(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
要求されるフライングハイトが２０ｎｍ〜３０ｎｍに対して、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物濃度が、５００ｐｐｂ以下である化学強化塩を使用することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
要求されるフライングハイトが１０ｎｍ〜１５ｎｍに対して、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物濃度が ３００ｐｐｂ以下である化学強化塩を使用することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
要求されるフライングハイトが５ｎｍ以下に対して、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物濃度が、３０ｐｐｂ以下である化学強化塩を使用することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記化学強化塩を含有する化学強化処理液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウムからなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
磁気ディスク用ガラス基板が、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）と組み合わせて使用される磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は情報処理機器等の記録媒体として使用される情報記録媒体の製造方法及びその基板の製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報処理機器等の記録媒体として使用される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものであり、その基板としてはアルミニウム基板やガラス基板が用いられてきた。しかし、最近では、高記録密度化の追求に呼応して、アルミニウム基板と比べて磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔（磁気ヘッドの浮上高さ）をより狭くすることが可能なガラス基板の占める比率が次第に高くなってきている。
【０００３】
このように増加傾向にあるガラス基板は、磁気ディスクドライブに装着された際の衝撃に耐えるように一般的に強度を増すために化学強化されて製造されている。また、ガラス基板表面は磁気ヘッドの浮上高さ（フライングハイト）を極力下げることができるように、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。
他方、ガラス基板だけではなく、磁気ヘッドの方も薄膜ヘッドから磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）等に推移し、高記録密度化に応えている。
【０００４】
上述した高記録密度化にとって必要な低フライングハイト化のために磁気ディスク表面の高い平坦性は必要不可欠である。加えて、ＭＲヘッドを用いた場合、サーマル・アスペリティー（Thermal  Asperity）の問題からも磁気記録媒体の表面には高い平坦性が必要となる。このサーマル・アスペリティーは、磁気ディスクの表面上に突起があると、この突起にＭＲヘッドが影響をうけてＭＲヘッドに熱が発生し、この熱によってヘッドの抵抗値が変動し電磁変換に誤動作を引き起こす現象である。
また、磁気ディスクの表面上に突起があると、この突起によってヘッドクラッシュが起きたり、このヘッドクラッシュが原因で磁気ディスクを構成する磁性膜などが剥がれるなど、磁気ディスクにも悪影響を及ぼす。
【０００５】
このように、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現にとっても、サーマル・アスペリティーの発生防止のためにも磁気ディスク表面の高い平坦性の要請は日増に高まってきている。このような、磁気ディスク表面の高い平坦性を得るためには高精度に基板表面を研磨することになるが、もはや、高精度に基板表面を研磨するだけでは、磁気ディスクの高記録密度化を実現できない段階まで来ている。つまり、いくら、高精度に研磨しても基板上に異物が付着し突起が形成されていては実質的に高い平坦性は得られない。勿論、従来から異物の除去はなされていたが、従来では許容されていた基板上の異物が、今日の高密度化のレベルでは問題視される状況にある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、実質的に高い平坦性を有する基板を実現すべく鋭意研究開発を進めた結果、化学強化処理液にする前の化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物が原因で、化学強化処理後に基板上に異物による突起が発生することがわかった。これらの不純物は、酸化物や塩の形で基板上に残り、洗浄で落としきれずに残存する場合や、高温の化学強化処理液中でガラスと一体化して酸化物等を形成する場合、金属粒子が高温の化学強化処理液中でガラス基板に焼き付く場合、粒子が凝集して基板に付着する場合などのケースが考えられる。そして、これらの不純物が原因で発生する異物による突起（凸部）が形成されたガラス基板上に磁性膜等の薄膜を積層すると、磁気ディスク表面に突起が形成され、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止の阻害要因となっていることがわかった。
【０００７】
本発明は、上述した問題に鑑みなされたもので、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減できる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を第一の目的とする。
また、本発明は、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物に起因する欠陥が少なく高品質の情報記録媒体を高歩留まりで製造し得る製造方法の提供を第二の目的とする。
さらに、本発明は、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減でき、したがって、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止を効果的かつ高歩留まりで実現しうる磁気ディスクの製造方法の提供を第三の目的とする。
また、本発明は、イオン交換処理液に使われる塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物の発生を効果的に低減でき、したがって、欠陥の少ない電子デバイスや光学素子、光学ガラス製品等を高歩留まりで製造し得る製造方法の提供を第四の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述した知見に基づいてさらに研究開発を進めた結果、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物の濃度レベルを必要に応じ管理することで、これらの不純物が原因で発生する不良を低減又は回避できることを突き止めた。具体的には、現状のフライングハイト２０〜３０ｎｍ程度に対しては、これらの不純物濃度を、５０〜１００ｐｐｍ（＝０．００５％〜０．０１％）以下にするとこれらの不純物が原因で発生する異物による突起の高さを低減でき効果的であることがわかった。同様に、フライングハイト１０〜２０ｎｍ程度に対しては、これらの不純物濃度を、２０〜５０ｐｐｍ（＝０．００２％〜０．００５％）以下にすると効果的であることがわかった。さらに、現状のフライングハイトは２０〜３０ｎｍ程度であるが、フライングハイトを５ｎｍ以下にする場合、化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑える必要があり、フライングハイト５ｎｍ以下を実現するためには、化学強化塩に含まれる前記不純物の濃度を概ね数百ｐｐｂレベル以下に抑える必要があることがわかった。さらに、化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さが５ｎｍ以下の場合であっても、不純物が薄く残留した場合、磁気特性の低下や耐久性の低下等を招くことがわかった。これを回避するためには、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物の濃度をさらに低濃度にする必要が有り、具体的には概ね５０ｐｐｂ以下に抑える必要があることがわかった。
【０００９】
本発明は以下の構成としてある。
【００１０】
（構成１）  化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下である化学強化塩を使用することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１１】
（構成２）  前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下である化学強化塩を使用することを特徴とする構成１記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１２】
（構成３）  前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の不純物濃度が  ２０ｐｐｍ（＝０．００２％）以下である化学強化塩を使用することを特徴とする構成１記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１３】
（構成４）  前記化学強化塩を含有する化学強化処理液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウムからなることを特徴とする構成１ないし３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１４】
（構成５）  化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、３００ｐｐｂ以下（数百ｐｐｂ以下）である化学強化塩を使用することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１５】
（構成６）  化学強化塩を含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、５０ｐｐｂ以下である化学強化塩を使用することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１６】
（構成７）  前記化学強化塩を含有する化学強化処理液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウムからなることを特徴とする構成５又は６に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１７】
（構成８）  前記情報記録媒体用ガラス基板が、磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする構成１ないし７のいずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１８】
（構成９）  磁気ディスク用ガラス基板が、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）と組み合わせて使用される磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする構成８記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１９】
（構成１０）  構成１ないし７のいずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板上に少なくとも記録層を形成することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【００２０】
（構成１１）  構成１ないし７のいずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２１】
（構成１２）  イオン交換処理液にガラス部材を接触させることにより、ガラス部材中のイオンとイオン交換処理液中のイオンとをイオン交換処理する工程を含む光学ガラス製品の製造方法において、
前記イオン交換処理液に使われる塩として、構成１〜３、５及び６のいずれか一項に記載の不純物濃度条件を満たす塩を用いることを特徴とする光学ガラス製品の製造方法。
【００２２】
（構成１３）  前記光学ガラス製品が電子デバイス用ガラス部材又は光学素子用ガラス部材であり、前記イオン交換処理液が化学強化塩を含有する化学強化処理液であることを特徴とする構成１２記載の光学ガラス製品の製造方法。
【００２３】
【作用】
構成１によれば、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下である化学強化塩を使用することによって、化学強化処理の際にこれらの不純物が原因で発生する異物による突起の高さを低減でき、現状のフライングハイト２０〜３０ｎｍ程度に対して効果的である。フライングハイト２０ｎｍ程度に対しては、これらの不純物のうちの少なくとも一種の不純物濃度を、５０ｐｐｍ（＝０．００５％）以下とすると効果的であり、好ましい。
【００２４】
構成２によれば、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちのいずれの不純物が原因であっても異物による突起に起因する不良が生じることにかわりはないので、これらの不純物の全ての不純物濃度を１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下にすることによって、これらの不純物の全てに起因する異物による突起の高さを低減でき、不良率を著しく低減できるので非常に効果的である。
【００２５】
構成３によれば、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、２０ｐｐｍ（＝０．００２％）以下である化学強化塩を使用することによって、化学強化処理の際にこれらの不純物が原因で発生する異物による突起の高さを低減でき、フライングハイト１０〜１５ｎｍ程度に対して効果的である。フライングハイト１０ｎｍ程度に対しては、これらの不純物のうちの少なくとも一種の不純物濃度を、１０ｐｐｍ（＝０．００１％）以下とすると効果的であり、好ましい。
なお、上記構成１〜３において、硝酸カリウム単独の化学強化塩を使用する場合にあっては、不純物による突起の形成を回避するという本願発明の課題とは異なるが、イオン交換度の低下を極力回避するためにも、Ｐｂ、Ｃａ等の濃度を低くすることが好ましい。
【００２６】
構成４のように、硝酸ナトリウムと硝酸カリウムとの混酸からなる化学強化塩を使用する場合にあっては、Ｐｂ、Ｃａ等によってイオン交換度が低下する問題は生じない。このため、上述した不純物濃度の管理が不十分であったが、上述した異物による突起の発生回避という全く別の観点から不純物濃度を管理することで、異物による不良率を著しく低減でき効果が大きい。
【００２７】
構成５においては、フライングハイトを５ｎｍ以下にする場合、表面に５ｎｍを超える突起が一個あってもいけないので、それを実現できる濃度とする必要がある。このような不純物濃度は不純物の種類によって若干異なるが、概ね数百ｐｐｂ以下である。
表１〜４及び図１〜４に、化学強化塩に含まれる不純物濃度（各濃度１０点測定）とタッチダウングライドハイト（ＴＤＦＨ）との関係を示す。
【００２８】
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【００２９】
Ｐｂの場合、表１及び図１に示すように、化学強化塩に含まれるＰｂ濃度とグライドハイトとの関係を考えた場合、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑えるためには、約１００ｐｐｂ未満とすることが好ましい。より好ましくは、５０ｐｐｂ以下、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。同様に、Ｍｇの場合、表２及び図２から、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑えるためには、約６０ｐｐｂ以下とすることが好ましい。より好ましくは、３０ｐｐｂ以下、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。Ｃａの場合、表３及び図３から、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑えるためには、約３０ｐｐｂ以下とすることが好ましい。より好ましくは、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。Ｔｉの場合、表４及び図４から、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑えるためには、約８０ｐｐｂ以下とすることが好ましい。より好ましくは、５０ｐｐｂ以下、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。他の不純物Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉについても、５０ｐｐｂ以下、さらに好ましくは、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、が望ましい。なお、上記した全ての不純物の濃度を低減することが好ましいことは言うまでもない。
【００３０】
硝酸カリウム単独の化学強化塩を使用する場合にあっては、不純物による突起の形成以外にイオン交換度の低下を極力回避するために、Ｐｂ、Ｃａ等を特に減らす必要がある。イオン交換度の低下を回避するための不純物濃度は５０ｐｐｍ程度であり、構成５の発明とは不純物濃度のレベルが異なり、不純物の種類が異なるが、構成５の発明の不純物濃度レベルによれば、５ｎｍ以上の突起形成回避と共に、イオン交換度の低下を従来に比べ高いレベルで回避できる。
硝酸ナトリウムと硝酸カリウムとの混酸からなる化学強化塩を使用する場合にあっては、Ｐｂ、Ｃａ等によってイオン交換度が低下する問題は生じない。混酸の場合、混酸の状態における不純物濃度を管理すればよいが、各々の塩の不純物濃度を管理することによって、混酸の状態における不純物濃度が管理値を超えた場合、いずれの塩が原因か、あるいは混合作業等その他に問題があるかなど原因の究明と対処が容易となるので好ましい。
【００３１】
構成６では、化学強化処理液中に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さが５ｎｍ以下であっても、不純物が薄く残留した場合、磁気特性の低下や耐久性の低下等を招くことがわかった。これを回避するためには、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐのうちの少なくとも一種の濃度を概ね５０ｐｐｂ以下に抑える必要があることがわかった。磁気特性の低下等をより回避する観点から、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、５ｐｐｂ以下、１ｐｐｂ以下、がさらに好ましい。なお、これらの不純物の全ての濃度を低減することが好ましいことは言うまでもない。
【００３２】
構成７については、上記構成４と同様である。
【００３３】
上記構成８によれば、情報記録媒体用ガラス基板が、磁気ディスク用ガラス基板である場合、ヘッドクラッシュの原因となる上述した異物による突起の高さを効果的に低減でき、この結果、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化を実現できる磁気ディスクを製造できる。
【００３４】
上記構成９によれば、磁気ディスク用ガラスが、磁気抵抗型ヘッドと組み合わせて使用される磁気ディスク用ガラス基板である場合、サーマル・アスペリティーやヘッドクラッシュを起こす原因となる上述した異物による突起の高さを効果的に低減でき、この結果、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止を実現できる磁気ディスクを製造できる。磁気抵抗型ヘッドを用いる場合、低フライングハイト化やサーマル・アスペリティーの防止が特に要求されるので、特に効果的である。
【００３５】
上記構成１０によれば、上記構成１ないし７のいずれか一に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板を用いているので、化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減でき、欠陥が少なく高品質の情報記録媒体が高歩留まりで得られる。
【００３６】
上記構成１１によれば、上記構成１ないし７のいずれか一に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板を用いているので、化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減できる。したがって、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止を実現した磁気ディスクが得られる。
【００３７】
上記構成１２、１３のように、電子デバイス用ガラス基板（フォトマスク用ガラス基板、位相シフトマスク用ガラス基板や、情報記録媒体用ガラス基板も含まれる。以降同じ意味で使用する。）や、電子デバイスや光学素子に使用するガラス部材、あるいは光学ガラス製品においても、ガラス中に含まれるイオンを、イオン交換処理液中に含まれるイオンとイオン交換して、化学強化したり、あるいは屈折率分布を調整すること等が行われている。このようなガラス基板や部材等においても、イオン交換処理液に使われる塩に上述した不純物が含まれていると、上述した異物による突起が形成される（例えば、この異物の部分が光を遮断することによって所望の特性が得られない）など問題となることがある。
構成１２、１３によれば、イオン交換処理液に使われる塩として、構成１〜３、５及び６のいずれか一に記載の不純物濃度条件を満たす塩を用いることによって、イオン交換処理液に使われる塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さや異物の発生率や異物の密度を効果的に低減できる。したがって、高品位の電子デバイス、光学素子、光学ガラス製品が得られる。光学ガラス製品の表面にこれらの異物が付着すると、遮光性の異物の場合は光を遮断し、透過性の異物の場合は光を屈折・散乱させるので好ましくない。
光学ガラス製品としては、例えば、光学素子、電子デバイス、屈折率分布型レンズ、光ファイバなどが挙げられ、電子デバイス用ガラス基板や光学素子用ガラス基板も含まれる。
【００３８】
本発明の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法等に関し上述したこと以外の事項について説明する。
本発明は、必要に応じて不純物濃度レベルを管理することで、これらの不純物が原因で発生する不良を低減することを特徴としている。
【００３９】
ここで、不純物濃度は、情報記録媒体等に要求される欠陥の許容レベルに応じて設定できる。例えば、磁気ディスク（又はガラス基板）の主表面に対向して磁気ヘッドを配置し、所定のグライド高さで磁気ヘッドを磁気ディスク（又はガラス基板）に対し相対移動させ、所望のグライド特性となるように不純物濃度を決定できる。このように、グライドテストの結果に基づいて前記基準値を決定することで、ヘッドクラッシュやサーマル・アスペリティー等を効果的に防止できる。ここで、所望のグライド特性とは、例えば、フライングハイト３０ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、又は５ｎｍ以下を目標とするグライドテストにおいて、ヒットやクラッシュの発生率が例えば０％となるような特性をいう。
【００４０】
化学強化塩自体にパーティクルの形態（例えば金属片などの形態）で不純物が存在する場合であって、このようなパーティクルを除去するには、例えば、化学強化塩を水に溶かした状態で、フィルター等の捕捉手段によってパーティクルを除去する。フィルターの性能（最小捕捉粒径）や種類を選択することによって、化学強化塩に含まれるパーティクルの量を所望の量や濃度に制御できる。また、最小捕捉粒径の異なる複数のフィルターを用い、粒径の大きいパーティクルを最小捕捉粒径の大きなフィルターで除去した後、粒径の小さいパーティクルを最小捕捉粒径の小さなフィルターで除去することもできる。
なお、化学強化処理液をつくる前の化学強化塩自体（硝酸ナトリウム、硝酸カリウムなど）に含まれる不純物が主であるが、他の要因もある（例えば他の添加成分や、治具や槽などの要因等）ので、最終的な化学強化処理槽中の化学強化処理液における不純物濃度を管理しても良い。
【００４１】
不純物濃度の測定方法は、特に制限されず、本発明で掲げる不純物を精度良く、再現性良く定量しうる方法であればよい。不純物濃度の測定方法としては、例えば、ＩＣＰ発光分析法、蛍光Ｘ線分析法、質量分析法（ＭＳ）、原子吸光分析法などが挙げられる。不純物濃度の測定方法は、不純物濃度に応じて使い分けることが好ましい。例えば、不純物濃度が数十ｐｐｂ以上であればＩＣＰ発光分析法、蛍光Ｘ線分析法などを使用し、数十ｐｐｂ以下であれば質量分析法（ＭＳ）、原子吸光分析法などを使用することが好ましい。
なお、ＩＣＰ発光分光分析法は、試料中に含まれる分析対象元素を、高周波電力を誘導結合させて発生する誘導結合プラズマ（Inductively coupled plasma）によって気化励起し、得られる原子スペクトル線における発光強度を測定することによって、定量分析等を行う方法である（ＪＩＳＫ０１１６）。
蛍光Ｘ線分析法は、Ｘ線管球で得られる強い一次Ｘ線を試料に照射し発生した固有Ｘ線の波長と強度を測定し、含有元素の同定を行い、さらに、マトリクス効果を考慮した検量線を標準試薬を用いて作成し、含有元素の定量を行う方法である。
化学強化塩を溶媒に溶解させた溶液をフィルタで濾過し、予め既知濃度試料の測定から求めた検量線に基づいて、ＩＣＰ発光分光分析法又は蛍光Ｘ線分析法によって化学強化塩中に含まれる元素及びその濃度の定量分析を行う。ここで、既知濃度試料とは、幾つかの濃度の異なる標準試料のことをいい、検量線はこの濃度の異なる標準試料から求められるものである。
【００４２】
化学強化方法としては、ガラス転移温度を超えない領域でイオン交換を行う低温型化学強化が好ましい。化学強化処理溶液として用いるアルカリ溶融塩としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、あるいはそれらを混合した硝酸塩や、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、あるいはそれらを混合した硫酸塩や、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＫＮＯ2、ＮａＮＯ2、あるいはそれらを混合した塩などが使用できる。
本発明で使用する化学強化塩は、固結防止用の添加剤を含まないことが好ましい。これは、固結防止用の添加剤には上述した不純物が多く含まれていると考えられるからである。
「化学強化処理液にガラス基板を接触させる」とは、化学強化処理液中にガラス基板を浸漬する場合の他、化学強化処理液をガラス基板に吹き掛ける場合などあらゆる態様が含まれる。
【００４３】
ガラス基板としてはアルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。
情報記録媒体用ガラス基板には、磁気記録媒体用ガラス基板、光記録媒体用ガラス基板、光磁気記録媒体用ガラス基板等が挙げられる。本発明は特に磁気抵抗型ヘッド用磁気ディスク及びその基板に関して顕著な効果を奏する。
【００４４】
なお、上述した化学強化塩及び化学強化処理液に関する事項は、イオン交換処理液に使われる塩及びイオン交換処理液に関しても同様である。
【００４５】
次に、本発明の磁気記録媒体（磁気ディスク）の製造方法について説明する。本発明では、上述した本発明方法によって得られた磁気記録媒体用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成して、磁気記録媒体を製造している。
【００４６】
本発明では、化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減した磁気記録媒体用ガラス基板を使用しているので、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止を実現した磁気ディスクが得られる。例えば、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍなどフライングハイトに応じた低フライングハイトを実現できる。特に、磁気抵抗型ヘッドによって再生を行う磁気記録媒体にとって、磁気抵抗型ヘッドの機能を十分に引き出すことができる。また、磁気抵抗型ヘッドに好適に使用することができるＣｏＰｔ系等の磁気記録媒体としてもその性能を十分に引き出すことができる。
【００４７】
磁気記録媒体は、通常、所定の平坦度、表面粗さを有し、必要に応じ表面の化学強化処理を施した磁気ディスク用ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層等を順次積層して製造する。
【００４８】
磁気記録媒体における下地層は、磁性層に応じて選択される。
下地層（シード層を含む）としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料からなる下地層等が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性層の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造とすることもできる。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮＩＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層等が挙げられる。
【００４９】
磁気記録媒体における磁性層の材料は特に制限されない。
磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙げられる。磁性層は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。
磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応の磁性層としては、Ｃｏ系合金に、Ｙ、Ｓｉ、希土類元素、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選択される不純物元素、又はこれらの不純物元素の酸化物を含有させたものなども含まれる。
また、磁性層としては、上記の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子が分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性層は、内面型、垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００５０】
磁気記録媒体における保護層は特に制限されない。
保護層としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合金膜、カーボン膜、水素化カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。これらの保護膜は、下地層、磁性層等とともにインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護膜は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の膜からなる多層構成としてもよい。
なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ膜の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ2)膜を形成してもよい。
【００５１】
磁気記録媒体における潤滑層は特に制限されない。
潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈し、媒体表面にディップ法、スピンコート法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成する。
【００５２】
【実施例】
以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的に説明する。
【００５３】
実施例１及び比較例１
（１）荒ずり工程
まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。
この場合、ダウンドロー法の代わりに、熔融ガラスを、上型、下型、胴型を用いてダイレクト・プレスして、円盤状のガラス体を得てもよい。また、フロート法でシートガラスを形成しても良い。
なお、アルミノシリケイトガラスとしては、モル％表示で、ＳｉＯ2を５７〜７４％、ＺｒＯ2を０〜２．８％、Ａｌ2Ｏ3を３〜１５％、ＬｉＯ2を７〜１６％、Ｎａ2Ｏを４〜１４％、を主成分として含有する化学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、ＳｉＯ2:６７．０％、ＺｒＯ2:１．０％、Ａｌ2Ｏ3:９．０％、ＬｉＯ2:１２．０％、Ｎａ2Ｏ：１０．０％を主成分として含有する化学強化用ガラス）を使用した。
【００５４】
次に、上記砥石よりも粒度の細かいダイヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これにより、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘ（ＪＩＳＢ０６０１で測定）で１０μｍ程度に仕上げた。
次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。
【００５５】
（２）砂掛け（ラッピング）工程
次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。
詳しくは、はじめに、粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度（Ｒａ）０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。次いで、アルミナ砥粒の粒度を＃１０００に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μｍ程度とした。
上記砂掛け加工を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５６】
（３）端面鏡面加工工程
次に、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の内外周端面（面取り部及び側壁部）の表面粗さを、Ｒｍａｘで０．１μｍ、Ｒａで０．０３μｍ程度に研磨した。
上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００５７】
（４）第一研磨工程
次に、第一研磨工程を施した。この第一研磨工程は、上述した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的とするもので、研磨装置を用いて行った。
詳しくは、ポリシャ（研磨粉）として硬質ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファム社製）を用い、以下の研磨条件で第一研磨工程を実施した。研磨液：酸化セリウム＋水
荷重：３００ｇ／ｃｍ2(Ｌ＝２３８ｋｇ）
研磨時間：１５分
除去量：３０μｍ
下定盤回転数：４０ｒｐｍ
上定盤回転数：３５ｒｐｍ
内ギア回転数：１４ｒｐｍ
外ギア回転数：２９ｒｐｍ
上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５８】
（５）第二研磨工程
次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリテックス：スピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施した。研磨条件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ2、研磨時間を５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、第一研磨工程と同様とした。
上記第二研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５９】
（６）化学強化塩の準備及び分析工程
次に、化学強化塩の原料である硝酸カリウム、硝酸ナトリウムの精製過程等において不純物濃度を調整して、不純物濃度の異なる硝酸カリウム、硝酸ナトリウムの試料をそれぞれ用意した。
なお、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムにそれぞれ含まれる不純物濃度の測定を、ＩＣＰ発光分光分析装置（セイコー電子工業（株）社製：ＳＰＳ−１２００ＶＲ）を用いて行った。この際、各不純物について、濃度既知の４点（５ｐｐｂ、５０ｐｐｂ、２５０ｐｐｂ、５００ｐｐｂ）の濃度の溶液をそれぞれ調製し、上記ＩＣＰ発光分光分析装置によって、絶対検量線法にて各不純物元素の定量を行った。
【００６０】
（７）化学強化工程
上記（６）の工程で確認した不純物濃度の異なる硝酸カリウムと硝酸ナトリウムをそれぞれ６０％、４０％（合計７３．５ｋｇ）を混合、溶解し、不純物濃度の異なる２種類の化学強化処理液を得た。具体的には、実施例１の化学強化塩では、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物の濃度が１００ｐｐｍ以下であった。比較例１の化学強化塩では、前記全ての不純物の濃度が１５０ｐｐｍ程度であった。
上記で得られた各化学強化処理液を化学強化処理槽で４００℃に加熱し、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基板をそれぞれ約３時間浸漬して行った。なお、この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるようにホルダーに収納した状態で行った。また、化学強化塩に含まれる不純物以外の要因を極力なくすため、化学強化処理は清浄な雰囲気の中で行い、また、化学強化処理と接触するホルダーや槽などはパーティクルが発生しない材料のものを使用した。
このように、化学強化処理液に浸漬処理することによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナトリウムイオンは、化学強化処理液中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化される。
ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００〜２００μｍであった。
上記化学強化を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。
上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行った。
【００６１】
上記の工程を経て得られたガラス基板の表面粗さＲａは０．５〜１ｎｍであった。
【００６２】
（８）磁気ディスク製造工程
上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用いて、ＮｉＡｌ（Ｎｉ：５０ａｔ％、Ａｌ：５０ａｔ％）のシード層（膜厚４０ｎｍ）、ＣｒＭｏ（Ｃｒ：９４ａｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％）下地層（膜厚２５ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＴａ（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：１７ａｔ％、Ｐｔ：５ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％）磁性層（膜厚２７ｎｍ）、水素化カーボン保護層（膜厚１０ｎｍ）を順次成膜し、この保護層上にディップ法によってパーフロロポリエーテルからなる液体潤滑剤層（膜厚１ｎｍ）を形成して、ＭＲヘッド用磁気ディスクを得た。
【００６３】
（評価）
得られた磁気ディスクについてグライドテスト（グライド高さ：１５ｎｍ（フライングハイト３０ｎｍ目標）、周速：１０ｍ／ｓ）（５０００枚）を実施したところ、実施例１の化学強化処理液を用いた場合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかった（グライド収率は１００％、グライド不良は０％であった）。また、サーマル・アスペリティーの原因となるパーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していないことも確認できた。
また、グライドテストを終えた本実施例の磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数についてサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作は認められなかった。
【００６４】
一方、比較例１の化学強化処理液を用いた場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は１５０ｐｐｍ程度であり、化学強化工程で生じる異物による突起の高さが高くなるとともに、突起の発生率や突起の密度が大きく、３０ｎｍのグライドテスト（５０００枚）における不良率は１０％と高く、また、再生試験（５００枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作の確率も高かった。
【００６５】
実施例２、比較例２
次に、以下に示す不純物濃度の化学強化塩を用いて得た化学強化処理液を使用したこと以外は実施例１と同様にして、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。
実施例２の化学強化塩は、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物元素が２０ｐｐｍ以下。
比較例２の化学強化塩は、上記全ての不純物元素が３０ｐｐｍ程度。
【００６６】
（評価）
得られた磁気ディスクについてグライドテスト（グライド高さ：１０ｎｍ（フライングハイト２０ｎｍ目標）、周速：８ｍ／ｓ）（５０００枚）を実施したところ、実施例２の化学強化処理液を用いた場合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかった（グライド収率は１００％であった）。また、サーマル・アスペリティーの原因となるパーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していないことも確認できた。
また、グライドテストを終えた本実施例の磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数についてサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作は認められなかった。
【００６７】
一方、比較例２の化学強化処理液を用いた場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は３０ｐｐｍ程度であり、１０ｎｍのグライドテスト（５０００枚）における不良率が高く、また、再生試験（５００枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作の確率も高かった。
【００６８】
実施例３、比較例３
次に、以下に示す不純物濃度の化学強化塩を用いて得た化学強化処理液を使用したこと以外は実施例１と同様にして、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。実施例３の化学強化塩は、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐの全ての不純物元素が５０ｐｐｂ以下。比較例３の化学強化塩は、上記全ての不純物元素が３００ｐｐｂ程度。
【００６９】
（評価）
得られた磁気ディスクについてグライドテスト（グライド高さ：５ｎｍ（フライングハイト１０ｎｍ目標）、周速：４ｍ／ｓ）（５０００枚）を実施したところ、実施例３の化学強化処理液を用いた場合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかった。また、サーマル・アスペリティーの原因となるパーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していないことも確認できた。
また、グライドテストを終えた本実施例の磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数についてサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作は認められなかった。
さらに、磁気特性の低下や耐久性の低下も抑制できた。
【００７０】
一方、比較例３の化学強化処理液を用いた場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は３００ｐｐｂ以上であり、５ｎｍのグライドテスト（５０００枚）における不良率が高く、また、再生試験（５００枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作の確率も高かった。
【００７１】
なお、上記実施例１〜３において、化学強化塩中（ＫＮＯ3、ＮａＮＯ3）に含まれる不純物の量が多くなるに従って、異物による突起の高さや突起の発生率や突起の密度が大きくなる傾向があることが確認された。
【００７２】
実施例４
化学強化塩（処理液）を硝酸カリウム単独としたこと以外は、実施例１〜３と同様にして、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。
その結果、実施例１〜３と同様のことが確認された。なお、化学強化塩（処理液）を硝酸カリウム単独とし実施例２及び３と同様にして作製した磁気ディスク用ガラス基板の抗折強度及び歩留まりは、実施例１に比べ高かった。また、化学強化塩（処理液）を硝酸カリウム単独とし実施例１と同様にして作製した磁気ディスク用ガラス基板の抗折強度及び歩留まりは、比較例１に比べ高かった。
【００７３】
以上好ましい実施例を上げて本発明を説明したが、本発明は上記実施例に限定されない。
【００７４】
例えば、各実施例における不純物濃度は、低くするほど効果がある。
【００７５】
なお、本発明は化学強化工程を経て製造される情報記録媒体用ガラス基板であれば適用でき、光ディスク用ガラス基板、光磁気ディスク用ガラス基板等が各種情報記録媒体用ガラス基板に広く応用できる。この場合、光ディスク用ガラス基板や光磁気ディスク用ガラス基板では、異物による突起の密度が多いと記録・再生に悪影響を及ぼすので、異物による突起の密度に着目して化学強化塩自体に含まれるパーティクルの量を制御するとよい。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によれば、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減できる。
また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物に起因する欠陥が少なく高品質の情報記録媒体を高歩留まりで製造できる。
さらに、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減でき、したがって、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止を効果的かつ高歩留まりで実現できる。
また、本発明の光学ガラス製品の製造方法によれば、イオン交換処理液に使われる塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物の発生を効果的に低減でき、したがって、欠陥の少ない電子デバイスや光学素子、光学ガラス製品等を高歩留まりで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】化学強化塩に含まれるＰｂ濃度とグライドハイトとの関係を示す図である。
【図２】化学強化塩に含まれるＭｇ濃度とグライドハイトとの関係を示す図である。
【図３】化学強化塩に含まれるＣａ濃度とグライドハイトとの関係を示す図である。
【図４】化学強化塩に含まれるＴｉ濃度とグライドハイトとの関係を示す図である。
【図１】
0003827934.tif 000006
【図２】
0003827934.tif 000007
【図３】
0003827934.tif 000008
【図４】
0003827934.tif 000009