(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に直線状に形成された第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの両端部及び両側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストの両端部に挟まれた上記第１の導体パターン上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたことを特徴とする高周波プリント配線板。
【請求項２】
絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に形成された屈折部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの屈折部の内側においてその一端部及びその側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストに一端部が接触して上記第１の導体パターンの表面部及び上記屈折部の外側における側面部上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたことを特徴とする高周波プリント配線板。
【請求項３】
絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に形成され、屈曲部及びこの屈曲部の両端部にそれぞれ連続する直線部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの屈曲部の内側においてその一端部及びその側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストに一端部が接触して上記第１の導体パターンの表面部及び上記屈曲部の外側における側面部上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたことを特徴とする高周波プリント配線板。
【請求項４】
上記第１の導体パターンの各直線部において、両端部及び両側面部にソルダレジストを設けたことを特徴とする請求項３に記載の高周波プリント配線板。
【請求項５】
絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に直線状に形成され、幅太部及び幅細部が接続された不連続部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの上記不連続部における幅太部の一端部及び側面部に形成されたソルダレジストと、このソルダレジストの側面に接触して上記第１の導体パターン上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたことを特徴とする高周波プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波部品に用いられる高周波プリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波プリント配線板は、例えば図１０に示すものがあった。図１０において、１は絶縁基板、４ａは絶縁基板１の片面に形成されたＣｕ等の導体パターン、４ｂは導体パターン４ａと反対側における絶縁基板１に形成されたＣｕ等の導体パターン、５は導体パターン４ａ、４ｂ上に形成されたＮｉめっき膜、６はＮｉめっき膜５上に形成されたＡｕめっき膜である。図１０において、絶縁基板１上の導体パターンは、Ｃｕ導体パターン４ａとＮｉめっき膜５（通常３〜１０μｍ）とＡｕめっき膜６（通常０．０３〜０．０５μｍ）で構成され、グランドと接続された導体パターン４ｂとによりマイクロストリップラインを形成しており、高周波信号の電流はＣｕ導体パターン４ａとＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成された導体パターンの両側面を流れる。
【０００３】
また、図１１は、特開平５−１８３２５９号公報に記載された従来の高周波プリント配線板を示す断面図である。図１１において、１は絶縁基板、４は絶縁基板１上に形成された導体パターンであるＣｕめっき膜、５はＣｕめっき膜４上に形成されたＮｉめっき膜、６はＮｉめっき膜５上に形成されたＡｕめっき膜、８はＣｕめっき膜４間に形成されためっきレジストである。図１１において、導体パターンはＣｕめっき膜４とＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成され、Ｃｕめっき膜４はＣｕめっきレジスト８で側面を覆われ、Ｃｕめっき膜４とめっきレジスト８がほぼ同一高さになっており、Ｎｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６はＣｕめっき膜４の上部のみに施されている。高周波信号の電流はＣｕめっき膜４とＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成された導体パターンの両側面を流れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
高周波信号の電流は、直線形状の導体パターンの場合、導体パターンの両端に集中して流れる特性を持ち、従来の高周波プリント配線板を示す図１０において、導体パターンはＣｕ導体パターン４ａ，４ｂの表面酸化を防止するためのＮｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６で構成され、導体パターンの両側面に導電率がＣｕの約１／５のＮｉがあるため、電流が流れにくくなり，通過損失が大きくなる。また、図１１に示す従来の高周波プリント配線板では、高周波信号の電流の集中するＣｕめっき膜４の両側面にはＮｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６は形成されていないが、Ｃｕめっき膜４の両側面は絶縁材であるめっきレジスト８に覆われており，めっきレジスト８にＣｕめっき４が埋め込まれているように構成されているため、実効誘電率が大きくなり、図１０に示すプリント配線板で絶縁基板１の厚みが同一で同一特性インピーダンスの導体パターンを形成した場合に比べ、導体パターンを細くしなければならず、導体パターン幅を細くすることで，導体損失が大きくなるなどの課題があった。
そこで、この発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、Ｃｕ導体パターンの酸化や腐食を防止し、かつ、導体パターンの損失を低減しうる新規な高周波プリント配線板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る高周波プリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に直線状に形成された第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの両端部及び両側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストの両端部に挟まれた上記第１の導体パターン上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたものである。
【０００６】
この発明の請求項２に係る高周波プリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に形成された屈折部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの屈折部の内側においてその一端部及びその側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストに一端部が接触して上記第１の導体パターンの表面部及び上記屈折部の外側における側面部上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたものである。
【０００７】
この発明の請求項３に係る高周波プリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に形成され、屈曲部及びこの屈曲部の両端部にそれぞれ連続する直線部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの屈曲部の内側においてその一端部及びその側面部を覆うソルダレジストと、このソルダレジストに一端部が接触して上記第１の導体パターンの表面部及び上記屈曲部の外側における側面部上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたものである。
【０００８】
この発明の請求項４に係る高周波プリント配線板は、上記第１の導体パターンの各直線部において、両端部及び両側面部にソルダレジストを設けたことを特徴とする請求項３に記載のものである。
【０００９】
この発明の請求項５に係る高周波プリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の一主面側に直線状に形成され、幅太部及び幅細部が接続された不連続部を有する第１の導体パターンと、上記絶縁基板の他主面側に形成された第２の導体パターンと、上記第１の導体パターンの上記不連続部における幅太部の一端部及び側面部に形成されたソルダレジストと、このソルダレジストの側面に接触して上記第１の導体パターン上に形成された第１のＮｉめっき膜と、上記第２の導体パターン上に形成された第２のＮｉめっき膜と、上記第１及び第２のＮｉめっき膜上にそれぞれ形成された第１及び第２のＡｕめっき膜とを備えたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る高周波プリント配線板について、図１を用いて説明する。図１は、この実施の形態１に係る高周波プリント配線板の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線で切断したときの断面図である。図１において、１は絶縁基板、２は絶縁基板１上に形成された直線状の導体パターン、３は導体パターン２の両端部、両側面部及び絶縁基板１上に延び、直線状の導体パターン２に沿って延びたソルダレジストである。また、図２において、４ａは絶縁基板１の一方の主面側に直線状に形成されたＣｕ等の導体パターン、４ｂは絶縁基板１の他方の主面側に形成されたＣｕ等のベタ導体パターン、５はＮｉめっき膜で、絶縁基板１の一方の主面側においては導体パターン４ａ上であって、ソルダレジスト３に挟まれるように形成し、絶縁基板１の他方の主面側においては導体パターン４ｂ上に形成している。６はＡｕめっき膜で、絶縁基板１の両主面側においてＮｉめっき膜５上に形成している。導体パターン２はＣｕ導体パターン４ａとＣｕ導体パターンの表面酸化を防止するためのＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成しており、Ｎｉめっき膜５とＡｕめっき膜６はＣｕ導体パターン４ａ上のソルダレジスト３が存在しない上部のみに形成している。
【００１２】
図１，図２において、絶縁基板１上の導体パターン２は、Ｃｕ導体パターン４ａとＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成し、グランドと接続した（図示せず。）ベタ導体パターン４ｂとによりマイクロストリップラインを形成している。高周波信号の電流はＣｕ導体パターン４ａとＮｉめっき膜５とＡｕめっき膜６で構成された導体パターンの両側面を流れる。このとき、Ｃｕ導体パターン４ａの両側面にはソルダレジスト３により、導電率がＣｕの約１／５であるＮｉめっき膜５が付いていないため、導体パターン側面の抵抗増加を防ぎ、通過損失をすくなくできる。
【００１３】
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２について、図３、図４及び図５を用いて説明する。図３は実施の形態２に係る高周波プリント配線板の平面図、図４は図３に示すＢ−Ｂ線で切断したときの断面図である。図５は実施の形態２に係る高周波プリント配線板の平面図である。この実施の形態２は、図３、図４及び図５に示すように導体パターン２が屈折部（図５に示すような屈曲部を含む。）を有する場合に、高周波信号の電流はその屈折部の内側に集中するためにその屈折部の内側にソルダレジスト３を形成したものである。即ち、図３及び図４に示すように、屈折部を有する導体パターン２は絶縁基板１の一主面側に形成するとともに、絶縁基板1の他主面側に形成する。導体パターン２の屈折部の内側に形成するソルダレジスト３は、図４に示すように、導体パターン２の一端部、側面部及び絶縁基板１に跨って覆うように形成する。また、Ｎｉめっき膜５はその一端がソルダレジスト３に接触し、導体パターン２上のソルダレジスト３と反対側における側面部に形成するとともに、絶縁基板の他主面側の導体パターン２上に形成する。Ａｕめっき膜６は絶縁基板１の一主面側及び他主面側におけるそれぞれのＮｉめっき膜５上に形成している。なお、ここで、導体パターン２の屈折部は、図３に示すように角度９０°に折れ曲がるようなものの他、図５に示すような円形曲がり部を有する場合にも、その内側において図４と同様にＮｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６を形成している。
【００１４】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３について、図６を用いて説明する。図６は、この実施の形態３に係る高周波プリント配線板の平面図である。図６において、絶縁基板１の一主面側に形成した導体パターン２は屈曲部の両端部にそれぞれ連続する直線部を有する。この導体パターン２の屈曲部の内側においてその導体パターンの一端部、側面部及び絶縁基板１に跨ってソルダレジスト３を形成する。また、導体パターン２の直線部の両側においても同様な構成のソルダレジスト３を形成する。このソルダレジスト３に一端部が接触して導体パターン２の表面部及び屈曲部の外側における側面部にＮｉめっき膜５及びこのＮｉめっき膜５上にＡｕめっき膜６を形成する。また、絶縁基板１の他主面側においては、図４に示したと同様に、Ｎｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６を形成する。
【００１５】
実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４について、図７を用いて説明する。図７は、この実施の形態４に係る高周波プリント配線板の平面図である。絶縁基板１の一主面側に直線状に形成した導体パターン２は、幅太部と幅細部とが接続されて不連続部を形成している場合に、その不連続部において幅太部のパターンの縁に高周波信号の電流が集中するので、この幅太部の縁にソルダレジスト３を形成している。即ち、その導体パターン２の幅太部の一端部及び側面部にソルダレジスト３を形成する。Ｎｉめっき膜５はソルダレジスト３の側面に接触して導体パターン２上に形成する。また、Ａｕめっき膜６はそのＮｉめっき膜５上に形成する。また、絶縁基板１の他主面側には、図４と同様に導体パターン２、Ｎｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６を形成する。
【００１６】
実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５について、図８を用いて説明する。図８は、この実施の形態５に係る高周波プリント配線板の平面図である。絶縁基板１の一主面側における導体パターン２は、図８に示すように角度９０°に折れ曲がり、この折れ曲り部に連続する直線部を有し、更に一方の直線部に幅太部と幅細部とが接続された不連続部を有する場合である。この場合には、導体パターン２の折れ曲り部の内側、直線部の両側にそれぞれソルダレジスト３を形成する。この場合も、ソルダレジスト３の構成については実施の形態３における図６で説明したと同様である。また、絶縁基板１の他主面側には、前記実施の形態で説明したと同様に、導体パターン２、Ｎｉめっき膜５及びＡｕめっき膜６を形成する。
【００１７】
実施の形態６．
次に、この発明の実施の形態６について、図９を用いて説明する。図９は実施の形態６に係る高周波プリント配線板の断面図である。図９において、絶縁基板１の一主面側にＣｕ導体パターン４ａを形成し、他主面側にＣｕ導体パターン４ｂを形成する。導体パターン４ａ、４ｂを覆うようにＰＴＦＥ樹脂等の低誘電率、低誘電正接特性の樹脂７をコーテイングする。この場合、Ｃｕ導体パターン４ａ、４ｂにＮｉめっき膜及びＡｕめっき膜がなく、Ｃｕ導体パターン４ａ、４ｂの損失増加を防止できる。樹脂７のコーテイング方法は、例えば低分子量タイプのＰＴＦＥ樹脂をスプレーによりコーテイングする。また、フィルム状のポリエチレン樹脂をプリント配線板上に熱圧着することにより行う。なお、従来のプリント配線板では、一般的に誘電率４、誘電正接０．０００１のエポキシ樹脂ベースのソルダレジスト材を用いており，高周波パターンに全体にコーテイングした場合に、特性インピーダンスの変化がおおきいが、誘電率２、誘電正接０．００１のＰＴＦＥ樹脂であれば、特性インピーダンスの変化が抑えられる。
【００１８】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、導体パターンにおいて高周波信号の電流が集中する部分に酸化、腐食防止のためのＮｉおよびＡｕめっき膜がつかないように構成したので、導電率の低いＮｉめっき膜による電流集中部の抵抗増加を抑制し、損失を低減することができる。また、この発明によれば、低誘電率、低誘電正接特性の樹脂を導体パターン上にコーテイングし、Ｎｉ及びＡｕめっき膜がつかないように構成したので、導電率の低いＮｉめっき膜による抵抗増加を少なくし、損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この実施の形態１に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図２】  図１のＡ−Ａ線で切断したときの高周波プリント配線板の断面図である。
【図３】  実施の形態２に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図４】  図３に示すＢ−Ｂ線で切断したときの高周波プリント配線板の断面図である。
【図５】  実施の形態２に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図６】  実施の形態３に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図７】  実施の形態４に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図８】  実施の形態５に係る高周波プリント配線板の平面図である。
【図９】  実施の形態６に係る高周波プリント配線板の断面図である。
【図１０】  従来の高周波プリント配線板の断面図である。
【図１１】  従来の高周波プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
１…絶縁基板、２…導体パターン、３…ソルダレジスト、４…Ｃｕ導体パターン、５…Ｎｉめっき膜、６…Ａｕめっき膜、７…樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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