(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体層上に絶縁層を形成し、上記絶縁層表面を粗面化した後、メッキを行い第２の導体層を形成する多層プリント配線板の製造方法において、
上記絶縁層をカルボン酸付加アクリレート化合物と、加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物とを含有してなる組成物により形成し、該絶縁層形成から粗面化までの間に一度目の加熱処理を行い、かつメッキを行った後に二度目の加熱処理を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層形成から粗面化までの間の一度目の加熱処理の温度Ｔ１が１３０℃≦Ｔ１≦１７０℃の範囲とされていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
メッキを行った後の二度目の加熱処理の温度Ｔ２が一度目の加熱処理の温度Ｔ１よりも高いことを特徴とする請求項２記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
絶縁層表面の粗面化が酸化剤，アルカリ，有機溶剤のうちの少なくとも１種類以上を用いて行われることを特徴とする請求項１又は２記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関し、詳細には絶縁層上に形成される導体層の密着性を改善する多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子技術における配線の高密度化に伴い、プリント配線板としては複数の配線層を積層させた多層構造の配線板が使用されるようになってきている。このような多層プリント配線板としては、外層と称されるプリント配線板間に内層と称されるプリント配線板を接着層（Ｂステージプリプレグ）を介して挟み込んだ構造が一般的である。そして、該多層プリント配線板においては、一般に、上下の外層の配線層間を接続するスルーホールが形成されており、また近年では配線密度を向上させるために、内層が積層板である場合には内層の配線層間、あるいは内層の配線層と外層の配線層とを接続するブラインドバイアホールが形成されるようになり、その重要性が増している。
【０００３】
上記ブラインドバイアホールを有する多層プリント配線板の製造方法としては、内層となる積層板にドリルによりブラインドバイアホールを形成するブラインド孔を開け、これをメッキすることによりブラインドバイアホールを有する積層板を形成し、このブラインドバイアホールを有する積層板に外層を積層プレスした後、スルーホールを形成するスルーホール孔を開け、メッキすることによりスルーホールを形成して多層プリント配線板を製造する方法（所謂積層プレス法）が挙げられる。
【０００４】
また、他には下層の回路となる導体層上にフォトレジストを塗布して絶縁層を形成し、その絶縁層に露光、現像処理をすることによりブラインド孔を設け、さらにポストキュアを行い、その上にメッキすることにより上層の回路となる導体層と、その上層の導体層と下層の導体層とを接続するブラインドバイアホールとを形成して多層プリント配線板を製造する方法（所謂ビルドアップ法）も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記積層プレス法においては、積層プレス工程が必要となるので生産設備が大掛かりとなり、またブラインド孔の開孔にドリルを使用するため生産性が低下するという問題点がある。さらに、積層する個々の配線板に形成するブラインドバイアホールのメッキとスルーホールのメッキとを別個に行わなくてはならないのでメッキ工程が増え、製造コストが高くなるという問題点もある。そして、上記のようにブラインドバイアホールとスルーホールのメッキを別個に行うと、外層の最外層の導体層はメッキ層が２層重なったものとなる。従って、エッチングして回路を形成するにあたっては、メッキ厚が厚いため（通常８０μｍ以上）、ファインパターンの回路形成が困難になるという問題もある。また、ブラインドバイアホールを形成した積層板の積層プレス時に、積層板相互の接着剤機能を担うＢステージプリプレグが溶融してブラインドバイアホールから外層にまで染み出し、染み出した樹脂の除去作業が別途必要となるという問題もある。
【０００６】
一方、上記ビルドアップ法においては積層プレス法のような問題点はないが、フォトレジストからなる絶縁層とこの上にメッキにより形成した導体層との密着強度が小さいので（通常３００ｇ／ｃｍ以下）、パターン欠損や部品の剥離が生じるという問題点がある。これに対しては、メッキの前処理として、絶縁層の表面に対して過マンガン酸塩等により粗面化を行い、メッキアンカーを作成する方法が一般に用いられているものの、このようなメッキアンカーは非常に微細であるために、メッキにより形成した導体層と絶縁層との間に十分な密着強度を付与することができず、パターン欠損の発生を回避することは難しい。
【０００７】
そこで、上記ビルドアップ工法においては、特公平５−６５０７４号公報に示されるように、絶縁層インクとして酸化剤に溶けやすい予め硬化処理された耐熱性樹脂微粉末を含有するものを用い、該絶縁インクにより絶縁層を形成した後に酸化剤により処理して上記耐熱性樹脂微粉末を溶かし出し、絶縁層表面にメッキアンカーを形成し、導体層と絶縁層の密着性を向上させることも提案されている。
【０００８】
しかしながら、この方法では、絶縁層インクに含有される硬化処理された耐熱性樹脂を用意するための処理コストがかかる、予め硬化処理された耐熱性樹脂は硬化が進んでいるため、溶解する際に重クロム酸等の強い酸化剤が必要である、絶縁層を硬化（ポストキュア）させる際の必要露光量が多く加熱時間も長くなるため生産性が必ずしもよくない等の不都合が生じる。また、溶解する際に強い酸化剤を使用するため、基板にダメージが生じたり、排水処理等にも問題が生じる。
【０００９】
そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案されたものであり、ビルドアップ法を用いた多層プリント配線板及びその製造方法において、絶縁層とこの上にメッキにより形成する導体層との密着強度が改善され、パターン欠損や部品の剥離が解消された特性の良好な多層プリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために本発明者等が鋭意検討した結果、絶縁層を反応性を制御できるような特定の組成物を用いて形成し、上記絶縁層の形成時から粗面化までの間に加熱処理を行って絶縁層を半硬化状態とした上で、この絶縁層表面を粗面化剤により粗面化することにより、絶縁層の表面を充分な粗さを有し、安定した粗面化形状とすることができることを見出した。また、本発明者等は、上記のように粗面化させた絶縁層上にメッキを行い、メッキ後に加熱処理を行う事により、絶縁層中の残留半硬化部分を硬化させて、メッキ層と接触する部分を接着剤として機能させ、絶縁層とメッキによる導体層との密着強度を向上させることができることを見い出した。
【００１１】
すなわち、本発明は、第１の導体層上に絶縁層を形成し、上記絶縁層表面を粗面化した後、メッキを行い第２の導体層を形成する多層プリント配線板の製造方法において、上記絶縁層をカルボン酸付加アクリレート化合物と、加熱時の硬化反応速度が遅いエポキシ化合物の他、加熱時の効果反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物とを含有してなる組成物により形成し、該絶縁層形成から粗面化までの間に一度目の加熱処理を行い、かつメッキを行った後に二度目の加熱処理を行うことを特徴とするものである。ここでいう第１の導体層とは、図１に示すような多層プリント配線板において形成される導体層を上側から１層目，２層目，３層目と順次数えた場合に、２層目の導体層と５層目の導体層を指す。一方、第２の導体層は１層目の導体層と６層目の導体層を指す。
【００１２】
本発明のように、絶縁層を形成する組成物中に加熱時の硬化反応の速度が遅い、すなわち硬化の遅いエポキシ化合物の他、加熱時の効果反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物を含有させれば、一度目の加熱処理では上記エポキシ化合物の中には未硬化状態のものが残るため、絶縁層は半硬化状態となる。そして、これを粗面化した場合には、表面上の未硬化状態のエポキシ化合物が除去されることとなり、凹凸面が形成され、絶縁層表面は良好な粗化面とされ、絶縁層表面にメッキアンカーが形成される。従って、この上にメッキにより第２の導体層を形成した場合、絶縁層と導体層の密着強度が向上される。そして、メッキを行った後に、二度目の加熱処理を行うと、残留していた未硬化状態のエポキシ化合物が完全に硬化され、絶縁層と導体層の密着強度が更に向上される。
【００１３】
上記のように、絶縁層を形成する組成物中に、カルボン酸付加アクリレート化合物と加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物の他に、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上を含有させれば、一度目の加熱処理にて絶縁層を半硬化状態とする場合に、エポキシ化合物の硬化反応の速度差から硬化の比較的進んだ部分と硬化の進んでいない部分を短時間で作り出すことができ、メッキアンカーが短時間に形成される。
【００１４】
このとき、上記絶縁層を形成する組成物中に含有されるカルボン酸付加アクリレート化合物は、アルカリ現像性を発現させるためのカルボン酸と光硬化させるためのアクリレートを兼ね備えた化合物で、本発明においては、通常のアルカリ現像型レジストインクに用いられているカルボン酸付加アクリレート化合物と同様の物を使用すれば良い。
【００１５】
さらに、上記絶縁層を形成する組成物に含有される加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物としては以下に示すようなものが挙げられる。ただし、以下においては上記組成物をアルカリ現像型レジストインクと称することとする。
【００１６】
ここでいう加熱時の硬化反応の速度とは、エポキシ化合物をアルカリ現像型レジストインク中に含有させて加熱した場合の反応速度を言い、このとき起こる反応として主に考えられる反応としては、カルボキシル基とエポキシ基、および水酸基とエポキシ基、およびエポキシ基同士の反応が挙げられる。
【００１７】
そして、上記反応速度を評価する方法としては、以下のようなＪＩＳ Ｃ−２１０４に基づくゲル化試験法が挙げられる。
〔ゲル化試験法〕
先ず、カルボン酸付加アクリレート化合物１００部に各エポキシ化合物をカルボン酸当量に対してエポキシ当量で等量配合したものに、ジシアンジアミド１部とカルビトールアセテート６０部を配合し、３本ロールミルで練肉分散させて試料を作製する。次に、これらの試料を０．５ｇ取り、日新化学社製ＧＴ−Ｄ型ゲル化試験器を用いて１５０℃におけるそれぞれのゲル化タイムの測定を行う。
【００１８】
そして、本発明においては、上記ゲル化タイムを反応速度とし、各エポキシ化合物を反応速度（ゲル化タイム）により以下の３グループに区分して、加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物とした。
【００１９】
すなわち、第１にゲル化タイムが９分以上であったものを加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物（グループＡ）とし、第２にゲル化タイムが５分以上，９分未満であったものを加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物（グループＢ）とし、第３にゲル化タイムが５分未満であったものを加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物（グループＣ）とした。
【００２０】
上記加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ樹脂（グループＡ）の具体例としては、油化シェル社製 エピコート１００１，エピコート１００４、大日本インキ化学工業社製エピクロン９００，エピクロン１０５０、東都化成社製  エポトートＹＤ−１３４、ＹＤ−０１１、ダウケミカル社製 Ｄ．Ｅ．Ｒ．６６１、チバガイギー社製アラルダイド６０７１、旭化成工業社製 ＡＥＲ−６６１、住友化学工業社製スミーエポキシＥＬＡ−１３４，ＥＳＡ−０１１等（何れも商品名）のフェノキシ型エポキシ化合物や、油化シェル社製 エピコートＹＬ９０３，ＹＬ９０６、大日本インキ化学工業社製 エピクロン１５２，エピクロン１１２０、東都化成社製 エポトートＹＤＢ−４００，ＹＤＢ−５００、ダウケミカル社製 Ｄ．Ｅ．Ｒ．５１１、チバガイギー社製 アラルダイド８０１１、旭化成工業社製ＡＥＲ−７１１，ＡＥＲ−７５５、住友化学工業社製 スミーエポキシＥＬＢ−２４０，ＥＳＢ−５００等（何れも商品名）のブロム化エポキシ化合物、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＴＳＲ−９３０，ＴＳＲ−６０１、東都化成社製 エポトートＹＲ−２０７，ＹＲ−４５０，ＹＲ−１０２等（何れも商品名）のゴム変性エポキシ化合物、或いは東都化成社製 エポトートＹＤ−１７２（商品名）等のダイマー酸変性エポキシ化合物等が挙げられる。
【００２１】
また、上記加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物（グループＢ）の具体例としては、油化シェル社製 エピコート８０７，８２８、大日本インキ化学工業社製 エピクロン８４０、東都化成社製 エポートＹＤ−１２８、ダウケミカル社製 Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１、チバガイギー社製 アラルダイドＧＹ２６０、旭化学工業社製 ＡＥＲ３３１、住友化学工業社製 スミーエポキシＥＬＡ−１２８等（何れも商品名）のビスフェノールＡ型エポキシ化合物や、油化シェル社製 エピコート１５４，１８１、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−７４０，Ｎ−８６５，Ｎ−６６５，Ｎ−６９５、東都化成社製 エポトートＹＤＰＮ−６３８，ＹＤＣＮ−７０４、ダウケミカル社製 Ｄ．Ｅ．Ｎ．４３１，Ｄ．Ｅ．Ｒ．４３８，チバガイギー社製 アラルダイドＥＰＮ１１３８，ＥＣＮ１２３５，ＥＣＮ１２９９、日本化薬社製 ＲＥ−３０６，ＥＰＰＮ−２０１，ＥＯＣＮ−１０２０，ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、旭化成工業社製 ＡＥＲ ＥＣＮ−２３５，ＥＣＮ−２９９、住友化学工業社製 スミーエポキシＥＳＣＮ−１９５Ｘ，ＥＳＣＮ−２２０等（何れも商品名）のノボラック型エポキシ化合物、或いは大日本インキ化学工業社製 エピクロン８３０、東都化成社製 エポトートＹＤＦ−１７０、チバガイギー社製 アラルダイドＸＰＹ３０６等（何れも商品名）のビスフェノールＦ型エポキシ化合物、油化シェル社製 ＹＬ−９３３、ダウケミカル社製 Ｔ．Ｅ．Ｎ．等（何れも商品名）のトリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ化合物、または油化シェル社製 ＹＸ−４０００、大日本インキ化学工業社製 ＥＸＡ−１５１４等（何れも商品名）のビフェニル型エポキシ化合物、東都化成社製エポトートＳＴ−３０００（商品名）等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、油化シェル社製 エピコートＥ１５７Ｓ（商品名）等のビスＡノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。
【００２２】
さらに、上記加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物（グループＣ）の具体例としては、油化シェル社製 エピコート６０４、東都化成社製 エポートＹＨ−４３４、チバガイギー社製 アラルダイドＭＹ７２０、住友化学工業社製 スミーエポキシＥＬＭ−１２０等（何れも商品名）のグリシジルアミン型エポキシ化合物や、油化シェル社製 エピコートＹＬ−９３１、チバガイギー社製 アラルダイド１６３等（何れも商品名）のテトラフェニロールエタン型エポキシ化合物、或いはチバガイギー社製 アラルダイドＰＴ８１０、日産化学社製 ＴＥＰＩＣ等（何れも商品名）の複素環式エポキシ化合物、チバガイギー社製 アラルダイドＣＹ３５０（商品名）等のヒダントイン型エポキシ化合物、ダイセル化学工業社製 セロキサイド２０２１、チバガイギー社製 アラルダイドＣＹ１７５，ＣＹ１７９等（何れも商品名）の脂環式エポキシ化合物等が挙げられる。
【００２３】
また、上記グループＡ，Ｂ，Ｃのエポキシ化合物のアルカリ現像型レジストインク中の含有量は、グループＡのみが含有される場合においては、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対して２０〜２２０重量部とされることが好ましく、グループＡ及びＢが含有される場合においては、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対してＡが２０〜２００重量部、Ｂが１〜８０重量部とされることが好ましく、グループＡ及びＣが含有される場合においては、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対してＡが２０〜２００重量部、Ｃが１〜８０重量部とされることが好ましく、グループＡ及びＢ，Ｃが含有される場合においては、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対してＡが２０〜２００重量部、Ｂが１〜７０重量部、Ｃが１〜７０重量部とされることが好ましい。
【００２４】
さらに、上記グループＡのエポキシ化合物は、上記のような様々な組み合わせにおいて、エポキシ化合物全体の総重量の３０重量％以上を占める必要があり、５０重量％以上とされることが好ましい。
【００２５】
上記グループＡのエポキシ化合物の含有量が、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対して２０重量部未満、或いはエポキシ化合物全体の総重量の３０重量％未満であると、一度目の加熱処理の後の未硬化状態のエポキシ化合物の量が少なく、粗面化を行っても、除去される表面上の未硬化状態のエポキシ化合物が少なく、絶縁層表面を良好な粗化面とすることが難しく、メッキアンカーを形成することが困難である。
【００２６】
また、上記グループＡのエポキシ化合物の含有量が、カルボン酸付加アクリレート化合物の固形分１００重量部に対して２２０重量部よりも多いと、アルカリ現像が困難となり好ましくない。
【００２７】
なお、本発明に用いるアルカリ現像型レジストインクには、公知慣用の光重合開始剤、光重合性モノマーを含有させても良く、必要に応じて公知慣用のフィラー、着色顔料、消泡レベリング剤、有機溶剤、エポキシ硬化剤も含有させても良い。
【００２８】
さらに、上記アルカリ現像型レジストインクにより絶縁層を形成する方法としては、スクリーン印刷法やスプレー法、カーテンコート法等公知慣用の方法を使用する事ができる。
【００２９】
また、本発明は、上記のような多層プリント配線板の製造方法において、絶縁層形成から粗面化までの間の一度目の加熱処理の温度Ｔ１が１３０℃≦Ｔ１≦１７０℃の範囲とされていても良く、メッキを行った後の二度目の加熱処理の温度Ｔ２が一度目の加熱処理の温度Ｔ１よりも高いものとされていても良い。
【００３０】
なお、一度目の加熱処理条件は、温度Ｔ１が１３０℃の時６０〜１２０分、１７０℃の時５〜２０分程度が適当であり、好ましくは１４０℃〜１６０℃で１５〜６０分である。
【００３１】
温度Ｔ１が１３０℃未満ではアルカリ現像型レジストインクの硬化が不十分となり、例えばスルーホールを形成しようとした場合に、ドリリング性（スミア、キズ）または金型を用いたパンチング孔開時のキズ等の問題が生じる。また、温度Ｔ１が１７０℃よりも高くなると、エポキシ化合物の硬化反応が短時間で進むため制御できず、未硬化状態のエポキシ化合物を残留させ、絶縁層を半硬化状態とすることができない。なお、プリント配線板に使用する基板の材料の種類にもよるが、基板の収縮、反りを考慮すると温度Ｔ１の上限は１７０℃近辺である。
【００３２】
さらに、本発明は、上記のような多層プリント配線板の製造方法において、絶縁層表面の粗面化を酸化剤，アルカリ，有機溶剤のうちの少なくとも１種類以上を用いて行うものとしても良い。
【００３３】
上記酸化剤としては、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、濃硫酸等が挙げられ、上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、上記有機溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げられる。
【００３５】
【作用】
本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、絶縁層をカルボン酸付加アクリレート化合物と加熱時の硬化反応の速度が遅い、すなわち硬化の遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物よりなる組成物により形成しており、これに一度目の加熱処理を行って半硬化状態とした後に、上記絶縁層表面を粗面化するため、表面上の未硬化状態のエポキシ化合物が除去されることとなり、凹凸面が形成され、絶縁層表面は良好な粗化面とされる。そして、この後、メッキを行い第２の導体層を形成した場合には、絶縁層と導体層の密着強度が向上される。さらに、メッキを行った後に、二度目の加熱処理を行うと、残留していた未硬化エポキシ化合物が完全に硬化され、絶縁層が完全に硬化されるため、絶縁層と導体層の密着強度が更に向上される。
【００３６】
また、本発明は、上記のような多層プリント配線板の製造方法において、絶縁層を形成する組成物をカルボン酸付加アクリレート化合物と加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物を含有してなるものとしたので、一度目の加熱処理にて絶縁層を半硬化状態とする場合に、エポキシ化合物の加熱時の硬化反応の速度の差から、硬化の比較的進んだ部分と硬化の進んでいない部分が短時間で作り出され、粗面化が短時間で達成される。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、本実施例の多層プリント配線板の製造方法により製造される多層プリント配線板の構造について説明する。上記多層プリント配線板は、図１に示すように、積層基板１の上面に第１の絶縁層２を介して所定の配線パターンを有する１層目の導体層４（第２の導体層）が形成され、積層基板１の下面に第２の絶縁層３を介してやはり所定の配線パターンを有する６層目の導体層５（第２の導体層）が形成されるものである。
【００３９】
上記積層基板１は、３枚の基板６，７，８が順次積層されて接合されたものである。そして、基板６の基板７との接合面の反対側の主面６ａには所定の配線パターンを有する２層目の導体層９（第１の導体層）が形成され、基板６と基板７間には所定の配線パターンを有する３層目の導体層１０が形成され、基板７と基板８間には所定の配線パターンを有する４層目の導体層１１が形成され、基板８の基板７との接合面の反対側の主面８ａには所定の配線パターンを有する５層目の導体層１２（第１の導体層）が形成されており、上記積層基板１は、都合４層の導体層を有する積層基板とされている。従って、上記多層プリント配線板は６層の導体層を有する積層基板となる。
【００４０】
また、上記多層プリント配線板には、１層目の導体層４のコネクション部４ａ，４層目の導体層１１のコネクション部１１ａ，６層目の導体層５のコネクション部５ａを電気的に接続するスルーホール１３が設けられている。上記スルーホール１３は、第１の絶縁層２，積層基板１，第２の絶縁層３を貫通し、１層目の導体層４のコネクション部４ａから６層目の導体層５のコネクション部５ａまで各コネクション部４ａ，１１ａ，５ａの中央部を貫通するように設けられた孔部であり、孔部の周壁に導電材料が配され、各コネクション部４ａ，１１ａ，５ａを電気的に接続するものである。
【００４１】
さらに、上記多層プリント配線板には、１層目の導体層４のコネクション部４ｂと２層目の導体層９のコネクション部９ｂ、６層目の導体層５のコネクション部５ｂと５層目の導体層１２のコネクション部１２ｂ、６層目の導体層５のコネクション部５ｃと５層目の導体層１２のコネクション部１２ｃを電気的に接続するブラインドバイアホール１４，１５，１６が設けられている。これらブラインドバイアホール１４，１５，１６も上記スルーホール１３と略同様の構造で各コネクション部４ｂ，９ｂ間、コネクション部５ｂ，１２ｂ間、コネクション部５ｃ，１２ｃ間の電気的接続を図るものである。
【００４２】
次に、本実施例の多層プリント配線板の製造方法について説明する。本実施例の多層プリント配線板の製造方法は、基本的にはビルドアップ工法に従うものである。ただし、以下の説明においては、スルーホール１３、ブラインドバイアホール１４，１６の形成部分に限定して説明する。
【００４３】
本実施例の多層プリント配線板の製造方法においては、先ず、図２に示すように、積層基板２１の両面に銅箔を形成した後、所定の配線パターンを有する２層目，５層目の導体層２２，２３（第１の導体層）を形成する。このとき、上記２層目，５層目の導体層２２，２３は、それぞれコネクション部２２ｂ，２３ｃを有するものとされている。ただし、上記積層基板２１は、図示を省略する３枚の基板が積層され、各基板間に所定の配線パターンを有する３層目，４層目の導体層が形成されるものである。
【００４４】
次に、図３に示すように、積層基板２１の２層目，５層目の導体層２２，２３（第１の導体層）上にアルカリ現像型レジストインクをスクリーン印刷法やスプレー法，カーテンコート法により塗布し、絶縁層２４，２５を形成する。上記アルカリ現像型レジストインクは、前述のように、カルボン酸付加アクリレート化合物と、加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物が含有されてなるものである。また、上記加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物の加熱時の硬化反応の速度について、その具体例についても前述の通りである。
【００４５】
そして、図４に示すように、上記絶縁層２４，２５のコネクション部２２ｂ，２３ｃに対応する位置に、写真法によってブラインドバイアホールを形成するためのブラインド孔２６，２７をそれぞれ設ける。上記のようなブラインド孔２６，２７の形成方法としては、フォトツールを介して露光し、現像を行って所望の孔を開ける写真法を挙げることができる。また、レーザー光で孔を開けてもよく、サンドブラストで開けてもよい。
【００４６】
続いて、ポストキュアとよばれる一度目の加熱処理を行い、このときの温度，時間条件を制御することにより絶縁層２４，２５を半硬化状態とする。ここでいう半硬化状態とは、絶縁層２４，２５を後工程においてドリリングできる程度の硬化状態から後工程の粗面化によって十分な凹凸が得られる範囲の硬化状態を指す。なお、この際の加熱温度，時間の条件は前述の通りである。
【００４７】
本実施例においては、絶縁層２４，２５を構成するアルカリ現像型レジストインクとして、上記のように少なくとも加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物を含有するものを使用していることから、一度目の加熱処理後、絶縁層２４，２５の中に未硬化状態の加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物２８，２９が残るために、上記絶縁層２４，２５は半硬化状態となる。そして、アルカリ現像型レジストインクに加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物を含有するので、エポキシ化合物の反応性の差から硬化の比較的進んだ部分と硬化の進んでいない部分を短時間で作り出すことができ、半硬化状態が短時間で得られる。
【００４８】
次に、図４中に示すように、絶縁層２４，積層基板２１，絶縁層２５を貫通するようなスルーホールを形成するためのスルホール孔３０を形成する。上記スルーホール孔３０は、通常はドリル（ドリル径０．２〜０．４ｍｍ程度）で孔を開けて形成すればよいが、金型を用いてパンチで開けてもよく、またレーザー光で孔を開けてもよい。
【００４９】
そして、図５に示すように、絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａの粗面化を行う。本実施例においては、粗面化剤を用いて絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａ近傍の未硬化状態のエポキシ化合物２８，２９を溶かし出して粗面化を行う。上記粗面化剤としては、前述のように、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、濃硫酸等の酸化剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶剤等が挙げられる。
【００５０】
ここでは、粗面化剤として酸化剤を使用する例を示す。粗面化を行うに際し、先ず、絶縁層２４，２５をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ピリジン等を用いて膨潤させる。次いで、膨潤させた絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａを過マンガン酸カリウム，重クロム酸カリウム，濃硫酸等の酸化剤により粗面化する。
【００５１】
本実施例においては、半硬化状態とされている絶縁層２４，２５に粗面化を行い、絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａ近傍の未硬化状態のエポキシ化合物２８，２９を溶かし出して除去することから、絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａが安定して図５中に示すように凹凸面化され、良好に粗面化される。すなわち、表面２４ａ，２５ａには十分な深さを有するメッキアンカーが形成されることとなる。なお、上述のように、絶縁層２４，２５を形成するアルカリ現像型レジストインクに加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物を含有する場合においても、安定して良好な粗化面を形成することが可能である。
【００５２】
また、本実施例においては、未硬化状態の加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物２８，２９を溶かし出すために、比較的弱い酸化剤での処理が可能となり、基板へのダメージが比較的少なくなり、排水処理にも問題が生じにくい。
【００５３】
次に、図６に示すように、絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａ上にメッキを行い、メッキ層３１を形成する。上記メッキ層３１は、ブラインド孔２６，２７及びスルホール孔３０内の全面を覆うように形成される。なお、上記メッキ層３１は、常法に従って無電解メッキを行って形成すればよいが、無電解メッキと電解メッキとを併用して形成しても良い。
【００５４】
ところで、従来においては、絶縁層を構成するアルカリ現像型ソルダーンジストインクとして加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物を含有するものを使用していたために、上記のように絶縁層を半硬化状態とすることが困難であり、粗面化を行っても、安定して良好な粗化面を形成することが難しく、この上にメッキにより導体層を形成しても絶縁層と導体層の密着強度を確保することが難しかった。
【００５５】
しかしながら、本実施例においては、上記のように絶縁層２４，２５の表面２４ａ，２５ａが安定して良好に粗面化されており、メッキアンカーが形成されていることから、上記のようにメッキによりメッキ層３１を形成した場合、絶縁層２４，２５とメッキ層３１間の密着強度を向上させることが可能となる。
【００５６】
この後、絶縁層２４，２５を完全に硬化させて該絶縁層２４，２５とメッキ層３１間の密着を更に強固なものとし、実用に耐え得るものとする。すなわち、絶縁層２４，２５に残っている未硬化状態のエポキシ化合物２８，２９を二度目の加熱処理（アニール処理）により完全に硬化させ、絶縁層２４，２５とメッキ層３１間の接着剤として機能させ、密着強度を向上させる。上記加熱処理の温度Ｔ２としては、１４０℃以上が好ましく、一度目の加熱処理の温度Ｔ１よりも高い温度であることがより好ましい。
【００５７】
次に、常法に従って、絶縁層２４の表面２４ａ側及び絶縁層２５の表面２５ａ側のメッキ層３１に所定の配線パターンを形成し、図７に示すように１層目の導体層３２（第２の導体層）及び６層目の導体層３３（第２の導体層）を形成する。上記１層目の導体層３２は、スルーホール孔３０上に設けられるコネクション部３２ａ、ブラインド孔２６上に設けられるコネクション部３２ｂを有するものであり、６層目の導体層３３は、スルーホール孔３０上に設けられるコネクション部３３ａ、ブラインド孔２７上に設けられるコネクション部３３ｃを有するものである。
【００５８】
このとき、上述のように、スルーホール孔３０の内壁にもメッキ層３１が形成されており、その結果、１層目の導体層３２のコネクション部３２ａ、６層目の導体層３３のコネクション部３３ａ間はスルーホール孔３０内のメッキ層３１により電気的に接続されることとなり、スルーホール３４が形成される。なお、積層基板２１中の図示しない４層目の導体層にもコネクション部が設けられており、これとも電気的に接続されていることは言うまでもない。
【００５９】
一方、ブラインド孔２６においても、内壁にメッキ層３１が形成されており、その結果、１層目の導体層３２のコネクション部３２ｂと２層目の導体層２２のコネクション部２２ｂ間はブラインド孔２６内のメッキ層３１により電気的に接続されることとなり、ブラインドバイアホール３５が形成される。また、ブラインド孔２７においても同様であり、６層目の導体層３３のコネクション部３３ｃと５層目の導体層２３のコネクション部２３ｃを電気的に接続するブラインドバイアホール３６が形成される。従って、図１に示されるような多層プリント配線板が完成される。
【００６０】
なお、本実施例においては、積層基板上に絶縁層，導体層を設ける例について述べたが、積層基板の代わりに片面基板或いは両面基板を使用しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００６１】
本実施例の多層プリント配線板の製造方法により多層プリント配線板を製造すれば、絶縁層を構成するアルカリ現像型レジストインクを加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物を含有するものとしていることから、一度目の加熱処理においては絶縁層は半硬化状態となり、該絶縁層の粗面化を行った場合においては、絶縁層表面近傍の未硬化状態のエポキシ化合物を溶かし出すこととなるため、安定して良好な粗化面が形成され、十分な深さを有するメッキアンカーが形成される。従って、この上にメッキ層を形成した場合においては、絶縁層とメッキ層（導体層）の密着強度が向上される。さらに、メッキ後の二度目の加熱処理により未硬化状態のエポキシ化合物を硬化させることにより、絶縁層と導体層との密着強度をより向上させることができ、パターン欠損や部品の剥離が解消される。
【００６２】
また、本実施例の多層プリント配線板の製造方法により多層プリント配線板を製造すれば、その製造設備は既存のプリント配線板の製造設備で足り、特殊な設備は不要である。さらには、本実施例においては、絶縁層の粗面化の際に強い粗面化剤を必要とせず、比較的弱い粗面化剤にて処理できることから、多層プリント配線板を構成する基板へのダメージが少なくて済み、また排水処理等の問題も生じにくい。
【００６３】
さらにまた、本実施例の多層プリント配線板の製造方法によれば、ビルドアップ法により多層プリント配線板を製造するので、従来の積層プレス法のような、積層プレス工程を必要とせず、生産設備を縮小できる。そして、ドリルを使用することなくブラインドバイアホールを形成するためのブラインド孔を形成できるので、大幅に生産性を向上させることができ、製造コストを低下させることが可能となる。さらに、ブラインドバイアホールのメッキとスルーホールのメッキとを同時に行うことができるので、これによっても製造コストを低下させることができる。しかも、最外層の導体層（本実施例においては１層目，６層目の導体層）を構成するメッキ層が１層となりその厚さを薄くできることから、ファインパターンの回路形成が可能となる。
【００６４】
次に、本実施例の効果を確認すべく、以下のような実験を行った。
【００６５】
実験例１
本実験例においては、本実施例の多層プリント配線板の製造方法に従って多層プリント配線板を製造し、導体層と絶縁層の密着強度及びパターン欠損の有無について調査した。
【００６６】
先ず、絶縁層を形成するアルカリ現像型レジストインクの製造を行った。そして、最初にアルカリ現像型レジストインクに使用するカルボン酸付加アクリレート化合物（以下、化合物Ａと略する。）の合成を行った。すなわち、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名；エピクロンＮ−６９５ 大日本インキ化学工業社製）をカルビトールアセテートに溶解した後、当量のアクリル酸を反応させて感光基の付与を行い、次にこの反応で生成した２級の水酸基に対して７０モル％のヘキサヒドロ無水フタル酸を反応させてアルカリ可溶性の感光性樹脂であるカルボン酸付加アクリレート化合物（化合物Ａ）を製造した。なお、上記化合物Ａの固形分は７０重量％であった。
【００６７】
次に、上記化合物Ａを用いて以下に示すようなアルカリ現像型レジストインクの実施サンプル１，２，３，４と比較サンプル１，２，３を製造した。
【００６８】
＜実施サンプル１の製造＞
化合物Ａ５０．０部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（商品名ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ；日本化薬社製）８．０部、硫酸バリューム（商品名ＢＡＲＩＦＩＮＥ ＢＦ−１０；堺化学工業社製）１５．０部、２−メチル−ｌ−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリンプロパノン−１（２−Ｍｅｔｈｙｌ−ｌ−〔４−（ｍｅｔｈｙｌｔｈｉｏ）ｐｈｅｎｙｌ〕−２−ｍｏｒｈｏｌｉｎｏｐｒｏｐａｎｏｎｅ−１）（商品名Ｉｒｇａｏｕｒｅ９０７；チバガイギー社製）４．０部、ジシアンジアミド１．０部、フタロシアニングリーン０．５部、カルビトールアセテート１１．５部、およびエポキシ化合物として前述のグループＡ（加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物）のゴム変性エポキシ化合物（商品名エピクロンＴＳＲ−６０１；大日本インキ化学工業社製）２５．０部を配合して予備混合後、３本ロールミルで練肉分散を行いアルカリ現像型レジストインク組成物である実施サンプル１を得た。すなわち、実施サンプル１には加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物のみが含有される。
【００６９】
＜実施サンプル２の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分をグループＡのビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名エピコート１００１；油化シェル社製）１０．０部とグループＡのゴム変性エポキシ化合物（商品名エピクロンＴＳＲ−６０１；大日本インキ化学工業社製）１５．０部に置き換えて配合した以外は、実施サンプル１に準じて製造を行い、実施サンプル２を得た。すなわち、実施サンプル２には加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物のみが含有される。
【００７０】
＜実施サンプル３の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分を前述のグループＣ（加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物）の脂環式エポキシ化合物（商品名セロキサイド２０２１；ダイセル化学工業社製）１０．０部とグループＡのゴム変性エポキシ化合物（商品名エピクロンＴＳＲ−６０１；大日本インキ化学工業社製）１５．０部に置き換えて配合した以外は、実施サンプル１に準じて製造を行い、実施サンプル３を得た。すなわち、実施サンプル３には加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物と加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物が含有される。
【００７１】
＜実施サンプル４の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分をグループＣの複素環式エポキシ化合物（商品名アラルダイドＰＴ８１０；チバガイギー社製）５．０部、と前述のグループＢ（加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物）のビフェニル型エポキシ化合物（商品名ＥＸＡ−１５１４；大日本インキ化学工業社製）５．０部、とグループＡのビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名エピコート１００１；油化シェル社製）１５．０部に置き換えて配合した以外は、実施サンプル１に準じて製造を行い、実施サンプル４を得た。すなわち、実施サンプル４には加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物と加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物が含有される。
【００７２】
＜比較サンプル１の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分をグループＣの複素環式エポキシ化合物（商品名ＴＥＰＩＣ；日産化学社製）２５．０部単独に置き換えた以外は、実施サンプル１に準じて製造を行い、比較サンプル１を得た。すなわち、比較サンプル１には加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物のみが含有される。
【００７３】
＜比較サンプル２の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分をグループＢのビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名エピコート８２８；油化シェル社製）１０．０部とグループＢのノボラック型エポキシ化合物（商品名エピクロンＮ−８６５；大日本インキ化学工業社製）１５．０部に置き換えて配合した以外は、実施サンプル１に準じて比較サンプル１を得た。すなわち、比較サンプル２には加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のみが含有される。
【００７４】
＜比較サンプル３の製造＞
実施サンプル１のエポキシ化合物の配合部分をグループＣの複素環式エポキシ化合物（商品名アラルダイドＰＴ８１０；チバガイギー社製）５．０部、とグループＢのビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名エピコート８２８；油化シェル社製）１５．０部とグループＡのビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名エピコート１００１；油化シェル社製）５．０部に置き換えて配合した以外は、実施サンプル１に準じて製造を行い、比較サンプル３を得た。すなわち、比較サンプル３には加熱時の硬化反応の速度が遅いエポキシ化合物と加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物が含有される。
【００７５】
そして、上記実施サンプル１〜４及び比較サンプル１〜３を用い、本実施例の多層プリント配線板の製造方法に従って多層プリント配線板の製造を行った。ただし、この場合、上述の積層基板の代わりに片面基板を使用し、片側２層の多層プリント配線板を製造することとした。なお、上記片面基板としては、絶縁層の厚さが０．６ｍｍ、銅箔の厚さが３５μｍの基板（東芝ケミカル社製、ＴＣＬ−５５１（商品名））を使用した。
【００７６】
先ず、片面基板の銅箔により２層目の導体層（第１の導体層）を形成した。すなわち、銅箔の表面をバフ及びスクラブにより整面し、銅箔の全面にそれぞれドライフィルム（旭化成工業社製、サンフォートＡＱ５０４４（商品名））を貼り合わせ、次いでパターンフィルムを介して露光機（オーク社製、ＨＭＷ−５５１Ｄ（機種名））により露光し、３％炭酸ソーダで３０℃で６０秒間現像し、塩化第２鉄溶液でエッチングし、３％苛性ソーダでドライフィルムを剥離して、配線ラインの幅１００μｍ，配線ライン間の距離１００μｍの所定の配線パターンを有する２層目の導体層（第１の導体層）を形成した。
【００７７】
次いで２層目の導体層の表面をバフ及びスクラブにより整面し、２層目の導体層上に絶縁層を形成した。すなわち、上述の実施サンプル１〜４及び比較サンプル１〜３の各サンプルをテトロン８０メッシュのスクリーン版を用いて、スクリーン印刷法により２層目の導体層上に塗布した。なお、印刷機としては、ニューロング社製 ＬＳ−５０（機種名）を用いた。そして、上記絶縁層を指触乾燥させるために、ボックスオーブン（タバイエスペック社製 ＰＨＨ−２００（機種名））にて、７０℃，２０分の条件で処理した。
【００７８】
その後、絶縁層のブラインドバイアホール形成位置に直径０．２ｍｍのブラインド孔を形成するため、所定のパターンを有するフォトマスクフィルムを絶縁層に密着させて露光した。なお、露光機としては、オーク社製のＨＭＷ−５５１Ｄ（機種名）を使用し、露光量は５００ｍＪ／ｃｍ２とした。そして、２％炭酸ソーダ溶液により現像を行い、ブラインド孔を所定の位置に形成した。
【００７９】
次に、絶縁層を半硬化状態にするために、ボックスオーブンを用い、１５０℃，３０分の条件で一度目の加熱処理を行った。
【００８０】
そして、スルーホール孔をＮＣドリルマシン（日立精工社製 Ｈ−ＭＡＲＫ９０Ｊ（機種名））に直径０．３５ｍｍのドリルを装着して開孔し形成した。
【００８１】
次にコンディショナー（上村工業社製 エレクトロブライトＭＬＢテスミアイニシエーターＤＩ−４６４（機種名））に浸漬し、過マンガン酸カリウムにより絶縁層の表面を粗面化した。
【００８２】
続いて、絶縁層上に無電解銅メッキ後、電解メッキを行い、パネルメッキを施し、ブラインド孔とスルーホール孔内、絶縁層表面の全面にわたってメッキ層を形成した。
【００８３】
そして、ボックスオーブンを用いて二度目の加熱処理を行い、絶縁層の硬化を完全なものとし、絶縁層と導体層の密着強度をさらに向上させた。なお、加熱処理条件は１７０℃，２０分間とした。
【００８４】
最後に、メッキ層に所定の配線パターンを形成し、１層目の導体層（第２の導体層）とし、片側２層の多層プリント配線板を完成した。なお、実施サンプル１〜４のアルカリ現像型レジストインクを使用して製造した多層プリント配線板をそれぞれ実施例１〜４とし、比較サンプル１〜３のアルカリ現像型レジストインクを使用して製造した多層プリント配線板をそれぞれ比較例１〜３とした。
【００８５】
このようにして得られた多層プリント配線板の絶縁層と１層目の導体層（第１の導体層）との密着強度（ピール強度）をＪＩＳ Ｃ−６４８１の方法に従って測定した。また、パターン欠損の有無をＪＩＳ Ｃ−５０１０の方法で確認した。結果を表１に示す。
【００８６】
【表１】
0003815574.tif 000002
【００８７】
表１の結果を見てわかるように、絶縁層を形成するアルカリ現像型レジストインクに含有される各グループのエポキシ化合物の組み合わせ，含有量が前述した通りであり、かつグループＡのエポキシ化合物の含有量が、エポキシ化合物全体の総重量の３０重量％以上とされている実施例１〜４においては、良好なピール強度（密着強度）を得ることができ、パターン欠損も生じていなかった。
【００８８】
一方、絶縁層を形成するアルカリ現像型レジストインクに含有される各グループのエポキシ化合物の組み合わせ，含有量が前述したもの以外である比較例１，２及びグループＡのエポキシ化合物の含有量が、エポキシ化合物全体の総重量の３０重量％未満とされている比較例３においては、ピール強度は低く、パターン欠損も生じていた。ただし、比較例１においては、絶縁層と１層目の導体層（第２の導体層）の密着強度が弱いために、二度目の加熱処理にてこれらの間に隙間が生じてしまい、測定が不可能であった。
【００８９】
実験例２
次に、本実施例の多層プリント配線板の製造方法における一度目の加熱処理条件の影響を考慮して、一度目の加熱温度，時間を変更して多層プリント配線板を製造し、これらの密着強度及びパターン欠損の有無について調査した。すなわち、上記のような実施サンプル２，４と比較サンプル１，３を用い、一度目の加熱処理の温度と時間を１３０℃，３０分、１３０℃，１２０分、１７０℃，２０分、１７０℃，３０分に変更して多層プリント配線板を製造し、実験例１と同様にこれらのピール強度及びパターン欠損の有無を調査した。なお、本実験例においては、実施サンプル２を用い、一度目の加熱処理条件を１３０℃，３０分としたものを実施例５、１３０℃，１２０分としたものを実施例６、１７０℃，２０分としたものを実施例７、１７０℃，３０分としたものを実施例８とし、実施サンプル４を用いたものも同様に実施例９〜１２とし、比較サンプル１を用いたものも同様に比較例４〜７とし、比較サンプル３を用いたものも同様に比較例８〜１１とした。結果を表２に示す。
【００９０】
【表２】
0003815574.tif 000003
【００９１】
表２の結果を見てわかるように、一度目の加熱処理条件を変更しても実施サンプル２，４を使用した実施例５〜１２においては、良好なピール強度が得られ、パターン欠損も生じていなかった。
【００９２】
一方、一度目の加熱処理条件を変更しても比較サンプル１，３を使用した比較例４〜１１においては、ピール強度は低く、パターン欠損も生じていた。この場合においてもやはり測定不可能な場合が生じた。
【００９３】
実験例３
次に、本実施例の多層プリント配線板の製造方法における二度目の加熱処理条件の影響を考慮して、二度目の加熱温度，時間を変更して多層プリント配線板を製造し、これらの密着強度及びパターン欠損の有無について調査した。すなわち、上記のような実施サンプル２，４と比較サンプル１，３を用い、二度目の加熱処理の温度と時間を１３０℃，３０分、１５０℃，３０分、１５０℃，６０分、１７０℃，４０分に変更して多層プリント配線板を製造し、実験例１と同様にこれらのピール強度及びパターン欠損の有無を調査した。なお、本実験例においては、実施サンプル２を用い、二度目の加熱処理条件を１３０℃，３０分としたものを実施例１３、１５０℃，３０分としたものを実施例１４、１５０℃，６０分としたものを実施例１５、１７０℃，４０分としたものを実施例１６とし、実施サンプル４を用いたものも同様に実施例１７〜２０とし、比較サンプル１を用いたものも同様に比較例１２〜１５とし、比較サンプル３を用いたものも同様に比較例１６〜１９とした。結果を表３に示す。
【００９４】
【表３】
0003815574.tif 000004
【００９５】
表３の結果を見てわかるように、二度目の加熱処理条件を変更しても実施サンプル２，４を使用した実施例１３〜２０においては、良好なピール強度が得られ、パターン欠損も生じていなかった。また、二度目の加熱処理温度が一度目の加熱処理温度１５０℃よりも高い場合には、より高いピール強度を示した。
【００９６】
一方、二度目の加熱処理条件を変更しても比較サンプル１，３を使用した比較例１２〜１９においては、ピール強度は低く、パターン欠損も生じていた。この場合においてもやはり測定不可能な場合が生じた。
【００９７】
従って、実験例１〜３の結果により、本実施例の多層プリント配線板の製造方法に従って多層プリント配線板を製造すれば、密着強度が良好で、パターン欠損等の生じない多層プリント配線板を製造できることが確認された。
【００９８】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明は、第１の導体層上に絶縁層を形成し、上記絶縁層表面を粗面化した後、メッキを行い第２の導体層を形成する多層プリント配線板の製造方法において、絶縁層をカルボン酸付加アクリレート化合物と加熱時の硬化反応の速度が遅い、すなわち硬化の遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物よりなる組成物により形成しており、これに一度目の加熱処理を行って半硬化状態とした後に、上記絶縁層表面を粗面化するため、表面上の半硬化状態のエポキシ化合物が除去されることとなり、凹凸面が形成され、絶縁層表面は良好な粗化面とされる。そしてこの後、メッキを行い第２の導体層を形成した場合には、絶縁層と導体層の密着強度が向上される。さらに、メッキを行った後に、二度目の加熱処理を行うと、残留していた未硬化エポキシ化合物が完全に硬化され、絶縁層と導体層の密着強度が更に向上され、パターン欠損や部品の剥離が解消される。
【００９９】
また、本発明は、上記のような多層プリント配線板の製造方法において、絶縁層を形成する組成物を加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物，加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物を含有しているので、一度目の加熱処理にてエポキシ化合物を半硬化状態とする場合に、エポキシ化合物の加熱時の硬化反応の速度の違いにより、硬化の比較的進んだ部分と硬化の進んでいない部分が短時間で作り出され、粗面化が短時間で達成される。
【０１００】
さらに、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、ビルドアップ法によるものであるので、従来の積層プレス法のような、積層プレス工程を必要とせず、生産設備を縮小できる。また、ドリルを使用することなくブラインドバイアホールを形成するためのブラインド孔を形成できるので、大幅に生産性を向上させることができ、製造コストを低下させることが可能となる。さらに、ブラインドバイアホールのメッキとスルーホールのメッキとを同時に行うことができるので、これによっても製造コストを低下させることができる。しかも、最外層の導体層を構成するメッキ層が１層となりその厚さを薄くできることから、ファインパターンの回路形成が可能となる。
【０１０１】
また、本発明は、第１の導体層上に絶縁層を形成し、上記絶縁層表面を粗面化した後、メッキを行うことで第２の導体層を形成した多層プリント配線板において、絶縁層がカルボン酸付加アクリレート化合物と加熱時の硬化反応の速度が遅い、すなわち硬化の遅いエポキシ化合物の他、加熱時の硬化反応の速度が速いエポキシ化合物、加熱時の硬化反応の速度が中程度のエポキシ化合物のうち少なくとも１種類以上のエポキシ化合物よりなる組成物により形成されており、これに一度目の加熱処理を行って半硬化状態とした後に、上記絶縁層表面を粗面化することにより、表面上の未硬化状態のエポキシ化合物が除去されることとなり、凹凸面が形成され、絶縁層表面は良好な粗化面とされる。そして、この後、メッキを行うことで第２の導体層が形成された場合には、絶縁層と導体層との密着強度が向上したものとなる。さらに、メッキを行った後に、二度目の加熱処理を行うと、残留していた未硬化エポキシ化合物が完全に硬化され、絶縁層と導体層の密着強度が良好なものとなり、パターン欠損や部品の剥離が解消されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を適用した多層プリント配線板の製造方法の実施例により製造される多層プリント配線板の要部の断面を示す斜視図である。
【図２】  本発明を適用した多層プリント配線板の製造方法の実施例を工程順に示すものであり、積層基板に２層目，５層目の導体層を形成する工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図３】  ２層目，５層目の導体層上に絶縁層を形成する工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図４】  絶縁層にブラインド孔，スルーホール孔を設ける工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図５】  絶縁層の表面を粗面化する工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図６】  絶縁層上にメッキ層を形成する工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図７】  １層目，６層目の導体層、スルーホール，ブラインドバイアホールを形成する工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
２１・・・積層基板
２２・・・２層目の導体層
２２ｂ，２３ｃ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｃ・・・コネクション部
２３・・・５層目の導体層
２４，２５・・・絶縁層
２４ａ，２５ａ・・・表面
２６，２７・・・ブラインド孔
２８，２９・・・エポキシ化合物
３０・・・スルーホール孔
３１・・・メッキ層
３２・・・１層目の導体層
３３・・・６層目の導体層
３４・・・スルーホール
３５・・・ブラインドバイアホール
３６・・・ブラインドバイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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