(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１透明基板と透明薄板基板との間に絶縁体からなる複数の隔壁が間隔をあけて設けられ、両基板と該隔壁にて隔てられた空間にガスが封入されてプラズマ放電セルが構成されたプラズマアドレス部と、該プラズマ放電セルとは「ねじれの位置」の関係にある透明電極線が設けられた第２透明基板と、該第２透明基板と前記透明薄板基板との間に設けられた液晶層とを備えたプラズマアドレス情報表示素子であって、
該第１透明基板上に、該隔壁に接触し該隔壁により相互に離隔された２本の電極線が形成され、かつ、両電極線の間が該隔壁にて絶縁されており、
該隔壁は、該２本の電極線との接触部分から該透明薄板基板の方向に向かって徐々に該隔壁の幅が広くなるような切り欠き部を有し、
該２本の電極線の一方がアノードであり、該２本の電極線の他方がカソードであり、該カソードには放電のために必要な電圧が印加され、
該透明基板と該隔壁との接合部付近における該隔壁の幅は５０μｍ程度であり、他の部分における該隔壁の幅は１００μｍ程度であり、該隔壁間の距離は７００μｍ程度であり、該電極線の太さは１５０μｍ程度であり、該２本の電極線間の距離は５０μｍ程度である、プラズマアドレス情報表示素子。
【請求項２】
第１透明基板と透明薄板基板との間に絶縁体からなる複数の隔壁が間隔をあけて設けられ、両基板と該隔壁にて隔てられた空間にガスが封入されてプラズマ放電セルが構成されたプラズマアドレス部と、該プラズマ放電セルとは「ねじれの位置」の関係にある透明電極線が設けられた第２透明基板と、該第２透明基板と前記透明薄板基板との間に設けられた液晶層とを備えたプラズマアドレス情報表示素子であって、
該隔壁の両側面へ埋め込まれた状態で相互に離隔された２本の電極線が形成され、かつ、両電極線の間が該隔壁にて絶縁されており、隣り合う隔壁にそれぞれ埋め込まれた電極線同士は互いに平行に対向して配置されており、
該２本の電極線の一方がアノードであり、該２本の電極線の他方がカソードであり、該カソードには放電のために必要な電圧が印加され、
該隔壁の幅は１５０μｍ程度であり、該隔壁の幅内で該アノードおよび該カソードの幅はそれぞれ５０μｍ程度であり、該隔壁間の距離は７００μｍ程度であり、該電極線の幅は１５０μｍ程度である、プラズマアドレス情報表示素子。
【請求項３】
前記第２透明基板上にカラーフィルターが形成されており、前記透明電極線にデータ書き込みに必要なデータ電圧が印加される請求項１〜２のいずれか一つに記載のプラズマアドレス情報表示素子。
【請求項４】
前記プラズマ放電セルと前記透明電極線との空間的に重なった部分が前記液晶層の各絵素に対応している請求項３に記載のプラズマアドレス情報表示素子。
【請求項５】
請求項２に記載のプラズマアドレス情報表示素子を製造する方法であって、
透明基板上に、前記隔壁にて絶縁される両電極線間に相当する隙間をあけて電極線パターンを形成する工程と、
該隙間部分も含む電極線パターンの上に絶縁体層を積層する工程と、
該隙間を挟む両側の電極線パターン各々の該隙間側部分を残すように、各電極線パターンおよび該絶縁体層をエッチングし、電極線が透明基板付近の隔壁側面に埋め込まれ、かつ平行に対向した状態の隔壁を形成する工程と、
該隔壁の上側に透明薄板基板を配設し、この透明薄板基板と該透明基板と隔壁とにて隔てられた空間にガスを封入することによりプラズマ放電セルを形成する工程と
を含むプラズマアドレス情報表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマアドレス情報表示素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットパネルディスプレイに代表される情報表示素子の開発は、小型化、単色化、２値表示化の初期段階を既に脱し、大型化、カラー化、中間調表示や動画表示に進展しており、年毎に性能の向上が図られている。
【０００３】
ここで、情報表示素子の一つとしてプラズマアドレス情報表示素子の構造及びその動作原理について図９、図１０に基づいて簡単に説明すると、次のようになる。
【０００４】
プラズマアドレス情報表示素子は、図９に示すように、カラー部５０Ａとプラズマアドレス部５０Ｂとの間に、液晶材料が注入されてなる液晶層４６が設けられ、さらにバックライト５０が組み合わされた構造となっている。
【０００５】
カラー部５０Ａは、偏光板４１ａ、透明基板４２ａ、カラーフイルター４３、透明電極線４４および配向膜４５ａからなる。一方、プラズマアドレス部５０Ｂは、偏光板４１ｂ、透明基板４２ｂ、隔壁４８、電極線（アノード４９Ａとカソード４９Ｃ）、透明薄板基板４７および配向膜４５ｂからなる。
【０００６】
プラズマアドレス部５０Ｂには、透明基板４２ｂ、隔壁４８、透明薄板基板４７とで囲まれた空間に、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスが１０〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されたプラズマ放電セル５０Ｃが設けられている。このプラズマ放電セル５０Ｃとカラー部５０Ａの透明電極線４４とは、ライン状に配設された透明電極線４４に対して、方向は異なるものの同じくライン状に配設されたプラズマ放電セル５０Ｃが直交する状態となっている。そして、両者の空間的に重なった部分が、カラーフィルター４３の各絵素に対応している。
【０００７】
ここで、プラズマアドレス部５０Ｂについて図１０Ａ、図１０Ｂを用いて少し説明する。
【０００８】
情報の書き込み・保持は、以下のように行う。まず、図１０Ａ（ａ）に示すようにアノード４９Ａとカソード４９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加、即ちカソード４９Ｃに電圧Ｅｐを印加し放電を起こす。図においては、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯電している粒子を白丸（○）で示している。
【０００９】
次に、図１０Ａ（ｂ）に示すようにカラー部５０Ａの透明電極線４４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することにより情報を書き込み、図１０Ａ（ｃ）に示すように放電を止めることにより、透明薄膜基板４７界面をマイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。
【００１０】
これとは逆に、プラスに帯電させたい場合には、図１０Ｂの（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）に示すように、カラー部５０Ａの透明電極線４４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｐを印加する。
【００１１】
なお、図１１（ａ）は上記電圧Ｅｐの時間的変化を示しており、図１１（ｂ）は上記電圧Ｅｄの時間的変化を示している。図１１中の期間を示すａ、ｂ、ｃは各々図１０Ａの（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応し、同じく、ｄ、ｅ、ｆは各々図１０Ｂの（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に対応したものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のプラズマアドレス情報表示素子の構造では、電極線が存在するために開口率が低く、また、輝度低下や、これを解消する場合のバックライト性能向上によるコスト高等の問題点を有している。
【００１３】
そこで、開口率を向上させるために、各電極線上に絶縁性の隔壁を設けた構造のプラズマアドレス情報表示素子が提案されている（特開平６−２２２３４６）。しかし、特開平６−２２２３４６公報の第７ページの段落番号００５９〜段落番号００６２に記載されるように、電極線に対して印加する電圧に工夫が必要である等の問題点を有している。
【００１４】
また、電極線の位置ずれ許容度を大きくして製造を容易にし、さらに開口率を大きくするために、隔壁の直下に隔壁より広い幅でアノードを形成する放電セル及びその製造方法が提案されている（特開平６−２５１７１９）。しかし、特開平６−２５１７１９公報に記載の構造においても、４０％程度の開口率しか得られない等の問題点を有している。
【００１５】
本発明は、このような従来技術の課題を解決すべくなされたものであり、より開口率の向上を図ることが可能なプラズマアドレス情報表示素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１のプラズマアドレス情報表示素子は、第１透明基板と透明薄板基板との間に絶縁体からなる複数の隔壁が間隔をあけて設けられ、両基板と該隔壁にて隔てられた空間にガスが封入されてプラズマ放電セルが構成されたプラズマアドレス部と、該プラズマ放電セルとは「ねじれの位置」の関係にある透明電極線が設けられた第２透明基板と、該第２透明基板と前記透明薄板基板との間に設けられた液晶層とを備えたプラズマアドレス情報表示素子であって、該第１透明基板上に、該隔壁に接触し該隔壁により相互に離隔された２本の電極線が形成され、かつ、両電極線の間が該隔壁にて絶縁されており、
該隔壁は、該２本の電極線との接触部分から該透明薄板基板の方向に向かって徐々に該隔壁の幅が広くなるような切り欠き部を有し、該２本の電極線の一方がアノードであり、該２本の電極線の他方がカソードであり、該カソードには放電のために必要な電圧が印加され、該透明基板と該隔壁との接合部付近における該隔壁の幅は５０μｍ程度であり、他の部分における該隔壁の幅は１００μｍ程度であり、該隔壁間の距離は７００μｍ程度であり、該電極線の太さは１５０μｍ程度であり、該２本の電極線間の距離は５０μｍ程度であり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１８】
本発明の請求項２のプラズマアドレス情報表示素子は、第１透明基板と透明薄板基板との間に絶縁体からなる複数の隔壁が間隔をあけて設けられ、両基板と該隔壁にて隔てられた空間にガスが封入されてプラズマ放電セルが構成されたプラズマアドレス部と、該プラズマ放電セルとは「ねじれの位置」の関係にある透明電極線が設けられた第２透明基板と、該第２透明基板と前記透明薄板基板との間に設けられた液晶層とを備えたプラズマアドレス情報表示素子であって、該隔壁の両側面へ埋め込まれた状態で相互に離隔された２本の電極線が形成され、かつ、両電極線の間が該隔壁にて絶縁されており、隣り合う隔壁にそれぞれ埋め込まれた電極線同士は互いに平行に対向して配置されており、該２本の電極線の一方がアノードであり、該２本の電極線の他方がカソードであり、該カソードには放電のために必要な電圧が印加され、該隔壁の幅は１５０μｍ程度であり、該隔壁の幅内で該アノードおよび該カソードの幅はそれぞれ５０μｍ程度であり、該隔壁間の距離は７００μｍ程度であり、該電極線の幅は１５０μｍ程度であり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
本発明の請求項３のプラズマアドレス情報表示素子は、請求項１〜２のいずれか一つに記載のプラズマアドレス情報表示素子において、前記２本の電極線の一方がアノードであり、他方がカソードであり、カソードには放電のために必要な電圧が印加されることを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項３のプラズマアドレス情報表示素子は、請求項１〜２のいずれか一つに記載のプラズマアドレス情報表示素子において、前記第２透明基板上にカラーフィルターが形成されており、前記透明電極線にデータ書き込みに必要なデータ電圧が印加されることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項４のプラズマアドレス情報表示素子は、請求項３に記載のプラズマアドレス情報表示素子において、前記プラズマ放電セルと前記透明電極線との空間的に重なった部分が前記液晶層の各絵素に対応していることを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項６のプラズマアドレス情報表示素子の製造方法は、請求項２に記載のプラズマアドレス情報表示素子を製造する方法であって、透明基板上に、前記隔壁にて絶縁される両電極線間に相当する隙間をあけて電極線パターンを形成する工程と、該隙間部分も含む電極線パターンの上に絶縁体層を積層する工程と、該隙間を挟む両側の電極線パターン各々の該隙間側部分を残すように、各電極線パターンおよび該絶縁体層をエッチングし、電極線が透明基板付近の隔壁側面に埋め込まれ、かつ平行に対向した状態の隔壁を形成する工程と、該隔壁の上側に透明薄板基板を配設し、この透明薄板基板と該透明基板と隔壁とにて隔てられた空間にガスを封入することによりプラズマ放電セルを形成する工程とを含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００２３】
以下、本発明の作用を説明する。
【００２４】
本発明にあっては、プラズマ放電セルを構成する隔壁の側面内部へ各々の一部を埋め込んだ状態で相互に離隔した２本の電極線が形成され、両電極線の間が隔壁にて絶縁されているので、開口率が向上すると共に、図９に示した従来と同様の電圧印加方法を採用することができる。
【００２５】
このとき、２本の電極線が埋め込まれている隔壁部分に、隔壁の幅を狭くした切欠き部を設けることにより、より放電を効率よく行わせることが可能となる。
【００２６】
また、本発明にあっては、隔壁の側面内部へ各々の全部を埋め込んだ状態で相互に離隔した２本の電極線が形成され、両電極線の間が隔壁にて絶縁されているようにすると、更に開口率が向上する。この構造のプラズマアドレス情報表示素子は、透明基板上に、隔壁にて絶縁される両電極線間に相当する隙間をあけて電極線パターンを形成する工程と、隙間部分も含む電極線パターンの上に絶縁体層を積層する工程と、隙間を挟む両側の電極線パターン各々の隙間側部分を残すように、各電極線パターンおよび該絶縁体層をエッチングし、電極線が透明基板付近の隔壁側面に埋め込まれ、かつ平行に対向した状態の隔壁を形成する工程と、隔壁の上側に透明薄板基板を配設し、この透明薄板基板と透明基板と隔壁とにて隔てられた空間にガスを封入することによりプラズマ放電セルを形成する工程とを行うことにより得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子について、図１および図２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２９】
このプラズマアドレス情報表示素子は、図１に示すように、カラー部１０Ａとプラズマアドレス部１０Ｂとの間に、液晶材料が注入されてなる液晶層６が設けられ、さらにバックライト１０が組み合わされた構造となっている。
【００３０】
カラー部１０Ａは、偏光板１ａ、板厚０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板２ａ、カラーフイルター３、ＩＴＯやＳｎＯ2、ＩＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線４、および高分子膜からなる配向膜５ａにて構成されている。一方、プラズマアドレス部１０Ｂは、偏光板１ｂ、板厚０．５〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板２ｂ、ＳｉＯ2等からなる隔壁８、Ｎｉ等の金属からなる電極線（アノード９Ａとカソード９Ｃ）、板厚１０μｍ〜１００μｍのガラスからなる透明薄板基板７、および高分子膜からなる配向膜５ｂにて構成されている。
【００３１】
プラズマアドレス部１０Ｂにおいては、透明基板２ｂの上に、Ｎｉ等の金属からなる２本の電極線、つまりアノード９Ａとカソード９Ｃを、相互に離隔した状態で形成し、その上にＳｉＯ2等からなる隔壁８を形成している。よって、アノード９Ａとカソード９Ｃとは、隔壁８の一部で絶縁されている。そして、この隔壁８と、透明基板２ｂと、透明薄板基板７とで囲まれた空間であるプラズマ放電セル１０Ｃには、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスが１０〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されている。このプラズマ放電セル１０Ｃと、カラー部１０Ａの透明電極線４とは、後で詳述するが、ライン状に配設された透明電極線４に対して、方向は異なるものの同じくライン状に配設されたプラズマ放電セル１０Ｃが「ねじれの位置」の関係にあり、両者の空間的に重なった部分がカラーフイルター３の各絵素に対応している。なお、隔壁８のアノード９Ａとカソード９Ｃとを絶縁する部分と他の隔壁部分とは別々に形成してもよい。例えば、先に、隔壁８のアノード９Ａとカソード９Ｃとを絶縁する部分を形成し、その後で他の隔壁部分を形成してもよい。この場合においては、透明基板２ｂの上に両部分を形成することを考えているが、隔壁８のアノード９Ａとカソード９Ｃとを絶縁する部分を透明基板２ｂの上に形成し、他の隔壁部分を透明薄板基板７側に形成し、両隔壁部分を接着する等してもよい。
【００３２】
ここで、プラズマアドレス部１０Ｂについて図２Ａ、図２Ｂを用いて少し説明する。
【００３３】
情報の書き込み・保持は、まず図２Ａ（ａ）に示すようにアノード９Ａとカソード９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加、即ちカソード９Ｃに例えば−３００Ｖ〜−４５０Ｖの電圧Ｅｐを印加し、放電を起こす。図においては、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯電している粒子を白丸（○）で示している。
【００３４】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すようにカラー部１０Ａの透明電極線４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することにより情報を書き込み、図２Ａ（ｃ）に示すように放電を止めることにより、透明薄板基板７界面をマイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。これとは逆に、プラスに帯電させたい場合には、図２Ｂの（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）に示すように、カラー部１０Ａの透明電極線４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加する。尚、実際には、アノード９Ａには０Ｖと＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの交流電圧を印加することにより、液晶への直流成分の重畳を防止している。
【００３５】
本実施形態では、隔壁８の幅は１００μｍ程度、隔壁８間の距離は７００μｍ程度、電極線の太さが１５０μｍ程度、２本の電極線間の距離は２０μｍ程度としているので、開口率は［１−｛（１５０＋２０／２）×２｝／７００］×１００≒５４％となる。これに対して、従来では図９に示したように隔壁４８間の距離を７００μｍ、電極線の太さを１５０μｍ程度としているので、開口率が［１−｛（１５０＋５０）×２｝／７００］×１００≒４３％であったことに比べ、本実施形態では約１１％向上する。尚、放電に関与する電極線の幅が従来の１５０μｍから１１０μｍに減少したが、この程度であれば放電に悪影響をもたらすものではない。
【００３６】
本実施形態は、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板２ｂにＮｉ等の金属からなる電極線（アノード９Ａとカソード９Ｃ）が直接形成されているが、界面との接合性を向上させるために、例えばＳｉＯ2等からなる下地膜を形成してもよい。
【００３７】
さらに、隔壁８および電極線（アノード９Ａとカソード９Ｃ）の形成には、印刷法やサンドブラスト法等が用いられるが、上述の機能を満たしていればこの限りではない。
【００３８】
このようなプラズマアドレス情報表示素子とすることにより、開口率が向上するという効果がある。
【００３９】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子について、図３および図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４０】
このプラズマアドレス情報表示素子は、図３に示すように、カラー部２０Ａとプラズマアドレス部２０Ｂとの間に、液晶材料が注入されてなる液晶層１６が設けられ、さらにバックライト２０が組み合わされた構造となっている。
【００４１】
カラー部２０Ａは、偏光板１１ａ、板厚０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板１２ａ、カラーフィルター１３、ＩＴＯやＳｎＯ2、ＩＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線１４および高分子膜からなる配向膜１５ａにて構成されている。一方、プラズマアドレス部２０Ｂは、偏光板１１ｂ、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板１２ｂ、ＳｉＯ2等からなる隔壁１８、Ｎｉ等の金属からなる電極線（アノード１９Ａとカソード１９Ｃ）、板厚１０μｍ〜１００μｍのガラスからなる透明薄板基板１７および高分子膜からなる配向膜１５ｂにて構成されている。
【００４２】
プラズマアドレス部２０Ｂにおいては、透明基板１２ｂの上に、Ｎｉ等の金属からなる２本の電極線、つまりアノード１９Ａとカソード１９Ｃを、相互に離隔した状態で形成し、その上にＳｉＯ2等からなる隔壁１８を形成している。その形成は、まず隔壁１８のアノード１９Ａとカソード１９Ｃとを絶縁する部分を形成し、その後、複数回で幅を徐々に広くするようにして、切欠き部１８ａを有する他の隔壁部分を形成し、最後に幅一定の上部隔壁を形成する。例えば、透明基板と隔壁との接合部付近における隔壁１８の幅を細くするためには、電極線の幅を１５０μｍ程度、電極線間の接近する側を５０μｍ程度、電極線間の広く離れている側を３５０μｍ程度として形成した後、電極線間が５０μｍ程度の位置に隔壁材料の幅が略５０μｍとなるようスクリーン印刷技術で形成する。続いて同じ位置に隔壁材料の幅が略７０μｍ、略９０μｍ、略１００μｍと形成し、他の部分における隔壁１８の幅は１００μｍ程度にする。さらに仮焼成、焼成を経て隔壁１８にする。
【００４３】
なお、隔壁１８のアノード１９Ａとカソード１９Ｃとを絶縁する部分と他の隔壁部分とは別々の基板に形成してもよい。例えば、透明基板１２ｂの上に、隔壁１８のアノード１９Ａとカソード１９Ｃとを絶縁する部分１８ａを形成し、透明薄板基板１７側に他の隔壁部分を形成し、両隔壁部分を位置合わせした後に接着する等してもよい。
【００４４】
そして、この隔壁１８と、透明基板１２ｂと、透明薄板基板１７とで囲まれた空間であるプラズマ放電セル２０Ｃには、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスが１０〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されている。このプラズマ放電セル２０Ｃと、カラー部２０Ａの透明電極線１４とは、後で詳述するが、ライン状に配設された透明電極線１４に対して、方向は異なるものの同じくライン状に配設されたプラズマ放電セル２０Ｃが「ねじれの位置」の関係にあり、両者の空間的に重なった部分がカラーフイルター１３の各絵素に対応している。
【００４５】
ここで、プラズマアドレス部２０Ｂについて図４Ａ、図４Ｂを用いて少し説明する。
【００４６】
情報の書き込み・保持は、まず図４Ａ（ａ）に示すようにアノード１９Ａとカソード１９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加し、即ちカソード１９Ｃに例えば−３００Ｖ〜−４５０Ｖの電圧Ｅｐを印加し、放電を起こす。図においては、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯電している粒子を白丸（○）で示している。
【００４７】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すようにカラー部２０Ａの透明電極線１４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することにより情報を書き込み、図４Ａ（ｃ）に示すように放電を止めることにより、薄板薄板基板１７界面をマイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。プラスに帯電させたい場合には、図４Ｂの（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）に示すように、カラー部２０Ａの透明電極線１４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加する。尚、実際には、アノード１９Ａには０Ｖと＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの交流電圧を印加することにより、液晶への直流成分重畳を防止している。
【００４８】
透明基板と隔壁との接合部付近における隔壁１８の幅は５０μｍ程度、他の部分における隔壁１８の幅は１００μｍ程度、隔壁１８間の距離は７００μｍ程度、電極線の太さが１５０μｍ程度、２本の電極線間の距離は５０μｍ程度であるので、開口率は［１−｛（１５０＋５０／２）×２｝／７００］×１００＝５０％となり、従来が［１−｛（１５０＋５０）×２｝／７００］×１００≒４３％であったことに比べ、約７％向上する。
【００４９】
本実施の形態は、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板１２ｂにＮｉ等の金属からなる電極線（アノード１９Ａとカソード１９Ｃ）が直接形成されているが、界面との接合性を向上させるために、例えばＳｉＯ2等からなる下地膜を形成してもよい。
【００５０】
隔壁１８、電極線（アノード１９Ａとカソード１９Ｃ）の形成には、印刷法やサンドブラスト法等が用いられるが、上述の機能を満たしていれば、この限りではない。
【００５１】
このようなプラズマアドレス情報表示素子とすることにより、電極線（アノード１９Ａとカソード１９Ｃ）の特性を損なうことなく、開口率が向上するという効果がある。
【００５２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子について、図５、図６および図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００５３】
このプラズマアドレス情報表示素子は、図５に示すように、カラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０Ｂとの間に、液晶材料が注入されてなる液晶層２６が設けられ、さらにバックライト３０が組み合わされた構造となっている。
【００５４】
カラー部３０Ａは、偏光板２１ａ、板厚０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板２２ａ、カラーフィルター２３、ＩＴＯやＳｎＯ2、ＩＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線２４および高分子膜からなる配向膜２５ａにて構成されている。一方、プラズマアドレス部３０Ｂは、偏光板２１ｂ、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板２２ｂ、ＳｉＯ2等からなる隔壁２８、Ｎｉ等の金属からなる電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）、板厚１０μｍ〜１００μｍのガラスからなる透明薄板基板２７および高分子膜からなる配向膜２５ｂにて構成されている。上記電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）はその全体が隔壁２８側面内部に埋め込まれている。
【００５５】
また、プラズマアドレス部３０Ｂについては、透明基板２２ｂ、隔壁２８および透明薄板基板２７で囲まれた空間であるプラズマ放電セル３０Ｃに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスが１０〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されている。このプラズマ放電セル３０Ｃと前記透明電極線２４とは、図６に示すように、ライン状に配設された透明電極線２４に対して、同じくライン状に配設されたプラズマ放電セル３０Ｃとが「ねじれの位置」の関係、この図示例では直交する関係となっている。そして、両者の空間的に重なった部分が、カラーフィルター２３の各絵素に対応している。この関係は、前述した第１、第２の実施形態の場合にも同様となっている。
【００５６】
本実施形態においては、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）は隔壁２８側面内部に埋め込まれているため、隔壁２８の幅は１５０μｍ程度（うちアノード、カソード各５０μｍ程度）、隔壁２８間の距離は７００μｍ程度としても、開口率は［１−｛（１５０／２）×２｝／７００］×１００≒７９％となり、従来が隔壁２８の幅１００μｍ程度、隔壁２８間の距離は７００μｍ程度、電極線幅が１５０μｍ程度であるので、［１−｛（１５０＋５０）×２｝／７００］×１００≒４３％であったことに比べ、約３５％向上する。
【００５７】
また、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）が隔壁２８の両側面に埋め込まれ、アノード２９Ａとカソード２９Ｃとが平行に対向配置されているため、低放電電圧で均一な放電が可能となる。
【００５８】
さらに電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）の幅を考慮に入れなくて良いため、隣合った隔壁２８の間隔を狭めることができ、高精細化が可能となる。
【００５９】
本実施形態は、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ程度のガラスからなる透明基板２２ｂにＮｉ等の金属からなる電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）が直接形成されているが、界面との接合性を向上させるために、例えばＳｉＯ2等からなる下地膜を形成してもよい。
【００６０】
さらに、隔壁２８、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）の形成には、印刷法やサンドブラスト法等が用いられるが、上述の機能を満たしていればこの限りではない。
【００６１】
ここで、本実施形態のプラズマアドレス部の動作原理について、図７Ａ、図７Ｂを用いて少し説明する。
【００６２】
情報の書き込み・保持は、まず図７Ａ（ａ）に示すようにアノード２９Ａとカソード２９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加、即ちカソード２９Ｃに例えば−３００Ｖ〜−４５０Ｖの電圧Ｅｐを印加し放電を起こす。図においては、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯電している粒子を白丸（○）で示している。次に、図７Ａ（ｂ）に示すようにカラー部３０Ａの透明電極線２４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することにより情報を書き込み、図７Ａ（ｃ）に示すように放電を止めることにより、薄板基板２７界面をマイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。プラスに帯電させたい場合には、図７Ｂの（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）に示すように、カラー部３０Ａの透明電極線２４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加する。
【００６３】
このようなプラズマアドレス情報表示素子とすることにより、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）の特性を損なうことなく開口率が向上し、また低放電電圧での均一な放電及び高精細化が実現されるという効果がある。
【００６４】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子及びその製造方法について、図５、図６〜図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６５】
このプラズマアドレス情報表示素子の構造は、図５に示すように、カラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０Ｂとの間に、液晶材料が注入されてなる液晶層２６が設けられ、さらにバックライト３０が組み合わされた構造となっている。
【００６６】
カラー部３０Ａは、偏光板２１ａ、板厚０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板２２ａ、カラーフィルター２３、ＩＴＯやＳｎＯ2、ＩＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線２４および高分子膜からなる配向膜２５ａにて構成されている。一方、プラズマアドレス部３０Ｂは、偏光板２１ｂ、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透明基板２２ｂ、ＳｉＯ2等からなる隔壁２８、Ｎｉ等の金属からなる電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）、板厚１０μｍ〜１００μｍのガラスからなる透明薄板基板２７および高分子膜からなる配向膜２５ｂにて構成されている。上記電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）はその全体が隔壁２８側面内部に埋め込まれている。隔壁２８の幅は１００μｍ程度、隔壁２８間の距離は７００μｍ程度である。
【００６７】
この構成のプラズマアドレス情報表示素子の製造方法について図８を用いて説明する。
【００６８】
まず、図８（ａ）に示すように、透明基板２２ｂ上に電極材料２９を、印刷法等により形成する。このとき、電極材料２９の非形成部分は、２つの電極線であるアノード２９Ａとカソード２９Ｃとの離隔部分となる。
【００６９】
次に、図８（ｂ）に示すように、印刷法等により隔壁用の絶縁体層２８ａを形成する。続いて、図８（ｃ）に示すように、マスクもしくはレジスト３１を絶縁体層２８ａの上に形成し、図８（ｄ）に示すように、物理的もしくは化学的エッチングにより絶縁体層２８ａおよび電極材料２９を部分的に除去し、アノード２９Ａとカソード２９Ｃとが側面に埋め込まれた隔壁２８を形成する。
【００７０】
最後に、図８（ｅ）に示すように、隔壁２８の上に透明薄板基板２７を積層し、両基板２２ｂと２７と隔壁２８とで囲まれた空間であるプラズマ放電セル３０Ｃに不活性ガスを封入する。
【００７１】
このようにして、プラズマ放電セル部分が作製される。更に、この状態のものに、偏光板２１ｂ、配向膜２５ｂを形成してプラズマアドレス部３０Ｂを得る。一方、カラー部３０Ａを図５に示すように作製し、そのカラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０Ｂとを対向配設する。このとき、図６に示したように、プラズマ放電セル３０Ｃとカラー部３０Ａの透明電極線２４とが「ねじれの位置」の関係となるようにする。対向配設したカラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０Ｂとの間に、液晶材料を注入して液晶層２６を設けると共に、プラズマアドレス部３０Ｂ側にバックライト３０を設けることにより、本実施形態のプラズマアドレス情報表示素子が完成する。
【００７２】
この第４の実施形態では、隔壁２８、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）の形成に高度な印刷技術が不要となる。さらに、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）が絶縁体からなる隔壁２８の側面に埋め込まれているので、電極線（アノード２９Ａとカソード２９Ｃ）端部の径時変化が少なく、信頼性が向上する。
【００７３】
上記物理的エッチングとしてはサンドブラスト法を使用することができ、化学エッチングとしては弗化水素や臭化水素を用いたドライエッチングや、弗化水素水を用いたウエットエッチング等を使用することができるが、この限りではなく他のエッチング方法を使用してもよい。
【００７４】
本実施形態のプラズマアドレス情報表示素子の動作原理は、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、第３の実施形態と同じである。
【００７５】
このような製造方法にて製造されるプラズマアドレス情報表示素子にあっては、開口率を向上でき、また低放電電圧で均一な放電及び高精細化を実現できるという効果がある。
【００７６】
【発明の効果】
以上のように、本発明にあっては、隔壁の一部で絶縁された２本の電極線が隔壁と重なるように形成されているので、これにより開口率が向上し、輝度低下が生じにくく、バックライト性能に対する要求が少なくなり、コストを削減できるという効果を奏する。
【００７７】
また、本発明のプラズマアドレス情報表示素子の製造方法は、透明基板上に電極線材料と隔壁用絶縁体とを積層し、マスクまたはレジストを用いてエッチングすることにより、電極線が側面に埋め込まれた隔壁が形成されることとなり、よって開口率を向上させることができる。また、対向放電が可能となるため、低放電電圧で均一な放電が実現するという効果を奏する。また電極線が絶縁体の隔壁に埋め込まれた状態であるので、電極線（アノードとカソード）の端部の径時変化が少なく信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態および第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態および第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子のプラズマ放電セルと透明電極線との関係を示す斜視図である。
【図７Ａ】本発明の第３の実施形態および第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第３の実施形態および第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るプラズマアドレス情報表示素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】従来のプラズマアドレス情報表示素子を示す断面図である。
【図１０Ａ】従来のプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図１０Ｂ】従来のプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための断面図である。
【図１１】従来のプラズマアドレス情報表示素子の動作説明のための図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１１ａ、１１ｂ、２１ａ、２１ｂ、４１ａ、４１ｂ  偏光板
２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、２２ａ、２２ｂ、４２ａ、４２ｂ  透明基板
３、１３、２３、４３  カラーフィルター
４、１４、２４、４４  透明電極線
５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ、２５ａ、２５ｂ、４５ａ、４５ｂ  配向膜
６、１６、２６、４６  液晶層
７、１７、２７、４７  透明薄板基板
８、１８、２８、４８  隔壁
９Ａ、１９Ａ、２９Ａ、４９Ａ  アノード、
９Ｃ、１９Ｃ、２９Ｃ、４９Ｃ  カソード
１０、２０、３０、５０  バックライト
１０Ａ、２０Ａ、３０Ａ、５０Ａ  カラー部
１０Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂ、５０Ｂ  プラズマアドレス部
１０Ｃ、２０Ｃ、３０Ｃ、５０Ｃ  プラズマ放電セル
【図１】
0003807645.tif 000002
【図２Ａ】
0003807645.tif 000003
【図２Ｂ】
0003807645.tif 000004
【図３】
0003807645.tif 000005
【図４Ａ】
0003807645.tif 000006
【図４Ｂ】
0003807645.tif 000007
【図５】
0003807645.tif 000008
【図６】
0003807645.tif 000009
【図７Ａ】
0003807645.tif 000010
【図７Ｂ】
0003807645.tif 000011
【図８】
0003807645.tif 000012
【図９】
0003807645.tif 000013
【図１０Ａ】
0003807645.tif 000014
【図１０Ｂ】
0003807645.tif 000015
【図１１】
0003807645.tif 000016