(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムの所望の面に導体パターンを形成して、当該導体パターンと樹脂フィルムとが交互に積層される多層基板を形成するための多層基板形成用フィルムを用意する工程と、
前記多層基板形成用フィルムにおいて、多層基板として利用される領域を取り囲むように、前記多層基板形成用フィルムに複数の貫通孔を形成する工程と、
前記多層基板形成用フィルムの複数の貫通孔内に、多層基板形成時に印加する所定温度よりも低い温度で固化する低温固化材料を充填する工程と、
前記多層基板形成用フィルムを重ねて、前記多層基板として利用される領域及び前記低温固化材料が充填された部位に対して熱プレス板によって前記所定温度に加熱しつつ加圧することにより、前記多層基板形成用フィルムを相互に接着して多層基板を形成する工程とを備え、
前記多層基板形成用フィルムに形成される複数の貫通孔は、積層される複数の多層基板形成用フィルムにおいて、積層方向に沿って少なくとも一部が重なり合う位置に形成されることにより、当該複数の貫通孔内で固化する前記低温固化材料が前記積層方向に沿って実質的に柱状に形成されることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記熱プレス板は、少なくとも前記低温固化材料が固化される温度から前記所定温度まで徐々に加熱温度を上昇させることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記多層基板を形成する工程において、前記熱プレス板の加熱によって達成される前記所定温度は、前記熱可塑性樹脂の融点よりも低い温度に設定されることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板の製造方法。
【請求項４】
積層した前記多層基板形成用フィルムに、多層基板として利用される領域を複数箇所設ける場合、前記複数の貫通孔は、その多層基板として利用される複数箇所の領域全体を取り囲むように形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の貫通孔は、さらに、多層基板として利用される複数箇所の領域のそれぞれの周りを取り囲むように形成されることを特徴とする請求項４記載の多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記低温固化材料は、金属粒子を含み、多層基板形成時に印加する温度よりも低い温度で当該金属粒子が焼結されて固化することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂フィルムを介して配置される２層の導体パターンを電気的に接続するために、当該樹脂フィルムにビアホールを形成し、そのビアホール内に金属粒子を含む導電ペーストを充填する工程を備え、
前記低温固化材料は、前記導電ペーストと同じ材料によって構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項８】
隣接する多層基板形成用フィルムに設けられた金属粒子を含む低温固化材料の間に、その低温固化材料が充填された貫通孔の面積よりも大きな面積を有する導体接続パターンを配置し、前記隣接する多層基板形成用フィルムに設けられた低温固化材料は、前記導体接続パターンを介して相互に接続されることを特徴とする請求項６または７に記載の多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記導体接続パターンは、多層基板として利用される領域を取り囲むように枠状に形成されることを特徴とする請求項８に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
多層基板として利用される領域を取り囲む位置に前記低温固化材料を配設しない樹脂フィルムを少なくとも１枚、積層される前記多層基板形成用フィルムに含ませることをにより、その低温固化材料を配設しない樹脂フィルムによって多層基板として利用される領域に熱プレス板からの熱及び圧力が十分に印加するようにしたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記熱プレス板は積層された前記多層基板形成用フィルムの両表面から熱及び圧力を加えるものであり、その多層基板形成用フィルムの両表面には、下層の多層基板形成用フィルム全面を覆うように導体箔が設けられることを特徴とする請求項１乃至１０記載の多層基板の製造方法。
【請求項１２】
積層された前記多層基板形成用フィルムを熱プレス板によって加熱及び加圧する際に、熱プレス板から多層基板形成用フィルム各部に印加される圧力差を減少するために、前記熱プレス板と前記多層基板形成用フィルムとの間に緩衝材を介在させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記緩衝材は、前記熱プレス板と前記多層基板形成用フィルムとの間で部分的に収縮変形可能なものであり、それによって前記熱プレス板から前記多層基板形成用フィルムの各部に略均一に圧力を伝達するものであることを特徴とする請求項１２記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムと導体パターンとを交互に積層してなる多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、多層基板の製造方法として、導体パターンを形成した樹脂フィルムを積層し、それらを加熱しつつ加圧することによって一括して複数の樹脂フィルム同士を接着して多層基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、特開２０００−３８４６４号公報に開示された多層基板の製造方法によれば、まず、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム両面に導体パターンを形成し、かつこれら両面の導体パターンを導電ペーストによって層間接続した両面基板を複数枚製造する。次に、この複数枚の両面基板を、層間接続可能な処理をした熱可塑性樹脂フィルムを介して積層する。そして、積層した両面基板及び樹脂フィルムを、所定の温度に加熱しつつ、所定圧力で加圧することにより、樹脂フィルムを構成する熱可塑性樹脂を軟化させて接着する。この加熱・加圧工程は、発熱したプレス板を積層した樹脂フィルム所定の圧力で押し当てることにより実施される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発熱したプレス板を樹脂フィルムに押し当てて、積層した樹脂フィルムを加熱・加圧すると、樹脂フィルム上に形成した導体パターンの位置ずれが発生しやすい。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、多層基板形成用フィルムの所望の面に形成した導体パターンが位置ずれを生ずることなく、加熱・加圧工程により複数枚の樹脂フィルムを一括して接着して多層基板を製造することが可能な多層基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
まず、本発明の課題解決手段を説明する前に、多層基板形成用フィルムの所望の面に形成した導体パターンの位置ずれの発生原因について説明する。
【０００７】
樹脂フィルムが熱可塑性樹脂によって構成される場合、その熱可塑性樹脂のガラス転移点温度以上、望ましくは融点付近まで樹脂フィルムを加熱すれば、熱可塑性樹脂が軟化する。所定の弾性率まで軟化した熱可塑性樹脂に対して、所定の圧力を加えることにより、導体パターンを挟み込みつつ熱可塑性樹脂が相互に密着する。このため、接着剤等を用いることなく樹脂フィルム同士を接着することができる。
【０００８】
しかしながら、積層された樹脂フィルムを加熱・加圧する際に、加熱されて軟化状態となっている樹脂フィルムに大きな圧力が加えられると、加圧方向に対して垂直方向への熱可塑性樹脂の流動量が大きくなり、結果として樹脂フィルム上に形成されている導体パターンが、当初の設計位置からずれてしまう場合がある。このずれ量が大きくなると、多層基板内において、導体パターン同士の層間接続が取れなくなり、回路基板としての用をなさなくなってしまう。
【０００９】
そのため、請求項１に記載の多層基板の製造方法は、熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムの所望の面に導体パターンを形成して、当該導体パターンと樹脂フィルムとが交互に積層される多層基板を形成するための多層基板形成用フィルムを用意する工程と、多層基板形成用フィルムにおいて、多層基板として利用される領域を取り囲むように、多層基板形成用フィルムに複数の貫通孔を形成する工程と、多層基板形成用フィルムの複数の貫通孔内に、多層基板形成時に印加する所定温度よりも低い温度で固化する低温固化材料を充填する工程と、多層基板形成用フィルムを重ねて、多層基板として利用される領域及び低温固化材料が充填された部位に対して熱プレス板によって所定温度に加熱しつつ加圧することにより、多層基板形成用フィルムを相互に接着して多層基板を形成する工程とを備え、多層基板形成用フィルムに形成される複数の貫通孔は、積層される複数の多層基板形成用フィルムにおいて、積層方向に沿って少なくとも一部が重なり合う位置に形成されることにより、当該複数の貫通孔内で固化する低温固化材料が積層方向に沿って実質的に柱状に形成されることを特徴とする。この結果、多層基板を形成する工程において、柱状に形成された低温固化材料が熱プレス板を支持するので、多層基板として利用される領域の熱可塑性樹脂に、熱プレス板から過剰な圧力が印加されることを防止することができる。従って、多層基板形成用フィルムを構成する樹脂の流動量が減少し、多層基板形成用フィルムに形成される導体パターンの位置ずれを防止することができる。
【００１０】
請求項２に記載のように、熱プレス板は、少なくとも低温固化材料が固化される温度から所定温度まで徐々に加熱温度を上昇させることが好ましい。このようにすると、多層基板形成用フィルムを構成する樹脂が軟化して流動しやすくなる前に、低温固化材料を固化させることができるので、過剰な圧力の印加を確実に防止できる。
【００１１】
請求項３に記載のように、多層基板を形成する工程において、熱プレス板の加熱によって達成される所定温度は、熱可塑性樹脂の融点よりも低い温度に設定されることが好ましい。熱プレス板の加熱温度が、熱可塑性樹脂の融点を超えてしまうと、熱可塑性樹脂が液状化し、圧力の印加の有無にかかわらず流動量が過剰になるためである。
【００１２】
請求項４に記載のように、積層した多層基板形成用フィルムに、多層基板として利用される領域を複数箇所設ける場合、複数の貫通孔は、その多層基板として利用される複数箇所の領域全体を取り囲むように形成することができる。このようにすれば、多層基板として利用される複数箇所の領域全体に渡って、過剰な圧力の印加を防止できる。
【００１３】
低温固化材料が充填される貫通孔を多層基板として利用される複数箇所の領域全体を取り囲むように形成した場合、請求項５に記載のように、さらに、複数の貫通孔を多層基板として利用される複数箇所の領域のそれぞれの周りを取り囲むように形成することが好ましい。これにより、多層基板として利用される各領域の周りに柱状の低温固化材料が配置されるので、より確実に過剰な圧力の印加を防止することができる。
【００１４】
請求項６に記載のように、低温固化材料は、金属粒子を含み、当該金属粒子は多層基板形成時に印加する温度よりも低い温度で焼結されて固化することが好ましい。金属粒子が焼結して合金化されると、耐荷重性に非常に優れた材料になるため、支持部として熱プレス板からの圧力を十分に支持することができる。
【００１５】
請求項７に記載のように、樹脂フィルムを介して配置される２層の導体パターンを電気的に接続するために、当該樹脂フィルムにビアホールを形成し、そのビアホール内に金属粒子を含む導電ペーストを充填する工程を備える場合、低温固化材料は、その導電ペーストと同じ材料によって構成されることが好ましい。この場合、ビアホールへの導電ペーストの充填と、複数の貫通孔への低温固化材料の充填を同じ工程で行うことができるので、工程を簡略化することができる。
【００１６】
請求項８に記載のように、隣接する多層基板形成用フィルムに設けられた金属粒子を含む低温固化材料の間に、その低温固化材料が充填された貫通孔の面積よりも大きな面積を有する導体接続パターンを配置し、隣接する多層基板形成用フィルムに設けられた低温固化材料は、導体接続パターンを介して相互に接続されることが好ましい。
【００１７】
多層基板内に、その積層方向に沿って、低温固化材料に含まれる金属粒子を焼結して柱状の低温固化材料、すなわち支持部を形成する場合、各多層基板形成用フィルムに形成した貫通孔の位置がずれていると、熱プレス板からの圧力によって、位置ずれした部分で支持部が座屈したり、隣接する低温固化材料の金属粒子との接合がなされずに、支持部として機能しない場合が生じる。これは、特に貫通孔を小径に形成した場合に生じ易い。
【００１８】
このような場合、上記のように、隣接する多層基板形成用フィルムに設けられた低温固化材料を、貫通孔の面積よりも大きな面積を有する導体接続パターンを介して接続すると効果的である。すなわち、隣接する低温固化材料が位置ずれしていても、大きな面積を有する導体接続パターンへの接続が確保できる程度の位置ずれであれば、隣接する低温固化材料間の接続状態は確保できる。さらに、大きな面積を有する導体パターンが補強材となり、低温固化材料及び導体接続パターンによって構成される支持部が座屈しにくくなる。
【００１９】
請求項９に記載したように、導体接続パターンは、多層基板として利用される領域を取り囲むように枠状に形成されることが好ましい。これによれば、各多層基板形成用フィルムの複数の貫通孔に形成されるすべての低温固化材料が、共通の導体接続パターンに接合されるので、支持部を強固に構成することができる。
【００２０】
請求項１０に記載したように、多層基板として利用される領域を取り囲む位置に低温固化材料を配置しない樹脂フィルムを少なくとも１枚、積層される多層基板形成用フィルムに含ませることが好ましい。このようにすると、低温固化材料を配置しない樹脂フィルムの厚さ分だけ積層された多層基板形成用フィルムが圧縮されるまで、熱プレス板からの圧力及び熱が多層基板形成用フィルム全体に伝達されるので、導体パターンを挟み込んだ状態で、各多層基板形成用フィルムが十分に密着され、接着される。この場合でも、熱プレス板は柱状の低温固化材料に当接した時点で、その低温固化材料によって支持されるので、樹脂の流動量が過剰になることは防止される。
【００２１】
請求項１１に記載のように、熱プレス板は積層された多層基板形成用フィルムの両表面から熱及び圧力を加えるものであり、その多層基板形成用フィルムの両表面には、下層の多層基板形成用フィルム全面を覆うように導体箔が設けられることが好ましい。積層された多層基板形成用フィルムの両表面を導体箔で覆うように構成すると、多層基板形成用フィルムを構成する樹脂が軟化した場合でも、熱プレス板との接着を確実に防止することができる。この導体箔は、各多層基板形成用フィルムを相互に接着した後に、エッチング等によりパターン加工され、
外部素子との接続用電極、もしくは接続用電極と配線が形成される。
【００２２】
特に、請求項１０のように、積層された多層基板形成用フィルムの両表面に導体箔を形成する際には、請求項１１記載のように、低温固化材料を配置しない樹脂フィルムを多層基板形成用フィルムに含ませることが、多層基板形成用フィルム全体に圧力を印加する上で効果的である。つまり、低温固化材料を配置しない樹脂フィルムの厚さ分だけ積層された多層基板形成用フィルムが圧縮されるので、導体箔に多少のそりや凹凸等があっても、フィルムの各部にほぼ均一に圧力を作用することができる。
【００２３】
請求項１２に記載のように、積層された多層基板形成用フィルムを熱プレス板によって加熱及び加圧する際に、熱プレス板から多層基板形成用フィルム各部に印加される圧力差を減少するために、熱プレス板と多層基板形成用フィルムとの間に緩衝材を介在させることもできる。このように、緩衝材を介在させて熱プレス板によって加熱・加圧を行うことにより、多層基板形成用フィルムの各部に印加される圧力差が減少するので、局部的な樹脂の流動を抑制でき、これによって導体パターンの位置ずれをより確実に防止できる。
【００２４】
請求項１３に記載のように、緩衝材は、熱プレス板と多層基板形成用フィルムとの間で部分的に収縮変形可能なものであり、それによって熱プレス板から多層基板形成用フィルムの各部に略均一に圧力を伝達するものであることが望ましい。これにより、多層基板形成用フィルムの表面に凹凸があったり、内部に圧縮方向への抵抗力が大きな部位があっても、緩衝材はその凹凸や抵抗力の大小に応じて部分的に収縮変形するので、多層基板形容用フィルムの各部に略均一な圧力を伝達することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における多層基板の製造工程を概略的に示す工程別断面図である。
【００２７】
図１（ａ）において、２１は、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム２３の片面に貼着された導体箔（本例では厚さ１８μｍの銅箔）をエッチングによりパターニングした導体パターン２２を有する多層基板形成用フィルムである。本例では、樹脂フィルム２３としてポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる厚さ４０〜７５μｍの樹脂フィルムを用いている。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、導体パターン２２の形成が完了すると、次に、図１（ｂ）に示すように、樹脂フィルム２３側から炭酸ガスレーザを照射して、導体パターン２２を底面とする有底ビアホールであるビアホール２４を形成する。ビアホール２４の形成では、炭酸ガスレーザの出力と照射時間等を調整することで、導体パターン２２に穴を開けないようにしている。
【００２９】
ビアホール２４の形成には、炭酸ガスレーザ以外にエキシマレーザ等が使用可能である。レーザ以外のドリル加工等のビアホール形成方法も可能であるが、レーザビームで穴あけ加工すると、微細な径で穴あけでき、導体パターン２２にダメージを与えることが少ないため好ましい。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、ビアホール２４の形成が完了すると、次に、図１（ｃ）に示すように、ビアホール２４内に層間接続材料である導電ペースト５０を充填する。導電ペースト５０は、銀及びスズの金属粒子に有機溶剤を加え、これを混練しペースト化したものである。
【００３１】
導電ペースト５０は、メタルマスクを用いたスクリーン印刷機により、片面導体パターンフィルム２１の導体パターン２２側を下側としてビアホール２４内に印刷充填される。また、ビアホール２４内への導電ペースト５０の充填は、本例ではスクリーン印刷機を用いたが、確実に充填ができるのであれば、ディスペンサ等を用いる他の方法を採用しても良い。
【００３２】
ビアホール２４内への導電ペースト５０の充填が完了すると、図１（ｄ）に示すように、多層基板形成用フィルム２１を複数枚（図示した例では８枚）積層する。このとき、下方側の４枚の多層基板形成用フィルム２１は、導体パターン２２が設けられた側を下側として、上方側の４枚の多層基板形成用フィルム２１は導体パターン２２が設けられた側を上側として積層する。
【００３３】
すなわち、中央の２枚の多層基板形成用フィルム２１を導体パターン２２が形成されていない面同士を向かい合わせて積層し、その両面に、導体パターン２２が形成された面と導体パターン２２が形成されていない面とが向かい合うようにして、上方側及び下方側にそれぞれ３枚の多層基板形成用フィルム２１を積層する。
【００３４】
上述のように、本実施形態では、片面にのみ導体パターン２２を形成した多層基板形成用フィルム２１を用いて多層基板を構成する。このため、樹脂フィルム２３の片面にのみ導体パターン２２を形成したフィルム２１を製造する工程、設備のみによってすべての多層基板形成用フィルム２１を形成することができるので、製造設備の簡素化、製造コストの低減に効果がある。
【００３５】
また、本実施形態では、中央の２枚の多層基板形成用フィルム２１を導体パターン２２が形成されていない面同士が向かい合うように積層し、残りの多層基板形成用フィルム２１は、導体パターン２２が形成された面と導体パターン２２が形成されていない面とが向かい合うように積層される。このため、片面にのみ導体パターンが形成された多層基板形成用フィルム２１を用いながら、多層基板の両表面において導体パターン２２による電極３２，３７が形成できる。これにより、多層基板両面において、電子部品や外部回路と接続することができるので、高密度実装あるいは多層基板の小型化を図ることができる。
【００３６】
なお、最表面に位置する多層基板形成用フィルム２１に関しては、そのフィルム２１上に形成される導体パターン２２が、実装される電子部品等との接続に利用される電極３２，３７のみからなるように形成されることが好ましい。この場合、電極３２，３７のみからなる導体パターン２２に対する配線は、導電ペースト５０を介して多層基板の内部に形成される導体パターン２２によって行われる。このようにすると、電極３２，３７に対してはんだ付け等を行う場合にもレジスト膜を形成する必要がなくなるため、多層基板の構成を簡素化できる。
【００３７】
図１（ｄ）に示すように多層基板形成用フィルム２１を積層したら、これらの上下両面から後述する真空加熱プレス機により加熱しながら加圧する。
【００３８】
この加熱・加圧工程により、図１（ｅ）に示すように、各多層基板形成用フィルム２１が相互に接着される。つまり、樹脂フィルム２３が熱融着して一体化するとともに、ビアホール２４内の導電ペースト５０により隣接する導体パターン２２の層間接続が行なわれ、両面に電極３２、３７を備え、かつ内部に必要な配線が施された多層基板１００が得られる。
【００３９】
次に本実施形態における、多層基板形成用フィルム２１の詳細な構成について説明する。
【００４０】
図２は、積層する多層基板形成用フィルム２１の上面図である。図２に示されるように、多層基板形成用フィルム２１には、多層基板として利用される領域（多層基板形成領域）２６が複数箇所（図示の例では２５箇所）設けられている。これら複数の多層基板形成領域２６の周囲を取り囲むように、周辺部３０に四角枠状の導体パターン２５及び複数の貫通孔２７が設けられる。貫通孔２７内には、低温固化材料として、上述した導電ペースト５０が、ビアホール２４内への充填工程を行う際に同様に充填される。なお、四角枠状の導体パターン２５は、多層基板形成用フィルム２１に設けられた複数の貫通孔２７の一方の開口を塞ぐように、樹脂フィルム２３上に配置されている。
【００４１】
図３は、複数の多層基板形成領域２６の周辺部３０の断面図を示す。図３に示すように、積層される多層基板形成用フィルム２１の全層おいて、同じ位置に貫通孔２７が設けられるとともに、それら貫通孔２７内に導電ペースト５０が充填されている。また、各多層基板形成用フィルム２１には、図２に示した四角枠状の導体パターン２５が形成されている。
【００４２】
また、図５は、図２における多層基板形成領域２６を拡大して示した拡大図である。図５に示すように、多層基板形成領域２６の表面には電子素子を実装し、電気的接続を取るための電極３２が複数形成されている。これらの電極３２に対する配線は、下層の導体パターン２２及び導電ペースト５０による層間接続を用いて行われる。さらに、多層基板形成領域２６の外周部には四角枠状の導体パターン３４が形成されており、この四角枠状の導体パターン３４が一方の開口部を塞ぐ位置に複数の貫通孔３５が形成されている。これらの貫通孔３５内にも、導電ペースト５０が充填されている。
【００４３】
図６は、多層基板形成用フィルム２１が積層された状態における多層基板形成領域２６の断面図を示す。図６に示すように、複数の多層基板形成領域２６の周囲に形成される貫通孔２７と同様に、積層される多層基板形成用フィルム２１全層おいて、同じ位置に貫通孔３５が設けられる。それら各貫通孔３５内には導電ペースト５０が充填される。そして、各多層基板形成用フィルム２１には、図５に示した四角枠状の導体パターン３４がそれぞれ形成されている。
【００４４】
なお、複数の多層基板形成領域２６の周囲に形成される貫通孔２７は、例えば、その径が１．５ｍｍで１５ｍｍ間隔で設けられるのに対し、各多層基板形成領域２６の周囲に形成される貫通孔３５は、その径が０．１ｍｍで１ｍｍ間隔で設けられる。すなわち、各多層基板形成領域２６の周囲に設けられる貫通孔３５の径及びその間隔は、複数の多層基板形成領域２６の周囲に形成される貫通孔２７の径及び間隔よりも小さく設定されている。
【００４５】
積層した多層基板形成用フィルム２１を加熱及び加圧する際、多層基板形成領域２６のみでなく、上記のように構成された周辺部３０に対しても同様に、加熱及び加圧が行われる。この加熱及び加圧により、図４及び図７に示すように、複数の多層基板形成領域２６の周囲の貫通孔２７及び各多層基板形成領域の周囲の貫通孔３５に配設された導電ペースト５０が焼結して固化される。この結果、複数の多層基板形成領域２６の周辺部３０においては、焼結された導電ペースト５０と四角枠状の導体パターン２５とによって支持部６０が形成され、各多層基板形成領域の周囲においては、導電ペースト５０と四角枠状の導体パターン３４とによって支持部７０が形成される。
【００４６】
以下、この支持部６０、７０の形成方法及びその作用について詳しく説明する。
【００４７】
導電ペースト５０は、それぞれ平均粒径が０．１〜２０μｍの範囲の錫粒子と銀粒子とを、錫の含有率が２０〜８０重量％になるように調合し、有機溶剤（例えばテルピネオール）を加えて混練し、ペースト化したものである。この導電ペースト５０が、貫通孔２７、３５に充填された後に乾燥される。導電ペースト５０の乾燥は、加熱・加圧工程時に有機溶剤によるガスの発生を防止するために行われるものである。
【００４８】
加熱・加圧工程は、図８に示す真空加熱プレス機によって行われる。図８において、８０ａ，８０ｂは一対の熱プレス板であり、減圧された雰囲気内で多層基板形成用フィルム２１の積層体９０を両側から挟むように配置される。この一対の熱プレス板８０ａ，８０ｂは、内部にヒータを埋設して、そのヒータによって加熱したり、内部に作動油の流通経路を設け、その流通経路内に加熱された作動油を流すことにより加熱される。
【００４９】
８１ａ，８１ｂは、ポリイミドからなる樹脂シートである。この樹脂シート８１ａ，８１ｂは、多層基板形成用フィルム２１を構成する熱可塑性樹脂が加熱されて軟化しても、ポリイミドの溶融温度はその加熱温度よりも高く、また温度上昇に伴う弾性率の低下も小さいため、その熱可塑性樹脂と非接着性との性質を有する。さらに、このポリイミド樹脂シートの厚さが１００μｍ以下であり、非常に薄いため多層基板形成用フィルム２１の表面凹凸に合わせて撓むことができる。
【００５０】
この樹脂シート８１ａ，８１ｂを、熱プレス板８０ａ，８０ｂと積層された多層基板形成用フィルム２１の積層体９０との間に設けることにより、両者が接着されることを防止できる。なお、樹脂シート１４ａ，１４ｂとしては、テフロン（登録商標）等の高耐熱性樹脂も使用できるが、ポリイミドは引っ張り強度が強く、多層基板形成用フィルム２１から引き離す際にも破れにくいため、繰り返し使用することができ好ましい。
【００５１】
図示しないプレス機により熱プレス板８０ａ，８０ｂを介して多層基板形成用フィルム２１の積層体９０に加えられる圧力は０．５〜１０ＭＰａの範囲の値であり、熱プレス板８０ａ，８０ｂの発熱温度は、加熱・加圧工程中において２００℃から３５０℃まで上昇される。さらに、加熱・加圧時間は、１０〜４０分程度に設定される。
【００５２】
上述した導電ペースト５０が、熱プレス板によって２００℃から３５０℃まで加熱されると、錫粒子の融点は２３２℃であるため、錫粒子は加熱温度がその融点を超えた時点で融解し始める。一方、銀粒子の融点は９６１℃であるため、融解することなく、その状態を維持する。このため、融解した錫は、銀粒子の外周を覆うように、銀粒子に付着する。この状態で、加熱温度が上昇しつつ、加熱が継続されると、融解した錫は、銀粒子の表面から内部へ拡散していく。この錫が拡散した部分は銀と錫の合金（融点４８０℃）となる。
【００５３】
このとき、導電ペースト５０には０．５〜１０ＭＰａの圧力が加えられているため、貫通孔２７，３５内に充填されたすべての錫粒子と銀粒子とが一体化して合金となる。すなわち、貫通孔２７，３５内の金属粒子全体が焼結され、固化する。
【００５４】
さらに、導電ペースト５０が焼結される時に圧力が加えられていることにより、導電ペースト５０は貫通孔２７，３５の開口部に面する四角枠状の導体パターン２５、３４に圧接される。これにより、合金の錫成分と導体パターン２５，３４を構成する銅箔の銅成分とが相互に固相拡散し、錫と銀の合金と銅箔からなる導体パターン２５，３４とが金属結合する。
【００５５】
このように、導電ペースト５０が焼結により合金となり、かつ、当該合金化された導電ペースト５０が導体パターン２５，３４と接合されるため、多層基板１００の積層方向に沿って、導電ペースト５０と導体パターン２５，３４とが強固に接続された、実質的に柱状の支持部６０、７０が形成される。
【００５６】
導電ペースト５０を錫粒子と銀粒子とから構成した場合、加熱・加圧工程中において熱プレス板８０ａ，８０ｂからの加熱温度が約２５０℃程度で、上記の支持部６０，７０の形成が完了する。
【００５７】
これら支持部６０，７０の形成の完了後も、加熱・加圧工程において、熱プレス板８０ａ，８０ｂは、さらにその加熱温度を上昇させつつ、多層基板形成用フィルム２１の積層体９０を圧縮する方向に圧力を印加し続ける。
【００５８】
ここで、樹脂フィルム２３は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなり、そのガラス転移点温度は約２２０℃、及び融点は約３５０℃である。従って、熱プレス板８０ａ，８０ｂの加熱温度が２２０℃を超えた時点で、樹脂フィルム２３は軟化し始め、特に、その加熱温度が３００℃以上となると、樹脂フィルム２３の軟化状態が顕著となる。このとき、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力が、直接、樹脂フィルム２３に作用すると、圧力の印加方向と垂直な方向へ樹脂が流動し、その樹脂フィルム２３上に形成された導体パターン２２の位置ずれが生じる。
【００５９】
しかしながら、本実施形態においては、上述したように、複数箇所の多層基板形成領域２６全体を取り囲むように支持部６０を形成し、さらに各多層基板形成領域２６の周囲を取り囲むように支持部７０を形成しているため、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力が、それらの支持部６０，７０によって支持される。従って、特に樹脂フィルム２３の軟化状態が顕著となる温度領域において、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力が、直接、多層基板形成領域２６における樹脂フィルム２３に印加することを防止することができる。このため、熱可塑性樹脂の流動量が過大となることを防止し、曳いては、樹脂フィルム２３上に形成した導体パターン２２の過剰な位置ずれを防止することが可能になる。
【００６０】
なお、熱プレス板８０ａ，８０ｂが支持部６０，７０に支持されている状態でも、加熱温度が上昇するにつれて樹脂の膨張量が大きくなるため、各樹脂フィルム２３が多層基板１００の積層方向に向かって膨張することにより、軟化状態の各樹脂フィルム２３の界面が相互に溶着される。さらに、各貫通孔２７，３５に充填される金属粒子は、焼結により一体化する際に収縮する。この収縮時にも、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力が作用しており、このときの加熱温度は熱可塑性樹脂のガラス転移点温度を超えているため、導体パターン２５，３４が各樹脂フィルム２３に埋め込まれて導電ペースト５０の高さが圧縮され、この圧縮分だけ、積層された多層基板形成用フィルム２１を構成する樹脂フィルム２３の間隔が短くなる。これにより、樹脂フィルム２３の膨張時に、隣接する樹脂フィルム２３と溶着され易くなる。
【００６１】
上述したように、熱プレス板８０ａ，８０ｂの加熱温度は、導電ペースト５０が焼結される温度（２５０℃）よりも低い温度（２００℃）から熱可塑性樹脂の溶融温度（３５０℃）まで徐々に上昇される。このようにすると、多層基板形成用フィルム２１を構成する熱可塑性樹脂の軟化状態が特に顕著となり、流動しやすくなる前に、導電ペースト５０の焼結を完了することができる。従って、熱プレス板８０ａ，８０ｂから積層された多層基板形成用フィルム２１の樹脂フィルム２３へ過剰な圧力が印加されることを確実に防止できる。
【００６２】
また、熱プレス板８０ａ，８０ｂによる加熱温度は、熱可塑性樹脂の融点を超えないように調節しているため、これによっても導体パターン２２の位置ずれを防止できる。熱プレス板８０ａ，８０ｂの加熱温度が、熱可塑性樹脂の融点を超えてしまうと、熱可塑性樹脂が液状化し、圧力の印加の有無にかかわらず流動量が過剰になり、導体パターン２２が位置ずれする可能性が生ずるためである。
【００６３】
なお、上述した実施形態においては、支持部６０，７０を構成するための低温固化材料として、多層基板１００において層間接続を行うための導電ペースト５０を利用したが、必ずしも導電ペースト５０を利用する必要はない。例えば、多層基板形成用フィルム２１の熱可塑性樹脂の軟化状態が顕著となる温度に達する前に固化され、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力を支持することができる限り、熱硬化性樹脂等を低温固化材料として用いても良い。
【００６４】
また、上述した実施形態では、導電ペースト５０を錫粒子と銀粒子を含む金属粒子から構成したが、層間接続材料として、あるいは低温固化材料としての導電ペースト５０は種々変形して構成することができる。
【００６５】
例えば、錫粒子は、多層基板形成用フィルム２１の熱可塑性樹脂の軟化状態が顕著となる温度領域以下の温度において、銀粒子と合金を形成しつつ、導体パターンを構成する銅箔と相互に拡散するものであったが、同様の作用を奏する限り、他の金属粒子と置換することができる。他の金属粒子の例としては、例えばインジウム（融点１６０℃）等が挙げられる。このような低融点金属粒子は、単独で用いても良いし、適宜混合して用いても良い。
【００６６】
また、銀粒子は、上記熱可塑性樹脂の軟化状態が顕著となる温度領域においても溶融せず、低融点金属粒子である錫粒子と合金を形成するものであったが、この銀粒子も他の金属と置換することが可能である。他の金属粒子の例としては、銅（融点１０８３℃）、金（融点１０６３℃）、白金（融点１７６９℃）、パラジウム（融点１５５２℃）、ニッケル（融点１４５３℃）、亜鉛（４１９℃）等がある。これらの高融点金属に関しても、それぞれ単独で用いても良いし、適宜混合して用いても良い。
【００６７】
さらに、上記の低融点金属と高融点金属とを予め合金化し、その合金の粒子を層間接続材料、あるいは低温固化材料として用いても良い。
【００６８】
また、上述の実施形態では、導電ペースト５０と四角枠状の導体パターン２５，３４とを交互に積層することによって、実質的に柱状の支持部６０、７０を形成した。しかしながら、四角枠状の導体パターン２５，３４は必ずしも設ける必要はなく、各多層基板形成用フィルム２１の貫通孔２７、３５に配設された導電ペースト５０同士を直接接合して、支持部を形成しても良い。
【００６９】
ただし、導電ペースト５０同士を直接接合する場合、各多層基板形成用フィルム２１に形成した貫通孔２７，３５の位置がずれたりした場合や、貫通孔の径が小さい場合、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力によって、焼結した導電ペースト５０が座屈したり、隣接する導電ペースト５０との接合がなされずに、支持部材として機能しない場合が生じる。
【００７０】
これに対し、接合する導電ペースト５０の間に、その導電ペースト５０が設けられる貫通孔２７，３５の径よりも大きな面積を有する導体パターン２５，３４を介在させると、各多層基板形成用フィルム２１に形成される貫通孔２７，３５の位置が多少ずれても、確実に導電ペースト５０同士が接続され、かつ、大きな面積を有する導体パターン２５，３４が補強材となり、導電ペースト５０及び導体パターン２５，３４によって構成される支持部６０，７０が座屈しにくくなるとの利点がある。
【００７１】
なお、四角枠状の導体パターン２５，３４を設けずに、導電ペースト５０同士を直接接合して支持部を構成する場合はもちろんのこと、四角枠状の導体パターン２５，３４を設ける場合であっても、各多層基板形成用フィルム２１に配置される導電ペースト５０の少なくとも一部が重なる位置に貫通孔２７，３５を形成する必要がある。その理由は以下の通りである。
【００７２】
四角枠状の導体パターン２５，３４は、その厚さが非常に薄い（１８μｍ）。従って、導体パターン２５，３４の両面にそれぞれ接続される導電ペースト５０の位置が、多層基板１００の積層方向に沿って全く重なる部分を持たない場合、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力の印加により導体パターン２５，３４にはせん断方向の力が作用する。このため、四角枠状の導体パターン２５，３４は容易に破壊され、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力に耐えることができないのである。
【００７３】
上記の実施形態において説明したように、導電ペースト５０を充填する貫通孔２７，３５は、各多層基板形成用フィルム２１において全く同じ位置に形成されることが最も望ましいのである。この場合には、焼結された導電ペースト５０の全てが同軸状に形成されるので、熱プレス８０ａ，８０ｂからの圧力によって四角枠状の導体パターン２５，３４には、単に圧縮方向の力が作用するのみである。導体ペースト５０が焼結されて合金化されると、その耐荷重は非常に優れたものとなり、また非常に薄い導体パターン２５，３４であっても、圧縮方向の力に対しては十分な耐性を示す。この結果、焼結した導電ペースト５０と四角枠状の導体パターン２５，３４から構成される支持部６０，７０が、十分に熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力を支持することができる。
【００７４】
上述の実施形態では、導体パターン２５，３４は、多層基板形成領域２６の周囲を取り囲む四角枠状に形成されたが、円形枠等他の形状であっても良い。また、四角枠全体を一続きの導体パターンによって構成する必要はなく、いくつかの部分に分割し、全体として四角枠となるように構成しても良い。
【００７５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について、図９に基づいて説明する。
【００７６】
図９は、多層基板形成用フィルム２１を積層した状態における、多層基板形成領域２６を示す断面図である。本実施形態の説明において、前述の第１の実施形態と同様の構成については、同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【００７７】
第２の実施形態と第１の実施形態との第１の相違点は、第２の実施形態においては、積層される多層基板形成用フィルムとして、多層基板形成領域２６の周囲に貫通孔３５が形成されず、導電ペースト５０が配置されないフィルム１２１を１枚用いることである。さらに、第２の相違点は、多層基板形成用フィルム２１，１２１を積層して多層基板を形成する際、多層基板の両表面に位置することになる導体パターンを、予め所望のパターンにエッチング加工せずに、導体箔１２２ａ，１２２ｂのままにしていることである。
【００７８】
以下、これらの構成上の相違点に基づく、第２の実施形態特有の作用効果について説明する。
【００７９】
まず、多層基板の両表面に位置することになる導体パターンは、導体箔１２２ａ，１２２ｂとして、その下地となる樹脂フィルム２３，１２３の全面を覆うように設けられている。このように、積層された多層基板形成用フィルム２１，１２１の両表面を導体箔１２２ａ，１２２ｂで覆うように構成すると、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの熱によって多層基板形成用フィルム２１，１２１を構成する熱可塑性樹脂が軟化した場合でも、熱プレス板８０ａ，８０ｂとの接着を防止することができる。従って、図８において説明したポリイミドフィルム８１ａ，８１ｂを省略することも可能である。
【００８０】
さらに、積層された状態の多層基板形成用フィルム２１，１２１の両面が、所定の強度を有する導体箔１２２ａ，１２２ｂによって覆われていると、基板の取扱が容易になるとの利点もある。
【００８１】
なお、この導体箔１２２ａ，１２２ｂは、各多層基板形成用フィルム２１，１２１を相互に接着した後に、エッチング等によりパターン加工され、外部電子素子との接続用電極、もしくは接続用電極と配線が形成される。
【００８２】
次に、本実施形態では、層間接続用のビアホール２４への導電ペースト５０の充填は行うが、多層基板形成領域２６の周囲を取り囲む位置に導電ペースト５０を配置していないフィルム１２１を用意し、これを第１の実施形態において説明した構成を有する多層基板形成用フィルム２１に加えて積層する。なお、図示していないが、複数の多層基板形成領域２６を取り囲む周辺部３０においても、このフィルム１２１には導電ペースト５０は配置されない。
【００８３】
このようにすると、多層基板形成用フィルム１２１には、支持部６０，７０を形成する位置に導電ペースト５０が配置されていないので、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの加圧力が、この多層基板形成用フィルム１２１の樹脂フィルム１２３に直接作用する。そして、樹脂フィルム１２３の厚さ分だけ、積層された多層基板形成用フィルム２１，１２１の樹脂フィルム２３，１２３が圧縮されるまで、熱プレス板８０ａ，８０ｂが支持部６０，７０に当接することなく、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力及び熱が樹脂フィルム２３，１２３全体に伝達される。このため、各樹脂フィルム２３，１２３は、それらの上に形成された導体パターン２２を挟み込んだ状態で、相互に十分に密着され、接着される。
【００８４】
すなわち、支持部６０，７０を形成すべき位置に導電ペースト５０を配置していない多層基板形成用フィルム１２１を用いることにより、多層基板を構成するための各樹脂フィルム２３，１２３を十分に密着させることができるので、各樹脂層の接着強度を向上することができる。
【００８５】
そして、熱プレス板８０ａ，８０ｂの圧力により、樹脂フィルム１２３の厚さ分だけ、樹脂フィルム２３，１２３が圧縮変形されると、熱プレス板８０ａ，８０ｂは柱状の支持部６０，７０に当接して支持されるので、樹脂フィルム２３，１２３の流動量が過剰になることは防止される。
【００８６】
特に、積層された多層基板形成用フィルム２１，１２１の両表面に導体箔１２２ａ，１２２ｂを設ける場合には、支持部６０，７０を形成すべき位置に導電ペースト５０を配置しない多層基板形成用フィルム１２１を用いることが有効である。その理由は、熱プレス板８０ａ，８０ｂによる加熱・加圧工程時に、多層基板形成用フィルム１２１の樹脂フィルム１２３の厚さ分だけ、積層された多層基板形成用フィルム２１，１２１の樹脂フィルム２３，１２３が圧縮変形されるので、導体箔１２２ａに多少のそりや凹凸等があっても、樹脂フィルム２３，１２３の各部にほぼ均一に圧力を作用することができるためである。
【００８７】
なお、本実施形態においては、支持部６０，７０を形成すべき位置に導電ペースト５０を配置しない多層基板形成用フィルム１２１を多層基板の一表面側に積層したが、その積層位置は、特に限定されるものではない。
【００８８】
また、積層される多層基板形成用フィルム２１の枚数や用いられる導体パターンの厚さに応じて、追加的に積層される多層基板形成用フィルム１２１の枚数や厚さを調節すれば、熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力により積層される樹脂フィルム２３，１２３を確実に密着させ、その接着強度を向上することができる。
【００８９】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について、図１０に基づいて説明する。
【００９０】
図１０は、多層基板形成用フィルム２１を積層した状態における、多層基板形成領域２６を示す断面図である。本実施形態の説明において、前述の第１及び第２の実施形態と同様の構成については、同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【００９１】
第３の実施形態における特徴は、多層基板形成用フィルム２１の積層方向にある。
【００９２】
第１及の実施形態においては、中央の２枚の多層基板形成用フィルム２１を導体パターン２２が形成されていない面同士を向かい合わせて積層し、その両面に、導体パターン２２が形成された面と導体パターン２２が形成されていない面とが向かい合うようにして、上方側及び下方側にそれぞれ所定枚数の多層基板形成用フィルム２１を積層した。
【００９３】
これに対し、第３の実施形態においては、多層基板形成用フィルム２１を全て同じ向きに積層するとともに、図１０において最下層に位置する多層基板形成用フィルム２１の導体パターンを導体箔１２２ｂとし、かつ導体箔１２２ｂが設けられた表面と反対側表面に導体箔１２２ａを積層する。
【００９４】
このように多層基板形成用フィルム２１及び導体箔１２２ａを積層した状態で熱プレス板８０ａ，８０ｂによって加熱・加圧工程を行う。この加熱・加圧工程によって、多層基板形成用フィルム２１の各樹脂フィルム２３を接着した後、多層基板の両表面に設けられた導体箔１２２ａ，１２２ｂがパターン加工される。
【００９５】
このようにすれば、多層基板形成用フィルム２１の積層方向を全て同一方向としながら、多層基板の両表面において電極等を形成することができる。
【００９６】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について、図１１に基づいて説明する。
【００９７】
第４の実施形態では、熱プレス板８０ａ，８０ｂによる加熱・加圧工程行う際に、熱プレス板８０ａ，８０ｂと多層基板形成用フィルム２１の積層耐９０との間にそれぞれ緩衝材８２ａ，８２ｂを設けることを特徴とするものである。
【００９８】
この緩衝材８２ａ，８２ｂとして、例えば、ステンレス等の金属を繊維状に裁断し、その繊維状金属を板状に成型したもの、一般的には石綿と呼ばれるものを使用可能である。上述したように、熱プレス板８０ａ，８０ｂを介して多層基板形成用フィルム２１の積層体９０に加えられる圧力は０．５〜１０ＭＰａの範囲の値であり、熱プレス板８０ａ，８０ｂの加熱温度は、２００℃から３５０℃まで上昇される。このような高温・高圧に晒されながら、繰り返し使用するためには、上述したような繊維状金属を板状に成型したものが最も適している。ただし、上記の高温・高圧に耐えられる限り、ゴムシートや樹脂シート、ガラス繊維や樹脂繊維を板状に成形したものなど緩衝材として機能するものであれば、使用することが可能である。
【００９９】
緩衝材８２ａ，８２ｂを設けることにより、積層された多層基板形成用フィルム２１の表面に凹凸があったり、支持部６０、７０の形成が完了した後であっても、緩衝材８２ａ，８２ｂが基板表面に現れる凹凸に応じて圧縮変形するため、熱プレス板８０ａ，８０ｂから印加される圧力に関して、各樹脂フィルム２３の各部で過大な圧力差が生じることを防止できる。
【０１００】
この結果、積層された各多層基板形成用フィルム２１において、局部的に大きな圧力が印加されて、樹脂フィルム２３を構成する熱可塑性樹脂の一部のみが流動することが防止できるとともに、支持部６０、７０によって熱プレス板８０ａ，８０ｂが支持された後も、緩衝材８２ａ，８２ｂを介して、多層基板形成領域の樹脂フィルム２３に圧力を加えることができる。これにより、積層された多層基板形成用フィルム２１の樹脂フィルム２３全体が圧力を受けてほぼ同時に変形するため、各樹脂フィルム２３上に形成された導体パターン２２の位置ずれを防止できるとともに、各樹脂フィルム２３を相互に十分に密着させて、接着強度を確保できる。
【０１０１】
この緩衝材８２ａ，８２ｂの使用は、多層基板表面の導体パターンが予めパターニングされた場合のみ有効となるのではなく、第２の実施形態や第３の実施形態のように、多層基板の両表面に導体箔１２２ａ，１２２ｂを設けた場合にも効果がある。
【０１０２】
多層基板の両面に導体箔１２２ａ，１２２ｂが貼着されていると、その表面は平坦となる。しかしながら、表面が平坦であっても、多層基板の内層の多層基板形成用フィルム２１上の凹凸状の導体パターン２２や支持部６０，７０の形成によって、積層された多層基板形成用フィルム２１を圧縮する方向の抵抗力が部位によって異なる場合がある。そのような場合、加熱・加圧工程において、抵抗力の高い部位に集中して圧力が加えられることになる。
【０１０３】
このため、熱プレス板８０ａ，８０ｂと積層体９０との間に緩衝材８２ａ，８２ｂを設けて、加熱・加圧工程を行うことにより、積層された多層基板形成用フィルム２１の内層に圧縮方向に対する抵抗力が大きな部位がっても、その部位に対応した部分の緩衝材８２ａ，８２ｂが収縮変形し、かつ抵抗力が小さい部位では、緩衝材８２ａ，８２ｂがそれほど収縮することなく導体箔１２２ａ，１２２ｂを押圧できる。なお、このとき、導体箔１２２ａ，１２２ｂは非常に薄く形成されており、かつ熱が加えられているので、上述の抵抗力の大小に応じて容易に変形する。
【０１０４】
（他の実施形態）
上述の各実施形態では、複数箇所の多層基板形成領域２６を取り囲む周辺部３０及び各多層基板形成領域２６の周囲に熱プレス板８０ａ，８０ｂからの圧力を支持する支持部６０，７０を形成したが、どちらか一方をのみを形成するようにしても良い。
【０１０５】
また、各多層基板形成領域２６の周囲に形成される支持部７０は、多層基板として製品となるべき領域の外側に形成しておき、多層基板の形成工程後に、製品部から切り離しても良い。
【０１０６】
また、上記各実施形態において、樹脂フィルム２３としてポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる樹脂フィルムを用いたが、これに限らず、ポリエーテルエーテルケトン樹脂とポリエーテルイミド樹脂にフィラを充填したフィルムであってもよいし、ポリエーテルエーテルケトンもしくはポリエーテルイミドを単独で使用することも可能である。
【０１０７】
さらに樹脂フィルムとして、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）や熱可塑性ポリイミド、または所謂液晶ポリマー等を用いてもよい。あるいは、ポリイミドフィルムにＰＥＥＫ、ＰＥＩ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、ＰＥＳ、熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマーの少なくともいずれかの熱可塑性樹脂からなる層を積層した構造のものを使用してもよい。加熱プレスにより接着が可能であり、後に多層基板に対して実行される半田付け工程等で必要な耐熱性を有する樹脂フィルムであれば好適に用いることができる。
【０１０８】
また、例えば第１実施形態では、多層基板を８層の多層基板形成用フィルム２１によって形成したが、層数が限定されるものではないことは言うまでもない。
【０１０９】
さらに、上記各実施形態では、片面にのみ導体パターンを形成した多層基板形成用フィルム２１から多層基板を形成する例について説明したが、両面に導体パターンを形成したフィルムを用いて多層基板を構成しても良い。たとえば、複数の両面導体パターンフィルムを用意し、それらを、層間接続材料がビアホールに充填された絶縁フィルムを介して積層しても良いし、１枚の両面導体パターンフィルムの両面にそれぞれ片面導体パターンフィルムを積層しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の多層基板の概略の製造工程を示す工程別断面図である。
【図２】多層基板形成用フィルムの構成を示す平面図である。
【図３】多層基板形成用フィルムの周辺部の断面を示す断面図である。
【図４】多層基板形成用フィルムの周辺部に形成される支持部を示す断面図である。。
【図５】多層基板形成用フィルムにおいて、多層基板形成領域を拡大して示す拡大図である。
【図６】多層基板形成領域の断面を示す断面図である。
【図７】多層基板形成領域の周囲に形成される支持部を示す断面図である。
【図８】熱プレス板による加熱・加圧工程を説明するための説明図である
【図９】第２実施形態における、多層基板形成用フィルムの積層状態を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態における、多層基板形成用フィルムの積層状態を示す断面図である。
【図１１】第４実施形態における、熱プレス板による加熱・加圧工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
２１  多層基板形成用フィルム
２２、２５、３４  導体パターン
２３  樹脂フィルム
２４  ビアホール
２７、３５  貫通孔
３２、３７  電極
５０  導電ペースト
６０、７０  支持部
８０ａ、８０ｂ  熱プレス板
【図１】
0003855774.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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