(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、
間隔をおいて平行に縦列配置された、複数の同一形状の短冊状リードを同一平面内に備えるリードフレームを準備する準備工程と、
該リードフレームの少なくとも一のリード表面に、複数の半導体素子を横列に固定し、各半導体素子の電極と、該半導体素子が固定されたリード及び該リードと縦方向に隣接した他のリードとをそれぞれ電気的に接続する接続工程と、
上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記複数の半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填する工程と、
上記リードを縦方向に切断して、上記半導体素子が固定された該リードを、該半導体素子が固定された部分と、該半導体素子の電極と接続された部分とに分割するとともに、上記他のリードを、該半導体素子の互いに異なる電極とそれぞれ接続された部分に分割する工程と、
上記リード及び上記封止樹脂を、上記半導体素子の間で縦方向に切断して、上記半導体素子が固定された上記リードをダイボンドパッドとし、上記電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとする切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、
間隔をおいて平行に縦列配置された同一形状の短冊状リードが櫛歯状に向き合うように、同一平面内に間隔をおいて対称配置してなるリードフレームを準備する準備工程と、
櫛歯状に対称配置された短冊状の上記リードのいずれか片方の、少なくとも縦方向に１つおきのリード表面に半導体素子を固定し、該半導体素子の電極と、該リードに隣接する他のリードとを電気的に接続する接続工程と、
上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填する工程と、
上記リードを、上記封止樹脂とともに縦方向に切断して、上記リードフレームから切り離し、上記半導体素子が固定された該リードをダイボンドパッドとし、上記電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとする切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記接続工程は、上記半導体素子を、縦列配置された複数の上記リードに跨がるように固定することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記接続工程は、上記半導体素子を、横方向に対向する複数の上記リードに跨がるように固定することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記接続工程は、上記半導体素子を、上記リードの表面上に、導電性若しくは絶縁性接合材で固定することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記切断工程は、縦方向に配置された複数の上記半導体素子が同一の上記封止樹脂に含まれるように、上記封止樹脂を切断することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子を上面に搭載したダイボンドパッドと、
該ダイボンドパッドと平行に縦列配置され、該半導体素子の電極と接続された第１ワイヤボンドパッドと、
該ダイボンドパッド及び該第１ワイヤボンドパッドのそれぞれに横列配置された第２ワイヤボンドパッドと、
該半導体素子を埋め込む封止樹脂とを含む半導体装置であって、
該ダイボンドパッド及び該第１および第２ワイヤボンドパッドが、同一平面内に配置され、かつ、同一形状の短冊状リードからなり、
上記封止樹脂が、該ダイボンドパッドおよび該第１および第２ワイヤボンドパッドの裏面が露出するように、該ダイボンドパッドおよび該第１および第２ワイヤボンドパッドの上面上から充填されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
少なくとも２つの上記ダイボンドパッドを備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記半導体素子が、縦列配置された複数の上記ダイボンドパッドに跨がるように固定されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記ダイボンドパッドに横列配置されたダイボンドパッドを備え、これらのダイボンドパッドに跨がるように上記半導体素子が固定されてなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１１】
縦方向に配置された複数の上記半導体素子が、同一の上記封止樹脂に埋め込まれてなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法及びその構造に関し、特に、小型化、薄型化、軽量化、低価格化を可能とする樹脂封止型の半導体装置の製造方法及びその構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来構造のガルウイング型半導体装置であり、図１０（ａ）に断面図を、図１０（ｂ）に上面図（透視図）を示す。
かかる半導体装置は、一般には、図１１に示すような工程に従って製造される。即ち、図１２に示すようなアイランド１４とリード１とを備えたリードフレーム６のアイランド１４上に、半導体素子３がダイボンド材２により固定される。続いて、アイランド１４の周囲のリード１のインナーリード部１ａと半導体素子３上の電極パッドが金線等のワイヤ４を用いたワイヤボンディングにより接続された後、封止用樹脂５を用いて、リードフレーム６の両側から、各素子毎に個別に樹脂封止が行われる。図１３は、樹脂封止後の従来構造にかかる半導体装置の上面図（封止樹脂は点線で示す）である。最後に、リード１のアウターリード部１ｂは、すず等のメッキが施され、リードフレーム６から切断されて、ガルウイング型に成形され、図１２に示すような半導体装置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の製造方法では、予め、半導体素子３の大きさに合わせたアイランド１４を備えたリードフレーム６を準備する必要があり、また、各半導体素子３毎に樹脂封止用のモールド金型（図示せず）が必要となる。従って、仕様の異なる半導体素子３を用いる場合、夫々の仕様に応じたリードフレーム６、及びモールド金型を準備することが必要となる。
また、図１２に示すような従来の半導体装置では、リードフレーム６の両面に樹脂が形成されるため、半導体装置の小型化、軽量化に一定の限界があった。
更には、半導体素子３の放熱が、リード６を通して行われるため、放熱量の大きいパワートランジスタ等に用いることが困難であるとともに、半導体素子３とマザーボードとの接続距離も比較的長くなるため、高周波トランジスタ等に用いることも困難であった。
【０００４】
これに対して、例えば、特開平９−２７５８４号公報には、リード上に直接半導体チップを接続させるＣＯＬ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｌｅａｄ）構造のモールドトランジスタが提案されているが、かかるモールドトランジスタの製造には、その仕様に応じたリードフレームが必要となるとともに、樹脂モールドも各半導体素子毎に個別に行われるために、モールド用金型も各仕様に応じて準備することが必要となり、上述の問題点を解決するものではない。
また、アウターリードを用いてマザーボードに実装されるため、熱放出量の大きい素子への適用や、高周波用素子への適用は困難であった。
そこで、本発明は、半導体素子の仕様によらず、同じリード等を用いて半導体素子の樹脂封止を行う半導体装置の製造方法及び、放熱特性、高周波特性に優れ、小型、軽量化の可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、発明者らは鋭意研究の結果、略平行に設けたリードを有するリードフレームに複数の半導体素子を搭載して、全体を樹脂封止した後に、各半導体装置毎に切断することにより、半導体素子の仕様によらずに同じリードフレームを用いて半導体装置の作製が可能となること、かかる半導体装置では、放熱特性、高周波特性の向上が可能となることを見出し、本発明を完成した。
【０００６】
即ち、本発明は、ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、間隔をおいて略平行に縦列配置された複数のリードを同一平面内に備えるリードフレームを準備し、該リードフレームの少なくとも一のリード表面に、複数の半導体素子を横列に固定し、各半導体素子の電極と、該半導体素子が固定されたリード及び該リードと縦方向に隣接した他のリードとをそれぞれ電気的に接続し、上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記複数の半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填し、上記リードを縦方向に切断して、上記半導体素子が固定された該リードを、該半導体素子が固定された部分と、電極と接続された部分とに分割するとともに、上記他のリードを、異なる電極とそれぞれ接続された部分に分割し、上記リード及び上記封止樹脂を、上記半導体素子の間で縦方向に切断して、上記半導体素子が固定された上記リードをダイボンドパッドとし、上記電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとすることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
かかる方法を用いることにより、同じ形状のリードフレームを用いて、異なるサイズの半導体素子を搭載した半導体装置の作製が可能となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【０００７】
また、かかる方法を用いることにより、半導体素子を固定したリードフレームを一括して樹脂封止することができるため、各半導体装置毎に樹脂封止を行っていた従来方法のように、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型が必要とならず、製造コストの低減が可能となる。
【０００８】
また、量産工程においては、図３（ａ）のように、連続して半導体素子を固定したリードフレームを切断して半導体装置を作製するため、リードフレームに無駄になる部分が発生せず、リードフレームの単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【０００９】
更には、半導体素子のサイズが変わった場合でも、同じリードフレームを用いて半導体装置の製造が可能となり、従来方法のように、半導体素子のサイズにあわせて、アイランドの大きさの異なるリードフレームを用いる必要がなくなるため、リードフレームの共通化により、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００１０】
また、本発明は、ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、間隔をおいて略平行に縦列配置された櫛歯状のリードが向き合うように、同一平面内に間隔をおいて対象配置してなるリードフレームを準備し、上記対象な櫛歯状のリードのいずれか片方の、少なくとも縦方向に１つおきのリード表面に半導体素子を固定し、該半導体素子の電極と、該リードに隣接する他のリードとを電気的に接続し、上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填し、上記リードを、上記封止樹脂とともに縦方向に切断して、上記リードフレームから切り離し、上記半導体素子が固定された該リードをダイボンドパッドとし、上記電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとすることを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
このように、予め切断されたリードを備えたリードフレームを用いることによっても、同様に複数のワイヤボンドパッドを作製することができる。
【００１１】
上記半導体素子は、縦列配置された複数の上記リードに跨がるように固定するものであっても良い。
かかる方法により、半導体素子のサイズが変わった場合であっても、同じリードフレームを用いて半導体装置を作製することが可能となり、リードフレームの共通化により、製造コストの低減が可能となる。
【００１２】
上記半導体素子は、横方向に対向する複数の上記リードに跨がるように固定するものであっても良い。
かかる方法により、半導体素子のサイズや電極位置等の仕様が変わった場合であっても、同じリードフレームを用いて半導体装置を作製することが可能となり、リードフレームの共通化により、製造コストの低減が可能となる。
【００１３】
上記半導体素子は、上記リードの表面上に、導電性若しくは絶縁性接合材で固定するものであっても良い。
特に、導電性樹脂を用いることにより、半導体装置と下部のリードとを、電気的に接続することが可能となる。
【００１４】
また、本発明は、縦方向に配置された複数の上記半導体素子が、同一の上記封止樹脂に埋め込まれるように、複数の該半導体素子の外側で該封止樹脂を横方向に切断することを特徴とする半導体装置の製造方法でもある。
これにより、複数の半導体素子を、一の封止樹脂で封止した半導体装置の作製が可能となる。
特に、切断部分を選択することにより、半導体装置内に封止される半導体素子の数を任意に変えることが可能となる。
【００１５】
また、本発明は、間隔をおいて互いに略平行に縦列配置された複数のリードを同一平面内に備えることを特徴とするリードフレームでもある。
かかるリードフレームとして供給することにより、取り扱いが容易になるからである。
【００１６】
また、本発明は、間隔をおいて略平行に縦列配置された櫛歯状のリードが向き合うように、同一平面内に間隔をおいて対称配置されてなることを特徴とするリードフレームでもある。
かかるリードフレームを用いることにより、樹脂封止後のリードのハーフカット工程が不要となる。
【００１７】
また、本発明は、半導体素子を上面に搭載したダイボンドパッドと、該ダイボンドパッドと略平行に縦列配置され、該半導体素子の電極と接続されたワイヤボンドパッドと、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置であって、更に、上記ダイボンドパッド及び上記ワイヤボンドパッドのそれぞれに横列配置されたワイヤボンドパッドを備え、上記封止樹脂が、上記ダイボンドパッドと上記ワイヤボンドパッドの裏面が露出するように、該ダイボンドパッドと該ワイヤボンドパッドの上面上から充填されてなることを特徴とする半導体装置でもある。
かかる半導体装置は、半導体装置の表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっているため、アウターリードを用いてマザーボードに接続される従来構造の半導体装置に比べて、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
【００１８】
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、従来構造に比べて、半導体素子からの放熱特性を向上させることができる。
これにより、半導体素子に発熱量の大きい高出力素子を用いた場合でも安定した動作を確保することが可能となる。
【００１９】
また、アウターリードを用いてマザーボードと接続する従来構造に比べて、マザーボードと半導体素子との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【００２０】
また、本発明は、少なくとも２つの上記ダイボンドパッドを備えることを特徴とする半導体装置でもある。
【００２１】
上記半導体素子は、縦列配置された複数の上記ダイボンドパッドに跨がるように固定されたものであっても良い。
【００２２】
上記ダイボンドパッドに横列配置されたダイボンドパッドを備え、これらのダイボンドパッドに跨がるように上記半導体素子が固定されても良い。
【００２３】
また、本発明は、縦方向に配置された複数の上記半導体素子が、同一の上記封止樹脂に埋め込まれてなることを特徴とする半導体装置でもある。
【００２４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の第１の実施形態について、図１〜４を参照しながら説明する。図中、図１２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
図１は、本実施の形態にかかるが半導体装置であり、図１（ａ）は、Ａ−Ａ’における断面図、図１（ｂ）は、上面図、図１（ｃ）は、裏面図である。以下に示す製造工程図では、右図が上面図、左図が断面図となっている。
かかる半導体装置では、平行に配置された３本のリード１の２つに跨がるように半導体素子３がダイボンド材２で固定されている。リード１は、中央部で切断（ハーフカット）され、半導体素子３が固定されたダイボンドパッドと、半導体素子３の電極と金等のワイヤ４を用いて電気的に接続されたワイヤボンドパッドとに分割されている。半導体素子は、リード１の片面にのみ形成されたエポキシ樹脂等の封止樹脂５により樹脂封止されている。
【００２５】
次に、上記半導体装置の製造方法について説明する。まず、図２（ａ）のリードフレーム準備工程に示すように、同一平面内に略平行に設けられた、いわゆる簾状にリードが連なったリードフレーム６を準備する。図２（ａ）右図は、リードフレーム６の上面図、左図は、Ｂ−Ｂ’における断面図である。リードフレーム６には、銅、４・２アロイ等の材料を用いることが好ましい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）のダイボンド工程に示すように、複数の半導体素子３を、２つのリードフレームに跨がるように固定する。固定には、エポキシ樹脂等のダイボンド材２が用いられる。リードと半導体素子３の裏面を電気的に接続する場合は、導電性の接着剤を用いる。
【００２７】
次に、図２（ｃ）のワイヤボンド工程に示すように、金線等のワイヤ４を用いて、半導体素子３の電極とリードフレーム６とを電気的に接続する。図２（ｃ）では、４本のワイヤ４を形成したが、半導体素子３の電極数に合わせて、半導体素子３が固定された半導体素子３の周囲のリードフレーム６との間に、更にワイヤ４を形成することも可能である。
【００２８】
次に、図３（ａ）の樹脂封止工程に示すように、エポキシ樹脂等の封止樹脂５で、複数の半導体素子３を一括して封止する。
かかる樹脂封止は、図１０に示すようにリードの両面から行うのではなく、リードの半導体素子３が固定された面のみに行われる。
また、従来のように、半導体素子ごとに樹脂封止用金型を用いて樹脂封止するのではなく、複数の半導体素子が一括して封止されるように樹脂封止される。
【００２９】
次に、図３（ｂ）のマーキング工程に示すように、封止樹脂５に封止された半導体素子３の位置を識別するためのマークが付される。かかるマーキングは、例えばＹＡＧレーザ等を用いて、封止樹脂５の所定の位置を変質させることにより行われる。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示す分割工程に示すように、リードフレーム６に搭載された状態で樹脂封止された半導体素子を分割して、個々の半導体装置の作製が行われる。
分割工程は、リードフレーム６に固定された半導体素子が、固定フレーム１０に固定された粘着テープ９上に貼り付けられた後、ダイシング装置等を用いて切断することにより行われる。
切断（ダイシング）は、まず、ハーフカットライン１２に沿って、ワイヤ４を切断しない程度の深さに、裏面側よりリードフレーム６のハーフカットを行い、リードを切断する。かかるハーフカットでは、図４（ａ）に示すように、リードを切断することにより、半導体素子３が固定された部分と、かかる半導体素子３の電極と接続された部分とに分離することにより、両者が電気的に切り離される。また、２カ所にワイヤ４が接続されたリードが切断されることにより、それぞれがワイヤボンドパッドとなる。
続いて、切断ライン８に沿って、リード及び封止樹脂５を切断して、各半導体素子３を分離することにより、半導体装置が完成する。
なお、半導体素子３が固定されたリードは、ダイボンドパッドとなり、半導体素子３の電極とワイヤ４により接続されたリードは、ワイヤボンドパッドとなる。
【００３１】
続いて、粘着テープ９上に固定した状態で、各半導体装置の電気的特性のテストを行った後、粘着テープ９より取り外し、半導体装置が完成する。
尚、粘着テープ９から半導体素子装置を取り外した後に、電気的特性のテストを行ってもかまわない。
【００３２】
最後に、図４（ｂ）の包装工程に示すように、紙等のテーピング用エンボステープ１３又はトレー等に、完成した半導体装置を並べ梱包する。図４（ｂ）は、梱包後を示す図である。
【００３３】
このように、上記方法で作製した本実施の形態にかかる半導体装置は、半導体装置の表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっている。
従って、図１０に示す従来構造の半導体装置のように、アウターリード１ｂを用いてマザーボードに接続されるのではなく、半導体装置の裏面を用いて直接接続されるため、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
【００３４】
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、従来構造に比べて、半導体素子からの放熱特性を向上させることができる。これにより、半導体素子３に発熱量の大きい高出力素子を用いた場合でも安定した動作を確保することが可能となる。
【００３５】
また、インナーリード１ａ、アウターリード１ｂを用いてマザーボードと接続する従来構造に比べて、マザーボードと半導体素子３との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子３に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
【００３６】
従って、図１０の従来構造の半導体装置や、図１４のＣＯＬ型半導体装置では、アウタリード１ｂを用いて、半導体装置とマザーボードとを接続するため、本実施の形態にかかる半導体装置のように小型化、軽量化を図ることが困難であり、また、放熱特性、高周波特性の向上を図ることも困難である。
【００３７】
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【００３８】
また、本実施の形態にかかる半導体素子の製造方法では、いわゆる簾状のリードフレーム６に複数の半導体素子を固定し、樹脂封止した後に切断して半導体装置を形成する。このため、図１２に示すような、搭載される半導体素子に合ったアイランド１４を備えたリードフレーム６を準備する従来の方法に比較して、リードフレーム６の共有化を図ることが可能となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００３９】
また、半導体素子３を固定したリードフレームを一括して樹脂封止するため、各半導体装置毎に樹脂封止を行っていた従来方法のように、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型が必要とならず、製造コストの低減が可能となる。
【００４０】
特に、量産工程においては、図３（ａ）のように、連続して半導体素子を固定したリードフレーム６を切断して半導体装置を作製するため、リードフレーム６に無駄になる部分が発生せず、リードフレーム６の単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００４１】
なお、本実施の形態では、２つのリードに半導体素子３が跨がって固定される場合について説明したが、更にサイズの大きな半導体素子３を用いる場合には、例えば、図５に示すように、３つのリードに跨がるように固定することも可能である。
即ち、本実施の形態にかかる方法を用いることにより、半導体素子３のサイズが変わった場合でも、同じリードフレーム６を用いて半導体装置の製造が可能となり、従来方法のように、半導体素子３のサイズにあわせて、アイランド１４の大きさのことなるリードフレーム６を用いる必要がなくなるため、リードフレーム６の共通化により、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００４２】
実施の形態２．
本発明の第２の実施形態について、図６、７を参照しながら説明する。
図６は、本実施の形態にかかる半導体装置の（ａ）断面図、（ｂ）上面図、及び（ｃ）裏面図であり、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００４３】
次に、かかる半導体装置の製造方法について説明する。
本実施の形態にかかる製造方法では、まず、図７（ａ）に示すような、リードフレーム６を準備する。かかるリードフレーム６は、同一平面に略平行に設けられた複数のリードが、いわゆる簾状に設けられている点で上記実施の形態１のリードフレーム６と同じであるが、各リードの中央が、予め切断されている点で異なっている。
【００４４】
次に、図７（ｂ）に示すように、２つのリードに跨がるように、半導体素子３を固定し、半導体素子３の電極と、周囲のリードとをワイヤ４により、電気的に接続する。
【００４５】
次に、図７（ｃ）に示すように、上記実施の形態１と同じダイシング方法を用いて、各半導体装置に分割する。
この場合、本実施の形態では、予め、リードの中央が切断されたリードフレーム６が用いられているため、実施の形態１のような、リードのみを切断するハーフカット工程が不要となる。
【００４６】
このように、本実施の形態にかかる製造方法を用いることによっても、図６に示すような半導体装置を得ることができる。
この場合、各半導体装置への分割工程において、ハーフカット工程が不要となり、製造工程の簡略化が可能となる。
特に、半導体装置の小型化により、ハーフカット部分と、その上に形成されたワイヤ４との距離が小さくなる場合は、ハーフカット深さの制御が困難となるため、小型化された半導体装置の製造には、予めリードに切断箇所が設けられたリードフレーム６を用いる本製造方法を適用することが好ましい。
【００４７】
実施の形態３．
本発明の第３の実施形態について、図８、９を参照しながら説明する。
図８は、本実施の形態にかかる半導体装置の（ａ）断面図、（ｂ）上面図、及び（ｃ）裏面図であり、図中、図１と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図８では、半導体素子３が、２本のリードに跨がるとともに、リードの切断箇所をも跨がるように固定されている。
【００４８】
かかる半導体装置は、上記実施の形態２で用いた、予めリードに切断箇所を設けたリードフレーム６を準備し、かかるリードフレーム６に、図９に示すように半導体素子３を、ダイボンド材２を用いて固定し、更に、半導体素子３の電極と、周囲のリードとをワイヤ４で接続する。なお、本実施の形態では、ダイボンド材２に絶縁性材料を用いている。
【００４９】
かかる構造を用いることにより、ワイヤ４を接続するリード数を多くすることが可能となるとともに、ワイヤ４の長さの短縮化、均一化を図ることが可能となる。
【００５０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体素子の製造方法では、搭載される半導体素子に合わせてリードフレームを準備する必要がなく、リードフレームの共有化が可能となるため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００５１】
また、かかる製造方法では、サイズの大きい半導体素子を搭載する場合であっても、複数のリードを跨ぐように半導体素子を固定することによりリードフレームの共有化を図ることが可能となる。
【００５２】
また、半導体素子を固定したリードフレームを一括して樹脂封止するため、半導体装置毎に、その大きさに応じた樹脂封止用モールド金型を準備することが不要となり、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
【００５３】
特に、かかる製造方法では、連続して半導体素子を固定したリードフレームを切断して半導体装置を作製するため、リードフレームに無駄になる部分が発生せず、リードフレームの単位面積当たりの製品収量が向上し、製造コストの低減が可能となる。
【００５４】
また、本発明にかかる半導体装置では、表面のみが樹脂封止され、裏面にリードを切断して形成されたダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが露出した構造となっているため、半導体装置の裏面を用いて直接マザーボードに接続することが可能となり、実装面積、実装高さを小さくでき、小型化、軽量化に寄与することが可能となる。
【００５５】
また、マザーボード上に直接ダイボンドパッドとワイヤボンドパッドが接続されるため、半導体素子からの放熱特性を向上させることができ、発熱量の大きい高出力素子に適用することも可能となる。
【００５６】
また、マザーボードと半導体素子との接続距離の短縮が可能となるため、半導体素子に高周波素子を用いた場合でも、良好な高周波特性を得ることが可能となる。
【００５７】
また、ダイボンドパッド、ワイヤボンドパッドを用いて、半導体装置を半田等でマザーボードに固定する場合の固定面積も大きくなり、固定強度の向上を図ることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置である。
【図２】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図３】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図４】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図５】  本発明の実施の形態１にかかる他の半導体装置である。
【図６】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置である。
【図７】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図８】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置である。
【図９】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造工程図である。
【図１０】  従来構造にかかる半導体装置である。
【図１１】  従来構造の半導体装置の製造工程である。
【図１２】  従来構造の半導体装置の製造に用いるリードフレームである。
【図１３】  従来構造の半導体装置の製造工程図である。
【図１４】  従来構造にかかる他の半導体装置である。
【符号の説明】
１  リード、２  ダイシング材、３  半導体素子、４  ワイヤ、５  封止樹脂、６  リードフレーム、７  マーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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