(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半導体デバイスの回路パターンである凹凸を有する基板に対して塗布液を供給し、該基板の表面に、その硬化により塗布膜が形成される液膜を形成する塗布装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板に、塗布液の供給を行う主塗布液ノズルと、
この主塗布液ノズルにより形成された液膜の表面を概ね平坦とするために、該液膜表面に生じた凹部に対し、塗布液を供給する補助塗布液ノズルと、
基板表面を細分化した細分化領域の位置と、各細分化領域における回路パターンの配列密度とを対応させたパターン情報を記憶する記憶部と、
この記憶部に記憶された前記情報に基づいて、基板に対する補助塗布液ノズルの相対位置及び各位置における塗布液の吐出量を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
補助塗布液ノズルは、インクジェットノズルであることを特徴とする請求項１記載の塗布装置。
【請求項３】
記憶部に記憶された情報は、基板表面を細分化した細分化領域と、各細分化領域における回路パターンの配列密度に応じた補助塗布液ノズルの塗布液の供給量とを対応させた情報であることを特徴とする請求項１または２記載の塗布装置。
【請求項４】
パターン情報は、基板の表面を撮像し、色のコントラストに基づいて得られたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項５】
塗布液は層間絶縁膜を形成するためのものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項６】
塗布液供給部は、基板を保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、当該基板に塗布液を線状に吐出する主塗布液ノズルと、
この主塗布液ノズルを前記基板と相対的に移動させる駆動機構と、を備え、
主塗布液ノズルをＸ方向に移動させて塗布液を基板表面に直線状に塗布した後、今度は主塗布液ノズルをＹ方向に間欠移動させて主塗布液ノズルを既に塗布された領域の隣の領域と対向させ、こうしてＸ方向に塗布した領域をＹ方向に順次並べていくものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項７】
表面に凹凸を有する基板を水平保持し、該基板表面に主塗布液ノズルから塗布液を供給して、その硬化により塗布膜が形成される液膜を形成する工程と、
記憶部に記憶された、基板表面を細分化した細分化領域の位置に基づいて、基板に対する補助塗布液ノズルの相対位置を制御する工程と、
前記液膜の表面を概ね平坦とするために、基板に対する補助塗布液ノズルの各相対位置において、記憶部に記憶された各細分化領域における回路パターンの配列密度に応じた吐出量で補助塗布液ノズルから基板に塗布液を供給する工程と、を含むことを特徴とする塗布方法。
【請求項８】
補助塗布液ノズルは、インクジェットノズルであることを特徴とする請求項７記載の塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板といった各種基板に対し、塗布液の供給を行う装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、半導体デバイスの層間絶縁膜を形成するために塗布液例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）溶液を半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）上に塗布する処理がある。従来、このような処理は、スピンチャックにより水平に吸着保持されたウエハを回転させると共に、回転するウエハ表面に向けて上方に設けたノズルから塗布液の供給を行い、塗布液をウエハの遠心力により拡散させることでウエハ全体に液膜を形成するいわゆるスピンコーティング法により行われていた。
【０００３】
ところで近年要求の高まってきているパターンの微細化に対応するには、できるだけ前記液膜を薄くする必要がある。上記の方法ではウエハ回転数を上げることで液膜の膜厚を薄くすることが可能だが、ウエハ回転数を上げると、例えば空気の乱流が発生して膜厚の均一性が低下するといった問題があり、近頃では例えば特開２０００−７７３２６号公報に記されるようなスピンコーティング法によらない塗布装置が検討されている。
【０００４】
この方法は、ウエハＷ上方に、該ウエハＷと対向する塗布液の吐出孔１１を有するノズル１を設け、図１０にしめすようにこのノズル１を図示しないガイド部材に沿ってＸ方向に往復させると共にウエハＷをＹ方向に間欠送りし、いわゆる一筆書きの要領でウエハＷ表面に塗布液を供給するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、層間絶縁膜は基板上に重ねて設けられる例えば回路パターン同士の間を埋めるものであり、その表面は上層の回路パターンの下地となることからできるだけフラットであることが好ましい。しかしながら被塗布面に段差の大きなパターンが形成されていた場合には、パターンの凹凸が液膜の表面形状に反映されてしまうという問題があり、上記いずれの方法においても一回の塗布では表面形状をフラットとすることはできなかった。仮に複数回塗布を行えば、平坦化は可能であるが本来の目的である薄膜化の達成とは相反する結果となってしまう。このため現在では塗布液供給及び乾燥の各工程を経て液膜を硬化させた後、研磨部材である研磨布の表面に機械的研磨粒子及び化学的研磨粒子を含む研磨液を滴下し、この研磨布の表面をウエハの被研磨面（塗布膜）に押し付けて、当該被研磨面の一部を除去するＣＭＰ（chemical mechanical polishing）と呼ばれるプロセスにより塗布膜表面の研磨を行い、凹凸を解消している。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、表面に段差のある基板に対して塗布液の液膜を形成するときに、該液膜の薄膜化を図ると共にその表面の平坦化を図ることができる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に半導体デバイスの回路パターンである凹凸を有する基板に対して塗布液を供給し、該基板の表面に、その硬化により塗布膜が形成される液膜を形成する塗布装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板に、塗布液の供給を行う主塗布液ノズルと、
この主塗布液ノズルにより形成された液膜の表面を概ね平坦とするために、該液膜表面に生じた凹部に対し、塗布液を供給する補助塗布液ノズルと、
基板表面を細分化した細分化領域の位置と、各細分化領域における回路パターンの配列密度とを対応させたパターン情報を記憶する記憶部と、
この記憶部に記憶された前記情報に基づいて、基板に対する補助塗布液ノズルの相対位置及び各位置における塗布液の吐出量を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
具体的には、例えば塗布液を塗布する前に基板表面のスキャンを行って、該基板の表面における位置と凹凸の状態とを対応させた情報を記憶しておき、主塗布液ノズルによる塗布終了後、補助塗布液ノズルにて前記情報に基づいて推測される液面の凹部に対して塗布液の追加供給を行うことができるような装置構成とすることが好ましい。このような構成によれば、塗布液の液面は概ね基板表面の凹凸形状を反映することから液面に生じる凹部を概ね的確に把握することができ、結果的に追加する塗布液の量を最小限に抑えると共に、該塗布液の液面の平坦化を図ることができる。
【０００９】
更に本発明は、特に半導体デバイスの製造において、表面に回路パターンが形成された基板を用い、層間絶縁膜を形成するときに有効である。この場合において補助塗布液ノズルにはインクジェットノズルを用いることが好ましい。またパターン情報は、例えば撮像手段にて基板表面の撮像を行い、色のコントラストに基づき把握することが好ましい。
【００１０】
以上において、塗布液供給部は、基板を保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、当該基板に塗布液を線状に吐出する主塗布液ノズルと、
この主塗布液ノズルを前記基板と相対的に移動させる駆動機構と、を備え、
主塗布液ノズルをＸ方向に移動させて塗布液を基板表面に直線状に塗布した後、今度は主塗布液ノズルをＹ方向に間欠移動させて主塗布液ノズルを既に塗布された領域の隣の領域と対向させ、こうしてＸ方向に塗布した領域をＹ方向に順次並べていくものであることが好ましく、塗布液供給部をこのような構成とすることで液膜表面の平坦化と併せて、塗布膜の薄膜化をも図ることが可能となる。
【００１１】
また本発明に係る塗布方法は、表面に凹凸を有する基板を水平保持し、該基板表面に主塗布液ノズルから塗布液を供給して、その硬化により塗布膜が形成される液膜を形成する工程と、
記憶部に記憶された、基板表面を細分化した細分化領域の位置に基づいて、基板に対する補助塗布液ノズルの相対位置を制御する工程と、
前記液膜の表面を概ね平坦とするために、基板に対する補助塗布液ノズルの各相対位置において、記憶部に記憶された各細分化領域における回路パターンの配列密度に応じた吐出量で補助塗布液ノズルから基板に塗布液を供給する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布装置の実施の形態について、半導体デバイスの製造に用いられる絶縁膜形成装置１００と検査装置２００とを組み合わせたシステムを例にとり、図１の平面図及び図２の斜視図を参照しながら説明を行う。先ず絶縁膜形成装置１００から説明を行うと、図中Ａ１はカセットステーションであり、例えば基板であるウエハＷを２５枚収納したカセットＣを載置する載置部２１と、載置されたカセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段２２とが設けられている。カセットステーションＡ１の奥側には周囲を筐体２３により囲まれる処理部Ａ２が接続されており、その中央には主搬送手段２４が設けられている。
【００１３】
主搬送手段２４の周りには、これを取り囲むように例えばカセットステーション２１から奥を見て右側には例えば２個の塗布ユニット３を２段に積み重ねたユニット群Ｕ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されている。棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４には、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエハの受け渡しユニット、疎水化処理ユニット及びウエハＷの位置合わせユニット等が上下に割り当てられている。但し図２では便宜上受け渡し手段２２及び主搬送手段２４の図示を省略している。
【００１４】
ここで塗布ユニット３の内部について、図３及び図４を参照しながら説明を行う。３１は筐体であり、その底面にはＹ方向に延びるレール３２を介して筐体３１内の一端側から他端側まで移動可能な基体３３が設けられている。この基体３３の上面には、Ｘ方向に延びるレール３４を介して移動可能に構成される基板保持部３５が設けられており、この基板保持部３５はその上端部位にてウエハＷを裏面側から吸着し、水平に保持する構成とされている。即ち、基板保持部３５により保持されたウエハＷは、駆動機構３６の働きにより基体３３及び基板保持部３５を介して筐体３１内におけるＸ及びＹ方向の位置を自由に変えることができるようになっている。
【００１５】
また基板保持部３５の周囲には、該基板保持部３５と一体的に構成され、ウエハＷ表面よりも若干高いレベルまで立ち上げられたマスク支持部材３７が設けられており、その上端には上方から供給される塗布液がウエハＷの塗布膜供給領域以外の部位に付着することを防ぐように中央が大きく開口する着脱自在なマスク部材３８が設けられている。マスク支持部材３７及び筐体３１の側方には、例えばウエハＷの搬入出を行うための図示しない開口部が形成されている。
【００１６】
次に基板保持部３５上方に設けられる主塗布液ノズル４及び塗布液追加手段である補助塗布液ノズル５について説明を行う。主塗布液ノズル４は、先端の吐出孔４２が筐体３１天井部に形成されるスリット３１ａを介して該筐体３１内側に突出した状態で、筐体３１上方にＸ方向に沿って架設されたリニアスライド機構４１によって保持されており、制御部６からこのリニアスライド機構４１を駆動させることでＸ方向に移動できる構成とされており、補助塗布液ノズル５については、筐体３１天井部に形成される開口部３１ｂを介し、例えば先端の吐出孔５１が筐体３１内部に突出するように固定して設けられている。これら主塗布液ノズル４及び補助塗布液ノズル５の夫々には、図示しない塗布液供給源と接続する塗布液供給部４２が接続されており、例えば制御部６から塗布液供給部４２へ送信される制御信号に基づき塗布液の給断制御を行う構成とされている。
【００１７】
補助塗布液ノズル５には多数の吐出孔５１を有するインクジェットノズルからなるノズル部５２と、このノズル部５２により塗布液の供給を行う箇所を特定するために使用される撮像手段５３とが備えられており、例えばウエハＷを移動させながら撮像手段５３からウエハＷ表面の画像データの取得を行うことで、制御部６にてノズル部５２による塗布箇所を特定できるようになっている。ノズル部５２は例えばウエハＷ表面に形成される多数のチップのうち、一チップごとに例えば１８０ｄｐｉで液滴（塗布液）を吐出するように、多数の吐出孔５１を正方形状もしくは一列状に配列した構成とされており、一の吐出孔５１周辺について説明すると例えば図５及び図６に示す構成のものが用いられる。
【００１８】
ここに図示する吐出孔５１（ノズル部５２）は、塗布液の流路を挟むように対向してピエゾ素子を設け、両方のピエゾ素子を変形させることで塗布液を外方に押し出すシェアタイプと呼ばれる種類のインクジェットノズルであり、図中５４は塗布液供給部４２と接続する供給管であり、これに接続する液溜５５は先端に吐出孔５１が形成され、内部には供給管５４と吐出孔５１とを結ぶ線を挟むように板状のピエゾ素子５６が一対設けられている。簡単な作用を説明すると、供給管５４から送られてくる塗布液は一旦液溜５５に貯留され、液溜５５内に対向して設けられるピエゾ素子５６に電圧を印加することで、このピエゾ素子５６が図６に示すように機械的変形し、いわば注射器の要領で押し出された塗布液が液滴となって吐出孔５１から射出される。
【００１９】
次に表面観察装置２００について説明を行う。表面観察装置２００は図示しない搬入出ステージ及び搬送手段を介して絶縁膜形成装置１００との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されており、以下図７を参照しながら簡単に内部構成の説明を行う。図中７１はウエハ載置台であり、その下方側を支持する、例えばＸ方向に延びるレールとＹ方向に延びるレールとを上下に組み合わせてなる移動手段７２の働きによりＸＹ方向移動自在に構成されている。またウエハ載置台７２の上方には、ウエハＷ表面と対向する図示しない光等の照射装置や、この照射装置から照射されウエハＷ表面にて反射した光を検知する光学系イメージセンサー等を備え、ウエハＷ表面の様子を画像データとして読みとるためのスキャナー７３が設けられている。
【００２０】
更にこの表面観察装置２００内には、スキャナー７３にて得た画像データからウエハＷ表面に存在する欠陥箇所、即ち意図しない回路パターンが形成されてしまった部位の把握、或いはウエハＷ表面に形成されるパターン（凸部）の密度分布の把握を行うためのデータ処理部７４が設けられており、例えばオペレータが前記画像データを視認できるように例えばＣＲＴモニタ等の画像表示部７５と接続されている。このデータ処理部７４は、本実施の形態では主として後者の用途で用いられるものであり、詳細は作用の項にて説明するが例えば凸部の密度分布を５０階調のグレーイメージに変換し、画像表示部７５に表示すると共にそのデータを後述する制御部６へと送信できるようになっている。即ち、特許請求の範囲に記載の「基板の表面における位置と凹凸の状態とを対応させた情報を記憶する記憶部」は、表面観察装置２００単体或いは表面観察装置２００と制御部６とを組み合わせたものがこれに相当する。なお、ここで用いる表面観察装置２００には例えば商品名ＫＬＡ−２１３２等の欠陥検査装置、または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を利用することも可能である。
【００２１】
次いで上述実施の形態の作用について説明を行う。ここでは表面に凹凸が形成された基板、例えば回路パターンが形成されたウエハＷの表面に対し、塗布液を供給し、層間絶縁膜を形成する工程について順を追って説明する。即ち、以下の説明において塗布ユニット３にて用いられる塗布液は層間絶縁膜形成用の薬液例えばメチルポリシロキサンである。先ず回路パターンの形成がなされたウエハＷは表面観察装置２００へと搬送され、パターンの密度分布データの取得が行われる。ここでウエハＷ表面上の回路パターンは、例えば図８に示すように回路パターン形成領域Ｐ１を区画してなる多数のチップＰ２ごとに、同形状のものが繰り返すようにして形成されているため、密度分布の把握は一のチップＰ２についてのみ行い、他の部位については同様であるものとみなす。
【００２２】
従ってスキャナー７３が一のチップＰ２の真上に来るようにウエハ載置部７１を移動させると、スキャナー７３は該チップＰ２に形成されたパターンの画像データを撮像し、データ処理部では画像データから凸部の密度を示すグレーイメージへと変換し、次いで例えば図９に示すようにチップＰ２を格子状に細分化して各ブロック毎に凸部の粗密程度をランク付けする。ここでは凸部の密度がもっとも高い部位から順にａ，ｂ，ｃとして図示しており、これらブロックは、例えばノズル部５２における吐出孔５１の数及び位置と対応するように決定されている。なお、ここでは説明を分かりやすくするためにパターン密度を３段階に分けた例を示しているが、２段階或いは４段階以上であってもよく、実際には例えば３０段階に分けられる。また、各パターンは表面が平坦な基板上に同じ高さで形成されているため、例えば図９における点線部Ｐ３を横方向から見ると図１０(a)のように表される。
【００２３】
こうしてウエハＷ表面に形成されるパターンにおける密度分布が把握されると、ウエハＷは表面観察装置２００から搬出され、カセットステーションＡ１を介して絶縁膜形成装置１００内に搬入され、塗布ユニット３へと運ばれる。ウエハＷは塗布ユニット３に搬入される前に棚ユニットＵ２（Ｕ３，Ｕ４）に設けられた位置合わせユニットにてウエハＷの位置合わせ部例えばオリエンテーションフラットあるいはノッチなどが所定の向きになるようにセットされる。塗布ユニット３内にてウエハＷが基板保持部３５により吸着保持されると、先ず主塗布液ノズル４のＸ方向における移動領域がウエハＷの一端に位置するように基体３３をＹ方向に移動させ、主塗布液ノズル４をリニアスライド機構４１の一端側へと移動させる。
【００２４】
そしてウエハＷを停止させておいて主塗布液ノズル４による塗布液の吐出を行いながら一端側から他端側へスキャン（往路）を行い、他端側にて折り返した主塗布液ノズル４が復路にて塗布膜形成領域上方に至るまでの間（主塗布液ノズル４がマスク部材３８上方を移動する間）に基体３３をＹ方向に微少量例えば０．５ｍｍ移動させ、これを繰り返すことで図１１に示すように互いに隣接する塗布液の線が、ウエハＷ表面のマスク部材３８に覆われない部分、即ち回路パターン形成領域Ｐ１全域に配列されていき、結果として液膜が形成される。図１０(b)は液膜形成後の図９におけるＰ３部位を示す縦断面図であり、図示するように液面は下部側のパターンの凹凸を反映した形状となる。
【００２５】
そこで今度は液面に生じた凹凸を平坦化するべく、補助塗布液ノズル５を用いて塗布液の追加供給を行う。既述のように塗布液の追加供給はウエハＷ上に形成される各チップ毎に同条件にて繰り返し行われるため、先ず撮像手段５３にてウエハＷの撮像を行ってウエハＷ上の基準マークを把握し、この基準マークに基づいて制御部６にて塗布開始チップの特定を行い、しかる後に塗布が開始される。
【００２６】
ここでウエハＷの位置合わせに関して述べておくと、ウエハＷ表面に配列されている各チップと基準マークとの位置関係はウエハＷの種類が同じであれば一義的に決まっているので、その位置関係を示すデータを制御部６側に持たせておけば、基準マークを撮像したときのウエハＷの座標位置と前記データとに基づいて各チップの特定位置例えばチップの四隅の一個所を、補助塗布液ノズル５から塗布液が吐出される位置に合わせることができる。なお補助塗布液ノズル５から塗布液が吐出される座標位置と、撮像手段により撮像される位置との相対位置は制御部６側に記憶されているものとする。このようにウエハＷ上の基準マークを撮像することにより、制御部６は各チップ上の任意の位置（ウエハＷ上の位置）を補助塗布液ノズル５から塗布液が吐出される位置に合わせることができるので、既に表面観察装置２００にて取得した各チップ上の位置とパターンの密度分布との関係データに基づいて、各チップの各位置（領域）に対して、その位置（領域）のパターン密度に応じた量の塗布液を供給することができる。この例では既述のように塗布ユニット３内に搬入されたウエハＷの向きは位置合わせされるが、基板保持部３５を回転自在に構成し、撮像手段５３によりウエハＷを観察しながら例えばチップの配列ラインを見ながら画像処理によりウエハＷの向きを更に精度良く自動で合わせるようにしてもよい。
【００２７】
次いで、一のチップに対する液供給について説明を行う。補助塗布液ノズル５がチップの各部位毎に供給する塗布液の量は、先に表面観察装置２００にて把握した図９に示す密度分布データに基づき決定される。即ち、全ての窪みごとにピンポイントで塗布液を供給するのではなく、吐出孔５１に対応して区分けされるブロック毎に塗布液の供給を行う。このようにしたのは、密度分布データと液面の凹凸の大小とが概ね比例することと、吐出孔５１から吐出される塗布液は例えば吐出孔５１直下から周囲（図１０では左右方向）に３０μｍ程度広がるため、凹凸を埋めるにあたり最適な量から僅かに外れていたとしてもそれほど大きな凹凸は残らないという理由による。
【００２８】
例えば図１０において同じ密度ｂにランクされる▲２▼及び▲４▼の各ブロックでは、パターンの数が▲２▼で３箇所、▲４▼で２箇所であり、同量の塗布液を供給したのでは差が生じそうにも思えるが、ａ〜ｃの各ランクの幅は隣接するブロック側から広がってくる液との兼ね合いで、概ね凹凸が残ることなく平坦化する範囲内で設定されている。従って例えば図１０(c)に示すように目標とする液面のラインを点線Ｌ１としたとき、吐出孔５１からは各ブロックの密度に応じた量の塗布液の射出が行われ、中央部に供給された塗布液は、該中央部から周囲に広がり結果的に図１０(d)に示すように平坦化することとなる。
【００２９】
このような補助塗布液ノズル５による塗布液の追加供給は、駆動機構３６の働きによりウエハＷの位置を動かしながら、ウエハＷ上の全てのチップについて繰り返し行われる。既にウエハＷの位置合わせについては説明してあるが、制御部６は最初に追加塗布を行ったチップの座標を既に把握しているため、当該座標から相対的に他のチップの座標が導かれ、各チップについて順次液面の平坦化が行われる。そして全てのチップについて処理が終了すると、ウエハＷは塗布ユニット３から搬出され、棚ユニットＵ２（Ｕ３，Ｕ４）内で乾燥等の処理を経ることで層間絶縁膜が完成する。
【００３０】
これまで述べてきたように上述実施の形態によれば、ウエハＷに対して塗布膜を形成した後に生じる液面の凹凸の大小を、予め塗布処理を行う前に表面観察装置２００にて取得しておいたパターンの密度分布データに基づいて判断しておき、一旦塗布液を供給した後に、前記判断に基づく量の塗布液を各部位に追加供給するようにしているため、塗布液の使用量を最小限に抑えながら平坦な液膜を形成することができる。また、発明が解決しようとする課題の項で述べたＣＭＰの如き研磨工程を行わなくて済み、且つウエハＷを塗布ユニット３から別ユニットへ搬送することなく、同一ユニット内で塗布液供給と平坦化を行うことができるため、スループットの向上にも有効である。
【００３１】
更に塗布ユニット３では、スピンコーティングを用いず、塗布液を細径のノズルから線状に供給する方式のものを採用し、これをインクジェットノズルからなる補助塗布液ノズル５と組み合わせた構成としているため、液膜の薄膜化を図ると共により少ない塗布液の追加で平坦化を図ることができ、組み合わせによる効果が大きいという利点もある。
【００３２】
なお本実施の形態では、補助塗布液ノズル５にて塗布液の追加供給を行うにあたり、表面観察装置２００にて把握した密度分布に基づいて、補助塗布液ノズル５の吐出孔５１と対応するように定めた格子状のブロックごとに塗布液の供給量を変化させるようにしたが、例えば図１２に示すような手法によることも可能である。即ち、この手法は先ず図１２(a)に示すように主塗布液ノズル４にて塗布液の供給を行った後、補助塗布液ノズル５に備えられる撮像手段７３にてウエハＷ全面をスキャンして凹部の位置を記録し、しかる後図１２(b)及び(c)に示すように記録した凹部に向けてピンポイントで塗布液の追加供給を行い、その後乾燥する手法である。このような手法によれば、上述実施の形態よりもより精度の高い液面の平坦化を達成することが可能であり、且つ追加する塗布液の使用量も一層減らすことができる。
【００３３】
また、補助塗布液ノズル５により塗布液の追加供給を行う位置、及びその位置における塗布液の吐出量を把握する方法は上述のものに限られるものではなく、例えばパターンを形成するときに用いた露光マスクの設計データからウエハＷ表面におけるパターン（凸部）の密度分布を把握し、その粗密の程度に応じた量の塗布液を液膜表面に追加供給するようにしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面に段差のある基板に対して塗布液の液膜を形成するときに、該液膜の薄膜化を図ると共にその表面の平坦化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る塗布装置の実施の形態を表す平面図である。
【図２】本発明に係る塗布装置の実施の形態を表す斜視図である。
【図３】塗布ユニットを表す縦断面図である。
【図４】塗布ユニットを表す平面図である。
【図５】前記塗布ユニット内に設けられる補助塗布液ノズルにおける吐出孔近傍を説明するための概略斜視図である。
【図６】前記補助塗布液ノズル内のピエゾ素子の働きを示す縦断面図である。
【図７】表面観察装置の内部構造を表す概略斜視図である。
【図８】ウエハＷ表面に区分けされるチップの配置イメージを示す概略平面図である。
【図９】前記チップにおけるパターンの密度分布を示す説明図である。
【図１０】本実施の形態における作用を示す作用説明図である。
【図１１】本実施の形態における作用を示す作用説明図である。
【図１２】本発明に係る他の実施の形態における作用を示す作用説明図である。
【符号の説明】
Ｗ        半導体ウエハ
３        塗布ユニット
３５      基板保持部
３６      駆動機構
３８      マスク部材
４        主塗布液ノズル
５        補助塗布液ノズル
５１      吐出孔
５２      ノズル部
５３      撮像手段
５６      ピエゾ素子
６        制御部
７        検査装置
７１      ウエハ載置台
７２      移動手段
７３      スキャナー
７４      データ処理部
【図１】
0003862526.tif 000002
【図２】
0003862526.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003862526.tif 000007
【図７】
0003862526.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003862526.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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