(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの利得誘起材料でドープされ、第一および第二端部を持つ光ファイバーセクションと；
前記第一端部の前記光ファイバーセクションに設けられた第一ファイバーブラッグ格子と；
前記第二端部の前記光ファイバーセクションに設けられた第二ファイバーブラッグ格子と；
前記第一および第二ファイバーブラッグ格子間の前記光ファイバーセクションに設けられた第三ファイバーブラッグ格子と；を有し、
前記第三ファイバーブラッグ格子は９０°位相シフト領域を持ち、前記第一、第二および第三ファイバーブラッグ格子はそれぞれ同じ波長に中心を置かれた狭い反射線幅を持ち、それによって前記レーザー源は十分な励起エネルギーでファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーを形成する、
ことを特徴とするファイバーレーザー。
【請求項２】
前記光ファイバーセクションは６０ｍｍより小の長さを持つ、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項３】
前記光ファイバーセクションはシングルモード光ファイバーによって構成されている、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項４】
前記利得誘起材料は希土類金属を含む、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項５】
前記希土類金属の１つはエルビウムである、ことを特徴とする請求項４記載のファイバーレーザー。
【請求項６】
前記光ファイバーセクションはイッテルビウムで共ドープされている、ことを特徴とする請求項５記載のファイバーレーザー。
【請求項７】
前記光ファイバーセクションはガリウム、硫黄およびランタンでドープされている、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項８】
更に前記光ファイバーセクションに第一および第二溶融接続部を有し、
前記第一溶融接続部は前記第一ファイバーブラッグ格子と第三ファイバーブラッグ格子間に在り、
前記第二溶融接続部は前記第二ファイバーブラッグ格子と第三ファイバーブラッグ格子間に在る、
ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項９】
前記光ファイバーセクションは単一である、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【請求項１０】
前記第一ファイバーブラッグ格子は前記第二ファイバーブラッグ格子の反射率よりも大きい反射率を持つ、ことを特徴とする請求項１記載のファイバーレーザー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
本発明はレーザー源の分野に関し、より詳細にはファイバーブラッグ格子を使用するファイバーレーザーに関する。
【０００２】
遠隔通信、データ通信、センサー、器具の使用等の分野におけるもののようなファイバー光システムは、非常に安定した、かつ大きい高パワー、すなわち１０ｍＷ超過のパワーと低雑音を持つレーザー源を必要とする。これは特に信号発生に多数の狭い線幅のレーザ源を要求するＷＤＭ（波長分割多重化）回路網について真実である。光信号の波長はその光源からその目的地に信号を導くために使用されるので、各使用者は一般的に他のレーザー源から異なる特定波長で動作するレーザー源を持つ。固定波長を持つ安定レーザー源が非常に望ましい。
【０００３】
更に新たにできた規格はＩＴＵ、国際遠距離通信ユニオンによって提案された稠密ＷＤＭ（ＤＷＤＭ）であり、そこでは通信チャンネル間の分離は僅か０．８ｎｍ、すなわち周波数で１００ＧＨｚである。こうしてこのような回路網用の光源はまた非常に狭い出力線幅を持たなければならない、すなわち出力信号の波長は光スペクトルの非常に狭い部分に集中されなければならない。
【０００４】
これまでファイバー光回路網のための光源は大抵、レーザーダイオード、発光ダイオード、および他の半導体レーザー源のような半導体デバイスであった。特に半導体レーザーダイオードはその大きさ、コスト、およびファイバー光回路網において光ファイバーとの適合性について標準のレーザー源であった。しかしながら従来の半導体レーザーダイオードは低パワー、温度変化に対するスペクトル不安定性、および高コストとなる低生産量を含む多くの固有の欠陥を持っている。レーザー源の新しいタイプは、レーザー光発生空洞を規定するセクションの端部に波長選択性反射器を備えた希土類ドープ光ファイバーセクションである。エルビウムドープファイバー増幅器の場合のように、励起レーザーは一つまたは多数の波長でドープファイバーセクションにエネルギーを供給する。ドープファイバーセクションは、一つまたは多数の異なる出力波長でレーザー光を発生する。ファイバー光回路網と表面上は適合する一方、このレーザー源は比較的低出力パワーを持つが、このレーザー源の利点は依然として評価されるべきである。
【０００５】
本発明は、他のファイバーレーザーの出力パワーよりも大きな出力パワーを持つ非常に狭い線幅出力を備えた新規なファイバーレーザーを提供する。本発明によるファイバーレーザーの出力は、低雑音、最小緩和振動、温度変化に対する良好な安定性および非常に狭い出力線幅を持つ。ファイバーレーザーは、既にファイバー光回路網、ＷＤＭおよびＤＷＤＭ回路網に容易に適応できるレーザー源の中に配置できる。
【０００６】
発明の概要
本発明は、希土類金属のような少なくとも一つの利得誘起材料でドープされた光ファイバーセクションから形成されたファイバーレーザーを提供する。第一ファイバーブラッグ格子は光ファイバーセクションの一方の端部に形成され、第二ファイバーブラッグ格子は光ファイバーセクションの他方の端部に形成される。第三ファイバーブラッグ格子は第一および第二ファイバーブラッグ格子間の光ファイバーセクションに９０°（π／２）位相シフト領域を備えて形成される。第一、第二および第三ファイバーブラッグ格子はそれぞれ、ファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーを形成するために同じ波長に中心を置かれたその狭い反射線幅を持つ。好ましくは、ファイバーブラッグ格子は個々の、単一の光ファイバーセクションに形成される。
【０００７】
更に、本発明は特にファイバー光回路網に適応可能であるように、高出力パワーを備えたファイバーレーザーを供給する。単一の励起レーザー源、ファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーおよび光ファイバーの希土類ドープセクション、すなわちファイバー増幅器を適切に相互接続することにより、励起レーザー源はファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーとファイバー増幅器の両方に励起エネルギーを供給する。結果的に得られるファイバーレーザー源は、低雑音で狭い線幅を備えて高出力パワーを持つ。
【０００８】
特定の実施例の詳細な説明
図１は、本発明によるファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーの基礎構造を示す。レーザーは、利得誘起希土類要素または希土類要素（と他の要素）の組合せでドープされた光ファイバーセクション１５を持つ。例えばエルビウム、またはエルビウムとイットリウム、またはランタン、硫黄とガリウムのドーピングは効果的に働く。代替的には、異なるホスト物質中の他のレーザー光発生イオンを使用してもよい。
【０００９】
ドープセクション１５は、シングルモード光ファイバーから作られる。光ファイバーセクション１５内にＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）ファイバーレーザーを形成するために、自分自身間の共振性空洞に等価なものを規定するように二つの端部反射器を形成する、二つのファイバーブラッグ格子１１および１２がある。両ファイバーブラッグ格子１１および１２は、同一波長での選択反射率を持つ。ファイバーブラッグ格子１１は高反射率を持ち、他のファイバーブラッグ格子１２は異なる各適用に対して、ファイバーレーザーの出力を制御する最適出力結合のための決定された反射率を持つ。
【００１０】
二つの格子１１および１２間に９０°（π／２）位相シフト領域１４を持つ第三ファイバーブラッグ格子１３がある。位相シフト領域１４は中央に位置決めされて示されているが、それはまた中央から外れて位置決めできる。格子１３は他の二つの格子１１および１２と同じ波長で選択反射率を持ち、ファイバーＤＦＢ（分布フィードバック）レーザーを動作する。励起レーザー源によって付勢された時、ＤＢＲファイバーレーザーすなわち格子１１および１２は、ＤＢＲファイバーレーザーかＤＦＢファイバーレーザーのいずれかを越える特性を備えたファイバーレーザーを形成するために、ファイバーＤＦＢレーザー、格子１３および位相シフト領域１４と相互に作用する。
【００１１】
ファイバー相互作用型ＤＢＲ−ＤＦＢレーザーは、次の仕方で動作すると考えられる。すなわち、ＤＢＲファイバーレーザーは、ファイバーブラッグ格子１１および１２によって形成された「共振性空洞」に適合する幾つかの異なる波長モードの出力を発生できる。ＤＢＲレーザーのＦＳＲ（自由スペクトル域）、ＤＦＢファイバーレーザー、ファイバーブラッグ格子１３およびそのπ／２位相シフト領域１４によって規定される波長から一つの波長を選択する。色々な波長モードというよりもＤＢＲレーザーは一つのレーザー光発生波長モードを持つ。その結果、エネルギーは選択された波長に導かれる。
【００１２】
ファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーの測定結果は、全く顕著である。図２Ａ−２ＣはそれぞれＤＢＲファイバーレーザー、ＤＦＢファイバーレーザーおよびファイバーブラッグ格子ＤＦＢ−ＤＢＲ相互作用型レーザーの出力スペクトルをプロットする。総てのファイバーレーザーは同じ励起パワーを受け、総ての出力は今日ファイバー光回路網の信号伝達に一般に使用されている波長区域範囲、特にＷＤＭや、より厳しいＤＷＤＭ回路網に使用される波長範囲に関連した１５５０ｎｍ区域である。比較のために、以下に記述されるように励起レーザー源の波長は例えば９８０および１４８０ｎｍの、より短い波長においてであり、代表的なレーザーダイオード源出力に応じて変化する。
【００１３】
図２Ａは、ＤＢＲファイバーレーザーの代表的な出力を示す。出力パワーは、５５ｄＢのピーク対バックグラウンド消光比で−１２．８８ｄＢｍである。図２Ｂは、ＤＦＢファイバーレーザーのみの出力を示す。図２Ｃは、相互作用するファイバーＤＢＲレーザーを備えた同一のＤＦＢファイバーレーザーの出力を示す。図２Ｂに示されるように、ＤＦＢレーザーはＤＢＲのそれよりも少ない−１２．９８ｄＢｍの出力パワーと、これもまたＤＢＲのそれよりも少ない５３ｄＢのピーク対バックグラウンド消光比を持つ。一方、図２Ｃの相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーは、ＤＢＲおよびＤＦＢファイバーレーザーのそれに対して出力の倍加である−９．８９ｄＢｍの出力パワーと５６ｄＢのピーク対バックグラウンド消光比を持つ。
【００１４】
ＤＢＲファイバーレーザーと相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーの線幅が、図３Ａおよび３Ｂに示されている。図３Ａは、ＤＢＲファイバーレーザーが１−２ＭＨｚのかなり広い線幅を持つことを示す。ＤＦＢおよび相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーの両方の出力線幅は略同じであることが発見され、相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーの線幅は図３Ｂに示されている。線幅はＤＢＲファイバーレーザーのそれよりも遥かに狭い１００ＫＨｚ未満であることに、注目すべきである。
【００１５】
図４Ａー４Ｃは、三つの異なるファイバーレーザーの出力安定性を示す。図４Ａは、スペクトル分析器によって測定されたＤＢＲファイバーレーザーの出力強度をプロットする。ＲＦ周波数において、出力の相当な脈動がある。これは、緩和振動とイオン対脈動によってひき起こされると考えられる。図４Ｂに示されるＤＦＢファイバーレーザーは、遥かに静かな出力を持つ。ＲＦ周波数での雑音を惹き起こす脈動の影響は、効果的に抑制されている。図４Ｃに示された相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーの出力もまた、ＤＢＲファイバーレーザーのそれよりも遥かに小さい。
【００１６】
相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーは、希土類利得材料（または他の利得材料）でドープされた短いファイバーセクションに（位相シフト領域１４を備えた）ＤＦＢブラッグ格子１３を、そしてＤＢＲレーザーを形成するために両端にファイバーブラッグ格子１１および１２を持った溶融接続光ファイバーセクションを作ることによって作成できる。しかしながら、この方法には問題がある。三つの分離したファイバーブラッグ格子に正確に同じ波長を持たせて製作することは困難である。第二に、光ファイバー端部を溶融することによって適切に接続することは、困難な操作である。最後に、溶融接続はファイバーレーザーの性能を劣化させる余分な挿入損失を生じる。
【００１７】
より効果的な製造技術は、三つの総てのファイバーブラッグ格子１１ー１３を個々の単一の光ファイバーセクションで製造することである。これは三つの総てのファイバーブラッグ格子について位相マスクを使用し、および三つの総てのファイバーブラッグ格子１１−１３を作るために位相マスクを備えて、光ファイバーセクション、すなわちセクション１５を走査することによって為される。
【００１８】
図５は、このような製造に使用されるであろう装置の一般的な配置を示す。エキシマレーザー４１は、そのＵＶ出力をＵＶ反射器４２に向けて導く。次いで反射器４２は、ＵＶ光をシリンドリカルレンズ４４を通して位相マスク４５とファイバープレート４６に向けて導く。シリンドリカルレンズ４４は、光ファイバーにファイバーブラッグ格子を作るために、ＵＶ光の干渉パターンを作る位相マスク４５に到達する前に光を視準する。位相シフト領域１４は、ＤＦＢファイバーブラッグ格子１３の長さに沿って中央部分をＵＶ光で適当に照射することによって作られる。ファイバープレート制御器４７に載置されたファイバープレート４６は、位相マスク４５付近でファイバーブラッグ格子が作られる単一ファイバーまたは複数の光ファイバーを保持する。位相マスク４５からのＵＶ光は、一度に一本の光ファイバーにファイバーブラッグ格子を書き込む。
【００１９】
製造操作に亙る制御は、この場合ＩＥＥＥ４８８の下で動作するバス５０にあるコンピュータ４８によって実施される。バス５０はコンピュータ４８をエキシマレーザー４１、レーザーまたは白色光源５１、１×８光スイッチ５２、第二１×８光スイッチ５３、および光スペクトル分析器５４に接続する。コンピュータ４８は更に、ファイバープレート４６の物理的位置取りを操作するファイバープレート制御器４７を制御する。この例では、８本の光ファイバーがプレート４６に保持されている。光ファイバー束５５および５６で示されるように、プレート４６の載置された光ファイバーの端部はそれぞれ光スイッチ５２および５３に接続される。
【００２０】
レーザー５１および光スイッチ５２の制御によりコンピュータ４８は、１５５０ｎｍ区域で選択された光信号をプレート４６に保持されている、選択された光ファイバーに送ることができる。位相マスク４５によって発生された干渉パターンを通してＵＶ光は、選択された光ファイバーにファイバーブラッグ格子を書き込む。第二光スイッチ５３は、選択された光ファイバー内のファイバーブラッグ格子の製作をそのままの位置でモニターするために、選択された光ファイバーを通して通過してきたレーザー源５１からの光を光スペクトル分析器５４へ送る。
【００２１】
本発明によれば、位相マスク４５は、三つのファイバーブラッグ格子１１ー１３についての全ファイバーセクションを保持するのに十分大きい。反射器４２およびシリンドリカルレンズ４４からの光は、位相マスク４５の一部に導かれる。ファイバーブラッグ格子１１−１３は、選択された光ファイバーの縦軸に沿って移動するファイバープレート４６によって走査できる。代替的にはもし反射器４２が適当に載置されそして制御されるならば、反射器４２は位相マスク４５からの干渉パターンが固定された光ファイバー上に走査されるように回転できる。最終的に反射器４２とプレート４６の両方は、整合された仕方で移動され得る。
【００２２】
先ず最初に、希土類または他の利得誘起イオンでドープされた光ファイバーセクション１５中に位相シフト領域１４を持ってファイバーブラッグ格子１３を作成することが、有利であることが見出された。次いで高反射率ファイバーブラッグ格子１１が作成され、出力結合ファイバーブラッグ格子１２の作成が続く。ファイバーブラッグ格子１２の反射率は、ファイバー相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザーの出力パワーを最大にするために作成の間モニターされる。
【００２３】
光ファイバー内に複数のファイバーブラッグ格子を製造する技術の更なる詳細は、ここに参考文献として組み入れた、Ｊ．  Ｊ．  Ｐａｎ，  Ｆｅｎｇ  Ｑｉｎｇ  Ｚｈｏｕ  およびＹｕａｎ  Ｓｈｉによる同日付の出願、米国特許出願Ｎｏ， 、表題「アポダイズされた位相マスクおよび関連デバイスを製造する方法と装置」（代理人参照No.０１３０１１−００７３００）に記述されている。
【００２４】
上記のようにファイバーブラッグ格子１１−１３を一緒に接続する欠点を回避する他に、単一光ファイバーセクションにファイバーブラッグ格子を作成することは別の、多分より適切な利点を持つ。上記の製造技術によって、ＤＢＲファイバーブラッグ格子１１および１２はＤＦＢファイバーブラッグ格子１３の両側に極く接近して位置することができる。これは、ＤＢＲレーザーの出力モードを更に離して広げる、すなわちＦＳＲを増加し、その結果ＤＦＢレーザーによるシングルモードの選択が強化される。
【００２５】
ファイバーブラッグ格子相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザーの出力線幅のモードスキッピングと広がりの発生の可能性は、低減される。例えば下記する特定のファイバーブラッグ格子相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザーにおいて、ファイバーブラッグ格子１１−１３を含む光ファイバーセクション１５は６０ｎｍまたはそれより大きい。この長さを短縮し、そして、ここで、ＤＢＲファイバーブラッグ格子１１および１２間の距離を短縮することにより、ファイバーレーザー１０および対応するファイバーレーザー源の顕著な性能は更に良くなることが期待される。
【００２６】
図６および７はレーザー源としての相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザーの色々な配置を示す。図６に図示されるように、相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザー１０の出力端部は、レーザー源２１の出力を分割する結合器２２を通してＷＤＭ結合器２３によって励起レーザー源２１に、すなわちレーザーダイオードに接続される。レーザー源２１からの光励起エネルギーの一部のみがＷＤＭ結合器２３および相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０に向けて導かれる。
【００２７】
ＷＤＭ結合器２３はまた、相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０を光アイソレータ２６を通して光ファイバーの希土類ドープセクション２５の端部に接続する。セクション２５は、一般的にエルビウムドープファイバー増幅器を形成するためにエルビウムでドープされる。イットリウム、プラセオジムまたは他のドープレーザー光発生イオンのような他の希土類要素が、使用されてもよい。セクション２５の他の端部は、光アイソレータ２７によって出力ファイバー３０に接続された第二ＷＤＭ結合器２４に接続される。光アイソレータ２７は、記述されたレーザー源配置の安静を出力ファイバー３０からの遍歴した信号から絶縁する。
【００２８】
ＷＤＭ結合器２４はまた、結合器２２によって分割された励起レーザー源２１からの第二出力に接続される。一般的に９８０または１４８０ｎｍの出力波長を持ち、結合器２２によって分割される励起レーザー源２１からの出力の一部は、１５５０ｎｍでレーザー光を発生するファイバー相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０を付勢するためにＷＤＭ結合器２３に送られる。レーザー１０から得られる出力は、ＷＤＭ結合器２３によって希土類ドープ光ファイバーセクション２５に渡される。光アイソレータ２６は、如何なる後方伝播光をもファイバー相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０の動作と干渉することを防止する。セクション２５はまた、ＷＤＭ結合器２４を通して励起レーザー源２１からの第二分割出力によって付勢され、レーザー１０からの信号を増幅する。
【００２９】
記述されたＷＤＭ結合器は、励起レーザー源波長すなわち９８０および１４８０ｎｍにおける光と、１５５０ｎｍ区域における光を判別する。ＷＤＭ結合器２３および２４として使用されるであろうＷＤＭ結合器の詳細は、米国特許No.５，６４２，４４８に記述されている。この配置は、励起レーザーの効率を低下させるためにファイバーレーザー１０の出力パワーを飽和させる単一の励起レーザー源２１が、ファイバー相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０と希土類ドープセクション２５によって形成されたファイバー増幅器の両方を付勢するので有利である。
【００３０】
図６のファイバーレーザー源の特定の例において、ファイバー相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０はエルビウムとイッテルビウムによって共ドープされた光ファイバーセクション１５を持つ。ＤＦＢファイバーブラッグ格子１３は１８ｄＢの反射率を持ち、高反射率ファイバーブラッグ格子１１は２４ｄＢの反射率と１８ｍｍの長さを持つ。光ファイバーセクション１５の全長は、６０ｍｍである。レーザー源２１は９８０ｎｍの波長で１６０ｍＷの出力を持ち、その出力の２０％はファイバーレーザー１０に向けて導かれ、８０％はエルビウムドープファイバー増幅器部２５に向けて導かれる。その結果得られるレーザー源は、３０ＭＨｚに亙って−１６０ｄｂ／Ｈｚよりも良い、低ＲＩＮ（相対雑音強度）を備える６２ｍＷの出力を持つ。効率は、３８％である。出力スペクトルは僅か２００ｋＨｚの線幅で、≧５０ｄＢのサイドモード抑制を持つ。
【００３１】
更により大きな出力パワーを備えたファイバーブラッグ格子相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザーを使用するレーザー源の別の配置が、図７に示されている。図６の配置におけるように、励起レーザー３１の出力は結合器３２によって分割される。分割された一つの出力は、レーザー源３１からの光励起エネルギーの一部のみが相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０に向けて導かれるようにＷＤＭ結合器３３を通して相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０の出力端部に接続される。
【００３２】
ＷＤＭ結合器３３はまた、相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０を光アイソレータ３８と第二ＷＤＭ結合器３４を通して、ファイバー増幅器を形成する光ファイバーの希土類ドープセクション３５の一端部に接続する。セクション３５の他端部は、光アイソレータ３９を通して出力ファイバー４０に接続される第三ＷＤＭ結合器３７に接続される。ＷＤＭ結合器３７はまた、第二励起レーザー源３６からの出力に接続される。結合器３２によって分割された第二出力は、第二ＷＤＭ結合器３４に接続される。従って相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲレーザー１０は、二つの励起レーザー源３１および３６に接続される。
【００３３】
第一励起レーザー源３１は、ＷＤＭ結合器３３を通して相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーに、およびＷＤＭ結合器３４を通してエルビウムドープファイバー増幅器セクション３５に励起エネルギーを供給する。第二励起レーザー源３６はまた、そのエネルギーをドープファイバーセクション３５に供給する。波長９８０ｎｍで１６０ｍＷの出力を持つ（そしてその出力の３０％をファイバーレーザー１０に、７０％をエルビウムドープファイバー増幅器部３５に分割する）レーザー源３１と波長１４８０ｎｍで１５８ｍＷの出力を持つレーザー源３６により、このファイバーレーザー源は１６６ｍＷの出力と僅か２００ＫＨｚの出力線幅を持つ。サイドモード抑制は５２ｄＢを超え、ＲＩＮは３０ＭＨｚに亙って−１６０ｄＢ／Ｈｚよりも低い。
【００３４】
図７のファイバーレーザー源配置は、結合器３２がＷＤＭ結合器３７に接続され、および第二励起レーザー源３６がＷＤＭ結合器３４に接続されるように変更できる、ということに注目されたい。変更された配置により、励起レーザー源３１は、相互作用型ＤＦＢ−ＤＢＲファイバーレーザーとエルビウムドープファイバー増幅器部３５を図６における励起レーザー源２１と同じ仕方で付勢できる。
【００３５】
上の記述は本発明の好ましい実施例の十分なおよび完全な開示を提供するが、各種の変更、代案構成および等価な構成は当該技術に習熟した人々には明らかであろう。すなわち、本発明の範囲は添付特許請求の範囲の境界と範囲によってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるファイバーブラッグ格子ＤＢＦ−ＤＢＲ相互作用型レーザーの代表的な図である。
【図２Ａ】  ＤＢＲファイバーレーザーについての出力強度対波長のプロット図である。
【図２Ｂ】  ＤＦＢファイバーレーザーについての出力強度対波長のプロット図である。
【図２Ｃ】  相互作用型ＤＢＲ−ＤＦＢファイバーレーザーについての出力強度対波長のプロット図である。
【図３Ａ】  ＤＢＲファイバーレーザーについての出力強度対周波数のプロット図である。
【図３Ｂ】  相互作用型ＤＢＲ−ＤＦＢファイバーレーザーについての出力強度対周波数のプロットである。
【図４Ａ】  ＤＢＲファイバーレーザーについての出力強度対周波数のプロット図である。
【図４Ｂ】  ＤＦＢファイバーレーザーについての出力強度対周波数のプロット図である。
【図４Ｃ】  相互作用型ＤＢＲ−ＤＦＢファイバーレーザーについての出力強度対周波数のプロット図である。
【図５】  単一光ファイバーセクションにファイバーブラッグ格子ＤＢＦ−ＤＢＲ相互作用型レーザーを作るための装置を示す図である。
【図６】  本発明によるファイバーブラッグ格子ＤＢＦ−ＤＢＲ相互作用型レーザーのファイバーレーザー源配置の代表的な図である。
【図７】  本発明の別の実施例によるファイバーブラッグ格子ＤＢＦ−ＤＢＲ相互作用型レーザーの別のファイバーレーザー源配置の代表的な図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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