(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを有し、少なくとも前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成し、かつ金属酸化物層は、下層にＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＳｎＴｉＯ4、ＳｒＳｎＯ3、ＢａＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成し、その上に前記下層の材料とは異なる材料であって、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年ハイビジョンをはじめとする高品位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少なく、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、すでに４０インチクラスの製品が開発されている（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．２  ７ページ）。
【０００３】
従来のＰＤＰの構成及びそのＰＤＰを用いた表示装置の構成について、図７〜図１０を用いて説明する。
【０００４】
図７は、ＰＤＰの画像表示領域における一部を断面で示す斜視図であり、図８にそのＰＤＰにおける前面ガラス基板を取り除いた概略平面図を示している。なお、図８においては表示電極群、表示スキャン電極群、アドレス電極群の本数などについては分かり易くするため一部省略して図示している。両図を参照しながらＰＤＰの構造について説明する。
【０００５】
図７、図８に示すように、ＰＤＰ１００は、フロート法による硼硅素ナトリウム系ガラスよりなる前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とからなり、前面ガラス基板１０１にはＮ本の表示電極１０３とＮ本の表示スキャン電極１０４（Ｎ本目を示す場合はその数字を付す）とが設けられ、その表示電極１０３及び表示スキャン電極１０４上には誘電体ガラス層１０５とＭｇＯからなる保護層１０６が設けられることにより前面パネルが構成されている。
【０００６】
また、背面ガラス基板１０２上には、Ｍ本のアドレス電極１０７群（Ｍ本目を示す場合はその数字を付す）が設けられ、そのアドレス電極１０７上に誘電体ガラス層１０８が形成されると共に、隔壁１０９が設けられ、そしてその隔壁１０９間に蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを設けることにより、背面パネルが構成されている。
【０００７】
そして、これらの前面パネルと背面パネルとを周辺部に形成した気密シール層１２１により張り合わせると共に、周辺部を封着し、前面パネルと背面パネルとの間に形成される放電空間１２２内に放電ガスが封入されることにより構成されている。なお、このような構成のＰＤＰにおいては、各電極１０３、１０４、１０７により３電極構造の電極マトリックスを有しており、表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７との交点に放電セルが形成されている。
【０００８】
また、前面パネルの電極としては、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、前面ガラス基板１０１上に透明電極１１１と銀電極１１２とから電極を形成したものと、前面ガラス基板１０１上に銀電極１１３からなる電極を形成したものがある。
【０００９】
このようなＰＤＰ１００を用いた表示装置は、図１０に示すようにＰＤＰ１００の各電極に接続した表示ドライバ回路１３１、表示スキャンドライバ回路１３２、アドレスドライバ回路１３３及びこれらの回路の制御を行うコントローラ１３４からなる駆動装置１３５を設け、コントローラ１３４の制御に従い、点灯させようとする放電セルにおいて表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７に所定の波形の電圧を印加して、その間でアドレス電極を行った後に、表示電極１０３と表示スキャン電極１０４間にパルス電圧を印加して維持放電を行う構成である。この維持放電により、当該放電セルにおいて紫外線が発生し、この紫外線により励起された蛍光体層が発光することで、放電セルが点灯し、各色セルの点灯、非点灯の組み合わせによって画像が表示される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のパネルでは各電極に銀（Ａｇ）電極を使用しているため、ＰＤＰの駆動中（特に高温高湿中）に電極中のＡｇが対向する電極に向けてマイグレーション（移動）を起こし、端子間がショートしたり、端子間に電流がリークしたりする課題がある。特に、前面ガラス基板や背面ガラス基板に、ガラス成分中にナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）を３重量％〜１５重量％で含有するフロートガラスを用いると、Ａｇのマイグレーションを特に高温高湿中で加速することが知られている。
【００１１】
また、図１１（ａ）、（ｂ）に従来のＰＤＰの電極引出し部を示しており、この図１１に示すように、従来のＮＴＳＣ（ＶＧＡ）仕様のＰＤＰでは、電極端子間の距離はアドレス電極１０７（１）と１０７（２）の間の場合、１６０μｍ程度で、表示スキャン電極１０４（１）と１０４（２）の間の場合、５００μｍ程度であるが、ハイビジョンやＳＸＧＡのような高精細パネルでは、電極端子間の距離は、ＮＴＳＣ（ＶＧＡ）の１／２程度になると考えられる。そのため、電極間の電解強度が２倍程度増大し、Ａｇのマイグレーションが益々起こり易くなる。
【００１２】
しかも、Ａｇのマイグレーション以外にも、フロートガラスを基板に用いた場合、Ａｇ電極の焼成工程や誘電体ガラス層の焼成工程中に電極中のＡｇがガラス基板中あるいは誘電体中にＡｇイオンの形で拡散し、そしてこの拡散したＡｇイオンがガラス基板中のスズ（Ｓｎ）イオンあるいはＮａイオンや誘電体ガラス中のナトリウム（Ｎａ）イオンあるいはＰｂイオンに還元されてＡｇのコロイド粒子を折出する。いわゆるＡｇコロイドによるガラスの黄変が発生し、（例えばＪ．Ｅ．ＳＨＥＬＢＹ  ａｎｄ  Ｊ．ＶＩＴＫＯ．Ｊｒ．  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆＮｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｏｌｉｄｓ  Ｖｏｌ．５０（１９８２）１０７−１１７）パネルの画質を著しく劣化させるという課題があった。特に、Ａｇコロイドによる黄変は、４００ｎｍの波長に吸収域があるため、青色の輝度の低下及び色度の悪化が起こり、パネルの色温度が低下するという課題が発生していた。
【００１３】
そこで、上述したようなＡｇマイグレーションやＡｇによる黄変を解決するために、ナトリウムを含有するフロートガラス上にＳｉＯ2膜をコートする方法が行われてきたが、ＳｉＯ2膜の熱膨張係数が４．５×１０-6（１／℃）と、フロートガラスの８．０×１０-6（１／℃）より低いため、ＳｉＯ2を成膜した後の焼成工程で膜中にクラックが生じるため、耐マイグレーション特性やＡｇによる黄変防止効果が不充分であった。特にハイビジョンやＳＸＧＡ等の高精細パネルにおいては、特に不充分であった。
【００１４】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、パネルのマイグレーションの防止と黄変の低減とを実現し、高輝度で高画質なＰＤＰを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成し、かつ金属酸化物層は、下層にＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＳｎＴｉＯ4、ＳｒＳｎＯ3、ＢａＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成し、その上に前記下層の材料とは異なる材料であって、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、放電空間が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを有し、少なくとも前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成し、かつ金属酸化物層は、下層にＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＳｎＴｉＯ4、ＳｒＳｎＯ3、ＢａＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成し、その上に前記下層の材料とは異なる材料であって、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したものであることを特徴とする。
【００２２】
このような本発明によれば、フロート法で作製されたナトリウムを含有するガラス基板上に、熱膨張係数がそのガラス基板に近い金属酸化物層を形成し、その上に少なくともＡｇを含有する金属電極を形成することにより、電極端子間におけるＡｇのマイグレーションを防止することができ、また次の誘電体の塗布焼成工程を経ても、電極によるガラス基板や誘電体の黄変を抑制することができる。そして、これにより従来のＡｇ電極を用いたパネルに比べて、信頼性を高めることができるとともに、青色の輝度及び色度を向上させることができ、高画質のパネルが得られる。なお、ＰＤＰにおいては、電極に透明電極を用いずＡｇが用いられている場合には、ガラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層スパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプレー熱分解法等によって形成した後、感光性のＡｇペーストを用いて、フォトリソグラフィー法によって電極形状パターンを作製し、次にこれを焼成してＡｇ電極を作製する。また、透明電極（ＩＴＯ）を用いる場合は、ガラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層スパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプレー熱分解法等によって形成した後、その上にＩＴＯやネサ膜をスパッタリング法で成膜し、その後フォトリソ法でＩＴＯを電極形状にエッチングして透明電極を形成し、次にこのＩＴＯ電極パターンのバス電極として、ＩＴＯ上にＡｇ電極を同じくフォトリソグラフィー法を用いて形成する。
【００２３】
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰについて、図面を用いて説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る交流面放電型ＰＤＰを示す図であり、図１（ａ）は要部を示す斜視図、図１（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）の放電電極部分の詳細図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＸ−Ｘ線矢視断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＹ−Ｙ線矢視断面図である。なお、これらの図では便宜上セルが３つだけ示されているが、実際には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されている。
【００２５】
図１に示すように、本発明の一実施の形態によるＰＤＰは、前面パネル１０と背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネル１０と背面パネル２０の間に形成される放電空間３０内に放電ガスを封入した構成である。
【００２６】
そして、前面パネル１０は、フロート法によって作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が形成されたフロントカバープレートとしての前面ガラス基板１１上に、放電ギャップを設けて形成した一対の走査電極及び維持電極からなる放電電極１２を複数配列して形成し、その上に誘電体ガラスペーストをダイコート法、あるいはブレードコート法にて塗布した後焼成して作製した誘電体ガラス層１３を形成し、さらにこの表面上に酸化マグネシウムからなる保護層１４を形成することによって構成されている。また、図示していないが、放電電極１２を構成する走査電極及び維持電極それぞれは、放電ギャップを設けて形成したＩＴＯなどの透明電極とこの透明電極に通電するための抵抗値の低い少なくともＡｇを含む金属電極のバス電極とから構成されている。
【００２７】
一方、背面パネル２０は、フロート法によって作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が形成されたバックプレートとしての背面ガラス基板２１上に、少なくともＡｇを含む金属電極からなるアドレス電極２２を前記放電電極１２と交差するように複数列配列して形成し、その上に前記誘電体ガラス層１３と同様にして、誘電体ガラス層２３を形成するとともに、前記放電空間３０を複数の空間に仕切るための隔壁２４をアドレス電極２２間に形成し、そしてその隔壁２４間にＲ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層２５を形成することにより構成されている。
【００２８】
そして、この前面パネル１０と背面パネル２０との間には、放電電極１２とアドレス電極２２とが交差する箇所に隔壁２４によって仕切られた複数の放電セルが形成されている。
【００２９】
以下、この実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、詳細に説明する。まず、前面パネル１０の製造方法について説明する。
【００３０】
前面パネル１０は、上述したように、フロート法によって作製された前面ガラス基板１１表面に金属酸化膜を形成し、その上に放電電極１２を形成するとともに、その放電電極１２を軟化点が６００℃以下のガラス粉末を用いて作製された誘電体ガラス層１３で覆い、この表面上に酸化マグネシウムからなる保護層１４を形成することによって作製される。
【００３１】
金属酸化物膜は、以下のようにしてフロート法によって作製された前面ガラス基板１１上に作製する。
【００３２】
（１）スパッタ法による金属酸化物層の形成について
図２は金属酸化物層をアルカリ含有のフロートガラス基板上に形成する際に用いるスパッタ装置の概略図である。このスパッタ装置４０は、スパッタ装置本体４１の中にガラス基板４２（図１における前面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部４３が設けられ、スパッタ装置本体４１内は排気装置４４で減圧にすることができるように構成されている。また、スパッタ装置本体４１の中には、プラズマを発生させるための高周波電源４５に接続された電極４６が設置され、金属酸化物の原料となる酸化物（ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＮｂ2Ｏ5、ＢａＳｎＯ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＴｉＯ4、ＳｎＳｉＯ2等のターゲット４７が取り付けられる。
【００３３】
Ａｒガスボンベ４８は、スパッタガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを、スパッタ装置本体４１に供給するものである。酸素ボンベ４９は、反応ガスである酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給するものである。
【００３４】
このスパッタ装置を用いて、スパッタリングを行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にしてガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする（１０-2Ｐａ程度）。次にＡｒを装置内に導入し、高周波電源４５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、スパッタ装置本体４１内で金属酸化物をスパッタさせながら、金属酸化物層を形成する。本実施の形態では、スパッタ法で０．０５〜１μｍの厚みに形成している。
【００３５】
（２）ＣＶＤ法による金属酸化物層の形成について
図３は金属酸化物層をフロートガラス基板上に形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
【００３６】
このＣＶＤ装置５０は、熱ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、ＣＶＤ装置本体５１の中には、ガラス基板５２（図１における前面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部５３が設けられ、ＣＶＤ装置本体５１内は排気装置５４で減圧にすることができるように構成されている。また、ＣＶＤ装置本体５１の中にプラズマを発生させるための高周波電源５５に接続された電極５６が設置されている。
【００３７】
Ａｒガスボンベ５７ａ、５７ｂは、キャリアであるアルゴン（Ａｒ）ガスを、気化器（バブラー）５８ａ、５８ｂを経由してＣＶＤ装置本体５１に供給するものである。気化器５８ａ、５８ｂは、金属酸化物の原料（ソース）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ５７ａ、５７ｂからＡｒガスを吹き込むことによって、この金属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置本体５１に送り込むことができるようになっている。
【００３８】
キレートの具体例としては、アセチルアセトンジルコニウム〔Ｚｒ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕、ジルコニウムジピバブロイルメタン〔Ｚｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕である。その他の金属酸化物も同様な金属キレートが考えられる（Ｚｒの所が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃａ等のアセチルアセトンやジピバブロイルメタン）。
【００３９】
酸素ボンベ５９は、反応ガスである酸素（Ｏ2）をＣＶＤ装置本体５１に供給するものである。
【００４０】
このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを行う場合、ヒータ部５３の上に誘電体層側を上にしてガラス基板５２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱すると共に、反応容器内を排気装置５４で減圧にする（数十Ｔｏｒｒ程度）。
【００４１】
そして、例えばアセチルアセトンジルコニウムよりＺｒ2を形成する時は気化器５８ａを、ＡｌジピバブロイルメタンよりＡｌ2Ｏ3を形成する時は気化器５８ｂをそれぞれ用い、ソースとなるキレートを、所定の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ５７ａまたはＡｒガスボンベ５７ｂからＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸素ボンベ５９から酸素を流す。
【００４２】
これによって、ＣＶＤ装置本体５１内に送り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基板５２上に金属酸化物膜が形成される。
【００４３】
上記構成のＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒータ部５３によるガラス基板５２の加熱温度は２５０℃程度に設定し、排気装置５４を用いて反応容器内を１３３０Ｔｏｒｒ（１７６．８９ｋＰａ）程度に減圧し、高周波電源５５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することより、ＣＶＤ装置本体５１内にプラズマを発生させながら、金属酸化物層を形成する。なお、酸化物の複合膜を形成する場合は、キレートを混合して使用する。
【００４４】
このように熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって金属酸化物層を形成すれば、緻密な層を形成することができる。なお、ＳｎＴｉＯ4をコーティングするために、このＣＶＤ装置を用いて行ったＳｎＴｉＯ4を生成するための原料ガスは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）チタニウムアセチルアセトンと酸素ガスを用いた。
【００４５】
（３）ディップコーティング法による金属酸化物層の形成について
図４はアルカリが含有するフロート法で得られたガラス基板上に金属酸化物層を形成する際に用いるディップ装置の概略図である。
【００４６】
このディップ装置６０は、ディップ装置本体６１の中に金属キレート（アセチルアセトン、アルコキド等）を有機溶剤に溶解した溶液６２（ディップ液）が入っており、ガラス基板６３をこの溶液につけて引き上げた後、乾燥、焼成することで得られる。
【００４７】
金属キレートとして、アセチルアセトンジルコニウム、ジルコニウムジピバブロイルメタン、ジルコニウムアルコキシド等を用いる。アチルアセトン金属キレートとしては、Ｍ〔（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕（ただしＭは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ）がある。ジピバブロイルメタンとしてはＭ〔（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕（ただしＭは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｓｂ、Ｉｎ）がある。
【００４８】
これらを使用する有機溶剤としては、エチルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール類を使用する。焼成温度は４００℃〜６００℃で焼成する。
【００４９】
上記で説明した金属酸化物であるＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、Ｓｂ2Ｏ5、Ｉｎ2Ｏ3の熱膨張係数は、７０×１０-6〜９０×１０-6（１／℃）であり、Ｎａを含有するフロート法によるガラス基板の熱膨張係数８０×１０-6（１／℃）に近い。また、金属酸化物の厚みは、１層、２層合わせて０．１μｍ〜１．０μｍが必要である。
【００５０】
放電電極１２は、前面ガラス基板１１上に形成された金属酸化物層上に形成する。次に、放電電極の作製方法について、図５（ａ）、（ｂ）に示す２つの方法を説明する。
【００５１】
図５（ａ）に示す方法は、まず前面ガラス基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物層１１ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、感光性のＡｇペースト７０を全面に塗布し、マスク７１を配置して露光、現像、エッチングのフォトリソグラフィー法でＡｇ電極となるべき所をパターニングする。その後これを焼成して、金属電極７２を形成して表示電極とする。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示す方法は、まず前面ガラス基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物層１１ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、全面にスパッタ法でＩＴＯ（酸化インジウム−スズ透明導電膜）７３を０．１μｍ〜０．２μｍの膜厚でスパッタリング法で形成する。次に、レジスト７４を形成した後、マスク７５を配置して露光、現像、エッチングのフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ７３のパターニングを行う。その後、図５（ａ）と同様に、感光性のＡｇペースト７０をＩＴＯ７３上から全面に形成し、マスク７６を配置して露光、現像、エッチングのフォトリソグラフィー法でＡｇ電極となるべき所をパターニングし、その後これを焼成して、バス電極７７を形成して、表示電極とする。
【００５３】
次に、誘電体ガラス層１３の作製方法について説明する。この誘電体ガラス層１３は、以下のようにして金属酸化物層がコートされた前面ガラス基板１１及び放電電極１２上に形成する。
【００５４】
まず、誘電体用ガラス（例えば、日本電気硝子（株）製  商品名ＰＬＳ−３２４４  ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ3−ＣａＯ系ガラス熱膨張係数７８×１０-6（１／℃）をジェットミルで平均粒径が１．５μｍまで粉砕する。次にこのガラス粉末３５重量％〜７０重量％とエチルセルロースを５重量％〜１５重量％を含むターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、あるいはペンタンジオールから成るバインダー成分３０重量％〜６５重量％を、ジェットミルでよく混練し、ダイコート用ペーストを作製する（またペースト混練中には界面活性剤を０．１重量％〜３．０重量％添加して、ガラス粉体の分散性の向上や沈降防止効果を向上させている）。
【００５５】
次にこのペーストを用いてガラス基板１１、電極１２上に印刷法やダイコート法で塗布し、次に乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い５５０℃〜５９０℃で焼成する。
【００５６】
次に、スパッタ法による保護層１４の形成について説明する。この保護層１４を形成する際に用いるスパッタ装置は、図２に示す装置と同様な装置であり、図２に示すスパッタ装置において、ターゲット４７に保護層の原料となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、あるいはＭｇを取り付け、酸素ボンベ４９から反応ガスである酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給する。
【００５７】
このスパッタ装置を用いてスパッタリングを行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にしてガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする（１０-3Ｔｏｒｒ（１３３×１０-3ＫＰａ）程度）。次にＡｒを装置内に導入し、高周波電源４５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、スパッタ装置本体４１内でＭｇＯあるいはＭｇをスパッタさせながらＭｇＯからなる保護層１４を形成する。本実施の形態では、スパッタ法で１．０μｍの厚みにＭｇＯを形成している。
【００５８】
次に、背面パネル２０の作製方法について、説明する。
【００５９】
まず、背面ガラス基板２１に前述した前面ガラス基板への金属酸化物層の形成方法及びＡｇ電極の形成方法と同様の方法で、第２の電極としてのアドレス電極２２を形成し、その上に前面パネル１０の場合と同様の種類の平均粒子径（１．５μｍ）と粒度分布を有するガラス粉末に、平均粒子径が０．１μｍ〜０．５μｍの酸化チタンＴｉＯ2を添加した白色誘電体ガラス層２３を形成する。この白色誘電体層の形成方法や誘電体インキペーストの作製方法は、前面パネルの誘電体ガラスと同様の方法であり、白色誘電体層の焼成温度は、５４０℃〜５８０℃とした。
【００６０】
そして、スクリーン印刷法やサンドブラスト法によって隔壁２４を所定のピッチで形成し、この隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体がそれぞれ順次配列されるように蛍光体層２５を形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体を用いることができるが、ここでは次の蛍光体を用いる。
【００６１】
赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ3+
緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+
ここで、隔壁２４内に形成する蛍光体層２５の作製方法について図６を用いて説明する。先ず、平均粒径２．０μｍの赤色蛍光体であるＹ2Ｏ3：Ｅｕ3+粉末５０重量％、エチルセルローズ５．０重量％、溶剤（α−ターピネオール）４５重量％から成る蛍光体混合物をサンドミルで混合撹はんし、１．０Ｐａｓ（パスカルセック）とした塗布液８１を準備し、その塗布液８１をサーバー８２内に入れ、ポンプ８３の圧力で噴射装置のノズル径６０μｍのノズル部８４からストライプ形状の隔壁２４内に流し込むとともに、基板を直線状に移動させて、赤色の蛍光体ライン８５を形成する。同様にして、青色（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+）、緑色（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）の各蛍光体ライン８５を形成し、その後、５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層２５を形成する。
【００６２】
次に、前面パネル１０及び背面パネル２０の張り合わせによりＰＤＰを作製するのであるが、まず、前述のようにして作製した前面パネル１０と背面パネル２０との周辺部を封着用ガラスを用いて張り合わせると共に、周辺部を封着用ガラスにより封着し、その後隔壁２４で仕切られた放電空間３０内を高真空（１×１０-4Ｐａ）に排気した後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰＤＰが完成される。
【００６３】
このようにして作製されたＰＤＰは、各電極（表示電極及びアドレス電極）の下地層が熱膨張係数がフロート法によるガラス基板に近いためクラックがなく、またガラス基板の表面には緻密な金属酸化物層が存在するため、電極層が酸化物層及び誘電体ガラス層と緻密に結合し、フロートガラスからのＮａイオンやＳｎイオンの拡散を抑制することができ、これによりパネル動作時のＡｇのマイグレーションがなく、しかも色差計のｂ値が−１．６〜−１．０の範囲というようにＡｇ電極による黄変や変色が少ないＰＤＰを得ることができる。
【００６４】
なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサイズは、４０インチクラスのＳＸＧＡに適合するように、セルピッチを０．１６ｍｍ、放電電極１２の電極間距離ｄを０．１ｍｍ、取り出し電極の端子間距離をアドレス電極部で８０μｍ、放電電極間で２５０μｍに設定した。また、封入する放電ガスの組成は、従来から用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を５体積％以上に、封入圧力は６６．５ＫＰａ〜１００ＫＰａに設定することで、セルの発光輝度の向上を図った。
【００６５】
以上のように本実施の形態のＰＤＰは、金属酸化物層が全面にコートされた基板上に各電極を形成することで、電極のＡｇによるマイグレーションやガラス基板の黄変を低減でき、これにより高い信頼性のある、しかも高い色温度のＰＤＰが得られる。
【００６６】
表１には、本発明の具体的実施例に基づいて、ＰＤＰを試作し、そのＰＤＰの特性について、実験した結果を示している。なお、表１に示した試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３２のＰＤＰは、前記実施の形態に基づいて、放電電極として金属酸化物上あるいはＩＴＯ上に、少なくともＡｇを含む金属電極を形成し、その上から誘電体ガラスペーストをダイコート法や印刷法で塗布した後焼成して得られる膜厚が２０μｍ〜４０μｍの誘電体ガラス層で覆い、上記で説明したＰＤＰを試作した。このＰＤＰのセルサイズは、４２インチのＳＸＧＡ用のディスプレイに合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁２４の間隔（セルピッチ）は０．１６ｍｍに設定し、放電電極１２の電極間距離ｄは０．１０ｍｍに設定した。また、Ｘｅの含有量は５体積％のＮｅ−Ｘｅ系の混合ガスを封入圧７５ＫＰａ（５６０Ｔｏｒｒ）で封入した。ＭｇＯからなる保護層１４の形成方法については、保護層をスパッタ法で作製した。
【００６７】
表１において、試料Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰは、前面パネルの誘電体ガラス層にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣａＯ系ガラスを用い、背面パネルの誘電体ガラス層には、前面パネルと同一のガラス組成に酸化チタン（ＴｉＯ2）を添加した誘電体を用いた。なお、誘電体ガラスについては、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系でも同じ結果が得られた。
【００６８】
（実験１）
以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、パネルの点灯実験を行った。この時、表示電極間（維持電極間）は１８０Ｖ、アドレス電極間は８０Ｖの電位差になっていた。また、パネルの点灯実験の雰囲気は６０℃、９５％の相対湿度中で行い、１００時間後のマイグレーションの有無、耐圧不良の有無を調査した。
【００６９】
この実験１によると、試料Ｎｏ．１〜３２のパネルの表示電極間のマイグレーションとアドレス電極間のマイグレーションの測定結果では、従来例のパネル（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）が１００時間で、Ａｇのマイグレーションや耐圧不良（絶縁不良）を示しているのに対して、本発明のサンプル（表１中、１７〜３１）は、マイグレーションや耐圧不良が生じない。
【００７０】
（実験２）
以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、特にパネルの画質に重要な第１電極上の誘電体ガラス層を含む、ガラス基板について色差計〔日本電色工業（株）品番ＮＦ７７７〕を用いて、ガラスの着色度合を示すａ値、ｂ値の値〔ＪＩＳ  Ｚ８７３０色差表示方法〕を測定した。ａ値は＋方向に大きくなると赤色が強く、−方向に大きくなると緑色が強くなり、ｂ値は＋方向に大きくなると黄色が、−方向に大きくなると青色が強くなる。ａ値が−５〜＋５の範囲、ｂ値が−５〜＋５の範囲であれば、ガラス基板の着色（黄変）はほとんど見えない。特にｂ値が１０を超えると黄変が目立って来る。パネルの画面全白時の色温度は、マルチチャンネル分光計〔大塚電子（株）ＭＣＰＤ−７０００〕により測定した。
【００７１】
この実験２によると、試料Ｎｏ．１〜３２のパネル（前面ガラス基板）のａ値、ｂ値の測定結果、及びパネルの色温度の測定結果では、従来例のパネル（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）のｂ値（黄変度合）が＋５．５及び＋１６．３であるのに対して、本発明は、ｂ値が−１．６〜＋１．０と低い値（黄変がほとんどない）になっており、変色の少ない優れたパネルが得られる。また、従来のパネルの（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）色温度の値が７２５０゜Ｋ、６４５０°Ｋであるのに対して、本発明のパネルの色温度は、９１００〜９５００°Ｋで色温度が高く、色再現性の良い、あざやかな画面のパネルが得られる。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明のプラズマディスプレイパネルは、放電空間が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成したことによって、電極にＡｇを用いてもＡｇ電極中のＡｇのマイグレーションを防止することができると共に、Ａｇコロイドの折出による黄変を防止することができ、これにより信頼性が高く色温度の高いパネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの要部斜視図
（ｂ）前記プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢視断面図
（ｃ）前記プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢視断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する際に用いるスパッタリング装置の概略図
【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
【図４】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する際に用いるディッピング装置の概略図
【図５】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの電極の形成方法を示すフローチャート
【図６】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する際に用いる蛍光体塗布装置の概略図
【図７】プラズマディスプレイパネルの画像表示領域の構造を示す部分断面斜面図
【図８】プラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板を除いた平面図
【図９】（ａ）、（ｂ）は従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの電極構成例を示す断面図
【図１０】プラズマディスプレイパネルを用いた表示装置のブロック図
【図１１】（ａ）、（ｂ）は従来のプラズマディスプレイパネルの要部を示す平面図
【符号の説明】
１０  前面パネル
１１  前面ガラス基板
１１ａ  金属酸化物層
１２  放電電極
１３  誘電体ガラス層
１４  保護層
２０  背面パネル
２１  背面ガラス基板
２２  アドレス電極
２３  誘電体ガラス層
２４  隔壁
２５  蛍光体層
３０  放電空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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