(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたリブの欠陥部を修正するためのパターン修正装置であって、
前記基板がその上に載置されて水平方向に移動するテーブルと、
前記リブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布する針と、
前記針を上下方向に移動可能な駆動機構と、
前記塗布した修正ペーストのうちの前記リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを切除するためのレーザ照射機構と、
前記リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを除去するためのスクラッチ針機構とを備えた、パターン修正装置。
【請求項２】
前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成し、
前記レーザ照射機構は、
前記修正ペーストを焼成するための連続発振レーザと、
前記余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振レーザとを含む、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成し、
前記レーザ照射機構は、前記修正ペーストを焼成するための連続発振と、前記余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振とを切換可能なレーザを含む、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
さらに、前記塗布した修正ペーストの高さを整形するためのスキージング機構を含む、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【請求項５】
さらに、前記スクラッチ針機構によって除去された前記余分な修正ペーストを吸引するためのバキューム機構を含む、請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【請求項６】
前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブの一部が幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥部のうちの前記リブの幅方向にはみ出た余分な部分を切除し、
前記スクラッチ針機構は、さらに、前記リブの幅方向にはみ出た余分な部分を除去することを特徴とする、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）の製造工程において発生するリブ欠け欠陥を修正するようなパターン修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４はプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）の構造要素であるリブの欠陥を修正する方法を説明するための図である。図４（ａ）において、プラズマディスプレイでは、ガラス基板２１の上にリブ２２が形成されている。リブ２２はその高さが１５０μｍ程度，幅が６０〜１００μｍ程度で作製されるが、リブ２２の一部が欠如したようなリブ欠け欠陥２３が発生した場合、たとえば特開平８−２９２４４２号公報に記載された装置で修正が行なわれる。
【０００３】
すなわち、リブ欠け欠陥２３の両側の残存リブを利用し、塗布針３１に修正用ペースト２４を付着させて、図４（ｂ）に示すようにリブ欠け欠陥２３に塗布し、修正用ペースト２４の表面張力による形状保持力によりリブ欠け部が再生される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の方法では、修正ペースト２４の粘度とリブ欠け欠陥２３の幅との関係で修正可能なリブ欠け欠陥２３の幅が制限されてしまい、２００μｍ〜３００μｍ程度の欠陥までしか満足な修正をすることができなかった。しかも、リブ欠け幅が大きい欠陥については、修正用ペースト２４が欠け中央部で垂れてしまうため、本来必要とされるリブ高さを再現することができない。また、リブ幅も広くなってしまい、修正品位の点でも修正不良となってしまっていた。
【０００５】
それゆえにこの発明の主たる目的は、比較的幅の大きな欠陥でも修正が可能なパターン修正装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成されたリブの欠陥部を修正するためのパターン修正装置であって、基板がその上に載置されて水平方向に移動するテーブルと、リブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布する針と、針を上下方向に移動可能な駆動機構と、塗布した修正ペーストのうちのリブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを切除するためのレーザ照射機構と、リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを除去するためのスクラッチ針機構とを備えて構成される。
【０００７】
好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成する。このレーザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振レーザと、余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振レーザとを含む。
【０００８】
また好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成する。このレーザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振と、余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振とを切換可能なレーザを含む。
【０００９】
また好ましくは、さらに、塗布した修正ペーストの高さを整形するためのスキージング機構を含む。
【００１０】
また好ましくは、さらに、スクラッチ針機構によって除去された余分な修正ペーストを吸引するためのバキューム機構を含む。
【００１１】
また好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブの一部が幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥部のうちのリブの幅方向にはみ出た余分な部分を切除する。スクラッチ針機構は、さらに、リブの幅方向にはみ出た余分な部分を除去する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態のパターン修正装置の全体の構成を示す図である。図１において、パターン修正装置を大きく分類すると、ペースト焼成用レーザ部を含む観察光学系１と、カット用レーザ部２と、導電性ペーストあるいは欠陥修正用インクを塗布する針からなるペースト塗布機構３と、はみ出したペーストをならすスキージ機構４と、余分な修正ペーストを除去するスクラッチ機構５と、修正ペーストを乾燥させるＩＲ光源６と、欠陥を認識する画像処理機構７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とから構成される。さらに、その他にワークを搭載するＸＹテーブル１０と、ＸＹテーブル１０上でワークを保持するチャック台１１と、レーザ照射機構を上下に駆動するＺ軸テーブル１２などが設けられている。
【００１３】
図２はこの発明の一実施形態によるリブ欠陥修正方法を説明するための図である。まず、リブ２２の形成されたガラス基板２１をＸＹテーブル１０上に載置し、ＸＹテーブル１０を水平方向に移動させ、リブ欠け欠陥２３がペースト塗布機構３の真下にくるように位置決めする。ペースト塗布機構３はたとえば特開平９−２６５００７号公報の図８に示すような機構が用いられ、塗布針３１に修正用ペースト４を付着させ、リブ欠け部２３に塗布する。このとき、従来は修正用ペースト２４がはみ出てしまうと後で修正する方法がなかったために、修正品位にそのまま影響してしまい、修正不良となってしまっていた。しかし、この実施形態では、図２（ｂ）に示すように、修正箇所から修正ペースト２４がはみ出る程度に塗布される。
【００１４】
次に、図２（ｃ）に示すように、スキージ機構４により、リブ頂点よりはみ出した修正ペースト２４を整形するためにスキージングを行なう。次に、図２（ｄ）に示すように、ＩＲ光源６により修正部分を照射して塗布した修正ペースト２４を乾燥させる。
【００１５】
次に、図２（ｅ）に示すように、カット用レーザ部２からＹＬＦレーザを塗布した修正ペースト２４のはみ出した必要以外の部分に照射し、レーザカットして分離する。このとき、レーザカットのみではみ出し部分を除去する方法も考えられるが、はみ出し部下層には電極が設けられており、はみ出した修正ペースト部分のみを選択的に除去することは困難であった。
【００１６】
これに対して、この実施形態では、下層電極部以外の部分をカットするため、下層電極部には悪影響を及ぼすことがない。ここでいう電極への悪影響とは、レーザカット時における電極への熱的影響または一部分カットによる電気的不具合の発生をいう。また、ここで用いるレーザは、Ｑスイッチ付きのジャイアントパルス発振レーザ（１ｐｐｓ〜２０ｐｐｓ程度）ではなく、発振周波数が１０００Ｈｚ〜５０００Ｈｚ程度の疑似連続発振レーザを用いる。これはカットに要する時間を短縮するためである。
【００１７】
次に、図２（ｆ）に示すようにスクラッチ機構５を用いてはみ出し部を除去する。スクラッチ機構５にはスクラッチ針５１が設けられており、このスクラッチ針５１により修正ペースト２４のはみ出し部を除去する。スクラッチ針５１によるはみ出し部除去範囲下層には電極が設けられているが、スクラッチ針５１による除去においては電極に悪影響を及ぼすことはない。スクラッチ機構部５にはバキューム機能（図示せず）が設けられており、スクラッチ針５１により除去された修正ペーストのかすを吸引することが可能となっている。このため、修正後も修正箇所を清浄状態に保つことが可能となる。
【００１８】
次に、図２（ｇ）に示すようにリブ欠け欠陥部２３に塗布した修正ペースト２４を整形した後、この修正ペースト２４の焼成を行なう。修正ペースト２４の焼成は観察光学系部１に加えるＬＤ（半導体レーザ）のようなペースト焼成用レーザを用いて行なう。ただし、焼成の方法は、修正用ペースト２４を焼成可能な温度（５５０℃程度）まで上げる方法であれば、ＣＷ（連続発振）レーザまたは電気炉などを用いることはできる。
【００１９】
また、上述の説明では、修正ペースト２４を焼成するためのレーザと、レーザカットするためのカット用レーザ部２を別個に設けるようにしたが、これを１つのレーザで切換えるようにしてもよい。
【００２０】
上述の工程により、リブ欠け欠陥２３の修正が完了する。
なお、リブ２２を形成するとき、図２（ａ）に示すようなリブ欠け欠陥２３以外の図３に示すようにリブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を生ずる場合がある。この場合、前述したように、下層に電極があるためレーザカットによる修正方法を用いることができず、修正が困難となっていた。
【００２１】
これに対して、この実施形態ではこのようなリブ幅太り欠陥についても、前述の図２（ｅ），（ｆ）に示すようにはみ出し部カットおよびはみ出し部除去の工程を適用することにより欠陥修正が可能となる。この場合、装置構成としては、図１に示したパターン修正装置において、ペースト塗布機構３と、観察光学系部１内に含まれるペースト焼成用レーザ部と、スキージ機構４と、ＩＲ光源６が不要となる以外は同一の構成の装置で修正が可能となる。
【００２２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布し、塗布した修正ペーストを焼成し、はみ出た部分をレーザでカットし、カットした余分な修正ペーストを除去するようにしたので、従来修正可能な欠陥幅が２００〜３００μｍ程度であったものを、この発明を適用することにより３００μｍ以上の欠陥の修正が可能となる。
【００２４】
しかも、リブ欠陥幅方向の整形にレーザカットによる方法とスクラッチ機構を用いることにより下層電極に悪影響を及ぼさずに整形が可能となる。
【００２５】
さらにスクラッチ機構にバキューム機能を持たせることにより、欠陥修正時に発生する修正かすを吸引除去することができ、修正後も修正箇所を清浄状態に保つことが可能となる。
【００２６】
さらに、従来修正困難であったリブ幅太り欠陥の修正も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による装置の全体の構成を示す図である。
【図２】この発明の一実施形態によるリブ欠陥修正方法を示す図である。
【図３】リブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を示す図である。
【図４】従来のリブ欠け欠陥修正方法を示す図である。
【符号の説明】
１  観察光学系部
２  カット用レーザ部
３  ペースト塗布機構
４  スキージ機構
５  スクラッチ機構
６  ＩＲ光源
７  画像処理機構
８  ホストコンピュータ
９  制御用コンピュータ
１０  ＸＹテーブル
１１  チャック台
１２  Ｚ軸テーブル
１３  モニタ
２１  ガラス基板
２２  リブ
２３  リブ欠け欠陥
２４  修正用ペースト
３１  塗布針
５１  スクラッチ針
【図１】
0003781580.tif 000002
【図２】
0003781580.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003781580.tif 000005