(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された複数のゲート信号線と、これらゲート信号線と交差して形成された複数のドレイン信号線と、
これら各信号線に囲まれた反射領域および透過領域を有する画素領域に、前記ゲート信号線とドレイン信号線とに接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを介してそれぞれに映像信号が供給される反射電極および透明電極とを具備し、
前記反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間にそれらの辺にまで重畳させて金属の遮光膜と半導体層の順次積層体が形成されており、
前記遮光膜は前記反射電極と前記絶縁基板との間に位置しており、前記半導体層は前記遮光膜と前記反射電極との間に位置しており、
前記遮光膜は、平面的に見たときに前記ゲート信号線と重畳しない位置に、前記ゲート信号線と同時に形成され、前記半導体層は前記薄膜トランジスタの半導体層と同時に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間は前記ゲート信号線あるいはドレイン信号線の形成領域に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
遮光膜はゲート信号線あるいはドレイン信号線の形成領域に隣接して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
遮光膜は前記ゲート信号線と同層で形成され、半導体層は薄膜トランジスタのそれと同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
ドレイン信号線はその全幅にわたって反射電極の下層に該反射電極と重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間は異なる色のカラーフィルタの境界部が位置づけられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間は緑あるいは青のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間は異なる色のカラーフィルタの重畳部が位置付けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間は異なる色のカラーフィルタの重畳部が位置付けられ、その少なくとも一方のカラーフィルタは緑あるいは青であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
カラーフィルタは前記絶縁基板に対して液晶を介して対向配置される他の絶縁基板側に形成されていることを特徴とする請求項６、７、８、９のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、少なくとも反射型として機能するアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、ｘ方向に並設されｙ方向に並設されたゲート信号線とｙ方向に並設されｘ方向に並設されたドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に、片側のゲート信号線からの走査信号（電圧）によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン信号線からの映像信号（電圧）が供給される画素電極とを備えている。
【０００３】
この画素電極は他方の基板側に各画素領域に共通に形成した対向電極との間に電界を発生せしめ、それらの間の液晶の光透過率を制御するようになっている。そして、前記画素電極としてその一部あるいは全部を光反射率の高い金属層で形成し、これにより少なくとも反射型として機能する液晶表示装置が知られている。
このような液晶表示装置は、たとえば太陽等の外来光を利用して映像を認識させるもので、電力消費の節減が図れるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような液晶表示装置は、少なくとも反射型として機能させる場合、使用する場所によって外来光の量が充分でない場合もあることから開口率の向上が図れた構成とすることが他の種類の液晶表示装置よりも重要となってくる。
【０００５】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は開口率の向上を図った構成の液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、信号線による光反射を無くした液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、一部反射型として構成する場合（バックライトを備える構成）、該バックライトからの光漏れを防止した液晶表示装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００７】
すなわち、本発明による液晶表示装置は、たとえば、絶縁基板上に形成された複数のゲート信号線と、これらゲート信号線と交差して形成された複数のドレイン信号線と、
これら各信号線に囲まれた画素領域に、前記ゲート信号線とドレイン信号線とに接続された薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続された反射電極とを具備し、
前記反射電極と隣接する他の画素領域における反射電極との間にそれらの辺にまで重畳させて少なくとも遮光膜と半導体層の順次積層体が形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
このように構成された液晶表示装置は、各画素領域における反射電極との間に遮光膜が形成されていることから、それと同様の機能を有するブラックマトリクスを他の絶縁基板側に設けなくても済むようになる。
このことは、一方の絶縁基板と他方の絶縁基板との重ね合わせ公差を考慮することなく前記遮光膜の幅を小さくすることができ、開口率を向上させた構成とすることができる。
また、遮光膜の上方には半導体層が積層された構成となっているため、外来光の前記遮光膜に対する反射を前記半導体層によって大幅に低減させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
【００１０】
実施例１．
《等価回路》
図２は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
同図において、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
【００１１】
前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００１２】
各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬからの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電圧）が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００１３】
また、画素電極ＰＸと前記一方のゲート信号線ＧＬと隣接する他方のゲート信号線ＧＬとの間には容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＸに供給された映像信号を長く蓄積させるようになっている。
【００１４】
各画素領域における画素電極ＰＸは、液晶を介して対向配置される他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にて各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生せしめるようになっており、これにより各電極の間の液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００１５】
各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子部ＤＴＭが形成されている。
【００１６】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載されたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と称されている。
【００１７】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになっており、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続されるようになっている。
【００１８】
前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板ＳＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっている。
そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機能も兼ねている。
【００１９】
なお、上述した説明では、ＣＯＧ方式を用いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式によって形成されたもので、その出力端子が透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の端子部に接続されるようなっている。
【００２０】
《画素の構成》
図１は前記透明基板ＳＵＢ１上の一画素領域の構成を示す平面図であり、図２の点線枠Ａに示す部分に相当する平面図となっている。
また、図３は図１のIII−III線における断面図を、図４は図１のIV−IV線における断面図を示している。
【００２１】
図１において、まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。
このゲート信号線ＧＬはたとえばアルミニウム（Ａｌ）からなり、その表面は陽極酸化されている。
そして、この実施例では、このゲート信号線ＧＬの形成と同時に形成されるＡｌからなる遮光膜ＳＨＬが画素領域内に形成されている。
【００２２】
この遮光膜ＳＨＬは、たとえば画素領域に対して下側のゲート信号線ＧＬと後述するドレイン信号線ＤＬのうち右側のドレイン信号線ＤＬに隣接して配置され、逆”Ｌ”字形のパターンを有するようにして形成されている。この遮光膜ＳＨＬの表面もゲート信号線ＧＬと同様に陽極酸化されている。
【００２３】
そして、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域、後述のドイレン信号線ＤＬの形成領域、および前記遮光膜ＳＨＬの上面には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる絶縁膜ＧＩおよびアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳの順次積層体が形成されている。
【００２４】
薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において、前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極、前記絶縁膜ＧＩをゲート絶縁膜、前記半導体層ＡＳをチャネル形成部とし、この半導体層ＡＳの上面にドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２を形成することによって逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタからなる薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。
なお、該ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２は、後述するドレイン信号線ＤＬの形成と同時に形成されるようになっている。
【００２５】
後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域の絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの順次積層体は、前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を有するとともに、該ドレイン信号線ＤＬの走行方向に沿って急俊な段差を生じせしめない構成となっている。
【００２６】
遮光膜ＳＨＬ上に形成される絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの順次積層体は、少なくとも前記半導体層ＡＳによって外来光の前記遮光膜ＳＨＬによる反射光の影響を緩和させる機能を持たせるようにしている。このことに関しては後に詳述する。
【００２７】
そして、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。この場合、これらドイレン信号線ＤＬは前述した絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの順次積層体上に形成されている。
【００２８】
また、ドレイン信号線ＤＬの一部を薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域における半導体層ＡＳの上面にまで延在させて形成することにより、その延在部は該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１として形成される。
【００２９】
また、この時、前記ドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長に相当する長さ分だけ離間させてソース電極ＳＤ２が形成されている。このソース電極ＳＤ２は後述の画素電極ＰＸと接続されるもので、その接続部を確保するために、画素領域の中央側に若干延在させた延在部を有するパターンとなっている。
【００３０】
なお、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層として機能するようになっている。
【００３１】
前記半導体層ＡＳを形成した後、その表面に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成した後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された不純物がドープされた半導体層をエッチングすることにより、上述した構成とすることができる。
【００３２】
そして、このようにドレイン信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２）が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該ドレイン信号線ＤＬ等をも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ１が形成されている。
【００３３】
この保護膜ＰＳＶ１は薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するため等に設けられるもので、また、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２の延在部の一部を露出させるためのコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００３４】
また、この保護膜ＰＳＶ１の上面には画素領域を被ってたとえばクロム（Ｃｒ）およびアルミニウム（Ａｌ）の順次積層体からなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは反射電極としての機能を有し、外来光が後述の透明基板ＳＵＢ２側から光透過率が制御される液晶ＬＣを通して前記画素電極ＰＸで反射され、再び透明基板ＳＵＢ２側（観察者側）へ出射されるようになっている。画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を回避して形成されており、たとえば図中左側と上側の各画素領域の一部にまで及んで形成されている。
【００３５】
換言すれば、図中左側と上側の各画素領域との間にそれぞれ形成されるドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬは前記画素電極ＰＸによって被われた構成となっている。このことは、説明の対象になっている画素領域の下側のゲート信号線ＧＬおよび右側のドレイン信号線ＤＬは、該画素領域の下側の画素領域および右側の画素領域の各画素電極ＰＸによってそれぞれ被われた構成となっていることを意味する。
【００３６】
これにより、ゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬは、画素電極ＰＸを構成する不透明な金属層で被われることになり、該各信号線の外来光による反射を回避できる構成となっている。
【００３７】
画素領域における画素電極ＰＸにおいて、その下側辺および右側辺は該画素領域内に位置づけられているが、そのいずれの辺も前記遮光膜ＳＨＬ上に位置づけられ、また、この遮光膜ＳＨＬ上において隣接する他の画素領域の画素電極ＰＸと間隙を有して近接されている。
【００３８】
なお、画素電極ＰＸは、保護膜ＰＳＶ１の前記コンタクトホールＣＨをも被うようにして形成され、これにより薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続されるようになっている。
【００３９】
さらに、このように画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該画素電極ＰＸをも被ってたとえばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる保護膜ＰＳＶ２が形成されている。この保護膜ＰＳＶ２は前記画素電極ＰＸの液晶との直接の接触を回避させるための膜で、金属層による液晶の特性劣化を防止するようになっている。
【００４０】
そして、保護膜ＰＳＶ２の上面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ１によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようになっている。
【００４１】
一方、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を含む周辺にブラックマトリクスＢＭが形成されている（図１参照）。
このブラックマトリクスＢＭは、外来光が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するのを回避させる機能のみを持たせ、このため、島状のパターンとして形成されたものとなっている。
【００４２】
本来、ブラックマトリクスＢＭは、ゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬ上にも形成し、表示のコントラストを向上させるようにするのが通常であるが、本実施例の場合、画素電極ＰＸの一部がこの機能を兼ねているため、上述したようなパターンとなっている。
そして、透明基板ＳＵＢ２には、該ブラックマトリクスＢＭをも被って、カラーフィルタＦＩＬが形成されている。
【００４３】
このカラーフィルタＦＩＬは、たとえばｙ方向に並設される各画素領域において同色の共通のフィルタが用いられ、ｘ方向の各画素領域毎にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に繰り返されて配列されている。
【００４４】
この場合、各カラーフィルタＦＩＬは隣接する他のカラーフィルタＦＩＬと重畳することなく当接され、この当接部は透明基板ＳＵＢ１側に形成された遮光膜ＳＨＬのうちドレイン信号線ＤＬと平行に形成された遮光膜ＳＨＬのほぼ中心軸に一致づけられて配置されている。図５は透明基板ＳＵＢ１とカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２との位置関係を示す図（図１に対応している）で、カラーフィルタＦＩＬと隣接する他のカラーフィルタＦＩＬの境界部は遮光膜ＳＨＬ上に位置づけられている。
【００４５】
このようにブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には該カラーフィルタＦＩＬも被ってたとえば塗布等により形成された樹脂からなる平坦化膜ＯＣが形成され、その表面に該ブラックマトリクスＢＭによる段差が顕在されないようになっている。
そして、この平坦化膜ＯＣの表面には各画素領域に共通にたとえばＩＴＯからなる対向電極ＣＴが形成されている。
【００４６】
この対向電極ＣＴは各画素領域における画素電極ＰＸとの間に映像信号（電圧）に対応した電界を発生せしめ、これら各電極との間の液晶ＬＣの光透過率を制御するようになっている。
【００４７】
さらに、このように対向電極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には、該対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ２は液晶と接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ２によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようになっている。
【００４８】
このように構成された液晶表示装置は、各画素領域の画素電極ＰＸは、それと隣接する他の画素電極ＰＸとの間の領域に遮光膜ＳＨＬが形成されていることから、それと同様の機能（コントラストの向上）をもたせるブラックマトリクスを他の透明基板ＳＵＢ２側に設けなくても済むようになる。
【００４９】
このことは、一方の透明基板ＳＵＢ１と他方の透明基板ＳＵＢ２との重ね合わせ公差を考慮することなく前記遮光膜ＳＨＬの幅を小さくすることができ、開口率を向上させた構成とすることができる。
【００５０】
また、遮光膜ＳＨＬの上方には半導体層ＡＳが積層された構成となっているため、外来光の前記遮光膜ＳＨＬに対する反射を前記半導体層ＡＳによって大幅に低減させることができる。
ａ−Ｓｉからなる半導体層ＡＳは暗赤褐色を呈し、遮光膜ＳＨＬで反射した光は該半導体層ＡＳを通過して赤系の色となる。
【００５１】
また、不透明な金属によって構成される画素電極ＰＸは、画素領域の図中上側に形成されるゲート信号線ＧＬ、図中左側に形成されるドレイン信号線ＤＬを超えて隣接する画素領域にまで及んで形成され、前記各信号線は画素電極ＰＸによって被われるようになる。
このため、ゲート信号線およびドレイン信号線ＤＬの外来光による反射を回避できる構成となっている。
【００５２】
そして、ゲート信号線ＧＬとこのゲート信号線ＧＬを被う画素電極ＰＸとの間には保護膜ＰＳＶ１を誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄが形成されるが、該画素電極ＰＸは前記ゲート信号線ＧＬをその幅方向の全部を被って形成するため、それらの重なり部の面積を大きくでき、該容量素子Ｃａｄｄの容量を大きくできる効果を奏する。
【００５３】
《製造方法》
以下、上述した液晶表示装置の製造方法の一実施例を図６を用いて説明をする。なお、図６は図１のIV−IV線における断面を示す部分となっている。
【００５４】
工程１．（図６（ａ））
透明基板ＳＵＢ１上に、Ａｌを３００ｎｍスパッタリング法を用いて堆積する。ホト工程後、燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液でエッチングし、レジスト膜を剥離し、ゲート信号線ＧＬを形成する。この際、遮光膜ＳＨＬも同時に形成する。
すなわち、遮光膜ＳＨＬはゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成し、これにより該遮光膜ＳＨＬの形成において工程を増大させる必要はなくなる。
【００５５】
パターニングしたＡｌ表面を酒石酸溶液中で陽極酸化し、陽極酸化膜を１８０ｎｍ形成する。この陽極酸化膜の形成は、Ａｌはいわゆるヒロックが生じ易く、この後の工程で層間絶縁膜を介してドレイン信号線ＤＬを形成した場合に、該層間絶縁膜を貫通してショートが生じるのを防止するためである。
【００５６】
工程２．（図６（ｂ））
透明基板ＳＵＢ１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＮからなる絶縁膜を２４０ｎｍ堆積し絶縁膜ＧＩとする。次にアモルファスＳｉを２００ｎｍ堆積した後、燐（Ｐ）を１％ドーピングしたｎ＋アモルファスＳｉを３５ｎｍ堆積し、半導体層ＡＳとする。
ホト工程後、六フッ化硫黄ガスを用いて前記絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの積層体を一括ドライエッチングする。
【００５７】
この場合、上層の半導体層ＡＳを構成するアモルファスＳｉのエッチング速度の方が下層の絶縁膜ＧＩを構成する窒化シリコンよりも速い。このため、絶縁膜ＧＩの端部を約４°の順テーパ、半導体層ＡＳの端部を７０°の順テーパ形状とした、略同一パターンに形成できる。
【００５８】
そして、このことから、絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの積層体はその側壁面が滑らかとなり急俊が段差が生じるのを回避でき、該段差による配線層等との段切れを防止できるようになる。
【００５９】
工程３．（図６（ｃ））
透明基板ＳＵＢ１上に、スパッタリング法を用いてＣｒを３０ｎｍ堆積した後、Ａｌを２００ｎｍ堆積する。
ホト工程後、燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液でＡｌをエッチングし、硝酸セリウム第二アンモン溶液を用いてＣｒをエッチングしドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２を形成する。
【００６０】
次に、六フッ化硫黄ガスを用いたドライエッチングし、半導体層ＡＳの上層のｎ＋アモルファスＳｉの除去後、レジスト膜を剥離する。
透明基板ＳＵＢ１上に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを６００ｎｍ堆積する。ホト工程後、六フッ化硫黄ガスを用いてドライエッングによりパターニングする。レジスト膜を剥離して、第１保護膜ＰＳＶ１、およびそのコンタクト孔ＣＨを形成する。
【００６１】
工程４．（図６（ｄ））
透明基板ＳＵＢ１上に、スパッタリング法を用いてＣｒを３０ｎｍ堆積した後、Ａｌを２００ｎｍ堆積する。
ホト工程後、燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液でＡｌをエッチングし、硝酸セリウム第二アンモン溶液を用いてＣｒをエッチングし画素電極ＰＸを形成する。
【００６２】
透明基板ＳＵＢ１上に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを３００ｎｍ堆積する。ホト工程後、六フッ化硫黄ガスを用いてドライエッチングし、パターニングする。レジスト膜を剥離して、第２保護膜ＰＳＶ２を形成する。
【００６３】
実施例２．
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で図１と対応した図となっている。また、図７のVIII−VIII線における断面図を図８に示している。
図１の場合と異なる部分は透明基板ＳＵＢ２側に形成するカラーフィルタＦＩＬにある。
【００６４】
各カラーフィルタＦＩＬとこのカラーフィルタＦＩＬに隣接する他のカラーフィルタＦＩＬとの隣接部は遮光膜ＳＨＬの上方に位置づけられ、かつ、この遮光膜ＳＨＬの上方で一方のカラーフィルタＦＩＬが他方のカラーフィルタＦＩＬに重畳されて形成されている。
【００６５】
そして、この場合、重畳された少なくとも一方のカラーフィルタＦＩＬは緑色あるいは青色のカラーフィルタＦＩＬとなっており、少なくとも赤色のカラーフィルタＦＩＬのみが重畳された状態とはならないように構成されている。
【００６６】
上述したように、半導体層ＡＳによって被われた遮光膜ＳＨＬで反射した外来光は該半導体層ＡＳを通って赤系の色となり、前記カラーフィルタＦＩＬの重畳部に照射されるようになるが、該重畳部の上層のカラーフィルタＦＩＬの色が緑色あるいは青色であるため、この光の吸収がなされ反射光の低減を図ることができる。
【００６７】
なお、上層となるカラーフィルタＦＩＬ（液晶ＬＣ側のカラーフィルタ）が赤色の場合、反射した外来光は赤色のカラーフィルタを通過するが、下層に緑色あるいは青色のカラーフィルタが存在するので、この光の吸収がなされる。したがって、したがって、カラーフィルタＦＩＬの色はどの順番で重畳させてもよい。
【００６８】
このような趣旨から、遮光膜ＳＨＬの上方におけるカラーフィルタＦＩＬは隣接する他のカラーフィルタとの重畳部を形成する必要はなく、緑色あるいは青色のカラーフィルタＦＩＬが配置されていれば同様の効果を奏することができる。
【００６９】
実施例３．
図９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図７に対応した図となっている。また、図１０は図９のX−X線における断面図（透明基板ＳＵＢ１側のみ）となっている。
【００７０】
本実施例による液晶表示装置は、一部透過および一部反射の構成となっており、背面にバックライトを備えて使用され、表示の際にも場合に応じてその点灯および消灯が切り替られるようになっている。
【００７１】
図７の場合と異なる部分は、まず、金属層で形成した画素電極ＰＸ１（図７の画素電極ＰＸに相当する）は画素領域において、たとえばその約半分の領域を占める部分に開口部ＨＯが設けられている。
すなわち、この画素電極ＰＸ１の開口部ＨＯがバックライトからの光を透過する部分となっている。
【００７２】
また、図１０に示すように、保護膜ＰＳＶ２の上面において、たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる画素電極ＰＸ２が画素領域の周辺を除く大部分の領域にわたって形成されている。
【００７３】
この画素電極ＰＸ２は、図示していないが保護膜ＰＳＶ２に形成したコンタクト孔を通して前記画素電極ＰＸ１に接続され、この画素電極ＰＸ１に供給される映像信号が画素電極ＰＸ２にも供給されるようになっている。
【００７４】
すなわち、画素電極ＰＸ１の開口部ＨＯにおける電界の発生は画素電極ＰＸ２によって行うようになっており、バックライトからの光は該電界によって光透過率が変化する液晶を通して観察者側へ照射されるようになっている。
【００７５】
このように構成された液晶表示装置は、各画素電極ＰＸ１とこの画素電極ＰＸ１と隣接する他の画素電極ＰＸ１との間において、遮光膜ＳＨＬが存在することから、バックライトからの光漏れが生じなくなる効果を奏する。
【００７６】
この実施例では、たとえばＩＴＯ膜からなる画素電極ＰＸ２を保護膜ＰＳＶ２の上面に形成したものである。しかし、ゲート信号線ＧＬおよび遮光膜ＳＨＬと同層に形成するようにしてもよいことはもちろんである。
【００７７】
このようにした場合、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２を形成する際に、このソース電極ＳＤ２を前記画素電極ＰＸ２の形成領域にまで延在させて形成することによって、それらの接続がなされ、コンタクト孔の形成等の工程を必要としなくなる効果を奏する。
【００７８】
実施例４．
図１１は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す断面図で、図４、図８、図１０に対応する図となっている。
上述した各構成と異なる部分は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能させる絶縁膜ＧＩにある。
【００７９】
すなわち、上述した各実施例では、該絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域、ドレンイ信号線ＤＬの形成領域、遮光膜ＳＨＬの形成領域に半導体層ＡＳとともに形成したものであるが、この実施例では、透明基板ＳＵＢ１の上面のほぼ全域に形成した構成となっている。
このようにした場合でも、本発明の効果が損なわれるものでなく、同様の効果を奏する。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、信号線による光反射を無くすことができる。
また、一部反射型として構成する場合（バックライトを備える構成）、該バックライトからの光漏れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体等価回路である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置のカラーフィルタの配置の詳細を示す平面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X線における断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ……透明基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＧＩ……絶縁膜、ＡＳ……半導体層、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＳＤ１……ドレイン電極、ＳＤ２……ソース電極、Ｃａｄｄ……容量素子、ＳＨＬ……遮光膜、ＰＳＶ……保護膜、ＢＭ……ブラックマトリクス、ＦＩＬ……カラーフィルタ、ＯＣ……平坦化膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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