(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜を有する太陽電池であって、受光面にＰ型不純物拡散層及び該Ｐ型不純物拡散層に接続されたＰ電極、Ｎ型不純物拡散層及び該Ｎ型不純物拡散層に接続されたＮ電極を有し、半導体基板の裏面に半導体基板と異なる導電型の不純物拡散層を有し、該裏面の不純物拡散層にパッシベーション膜の開口部で接続された電極を有していることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
半導体基板の裏面にＰ型不純物拡散層及びＮ型不純物拡散層を有し、該裏面のＰ型不純物拡散層及びＮ型不純物拡散層にパッシベーション膜の開口部でそれぞれ接続されたＰ電極及びＮ電極を有する請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
受光面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比が、裏面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比より小さい請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
半導体基板の裏面上のパッシベーション膜の上に、さらに前記半導体基板及びパッシベーション膜と屈折率の異なる透明絶縁膜が形成されてなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の太陽電池。
【請求項５】
半導体基板がＰ型であり、受光面に形成されたＮ型不純物拡散層がＰ型不純物拡散層よりも面積が広い請求項１〜４のいずれか１つに記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は太陽電池に関し、より詳細には、放射線に曝される環境で使用する宇宙用の太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、太陽電池が人工衛星の電源として宇宙で使用される場合、宇宙空間の高エネルギー放射線（電子線、陽子線等）に曝されるため、太陽電池セル内部に結晶欠陥が発生し、その欠陥の数に応じて少数キャリアのライフタイムが減少し、出力特性が経時劣化する。
そこで、宇宙用太陽電池では、耐放射線を改善するために、ＰＮ接合を浅くしたり、太陽電池の構造にあった基板抵抗率を選択する等の対策がとられている。また、セルの厚さを薄くすることにより、放射線照射後の少数キャリアの収集効率を改善できることが知られている。
【０００３】
さらに、太陽電池の出力特性を改善するために、表面に凹凸部、例えば正ピラミッド、逆ピラミッド、Ｖグループ等を形成し、表面の光の反射損失を低減するとともに、入射した光の裏面での反射率を改善する光トラッピング構造が採用されている。
【０００４】
従来の一般的な宇宙用シリコン太陽電池は、図５に示すように、Ｐ型シリコン基板３０の受光面側にＮ型不純物拡散層３１及びＮ電極３２を有し、ＰＮ接合が受光面近傍に形成されているとともに、裏面側にＰ型不純物拡散層３３及びＰ電極３４を有し、ＢＳＦ（裏面電界層）機能が備えられている。なお、シリコン基板３０の受光面側には、シリコン酸化膜３５及び反射防止膜３６が、裏面側にはＰ電極３４との間にシリコン酸化膜３５が形成されている。
【０００５】
このような構造のシリコン太陽電池では、短波長の光に対して吸収係数が大きいため、シリコン基板表面から比較的浅い位置で電子−正孔対を生成する。これに対して、長波長の光は、シリコン基板内部により深く進み、裏面近傍で電子−正孔対を生成する。そして、シリコン基板内に結晶欠陥がない場合には、基板内での少数キャリアは拡散長が長いため、光生成された少数キャリアは効率よくＰＮ接合に到達し、電力として取り出すことができる。
しかし、放射線の照射によりシリコン基板中に結晶欠陥が発生すると、これが少数キャリアの再結合中心として働くことになり、少数キャリアの拡散長を短くし、ＰＮ接合から遠い位置で発生した少数キャリアはＰＮ接合まで到達せず、電力として取り出すことができなくなる。
【０００６】
このことは、シリコン太陽電池に放射線を照射することにより分光感度特性を測定した図６の結果からも明らかである。なお、図６は、ＢＳＦＲ（バック・サーフェイス・フィールド・アンド・リフレクター）型のカバーガラスを形成していない裸の太陽電池セル（２００μｍ厚）を用いた測定結果である。
つまり、放射線照射量が大きくなるほど長波長感度が低下し、ＰＮ接合から離れた位置で発生した少数キャリアが、放射線照射によりＰＮ接合に到達しにくくなっていることがわかる。
【０００７】
また、図５のような構造のシリコン太陽電池は、太陽電池セルの厚さによって、図７に示すような出力劣化特性を有している。
つまり、放射線の照射線量が比較的低い場合には、シリコン基板の膜厚が比較的厚くても出力特性が良好であるが、放射線の照射線量が高くなるにつれ、シリコン基板の膜厚が厚いほど、出力特性が低下しやすくなる。具体的には、１×１０14ｅ／ｃｍ2以上の放射線が照射された後は、膜厚が５０μｍのシリコン基板を用いた太陽電池セルでは、膜厚７０μｍ、１００μｍのシリコン基板を用いた太陽電池セルに比較して、最も出力特性が高い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現実の太陽電池製造工程においては、工程中におけるシリコンウェハの割れが多くなり、５０μｍ厚以下の薄いセルを製造することは困難である。また、シリコンウェハの割れに伴って、図８に示すように、歩留まりの低下が著しくなり、太陽電池のコストが高くなるという問題がある。
【０００９】
薄いシリコン基板を用いた工程中の割れの原因は、通常、工程の第一段階でシリコンウェハを最終セル厚さまで薄くするために、その後の不純物拡散工程、フォトリソグラフィ工程等における機械や人手によるウェハのハンドリングによって生じるウェハの周囲に微細な欠けであり、この欠けにより、ウェハの割れを至らしめる。このような欠けは、ウェハの厚さが薄くなるほど生じやすく、単にセル厚を５０μｍより薄くすることによっては、さらなる耐放射線性の改善は困難である。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、薄膜セルを用いることなく出力特性及び耐放射線性が改善された太陽電池を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１導電型半導体基板の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜を有する太陽電池であって、受光面にＰ型不純物拡散層及び該Ｐ型不純物拡散層に接続されたＰ電極、Ｎ型不純物拡散層と該Ｎ型不純物拡散層に接続されたＮ電極とを有し、半導体基板の裏面に半導体基板と異なる導電型の不純物拡散層を有し、該裏面の不純物拡散層にパッシベーション膜の開口部で接続された電極を有している太陽電池が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の太陽電池は、第１導電型半導体基板と、その受光面の表面に形成されたＮ型及びＰ型の不純物拡散層と、それら不純物拡散層に接続されたＮ電極及びＰ電極と、裏面上に形成されたパッシベーション膜とから主として構成される。
【００１２】
本発明における第１導電型半導体基板は、太陽電池素子の1個又は複数個を同時に形成するための基板を意味し、ウェハ等を含む。この基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の化合物半導体等の公知のものを使用することができる。なかでも、シリコン基板が好ましい。半導体基板は、リン等のＮ型又はホウ素等のＰ型のいずれかの不純物を含有している。なかでも、Ｐ型であることが好ましい。
【００１３】
半導体基板の厚さは、通常の太陽電池に使用される程度の厚さであれば特に限定されるものではなく、例えば、５０〜４００μｍ程度のものが挙げられる。
半導体基板の受光面には、Ｎ型及びＰ型の双方の不純物拡散層が形成されている。この場合のＮ型及びＰ型不純物拡散層は、通常太陽電池に使用されている程度の不純物濃度を有していることが好ましい。例えば、Ｎ型及び／又はＰ型不純物拡散層の不純物濃度は、１．０×１０19〜１．０×１０20ｃｍ-3程度が挙げられる。Ｎ型及びＰ型不純物拡散層の接合深さは用いる半導体基板の膜厚、得ようとする太陽電池の特性等により適宜調整することができ、例えば、０．０５μｍ〜２μｍ程度が適当である。これにより、半導体基板の受光面側にＰＮ接合とＦＳＦ（表面電界層）機能の双方を併せもったセルを形成することができる。
【００１４】
Ｎ型及びＰ型不純物拡散層の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、平面形状として、それぞれストライプ形状、櫛形状、島形状等種々の形状が挙げられる。なお、Ｎ型及びＰ型不純物拡散層は、短絡が生じないように互いに接触しないように配置することが好ましく、さらに、光生成されたキャリアを有効に取り出すために半導体基板の受光面に均等に配置していることが好ましい。Ｎ型及びＰ型不純物拡散層の受光面における面積比は、特に限定されるものではなく、例えば、Ｎ型不純物拡散層がＰ型不純物拡散層よりも大きいことが好ましい。これにより、太陽電池の出力を向上させることができるからである。具体的には、Ｎ型及びＰ型不純物拡散層の面積比は、Ｎ／Ｐ＝５０／５０〜９０／１０程度が好ましい。なお、半導体基板の受光面は、入射光の反射を低減させるテクスチャ形状を有していてもよい。
【００１５】
Ｎ型及びＰ型不純物拡散層は、公知の方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程により形成されるレジストパターン又はパターニングされた絶縁膜等をマスクとして用いたイオン注入や熱拡散等により形成することができる。
Ｎ型及びＰ型不純物拡散層に接続されるＮ電極及びＰ電極は、導電性材料から形成されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、白金、ニッケル、鉛、チタン、タンタル、パラジウム等の金属の単層膜、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の透明導電材料、あるいはＡｌ／Ｔｉ／Ｐｄ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｔｉ／Ｐｄ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｔｉ／Ａｇ、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｇ等の積層膜が挙げられる。Ｎ電極及びＰ電極の膜厚は特に限定されるものではなく、任意に設定することができる。
【００１６】
Ｎ電極及びＰ電極の形状は特に限定されるものではないが、太陽電池の入射光量を増すために、櫛形、格子形等の形状で、受光面に対して、それぞれ０．１〜１０％程度の面積で形成することが適当である。
Ｎ電極及びＰ電極は、公知の方法、例えば、真空蒸着法、ＢＥ蒸着法、スパッタリング法等により導電性材料による膜を形成した後、リフトオフ法、フォトリソグラフィ及びエッチング技術等により所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。また、所望の形状にパターニングされたシードメタルパターンを用いた電解メッキにより形成してもよい。
【００１７】
なお、半導体基板の受光面においては、上述したように、Ｎ型及びＰ型不純物拡散層、Ｎ電極及びＰ電極の他に、パッシベーション膜、絶縁膜、反射防止膜等をさらに形成してもよい。これら膜は、いずれも入射光の半導体基板への入射を妨げないように透明であることが好ましく、さらに、Ｎ電極及びＰ電極が、Ｎ型及びＰ型不純物拡散層にそれぞれ直接接続されるように、所定の形状及び大きさの開口を有していることが好ましい。例えば、パッシベーション膜としては、膜厚１００〜５０００Å程度のシリコン酸化膜、アルミニウムガリウム砒素（Ｇａ0.2Ａｌ0.8Ａｓ）、ガリウムインジウムリン（Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ）等が挙げられる。また、絶縁膜としては、膜厚０．１〜２μｍ程度のシリコン酸化膜等が挙げられる。反射防止膜としては、膜厚５００〜５０００Å程度のシリコン酸化膜、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等が挙げられる。
【００１８】
また、半導体基板の裏面上には、パッシベーション膜が形成されている。ここで裏面とは、半導体基板の受光面とは反対側の面を意味する。パッシベーション膜としては、上記と同様の膜厚及び材料のものが挙げられる。パッシベーション膜は、半導体基板の裏面にＮ電極及び／又はＰ電極が形成されていない場合には、裏面全面に形成されていることが好ましく、後述するように、Ｎ型及び／又はＰ型不純物拡散層の上にＮ電極及び／又はＰ電極が形成されている場合には、Ｎ電極及び／又はＰ電極が、Ｎ型及び／又はＰ型不純物拡散層にそれぞれ直接接続されるように、所定の形状及び大きさの開口を有していることが好ましい。
【００１９】
さらにパッシベーション膜の上又は下に、基板及びパッシベーション膜と屈折率の異なる透明絶縁膜等がさらに形成されていてもよい。なかでも、透明絶縁膜はパッシベーション膜の上に形成されることが好ましい。透明絶縁膜としては、例えば、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等が挙げられる。また、その膜厚は、例えば、５００〜５０００Å程度が挙げられる。これにより、セルに入射した光の反射率を変化させて、太陽電池の出力を向上させることができる。なお、透明絶縁膜も、Ｎ型及び／又はＰ型不純物拡散層の上にＮ電極及び／又はＰ電極が形成されている場合には、パッシベーション膜と同様に所定の形状及び大きさの開口を有していることが好ましい。これにより、半導体基板と電極との接触抵抗を低減させることができ、少数キャリアを有効に収集することができ、太陽電池の出力を向上させることができる。
【００２０】
半導体基板の裏面には、さらに、半導体基板の導電型とは異なる及び／又は同じ導電型の不純物拡散層が形成されていることが好ましい。特に、双方の導電型の不純物拡散層が形成されている場合には、半導体基板の受光面及び裏面のそれぞれにＰＮ接合と電界層機能の双方を併せもったセルを形成することができるため好ましい。また、不純物拡散層が形成されている場合には、不純物拡散層と直接接続されるＮ電極及び／又はＰ電極が形成されていることが好ましい。裏面にＮ電極又はＰ電極が形成されている場合には、半導体基板の受光面と裏面との双方にＮ電極又はＰ電極が形成されることとなり、太陽電池の出力を向上させることができ、裏面表面にＮ電極及びＰ電極の双方が形成されている場合には、半導体基板の受光面と裏面との双方にＮ電極及びＰ電極の双方が形成されることとなり、太陽電池の出力をより向上させることができるからである。
不純物拡散層の不純物濃度、接合深さ、形状、電極の材料、膜厚、形状等は、上述したようなもの等から適宜選択して用いることができる。
【００２１】
半導体基板の裏面にＮ型及びＰ型不純物拡散層の双方が形成されている場合には、受光面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比が、裏面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比より小さいことが好ましい。具体的には、受光面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比が、上記の範囲であれば、裏面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比は、Ｎ／Ｐ＝２０／８０〜８０／２０程度であることが好ましい。つまり、光吸収波長の異なる受光面と裏面とで、Ｎ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比を変化させて、最適化（例えば、裏面のシリーズ抵抗を減少させる）することにより、太陽電池の出力を向上させることができる。
【００２２】
【実施例】
以下に本発明の太陽電池の実施例を図面に基づいて説明する。
実施の形態１
この実施の形態における太陽電池は、図１に示したように、Ｐ型シリコン基板１０の受光面側にテクスチャー構造を有し、受光面側にＰ型不純物拡散層１１とこれに接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とこれに接続されたＮ電極１４の両方が形成されており、さらに、裏面側の全面にＮ型不純物拡散層１５とそれに接続されたＮ電極１６が形成されている。また、シリコン基板１０の受光面のＰ型不純物拡散層１１及びＮ型不純物拡散層１３、裏面のＮ型不純物拡散層１５の表面には、シリコン酸化膜１７、１８がそれぞれ形成されており、さらに受光面のシリコン酸化膜１７上には反射防止膜１９が形成されている。
【００２３】
なお、受光面側におけるＰ型不純物拡散層１１とＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ電極１４は、図２に示したようにＰ型シリコン基板１０上に配置しており、Ｐ型不純物拡散層１１及びＮ型不純物拡散層１３の上には、それぞれＰ電極１２及びＮ電極１４とのコンタクト部２０が形成されている。
【００２４】
この実施の形態においては、受光面におけるＰ型不純物拡散層１１を数十μｍ程度の幅で、Ｎ型不純物拡散層１３を数十〜数百μｍ程度の幅で、Ｐ型不純物拡散層１１とＮ型不純物拡散層１３との間隔を数十μｍ程度、Ｐ型不純物拡散層１１の受光面における面積を５〜５０％程度、Ｎ型不純物拡散層１３の受光面における面積を５０〜９０％程度として、平面形状でそれぞれ櫛形となるように形成した。
【００２５】
この太陽電池は、以下の工程で製造することができる。
まず、ケミカルエッチングにより薄型化するとともに受光面にテクスチャ構造が形成されたシリコンウェハに熱酸化膜を形成する。
その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、受光面の熱酸化膜の一部を除去し、Ｐ型不純物拡散層を形成する。
続いて、受光面及び裏面上に常圧ＣＶＤ法により酸化膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、受光面上積層された熱酸化膜とＣＶＤ法による酸化膜の一部、裏面上に形成された酸化膜の一部を除去し、受光面及び裏面にＮ型不純物拡散層を形成する。
最後に、フォトリソグラフィ技術を用いて、受光面と裏面とに電極を形成し、さらに受光面に反射防止膜を形成する。
【００２６】
実施の形態２
この実施の形態における太陽電池は、図３に示したように、シリコン基板１０の裏面側に、Ｐ型不純物拡散層２１とこれに接続されたＰ電極２２、Ｎ型不純物拡散層２３とこれに接続されたＮ電極２４の両方が形成されている以外は、実施の形態１とほぼ同様の構造である。
【００２７】
ただし、この実施の形態においては、受光面におけるＰ型不純物拡散層１１を数十μｍ程度の幅で、Ｎ型不純物拡散層１３を数十〜数百μｍ程度の幅で、Ｐ型不純物拡散層１１とＮ型不純物拡散層１３との間隔を数十μｍ程度、Ｐ型不純物拡散層１１の受光面における面積を５〜５０％程度、Ｎ型不純物拡散層１３の受光面における面積を５０〜９０％程度として、平面形状でそれぞれ櫛形となるように形成した。
【００２８】
また、裏面におけるＰ型不純物拡散層２１を数十μｍ程度の幅で、Ｎ型不純物拡散層２３を数十〜数百μｍ程度の幅で、Ｐ型不純物拡散層２１とＮ型不純物拡散層２３との間隔を数十μｍ程度、Ｐ型不純物拡散層１１の裏面における面積を１０〜５０％程度、Ｎ型不純物拡散層１３の裏面における面積を５０〜８５％程度として、平面形状でそれぞれ櫛形となるように形成した。ただし、裏面は受光面と異なり、電極面積をＰ電極とＮ電極が接触しない程度（数十μｍ以上）の間隔をあけて大きくすることができる。
【００２９】
この太陽電池は、熱酸化膜をシリコンウェハの両面に形成し、フォトリソグラフィ技術により受光面及び裏面の熱酸化膜の一部を除去し、受光面及び裏面の両方にＰ型不純物拡散層を形成し、受光面及び裏面に常圧ＣＶＤ法により酸化膜を形成し、フォトリソグラフィ技術により受光面及び裏面の熱酸化膜と酸化膜との一部を除去し、受光面及び裏面の両方にＮ型不純物拡散層を形成する以外は、実施の形態１と同様の方法により形成することができる。
このような構成にすることにより、裏面にもＢＳＦ機能をもたせることができるため、受光面のＰ型不純物拡散層の割合を小さくすることができ、これにより、受光面でのＰＮ接合の面積を大きくとることができる。
【００３０】
実施の形態３
この実施の形態における太陽電池は、図４に示したように、シリコン基板１０の裏面側のシリコン酸化膜上に、膜厚５００〜５０００Å程度のＴｉＯ2等からなる透明絶縁膜２５が形成されている以外は、実施の形態１と同様の構造である。
【００３１】
この太陽電池は、受光面及び裏面上に常圧ＣＶＤ法により酸化膜を形成した後、裏面に透明絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、裏面上に形成された酸化膜と透明絶縁膜との一部を除去する以外は、実施の形態１とほぼ同様の方法により形成することができる。
このような構成にすることにより、従来問題となっていたパッシベーション膜と電極との間に生成される合金に起因するセルの入射光の反射率減少を抑制することができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、受光面の表面にＰ型不純物拡散層とＰ型不純物拡散層に接続されたＰ電極、Ｎ型不純物拡散層とＮ型不純物拡散層に接続されたＮ電極との双方を有しているため、受光面側にＰＮ接合とＦＳＦ（表面電界層）機能の両方を併せもった太陽電池を形成することができ、太陽電池セルの出力を向上させることができる。
また、半導体基板の裏面表面に、半導体基板とは異なる又は同じ導電型の不純物拡散層と、該不純物拡散層に接続された電極がさらに形成されてなる場合には、受光面及び裏面の双方にＮ電極又はＰ電極を有するため、太陽電池セルの出力をより向上させることができる。
【００３３】
特に、半導体基板の裏面表面に、Ｐ型不純物拡散層及び該Ｐ型不純物拡散層に接続されたＰ電極、Ｎ型不純物拡散層及び該Ｎ型不純物拡散層に接続されたＮ電極がさらに形成される場合には、受光面側のみならず、裏面においてもＰＮ接合と電界層機能の両方を併せもったセルを形成することができるとともに、受光面及び裏面の双方において、生成したキャリアを外部に取り出すことができるため、放射線照射に起因する半導体基板の劣化によりキャリア拡散長が短くなったセルにおいても、キャリアを有効に電力として外部に取り出すことができ、放射線照射によって劣化した太陽電池セルにおいても、出力を一層向上させることができる。しかも、受光面近傍（厚さ数μｍ程度）だけで太陽電池として機能させることができ、セル内部で格子欠陥が発生しても、太陽電池としての機能を失わないことから、宇宙環境での耐放射線が向上され、寿命末期での変換効率を大幅に改善することが可能となる。
【００３４】
しかも、受光面のＰ拡散層とＮ拡散層（Ｐ電極とＮ電極）の間隔を裏面のＰ拡散層とＮ拡散層（Ｐ電極とＮ電極）の間隔と等しくして、受光面のＮ電極の真下に裏面のＰ電極、受光面のＰ電極の真下に裏面のＮ電極を形成することで、セル内部のＰＮ接合と電界層の距離が小さくなるため、開放電圧を大きくし、太陽電池の特性を改善することが可能となる。
【００３５】
さらに、１つのセル内に２つのＮ電極と２つのＰ電極との４つの電極を備えるため、４通りのＮ−Ｐ電極の組み合わせが可能となるため、４種のセルを並列に接続した構造を実現することができ、有効に太陽電池セルの出力を向上させることが可能となる。加えて、一つのセル中にＰ電極及びＮ電極をそれぞれ２つ有するため、例えば、一方の電極が断線した場合でも、太陽電池としての機能を損なうことを防止することができる。しかも、セル厚を特に薄膜化することなく、放射線照射による劣化に起因する出力低下を防止することができるため、セル割れによる歩留まり低下を防止することが可能となり、太陽電池を安価に提供することができる。
【００３６】
また、受光面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比が、裏面のＮ型不純物拡散層に対するＰ型不純物拡散層の面積比より小さい場合には、短絡電流の最適化を図ることができ、太陽電池の出力をより向上させることができる。
【００３７】
さらに、半導体基板の裏面上のパッシベーション膜の上に、さらに透明絶縁膜が形成される場合には、屈折率の異なる透明絶縁膜を形成することにより、裏面におけるセルの入射光の反射率を変化させて、太陽電池の出力を向上させることができる。しかも、従来問題となっていたパッシベーション膜と電極との間に生成される合金に起因するセルの入射光の反射率の減少を抑制することができる。また、半導体基板がＰ型であり、受光面の表面に形成されたＮ型不純物拡散層がＰ型不純物拡散層よりも広い場合には、効率的な光電変換を行うことができ、太陽電池の出力をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池の実施の形態を示す要部の概略断面図である。
【図２】図1の太陽電池の要部の概略平面図である。
【図３】本発明の太陽電池の別の実施の形態を示す要部の概略断面図である。
【図４】本発明の太陽電池のさらに別の実施の形態を示す要部の概略断面図である。
【図５】従来の太陽電池の実施の形態を示す要部の概略断面図である。
【図６】従来の太陽電池の放射線照射による分光感度特性を示すグラフである。
【図７】従来の太陽電池のセル厚による出力劣化特性を示すグラフである。
【図８】従来の太陽電池のセル厚による歩留まりを示すグラフである。
【符号の説明】
１０  シリコン基板（半導体基板）
１１、２１  Ｐ型不純物拡散層
１２、２２  Ｐ電極
１３、１５、２３  Ｎ型不純物拡散層
１４、１６、２４  Ｎ電極
１７  シリコン酸化膜
１８  シリコン酸化膜（パッシベーション膜）
１９  反射防止膜
２０  コンタクト部
２５  透明絶縁膜
【図１】
0003781600.tif 000002
【図２】
0003781600.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003781600.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003781600.tif 000009