(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示される伝導性高分子：
【化１】
0003760158.tif 000011
ただし、式中、ｍは１，２、または３であり、Ｒはヒドロキシフタルイミジル基であり、ｎは０または正の整数である。
【請求項２】
下記一般式（ＩＩ）で示される伝導性高分子：
【化２】
0003760158.tif 000012
ただし、式中、ｍは１，２、または３であり、Ｒ´はヒドロキシフタルイミジルまたはプローブ基であり、前記伝導性高分子のＲ´のうち一つ以上がプローブ基であり、ここで、該プローブ基は核酸または蛋白質であり、ｎは０または正の整数である。
【請求項３】
前記プローブはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素である請求項２に記載の伝導性高分子。
【請求項４】
Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート。
【請求項５】
請求項１または請求項２の伝導性高分子が塗布された電極。
【請求項６】
請求項１または請求項２の伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサー。
【請求項７】
下記段階を含むことを特徴とする標的物質を検出する方法：
（ａ）請求項１の伝導性高分子を基板上で電気的に合成する段階と、
（ｂ）前記伝導性高分子の表面にプローブを固定化させる、ここで、該プローブは核酸または蛋白質である、段階と、
（ｃ）前記プローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる段階と、
（ｄ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階。
【請求項８】
下記段階を含むことを特徴とする標的物質を検出する方法：
（ａ）請求項２の伝導性高分子を基板上で電気的に合成する段階と、
（ｂ）前記伝導性高分子中のプローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる、ここで、該プローブは核酸または蛋白質である、段階と、
（ｃ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階。
【請求項９】
前記基板は金または白金電極である請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記プローブはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素である請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記標的物質は核酸または蛋白質である請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新しい伝導性高分子、前記伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサー及び前記伝導性高分子を利用した標的物質検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、電気化学の原理を利用した生体物質検知用センサーの開発に多くの研究が進められている。電気化学の原理を使用すれば小型化し易いという長所があり、イオンセンサー、ガスセンサー及びバイオセンサー等に多くの研究が進展している。生体物質のうちでも、ＤＮＡハイブリッド化如何に関する情報または蛋白質３次構造の変化をモニタリングすることは、遺伝体学、プロテオミクス分野で非常に重要である。このため、電気化学的活性を有する有機物（インターカレーター等）を利用したセンサー及び伝導性高分子を利用したセンサーが開発されている。インターカレーターを利用したセンサーの場合、広範な研究の結果、現在市販の準備がととのっている。
【０００３】
一方、伝導性高分子の場合、電極で重合される代表的な単量体だけを利用せねばならず、得られた高分子自体の物性制御が難しく、相対的に研究が遅くれている。伝導性高分子センサーとして利用される代表的な物質にはピロール、チオフェン、アニリンなどがあるが、アニリンの場合、酸性条件でその効果が現れるためピロールとチオフェンとが主な研究対象となっている。
【０００４】
その中でもピロールの場合、低い酸化電位のために長時間使用し難い（例えば、特許文献１参照。）。チオフェンの場合、ピロールより高い酸化電位を維持するが、さらに疎水性を帯びるので、水を基本溶媒として使用する生体分子を適用するシステムに適していない点がある（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第６，２０１，０８６号明細書
【非特許文献１】
Ｂａｕｅｒｌｅ  Ｐ．  ａｎｄ  Ｅｍｇｅ，Ａ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，３：３２４（１９９８）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は新規の伝導性高分子を提供することにある。
【０００７】
本発明の目的はまた、前記伝導性高分子の重合に使われうる新規の単量体化合物を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的はまた、前記伝導性高分子が塗布された電極を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、前記伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサーを提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、前記伝導性高分子を利用した標的物質を検知する方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は下記一般式（Ｉ）で示される伝導性高分子を提供する：
【００１２】
【化３】
0003760158.tif 000002
【００１３】
ただし、式中ｍは１，２、または３であり、Ｒはヒドロキシフタルイミジル基であり、ｎは０または正の整数である。
【００１４】
前記課題を解決するために、本発明はまた、下記一般式（ＩＩ）で示される伝導性高分子を提供する：
【００１５】
【化４】
0003760158.tif 000003
【００１６】
ただし、式中、ｍは１，２、または３であり、Ｒ´はヒドロキシフタルイミジル、またはプローブ基であり、ここで、該プローブ基は核酸または蛋白質であり、前記伝導性高分子のＲ´のうち一つ以上がプローブ基であり、ｎは０または正の整数である。
【００１８】
望ましくは、前記プローブはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素である。
【００１９】
望ましくは、Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテートである。
【００２０】
前記課題を解決するために、本発明はまた、前記伝導性高分子が塗布された電極を提供する。
【００２１】
前記課題を解決するために、本発明はまた、前記伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサーを提供する。
【００２２】
前記課題を解決するために、本発明はまた、下記段階を含む標的物質を検出する方法を提供する。前記方法は、（ａ）前記伝導性高分子を基板上で電気的に合成する段階と、（ｂ）前記伝導性高分子の表面にプローブを固定化させる、ここで、該プローブは核酸または蛋白質である、段階と、（ｃ）前記プローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる段階と、（ｄ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階とを含む。
【００２３】
前記課題を解決するために、本発明はまた、下記段階を含む標的物質を検出する方法を提供する。前記方法は、（ａ）前記プローブを有する伝導性高分子を基板上で電気的に合成する、ここで、該プローブは核酸または蛋白質である、段階と、（ｂ）前記伝導性高分子中のプローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる段階と、（ｃ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階とを含む。
【００２４】
望ましくは、前記基板は金または白金電極である。
【００２５】
望ましくは、前記プローブはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素である。
【００２６】
望ましくは、前記標的物質は核酸または蛋白質である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明は下記一般式（Ｉ）で示される伝導性高分子を提供する：
【００２８】
【化５】
0003760158.tif 000004
【００２９】
ただし、式中、ｍは１，２、または３であり、Ｒはヒドロキシスクシンイミジル、ヒドロキシフタルイミジルまたはペンタフルオロフェノーリル（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｎｅｎｏｌｙｌ）基であり、ｎは０または正の整数である。
【００３０】
また、本発明は下記一般式（ＩＩ）で示される伝導性高分子を提供する：
【００３１】
【化６】
0003760158.tif 000005
【００３２】
ただし、式中、ｍは１，２、または３であり、Ｒ´はヒドロキシスクシンイミジル、ヒドロキシフタルイミジル、ペンタフルオロフェノーリル、またはプローブ基であり、前記伝導性高分子のＲ´のうち一つ以上がプローブ基であり、ｎは０または正の整数である。
【００３３】
本明細書において「プローブ」とは、標的物質と特異的に結合できる分子を意味する。前記プローブには核酸または蛋白質が含まれ、望ましくはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ（ｐｅｐｔｉｄｅ  ｎｕｃｌｅｉｃ  ａｃｉｄ）、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素（ｃｏｆａｃｔｏｒ）が含まれる。
【００３４】
前記本発明の伝導性高分子は、単量体を循環電流法（ｃｙｃｌｉｃ  ｖｏｔａｍｍｅｔｒｙ）、静電流法（ｃｈｒｏｎｏｐｏｔｅｎｔｉｏｍｅｔｒｙ）、静電圧法（ｃｈｒｏｎｏａｍｐｅｒｏｍｅｔｒｙ）などの方法によって重合させて製造できる。本発明によれば、前記伝導性高分子は高い酸化電位を有する。
【００３５】
本発明は、重合により、前記伝導性高分子を合成できる単量体を提供する。下記構造式（III）で示されるＮ−ヒドロキシフタルイミジル  ３−チオフェニルアセテートまたは構造式（IV）で示されるペンタフルオロフェノーリル３−チオフェニルアセテートは、本発明の伝導性高分子を合成するにおいて望ましい単量体として使われうる。
【００３６】
【化７】
0003760158.tif 000006
【００３７】
本発明はまた前記伝導性高分子が塗布された電極を提供する。電極物質としては、白金などの通常使われる材質を使用できる。
【００３８】
また、本発明は前記伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサーを提供する。前記センサーは前記伝導性高分子が塗布された電極を含むことを除いては、通常のセンサーの構成成分より構成される。前記センサーには通常使われる作業電圧（ＷＥ：ｗｏｒｋｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、カウンター電極及び参照電極が含まれうる。
【００３９】
図１は、本発明の伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサーの一例を示す構成図である。図１に示すように、前記センサーは、プローブ８が共有結合した、本発明の伝導性高分子６が塗布されたＷＥ４、カウンター電極１２、参照電極１４及び電圧を測定できる静電圧計２より構成される。前記センサー中のプローブが共有結合した、本発明の伝導性高分子が塗布されたＷＥ４は次の工程によって製造できる。アミノ基を有するプローブと結合できるチオフェン系単量体を合成する。前記単量体は電気重合できるものが望ましい。前記単量体を基板上で重合してプローブ、例えばＤＮＡを固定化またはカップリングしてプローブが共有結合した、本発明の伝導性高分子が塗布された電極を製造できる。また、前記プローブがチオフェン系単量体と先に共有結合した後、このプローブが結合したチオフェン系単量体を基板上で重合することによって、プローブが共有結合した、本発明の伝導性高分子が塗布された電極を製造することもある。このように製造された電極をセンサーのＷＥとして使用する。
【００４０】
本発明の前記センサーを利用して試料中の標的物質１０を検出できる。センサーのＷＥに結合しているプローブ８と試料とを接触させれば、試料に存在する標的物質１０がプローブとハイブリッド化され（図１）、このハイブリッド化反応によって電圧または電流の変化が発生する。このような電圧または電流の変化を測定することによって、試料中の標的物質１０を検出できる。
【００４１】
前記電圧または電流の変化は次のような機作によって発生すると考えられるが、これに限定されない。特定酸化／還元電位で測定される電流の量は、基板上で伝導性高分子が二重共役状態を形成する程度に依存する。本発明の伝導性高分子に共有結合したプローブが標的物質とハイブリッド化する場合、ハイブリッド化前より二重共役状態の形成程度が低い。したがって、プローブと標的物質とがハイブリッド化する場合、電流量は減少する。例えば、ＤＮＡプローブが標的ＤＮＡとハイブリッド化して二本鎖ＤＮＡを形成すれば、電流量が減少する。したがって、プローブと標的物質とのハイブリッド化如何による、酸化／還元電流の減少または酸化／還元電位の増加を測定することによって標的物質を検出できる。
【００４２】
図２は、本発明の伝導性高分子が塗布された電極を含むセンサーの他の例を示す構成図である。前記センサーはＷＥ  ４、カウンター電極１２、参照電極１４より構成される。前記ＷＥには本発明の伝導性高分子が塗布されている。
【００４３】
また、本発明は下記段階を含む標的物質を検出する方法を提供する。
【００４４】
（ａ）本発明のチオフェン系伝導性高分子を基板上で電気的に合成する段階と、
（ｂ）前記伝導性高分子または合成された伝導性高分子膜の表面にプローブを固定化させる段階と、
（ｃ）前記プローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる段階と、
（ｄ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階。
【００４５】
また、本発明は下記の段階を含む標的物質を検出する方法を提供する。
【００４６】
（ａ）本発明のプローブが結合したチオフェン系伝導性高分子を基板上で電気的に合成する段階と、
（ｂ）前記伝導性高分子中のプローブと特異的に反応する標的物質とを接触させる段階と、
（ｃ）前記標的物質がプローブと結合した伝導性高分子と、前記標的物質がプローブと結合しなかった伝導性高分子との電圧または電流の差を測定して標的物質を検出する段階。
【００４７】
前記基板は金または白金電極であることが望ましい。前記プローブはＤＮＡ、ＲＮＡ、ＰＮＡ、抗体、抗原、酵素、基質または助酵素であることが望ましい。また、前記標的物質は前記プローブと特異的に結合できるものであればいずれも含まれるが、核酸または蛋白質が望ましい。
【００４８】
【実施例】
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、これら実施例は本発明を例示的に説明するためのものであり、本発明の範囲がこれら実施例により制限されるものではない。
【００４９】
（実施例１：Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート）
本発明の伝導性高分子の製造に使われる単量体のうち一つであるＮ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテートは次のような工程により合成した。まず、３−チオフェニルアセト酸１当量とＮ−ヒドロキシフタルイミド１当量とを常温、クロロホルム溶媒条件においてＤＣＣ（Ｎ，Ｎ´−ｄｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ  ｃａｒｂｏｄｉｉｍｉｄｅ）存在下で反応させ、再結晶を通じて前記構造式（ＩＩＩ）の純粋な化合物であるＮ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテートを得た。
【００５０】
【化８】
0003760158.tif 000007
【００５１】
前記Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテートのＮＭＲ測定値は次の通りである。
【００５２】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：  ７．８７（ｍ，Ｃ6Ｈ4，４Ｈ），７．３１（ｍ，Ｃ4Ｈ3ＳＣＨ2，１Ｈ），７．２４（ｓ，Ｃ4Ｈ3ＳＣＨ2，１Ｈ），７．１１（ｍ，Ｃ4Ｈ3ＳＣＨ2，１Ｈ），４．０１（ｓ，Ｃ4Ｈ3ＳＣＨ2，２Ｈ）．
（実施例２：ペンタフルオロフェノーリル３−チオフェニルアセテートの合成）
本発明の伝導性高分子の製造に使われる単量体のうち一つであるペンタフルオロフェノーリル３−チオフェニルアセテートを次のように合成した。
【００５３】
まず、３−チオフェニルアセト酸１当量とペンタフルオロフェノール１当量を常温、ジクロロメタン溶媒条件においてＤＣＣ下で反応させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを通じて前記構造式（ＩＶ）の純粋な化合物であるペンタフルオロフェノーリル３−チオフェニルアセテートを得た。
【００５４】
得られたペンタフルオロフェノーリル３−チオフェニルアセテートのＮＭＲ値は次の通りである。
【００５５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．８２（２Ｈ），７．７２（２Ｈ），７．２８（１Ｈ），７．２６（１Ｈ），７．０７（１Ｈ），４．０（２Ｈ）
（実施例３：電極上での重合）
ドープ剤のＴＢＡＨＦＰ（ｔｅｔｒａｂｕｔｙｌａｍｉｎｅ  ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ）０．１Ｍをアセトニトリルに溶かした溶液に、実施例１で合成されたＮ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート（化学式ＩＩＩ）０．１Ｍを溶解させた後、静電流法を利用して白金電極上に単量体を重合した（図３）。すなわち、０．５ｍｍ厚さのガラス基板に置かれた白金電極上で、電流を０．４ｍＡに固定した後に４０秒間流し、単量体を重合して均一な伝導性高分子膜を形成した。
【００５６】
前記のように形成されたポリ（Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート）伝導性膜を走査電子顕微鏡で観察し、その結果を図４に示す。
【００５７】
また、前記ポリ（Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート）伝導性膜の再現性を調べるために、アセトニトリル／ＴＢＡＨＦＰ媒質下で同じスキャン速度で、白金電極から電圧を加えて５回反復して循環性ボルタモグラムを測定した。その結果を図５に示す。図５に示すように、本発明の伝導性高分子は１．０Ｖでほとんど可逆的酸化波長を示し、電気的反応性が高くて再現性が高かった。
【００５８】
また、前記ポリ（Ｎ−ヒドロキシフタルイミジル３−チオフェニルアセテート）伝導性膜の伝導性特性を調べるために、３つのスキャン速度で白金電極を通じて電圧を加えて循環性ボルタモグラムを測定した。その結果を図６Ａ及び図６Ｂに示す。図６Ａは循環性ボルタモグラムであり、図６Ｂは前記循環性ボルタモグラムから計算されたスキャン速度とピーク電流との相関関係を示すグラフである。図６Ｂから分かるように、本発明の伝導性高分子に関するスキャン速度とピーク電流とは線形的関係を示し、優れた伝導性特性を有していることが分かる。
【００５９】
（実施例４：ＤＮＡプローブの固定及び標的ＤＮＡとのハイブリッド化確認）
１．ＤＮＡプローブの固定化
実施例３で重合した伝導性高分子膜にＤＮＡプローブを固定化した。５’にアミノ基が付いた１００μＭプローブＤＮＡ（５’−ＮＨ2−ＧＴＴＣＴＴＣＴＣＡＴＣＡＴＣ−３’：配列番号１）を、前記伝導性高分子膜に加えて１２時間反応させた。前記ＤＮＡプローブの固定化は、ＤＮＡプローブの５’末端のアミノ基が本発明の伝導性高分子におけるヒドロキシフタルイミド基に置き換わることによってなされる。また、蛋白質プローブの固定化は、リシン（ｌｙｓｉｎｅ）残基のアミノ基を利用して前記伝導性高分子膜のヒドロキシフタルイミドを置換させることによってなされる。
【００６０】
２．標的ＤＮＡとのハイブリッド化
前記本発明の伝導性高分子に固定化された単一鎖ＤＮＡプローブに、完全に相補的な標的ＤＮＡ（５’−ＮＨ2−ＧＡＴＧＡＴＧＡＧＡＡＧＡＡＣ−３’：配列番号２）１００μＭを加えて４０℃で３時間ハイブリッド化させた。図７は、単一鎖ＤＮＡプローブに標的ＤＮＡがハイブリッド化される工程を模式的に示す図面である。対照群として、単一鎖ＤＮＡプローブは、同一条件で、相補的な標的ＤＮＡなしで反応させた。ハイブリッド化反応後、循環電流法を利用してピーク電流を測定してハイブリッド化如何を確認した。その結果を図８に示す。
【００６１】
図８は、本発明の伝導性高分子が塗布された電極上の二つのスポットに対する循環性ボルタモグラムを示す図面であって、一つのスポットは非ハイブリッド化プローブＤＮＡ（単一鎖；ｓｓ）で、その他のスポットは標的ＤＮＡでハイブリッド化されたプローブＤＮＡ（二本鎖；ｄｓ）で、ハイブリダイゼーションの有無によってチェックされた。
【００６２】
図８に示されるように、ＤＮＡハイブリッド化時（ｄｓ  ＤＮＡ）に同一電圧での絶対値としての電流量が顕著に減少したことがわかる。これはＤＮＡのハイブリッド化による伝導性高分子の側枝についている大きい作用基によって伝導性高分子の酸化／還元時に電流量が減少することを示す。
【００６３】
また、本発明の伝導性高分子が塗布された電極の敏感度を調べるために、前記プローブＤＮＡに完全相補的な標的ＤＮＡの濃度を異にして前記のようにハイブリッド化させ、循環性ボルタモグラムを得た。その結果から標的ＤＮＡの濃度とピーク電流量との相関関係グラフを求めた（図９）。
【００６４】
その結果、本発明の伝導性高分子を塗布した電極の敏感度を図９のグラフの原点での傾斜度から求めた。前記敏感度は０．６２μＡ／ｎｍｏｌｅと現れ、これは本発明の伝導性高分子を塗布した電極を含むセンサーが溶液中の標的ＤＮＡを検出できる限界が約１ｎｍｏｌｅであることを意味する。
【００６５】
（実施例５：１塩基ミスマッチによるハイブリッド化度の比較）
実施例３で重合した伝導性高分子膜を塗布した電極に、同じプローブＤＮＡ（５’−ＮＨ2−ＧＴＴＣＴＴＣＴＣＡＴＣＡＴＣ−３’：配列番号１）を固定化した後に、それぞれの電極に相異なる配列の標的ＤＮＡをハイブリッド化させた。標的ＤＮＡには、プローブＤＮＡと完全相補性のＤＮＡ（５’−ＧＡＴＧＡＴＧＡＧＡＡＧＡＡＣ−３’：配列番号２）（ＰＭ）と一つの非相補性塩基を含むＤＮＡには５’−ＧＡＴＧＡＴＧＧＧＡＡＧＡＡＣ−３’（配列番号３）（ＴＧ）及び５’−ＧＡＴＧＡＴＧＣＧＡＡＧＡＡＣ−３’（配列番号４）（ＴＣ）の配列を有するものを使用して、一つの塩基差による前記電極の選択度を測定した。プローブＤＮＡと標的ＤＮＡとがハイブリッド化されたそれぞれの試料に対する循環性ボルタモグラムを測定した。対照群には標的ＤＮＡなしにハイブリッド化させ、循環性ボルタモグラムを測定した。次に、前記循環性ボルタモグラムから対照群のピーク電流に対するそれぞれのピーク電流の比を求めた。その結果を図１０に示す。図１０に示すように、完全相補性標的ＤＮＡに対するＩｐ（ｄｓ）／Ｉｐ（ｓｓ）値は５２％であり、１つの塩基がミスマッチであるＴＧ及びＴＣプローブＤＮＡのＩｐ（ｄｓ）／Ｉｐ（ｓｓ）値は各々２９．３％及び２４．３％で電流量が顕著に減少することが分かった。このような結果は、本発明の伝導性高分子上でプローブＤＮＡと標的ＤＮＡとをハイブリッド化させることによって、完全相補性標的ＤＮＡと単一塩基差を有する標的ＤＮＡとを区分できることを示す。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の単量体は、伝導性の良い高分子を合成するのに使われうる。
【００６７】
本発明の伝導性高分子はハイブリッド化による標的分子を検出するセンサーに効果的に利用できる。
【００６８】
本発明のセンサーによれば、酸化電位の高い本発明の伝導性高分子が塗布された電極を含むことにより、プローブと標的物質とのハイブリッド化如何を高感度で検出できる。
【００６９】
本発明の標的物質を検出する方法によれば、標的物質を高速度及び高感度で検出できる。
【００７０】
【配列表】
0003760158.tif 000008
0003760158.tif 000009
0003760158.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の伝導性高分子が塗布された電極を利用したセンサーの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の伝導性高分子を利用したセンサーの他の例を示す図面である。
【図３】静電流法を利用して本発明の単量体を重合させる例を示す図面である。
【図４】静電流法によって重合した本発明の伝導性高分子膜の電子顕微鏡写真である。
【図５】静電流法によって重合した本発明の伝導性高分子膜に対して得られた循環性ボルタモグラムである。
【図６】図６Ａは、静電流法によって重合した本発明の伝導性高分子膜に対して３つの相異なるスキャン速度で得られた循環性ボルタモグラムであり、図６Ｂは、図６Ａの循環性ボルタモグラムから求められたスキャン速度とピーク電流との相関関係グラフである。
【図７】固定化されたプローブＤＮＡとそれに相補的な標的ＤＮＡとのハイブリッド化工程を示す模式図である。
【図８】本発明の伝導性高分子が塗布された電極上に固定化されたプローブＤＮＡ及び前記プローブＤＮＡとハイブリッド化された標的ＤＮＡを含む各々二つのスポットに対する循環性ボルタモグラムを測定した結果を示す図面である。
【図９】本発明の伝導性高分子が塗布された電極上に固定化されたプローブＤＮＡに多様な濃度の標的ＤＮＡを加えてハイブリッド化し、循環性ボルタモグラムを測定して得た標的ＤＮＡの濃度とピーク電流との相関関係を示す図面である。
【図１０】標的ＤＮＡで単一塩基の差によるピーク電流の差を示す図面である。
【符号の説明】
２…静電圧計
４…ＷＥ
６…伝導性高分子
８…プローブ
１０…標的物質
１２…カウンター電極
１４…参照電極
【図１】
0003760158.tif 000013
【図２】
0003760158.tif 000014
【図３】
0003760158.tif 000015
【図４】
0003760158.tif 000016
【図５】
0003760158.tif 000017
【図６】
0003760158.tif 000018
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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