(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
元素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ばれた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であり、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７≦ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満たす、高周波用誘電体磁器。
【請求項２】
誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器であって、前記誘電体磁器は、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器からなる、誘電体共振器。
【請求項３】
前記誘電体磁器の表面に銅めっき導体が形成されている、請求項２に記載の誘電体共振器。
【請求項４】
請求項２または３に記載の誘電体共振器と、前記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備える、誘電体フィルタ。
【請求項５】
少なくとも２つの誘電体フィルタと、前記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項４に記載の誘電体フィルタである、誘電体デュプレクサ。
【請求項６】
請求項５に記載の誘電体デュプレクサと、前記誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、前記送信用回路に接続される前記入出力接続手段とは異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える、通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体磁器、ならびに、それを用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料として、誘電体磁器が広く利用されている。
【０００３】
たとえば、移動体通信端末機器において用いられる誘電体磁器としては、このような移動体通信端末機器の小型化を実現するため、比誘電率εr が高く、また、めっき膜の密着強度の高いものが主として用いられている。より具体的には、この用途に向けられる誘電体磁器として、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＰｂＯ系やＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 系のεr が９０のもの、あるいは、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 系のεr が１１０のものなどが主に用いられている。
【０００４】
しかしながら、最近の移動体通信の発展に伴い、利用周波数帯域が高周波側にシフトし、波長が短くなったため、共振器の軸長が短くなり過ぎ、無負荷Ｑが低下するという新たな問題に遭遇し始めている。
【０００５】
そこで、εr が比較的低く、高いＱ値を有し、共振周波数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃にできるだけ近く、さらに、めっき膜の密着強度の高い誘電体磁器の実現が望まれている。また、τf を０ｐｐｍ／℃付近に保ちながら、εr を調節できる材料は、素子設計の自由度を大幅に向上させることができるので、このような誘電体磁器の実現も望まれている。
【０００６】
これに関して、現在までのところ、以下のような誘電体磁器が提案されている。
【０００７】
特開平３−２１６９１１号公報では、（ＢａＯ，ＭｇＯ）−Ｒｅ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の材料（Ｒｅはランタニド系希土類元素）であって、ＢａＯの５０モル％以下をＭｇＯで置換した誘電体磁器が提案されている（第１の従来技術）。このように、ＢａＯをＭｇＯで置換することにより、εr やＱ値を大きく変えることなく、τf 特性を向上させることができる。
【０００８】
次に、特開平２−２５２６５４号公報では、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＭｎＯ2 −ＭｇＯの組成を有する誘電体磁器が提案されている（第２の従来技術）。この誘電体磁器によれば、εr が３９から４４であって、良好な誘電特性を得ている。
【０００９】
次に、特公昭６１−１３３２６号公報では、ＺｒＯ−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系の組成を有する誘電体磁器が提案されている（第３の従来技術）。この誘電体磁器によれば、εr が３０から４０であって、良好な誘電特性を得ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した第１ないし第３の従来技術には、それぞれ、以下のような解決されるべき課題がある。
【００１１】
まず、第１の従来技術では、組成中のＭｇＯが少なく、Ｒｅ2 Ｏ3 が多いため、Ｑ値が十分に高くなく、τf も実用上問題となる特性である。
【００１２】
次に、第２の従来技術では、τf が０ｐｐｍ／℃付近であるという特性を実現しているが、組成中のＭｇＯが少なく（１モル％以下）、εr が４０前後というように実質的に固定されてしまう。
【００１３】
次に、第３の従来技術では、誘電特性は良好であるが、めっき膜の密着強度が低いという問題がある。
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述したような種々の問題を解決し得る高周波用誘電体磁器を提供しようとすることである。
【００１５】
この発明の他の目的は、上述したような高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供しようとすることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、上述した技術的課題を解決するため、元素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ばれた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であり、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７≦ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満たすことを特徴としている。
【００１８】
この発明は、また、誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器にも向けられる。この発明に係る誘電体共振器において、誘電体磁器が、上述したこの発明に係る高周波用誘電体磁器からなることを特徴としている。
【００１９】
上述した誘電体磁器の表面に、好ましくは、銅めっき導体が形成される。
【００２０】
また、この発明は、上述した誘電体共振器と、この誘電体共振器の入出力端子に接続される外部接合手段とを備える、誘電体フィルタにも向けられる。
【００２１】
この発明は、また、少なくとも２つの誘電体フィルタと、誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサにも向けられる。この発明に係る誘電体デュプレクサにおいて、誘電体フィルタの少なくとも１つが上述したこの発明に係る誘電体フィルタであることを特徴としている。
【００２２】
この発明は、さらに、上述の誘電体デュプレクサと、この誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、この送信用回路に接続される上述の入出力手段とは異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える、通信機装置にも向けられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
まず、この発明に係る高周波用誘電体磁器が適用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置について説明する。
【００２４】
図１は、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器の一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示した誘電体共振器１の中央縦断正面図である。
【００２５】
誘電体共振器１は、貫通孔２を有する角柱状の誘電体磁器３を備えている。誘電体磁器３の貫通孔２の内面上には、内導体４が形成され、他方、誘電体磁器３の外面上には、外導体５が形成されている。
【００２６】
誘電体磁器３に入出力端子すなわち外部結合手段を電磁界結合させることにより、誘電体共振器１は共振器として作動する。
【００２７】
このような誘電体共振器１に備える誘電体磁器３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成される。
【００２８】
また、内導体４および外導体５は、銅めっき膜によって形成される。これによって、生産性を高め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
【００２９】
上述の銅めっき膜は、たとえば無電解めっきによって形成される。後述する実験例から明らかになるように、この発明に係る高周波用誘電体磁器は、このような銅めっき膜に対して、高い密着強度を与えることができる。より具体的には、めっき膜の密着強度を、ＪＩＳ  Ｈ  ８５０４の「めっきの密着性試験方法」に基づいて求めた場合、この発明に係る高周波用誘電体磁器は、銅めっき膜に対して、実用上十分な７０Ｎ／２ｍｍ□以上の密着強度を与えることができる。
【００３０】
なお、図１に示した誘電体共振器１は、角柱状の誘電体磁器３を備え、ＴＥＭモードの誘電体共振器の一例であったが、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモード、ＴＥモードなどの誘電体共振器においても、そこに備える誘電体磁器として、この発明に係る高周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
【００３１】
図３は、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体フィルタの一例を示す斜視図である。
【００３２】
図３に示した誘電体フィルタ１１は、貫通孔１２を有する誘電体磁器１３を備えている。誘電体磁器１３の貫通孔１２の内面上には、銅めっき膜からなる内導体１４が形成され、誘電体磁器１３の外面上には、同じく銅めっき膜からなる外導体１５が形成されている。
【００３３】
上述の誘電体磁器１３ならびに内導体１４および外導体１５をもって、誘電体共振器が構成され、この誘電体共振器には、外部結合手段１６が形成され、それによって、誘電体フィルタ１１が構成される。
【００３４】
このような誘電体フィルタ１１において、誘電体磁器１３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成される。
【００３５】
なお、図３に示した誘電体フィルタ１１は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリートタイプの誘電体フィルタにおいても、この発明に係る高周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
【００３６】
図４は、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体デュプレクサの一例を示す斜視図である。
【００３７】
図４に示した誘電体デュプレクサ２１は、貫通孔２２を有する誘電体磁器２３を備えている。誘電体磁器２３における貫通孔２２の内面上には、銅めっき膜からなる内導体２４が形成され、他方、誘電体磁器２３の外面上には、同じく銅めっき膜からなる外導体２５が形成されている。
【００３８】
上述の誘電体磁器２３ならびに内導体２４および外導体２５によって、誘電体共振器を備えた２つの誘電体フィルタが構成される。そして、誘電体デュプレクサ２１は、一方の誘電体フィルタに接続される入力接続手段２６と、他方の誘電体フィルタに接続される出力接続手段２７と、これら誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段２８とをさらに備えている。
【００３９】
このような誘電体デュプレクサ２１において、誘電体磁器２３は、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成される。
【００４０】
なお、図４に示した誘電体デュプレクサ２１は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリートタイプの誘電体デュプレクサにおいても、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いることができる。ディスクリートタイプの誘電体デュプレクサの場合には、そこに構成される複数の誘電体フィルタのすべてにおいて、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いる必要はない。すなわち、少なくとも１つの誘電体フィルタにおいて、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いればよい。
【００４１】
図５は、上述の図４に例示したような誘電体デュプレクサを用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。
【００４２】
図５に示した通信機装置３１は、誘電体デュプレクサ３２、送信用回路３３、受信用回路３４およびアンテナ３５を含む。
【００４３】
送信用回路３３は、誘電体デュプレクサ３２の入力接続手段３６に接続され、受信用回路３４は、誘電体デュプレクサ３２の出力接続手段３７に接続される。また、アンテナ３５は、誘電体デュプレクサ３２のアンテナ接続手段３８に接続される。
【００４４】
誘電体デュプレクサ３２は、２つの誘電体フィルタ３９および４０を含む。誘電体フィルタ３９および４０は、誘電体共振器に外部結合手段を接続して構成されるものである。図示の実施形態では、たとえば、図１に示した誘電体共振器１にそれぞれ外部結合手段４１を接続して、誘電体フィルタ３９および４０の各々が構成される。そして、一方の誘電体フィルタ３９は、入力接続手段３６と他方の誘電体フィルタ４０との間に接続され、他方の誘電体フィルタ４０は、一方の誘電体フィルタ３９と出力接続手段３７との間に接続される。
【００４５】
次に、図１に示した誘電体磁器３、図３に示した誘電体磁器１３および図４に示した誘電体磁器２３などにおいて、それらを構成するために有利に用いられる、この発明に係る高周波用誘電体磁器について説明する。
【００４６】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、元素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ばれた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であり、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７≦ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満たすことを特徴としている。
【００４７】
上述のように、ａ（モル％）の範囲を、１４．３≦ａ≦５７．０としたのは、ａが５７．０モル％を超えると、τf が負側に大きくなり過ぎ、他方、ａが１４．３モル％未満では、Ｑ値が低下するためである。
【００４８】
また、ｂ（モル％）の範囲を、０．７≦ｂ≦９．０としたのは、ｂが９．０モル％を超えると、Ｑ値が低下し、他方、ｂが０．７モル％未満では、τf が負側に大きくなり過ぎるためである。
【００４９】
さらに、ｃ（モル％）の範囲を、０．７＜ｃ≦１０．０としたのは、ｃが１０．０モル％を超えると、Ｑ値が大幅に低下し、実用上問題となり、他方、ｃが０．７モル％以下では、τf が負側に大きくなり過ぎるためである。
【００５０】
また、Ｒｅ2 Ｏn におけるランタニド系希土類元素としてのＲｅを、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒに限定したのは、これらのランタニド系希土類元素のいずれかを適当な組成比で含有させることにより、εr を１７から７５の範囲としながら、τf を０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御できるからである。
【００５１】
このように、この発明に係る高周波用誘電体磁器によれば、εr を１９から５２の範囲としながら、高いＱ値を得ることができ、かつτf を小さくすることができ、さらに、密着強度の高いめっき膜を形成することができる。
【００５４】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、特定の組成を有する仮焼物を焼成して得られた焼結体であるが、この仮焼物を得るにあたっては、高周波用誘電体磁器のための出発原料をすべて一括して混合した状態で仮焼を行なっても、あるいは、高周波用誘電体磁器のための出発原料の一部のみ、たとえば、ＭｇＯとＴｉＯ2 の少なくとも一部とを調合しかつ混合した状態で仮焼し、第１の仮焼物を得、他方、残りの出発原料を調合しかつ混合した状態で仮焼し、第２の仮焼物を得、これら第１および第２の仮焼物を粉砕・混合したものを仮焼物としてもよい。いずれの場合でも、同様の良好な特性を得ることができる。
【００５５】
この発明に係る誘電体磁器において、前述した組成物を主成分としながら、これに、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｙ、Ｐｂ、Ｂの各成分が添加されてもよい。これらは、その添加成分の種類にもよるが、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 の各々に換算して、ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。たとえば、ＳｉＯ2 を０．５重量部以下添加すると、無添加の場合よりも焼結温度を低下させることができるため、誘電体磁器の製造が容易になる。
【００５６】
また、誘電体磁器の出発素材（原料）には、酸化物の他に、水酸化物、炭酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等を用いても、同様の特性を得ることができる。
【００５７】
次に、この発明に係る高周波用誘電体磁器によって得られる効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５８】
（実験例１）
誘電体磁器の出発原料として、ＭｇＯ、ＢａＣＯ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｐｒ6 Ｏ11、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 の各粉末を準備した。
【００５９】
次に、表１ないし表３に示す組成比率を有する各試料に係る誘電体磁器が得られるように、上述の出発原料粉末を調合し、混合した後、大気中において、１０００〜１２００℃の温度で１時間以上仮焼した。次いで、各仮焼物を粉砕し混合し、これに有機バインダを加えた。
【００６０】
なお、表１ないし表３において、「組成」の欄にあるＭｇＯ、ＢａＯ、Ｒｅ2 Ｏn およびＴｉＯ2 の組成比率はモル％で示し、「Ｒｅ」の欄には、用いたＲｅの元素が示されるとともに、２種類以上のＲｅを用いた試料については、その混合割合がモル比で示されている。
【００６１】
次に、上述の有機バインダを加えた仮焼物を、直径１５ｍｍおよび厚さ７．５ｍｍの円柱状に成形加工した後、大気中において、１２００〜１４００℃の温度で焼成し、円柱状の焼結体を得た。
【００６２】
このようにして得られた各試料に係る円柱状の焼結体を適当な大きさに切り出し、各試料について、２５℃の温度かつ測定周波数３〜７ＧＨｚ付近における比誘電率εr およびＱをそれぞれ求めるとともに、２５〜５５℃の温度における共振周波数の温度係数τf を求めた。これらの結果が、表１ないし表３に示されている。
【００６３】
【表１】
0003791427.tif 000002
【００６４】
【表２】
0003791427.tif 000003
【００６５】
【表３】
0003791427.tif 000004
【００６６】
表１ないし表３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。試料番号に△を付したものも、この発明の範囲外の試料であるが、＊を付したものより好ましい結果が得られている。
【００６７】
表１ないし表３、特に表１および表３に示すように、ａ＞５７．０モル％では、試料１および３９のように、τf が負側に大きくなっている。他方、ａ＜１４．３モル％では、試料３４、３５、３７、３８および４２〜４４のように、Ｑ値が低下している。
【００６８】
また、ｂ＞９．０モル％では、試料３２〜３４、３６〜３８および４４のように、Ｑ値が低下している。他方、ｂ＜０．７モル％では、試料１、３、４、３９および４１のように、τf が負側に大きくなっている。
【００６９】
さらに、ｃ＞１０．０モル％では、試料２６のように、τf が負側に大きくなったり、試料３２〜３８および４２〜４４のように、Ｑ値が低下したりしている。他方、ｃ≦０．７モル％では、試料１〜３、３９および４０のように、τf が負側に大きくなっている。
【００７０】
これらに対して、表１ないし表３に示した試料５〜２５および２７〜３１によれば、ａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 の組成において、ａ、ｂおよびｃの各々のモル％で表わした範囲が、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７≦ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満たしているので、εr が１９から５２の範囲にあり、９０００以上の比較的高いＱ値を与え、かつτf が±１５ｐｐｍ／℃以内であり、実用上優れた誘電体磁器を実現することができる。
【００７１】
また、試料１〜３８の間で比較すると、Ｒｅ2 Ｏn におけるＲｅの選択およびＲｅ2 Ｏn の組成比の選択により、τf を、０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御できることがわかる。
【００７３】
（実験例２）
実験例１において得られた、この発明の範囲内にある試料１〜３８の各々に係る仮焼物に、有機バインダを加えて、短辺長さ３ｍｍ、厚み３ｍｍおよび長辺長さ６ｍｍの寸法の角筒状となるように成形加工した後、大気中において、１２００〜１４００℃の温度で焼成し、角筒状の焼結体を得た。
【００７４】
このようにして得られた各試料に係る角筒状の焼結体を、フッ酸および塩酸を含む、６０℃の温度のエッチング浴に、１０〜２０分間浸し、焼結体の表面をエッチング処理し、その後、無電解銅めっきにより、厚さ２〜５μｍのめっき膜を形成した。
【００７５】
次に、これら各試料について、所望の周波数となるようにチューニングを行ない、無負荷Ｑを求めた。また、めっき膜の密着強度を求めるため、Ｌ字状に屈曲されたワイヤの屈曲部を介して一方側を、めっき膜に２ｍｍ□の面積で半田付けした後、ワイヤの屈曲部を介して他方側を、めっき膜に対して垂直方向に引っ張り、めっき膜が焼結体から引き剥がされた時点での力を測定した。
【００７６】
これらの結果が、表４に示されている。
【００７７】
【表４】
0003791427.tif 000005
【００７８】
表４から、この発明の範囲内にある試料５〜２５および２７〜３１を含む試料１〜３８によれば、良好な無負荷Ｑを得ることができるばかりでなく、７０Ｎ／２ｍｍ□以上といった高い密着強度を有するめっき膜を誘電体磁器表面に形成できることを確認することができる。
【００７９】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る高周波用誘電体磁器によれば、比誘電率εr を１９から５２の範囲にしながら、比較的高いＱ値を与えることができる。また、共振周波数の温度係数τf を、０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御することができる。
【００８０】
また、この発明に係る高周波用誘電体磁器によれば、その表面上に形成される銅めっき膜等のめっき膜の密着強度を７０Ｎ／２ｍｍ□以上に高めることができる。
【００８１】
したがって、たとえば誘電体共振器に形成されるべき内導体および外導体を、このような銅めっき膜によって形成することができ、誘電体共振器の生産性を高め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
【００８２】
また、上述のように、めっき膜の密着強度が高められると、誘電体磁器とめっき膜との界面の空隙が減り、したがって、誘電体共振器、誘電体フィルタまたは誘電体デュプレクサに適用された場合、エネルギーロスを少なくすることができ、それゆえ、無負荷Ｑを大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器１を示す斜視図である。
【図２】図１に示した誘電体共振器１の中央縦断正面図である。
【図３】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体フィルタ１１を示す斜視図である。
【図４】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体デュプレクサ２１を示す斜視図である。
【図５】図１に示した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置３１を示すブロック図である。
【符号の説明】
１  誘電体共振器
３，１３，２３  誘電体磁器
１１，３９，４０  誘電体フィルタ
１６，４１  外部結合手段
２１，３２  誘電体デュプレクサ
２６，３６  入力接続手段
２７，３７  出力接続手段
２８，３８  アンテナ接続手段
３１  通信機装置
３３  送信用回路
３４  受信用回路
３５  アンテナ
【図１】
0003791427.tif 000006
【図２】
0003791427.tif 000007
【図３】
0003791427.tif 000008
【図４】
0003791427.tif 000009
【図５】
0003791427.tif 000010