(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0003780547.tif 000031
（式中、ｍ及びｎはｍ≧ｎであって、それぞれ独立的に０、１、２、３又は４の整数を表わし、２個のシクロヘキサン環はともにトランス配置である。）で表わされる化合物。
【請求項２】
ｍ及びｎがそれぞれ独立的に０、２又は４であることを特徴とする請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
【請求項３】
ｍ＋ｎ≦４であることを特徴とする請求項１又は２記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用な新規液晶性化合物である、ビシクロヘキサン誘導体、より詳しくはトランス−４−アルケニル−トランス−４’−アルケニルビシクロヘキサン及びそれを含有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、高速応答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化のためには物性的に（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは（ｉｉ）弾性定数を大きくすることが必要であるが、弾性定数を大きくすると閾値電圧が上昇することが多いので粘性を小さくすることが最も効果的である。
【０００３】
液晶材料の粘性を小さくするためには、液晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤としては通常、２環性のｎ型液晶性化合物が用いられることが多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相上限温度（ＴN-I）をあまり低下させないならば、化合物単独では必ずしも液晶性を示す必要はない。
【０００４】
現在比較的よく用いられている減粘剤のなかで、減粘効果に優れ、且つＴN-Iの低下の少ない液晶性化合物としては例えば、一般式（ＩＩａ）及び一般式（ＩＩｂ）
【０００５】
【化２】
0003780547.tif 000002
【０００６】
（式中、Ｒa及びＲbは直鎖状アルキル基を表わし、Ｒcは直鎖状アルケニル基を表わす。）で表わされるビシクロヘキサン誘導体あるいは一般式（ＩＩＩ）
【０００７】
【化３】
0003780547.tif 000003
【０００８】
（式中、Ｒa及びＲbは直鎖状アルキル基を表わす。）で表わされる１，２−ジシクロヘキシルエタン誘導体をあげることができる。
しかしながら、これらの減粘剤を用いても、表示品質の向上に伴う液晶材料の粘性低下の要求には応え難くなってきているのが実情である。従って、さらに優れた減粘剤が望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、減粘効果に優れた液晶性化合物としてビシクロヘキサン誘導体を提供し、さらにこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００１１】
【化４】
0003780547.tif 000004
【００１２】
（式中、ｍ及びｎはｍ≧ｎであって、それぞれ独立的に０、１、２、３又は４の整数を表わし、２個のシクロヘキサン環はともにトランス配置である。）で表わされるビシクロヘキサン誘導体を提供する。
【００１３】
ｍ及びｎはｍ≧ｎであってそれぞれ独立的に０、１、２、３又は４の整数を表わすが、少なくとも一方は０、２又は４の偶数であることが好ましく、特にｍ、ｎともに０、２又は４の偶数であることがさらに好ましい。さらに側鎖があまり長くなると減粘効果が低下するのでｍ＋ｎは４以下であることが好ましい。また、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。
【００１４】
従って、一般式（Ｉ）で表わされる化合物のうち特に好ましいのは以下の式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）
【００１５】
【化５】
0003780547.tif 000005
【００１６】
の化合物である。
一般式（Ｉ）の化合物は、そのｍ及びｎに応じて以下のようにして製造することができる。
イ）    ｍ＝ｎの場合
式（ＩＩＩａ）
【００１７】
【化６】
0003780547.tif 000006
【００１８】
で表わされるビシクロヘキサン−４，４’−ジオンに、式（ＩＶａ）
【００１９】
【化７】
ＣＨ3ＯＣＨ＝ＰＰｈ3          （ＩＶａ）
のウィッティヒ反応剤を反応させて、加水分解し、さらに塩基で処理することにより、式（Ｖ0）
【００２０】
【化８】
0003780547.tif 000007
【００２１】
で表わされるトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジカルバルデヒドを得る。この式（Ｖ0）と式（ＩＶａ）との反応をさらにｍ回繰り返すことにより、一般式（Ｖｍ）
【００２２】
【化９】
0003780547.tif 000008
【００２３】
（式中、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされるトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジアルカナールを得る。この式（Ｖ0）又は一般式（Ｖｍ）に、更に式（ＩＶｂ）
【００２４】
【化１０】
ＣＨ2＝ＰＰｈ3                （ＩＶｂ）
のウィッティヒ反応剤を反応させることにより、一般式（Ｉ）においてｍ＝ｎである化合物を得ることができる。
ロ）    ｍ＝ｎ＋１の場合
式（ＩＩＩｂ）
【００２５】
【化１１】
0003780547.tif 000009
【００２６】
のビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレンアセタールを同様に式（ＩＶａ）と反応させ、加水分解し、塩基で処理することにより式（ＶＩ0）
【００２７】
【化１２】
0003780547.tif 000010
【００２８】
の４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒドを得る。この操作を更にｍ回繰り返すことにより、一般式（ＶＩｍ）
【００２９】
【化１３】
0003780547.tif 000011
【００３０】
（式中、ｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされるトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジアルカナールを得るが、これから上記イ）と同様にして、一般式（Ｉ）において、ｍ＝ｎ＋１であるところの化合物を得ることができる。
ハ）    ｍ＝ｎ＋２の場合
式（ＩＩＩｂ）に、式（ＩＶｃ）
【００３１】
【化１４】
0003780547.tif 000012
【００３２】
のウィッティヒ反応剤を反応させ、水素添加後トランス体を再結晶で単離し、さらに同様に加水分解してから塩基で処理することにより式（ＶＩＩ1）
【００３３】
【化１５】
0003780547.tif 000013
【００３４】
で表わされる４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−エタナールを得る。これから上記ロ）と同様にして、一般式（Ｉ）において、ｍ＝ｎ＋２であるところの化合物を得ることができる。
ニ）    ｍ＝ｎ＋３の場合
上記ハ）において、式（ＩＶｃ）に換えて、式（ＩＶｄ）
【００３５】
【化１６】
0003780547.tif 000014
【００３６】
のウィッティヒ反応剤を用いる他は同様にして、一般式（Ｉ）において、ｍ＝ｎ＋３であるところの化合物を得ることができる。また、同様にしてｍ＝ｎ＋４の化合物も得ることができる。
【００３７】
斯くして製造された本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる効果は以下の通りである。
ホスト液晶組成物（Ｈ）
【００３８】
【化１７】
0003780547.tif 000015
【００３９】
の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I：                 １１６．７℃
閾値電圧（Ｖth）：          １．８８Ｖ
粘度（２０℃）：          １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ２１．５ｍ秒
ここで、閾値電圧（Ｖth）は厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入して測定した値であり、粘度は２０℃における測定値、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００４０】
ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の中で代表的な化合物の一つである式（Ｉａ）
【００４１】
【化１８】
0003780547.tif 000016
【００４２】
の化合物２０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。（Ｍ−ａ）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ９０．０℃
閾値電圧（Ｖth）：          １．９１Ｖ
粘度（２０℃）：          １２．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １３．５ｍ秒
式（Ｉａ）の化合物は、単独では油状であり液晶性を示さないが、その添加によるＴN-Iの低下は比較的わずかである。しかもその粘度は約２／３まで低下し、応答時間も８ｍ秒と大幅に改善されていることが明らかである。
【００４３】
これに対して、一般式（Ｉ）と同様にビシクロヘキサン骨格を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基である式（Ｒ−１）
【００４４】
【化１９】
0003780547.tif 000017
【００４５】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる組成物（ＭＲ−１）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I：                 １０５．０℃
閾値電圧（Ｖth）：          ２．１０Ｖ
粘度（２０℃）：          １６．２ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １７．３ｍ秒
従って、ＴN-Iの低下こそ小さいけれども、粘度や応答時間はそれほど改善されていないことがわかる。
【００４６】
また、一般式（Ｉ）と同様にビシクロヘキサン骨格を有するが、側鎖の一方がアルケニル基であり、他方が直鎖状アルキル基である式（Ｒ−２）
【００４７】
【化２０】
0003780547.tif 000018
【００４８】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる組成物（ＭＲ−２）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ９５．９℃
閾値電圧（Ｖth）：          ２．１４Ｖ
粘度（２０℃）：          １３．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １５．０ｍ秒
従って、粘度や応答時間は（ＭＲ−１）と比較するとより改善されているが、本発明に係わる（Ｍ−ａ）には及ばないことがわかる。
【００４９】
また、１，２−ジシクロヘキシルエタン骨格を有する式（Ｒ−３）
【００５０】
【化２１】
0003780547.tif 000019
【００５１】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる組成物（ＭＲ−３）の物性値は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ８６．２℃
閾値電圧（Ｖth）：          １．９７Ｖ
粘度（２０℃）：          １６．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １８．５ｍ秒
従って、粘度や応答時間の改善は本発明に係わる組成物（Ｍ−ａ）にはるかに及ばないことがわかる。
【００５２】
以上のように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物が従来から知られている減粘性液晶性化合物と比較して、その効果においてよりすぐれていることが明らかである。
【００５３】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また、一般式（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表わされる化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【００５４】
この組成物中において、一般式（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００５５】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００５６】
本発明の一般式（Ｉ）の化合物は新規であり、本発明者等がはじめて報告するものであるが、液晶分子の両側鎖がともにアルケニル基である化合物は知られていなかったわけでなく、特開昭６１−８３１３６号公報において式（Ｒ−４）あるいは式（Ｒ−５）
【００５７】
【化２２】
0003780547.tif 000020
【００５８】
等の化合物が既に報告されている。この特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式の範囲は非常に広く、極めて広義に解釈するならば、本発明の化合物もこの一般式に包含されると考えられなくもない。しかしながら、以下に述べるように本発明は特開昭６１−８３１３６号公報とは独立して新規であると考えられるべきでる。
【００５９】
まず、特開昭６１−８３１３６号公報には側鎖の一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物と両方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物とが含まれるが、一方がアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基である化合物を主としており、両方の側鎖をアルケニル（あるいはアルケニルオキシ）基とすることによる効果については全くふれられていない。また、特開昭６１−８３１３６号公報に記載されている一般式は、その選択により中心骨格だけでも１０００種類をはるかに越える組み合わせが可能であって、実際に合成されているものはそのうちのわずかにすぎない。本文中には好ましい液晶中心骨格（コア）としてその例が１８例挙げられているが、この中には本発明の化合物のようにビシクロヘキサン骨格は含まれていない。従って、特開昭６１−８３１３６号公報ではアルケニル側鎖が付加されるべきコアとしてビシクロヘキサン骨格は全く考えられていなかったことが明らかである。さらに、特開昭６１−８３１３６号公報に示されている合成法は、アルケニル基がシクロヘキサン間に連結している場合にはすべてシクロヘキサノンの誘導体（１環）を出発原料としており、本発明の化合物を合成することは実際上困難である。
【００６０】
以上のように本発明の化合物は特開昭６１−８３１３６号公報に含まれるものでも、あるいはそれにより容易に類推できるものでもないことは明らかであり、新規であると考えられるべきであることがわかる。
【００６１】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６２】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。また転移温度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。なお、組成物における「％」は『重量％』を表わす。
（参考例１）    トランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジカルバルデヒド（式（Ｖ0）の化合物）の合成
【００６３】
【化２３】
0003780547.tif 000021
【００６４】
塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１２７．１ｇをトルエン３９０ｍｌ及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１３０ｍｌに懸濁させた。これを氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム４１．６０ｇをゆっくり添加し、０℃で１時間攪拌した。ビシクロヘキサン−４，４’−ジオン３０ｇをＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、同温度で３０分間で滴下した。さらに１時間攪拌した後、水４００ｍｌを加えた。水層を分液除去し、有機層を濃縮し、ヘキサン１０００ｍｌを加え、不溶物を濾別した。沈澱はヘキサンで洗滌した。濾液を集め、メタノール／水の混合溶媒で洗滌した後濃縮した。得られた油状の粗生成物をＴＨＦ４００ｍｌに溶解し、１０％塩酸１５０ｍｌを加え、室温で５時間加熱攪拌した。ヘキサン１００ｍｌで抽出し、水で洗滌した後、溶媒を溜去した。得られた油状物をメタノール２８０ｍｌ及びエタノール１２０ｍｌに溶解し、１０％水酸化ナトリウム水溶液４０ｍｌを加え、２時間攪拌した。析出した沈澱を濾過し、沈澱は水１００ｍｌ、次いでメタノール３０ｍｌで洗浄し、さら減圧下に乾燥してトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジカルバルデヒドの白色結晶３２．２ｇを得た。
（実施例１）    トランス，トランス−４，４’−ジビニルビシクロヘキサン（式（Ｉａ）の化合物）の合成
【００６５】
【化２４】
0003780547.tif 000022
【００６６】
ヨウ化メチルホスホニウム８３．６ｇをトルエン３２０ｍｌ及びＴＨＦ８０ｍｌに懸濁させた。これに氷冷下、ｔ−ブトキシカリウム２３．２ｇを加え、１時間攪拌した。これに上記参考例１で得た式（Ｖ0）のトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジカルバルデヒド２０．０ｇのトルエン５０ｍｌ溶液を滴下し、同温度で１時間攪拌した。室温に戻し水を加え、さらに希塩酸で中和した。ヘキサンで抽出し、有機層を併せて水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水後、溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、トランス，トランス−４，４’−ジビニルビシクロヘキサン１５．７ｇを得た。この化合物は室温では油状物であった。
（実施例２）    トランス，トランス−４，４’−ジ（２−プロペニル）ビシクロヘキサンの合成
参考例１で得た式（Ｖ0）のトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジカルバルデヒドから、参考例１の反応を再度繰り返し、トランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジエタナールを得た。これから実施例１と同様にして、トランス，トランス−４，４’−ジ（２−プロペニル）ビシクロヘキサンを得た。
【００６７】
同様にして以下の化合物を得た。
トランス，トランス−４，４’−ジ（３−ブテニル）ビシクロヘキサン（Ｉｄ）
相転移温度    ＳＢ  ５９．１℃    Ｎ  ７８．６℃    Ｉ
（上記において、ＳＢはスメクチックＢ相を表わし、Ｎはネマチック相を表わし、Ｉは等方性液体相を表わす。）
トランス，トランス−４，４’−ジ（４−ペンテニル）ビシクロヘキサン
トランス，トランス−４，４’−ジ（５−ヘキセニル）ビシクロヘキサン
（実施例３）    トランス−４−（２−プロペニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサンの合成
【００６８】
【化２５】
0003780547.tif 000023
【００６９】
式（ＩＩＩｂ）のビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレンアセタールから参考例１と同様にして、式（ＶＩ0）の４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒドを得た。更に同様の反応をもう１度繰り返してトランス−４’−ホルミルビシクロヘキサン−トランス−４−エタナールを得た。これを実施例１と同様に反応させて、トランス−４−（２−プロペニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサンを得た。
【００７０】
同様にして以下の化合物を得た。
トランス−４−（３−ブテニル）−トランス−４’−（２−プロペニル）ビシクロヘキサン
トランス−４−（４−ペンテニル）−トランス−４’−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン
トランス−４−（５−ヘキセニル）−トランス−４’−（４−ブテニル）ビシクロヘキサン
（参考例２）    ４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−エタナール（式（ＶＩＩ1）の化合物）の合成
【００７１】
【化２６】
0003780547.tif 000024
【００７２】
臭化２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウム３２．４ｇをトルエン１２０ｍｌ及びＴＨＦ３０ｍｌに懸濁させた。これを氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム８．４８ｇをゆっくり添加し、０℃で１時間攪拌した。ビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレンアセタール１５ｇをＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、同温度で３０分間で滴下した。更に１時間攪拌した後、水８０ｍｌを加えた。水層を分液除去し、有機層を濃縮し、ヘキサン２００ｍｌを加え、不溶物を濾別した。沈澱はヘキサンで洗滌した。濾液を集め、メタノール／水の混合溶媒で洗滌した後濃縮した。得られた油状物２１ｇをトルエン３２０ｍｌ及びトリエチルアミン２２ｍｌに溶解し、パラジウム炭素４．２ｇを加え、水素圧５Ｋｇ／ｃｍ2で３時間室温で接触還元した。触媒を濾別後、溶媒を減圧下に溜去して得られた粗生成物をエタノールから再結晶してトランス体１２．７ｇを得た。これをＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、１０％塩酸５０ｍｌを加え、３時間加熱攪拌した。放冷後酢酸エチル２０ｍｌで抽出し、水で洗滌した後、溶媒を溜去した。減圧下に乾燥して４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−エタナールの白色結晶１０．８ｇを得た。
（実施例４）    トランス−４−（３−ブテニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン（式（Ｉｂ）の化合物）の合成
【００７３】
【化２７】
0003780547.tif 000025
【００７４】
参考例２で得た式（ＶＩＩ1）の４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−エタナールから参考例１、次いで実施例１と同様にして、トランス−４−（３−ブテニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサンを得た。
【００７５】
同様にして以下の化合物を得た。
トランス−４−（４−ペンテニル）−トランス−４’−（２−プロペニル）ビシクロヘキサン
トランス−４−（５−ヘキセニル）−トランス−４’−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン
（実施例５）  トランス−４−（４−ペンテニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサンの合成
参考例２において、塩化２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムに換えて、塩化３−（１，３−ジオキソラン−２−イル）プロピルトリフェニルホスホニウムを用いた他は同様にして、４’−オキソビシクロヘキサン−トランス−４−プロパナールを得た。これから、実施例４と同様にしてトランス−４−（４−ペンテニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサンを得た。
【００７６】
同様にして以下の化合物を得た。
トランス−４−（５−ヘキセニル）−トランス−４’−（２−プロペニル）ビシクロヘキサン
（実施例６）    液晶組成物の調製
汎用のホスト液晶（Ｈ）
【００７７】
【化２８】
0003780547.tif 000026
【００７８】
を調製した。このホスト液晶（Ｈ）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。この組成物の２０℃における粘度、これを用いて作製したセル厚４．５μｍのＴＮセルの閾値電圧（Ｖth）及びそのときの応答時間は以下の通りであった。
【００７９】
閾値電圧（Ｖth）：          １．８８Ｖ
粘度（２０℃）：          １９．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ２１．５ｍ秒
ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００８０】
次にこのホスト液晶（Ｈ）８０％及び本発明の式（Ｉａ）
【００８１】
【化２９】
0003780547.tif 000027
【００８２】
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−ａ）を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ９０．０℃
閾値電圧（Ｖth）：          １．９１Ｖ
粘度（２０℃）：          １２．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １３．５ｍ秒
従って、（Ｍ−ａ）の粘度及び応答時間は、ホスト液晶（Ｈ）と比較して大幅に改善されていることがわかる。また、式（Ｉａ）の化合物は単独では油状であり液晶性を示さないにもかかわらず、その添加によるＴN-Iの低下は比較的わずかである。
（比較例１）
これに対して、ホスト液晶（Ｈ）８０％及び一般式（Ｉ）と同様にビシクロヘキサン骨格を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基である化合物（Ｒ−１）
【００８３】
【化３０】
0003780547.tif 000028
【００８４】
２０％からなる液晶組成物（ＭＲ−１）を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通りであった。
ＴN-I：                 １０５．０℃
閾値電圧（Ｖth）：          ２．１０Ｖ
粘度（２０℃）：          １６．２ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １７．３ｍ秒
従って、ＴN-Iの低下こそ小さいけれども粘度や応答時間はホスト液晶（Ｈ）と比較してそれほど改善されていないことがわかる。
（比較例２）
ホスト液晶（Ｈ）８０％及び一般式（Ｉ）と同様にビシクロヘキサン骨格を有するが、側鎖の一方がアルケニル基であり、他方が直鎖状アルキル基である化合物（Ｒ−２）
【００８５】
【化３１】
0003780547.tif 000029
【００８６】
２０％からなる液晶組成物（ＭＲ−２）を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ９５．９℃
閾値電圧（Ｖth）：          ２．１４Ｖ
粘度（２０℃）：          １３．８ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １５．０ｍ秒
従って、粘度や応答時間は（ＭＲ−１）と比較するとより改善されているけれども、本発明に係わる（Ｍ−ａ）には及ばないことがわかる。
（比較例３）
ホスト液晶（Ｈ）８０％及び１，２−ジシクロヘキシルエタン骨格を有する化合物（Ｒ−３）
【００８７】
【化３２】
0003780547.tif 000030
【００８８】
２０％からなる液晶組成物（ＭＲ−３）を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通りであった。
ＴN-I：                   ８６．２℃
閾値電圧（Ｖth）：          １．９７Ｖ
粘度（２０℃）：          １６．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  １８．５ｍ秒
従って、（ＭＲ−３）の粘度や応答時間の改善は、本発明に係わる（Ｍ−ａ）にはるかに及ばないことがわかる。
【００８９】
以上のように本発明の一般式（Ｉ）の化合物が従来から知られている減粘性液晶性化合物と比較して、その効果においてよりすぐれていることが明らかである。
【００９０】
【発明の効果】
本発明により提供される、ビシクロヘキサン誘導体は、実施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に製造することができる。得られたビシクロヘキサン誘導体を含有する液晶組成物は、従来用いれている同様あるいは類似骨格を有する減粘性液晶性化合物と比較して、その減粘効果及び応答性の改善効果に優れるため、実用的液晶として特に高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。