(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源と、
前記交流電源からの交流電圧を整流平滑し、直流電源に変換する直流電源回路と、
少なくとも２つのスイッチング素子が直列に接続され、かつ少なくともインダクタンス素子を具備し、前記直流電源からの直流電圧を交流電圧に変換する電力変換回路と、
前記電力変換回路から供給される交流電圧が印加される放電灯を具備した負荷回路とで構成される放電灯点灯装置において、
前記電力変換回路は、寄生ダイオードを各々逆並列接続した第１および第２のスイッチング素子の直列回路と、寄生ダイオードを各々逆並列接続した第３および第４のスイッチング素子の直列回路と、同一極性に接続された第１および第２の整流素子の直列回路とを、前記第１から第４のスイッチング素子が全てオフのときに電流を流さないような極性で前記直流電源回路の平滑コンデンサの両端に互いに並列接続し、前記第１および第２のスイッチング素子の接続点と前記第１および第２の整流素子の接続点の間に前記交流電源と第１のインダクタンス素子の直列回路を前記交流電源の一端が前記第１および第２のスイッチング素子の接続点側となるように接続すると共に、前記第１および第２のスイッチング素子の接続点と前記第３および第４のスイッチング素子の接続点間に前記放電灯と第２のインダクタンス素子の直列回路を前記放電灯の一端が前記第１および第２のスイッチング素子の接続点側となるように接続し、前記第１から第４のスイッチング素子を各々所定の周波数でスイッチングさせて成り、
前記放電灯の電気状態の検出を含む所定の検出を行う検出回路と、前記検出回路からの信号を受けて各スイッチング素子の制御を行う制御回路とを備え、前記検出回路の基準グランド、および前記制御回路の制御信号を受けて前記第１のスイッチング素子を駆動する検出制御部の基準グランドが前記第１および第２のスイッチング素子の中点にあり、前記制御回路の制御信号を受けて前記第２および第３および第４のスイッチング素子のそれぞれを駆動する駆動回路の基準グランドが前記直列に接続された第１および第２のスイッチング素子，前記直列に接続された第３および第４のスイッチング素子の最低電位にあることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
前記制御回路の基準グランドが前記第１および第２のスイッチング素子の中点にあることを特徴とする請求項１に記載の放電灯点灯装置。
【請求項３】
前記制御回路の基準グランドが前記駆動回路の基準グランドと同電位にあることを特徴とする請求項１に記載の放電灯点灯装置。
【請求項４】
非絶縁手段である定電流回路により前記検出回路から前記駆動回路へ信号伝達を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の放電灯点灯装置。
【請求項５】
前記第２のスイッチング素子がオン・オフするときに前記定電流回路の電流値を増減させることを特徴とする請求項４に記載の放電灯点灯装置。
【請求項６】
前記検出回路から前記駆動回路に信号伝達を行う際に、少なくとも２つの信号を用いて信号伝達し、所定の駆動信号となるよう整形することを特徴とする請求項１から５に記載のいずれかに放電灯点灯装置。
【請求項７】
前記検出回路から前記駆動回路に信号伝達を行う際に、少なくとも前記第２および第３および第４のスイッチング素子の制御信号と前記交流電源の電源電圧の極性を表す極性判別信号と前記制御信号に所定の処理を行った処理信号とを使って、所定の駆動信号となるよう整形することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の放電灯点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電灯点灯装置に関し、特にメタルハラルドランプや高圧ナトリウムランプなどの高圧放電灯を点灯するのに適した放電灯点灯装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
放電灯点灯装置の発明として、本出願人は特願平９−２２９９３９号を以前出願している。図１４はその放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【０００３】
寄生ダイオードＤ１１、Ｄ１２を有する電界効果トランジスタからなるスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の直列回路と、同じく寄生ダイオードＤ１３、Ｄ１４を有する電界効果トランジスタからなるスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４の直列回路と、ダイオードＤ１、Ｄ２の直列回路とが平滑コンデンサＣｅの両端間に互いに並列接続してある。
【０００４】
また、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点とスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４の接続点との間に、放電灯Ｌａを含む負荷回路ＺとインダクタＬ２とが直列に接続されており、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点とダイオードＤ１、Ｄ２の接続点との間には、インダクタＬ１と交流電源ＡＣとが直列に接続されている。尚、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４は主制御部９からの出力信号によってオン・オフ制御されるものである。また、負荷回路ＺはＨＩＤランプから成る放電灯Ｌａと出力平滑用のコンデンサＣ０の並列回路で構成される。
【０００５】
また、放電灯Ｌａとスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点との間に低抵抗値の検出抵抗Ｒｄを挿入すると共に、検出抵抗Ｒｄに生じる電圧から負荷回路Ｚ及びインダクタＬ２に流れる電流の瞬時値を高速に検出する高速検出器３と、平滑コンデンサＣｅの両端電圧を低速で検出する低速検出器４が設けられる。
【０００６】
そしてまた、高速検出器３からの検出値Ｖｄ１に基づいて、図１５に示される第１のスイッチング期間τ１を決定する第１の期間決定部５と、低速検出器４からの検出値Ｖｄ２に基づいて第２のスイッチング期間τ２を決定する第２の期間決定部６と、交流電源ＡＣの極性を検出する極性検出器７と、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング周期Ｔを決定するための基準信号を発生する基準発振器８が設けられている。更に、第１及び第２の期間決定部５、６からの信号、基準発振器８から与えられる基準信号、極性検出器７からの極性判別信号に基づいてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の制御信号を出力する主制御部９が設けられている。
【０００７】
このように構成される回路で、交流電源ＡＣの入力電圧Ｖｉｎが正の半サイクルの期間では、主制御部９により図１５（ａ）に示すようにスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３がオン、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ４がオフとなると、平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ３→インダクタＬ２→負荷回路Ｚ→スイッチング素子Ｑ２の経路で電流が流れて平滑コンデンサＣｅの両端電圧がインダクタＬ２により降圧されて負荷回路Ｚに供給される。また、インダクタＬ２に流れる電流によりインダクタＬ２にエネルギが蓄積される（期間τ１）。
【０００８】
次に、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ３がオン、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ４がオフになると、交流電源ＡＣ→インダクタＬ１→ダイオードＤ１→スイッチング素子Ｑ１の経路で交流電源ＡＣからの入力電流が取りこまれてインダクタＬ１にエネルギが蓄積される。また、インダクタＬ２の蓄積エネルギにより、インダクタＬ２→負荷回路Ｚ→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１１→スイッチング素子Ｑ３の経路で電流が流れ、負荷回路Ｚでエネルギが消費される（期間τ２）。
【０００９】
次に、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４が全てオフになると負荷回路Ｚの放電灯Ｌａが安定点灯しているときのように負荷回路Ｚのインピーダンスが有限値となり、インダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れる電流よりも大きくなれば、次に示す経路で電流が流れる。
【００１０】
すなわち、インダクタＬ１の蓄積エネルギにより、インダクタＬ１→ダイオードＤ１→平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードＤ１４→インダクタＬ２→負荷回路Ｚ→交流電源ＡＣの経路と、インダクタＬ１→ダイオードＤ１→平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードＤ１２→交流電源ＡＣの経路とで電流が流れ、インダクタＬ１の蓄積エネルギ及び交流電源ＡＣからのエネルギが平滑コンデンサＣｅに蓄えられると共に、負荷回路Ｚでもエネルギが消費される。
【００１１】
一方負荷回路Ｚに含まれる放電灯Ｌａの点灯始動時のように負荷回路Ｚのインピーダンスが低くなり、インダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れる電流よりも小さくなれば、スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１１に電流が流れるため、インダクタＬ２の蓄積エネルギにより、インダクタＬ２→負荷回路Ｚ→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１１→平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオードＤ１４の経路で電流が流れ、負荷回路Ｚでエネルギ消費される。
【００１２】
そして、負荷回路Ｚでエネルギ消費されるためにインダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れるよりも大きくなると、上述した経路で電流が流れてインダクタＬ１の蓄積エネルギ及び交流電源ＡＣからのエネルギが平滑コンデンサＣｅに蓄えられると共に、負荷回路Ｚでもエネルギが消費される。
【００１３】
このとき、インダクタＬ１、Ｌ２に流れる電流の大小に関わらず、インダクタＬ２に流れる電流が零になる限り最終的には交流電源ＡＣ→インダクタＬ１→ダイオードＤ１→平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードＤ１２の経路で電流が流れるようになる（期間τ３）。
【００１４】
以下、図１５に示すように主制御部９がスイッチング素子Ｑ１からＱ４をオン／オフ制御することによって期間τ１〜τ３が高周波で繰り返され、負荷回路Ｚには一定方向の直流電圧が供給される。
【００１５】
一方、交流電源ＡＣからの入力電圧Ｖｉｎが負の半サイクルの期間では、図１５（ｂ）に示すようにスイッチング素子Ｑ１、Ｑ４がオン、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３がオフとなると、平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ１→負荷回路Ｚ→インダクタＬ２→スイッチング素子Ｑ４の経路で電流が流れて平滑コンデンサＣｅの電圧がインダクタＬ２により降圧されて負荷回路Ｚに供給される。また、インダクタＬ２に流れる電流によりインダクタＬ２にエネルギが蓄積される。
【００１６】
次に、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ４がオン、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ３がオフになると、交流電源ＡＣ→スイッチング素子Ｑ２→ダイオードＤ２→インダクタＬ１の経路で電流が流れてインダクタＬ１にエネルギが蓄積される。また、インダクタＬ２の蓄積エネルギにより、インダクタＬ２→スイッチング素子Ｑ４→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードＤ１２→負荷回路Ｚの経路で電流が流れて負荷回路Ｚでエネルギ消費される。
【００１７】
次に、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の全てがオフになると、負荷回路Ｚに含まれる高圧放電灯が安定点灯しているときのように負荷回路Ｚのインピーダンスが有限値となってインダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れる電流よりも大きくなれば、次に示す経路で電流が流れる。
【００１８】
すなわち、インダクタＬ１の蓄積エネルギにより、インダクタＬ１→交流電源ＡＣ→負荷回路Ｚ→インダクタＬ２→スイッチング素子Ｑ３の寄生ダイオードＤ１３→平滑コンデンサＣｅ→ダイオードＤ２の経路と、インダクタＬ１→交流電源ＡＣ→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１１→平滑コンデンサＣｅ→ダイオードＤ２の経路とで電流が流れ、インダクタＬ１の蓄積エネルギ及び交流電源ＡＣからのエネルギが平滑コンデンサＣｅに蓄えられると共に、負荷回路Ｚでもエネルギ消費される。
【００１９】
一方、負荷回路Ｚに含まれる放電灯Ｌａの点灯始動時のように負荷回路Ｚのインピーダンスが低くなり、インダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れる電流よりも小さくなれば、スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードＤ１２に電流が流れるため、インダクタＬ２の蓄積エネルギにより、インダクタＬ２→スイッチング素子Ｑ３の寄生ダイオードＤ１３→平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオードＤ１２→負荷回路Ｚの経路で電流が流れて負荷回路Ｚでエネルギ消費される。そして、負荷回路Ｚでエネルギ消費されるためにインダクタＬ１に流れる電流がインダクタＬ２に流れる電流よりも大きくなると、上述した経路で電流が流れ、インダクタＬ１の蓄積エネルギ及び交流電源ＡＣからのエネルギが平滑コンデンサＣｅに蓄えられると共に負荷回路Ｚでもエネルギ消費される。
【００２０】
このとき、インダクタＬ１、Ｌ２に流れる電流の大小に関わらず、インダクタＬ２に流れる電流が零になる限り、最終的には、交流電源ＡＣ→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードＤ１１→平滑コンデンサＣｅ→ダイオードＤ２→インダクタＬ１の経路で電流が流れるようになる。
【００２１】
以下、交流電源ＡＣからの入力電圧Ｖｉｎが正の半サイクルの期間と同様に、主制御部９からスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をオンオフ制御する信号が出力され、負荷回路Ｚには一定方向の直流電圧が供給される。
【００２２】
従って、上述した動作によって、図１６に示すように負荷回路Ｚには交流電源ＡＣの入力電圧Ｖｉｎの各半サイクルに同期して極性が反転する矩形波のランプ電圧ＶＬａがコンデンサＣ０を介して放電灯Ｌａに供給される。
【００２３】
このとき、検出抵抗Ｒｄの両端に生じる電圧から高速検出器３により負荷回路ＺおよびインダクタＬ２に流れる電流値が検出され、また低速検出器４により平滑コンデンサＣｅの両端電圧が、そして極性検出器７により交流電源ＡＣの極性が検出される。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例の回路では、検出の基準グランドＳＧをスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点としているため、放電灯Ｌａのランプ電流、ランプ電圧などの検出は簡単かつ安定して行うことができる。しかし、上記従来例では、各スイッチング素子を駆動するには適さない。それは、例えばスイッチング素子Ｑ３およびスイッチング素子Ｑ４のソース側の電位は、スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ２の中点に設けられた基準グランドＳＧからプラス方向、あるいはマイナス方向のどちらにもなる可能性がある。
【００２５】
そのため、一般的に使われているハイサイド側スイッチング素子を駆動するレベルシフトＩＣは使用できない。また、パルストランスやフォトカプラといった絶縁された方式を用いたとしても低コスト・小型化に不利である。
【００２６】
本発明は、上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は放電灯のランプ電流、ランプ電圧などの検出を簡単かつ安定して行え、さらに各スイッチング素子の駆動も簡単且つ安定して行える放電灯点灯装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために本発明では、交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を整流平滑し、直流電源に変換する直流電源回路と、少なくとも２つのスイッチング素子が直列に接続され、かつ少なくともインダクタンス素子を具備し、前記直流電源からの直流電圧を交流電圧に変換する電力変換回路と、前記電力変換回路から供給される交流電圧が印加される放電灯を具備した負荷回路とで構成される放電灯点灯装置において、前記電力変換回路は、寄生ダイオードを各々逆並列接続した第１および第２のスイッチング素子の直列回路と、寄生ダイオードを各々逆並列接続した第３および第４のスイッチング素子の直列回路と、同一極性に接続された第１および第２の整流素子の直列回路とを、前記第１から第４のスイッチング素子が全てオフのときに電流を流さないような極性で前記直流電源回路の平滑コンデンサの両端に互いに並列接続し、前記第１および第２のスイッチング素子の接続点と前記第１および第２の整流素子の接続点の間に前記交流電源と第１のインダクタンス素子の直列回路を前記交流電源の一端が前記第１および第２のスイッチング素子の接続点側となるように接続すると共に、前記第１および第２のスイッチング素子の接続点と前記第３および第４のスイッチング素子の接続点間に前記放電灯と第２のインダクタンス素子の直列回路を前記放電灯の一端が前記第１および第２のスイッチング素子の接続点側となるように接続し、前記第１から第４のスイッチング素子を各々所定の周波数でスイッチングさせて成り、前記放電灯の電気状態の検出を含む所定の検出を行う検出回路と、前記検出回路からの信号を受けて各スイッチング素子の制御を行う制御回路とを備え、前記検出回路の基準グランド、および前記制御回路の制御信号を受けて前記第１のスイッチング素子を駆動する検出制御部の基準グランドが前記第１および第２のスイッチング素子の中点にあり、前記制御回路の制御信号を受けて前記第２および第３および第４のスイッチング素子のそれぞれを駆動する駆動回路の基準グランドが前記直列に接続された第１および第２のスイッチング素子，前記直列に接続された第３および第４のスイッチング素子の最低電位にあることを特徴とする。
【００２８】
また、前記制御回路の基準グランドが前記第１および第２のスイッチング素子の中点にあることを特徴とする。
【００２９】
また、前記制御回路の基準グランドが前記駆動回路の基準グランドと同電位にあることを特徴とする。
【００３０】
また、非絶縁手段である定電流回路により前記検出回路から前記駆動回路へ信号伝達を行うことを特徴とする。
【００３１】
また、前記第２のスイッチング素子がオン・オフするときに前記定電流回路の電流値を増減させることを特徴とする。
【００３２】
また、前記検出回路から前記駆動回路に信号伝達を行う際に、少なくとも２つの信号を用いて信号伝達し、所定の駆動信号となるよう整形することを特徴とする。
【００３３】
また、前記検出回路から前記駆動回路に信号伝達を行う際に、少なくとも前記第２および第３および第４のスイッチング素子の制御信号と前記交流電源の電源電圧の極性を表す極性判別信号と前記制御信号に所定の処理を行った処理信号とを使って、所定の駆動信号となるよう整形することを特徴とする。 
【００３４】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１を用いて本発明の実施形態１を説明する。図１は本発明の第１の実施形態に対応する放電灯点灯装置の構成を示した回路図であり、図１４に示した従来例と同じものには同じ符号を付している。
【００３５】
ここで、寄生ダイオードＤ１１、Ｄ１２を有する電界効果トランジスタからなるスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の直列回路と、同じく寄生ダイオードＤ１３、Ｄ１４を有する電界効果トランジスタからなるスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４の直列回路と、ダイオードＤ１、Ｄ２の直列回路とが平滑コンデンサＣｅの両端間に互いに並列接続してある。
【００３６】
このとき、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２が第１、第２のスイッチング素子に対応し、スイッチング素子Ｑ３、Ｑ４が第３、第４のスイッチング素子に対応する。また、ダイオードＤ１、Ｄ２は第１、第２の整流素子に対応し、平滑コンデンサＣｅは直流電源回路を構成する。
【００３７】
また、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点とスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４の接続点との間に、放電灯Ｌａと出力平滑用のコンデンサＣ０を含む負荷回路Ｚと、第２のインダクタンス素子であるインダクタＬ２とが直列に接続されており、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点とダイオードＤ１、Ｄ２の接続点との間には、第１のインダクタンス素子であるインダクタＬ１と交流電源ＡＣとが直列に接続されている。また、放電灯Ｌａとスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点の間に低抵抗値の検出抵抗Ｒｄが挿入されている。ここで、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、インダクタＬ１、Ｌ２により電力変換回路が構成される。
【００３８】
２３は検出回路２１と制御回路２２とからなる検出制御部であり、検出回路２１は検出抵抗Ｒｄに生じる電圧から放電灯Ｌａのランプ電流、ランプ電圧等の電気状態とインダクタＬ２に流れる電流、および平滑コンデンサＣｅの両端電圧等を検出し、制御回路２２は検出回路２１からの検出結果を受けて各スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の制御信号を出力する。また、検出制御部２３はスイッチング素子Ｑ１を駆動する信号を出力する。ここで、検出制御部２３の基準グランドＳＧ、すなわち検出回路２１、制御回路２２のそれぞれの基準グランドはスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の中点にあり、上述した検出を簡単かつ安定してできる。
【００３９】
また、制御回路２２の制御信号を受けて各スイッチング素子Ｑ２からＱ４を駆動するための駆動回路２４が設けられており、その基準グランドが直列に接続されたスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の最低電位、すなわちスイッチング素子Ｑ２およびＱ４のソース側の最低電位に接続されているために、スイッチング素子の駆動を簡単かつ安定して行うことができる。
【００４０】
つまり、スイッチング素子Ｑ１とＱ２の中点に設けられた基準グランドＳＧを基準にスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４を駆動する場合、スイッチング素子Ｑ３、Ｑ４のソース側の電位はプラス電位にもマイナス電位にも変化する。そこで、駆動回路２４の基準グランドをスイッチング素子Ｑ２およびＱ４のソース側の最低電位に設けることで、スイッチング素子Ｑ２およびＱ４はレベルシフトすることなく直接駆動できる。また、スイッチング素子Ｑ３はプラス電位のみのレベルシフトでよくなり、汎用のハイサイトレベルシフトＩＣを使用することができる。
【００４１】
よって、本構成にすることで検出および駆動のどちらもが簡単且つ安定して行えるようになり、パルストランスやフォトカプラといった絶縁されたものを用いる必要もなく、低コスト・小型化となる。
【００４２】
尚、図１における放電灯Ｌａへの電圧供給などの回路動作は図１４で説明したものと同じため省略する。
【００４３】
（実施形態２）
図２は、実施形態２に対応する放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。図１と同じものには同じ番号を付しその説明を省略する。図１と異なるところは、図１の検出制御部２３を構成する制御回路２２が駆動回路２４と共に制御駆動部３１を構成し、その基準グランドが直列に接続されたスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の最低電位、すなわちスイッチング素子Ｑ２およびＱ４のソース側の最低電位に接続されており、制御回路２２と駆動回路２４の基準グランドが同電位となっている。
【００４４】
本実施形態においても、駆動回路２４の基準グランドをスイッチング素子Ｑ２およびＱ４のソース側の最低電位に設けることで、スイッチング素子Ｑ２およびＱ４はレベルシフトすることなく直接駆動できる。また、スイッチング素子Ｑ３はプラス電位のみのレベルシフトでよくなり、汎用のハイサイトレベルシフトＩＣを使用することができる。
【００４５】
（実施形態３）
図３は図１の検出回路２１と制御回路２２からなる検出制御部２３から駆動回路２４へトランジスタによる定電流回路により信号伝達を行うようにしたものであり、また図３では駆動回路としてスイッチング素子Ｑ４を駆動する回路を示し、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３を駆動する回路については省略している。
【００４６】
その構成は、スイッチング素子Ｑ１とＱ２の接続点と検出抵抗Ｒｄとの間に低電位側が接続された直流電源Ｖｃ１の高電位側と、スイッチング素子Ｑ１とＱ２の接続点の間にＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ２の直列回路が接続されており、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のそれぞれのベースにはインバータＩｎ１を介して検出制御部２３より制御信号が入力される。
【００４７】
また、直流電源Ｖｃ１の高電位側とスイッチング素子Ｑ２のソースとの間には抵抗Ｒ３とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ３と抵抗Ｒ５とが直列に接続され、抵抗Ｒ３には抵抗Ｒ４とコンデンサＣ１の直列回路が並列に接続される。そして、トランジスタＴｒ１とＴｒ２の接続点とトランジスタＴｒ３のベースとの間には抵抗Ｒ１が接続され、直流電源Ｖｃ１の高電位側とトランジスタＴｒ３のベースとの間には抵抗Ｒ２が接続される。
【００４８】
スイッチング素子Ｑ２のソースには直流電源Ｖｃ２の低電位側が接続され、この直流電源Ｖｃ２の高電位側とスイッチング素子Ｑ４のソースとの間にはＮＰＮ型のトランジスタＴｒ５とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ６が直列に接続されると共に、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ４と抵抗Ｒ６が直列に接続される。
【００４９】
そして、抵抗Ｒ５の両端にはツェナーダイオードＺＤ１が並列に接続されると共に、抵抗Ｒ５とトランジスタＴｒ３のコレクタの接続点はトランジスタＴｒ４のベースに接続される。また、トランジスタＴｒ４と抵抗Ｒ６の接続点に現れる信号がトランジスタＴｒ５、Ｔｒ６のそれぞれのベースに入力されるよう構成され、トランジスタＴｒ５とＴｒ６の接続点はスイッチング素子Ｑ４のゲートに接続される。
【００５０】
次にこの駆動回路の動作を説明する。検出制御部２３から出力されトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベースに与えられる制御信号に応じてトランジスタＴｒ３に流れる電流量が変わり、トランジスタＴｒ４と抵抗Ｒ６間の電位が変化する。それに応じてトランジスタＴｒ５、Ｔｒ６のそれぞれのベースに与えられる信号が変わり、スイッチング素子Ｑ４のゲートにオンオフ信号が印加される。すなわち、検出制御部２３から出力される制御信号に応じて、非絶縁手段である定電流回路を構成するトランジスタＴｒ３に流れる電流が変化し、スイッチング素子Ｑ４の駆動信号が切り替わる。
【００５１】
図４は上から順に、Ｑ１からＱ４は各スイッチング素子Ｑ１からＱ４の制御信号を示し、ＩｍはトランジスタＴｒ３を流れる電流を示している。また、下の２つはそれぞれトランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流と、スイッチング素子Ｑ４を駆動する駆動信号を示している。尚、横軸は時間ｔを表している。
【００５２】
ここで、時刻ｔ１でスイッチング素子Ｑ２がオフからオンに変化すると、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に、トランジスタＴｒ３→直流電源Ｖｃ１→スイッチング素子Ｑ２→トランジスタＴｒ３の経路で放電電流が流れ、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間電圧は、ほぼグランド電位となる。この放電電流がトランジスタＴｒ３に流れる本来の定電流よりも大きくなると、見かけ上定電流は流れなくなり、スイッチング素子Ｑ４の駆動信号は停止する。
【００５３】
一方、時刻ｔ２でスイッチング素子Ｑ２がオンからオフに変化すると、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に、平滑コンデンサＣｅ→スイッチング素子Ｑ１→直流電源Ｖｃ１→トランジスタＴｒ３→平滑コンデンサＣｅの経路で充電電流が流れ、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間電圧は、ほぼ平滑コンデンサＣｅの両端電圧となり、見かけ上、定電流が流れているようになる。
【００５４】
その結果、スイッチング素子Ｑ４の駆動信号は、図４に示すようにスイッチング素子Ｑ２の動作により、スイッチング素子Ｑ４の本来の制御信号とは異なってしまう。
【００５５】
そこで、図５の回路図に示すように図３の回路図に新たに定電流増加回路２５を追加して、図６のＩｍに示すように、トランジスタＴｒ３を流れる定電流をトランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流よりも多く流すようにしている。このとき、図６の信号状態を表すそれぞれの状態図は図４で説明したものと同じものを示している。
【００５６】
ここで、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に流れる電流値ｉは次式で表される。
【００５７】
Ｒｉ＋Ｃｑ＝Ｅ
ｉ＝Ｅ／Ｒ・（１−ｅｘｐ（−１／ＲＣ）ｔ）
このとき、Ｒは充放電電流ループのインピーダンスを、ＣはトランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量を、Ｅはスイッチング素子Ｑ１−Ｑ２両端電圧を表している。
【００５８】
このように、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流よりも定電流を多くすることで、スイッチング素子Ｑ４の駆動信号は本来の制御信号が伝達されることになる。
【００５９】
ところで、図６に示したものでは、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流よりも常に定電流を多く流すことにより本来の駆動信号を得るようにしていたが、スイッチング素子Ｑ２がオン・オフするときに定電流回路の電流値を増減させてもよい。図７ではＩｍに示すように、スイッチング素子Ｑ２がオフからオンに切り替わる時刻ｔ１、ｔ３から所定の一定時間だけ定電流を増加させるようにしている。
【００６０】
このようにすることで、定電流回路を構成するトランジスタＴｒ３のストレスを低減すると共に、スイッチング素子Ｑ４の本来の駆動信号を得ることができる。尚、図７の信号状態を表すそれぞれの状態図は図４で説明したものと同じものを示している。
【００６１】
（実施形態４）
次に、図１で示した回路の詳細を図８の回路図を用いて説明する。図１４で示した従来例と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。従来例と異なるところは、主制御部９がスイッチング素子Ｑ１を駆動する信号を出力するよう構成され、更に主制御部９からの信号を受けてスイッチング素子Ｑ２〜Ｑ４を駆動し、回路中の最低電位である平滑コンデンサＣｅの一端を基準グランドとする駆動回路１１と、主制御部９より駆動回路１１へ信号の伝達を行う伝達部１０が新たに設けられている点である。
【００６２】
ここで、高速検出器３、低速検出器４、極性検出器７、第１の期間決定部５、第２の期間決定部６により検出回路が構成され、基準発振器８、主制御部９、伝達部１０により制御回路が構成される。
【００６３】
このとき、各スイッチング素子Ｑ１からＱ４の制御信号は図１５で示したものと同様であり、第１のスイッチング期間τ１は、平滑コンデンサＣｅからインダクタＬ２を介して放電灯Ｌａに電流を流す期間、第２のスイッチング期間τ２は、交流電源ＡＣから電流を取り込む期間をそれぞれ決定する。すなわち、スイッチング期間τ１は主に放電灯Ｌａへの電力供給を制限する期間であり、スイッチング期間τ２は主に交流電源ＡＣからの電力供給を制限する期間であると言える。
【００６４】
ここで、高速検出器３、低速検出器４の検出値によりスイッチング期間τ１、τ２を可変調節して、図１５に示すようにスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４をスイッチングして、放電灯Ｌａに供給されるランプ電力の瞬時制御を行っている。
【００６５】
すなわち、放電灯Ｌａに流れる電流量が増加して高速検出器３からの検出値Ｖｄ１が上昇すれば、第１の期間決定部５から主制御部９に対してスイッチング期間τ１を短くするような指令を与え、反対に放電灯Ｌａに流れる電流量が減少して高速検出器３からの検出値Ｖｄ１が低下すれば、第１の期間決定部５から主制御部９に対してスイッチング期間τ１を長くするような指令を与える。
【００６６】
更に、交流電源ＡＣが変動した場合に平滑コンデンサＣｅの両端電圧Ｖｃｅも変動することになるが、低速検出器４にて電圧Ｖｃｅを検出し、その増減に応じて第２の期間決定部６から主制御部９に対してスイッチング期間τ２を短く又は長くするような指令を与えることにより、交流電源ＡＣの電源電圧の瞬時値に影響されることなく平滑コンデンサＣｅの両端電圧Ｖｃｅを安定化することができる。
【００６７】
ところで、高速検出器３では図９に示すように検出抵抗Ｒｄの両端電圧ＶRdをオペアンプＯＰ１、ＯＰ２で構成された反転増幅器３ａと非反転増幅器３ｂにそれぞれ入力し、両者の出力の中で小さくない方の出力Ｖｄ１を取り出すようになっている。このような高速検出器３を用いれば、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点を信号系の基準グランドＳＧとして放電灯ＬａあるいはインダクタＬ２に流れる電流を高速に且つ安定して検出することができる。尚、検出抵抗Ｒｄは低抵抗であるから、実質的に交流電源ＡＣの一端と放電灯Ｌａの一端とが低インピーダンスで接続された状態を維持することができる。
【００６８】
一方低速検出器４では、図１０に示すように信号系の基準グランドＳＧを零点として、平滑コンデンサＣｅの正極側にダイオードＤ３を介して分圧抵抗Ｒ３３、Ｒ３４及びコンデンサＣ３から成る積分回路を接続し、平滑コンデンサＣｅの両端電圧の瞬時値を積分した電圧Ｖｄ２を出力するようになっている。ここで、スイッチング素子Ｑ２は交流電源ＡＣの全サイクルで常に高速でオンオフされるため、スイッチング素子Ｑ２がオンすると、信号系の基準グランドＳＧが平滑コンデンサＣｅの負極側に等価的に接続されることになる。
【００６９】
従って、低速検出器４の分圧抵抗Ｒ３３、Ｒ３４の分圧比で決まる平滑コンデンサＣｅの両端電圧Ｖｃｅに比例した検出電圧Ｖｄ２がコンデンサＣ３の両端に得られる。この積分回路の時定数は、検出電圧Ｖｄ２の高周波リップル低減のために、スイッチング素子Ｑ２のスイッチング周波数よりも大きい値に設定する必要があることから、検出電圧Ｖｄ２の検出は低速で行われることになる。
【００７０】
上述のように本実施形態では、高速検出器３並びに低速検出器４における検出の基準グランドＳＧを、交流電源ＡＣと放電灯Ｌａが低インピーダンスで接続されているスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の接続点にとっているため、回路の動作制御に必要な電流や電圧の検出が簡単かつ安定して行うことができ、またスイッチング素子Ｑ２からＱ４の駆動回路の基準グランドを、回路中の最低電位である平滑コンデンサＣｅの一端、すなわちスイッチング素子Ｑ２、Ｑ４のソース側とすることで、スイッチング素子Ｑ２からＱ４の駆動を容易に行えることができると共に、スイッチング素子Ｑ１は主制御部９からの信号を用いて駆動することで容易に駆動できる。
【００７１】
ここで、図８で示した伝達部１０の詳細を図１１を用いて説明する。この伝達部１０において、低電位側がスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の中点である基準グランドＳＧに接続された直流電源ＤＣ１の両端にＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１０とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ１１の直列回路、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１２とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ１３の直列回路、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１４とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ１５の直列回路、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１６とＰＮＰ型のトランジスタＴｒ１７の直列回路とが並列に接続されている。
【００７２】
また、トランジスタＴｒ１０とトランジスタＴｒ１１のベースには主制御部９からスイッチング素子Ｑ２の制御信号が、トランジスタＴｒ１２とトランジスタＴｒ１３のベースには主制御部９からスイッチング素子Ｑ３の制御信号が入力され、トランジスタＴｒ１４とトランジスタＴｒ１５のベースには主制御部９からスイッチング素子Ｑ４の制御信号がインバータＩｎ１０で反転されて入力される。そして、トランジスタＴｒ１６とトランジスタＴｒ１７のベースには極性検出器７から交流電源ＡＣの極性を表す極性判別信号が入力される。
【００７３】
そして、トランジスタＴｒ１０のエミッタとトランジスタＴｒ１１のエミッタとの接続点は抵抗Ｒ１０を介してＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１８のベースに接続されており、トランジスタＴｒ１８のエミッタはＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１９のベースに接続されている。また、トランジスタＴｒ１９のエミッタは抵抗Ｒ１１と接続されており、トランジスタＴｒ１９と抵抗Ｒ１１の直列回路は、低電位側が平滑コンデンサＣｅの低電位側に接続されている直流電源ＤＣ２の両端に並列接続されている。
【００７４】
そしてまた、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ１８のコレクタとの間には抵抗Ｒ１８が、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ１８のベースとの間には抵抗Ｒ１９が接続され、また直流電源ＤＣ２の低電位側とトランジスタＴｒ１９のベースとの間には抵抗Ｒ２０が接続される。
【００７５】
そして、トランジスタＴｒ１２のエミッタとトランジスタＴｒ１３のエミッタとの接続点は抵抗Ｒ１２を介してＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２０のベースに接続されており、トランジスタＴｒ２０のエミッタはＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２１のベースに接続されている。また、トランジスタＴｒ２１のエミッタは抵抗Ｒ１３と接続されており、トランジスタＴｒ２１と抵抗Ｒ１３の直列回路は、直流電源ＤＣ２の両端に並列接続されている。
【００７６】
そしてまた、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２０のコレクタとの間には抵抗Ｒ２１が、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２０のベースとの間には抵抗Ｒ２２が接続され、また直流電源ＤＣ２の低電位側とトランジスタＴｒ２１のベースとの間には抵抗Ｒ２３が接続される。
【００７７】
また、トランジスタＴｒ１４のエミッタとトランジスタＴｒ１５のエミッタとの接続点は抵抗Ｒ１４を介してＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２２のベースに接続されており、トランジスタＴｒ２２のエミッタはＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２３のベースに接続されている。また、トランジスタＴｒ２３のエミッタは抵抗Ｒ１５と接続されており、トランジスタＴｒ２３と抵抗Ｒ１５の直列回路は、直流電源ＤＣ２の両端に並列接続されている。
【００７８】
そしてまた、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２２のコレクタとの間には抵抗Ｒ２４が、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２２のベースとの間には抵抗Ｒ２５が接続され、また直流電源ＤＣ２の低電位側とトランジスタＴｒ２３のベースとの間には抵抗Ｒ２６が接続される。
【００７９】
また、トランジスタＴｒ１６のエミッタとトランジスタＴｒ１７のエミッタとの接続点は抵抗Ｒ１６を介してＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２４のベースに接続されており、トランジスタＴｒ２４のエミッタはＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２５のベースに接続されている。また、トランジスタＴｒ２５のエミッタは抵抗Ｒ１７と接続されており、トランジスタＴｒ２５と抵抗Ｒ１７の直列回路は、直流電源ＤＣ２の両端に並列接続されている。
【００８０】
そしてまた、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２４のコレクタとの間には抵抗Ｒ２７が、直流電源ＤＣ１の高電位側とトランジスタＴｒ２４のベースとの間には抵抗Ｒ２８が接続され、また直流電源ＤＣ２の低電位側とトランジスタＴｒ２５のベースとの間には抵抗Ｒ２９が接続される。
【００８１】
更に、直流電源ＤＣ２の高電位側は抵抗Ｒ３０を介して、ＣＭＯＳ−ＩＣの４０４４であるＩＣ４１の端子Ｅ１と同じくＣＭＯＳ−ＩＣの４０４４であるＩＣ４２の端子Ｅ２に接続される。また、トランジスタＴｒ２５と抵抗Ｒ１７の接続点の信号、すなわちＥ点の信号はＩＣ４２の端子Ｓ２に入力されると共に、インバータＩｎ１２を介してその反転信号、すなわちＦ点の信号がＩＣ４１の端子Ｓ１に入力される。そして、トランジスタＴｒ２３と抵抗Ｒ１５の接続点Ｃに現れる信号がインバータＩｎ１１で反転された信号、すなわちＤ点の信号がＩＣ４１の端子Ｒ１０１に入力され、またトランジスタＴｒ２１と抵抗Ｒ１３の接続点Ｂの信号がＩＣ４２の端子Ｒ１０２に入力される。
【００８２】
そしてまた、トランジスタＴｒ１９と抵抗Ｒ１１の接続点Ａの信号、ＩＣ４１のＱ１１の出力信号、すなわちＧ点の信号、ＩＣ４２の端子Ｑ１２の出力信号、すなわちＨ点の信号が駆動回路１１に入力される。
【００８３】
このように構成された伝達部１０の動作を図１２の各信号状態を示す状態図を用いて説明する。図１２では、交流電源ＡＣの電源左側が正極性である場合と負極性である場合における各信号の状態を表している。図１１において、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ２の制御信号に対応する出力信号、すなわち図１２に示される各信号状態図の上から２段目に示される信号がトランジスタＴｒ１０とＴｒ１１の直列回路、抵抗Ｒ１０、トランジスタＴｒ１８、トランジスタＴｒ１９を介してＡ点に伝達される。このＡ点に伝達された信号は図１２の上から７段目に示される通りであり、駆動回路１１へ入力される。
【００８４】
また、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ３の制御信号に対応する出力信号、すなわち図１２の上から３段目に示される信号がトランジスタＴｒ１２とＴｒ１３の直列回路、抵抗Ｒ１２、トランジスタＴｒ２０、トランジスタＴｒ２１を介してＢ点に伝達される。このＢ点に伝達された信号は図１２の上から８段目に示される通りであり、この信号が端子Ｒ１０２からＩＣ４２に入力される。
【００８５】
また、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ４の制御信号に対応する出力信号、すなわち図１２の上から４段目に示される信号がインバータＩｎ１０で反転されて図１２の上から５段目に示される信号となり、トランジスタＴｒ１４とＴｒ１５の直列回路、抵抗Ｒ１４、トランジスタＴｒ２２、トランジスタＴｒ２３を介してＣ点に伝達される。このＣ点に伝達された信号は図１２の上から９段目に示されており、この信号がインバータＩｎ１１で反転されて図１２の１２段目に示される信号となりＤ点に現れ、この信号が端子Ｒ１０１からＩＣ４１に入力される。
【００８６】
そして、極性検出器７から出力される交流電源ＡＣの極性を表す極性判別信号、すなわち図１２の上から６段目に示される信号がトランジスタＴｒ１６とＴｒ１７の直列回路、抵抗Ｒ１６、トランジスタＴｒ２４、トランジスタＴｒ２５を介してＥ点に伝達されると共に、インバータＩｎ１２で反転されてＦ点に伝達される。このとき、Ｅ点に伝達される信号は図１２の上から１０段目に示される信号となり、この信号は端子Ｓ２からＩＣ４２に入力される。また、Ｆ点に伝達される信号は図１２の１１段目に示される信号となり、この信号は端子Ｓ１からＩＣ４１に入力される。
【００８７】
ここで、ＩＣ４１は端子Ｓ１、端子Ｒ１０１から入力された信号に基づいて図１３に示される真理値関係で処理し、端子Ｑ１１より図１２の上から１４段目に示される信号を出力し、この信号すなわちＧ点に現れる信号が駆動回路１１に入力される。また、ＩＣ４２は端子Ｓ２、端子Ｒ１０２から入力された信号に基づいて図１３に示される真理値関係で処理し、端子Ｑ１２より図１２の上から１３段目に示される信号を出力し、この信号すなわちＨ点に現れる信号が駆動回路１１に入力される。
【００８８】
つまり、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ４の制御信号の反転信号を伝達し、その結果Ｃ点に現れた信号を更に反転しＤ点に現れた信号、すなわち制御信号に所定の処理を行った処理信号と、極性検出器７から出力される交流電源ＡＣの極性を表す極性判別信号を伝達し、その後反転しＦ点に現れた信号の２つの信号を用いてＩＣ４１にて所定の真理値関係により整形して、その結果を駆動回路１１に入力させている。
【００８９】
そのため、図３の実施形態にて説明したように、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２がオンオフ変化するときのトランジスタのコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流により、本来の駆動信号を出力できなくなることを防ぎ、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ４の制御信号に対応する出力信号と同様の信号をＧ点より駆動回路１１に入力することができる。
【００９０】
また、スイッチング素子Ｑ３の制御信号を伝達して、その結果Ｂ点に現れた信号、すなわち制御信号に所定の処理を行った処理信号と、極性検出器７から出力される交流電源ＡＣの極性判別信号を伝達してＥ点に現れた信号の２つの信号を用いてＩＣ４２にて所定の真理値関係により整形して、その結果を駆動回路１１に入力させている。
【００９１】
そのため、図３の実施形態にて説明したように、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２がオンオフ変化するときのトランジスタのコレクタ−エミッタ間容量に流れる充放電電流により、本来の駆動信号が出力できなくなることを防ぎ、主制御部９から出力されるスイッチング素子Ｑ３の制御信号に対応する出力信号と同じ信号をＨ点より駆動回路１１に入力することができる。
【００９２】
尚、図１２の１段目にはスイッチング素子Ｑ１の制御信号に対応する出力信号が示されている。また、上述した図１３に示されるＩＣ４１、４２の真理値関係において、上段のＳはＩＣ４１、４２のそれぞれ端子Ｓ１、Ｓ２への入力を、ＲはＩＣ４１、４２のそれぞれ端子Ｒ１０１、Ｒ１０２への入力を、ＥはＩＣ４１、４２のそれぞれ端子Ｅ１、Ｅ２への入力を表しており、Ｑｎ+１はＩＣ４１、４２のそれぞれ端子Ｑ１１、Ｑ１２からの出力を表している。
【００９３】
【発明の効果】
本発明の請求項１に記載の放電灯点灯装置においては、放電灯の電気状態の検出を含む所定の検出を行う検出回路の基準グランドが直列に接続された第１および第２のスイッチング素子の中点にあるので、例えば放電灯のランプ電圧、ランプ電流を検出する場合、簡単に検出することができる。また、第２および第３および第４のスイッチング素子のそれぞれを駆動する駆動回路の基準グランドが直列に接続された第１および第２のスイッチング素子，直列に接続された第３および第４のスイッチング素子の最低電位にあるので、第２および第３および第４のスイッチング素子は駆動回路の基準グランドと同電位もしくは高電位のみとなり、第２および第３および第４のスイッチング素子の駆動も簡単かつ安定して行うことができる。
【００９４】
また本発明の請求項２に記載の放電灯点灯装置においては、検出回路の信号を受けて各スイッチング素子の制御を行う制御回路の基準グランドが、直列に接続された第１および第２のスイッチング素子の中点にあるので、検出回路の信号を受けてスイッチング素子の制御を簡単に行うことができる。
【００９５】
また本発明の請求項３に記載の放電灯点灯装置においては、スイッチング素子の制御を行う制御回路の基準グランドが、前記制御回路の制御信号を受けて第２および第３および第４のスイッチング素子を駆動する駆動回路の基準グランドと同電位にあるので、制御回路の制御信号を受けて第２および第３および第４のスイッチング素子の駆動を簡単に行うことができる。
【００９６】
また本発明の請求項４に記載の放電灯点灯装置においては、非絶縁手段である定電流回路により検出回路から駆動回路へ信号伝達を行うので、例えばトランスなどの絶縁手段を用いることもなく、低コスト・小型化を図ることができる。
【００９７】
また本発明の請求項５に記載の放電灯点灯装置においては、駆動回路の基準グランドに接続されている第２のスイッチング素子がオン、オフするときに定電流回路の電流値を増減させるため、定電流回路にストレスを与えることなく、検出回路から駆動回路へ正確に信号伝達を行うことができる。
【００９８】
また本発明の請求項６に記載の放電灯点灯装置においては、少なくとも２つの信号を使って検出回路から駆動回路に信号を伝達し、所定の駆動信号に整形するため、検出回路から駆動回路へ正確に信号伝達を行うことができる。
【００９９】
また本発明の請求項７に記載の放電灯点灯装置においては、検出回路から駆動回路に信号伝達を行う際に、少なくとも第２および第３および第４のスイッチング素子の制御信号と前記交流電源の電源電圧の極性を表す極性判別信号と前記制御信号に所定の処理を行った処理信号とを使って、所定の駆動信号となるよう整形するため、検出回路から駆動回路へ正確に信号伝達を行うことができる。 
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態１に対応する放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図２】  本発明の実施形態２に対応する放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図３】  本発明の実施形態３に対応する放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図４】  図３の回路図における各信号状態を示す状態図である。
【図５】  本発明の実施形態３に対応する定電流増加回路を備えた放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図６】  図５の回路図における各信号状態を示す状態図である。
【図７】  図５の回路図における各信号状態を示す他の状態図である。
【図８】  本発明の実施形態４に対応する放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図９】  本発明の実施形態４に対応する高速検出器の詳細を示す回路図である。
【図１０】  本発明の実施形態４に対応する低速検出器の詳細を示す回路図である。
【図１１】  本発明の実施形態４に対応する伝達部の詳細を示す回路図である。
【図１２】  図１１の回路図における各信号状態を示す状態図である。
【図１３】  ＩＣ４１、４２の真理値関係を示す関係図である。
【図１４】  従来の放電灯点灯装置の構成を示す回路図である。
【図１５】  図１４の回路図における（ａ）は電源電圧がＶｉｎ＞０の半周期の（ｂ）は電源電圧がＶｉｎ＜０の半周期の各スイッチング素子の制御信号の状態を示す状態図である。
【図１６】  図１４の回路図における（ａ）は交流電源からの入力電圧Ｖｉｎ（ｂ）は放電灯のランプ電圧Ｖｌａを示した状態図である。
【符号の説明】
２１  検出回路
２２  制御回路
２３  検出制御部
２４  駆動回路
【図１】
0003804295.tif 000002
【図２】
0003804295.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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