(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
一般式［１］
【化１】
0003767049.tif 000021
［式中、Ｘ1 〜Ｘ3 はそれぞれ独立に、Ｎ、ＣＨ、またはＡｒ1 もしくはＡｒ2に結合する炭素原子を表し、ただしＸ1 〜Ｘ3 の少なくとも一つはＡｒ1 またはＡｒ2 に結合する炭素原子を表す。ＺはＳ、もしくはＮ- Ｒ1 を表す。ただし、Ｒ1 は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。Ａｒ1 、Ａｒ2 はそれぞれ独立に置換もしくは未置換のアリーレン基を表す。Ａｒ3 〜Ａｒ5 はそれぞれ独立に、水素原子、シアノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。ｍまたはｎは０から４の整数を表すが、ｍ＋ｎ＝０になることはない。
ただし、
0003767049.tif 000022
は、
0003767049.tif 000023
のいずれかである。］
【請求項２】
一対の電極間に発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
一対の電極間に発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は平面光源や表示に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬは、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。
発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年参照）。
この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は１００ｃｄ／ｍ2 、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成して、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、現在までの有機ＥＬ素子は、構成の改善により発光強度は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していない。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな問題を持っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光効率が高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式［１］で示される化合物の少なくとも一種の有機ＥＬ素子材料を少なくとも一層に使用した有機ＥＬ素子の発光効率が高く、繰り返し使用時での安定性も優れていることを見いだし本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、下記一般式［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス素子材料である。
一般式［１］
【化２】
0003767049.tif 000002
［式中、Ｘ1 〜Ｘ3 はそれぞれ独立に、Ｎ、ＣＨまたはＡｒ1 もしくはＡｒ2 に結合する炭素原子を表し、ただしＸ1 〜Ｘ3 の少なくとも一つはＡｒ1 またはＡｒ2 に結合する炭素原子を表す。ＺはＳ、もしくはＮ- Ｒ1 を表す。ただし、Ｒ1 は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。Ａｒ1 、Ａｒ2 はそれぞれ独立に置換もしくは未置換のアリーレン基を表す。Ａｒ3 〜Ａｒ5 はそれぞれ独立に、水素原子、シアノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。ｍまたはｎは０から４の整数を表すが、ｍ＋ｎ＝０になることはない。
ただし、
0003767049.tif 000003
は、
0003767049.tif 000004
のいずれかである。］
【０００６】
更に本発明は、一対の電極間に発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【０００７】
更に本発明は、発光層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【０００８】
【発明実施の形態】
【０００９】
本発明における一般式［１］で示される化合物の複素五員環における  Ｘ1 〜Ｘ3 はそれぞれ独立に、Ｎ、ＣＨまたはＡｒ1 もしくはＡｒ2 に結合する炭素原子を表し、ただしＸ1 〜Ｘ3 の少なくとも一つはＡｒ1 またはＡｒ2 に結合する炭素原子を表す。ＺはＳ、もしくはＮ- Ｒ1 を表す。ここで、Ｒ1 は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等があり、シクロアルキルの具体例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環等があり、置換もしくは未置換のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等があり、置換もしくは未置換の複素環基としては、ピロール基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、カルバゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、モルフォリン基等の複素環基等がある。
【００１０】
前記複素五員環の例を表１に表す。
【００１１】
0003767049.tif 000005
【００１２】
0003767049.tif 000006
【００１３】
0003767049.tif 000007
【００１４】
一般式［１］を構成するＡｒ1 、Ａｒ2 のアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセンジイル基、ピレニジイル基、トリフェニレン基、フルオレニル基、アントラキノン基、フェナンスレニル基、アズレニル基等がある。また、上記アリール基は置換基を有してもよい。ｍまたはｎは０から４の整数を表すが、ｍ＋ｎ＝０になることはない。
【００１５】
一般式［１］のＡｒ3 〜Ａｒ5 はそれぞれ独立に、水素原子、シアノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表す。Ａｒ3 〜Ａｒ5 のアルキル基、シクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基としては、前記Ｒ1 で説明した基がある。
【００１６】
Ｒ1 または、Ａｒ1 〜Ａｒ5 への置換基の具体例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは未置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３ーメチルフェニル基、３ーメトキシフェニル基、３ーフルオロフェニル基、３ートリクロロメチルフェニル基、３ートリフルオロメチルフェニル基、３ーニトロフェニル基等の置換もしくは未置換のアリール基、トキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは未置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｏ，ｍ，ｐ−ターフェニル基、アントラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、９−フェニルアントラニル基、９，１０−ジフェニルアントラニル基、ピレニル基等のアリール基、ピロール基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、ジシアノフルオレン基、カルバゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペリジン基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基等がある。
【００１７】
本発明において、一般式［１］で示される化合物は、例えば以下の方法により製造することができる。
【００１８】
下記一般式［２］で表される化合物と下記一般式［３］で表される亜リン酸トリアルキルあるいは亜リン酸トリフェニルを反応させることにより、一般式［４］の化合物を製造できる。
【００１９】
一般式［２〜４］
【化３】
0003767049.tif 000008
［式中、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子を表し、Ｒ2 はメチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基またはフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｚ、およびＡｒ1 〜Ａｒ5 、は前記と同じである。］
【００２０】
得られた一般式［４］の化合物を塩基の存在下、下記一般式［５］で表されるケトンまたはアルデヒドと反応させることにより一般式［１］で表される化合物を得ることができる。ここで用いる反応溶媒としては、炭化水素、アルコール類、エーテル類が用いられる。具体例を挙げると、メタノール、エタノール、イソプロパノール、２- メトキシエタノール、１，２- ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ- ジメチルホルムアミド、Ｎ- メチルピロリドン、１，３- ジメチル−２−イミダゾリジノンなどがあげられる。また、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、ｎ- ブチルリチウム、ナトリウムメチラート、およびカリウム- ｔ- ブトキシドなどがあげられ、なかでもナトリウムメチラート、およびカリウム- ｔ- ブトキシドなどのアルコラートが好ましい。反応温度は用いる反応原料の種類や条件により、一義的に決めることはできないが、通常は室温〜約１００℃までの広範囲を選択することができ、室温が特に好ましい。
【００２１】
一般式［５］
【化４】
0003767049.tif 000009
［式中、Ａｒ3 、Ａｒ4 は前記と同じである。］
【００２２】
また、一般式［１］で表される化合物は、下記一般式［６］で表されるアルデヒドまたはケトンと下記一般式［７］で表されるホスホン酸エステルを塩基の存在下反応させることによっても得ることができる。このときの反応条件は前記と同様である。
【００２３】
一般式［６〜７］
【化５】
0003767049.tif 000010
［Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｚ、Ａｒ1 〜Ａｒ5 、Ｒ2 は前記と同じである。］
【００２４】
以下に、本発明の化合物の代表例を表２に具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に限定されるものではない。
【００２７】
【表２】
0003767049.tif 000011
【００２８】
0003767049.tif 000012
【００２９】
0003767049.tif 000013
【００３０】
0003767049.tif 000014
【００３１】
0003767049.tif 000015
【００３２】
0003767049.tif 000016
【００３５】
一般式［１］で表される化合物は、１分子中に２つのオレフィン部位（＞Ｃ＝Ｃ＜）を有している。このオレフィン部位の幾何異性体により、一般式［１］で表される化合物はシス体、トランス体の組み合わせがあるが本発明の化合物はそのいずれであってもよく、混合したものであってもよい。
【００３６】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。多層型は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）の多層構成で積層した有機ＥＬ素子がある。本発明の一般式［１］で示される化合物は、固体状態において強い蛍光を持つ化合物であり電界発光性に優れているので、発光材料として発光層内で使用することができる。また、一般式［１］の化合物は、正孔もしくは電子等のキャリアを輸送することができるので、有機ＥＬ素子の正孔注入層もしくは電子注入層に使用することも可能である。
【００３７】
有機ＥＬ素子は、多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。また、各層において必要があれば、発光材料、ドーピング材料、キャリア輸送を行う正孔注入材料や電子注入材料を二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、発光層にドーピング材料をドーピングして、発光輝度や発光効率の向上、およびドーピング材料により他の色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造が選択される。
【００３８】
発光層に使用できる発光材料もしくはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、トリフェニルアミン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミンジアミン型トリフェニルアミンピラン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、金属フタロシアニン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、金属合金、ＩＴＯ、ＮＥＳＡもしくはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。
【００４０】
陰極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適している。その材料としては、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ等の金属、もしくはＭｇ／Ａｇ、Ｌｉ／Ａｌ、Ｍｇ／Ｉｎ等の合金が挙げられる。陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。陽極および陰極は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラズマガン等の公知の成膜法により作製される。
【００４１】
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、陽極もしくは陰極のうち、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法等の方法で所定の透光性を確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上が望ましい。
【００４２】
基板は機械的、熱的強度を有し透明なものであれば良いが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン、ポリイミド等の板状もしくはフィルム状のものがあげられる。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラズマガン等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎると、薄膜中にピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００４４】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、その溶媒はいずれでも良い。また、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用する。このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【００４５】
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン、ナフタロシアニン、ポルフィリン、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層または正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容材料を、電子注入材料に電子供与材料を添加して増感させることもできる。
【００４７】
本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を保護することも可能である。
【００４８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
化合物（１）の合成方法（参考合成例）
化合物（１）
【化６】
0003767049.tif 000017
フラスコ中に、α- ジフェニルブロモメタン２４．７ｇおよび亜リン酸トリエチル１６．６ｇを加えて１５０℃で３時間かくはんする。その反応液を減圧中で濃縮し、ｎ- ヘキサン４００ｇを加えた後、一昼夜５℃で冷却して結晶を析出させる。得られた結晶をろ過して乾燥させ、下記化学構造で示されるリン酸エステル２２．７ｇを得た。その後、フラスコ中に上記のように合成したリン酸エステル１６．３ｇ、２，５- ジ（４- ホルミルフェニル）- チオフェン５０ｇ、カリウムｔ- ブトキシド１８．５ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｇを入れて、４０℃で５時間かくはんする。冷却後、エタノール、精製水の順で洗浄、ろ過した後にシリカゲルカラムを用いて精製し、２０ｇの黄白色粉末を得た。この粉末の赤外吸収スペクトル、ＮＭＲスペクトル、質量分析を行った結果、化合物（１）であることを確認した。
【００４９】
【化６】
0003767049.tif 000018
【００５２】
実施例１６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ' ―（３―メチルフェニル）―Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―１，１―ビフェニル- ４，４―ジアミン（ＴＰＤ）を真空蒸着して、膜厚２０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（１６）を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を蒸着し、膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入層および発光層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧５Ｖで発光輝度３２０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度１２０００（ｃｄ／ｍ2 ）、５Ｖの時の発光効率１．４（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。次に３（ｍＡ／ｃｍ2 ）の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の１／２以上の発光が５０００時間以上保持された。
【００５３】
実施例１７、１９，２２、２８〜３４，３９，４０
発光層に、表３で示した化合物を使用する以外は実施例１６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は表３に示す発光特性を示した。
【００５４】
【表３】
0003767049.tif 000019
【００５５】
0003767049.tif 000020
【００６５】
【発明の効果】
本発明により、従来に比べて高発光効率、高輝度であり、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることができた。