(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分であるＢａＴｉＯ３  と、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２  Ｏ３  から選択される少なくとも１種から成る第１副成分と、
（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  （ただし、ｘ＝０．８〜１．２）で表される第２副成分と、
Ｖ２  Ｏ５  ，ＭｏＯ３  およびＷＯ３  から選択される少なくとも１種から成る第３副成分と、
Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）から成る第４副成分と、
Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも一種）から成る第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、
主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１０モル、
第３副成分：０．０１〜０．５モル、
第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ１単独での比率である）、
第５副成分：２〜９モル（ただし、第５副成分のモル数は、Ｒ２単独での比率である）、であり、
ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相と、
前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相とを有する
誘電体磁器組成物。
【請求項２】
第６副成分として、ＭｎＯをさらに有し、前記第６副成分の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し０．５モル以下である請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第４副成分および第５副成分の合計の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し１３モル以下（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、Ｒ１およびＲ２単独での比率である）である請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
誘電体層を有する電子部品であって、
前記誘電体層が、
主成分であるＢａＴｉＯ３  と、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２  Ｏ３  から選択される少なくとも１種から成る第１副成分と、
（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  （ただし、ｘ＝０．８〜１．２）で表される第２副成分と、
Ｖ２  Ｏ５  ，ＭｏＯ３  およびＷＯ３  から選択される少なくとも１種から成る第３副成分と、
Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）から成る第４副成分と、
Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも一種）から成る第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、
主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１０モル、
第３副成分：０．０１〜０．５モル、
第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ１単独での比率である）、
第５副成分：２〜９モル（ただし、第５副成分のモル数は、Ｒ２単独での比率である）、であり、
前記誘電体層が、
ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相と、
前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相とを有する
電子部品。
【請求項５】
前記誘電体層が、第６副成分として、ＭｎＯをさらに有し、前記第６副成分の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し０．５モル以下である請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第４副成分および第５副成分の合計の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し１３モル以下（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、Ｒ１およびＲ２単独での比率である）である請求項４または５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記誘電体層と共に内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体を有する請求項４〜６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記内部電極層に含まれる導電材がＮｉまたはＮｉ合金である請求項７に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐還元性を有する誘電体磁器組成物と、これを用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品とに係り、さらに詳しくは、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足し、かつ電子部品の機械的強度の向上を図ることができる誘電体磁器の組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品としての積層セラミックコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層セラミックコンデンサに対する更なる小型化、大容量化、低価格化、高信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
【０００３】
積層セラミックコンデンサは、通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、積層体中の内部電極層と誘電体層とを同時に焼成して製造される。
【０００４】
内部電極層の導電材としては、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されるようになってきている。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってしまう。このため、非還元性の誘電体材料が開発されている。
【０００５】
また、コンデンサには、温度特性が良好であることも要求され、特に、用途によっては、厳しい条件下で温度特性が平坦であることが求められる。近年、自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御ユニット（ＥＣＵ）、クランク角センサ、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）モジュールなどの各種電子装置に積層セラミックコンデンサが使用されるようになってきている。これらの電子装置は、エンジン制御、駆動制御およびブレーキ制御を安定して行うためのものなので、回路の温度安定性が良好であることが要求される。
【０００６】
これらの電子装置が使用される環境は、寒冷地の冬季には−２０℃程度以下まで温度が下がり、また、エンジン始動後には、夏季では＋１３０℃程度以上まで温度が上がることが予想される。最近では電子装置とその制御対象機器とをつなぐワイヤハーネスを削減する傾向にあり、電子装置が車外に設置されることもあるので、電子装置にとっての環境はますます厳しくなっている。したがって、これらの電子装置に用いられるコンデンサは、広い温度範囲において温度特性が平坦である必要がある。
【０００７】
温度特性に優れた温度補償用コンデンサ材料としては、（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３  系、Ｃａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３  系、Ｎｄ２  Ｏ３  −２ＴｉＯ２  系、Ｌａ２  Ｏ３  −２ＴｉＯ２  系等が一般に知られているが、これらの組成物は比誘電率が非常に低い（一般には１００以下）ので、容量の大きいコンデンサを作製することが実質的に不可能である。
【０００８】
誘電率が高く、平坦な容量温度特性を有する誘電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ３  を主成分とし、Ｎｂ２  Ｏ５  −Ｃｏ３  Ｏ４  、ＭｇＯ−Ｙ、希土類元素（Ｄｙ，Ｈｏ等）、Ｂｉ２  Ｏ３  −ＴｉＯ２  などを添加した組成が知られている。これらＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体磁器組成物の温度特性は、ＢａＴｉＯ３  のキュリー温度が約１３０℃付近にあるため、それ以上の高温領域で容量温度特性のＲ特性（ΔＣ＝±１５％以内）を満足することが非常に難しい。このため、ＢａＴｉＯ３  系の高誘電率材料は、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足することしかできなかった。Ｘ７Ｒ特性を満足するだけでは、上記した厳しい環境で使用される自動車の電子装置には対応できない。上記電子装置には、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足する誘電体磁器組成物が必要とされる。
【０００９】
ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体磁器組成物においてＸ８Ｒ特性を満足させるために、ＢａＴｉＯ３  中のＢａをＢｉ，Ｐｂなどで置換することにより、キュリー温度を高温側にシフトさせることが提案されている（特開平１０−２５１５７号公報、同９−４０４６５号公報）。また、ＢａＴｉＯ３  ＋ＣａＺｒＯ３  ＋ＺｎＯ＋Ｎｂ２  Ｏ５  系の組成を選択することによりＸ８Ｒ特性を満足させることも提案されている（特開平４−２９５０４８号公報、同４−２９２４５８号公報、同４−２９２４５９号公報、同５−１０９３１９公報、同６−２４３７２１号公報）。しかし、これらのいずれの組成系においても、蒸発飛散しやすいＰｂ，Ｂｉ，Ｚｎを使用するため、空気中等の酸化性雰囲気での焼成が前提となる。このため、コンデンサの内部電極に安価なＮｉ等の卑金属を使用することができず、Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ等の高価な貴金属を使用しなければならないという問題がある。
【００１０】
さらに、従来の誘電体セラミック組成物では、低温から高温までの繰り返し熱衝撃には対応できないなど問題があり、機械的強度の向上が求められている。
【００１１】
一方、セラミック積層体の積層方向での両端部にある外表面域に、針状結晶を形成することにより、強度を高める手法が報告されている（特開平９−３１２２３４号公報）。この公報に示す手法では、ＴｉＯ２  を主成分とする酸化物ペーストをセラミック積層体の表面に塗布し、乾燥させた後に熱処理することで、セラミックの外表面域に針状結晶を形成している。針状結晶は、Ｂａ４  Ｔｉ１３Ｏ３０、Ｂａ６  Ｔｉ１７Ｏ４０等の析出物であると考えられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報記載の手法では、セラミック積層体を還元性雰囲気で焼成した場合、セラミック素地を還元させてしまうため、セラミック積層体の内部、またはその付近まで、針状結晶を形成することはできない。したがって、針状結晶の形成は、セラミック積層体の外表面付近のみに限定され、機械的強度の向上が十分ではない。このため、セラミック積層体を保護するためのコンデンサ蓋の厚みが十分にとれない場合などには、実用に耐え得る程度の十分な強度を有する電子部品を得ることができない。
【００１３】
本発明の目的は、比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足し、かつ、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、機械的強度に優れた誘電体磁器組成物を提供することであり、また、この誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係る誘電体磁器組成物は、
主成分であるＢａＴｉＯ３  と、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２  Ｏ３  から選択される少なくとも１種から成る第１副成分と、
（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  （ただし、ｘ＝０．８〜１．２）で表される第２副成分と、
Ｖ２  Ｏ５  ，ＭｏＯ３  およびＷＯ３  から選択される少なくとも１種から成る第３副成分と、
Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）から成る第４副成分と、
Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも一種）から成る第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、
主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１０モル、
第３副成分：０．０１〜０．５モル、
第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ１単独での比率である）、
第５副成分：２〜９モル（ただし、第５副成分のモル数は、Ｒ２単独での比率である）、であり、
ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相と、
前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相とを有することを特徴とする。
なお、前記第２副成分において、ＢａとＣａとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。
【００１５】
好ましくは、本発明に係る誘電体磁器組成物は、第６副成分として、ＭｎＯをさらに有し、前記第６副成分の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し０．５モル以下である。
【００１６】
好ましくは、前記第４副成分および第５副成分の合計の含有量が、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し１３モル以下（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、Ｒ１およびＲ２単独での比率である）である。
【００１７】
本発明に係る誘電体磁器組成物において、析出相の材質は、特に限定されないが、たとえばＹ、ＹｂおよびＴｉの複合酸化物などで構成される。
【００１８】
本発明に係る電子部品は、誘電体層を有する電子部品であれば、特に限定されず、たとえば誘電体層と共に内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体を有する積層セラミックコンデンサ素子である。本発明では、前記誘電体層が、上記いずれかの誘電体組成物で構成してある。内部電極層に含まれる導電材としては、特に限定されないが、たとえばＮｉまたはＮｉ合金である。
【００１９】
【作用】
本発明によれば、Ｘ８Ｒ（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）温度特性を満足し、耐還元性に優れ、且つ機械的強度に優れた誘電体磁器の組成物が得られる。
【００２０】
本発明において、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対するＲ２の比率が２モル以上で、Ｒ１と複合添加することで、機械的強度が十分に向上する。このような新たな知見は、本発明者等により初めて見出された。
【００２１】
なお、Ｒ１の比率が０．５モルを下回ると、Ｘ８Ｒ特性を得ることが困難になる傾向にあり、またＲ２が９モルを越える、またはＲ１の酸化物が７モルを越えて組成物中に添加した場合、焼結性が悪くなり、良好な電気特性が得られないと同時に、十分な機械的強度がとれなくなる傾向にある。
【００２２】
また、本発明では、誘電体素地相の内部に、板状もしくは針状の析出相が検出される誘電体磁器組成物では、これらの析出相が検出されない誘電体磁器組成物に比べて、機械的強度の向上が観察される。
【００２３】
また、本発明に係る誘電体磁器組成物は、還元雰囲気で焼成可能であり、ＮｉおよびＮｉ合金等の卑金属からなる内部電極を有する積層チップコンデンサ用材料に用いることが可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２（Ａ）は本発明の一実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、
図２（Ｂ）は本発明の一比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、
図３（Ａ）は本発明の他の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、
図３（Ｂ）は本発明の他の比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、
図４（Ａ）および（Ｂ）は本発明の他の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（二次電子像）である。
【００２５】
積層セラミックコンデンサ
図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
【００２６】
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００２７】
誘電体層２
誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、
主成分であるＢａＴｉＯ３  と、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２  Ｏ３  から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、
（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  （ただし、ｘ＝０．８〜１．２）で表される第２副成分と、
Ｖ２  Ｏ５  ，ＭｏＯ３  およびＷＯ３  から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、
Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、
Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも一種）を含む第５副成分と、少なくとも有する誘電体磁器組成物で構成してある。
【００２８】
主成分であるＢａＴｉＯ３  に対する上記各副成分の比率は、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対し、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１０モル、
第３副成分：０．０１〜０．５モル、
第４副成分：０．５〜７モル、
第５副成分：２〜９モル
であり、好ましくは、
第１副成分：０．５〜２．５モル、
第２副成分：２．０〜５．０モル、
第３副成分：０．１〜０．４モル、
第４副成分：０．５〜５．０モル、
第５副成分：２〜８モル
である。なお、第４副成分および第５副成分の上記比率は、Ｒ１の酸化物およびＲ２の酸化物のモル比ではなく、Ｒ１単独のモル比およびＲ２単独のモル比である。すなわち、例えば第４副成分としてＹｂの酸化物を用いた場合、第４副成分の比率が１モルであることは、Ｙｂ２  Ｏ３  の比率が１モルなのではなく、Ｙｂの比率が１モルであることを意味する。
【００２９】
本明細書では、主成分および各副成分を構成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成の酸化物に換算して求める。
【００３０】
上記各副成分の含有量の限定理由は以下のとおりである。
第１副成分（ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２  Ｏ３  ）の含有量が少なすぎると、容量温度変化率が大きくなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化する。なお、第１副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。
【００３１】
第２副成分［（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  ］中のＢａＯおよびＣａＯは第１副成分にも含まれるが、複合酸化物である（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  は融点が低いため主成分に対する反応性が良好なので、本発明ではＢａＯおよび／またはＣａＯを上記複合酸化物としても添加する。第２副成分の含有量が少なすぎると、容量温度特性が悪くなり、また、ＩＲ（絶縁抵抗）が低下する。一方、含有量が多すぎると、誘電率の急激な低下が生じてしまう。（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  におけるｘは、好ましくは０．８〜１．２であり、より好ましくは０．９〜１．１である。ｘが小さすぎると、すなわちＳｉＯ２  が多すぎると、主成分のＢａＴｉＯ３  と反応して誘電体特性を悪化させてしまう。一方、ｘが大きすぎると、融点が高くなって焼結性を悪化させるため、好ましくない。なお、第２副成分においてＢａとＣａとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。
【００３２】
第３副成分（Ｖ２  Ｏ５  ，ＭｏＯ３  およびＷＯ３  ）は、キュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果を示す。第３副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となる。一方、含有量が多すぎると、ＩＲが著しく低下する。なお、第３副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。
【００３３】
第４副成分（Ｒ１の酸化物）は、キュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを示す。第４副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となり、容量温度特性が悪くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にある。第４副成分のうちでは、特性改善効果が高く、しかも安価であることから、Ｙｂ酸化物が好ましい。
【００３４】
第５副成分（Ｒ２の酸化物）は、第４副成分（Ｒ１の酸化物）と共に添加することで、得られる誘電体磁器組成物の機械的強度が十分に向上する。また、第５副成分は、ＩＲを改善する効果を示し、容量温度特性への悪影響も少ない。ただし、Ｒ２の酸化物の含有量が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にある。第５副成分のうちでは、特性改善効果が高く、しかも安価であることから、Ｙ酸化物が好ましい。
【００３５】
第４副成分および第５副成分の合計の含有量は、主成分であるＢａＴｉＯ３  １００モルに対し、好ましくは１３モル以下（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、Ｒ１およびＲ２単独での比率である）である。焼結性を良好に保つためである。
【００３６】
また、本発明の誘電体磁器組成物には、第６副成分として、さらにＭｎＯが含有されていてもよい。この第６副成分は、焼結を促進する効果と、ＩＲを高くする効果とを示す。このような効果を十分に得るためには、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対する第６副成分の比率が０．０１モル以上であることが好ましい。ただし、第６副成分の含有量が多すぎると容量温度特性に悪影響を与えるので、好ましくは０．５モル以下とする。
【００３７】
また、本発明の誘電体磁器組成物中には、上記各酸化物のほか、Ａｌ２  Ｏ３  が含まれていてもよい。Ａｌ２  Ｏ３  は容量温度特性にあまり影響を与えず、焼結性、ＩＲを改善する効果を示す。ただし、Ａｌ２  Ｏ３  の含有量が多すぎると焼結性が悪化してＩＲが低くなるため、Ａｌ２  Ｏ３  は、好ましくは、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対して１モル以下、さらに好ましくは、誘電体磁器組成物全体の１モル以下である。
【００３８】
なお、Ｓｒ，ＺｒおよびＳｎの少なくとも１種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のＢａまたはＴｉを置換している場合、キュリー温度が低温側にシフトするため、１２５℃以上での容量温度特性が悪くなる。このため、これらの元素を含むＢａＴｉＯ３  ［例えば（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３  ］を主成分として用いないことが好ましい。ただし、不純物として含有されるレベル（誘電体磁器組成物全体の０．１モル％程度以下）であれば、特に問題はない。
【００３９】
本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例えば０．１〜３．０μｍの範囲から適宜決定すればよい。容量温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。このため、本発明の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径が０．１〜０．５μｍである場合に特に有効である。また、平均結晶粒径を小さくすれば、ＩＲ加速寿命が長くなり、また、直流電界下での容量の経時変化が少なくなるため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さいことが好ましい。
【００４０】
本発明の誘電体磁器組成物のキュリー温度（強誘電体から常誘電体への相転移温度）は、組成を選択することにより変更することができるが、Ｘ８Ｒ特性を満足するためには、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１２３℃以上とする。なお、キュリー温度は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）などによって測定することができる。
【００４１】
本発明の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の厚さは、一層あたり、通常、４０μｍ以下、特に３０μｍ以下である。厚さの下限は、通常、２μｍ程度である。本発明の誘電体磁器組成物は、このような薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの容量温度特性の改善に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。
【００４２】
ただし、本発明の組成物は、積層チップコンデンサの設計に依存することなく、強度特性の改善に効果がある。
【００４３】
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、８０℃以上、特に１２５〜１５０℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適である。そして、このような温度範囲において、容量の温度特性がＥＩＡ規格のＲ特性を満足し、さらに、Ｘ８Ｒ特性も満足する。また、ＥＩＡＪ規格のＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）］、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ＝±１５％以内）も同時に満足することが可能である。
【００４４】
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層に、通常、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ程度以下の交流電界と、これに重畳して５Ｖ／μｍ以下の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わっても、容量の温度特性は極めて安定である。
【００４５】
本発明の誘電体磁気組成物は、上記のような組成範囲を有し、焼成後の素体中には、ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相と、前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相とを有する。
【００４６】
このように、誘電体素地相の内部に、板状もしくは針状の析出相が検出される誘電体磁器組成物では、Ｘ８Ｒ特性を満足すると同時に、これらの析出相が検出されない誘電体磁器組成物に比べて、特に機械的強度の向上が観察される。
【００４７】
なお、上記組成範囲以外でも、誘電体素地相の内部に、板状もしくは針状の析出相が検出される誘電体磁器組成物も、本発明の範囲内である。
【００４８】
内部電極層３
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが好ましい。
【００４９】
外部電極４
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。
外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００５０】
積層セラミックコンデンサの製造方法
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００５１】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００５２】
誘電体原料には、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
誘電体原料は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ程度の粉末として用いられる。
【００５３】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００５４】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００５５】
内部電極層用ペーストは、上記した各種誘電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００５６】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００５７】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００５８】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００５９】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間、
保持温度：１８０〜４００℃、特に２００〜３００℃、
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間、
雰囲気：空気中。
【００６０】
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−８〜１０−１５  気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６１】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３６０℃、さらに好ましくは１２００〜１３２０℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００６２】
上記条件以外の各種条件は、下記範囲から選択することが好ましい。
昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間。
なお、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２  とＨ２  との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００６３】
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
【００６４】
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−９気圧以上、特に１０−６〜１０−９気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６５】
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。
【００６６】
上記条件以外の各種条件は、下記範囲から選択することが好ましい。
温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間
なお、雰囲気用ガスには、加湿したＮ２  ガス等を用いることが好ましい。
【００６７】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２  ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００６８】
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２  ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ２  ガス雰囲気としてもよい。
【００６９】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００７０】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００７１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。
【００７２】
【実施例】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００７３】
実施例１〜９および比較例１〜４
（角柱状誘電体サンプルの作製）
粒径０．１〜１μｍのＢａＴｉＯ３  、ＭｇＣＯ３  、ＭｎＣＯ３  、（Ｂａ０．６  Ｃａ０．４  ）ＳｉＯ３  、Ｖ２  Ｏ５  、Ｒ１の酸化物、Ｒ２の酸化物から選択した材料粉末をボールミルにより１６時湿式混合し、乾燥することによって誘電体材料とした。誘電体材料の組成はこれら材料粉末の混合比率を変えて複数の誘電体材料を作成した。
【００７４】
本実施例では、ＢａＴｉＯ３    １００ｍｏｌに対して、第４副成分（Ｒ１の酸化物）としてＹｂ２  Ｏ３  を用い、第５副成分（Ｒ２の酸化物）としてＹ２  Ｏ３  を用い、その他添加物を、表１中に記した組成量となるように秤量し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥させ誘電体材料とした。
【００７５】
なお、ＢａＴｉＯ３  は、水熱合成粉法、または蓚酸塩法等によって作成された原料を用いても同様な特性が得られた。
【００７６】
上記誘電体材料に、バインダとしてのポリビニルアルコールを０．０５重量％添加し、顆粒状になるようにバインダと誘電体組成物とを混合した。上記顆粒状の誘電体組成物を３ｇ秤量し、長さ３５ｍｍ、縦５ｍｍ、横５ｍｍになるように棒状にプレス成形した。この成形体を、焼成温度３００℃／時間、保持温度８００℃、保持時間２時間、空気及び加湿した窒素ガス雰囲気（１×１０−５気圧）の条件で脱バインダ処理を行った。
【００７７】
ついで、この成形体を、昇温速度２００℃／時間にて１２８０℃〜１３７０℃、保持時間２時間、冷却速度３００℃／時間、加湿した窒素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気（１×１０−９気圧）の条件で焼成し、長さが約３０ｍｍ、縦横が約４．５ｍｍの焼成体を得た。また、この焼成体を、保持時間９００℃、保持時間９時間、冷却速度３００℃／時間、加湿した窒素ガス雰囲気（１×１０−５気圧）の条件でアニール処理した。なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウエッターを用い、水温は３５℃とした。
【００７８】
こうして得られた角柱状セラミックス焼結体試料を、長さ３５ｍｍ、縦３ｍｍ、横３ｍｍに鏡面研磨加工した。これを抗折強度測定用の試料とした。このようにして得られた試料の抗折強度を、３点曲げ法により測定した。結果を表１に示す。
【００７９】
誘電体磁器特性は、角柱状に成形され焼成された角柱サンプルの寸法と質量から、焼結体密度を算出し、この結果から焼結性の評価とした。焼結体密度を表１に示す。
【００８０】
また、得られた角柱状セラミックス焼結体試料について、粉末Ｘ線（Ｃｕ−Ｋα線）回折装置により、２θ＝２９°〜３２°の間を下記条件にて測定し、析出相の有無の確認、および同定を行った。
Ｘ線発生条件：４５ｋＶ−４０ｍＡ、
スキャン幅：０．０１°、
スキャン速度：０．２°／ｍｉｎ、
Ｘ線検出条件、
平行スリット：０．５°、
発散スリット：０．５°、
受光スリット：０．１５ｍｍ。
結果を表１に示す。
【００８１】
さらに、得られた角柱状セラミックス焼結体試料について、ＳＥＭ写真を撮影し、板状または針状の析出物の有無を確認した。
【００８２】
また、得られた角柱状セラミックス焼結体試料について、２５℃における比抵抗を測定した。比抵抗の測定は、絶縁抵抗計（（株）アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ（５０Ｖ−１分値））により行った。結果を表１に示す。
【００８３】
（積層型セラミックコンデンサの作製）
誘電体用ペーストについては、各誘電体原料１００重量％とアクリル樹脂４．８重量％、塩化メチレン４０重量％、酢酸エチル２０重量％、ミネラルスピリット６重量％、アセトン４重量％をボールミルで混合し、ペースト化した。
【００８４】
内部電極用ペーストについては、平均粒子径０．２〜０．８μｍのニッケル粒子１００重量％と、有機ビヒクル（エチレンセルロース樹脂８重量％をブチルカルビトール９２重量％に溶解したもの）４０重量％と、ブチルカルビトール１０重量％とを３本ロールにて混練しペースト化した。
【００８５】
外部電極ペーストについては、平均粒径０．５μｍの銅粒子１００重量％と有機ビヒクル（エチレンセルロース樹脂８重量％をブチルカルビトール９２重量％に溶解したもの）３５重量％とブチルカルビトール７重量％を３本ロールで混練しペースト化した。
【００８６】
次に、上述した誘電体用ペーストを用いてＰＥＴフィルムに厚さ１５μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離した。こうして得られたグリーンシートを積層し、加圧圧着してグリーンチップを作製した。内部電極を有するグリーンシートの積層数は５層とした。
【００８７】
このグリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成、アニールを行って積層セラミック焼成体を得た。各焼成体試料のサイズは３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、誘電体層の厚みは約１０μｍ、内部電極の厚みは２μｍであった。
【００８８】
次いで、この積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿した窒素ガス及び水素ガス雰囲気中において、８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、積層セラミックスコンデンサ試料を得た。
【００８９】
脱バインダ処理は、以下に示す条件で行った。
昇温速度：１５℃／時間、
保持温度：２８０℃、
温度保持時間：８時間、
雰囲気：空気。
【００９０】
焼成は、以下に示す条件で行った。
昇温速度：２００℃／時間、
保持温度：１２００〜１３００℃、
温度保持時間：２時間、
冷却速度：３００℃／時間、
焼成雰囲気：加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガスを使用、
酸素分圧：１０−１１  気圧。
【００９１】
アニールは、以下に示す条件で行った。
保持温度：９００℃、
温度保持時間：９時間、
冷却速度：３００℃／時間、
アニール雰囲気：加湿したＮ２  ガスを使用、
酸素分圧：１０−７気圧。
【００９２】
このようにして得られた積層セラミックスコンデンサ試料について、比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）および容量温度特性の測定を行った。積層型セラミックスコンデンサについて、ＬＣＲメータを用いて１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件下における静電容量及び誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。得られた静電容量、電極寸法および電極間距離から、比誘電率（εｒ）を算出した。
【００９３】
容量の温度特性については、積層型セラミックスコンデンサ試料をＬＣＲメータを用いて、−５５℃〜１６０℃の温度範囲について１Ｖの電圧で静電容量を測定し、基準温度を２５℃としたときの容量変化率が−５５℃〜１２５℃の範囲で±１５％以内（電子機械工業界ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ）であるものをＸ７Ｒ温度特性をみたすものとし、また−５５℃〜１５０℃の範囲で±１５％以内（電子機械工業会界ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ）であるものをＸ８Ｒ温度特性をみたすものとし、満足する場合を「○」、満足しない場合を「×」とした。
【００９４】
【表１】
0003760364.tif 000002
【００９５】
（評価）
表１に示すように、本発明の組成範囲から外れた比較例１〜４に比較し、本発明の組成範囲内の実施例１〜９では、抗折強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２ であり、十分に高いことが確認できた。また、実施例１〜９の組成では、誘電体素地相中に、板状もしくは針状の析出相が現れ、板状もしくは針状析出の無い比較例１〜４に係る組成に対し、抗折強度が向上していることも確認できた。この析出相は、希土類及びＴｉを主とする酸化物であると考えられる。なお、実施例１〜９でも、焼結温度によっては、抗折強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２ より低くなる場合があるが、焼結温度を適切に設定することで、十分な抗折強度を持たせることができる。
【００９６】
また、実施例１〜９の組成範囲では、還元雰囲気での焼成においても還元されることがなく、また内部電極として使用したニッケルを酸化することがなく、耐還元性の誘電体組成物が得られ、Ｘ８Ｒ温度特性を満足することも確認できた。また、実施例１〜９の組成範囲では、焼結密度が５．１５ｍｇ／ｍｍ３  以上であり、焼結性も良好であることが確認できた。なお、実施例１〜９でも、焼結温度によっては、焼結密度が５．１５ｍｇ／ｍｍ３  以上とならない場合があるが、焼結温度を適切に設定することで、十分な焼結性を持たせることができる。
【００９７】
さらに、実施例１〜９の組成範囲では、誘電損失（ｔａｎδ）が５％以内であり、比抵抗も１Ｅ＋１１以上であり、コンデンサとしての特性も優れていることが確認できた。なお、実施例１〜９でも、焼結温度によっては、これらの条件を満足しない場合があるが、焼結温度を適切に設定することで、良好な誘電損失および比抵抗を持たせることができる。
【００９８】
実施例１０〜１４および比較例５〜７
ＢａＴｉＯ３  １００ｍｏｌに対して、第４副成分（Ｒ１の酸化物）として、Ｙｂを４．３ｍｏｌとなる組成量で添加すると共に、第５副成分（Ｒ２の酸化物）として、Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｍを、元素の比率としてそれぞれ２ｍｏｌとなる組成量で添加し、その他の添加物は表２中に示した量で調合した以外は、実施例１〜９と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料と、積層セラミックコンデンサ試料とを作製した。
これら試料の諸特性を、実施例１〜９と同様にして測定した結果を表２に示す。
【００９９】
【表２】
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【０１００】
（評価）
表２に示すように、第５副成分（Ｒ２の酸化物）を添加しない表１中の比較例１と比較し、Ｈｏ，Ｙ，Ｄｙ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂを添加した実施例１０〜１４の場合、抗折強度が向上することが確認できた。また、第５副成分（Ｒ２の酸化物）として、本発明の組成範囲外のＮｂ，Ｔａ，Ｓｍを添加した比較例５〜７に比較し、本発明の組成範囲内のＨｏ，Ｙ，Ｄｙ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂを添加した実施例１０〜１４の場合、抗折強度が向上することが確認できた。また、本実施例１０〜１４の場合も、Ｘ８Ｒ温度特性を満足することが確認できた。さらに、実施例１０〜１４の組成範囲でも、誘電損失（ｔａｎδ）が５％以内であり、比抵抗も１Ｅ＋１１以上であり、コンデンサとしての特性も優れていることが確認できた。
【０１０１】
実施例１５および比較例８
誘電体磁器組成物を表３に示す組成とし、誘電体層の厚みを１６μｍとし、誘電体層の数を４６層とし、各コンデンサ試料のサイズを３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．０ｍｍとした以外は、実施例１〜９と同様にして、積層型セラミックコンデンサ試料を作製した。
【０１０２】
これらのコンデンサ試料について、実施例１〜９と同様にして、諸特性を測定した結果を表３に示す。なお、コンデンサ試料の３点曲げ法による抗折強度測定には、外部電極を形成していないものを用いた。
【０１０３】
【表３】
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【０１０４】
（評価）
表３に示すように、実施例１５に係る組成の積層コンデンサ試料においても、比較例８に係る組成のコンデンサ試料に比較し、抗折強度が向上していることが確認できた。また、還元雰囲気での焼成においても還元されることがなく、また内部電極として使用したニッケルを酸化することがなく、耐還元性の誘電体組成物が得られていることが確認できた。
また、本実施例１５の場合も、Ｘ８Ｒ温度特性を満足することが確認できた。
【０１０５】
実施例１６
第４副成分（Ｒ１の酸化物）中のＹｂを６．００モル％とし、第５副成分（Ｒ２の酸化物）中のＹのモル％を４．００モル％とし、焼結温度を１３２５°Ｃとした以外は、実施例１と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製した。
【０１０６】
その試料のＳＥＭ写真を図２（Ａ）に示す。ＳＥＭ写真は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：日本電子社製の製品番号ＪＳＭ−Ｔ３００）を用いて撮影し、その撮影時の条件は、加速電圧２５ｋＶで、反射電子像を撮影した。撮影倍率は、５０００倍であった。
【０１０７】
図２（Ａ）に示すように、ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相が観察できた。
【０１０８】
比較例９
第４副成分（Ｒ１の酸化物）中のＹｂを０モル％とし、第５副成分（Ｒ２の酸化物）中のＹのモル％を４モル％とし、焼結温度を１３２５°Ｃとした以外は、実施例１と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製した。
【０１０９】
その試料のＳＥＭ写真を、実施例１６と同様にして撮影した。その写真を図２（Ｂ）に示す。
【０１１０】
図２（Ｂ）に示すように、板状または針状の析出相は観察されなかった。
【０１１１】
実施例１７
第４副成分（Ｒ１の酸化物）中のＹｂを４．３モル％とし、第５副成分（Ｒ２の酸化物）中のＹのモル％を８．００モル％とし、焼結温度を１３２５°Ｃとした以外は、実施例１と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製した。
【０１１２】
その試料のＳＥＭ写真を、実施例１６と同様にして撮影した。その写真を図３（Ａ）に示す。
【０１１３】
図３（Ａ）に示すように、ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相が観察できた。
【０１１４】
比較例１０
第４副成分（Ｒ１の酸化物）中のＹｂを４．３モル％とし、第５副成分（Ｒ２の酸化物）中のＹのモル％を０モル％とし、焼結温度を１２８０°Ｃとした以外は、実施例１と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製した。
【０１１５】
その試料のＳＥＭ写真を、実施例１６と同様にして撮影した。その写真を図３（Ｂ）に示す。
【０１１６】
図３（Ｂ）に示すように、板状または針状の析出相は観察されなかった。
【０１１７】
実施例１８
第４副成分（Ｒ１の酸化物）中のＹｂを４．３モル％とし、第５副成分（Ｒ２の酸化物）中のＹのモル％を４．０モル％とし、焼結温度を１３２５°Ｃとした以外は、実施例１と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製した。
【０１１８】
その試料の表面における二次電子像を、電子顕微鏡（日立製作所社製の製品番号Ｃ８００）を用いて撮影した。倍率が１０００倍の写真を図４（Ａ）に示し、倍率が３０００倍の写真を図４（Ｂ）に示す。
【０１１９】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、ＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状の析出相が観察できた。
【０１２０】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足し、かつ、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、機械的強度に優れた誘電体磁器組成物と、この誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】  図２（Ａ）は本発明の一実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、図２（Ｂ）は本発明の一比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）である。
【図３】  図３（Ａ）は本発明の他の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）、図３（Ｂ）は本発明の他の比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（反射電子像）である。
【図４】  図４（Ａ）および（Ｂ）は本発明の他の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真（二次電子像）である。
【符号の説明】
１…積層セラミックコンデンサ
１０…コンデンサ素子本体
２…誘電体層
３…内部電極層
４…外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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