(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内に複数の共振器を形成し、入出力電極と該入出力電極に接する誘電体露出部とからなる入出力電極構成部、該入出力電極構成部を除く前記誘電体ブロック表面に形成されたグランド電極、および前記共振器同士を電磁界結合する結合部を有するＴＥモード誘電体フィルタであって、前記入出力電極構成部および前記入出力電極は前記誘電体フィルタ両端の共振器の実装面と該実装面に隣接する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の入出力電極の上端のみが前記グランド電極に導通する短絡点を有し、前記短絡点が前記誘電体フィルタ両端の共振器の前記一側面の上端より低い位置に形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
前記誘電体フィルタを絶縁体基板上に載置し、前記絶縁体基板上に形成された基板信号ラインと前記誘電体フィルタの入出力電極の実装面部分とを電気的に接続したことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、５ＧＨｚから３０ＧＨｚの高い周波数帯での使用に適した複数の誘電体共振器を１つの誘電体ブロック内に形成した構造の小型の誘電体フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信分野の急速な発展に伴って２ＧＨｚよりも高い周波数帯域の移動体通信システムが検討されている。これまでの移動体通信では２ＧＨｚ帯程度までの周波数が利用されており、移動局に用いられるフィルタとしては誘電体同軸共振器を組み合わせたものが主に用いられていた。
【０００３】
しかし、５ＧＨｚ以上の周波数で用いる場合には、この誘電体同軸共振器では、低損失のフィルタとすることは難しく、高いＱを確保しようとすれば外形を小さくすることが困難である。
【０００４】
これらのことから３ＧＨｚ以上の周波数帯においても通過損失が大きくならない誘電体フィルタが特許第２７９３６８５号公報に開示されている。このフィルタの斜視図を図１６に示す。これは、概略直方体形状の誘電体ブロックに、複数の貫通孔を所定間隔で形成し、該溝の内面を含む該誘電体ブロックの所要表面を金属膜で被覆して、複数のＴＥ１０１モードの誘電体共振器を構成した誘電体フィルタである。
【０００５】
この誘電体フィルタの両端部に設けられた入出力電極５は、側面に設けた剥離帯の上に、入出力電極の上端が上面の金属皮膜に導通し、入出力電極の下端が剥離帯の中ほどにあるように形成されている。そして、この入出力電極５には、Ｌ字形状の金属製引出電極１３が半田付け等により取り付けられている。誘電体フィルタは、この引出電極１３を介して外部回路と結合する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このフィルタにおいては、入出力電極と外部回路との接続を金属製引出電極である金具を介して行っている。このため外部接続のための部品点数が増加するとともに、この金具接続のばらつきにより外部回路との整合（ＶＳＷＲ）がばらつくことが懸念される。また、誘電体フィルタを基板に実装する場合、実装後の外部回路との調整が必要であり、その調整が容易であることも誘電体フィルタとして重要である。
【０００７】
さらに、高周波の誘電体フィルタとしては、電磁波のリークを少なくし、入出力結合を効率的に行い、低損失であることが切望されている。
【０００８】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたもので、本発明の目的は、基板実装性に優れ、実装後に外部回路との整合を調整可能であり、かつ、電磁波のリークを小さくし損失を小さくした効率的な入出力結合を有する入出力電極を備えた誘電体フィルタを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内に複数の共振器を形成し、入出力電極と該入出力電極に接する誘電体露出部とからなる入出力電極構成部、該入出力電極構成部を除く前記誘電体ブロック表面に形成されたグランド電極、および前記共振器同士を電磁界結合する結合部を有するＴＥモード誘電体フィルタであって、
前記入出力電極構成部および前記入出力電極は前記誘電体フィルタ両端の共振器の実装面と該実装面に隣接する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の入出力電極の上端のみが前記グランド電極に導通する短絡点を有していることを特徴とする誘電体フィルタを提供するものである。
【００１０】
そして、前記誘電体フィルタは、前記短絡点が前記誘電体フィルタ両端の共振器の前記一側面の上端より低い位置に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記誘電体フィルタを絶縁体基板上に載置し、前記絶縁体基板上に形成された基板信号ラインと前記誘電体フィルタの入出力電極の実装面部分とを電気的に接続したことを特徴とする前記誘電体フィルタに関するものである。
【００１２】
本発明では、概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内に複数の共振器を形成したＴＥモード誘電体フィルタであって、前記誘電体フィルタの両端の共振器の一側面から実装面にかけて、入出力電極を形成し、かつ、前記共振器側面では入出力電極の上端がグランド電極に導通した構造とすることにより、従来のように外部回路との接続に特別な金具を必要とせず、容易に誘電体フィルタを基板に実装することができ、外部回路との整合（ＶＳＷＲ）をばらつきにくくすることができる。また、実装後の外部回路との調整も共振器側面に形成された入出力電極部分を削ることにより容易に行うことができる。さらに、形成された入出力電極の共振器側面部分における磁界結合と同じく入出力電極の実装面部分での電界結合とにより、入出力結合を効率的に行うことができ、そのため誘電体露出部の面積を小さくでき、電磁波のリークの小さい低損失なフィルタとすることができる。特に、入出力電極とグランド電極との短絡点を、誘電体の側面の上端より下に設定することにより、さらに誘電体露出部の面積を小さくでき、低損失のフィルタとすることができる。また、複数のＴＥモード共振器を１つの誘電体ブロック内に形成することによって、共振器同士を半田等で貼りつける工程が削減され、製造コストの低減および貼りつけ時のずれによる帯域幅のばらつきが低減される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る誘電体フィルタの実施形態について添付図面を参照して説明する。各実施形態において、同一部品および同一部分には同じ符号を付した。
【００１４】
図１は本発明にかかる参考例としての誘電体フィルタの一実施形態の斜視図である。本発明に係る誘電体フィルタ１は、概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内に複数の共振器２を形成し、入出力電極５と該入出力電極に接する誘電体露出部４とからなる入出力電極構成部６、該入出力電極構成部６を除く前記誘電体ブロック表面に形成されたグランド電極８、および前記共振器２同士を電磁界結合する結合部３を有するＴＥモード誘電体フィルタであって、前記入出力電極構成部６および前記入出力電極５は前記誘電体フィルタ両端の共振器の実装面９と該実装面９に隣接する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の入出力電極５の上端のみが前記グランド電極に導通する短絡点７を有している。共振器を形成する方法としては、誘電体ブロック内の共振器２の間に切り欠き（溝）または貫通孔２０を形成して、導体メタライズする方法がある。図１は、共振器の間に導体メタライズされた長孔の貫通孔２０を形成した例を、図１０は共振器の間に複数の貫通孔を形成した例を示している。また、複数の共振器を形成し共振器間の電磁界結合を形成するための構造は、前記の貫通孔に限られず、図１１に示したような切り欠き（溝）を形成することによっても実現できる。図１1（ａ）は、共振器の間に切り欠き（溝）３０を両側側面より形成した構造のフィルタである。図１1（ｂ）は、共振器の間に切り欠き（溝）３０を側面片側に形成した構造のフィルタである。図１1（ｃ）は、共振器の間に切り欠き（溝）３０を共振器の上下面に形成した構造のフィルタである。このような構造のフィルタにおいても、同様に本願発明の電極構成とすることにより、同様な効果を得ることができる。
【００１５】
また、入出力電極構成部６および入出力電極５は、両端の共振器２の実装面に隣接する、信号の進行方向と平行な他の一側面と実装面とにかけて形成することもできる。
【００１６】
前記の構成の誘電体フィルタは、例えば図８に示すような基板信号ライン１１を設けた基板に実装され、入出力電極５の実装面部分と基板１０に設けられた基板信号ライン１１とを半田等の導電性接着剤にて接続して使用できる。これにより、実装に際しＬ字金具のような特別な部品を用いることなく容易に誘電体フィルタを基板に実装できる。また、基板１０には基板グランド電極１２が形成されており、誘電体フィルタのグランド電極８と基板上の基板グランド電極１２とが電気的に接続される。基板グランド電極１２は基板の裏面に形成されていてもよく、その場合、この基板グランド電極１２と誘電体フィルタのグランド電極８とは、基板に設けたスルーホールまたは基板の側面を通して電気的に接続される。
【００１７】
また、実装後は、誘電体側面の入出力電極を一部削ることにより入出力の結合（ＶＳＷＲ）の調整が可能である。さらに、誘電体側面の電極による磁界結合と実装面の電極による電界結合を効率的に働かせることができ、図６に例示されるような短絡点を有しない島状の入出力電極５に比べて、同レベルの入出力結合を得るためのセラミックの露出面積を小さくでき、これにより電磁波のリークを少なくできるとともに、損失を小さく抑えることができる。
【００１８】
図４に本発明にかかる誘電体フィルタの他の一実施形態の斜視図を示す。入出力電極のパターン以外は、図１に示した誘電体フィルタと同一の構成である。図１の実施形態と異なる点は、入出力電極５とグランド電極８との短絡点７が誘電体ブロックの側面（即ち誘電体フィルタ両端の共振器の側面）の上端より下方にあることである。これにより、前記共振器の一側面に形成されている誘電体露出部４の面積をさらに減らすことができ、その結果、さらにフィルタの損失を小さく抑えることが可能となる。その結果、誘電体ブロック間の結合部の断面積を広くすることが可能となり、広い帯域のフィルタとすることも可能である。入出力電極５とグランド電極８との短絡点７の誘電体ブロック側面（即ち誘電体フィルタ両端の共振器の側面）における位置は、側面高さの３／１０〜７／１０程度であれば、強い入出力結合が得られると共に、誘電体露出面積を適度に小さくできることから、一層好ましい。
【００１９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００２０】
（実施例１）図１に示したような本発明の参考例としての実施形態の一つである誘電体フィルタを次のように作製し、フィルタの特性を測定した。
【００２１】
本実施例は、１２．５×６．０×３．０ｍｍｔの形状の２段フィルタである。このフィルタの中央部には、段間の電磁界結合形成用の貫通した長孔２０を１．５ｍｍ×０．５ｍｍΦ（図１に示すように、長孔の長辺方向の最長部が１．５ｍｍであり、その最長部は０．５ｍｍΦで丸めてあり、また短辺方向の長さは０．５ｍｍである。以後このような形状の寸法を同一の表記方法で示す）の寸法で形成し、１つの誘電体ブロックに２つの共振器を持つ構造とした。フィルタ両端の側面の上下端間には２．４ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの入出力電極構成部６を図１に示すように設定し、その入出力電極構成部６内に１．２ｍｍライン幅の入出力電極５を形成し、入出力電極５の左右両側には誘電体露出部４を形成した。入出力電極５の上端は共振器のグランド電極８と短絡点７で電気的に接続されており、入出力電極５の下端は実装面に延長して形成されている。また、実装面には、２．４ｍｍ幅×２．０ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、０．８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の入出力電極５を形成し、入出力電極５の共振器側面部への接続部を除いて、実装面に形成された入出力電極５の周辺には誘電体露出部４を形成した。このようにして、入出力電極構成部６内の入出力電極５以外の領域には、誘電体露出部４を形成した。そして誘電体フィルタの前記入出力電極構成部６以外の表面には、段間の電磁界結合形成用の貫通した長孔２０を含めグランド電極８を形成した。用いた誘電体材料（誘電体セラミックス）の比誘電率εrは３７である。
【００２２】
図２に作製したフィルタの特性を示す。中心周波数が５６２１ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が１７５ＭＨｚで、ピーク点の挿入損失が０．６６ｄＢである、挿入損失の小さい誘電体フィルタが得られた。これから求められるフィルタの無負荷Ｑ（Ｑｕ値）は７００であった。フィルタの挿入損失は、フィルタを構成する各共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）に反比例し帯域幅に反比例する関係にあり、フィルタのＱｕ値が帯域幅に依存せずに挿入損失を評価する特性として利用されている。Ｑｕ値の大きいフィルタほど挿入損失が少なく優れたフィルタである。
【００２３】
フィルタ実装面にも入出力電極を設け、基板への実装性を容易にし、かつ、側面の電極で実装後の微調整を可能にしたにもかかわらず、低損失の誘電体フィルタを構成できたのは、入出力電極のパターンを本発明のようにして、側面の電極による磁界結合と実装面の電極による電界結合が効率的に働き、誘電体露出部の面積を小さく抑えたためと思われる。
【００２４】
図３は、誘電体の露出面積を小さくすることにより無負荷Ｑ（Ｑｕ値）が大きくなり損失が小さくなることを示す実験例である。図３（ａ）は、誘電体共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）の測定方法を示す図であり、導体板上に側面に誘電体露出部を形成した試料を設置し、試料の両側にループアンテナを形成した同軸ケーブルを設置し、高周波をかけて、周波数特性を測定し、見かけ上の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）を算出した。
【００２５】
試料は、５ＧＨｚ帯の５．８５×５．８５×３．０ｍｍのＴＥモード共振器の側面の電極を中央部で１．５ｍｍ幅×１．０ｍｍ高さの領域で剥離したもの（図３（ｂ））と同形状の共振器の側面の電極を中央部で１．５ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの領域で剥離したもの（図３（ｄ））である。それぞれの試料の電磁波リークによる共振周波数の変化と損失を図３（ｃ）と図３（ｅ）に示す。
【００２６】
５ＧＨｚ帯の５．８５×５．８５×３．０ｍｍのＴＥモード共振器の側面の電極を中央部で１．５ｍｍ幅×１．０ｍｍ高さの領域で剥離した場合に共振周波数は５７１２ＭＨｚであるのに対し、１．５ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの領域で剥離した場合には５６３１ＭＨｚとなり約８１ＭＨｚ低下し、この時Ｑｕ値は１０５０から約６５０と劣化した。測定された見かけ上の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）は、誘電体固有のＱと電極形状に起因するＱと電磁波のリークによるＱが作用しており、この実験では誘電体材料として同一のものを使用していること、および同一材料、形状の電極を使用していることから、上記の測定値の差は、誘電体露出面積に起因し、誘電体露出部が広いほど電磁波のリークが大きくなり、挿入損失が大きくなることを示している。
【００２７】
（実施例２）
電磁波のリークをさらに少なくするために図４に示すように、入出力電極５とグランド電極８との短絡点７を側面の上端より低い位置に設定した誘電体フィルタの実施例を示す。
【００２８】
本実施例では、前記短絡点７の位置を誘電体ブロック側面の１／２の高さ（実装面から１．５ｍｍ高さ）にし、１２．５×６．０×３．０ｍｍｔの大きさの２段フィルタを作製した。
【００２９】
このフィルタの中央部には、段間の電磁界結合形成用の貫通した長孔２０を１．５×０．５ｍｍΦの寸法で形成した。フィルタ両端の共振器の側面に２．４ｍｍ幅×１．５ｍｍ高さの入出力電極構成部６を側面の実装面側から設定し、その入出力電極構成部６内に１．２ｍｍライン幅の入出力電極５を形成した。また、実装面には、２．４ｍｍ幅×２．０ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、１．２ｍｍ幅×１．２ｍｍ奥行の電極を図４に示すように形成した。このようにして、入出力電極構成部６内の入出力電極５以外の領域には、誘電体露出部４を形成した。そして誘電体フィルタの前記入出力電極構成部６以外の表面には、段間の電磁界結合形成用の貫通した長孔２０を含めグランド電極を形成した。用いた誘電体材料の比誘電率εrは３７である。
【００３０】
図５にこのようにして作製した誘電体フィルタの特性を示す。中心周波数が５８１８ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が１６８ＭＨｚでピーク点の挿入損失が、０．４５ｄＢのものが得られた。これより求めたＱｕ値は９００であった。
【００３１】
この例からわかるように、誘電体フィルタ両端の共振器の側面の中程にグランド電極８との短絡点７を持つような入出力電極構造を形成することにより、グランド電極８との短絡点７を前記側面上端に設けたものに比べ電磁波のリークが小さく、さらに低損失なフィルタとすることができる。
【００３２】
さらに、上記のような共振器間に貫通孔を有する誘電体フィルタにおいては、その貫通孔の大きさ（径、長さ）を変えることによって、共振器間の電磁界結合の大きさを変化させることができ、所望の帯域幅のフィルタを形成できる。例えば、本実施例の貫通孔を１．５ｍｍ×０．５ｍｍΦに大きくすることにより、共振器間の電磁界結合は小さくなり、中心周波数は５５２８ＭＨｚで帯域幅５６ＭＨｚのフィルタが得られる。
【００３３】
（比較例１）
比較のために実施例２の誘電体フィルタの入出力電極構成部以外の構成を同一となるようにし、入出力電極構成部を図６に示すようなグランド電極との短絡点を持たない島状の入出力電極５のパターンを持つ形態の誘電体フィルタを形成した。この際、同一の入出力インピーダンスとなるようにした。
【００３４】
本比較例の入出力電極構成部６および入出力電極５は、誘電体フィルタ両端の共振器の一側面については、２．４ｍｍ幅×１．５ｍｍ高さの大きさの入出力電極構成部６とその中に１．２ｍｍ幅×０．８ｍｍ高さの入出力電極５を形成した。また、前記共振器の実装面については、２．４ｍｍ奥行×２．０ｍｍ幅の大きさの入出力電極構成部６とその中に１．５ｍｍ奥行×１．２ｍｍ幅の入出力電極５を形成した。
【００３５】
図７に図６の形態の誘電体フィルタの特性を示す。中心周波数が５７１０ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が１００ＭＨｚで、ピーク点の挿入損失が１．５８ｄＢのものが得られた。これより求めたＱｕ値は５００であった。
【００３６】
実施例２と比較例１との比較から判るように、誘電体フィルタ両端の共振器の一側面にグランド電極との短絡点７を持つような入出力電極構造、特に、前記短絡点７が誘電体側面の上端より低い位置にある入出力電極構造においては、短絡点７を持たない入出力電極構造に比べ入出力結合が大きく、挿入損失が小さく、比帯域幅の広い誘電体フィルタを得ることができる。即ち、共振器間の貫通孔を同一にして結合部３の面積を同一にするように構成した場合、本発明の電極構造の誘電体露出部４の面積をさらに小さくでき、挿入損失をさらに小さくできる。
【００３７】
また、入出力電極構成部の誘電体露出部の面積が同じ場合には、本発明の電極構造は、入出力インピーダンスが小さく、共振器間の貫通孔を小さくして結合部３の面積を大きくできるので、広い比帯域幅を持つことができ、そのため挿入損失を小さくすることができる。
【００３８】
（実施例３）
図８に、本発明の高周波誘電体フィルタを基板に実装し、実装面の入出力電極を、基板に形成された引出電極と電気的に接続した例を示す。
図８（ａ）は、誘電体フィルタを基板に実装した一実施形態を示す図であり、図８（ｂ）は、基板信号ライン１１と基板グランド電極１２が形成された基板１０と誘電体フィルタを別個に示す図である。
【００３９】
基板１０には、１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍｔのテフロン（Ｒ）基板を用い、その上に図８（ｂ）に示すように誘電体フィルタの入出力電極に接続され外部回路につなげる引出電極となる１．１７ｍｍ幅の基板信号ライン１１と誘電体フィルタのグランド電極につなげる基板グランド電極１２とを形成している。基板上にペースト状半田を塗り、その上に誘電体フィルタを置きリフロー炉を利用して誘電体フィルタの実装面の入出力電極と基板の基板信号ライン１１を半田で電気的に接着することにより、２２ＧＨｚ帯の２段の誘電体フィルタを基板１０上に実装した。
【００４０】
本実施例に用いた誘電体フィルタは、３．００ｍｍ×８．８８ｍｍ×１．５ｍｍｔの大きさの２段フィルタであり、比誘電率９．６の誘電体セラミックスを用い、フィルタの貫通孔２０の大きさは、０．７５ｍｍ×０．５ｍｍΦであり、側面の入出力電極構成部の大きさは、１．５ｍｍ幅×０．７ｍｍ高さ、入出力電極５の大きさは、０．５ｍｍライン幅であり、実装面側では、入出力電極構成部は、１．４ｍｍ幅×１．０ｍｍ奥行、入出力電極５は、０．８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の大きさのものを形成した。それ以外は実施例２と同様な構成である。
【００４１】
図９に図８の形態の基板に設置した誘電体フィルタの特性を示す。中心周波数が２２３５０ＭＨｚ、３ｄＢ帯域幅が４５０ＭＨｚでピーク点の挿入損失は１．１０ｄＢであった。これより求めたＱｕ値は８５０であり、挿入損失の小さい誘電体フィルタが得られた。
【００４２】
このように、本発明の入出力電極パターンを有する誘電体フィルタの実装面側の入出力電極と基板信号ラインを半田等の導電性接着材により接着することにより、誘電体フィルタを容易に基板に装着することができ、基板に実装した形態でも挿入損失の少ない誘電体フィルタを容易に得られることが分かる。
【００４３】
（実施例４）
図１０に示した構造を３段フィルタに適用した場合の実施形態を図１２に示す。比誘電率２４の材料を用い、１１．７３ｍｍ×４．０ｍｍ×２．０ｍｍｔの形状の３段フィルタを形成し、フィルタ中央部に段間の電磁界結合形成用の０．８ｍｍΦの貫通孔２０を１．０ｍｍの間隔を隔てて形成した。フィルタ両端の共振器の側面には、２．０ｍｍ幅×１．０ｍｍ高さの入出力電極構成部６を側面の実装面側から設定し、その入出力電極構成部６内に０．７ｍｍライン幅の入出力電極５を形成した。また、実装面には、２．４ｍｍ幅×１．５ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、１．５ｍｍ幅×０．９ｍｍ奥行の入出力電極５を形成した。この３段のフィルタを、表面に信号ラインとグランド電極を形成した１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍｔのテフロン（Ｒ）基板に実装し、基板上の１．１７ｍｍの信号ラインとフィルタの入出力電極５の実装面部分とを半田で電気的に短絡した。
【００４４】
図１３にこのようにして作製した誘電体フィルタの特性を示す。中心周波数が１１６１０ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が７８ＭＨｚでピーク点の挿入損失が、２．７９ｄＢのものが得られた。これより求まるＱｕ値は１０５０であり、従来のフィルタのＱｕ値に比べ大きい値を示した。
【００４５】
（実施例５）
図４の構造を３段フィルタに適用した実施形態を図１４に示す。比誘電率９．６の材料を用い、１０．２３ｍｍ×３．００ｍｍ×１．５ｍｍｔの形状の３段フィルタを形成し、フィルタ中央部に段間の電磁界結合形成用の０．８ｍｍ×０．５ｍｍΦの貫通した導電性長孔２０を形成した。フィルタ両端の共振器の側面には、１．５ｍｍ幅×０．８ｍｍ高さの入出力電極構成部６を側面の実装面側から設定し、その入出力電極構成部６内に０．５５ｍｍライン幅の入出力電極５を形成した。また、前記共振器の実装面には、１．４ｍｍ幅×１．０ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、０．８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の入出力電極５を形成した。この３段のフィルタを、表面に信号ラインとグランド電極を形成した１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍｔのテフロン（Ｒ）基板に実装し、基板上の１．１７ｍｍの信号ラインとフィルタの入出力電極５の実装面部分とを半田で電気的に短絡した。
【００４６】
図１５にこのようにして作製した誘電体フィルタの特性を示す。中心周波数が２１９００ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が３６０ＭＨｚでピーク点の挿入損失が、２．０８ｄＢのものが得られた。これより求まるＱｕ値は８５０であり、従来のフィルタのＱｕ値に比べ大きい値を示した。
【００４７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明においては、誘電体フィルタの両端の共振器の一側面から実装面にかけて、入出力電極を形成し、かつ、前記共振器側面では入出力電極の上端がグランド電極に導通した構造とすることにより、入出力結合を効率的に行うことができ、そのため誘電体露出部の面積を小さくでき、電磁波のリークの小さい低損失なフィルタとすることができる。特に、入出力電極とグランド電極との短絡点を、誘電体の側面の上端より下に設定することにより、さらに誘電体露出部の面積を小さくでき、低損失のフィルタとすることができる。
【００４８】
また、上記の構造を有することにより、従来のように外部回路との接続に特別な金具を必要とせず、外部回路との整合（ＶＳＷＲ）がばらつきにくい、基板への実装性の優れた誘電体フィルタとすることができる。
【００４９】
また、実装後の外部回路との調整も共振器側面に形成された入出力電極部分を削ることにより容易に行うことができる。
【００５０】
さらに、複数のＴＥモード共振器を１つの誘電体ブロック内に形成することによって、共振器同士を半田等で貼りつける工程が削減され、製造コストの低減および貼りつけ時のずれによる帯域幅のばらつきが低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例としての誘電体フィルタの一実施形態を示す外観図である。
【図２】図１の誘電体フィルタの特性図である。
【図３】誘電体の露出面積とＱｕ値との関係を示す説明図である。
【図４】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す外観図である。
【図５】図４の誘電体フィルタの特性図である。
【図６】グランド電極と短絡点を有しない入出力電極を形成した比較例となる誘電体フィルタの一実施形態を示す外観図である。
【図７】図６の誘電体フィルタの特性図である。
【図８】本発明に係る誘電体フィルタを基板に実装した一実施形態を示す外観図である。
【図９】図８の基板に実装した誘電体フィルタの特性図である。
【図１０】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す外観図である。
【図１１】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す外観図である。
【図１２】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態
を示す外観図である。
【図１３】図１２の誘電体フィルタの特性図である。
【図１４】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す外観図である。
【図１５】図１４の誘電体フィルタの特性図である。
【図１６】従来の誘電体フィルタを示す外観斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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