(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層して成り、上面に半導体素子が収容される凹部を有する平板状の絶縁基体に、前記凹部内から前記絶縁基体の外周側面に導出する複数の配線用メタライズ層を設ける工程と、
前記凹部底面に半導体素子固着用メタライズ層を設ける工程と、
前記配線用メタライズ層の少なくとも一つおよび前記半導体素子固着用メタライズ層から前記絶縁基体の外周側面に互いに独立して導出する複数のめっき引出用メタライズ層を設ける工程と、
前記絶縁基体の外周側面に前記複数のめっき引出用メタライズ層を互いに電気的に共通に接続する接続用メタライズ層を設ける工程と、
前記配線用メタライズ層および前記半導体素子固着用メタライズ層の各表面に、前記接続用メタライズ層を用いて電解めっき法によりめっき金属層を同時に被着させる工程と、
前記接続用メタライズ層を前記めっき引き出し用メタライズ層同士が互いに電気的に分断されるように、かつ前記接続用メタライズ層の一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で前記絶縁基体の前記外周側面に残るように研磨除去する工程と
を具備することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【請求項２】
複数のセラミック層を積層して成り、上面に半導体素子が収容される凹部を有する平板状の絶縁基体に、前記凹部内から前記絶縁基体の外周側面に導出する複数の配線用メタライズ層を設ける工程と、
前記絶縁基体の上面に前記凹部を取り囲むように封止用メタライズ層を設ける工程と、
前記配線用メタライズ層の少なくとも一つおよび前記封止用メタライズ層から前記絶縁基体の外周側面に互いに独立して導出する複数のめっき引出用メタライズ層を設ける工程と、
前記絶縁基体の外周側面に前記複数のめっき引出用メタライズ層を互いに電気的に共通に接続する接続用メタライズ層を設ける工程と、
前記配線用メタライズ層および前記封止用メタライズ層の各表面に、前記接続用メタライズ層を用いて電解めっき法によりめっき金属層を同時に被着させる工程と、
前記接続用メタライズ層を前記めっき引き出し用メタライズ層同士が互いに電気的に分断されるように、かつ前記接続用メタライズ層の一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で前記絶縁基体の前記外周側面に残るように研磨除去する工程と
を具備することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記接続用メタライズ層は、前記絶縁基体の前記一方の外周側面に導出した前記めっき引出用メタライズ層を挟んだ状態で残るように研磨除去されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージとして、デュアル・インライン型の半導体素子収納用パッケージが知られている。
【０００３】
このようなデュアル・インライン型の半導体素子収納用パッケージは、例えば酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック層を複数層積層して成り、その上面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有する略四角平板状の絶縁基体と、この絶縁基体の互いに平行な一対の外周側面にそれぞれ一列ずつの並びで接合された複数の外部リード端子と、絶縁基体の凹部を気密に塞ぐための金属蓋体とを備えている。
【０００４】
絶縁基体には、その凹部内から外部リード端子が接合された一対の外周側面にかけてそれぞれが外部リード端子に電気的に接続された複数の配線用メタライズ層が被着されているとともに、その凹部底面に半導体素子を固着するための半導体素子固着用メタライズ層が被着されており、さらにその上面に金属蓋体を接合するための封止用メタライズ層が凹部を取り囲むように被着されている。
【０００５】
そして、絶縁基体の凹部底面に被着させた半導体素子固着用メタライズ層に半導体素子を例えば金−シリコン合金等のろう材を介して固着するとともに、半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して凹部内の配線用メタライズ層に接続し、しかる後、絶縁基体上面の封止用メタライズ層に例えば金−錫合金等のろう材を介して金属蓋体を接合して絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に封止することによって最終製品としての半導体装置となり、この半導体装置は、外部リード端子を外部電気回路基板の配線導体に接続することによって内部に収容される半導体素子が外部電気回路に電気的に接続されることになる。
【０００６】
かかる半導体素子収納用パッケージは、絶縁基体に被着された配線用メタライズ層および半導体素子固着用メタライズ層および封止用メタライズ層ならびに外部リード端子が酸化腐食するのを防止するとともに配線用メタライズ層とボンディングワイヤとの接続および半導体素子固着用メタライズ層と半導体素子との接合および封止用メタライズ層と金属蓋体との接合ならびに外部リード端子と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好とするために、一般に、各メタライズ層の表面および外部リード端子の表面にニッケルめっき層および金めっき層から成るめっき金属層が電解めっき法により順次被着されている。
【０００７】
また、各メタライズ層および外部リード端子の表面に電解めっき法によりめっき金属層を被着させるには、配線用メタライズ層の一つおよび半導体素子固着用メタライズ層および封止用メタライズ層から絶縁基体の外部リード端子が接合された一対の外周側面に隣接する一方の外周側面にかけて互いに独立して導出する複数のめっき引出用メタライズ層を予め形成しておくとともに、これらのめっき引き出し用メタライズ層が導出する外周側面に各めっき引出用メタライズ層を電気的に共通に接続する接続用メタライズ層を被着させておき、さらに各外部リード端子を各列毎に電気的に共通に接続するタイバーを設けておくことにより、配線用メタライズ層および半導体素子固着用メタライズ層および封止用メタライズ層の各メタライズ層ならびに外部リード端子を電気的に共通に接続しておき、しかる後、例えば各外部リード端子を電気的に共通に接続するタイバーを介して各メタライズ層および外部リード端子へ電解めっきのための電荷を供給して、各メタライズ層および外部リード端子の露出表面に電解めっきによるめっき金属層を被着させる方法が採用されている。
【０００８】
そして、最後に絶縁基体の外周側面に被着させた接続用メタライズ層を機械的研磨方法を採用して研磨除去するとともに、各リード端子を接続するタイバーを切断除去することにより各メタライズ層が電気的に独立させられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電解めっきによるめっき金属層が被着された各メタライズ層を電気的に独立させるために、絶縁基体の外周側面に被着させた接続用メタライズ層を機械的研磨法を採用して研磨除去すると、絶縁基体の外周側面に研磨による僅かな段差が形成されてしまう。そして、このような段差が絶縁基体の外周側面に形成されていると、この段差部に外部から機械的な衝撃が印加された場合に段差部からクラックや欠けが発生しやすい。
【００１０】
近時は、半導体装置を製造する際に絶縁基体の凹部に半導体素子を収容する作業や半導体素子の電極と凹部内の配線用メタライズ層とを接続する作業等は自動化した製造ラインで行なわれるようになってきている。そして、このような自動化された製造ラインにおいては、半導体素子収納用パッケージを製造ライン上で移動させるために、多数の半導体素子収納用パッケージを傾斜面を利用して高速で順次落下させたり、あるいは半導体素子収納用パッケージに圧縮空気を吹き付けて高速で順次移動させたりする方法が採用されている。そのため、絶縁基体同士が製造ライン上で激しく衝突を繰り返し、絶縁基体の外周側面に形成された研磨による段差部を起点として絶縁基体にクラックや欠けなどが発生しやすく、その結果、そのようなクラックや欠けにより気密不良や配線用メタライズ層の断線等が発生してパッケージとしての機能が喪失したり、絶縁基体の破片により半導体装置の製造ラインが停止したりするという問題点を有していた。
【００１１】
本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、たとえ電子装置の製造ライン上で絶縁基体同士が衝突を繰り返したとしても絶縁基体にクラックや欠けが発生することを有効に防止することができ、その結果、パッケージとしての機能を喪失したり、絶縁基体の破片により半導体装置の製造ラインが停止したりすることのない高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、複数のセラミック層を積層して成り、上面に半導体素子が収容される凹部を有する平板状の絶縁基体に、前記凹部内から前記絶縁基体の外周側面に導出する複数の配線用メタライズ層を設ける工程と、前記凹部底面に半導体素子固着用メタライズ層を設ける工程と、前記配線用メタライズ層の少なくとも一つおよび前記半導体素子固着用メタライズ層から前記絶縁基体の外周側面に互いに独立して導出する複数のめっき引出用メタライズ層を設ける工程と、前記絶縁基体の外周側面に前記複数のめっき引出用メタライズ層を互いに電気的に共通に接続する接続用メタライズ層を設ける工程と、前記配線用メタライズ層および前記半導体素子固着用メタライズ層の各表面に、前記接続用メタライズ層を用いて電解めっき法によりめっき金属層を同時に被着させる工程と、前記接続用メタライズ層を前記めっき引き出し用メタライズ層同士が互いに電気的に分断されるように、かつ前記接続用メタライズ層の一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で前記絶縁基体の前記外周側面に残るように研磨除去する工程とを具備することを特徴とするものである。
また、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、複数のセラミック層を積層して成り、上面に半導体素子が収容される凹部を有する平板状の絶縁基体に、前記凹部内から前記絶縁基体の外周側面に導出する複数の配線用メタライズ層を設ける工程と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を取り囲むように封止用メタライズ層を設ける工程と、前記配線用メタライズ層の少なくとも一つおよび前記封止用メタライズ層から前記絶縁基体の外周側面に互いに独立して導出する複数のめっき引出用メタライズ層を設ける工程と、前記絶縁基体の外周側面に前記複数のめっき引出用メタライズ層を互いに電気的に共通に接続する接続用メタライズ層を設ける工程と、前記配線用メタライズ層および前記封止用メタライズ層の各表面に、前記接続用メタライズ層を用いて電解めっき法によりめっき金属層を同時に被着させる工程と、前記接続用メタライズ層を前記めっき引き出し用メタライズ層同士が互いに電気的に分断されるように、かつ前記接続用メタライズ層の一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で前記絶縁基体の前記外周側面に残るように研磨除去する工程とを具備することを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、各メタライズ層および外部リード端子の表面に電解めっき法によりめっき金属層を被着させた後、接続用メタライズ層をその一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で絶縁基体の外周側面に残るように研磨除去することから、絶縁基体の外周側面に残った接続用メタライズ層が衝撃吸収用の緩衝材およびセラミックスから成る絶縁基体の衝突防止部材としての役目をなす。したがって、本発明によって得られる半導体素子収納用パッケージの絶縁基体同士が例えば半導体装置の製造ライン上において激しく衝突しても、その衝撃は絶縁基体の外周側面に残った接続用メタライズ層で吸収緩和および衝突防止され、その結果、絶縁基体にクラックや欠け等が発生することを有効に防止することができ、パッケージとしての機能が喪失したり、絶縁基体の破片により半導体装置の製造ラインが停止したりすることのない信頼性の高い半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することができる。また、半導体素子収納用パッケージの絶縁基体にクラックや欠け等が発生しないため、高い歩留まりで半導体素子収納用パッケージを製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の製造方法により製造される半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図であり、１は絶縁基体、２は配線用メタライズ層、３は半導体素子固着用メタライズ層、４は封止用メタライズ層、５は外部リード端子である。
【００１５】
絶縁基体１は、セラミック材料から成る略四角平板状であり、その上面に半導体素子を収容するための凹部１ａが形成されており、この凹部１ａ内には半導体素子が収納される。
【００１６】
また、絶縁基体１には、その凹部１ａ内から互いに平行な一対の外周側面１ｃにかけて複数の配線用メタライズ層２が配設されており、その凹部１ａ底面に半導体素子固着用メタライズ層３が被着されており、さらにその上面に凹部１ａを取り囲むように封止用メタライズ層４が被着されている。
【００１７】
配線用メタライズ層２は凹部１ａ内に搭載される半導体素子の各電極を外部リード端子５に電気的に接続する導電路として機能する。そして、その凹部１ａ内に露出した部位には半導体素子の電極がボンディングワイヤを介して電気的に接続される。また、その外周側面１ｃに導出された部位には複数の外部リード端子５がそれぞれ一列ずつの並びに銀ろう等のろう材を介してろう付けされている。
【００１８】
また、凹部１ａの底面に被着された半導体素子固着用メタライズ層３は、凹部１ａ底面に半導体素子を固着するための下地金属として機能し、この半導体素子固着用メタライズ層３に半導体素子を例えば金−シリコン合金等のろう材を介して固着することにより半導体素子が凹部１ａ内に固着される。
【００１９】
また、絶縁基体１の上面に凹部１ａを取り囲むようにして被着された封止用メタライズ層４は、絶縁基体１に金属蓋体を接合させるための下地金属として機能し、この封止用メタライズ層４には、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る略平板状の金属蓋体が例えば金−錫合金等のろう材を介して接合される。
【００２０】
また、外部リード端子５は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成り、その一端が絶縁基体１の一対の外周側面１ｃに導出した配線用メタライズ層２に銀−銅合金等のろう材を介してろう付けされており、その他端がそれぞれ絶縁基体１の下方に向けて突出するように配設されている。
【００２１】
この外部リード端子５は、凹部１ａ内に収納される半導体素子の各電極を外部電気回路に電気的に接続するための接続端子として機能し、その下方に突出した側の先端部を外部電気回路基板の配線導体に半田等を介して接続することにより半導体素子の各電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２２】
さらに、この半導体素子収納用パッケージにおいては、配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層および厚みが0.1〜３μｍ程度の金めっき層が電解めっき法により順次被着されている。
【００２３】
このように、配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層および厚みが0.1〜３μｍ程度の金めっき層が電解めっき法により順次被着されていることから、配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５が酸化腐食するのが有効に防止されるとともに、配線用メタライズ層２とボンディングワイヤとの接続および半導体素子固着用メタライズ層３と半導体素子との接合および封止用メタライズ層４と金属蓋体との接合ならびに外部リード端子５と外部電気回路基板の配線導体との接続が良好なものとなる。
【００２４】
そして、この半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁基体１の凹部１ａの底面に被着させた半導体素子固着用メタライズ層３に半導体素子を固着するとともに、その半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して配線用メタライズ層２に電気的に接続し、しかる後、封止用メタライズ層４に金属蓋体を接合して凹部１ａの内部に半導体素子を気密に封止することにより最終製品としての半導体装置が完成する。
【００２５】
次に、上述の半導体素子収納用パッケージにおける配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面に電解めっき法によりめっき金属層を被着させる本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法について説明する。
【００２６】
先ず、図２に斜視図で示すように、複数のセラミック層を積層して成り、上面に半導体素子が収容される凹部１ａを有する絶縁基体１に、凹部１ａから絶縁基体１の互いに平行な一対の外周側面１ｃに導出する複数の配線用メタライズ層２と、凹部１ａ底面に被着された半導体素子固着用メタライズ層３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを取り囲むように被着された封止用メタライズ層４と、配線用メタライズ層２の一つおよび半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４から絶縁基体１の外周側面１ｃに隣接する一方の外周側面１ｂに互いに独立して導出する複数のめっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａと、外周側面１ｂにめっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａを電気的に共通に接続するようにして被着された接続用メタライズ層６を設けるとともに、絶縁基体１の一対の外周側面１ｃに、タイバー５ａで互いに電気的に接続された複数の外部リード端子５を各配線用メタライズ層２に電気的に接続されるようにしてそれぞれ一列ずつの並びにろう付けする。
【００２７】
このように、絶縁基体１に配線用メタライズ層２の一つおよび半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４から絶縁基体１の外周側面１ｂに互いに独立して導出する複数のめっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａを設けるとともに、これらのめっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａが導出した外周側面１ｂにめっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａを電気的に共通に接続する接続用メタライズ層６を被着させ、かつ外部リード端子５をタイバー５ａで接続しておくことにより、半導体素子固着用メメタライズ層３と封止用メタライズ層４とがタイバー５ａに電気的に接続される。
【００２８】
なお、絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミック材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法等のシート成形法を採用してシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシートを得、次にこれらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに上下に積層して絶縁基体１用の生セラミック成形体を得、しかる後、この生セラミック成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２９】
また、配線用メタライズ層２・半導体素子固着用メタライズ層３・封止用メタライズ層４・めっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａ・接続用メタライズ層６は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
例えばタングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１用のセラミックグリーンシートや生セラミック成型体に従来周知のスクリーン印刷法により所定のパターンに印刷塗布し、それを絶縁基体１用の生セラミック成型体とともに焼成することによって絶縁基体１に被着形成される。
【００３０】
さらに、外部リード端子５は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金の板材に打ち抜き加工を施すことによって所定の形状に形成され、絶縁基体１の一対の外周側面１ｃに導出した配線用メタライズ層２の露出表面に0.2〜２μｍ程度の無電解ニッケルめっき層を予め被着させておくとともにこの配線用メタライズ層２との間に例えば箔状のろう材を挟んでその一端部を当接させるとともに、これらをろう材の融点以上の温度に加熱することにより配線用メタライズ層２にろう付けされる。なお、このとき各外部リード端子５の他端はタイバー５ａにより一体的に連結されているので各外部リード端子５を一定の間隔で保持して絶縁基体１に対して正確にろう付けすることが容易となる。さらに、後述する電解めっき法によるめっき金属層を被着させる際に、このタイバー５ａを介して配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５に電解めっきのための電荷を供給することができる。なお、このタイバー５ａはパッケージの内部に半導体素子を収納して半導体装置と成した後に切断除去すればよい。
【００３１】
次に、全ての配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５にタイバー５ａを介して電解めっきのための電荷を供給して電解めっきを施すことにより配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面にめっき金属層を被着させる。この場合、めっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａおよび接続用メタライズ層６ならびにタイバー５ａを介して配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５が電気的に共通に接続されるので、全ての配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面に電解めっき法により同時にめっき金属層を被着させることができる。なお、このようなめっき金属層としては、厚みが１〜10μｍ程度の電解ニッケルめっき層および厚みが0.1〜３μｍ程度の電解金めっき層が順次被着される。
【００３２】
そして最後に、図３に要部拡大断面図で示すように、絶縁基体１の外周側面１ｂに被着させた接続用メタライズ層６を、めっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａ同士が互いに電気的に分断されるように、かつ接続用メタライズ層６の一部が外周側面１ｂに少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で残るように研磨除去して半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４を電気的に独立させる。
【００３３】
これにより各配線用メタライズ層２および半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４ならびに外部リード端子５の表面に電解めっき法によるめっき金属層が被着されているとともに半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４が電気的に独立した図１に示した半導体素子収納用パッケージが得られる。
【００３４】
このとき、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、接続用メタライズ層６の一部が絶縁基体１の外周側面１ｂに少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で残るように研磨除去されていることが重要かつ必要である。このように、接続用メタライズ層６の一部が絶縁基体１の外周側面１ｂに少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で残るように研磨除去されていることから、絶縁基体１の外周側面１ｂに残った接続用メタライズ層６が衝撃吸収用の緩衝材および衝突防止部材としての役目をなす。したがって、本発明によって得られる半導体素子収納用パッケージの絶縁基体１同士が例えば半導体装置の製造ライン上において激しく衝突しても、その衝撃は絶縁基体１の外周側面１ｂに残った接続用メタライズ層６で吸収緩和および衝突防止され、その結果、絶縁基体１にクラックや欠け等が発生することを有効に防止することができ、パッケージとしての機能が喪失したり、絶縁基体１の破片により半導体装置の製造ラインが停止したりすることのない信頼性の高い半導体素子収納用パッケージを提供することができる。
【００３５】
なお、絶縁基体１の外周側面１ｂに残る接続用メタライズ層６の面積が0.25ｍｍ2未満であると、絶縁基体１同士が半導体装置の製造ライン上で激しく衝突した場合に、その衝撃を絶縁基体１の外周側面１ｂに残った接続用メタライズ層６で十分に吸収緩和および衝突防止することが困難となる傾向にある。したがって、絶縁基体１の外周側面１ｂに残る接続用メタライズ層６の面積は0.25ｍｍ2以上に特定される。また、外周側面１ｂに残る接続用メタライズ層６の面積は４ｍｍ2以下であることが好ましく、４ｍｍ2を超えると、めっき引き出し用メタライズ層２ａ・３ａ・４ａ同士が互いに電気的に分断されるようにするのが困難になり、また衝撃の吸収緩和および衝突防止の効果は４ｍｍ2以下の面積で十分に得られるため、接続用メタライズ層６の面積が不必要に大きくなる傾向がある。
【００３６】
また、接続用メタライズ層６の厚みは10〜50μｍ程度が好ましく、10μｍ未満では、衝撃の吸収緩和および衝突防止の効果が低下して絶縁基体１にクラックや欠けが生じやすくなり、50μｍを超えると、接続用メタライズ層６の被着強度が低下して接続用メタライズ層６が脆くなりやすい。より好ましくは20〜30μｍがよい。
【００３７】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。
【００３８】
例えば、上述の実施の形態の一例では接続用メタライズ層６は、その下端部が残るように研磨除去されたが、図４に要部拡大斜視図で示すように、その上端部および下端部が残るように研磨除去されてもよいし、あるいは図５に要部拡大斜視図で示すように、その左右両端部が残るように研磨除去されてもよい。また、上述の実施の形態の一例では一方の外周側面１ｂのみに接続用メタライズ導体６の一部が残るようにしたが、両方の外周側面１ｂに接続用メタライズ導体６を設け、両方の接続用メタライズ層６の一部が残るようにしてもよい。
【００３９】
さらに、上述の実施の形態の一例では、半導体素子固着用メタライズ層３および封止用メタライズ層４の両方を備えた半導体素子収納用パッケージを製造する場合について説明したが、半導体素子固着用メタライズ層３と封止用メタライズ層４とのいずれか一方を備えた半導体素子収納用パッケージを製造する場合にも本発明の製造方法を適用することが可能である。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、各メタライズ層および外部リード端子の表面に電解めっき法によりめっき金属層を被着させた後、接続用メタライズ層をその一部が少なくとも0.25ｍｍ2以上の面積で絶縁基体の外周側面に残るように研磨除去することから、絶縁基体の外周側面に残った接続用メタライズ層が衝撃吸収用の緩衝材および衝突防止部材としての役目をなす。したがって、本発明によって得られる半導体素子収納用パッケージの絶縁基体同士が例えば半導体装置の製造ライン上において激しく衝突しても、その衝撃は絶縁基体の外周側面に残った接続用メタライズ層で吸収緩和および衝突防止され、その結果、絶縁基体にクラックや欠け等が発生することを有効に防止することができ、半導体素子収納用パッケージとしての機能が喪失したり、絶縁基体の破片により半導体装置の製造ラインが停止したりすることのない信頼性の高い半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の製造方法により製造される半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】  本発明の製造方法を説明するための半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図３】  本発明の製造方法を説明するための半導体素子収納用パッケージの要部拡大斜視図である。
【図４】  本発明の製造方法の他の例を説明するための半導体素子収納用パッケージの要部拡大斜視図である。
【図５】  本発明の製造方法のさらに他の例を説明するための半導体素子収納用パッケージの要部拡大斜視図である。
【符号の説明】
１：絶縁基体
２：配線用メタライズ層
３：半導体素子固着用メタライズ層
４：封止用メタライズ層
５：外部リード端子
６：接続用メタライズ層
【図１】
0003850276.tif 000002
【図２】
0003850276.tif 000003
【図３】
0003850276.tif 000004
【図４】
0003850276.tif 000005
【図５】
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