(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される基板のうち一方の基板に、
一方向に延在し該一方向に交差する方向に並設された複数の信号線と、
信号線から供給される信号により駆動し画像を表示する表示部と、
これら信号線の一端側に形成された端子部と、前記端子部に接続されるバンプを形成した面を下にして実装された半導体チップと、を備え、
この半導体チップの複数の出力バンプは異方性導電層を介して対応する各信号線の一端側に形成された端子部と接続されているとともに、
前記各出力バンプは表示部に近い側に配列される第１出力バンプ群と表示部に遠のく側に配列される第２出力バンプ群とを有し、
第２出力バンプ群のバンプの面積は第１出力バンプ群のバンプの面積より大きく構成され、前記端子部は前記第１出力バンプ群と接続する第１端子群と前記第２出力バンプ群と接続する第２端子群とを有し、第２端子群の面積は第１端子群の面積より大きく構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１出力バンプ群および第２出力バンプ群のバンプは千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第２出力バンプ群のバンプの幅は第１出力バンプ群のバンプの幅よりも大きく形成され、これら各バンプと接続される信号線の端子の幅もそれに対応していることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項４】
第２出力バンプ群のバンプの長さは第１出力バンプ群のバンプの長さよりも大きく形成され、これら各バンプと接続される信号線の端子の長さもそれに対応していることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
第２出力バンプ群のバンプの前記信号線の端子との対向面積をＳｉとし、第１出力バンプ群のバンプは前記信号線の端子との対向面積をＳｏとした場合、次式（１）
１．０５Ｓｏ》Ｓｉ》１．０２Ｓｏ  ……（１）
が成立していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
第２出力バンプ群のバンプの面積は第１出力バンプ群のバンプの面積よりも２〜５％大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
一方の基板に、ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線で囲まれた複数の画素領域からなる表示部を有し、
これら画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号で作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備えたもので、
前記信号線はゲート信号線であり、半導体チップは走査信号駆動回路であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
一方の基板に、ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線で囲まれた複数の画素領域からなる表示部を有し、
これら画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号で作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備えたもので、
前記信号線はドレイン信号線であり、半導体チップは映像信号駆動回路であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置に係り、たとえばアクティブ・マトリクス方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される各ゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設される各ドレイン信号線で囲まれた各領域を画素領域としている。
そして、各画素領域には、片側のゲート信号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とが備えられている。
この画素電極は前記一方の基板あるいは他方の基板側に形成された対向電極との間に電界を生じせしめ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【０００３】
また、前記一方の基板の液晶側の面の周辺には、走査信号駆動回路を構成する半導体集積回路（チップ）、映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路（チップ）が、そのバンプ形成面を下にして（フェースダウン）そのまま実装されている（COG：Chip On Glass方式）ものが知られている。
すなわち、フェースダウンされる走査信号駆動回路を構成する半導体集積回路の各出力バンプに対向する位置にまでゲート信号線が延在され、この延在された部分に前記出力バンプに接続される端子が形成されている。また、映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路とドレイン信号線との関係においても同様となっている。
【０００４】
さらに、液晶表示装置の近年における高精細化の傾向において、画素数が多くなり、これにともないゲート信号線およびドレイン信号線の数も多くなってきている。
このため、少なくとも半導体集積回路の信号線と接続されるべくバンプ（出力バンプ）は、該信号線側に配列された第１バンプ群と該信号線と遠のく側に配列された第２バンプ群とで構成し、該バンプの数を多くしたものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような表示装置において、前記半導体集積回路は異方性導電層を介して基板に固着させるとともに、対応する各端子との接続を図っている。
しかし、この場合、第１バンプ群を構成する各バンプとそれらに接続される各端子との接続抵抗に対して、第２バンプ群を構成する各バンプとそれらに接続される各端子との接続抵抗が大きくなるとともに、最悪の場合は接続不良を引き起こすことが指摘された。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、実装される半導体集積回路と信号線との接続を信頼あるものとした表示装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、本発明による表示装置は、対向配置される基板のうち一方の基板に、一方向に延在し該一方向に交差する方向に並設された複数の信号線と、信号線から供給される信号により駆動し画像を表示する表示部と、信号線の一端側にバンプ形成面を下にして実装された半導体チップと、を備え、この半導体チップ複数の出力バンプは異方性導電層を介して対応する各信号線と接続されているとともに、前記各出力バンプは表示部に近い側に配列される第１出力バンプ群と表示部に遠のく側に配列される第２出力バンプ群とを有し、第２出力バンプ群のバンプの面積は第１出力バンプ群の各バンプ前記信号線との接触面積より大きく構成されていることを特徴とする。
このように構成された表示装置は、第２出力バンプ群の各バンプの前記信号線との接触部分において、異方性導電層内の導電性微粒子が多く留まり、第１出力バンプ群の各バンプの前記信号線との接触部分における導電性微粒子の数と大差がなくなるようになる。
このため、第２バンプ群を構成する各バンプとそれらに接続される信号線との接続抵抗が大きくなったり、最悪の場合は接続不良を引き起こすということがなくなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
〔実施例１〕
《等価回路》
図２は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
同図において、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
【０００８】
前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを構成するようになっている。
【０００９】
各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬからの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００１０】
また、画素電極ＰＩＸと前記一方のゲート信号線ＧＬと隣接する他方のゲート信号線ＧＬとの間には容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長く蓄積させるようになっている。
【００１１】
各画素領域における画素電極ＰＩＸは、たとえば液晶を介して対向配置される他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にて各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生せしめるようになっており、これにより各電極の間の液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００１２】
各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子部ＤＴＭが形成されている。
【００１３】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載されたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と称されている。
【００１４】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになっており、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続されるようになっている。
【００１５】
前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板ＳＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっている。
【００１６】
そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機能も兼ねている。
【００１７】
なお、このように構成された液晶表示装置は、図１０に示すように、少なくとも表示部ＡＲに開口が形成されたフレームＦＲＭによって被われて液晶表示モジュールを構成するようになっている。
【００１８】
《半導体集積回路の近傍の構成》
図３は、前記半導体集積回路ＧＤＲＣが実装される近傍の透明基板ＳＵＢ１面のより具体的な構成を示す平面図である。
図中ｙ方向に並設される各ゲート信号線ＧＬは互いに隣接するもの同士でグループ化され、これら各グループの各ゲート信号線ＧＬは半導体集積回路ＧＤＲＣの実装領域の近傍で互いに収束するようにしたパターンで形成され、該半導体集積回路ＧＤＲＣの各出力バンプの対向する位置に端子ＧＴＭが形成されている。
表示部ＡＲにおける各ゲート信号線ＧＬの間隔に対して半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプの間隔が小さく設定されているからである。
【００１９】
そして、この実施例では、半導体集積回路ＧＤＲＣの各出力バンプに接続されるべく端子ＧＴＭは、列状に配置された第１端子群と第２端子群とから構成されている。
【００２０】
第１端子群を構成する各端子ＧＴＭ（１）はゲート信号線ＧＬ側に位置づけられ（後の説明では外列側と称することもある）、第２端子群を構成する各端子ＧＴＭ（２）は該ゲート信号線ＧＬに対して遠のく側に位置づけられている（後の説明では内列側と称することもある）。
【００２１】
また、各端子ＧＴＭ（２）は各端子ＧＴＭ（１）の間に位置づけられて、各端子ＧＴＭ（２）および各端子ＧＴＭ（１）からなる各端子ＧＴＭはいわゆる千鳥状に配置されている。
【００２２】
このため、端子ＧＴＭ（２）と接続されるゲート信号線ＧＬは、端子ＧＴＭ（１）と接続されるゲート信号線ＧＬの間に位置づけられるゲート信号線となり、隣接する端子ＧＴＭ（１）の間を走行するようにして形成されている。
【００２３】
さらに、第２端子群を構成する各端子ＧＴＭ（２）は、その幅が第１端子群を構成する各端子ＧＴＭ（１）の幅よりも大きく形成されている。
端子ＧＴＭ（２）は、端子ＧＴＭ（１）のようにそれに隣接してゲート信号線ＧＬが形成されていないことから、端子ＧＴＭ（１）の場合と比較して自由に幅を大きくできる。
【００２４】
このように端子ＧＴＭ（２）の幅を大きくするのは、半導体集積回路ＧＤＲＣの対応する出力バンプとの対向面積を、端子ＧＴＭ（１）の半導体集積回路ＧＤＲＣの対応する出力バンプとの対向面積（たとえばこの実施例では２４００μｍ2）よりも大きく（たとえばこの実施例では２〜５％）せんがためである。
【００２５】
図１（ａ）は、前記半導集積体回路ＧＤＲＣのバンプ形成面を示した平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す実線丸の部分の拡大を示す拡大図である。同図から明らかとなるように、半導集積体回路ＧＤＲＣの出力バンプＧＢＰは列状に配置された第１バンプ群と第２バンプ群とから構成されている。
【００２６】
第１バンプ群を構成する各バンプＧＢＰ（１）は前記ゲート信号線ＧＬの端子ＧＴＭ（１）に対応して位置づけられ、第２バンプ群を構成する各バンプＧＢＰ（２）は該ゲート信号線ＧＬの端子ＧＴＭ（２）に対応して位置づけられている。
このことから、前記端子ＧＴＭと同様、各バンプＧＢＰ（２）は各バンプＧＢＰ（１）の間に位置づけられて、各バンプＧＢＰ（２）および各バンプＧＢＯ（１）からなる各バンプＧＢＰはいわゆる千鳥状に配置されている。
【００２７】
そして、第２バンプ群を構成する各バンプＧＢＰ（２）は、その幅が第１バンプ群を構成する各バンプＧＢＰ（１）の幅よりも大きく形成されている。対応する端子ＧＢＰ（２）との対向面積を、バンプＧＢＰ（１）の対応する端子ＧＢＰ（１）との対向面積よりも大きくせんがためである。
【００２８】
ここで、この実施例では、半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプＧＢＰ（１）の対応する端子ＧＴＭ（１）との対向面積をＳｏ、バンプＧＢＰ（２）の対応する端子ＧＴＭ（２）との対向面積をＳｉとした場合、たとえば次式（１）が成立するように構成している。
１．０５Ｓｏ》Ｓｉ》１．０２Ｓｏ  ……（１）
【００２９】
図４（ａ）は、半導体集積回路ＧＤＲＣを透明基板ＳＵＢ１上に実装した場合の断面図を示し、図３のIV−IV線における断面図に相当している。また、図４（ｂ）は図４（ａ）の実線丸の部分における拡大図を示している。
【００３０】
半導体集積回路ＧＤＲＣと透明基板ＳＵＢ１との間には異方性導電膜ＡＣＦが介在されている。この異方性導電膜ＡＣＦは導電性微粒子ＰＲＴを多数散在させた（たとえばこの実施例では３０ｋ個／ｍｍ2）樹脂膜ＲＧＮからなるものである。
【００３１】
少なくともこの異方性導電膜ＡＣＦを加熱し、透明基板ＳＵＢ１に対して半導体集積回路ＧＤＲＣを加圧させることにより、半導体集積回路ＧＤＲＣは透明基板ＳＵＢ１に対して固着されるとともに、半導体集積回路ＧＤＲＣの各バンプＧＢＰと透明基板ＳＵＢ１上の端子ＧＴＭは異方性導電膜ＡＣＦ内の導電性微粒子を介して電気的に接続されるようになる。
【００３２】
透明基板ＳＵＢ１に対して半導体集積回路ＧＤＲＣを加圧する場合、異方性導電膜ＡＣＦの樹脂膜ＲＧＮ内で導電性微粒子ＰＲＴの流動が起こる。
しかし、この実施例では、半導体集積回路ＧＤＲＣの内列側のバンプ群の各バンプＧＢＰ（２）とこのバンプＧＢＰ（２）と接続されるべく端子ＧＴＭ（２）との間に介在される導電性微粒子ＰＲＴの数は、外列側のバンプ群の各バンプＧＢＰ（１）とこのバンプＧＢＰ（１）と接続されるべく端子ＧＴＭ（１）との間に介在される導電性微粒子ＰＲＴの数と比べてほぼ同数とすることができ、したがって、それらの接続抵抗はほぼ同じとすることができるようになる。この理由についての理論的解明および測定データに基づく解明は後に詳述する。
【００３３】
なお、上述した実施例では、半導体集積回路ＧＤＬＣの出力バンプＧＢＰのうち内列側のバンプＧＢＰ（２）およびこれに対向する端子ＧＴＭ（２）の幅を外列側のバンプＧＢＰ（１）およびこれに対向する端子ＧＴＭ（１）のそれよりも大きくしたものである。しかし、たとえば図５に示すように、内列側のバンプＧＢＰ（２）およびこれに対向する端子ＧＴＭ（２）の長さを外列側のバンプＧＢＰ（１）およびこれに対向する端子ＧＴＭ（１）のそれよりも大きくするようにしてもよいことはいうまでもない。
【００３４】
また、上述した実施例では、半導体集積回路ＧＤＬＣの出力バンプＧＢＰとこの出力バンプＧＢＰと接続されるゲート信号線ＧＬの端子ＢＴＭについて説明したものであるが、半導体集積回路ＤＤＬＣの出力バンプとこの出力バンプと接続されるドレイン信号線ＤＬの端子ＤＴＭについても同様に適用できることはいうまでもない。
【００３５】
《理論に基づく効果》
図６に示すように、いわゆるＣＯＧ方式の実装は、半導体集積回路ＧＤＲＣの裏面側から圧力を加えて透明基板ＳＵＢ１と該半導体集積回路ＧＤＲＣとの間にある余分な樹脂を押し流して圧着し接続する。
【００３６】
この場合内列側において、導電性粒子ＰＲＴが捕捉されにくい理由は圧着時の樹脂の流れに起因していると考えられる。圧着プロセス時に内列側のバンプ付近の樹脂は外列側のバンプよりも面内一様に押される傾向が強く、透明基板ＳＵＢ１面内に平行に粒子が流動する。
【００３７】
しかし、外列側のチップ端面に近い側では該端面に排出された樹脂により流動が妨げられるので流速が遅くなる。その結果、半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプ下に入ってくる樹脂に対して該バンプ下から離れる樹脂は過渡的に少なくなるので、透明基板ＳＵＢ１との間に挾まれて残る導電性粒子は外列バンプで多くなると考えられる。
【００３８】
このため、上述した実施例に示すように、内列側のバンプＧＢＰ（２）とこのバンプＧＢＰ（２）と接続されるべく端子ＧＴＭ（２）の面積を大きくすることによって、それらによって捕捉される導電性粒子の数は、外列側のバンプＧＢＰ（１）とこのバンプＧＢＰ（１）と接続されるべく端子ＧＴＭ（１）によって捕捉される導電性粒子とほぼ等しくすることができる。
【００３９】
《測定データに基づく効果》
従来のバンプ構造である２列配列バンプ（図８参照）にて、実測データでは内列と外列で粒子数が異なっており、平均値として内列に比べて外列側の粒子捕捉数は２〜５％程度多い傾向が認められた。
【００４０】
また、捕捉粒子の度数分布は理論的にポアソン分布になるので、バンプ下の残った捕捉粒子の平均値をｍとすると、粒子が捕捉されていないバンプの発生確率はｅｘｐ（−ｍ）で計算される。
【００４１】
この結果、内列と外列バンプが占める総面積は一定として、捕捉粒子の平均値がバンプ面積の変動に比例して変化すると仮定した場合の粒子が捕捉されていないバンプの発生確率が最も低くなる外列バンプに対する内列バンプ面積の比率を計算すると、次式（２）に示される。
【００４２】
Ｆ＝ｅｘｐ（−ｍｉ’）／２＋ｅｘｐ（−ｍｏ’）／２  ……（２）
ここで、ｍｉ’＝Ｓｉ／Ｓ×ｍｉ（捕捉粒子数とバンプ面積の関係式）、ｍｏ’＝Ｓｏ／Ｓ×ｍｏ（捕捉粒子数とバンプ面積の関係式）、Ｓｉ＋Ｓｏ＝２Ｓ（バンプ総面積を一定とする条件）、ｄＦ／ｄＳｉ＝０（バンプ総面積を最適化する条件）である。
【００４３】
また、Ｓ；最適化していないバンプ面積（内列と外列で面積は等しい）、ｍｉ；内列バンプに捕捉されたＡＣＦ粒子の平均捕捉数（実測データ）、ｍｏ；外列バンプに捕捉されたＡＣＦ粒子の平均捕捉数（実測データ）、Ｓｉ；最適化した内列のバンプ面積、Ｓｏ；最適化した外列のバンプ面積、ｍｉ’；面積最適化後の内列バンプに捕捉されたＡＣＦ粒子の平均捕捉数（推定値）、ｍｏ’；面積最適化後の外列バンプに捕捉されたＡＣＦ粒子の平均捕捉数（推定値）、Ｆ；内列バンプの平均捕捉粒子数ｍｉ’、外列バンプの平均捕捉粒子数ｍｏ’である場合の粒子なしバンプの推定発生率（１バンプ当たり）である。
【００４４】
そして、上式（２）を各計測データ毎に形成した結果を図７に示す。計測データに基づくと比率として２〜５％の範囲で面積に差をつけた場合が最適値となった。
なお、バンプ上粒子数の分布の近似式は次のようにして算出することができる。
【００４５】
まず、図９に示した図をもとに、本圧着後の単位面積当たりの母平均粒子密度をｎ（個／ｍｍ2）、単位面積をｎ当分した場合の小領域の面積をａとすると、小領域に粒子が存在する確率はａである。小領域をｎ個サンプリングしたときに粒子有り領域がｒ個存在する確率Ｐ（ｒ）は二項目分布に従うから、次式（３）が成立する。
Ｐ（ｒ）＝nＣr・ａr・（１−ａ）(n-r)  ……（３）
これはａより大きい面積の少領域ｂでも成り立つ。
【００４６】
すなわち、次式（４）も成立する。
Ｐ（ｒ）＝nＣr・ｂr・（１−ｂ）(n-r)  ……（４）
この場合の平均値はｎｂ、分散σ2はｎｂ（１−ｂ）となる。
ｎが大きい場合やｂが非常に小さい場合には、式（３）はポアソン分布で近似でき、次式（５）を得る。
【００４７】
Ｐ（ｒ）＝（ｎｂ）r・ｅ-(nb)／ｒ！  ……（５）
ｎｂは小領域内の平均粒子数であるから、ｎｂ＝ｍとすると式（５）は、次式（６）で近似される。
【００４８】
Ｐ（ｒ）＝ｍr・ｅ-m／ｒ！  ……（６）
この場合、σ2＝ｍとなり確率は１変数ｍのみで表せる。
ポアソン分布の応用例として、顕微鏡視野内のバクテリア数、量産品の不良等がある。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による表示装置によれば、実装される半導体集積回路と信号線との接続を信頼あるものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置に実装される半導体集積回路の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体等価回路である。
【図３】本発明による液晶表示装置に実装される半導体集積回路の近傍の透明基板表面の一実施例を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置に実装される半導体集積回路の他の実施例を示す構成図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の理論による効果を示す説明図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の測定データによる効果を示す説明図である。
【図８】従来の液晶表示装置に実装される半導体集積回路の一例を示す構成図である。
【図９】バンプ上粒子数の分布の近似式を得るための参考図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＰＩＴ…画素電極、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＧＤＲＣ…半導体集積回路（走査信号駆動回路）、ＤＤＲＣ…半導体集積回路（映像信号駆動回路）、ＧＴＭ（１）…第１端子群、ＧＴＭ（２）…第２端子群、ＧＢＰ（１）…第１バンプ群、ＧＢＰ（２）…第２バンプ群。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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