(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に半導体素子を、その周辺にエリアアレー状に、表面側がワイヤボンディング部となって裏面側が外部接続端子部となった導体端子を配置した半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム材の表面側に搭載予定の前記半導体素子を囲んで形成される前記ワイヤボンディング部及びこれを囲む外枠の一部又は全部と、前記ワイヤボンディング部に対応して前記リードフレーム材の裏面側に形成される前記外部接続端子部とにＡｕからなる貴金属めっき層を形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の裏面側に耐エッチングレジスト膜を形成した後、表面側に形成された前記貴金属めっき層をレジストマスクとして表面側から該リードフレーム材に所定深さのハーフエッチング加工を行い、前記外枠の一部又は全部と前記ワイヤボンディング部とを突出させる第２工程と、
前記リードフレーム材に前記半導体素子を接着剤を介して搭載した後、該半導体素子の電極パッド部とそれぞれ対応する前記ワイヤボンディング部との間をボンディングワイヤによって接続し電気的導通回路を形成する第３工程と、
前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ、及び前記突出した外枠を含む前記リードフレーム材の表面側を樹脂封止する第４工程と、
前記耐エッチングレジスト膜が除去された前記リードフレーム材の裏面側に、裏面側に形成された前記貴金属めっき層をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、前記外部接続端子部を突出させて独立させる第５工程とを有し、
しかも、前記耐エッチングレジスト膜の除去は、前記第２工程が完了した後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記貴金属めっき層は、前記リードフレーム材の表面及び裏面を耐めっき性のフォトレジスト膜で覆った後、該貴金属めっき層が形成される部分の露光処理及びこれに続く現像処理を行って該リードフレーム材の露出を行った後に、貴金属めっきを行って形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤は、Ａｇ・エポキシ系樹脂からなる導電性接着剤であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＳＰ（チップサイズドパッケージ）の半導体装置の製造方法に係り、特に、外部接続端子部が封止樹脂の底面側に突出した半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の小型の要請から、ポリイミド樹脂テープと半田ボールを用いたテープ−ＣＳＰ型の半導体装置や、ベースメタルを使用したＢＣＣ（バンプチップキャリア）型の半導体装置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、テープ−ＣＳＰ型の半導体装置においては、ポリイミド樹脂テープが高価であり、軟質のためにストリップ搬送に適していないという問題がある。
また、ＢＣＣ型の半導体装置においては、ベースメタルをエッチングによってリムーブすると固片になってしまうので、モールド面を粘着テープで固定する必要があり、コスト高となるという問題がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、比較的安価に製造可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る半導体装置の製造方法は、中央に半導体素子を、その周辺にエリアアレー状に、表面側がワイヤボンディング部となって裏面側が外部接続端子部となった導体端子を配置した半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム材の表面側に搭載予定の前記半導体素子を囲んで形成される前記ワイヤボンディング部及びこれを囲む外枠の一部又は全部と、前記ワイヤボンディング部に対応して前記リードフレーム材の裏面側に形成される前記外部接続端子部とにＡｕからなる貴金属めっき層を形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の裏面側に耐エッチングレジスト膜を形成した後、表面側に形成された前記貴金属めっき層をレジストマスクとして表面側から該リードフレーム材に所定深さのハーフエッチング加工を行い、前記外枠の一部又は全部と前記ワイヤボンディング部とを突出させる第２工程と、
前記リードフレーム材に前記半導体素子を接着剤を介して搭載した後、該半導体素子の電極パッド部とそれぞれ対応する前記ワイヤボンディング部との間をボンディングワイヤによって接続し電気的導通回路を形成する第３工程と、
前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ、及び前記突出した外枠を含む前記リードフレーム材の表面側を樹脂封止する第４工程と、
前記耐エッチングレジスト膜が除去された前記リードフレーム材の裏面側に、裏面側に形成された前記貴金属めっき層をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、前記外部接続端子部を突出させて独立させる第５工程とを有し、
しかも、前記耐エッチングレジスト膜の除去は、前記第２工程が完了した後に行う。
なお、個別の製品となる半導体装置は最終的には、外枠の一部を残して外枠から分離されることになる。
【０００５】
ここで、本発明に係る半導体装置の製造方法おいて、前記貴金属めっき層は、前記リードフレーム材の表面及び裏面を耐めっき性のフォトレジスト膜で覆った後、該貴金属めっき層が形成される部分の露光処理及びこれに続く現像処理を行って該リードフレーム材の露出を行った後に、貴金属めっきを行って形成するのが好ましい。
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記ワイヤボンディング部及びこれに符合する前記外部接続端子部はエリアアレー状、即ち、外部接続端子部を全体として格子点状、又は中央部に空間部を形成して周囲が格子点状に形成するのが好ましい。
そして、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤には導電性接着剤又は絶縁性接着剤のいずれも適用可能であるが、導電性接着剤を使用する場合には、Ａｇ・エポキシ系樹脂からなる接着剤を使用するのが好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法の製造工程図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同方法で製造された半導体装置の説明図、図３は同方法で製造された半導体装置の使用状態を示す断面図である。
【０００７】
図１〜図３に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置１０は、中央に半導体素子１１を、その周辺にエリアアレー状（図２参照）に、上面側（表面側）がワイヤボンディング部１２となって下面側（裏面側）が外部接続端子部１３となった導体端子１４を配置している。ワイヤボンディング部１２と半導体素子１１の各電極パッド１５はボンディングワイヤ１６で電気的に連結されている。周囲にある導体からなる外枠１７を含めて、半導体素子１１、ボンディングワイヤ１６、及び導体端子１４の上半分は封止樹脂１８で樹脂封止されている。外部接続端子部１３には半田濡れ性の良いめっきが下部に設けられ、他の基板１９上に設けられたクリーム半田の溶融によって、図３に示すように、他の基板１９との電気的な接続が行われている。
半導体素子１１の底面側には導電性接着剤２０が塗布され、これによって、半導体素子１１からの熱放散を促進している。
【０００８】
続いて、図１（Ａ）〜（Ｅ）を参照しながら、この半導体装置１０の製造方法について説明する。
図１（Ａ）に示すように、板状のリードフレーム材２１の表面側に、中央に搭載予定の半導体素子１１を囲んで形成されるワイヤボンディング部１２及びこれを囲む外枠１７と、ワイヤボンディング部１２に対応して裏面側に形成される外部接続端子部１３とに貴金属めっき層２２、２３を形成する（第１工程）。
この貴金属めっき層２２、２３の形成は、リードフレーム材２１の表面及び裏面を耐めっき性のフォトレジスト膜で覆った後、貴金属めっき層２２、２３が形成される部分に関する露光処理及びこれに続く現像処理を行って該リードフレーム材２１の部分露出を行った後に、最初にニッケル等の下地めっき層を形成し、次に貴金属めっきを行う。このように、下地めっき層を介してＡｇ、Ａｕ、Ｐｄから選択された一種類の貴金属で貴金属めっき層２２、２３を形成することによって、リードフレーム材２１に銅等を使用する場合のボンダビリティの確保と半田濡れ性の確保を維持している。
【０００９】
次に、図１（Ｂ）に示すように、リードフレーム材２１の裏面側に耐エッチングレジスト膜２４を形成した後、表面側に形成された貴金属めっき層２２をレジストマスクとして表面側から該リードフレーム材２１に所定深さのエッチング加工（ハーフエッチング）を行う。これによって、外枠１７とワイヤボンディング部１２とを突出させることができる（第２工程）。
【００１０】
そして、図１（Ｃ）に示すように、ハーフエッチングされたリードフレーム材２１の表面側中央に半導体素子１１をＡｇ・エポキシ系樹脂からなる接着剤２０を介して搭載した後、半導体素子１１の電極パッド部１５とそれぞれ対応するワイヤボンディング部１２との間をボンディングワイヤ１６によって接続し、電気的導通回路を形成する（第３工程）。
この後、図１（Ｄ）に示すように、半導体素子１１、ボンディングワイヤ１６、及び突出した外枠１７を含むリードフレーム材２１の表面側を封止樹脂１８で樹脂封止する（第４工程）。
【００１１】
以上の処理が終わった後、リードフレーム材２１の裏面側に貼着していた耐エッチングレジスト膜２４を除去するが、これは組み立て工程の前に行ってもよい。更に、図１（Ｅ）に示すように、リードフレーム材２１の裏面側に、裏面側に形成された貴金属めっき層２３をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出させると共に、隣り合う外部接続端子部１３を電気的に独立させる（第５工程）。この後、外枠１７の分離を行って、独立した半導体装置１０が製造される。
【００１２】
前記実施の形態においては、半導体素子１１の接着剤２０としてＡｇ・エポキシ系の接着剤を用いたが、その他の導電性の接着剤又は絶縁性の接着剤であっても本発明は適用される。
半導体装置の製造過程にあっては、半導体装置に残る外枠は周囲の外枠本体に実質的に連結されている必要があるので、外枠全体の全部の表面に貴金属めっき層を形成する必要はなく、外枠の一部（即ち、連結部分のみ）に貴金属めっき層を形成するのが好ましい。
また、前記実施の形態においては、耐エッチングレジスト膜の除去は、第５工程によって行ったが、第２工程が完了した後、裏面側のハーフエッチングを行う前であれば、何時行ってもよく、この場合も本発明は適用される。
【００１３】
【発明の効果】
請求項１〜３記載の半導体装置の製造方法においては、従来のように、ポリイミド樹脂テープや粘着テープを使用することなく、半導体装置を製造できる。従って、ポリイミド樹脂テープや粘着テープを使用することによる半導体装置の製造上の問題を避けて、比較的安価に半導体装置の製造が可能となる。
また、貴金属めっき層をレジストマスクとしているので、更にレジスト膜を形成する必要がなく、更に、貴金属めっき層はそのままワイヤボンディング部又は外部接続端子部として使用できる。
そして、外部接続端子部がエリアアレー状に配置されているので、他の基板との接合が容易となる。
特に、請求項２記載の半導体装置の製造方法においては、貴金属めっき層の形成が容易となり、同時に多数のリードフレーム材に同一の処理を行うことが可能となる。
そして、請求項３記載の半導体装置の製造方法においては、半導体素子をＡｇ・エポキシ系の樹脂で接合しているので、より有効な放熱性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同方法で製造された半導体装置の説明図である。
【図３】同方法で製造された半導体装置の使用状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０：半導体装置、１１：半導体素子、１２：ワイヤボンディング部、１３：外部接続端子部、１４：導体端子、１５：電極パッド、１６：ボンディングワイヤ、１７：外枠、１８：封止樹脂、１９：他の基板、２０：Ａｇ・エポキシ系の接着剤、２１：リードフレーム材、２２、２３：貴金属めっき層、２４：耐エッチングレジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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