(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛(ＺｎＯ)、III-V族化合物半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体として遷移金属原子を含む磁性半導体からなるｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体によって活性層となる多重量子井戸を両面から挟み、電流注入によりスピン分極したホールと電子を該活性層に導入し、円偏光したレーザー光を発生させることを特徴とする磁性半導体を用いた円偏光スピン半導体レーザー。
【請求項２】
ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれにソース、ドレイン、およびゲート絶縁体層を介してゲートを設け、ゲートバイアスによる電界効果を利用することを特徴とする請求項１記載の円偏光スピン半導体レーザー。
【請求項３】
アクセプターもしくはドナーをドーピングしたｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれに電極を設けたことを特徴とする請求項１記載の円偏光スピン半導体レーザー。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の円偏光スピン半導体レーザーを用い、負または正の電圧を印加することにより作り出したｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体から注入した順方向にスピン分極したホールと逆方向にスピン分極した電子を活性層において再結合させることにより円偏光したレーザー光を発生させることを特徴とするレーザー光の発生方法。
【請求項５】
印加電圧を変えることによりｐ型ハーフメタル強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体のスピン分極度を制御し、これにより円偏光レーザー発光の出力と偏光度を制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項６】
ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれに設けたソースとドレイン間に流れるスピン分極したホールや電子の大きさを変えることにより円偏光レーザー発光の出力を調整・制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項７】
外部磁場を印加することにより、発光波長を制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項８】
印加電圧を制御することにより、発光波長を制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項９】
活性層の近傍におけるｐ型およびｎ型領域におけるスピン・クラッド層のバリヤ高について、超格子構造を用いて、これを制御することにより発光波長を制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項１０】
活性層における多重量子井戸の井戸幅とゲート電圧を調整することにより電子スピンのｇ値を変えて、外部磁場可変により円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することを特徴とする請求項４記載のレーザー光の発生方法。
【請求項１１】
請求項２記載の円偏光スピン半導体レーザーを用いて、ソースからドレインに向かってスピン注入する電子またはホールのスピンの向きを揃えるため、ソースは薄膜のハーフメタル強磁性半導体を反強磁性多層膜と積層することにより磁区方向をピン留めすることを特徴とするレーザー光の発生方法。
【請求項１２】
請求項２記載の円偏光スピン半導体レーザーを用いて、ソースからドレインに向かってスピン注入する電子またはホールのスピンの向きを揃えるため、ソースをハーフメタル強磁性半導体で作製し、磁区方向を制御するために強磁性永久磁石により磁区方向をピン留めすることを特徴とするレーザー光の発生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性半導体を用いた円偏光(circularly polarized light)スピン半導体レーザーと該レーザーによるレーザー光の発生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザーはコンパクトで、しかも、高集積半導体デバイスとの整合性もよく、最近ではワイドバンドギャップ半導体を用いた高出力が可能となり、発振波長も紫外光領域までが実現しつつある。
米国特許第３９８６１９４号明細書・図面（特公昭５２−３６８３２号公報）に開示されているように、磁性半導体レーザーはかなり以前より知られており、特定の偏光方向を持つ円偏光半導体レーザーも知られている。
例えば、特開平６−２６０７２５号（特許第２７０８０８５号）公報には、「活性領域を有するｐｎ接合またはｐｉｎ接合構造の半導体素子の上部又は下部又はその両方に磁性体電極を設け、該磁性体電極により活性領域にスピン偏極した電子又は正孔を注入するようにした光半導体素子」が開示されている。
同様に、米国特許第５８７４７４９号明細書・図面（特表平９−５０１２６６号公報）には、「ヘテロ接合を形成する半導体層に、磁性体層を通してスピン偏極電子を注入して、スピン偏極キャリアーを再結合させて円偏光を発振する光半導体装置」が開示されている。この装置は、外部磁場による磁性体の磁化反転によって円偏光を変調するものである。
【０００３】
さらに、特開平１０−３２１９６４号公報には、ｐ型コンタクト層およびｎ型コンタクト層の少なくとも一方のコンタクト層に接合する強磁性層を形成することによりキャリアーの反転分布状態を生じやすくした光半導体装置が開示されている。
さらに、在来型の面発光レーザに波長板を用いて右回り（σ＋）および左回りの円偏光状態に調整した励起光を照射して円偏光レーザー発振させるスピン制御半導体レーザが知られている（H.Ando et.al.Appl.Phys.Lett.73(1998)566)。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
円偏光スピン半導体レーザーの産業応用として、生産技術への応用、情報通信技術、スペクトロスコピー、ナノテクノロジー、量子操作など多岐の産業応用が期待されていたにもかかわらず、従来、電流注入による円偏光の強力なレーザー光が得られなかった。この理由は１００％スピン分極したｐ型やｎ型半導体を作製することが出来なかったためである。
【０００５】
円偏光のスピン半導体レーザーを開発するためには、半導体の伝導帯がｓ電子バンド、価電子帯がｐ電子バンドとしたとき、注入される電子とホールのスピンが反平行であるレーザー構造を作製することが必要になる。
このような構造が作製できれば、双極子遷移機構による選択則から、発光する光は完全な円偏光が可能となる。
【０００６】
本発明は、このような選択則を満たすｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体を形成し、これにより活性層となる多重量子井戸を挟んで上記の問題を解決して、円偏光のスピン半導体レーザーを開発することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
円偏光スピン半導体レーザーを開発するためには、ｎ型磁性半導体から注入される電子とｐ型磁性半導体から注入されるホールのスピンが反平行であるｐ・ｎ接合によるレーザー構造を作製し、双極子遷移による選択則から、発光するレーザー光を完全な円偏光にする必要がある。
【０００８】
本発明者は、ｐ型ハーフメタル（磁気モーメントの向きが一方向）強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体で活性層となる多重量子井戸を挟んで電流注入することにより該ｐ型およびｎ型強磁性半導体を１００％上向きスピン、１００％下向きスピンにすれば、電流注入により１００％円偏光のスピン半導体レーザーを実現でき、上記課題を解決できることを見いだした。
円偏光スピン半導体レーザーの発光波長は、強磁性半導体の混晶化によるバンドギャップの制御、活性層の超格子周期と幅、外部磁場、等を調整することにより、自由に制御することができる。
【０００９】
すなわち、本発明は、酸化亜鉛(ＺｎＯ)、III-V族化合物半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体として遷移金属原子を含む磁性半導体からなるｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体によって活性層となる多重量子井戸を両面から挟み、電流注入によりスピン分極したホールと電子を該活性層に導入し、円偏光したレーザー光を発生させることを特徴とする磁性半導体を用いた円偏光スピン半導体レーザーである。
【００１０】
また、本発明は、ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれにソース、ドレイン、およびゲート絶縁体層を介してゲートを設けたことを特徴とする上記の円偏光スピン半導体レーザーである。
また、本発明は、ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれに電極を設けたことを特徴とする上記の円偏光スピン半導体レーザーである。
【００１１】
さらに、本発明は、上記の円偏光スピン半導体レーザーを用いて、負または正の電圧を印加することにより作り出したｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体から注入した順方向にスピン分極したホールと逆方向にスピン分極した電子を活性層において再結合させることにより円偏光したレーザー光を発生させることを特徴とするレーザー光の発生方法である。
また、本発明は、印加電圧を変えることによりｐ型ハーフメタル強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体のスピン分極度を制御し、これにより円偏光レーザー発光の出力と偏光度を制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
【００１２】
また、本発明は、ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれに設けたソースとドレイン間に流れるスピン分極したホールや電子の大きさを変えることにより円偏光レーザー発光の出力を調整・制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
また、本発明は、外部磁場を印加することにより、発光波長を制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
また、本発明は、印加電圧を制御することにより、発光波長を制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
【００１３】
また、本発明は、活性層の近傍におけるｐ型およびｎ型領域におけるスピン・クラッド層のバリヤ高について、超格子構造を用いて、これを制御することにより発光波長を制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
また、本発明は、活性層における多重量子井戸の井戸幅とゲート電圧を調整することにより電子スピンのｇ値を変えて、外部磁場可変により円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することを特徴とする上記のレーザー光の発生方法である。
【００１４】
また、本発明は、ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれにソース、ドレイン、およびゲート絶縁体層を介してゲートを設けた上記の円偏光スピン半導体レーザーを用いて、ソースからドレインに向かってスピン注入する電子またはホールのスピンの向きを揃えるため、ソースは薄膜のハーフメタル強磁性半導体を反強磁性多層膜と積層することにより磁区方向をピン留めすることを特徴とするレーザー光の発生方法である。
【００１５】
また、本発明は、ｐ型のハーフメタル強磁性半導体とｎ型のハーフメタル強磁性半導体のそれぞれにソース、ドレイン、およびゲート絶縁体層を介してゲートを設けた上記の円偏光スピン半導体レーザーを用いて、ソースからドレインに向かってスピン注入する電子またはホールのスピンの向きを揃えるため、ソースをハーフメタル強磁性半導体で作製し、磁区方向を制御するために強磁性永久磁石により磁区方向をピン留めすることを特徴とするレーザー光の発生方法である。
【００１６】
本発明の円偏光スピン半導体レーザーは、生産技術、情報通信技術、スペクトロスコピー、ナノテクノロジー、量子操作など多岐の産業応用が可能になる。具体的なものとしては次のものが例示できる。
【００１７】
（１）化学反応における異性体の識別と生産技術への応用。
円偏光レーザー光を用いて、Ｄ型、Ｌ型の異性体の識別と、これを用いて特定の異性体のみを製造するための反応を制御する生産技術としての応用ができる。
【００１８】
（２）円偏光選択性を用いた半導体超微細加工への応用。
半導体の超微細加工において、紫外光円偏光レーザーを用いて選択的な異性体反応と組合せることにより照射時間と空間分解による反応制御法を用いて、ナノスケールサイズの加工に利用する。
【００１９】
（３）偏光選択性を用いた走査分光技術への応用。
円偏光選択性とレーザーの直線性・操作性を利用表面の円偏光選択性による構造や触媒などの化学反応を走査分光と時間分解により、動的変化と構造を直接観察するための分光技術への産業応用が開ける。
【００２０】
（４）円偏光選択性を用いた異性体検出医療。
円偏光選択性とレーザーの直進性を利用して、白内障の初期段階での微細な異性体領域を検出するための医療検査応用が可能になる。
さらに、円偏光による反応選択性を用いて、特定の異性体だけを反応・分解することによる白内障、緑内障などの異性体化に起源を持つ病気の治療および初期段階の予防処置に応用できる。
【００２１】
（５）円偏光による変調を利用した大容量高度通信技術。
円偏光による右回り・左回りの変調を利用した大容量高度情報通信技術への応用が可能となる。
【００２２】
（６）ナノテクノロジーにおける円偏光電子励起を用いた原子・分子操作技術。
半導体表面や酸化物表面において表面原子や吸着原子の円偏光選択性を用いて選択的にレーザーにより電子励起し、原子移動を誘起することによりナノテクノロジーのための超微細加工製造技術として用いることが出来る。
また、デバイス応用のため。
【００２３】
（７）超高集積ナノ構造磁気メモリの診断と分光。
円偏光選択性とレーザーの直線性を利用して、超微細な磁区構造や超高密度磁気メモリ、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)などの磁区構造を直接観察するための分光技術への産業応用が開ける。
【００２４】
（８）円偏光を用いた量子ドットなどの超構造における量子状態操作による量子コンピュータへの応用。
電子の持っている電荷とは別のもう一つの自由度であるスピンを用いた量子計算に応用する。スピンは量子力学的には上向きと下向きの二つの状態しか取り得ないので情報を運んでいる。これらを制御するために、量子ドットを並べてこれらに含まれる個々のスピンの向きを制御するために円偏光選択性をもつＣＷレーザーを用いる。
【００２５】
（９）量子通信への応用。
円偏光レーザーの円偏光性を用いて、二種の波動を重ね合わせて、量子もつれ状態を実現し、盗聴などを相互作用を量子的に観測することが出来る、安全な量子通信に応用する。
【００２６】
【作用】
伝導帯がｓ電子からなり、また価電子帯がｐ電子からなる半導体において、注入される電子とホールのスピンが反平行ならば、双極子遷移機構による選択則から、完全な円偏光の発光が得られる。
ＺｎＯ、II-VI属化合物半導体、またはIII-V属化合物半導体中に遷移金属原子の濃度を制御してドープした磁性半導体をベースとして、これらにアクセプターもしくはドナーをドーピングすることにより作り出したｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体、または、電界効果トランジスターにおけるゲート電圧の大きさと符号を変えることにより、電界効果を利用して作製したｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体、を用いて、電流注入により一方のスピン方向にのみ分極したスピンコヒーレントなホールの流れと、ホールとは逆のスピン方向に分極したスピンコヒーレントな電子の流れを、それぞれｐ型およびｎ型磁性半導体中に作り出し、互いに逆スピンをもつ伝導帯に入った電子と価電子帯に入ったホールとをバンドギャップを調整できる多重量子井戸からなる活性層を介して高効率で結合させることにより、選択則から、１００％円偏光した連続発振（CW）レーザー光を発生させることができる。
【００２７】
図１に示すエネルギーダイアグラムを用いて説明すると、図中のCBM（Conduction Band Minimum：伝導帯の底）とVBM（Valence Band Maximum：価電子帯のトップ）で示される発光の活性層としての多重量子井戸とｐ型およびｎ型領域に配置するクラッド層は上記ｐ型およびｎ型の１００％スピン分極した磁性半導体で挟まれている。発光効率を上げるために、クラッド層と多重量子井戸により発光させる。ｐ型およびｎ型磁性半導体から矢印で示すように注入された逆向きスピンを持つホールｈと電子ｅを活性層でスピン方向を互いに逆向きに維持したまま高効率で結合させ完全に円偏光したレーザー光ｈνを発生することが出来る。電子とホールの結合を実空間で高め、さらにＺｎＯやＧａＮなどの励起子束縛エネルギー（それぞれ、６０ｍｅＶと２４ｍｅＶ）と合わせて高効率の発光を行うことが出来る。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の円偏光スピン半導体レーザーは、第一の形態としては、電界効果トランジスターにおけるゲート電圧の大きさと符号を変えることにより、電界効果を利用して作製したｐ型ハーフメタル強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体を用いる。
また、第二の形態としては、ＺｎＯ、II-VI属化合物半導体、またはIII-V属化合物半導体中に遷移金属原子の濃度を制御してドープした磁性半導体をベースとして、これらにアクセプターもしくはドナーをドーピングすることにより作り出したｐ型ハーフメタル強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体を用いる。
【００２９】
遷移金属原子を含む磁性半導体の母体のIII-V族化合物半導体としては、ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＧａＳｂ，ＩｎＮ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，ＡｌＮ，ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＡｌＳｂ等が挙げられる。
また、II-VI族化合物半導体としては、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＨｇＳ，ＨｇＳｅ，ＨｇＴｅ等が挙げられる。
【００３０】
酸化亜鉛ＺｎＯを母体とするｐ型磁性半導体として、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、またはスピングラス状態のＺｎＯ：Ｍｎ(1-x)Ｆｅ(x)、ＺｎＯ：Ｃｒ(1-x)Ｍｎ(x)、また、ｎ型磁性半導体として、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｎｉ、またはスピングラス状態のＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｆｅ(1-x)Ｍｎ(x)等を用いることができる。
【００３１】
III-V族化合物半導体を母体とするｐ型磁性半導体として、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ等にV、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｎ(1-x)Ｆｅ(x)、またｎ型磁性半導体としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉおよびその合金等をドープしたものを用いることができる。
【００３２】
II-VI族化合物半導体をベースとするｐ型磁性半導体として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ，ＨｇＴｅ等にＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、またｎ型磁性半導体としてＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびその合金等をドープしたものを用いることができる。
【００３３】
発光の活性層として多重量子井戸とｐ型およびｎ型領域に配置するクラッド層を上記ｐ型およびｎ型の磁性半導体で挟む。
それぞれの磁性半導体層にＡｌ２Ｏ３やＺｎＯからなる絶縁体膜を介してゲートを取り付けるか、直接電極を取り付けて、電流注入する。これにより、ｐ型およびｎ型磁性半導体から注入された逆向きスピンを持つホールと電子を活性層でスピン方向を互いに逆向きに維持したまま高効率で結合させ完全に円偏光したレーザー光を発生することが出来る。印加電圧の変化と磁性半導体の両端に配置したドメイン方向を揃えたハーフメタル強磁性半導体からなる注入されるスピンのスピン状態とスピン方向を制御する。
【００３４】
完全に逆方向にスピン分極したホールと電子を結合させ、劈開したキャビティーを用いることにより完全に円偏光した連続発振（ＣＷ）レーザー発光を得ることができる。
【００３５】
ｐ型ハーフメタル強磁性半導体およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体を作り出すため、ＺｎＯ、III-V族化合物半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体として、低温MBE(Molecular Beam Epitaxy)やMOCVDなどの低温での非平衡結晶作製装置と原子レベルでの微細加工技術を結合して、遷移金属原子、アクセプター原子、ドナー原子、およびバンドギャップを制御するための非磁性原子について濃度と置換位置に正しく置換するように結晶学的位置を制御しつつ非平衡状態を利用して高濃度、例えば１０〜４０％程度にドープして、混晶化によりこれを作製する。濃度と原子種によりバンドギャップや物性が制御できる。
【００３６】
磁性半導体にアクセプターもしくはドナーをドープすることにより円偏向レーザー発光の出力とともに偏光度を例えば、５０〜１００％の範囲で制御・調整することができる。
磁性半導体に含有させる遷移金属原子（以下：ＴＭ）と他の非磁性原子を混晶化することにより、円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することができる。例えば、Ｉｎ(x)Ｇａ(y)Ａｌ(z)Ｎ：ＴＭ(1-x-y-z)、Ｚｎ(x)Ｍｇ(y)Ｏ：ＴＭ(1-x-y)、Ｚｎ(x)Ｂｅ(y)Ｏ：ＴＭ(1-x-y)のように遷移金属濃度と混晶化する非磁性原子の濃度で発光波長を制御する。
【００３７】
外部磁場を印加することにより、円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することができる。また、活性層における多重量子井戸の井戸幅とゲート電圧を調整することにより電子スピンのｇ値を変えて、外部磁場可変により円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することができる。
【００３８】
活性層の多重量子井戸は多重にした方が発光効率が上がるが、あまり多いと製造が複雑化するので、好ましくは１重から５重までの多重化と量子井戸幅を最適化することにより発光効率の高効率化をはかる。
円偏光スピン半導体レーザーの活性層近傍におけるｐ型およびｎ型領域におけるスピン・クラッド層のバリヤ高を合金化（混晶化）することにより超格子構造を用いて、これを制御することにより、円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長を制御することができる。
【００３９】
それぞれの層にゲート絶縁体膜を介してゲートを取り付けて、ゲート電圧を変えて電界効果により磁性状態を制御する場合、ゲート電圧の大きさと符号を制御することにより磁性半導体のスピン制御を行い、作り出したｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体から注入した順方向にスピン分極したホールと逆方向にスピン分極した電子を量子井戸とクラッド層からなる多重量子井戸からなる活性層において、高効率で再結合させる。
【００４０】
ゲート電圧を変えることによりｐ型およびｎ型ハーフメタル強磁性半導体のスピン分極度を制御し、これにより円偏光レーザー発光の出力とともに偏光度を例えば、５０〜１００％の範囲で制御することができる。
また、ゲート電圧を変えるとキャリア数とバンドギャップが変化し、円偏光スピン半導体レーザーからの発光波長が変化する。
【００４１】
ゲート電圧を変えることによりソースとドレイン間に流れるスピン分極したホールや電子の大きさを変えることにより円偏光レーザー発光の出力を調整・制御することができる。
【００４２】
ソースからドレインに向かってスピン注入する電子やホールのスピンの向きを揃えるため、反強磁性多層膜上に強磁性層を積むとスピンの方向がピン留めされる。
【００４３】
ソースからドレインに向かってスピン注入する電子やホールのスピンの向きを揃えるため、ソースをハーフメタル強磁性半導体で作製し、磁区方向を制御するために強磁性永久磁石により磁区方向をピン留めすることができる。
【００４４】
【実施例】
実施例１
図２は、円偏光スピン半導体レーザをゲートバイアスを用いた電界効果による電流注入型とした実施例の構造を示す模式図である。
図２に示すように、磁性半導体からなるｐ型ハーフメタル強磁性半導体１の上部にソース３、ドレイン４、ゲート絶縁体５を設け、ゲート絶縁体５に接してゲート６を設けた。これにより、ゲート電圧によりホールをドープして、強磁性ハーフメタル状態を用いて、スピンドメイン方向を磁場もしくは反強磁性超格子薄膜でピン留めしたソースから一方向にすべてスピンを揃えたホールを注入する層（ｐ型ＤＭＳ）を構成した。
【００４５】
一方、磁性半導体からなるｎ型ハーフメタル強磁性半導体２の下部にソース７、ドレイン８、ゲート絶縁体９を設け、ゲート絶縁体９を介してゲート１０を設けた。これにより、ゲート電圧により電子をドープして、強磁性ハーフメタル状態を用いて、スピンドメイン方向を磁場または反強磁性超格子薄膜でピン留めしたソースから一方向にすべてスピンを揃えた電子を注入する層（ｎ型ＤＭＳ）を構成した。ゲート絶縁体５、９とｐ型磁性半導体１およびｎ型磁性半導体２との欠陥のない界面を作製した。これらのｐ型強磁性半導体およびｎ型強磁性半導体の間にバンドギャップの小さい量子井戸とクラッド層からなる活性層の多重量子井戸１１を配置した。
【００４６】
ＭＢＥ法により、ＧａＮに７５０℃でＣｒをドープしてｎ型強磁性ハーフメタルとＧａＮに７８０℃でＭｎをドープして、p型強磁性ハーフメタルを形成した。これらにＡｌ２Ｏ３からなるゲート絶縁体層をはさみ、Ｐｔからなるゲート（Ｖｇ）をとりつけた。また、ＧａＮ：ＣｒとＧａＮ：Ｍｎの間には、活性層としてＩｎまたはＡｌを５〜２０％ドープしたＩｎＧａＮとＡｌＧａＮからなる５重の多重量子井戸を形成した。ｐ型クラッド層はＧａＮとＡｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎからなる多重量子井戸、またｎ型クラッド層はＧａＮとＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎからなる多重量子井戸とした。
【００４７】
この円偏光スピン半導体レーザーによりレーザー発振を行うと、円偏光した連続発振レーザー光１２が発生し、図３に示すような発振スペクトルと、図４に示すような、電流・出力特性が生じ、完全な円偏光が観測された。
【００４８】
実施例２
図５は、円偏光スピン半導体レーザを電流注入型とした実施例の構造を示す模式図である。図５に示すように、ｐ型磁性半導体１およびｎ型磁性半導体２を用いて活性層の多重量子井戸１１を挟み、発光効率を上げるためにｐ型クラッド層１３及びｎ型のクラッド層１４で多重量子井戸１１を挟んだ積層構造とし、これを基板１５上にバッファ層１６を介して設けた。さらに、ｐ型磁性半導体１に電極１７を、ｎ型磁性半導体２に電極１８を設けた。
【００４９】
Ａｌ２Ｏ３基板の上に４００℃でＳｉドープのｎ型ＧａＮからなる低温成長バッファー層をＭＢＥ法により成長し、その上に７９０℃でＧａＮを成長させつつ、Ｃｒをドープし、ｎ型強磁性ハーフメタルを形成した。その上にｎ型クラッド層（ＧａＮとＡｌ０．２Ｇａ０．８の多重量子井戸）を成長させ、その上にＩｎまたはＡｌを５〜２０％混晶させたＩｎＧａＮとＡｌＧａＮからなる多重（５重）量子井戸活性層を形成し、さらに、その上にｐ型クラッド層を作成した。これらの上に７５０℃でＭｎをドープしたｐ型強磁性ハーフメタルＧａＮ：Ｍｎを形成して、Ｐｔ電極をつけた。
【００５０】
この円偏光スピン半導体レーザーに電流注入することによりレーザー発振を行った。電流と出力、および電圧と電流の依存性は図６に示すような関係にあり、ほぼ完全な円偏光が観測された。
【００５１】
【発明の効果】
従来の円偏光半導体レーザーは、円偏光の光励起によって、電子を励起してスピン偏極させ、これにより、レーザー発光させるが、光励起のためスピン軌道相互作用によるスピン偏極度が小さく、従って円偏光度も小さかった。また、円偏光の光によって励起するため大きな装置となりデバイスに組み込むための小型化が難しかった。本発明によれば、偏光度を制御できるとともに、１００％円偏光レーザーを得ることができ、装置を小型化できて種々のデバイス作製が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の円偏光スピン半導体レーザにおける活性層のエネルギーダイヤグラムである。
【図２】図２は、実施例１の電場効果ゲートによる価電子制御型の円偏光スピン半導体レーザの構造を示す模式図である。
【図３】図３は、実施例１の円偏光スピン半導体レーザの発振スペクトルを示すグラフである。
【図４】図４は、実施例１の円偏光スピン半導体レーザの電流・出力特性を示すグラフである。
【図５】図５は、実施例２の電流注入型円偏光スピン半導体レーザの構造を示す模式図である。
【図６】図６は、実施例２の円偏光スピン半導体レーザの電圧・電流特性及び円偏光出力・電流特性を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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