(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解され又は活性化され、又は分解されると共に活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置であって、
前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個、又は複数個、処理容器内に設置されていると共に、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出していないことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項２】
接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われていることを特徴とする請求の範囲１記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項３】
接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、接続端子との間に接続端子内部空間を存在させ、かつ、発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われていることを特徴とする請求の範囲１記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項４】
接続端子は、それぞれ、接続端子本体と、前記発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続端子本体に冠着されるキャップとで構成され、キャップと接続端子本体との間に接続端子内部空間が形成されていることを特徴とする請求の範囲１記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項５】
各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていると共に、当該接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている複数の接続端子に接続される発熱体の接続部領域は、接続端子との間に接続端子内部空間を存在させ、かつ、発熱体との間にガス通過孔を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われており、前記接続端子内部空間と第一の内部空間とが連通されていて、当該第一の内部空間へはガスを導入するガス導入系が接続されていることを特徴とする請求の範囲１記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項６】
各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていると共に、当該接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている複数の接続端子は、それぞれ、接続端子本体と、前記発熱体との間にガス通過孔を存在させつつ当該接続端子本体に冠着されるキャップとで構成され、キャップと接続端子本体との間に接続端子内部空間が形成され、当該接続端子内部空間と第一の内部空間とが連通されていて、当該第一の内部空間へはガスを導入するガス導入系が接続されていることを特徴とする請求の範囲１記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記キャップには、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域を、前記発熱体と接触することなしに覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体が装着されていることを特徴とする請求の範囲４又は６記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項８】
ガスは、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアのいずれかのガス、またはこれらの２種以上からなる混合ガスのいずれかであることを特徴とする請求の範囲５乃至７のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項９】
接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が、前記接続端子ホルダーに内蔵されていることを特徴とする請求の範囲１乃至８のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項１０】
各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていて、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分は、当該第一の内部空間に配置されていることを特徴とする請求の範囲５又は６記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項１１】
各接続端子ホルダーは、基板ホルダーに対向する側の面に備えられている複数のガス吹き出し孔を介してのみ処理容器内の空間に連通すると共に、原料ガス供給系に接続されている第二の内部空間を備えていることを特徴とする請求の範囲１乃至１０のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項１２】
各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の少なくとも一個以上は、発熱体と接続端子ホルダーとの間隔が、他の発熱体と接続端子ホルダーとの間隔と相違していることを特徴とする請求の範囲１乃至１１のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項１３】
各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔が部分的に相違していることを特徴とする請求の範囲１乃至１１のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項１４】
各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の少なくとも一個以上は、発熱体と接続端子ホルダーとの間隔が、他の発熱体と接続端子ホルダーとの間隔と相違していると共に、当該複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔が部分的に相違していることを特徴とする請求の範囲１乃至１１のいずれか一項記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、真空室（処理容器）内に所定の温度に維持される発熱体を設け、原料ガスを前記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、真空室（処理容器）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置に関するものである。
背景技術
ＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとする各種半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の作製においては、基板上に所定の薄膜を形成するプロセスの１つとして化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が広く用いられている。
ＣＶＤ法には、放電プラズマ中で原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行うプラズマＣＶＤ法や、基板を加熱してその熱により化学反応を生じさせて成膜を行う熱ＣＶＤ法等がある。この他にも、所定の高温に維持した発熱体により原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行う方式のＣＶＤ法（以下、発熱体ＣＶＤ法と呼ぶ）がある。
発熱体ＣＶＤ法を行う成膜処理装置（発熱体ＣＶＤ装置）は、真空排気可能な処理室内に設けられたタングステン等の高融点金属からなる発熱体を１０００〜２０００℃程度の高温に維持しながら原料ガスを導入するよう構成されている。導入された原料ガスは、まず、発熱体の表面を通過する際に分解や活性化される。ついで、この分解や活性化された原料ガスが基板に到達することにより、最終的な目的物である材料の薄膜が基板の表面に堆積する。尚、このような発熱体ＣＶＤ法のうち、ワイヤ状の発熱体を用いるものについてはホットワイヤ（Ｈｏｔ  Ｗｉｒｅ）ＣＶＤ法と呼ばれている。また、発熱体による原料ガスの分解あるいは活性化において発熱体の触媒反応を利用しているものについては触媒ＣＶＤ（またはＣａｔ−ＣＶＤ：Ｃａｔａｌｙｔｉｃ−ＣＶＤ）法と呼ばれている。
発熱体ＣＶＤ法では原料ガスの分解や活性化は、発熱体の表面を通過する際に起こるため、基板の熱のみによって反応を生じさせる熱ＣＶＤ法に比べて基板の温度を低くできるという長所がある。また、プラズマＣＶＤ法のようにプラズマを形成することがないので、プラズマによる基板へのダメージといった問題からも無縁である。このようなことから、発熱体ＣＶＤ法は、高集積化や高機能化が益々進む次世代の半導体デバイスや表示デバイス等の成膜法として有望視されている。
第１０図に従来の発熱体ＣＶＤ装置の概念図を示す。処理容器１の内部では基板（不図示）に対して薄膜形成という所定の処理がなされる。この処理容器１には、当該処理容器１内を真空に排気する排気系１１と、当該処理容器１内に薄膜形成のための所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系２１とが接続されている。
処理容器１内には、処理容器１内に供給された原料ガスが表面を通過するように発熱体３が配置されている。当該発熱体３には、これを発熱体ＣＶＤ法に要求される所定の温度（１６００〜２０００℃程度の高温）に加熱、維持するように、電力を与える電力供給機構３０が接続されている。また、処理容器１内には、ガス供給器２が発熱体３に対向して配置されている。
処理容器１内では、前記所定の高温に維持されている発熱体３によって分解及び／又は活性化された原料ガスによって基板（不図示）に所定の薄膜が形成される。この為、処理容器１内には、前記基板（不図示）を保持する基板ホルダー４が備えられている。
第１０図中、符号５で表されているのは、基板を処理容器１内に搬出入するためのゲートバルブである。また、基板ホルダー４には、従来公知のように、基板を加熱するための加熱機構が備えられているが、本発明では重要ではないので、その図示及び説明は省略している。
なお、第１０図図示の形態においては、原料ガス供給系２１は、不図示の原料ガスが充填されたボンベ、供給圧調整器、流量調整器、供給／停止切換バルブ等から構成されている。原料ガスは、この原料ガス供給系２１より処理容器１内のガス供給器２を介して処理容器１内に供給されている。
２種類以上の原料ガスを使用するプロセスでは、原料ガス供給系２１は使用されるガス種の数だけガス供給器２に並列に接続されることになる。
ガス供給器２は前記のように、処理容器１において発熱体３に対向して配置されている。また、ガス供給器２は中空構造となっており、基板ホルダー４と対向する面に多数のガス吹出孔２１０が形成されている。
一方、排気系１１は、排気速度調整機能を有するメインバルブ１２を介して処理容器１と接続されている。この排気速度調整機能により処理容器１内の圧力が制御される。
発熱体ＣＶＤ法では、基板（不図示）は薄膜形成という所定の処理が施される被処理物となる。この基板（不図示）は、ゲートバルブ５を介して処理容器１内に搬出／搬入される。また、基板ホルダー４内には、基板（不図示）を所定の温度に加熱する加熱機構（不図示）が内蔵されている。
前記発熱体３は、一般に線状の部材からなるものであり、鋸歯状に折り曲げられ、少なくとも表面が絶縁体である支持体３１により保持されている。また、発熱体３には、電力供給機構３０からの電力供給線３２が接続端子３３により接続されている。発熱体３は、ここを介して電力の供給を受け、発熱体ＣＶＤ法に要求される所定の温度への加熱、所定の温度での維持が図られている。
電力供給機構３０には、通常、直流電源又は交流電源が用いられる。発熱体３は、電源から電力が供給されて、通電加熱により所定の温度に設定されるようになっている。この発熱体３を高温加熱することにより、原料ガスを分解及び／又は活性化し成膜を効率よく行うことができる。
通常、発熱体３は通電加熱により所定の温度（通常、成膜時は、１６００〜２０００℃程度という高温）に加熱される。このため、材料としては高融点金属が用いられ、一般にはタングステンが用いられる。
第１０図に示す発熱体ＣＶＤ装置による薄膜形成について、シリコン膜を作製する場合と窒化シリコン膜を作製する場合を例に挙げて説明する。
まず、シリコン膜を作製する場合には、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）の混合ガスが用いられる。窒化シリコン膜を作製する場合にはシランとアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスが用いられる。処理容器１内の圧力は０．１〜１００Ｐａ程度である。何れの膜においても発熱体３は所定の温度（通常、成膜時は、１６００〜２０００℃程度という高温）にされている。また、基板ホルダー４に保持されている基板（不図示）の温度は、基板ホルダー４内の加熱機構（不図示）によって２００〜５００℃程度にされている。
前述した従来型の発熱体ＣＶＤ装置を用いて所定の成膜条件により、シリコン膜や窒化シリコン膜を形成した場合には次のような現象が生じる。発熱体に使用されている高融点金属、例えば、前述のタングステン線等がシランガスと反応してしまい、シリコン化合物を生成してしまうことがある（シリサイド化）。
このようなシリサイド化は、電力供給機構３０からの電力供給の接続部である接続端子３３近傍（すなわち、発熱体３の接続部領域）から進行する。この発熱体３の接続部領域は、発熱体の温度が成膜時に１６００℃程度より低くなる部分である。また、この発熱体３の接続部領域は、原料ガスと発熱体３との反応速度が、発熱体３の熱による原料ガス又はその分解種の蒸発速度よりも速くなってしまう部分でもある。
このシリサイド化によって、発熱体の組成及び径が変化してしまい、抵抗値が下がる。その結果、発熱量が減少し、最終的には発熱体全体の劣化が引き起こされ、発熱体の使用時間が長くなるにつれて成膜速度が低下する。また、これらシリサイド等の反応物は、一般的に蒸気圧が高いので、堆積された膜の汚染の原因ともなる。さらに、この発熱体の劣化にともない成膜されるシリコン膜や窒化シリコン膜の膜質も劣化する。
そこで、所定の処理枚数を行ったある時点で、処理容器１内の真空を大気開放し、発熱体３の交換を行う必要が生じていた。この発熱体３の交換は、生産性において問題であった。
このシリサイド化の現象については、２０００年４月２４日〜２８日に米国サンフランシスコのＭａｒｒｉｏｔｔホテルならびにＡｒｇｅｎｔホテルにて開催されたＭａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ２０００  Ｓｐｒｉｎｇ  Ｍｅｅｔｉｎｇにおいて、“Ｔｈｅ  ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｗ  ｆｉｌａｍｅｎｔ  ａｌｌｏｙｉｎｇ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ＨＷＣＶＤ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ａ−Ｓｉ：Ｈ  ｆｉｌｍｓ”と題して、Ａ．Ｈ．Ｍａｈａｎ等により詳細な発表がなされている。
上述の発熱体のシリサイド化による劣化に対する制御手段であるが、Ｍａｈａｎ等は、前記発表の中で発熱体の寿命を延ばす手段についても触れ、成膜後に発熱体を水素中あるいは真空中で加熱することを提案している。
しかし、この手段は、各成膜の間にその処理を行う時間を確保する必要があり、生産性が低下してしまう問題がある。また、発熱体のシリサイド化による劣化は、厳密には成膜中に進行している。すなわち、成膜中に、発熱体温度、あるいは原料ガスの分解及び／又は活性化に有効な発熱体の領域等の、発熱体３を中心とした成膜環境が変化している。このため、成膜時間が長い場合、膜の特性が厚さ方向で変化（劣化）してしまう。
第１１図は、従来例の支持体３１の部分を説明するものである。この従来例の支持体３１の部分では、発熱体３を線材３４（通常モリブデンが用いられる）により支持体３１に保持させて接触面積を低減して、熱伝導を低減させている。第１１図図示の従来例は、これによって発熱体３のやや温度が低くなる部分から進行するシリサイド化の防止を図ろうとしたものである。
しかし、この方法でも線材３４と接触した点の発熱体３の温度は少なからず低下してしまい、シリコン膜形成等でシランガスの圧力が高い等、成膜条件によってはその点からシリサイド化を生じてしまう。
また、この方法でも電力供給線３２との接続は省くことができない。このため、接続端子３３の部分では第１０図の場合と同様に結局シリサイド化を生じてしまう。
したがって、第１１図図示の構成を採用した発熱体ＣＶＤ装置においても、所定の処理枚数を行ったある時点で、処理容器１内の真空を大気開放し、発熱体３の交換を行う必要が生じていた。この発熱体３の交換は、生産性において問題であった。
一方、発熱体ＣＶＤ装置において成膜を繰り返し行うと、処理容器内部にも膜が付着し、やがて剥離してゴミの原因となる。本発明者は、このゴミの原因となる処理容器内部の付着膜を効率よく除去可能な除去方法、さらには、発熱体ＣＶＤ装置のｉｎ  ｓｉｔｕクリーニング法を提案している（特開２００１−４９４３６）。
この発明は、第１０図図示のような従来の発熱体ＣＶＤ装置におけるガス供給器２に、原料ガス供給系２１と同様の構成のクリーニングガス供給系を配設し、クリーニング時には、成膜時の原料ガスの代わりにガス供給器２を介して処理容器１にクリーニングガスを導入するものである。すなわち、処理容器１内を排気した後、内部に配設されている発熱体３を２０００℃以上に加熱保持し、この状態で発熱体３により分解及び／又は活性化されて生成される活性種が、付着膜と反応してこれを気体状物質に変換させることのできるクリーニングガスを処理容器１に導入し、生成された気体状物質を排気することにより付着膜を除去することを特徴とする発明である。この発明は、発熱体を２０００℃以上に保持することで、発熱体３自身がクリーニングガスと反応を起こさず安定であるという知見に基づいたものである。
しかし、その発明後、発熱体３を２０００℃以上に保持しようとしても、やはり電力供給機構３０からの電力供給の接続部である接続端子３３近傍といった部分は温度が低く、付着膜の除去を行うにしたがって、その部分がクリーニングガスとの反応によりエッチングされて徐々に細ってしまい、やがて切れてしまうことが判明した。したがって、ある時点で発熱体の交換を行う必要があり、量産性において問題となっていた。
また、第１０図、第１１図に示す発熱体ＣＶＤ装置を用いて、１ｍを越えるような大面積基板に成膜を行う場合、成膜される薄膜の膜厚均一性に関して改善すべき点が存在することが分かった。
Ｃａｔ−ＣＶＤ法で、前述した第１０図、第１１図に示す発熱体ＣＶＤ装置を用い、大面積基板への成膜を行うべく、鋸歯状の発熱体３を基板の大きさと同等ほどの大きさにもなる大型の支持枠で保持させる従来の形態を使用した場合、熱膨脹によって発熱体３が垂下するという問題が生じる。すなわち、鋸歯状の発熱体３は１８００℃の加熱で約１％熱膨脹するので、大面積の基板に成膜すべく、１ｍの長さの発熱体３を用いると、１％の熱膨張で、最大７０ｍｍ発熱体３が垂下してしまう。最悪の場合には、通常５０ｍｍ程度とされている基板と発熱体３との間の距離以上に発熱体３が垂下することすら予想される。発明者らの研究によれば、成膜時において発熱している発熱体３と成膜処理が施される基板との間隔（距離）は、膜厚の均一性に大きく反映することが確認されている。
現在、次世代のガラス基板のサイズは１ｍ超サイズになることが予想されている。例えば、ＬＣＤにおいては１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、また、太陽電池においては１０００ｍｍ×４００ｍｍといった大型の基板を使用することが予定されている。このような大面積基板への成膜を行うにあたって、前述した熱膨脹による発熱体３の垂下の問題を軽減し、大面積基板に成膜された薄膜の膜厚均一性を確保すべく、第１０図、第１１図に示す発熱体ＣＶＤ装置に改善を加える余地が残されていた。
発明の開示
本発明の目的は、処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の電力供給機構への接続部領域における、原料ガスによる発熱体の劣化を防止することにある。また、前記発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の電力供給機構への接続部領域における、処理容器内部の付着膜を除去するクリーニング時の、発熱体とクリーニングガスとの反応を防止することにある。
これによって、発熱体の長寿命化と、成膜環境の安定化を実現できる量産性の良い発熱体ＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
更に、１ｍを越えるような大面積基板への成膜に対応することができ、なおかつ、このような大面積基板への成膜を行う場合であっても、膜厚の均一性を確保きる発熱体ＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、上記目的を達成するために次のように構成されている。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温（成膜時は１６００〜２０００℃程度、クリーニング時は２０００〜２５００℃程度）にされる発熱体とを備えている。そして、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置に関するものである。
なお、ここで、所定の処理とは、例えば、処理容器内に配置されている被処理基板への薄膜の形成や、処理容器内部の付着物を除去するクリーニング、などのことをいう。また、所定の原料ガスは、成膜される薄膜により種々定められ、例えば、シリコン膜を作製する場合には、シラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）の混合ガスが所定の原料ガスとなり、窒化シリコン膜を作製する場合には、シランとアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスが所定の原料ガスとなる。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、前記の構成において、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個、又は複数個、処理容器内に設置されていると共に、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出していないことを特徴とするものである。
前記本発明の発熱体ＣＶＤ装置における各接続端子ホルダーは、処理容器から取り外し可能な、処理容器とは独立した構造体とされている。また、各接続端子ホルダーごとに電力供給機構、原料ガス供給系、後述するガス導入系に接続されている。
接続端子ホルダーは、成膜すべき基板が特に大型でない場合には、一個の接続端子ホルダーを処理容器内に設置しておくだけで十分であるが、成膜すべき基板が１ｍを越える大面積である場合には、設置する接続端子ホルダーの数を増やすことによって、大きな基板の面積に対応できる。すなわち、成膜すべき基板が１ｍを越える大面積になったとしても、基板面積と同じ、もしくはそれ以上の面積を有する、大きな、単一の接続端子ホルダーを製作する必要はなくなる。それどころか、発熱体の配置に従来のような支持体の形状、大きさによる制約はない。さらに、接続端子ホルダーの任意の位置に発熱体を配置することができ、かつ、一個一個の接続端子ホルダーにおける線状の発熱体の長さを適切な長さにできる。このため、熱膨脹による発熱体の垂下の問題を軽減することができる。
前記において、接続端子ホルダーは、発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を基板ホルダーに対向させて支持するものである。この接続端子ホルダーにより、より望ましい任意の位置に発熱体を適切に配置することができる。従って、膜厚の均一性が確保された薄膜を成膜することが可能になる。
特に、１ｍを越える大面積基板に成膜すべく複数個の接続端子ホルダーを設置する場合であっても、膜厚の均一性が確保された薄膜を大面積にわたって成膜することが可能になる。これは、互いに隣接する接続端子ホルダー間の境界領域や、大面積の基板の外周部等の膜厚均一性を改善するため、基板面積やプロセス条件等に応じて、より望ましい任意の位置に発熱体を適切に配置することができるからである。
更に、１ｍを越える大面積基板への成膜に対応する場合であっても、前記のような独立した構造体である接続端子ホルダーを複数設置すればよい。このため、１個の接続端子ホルダーの大きさは、作業性がよく、加工しやすい大きさで、低コストにて製作することができる。成膜すべき基板が大きなものであっても、前記接続端子ホルダーを複数個設置することによって、そのような大面積基板への成膜に容易に対応できる。また、処理容器内での修理による取り外し、取り付け等のメンテナンスの作業効率も向上させることもできる。
次に、本発明の発熱体ＣＶＤ装置においては、前述したように、発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、処理容器内の空間に露出していない。そこで、成膜時にシランガス等の原料ガスが発熱体のやや温度の低い部分（接続端子に接続される発熱体の接続部領域）に接触することを抑制できる。これにより、発熱体の温度がやや低くなる接続端子への接続部領域が、成膜時に原料ガスにより劣化（シリサイド化）することを防止できる。
このように、接続端子に接続される発熱体の接続部領域を、処理容器内の空間に露出させない構造は、例えば、次に述べるような形態によって実現することができる。
第一は、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われている形態である。
第二は、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、接続端子との間に接続端子内部空間を存在させ、かつ、発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われている形態である。
第三は、接続端子は、それぞれ、接続端子本体と、前記発熱体との間に空隙部を存在させつつ当該接続端子本体に冠着されるキャップとで構成され、キャップと接続端子本体との間に接続端子内部空間が形成されている形態である。
いずれの形態によっても、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内空間に露出することを防止できる。これによって、発熱体の接続部領域（すなわち、発熱体のやや温度の低い部分）が、成膜時に、原料ガスや原料ガス起源の活性種に接触することを防止でき、クリーニング時にクリーニングガスに接触することを防止できる。
なお、筒状体に代えて、前記筒状体の中空部に該当する孔を備え、前記筒状体の長さに相当する厚みをもった板体を用いることもできる。これによって、接続端子に接続される発熱体の接続部領域を、発熱体と接触することなしに覆う構造としても同様の作用、効果を発揮させることができる。
かかる構造において、前記筒状体又は板体の孔の内径は、より小さく、また、その長さはより長い方が、発熱体の接続部領域の処理容器内空間への露出を防ぐことができる。すなわち、前記筒状体又は板体の孔の内径は、より小さく、また、その長さはより長い方が、発熱体の接続部領域が成膜時に原料ガスに接触することを防止する上で望ましい。そこで、製造精度、製造コストを勘案して、例えば、発熱体としてφ０．５ｍｍのタングステンを使用した場合、筒状体又は板体の孔の内径は０．７ｍｍ〜３．５ｍｍ程度としておくことが望ましい。また、長さは１０ｍｍ〜５０ｍｍ程度としておくことが望ましい。
前記の筒状体、板体は、発熱体からの輻射により高温となる。したがって、できる限り蒸気圧の低い材料、例えば、タンタルやモリブデンのような高融点金属やアルミナ等で成形されていることが望ましい。また、前記筒状体や板体が金属材料製であって、これを発熱体が接続される部材（例えば、接続端子本体など）を保持する部材（例えば、板体など）に直接取り付ける場合が考えられる。このような場合、熱ひずみ等で板体等と発熱体とが接触して電気的なショートが生じるおそれがある。このような電気的なショートが生じることがないように、前記筒状体や板体はアルミナ等の絶縁物で被覆をした複合体に成形されていることが望ましい。
更に、接続端子に接続される発熱体の接続部領域を、当該接続部領域に接触しない形態で被覆することもできる。すなわち、接続端子との間に隙間を存在させ、かつ、発熱体との間に隙間を存在させて被覆する。このようにして、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しない構造とし、接続端子側から処理容器側に向けて、前記隙間を介してパージガスを流す構成を採用することもできる。
このようにすれば、成膜時に発熱体の温度がやや低くなる発熱体の接続部領域が原料ガスにより劣化（シリサイド化）することをより効果的に防止できる。また、付着膜除去（クリーニング）時に、クリーニングガスが発熱体のやや温度の低い部分（発熱体の接続部領域）に接触することを抑制でき、付着膜除去（クリーニング）時にクリーニングガスと反応（エッチング）することをより効果的に防止できる。
これは、以下のような形態を採用することによって実現できる。
例えば、各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていると共に、当該接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている複数の接続端子に接続される発熱体の接続部領域は、接続端子との間に接続端子内部空間を存在させ、かつ、発熱体との間にガス通過孔を存在させつつ当該接続部領域を覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体によって覆われており、前記接続端子内部空間と第一の内部空間とが連通されていて、当該第一の内部空間へはガスを導入するガス導入系が接続されている形態である。
あるいは、各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていると共に、当該接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている複数の接続端子は、それぞれ、接続端子本体と、前記発熱体との間にガス通過孔を存在させつつ当該接続端子本体に冠着されるキャップとで構成され、キャップと接続端子本体との間に接続端子内部空間が形成され、当該接続端子内部空間と第一の内部空間とが連通されていて、当該第一の内部空間へはガスを導入するガス導入系が接続されている形態である。
前記いずれの実施形態においても、接続端子内部空間は、ガス通過孔を介して処理容器内の空間に連通している。
そこで、ガス導入系から各接続端子ホルダーの第一の内部空間に導入されたガス又は混合ガス（パージガス）は、第一の内部空間に連通している接続端子内部空間及び、ガス通過孔を介して処理容器内に導入されていく。
これによって、成膜時にはシランガス等の原料ガスや、発熱体の表面で分解及び／又は活性化された原料ガス起源の活性種が、接続端子内部空間へ侵入することを抑制することができる。すなわち原料ガス等が発熱体のやや温度の低い部分（発熱体の接続部領域）に接触することを一層効果的に抑制できる。また、付着膜除去（クリーニング）時にも、クリーニングガスが接続端子内部空間へ侵入することを抑制することができる。すなわちクリーニングガスが発熱体のやや温度の低い部分（発熱体の接続部領域）に接触することを一層効果的に抑制できる。
つまり、これらにより、発熱体の温度がやや低くなる部分（接続端子に接続される発熱体の接続部領域）が、成膜時に原料ガスにより劣化（シリサイド化）したり、付着膜除去（クリーニング）時にクリーニングガスと反応（エッチング）したりすることを防止できる。
このとき、前記筒状体、板体、キャップは発熱体に接触することなく配置されており、しかも発熱体は接続端子のみにより支持されている。さらに、材料ガスの逆拡散の影響を除去するように原料ガスあるいはクリーニングガス以外のガスが流されている。このため、発熱体全体にわたって、成膜時には原料ガスによる発熱体の劣化を防止して成膜環境を安定させることができ、付着膜除去（クリーニング）時には発熱体のクリーニングガスとの反応を防止することが可能となる。
その結果、発熱体の長寿命化によりメンテナンス等による生産の中断時間が低減されるため、生産性の向上が可能となる。
なお、前記において、キャップには、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域を、前記発熱体と接触することなしに覆う、絶縁物または金属またはこれらの複合物からなる筒状体又は板体が装着されているようにすることができる。
このようにすれば、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が、接続端子本体との間に接続端子内部空間を形成し、発熱体との間に空隙部（例えば、ガス通過孔）を存在させて接続端子本体に冠着されるキャップで覆われている構成によって発揮される作用、効果が奏される。また、これに加えて接続端子ホルダーの第一の内部空間に導入されたガス又は混合ガスが、第一の内部空間に連通している接続端子内部空間及び、ガス通過孔を介して処理容器内に導入されることを可能とした前記の構成によって発揮される作用、効果が奏される。さらに、接続端子に接続される発熱体の接続部領域を発熱体に接触することなく覆う筒状体又は板体が当該キャップに装着されていることによって発揮される作用、効果が奏される。すなわち、これら複数の効果が重畳される。そこで、発熱体の温度がやや低くなる部分（接続端子に接続される発熱体の接続部領域）が、成膜時に原料ガスにより劣化（シリサイド化）したり、付着膜除去（クリーニング）時にクリーニングガスとの反応によりエッチングされることを一層効果的に防止できる。
なお、前記において、接続端子側から処理容器側に向けて導入されるガス、すなわち、前記各接続端子ホルダーの第一の内部空間にガス導入系から導入されるガスは、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアのいずれかのガス、またはこれらの２種以上からなる混合ガスとすることができる。
前述した本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が、前記接続端子ホルダーに内蔵されているようにすることができる。
具体的には、各接続端子ホルダーは、第一の内部空間を備えていて、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分は、当該第一の内部空間に配置されているようにすることができる。
このようにすれば、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分は、処理容器内の空間に露出しない。したがって、これらの部分が、原料ガスや、発熱体の表面で分解及び／又は活性化された原料ガス起源の活性種、あるいはクリーンニングガスによって劣化されるおそれがなくなる。
更に、前述した本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、各接続端子ホルダーは、基板ホルダーに対向する側の面に備えられている複数のガス吹き出し孔を介してのみ処理容器内の空間に連通すると共に、原料ガス供給系に接続されている第二の内部空間を備えている構造にすることができる。
これによって、原料ガス供給系から処理容器内への原料ガスの供給は、まず、第二の内部空間に導入された原料ガスが、前記複数のガス吹き出し孔を介して処理容器内へ導入されることによって行われることになる。また、クリーニングガスの処理容器内への供給も、まず、第二の内部空間に導入されたクリーニングガスが、前記複数のガス吹き出し孔を介して処理容器内へ導入されることによって行われることになる。
このようにすれば、原料ガス等の処理容器内への導入口である複数のガス吹き出し孔と、発熱体とが各接続端子ホルダーを介して一体の構造体を形成する。このため、第１０図、第１１図に示した従来の発熱体ＣＶＤ装置に採用されていた発熱体の支持体３１が不要になる。この発熱体の支持体３１は、膜の付着が心配される部分である。これが不要になるため、発熱体を中心とした成膜領域が簡略化され、大面積の基板を処理する場合でも、成膜の均一化を図ることができ、さらなる生産性の向上が可能となる。
また、各接続端子ホルダー内の第二の内部空間には、成膜時に原料ガスが、クリーニング時にクリーニングガスが導入されてくるが、前記の構造とすれば、第一の内部空間と第二の内部空間とが隔離されているので、接続端子が電力供給機構と接続する部分や、接続端子同士の間の接続配線が、構造体内において、原料ガスやクリーニングガスに曝されることはない。
すなわち、前記の構造を採用することによって、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が、処理容器内の空間に存在している原料ガス等によって劣化されるのを防止できるだげでなく、各接続端子ホルダー内において、各接続端子ホルダーに供給されて前記複数のガス吹き出し孔を介して処理容器内に導入されていく原料ガスやクリーニングガスに、これらの部分が接触することをも防止できる。
また、前述した本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の少なくとも一個以上は、発熱体と接続端子ホルダーとの間隔が、他の発熱体と接続端子ホルダーとの間隔と相違しているようにすることができる。
このようにすることによって、発熱体と当該発熱体が支持されている接続端子ホルダーとの間の距離を調整することができる。すなわち、成膜すべき基板と発熱体との距離、間隔を調整することができる。
また、各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔が部分的に相違しているようにすることもできる。
このようにすれば、接続端子ホルダーに支持されている複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔が疎になる部分と、密になる部分とが存在するように、任意に支持間隔を調整することができる。
そこで、前述したように、各接続端子ホルダーにおいて、基板面積やプロセス条件等に応じて、接続端子をより望ましい任意の位置に適切に配置することに加えて、各接続端子ホルダーに支持される複数の発熱体の中で、任意の位置の発熱体と各接続端子ホルダーとの間隔を調整し、あるいは、接続端子ホルダーに支持されている複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔を任意に調整し、膜厚の均一性が確保された薄膜を効果的に成膜することが可能になる。
特に、大面積基板への成膜に対応すべく、複数の接続端子ホルダーを設置する場合、互いに隣接している接続端子ホルダー間の境界で対峙する発熱体の発熱体と接続端子ホルダーとの間隔や、大面積の基板の外周部に対応する位置に配置される発熱体と接続端子ホルダーとの間隔を、他の位置における発熱体と接続端子ホルダーとの間隔と異ならせることによって、複数の接続端子ホルダーが配備されているにもかかわらず、効果的に、膜厚の均一化を図ることができる。
なお、前述した本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、各接続端子ホルダーは、それぞれ複数の発熱体を基板ホルダーに対向させて支持しており、当該複数の発熱体の中の少なくとも一個以上は、発熱体と接続端子ホルダーとの間隔が、他の発熱体と接続端子ホルダーとの間隔と相違していると共に、当該複数の発熱体の中の隣接する発熱体同士の間隔が部分的に相違しているようにすることもできる。このようにすれば、膜厚の均一性が確保された薄膜を大面積にわたって成膜するにあたってより効果的である。
発明を実施するための最良の形態
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
第１図、第２図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を示すものである。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置における処理容器１や基板ホルダー４、及び排気系１１等の構造については、前記した第１０図に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置と同様であるため図示を省略している。また、第１０図に示した部材と同様の部材には同じ符号を付している。
第１図、第２図図示の実施形態では、発熱体３の電力供給機構３０への接続部をなす接続端子３１０は次のように構成されている。
接続端子本体３１１が、絶縁体３１７、３１８によって電気的に絶縁されながら、内部に第一の内部空間６２を有している接続端子ホルダー６によって保持されている。
電力供給機構３０からの電力供給線３２の端部と、発熱体３の端部とは、それぞれ接続端子本体３１１を介して接続されている。これらの接続は、本実施形態においては、次のように実現されている。すなわち、ワッシャ３１４を介在させてナット３１３で接続端子本体３１１を接続端子ホルダー６に固定することによって電力供給線３２の端部の接続端子本体３１１への接続が実現されている。また、発熱体押さえバネ３１５で発熱体３の端部を接続端子本体３１１に押し付けることによって発熱体３の端部の接続端子本体３１１への接続が実現されている。
更に、接続端子本体３１１には、発熱体３の端部が接続されている側から接続端子本体３１１との間に接続端子内部空間７１ａを存在させ、かつ発熱体３と接触すること無しに、キャップ３１２が冠着されている。すなわち、接続端子本体３１１には、発熱体３との間に空隙部としてのガス通過孔７１ｂを存在させて、キャップ３１２が冠着されている。
キャップ３１２は、第１図、第２図図示の実施形態では、その上側がＣ−リング３１６を介在させて接続端子本体３１１に取り付けられている。
キャップ３１２を１８０度回転させることによって、発熱体押さえバネ３１５を押さえ付け、あるいは緩めることができる。これによって、発熱体３の端部を接続端子本体３１１へ接続する際の、発熱体押さえバネ３１５による発熱体３端部の接続端子本体３１１への押さえ付け、発熱体３の端部と接続端子本体３１１との接続を解除して取り外す際の、発熱体押さえバネ３１５の弛緩を調整するようになっており、発熱体３の接続端子３１０への着脱を容易に行うことができる。  第３図、第４図、第５図は、本発明の他の実施形態を説明するものである。この実施形態では、接続端子３１０の部分のみが第１図、第２図の実施形態における接続端子３１０の部分と相違しているので、第３図、第４図、第５図は、この部分のみを拡大して表したものである。
第１図〜第５図のいずれの実施形態においても、発熱体３の接続端子本体３１１への接続部領域が処理容器１内の空間に露出していない構造である点では共通している。しかし、第３図〜第５図図示の実施形態では、いずれも、キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に筒状体３２０が装着されている点が、第１図、第２図図示の実施形態における接続端子３１０とは相違している。第５図図示の実施形態は、第１図、第２図図示の実施形態における接続端子３１０に対して、キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に筒状体３２０が装着されている点のみが相違している。第４図図示の実施形態は、発熱体３とキャップ３１２との間のガス通過孔７１ｂが接続端子ホルダー６の内部側に連通する構造になっていない点が相違している。第３図図示の実施形態は、発熱体３とキャップ３１２との間のガス通過孔７１ｂが接続端子ホルダー６の内部側に連通する構造になっていない点と、キャップ３１２と接続端子本体３１１との間に隙間（接続端子内部空間７１ａ）が存在していない点が相違している。
第１図〜第５図のいずれの実施形態においても、発熱体３の接続端子本体３１１への接続部領域が処理容器１内の空間に露出していない。このため、成膜時にはシランガス等の原料ガスが発熱体３の接続端子本体３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度の低い部分）に接触することを抑制できる。
第１図、第２図、第５図図示の実施形態においては、キャップ３１２と接続端子本体３１１との間に存在している接続端子内部空間７１ａと、接続端子ホルダー６内部の第一の内部空間６２との間は、ガス流路３１９によって気体の導通可能とされている。また、接続端子ホルダー６内部の第一の内部空間６２にガスを導入するためのガス導入系６１が備えられている。
第１図、第２図、第５図に示す実施形態では、ガス流路３１９は、発熱体３が接続端子本体３１１に接続される箇所の横に描かれているが、ガス流路３１９を発熱体３が接続端子本体３１１に接続される箇所そのものに臨ませることも可能である。
ガス導入系６１は、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアの中のいずれかのガス、またはこれらの２種以上からなる混合ガスを導入するためのガス供給系である。このガス供給系は、第１０図に示す原料ガス導入系２１と同様の構成のガス供給系である。
このように、第１図、第２図、第５図図示の実施形態においては、ガス導入系６１より導入されたガス（パージガス）が接続端子内部空間７１ａ及びガス通過孔７１ｂより処理容器１内へ導入される。そこで、成膜時にシランガス等の原料ガスが発熱体３の接続端子本体３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することをより一層効果的に防止できる。更に、これらの実施形態においては、付着膜除去（クリーニング）時に、クリーニングガスが発熱体３の接続端子本体３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することを抑制できる。
尚、第１図に示す本実施形態では、１つの発熱体３のみを示しているが、発熱体の数は任意である。また接続端子ホルダー６には発熱体３の数に応じた接続端子３１０が配設されていることは言うまでもない。
また、第１０図図示の従来の発熱体ＣＶＤ装置において説明した原料ガス供給系２１が、第１図では、処理容器１内に原料ガスを供給するための吹出孔２１１を有する原料ガス供給器２２に接続され、この原料ガス供給器２２が発熱体３の周りを囲むように配置されている。
なお、複数の発熱体３を用いる場合、原料ガス供給器２２は、全発熱体を囲むように配置しても良い。しかし、均一な成膜を行うためには、各発熱体のそれぞれを囲むように配置することが望ましい。
第２図図示の実施形態は、接続端子ホルダー６に、第二の内部空間２３が備えられている点が、第１図図示の実施形態と相違するものである。第二の内部空間２３には、原料ガス供給系２１が接続されている。また、第二の内部空間２３は、基板ホルダー４に対向する側の面に複数のガス吹き出し孔２１２を備えている。第二の内部空間２３は、当該ガス吹き出し孔２１２を介してのみ、処理容器１内の空間に連通している。すなわち、第２図図示のように、第一の内部空間６２と第二の内部空間２３とは隔離されている。
第２図図示の実施形態における他の部分は、第１図図示の実施形態におけるものと同一である。したがって、第１図及び第１０図に示した部材と同様の部材には同じ符号を付している。
第２図図示の実施形態では、１つの発熱体３のみを示しているが、発熱体の数は任意である。また接続端子ホルダー６には発熱体３の数に応じた接続端子３１０が配設されることは言うまでもない。
第２図図示の実施形態では、原料ガスは第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して処理容器１内に供給される。したがって、処理対象である基板が大面積になっても、接続端子ホルダー６を大きくするとともに発熱体３の数を増やせば、原料ガスが基板全面に供給できるため、均一な成膜が可能である。すなわち本実施形態は、大面積基板への対応が容易である。
第１０図に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置によるシリコン膜形成では、シランガスと水素ガスとをそれぞれの原料ガス供給系２１（第１０図では１系統のみの図示になっている）よりガス供給器２を介してシランガスと水素ガスとを処理容器１内に導入していた。
これに対し、本発明においては、好適には、以下のように各ガスを処理容器１内へ導入することができる。すなわち、第１図図示の実施形態の場合には、シランガスのみを原料ガス供給系２１から、原料ガス供給器２２より吹出孔２１１を通して、処理容器１内に導入することができる。水素ガスはガス導入系６１より接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。第２図図示の実施形態の場合には、接続端子ホルダー６の第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して、処理容器１内に導入することができる。水素ガスはガス導入系６１より接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。
この水素ガスの流れにより、原料ガス供給器２２より処理容器１内に導入されたシランガスや発熱体３の表面で分解及び／又は活性化されたシランガス起源の活性種が、キャップ３１２と接続端子本体３１１との間の接続端子内部空間７１ａ内へ侵入してくるのを防止できる。これにより、シランガスやシランガス起源の活性種が、発熱体３の接続端子本体３１１に接触し、温度がやや低くなる部分がシリサイド化し、劣化してしまうのを防止できる。なお、キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に筒状体３２０が装着されている第５図図示の実施形態によれば、かかる効果を一層良好に発揮させることができる。
ここで、ガス導入系６１から接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２及びガス流路３１９を介し、キャップ３１２と接続端子本体３１１との間の接続端子内部空間７１ａ内へ導入するガスは、水素ガスに限らず、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンのいずれか、またはこれらの２種以上からなる混合ガスでもよい。これらのガスであれば、水素ガスと同様に発熱体３の劣化を防止できる。
ただし、この場合も、水素ガスの導入は、シリコン膜の多結晶化及びその効率の向上には不可欠である。そこで、この水素ガスは、前記の水素ガス以外のガスと混合して、接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。あるいは、原料ガス供給器２２より吹出孔２１１を通して（第１図図示の実施形態の場合）、処理容器１内へ導入することができる。または、接続端子ホルダー６の第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して（第２図図示の実施形態の場合）、処理容器１内へ導入することもできる。ただ好ましくは接続端子３１０側から混合済みの状態で導入した方が効率的でよい。
また、窒化シリコン膜形成では、シランガスと、シリコンの窒化膜を効率良く形成させるためのアンモニアガスの導入が不可欠である。そこで、第１０図に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置による窒化シリコン膜形成では、シランガスとアンモニアガスとをそれぞれの原料ガス供給系２１（第１０図では１系統のみの図示になっている）よりガス供給器２を介して処理容器１内に導入していた。
これに対し、本発明においては、好適には、シランガスのみを原料ガス供給系２１から、第１図図示の実施形態の場合には、原料ガス供給器２２より吹出孔２１１を通して、処理容器１内に導入することができる。アンモニアガスはガス供給系６１より接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。第２図図示の実施形態の場合には、接続端子ホルダー６の第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して、処理容器１内に導入することができる。アンモニアガスはガス供給系６１より接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。
これにより上記シリコン膜形成の場合と同様に、原料ガス供給器２２より導入されたシランガスや発熱体３の表面で分解及び／又は活性化されたシランガス起源の活性種が、キャップ３１２と接続端子本体３１１との間の接続端子内部空間７１ａ内へ侵入してくるのを防止できる。これにより、シランガスやシランガス起源の活性種が、発熱体３の接続端子本体３１１に接触し、温度がやや低くなる部分がシリサイド化し、劣化してしまうのを防止できる。キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に筒状体３２０が装着されている第５図図示の実施形態によれば、かかる効果を一層良好に発揮させることができる。
なお、アンモニアガスに代えて、アンモニアガスを水素ガス、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンのいずれか、またはこれらの２種以上と混合したガスでもよい。これらのガスであれば、アンモニアガスと同様に発熱体３の劣化を防止できる。
ただしこの場合も、アンモニアガスの導入は上述の理由により不可欠である。そこで、アンモニアガスを前記のアンモニアガス以外のガスと混合して、接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入しても、原料ガス供給器２２より吹出孔２１１を通して（第１図図示の実施形態の場合）、処理容器１内へ導入してもよい。あるいは、接続端子ホルダー６の第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して（第２図図示の実施形態の場合）、処理容器１内へ導入してもよい。ただ好ましくは接続端子３１０側から混合済みの状態で導入した方が効率的でよい。
前記本発明の実施形態において、処理容器１内部に付着した膜の除去（クリーニング）を行う際には、以下のように各ガスが供給される。
第１図図示の実施形態の場合には、クリーニングガスを原料ガス供給系２１と同様の構成のクリーニングガス供給系（不図示）から、原料ガス供給器２２より吹出孔２１１を通して、処理容器１内に導入するとともに、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアのいずれか、またはこれらの２種以上からなる混合ガスをガス供給系６１より、接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入する。第２図図示の実施形態の場合には、接続端子ホルダー６の第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して、処理容器１内に導入するとともに、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアのいずれか、またはこれらの２種以上からなる混合ガスをガス供給系６１より、接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入する。
これによりクリーニングガスそのものや、発熱体３の表面で分解及び／又は活性化されたクリーニングガス起源の活性種がキャップ３１２と接続端子本体３１１との間の接続端子内部空間７１ａ内へ侵入してくるのを防止できる。したがって、発熱体３のやや温度が低い部分（接続端子本体３１１との接続部領域）がエッチングされて劣化してしまうのを防止できる。なお、キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に筒状体３２０が装着されている第５図図示の実施形態によれば、かかる効果を一層良好に発揮させることができる。
第３図、第４図、第５図図示の実施形態の場合、キャップ３１２の処理容器１の内部空間側に装着される筒状体３２０は、例えば、アルミナを材料として成形し、その大きさは、例えば、内径φ：３ｍｍ、長さＬ：２０ｍｍとしたものである。
第５図図示の実施形態において、接続端子ホルダー６内から、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂ及び筒状体３２０の中空部を通して、矢印７２のように処理容器１内へ水素ガス等を導入する動作を中止している状態で発熱体３の温度を１８００℃にしてシリコン膜形成を行ったところ、発熱体３の接続端子本体３１１との接続部領域におけるシリサイド化は生じなかった。また、第３図、第４図図示の実施形態、すなわち、水素ガス等を接続端子ホルダー６内から、ガス通過孔７１ｂ及び筒状体３２０の中空部を通して、矢示７２のように処理容器１内へ導入していない状態で、発熱体３の温度を１８００℃にしてシリコン膜形成を行った場合にも、発熱体３の接続端子本体３１１との接続部領域におけるシリサイド化は生じなかった。
第５図図示の実施形態では、第１図、第２図図示の実施形態で説明したように、水素ガス等を接続端子ホルダー６内から、ガス通過孔７１ｂ及び筒状体３２０の中空部を通して、矢示７２のように処理容器１内へ導入することができる。そこで、このパージガス導入動作を行うことによって、一層効果的に、成膜時における発熱体３の接続端子本体３１１との接続部領域のシリサイド化を防止すると共に、付着膜除去（クリーニング）時に、発熱体３の接続端子本体３１１との接続部領域がクリーニングガスとの反応によりエッチングされることを防止することができる。以上の第４図及び第５図に示した本発明の実施形態では、筒状体３２０がキャップ３１２の処理容器空間側に装着された構造を示したが、筒状体３２０をキャップ３１２の内側（処理容器空間側と逆の側）に装着した構造（不図示）であっても、同様の作用及び効果を発揮させることができることはいうまでもない。
更に、以上説明した本発明の実施形態では、キャップ３１２が単体あるいは筒状体３２０を装着した状態で接続端子本体３１１に取り付けられた構造を示したが、キャップ３１２は、接続端子ホルダー６に取り付ける構造であってもよく、このようにしても同様の作用及び効果を発揮させることができる。ただし、かかる構造においては、当該キャップや筒状体が金属材料の場合、熱ひずみ等で発熱体３と当該キャップや筒状体が接触し、電気的なショートが発生する可能性がある。このため、当該キャップや筒状体は、アルミナ等の絶縁物、あるいはアルミナ等の絶縁物で被覆した金属材料製からなる複合体、で成形されていることが望ましい。
第６図は、上述してきた接続端子ホルダー６が、処理容器１内に１個設置されている場合の断面構造を示すものである。第６図図示のように、電力供給機構３０と発熱体３とを電気的に接続する接続端子３１０を、絶縁体３１７と３１８によって、電気的に絶縁を図りつつ保持している。接続端子ホルダー６は、発熱体３を基板ホルダー４に対向させて支持しているものであり、処理容器１とは独立した構造体とされている。この接続端子ホルダー６は、電力供給機３０、原料ガス供給系２１、ガス導入系６１に接続されている。
第６図では、ナット３１３と接続端子本体３１１との間に、電力供給線３２に接続されている電力供給板５３が挟持されている点が、第１図乃至第５図図示の実施形態と相違しているが、他の部分の基本的な構造は、第１図乃至第５図図示の実施形態の場合と同様である。したがって、第１図乃至第５図図示の実施形態において説明した部材と同一の部材には、同一の参照符号をつけてその説明を省略する。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、第１図乃至第６図で説明した接続端子ホルダー６が処理容器１内に複数個設置されている構成にすることもできる。第７図、第８図は、このような、他の実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を表すものである。この第７図、第８図に現された部分は、第６図図示の部分に相当する部分である。第８図は第７図のＡ部の詳細を表すものである。第１図乃至第６図の場合と同様に、処理容器１や基板ホルダー４、及び排気系等の構造については、前記した第１０図、第１１図に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置と同様である。したがって、図示及びその説明を省略する。
また、第７図、第８図図示の実施形態においては、ナット３１３が、接続端子本体３１１を接続端子ホルダー８に固定すると同時に、接続端子本体３１１と電力供給板５３、５４とを接続する目的を兼ねている点が、第６図図示の実施形態のものと相違している。しかし、他の基本的な構造、形態は、第１図乃至第６図図示の実施形態のものと同様である。したがって、第１図乃至第６図に示した部材と同様の部材には同じ符号を付してその説明を省略している。
第６図〜第８図の実施形態では、発熱体３の接続端子本体３１１への接続及び保持を第１図〜第５図図示の実施形態における発熱体押えバネ３１５とは異なったコイルバネ３３０で行うようにしている。このようにすれば、第１図〜第５図図示の実施形態におけるキャップ３１２の回転動作なしに、ワンタッチでの発熱体３の着脱が可能になる。
第７図に示す実施形態は、２個の接続端子ホルダー８が処理容器１内に設置されていると共に、接続端子と電力供給機構との接続部及び、接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が接続端子ホルダー８に内蔵されている点において、第６図図示の実施形態の場合と相違している。そこで、これらの第６図図示の実施形態の場合と相違している構造について、以下、具体的に説明する。
第７図、第８図図示の実施形態では、接続端子３１０と電力供給機構３０との接続部は、第一の内部空間６２によって覆われている。これによって、接続端子３１０と電力供給機構３０との接続部が処理容器１内の空間に露出しないようになっている。また、接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分である電力供給板５４（接続端子間）も第一の内部空間６２によって覆われ、処理容器１内の空間に露出しないようになっている。
なお、第７図、第８図図示の実施形態では、接続端子本体３１１には、接続端子ホルダー８内の内部空間４７と接続端子内部空間７１ａを繋ぐガス流路３１９が設けられている。そこで、ガス導入系６１より導入されたガスは、第一の内部空間６２を満たし、次の内部空間４７へ内部空間貫通孔４６を通り導かれる。このガスは、さらに接続端子本体３１１の接続端子内部空間７１ａにガス流路３１９を通って流れ込む。そして、発熱体３とコイルバネ３３０の近傍を通過し、接続端子３１０に接続している発熱体３と接続端子ホルダー８との間の非接触部へと流れてゆく。すなわち、ガスは、ガス通過孔７１ｂより、矢示７２のように処理容器１内の空間へと流れてゆく。
第７図、第８図図示の発熱体ＣＶＤ装置においては、原料ガスやクリーニングガスが導入される第二の内部空間２３と第一の内部空間６２は、接続端子ホルダー８において、隔離されている。接続端子３１０及び電力供給板５３、５４は、前記第二の内部空間とは隔離された第一の内部空間６２に配置されている。そして、上述のように、第一の内部空間６２からガス通過孔７１ｂにかけてはガス導入系６１から供給されたガスが流れている。そこで、接続端子３１０及び電力供給板５３、５４が、原料ガスやクリーニングガスによる影響を受けるおそれはない。また、このように、接続端子３１０及び電力供給板５３、５４は、処理容器１内の空間に露出していない。したがって、これらの部材が、発熱体３の表面で分解及び／又は活性化された原料ガス（シランガス）起源の活性種などによって劣化されることもない。
また、第７図、第８図図示の発熱体ＣＶＤ装置においては、複数の独立した構造体である接続端子ホルダー８が備えられている。このため、１ｍ超サイズになる大面積基板への成膜を行う場合であっても、基板面積と同じ、もしくはそれ以上の面積を有する大きな一個の接続端子ホルダーを製作する必要がなくなる。すなわち、同等な、それぞれ独立した接続端子ホルダー８を複数個作製し、処理すべき基板の面積に応じて配備すればよい。したがって、大面積基板への成膜用の発熱体ＣＶＤ装置を、低コストで、容易に提供することができる。
これを、第９図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
第９図（ａ）は、発熱体３の取り付け面側から見た接続端子ホルダー８の模式図である。発熱体３の接続端子３１０への接続部領域は、それぞれ、筒状体３２０で覆われている。第９図（ａ）図示の例では、接続端子ホルダー８は、縦：２７５ｍｍ×横：６４０ｍｍのサイズである。発熱体３は、１本の長さが１７０ｍｍである。この発熱体３が縦方向に並列に５本支持され、これが横方向に３組、合計で、１５本の発熱体３が接続端子ホルダー８に支持されているものである。
第９図（ｂ）は、大面積基板への成膜用に、接続端子ホルダー８が複数個配備されている場合を説明する接続端子ホルダー８側から見た模式図である。基板サイズは、縦：４００ｍｍ×横：９６０ｍｍ（符号８１の点線）である。この場合、第９図（ａ）図示の接続端子ホルダー８を４個並べて配置してある。つまり、全体では、縦：６４０ｍｍ×横：１１００ｍｍのサイズの一個の接続端子ホルダーに相当するようにしたものとなっている。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置によれば、第９図（ｂ）図示のように、接続端子ホルダー８を複数個配備することによって、１ｍ超サイズになる大面積基板への成膜を行う場合であっても、基板面積と同じ、もしくはそれ以上の面積を有する大きな接続端子ホルダーを製作する必要がなくなる。
第７図図示の実施形態は、接続端子ホルダー８を２個備えている場合の断面図を表すものである。本発明の発熱体ＣＶＤ装置によれば、このように、複数の接続端子ホルダー８を成膜すべき基板の大きさに対応させて配備するようにすればよい。このため、一つの独立した構造体である接続端子ホルダー８は、加工しやすい大きさにでき、安価かつ容易に製作することができる。又、一構造体あたりの接続端子ホルダー８の重量も軽減される。したがって、接続端子ホルダー８の製作時やメンテナンス時に処理容器（真空容器）１への取りつけも容易になる。又、処理容器１へ接続端子ホルダー８を取りこむための開口部も小さく出来、処理容器１の製作コストを抑えることができる。
本発明の発熱体ＣＶＤ装置においては、接続端子ホルダー６あるいは８に取付けられた発熱体３の相互間の距離、及び／又は、接続端子ホルダー６あるいは８と発熱体３の距離（第９図（ａ）図示の例では３０ｍｍ）を可変にすることができる。これは、接続端子３１０を接続端子ホルダー６あるいは８に取り付ける位置を任意に変更することによって可能である。また、第７図に示されるように、接続端子３１０に取り付けられる発熱体３、３ａの形状、形態を任意に変化させることによっても可能である。これによって、基板面積やプロセス条件等に応じて、接続端子ホルダーと発熱体との間隔を調整し、すなわち、結果的に基板と発熱体３との距離を調整させ、及び／又は、接続端子ホルダーに取付けられた発熱体３の相互間の距離を調整し、複数の接続端子ホルダー８の間での、膜厚の均一化を効果的に達成することができる。
例えば、第７図図示の実施形態では、隣接されている２つの接続端子ホルダー８の隣接する位置になる発熱体３ａ、３ｂの接続端子ホルダー８との距離（間隔）は、離れている位置にある発熱体３の接続端子ホルダー８との距離（間隔）より小さく設定されている。このように、一構造体の接続端子ホルダー８が支持している複数の発熱体３の中の少なくとも一個以上の接続端子ホルダー８との距離（間隔）を、他の発熱体と接続端子ホルダー８との距離（間隔）と相違しているようにすることによって膜厚の均一化を図ることができる。すなわち、基板と発熱体３との距離を調整することによって、例えば、互いに隣接する複数の接続端子ホルダー８の間、又は、大面積基板の外周部での、膜厚の均一化を図ることができる。特に、隣接されている接続端子ホルダー８の隣接する位置になる発熱体３ａ、３ｂの接続端子ホルダー８との距離（間隔）を、他の位置における発熱体３の接続端子ホルダー８との距離（間隔）と異ならせることによって、複数の接続端子ホルダー８を配備しても膜厚の均一化を図ることができる。
【膜厚分布試験例】
第９図（ｂ）図示のように、第９図（ａ）図示の接続端子ホルダー８が４個、隙間なく並べて配備されている本発明の発熱体ＣＶＤ装置を用いて大面積基板への成膜を行い、膜厚の均一性について検討した。
第９図（ｂ）図示のように隣接する接続端子ホルダー８の継ぎ目においても、発熱体３の間隔が異ならないようにしている。これにより、この隣接配備された４個の接続端子ホルダー８が、１個の接続端子ホルダーに相当するようになっている。
基板ホルダー４上に、９６０ｍｍ×４００ｍｍのサイズのガラス基板８１を配置して、以下の条件で、成膜を行った。
処理容器１内の圧力        ２Ｐａ
ＳｉＨ流量              １００ｍ．／ｍｉｎ．
Ｈ２流量                  ５５ｍ．／ｍｉｎ．
発熱体３の温度            １７５０℃
発熱体−基板間距離        ４５ｍｍ
第９図（ｂ）に■印で示すガラス基板８１上の１１点の成膜速度の平均値は、５．３オングストローム／秒であり、その分布は±７．５％と比較的良好な結果が得られた。
この結果、大面積基板への成膜に対応すべく、複数の独立した接続端子ホルダー８を並列配備して１個の接続端子ホルダーに相当させた第７図、第８図図示の形態の発熱体ＣＶＤ装置によれば、１ｍになる大面積基板に成膜する場合であっても、膜厚分布±１０％以下の良好な膜厚均一性を確保できることが確認できた。また、この場合、基板面積やプロセス条件に応じて、接続端子ホルダー８に取付けられる発熱体３の相互間の距離を調整し、及び／又は、接続端子ホルダー８と発熱体３の距離（間隔）を調整することで基板と発熱体３との距離を調整し、隣接する接続端子ホルダー８の間で、また、大面積基板の外周部で膜厚分布が不均一とならないようにすることも可能である。
以上説明した本発明の発熱体ＣＶＤ装置では、発熱体３の接続端子本体３１１への接続を発熱体押さえバネ３１５、あるいはコイルバネ３３０により行っているが、この押さえバネ、あるいはコイルバネの材質としてはベリリウム銅、ステンレススチール、インコネル等の金属、もしくはセラミックなどが適用できる。
また、本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、クリーニング時のクリーニングガスにフッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、三フッ化塩化メタン（ＣＣｌＦ３）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）等のいずれのハロゲン系クリーニングガスを用いる場合であっても適用可能である。
以上、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々の形態に変更可能である。
例えば、上記本発明の実施形態におけるシリコン膜及び窒化シリコン膜の形成は、本発明の発熱体ＣＶＤ装置の成膜適用例であり、本発明の発熱体ＣＶＤ装置はこれら以外の成膜にも適応可能である。また、上記本発明の実施形態における膜形成においてはシランガスを用いているが、シランガス以外のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等でも本発明の適用が可能である。
また、発熱体３の接続端子本体３１１への接続は、発熱体押さえバネ３１５あるいはコイルバネ３３０を用いる形式に限定されるものではなく、ネジで固定する接続、保持方法等でも良い。
更に、本発明の発熱体ＣＶＤ装置では、発熱体３に線状のものを用いたが、発熱体は箔状であってもよい。また、線状発熱体ではコイル状等にして配置してもよい。ただし、コイル状の発熱体を用いる場合、少なくとも隙間部分の形状が線状である発熱体を用いることが望ましい。これは、キャップ３１２と発熱体３とのガス通過孔７１ｂは、キャップ３１２内の接続端子内部空間７１ａ内への原料ガスやその活性種、あるいはクリーニングガスやその活性種の侵入を効果的に防止するように狭く設定することが重要であり、その隙間の面積を狭くするためである。
第６図図示の実施形態では１つの接続端子ホルダー６に１つの発熱体３が取付けられた例のみを示している。また、第７図図示の実施形態では１つの接続端子ホルダー８にそれぞれ２つの発熱体３、３ａと、３、３ｂが取付けられた例のみを示している。しかし、１つの接続端子ホルダー６や８に取付けられる発熱体３の数は任意である。また接続端子ホルダー８には発熱体３の数に応じた接続端子３１０が保持されることは言うまでもない。
また、第７図図示の実施形態では接続端子ホルダー８の数量も２つ使用した例を示しているが、成膜基板面積に合せて、任意に増やせることは当然である。
更に、第７図、第８図図示の本実施形態では、第一の内部空間６２にガス導入系６１から導入された水素などのガスは、第一の内部空間６２から、内部空間貫通孔４６、内部空間４７、ガス流路３１９を経て、接続端子本体３１１の接続端子内部空間７１ａに流れ込み、接続端子３１０に接続している発熱体３と接続端子ホルダー８との間の非接触部、すなわち、ガス通過孔７１ｂより処理容器１内の空間に導入されていく。しかし、接続端子ホルダー８内に導入された水素などのガスがガス通過孔７１ｂを介して処理容器１内の空間に導入されていく経路と連通している第一の内部空間６２は、特に、内部空間４７と分けられ、内部空間貫通孔４６を介して当該内部空間４７につながっている構成とせずに、第一の内部空間６２からガス流路３１９を経て、直接、接続端子本体３１１の接続端子内部空間７１ａにつながっている構成にすることもできる。
以上、説明した本発明の発熱体ＣＶＤ装置によれば、接続端子に接続する発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出していないので、成膜時にシランガス等の原料ガスが発熱体のやや温度の低い部分（発熱体の接続部領域）に接触し、原料ガスにより劣化（シリサイド化）することを抑制できる。
更に、接続端子に接続する発熱体の接続部領域を当該接続部領域に接触しない形態で被覆する、すなわち、接続端子との間に隙間を存在させ、かつ、発熱体との間に隙間を存在させて被覆することによって、発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しない構造とし、接続部側から処理容器側に向けて、前記隙間を介してパージガスを流す構成を採用すれば、所定の高温より温度がやや低くなる発熱体の接続部領域（すなわち、成膜時には１６００℃程度より低く、クリーニング時には２０００℃程度より低くなる発熱体の接続部領域）が、成膜時に原料ガスにより劣化（シリサイド化）することを防止できる。また、付着膜除去（クリーニング）時に、クリーニングガスとの反応によりエッチングされることを防止できる。
その結果、成膜時には原料ガスによる発熱体の劣化を防止して成膜環境を安定させることができ、さらには、付着膜除去時における発熱体のクリーニングガスとの反応を防止することが可能となる。また、真空を大気開放して行われる発熱体の交換頻度を減らすことができる。これらの効果により、量産性の向上に貢献することができる。
これによって、発熱体の長寿命化、成膜環境の安定化を図り、量産性のよい発熱体ＣＶＤ装置を提供することができる。
更に、発熱体と電力供給機構との接続部になる接続端子や、接続端子同士の間の接続配線が、処理容器内（真空容器内）の空間に曝されないようにして、活性種ガスでの劣化を心配することなく、接続端子部や、接続配線に適切な材料を選定できる。
また、本発明によれば、１ｍ超のサイズにもなる大面積基板への成膜に対応できる。しかも、膜厚均一性を確保できる発熱体ＣＶＤ装置を提供することができる。
これによって、発熱体の長寿命化、成膜環境の安定化を図り、量産性のよい発熱体ＣＶＤ装置であって、大面積基板への成膜においても膜厚均一性がよい発熱体ＣＶＤ装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における発熱体と接続端子との接続部領域の断面構成例を示す概念図である。
第２図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置の他の好ましい実施形態における発熱体と接続端子との接続部領域の要部断面構成例を示す概念図である。
第３図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置における発熱体の接続端子への接続部領域の好ましい実施形態の断面構成例を示す概念図である。
第４図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置における発熱体の接続端子への接続部領域の他の好ましい実施形態の断面構成例を示す概念図である。
第５図は、本発明に係わる発熱体ＣＶＤ装置における発熱体の接続端子への接続部領域の更に他の好ましい実施形態の断面構成例を示す概念図である。
第６図は、処理容器内に接続端子ホルダーが一個設置されている本発明の発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における、発熱体の接続端子への接続部領域の断面構成例を示す概念図である。
第７図は、処理容器内に接続端子ホルダーが二個設置されている本発明の発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における、発熱体の接続端子への接続部領域の断面構成例を示す概念図である。
第８図は、第７図の接続端子部Ａの詳細概念図である。
第９図（ａ）は、発熱体取り付け面側から見た接続端子ホルダーの模式図である。
第９図（ｂ）は、大面積基板への成膜用に、接続端子ホルダーが複数個配備されている場合を説明する接続端子ホルダー側から見た模式図である。
第１０図は、従来の発熱体ＣＶＤ装置の構成例を示す概念図である。
第１１図は、従来の発熱体ＣＶＤ装置の別の構成例の発熱体の部分の構成を示す概念図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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