(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、
前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分の上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、
前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、
前記ボンディングワイヤが圧着される部分が、前記切り欠き部の上面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、
少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記凹部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、
前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、大規模集積回路のＬＯＣ（Lead On Chip）構造を有する樹脂封止型ＬＳＩパッケージ（ＴＳＯＰ）に適応して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の情報化時代においては、情報・通信機器に対する需要は年々増大している。情報・通信機器の中でも特に需要の増大が著しい、カメラ一体型ＶＴＲやＰＨＳ（Personal Handyphone System）、ノート型パソコンなどの携帯情報機器は、持ち運びの便利さから機器本体が小型化・薄型化される傾向にある。従って、これら機器内部に搭載されるＬＳＩパッケージも当然小型化・薄型化が要求される。
【０００３】
この一方で、半導体素子の大規模集積化が進むにつれて、チップ面積が次第に増大するようになってきており、リードフレームのアイランドにチップをダイボンドするパッケージ方法では要求される寸法のパッケージ内に半導体素子を収納することが困難になってきている。
【０００４】
そこで、この点に対処するものとして特開平４−２９１９５０号公報などに示されるようなＬＯＣ構造のＴＳＯＰが提案され、実用化されている。
【０００５】
図１４は、代表的なＬＯＣ構造のＴＳＯＰの樹脂封止前の状態を示す平面図であり、図１５は、樹脂封止後の図１４のＤ−Ｄ’線での断面図である。このＴＳＯＰは以下のように組み立てられる。まず、インナーリード２、アウターリード１２、タイバー１３を備えるリードフレーム１０のインナーリード部２に絶縁テープ３を接着する。次に、中央部にボンディングパッド１の形成された半導体チップ４の表面の所定位置に、リードフレーム１０の接着された絶縁テープ３を接着する。そして、半導体チップ４上のボンディングパッド１とインナーリード２間をボンディングワイヤ５にて電気的に接続する。続いてトランスファモールド法により封止樹脂７にて半導体チップ全面を封止し、リードフレーム１０のタイバー１３及びベース部１４を切断し、リードを所望の形状に成形してＴＳＯＰの製造を完了する。
【０００６】
このようにして形成されたＴＳＯＰでは、半導体チップの外側にインナーリードを位置させてワイヤボンディングを行うパッケージ方法に比較して特に横方向の寸法を縮小することができるため、小型化が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
今後、ＩＣカードなどの普及により厚さ１ｍｍ以下の薄型且つ信頼性の高いＴＳＯＰが要求されることが予想される。上述したような従来のＬＯＣ構造をもつＴＳＯＰでは、▲１▼ボンディングワイヤの低ループ化（半導体チップ表面からのボンディングワイヤの軌跡を低く抑えること）、▲２▼半導体チップ厚の低減、▲３▼フレーム厚の低減、▲４▼絶縁テープの薄型化、▲５▼封止樹脂厚の薄型化のいずれかの手法により薄型化が可能である。
【０００８】
しかしながら、上述した手法により薄型化をした場合、従来のＬＯＣ構造のＴＳＯＰでは以下のような問題点が生じてしまう。すなわち、▲１▼ボンディングワイヤの低ループ化で薄型化を図る場合、ループ高さのばらつきによりワイヤがインナーリードまたはバスバーへ接触し、不良デバイスを作る可能性が高くなる。
【０００９】
また、▲２▼半導体チップ厚の低減により薄型化を図る場合、半導体ウェハからチップを切り出す前のバックグラインド工程で、ウェハ裏面の研磨量を増やすことが必要となる。しかし、今後、生産性の向上を目的として更にウェハ径が大きくなることは必至であり、大径化すればするほど半導体回路の製造工程で堆積させる各種膜の応力に起因するウェハの反りが大きくなってしまう。そのままの状態で研磨をすると、ウェハの中央部と周辺部とで半導体チップ厚が異なってしまうために、真空吸引などにより強制的にウェハ裏面を平坦にしてから研磨する必要があるのだが、これはウェハの破損につながるため、好ましくない。また、半導体チップを切り出してからバックグラインドを行うのは製造工程期間の延長につながり好ましくない。
【００１０】
また、▲３▼フレーム厚の低減により薄型化を図る場合、リードフレーム材の強度低下を招き、アウターリードを所望の形状に加工する際や電子機器内部に組み込む際にフレームが折れる可能性が高くなり、信頼性が低下してしまう。
【００１１】
また、▲４▼絶縁テープの薄型化により薄型化を図る場合、リードフレームと半導体チップとの間の静電容量が大きくなりすぎたり、半導体チップヘの外部からの応力に対する抵抗力が小さくなって、最悪の場合には半導体チップにクラックが発生するという問題が生じるので、やはり電気的な特性や信頼性が低下する。
【００１２】
また、▲５▼封止樹脂厚の薄型化により薄型化を図る場合、半導体チップの上面はボンディングワイヤが通過する領域を確保する必要があるために、ある程度の封止樹脂膜厚が必要となるため、薄型化には限度がある。よって、チップの下面（裏面）の封止樹脂膜厚を減らすしかない。一方、パッケージの反りは、半導体チップを境とした封止樹脂の収縮力（率）の差により生じ、収縮力の差は封止樹脂の体積比率に依存する。よって、チップ下面に封止樹脂膜厚を薄型化した場合、チップの上面より下面のほうが封止樹脂体積が小さくなるためにパッケージが反ってしまうという問題がある。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、信頼性を損なうことなく樹脂封止型ＬＳＩパッケージ（ＴＳＯＰ）の薄型化を実現することである。
【００１４】
また、本発明の別の目的は、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、信頼性を損なうことなく樹脂封止型ＬＳＩパッケージ（ＴＳＯＰ）の厚みを小さくする事にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されており、前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分の上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されている。
【００１６】
ここで、前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことが好ましい。
【００１７】
ここで、前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることが好ましい。
【００１８】
本発明の別の半導体装置は、インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されており、前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されている。
【００１９】
本発明の別の半導体装置は、インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、前記ボンディングワイヤが圧着される部分が、前記切り欠き部の上面に形成されている。
【００２０】
ここで、前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことが好ましい。
【００２１】
ここで、前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることが好ましい。
【００２２】
本発明の別の半導体装置は、インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記凹部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されており、前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されている。
【００２７】
【作用】
本発明においては、保護膜、絶縁テープを介して半導体チップと接着されているインナーリードの先端部及びバスバーの下面が予め一定肉厚切除されている。即ちこの場合、信頼性に大いに影響を及ぼすアウターリードや絶縁テープ、封止樹脂及び半導体チップそのものの膜厚や、ボンディングワイヤのループ高さを減ずることがないため、信頼性の低下を招くことなく、また、薄型化の工程を追加するだけでパッケージの薄型化が実現できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のいくつかの実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００２９】
（第１の実施の形態）
先ず、第１の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成について説明する。図１は、この半導体装置の樹脂封止前の状態を模式的に示す平面図であり、図２は、図１のインナーリードの一部を拡大した平面図である。図３（ａ）は、樹脂封止後の図１におけるＡ−Ａ’線での断面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。
【００３０】
図１に示す第１の実施の形態の半導体装置は、半導体素子（ここでは、ＤＲＡＭを例示する。）が形成された半導体チップ４と、この半導体チップ４に固定されるリードフレーム１０とから構成されている。
【００３１】
半導体チップ４には、少なくとも１つのトランジスタ及びキャパシタが形成されてなる複数のメモリセル（メモリセル領域）がマトリクス状に形成されており、メモリセルの周辺には、メモリセルに対する複数の周辺回路（周辺回路領域）等が形成されている。この半導体チップ４の表面には、メモリセル領域や周辺領域を覆うように、これらの回路をα線から保護するための保護膜８が形成されている。そして、この保護膜８には半導体チップ４の表面の一部を露出させる複数の開孔９が形成されており、開孔９内には図３（ａ）に示すように導電材からなり半導体チップ４の所定部位と導通するボンディングパッド１が形成されている。
【００３２】
４２ａｌｌｏｙからなるリードフレーム１０には、略中央部位に矩形状にデバイスホール１１が開口形成されている。このデバイスホール１１部においてリードフレーム１０には周縁部の対向する両端からそれぞれデバイスホール１１へ突出するように略対称に形成された複数のインナーリード２と、各インナーリード２と接続されてなるアウターリード１２と、インナーリード２とアウターリード１２との境界部位を横断するように設けられたダイバー１３と、デバイスホール１１の周縁部の対向する各端に配列するインナーリード２のうち最端に配されたインナーリード２同士を連接すると共に他のインナーリード２の先端に沿って設けられたバスバー６と、ダイバー１３を支持するベース部１４と、このベース部１４に一定間隔をもって形成されたスプロケットホール１５とが形成されている。尚、このリードフレーム１０は、複数の半導体チップ４に対応して用いることができるように、複数個が連続して形成されており、図１では半導体チップ１個に対応する１個分のリードフレーム１０が示されている。また、リードフレーム１０の厚さは通常０．１２５ｍｍ程度である。
【００３３】
そして、図３（ａ）に示すように、対向するバスバー６間の部位からボンディングパッド１が臨むように、保護膜８が形成された半導体チップ４の上面にリードフレーム１０の下面が位置合わせされ、インナーリード２の先端部位及びバスバー６の下面が厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８に接着固定されている。
【００３４】
ここで、図２においてハッチ部分として示されているインナーリード２の先端部位及びバスバー６のうち絶縁テープ３と接触する部位は、図３（ｂ）に示すようにその下面が矩形状に切り欠かれてインナーリード２はその先端部位に切り欠き部１７を有しており、アウターリード１２やインナーリード２の他の部位より薄く形成されている。この切り欠き部１７はボンディングワイヤの圧着領域として用いられるため、０．３〜０．４ｍｍ程度の長さがあることが好ましい。この切り欠き部１７及びバスバー６の厚さは加工限界まで薄型化することが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とが接着される際に、フレームが曲がったりや折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。また、切り欠き部１７とバスバー６の厚さは等しくなされている。これにより、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と切り欠き部１７を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除された部分の厚さに相当する０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになる。よって、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００３５】
更に、いわゆるワイヤボンディング法により、インナーリード２の先端部位の上面と、該インナーリード２に対応するボンディングパッド１とが、金（Ａｕ）からなるボンディングワイヤ５で接続されている。このボンディングワイヤ５としては、銅（Ｃｕ）線や、金属ワイヤの表面に絶縁樹脂を被覆した被覆線を用いてもよい。
【００３６】
ここで、インナーリード２と接続され、ダイバー１３が切断されて各々独立してなるアウターリード１２は、ＤＲＡＭを構成する各回路に電源電圧を供給する電源端子や、データ信号入力端子、ライトイネーブル端子、ロウアドレスストロープ信号端子、コラムアドレスストローブ信号端子、データ信号出力端子、基準電圧端子、空き端子等として用いられることになる。
【００３７】
そして、図１に示す樹脂封止領域１６内に図示しない金型を用いて封止樹脂７が封入されており、半導体チップ４の全面がこの封止樹脂７によって覆われている。
【００３８】
次に、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図４は、本実施の形態における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略工程フロー図である。
【００３９】
まず、半導体ウェハ上にメモリセル及びその周辺回路等を形成し、当該半導体ウェハに複数の半導体チップ４を形成する（ステップＳ１）。
【００４０】
続いて、各半導体チップ４のプレヒューズテストを経て（ステップＳ２）、各半導体チップ４の全面にα線保護膜８を形成する（ステップＳ３）。続いて半導体ウェハに保護膜８をより強固に密着させるために半導体ウェハを加熱した後（ステップＳ４）、半導体ウェハ全面にレジストを塗布し（ステップＳ５）、通常のフォトリソグラフィー（ステップＳ６）及び異方性エッチングにより、下層の半導体チップ４に形成されたボンディングパッド１を露出させるための複数の開孔９を保護膜８に形成する（ステップＳ７）。灰化処理によりレジストを除去した後（ステップＳ８）、バックグラインドにより半導体チップ４の厚みを調整し（ステップＳ９）、レーザーリペアを経て（ステップＳ１０）フルウェハテストを実施する（ステップＳ１１）。
【００４１】
次に、ダイシングを行い半導体ウェハから半導体チップ４を切り出す（ステップＳ１２）。このとき、ステップＳ１２の作業と並んで、以下の４工程が行われる。まず、インナーリード２の先端部に切り欠き部を形成する。このとき、バスバー６の下面も切り欠き部と同じ厚みだけ下面を除去する（ステップＳ１３）。切り欠き部の形成及びバスバー６の下面の切除は、切除以外の他の除去方法で行ってもよく、エッチング、研磨、プレス、または圧延などの方法により行うのが好ましい。次に、絶縁テープ３の両面に接着剤を塗布した後（ステップＳ１４）、インナーリード２及びバスバー６の下面に絶縁テープ３の一方の面を接着する（ステップＳ１５）。このとき、絶縁テープ３にはステップＳ１３で形成されたインナーリード２の先端部の切り欠き部１７及びバスバー６の下面が削られた部分のみが接するように接着する。最後に絶縁テープ３を所定形状に整形する（ステップＳ１６）。
【００４２】
続いて、切り出した各半導体チップ４に形成した保護膜８表面の所定位置に絶縁テープ３を介してインナーリード２を配置し、加圧することで半導体チップ４とインナーリード２とを接着する（ステップＳ１７）、更に加熱することで半導体チップ４とインナーリード２とを強固に接着固定する（ステップＳ１８）。場合によっては、ステップＳ１８の加熱は省略することができる。しかる後、保護膜８に形成された開孔９内のボンディングパッド１とインナーリード２又はバスバー６とをボンディングワイヤ５により接続し（ステップＳ１９）、トランスファモールド法により封止樹脂７にて半導体チップ４全面を封止する（スナッブＳ２０）。次に、リードフレーム１０のタイバー１３及びベース部１４を切断し、リードを所望の形状に成形してパッケージが完成する（ステップＳ２１）。
【００４３】
以上説明したように、第１の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部位の下面を矩形状に切り欠いて切り欠き部１７を形成しており、また、パスパー６の下面もインナーリード２の先端部位の切り欠き部１７と同じ肉厚になるよう切除している。この状態で絶縁テープ３の一方の面とこれらインナーリード２の切り欠き部１７とパスバー６の下面を切除した部位とを接着し、更に絶縁テープ３の他方の面と半導体チップ４表面に形成された保護膜８の上面とを接着する。即ちこの場合、保護膜８の上面からインナーリード２の上面までの高さが、切り欠き部１７及び切除したバスバー６を形成するためにインナーリード２の先端部位及びバスパー６から切除した部分の肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。また、インナーリード２とバスバー６の所定部のみ薄型加工を施すので、アウターリード１２の厚みは従来と同様に保つことができる。従って、アウターリード１２を所望の形状に加工する際や電子機器内部に組み込む際にフレームが折れることを防止できる。
【００４４】
従って、第１の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成は、第１の実施の形態のそれとほぼ同様であるが、インナーリード２の切り欠き部と絶縁テープ３との位置関係が異なる点で相違する。本発明の第２の実施の形態における樹脂封止前の半導体装置の平面図を図１に示す。図５（ａ）は樹脂封止後の図１におけるＡ−Ａ’線での断面図である。また、図５（ｂ）は図５（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。
【００４６】
尚、構成部材については第１の実施の形態の半導体装置と同様であるので、同符号を用いる。第２の実施の形態の半導体装置において、半導体チップ４の表面構造及びリードフレーム１０の構成は第１の実施の形態と同様であるので記載を省略する。第１の実施の形態と異なるインナーリード２と半導体チップ４との接着部分について、以下図面を用いて説明する。
【００４７】
第２の実施の形態における半導体装置は、図５（ａ）に示すように、対向するバスバー６間の部位からボンディングパッド１が臨むように、保護膜８が形成された半導体チップ４の上面にリードフレーム１０の下面が位置合わせされ、インナーリード２の先端部位及びバスバー６の下面が厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８の上面に接着固定されている。
【００４８】
ここで、図５（ｂ）に示すように、インナーリード２の先端部位及びバスバー６はその下面が矩形状に切り欠かれてインナーリード２はその先端部位に切り欠き部１８を有しており、インナーリード２の他の部位より薄く形成されている。本実施の形態では、インナーリード２に形成されている切り欠き部１８のうちの一部分が絶縁テープ３と接着されることにより、切り欠き部端面２ａが絶縁テープの端面３ａと所定距離Ｌ離れる点において第１の実施の形態と異なる。切り欠き部端面２ａが絶縁テープの端面３ａとの間にクリアランスＬがあることにより、絶縁テープ３とインナーリード２とが接着される際に位置が多少ずれても、絶縁テープ３がインナーリード２の切り欠き部１８以外の部位に接着されてしまうことを防げる。
【００４９】
この切り欠き部１８及びバスバー６の厚さは加工限界まで薄型化することが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とを接着する際に、フレームが曲がったり折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。また、インナーリード２の切り欠き部１８とバスバー６の厚さは等しく又はほぼ等しくなされている。これにより、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と切り欠き部１８を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除した部分の厚さに相当する０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになる。よって、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００５０】
第２の実施の形態の半導体装置の製造方法は、図４に示した第１の実施の形態における製造方法と同じであるので記載を省略する。
【００５１】
以上説明したように、第２の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部位の下面が矩形状に切り欠かれて切り欠き部１８が形成されており、また、パスバー６の下面もインナーリード２の先端部位の切り欠き部１８と同じ肉厚になるよう切除されている。
【００５２】
この状態で絶縁テープ３の一方の面とこれらインナーリード２の切り欠き部１８とバスバー６の下面が切除された部位とを接着し、更に絶縁テープ３の他方の面と半導体チップ４に形成した保護膜８の上面とを接着する。即ちこの場合、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが、切り欠き部１８及び切除したバスバー６を形成するためにインナーリード２の先端部位及びバスバー６から切除した部分の肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００５３】
更に、絶縁テープ３の一方の面をインナーリード２の切り欠き部１８の一部分にのみ接着し、切り欠き部１８の他の部分には空間が形成されているので、絶縁テープ３とインナーリード２とを接着する際に位置が多少ずれても、絶縁テープ３がインナーリード２の切り欠き部１８以外の部位に接着してしまうことを防げる。また、インナーリード２とパスバー６の所定部のみ薄型加工を施すので、アウターリード１２の厚みは従来と同様に保つことができる。従って、アウターリード１２を所望の形状に加工する際やパッケージを電子機器内部に組み込む際にフレームが折れるのを防止できる。
【００５４】
従って、第２の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００５５】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成は、第１の実施の形態のそれとほぼ同様であるが、インナーリード２の加工形状と絶縁テープ３の加工形状が異なる点で相違する。図６は、本発明の第３の実施の形態を示す半導体装置の樹脂封止前の平面図であり、図７（ａ）は、樹脂封止後の図６におけるＢ−Ｂ’線での断面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。
【００５６】
尚、構成部材については第１の実施の形態の半導体装置と同様であるので、同符号を用いる。第３の実施の形態の半導体装置において、半導体チップ４の表面構造は第１の実施の形態と同様であるので記載を省略する。リードフレーム１０の構成は第１の実施の形態に示したリードフレーム１０からバスバー６をなくした構成であり、他の部分は第１の実施の形態と同様である。インナーリード２と半導体チップ４との接着部分について、以下図面を用いて説明する。
【００５７】
第３の実施の形態における半導体装置は、図７（ａ）に示すように、対向するインナーリード２の先端部の間の部位からボンディングパッド１が臨むように、保護膜８が形成された半導体チップ４の上面にリードフレーム１０の下面が位置合わせされ、インナーリード２の先端部の下面が厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８に接着固定されている。
【００５８】
ここで、図７（ｂ）に示すように、インナーリード２の先端部位には下面が切り欠かれて凹部１９が形成されている。インナーリード２における凹部１９の位置は、その一部または全部がインナーリード２のうち半導体チップ４の上方に位置している範囲内にあればよく、パッケージまたは半導体チップ４の回路の設計などに合わせて自由に設定される。
【００５９】
この凹部１９の上面はボンディングワイヤが圧着される領域であるので、少なくとも凹部１９は０．３〜０．４ｍｍ程度の長さがあることが好ましい。凹部１９の厚さは加工限界まで薄型化することが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とを接着する際に、フレームが曲がったり折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。これにより、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と凹部１９を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除された部分の厚さに相当する０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになる。よって、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００６０】
第３の実施の形態の半導体装置の製造方法は、図４に示した第１の実施の形態における製造方法と同じであるので記載を省略する。
【００６１】
以上説明したように、第３の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部位の下面が切り欠かれて凹部１９が形成されている。この状態で絶縁テープ３の一方の面とこれらインナーリード２の凹部１９の下面を接着し、更に絶縁テープ３の他方の面と半導体チップ４に形成した保護膜８の上面とを接着する。即ちこの場合、保護膜８上面からインナーリード２の上面までの高さが、凹部１９を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除した部分の肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００６２】
更に、インナーリード２形成される凹部１９の位置は、凹部１９の一部または全部がインナーリード２のうち半導体チップ４の上方に位置している範囲内にあればよい。よって、インナーリード２と半導体チップ４とを接着する位置はパッケージまたは半導体チップ４の回路の設計などに合わせて自由に設定できる。また、インナーリード２の所定部のみ薄型加工を施すので、アウターリード１２を所望の形状に加工する際やパッケージを電子機器内部に組み込む際にフレームが折れるのを防止できる。
【００６３】
従って、第３の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００６４】
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成は、第１の実施の形態のそれとほぼ同様であるが、インナーリード２の加工形状が異なる点で相違する。図８は、本発明の第４の実施の形態の半導体装置の樹脂封止前を示す平面図であり、図９（ａ）は、樹脂封止後の図８におけるＣ−Ｃ’線での断面図である。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。尚、構成部材については第１の実施の形態の半導体装置と同様であるので、同符号を用いる。第４の実施の形態における半導体装置において、半導体チップ４の表面構造及びリードフレーム１０の構成は第１の実施の形態と同様であるので記載を省略する。第１の実施の形態と異なるインナーリード２と半導体チップ４との接着部分について、以下図面を用いて説明する。
【００６５】
第４の実施の形態における半導体装置は、図９（ａ）に示すように、対向するパスバー６間の部位からボンディングパッド１が臨むように、半導体チップ４の保護膜８が形成された上面にリードフレーム２の下面が位置合わせされ、インナーリード２の先端部位及びバスバー６の下面とが厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８の上面に接着固定されている。
【００６６】
ここで、図９（ｂ）に示すように、インナーリード２の先端部位及びバスバー６はリードフレーム１０に対して下方向にオフセットされており、更に絶縁テープ３と接触する部位はその下面が削られてアウターリード１２やインナーリード２の他の部位より薄く形成されている。この切除されたインナーリード２の先端部位及びバスバー６の厚さは加工限界まで薄型化されることが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とが接着される際に、フレームが曲がったり折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。また、インナーリード２の先端部位とバスバー６の厚さは等しく又はほぼ等しくなされている。これにより、リードの厚さが通常の場合と同様０．１２５ｍｍ程度であるとき、保護膜８上面からオフセットされたインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と、インナーリード２の先端部位の下面が削り取られた厚さである０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００６７】
更に、各インナーリード２のオフセットされた先端部位の上面とこれと対応するボンディングパッド１とが、いわゆるワイヤボンディング法によって金（Ａｕ）からなるボンディングワイヤ５により接続されている。このボシディングワイヤ５としては、銅（Ｃｕ）線や、金属ワイヤの表面に絶縁樹脂を被覆した被覆線を用いてもよい。
【００６８】
尚、図９（ａ）及び図９（ｂ）ではインナーリード２のオフセットされて薄型加工された部分の全てが絶縁テープ３と接着されているが、この接着されている部分のインナーリード２の長さは少なくとも０．３〜０．４ｍｍ程度あればボンディングワイヤの圧着領域として機能しうるので、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、インナーリード２のオフセットされて薄型加工された部分の一部のみが絶縁テープ３と接着されるように配置することも可能である。
【００６９】
次に、第４の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。図１１は、本実施の形態における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略工程フロー図である。
【００７０】
まず、半導体ウェハにメモリセル及びその周辺回路等が形成され、当該半導体ウェハに複数の半導体チップ４が形成される（ステップＳ３１）。
【００７１】
続いて、各半導体チップ３のプレヒューズテストを経て（ステップＳ３２）、各半導体チップ４の全面にα線保護膜８が形成される（ステップＳ３３）。続いて半導体ウュハに保護膜８をより強固に接着するために、半導体ウェハを加熱した後（ステップＳ３４）、半導体ウェハ全面にレジストを塗布し（ステップＳ３５）、通常のフォトリソグラフィー（ステップＳ３６）及び異方性エッチングにより、下層の半導体チップのボンディングパッド１を露出させるための複数の開孔９を保護膜８に形成する（ステップＳ３７）。灰化処理によりレジストを除去した後（ステップＳ３８）、バックグラインドにより半導体チップの厚みを調整し（ステップＳ３９）、レーザーリペアを経て（ステップＳ４０）フルウェハテストを実施する（ステップＳ４１）。
【００７２】
次に、ダイシングを行い半導体ウェハから半導体チップ４を切り出す（ステップＳ４２）。このとき、ステップＳ４２の作業と並んで、以下の５工程が行われる。まず、リードフレーム１０のインナーリード２の先端部及びバスバー６をプレスなどにより下方向にオフセットする（ステップＳ４３）。この場合、オフセット量はボンディングワイヤ５のループ高さと同じくらいにすることが好ましい。次に、オフセットされたインナーリード２の先端部とバスバー６の下面を削り、薄型加工を施す（ステップＳ４４）。この薄型加工切除以外の除去方法により行ってもよく、エッチング、研磨、プレス、または圧延などの方法で行うのが好ましい。次に、絶縁テープ３の両面に接着剤を塗布した後（ステップＳ４５）、インナーリード２及びバスバー６に絶縁テープ３を接着する（ステップＳ４６）。このとき、絶縁テープ３がインナーリード２の先端部及びバスバー６のオフセット部分にのみ接するように接着する。最後に絶縁テープ３を所定形状に整形する（ステップＳ４７）。
【００７３】
続いて、切り出された各半導体チップ４の保護膜８表面に絶縁テープ３を介してインナーリード２を配置し、加圧することで半導体チップ４とインナーリード２とを接着する（ステップＳ４８）、更に加熱することで半導体チップ４とインナーリード２とを強固に接着固定する（ステップＳ４９）。場合によっては、ステップＳ４９の加熱は省略することができる。しかる後、保護膜８に形成された開孔９内のボンディングパッド１とインナーリード２又はバスバー６とをボンディングワイヤ５により接続し（ステップＳ５０）、トランスファモールド法により封止樹脂７にて半導体チップ４全面を封止する（ステップＳ５１）。次に、リードフレーム１０のタイバー１３及びべース部１４を切断し、リードを所望の形状に成形してパッケージが完成する（ステップＳ５２）。
【００７４】
以上、説明したように、第４の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部とバスバー６をオフセットしてから、そのオフセット部の下面を削り取って薄型加工し、これらインナーリード２とバスバー６のオフセット部にのみ絶縁テープ３を接触させ、半導体チップ４とインナーリード２とを絶縁テープ３を介して接着する。即ちこの場合、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さがインナーリード２の先端部位及びパスバー６の下面を削り取られた肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。また、インナーリード２とバスパー６の所定部のみ薄型加工を施すので、アウターリード１２の厚みは従来と同様に保つことができる。よって、アウターリード１２を所望の形状に加工する際やパッケージを電子機器内部に組み込む際にフレームが折れることを防止できる。
【００７５】
従って、第４の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００７６】
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成は、第４の実施の形態のそれとほぼ同様であるが、インナーリード２の薄型化された部分と絶縁テープ３との位置関係が異なる点で相違する。本発明の第６の実施の形態における樹脂封止前の半導体装置の平面図は図８と全く同じであるので図示を省略する。図１２（ａ）は樹脂封止後の図８におけるＣ−Ｃ’線での断面図である。また、図１２（ｂ）は図１２（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。
【００７７】
尚、構成部材については第４の実施の形態の半導体装置と同様であるので、同符号を用いる。第５の実施の形態における半導体装置において、半導体チップ４の表面構造及びリードフレーム１０の構成は第４の実施の形態と同様であるので記載を省略する。第４の実施の形態と異なるインナーリード２と半導体チップ４との接着部分について、以下図面を用いて説明する。
【００７８】
第５の実施の形態における半導体装置は、図１２（ａ）に示すように、対向するバスバー６間の部位からボンディングパッド１が臨むように、保護膜８が形成された半導体チップ４の上面にリードフレーム１０の下面が位置合わせされ、インナーリード２の先端部位及びバスバー６の下面とが厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８の上面に接着固定されている。
【００７９】
ここで、図１２（ｂ）に示すように、インナーリード２の先端部位及びバスバー６はリードフレーム１０に対して下方向にオフセットされており、更に絶縁テープ３と接触する部位はその下面に切り欠き部２０が形成されている。この切り欠き部２０及びバスバー６の厚さは加工限界まで薄型化されることが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とが接着される際に、フレームが曲がったり折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。また、インナーリード２の切り欠き部２０とバスバー６の厚さは等しく又はほぼ等しくなされている。
【００８０】
これにより、リードの厚さが通常の場合と同様０．１２５ｍｍ程度であるとき、保護膜８上面からオフセットされたインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と、切り欠き部２０を形成するためにインナーリード２の先端部位が削り取られ厚さである０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００８１】
第５の実施の形態の半導体装置の製造方法は、図１１に示した第４の実施の形態における製造方法と同じであるので記載を省略する。
【００８２】
以上、説明したように、第５の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部とバスバー６をオフセットしてから、そのオフセット部の先端部に切り欠き部２０を形成し、これらインナーリード２の切り欠き部２０とバスバー６の下面が切除された部分にのみ絶縁テープ３の一方の面を接着し、絶縁テープ３の他方の面と半導体チップ４に形成された保護膜８の上面とを接着する。即ちこの場合、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが、切り欠き部２０及び切除されたパスバー６を形成するためにインナーリード２の先端部位及びバスバー６の下面を削り取った肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００８３】
また、インナーリード２とバスバー６の所定部のみ薄型加工を施すので、アウターリード１２の厚みは従来と同様に保つことができる。よって、アウターリード１２を所望の形状に加工する際やパッケージを電子機器内部に組み込む際にフレームが折れることを防止できる。
【００８４】
従って、第５の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００８５】
（第６の実施の形態）
次に、第６の実施の形態について説明する。初めに、この半導体装置の概略構成は、第３の実施の形態のそれとほぼ同様であるが、インナーリード２の加工形状が異なる点で相違する。本発明の第６の実施の形態における樹脂封止前の半導体装置の平面図は図６と全く同じであるので図示を省略する。図１３（ａ）は樹脂封止後の図６におけるＢ−Ｂ’線での断面図である。また、図１３（ｂ）は図１３（ａ）における絶縁テープ近傍を拡大した断面図である。
【００８６】
尚、構成部材については第３の実施の形態の半導体装置と同様であるので、同符号を用いる。第６の実施の形態における半導体装置において、半導体チップ４の表面構造及びリードフレーム１０の構成は第１の実施の形態と同様であるので記載を省略する。第４の実施の形態と異なるインナーリード２と半導体チップ４との接着部分について、以下図面を用いて説明する。
【００８７】
第６の実施の形態における半導体装置は、図１２（ａ）に示すように、対向するインナーリード２の先端部の間の部位からボンディングパッド１が臨むように、保護膜８が形成された半導体チップ４の上面にリードフレーム１０の下面を位置合わせされ、インナーリード２の先端部が厚さ０．０８ｍｍ程度の絶縁テープ３を介して当該保護膜８に接着固定されている。
【００８８】
ここで、図１２（ｂ）に示すように、インナーリード２の先端部位はリードフレーム１０に対して下方向にオフセットされており、更に絶縁テープ３と接触する部位はその下面が切り欠かれて凹部２１が形成されている。インナーリード２における凹部２１の位置は、その一部または全部がインナーリード２のうち半導体チップ４の上方に位置している範囲内にあればよく、パッケージまたは半導体チップ４の回路の設計などに合わせて自由に設定される。
【００８９】
この凹部２１の上面はボンディングワイヤが圧着される領域であるので、少なくとも凹部２１は０．３〜０．４ｍｍ程度の長さがあることが好ましい。凹部２１の厚さは加工限界まで薄型化されることが可能である。尚、本実施の形態ではリードフレーム１０と半導体チップ４とが接着される際に、フレームが曲がったりや折れたりすることを防止するために該当部分の厚みを０．０７ｍｍとしている。これにより、保護膜８上面からインナーリード２上面までの高さが従来の半導体装置では０．２０５ｍｍ程度であるのに比べ、本実施の形態の半導体装置では０．１５０ｍｍ程度と凹部２１を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除された部分の厚さに相当する０．０５５ｍｍ分だけ低減されることになる。よって、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００９０】
第６の実施の形態の半導体装置の製造方法は、図１１に示した第４の実施の形態における製造方法と同じであるので記載を省略する。
【００９１】
以上説明したように、第６の実施の形態においては、予めインナーリード２の先端部をオフセットしてから、そのオフセット部の先端部の下面に凹部２１を形成している。この状態で絶縁テープ３の一方の面にこれらインナーリード２の凹部２１を接着し、更に絶縁テープ３の他方の面と半導体チップ４とを接着する。即ちこの場合、保護膜８上面からインナーリード２の上面までの高さが、凹部２１を形成するためにインナーリード２の先端部位から切除した部分の肉厚分だけ低減されることになり、パッケージ厚の薄型化が実現される。
【００９２】
更に、インナーリード２に形成される凹部２１の位置は、凹部２１の一部または全部がインナーリード２のうち半導体チップ４の上方に位置している範囲内にあればよい。よって、インナーリード２と半導体チップ４とを接着する位置はパッケージまたは半導体チップ４の回路の設計などに合わせて自由に設定できる。また、インナーリード２の所定部のみ薄型加工が施されるので、アウターリード１２を所望の形状に加工する際やパッケージを電子機器内部に組み込む際にフレームが折れるのを防止できる。
【００９３】
従って、第６の実施の形態によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＬＯＣ構造を有する半導体装置において、フレーム、半導体チップ、封止樹脂、及び絶縁テープの薄型化やボンディングワイヤの低ループ化によらず、インナーリードの先端部の板厚を予め薄型加工することで、信頼性に優れ、且つパッケージが薄型化されたＴＳＯＰを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１、第２の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止前における概略平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の図１中のインナーリードとバスバーの一部を拡大した概略平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の図１中のＡ−Ａ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図４】本発明の第１、第２、第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を工程順に示す概略工程フローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の図１中のＡ−Ａ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図６】本発明の第３、第６の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止前における概略平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の半導体装置の図６中のＢ−Ｂ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図８】本発明の第４、第５の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止前における概略平面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態の半導体装置の図８中のＣ−Ｃ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態の半導体装置の図８中のＣ−Ｃ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図１１】本発明の第４、第５、第６の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を工程順に示す概略工程フローチャートである。
【図１２】本発明の第５の実施の形態の半導体装置の図８中のＣ−Ｃ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施の形態の半導体装置の図６中のＢ−Ｂ’線における樹脂封止後の概略断面図である。
【図１４】従来の半導体装置の樹脂封止前の概略平面図である。
【図１５】従来の半導体装置の図１４中のＤ−Ｄ’線における概略断面図である。
【符号の説明】
１  ボンディングパッド
２  インナーリード
３  絶縁テープ
４  半導体チップ
５  ボンディングワイヤ
６  バスバー
７  封止樹脂
８  保護膜
９  開孔
１０  リードフレーム
１１  デバイスホール
１２  アウターリード
１３  ダイバー
１４  ベース部
１５  スプロケットホール
１６  樹脂封止領域
１７，１８，２０  切り欠き部
１９，２１  凹部
【図１】
0003789633.tif 000002
【図２】
0003789633.tif 000003
【図３】
0003789633.tif 000004
【図４】
0003789633.tif 000005
【図５】
0003789633.tif 000006
【図６】
0003789633.tif 000007
【図７】
0003789633.tif 000008
【図８】
0003789633.tif 000009
【図９】
0003789633.tif 000010
【図１０】
0003789633.tif 000011
【図１１】
0003789633.tif 000012
【図１２】
0003789633.tif 000013
【図１３】
0003789633.tif 000014
【図１４】
0003789633.tif 000015
【図１５】
0003789633.tif 000016