(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に電子部品が搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子部品に接続される端面電極とからなるモジュール基板において、
前記基板には端面に開口した端面開口溝を設け、
該端面開口溝の内壁面の一部には前記端面電極を設け、
該端面電極には前記基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続するための半田を設け、
該半田は、前記端面開口溝内に位置して端面電極と対面する電極対面部と、該電極対面部から基板の端面よりも前方に突出して設けられた前方突出部とによって構成し、
前記基板の表面側には、前記端面開口溝の周囲に位置して端面電極に接続された電極接続部と該電極接続部から前記電子部品に向けて延びる線路部とからなる配線を設け、
該配線の電極接続部のうち前記端面電極よりも基板の端面側に位置する部位はレジスト膜によって覆う構成としたことを特徴とするモジュール基板。
【請求項２】
表面側に電子部品が搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子部品に接続される端面電極とからなるモジュール基板において、
前記基板には端面に開口した端面開口溝を設け、
該端面開口溝の内壁面の一部には前記端面電極を設け、
該端面電極には前記基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続するための半田を設け、
該半田は、前記端面開口溝内に位置して端面電極と対面する電極対面部と、該電極対面部から基板の端面よりも前方に突出して設けられた前方突出部とによって構成し、
前記基板の表面側には、前記端面開口溝の周囲に位置して端面電極に接続された電極接続部と該電極接続部から前記電子部品に向けて延びる線路部とからなる配線を設け、
該配線の電極接続部は前記端面電極の内壁面と対応した位置まで延びる構成としたことを特徴とするモジュール基板。
【請求項３】
表面側に電子部品が搭載される基板と、該基板の外周縁に設けられ前記電子部品に接続される端面電極とからなり、該端面電極にはマザーボードと接続するための半田が設けられたモジュール基板の製造方法であって、加工用基板に貫通孔を形成して該貫通孔の内壁面に電極膜を設け、前記加工用基板に前記貫通孔の一部を切除して貫通孔に隣接する半田収容孔を形成し、プッシュバック金型を用いて該半田収容孔を通って前記加工用基板を切断し、前記貫通孔と半田収容孔とに半田を収容して固定し、前記半田を基板の端面よりも前方に突出して設けてなるモジュール基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田付けによってマザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に伴い、回路基板に実装される半導体ＩＣ、能動部品、受動部品等の電子部品の高密度化が進んでいる。このため、中間検査の重要性、実装の容易性等の観点から、電子部品をモジュール基板に予めサブアッセンブリした後、このモジュール基板を半田付け等の接合手段を用いてマザーボードに取り付けている（例えば特開昭６３−２０４６９３号公報等）。
【０００３】
このような従来技術によるモジュール基板は、図１４ないし図１７に示すように、略四角形状の絶縁性樹脂材料と導体からなる配線とから構成される基板１と、該基板１の外周縁に凹湾曲状に設けられた複数の端面スルーホール２とからなり、該各端面スルーホール２は略半円形状の端面開口溝２Ａと、該端面開口溝２Ａの内壁面に設けられた端面電極２Ｂとによって構成されると共に、前記端面開口溝２Ａ内には半田２Ｃが充填されている。また、端面電極２Ｂには基板１の表面側に設けられた配線３が接続され、該配線３を通じて端面電極２Ｂは基板１の表面側中央に設けられた電子部品４に接続されている。
【０００４】
そして、このように構成されたモジュール基板をマザーボード５上に載置した状態で加熱する。これにより、端面スルーホール２の半田２Ｃが溶融してマザーボード５上の電極パッド６に付着し半田付けを行うことができる。この結果、端面電極２Ｂと電極パッド６との間には、図１５および図１６に示すように、半田が滑らかな湾曲形状をなすフィレット７が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、基板１の表面に実装された電子部品４をマザーボード５の電極パッド６と電気的に接続するために、基板１の表面には導体による配線３が設けられている。また、基板１としては、電子部品４をアースに接続するための接地用配線パターンが基板１の内部に設けられた多層基板が使用されることもある。
【０００６】
この場合、導体からなる配線３等と基板１を構成する樹脂材料とでは熱膨張率が異なるため、基板１の加工時や半田付けに伴う加熱時等に、図１５中の矢示Ａ方向に示すような湾曲した反りが基板１に生じることがある。また、同様にマザーボード５にも反りが生じることがあり、基板１の端面電極２Ｂとマザーボード５の電極パッド６との間に隙間が生じることがある。
【０００７】
この結果、端面スルーホール２の半田２Ｃを加熱によって溶融させても、その表面張力によって半田２Ｃは、図１７に示すように略球形状となってマザーボード５の電極パッド６に接触せず、端面電極２Ｂを電極パッド６に接続できないという問題がある。
【０００８】
更に、近年は電子機器の薄型化に伴って、基板１やマザーボード５を薄くする傾向がある。このため、基板１、マザーボード５の反りが大きくなり、端面電極２Ｂと電極パッド６との接続不良が生じ易い。
【０００９】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、基板等に反りが生じる場合であっても端面電極をマザーボードに確実に接続することができるモジュール基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、表面側に電子部品が搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子部品に接続される端面電極とからなるモジュール基板に適用される。
【００１１】
そして、請求項１の発明によるモジュール基板の特徴は、前記基板には端面に開口した端面開口溝を設け、該端面開口溝の内壁面の一部には前記端面電極を設け、該端面電極には前記基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続するための半田を設け、該半田は、前記端面開口溝内に位置して端面電極と対面する電極対面部と、該電極対面部から基板の端面よりも前方に突出して設けられた前方突出部とによって構成し、前記基板の表面側には、前記端面開口溝の周囲に位置して端面電極に接続された電極接続部と該電極接続部から前記電子部品に向けて延びる線路部とからなる配線を設け、該配線の電極接続部のうち前記端面電極よりも基板の端面側に位置する部位はレジスト膜によって覆う構成としたことにある。
【００１２】
このように構成したことにより、モジュール基板をマザーボード上に載置した状態で加熱することによって、端面電極に設けた半田は溶融する。このとき、溶融した半田のうち端面電極に接触した部位は、端面電極との接合状態が保持されるものの、基板の端面よりも前方に突出した部位は、支持するものを失い基板の裏面側に垂下する。このため、基板とマザーボードの電極パッドとの間に隙間が形成されるときであっても、端面電極と電極パッドとを溶融した半田によって接続することができ、これらの間にフィレットを形成することができる。
【００１３】
また、基板等を加熱することによって端面開口溝に収容された半田は溶融する。このとき、半田のうち電極対面部は端面電極との接合状態が保持されるものの、前方突出部は支持するものを失うため、基板の裏面側に垂下する。この結果、基板とマザーボードの電極パッドとの間に隙間が形成されるときであっても、端面電極と電極パッドとを溶融した半田によって接続することができる。
【００１４】
また、端面電極を端面開口溝の内壁面の一部に設けたから、加熱によって半田が溶融したときには、この溶融した半田は端面開口溝の内壁面の一部に設けられた端面電極によって基板に付着した状態で支持される。一方、基板の端面側から突出した半田は、端面開口溝内に収容された半田のうち端面電極に接触しない部位は、支持するものがないから、基板の裏面側に垂下する。また、端面開口溝内に収容された半田のうち端面電極に接触しない部位も、支持するものがないから、基板の端面側から突出した半田と連なって基板の裏面側に垂下する。このため、基板の裏面側に垂下する半田の量を増加させることができ、基板とマザーボードの電極パッドとの間に大きな隙間が形成されるときであっても、端面電極と電極パッドとの間を半田によって接続することができる。
【００１５】
特に、請求項１の発明では、基板の表面側には、端面開口溝の周囲に位置して端面電極に接続された電極接続部と該電極接続部から電子部品に向けて延びる線路部とからなる配線を設け、該配線の電極接続部のうち前記端面電極よりも基板の端面側に位置する部位はレジスト膜によって覆う構成としている。
【００１６】
この場合、レジスト膜によって配線の電極接続部のうち電極よりも基板の端面側に位置する部位を覆うから、この部位の電極接続部が半田に接触することはなくなる。半田が溶融したときには、電極と接触した部位の半田は、電極と電極接続部とに引き付けられて接合状態が保持されるものの、他の部位の半田は、支持するものがないから、容易に基板の裏面側に垂下させることができる。
【００１７】
また、請求項２の発明が採用する構成の特徴は、前記基板には端面に開口した端面開口溝を設け、該端面開口溝の内壁面の一部には前記端面電極を設け、該端面電極には前記基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続するための半田を設け、該半田は、前記端面開口溝内に位置して端面電極と対面する電極対面部と、該電極対面部から基板の端面よりも前方に突出して設けられた前方突出部とによって構成し、前記基板の表面側には、前記端面開口溝の周囲に位置して端面電極に接続された電極接続部と該電極接続部から電子部品に向けて延びる線路部とからなる配線を設け、該配線の電極接続部は前記端面電極の内壁面と対応した位置まで延びる構成としたことにある。
【００１８】
これにより、配線の電極接続部は電極の内壁面に対応した位置まで延び、電極の内壁面から基板の端面側には設けられることはない。このため、端面開口溝に収容された半田のうち電極に接触した部位は、配線の電極接続部に接触し、他の部位は電極接続部に接触することがない。従って、半田が溶融したときには、電極と接触した部位の半田は、電極と電極接続部とに引き付けられて接合状態が保持されるものの、他の部位の半田は、支持するものがないから、容易に基板の裏面側に垂下させることができる。
【００１９】
さらに、請求項３の発明は、表面側に電子部品が搭載される基板と、該基板の外周縁に設けられ前記電子部品に接続される端面電極とからなり、該端面電極にはマザーボードと接続するための半田が設けられたモジュール基板の製造方法であって、加工用基板に貫通孔を形成して該貫通孔の内壁面に電極膜を設け、前記加工用基板に前記貫通孔の一部を切除して貫通孔に隣接する半田収容孔を形成し、プッシュバック金型を用いて該半田収容孔を通って前記加工用基板を切断し、前記貫通孔と半田収容孔とに半田を収容して固定し、前記半田を基板の端面よりも前方に突出して設ける構成としたことにある。
【００２０】
これにより、貫通孔に隣接して半田収容孔を設け、半田収容孔に向けて内壁面が露出した端面電極を形成することができる。次に、プッシュバック金型を用いて半田収容孔を通って加工用基板を切断することにより、加工用基板から基板を打抜き加工すると共に、この基板を元の位置に押し戻す。このとき、基板の端面には端面開口溝を設けることができると共に、端面開口溝を基板の端面よりも前方に突出した半田収容孔に連続して配置することができる。次に、加工用基板を切断した状態で貫通孔と半田収容孔とに半田を収容して固定することによって、半田は端面電極に接合するものの、半田収容孔とは分離可能となる。この結果、加工用基板から基板を分離するときには、基板の端面電極に半田を取付けた状態にできると共に、半田収容孔のうち基板の端面よりも前方に突出していた分だけ半田を基板の端面から突出させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態によるモジュール基板を図１ないし図１３に基づき詳細に説明する。
【００２２】
まず、図１ないし図１０は、本発明の第１の実施の形態を示し、図中、１１は例えば絶縁性樹脂材料と導体による配線パターン（図示せず）を交互に積層して形成した積層体からなる基板で、該基板１１の外周縁には後述する複数の端面スルーホール１３が形成されている。なお、基板１１は、縦横の長さ寸法が例えば３０ｍｍ程度の略四角形状に形成されている。また、基板１１の表面１１Ａ中央側には、半導体ＩＣ、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品１２が実装されている。
【００２３】
１３，１３，…は基板１１の外周縁を形成する４辺の端面１１Ｃに設けられた端面スルーホールで、該各端面スルーホール１３は、後述する端面開口溝１４、端面電極１５によって構成されている。
【００２４】
１４，１４，…は基板１１の外周縁に凹湾曲状をなして設けられた端面開口溝で、該各端面開口溝１４は、図２に示すように基板１１の端面１１Ｃから１ｍｍ程度に亘って略直線状に延び後述の半田１７を収容する半田収容部１４Ａと、該半田収容部１４Ａに連続して溝底側に設けられ、半田収容部１４Ａと協働して半田を収容する略半円形状の電極形成部１４Ｂとによって構成されている。また、電極形成部１４Ｂは、１ｍｍ程度の内径寸法を有すると共に、その内壁面には後述する端面電極１５が形成されている。そして、端面開口溝１４は、基板１１の厚さ方向に貫通して設けられ、基板１１の表面１１Ａと裏面１１Ｂとに略半長円穴形状の開口を形成している。
【００２５】
１５，１５，…は端面開口溝１４の内壁面の一部に設けられた端面電極で、該端面電極１５は、端面開口溝１４の溝底側（奥部側）に位置して電極形成部１４Ｂを覆った状態で形成されている。
【００２６】
１６は端面電極１５と電子部品１２との間を接続する配線で、該配線１６は、端面開口溝１４の周囲に位置して端面電極１５に接続された円弧状の電極接続部１６Ａと、該電極接続部１６Ａから基板１１の中央部側に向けて延び電子部品１２に接続された線路部１６Ｂとによって構成されている。
【００２７】
１７，１７，…は各端面開口溝１４に収容されて固定された半田で、該半田１７は、端面開口溝１４内に位置して端面電極１５と対面する電極対面部１７Ａと、該電極対面部１７Ａから基板１１の端面１１Ｃよりも前方に突出して設けられた略四角形状の前方突出部１７Ｂとによって構成されている。そして、半田１７は、加熱炉等によって加熱することによって溶融してその先端が基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下する。これにより、半田１７は、マザーボード５の電極パッド６に接触することによって、端面電極１５と電極パッド６との間に後述のフィレット２５を形成するものである。
【００２８】
本実施の形態によるモジュール基板は上述の如き構成を有するものであり、次にその製造方法を図３ないし図９を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では図３に示すように１枚の加工用基板２１から１枚のモジュール基板を加工する場合を例に挙げている。
【００２９】
まず、図３に示す貫通孔加工工程では、例えば１枚のモジュール基板を製造するための加工用基板２１を円形の金型によって打ち抜き、多数個の貫通孔２２を列状（枠状）に加工する。
【００３０】
次に、図４および図５に示す配線加工工程では、加工用基板２１の表面側にフォトレジスト等のマスクを形成し、エッチング処理を施すことによって配線１６’を設ける。このとき、配線１６’の電極接続部１６Ａ’は、貫通孔２２の周囲に位置して貫通孔２２を取囲むリング状に形成されている。また、電極接続部１６Ａ’には紐状の線路部１６Ｂ’が接続され、該線路部１６Ｂ’は加工用基板２１の中央側に向けて延びている。
【００３１】
そして、配線加工工程の後には、電極膜加工工程として貫通孔２２にメッキ処理等を施し、貫通孔２２の内壁面には全面に亘って電極膜２３を形成する。このとき、電極膜２３は、配線１６’の電極接続部１６Ａ’に接続されている。
【００３２】
次に、図６に示す半田収容孔加工工程では、加工用基板２１を四角形の金型よって打ち抜き、各貫通孔２２に隣接して略四角形状の半田収容孔２４を加工する。このとき、貫通孔２２のうち略半分は半田収容孔２４によって切除されるから、残余の貫通孔２２には略半円弧状の端面電極１５が形成されると共に、該端面電極１５には略Ｕ字状の電極接続部１６Ａと線路部１６Ｂからなる配線１６が接続される。また、半田収容孔２４は、貫通孔２２から加工用基板２１の外縁側に向けて延び、後述の基板切断工程によって基板１１が切断されたときの端面１１Ｃとなる位置を跨いで設けられている。
【００３３】
次に、図７に示す基板切断工程では、略四角形状の金型によって図６中の二点鎖線で示す位置で加工用基板２１を切断する。このとき、加工用基板２１は、略四角形状の基板１１と残余の枠部２１Ａとに分離するものの、いわゆるプッシュバック金型を用いることによって、基板１１を枠部２１Ａ内の位置にはめ戻す。そして、半田収容孔２４を通って加工用基板２１を切断するから、基板１１には、端面１１Ｃに開口した端面スルーホール１３が形成されると共に、基板１１と枠部２１Ａとの間には端面スルーホール１３と一体化した半田収容孔２４が残存することとなる。
【００３４】
次に、図８に示す半田収容工程では、半田収容孔２４と貫通孔２２（端面スルーホール１３）に溶融した半田１７を収容（充填）して冷却し、固定する。このとき、半田１７は、端面スルーホール１３の溝底側に設けられた端面電極１５に付着し、半田収容孔２４内を満たした状態で保持される。なお、溶融した半田１７を充填する代わりに、ペースト状のクリーム半田、粒状の半田を半田収容孔２４等に収容し、これを加熱、冷却することによって、半田収容孔２４内に半田１７を固定してもよい。
【００３５】
最後に、図９に示す基板分離工程では、加工用基板２１の枠部２１Ａから基板１１を取外す。これにより、基板１１の端面スルーホール１３には、半田１７が取付けられると共に、半田収容孔２４は基板１１と枠部２１Ａとに跨がって形成されているから、該半田１７には基板１１の端面１１Ｃよりも前方（先方）に突出した前方突出部１７Ｂを形成される。
【００３６】
本実施の形態によるモジュール基板は上述の製造方法によって形成されるものであり、次にこのモジュール基板をマザーボード上に接合する場合について説明する。
【００３７】
まず、従来技術と同様にモジュール基板をマザーボード５上に載置した状態で加熱する。これにより、溶融した半田１７は、端面開口溝１４に設けられた端面電極１５によって基板１１に付着した状態に支持される。このとき、半田１７は端面開口溝１４内に位置する電極対面部１７Ａと基板１１の端面１１Ｃよりも先方に突出した前方突出部１７Ｂからなり、従来技術のように端面開口溝１４内にのみ半田１７を設けた場合に比べて、その量が多く、重量も重くなっている。しかも、端面電極１５は端面開口溝１４の内壁面のうち一部の箇所にしか設けられていないから、端面電極１５が設けられていない端面開口溝１４の半田収容部１４Ａに収容されていた半田１７’は、端面電極１５によって支持することができず、表面張力のバランスを失って、図１０中に二点鎖線で示すように基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下する。
【００３８】
この結果、基板１１に反りが発生してしまった場合のように、基板１１の端面スルーホール１３とマザーボード５の電極パッド６との間に例えば０．４ｍｍ程度の隙間が形成されるときであっても、半田１７’の先端がマザーボード５の電極パッド６に接触するから、基板１１の端面電極１５とマザーボード５の電極パッド６とを溶融した半田１７’によって接続することができ、これらの間にフィレット２５を形成することができる。
【００３９】
かくして、本実施の形態では、半田１７を基板１１の端面１１Ｃよりも前方に突出させる構成としたから、端面電極１５に多量の半田１７を取付けることができる。このため、半田１７を溶融させることによって、半田１７のうち基板１１の端面１１Ｃから前方に突出した前方突出部１７Ｂは支持するものを失うから、端面電極１５側に接合された半田１７に連なりつつ、基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下する。この結果、基板１１等に反りが生じ、基板１１の端面スルーホール１３とマザーボード５の電極パッド６との間に隙間が発生するときであっても、垂下した半田１７によって端面スルーホール１３と電極パッド６との間を接続し、これらの間にフィレット２５を形成することができる。
【００４０】
また、端面電極１５を端面開口溝１４の内壁面のうち一部の箇所に設けたから、加熱等によって半田１７を溶融させたときには、半田１７の表面張力のバランスを崩し易くし、半田１７を容易に基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下させることができる。このため、半田１７によって基板１１等の反りを吸収し、端面電極１５と電極パッド６との間を確実に接続することができる。
【００４１】
さらに、端面開口溝１４を、基板１１の端面１１Ｃに開口した半田収容部１４Ａと、該半田収容部１４Ａに連続して端面電極１５が形成された電極形成部１４Ｂとによって構成したから、従来技術のように端面開口溝１４の内壁面の全面に亘って端面電極１５を設けた場合に比べて、より多量の半田１７を端面開口溝１４内に収容できる。
【００４２】
従って、半田１７が溶融したときには、半田収容部１４Ａに充填された半田１７は、前方突出部１７Ｂと協働して溶融した半田１７全体の表面張力のバランスを崩し、電極形成部１４Ｂに設けられた端面電極１５に連なりつつ基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下する。この結果、端面電極１５と電極パッド６との間に比較的大きな隙間が形成されるときであっても、これらの間を確実に接続することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では加工用基板２１から基板１１を切断する基板切断工程でプッシュバック金型を用いる構成としたから、ダイヤモンドカッタ等を用いて加工用基板２１を切断する場合に比べて切断に伴う切粉が発生することがない。このため、加工用基板２１の切断後に基板１１等の洗浄を行う必要がなく、基板１１等の洗浄を省くことができ、生産性を向上することができる。
【００４４】
次に、図１１は本発明の第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、端面電極に接続された配線のうち端面電極よりも基板の端面側に位置する部位をレジスト膜によって覆う構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００４５】
３１は基板１１の表面１１Ａ側に略全面に亘って設けられたレジスト膜で、該レジスト膜３１は、基板１１の表面１１Ａにレジストを塗布することによって形成され、配線１６等を覆っている。そして、レジスト膜３１には、配線１６の電極接続部１６Ａのうち端面電極１５に接続された端面開口溝１４の溝底側に位置する部位を露出させる半円弧状の切欠部３１Ａが設けられている。また、レジスト膜３１は、切欠部３１Ａの両端に位置して電極接続部１６Ａのうち端面電極１５よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する略三角形の部位を覆う複数の被覆部３１Ｂ，３１Ｂ，…を有している。そして、レジスト膜３１は、配線１６等の表面を保護し、その腐食を防止している。
【００４６】
かくして、このように構成される本実施の形態でも前記第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、レジスト膜３１の被覆部３１Ｂによって略Ｕ字状をなす電極接続部１６Ａの両端側を覆う構成としたから、加熱によって半田１７が溶融したときに該半田１７が電極接続部１６Ａに引付けられることがなくなる。
【００４７】
即ち、図１２に示す比較例のように、端面電極１５と基板１１の端面１１Ｃ側との間に設けられた配線１６の電極接続部１６Ａが露出する構成とした場合には、溶融した半田１７は、その表面張力によって盛り上がると共に、電極接続部１６Ａに引き付けられて矢示Ｂ方向に拡がる傾向がある。このため、端面電極１５と基板１１の端面１１Ｃとの間に位置する半田１７は、電極接続部１６Ａによって基板１１の表面１１Ａ側に引き付けられ、裏面側１１Ｂ側に垂下しにくい傾向がある。
【００４８】
これに対し、本実施の形態では、配線１６の電極接続部１６Ａのうち端面電極１５よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位をレジスト膜３１によって覆う構成としたから、溶融した半田１７が電極接続部１６Ａの両端側に接触することがなくなる。このとき、端面電極１５よりも基板１１の端面１１Ｃ側に配設された半田１７は、支持するものを失うから、基板１１の裏面１１Ｂ側に容易に垂下する。これにより、半田１７の前方突出部１７Ｂと共に半田収容部１４Ａに収容された半田１７をも確実に垂下させることができ、端面電極１５と電極パッド６との間の隙間を補うことができる。
【００４９】
次に、図１３は本発明の第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は配線の電極接続部を前記端面電極の内壁面と対応した位置まで延伸させる構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００５０】
４１，４１，…は基板１１の端面１１Ｃに設けられた端面スルーホールで、該各端面スルーホール４１は、後述する端面開口溝４２、端面電極４３によって構成されている。
【００５１】
４２，４２，…は基板１１の端面１１Ｃに開口して設けられた略四角形状の端面開口溝で、該各端面開口溝４２は、基板１１の端面１１Ｃから略直線状に延びる半田収容部４２Ａと、該半田収容部４２Ａに連続して溝底側に設けられた略コ字状の電極形成部４２Ｂとによって構成されている。
【００５２】
４３，４３，…は端面開口溝４２の内壁面の一部に設けられた端面電極で、該端面電極４３は、端面開口溝４２の溝底側に位置して電極形成部４２Ｂを覆った状態で形成されている。
【００５３】
４４は端面電極４３と電子部品（図示せず）との間を接続する配線で、該配線４４は、端面開口溝４２の周囲に位置して端面電極４３に接続された略コ字状の電極接続部４４Ａと、該電極接続部４４Ａから基板１１の中央部側に向けて延びた線路部４４Ｂとによって構成されている。また、配線４４の電極接続部４４Ａは、端面電極４３の内壁面に対応した位置まで延びるものの、端面電極４３の位置よりも基板１１の端面１１Ｃ側には延びていない。このため、端面開口溝４２の周囲のうち端面電極４３よりも基板１１の端面１１Ｃ側は、基板１１の表面１１Ａが露出した状態となっている。
【００５４】
４５，４５，…は各端面開口溝４２に収容されて固定された半田で、該半田４５は、端面開口溝４２内に位置して端面電極４３と対面する電極対面部４５Ａと、該電極対面部４５Ａから基板１１の端面１１Ｃよりも前方に突出して設けられた略四角形状の前方突出部４５Ｂとによって構成されている。
【００５５】
かくして、本実施の形態でも前記第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、配線４４の電極接続部４４Ａは、端面電極４３の内壁面に対応した位置まで延びる構成としたから、端面開口溝４２に収容された半田４５のうち端面電極４３よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位は、電極接続部４４Ａに接触せず、電極接続部４４Ａによって基板１１の表面１１Ａ側に引き付けられることはなくなる。
【００５６】
このため、第２の実施の形態のように配線４４をレジスト膜等によって覆うことなく、半田収容部４２Ａに収容した半田４５を半田４５の前方突出部４５Ｂと共に基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下させることができ、製造工程を簡略化し、生産性を向上することができる。
【００５７】
なお、前記第１ないし第３の実施の形態では、端面開口溝１４，４２，５２を半円穴形状、四角形状、半円形状等に形成するものとしたが、例えば楕円形状でもよく、五角形状等の他の角形状に形成してもよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１の発明によれば、半田を基板の端面よりも前方に突出させる構成としたから、端面電極に多量の半田を取付けることができる。このため、半田を溶融させることによって、半田のうち基板の端面から突出した部位は支持するものを失うから、端面電極側に接合された半田に連なりつつ、基板の裏面側に垂下させることができる。従って、基板等に反りが生じて基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとの間に隙間が発生するときであっても、垂下した半田によって端面電極と電極パッドとの間を接続し、これらの間にフィレットを形成することができる。
【００５９】
また、基板には端面に開口した端面開口溝を設け、該端面開口溝の内壁面には端面電極を設け、半田は端面開口溝内に位置して端面電極と対面する電極対面部と、該電極対面部から基板の端面よりも前方に突出して設けられた前方突出部とによって構成したから、加熱によって半田が溶融したときには、半田のうち電極対面部は端面電極との接合状態が保持されるものの、前方突出部は支持するものを失って基板の裏面側に垂下する。このとき、溶融した前方突出部は端面開口溝内に収容された半田を伴いつつ基板の裏面側に垂下するから、基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとの間に比較的大きな隙間が形成されるときであっても、これらの間を接続することができる。
【００６０】
また、端面電極を端面開口溝の内壁面のうち一部の箇所に設けたから、加熱等によって半田を溶融させたときには、半田の表面張力のバランスを崩し易くし、半田を容易に基板の裏面側に垂下させることができる。このため、半田によって基板等の反りを吸収し、端面電極と電極パッドとの間を確実に接続することができる。
【００６１】
特に、請求項１の発明では、配線の電極接続部のうち端面電極よりも基板の端面側に位置する部位をレジスト膜によって覆う構成としたから、溶融した半田が当該部位の電極接続部に接触することがなくなる。このとき、端面よりも前方に突出した半田は、端面電極よりも基板の端面側に配設された半田と共に、支持するものを失うから、基板の裏面側に容易に垂下する。これにより、端面開口溝の半田収容部に収容された半田を確実に垂下させ、端面電極と電極パッドとの間の隙間を補うことができる。
【００６２】
また、請求項２の発明によれば、配線の電極接続部は端面電極の内壁面に対応した位置まで延びる構成としたから、端面開口溝に収容された半田のうち端面電極よりも基板の端面側に位置する部位は、電極接続部に接触せず、電極接続部によって基板の表面側に引き付けられることがなくなる。このため、基板の端面よりも前方に突出した半田に加えて端面開口溝に収容された半田をも基板の裏面側に垂下させることができ、基板等の反りを吸収することができる。
【００６３】
さらに、請求項３の発明によれば、プッシュバック金型を用いて加工用基板から基板を切断する構成としたから、ダイヤモンドカッタ等を用いて加工用基板を切断する場合に比べて切断に伴う切粉が発生することがない。このため、加工用基板の切断後に基板等の洗浄を行う必要がなく、基板等の洗浄を省くことができ、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態によるモジュール基板を示す斜視図である。
【図２】  図１中の端面スルーホールを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図３】  加工用基板に貫通孔を形成した状態を示す平面図である。
【図４】  貫通孔の周囲に配線を形成し、貫通孔内に電極膜を設けた状態を示す平面図である。
【図５】  図４中のａ部を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図６】  貫通孔に隣接して半田収容孔を形成した状態を示す要部拡大平面図である。
【図７】  プッシュバック金型によって加工用基板を切断した状態を示す平面図である。
【図８】  図７中の貫通孔と半田収容孔とに半田を収容した状態を示す要部拡大平面図である。
【図９】  加工用基板からモジュール基板を取外した状態を示す要部拡大平面図である。
【図１０】  第１の実施の形態によるモジュール基板をマザーボードに接合した状態を示す要部拡大断面図である。
【図１１】  第２の実施の形態による端面スルーホールを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図１２】  第２の実施の形態の比較例による端面スルーホールを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図１３】  第３の実施の形態による端面スルーホールを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図１４】  従来技術によるモジュール基板を示す斜視図である。
【図１５】  図１４中のモジュール基板をマザーボードに接合した状態を示す断面図である。
【図１６】  図１５中の端面スルーホールを拡大して示す要部拡大断面図である。
【図１７】  基板が反って端面スルーホールと電極パッドとの間に隙間が生じた状態を示す図１６と同様位置の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
５  マザーボード
６  電極パッド
１１  基板
１２  電子部品
１３，４１  端面スルーホール
１４，４２  端面開口溝
１４Ａ，４２Ａ  半田収容部
１４Ｂ，４２Ｂ  電極形成部
１５，４３  端面電極
１７，４５  半田
１７Ａ，４５Ａ  電極対面部
１７Ｂ，４５Ｂ  前方突出部
２１  加工用基板
２２  貫通孔
２４  半田収容孔
２５  フィレット
１６，４４  配線
４４Ａ  電極接続部
４４Ｂ  線路部
３１  レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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