(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＴカット圧電振動片をパッケージの内部に実装しかつ気密に封止する圧電振動子において、
前記パッケージが、その実装面上に前記圧電振動片をマウントする絶縁材料からなるベースと、前記ベースの上に接合されるキャップとを有し、
前記ベース又はキャップのいずれか一方が、前記圧電振動片の金属電極励振部に対応する位置に該金属電極励振部を前記パッケージの外側からイオンビームエッチングし得るように形成した貫通孔と、その外面の前記貫通孔開口の周縁に形成した第１のメタライズ部とを有し、
前記第１のメタライズ部が、前記パッケージ外面の端子に接続していることを特徴とするＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項２】
前記端子が接地端子であることを特徴とする請求項１に記載のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項３】
前記貫通孔及び前記第１のメタライズ部が前記ベースに形成されており、前記第１のメタライズ部が、前記圧電振動片と同じ寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項４】
前記貫通孔及び前記第１のメタライズ部が前記ベースに形成され、前記ベースが、前記第１のメタライズ部から分離してその外側に形成された第２のメタライズ部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項５】
前記ベースが、前記実装面を有する上側薄板部材と前記パッケージの底面を有する下側薄板部材との積層構造からなり、前記貫通孔が、前記上側薄板部材に形成された小径部分と、前記下側薄板部材に前記小径部分と同心に形成された大径部分とからなり、前記メタライズ部が前記上側薄板部材の前記下側薄板部材との接合面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項６】
前記貫通孔が、前記パッケージの概ね中心位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造。
【請求項７】
請求項１乃至３、５又は６のいずれかに記載の前記パッケージのベースにＡＴカット圧電振動片をマウントした後、前記圧電振動片の周波数を測定しながら、その前記金属電極励振部を部分的に除去する第１の周波数調整過程と、
前記ベースの上に前記キャップを接合した後、前記圧電振動片の周波数を測定しながら、前記貫通孔を介してイオンビームエッチングを行うことにより、前記金属電極励振部を部分的に除去する第２の周波数調整過程とからなることを特徴とするＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項８】
請求項４に記載の前記パッケージのベースにＡＴカット圧電振動片をマウントした後、前記圧電振動片の周波数を測定しながら、その前記金属電極励振部を部分的に除去する第１の周波数調整過程と、
前記ベースの上に前記キャップを接合した後、前記圧電振動片の周波数を測定しながら、不活性ガスの雰囲気中で前記貫通孔を介してイオンビームエッチングを行うことにより、前記金属電極励振部を部分的に除去する第２の周波数調整過程とからなり、
前記第１又は第２の周波数調整過程において、前記第１のメタライズ部と前記第２のメタライズ部とをそれぞれ異なる電位に設定してイオンビームエッチングを行うことにより、前記金属電極励振部を部分的に除去することを特徴とするＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項９】
Ａｒガスの雰囲気中で前記イオンビームエッチングを行うことを特徴とする請求項７又は８に記載のＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項１０】
前記第２の周波数調整過程においてイオンビームエッチングを行う際に、前記第１のメタライズ部を接地することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項１１】
前記第２の周波数調整過程においてイオンビームエッチングを行う際に、前記第１のメタライズ部を僅かに正の電位にすることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項１２】
前記第１の周波数調整過程において、前記第１のメタライズ部を負の電位にして、イオンビームエッチングにより前記金属電極励振部を除去することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載のＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に使用される表面実装型のＡＴカット圧電振動子に関し、特に圧電振動片を実装して気密封止するパッケージの構造、及びその周波数を調整する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より携帯電話、ＰＨＳ等の情報通信機器やコンピュータ等のＯＡ機器、電子時計等の民生機器を含む様々な電子機器には、電子回路のクロック源として圧電振動子が広く採用されている。特に最近は、電子機器の高性能化に伴い、より周波数精度の高い圧電振動子が要求されている。
【０００３】
従来、表面実装型のＡＴカット圧電振動子には、水晶などの圧電振動片をセラミック等の絶縁材料からなるパッケージ内に固定して気密に封止する構造が広く採用されている。一般にパッケージは、圧電振動片を片持ち式にマウントする薄い矩形箱型のベースと、その上に接合する薄板状のキャップとから構成される。圧電振動子の周波数調整は、圧電振動片をベースにマウントした状態で、キャップを接合する前に、その周波数を測定しながらイオンビームエッチングなどのドライ法を用いて圧電振動片の金属電極励振部を部分的に削除し、又は金属電極励振部に金属を蒸着させて質量を増加させることにより行う。キャップは、低融点ガラスを約３００〜４００℃の高温処理で溶融させることにより接合される。ベースは、最終的にパッケージを真空封止する際にガス抜きするための小さい貫通孔を有し、これをキャップの接合後に真空雰囲気中で例えばＡｕ−Ｓｎ等の金属ボールを溶着させて気密に閉塞する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来の圧電振動子は、キャップを接合する際にパッケージが高温に曝されるため、振動片を保持している導電性接着剤や、キャップとベースとを接合する低融点ガラス等からガスが発生し、振動片に付着してその発振周波数に悪影響を及ぼす虞がある。そのため、一旦調整した周波数が封止後に変動したりばらつきが大きくなって、圧電振動子の周波数精度が低下する虞があった。更に最近は、電子機器の小型化・薄型化に伴い、圧電振動子のより一層の小型化が要求されており、周波数精度の向上を図ることがより困難になっている。
【０００５】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表面実装型のＡＴカット圧電振動子において、最近の高性能化及び小型化の要求に対応して、より高い周波数精度を実現し得るパッケージ構造を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の目的は、より高精度にＡＴカット圧電振動子の周波数を調整することができる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記目的を達成するために、ＡＴカット圧電振動片をパッケージの内部に実装しかつ気密に封止する圧電振動子において、パッケージが、その実装面上に圧電振動片をマウントする絶縁材料からなるベースと、該ベースの上に接合されるキャップとを有し、ベース又はキャップのいずれか一方が、圧電振動片の金属電極励振部に整合させて形成した貫通孔と、その外面の貫通孔開口の周縁に形成した第１のメタライズ部とを有し、該第１のメタライズ部が、パッケージ外面の端子に接続していることを特徴とするＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造が提供される。
【０００８】
これにより、ＡＴカット圧電振動子の製造工程においてベースにキャップを接合した後に、反応ガス雰囲気中で貫通孔を介して圧電振動片の金属電極励振部をイオンビームエッチングすることにより、圧電振動子の周波数を調整することができ、しかも、パッケージ外面の端子を介して第１のメタライズ部の電位を適当に設定することにより、貫通孔を通過してパッケージ内部の圧電振動片に到達するプラスイオンを制御してエッチングレートを調整できるので、高精度な周波数調整が可能である。更に、その後で従来と同様に、貫通孔を真空又は不活性気体や乾燥空気の雰囲気中で閉塞することにより、最終的にパッケージ内部を気密に封止することができる。
【０００９】
或る実施例では、前記パッケージ外面の端子が接地端子であることにより、第１のメタライズ部を接地電位に維持した状態でイオンビームエッチングを行うことができる。
【００１０】
また、或る実施例では、前記貫通孔及び第１のメタライズ部がベースに形成され、かつ第１のメタライズ部が、少なくとも圧電振動片の金属電極励振部に対応した寸法を有することにより、圧電振動片をベースにマウントした状態でイオンビームエッチングにより周波数の粗調整を行うとき、第１のメタライズ部の電位を調整してエッチングレートを制御することができる。特に、第１のメタライズ部の電位を負に設定すれば、プラスイオンを選択的に金属電極励振部により高密度に集束させることができるので、エッチングレートが高くなって周波数の粗調整をより短時間で効率よく行うことができる。
【００１１】
別の実施例では、前記貫通孔及び第１のメタライズ部がベースに形成され、かつベースが、第１のメタライズ部から分離してその外側に形成された第２のメタライズ部を有すると、イオンビームエッチングにより周波数調整を行うとき、第１及び第２のメタライズ部をそれぞれ異なる電位に調整して、エッチングレートをより広範囲かつ選択的に制御することができる。例えば、同様に圧電振動片をベースにマウントした状態で周波数の粗調整を行うとき、第１のメタライズ部を第２のメタライズ部よりも低い負の電位にすれば、エッチングレートをより一層高速にすることができる。
【００１２】
更に、或る実施例では、前記ベースが、圧電振動片の実装面を有する上側薄板部材とパッケージの底面を有する下側薄板部材との積層構造からなり、前記貫通孔が、上側薄板部材に形成された小径部分と、下側薄板部材に小径部分と同心に形成された大径部分とからなり、前記メタライズ部が上側薄板部材の下側薄板部材との接合面に形成されている。これにより、メタライズ部が、パッケージを表面実装するためにベースの底面に設けられる外部端子と干渉しないので、これらをその位置や形状・寸法に拘わりなく自由に設計することができる。また、圧電振動子を基板等に実装したとき、その表面の端子やはんだと接触する虞が無いので、好都合である。
【００１３】
また、圧電振動片の金属電極励振部は概ねパッケージの中央に位置するので、前記貫通孔が、パッケージの中央に設けられていると、金属電極励振部のエッチングを確実に行うと同時に、ベースの底面に設けられるパッケージの電極との干渉を回避することができ、好都合である。
【００１４】
本発明の別の側面によれば、上述した本発明の貫通孔及び第１のメタライズ部を有するパッケージのベースにＡＴカット圧電振動片をマウントした後、圧電振動片の周波数を測定しながら、その金属電極励振部を部分的に除去する第１の周波数調整過程と、ベースの上にキャップを接合した後、圧電振動片の周波数を測定しながら、不活性ガスの雰囲気中で貫通孔を介してイオンビームエッチングを行うことにより、金属電極励振部を部分的に除去する第２の周波数調整過程とからなることを特徴とするＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法が提供される。
【００１５】
このようにして、第１の周波数調整過程により圧電振動片の周波数を概ね所定の範囲に粗調整した後、低融点ガラスを用いてベースにキャップを接合することにより周波数の変動やばらつきが生じた場合でも、第２の周波数調整過程において圧電振動片の周波数を微調整することができ、しかも最終的に、従来と同様にしてパッケージを真空封止することができる。
【００１６】
前記イオンビームエッチングは、その反応ガスとして一般に使用されているＡｒガスの雰囲気中でを行うことが好ましい。
【００１７】
或る実施例では、第２の周波数調整過程においてイオンビームエッチングを行う際に、第１のメタライズ部を接地することにより、貫通孔にプラスイオンをより集束し易くして、エッチングレートを高めることができる。
【００１８】
別の実施例では、第２の周波数調整過程においてイオンビームエッチングを行う際に、第１のメタライズ部を僅かに正の電位にすることにより、貫通孔へのプラスイオンの集束を制御してエッチングレートを調整し、より高精度な周波数調整をはかることができる。
【００１９】
また、或る実施例では、第１の周波数調整過程において、第１のメタライズ部を負の電位にして、イオンビームエッチングにより金属電極励振部を除去することにより、エッチングレートを高くして、周波数の粗調整を短時間で行うことができる。
【００２０】
また、本発明によれば、上述した本発明の貫通孔及び第１のメタライズ部に加えて第２のメタライズ部を有するパッケージのベースにＡＴカット圧電振動片をマウントした後、圧電振動片の周波数を測定しながら、その金属電極励振部を部分的に除去する第１の周波数調整過程と、ベースの上にキャップを接合した後、圧電振動片の周波数を測定しながら、不活性ガスの雰囲気中で貫通孔を介してイオンビームエッチングを行うことにより、金属電極励振部を部分的に除去する第２の周波数調整過程とからなり、第１又は第２の周波数調整過程において、第１のメタライズ部と第２のメタライズ部とをそれぞれ異なる電位に設定してイオンビームエッチングを行うことにより、金属電極励振部を部分的に除去することを特徴とするＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法が提供される。
【００２１】
このように第１及び第２のメタライズ部をそれぞれ異なる電位に調整すると、エッチングレートをより広範囲かつ選択的に制御することができる。例えば、第１の周波数調整において、第１のメタライズ部を第２のメタライズ部よりも低い負の電位にすれば、より高速のエッチングレートで周波数の粗調整をより短時間で効率よく行うことができる。また、第２の周波数調整において、第１のメタライズ部を接地し又は僅かに正の電位にし、かつ第２のメタライズ部を負の電位にすると、プラスイオンが貫通孔よりもその周辺に引き寄せられるので、エッチングレートを制御して周波数をより高精度に調整することができる。これに加え、貫通孔周縁のメタライズ部がプラスイオンの衝突により損傷したり剥がれたりして、後の工程で貫通孔をＡｕ−Ｓｎ等の金属小球で封止する際にその溶着性が低下することを抑制することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明を適用した表面実装型ＡＴカット水晶振動子の第１実施例の構成を概略的に示している。この水晶振動子は、セラミック材料のベース１とキャップ２とからなるパッケージ３の内部にＡＴカット水晶振動片４が実装されている。ベース１は、概ね長方形の２枚の上側及び下側薄板部材５ａ、５ｂを張り合わせた積層構造の底板部５の上面に、やや小さい長方形のフレーム部材６を一体に接合した薄い箱型に構成されている。キャップ２は、ガラスやセラミックスの薄板で形成され、低融点ガラスを用いてフレーム部材６の上端に気密に接合されている。
【００２３】
水晶振動片４は、長方形の水晶薄板の両面に励振電極７、７と、かつその基端部に励振電極からの引出電極が形成されている。図２Ａに併せて示すように、ベース１の実装面には、一方の端部付近に１対の接続電極８、８が形成され、これに導電性接着剤で前記引出電極を接着して、水晶振動片４がベース１上に片持ち式にマウントされる。また、底板部５の上面には導電体からなるリード９、９が配線され、ベース裏面の一方の対角方向の角部に形成された外部端子１０、１０に前記各接続電極を電気的に接続している。ベース裏面の他方の対角方向の角部に形成された外部端子１１、１１は、水晶振動片４に接続されないダミーの接地端子である。
【００２４】
ベース１の底板部５には、その中心位置に貫通孔１２が形成されている。貫通孔１２は、図２に良く示すように、上側薄板部材５ａに形成された小径部１２ａと、これと同心位置に下側薄板部材５ｂに形成された大径部１２ｂとからなり、これによりベース１の底面側の貫通孔開口に段差１３が設けられる。本実施例では、小径部の直径を約０．２５ｍｍに、大径部の直径を約０．５５ｍｍにそれぞれ設定する。段差１３は、最終工程でパッケージ内部を真空封止する際に、貫通孔１２を閉塞するために溶着されるＡｕ−Ｓｎ等の金属ボールを載せるためのものである。
【００２５】
図２Ｂに示すように、上側薄板部材５ａの下面即ち下側薄板部材５ｂとの接合面には、貫通孔小径部１２ａの開口周縁に大径部１２ｂより大きい円形のメタライズ部１４が、例えばタングステンなどの導電材料をスクリーン印刷することにより形成されている。メタライズ部１４は、図１Ｂに示すように大径部１２ｂから露出する部分即ち段差１３の底部に相当する部分１４ａが、上述した金属ボールの溶着性を得るために金めっきされている。またメタライズ部１４は、上側薄板部材５ａのメタライズしたスルーホール１５を介して、その上面に形成した端子１６に電気的に接続され、外部と接続できるようになっている。
【００２６】
第１実施例のパッケージ構造を用いて、ＡＴカット水晶振動子の周波数調整を行う要領を説明する。先ず、その実装面（主面）に水晶振動片４をマウントしたベース１を、例えばアルゴン（Ａｒ）雰囲気のチャンバ内に配置する。従来と同様に水晶振動片４の発振周波数を測定しながら、図３Ａに示すように、その間にマスク１７を置いて上方からイオン銃などのイオンビーム装置１８を用いてイオンビームエッチングを行う。これにより、水晶振動片４上面の励振電極を形成する金属材料を部分的に除去して、第１段階として周波数の粗調整を行う。別の実施例では、レーザビームの照射等により周波数の粗調整を行うこともできる。
【００２７】
ここで、端子１６を介してメタライズ部１４を負の電位にした状態でイオンビームエッチングを行うと、Ａｒ+ イオンをメタライズ部１４に集束し易くすることができる。上述したようにメタライズ部１４はパッケージ３の略中心位置に設けられているので、水晶振動片４の励振電極の中心付近にＡｒ＋イオンをより高密度に集束させてエッチングレートを高め、周波数の粗調整をより短時間で効率よく行うことができる。そのため、コリメート手段を持たないイオンビーム装置であっても良好にエッチングすることができ、加工コストの低減を図ることができる。
【００２８】
周波数の粗調整を終えたベース１は、洗浄処理後、その上端に低融点ガラスを用いてキャップ２を接合する。このパッケージ３を、同様にＡｒ雰囲気のチャンバ内に配置し、水晶振動片４の発振周波数を測定しながら、図３Ｂに示すように底面側からイオンビーム装置１８を用いてイオンビームエッチングを行う。イオンビームが貫通孔１２に集束するように、イオンビーム装置１８は貫通孔１２の正面に配置する。これにより、水晶振動片４上面の励振電極を形成する金属材料を部分的に除去して、第２段階として周波数の微調整を行うことができる。従って、周波数粗調整後にキャップ接合時の高温により周波数に多少変動やばらつきが生じても、ここで修正できるので、より高い周波数精度が得られる。また、水晶振動片は、両面の励振電極がエッチングされるので、表裏における電極膜厚のバランスが良く、振動がより安定する。当然ながら、貫通孔１２の直径を大きくすれば、それだけエッチングレートを高くして、周波数の調整幅を拡大することができる。
【００２９】
ここで、端子１６を介してメタライズ部１４の電位を適当に設定することにより、貫通孔１２を通過してパッケージ内部に到達するＡｒ+ イオンを制御してエッチングレートを調整することができる。例えば、メタライズ部１４を接地電位（ゼロ）にしてイオンビームエッチングを行うと、比較的Ａｒ+ イオンをメタライズ部１４に集束し易くすることができる。また、メタライズ部１４を僅かに正の電位にすると、貫通孔１２を通過するＡｒ+ イオンを制限できるので、より緩やかにかつより高精度に周波数調整が行われると同時に、Ａｒ+ イオンの衝突による金めっき部分１４ａの損傷を少なくでき、Ａｕ−Ｓｎ金属ボールの溶着性を維持することができる。更に、メタライズ部１４の電位を正・接地・負で適当に切り換えることにより、貫通孔１２へのＡｒ+ イオンの進入を遮断したり、促進又は制限することができる。
【００３０】
このようにして周波数の微調整を終えたパッケージは、最終工程において例えば真空雰囲気内に配置され、貫通孔１２の段差１３に配置したＡｕ−Ｓｎ金属ボールをレーザビームで溶着させることにより、貫通孔１２を閉塞する。真空封止は、水晶振動子の抵抗値を低く維持できるので好ましい。また、不活性気体や乾燥空気の雰囲気内で封止することもできる。
【００３１】
図４及び図５は、本発明の第２実施例によるパッケージを示している。第２実施例は、上側薄板部材５ａ下面のメタライズ部１４が対角方向のリード１９を介して、一方の接地端子１１に接続されている点において、第１実施例と異なる。これにより、メタライズ部１４の電位は、従来よりこの種のパッケージに設けられている接地端子１１を利用して調整することができるので、上側薄板部材５ａにスルーホール１５や端子１６を設ける必要が無く、また外部との接続も容易になるので好ましい。
【００３２】
図６及び図７は、第２実施例の変形例によるパッケージを示している。この変形例では、上側薄板部材５ａ下面のメタライズ部１４が、リード１９を介して対角方向の両方の接地端子１１に接続されている。これにより、イオンビームエッチングによる周波数調整のために接地端子１１を外部に接続する際に、パッケージ３の前後方向を規定する必要が無くなり、作業性が向上する。
【００３３】
図８及び図９は、本発明の第３実施例によるパッケージを示している。第３実施例は、上側薄板部材５ａ下面のメタライズ部１４が、その上面にマウントされる水晶振動片４に対応して、それと略同じ寸法に形成されている点において、第２実施例と異なる。これにより、キャップ２の接合前にイオンビームエッチングにより周波数の粗調整を行う際に、メタライズ部１４を負の電位に設定すれば、水晶振動片４の略全面に亘ってＡｒ+ イオンを選択的に集束させることができる。従って、エッチングレートが高くなり、周波数の粗調整をより短時間で効率よく行うことができる。
【００３４】
図１０及び図１１は、第３実施例の変形例によるパッケージを示している。この変形例では、図６及び図７の場合と同様に、上側薄板部材５ａ下面のメタライズ部１４が、リード１９を介して対角方向の両方の接地端子１１に接続されている。従って、イオンビームエッチングによる周波数調整のために接地端子１１を外部に接続する際に、パッケージ３の前後方向を規定する必要が無く、同様に作業性が向上する。
【００３５】
図１２及び図１３は、本発明の第４実施例によるパッケージを示している。第４実施例は、メタライズ部１４から分離してその外側に第２のメタライズ部２０が、上側薄板部材５ａ下面の略全面に形成されている点において、第２実施例と異なる。第２のメタライズ部２０は、他方の接地端子１１に接続されている。従って、両メタライズ部１４、２０をそれぞれ異なる電位に設定してイオンビームエッチングを行うと、エッチングレートをより広範囲かつ選択的に制御することができる。
【００３６】
例えば、第１段階の周波数の粗調整では、中央のメタライズ部１４をその外側の第２のメタライズ部２０よりも低い負の電位にすることにより、水晶振動片４の励振電極の中心付近にＡｒ+ イオンを選択的により高密度に集束させることができる。従って、より高速のエッチングレートで周波数の粗調整をより短時間で効率よく行うことができる。また、第２段階の周波数微調整では、メタライズ部１４を接地し又は僅かに正の電位にし、かつ第２のメタライズ部２０を負の電位にする。これにより、Ａｒ+ イオンが貫通孔１２よりもその周辺に引き寄せられるので、エッチングレートを制御することができ、より高精度な周波数調整及び金めっき部分１４ａの損傷抑制を図ることができる。
【００３７】
図１４及び図１５は、第４実施例の変形例によるパッケージを示している。この変形例では、メタライズ部１４が第３実施例と同様に水晶振動片４と略同じ寸法に形成され、かつその外側に分離して第２のメタライズ部２０が形成されている点において、第４実施例と異なる。これにより、上述した第３実施例と第４実施例の特徴に組み合わせて、更にイオンビームエッチングによる周波数の粗調整をより短時間で効率的に行うことができる。
【００３８】
以上、本発明の好適な実施例について添付図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明はその技術的範囲内において様々に変形・変更を加えて実施することができる。例えば、イオンビームエッチングを行うための貫通孔は、ベースではなくキャップに、水晶振動片の励振電極の位置に整合させて形成することができる。この場合、貫通孔はベースの封止用貫通孔と別個に設けることができ、又はキャップの貫通孔を用いて封止することもできる。また、平板状のベースに箱形のキャップを接合する構造のパッケージや、低融点ガラスではなくシーム溶接等の別の方法によりキャップを接合する場合についても同様に適用することができる。更に、貫通孔は、必ずしもパッケージの中心位置に設ける必要はなく、水晶振動片の励振電極の範囲内であれば、適当に選択することができる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明は、上述したように構成することにより、以下に記載するような格別の効果を奏する。
【００４０】
本発明のＡＴカット圧電振動子のパッケージ構造によれば、その製造工程においてベースにキャップを接合した後に、貫通孔を介してイオンビームエッチングを、第１のメタライズ部の電位を適当に設定してエッチングレートを調整して行うことができ、それにより周波数調整を高精度に行うことができるので、高性能化及び小型化の要求に対応した、より高い周波数精度のＡＴカット圧電振動子を実現することができる。更に、従来と同様に、最終的にパッケージを真空に封止できるので、より抵抗値の小さい高性能のＡＴカット圧電振動子が得られる。
【００４１】
また、本発明のＡＴカット圧電振動子の周波数調整方法によれば、第１の周波数調整過程により圧電振動片の周波数を概ね所定の範囲に粗調整しかつベースにキャップを接合した後に、第２の周波数調整過程において圧電振動片の周波数を微調整することができ、更にパッケージを真空封止できることによって、周波数精度が高くかつ抵抗値の低い高性能のＡＴカット圧電振動子を比較的容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ図は本発明の第１実施例を示すＡＴカット水晶振動子の縦断面図、Ｂ図はその底面図である。
【図２】Ａ図は第１実施例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図３】Ａ図は第１実施例の水晶振動子について、周波数の粗調整のためのイオンビームエッチングを、Ｂ図は周波数の微調整のためのイオンビームエッチングをそれぞれ示す図である。
【図４】本発明の第２実施例によるパッケージの底面図である。
【図５】Ａ図は第２実施例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図６】第２実施例の変形例によるパッケージの底面図である。
【図７】Ａ図は図６の変形例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図８】本発明の第３実施例によるパッケージの底面図である。
【図９】Ａ図は第３実施例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図１０】第３実施例の変形例によるパッケージの底面図である。
【図１１】Ａ図は図１０の変形例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図１２】本発明の第４実施例によるパッケージの底面図である。
【図１３】Ａ図は第４実施例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【図１４】第４実施例の変形例によるパッケージの底面図である。
【図１５】Ａ図は図１４の変形例の上側薄板部材の上面図、Ｂ図はその下面図、Ｃ図は下側薄板部材の下面図である。
【符号の説明】
１  ベース
２  キャップ
３  パッケージ
４  ＡＴカット水晶振動片
５  底板部
５ａ  上側薄板部材
５ｂ  下側薄板部材
６  フレーム部材
７  励振電極
８  接続電極
９  リード
１０、１１  外部端子
１２  貫通孔
１２ａ  小径部
１２ｂ  大径部
１３  段差
１４  メタライズ部
１４ａ  金めっき部分
１５  スルーホール
１６  端子
１７  マスク
１８  イオンビーム装置
１９  リード
２０  メタライズ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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