(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一光ファイバと、これに対向する第二光ファイバと、前記第一及び第二光ファイバのそれぞれに設けた位置情報記憶手段と位置情報検出プローブとを備え、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバの少なくとも一方が移動して、前記第一光ファイバと前記第二光ファイバを接続する光スイッチであって、
前記位置情報記憶手段はＩＤ磁気ヘッドにより磁化パターンを記録された磁性部材であり、
前記位置情報検出プローブはＩＤ／ＭＲ複合磁気ヘッド又はＭＲ磁気ヘッドであり、
前記磁気ヘッドを前記磁気部材に接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うことを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
第一光ファイバと、これに対向する第二光ファイバと、前記第一及び第二光ファイバのそれぞれに設けた位置情報記憶手段と位置情報検出プローブとを備え、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバの少なくとも一方が移動して、前記第一光ファイバと前記第二光ファイバを接続する光スイッチであって、
前記位置情報記憶手段は電子線リソグラフィで作製した導電性パターンを有する部材であり、
前記位置情報検出プローブは弾性体を介して支えられた導電性プローブであり、１つの光ファイバにつき複数個の前記導電性プローブを設け、
前記導電性プローブを前記導電性パターンに接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うことを特徴とする光スイッチ。
【請求項３】
第一光ファイバと、これに対向する第二光ファイバと、前記第一及び第二光ファイバのそれぞれに設けた位置情報記憶手段と位置情報検出プローブとを備え、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバの少なくとも一方が移動して、前記第一光ファイバと前記第二光ファイバを接続する光スイッチであって、
前記位置情報記憶手段は電子線リソグラフィで作製した凹凸パターンを有する部材であり、
前記位置情報検出プローブは弾性体を介して支えられた凹凸検出プローブであり、１つの光ファイバにつき複数個の前記凹凸検出プローブを設け、
前記凹凸検出プローブを前記凹凸パターンに接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うことを特徴とする光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、光スイッチに関し、特に、位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより光ファイバの位置決めを行い、光ファイバをメカニカルに切り替える方式の光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ファイバ通信は幹線系への導入が進められてきたが、現在ではさらに様々な配線系への導入を目指して各種の検討が行われている。このような配線系ではこれまでの幹線系等における点から点への中継伝送と異なり、ほぼ面状に多数分布する利用者に対してサービス性、効率等の良好な配線網を構成する必要がある。係る配線網を構成するためには、光信号のままパスや回線の切り替えを行う光交換機や光クロスコネクト装置等が用いられている。
【０００３】
光クロスコネクト装置は、いわば大規模な光スイッチであり、多数の入力信号（例えば１０００種）を多数の出力系統に任意に出力でき、かつ、ある入力信号を既に利用されていない任意の出力先に、他の入力〜出力の経路に左右されずに独立に出力できるという、完全非閉塞性が求められる。
【０００４】
このような大規模な光スイッチを考えた場合、光の分岐・結合を伴う構成にすると光ファイバが輻輳して煩雑になるばかりでなく、光の分岐・結合に伴う損失が無視できない。このことから、光スイッチとしてはダイレクトに光ファイバ同士の結合を交換する機械式光スイッチが望ましい。
【０００５】
光ファイバをメカニカルに切り替える方式の光スイッチにおいては、少なくとも任意の一方の光ファイバが移動して、任意の出力先の光ファイバに結線される必要がある。その際、光ファイバ同士の結線に伴う損失を最小限にするために、移動する光ファイバの位置決め精度は光ファイバのコアの直径のオーダーである、数μｍのオーダーの位置決め精度が求められる。
【０００６】
光ファイバの位置決め機構として、磁気スケールによる位置決め機構を用いたメカニカル光スイッチの従来例が、特開平１１−１１９１２８号公報に開示されている。この従来例では、１本の光ファイバを多数の光ファイバのうちの任意の１本の光ファイバに、磁気スケールを用いて光ファイバを位置決めして出力している。具体的には、複数のＶ溝を有する基板上の、そのＶ溝内のそれぞれに１本ずつ出力側の光ファイバを固定しておき、入力側の光ファイバを、Ｖ溝同士の中間領域にあたる畦（あぜ）の部分に設けられた磁性体の磁気を別途設けられた磁気ヘッドによって読みとることにより移動させて、出力側の光ファイバと突き合わせて光接続させるものである。
【０００７】
又、特開平３−２８７２１２号公報にも、任意の一方の光ファイバが移動して、任意の出力先の光ファイバに結線される光スイッチの従来例が開示されている。この従来例では、光ファイバを接続した可動ヘッドを駆動させてファイバの接続を行っているが、このような方法でも、数μｍのオーダーの位置決め精度を確保することは困難である。そのため、この従来例では一方の接続部材の先端部に嵌着されたスリーブに他方の結合部材が嵌挿されることで、位置決め精度を補うこととしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特開平１１−１１９１２８号公報に開示された磁気スケールによる位置決め方式では、磁性体の磁気が記録ヘッドによって与えられたものではないため、記録ヘッドによって記録した磁化パターンのような、きわめて微細で精度の良い磁化パターンを形成することは困難である。この従来例のように磁性体膜を砥石で切り込んだ際の畦に相当する部分を磁性体の帯として残したり、Ｖ溝のついた金型より基板にＶ溝を転写したりする方法では、磁性体の帯として、ファイバのコア径である数μｍの幅の精度の幅を保つことは困難である。それゆえ、ファイバ同士の位置決め精度としてはかなりの曖昧さを残し、精度の高い位置決めが困難である。そのような位置決め精度の曖昧さをカバーするため、この従来例では移動した光ファイバをＶ溝等のガイドに再び接触させ、さらにファイバを突き合わせるという煩雑な手続きを経ることとなっているが、これは位置決め精度が確保できない以上、避けられない。さらに、このような構成の従来の光スイッチでは、１本のファイバを多数のうちの任意の１本のファイバに接続することはできても、入力側の光ファイバが多数存在する場合の多数入力×多数出力の完全非閉塞任意切替の光スイッチを簡単に構成することができない。
【０００９】
又、上述の特開平３−２８７２１２号公報に開示されたスリーブへの嵌挿のような光ファイバの接続方法では、ファイバ数を増やして多数入力ｘ多数出力の光スイッチを構成しようとすると、各入力、各出力ごとにそのような嵌挿機構を設ける必要があり、きわめて煩雑となる。
【００１０】
そこで、本発明は、光ファイバ同士の接続に当たって従来避けられなかったファイバ接続機構の煩雑さを克服し、今後の光通信網の需要増に伴う光交換機の大規模化に容易に対処しうる、光ファイバ同士の接続の精密な位置決めを容易に実現できる光ファイバのスイッチング機構を備えた光スイッチを提供することを課題としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本発明の光スイッチは、第一光ファイバと、これに対向する第二光ファイバと、前記第一及び第二光ファイバのそれぞれに設けた位置情報記憶手段と位置情報検出プローブとを備え、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバの少なくとも一方が移動して、前記第一光ファイバと前記第二光ファイバを接続する光スイッチである。
【００１２】
ここに、前記位置情報記憶手段はＩＤ磁気ヘッドにより磁化パターンを記録された磁性部材であり、前記位置情報検出プローブはＩＤ／ＭＲ複合磁気ヘッド又はＭＲ磁気ヘッドであり、前記磁気ヘッドを前記磁気部材に接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うようにしてもよい。
【００１３】
又、前記位置情報記憶手段は電子線リソグラフィで作製した導電性パターンを有する部材であり、前記位置情報検出プローブは弾性体を介して支えられた導電性プローブであり、１つの光ファイバにつき複数個の前記導電性プローブを設け、前記導電性プローブを前記導電性パターンに接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うようにしてもよい。
【００１４】
又、前記位置情報記憶手段は電子線リソグラフィで作製した凹凸パターンを有する部材であり、前記位置情報検出プローブは弾性体を介して支えられた凹凸検出プローブであり、１つの光ファイバにつき複数個の前記凹凸検出プローブを設け、前記凹凸検出プローブを前記凹凸パターンに接触させ、前記第一光ファイバ、前記第二光ファイバのそれぞれが前記位置情報記憶手段と位置情報検出プローブにより前記第一光ファイバ及び第二光ファイバの位置決めを、１μｍ以下の精度で行うようにしてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本発明の光スイッチの概略図を図１９に示す。本発明の光スイッチはスライドレール７上をスライドするスライダ部材１９０８に光ファイバ１９１０及び位置情報検出プローブ１９１１を搭載し、スライドレール１９０７上に設けられた位置情報メモリ１９０９の情報を前記位置情報検出プローブ１９１１で検出することにより行う。この位置決め機構を入力側、出力側の双方に用いると、第一の光ファイバと、これに対向している第二の光ファイバを共に移動させて光接続する光スイッチも容易に構成することが出来る。又、この位置決め機構を入力側、出力側の双方に用いる構成を応用し、互いに並列して存在する複数の第一の光ファイバと、これに対向した、互いに並列して存在する複数の第二の光ファイバを共に移動させて、任意の１本の入力側光ファイバと任意の１本の出力側の光ファイバを、入力側、出力側共に各々独立に光接続させる光スイッチも容易に構成することが出来る。
【００１６】
【実施例】
［実施例１］
図１（Ａ）に示すように略矩形状の支持枠１１に、ＩＤ／ＭＲヘッド１２と光ファイバ１３を搭載したスライダ部材１４が可動出来る、スライドレール１５が構成されている。ＩＤ／ＭＲヘッドの記録トラック幅は４μｍ、再生トラック幅は３μｍ、記録ギャップ長は０．４μｍ、再生ギャップ長は０．３２μｍである。しかしながら、これらのヘッド諸元は厳密なものではなく、ＩＤヘッドは後述の記録密度をきちんと記録でき、ＭＲヘッドはその記録信号をきちんと読めることが肝心である。スライドレール１５の線上で光ファイバ１３と対向する方向に、固定光ファイバ１６が光ファイバ１３との距離が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つように固定されている。この様子を図１（Ａ）を裏側から見た図１（Ｂ）に示す。スライドレール１５に並列して、Ｃｒ膜を２０ｎｍ、Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１７を５０ｎｍを、Ｃｒ膜、Ｃｏ75Ｃｒ25膜の順にあらかじめスパッタリング又はメッキ等により成膜しておく。但し、Ｃｒ膜はＣｏ75Ｃｒ25膜のｃ軸を膜面内に配向させるために用いるもので、この機能が果たされる範囲の膜厚であればよく、Ｃｏ75Ｃｒ25膜も、長手磁気記録媒体としての機能が果たされる範囲の膜厚であればよい。Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１７の幅は、ＩＤ／ＭＲヘッド１２のトラック幅よりも充分広くとっておく。
【００１７】
Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１７に、ＩＤ／ＭＲヘッド１２のＩＤ記録ヘッド部により、磁化パターンを記録する。今、光ファイバの位置決め精度に数μｍのオーダーが要求されるので、記録磁化パターンの磁化反転幅としては１μｍ以下が望ましい。すなわち、磁化反転幅１μｍに相当する記録密度２５ｋＦＲＰＩ以上の記録密度が望ましい。しかしながら、記録密度を高く取りすぎると、再生時の再生感度が悪くなり、再生の分解能が悪くなるために逆に位置決め精度が低くなってしまう。この点、再生の分解能が確保できる範囲内で記録密度を高く取ることが重要である。現実的には５０ｋＦＲＰＩ〜１００ｋＦＲＰＩ位の記録密度が妥当である。本実施例では、記録密度を５０ｋＦＲＰＩとした。
【００１８】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、光ファイバ１３と固定光ファイバ１６の接続時光損失が最小となるような位置を制御装置で検出する。検出は再生波形より行い、基準位置（例えばスライドレールの右端）から目的位置までの再生波形の山の数等の基準により、目的位置を検出する。その位置情報をあらかじめ制御装置に与えておき、最適位置から一旦離れた光ファイバを再び光接続させるときに、その位置までスライダ部材１４を移動させて光ファイバ１３と固定光ファイバ１６を接続させる。
【００１９】
光ファイバ１３を固定光ファイバ１６の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を、本実施例１の場合、従来例１の場合をともに図１（Ｃ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００２０】
図１（Ｃ）から分かるように、本実施例１の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例１の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【００２１】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材１４を動かして光ファイバ１３と固定光ファイバ１６を離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材１４を動かして光ファイバ１３と固定光ファイバ１６を接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００２２】
又、この構成の場合、位置決め用の磁気記録媒体（ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１７）の記録磁化が、周辺の大きな磁場にさらされる等何らかの理由で減磁してしまった場合、ＩＤ／ＭＲヘッド１２のＩＤ記録ヘッド部により一旦イレーズし（消去し）、再び記録することができる利点がある。
【００２３】
又、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【００２４】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００２５】
［実施例２］
図２（Ａ）に示すように、実施例１の場合と基本的に同じ構成であるが、実施例１と同様にスライドレールに並列してスパッタリング又はメッキ等により成膜したＣｒ膜下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体に、あらかじめＩＤ記録ヘッドで、記録密度５０ｋＦＲＰＩで磁化パターンを記録したもの（本実施例２とする）を用意する。記録に用いるＩＤ記録ヘッドは、ここでの記録密度（５０ｋＦＲＰＩ）が再生可能にきちんと記録できれば任意でよい。その後に、実施例１と同様のスライダ部材でありながら、磁気ヘッド部に、実施例１のＭＲヘッドと同じ仕様のＭＲヘッド２１のみを搭載したスライダ部材を用いて、各々装置を構成する。
【００２６】
図２（Ａ）の裏面は、実施例１の図１（Ｂ）と同様に、固定光ファイバが図２（Ａ）の光ファイバとの距離が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つように固定されている。
【００２７】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例１と同様である。
光ファイバを固定光ファイバの近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図２（Ｂ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００２８】
図２（Ｂ）から分かるように、本実施例２の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例２の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例２の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【００２９】
この構成では、実施例１の場合と同様に、光を出力させたくないときはスライダ部材を動かして光ファイバと固定光ファイバを離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材を動かして光ファイバと固定光ファイバを接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００３０】
本実施例の場合、実施例１の場合と異なり磁気ヘッド部に記録ヘッドを搭載しないで構成しているため、一旦装置を構成すると位置決め用の磁気記録媒体の再記録をすることが出来ない。しかしながら、ＣｏＣｒ媒体は通常使用する環境で発生する程度の磁場の大きさに比べれば保磁力、一軸磁気異方性が十分に大きいので、一度記録した磁化磁化が減衰することはほとんどなく、実用上は問題ない。
【００３１】
又、実施例１で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【００３２】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００３３】
［実施例３］
図３（Ａ）に示すように、スライドレール３１上に位置決めのための導電パターン３２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの導電パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、光ファイバのコア径と同等である数μｍの幅で作製する。ここでは、１μｍ幅とした。
【００３４】
図３Ｂに示すように、略矩形状の支持枠３３に図３（Ａ）のスライドレール３１を設置し、スライドレール３１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ３４の支持機構を持ったスライダ部材３５を設置する。光ファイバ３４と対向する方向には、光ファイバ３６が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ３４と光ファイバ３６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材３５周辺の拡大図を図３（Ｃ）に示す。スライダ部材３５には、位置決めのための導電パターン３２に接触する導電性プローブ３７が、弾性体であるプローブ支持ばね３８を介して取り付けられている。そして、導電の有無の検出は、導電性プローブから引き出されるリード線と、導電性パターンに接触するリード線を結ぶ閉回路に電圧を印加し、電流が流れるか否かで検出する。この様子を図３（Ｄ）に示す。
【００３５】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、光ファイバ３４と光ファイバ３６の接続時光損失が最小となるような位置を制御装置で検出する。検出は再生波形より行い、基準位置（例えばスライドレールの右端）から目的位置までの再生波形の山の数等の基準により、目的位置を検出する。その位置情報をあらかじめスライダ部材３５の位置制御をする制御装置に与えておき、最適位置から一旦離れた光ファイバを再び光接続させるときに、その位置までスライダ部材３５を移動させて光ファイバ３４と光ファイバ３６を接続させる。
【００３６】
光ファイバ３４を固定光ファイバ３６の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図３（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００３７】
図３（Ｅ）から分かるように、本実施例３の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例３の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００３８】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材３５を動かして光ファイバ３４と固定光ファイバ３６を離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材３５を動かして光ファイバ３４と固定光ファイバ３６を接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００３９】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００４０】
［実施例４］
図４（Ａ）に示すように、スライドレール４１上に位置決めのための導電パターン４２１、及び４２２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの導電パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、導電パターン４２１は５μｍ、導電パターン４２２は１μｍとした。
【００４１】
図４（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠４３に図４（Ａ）のスライドレール４１を設置し、スライドレール４１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ４４の支持機構を持ったスライダ部材４５を設置する。光ファイバ４４と対向する方向には、光ファイバ４６が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ４４と光ファイバ４６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材４５周辺の拡大図を図４（Ｃ）に示す。
【００４２】
スライダ部材４５には、位置決めのための導電パターン４２１に接触する導電性プローブ４７１が、弾性体であるプローブ支持ばね４８１を介して、又、導電パターン４２２に接触する導電性プローブ４７２が、弾性体であるプローブ支持ばね４８２を介して取り付けられている。そして、導電の有無の検出は、導電性プローブから引き出されるリード線と、導電性パターンに接触するリード線を結ぶ閉回路に電圧を印加し、電流が流れるか否かで検出する。この様子を図４（Ｄ）に示す。
【００４３】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例３と同様である。但し、本実施例４は導電パターンが疎、密の２種類あり、まず導電パターン４２１により光ファイバを目的位置まで粗動させ、次に導電パターン４２２で光ファイバを微動させて光ファイバ４４と光ファイバ４６を接続させる。この方法の利点は、光ファイバを粗動後に微動させるので、この機構を大規模化させて導電パターン４２２が左右に非常に長くなったり、導電パターン４２２を非常に微細にした場合でも、導電パターン４２２のみで位置決めをさせる場合よりも遙かに接続に要する時間を短くすることが出来ることである。今後の光クロスコネクト装置の大規模化に伴い、切替時間の短縮も重要な要素であるが、本実施例４の機構を大規模化させて大規模な光クロスコネクト装置を構成すれば、大規模化に伴って増大しがちな切替時間を短く抑えることが出来る。
【００４４】
実施例３と同様に、光ファイバ４４を固定光ファイバ４６の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図４（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例３と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００４５】
図４（Ｅ）から分かるように、本実施例４の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例４の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００４６】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材４５を動かして光ファイバ４４と固定光ファイバ４６を離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材４５を動かして光ファイバ４４と固定光ファイバ４６を接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００４７】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００４８】
［実施例５］
図５（Ａ）に示すように、スライドレール５１上に位置決めのための凹凸パターン５２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの凹凸パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、光ファイバのコア径と同等である数μｍの幅で作製する。ここでは、１μｍ幅とした。
【００４９】
図５（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠５３に図５（Ａ）のスライドレール５１を設置し、スライドレール５１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ５４の支持機構を持ったスライダ部材５５を設置する。光ファイバ５４と対向する方向には、光ファイバ５６が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ５４と光ファイバ５６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材５５周辺の拡大図を図５（Ｃ）に示す。スライダ部材５５には、位置決めのための凹凸パターン５２に接触する凹凸検出プローブ５７が、弾性体であるプローブ支持ばね５８を介して取り付けられている。ここでは凹凸検出プローブとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用のプローブ（ＡＦＭプローブ）を用いた。そして、ＡＦＭプローブにレーザー光線を当て、プローブから反射してくるレーザーの光量をフォトダイオードにより検出する。凹凸パターンによってＡＦＭプローブが上下すると、フォトダイオードに入射する光量が変化するため、この変化を検出することにより凹凸情報を検出することが出来る。この様子を図５（Ｄ）に示す。ここでは凹凸検出プローブとしてＡＦＭプローブを用いたが、凹凸情報によるプローブの上下動を何らかの形で検出できるものであれば、他のプローブでも良い。
【００５０】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、光ファイバ５４と光ファイバ５６の接続時光損失が最小となるような位置を制御装置で検出する。検出は再生波形より行い、基準位置（例えばスライドレールの右端）から目的位置までの再生波形の山の数等の基準により、目的位置を検出する。その位置情報をあらかじめスライダ部材５５の位置制御をする制御装置に与えておき、最適位置から一旦離れた光ファイバを再び光接続させるときに、その位置までスライダ部材５５を移動させて光ファイバ５４と光ファイバ５６を接続させる。
【００５１】
光ファイバ５４を固定光ファイバ５６の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図５（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００５２】
図５（Ｅ）から分かるように、本実施例５の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例５の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００５３】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材５５を動かして光ファイバ５４と固定光ファイバ５６を離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材５５を動かして光ファイバ５４と固定光ファイバ５６を接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００５４】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００５５】
［実施例６］
図６（Ａ）に示すように、スライドレール６１上に位置決めのための凹凸パターン６２１、及び６２２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの凹凸パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、凹凸パターン６２１は５μｍ、凹凸パターン６２２は１μｍとした。
【００５６】
図６（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠６３に図６（Ａ）のスライドレール６１を設置し、スライドレール６１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ６４の支持機構を持ったスライダ部材６５を設置する。光ファイバ６４と対向する方向には、光ファイバ６６が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ６４と光ファイバ６６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材６５周辺の拡大図を図６（Ｃ）に示す。
【００５７】
スライダ部材６５には、位置決めのための凹凸パターン６２１に接触する凹凸検出プローブ６７１が、弾性体であるプローブ支持ばね６８１を介して、又、凹凸パターン６２２に接触する凹凸検出プローブ６７２が、弾性体であるプローブ支持ばね６８２を介して取り付けられている。ここでは実施例５と同様に、凹凸検出プローブとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用のプローブ（ＡＦＭプローブ）を用いた。そして、ＡＦＭプローブにレーザー光線を当て、プローブから反射してくるレーザーの光量をフォトダイオードにより検出する。凹凸パターンによってＡＦＭプローブが上下すると、フォトダイオードに入射する光量が変化するため、この変化を検出することにより凹凸情報を検出することが出来る。この様子を図６（Ｄ）に示す。ここでは凹凸検出プローブとしてＡＦＭプローブを用いたが、凹凸情報によるプローブの上下動を何らかの形で検出できるものであれば、他のプローブでも良い。
【００５８】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例５と同様である。但し、本実施例６は凹凸パターンが疎、密の２種類あり、まず凹凸パターン６２１により光ファイバを目的位置まで粗動させ、次に凹凸パターン６２２で光ファイバを微動させて光ファイバ６４と光ファイバ６６を接続させる。この方法の利点は、光ファイバを粗動後に微動させるので、この機構を大規模化させて凹凸パターン６２２が左右に非常に長くなったり、凹凸パターン６２２を非常に微細にした場合でも、凹凸パターン６２２のみで位置決めをさせる場合よりも遙かに接続に要する時間を短くすることが出来ることである。今後の光クロスコネクト装置の大規模化に伴い、切替時間の短縮も重要な要素であるが、本実施例６の機構を大規模化させて大規模な光クロスコネクト装置を構成すれば、大規模化に伴って増大しがちな切替時間を短く抑えることが出来る。
【００５９】
実施例５と同様に、光ファイバ６４を固定光ファイバ６６の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図６（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例５と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００６０】
図６（Ｅ）から分かるように、本実施例６の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例６の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００６１】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材６５を動かして光ファイバ６４と固定光ファイバ６６を離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材６５を動かして光ファイバ６４と固定光ファイバ６６を接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００６２】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【００６３】
［実施例７］
実施例１と同様に、図７（Ａ）に示すように略矩形状の支持枠にＩＤ／ＭＲヘッドと光ファイバを搭載したスライダ部材が可動出来る、スライドレールを構成する。スライドレールの線上で光ファイバと対向する方向に、２本の固定光ファイバ７６１，７６２を、光ファイバとの距離が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つように固定する。この様子を図７（Ａ）を裏側から見た図７（Ｂ）に示す。実施例１と同様にして、スライドレールに並列して、Ｃｒ膜下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体をあらかじめスパッタリング又はメッキ等により成膜しておく。ＩＤ／ＭＲヘッドの諸元は、実施例１と同じである。
【００６４】
実施例１と同様に、Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体にＩＤ／ＭＲヘッドのＩＤ記録ヘッド部により、実施例１と同様の磁化パターンを記録する。これを本実施例７とする。
【００６５】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例１、２と同様である。
光ファイバを固定光ファイバ７６１の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図７（Ｃ）に示す。又、固定光ファイバ７６２の近辺でスキャンさせたときの場合を図７（Ｄ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００６６】
図７（Ｃ）、図７（Ｄ）から分かるように、本実施例７の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例７の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例７の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【００６７】
この構成では、２つの固定光ファイバ７６１，７６２の位置に光ファイバを位置決めし、１ｘ２の光スイッチとすることができる。
【００６８】
又、実施例１、２で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【００６９】
この構成の場合、実施例１で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体（ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体）の記録磁化が、周辺の大きな磁場にさらされる等何らかの理由で減磁してしまった場合、ＩＤ／ＭＲヘッドのＩＤ記録ヘッド部により一旦イレーズし（消去し）、再び記録することができる利点がある。
【００７０】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る１ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【００７１】
［実施例８］
図８（Ａ）に示すように、実施例７の場合と基本的に同じ構成であるが、実施例１と同様にスライドレールに並列してスパッタリング又はメッキ等により成膜したＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体に、あらかじめ記録ヘッドで記録密度５０ｋＦＲＰＩで磁化パターンを記録したもの（本実施例８とする）を用意する。実施例２で述べたように、記録に用いるＩＤ記録ヘッドは、ここでの記録密度がきちんと記録できるものであれば、任意でよい。その後に、実施例１と同様のスライダ部材でありながら、磁気ヘッド部に実施例１と同じ仕様のＭＲヘッドのみを搭載したスライダ部材を用いて、各々装置を構成する。
【００７２】
図８（Ａ）の裏面は、実施例７の図７（Ｂ）と同様に、図８（Ｂ）に示すように固定光ファイバ８６１、８６２が図８（Ａ）の光ファイバとの距離が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つように固定されている。
【００７３】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例１、２、７と同様である。光ファイバを固定光ファイバ８６１の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図８（Ｃ）に示す。又、固定光ファイバ８６２の近辺でスキャンさせたときの場合を図８（Ｄ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２、７の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００７４】
図８（Ｃ）、図８（Ｄ）から分かるように、本実施例８の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例８の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例８の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【００７５】
この構成では、２つの固定光ファイバ８６１，８６２の位置に光ファイバを位置決めし、１ｘ２の光スイッチとすることができる。
【００７６】
この実施例の場合、実施例７の場合と異なり、実施例２と同様に磁気ヘッド部に記録ヘッドを搭載しないで構成しているため、一旦装置を構成すると位置決め用の磁気記録媒体の再記録をすることが出来ない。しかしながら、ＣｏＣｒ媒体は通常使用する環境で発生する程度の磁場の大きさに比べれば保磁力、一軸磁気異方性が十分に大きいので、一度記録した磁化が減衰することはほとんどなく、実用上は問題ない。
【００７７】
又、実施例１、２、７で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【００７８】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る１ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【００７９】
［実施例９］
図９（Ａ）に示すように、スライドレール９１上に位置決めのための導電パターン９２１、及び９２２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの導電パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、導電パターン９２１は５μｍ、導電パターン９２２は１μｍとした。
【００８０】
図９（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠９３に図９（Ａ）のスライドレール９１を設置し、スライドレール９１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ９４の支持機構を持ったスライダ部材９５を設置する。光ファイバ９４と対向する方向には、光ファイバ９６１及び光ファイバ９６２が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ９４と光ファイバ９６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材９５周辺の拡大図を図９（Ｃ）に示す。
【００８１】
スライダ部材９５には、位置決めのための導電パターン９２１に接触する導電性プローブ９７１が、弾性体であるプローブ支持ばね９８１を介して、又、導電パターン９２２に接触する導電性プローブ９７２が、弾性体であるプローブ支持ばね９８２を介して取り付けられている。そして、導電の有無の検出は、導電性プローブから引き出されるリード線と、導電性パターンに接触するリード線を結ぶ閉回路に電圧を印加し、電流が流れるか否かで検出する。この様子を図９（Ｄ）に示す。
【００８２】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例４と同様である。本実施例も実施例４と同様、導電パターンが疎、密の２種類あり、まず導電パターン９２１により光ファイバを目的位置まで粗動させ、次に導電パターン９２２で光ファイバを微動させてスライダ部材９５を目的位置まで移動させる。この方法により、実施例４と同様、切替時間を短く抑えることが出来る。切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例３に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例４，及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【００８３】
光ファイバ９４を固定光ファイバ９６１の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ９４を固定光ファイバ９６２の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図９（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例３と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００８４】
図９（Ｅ）から分かるように、本実施例９の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例９の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００８５】
以上の構成により、２つの固定光ファイバ９６１，９６２の位置に光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る１ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【００８６】
［実施例１０］
図１０（Ａ）に示すように、スライドレール１０１上に位置決めのための凹凸パターン１０２１、及び１０２２を電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの凹凸パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、凹凸パターン１０２１は５μｍ、凹凸パターン１０２２は１μｍとした。
【００８７】
図１０（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠１０３に図１０（Ａ）のスライドレール１０１を設置し、スライドレール１０１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１０４の支持機構を持ったスライダ部材１０５を設置する。光ファイバ１０４と対向する方向には、光ファイバ１０６１及び光ファイバ１０６２が、光ファイバ支持機構によって固定されている。光ファイバ１０４と光ファイバ１０６の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材１０５周辺の拡大図を図１０（Ｃ）に示す。
【００８８】
スライダ部材１０５には、位置決めのための凹凸パターン１０２１に接触する凹凸検出プローブ１０７１が、弾性体であるプローブ支持ばね１０８１を介して、又、凹凸パターン１０２２に接触する凹凸検出プローブ１０７２が、弾性体であるプローブ支持ばね１０８２を介して取り付けられている。ここでは実施例５、６と同様に、凹凸検出プローブとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用のプローブ（ＡＦＭプローブ）を用いた。そして、ＡＦＭプローブにレーザー光線を当て、プローブから反射してくるレーザーの光量をフォトダイオードにより検出する。凹凸パターンによってＡＦＭプローブが上下すると、フォトダイオードに入射する光量が変化するため、この変化を検出することにより凹凸情報を検出することが出来る。この様子を図１０（Ｄ）に示す。ここでは凹凸検出プローブとしてＡＦＭプローブを用いたが、凹凸情報によるプローブの上下動を何らかの形で検出できるものであれば、他のプローブでも良い。
【００８９】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例６と同様である。本実施例も実施例６と同様、凹凸パターンが疎、密の２種類あり、まず凹凸パターン１０２１により光ファイバを目的位置まで粗動させ、次に凹凸パターン１０２２で光ファイバを微動させてスライダ部材１０５を目的位置まで移動させる。この方法により、実施例６と同様、切替時間を短く抑えることが出来る。切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例５に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例６，及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【００９０】
光ファイバ１０４を固定光ファイバ１０６１の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１０４を固定光ファイバ１０６２の近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１０（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例５と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００９１】
図１０（Ｅ）から分かるように、本実施例１０の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１０の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【００９２】
以上の構成により、２つの固定光ファイバ１０６１，１０６２の位置に光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る１ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【００９３】
［実施例１１］
図１１（Ａ）に示すように略矩形状の支持枠に、ＩＤ／ＭＲヘッド１１７１と光ファイバ１１４１を搭載したスライダ部材１１５１が可動出来る、スライドレール１１１１が構成されている。一方、図１１（Ａ）の裏面に相当する部分に、図１１（Ｂ）に示すようにＩＤ／ＭＲヘッド１１７２と光ファイバ１１４２を搭載したスライダ部材１１５２が可動出来る、スライドレール１１１２が、スライドレール１１１１と交差する方向に構成されている。その際、図１１（Ａ）に示される光ファイバ１１４１、図１１（Ｂ）に示される光ファイバ１１４２が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つようにしておく。ＩＤ／ＭＲヘッド１１７１，１１７２の仕様は実施例１と同様である。そして、実施例１と同様にスライドレール１１１１及び１１１２に並列して、それぞれＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１１２１，１１２２をあらかじめスパッタリング又はメッキ等により成膜しておく。
【００９４】
Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１１２１、１１２２に、それぞれＩＤ／ＭＲヘッド１１７１、１１７２のＩＤ記録ヘッド部により、実施例１と同様の記録密度で磁化パターンを記録する（本実施例１１）。
【００９５】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、光ファイバ同士の接続時光損失が最小となるような位置を制御装置で検出する。実施例１、２、７、８と同様、検出は再生波形より行い、基準位置（例えばスライドレールの右端）から目的位置までの再生波形の山の数等の基準により、目的位置を検出する。その位置情報をあらかじめ制御装置に与えておき、最適位置から一旦離れた光ファイバ同士を再び光接続させるときに、その位置までスライダ部材１１５１，１１５２を移動させて、２つの光ファイバを接続させる。
【００９６】
光ファイバ１１４２を最適位置に止め、光ファイバ１１４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１１（Ｃ）に示す。又、光ファイバ１１４１を最適位置に止め、光ファイバ１１４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１１（Ｄ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２、７、８の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【００９７】
図１１（Ｃ）、図１１（Ｄ）から分かるように、本実施例１１の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１１の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例１１では、光ファイバ１１４２を最適位置に止め、光ファイバ１１４１を最適位置近辺でスキャンさせたとき、光ファイバ１１４１を最適位置に止め、光ファイバ１１４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの両方の結果を示したが、両者が同様な結果となるのは容易に予想できたことである。本実施例１１の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【００９８】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材１１５１，１１５２のどちらか一方を動かして２つの光ファイバを離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材１１５１、１１５２を動かして２つの光ファイバを接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【００９９】
又、この構成の場合、実施例１で述べたように位置決め用の磁気記録媒体（ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１１２１，１１２２）の記録磁化が、周辺の大きな磁場にさらされる等何らかの理由で減磁してしまった場合、ＩＤ／ＭＲヘッド１１７１，１１７２のＩＤ記録ヘッド部により一旦イレーズし（消去し）、再び記録することができる利点がある。
【０１００】
又、実施例１、２、７、８で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【０１０１】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【０１０２】
［実施例１２］
図１２（Ａ）に示すように、実施例１１の場合と基本的に同じ構成であるが、実施例１と同様にスライドレールに並列してスパッタリング又はメッキ等により成膜した図１１（Ａ）に相当する表側のスライダレールに並列したＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体、図１１（Ｂ）に相当する裏側のスライドレールに並列したＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体に、あらかじめ記録ヘッドで実施例１と同様の記録密度で、位置決め用の磁化パターンを記録する（本実施例１２）。実施例２，８で述べたように、記録に用いるＩＤ記録ヘッドは、ここでの記録密度がきちんと記録できるものであれば、任意でよい。そして、図１１（Ａ）に相当する表側のスライダ部材にＭＲヘッド１２７１を搭載し、図１１（Ｂ）に相当する表側のスライダ部材にＭＲヘッド１２７２を搭載し、装置を構成する。その際、実施例１１と同様に、図１２（Ａ）に示される光ファイバ１２４１、図１２（Ｂ）に示される光ファイバ１２４２が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つようにしておく。ＭＲヘッド１２７１、１２７２の仕様は、実施例１のＭＲヘッドと同じ仕様のものを用いた。実施例１１の図１１（Ｂ）に相当する図を図１２（Ｂ）に示す。
【０１０３】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例１１と同様である。光ファイバ１２４２を最適位置に止め、光ファイバ１２４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１２（Ｃ）に示す。又、光ファイバ１２４１を最適位置に止め、光ファイバ１２４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１２（Ｄ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２、７、８、１１の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１０４】
図１２（Ｃ）、図１２（Ｄ）から分かるように、本実施例１２の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１２の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例１２では、光ファイバ１２４２を最適位置に止め、光ファイバ１２４１を最適位置近辺でスキャンさせたとき、光ファイバ１２４１を最適位置に止め、光ファイバ１２４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの両方の結果を示したが、両者が同様な結果となるのは容易に予想できたことである。本実施例１２の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【０１０５】
この構成では、光を出力させたくないときは前面、裏面のスライダ部材のどちらか一方を動かして２つの光ファイバを離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材を動かして２つの光ファイバを接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【０１０６】
本実施例の場合、実施例１１の場合と異なり、実施例２、８と同様に磁気ヘッド部に記録ヘッドを搭載しないで構成しているため、一旦装置を構成すると位置決め用の磁気記録媒体の再記録をすることが出来ない。しかしながら、ＣｏＣｒ媒体は通常使用する環境で発生する程度の磁場の大きさに比べれば保磁力、一軸磁気異方性が十分に大きいので、一度記録した記録磁化が減衰することはほとんどなく、実用上は問題ない。
【０１０７】
又、実施例１、２、７、８、１１で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【０１０８】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【０１０９】
［実施例１３］
図１３（Ａ）に示すように、スライドレール１３１１上に位置決めのための導電パターン１３２１１及び１３２１２を、スライドレール１３１２上に位置決めのための導電パターン１３２２１及び１３２２２を、それぞれ電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの導電パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、導電パターン１３２１１及び１３２２１は５μｍ、導電パターン１３２１２及び１３２２２は１μｍとした。
【０１１０】
図１３（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠１３３に図１３（Ａ）のスライドレール１３１１及び１３１２を交差する方向に設置し、スライドレール１３１１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１３４１の支持機構を持ったスライダ部材１３５１を設置し、スライドレール１３１２上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１３４２の支持機構を持ったスライダ部材１３５２を設置する。スライドレールと垂直方向の、光ファイバ１３４１と光ファイバ１３４２の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材１３５１及び１３５２周辺の拡大図を図１３（Ｃ）に示す。
【０１１１】
スライダ部材１３５１には、位置決めのための導電パターン１３２１１に接触する導電性プローブ１３７１１が、弾性体であるプローブ支持ばね１３８１１を介して、又、位置決めのための導電パターン１３２１２に接触する導電性プローブ１３７１２が、弾性体であるプローブ支持ばね１３８１２を介して、取り付けられている。そして、スライダ部材１３５２には、位置決めのための導電パターン１３２２１に接触する導電性プローブ１３７２１が、弾性体であるプローブ支持ばね１３８２１を介して、又、位置決めのための導電パターン１３２２２に接触する導電性プローブ１３７２２が、弾性体であるプローブ支持ばね１３８２２を介して、取り付けられている。そして、導電の有無の検出は、導電性プローブから引き出されるリード線と、導電性パターンに接触するリード線を結ぶ閉回路に電圧を印加し、電流が流れるか否かで検出する。この様子を図１３（Ｄ）に示す。
【０１１２】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例４、９と同様である。本実施例も実施例４、９と同様、導電パターンが疎、密の２種類あるため、切替時間を短く抑えることが出来る。この場合も、切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例３に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例４、９、及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【０１１３】
光ファイバ１３４１を最適位置に止め、光ファイバ１３４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１３４２を最適位置に止め、光ファイバ１３４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１３（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例３と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１１４】
図１３（Ｅ）から分かるように、本実施例１３の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１３の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【０１１５】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材１３５１，１３５２のどちらか一方を動かして２つの光ファイバを離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材１３５１、１３５２を動かして２つの光ファイバを接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【０１１６】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【０１１７】
［実施例１４］
図１４（Ａ）に示すように、スライドレール１４１１上に位置決めのための凹凸パターン１４２１１及び１４２１２を、スライドレール１４１２上に位置決めのための凹凸パターン１４２２１及び１４２２２を、それぞれ電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの凹凸パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、凹凸パターン１４２１１及び１４２２１は５μｍ、凹凸パターン１４２１２及び１４２２２は１μｍとした。
【０１１８】
図１４（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠１４３に図１４（Ａ）のスライドレール１４１１及び１４１２を交差する方向に設置し、スライドレール１４１１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１４４１の支持機構を持ったスライダ部材１４５１を設置し、スライドレール１４１２上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１４４２の支持機構を持ったスライダ部材１４５２を設置する。スライドレールと垂直方向の、光ファイバ１４４１と光ファイバ１４４２の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材１４５１及び１４５２周辺の拡大図を図１４（Ｃ）に示す。
【０１１９】
スライダ部材１４５１には、位置決めのための凹凸パターン１４２１１に接触する凹凸検出プローブ１４７１１が、弾性体であるプローブ支持ばね１４８１１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１４２１２に接触する凹凸検出プローブ１４７１２が、弾性体であるプローブ支持ばね１４８１２を介して、取り付けられている。そして、スライダ部材１４５２には、位置決めのための凹凸パターン１４２２１に接触する凹凸検出プローブ１４７２１が、弾性体であるプローブ支持ばね１４８２１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１４２２２に接触する凹凸検出プローブ１４７２２が、弾性体であるプローブ支持ばね１４８２２を介して、取り付けられている。ここでは実施例５、６，１０と同様に、凹凸検出プローブとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用のプローブ（ＡＦＭプローブ）を用いた。そして、ＡＦＭプローブにレーザー光線を当て、プローブから反射してくるレーザーの光量をフォトダイオードにより検出する。凹凸パターンによってＡＦＭプローブが上下すると、フォトダイオードに入射する光量が変化するため、この変化を検出することにより凹凸情報を検出することが出来る。この様子を図１４（Ｄ）に示す。ここでは凹凸検出プローブとしてＡＦＭプローブを用いたが、凹凸情報によるプローブの上下動を何らかの形で検出できるものであれば、他のプローブでも良い。
【０１２０】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例４、９と同様である。本実施例も実施例４、９と同様、凹凸パターンが疎、密の２種類あるため、切替時間を短く抑えることが出来る。この場合も、切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例３に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例４、９、及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【０１２１】
光ファイバ１４４１を最適位置に止め、光ファイバ１４４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１４４２を最適位置に止め、光ファイバ１４４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１４（Ｅ）に示す。この図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例３と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１２２】
図１４（Ｅ）から分かるように、本実施例１４の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１４の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【０１２３】
この構成では、光を出力させたくないときはスライダ部材１４５１，１４５２のどちらか一方を動かして２つの光ファイバを離しておき、光を出力させたい時にスライダ部材１４５１、１４５２を動かして２つの光ファイバを接続させることにより、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【０１２４】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る光スイッチとすることが出来る。
【０１２５】
［実施例１５］
図１５（Ａ）に示すように略矩形状の支持枠に、ＩＤ／ＭＲヘッド１５７１と光ファイバ１５４１を搭載したスライダ部材１５５１が可動出来る、スライドレール１５１１、及びＩＤ／ＭＲヘッド１５７２と光ファイバ１５４２を搭載したスライダ部材１５５２が可動出来る、スライドレール１５１２が構成されている。一方、図１５（Ａ）の裏面に相当する部分に、図１５（Ｂ）に示すようにＩＤ／ＭＲヘッド１５７３と光ファイバ１５４３を搭載したスライダ部材１５５３が可動出来る、スライドレール１５１３、及びＩＤ／ＭＲヘッド１５７４と光ファイバ１５４４を搭載したスライダ部材１５５４が可動出来る、スライドレール１５１４が構成されている。４つのＩＤ／ＭＲヘッドの仕様は、実施例１と同様である。そして、実施例１と同様にスライドレール１５１１、１５１２、１５１３、及び１５１４に並列して、それぞれＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１５２１、１５２２、１５２３、１５２４をあらかじめスパッタリング又はメッキ等により成膜しておく。
【０１２６】
なお、前面、後面のスライダ部材は全ての組み合わせについて、実施例１、２、７、８、１１、１２と同様に光ファイバ同士が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つようにする。
【０１２７】
Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１５２１、１５２２、１５２３、１５２４に、それぞれＩＤ／ＭＲヘッド１５７１、１５７２、１５７３、１５７４のＩＤ記録ヘッド部により、実施例１と同様の記録密度で磁化パターンを記録する（本実施例１５）。
【０１２８】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、前面、後面の相互の光ファイバ同士の接続時光損失が最小となるような位置を制御装置で検出する。実施例１、２、７、８、１１、１２と同様、検出は再生波形より行い、基準位置（例えばスライドレールの右端）から目的位置までの再生波形の山の数等の基準により、目的位置を検出する。その位置情報をあらかじめ制御装置に与えておき、最適位置から一旦離れた光ファイバ同士を再び光接続させるときに、その位置まで前面、後面の２つのスライダ部材を移動させて、２つの光ファイバを接続させる。
【０１２９】
光ファイバ１５４３を最適位置に止め、光ファイバ１５４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１５（Ｃ）に示す。光ファイバ１５４３を最適位置に止め、光ファイバ１５４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１５（Ｄ）に示す。光ファイバ１５４４を最適位置に止め、光ファイバ１５４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１５（Ｅ）に示す。そして、光ファイバ１５４４を最適位置に止め、光ファイバ１５４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１５（Ｆ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２、７、８、１１、１２の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１３０】
図１５（Ｃ）〜図１５（Ｆ）から分かるように、本実施例１５の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１５の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例１５では、前面と後面に存在する光ファイバの全ての組み合わせについての結果を示したが、全て同様な結果となるのは容易に予想できたことである。又、光ファイバ１５４１を最適位置に止め光ファイバ１５４３をスキャンさせた場合、光ファイバ１５４２を最適位置に止め、光ファイバ１５４３を最適位置近辺でスキャンさせた場合、光ファイバ１５４１を最適位置に止め、光ファイバ１５４４をスキャンさせた場合、そして、光ファイバ１５４２を最適位置に止め、光ファイバ１５４４を最適位置近辺でスキャンさせたときも同様の結果となることは明らかである。本実施例１５の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【０１３１】
この構成では、２本の入力の光ファイバの出力先を２本の出力の光ファイバのうちのどちらか任意の一方に選べる２ｘ２のスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【０１３２】
又、この構成の場合、実施例１で述べたように位置決め用の磁気記録媒体（ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体１５２１〜１５２４）の記録磁化が、周辺の大きな磁場にさらされる等何らかの理由で減磁してしまった場合、ＩＤ／ＭＲヘッド１５７１、１５７２、１５７３、１５７４のＩＤ記録ヘッド部により一旦イレーズし（消去し）、再び記録することができる利点がある。
【０１３３】
又、実施例１、２、７、８、１１、１２で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【０１３４】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る２ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【０１３５】
又、この構成を応用することにより２ｘ２以上の入力数、出力数をもつＮｘＮの光スイッチを容易に構成することが出来る。この構成によると、ある入力信号を既に利用されていない任意の出力先に、他の入力〜出力の経路に左右されずに独立に出力できる完全非閉塞性を容易に実現することができる。これは、今後の光通信網の発展に伴う、大規模な光クロスコネクト装置を構成する際の有力な手段である。
【０１３６】
［実施例１６］
図１６（Ａ）に示すように、実施例１５の場合と基本的に同じ構成であるが、実施例１と同様にスライドレールに並列してスパッタリング又はメッキ等により成膜した図１５（Ａ）に相当する表側のスライダレールに並列した２つのＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体、図１５（Ｂ）に相当する裏側のスライダレールに並列した２つのＣｒ下地Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体に、あらかじめ記録ヘッドで実施例１と同様の記録密度で、位置決め用の磁化パターンを記録する（本実施例１６）。実施例２，８、１２で述べたように、記録に用いるＩＤ記録ヘッドは、ここでの記録密度がきちんと記録できるものであれば、任意でよい。そして、図１５（Ａ）に相当する表側のスライダ部材にＭＲヘッド１６７１、１６７２を搭載し、図１５（Ｂ）に相当する表側のスライダ部材にＭＲヘッド１６７３、１６７４を搭載し、装置を構成する。その際、実施例１５と同様に、光ファイバ同士が光接続の際に損失が無視できるほどに小さくなるほどの距離（数μｍ）を保つように、光ファイバ１６４１と１６４３、光ファイバ１６４２と１６４３、光ファイバ１６４１と１６４４、光ファイバ１６４２と１６４４の全ての組み合わせについて調整を行っておく。ＭＲヘッド１６７１〜１６７４の仕様は、実施例１のＭＲヘッドと同じ仕様のものを用いた。実施例１５の図１５（Ｂ）に相当する図を図１６（Ｂ）に示す。
【０１３７】
スライドレール方向の最適位置の検出に当たっては、実施例１５と同様である光ファイバ１６４３を最適位置に止め、光ファイバ１６４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１６（Ｃ）に示す。光ファイバ１６４３を最適位置に止め、光ファイバ１６４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１６（Ｄ）に示す。光ファイバ１６４４を最適位置に止め、光ファイバ１６４１を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１６（Ｅ）に示す。そして、光ファイバ１６４４を最適位置に止め、光ファイバ１６４２を最適位置近辺でスキャンさせたときの結果を図１６（Ｆ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。これらの実験にあたっては、実施例１、２、７、８、１１、１２、１５の場合と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１３８】
図１６（Ｃ）〜図１６（Ｆ）から分かるように、本実施例１６の光ファイバ位置決め機構によれば、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１６の場合、伝送損失の少なくなる領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。本実施例１６では、前面と後面に存在する光ファイバの全ての組み合わせについての結果を示したが、全て同様な結果となるのは容易に予想できたことである。又、光ファイバ１６４１を最適位置に止め光ファイバ１６４３をスキャンさせた場合、光ファイバ１６４２を最適位置に止め、光ファイバ１６４３を最適位置近辺でスキャンさせた場合、光ファイバ１６４１を最適位置に止め、光ファイバ１６４４をスキャンさせた場合、そして、光ファイバ１６４２を最適位置に止め、光ファイバ１６４４を最適位置近辺でスキャンさせたときも同様の結果となることは明らかである。本実施例１６の光ファイバの位置決め機構を用いることにより、伝送損失の少ない光接続が可能であることが分かる。
【０１３９】
この構成では、２本の入力の光ファイバの出力先を２本の出力の光ファイバのうちのどちらか任意の一方に選べる２ｘ２のスイッチとしての機能を果たすことが出来る。
【０１４０】
本実施例の場合、実施例１５の場合と異なり、実施例２、８、１２と同様に磁気ヘッド部に記録ヘッドを搭載しないで構成しているため、一旦装置を構成すると位置決め用の磁気記録媒体の再記録をすることが出来ない。しかしながら、ＣｏＣｒ媒体は通常使用する環境で発生する程度の磁場の大きさに比べれば保磁力、一軸磁気異方性が十分に大きいので、一度記録した磁化磁化が減衰することはほとんどなく、実用上は問題ない。
【０１４１】
又、実施例１、２、７、８、１１、１２、１５で述べたように、位置決め用の磁気記録媒体は、ここではＣｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体を用いたが、Ｃｏが一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内であれば、他の組成比のＣｏＣｒ膜も用いることが出来る。又、一軸異方性をもつことの出来るＣｏとＣｒの組成比の範囲内のＣｏＣｒ合金へ第三元素を添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。第三元素として通常はＴａやＰｔ等が用いられるが、これらの添加元素を２種類以上添加したＣｏＣｒ合金も用いることが出来る。これらは通常、磁気異方性の増加等のために添加されるが、ＣｏＣｒ合金の一軸異方性の性質を損なわずに添加されるものであれば、これらの添加元素以外の元素でも添加可能である。
【０１４２】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る２ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【０１４３】
又、実施例１５で述べたように、この構成を応用することにより２ｘ２以上の入力数、出力数をもつＮｘＮの光スイッチを容易に構成することが出来る。この構成によると、ある入力信号を既に利用されていない任意の出力先に、他の入力〜出力の経路に左右されずに独立に出力できる完全非閉塞性を容易に実現することができる。これは、今後の光通信網の発展に伴う、大規模な光クロスコネクト装置を構成する際の有力な手段である。
【０１４４】
［実施例１７］
図１７（Ａ）に示すように、スライドレール１７１１上に位置決めのための導電パターン１７２１１及び１７２１２を、スライドレール１７１２上に位置決めのための導電パターン１７２２１及び１７２２２を、スライドレール１７１３上に位置決めのための導電パターン１７２３１及び１７２３２を、スライドレール１７１４上に位置決めのための導電パターン１７２４１及び１７２４２を、それぞれ電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの導電パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、導電パターン１７２１１、１７２２１、１７２３１、及び１７２４１は５μｍ、導電パターン１７２１２、１７２２２、１７２３２、及び１７２４２は１μｍとした。
【０１４５】
図１７（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠１７３に図１７（Ａ）のスライドレール１７１１、１７１２を並列する方向に、スライドレール１７１３、１７１４を並列する方向に設置し、かつスライドレール１７１１、１７１２とスライドレール１７１３、１７１４が交差する方向に設置する。
【０１４６】
スライドレール１７１１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１７４１の支持機構を持ったスライダ部材１７５１を設置し、スライドレール１７１２上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１７４２の支持機構を持ったスライダ部材１７５２を設置し、スライドレール１７１３上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１７４３の支持機構を持ったスライダ部材１７５３を設置し、スライドレール１７１４上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１７４４の支持機構を持ったスライダ部材１７５４を設置する。スライドレールと垂直方向の、光ファイバ１７４１と光ファイバ１７４３の距離、光ファイバ１７４２と光ファイバ１７４３の距離、光ファイバ１７４１と光ファイバ１７４４の距離、光ファイバ１７４２と光ファイバ１７４４の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材１７５１、１７５２、１７５３及び１７５４周辺の拡大図を図１７（Ｃ）に示す。
【０１４７】
スライダ部材１７５１には、位置決めのための導電パターン１７２１１に接触する導電性プローブ１７７１１が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８１１を介して、又、位置決めのための導電パターン１７２１２に接触する導電性プローブ１７７１２が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８１２を介して、取り付けられている。スライダ部材１７５２には、位置決めのための導電パターン１７２２１に接触する導電性プローブ１７７２１が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８２１を介して、又、位置決めのための導電パターン１７２２２に接触する導電性プローブ１７７２２が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８２２を介して、取り付けられている。スライダ部材１７５３には、位置決めのための導電パターン１７２３１に接触する導電性プローブ１７７３１が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８３１を介して、又、位置決めのための導電パターン１７２３２に接触する導電性プローブ１７７３２が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８３２を介して、取り付けられている。そして、スライダ部材１７５４には、位置決めのための導電パターン１７２４１に接触する導電性プローブ１７７４１が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８４１を介して、又、位置決めのための導電パターン１７２４２に接触する導電性プローブ１７７４２が、弾性体であるプローブ支持ばね１７８４２を介して、取り付けられている。導電の有無の検出は、実施例１〜４と同様に導電性プローブから引き出されるリード線と、導電性パターンに接触するリード線を結ぶ閉回路に電圧を印加し、電流が流れるか否かで検出する。この様子を図１７（Ｄ）に示す。
【０１４８】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例２〜４と同様である。本実施例も実施例２〜４と同様、導電パターンが疎、密の２種類あるため、切替時間を短く抑えることが出来る。この場合も、切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例１に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例２〜４、及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【０１４９】
光ファイバ１７４３を最適位置に止め、光ファイバ１７４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１７４３を最適位置に止め、光ファイバ１７４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１７（Ｅ）に示す。又、光ファイバ１７４４を最適位置に止め、光ファイバ１７４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１７４４を最適位置に止め、光ファイバ１７４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１７（Ｆ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例１〜４と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１５０】
図１７（Ｅ）、図１７（Ｆ）から分かるように、本実施例１７の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１７の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【０１５１】
本実施例１７では、前面と後面に存在する光ファイバの全ての組み合わせについての結果を示したが、全て同様な結果となるのは容易に予想できたことである。又、光ファイバ１７４１を最適位置に止め光ファイバ１７４３をスキャンさせた場合、光ファイバ１７４２を最適位置に止め、光ファイバ１７４３を最適位置近辺でスキャンさせた場合、光ファイバ１７４１を最適位置に止め、光ファイバ１７４４をスキャンさせた場合、そして、光ファイバ１７４２を最適位置に止め、光ファイバ１７４４を最適位置近辺でスキャンさせたときも同様の結果となることは明らかである。
【０１５２】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る２ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【０１５３】
又、この構成を応用することにより２ｘ２以上の入力数、出力数をもつＮｘＮの光スイッチを容易に構成することが出来る。この構成によると、ある入力信号を既に利用されていない任意の出力先に、他の入力〜出力の経路に左右されずに独立に出力できる完全非閉塞性を容易に実現することができる。これは、今後の光通信網の発展に伴う、大規模な光クロスコネクト装置を構成する際の有力な手段である。
【０１５４】
［実施例１８］
図１８（Ａ）に示すように、スライドレール１８１１上に位置決めのための凹凸パターン１８２１１及び１８２１２を、スライドレール１８１２上に位置決めのための凹凸パターン１８２２１及び１８２２２を、スライドレール１８１３上に位置決めのための凹凸パターン１８２３１及び１８２３２を、スライドレール１８１４上に位置決めのための凹凸パターン１８２４１及び１８２４２を、それぞれ電子線リソグラフィなどで作製する。１つ１つの凹凸パターンのスライドレール方向の幅は、光ファイバの位置決め精度として光ファイバのコア径である数μｍが要求されることを考えて、凹凸パターン１８２１１、１８２２１、１８２３１、及び１８２４１は５μｍ、凹凸パターン１８２１２、１８２２２、１８２３２、及び１８２４２は１μｍとした。
【０１５５】
図１８（Ｂ）に示すように、略矩形状の支持枠１８３に図１８（Ａ）のスライドレール１８１１、１８１２を並列する方向に、スライドレール１８１３、１８１４を並列する方向に設置し、かつスライドレール１８１１、１８１２とスライドレール１８１３、１８１４が交差する方向に設置する。
【０１５６】
スライドレール１８１１上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１８４１の支持機構を持ったスライダ部材１８５１を設置し、スライドレール１８１２上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１８４２の支持機構を持ったスライダ部材１８５２を設置し、スライドレール１８１３上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１８４３の支持機構を持ったスライダ部材１８５３を設置し、スライドレール１８１４上にスライドレール上を可動できる、光ファイバ１８４４の支持機構を持ったスライダ部材１８５４を設置しする。スライドレールと垂直方向の、光ファイバ１８４１と光ファイバ１８４３の距離、光ファイバ１８４２と光ファイバ１８４３の距離、光ファイバ１８４１と光ファイバ１８４４の距離、光ファイバ１８４２と光ファイバ１８４４の距離は、光接続の際の損失が無視できるほどの距離を保つようにする。スライダ部材１８５１、１８５２、１８５３及び１８５４周辺の拡大図を図１８（Ｃ）に示す。
【０１５７】
スライダ部材１８５１には、位置決めのための凹凸パターン１８２１１に接触する凹凸検出プローブ１８７１１が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８１１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１８２１２に接触する凹凸検出プローブ１８７１２が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８１２を介して、取り付けられている。スライダ部材１８５２には、位置決めのための凹凸パターン１８２２１に接触する凹凸検出プローブ１８７２１が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８２１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１８２２２に接触する凹凸検出プローブ１８７２２が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８２２を介して、取り付けられている。スライダ部材１８５３には、位置決めのための凹凸パターン１８２３１に接触する凹凸検出プローブ１８７３１が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８３１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１８２３２に接触する凹凸検出プローブ１８７３２が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８３２を介して、取り付けられている。そして、スライダ部材１８５４には、位置決めのための凹凸パターン１８２４１に接触する凹凸検出プローブ１８７４１が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８４１を介して、又、位置決めのための凹凸パターン１８２４２に接触する凹凸検出プローブ１８７４２が、弾性体であるプローブ支持ばね１８８４２を介して、取り付けられている。ここでは実施例５、６、１０、１４と同様に、凹凸検出プローブとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用のプローブ（ＡＦＭプローブ）を用いた。そして、ＡＦＭプローブにレーザー光線を当て、プローブから反射してくるレーザーの光量をフォトダイオードにより検出する。凹凸パターンによってＡＦＭプローブが上下すると、フォトダイオードに入射する光量が変化するため、この変化を検出することにより凹凸情報を検出することが出来る。この様子を図１８（Ｄ）に示す。ここでは凹凸検出プローブとしてＡＦＭプローブを用いたが、凹凸情報によるプローブの上下動を何らかの形で検出できるものであれば、他のプローブでも良い。
【０１５８】
スライドレール方向の最適位置の検出方法は、実施例２〜４と同様である。本実施例も実施例２〜４と同様、凹凸パターンが疎、密の２種類あるため、切替時間を短く抑えることが出来る。この場合も、切替時間の抑制が必ずしも必要ない場合は、実施例１に示した位置決め機構でも構わない。しかしながら、今後の光クロスコネクト装置の大規模化への応用を考慮すると、切替時間を抑えられる実施例２〜４、及び本実施例の位置決め機構の方が望ましい。
【０１５９】
光ファイバ１８４３を最適位置に止め、光ファイバ１８４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１８４３を最適位置に止め、光ファイバ１８４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１８（Ｅ）に示す。又、光ファイバ１８４４を最適位置に止め、光ファイバ１８４１を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失、及び光ファイバ１８４４を最適位置に止め、光ファイバ１８４２を最適位置周辺でスキャンさせたときの、入力光のパワーと出力光のパワーを比べたときの伝送損失を図１８（Ｆ）に示す。これらの図では、光損失が最小となる点を原点に取ってある。この実験にあたっては、実施例１〜４と同様に、２つの光ファイバの接合場所での正味の光損失を検出するため、光ファイバの長さは光ファイバ内での光損失が無視できるほどの長さに取った。
【０１６０】
図１８（Ｅ）、図１８（Ｆ）から分かるように、本実施例１８の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の少ない、精密な光ファイバの位置決めが出来ることが分かる。又、本実施例１８の光ファイバスライド位置決め機構を用いると、伝送損失の小さい領域がファイバのスキャンのステップ幅よりも遙かに広くとれるため、最適位置から多少のずれが生じた場合でも、伝送損失が急激に悪化することはない。
【０１６１】
本実施例１８では、前面と後面に存在する光ファイバの全ての組み合わせについての結果を示したが、全て同様な結果となるのは容易に予想できたことである。又、光ファイバ１８４１を最適位置に止め光ファイバ１８４３をスキャンさせた場合、光ファイバ１８４２を最適位置に止め、光ファイバ１８４３を最適位置近辺でスキャンさせた場合、光ファイバ１８４１を最適位置に止め、光ファイバ１８４４をスキャンさせた場合、そして、光ファイバ１８４２を最適位置に止め、光ファイバ１８４４を最適位置近辺でスキャンさせたときも同様の結果となることは明らかである。
【０１６２】
以上の構成により、光ファイバを容易に精密に位置決めすることの出来る２ｘ２光スイッチとすることが出来る。
【０１６３】
又、この構成を応用することにより２ｘ２以上の入力数、出力数をもつＮｘＮの光スイッチを容易に構成することが出来る。この構成によると、ある入力信号を既に利用されていない任意の出力先に、他の入力〜出力の経路に左右されずに独立に出力できる完全非閉塞性を容易に実現することができる。これは、今後の光通信網の発展に伴う、大規模な光クロスコネクト装置を構成する際の有力な手段である。
【０１６４】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、位置情報記憶手段と位置情報検出プローブによる精密な位置決めセンサにより、光ファイバのコア径である数μｍの位置決め精度をもつ新規な光スイッチとすることが出来る。この位置決め精度をもつ光ファイバ接続機構により、複数×複数の光ファイバ接続切替を任意に行うことが出来る新規な大規模光スイッチを容易に構成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図２】本発明の実施例２における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図３】本発明の実施例３における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図４】本発明の実施例４における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図５】本発明の実施例５における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図６】本発明の実施例６における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図７】本発明の実施例７における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図８】本発明の実施例８における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図９】本発明の実施例９における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１０】本発明の実施例１０における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１１】本発明の実施例１１における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１２】本発明の実施例１２における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１３】本発明の実施例１３における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１４】本発明の実施例１４における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１５】本発明の実施例１５における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１６】本発明の実施例１６における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１７】本発明の実施例１７における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１８】本発明の実施例１８における光スイッチの形態を示す概略図である。
【図１９】本発明における光スイッチの概略図である。
【符号の説明】
１１  支持枠
１２  ＩＤ／ＭＲヘッド
１３  光ファイバ
１４  スライダ部材
１５  スライドレール
１６  光ファイバ
１７  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
２１  ＭＲヘッド
３１  スライドレール
３２  導電パターン
３３  支持枠
３４  光ファイバ
３５  スライダ部材
３６  光ファイバ
３７  導電性プローブ
３８  プローブ支持ばね
４１  スライドレール
４２１  導電パターン
４２２  導電パターン
４３  支持枠
４４  光ファイバ
４５  スライダ部材
４６  光ファイバ
４７１  導電性プローブ
４７２  導電性プローブ
４８１  プローブ支持ばね
４８２  プローブ支持ばね
５１  スライドレール
５２  凹凸パターン
５３  支持枠
５４  光ファイバ
５５  スライダ部材
５６  光ファイバ
５７  凹凸検出プローブ
５８  プローブ支持ばね
６１  スライドレール
６２１  凹凸パターン
６２２  凹凸パターン
６３  支持枠
６４  光ファイバ
６５  スライダ部材
６６  光ファイバ
６７１  凹凸検出プローブ
６７２  凹凸検出プローブ
６８１  プローブ支持ばね
６８２  プローブ支持ばね
７６１  光ファイバ
７６２  光ファイバ
８６１  光ファイバ
８６２  光ファイバ
９１  スライドレール
９２１  導電パターン
９２２  導電パターン
９３  支持枠
９４  光ファイバ
９５  スライダ部材
９６１  光ファイバ
９６２  光ファイバ
９７１  導電性プローブ
９７２  導電性プローブ
９８１  プローブ支持ばね
９８２  プローブ支持ばね
１０１  スライドレール
１０２１  凹凸パターン
１０２２  凹凸パターン
１０３  支持枠
１０４  光ファイバ
１０５  スライダ部材
１０６１  光ファイバ
１０６２  光ファイバ
１０７１  凹凸検出プローブ
１０７２  凹凸検出プローブ
１０８１  プローブ支持ばね
１０８２  プローブ支持ばね
１１１１  スライドレール
１１１２  スライドレール
１１２１  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１１２２  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１１４１  光ファイバ
１１４２  光ファイバ
１１５１  スライダ部材
１１５２  スライダ部材
１１７１  ＩＤ／ＭＲヘッド
１１７２  ＩＤ／ＭＲヘッド
１２４１  光ファイバ
１２４２  光ファイバ
１２７１  ＭＲヘッド
１２７２  ＭＲヘッド
１３１１  スライドレール
１３１２  スライドレール
１３２１１  導電パターン
１３２１２  導電パターン
１３２２１  導電パターン
１３２２２  導電パターン
１３３  支持枠
１３４１  光ファイバ
１３４２  光ファイバ
１３５１  スライダ部材
１３５２  スライダ部材
１３７１１  導電性プローブ
１３７１２  導電性プローブ
１３７２１  導電性プローブ
１３７２２  導電性プローブ
１３８１１  プローブ支持ばね
１３８１２  プローブ支持ばね
１３８２１  プローブ支持ばね
１３８２２  プローブ支持ばね
１４１１  スライドレール
１４１２  スライドレール
１４２１１  凹凸パターン
１４２１２  凹凸パターン
１４２２１  凹凸パターン
１４２２２  凹凸パターン
１４３  支持枠
１４４１  光ファイバ
１４４２  光ファイバ
１４５１  スライダ部材
１４５２  スライダ部材
１４７１１  凹凸検出プローブ
１４７１２  凹凸検出プローブ
１４７２１  凹凸検出プローブ
１４７２２  凹凸検出プローブ
１４８１１  プローブ支持ばね
１４８１２  プローブ支持ばね
１４８２１  プローブ支持ばね
１４８２２  プローブ支持ばね
１５１１  スライドレール
１５１２  スライドレール
１５１３  スライドレール
１５１４  スライドレール
１５２１  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１５２２  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１５２３  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１５２４  Ｃｏ75Ｃｒ25磁気記録媒体
１５４１  光ファイバ
１５４２  光ファイバ
１５４３  光ファイバ
１５４４  光ファイバ
１５５１  スライダ部材
１５５２  スライダ部材
１５５３  スライダ部材
１５５４  スライダ部材
１５７１  ＩＤ／ＭＲヘッド
１５７２  ＩＤ／ＭＲヘッド
１５７３  ＩＤ／ＭＲヘッド
１５７４  ＩＤ／ＭＲヘッド
１６４１  光ファイバ
１６４２  光ファイバ
１６４３  光ファイバ
１６４４  光ファイバ
１６７１  ＭＲヘッド
１６７２  ＭＲヘッド
１６７３  ＭＲヘッド
１６７４  ＭＲヘッド
１７１１  スライドレール
１７１２  スライドレール
１７１３  スライドレール
１７１４  スライドレール
１７２１１  導電パターン
１７２１２  導電パターン
１７２２１  導電パターン
１７２２２  導電パターン
１７２３１  導電パターン
１７２３２  導電パターン
１７２４１  導電パターン
１７２４２  導電パターン
１７３  支持枠
１７４１  光ファイバ
１７４２  光ファイバ
１７４３  光ファイバ
１７４４  光ファイバ
１７５１  スライダ部材
１７５２  スライダ部材
１７５３  スライダ部材
１７５４  スライダ部材
１７７１１  導電性プローブ
１７７１２  導電性プローブ
１７７２１  導電性プローブ
１７７２２  導電性プローブ
１７７３１  導電性プローブ
１７７３２  導電性プローブ
１７７４１  導電性プローブ
１７７４２  導電性プローブ
１７８１１  プローブ支持ばね
１７８１２  プローブ支持ばね
１７８２１  プローブ支持ばね
１７８２２  プローブ支持ばね
１７８３１  プローブ支持ばね
１７８３２  プローブ支持ばね
１７８４１  プローブ支持ばね
１７８４２  プローブ支持ばね
１８１１  スライドレール
１８１２  スライドレール
１８１３  スライドレール
１８１４  スライドレール
１８２１１  凹凸パターン
１８２１２  凹凸パターン
１８２２１  凹凸パターン
１８２２２  凹凸パターン
１８２３１  凹凸パターン
１８２３２  凹凸パターン
１８２４１  凹凸パターン
１８２４２  凹凸パターン
１８３  支持枠
１８４１  光ファイバ
１８４２  光ファイバ
１８４３  光ファイバ
１８４４  光ファイバ
１８５１  スライダ部材
１８５２  スライダ部材
１８５３  スライダ部材
１８５４  スライダ部材
１８７１１  凹凸検出プローブ
１８７１２  凹凸検出プローブ
１８７２１  凹凸検出プローブ
１８７２２  凹凸検出プローブ
１８７３１  凹凸検出プローブ
１８７３２  凹凸検出プローブ
１８７４１  凹凸検出プローブ
１８７４２  凹凸検出プローブ
１８８１１  プローブ支持ばね
１８８１２  プローブ支持ばね
１８８２１  プローブ支持ばね
１８８２２  プローブ支持ばね
１８８３１  プローブ支持ばね
１８８３２  プローブ支持ばね
１８８４１  プローブ支持ばね
１８８４２  プローブ支持ばね
【図１】
0003797132.tif 000002
【図２】
0003797132.tif 000003
【図３】
0003797132.tif 000004
【図４】
0003797132.tif 000005
【図５】
0003797132.tif 000006
【図６】
0003797132.tif 000007
【図７】
0003797132.tif 000008
【図８】
0003797132.tif 000009
【図９】
0003797132.tif 000010
【図１０】
0003797132.tif 000011
【図１１】
0003797132.tif 000012
【図１２】
0003797132.tif 000013
【図１３】
0003797132.tif 000014
【図１４】
0003797132.tif 000015
【図１５】
0003797132.tif 000016
【図１６】
0003797132.tif 000017
【図１７】
0003797132.tif 000018
【図１８】
0003797132.tif 000019
【図１９】
0003797132.tif 000020