(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
前記基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び前記基板側電極に対向して前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、前記光反射膜兼メンブレン側電極と前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により前記光反射膜を駆動するメンブレンと
を備える光変調素子において、
前記光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜により形成され、
前記多層金属膜が、前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた前記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有する
ことを特徴とする光変調素子。
【請求項２】
並列配置された複数個の光変調素子を備えるＧＬＶデバイスにおいて、
前記光変調素子が、
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
前記基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び前記基板側電極に対向して前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、前記光反射膜兼メンブレン側電極と前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により光反射膜を駆動するメンブレンと
を備え、
前記光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜であって、相互に独立で並列配置され、
前記多層金属膜が、前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた前記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有し、
前記基板側電極が共通電極として設けられている
ことを特徴とするＧＬＶデバイス。
【請求項３】
レーザと、レーザから出射されたレーザ光を光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスとを有するレーザディスプレイにおいて、
前記ＧＬＶデバイスが、並列配置された複数個の光変調素子を備え、
前記光変調素子が、
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
前記基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び前記基板側電極に対向してブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、前記光反射膜兼メンブレン側電極と前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により光反射膜を駆動するメンブレンと
を備え、
前記光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜であって、相互に独立で並列配置され、
前記多層金属膜が、前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた前記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有し、
前記基板側電極が共通電極として設けられている
ことを特徴とするレーザディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光変調素子、ＧＬＶデバイス、及びレーザディスプレイに関し、更に詳細には、反射率の高い光反射膜兼メンブレン側電極を備えた光変調素子、光変調素子を有するＧＬＶデバイス、及びそのようなＧＬＶデバイスを有するレーザディスプレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
微細技術の進展に伴い、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electro- Mechanical System、超小型電気的・機械的複合体）素子、及びＭＥＭＳ素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。
ＭＥＭＳ素子は、シリコン基板、ガラス基板等の基板上に微細構造体として形成され、機械的駆動力を出力する駆動体と、駆動体を制御する半導体集積回路等とを電気的に、更には機械的に結合させた素子である。ＭＥＭＳ素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン引力などを応用して電気的に行われる。
【０００３】
ＳＬＭ（シリコンライトマシーン）社がレーザーディスプレイ用光強度変換素子、つまり光変調器として開発したＧＬＶ（Grating Light Valve）デバイスに設けられている光変調素子を例に挙げて、光変調素子の構成を説明する。
先ず、図５を参照して、光変調素子によって構成されるＧＬＶデバイスの構造を説明する。図５はＧＬＶデバイスの構成を示す斜視図である。
ＧＬＶデバイス１０は、図５に示すように、複数個の光変調素子１２を相互に並列で密に配置させたデバイスである。ＧＬＶデバイスを構成する光変調素子１２は、上面に光反射膜１４を有する静電駆動型メンブレン１６を備えた、ＭＯＥＭＳ（Micro Optical Electric Mechanical System）と呼ばれる光変調素子であって、メンブレン１６が、静電引力、或いは静電反発力によって機械的に動いて、光反射膜１４の高さを交互に変化させ、光の回折によって、光反射膜１４で反射する反射光の光強度を変調させる機能を有する。
【０００４】
次に、図６を参照して、光変調素子１２の構成を説明する。図６は光変調素子の構成を示す斜視図である。
光変調素子１２は、図６に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１８と、Ｃｒ薄膜等で絶縁性基板１８上に形成されている基板側電極２０と、基板側電極２０に交差してブリッジ状に跨ぐ静電駆動型メンブレン１６とを備えている。
静電駆動型メンブレン１６と基板側電極２０とは、その間の空隙部２２によって電気的に絶縁されている。
【０００５】
静電駆動型メンブレン１６は、基板側電極２０をブリッジ状に跨いで基板１８上に立脚する電極支持部材として設けられたＳｉＮ膜からなるブリッジ部材２４と、基板側電極２０に対向して相互に平行にブリッジ部材２４上に設けられた、膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極１４とから構成されている。
ブリッジ部材２４は、空隙部２２を確保するように、基板側電極２０に対向して所定間隔だけ離間し、かつ基板側電極２０に対して相互に平行に光反射膜兼メンブレン側電極１４を支持するために設けられている。
ＧＬＶデバイス１０では、絶縁性基板１８及びその上の基板側電極２０は、図５に示すように、各光変調素子１２の共通基板及び共通電極となっている。
【０００６】
ブリッジ部材２４と、その上に設けられた光反射膜兼メンブレン側電極１４とからなる静電駆動型メンブレン１６は、リボンと通称されている部位である。
ブリッジ部材２４は、基板側電極２０に対して平行に延在する梁部の両端を２本の柱部で支持する、図６に示したブリッジ状のものに代えて、柱部が１本で、梁部の一方の端部のみを支持する片持ち梁式、即ちカンチレバー式のものもある。
【０００７】
光反射膜兼メンブレン側電極１４として使用したアルミニウム膜（Ａｌ膜）は、（１）比較的容易に成膜で出来る金属膜であること、（２）可視光領域での反射率の波長分散が小さいこと、（３）Ａｌ膜表面に生成したアルミナ自然酸化膜が保護膜となって反射面を保護すること等の理由から、光学部品材料として好ましい金属膜である。
また、ブリッジ部材２４を構成するＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）は、減圧ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉＮ膜であって、その強度、弾性定数などの物性値が、ブリッジ部材２４の機械的駆動に対して適切であるとして選定されている。
【０００８】
基板側電極２０と、基板側電極２０に対向する光反射膜兼メンブレン側電極１４との間に微小電圧を印加すると、静電現象によって静電駆動型メンブレン１６が基板側電極２０に向かって接近し、また、電圧の印加を停止すると、離間して元の状態に戻る。
ＧＬＶデバイス１０を構成する光変調素子１２は、基板側電極２０に対する静電駆動型メンブレン１６の接近、離間の動作により、光反射膜１４の高さを交互に変化させ、光の回折によって、光反射膜１４で反射する光の強度を変調する。静電引力及び静電反発力を利用して駆動するメンブレンの力学的特性は、ＣＶＤ法等で成膜されるＳｉＮ膜の物性によってほぼ決定され、Ａｌ膜は反射ミラーとしての役割が主である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の光変調素子には、Ａｌ膜で光反射膜兼メンブレン側電極を形成しているために、以下のような問題があった。
つまり、Ａｌ膜は、前述したような利点を有するものの、融点が比較的低く、また柔らかい材料であるために、膜厚１００ｎｍ程度の薄膜にすると、アルミニウムの凝集現象によりＡｌ膜の膜厚差が発生し、また高低差が４００ｎｍ以上に大きい場合には、１μｍにも達する凹凸面がＡｌ膜に生じて、Ａｌ膜の光反射率が低下する。例えば、バルクのＡｌ膜は、波長６００ｎｍの光に対して約９２％の光反射率を有するが、従来の光変調素子１０の光反射率は波長６００ｎｍに対して約８６．５％位であって、約５％低下している。
また、Ａｌ膜に生じた膜厚差が極端な場合には、Ａｌ膜が断線して、電気的に不導通になることがある。これでは、メンブレンが駆動せず、光変調素子が機能しない。
【００１０】
このような状況を鑑み、本発明の目的は、膜厚が均一で、光反射率の高い光反射膜兼メンブレン側電極を備えた光変調素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、Ａｌ膜が、減圧ＣＶＤ法により成膜されたアモルファス状のＳｉＮ膜上に形成されているために、アルミニウムのマイグレーションが助長され、Ａｌ膜の膜厚に厚薄が生じることを見い出した。
しかし、ＳｉＮ膜に代わる適切なメンブレン膜を見いだすことは難しく、また、Ａｌ膜を上層に設けてＡｌ膜の良好な光反射性を利用することが光反射性の点から好ましい。
そこで、本発明者は、柱状の細かいグレイン構造の結晶を形成する高融点金属膜、例えばチタン膜等をＳｉＮ膜とＡｌ膜との間に介在させ、高融点金属膜の良好な表面状態によってアルミニウムのマイグレーションを抑制することを着想し、実験により効果を確認して、本発明を発明するに到った。
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明に係る光変調素子は、絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び基板側電極に対向してブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、メンブレン側電極と基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により光反射膜を駆動するメンブレンと
を備える光変調素子において、
光反射兼メンブレン側電極が多層金属膜により形成され、
多層金属膜が、前記ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた上記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有していることを特徴としている。
【００１３】
本発明は、ブリッジ部材の少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されている光変調素子に適用できる。ブリッジ部材は、全層がＳｉＮ膜で形成されていても、また、ＳｉＮ膜からなる上層と、ＳｉＮ膜以外の膜、例えばＳｉＯ2 膜からなる下層との２層構造でも、更には３層構造でも良い。
Ａｌ膜は、Ａｌ−Ｓｉ合金膜でも、Ａｌ−Ｃｕ合金膜でも、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜でも、その他の不純物を含んだＡｌ膜でも良い。
【００１４】
本発明では、Ａｌ膜が、共に柱状結晶構造の結晶性の良好な上記の高融点金属膜及びその上の高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜のいずれかとによる積層膜上に成膜されているので、Ａｌ膜の結晶構造が良好になり、凝集現象が生じ難い。
よって、Ａｌ膜の膜厚に厚薄が生じないので、Ａｌ膜が平滑な反射面を備えて、光反射率が高くなり、光変調素子の光利用効率が向上する。
上記の高融点金属膜は、高融点金属窒化膜又は高融点炭化膜とＳｉＮ膜との密着性を高める効果を有する。
【００１６】
本発明に係るＧＬＶデバイスは、並列配置された複数個の光変調素子を備えるＧＬＶデバイスにおいて、
光変調素子が、
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び基板側電極に対向してブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、光反射膜兼メンブレン側電極と基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により光反射膜を駆動するメンブレンと
を備え、
光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜であって、相互に独立で並列配置され、
多層金属膜が、ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた上記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有し、
基板側電極が共通電極として設けられていることを特徴としている。
【００１７】
更に、本発明に係るレーザディスプレイは、レーザと、レーザから出射されたレーザ光を光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスとを有するレーザディスプレイにおいて、
ＧＬＶデバイスが、並列配置された複数個の光変調素子を備え、
光変調素子が、
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がＳｉＮ膜で形成されたブリッジ部材、及び基板側電極に対向してブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、光反射膜兼メンブレン側電極と基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により光反射膜を駆動するメンブレンと
を備え、
光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜であって、相互に独立で並列配置され、
多層金属膜が、ブリッジ部材のＳｉＮ膜上に設けられたチタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、及びタンタル（Ｔａ）膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた上記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜とを有し、
基板側電極が共通電極として設けられていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係るレーザディスプレイは、レーザの数には制約はなく、単色光のレーザディスプレイでも、フルカラーディスプレイでもよい。
フルカラーディスプレイでは、レーザディスプレイは、赤色レーザ、緑色レーザ、及び青色レーザと、赤色レーザ、緑色レーザ、及び青色レーザからそれぞれ出射された赤色レーザ光、緑色レーザ光、及び青色レーザ光を合成する色合成フィルタと、赤色レーザ、緑色レーザ、及び青色レーザの各々と色合成フィルタとの間の光軸上に配置され、赤色レーザ、緑色レーザ、及び青色レーザからそれぞれ出射された赤色レーザ光、緑色レーザ光、及び青色レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスとを備えている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。尚、以下の実施形態例で示す成膜方法、層の組成及び膜厚、プロセス条件等は、本発明の理解を容易にするための一つの例示であって、本発明はこの例示に限定されるものではない。
光変調素子の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係る光変調素子の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の光変調素子の構成を示す断面図である。
本実施形態例の光変調素子３０は、ＧＬＶデバイスを構成する光変調素子として構成され、メンブレン３２の光反射膜兼メンブレン側電極３４の構造が異なることを除いて、従来の光変調素子１２と同じ構成を備えている。
本実施形態例の光反射膜兼メンブレン側電極３４は、図１に示すように、下層にｎｍオーダの膜厚のＴｉ層３７と、その上に設けられた膜厚が１０ｎｍから７０ｎｍのＴｉＮ膜３６と、その上に設けられた膜厚が５０ｎｍから１５０ｎｍのＡｌ膜３８との３層金属膜で構成されている。
【００２０】
本実施形態例の光変調素子３０と同じ構成の試料光変調素子（レーザを除く）を試作し、波長４００ｎｍから７００ｎｍの光を照射して、光反射膜兼メンブレン側電極３４の反射率を測定したところ、図２のグラフ（１）に示す結果を得た。
また、従来の光変調素子１０について、同様の反射率を測定したところ、図２のグラフ（２）に示す結果を得た。
図２のグラフ（１）とグラフ（２）との比較から、本実施形態例の光変調素子３０は、測定波長の全域で、従来の光変調素子１０に比べて高い反射率を示していて、特に、波長が短い領域で、顕著により高い反射率を示している。
つまり、Ａｌ膜３８が平滑な反射面を有し、光変調素子３０の光利用効率が高いことを示している。
【００２１】
本実施形態例の光変調素子３０は、光反射膜兼メンブレン側電極３４として、Ｔｉ膜３７とＴｉＮ膜３６とＡｌ膜３８との３層構造の多層金属膜を備えているが、これに限ることはなく、例えば、図３（ａ）に示すように、Ｔｉ膜３７とＴｉＣ膜３９とＡｌ膜３８との３層金属膜でも良い。Ｔｉ膜３７はＳｉＮ膜との密着層として機能する。
なお、図３（ｂ）は参考例であり、ＴＩＮ膜又はＴｉ膜、この例ではＴｉ膜３７とＡｌ膜３８との２層金属膜とした場合である。この参考例においてもＡｌ膜３８の結晶構造は良好になる。
【００２２】
本実施形態例では、高融点金属膜としてＴｉ膜とＴｉＮ膜又はＴｉＣ膜を使用しているので、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜又はＴｉＣ膜とＡｌ膜との多層金属膜を一つのエッチング工程でパターニングすることができるという利点を有する。
Ｔｉ膜と、ＴｉＮ膜又はＴｉＣ膜とに変えて、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）などの高融点金属膜と、それら高融点金属膜の窒化物、炭化物とを使っても良い。これら高融点金属膜及び高融点金属窒化膜又は高融点炭化膜も上例と同様に有効である。
【００２３】
ＧＬＶデバイスの実施形態例
本実施形態例のＧＬＶデバイスは、本発明に係るＧＬＶデバイスの実施形態の一例であって、前述した従来のＧＬＶデバイス１０に用いた光変調素子１２に代えて、光変調素子３０を用いたものである。
本実施形態例のＧＬＶデバイスは、光反射率の高い光変調素子３０で構成されているので、光利用効率が従来のＧＬＶデバイス１０に比べて遙に高い。
【００２４】
レーザディスプレイの実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るレーザディスプレイの実施形態の一例であって、図４は本実施形態例のレーザディスプレイの構成を示す模式図である。
本実施形態例のレーザディスプレイ４０は、上述の実施形態例のＧＬＶデバイスを用いた光学装置であって、例えば、大型スクリーン用プロジェクタ、特にディジタル画像のプロジェクタとして、或いはコンピュータ画像投影装置として用いられている。
【００２５】
レーザディスプレイ４０は、図４に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のレーザ光光源として設けられたレーザ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂと、各光源に対して、それぞれ、光軸上に順次、設けられたミラー４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂ、照明光学系４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂ、及び光変調器として機能するＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂとを備えている。
レーザ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは、それぞれ、例えば、Ｒ（波長６４２ｎｍ、光出力約３Ｗ）、Ｇ（波長５３２ｎｍ、光出力約２Ｗ）、Ｂ（波長４５７ｎｍ、光出力約１．５Ｗ）のレーザである。
【００２６】
更に、レーザディスプレイ４０は、ＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂによりそれぞれ光強度が変調された赤色（Ｒ）レーザ光、緑色（Ｇ）レーザ光、及び青色（Ｂ）を合成する色合成フィルタ５０、空間フィルタ５２、ディフューザ５４、ミラー５６、ガルバノスキャナ５８、投影光学系６０、およびスクリーン６２を備えている。
色合成フィルタ５０は、例えばダイクロイックミラーで構成されている。
【００２７】
本実施形態例のレーザディスプレイ４０では、レーザ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂから射出されたＲＧＢ各色のレーザ光は、それぞれ、ミラー４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂを経て照明光学系４６Ｒ、４６Ｇ、４６ＢからＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂに入射する。各レーザ光は、色分類された画像信号であり、ＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂに同期入力するようになっている。
更に、各レーザ光は、ＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂによって回折されることにより空間変調され、これら３色の回折光が色合成フィルタ５０によって合成され、続いて空間フィルタ５２によって信号成分のみが取り出される。
次いで、このＲＧＢの画像信号は、ディフューザ５４によってレーザスべックルが低減され、ミラー５６を経て、画像信号と同期するガルバノスキャナ５８により空間に展開され、投影光学系６０によってスクリーン６２上にフルカラー画像として投影される。
【００２８】
このようなレーザディスプレイ４０では、ＲＧＢ全て同一構造のＧＬＶデバイス４８を用いると、射出される画像信号の光束は約３１０ルーメンとなる。
本実施形態例のレーザディスプレイ４０と同じ構成で、従来の光変調素子を用いたレーザディスプレイでは、信号の光束が約３００ルーメンであることから、本実施形態例のレーザディスプレイ４０では、光源の利用効率が向上することが判る。
また、ＲＧＢそれぞれの波長に対して最適化されたＧＬＶデバイス４８を用いると、信号の光束は約３２０ルーメンと更に向上する。
【００２９】
本実施形態例のレーザディスプレイ４０では、各色のレーザ４２に対応して、ＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂを備えているが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、これ以外の構成を有する各種のディスプレイについても適用可能である。
例えば、光源を白色光とする一方で、ＲＧＢそれぞれの波長の光のみを反射して（それ以外の光は回折する）各色を表示するようにメンブレンの幅が異なる光変調素子４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂが１画素を構成するようにしてもよい。
また、ＲＧＢの画素データからなる画像情報に同期したカラーホイールを通してＧＬＶデバイス４８に、単一の光源からの白色光を入射させるようにすることもできる。
更に、例えば、単一のＧＬＶデバイス４８を用いて、ＲＧＢのＬＥＤ（発光ダイオード）からの光を回折し、画素毎の色の情報を再生するように構成すれば、簡単なハンディタイプのカラーディスプレイとなる。
【００３０】
また、本発明に係るＧＬＶデバイスは、本実施形態例のレーザディスプレイようなプロジェクタ類だけでなく、光通信におけるＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing：波長多重）伝送用の各種デバイス、ＭＵＸ（Multiplexer：パラレルーシリアル変換器／多重化装置）、ＤＥＭＵＸ（Demultiplexer：パラレルーシリアル変換器／分配化装置）、あるいはＯＡＤＭ（Optical Add/Drop Multiplexer）、ＯＸＣ（Optical Cross Connect）等の光スイッチとして用いることもできる。
更に、例えばディジタル画像等を直画できる微細描画装置、半導体露光装置や、プリンタエンジンなど、その他の光学装置にも適用することができる。
【００３１】
また、本実施形態例のレーザディスプレイ４０では、ＧＬＶデバイス４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂを用いて空間変調を行うレーザディスプレイについて説明したが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、位相、光強度などの干渉・回折により変調可能な情報のスイッチングを行うことができ、これらを利用した光学装置に応用することが可能である。
【００３２】
本発明によれば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜と、Ａｌ膜下に設けられた高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜と、高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜下に設けられた高融点金属膜とを有する多層金属膜で、光反射膜兼メンブレン側電極を形成することにより、Ａｌ膜の下地が高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜、高融点金属になるので、Ａｌ膜のアルミニウム凝集（aggregation）による表面モホロジーの劣化を防ぐことができ、光反射率、従って光利用効率が高い光変調素子を実現することができる。
これにより、光変調素子の信頼性を高め、また光変調素子の製造プロセスのマージンを増加させることができる。
更には、本発明に係る光変調素子でＧＬＶデバイスを構成することにより、光利用効率が高く、使用寿命の長いＧＬＶデバイスを実現することができる。また、そのようなＧＬＶデバイスをレーザディスプレイに組み込むことにより、光利用効率の高いレーザディスプレイを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態例の光変調素子の構成を示す断面図である。
【図２】  波長４００ｎｍから７００ｎｍのレーザ光に対する実施形態例の光変調素子の光反射率及び従来の光変調素子の光反射率を示すグラフである。
【図３】  図３（ａ）は実施形態例の変形の光反射膜兼メンブレン側電極の構成を示す断面図である。
図３（ｂ）は参考例の光反射膜兼メンブレン側電極の構成を示す断面図である。
【図４】  実施形態例のレーザディスプレイの構成を示す模式図である。
【図５】  ＧＬＶデバイスの構成を示す斜視図である。
【図６】  従来の光変調素子の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１２・・光変調素子、１４・・光反射膜、光反射膜兼メンブレン側電極、１６・・静電駆動型メンブレン、１８・・絶縁性基板、２０・・基板側電極、２２・・空隙、２４・・ブリッジ部材、３０・・実施形態例の光変調素子、３２・・メンブレン、３４・・光反射膜兼メンブレン側電極、３６・・ＴｉＮ膜、３７・・Ｔｉ膜、３８・・Ａｌ膜、３９・・ＴｉＣ膜、４０・・レーザディスプレイ、４２・・レーザ、４４・・ミラー、４６・・照明光学系、４８・・ＧＬＶデバイス、５０・・色合成フィルタ、５２・・空間フィルタ、５４・・ディフューザ、５６・・ミラー、５８・・ガルバノスキャナ、６０・・投影光学系、６２・・スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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