振器から出射されるレーザ光の放射角が等方的であるため、レーザ光の偏光方向の制御が困難であった。このため、面発光型半導体レーザにおいて、レーザ光の偏光方向を制御しようとする試みがなされており、例えば、特開平８−１１６１３０号公報や、特開平６−２２４５１５号公報に面発光型半導体レーザの偏光方向の制御に関する技術が開示されている。
【０００６】
本発明の目的は、レーザ光の偏光方向の制御が可能である面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる面発光型半導体レーザは、共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、
前記半導体堆積体の外側面に接触して形成された絶縁層とを含み、
前記絶縁層は、その平面形状に起因した異方的な応力を有し、該異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行うことができる。
【０００８】
ここで、その平面形状に起因した異方的な応力とは、前記絶縁層の平面形状が誘因となって生じる異方的な応力をいい、異方的な応力とは、直交する２つの方向への応力であって、かつ、互いに異なる大きさを有する応力をいう。
【０００９】
この面発光型半導体レーザによれば、絶縁層から、前記半導体堆積体中に含まれる活性層へと異方的な応力を直接加えることができる。すなわち、絶縁層が該絶縁層の平面形状に起因した異方的な応力を有することにより、かかる異方的な応力が、絶縁層と接触している柱状部中の活性層に加わり、レーザ光の利得に異方性が発現する。この結果、特定の偏光方向のレーザ光を優先的に増幅させて発振させることができるため、レーザ光の偏光方向を特定方向に制御することができる。
【００１０】
この場合、本発明の面発光型半導体レーザにおいては、前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、前記異方的な応力は、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力とを含み、該ｘ軸方向への応力と該ｙ軸方向への応力が異なる大きさを有することが望ましい。
【００１１】
上記構成を有する前記面発光型半導体レーザによれば、前記異方的な応力が、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力とを含み、該ｘ軸方向への応力と該ｙ軸方向への応力が異なる大きさを有することにより、レーザ光の利得が、前述した２軸のうち応力が大きい方の軸に垂直な方向に優位となり、前記応力が大きい方の軸に垂直な方向に偏光したレーザ光が得られる。以上により、レーザ光の偏光方向を制御することができる。さらに、前記絶縁層の平面形状はその製膜過程で容易に調製することができるため、偏光方向の制御が容易であり、また、レーザアレイを作成する場合でも均一な特性で制御されたレーザを得ることができる。
【００１２】
前記絶縁層の平面形状に起因した異方的な応力を発生させる絶縁層の態様としては、以下の（１）〜（４）を例示できる。
【００１３】
（１）前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記絶縁層の外側面の平面形状が、
前記中心から、前記ｘ軸と前記絶縁層の外側面との第１の交点までの距離と、
前記中心から、前記ｙ軸と前記絶縁層の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように形成することができる。
【００１４】
前記中心から、前記ｘ軸と前記絶縁層の外側面との第１の交点までの距離と、該中心から、前記ｙ軸と絶縁層の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように設置されていることにより、絶縁層から前記半導体堆積体中の活性層へ作用する応力に異方性が生じる。その結果、応力が大きい方の軸に垂直な方向の利得が優位となり、応力が大きい方の軸に垂直な方向に偏光したレーザ光が得られる。以上により、レーザ光の偏光方向を制御することができる。
【００１５】
この場合、前記面発光型半導体レーザの好ましい態様としては、
共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、
少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、
前記半導体堆積体の外側面に接触して形成された絶縁層とを含み、
前記半導体堆積体上面の中心を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、
前記絶縁層の外側面の平面形状が、
前記中心から、前記ｘ軸と前記絶縁層の外側面との第１の交点までの距離と、
前記中心から、前記ｙ軸と前記絶縁層の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように形成されている、面発光型半導体レーザがある。
【００１６】
この面発光型半導体レーザによれば、前述した効果を奏することができる。
【００１７】
（２）前記絶縁層の外側面の平面形状を、前記ｘ軸および前記ｙ軸のうち少なくとも一方に関して線対称であるようにすることができる。
【００１８】
前記面発光型半導体レーザにおいて、前記絶縁層の外側面の平面形状が、前記ｘ軸および前記ｙ軸のうち少なくとも一方に関して線対称であることにより、前記半導体堆積体中に含まれる活性層において、ｘ軸またはｙ軸のうち線対称の対称軸となる軸に関して一方の側にある部分に作用する応力が、もう一方の側にある部分に作用する応力と、大きさが同じでかつ向きが１８０度反対となる。このため、前記対称軸と直交する軸と平行方向への応力の異方性をより強めることができ、また、当該対称軸と直交する軸と平行方向へのレーザ光の偏光をより厳密に制御することができる。
【００１９】
（３）前記絶縁層の外側面の平面形状を、前記半導体堆積体を中心として、２回回転対称であるようにすることができる。
【００２０】
ここで、２回回転対称とは、前記半導体堆積体を中心として前記絶縁層の外側面の平面形状を１８０度回転させたとき、回転後の前記絶縁層の外側面の平面形状が、もとの前記絶縁層の外側面の平面形状と一致することをいう（１回回転は９０°の回転を意味する）。
【００２１】
前記面発光型半導体レーザにおいて、前記絶縁層の外側面の平面形状が、前記半導体堆積体を中心として、２回回転対称であることにより、前記半導体堆積体中に含まれる活性層のうち一方の側にある部分に作用する応力が、前記活性層のうち反対側にある部分に作用する応力と、大きさが同じでかつ向きが１８０度反対である。このため、前記１の軸と直交する軸と平行な方向への応力の異方性をより強めることができる。以上により、レーザ光の偏光をより厳密に制御することができる。
【００２２】
（４）前記絶縁層を、埋め込んで形成することができる。
【００２３】
前記面発光型半導体レーザにおいて、前記絶縁層が埋め込まれて形成されていることにより、前記絶縁層に生じる異方的な応力を前記半導体堆積体の外側面から前記活性層を含む前記半導体堆積体全体に加えることができるため、レーザ光の偏光を確実に制御することができる。
【００２４】
また、前記面発光型半導体レーザにおいては、前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂からなるのが望ましい。
【００２５】
これらの樹脂から前記絶縁層を形成する場合、これらの樹脂に熱または光等のエネルギー線を照射することにより硬化させる。かかる硬化の際に体積が大きく収縮し、前記体積収縮に伴い、前記絶縁層は前記半導体堆積体に大きな引張歪みを生じさせる。すなわち、前記絶縁層から活性層を含む前記半導体堆積体に大きな引張応力が作用する。これにより、活性層に大きな応力を与えることができるため、より安定したレーザ光の偏光方向制御を行うことができる。
【００２６】
本発明の面発光型半導体レーザにおいて、前記絶縁層の外側面の平面形状としては、例えば、長方形、菱形等の矩形や、楕円形等が挙げられる。
【００２７】
また、本発明の面発光型半導体レーザアレイは、前述した本発明の面発光型半導体レーザを複数個並べることにより形成される。
【００２８】
この面発光型半導体レーザアレイによれば、面発光型半導体レーザを複数個並べることにより形成されるため、面発光型半導体レーザを所定数、所定の配列にて形成することにより、用途や目的に応じて最適な面発光レーザアレイを得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
（デバイスの構造）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ１００（以下、「面発光レーザ」という）を、図２のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。図２は、図１に示される面発光レーザ１００を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。図３は、図２に示す構造を、Ｂ−Ｂ線に沿って切断した断面図である。
【００３１】
本発明の第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００は、垂直共振器（以下、「共振器」とする）１２０の外側面に接触して形成された絶縁層１１２を有し、絶縁層１１２が異方的な応力を有し、この異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行うことを特徴とする。
【００３２】
まず、図１〜図３に示す面発光レーザ１００の構造について説明する。面発光レーザ１００は、半導体基板１０１、半導体基板１０１上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１０２、共振器１２０、および共振器１２０上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０９を含み構成される。
【００３３】
共振器１２０は、バッファ層１０２上に形成され、ｎ型ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した３０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「下部ミラー」という）１０３、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層１０４、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される多重井戸構造の活性層１０５、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型クラッド層１０６、ｐ型ＡｌＡｓからなる電流狭窄層１０７ならびに電流狭窄層１０７の周囲に形成された絶縁体層１１１、およびｐ型Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「上部ミラー」という）１０８が順次積層されて構成される。
【００３４】
上部ミラー１０８は、Ｚｎがドーピングされることによりｐ型にされ、下部ミラー１０３は、Ｓｅがドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、上部ミラー１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０５、および下部ミラー１０３により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００３５】
また、共振器１２０のうち面発光レーザ１００のレーザ光出射側からｎ型クラッド層１０４にかけての部分が、レーザ光出射側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部１１０が形成されている。すなわち、柱状部１１０とは、共振器１２０の一部であって、柱状の半導体堆積体のことをいう。なお、本実施の形態では、柱状部１１０の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることが可能である。また、コンタクト層１０９からｎ型クラッド層１０４にかけての共振器１２０の一部がエッチングされて溝１１７が形成されている。
【００３６】
本実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、溝１１７に絶縁層１１２が埋め込まれている。すなわち、柱状部１１０の外側面に接触し、かつ下部ミラー１０３の上面を覆うようにして絶縁層１１２が形成されている。本実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２は、その平面形状に起因した異方的な応力を有することを特徴とする。絶縁層１１２が異方的な応力を有することにより、後述する理由により、レーザ光の偏光方向を制御することができる。
【００３７】
ここで、絶縁層１１２の外側面の平面形状は長方形をなし、次の特徴を有する。柱状部１１０上面の中心１３０を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、図２に示されるように、絶縁層１１２の外側面の平面形状における辺の長さが、ｘ軸方向およびｙ軸方向とでは異なるように形成されているのが望ましい。例えば、中心１３０から、ｘ軸と絶縁層１１２の外側面との交点までの距離Ｌｘ１が、中心１３０から、ｙ軸と絶縁層１１２の外側面との交点までの距離Ｌｙ１よりも大きくなるように形成することができる。同様に、絶縁層１１２の外側面の平面形状における長さが、−ｘ軸方向および−ｙ軸方向とでは異なるように形成されているのが望ましい。例えば、中心１３０から、−ｘ軸と絶縁層１１２の外側面との交点までの距離Ｌｘ１’が、中心１３０から、−ｙ軸と絶縁層１１２の外側面との交点までの距離Ｌｙ１’よりも大きくなるように形成することができる。なお、面発光レーザ１００において、絶縁層１１２は、距離Ｌｘ１と距離Ｌｘ１’、および距離Ｌｙ１と距離Ｌｙ１’とはそれぞれ等しくなるように形成されている。面発光レーザ１００が上記の構成を有することにより、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力とを含み、前記ｘ軸方向への応力と前記ｙ軸方向への応力が異なる大きさを有する異方的な応力が、絶縁層１１２から活性層１０５を含む柱状部１１０に加えられる。
【００３８】
また、本実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、図２に示されるように、絶縁層１１２の外側面の平面形状が、ｘ軸およびｙ軸の両方に関して線対称である場合を示したが、絶縁層１１２の外側面の平面形状は、ｘ軸およびｙ軸のうち少なくとも一方に関して線対称であることが望ましい。その理由は後述する。
【００３９】
絶縁層１１２を形成するための材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂等、熱または光等のエネルギー線照射により硬化する樹脂を用いることができる。
【００４０】
また、柱状部１１０、絶縁層１１２、および柱状部１１０を構成していない半導体層の上面には、上部電極１１３が形成されている。柱状部１１０を構成していない半導体層の上面には、上部電極１１３と半導体層とを絶縁するための絶縁層１１４が形成されている。
【００４１】
さらに、柱状部１１０上面の中央部には、レーザ光の出射口となる開口部１１６が形成されている。また、半導体基板１０１において、共振器１２０が形成されている側と反対側の面には、下部電極１１５が形成されている。
【００４２】
そして、上部電極１１３からの電流を柱状部１１０の中央部分に集中させるために、電流狭窄層１０７の周囲から数μｍ程度の領域に、酸化アルミニウムからなる絶縁体層１１１が形成されている。
【００４３】
（デバイスの製造プロセス）
次に、本実施の形態にかかる面発光レーザ１００の製造方法について、図４〜８を用いて説明する。図４〜８は、本実施の形態にかかる面発光レーザ１００の製造方法の工程を模式的に示す断面図である。
【００４４】
本実施の形態にかかる面発光レーザ１００の製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）からなる。
工程（ａ）は、半導体基板１０１の表面に、活性層１０５を含む半導体堆積層１５０を形成し、半導体堆積層１５０から、半導体基板１０１と垂直な方向にレーザ光を出射する柱状部１１０を形成する工程である。
工程（ｂ）は、柱状部１１０外側面に、絶縁層１１２を溝１１７に埋め込んで形成する工程である。
工程（ｃ）は、共振器１２０に上部電極１１３および下部電極１１５を設置する工程である。
【００４５】
まず、工程（ａ）について説明する。
【００４６】
（１）図４に示されるｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１０１の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図５に示される半導体堆積層１５０を形成する。ここで、半導体堆積層１５０とは、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した下部ミラー１０３、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層１０４、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される多重井戸構造の活性層１０５、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型クラッド層１０６、ｐ型ＡｌＡｓからなる電流狭窄層１０７、ｐ型Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した上部ミラー１０８、およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０９をいい、これらの層を順に半導体基板１０１上に堆層させて、半導体堆積層１５０を形成する。また、半導体基板１０１の表面とは、半導体基板１０１において、後の工程で共振器１２０を形成する側の面をいう。
【００４７】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、半導体基板１０１の種類、あるいは形成する半導体堆積層１５０の種類や厚さによって適宜決定されるが、一般に、６００℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。
【００４８】
（２）続いて、コンタクト層１０９上に、フォトレジスト（図示しない）を塗布した後フォトリソグラフィにより該フォトレジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層（図示しない）を形成する。ついで、このレジスト層をマスクとしてドライエッチング法により、コンタクト層１０９、上部ミラー１０８、電流狭窄層１０７、ｐ型クラッド層１０６、活性層１０５、およびｎ型クラッド層１０４をエッチングして、図６に示されるように、外側面の平面形状が長方形の溝１１７を形成することにより、柱状の半導体堆積体である柱状部１１０を設ける。
【００４９】
この場合、溝１１７の外側面の平面形状および大きさを適宜設定することにより、後の工程において溝１１７に埋め込んで形成される絶縁層１１２の形状を適宜決定することができる。本実施の形態においては、柱状部１１０上面の中心１３０を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、中心１３０から、ｘ軸と溝１１７の外側面との交点までの距離が、中心１３０から、ｙ軸と溝１１７の外側面との交点までの距離よりも大きくなるように形成する。同様に、中心１３０から、−ｘ軸と溝１１７の外側面との交点までの距離が、中心１３０から、−ｙ軸と溝１１７の外側面との交点までの距離よりも大きくなるように形成する。
【００５０】
（３）次いで、ｐ型ＡｌＡｓ層からなる電流狭窄層１０７を、４００℃程度の水蒸気雰囲気下にさらす。この工程により、ＡｌＡｓ層がその露出面から内側へと酸化されていき、絶縁体である酸化アルミニウムが形成される。すなわち、電流狭窄層１０７の外周部が酸化されて、図７に示されるように、酸化アルミニウムからなる絶縁体層１１１が形成される。以上により、半導体基板１０１上に共振器１２０が形成される。
【００５１】
続いて、工程（ｂ）について説明する。
【００５２】
本工程では、樹脂の液状物または樹脂前駆体の液状物を溝１１７に埋め込むことにより絶縁層１１２を形成する。
【００５３】
まず、樹脂の液状物または樹脂前駆体の液状物を溝１１７に塗布した後、乾燥させる。塗布の方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の公知技術が利用できる。
【００５４】
次に、溝１１７中の樹脂原料に熱または光等のエネルギー線を照射して硬化させる。この工程において、樹脂の体積収縮が起こり、柱状部１１０に応力が発現する。
【００５５】
続いて、溝１１７に埋め込まれている部分以外の樹脂を除去する。除去方法は、フォトリソグラフィを用いて樹脂をパターニングする方法、ドライエッチングを用いる方法、ＣＭＰ法などが利用できる。以上の工程により、柱状部１１０外側面に、溝１１７に埋め込まれた絶縁層１１２を形成する。
【００５６】
上記工程では、樹脂の液状物または樹脂前駆体の液状物を溝１１７に埋め込んで絶縁層１１２を形成するため、絶縁層１１２の形状および大きさは、溝１１７の形状および大きさにより決定される。したがって、溝１１７の外側面の平面形状は、絶縁層１１２の外側面の平面形状と等しくなる。
【００５７】
上記工程で用いる樹脂の液状物または樹脂前駆体の液状物としては、熱や光等のエネルギー線を照射することにより硬化する樹脂を用いる。樹脂の液状物としては、例えば、ポリアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂を挙げることができる。また、樹脂前駆体の液状物としては、ポリイミド前駆体を挙げることができる。これらの樹脂の液状物または樹脂前駆体の液状物は、粘性が低く、かつ硬化の際に大きく体積収縮するという特徴を有する。
【００５８】
ポリイミド系樹脂としては、例えば、ポリアミック酸、ポリアミック酸の長鎖アルキルエステルなどを挙げることができる。樹脂前駆体の液状物としてポリイミド系樹脂を用いる場合には、ポリイミド前駆体の液状物を溝１１７に塗布した後加熱処理することによりイミド化反応が起こり、ポリイミド系樹脂が生成し、絶縁層１１２が形成される。前記加熱処理の温度は、ポリイミド前駆体の種類によって異なるが、１５０〜４００℃が適当である。
【００５９】
また、樹脂の液状物としてポリアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂を用いる場合、紫外線硬化型のポリアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。紫外線硬化型樹脂は、紫外線照射のみで硬化することができるため、熱により素子が損傷する等の問題が生じることはない。
【００６０】
ついで、工程（ｃ）について説明する。
【００６１】
まず、柱状部１１０を構成していない半導体層の上面に、上部電極１１３と半導体層とを絶縁するための絶縁層１１４を形成する。次に、真空蒸着法により、絶縁層１１２の上面に、金または亜鉛から構成される合金層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて合金層をパターニングすることにより、開口部１１６を形成する。以上の工程により上部電極１１３が形成される。続いて、半導体基板１０１の裏面（半導体基板１０１において共振器１２０を形成する面と反対側の面）に、真空蒸着法により、金およびゲルマニウムから構成される合金層からなる下部電極１１５を形成する。以上のプロセスを経て、図１〜図３に示される面発光レーザ１００が得られる。
【００６２】
（デバイスの動作、作用および効果）
第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００の一般的な動作を以下に示す。
【００６３】
上部電極１１３と下部電極１１５とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１０５において、電子と正孔との再結合が起こり、前記再結合による発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー１０８と下部ミラー１０３との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、上部電極１１３の開口部から半導体基板１０１に対して垂直方向にレーザ光が出射される。
【００６４】
次に、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００における作用および効果を説明する。
【００６５】
（１）第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２は、柱状部１１０の外側面に接触して形成されており、前記絶縁層の平面形状に起因した異方的な応力を有し、該異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行うことを特徴とする。
【００６６】
ここで、異方的な応力とは、直交する２つの方向への応力であって、かつ、互いに異なる大きさを有する応力をいう。換言すると、異方的な応力は、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力とを含み、ｘ軸方向への応力とｙ軸方向への応力が異なる大きさを有する。
【００６７】
絶縁層１１２が異方的な応力を有することにより、絶縁層１１２から、柱状部１１０中に含まれる活性層１０５へと異方的な応力を直接加えることができる。すなわち、絶縁層１１２が異方的な応力を有することにより、かかる異方的な応力が、絶縁層１１２と接触している柱状部１１０中の活性層１０５に加わり、レーザ光の利得に異方性が発現する。この結果、特定の偏光方向のレーザ光を優先的に増幅させて発振させることができるため、レーザ光の偏光方向を特定方向に制御することができる。
【００６８】
（２）面発光レーザ１００は、図２に示されるように、絶縁層１１２の外側面の平面形状が、距離Ｌｘ１および距離Ｌｘ１’が、それぞれ距離Ｌｙ１および距離Ｌｙ１’よりも大きくなるように形成されている。
【００６９】
すなわち、面発光レーザ１００においては、中心１３０から、ｘ軸と絶縁層１１２の外側面との第１の交点までの距離と、中心１３０から、ｙ軸と絶縁層１１２の外側面との第２の交点までの距離とが異なるように設置されている。このため、絶縁層１１２から活性層１０５へ作用する応力に異方性が生じる。その結果、活性層１０５の利得が、応力がより大きな方向に垂直な方向の偏光に対して優位となり、応力がより大きな方向に垂直な方向に偏光したレーザ光が得られる。以上により、レーザ光の偏光方向を制御することができる。
【００７０】
ここで、活性層１０５に作用する応力のうち、＋ｘ軸方向への応力をｔｘ１、＋ｙ軸方向への応力をｔｙ１、−ｘ軸方向への応力をｔｘ１’、−ｙ軸方向への応力をｔｙ１’とすると、絶縁層１１２の外側面の平面形状において、距離Ｌｘ１およびＬｘ１’がそれぞれ距離Ｌｙ１およびＬｙ１’より大きくなるように形成されているため、応力ｔｘ１およびｔｘ１’は、応力ｔｙ１およびｔｙ１’より大きくなる。すなわち、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００において、活性層１０５に作用する応力は、ｘ軸に平行な方向への応力が、ｙ軸に平行な方向への応力よりも大きくなり、その結果、活性層１０５の利得がｘ軸に垂直な方向の偏光に対して優位となるため、ｘ軸に垂直な方向に偏光したレーザ光が得られる。これにより、レーザ光の偏光方向を制御することができる。
【００７１】
（３）第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２が活性層１０５を含む柱状部１１０の外側面全体と接触するように形成されていることから、活性層１０５に異方的な応力をもたせるだけでなく、柱状部１１０における活性層１０５以外の層に異方的な応力をもたせた面発光レーザを得ることができる。このように、共振器１２０における活性層１０５以外の層に異方的な応力をもたせることにより、歪みが加わった方向には屈折率の変化が生じ、歪みが加わった方向とそれに直交する方向との間には屈折率差が生じる。このような屈折率分布を有する媒体中では、屈折率差により一定の偏波成分を持った光だけが伝播され得る。したがって、本実施の形態にかかる面発光レーザにおいては、例えば、偏波面保持ファイバの一種である楕円径コアファイバ（コアの平面形状を楕円形とすることで、かかる楕円の長軸方向と短軸方向との間に屈折率差を生じさせたファイバ）と同様の効果が得られる。
【００７２】
（４）本実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２の外側面の平面形状が長方形であることにより、柱状部１１０の外側面に接触して形成された絶縁層１１２が異方的な応力を有することとなる。絶縁層１１２の外側面の平面形状が長方形の場合、長方形の長辺に平行な方向への応力が、長方形の短辺に平行な方向への応力よりも大きくなり、その結果、活性層１０５の利得が長方形の短辺に平行な方向に対して優位となるため、長方形の短辺に平行な方向に偏光したレーザ光が得られる。以上により、特定の偏光方向のレーザ光を優先的に増幅させて発振させることができるため、レーザ光の偏光方向を特定方向に制御することができる。
【００７３】
（５）面発光レーザ１００においては、図２に示されるように、絶縁層１１２の外側面の平面形状が、ｘ軸およびｙ軸に関してそれぞれ線対称である。絶縁層１１２の外側面の平面形状が、ｘ軸に関して線対称であることにより、ｙ軸方向への応力ｔｙ１およびｙ’軸方向への応力ｔｙ１’は大きさが同じでかつ向きが１８０度反対となる。
【００７４】
さらに、面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２の外側面の平面形状が、ｙ軸に関しても線対称である。これにより、ｘ軸方向への応力ｔｘ１およびｘ’軸方向への応力ｔｘ１’は大きさが同じでかつ向きが１８０度反対となる。ここで、Ｌｘ１，Ｌｘ１’＞Ｌｙ１，Ｌｙ１’であり、ｙ軸方向にレーザ光の偏光をより厳密に制御することができる。
【００７５】
以上により、絶縁層１１２の外側面の平面形状が、ｘ軸またはｙ軸のうち少なくとも一方に関して線対称であることにより、上述した効果を奏することができる。
【００７６】
（６）面発光レーザ１００においては、図１に示されるように、絶縁層１１２が、埋め込まれて形成されている。面発光レーザ１００が上記構成を有することにより、柱状部１１０の外側面から、活性層１０５を含む柱状部１１０全体に、絶縁層１１２に生じる異方的な応力を加えることができるため、レーザ光の偏光を確実に制御することができる。
【００７７】
特に、絶縁層１１２が、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂からなる場合、絶縁層１１２形成時に、これらの樹脂は、熱または光等のエネルギー線照射により硬化して体積が大きく収縮するため、かかる体積収縮に伴い、絶縁層１１２は柱状部１１０に大きな引張歪みを生じさせる。すなわち、絶縁層１１２から、活性層１０５を含む柱状部１１０に大きな引張応力が作用する。これにより、活性層１０５に大きな応力を与えることができるため、より安定したレーザ光の偏光方向制御を行うことができる。
【００７８】
（第２の実施の形態）
（デバイスの構造）
図９は、本発明の第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。
【００７９】
第１の実施の形態においては、面発光レーザにおいて絶縁層１１２の外側面の平面形状が長方形である場合を示したが、絶縁層１１２の外側面の平面形状はこれに限定されず、第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００のように、絶縁層２１２の外側面の平面形状が楕円形である面発光レーザとすることもできる。このほか、絶縁層３１２の外側面の平面形状を菱形や、三角形、六角形、八角形等の多角形にすることもできる。
【００８０】
また、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、絶縁層１１２が溝１１７に埋め込まれて形成されているが、第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００においては、絶縁層２１２が下部ミラー１０３上にパターニングにより形成されている点が異なる。
【００８１】
（デバイスの製造プロセス）
第２の実施の形態にかかる面発光レーザの製造方法は、第１の実施の形態にかかる面発光レーザの製造方法とほぼ同様である。しかし、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００の製造工程において、半導体堆積層１５０をエッチングすることにより溝１１７を設け、溝１１７に絶縁層１１２を埋め込むことにより絶縁層１１２を形成する代わりに、第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００においては、パターニングにより外側面の平面形状が楕円形である絶縁層２１２を下部ミラー１０３上に形成する点が第１の実施の形態と異なる。
【００８２】
（デバイスの動作、作用および効果）
第２の実施の形態にかかる面発光レーザの動作は、第１の実施の形態にかかる面発光レーザの動作と同様である。よって、その説明を省略する。
【００８３】
また、第２の実施の形態における作用および効果は、第１の実施の形態における作用および効果とほぼ同様である。よって、その説明を省略する。
【００８４】
（第３の実施の形態）
（デバイスの構造）
図１０は、本発明の第３の実施の形態にかかる面発光レーザ３００を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。図１１は、図１０に示される面発光レーザ３００をＣ−Ｃ線に沿って切断した断面を模式的に示す図である。図１２は、図１０に示される面発光レーザ３００をＤ−Ｄ線に沿って切断した断面を模式的に示す図である。
【００８５】
第３の形態にかかる面発光レーザ３００の構造は、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００および第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００の構造とほぼ同様である。特に、絶縁層３１２の外側面の平面形状が長方形である点については第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００と同様であり、また、絶縁層３１２がパターニングにより形成されている点については、第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００の構造と同様である。しかしながら、第３の形態にかかる面発光レーザ３００においては、図１０に示されるように、柱状部１１０上面の中心３３０を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸としたとき、中心３３０から、絶縁層３１２の外側面とｙ軸との第１の交点までの距離Ｌｙ３、中心３３０から、絶縁層３１２の外側面とｙ軸との第２の交点までの距離Ｌｙ３’、および中心３３０から、絶縁層３１２の外側面とｘ軸との第２の交点までの距離Ｌｘ３とが同じ長さであり、かつ、中心３３０から、絶縁層３１２の外側面とｘ軸との第１の交点までの距離Ｌｘ３’が、前記距離Ｌｘ３より大きくなるような位置に柱状部３１０が形成されている点が、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００および第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００と異なる。
【００８６】
（デバイスの製造プロセス）
第３の実施の形態にかかる面発光レーザ３００の製造方法は、絶縁層３１２の形状、および絶縁層３１２に対する柱状部３１０の位置が異なる点を除いて、第２の実施の形態にかかる面発光レーザ２００の製造方法と基本的には同じである。よって、説明は省略する。
【００８７】
（デバイスの動作、作用および効果）
第３の形態にかかる面発光レーザ３００の動作は、第１の実施の形態および第２の実施の形態にかかる面発光レーザの動作と同様である。よって、その説明を省略する。
【００８８】
また、第３の実施の形態における作用および効果は、第１の実施の形態における作用および効果とほぼ同様であるが、さらに、以下に示す作用および効果を有する。
【００８９】
第３の実施の形態にかかる面発光レーザ３００においては、距離Ｌｙ３、距離Ｌｙ３’、および距離Ｌｘ３が同じ長さであっても、距離Ｌｘ３と距離Ｌｘ３’とが異なる長さであることにより、異方的な応力、すなわちｘ軸方向およびｙ軸方向に異なる大きさの応力が絶縁層３１２に発現する。このため、かかる異方的な応力が活性層１０５に加わり、レーザ光の利得の異方性が発現する。これにより、特定の偏光方向のレーザ光を優先的に増幅させて発振させることができるため、レーザ光の偏光方向を特定方向に制御することができる。
【００９０】
（第４の実施の形態）
（デバイスの構造および動作）
図１３は、本発明の第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。図１４は、図１３に示される面発光レーザ４００をＥ−Ｅ線に沿って切断した断面を模式的に示す図である。図１５は、図１３に示される面発光レーザ４００をＦ−Ｆ線に沿って切断した断面を模式的に示す図である。
【００９１】
本実施の形態にかかる面発光レーザ４００の構造は、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００の構造と基本的に同様であり、溝４１７に絶縁層４１２が埋め込まれて形成されている。しかしながら、本実施の形態にかかる面発光レーザ４００においては、絶縁層４１２の外側面の平面形状がＴ字形状を有し、Ｔ字の「Ｔ」の縦棒の先端に相当する部分に柱状部４１０が形成されている。
【００９２】
（デバイスの製造プロセス）
第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００の製造方法は、絶縁層４１２の外側面の平面形状をＴ字形状に形成した後、Ｔ字の「Ｔ」の縦棒の先端に相当する部分に柱状部４１０を形成する点を除いて、第１の実施の形態にかかる面発光レーザの製造方法と基本的には同じである。よって、その説明を省略する。
【００９３】
（デバイスの動作、作用および効果）
本実施の形態にかかる面発光レーザ４００の動作は、第１〜３の実施の形態にかかる面発光レーザの動作と同様である。よって、その説明を省略する。
【００９４】
また、第４の実施の形態における作用および効果は、第１の実施の形態における作用および効果とほぼ同様であるが、さらに、以下に示す作用および効果を有する。
【００９５】
第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００においては、Ｔ字の「Ｔ」の縦棒の先端に相当する部分に柱状部４１０が形成されていることにより、柱状部１１０を構成していない半導体層の上面に絶縁層を設けなくても、上部電極１１３とかかる半導体層とを絶縁することができる。これにより、第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００においては、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００のように、柱状部１１０を構成していない半導体層の上面に絶縁層を設ける必要がないため、装置の簡略化を図ることができ、かつ製造工程の短縮化を図ることができる。
【００９６】
（第５の実施の形態）
（デバイスの構造および動作）
図１６は、本発明の第５の実施の形態にかかる面発光レーザ５００を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。図１７は、図１６に示される面発光レーザ５００をＧ−Ｇ線に沿って切断した断面を模式的に示す図である。
【００９７】
本実施の形態にかかる面発光レーザ５００の構造は、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００の構造と基本的に同様であり、溝５１７に絶縁層５１２が埋め込まれて形成されている。しかしながら、本実施の形態にかかる面発光レーザ５００においては、絶縁層５１２の外側面の平面形状が、柱状部５１０を中心として２回回転対称である点が、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００と異なる。具体的には、面発光レーザ５００においては、絶縁層５１２の外側面の平面形状がＨ字形状であり、Ｈ字の「Ｈ」の横棒の中心に相当する部分に柱状部５１０が形成されている。
【００９８】
（デバイスの製造プロセス）
第５の実施の形態にかかる面発光レーザ５００の製造方法は、絶縁層５１２の外側面の平面形状をＨ字形状に形成した後、Ｈ字の「Ｈ」の横棒の中心に相当する部分に柱状部５１０を形成する点を除いて、第１の実施の形態にかかる面発光レーザ１００の製造方法と基本的には同じである。よって、その説明を省略する。
【００９９】
（デバイスの動作、作用および効果）
本実施の形態にかかる面発光レーザ５００の動作は、第１〜４の実施の形態にかかる面発光レーザの動作と同様である。よって、その説明を省略する。
【０１００】
また、第５の実施の形態における作用および効果は、第４の実施の形態における作用および効果とほぼ同様であるが、さらに、以下に示す作用および効果を有する。
【０１０１】
絶縁層５１２の外側面の平面形状が、柱状部５１０を中心として、２回回転対称であることにより、活性層１０５のうち一方の側にある部分に作用する応力が、活性層１０５のうち反対側にある部分に作用する応力と、大きさが同じでかつ向きが１８０度反対である。これにより、中心５３０を通り互いに直交する軸をｘ軸およびｙ軸とするとき、ｙ軸に平行な方向への応力がｘ軸に対して相対的に大きくなり、絶縁層１０５に作用する応力の異方性をより明確に制御することができる。以上により、レーザ光の偏光をより厳密に（本実施の形態の場合はｘ軸方向に）制御することができる。
【０１０２】
（第６の実施の形態）
（デバイスの構造）
図１８は、本発明の第６の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザアレイ６００（以下、「面発光レーザアレイ」という）を、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。
【０１０３】
第６の実施の形態にかかる面発光レーザアレイ６００は、図１８に示されるように、図１３に示される第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００を複数個並べることにより、アレイ化されて形成されている。また、第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００と同様に、共振器（図示しない）周辺に溝（図示しない）が設けられ、前記溝に絶縁層６１２が埋め込まれており、かかる絶縁層６１２によって、隣接する面発光レーザ４００が絶縁されている。
【０１０４】
（デバイスの製造プロセス）
第６の実施の形態にかかる面発光レーザアレイ６００の製造方法は、第４の実施の形態にかかる面発光レーザ４００の製造方法と基本的には同じであり、面発光レーザ４００を複数個並べて形成されたものである。よって、その説明を省略する。
【０１０５】
（デバイスの動作、作用および効果）
第６の形態にかかる面発光レーザアレイ６００の動作は、第１〜５の実施の形態にかかる面発光レーザの動作と同様である。よって、その説明を省略する。
【０１０６】
また、第６の実施の形態における作用および効果は、第４の実施の形態における作用および効果とほぼ同様であり、さらに、以下の効果を有する。
【０１０７】
面発光レーザアレイ６００を形成する際には、一度に複数個の面発光レーザ４００を同一工程によって設置することができる。さらに、面発光レーザ４００を所定数、所定の配列にて形成することにより、用途や目的に応じた面発光レーザアレイ６００を得ることができる。
【０１０８】
なお、上記の第１〜６の実施の形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。上記の第１〜６の実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系のものについて説明したが、発振波長に応じてその他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系の半導体材料を用いることも可能である。
【０１０９】
また、上記の面発光レーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。また、上記の実施の形態では、柱状部を一つ有する面発光レーザを示しているが、基板面内で柱状部が複数個設けられていても本発明の形態は損なわれない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの断面を模式的に示す図である。
【図２】図１に示す面発光型半導体レーザを、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。
【図３】図２に示す面発光型半導体レーザを、Ｂ−Ｂ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法の第１の工程を模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法の第２の工程を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法の第３の工程を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法の第４の工程を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法の第５の工程を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザを、レーザ光の出射口に対向する側から見た平面の要部を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの要部の平面図を模式的に示す図である。
【図１１】図１０に示す面発光型半導体レーザを、Ｃ−Ｃ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図１２】図１０に示す面発光型半導体レーザを、Ｄ−Ｄ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの要部の平面図を模式的に示す図である。
【図１４】図１３に示す面発光型半導体レーザを、Ｅ−Ｅ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図１５】図１３に示す面発光型半導体レーザを、Ｆ−Ｆ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図１６】本発明の第５の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの要部の平面図を模式的に示す図である。
【図１７】図１６に示す面発光型半導体レーザを、Ｇ−Ｇ断面に沿って切断した場合の断面を模式的に示す図である。
【図１８】本発明の第６の実施の形態にかかる面発光型半導体レーザアレイの断面を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００  面発光型半導体レーザ
１０１  半導体基板
１０２  バッファ層
１０３  下部ミラー
１０４  ｎ型クラッド層
１０５  活性層
１０６  ｐ型クラッド層
１０７  電流狭窄層
１０８  上部ミラー
１０９  コンタクト層
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０  柱状部
１１１  絶縁体層
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２  絶縁層
１１３  上部電極
１１４  絶縁層
１１５  下部電極
１１６  開口部
１１７、４１７、５１７  溝
１２０、３２０、４２０、５２０  共振器
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０  中心
１５０  半導体堆積層
６００  面発光型半導体レーザアレイ
【図１】
0003791584.tif 000002
【図２】
0003791584.tif 000003
【図３】
0003791584.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003791584.tif 000006
【図６】
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【図７】
0003791584.tif 000008
【図８】
0003791584.tif 000009
【図９】
0003791584.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0003791584.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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