(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなる静電チャック本体中に、中心角がそれぞれ均しい扇形状の複数の吸着電極が設けられ、被吸着物を支持して昇降させる昇降支持部材の支持部が貫通可能な複数の貫通孔を有する双極性の静電チャックであって、
上記貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
誘電体からなる静電チャック本体中に、複数の櫛歯状の吸着電極を入れ子状に噛み合わせて構成した吸着電極が設けられ、被吸着物を支持して昇降させる昇降支持部材の支持部が貫通可能な複数の貫通孔を有する双極性の静電チャックであって、
上記貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項３】
各貫通孔は、正の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載の静電チャック。
【請求項４】
各貫通孔は、当該複数の貫通孔の重心部が静電チャック本体上における被吸着物の重心部と重なる位置に配設されていることを特徴とする請求項３記載の静電チャック。
【請求項５】
吸着電極が円形のパターンを分割した形状に形成され、各貫通孔は、上記パターンの半径の１／２の半径を有する上記パターンの同心円上に配設されていることを特徴とする請求項３又は４のいずれか１項記載の静電チャック。
【請求項６】
真空処理槽内に請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電チャックが設けられ、
該静電チャックに吸着保持される基体に対して所定の処理を行うように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば真空処理槽内において基板を吸着保持するための静電チャックに関し、特に、双極型の静電チャックの吸着終了後に静電チャック本体に生ずる残留吸着力に起因する基板の振動、位置ずれを低減させる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、真空中でＳｉウェハ等の基板上に成膜等の処理を行う装置においては、静電気力によって基板を吸着保持する静電チャックが広く用いられている。このような静電チャックとしては、吸着電極に対して単一の極性の電圧を印加する単極型のものと、吸着電極に対して極性の異なる電圧を印加する双極型のものとが知られている。
【０００３】
図５（ａ）（ｂ）に、従来の双極型の静電チャックの構成を示す。
この静電チャック１００は、図示しない真空処理槽内のサセプタの上部に固定されるもので、図５（ａ）（ｂ）に示すように、円盤状の誘電体からなる静電チャックプレート１０１中に２つの吸着電極１０２、１０３が設けられる。そして、各吸着電極１０２、１０３に対して直流電源１０４、１０５から異なる極性の電圧を印加するように構成され、これにより成膜等の処理時において基板１０６を静電チャックプレート１０１上に吸着保持できるようになっている。
【０００４】
一方、基板１０６に対して所定の処理が終了した後、基板１０６を静電チャックプレートから離脱させるには、基板１０６の搬送機構を簡便にするという理由から、通常の場合、図５（ａ）に示すように、上下動可能なリフトピン１０８の先端の支持部１０８ａを静電チャックプレート１０１に形成した貫通孔１０７（１０７ａ〜１０７ｄ）から突出させることによって基板１０６を裏面側から押し上げるようにしている。
【０００５】
ここで、基板１０６をバランス良く支持するためには、リフトピン１０８の支持部１０８ａの重心部が基板１０６の重心部と一致していることが望ましいことから、図５（ｂ）に示すように、各貫通孔１０７ａ〜１０７ｄは、吸着電極１０２、１０３によって形成される円形のパターンに対する同心円Ｑ上に配設されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この種の静電チャック１００においては、吸着電極１０３への印加電圧を切った後にも静電チャックプレート１０１に電荷が滞留するため、基板１０６との間に残留吸着力が発生し、これによって次のような問題が生じている。
【０００７】
すなわち、ＰＶＤ、ＣＶＤ、エッチング等のプラズマ処理を行う半導体製造装置において、上述の双極型の静電チャック１００を用いた場合には、正又は負の各吸着電極１０２、１０３上で、吸着動作の終了後の残留吸着力に差が生じることが知られているが、そのような状態で上記リフトピン１０８を上昇させて基板１０６を押し上げると、残留吸着力の差により基板１０６が傾いた状態で押し上げられ、その結果、基板１０６が大きく振動して飛び跳ねたり、場合によっては基板１０６の位置がずれてリフトピン１０８の支持部１０８ａから滑落してしまうという問題があった。
【０００８】
このため、従来は、ずれた基板１０６の回収や基板１０６の搬送位置調整を行うべく真空処理槽のメンテナンスが必要となっていた。半導体装置のプロセスラインにおけるこのような任意のメンテナンスは、生産量の低下と半導体製造装置の信頼性を欠く原因となり、その改善が望まれていた。
【０００９】
このような問題を解決するためには、例えばリフトピン１０８の支持部１０８ａの本数を増やすことによって離脱の際に基板１０６を傾きにくくすることも考えられる。
しかし、リフトピン１０８の支持部１０８ａの本数を増やした場合には、静電チャックプレート１０１を貫通させるための貫通孔１０７の数も増やさなければならず、静電チャックプレート１０１の表面と基板１０６との接触面積が小さくなるため、静電チャック１００の本来の目的である基板１０６の温度制御能力が低下してしまうという問題が生ずる。
【００１０】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、静電チャックの本来の能力を損なうことなく、離脱の際における被吸着物の振動及び位置ずれに起因する搬送不良を低減しうる静電チャックを提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた請求項１記載の発明は、誘電体からなる静電チャック本体中に、中心角がそれぞれ均しい扇形状の複数の吸着電極が設けられ、被吸着物を支持して昇降させる昇降支持部材の支持部が貫通可能な複数の貫通孔を有する双極性の静電チャックであって、上記貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする静電チャックである。
また、請求項２記載の発明は、誘電体からなる静電チャック本体中に、複数の櫛歯状の吸着電極を入れ子状に噛み合わせて構成した吸着電極が設けられ、被吸着物を支持して昇降させる昇降支持部材の支持部が貫通可能な複数の貫通孔を有する双極性の静電チャックであって、上記貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする静電チャックである。
【００１２】
本発明の場合、双極性の静電チャックにおいて、異なる極性の電圧が印加される吸着電極のうち同一極性の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に各貫通孔が形成されていることから、静電チャック本体の残留吸着力が同等の部分においてリフトピン等の昇降支持部材を突出させ、これにより被吸着物を支持することが可能になる。その結果、被吸着物はバランス良く支持されるため被吸着物を離脱させる際に傾いてしまうことはなく、被吸着物に振動や位置ずれが生ずることがない。
【００１３】
しかも、本発明によれば、昇降支持部材の支持部の数を増やすために静電チャック本体に多くの貫通孔を設ける必要がなく、静電チャック本体の表面と被吸着物との接触面積は変わらないため、静電チャックの本来の目的である被吸着物の温度制御能力を従来通りの能力に維持することができる。
【００１４】
この場合、請求項３記載の発明のように、請求項１又は２のいずれか１項記載の発明において、各貫通孔が、正の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設されていることも効果的である。
【００１５】
すなわち、プラズマ処理中において静電チャックに吸着保持された被吸着物は負に帯電することがよく知られているが、このため静電チャック本体は、負の吸着電極上の領域より正の吸着電極上の領域の方が残留吸着力が大きい。したがって、請求項３記載の発明のように、上記各貫通孔を正の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に配設し、この位置において被吸着物を昇降支持部材で支持するように構成すれば、被吸着物に対して昇降支持部材を突き当てる際の被吸着物のたわみが負の吸着電極の位置を支持する場合に比べて小さく、その結果、被吸着物を静電チャックから離脱させる際の振動がより一層低減される。
【００１６】
また、請求項４記載の発明のように、請求項３記載の発明において、各貫通孔が、当該複数の貫通孔の重心部が静電チャック本体上における被吸着物の重心部と重なる位置に配設されていることも効果的である。
【００１７】
請求項４記載の発明によれば、被吸着物が昇降支持部材に支持された状態において被吸着物の重心部と昇降支持部材の支持部の重心部とが一致するため、被吸着物は昇降支持部材によってバランス良く支持され、その結果、被吸着物を静電チャックから離脱させる際の振動がより一層低減される。
【００１８】
さらに、請求項５記載の発明のように、請求項３又は４のいずれか１項記載の発明において、吸着電極が円形のパターンを分割した形状に形成され、各貫通孔が、上記パターンの半径の１／２の半径を有する上記パターンの同心円上に配置されていることも効果的である。
【００１９】
すなわち、被吸着物を昇降支持部材によって支持する際、被吸着物に対して昇降支持部材の支持部の位置が被吸着物の端部に集中していると、数ｍｍ程度のわずかな位置ずれによって被吸着物が滑落してしまうが、請求項５記載の発明のように構成すれば、被吸着物を静電チャック本体から離脱させる際に被吸着物の位置が多少ずれても被吸着物が滑落してしまうことはなく、しかも、被吸着物を支持した際に被吸着物のバランスが悪くなることもない。
【００２０】
一方、請求項６記載の発明は、真空処理槽内に請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電チャックが設けられ、この静電チャックに吸着保持される基体に対して所定の処理を行うように構成されていることを特徴とする真空処理装置である。
【００２１】
請求項６記載の発明によれば、基体を静電チャック本体から離脱させる際に振動や位置ずれが生じないため、従来行っていた基体（基板）の回収作業や基体の搬送位置調整作業等の真空処理槽のメンテナンスが必要なくなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る静電チャック及びこれを用いた真空処理装置の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る真空処理装置の一実施の形態であるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す概略構成図であり、図１（ｂ）は、本発明に係る静電チャックの第１の実施の形態の電極パターンを示す説明図である。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１は、図示しない真空排気系に接続された真空処理槽２を有し、この真空処理槽２内の上部に放電手段３が設けられる。この放電手段３は、真空処理槽２の外部に設けられた高周波電源４に接続された放電電極３ａを有し、真空処理槽２内に反応ガスＧを導入するように構成されている。
【００２４】
真空処理槽２の下部には、処理対象物であるＳｉウェハー等の基板（基体）５を支持するためのサセプタ６が設けられ、このサセプタ６の上部には、後述する静電チャック７が固定されている。
【００２５】
図１（ａ）（ｂ）に示すように、静電チャック７は、被吸着物である基板５と同等の大きさの円盤形状に形成された静電チャックプレート８中に吸着電極９が形成されて構成される。本発明の静電チャック７は、いわゆる双極型のもので、誘電体からなる静電チャックプレート８中に、正又は負の極性に帯電する２種類の吸着電極９、１０が設けられている。そして、一方の吸着電極９は、真空処理槽２の外部に設けられた直流電源１１の負の端子に接続され、もう一方の吸着電極１０は、同様に真空処理槽２の外部に設けられた直流電源１２の正の端子に接続されている。
【００２６】
また、静電チャックプレート８には、後述するように所定の位置に貫通孔１３が形成されている。そして、サセプタ６の内部には、基板５を静電チャックプレート８上に載せ（リフトダウン）又は静電チャックプレート８から基板５を押し上げる（リフトアップ）ための昇降支持部材としてのリフトピン１４が設けられ、その先端の支持部１４ａが上記静電チャックプレート８の貫通孔１３内に挿入されるようになっている。このリフトピン１４は、真空処理槽２の外部に設けられた昇降機構１５に連結されている。そして、昇降機構１５の駆動によるリフトピン１４の上下動に伴ってその支持部１４ａが静電チャックプレート８の貫通孔１３から突出するように構成されている。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の静電チャック７においては、円形の電極パターンに対し、その中心点ＯからＸ軸又はＹ軸方向に延びる境界線１６Ｘ、１６Ｙを形成すること、すなわち、同方向に延びるようにパターンを形成しないことによって、それぞれの中心角が９０°の扇形状に４分割された吸着電極９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂが形成されている。
【００２８】
また、この種の双極型の静電チャックの場合、静電吸着力の不均一を防ぐためには、隣り合う吸着電極に対して逆極性の電圧を印加することが好ましいことから、本実施の形態の場合は、静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位置に形成された吸着電極９ａ、９ｂに正の電圧を印加するとともに、静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位置に形成された吸着電極１０ａ、１０ｂに負の電圧を印加するように構成している。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の場合は、正に帯電する吸着電極９ａ、９ｂを貫通する位置に、リフトピン１４の先端部１４が貫通可能な貫通孔１３が設けられている。この場合、吸着電極９ａを貫通する位置に２つの貫通孔１３ａ、１３ｂが設けられるとともに、吸着電極９ｂを貫通する位置に２つの貫通孔１３ｃ、１３ｄが設けられている。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは、吸着電極９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂによって形成される円形のパターンに対する同心円Ａ上に配設されている。ここで、この同心円Ａの半径ｒ1は、吸着電極９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂの半径ｒ0の約１／２となっている。
【００３１】
さらに、貫通孔１３ａと貫通孔１３ｄは、静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位置に設けられ、また、貫通孔１３ｂと貫通孔１３ｃは、静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位置に設けられている。ここで、中心点Ｏを通って貫通孔１３ａと貫通孔１３ｂとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏを通って貫通孔１３ｂと貫通孔１３ｃとを結ぶ線分Ｍがなす角度θ1は、例えば６０°に設定される。また、この線分ＬのＹ軸方向の境界線１６Ｙに対する角度θ2と、上記線分ＭのＸ軸方向の境界線１６Ｘに対する角度θ3は、ともに等しく(本実施の形態の場合はθ2＝θ3＝１５°）なるように設定されている。
【００３２】
そして、上述した位置に各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを配設することにより、本実施の形態においては、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの重心部（図示せず）が、静電チャックプレート８の中心点Ｏと重なるようになっている。そして、通常の場合、基板５は静電チャックプレート８の中央部に載置されるものであり、静電チャックプレート８上に載置された状態では基板５の重心部は静電チャックプレート８の中心点Ｏと重なっている。その結果、本実施の形態の場合、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの重心部は、静電チャックプレート８上における基板５の重心部（図示せず）と重なるようになっている。
【００３３】
以上の構成を有する本実施の形態の静電チャック７によれば、同一極性の電圧が印加される吸着電極９ａ、９ｂを貫通する位置に各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが形成されていることから、静電チャックプレート８の残留吸着力が同等の部分においてリフトピン１４の支持部１４ａを突出させ、これにより基板５を支持することが可能になる。その結果、基板５はバランス良く支持されるため基板５を離脱させる際に傾いてしまうことはなく、基板５の振動や位置ずれによる滑落等の搬送不良を防止することができる。
【００３４】
特に、本実施の形態の静電チャック７の場合は、正の電圧が印加される吸着電極９ａ、９ｂを貫通する位置に各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを配設し、この位置において基板５をリフトピンで支持するように構成したことにより、基板５に対して昇降支持部材１４を突き当てる際の基板５のたわみが負の吸着電極１０ａ、１０ｂの位置を支持する場合に比べて小さく、基板５を静電チャックプレート８から離脱させる際の振動をより一層低減することができる。
【００３５】
さらに、本実施の形態の静電チャック７においては、吸着電極９、１０のパターンの半径ｒ0の約１／２の半径ｒ1を有する同心円Ａ上に各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが配置されていることから、基板５を支持する際のバランスを維持しつつ、基板５を静電チャックプレート８から離脱させる際の基板５の位置ずれによる基板５の滑落を防止することができる。
【００３６】
その一方で、本実施の形態の静電チャック７によれば、リフトピン１４の支持部１４ａの数を増やすために静電チャックプレート８に多くの貫通孔１３を設ける必要がなく、静電チャックプレート８の表面と基板５との接触面積は変わらないため、静電チャック７の本来の目的である基板５の温度制御能力を従来通りの能力に維持することができる。
【００３７】
そして、このような静電チャック７を有する本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１によれば、基板５を静電チャックプレート８から離脱させる際に振動や位置ずれが生じないため、従来行っていた基板５の回収作業や基板５の搬送位置調整作業等の真空処理槽２の任意のメンテナンスが必要なくなり、半導体装置のプロセスラインを中断させることがない。その結果、本実施の形態によれば、生産効率の高い高信頼性のプラズマＣＶＤ装置１を得ることができる。
【００３８】
図２〜図４は、本発明に係る静電チャックの他の実施の形態の電極パターンを示す説明図であり、以下、上記第１の実施の形態と対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００３９】
図２は、本発明に係る静電チャックの第２の実施の形態の電極パターンを示すものである。
図２に示すように、本実施の形態の静電チャック７Ａにおいては、それぞれの中心角が６０°の扇形状に６分割された吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅが形成されている。ここで、本実施の形態の場合も、静電吸着力を均一にするため、図中斜線を描いた正の電圧が印加される吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅと、負の電圧が印加される吸着電極１０ｃ、１０ｄ、１０ｅとを交互に配置するようにされている。
【００４０】
そして、本実施の形態の静電チャック７Ａの場合も、上記実施の形態と同様、正に帯電する吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅを貫通する位置に、リフトピン１４の先端部１４が貫通可能な貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられている。また、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅによって形成される円形のパターンに対して同心的に形成され、その半径ｒ0の約１／２の半径ｒ1を有する同心円Ａ上に配設されている。
【００４１】
さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、各吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅの周方向の中央部に配設され、また、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間隔は等間隔になっている。すなわち、図２に示すように、例えば貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと貫通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３ｂとを結ぶ線分Ｍがなす角度θ1 が１２０°となるように設定されている。そして、このような構成により、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャックプレート８上における基板５の重心部と重なるようになっている。
【００４２】
以上述べたような本実施の形態の静電チャック７Ａによれば、上記実施の形態と同様に静電チャックプレート８から基板５を離脱させる際の振動や位置ずれを防止することができるが、本実施の形態の場合は貫通孔１３が３つで済むため、より大きい静電吸着力が得られるものである。その他の構成及び作用効果については上記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【００４３】
図３は、本発明に係る静電チャックの第３の実施の形態の電極パターンを示すものである。
図３に示すように、本実施の形態の静電チャック７Ｂにおいては、いわゆる入れ子型と呼ばれる電極パターンが形成されている。すなわち、静電チャックプレート８中に、それぞれ櫛歯状に形成された吸着電極９ｆ、１０ｆが入れ子状に噛み合わように配設されている。ここで、図中斜線を描いた吸着電極９ｆには正の電圧が印加され、他方の吸着電極１０ｆには負の電圧が印加されるように構成されている。
【００４４】
そして、本実施の形態の静電チャック７Ｂの場合も、上記実施の形態と同様、正に帯電する吸着電極９ｆを貫通する位置に、リフトピン１４の支持部１４ａが貫通可能な貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられている。この場合、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、吸着電極９ｆ、１０ｆによって形成される円形のパターンに対して同心的に形成され、その半径ｒ0の約１／２の半径ｒ1を有する同心円Ａ上に配設されている。
【００４５】
さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間隔は等間隔に配設される。例えば、図３に示すように、貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと貫通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３ｂとを結ぶ線分Ｍがなす角度θ1が１２０°となるように設定されている。そして、このような構成により、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャックプレート８上における基板５の重心部と重なるようになっている。
【００４６】
以上述べたような本実施の形態の静電チャック７Ｂの場合は、それぞれの吸着電極９ｆ、１０ｆが近接しているため静電吸着力の偏りは小さいが、上述の構成を採用することにより、静電チャックプレート８から基板５を離脱させる際の振動や位置ずれを確実に防止することができる。その他の構成及び作用効果については上記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【００４７】
図４は、本発明に係る静電チャックの第４の実施の形態の電極パターンを示すものである。
図４に示すように、本実施の形態の静電チャック７Ｃにおいては、いわゆる同心円型と呼ばれる電極パターンが形成されている。すなわち、静電チャックプレート８中に、静電チャックプレート８と同心円的に４つの吸着電極９ｇ、９ｈ、１０ｇ、１０ｈが配設されている。ここで、図中斜線を描いた吸着電極９ｇ、９ｈには正の電圧が印加され、他方の吸着電極１０ｇ、１０ｈには負の電圧が印加されるようになっている。
【００４８】
そして、本実施の形態の静電チャック７Ｃの場合も、正に帯電する外周側の吸着電極９ｇを貫通する位置に、リフトピン１４の支持部１４ａが貫通可能な貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられている。この場合、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、最外周の吸着電極１０ｇのパターンに対して同心的に形成され、その半径ｒ0の約１／２の半径ｒ1を有する同心円Ａ上に配設されている。
【００４９】
さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間隔は等間隔に配設される。例えば、図４に示すように、貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと貫通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３ｂとを結ぶ線分Ｍがなす角度θ1が１２０°となるように設定されている。そして、このような構成により、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャックプレート８上における基板５の重心部と重なるようになっている。
【００５０】
以上述べたような本実施の形態の静電チャック７Ｃによれば、上記実施の形態と同様に静電チャックプレート８から基板５を離脱させる際の振動や位置ずれを防止することができるが、本実施の形態の場合は吸着電極９ｇが円形に形成されているため、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部と静電チャックプレート８上における基板５の重心部とを容易に重ねることができるものである。その他の構成及び作用効果については上記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【００５１】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、吸着電極に設ける貫通孔の位置、数、形状は、本発明の範囲内である限り、任意のものとすることができる。
【００５２】
特に、貫通孔の位置については、上述の実施の形態のように電極パターンの半径の１／２の半径を有する同心円上に配設する場合には限られない。ただし、上記実施の形態のように構成すれば、昇降支持部材の支持部の重心部を容易に被吸着物の重心部に一致させることができ、被吸着物の滑落をより効果的に防止することができるという利点がある。
【００５３】
また、上述の実施の形態においては、正の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に各貫通孔を配設するようにしたが、負の電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に各貫通孔を配設することも可能である。ただし、被吸着物を静電チャック本体から離脱させる際の振動をより確実に防止するためには、上記実施の形態のように正に帯電する吸着電極を貫通する位置に各貫通孔を配設することが好ましい。
【００５４】
さらに、上述の実施の形態においては、プラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、静電チャック機構を具備する全ての装置に搭載することができるものである。もっとも、本発明はプラズマを用いて処理を行うＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、エッチング装置等の真空処理装置に搭載するとより効果的になるものである。
【００５５】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、静電チャックの本来の能力を損なうことなく被吸着物の振動や位置ずれによる滑落等の搬送不良を防止することができる。また、このような静電チャックを有する本発明の真空処理装置によれば、生産効率の高い高信頼性の真空処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）：本発明に係る真空処理装置の一実施の形態であるプラズマＣＶＤ装置の概略構成図  （ｂ）：本発明に係る静電チャックの第１の実施の形態の電極パターンを示す説明図
【図２】本発明に係る静電チャックの第２の実施の形態の電極パターンを示す説明図
【図３】本発明に係る静電チャックの第３の実施の形態の電極パターンを示す説明図
【図４】本発明に係る静電チャックの第４の実施の形態の電極パターンを示す説明図
【図５】（ａ）：従来の双極型の静電チャックの構成を示す説明図で、基板を静電チャックプレートから離脱させる動作を示す図  （ｂ）：従来の静電チャックの電極パターンを示す説明図
【符号の説明】
１…プラズマＣＶＤ装置（真空処理装置）  ２…真空処理槽  ３…放電手段  ５…基板（基体、被吸着物）  ６…サセプタ  ７…静電チャック  ８…静電チャックプレート（静電チャック本体）  ９（９ａ、９ｂ）…吸着電極  １０（１０ａ、１０ｂ）…吸着電極  １３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）…貫通孔  １４…昇降支持部材  １４ａ…支持部  Ａ…同心円  Ｏ…中心点
【図１】
0003850527.tif 000002
【図２】
0003850527.tif 000003
【図３】
0003850527.tif 000004
【図４】
0003850527.tif 000005
【図５】
0003850527.tif 000006