(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺かつ薄形のステンレス支持体上にニッケルを主成分とする薄膜を電気めっきで形成する第１の工程と、
該第１の工程で形成された前記薄膜上に、絶縁層と該絶縁層に形成された開口を通して前記薄膜に接続される配線導体とを有する配線基板を形成する第２の工程と、
該第２の工程で形成された前記配線基板上のパッドにはんだを用いて電子部品を搭載する第３の工程と、
該第３の工程で搭載された電子部品を被覆モールドする第４の工程と、
該第４の工程の後、前記第１乃至第４の工程によって前記被覆モールドされた電子部品を搭載した配線基板が形成された状態の前記薄膜から、前記ステンレス支持体を引き剥がす第５の工程とを有することを特徴とする電子回路形成方法。
【請求項２】
更に、前記第５の工程で前記ステンレス支持体を前記薄膜から剥がした後、前記薄膜を加工して前記配線基板の前記配線導体に接続されたパッドを形成する第６の工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の電子回路形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩチップなどの複数の電子部品を、はんだを用いて搭載するための配線基板およびその製造方法、マルチチップモジュールおよびその製造方法並びにマルチチップモジュール実装構造体（半導体装置）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
配線基板の形成方法では、配線層と電源ライン（グランド）を層間に使い分ける方法は一般的に提示されている。この例として、トリケップス刊マルチチップ実装技術の２１頁には、その構成例が記されている。ここに記されている例は、銅／ポリイミド多層配線として紹介されている。また、同２９３頁には、ＭＣＭの例が記されている。ここでも、銅配線層と銅グランド層の記述はある。しかし、それらには、詳細な構造については触れられていない。
【０００３】
ところで、銅／ポリイミド多層配線を形成しようとすると、銅とポリイミドの接着強度が低いため、接着力を確保するための金属を形成する必要がある。このため、形成方法としては、接合金属で挟まれた導体をスパッタで成膜し、レジストでパターンを形成し、エッチングで形成する方法（サブトラスト法）が一般的である。この場合、スパッタ膜が高価であることにより、最大膜厚は、５マイクロメータ程度である。
【０００４】
他方、膜厚を大きくするためには、スパッタで給電膜を形成し、レジストを用いて配線部分以外の部分を被い、電気めっきを用いて配線を形成する。そして、レジストを剥離し、給電膜を除去することで配線を形成する方法が用いられている（セミアディディブ法）。
【０００５】
しかしながら、以上のように、個々の技術は確立されているが、一つの基板の中で、二つの手法が用いられている例は知られていない。
【０００６】
また、長尺かつ薄形の回路基板上に電子回路部品を搭載する技術として、ＴＡＢ（TAPE AUTOMATED BONDING）テープが広く用いられている。ＴＡＢテープは金属箔と絶縁膜が貼り合わされた材料の金属箔をエッチングで形成している。これらの記述については、日経ＢＰ社刊、マイクロエレクトロニクスパッケージハンドブックｐ３３４に記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術では、配線層の形成方法として、サブトラスト法またはセミアディディブ法の何れか一方の工程が全ての配線層にわたって用いられている。これは、配線の形成方法を同一プロセスとすることで、工程を一元化することが可能であり、コストを下げることが出来るとされているためである。しかし、近年電子機器の性能向上に伴い、配線各層の役割を持たせる必要が出てきた。つまり、グランド層、配線層、はんだが接続される配線層には、それぞれ異なった性能が要求されている。このため、従来の様に、各層とも同一工程で形成した場合、機器の性能を引き出すことが困難になってきた。
【０００８】
また、ＴＡＢテープを用いた従来技術では、エッチングで配線を形成しているため、微細配線を形成することが困難であると共に、多層配線には向いていない。
【０００９】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、ＬＳＩチップなどの複数の電子部品をはんだを用いて搭載するための、しかも異なった性能が要求されるグランド層、高密度配線層、およびはんだが接続される配線層（バンプ）を有する電気特性の優れた配線基板（モジュール基板）を低コストで実現した電子回路形成方法、配線基板およびその製造方法並びにマルチチップモジュールおよびその製造方法並びにマルチチップモジュール構造体（半導体装置）を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、異なった性能が要求されるグランド層、高密度配線層、およびはんだが接続される配線層（バンプ）を有する電気特性の優れた配線基板の薄肉化を図った配線基板（モジュール基板）およびその製造方法並びにマルチチップモジュールおよびその製造方法並びにマルチチップモジュール構造体（半導体装置）を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、長尺かつ薄形のステンレス支持体上に電子回路を形成する第１の工程と、該第１の工程で形成された電子回路から前記長尺かつ薄形のステンレス支持体を引き剥がす第２の工程とを有することを特徴とする電子回路形成方法である。
【００１２】
また、本発明は、長尺かつ薄形の支持体を移動（ステップバイステップで移動させること、即ち、ステップアンドリピート方式も含む）させて、前記支持体上にはんだ拡散防止膜を電気めっき等で成膜する第１の工程と、該第１の工程で成膜されたはんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記はんだ拡散防止膜上に第１の開口群（スルーホール群）を有する第１の絶縁層を形成する第２の工程と、該第２の工程で形成した第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記第１の開口群を有する第１の絶縁層に対して第１のバリア層で挟まれた第１の導体層をスパッタ等で成膜し、主としてグランド配線を構成するようにパターンニングする第３の工程と、該第３の工程でパターンニングされた第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記第１の導体層上に前記第１の開口群に対応させた第２の開口群（スルーホール群）を有する第２の絶縁層を形成する第４の工程と、該第４の工程で形成した第２の開口群を有する第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記第２の絶縁層に第２のバリア層を介して給電層をスパッタにより成膜し、前記第２の開口群に対応させた配線の逆レジストパターンを形成する第５の工程と、該第５の工程で形成した配線の逆レジストパターン、前記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記配線の逆レジストパターンに対して前記給電膜を使用して電気めっきを施して前記第２の開口群内および前記配線の逆レジストパターン内に導体を埋め込んで第２の導体層を成膜し、前記配線の逆レジストパターンを取り除き、前記給電膜の不要な部分を取り除くことによって主として信号配線を形成し、更に前記第２の導体層に接続させて、最上層に第２のはんだ拡散防止パッド群を形成する第６の工程と、該第６の工程で形成した第２のはんだ拡散防止パッド群および前記第２の導体層、前記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層並びに前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記第２のはんだ拡散防止パッド群を露出するように保護膜で被覆する第７の工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法である。なお、前記移動させては、ステップバイステップで移動させること、即ち、ステップアンドリピート方式も含むものである。要するに、長尺かつ薄形の支持体を用いることによって、供給ロールから巻取りロールへと長尺かつ薄形の支持体を連続的に移動させて供給できるようにしたことにある。
【００１３】
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜から前記支持体を剥がす工程を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜から前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防止膜をパターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド群を形成する工程を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、前記支持体を、ステンレス支持体で構成したことを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第１の工程において、前記第１のはんだ拡散防止膜を、ニッケル膜またはニッケルを主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。これは、長尺かつ薄形のステンレス支持体を第１のはんだ拡散防止膜から容易に剥がし易くするためである。
【００１４】
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第６の工程において、前記第２のはんだ拡散防止パッド群を、ニッケル膜またはニッケルを主成分とする合金膜で形成することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第３の工程において、前記第１のバリア層を、クロム膜、チタン膜、チタン／白金膜、タングステン膜またはそれらのいずれか一つを主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第５の工程において、前記第２のバリア層を、クロム膜、チタン膜、チタン／白金膜、タングステン膜またはそれらのいずれか一つを主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第３の工程において、前記第１の導体層を、銅膜または銅を主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第６の工程において、前記第２の導体層を、銅膜または銅を主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする配線基板である。
【００１５】
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動（ステップアンドリピートも含む）させて、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載する工程を有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法である。
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動（ステップアンドリピートも含む）させて、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載し、前記複数の電子部品を配線基板に対してモールド樹脂で被覆する工程を有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法である。
【００１６】
また、本発明は、前記配線基板の製造方法において、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載する工程と、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜から前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防止膜をパターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド群を形成する工程とを有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、前記マルチップモジュールの製造方法によって製造されたことを特徴とするマルチチップモジュールである。
【００１８】
以上、本発明により形成した製品は、マルチチップモジュールおよびそれらを基板に搭載した実装構造体である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る実施の形態について図面を用いて説明する。なお、全ての図において、同一符号は同一部位を示しているため、重複する説明を省いている場合があり、また説明を容易にするため各部の寸法比を実際とは変えてある。
【００２０】
まず、本発明に係る配線基板の製造方法の一実施例について図1、図２および図１５を用いて説明する。
【００２１】
本発明に係る配線基板およびＬＳＩなどの電子部品を実装したマルチチップモジュールの形成設備は、長尺かつ薄形のステンレス支持１を繰り出すと共に巻き取るための金属箔繰り出し軸の保持部（供給ロール２００、巻取ロール２０１）と、長尺かつ薄形のステンレス支持体１上に所定のパターンの絶縁膜３、６を形成するための感光性樹脂組成物膜を供給する樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装置）２０５、マスクを介して光若しくは電子線等を照射して露光する露光装置２１０、露光後の上記感光性樹脂組成物膜を現像、洗浄する現像装置２２０、配線形成方法に応じて設けるレジスト形成装置２０５、２１０、２２０、スパッタ装置２１９、電気めっき装置２０２、エッチング装置２２０、表面改質に用いるアッシャ装置（図示せず）、配線基板上にＬＳＩチップ等を搭載する部品搭載機２３０、前記搭載したチップを被うためのモールド装置２４０、並びに、長尺かつ薄形のステンレスを、絶縁層、配線層、および搭載されたチップ部品から成るマルチチップモジュール３００から剥がす剥がし機構２５０の何れかを１工程または、複数工程を連続して製造する設備である。
【００２２】
図１（ａ）に示す工程について説明する。
本発明に係る配線基板を製造するためのベースとなる基板として、図１および図１５に示すように、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を用いる。このように長尺かつ薄板のステンレス支持体１を用いるのは、ロール２００から送り出して巻取ロール２０１で巻き取ることができるようにして配線基板を製造するための様々な工程において連続的に処理するためである。また、ステンレス支持体１を用いるのは、電気ニッケルめっき膜２と適度に密着し、適度に剥がれ易いためである。次に、その上に、図１１に示す方法で、電気ニッケルめっき膜２を形成する。この電気ニッケルめっき膜２は、最終的には、外部基板（図示せず）との接続用端子兼はんだ拡散防止層として用いられる。
【００２３】
その形成方法は、図１１に示すように、供給ロール２００ａから巻取ロール２０１ａへ長尺かつ薄形のステンレス支持体１を、移動方向２６０ａのように巻き取りながら（移動して）、電気めっき装置２０２の電気めっき液２０４を通して行う。この場合、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を連続的に移動させても良い。なお、２０３は、電気めっき装置２０２を構成する電極である。ここでの電気めっき液２０４は、電気ニッケルめっき液である。電気ニッケルめっき２の膜厚は、図６に示すように、厚くなるほど、ステンレス支持体１の反りを増大させる傾向がある。そのため、１５μｍ程度以下の薄い方が良いわけであるが、２μｍ程度以下の余り薄いとはんだ拡散防止層の役割を果たさなくなる。はんだ拡散防止層の役割を果たし、かつ、図４（ａ）に示すように、電気ニッケルめっき膜２から長尺かつ薄形のステンレス支持体１を容易にはがすことを両立させる、２μ程度の最低膜厚が必要である。
【００２４】
次に、その上に、感光性ポリイミドを用いて絶縁層３を形成し、端子となる部分以外を、マスク等を用いて感光させて硬化させることによって、端子となる部分３１、３２を除去して開口させる。開口方法については、感光性ポリイミドを用いる方法の他、全面にポリイミドを塗布し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。また、絶縁層の材料として、ポリイミド樹脂を用いたが、エポキシなどの樹脂を用いても（即ち、ポリイミド樹脂または、エポキシ樹脂の化学的骨格を有しても）問題ではなく、また、場合によっては、無機系の絶縁層を用いても良い。
【００２５】
その形成方法は、図１２または図１３に示すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂへ電気ニッケルめっきされた長尺かつ薄形のステンレス支持体１、２を矢印２６０ｂで示すように巻き取りながら樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６である感光性ポリイミドを滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に示すように、支持体（基板）１、２の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すように、支持体（基板）１、２の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００２６】
その後、図１４に示すように、樹脂膜３を有する長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を矢印１０２ｃで示すように巻き取りながら（移動して）、紫外光発生装置２１０で紫外光２１１を発生させてフォトマスク２１２を介して上記感光性ポリイミド膜などの樹脂膜３に対して所定の露光パターンを形成する。この場合、フォトマスク２１２を固定すると、長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を、ステップアンドリピート方式で移動させる必要が生じることになる。ここで、フォトマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を有する描画装置を用いることは、フォトマスクを不要とすることより、なお好ましい。このように、描画する際は、長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を停止させて位置決めをすることが望ましい。
【００２７】
露光後、図１５に示すように、供給ロール２００ｄから巻取ロール２０１へと送り出される露光された樹脂膜３を有する長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜３に対して現像装置２１５から現像液２１６を滴下して、絶縁層３から不要な部分３１、３２を除去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図１６のように、現像装置２１５である現像液２１７中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図１５または図１６の現像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。
【００２８】
その後、絶縁層３の樹脂を硬化させるため、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、供給ロール２００ｅからロール２００ｅへと送り出される現像された絶縁膜３を有する長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜３の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、または図１８に示すように、上記長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜３の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００２９】
なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装置２０５を有する絶縁膜塗布工程、紫外光発生装置（露光装置）２１０または描画装置を有する露光工程、現像装置２１５を有する現像工程および加熱装置２０７または２０８を有する硬化工程毎に、供給ロール２００ｂ〜２００ｅから巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと電気ニッケルめっき膜２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を搬送するように構成したが、供給ロール２００と巻取ロール２０１との間に、上記４つの絶縁膜塗布工程、上記露光工程、上記現像工程および上記硬化工程の内、適宜に２つ以上若しくは全て４つを並べて設置してもよい。このようにすることによって、それぞれの工程毎に、電気ニッケルめっき膜２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を巻き取って更に送り出す必要がなく、構成を簡単にすることが可能となる。
【００３０】
以上により、電気ニッケルめっき付き長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１、２上に、図１（ｄ）に示すように、グランド導体層４１や信号線（電源線も含む）導体４２を電気ニッケルめっき膜２に接続するための開口３１、３２が形成された第１の絶縁層３が形成されたことになる。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示す工程について説明する。即ち、図１（ｂ）に示すように、開口（スルーホール）３１、３２が形成された第１の絶縁層３上に開口３１、３２内も含めてスパッタを用いて導体膜４を形成した。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、電気ニッケルめっき膜２との導体４１、４２の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。
【００３２】
本発明の特徴とする高周波信号対応の主としてグランド層を形成するためのスパッタ膜としての導体膜４は、クロム（７５ナノメートル程度）／銅（１〜３マイクロメートル程度）／クロム（５０ナノメートル程度）の多層膜で形成した。ここでのクロム膜(バリア膜)４ａの機能は、その上下に位置する配線導体としての銅膜（導体層）４ｂと絶縁層３、６との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、バリア層４ａとして、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステンまたはそれらの合金（クロム膜の合金も含む）などでも代替できる。また、導体層４ｂとして、銅膜または銅を主成分とする合金膜であってもよい。また、導体膜４としては、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする単体膜で構成してもよい。
【００３３】
その形成方法は、図１９に示すように、供給ロール２００ｆからロール２０１ｆへ図１（ａ）に示す工程が完了した長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を移動方向２６０ｆに示すように動かし、スパッタ装置２１９を通し、巻き取りながらスパッタを行って、上記開口３１、３２が形成された第１の絶縁層３上に、例えばクロム／銅／クロムの多層膜からなる導体膜４を形成する。ここでは、スパッタ装置２１９は１つしか図示していないが、クロム、銅、クロムと真空装置内で連続して成膜する。スパッタ装置２１９は、クロムのターゲット１９１ａを有するマグネトロン電極１９０を備えた真空処理室２１９ａと、銅のターゲット１９１ｂを有するマグネトロン電極１９０を備えた真空処理室２１９ｂと、クロムのターゲット１９１ａを有するマグネトロン電極１９０を備えた真空処理室２１９ｃとを並べて構成され、その間ステンレス支持体１〜３が移動（搬送）できるように構成される。それぞれ、真空処理室２１９では、トンネル状の磁界によってプラズマ化し、Ａｒ等のイオンを上記ターゲットに電界によって衝突させることによって、ターゲット１９１ａ、１９１ｂの材料がステンレス支持体１〜３の絶縁膜３上に、順次クロム／銅／クロムが成膜されることになる。
【００３４】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト５を用いて、エッチングする部分５１を開口させた導体膜４の配線パターンを形成する。レジスト５には、次のエッチング工程でエッチング液に対する耐性を持たせる必要がある。ここで用いたクロムのエッチング液は、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いたが、このエッチング液は、アルカリ（ｐＨ１３）かつ酸化性があるため、薬液耐性が高いレジストが求められる。ここでは、ゴム系または、ゴム成分を含有するノボラック系のレジストが好ましい。
【００３５】
その形成方法は、図１２または図１３に示すように、導体膜４が成膜した長尺かつ薄形のステンレス支持体１を供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂへと移動させながら、樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６であるレジストを滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に示すように、導体膜４の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すように、ステンレス支持体１の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００３６】
その後、図１４に示すように、紫外光発生装置（紫外光露光装置）２１０で紫外光２１１を発生させ、フォトマスク２１２を介して所定の配線パターンを形成する。ここで、フォトマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を有する描画装置を用いることは、なお好ましい。
【００３７】
露光後に、図１５または図１６に示すように、現像装置２１５から現像液２１６を滴下して、レジスト５の不要な部分５１を除去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図１６に示すように、現像液２１７中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図１５または図１６の現像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。
【００３８】
その後、レジスト５の樹脂を硬化させるため、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、供給ロール２００ｅから巻取ロール２０１ｅへと送り出される現像されたレジスト膜５を有する長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜４の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、または図１８に示すように、上記長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜４の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００３９】
なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装置２０５を有するレジスト塗布工程、紫外光発生装置２１０または描画装置を有する露光工程、現像装置２１５を有する現像工程および加熱装置２０７または２０８を有する硬化工程毎に、供給ロール２００ｂ〜２００ｅから巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと導体膜５を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を搬送するように構成したが、供給ロール２００と巻取ロール２０１との間に、上記４つの絶縁膜塗布工程、上記露光工程、上記現像工程および上記硬化工程の内、適宜に２つ以上若しくは全て４つを並べて設置してもよい。このようにすることによって、それぞれの工程毎に、導体膜４を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜４を巻き取って更に送り出す必要がなく、構成を簡単にすることが可能となる。
【００４０】
次に、図1（ｃ）に示す工程について説明する。即ち、図１（ｃ）には、レジストパターンをマスクとする導体膜４に対するエッチング工程を示す。
なお、導体膜４は、高周波信号対応として、主としてグランドとして使用されることになる。図１（ｂ）で示す工程で形成した導体膜４は、図１０に示す様に、クロム膜（バリア層）４ａ、銅膜（導体層）４ｂから成る３層構造になっている。そのため、エッチングは、クロム膜（バリア層）４ａ、銅膜（導体層）４ｂ、クロム膜（バリア層）４ａの順に行う必要がある。
【００４１】
クロム膜４ａのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。
【００４２】
銅膜４ｂのエッチングには、塩化鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。エッチング時間が短いと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行うと、サイドエッチングが大きくなったりタクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。引き続いて実施するクロム部分４ａのエッチングには、前記クロム膜４ａのエッチングと同様に行った。
【００４３】
また、導体膜４として、アルミニウム単体またはアルミニウム合金単体で成膜した場合には、酢酸、硝酸、燐酸、水からなる酸系のエッチング液を用いた。
【００４４】
エッチング方法であるが、図２０に示すように、レジスト配線パターン５を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜５を、供給ロール２００ｇから巻取ロール２０１ｇへと送りながら、エッチング処理室２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃにおいてエッチング装置１９２ａ、１９２ｂからエッチング液１９３ａ、１９３ｂを上記レジスト配線パターン５上に滴下して、開口５１に露出した導体膜４の不要な金属部分を除去する。ここでは、エッチング装置１９２ａ、１９２ｂとしてシャワー式現像装置を図示したが、図２１に示すように、エッチング処理装置２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃとしてのエッチング液槽１９５ａ、１９５ｂ中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図２０または図２１に示す各々エッチング処理室２２０ａ〜２２０ｃ、２２２ａ〜２２２ｃにおけるエッチング処理工程の後に、洗浄装置２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃによる洗浄工程が必要である。エッチング処理室２２０ａおよび２２０ｃ内に設置されたエッチング装置１９２ａまたはエッチング処理装置２２２ａおよび２２２ｃ内に設置されたエッチング液槽１９５ａは、不要なクロム膜（バリア層）４ａを除去するためのものである。エッチング処理室２２０ｂ内に設置されたエッチング装置１９２ｂまたはエッチング処理装置２２２ｂ内に設置されたエッチング液槽１９５ｂは、不要な銅膜（導体層）４ｂを除去するためのものである。
【００４５】
このように、供給するロール２００ｇと巻き取るロール２０１ｇとの間に、エッチング装置２２０によるエッチング工程および洗浄装置による洗浄工程を並べて設置することも可能である。また、更に上記レジスト膜５の硬化工程を並べて構成することも可能である。
【００４６】
次に、図1（ｄ）に示す工程について説明する。即ち、図１（ｄ）には、主としてグランド層の配線形成に用いたレジスト５を剥離する工程を示す。レジスト５の剥離には、有機アルカリ系、有機溶剤系などの種類があるが、第１絶縁層３並びにグランド配線４１および信号配線４２にダメージを与えないものであれば、いずれの剥離液を用いても問題ではない。
【００４７】
レジスト剥離装置の構成は、図１（ｃ）に示す工程で述べたエッチング装置と同様な装置で可能であり、図２０、図２１に示すエッチング装置３台ではなく１台について、エッチング液をレジスト剥離液に置き換えたものである。ここでも、レジスト剥離後にリンス、洗浄工程が必要である。ところで、レジスト剥離装置は、上記供給ロール２００ｇ、巻取ロール２０１ｇとは別のロール間に設けても良い。また、上記供給ロール２００ｇと巻取ロール２０１ｇとの間に、エッチング装置１９２または１９５によるエッチング工程、洗浄装置２２１による洗浄工程、レジスト剥離装置によるレジスト剥離工程、および洗浄装置による洗浄工程を並べて設置することも可能である。
【００４８】
以上により、電気ニッケルめっき付き長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１、２の上に形成した第１の絶縁層３上に、高周波信号対応の主としてグランド層としての３層構造の配線４１、４２をスパッタで形成することが可能となる。このように、導体膜４は、主としてグランド層として用いるため、銅（導体層）４ｂとしての膜厚がそれほど必要としないため、スパッタ成膜で十分対応することが可能となる。
【００４９】
次に、図２（ａ）に示す工程について説明する。即ち、図２（ａ）には、配線４１、４２の上に、図１（ａ）に示す工程と同様に、感光性ポリイミドを用いて第２の絶縁層６を形成し、端子となる部分６１、６２を開口させる工程を示す。開口方法については、感光性ポリイミドを用いた他に、全面にポリイミドを塗布し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。また、第２の絶縁層６の材料として、ポリイミド樹脂を用いたが、エポキシなどの樹脂を用いても（即ち、ポリイミド樹脂または、エポキシ樹脂の化学的骨格を有しても）問題ではなく、また、場合によっては、無機系の絶縁層を用いても良い。
【００５０】
その形成方法は、図１２または図１３に示すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂへ、配線４１、４２が形成された長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜４を巻き取りながら、樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６である感光性ポリイミドを滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に示すように、ステンレス支持体（基板）１〜４の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すように、ステンレス支持体（基板）１〜４の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００５１】
その後、図１４に示すように、紫外光発生装置２１０で紫外光２１１を発生させ、フォトマスク２１２を介して所定のパターンを形成する。ここで、フォトマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を有する描画装置を用いることは、なお好ましい。露光後に、図１５に示すように、現像装置２１５から現像液２１６を滴下して、不要な部分の絶縁層６１、６２を除去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図１６のように、現像液２１７中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図１５または図１６の現像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。
【００５２】
その後、樹脂を硬化させるため、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、ステンレス支持体（基板）１〜４、６の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１８に示すように、ステンレス支持体（基板）１〜４、６の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００５３】
なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装置２０５を有する絶縁膜塗布工程、紫外光発生装置２１０または描画装置を有する露光工程、現像装置２１５を有する現像工程（洗浄工程も含む）および加熱装置２０７または２０８を有する硬化工程毎に、供給ロール２００ｂ〜２００ｅから巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと配線４１、４２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を搬送するように構成したが、供給ロール２００と巻取ロール２０１との間に、上記４つの絶縁膜塗布工程、上記露光工程、上記現像工程および上記硬化工程の内、適宜に２つ以上若しくは全て４つを並べて設置してもよい。このようにすることによって、それぞれの工程毎に、配線４１、４２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜４を巻き取って更に送り出す必要がなく、構成を簡単にすることが可能となる。
【００５４】
次に、図２（ｂ）に示す工程について説明する。即ち、図２（ｂ）には、電気めっきを実施するための給電膜７を全面に形成し、その上にレジスト８による配線パターン８１、８２を形成し、さらに電気めっき装置２０２を用いて配線（電気銅めっき等）９、１０等を形成する工程を示す。
【００５５】
ここで、バリア層／給電層からなる給電膜７としては、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、第２の絶縁層６の材料であるポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、配線４１、４２との導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。
【００５６】
上記給電膜７を構成するスパッタ膜としては、バリア層としてのクロム膜（７５ナノメートル程度）／給電層としての銅膜（０．５マイクロメートル程度）の多層膜を形成した。ここでのクロム膜（バリア膜）の機能は、その上下に位置する銅膜（給電層）と第２の絶縁層６との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例でバリア層として使用したクロム膜に代えて、チタン膜やチタン／白金膜、タングステンまたはそれらの合金(クロム膜の合金も含む)などでも代替できる。また、給電層としては、銅膜または銅を主成分とした合金膜で形成してもよい。また、絶縁層と接着力を有する給電膜７の単体としては、アルミニウム膜またはアルミニウムを主成分する合金膜で形成してもよい。
【００５７】
一方、銅の膜厚は、後の工程で電気銅めっき膜９、１０及び電気ニッケルめっき膜１１、１２を形成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好ましく、めっき前処理として行う酸洗などでの膜減り量も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マイクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、後の工程で実施する給電膜７のエッチング除去の際に長時間エッチングが避けられず、その結果として配線９、１０のサイドエッチングが大きくなる。
【００５８】
次に、ホトリソグラフィー技術を用い、配線９、１０を形成する部分のみが開口した配線の逆パターン８１、８２を、レジストを用いて形成する。
【００５９】
なお、電気銅めっき膜を埋め込んで形成されるグランド配線９は、ＬＳＩチップなどの電子部品１００に設けられたグランド電極（図示せず）にはんだボール１０１を介してグランド層（グランド配線）４１と接続するための直立状のグランド導体部９ａと、該グランド導体部９ａにつながるグランドバンプ部９ｂとで形成される。そして、グランドバンプ部９ｂの上には、拡散防止膜としての電気ニッケルめっき膜１１が形成される。この拡散防止膜は、ニッケルまたはニッケルを含む合金で形成される。
【００６０】
電気銅めっき膜を埋め込んで形成される電源配線を含む信号配線１０は、ＬＳＩチップなどの電子部品１００に設けられた信号線配線（図示せず）にはんだボール１０１を介して信号配線４２と接続するための直立状の信号導体部１０ａと、該信号導体部１０ａにつながる高密度の信号配線部１０ｂとで形成される。そして、該高密度の信号配線部１０ｂの一部が信号バンプとなり、その上には、拡散防止膜としての電気ニッケルめっき膜１２が形成される。この拡散防止膜は、ニッケルまたはニッケルを含む合金で形成される。このように、高密度の信号配線１０については、一端（一部分）を後述するはんだボール１０１と接続するバンプパッドと兼用してもよい。いずれにしても、信号配線１０については、電気ニッケルめっき膜２に接続して高密度に配線する必要がある。
【００６１】
また、必要に応じて電気銅めっき膜の形成を繰り返すことで、図７に示すように、配線９、１０を多層構造にして高密度配線に対応させることも可能である。図7には、信号配線１０について示す。特に高密度信号配線を実現する上で、多層構造にする意味がある。ここには、２層目の配線１９を示すが、３層以上の以上の配線を形成することも可能である。
【００６２】
多層配線とする場合は最表層、つまりはんだボール１０１と接する配線９、１０のみに電気ニッケルめっき膜１１，１２を形成してもよいし、工程を一元化するため、２層目および３層以上の個々の配線に電気ニッケルめっき膜８を形成しても良い。なお、図７に示す実施例では、配線としては１層で示している。
【００６３】
ここでは、特に図示していないが、第１層目の配線４１、４２の形成手法を用いて第２層目、第３層目の配線を形成することも可能である。
【００６４】
界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜７を陰極に接続し、リンを含有する銅板を陽極に接続し、硫酸・硫酸銅めっき液を用いて、開口６１、６２内およびレジストの配線パターン８１、８２に電気めっき装置２０２を用いて電気銅めっきを施して電気銅めっき膜を埋め込む（成長させる）ことによって、配線９、１０が形成される。
【００６５】
次に、給電膜７を陰極に接続し、ニッケル板を陽極に接続し、少なくともはんだボール１０１を載せる配線の部分に電気ニッケルめっきを施してはんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき膜１１、１２が形成される。なお、電気ニッケルめっき膜１１、１２を形成する前に、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行うと良好な膜質の電気ニッケルめっき膜が得られる場合がある。
【００６６】
ところで、配線９、１０を形成する領域（特に、信号配線１０を這わせる領域）と、上記配線９、１０上に、はんだ拡散防止膜としての電気ニッケルめっき膜１１、１２を形成する領域とが異なる場合には、レジスト膜８を形成する工程を２回繰り返す必要がある。
【００６７】
また、銅、ニッケルとも電気めっき装置２０２を用いて導体を形成する方法を示したが、無電解めっき装置を用いることも可能である。ただし、無電解めっきの方が電気めっきよりも多くのめっき時間が必要となる。また、配線９、１０は銅以外に、金または銀を包含するものであってもよく、はんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき膜１１、１２は、ニッケル合金であってもよい。
【００６８】
その形成方法は、図１１に示すように、供給ロール２００ａから巻取ロール２０１ａへ、表面にレジスト配線パターン８１、８２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜８を移動方向２６０ａのように巻き取りながら、給電膜７を陰極に接続し、電気めっき液２０４を通し、めっきする面に対して電極（リンを含有する銅板およびニッケル板を陽極とする）２０３が設置してある。ここでの電気めっき液２０４は、電気銅めっき液および電気ニッケルめっき液である。電気銅めっきと電気ニッケルめっきは、連続して成膜することが好ましいが、工程間については、洗浄および必要に応じて前処理が必要である。特に、上記供給ロール２００ａと上記巻取ロール２０１ｂとの間において、めっきする面に対してリンを含有する銅板の陽極２０３ａを設置した電気銅めっき槽２０４ａと、めっきする面に対してニッケル板の陽極２０３ｂを設置した電気ニッケルめっき槽２０４ｂとを並べて設置し、ステンレス支持体１〜８を移動させることによって、連続して電気銅めっきによる配線９、１０およびその上への電気ニッケルめっきによるはんだ拡散防止膜１１、１２を成膜することができる。なお、それぞれめっき厚が異なるため、めっき時間を適度に制御する必要がある。また、それぞれのめっき電極の長さを適度に設定すればよい。
【００６９】
次に、図２（ｃ）に示す工程について説明する。即ち、配線パターン８１、８２を有するフォトレジスト８を除去し、その後電気めっきの給電膜７の露出した部分をエッチング処理により除去する。電気銅めっき膜９、１０および電気ニッケルめっき膜１１、１２を形成した後に、配線の逆パターンを有するレジスト８を除去し、その後、エッチング処理することで予め成膜した給電膜７の露出した部分を除去する。
【００７０】
このレジスト剥離装置の構成は、図１（ｃ）に示した工程で説明したエッチング装置と同様な装置で可能であり、図２０または図２１の装置の１台について、エッチング液をレジスト剥離液に置き換えたものである。ここでも、レジスト剥離後にリンス、洗浄工程が必要である。
【００７１】
その後、エッチング処理をすることで予め成膜した給電膜７の露出した部分を除去する。銅のエッチングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチング時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行うと、サイドエッチングが大きくなったり、タクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。引き続いて実施する給電膜７のクロム膜（バリア層）部分のエッチングには、図１（ｃ）に示す工程と同様に行った。なお、精密なパターンを形成するため、エッチング前には、酸素アッシングを行うとエッチング液による基板濡れ性が向上し、良好にエッチングをすることが可能となる。
【００７２】
図２０に示すように、エッチング処理室２２０ａ〜２２０ｃ内に設けられたエッチング装置１９２ａ、１９２ｂからエッチング液１９３ａ、１９３ｂを滴下して、不要な金属部分を除去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図２１に示すように、エッチング液槽１９５ａ、１９５ｂ中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図２０または図２１のエッチングの後に、リンス、洗浄工程が必要である。
【００７３】
次に、図２（ｄ）に示す工程について説明する。即ち、感光性ポリイミドを用いてカバーコート（保護膜）１３を形成し、端子となる部分を開口させる。開口方法については、感光性ポリイミドを用いて感光させることによって行なったが、全面にポリイミドを塗布し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。ここではカバーコート１３として感光性ポリイミドを使用したが、感光性ポリイミドの他にもソルダーレジストや印刷用ポリイミドなどの材料を用いてカバーコート１３を形成することも可能である。そして、特に図示していないが、このパターンを利用してパッド１１、１２の最表面に無電解Ａｕめっきを行って酸化防止用のＡｕめっきを形成した。
【００７４】
その形成方法は、図１２または図１３に示すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂへ、配線パターン９、１１、１０、１２が形成された長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜４、６を巻き取りながら、樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６を滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に示すように、上記ステンレス支持体１〜４、６の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すように、上記ステンレス支持体１〜４、６の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００７５】
その後、図１４に示すように、紫外光発生装置２１０で紫外光２１１を発生させ、フォトマスク２１２を介して所定のパターンを形成する。ここで、フォトマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を有する描画装置を用いることは、なお好ましい。露光後に、図１５に示すように、現像装置２１５から現像液２１６を滴下して、不要な部分の絶縁層を除去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図１６に示すように、現像液２１７中を潜らせることでも可能である。なお、図示していないが、図１５または図１６の現像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。
【００７６】
その後、樹脂を硬化させるため、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、上記ステンレス支持体１５の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１８に示すように、上記ステンレス支持体１５の下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。
【００７７】
次に、図３（ａ）に示す工程について説明する。即ち、図２２または図２３に示すように、ＬＳＩチップなどの電子部品１００を、図１および図２に示す工程で形成した上記ステンレス支持体１５の上に搭載する。電子部品１００の搭載方法であるが、Ｐｂフリーなどのはんだボールを電子部品側に形成することが一般的であり、電子部品１００のバンプパッド(電極パッド)（図示せず）上にフラックスと共にＰｂフリーなどのはんだボール１０１を搭載し、加熱することでバンプパッドにはんだボール１０１を接続する。
【００７８】
しかし、図１および図２に示す工程で形成した上記ステンレス支持体１５側に形成することも可能である。即ち、上記ステンレス支持体１５のバンプパッド１１、１２上に所定量のフラックスと電子部品１００に接続されたはんだボール１０１を搭載する。この際、はんだボールはフラックスの粘着力によりバンプパッド１１、１２上に仮固定される。
【００７９】
更に、はんだボール１０１が搭載された上記ステンレス支持体１５または電子部品１００をリフロー炉に投入することではんだボールは一旦溶融し、その後再び固体化することで、上記ステンレス支持体１５のバンプパッド１１、１２上に、電子部品１００がはんだボール１０１を介して電気的に接続して搭載される。
【００８０】
また、はんだをはんだボール１０１で供給する以外では、例えば、はんだペーストを電子部品１００若しくはステンレス支持体１５のバンプパッド１１、１２上に、印刷機を用いて印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ形成する方法もある。何れの方法においてもはんだ材料は様々なものを選択することが可能となり、現時点において市場に供給されているはんだ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成する方法もある。また、金や銅を核としたボールを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成したバンプを使用しても良い。
【００８１】
先に、図２（ｂ）に示す工程で記述したが、本実施例では、電気ニッケルめっき膜１１、１２の必要な膜厚を、はんだ拡散による拡散層の厚さとして決定したが、そのはんだ拡散の条件として、はんだの種類やリフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時間でリフローを行った。また、はんだボール１０１は、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、Ａｇを添加したＰｂフリーのものを用いた。この場合、リフロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、電気ニッケルめっき１１、１２の必要な膜厚としては、２マイクロメータが最低値であった。
【００８２】
その形成方法は、図２２または図２３に示すように、供給ロール２００ｈから巻取ロール２０１ｈへ、長尺かつ薄形のステンレス支持体１５を巻き取りながら、部品搭載機２３０を用いて電子部品１００を搭載する。その後、ロールヒータ２３１またはヒータ２３２などを用いて部品に接続されたはんだを溶融させて接続する。
【００８３】
次に、図３（ｂ）に示す工程について説明する。即ち、図１および図２に示す工程で形成したステンレス支持体１５と図３（ａ）に示す工程で搭載した電子部品１００の間に、補強用のアンダーフィル１０２を注入する。注入後、加熱硬化を行う。ここでは、エポキシ樹脂から成るアンダーフィル１０２を用い、注入後に２００℃で６０分加熱硬化させた。なお、部品が小さい場合には、必ずしもアンダーフィルを必要としない。
【００８４】
次に、図３（ｃ）に示す工程について説明する。即ち、アンダーフィル１０２を充てんした後、モールド樹脂１０３で図１および図２に示す工程で形成したステンレス支持体１５とアンダーフィル１０２を注入した電子部品１００を被覆モールドして硬化させた。この被覆モールドは、トランスファモールド法を用いた。モールド樹脂１０３としては、エポキシ樹脂から成るモールド樹脂を用い、注入後に２００℃、３分で成型させ、その後、１７０℃で８時間２次硬化させた。モールド方法は、トランスファモールドを用いたが、他のモールド方法（例えば印刷モールド）を用いてもよい。
【００８５】
その形成方法は、図２４に示すように、供給ロール２００ｉから巻取ロール２０１ｉへ、ＬＳＩチップなどの電子部品１００をはんだボール１０１を用いて搭載実装された長尺かつ薄形のステンレス支持体１５を巻き取りながら、モールド装置２４０においてモールド金型を押し当て、モールド樹脂２４１を樹脂注ぎ口２４２から流し込んでカバーコート１３上に電子部品１００を被覆モールドする。
【００８６】
次に、図４（ａ）に示す工程について説明する。即ち、ＬＳＩチップなどの電子部品１００をはんだボール１０１を用いて実装して被覆モールドした状態から、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を剥離させた。本発明では、支持体である長尺かつ薄形のステンレス支持体１を取り除くことで、マルチチップモジュール３００を薄型化することが可能となったことである。
【００８７】
このためには、図１および図２に示す工程中で、長尺かつ薄形のステンレス支持体１と電気ニッケルめっき膜２を剥がさないようにする必要があり、そのために、図８の丸で囲んだ部分の様に、長尺かつ薄形のステンレス支持体１と電気ニッケルめっき膜２、絶縁層３を配置し、絶縁層３が長尺かつ薄形のステンレス支持体１と接着し、電気ニッケルめっき膜２を被うように形成することが好ましい。
【００８８】
長尺かつ薄形のステンレス支持体１の剥がし方であるが、図２５に示すように、供給ロール２００ｊ、巻取ロール２０１ｊを小径化することで、長尺かつ薄形のステンレス支持体１は、剥がし機構２５０を構成する巻取ロール２０１ｊに巻き取られ、電気ニッケル膜２と分離することが可能となる。即ち、巻取ロール２０１ｊで、長尺かつ薄形のステンレス支持体１をマルチップモジュール３００から剥がす剥がし機構２５０を構成する。
【００８９】
次に、図４（ｂ）に示す工程について説明する。この段階では、電気ニッケルめっき膜２でモールドされた部品が繋がっているが、ハンドリング方法によっては、分離しても良い。もちろん、ロール状のままハンドリングしても可能である。
ここでは、ステンレス支持体１を剥がした電気ニッケルめっき膜２の面に、レジストを用いて、電気ニッケルめっき膜２をエッチングするためのレジストパターン１６を形成した。
【００９０】
次に、図４（ｃ）に示す工程について説明する。即ち、上記レジストパターン１６が形成された電気ニッケルめっき膜２に対して、塩化第２鉄を主成分としたエッチング液を用いてエッチングを施して配線９、１０に対応する電気ニッケルめっきパッド２１、２２を形成する。グランドパッド２１は、第１の絶縁膜３上に直立状の信号導体部１０ａとは離間されて張り巡らされたグランド層４１に接続された直立状のグランド導体部９ａに接続され、信号パッド２２は、第２の絶縁層６上に配線される信号配線部１０ｂに接続される直立状の信号導体部１０ａに接続されることになる。
【００９１】
ところで、上記レジストパターン１６には、電気ニッケルめっき膜２をエッチングする工程でエッチング液に対する耐性を持たせる必要があるが、本発明で用いた、電気ニッケルめっき膜２のエッチング液は、塩化第２鉄を主成分とした液を用いたため、図１（ｂ）に示す工程でクロム４ａのエッチングで用いたレジストのように、高いエッチング耐性を持たせる必要はない。
【００９２】
次に、図５（ａ）に示す工程について説明する。本工程では、電気ニッケルめっき膜２をエッチングするために用いたレジストパターン１６を剥離した。レジストパターン１６の剥離には、有機アルカリ系、有機溶剤系などの種類があるが、モールド樹脂１０３、絶縁層３および電気ニッケルめっきパッド２１、２２等にダメージを与えないものであれば、いずれの剥離液を用いても問題ではない。そして、特に図示していないが、パッド最表面に無電解Ａｕめっきを行って酸化防止用のＡｕめっき膜を形成した。
なお、支持体１５において、支持体であるステンレス支持体１を剥がし、電気ニッケルめっき膜２にパッド２１、２２を形成したものを１５ａとする。
【００９３】
グランドパッド２１は、グランド層４１に接続された直立状のグランド導体部９ａに接続され、信号パッド２２は、信号配線部１０ｂに接続される直立状の信号導体部１０ａに接続されることになる。なお、信号パッド２２に接続される第１の絶縁層３に埋め込まれた信号導体部１０ａと、第２の絶縁層６に埋め込まれた信号導体部１０ａとの位置を僅かずらして、その間をグランド層の配線で接続してもよい。すなわち、信号パッド２２に接続される第１の絶縁層３に埋め込まれた信号導体部１０ａと、第２の絶縁層６に埋め込まれる信号導体部１０ａとが隣接しているならば、その間を薄い導体からなるグランド層の配線で接続しても抵抗上ほとんど問題とならない。
【００９４】
次に、図５（ｂ）に示す工程について説明する。即ち、プリント基板などとの接続用のはんだボール１１０をニッケルパッド２１、２２上に搭載する。この方法について記述する。ニッケルパッド２１、２２上にフラックスと共に搭載し、加熱することではんだボール１１０を接続する。なお、はんだボール１１０は、ニッケルパッド２１、２２側に形成することも、搭載基板上に形成することも可能である。この場合、搭載基板上に所定量のフラックスとはんだボール１１０を搭載する。
【００９５】
そして、はんだボール１１０はフラックスの粘着力によりバンプパッド上に仮固定される。はんだボール１１０が搭載された搭載基板または図５（ａ）に示すパッド２１、２２の上にはんだボール１１０を搭載したものを、リフロー炉に投入することではんだボールは一旦溶融し、その後再び固体化することではんだボール１１０が搭載されることになる。はんだをはんだボールで供給する以外には、印刷機を用いてはんだペーストを印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ形成する方法もある。何れの方法においてもはんだ材料は様々なものを選択することが可能となり、現時点において市場に供給されているＰｂフリー等のはんだ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成する方法もある。また、金や銅を核としたボールを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成したバンプを使用しても良い。
【００９６】
先に、図１（ａ）に示す工程で記述したが、本実施例では、電気ニッケルめっき膜２の必要膜厚を、はんだ拡散による拡散層の厚さとして決定する必要があり、そのはんだ拡散の条件として、はんだの種類やリフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時間でリフローを行った。また、用いたはんだボール１１０は、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、Ａｇを添加したＰｂフリーのものを用いた。この場合、リフロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、２マイクロメータが最低値であった。
【００９７】
以上により、図９に示す如く、プリント基板等の搭載基板に搭載できるマルチチップモジュールが完成したことになる。図９では、モールド樹脂１０３の内部を透過させて示している。即ち、マルチチップモジュールは、ＬＳＩチップなどの多数の電子部品１００がはんだボール１０１などで電気的に接続されて配列され、その表面がモールド樹脂１０３で被覆モールドされる支持体１５から、支持体である長尺かつ薄形のステンレス支持体１を剥がし、剥がされた電気ニッケルめっき膜２にパッド２１、２２を形成し、これらのパッド２１、２２にはんだボール１１０を搭載することによって得られる。
【００９８】
特に、第１の特徴は、支持体として、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を用いることによって、ガラス基板等を用いる場合に比較して、プリント基板などの搭載基板とはんだボール１１０等を用いて接続実装する際のバンプ２１、２２となるはんだ拡散防止膜としての電気ニッケルめっき膜２と適度に密着し、適度に剥がれやすくすると共に、供給ロール２００から巻取ロール２０１への連続搬送を可能にして図１〜図４に示す様々なプロセス処理を連続的に行なうことが可能となる。
【００９９】
第２の特徴は、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を用いることによって、供給ロール２００ｆから巻取ロール２０１ｆへと連続的に搬送（移動）する状態において、第１の絶縁層３上に、高周波信号対応のグランド層として、バリア層で挟まれた導体膜でスパッタ成膜によって形成し、更に、第２の絶縁膜６上に形成する給電膜７もバリア層で挟まれた導体膜でスパッタ成膜によって形成することにある。更に、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を用いることによって、供給ロール２００ａから巻取ロール２０１ａへと連続的に搬送する状態において、給電膜７を用いて、直立状のグランド導体部９ａおよび該グランド導体部９ａに接続されるグランドバンプ部９ｂ並びに直立状の信号導体部１０ａおよび該信号導体部１０ａに接続される信号配線部１０ｂを、電気銅めっきによって成膜することにある。更に、はんだボール１０１などを用いて電子部品１００と接続する部分については、はんだ拡散防止膜を形成することにある。
【０１００】
【発明の効果】
本発明によれば、長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いてロール状に巻き取ることによって、電子部品を搭載したモジュール基板を効率的に製造することができ、その結果低コストで製造することができる効果を奏する。
【０１０１】
また、本発明によれば、通常の工程では構造体となる基板（ここでは、長尺かつ薄形のステンレス支持体）を剥離することで、配線基板を薄型化することが可能となる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１〜第４番目までの工程を示す図である。
【図２】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第５〜第８番目までの工程を示す図である。
【図３】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第９〜第１１番目までの工程を示す図である。
【図４】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１２〜第１４番目までの工程を示す図である。
【図５】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１５〜第１６番目までの工程を示す図である。
【図６】電気ニッケルめっき膜厚と基板の反りとの関係を実験によって求めた結果を示す図である。
【図７】配線を２層とした場合のマルチチップモジュールの一実施例を示す部分断面図である。
【図８】絶縁層の周辺を長尺かつ薄形のステンレス支持体の周辺に電気ニッケルめっき膜を挟んで接着した状態を示す断面図である。
【図９】本発明に係る配線基板を用いたマルチチップモジュールの一実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る配線基板において第１の絶縁層上に形成するグランド層の構造を示す断面図である。
【図１１】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて電気めっき装置により電気めっきする工程を示す図である。
【図１２】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装置）による樹脂組成物供給工程（樹脂ワニス塗布工程）の第１の実施例を示す図である。
【図１３】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装置）による樹脂組成物供給工程（樹脂ワニス塗布工程）の第２の実施例を示す図である。
【図１４】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて露光装置による露光工程を示す図である。
【図１５】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて現像装置による現像工程の第１の実施例を示す図である。
【図１６】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて現像装置による現像工程の第２の実施例を示す図である。
【図１７】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて樹脂硬化工程の第１の実施例を示す図である。
【図１８】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて樹脂硬化工程の第２の実施例を示す図である。
【図１９】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて３台のスパッタ装置による３層の金属膜を成膜するスパッタ工程を示す図である。
【図２０】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて３台のエッチング装置および洗浄装置による３層の金属膜の不要部分を除去するエッチング・洗浄工程の第１の実施例を示す図である。
【図２１】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて３台のエッチング装置および洗浄装置による３層の金属膜の不要部分を除去するエッチング・洗浄工程の第２の実施例を示す図である。
【図２２】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて部品搭載機によるチップ部品搭載工程の第１の実施例を示す図である。
【図２３】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いて部品搭載機によるチップ部品搭載工程の第２の実施例を示す図である。
【図２４】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支持体を用いてモールド装置による樹脂モールド工程を示す図である。
【図２５】剥がし機構による長尺かつ薄形のステンレス等の支持体をマルチチップモジュールから剥がす剥離工程を示す図である。
【符号の説明】
１…長尺かつ薄形のステンレス支持体、２…電気ニッケルめっき膜、３…第１の絶縁層、４…導体膜（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜）、４ａ…バリア層（クロム膜）、４ｂ…導体層（銅膜）、５…レジスト、６…第２の絶縁層、７…給電膜、８…レジストパターン、９…グランド配線、９ａ…グランド導体部、９ｂ…グランドパット部、１０…信号配線、１０ａ…信号導体部、１０ｂ…信号配線部、１１、１２…はんだ拡散防止膜（ニッケルパッド）、１３…カバーコート（保護膜）、１５…基板、１９…第２層目の信号配線、２０…第３の絶縁層、２１…ニッケルパッド（グランドパッド）、２２…ニッケルパッド（信号パッド）、３１、３２、６１、６２…開口（スルーホール）、８１、８２…配線パターン、１００…電子部品、１０１…はんだボール、１０２…アンダーフィル、１０３…モールド樹脂、１１０…はんだボール、１９０…マグネトロン電極、１９１…ターゲット、１９２…エッチング装置、１９５…エッチング液槽、２００…供給ロール，２０１…巻取ロール，２０２…電気めっき装置、２０３…電極、２０４…電気めっき液、２０５…樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装置）、２０６…樹脂ワニス、２０７…加熱装置（ヒータ）、２０８…加熱装置（ロールヒータ）、２１０…露光装置（紫外線発生装置）、２１２…フォトマスク、２１５…現像装置、２１７…現像液、２１９…スパッタ装置（真空処理室）、２２０…エッチング装置（エッチング処理室）、２２２…エッチング処理装置、２３０…部品搭載機、２４０…モールド装置（モールド金型）、２５０…剥がし機構、３００…マルチチップモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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