(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板状の被処理体を基板保持手段にて保持して処理する洗浄装置において、
基板保持手段は、被処理体の中心に対して接近または離隔するように移動する本体部と、
前記本体部に配置され、被処理体の周縁部に当接して被処理体を保持するための少なくとも３本の保持具と、
前記保持具のうち少なくとも１本の保持具を回転させるための回転駆動部と、
本体部に配設され、前記保持具の回転により回転される被処理体の周縁部を洗浄する周縁部洗浄具と、
を具備し、
前記周縁部洗浄具は、保持具が被処理体を保持すると同時に、被処理体の周縁部に接触するよう前記保持具の間において本体部に配置されることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の洗浄装置において、
前記周縁部洗浄具は弾性部材で形成されたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の洗浄装置において、
前記周縁部洗浄具は被処理板の回転方向に対して逆回転することを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の洗浄装置において、
前記周縁部洗浄具は被処理体と異なる周速で回転するようにしたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の洗浄装置において、
前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の洗浄装置において、
前記周縁部洗浄具は、前記保持具よりも基板の回転方向下流側に配置された洗浄具を含むことを特徴とする洗浄装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の洗浄装置において、
前記本体部は、被処理体を挟んで対向配置された一対の本体部であり、
前記一対の本体部のそれぞれに、前記３本の保持具と、前記周縁部洗浄具とが配設されていることを特徴とする洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの薄板状の被処理体である基板に所定の洗浄処理を行う洗浄装置に関する。特に基板の端部をも効率的に洗浄できる基板の洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から基板の一種であるウェハの処理過程において、ウェハ（以下、基板という）の表面に形成された多層構造化に伴う凹凸を取り除くために、化学研磨剤（スラリー）やパッド等を使用してウェハの表面を機械的に削ることにより、ウェハの表面の平坦化を行うＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行っている。
【０００３】
ＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われた基板の表面には研磨によって研磨屑等が付着しているため、ＣＭＰ処理後の基板に対する処理として基板を洗浄して研磨屑等を除去する処理が行われる。このＣＭＰ洗浄は、上記ＣＭＰにおいて、基板面を汚染させるスラリーを除去するための後処理洗浄であり、下記のように、ブラシスクラブ洗浄が一般に採用されている。
【０００４】
上述のような基板の洗浄を行うための従来技術の概念的な構成は、図１５および図１６に示されている。すなわち、基板Ｗの端面が一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されることにより、基板Ｗの支持が達成されている。そして、基板Ｗの上面は、円板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブラシ２１４とからなるスクラブ洗浄部材２１６によってスクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１４の接触面２１８が基板Ｗの上面に接触した状態で、スクラブ洗浄部材２１６が図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１４のほぼ中心に配置されたノズル２２０から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの上面がスクラブ洗浄される。
【０００５】
また、基板Ｗの下面も同様に、円板状のベース部２１３とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１５とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ２１５の接触面２１９が基板Ｗの下面に接触した状態で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１５のほぼ中心に配置されたノズル２２１から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面がスクラブ洗浄される。
【０００６】
なお、この構成において、端面支持ハンド２１０，２１１は、基板Ｗを保持しつつ、図１５に示すように基板Ｗの中心ＯＷが円軌道を描くように、基板Ｗを円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、基板Ｗのほぼ全面に接触することとなるから、基板Ｗのほぼ全面をスクラブ洗浄できる。
【０００７】
ところで、基板Ｗは、一般に、その表面全体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１７に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがって、基板Ｗの表面上に薄膜をパターン形成していくと、基板Ｗの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、基板Ｗの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要がある。
【０００８】
しかし、上記従来技術の構成では、エッチング処理による基板Ｗの薄膜に対するパターン形成において、基板Ｗの中央部２３３の有効エリア内にのみ注意が払われているから、基板Ｗの周縁部２３２にエッチング不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜となる場合がある。また、基板Ｗの周縁部２３２の全域、特に端面２３１の洗浄が不充分となり、スラリーが基板Ｗの周縁部２３２に残ってしまうことがある。
【０００９】
もしも、基板Ｗの周縁部２３２に不要な薄膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリーとが反応し、その結果生成された物質が基板Ｗの周縁部２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の構成においては、基板Ｗの周縁部２３２に、不要な薄膜やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るという不具合がある。この場合、これらの物質はパーティクルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。
【００１０】
ところで、基板の清浄度は年々厳しくなり、基板の周縁部汚染も無視できなくなってきており、周縁部を洗浄する装置が開発されている。その一例として、特開平１１−６２５号公報には、基板の周縁部に接触して基板を定位置に保持するとともに、基板を回転させるための一対のエッジ部洗浄用ローラが開示されている。このエッジ部洗浄用ローラの表面の洗浄用弾性部材には、基板の周縁部が入り込むような略Ｖ字型の周溝が形成されている。そして、回転するエッジ部洗浄用ローラに基板の周縁部を押圧し、基板は回転しつつ全周の周縁部がエッジ部洗浄用ローラの洗浄用弾性部材で擦られて洗浄される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平１１−６２５号公報に記載の洗浄装置は、基板に対して回転駆動を与える構成上、基板の周縁部とエッジ部洗浄用ローラの周速は同じである。そのため、洗浄用弾性部材により周縁部の不要な薄膜やスラリーを充分な擦り取るという洗浄力は発生せず、充分な洗浄が期待できない。
【００１２】
更に、基板の周縁部の洗浄用弾性部材に対する押圧状態が不均一であり、基板の回転駆動を定常的に行うことも困難であり、基板の周縁部において均一状態での洗浄が達成できないという問題もあった。
【００１３】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、上述の技術的課題を解決し、かつ基板の周縁部の粒子汚染物を確実に除去できる基板の洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、薄板状の被処理体を基板保持手段にて保持して処理する洗浄装置において基板保持手段は、被処理体の中心に対して接近または離隔するように移動する本体部と、前記本体部に配置され、被処理体の周縁部に当接して被処理体を保持するための少なくとも３本の保持具と、前記保持具のうち少なくとも１本の保持具を回転させるための回転駆動部と、本体部に配設され、前記保持具の回転により回転される被処理体の周縁部を洗浄する周縁部洗浄具と、を具備し、前記周縁部洗浄具は、保持具が被処理体を保持すると同時に、被処理体の周縁部に接触するよう前記保持具の間において本体部に配置されることを特徴とする洗浄装置である。
【００１５】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は弾性部材で形成されたことを特徴とする。
【００１６】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は被処理板の回転方向に対して逆回転することを特徴とする。
【００１７】
請求項４に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は被処理体と異なる周速で回転するようにしたことを特徴とする。
【００１８】
請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の洗浄装置において、前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であることを特徴とする。
請求項６に係る発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は、前記保持具よりも基板の回転方向下流側に配置された洗浄具を含むことを特徴とする。
請求項７に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の洗浄装置において、前記本体部は、被処理体を挟んで対向配置された一対の本体部であり、前記一対の本体部のそれぞれに、前記３本の保持具と、前記周縁部洗浄具とが配設されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の作用は次のとおりである。請求項１〜７に係る発明の洗浄装置においては、被処理体の周縁部を良好に洗浄することができる。即ち、被処理体の保持手段に周縁部洗浄具を配設し被処理体の保持と同時に周縁部洗浄具を洗浄位置に配置することで、被処理体を確実に保持した状態で回転による摺擦により充分な洗浄効果を得ることができる。また被処理板の保持と、周縁部洗浄具の洗浄位置へのセットを同じタイミングにするようにしているから、短い時間で被処理板の洗浄を行うことができる。
【００２０】
特に、請求項２記載の発明は、周縁部洗浄具は弾性部材で形成される。本発明によれば、被処理体はその周縁部にて確実に保持され、かつその状態で回転させられる。その状態の被処理体に対して周縁部洗浄具が押し当てられる。周縁部洗浄具は弾性部材なのでその弾性で被処理体の周縁部で必要な洗浄面に当接する。したがって、回転している被処理体の周縁部のすべてを確実に洗浄することができる。すなわち、未洗浄領域をなくすことができる。そのため、被処理体を一層良好に洗浄することができる。
【００２１】
特に、請求項３記載の発明は、周縁部洗浄具が被処理体の回転方向に対して逆回転する。即ち、相対的な摺擦により回転している被処理体の周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができる。
【００２２】
特に、請求項４記載の発明は、周縁部洗浄具が被処理体と異なる周速で回転する。即ち、周速を異ならせることで摺擦作用を確実に発生させて、回転している被処理体の周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができる。
【００２３】
特に、請求項５記載の発明は、被処理体が薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であっても周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができる。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成された基板の表面を研磨するＣＭＰ処理等の研磨処理が考えられる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。また、図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断面図である。さらに、図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ平面における概略断面図である。
【００２６】
この基板処理装置１００では、薄板状の被処理体である基板の一種であるウェハＷを複数枚収納するポッド（ＰＯＤ）９が収納器として使用されＣＭＰ処理の対象となる複数のウェハＷがポッド９内に密閉された状態で基板収納部７に配置される。この基板収納部７には、複数のポッド９がＸ軸方向に一列に配置されている。なお、ポッド９の代わりにウェハカセットを用いてもよい。
【００２７】
また、基板収納部７のＸ軸方向に沿って設けられた搬送路１５を挟んで、複数の処理部３０，４０，５０が設けられている。これらの処理部３０，４０，５０もＸ軸方向に沿って一列に配置されており、ウェハＷに対する処理手順に応じて隣接して設けられている。
【００２８】
複数の処理部のうち一端側に配置された処理部３０は、詳細には後述するが図３に示すように、ＣＭＰ処理が終了した直後のウェハＷを保持装置３３が支持した状態で、ウェハＷの表面に接触してウェハＷの表面を洗浄する表面ブラシ３１とウェハＷの裏面に接触してウェハＷの裏面を洗浄する裏面ブラシ３２とを使用してウェハＷの両面をブラッシングすることによって、ＣＭＰ処理によってウェハＷに付着した研磨屑等のパーティクルを除去する処理を行う処理部である。この処理部３０では、表面ブラシ３１及び裏面ブラシ３２による洗浄効果を高めるために、図示しないノズルによってアルカリ液等の所定の処理液をウェハＷの表面や裏面に供給することが行われる。なお、この処理部３０が、本発明の洗浄装置に相当する。
【００２９】
また、処理部４０は、さらにパーティクル除去能力の高いブラシ４１を使用してウェハＷの表面に付着している微細なパーティクルを取り除く処理部（表面処理部）である。処理部４０では、ブラシ４１による洗浄効果を高めるために、ノズル４３よりウェハＷの表面に対して所定の処理液が吐出することができるとともに、回転部４２がウェハＷを保持しながら回転させることも可能である。
【００３０】
さらに、複数の処理部の内、他端側に配置された処理部５０は、ウェハＷが回転部５２に回転可能な状態に載置され、ウェハＷを回転させながらノズル５３より純水等のリンス液をウェハＷの表面に向けて吐出することにより、ウェハＷに対する最終リンスを行った後、リンス液の吐出を停止させてウェハＷを高速に回転させて、スピンドライ乾燥を行う処理部（リンス処理・乾燥処理部）である。
【００３１】
なお、搬送路１５と処理部３０，４０，５０等との上方には、基板処理装置１００の内部の雰囲気を清浄に保つために、フィルタファンユニットＦＦＵが設けられている。そして、フィルタファンユニットＦＦＵからは搬送路１５や処理部３０，４０，５０等に向けてクリーンエアのダウンフローが形成されている。
【００３２】
この基板処理装置１００では、図１に示すように、処理部３０のＸ軸方向に隣接する部分をＣＭＰ装置２００とのインタフェース部分として構成しており、この部分に載置部２０が設けられている。載置部２０では、ＣＭＰ装置２００に設けられた搬送部２１０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる位値として、図３に示すように、上下方向に２箇所の受け渡し位置Ｌａ，Ｌｂが設定されている。
【００３３】
受け渡し位置Ｌｂは、ウェハＷをＣＭＰ装置２００に受け渡す際に、ウェハＷが一旦載置される位置である。そして、ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アーム（図示せず）が載置部２０の受け渡し位置Ｌｂに対してアクセスし、この搬送アームがウェハＷをＣＭＰ装置２００側に搬送し、ＣＭＰ装置２００において所定の研磨処理を行う。
【００３４】
また、受け渡し位置Ｌａは、ＣＭＰ処理が終了したウェハＷをＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アームが基板処理装置１００に渡す際に、ウェハＷを一旦載置する位置である。ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アームが載置部２０の受け渡し位置Ｌａにアクセスし、ＣＭＰ処理が終了したウェハＷを載置するように構成されている。
【００３５】
そして、処理部３０，４０，５０等および載置部２０と、基板収納部７との間に設けられた搬送路１５には、Ｘ軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット１０が設けられている。この搬送ロボット１０は、上下方向に２つの搬送アーム１１を備えており、この搬送アーム１１がウェハＷを保持した状態でウェハＷの搬送を行う。また、図２に示すように、基台部分１４には、Ｘ軸方向に設けられたボールネジ１３が螺嵌されており、ボールネジ１３が回転することによって搬送ロボット１０がＸ軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送ロボット１０は、昇降部分１２が伸縮することによってウェハＷをＺ軸方向（上下方向）にも搬送することができるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが可能となっている。したがって、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、基板収納部７に配置された複数のポッド９と、ウェハ載置部２０と、処理部５０とにアクセスすることができ、これらの処理部間でウェハＷの搬送を行う。
【００３６】
ここで、搬送ロボット１０の搬送アーム１１をポッド９にアクセスする際には、密閉状態のポッド９を開放して搬送アーム１１がアクセス可能な状態にする必要がある。そこで、基板処理装置１００には、ポッド９が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ８が設けられている。基板収納部７にポッド９が配置されると、図２に示す符号８ａの状態のようにポッドオープナ８はアームを伸ばしてポッド９の蓋のロックを解除する。そして、図２に示す符号８ｂの状態のように、アームがポッド９の蓋を把持した状態でＹ軸方向に移動して、ポッド９を密閉状態から開放する。符号８ｂの状態のままでは、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッド９内にアクセスすることができないので、図２に示す８ｃの状態のように、ポッドオープナ９は蓋を保持しているアームを下降させる。
【００３７】
このような動作により、ポッド９の密閉状態が開放され、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、ポッド９内のウェハＷにアクセスすることが可能となる。なお、ポッド９は、ウェハＷを外気とは隔離した清浄な雰囲気に保つことでウェハＷの汚染をしないように密閉されるものであるが、基板処理装置１００の内部はポッド９内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構成されており、ポッド９の開放動作は、基板処理装置１００の内部で蓋を開放するため、ウェハＷを汚染する問題はない。
【００３８】
そして、搬送ロボット１０は、搬送アーム１１をポッド９の内部に向けて伸ばし、ポッド９の内部からウェハＷを１枚取り出す。搬送ロボット１０は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１は、ポッド９から取り出したウェハＷを載置部２０の受け渡し位置Ｌｂに載置する。また、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、処理部５０に対してアクセスし、全ての処理が完了したウェハＷを取り出す。そして、搬送ロボット１０は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１はポッド９の所定位置にアクセスして、ＣＭＰ処理後の洗浄処理が終了したウェハＷをポッド９内に収納する。
【００３９】
また、この基板処理装置１００には、載置部２０に載置されたＣＭＰ処理後のウェハＷを処理部３０に搬送し、処理部３０での処理が終了したウェハＷを処理部４０に搬送し、処理部４０での処理が終了したウェハＷを処理部５０に搬送するためにシャトル搬送ロボット６０が設けられている。シャトル搬送ロボット６０は、後述するように、Ｘ軸方向に沿って移動可能であり、基板受け渡し位置Ｌａに載置されているウェハＷを処理部３０に、また、処理部３０での処理が終了したウェハＷを処理部４０に、さらに、処理部４０での処理が終了したウェハＷを処理部５０に搬送するので、それぞれの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。
【００４０】
このように、この基板処理装置１００においては、搬送ロボット１０がポッド９から載置部２０へのウェハＷの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット６０が載置部２０から処理部３０，４０，５０へのウェハＷの搬送動作を行う。そして、処理部５０からポッド９へのウェハＷの搬送は、再び搬送ロボット１０が担当するように構成されている。
【００４１】
また、この基板処理装置１００には、処理部３０，４０，５０における処理の際に使用される処理液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバー７０が設けられている。このカバー７０は、シャトル搬送ロボット６０によって各処理部間のウェハＷの搬送が行われる際には、図示しないシリンダやモータ等の昇降駆動機構によって上昇し、シャトル搬送ロボット６０のＸ軸方向に沿った移動と緩衝しないように構成されており、シャトル搬送ロボット６０による処理部間搬送が終了して各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降駆動機構によってカバー７０が下降し、各処理部３０，４０，５０の側面等を覆う。したがって、各処理部においてウェハＷに対する処理を行っている際に、他の処理部からの処理液やパーティクル等が付着することがなく、清浄な処理を行うことができる。
【００４２】
この基板処理装置１００の全体構成は上記のごとくであり、ウェハＷに対して処理を行うための複数の処理部３０，４０，５０をＸ軸方向に沿って隣接するように一列に配置しており、各処理部間のウェハＷの搬送を１台のシャトル搬送ロボット６０で一括して行うことができるように構成されているため、基板処理装置１００のフットプリントを縮小することができる。また、載置部２０によって直接外部装置であるＣＭＰ装置２００とインライン化することができるため、基板処理装置１００とＣＭＰ装置２００とをインライン化したときのフットプリントも縮小することができる。
【００４３】
次に、処理部３０である洗浄装置の詳細な構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態である洗浄装置の構成を示す平面図である。図５は、図４のＤ−Ｄ断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。また、図６は、洗浄装置の構成を示す要部を断面とした側面図である。
【００４４】
この洗浄装置は、ウェハＷの表面に形成された薄膜を研磨するＣＭＰ処理が行われた後にウェハＷの表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するためのもので、側壁３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄによって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室３０１、および処理室３０１内においてウェハＷを水平に保持し、かつこの状態でウェハＷを回転させることができる保持装置（基板保持手段）３３を備えている。
【００４５】
さらに、この処理部３０は、保持装置３３により保持されたウェハＷの上面および下面の各中央部に残っているスラリーをスクラブして除去するための表面ブラシ３１と裏面ブラシ３２よりなる両面洗浄装置３４を備えている。
【００４６】
そして、処理室３０１は底壁３０ｅにより上記ウェハ保持装置３３と両面洗浄装置３４が配置される底壁３０ｅより上部の処理区画３０２と、底壁３０ｅより下部で主に保持装置３３の駆動部が配置される駆動区画３０３より構成される。
【００４７】
保持装置３３は、処理室３０１の側壁３０ｂまたは３０ｄに対して直交する方向（以下「保持方向」という。）Ａ（Ａ′）に関して対向配置された一対の保持ハンド３５ａ，３５ｂを有している。保持ハンド３５ａ，３５ｂは本実施例において同一構造を採用し、図５中左右対称であるので以下、一方の保持ハンド３５ａをもって説明する。尚、他方の保持ハンド３５ｂは同一構造に同符号を付与して説明を省略する。
【００４８】
保持ハンド３５ａは図７に示すように、保持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部３６に取り付けられたベース部３７と、ベース部３７の上方に配置されるハンド軸３８と、ウェハＷを保持するための３つの保持用ローラ（保持具）８０（ａ〜ｃ）を配設される本体部３９をそれぞれ有している。
【００４９】
また保持ハンド３５ａの本体部３９には保持されたウェハＷの周縁付近の上下面および端面を含む周縁部のみを洗浄するため後述する周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）を備えている。すなわち、周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）によってウェハＷの周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜を除去するようになっている。
【００５０】
ベース取付部３６には、側壁３０ａに締結された連結部材３６１を介して保持方向Ａに沿って長く形成され、ベース部３７の下方まで延びた台部３６２の一端が連結されている。台部３６２の一端には、Ｌ字状の取付板３６３の立設面にシリンダ３６４が固定され、シリンダ３６４のロッド３６４ａが連結板３７１を介してベース部３７に取り付けられている。ロッド３６４ａは、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできるようになっている。また、台部３６２上には保持方向Ａに沿ってスライドレール３６５が配置される。
【００５１】
一方、ベース部３７は、スライドレール３６５上に装着されるスライド部３７２と、スライド部３７２上に底板３７３を配置して構成される。底板３７３には下面にブラケット３７４が装着され、このブラケット３７４にモータＭ１が支持される。また、底板３７３の上面にはハンド軸３８が固定される。
【００５２】
ハンド軸３８は、２つの筒状体より構成され、底板３７３の挿通口３７３ａの位置に合わせて底板３７３上面に装着される外筒体３８１と、その内部に装着される内筒体３８２により構成される。そして、内筒体３８２の上部は底壁３０ｅの挿通穴３０ｆを通って処理区画３０２に延在し、その内筒体３８２の上端に本体部３９が装着され支持される。
【００５３】
本体部３９上面の保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウェハＷを保持した状態でウェハＷを回転させるべく、本体部３９に回転可能に設けられている。これらの保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウェハＷの端面形状に対応した円周上に配置されている。ウェハＷは、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）の側面にその端面が当接した状態で保持される。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、本体部３９に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持されたローラ軸８１（ａ〜ｃ）と、ローラ軸８１（ａ〜ｃ）の上端に固定されている保持具８２（ａ〜ｃ）により構成される。
【００５４】
保持具８２（ａ〜ｃ）は同じ構成であり、図８に示すように、軸部８２１と、外周面に略Ｖ字状の周溝８２２が形成された駆動伝達部８２３により構成される。この周溝８２２にウェハＷの端部が当接しながら回転がウェハＷに伝達される。保持具８２は周縁部洗浄具９０ａ，９０ｂの表面より硬度の高い樹脂等で一体成形で形成される。これは、ウェハＷの端部の当接によっても傷がつかないような硬さに設定されている。
【００５５】
ウェハＷを回転させるために必要な駆動力は、保持用ローラ８０ｂにのみ与えられるようになっている。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）のうち中央の保持用ローラ８０ｂには、ベース部３７の下端に取り付けられたモータＭ1 の駆動力が連結部８２４とローラ軸８１ｂを介して伝達されるようになっている。
【００５６】
さらに詳述する。保持用ローラ８０ａのローラ軸８１ａは、図６に示すように、本体部３９に形成された挿通穴３９１ａを通って本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされており、挿通穴３９１ａに配置された２つの軸受３９３ａ，３９３ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。他の保持用ローラ８０ｃのローラ軸８１ｃも同様に、挿通穴３９１ｃを通って空間３９２まで延ばされ、かつ挿通穴３９１ｃに配置された２つの軸受３９４ａ，３９４ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。
【００５７】
中央の保持用ローラ８０ｂのローラ軸８１ｂは、本体部３９に形成された挿通穴３９１ｂを通って本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされており、及び挿通穴３９５を介して本体部３９の下方に突出している。そして、挿通穴３９１ｂに配置された軸受３９６ａと、挿通穴３９５に配置された軸受３９６ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。
【００５８】
中央のローラ軸８１ｂには、２つのプーリ８３ｂ，８４ｂが取り付けられている。そして、２つのプーリ８３ｂ，８４ｂと他の２つのローラ軸８１ａ，８１ｃにそれぞれ取り付けられたプーリ８３ａ，８４ｃとの間に、ベルト８５，８６がそれぞれ巻き掛けられている。符号８７，８８はそれぞれのベルト８５，８６にテンションを付与するテンション軸である。
【００５９】
以上の構成により、モータＭ１によって中央の保持用ローラ８０ｂが駆動されると、中央の保持用ローラ８０ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト８５，８６を介して他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃにも伝達され、これに伴って他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ８０に保持されているウェハＷは回転を始める。このようにして、ウェハＷは保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持された状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合におけるウェハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０（回転／分）である。以上のように、この実施形態では、モータＭ１およびベルト８５，８６が回転駆動部に対応している。
【００６０】
周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）は、図９に示すように軸部９１と、軸部９１に連結される円柱状の本体部９２と、本体部９２の外周表面に被覆された洗浄用弾性部材９３とから構成されている。本例で洗浄用弾性部材９３はＰＶＡが用いられるが、ＰＶＡに限らず、多数の気孔を有するスポンジ状の部材を用いてもよい。
【００６１】
周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）は図４に示すように、ウェハＷの端面形状に対応した円周上で保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）の間に配置される。ウェハＷは、その周縁部が洗浄用弾性部材９３に押圧され、ウェハＷの上下面及び端面を含む周縁部が洗浄用弾性部材９３により洗浄されるべく、洗浄用弾性部材９３は変形する。
【００６２】
この構成により、シリンダ３６４を駆動することによって、ベース部３７が連結板３７１を介してスライドレール３６５上をスライド部３７２によって移動し、保持ハンド３５ａを保持方向Ａに沿って進退させることができる。そして、保持ハンド３５ａ，３５ｂが互いに反対方向に進退することでウェハＷを保持用ローラ７０の間で挾持したり、この挾持を解放したりすることができる。即ち、シリンダ３６４が保持装置３３の駆動手段を構成する。この際、底壁３０ｅの挿通穴３０ｆはハンド軸３８のスライド領域より大きく開孔されており、保持ハンド３５ａの移動が妨げられることがない。
【００６３】
なお、参照符号３００は、保持ハンド３５ａの移動とともに変形及び伸縮自在なベローズであり、両面洗浄装置３４において使用される洗浄液ならびにその雰囲気が、駆動部に影響を与えないようにするため、あるいは処理区画３０２の外部に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ３６４のロッド３６４ａや後述するハンド軸３８から発生するパーティクルが処理区画３０２の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。
【００６４】
図５に戻って、両面洗浄装置３４は、保持装置３３により保持されたウェハＷの上方および下方に配置された表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を備えている。表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それぞれ、保持ハンド３５ａ，３５ｂに干渉しない位置に、ウェハＷの中心部から周縁部に至るウェハＷの表面領域を覆うように配置されている。
【００６５】
表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、ウェハＷに対向する側に取付面３１１，３２１を有するベース部３１２，３２２と、ベース部３１２，３２２に取り付けられた回転軸３１３，３２３とを有し、回転駆動部３１４，３２４により鉛直軸方向に沿う回転軸を中心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。さらに、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それぞれ、昇降駆動部３１５，３２５によって上下方向に移動できるようになっている。これにより、ウェハ洗浄時においてはウェハＷを表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２で挟み込むことができ、また、ウェハ洗浄後においては、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を離すことができるようになっている。
【００６６】
ベース部３１２，３２２の各取付面３１１，３２１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）３１６，３２６が設けられている。洗浄用ブラシ３１６，３２６の中央付近には、ウェハＷに洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）がそれぞれ配置されている。洗浄液は、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、および純水を含む。
【００６７】
洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）には、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）が連結されている。洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）は、回転軸３１３，３２３内に回転しないように挿通されており、その他端には、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供給路３１９ａ，３２９ａ、および図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路３１９ｂ，３２９ｂが開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）に接続されている。この構成により、薬液および純水を洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）から選択的に吐出させることができる。
【００６８】
次に、シャトル搬送ロボット６０の構成について説明する。図１０は、シャトル搬送ロボットの平面図、図１１（ａ），（ｂ）はシャトル搬送ロボット６０とウェハＷの処理部との関係を示す概略側面図である。
【００６９】
図１０に示すシャトル搬送ロボット６０には、ウェハＷの処理部間搬送を行う際に、ウェハＷを保持する３個の保持部６１，６２，６３が設けられているが、このうち最も＋Ｘ軸方向側に設けられている保持部６１は載置部２０から処理部３０へのウェハＷの搬送を担当し、中央に設けられている保持部６２は処理部３０から処理部４０へのウェハＷの搬送を担当し、最も−Ｘ軸方向側に設けられている保持部６３は処理部４０から処理部５０へのウェハＷの搬送を担当する。
【００７０】
それぞれの保持部６１，６２，６３は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとを備えている。そして、各々のアームにはウェハＷを周縁部で保持するための保持部材６４が各々２個設けられている。
【００７１】
そして、基板処理装置１００内にある後述する制御部が、図示しない駆動手段に対して駆動命令を送ると、各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは−Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは＋Ｘ軸方向に移動する。この動作により、シャトル搬送ロボット６０によるウェハＷを保持する動作（すなわち、ウェハＷのチャッキング動作）が行われる。このチャッキング動作は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとの２本のアームによってウェハＷを挟み込む動作であるため、ウェハＷの下面を支持するだけのものに比べると、各処理部に対して搬送するウェハＷの位置アライメントを行う。
【００７２】
また、逆に各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは＋Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは−Ｘ軸方向に移動する動作により、シャトル搬送ロボット６０のウェハＷの保持状態を開放する動作が行われる。
【００７３】
また、図示しないモータ等の駆動によってα方向に保持部６１，６２，６３も回転軸６５を中心にして回転する。よって保持部６１，６２，６３がウェハＷを保持した状態でモータを駆動することにより、ウェハＷもＹＺ平面での回転動作を行う。
【００７４】
ここで、図１１（ａ）に示すように回転軸６５にα方向の微少量の回転を与えると、ウェハＷの保持状態の保持部６１は、その状態でα方向に微少量の回転を行う。したがって、載置部２０に載置されているウェハＷは、保持部６１に保持されてα方向に回転することによって、離脱することとなる。同様に、各処理部３０，４０で保持されていたウェハＷについても、保持部６１，６２，６３に保持されてα方向に回転することによって各処理部３０，４０における保持状態から開放されることになる。
【００７５】
そして、保持部６１，６２，６３は下部に移動台６６が連結されており、移動台６６は−Ｘ軸方向に沿って移動する。したがって、同時に保持部６１，６２，６３も−Ｘ軸方向に沿って移動する。
【００７６】
まず、図１０に示すように、シャトル搬送ロボット６０は、載置部２０と処理部３０，４０に対応する側に位置する。処理部３０，４０におけるウェハＷの処理中は、保持部６１，６２，６３は図中一点鎖線で示す位置にある。そして、処理部３０，４０のおけるウェハＷの処理が終了すると、各保持部６１はそれぞれ図中実線で示す位置に移動し、載置部２０，処理部３０，処理部４０にあるウェハＷの保持を行う。そして、各ウェハＷを上昇させた後、シャトル搬送ロボット６０を−Ｘ軸方向に移動させる。
【００７７】
そして、処理部３０，処理部４０，処理部５０へ搬送したウェハＷを下降させた後、保持部６１を一点鎖線で示す位置に退避させることによって、各処理部へのウェハＷの搬送動作を完了する。なお、保持部６１が退避する際には、各処理部間等に設けられた退避位置６７に退避する。
【００７８】
このように、このシャトル搬送ロボット６０は、隣接する処理部間でのウェハＷの搬送を同時に行うようになっているため、効率的なウェハＷの処理部間の搬送を実現しているとともに、載置部２０から処理部３０へのウェハＷの搬送と、処理部３０から処理部４０へのウェハＷの搬送と、処理部４０から処理部５０へのウェハＷの搬送については個別に搬送ロボットを設ける必要がなく、基板処理装置１００のフットプリントを減少させることが可能となる。
【００７９】
なお、処理部５０からのウェハＷの取り出しは、上述のように搬送ロボット１０の搬送アーム１１が行うように構成されている。
【００８０】
次に、カバー７０について説明する。図１０に示すように、カバー７０は、処理部３０，４０，５０におけるウェハＷの処理の際に処理液等が飛散しないように各処理部を覆っている。また、カバー７０は、下降した際に、退避位置６７に退避しているシャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３に緩衝しないように各退避位置６７に対応する位置の凹部７１が設けられている。したがって、シャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３が図１０の一点鎖線で示す位置に退避した場合に、カバー７０を下降させれば、カバー７０は保持部６１，６２，６３に接触することなく各処理部３０，４０，５０を良好に覆うことができる。
【００８１】
また、シャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３が退避位置６７に退避した直後にカバー７０を下降させれば、各処理部３０，４０，５０における上述のウェハＷの処理を開始することができる。
【００８２】
次に、図１１（ａ），（ｂ）に基づいて、カバー７０とシャトル搬送ロボット６０との関係について説明する。図１１（ａ）に示すように、シャトル搬送ロボット６０の回転軸６５がα方向に微少量回転し、保持部６１がウェハＷを持ち上げた状態で処理部間搬送を行う。このとき、カバー７０は、シャトル搬送ロボット６０の搬送動作の際に緩衝しないように図示しない昇降手段によって上昇した状態となっている。
【００８３】
ところで、ウェハＷの処理部間搬送が終了し、カバー７０が下降して各処理部におけるウェハＷの処理が開始された際に、処理部３０，４０，５０に対応する位置にあるシャトル搬送ロボット６０を次の処理部間搬送に備えて、載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行われる。
【００８４】
しかし、各処理部はウェハＷの処理中であり、カバー７０は閉じた状態であるため、保持部６１が退避位置６７にある状態で、シャトル搬送ロボット６０を＋Ｘ軸方向に移動させると、カバー７０に衝突する。
【００８５】
そこで、このシャトル搬送ロボット６０では、図１１（ｂ）に示すように、シャトル搬送ロボット６０の回転軸６５を９０度程度回転させることによって保持部６１を起立状態にし、側面視でカバー７０と保持部６１とが重ならないような状態にする。こうすることにより、シャトル搬送ロボット６０が＋Ｘ軸方向に移動しても保持部６１がカバー７０と緩衝しないようになり、各処理部におけるウェハＷの処理中に、シャトル搬送ロボット６０を載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に予め移動させておくことが可能となる。
【００８６】
そして、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸方向に移動して、載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に到達すると、起立状態の保持部６１を再び略水平状態に戻す。
【００８７】
なお、ウェハＷの処理中に図１０の一点鎖線で示す保持部６１の位置で待機しているときに保持部６１の洗浄を行う場合は、載置部２０の近辺に載置部２０内のウェハＷをチャッキングする保持部６１に対してリンス液を吐出するノズル（図示せず）を設ければよい。そして、載置部２０の近辺に設けられたノズルからリンス液を吐出することにより、保持部６１を洗浄することが可能となる。
【００８８】
図１２は、この基板処理装置１００の主要な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置１００には、当該装置の制御中枢として機能するマイクロコンピュータなどで構成された制御部５００が備えられている。制御部５００は、ＲＯＭ５０１に格納された制御プログラムに従って、シリンダ３６４，３６４、モータＭ１、回転駆動部３１４，３２４、昇降駆動部３１５，３２５、および開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）を制御する。
【００８９】
次に、この基板処理装置１００の洗浄動作について説明する。洗浄前においては、保持ハンド３５ａ，３５ｂはウェハＷを保持する保持位置から退避した位置で待機し、かつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２も互いにウェハＷから離れた状態で待機している。前工程であるＣＭＰ処理が終了しシャトル搬送ロボット６０によってウェハＷが搬送されてくると、制御部５００は、シリンダ３６４のロッド３６４ａを進出させる。その結果、保持ハンド３５ａ，３５ｂは互いに近づく。これにより、ウェハＷがその端面において保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持される。同時に周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）もウェハＷの端部の洗浄位置に正確に配置されることとなる。
【００９０】
その後、制御部５００は、回転駆動部３１４，３２４を駆動し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を回転させる。これと同時に、制御部５００は、開閉弁３３０ａ，３３１ａを制御し、薬液供給路３１９ａ，３２９ａを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル３１７ａ，３２７ａから薬液がそれぞれウェハＷの上面および下面に供給される。
【００９１】
その後、制御部５００は、モータＭ１を駆動する。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）が回転駆動される。これに伴って、ウェハＷが低速回転する。さらに、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持されているウェハＷは、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によって挟み込まれ、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によりウェハＷの上面および下面が擦られる。これにより、ウェハＷの上面および下面に薬液が供給されつつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によってスクラブ洗浄される。その結果、ウェハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去される。
【００９２】
同時にウェハＷの周縁部は周縁部洗浄具９０ａ，９０ｂにより洗浄される。周縁部洗浄具９０ａ，９０ｂ は固定的に配置されているので、ウェハＷの回転に追従して回転することはなく、洗浄位置にて充分な洗浄作用をウェハＷの周縁部に対して行うこととなる。
【００９３】
所定の時間経過後、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いにウェハＷから離れる方向に移動させ、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を離れさせる。その後、開閉弁３１９ａ，３１９ｂを閉じて開閉弁３２９ａ，３２９ｂを開くよう制御し、洗浄用パイプ３１８ｂ，３２８ｂと純水供給路３１９ｂ，３２９ｂとを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル３１７ｂ，３２７ｂから純水がウェハＷの上面および下面に供給され、ウェハＷの上面および下面に残っている薬液等が洗い流される。
【００９４】
その後、制御部５００は、開閉弁３２９ａ，３２９ｂを制御し純水の吐出を停止させ、また、回転駆動部３１４，３２４の駆動を停止して表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２の回転を停止させる。さらに、モータＭ１の駆動を停止させ、ウェハＷの回転を停止させる。これにより、両面洗浄装置３４におけるスクラブ洗浄処理が終了する。その結果、ウェハＷの周縁部の表面上に残っているエッチング液が洗い流されるとともに、ウェハＷの周縁部に残っていたスラリーが除去されたり、不要な薄膜がエッチングされる。
【００９５】
洗浄処理終了後、制御部５００は、シャトル搬送ロボット６０をウェハＷに向けて移動させる。これにより、シャトル搬送ロボット６０はウェハＷを次の処理部４０へ搬送する。処理部４０では、ブラシ４１により表面洗浄処理を行う。そして、処理部５０では、純水等のリンス液を使用してウェハの最終リンスを行った後、ウェハを高速に回転させて、スピンドライ乾燥（リンス処理・乾燥処理）を行う。
【００９６】
さらに、搬送ロボット１０は、処理部５０での最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウェハＷを取り出してウェハＷを基板収納部７に設けられているポッド９に収納する。
【００９７】
以上のように本実施形態によれば、ウェハＷの周縁部をウェハＷの保持と同時に洗浄できるようにしているから、別途、周縁部の洗浄手段を洗浄位置まで移動させる構造を必要とせずウェハＷの周縁部の洗浄を行うことができる。したがって、ウェハＷの周縁部の不要な薄膜が残っている場合であっても、当該薄膜を確実に除去できる。また、ウェハＷの周縁部にスラリーが残っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去できる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウェハＷの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体装置を提供できる。
【００９８】
本発明の実施の一形態の説明は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば上記実施形態では、ウェハＷの中央部と周縁部とを１つの処理室３０１にて洗浄する場合を例にとって説明しているが、たとえばウェハＷの中央部を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にてウェハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この構成によっても、ウェハＷの中央部と周縁部とを洗浄することができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の不具合を解消でき、ウェハＷの表面の全体を良好に洗浄できる。
【００９９】
また、上記実施形態では、図１から図９までに示すように、ウェハＷを６つの保持用ローラ８０によって保持する構成を例にとって説明しているが、ウェハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちいずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしてもよい。この構成によっても、ウェハＷを端面にて保持しつつ回転させることができる。
【０１００】
さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄具９０ａ，９０ｂを固定しているが、ウェハＷの回転方向Ｂと反対方向に回転させてもよい。または、同方向にウェハＷの回転速度（周速）と異なる回転速度（周速）で回転させてもよい。図１３に示すように周縁部洗浄具６０１，６０２は軸部６０３，６０４を本体部３９の内部に延設し、軸部６０４をさらに本体部３９の下方にて図示しないモータに連結する。各々の軸部６０３，６０４はプーリ６０５，６０６にベルト６０７が架け渡され、軸部６０４の回転が軸部６０３に伝達される。この構成において、軸部６０４の回転方向または回転速度（周速）を制御することで充分な洗浄効果を得るものである。
【０１０１】
さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄具９０ａ，９０ｂを保持用ローラ８０ａと８０ｂの間、保持用ローラ８０ｂと８０ｃの間にそれぞれ１個配置する構成としているが、図１４に示すように各々の保持ハンド３５ａ，３５ｂのウェハＷの回転方向Ｂ下流側に更に１個の周縁部洗浄具７００ａ，７００ｂを配置するようにしてもよい。これによって、保持ローラ８０ｃ 直後においてもウェハＷの端部が充分洗浄されることとなる。
【０１０２】
さらに、上記実施形態では、保持ハンド３５ａと保持ハンド３５ｂをそれぞれ保持方向Ａと保持方向Ａ′に移動させるようにしているが、一方を固定して他方を移動するように構成しウェハＷを保持するようにしてもよい。
【０１０３】
さらに、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後のウェハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明しているが、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウェハＷの中央部と周縁部とを洗浄する必要のある場合に広く適用することができる。
【０１０４】
さらに、上記実施形態では、ウェハＷの洗浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。その他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体の周縁部を良好に洗浄することができる洗浄装置が提供される。即ち、被処理体の保持手段に周縁部洗浄具を配設し被処理体の保持と同時に周縁部洗浄具を洗浄位置に配置することで、被処理体を確実に保持した状態で回転による摺擦により充分な洗浄効果を得ることができる。また被処理板の保持と、周縁部洗浄具の洗浄位置へのセットを同じタイミングにするようにしているから、短い時間で被処理板の洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ平面における概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す図４のＤ−Ｄ矢視の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す要部を断面とした側面図である。
【図７】図５の保持ハンド３５ａの拡大図である。
【図８】保持ローラを示す側面図である。
【図９】周縁部洗浄具を示す一部切欠断面図である。
【図１０】シャトル搬送ロボットによる処理部間搬送の様子を示す説明図である。
【図１１】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面図で、（ａ）はウェハを保持した状態、（ｂ）は保持部を起立状態にした状態である。
【図１２】基板処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１３】他の実施例を示す概略断面図である。
【図１４】他の実施例を示す概略平面図である。
【図１５】従来の洗浄装置の概略構成図である。
【図１６】従来の洗浄装置の構成を示す側面図である。
【図１７】従来の基板の周縁部の洗浄領域を示す説明図である。
【符号の説明】
２０  載置部
３０、４０、５０  処理部
３３  保持装置
３４  両面洗浄装置
３５ａ、３５ｂ  保持ハンド
３６  ベース取付部
３７  ベース部
３８  ハンド軸
３９  本体部
６０  シャトル搬送ロボット
９０ａ、９０ｂ、７００ａ、７００ｂ  周縁部洗浄具
９３  洗浄用弾性部材
１００  基板処理装置
２００  ＣＭＰ装置
【図１】
0003762176.tif 000002
【図２】
0003762176.tif 000003
【図３】
0003762176.tif 000004
【図４】
0003762176.tif 000005
【図５】
0003762176.tif 000006
【図６】
0003762176.tif 000007
【図７】
0003762176.tif 000008
【図８】
0003762176.tif 000009
【図９】
0003762176.tif 000010
【図１０】
0003762176.tif 000011
【図１１】
0003762176.tif 000012
【図１２】
0003762176.tif 000013
【図１３】
0003762176.tif 000014
【図１４】
0003762176.tif 000015
【図１５】
0003762176.tif 000016
【図１６】
0003762176.tif 000017
【図１７】
0003762176.tif 000018