(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムからなるワイヤ（３０）を被ボンディング部材にボンディングするワイヤボンディング方法において、
前記被ボンディング部材の第１ボンディング面（１０）よりもアルミニウムとの接合性が劣るものからなり、一面（２１）上に当該一面より突出する突起部（２３）を有する低接合性部材（２０）を用意し、
第１ボンディングの前に、前記ワイヤのうちテール部（３１）が前記突起部に接触するように、前記ワイヤを前記低接合性部材の一面上に押しつけることにより、前記ワイヤにおいて前記テール部が上方に曲がった形状を形成することを特徴とするワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミニウムからなるワイヤを被ボンディング部材にボンディングするワイヤボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＩＧＢＴ、ＤＭＯＳの使用の拡大に伴い、シリコン素子のコストダウンを図るため、従来デッドスペースであったボンディングパッドを廃止し、トランジスタ上のＡｌ膜に直接ボンディングを行うようになってきている。このようなボンディングは、シリコン素子におけるセル構造を有するアクティブ部に直接ボンディングすることから、セル上ボンディングと呼ばれている。
【０００３】
被ボンディング部材としてのシリコンチップのアクティブ部に、アルミニウム（Ａｌ）の太線をワイヤボンディングした例を図３、図４に示す。図４は図３中の丸で囲んだＡ部の拡大断面図である。
【０００４】
図３に示すように、シリコンチップ２００が基板２１０上に搭載されている。このシリコンチップ２００のアクティブ部上に、例えばφ１００μｍ以上のＡｌ太線からなるワイヤ３０が第１ボンディングされ、基板２１０上のパッド２２０に第２ボンディングされている。
【０００５】
図４に示すように、アクティブ部は、例えば、ゲート電極２０１、ソース電極２０２およびドレイン電極２０３等を備えたトランジスタ素子が１個のセルとして複数個配列されたセル構造を有している。なお、基板２１０の上にはドレイン配線２０３ａが形成されている。また、Ａｌ膜からなるソース電極２０２の下にはゲート電極２０１との絶縁を確保するための層間絶縁膜２０４が介在しており、この層間絶縁膜２０４は平坦ではなく、凹凸を持って存在している。
【０００６】
そして、ワイヤ３０の第１ボンディングは、このセル構造をなすアクティブ部におけるソース電極２０２としてのＡｌ膜をボンディング面として行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したセルへに対してＡｌ太線をワイヤボンディングする場合、セルへのダメージは超音波エネルギー（つまり、ボンディングツールの振幅量）が小さければ発生しない。
【０００８】
しかし、セル上ボンディングでは、Ａｌ太線を上記したような凹凸を持ったＡｌ膜上に接合しなければならないため、平面状のＡｌ膜に対するボンディングよりも大きな超音波エネルギーが必要である。
【０００９】
上記図４に示したように、Ａｌ膜としてのソース電極２０２下の層間絶縁膜２０４が凹凸形状となっているため、第１ボンディング時におけるワイヤ３０の振動で層間絶縁膜２０４の角部に応力がかかり、層間絶縁膜２０４が破壊することで、リーク不良が発生する。
【００１０】
本発明者の検討によれば、このようなワイヤ振動によるボンディング面の損傷は、次のようなメカニズムで主として発生することがわかった。図５は、第１ボンディングにおけるワイヤ振動の状態を示す図である。
【００１１】
第２ボンディング後にカットされたワイヤ３０は、ボンディングツール１００とともに、ボンディング装置のワイヤガイド１１０によってボンディング面１０に載せられる。そして、ツール１００によりボンディング面１０にワイヤ３０を押し付け、超音波振動を与えて第１ボンディングを行う。
【００１２】
このとき、ツール１００の直下のワイヤ３０は、押し潰されてボンディング面１０と接合されるが、ツール１００から外れたワイヤ３０の先端部（テール部）３１は延びる。ワイヤ３０の接合部では、つぶれたワイヤ３０が広い面積でボンディング面１０に固定されているため、ツール１００が振動しても局部的に応力がかからず、ボンディング面の損傷は少ない。
【００１３】
しかし、ワイヤ３０のテール部３１は、ボンディング面１０と接した状態で延び、そのときにテール部３１がボンディング面１０を擦る。すると、例えば、上記図４に示したようなセル構造では、ソース電極２０２がその下の層間絶縁膜２０４上をスリップして、層間絶縁膜２０４にダメージを与える。それにより、上記したリーク不良等が発生するのである。
【００１４】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、アルミニウムからなるワイヤを被ボンディング部材にボンディングするワイヤボンディング方法において、第１ボンディングの際に発生するワイヤテール部のボンディング面への擦りによるボンディング面の損傷を抑制することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、アルミニウムからなるワイヤ（３０）を被ボンディング部材にボンディングするワイヤボンディング方法において、被ボンディング部材の第１ボンディング面（１０）よりもアルミニウムとの接合性が劣るものからなり、一面（２１）上に当該一面より突出する突起部（２３）を有する低接合性部材（２０）を用意し、第１ボンディングの前に、ワイヤのうちテール部（３１）が突起部に接触するように、ワイヤを低接合性部材の一面上に押しつけることにより、ワイヤにおいてテール部が上方に曲がった形状を形成することを特徴とする。
【００１６】
それによれば、第１ボンディングの前に、ワイヤにおいてテール部が上方に曲がった形状となるため、続いて、第１ボンディングを行うにあたり、ワイヤを被ボンディング部材の第１ボンディング面に押し付けた際には、ボンディング面にはテール部は接しない。
【００１７】
そのため、この状態で超音波振動を与えて第１ボンディングを行っても、ワイヤテール部のボンディング面への擦りが生じないことから、ボンディング面の損傷を抑制することができる。
【００１８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係るワイヤボンディング方法を工程順に示す工程図である。本ワイヤボンディング方法は、ワイヤとしてＡｌ線を用いたものであり、限定するものではないが、上記図３、図４に示したようなセル上ボンディングに適用可能である。
【００２０】
図１において、第１ボンディング面１０は、例えば基板に搭載されたシリコンチップのアクティブ部におけるＡｌ膜（上記図４参照）であり、図示しないが、第２ボンディング面は、例えば基板上のパッドである。次に、本実施形態のワイヤボンディング方法について述べる。
【００２１】
まず、図１（ａ）に示すように、被ボンディング部材のボンディング面、ここでは第１ボンディング面１０よりもＡｌとの接合性が劣るものからなる低接合性部材２０を用意する。この低接合性部材２０はＡｌワイヤ３０との接合が困難な材料、例えばセラミック、樹脂、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ等の金属等といった材料から形成されたものである。
【００２２】
また、低接合性部材２０は、その一面２１上に平坦部２２およびこの平坦部２２より突出する突起部２３を有する。このような低接合性部材２０は、ボンディング時に被ボンディング部材を搭載支持する基板、各種ケース、治具等を用いることができる。
【００２３】
また、図１に示されるボンディングツール１００およびワイヤガイド１１０は、ワイヤボンディング装置に備えられたもので、これら両者１００、１１０は一体に移動するようになっている。
【００２４】
ボンディングツール１００は、ワイヤ３０の一部が入り込むことのできるツール溝を有し、この溝部分にてワイヤ３０を押し付けてワイヤ３０に超音波振動を与え、ワイヤ３０を接合するものである。
【００２５】
ワイヤガイド１１０は、筒状部材の中にワイヤ３０が挿入され、ワイヤ３０を支持しつつ移動させるものである。ワイヤガイド１１０に挿入されたワイヤ３０は、ワイヤガイド１１０に固定されているのではなく、ワイヤガイド１１０内を摺動可能になっている。
【００２６】
そして、第１ボンディングを行う前に、図１（ａ）に示すように、ボンディングツール１００によって、ワイヤ３０を低接合性部材２０の一面２１上に下降させていく。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、ボンディングツール１００によって超音波パワーは印加せずに荷重（図中の白抜き矢印にて図示）だけをワイヤ３０に加えることにより、ワイヤ３０のうちテール部３１が突起部２３に接触するように、ワイヤ３０を低接合性部材２０の一面２１上に押しつける。
【００２８】
これによって、本例では、ワイヤ３０のうちテール部３１が突起部２３に接触し、ワイヤ３０のうち突起部２３との接触部からヒール部３２までの間の部分が平坦部２２に接触する。それにより、ワイヤ３０においてテール部３１が上方に曲がった形状が形成される。
【００２９】
続いて、ボンディングツール１００およびワイヤガイド１１０とともにワイヤ３０を、低接合性部材２０から引き上げ、図１（ｃ）に示すように、第１ボンディングを行う。
【００３０】
ボンディングツール１００によって、ワイヤ３０を第１ボンディング面１０に押し付け、超音波パワーおよび荷重を加えることで、第１ボンディング面１０とワイヤ３０とを接合する。このとき、ワイヤ３０においてテール部３１が上方に曲がった形状となっている。
【００３１】
そのため、ワイヤ３０を第１ボンディング面１０に押し付けた際には、第１ボンディング面１０にはテール部３１は接しない。そのため、この状態で超音波振動を与えて第１ボンディングを行っても、テール部３１のボンディング面１０への擦りが生じないことから、ボンディング面１０の損傷を抑制することができる。
【００３２】
そして、第１ボンディングを行った後、第１ボンディング部からワイヤ３０を繰り出して第２ボンディング面まで引き回し、第２ボンディングを行う。以上の一連の動作が本実施形態のワイヤボンディング方法である。
【００３３】
ここで、本ワイヤボンディング方法において、ワイヤ３０を低接合性部材２０の一面２１上に押しつけるとき、テール部３１が短すぎて突起部２３に接触しないことが無いように、テール部３１の長さをある程度長くしたり、または、突起部２３の位置を調節して設けることが必要である。
【００３４】
また、ワイヤ３０は低接合性部材２０の一面２１に接触した後、この接触部にて第１ボンディングが行われるため、低接合性部材２０の一面２１における平坦部２２は、ワイヤ３０の接触面を汚さないように清浄であり且つ平坦性を確保したものとし、第１ボンディングの接合性が劣化しないようにすることが必要である。
【００３５】
図２は、本実施形態の変形例を示す図である。本変形例では、低接合性部材２０の一面２１において、ワイヤ３０のテール部３１、ヒール部３２に対応して突起部２３を２個設けたものである。
【００３６】
この場合、ワイヤ３０を低接合性部材２０の一面２１上に押しつけると、テール部３１が上方に曲がるとともに、ヒール部３２も若干上方に曲がる。すると、ワイヤ３０におけるテール部３１とヒール部３２との間が、やや下方に湾曲した形状となる。
【００３７】
そのようなワイヤ３０の湾曲形状によれば、ボンディングツール１００のツール溝へのワイヤ３０の入り込みは、テール部３１側とヒール部３２側とでしっかりと確保される。そのため、ワイヤ３０がツール溝から外れることをより効果的に防止できる。
【００３８】
以上、本実施形態によれば、第１ボンディングの際にテール部３１のボンディング面１０への擦りが生じないことから、ボンディング面１０の損傷を抑制することができるため、本ワイヤボンディング方法は、ボンディング面が弱く損傷を受けやすいセル上ボンディングに好適に用いることができる。
【００３９】
なお、低接合性部材２０は、被ボンディング部材とは別体の部材でなくとも良く、可能ならば、被ボンディング部材におけるボンディング面以外の面であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るワイヤボンディング方法を示す工程図である。
【図２】上記実施形態の変形例を示す図である。
【図３】シリコンチップのアクティブ部にアルミニウム太線をワイヤボンディングした例を示す図である。
【図４】図３中のＡ部拡大断面図である。
【図５】第１ボンディングにおけるワイヤ振動の状態を示す図である。
【符号の説明】
１０…第１ボンディング面、２０…低接合性部材、
２１…低接合性部材の一面、２３…突起部、３０…ワイヤ、３１…テール部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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