(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性フッ素化合物及び水を主成分とする表面反射防止膜用組成物において、水溶性フッ素化合物として、（１）１気圧、２０℃において固体である水溶性フッ素化合物、（２）１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物の双方を含有することを特徴とし、かつ当該組成物により形成される表面反射防止膜の屈折率が１．４以下となる表面反射防止膜用組成物。
【請求項２】
１気圧、２０℃において固体である水溶性フッ素化合物が、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸、又はそれらの塩から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の表面反射防止膜用組成物。
【請求項３】
１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物が、２５℃において３センチポアズ以上の粘度を有する化合物である請求項１に記載の表面反射防止膜用組成物。
【請求項４】
１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物が下記の構造式（Ｉ）で示される化合物であることを特徴とする請求項１または３に記載の表面反射防止膜用組成物。
【化１】
0003786298.tif 000005
（式中、Ｒ１  はフッ素置換アルキル基を表し、Ｒ２  はフッ素置換されていても良いアルキレン基を表し、Ｘ１  ，Ｘ２  ，Ｘ３  ，Ｘ４  及びＸ５  は独立に水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ及びｎはそれぞれ０〜５の整数を表す。）
【請求項５】
１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物がパーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸、又はそれらの塩から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または３に記載の表面反射防止膜用組成物。
【請求項６】
パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸の重量平均分子量が６０００以下のパーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸であることを特徴とする請求項５に記載の表面反射防止膜用組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体素子等の作成における微細加工法に使用される表面反射防止膜用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路等に代表される微細加工技術は近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの技術として確立されている。
このサブミクロンの加工にはｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）等の短波長の光を用いたフォトリソグラフィー技術が利用されている。これらに使用されるフォトレジスト組成物も改良をかさね高性能なフォトレジスト組成物が種々提案されている。
【０００３】
このフォトレジスト組成物に要求される特性としては、より高解像性は勿論のこと塗布膜厚による転写された微細パターンの寸法変動もより少ないものが要求されている。しかし、フォトリソグラフィーでは光干渉の影響をうけ、この塗布膜厚に対する微細パターンの寸法変動を低下させることには限界があった。
【０００４】
即ち、照射された光はフォトレジスト塗布膜上下面において膜内多重反射を繰り返すが、光が単色光であることもあり、反射光の干渉作用によりその実効的な光量が塗布膜厚により変化し、寸法精度に限界がある結果となっている。
この問題点を解決する手法として、フォトレジスト塗布膜上にフォトレジスト塗布膜とは異なる屈折率をもった透明な膜を形成させ、フォトレジスト塗布膜上面より反射される光と、このフォトレジスト塗布膜上面を通過し新たに塗布された屈折率が異なる膜上面より反射される光の位相差による干渉を利用し、上記膜内多重反射の影響を小さくし、寸法制御性を向上させるという方法が提案されている。（特開昭６０−１４９１３０号、特開昭６２−６２５２０号、特開昭６２−６２５２１号、特開平５−１８８５９８号等）
【０００５】
良好な結果を与える上記屈折率はフォトレジスト塗布膜の屈折率の平方根であり、一般的には１．２５〜１．３５であるのに対し、リソグラフィー工程での望ましい実施形態は水媒体にて良好に塗布膜を形成、除去ができるものであることから、この条件では屈折率が１．４程度というのが現状での低屈折率の限界である。
【０００６】
即ち、低屈折率にするためには一般的にはフッ素を含有する化合物が好ましいが、水溶性のフッ素を含有する化合物であり更にフィルム形成性の化合物は少なく、このためフッ素を含有しないフィルム形成性のポリマーを併用せざるをえず、このフィルム形成性のポリマーの添加が低屈折率化の妨げとなっている。
【０００７】
又、ストリエーションと呼ぶ塗布膜厚の均一性が甚だしく悪い状態の組成物、塗布直後は良好な膜を形成するものの短時間（例えば２４時間以内）にて膜内に粒状の異物が発生する組成物、組み合わせるフォトレジストによっては現像後の残渣（スカム）が多く発生する組成物、転写されたパターンが現像時に剥がれてしまう組成物等低屈折率ではあっても実用に供せない等の問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記の背景に鑑みなされたものであり、その目的は、低屈折率（１．４以下）であり、且つ水媒体にて良好に塗布膜を形成、除去ができ、且つ、残渣（スカム）等の問題も発生しない表面反射防止膜用組成物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために我々は種々検討を重ねた結果、特定の化合物を用いて表面反射防止膜用組成物を調製すれば、屈折率を低下させることを困難にするフィルム形成性のポリマーを添加することなく、しかもフィルム形成性のポリマーの添加量が少なくても上記目的を達成することができることを見出し本発明を完成した。
【００１０】
即ち、本発明の要旨は、水溶性フッ素化合物及び水を主成分とする表面反射防止膜用組成物において、水溶性フッ素化合物として、▲１▼１気圧、２０℃において固体である水溶性フッ素化合物、▲２▼１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物の双方を含有することを特徴とする表面反射防止膜用組成物に存する。
【００１１】
以下、本発明につき更に詳細に説明する。
本発明において、１気圧、２０℃において固体である水溶性フッ素化合物▲１▼はかかる要件を満たすものであれば特に限定されないが、好ましくは、１気圧、２５℃において固体である水溶性フッ素化合物である。又、固体の水溶性フッ素化合物▲１▼は、１気圧での沸点が１５０℃以上であるのが好ましく、沸点が２００℃以上、更に２５０℃以上であるのが特に好ましい。尚、本発明で言う水溶性とは、水性媒体に対して２０℃において、０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上溶解することである。又、ここで水性媒体とは水を主体とする媒体をいい、水単独又は水と混合し得る有機溶媒を３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下を含む媒体を言う。有機溶媒としては、後述の本発明組成物の溶媒の説明で例示するものが挙げられる。
【００１２】
固体の水溶性フッ素化合物▲１▼としては、総炭素数３〜３０、好ましくは５〜２０である、パーフルオロアルキルスルホン酸又はパーフルオロアルキルカルボン酸、総炭素数８〜４０、好ましくは９〜２０のパーフルオロアルキルベンゼンスルホン酸、パーフルオロアルキルオキシベンゼンスルホン酸、パーフルオロアルキルベンゼンカルボン酸、パーフルオロアルキルオキシベンゼンカルボン酸、総炭素数４〜１０００、好ましくは、４〜５００のパーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸等の内、１気圧、２０℃において固体である水溶性フッ素化合物が挙げられる。又、上記の各フッ素含有酸化合物はフリーの酸として、又はアンモニウム塩、フッ素で置換されていてもよいモノ〜テトラアルキルアンモニウム塩等の形であっても良い。又、これらの固体の水溶性フッ素化合物▲１▼は２種類以上混合使用しても良い。
なかでも、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸、又はそれらの塩から選ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１３】
上記のフッ素含有酸化合物の具体例としては、パーフルオロブタンスルホン酸、パーフルオロヘプタンスルホン酸、パーフルオロオクタンスルホン酸、パーフルオロデカンスルホン酸、パーフルオロアジピン酸、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロアゼライン酸、パーフルオロセバチン酸、パーフルオロ−１，１０−デカンジカルボン酸、パーフルオロヘプタオキシベンゼンスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸（例えばＤｕＰｏｎｔ社製のＮａｆｉｏｎ（登録商標）、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルジカルボン酸、フルオロアルキル基が導入された水溶性のアクリル酸誘導体ポリマーでかつ１気圧、２０℃にて固体の化合物等が挙げられる。
また、固体の水溶性フッ素化合物▲１▼としては、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキサン−１，６−ジオールのような下式で示される化合物も好ましく使用できる。
【００１４】
【化２】
ＨＯＣＨ2 （ＣＦ2 ）n ＣＨ2 ＯＨ      （ｎ＝２〜４）
【００１５】
一方、本発明における１気圧、２０℃において液状であり、且つ１気圧での沸点が１００℃以上である水溶性フッ素化合物▲２▼は、かかる要件を満たすものであれば特に限定されないが、好ましくは１気圧、１０℃において液状である水溶性フッ素化合物である。又、該液状の水溶性フッ素化合物▲２▼は、１気圧での沸点が１５０℃以上、更に２００℃以上であるのが好ましい。また、これらの液体のフッ素化合物は粘度があまりに低いと良好な性状の膜が得にくいので、２５℃において、通常３センチポアズ以上、好ましくは１０センチポアズ以上、さらに好ましくは３０センチポアズ以上、最も好ましくは５０センチポアズ以上の粘度を有するのがよい。粘度の上限に実質的な制限はなく、水性媒体に可溶であればゼリー状のものも使用できる。
これらの化合物としては、例えば次のような化合物が挙げられる。
（ｉ）下記式（Ｉ）で示される中性の水溶性フッ素化合物、
【００１６】
【化３】
0003786298.tif 000002
【００１７】
（式中、Ｒ1 はフッ素置換アルキル基を表し、Ｒ2 はフッ素置換されていても良いアルキレン基を表し、Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 ，Ｘ4 及びＸ5 は独立に水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ及びｎはそれぞれ０〜５の整数を表す。）
（ii）トリフルオロメタンスルホン酸、ヘプタフルオロブタン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、又は、カルボン酸、
（iii)パーフルオロ（２−エトキシエタン）スルホン酸、パーフルオロ−２，５−ジメチル−３，６−ジオキサノナン酸、パーフルオロ−２，５，８−トリメチル−３，６，９−トリオキサドデカン酸のような総炭素数４〜１０００、好ましくは、４〜５００のパーフルオロアルキルポリエーテルスルホン酸、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸等の内、１気圧、２０℃において液体である水溶性フッ素化合物が挙げられる。
【００１８】
液状の水溶性フッ素化合物▲２▼としては、これらの化合物の中でも上記式（Ｉ）で表される化合物やパーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸の内、１気圧、２０℃において液体である水溶性フッ素化合物が好ましい。
この内、パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸としては、重量平均分子量が６０００以下、特に１５００〜５５００、さらに特に１０００〜５０００のものが好ましい。分子量が小さすぎると得られた塗布膜中に結晶状の異物が多数発生する等好ましくなく、また分子量が大きすぎると水性媒体に溶解せず好ましくない。このようなパーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸の具体例としては、下記式（II）で表されるＤｕＰｏｎｔ社製のＫｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＬ、Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＭ等をあげることができる。
【００１９】
【化４】
Ｆ−〔ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ 2Ｏ〕n −ＣＦ（ＣＦ） 3−ＣＯＯＨ    （II）
（ｎは１以上の整数）
【００２０】
又、上記の各フッ素含有酸化合物はフリーの酸として、又はアンモニウム塩、フッ素で置換されていてもよいモノ〜テトラアルキルアンモニウム塩等の形であっても良い。
機器の腐食等が問題となる場合、酸性化合物をあまり多く使用せず、むしろ中性の化合物を使用する方が好ましい。
【００２１】
なお、本発明において、中性とは、１ｗｔ％水溶液においてｐＨ４〜１０のことであり、好ましくは、１ｗｔ％水溶液でｐＨ５〜９である。（ここで、水溶液とは、水を５０重量％以上含有する水を主体とする溶液を意味する。）前記式（Ｉ）に於て、Ｒ1 で示されるフッ素置換アルキル基としては、通常炭素数２〜２０程度のフッ化アルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜１５のフッ化アルキル基であり、Ｒ2 で示されるフッ素置換されていても良いアルキレン基としては、フッ素置換されていてもよい炭素数１〜５のアルキレン基である。又、ｍ及びｎはそれぞれ０〜５の整数を表わすが、好ましくはｍ及びｎは１である。
【００２２】
前記式（Ｉ）の化合物としては、具体的には３−（２−パーフルオロヘキシル）エトキシ−１，２−ジヒドロキシプロパン（ｂ．ｐ．３００℃以上／１気圧、１２５℃／０．２ｍｍＨｇ）等が挙げられる。
又、他の中性の水溶性フッ素化合物としては、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール（ｂ．ｐ．１１０℃）、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロブタノール（ｂ．ｐ．約１２５℃）、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンタノール（ｂ．ｐ．１４０℃）等のフルオロアルキルアルコール類、住友スリーエム（株）製のＦＣ−４３０、大日本インキ化学工業（株）のＦ−１７７、Ｆ−１７９等のアクリル酸及び／又はメタクリル酸のフルオロアルキルエステルのようなフッ素含有（メタ）アクリル酸誘導体を構成単位とするポリマーでかつ２０℃にて液体の化合物、住友スリーエム（株）社製のＦＣ−１７１（パーフルオロアルキルアルコキシレート）等も挙げられる。
【００２３】
尚、これら液状の水溶性フッ素化合物▲２▼は必要に応じて２種類以上混合使用して用いても良く、又、１気圧での沸点が１００℃以上２００℃以下の化合物と２００℃以上の化合物を混合使用することも好ましい結果を与える。
又、フルオロアルキルアルコール類は前記式（Ｉ）の化合物と併用するのが好ましい。
【００２４】
上記に列挙した中でも、特に好ましい液状の水溶性フッ素化合物▲２▼としては、前記式（Ｉ）の水溶性フッ素化合物、Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＬ、Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＭ等が挙げられる。
本発明において用いられる固体の水溶性フッ素化合物▲１▼及び液状の水溶性フッ素化合物▲２▼は、その構造中の水素原子がフッ素原子で置換された化合物であるが、そのフッ素置換割合は高い方が好ましく、通常、５０％以上の水素がフッ素に置換されているのが好ましい。
【００２５】
上記の水溶性フッ素化合物は、通常固体の水溶性フッ素化合物▲１▼と液状の水溶性フッ素化合物▲２▼とを重量割合にて１０：１〜１：２０、好ましくは５：１〜１：１０の割合で混合使用される。
本発明の反射防止膜用組成物は、これらの水溶性フッ素化合物▲１▼および▲２▼を合計重量にて水性溶媒に対し、通常１〜１０重量％含有する。
又、この反射防止膜用組成物には、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル等のフィルム形成性ポリマーを加えても良いが、その添加量は屈折率を低下させる目的より、フッ素化合物類の合計の２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下にするのが良い。
【００２６】
本発明組成物の溶媒は水を用いるのが一般的であるが、フッ素化合物の溶解性を向上させるために、フッ素原子で置換されていても良いメタノール、エタノール、プロパノール等の低級アルコール類、酢酸等の低級アルキルカルボン酸類等の水と混合しうる有機溶媒との混合溶媒を用いても良い。この場合、有機溶媒の混合割合が多すぎると、塗布する際に下層のフォトレジスト膜を溶解してしまうので、通常３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下にて使用するのが良い。
【００２７】
尚、本発明の組成物は、本発明の趣旨を越えない限り他のフッ素系等の低屈折率化合物を含有することもできるが、この場合の低屈折率化合物は上記溶媒に可溶性であり、その混合率は本発明のフッ素化合物類の合計に対し２０％以下が好ましい。又、本発明の組成物中には更に塗布性、消泡性等を改善するために界面活性剤等を添加してもよい。
【００２８】
又、投射光波長に対する吸光度が、投射光の投射により減少する化合物を添加することもフォトリソグラフィー上好ましい。
本発明の表面反射防止膜用組成物が塗布されるフォトレジストは特に限定されず、ネガ型、ポジ型の双方に、又、材料的には、キノンジアジド化合物及びノボラック樹脂を主成分とするもの、ポリビニルフェノール系樹脂及び光酸発生剤を含有するもの等が挙げられる。
以下に、本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はこれらの実施例により何等限定されるものではない。
【００２９】
【実施例】
参考例１
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸（パーフルオロオクタンスルホン酸）をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩及び３−（２−トリデカフルオロヘキシル）エトキシ−１，２−ジヒドロキシプロパン（粘度１００センチポアズ以上）を重量比にて６０：４０にて混合し、非溶媒成分濃度４重量％で水溶媒に溶解させ０．２μｍのフィルターにて濾過し表面反射防止膜用組成物（Ａ）を調製した。
【００３０】
参考例２
参考例１において、混合比を６５：３５にかえ、更に、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンタノールを水に対し１重量％添加した混合溶媒を用いた他は同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｂ）を調製した。
【００３１】
参考例３
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸をペンタデカフルオロオクタン酸（パーフルオロオクタン酸）にかえた他は参考例１と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｃ）を調製した。
【００３２】
参考例４
ペンタデカフルオロオクタン酸をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩、及びパーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸（ＤｕＰｏｎｔ社製Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＬ（粘度２８０センチポアズ、重量平均分子量約２５００））をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率１００％）した塩を重量比にて５０：５０にて混合し、非溶媒成分濃度４重量％でイソプロピルアルコール／水（２０／８０重量比）の溶媒に溶解させ０．２μｍのフィルターにて濾過し表面反射防止膜用組成物（Ｄ）を調製した。
【００３３】
参考例５
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩、及びＤｕＰｏｎｔ社製パーフルオロアルキルポリエーテルカルボン酸（Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＬ）をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩及びポリビニルピロリドン（ＢＡＳＦ社製  Ｌｕｖｉｓｋｏｌ（登録商標）  Ｋ３０）を重量比にて４５：５０：５にて混合し、非溶媒成分濃度４重量％でイソプロピルアルコール／水（２０／８０重量比）の溶媒に溶解させ０．２μｍのフィルターにて濾過し表面反射防止膜用組成物（Ｅ）を調製した。
【００３４】
参考例６
３−（２−トリデカフルオロヘキシル）エトキシ−１，２−ジヒドロキシプロパンを使用しない他は参考例１と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｆ）を調製した。
【００３５】
参考例７
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩を使用しない他は参考例１と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｇ）を調製した。
【００３６】
参考例８
ペンタデカフルオロオクタン酸をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率９５％）した塩を使用しない他は参考例４と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｈ）を調製した。
【００３７】
参考例９
Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）１５７ＦＳＬをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて中和（中和率１００％）した塩を使用しない他は参考例４と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｉ）を調製した。
【００３８】
参考例１０
３−（２−トリデカフルオロヘキシル）エトキシ−１，２−ジヒドロキシプロパンをポリビニールピロリドン（ＢＡＳＦ社製  Ｌｕｖｉｓｋｏｌ（登録商標）Ｋ９０）にかえた他は参考例１と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｊ）を調製した。
【００３９】
参考例１１
参考例１０において混合比を７０：３０にかえた他は同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｋ）を調製した。
【００４０】
参考例１２
参考例１０において混合比を８０：２０にかえた他は同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｌ）を調製した。
【００４１】
参考例１３
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩をペンタデカフルオロオクタン酸のアンモニウム塩に、ポリビニールピロリドンをα−パーフルオロノネニル−ω−メトキシポリオキシエチレン（（株）ネオス社製フタージェント  ２５０）にかえた他は参考例１１と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｍ）を調製した。
【００４２】
参考例１４
ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩をペンタデカフルオロオクタン酸のアンモニウム塩に、ポリビニールピロリドンをポリアクリル酸にかえた他は参考例１０と同様にして表面反射防止膜用組成物（Ｎ）を調製した。
【００４３】
実施例１〜５、比較例１〜９
表面反射防止膜用組成物（Ａ）〜（Ｎ）をそれぞれ用い５インチのシリコンウェハーにスピンコートし、ホットプレート上で８０℃で９０秒間加熱ベークして塗膜を乾燥し、約４００Åの膜厚の塗布膜を得た。その塗布膜の塗布膜性状の目視観察結果と屈折率の測定結果を表−１に示た。又、この塗布膜を２３℃の水に浸し、塗布膜の溶解剥離性を観察したところ、実施例、比較例共に問題なく溶解剥離できた。
【００４４】
【表１】
0003786298.tif 000003
【００４５】
実施例６、比較例１０〜１１
キノンジアジド系ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）社製  ＴＳＭＲ−Ｖ９０）を５インチのシリコンウェハーにスピンコートし、ホットプレート上で９０℃で９０秒間加熱ベークし塗膜を乾燥し、１０３５０Åの膜厚のフォトレジスト塗布膜を得た。更に、表面反射防止膜用組成物（Ａ）、（Ｍ）及び（Ｎ）をそれぞれこのフォトレジスト膜上にスピンコートし、ホットプレート上で９０℃で６０秒間、加熱ベークして塗膜を乾燥し、表面反射防止塗布膜（膜厚７００Å）付のフォトレジスト塗布膜ウエハーを得た。
このウエハーをＧＣＡ社製ｇ線ステッパーＤＳＷ−６７００Ｂにてテストパターン付マスクを介し露光し、更にホットプレート上で１２０℃で９０秒間ポストエクスポジャーベークしたのち、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて６０秒間パドル現像した。
１μｍのライン＆スペースが１：１に仕上がる露光量での転写パターンを走査型電子顕微鏡にて観察した。結果を表−２に示す。
【００４６】
【表２】
0003786298.tif 000004
【００４７】
実施例７、比較例１２〜１３
キノンジアジド系ポジ型フォトレジスト（三菱化学（株）社製  ＭＣＰＲ−ｉ６６００）を実施例６と同様に複数枚のウェハーに塗布ベークし、約１００Åの間隔にて１００００〜１２０００Åの膜厚のフォトレジスト塗布膜のウェハーを得た。
更に、表面反射防止膜用組成物（Ａ）及び（Ｋ）をそれぞれ実施例６と同様にしてフォトレジスト膜上に表面反射防止塗布膜（膜厚６５０Å）を形成した。表面反射防止膜を形成していないウェハー及び表面反射防止膜を形成したウェハーを、ニコン社製ｉ線ステッパーＮＳＲ１７５５ｉ７Ａにてテストパターン付マスクを介し露光し、更にホットプレート上で１２０℃で９０秒間ポストエクスポジャーベークしたのち、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて６０秒間パドル現像した。
【００４８】
同一露光量での０．７μｍのマスクパターン像の仕上がり線巾を電子顕微鏡を用い測定した。
フォトレジスト塗布膜の膜厚変化に対する仕上がり線巾の変化は表面反射防止膜用組成物を使用しなかった場合が最も大きく、表面反射防止膜用組成物（Ａ）を使用した場合が最も小さかった。
表面反射防止膜用組成物（Ｋ）を使用した場合は表面反射防止膜用組成物を使用しなかった場合より小さかったが仕上がり線巾の変化は満足のいくものではなかった。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の反射防止膜用組成物は、低屈折率で、良好な塗布膜性状を有すると共に水媒体で容易に除去でき残渣の問題も生じない効果を有する。