(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料から構成される光導電層を有する光受容層を備えた電子写真用光受容部材において、該光導電層を構成する非単結晶材料が、光学的バンドギャップが１．８０ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であることを特徴とする電子写真用光受容部材。
【請求項２】
前記光導電層中に周期律表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一つを含む請求項１に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項３】
前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含む請求項１または２に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項４】
前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍである請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
【請求項５】
前記光受容層は、該光導電層上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料の表面層を有する請求項１乃至４のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
【請求項６】
前記表面層の層厚が０．０１〜３μｍである請求項５に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項７】
前記光受容層は、シリコン原子を母体として水素原子および／またはハロゲン原子を含有し、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料の電荷注入阻止層を前記支持体と前記光導電層との間に有する請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
【請求項８】
前記電荷注入阻止層の層厚が０．１〜５μｍである請求項７に記載の電子写真用光受容部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。
【０００２】
【従来技術】
像形成分野において、光受容部材における光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害であること、などの特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。
このような点に優れた性質を示す光導電材料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があり、例えば、米国特許第４，２６５，９９１号には電子写真用光受容部材としての応用が記載されている。このような電子写真用光受容部材は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などの成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されている。
【０００３】
また、米国特許第５，３８２，４８７号においては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）、光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されている。当該公報においては、アモルファスシリコンにハロゲン原子を１乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を得ることができるとしている。
さらに、特開昭５７−１１５５５６号公報には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および耐湿性などの使用環境特性、さらには経時的安定性について改善を図るため、シリコン原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載されている。また、特開昭６０−６７９５１号公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素および弗素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体についての技術が記載され、米国特許第４，７８８，１２０号には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
【０００４】
さらに、米国特許第４，４０９，３１１号には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペクトルの２１００ｃｍ-1と２０００ｃｍ-1の吸収ピークの吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体が得られることが記載され、特開昭６２−８３４７０号公報には、電子写真用感光体の光導電層において光吸収スペクトルの指数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下にすることにより残像現象のない高品質の画像を得る技術が開示されている。
そしてまた、米国特許第４，６０７，９３６号には、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のために、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術が開示されている。
これらの技術により、電子写真用光受容部材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性などの電気的、光学的、光導電特性、および使用環境特性の点、さらには経時安定性および耐久性の点において、各々個々には特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情である。特に、電子写真装置の高画質、高速化、高耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性をさらに向上し、帯電能、感度を向上しつつ、あらゆる環境下でその特性の変動を大幅に減らすことが求められている。
そして、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置などの改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても従来以上の性能の向上が求められるようになった。
【０００６】
このような状況下において、前述した従来技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、帯電能の更なる向上や周囲温度の変化による帯電能の変動、そしてプランクメモリーならびにゴーストといった光メモリーを低減することがいっそう求められるようになってきた。例えば、電子写真装置は、省スペースの観点から年々小型化され、それに伴って電子写真装置内の感光体周りのスペースも縮小される傾向にある。その結果、帯電器が小型化される一方で、消費電力の点からも帯電器の電源容量を増やすことは困難となり充分な表面電位を確保することが難しくなってきている。
また、例えば、従来は感光体の画像流れの防止のために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されているように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では感光体が本来有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを得ない場合があった。例えば、ドラムヒーターで４０℃程度に加熱している状態では室温に比べて帯電能が１００Ｖ近く低下してしまう場合もあった。
【０００７】
さらに、従来は複写機を使用しない夜間でもドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によって生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着することによって発生する画像流れを防止するようにしていた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機の夜間通電を極力行わないようになってきている。このような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて感光体の温度も上昇するため帯電能が低下して、複写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じる場合があった。
一方、同一原稿を連続して繰り返し複写すると、使用トナー量を節約するために感光体に照射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、いわゆるゴースト現象などが画像品質を向上させる上で問題になってきた。
したがって、電子写真用光受容部材を設計する際に、上記したような問題が解決されるように電子写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合的な観点からの改良を図るとともに、アモルファスシリコン材料そのものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【０００８】
【発明の目的】
本発明は、上述のごときアモルファスシリコンで構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材における諸問題を解決することを主たる目的とするものである。
本発明の他の目的は、電気的、光学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとんど観測されず、さらに画像品質の良好な電子写真用光受容部材を提供することにある。
本発明の更なる目的は、大幅に帯電能、感度を向上しつつ温度特性や光メモリーを低減して画像品質を飛躍的に向上させた電子写真用光受容部材を提供することにある。
本発明の他の目的は、導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料から構成される光導電層を有する光受容層とからなる電子写真用光受容部材において、該光導電層を構成する非単結晶材料が、光学的バンドギャップが１．８０ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である電子写真用光受容部材を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明者らは、光導電層の光学的バンドギャップならびに光導電層でのキャリアの挙動に着目し、アモルファスシリコンのバンドギャップ内の局在状態分布と帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、光学的バンドギャップを拡大しつつ、光導電層の局在状態分布を制御することにより上記目的を達成できるという知見を得た。すなわち、シリコン原子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導電層を有する光受容部材において、その層構造を特定化するように設計されて作製された光受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材として優れた特性を有していることを見いだした。
本発明は該知見に基づいて完成に至ったものである。本発明の光受容部材は、シリコン原子を母体とし水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導電層を有する光受容部材において、前記光導電層中の水素含有量、光学的バンドギャップならびに光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーを制御し、帯電能、温度特性を向上させると共に光メモリーの発生をなくして良好な特性を発揮させるようにしている。
【００１０】
なお、本発明においていう「指数関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾きを意味している。
このことを図２を用いて詳しく説明する。
図２は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸に吸収係数αを対数軸として示したアモルファスシリコンのサブギャップ光吸収スペクトルの一例である。このスペクトルは大きく二つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテイル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部分Ａである。
Ｂ領域はアモルファスシリコン中の価電子帯側のテイル準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次式で表される。
α＝αoｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ）
この両辺の対数をとると
ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α１
ただし、α１＝ｌｎαo
となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準位が少ないことを意味する。
【００１１】
一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）などの構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き、素子の特性を低下させる原因になることが知られている。
このようなバンドギャップ中の局在準位の状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定光電流法などが用いられている。中でも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ  Ｍｅｔｈｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有用である。
本発明者らは、光学的バンドギャップ（以下、「Ｅｇ」と略記する）ならびにＣＰＭによって測定されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、Ｅｇ，Ｅｕとアモルファスシリコン感光体の帯電能、温度特性や光メモリーとが密接な関係にあることを見いだし本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、光学的バンドギャップを可能な限り拡大し、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくした光導電層により、帯電能を大幅に向上させつつ温度特性を低減させ、なおかつ光メモリーの発生を実質的になくすることができることが本発明者らの実験により明らかになった。
ａ−Ｓｉ系の電子写真用光受容部材では表面や支持体からの電荷の注入を阻止し帯電能を確保するために、表面層や電荷注入阻止層を設けている。しかしながら、これまで以上の帯電能を得るためにはそれだけでは不充分であり、光導電層自体を高抵抗化することが必要である。しかし、単に高抵抗化するだけでは残留電位や光メモリーの点で不都合が発生するばかりでなく、期待したほどの帯電能の向上はなされないことが本発明者らの実験により明らかになった。すなわち、一般にアモルファスシリコン感光体では、帯電前露光（いわゆる前露光）によりフリーキャリアを生成し、帯電時の電界によってフリーキャリアを掃き出して、キャリアが枯渇した状態を作りだすことにより見かけ上の抵抗を増大することにより帯電される。このとき局在準位が多ければ、フリーキャリアの掃き出しが速やかに行われず、帯電能の向上をはかることができない。したがって、高抵抗化すると共に局在準位を減少させることが帯電能の更なる向上のためには必要である。
【００１３】
また、ドラムヒーターなどで感光体を加熱したときに帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリアが帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の低下を引き起こす。したがって、光学的バンドギャップを拡大することにより熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリアの走行性を向上させることが温度特性の向上のために必要である。
さらに、光メモリーはブランク露光や像露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電位による電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなければならない。
【００１４】
したがって、本発明のごとくＥｇを拡大しつつＥｕを制御（低減）した光導電層により、効果的に電荷注入阻止能の向上を図ることができ、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキャリアの走行性が著しく改善される。その結果、帯電能や感光体の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、感光体の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
さらにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわゆるガサツキを低減することができる。
したがって、本発明は上記構成によって、帯電能の向上と温度特性減少ならびに光メモリーの低減とを高い次元で両立させ、前記した従来技術における諸問題の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環境性を示す光受容部材を得ることができる。
【００１５】
【実施態様例】
以下、必要に応じて図面を用いて本発明の電子写真用光受容部材について詳細に説明する。
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、それぞれ本発明の電子写真用光受容部材の層構成の好適な一例を説明するための模式的断面構成図である。
図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘの光導電層１０３を有する。
図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成例を説明するための模式的構成図である。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘの光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有する。
図１（ｃ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成例を説明するための模式的構成図である。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘの光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４と、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５とを有する。
【００１６】
以下に、本発明の電子写真用光受容部材の各構成要素について説明する。
【００１７】
【支持体】
本発明において使用される支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅなどの金属、およびこれらの合金、例えばステンレスなどが挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミドなどの合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミックなどの電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いることができる。
本発明において使用される支持体１０１の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材１００を形成し得るように適宜決定するが、電子写真用光受容部材１００としての可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体は製造上および取り扱い上、機械的強度などの点から通常は１０μｍ以上とされる。
【００１８】
特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、米国特許第４，６５０，７３６号、米国特許第４，６９６，８８４号、米国特許第４，７０５，７３３号などに記載された公知の方法により作製される。
また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、米国特許第４，７３５，８８３号に記載された公知の方法により作製される。
【００１９】
【光導電層】
本発明において、その目的を効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光受容層１０２の一部を構成する光導電層１０３は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法などの交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法など）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特性などの要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の高周波グロー放電法が好適である。
グロー放電法によって光導電層１０３を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００２０】
本発明において光導電層１０３中に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからである。よって水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子または／およびハロゲン原子の和に対して２５〜４０原子％、より好ましくは３０〜３５原子％とされるのが望ましい。
本発明において使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さなどの点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。
そして、形成される光導電層１０３中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが必要である。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００２１】
本発明において使用されるハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体などのガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，ＢｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ7などのハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ3などの弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
光導電層１０３中に含有される水素原子または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力などを制御すればよい。
【００２２】
本発明においては、光導電層１０３には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族（１３族）に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族（１５族）に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ），タリウム（Ｔｌ）などがあり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）などがあり、特にＰ，Ａｓが好適である。
光導電層１０３に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１×１０2原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５０原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００２３】
そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6，Ｂ4Ｈ10，Ｂ5Ｈ9，Ｂ5Ｈ11，Ｂ6Ｈ10，Ｂ6Ｈ12，Ｂ6Ｈ14などの水素化硼素、ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3などのハロゲン化硼素などが挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3，ＧａＣｌ3，Ｇａ（ＣＨ3）3，ＩｎＣｌ3，ＴｌＣｌ3なども挙げることができる。
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3，Ｐ2Ｈ4などの水素化燐、ＰＨ4Ｉ，ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢｒ3，ＰＢｒ5，ＰＩ3などのハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3，ＡｓＦ3，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ5，ＳｂＨ3，ＳｂＦ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ3，ＳｂＣｌ5，ＢｉＨ3，ＢｉＣｌ3，ＢｉＢｒ3なども第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
さらに本発明においては、光導電層１０３に炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される少なくとも一種の原子を含有させることも有効である。炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に対して好ましくは１×１０-4〜１０原子％、より好ましくは１×１０-3〜５原子％、最適には１×１０-2〜１原子％が望ましい。炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
本発明において、光導電層１０３の層厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果などの点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。この層厚は、２０μｍより薄くなると、帯電能や感度などの電子写真特性が実用上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなるという点を考慮したものである。
【００２４】
本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用ガスの流量、Ｓｉ供給用ガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
Ｓｉ供給用ガスの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスの流量（Ｘ）と放電空間容積（Ｚ）の比（Ｘ／Ｚ）を、好ましくは１×１０-3〜１×１０-2［ｓｃｃｍ／ｃｍ3］、より好ましくは３×１０-3〜５×１０-2［ｓｃｃｍ／ｃｍ3］とすることが望ましい。
希釈ガスとして使用するＨ2および／またはＨｅの流量も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2および／またはＨｅを、通常の場合５〜３０倍、好ましくは８〜２５倍、最適には１０〜２０倍の範囲に制御することが望ましい。
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１．３×１０-2〜１．３×１０3［Ｐａ］、好ましくは６．７×１０-2〜６．７×１０2［Ｐａ］、最適には１．３×１０-1〜１．３×１０2［Ｐａ］とするのが好ましい。
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスの流量（Ｘ）に対する放電空間への投入電力密度（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を、好ましくは３×１０-4〜７×１０-4［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］、最適には４×１０-4〜６×１０-4［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］の範囲に設定することが望ましい。
【００２５】
さらに、支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。
本発明においては、光導電層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００２６】
【表面層】
本発明においては、上述のようにして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上に、さらにアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設けられる。
また、本発明においては、光受容層１０２を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分なされている。
表面層１０４は、アモルファスシリコン系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）；水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）；水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）；及び水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原子、及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも一種の原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）などの材料が好適に用いられる。
【００２７】
本発明において、その目的を効果的に達成するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法などの交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法など）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特性などの要因によって適宜選択されて採用されるが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。
例えば、グロー放電法によってａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘの表面層１０４を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層１０３を形成した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００２８】
本発明において用いる表面層の材質としてはシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでもよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも一つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。
また、本発明において表面層１０４中に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ましい。
これらの水素および／または弗素含有量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象の発生などがこの悪影響として挙げられる。
【００２９】
しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなくなる場合がある。したがって、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の一つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量比、支持体温度、放電パワー、ガス圧などによって制御し得る。
また、表面層中の弗素含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成することが可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとして、コロナなどのダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができる。
一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生の効果およびコロナなどのダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリーが顕著に認められてくる。したがって、表面層中の弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧などによって制御し得る。
【００３０】
本発明の表面層の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さなどの点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用してもよい。
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，Ｃ4Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さなどの点でＣＨ4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用してもよい。
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ3，ＮＯ，Ｎ2Ｏ，ＮＯ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2などのガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用してもよい。
【００３１】
また、形成される表面層１０４中に導入される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体などのガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，ＢｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ7などのハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ3などの弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００３２】
表面層１０４中に含有される水素原子または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力などを制御すればよい。
炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されてもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
さらに本発明においては、表面層１０４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
前記の伝導性を制御する原子としては、光導電層のところで説明した半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができる。
【００３３】
表面層１０４に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層１０４を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質としては光導電層のところで説明したものを適宜選択して用いることができる。
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用してもよい。
【００３４】
本発明における表面層１０４の層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に摩耗などの理由により表面層が失われてしまい、３μｍを超えると残留電位の増加などの電子写真特性の低下がみられる。
【００３５】
本発明による表面層１０４は、その要求される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。すなわち、Ｓｉ（シリコン），Ｃ（炭素），Ｎ（窒素）およびＯ（酸素）の中から選択される原子と、Ｈおよび／またはＸとを構成要素とする物質はその形成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態をとり、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるように、所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。
例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製されるのが好ましい。
また、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対してある程度の感度を有する非単結晶材料として形成される。
【００３６】
本発明の目的を達成し得る特性を有する表面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１．３×１０-2〜１．３×１０3［Ｐａ］、好ましくは６．７×１０-2〜６．７×１０2［Ｐａ］、最適には１．３×１０-1〜１．３×１０2［Ｐａ］とするのが好ましい。
本発明においては、表面層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
さらに本発明においては、光導電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子の含有量を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設けることも帯電能などの特性を更に向上させるためには有効である。
また表面層１０４と光導電層１０３との間に炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少なくすることができる。
【００３７】
【電荷注入阻止層】
本発明の電子写真用光受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けるのが一層効果的である。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
該層に含有される伝導性を制御する原子は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適である。
しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
【００３８】
電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子としては、上述した不純物を挙げることができる。
本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐｍ、より好適には５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、最適には１×１０2〜３×１０3原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。
該層に含有される炭素原子、窒素原子および酸素原子からなる群から選択される少なくとも一種の原子は該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
【００３９】
本発明における電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭素原子、窒素原子および酸素原子からなる群から選択される少なくとも一種の原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×１０-3〜５０原子％、より好適には５×１０-3〜３０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とされるのが望ましい。
また、本発明における電荷注入阻止層に含有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％とするのが望ましい。
本発明において、電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果などの点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の向上はなく、作製時間の延長による製造コスト増を招くだけである。
【００４０】
本発明において電荷注入阻止層を形成するには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。
本発明の目的を達成し得る特性を有する電荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度を適宜設定することが必要である。
希釈ガスであるＨ2および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2および／またはＨｅを、通常の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１．３×１０-2〜１．３×１０3［Ｐａ］、好ましくは６．７×１０-2〜６．７×１０2［Ｐａ］、最適には１．３×１０-1〜１．３×１０2［Ｐａ］とするのが好ましい。
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスの流量（Ｘ）に対する放電空間への投入電力密度（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を、通常の場合３×１０-5〜４×１０-4［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］、好ましくは６×１０-5〜３×１０-4［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］、最適には１×１０-4〜３×１０-4［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］の範囲に設定することが望ましい。
さらに、支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３１００℃とするのが望ましい。
【００４１】
本発明においては、電荷注入阻止層を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
このほかに、本発明の電子写真用光受容部材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
また、本発明の電子写真用光受容部材においては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原子と、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる群から選択される原子とを含む非晶質材料などで構成される密着層を設けてもよい。さらに、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。
【００４２】
次に、光受容層を形成するための装置および膜形成方法について詳述する。
図３はＲＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。図３に示す製造装置の構成は以下の通りである。
この装置は大別すると、堆積装置３１００、原料ガスの供給装置３２００、反応容器３１１１内を減圧にするための排気装置（図示せず）を有している。堆積装置３１００中の反応容器３１１１内には円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス３１１５が接続されている。
原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ4，ＧｅＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3などの原料ガスのボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およびマスフローコントローラー３２１１〜３２１６を有し、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続されている。
【００４３】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体３１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１１内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター３１１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３２３７、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ３２４１〜３２４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３１１８を開いて反応容器３１１１およびガス配管内３１１６を排気する。
次に真空計３１１９の読みが約６．６７×１０-4Ｐａ（５×１０-4Ｔｏｒｒ）になった時点で補助バルブ３２６０、流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後、ガスボンベ３２２１〜３２２６より各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。
【００４４】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体３１１２が所定の温度になったところで流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボンベ３２２１〜３２２６から所定のガスをガス導入管３１１４を介して反応容器３１１１内に導入する。次にマスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計３１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体３１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００４５】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１内、流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開き、さらにメインバルブ３１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、支持体３１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられることはいうまでもない。
堆積膜形成時の支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が好ましい。
支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーターなどの電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプなどの熱放射ランプ発熱体、液体、気体などを温媒とし熱交換手段による発熱体などが挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅などの金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂などを使用することができる。
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送するなどの方法が用いられる。
【００４６】
【実験例】
以下、実験例により本発明の効果を具体的に説明する。
【００４７】
【実験例１】
図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形のサンプルホルダー（外径８０ｍｍ）に、ガラス基板（コーニング社  ７０５９ガラス）ならびにＳｉウエハーを設置し、ａ−Ｓｉ膜（膜厚約１μｍ）を堆積した。
このとき、Ｓｉ供給用ガスの流量と放電空間容積の比（Ｘ／Ｚ）を５×１０-3［ｓｃｃｍ／ｃｍ3］、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比（Ｈ2／ＳｉＨ4）を１０、放電空間の圧力を６５［Ｐａ］、基板温度を２６０［℃］とし、ＳｉＨ4ガスと投入電力密度との比（Ｙ／Ｘ）［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］を変えることによって、種々のａ−Ｓｉ膜（膜厚約１μｍ）を堆積した。
ガラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。また、Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）ならびにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比（Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ）を測定した。
このときのＹ／ＸとＥｇ，ＥｕおよびＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈとの関係を表１に示す。
表１から明らかなように、Ｙ／Ｘが３×１０-4〜７×１０-4の範囲においてＥｇが広く、低欠陥の膜が得られることがわかった。
【００４８】
【実験例２】
次に実験例１と同様に図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比（Ｈ2／ＳｉＨ4）を１０、放電空間の圧力を６０［Ｐａ］、基板温度を２６０［℃］、ＳｉＨ4ガスと投入電力密度との比（Ｙ／Ｘ）［Ｗ／ｃｍ3・ｓｃｃｍ］を５×１０-4とし、Ｓｉ供給用ガスの流量と放電空間容積の比（Ｘ／Ｚ）［ｓｃｃｍ／ｃｍ3］を変えることによって、サンプル基板上に種々のａ−Ｓｉ膜（膜厚約１μｍ）を堆積した。
得られたａ−Ｓｉ膜について実験例１と同様の評価を行った。その結果を表２に示す。
表２から明らかなように、Ｘ／Ｚが３×１０-3〜１×１０-2の範囲においてＥｇが広く、低欠陥の膜が得られることがわかった。
【００４９】
【実験例３】
図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、外径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
表３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。このとき、光導電層の作製条件を実験例１と同様に変えて、種々の光受容部材を作製した。
作製した光受容部材を電子写真装置（キヤノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、電位特性ならびに画像特性の評価を行った。
この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃ、帯電器の帯電ワイヤー電流１０００μＡの条件にて、電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより光受容部材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温（約２５℃）から４５℃まで変えて、上記条件にて帯電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。
【００５０】
また、メモリーは、像露光光源にハロゲンランプを用い、上述の条件下において同様の電位センサーにより非露光状態での表面電位と一旦画像露光した後に再度帯電した時との電位差を測定した。
帯電能、温度特性、メモリーに関して、以下の基準で評価した。
◎…非常に良好
○…良好
△…実用上問題なし
得られたＹ／Ｘと帯電能、温度特性、メモリーとの関係を表４に示す。
表４から明らかなように、Ｅｇが１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の条件において、即ち、Ｙ／Ｘが３×１０-4〜７×１０-4の範囲において、帯電能、温度特性、メモリーのいずれも良好な特性を得られることがわかった。
また、水素含有量（Ｃｈ）ならびにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比（Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ）は、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５とすることが必要であることがわかった。
【００５１】
【実施例】
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００５２】
【実施例１】
図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
本実施例では、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
表５に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々２６原子％，１．８ｅＶ，５４ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置（キヤノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、実験例と同様に電位特性の評価を行ったところ、帯電能、温度特性、メモリーとも良好な特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測されずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好であった。
すなわち、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５３】
【実施例２】
本例では、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け、電荷注入阻止層、光導電層、表面層のそれぞれにフッ素原子を含有させた。
表６にこのときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々３０原子％，１．８ｅＶ，５０ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、各層にフッ素原子を含有させた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５４】
【実施例３】
本例では、電荷注入阻止層に炭素原子を含有させ、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を設けた。
表７にこのときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々３３原子％，１．８３ｅＶ，５３ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を負帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、中間層（上部阻止層）を設けた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５５】
【実施例４】
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた。
表８に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々２６原子％，１．８ｅＶ，５５ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電してレーザー（波長７８８ｎｍ）の像露光により画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、ＩＲ吸収層を設けた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５６】
【実施例５】
本例では、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け、さらに表面層に伝導性を制御する原子ならびに窒素原子、酸素原子を含有させた。
表９に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々３０原子％，１．８ｅＶ，５２ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層に、伝導性を制御する原子ならびに窒素原子、酸素原子を含有させた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５７】
【実施例６】
本例では、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
表１０にこのときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々２５原子％，１．８ｅＶ，５０ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５８】
【実施例７】
本例では、電荷注入阻止層、光導電層、表面層の各層にフッ素原子、伝導性を制御する原子ならびに炭素原子、窒素原子、酸素原子を含有させた。
表１１に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々３０原子％，１．８２ｅＶ，５３ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、電荷注入阻止層、光導電層、表面層の各層にフッ素原子、伝導性を制御する原子ならびに炭素原子、窒素原子、酸素原子を含有させた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【００５９】
【実施例８】
本例では、光導電層に炭素原子を含有させ、炭素原子および伝導性を制御する原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした。
表１２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
本実施例の条件による光導電層のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは夫々３５原子％，１．８５ｅＶ，５５ｍｅＶであった。
作製した光受容部材を電子写真装置にセットして、実施例１と同様の電位特性の評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
また、作製した光受容部材を正帯電して画像評価をしたところ、実施例１と同様に良好な画像が得られた。
すなわち、光導電層に炭素原子を含有させ、炭素原子および伝導性を制御する原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした層領域を設けた場合においても、光導電層においてＣｈ，Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ，Ｅｇ，Ｅｕを、それぞれ２５〜３５原子％、０．３〜０．４５、１．８ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
各実施例の光導電層のＣｈ，Ｅｇ，ＥｕおよびＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈの値を表１３にまとめて示す。また各実施例における判定基準を表１４に示す。
【００６０】
【表１】
0003862334.tif 000002
【００６１】
【表２】
0003862334.tif 000003
【００６２】
【表３】
0003862334.tif 000004
【００６３】
【表４】
0003862334.tif 000005
【００６４】
【表５】
0003862334.tif 000006
【００６５】
【表６】
0003862334.tif 000007
【００６６】
【表７】
0003862334.tif 000008
【００６７】
【表８】
0003862334.tif 000009
【００６８】
【表９】
0003862334.tif 000010
【００６９】
【表１０】
0003862334.tif 000011
【００７０】
【表１１】
0003862334.tif 000012
【００７１】
【表１２】
0003862334.tif 000013
【００７２】
【表１３】
0003862334.tif 000014
【００７３】
【表１４】
0003862334.tif 000015
【００７４】
【発明の効果】
本発明によれば、電子写真用光受容部材の帯電能が高く、使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。
したがって、本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問題をすべて解決することができ、特に極めて優れた電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示す。
特に本発明においては、光導電層を光学的バンドギャップが広く、そのギャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成することによって、帯電能が高く周囲環境の変動に対する帯電能の変化が抑制され、加えて光メモリーの発生が実質的に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画像特性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真用光受容部材の好適な実施態様例の層構成を説明するための模式的層構成図である。
【図２】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを説明するためのａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクトルの一例の模式図である。
【図３】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【符号の説明】
１００  光受容部材
１０１  導電性支持体
１０２  光受容層
１０３  光導電層
１０４  表面層
１０５  電荷注入阻止層
１１０  自由表面
３１００  堆積装置
３１１１  反応容器
３１１２  円筒状支持体
３１１３  支持体加熱用ヒーター
３１１４  原料ガス導入管
３１１５  マッチングボックス
３１１６  原料ガス配管
３１１７  反応容器リークバルブ
３１１８  メイン排気バルブ
３１１９  真空計
３２００  原料ガス供給装置
３２１１〜３２１６  マスフローコントローラー
３２２１〜３２２６  原料ガスボンベ
３２３１〜３２３６  原料ガスボンベバルブ
３２４１〜３２４６  ガス流入バルブ
３２５１〜３２５６  ガス流出バルブ
３２６１〜３２６６  圧力調整器
【図１】
0003862334.tif 000016
【図２】
0003862334.tif 000017
【図３】
0003862334.tif 000018