(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子を支持体に固定する半導体素子の固定方法において、
前記支持体の前記半導体素子との対向面に傾斜面を設け、その傾斜面の最頂部を前記正負一対の電極の間に位置させ、その正負一対の電極と前記傾斜面に設けられた電極とを半田付けすることを特徴とする半導体素子の固定方法。
【請求項２】
前記半導体素子の端面を前記支持体から突出させる請求項１に記載の半導体素子の固定方法。
【請求項３】
前記対向面の一部を非傾斜面とし、前記半導体素子の電極面の一部が前記非傾斜面と接するように載置する請求項１または２に記載の半導体素子の固定方法。
【請求項４】
同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子と、前記正負一対の電極と対向する面に、前記電極が半田付けされた傾斜面を有する支持体と、を備えており、前記傾斜面の最頂部が前記正負一対の電極の間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の端面が前記支持体から突出されている請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体、特に、窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）よりなり、発光ダイオード（ＬＥＤ）レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子または受光素子に利用される窒化物半導体チップの固定方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
一般に、窒化物半導体よりなる発光チップは、同一面側に正と負の電極が設けられている。これは窒化物半導体が絶縁性基板の上に成長されることが多いことによる。このような発光チップはフェースダウンの状態で、あるいはフェースアップの状態で例えばステム、リードフレーム、ヒートシンク、サブマウントのような支持体にマウントされて発光素子とされる。
【０００３】
本出願人は、先に特開平７−２３５７２９号公報において、窒化物半導体発光チップがフェースダウンで支持体にマウントされてなるレーザ素子を示した。この技術は、例えば、サファイアのような絶縁性基板を用いた窒化物半導体レーザチップの放熱性を向上させる目的で、レーザチップをフェースダウンして絶縁性のヒートシンク上にマウントしたものである。ここで、フェースダウンとは同一面側に正負両電極が設けられている半導体チップの電極面を下側にして、支持体の導体層に直接面接続する方法をいう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
通常、同一面側に正負両電極が設けられた半導体チップをフェースダウンで支持体にボンディングする場合、支持体の所定の位置に、加熱された半田材がディスペンサーにより所定量吐出されると同時に、半導体チップがその半田材の上に載置され、冷却により支持体と半導体チップとが電気的に接続される手段が行われる。半田材には銀ペースト、Ｉｎペースト、Ｐｂ／Ｓｎ等の低融点金属が用いられることが多い。しかし、半田材は、周知のように加熱された状態で流動性が大きいという特性を有している。そのため同一面側に正と負の電極が設けられた窒化物半導体チップでは、半田材が所定の位置より流出することにより、片方の電極と接触して電極間をショートさせてしまう恐れがある。
【０００５】
同一面側に電極が設けられた半導体チップがフェースダウンでマウントされた半導体素子の信頼性を向上させる必要性はますます高まっている。特に、レーザ素子のような発熱量の大きいデバイスの安定な光学特性を維持するためには、半田材を介してレーザチップの熱を支持体側に逃し、レーザ素子の放熱性を高める必要がある。
【０００６】
従って、本発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって、その目的とするところは、電極間ショートのない信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子の固定方法は、同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体素子を支持体に固定する半導体素子の固定方法において、上記支持体の前記半導体素子との対向面に傾斜面を設け、その傾斜面の最頂部を上記正負一対の電極の間に位置させ、その正負一対の電極と上記傾斜面に設けられた電極とを半田付けすることを特徴とする。上記半導体素子の端面を上記支持体から突出させることが好ましい。上記対向面の一部を非傾斜面とし、上記半導体素子の電極面の一部が上記非傾斜面と接するように載置することが好ましい。
また、本発明は、同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体素子と、その半導体素子の電極と対向する面に、上記電極が半田付けされた傾斜面を有する支持体と、を備えており、上記傾斜面の最頂部が上記正負一対の電極の間に配置されている。さらに、上記半導体素子の端面が上記支持体から突出されていることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体チップをフェースダウンで支持体に固定する方法において、上記支持体の上記電極との対向面に傾斜面を設け、該傾斜面の最頂部が上記電極の間に位置するように、上記電極を上記傾斜面に形成される電極と半田付けすることを特徴とする。これにより、融解した半田が半導体チップの外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことはなく、電極間で半田によるショートを起こすことのない半導体素子が容易に得られる。
【０００９】
また本発明において、上記電極を、上記傾斜面に形成される電極に、半田材料に対して濡れ性のよい薄膜を介して半田付けしてもよい。これにより、融解した半田が半導体チップの外側へ向かって素早く流れ出でる結果、正負両電極間に流れ出すことを確実に防ぐことができる。
【００１０】
さらにまた、本発明において、上記対向面の一部を傾斜面とし、上記電極を該傾斜面に形成される電極と半田付けし、上記半導体チップの電極面の一部が非傾斜面と接するように載置することが好ましい。これにより、半導体チップを支持体に対して安定に実装できる。以下、本実施の形態の各構成について詳述する。
【００１１】
（半導体素子）
本発明において半導体素子は特に限定されないが、半導体発光素子が例として挙げられる。このような半導体発光素子としてＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。
【００１２】
窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等のバッファ層を形成し、その上にｐｎ接合を有する窒化物半導体を形成させる。
【００１３】
窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する発光素子例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などが挙げられる。
【００１４】
窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。
【００１５】
基板にサファイア等の絶縁性基板を用いた場合、正負両電極形成後、半導体ウエハーからチップ状にカットすることで、同一面側に正負両電極が設けられた窒化物半導体チップが得られ、発光素子を形成することができる。ここで、図８に示されるように互いに平行な正負両電極を形成すると、本発明による支持体に対して安定に実装でき、また、電極間を流れる電流が均一になることにより発光素子の発光面からの発光が均一になるため好ましい。
【００１６】
（支持体）
支持体には様々な材料が使用される。例えば、半導体チップがレーザチップである場合には、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＢＮ、Ｓｉ、Ｃ（ダイヤモンド）等の熱伝導性のよいヒートシンクが使用され、ＬＥＤチップであれば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁性のグリーンシートが使用される。支持体の材料は特に限定するものではなく、絶縁性、導電性いずれの材料でもよい。導電性の支持体を用いる場合には電極間の短絡を防止するため、その支持体の表面に絶縁性の被膜を形成することもできる。
【００１７】
本発明において、支持体の半導体素子との対向面は、図５に示すように材料の水平面に対して所定の角度をつけて研削加工を行うことにより、半導体チップの正負両電極に対向する二つの傾斜面を設ける。あるいは、予め用意した型に、融解した支持体の材料を流し込み、冷却することにより固化させて二つの傾斜面を有する支持体を作製してもよい。ここで、水平面に対する角度を同じにして左右対称な二つの傾斜面としてもよいし、二つの傾斜面の水平面に対する角度をそれぞれ変えて、加工してもよい。このように、二つの傾斜面の水平面に対する角度をそれぞれ変えて加工すると正負両電極の高さが異なる半導体チップを実装する場合に、半導体チップの基板面を支持体に対して常に水平を保って安定に実装できるため好ましい。また、支持体の半導体素子との対向面のうち全てを加工してもよいが、図６に示すように対向面の中央部分のみに傾斜面を設け、中央部分以外の残りの対向面は傾斜面を設けない非傾斜面とする加工を施してもよい。または、図７に示すように対向面の中央部分のみに傾斜面を設け、二つの傾斜面の最頂部に沿って二つの非傾斜面を設ける加工を施してもよい。これらの形状に加工すると、半導体チップの正負両電極が傾斜面において支持体表面に形成された電極と半田付けにより固定される他、少なくとも半導体チップの一部が非傾斜面に接し、半導体チップ全体が支持体に対して常に水平に保たれることにより、半導体チップを安定に実装できる。
【００１８】
（濡れ性のよい金属薄膜）
半田がＩｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕをそれぞれ主成分としてなる場合は、濡れ性のよい、つまりそれらを含む半田に対して接着性のよい金属材料としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｚｎ、Cｄ、Ａｌのいずれかの金属、またはそれらのいずれかを含んでなる合金である。濡れ性がよい状態では、融解した金属の粘度が濡れ性の悪いときより低く、融解した半田が流動しやすい。従って、濡れ性のよい金属薄膜を介して半導体チップをフェースダウンの状態で支持体にダイボンドすると、融解した半田が半導体チップの外側へ向かって素速く流れ出でる結果、正負両電極間に流れ出すことを確実に防ぎ、電極間に流れ出た半田によるショートを起こすことのない半導体素子が容易に得られる。
【００１９】
（中間層）
さらに本発明の好ましい態様において、図１に示すように、第２の電極２２ａおよび２２ｂが、支持体に接する側に形成された第１の層２２１と、半導体チップの電極側に形成された第２の層２２２と、さらに前記第１の層と第２の層との間に形成された中間層２２３ａ、２２３ｂとから成る少なくとも三層構造を有している。この中間層２２３は第１の層２２１と第２の層２２２との接着性をさらに高める作用がある。さらに加熱ボンディング時に第１の層２２１と第２の層２２２とが合金化して、それぞれの電極材料の効果を低下させるのを防止するバリア層としての作用もある。
【００２０】
チップの電極に合わせて適宜、半田材、濡れ性の良い金属薄膜、第２の層、及び中間層に含まれる金属がそれぞれ選択される。例えば、チップ電極及び半田材にＡｕを含み、濡れ性の良い金属薄膜にＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｚｎ、Cｄ、Ａｌのいずれかの金属を含み、さらに第２の層にＡｕを含む場合、中間層はＰｔ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗよりなる群から選択された少なくとも一種を含むことが望ましい。これらの金属は特に、Ａｕを含む第２の層２２２と、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒの第１の層２２１との接着性を向上させる作用があるからである。
【実施例】
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されるものではない。
【００２１】
（実施例１）
図１に示すように、サファイア基板１０１の上に、少なくともｎ型窒化物半導体層１０２と、発振する活性層と、ｐ型窒化物半導体層１０５を有する窒化物半導体よりなる５００μｍ角のレーザチップ１００を用意する。このレーザチップは、図に示すように、最上層の窒化物半導体層の一部がエッチングにより除去されて同一面側に正電極１０４と負電極１０３とを有する。正電極１０４にはＮｉとＡｕを含む合金が使用されており、負電極１０３にはＴｉとＡｌとを含む合金が使用されている。
【００２２】
一方、上面に左右対称な傾斜面を設けた支持体２０には、５ｍｍ角のＡｌＮからなるサブマウントを用意し、このサブマウントの表面にフォトリソグラフィー技術を用いて適当な形状の保護膜を形成した後、まずＴｉとＡｌを含む第１層２２１ａ、２２１ｂを蒸着により形成する。
【００２３】
続いて、第１の層２２１ａ、２２１ｂの上にそれぞれＰｔとＮｉとを含む中間層２２３ａ、２２３ｂとを同じく蒸着により形成する。
【００２４】
さらに、中間層２２３ａ、２２３ｂの上にＡｕよりなる第２の層２２２ａ、２２２ｂを同じく蒸着により形成した後、保護膜を除去する。以上の操作により、Ｔｉ／Ａｌを含む第１の層２２１と、Ｐｔ／Ｎｉを含む中間層２２３、Ａｕを含む第２の層２２２とが積層されてなる第２の電極２２を形成する。
【００２５】
第２の電極２２を形成した後、その第２の層上に、適当な形状を有する保護膜を形成し、ＡｕとＳｎを含む合金よりなる半田２１ａ、２１ｂを同じく蒸着により形成する。図２は電極形成後の支持体２０の平面図を示すものであり、電極の位置は図１と対応している。
【００２６】
以上のようにして電極を形成したレーザチップ１００を、支持体２０の上に互いの電極同士が対向するようにして載置し、５００℃で電極同士を熱圧着する。この熱圧着によりレーザチップの電極１０３、１０４と、支持体２０の半田材料２１とが合金化して半田付けされると共に、第２の電極２２と半田、および第２の電極２２と支持体２０とが強固に接着される。
【００２７】
次に支持体２０を導電性のヒートシンクに設置する。なお、ヒートシンクには支持体の裏面まで形成された第２の電極２２ａと、ヒートシンクとを半田を介して接着することにより設置する。さらに支持体２０の表面に形成された第２の電極の最上層に金線をワイヤーボンディングすることによりレーザ素子とする。
【００２８】
以上のような工程で、レーザチップをフェースダウンの状態で支持体にダイボンドしたところ、融解した半田がレーザチップの外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことはなく、ダイボンド自体の歩留まりは９０％以上あった。ここで、歩留まりが１００％とならなかった原因は主に電極ずれによるものであり、レーザチップの電極間のショートによるもの、あるいはワイヤー剥がれによるものはなかった。さらにこのレーザ素子を１００時間連続でパルス発振させたところ、発振中に電極間でショートするものはなかった。
【００２９】
（実施例２）
第２の電極２２を形成した後、その第２電極の層上に、適当な形状を有する保護膜を形成した後、ＡｕとＳｎに対して濡れ性のよい金属材料の一つであるＴｉからなる金属膜を介してＡｕとＳｎを含む合金よりなる半田２１ａ、２１ｂを同じく蒸着により形成する。その他は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まりについては実施例１とほぼ同等か、さらに良い特性を示した。
【００３０】
（実施例３）
半田の材料をＡｕとＳｉとを含む合金とする。また、第２の電極２２において、第１の層２２１をＣｒとＺｒとを含む合金とし、中間層２２３をＭｏとＷとを含む合金とする他は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の特性を示した。
【００３１】
（実施例４）
半田の材料をＡｕとＧｅとを含む合金とする。また、第２の電極２２において、第１の層２２１をＡｌとＣｒとを含む合金とし、中間層２２３をＮｉとＭｏとを含む合金とする他は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の特性を示した。
【００３２】
（実施例５）
２１ｂの半田の材料をＮｉとＡｕとを含む合金とし、２１ａの材料をＴｉとＡｌとを含む合金とする。即ちレーザチップの電極材料と同一の材料とする。また、第２の電極２２において、第１の層２２１をＡｌとＣｒとを含む合金とし、中間層２２３をＮｉとする他は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の特性を示した。
【００３３】
（実施例６）
図６に示されるような形状をした絶縁性の支持体を用い、図３および図４に示されるような電極２２ａおよび２２ｂを支持体上に形成する。レーザチップ１００の正負両電極が、支持体の傾斜面に形成された電極に対向し、なおかつ非傾斜面２４と接するように載置する。その他は、実施例１と同様にして図３に示されるようなレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の特性を示し、半導体チップを安定に実装できた。なお、図４は電極形成後の支持体２０の平面図を示すものであり、半導体チップ実装後のＡ−Ａ’断面は、図１と対応し、同じくＢ−Ｂ’断面は図３と対応する。
【００３４】
（実施例７）
図７に示されるような形状をした支持体を用い、図１０および図１１に示されるような電極２２ａおよび２２ｂを支持体上に形成する。レーザチップ１００の正負両電極が、支持体に形成された電極に対向し、なおかつ非傾斜面２４と接するように載置する。その他は、実施例１と同様にして図１０に示されるようなレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の特性を示し、半導体チップを安定に実装できた。なお、図１１は電極形成後の支持体２０の平面図を示すものであり、半導体チップ実装後のＣ−Ｃ’断面は、図１０と対応する。
【００３５】
（実施例８）
図９に示されるように、二つの傾斜面の水平面に対する角度をそれぞれ変えた支持体２０を用いる。レーザチップ１００の正負両電極のうち、基板面から電極上面までの距離の大きい正電極１０４を、二つの傾斜面のうち水平面に対する角度の大きい傾斜面に形成された電極２２ｂに対向させ、一方の負電極を二つの傾斜面のうち水平面に対する角度の小さい傾斜面に形成された電極２２ａに対向させて、レーザチップの基板面を支持体に対して水平に保つように載置する。その他は、実施例１および実施例６と同様にしてレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１および実施例６とほぼ同等の特性を示し、半導体チップを安定に実装できた。
【００３６】
（実施例９）
図１および図３は、本実施例による実装方法により実装された半導体装置のレーザ光出射端面方向から見た模式的な断面図である。また、図１２および図１３は、本実施例による実装方法により実装された半導体装置の模式的な側面図である。
【００３７】
本実施例においては、図１２および図１３に示されるように、半導体レーザ素子３００の一部を支持体２０から突出させる。図１２および図１３に示されるような半導体レーザ素子３００の側面のうち、レーザ光が半導体レーザ素子３００から外部へ出射される領域を有する側面をレーザ光出射端面３０１と定義する。また、半導体レーザ素子の電極面と対向する支持体の対向面を形成する辺のうち最もレーザ光出射端面寄りにある端辺３０３とレーザ光出射端面との間隔を間隔ａとし、半導体レーザ素子３００に形成された正電極あるいは負電極３０２上の辺のうち最もレーザ光出射端面寄りにある端辺３０４とレーザ光出射端面との間隔を間隔ｂ、とする。さらに、これらの間隔ａおよび間隔ｂのうち小さい方を突出量τと定義する。例えば、図１２に示されるように支持体２０、電極３０２、および半導体レーザ素子３０１を配置させた場合、突出量τ＝間隔ａである。また、図１３に示されるように支持体２０、電極３０２、および半導体レーザ素子３０１を配置させた場合、突出量τ＝間隔ｂである。
【００３８】
図１２あるいは図１３に示されるように、レーザ光出射端面を支持体から突出させ突出量τを設けると共に、半導体レーザ素子３００の電極面を支持体２０上の電極面に対向させ、半田を介してフェースダウンにて実装する他は実施例１と同様に半導体レーザ素子を支持体上に固定した。このとき、突出量τは、支持体２０の材料によらず２０μｍ以内、好ましくは１０μｍ以内とする。１５μｍ〜２０μｍ付近を境にそれ以上の突出量τを設けると、フェースダウンによる実装方法より、半導体レーザ素子の基板面を支持体に直接固定する実装方法の方が良好な放熱特性を示すことが本発明者らにより明らかにされており、放熱性向上を目的としてフェースダウンによる実装方法とする意味がなくなるからである。このように突出量を調節することによりフェースダウンにて実装される半導体レーザ素子の放熱性を向上させることができる。
【００３９】
本実施例の実装方法とすることにより、半田を介して行う接着時に、半導体レーザ素子３００の電極と支持体上に設けた電極との間からはみ出した半田は、正負両電極間に流れ出すことはなく、さらに半導体レーザ素子３００からレーザ光が外部へ出射される領域に覆い被さることもないため、半導体発光素子をヒートシンク等の支持体に安定に実装し、信頼性の高い半導体装置とすることが可能である。
【００４０】
また、本実施例の構成とすることにより、半導体発光素子、特に半導体レーザ素子の活性領域で発生した熱が効率よくヒートシンク等の方向に放散するため、室温で連続動作を安定に行わせることができる。
【００４１】
【発明の効果】
半導体チップをフェースダウンの状態で本発明による支持体にダイボンドしたところ、融解した半田が半導体チップの外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことはなく、電極間で半田によるショートを起こすことのない半導体素子が容易に得られる。また、本発明の実施例ではレーザ素子について説明したが、本発明はレーザ素子に限定するものではなく、窒化物半導体を用いたＬＥＤ素子、受光素子等のあらゆる半導体デバイスに適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図２】  図２は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式平面図である。
【図３】  図３は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図４】  図４は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式平面図である。
【図５】  図５は、本発明の一実施例に係る支持体の形状を示す斜視図である。
【図６】  図６は、本発明の一実施例に係る支持体の形状を示す斜視図である。
【図７】  図７は、本発明の一実施例に係る支持体の形状を示す斜視図である。
【図８】  図８は、本発明の一実施例に係る半導体チップの電極の構造を示す模式平面図である。
【図９】  図９は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図１０】  図１０は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図１１】  図１１は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式平面図である。
【図１２】  図１２は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図１３】  図１３は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１００・・・半導体チップ
１０１・・・サファイア基板
１０２・・・ｎ型窒化物半導体
１０３・・・負電極
１０４・・・正電極
１０５・・・ｐ型窒化物半導体
２０・・・支持体
２１ａ、２１ｂ・・・半田
２２ａ、２２ｂ・・・第２の電極
２３・・・傾斜面
２４・・・非傾斜面
２２１ａ、２２１ｂ・・・第１の層
２２２ａ、２２２ｂ・・・第２の層
２２３ａ、２２３ｂ・・・中間層
３００・・・半導体レーザ素子
３０１・・・レーザ光出射端面
３０２・・・電極
３０３、３０４・・・端辺
【図１】
0003801108.tif 000002
【図２】
0003801108.tif 000003
【図３】
0003801108.tif 000004
【図４】
0003801108.tif 000005
【図５】
0003801108.tif 000006
【図６】
0003801108.tif 000007
【図７】
0003801108.tif 000008
【図８】
0003801108.tif 000009
【図９】
0003801108.tif 000010
【図１０】
0003801108.tif 000011
【図１１】
0003801108.tif 000012
【図１２】
0003801108.tif 000013
【図１３】
0003801108.tif 000014