(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたパッドに少なくとも一層の金属層を形成し、前記少なくとも一層の金属層の最表層上に、置換メッキによって、ろう材層を形成することを含むバンプの形成方法であって、
前記基板と前記パッドの端部上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜と前記パッドを覆う第２の絶縁膜を形成することで、前記パッドの中央部には前記第２の絶縁膜からなる薄い絶縁膜部分を形成し、前記パッドの前記端部上には前記第１及び第２の絶縁膜からなる厚い絶縁膜部分を形成し、
前記第２の絶縁膜の上にレジスト層を形成し、前記レジスト層の前記パッドに相当する位置に貫通穴を形成し、
前記レジスト層に覆われていない前記第２の絶縁膜をエッチングし、
前記パッド上であって、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前記レジスト層に囲まれた領域に前記少なくとも一層の金属層を形成するバンプの形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、前記置換メッキを行う前に、前記ろう材層よりも厚く形成するバンプの形成方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載のバンプの形成方法において、
前記ろう材層を、スズを含む材料で形成するバンプの形成方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、銅で形成するバンプの形成方法。
【請求項５】
請求項４記載のバンプの形成方法において、
ニッケル層を形成し、前記銅からなる最表層を、前記ニッケル層上に形成するバンプの形成方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層を、化学還元メッキで形成するバンプの形成方法。
【請求項７】
請求項６記載のバンプの形成方法において、
前記化学還元メッキのために触媒を付与することをさらに含むバンプの形成方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層を、複数の金属層で形成し、
前記複数の金属層のうち、下側層上の酸化膜を除去した後に上側層を形成するバンプの形成方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層上の酸化膜を除去した後に、前記置換メッキを行うバンプの形成方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記置換メッキのために触媒を付与することをさらに含むバンプの形成方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成する工程は、溶液への浸漬処理と、前記溶液への浸漬処理終了後に連続して行われる洗浄工程と、を含むバンプの形成方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のバンプの形成方法において、
前記洗浄工程を、超音波振動を加えて行うバンプの形成方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記レジスト層を剥離することをさらに含むバンプの形成方法。
【請求項１４】
請求項１３記載のバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成した後に行うバンプの形成方法。
【請求項１５】
請求項１３記載のバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記最表層の下の層を形成した後であって、前記最表層の形成前に行うバンプの形成方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のバンプの形成方法において、
前記最表層の下の層をニッケルで形成し、前記最表層を銅で形成するバンプの形成方法。
【請求項１７】
請求項１３から請求項１６のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離に、有機溶剤を使用するバンプの形成方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって前記基板としての半導体ウエハに形成されたパッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成するバンプの形成方法。
【請求項１９】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載のバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって前記基板としての半導体チップに形成されたパッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成するバンプの形成方法。
【請求項２０】
請求項１８又は請求項１９記載の方法によって、バンプを形成することを含むフリップチップの製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法によって製造されたフリップチップを基板に実装することを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプの形成方法、フリップチップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体チップ又は半導体ウエハのパッドに、化学還元メッキ（無電解メッキ）を用いてバンプを形成する方法が知られている。しかしながら、従来の方法では、化学還元メッキによってバンプを形成することができる金属が限定されていたので、低融点金属によってバンプの一部を形成することができなかった。
【０００３】
本発明は、従来の問題点を解決するためのものであり、その目的は、一部が低融点金属からなるバンプを簡単に形成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るバンプの形成方法は、パッド上に少なくとも一層の金属層を形成し、前記少なくとも一層の金属層の最表層上に、置換メッキによって、ろう材層を形成することを含む。
【０００５】
本発明によれば、置換メッキによって、バンプの一部を低融点金属（ろう材）で形成することができる。
【０００６】
（２）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、前記置換メッキを行う前に、前記ろう材層よりも厚く形成してもよい。
【０００７】
こうすることで、少なくとも一層の金属層の最表層が無くなる前に、ろう材層の形成を終わらせることができる。
【０００８】
（３）このバンプの形成方法において、
前記ろう材層を、スズを含む材料で形成してもよい。
【０００９】
（４）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、銅で形成してもよい。
【００１０】
（５）このバンプの形成方法において、
ニッケル層を形成し、前記銅からなる最表層を、前記ニッケル層上に形成してもよい。
【００１１】
（６）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層を、化学還元メッキで形成してもよい。
【００１２】
（７）このバンプの形成方法において、
前記化学還元メッキのために触媒を付与することをさらに含んでもよい。
【００１３】
（８）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層を、複数の金属層で形成し、
前記複数の金属層のうち、下側層上の酸化膜を除去した後に上側層を形成してもよい。
【００１４】
（９）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層の前記最表層上の酸化膜を除去した後に、前記置換メッキを行ってもよい。
【００１５】
（１０）このバンプの形成方法において、
前記置換メッキのために触媒を付与することをさらに含んでもよい。
【００１６】
（１１）このバンプの形成方法において、
前記パッドとオーバーラップする開口を有するレジスト層を形成することをさらに含み、
前記開口の内側で、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成してもよい。
【００１７】
これによれば、開口の大きさに応じたバンプを形成することができる。
【００１８】
（１２）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成する工程は、溶液への浸漬処理と、前記溶液への浸漬処理終了後に連続して行われる洗浄工程と、を含んでもよい。
【００１９】
これによれば、少なくとも一層の金属層とレジスト層との隙間からパッド上に溶液が入り込んでも、洗浄工程でこれを除去することができる。
【００２０】
（１３）このバンプの形成方法において、
前記洗浄工程を、超音波振動を加えて行ってもよい。
【００２１】
これによれば、洗浄を効果的に行うことができる。
【００２２】
（１４）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層を剥離することをさらに含んでもよい。
【００２３】
（１５）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成した後に行ってもよい。
【００２４】
（１６）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記最表層の下の層を形成した後であって、前記最表層の形成前に行ってもよい。
【００２５】
（１７）このバンプの形成方法において、
前記最表層の下の層をニッケルで形成し、前記最表層を銅で形成してもよい。
【００２６】
（１８）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離に、有機溶剤を使用してもよい。
【００２７】
（１９）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、超音波振動を加えて行ってもよい。
【００２８】
（２０）このバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって半導体ウエハに形成されたパッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成してもよい。
【００２９】
（２１）このバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって半導体チップに形成されたパッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成してもよい。
【００３０】
（２２）本発明に係るフリップチップの製造方法は、上記方法によって、バンプを形成することを含む。
【００３１】
（２３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法によって製造されたフリップチップを基板に実装することを含む。
【００３２】
（２４）本発明に係るフリップチップは、上記方法によって製造されてなる。
【００３３】
（２５）本発明に係るフリップチップは、下から順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上に積層されてなるバンプを有し、
前記ニッケル層と前記銅層の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウムが形成されてなる。
【００３４】
（２６）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
【００３５】
（２７）本発明に係る半導体装置は、下から順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上に積層されてなるバンプを有し、前記ニッケル層と前記銅層の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウムが形成されてなるフリップチップと、
前記フリップチップが実装された基板と、
を有する。
【００３６】
（２８）本発明に係る回路基板には、上記フリップチップが実装されている。
【００３７】
（２９）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
【００３８】
（３０）本発明に係る電子機器は、上記フリップチップを有する。
【００３９】
（３１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００４０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を示す図である。バンプは、パッド１２上に形成する。複数のパッド１２が、基板１０に形成されている。基板１０は、半導体ウエハ３２（図３参照）、半導体チップ３４（図４参照）のいずれであってもよい。本実施の形態では、基板１０に複数のパッド１２が形成されており、全てのパッド１２に同時にバンプを形成することができる。パッド１２は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などで形成される。
【００４１】
基板１０には、絶縁膜（パッシベーション膜）１４が形成されている。絶縁膜１４は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができる。絶縁膜１４は、各パッド１２の少なくとも一部が露出するように形成されている。例えば、絶縁膜１４に開口１６が形成されており、開口１６がパッド１２の表面とオーバーラップする。その場合、絶縁膜１４は、パッド１２の端部を覆ってもよい。絶縁膜１４の開口１６の平面形状は、円形、四辺形（正方形又は長方形）のいずれであってもよい。パッド１２の全体を絶縁膜１４で覆ってから開口１６を形成する場合、パッド１２上の絶縁膜１４の残さを、弱フッ酸溶液で溶解するなどの方法で除去し、必要に応じてパッド１２を水等で洗浄する。そして、パッド１２をアルカリ性溶液に浸すなどの方法で、パッド１２上の酸化膜を除去し、必要に応じてパッド１２を水等で洗浄する。
【００４２】
バンプの形成工程では、パッド１２上に少なくとも一層の金属層を形成する。パッド１２がアルミニウム（Ａｌ）で形成されている場合、図１（Ａ）に示すように、パッド１２上にジンケート処理（置換メッキの一種）を施して表面のアルミニウム（Ａｌ）を亜鉛（Ｚｎ）に置換する。こうして、パッド１２の表面に金属層（亜鉛層）１８を形成する。ダブルジンケート処理を行って、緻密な金属層１８を形成してもよい。必要に応じてパッド１２（金属層１８）を水等で洗浄する。
【００４３】
図１（Ｂ）に示すように、パッド１２（金属層１８）上に金属層２０を形成する。金属層２０の形成には、化学還元メッキを適用することができる。例えば、溶液（ニッケルメッキ液）にパッド１２を浸漬して、金属層（ニッケル層）２０を形成する。ニッケルメッキは、メッキ速度が速いので処理時間を短縮することができる。化学還元メッキの工程は、メッキ液の撹拌（例えばエアー撹拌）など公知の技術を含む。そして、必要に応じて金属層２０を水等で洗浄する。この洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。そして、金属層２０上の酸化膜を、硫酸溶液に浸漬するなどの方法で除去し、必要に応じて金属層２０を水等で洗浄する。この洗浄でも、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。酸化膜を除去するときに、金属層２０の表面を荒らすことができれば、その上に形成する金属層２４との密着性が高まる。金属層２０は、パッド１２の表面形状（例えば絶縁膜１４からの露出面形状）に応じた形状を有し、角柱状又は円柱状をなしている。金属層２０の高さは、例えば１０〜２５μｍ程度である。金属層２０は、パッド１２（金属層１８）上から絶縁膜１４上に至るように形成してもよい。
【００４４】
図１（Ｃ）に示すように、金属層（例えばニッケル層）２０に触媒２２を付与する。触媒２２は、例えばパラジウムである。パラジウムの付与には、センシタイジング−アクチベーション法やキャタリスト−アクセレータ法を適用することができる。そして、必要に応じて金属層２０を水等で洗浄する。ここでは、触媒２２が除去されないように、超音波振動を加えない方が好ましい。
【００４５】
図２（Ａ）に示すように、金属層２０（触媒２２）上に金属層（例えば銅層）２４を形成する。金属層２４は、金属層２０の表面全体に形成する。詳しくは、金属層２０の上面及び側面に金属層２４を形成する。金属層２４は、その上に形成するろう材層２８よりも厚く形成する。金属層２４の形成には、化学還元メッキを適用することができる。詳しくは、溶液（銅メッキ液）に金属層２０（触媒２２）を浸漬して、触媒２２を核として銅を析出して、金属層（銅層）２４を形成する。触媒２２が付与されているので、金属層２０，２４の密着性が高い。必要に応じて金属層２４を水等で洗浄する。この洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。そして、金属層２４上の酸化膜を除去し、必要に応じて金属層２４を水等で洗浄する。この洗浄でも、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。酸化膜を除去するときに、金属層２４の表面を荒らすことができれば、その上に形成されるろう材層２８との密着性が高まる。
【００４６】
以上の工程により、パッド１２上に少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成する。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の金属層の最表層は、金属層２４である。金属層２４は、銅で形成されている。銅からなる金属層２４は、ニッケルからなる金属層２０上に形成されている。
【００４７】
図２（Ｂ）に示すように、金属層（例えば銅層）２４に触媒２６を付与する。触媒２６は、例えばパラジウムである。パラジウムの付与には、センシタイジング−アクチベーション法やキャタリスト−アクセレータ法を適用することができる。必要に応じて金属層２４を水等で洗浄する。ここでは、触媒２６が除去されないように、超音波振動を加えない方が好ましい。
【００４８】
図２（Ｃ）に示すように、パッド１２上に形成された少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の金属層の最表層である金属層（銅層）２４に、ろう材層２８を形成する。ろう材層２８は、低融点金属で形成する。低融点金属として、ろう材（例えばスズ又はスズを含む材料（スズ−鉛合金等））を使用する。ろう材層２８の形成には、置換メッキを適用する。すなわち、金属層（銅層）２４を溶液に浸漬し、金属層（銅層）２４の表面を、ろう材に置換してろう材層２８を形成する。置換メッキを適用するので、あるいはそれに加えて触媒２６を付与するので、金属層２４とろう材層２８の密着性が高い。また、置換メッキを適用するので、金属層２４の厚みが減少する。本実施の形態では、置換メッキを行う前に金属層２４を、ろう材層２８よりも厚く形成しておく。例えば、ろう材層２８を１〜２μｍ程度で形成する場合には、それを超える厚みで金属層２４を形成しておく。こうすることで、ろう材層２８の形成（置換メッキ）が完了する前に、その下地（金属層２４）が無くなってしまうことを避けることができる。
【００４９】
必要に応じて、ろう材層２８を水等で洗浄し、乾燥させる。洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。こうして、バンプを形成することができる。バンプの高さは、例えば１５〜２５μｍ程度である。本実施の形態によれば、置換メッキを適用することで、バンプの一部（表面層）を、低融点金属（ろう材）で形成することができる。バンプは、少なくとも一層の金属層（本実施の形態では金属層（亜鉛層）１８，金属層（ニッケル層）２０，金属層（銅層）２４）と、ろう材層２８とを有する。金属層（ニッケル層）２０と金属層（銅層）２４の間には、触媒（パラジウム）２２が残っていてもよい。また、金属層（銅層）２４とろう材層２８との間に、触媒（パラジウム）２６が残っていてもよい。
【００５０】
図３には、上述した工程により形成された複数のバンプ３０を有する半導体ウエハ３２が示されている。図４には、上述した工程により形成されたか、あるいは図３に示す半導体ウエハ３２をダイシングして得られた複数のバンプ３０を有する半導体チップ３４が示されている。半導体チップ３４はフリップチップである。上述したバンプの形成方法を、半導体装置の製造方法の一部とすることができる。
【００５１】
（第２の実施の形態）
図５（Ａ）〜図７（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。なお、以下の説明で、第１の実施の形態で使用した符号と同じ符号を使用した構成要素には、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。本実施の形態では、図５（Ａ）に示すように、レジスト層４０を形成する。レジスト層４０は、基板（例えば半導体ウエハ又は半導体チップ）１０におけるパッド１２が形成された側に形成する。図５（Ａ）に示す例では、絶縁膜１４上にレジスト層４０を形成する。絶縁膜１４は、パッド１２を覆っている。
【００５２】
レジスト層４０には、貫通穴４２を形成する。貫通穴４２は、パッド１２とオーバーラップするように形成する。フォトリソグラフィ技術を適用して貫通穴４２を形成してもよい。貫通穴４２は、パッド１２の外周を超えない形状で形成する。貫通穴４２は、パッド１２に対して垂直に立ち上がる壁面にて形成する。こうすることで、垂直に立ち上がるバンプを形成することができる。なお、貫通穴４２の平面形状は、円形又は四辺形（例えば正方形又は長方形）のいずれであってもよい。
【００５３】
図５（Ｂ）に示すように、レジスト層４０をマスクとして、絶縁膜１４における貫通穴４２内の部分を除去して開口１６を形成し、パッド１２の少なくとも一部を露出させる。絶縁膜１４の一部は、エッチングによって除去することができる。異方性のエッチングを適用して、絶縁膜１４の表面から垂直にエッチングを進行させてもよい。貫通穴４２の壁面と、絶縁膜１４の開口１６の壁面とが面一になっていてもよい。変形例として、レジスト層４０を形成する前に絶縁膜１４に開口１６が形成されている場合には、この工程は不要である。
【００５４】
図５（Ｃ）に示すように、パッド１２の表面に金属層（亜鉛層）１８を形成する（第１の実施の形態参照）。そして、図６（Ａ）に示すように、パッド１２（金属層１８）上に金属層（例えばニッケル層）４４を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明した金属層２０の形成方法を適用することができる（図１（Ｂ）参照）。ただし、金属層４４は、レジスト層４０の貫通穴４２内に形成される。したがって、金属層４４の横方向への拡がりを抑えることができる。すなわち、金属層４４を、幅に対して高さの比率が大きい形状を有するように形成することができる。
【００５５】
図６（Ｂ）に示すように、金属層（例えばニッケル層）４４に触媒４６を付与する。その方法には、第１の実施の形態で説明した触媒２２の付与方法を適用することができる（図１（Ｃ）参照）。ただし、触媒４６は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金属層４４の上面）に形成される。
【００５６】
図６（Ｃ）に示すように、金属層４４（触媒４６）上に金属層（例えば銅層）４８を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明した金属層２４の形成方法を適用することができる（図２（Ａ）参照）。ただし、金属層４８は、レジスト層４０の貫通穴４２内に形成される。したがって、金属層４８の横方向への拡がりを抑えることができる。すなわち、金属層４８を、幅に対して高さの比率が大きい形状を有するように形成することができる。
【００５７】
以上の工程により、パッド１２上に少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成する。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の金属層の最表層は、金属層４８である。金属層４８は、銅で形成されている。銅からなる金属層４８は、ニッケルからなる金属層４４上に形成されている。
【００５８】
図７（Ａ）に示すように、金属層（例えば銅層）４８に触媒５０を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明した触媒２６の付与方法を適用することができる（図２（Ｂ）参照）。ただし、触媒５０は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金属層４８の上面）に形成される。
【００５９】
図７（Ｂ）に示すように、金属層（例えば銅層）４８にろう材層５２を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明したろう材層２８の形成方法を適用することができる（図２（Ｃ）参照）。ただし、ろう材層５２は、レジスト層４０の貫通穴４２内に形成される。したがって、ろう材層５２の横方向への拡がりを抑えることができる。すなわち、ろう材層５２を、幅に対して高さの比率が大きい形状を有するように形成することができる。
【００６０】
上記工程において、第１の実施の形態で説明した洗浄工程（超音波振動の印加を含む）を導入してもよい。レジスト層４０の貫通穴４２の壁面と、金属層４４，４８、ろう材層５２との間に隙間が形成され、化学還元メッキ又は置換メッキの溶液が入り込んでも、洗浄により溶液を除去することができる。こうすることで、パッド１２、金属層４４，４８、ろう材層５２に対するダメージを与えないようにすることができる。
【００６１】
図７（Ｃ）に示すように、レジスト層４０を除去する。その除去に、有機溶剤（例えばモノエタノールアミン７０％とジメチルスルホキシド３０％）を使用すれば、金属層４４，４８、ろう材層５２に対するダメージを与えない。レジスト層４０を除去するときに、超音波振動を印加してもよい。
【００６２】
以上の工程により、パッド１２上にバンプを形成することができる。本実施の形態では、レジスト層４０の貫通穴４２内にバンプを形成するので、狭ピッチのストレートバンプを形成することが可能である。
【００６３】
なお、本実施の形態では、レジスト層４０の剥離を、ろう材層５２を形成した後に行ったが、金属層４４（最表層の下の層）を形成した後であって、金属層４８（最表層）を形成する前に行ってもよい。こうすることで、金属層４４（最表層の下の層）の上面のみならず側面（レジスト４０で覆われていた面）にも、金属層４８（最表層）を形成することができる。そして、金属層４４の側方にもろう材層５２を形成することができる。すなわち、金属層４４は、パッド１２と、絶縁膜１４と、金属層４８及びろう材層５２とによって全ての面が覆われることになる。
【００６４】
図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、第２の実施の形態の変形例を説明する図である。この変形例では、絶縁膜５４が、パッド１２の上方で、薄い部分（厚みｔ1）と、厚い部分（厚みｔ2）とを有するように形成されている。詳しくは、パッド１２の中央部上には、絶縁膜５４の薄い部分が形成され、パッド１２の端部上には、絶縁膜５４の厚い部分が形成されている。例えば、第１の絶縁膜５６を形成し、パッド１２上で第１の絶縁膜５６に開口を形成し、さらに第２の絶縁膜５８を、第１の絶縁膜５６及びパッド１２（第１の絶縁膜５６の開口内）を覆うように形成することで、このような絶縁膜５４を形成することができる。
【００６５】
図８（Ｂ）に示すように、絶縁膜５４に、上述した貫通穴４２を有するレジスト層４０を形成し、絶縁膜５４をエッチングする。絶縁膜５４が上述した形状を有するので、等方性エッチングを行っても、パッド１２の端部に絶縁膜５４（その厚い部分の一部）を残すことができる。また、図８（Ａ）に示すように、絶縁膜５４の薄い部分の大きさ（直径又は対角線長さ等）が、レジスト層４０の貫通穴４２の大きさ（直径又は対角線長さ等）よりも小さければ、図８（Ｂ）に示すように、貫通穴４２の内側に突出する部分６０を残すことができる。この場合、その後にバンプを形成すると、バンプの一部が、絶縁膜５４の一部分６０の上に載るようになる。そして、パッド１２は、絶縁膜５４の一部分６０及びバンプによって完全に覆われて保護される。
【００６６】
（その他の実施の形態）
図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。半導体装置は、図４に示すバンプ３０を有する半導体チップ（フリップチップ）３４と、配線パターン７２が形成された基板７０と、複数の外部端子７６と、を含む。なお、半導体チップ３４は、基板７０にフェースダウンボンディングされ、半導体チップ３４と基板７０との間には、アンダーフィル材（樹脂）７４が充填されている。
【００６７】
図１０は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。この例では、ＣＯＦ（Chip On Film）の形態が適用された半導体装置１００が、液晶パネル９０に取り付けられている。半導体装置１００は、上述した半導体チップ３４及び基板（フィルム又はフレキシブル基板）８０を有する。液晶パネル９０を電子機器ということもできる。図１１に示す回路基板１１０には、本発明の実施の形態に係るフリップチップ又は半導体装置が実装されている。本発明の実施の形態に係るフリップチップ又は半導体装置を有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ１２０が示され、図１３には携帯電話１３０が示されている。
【００６８】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプが形成された半導体ウエハを示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプが形成された半導体チップを示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバンプの形成方法の変形例を説明する図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２  パッド
１８  金属層
２０  金属層
２２  触媒
２４  金属層
２６  触媒
２８  ろう材層
３０  バンプ
３２  半導体ウエハ
３４  半導体チップ
４０  レジスト層
４２  貫通穴
４４  金属層
４６  触媒
４８  金属層
５０  触媒
５２  ろう材層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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