(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持台と、
前記基板に接続して上部が開放された処理液槽を形成し、かつ上方に向かって広がる空間を形成すると共に、該基板面の垂直方向に対して傾斜する内壁面を有する枠体と、
前記処理液を前記処理液槽内に注入する処理液注入手段と、
前記処理液を前記処理液槽内から排出する処理液排出手段と、
前記枠体と脱着可能に接続する蓋体であって、該枠体との接続時に前記基板に光を照射する光源を有する蓋体と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記基板の周縁近傍に対応する光源に供給する電力を前記基板の中央近傍に対応する光源に供給する電力より大きくすることで、前記光源から前記基板に照射される光量を均一化する均一化手段をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】
前記処理液注入手段が、前記枠体の内壁面に開口する処理液注入口を有する
ことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項４】
前記処理液注入手段が、前記処理液注入口から前記処理液槽の底面に向かうように、前記枠体の内壁面上に形成された処理液注入用溝を有する
ことを特徴とする請求項３記載の液処理装置。
【請求項５】
前記処理液注入用溝が分岐を有する
ことを特徴とする請求項４記載の液処理装置。
【請求項６】
前記処理液排出手段が、前記枠体の内壁面上に開口する処理液排出口を有する
ことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項７】
前記処理液排出手段が、移動可能な処理液排出管を有する
ことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項８】
前記処理液槽を傾斜する傾斜手段
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項９】
前記液処理装置が、前記基板と電気的に接続するための第１の電極をさらに具備し、
前記蓋体が、第２の電極を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液処理を行う液処理装置、および液処理方法、特に光を照射しながら液処理を行う液処理装置、および液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に、光の照射を行いながら液処理を施すことがある。
例えば陽極化成処理では、多結晶シリコン層が形成された基板を処理液に浸漬し光を照射した状態で通電することで、多結晶シリコン層をポーラス化する。このとき光の照射は、多結晶シリコン層内での正孔の形成、ひいてはシリコンの溶出を促進する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
光の照射を行いながら液処理する場合において、液処理の均一性を確保することが好ましい。このためには、基板の各箇所において諸条件を同一化する必要があり、基板に対する光の照射量についても均一性が要求される。
以上に鑑み本発明は、基板に対する光の照射量の均一性を確保可能な液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る液処理装置は、基板を保持する基板保持台と、前記基板に接続して上部が開放された処理液槽を形成し、かつ該基板面の垂直方向に対して傾斜する内壁面を有する枠体と、前記処理液を前記処理液槽内に注入する処理液注入手段と、前記処理液を前記処理液槽内から排出する処理液排出手段と、光源を有し、前記枠体と脱着可能に接続する蓋体とを具備することを特徴とする。
枠体が基板面の垂直方向に対して傾斜する内壁面を有することから、光源から基板に向かう照射光がこの内壁面により遮られて基板上に影を作ったり、この内壁面で反射された照射光が基板に入射したりすることを防止でき、照射光の均一性が損なわれることを防止できる。
【０００５】
▲１▼液処理装置は、前記光源から前記基板に照射される光量を均一化する均一化手段をさらに具備してもよい。基板に照射される光量を均一化する均一化手段を有することで、基板の処理の均一性がより向上する。
ここで、前記均一化手段は、前記基板の周縁近傍に対応する光源に供給する電力を前記基板の中央近傍に対応する光源に供給する電力より大きくする電力供給手段によって構成できる。また、均一化手段は、それ自身の出力が異なる光源を組み合わせて用いることでも構成可能である。
基板に対向するように光源を配置すると、この配置の関係で基板の周縁が基板の中央よりも入射光が弱くなりやすい。これは基板の中央付近が光源全体の中央と対応し光源からの照射光を受けやすい位置にあることによる。
このような光源の配置に基づく入射光量の不均一性を光源からの出射光の分布によって緩和し、入射光量の均一性を向上できる。
【０００６】
▲２▼処理液注入手段が前記枠体の内壁面上に開口する処理液注入口を有し、処理液排出手段が、前記枠体の内壁面上に開口する処理液排出口を有してもよい。
壁面上に開口する処理液注入口等によって処理液の注入、排出を行うので、処理液注入用の配管によって光源からの出射光が遮られることがなく、入射光の均一性の向上に資することができる。
【０００７】
▲３▼前記処理液注入手段が、前記処理液注入口から前記処理液槽の底面に向かうように、前記枠体の内壁面上に形成された処理液注入用溝を有してもよい。
処理液注入用溝によって処理液の流れを誘導できるので、処理液を処理液槽内に均一に注入することが容易になる。
さらに、この処理液注入用溝が分岐を有すれば、この分岐によって処理液を分割し処理液の均一な注入がより容易になる。
【０００８】
▲４▼前記処理液排出手段が、移動可能な処理液排出管を有してもよい。
処理液を排出するときに、処理液排出管の先端を処理液中に挿入することで、処理液の排出を促進できる。また、光の照射中には処理液排出管を光を遮らない位置に待避することで、基板への入射光の均一性を阻害することもない。
【０００９】
▲５▼液処理装置が、前記処理液槽を傾斜する傾斜手段をさらに具備してもよい。
処理液槽を傾斜することで処理液の排出が促進される。
▲６▼前記液処理装置が、前記基板と電気的に接続するための第１の電極をさらに具備し、前記蓋体が、第２の電極を有してもよい。
基板に対する電気化学的な液処理が行える。
【００１０】
（２）本発明に係る液処理方法は、処理槽内に設置された基板に、均一化された光を照射しながら液処理を施す処理工程を具備することを特徴とする。
基板に均一化された光が照射されることから、基板への処理が均一化される。
【００１１】
▲１▼ここで、処理工程が、基板保持台に基板を載置する載置工程と、前記載置工程で載置された前記基板に枠体を接続して処理液槽を構成する処理液槽構成工程と、前記処理液槽構成工程で構成された前記処理液槽内に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理工程と、前記液処理工程で処理液が供給された前記処理液槽内から前記処理液を排出する処理液排出工程と、を有してもよい。
基板保持台に基板を載置したままで、液処理を行える。
【００１２】
▲２▼前記液処理工程が、前記処理液槽の内壁面上に形成された処理液注入用溝を用いて、該処理液槽内に前記処理液を供給する工程を有してもよい。
処理液注入用溝を用いることで、処理液槽内への均一な処理液の供給が図られる。
▲３▼前記処理液排出工程が、移動可能な処理液排出管を用いて前記処理液を排出する工程を有してもよい。
移動可能な処理液排出管を用いることで、処理液槽内の処理液の残留量の低減が図られる。
▲４▼前記処理液排出工程が、前記処理液槽を鉛直から傾けた状態で前記処理液を排出する工程を有してもよい。
処理液槽からの処理液の排出が速やかに行われ、しかも処理液の残留量の低減が図れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の１実施形態に係る液処理装置１０を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係る液処理装置１０の構成を表す側面図である。
台座２０上に処理液槽底部（基板保持台）３０が、処理液槽底部３０の上方に処理液槽側部（枠体）４０が設置されている。後述するように、処理液槽側部４０と処理液槽底部３０とによって処理液槽５０を構成できる。
台座２０は下部台座２１と上部台座２２からなり、この両者は回転軸２３とシリンダー２４に接続された支持棒２５とによって互いに接続されている。両者は回転軸２３を回転中心として、相対的に回転する。そして、シリンダー２４を動作させ支持棒２５を伸縮することで、下部台座２１（液処理装置１０の設置面）に対する上部台座２２、ひいては処理液槽５０の傾きθを変化させることができる。即ち、シリンダー２４は処理液槽５０を傾斜させる傾斜手段として機能する。なお、シリンダー２４として、油圧シリンダーを用いることができる。
【００１４】
処理液槽側部４０は、上部台座２２から処理液槽底部３０を貫通して突き出た支柱２６によって保持されている。支柱２６は、上部台座２２内に設置されたシリンダー２７によって上部台座２２の上面に垂直な方向に伸縮する。支柱２６の伸縮によって、処理液槽側部４０は処理液槽底部３０と接続、あるいは離間できる。処理液槽側部４０が処理液槽底部３０と接続することで、処理液（薬液）Ｌを蓄積する処理液槽（薬液槽部）５０が形成される。なお、シリンダー２７として、油圧シリンダーを用いることができる。
【００１５】
液処理装置１０は、複数の液処理、例えば陽極化成処理と陽極酸化処理を基板に対して行うことができる。
陽極化成処理用の処理液Ｌ１として還元剤例えば弗化水素の水溶液（沸酸）と、界面活性剤例えばエチルアルコールと水との混合溶液を用い、陽極酸化処理用の処理液Ｌ２として酸化剤例えば硫酸水溶液を用いることができる。
これらの処理液Ｌ、特に沸酸は腐食性が極めて大きい。このため、処理液槽底部３０、処理液槽側部４０、処理液槽蓋部（蓋体）６０、および後述するシール用リング４４の処理液Ｌあるいはそのミストが接触する表面は、処理液Ｌに侵されない耐食性の樹脂等から構成される。耐食性の樹脂の具体例として、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂を挙げることができる。
【００１６】
図２は、処理液槽底部３０の詳細を表す一部断面図である。図３は、処理液槽蓋部６０を処理液槽側部４０に設置した状態の詳細を表す一部断面図である。図４は、処理液槽側部４０を上方から見た状態を表す上面図である。図５は、処理液槽側部４０の内面の一部を表す正面図である。図６は、処理液槽蓋部６０内における後述するハロゲンランプ６２の配置を表す上面図である。図７は、処理液槽側部４０に対するハロゲンランプ６２の配置関係を表した上面図である。
なお、図２、３において、支柱２６およびシリンダー２７は、見やすさのために記載を省略している。以下の図においても同様に、支柱２６およびシリンダー２７の記載を省略することとする。
【００１７】
（処理液槽底部３０の詳細構成）
図２に示すように処理液槽底部３０には被処理体たるガラス基板Ｇが保持される。即ち、処理液槽底部３０は、基板を保持する基板保持部として機能する。ガラス基板Ｇは、処理液槽底部３０上に保持され、処理液槽側部４０底面の開口部（後述する下方開口部４３）を通じて、その上面が処理液Ｌに接触する。
多結晶シリコン層が形成されたガラス基板Ｇを被処理体として用いた場合には必要に応じて、ガラス基板Ｇと多結晶シリコン層との間に通電のために電気の導体層が挟みこまれている。また、この導体層に電気的に接続された電極（基板側電極Ｅｇ）が被処理体の表面に露出される。
被処理体として、多結晶シリコン層が形成されたガラス基板Ｇ以外にも、多結晶シリコン層が形成されたシリコン、ＧａＡｓ等の半導体基板を用いることができる。また、多結晶シリコン層が形成されていない半導体基板（例えば、単結晶シリコン基板）も被処理体とすることができる。
【００１８】
処理液槽底部３０上には、ガラス基板Ｇを持ち上げ、また持ち上げたガラス基板を降ろすための基板昇降機構３１が設置されている。この基板昇降機構３１は、ガラス基板Ｇを直接支持する基板支持部３２と基板支持部３２を上下に移動させる移動機構３３から構成される。
【００１９】
基板昇降機構３１は、例えばガラス基板Ｇの４隅と中央の５カ所に設置される。ガラス基板Ｇの隅、あるいは辺以外の例えば中央に対応して配置された基板支持部３２は、ガラス基板Ｇの底面の形状に対応した略平板形状をしている。これに対して、ガラス基板Ｇの辺あるいは隅に対応して配置された基板支持部３２は、その形状がガラス基板Ｇの辺あるいは隅の形状に対応している。
移動機構３３には、例えば圧縮空気によって駆動されるエアシリンダーを用いることができる。移動機構３３として電気で駆動される電動モータを用いても差し支えない。
【００２０】
処理液槽底部３０には、ガラス基板Ｇを固定する固定手段たる吸着機構３４が設置されている。吸着機構３４は、処理液槽底部３０に形成された孔でありこの孔から真空吸引を行うことで、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０に吸引し、固定できる。
処理液槽底部３０は、さらに図示しないガラス基板Ｇの温度を調節する温度調節手段を備えている。この温度調節手段は、恒温の液体を用いた熱交換器、あるいはペルチェ素子等から構成できる。
【００２１】
（処理液槽側部４０の詳細構成）
処理液槽側部４０は、処理液槽５０の内面の一部を構成する４つの斜面４１（４１ａ〜４１ｄ）、その上下に開口する上方開口部４２，下方開口部４３を有する。この斜面４１は、処理液槽側部４０の上方開口部４２から下方開口部４３に向かって、４方向から傾斜している。即ち、斜面４１によって、上方開口部４２と下方開口部４３のそれぞれ上底、下底とする４角錐台の空間が形成される。
このように斜面４１で形成される空間が上方に向かって広がっているのは、後述するハロゲンランプ６２からガラス基板Ｇに向かって照射される光が斜面４１によって遮られないようにし（影の発生防止）、かつ斜面４１から反射した光がガラス基板Ｇに入射することを防止するため（反射光の再入射防止）である。影の発生や反射光の再入射が生じると、ガラス基板Ｇに入射する光の分布の不均一の要因になる。このように、影の発生や反射光の再入射を防止することで、ガラス基板Ｇに入射する光の分布の均一化を図っている。
【００２２】
処理液槽側部４０の底面には、処理液槽側部４０とガラス基板Ｇとの間から処理液Ｌが漏洩するのを防止する基板封止手段たるシール用リング４４が設けられている。シール用リング４４は、断面が円形あるいは楕円形のＯリングであり、処理液槽側部４０の底面の内周およびガラス基板Ｇの周辺に沿って設けられ、ガラス基板Ｇの周縁を処理液から保護する。
このシール用リング４４は、耐薬品性のゴム等で形成され、処理液槽底部３０（ガラス基板Ｇ）によって押圧される。
【００２３】
処理液槽側部４０の底面には、シール用リング４４よりもやや外周寄りにガラス基板Ｇと電気的導通を行うための導通用電極４５が形成されている。導通用電極４５は、ガラス基板Ｇの基板側電極Ｅｇと対応して配置される。ここで、シール用リング４４が導通用電極４５より処理液槽５０の内部寄りに設置されていることから、導通用電極４５は処理液Ｌから保護される。
導通用電極４５は、処理液槽５０の外周側で処理液槽側部４０に固定され、処理液槽５０の内周側が移動可能ないわゆる片持ち梁となっている。導通用電極４５は、弾性と電気伝導性の双方を有する材料、例えば金属から構成される。
【００２４】
処理液槽側部４０には、処理液注入口４６、処理液排出口４７、ミスト捕獲口４８（４８ａ，４８ｂ）が設置されている。
処理液注入口４６は、処理液槽側部４０を貫通する配管に接続され、処理液槽側部４０の斜面４１ａ上の上方開口部４２寄りに設けられた開口部である。
処理液槽側部４０内に処理液注入、排出のための配管が突き出していないことから、後述するハロゲンランプ６２からガラス基板Ｇに照射する光が遮られることがない。このため、ガラス基板Ｇに照射する光の均一化が図られる。
処理液注入口４６には、図示しない陽極化成処理用溶液Ｌ１、陽極酸化処理用溶液Ｌ２、および処理液槽５０内洗浄用の純水Ｗ（イオン交換水）のそれぞれを満たしたタンクが接続されている。処理液注入口４６は、これら３つのタンクをバルブで切り替えることで、処理液槽５０内への３種類の液体の供給を行うことができる。
【００２５】
処理液注入口４６は斜面４１ａ上の処理液注入用溝４９に接続されている。処理液注入用溝４９は、処理液注入口４６と直接接続し下方に延びる溝４６ａ、溝４６ａと直交する溝４６ｂ、溝４６ｂと直交し下方に延びる複数の溝４６ｃ（４６ｃ１〜４６ｃ８）から構成される。溝４６ｃ１〜４６ｃ８は、処理液注入口４６に近い方から遠い方に行くに従って幅が広くなっている。
処理液注入口４６から処理液槽５０内に注入される液体は、処理液注入用溝４９を経由する。溝４６ｃ１〜４６ｃ８が処理液注入口４６から遠くなるに従って幅が広くなっているのは、溝４６ｃ１〜４６ｃ８それぞれから均一に液体を供給するためである。溝４６ｃの幅が同一であると処理液注入口４６に近い溝４６ｃの方がより多くの液体を供給し易くなるので、このような処理液注入口４６からの遠近による液体の供給のし易さの相違を溝４６ｃの幅（流れ易さ）で補償して供給量の均一性を確保している。
【００２６】
処理液排出口４７は、処理液槽側部４０を貫通する配管に接続され、処理液槽側部４０の斜面４１ｂ上の下方開口部４３寄り、斜面４１ｄとの境界近傍に設けられた開口部である。処理液排出口４７からの配管には処理液槽５０内の液体を吸引するためのポンプが接続され、ポンプの動作により処理液槽５０内の液体の排出を行える。
処理液排出口４７が斜面４１ｂの下方開口部４３寄りに設けられていることから、処理液槽５０内の処理液を排出する際における処理液の残量が少ない。さらには、処理液槽５０を傾斜した際に処理液排出口４７付近に液体が集まり、液体の排出が速やかに行われる。なお、処理液槽５０の傾斜方向を変えて、斜面４１ｂと斜面４１ｄの境界付近が低くなるようにすることで、液体の排出をさらに促進できる。
【００２７】
ミスト捕獲口４８（４８ａ，４８ｂ）は、処理液槽側部４０の斜面４６ａ，４６ｂの上面近くに設けられ、処理液Ｌのミスト（霧）を捕獲し、処理液Ｌのミストが処理液槽５０の外部に飛散するのを防止する横長の開口部である。ミスト捕獲口４８に接続された配管には、処理液Ｌのミスト（液体成分）を捕獲し（気液分離）、気体成分のみを排気できるミスト捕獲用フィルターが設けられる。
【００２８】
（処理液槽蓋部６０の詳細構成）
処理液槽蓋部６０には、カソード電極６１、ハロゲンランプ６２，吸引管６３が設置されている。
光源たるハロゲンランプ６２（６２ａ〜６２ｈ）は、１軸方向に長い。そして、互いの軸が略平行になるように配置されている。ハロゲンランプ６２のそれぞれは、出力制御手段たるハロゲンランプ用電源（図示せず）に接続され、ガラス基板Ｇの中央近傍に位置するハロゲンランプ６２ｄ、６２ｅよりガラス基板Ｇの周縁近傍（正確には露出したガラス基板Ｇの周縁近傍）に位置するハロゲンランプ６２ａ、６２ｈの方が多くの光を出力するように制御される。
これは、ガラス基板Ｇに光が均一に照射されるようにするためである。ガラス基板Ｇの中央はいずれのハロゲンランプ６２からの光照射も受け易い位置であるのに対し、ガラス基板Ｇの周縁近傍はハロゲンランプ６２の全てから強い光照射を受けるのは困難な位置である。例えば、下方開口部４３と斜面４６ａの境界近傍では、ハロゲンランプ６２ｇ，６２ｈから遠いためハロゲンランプ６２ｇ，６２ｈから到達する光は弱くなる。このように、ガラス基板Ｇとハロゲンランプ６２の配置の対応関係によって生じる照射光量の不均一をハロゲンランプ６２の光量の分布によって補償し、照射光量の均一性を向上している。
なお、ハロゲンランプ用電源によることなくハロゲンランプ６２自体を異ならせる（例えば、定格出力の異なるハロゲンランプを用いる）ことで、照射光量の均一性を向上してもよい。
ハロゲンランプ６２は全体で、例えば５００〜１０００Ｗ程度の出力を有し、処理液槽底部３０に保持されたガラス基板Ｇの上面に４５０〜５００ｎｍ程度の波長域の光を照射する。この光の照射によって、ガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層を陽極化成処理する際のポーラスシリコンの形成が促進される。
【００２９】
カソード電極６１は、ハロゲンランプ６２と処理液槽底部３０との間にあり、ハロゲンランプ６２からの光を遮らないように透光性を有する。
ここでいう透光性とは、カソード電極６１自体が透光性の材料から構成されることに限らず、カソード電極６１に開口部を設けたり、線状のカソード材料からカソード電極６１を構成したりすることをも意味する。このときには、カソード電極６１の材料として透光性のない白金を用いることができる。
【００３０】
導通用電極４５とカソード電極６１は、図示しない電源に接続されている。処理液槽５０に処理液Ｌを満たし、導通用電極４５を通じてガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層に電気を印加することで、陽極化成処理あるいは陽極酸化処理が行われる。
移動可能な処理液排出管たる吸引管６３は、処理液槽５０の底面たる処理液槽底部３０に対する昇降および処理液槽底部３０の上面（正確にはガラス基板Ｇの被処理面）に平行な面内での移動が可能なパイプから構成され、図示しないアスピレータ（処理液吸引装置）に接続されている。アスピレータは、吸引管６３によって処理液Ｌを吸引することで、処理液排出口４７では排出しきれない処理液Ｌを処理液槽５０内から排出する。
【００３１】
（液処理工程の詳細）
図８は、液処理装置１０を用いてガラス基板Ｇ上に形成された多結晶シリコン層に対して陽極化成処理、陽極酸化処理を連続的に行う場合の手順を表すフロー図である。また、図９から１９は、図８に表した各工程における液処理装置１０の状態を表した一部断面図である。以下、図９〜１８を用いてこの手順を詳細に説明する。なお、既に述べたように、支柱２６およびシリンダー２７はその記載を省略している。
（１）液処理装置１０が、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に載置するための待機状態となる（ステップ１０１及び図９）。
この待機状態において、処理液槽側部４０は支柱２６によって上昇され、処理液槽底部３０とは分離されている。また、基板支持部３２は移動機構３３によって上昇され、ガラス基板Ｇを載置すべく待ち受ける。
【００３２】
（２）処理液槽底部３０上にガラス基板Ｇが載置される（ステップ１０２および図１０）。
具体的には、基板支持部３２上にガラス基板Ｇが載置される。この載置は、図示しない基板搬送機構によって行われ、ガラス基板Ｇの被処理面（多結晶シリコンの形成面）が上面になるように載置される。
【００３３】
（３）ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に保持、固定する（ステップ１０３および図１１）。
ガラス基板Ｇの処理液槽底部３０に対する固定は、次の２行程によって行われる。
▲１▼基板支持部３２が移動機構３３により降下してガラス基板Ｇの下面を処理液槽底部３０の上面に直接接触させる。
▲２▼ガラス基板Ｇを吸着機構３４により真空吸引して、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に固定する。
【００３４】
（４）処理液槽側部４０を支柱２６によって降下させ処理液槽底部３０に接続することで、ガラス基板Ｇによりシール用リング４４を押しつぶす。この結果、シール用リング４４とガラス基板Ｇの間における処理液の漏洩を防止するための封止が形成され、導通用電極４５と基板側電極Ｅｇが接触する（ステップ１０４および図１２）。
【００３５】
（５）処理液槽蓋部６０が降下し、処理液注入口４６，処理液排出口４７により、陽極化成用の溶液（処理液Ｌ１）が処理液槽５０内に注入され、陽極化成処理が行われる（ステップ１０５および図１３）。
シール用リング４４の封止機能により、処理液Ｌ１を導入したときに、処理液槽側部４０と処理液槽底部３０（ガラス基板Ｇ）の間で処理液Ｌ１が漏れ出すことはない。処理液Ｌ１は、その液面が処理液槽５０に対して所定の位置になるように、制御される。この液面の位置制御は、例えば光方式の液面センサによる液面の測定、あるいは定量ポンプを用いた導入液量の制御によって行える。
この処理液Ｌ１の注入は、処理液注入口４６から処理液注入用溝４９を経由して行われる。処理液注入用溝４９が分岐していることから、処理液槽５０内へ処理液Ｌ１が均一に注入される。また、処理液注入用溝４９ｃの幅を処理液注入口４６より遠くなるほど大きくすることで、処理液Ｌ１がより均一に注入される。
【００３６】
処理液Ｌ１の注入が終了したら、導通用電極４５とカソード電極６１との間に電圧を印加し、陽極化成処理を行う。この電圧にはパルス成分やＡＣ成分が含まれていても差し支えない。時間平均として、導通用電極４５がプラス、カソード電極６１がマイナスとなるような電圧が印加されていればよい。
【００３７】
この陽極化成処理の結果、多結晶シリコンはその一部が処理液Ｌ１に溶けだし、微細な空洞が多数形成されたいわゆるポーラスシリコンとなる。この陽極化成処理に付随して、ガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層に対してハロゲンランプ６２による光の照射が行われる。この光照射は、多結晶シリコン層内に正孔を形成することで、シリコンの溶出を促進しポーラスシリコンの形成を補助する。なお、多結晶シリコン層がｐ型であるときには多結晶シリコン層内にもともと正孔が存在していることから、必ずしも光の照射は必要とされない。
【００３８】
既に述べたように、ガラス基板Ｇへの光の照射は以下の▲１▼〜▲３▼の手法によって均一化される。
▲１▼処理液槽５０内の斜面４１が上方に広がるように傾いている。
処理液槽５０の内面（斜面４１）による影や反射光がガラス基板Ｇ上に入射することが防止される。
▲２▼ガラス基板Ｇの周縁に位置するハロゲンランプ６２の出力が、ガラス基板Ｇの中央付近に位置するハロゲンランプ６２の出力より大きい。
ガラス基板Ｇの周縁は、ハロゲンランプ６２の配置の関係で光の照射量が小さくなりがちである。この周縁に近接したハロゲンランプ６２の光量を増加することで、ハロゲンランプ６２の配置に起因する照射量の不均一が解消できる。
▲３▼処理液の注入、排出が処理液注入口４６，処理液排出口４７によって行われる。
即ち、処理液注入、排出のための配管がハロゲンランプ６２とガラス基板Ｇ間に配置されず、ハロゲンランプ６２からの照射光を遮ることがない。
【００３９】
（６）陽極酸化処理が完了すると処理液Ｌ１が処理液槽５０内から排出される（ステップ１０６）。
処理液Ｌ１の排出は以下の手順▲１▼〜▲３▼によって行われる。
▲１▼処理液槽５０を直立した状態で、処理液排出口４７から処理液Ｌ１が排出される（図１４）。
▲２▼処理液Ｌ１がある程度排出されたら、シリンダー２４によって処理液槽５０を傾け処理液排出口４７に処理液Ｌ１を集中させた状態で、処理液Ｌ１を排出する（図１５）。これにより、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１の量の低減が図られる
▲３▼必要に応じて吸引管６３が処理液槽５０の隅（処理液Ｌ１が集中している箇所）に移動、降下し、処理液Ｌ１を吸引する。この結果、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１の量のさらなる低減が図られる（図１６）。
これら▲１▼〜▲３▼の切換は、液面センサ等を用いて、降下した液面の位置や処理液Ｌ１の残存量を検出することで、自動的に行うことができる。即ち、処理液Ｌ１の残存量が、それぞれ所定の基準値以下となったときに、▲１▼、▲１▼から▲２▼、▲２▼から▲３▼への切換が行われる。
【００４０】
（７）ガラス基板Ｇの洗浄および親水化処理が行われる（ステップ１０７）。
ガラス基板Ｇの洗浄に先立ち、シリンダー２４によって処理液槽５０を直立した状態に戻される。その後、処理液注入口４６から処理液Ｌ１を希釈するための純水Ｗが処理液槽５０内に注入される（図１７）。この処理液注入口４６による処理液Ｌ１と純水Ｗの注入の切り替えはバルブによって行われる。
純水Ｗによって希釈、増量された処理液Ｌ１は、ステップＳ１０６で述べたような３段階の手順を経て排出される。即ち、▲１▼処理液槽５０を直立した状態での処理液排出口４７からの排出、▲２▼処理液槽５０を傾けた状態での処理液排出口４７からの排出▲３▼吸引管６３による排出である。これら手順▲１▼〜▲３▼を表す図は、ステップＳ１０６で述べた図１４〜１６と実質的に異なる訳ではないので、省略する。
この純水Ｗの注入による処理液Ｌ１の希釈および希釈された処理液Ｌ１の排出は必要に応じて数回程度繰り返される。この希釈、排出の繰り返しの結果、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１は次行程を行うのに支障がない程度まで薄められる。このようにして、処理液Ｌ１の希釈および排出によりガラス基板Ｇの洗浄が行われる。
ステップＳ１０６、ステップＳ１０７それぞれにおける手順▲１▼〜▲３▼によって、処理液Ｌ１の残存量および希釈された処理液Ｌ１の残存量が低減されていることから、この繰り返しの回数の低減が図られ、洗浄工程が促進される。
【００４１】
ガラス基板Ｇの洗浄が完了した後に、ガラス基板Ｇの陽極化成された多結晶シリコン層上に界面活性剤を滴下する。この結果、多結晶シリコン層の表面は界面活性剤で濡らされ、親水性になる。これは、陽極化成の結果生成されたポーラスシリコンの乾燥を防止し、後の陽極酸化処理の均一性を確保するためである。なお、この界面活性剤の滴下は、吸引管６３により行える。
【００４２】
（８）その後、陽極酸化処理が行われる（ステップ１０８および図１８）。
陽極酸化処理に先立ち、処理液注入口４６から陽極酸化処理用溶液（処理液Ｌ２）が所定の液面となるように処理液槽５０内に導入される。
この処理液Ｌ２の注入は、処理液注入口４６から処理液注入用溝４９を経由して行われ、ステップＳ１０５とほぼ同様に処理液注入用溝４９の分岐および処理液注入用溝４９ｃの幅の分布により、処理液Ｌ２の均一な注入が図られる。
その後、導通用電極４５とカソード電極６１間に電圧が印加され、陽極酸化処理が行われる。なお、この電圧はすでにステップＳ１０５で述べたように時間平均して、導通用電極４５が陽極、カソード電極６１が陰極となっていればよく、必ずしも完全なＤＣ成分のみとする必要はない。
この陽極酸化処理の結果、陽極化成処理によって形成されたポーラスシリコンの表面に酸化層が形成される。
【００４３】
（９）陽極酸化処理が完了すると処理液Ｌ２が処理液槽５０内から排出される（ステップ１０９）。
処理液Ｌ２は  ステップＳ１０６で述べたような３段階の手順を経て排出される。即ち、▲１▼処理液槽５０を直立した状態での処理液排出口４７からの排出、▲２▼処理液槽５０を傾けた状態での処理液排出口４７からの排出▲３▼吸引管６３による排出である。これらの手順▲１▼〜▲３▼を表す図は、ステップＳ１０６で述べた図１４〜１６と本質的に異なる訳ではないので、省略する。
【００４４】
（１０）ガラス基板Ｇの洗浄および親水化処理が行われる（ステップ１１０）。ガラス基板Ｇの洗浄に先立ち、シリンダー２４によって処理液槽５０を直立した状態に戻す。その後、処理液注入口４６から処理液Ｌ２を希釈するための純水Ｗが処理液槽５０内に注入される（図１７）。
純水Ｗによって希釈、増量された処理液Ｌ２は、ステップＳ１０７と同様の３段階を経て排出される。即ち、▲１▼処理液槽５０を直立した状態での処理液排出口４７からの排出、▲２▼処理液槽５０を傾けた状態での処理液排出口４７からの排出▲３▼吸引管６３による排出である。これらの詳細は、ステップＳ１０７と本質的に異なる訳ではないので、省略する。
【００４５】
この純水Ｗの注入による処理液Ｌ１の希釈および希釈された処理液Ｌ１の排出は必要に応じて数回程度繰り返される。この希釈、排出の繰り返しの結果、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１は次行程を行うのに支障がない程度まで薄められる。このようにして、処理液Ｌ１の希釈および排出によりガラス基板Ｇの洗浄が行われる。
ステップＳ１０９、ステップＳ１１０それぞれにおける手順▲１▼〜▲３▼によって、処理液Ｌ１の残存量および希釈された処理液Ｌ１の残存量が低減されていることから、この繰り返しの回数の低減が図られ、洗浄工程が促進される。
この洗浄工程は、処理液Ｌ１が処理液Ｌ２に変わったこと、および親水化処理を行わないことがステップＳ１０７と異なる。
【００４６】
（１１）処理液槽側部４０を上昇させることで、シール用リング４４によるガラス基板Ｇの封止および導通用電極４５と基板側電極Ｅｇとの電気的接続を解除する（ステップＳ１１１および図１１）。
（１２）洗浄されたガラス基板Ｇの表面を乾燥する（ステップＳ１１１）。この乾燥は、例えばエアーナイフ、スピンドライ等によってガラス基板Ｇ上に残留した洗浄液を吹き飛ばすことによって行える。
その後、吸着機構３４による処理液槽底部３０へのガラス基板Ｇの吸着が停止される。さらに、基板支持部３２が移動機構３３により上昇し、図示しない基板搬送機構によりガラス基板Ｇが基板支持部３２上から取り去られる。
【００４７】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は既述の実施形態には限られず、拡張、変更でき、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）例えば、上記実施形態ではハロゲンランプ６２は１軸方向に長尺な形状、例えば円筒状のものを利用していたが（線光源に近い）、球状のもの（点光源に近い）光源を組み合わせて用いても差し支えない。またその数も適宜に決定することができる。
（２）また、上記実施形態では処理液槽５０の傾斜は処理液の排出時にのみ行っていたが、処理液槽５０による処理が始まってから常時傾斜しても差し支えない。このとき処理液槽５０の傾斜は、基板が固定された状態である限り行うことができる（例えば、図８のステップＳ１０３〜Ｓ１１１の間）。
また傾斜角は垂直に近くすることもできる。この１例を図１９に示す。図１９に示す処理液槽蓋部６０ａには封止部材６５が設置され、処理液槽側部４０ａとの間からの処理液等の漏洩を防止している。この結果、ミスト捕獲口４８の設置が不要となる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、処理液槽側部が鉛直方向に対して傾斜する内壁面を有することにより、光源から基板に照射される光が内壁面に遮られたり、内壁面で反射された光が基板に入射したりするのを防止し、基板に入射する光の均一性を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施形態に係る液処理装置を表した一部断面図である。
【図２】  図１に示した処理液槽底部の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図３】  図１に示した処理液槽蓋部を処理液槽側部に設置した状態の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図４】  図１に示した処理液槽側部を上方から見た状態を表す上面図でである。
【図５】  図１に示した処理液槽側部の内面の一部を表す正面図である。
【図６】  処理液槽蓋部内におけるハロゲンランプの配置を表す上面図である。
【図７】  処理液槽側部に対するハロゲンランプの配置関係を表した上面図である。
【図８】  第１実施形態に係る液処理装置を用いて、陽極化成処理、陽極酸化処理を連続的に行う場合の手順の１例を表すフロー図である。
【図９】  待機状態の第１の実施形態に係る液処理装置のを表す一部断面図である。
【図１０】  処理液槽底部上にガラス基板Ｇが載置された状態の第１の実施形態に係る液処理装置のを表す一部断面図である。
【図１１】  処理液槽底部上にガラス基板Ｇを固定した状態の第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１２】  ガラス基板Ｇの封止および電気的導通を行った状態の第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１３】  陽極化成処理を行っている状態の第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１４】  直立した状態で陽極化成処理液の排出を行っている第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１５】  傾斜した状態で陽極化成処理液の排出を行っている第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１６】  吸引管を用いて陽極化成処理液の排出を行っている第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１７】  ガラス基板の洗浄を行っている状態の第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１８】  陽極酸化処理を行っている状態の第１の実施形態に係る液処理装置を表す一部断面図である。
【図１９】  液処理装置の変形例を表す一部断面図である。
【符号の説明】
１０…液処理装置
２０…台座
２１…下部台座
２２…上部台座
２３…回転軸
２４…シリンダー
２５…支持棒
２６…支柱
２７…シリンダー
３０…処理液槽底部
３１…基板昇降機構
３２…基板支持部
３３…移動機構
３４…吸着機構
４０、４０ａ…処理液槽側部
４１（４１ａ〜４１ｄ）…斜面
４２…上方開口部
４３…下方開口部
４４…シール用リング
４５…導通用電極
４６…処理液注入口
４７…処理液排出口
４８…ミスト捕獲口
４９…処理液注入用溝
５０…処理液槽
６０、６０ａ…処理液槽蓋部
６１…カソード電極
６２（６２ａ〜６２ｈ）…ハロゲンランプ
６３…吸引管
６５…封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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