(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ付きフェルール又は光ファイバと、光学部品と、光結合のための基板とよりなる光通信装置において、基板が半導体ベンチと保持基板よりなり、前記半導体ベンチが、Ｓｉ単結晶若しくはＧａＡｓ単結晶、ＩｎＰ単結晶基板であり、前記保持基板がセラミック、若しくはプラスチックあるいは液晶ポリマーであり、光ファイバ付きフェルール又は光ファイバの片側と光学部品の結合部がエッチングによって形成されたＶ溝を有する半導体ベンチを用いて行われ、光ファイバ付きフェルール又は光ファイバの反対側の一部分が上記半導体ベンチとは異なる保持基板によって固定され、半導体ベンチと保持基板の全体がリードフレームの上にマウントされ、フェルール又は光ファイバの先端とリード部分が露出するように樹脂でモールドした事を特徴とする光通信装置。
【請求項２】
保持基板へのフェルール若しくは光ファイバの固定手段が、保持基板に穿たれたファイバ固定溝にフェルール或いは光ファイバを挿入し樹脂によって固定するものであることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項３】
上記光学部品が、発光素子（ＬＤ、ＬＥＤ）受光素子（ＰＤ、ＡＰＤ）、ミラー、ＷＤＭフィルタ、分光素子のいずれか、あるいはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１或いは２に記載の光通信装置。
【請求項４】
半導体ベンチがＳｉベンチであり、Ｓｉベンチの片側にＶ溝を形成して単一モードの光ファイバを固定し、同じＳｉベンチ上の残る片側に、ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ（ＬＤ）を固定し、さらにフェルール又は光ファイバを固定するファイバ固定溝を有する樹脂製の保持基板にフェルールまたは光ファイバとＳｉベンチを固定した事を特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項５】
半導体ベンチがＳｉベンチであり、Ｓｉベンチの片側にＶ溝を形成して単一モードの光ファイバを固定し、同じＳｉベンチ上の残る片側に、ＩｎＧａＡｓＰ系の受光素子を（ＰＤもしくはＡＰＤ）を固定し、さらにフェルール又は光ファイバを固定するファイバ固定溝を有する樹脂製の保持基板にフェルール又は光ファイバとＳｉベンチを固定した事を特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項６】
Ｓｉベンチ上に光ファイバ芯線、送信ＬＤ、モニタＰＤ、受信ＰＤ，ＷＤＭフィルタを実装し、Ｓｉベンチと光ファイバもしくはフェルールを保持基板に固定してなる一芯双方向通信用の請求項１に記載の光通信装置。
【請求項７】
Ｓｉベンチ上に光ファイバ芯線、送信ＬＤ、モニタＰＤ、受信ＰＤ、ハーフミラーを実装し、Ｓｉベンチと光ファイバ若しくはフェルールを保持基板に固定してなる一芯双方向通信用の請求項１に記載の光通信装置。
【請求項８】
Ｓｉベンチ上に光ファイバ芯線と送信ＬＤを実装し、Ｓｉベンチと光ファイバもしくはフェルール、モニタＰＤ、受信ＰＤ、ハーフミラーを保持基板に固定してなる一芯双方向通信用の請求項１に記載の光通信装置。
【請求項９】
Ｓｉベンチ上に光ファイバ芯線と送信ＬＤを実装し、Ｓｉベンチと光ファイバもしくはフェルール部分、モニタＰＤ、受信ＰＤ、ＷＤＭフィルタを保持基板に固定してなる一芯双方向通信用の請求項１に記載の光通信装置。
【請求項１０】
ＰＤの信号を増幅する増幅器を保持基板に設けた事を特徴とする請求項６、７、８、９の何れかに記載の光通信装置。
【請求項１１】
送信光が１．３μｍ帯で受信光が１．５５μｍ帯であるか、或いは送信光が１．５５μｍ帯で受信光が１．３μｍ帯である一芯双方向通信用の請求項６或いは請求項９の何れかに記載の光通信装置。
【請求項１２】
送信光、受信光ともに１．３μｍ帯若しくは１．５５μｍ帯である一芯双方向通信用の請求項７又は請求項８に記載の光通信装置。
【請求項１３】
送信ＬＤがＩｎＧａＡｓＰ系半導体レーザで、受信ＰＤがＩｎＧａＡｓＰ系ＰＤ若しくはＡＰＤであることを特徴とする一芯双方向通信用の請求項１１又は請求項１２に記載の光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信における送信モジュール、受信モジュールもしくは送受信モジュールに関する。特に基板コストを低減できる光通信装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】
送信機の従来例を図１によって説明する。これは現在盛んに製造販売され主流になっている送信モジュールである。
［１．従来例にかかる金属パッケージ半導体発光素子の説明（図１）］
図１によって従来例にかかる半導体発光素子１の例を説明する。これは半導体レ−ザチップ（ＬＤ）２と、モニタ用のフォトダイオード（ＰＤ）チップ３を円筒形金属パッケージに収容したモジュールである。半導体レ−ザチップ２はヘッダ４の隆起部（ポール）５の側面に固定される。チップの面に平行に光を発生するからである。ヘッダ４の底面には、レ−ザチップ２の背面発光の入射する位置に、フォトダイオードチップ３が固定される。ヘッダ４の下面には適数のリードピン６がある。ヘッダ４の素子取り付け面は、キャップ７によって覆われる。
【０００３】
キャップ７の中央部には窓８が開口している。半導体レ−ザ２の光はチップから上下方向に出る。窓８の直上にはレンズ９がある。レンズ９はレンズホルダ−１０によって支持される。レンズホルダ−１０の上にはハウジング１１があって、これの上頂部にはフェルール１２が固定される。フェルール１２は光ファイバ１３の先端を保持する。フェルール１２と光ファイバ１３の端部は斜め（８度）に研磨してある。戻り光が半導体レ−ザ２に入るのを防止するためである。半導体レ−ザ２の光を光ファイバ１３の他端において監視しながらホルダ−１０をヘッダ４に対して位置決めする。さらにハウジング１１をレンズホルダ−１０に対して位置決めする。半導体レ−ザチップ２、フォトダイオードチップ３の各電極はワイヤによってリードピン６の何れかに接続される。
【０００４】
半導体レ−ザ２から出た光はレンズ９によって絞られ、光ファイバ１３の端部に入射する。半導体レ−ザ２は信号によって変調されているから、この光は信号を伝送することになる。半導体レ−ザ２の出力は反対側にあるモニタ用フォトダイオード３によってモニタされる。１．３μｍ〜１．５５μｍの発振波長は半導体層の材料によって決まる。これは金属製のパッケージを用いるので外部ノイズに対して強いし、外部へノイズを与えないので優れたものである。信頼性も高いし実績もある。
【０００５】
ところが、このモジュールはパッケージが高価であるから部品コストが高い。それに光はヘッダ面に対し垂直に進むので、ヘッダ、ＬＤ、ホルダ−、ハウジング、フェルールなどをｘｙ面（ファイバに対し直角の面）とｚ軸方向に調芯しなければならない。調芯に時間がかかるので製造コストも高くなる。プリント基板に取り付けるとパッケージが飛び出て邪魔になる。現在この形状が主流であるがコスト削減の要求が強い。
【０００６】
［２．従来例にかかる送受信モジュール（ＷＤＭフィルタ、ＰＤ、ＬＤ内蔵）］
▲１▼  小楠正大、富岡多寿子、大島茂「レセプタクル型双方向波長多重光モジュール」１９９６年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会Ｃ−２０８、ｐ２０８
によって提案されたものである。図１０に平面図を示す。直方体のハウジング１３０の内部に斜め４５度の方向にＷＤＭフィルタ１３１を取り付け、二方の壁にＬＤ１３２、ＰＤ１３３を取り付けている。ＰＤは表面入射型、ＬＤは表面出射型である。もう一方の壁には外部光ファイバ１３４の端部に取り付けたロッドレンズ１３５が固定される。ＰＤ１３３の直前にはドラムレンズ１３６が設けられる。光ファイバから出た受信光はＷＤＭフィルタで反射されレンズ１３６で収束されてＰＤ１３３に入る。ＬＤ１３２の直前にはドラムレンズ１３７が設けられる。ＬＤから出た送信光はドラムレンズ１３７で絞られてレンズ１３５にはいり光ファイバ１３４を伝搬してゆく。送信光は１．３μｍ帯、受信光は１．５５μｍ帯の光を用いる。三次元的な構造であり軸合わせが不可欠である。ＷＤＭフィルタ、ＬＤ、ＰＤがあり軸合わせの箇所が多くて調芯に時間が掛かる。ハウジングにもコストがかかる。材料コスト、製造コストともに嵩む。安価な送受信モジュールというわけにはゆかない。高価な装置になるから光加入者系の装置として広く普及する見込みはない。
【０００７】
［３．従来例にかかる平面実装型のモジュール］
さらに低コスト化、小型化するために、図２のような表面実装形態のモジュール１４が開発されつつある。これはパッケージ面と光ファイバ面が平行で光は基板面近傍を水平に伝搬する。ファイバとＬＤ、ＰＤの間に空隙が殆ど存在しない。小型であるしプリント基板に実装したとき光ファイバがプリント基板に平行でかさばらない。部品コストを削減できるし調芯も不要であるという利点が期待される。マウント１５の内部にＳｉベンチ１６があってチップや光ファイバはＳｉベンチ１６に取り付けられ、これがマウント（パッケージ）内部に収容される。
【０００８】
Ｓｉベンチ１６の中央部には軸線方向に大Ｖ溝１７、小Ｖ溝１８が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝のある部分とは一段高くなった部分２０に光電変換素子（ＬＤ、ＰＤ、ＬＥＤ、ＡＰＤ）１９が取り付けられる。ここにはメタライズパターンが印刷されている。素子１９は位置合わせマークによって定位置に固定される。大Ｖ溝１７には光ファイバ又はフェルール２１が小Ｖ溝１８にはその先端の光ファイバ芯線２２が押し込まれて固定される。Ｓｉについてはフォトリソグラフィ技術が成熟しているから光ファイバと光電変換素子の間の正確な位置合わせが可能である。Ｓｉ単結晶をベンチに使うのはそのような利点がある。
【０００９】
表面実装型モジュールは、半導体技術の高精度フォトエッチング技術を利用してＳｉベンチ上にファイバを固定するＶ溝１７、１８と、ＬＤ（又はＰＤ）１９を固定するメタライズパターンと、位置合わせマークとを精度良く形成することができる。光ファイバはＶ溝で位置決めされＬＤ、ＰＤはマークを見て正しい位置に取り付けるから光ファイバの軸線上に正しくＬＤ、ＰＤが存在する。ＬＤを発光させて調芯しなくても実装できるのでパッシブアライメントと呼ばれる。この技術により、実装が自動化でき低コスト化が図られる。
【００１０】
さらに外部との光のインターフェイスは、Ｓｉ基板上のより広いＶ溝に固定されたフェルールと外部にある光コネクタのフェルールとのコンタクトによってなされる。外部との電気的なインターフェイスはＳｉベンチ全体を金属製リードフレームのベースメタル１５（マウント）に固定し、ＬＤ（又はＰＤ）のｐ電極、ｎ電極をＡｕワイヤでフレームのリード部分２４（図４）に結線することによってなされる。
その後、全体を樹脂２３によってモールドすると、図４、図５に示すような小型の送信機、受信機が製造される。パッケージも金属でなく樹脂である。これは図１のモジュールに比べ材料コスト、組立コストなどが削減されている。だから表面実装によって小型低価格の送信器受信機を実現できると考えられた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが更なる低コスト化が要求されるようになり、このための新たなる発明が必要となってきた。表面実装にはベースとしてＳｉベンチを使う。ところがＳｉベンチの材料コストがモジュール価格を押し上げる。端末機器が低価額でなければ光加入者系は普及しない。だから低コストということがすこぶる重要である。光加入者系に用いるためには、Ｓｉベンチといえどもコストは無視できない。およそ半導体素子の生産では１枚のウエハから、何個チップがとれるか？ということが最終的なコストを決める。チップ面積が大きいとコストも比例して高くなる。
【００１２】
図２、図３で分かるように、通常高価と考えられるＬＤチップのサイズは例えば０．３ｍｍ角程度（０．０９ｍｍ2）で非常に小さいものである。これに対して、Ｓｉベンチのサイズは大きい。例えば長さ約５ｍｍのフェルールの半分の長さと、同じく約５ｍｍのファイバ露出部分の長さと、かつＬＤチップの実装スペースを加えると、Ｓｉベンチのサイズは長さ約１０ｍｍ程度となる。ＬＤやＰＤのチップ長さの３０倍にもなる。
【００１３】
Ｓｉベンチの幅については、フェルールの外形が１．２５ｍｍ若しくは２．０ｍｍであるが、実装時のハンドリングや、リードフレームへの実装しやすさも考慮すると、４ｍｍから５ｍｍ必要である。必要なＳｉベンチの面積は４０ｍｍ2〜５０ｍｍ2にもなる。従ってＳｉベンチの必要面積は、ＬＤチップの約５００倍もの大面積となる。もちろんＰＤやＬＤの基板はＩｎＰやＧａＡｓであることが多く必ずしもＳｉでない。単位面積あたりの半導体コストは同一でない。半導体の中ではＳｉウエハが最も単位面積コストは低い。が、それでも５０ｍｍ2もの大面積のＳｉ単結晶を必要とする表面実装型モジュールはそれだけで高コストになってしまう。広い面積のＳｉを必要とするＳｉベンチはモジュールの中で全コストを左右する高価な部品となってしまう。
【００１４】
実際、ＬＤ、ＰＤ、パッケージ（樹脂パッケージ）、リードフレーム、Ｓｉベンチなど表面実装型送受信モジュールを構成する要素の中で最も高価なものはＳｉベンチである。送信モジュール、受信モジュール、送受信モジュールの価格をさらに低減するにはＳｉベンチコストを下げるということが不可欠だということである。本発明はＳｉベンチコスト低減を第１の目的とする。Ｓｉベンチの価格低減を通してより安価な光通信装置を提供することが本発明の第２の目的である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、このような点に関して種々考察した。図２、図３の表面実装モジュールにおいてどうしてμｍ単位の高精度が要求されるのか？全体に高精度が必須なのだろうか？一部だけに厳しい精度が必要なのではないか？高精度でなくても良い部分があるのではないか？というふうに視点をかえて考えてみた。
【００１６】
図２、図３の表面実装素子で本当にμｍ単位の精度が要求されるのはどこであろうか？それは破線の円で囲んだファイバ先端とＬＤチップ発光部の光結合部分だけである、ということに気づいた。ここがずれるとＬＤの光が光ファイバに入ってゆかない。だから光結合部の位置合わせは重要である。
【００１７】
その他の部分は別段厳しい精度は要らない。フェルール自体の位置は多少ずれていても差し支えない。受光モジュールにおいて受信用ＰＤも入射面積が充分に広いからＰＤ位置ズレもたいして問題でない。送信モジュールでＬＤの背後にモニタＰＤがある場合、モニタＰＤは広い受光面があるから左右前後の多少のずれは許容できる。受光モジュールで増幅器を傍らに付ける場合増幅器チップの位置が多少狂っていても差し支えない。このように表面実装素子において高精度が必須でない部分が幾らもある。
【００１８】
今までの表面実装の例では、ファイバ付きフェルールをまとまった一つの部品と考え、その全体を精度良く固定しなければ、という固定概念に捕らわれていたのである。本発明はそのような牢固たる既成概念を打ち破ろうと思う。
【００１９】
今まで誰も疑ったことのない表面実装素子の構造上の難点を改善し、より低コストの表面実装形態を提供することが本発明の目的である。本発明は高精度の必要な光結合部だけをＳｉベンチにのせて、その他の素子やＳｉベンチ自体は他のより安価な保持基板に乗せることにする。保持基板の単位面積あたりコストがＳｉの単位面積あたりコストより低いので基板コストを削減することができる。保持基板はセラミックまたは樹脂製とする。Ｓｉ基板は半導体としては成熟し結晶性よく完成度が高く最も安価であるが、それでも単に基板とするには未だ高価である。受動的な基板とするにはもったいない、と思う。
【００２０】
そこで本発明は、光結合部だけをＳｉとし、残りの部分はＳｉ以外の材料、例えばセラミック、樹脂で置き換えた複合的な基板構造とする。光結合部は高精度が要るのでＳｉ基板の上に形成する。それ以外は低精度でよいから低コストの保持基板にのせる。Ｓｉ基板と保持基板とを組み合わせ、コスト、精度の要求を満足させる。それが本発明の骨子である。
【００２１】
本発明の光通信装置は、光ファイバと光学部品と、光結合のための基板とよりなる光通信装置において、光ファイバの片側と光学部品の結合部がエッチングによって形成されたＶ溝を有する半導体基板によって固定され、光ファイバの反対側の一部分が上記半導体基板とは異なる保持基板によって固定されている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明は、半導体基板＋保持基板からなる２重構造の光通信装置を提供している。光ファイバと光学部品（ＬＤ、ＰＤ）の結合部を提供する半導体基板というのはＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ基板などを意味する。Ｓｉの場合がもっとも多い。異方性エッチングによって溝を彫るのであるからＳｉ以外の半導体単結晶でも使うことができる。
【００２３】
光ファイバは信号を送信し受信するものであるが、フェルール付きの光ファイバを保持基板で支持することができる。或いは光ファイバの被覆自体を保持基板によって支持するようにしても良い。
【００２４】
光ファイバ被覆部或いはフェルールを保持基板に固定するため保持基板に溝を切っておき個々へ光ファイバ或いはフェルールを埋め込んで固定することができる。光ファイバ被覆、フェルールを接着剤によって保持基板に固定することもできる。
【００２５】
保持基板は半導体基板以外であればよい。例えばアルミナ、ジルコニヤなどのセラミックであってもよい。或いは樹脂製の保持基板であっても良い。液晶ポリマーによって保持基板を作製することもできる。
【００２６】
本発明は、受光素子だけを有する受信モジュール、発光素子だけを有する送信モジュール、あるいは受光素子と発光素子をともに有する送受信モジュールのいずれにも適用することができる。
【００２７】
受信モジュールとする場合、増幅器をＰＤの近傍に設けることもできる。
送信モジュールとする場合、ＬＤの背後にモニタ用ＰＤを設けることもできる。
【００２８】
受信モジュール、或いは送信モジュールの場合、任意の波長の光を通信光として利用できる。例えば１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯などの波長の光を用いることができる。
【００２９】
送受信モジュールに適用する場合は、波長多重通信の光加入者系モジュールとすることができる。波長多重というのは、送信光と受信光の波長が異なる通信ということである。波長の異なる光を送受信に使うと双方向同時通信が可能である。例えば送信光が１．３μｍ帯、受信光が１．５５μｍ帯とすることができる。あるいは反対に送信光が１．５５μｍ帯、受信光が１．３μｍ帯とすることもできる。送受信モジュールの場合は送信光と受信光がＷＤＭフィルタで分離され、経路を異にする形式も可能である。あるいは送信光と受信光が同一の経路を通り、ＷＤＭフィルタで分離してＰＤに入射するようにもできる。
【００３０】
送受信モジュールに適用する場合、同一波長の光を送受信に使うことができる。その場合同時双方向通信はできないから、時分割して交互に送信受信することになる。この場合も送信光と受信光を異なる経路に伝搬させるようにすることができる。その場合ＷＤＭフィルタでなくて光の分離にはハーフミラ−が使われる。あるいは送信光と受信光がほぼ同一の経路を反対向きに伝搬するようにしてもよい。この時もハーフミラーによって光を分離する。
そのような近赤外光に対して、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ受光層を持つＰＤやＡＰＤを受光素子とすることができる。あるいはＩｎＧａＡｓＰ系のＬＤを発光素子として用いることができる。
【００３１】
【実施例】
［実施例１（送信または受信モジュール、ファイバ固定溝成形）］
実施例１の平面図を図６に縦断面図を図７に示す。保持基板（マウント）２５は、浅い矩形状の嵌込穴２６と、中心軸方向に嵌込穴まで延びるファイバ固定溝２７とを表面にもうけた長方形平板である。嵌込穴２６には同じ寸法のＳｉベンチ２８が埋め込んである。Ｓｉベンチ２８と保持基板２５の表面はほぼ同じ高さである。Ｓｉベンチ２８には前低部３３において中心軸方向に細いＶ溝２９が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝２９の延長線上のＳｉベンチの上に光電変換素子（ＰＤ／ＬＤ）３０が固定される。
【００３２】
光ファイバ被覆またはフェルール３１がファイバ固定溝２７に、ファイバ芯線３２がＶ溝２９に挿入されている。この部分は接着剤で固定される。光ファイバ芯線３２はＶ溝によって横方向の位置決めがなされる。また先端がＳｉベンチの段部３４に当たって軸方向の位置決めがなされる。光電変換素子３０がＬＤの場合は送信モジュールとなりＬＤから送信光が出て光ファイバの中へ入る。光電変換素子３０がＰＤの場合は光ファイバから出た受信光がＰＤに側方から入る。この場合ＰＤは側方入射型とするか、あるいはＰＤを縦に設置するか、受信光をさらに反射屈折させて裏面、表面に導くような工夫が必要になる。
【００３３】
Ｓｉベンチは長さ５ｍｍ、幅３ｍｍとしている。従来提案されていたものはＳｉベンチが９ｍｍ×５ｍｍ＝４５ｍｍ２程度であった。実施例では面積にして約１／３のＳｉベンチを用いることになる。Ｓｉ基板のコストが約１／３に減少する。
【００３４】
フェルール部分とＳｉベンチ自体を保持する保持基板（マウント）としては、エポキシ樹脂、液晶ポリマー、プラスチック成形品、セラミックなどが利用できる。エポキシ樹脂はプリント基板として頻用され電気回路の基板として実績がある。プラスチックとしては熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれも利用できる。セラミックとしてはアルミナ、ジルコニヤ、ガーネットなど任意の物を選ぶことができる。保持基板には予め嵌込穴やファイバ固定溝を形成する必要がある。成形性がよいことが望まれる。
【００３５】
ここでは保持基板として液晶ポリマーを使っている。液晶ポリマーは精度良く成形することができる。メタライズも可能である。保持基板として好適な材料である。実施例１において保持基板は１１ｍｍ（Ｌ）×７ｍｍ（Ｗ）×２ｍｍ（ｔ）の寸法を持っている。
【００３６】
送信装置とした例を述べる。Ｓｉ基板２８の上に光ファイバ先端とＩｎＧａＡｓＰの１．３μｍＬＤを取り付け、Ｓｉ基板を液晶ポリマーで固定し、リードフレームを付けてパッケージに実装した。このＬＤモジュールは、図２、図３のものと遜色のない結合パワーと温度安定性があるのを確認した。
【００３７】
［実施例２（送信または受信モジュール、リードフレーム、固定爪）］
リードフレームはモジュールにするため必須のものである。実施例２はリードフレームそのものを保持基板としても利用しようとする。コスト削減効果が一層大きい。実施例２の平面図を図８に縦断面図を図９に示す。保持基板（マウント）３５はリードフレーム自身である。リードフレームであるから薄い良導体の金属板であり多数のピンを四辺内向きに備えている。ここではピンの図示を略した。リードフレーム３５の一部を切り欠いて起こし固定爪３７とする。平坦な金属板であり嵌込穴のようなものを穿つことができない。適当な取付部３６を選んでＳｉベンチ３８を導電性接着剤で固定する。Ｓｉベンチ３８は保持基板（リードフレーム）３５の表面より厚み分だけ高い。Ｓｉベンチ３８には前低部４３において中心軸方向に細いＶ溝３９が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝３９の延長線上のＳｉベンチの上に光電変換素子（ＰＤ／ＬＤ）４０が固定される。
【００３８】
光ファイバ被覆またはフェルール４１が固定爪３７によってリードフレーム３５に固定される。ファイバ芯線４２がＶ溝３９に挿入接着されている。光ファイバ芯線４２はＶ溝３９によって正確に横方向の位置決めがなされる。また先端がＳｉベンチの段部に当たって軸方向の位置決めがなされる。光電変換素子４０がＬＤの場合は送信モジュールとなり、ＬＤから送信光が出て光ファイバの中へ入る。光電変換素子４０がＰＤの場合は光ファイバから出た受信光がＰＤに側方から入る。この場合ＰＤは側方入射型とするか、あるいはＰＤを縦に設置するか、受信光をさらに反射屈折させて裏面、表面に導くような工夫が必要になる。
【００３９】
Ｓｉベンチは長さ５ｍｍ、幅３ｍｍとしている。実施例１と同様である。保持基板としてプラスチック、セラミック、液晶ポリマーなどを使わない。直接にリードフレームに取り付ける。リードフレームは必ず使う物である。実施例１でも液晶ポリマーをリードフレームに取り付けるのであるから、実施例２で直接にリードフレームを保持基板として利用すると、保持基板分をまるまる節減できることになる。価格的には極めて有望な構造である。
【００４０】
この例では小さいＳｉ基板に光ファイバの先端とＬＤを取り付ける。このＳｉベンチ３８を、メタル（Ｃｕ、Ａｌなど）のリードフレームのベースメタルに導電性樹脂でボンディングする。ベースメタルの一部に爪を立てて置き、この爪によってフェルールを挟んで固定する。固定爪３７とＳｉベンチ３８間の余裕空間４４を広く取り、光ファイバの露出部を１〜２ｍｍ長くしている。フェルール固定部と光結合部の中心位置が多少ずれてもズレを吸収できるためである。
【００４１】
［実施例３（送受信モジュール、ファイバ固定溝成形、ＰＤ・ＬＤ接近）］
これまで説明した物は送信だけ或いは受信だけを行う装置であった。本発明は送受信の両方を兼ねる装置にも適用できる。実施例３は送受信モジュールである。図１０によって従来例にかかる送受信モジュールを示した。これは送信光と受信光の経路を変えているが、ここで提案する実施例は、送信光受信光の経路がほぼ同一である送受信モジュールである。実施例３の平面図を図１１に縦断面図を図１２に示す。
【００４２】
保持基板（マウント）４５は、浅い矩形状の嵌込穴４６と、中心軸方向に嵌込穴まで延びるファイバ固定溝４７とを表面に穿った長方形平板である。嵌込穴４６には同じ寸法のＳｉベンチ４８が埋め込んである。Ｓｉベンチ４８と保持基板４５の表面はほぼ同じ高さである。Ｓｉベンチ４８には前低部５７において中心軸方向に細いＶ溝４９が異方性エッチングによって形成されている。Ｓｉベンチにはメタライズパターン（図示しない）が印刷されている。Ｖ溝４９の延長線上のＳｉベンチ４８の上に半導体レ−ザＬＤ５０が固定される。ＬＤ５０のすぐ後ろにモニタ用ＰＤ５３が固定される。
【００４３】
光ファイバ被覆またはフェルール５１がファイバ固定溝４７に、ファイバ芯線５２がＶ溝４９に挿入されている。この部分は接着剤で固定される。光ファイバ芯線５２はＶ溝によって横方向の位置決めがなされる。また先端がＳｉベンチの段部に当たって軸方向の位置決めがなされる。Ｓｉベンチ４８の前低面５７にはＶ溝４９とファイバ芯線５２を跨るように受信用ＰＤ５４とＷＤＭフィルタ５５が取り付けられる。傍らの増幅器５６が設けられる。受信光を増幅するためにあるが、これはＳｉベンチの上でなく保持基板４５にある。だからＳｉベンチの面積を大きくする必要がない。
【００４４】
ＬＤ５０は変調された光信号を発生する。これが送信光である。送信光はＬＤ５０から出てファイバ芯線５２に入りファイバ５１を伝搬してゆく。ファイバの中を伝搬してきた受信光はＷＤＭフィルタ５５で選択的に反射され斜め上に進みＰＤに入射する。送信光λ１と受信光λ２が異なるから同時双方向通信が可能である。λ１は例えば１．３μｍ帯、λ２は例えば１．５５μｍ帯とすることができる。ＷＤＭフィルタは両者を分離するために挿入される。
【００４５】
このＳｉベンチは幅はこれまでと同じように３ｍｍ程度にできる。しかし、ＰＤ２つとＷＤＭフィルタが増えるから長さは実施例１、２より長くなる。６ｍｍ〜８ｍｍになる。
【００４６】
この例では、Ｓｉベンチ上に、ＬＤ／モニタＰＤ／受信ＰＤ／ＷＤＭフィルタなど光学部品、電気光学素子を実装している。光ファイバ又はフェルール５１と増幅器５６は保持基板４５に付けてある。図２、３の物に比較してＳｉベンチを節約できる。
【００４７】
［実施例４（送受信モジュール、ファイバ固定溝成形、ＰＤは保持基板に）］
次も送受信モジュールの例である。図１１〜図１２の実施例３では、送信用ＬＤと受信用ＰＤがやや接近している。両者が接近しているので、特に長距離伝送で微弱になった光信号を正確に受信するときに、送信ＬＤからの漏れ光や、ＬＤの駆動電気信号の電磁気ノイズが、高感度のＰＤの受信回路に混入する事が有り得る。そのような難点に対して解決を与えるものが実施例４である。図１３、図１４によって説明する。
【００４８】
保持基板（マウント）５９は、浅い矩形状の嵌込穴６２と、中心軸方向に嵌込穴６２まで延びるファイバ固定溝６０と通し溝６１とを表面に穿った長方形平板である。嵌込穴６２には同じ寸法のＳｉベンチ６３が埋め込んである。Ｓｉベンチ６３と保持基板５９の表面はほぼ同じ高さである。Ｓｉベンチ６３には前低部７０において中心軸方向に細いＶ溝６４が異方性エッチングによって形成されている。Ｓｉベンチ６３には配線のためメタライズパターン（図示しない）が印刷されている。Ｖ溝６４延長線上のＳｉベンチ６３の上に半導体レ−ザＬＤ６５が取り付けられる。ＬＤ６５のすぐ後ろの保持基板５９にモニタ用ＰＤ６６が固定される。モニタＰＤ６６をＳｉベンチから排除してＳｉベンチ面積を節減する。
【００４９】
光ファイバ被覆またはフェルール７１が保持基板５９のファイバ固定溝６０に挿入される。ファイバ芯線７２が保持基板５９の通し溝６１とＳｉベンチ６３のＶ溝６４に挿入されている。この部分は接着剤で固定される。光ファイバ芯線７２はＶ溝６４によって横方向の位置決めがなされる。また先端がＳｉベンチの段部に当たって軸方向の位置決めがなされる。Ｓｉベンチ６３の前低部７０にはＶ溝６４とファイバ芯線７２があるだけで、ＰＤやＷＤＭフィルタがない。そのため一層Ｓｉベンチ面積を減縮できる。
【００５０】
保持基板５９の通し溝６１を跨るように受信用ＰＤ６７とＷＤＭフィルタ６９が取り付けられる。ＰＤ６７の傍らに増幅器６８が設けられる。受信光を増幅するためにあるが、これもＳｉベンチの上でなく保持基板５９にある。
【００５１】
ＬＤ６５は変調された光信号を発生する。これが送信光である。送信光はＬＤ６５から出てファイバ芯線７２に入りファイバ７１を伝搬してゆく。一方ファイバの中を伝搬してきた受信光はＷＤＭフィルタ６９で選択的に反射され斜め上に進みＰＤ６７に入射する。送信光λ１と受信光λ２が異なるから同時双方向通信が可能である。λ１は例えば１．３μｍ帯、λ２は例えば１．５５μｍ帯とすることができる。反対にλ１を１．５５μｍ帯、λ２を１．３μｍ帯としてもよい。異なる波長の光を分離するためＷＤＭフィルタが必要である。
【００５２】
実施例４はＳｉベンチ上には、位置精度の要求される光ファイバ先端とＬＤのみを実装する。モニタＰＤ／受信ＰＤ／ＷＤＭフィルタなどの光学部品、電気光学部品および増幅器は保持基板に実装している。こうすると受信ＰＤと送信ＬＤの距離をより広くとることができる。Ｓｉベンチの前底部７０がＰＤとＬＤを空間的に離隔している。クロストークを減らす上で効果的である。
【００５３】
Ｓｉ基板は単能のモジュールである実施例１、２などと同じサイズで、３ｍｍ×５ｍｍである。これは３ｍｍ×３ｍｍにまで縮減できる。保持基板は液晶ポリマーで１１ｍｍ×７ｍｍ×２ｍｍである。送信用ＬＤは、１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ−ＦＰ−ＬＤである。モニタＰＤは、受光層がＩｎＧａＡｓのＰＤである。ＷＤＭフィルタはポリイミド薄膜に誘電体多層膜を形成したものである。一定角で入射する１．３μｍ光を透過させ１．５５μｍ光を反射させるという特性を持っている。ＬＤとファイバ先端だけをＳｉ基板に設ける。モニタＰＤ、受信ＰＤ、ＷＤＭフィルタなどを保持基板に割り振った大胆な送受信モジュールである。Ｓｉベンチはまことに小さい。
【００５４】
図１３、１４の後の工程は以下のようである。保持基板をリードフレームに乗せて結合する。ＰＤ、ＬＤなどの電気光学的素子の電極とリードフレームをワイヤボンディングで接続する。ＬＤ、受信ＰＤ、モニタＰＤ、増幅器をシリコーン系の樹脂によって、トランスファーモールド技術によってモールドした。樹脂パッケージに収容される図４のような形態に加工した。その結果、図１０の個別部品を組み合わせた送受信器と同じ性能を得た。
【００５５】
［実施例５（送信または受信モジュール、ファイバ固定溝成形）］
実施例１は信号を外部に伝達する部分がファイバ又はファイバを保持するフェルールであった。いずれにしても素子端から僅かに突出しているだけであった。だから樹脂モールドすると図４、図５のようになる。本発明は連続する光ファイバの端部に設けた装置とすることもできる。実施例５のモジュールの平面図を図１５に縦断面図を図１６に示す。光ファイバの長さが異なる他は実施例１と同じである。
【００５６】
保持基板（マウント）７３は、中心軸方向にファイバ固定溝７４とその終端に浅い矩形状の嵌込穴７５を表面に設けた長方形平板である。嵌込穴７５には同じ寸法のＳｉベンチ７６が埋め込んである。Ｓｉベンチ７６と保持基板７３の表面はほぼ同じ高さである。Ｓｉベンチ７６には前低部７９において中心軸方向に細いＶ溝７７が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝７７の延長線上のＳｉベンチの上に光電変換素子（ＰＤ／ＬＤ）７８が固定される。
【００５７】
長く連続する光ファイバ被覆８１がファイバ固定溝７４に、ファイバ芯線８２がＶ溝７７に挿入されている。この部分は接着剤で固定される。光ファイバ芯線８２はＶ溝７７によって横方向の位置決めがなされる。また先端がＳｉベンチの段部８０に当たって軸方向の位置決めがなされる。光電変換素子７８がＬＤの場合は送信モジュールとなる。ＬＤから送信光が出て光ファイバの中へ入る。光電変換素子７８がＰＤの場合は受信モジュールとなる。光ファイバから出た受信光がＰＤに側方から入る。
【００５８】
Ｓｉベンチは５ｍｍ×３ｍｍである。保持基板は１１ｍｍ×７ｍｍ×２ｍｍである。保持基板の材質はエポキシ樹脂、液晶ポリマー、プラスチック成形品、セラミックなどである。これはピグテイル型の光コネクタに連結する場合に有用な形状である。
【００５９】
［実施例６（送信または受信モジュール、リードフレーム、樹脂固定）］
実施例２はリードフレームそのものを保持基板として利用した。その際リードフレームの一部を切り欠き折立てて固定爪とした。爪の代わりに樹脂によってファイバを固定することもできる。実施例６はそのような例である。平面図を図１７に縦断面図を図１８に示す。保持基板（マウント）８３はリードフレーム自身である。リードフレームであるから薄い良導体の金属板であり多数のピンを四辺内向きに備えている。ここではピンの図示を略した。適当な取付部８４を選んでＳｉベンチ８５を導電性接着剤で固定する。Ｓｉベンチ８５は保持基板（リードフレーム）８３の表面より厚み分だけ高い。Ｓｉベンチ８５には前低部８７において中心軸方向に細いＶ溝８６が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝８６の延長線上のＳｉベンチの上に光電変換素子（ＰＤ／ＬＤ）８８が固定される。
【００６０】
光ファイバ被覆またはフェルール８９が樹脂９１によってリードフレーム８３に固定される。ファイバ芯線９０がＶ溝８６に挿入接着されている。光ファイバ芯線９０はＶ溝８６によって正確に横方向の位置決めがなされる。光電変換素子８８がＬＤの場合は送信モジュールとなる。光電変換素子８８がＰＤの場合は受信モジュールとなる。
【００６１】
固定爪がないのでリードフレームに歪や変形が起こりにくい。接着剤によるからファイバ固定がより容易である。リードフレーム８３の上において、接着用樹脂９１とＳｉベンチ８５間の余裕空間９２を広く取り、光ファイバの露出部を１〜２ｍｍ長くしている。フェルール固定部と光結合部の中心位置が多少ずれてもズレを吸収できるようにするためである。
【００６２】
［実施例７（送信または受信モジュール、リードフレーム、部品固定）］
リードフレームを保持基板とした場合、爪や接着剤の代わりに特別の固定部品を用いてファイバをリードフレームに固定することができる。実施例７は部品固定の例である。図１９が平面図、図２０が断面図、図２１が固定部品の部分の縦断面図である。
【００６３】
保持基板８３はリードフレーム自身である。リードフレームであるから薄い良導体の金属板であり、多数のピンを四辺内向きに備えている。ここではピンの図示を略した。適当な取付部８４を選んでＳｉベンチ８５を導電性接着剤で固定する。Ｓｉベンチ８５は保持基板（リードフレーム）８３の表面より厚み分だけ高い。Ｓｉベンチ８５には前低部８７において中心軸方向に細いＶ溝８６が異方性エッチングによって形成されている。Ｖ溝８６の延長線上のＳｉベンチの上に光電変換素子（ＰＤ／ＬＤ）８８が固定される。
【００６４】
光ファイバ被覆またはフェルール８９が固定部品９３によってリードフレーム８３に固定される。ファイバ芯線９０がＶ溝８６に挿入接着されている。光ファイバ芯線９０はＶ溝８６によって正確に横方向の位置決めがなされる。図２１は固定部品の部分の縦断面図である。固定部品９３は光ファイバ又はフェルール８９の外形に等しい穴９４をもつ凹型の治具である。穴９４で光ファイバ又はフェルール８９を抑える。脚部９５においてリードフレーム８３の半田付けされる。
【００６５】
固定爪がないのでリードフレームに歪や変形が起こりにくい。接着剤によらないから経年変化による劣化が少ない。ファイバをより正確な位置に固定することができる。
【００６６】
［実施例８（送受信モジュール、ファイバ固定溝成形、ＰＤ・ＬＤ接近）］
同一波長の光を用いる送受信モジュールの例を述べる。同一波長の光を使うからＷＤＭフィルタの代わりにハーフミラーを用いる。送信と受信は時分割し異なる時刻に行う。ピンポン伝送である。実施例３と似ているがＷＤＭフィルタがハーフミラーに置き換えられている。平面図を図２２に縦断面図を図２３に示す。
【００６７】
保持基板９６は中心軸方向に延びるファイバ固定溝９７と矩形状の嵌込穴９８とを表面に穿った長方形平板である。嵌込穴９８には同じ寸法のＳｉベンチ９９が埋め込んである。Ｓｉベンチ９９と保持基板９６の表面はほぼ同じ高さである。Ｓｉベンチ９９には前低部１０２において中心軸方向に細いＶ溝１０３が異方性エッチングによって形成されている。Ｓｉベンチ９９にはメタライズパターン（図示しない）が印刷されている。Ｖ溝１０３の延長線上のＳｉベンチ９９の上にＬＤ１００が固定される。ＬＤ１００のすぐ後ろのＳｉ基板上にモニタ用ＰＤ１０１が固定される。
【００６８】
光ファイバ被覆またはフェルール１０６がファイバ固定溝９７に、ファイバ芯線１０７がＶ溝１０３に挿入され、接着剤によって固定されている。光ファイバ芯線１０７はＶ溝１０３によって位置決めがなされる。Ｓｉベンチ９９の前低面１０２にはＶ溝１０３とファイバ芯線１０７を跨るように受信用ＰＤ１０４とハーフミラー１０５が取り付けられる。傍らに増幅器１０９がもうけられる。受信光を増幅するためにあるが、これはＳｉベンチの上でなく保持基板９６にある。だからＳｉベンチの面積を大きくする必要がない。
【００６９】
送信光と受信光は同じ波長の光である。例えば、１．３μｍ帯の光を用いる。或いは１．５５μｍ帯の光を用いることもできる。同一波長であるからＷＤＭフィルタで選択反射透過ということはできない。一つの波長の光を半分ずつ透過し反射するハーフミラー１０５を使っている。
【００７０】
［実施例９（送受信モジュール、ファイバ固定溝成形、ＰＤは保持基板に）］
実施例９は一波長ピンポン伝送送受信モジュールの例である。図２４、図２５によって説明する。
【００７１】
保持基板１１０は、浅い矩形状の嵌込穴１１１と、中心軸方向に穿たれたファイバ固定溝１１２と通し溝１１３とを表面に穿った長方形平板である。嵌込穴１１１には同じ寸法のＳｉベンチ１１４が埋め込んである。Ｓｉベンチ１１４には前低部１１６において中心軸方向に細いＶ溝１１５が異方性エッチングによって形成されている。Ｓｉベンチ１１４には配線のためメタライズパターン（図示しない）が印刷されている。Ｖ溝１１５延長線上のＳｉベンチ１１４の上にＬＤ１１７が取り付けられる。ＬＤ１１７のすぐ後ろの保持基板１１０にモニタ用ＰＤ１１８が固定される。モニタＰＤ１１８をＳｉベンチ上１１４から排除してＳｉベンチ面積を節減する。
【００７２】
光ファイバ被覆またはフェルール１２２が保持基板１１０のファイバ固定溝１１２に挿入される。ファイバ芯線１２３が保持基板１１０の通し溝１１３とＳｉベンチ１１４のＶ溝１１５に挿入固定されている。Ｓｉベンチ１１４の前低面１１６にはＶ溝１１５とファイバ芯線１２３があるだけで、ＰＤやハーフミラーがない。そのため一層Ｓｉベンチ面積を減縮できる。
【００７３】
保持基板１１０の通し溝１１３を跨るように受信用ＰＤ１１９とハーフミラー１２０が取り付けられる。ＰＤ１１９の傍らに増幅器１２１が設けられる。ＰＤ１１８、１１９、増幅器１２１、ハーフミラー１２０が保持基板にあり、Ｓｉベンチを小さいものにすることができる。
【００７４】
【発明の効果】
本発明は、二種類の基板を使い分ける二重基板構造の素子である。高精度が要求される部分にのみＳｉ基板等半導体単結晶基板を用い、それ以外の低精度で良い部分にはプラスチック、セラミック、液晶ポリマーなど安価な保持基板を用いている。全体をＳｉベンチとするこれまでの表面実装モジュールよりも材料コストが低減される。より安価な表面実装型送信モジュール、受信モジュール、送受信モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例にかかる半導体発光素子（ＬＤ）モジュールの縦断面図。
【図２】Ｓｉベンチを保持基板に用いる従来例に係る表面実装型モジュールの平面図。
【図３】Ｓｉベンチを保持基板に用いる従来例に係る表面実装型モジュールの縦断面図。
【図４】Ｓｉベンチの上にＬＤ、ＰＤを実装したものを樹脂モールドした素子の斜視図。
【図５】図４の樹脂パッケージされた素子の断面図。
【図６】保持基板にＳｉベンチを一体化した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例１の平面図。
【図７】保持基板にＳｉベンチを一体化した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例１の断面図。
【図８】リードフレームを保持基板とする送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例２の平面図。
【図９】リードフレームを保持基板とする送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例２の断面図。
【図１０】受信光と送信光の経路が異なっている従来例に係る送受信モジュールの平面図。
【図１１】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載した送受信モジュールである実施例３の平面図。
【図１２】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載した送受信モジュールである実施例３の断面図。
【図１３】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載しない送受信モジュールである実施例４の平面図。
【図１４】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載しない送受信モジュールである実施例４の断面図。
【図１５】保持基板にＳｉベンチを一体化し連続する光ファイバを接続している送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例５の平面図。
【図１６】保持基板にＳｉベンチを一体化し連続する光ファイバを接続している送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例５の断面図。
【図１７】リードフレームを保持基板とし樹脂で光ファイバを固定した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例６の平面図。
【図１８】リードフレームを保持基板とし樹脂で光ファイバを固定した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例６の断面図。
【図１９】リードフレームを保持基板とし固定部品で光ファイバを固定した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例７の平面図。
【図２０】リードフレームを保持基板とし固定部品で光ファイバを固定した送信モジュール又は受信モジュールとしての実施例７の断面図。
【図２１】図２０の２１−２１断面図。
【図２２】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載した一波長時分割伝送型送受信モジュールである実施例８の平面図。
【図２３】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載した一波長時分割伝送型送受信モジュールである実施例８の断面図。
【図２４】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載しない一波長時分割伝送型送受信モジュールである実施例９の平面図。
【図２５】Ｓｉベンチに受信ＰＤ、モニタＰＤを搭載しない一波長時分割伝送型送受信モジュールである実施例９の断面図。
【符号の説明】
１  ＬＤモジュール
２  ＬＤ
３  モニタ用ＰＤ
４  ヘッダ
５  ポール
６  リードピン
７  キャップ
８  窓
９  レンズ
１０  レンズホルダ−
１１  ハウジング
１２  フェルール
１３  光ファイバ
１４  表面実装型モジュール
１５  マウント
１６  Ｓｉベンチ
１７  Ｖ溝
１８  Ｖ溝
１９  ＬＤ／ＰＤ
２０  後半部
２１  光ファイバ又はフェルール
２２  光ファイバ芯線
２３  樹脂
２４  リードピン
２５  保持基板
２６  嵌込穴
２７  ファイバ固定溝
２８  Ｓｉベンチ
２９  Ｖ溝
３０  ＬＤ／ＰＤ
３１  光ファイバ又はフェルール
３２  光ファイバ芯線
３３  前低部
３４  段部
３５  リードフレーム（保持基板）
３６  取付部
３７  固定爪
３８  Ｓｉベンチ
３９  Ｖ溝
４０  ＬＤ／ＰＤ
４１  光ファイバ又はフェルール
４２  光ファイバ芯線
４３  前低部
４４  余裕空間
４５  保持基板
４６  嵌込穴
４７  ファイバ固定溝
４８  Ｓｉベンチ
４９  Ｖ溝
５０  ＬＤ
５１  光ファイバ又はフェルール
５２  光ファイバ芯線
５３  モニタ用ＰＤ
５４  ＰＤ
５５  ＷＤＭフィルタ
５６  増幅器
５７  前低部
５８  ワイヤ
５９  保持基板
６０  ファイバ固定溝
６１  通し溝
６２  嵌込穴
６３  Ｓｉベンチ
６４  Ｖ溝
６５  ＬＤ
６６  モニタＰＤ
６７  ＰＤ
６８  増幅器
６９  ＷＤＭフィルタ
７０  前低部
７１  光ファイバ又はフェルール
７２  ファイバ芯線
７３  保持基板
７４  ファイバ固定溝
７５  嵌込穴
７６  Ｓｉベンチ
７７  Ｖ溝
７８  ＬＤ／ＰＤ
７９  前低部
８０  段部
８１  光ファイバ
８２  光ファイバ芯線
８３  保持基板（リードフレーム）
８４  取付部
８５  Ｓｉベンチ
８６  Ｖ溝
８７  前低部
８８  ＬＤ／ＰＤ
８９  光ファイバ又はフェルール
９０  ファイバ芯線
９１  樹脂
９２  余裕空間
９３  固定部品
９４  穴
９５  脚部
９６  保持基板
９７  ファイバ固定溝
９８  嵌込穴
９９  Ｓｉベンチ
１００  ＬＤ
１０１  モニタ用ＰＤ
１０２  前低部
１０３  Ｖ溝
１０４  ＰＤ
１０５  ハーフミラー
１０６  光ファイバ又はフェルール
１０７  ファイバ芯線
１０８  増幅器
１１０  保持基板
１１１  嵌込穴
１１２  ファイバ固定溝
１１３  通し溝
１１４  Ｓｉベンチ
１１５  Ｖ溝
１１６  前低面
１１７  ＬＤ
１１８  モニタＰＤ
１１９  ＰＤ
１２０  ハーフミラー
１２１  増幅器
１２２  光ファイバ又はフェルール
１２３  ファイバ芯線
１３０  ハウジング
１３１  ＷＤＭフィルタ
１３２  ＬＤ
１３３  ＰＤ
１３４  光ファイバ
１３５  レンズ
１３６  レンズ
１３７  レンズ
【図１】
0003780769.tif 000002
【図２】
0003780769.tif 000003
【図３】
0003780769.tif 000004
【図４】
0003780769.tif 000005
【図５】
0003780769.tif 000006
【図６】
0003780769.tif 000007
【図７】
0003780769.tif 000008
【図８】
0003780769.tif 000009
【図９】
0003780769.tif 000010
【図１０】
0003780769.tif 000011
【図１１】
0003780769.tif 000012
【図１２】
0003780769.tif 000013
【図１３】
0003780769.tif 000014
【図１４】
0003780769.tif 000015
【図１５】
0003780769.tif 000016
【図１６】
0003780769.tif 000017
【図１７】
0003780769.tif 000018
【図１８】
0003780769.tif 000019
【図１９】
0003780769.tif 000020
【図２０】
0003780769.tif 000021
【図２１】
0003780769.tif 000022
【図２２】
0003780769.tif 000023
【図２３】
0003780769.tif 000024
【図２４】
0003780769.tif 000025
【図２５】
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