(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液相エピタキシャル法により酸化物単結晶膜を育成する際に融液よりも密度の小さい基板を支持する酸化物単結晶膜育成用基板ホルダであって、
融液中においては前記基板自身にかかる浮力により前記基板が略水平になるように支持し、前記融液外においては前記基板自身にかかる重力により前記基板が斜めになるように支持する支持機構を備え、
前記支持機構は、基板の周囲に略鉛直方向に延びるよう配置される複数の支持材と、
前記支持材から前記基板の上面側の同一水平面内に突き出し形成され、融液中において浮力を受けて浮上する前記基板の上面に当接されて、前記基板を略水平な状態で支持するための複数の水平支持部と、
前記支持材から前記基板の下面側の互いに異なる水平面内に突き出し形成され、前記融液外において重力を受けて斜めになった前記基板の下面に当接されて、前記基板を傾斜した状態で支持するための複数の傾斜支持部とを含む、酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ。
【請求項２】
液相エピタキシャル法により酸化物単結晶膜を育成する際に融液よりも密度の小さい基板を支持する酸化物単結晶膜育成用基板ホルダであって、
融液中においては前記基板自身にかかる浮力により前記基板が略水平になるように支持し、前記融液外においては前記基板自身にかかる重力により前記基板が斜めになるように支持する支持機構を備え、
前記支持機構は、基板の周囲に略鉛直方向に延びるよう配置される複数の支持材と、
前記基板の中央部を挿通して設けられる別の支持材と、
前記支持材から前記基板の上面側の同一水平面内に突き出し形成され、融液中において浮力を受けて浮上する前記基板の上面に当接されて、前記基板を略水平な状態で支持するための複数の水平支持部と、
前記基板の中央部を挿通して設けられた前記別の支持材から前記基板の下面側の互いに異なる水平面内に突き出し形成され、前記融液外において、重力により斜めになった前記基板の下面に当接されて、前記基板を傾斜した状態で支持するための傾斜支持部とを含む、酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ。
【請求項３】
前記基板は、酸化物単結晶膜育成後に前記融液外において１０°以上９０°以下の傾斜角で支持される、請求項１または請求項２に記載の酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ。
【請求項４】
前記基板は、酸化物単結晶膜育成時に融液中において０°以上５°以下の傾斜角で支持される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は酸化物単結晶膜育成用基板ホルダに関し、特に、液相エピタキシャル法により酸化物単結晶膜を育成する際に酸化物単結晶膜育成用基板ないしウエハを支持するための酸化物単結晶膜育成用基板ホルダに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液相エピタキシャル法による酸化物単結晶膜の育成方法の一例について説明すると、まず、酸化物単結晶膜成分を溶融した融液を過冷却状態にする。そして、当該融液に酸化物単結晶膜育成用基板（以下、説明を簡潔にするため、単に基板という）を接触させて当該基板上に単結晶を成長させた後、当該基板を融液から分離させる。このとき、基板に融液が付着する。従来の技術では、基板を融液から分離した後、高速回転させ、付着した融液を遠心力により除去していた。このとき基板の中心と回転の中心がずれていると回転状態のバランスが失われ、回転に偏心が発生し基板が落下してしまう。そのため、高速で回転させたときに中心がぶれないように調整しなければならない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような調整には非常な労力と時間を要し、しかも量産時の低コスト化のためには、基板の径を大きくするか一度に２枚以上の単結晶膜を育成する必要がある。ところが、これらの場合に中心がぶれずに基板を高速回転させることは非常に困難であり、高速回転中に基板が落下してしまう事故が多かった。さらに、高速回転させるためには基板を基板ホルダに固定しなければならないが、このとき基板に無理な圧縮力がかかって基板が破損したり単結晶膜の結晶性を劣化させたりする原因となっていた。
【０００４】
それゆえに、本発明は、基板を高速回転させることなく基板に付着した融液を除去することができ、かつ膜厚の均一な膜を育成できる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ＬＰＥ法により酸化物単結晶を育成する際、最初、基板は融液と分離されて気体中に存在する。このとき基板は重力を受ける。その後、基板は融液に接触させられる。このとき基板の密度が融液の密度よりも小さい場合には浮力によって重力とは逆向きの上向きの力を受ける。本発明者はこのことに着眼して本発明に至った。
【０００６】
すなわち、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダは、液相エピタキシャル法により酸化物単結晶膜を育成する際に融液よりも密度の小さい基板を支持する酸化物単結晶膜育成用基板ホルダであって、融液中においては基板自身にかかる浮力により基板が略水平になるように支持し、融液外においては基板自身にかかる重力により基板が斜めになるように支持する支持機構を備えた、酸化物単結晶膜育成用基板ホルダである。
本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダは、融液中においては基板自身にかかる浮力により基板が略水平になるように支持する。基板を略水平に支持した状態で酸化物単結晶膜を育成することにより、酸化物単結晶膜の膜厚が均一になる。また、融液外においては基板を斜めに支持することにより、基板に付着した融液が流れ落ちるので、基板を高速回転させることなく付着融液を除去することができる。しかも、本発明では、基板自身にかかる浮力と重力とを利用して略水平状態と傾斜状態との間の変化をさせるので、ホルダ自身の構造をシンプルにすることができる。また、基板とホルダとの接点を必要最小限にすることができるので、当該接点に融液が溜まりにくくなり、さらに基板に無理な応力がかからない。
【０００７】
また、請求項１の本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダでは、支持機構は、基板の周囲に略鉛直方向に延びるよう配置される複数の支持材と、支持材から基板の上面側の同一水平面内に突き出し形成され、融液中において浮力を受けて浮上する基板の上面に当接されて、基板を略水平な状態で支持するための複数の水平支持部と、支持材から基板の下面側の互いに異なる水平面内に突き出し形成され、融液外において重力を受けて斜めになった基板の下面に当接されて、基板を傾斜した状態で支持するための複数の傾斜支持部とを含む。
この場合には、基板は、重力と傾斜支持部との作用により傾斜した状態で支持され、浮力と水平支持部との作用により略水平な状態で支持される。
【０００９】
さらに、請求項２の本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダでは、支持機構は、基板の周囲に略鉛直方向に延びるよう配置される複数の支持材と、基板の中央部を挿通して設けられる別の支持材と、支持材から基板の上面側の同一水平面内に突き出し形成され、融液中において浮力を受けて浮上する基板の上面に当接されて、基板を略水平な状態で支持するための複数の水平支持部と、基板の中央部を挿通して設けられた前記別の支持材から基板の下面側の互いに異なる水平面内に突き出し形成され、融液外において、重力により斜めになった基板の下面に当接されて、基板を傾斜した状態で支持するための傾斜支持部とを含む。
この場合には、基板は、重力と傾斜支持部との作用により傾斜した状態で支持され、浮力と水平支持部との作用により略水平な状態で支持される。
【００１０】
また、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダにおいて、基板は、酸化物単結晶膜育成後に融液外において１０°以上９０°以下の傾斜角で支持されるのが好ましい。融液外においてこの範囲で基板を傾斜させて支持することにより、基板に付着した融液を好ましく除去することができる。
【００１１】
さらに、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダにおいて、基板は、酸化物単結晶膜育成時に融液中において０°以上５°以下の傾斜角で支持されるのが好ましい。融液中においてこの範囲で基板を略水平に支持することにより、酸化物単結晶膜を好ましく育成することができる。
【００１２】
本発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第１の実施形態を示す斜視図であり、図２はその平面図であり、図３はその側面図である。
図１に示す酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ（以下、単にホルダという）１０は、白金製である。ホルダ１０は、略円筒状の回転軸取付部１２を含む。回転軸取付部１２の上端側には、駆動手段によって回転される回転軸（図示せず）が取り付けられる。回転軸取付部１２の下端側には、平面から見てたとえば放射状に連結部１４が取り付けられる。連結部１４の外周部には、たとえば円環状の脚部取付部１６が固着される。脚部取付部１６には、たとえば４つの略短冊形状の支持材１８ａ，１８ｂ，１８ｃおよび１８ｄが円周方向に等間隔を置きながら設けられる。支持材１８ａ〜１８ｄは、この実施形態における支持機構の一部を構成するものであり、それぞれ略鉛直方向に延びるように配置される。そして、支持材１８ａ〜１８ｄで囲まれた内側の空間に酸化物単結晶膜が育成される酸化物単結晶膜育成用基板（以下、単に基板という）Ｓが配置される。支持材１８ａ〜１８ｄのそれぞれの内側面は、円盤状の基板Ｓの外周部を保護するためのガイドとして作用する。
【００１４】
支持材１８ａと支持材１８ｂとは、互いに同じ長さを有し、支持材１８ｃおよび１８ｄに比べて長い。支持材１８ａおよび１８ｂのそれぞれの下端部には、側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった爪状の傾斜支持部２０ａおよび２０ｂが形成される。一方、支持材１８ｃと支持材１８ｄとは、互いに同じ長さを有し、支持材１８ａおよび１８ｂに比べて短い。支持材１８ｃおよび１８ｄのそれぞれの下端部にも、側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった爪状の傾斜支持部２０ｃおよび２０ｄが形成される。傾斜支持部２０ａ，２０ｂ，２０ｃおよび２０ｄは、この実施形態における支持機構の一部を構成するものであり、それぞれ平面から見て脚部取付部１６の中心へ向かって突き出るよう形成される。この場合、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂと傾斜支持部２０ｃおよび２０ｄとは、互いに異なる水平面内に突き出ることになるので、図３に示すように、支持材１８ａおよび１８ｂの下端部を基準として傾斜支持部２０ａおよび２０ｂと傾斜支持部２０ｃおよび２０ｄとに高低差が生じる。そのため、基板Ｓは、図５に示すように、重力によって斜めに傾斜した状態で傾斜支持部２０ａ〜２０ｄ上に支持される。傾斜支持部２０ａおよび２０ｂの位置と傾斜支持部２０ｃおよび２０ｄの位置との高低差を調整することにより、基板Ｓの傾斜角を調整することができる。基板Ｓを斜めに傾斜した状態で支持することにより、基板Ｓを高速回転させることなく付着融液を除去することが可能になる。また、このホルダ１０は、基板Ｓと接触する部分が傾斜支持部２０ａ〜２０ｄとの４点しかないので、ホルダ１０と基板Ｓとの接触部分に融液が溜まりにくく、融液の除去が容易である。
【００１５】
また、支持材１８ａ〜１８ｄには、それぞれ図３に示すように、傾斜支持部２０ａ〜２０ｄの上方の同一水平面内に水平支持部２２ａ，２２ｂ，２２ｃおよび２２ｄが設けられる。水平支持部２２ａ〜２２ｄは、この実施形態における支持機構の一部を構成するものである。これらは同一水平面内に形成されているので、支持材１８ａおよび１８ｂの下端部を基準として全て同じ高さに形成されている。水平支持部２２ａ〜２２ｄは、図２および図３に示すように、それぞれ側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった爪状に形成され、平面から見て脚部取付部１６の中心へ向かって突き出るよう形成される。水平支持部２２ａ〜２２ｄは、図４に示すように基板Ｓを略水平な状態で支持するためのものであり、融液中において浮力を受けて浮上してくる基板Ｓの上面に当接するよう設けられている。基板Ｓは、浮力によって水平支持部２２ａ〜２２ｄの下面に押しつけられ略水平な状態で支持される。こうして基板Ｓを略水平に支持しつつ酸化物単結晶膜を育成することにより、膜厚の均一な酸化物単結晶膜を得ることが可能になる。
【００２０】
次に、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第２の実施形態について説明する。図８は、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第２の実施形態を示す斜視図である。
図８に示す白金製のホルダ１０は、中央部に貫通孔Ｓｈの形成されたたとえば円環状の基板Ｓを支持するために用いられる。図８に示すホルダ１０は、略円筒状の回転軸取付部１２を含む。回転軸取付部１２の上端側には、駆動手段によって回転される回転軸（図示せず）が取り付けられる。回転軸取付部１２の下端側には、平面から見て放射状に連結部１４が取り付けられる。連結部１４の外周部には、たとえば円環状の脚部取付部１６が固着される。脚部取付部１６には、たとえば２つ略短冊形状の支持材１８ａおよび１８ｂが脚部取付部１６の直径方向に対向して設けられる。支持材１８ａおよび１８ｂは、互いに同じ長さを有し、それぞれ略鉛直方向に延びるように配置される。支持材１８ａおよび１８ｂのそれぞれの下端部近傍には、側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった水平支持部２２ａおよび２２ｂが、平面から見て脚部取付部１６の中心へ向かって突き出るように形成される。支持材１８ａ，１８ｂの水平支持部２２ａ，２２ｂよりも下側へ突き出た下端部までの部分は、円盤状の基板Ｓの外周部を保護するためのガイドとして作用する。
【００２１】
また、このホルダ１０は、たとえば丸棒状の支持材３４を含む。支持材３４は、支持材１８ａおよび１８ｂよりも長く形成される。支持材３４は、上端部が回転軸取付部１２の下側に脱着可能に取り付けられ、回転軸（図示せず）の延長軸線上に延びるよう配置される。支持材３４の下端部には、側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった爪状の傾斜支持部２０ａが、水平方向へ突き出すように形成される。また、支持材３４の下端より所定の長さ上がった部分には、側面から見て略Ｌ字状に折れ曲がった爪状の傾斜支持部２０ｂが、水平方向へかつ傾斜支持部２０ａとは反対側へ突き出すように形成される。つまり、傾斜支持部２０ａと傾斜支持部２０ｂとは、支持材３４の下端部を基準として上下に高低差を有して設けられる。また、傾斜支持部２０ａの先端から傾斜支持部２０ｂの先端へ至る長さは、少なくとも基板Ｓの中央の貫通孔Ｓｈの直径よりも大きくなるよう形成される。そして、基板Ｓの貫通孔Ｓｈに支持材３４を挿通し、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂ上に貫通孔Ｓｈの輪郭周縁部を載置し、その貫通孔Ｓｈの輪郭部を支持材３４に引っ掛けることにより、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂと支持材３４とが協働して、基板Ｓが斜めに傾斜した状態で支持される。この状態を図１０に示す。基板Ｓを斜めに傾斜した状態で支持することにより、基板Ｓを高速回転させることなく付着融液を除去することが可能になる。しかも、融液外においては、基板Ｓは支持材３４の傾斜支持部２０ａおよび２０ｂのみで支持されるため、基板Ｓとホルダ１０とが接触している部分が少なくなり、当該部分に融液が溜まりにくい。したがって融液を除去しやすい。
【００２２】
なお、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂは、それぞれ、支持材３４に対し直交する開状態と、支持材３４に沿うようにして折り畳まれる閉状態とをとることができるようにたとえば蝶番を介して支持材３４に取り付けられるようにしてもよい。この場合には、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂが閉状態のときには、支持材３４を基板Ｓの貫通孔Ｓｈに挿入しやすくなる。挿入後、傾斜支持部２０ａおよび２０ｂを開状態にすることにより、基板Ｓを傾斜した状態で支持することができる。したがって、この場合には、基板Ｓのホルダ１０への取付作業が容易になる。
【００２３】
また、支持材３４には、水平支持部２２ａおよび２２ｂの突き出し形成された水平面と同一の水平面内に互いに逆向きに突き出すようにして水平支持部２２ｃおよび２２ｄが形成される。水平支持部２２ａ〜２２ｄは、同一水平面内に形成されている。すなわち、水平支持部２２ａ〜２２ｄは、支持材１８ａおよび１８ｂの下端部を基準として同じ高さに形成されている。水平支持部２２ａ〜２２ｄは、基板Ｓを図９に示すように略水平な状態で支持するためのものであり、融液中において浮力を受けて浮上してくる基板Ｓの上面に当接するよう設けられている。しかも、この実施例では、図８に示すように、水平支持部２２ｃおよび２２ｄは、水平支持部２２ａおよび２２ｂの突き出す方向とは直交する方向に突き出すように形成される。こうすることにより、基板Ｓをより安定的に支持することができる。基板Ｓを融液中で略水平に支持することにより、均一な膜厚の酸化物単結晶膜を育成することが可能になる。
【００２４】
次に、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第３の実施形態について説明する。図１１は、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第３の実施形態を示す斜視図である。図１１に示す白金製のホルダ１０は、図１に示したホルダ１０の支持構造を上下に２つ連結したような構造を有し、同時に２枚の基板Ｓを処理することができるものである。
図１１に示す白金製のホルダ１０は、図１に示したホルダ１０に比べて、支持材１８ａ〜１８ｄの長さがそれぞれたとえば２倍にされ、しかも傾斜支持部２０ａ〜２０ｄと水平支持部２２ａ〜２２ｄとが上下に２対設けられている。そのため、図１に示したホルダ１０と同様の作用により２枚の基板Ｓを同時に処理することができる。
【００２６】
さらに、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第４の実施形態について説明する。図１２は、本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第４の実施形態を示す斜視図である。図１２に示す白金製のホルダ１０は、図８に示したホルダ１０の支持を上下に２つ連結した構造を有し、同時に２枚の基板Ｓを処理することができるものである。
すなわち、図１２に示す白金製のホルダ１０は、図８に示したホルダ１０に比べて、支持材１８ａ，１８ｂおよび支持材３４の長さがそれぞれたとえば２倍にされ、しかも傾斜支持部２０ａおよび２０ｂと水平支持部２２ａ〜２２ｄとが上下に２対設けられている。そのため、図８に示したホルダ１０と同様の作用により２枚の基板Ｓを同時に処理することができる。
【００２７】
第３および第４の実施形態の各ホルダ１０によれば、同時に複数枚の基板Ｓを処理することができるので、酸化物単結晶膜育成を効率的に行うことができる。
なお、第３および第４の実施形態の各ホルダ１０は、２枚の基板Ｓを同時に処理できるように構成されたが、さらに多数枚の基板Ｓを同時に処理するため、支持構造を上下方向にさらに多数繰り返すようにして形成してもよい。
【００２８】
以下に、上述の各実施形態のホルダ１０を使用して酸化物単結晶膜を育成した実施例について説明する。
（実施例１）
図１に示したホルダ１０を用いてＬＰＥ法により酸化物単結晶膜としての鉄イットリウムガーネット（Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12：以下、単にＹＩＧという）単結晶膜を形成した。融液よりも密度の小さい基板Ｓとしてはガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12：以下、単にＧＧＧという）基板を用いた。まず、ＹＩＧ単結晶膜を育成するための原材料の融液として、たとえば、酸化鉛と酸化硼素とを混合した溶媒に酸化第二鉄と酸化イットリウムを溶質として溶かしこんだものを従来公知の技術により準備した。ただし、融液の密度は、ＧＧＧ基板の密度よりも大きなものである。そして、ホルダ１０を回転軸に取り付けて、融液上に上下移動可能に配置した。そして、ＧＧＧ基板を傾斜支持部２０ａ〜２０ｄ上に図５に示すような傾斜した状態で支持した。この状態でＧＧＧ基板をその円周方向へ１００ｒｐｍで回転させながら下降速度１５０ｍｍ／分で融液の液面上約１０ｍｍまで下降させた。この位置でＧＧＧ基板を十分に予熱した後、ホルダ１０を回転させずに下降速度１５０ｍｍ／分でＧＧＧ基板を液面下４０ｍｍまで下降させることにより、ＧＧＧ基板を融液に浸漬させた。すると、ＧＧＧ基板は、融液中で浮力を受けて浮き上がり、傾斜支持部２０ａ〜２０ｄから離間して、水平支持部２２ａ〜２２ｄに当接し、図４に示すような状態で、水平支持部２２ａ〜２２ｄによって略水平な状態で支持された。そして、この状態で基板Ｓをその円周方向へ１００ｒｐｍで回転させながら、ＧＧＧ基板上にＹＩＧ単結晶膜の育成を行った。こうしてＹＩＧ単結晶膜を育成することにより、均一な膜厚のＹＩＧ単結晶膜を得ることができた。
ＹＩＧ単結晶膜の育成終了後、ホルダ１０を回転させずに上昇速度１５０ｍｍ／分で液面上約１０ｍｍまで上昇させ、ＧＧＧ基板を融液から分離した。すると、ＧＧＧ基板は、重力によって水平支持部２２ａ〜２２ｄから離間して、再度、図５に示すような傾斜した状態で、傾斜支持部２０ａ〜２０ｄ上に支持された。この状態で、ホルダ１０をＧＧＧ基板とともに融液上方の気体中において１００ｒｐｍで１分間回転させると、ＧＧＧ基板から融液が流れ落ちた。この結果、従来のような高速回転をさせることなく、ＧＧＧ基板に付着していた融液を除去することができた。
【００２９】
また、図１に示したホルダ１０において、傾斜支持部２０ａ，２０ｂと、傾斜支持部２０ｃ，２０ｄとの高低差を変化させることにより、基板の傾斜角（ｄｅｇ）を変化させ、単結晶膜を育成した後のＧＧＧ基板上に残留する付着融液量（ｍｍ2 ）を調べた。なお、ＧＧＧ基板の傾斜角は、水平面を基準とした絶対値である。また、ここでは、ＧＧＧ基板に付着している融液の面積を微分干渉顕微鏡写真から算出してその値を付着融液量とした。その結果を図６に示す。図６から明らかなように、傾斜角が１０°以上になると、引き上げ時にＧＧＧ基板に付着していた融液はほとんど除去された。
【００３０】
同様に、図１に示したホルダ１０において、単結晶育成時のＧＧＧ基板の傾斜角（ｄｅｇ）を変化させ、単結晶膜の膜厚の標準偏差σとの関係を調べた。ここでは、単結晶膜育成後の膜厚を１サンプルについて２５点測定し、得られた測定値をもとに標準偏差σを算出した。その結果を図７に示す。図７から明らかなように、融液中における基板Ｓの傾斜角が０°以上５°以下の場合に均一な膜厚を得ることができる。
【００３２】
（実施例２）
図８に示したホルダ１０を用いて実施例１と同様の条件でＬＰＥ法によりＹＩＧ単結晶膜をＧＧＧ基板上に形成した。この場合にもＧＧＧ基板上に均一な膜厚でＹＩＧ薄膜を育成することができ、ＧＧＧ基板を高速回転させることなく付着融液の除去をすることができた。
【００３３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、基板を高速回転させることなく基板に付着した融液を除去することができ、しかも、膜厚の均一な酸化物単結晶膜を育成することができる。また、付着融液除去のために基板を高速回転させる必要がないので、基板の破損や単結晶膜の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第１の実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すホルダの平面図である。
【図３】図１に示すホルダの側面図である。
【図４】図１に示すホルダに基板が水平に支持された状態を示す図解図である。
【図５】図１に示すホルダに基板が傾斜して支持された状態を示す図解図である。
【図６】基板の傾斜角と付着融液量との関係を示すグラフである。
【図７】基板の傾斜角と膜厚標準偏差との関係を示すグラフである。
【図８】本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第２の実施形態を示す斜視図である。
【図９】図８に示すホルダに基板が水平に支持された状態を示す図解図である。
【図１０】図８に示すホルダに基板が傾斜して支持された状態を示す図解図である。
【図１１】本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第３の実施形態を示す斜視図である。
【図１２】  本発明にかかる酸化物単結晶膜育成用基板ホルダの第４の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０  酸化物単結晶膜育成用基板ホルダ
１２  回転軸取付部
１４  連結部
１６  脚部取付部
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ  基板支持部
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ  傾斜支持部
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ  水平支持部
３４  支持材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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