(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
上記半導体基板上に積層されてスラブ状に形成された下部クラッド層及び活性層と、
上記スラブ状に形成された活性層の上にリッジ状に形成された所定のリッジ幅を有する上部第１クラッド層、及び上記上部第１クラッド層の上に積層されて形成された上記第１クラッド層のリッジ幅より狭いリッジ幅を有する上部第２クラッド層と、
上記上部第１クラッド層及び上部第２クラッド層の側面を覆う酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜と、
上記上部第２クラッド層の上に形成されたコンタクト層と、
上記コンタクト層の上に形成された上部電極と、
上記上部電極に対応して上記半導体基板の下に形成された下部電極と、
上記活性層に入射し、又は、出射する信号光の入射端面および出射端面に形成された無反射コーティング層と、を有し、
上記上部第１クラッド層及び上部第２クラッド層で形成された上部クラッド層は、少なくとも２本並列に形成され、上記上部電極と上記下部電極との間に電流が注入されるようにした積層体からなる光増幅器アレイであって、
上記光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成され、
上記光吸収剤を含んだポリマ膜内に光吸収剤が部分的に含まれ、光吸収剤が部分的に含まれたポリマ膜内には、部分的に除去された空隙が形成されてなり、
上記積層体の一方の端面の上記上部クラッド層の真下の活性層内に信号光がそれぞれ入射され、上記活性層で増幅された信号光を上記積層体の他方の端面から出射させるようにしたことを特徴とする半導体光増幅器アレイ。
【請求項２】
上記上部第１クラッド層のリッジ幅は、上記上部第２クラッド層のリッジ幅の１．２〜２倍であることを特徴とする請求項１に記載の半導体光増幅器アレイ。
【請求項３】
上記上部クラッド層は上記積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲している請求項１または２に記載の半導体光増幅器アレイ。
【請求項４】
上記下部クラッド層と上記活性層との間に、屈折率が上記下部クラッド層の屈折率よりも高く、上記活性層の屈折率よりも低いバッファ層を設けた請求項１〜３のいずれかに記載の半導体光増幅器アレイ。
【請求項５】
上記積層体の両端面は１０・以内の角度で斜めに形成されている請求項１〜４のいずれかに記載の半導体光増幅器アレイ。
【請求項６】
上記光吸収剤として信号光を吸収する材料を用いた請求項１に記載の半導体光増幅器アレイ。
【請求項７】
上記ポリマ膜としてポリイミド膜、あるいはフッ素を含んだポリマ膜を用いた請求項１〜６のいずれかに記載の半導体光増幅器アレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光増幅器アレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体光増幅器を用いてゲート型のマトリクス光スイッチ、光波長選択フィルタ及び光Ａｄｄ／Ｄｒｏｐフィルタ等を構成する研究開発が活発に行われるようになってきた。
【０００３】
図９は従来の半導体光増幅器アレイを用いたゲート型のマトリクス光スイッチを示すブロック図である。
【０００４】
このマトリクス光スイッチは、入力ポート２８ａ（２８ｂ）に入力した光信号２５ａ−１（２５ｂ−１）を出力ポート２８ｃ、２８ｄのいずれかに出力させるスイッチであり、半導体光増幅器２６−１〜２６−４のいずれかに注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流してオン状態とするか、注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流さずにオフ状態とすることによりオンオフ制御するようにしたものである。なお、２７ａ〜２７ｄは光分岐回路であり、２９ａ−１、２９ａ−２、２９ｂ−１、２９ｂ−２は分岐ポートである。
【０００５】
図１０は従来の半導体光増幅器アレイを用いた光波長選択フィルタのブロック図である。
【０００６】
この光波長選択フィルタは、１入力４出力の光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３２−４と、４入力１出力の光分波器３６の各入力ポート３５−１〜３５−４との間に複数の半導体光増幅器２６−１〜２６−４を挿入したものである。
【０００７】
波長多重された信号光（波長λ1 〜λ4 ）３０−１を入力ポート３１へ入力させ、分波した信号光λ1 〜λ4 を光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３２−４へそれぞれ出力させ、各半導体光増幅器２６−１〜２６−４へ入力させる。光分波器３６の出力ポート３４から出力させる信号光の波長は、半導体光増幅器２６−１〜２６−４の各端子への注入電流Ｉk1〜Ｉk4をオン状態とするかオフ状態とするかによって制御される。このような電流制御により、所望の波長の信号光を出力ポート３４から選択的に取り出すことができる。
【０００８】
図９に示したマトリクス光スイッチ及び図１０に示した光波長選択フィルタに用いられる半導体光増幅器アレイには、図１１に示すようなアレイ構造のものが用いられる。図１１（ａ）は４つの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものの外観斜視図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の部分拡大透視図である。なお、図１１（ｂ）において、１９は波長λ＝１．５５μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ下部クラッド層、２０は波長λ＝１．３μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２１はｎ−ＩｎＰ層（スポットサイズ変換層）をそれぞれ示す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の半導体光増幅器アレイには以下のような問題がある。
【００１０】
(1) 隣接する半導体光増幅器は、各光増幅器同士の光の干渉により、半導体光増幅器のオン状態とオフ状態との光パワー比、すなわち、消光比が４５ｄＢ程度しかなく、不十分である。
【００１１】
(2) 各半導体光増幅器の光入射端面や光出射端面からの反射光が他の半導体光増幅器内に取り込まれ易く、消光比やクロストーク特性が劣化する。
【００１２】
(3) 図１１（ａ）、（ｂ）に示す半導体光増幅器アレイは、活性層２０及びスポットサイズ変換層２１が高誘電率のＩｎＰ系の下部クラッド層１９、上部クラッド層２２０、埋め込み層で覆われているために、高速のスイッチング特性が得られない。この対策として、本発明者は先に図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すようなリッジ型半導体光増幅器を提案した。これは、上部第２クラッド層５をリッジ状にし、その周囲を低誘電率のＳｉＯ2 層６とポリイミド膜７とで覆った構造を有している。このような構成にすると高速のスイッチング特性を期待することができる。図１２（ａ）は本発明者が先に提案したリッジ型半導体光増幅器の正面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１３】
(4) 図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した半導体光増幅器をアレイ状に構成すると（図１３（ａ）、（ｂ）参照）、４個の半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４内を伝搬している信号光Ｐi1〜Ｐi4が容易に干渉し合って消光比やクロストーク特性を劣化させることがわかった。すなわち、本来ならばＣｈ１の信号光Ｐi1は増幅されてＰ01として出力されるが、Ｐ01にＰi1、Ｐi2、Ｐi3、Ｐi4の信号光が漏れ込んでくる。特に、隣接の信号光Ｐi2が漏れ込んで消光比やクロストーク特性を劣化させることがわかった。なお、図１３（ａ）は本発明者が先に提案した半導体光増幅器アレイの正面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００１４】
ここで、図１２（ａ）〜（ｃ）及び図１３（ａ）、（ｂ）において、リッジ型の上部第２クラッド層２が光伝搬方向に曲線状に形成されているのは高消光比を実現するためである。すなわち、両端面に光ファイバを突き合わせ、一方（図の左側）の端面の光ファイバ内を伝搬してきた光信号Ｐｉは活性層３内に全て閉じ込められて伝搬するのではなく、ＳｉＯ2 層６、ポリイミド膜７、上部及び下部クラッド層２、４、５内にも漏れ込んで伝搬する。上部第２クラッド層５が伝搬方向に直線状に構成されていると、ＳｉＯ2 層６、ポリイミド膜７及びクラッド層内に漏れて伝搬していった光信号は他方（図の右側）の端面に突き合わせられた光ファイバ内に混入してしまう。注入電流を流しているオン状態の場合には混入光は悪影響を及ぼさないが、注入電流を流していないオフ状態の場合には混入光は不要光となり、結局、オン／オフ消光比は悪くなる。
【００１５】
これに対し、図１２（ａ）〜（ｃ）及び図１３（ａ）、（ｂ）に示す上部第２クラッド層５を伝搬方向に曲線状に形成しておくと、ポリイミド膜、ＳｉＯ2 層及びクラッド層内を漏れて伝搬していった光信号は他方の端面に設けた光ファイバ内へ混入しなくなる。このような混入を防止するためには入射端面と出射端面との幅方向間隔Ｗを光ファイバの直径（通常１２５μｍ）よりも大きくとっておけばよい。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器アレイを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の半導体光増幅器アレイは、半導体基板と、上記半導体基板上に積層されてスラブ状に形成された下部クラッド層及び活性層と、上記スラブ状に形成された活性層の上にリッジ状に形成された所定のリッジ幅を有する上部第１クラッド層、及び上記上部第１クラッド層の上に積層されて形成された上記第１クラッド層のリッジ幅より狭いリッジ幅を有する上部第２クラッド層と、上記上部第１クラッド層及び上部第２クラッド層の側面を覆う酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜と、上記上部第２クラッド層の上に形成されたコンタクト層と、上記コンタクト層の上に形成された上部電極と、上記上部電極に対応して上記半導体基板の下に形成された下部電極と、上記活性層に入射し、又は、出射する信号光の入射端面および出射端面に形成された無反射コーティング層と、を有し、上記上部第１クラッド層及び上部第２クラッド層で形成された上部クラッド層は、少なくとも２本並列に形成され、上記上部電極と上記下部電極との間に電流が注入されるようにした積層体からなる光増幅器アレイであって、上記光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成され、上記光吸収剤を含んだポリマ膜内に光吸収剤が部分的に含まれ、光吸収剤が部分的に含まれたポリマ膜内には、部分的に除去された空隙が形成されてなり、上記積層体の一方の端面の上記上部クラッド層の真下の活性層内に信号光がそれぞれ入射され、上記活性層で増幅された信号光を上記積層体の他方の端面から出射させるようにしたものである。
【００１８】
上記構成に加え本発明の半導体光増幅器アレイの上部第１クラッド層のリッジ幅は、上記上部第２クラッド層のリッジ幅の１．２〜２倍であるものでもよく、また、上部クラッド層は上記積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲しているものであってもよい。
【００１９】
上記構成に加え本発明の半導体光増幅器アレイの下部クラッド層と活性層との間に、屈折率が下部クラッド層の屈折率よりも高く、活性層の屈折率よりも低いバッファ層を設けてもよい。
【００２０】
上記構成に加え本発明の半導体光増幅器アレイの積層体の両端面は１０°以内の角度で斜めに形成されていてもよい。
【００２１】
上記構成に加え本発明の半導体光増幅器アレイの光吸収剤として信号光を吸収する材料を用いてもよい。
【００２７】
上記構成に加え本発明の半導体光増幅器アレイのポリマ膜としてポリイミド膜、あるいはフッ素を含んだポリマ膜を用いてもよい。
【００２８】
本発明によれば、上部第２クラッド層の側面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜で覆われている場合には、ポリマ膜に光吸収剤が分散あるいは充填されるので、各半導体光増幅器の入射端に接続される光ファイバからの信号光がポリマ膜中を伝搬し、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。
【００２９】
吸収剤を含まないポリマ膜の上に金属膜を形成する場合には、入射端に接続される光ファイバからの信号光が金属膜で吸収され、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。
【００３０】
上部第２クラッド層が積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高消光比特性が得られる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００３２】
図１（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの一実施の形態を示す正面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【００３３】
本半導体光増幅器アレイは、４つの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものである。本半導体光増幅器アレイには、高消光比及び低クロストーク特性を実現するために二つの特徴ある構成が採用されている。
【００３４】
第１の特徴は、上部のポリイミド膜１４に光吸収剤を分散（あるいは充填）させたことである。光吸収剤としては、染料、顔料、金属微粒子等を用いることができる。例えば、本半導体光増幅器アレイは波長１．５μｍ帯の信号光を用いるので、黒色顔料（カーボンブラック）を充填するのが有効である。また、染料を用いる場合には分散染料を分散させるようにしてもよい。さらに金属微粒子としてＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の１．５μｍ帯で光吸収の大きい材料を分散させてもよい。
【００３５】
このように光吸収剤を含んだポリイミド膜１４を用いれば、図示しない光ファイバからの信号光が入射側の端面（図１（ｂ）では下側の端面）からポリイミド膜１４中を伝搬し、出射側の端面（図１（ｂ）では上側の端面）に接続される光ファイバ（図示せず）へ漏れ込むのが抑圧される。すなわち、端面Ｐo1に端面Ｐi2〜Ｐi4からの信号光の混入がなくなり、端面Ｐo3に端面Ｐi1〜Ｐi3からの信号光の混入がなくなり、低クロストーク特性が得られる。
【００３６】
第２の特徴は、リッジ型の上部第２クラッド層５を光の伝搬方向に曲線状にパターン化し（積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲させ）、入射部と出射部とが同一直線上に位置しないように間隔Ｗを持たせたことである。この間隔Ｗは光ファイバの直径（通常１２５μｍ）よりも大きい値が好ましい。
【００３７】
入射部と出射部との間にはＳ字状曲線部１３が設けられており、このＳ字状曲線部１３により、高消光比特性が得られる。なお、図１（ａ）、（ｂ）において、１はＩｎＰ（ｎ+ ）基板、２はスラブ状のＩｎＰ（ｎ）下部クラッド層、３はスラブ状の活性層、４はスラブ状のＩｎＰ（ｐ）上部第１クラッド層、５はリッジ状のＩｎＰ（ｐ）上部第２クラッド層、６はＳｉＯ2 層、８はＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９−１〜９−４は上部電極、１０は下部電極、１１−１、１１−２はスポットサイズ変換部、１２−１、２−２は直線部、１７−１、１７−２は無反射コーティング層、１８は電流注入用の端子である。
【００３８】
図２（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【００３９】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、入射端部１５−１及び出射端部１５−２を角度θ（２°から１０°の範囲が好ましい。）だけ斜め構造にすることにより、両端面からの反射光が半導体光増幅器内を伝搬しにくくした点である。なお、Ｆ１とＦ２は１２５μｍよりも大きい値に選ぶことが好ましい。
【００４０】
図３（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【００４１】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、ポリイミド膜７に部分的に光吸収剤を含ませたポリイミド膜１４−１〜１４−３を用いた点である。本半導体増幅器アレイの構成は、光吸収剤を含んだポリイミド膜１４−１〜１４−３により、それぞれの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４が光干渉を起こしにくいように分離されたものである。ポリイミド膜１４−１〜１４−３は光入射部から光出射部までの伝搬方向に沿って形成されている。
【００４２】
図４（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【００４３】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、各半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４間に空気の空隙２２−１、２２−２、２２−３を設けることにより、隣接した半導体光増幅器との光干渉をより一層抑圧すると共に、リッジ構造の上部第２クラッド層５の真下の活性層４内への光の閉じ込めをより効率的になるようにした点である。
【００４４】
図５（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
【００４５】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、上部第２クラッド層５だけでなく上部第１クラッド層４もリッジ構造とした点である。
【００４６】
上部第１クラッド層４のリッジ幅ａは上部第２クラッド層５のリッジ幅ｂよりも広くしておくことにより、偏波依存性のほとんどない光増幅特性を得ることができる。すなわち、リッジ幅ａ方向の光の閉じ込めが増加することによって上述したのと同様の効果が得られる。
【００４７】
ここで、リッジ幅ａはリッジ幅ｂの１．２〜２倍の範囲が好ましい。また上部第１クラッド層４もリッジ構造とすることにより、図１（ａ）、（ｂ）〜図３（ａ）、（ｂ）の場合よりも活性層３内の幅及び厚み方向の光強度分布をより急俊にすることができる。すなわち、上部第１クラッド層４及び上部第２クラッド層５の真下の活性層３内の光強度分布をより急俊にすることができる。これは半導体光増幅器間の光干渉をより少なくするように作用するので、低クロストーク特性を得ることができる。
【００４８】
図６（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【００４９】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、図４（ａ）、（ｂ）及び図５（ａ）、（ｂ）に示した実施の形態の構成を組み合わせた点である。すなわち、本半導体光増幅器アレイは、上部第１クラッド層４をリッジ構造とし、それぞれの半導体光増幅器間に空隙２２−１〜２２−３を設けた構造としたものである。このような構造により、より高消光比、低クロストーク特性を得ることができる。また、活性層内の光強度分布をより急俊にすることはより高い利得特性も期待することができる。
【００５０】
図７（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。
【００５１】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、光吸収剤を分散させたポリイミド膜１４の上に金属膜１６−１〜１６−５を形成し、ポリイミド膜１４内を漏洩して伝搬する不要光を金属膜１６−１〜１６−５で吸収させるようにした点である。
【００５２】
図８（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。
【００５３】
本半導体光増幅器アレイの特徴は、図４（ａ）、（ｂ）に示した半導体光増幅器アレイ間の空隙２２−１〜２２−３に金属膜１６−２〜１６−４を形成した点である。また、両端の半導体光増幅器の空隙にも金属膜１６−１、１６−５が形成されている。これら金属膜１６−１〜１６−５は高消光比、低ストローク特性を実現する上で有効に作用する。
【００５４】
本発明は上記実施の形態に限定されない。まず、半導体光増幅器アレイの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の数は図では４個であるが限定されるものではなく、２個以上、数十個程度実装することができる。ＳｉＯ2 層６及びポリイミド膜７にはフッ素を添加して低誘電率化を図ると、より高速スイッチング特性を実現することができる。図７（ａ）、（ｂ）及び図８（ａ）、（ｂ）において、金属膜１６−１〜１６−５を上部電極９−１〜９−４へのワイヤボンディング供給用ターミナルとして兼用してもよい。
【００５５】
図１（ａ）、（ｂ）〜図８（ａ）、（ｂ）に示す半導体光増幅器アレイにおいて、それぞれの半導体増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の間に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すような分離溝（空隙）２２を設けてもよい。その分離溝２２の具体的な構成は、ポリイミド膜７（あるいは１４）、ＳｉＯ2 層６を貫通し、ＩｎＰ（ｐ）上部第１クラッド層４の途中まで達するように分離溝を形成したものである。
【００５６】
図１（ａ）、（ｂ）〜図８（ａ）、（ｂ）に示す半導体光増幅器アレイにおいて、ＩｎＰ（ｐ）上部第１クラッド層４を用いない構造としてもよい。また、ＩｎＰ（ｎ）下部クラッド層２と活性層３との間に、ＩｎＰの屈折率３．１６３よりも高く、ＩｎＧａＡｓＰの活性層の屈折率３．３７５よりも低い値を有するバッファ層（屈折率３．２〜３．３）を設けることにより、スポットサイズ変換部１１−１、１１−２でのＸ方向（幅方向）及びＹ方向（厚み方向）の光強度分布を拡大することができる。
【００５７】
図７（ａ）、（ｂ）において、金属膜１６−１〜１６−５の下のポリイミド膜１４には光吸収剤を含まないポリイミド膜を用いてもよい。これは金属膜１６−１〜１６−５が光吸収層として作用するからである。
【００５８】
以上において本発明によれば、
(1) それぞれの半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大きくとることができると共に、クロストーク特性を低い値に保つことができる。従来は、入射側の光ファイバからの信号光が半導体光増幅器アレイのポリイミド膜、ＳｉＯ2 層、上部クラッド層内に漏れ込んで伝搬し、出射側の光ファイバ内に混入していた。本発明はこのような漏れ込み光のうち、最も大きな容積を占めるポリイミド膜内を伝搬する漏れ光を吸収させることによって消光比を改善すると共に他の半導体光増幅器からの不要な信号光も吸収させることによって抑圧し、低クロストーク特性を実現するようにしたものである。
【００５９】
(2) 高速の光スイッチング特性を得ることができる。
【００６０】
(3) 半導体光増幅器アレイ端面及びその端面に突き合わせる光ファイバ端面からの反射光が半導体光増幅器アレイ内を伝搬するのを減衰させることができるので、消光比及びクロストーク特性を改善することができる。
【００６１】
(4) 半導体光増幅器アレイを簡易プロセスで低コストに製造することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
【００６３】
各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器アレイの提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの一実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。
【図９】従来の半導体光増幅器アレイを用いたゲート型のマトリクス光スイッチを示すブロック図である。
【図１０】従来の半導体光増幅器アレイを用いた光波長選択フィルタのブロック図である。
【図１１】（ａ）は４つの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものの外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大透視図である。
【図１２】（ａ）は本発明者が先に提案したリッジ型半導体光増幅器の正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】（ａ）は本発明者が先に提案した半導体光増幅器アレイの正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  下部クラッド層
３  活性層
４  上部第１クラッド層
５  上部第２クラッド層
６  ＳｉＯ2 層
７  ポリマ膜（ポリイミド膜）
９−１〜９−４  上部電極
１０  下部電極
１６−１〜１６−５  金属膜
Ｃｈ１〜Ｃｈ４  半導体光増幅器
【図１】
0003804316.tif 000002
【図２】
0003804316.tif 000003
【図３】
0003804316.tif 000004
【図４】
0003804316.tif 000005
【図５】
0003804316.tif 000006
【図６】
0003804316.tif 000007
【図７】
0003804316.tif 000008
【図８】
0003804316.tif 000009
【図９】
0003804316.tif 000010
【図１０】
0003804316.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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