(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を下向きにして基板を着脱自在に保持する回転自在な基板保持部と、
前記基板保持部の下方に配置され、少なくとも２種類の液体を前記基板保持部で保持した基板に向けて個別に噴射する噴射ヘッドと、
前記噴射ヘッドの周囲に設けられた第１流路及び第２流路と、
前記第１流路及び第２流路の一方を選択的に閉鎖する片流路閉鎖手段とを有し、
前記第１流路及び前記第２流路は、内外に配置した内槽と外槽の該内槽の内部及び内槽と外槽に挟まれた領域にそれぞれ形成され、
前記片流路閉鎖手段は、
前記内槽を昇降させる内槽昇降機構と、
前記噴射ヘッドの下方に配置され前記内槽の下降に伴って該内槽の上端開口部を覆う回転自在な平板状の傘体とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記噴射ヘッドは、内部に２つの通路を有する固定軸の上端に連結され、内部に設けた２つの通路を通して２種類の液体を前記基板保持部で保持した基板に向けて個別に噴射するよう構成され、
前記傘体は、前記固定軸の周囲を囲繞する回転軸に固定されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記内槽が下降した位置にあるとき、前記傘体を回転させた状態で第１の液体による処理を、内槽が上昇した位置にあるとき、前記傘体を回転させた状態で第２の液体による処理をそれぞれ行うことを特徴とする請求項１または２記載の基板処置装置。
【請求項４】
前記第１の液体が薬液で、第２の液体が純水であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体基板に形成された配線用の溝等に金属をめっきによって充填して配線を形成するのに際し、この基板の表面に無電解めっきでシード層を形成する時の前処理を行うのに使用したり、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）を施した基板の表面を薬液で洗浄し、その後純水でリンスするといった後洗浄処理を行うのに使用される基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体チップの高速化、高集積化に伴い、半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、めっきが一般的であり、電解銅めっきで銅配線を形成する際には、例えばＴａＮ等からなるバリア層の表面に、電解めっきの給電層としてのシード層を形成し、このシード層の表面に銅膜を成膜した後、その表面を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦に研磨するようにしている。
【０００３】
ここで、例えば無電解銅めっきで基板の表面にシード層を形成する際には、その前処理として、Ｐｄとの置換を行うためＳｎＣｌ２液等によるＳｎ吸着化処理、及び無電解めっきの際の触媒となるＰｄを基板上に析出させるためＰｄＣｌ２液等による置換処理を行う必要があり、これらの各処理には、それぞれ純水によるリンス処理を伴う。また、これらの２段処理を１液のＰｄ／Ｓｎコロイドのキャタリストで行われる場合もある。この場合も純水によるリンス処理が伴う。
【０００４】
従来、これらの各処理（Ｓｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理）とそれに付随するリンス処理は、一般に同一の装置（１バス）で連続して行われていた。つまり、ＳｎＣｌ２液等による活性化処理にあっては、基板の表面にＳｎＣｌ２液等の薬液を供給した後、これに連続して基板の表面に残った薬液を純水で洗い流し、しかる後、基板を次工程（触媒付与工程）に搬送する。ＰｄＣｌ２液等による触媒付与処理にあっては、基板の表面にＰｄＣｌ２液等の薬液を供給した後、これに連続して基板の表面に残った薬液を純水で洗い流し、しかる後、基板を次工程（無電解めっき工程）に搬送するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例のように、例えば無電解めっきにおける各前処置（薬液処理）とそれに伴うリンス処理等の異なる処理を同一の装置（１バス）で連続して行うと、設置スペースを削減できるものの、残液の問題でクロスコンタミネーションが発生したり、薬液が希釈化するため、薬液を効率よく回収して再使用することが困難となる。一方、廃液として処分すると、薬液の消費量が多くなって、ランニングコストが高くなるといった問題があった。
【０００６】
なお、これらの薬液による処理と純水によるリンス処理等の異なる処理を別々の装置（２バス）で個別に行うことも行われているが、これでは広い設置スペースが必要となって、装置がかなり大型化してしまう。
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたもので、例えば薬液処理とそれに伴うリンス処理等の異なる処理を１つの装置（１バス）で連続して行うことができ、しかも薬液等を回収してより有効に再使用できるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、表面を下向きにして基板を着脱自在に保持する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部の下方に配置され、少なくとも２種類の液体を前記基板保持部で保持した基板に向けて個別に噴射する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドの周囲に設けられた第１流路及び第２流路と、前記第１流路及び第２流路の一方を選択的に閉鎖する片流路閉鎖手段とを有し、前記第１流路及び前記第２流路は、内外に配置した内槽と外槽の該内槽の内部及び内槽と外槽に挟まれた領域にそれぞれ形成され、前記片流路閉鎖手段は、前記内槽を昇降させる内槽昇降機構と、前記噴射ヘッドの下方に配置され前記内槽の下降に伴って該内槽の上端開口部を覆う回転自在な平板状の傘体とを有することを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】
これにより、例えば第２流路を閉鎖した時には、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された少なくとも１種の液体が第１流路内に流入し、第１流路を閉鎖した時には、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された他の液体が第２流路内に流入するようにして、噴射ヘッドから基板に向けて噴射される少なくとも１種の液体が他の液体と混じらないようにすることができる。従って、噴射ヘッドから噴射する液体を変えることで、異なる処理を連続して行い、しかも、第１流路と第２流路を選択的に閉鎖することで、少なくとも１種の液体を他の液体から分離しこの大部分を回収して再使用することができる。
【００１０】
ここで、内槽と外槽は、一般的には同心状に配置されるが、外槽として角形状のものを使用し、内槽と同心状とならないように配置してもよい。
【００１１】
これにより、内槽を噴射ヘッドの上方まで上昇させることで、内槽と外槽との間の領域に形成した第２流路を該内槽の周壁で閉鎖し、内槽を下降させてこの上端開口部を傘体で覆うことで、内槽の内部に形成した第１流路を傘体で閉鎖することができる。
前記傘体は、回転自在に構成されていることにより、傘体の上面に滴下した液体を、この傘体の回転に伴う遠心力で外方に飛散させることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記噴射ヘッドは、内部に２つの通路を有する固定軸の上端に連結され、内部に設けた２つの通路を通して２種類の液体を前記基板保持部で保持した基板に向けて個別に噴射するよう構成され、前記傘体は、前記固定軸の周囲を囲繞する回転軸に固定されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
請求項３記載の発明は、前記内槽が下降した位置にあるとき、前記傘体を回転させた状態で第１の液体による処理を、内槽が上昇した位置にあるとき、前記傘体を回転させた状態で第２の液体による処理をそれぞれ行うことを特徴とする請求項１または２記載の基板処置装置である。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記第１の液体が薬液で、第２の液体が純水であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。これにより、薬液処理と該薬液を洗い流すリンス処理を連続して行う際に、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された薬液を第２流路内に、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された純水を第１流路内にそれぞれ流入させ、薬液が純水に混じらないようにして、薬液を純水から分離しこれを回収して再使用することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１及び図２は、本発明の実施の形態の基板処理装置の全体構成の概略を示すもので、この基板処理装置１０は、表面（被めっき面）Ｓにコンタクトホールや配線用の溝を形成し、更にＴａＮ等からなるバリア層を形成した半導体ウエハ等の基板Ｗを下向き（フェースダウン）にして着脱自在に保持する基板保持部１２を有している。この基板保持部１２は、下方に開口した支持体１４の下端に回転自在に連結されているとともに、この支持体１４の上部に配置された基板回転用モータ１６の回転軸１６ａの下端に連結されている。更に、この支持体１４は、支持体昇降用モータ１８の駆動に伴って昇降する昇降ロッド２０の上端に連結した、水平方向に延びる昇降アーム２２の自由端に連結されている。
【００１５】
これにより、支持体昇降用モータ１８の駆動に伴って、基板保持部１２が支持体１４と一体に昇降し、基板回転用モータ１６の駆動に伴って、基板保持部１２が基板Ｗを保持したまま回転するようになっている。
基板保持部１２の下方に位置して、基板保持部１２で保持した基板Ｗに向けて、この例では純水と薬液の２つの液体を個別に噴射する噴射ヘッド２４が水平に配置されている。この噴射ヘッド２４は、基板保持部１２で保持した基板Ｗの直径方向のほぼ全長に亘る長さを有する棒状体で構成され、上下方向に延びる固定軸２６の上端に連結されている。
【００１６】
前記基板保持部１２及び噴射ヘッド２４の周囲を包囲して槽本体３０が配置されている。この槽本体３０は、基板保持部１２の下方に配置された内槽３２と、この内槽３２と同心状に配置された外槽３４とから主に構成され、内槽３２の内部に第１流路３６が、内槽３２と外槽との間に領域に第２流路３８がそれぞれ区画形成されている。
【００１７】
更に、第１流路３６を開いた時に第２流路３８を閉鎖し、逆に第１流路３６を閉鎖した時に第２流路３８を開くことで、第１流路３６と第２流路３８の一方を選択的に閉鎖する片流路閉鎖手段が備えられている。ここで、図１は、第１流路３６を開いて第２流路３８を閉鎖した状態を、図２は、第１流路３６を閉鎖して第２流路３８を開いた状態をそれぞれ示している。
【００１８】
すなわち、内槽３２は、内槽昇降用モータ４０の駆動に伴って昇降する昇降ロッド４２の上端に連結されて昇降自在に構成され、更に、内槽３２の内部の噴射ヘッド２４の下方には、該内槽３２の内径よりやや小さな外径を有し、中央が盛り上がった山形に屈曲させた平板状の傘体４４が配置されている。そして、図１に示すように、内槽３２が上昇した時には、この内槽３２の上端が噴射ヘッド２４のやや上方に位置して、この内槽３２の周壁で内槽３２と外槽３４との間の第２流路３８を閉鎖し、図２に示すように、内槽３２が下降した時には、この内槽３２の上端開口部を傘体４４で覆って、この傘体４４で内槽３２の内部の第１流路３６を閉鎖するようになっている。
【００１９】
これによって、噴射ヘッド２４から基板Ｗに向けて噴射され、基板に当たって跳ね返った液体は、内槽３２が上昇した時には、内槽３２の内部の第１流路３６内に流入し、内槽３２が下降した時には、内槽３２と外槽３４との間の第２流路３８内に流入する。
【００２０】
傘体４４は、固定軸２６の周囲を囲繞して上方に延びる中空の回転軸４６の上端に連結され、この回転軸４６の下端に固着された従動プーリ４８と傘体回転用モータ５０の駆動軸に固着された駆動プーリ５２との間にベルト５４が掛け渡されている。これによって、傘体回転用モータ５０の駆動に伴って、傘体４４が回転するようになっている。このように、傘体４４を回転させることで、傘体４４の上面に滴下した液体を、この傘体４４の回転に伴う遠心力で外方に飛散させることができる。
【００２１】
ここに、この例では、純水を供給する純水経路６０と、薬液を供給して循環させる薬液経路６２が設けられている。純水経路６０は、第１流路３６をその経路の一部とするもので、図１に示すように、内槽３２を上昇させた状態で、噴射ヘッド２４及び固定軸２６の内部に設けられた純水通路２４ａ，２６ａ（図３参照）を通って供給された純水を噴射ヘッド２４に設けられた純水噴射ノズル７４ａ（図３参照）から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗに付着した薬液等を純水で洗い流し、内槽３２の内部の第１流路３６内に流入した純水を該内槽３２の底部に設けられた排出口３２ａから外部に排出するようになっている。
【００２２】
一方、薬液経路６２は、第２流路３８をその経路の一部とするもので、循環槽６４及びポンプ６６を備え、図２に示すように、内槽３２を下降させた状態で、噴射ヘッド２４及び固定軸２６に設けられた薬液通路２４ｂ，２６ｂ（図３参照）を通って供給された薬液を噴射ヘッド２４に設けられた薬液噴射ノズル７４ｂ（図３参照）から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗを薬液で処理し、内槽３２と外槽３４との間の第２流路３８内に流入した薬液を該外槽３４の底部に設けられた排出口３４ａから循環槽６４に戻すことで、薬液を循環させるようになっている。
【００２３】
図３乃至図５は、基板処理装置１０の要部を拡大して示す拡大図で、基板保持部１２は、内部に基板Ｗを収納するハウジング７０を有し、このハウジング７０の下端に設けた爪部７０ａの上面に基板を載置した状態で、この爪部７０ａと上下動自在な押圧板７２との間で基板Ｗの周縁部を挟持して基板Ｗを保持するようになっている。
【００２４】
なお、図３には、その右半分に基板保持部１２を下端まで下降させた状態を、左半分に基板保持部１２を上端まで上昇させた状態をそれぞれ示している。この基板保持部１２の上下動は、前述のように、支持体昇降用モータ１８（図１及び図２参照）の駆動によって行われる。このように、基板保持部１２を昇降させ、この基板保持部１２で保持した基板Ｗと下記の噴射ノズル７４との距離を調節することで、噴射ノズル７４から噴射された液体が基板Ｗに当たる状態（噴射ノズルから噴射される液体の方向や強さ等）を調節することができる。
【００２５】
噴射ヘッド２４の内部には、その軸方向のほぼ全長に亘って延び、両端を閉塞させた純水通路２４ａと薬液通路２４ｂが平行に設けられている。更に、この噴射ヘッド２４の上面側の幅方向に沿った中央には、純水通路２４ａ及び薬液通路２４ｂと互い違いに連通する複数の噴射ノズル７４が軸方向に沿って直列に設けられている。これにより、噴射ノズル７４は、純水を噴射する純水噴射ノズル７４ａと薬液を噴射する薬液噴射ノズル７４ｂに分類され、これらの純水噴射ノズル７４ａと薬液噴射ノズル７４ｂと互い違いに並ぶようになっている。
【００２６】
更に、固定軸２６の内部には、噴射ヘッド２４の純水通路２４ａと薬液通路２４ｂにそれぞれ連通し、その軸方向の全長に亘って延びる純水通路２６ａと薬液通路２６ｂが平行に設けられている。この固定軸２６の下端には、連結板７６が固着され、この連結板７６の螺着したプラグ７８ａ，７８ｂを介して、純水通路２６ａ及び薬液通路２６ｂは、前記純水経路６０及び薬液経路６２（図１及び図２参照）を構成するチューブ８０ａ，８０ｂにそれぞれ連通している。
【００２７】
これにより、純水経路６０を開くと、純水通路２４ａ，２６ａを通過した純水が純水噴射ノズル７４ａから基板Ｗに向けて噴射され、薬液経路６２を開くと、薬液通路２４ｂ，２６ｂを通過した薬液が薬液噴射ノズル７４ｂから基板に向けて噴射されるようになっている。
【００２８】
この例にあっては、内槽３２の底部に設けた排出口３２ａに中空体８２を連結し、この中空体８２の下端に螺着したプラグ７８ｃを介して、この内部の第１流路３６内の液体（純水）を純水経路６０（図１及び図２参照）から外部に排出し、内槽３２の底部に連結した押圧ロッド８４を介して内槽３２が昇降するようにしている。なお、図１及び図２に示すように、この中空体８２と押圧ロッド８４を一体としてもよい。また、外槽３４の底部に設けた排出口３４ａに螺着したプラグ７８ｄを介して、この内部の第２流路３８内の液体（薬液）を薬液経路６２（図１及び図２参照）を循環させるようにしている。
【００２９】
次に、この基板処理装置を用いて基板に薬液による処理と純水によるリンス処理を連続して行うときの動作について説明する。
先ず基板Ｗを基板保持部１２のハウジング７０の内部に入れ、爪部７０ａの上に基板Ｗをその表面Ｓを下向きした状態（フェースダウン）で載置し、押圧板７２を下降させて基板Ｗを挟持保持する。そして、必要に応じて、基板保持部１２を任意の位置に昇降させ、基板保持部１２を回転させて基板Ｗを回転させる。一方、図２に示すように、内槽３２にあっては、これを下降させて、第１流路３６を傘体４４で閉鎖し、第２流路３８を開いた状態にする。
【００３０】
この状態で、傘体４４を回転させながら、ポンプ６６を作動させて薬液経路６２を開き、薬液を薬液噴射ノズル７４ｂから基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの表面Ｓに薬液による処理を施す。この時、薬液噴射ノズル７４ｂから基板に向けて噴射された薬液は、第２流路３８内に流入し、薬液経路６２を戻り、循環槽６４を経て再使用される。これにより、薬液に純水が混じることなく、しかも外部に流出することなく、薬液の大部分を効率よく回収して再使用することができる。
【００３１】
そして、所定の時間に亘って薬液による処理を行った後、薬液噴射ノズル７４ｂからの薬液の噴射を停止し、基板Ｗに付着した薬液の液切りを行った後、基板Ｗの回転を停止する。この時、傘体４４の回転を継続し、所定時間経過した後にこの回転を停止する。これにより、傘体４４の上面に滴下した薬液をこの回転に伴う遠心力で極力振り切りって、薬液の純水側への持ち込みを軽減し、第２流路３８に飛散した薬液を循環槽６４に回収する。
【００３２】
次に、必要に応じて基板保持部１２を任意の位置に昇降させた後、基板保持部１２を回転させて基板Ｗを回転させる。一方、内槽３２にあっては、これを上昇させ、第２流路３８を内槽３２の周壁で閉鎖し、第１流路３６を開いた状態にする。この状態で、傘体４４を回転させながら、純水経路６０を開くことで、純水を純水噴射ノズル７４ａから基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの表面Ｓに付着した薬液を純水によって洗い流す。この時、純水噴射ノズル７４ａから基板Ｗに向けて噴射された薬液は、第１流路３６内に流入し、純水経路６０から外部に排出され、これによって、純水が薬液に混じることが防止される。
【００３３】
そして、所定の時間に亘るリンス処理を行った後、純水噴射ノズル７４ａからの純水の噴射を停止し、基板Ｗに付着した純水の液切りを行った後、基板Ｗの回転を停止する。この時、傘体４４は、リンス中は停止状態とし、リンス終了後に回転させ、所定時間経過後にこの回転を停止し、これにより、傘体４４の上面に滴下した純水をこの回転に伴う遠心力で極力振り切って、純水が薬液に混じることを軽減する。
しかる後、前述の逆の動作でリンス処理終了後の基板Ｗをハウジング７０の外に搬送する。
【００３４】
なお、この例では、薬液による処理と純水によりリンス処理を連続して行うようにした例を示しているが、この純水の代わりに、他の薬液を使うことで、異なる薬液による処理を連続して行うようにしてもよく、この場合、前記純水の場合のように、外部に排出することなく、両薬液を回収し再使用するようにしてもよいことは勿論である。
また、第１流路と第２流路の使い方として、薬液と純水を逆にしてもよい。
【００３５】
図６は、前述の基板処理装置１０を無電解めっきの前処理装置に利用し、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に形成した配線用の溝やコンタクトホールに銅を埋込んで銅配線を形成するようにしためっき装置の全体構成を示す。
【００３６】
このめっき装置は、矩形状のハウジング９０内に配置された、ロード・アンロードユニット９２ａ，９２ｂ、Ｓｎの吸着剤となるＳｎＣｌ２液等により吸着化処理を行う吸着化処理装置（前処理装置）９４、ＳｎとＰｄの置換のためＰｄＣｌ２液等により置換処理を行う置換処理装置（前処理装置）９６、無電解めっき装置９８、電解めっき装置１００、基板Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板の裏面を洗浄するベベルエッチ装置１０２、ベベルエッチ後の基板を洗浄し乾燥させる洗浄・乾燥装置１０４、これらの間で基板Ｗの搬送を行う２基の搬送装置（搬送ロボット）１０６ａ，１０６ｂ、及び仮置きステージ１０８ａ，１０８ｂを有している。ここで、前処理装置である吸着化処理装置９４及び置換処理装置９６は、使用する薬液が異なるだけで、前記図１乃至図５に示す基板処理装置１０と同じ構成をしている。ここで、洗浄・乾燥装置１０４は、この例では、ペンシル・スポンジを備えたスピンドライユニットで構成されている。
【００３７】
次に、上記のように構成しためっき装置による一連のめっき処理の工程について説明する。まず、ロード・アンロードユニット９２ａまたは９２ｂに保持された基板Ｗを一方の搬送装置１０６ａにより取り出し、仮置きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置く。他方の搬送装置１０６ｂは、これを吸着化処理装置９４に搬送し、ここで、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓ（図１及び図２等参照、以下同様）にＳｎＣｌ２等の吸着化剤等を含む薬液を供給して基板Ｗの表面Ｓの吸着化処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。次に、基板Ｗを隣接する置換処理装置９６に搬送し、ここで、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面ＳにＰｄＣｌ２液等でＰｄ置換を行い基板Ｗの表面Ｓの触媒付与処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。
【００３８】
この時、ＳｎＣｌ２等のＳｎ吸着化剤を含む薬液やＰｄＣｌ２液等の薬液は、前述のように、これに純水が混じったり、廃液と処理されることなく、その大部分が回収して再使用される。
【００３９】
この過程では、Ｓｎ吸着化処理装置において、ＳｎＣｌ２からのイオンＳｎ２＋が基板Ｗの表面に吸着され、このイオンは、置換処理装置において酸化されてＳｎ４＋になり、逆にＰｄ２＋は還元されて金属Ｐｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっき工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイドの１液キャタリストを用いて行うこともできる。なお、以上のような触媒付与工程は、この例のように、Ｓｎ吸着化処理装置とＰｄ置換処理装置で行うこともできるが、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。また、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態によっては、前述のＳｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理を省略できる場合がある。
【００４０】
搬送装置１０６ｂは、基板Ｗをさらに無電解銅めっき装置９８に運び、ここで所定の還元剤と所定のめっき液を用いて無電解めっき処理を行う。これによって、例えば、ＴａＮ等からなるバリア層の表面に薄い銅めっき膜を形成する。この場合、固液界面で還元剤の分解によって生じた電子が、基板表面の触媒を経由してＣｕ２＋に与えられ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して銅めっき膜を形成する。なお、この触媒としては、Ｐｄ以外にも、遷移金属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を用いることができる。
【００４１】
次に、無電解めっき処理後の基板Ｗを搬送装置１０６ｂで無電解めっき装置９８から取り出して電解めっき装置１００に運び、ここで、基板を所定の電解めっき液に浸漬させつつ、基板と電解めっき液との間に所定のめっき電圧を印加することで、電解めっき処理を行う。これによって、基板Ｗの表面に形成された配線用の溝やコンタクトホールの内部に銅を充填する。
【００４２】
次に、この基板を搬送装置１０６ｂで仮置きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置き、搬送装置１０６ａでベベルエッチ装置１０２に運び、ここで、基板Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板Ｗの裏面を洗浄する。
このベベルエッチ後の基板Ｗを搬送装置１０６ａで洗浄・乾燥装置１０４に運び、この洗浄・乾燥装置１０４でペンシル・スポンジによる仕上げの洗浄とスピンドライによる乾燥を行って、ロード・アンロードユニット９２ａまたは９２ｂへ戻す。基板は後にアニール装置やＣＭＰ装置に搬送される。
【００４３】
なお、この例では、無電解銅めっきで銅めっき膜を成膜した例を示しているが、無電解めっきで成膜するめっき膜としては、銅の他に、ニッケル−ボロン、ニッケル−リン、コバルト−リン、ニッケル−タングステン−リン、ニッケル−コバルト−リン、コバルト−タングステン−リン等が挙げられる。
【００４４】
また、無電解めっきの前処理装置として、本発明に係る基板処理装置を使用し、薬液による処理と純水によるリンス処理を、薬液を回収し再利用しつつ、連続して行うようにした例を示しているが、このような薬液による処理と純水による処理等の２種類、更にはそれ以上の処理を、少なくとも１種類の薬液を回収しつつ連続して行うようにした例に適用できることは勿論である。
【００４５】
例えば、前記の例でめっきを行い、乾燥・洗浄した基板は、一般にアニール工程を経てＣＭＰ処理が施されるが、このＣＭＰ工程の前処理装置として、本発明に係る基板洗浄装置を使用し、薬液による洗浄処理と純水によるリンス処理を、薬液を回収し再利用しつつ、連続して行うようにしてもよい。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、例えば薬液による処理と純水による処理等の２種類の処理を、薬液に純水が混じることを防止し、薬液の大部分を回収して再使用しつつ行うことができ、これによって、薬液の無駄を省いてランニングコストを低く押さえることができる。しかも、このような２種類の処理を一つの装置（１バス）で連続して行うことで、フットプリントを極力小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の第２流路を選択的に閉鎖した状態の全体構成を示す概要図である。
【図２】同じく、第１流路を選択的に閉鎖した状態の全体構成を示す概要図である。
【図３】基板処理装置の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図４】同じく、噴射ヘッドの上面図である。
【図５】同じく、一部を示す部分断面図である。
【図６】図１乃至図５に示す基板処理装置を備えためっき処理装置の平面配置図である。
【符号の説明】
１０  基板処理装置
１２  基板保持部
２４  噴射ヘッド
２４ａ  同、純水通路
２４ｂ  同、薬液通路
２６  固定軸
２６ａ  同、純水通路
２６ｂ  同、薬液通路
３０  槽本体
３２  内槽
３４  外槽
３６  第１流路
３８  第２流路
４４  傘体
４６  回転軸
６０  純水経路
６２  薬液経路
６４  循環槽
７２  押圧板
７４  噴射ノズル
７４ａ  同、純水噴射ノズル
７４ｂ  同、薬液噴射ノズル
８２  中空体
８４  押圧ロッド
９２ａ，９２ｂ  ロード・アンロードユニット
９４  Ｓｎ吸着化処理装置（無電解めっき前処理装置）
９６  Ｐｄ置換処理装置（無電解めっき前処理装置）
９８  無電解めっき装置
１００  電解めっき装置
１０２  ベベルエッチ装置
１０４  洗浄・乾燥装置
１０６ａ，１０６ｂ  搬送装置
１０８ａ，１０８ｂ  仮置きステージ
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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