(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置であって、前記第一の基板または前記第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とが、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着されており、前記高融点材料からなる部材は、酸化しにくい金属を母材表面にコーティングしたものであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置であって、前記第一の基板または前記第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とが、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着されており、前記高融点材料からなる部材は、水素を吸蔵させた金属であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記高融点材料からなる部材は、金属であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記高融点材料からなる部材が、前記間隔方向において、前記接合部材の厚みと同じ厚みを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置の製造方法であって、第一の基板または第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とを、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の溶融接合により封着する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記高融点材料からなる部材は、金属であることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有することを特徴とする請求項６又は７に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子放出素子が配置された電子源基板を用いた画像表示装置に関し、特にその真空封着部における構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子放出素子としては熱電子源と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には電界放出型素子（ＦＥ型素子）、金属／絶縁層／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子等がある。
【０００３】
以下に、表面伝導型電子放出素子の概略を簡単に説明する。
【０００４】
上記の表面伝導型電子放出素子は、図１７に模式的に示すように、基板１上に対向する一対の素子電極２，３と、該素子電極に接続されその一部に電子放出部５を有する導電性膜４とを有してなる。
【０００５】
上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が単純で製造も容易であることから、大面積にわたって多数の素子を配列形成できる利点がある。そこで、その特徴を生かせるような様々な応用が研究されている。例えば、多数の表面伝導型電子放出素子をマトリクス状等に配線接続した電子源基板、かかる電子源基板を用いた表示装置等の平面型画像形成装置が挙げられる。
【０００６】
これらの電子放出素子を多数配置した電子源基板を用いて構成した表示パネルの模式図を図１８に示す。図１８は、表示パネル（外囲器９０）周辺部の概略断面構造を示している。
【０００７】
図１８において、２１は電子放出素子（不図示）が多数配置された電子源基板を指し、リアプレートとも呼ぶ。８２はガラス基板の内面に蛍光膜とメタルバック等が形成されたフェースプレートである。８６は支持枠である。
【０００８】
外囲器９０は、リアプレート２１、支持枠８６及びフェースプレート８２を接着し、封着することによって構成されている。以下、外囲器９０の封着手順を簡単に説明する。
【０００９】
先ず、リアプレート２１と支持枠８６はフリットガラス２０２によって予め接合させておく。
【００１０】
次に、パネル接合材料としてＩｎ膜２０３を半田付けにて、支持枠８６とフェースプレート８２に設ける。この時、支持枠８６とフェースプレート８２へのＩｎ膜２０３の接合強度を高めるために、下地層として銀ペースト膜２０４を設けることが望ましい。
【００１１】
その後、真空チャンバー中で、Ｉｎ融点以上の温度でＩｎ膜２０３を介して支持枠８６とフェースプレート８２を接合することで、封着して、外囲器９０を構成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の画像形成装置の封着方法では、以下の様な問題点があった。
【００１３】
接合材料として、融点が１５６℃と比較的低く、かつ軟化点＝融点での放出ガスが少ない材料としてＩｎを用いているが、Ｉｎ膜２０３と支持枠８６やフェースプレート８２、或は、下地層としての銀ペースト膜２０４に超音波半田付けを行う際に、Ｉｎ膜２０３に表面酸化膜が形成される問題である。
【００１４】
即ち、酸化膜は、融点が８００℃以上と高温であるため、封着の際に純Ｉｎが融けている時にも、酸化膜として残存する。この酸化膜が薄い場合は、破れたり、純Ｉｎと化学反応することで、酸化膜の形状が失われ問題とはならない。しかし、酸化膜が厚いと、凹凸のある表面形状がそのまま残り、真空リークの原因となりやすい。
【００１５】
Ｉｎは、大気雰囲気で容易に酸化するだけでなく、融点以上で急速に内部に酸素が拡散し厚い酸化膜を形成する。よって、従来の封着方法では、超音波半田付けの際に形成される酸化膜が厚い箇所で、真空リークが生じやすいという、問題があった。
【００１６】
これらの問題は、接合材料としてＩｎ以外の金属、或は、合金材料を用いる場合も同じように大きな問題となりうる。
【００１７】
本発明の目的は、真空リークの少ない信頼性の高い、そして表示品位の良い画像表示装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成は、以下のとおりである。
【００１９】
第一の本発明は、第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置であって、前記第一の基板または前記第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とが、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着されており、前記高融点材料からなる部材は、酸化しにくい金属を母材表面にコーティングしたものであることを特徴とする画像表示装置である。第二の本発明は、第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置であって、前記第一の基板または前記第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とが、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着されており、前記高融点材料からなる部材は、水素を吸蔵させた金属であることを特徴とする画像表示装置である。
【００２０】
かかる第一の本発明は、接合部材がその内部に、接合部材よりも高融点の材料からなる保持部材を有しているので、封着に際して、接合部材の表面酸化膜を高融点の材料からなる保持部材によって破ることができ、接合面から酸化膜を排除することができるので、基板の接合面と接合部材との密着性（接合性）が良好であり、外囲器のシール性能に優れる。更には、高融点材料からなる保持部材による両基板間隔の保持性能にも優れる。
【００２１】
また、第一及び第二の本発明は、「前記高融点材料からなる部材は、金属であること」、「前記高融点材料からなる部材が、前記間隔方向において、前記接合部材の厚みと同じ厚みを有すること」、「前記高融点材料からなる部材は、水素を吸蔵させた金属であること」、「前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有すること」、のそれぞれをより好ましい形態として含むものである。
【００２９】
また、第三の本発明は、第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置の製造方法であって、第一の基板または第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とを、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の溶融接合により封着する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００３０】
かかる第三の本発明は、接合部材がその内部に、接合部材よりも高融点の材料からなる部材を有しているので、封着に際して、接合部材の表面酸化膜を高融点の材料からなる部材によって破ることができ、接合面から酸化膜を排除することができるので、基板の接合面と接合部材との良好な密着性（接合性）を得ることができる。
【００３１】
また、第三の本発明は、「前記高融点材料からなる部材は、金属であること」、「前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有すること」、のそれぞれをより好ましい形態として含むものである。
【００３５】
尚、以上で述べた金属は、合金をも含むものである。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３７】
本実施の形態の電子源基板に配置される電子放出素子としては、図１７に例示した構成が挙げられる。
【００３８】
基板１はガラス等からなり、その大きさおよびその厚みは、その上に設置される電子放出素子の個数、および個々の素子の設計形状、および電子源の使用時に容器の一部を構成する場合には、その容器を真空に保持するための耐大気圧構造等の力学的条件等に依存して適宜設定される。
【００３９】
ガラスの材質としては、廉価な青板ガラスを使うことが一般的であるが、この上にナトリウムブロック層として、例えば厚さ０．５μｍ程度のシリコン酸化膜をスパッタ法で形成した基板等を用いる必要がある。この他にナトリウムが少ないガラスや、石英基板でも作成可能である。
【００４０】
また素子電極２、３の材料としては、一般的な導体材料が用いられ、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔｉ等の金属やＰｄ−Ａｇ等の金属が好適であり、あるいは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体や、ＩＴＯ等の透明導電体等から適宜選択され、その膜厚は、好ましくは数百Åから数μｍの範囲が適当である。
【００４１】
さらにこの素子電極には、市販の白金Ｐｔ等の金属粒子を含有したペーストを、オフセット印刷等の印刷法によって塗布形成する事も可能である。
【００４２】
またより精密なパターンを得る目的で、白金Ｐｔ等を含有する感光性ペーストを、スクリーン印刷等の印刷法で塗布し、フォトマスクを用いて露光、現像するという工程でも形成可能である。
【００４３】
素子電極間隔Ｌ、素子電極長さＷ、素子電極２、３の形状等は、実素子が応用される形態等に応じて適宜設計されるが、間隔Ｌは好ましくは数千Åから１ｍｍであり、より好ましくは素子電極間に印加する電圧等を考慮して１μｍから１００μｍの範囲である。また、素子電極長さＷは、好ましくは電極の抵抗値、電子放出特性を考慮して、数μｍから数百μｍの範囲である。
【００４４】
電子源となる導電性膜（素子膜）４は、素子電極２、３を跨ぐ形で形成される。
【００４５】
導電性膜４としては、良好な電子放出特性を得るために、微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましい。またその膜厚は、素子電極２、３へのステップカバレージ、素子電極間の抵抗値、および後述するフォーミング処理条件等を考慮して適宜設定されるが、好ましくは数Åから数千Åであり、特に好ましくは１０Åから５００Åの範囲とするのが良い。そのシート抵抗値は、好ましくは１０3〜１０7Ω／□である。
【００４６】
なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を指しており、微粒子の粒径は、数Å〜数千Å、好ましくは１０Å〜２００Åである。
【００４７】
導電性膜材料には、一般にはパラジウムＰｄが適しているが、これに限ったものではない。また成膜方法も、スパッタ法、溶液塗布後に焼成する方法などが適宜用いられる。
【００４８】
電子放出部５は、例えば以下に説明するような通電処理によって形成することができる。尚、図示の便宜から、電子放出部５は導電性膜４の中央に矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではない。
【００４９】
所定の真空度のもとで素子電極２、３間に不図示の電源より通電すると、導電性膜４の部位に、構造の変化した間隙（亀裂）が形成される。この間隙領域が電子放出部５を構成する。尚、このフォーミングにより形成した間隙付近からも、所定の電圧下では電子放出が起こるが、この状態ではまだ電子放出効率が非常に低いものである。
【００５０】
通電フォーミングの電圧波形の例を図８に示す。電圧波形は、特にパルス波形が好ましい。これにはパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加する図８（ａ）に示した手法と、パルス波高値を増加させながらパルスを印加する図８（ｂ）に示した手法がある。
【００５１】
まず、パルス波高値を定電圧とした場合について図８（ａ）で説明する。図８（ａ）におけるＴ１及びＴ２は電圧波形のパルス幅とパルス間隔である。通常、Ｔ１は１μ秒〜１０ｍ秒、Ｔ２は１０μ秒〜１００ｍ秒の範囲で設定される。三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は、電子放出素子の形態に応じて適宜選択される。このような条件のもと、例えば、数秒から数十分間電圧を印加する。パルス波形は、三角波に限定されるものではなく、矩形波等の所望の波形を採用することができる。
【００５２】
次に、パルス波高値を増加させながら電圧パルスを印加する場合について図８（ｂ）で説明する。図８（ｂ）におけるＴ１及びＴ２は、図８（ａ）に示したのと同様とすることができる。三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度づつ、増加させることができる。
【００５３】
通電フォーミング処理の終了は、パルス電圧印加中の素子に流れる電流を測定して抵抗値を求めて、例えば１ＭΩ以上の抵抗を示した時に通電フォーミングを終了させることができる。
【００５４】
このフォーミング処理後の状態では電子発生効率は非常に低いものである。よって電子放出効率を上げるために、上記素子に活性化と呼ばれる処理を行うことが望ましい。
【００５５】
この活性化処理は、有機化合物が存在する適当な真空度のもとで、パルス電圧を素子電極２、３間に繰り返し印加することによって行うことができる。そして炭素原子を含むガスを導入し、それに由来する炭素あるいは炭素化合物を、前記間隙（亀裂）近傍にカーボン膜として堆積させる。
【００５６】
本工程の一例を説明すると、例えばカーボン源としてトルニトリルを用い、スローリークバルブを通して真空空間内に導入し、１．３×１０-4Ｐａ程度を維持する。導入するトルニトリルの圧力は、真空装置の形状や真空装置に使用している部材等によって若干影響されるが、１×１０-5Ｐａ〜１×１０-2Ｐａ程度が好適である。
【００５７】
図１１に、活性化工程で用いられる電圧印加の好ましい一例を示した。印加する最大電圧値は、１０Ｖ〜２０Ｖの範囲で適宜選択される。
【００５８】
図１１（ａ）に於いて、Ｔ１は電圧波形の正と負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、電圧値は正負の絶対値が等しく設定されている。また、図１１（ｂ）に於いて、Ｔ１およびＴ１’はそれぞれ電圧波形の正と負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、Ｔ１＞Ｔ１’、電圧値は正負の絶対値が等しく設定されている。
【００５９】
このとき、約６０分後に放出電流Ｉｅがほぼ飽和に達した時点で通電を停止し、スローリークバルブを閉め、活性化処理を終了する。
【００６０】
以上の工程により図１７に示したような電子放出素子を作製することができる。
【００６１】
上述のような素子構成と製造方法によって作製された電子放出素子の基本特性について図９、図１０を用いて説明する。
【００６２】
図９は、前述した構成を有する電子放出素子の電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略図である。図９において、５１は素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源、５０は素子の電極部を流れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計、５４は素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極、５３はアノード電極５４に電圧を印加するための高圧電源、５２は素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計である。
【００６３】
電子放出素子の素子電極２、３間を流れる素子電流Ｉｆ、及びアノードへの放出電流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極２，３に電源５１と電流計５０とを接続し、該電子放出素子の上方に電源５３と電流計５２とを接続したアノード電極５４を配置している。
【００６４】
また、本電子放出素子およびアノード電極５４は真空装置５５内に設置され、その真空装置には排気ポンプ５６および真空計等の真空装置に必要な機器が具備されており、所望の真空下で本素子の測定評価を行えるようになっている。なお、アノード電極５４の電圧は１ｋＶ〜１０ｋＶ、アノード電極と電子放出素子との距離Ｈは２ｍｍ〜８ｍｍの範囲で測定した。
【００６５】
図９に示した測定評価装置により測定された放出電流Ｉｅおよび素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの関係の典型的な例を図１０に示す。なお、放出電流Ｉｅと素子電流Ｉｆは大きさが著しく異なるが、図１０ではＩｆ、Ｉｅの変化の定性的な比較検討のために、リニアスケールで縦軸を任意単位で表記した。
【００６６】
本電子放出素子は放出電流Ｉｅに対する三つの特徴を有する。
【００６７】
まず第一に、図１０からも明らかなように、本素子はある電圧（しきい値電圧と呼ぶ、図１０中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加すると急激に放出電流Ｉｅが増加し、一方しきい値電圧Ｖｔｈ以下では放出電流Ｉｅがほとんど検出されない。すなわち、放出電流Ｉｅに対する明確なしきい値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子としての特性を示しているのが判る。
【００６８】
第二に、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに依存するため、放出電流Ｉｅは素子電圧Ｖｆで制御できる。
【００６９】
第三に、アノード電極５４に捕捉される放出電荷は、素子電圧Ｖｆを印加する時間に依存する。すなわち、アノード電極５４に捕捉される電荷量は、素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。
【００７０】
本実施の形態に係る電子源基板の基本構成としては、例えば図２に示すような構成が挙げられる。この電子源基板は、基板２１上に、複数のＹ方向配線（下配線）２４と、このＹ方向配線２４の上に絶縁層２５を介して複数のＸ方向配線（上配線）２６が形成され、該両方向配線の交差部近傍にそれぞれ、電極対（素子電極２、３）を含む電子放出素子が配設されているものである。
【００７１】
本実施の形態の画像表示装置は、図２に例示したような電子源基板を用いて構成されるものであり、その基本構成について、図１２を用いて説明する。
【００７２】
図１２において、２１は上記の電子源基板、８２はガラス基板８３の内面に蛍光膜８４とメタルバック８５等が形成されたフェースプレート、８６は支持枠である。電子源基板２１、支持枠８６及びフェースプレート８２を前述のようなＩｎ膜などの接合部材及びフリットガラス等によって接着し、４００℃〜５００℃で、１０分以上焼成することで、封着して、外囲器９０を構成する。
【００７３】
尚、フェースプレート８２と電子源基板２１との間に、スペーサーと呼ばれる不図示の支持体を設置することにより、大面積パネルの場合にも大気圧に対して十分な強度を持つ外囲器９０を構成することもできる。
【００７４】
本実施の形態の画像表示装置は、真空封着部における構成に最大の特徴を有するものであり、電子源基板２１とフェースプレート８２とをＩｎ膜などの接合部材を介して接合し、電子源基板２１とフェースプレート８２との間に所定の空隙を設けて外囲器９０を構成するに際し、上記の接合部材の内部に、この接合部材の軟化温度より高い融点を持ち、かつ、接合部材に対して濡れ性の良い接合部材の保持部材を設けているものである。
【００７５】
接合部材の保持部材の材料としては、酸化物を作りにくい固体金属が望ましく、例えば銀、金、白金などの貴金属材料や、銅やクロム、ニッケルなどに金コートを施したものが、まず挙げられる。さらに、前述のようなＩｎ膜などの接合部材の表面酸化膜を還元するものも、望ましい。具体的には、チタン、ニッケル、鉄などの水素吸蔵金属、或は水素吸蔵合金に、予め室温にて水素雰囲気で水素を吸蔵させた材料であれば、封着の際に高温で水素を放出し、酸化膜中の酸素と反応し、酸化膜の還元反応を促進させる。これら、貴金属材料や水素吸蔵金属は、概ね、液体Ｉｎと濡れ性が良いことも望ましい特性である。
【００７６】
尚、本実施の形態の画像表示装置における真空封着部の具体的な構成例及び作用等については、後述の実施例にて詳しく説明する。
【００７７】
図１３はフェースプレート８２上に設ける蛍光膜８４の説明図である。蛍光膜８４は、モノクロームの場合は蛍光体のみから成るが、カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電体９１と蛍光体９２とで構成される。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設けられる目的は、カラー表示の場合必要となる三原色蛍光体の、各蛍光体９２間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと、蛍光膜８４における外光反射によるコントラストの低下を抑制することである。
【００７８】
また、蛍光膜８４の内面側には通常メタルバック８５が設けられる。メタルバックの目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプレート８２側へ鏡面反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加するためのアノード電極として作用すること等である。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等で堆積することで作製できる。
【００７９】
前述の封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないため、上下基板の突き当て法などで十分な位置合わせを行う必要がある。
【００８０】
封着時の真空度は１０-5Ｐａ程度の真空度が要求される他、外囲器９０の封止後の真空度を維持するために、ゲッタ処理を行なう場合もある。
【００８１】
上述のゲッタには蒸着型と非蒸発型があり、蒸着型ゲッタはＢａ等を主成分とする合金を、外囲器９０内で通電あるいは高周波により加熱し、容器内壁に蒸着膜を形成（ゲッタフラッシュ）し、活性なゲッタ金属面により内部で発生したガスを吸着して高真空を維持するものである。
【００８２】
一方、非蒸発型ゲッタは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ等のゲッタ材を配置し、真空中で加熱して、ガス吸着特性を得る「ゲッタ活性化」を行うことにより、放出ガスを吸着することができる。
【００８３】
一般に、平面型画像表示装置は、薄いために真空を維持する蒸着型ゲッタの設置領域や瞬時放電のためのフラッシュ領域が十分確保できず、画像表示エリア外の支持枠近傍にそれらを設置している。よって、画像表示の中央部とゲッタ設置領域とのコンダクタンスが小さくなり、電子放出素子や蛍光体の中央部での実効排気速度が小さくなってしまう。
【００８４】
電子源と画像表示部材を有する画像表示装置において、好ましくないガスを発生させる部分は、主に電子ビームにより照射される画像表示領域である。そのため、蛍光体及び電子源を高真空で保持したい場合には、放出ガスの発生源である蛍光体や電子源近傍に非蒸発型ゲッタを配置する必要がある。
【００８５】
前述した本実施の形態に係る表面伝導型電子放出素子の基本的特性によれば、電子放出部からの放出電子は、しきい値電圧以上では対向する電極間に印加するパルス状電圧の波高値と巾によって制御され、その中間値によっても電流量が制御され、もって中間調表示が可能になる。
【００８６】
また多数の電子放出素子を配置した場合においては、各ラインの走査線信号によって選択ラインを決め、各情報信号ラインを通じて個々の素子に上記パルス状電圧を適宜印加すれば、任意の素子に適宜電圧を印加する事が可能となり、各素子をＯＮすることができる。
【００８７】
また中間調を有する入力信号に応じて電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式が挙げられる。
【００８８】
本実施の形態の画像表示装置では、電子源基板２１とフェースプレート８２とを接合するＩｎ膜等からなる接合部材の内部に、この接合部材の軟化温度より高い融点を持ち、かつ、接合部材に対して濡れ性の良い接合部材の保持部材を設けたことにより、接合部分における真空リークの発生を極めて効果的に抑えることができ、長期にわたり良質な画像を表示することができるものである。
【００８９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９０】
［実施例１］
本実施例は、図２に示したような多数の表面伝導型電子放出素子をマトリクス配線接続してなる電子源基板を製造し、この電子源基板を用いて図１２に示したような画像表示装置を製造した例である。
【００９１】
先ず、本実施例の電子源基板の製造方法を図２乃至図７を参照して説明する。
【００９２】
（素子電極の形成）
基板としてプラズマディスプレイ用電気ガラスであるアルカリ成分が少ないＰＤ−２００（旭硝子（株）製）の２．８ｍｍ厚ガラス上にナトリウムブロック層としてＳｉＯ2膜１００ｎｍを塗付焼成したものを用いた。
【００９３】
このガラス基板上に、スパッタ法によってまず下引き層としてチタニウムＴｉ（厚さ５ｎｍ）、その上に白金Ｐｔ（厚さ４０ｎｍ）を成膜した後、ホトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングという一連のフォトリソグラフィー法によってパターニングして素子電極２、３を形成した（図３参照）。なお、本実施例では素子電極の間隔Ｌ＝１０μｍ、対向する長さＷ＝１００μｍとした。
【００９４】
（下配線の形成）
配線材料に関しては、多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電圧が供給されるように低抵抗である事が望まれ、材料、膜厚、配線巾等が適宜設定される。
【００９５】
共通配線としてのＹ方向配線（下配線）２４は、一方の素子電極３に接して、かつそれらを連結するようにライン状のパターンで形成した。材料にはＡｇフォトぺーストインキを用い、スクリーン印刷した後、乾燥させてから、所定のパターンに露光し現像した。この後４８０℃前後の温度で焼成して下配線２４を形成した（図４参照）。この下配線２４の厚さは約１０μｍ、幅は約５０μｍである。なお終端部は配線取り出し電極として使うために、線幅をより大きくした。
【００９６】
（絶縁層の形成）
上下配線を絶縁するために、絶縁層２５を形成する。後述のＸ方向配線（上配線）下に、先に形成したＹ方向配線（下配線）２４との交差部を覆うように、かつＸ方向配線（上配線）と素子電極２との電気的接続が可能なように、各素子に対応した接続部にコンタクトホール２７を開けて形成した（図５参照）。
【００９７】
具体的には、ＰｂＯを主成分とする感光性のガラスペーストをスクリーン印刷した後、露光−現像した。これを４回繰り返し、最後に４８０℃前後の温度で焼成した。この絶縁層２５の厚みは、全体で約３０μｍであり、幅は１５０μｍである。
【００９８】
（上配線の形成）
先に形成した絶縁層２５の上に、Ａｇぺーストインキをスクリーン印刷した後乾燥させ、この上に再度同様なことを行い２度塗りしてから、４８０℃前後の温度で焼成してＸ方向配線（上配線）２６を形成した（図６参照）。Ｘ方向配線２６は、絶縁層２５を挟んでＹ方向配線２４と交差しており、絶縁層２５に設けたコンタクトホール２７部分で素子電極２と接続されている。
【００９９】
このＸ方向配線２６は駆動時は走査電極として作用する。尚、Ｘ方向配線２６の厚さは約１５μｍである。図示していないが、外部駆動回路との引出し配線もこれと同様の方法で形成した。
【０１００】
このようにしてＸＹマトリクス配線を有する基板が形成された。
【０１０１】
（導電性膜の形成）
次に、上記基板を十分にクリーニングした後、撥水剤を含む溶液で表面を処理し、表面が疎水性になるようにした。これはこの後塗布する導電性膜形成用の水溶液が、素子電極上に適度な広がりをもって配置されるようにするためである。用いた撥水剤は、ＤＤＳ（ジメチルジエトキシシラン）溶液をスプレー法にて基板上に散布し、１２０℃にて温風乾燥した。
【０１０２】
次に、素子電極２，３間に導電性膜４を形成した。本工程を図７の模式図を用いて説明する。尚、基板２１上における個々の素子電極の平面的ばらつきを補償するために、基板上の数箇所に於いてパターンの配置ずれを観測し、観測点間のポイントのずれ量は直線近似して位置補完し、導電性膜形成材料を塗付する事によって、全画素の位置ずれをなくして、対応した位置に的確に塗付するようにした。
【０１０３】
本実施例では、導電性膜４としてパラジウム膜を得る目的で、先ず水８５：イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）１５からなる水溶液に、パラジウム−プロリン錯体０．１５重量％を溶解し、有機パラジウム含有溶液を得た。この他若干の添加剤を加えた。この溶液の液滴を、液滴付与手段７１として、ピエゾ素子を用いたインクジェット噴射装置を用い、ドット径が６０μｍとなるように調整して素子電極間に付与した（図７（ａ））。
【０１０４】
その後、この基板を空気中にて、３５０℃で１０分間の加熱焼成処理をして酸化パラジウム（ＰｄＯ）からなる導電性膜４’が形成された（図７（ｂ））。
【０１０５】
（フォーミング工程）
次に、フォーミングと呼ばれる本工程に於いて、上記導電性膜４’を通電処理して内部に亀裂を生じさせ、電子放出部５を形成する（図７（ｃ））。
【０１０６】
具体的な方法は、上記基板２１の周囲の取り出し電極部を残して、基板全体を覆うようにフード状の蓋をかぶせて基板２１との間で内部に真空空間を作り、外部電源より電極端子部から両方向配線２４、２６間に電圧を印加し、素子電極２、３間に通電することによって、導電性膜４’を局所的に破壊、変形もしくは変質させることにより、電気的に高抵抗な状態の電子放出部５を形成する。
【０１０７】
この時若干の水素ガスを含む真空雰囲気下で通電加熱すると、水素によって還元が促進され酸化パラジウムＰｄＯからなる導電性膜４’がパラジウムＰｄからなる導電性膜４に変化する。
【０１０８】
この変化時に膜の還元収縮によって、一部に亀裂（間隙）が生じるが、この亀裂発生位置、及びその形状は元の膜の均一性に大きく影響される。多数の素子の特性ばらつきを抑えるには、上記亀裂は導電性膜４の中央部に起こり、かつなるべく直線状になることがなによりも望ましい。
【０１０９】
なおこのフォーミングにより形成した亀裂付近からも、所定の電圧下では電子放出が起こるが、現状の条件ではまだ発生効率が非常に低いものである。
【０１１０】
また得られた導電性膜４の抵抗値Ｒｓは、１０2から１０7Ωの値である。
【０１１１】
フォーミング処理に用いた電圧波形は図８（ｂ）の様な矩形パルス波形を用い、Ｔ１を０．１ｍｓｅｃ、Ｔ２を５０ｍｓｅｃとした。印加した電圧は０．１Ｖから始めて５秒ごとに０．１Ｖステップ程度ずつ増加させた。通電フォーミング処理の終了は、パルス電圧印加時に素子に流れる電流を測定して抵抗値を求めて、フォーミング処理前の抵抗に対して１０００倍以上の抵抗を示した時点で通電フォーミングを終了した。
【０１１２】
（活性化工程）
前記のフォーミングと同様にフード状の蓋をかぶせて基板２１との間で内部に真空空間を作り、外部から両方向配線２４、２６を通じてパルス電圧を素子電極２、３間に繰り返し印加することによって行う。そして炭素原子を含むガスを導入し、それに由来する炭素あるいは炭素化合物を、前記亀裂近傍にカーボン膜として堆積させる。
【０１１３】
本工程ではカーボン源としてトリニトリルを用い、スローリークバルブを通して真空空間内に導入し、１．３×１０-4Ｐａを維持した。
【０１１４】
図１１に、活性化工程で用いられる電圧印加の好ましい一例を示した。印加する最大電圧値は、１０〜２０Ｖの範囲で適宜選択される。
【０１１５】
図１１（ａ）に於いて、Ｔ１は電圧波形の正と負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、電圧値は正負の絶対値が等しく設定されている。また、図１１（ｂ）に於いて、Ｔ１およびＴ１’はそれぞれ電圧波形の正と負のパルス幅、Ｔ２はパルス間隔であり、Ｔ１＞Ｔ１’、電圧値は正負の絶対値が等しく設定されている。
【０１１６】
このとき、素子電極３に与える電圧を正としており、素子電流Ｉｆは、素子電極３から素子電極２へ流れる方向が正である。本実施例では、約６０分後に放出電流Ｉｅがほぼ飽和に達した時点で通電を停止し、スローリークバルブを閉め、活性化処理を終了した。
【０１１７】
以上の工程で、基板上に多数の電子放出素子をマトリクス配線接続してなる電子源基板を作成することができた。
【０１１８】
（電子源基板の特性評価）
上述のような素子構成と製造方法によって作製された電子源基板の電子放出特性を、図９に示したような装置を用いて測定した。その結果、素子電極間に印加する電圧１２Ｖにおける放出電流Ｉｅを測定したところ平均０．６μＡ、電子放出効率は平均０．１５％を得た。また素子間の均一性もよく、各素子間でのＩｅのばらつきは５％と良好であった。
【０１１９】
次に、以上のようにして作製した電子源基板を用いて図１２に示したような表示パネル（外囲器９０）を製造した。
【０１２０】
図１は、本実施例に係る表示パネル（外囲器９０）の周辺部の概略断面構造を示す図である。
【０１２１】
図１において、２１は電子放出素子が多数配置された上記の電子源基板を指し、リアプレートと呼ぶ。８２はガラス基板８３の内面に蛍光膜８４とメタルバック８５が形成されたフェースプレートである（図１２参照）。また、８６は支持枠、２０３はＩｎ膜（接合部材）、２０５はＩｎ膜保持部材（接合部材保持部材）である。
【０１２２】
フェースプレート８２を構成するガラス基板８３には、リアプレート２１と同じくプラズマディスプレイ用電気ガラスであるアルカリ成分が少ないＰＤ−２００（旭硝子（株）社製）の材料を用いている。このガラス材料の場合、ガラスの着色現象は起きないし、板厚を３ｍｍ程度にすれば、１０ｋＶ以上の加速電圧で駆動した場合でも、２次的に発生する軟Ｘ線の漏れを抑える遮蔽効果も充分である。
【０１２３】
フェースプレート８２とリアプレート２１との間には、スペーサー２０１と呼ばれる支持体を設置している。これにより、大面積パネルの場合にも大気圧に対して十分な強度を持つ外囲器９０を構成することができる。
【０１２４】
スペーサー２０１と支持枠８６はリアプレート２１にフリットガラス２０２によって接着され、４００〜５００℃で、１０分以上焼成することで固定されている。フリットガラス２０２によってリアプレート２１に接着された支持枠８６の高さに比べて、スペーサー２０１の高さが僅かに高くなるよう、それぞれの高さ形状を設定することで、接合後のＩｎ膜２０３の厚みが決まるようになっている。よって、スペーサー２０１は、Ｉｎ膜２０３の厚み規定部材としても機能している。
【０１２５】
支持枠８６とフェースプレート８２はＩｎ膜２０３で接着される。Ｉｎ膜２０３は、高温でもガス放出が少なく、低温の融点を持つために金属Ｉｎを用いている。金属、或いは合金を接合部材として用いた場合、溶媒やバインダを含んでいないため、融点で溶け出した時の放出ガスは非常に少ないので接合部材として望ましい。
【０１２６】
Ｉｎ膜２０３が接着する支持枠８６及びフェースプレート８２の箇所には、界面での密着性を高めるために下引き層２０４を設ける。本実施例では、金属Ｉｎと濡れ性の良い銀を用いている。銀の下引き層２０４は、銀ペーストをスクリーン印刷などにより容易にパターニングが可能である。下引き層２０４としては、他にもＩＴＯやＰｔなど真空蒸着法により簡単に形成できる金属薄膜でも充分である。
【０１２７】
また、Ｉｎ膜２０３内部には、Ｉｎ膜保持部材２０５を設けてある。Ｉｎ膜保持部材２０５の機能を説明するために、図１４、図１５を用いて、本実施例による画像表示装置の封着方法を説明する。
【０１２８】
フェースプレート８２とリアプレート２１を接合する前、すなわち封着する前に予めＩｎ膜２０３をパターニング形成する。図１４では、フェースプレート８２上に形成する方法を説明するが、リアプレート２１に接着された支持枠８６上にＩｎ膜２０３を形成する場合も同じである。
【０１２９】
まず、フェースプレート８２は、融けたＩｎの濡れ性を上げるために充分な温度で温められた状態で保持される。１００℃以上の温度であれば充分である。下引き層２０４として用いられた銀ペーストは、ガラス密着性が高いものの内部に気孔を多く含んだポーラスな膜である。よって、融けたＩｎを充分に下引き層２０４内部に含浸させる必要があるため、融点以上の高い温度で融けたＩｎを超音波半田ゴテ２０６により下引き層２０４に半田付けして、Ｉｎ膜２０３を形成する。２００℃以上の温度で融けている液体Ｉｎであれば充分である。ここで、Ｉｎが下引き層２０４に充分に含浸しない場合には、真空リークの原因となる。金属Ｉｎは、常に半田ゴテ先端に供給されるよう、不図示のＩｎ補給手段によって接合箇所に随時補充されている。
【０１３０】
また、Ｉｎ膜２０３の膜厚は、フェースプレート側とリアプレート側（支持枠８６上）それぞれに形成したＩｎ膜の膜厚合計が、接合後のＩｎ膜２０３の厚みと比較して、充分に多くなるよう、超音波半田ゴテ２０６の移動スピードとＩｎの供給量を調節してある。本実施例では、封着後のＩｎ膜２０３の厚みが３００μｍ、フェースプレート側とリアプレート側それぞれに同じく３００μｍの膜厚で形成してある。
【０１３１】
フェースプレート８２とリアプレート８１の両基板に、図１４で示した形成法によりＩｎ膜２０３を形成した後、図１５で示した封着方法によりパネルを接合させる。
【０１３２】
先ず、対向させたフェースプレート８２とリアプレート２１の間に一定の間隔を設けた状態で、両基板を保持し真空加熱する。基板からガスが放出され、その後室温に戻った時にパネル内部が充分な真空度となるよう、３００℃以上の高温で基板真空ベークを行う。この時点で、Ｉｎ膜２０３は融けた状態であり、融けたＩｎが流れ出さないよう両基板とも充分な水準出しを行っている。基板真空ベークの際には、前述の下引き層２０４へのＩｎの含浸が一層進み、充分なシール性能を備えた接合界面を形成する。
【０１３３】
真空ベークの後、Ｉｎの融点近傍まで温度を下げた上で、位置決め装置２００により、フェースプレート８２とリアプレート２１との間隔を徐々に縮めていき、両基板の接合、すなわち封着を行う。融点近傍まで温度を下げるのは、融けた状態の液体Ｉｎの流動性を抑えて、接合時に不要な流れやはみ出しを防止するためである。
【０１３４】
ここで、問題なのは、フェースプレート側とリアプレート側それぞれに形成されたＩｎ膜２０３の接合界面の状態である。図１４で説明したＩｎ膜２０３の形成法では、表面酸化膜が形成されてしまい、酸化膜の融点は高温（８００℃以上）で、かつ結晶性の固体に留まるために封着時にそれぞれの表面形状を保持する恐れがある。すなわち、酸化膜界面としてＩｎ膜中に残るために、真空リークの原因となるリークパスとなる恐れが存在する。実際には、酸化膜の厚みが薄いために接合時に容易に酸化膜が応力により破れて、内部から液体Ｉｎが染み出し対流するために、残った酸化物が問題になることは少ない。しかし、Ｉｎ膜形成時に、局所的に厚い酸化膜ができたり、充分なＩｎ膜の厚みがない箇所ではリークパスになる恐れがある。
【０１３５】
本発明では、この真空リークの原因となりうる酸化膜の問題を解決するために、Ｉｎ膜保持部材２０５を封着時に接合面に挿入する。Ｉｎ膜保持部材２０５は、基板真空ベーク時に融けた液体Ｉｎがはじいて流れ出すことがないようＩｎと濡れ性の良い材料から成る。濡れ性が良いと液体ＩｎがＩｎ膜保持部材２０５に保持され、基板の水平度が充分でなくてもＩｎの流れ出しを防ぐ効果も持つ。
【０１３６】
本実施例でのＩｎ膜保持部材２０５は、球形形状でリアプレート側（支持枠８６上）のＩｎ膜に埋め込むことで初期位置が保たれた状態で封着装置に投入されている。
【０１３７】
さらに、Ｉｎ膜保持部材２０５の機能のもう一つは、Ｉｎが融けた状態で接合される際に対向するフェースプレート８２上のＩｎ膜２０３の酸化膜を破る効果である。前述したように酸化膜は、結晶性の固体であるもののバルクに比して充分すぎるほど薄いものである。よって、接合時にＩｎ膜保持部材２０５から加わる応力は、酸化膜を破るに充分な圧力となる。接合面全面で表面酸化膜が破れずとも、局所的に酸化膜が失われれば、そこを起点として液体Ｉｎが対流し酸化膜を接合面から余分な量の液体Ｉｎと一緒に周辺部に流し出し、接合面から酸化膜を排除する効果がある。
【０１３８】
Ｉｎ膜保持部材２０５の材料としては、酸化物を作りにくい固体金属が望ましい。Ｉｎ膜保持部材２０５表面に酸素が吸着されている場合、Ｉｎ膜２０３と新たに反応しＩｎ酸化膜を形成する恐れがあるためである。銀、金、白金などの貴金属材料や、銅やクロム、ニッケルなどに金コートを施したものが、まず挙げられる。さらに、積極的にＩｎ表面酸化膜を還元するものも、望ましい。チタン、ニッケル、鉄などの水素吸蔵金属、或は水素吸蔵合金に、予め室温にて水素雰囲気で水素を吸蔵させた材料であれば、封着の際に高温で水素を放出し、酸化膜中の酸素と反応し、酸化膜の還元反応を促進させる。これら、貴金属材料や水素吸蔵金属は、概ね、液体Ｉｎと濡れ性が良いことも望ましい特性である。
【０１３９】
本実施例では、球形形状のＩｎ膜保持部材２０５を用いているが、機能面から考えて異なる形状が望ましい場合もある。例えば、液体Ｉｎとの濡れ性が充分で比較的表面積が大きくても充分にＩｎが濡れてハジキを起こさない材料を用いた場合、比較的鋭利な断面形状を備え、鋭利な端面にて積極的に応力集中により酸化膜を破る方が、道理にかなっている。円錐や四角錐形状であれば、その先端部で酸化膜を破ることになる。
【０１４０】
また、比較的小型の表示パネルにおいて、スペーサー２０１を設けなくとも耐大気圧が保たれる場合には、Ｉｎ膜保持部材２０５の厚みを封着後のＩｎ膜２０３の厚みと同じくすることにより、このＩｎ膜保持部材２０５をＩｎ膜２０３の厚み規定部材としても機能させることができる。
【０１４１】
ただし、注意すべきは、Ｉｎ膜保持部材２０５が図１５の封着時の圧力を全て受けるために、前述の鋭利な断面形状を有するＩｎ膜保持部材２０５では、応力集中により支持枠８６やフェースプレート８２が割れる恐れが生ずる。この場合、Ｉｎ膜保持部材２０５の個数を増やすなどして、力を分散させることが必要になるのは、言うまでもない。
【０１４２】
尚、この一連の工程を全て真空チャンバー中で行うことで、同時に外囲器９０内部を最初から真空にすることが可能となり、かつ工程もシンプルにすることができた。
【０１４３】
このようにして図１２に示されるような表示パネルを製造し、走査回路・制御回路・変調回路・直流電圧源などからなる駆動回路を接続し、平面状の画像表示装置を製造した。
【０１４４】
以上のようにして製造した本実施例の画像表示装置において、Ｘ方向端子とＹ方向端子を通じて、各電子放出素子に時分割で所定電圧を印加し、高電圧端子Ｈｖを通じてメタルバック８５に高電圧を印加することによって、任意のマトリクス画像パターンを画素欠陥の無い良好な画像品質で表示することができた。
【０１４５】
［実施例２］
本実施例も図２に示したような多数の表面伝導型電子放出素子をマトリクス配線接続してなる電子源基板を製造し、この電子源基板を用いて図１２に示したような画像表示装置を製造した例である。尚、電子源基板２１及びフェースプレート８２の構成は実施例１と同様である。
【０１４６】
図１６は、本実施例に係る表示パネル（外囲器９０）の周辺部の概略断面構造を示す図である。
【０１４７】
本実施例では、Ｉｎ膜保持部材２０５が、プレス加工にて三次元形状を有している。支持枠８６をリアプレート（電子源基板）２１にフリットガラス２０２を用いて接着する前に、支持枠８６にＩｎ膜保持部材２０５自身のバネ圧により固定しておく。支持枠８６端面に飛び出たＩｎ膜保持部材２０５の部分は、フリットガラス２０２の接着厚みを規定する機能を持っている。さらに、封着時には、反対側の端面がＩｎ膜２０３を保持し、かつ、表面酸化膜を接合面から排除し、また、Ｉｎ膜２０３の厚みを規定する機能を併せ持つ。
【０１４８】
さらに、Ｉｎ膜保持部材２０５がバネ圧で支持枠８６に固定したことで、Ｉｎ膜保持部材２０５が自らの位置決めを行う機能を備えている。これにより、封着時に余分な液体Ｉｎが流れ出す際に、Ｉｎ膜保持部材９４が同時に動いてしまい機能が発揮しなくなる恐れがなくなる。
【０１４９】
本実施例では、支持枠８６とリアプレート２１の接合をフリットガラス２０２により行っているが、この接合もＩｎで行えば、低温での接合プロセスが実現できる。一方、両面Ｉｎ接合では、同時、或は、順次接合を行った場合でも、支持枠８６の接合位置ズレ起こりやすくなる。したがって、両面Ｉｎ接合する場合には、Ｉｎ膜保持部材９４の形状を、支持枠８６とリアプレート８１、或は、フェースプレート８２との相対位置決めを行うことができる形状とするのが好ましく、これにより、新たに位置決め治具を用いなくとも良い。
【０１５０】
以上説明した実施例１及び実施例２では、封着プロセスを真空環境下で行っているが、封着を大気雰囲気環境下で行い、後に別途設けた排気用基板穴からパネル内部を排気することで、真空間隙を有する外囲器９０を形成する場合でも、本発明は有効である。すなわち、大気雰囲気環境下の方が、Ｉｎ膜２０３の表面酸化膜はより厚くなるために、酸化膜を破るためのＩｎ膜保持部材２０５の効果がより顕著になることは明らかである。
【０１５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の画像表示装置によれば、真空リークの発生を抑制し、電子放出素子の性能を高く維持することができ、長期にわたり良質な画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る表示パネル（外囲器）周辺部の概略断面構造を示す図である。
【図２】本発明の画像表示装置の構成部材である電子源基板の基本的構成を示す平面図である。
【図３】図２の電子源基板の製造工程を説明するための図である。
【図４】図２の電子源基板の製造工程を説明するための図である。
【図５】図２の電子源基板の製造工程を説明するための図である。
【図６】図２の電子源基板の製造工程を説明するための図である。
【図７】図２の電子源基板の製造工程を説明するための図である。
【図８】フォーミング電圧の例を示す図である。
【図９】本発明に係る電子放出素子の特性を測定するための装置を模式的に示す図である。
【図１０】本発明に係る表面伝導型電子放出素子の素子電流及び放出電流と素子電圧との関係を示す図である。
【図１１】活性化電圧の例を示す図である。
【図１２】本発明に係る画像表示装置の一構成例を模式的に示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る画像表示装置における蛍光膜の例を模式的に示す図である。
【図１４】本発明の実施例１に係る表示パネル（外囲器）の封着方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施例１に係る表示パネル（外囲器）の封着方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施例２に係る表示パネル（外囲器）周辺部の概略断面構造を示す図である。
【図１７】表面伝導型電子放出素子の一構成例を示す模式図である。
【図１８】従来の表示パネル（外囲器）周辺部の概略断面構造を示す図である。
【符号の説明】
１      基板
２      素子電極
３      素子電極
４      導電性膜（素子膜）
５      電子放出部
２１    電子源基板（リアプレート）
２４    Ｙ方向配線
２５    絶縁層
２６    Ｘ方向配線
２７    コンタクトホール
５０    素子電流Ｉｆを測定するための電流計
５１    素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源
５２    放出電流Ｉｅを測定するための電流計
５３    アノード電極に電圧を印加するための高圧電源
５４    放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極
５５    真空装置
５６    排気ポンプ
７１    液滴付与手段
８２    フェースプレート
８３    ガラス基板
８４    蛍光膜
８５    メタルバック
８６    支持枠
９０    外囲器（表示パネル）
９１    黒色導電体
９２    蛍光体
２００  位置決め装置
２０１  スペーサー
２０２  フリットガラス
２０３  Ｉｎ膜（接合部材）
２０４  下引き層
２０５  Ｉｎ膜保持部材（保持部材）
２０６  超音波半田ゴテ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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