(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶ウエハの状態にて、板状の水晶片の中央部に相当する領域をエッチングして逆メサ型水晶振動片を製造する方法であって、
中央部分がエッチングされるべき前記水晶片の周囲枠部分に、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉのいずれかの金属により金属耐蝕膜を形成し、
酸素または酸素及びアルゴンにより前記中央部分をドライエッチングし、
次いで、前記耐蝕膜を除去して、前記水晶片に励振電極及び接続電極を形成する
ことを特徴とする、水晶振動片の製造方法。
【請求項２】
前記ドライエッチング後に、前記水晶片の前記周囲枠の耐蝕膜を除去することなく残存させることを特徴とする、請求項１記載の水晶振動片の製造方法。
【請求項３】
前記水晶片の前記周囲枠部分の耐蝕膜が、この水晶片の接続電極を形成すべき領域に対応して、除去されることを特徴とする、請求項２に記載の水晶振動片の製造方法。
【請求項４】
前記水晶片がＡＴカット水晶片であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の水晶振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、中央部が薄く形成された、所謂逆メサ型水晶片を利用した水晶振動片の製造方法と、その製造方法により製造される水晶振動片と、これを利用した水晶デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は、水晶片の一例を示している。
【０００３】
このような水晶片１は、表面に所定の電極を形成して、駆動電圧を印加することにより、圧電作用により所定の振動を発生する。このような圧電作用を利用して、水晶振動子や水晶発振器等の水晶デバイスとして広く利用されている。
【０００４】
図１３の水晶片１は、このような水晶片のうち、特に中央部２の厚みを薄く形成した、所謂逆メサ型水晶片と呼ばれている。
【０００５】
一般に、厚みすべりモードで水晶片を振動させるＡＴカット水晶振動片（ブランク）では、その板厚により、振動周波数がきまり、板厚に反比例して周波数は高くなる。一方、水晶片の板厚が薄くなるほど、研磨等の機械加工は困難となり、振動子としての強度も弱くなるため、高い周波数で振動させるＡＴカット水晶片は、中央部を薄くして、その周囲を厚くした逆メサ型とすることにより、高い振動周波数を得るととともに機械強度も保持するようにされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような水晶片１を製造する場合には、人工水晶を結晶成長させて切り出した水晶ウエハから多数の水晶片１を得るようにしている。そして、凹部である上記中央部２を形成するためには、この水晶ウエハの状態において、上記中央部２に該当する箇所を例えばドライエッチングにより削りとって、凹部を形成している。
【０００７】
図１４は、このようなエッチング方法を説明する概略断面図であり、図１４（ａ）に示すように、先ず、水晶１の周囲枠に相当する部分にフォトレジスト等による耐蝕膜３を形成する。そして、エッチングガスとして、例えばＣＦ4 やＣ3 Ｆ8 等のフッ化物系ガスを使用して、イオンエッチングまたは反応性イオンエッチング等の手段により加工している。
【０００８】
これにより、Ｆ* で示すフッ素ラジカル（遊離原子）が発生し、この化学的に極めて活性なフッ素ラジカルＦ* が、水晶１の中央部分２の箇所だけをエッチングにより削って薄くし、図１３のような水晶片１を形成するようにしている。
【０００９】
しかしながら、このような方法によると、図１４（ｂ）に示すように、エッチングの過程で、水晶（ＳｉＯ2 ）がフッ素ラジカルにより削られて、その残滓ＳｉＦ4 等が遊離して、図１４（ｃ）に示すように、水晶１の表面に残ってしまう。
【００１０】
そして、加工後の水晶片１を空気中に取り出すと、図１５（ａ）に示すように、この残滓４が空気中の水分を吸収し、図１５（ｂ）に示すように、エッチング液の性質を有する物質５として、水晶１の表面をさらにエッチングしてしまう。この結果、図１５（ｃ）に示すように、上記物質５により、再度エッチングされた箇所６ができてしまうという不都合があった。
【００１１】
これに対して、スパッタエッチングやイオンビームエッチング等の手法により、凹部２を形成する方法もある。例えば、図１６に示すように、アルゴンイオンを用いたスパッタエッチングによれば、図１６（ａ）ないし図１６（ｃ）に示すように、水晶片１の表面にアルゴンイオンを衝突させることにより、水晶と耐蝕膜３がともに削られていく。
【００１２】
しかながら、図１７（ａ）で示す状態では、耐蝕膜３が全て削られてしまい、やがて図１７（ｂ）に示すように、水晶片の周囲枠に相当する部分の水晶１まで削られてしまう。
【００１３】
これは、このようなスパッタエッチングでは、水晶１とフォトレジストやＡｕ，Ｃｒ等の耐蝕膜３とのエッチングレートに大きな差がなく、このため、水晶１だけを選択的にエッチングしにくいことにより、耐蝕膜３が十分にその役割をはたすことができないことによる。
本発明は、上記課題を解消して、耐蝕膜により覆われない中央部分だけを適切に薄くして、大気中に取り出しても再エッチング等により侵されるおそれのない水晶振動片の製造方法と、これにより製造された水晶振動片およびこのような水晶振動片を利用した水晶デバイスを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、水晶ウエハの状態にて、板状の水晶片の中央部に相当する領域をエッチングして逆メサ型水晶振動片を製造する方法であって、中央部分がエッチングされるべき前記水晶片の周囲枠部分に、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉのいずれかの金属により金属耐蝕膜を形成し、酸素または酸素及びアルゴンにより前記中央部分をドライエッチングし、次いで、前記耐蝕膜を除去して、前記水晶片に励振電極及び接続電極を形成する、水晶振動片の製造方法により達成される。
【００１５】
請求項１の構成によれば、水晶ウエハから多数の板状水晶片の各中央部分をエッチングする方法であって、先ず、この中央部分を囲む周囲枠に相当する領域に、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉのいずれかの金属による耐蝕膜を形成して、この部分がエッチングされないようにする。そして、酸素もしくは酸素とアルゴンの混合気体によるドライエッチングを行う。この場合、エッチングに使用する気体として酸素が利用されていることと、耐蝕膜が酸化膜を形成する金属により形成されていることによって、エッチング中に、気体中の酸素が耐蝕膜表面に酸化膜を形成する。
【００１６】
このため、耐蝕膜表面には、酸化膜が形成されることにより、エッチングレートが低下し、エッチングされにくくなる。これにより、中央部分では、水晶が高いエッチングレートでエッチングされていくのに対して、耐蝕膜はよりエッチングされにくく、さらに、上記耐蝕膜表面の酸化膜がわずかづつエッチングされたとしても、常に気体中から酸素が接触して耐蝕膜表面には、常に新しい酸化膜が形成され、低エッチングレートが保たれる。これによって、耐蝕膜部分はほとんどエッチングされることなく、中央部分だけがエッチングされることとなる。
【００１９】
請求項２の発明は、請求項１の構成において、前記ドライエッチング後に、前記水晶片の前記周囲枠の耐蝕膜を除去することなく残存させることを特徴とする。
【００２０】
請求項２の構成によれば、エッチングにより中央部分が薄くなった水晶片において、その周囲枠部分が硬い耐蝕膜により被覆されることにより、機械強度を強化させることができる。
【００２１】
請求項３の発明は、請求項２の構成において、前記水晶片の前記周囲枠部分の耐蝕膜が、この水晶片の接続電極を形成すべき領域に対応して、除去されることを特徴とする。
【００２２】
請求項３の構成によれば、請求項２の方法により補強された水晶片において、とくに部分的に耐蝕膜を除去することで、後の工程において、金属膜による電極を形成し易くすることができる。
【００２３】
請求項４の発明は、請求項１ないし３の構成において、前記水晶片がＡＴカット水晶片であることを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態による圧電デバイスの一例としての圧電振動子の製造工程を示す概略工程図である。
【００３０】
図１の工程は、一般的な製造工程を示しており、本発明の特徴は、後述するように、この工程の一部における水晶エッチング（ＳＴ８）の手法にあるが、先ず全工程を概略的に説明する。
【００３１】
図１において、人工水晶を結晶成長させたものから、所定の厚みの水晶ウエハを切り出し、個々の水晶ウエハに関して、所定の厚さとなるようにし、かつその表面粗さを整えるために表面研磨を行う（ＳＴ１）。
【００３２】
この研磨表面に対して、次に耐蝕膜形成工程を行う。すなわち、先ず上記研磨表面全体に、水晶に密着しやすくかつ酸化膜を形成する金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）によりＡｌ耐蝕膜を形成する（ＳＴ２）。ここで、耐蝕膜としては、Ａｌに限らず、ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）等の金属を利用して、水晶に密着しやすいので、耐蝕膜を形成しやすく、また、後述するように、エッチング工程で酸素と結合して酸化膜を形成することができる。
【００３３】
次に、Ａｌ耐蝕膜の上からフォトレジストを全面塗布する（ＳＴ３）。ここで、１枚の水晶ウエハからは、多数の長方形の板状水晶片（ブランク）が形成されるため、先ず、上記耐蝕膜を形成した表面に、個数分のブランクに対応して、かつ、それぞれ図１３で説明したような周囲枠部分に相当する形状に対応して、所定のマスク等によりマスキングする。そして、中央部分を露光し（ＳＴ４）、露光箇所を現像してフォトレジストを除去する（ＳＴ５）。これにより、凹部に対応した箇所のＡｌ耐蝕膜が露出するので、この部分を所定のエッチング液等によりエッチングする（ＳＴ６）。これにより、図１４で説明した中央部２の領域の耐蝕膜がエッチングにより除去されるので、周囲枠部分に相当するレジストを剥離して図１４の状態とする（ＳＴ７）。
【００３４】
次いで、水晶エッチングを行う（ＳＴ８）が、この水晶片の中央部を選択的にエッチングするエッチング工程に関しては、後で詳しく説明する。
【００３５】
次に、各ブランクの中央部に相当する領域がエッチングされて凹部が形成された状態の水晶ウエハに関して、その励振部を微妙にエッチングして周波数の合わせ込みを行う（ＳＴ９）。次いで、必要により上記金属耐蝕膜を剥離し（ＳＴ１１）、ウエハからひとつひとつの水晶片に分割する（ＳＴ１２）。次いで、各水晶片に後述する接続電極と励振電極を蒸着等により形成し（ＳＴ１３）、できあがった水晶振動片をパッケージ内もしくは外部からの給電電極にマウントし（ＳＴ１４）、パッケージ内に封止する（ＳＴ１５）。これにより圧電デバイスが完成する。
【００３６】
図２及び図３は、上記したＳＴ８における水晶エッチングを行うためのドライエッチング装置（以下、「エッチング装置」という）３０を示しており、図２はエッチング装置３０の概略斜視図、図３は、その概略正面図で、これらの図は同じ装置を説明するためのものである。
【００３７】
図において、エッチング装置３０は、真空チャンバー３１内で、ドライエッチングを行うための装置である。真空チャンバー３１内には、上面にエッチング処理すべき基板である水晶ウエハ１００を複数個保持するような機能を備えた基板ホルダ３３が配置されており、この基板ホルダ３３の上には、各水晶ウエハ１００にプラズマを照射するための照射手段３２が配置されている。
【００３８】
照射手段３２には、直流電源３４が接続されている。また、この照射手段３２は、例えば、ステンレス製の筒体３２ａを有し、この筒体３２ａ内には、直流電源３４と接続された電極棒３８が収容されている。この電極棒３８は、筒体３２ａとは絶縁されており、かつステンレス製の筒体３２ａの外周部は、アースシールドされている（図示せず）。また、基板ホルダ３３は、接地されており、アースされている。
【００３９】
上記真空チャンバー３１には、ガス管３６が接続されており、ガス管３６には、流量調整バルブ４１ａ，４２ａを介して、それぞれアルゴンガスボンベ４１と酸素ガスボンベ４２とが接続されている。さらに、真空チャンバー３１には、排気管３７が設けられ、真空ポンプ４３が接続されて、所定の真空度に真空引きされるようになっている。
これにより、上述のように、真空チャンバー３１内が、所定の真空度に真空排気され、アルゴンガスボンベ４１からのアルゴンガスと、酸素ボンベ４２からの酸素ガスが、筒体３２ａ内に送られ、その混合ガスが筒体３２ａ内に所定の気圧になるまで充填された状態にて、上記電極棒３８に、直流電源３４から直流電圧が印加されると、筒体３２ａ内でプラズマが発生するようになっている。
【００４０】
すなわち、直流電圧の印加によりＡｒとＯ2 とでなる混合ガスをプラズマ化しこの混合プラズマが筒体３２ａの先端から照射される。そして、イオン化された粒子を含む混合ガスは、ワークである基板１００（水晶１）に当たるようになっている。
【００４１】
図４は、このようなエッチング装置３０により行われる上記エッチング処理の様子を示す概略工程図である。
【００４２】
図４（ａ）に示すように、水晶１は、上記ＳＴ７で説明した状態、すなわち、中央部２の領域の耐蝕膜がエッチングにより除去されて、周囲枠部分にのみ耐蝕膜３を有する図１４と同じ状態である。この場合、図１４と異なるのは、耐蝕膜３がＡｌによる耐蝕膜である点である。
【００４３】
そして、図２及び図３で説明したエッチング装置３０の照射手段３２からは、図４（ｂ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ）の混合プラズマが照射されるので、中央部２の水晶と、Ａｌ耐蝕膜３の上面とに、アルゴンとプラズマ中で遊離した、化学的に極めて活性な酸素ラジカルＯ* が衝突する。この衝撃により、図４（ｃ）に示すように、中央部２の水晶が物理的に削り取られて飛散する。また、耐蝕膜３の上面には、混合プラズマ中の酸素が結びついて、酸化アルミニウム（ＡｌＯ3 ）でなる酸化膜３ａが形成される。この酸化膜３ａは非常に固く、中央部２の水晶１と比べると削り取られにくい。つまり、混合プラズマによるエッチングがされにくい。
【００４４】
これにより、図４（ｄ）に示すように、中央部２が極端に削り取られるという選択的なエッチングが進行し、効率よく中央部２をエッチングすることができる。また、耐蝕膜３もわずかづつエッチングされるのであるが、その上面に酸化膜３ａが削られても、混合プラズマ中の酸素がつねに耐蝕膜３の上面と結びついて新たな酸化膜を形成するので、耐蝕膜３の上面は常にエッチングされにくい状態となり、結局、中央部２と耐蝕膜３の部分とのエッチングレートの差は常に大きい（図４（ｅ）参照）。
【００４５】
これにより、図４（ｆ）に示すように、中央部２を所望の深さまでエッチングしたら、図１のＳＴ１１により、耐蝕膜３を剥離すると、逆メサ型の水晶片１を得ることができる。
【００４６】
図５に示す水晶片１は、図４で示すようなエッチング工程後のチップ分割（上記ＳＴ１２）により得られる、片側エッチングされた逆メサ型水晶片１を示す概略斜視図であり、下方にはその概略断面が示されている。
【００４７】
ここで、水晶片１においては、その周囲枠部分の耐蝕膜３を残しておいて、中央部２を薄くエッチングしたことによる強度不足を補うための強化手段としてもよい。つまり、固い金属耐蝕膜３が周囲枠部分に残されていることで、全体としての機械強度を向上させることができる。
【００４８】
さらに、周囲枠部分のうち１ｂで示した短辺の領域だけ、上記耐蝕膜３を取り去ってもよい。この部分には、図６に示す引き出し電極を設ける必要があり、電極を形成しやすくするためである。
【００４９】
図６は、この水晶片１に対して、例えば、蒸着等により、図１のＳＴ１３により、電極を形成した水晶振動片１１を示している。
【００５０】
すなわち、水晶片１の中央部２を含む表面には、圧電作用による振動を生じさせるために、励振電極８と、この励振電極８と接続され、励振電極８に駆動電流を供給するための引き出し電極７，７とが形成されている。この引き出し電極７，７は、後述するように、パッケージ側の給電電極と接続されて、外部からの給電を受ける電極であり、水晶片１の厚く枠どりされた周囲枠部分に形成されている。このため、図５で説明したように、周囲枠部分に耐蝕膜３を残す場合においても、好ましくは、この部分だけこの耐蝕膜３を除いておけば、引き出し電極７，７を形成しやすい。
【００５１】
図７は、図５で説明した実施形態の変形例である。
【００５２】
このエッチング方法では、エッチング装置３０を用いて、真空チャンバー３１内に、同時にアルゴンと酸素ガスを導入しないで、先ず酸素ガスボンベ４２から酸素だけを真空チャンバー３１内に導入する。
【００５３】
これにより、図７（ａ）に示すように、酸素を水晶１表面に当てて、図７（ｂ）に示すように、金属耐蝕膜３の上面にこの酸素を結合させ、酸化膜３ａを予め形成する。
【００５４】
次いで、図４の場合と同じように、図７（ｃ）に示すように、アルゴン及び酸素の混合プラズマによるエッチングを行い、図７（ｄ）に示すように、中央部２を凹部となるように削り取る。
【００５５】
このような方法によれば、予め耐蝕膜３の上面に酸化膜３ａを形成しておくことで、耐蝕膜３がよりエッチングされにくくすることができる。これにより、耐蝕膜３の膜厚を予め薄く形成すればよいことになる。あるいは、耐蝕膜３の厚みを図４と同じとする場合には、仕上がり状態において、中央部２の凹部をより深く、この水晶部分をより薄く形成することもできる。
【００５６】
図８及び図９は、図５及び図６の水晶片及び水晶振動片の別の実施形態をしめしている。
【００５７】
図８の水晶片５０と、図９の水晶振動片５１において、図５及び図６の水晶片１及び水晶振動片１１と同一の構成には、共通する符号を付して重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
【００５８】
図５の水晶片１の場合には、片面（上面）だけをエッチングして、凹部２だけを形成するようにしているが、図８の場合は、上面と下面の両方から、両面エッチングにより各中央部２と５２とをエッチングして、それぞれ凹部を形成しており、中央部分をより薄くすることができる。図９の水晶振動片５１は、このような水晶片５０を用いて、必要な電極を形成して水晶振動片としたものである。そして、上記水晶片５０を形成するための上面と下面の各エッチング方法は、上記した方法と同じである。
【００５９】
図１０ないし図１２は、上述した水晶振動片を用いた水晶デバイスの例として水晶振動子と水晶発振器を形成した場合について説明するための図である。これらにおいては、水晶振動片１１が用いられているが、同様にして水晶振動片５１を用いることができることは勿論である。
【００６０】
先ず、図１０及び図１１は、本発明の実施形態に係る圧電振動子を示している。図１０は圧電振動子の構成例を示す概略斜視図であり、図１１はその概略断面図である。
【００６１】
これらの図において、圧電振動子１０は、電子部品としての板状の圧電振動片１１を収納する容器として、空間部１２ａが形成された箱状のパッケージ１２と、空間部１２ａを密封するように、パッケージ１２に接合される板状の蓋体１３を備えている。
【００６２】
この圧電振動片１１は、一端部１１ａが空間部１２ａ内に一体に設けた段部に配設されている電極１４上に、後述するマウント構造を適用して接続固定され、他端部１１ｂが自由端とされている。パッケージ１２と蓋体１３は、好ましくは、封止材（ロウ材）１５を介して接合されている。
【００６３】
ここで、水晶振動片１１の材料としては、圧電作用を発揮する材料として、例えば人工水晶が用いられており、その表面に水晶振動片１１の駆動に必要とされる励振電極等の図示しない電極が形成されている。
【００６４】
パッケージ１２の材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックが用いられており、例えば、パッケージ１２は、グリーンシート等を用いて、下ベース１２ｂの上に上ベース１２ｃを内部に空間１２ａを形成するように積層して、図示のように箱状に成形された後、焼成することにより形成される。
【００６５】
蓋体１３は、パッケージ１２の線膨張係数と近い材料が適しており、金属あるいはアルミナ等のセラミックにより、例えば、平板な板状に形成されている。金属の場合には、例えば、コバール，４２アロイ，ステンレス（ＳＵＳ）等が好適である。
【００６６】
図１２の断面図は、圧電デバイスの他の例を示しており、この場合圧電発振器２０の封止構造を示している。
【００６７】
図において、図１０及び図１１で説明した水晶振動子１０と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
【００６８】
図において、圧電発振器２０のパッケージ２１では、第１のセラミックベース２１ａの上に内側に空間を有する第２のセラミックベース２１ｂを重ね、さらにその上に内側に空間を有する第３のセラミックベース２１ｃを重ねて形成している。これにより、図１１と比べると内部空間１２ａの下にさらに段部を設けて、一段低いもうひとつの内部空間２２ａを形成している。
【００６９】
そして、第１のセラミックベース２１ａの上面に形成した導電パターン上に集積回路２３を実装し、上記内部空間２２ａに収容して、電極部２４と接続している。これにより、水晶振動片１１に所定の駆動電圧を与えて、振動させ、その出力を上記集積回路２３に入力することにより、所定の周波数の信号を取り出すようになっている。
【００７０】
本発明の水晶振動片は、これらの水晶振動子１０や圧電発振器２０を含む水晶振動片を利用したあらゆる圧電デバイスに適用されるものである。
本発明は上述の実施形態に限定されない。上述の各実施形態の各構成は、省略したり、適宜任意に組み合わせることができる。
【００７１】
また、本発明の水晶振動片は、水晶振動子や圧電発振器に限らず、水晶振動片を用いたあらゆる圧電デバイスに適用することができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、耐蝕膜により覆われない中央部分だけを適切に薄くして、大気中に取り出しても再エッチング等により侵されるおそれのない水晶振動片の製造方法と、これにより製造された水晶振動片およびこのような水晶振動片を利用した水晶デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る水晶振動片の製造方法の工程を示すフローチャート。
【図２】図１の水晶振動片の製造方法における水晶エッチングを行うためのドライエッチング装置の構成例を示す概略斜視図。
【図３】図１の水晶振動片の製造方法における水晶エッチングを行うためのドライエッチング装置の構成例を示す概略断面図。
【図４】図２の装置によるエッチング工程を示す工程図。
【図５】図４のエッチング工程により中央部がエッチングされた状態の水晶片を示す概略斜視図。
【図６】図４の水晶片を用いて形成した逆メサ型水晶振動片を示す概略斜視図。
【図７】図２の装置によるエッチング工程の変形例を示す工程図。
【図８】図５の水晶片の変形例を示す概略斜視図。
【図９】図８の水晶片を用いて形成した逆メサ片水晶振動片を示す概略斜視図。
【図１０】本発明の実施形態に係る圧電デバイスとしての水晶振動子の一例を示す概略斜視図。
【図１１】図１０の水晶振動子の概略断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係る圧電デバイスとしての圧電発振器の一例を示す概略断面図。
【図１３】従来の逆メサ型水晶片を示す概略斜視図。
【図１４】図１３の水晶片の製造工程におけるエッチング方法の一例を説明する工程図。
【図１５】図１３の水晶片の製造工程におけるエッチング方法の一例を説明する工程図。
【図１６】図１３の水晶片の製造工程におけるエッチング方法の他の例を説明する工程図。
【図１７】図１３の水晶片の製造工程におけるエッチング方法の他の例を説明する工程図。
【符号の説明】
１      水晶片
２      中央部（凹部）
３      金属耐蝕膜
７      引き出し電極
８      励振電極
１０    水晶振動子
１１    水晶振動片
１２    パッケージ
１３    蓋体
２０    圧電発振器
３０    エッチング装置
３２    （プラズマ）照射手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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