(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
このメッキ工程によりメッキが施された前記アルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去するエッチング工程と、
を有することを特徴とするアルミナ多層配線基板のメッキ方法。
【請求項２】
アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に露出している前記金属粒子を除去するエッチング工程と、
このエッチング工程によりエッチングが施された前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
を有することを特徴とするアルミナ多層配線基板のメッキ方法。
【請求項３】
アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を第１の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に露出している前記金属粒子を除去する第１のエッチング工程と、この第１のエッチング工程によりエッチングが施された前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
このメッキ工程によりメッキが施された前記アルミナ多層配線基板を第２の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去する第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とするアルミナ多層配線基板のメッキ方法。
【請求項４】
前記所定のメッキ液は、無電解ニッケルメッキ液であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載のアルミナ多層配線基板のメッキ方法。
【請求項５】
前記メッキが施されたアルミナ多層配線基板を金メッキ液に浸してメッキ部分に金メッキを施す金メッキ工程を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載のアルミナ多層配線基板のメッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、アルミナを主成分とする絶縁層と、この絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
まず、上記アルミナ多層配線基板の構造について図８を参照して説明する。
図８（Ａ）は、上記アルミナ多層配線基板の一例であるＩＣ収納用パッケージの断面説明図であり、同図（Ｂ）は、（Ａ）に示すＩＣ収納用パッケージのピンを除く本体の外観説明図である。
図８（Ａ）に示すように、ＩＣ収納用パッケージ１０には、底部に絶縁層１２が形成されており、この絶縁層１２の上に高誘電体層１４が積層されている。この高誘電体層１４の上には絶縁層１６が積層されており、この絶縁層１６の中に形成されたキャビティ１３にはＩＣ２６が収納されている。高誘電体層１４は、４層に形成されており、各層の上下には、電極となるメタライズ層１８が形成されている。
【０００３】
絶縁層１６の中には、内部配線２０が形成されており、この内部配線２０は、上面に突出形成されたピン２４と接続されており、ピン２４は、図示しない回路基板に挿通される。また、後述するメッキ工程を経てから、内部配線２０は、ボンディングワイヤ２２によりＩＣ２６と接続され、キャビティ１３の開口面は、シールリング２８を介して蓋３０により密閉される。
絶縁層１２，１６は、主成分のアルミナに発色剤としてのＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）などをたとえば約１％添加して形成されている。また、高誘電体層１４は、絶縁層１２，１６よりも多くのＷ、または、Ｍｏ（たとえば、５〜５０重量％）を含んだアルミナにより形成されている。
高誘電体層１４は、Ｗ、または、Ｍｏの添加量を多くすることにより、添加しない場合の誘電率ε＝８〜１０が、ε＝１５程度に高くなっている。
そして、その高誘電体層１４を設けることにより、ＩＣ収納用パッケージ１０全体がコンデンサの役割を果たし、外来ノイズや不要な輻射によるＩＣ２６の誤動作が防止される。
【０００４】
次に、上記構造のＩＣ収納用パッケージ１０のメッキ方法について説明する。まず、ＩＣ収納用パッケージ１０を無電解及び／または電解ニッケルメッキ液に浸してピン２４、シールリング２８および図示しない表層の配線部分にニッケルメッキを施す。
このとき、ＩＣ収納用パッケージ１０の四方の端面３７の高誘電体層１４には、Ｗ、または、Ｍｏの金属粒子が露出しているため、その粒子もニッケルメッキされる。このため、後のＡｕ（金）メッキ工程において、そのニッケルメッキされた粒子もＡｕメッキされる。
つまり、本来、Ａｕメッキする必要がない部分にＡｕメッキされるため、Ａｕの材料費が高くなる。
そこで、従来は、ニッケルメッキされたＩＣ収納用パッケージ１０の四方の端面に現れている高誘電体層１４のメッキ部分を研磨して除去した後にＡｕメッキを施している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のメッキ方法では、上述のようにニッケルメッキされたＩＣ収納用パッケージ１０の四方の端面を研磨する工程が必要があるため、メッキの作業効率が低いという問題がある。
特に、四つの角部３８にニッケルが析出した場合は、それら四つの角部を手作業で研磨しなければならないため、より一層作業効率が低くなる。
【０００６】
そこで、本発明は、アルミナを主成分とする絶縁層と、この絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板を作業効率良くメッキする方法を実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、
請求項１に記載の発明では、アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
このメッキ工程によりメッキが施された前記アルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去するエッチング工程と、
を有するという技術的手段を採用する。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に露出している前記金属粒子を除去するエッチング工程と、
このエッチング工程によりエッチングが施された前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
を有するという技術的手段を採用する。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、アルミナを主成分とする絶縁層と、主成分のアルミナ中にタングステンおよびモリブデンのうち少なくとも一方の金属粒子を含み、かつ、前記絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、
前記アルミナ多層配線基板を第１の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に露出している前記金属粒子を除去する第１のエッチング工程と、この第１のエッチング工程によりエッチングが施された前記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程と、
このメッキ工程によりメッキが施された前記アルミナ多層配線基板を第２の時間所定のエッチング液に浸し、前記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去する第２のエッチング工程と、
を有するという技術的手段を採用する。
【００１０】
請求項４に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載のアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、前記所定のメッキ液は、無電解ニッケルメッキ液であるという技術的手段を採用する。
【００１１】
請求項５に記載の発明では、請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載のアルミナ多層配線基板のメッキ方法において、前記メッキが施されたアルミナ多層配線基板を金メッキ液に浸してメッキ部分に金メッキを施す金メッキ工程を有するという技術的手段を採用する。
【００１２】
【作用】
請求項１に記載の発明では、上記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程によりメッキが施されたアルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、上記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去するエッチング工程を有する。
つまり、アルミナ多層配線基板をエッチング液に浸すだけの簡単な作業により、上記高誘電体層の端面に析出しているメッキ層を除去することができるため、従来のようにアルミナ多層配線基板の端面を研磨する工程が不要である。
したがって、アルミナ多層配線基板をメッキする作業効率を高めることができる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明では、上記アルミナ多層配線基板を所定の時間所定のエッチング液に浸し、上記高誘電体層の端面に露出している上記金属粒子を除去するエッチング工程によりエッチングが施された上記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程を有する。
つまり、高誘電体層の端面に露出している金属粒子をエッチングにより除去してからメッキ対象部分をメッキするため、上記金属粒子がメッキされるのを防止できる。
したがって、従来のようにアルミナ多層配線基板の端面を研磨する工程が不要であるため、アルミナ多層配線基板をメッキする作業効率を高めることができる。
【００１４】
さらに、請求項３に記載の発明では、上記アルミナ多層配線基板を第１の時間所定のエッチング液に浸し、上記高誘電体層の端面に露出している上記金属粒子を除去する第１のエッチング工程によりエッチングが施された上記アルミナ多層配線基板を所定のメッキ液に浸してメッキ対象部分をメッキするメッキ工程を有する。
つまり、高誘電体層の端面に露出している金属粒子をエッチングにより除去してからメッキ対象部分をメッキするため、上記金属粒子がメッキされるのを防止できる。
そしてさらに、第２のエッチング工程において、上記メッキ工程によりメッキが施された上記アルミナ多層配線基板を第２の時間所定のエッチング液に浸すため、上記第１のエッチング工程によって除去されなかった金属粒子にメッキされた部分が残っている場合であっても、その残っているメッキ部分を除去できる。したがって、端面を研磨する必要が生じる事態を少なくできるため、アルミナ多層配線基板をメッキする作業効率をより一層高めることができる。
【００１５】
特に、上記請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の技術的手段は、請求項５に記載の発明のように、上記メッキが施されたアルミナ多層配線基板を金メッキ液に浸してメッキ部分に金メッキを施す金メッキ工程を有するアルミナ多層配線基板のメッキ方法に好適に用いられる。
つまり、端面にメッキ部分が残っていると、そのメッキ部分も金メッキされるため、金の材料費が高くなるからである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のアルミナ多層配線基板のメッキ方法の第１実施形態について図１、図２および図７を参照して説明する。
なお、以下の各実施形態では、本発明のアルミナ多層配線基板のメッキ方法としてＩＣ収納用パッケージのメッキ方法（以下、メッキ方法と略称する）を代表に説明する。
図１は、本第１実施形態のメッキ方法を示す工程図であり、図２は、図１に示すメッキ方法によりＩＣ収納用パッケージの本体をメッキした場合の実験結果を示す図表である。図７（Ａ）は、本発明のメッキ方法によりメッキされたＩＣ収納用パッケージの断面説明図であり、同図（Ｂ）は、（Ａ）に示すＩＣ収納用パッケージに取付けられたピンの接続構造を示す説明図であり、同図（Ｃ）は、（Ｂ）に示すピンを接続するパッドの説明図である。
【００１７】
なお、図７（Ａ）に示すＩＣ収納用パッケージは、図８に示したものと同じ構造であり、高誘電体層１４は主成分のアルミナに対して３０重量％のタングステンを添加した材料により形成されている。
また、図７（Ｂ）に示すように、ＩＣ収納用パッケージ１０の本体１１の上面にはパッド３２が形成されており、このパッド３２は無電解Ｎｉメッキ層３４で覆われており、パッド３２は、ロー材３６によりピン２４の本体２４ａと接合されている。パッド３２は、タングステンで形成されており、ピン２４の本体２４ａはコバールで形成されている。また、ロー材３６は、Ａｇ（銀）およびＣｕ（銅）からなる共晶ローである。
【００１８】
まず、本体１１の脱脂を行い（工程１０）、本体１１をＮｉ−Ｂ（ニッケルボロン）液に浸し、シールリング２８、パッド３２および図示しない表層の配線部分などのメッキ対象部分に無電解のＮｉ−Ｂメッキを施す（工程１２）。続いて、そのＮｉ−Ｂメッキが施された本体１１をシンタリングしてＮｉ−Ｂメッキ層を安定させ（工程１４）、エッチング液に浸す（工程１６）。
このエッチング処理により、本体１１の端面３７および角部３８の高誘電体層１４に形成されたＮｉ−Ｂメッキ層を除去することができる。
つまり、端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステンの金属粒子は、その数がメタライズ層１８と比較して少なく、Ｎｉ−Ｂメッキされる量も少ないため上記エッチング処理により除去できる。
【００１９】
そして、上記エッチング処理された本体１１を水洗いしてエッチング液を落とし（工程１８）、乾燥させて水分を除去する（工程２０）。続いて、図７（Ｂ）に示すように、ロー材３６によりピン２４の本体２４ａをパッド３２にロー付けする（工程２２）。続いて、ピン２４の本体２４ａに電極を接続して電解Ｎｉメッキを行い、図７（Ｂ）に示すように、本体２４ａの表面にＮｉ（ニッケル）メッキ層２４ｂを形成する（工程２４）。次に、本体１１をＡｕメッキ液に浸してＮｉメッキ層上に電解Ａｕメッキを施す（工程２６）。これにより、ピン２４の本体２４ａのＮｉメッキ層２４ｂの表面にはＡｕメッキ層２４ｃが形成される。このとき、端面３７および角部３８の高誘電体層１４はＮｉ−Ｂメッキ層が残っていないためＡｕメッキが付着しない。
したがって、Ａｕの材料費の無駄をなくすことができる。
そして、最後にベーキングを行い、Ａｕメッキ層とＮｉ−Ｂメッキ層との密着度を高める（工程２８）。これにより、ＩＣ収納用パッケージ１０が完成する。
【００２０】
ところで、本発明者らの実験によれば、エッチング処理時間が短すぎると、端面３７および角部３８の高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層を完全に除去できず、また、逆に、エッチング処理時間が長すぎると、エッチング液が本来メッキすべき配線などのメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透してＮｉ−Ｂメッキ層が剥離することが分かった。
そこで、本発明者らは、端面３７および角部３８の高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残らず、かつ、エッチング液がメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透しないために必要なエッチング処理時間について調べた。高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残っているか否かについては、光学顕微鏡で１０倍の倍率で調べた。また、エッチング液がメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透しているか否かについては、シンタリング後にメッキ対象部分に膨れが発生していないかを光学顕微鏡で１０倍の倍率で調べた。
【００２１】
つまり、エッチング液がメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透していると、Ｎｉ−Ｂメッキ層が剥離してＮｉ−Ｂメッキ層およびメタライズ層間に空気が侵入し、この侵入した空気によりＮｉ−Ｂメッキ層が膨れることから、その膨れの存在を調べた。
また、これらの実験は、１０個の本体１１を用いて行った。本実験の脱脂工程１０では、２００ｍｌ／ｌの脱脂液ＥＬＣ−４０００−Ｓ（ワールドメタル社製）に５分浸して脱脂を行い、エッチング工程１６では、ＩＣ収納用パッケージ１０を３０゜Ｃ１５０ｍｌの工業用の硝酸に浸してエッチングを行った。また、乾燥工程２０では、８０゜Ｃの温風乾燥を３０分行った。
【００２２】
その結果、図２の実験結果１に示すように、エッチング処理時間が３０秒ないし９０秒の間（請求項１に記載の所定の時間）である場合は、端面３７および角部３８に露出している高誘電体層にＮｉ−Ｂメッキ層が残っておらず、かつ、シンタリング後に膨れが見つかった本体１１は１０個中０個であった。
つまり、上記エッチング工程１６においてエッチング時間を適当な時間に設定しても端面３７および角部３８の高誘電体層１４のメッキ部分を除去できるが、そのメッキ部分を確実に除去し、かつ、メッキ対象部分のメッキ層を剥離させないためには、エッチング処理時間を３０秒ないし９０秒に設定することが好ましいことが分かった。
【００２３】
以上のように、本発明第１実施形態のメッキ方法によれば、Ｎｉ−Ｂメッキを施した本体１１をエッチング液に所定の時間浸すだけの簡単な作業により、端面３７および角部３８の高誘電体層１４に形成されているＮｉ−Ｂメッキ層を除去できる。
したがって、従来のように端面３７および角部３８を研磨してメッキ層を除去する方法よりもメッキ層を除去するために要する時間を短縮できる。しかも、一度に多数の本体１１をエッチング液に浸して処理することにより、より一層時間を短縮できる。
なお、高誘電体層１４以外のメッキ対象部分をマスキングテープなどでマスキング（マスキング工程）した後にエッチングを行うことにより、Ｎｉ−Ｂメッキ層の剥離を防止することもできる。
【００２４】
次に、本発明のメッキ方法の第２実施形態について図３および図４を参照して説明する。
本第２実施形態のメッキ方法は、Ｎｉ−Ｂメッキを行う前に端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去することを特徴とする。
図３は、本第２実施形態のメッキ方法を示す工程図である。図４は、図３に示すメッキ方法により本体１１をメッキした場合の実験結果を示す図表である。
【００２５】
まず、本体１１の脱脂を行い（工程３０）、エッチング液に浸す（工程３２）。
このエッチング処理により、本体１１の端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出したタングステン粒子を除去することができる。
そして、上記エッチング処理された本体１１を水洗いしてエッチング液を落とし（工程３４）、乾燥させて水分を除去する（工程３６）。続いて、本体１１をＮｉ−Ｂ液に浸してメッキ対象部分に無電解のＮｉ−Ｂメッキを施す（工程３８）。続いて、シンタリングを行い（工程４０）、ロー材３６によりパッド３２にピン２４の本体２４ａをロー付けする（工程４２）。続いて、電解Ｎｉメッキによりピン２４の本体２４ａにＮｉメッキ層２４ｂを形成する（工程４４）。
次に、本体１１をＡｕメッキ液に浸してＮｉメッキ層上に電解Ａｕメッキを施し（工程４６）、ベーキングを行う（工程４８）。
【００２６】
ところで、本発明者らの実験によれば、エッチング液に浸す時間が短すぎると、端面３７および角部３８の高誘電体層１４にタングステン粒子が残るため、後の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ工程３８において高誘電体層１４にＮｉ−Ｂが析出する。また、逆に、エッチング液に浸す時間が長すぎると、パッド３２上のＮｉ−Ｂメッキ層３４が除去されてしまい、ロー付け時にロー材３６が正常に流れず、ロー不足が生じる。
そこで、本発明者らは、高誘電体層１４にＮｉ−Ｂが析出せず、かつ、ロー材３６が不足しないために必要なエッチング処理時間について調べた。高誘電体層１４にＮｉ−Ｂが析出しているか否か、およびロー材３６が不足しているか否かについては、光学顕微鏡で１０倍の倍率で調べた。
なお、本実験のエッチング工程３２では、１００ｇ／ｌのフェリシアン化カリウムおよび１００ｇ／ｌの水酸化カリウムの混合液からなるエッチング液を用いた。脱脂および乾燥の方法は、第１実施形態と同じである。
【００２７】
その結果、図４の実験結果２に示すように、エッチング処理時間が３０秒ないし１８０秒の間（請求項２に記載の所定の時間）である場合は、端面３７および角部３８の高誘電体層にＮｉ−Ｂが析出しており、かつ、パッド３２上においてロー材３６が不足している本体１１は１０個中０個であった。
つまり、上記エッチング工程３２においてエッチング時間を適当な時間に設定しても端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去できるが、そのタングステン粒子を確実に除去し、かつ、ロー材３６が不足しないようにするためには、エッチング処理時間を３０秒ないし１８０秒に設定することが好ましいことが分かった。
【００２８】
以上のように、本発明第２実施形態のメッキ方法によれば、Ｎｉ−Ｂメッキを施す前に本体１１をエッチング液に所定の時間浸すだけの簡単な作業により、端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去できるため、高誘電体層１４にＮｉ−Ｂが析出するのを防止できる。
したがって、従来のように端面３７および角部３８を研磨してメッキ層を除去する方法よりもメッキ層を除去するために要する時間を短縮できる。しかも、一度に多数の本体１１をエッチング液に浸して処理することにより、より一層時間を短縮できる。
なお、高誘電体層１４以外のメッキ対象部分をマスキングテープなどでマスキング（マスキング工程）した後にエッチングを行うことにより、パッド３２などのメッキ対象部位のメッキ層までもエッチング除去してしまうのを防止し、上記ロー不足を解消することもできる。
【００２９】
次に、本発明のメッキ方法の第３実施形態について図５および図６を参照して説明する。
本第３実施形態のメッキ方法は、無電解Ｎｉ−Ｂメッキを行う前に１回目のエッチングを行い、無電解Ｎｉ−Ｂメッキを行った後に２回目のエッチングを行うことを特徴とする。
図５は、本第３実施形態のメッキ方法を示す工程図である。図６は、図５に示すメッキ方法により本体１１をメッキした場合の実験結果を示す図表である。
【００３０】
まず、本体１１の脱脂を行い（工程５０）、エッチング液に浸して第１のエッチングを行う（工程５２）。この第１のエッチングの処理時間は、上記第２実施形態と同じように３０秒ないし１８０秒が好ましいが、ここでは、端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去するために必要最小限の３０秒（請求項３に記載の第１の時間）とし、エッチング全体に要する時間を短縮する。
この第１のエッチング処理では、第２実施形態のエッチング工程と同じようにロー材３６の不足を生じることなく本体１１の端面３７および角部３８の高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去することができる。
【００３１】
そして、上記エッチング処理された本体１１を水洗いしてエッチング液を落とし（工程５４）、乾燥させて水分を除去する（工程５６）。続いて、本体１１をＮｉ−Ｂ液に浸してメッキ対象部分に無電解Ｎｉ−Ｂメッキを施す（工程５８）。続いて、シンタリングを行い（工程６０）、本体１１をエッチング液に浸して第２のエッチングを行う（工程６２）。
つまり、上記第１のエッチング工程５２において、高誘電体層１４に露出していたタングステン粒子は除去されているため、高誘電体層１４にはＮｉ−Ｂは析出していないものと推定されるが、仮に析出している場合を考え、念のために再度エッチングを行い高誘電体層１４に析出しているＮｉ−Ｂを確実に除去する。そして、上記エッチング処理された本体１１を水洗いしてエッチング液を落とし（工程６４）、乾燥させて水分を除去する（工程６６）。続いて、ロー材３６によりパッド３２にピン２４の本体２４ａをロー付けし（工程６８）、電解Ｎｉメッキによりピン２４の本体２４の表面にＮｉメッキ層を形成する（工程７０）。次に、本体１１をＡｕメッキ液に浸してＮｉメッキ層上に電解Ａｕメッキを施し（工程７２）、ベーキングを行う（工程７４）。
【００３２】
ところで、第２のエッチングの処理時間は、短すぎると、端面３７および角部３８の高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残る。また、逆に長すぎると、エッチング液がメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透し、本来必要とされるメッキ対象部位のＮｉ−Ｂメッキ層まで剥離してしまう。
そこで、本発明者らは、高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残らず、かつ、エッチング液がメッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層の下部まで浸透しないために必要なエッチング処理時間について調べた。高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残っているか否か、およびシンタリング後にメッキ対象部分に膨れが発生していないかについては、第１実施形態と同じ方法で調べた。
なお、第１のエッチング工程におけるエッチング方法は、第２実施形態のエッチング工程３２におけるエッチング方法と同じであり、第２のエッチング工程におけるエッチング方法は、第１実施形態のエッチング工程１６におけるエッチング方法と同じである。また、脱脂工程５０における脱脂方法および乾燥工程５６，６６における乾燥方法は、第１および第２実施形態の方法と同じである。
【００３３】
その結果、図６の図表に示すように、第２のエッチング処理時間が１５秒ないし９０秒の間（請求項３に記載の第３の時間）である場合は、端面３７および角部３８に露出している高誘電体層１４にＮｉ−Ｂメッキ層が残っておらず、かつ、シンタリング後に膨れが見つかった本体１１は１０個中０個であった。
つまり、上記第２のエッチング工程６２においてエッチング時間を適当な時間に設定しても端面３７および角部３８の高誘電体層１４に析出しているＮｉ−Ｂメッキ層を除去できるが、そのＮｉ−Ｂメッキ層を確実に除去し、かつ、メッキ対象部分のＮｉ−Ｂメッキ層を剥離させないためには、第２のエッチング工程におけるエッチング処理時間を１５秒ないし９０秒に設定することが好ましいことが分かった。
【００３４】
以上のように、本発明第３実施形態のメッキ方法によれば、Ｎｉ−Ｂメッキを施した後で２回目のエッチングを行うため、本体１１の端面３７および角部３８の高誘電体層１４に析出しているＮｉ−Ｂを確実に除去できる。
つまり、上記第１および第２実施形態のメッキ方法によれば、端面３７および角部３８にＮｉ−Ｂメッキ層が残る可能性は小さいものと考えられるが、上記第３実施形態のメッキ方法を用いれば、そのような可能性をより一層小さくできる。
したがって、ＩＣ収納用パッケージ１０を製造する場合の歩留まりを高めることができる。
また、各エッチング処理時間を最小限に設定することにより、本来メッキすべきメッキ対象部位のＮｉ−Ｂメッキ層の剥離を防止できるため、各エッチング工程の前にマスキングを行う工程を設ける必要がない。
【００３５】
ところで、図７（Ｃ）に示すように、本体１１上にパッド３２を形成する際にタングステンのダレ部３２ａが生じる場合があり、このようなダレ部３２ａが生じると、隣接するパッド３２と短絡する可能性がある。
しかし、上記第２実施形態のエッチング工程３２、または、第３実施形態の第１のエッチング工程５２におけるエッチングにより、高誘電体層１４に露出しているタングステン粒子を除去する際に上記ダレ部３２ａをも除去できるため、隣接するパッド３２との短絡を防止して製品の歩留まりを高めることができる。
特に、ピン２４間のピッチが小さい場合は、上記ダレ部３２ａによるパッド３２間の短絡が発生する可能性が大きいが、上記エッチングによりその可能性を小さくできる。
【００３６】
また、上記各実施形態で用いるエッチング液は、上記のものに限定されるものではなく、第１実施形態のエッチング工程１６および第３実施形態の第２のエッチング工程６２において用いたエッチング液として１０ｇ／ｌのワールドメタル社製のリップスターＤ（登録商標）を用いることもできる。また、第２実施形態のエッチング工程３２および第３実施形態の第１のエッチング工程５２において用いたエッチング液として１００ｇ／ｌのフェリシアン化ナトリウムおよび１００ｇ／ｌの水酸化ナトウムの混合液からなるエッチング液を用いることもできる。さらに、それらフェリシアン系のエッチング液に代えて王水系のエッチング液を用いることもできる。
【００３７】
ところで、上記第１実施形態の工程１２が請求項１に記載のメッキ工程に対応し、工程１６がエッチング工程に対応する。また、第２実施形態の工程３２が請求項２に記載のエッチング工程に対応し、工程３８がメッキ工程に対応する。さらに、第３実施形態の工程５２が第１のエッチング工程に対応し、工程５８がメッキ工程に対応し、工程６２が第２のエッチング工程に対応する。
また、第１実施形態の工程２６、第２実施形態の工程４６および第３実施形態の工程７２が、それぞれ請求項５に記載の金メッキ工程に対応する。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、アルミナを主成分とする絶縁層と、この絶縁層の誘電率より高い誘電率を有する高誘電体層とが積層されてなるアルミナ多層配線基板を作業効率良くメッキする方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１実施形態のメッキ方法を示す工程図である。
【図２】図１に示すメッキ方法によりＩＣ収納用パッケージをメッキした場合の実験結果を示す図表である。
【図３】本発明第２実施形態のメッキ方法を示す工程図である。
【図４】図３に示すメッキ方法によりＩＣ収納用パッケージをメッキした場合の実験結果を示す図表である。
【図５】本発明第３実施形態のメッキ方法を示す工程図である。
【図６】図５に示すメッキ方法によりＩＣ収納用パッケージをメッキした場合の実験結果を示す図表である。
【図７】（Ａ）は、ＩＣ収納用パッケージの断面説明図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示すＩＣ収納用パッケージに取付けられたピンの接続構造を示す説明図であり、（Ｃ）は、（Ｂ）に示すピンを接続するパッドの説明図である。
【図８】（Ａ）は、ＩＣ収納用パッケージの断面説明図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示すＩＣ収納用パッケージのピンを除く本体の外観説明図である。
【符号の説明】
１０        ＩＣ収納用パッケージ
１１        本体
１２，１６  絶縁層
１８        メタライズ層
２４        ピン
２６        ＩＣ
３２        パッド
３６        ロー材
【図１】
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【図２】
0003767990.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003767990.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003767990.tif 000007
【図７】
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【図８】
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