(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ媒体を有機ＥＬデバイスへ昇華により熱転写させるために用いられるドナーシートであって、支持体上に、熱を発生させるための光吸収層と、該光吸収層からの熱に応じて昇華して該有機ＥＬデバイスへ転写される有機ＥＬ媒体層とを設けてなり、該有機ＥＬ媒体層が熱蒸着により設けられている前記ドナーシート。
【請求項２】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが５００ｎｍ以下である、請求項１に記載のドナーシート。
【請求項３】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが１０〜２００ｎｍの範囲内にある、請求項１に記載のドナーシート。
【請求項４】
該光吸収層がクロムを含有する、請求項１に記載のドナーシート。
【請求項５】
有機ＥＬ媒体を有機ＥＬデバイスへ熱転写させるために用いられるドナーシートであって、支持体上に、光吸収層と、転写されるべき有機ＥＬ媒体層とを設けてなり、さらに該有機ＥＬ媒体層が該光吸収層の上に熱蒸着により堆積されている、前記ドナーシート。
【請求項６】
(a)ＥＬ基板上に離間した複数の電極を有するＥＬ基板を用意し、
(b)支持体上に、熱を発生させるための光吸収層と、該光吸収層からの熱に応じて該有機ＥＬ媒体を昇華させるための有機ＥＬ媒体層とを設けてなるドナーシートを、該ＥＬ基板に非常に近接するように配置し、そして
(c)該ドナーシート上に高強度合焦ビームを当てて該有機ＥＬ媒体を昇華させ、該ＥＬ基板上にパターン化様式で転写することにより発光層を形成する
ことを特徴とするフルカラー有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが５００ｎｍ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが１０〜２００ｎｍの範囲内にある、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
(a)ＥＬ基板上に離間した複数の電極を有するＥＬ基板を用意し、
(b)それぞれ支持体上に、熱を発生させるための光吸収層と、該光吸収層からの熱に応じて該有機ＥＬ媒体を昇華させるための異なる有機ＥＬ媒体層とを設けてなる少なくとも３種類のドナーシートを用意し、
(c)各ドナーシートを、該ＥＬ基板に非常に近接するように逐次配置し、そして
(d)各ドナーシートから該有機ＥＬ媒体を該ＥＬ基板に、各ドナーシート上に高強度合焦ビームを当てて該有機ＥＬ媒体を各ドナーシートから昇華させ、パターン化様式で転写することにより、該ＥＬ基板上の異なる位置に発色性の異なる発光層を形成する
ことを特徴とするフルカラー有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが５００ｎｍ以下である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが１０〜２００ｎｍの範囲内にある、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
(a)ＥＬ基板上に離間した複数の電極を有するＥＬ基板を用意し、
(b)支持体上に、熱を発生させるための光吸収層と、該光吸収層からの熱に応じて該有機ＥＬ媒体を昇華させるための有機ＥＬ媒体層とを設けてなるドナーシートを、該ＥＬ基板に非常に近接するように配置し、そして
(c)該ドナーシートの大きな領域を、フォトマスクを通してパターン化様式で光に曝して該有機ＥＬ媒体を昇華させ、該ＥＬ基板上に発光層を形成する
ことを特徴とするフルカラー有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが５００ｎｍ以下である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該有機ＥＬ媒体層の厚さが１０〜２００ｎｍの範囲内にある、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機エレクトロルミネセンス画像表示装置及びその製造方法に関する。
【０００３】
Ｔａｎｇ等（米国特許第５２９４８６９号）はシャドウマスク法を用いた多色有機ＥＬ画像化装置の製造用のプロセスを開示しており、ここでは適切な幾何学的特徴を有するシャドウマスクは装置構造の一体の部分である。この一体のシャドウマスク法は横方向に離間したインジウム錫酸化物陽極電極の組を受けるガラス基板を用いる。この基板上で絶縁材料で作られ、従来技術のリソグラフィ方法により製造されたピラー（一体化されたシャドウマスク）の組は陰極電極と同様に有機層を次に堆積するためのテンプレートを提供する。多色有機ＥＬ媒体は堆積蒸気流に関する基板の角度位置を制御することにより堆積され、パターン化される。同様にして陰極電極は金属蒸気流と基板との間の角度関係を制御することにより有機ＥＬ媒体の上に堆積され、パターン化される。
【０００４】
Ｔａｎｇ等の方法は多色有機ＥＬパネルを製造するのに有用であるが、それらは困難がないわけではない。
【０００５】
Ｔａｎｇ等の方法はＥＬパネル製造とフォトリソグラフィ過程との両立しない問題を含み、加えて多色ＥＬパネルを形成するための有機ＥＬ媒体をパターン化する新たな過程を提供する。しかしながらこの方法は製造が困難である多レベルトポロジーの一体化シャドウマスクと、蒸気源と基板との間のある複雑な幾何的配置を必要とする蒸着プロセスとを必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は着色されたＥＬパネルを製造するプロセスを改善する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的は、
支持体上に光吸収層と有機エレクトロルミネセンス媒体層とを設けてなる、有機エレクトロルミネセンス媒体を熱転写するためのドナーシート；並びに
(a) 基板上に離間した複数の電極を有するエレクトロルミネセンス基板を用意し、
(b) 支持体上に光吸収層と有機エレクトロルミネセンス媒体層とを設けてなるドナーシートを、該エレクトロルミネセンス基板に非常に近接するように配置し、そして
(c) 該有機エレクトロルミネセンス媒体を該エレクトロルミネセンス基板に、高強度合焦ビームを用いてパターン化様式で転写することにより発光層を形成する
ことを特徴とするフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法
により達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
層の厚さのようなデバイス特徴寸法はしばしばミクロン以下の範囲であり、図面は正確さよりもむしろ視覚的な理解を容易にするようにスケールされている。「表示器」又は「表示パネル」という用語はビデオ画像又はテキストを電子的に表示する能力のあるスクリーンを示すために用いられる。「画素」という用語は他の領域と独立に光を放射するために刺激されうる表示パネルの領域を意味するためにその技術で認められた使用法で用いられる。「多色」という用語は異なる領域で異なる色相の光を放射しうる表示パネルを記述するために用いられる。特に異なる色の画像を表示しうる表示パネルを表すために用いられる。これらの領域は連続である必要はない。「フルカラー」という用語はどのような色相の組合せも可視スペクトル及び表示画像の赤、緑、青領域で放射されうる多色表示パネルを表すために用いられる。赤、緑、青はこれらの原色を適切に混合することで他の全ての色が発生しうる３原色を構成する。「色相」という用語は可視スペクトル内での光放射の強度プロフィールを指し、異なる色相は視覚的に色が異なるよう識別されることを示す。画素又は副画素（サブピクセル）は表示パネル内の最小のアドレス可能な単位を示すために一般に用いられる。白黒表示器に対して画素と副画素の間の相違はない。「副画素」という用語は多色表示パネルで用いられ、特定の色を放射するために独立してアドレス可能な画素の部分を示すために用いられる。例えば青の副画素は青い光を放出するためにアドレスされる画素の一部分である。フルカラー表示器では画素は一般に３原色の副画素からなり、即ち青、緑、赤である。「ピッチ」という用語は表示パネルで２つの画素又は副画素を分離する距離を示すために用いられる。故に副画素ピッチは２つの副画素間の分離を意味する。
【０００９】
図１を参照するに、有機ＥＬデバイス１００は多色画像を形成することが可能であることが示されている。光透過性、電気的に絶縁性の透明基板１１０の上面が一連の光透過性列（カラム）電極１２０を有するのが示されている。列電極は透明層から形成され、電気的な隔離のために基板面上で側方に離間している。列電極上にわたって有機ＥＬ媒体１３０がある。有機ＥＬ媒体上にわたって平行に配置され、横方向に離間し、相互に電気的に隔離された一連の行（ロウ）電極１４０がある。列及び行電極はＥＬ画素の２次元マトリックスを形成するよう相互に直交するのが示される。
【００１０】
画素構造はまた図１に示される。各画素はＢ，Ｇ，Ｒで示された３つの隣接する副画素により構成される。各副画素は列電極と行電極の交差点で形成され、特定の色を放出するために独立にアドレスされる。例えばＢで示された副画素は青の光を放射する有機ＥＬ媒体を有する。同様にＧ，Ｒで示された副画素はそれぞれ緑、赤の光を放射する有機ＥＬ媒体を有する。故に各画素はこの特定の構造で３つの独立にアドレス可能な列電極と、１つの共通のアドレス可能な行を有し、図１に示されるようなＥＬパネルは行電極の３倍の列電極を有する。このＥＬパネルは原理的にフルカラーを表示可能であり、副画素が青、緑、赤の原色から選択されるよう設けられる。
【００１１】
図１はＥＬパネルでの限定された数の画素を示す。原理的に画素の数はどのような大きさにも形成されうるが、ＥＬパネルがその上に製造される基板の大きさによってのみ制限される。画素解像度又は画素濃度の数は非常に高く形成されうるが、着色された有機ＥＬ媒体をパターン化するのに用いられる方法によってのみ制限される。有機ＥＬ媒体のパターン化に対して本発明で用いられる近接して離間した堆積はミリメートル当たり１００画素の画素解像度を可能とする。
【００１２】
動作ではデバイス１００からの光放射の選択されたパターンは透明な基板１１０の底面を観察することにより見られるよう製造される。動作の好ましいモードではデバイスは同時に画素の１行を順次励起し、各行の繰り返される励起が典型的には一秒の約６０分の１より小さい人間の目の検出限界より小さな速度で励起シーケンスを繰り返すことにより放射するよう励起される。観察者は例えデバイスがどの瞬間にもただ１つの行からのみ光を放射するにもかかわらず全ての励起された行からの放射により形成された画像を見る。
【００１３】
デバイス１００の製造で第一の段階は図１に示される列電極１２０を有する基板１１０の上面を設けることである。基板に対する最も普通の選択はその透明性故にガラスである。列電極用に用いられる最も普通の材料はインジウム錫酸化物である。列電極はインジウム錫酸化物塗布ガラス基板をフォトレジスト塗布及び現像を含む従来技術のフォトリソグラフィ法を用いてパターン化することにより形成され、所望の電極パターンを形成するために塩酸／硝酸の水溶液でのインジウム錫酸化物層のエッチングが続く。インジウム錫酸化物、酸化錫、又は類似の導電性透明酸化物を用いる代わりに列電極は高い（例えば４．０ｅＶ以上）仕事関数の金属のいずれかの薄い、光透過性層で形成されうる。クロムと金の混合物は特に好ましい。
【００１４】
次に列電極と共に適所に所望のパターンでデバイスの多色有機ＥＬ媒体及び行電極部分を形成することが可能である。図２は図１での符号Ａ−Ａで示された断面を示す。ＥＬデバイス１００は基板１１０、列電極１２０、有機ＥＬ媒体１３０、行電極１４０を示す。有機ＥＬ媒体を構成するのは３原色化されたＥＬ媒体１３１、１３２、１３３である。
【００１５】
第一にパターン化される対象は列電極上に３原色有機ＥＬ媒体を選択的に堆積することである。これは近接離間した堆積技術により達成され、堆積のシーケンスは図３の（ａ）から（ｅ）に示される。図３の（ａ）は列電極１２０を有する透明基板１１０を示す。近接離間した堆積法を用いて最初の主なＥＬ媒体１３１は図３の（ｂ）に示されるように第一の主な副画素を形成するために３つ毎の列電極上に堆積される。プロセスは繰り返され、第二の主なＥＬ媒体１３２が図３の（ｃ）に示されるように第一の副画素に隣接する列電極上に選択的に堆積される。プロセスは図３の（ｄ）に示されるように残りのカラム電極上に第三の主なＥＬ媒体１３３を選択的に堆積するようもう一度繰り返される。図３の（ｅ）に列電極１２０を有する完成されたＥＬパネル構造を示す。
【００１６】
近接離間した堆積技術は印刷応用で専ら用いられてきた（米国特許第４７７２５８２号）。簡単にいうとこの技術はドナーシートからドナーを選択的に活性化することにより非常に接近して保持される受容体へ材料の所定の量を転写するために用いられる。活性化プロセスは通常合焦された光又は局所化された加熱要素により熱が供給される。この近接離間した堆積技術は有機ＥＬ媒体を構成する分子材料がもともと典型的には４００゜Ｃ以下の比較的低温で昇華されうる故にＥＬパネル製造に特に有用である。
【００１７】
特にドナーシートは有機ＥＬ媒体からなる層で塗布され、これはＥＬパネルを形成する基板にパターン毎に転写される。このパターン毎の転写は以下の２つの方法のいずれか１つにより最も便利に達成される。（１）ドナーシートは予めパターン化された光吸収層を含む。次に所望の有機ＥＬ媒体はこのパターン化されたドナーシート上に均一に塗布される。ドナーシートとＥＬ基板は非常に近接して保持され、適切な手段により相互に関して正確に整列される。パターン毎の転写はドナーシートを好ましくはドナーシート上のパターン化された吸収層により吸収される強いブランケット光源に曝すことにより達成される。
（２）ドナーシートはパターン化されない光吸収層を含む。所望の有機ＥＬ媒体はこのドナーシート上に均一に塗布される。ドナーシート及びＥＬ基板は非常に近接して保持され、適切な手段により相互に関して正確に整列される。昇華によるドナーからＥＬ基板へのＥＬ媒体のパターン毎の転写はレーザー又は局所化された熱要素のような強く合焦したビームでドナー吸収層上に書かれる。斯くして近接離間した堆積法によりパターン化された多色有機ＥＬ媒体は適切に着色された有機ＥＬ媒体の異なるドナーシートを数回用いる転写プロセスを繰り返すことにより簡単に発生可能である。
【００１８】
ドナーからＥＬ基板へのＥＬ媒体のパターン毎の転写は非常に高い解像度のパネルを提供する。解像度は部分的にはドナーシートと受容体であるＥＬ基板との間の分離により決定される。解像度を決定する他の要因はドナーシート上で用いられる吸収剤の性質、転写プロセスで用いられる光源のビームの大きさ、ドナーシート材料の熱拡散パターンである。数ミクロン以下のオーダーの着色された副画素ピッチはこの近接離間した堆積法で達成され、ここでドナーシート及びＥＬ基板受容体は直接接触で保持される。ドナーシートとＥＬ基板受容体は相互に分離して保持され、この離間はパターン化された転写プロセスに妥協することなくカラー副画素ピッチの数倍大きい。
【００１９】
近接離間した堆積法を用いる有機ＥＬ媒体のパターン化はプリント応用で見いだされないドナーシート上での幾つかの制限を有する。プリント応用とは異なり、転写されたＥＬ媒体はＥＬデバイスで良好な性能を有するよう比較的不純物が少ないことが必要である。ＥＬ媒体以外のドナーから転写されたどのような不純物もデバイス効率及び動作安定性に多くの悪影響を与える。またＥＬ媒体は異なる蒸気圧を有する材料の混合物であるドープされた層を含む。ドナーからＥＬ基板に劣化なしにその様なドープされた層を転写するためにはＥＬ媒体組成が特殊なドナーシート構成であることを要求する。代替的にドープされた層を形成するＥＬ材料は同等の蒸気圧を有するよう作られねばならず、それによりＥＬ媒体の所望の組成は転写プロセス中に準備される。
【００２０】
それに続く有機ＥＬ媒体の堆積では行電極の堆積用に用いられる源として金属が供される。効果的な有機ＥＬデバイスとして行電極は低（４．０ｅＶより低い）仕事関数を有する金属又は導電性材料であることが要求される。一以上の低い仕事関数の材料が単独で又は一以上のより高い仕事関数の金属と組み合わせてＴａｎｇ等の米国特許第５０５９８６２号及び４８８５２１１号に記載されるように使用することが可能である。行電極のパターン化はＴａｎｇ（米国特許第５２７６３８０号）により開示された方法によりなされる。これらの特許の記載はここに参考として引用する。
【００２１】
上記で有機ＥＬ媒体はその最も簡単な可能な形態で記載されている。それは単一の有機ＥＬ媒体を含む従来のデバイスを構築するのに用いられる従来の形態の幾つかを取りうる有機ＥＬである。ＶａｎＳｌｙｋｅ等により開示されるような（米国特許第５０６１６１７号）より効果的な動作は各能動的副画素領域内の有機ＥＬ媒体が重畳された層を含むときに実現する。効果的な従来の多層有機ＥＬデバイスではホール注入及び移動帯はホール注入電極上に塗布され、それはまた電子注入及び移動帯でその上に塗布され、これは次に電子注入電極により上塗りされる。
【００２２】
多層化された有機ＥＬ媒体を本発明の実施に適用する場合に近接離間した堆積法により由来するエレクトロルミネセンスからの層のみをパターン化することが必要である。他の層は均一に、真空蒸着法のような従来のどのような方法によってもパターン化せずに堆積される。図４は順次ホール注入層４３０と、ホール移動層４４０と、ルミネセンス層１３０と、電子移動層４６０とを含むＥＬ媒体を含む有機ＥＬの構造を示す。上記のように基板は１１０、列電極は１２０、行電極は１４０である。ルミネセンス層１３０を除く全ての層は従来の真空蒸着プロセスにより堆積されうる。ルミネセンス層１３０は３つの主なＥＬ媒体１３１、１３２、１３３を形成し、本発明で開示された近接離間した堆積により堆積され、パターン化される。
【００２３】
有機ＥＬ媒体は全て１ｍｍ以下であり、より典型的には５０００オングストローム以下である。有機ＥＬ媒体のそれぞれの層は５０オングストロームの厚さを示し、一方で満足できるデバイス性能を示す。有機ＥＬ媒体のそれぞれの層は一般に好ましくは１００から２０００オングストロームの範囲の厚さを有し、有機ＥＬ媒体の全体の厚さは少なくとも１０００オングストロームである。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ表示パネルで用いられる有機材用と電極材料は上記で引用したＳｃｏｚｚａｆａｖａ、及び以下に示すようなどのような形もとりうる；Ｔａｎｇ米国特許第４３５６４２９号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第４５３９５０７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第４７２０４３２号、Ｔａｎｇ等による米国特許第４８８５２１１号、Ｔａｎｇ等による米国特許第４７６９２９２号、Ｐｅｒｒｙ等による米国特許第４９５０９５０号、Ｌｉｔｔｍａｎ等による米国特許第５０５９８６１号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第５０４７６８７号、１９９０年７月２６日出願で、現在許可されたＳｃｏｚｚａｆａｖａ等によるＵ．Ｓ．Ｓｅｒｉａｌ第５５７８５７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第５０５９８６２号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第５０６１６１７号であり、これらはここに参考として引用する。
【００２５】
【実施例】
例１
この例は熱堆積技術により製造された有機光放射ダイオードの構成及び動作特性を説明する。このデバイスはＩＴＯの塗布されたガラス基板の上に順次堆積された３つの有機層により作られる。最初から最後までのシーケンスで、堆積された有機材料とその厚さは：銅フタロシアニン３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オングストローム、８−ヒドロオキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ）６００オングストローム。それから合金Ｍｇ：Ａｇ（約９０：１０の体積比）２０００オングストロームは有機部分総体の上に蒸着される。このデバイスを堆積するのに用いられる正確な手順はＶａｎＳｌｙｋｅにより米国特許第５０６１５６９号の例１Ｅに記載されている。陽極（ＩＴＯ）と陰極（Ｍｇ：Ａｇ）にわたり印加される６．９ボルトの電位はこのデバイスを２０ｍＡ／ｃｍ2 の電流レベルで駆動する。この電流レベルで０．３７ｍＷ／ｃｍ2 の放射パワーレベルが５４０ｎｍでＥＬ放射最大でピーク波長を有するこのデバイス表面から放射される。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワー効率に対応する。
例２
この例はＡｌｑ層は近接離間した堆積技術により堆積されたことを除き例１で記載されたデバイスと概略等価なデバイスの調製と動作特性を説明する。銅フタロシアニン層３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オングストロームが例１に記載されたように熱堆積によりＩＴＯ塗布されたガラス基板の上面に堆積される。
【００２６】
ドナーシートは１ｘ１０-5の高真空条件下で１０オングストローム／ｓの速度で光学的に透明なマイカ基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オングストローム厚さの層を交互に堆積することにより調製される。このシーケンスは繰り返され、結果として全体の厚さは４００オングストロームとなる。光吸収層からなる多層Ｃｒ／Ｇｅ構造は重要であり、以下の特性を意図して開発された：
（ａ）基板と同様にＣｒ，Ｇｅの両方は非常に低い蒸気圧を有する。近接離間した堆積の条件下ではＣｒ／Ｇｅは不活性な光吸収物として、物理的になお完全な状態で供され、故に所望の有機フィルムのみが転写され、ドナーシートからのどのような汚染も被らない。
【００２７】
（ｂ）Ｃｒ／Ｇｅ構造は平坦でクラックのない、許容できる反射特性を有する全色吸収フィルムとして供される。
（ｃ）Ｃｒ／Ｇｅ塗布されたマイカシートは高安定かつ再使用可能なドナーを提供する。
ＡｌｑドナーシートはＣｒ／Ｇｅドナーシート上に従来技術の熱蒸着によりＡｌｑの６００オングストローム層を堆積することにより調製される。
【００２８】
近接離間した堆積を実施するためにこのＡｌｑドナーシートは銅フタロシアニン層及び、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル層で以前に塗布された基板に非常に近接して配置される。ドナーシート及び基板の分離は画素の寸法に比べて小さい距離に接触する間で変化されうる。接触はそれがドナーシートからの蒸発物のフラックスの発散する性質を最小にし、それで表示パネル用の最も高い解像度を製造しうる故に好ましい。１ｘ１０-5Ｔｏｒｒの高真空条件下でキセノンフラッシュランプからの光はドナーシートの裏を通して光吸収層上に石英円柱レンズで合焦され、ここで吸収された光学的エネルギーは熱エネルギーに変換され、その一部分は蒸着層に伝達され、それを昇華させ、基板の受容体上に濃縮される。Ｍｇ：Ａｇ陰極は例１のようにこの有機部分総体の上に堆積される。陽極と陰極にわたる７．３ボルトの印加された電位差はこのデバイスを電流密度２０ｍＡ／ｃｍ2 で動作するのに必要とされる。この電流レベルでは０．３８ｍＷ／ｃｍ2 の放射パワー密度がこのデバイス表面から放射される。例１と同様にスペクトル分布ピーク波長は５４０ｎｍである。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワー効率に対応する。
例３
この例ではＥＬ放射がＡｌｑのそれからＡｌｑフィルムに混入されたドーパントの示す放射にシフトする。ドープされたＡｌｑ層は近接離間した過程により調製される。このデバイスの構成は例２に記載された過程と類似である。銅フタロシアニン層（３７５オングストローム）、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（３７５オングストローム）がＩＴＯ塗布されたガラス基板の上面に順次堆積される。それで１．６モルパーセントの４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでドープされたＡｌｑで形成される４００オングストローム層は改善されたドナーシートを用いる近接離間した堆積技術により堆積される。このドナーシートは１ｘ１０-5の高真空条件下で光学的に透明なマイカ基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オングストローム厚さの層を順次に堆積することにより調製される。このシーケンスは繰り返され、結果として全体の厚さは４００オングストロームとなる。１．６モルパーセントの４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでドープされたＡｌｑで共蒸着された４００オングストロームの厚さの層が堆積される。ドナーシートは有機層上にクロムとゲルマニウムの１００オングストローム層を堆積することにより完成する。金属層間にドープされたＥＬ媒体をサンドイッチすることにより均一にドープされた層はホストとドーパントの蒸気圧に依存して基板受容体に転写される。それで４００オングストロームのＡｌｑの整然としたフィルムが近接離間した堆積技術を用いて塗布された４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでドープされた銅フタロシアニン層の上に熱蒸着される。この層はＭｇ：Ａｇ陰極に続いて熱堆積にされる。このデバイスのＥＬスペクトル分布はドーパントの性質であり、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランは最大強度を５９０ｎｍで示した。
例４
この例は例３で作られたドープされたデバイスを調製するのに用いられるものより簡単化されたドナーシートの構造を示す。この例では例２と同様にドナーシートは光学的に透明なマイカ基盤上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オングストローム厚さの層を交互に、全体の厚さが４００オングストロームのスタックが構成されるまで堆積される。この構造上にドープされたＥＬ媒体が堆積される。ホストとドーパントは分子工学的にその蒸気圧／温度プロファイルが同様になるようにされる。これはペンダントバラスト群のより高い蒸気圧材料への付加により達成される。ドープされたデバイスのこの構造は例２の記載に追従したものであるが、改善されたドナーシートを用いる。
例５
このプロセスの有用性はそれがパターン化する方法で蒸着物を堆積しうることにあり、それはフルカラー平面パネル表示器の製造に必要である。フルカラー表示器を作るために、３つのドナーシートが例３又は４により記載されるように製造される。デバイスは例２のように製造される。ＥＬ媒体のパターン化はドナーシートを画素毎に高度に合焦された光源に曝すことにより又はフォトマスクを通して同時にドナーシートの大きな領域を曝すことにより達成される。前者の方法の光源又は後者の方法のマスクのみが受容体基板に整列する必要がある。ドナーシートそれ自体は整列されず、故にフルカラー表示器はそのひとつが各原色である３つのドナーシートを繰り返し露出することにより製造される。
例６
この例はパターン化された方法でＥＬ媒体を直接堆積する近接離間した堆積技術を用いる代替的な方法を説明する。デバイスの構成は例２と同様な方法で処理される。ドナーシートはドナーシート上にある全ての光吸収金属層がドナーシート上の金属の位置とＥＬ媒体が堆積される受容体シート上の領域との間の１対１対応が存在するような方法でパターン化すること以外は例３、４の記載に準ずる。パターン化は最初にドナーシートを受容体シートに整列することにより達成され、全体の領域を簡単に露出する。プロセスは各異なるＥＬ媒体に対して繰り返される。本発明はその好ましい実施例を特に参照して詳細に説明してきたが、変形及び改良は本発明の精神及び範囲内で有効である。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の利点は多色ＥＬ表示器は簡単な方法により作られ、ここで着色された有機ＥＬ媒体はＥＬパネルを形成する基板上に近接して離間した堆積プロセスによりパターン毎に堆積される。本発明の方法はそれぞれの画素の色を決めるのに従来のフォトリソグラフィを要求せず、故にフォトリソグラフィ処理を有する有機ＥＬ媒体の不適合問題を回避しうる。
【００３０】
本発明の他の利点は数ミクロンの大きさの画素ピッチを有する非常に高解像度のＥＬパネルを製造可能であることである。
それにより多色有機ＥＬパネルが製造される本発明のプロセスはＥＬ媒体がどの所望のパターン上にも最初に堆積されうるという利点を提供する。これ故に所望のパターンを形成するためのＥＬ媒体の除去及びその様な過程を実行する欠点は完全に解消された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多色有機ＥＬ表示パネルの平面図である。
【図２】多色有機ＥＬ表示パネルの断面図である。
【図３】（ａ）から（ｅ）は多色有機ＥＬ表示パネルの製造の連続する段階の断面図である。
【図４】多層化された有機ＥＬ媒体を有する多色有機ＥＬ表示パネルの断面図である。
【符号の説明】
１００  ＥＬデバイス
１１０  基板
１２０  列電極
１３０  有機ＥＬ媒体
１３１  青の有機ＥＬ媒体
１３２  緑の有機ＥＬ媒体
１３３  赤の有機ＥＬ媒体
１４０  行電極
４３０  ホール注入層
４４０  ホール移動層
４６０  電子移動層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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