(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパット部、引き回しリード部及びボンディングパッド部を含む信号用回路配線と、該信号用回路配線よりデバイスホール側の領域のデバイスホール周囲に設けた給電用回路配線と、該給電用回路配線への引き回し用回路配線とを含んだ導体回路パターンを付けたＴＡＢテープであって、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域を除いてソルダーレジストの存在する領域としたものを、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせて構成されるスティフナ付きＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域中であって、前記信号用回路配線と給電用回路配線とこれらの引き回し用回路配線とが存在する領域内の前記信号用回路配線と給電用回路配線と引き回し用回路配線が存在しない部分に、１以上のダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項２】
請求項１記載のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域として、前記信号用回路配線のボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間に設けたダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を含むことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域として、前記信号用回路配線のボンディングパッド部と前記引き回し用回路配線との間に設けたダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を含むことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域として、前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に設けたダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を含むことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４記載のＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部から前記デバイスホールまでの領域中で、前記給電用回路配線上に、前記信号用回路配線の存在する領域の第１のソルダーレジストとの段差をなくすように第２のソルダーレジストを塗布すると共に、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域として、前記ボンディングパッド部と前記第２のソルダーレジストとの間に設けたダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を含ませたことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔が０．１５mm以内となるように設けたことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項７】
請求項６記載のＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上としたことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項８】
デバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパット部、引き回しリード部及びボンディングパッド部を含む信号用回路配線と、該信号用回路配線よりデバイスホール側の領域のデバイスホール周囲に設けた給電用回路配線と、該給電用回路配線への引き回し用回路配線とを含んだ導体回路パターンを付けたＴＡＢテープであって、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域を除いてソルダーレジストの存在する領域としたものを、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせ、そのスティフナの凹部に半導体チップを設け、その半導体チップの電極と前記ボンディングパッド部とをワイヤボンディングした半導体装置において、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部から前記デバイスホールまでの領域中で、前記給電用回路配線上に、前記信号用回路配線の存在する領域の第１のソルダーレジストとの段差をなくすように第２のソルダーレジスト領域を設けると共に、前記ボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と引き回し用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と前記第２のソルダーレジスト領域との間、及び前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域は、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔が、０．１５mm以内となるように設けてあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、前記ＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上としたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スティフナと称される放熱板兼補強板の付いたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ及びこれを用いたテープＢＧＡ（Ball Grid Array ）半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴ−ＢＧＡ（Tape BGA）構造の半導体装置を図５に示す。これは、ポリイミド樹脂製絶縁フィルム１の片面に図６の如く導体回路パターン２を付けたＴＡＢテープ２０を、厚さ５０μｍ程度の熱硬化性接着剤１３を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部６ａを設けてあるスティフナ６と貼り合わせた構造を有する。このＴＡＢテープ２０上に形成される導体回路パターン２には２系統があり、図６の如く設けられた半田ボールパット部２１、引き回しリード部２２及びボンディングパッド部２３を含む信号用回路配線４と、該信号用回路配線４よりデバイスホール２６側の領域２５において、図４の如くデバイスホール２６周囲に設けられた電源用ライン５１及び接地用ライン５２の２条から成る給電用回路配線５とを含む。
【０００３】
そして、図５の如く上記スティフナ６の凹部６ａに素子固定材（チップ固定用ペースト）１４を用いて半導体チップ９を貼り付け、この半導体チップ９の電極と前記ボンディングパッド部２３とをボンディングワイヤ８にて結線し、更に前記半導体チップ９とボンディングワイヤ８とを封止樹脂１０によって封止することで構成される。なお、半田ボールパット部２１上には半田ボール７が搭載される。
【０００４】
図６の斜線部は、ＴＡＢテープ２０の表面のうち、ソルダーレジスト３の設けられている領域を示す。図示するように、ソルダーレジスト３はＴＡＢテープ２０の全域に設けられるのではない。中央のデバイスホール２６の周辺に集約的に位置するインナーリードから成るボンディングパッド部２３及びそれよりデバイスホール２６側の領域２５には、ソルダーレジスト３が設けられていない。また、半田ボールパット部２１はソルダーレジスト３の存在しない領域によって円形状に形成されている。
【０００５】
このように、現在のところＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置に用いられるＴＡＢテープには、ボンディングパッド部２３から内側（凹部６ａによるキャビティ側）の領域にはソルダーレジストが塗布されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＴＡＢテープのボンディングパッド部２３から内側（凹部６ａ側）にソルダーレジストが塗布されていないことに起因して、次のような課題が存在している。
【０００７】
即ち、従来の半導体装置では、ＴＡＢテープとスティフナとしての銅製放熱板とを接着する層に、厚さ５０μｍ程度の熱硬化性接着剤を配している。また、この熱硬化性接着剤をＴＡＢテープに接着する方法としては、ロールラミネータにて熱及び圧力をかけながら接着している。
【０００８】
しかし、導体回路パターンのうち、半導体チップとワイヤボンディング等により電気的接続を行うボンディングパッド部等の回路配線領域の表面には、ソルダーレジストを設けることができないため、ソルダーレジストの厚さ分の段差が生じてしまい、且つ回路配線間の谷間では更にソルダーレジストからの段差が大きくなってしまう。
【０００９】
この段差の存在により、ロールラミネータから接着に必要な圧力がかかりにくく、圧着不足により、ＴＡＢテープと接着剤との間に気泡が混入してしまう場合がある。特にそのボイド発生現象の度合いは、信号用回路配線や給電用回路配線といった回路配線体間の距離及び回路配線体とソルダーレジスト間の距離に比例し、使用する材料や製造条件に影響されるが、前記距離が０．２mm以上で気泡混入が発生しやすい。
【００１０】
前記気泡は完成した半導体装置の耐湿性等の信頼性に悪影響を及ぼし、また気泡が回路配線体と接着剤との間に混入した場合は、ボンディング性に悪影響を及ぼす。
【００１１】
そこで本発明の目的は、上記課題を解決し、気泡がＴＡＢテープの回路パターンと接着剤との間に混入するのを防止し、更なる信頼性、放射熱性の向上を実現したスティフナ付きのＴＡＢテープ及びＴ−ＢＧＡ半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１３】
（１）請求項１に記載の発明は、デバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパット部、引き回しリード部及びボンディングパッド部を含む信号用回路配線と、該信号用回路配線よりデバイスホール側の領域のデバイスホール周囲に設けた給電用回路配線と、該給電用回路配線への引き回し用回路配線とを含んだ導体回路パターンを付けたＴＡＢテープであって、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域を除いてソルダーレジストの存在する領域としたものを、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせて構成されるスティフナ付きＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域中であって、前記信号用回路配線と給電用回路配線とこれらの引き回し用回路配線とが存在する領域内の前記信号用回路配線と給電用回路配線と引き回し用回路配線が存在しない部分に、１以上のダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたことを特徴とする。
【００１４】
ここで、上記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域（以上必要に応じて「ダミーの回路配線体等」と略称する）は、信号用回路配線と給電用回路配線と引き回し用回路配線との間に存在する領域中に設けられればよく、上記ダミーの回路配線体等が、信号用回路配線のボンディングパッド部、電源接地用回路配線又は引き回し用回路配線のうち、それらの１つに接触した状態、又は、それらの１つから延在した形のいずれの形態で設けられていても良い。
【００１５】
このようにダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を追加的に設けることにより、元の信号用回路配線（ボンディングパッド部）、給電用回路配線、引き回し用回路配線といった回路配線体の周囲に最短距離で存在する部材までの距離が小さくなる。即ち、元の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線といった回路配線体の近傍に、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域が、上記最短距離で存在する部材として出現することから、ＴＡＢテープ上に最短距離で存在する部材として存在する２部材間の間隔は、元の回路配線体間の比較的広い間隔であったものが、これに代わって、これらの回路配線体とダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域と間の比較的狭い間隔となる。
【００１６】
既に述べたように、ロールラミネータで熱及び圧力をかけながら、熱硬化性接着剤をＴＡＢテープ上に接着する際、ＴＡＢテープと接着剤の間に気泡が混入する現象が生ずるが、これは回路配線間の距離及び回路配線とソルダーレジスト間の距離に比例して発生し易い。そこで、上記のようにダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を追加的に設けて、この距離を小さくすることにより、ボイドの発生を抑えることができる。
【００１７】
本発明のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域は、前記信号用回路配線のボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間に設けてもよいし（請求項２）、前記信号用回路配線のボンディングパッド部と前記引き回し用回路配線との間に設けてもよいし（請求項３）、前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に設けてもよい（請求項４）。
【００１８】
また、本発明のＴＡＢテープは、請求項１、２、３又は４記載のＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部から前記デバイスホールまでの領域中で、前記給電用回路配線上に、前記信号用回路配線の存在する領域の第１のソルダーレジストとの段差をなくすように第２のソルダーレジストを塗布すると共に、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域として、前記ボンディングパッド部と前記第２のソルダーレジストとの間に設けたダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を含ませた形態をも含む（請求項５）。
【００１９】
更に、本発明のＴＡＢテープは、前記信号用回路配線のボンディングパッド部間に、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けた形態をも含む。
【００２０】
（２）請求項６に記載の発明は、請求項１、２、３、４又は５記載のＴＡＢテープにおいて、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔が０．１５mm以内となるように設けたことを特徴とする。
【００２１】
ＴＡＢテープと接着剤の間に気泡が混入する現象は、ＴＡＢテープ上に存在する回路配線間の距離及び回路配線とソルダーレジスト間の距離に比例し、特に上記距離が０．２mm以上で気泡混入が発生し易い。そこで、この請求項６のように、上記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔が０．１５mm以内となるように設けると、気泡混入の発生をより有効に防止することができる。
【００２２】
（３）請求項７に記載の発明は、請求項６記載のＴＡＢテープにおいて、前記ＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上としたことを特徴とする。
【００２３】
このようにＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上とし、従来より厚くすることにより、ロールラミネータの圧力を確実に接着剤に伝えることができ、より有効にボイドの発生を防止することができる。
【００２４】
（４）請求項８に記載の発明は、デバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパット部、引き回しリード部及びボンディングパッド部を含む信号用回路配線と、該信号用回路配線よりデバイスホール側の領域のデバイスホール周囲に設けた給電用回路配線と、該給電用回路配線への引き回し用回路配線とを含んだ導体回路パターンを付けたＴＡＢテープであって、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域を除いてソルダーレジストの存在する領域としたものを、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせ、そのスティフナの凹部に半導体チップを設け、その半導体チップの電極と前記ボンディングパッド部とをワイヤボンディングした半導体装置において、前記ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部から前記デバイスホールまでの領域中で、前記給電用回路配線上に、前記信号用回路配線の存在する領域の第１のソルダーレジストとの段差をなくすように第２のソルダーレジスト領域を設けると共に、前記ボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と引き回し用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と前記第２のソルダーレジスト領域との間、及び前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたことを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、給電用回路配線上に第２のソルダーレジスト領域等を設けて、前記信号用回路配線の存在する領域の第１のソルダーレジストとの段差をなくしているので、熱硬化性接着剤をＴＡＢテープ上に接着する際に、ロールラミネータによる接着に必要な圧力が容易に得られるようになる。また、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を、前記ボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と前記給電用回路配線との間、前記ボンディングパッド部と前記第２のソルダーレジスト領域との間、及び前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に設け、これら部材間の距離を小さくしたので、熱硬化性接着剤をＴＡＢテープ上に接着する際に、ＴＡＢテープと接着剤の間に気泡が混入しなくなる。よって、ボイドの発生をなくし、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
この半導体装置の発明においても、前記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域は、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔が、０．１５mm以内となるように設け（請求項９）、更には、前記ＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上とする（請求項１０）ことが好ましい。これらにより、ボイドの発生をより有効に防止することができるからである。
【００２７】
＜本発明の要点＞
本発明の要点は、次の点にある。即ち、従来では、回路配線表面部の段差の影響により、前記段差部はロールラミネータにて接着に必要な圧力がかかりにくく、ＴＡＢテープと接着剤の間に気泡が混入してしまい、半導体装置の耐湿性等の信頼性に悪影響を及ぼし、また気泡が回路配線と接着剤との間に混入した場合は、ボンディング性に悪影響を及ぼす。この対策として、本発明では、ダミーの回路配線体を気泡防止用に設けるか、またはソルダーレジスト領域を設けるか、または接着剤の厚さを従来より厚くするのである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２９】
図１は本発明のＴＡＢテープの詳細を示す部分平面図で、図３のＡ部を拡大して示した図である。図２はそのＴＡＢテープを用いたＴ−ＢＧＡ半導体装置の断面構造を示す図であり、図３は本発明のＴＡＢテープの外観を示す図である。図４は従来のＴＡＢテープの詳細図で、図１に対応させて示した図である。
【００３０】
図２のＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置において、２０はＴＡＢテープであり、デバイスホールを有する厚さ７５μｍ程度のポリイミド樹脂製絶縁フィルム１の片面に、厚さ１０μｍ程度の熱硬化性接着剤１２によって、２０μｍ程度の厚みを有する銅箔、例えば日本電解製銅箔ＳＬＰもしくは三井金属鉱業（株）製電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰから成る導体回路パターン２を付け、更にその上を、露光・現像によりパターンの形成される１５μｍ程度のソルダーレジスト３により、デバイスホール周辺を残して被うことにより構成される。
【００３１】
このＴＡＢテープ２０上に形成される導体回路パターン２には２系統があり、図６の如く設けられた半田ボールパット部２１、引き回しリード部２２及びボンディングパッド部２３を含む信号用回路配線４と、該信号用回路配線４よりデバイスホール２６側の領域２５において、図３の如くデバイスホール２６周囲に設けられた電源用ライン５１及び接地用ライン５２の２条から成る給電用回路配線５と、該給電用回路配線への引き回し用回路配線５３とを含む。
【００３２】
ソルダーレジスト３の設けられる領域は導体回路パターン２の全部ではなく、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部２３からデバイスホール２６までは、ソルダーレジスト３の存在しない領域２５となっている。
【００３３】
このＴＡＢテープ２０は、厚さ１００μｍ程度の熱硬化性接着剤１３を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部６ａを設けてあるスティフナ６と貼り合わせられ、以てスティフナ付きＴＡＢテープが構成される。
【００３４】
図２のＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置は、このスティフナ付きＴＡＢテープのスティフナ６の凹部６ａに半導体チップ９を設け、その半導体チップ９の電極と上記ボンディングパッド部２３とをワイヤボンディングした構造を有する。即ち、上記スティフナ６の凹部６ａに素子固定材（チップ固定用ペースト）１４を用いて半導体チップ９を貼り付け、この半導体チップ９の電極と前記ボンディングパッド部２３とをボンディングワイヤ８にて結線し、更に前記半導体チップ９とボンディングワイヤ８とを封止樹脂１０によって封止することで、半導体装置が構成される。なお、半田ボールパット部２１上には半田ボール７が搭載される。
【００３５】
この構造の半導体装置は、半導体チップ９を放熱板上に直接搭載するため、半導体チップ９の動作中に発生する熱を効果的に発散できるメリットがある。図２に、上記構成の半導体装置をマザーボード４０に搭載した状態を示す。
【００３６】
ところで、上記の熱硬化性接着剤１３をＴＡＢテープ２０に接着する方法としては、ラミネータにて熱及び圧力をかけながら接着する。その後、この接着剤１３の設けられたＴＡＢテープ２０とスティフナ６との貼り合わせを行う。
【００３７】
しかし、導体回路パターン２のうち、半導体チップとワイヤボンディング等により電気的接続を行うボンディングパッド部２３等の回路配線領域の表面には、ソルダーレジスト３を設けることができないため、ソルダーレジスト３の厚さ分の段差が生じてしまい、且つ回路配線体間の谷間、即ち信号用回路配線４と給電用回路配線５（電源用ライン５１、接地用ライン５２）と引き回し用回路配線５３といった回路配線体の間に存在する領域においては、更にソルダーレジストからの段差が大きくなってしまう。このためロールラミネータから接着に必要な圧力がかかりにくくなり、ＴＡＢテープ２０と接着剤１３との間に気泡が混入し易くなる。特にそのボイド発生の度合いは、上記回路配線体間の距離及び回路配線体とソルダーレジスト間の距離に比例し、使用する材料や製造条件に影響されるが、前記距離が０．２mm以上で気泡混入が発生しやすい。
【００３８】
そこで、図１に示すように、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部２３からデバイスホール２６までのソルダーレジスト３の存在しない領域２５中であって、上記信号用回路配線４と給電用回路配線５と引き回し用回路配線５３との間に存在する領域中に、１以上のダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設ける。
【００３９】
この実施形態では、図１に示すように、まずＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部２３からデバイスホール２６までのソルダーレジストの存在しない領域２５において、信号用回路配線４の存在する領域の第１のソルダーレジスト３との段差をなくすように、給電用回路配線５上に第２のソルダーレジスト領域３ａを設ける。そして、回路配線体間の谷間の段差を小さくするため、信号用回路配線４のボンディングパッド部２３と給電用回路配線５との間にダミーの回路配線体２４を設け、ボンディングパッド部２３と上記第２のソルダーレジスト領域３ａとの間にダミーの回路配線体２４を設けている。また、給電用回路配線５を構成する電源用ライン５１及び接地用ライン５２間にダミーのソルダーレジスト３１を設け、そして信号用回路配線のボンディングパッド部２３と引き回し用回路配線５３との間にダミーのソルダーレジスト３２を設けている。図示の実施形態の場合、ダミーの回路配線体２４がボンディングパッド部２３と接しているが、このように一方の部材から離して設ける形態に限らず、両方の部材から離して設ける形態を採ることもできる。
【００４０】
ここで、上記のダミーの回路配線体２４又はソルダーレジスト領域３１、３２は、その周囲の信号用回路配線４、給電用回路配線５、引き回し用回路配線５３又はソルダーレジスト３ａのうちの最も近い部位までの間の間隔、例えば図１に示す間隔ｄ１、ｄ２、ｄ３の全てが０．１５mm以内となるように設ける。このようにすると、上記間隔ｄ１、ｄ２、ｄ３が気泡混入が発生し易い０．２mmより余裕を見込んだ小さい値に抑えられるので、有効にボイドの発生を阻止することができる。
【００４１】
この作用効果は、上記ダミーの回路配線体２４の代わりにダミーのソルダーレジストを設け、又はソルダーレジスト３１、３２の代わりにダミーの回路配線体を設けた形態によっても得ることができる。
【００４２】
更に、この実施形態では、ＴＡＢテープ２０とスティフナ６とを貼り合わせる接着剤層１３を、従来の５０μｍより厚い１００μｍの厚さとしているので、ロールラミネータの圧力を確実に接着剤に伝えることができ、より有効にボイドの発生を防止することができる。
【００４３】
次に具体例を示す。
【００４４】
回路基板は３層ＴＡＢテープ材で、ポリイミド樹脂製絶縁フィルム１としては７５μｍ厚のフィルム（ユーピレックス、宇部興産（株）製）を利用し、接着剤１２として＃７１００接着剤（東レ（株）製）を約１２μｍ厚に塗布した後、このベースフィルムに金型により図６に示す如くスプロケットホール１６及びテバイスホール２６をパンチング加工して開口した。また、導体回路パターン２の銅箔は１８μｍ厚のＶＬＰ箔（三井金属鉱業（株）製）、ＰＩ層は４０μ厚とした。また、信号用回路配線４上のソルダーレジスト３は約２５μｍとした。
【００４５】
接着剤１３は熱可塑性を用い、その厚さは従来５０μｍ程度を用いるところを厚さ１００μｍを採用した。更に、スティフナ６は厚さ０．８mmt の銅材を使用し、その表面には０．２mg／cm2 程度の酸化膜を有している。
【００４６】
回路配線パターン２のうち給電用回路配線５は、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部２３よりもデバイスホール側の前記信号用回路配線４の存在しない領域において、半導体チップ９を囲む形状で電源用ライン５１及び接地用ライン５２を形成し、その外側に信号用回路配線４の配線パターンを形成した。そして、上記給電用回路配線５上に、上記信号用回路配線４の存在する領域の第１のソルダーレジスト３との段差をなくすように、デバイスホール２６の周方向に間隔を置いて第２のソルダーレジスト３ａを塗布した。
【００４７】
次に、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部２３からデバイスホール２６までの領域中で、前記電源用ライン５１及び接地用ライン５２のライン間にソルダーレジスト３１を設け、またデバイスホール２６の内側の部分についてはソルダーレジスト３ａを設け、更に信号用回路配線４と給電用回路配線５の引き回し用回路配線５３とのパターン間にもソルダーレジスト５３を設けた。そして、これらの配線パターン間における最短距離の部位同士の間隔ｄ１、ｄ２、ｄ３を０．１５mm以下となるようにした。
【００４８】
また、信号用回路配線パターン間においてもパターン同士の間隔を０．１５mm以下になるようにパターンを設けた。
【００４９】
このダミーのソルダーレジスト３１、３２と新規に設けたダミーの回路配線体２４のパターンにより、パターン間の隙間を埋めたことにより、接着剤１３のラミネート時にローラにより十分な圧力がかかり、且つ接着剤１３を１００μｍと厚くしたことにより、更に気泡の混入のないＢＧＡ用及びＣＳＰ（Chip Scale Package）用ＴＡＢテープを製造することができた。
【００５０】
また、このＴＡＢテープを用い、高信頼性、高放射熱性の半導体装置を製造することができた。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００５２】
（１）請求項１〜７に記載のＴＡＢテープによれば、ＴＡＢテープ表面のボンディングパッド部からデバイスホールまでの領域中であって、信号用回路配線と給電用回路配線と引き回し用回路配線とが存在する領域内の前記信号用回路配線と給電用回路配線と引き回し用回路配線が存在しない部分に、１以上のダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたので、元の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線といった回路配線体の周囲に最短距離で存在する部材までの距離が小さくなり、ＴＡＢテープと接着剤の間におけるボイドの発生を抑えることができる。
【００５３】
（２）請求項８に記載の半導体装置によれば、ボンディングパッド部と給電用回路配線との間、ボンディングパッド部と引き回し用回路配線との間、ボンディングパッド部と第２のソルダーレジスト領域との間、及び前記給電用回路配線を構成する電源用ライン及び接地用ライン間に、ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を設けたので、回路配線体の周囲に最短距離で存在する部材までの距離が小さくなり、ＴＡＢテープと接着剤の間におけるボイドの発生を抑えることができる。
【００５４】
（３）請求項６又は９に記載の発明によれば、上記ダミーの回路配線体又はソルダーレジスト領域を、その周囲の信号用回路配線、給電用回路配線、引き回し用回路配線又はソルダーレジストのうちの最も近い部位までの間の間隔を、気泡混入が生じにくい０．１５mm以内となるように設けたので、気泡混入の発生をより有効に防止することができる。
【００５５】
（４）請求項７又は１０に記載の発明によれば、ＴＡＢテープとスティフナとを貼り合わせる接着剤層の厚さを１００μｍ以上とし、従来の５０μｍより厚くしたので、ロールラミネータの圧力を確実に接着剤に伝えることができ、より有効にボイドの発生を防止することができる。
【００５６】
（５）従って、本発明によれば、信頼性及び放射熱性に優れたＢＧＡ、ＣＳＰ用ＴＡＢテープ及びそれを用いた半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴＡＢテープの詳細を示したもので、図３のＡ部分の拡大平面図である。
【図２】本発明のＴＡＢテープを用いたＴ−ＢＧＡ半導体装置の断面構造を示す図である。
【図３】本発明のＴＡＢテープの外観を、一部省略して示した平面図である。
【図４】従来のＴＡＢテープの詳細図で、図１に対応させて示した図である。
【図５】従来のＴ−ＢＧＡ半導体装置の断面図である。
【図６】従来のスティフナ付きＴＡＢテープの部分平面図である。
【符号の説明】
１  ポリイミド樹脂製絶縁フィルム
２  導体回路パターン
３  ソルダーレジスト
３ａ  第２のソルダーレジスト領域
４  信号用回路配線
５  給電用回路配線
６  スティフナ
８  ボンディングワイヤ
９  半導体チップ
１３  接着剤
２０  ＴＡＢテープ
２１  半田ボールパット部
２２  引き回しリード部
２３  ボンディングパッド部
２４  ダミーの回路配線体
２５  領域
２６  デバイスホール
３１、３２  ダミーのソルダーレジスト
５１  電源用ライン
５２  接地用ライン
５３  引き回し用回路配線
【図１】
0003797044.tif 000002
【図２】
0003797044.tif 000003
【図３】
0003797044.tif 000004
【図４】
0003797044.tif 000005
【図５】
0003797044.tif 000006
【図６】
0003797044.tif 000007