(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）導電性の基体上に基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、基体の上に、海・島構造を有する凸状の基層をランダムに残す工程と、
（Ｃ）基体及びランダムに残された海・島構造を有する凸状の基層上に、電子放出層を形成する工程、
を具備することを特徴とする電子放出体の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｃ）において、導電性組成物を塗布することにより電子放出層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子放出体の製造方法。
【請求項３】
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の上に、海・島構造を有する凸状の基層をランダムに残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、ランダムに残された海・島構造を有する凸状の基層上に、電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｃ）において、導電性組成物を塗布することにより電子放出層を形成することを特徴とする請求項３に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の上に、海・島構造を有する凸状の基層をランダムに残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、ランダムに残された海・島構造を有する凸状の基層上に、電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｃ）において、導電性組成物を塗布することにより電子放出層を形成することを特徴とする請求項５に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の上に、海・島構造を有する凸状の基層をランダムに残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、ランダムに残された海・島構造を有する凸状の基層上に、電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（Ｃ）において、導電性組成物を塗布することにより電子放出層を形成することを特徴とする請求項７に記載の冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項９】
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の上に、海・島構造を有する凸状の基層をランダムに残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、ランダムに残された海・島構造を有する凸状の基層上に、電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（Ｃ）において、導電性組成物を塗布することにより電子放出層を形成することを特徴とする請求項９に記載の冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中に置かれた金属や半導体等に或る閾値以上の強さの電界を与えると、金属や半導体の表面近傍のエネルギー障壁を電子が量子トンネル効果によって通過し、常温でも真空中に電子が放出されるようになる。かかる原理に基づく電子放出は、冷陰極電界電子放出、あるいは単に電界放出（フィールド・エミッション）と呼ばれる。近年、この電界放出の原理を画像表示に応用した平面型の冷陰極電界電子放出表示装置、所謂フィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）が提案されており、高輝度、低消費電力等の長所を有することから、従来の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として期待されている。
【０００３】
冷陰極電界電子放出表示装置（以下、単に、表示装置と呼ぶ場合がある）は、一般に、２次元マトリクス上に配列された画素に対応して電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出部から放出された電子との衝突により励起され発光するアノードパネルとが、真空空間を挟んで対向配置された構造を有する。カソードパネル上の各画素においては、通常、複数の電子放出部が形成され、更に、電子放出部から電子を引き出すためのゲート電極も形成されている。電子の放出に関する最小構造単位、即ち、電子放出部とゲート電極を有する部分が冷陰極電界電子放出素子である。以下、冷陰極電界電子放出素子を、単に電界放出素子と呼ぶ場合がある。
【０００４】
図２７に、かかる表示装置の構成例を示す。図示した電界放出素子は、円錐形の電子放出部を有する、所謂スピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型電界放出素子と呼ばれるタイプの電界放出素子である。この電界放出素子は、支持体２１０上に形成されたカソード電極２１１と、支持体２１０及びカソード電極２１１上に形成された絶縁層２１２と、絶縁層２１２上に形成されたゲート電極２１３と、ゲート電極２１３及び絶縁層２１２に設けられた開口部２１４と、開口部２１４の底部に位置するカソード電極２１１上に形成された円錐形の電子放出部２１５から構成されている。一般に、カソード電極２１１とゲート電極２１３とは、これらの両電極の射影像が互いに直交する方向に各々ストライプ状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する部分に相当する領域（１画素分の領域に相当する。この領域を、以下、ゲート電極／カソード電極重複領域あるいは電子放出領域と呼ぶ）に、通常、複数の電界放出素子が配列されている。更に、かかるゲート電極／カソード電極重複領域が、カソードパネルＣＰの有効領域（実際の表示画面として機能する領域）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。
【０００５】
一方、アノードパネルＡＰは、基板３０と、基板３０上に所定のパターン（例えば、ドット状あるいはストライプ状）に従って形成された蛍光体層３２と、蛍光体層３２上に形成されたアノード電極３３から構成されている。尚、蛍光体層３２と蛍光体層３２との間の基板３０上にはブラックマトリックス３１が形成されている。１画素は、カソードパネル側のカソード電極２１１とゲート電極２１３との重複領域であるゲート電極／カソード電極重複領域に所定数配列された電界放出素子の一群と、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体層３２とによって構成されている。有効領域には、かかる画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【０００６】
アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電界放出素子と蛍光体層３２とが対向するように配置し、周縁部において枠体３４を介して接合することによって、表示装置を作製することができる。カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとは、０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の距離を隔てて対向配置させている。有効領域を包囲し、画素を選択するための周辺回路が形成された無効領域（例えば、カソードパネルＣＰの無効領域）には、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には真空排気後に封じ切られたチップ管（図示せず）が接続されている。即ち、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体３４とによって囲まれた空間は真空となっている。
【０００７】
カソード電極２１１には相対的な負電圧がカソード電極制御回路４０から印加され、ゲート電極２１３には相対的な正電圧がゲート電極制御回路４１から印加され、アノード電極３３にはゲート電極２１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路４２から印加される。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極２１１にカソード電極制御回路４０から走査信号を入力し、ゲート電極２１３にゲート電極制御回路４１からビデオ信号を入力する。カソード電極２１１とゲート電極２１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部２１５から電子が放出され、この電子がアノード電極３３に引き付けられ、蛍光体層３２に衝突する。その結果、蛍光体層３２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極２１３に印加される電圧、及びカソード電極２１１を通じて電子放出部２１５に印加される電圧によって制御される。
【０００８】
以下、従来のスピント型電界放出素子の製造方法の概要を説明するが、この製造方法は、基本的には、円錐形の電子放出部２１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法である。即ち、開口部２１４に対して蒸着粒子は垂直に入射するが、開口部２１４の付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、開口部２１４の底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部２１５を自己整合的に形成する。以下、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極２１３上に剥離層２１７を予め形成しておく方法に基づくスピント型電界放出素子の製造方法の概要を、支持体等の模式的な一部端面図である図２８及び図２９を参照して説明する。
【０００９】
［工程−１０］
先ず、例えばガラスから成る支持体２１０上にニオブ（Ｎｂ）から成るストライプ状のカソード電極２１１を形成した後、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層２１２を形成し、更に、ストライプ状のゲート電極２１３を絶縁層２１２上に形成する。カソード電極２１１、ゲート電極２１３の形成は、例えば、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき行うことができる。
【００１０】
［工程−２０］
次に、ゲート電極２１３及び絶縁層２１２に、エッチング用マスクとして機能するレジスト層２１６をリソグラフィ技術によって形成する（図２８の（Ａ）参照）。その後、ＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）法にてゲート電極２１３に第１の開口部２１４Ａを形成し、更に、この第１の開口部２１４Ａと連通した第２の開口部２１４Ｂを絶縁層２１２に形成する。尚、第１の開口部２１４Ａ及び第２の開口部２１４Ｂを総称して、開口部２１４と呼ぶ。開口部２１４の底部にカソード電極２１１が露出している。その後、レジスト層２１６をアッシング技術によって除去する。こうして、図２８の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。
【００１１】
［工程−３０］
次に、開口部２１４の底部に露出したカソード電極２１１上に、電子放出部２１５を形成する。具体的には、全面にアルミニウムを斜め蒸着することにより、剥離層２１７を形成する。このとき、支持体２１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより、開口部２１４の底部にアルミニウムを殆ど堆積させることなく、ゲート電極２１３及び絶縁層２１２上に剥離層２１７を形成することができる。この剥離層２１７は、開口部２１４の開口端部から庇状に張り出しており、これにより開口部２１４が実質的に縮径される（図２８の（Ｃ）参照）。
【００１２】
［工程−４０］
次に、全面に例えばモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する。このとき、図２９の（Ａ）に示すように、剥離層２１７上でオーバーハング形状を有するモリブデンから成る導電材料層２１８が成長するに伴い、開口部２１４の実質的な直径が次第に縮小されるので、開口部２１４の底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に開口部２１４の中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、開口部２１４の底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形のモリブデンから成る堆積物が電子放出部２１５となる。
【００１３】
［工程−５０］
その後、電気化学的プロセス及び湿式プロセスによって剥離層２１７を絶縁層２１２及びゲート電極２１３の表面から剥離し、絶縁層２１２及びゲート電極２１３の上方の導電材料層２１８を選択的に除去する。その結果、図２９の（Ｂ）に示すように、開口部２１４の底部に位置するカソード電極２１１上に円錐形の電子放出部２１５を残すことができる。尚、このような電子放出部２１５の形成方法においては、本質的に、１つの開口部２１４内に１つの電子放出部２１５が形成される。
【００１４】
表示装置の構成において、低い駆動電圧で大きな放出電子電流を得るためには、電子放出部２１５の先端部を鋭く尖らせることが有効であり、この観点から、上述のスピント型電界放出素子の電子放出部２１５は優れた性能を有していると云える。しかしながら、円錐形の電子放出部２１５の形成には高度な加工技術を要する。しかも、電子は電子放出部２１５の先端部から放出されるため、表示装置における輝度を確保するためには、出来るだけ多くの電子放出部２１５（例えば、１万個／ｍｍ2程度）を形成しなければならない。従って、電子放出部の微細化を図らなければならない。また、場合によっては数千万個以上にも及ぶ電子放出部２１５を有効領域の全域に亙って均一に形成することは、有効領域の面積が増大するにつれて困難となりつつある。即ち、大面積の支持体全体に亙って均一な膜質、膜厚を有する導電材料層２１８を垂直蒸着法により形成したり、均一な寸法の庇形状を有する剥離層２１７を斜め蒸着法により形成することは、極めて困難であり、何らかの面内バラツキやロット間バラツキは避けられない。このバラツキにより、表示装置の画像表示特性、例えば画像の明るさにバラツキが生じる。しかも、大面積に亙って形成された剥離層２１７を除去する際に、その残渣がカソードパネルＣＰを汚染する原因となり、表示装置の製造歩留を低下させるという問題も生じる。
【００１５】
そこで、円錐形の電子放出部を使用せず、開口部の底面に露出した平面状の電子放出部を使用する、所謂平面型電界放出素子が提案されている。平面型電界放出素子における電子放出部は、カソード電極上に設けられており、平面状であっても高い放出電子電流を達成し得るように、カソード電極の構成材料よりも仕事関数が低い材料から構成されている。かかる材料として、近年、炭素系材料を使用することが提案されている。炭素系材料は、高融点金属に比べて閾値電界が低く、しかも、電子放出効率が高い。また、ダイヤモンド、グラファイト、カーボンナノチューブ等、結合形態を変化させることが可能である。
【００１６】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部２１５の先端部における電界強度は、ゲート電極２１３の端部２１３Ａから電子放出部２１５の先端部までの距離に依存する。従って、開口部２１４と電子放出部２１５の位置関係の均一性、電子放出部２１５の先端部の高さの均一性が重要であるが、これらの均一性を達成することは困難である。一方、平面型電界放出素子においては、ゲート電極の端部から電子放出部までの距離は、専ら、絶縁層の膜厚によって規定される。従って、スピント型電界放出素子よりも平面型電界放出素子の方が、かかる距離の制御は容易である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
その一方で、平面型電界放出素子においては、電子放出部の電子放出部分が、スピント型電界放出素子のように一種の点状では無く、面状であるが故に、ゲート電極の端部から電子放出部までの距離が長くなり、電子放出部近傍における電界強度が、スピント型電界放出素子と比較して低くなってしまう。また、開口部の大きさをスピント型電界放出素子よりも大きくすることができる反面、開口部の内部における電界の閉じ込め効果が弱くなる結果、電子放出部近傍における電界集中が生じ難くなる。その結果、スピント型電界放出素子と比較して、電子放出効率が低くなり、より高いゲート電圧が必要となり、駆動電圧、消費電力が増加するといった問題がある。
【００１８】
このように、比較的容易なプロセスで製造することができ、高い均一性を必要としない平面型電界放出素子において、電子放出効率を向上させる方法の１つに、電子放出部の表面に微細な凹凸部を形成する方法が知られている（例えば、特開平２０００−２６０２９８号公報参照）。電界は、一般に、小さい面積の部位ほど多く集中するが故に、電子放出部の表面に微細な凹凸部を形成することは電子放出効率向上の観点から極めて効果的であり、ゲート電圧の低下、駆動電圧、消費電力の低減を図ることができる。
【００１９】
しかしながら、特開平２０００−２６０２９８号公報に開示された方法では、カソード電極の表面をエッチングするが故に、大面積の表示装置を製造する場合にあっては、カソード電極の表面を均一に、且つ、制御性良くエッチングすることは困難な場合がある。
【００２０】
従って、本発明の目的は、均一に、且つ、制御性良く凹凸部を有する電子放出体を形成することを可能とする電子放出体の製造方法、かかる電子放出体の製造方法を適用した平面型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法、かかる平面型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を適用した冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る電子放出体の製造方法は、
（Ａ）導電性の基体上に電子放出層を形成する工程と、
（Ｂ）該電子放出層を電気分解することによって、基体の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
を具備することを特徴とする。
【００２２】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法は、
（Ａ）導電性の基体上に基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、基体の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（Ｃ）基体及び基層上に電子放出層を形成する工程、
を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る本発明の電子放出体の製造方法によって、冷陰極電界電子放出素子の電子放出部や、陰極線管に組み込まれる電子銃における電子線源、蛍光表示管を得ることができる。
【００２４】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（Ｂ）該電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することを特徴とする。
【００２５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする。
【００２６】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、所謂３電極型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（Ｂ）該電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することを特徴とする。
【００２７】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、所謂３電極型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする。
【００２８】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（Ｂ）該電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することを特徴とする。
【００２９】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする。
【００３０】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法は、所謂３電極型の冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（Ｂ）該電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することを特徴とする。
【００３１】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法は、所謂３電極型の冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネル、及び、蛍光体層とアノード電極とを備えたアノードパネルが、それらの周縁部で接合されて成り、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に設けられた、カソード電極用導電材料層から成るカソード電極と、
（ｂ）カソード電極上に形成された複数の電子放出体から構成された電子放出部と、
（ｃ）電子放出部の上方に配設され、開口部を有するゲート電極、
から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、
電子放出体を、
（Ａ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（Ｂ）該基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（Ｃ）カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することを特徴とする。
【００３２】
本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、あるいは、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に、本発明の製造方法と呼ぶ場合がある）にあっては、電気分解の時間に依存して、基体の一部分の上に残された凸状の電子放出層、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に残された凸状の電子放出層、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に残された凸状の基層の形状は、島状の形状（即ち、恰も、基体、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極を海に見立てた場合、多数の凸状の電子放出層や凸状の基層が島状となった構成）となり、あるいは又、池を取り囲むような形状（即ち、恰も、基体、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極を池に見立てた場合、凸状の電子放出層や凸状の基層が多数の池を取り囲むような構成）となる。尚、これらの構成を、便宜上、海・島構造と呼ぶ。
【００３３】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法によって得られる冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノード電極によって形成された電界に基づき、量子トンネル効果に基づき電子放出部から電子が放出され、この電子がアノード電極に引き付けられ、蛍光体層に衝突する。アノード電極は、１枚の導電材料シートが有効領域（実際の表示部分として機能する領域）を覆う構造を有していてもよいし、ストライプ形状を有していてもよい。前者の場合、１画素を構成する電子放出部毎に、電子放出部の動作を制御する。そのためには、例えば、１画素を構成する電子放出部とカソード電極制御回路との間にスイッチング素子を設ければよい。後者の場合、カソード電極をストライプ状とし、アノード電極の射影像とカソード電極の射影像とが直交するように、カソード電極及びアノード電極を配置する。アノード電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域（以下、アノード電極／カソード電極重複領域と呼ぶ）に位置する電子放出部から電子が放出される。尚、１つのアノード電極／カソード電極重複領域における冷陰極電界電子放出素子の配列は、規則的であってもランダムであってもよい。このような構成の冷陰極電界電子放出表示装置の駆動は、所謂単純マトリクス方式により行われる。即ち、カソード電極に相対的に負の電圧を印加し、アノード電極に相対的に正の電圧を印加する。その結果、列選択されたカソード電極と行選択されたアノード電極（あるいは、行選択されたカソード電極と列選択されたアノード電極）とのアノード電極／カソード電極重複領域に位置する電子放出部から選択的に真空空間中へ電子が放出され、この電子がアノード電極に引き付けられてアノードパネルを構成する蛍光体層に衝突し、蛍光体層を励起、発光させる。
【００３４】
本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法によって得られる冷陰極電界電子放出素子にあっては、ストライプ状のゲート電極の射影像とストライプ状のカソード電極の射影像とが直交する方向に延びていることが、冷陰極電界電子放出素子や冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化の観点から好ましい。尚、ストライプ状のカソード電極とストライプ状のゲート電極の射影像が重複するゲート電極／カソード電極重複領域（電子放出領域であり、１画素分の領域あるいは１サブピクセル分の領域に相当する）に１又は複数の冷陰極電界電子放出素子が設けられており、かかる重複領域が、カソードパネルの有効領域内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。尚、１つのゲート電極／カソード電極重複領域における冷陰極電界電子放出素子の配列は、規則的であってもランダムであってもよい。カソード電極に相対的に負の電圧を印加し、ゲート電極に相対的に正の電圧を印加し、アノード電極にゲート電極より更に高い正の電圧を印加する。電子は、列選択されたカソード電極と行選択されたゲート電極（あるいは、行選択されたカソード電極と列選択されたゲート電極）とが重複するゲート電極／カソード電極重複領域に位置する電子放出部から選択的に真空空間中へ電子が放出され、この電子がアノード電極に引き付けられてアノードパネルを構成する蛍光体層に衝突し、蛍光体層を励起、発光させる。
【００３５】
本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法における冷陰極電界電子放出素子にあっては、支持体及びカソード電極の上に絶縁層が形成され、該絶縁層上にゲート電極が形成され、該絶縁層には、ゲート電極に設けられた開口部に連通した第２の開口部が形成され、第２の開口部の底部に電子放出部が露出している構造とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子と呼ぶ。以下、ゲート電極に設けられた開口部を、便宜上、第１の開口部と呼ぶ場合がある。
【００３６】
あるいは又、本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法における冷陰極電界電子放出素子にあっては、絶縁材料から成る帯状あるいは井桁状のゲート電極支持部が支持体上に形成され、複数の開口部が形成された帯状材料から成るゲート電極が、ゲート電極支持部の頂面に接するように、且つ、電子放出部の上方に開口部が位置するように張架された構造とすることもできる。尚、このような構成を、便宜上、第２の構造を有する冷陰極電界電子放出素子と呼ぶ。
【００３７】
本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ａの方法と呼ぶ。
【００３８】
あるいは又、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（５）残された電子放出層の不要部分を選択的に除去する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ｂの方法と呼ぶ。
【００３９】
あるいは又、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ｃの方法と呼ぶ。
【００４０】
あるいは又、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ｄの方法と呼ぶ。
【００４１】
あるいは又、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（４）残された電子放出層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ｅの方法と呼ぶ。
【００４２】
あるいは又、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第１Ｆの方法と呼ぶ。
【００４３】
尚、以上の第１Ａの方法〜第１Ｆの方法の手順を、以下の表１に一覧表にして示す。
【００４４】
［表１］
0003828397.tif 000002
【００４５】
本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ａの方法と呼ぶ。
【００４６】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｂの方法と呼ぶ。
【００４７】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｃの方法と呼ぶ。
【００４８】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｄの方法と呼ぶ。
【００４９】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｅの方法と呼ぶ。
【００５０】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｆの方法と呼ぶ。
【００５１】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｇの方法と呼ぶ。
【００５２】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｈの方法と呼ぶ。
【００５３】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｉの方法と呼ぶ。
【００５４】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｊの方法と呼ぶ。
【００５５】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｋの方法と呼ぶ。
【００５６】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｌの方法と呼ぶ。
【００５７】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｍの方法と呼ぶ。
【００５８】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（５）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（６）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｎの方法と呼ぶ。
【００５９】
あるいは又、本発明の第２の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第２Ｏの方法と呼ぶ。
【００６０】
尚、以上の第２Ａの方法〜第２Ｏの方法の手順を、以下の表２〜表４に一覧表にして示す。
【００６１】
［表２］
0003828397.tif 000003
【００６２】
［表３］
0003828397.tif 000004
【００６３】
［表４］
0003828397.tif 000005
【００６４】
第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（５）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ａの方法と呼ぶ。
【００６５】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（５）残された電子放出層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｂの方法と呼ぶ。
【００６６】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｃの方法と呼ぶ。
【００６７】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（４）残された電子放出層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｄの方法と呼ぶ。
【００６８】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｅの方法と呼ぶ。
【００６９】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、電子放出層を形成する工程と、
（３）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｆの方法と呼ぶ。
【００７０】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出層を露出させる工程と、
（５）第２の開口部の底部に露出した電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｇの方法と呼ぶ。
【００７１】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（４）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出層を露出させる工程と、
（６）第２の開口部の底部に露出した電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｈの方法と呼ぶ。
【００７２】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部にカソード電極を露出させる工程と、
（４）第２の開口部の底部に露出したカソード電極上に、電子放出層を形成する工程と、
（５）電子放出層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第３Ｉの方法と呼ぶ。
【００７３】
尚、以上の第３Ａの方法〜第３Ｉの方法の手順を、以下の表５及び表６に一覧表にして示す。
【００７４】
［表５］
0003828397.tif 000006
【００７５】
［表６］
0003828397.tif 000007
【００７６】
第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ａの方法と呼ぶ。
【００７７】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｂの方法と呼ぶ。
【００７８】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｃの方法と呼ぶ。
【００７９】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｄの方法と呼ぶ。
【００８０】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｅの方法と呼ぶ。
【００８１】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｆの方法と呼ぶ。
【００８２】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｇの方法と呼ぶ。
【００８３】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｈの方法と呼ぶ。
【００８４】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｉの方法と呼ぶ。
【００８５】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｊの方法と呼ぶ。
【００８６】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）カソード電極上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（７）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｋの方法と呼ぶ。
【００８７】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｌの方法と呼ぶ。
【００８８】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（５）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（６）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｍの方法と呼ぶ。
【００８９】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層上、及び、基層上に電子放出層を形成する工程と、
（６）電子放出層を所望の形状にパターニングする工程と、
（７）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（８）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に電子放出体を露出させる工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｎの方法と呼ぶ。
【００９０】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（６）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｏの方法と呼ぶ。
【００９１】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｐの方法と呼ぶ。
【００９２】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｑの方法と呼ぶ。
【００９３】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層を露出させる工程と、
（５）第２の開口部の底部に露出した基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｒの方法と呼ぶ。
【００９４】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）カソード電極上に、基層を形成する工程と、
（４）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（５）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層を露出させる工程と、
（６）第２の開口部の底部に露出した基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｓの方法と呼ぶ。
【００９５】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（４）残された基層の不要部分を選択的に除去する工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｔの方法と呼ぶ。
【００９６】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）基層を電気分解することによって、カソード電極用導電材料層の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（５）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｕの方法と呼ぶ。
【００９７】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層及びカソード電極を露出させる工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｖの方法と呼ぶ。
【００９８】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層上に、基層を形成する工程と、
（３）基層を所望の形状にパターニングする工程と、
（４）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（５）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に基層を露出させる工程と、
（６）第２の開口部の底部に露出した基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（７）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｗの方法と呼ぶ。
【００９９】
あるいは又、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出体は、より具体的には、
（１）支持体上にカソード電極用導電材料層を形成する工程と、
（２）カソード電極用導電材料層をパターニングすることによってカソード電極を形成する工程と、
（３）全面に絶縁層を形成した後、第１の開口部を有するゲート電極を形成し、更に、第１の開口部と連通した第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部にカソード電極を露出させる工程と、
（４）第２の開口部の底部に露出したカソード電極上に、基層を形成する工程と、
（５）基層を電気分解することによって、カソード電極の一部分の上に凸状の基層を残す工程と、
（６）第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層の上に電子放出層を形成する工程、
によって形成することができる。尚、このような方法を、便宜上、第４Ｘの方法と呼ぶ。
【０１００】
尚、以上の第４Ａの方法〜第４Ｘの方法の手順を、以下の表７〜表１０に一覧表にして示す。
【０１０１】
［表７］
0003828397.tif 000008
【０１０２】
［表８］
0003828397.tif 000009
【０１０３】
［表９］
0003828397.tif 000010
【０１０４】
［表１０］
0003828397.tif 000011
【０１０５】
尚、第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子に関する、本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、第２の開口部を形成した後に電子放出層（あるいは基層）を形成する場合、例えば、第２の開口部の底部の中央部にカソード電極及び基層（あるいはカソード電極）の表面が露出したマスク層を形成した後（即ち、少なくとも第２の開口部の側壁にマスク層を形成した後）、露出したカソード電極及び基層（あるいはカソード電極）の表面を含むマスク層上に、電子放出層（あるいは基層）を形成すればよい。即ち、リフトオフ法を採用すればよい。
【０１０６】
かかるマスク層の形成は、例えば、レジスト材料層を全面に塗布した後、リソグラフィ技術に基づき、第２の開口部の底部の中央部に位置するレジスト材料層に孔部を形成する方法により行うことができる。第２の開口部の底部に位置するカソード電極及び基層（あるいはカソード電極）の一部分、第２の開口部の側壁、第１の開口部の側壁及びゲート電極がマスク層で被覆された状態で、第２の開口部の底部の中央部に位置するカソード電極及び基層（あるいはカソード電極）の表面に電子放出層（あるいは基層）を形成するので、カソード電極とゲート電極とが、電子放出層（あるいは基層）を構成する材料によって短絡することを確実に防止し得る。
【０１０７】
尚、３電極型の冷陰極電界電子放出素子の製造にあっては、絶縁層上にストライプ状を有するゲート電極を形成した後、絶縁層及びゲート電極上に、第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層に第３の開口部を形成した後、かかる第２の絶縁層をエッチング用マスクとして用いて、ゲート電極に開口部を形成し、更に、絶縁層に第２の開口部を形成する構成としてもよい。この場合、第２の絶縁層は、一種のハードマスク層として機能する。あるいは又、絶縁層上にストライプ状を有するゲート電極を形成した後、絶縁層及びゲート電極上に、第２の絶縁層を形成し、この第２の絶縁層上に孔部を有する収束電極を形成し、次いで、第２の絶縁層に第３の開口部を形成した後、ゲート電極に開口部を形成し、更に、絶縁層に第２の開口部を形成する構成としてもよい。
【０１０８】
ここで、収束電極とは、第１の開口部から放出されアノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルトのオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電源から相対的な負電圧が印加される。収束電極は、必ずしも各冷陰極電界電子放出素子毎に設けられている必要はなく、例えば、冷陰極電界電子放出素子の所定の配列方向に沿って延在させることにより、複数の冷陰極電界電子放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。
【０１０９】
あるいは又、本発明の第３の態様あるいは第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法あるいは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、
（イ）絶縁材料から成る帯状あるいは井桁状のゲート電極支持部を支持体上に形成し、且つ、支持体上にカソード電極及び電子放出部を形成する工程と、
（ロ）複数の開口部が形成された帯状材料から成るゲート電極がゲート電極支持部の頂面に接するように、且つ、電子放出部の上方に開口部が位置するように、帯状材料を張架する工程、
から成る方法（以下、第５の製造方法と呼ぶ場合がある）を採用することもできる。
【０１１０】
第５の製造方法によって、第２の構造を有する冷陰極電界電子放出素子を得ることができる。尚、第５の製造方法にあっては、電子放出体を、カソード電極の全体に形成してもよいし、カソード電極の所望の領域にのみ形成してもよい。
【０１１１】
第５の製造方法にあっては、ゲート電極支持部を、隣り合うストライプ状のカソード電極の間の領域、あるいは、複数のカソード電極を一群のカソード電極群としたとき、隣り合うカソード電極群の間の領域に形成すればよい。ゲート電極支持部を構成する材料として、従来公知の絶縁材料を使用することができ、例えば、広く用いられている低融点ガラスにアルミナ等の金属酸化物を混合した材料や、ＳｉＯ2等の絶縁材料を用いることができる。ゲート電極支持部の形成方法として、ＣＶＤ法とエッチング法の組合せ、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、ドライフィルム法、感光法を例示することができる。ドライフィルム法とは、支持体上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によってゲート電極支持部を形成すべき部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口部にゲート電極支持部形成用の絶縁材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口部に埋め込まれたゲート電極支持部形成用の絶縁材料が残り、ゲート電極支持部となる。感光法とは、支持体上に感光性を有するゲート電極支持部形成用の絶縁材料を形成し、露光及び現像によってこの絶縁材料をパターニングした後、焼成を行う方法である。
【０１１２】
本発明の第１の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第１の態様、第３の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、あるいは、本発明の第１の態様、第３の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、基体あるいはカソード電極を構成する材料と、電子放出層を構成する材料の組合せは、電子放出層を電気分解する際、基体あるいはカソード電極、カソード電極用導電材料層は電気分解されず、しかも、基体あるいはカソード電極を構成する材料の仕事関数をΦ1、電子放出層を構成する材料の仕事関数をΦ2としたとき、Φ2＜Φ1を満足する材料の組合せとする必要がある。基体あるいはカソード電極、電子放出層を構成する材料として、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）及びタリウム（Ｔｌ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属、あるいは、これらの元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物やインジウム錫酸化物といった導電性の酸化物）、シリコン（Ｓｉ）等の半導体を挙げることができ、これらの材料から、上記の条件を満足する組合せを適宜選択すればよく、具体的には、（基体あるいはカソード電極を構成する材料，電子放出層を構成する材料）の組合せとして、（タングステン，銅）、（タングステン，クロム）を例示することができるが、これらに限定するものではない。基体あるいはカソード電極、電子放出層の形成方法として、例えば電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ、スクリーン印刷法、メッキ法、リフトオフ法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状を有する基体あるいはカソード電極、電子放出層を形成することが可能である。
【０１１３】
本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、あるいは、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、基体あるいはカソード電極を構成する材料と、基層を構成する材料の組合せは、基層を電気分解する際、基体あるいはカソード電極、カソード電極用導電材料層は電気分解されない材料の組合せとする必要がある。基体あるいはカソード電極、基層を構成する材料として、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）及びタリウム（Ｔｌ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属、あるいは、これらの元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物やインジウム錫酸化物といった導電性の酸化物）、シリコン（Ｓｉ）等の半導体を挙げることができ、これらの材料から、上記の条件を満足する組合せを適宜選択すればよく、具体的には、（基体あるいはカソード電極を構成する材料，基層を構成する材料）の組合せとして、（タングステン，銅）、（タングステン，クロム）を例示することができるが、これらに限定するものではない。基体あるいはカソード電極、基層の形成方法として、例えば電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ、スクリーン印刷法、メッキ法、リフトオフ法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状を有する基体あるいはカソード電極、基層を形成することが可能である。
【０１１４】
本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、あるいは、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、電子放出層を構成する材料は、基層やカソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成する必要があるが、どのような材料を選択するかは、電子放出層の構成材料の仕事関数、ゲート電極と電子放出層との間の電位差、及び所望の放出電子電流密度の大きさに依存する。通常の電界放出素子におけるカソード電極や基層の代表的な構成材料としては、タングステン（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅＶ）、アルミニウム（Φ＝４．２８）、銅（Φ＝４．６）、タンタル（Φ＝４．３）、クロム（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９）を例示することができる。電子放出層は、これらの構成材料よりも小さな仕事関数を有している必要があり、その値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる構成材料として、炭素（Φ＜１）、セシウム（Φ＝２．１４）、ＬａＢ6（Φ＝２．６６〜２．７６）、ＢａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２５〜１．６ｅＶ）、Ｙ2Ｏ3（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが２ｅＶ以下である構成材料は、一層好ましい。
【０１１５】
本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法、あるいは、本発明の第２の態様、第４の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、特に好ましい電子放出層の構成材料として、炭素、より具体的には、ダイヤモンド、ナノクリスタルダイヤモンド、グラファイト、ナノクリスタルグラファイト、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンシートを挙げることができる。電子放出層を、これらの材料を用いて構成した場合には、５×１０7Ｖ／ｍ以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、これらの材料は電気抵抗体とすることができるため、各開口部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。あるいは又、特に好ましい電子放出層の構成材料として、グラファイト粒子（粉末）、アモルファスカーボン粒子（粉末）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）粒子（粉末）を挙げることができる。また、タングステン（Ｗ）粒子（粉末）、ニオブ（Ｎｂ）粒子（粉末）、タンタル（Ｔａ）粒子（粉末）、チタン（Ｔｉ）粒子（粉末）、モリブデン（Ｍｏ）粒子（粉末）、クロム（Ｃｒ）粒子（粉末）等の高融点金属粒子（粉末）；あるいはＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）等の透明導電材料の粒子（粉末）を使用することができる。粒子（粉末）の粒径は概ね０．１μｍ〜１μｍの範囲とすることが好ましい。
【０１１６】
以上に挙げた各種の材料から電子放出層を形成する場合、これらの材料を分散媒に分散させた導電性組成物を使用することが好ましい。尚、導電性組成物には、その他、ｐＨ調整剤、乾燥剤、硬化剤、防腐剤等が添加されていてもよい。分散媒は、水ガラスのように分散媒を兼ね得るバインダであってもよいし、水であってもよいし、あるいは、アルコール系、エーテル系、ケトン系、エステル系、炭化水素系等の有機溶媒であってもよい。バインダとして、ガラスの他に、塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロースエステル樹脂、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。但し、バインダは一般に導電性に劣るので、形成される電子放出体の電気抵抗値が上昇したり、粒子（粉末）がバインダに被覆され、電子放出が妨げられることがない程度にバインダの添加量を選択することが好ましい。水ガラスとして、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｋ１４０８に規定される１号乃至４号、又はこれらの同等品を使用することができる。ここで、水ガラスとは、二酸化珪素とアルカリとを溶解して得られた珪酸アルカリ塩を濃厚水溶液にしたものを指す。１号乃至４号は、水ガラスの構成成分である酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）１モルに対する二酸化珪素（ＳｉＯ2）のモル数（約２〜４モル）の違いに基づく４段階の等級であり、それぞれ粘度が大きく異なる。あるいは又、Ｋ2Ｏを主成分とする水ガラスを用いることもできる。
【０１１７】
第１の構造を有する冷陰極電界電子放出素子におけるゲート電極を構成する材料として、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物）；あるいはシリコン（Ｓｉ）等の半導体；ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。ゲート電極を形成した後、電子放出層や基層を電気分解する場合には、その際、ゲート電極が電気分解されないような材料を選定する必要がある。ゲート電極を作製するには、ＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、電解メッキ法、無電解メッキ法、スクリーン印刷法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル法等の公知の薄膜形成技術により、上述の構成材料から成る薄膜を絶縁層上に形成する。尚、薄膜を絶縁層の全面に形成した場合には、公知のパターニング技術を用いて薄膜をパターニングし、ストライプ状のゲート電極を形成する。ストライプ状のゲート電極の形成後、ゲート電極に第１の開口部を形成してもよいし、ストライプ状のゲート電極の形成と同時に、ゲート電極に第１の開口部を形成してもよい。また、ゲート電極用導電材料層を形成する前の絶縁層上に予めレジストパターンを形成しておけば、リフトオフ法によるゲート電極の形成が可能である。更には、ゲート電極の形状に応じた孔部を有するマスクを用いて蒸着を行ったり、かかる孔部を有するスクリーンを用いてスクリーン印刷を行えば、成膜後のパターニングは不要となる。また、開口部を有する帯状材料を上述した材料から適宜選択して予め作製しておき、かかる帯状材料をゲート電極支持部上に固定することによって、ゲート電極を設けることもでき、これによって第２の構造を有する冷陰極電界電子放出素子を得ることができる。
【０１１８】
本発明の製造方法においては、基体あるいはカソード電極、カソード電極用導電材料層上に、抵抗体層を形成してもよい。抵抗体層を構成する材料として、１ＭΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有する材料具体的には、ＳｉＣＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、高抵抗ｐ型Ｓｉ、高抵抗ｎ型Ｓｉ、ＳｉＮ、あるいは、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物といった材料を例示することができる。
【０１１９】
冷陰極電界電子放出表示装置において、アノードパネルは、基板と蛍光体層とアノード電極とから成る。電子が照射される面は、アノードパネルの構造に依るが、蛍光体層から構成され、あるいは又、アノード電極から構成される。
【０１２０】
アノード電極の構成材料は、冷陰極電界電子放出表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透過型（アノードパネルが表示面に相当する）であって、且つ、基板上にアノード電極と蛍光体層がこの順に積層されている場合には、基板は元より、アノード電極自身も透明である必要があり、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いるが、構成によっては、アノード電極は不透明であってもよい。一方、冷陰極電界電子放出表示装置が反射型（カソードパネルが表示面に相当する）である場合、及び、透過型であっても基板上に蛍光体層とアノード電極とがこの順に積層されている場合には、ＩＴＯの他、カソード電極やゲート電極に関連して上述した材料を適宜選択して用いることができる。
【０１２１】
蛍光体層を構成する蛍光体として、高速電子励起用蛍光体や低速電子励起用蛍光体を用いることができる。冷陰極電界電子放出表示装置が単色表示装置である場合、蛍光体層は特にパターニングされていなくともよい。また、冷陰極電界電子放出表示装置がカラー表示装置である場合、ストライプ状又はドット状にパターニングされた赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色に対応する蛍光体層を交互に配置することが好ましい。尚、パターニングされた蛍光体層間の隙間は、表示画面のコントラスト向上を目的としたブラックマトリックスで埋め込まれていてもよい。
【０１２２】
アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【０１２３】
冷陰極電界電子放出素子において、第１の開口部あるいは第２の開口部の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１の開口部の形成は、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１の開口部を直接形成することもできる。第２の開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。ゲート電極に１つの第１の開口部を設け、かかるゲート電極に設けられた１つの第１の開口部と連通する１つの第２の開口部を絶縁層に設け、かかる絶縁層に設けられた第２の開口部内に１つの電子放出部を設けてもよいし、ゲート電極に複数の第１の開口部を設け、かかるゲート電極に設けられた複数の第１の開口部と連通する１つの第２の開口部を絶縁層に設け、かかる絶縁層に設けられた１つの第２の開口部内に１又は複数の電子放出部を設けてもよい。
【０１２４】
絶縁層や第２の絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や第２の絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【０１２５】
カソードパネルを構成する支持体は、少なくとも表面が絶縁性部材より構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。アノードパネルを構成する基板も、支持体と同様に構成することができる。本発明の電子放出体においても、基体を支持体上に形成する必要があるが、かかる支持体は絶縁材料あるいは上述の材料から構成すればよい。
【０１２６】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合する場合、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいはガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【０１２７】
カソードパネルとアノードパネルと枠体の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【０１２８】
接合後に排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域（実際の表示部分としては機能しない領域）に設けられた貫通部の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので、好適である。
【０１２９】
本発明においては、電気分解によって、基体の一部分の上に、あるいは又、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に、凸状の電子放出層あるいは基層を残すので、大面積であっても、均一に、且つ、制御性良く凹凸部を有する電子放出体あるいは電子放出部を形成することが可能となる。
【０１３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき本発明を説明する。
【０１３１】
（実施の形態１）
実施の形態１は、本発明の第１の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）の製造方法、並びに、本発明の第１の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）の製造方法に関し、より具体的には、第１Ａの方法に関する。実施の形態１にて得られる電界放出素子は、所謂２電極型である。
【０１３２】
実施の形態１の表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、１つの電界放出素子の模式的な一部断面図を図２の（Ｃ）に示す。
【０１３３】
実施の形態１における電子放出体１５は、基体（実施の形態１においては、具体的には、ストライプ状のカソード電極１１）上に形成された凸状の電子放出層２０から構成されている。凸状の電子放出層２０は海・島構造を有する。
【０１３４】
あるいは又、実施の形態１における電界放出素子は、支持体１０上に設けられた、カソード電極用導電材料層１１Ａから成るストライプ状のカソード電極１１と、カソード電極１１上に形成された複数の電子放出体１５Ａから構成された電子放出部１５から構成されている。電子放出体１５Ａは、ストライプ状のカソード電極１１の一部分の上に形成された凸状の電子放出層２０から構成されている。
【０１３５】
更には、実施の形態１の表示装置は、これらの電界放出素子が複数設けられたカソードパネルＣＰ、及び、蛍光体層３２（赤色発光蛍光体層３２Ｒ、緑色発光蛍光体層３２Ｇ、青色発光蛍光体層３２Ｂ）とアノード電極３３とを備えたアノードパネルＡＰが、それらの周縁部で接合されて成る。アノード電極３３はストライプ状であり、アノード電極３３の射影像とカソード電極１１の射影像とは直交している。具体的には、カソード電極１１は図１の紙面垂直方向に延び、アノード電極３３は図１の紙面左右方向に延びている。また、蛍光体層３２は、基板３０上に所定のパターン（例えば、ドット状あるいはストライプ状）に従って形成されており、蛍光体層３２上にはアノード電極３３が形成されている。アノード電極３３は、例えば、アルミニウム薄膜から成る。蛍光体層３２と蛍光体層３２との間の基板３０上にはブラックマトリックス３１が形成されているが、ブラックマトリックス３１を省略することもできる。また、単色表示装置を想定した場合、蛍光体層３２は必ずしも所定のパターンに従って設けられる必要はない。１画素は、ストライプ状のカソード電極１１とストライプ状のアノード電極３３とが重複したアノード電極／カソード電極重複領域から構成されている。有効領域には、かかる画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて、２次元マトリクス状に配列されている。尚、ＩＴＯ等の透明導電膜から成るアノード電極を基板３０と蛍光体層３２との間に設けてもよく、あるいは、基板３０上に設けられた透明導電膜から成るアノード電極３３と、アノード電極３３上に形成された蛍光体層３２及びブラックマトリックス３１と、蛍光体層３２及びブラックマトリックス３１の上に形成されたアルミニウムから成り、アノード電極３３と電気的に接続された光反射導電膜から構成することもできる。
【０１３６】
また、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間には、両パネル間の距離を一定に維持するための補助的手段として、有効領域内に等間隔にスペーサ３５が配置されている。尚、スペーサ３５の形状は、円柱形に限らず、例えば球状でもよいし、ストライプ状の隔壁（リブ）であってもよい。また、スペーサ３５は、必ずしも全てのカソード電極の重複領域の四隅に配置されている必要はなく、より疎に配置されていてもよいし、配置が不規則であってもよい。
【０１３７】
実施の形態１の表示装置にあっては、アノード電極３３によって形成された電界に基づき、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極３３に引き付けられ、蛍光体層３２に衝突する。そして、このような構成の表示装置の駆動は、所謂単純マトリクス方式により行われる。即ち、カソード電極１１に相対的に負の電圧を印加し、アノード電極３３に相対的に正の電圧を印加する。その結果、列選択されたカソード電極１１と行選択されたアノード電極３３（あるいは、行選択されたカソード電極１１と列選択されたアノード電極３３）とのアノード電極／カソード電極重複領域に位置する電子放出部から選択的に真空空間中へ電子が放出され、この電子がアノード電極３３に引き付けられてアノードパネルＡＰを構成する蛍光体層３２に衝突し、蛍光体層３２を励起、発光させる。カソード電極１１及びアノード電極３３の電気的な制御は、カソード電極制御回路４０及びアノード電極制御回路４２によってなされる。
【０１３８】
カソードパネルＣＰの無効領域には、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管（図示せず）が接続されている。枠体３４は、セラミックス又はガラスから成り、高さは、例えば１．０ｍｍである。場合によっては、枠体３４の代わりに接着層のみを用いることもできる。
【０１３９】
以下、実施の形態１における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図２を参照して説明する。
【０１４０】
［工程−１００］
先ず、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。具体的には、タングステン（Ｗ）から成る厚さ０．２μｍのカソード電極用導電材料層１１Ａをスパッタリング法にて支持体１０上に形成する。
【０１４１】
［工程−１１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成する（図２の（Ａ）参照）。尚、カソード電極１１は、図２の紙面垂直方向に延びている。
【０１４２】
［工程−１２０］
次に、導電性の基体であるカソード電極１１上に（より具体的には、全面に）、電子放出層２０を形成する（図２の（Ｂ）参照）。具体的には、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）から成る厚さ０．０５μｍの電子放出層２０をスパッタリング法にて支持体１０及びカソード電極１１上に形成する。
【０１４３】
［工程−１３０］
その後、電子放出層２０を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の電子放出層２０を残す（図２の（Ｃ）参照）。具体的には、アンモニア水溶液中に支持体１０全体を浸漬する。そして、ステンレス鋼を陰極として用い、カソード電極１１を陽極として、電子放出層２０を電気分解する。電気分解の条件を以下の表１１に例示する。これによって、カソード電極１１及び支持体１０を海に見立てた場合、電子放出層２０が島状に残された構成を得ることができる。支持体１０上にも電子放出層２０が残されるが、かかる電子放出層２０の部分からは電子が放出されることは無いし、カソード電極１１間で短絡が発生することも無い。尚、図においては、規則的に電子放出層２０が残されているように図示しているが、実際には、ランダムに電子放出層２０が残される。以下の実施の形態においても、電子放出層あるいは基層を電気分解する場合、ランダムに電子放出層あるいは基層が残される。
【０１４４】
［表１１］
電圧    ：２０ボルト
処理時間：１０秒
使用陰極：ステンレス鋼板
【０１４５】
［工程−１４０］
その後、表示装置の組み立てを行う。具体的には、蛍光体層３２と電界放出素子とが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、基板３０と支持体１０）とを、枠体３４を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体３４とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び枠体３４とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体３４とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体３４とフリットガラスとによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体３４とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、表示装置を完成させる。
【０１４６】
尚、図１に示した表示装置におけるアノードパネルＡＰの製造方法の一例を、以下、基板等の模式的な一部端面図である図３を参照して説明する。
【０１４７】
先ず、発光性結晶粒子組成物を調製する。そのために、例えば、純水に分散剤を分散させ、ホモミキサーを用いて３０００ｒｐｍにて１分間、撹拌を行う。次に、発光性結晶粒子を分散剤が分散した純水中に投入し、ホモミキサーを用いて５０００ｒｐｍにて５分間、撹拌を行う。その後、例えば、ポリビニルアルコール及び重クロム酸アンモニウムを添加して、十分に撹拌し、濾過する。
【０１４８】
アノードパネルＡＰの製造においては、例えばガラスから成る基板３０上の全面に感光性被膜５０を形成（塗布）する。そして、露光光源（図示せず）から射出され、マスク５３に設けられた孔部５４を通過した紫外線によって、基板３０上に形成された感光性被膜５０を露光して感光領域５１を形成する（図３の（Ａ）参照）。その後、感光性被膜５０を現像して選択的に除去し、感光性被膜の残部（露光、現像後の感光性被膜）５２を基板３０上に残す（図３の（Ｂ）参照）。次に、全面にカーボン剤（カーボンスラリー）を塗布し、乾燥、焼成した後、リフトオフ法にて感光性被膜の残部５２及びその上のカーボン剤を除去することによって、露出した基板３０上にカーボン剤から成るブラックマトリックス３１を形成し、併せて、感光性被膜の残部５２を除去する（図３の（Ｃ）参照）。その後、露出した基板３０上に、赤、緑、青の各蛍光体層３２を形成する（図３の（Ｄ）参照）。具体的には、各発光性結晶粒子（蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像すればよい。その後、蛍光体層３２及びブラックマトリックス３１上にスパッタリング法にて厚さ約０．０７μｍのアルミニウム薄膜から成るアノード電極３３（ストライプ形状を有する）を形成する。尚、スクリーン印刷法等により各蛍光体層３２を形成することもできる。
【０１４９】
尚、［工程−１００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−１１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極と電子放出層との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０１５０】
また、［工程−１３０］の後、リソグラフィ技術及びエッチング技術によって、残された電子放出層２０の不要部分（例えば、支持体１０上の電子放出層２０、あるいは又、アノード電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０、あるいは又、支持体１０上の電子放出層２０及びアノード電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０）を選択的に除去してもよい。
【０１５１】
１画素を、カソードパネル側において矩形形状のカソード電極１１と、その上に形成された電子放出部１５と、電子放出部１５に対面するようにアノードパネルＡＰの有効領域に配列された蛍光体層３２とによって構成してもよい。このような表示装置においては、１画素単位で、カソード電極１１に印加する電圧の制御を行う。カソード電極１１の平面形状は、図４の斜視図に模式的に示すように、略矩形であり、各カソード電極１１は、配線１１Ａ、及び、例えばトランジスタから成るスイッチング素子（図示せず）を介してカソード電極制御回路４０に接続されている。また、アノード電極３３はアノード電極制御回路４２に接続されている。アノード電極３３は、１枚の導電材料シートが有効領域を覆う構造を有していればよい。場合によっては、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応するアノード電極ユニットが集合した形式のアノード電極としてもよい。各カソード電極１１に閾値電圧以上の電圧が印加されると、アノード電極３３によって形成される電界に基づき、量子トンネル効果に基づき電子放出部（カソード電極１１上に形成されているが、図４においては図示を省略した）を構成する電子放出体から電子が放出され、この電子がアノード電極３３に引き付けられ、蛍光体層３２に衝突する。輝度は、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【０１５２】
このような構造の電界放出素子の製造にあたっては、［工程−１００］において、例えばガラス基板から成る支持体１０上にカソード電極用導電材料層を形成した後、［工程−１１０］において、リソグラフィ技術及び反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）に基づき、カソード電極用導電材料層をパターニングすることによって、矩形形状のカソード電極１１を支持体１０上に形成する。同時に、カソード電極１１に接続された配線１１Ａ（図４参照）を支持体１０上に形成する。以降、［工程−１２０］〜［工程−１４０］を実行すればよい。
【０１５３】
［工程−１１０］〜［工程−１３０］及び電子放出層のパターニング、あるいは選択的な除去の順序を、表１に示したように、種々、変更することができる。
【０１５４】
また、［工程−１２０］において、導電性の基体であるカソード電極１１以外の領域をマスク層で被覆した状態で、黒鉛やカーボンナノチューブ、ＳｉＣとアルカリ可溶型樹脂と溶剤との混合液をスピンコーティング法にて全面に塗布し、溶剤を除去した後、マスク層を除去することによって、導電性の基体であるカソード電極１１上に黒鉛やカーボンナノチューブ、ＳｉＣとアルカリ可溶型樹脂から成る電子放出層を残し、［工程−１３０］にて、電気泳動法に基づき、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の電子放出層２０を残すこともできる。
【０１５５】
（実施の形態２）
実施の形態２は、本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第２の態様に係る電界放出素子の製造方法、並びに、本発明の第２の態様に係る表示装置の製造方法に関し、より具体的には、第２Ｈの方法に関する。実施の形態２にて得られる電界放出素子は、所謂２電極型である。
【０１５６】
実施の形態２の表示装置における１つの電界放出素子の模式的な一部断面図を図６の（Ｃ）に示す。実施の形態２の表示装置におけるカソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの構造は、図５に模式的な一部断面図を示すように、実質的に、図１の模式的な一部断面図に示した実施の形態１の表示装置におけるカソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの構造と実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１５７】
実施の形態２における電子放出体１５は、基体（実施の形態２においては、具体的には、ストライプ状のカソード電極１１）と、基体の一部分の上に形成された凸状の基層２１と、基体及び基層２１の上に形成された電子放出層２２から成る。
【０１５８】
あるいは又、実施の形態２における電界放出素子は、支持体１０上に設けられた、カソード電極用導電材料層１１Ａから成るストライプ状のカソード電極１１と、カソード電極１１上に形成された複数の電子放出体１５Ａから構成された電子放出部１５から成る。電子放出体１５Ａは、ストライプ状のカソード電極１１の一部分の上に形成された凸状の基層２１と、カソード電極１１及び基層２１の上に形成された電子放出層２２から成る。
【０１５９】
以下、実施の形態２における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図６を参照して説明する。
【０１６０】
［工程−２００］
先ず、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。具体的には、タングステン（Ｗ）から成る厚さ０．２μｍのカソード電極用導電材料層１１Ａをスパッタリング法にて支持体１０上に形成する。
【０１６１】
［工程−２１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。尚、カソード電極１１は、図６の紙面垂直方向に延びている。
【０１６２】
［工程−２２０］
次いで、カソード電極１１上に、基層２１を形成する（図６の（Ａ）参照）。具体的には、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）から成る厚さ０．２μｍの基層２１をスパッタリング法にて全面に形成する。
【０１６３】
［工程−２３０］
その後、基層２１を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の基層２１を残す（図６の（Ｂ）参照）。具体的には、アンモニア水溶液中に支持体１０全体を浸漬する。そして、ステンレス鋼を陰極として用い、カソード電極１１を陽極として、基層２１を電気分解する。電気分解の条件は表１１と同様とすることができる。これによって、カソード電極１１及び支持体１０を海に見立てた場合、基層２１が島状に残された構成を得ることができる。
【０１６４】
［工程−２４０］
その後、残された基層２１の不要部分を選択的に除去することが好ましい。即ち、リソグラフィ技術及びエッチング技術によって、支持体１０上の基層２１、及び、アノード電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１の領域上の基層２１を除去する。アノード電極／カソード電極重複領域におけるカソード電極１１の上の基層２１が残された領域を、直径２５μｍの円形とした。
【０１６５】
［工程−２５０］
次に、カソード電極１１上、及び、基層２１上に電子放出層２２を形成する。具体的には、カーボンナノチューブ（平均直径１０ｎｍのシングルウォール・カーボンナノチューブ）を分散媒（水ガラスから成る）に分散させた導電性組成物を調製する。そして、スピンコーティング法にて全面にこの導電性組成物を塗布した後、導電性組成物を乾燥して電子放出層２２を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術によって、電子放出層２２の不要部分（例えば、支持体１０上の電子放出層２２及びアノード電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２２）を、リソグラフィ技術及びエッチング技術（ＮＦ4・ＨＦ溶液を用いたウエットエッチング法）に基づき選択的に除去する。次いで、大気中にて４００゜Ｃ、３０分の焼成を行う。こうして、図６の（Ｃ）に示す電界放出素子を得ることができる。
【０１６６】
［工程−２６０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１６７】
尚、［工程−２００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−２１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極１１と基層２１との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０１６８】
実施の形態２の電界放出素子を、実施の形態１の変形例にて説明したと同様に、矩形形状のカソード電極１１から構成することもできる。
【０１６９】
場合によっては、［工程−２４０］の基層２１の選択的な除去を省略してもよいし、［工程−２５０］において電子放出層２２の不要部分の除去を行わなくともよい。また、［工程−２１０］〜［工程−２５０］及び電子放出層のパターニングの順序を、表２〜表４に示したように、種々、変更することができる。
【０１７０】
（実施の形態３）
実施の形態３は、本発明の第１の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第３の態様に係る電界放出素子の製造方法、並びに、本発明の第３の態様に係る表示装置の製造方法に関し、より具体的には、第３Ａの方法に関する。実施の形態３にて得られる電界放出素子は、所謂３電極型である。
【０１７１】
実施の形態３の表示装置の模式的な一部端面図を図７に示し、１つの電界放出素子の模式的な一部端面図を図１０に示し、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰを分解したときの模式的な部分的斜視図を図８に示す。
【０１７２】
実施の形態３における電子放出体１５も、基体（実施の形態３においては、具体的には、ストライプ状のカソード電極１１）上に形成された凸状の電子放出層２０から構成されている。凸状の電子放出層２０は海・島構造を有する。
【０１７３】
あるいは又、実施の形態３における電界放出素子は、支持体１０上に設けられた、カソード電極用導電材料層１１Ａから成るストライプのカソード電極１１と、カソード電極１１上に形成された複数の電子放出体１５Ａから構成された電子放出部１５と、電子放出部１５の上方に配設され、開口部（便宜上、第１の開口部１４Ａと呼ぶ）を有するゲート電極１３から構成されている。電界放出素子は、更に、支持体１０及びカソード電極１１の上に形成された絶縁層１２を備え、絶縁層１２上にゲート電極１３が形成されている。また、絶縁層１２には、ゲート電極１３に設けられた第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂが形成され、第２の開口部１４Ｂの底部に電子放出部１５が露出している。電子放出体１５Ａは、ストライプ状のカソード電極１１の一部分の上に形成された凸状の電子放出層２０から構成されている。
【０１７４】
表示装置は、上述のような電界放出素子が有効領域に多数形成されたカソードパネルＣＰと、アノードパネルＡＰから構成されており、複数の画素から構成され、各画素は、電界放出素子と、電界放出素子に対向して基板３０上に設けられたアノード電極３３及び蛍光体層３２（赤色発光蛍光体層３２Ｒ、緑色発光蛍光体層３２Ｇ、青色発光蛍光体層３２Ｂ）から構成されている。カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとは、それらの周縁部において、枠体３４を介して接合されている。図７に示す一部端面図には、カソードパネルＣＰにおいて、１本のカソード電極１１につき開口部１４Ａ，１４Ｂ及び電子放出部１５を、図面の簡素化のために２つずつ示しているが、これに限定するものではなく、また、電界放出素子の基本的な構成は図１０に示したとおりである。更には、カソードパネルＣＰの無効領域には、真空排気用の貫通孔３６が設けられており、この貫通孔３６には、真空排気後に封じ切られるチップ管３７が接続されている。但し、図７は表示装置の完成状態を示しており、図示したチップ管３７は既に封じ切られている。また、スペーサの図示は省略した。
【０１７５】
アノードパネルＡＰの構造は、実施の形態１にて説明したアノードパネルＡＰと同様の構造とすることができるので、詳細な説明は省略する。但し、アノード電極３３は、１枚の導電材料シートが有効領域を覆う構造を有している。
【０１７６】
この表示装置において表示を行う場合には、カソード電極１１には相対的な負電圧がカソード電極制御回路４０から印加され、ゲート電極１３には相対的な正電圧がゲート電極制御回路４１から印加され、アノード電極３３にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路４２から印加される。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路４０から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４１からビデオ信号を入力する。尚、これとは逆に、カソード電極１１にカソード電極制御回路４０からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４１から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極３３に引き付けられ、蛍光体層３２に衝突する。その結果、蛍光体層３２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。
【０１７７】
以下、実施の形態３における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図９及び図１０を参照して説明する。
【０１７８】
［工程−３００］
先ず、実施の形態１の［工程−１００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０１７９】
［工程−３１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成するカソード電極１１は、図９及び図１０の紙面垂直方向に延びている。
【０１８０】
［工程−３２０］
次に、実施の形態１の［工程−１２０］と同様にして、導電性の基体であるカソード電極１１上に（より具体的には、全面に）、電子放出層２０を形成する。
【０１８１】
［工程−３３０］
その後、実施の形態１の［工程−１３０］と同様にして、電子放出層２０を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の電子放出層２０を残す（図９の（Ａ）参照）。支持体１０上にも電子放出層２０が残されるが、カソード電極１１間で短絡が発生することは無い。
【０１８２】
［工程−３４０］
次いで、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる（図９の（Ｂ）参照）。尚、図９の（Ｂ）においては、レジスト層の図示を省略している。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成した後、レジスト層を除去する。これによって、図１０に示すように、第２の開口部１４Ｂの底部に電子放出層２０が露出した構造を得ることができる。
【０１８３】
［工程−３５０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１８４】
［工程−３３０］の後、リソグラフィ技術及びエッチング技術によって、残された電子放出層２０の不要部分（例えば、支持体１０上の電子放出層２０、あるいは又、ゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０、あるいは又、支持体１０上の電子放出層２０及びゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０）を選択的に除去してもよい。
【０１８５】
実施の形態３における［工程−３２０］〜［工程−３４０］及び電子放出層のパターニングの順序を、表５に示したように、種々、変更することができる。
【０１８６】
（実施の形態４）
実施の形態４は、実施の形態３の変形である。実施の形態４においては、電子放出層の形成、絶縁層の形成、ゲート電極の形成、第２の開口部の形成の後に、電子放出層の電気分解を行う。より具体的には、第３Ｈの方法に関する。以下、実施の形態４における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図１１及び図１２を参照して説明する。
【０１８７】
［工程−４００］
先ず、実施の形態１の［工程−１００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０１８８】
［工程−４１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成するカソード電極１１は、図１１及び図１２の紙面垂直方向に延びている。
【０１８９】
［工程−４２０］
次に、実施の形態１の［工程−１２０］と同様にして、導電性の基体であるカソード電極１１上に（より具体的には、全面に）、電子放出層２０を形成する。
【０１９０】
［工程−４３０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術によって、残された電子放出層２０の不要部分（例えば、支持体１０上の電子放出層２０、あるいは又、ゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０、あるいは又、支持体１０上の電子放出層２０及びゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１上の電子放出層２０）を選択的に除去する（図１１の（Ａ）参照）。尚、この工程は、場合によっては不要であり、この場合には、第３Ｇの方法となる。
【０１９１】
［工程−４４０］
次いで、実施の形態３の［工程−３４０］と同様に、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる（図１１の（Ｂ）参照）。尚、図１１の（Ｂ）においては、レジスト層の図示を省略している。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成した後、レジスト層を除去する。これによって、図１２の（Ａ）に示すように、第２の開口部１４Ｂの底部に電子放出層２０が露出した構造を得ることができる。
【０１９２】
［工程−４５０］
その後、実施の形態１の［工程−１３０］と同様にして、第２の開口部１４Ｂの底部に露出した電子放出層２０を電気分解することによって、第２の開口部１４Ｂの底部に露出したカソード電極１１の一部分の上に、凸状の電子放出層２０を残す（図１２の（Ｂ）参照）。
【０１９３】
［工程−４６０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１９４】
（実施の形態５）
実施の形態５も、実施の形態３の変形である。実施の形態５においては、絶縁層の形成、ゲート電極の形成、第２の開口部の形成の後に、電子放出層の形成及び電気分解を行う。より具体的には、第３Ｉの方法に関する。以下、実施の形態５における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図１３及び図１４を参照して説明する。
【０１９５】
［工程−５００］
先ず、実施の形態１の［工程−１００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０１９６】
［工程−５１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成するカソード電極１１は、図１３及び図１４の紙面垂直方向に延びている。
【０１９７】
［工程−５２０］
次に、実施の形態３の［工程−３４０］と同様に、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成する。これによって、図１３の（Ａ）に示すように、第２の開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１が露出した構造を得ることができる。
【０１９８】
［工程−５３０］
その後、第２の開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１の部分の表面に電子放出体を形成する。そのために、先ず、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部にカソード電極１１の表面が露出したマスク層１１６を形成する（図１３の（Ｂ）参照）。具体的には、レジスト材料層をスピンコート法にて開口部１４Ａ，１４Ｂ内を含む全面に成膜した後、リソグラフィ技術に基づき、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するレジスト材料層に孔部を形成することによって、マスク層１１６を得ることができる。実施の形態５において、マスク層１１６は、第２の開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１の一部分、第２の開口部１４Ｂの側壁、第１の開口部１４Ａの側壁、ゲート電極１３及び絶縁層１２を被覆している。これによって、以降の工程で、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するカソード電極１１の部分の表面に電子放出層を形成するが、カソード電極１１とゲート電極１３とが、電子放出層の形成によって短絡することを確実に防止し得る。
【０１９９】
［工程−５４０］
次いで、第２の開口部１４Ｂの底部に露出したカソード電極１１上に、電子放出層２０を形成する。具体的には、全面に、実施の形態１の［工程−１２０］と同様にして、電子放出層２０を形成した後、弗化アンモニウム溶液を用いてマスク層１１６を除去する（図１４の（Ａ）参照）。
【０２００】
［工程−５５０］
その後、実施の形態１の［工程−１３０］と同様にして、第２の開口部１４Ｂの底部に露出した電子放出層２０を電気分解することによって、第２の開口部１４Ｂの底部に露出したカソード電極１１の一部分の上に凸状の電子放出層２０を残す（図１４の（Ｂ）参照）。
【０２０１】
［工程−５６０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０２０２】
尚、［工程−３００］、［工程−４００］あるいは［工程−５００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−３１０］、［工程−４１０］あるいは［工程−５１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極と電子放出層との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０２０３】
（実施の形態６）
実施の形態６は、本発明の第２の態様に係る電子放出体の製造方法、本発明の第４の態様に係る電界放出素子の製造方法、並びに、本発明の第４の態様に係る表示装置の製造方法に関し、より具体的には、第４Ｄの方法に関する。実施の形態６にて得られる電界放出素子は、所謂３電極型である。
【０２０４】
実施の形態６の表示装置における１つの電界放出素子の模式的な一部端面図を図１７に示す。実施の形態６の表示装置におけるカソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの構造は、図１５に模式的な一部端面図を示すように、実質的に、図７の模式的な一部端面図に示した実施の形態３の表示装置におけるカソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの構造と実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０２０５】
実施の形態６における電子放出体１５は、基体（実施の形態６においては、具体的には、ストライプ状のカソード電極１１）と、基体の一部分の上に形成された凸状の基層２１と、基体及び基層２１の上に形成された電子放出層２２から成る。
【０２０６】
あるいは又、実施の形態６における電界放出素子は、支持体１０上に設けられた、カソード電極用導電材料層１１Ａから成るストライプ状のカソード電極１１と、カソード電極１１上に形成された複数の電子放出体１５Ａから構成された電子放出部１５から構成されている。電子放出体１５Ａは、ストライプ状のカソード電極１１の一部分の上に形成された凸状の基層２１と、カソード電極１１及び基層２１の上に形成された電子放出層２２から成る。
【０２０７】
以下、実施の形態６における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図１６及び図１７を参照して説明する。
【０２０８】
［工程−６００］
先ず、実施の形態２の［工程−２００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０２０９】
［工程−６１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。尚、カソード電極１１は、図１６及び図１７の紙面垂直方向に延びている。
【０２１０】
［工程−６２０］
次いで、実施の形態２の［工程−２２０］と同様にして、カソード電極１１上に、基層２１を形成する。
【０２１１】
［工程−６３０］
その後、実施の形態２の［工程−２３０］と同様にして、基層２１を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の基層２１を残す。その後、実施の形態２の［工程−２４０］と同様にして、残された基層２１の不要部分（例えば、支持体１０上の基層２１、及び、ゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１の領域上の基層２１）を選択的に除去することが好ましいが、場合によってはこの除去は不要である。
【０２１２】
［工程−６４０］
次に、実施の形態２の［工程−２５０］と同様にして、カソード電極１１上、及び、基層２１上に電子放出層２２を形成する（図１６の（Ａ）参照）。
【０２１３】
［工程−６５０］
次いで、実施の形態３の［工程−３４０］と同様に、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる（図１６の（Ｂ）参照）。尚、図１６の（Ｂ）においては、レジスト層の図示を省略している。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成した後、レジスト層を除去する。これによって、図１７に示すように、第２の開口部１４Ｂの底部に電子放出体１５Ａが露出した構造を得ることができる。尚、第１の開口部１４Ａの直径を２２μｍとした。
【０２１４】
［工程−６６０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０２１５】
尚、［工程−６４０］において、導電性組成物を乾燥した後、電子放出層２２の不要部分の除去を行うことなく、導電性組成物を大気中にて４００゜Ｃ、３０分で焼成し、電子放出層を形成してもよい。
【０２１６】
また、［工程−６００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−６１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極と電子放出層との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０２１７】
［工程−６１０］〜［工程−６５０］、基層のパターニング、及び、電子放出層のパターニングの順序を、表７〜表８に示したように、種々、変更することができる。
【０２１８】
（実施の形態７）
実施の形態７は、実施の形態６の変形である。実施の形態７においては、基層の形成、基層の電気分解、絶縁層の形成、ゲート電極の形成、第２の開口部の形成の後に、電子放出層の形成を行う。より具体的には、第４Ｐの方法に関する。以下、実施の形態７における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図１８及び図１９を参照して説明する。
【０２１９】
［工程−７００］
先ず、実施の形態２の［工程−２００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０２２０】
［工程−７１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。尚、カソード電極１１は、図１８及び図１９の紙面垂直方向に延びている。
【０２２１】
［工程−７２０］
次いで、実施の形態２の［工程−２２０］と同様にして、カソード電極１１上に、基層２１を形成する。
【０２２２】
［工程−７３０］
その後、実施の形態２の［工程−２３０］と同様にして、基層２１を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の基層２１を残す。その後、実施の形態２の［工程−２４０］と同様にして、残された基層２１の不要部分（例えば、支持体１０上の基層２１、及び、ゲート電極／カソード電極重複領域以外のカソード電極１１の領域上の基層２１）を選択的に除去することが好ましいが、場合によってはこの除去は不要である。こうして、図１８の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【０２２３】
［工程−７４０］
次に、実施の形態３の［工程−３４０］と同様に、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる（図１８の（Ｂ）参照）。尚、図１８の（Ｂ）においては、レジスト層の図示を省略している。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成した後、レジスト層を除去する。これによって、第２の開口部１４Ｂの底部に基層２１及びカソード電極１１が露出した構造を得ることができる。
【０２２４】
［工程−７５０］
その後、第２の開口部１４Ｂの底部に位置する基層２１及びカソード電極１１の上に電子放出層２２を形成する。そのために、先ず、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部にカソード電極１１の表面が露出したマスク層１１６を形成する（図１９の（Ａ）参照）。具体的には、レジスト材料層をスピンコート法にて開口部１４Ａ，１４Ｂ内を含む全面に成膜した後、リソグラフィ技術に基づき、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するレジスト材料層に孔部を形成することによって、マスク層１１６を得ることができる。実施の形態７において、マスク層１１６は、第２の開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１の一部分、第２の開口部１４Ｂの側壁、第１の開口部１４Ａの側壁、ゲート電極１３及び絶縁層１２を被覆している。これによって、以降の工程で、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するカソード電極１１の部分の表面に電子放出層を形成するが、カソード電極１１とゲート電極１３とが、電子放出層の形成によって短絡することを確実に防止し得る。
【０２２５】
［工程−７６０］
次いで、第２の開口部１４Ｂの底部に露出したカソード電極１１及び基層２１上に、電子放出層２０を形成する。具体的には、具体的には、カーボンナノチューブ（平均直径１０ｎｍのシングルウォール・カーボンナノチューブ）を分散媒（水ガラスから成る）に分散させた導電性組成物を調製する。そして、スピンコーティング法にて全面にこの導電性組成物を塗布した後、導電性組成物を乾燥して電子放出層２２を形成し、次いで、水酸化ナトリウム溶液を用いてマスク層１１６を除去した後、大気中にて４００゜Ｃ、３０分の焼成を行う。こうして、図１９の（Ｂ）に示す電界放出素子を得ることができる。
【０２２６】
［工程−７６０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０２２７】
尚、［工程−７００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−７１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極と電子放出層との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０２２８】
（実施の形態８）
実施の形態８も、実施の形態６の変形である。実施の形態８においては、基層の形成、絶縁層の形成、ゲート電極の形成、第２の開口部の形成の後に、基層の電気分解、電子放出層の形成を行う。より具体的には、第４Ｑの方法に関する。以下、実施の形態８における電子放出体、電界放出素子及び表示装置の製造方法を、支持体等の模式的な一部端面図である図２０〜図２２を参照して説明する。
【０２２９】
［工程−８００］
先ず、実施の形態２の［工程−２００］と同様にして、カソード電極用導電材料層１１Ａ（導電性の基体）を形成する。
【０２３０】
［工程−８１０］
その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングすることによって、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。尚、カソード電極１１は、図２０〜図２２の紙面垂直方向に延びている。
【０２３１】
［工程−８２０］
次いで、実施の形態２の［工程−２２０］と同様にして、カソード電極１１上に、基層２１を形成した後、基層２１をパターニングする（図２０の（Ａ）参照）。
【０２３２】
［工程−８３０］
次に、実施の形態３の［工程−３４０］と同様に、全面に、例えば、ＳｉＯ2から成る厚さ３μｍの絶縁層１２をプラズマＣＶＤ法にて形成し、更に、その上に、スパッタリング法にてＣｒから成るゲート電極用導電材料層を形成する。その後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきゲート電極用導電材料層をストライプ状にパターニングし、更に、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきストライプ状のゲート電極用導電材料層に第１の開口部１４Ａを形成することで、ゲート電極１３を得ることができる（図２０の（Ｂ）参照）。尚、図２０の（Ｂ）においては、レジスト層の図示を省略している。引き続き、絶縁層１２をエッチングすることによって、第１の開口部１４Ａに連通した第２の開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成した後、レジスト層を除去する。これによって、図２１の（Ａ）に示すように、第２の開口部１４Ｂの底部に基層２１が露出した構造を得ることができる。
【０２３３】
［工程−８４０］
その後、実施の形態２の［工程−２３０］と同様にして、基層２１を電気分解することによって、基体であるカソード電極１１の一部分の上に凸状の基層２１を残す（図２１の（Ｂ）参照）。
【０２３４】
［工程−８５０］
その後、第２の開口部１４Ｂの底部に位置する基層２１及びカソード電極１１の上に電子放出層２２を形成する。そのために、先ず、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部にカソード電極１１の表面が露出したマスク層１１６を形成する（図２２の（Ａ）参照）。具体的には、レジスト材料層をスピンコート法にて開口部１４Ａ，１４Ｂ内を含む全面に成膜した後、リソグラフィ技術に基づき、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するレジスト材料層に孔部を形成することによって、マスク層１１６を得ることができる。実施の形態８において、マスク層１１６は、第２の開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１の一部分、第２の開口部１４Ｂの側壁、第１の開口部１４Ａの側壁、ゲート電極１３及び絶縁層１２を被覆している。これによって、以降の工程で、第２の開口部１４Ｂの底部の中央部に位置するカソード電極１１の部分の表面に電子放出層を形成するが、カソード電極１１とゲート電極１３とが、電子放出層の形成によって短絡することを確実に防止し得る。
【０２３５】
［工程−８６０］
次いで、第２の開口部１４Ｂの底部に露出したカソード電極１１上に、電子放出層２０を形成する。具体的には、具体的には、カーボンナノチューブ（平均直径１０ｎｍのシングルウォール・カーボンナノチューブ）を分散媒（水ガラスから成る）に分散させた導電性組成物を調製する。そして、スピンコーティング法にて全面にこの導電性組成物を塗布した後、導電性組成物を乾燥して電子放出層２２を形成し、次いで、水酸化ナトリウム溶液を用いてマスク層１１６を除去した後、大気中にて４００゜Ｃ、３０分の焼成を行う。こうして、図２２の（Ｂ）に示す電界放出素子を得ることができる。
【０２３６】
［工程−８７０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０２３７】
尚、［工程−８００］において、カソード電極用導電材料層１１Ａを形成した後、その上に、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）層をスパッタリング法にて成膜し、［工程−８１０］において、ＳｉＣ層及びカソード電極用導電材料層１１Ａをパターニングしてもよい。これによって、カソード電極と電子放出層との間に抵抗体層を形成することができ、電子放出部からの電子の放出の均一化を図ることができる。
【０２３８】
また、［工程−７１０］〜［工程−７５０］、及び、基層のパターニングの順序、あるいは又、［工程−８１０］〜［工程−８６０］の順序を、表９〜表１０に示したように、種々、変更することができる。
【０２３９】
（実施の形態９）
実施の形態９も、実施の形態６の変形である。実施の形態９における電界放出素子は第２の構造を有する。即ち、実施の形態９の電界放出素子は、支持体１０上に配設された絶縁材料から成る帯状のゲート電極支持部１１２、支持体１０上に形成されたカソード電極１１、複数の開口部１１４が形成された帯状材料１１３Ａから成るゲート電極１１３、並びに、カソード電極１１上に形成された電子放出部１５から成り、ゲート電極支持部１１２の頂面に接するように、且つ、電子放出部１５の上方に開口部１１４が位置するように帯状材料１１３Ａが張架されている。電子放出部１５は、開口部１１４の底部に位置するカソード電極１１の部分の表面に形成された複数の電子放出体１５Ａから成る。電子放出体１５Ａは、ストライプ状のカソード電極１１の一部分の上に形成された凸状の基層２１と、基体及び基層２１の上に形成された電子放出層２２から成る。
【０２４０】
帯状材料１１３Ａは、ゲート電極支持部１１２の頂面に、熱硬化性接着剤（例えばエポキシ系接着剤）にて固定されている。実施の形態９の電界放出素子の模式的な一部断面図を図２３の（Ａ）に示し、カソード電極１１、帯状材料１１３Ａ及びゲート電極１１３、並びに、ゲート電極支持部１１２の模式的な配置図を図２３の（Ｂ）に示す。
【０２４１】
以下、実施の形態９の電界放出素子の製造方法（第５の製造方法）の一例を説明する。
【０２４２】
［工程−９００］
先ず、支持体１０上にゲート電極支持部１１２を、例えば、サンドブラスト法に基づき形成する。
【０２４３】
［工程−９１０］
その後、支持体１０上に電子放出部１５を形成する。具体的には、例えば、実施の形態６の［工程−６００］〜［工程−６４０］と同様にして、カソード電極１１及び電子放出体１５Ａから成る電子放出部１５を形成する。カソード電極１１はストライプ状であり、ゲート電極支持部１１２とゲート電極支持部１１２との間に位置する支持体１０の部分に形成される。電子放出体１５Ａは、ゲート電極／カソード電極重複領域に位置するカソード電極１１の表面領域にのみ形成してもよいし、カソード電極１１の全面に形成してもよい。
【０２４４】
［工程−９２０］
その後、複数の開口部１１４が形成されたストライプ状の帯状材料１１３Ａを、複数の開口部１１４が電子放出部１５の上方に位置するように、ゲート電極支持部１１２によって支持された状態に配設し、以て、ストライプ状の帯状材料１１３Ａから構成され、複数の開口部１１４を有するゲート電極１１３を電子放出部１５の上方に位置させる。ストライプ状の帯状材料１１３Ａを、ゲート電極支持部１１２の頂面に、熱硬化性接着剤（例えばエポキシ系接着剤）にて固定することができる。尚、ストライプ状のカソード電極１１の射影像と、ストライプ状の帯状材料１１３Ａの射影像は、直交する。
【０２４５】
尚、図２４に、支持体１０の端部近傍の模式的な一部断面図を示すように、ストライプ状の帯状材料１１３Ａの両端部が、支持体１０の周辺部に固定されている構造とすることもできる。より具体的には、例えば、支持体１０の周辺部に突起部１１７を予め形成しておき、この突起部１１７の頂面に帯状材料１１３Ａを構成する材料と同じ材料の薄膜１１８を形成しておく。そして、ストライプ状の帯状材料１１３Ａを張架した状態で、かかる薄膜１１８に、例えばレーザを用いて溶接する。尚、突起部１１７は、例えば、ゲート電極支持部の形成と同時に形成することができる。
【０２４６】
また、実施の形態９の電界放出素子における開口部１１４の平面形状は円形に限定されない。帯状材料１１３Ａに設けられた開口部１１４の形状の変形例を図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）に例示する。
【０２４７】
また、実施の形態９においては、支持体１０上にカソード電極１１及び電子放出体１５Ａを形成した後に、支持体１０上にゲート電極支持部１１２を、例えば、サンドブラスト法に基づき形成してもよい。また、ゲート電極支持部１１２を、例えば、ＣＶＤ法とエッチング法の組合せに基づき形成してもよい。
【０２４８】
実施の形態９にて説明したゲート電極の構造を、実施の形態３〜実施の形態５にて説明した電界放出素子に適用することもできる。
【０２４９】
以上、本発明を、発明の実施の形態に基づき説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。発明の実施の形態にて説明した電界放出素子の構造、冷陰極電界電子放出表示装置の構造、発明の実施の形態において使用した材料、加工条件等は例示であり、適宜、変更することができる。発明の実施の形態においては、基層等上に導電性組成物スピンコーティング法にて全面に塗布することによって電子放出層を形成したが、電子放出層の形成方法はこのような方法に限定されるものではなく、例えば、スクリーン印刷法や各種のＣＶＤ法、その他、電子放出層を構成する材料に最適な形成方法とすることができる。
【０２５０】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１の開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第１の開口部に連通した１つの第２の開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０２５１】
ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に更に第２の絶縁層６２を設け、第２の絶縁層６２上に収束電極６３を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の一例（実施の形態６にて説明した電界放出素子）の模式的な一部端面図を図２６に示す。第２の絶縁層６２には、第１の開口部１４Ａに連通した第３の開口部６４が設けられている。収束電極６３の形成は、例えば、実施の形態６にあっては、［工程−６５０］において、絶縁層１２上にストライプ状のゲート電極１３を形成した後、第２の絶縁層６２を形成し、次いで、第２の絶縁層６２上にパターニングされた収束電極６３を形成した後、収束電極６３、第２の絶縁層６２に第３の開口部６４を設け、更に、ゲート電極１３に第１の開口部１４Ａを設ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることもできる。
【０２５２】
尚、収束電極は、このような方法にて形成するだけでなく、例えば、厚さ数十μｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅアロイから成る金属板の両面に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁膜を形成した後、各画素に対応した領域にパンチングやエッチングすることによって開口部を形成することで収束電極を作製することもできる。そして、カソードパネル、金属板、アノードパネルを積み重ね、両パネルの外周部に枠体を配置し、加熱処理を施すことによって、金属板の一方の面に形成された絶縁膜と絶縁層１２とを接着させ、金属板の他方の面に形成された絶縁膜とアノードパネルとを接着し、これらの部材を一体化させ、その後、真空封入することで、表示装置を完成させることもできる。
【０２５３】
このような収束電極を有する電界放出素子の構造を、実施の形態３〜実施の形態５にて説明した電界放出素子に適用することもできる。
【０２５４】
ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料（開口部を有する）で被覆した形式のゲート電極とすることもできる。この場合には、カソード電極を、矩形形状を有する実施の形態１にて説明したと同様の構造としておく。そして、ゲート電極に正の電圧（例えば１６０ボルト）を印加する。更には、各画素を構成するカソード電極とカソード電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成するカソード電極への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０２５５】
あるいは又、カソード電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のカソード電極とすることもできる。この場合には、１枚のシート状の導電材料の所定の部分に、電界放出素子から成り、各画素を構成する電子放出領域を形成しておく。そして、カソード電極に電圧（例えば０ボルト）を印加する。更には、各画素を構成する矩形形状のゲート電極とゲート電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成する電子放出部への電界の加わる状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０２５６】
【発明の効果】
本発明においては、電気分解によって、基体の一部分の上に、あるいは又、カソード電極用導電材料層若しくはカソード電極の一部分の上に、凸状の電子放出層あるいは基層を残すので、大面積であっても、均一に、且つ、制御性良く微細な凹凸部を有する電子放出体あるいは電子放出部を形成することが可能となる。しかも、凸状の電子放出層あるいは基層の高さ（厚さ）は、これらの成膜時の厚さによって規定されるので、均一に、且つ、制御性良く凸状の電子放出層あるいは基層を形成することができる。従って、例えば、電子放出層からゲート電極の端部までの距離の均一性を高い精度で確実に確保することができ、冷陰極電界電子放出表示装置の輝度の均一化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】発明の実施の形態１における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部断面図である。
【図３】発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出表示装置におけるアノードパネルの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図４】発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出表示装置の変形例における１つの電子放出部の模式的な斜視図である。
【図５】発明の実施の形態２の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部断面図である。
【図６】発明の実施の形態２における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部断面図である。
【図７】発明の実施の形態３の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図８】発明の実施の形態３の冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルを分解したときの模式的な部分的斜視図である。
【図９】発明の実施の形態３における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図９に引き続き、発明の実施の形態３における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１１】発明の実施の形態４における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１１に引き続き、発明の実施の形態４における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１３】発明の実施の形態５における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１３に引き続き、発明の実施の形態５における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１５】発明の実施の形態６の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図１６】発明の実施の形態６における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１６に引き続き、発明の実施の形態６における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１８】発明の実施の形態７における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１８に引き続き、発明の実施の形態７における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２０】発明の実施の形態８における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２０に引き続き、発明の実施の形態８における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２１に引き続き、発明の実施の形態８における冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２３】発明の実施の形態９における冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部断面図、及び、ゲート電極等の模式的な配置図である。
【図２４】発明の実施の形態９の変形例における冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部断面図である。
【図２５】発明の実施の形態９におけるゲート電極の有する複数の開口部を示す模式的な平面図である。
【図２６】発明の実施の形態６の冷陰極電界電子放出素子の変形であって、収束電極を備えた冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。
【図２７】スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた従来の冷陰極電界電子放出表示装置の構成例を示す模式図である。
【図２８】従来のスピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２９】図２８に引き続き、従来のスピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【符号の説明】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４Ａ・・・開口部、１４Ｂ・・・第２の開口部、１５・・・電子放出部、１５Ａ・・・電子放出体、２０，２２・・・電子放出層、２１・・・基層、３０・・・基板、３１・・・・・・ブラックマトリックス、３２，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ・・・蛍光体層、３３・・・アノード電極、３４・・・枠体、４０・・・カソード電極制御回路、４１・・・ゲート電極制御回路、４２・・・アノード電極制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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