(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
画素電極と、
該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタの上側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と、
該薄膜トランジスタの下側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜と
を備えており、
前記基板の上面は、前記基板に掘られた凹部内に位置する斜面であって、
前記チャネル領域の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタに蓄積容量を付加するための容量線からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを中継接続する中間導電層からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基板は、石英基板からなり、
前記下側遮光膜上には、透明な酸化シリコン膜或いは窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記下側遮光膜は、高融点金属を含む膜からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線を更に備えており、
前記凹部は、平面的に見て前記データ線に沿って伸びるストライプ状の溝部分を含み、
前記凹部内の斜面は、前記データ線の方向に垂直に切った断面上で前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタに接続された走査線を更に備えており、
前記凹部は、平面的に見て前記走査線に沿って伸びるストライプ状の溝部分を含み、
前記凹部内の斜面は、前記走査線の方向に垂直に切った断面上で前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、
該データ線と交差すると共に前記薄膜トランジスタに接続された走査線を更に備えており、
前記凹部は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線に夫々沿って伸びる格子状の溝部分を含み、
前記凹部の斜面は、前記データ線及び前記走査線の方向に垂直に切った２つの断面上で夫々前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記基板の上面は、前記チャネル領域に対向する領域において平坦であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記基板の上面は、前記下側遮光膜が形成された領域において平坦であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記基板の斜面の少なくとも一部上に、前記下側遮光膜の少なくとも一部が形成されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
基板上に、
画素電極と、
該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタの上側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と
該薄膜トランジスタの下側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜と
を備えており、
前記基板の上面は、前記チャネル領域の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含み、
前記上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の上面は、
前記上側遮光膜の直上から遠ざかるに連れて高くなるように傾斜する斜面を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
基板上に、
画素電極と、
該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタの上側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と
該薄膜トランジスタの下側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜と
を備えており、
前記基板の上面は、前記チャネル領域の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含み、
前記上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の上面は、前記基板の上面に対応して、前記上側遮光膜の直上から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
前記下側遮光膜は、前記凹部内の平坦面上にのみ配置されていることを特徴とする請求項1又は１３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で電流（光リーク電流）が発生してＴＦＴの特性が変化（劣化）する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上において画素スイッチング用ＴＦＴに対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。
【０００４】
即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【０００５】
加えて、遮光膜のない領域から電気光学装置内に侵入した光が、基板の上面或いは基板の上面に形成された遮光膜の上面やデータ線の下面（即ち、チャネル領域に面する側の内面）で反射された後に、係る反射光或いはこれが更に基板の上面或いは遮光膜やデータ線の内面で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャネル領域に到達してしまう場合もある。
【０００６】
特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００７】
尚、このような耐光性を高めるためには、遮光膜の形成領域を広げればよいようにも考えられるが、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めることが根本的に困難になるという問題点が生じる。更に上述の如く遮光膜（即ち、ＴＦＴの下側の遮光膜やデータ線等からなるＴＦＴの上側の遮光膜等）の存在により、斜め光に起因した内面反射や多重反射光が発生することに鑑みればむやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、このような内面反射光や多重反射光の増大を招くという解決困難な問題点もある。
【０００８】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜と該薄膜トランジスタの下側に配置されており該薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記基板の上面は、前記チャネル領域の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含む。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域は、上側から上側遮光膜により覆われているので、基板に垂直な方向からの入射光に対する遮光は、上側遮光膜により十分に高めることができる。更に、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域は、下側から下側遮光膜により覆われているので、基板の裏面反射光や、複数の電気光学装置をライトバルブとして用いた複板式のプロジェクタにおける他の電気光学装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる光等の戻り光に対する遮光は、下側遮光膜により十分に高めることができる。ここで入射光は、基板に対して斜め方向から入射する成分（以下、斜め光と称す）を含んでおり、この斜め光が、基板の上面（即ち下側遮光膜が形成された側の表面）や、この上に形成された下側遮光膜の上面（即ち、薄膜トランジスタに面する側の表面）で反射されて、当該電気光学装置内に、斜めの内面反射光が生成される。更にこのような斜めの内面反射光が当該電気光学装置内の他の界面で反射されて斜めの多重反射光が生成される。
【００１１】
特に入射光は戻り光に比べて遥かに強力であるために、仮にこのような斜め光に起因した内面反射光や多重反射光が薄膜トランジスタのチャネル領域に到達すると、光リーク電流が発生し、薄膜トランジスタの特性が変化（劣化）してしまう。しかも、このような光リーク電流の発生は、表示画像を明るくするために入射光強度を強めれば強める程顕著になる。
【００１２】
しかるに本発明の電気光学装置では、基板の上面は、チャネル領域の直下から（その周囲或いは側方へ）遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面を含むので、上述の如き内面反射光や多重反射光が生成される際に（即ち基板の上面やその上に形成された下側遮光膜の上面で反射される際に）、基板の上面が平坦である場合と比べて、反射光がチャネル領域の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光や多重反射光における最終的にチャネル領域に到達する成分を低減できる。この結果、基板に垂直な方向の入射光や戻り光に対する遮光性能のみならず、斜め光に対する遮光性能を向上させることができ、最終的に良好なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタにより高品位の画像を表示可能となり、特に高い光強度の入射光を用いて明るい画像を表示する際に有利となる。
【００１３】
尚、基板の上面は、チャネル領域に対向する部分が平坦でその周囲が斜面となるように構成されてもよいし、チャネル領域に対向する部分が少なくとも部分的に斜面となり且つその周囲も斜面となるように構成されてもよい。更に、下側遮光膜は、基板の上面のうちチャネル領域に対向する平坦な部分上に形成されてもよいし、基板の上面のうちチャネル領域に対向する平坦な部分上からその周囲の斜面上にまで形成されてもよいし、基板の上面のうちチャネル領域に対向する斜面を含む部分上からその周囲の斜面上にまで形成されてもよい。いずれの場合にも、上述の如き内面反射光や多重反射光では、チャネル領域を中央として外側に拡散する傾向が増加するため、最終的にチャネル領域に到達する成分を低減できる。
【００１４】
本発明の一態様では、前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線からなる。
【００１５】
この態様によれば、少なくとも部分的にデータ線からなる上側遮光膜により、薄膜トランジスタを上側から遮光できる。従って、データ線にデータ線本来の機能及び遮光膜としての機能を持たせることができ、両機能を別々の膜或いは配線から形成する場合と比較して、基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１６】
本発明の他の態様では、前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタに蓄積容量を付加するための容量線からなる。
【００１７】
この態様によれば、少なくとも部分的に容量線からなる上側遮光膜により、薄膜トランジスタを上側から遮光できる。従って、容量線に容量線本来の機能及び遮光膜としての機能を持たせることができ、両機能を別々の膜或いは配線から形成する場合と比較して、基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１８】
本発明の他の態様では、前記上側遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを中継接続する中間導電層からなる。
【００１９】
この態様によれば、薄膜トランジスタと画素電極との層間距離が長い場合に、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的な困難性を避けつつ、両者間を中間導電層を介して二つ（或いはそれ以上）の比較的小径のコンタクトホールで接続することが可能となる。しかも、少なくとも部分的にこのような中間導電層からなる上側遮光膜により、薄膜トランジスタを上側から遮光できる。従って、中間導電層に中継接続の機能及び遮光膜としての機能を持たせることができ、両機能を別々の膜或いは配線から形成する場合と比較して、基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００２０】
本発明の他の態様では、前記基板は、石英基板からなり、前記下側遮光膜上には、透明な酸化シリコン膜或いは窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜が形成されている。
【００２１】
この態様によれば、石英基板からなる基板の上面と透明な酸化シリコン膜或いは窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜の下面とが接する界面では、両者の屈折率の相違により、斜め光が反射して内面反射光や多重反射光が生成される。しかるに、基板の上面は前述の如き斜面を含むので、これらの内面反射光や多重反射光に、チャネル領域を中央として外側へ拡散する傾向を持たせることができる。
【００２２】
本発明の他の態様では、前記下側遮光膜は、高融点金属を含む膜からなる。
【００２３】
この態様によれば、高融点金属を含む膜からなる下側遮光層により、薄膜トランジスタの下側における戻り光に対する遮光を良好に行なえる。この際特に、内面反射光や多重反射光については斜面により低減できるので、反射率が高い金属を含む膜を採用可能となる。高融点金属を含む膜としては、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等が挙げられる。
【００２４】
本発明の他の態様では前記斜面は、前記基板に掘られた凹部内に位置する。
【００２５】
この態様によれば、凹部内に位置する斜面により、内面反射光や多重反射光をチャネル領域を中央として外側に拡散できる。特にこのような凹部内に層間絶縁膜を介して薄膜トランジスタの少なくとも一部や、走査線、データ線、容量線等の配線の少なくとも一部を埋め込むことにより、基板上で画素電極の下地となる最上層の平坦化を図ることができる。加えてこのような凹部をエッチング等で基板に掘るプロセスを利用して、基板の表面に斜面を形成することも可能となる。
【００２６】
この態様では、前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線を更に備えており、前記凹部は、平面的に見て前記データ線に沿って伸びるストライプ状の溝部分を含み、前記凹部内の斜面は、前記データ線の方向に垂直に切った断面上で前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しているように構成してもよい。
【００２７】
このように構成すれば、データ線に沿って伸びるストライプ状の溝部分内に層間絶縁膜を介してデータ線を少なくとも部分的に埋め込むことにより、画素電極の下地となる最上層のうちデータ線に沿った部分を平坦化できる。そして特に、凹部内の斜面は、データ線の方向に垂直に切った断面上で凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しているので、凹部内における基板の上面や下側遮光膜の上面で反射される斜め光をデータ線に交差する方向に拡散できる。
【００２８】
或いはこの態様では、前記薄膜トランジスタに接続された走査線を更に備えており、前記凹部は、平面的に見て前記走査線に沿って伸びるストライプ状の溝部分を含み、前記凹部内の斜面は、前記走査線の方向に垂直に切った断面上で前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しているように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、走査線に沿って伸びるストライプ状の溝部分内に層間絶縁膜を介して走査線を少なくとも部分的に埋め込むことにより、画素電極の下地となる最上層のうち走査線に沿った部分を平坦化できる。そして特に、凹部内の斜面は、走査線の方向に垂直に切った断面上で凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しているので、凹部内における基板の上面や下側遮光膜の上面で反射される斜め光を走査線に交差する方向に拡散できる。
【００３０】
或いはこの態様では、前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、該データ線と交差すると共に前記薄膜トランジスタに接続された走査線を更に備えており、前記凹部は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線に夫々沿って伸びる格子状の溝部分を含み、前記凹部の斜面は、前記データ線及び前記走査線の方向に垂直に切った２つの断面上で夫々前記凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しているように構成してもよい。
【００３１】
このように構成すれば、格子状の溝部分内に層間絶縁膜を介してデータ線及び走査線を少なくとも部分的に埋め込むことにより、画素電極の下地となる最上層のうちデータ線及び走査線に沿った部分を平坦化できる。そして特に、凹部内の斜面は、データ線の方向に垂直に切った断面上で凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しており凹部内における基板の上面や下側遮光膜の上面で反射される斜め光をデータ線に交差する方向に拡散できる。しかも、凹部内の斜面は、走査線の方向に垂直に切った断面上で凹部の中央から縁に向かうに連れて低くなるように傾斜しており、凹部内における基板の上面や下側遮光膜の上面で反射される斜め光を走査線に交差する方向に拡散できる。
【００３２】
本発明の他の態様では、前記基板の上面は、前記チャネル領域に対向する領域において平坦である。
【００３３】
この態様によれば、基板の上面は、チャネル領域に対向する領域において平坦であり、その周囲に斜面が位置する。従って、平坦な上面の上方に、薄膜トランジスタを構築することが可能となり、この際、チャネル領域の脇を抜けて基板の上面やその上の下側遮光膜の上面に到達する入射光等を、係る斜面の傾斜に応じてチャネル領域から遠ざける側に反射できる。
【００３４】
本発明の他の態様では、前記基板の上面は、前記下側遮光膜が形成された領域において平坦である。
【００３５】
この態様によれば、基板の上面は、下側遮光膜が形成された領域において平坦であり、その周囲に斜面が位置する。従って、平坦な上面上の下側遮光膜の上方に、薄膜トランジスタを構築することが可能となり、この際、チャネル領域の脇を抜けて基板の上面やその上の下側遮光膜の上面に到達する入射光等を、係る斜面の傾斜に応じてチャネル領域から遠ざける側に反射できる。
【００３６】
本発明の他の態様では、前記基板の斜面の少なくとも一部上に、前記下側遮光膜の少なくとも一部が形成されている。
【００３７】
この態様によれば、基板の斜面上に形成された下側遮光膜の一部或いは全部は、傾斜しているので、チャネル領域の脇を抜けて下側遮光膜の上面に到達する入射光等を、係る斜面の傾斜に応じてチャネル領域から遠ざける側に反射できる。
【００３８】
本発明の他の態様では、前記上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の上面は、前記チャネル領域の直上から遠ざかるに連れて高くなるように傾斜する斜面を含む。
【００３９】
この態様によれば、上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の上面は、チャネル領域の直上から（その周囲或いは側方へ）遠ざかるに連れて高くなるように傾斜する斜面を含むので、基板の上面及び下側遮光膜の上面で反射してなる内面反射光、多重反射光等や戻り光が、上側遮光膜の下面（即ち、チャネル領域に面する側の表面）で反射される際に、上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の上面が平坦である場合と比べて、この反射光がチャネル領域の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光や多重反射光における最終的にチャネル領域に到達する成分をより一層低減できる。加えて、Ａｌ（アルミニウム）膜等の高反射率の導電膜から上側遮光膜を形成できる。
【００４０】
この態様では、前記基板の斜面は、前記基板に掘られた凹部内に位置し、前記上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の斜面は、前記凹部の側壁の立ち上がりに対応して傾斜しているように構成してもよい。
【００４１】
このように構成すれば、凹部内に位置する斜面により、内面反射光や多重反射光をチャネル領域を中央として外側に拡散できる。加えてこのような凹部の側壁の立ち上がりを利用して、その上方に、上側遮光膜の下地となる層間絶縁膜の斜面を形成できる。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４４】
先ず本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００４６】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００４７】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４８】
図２及び図３に示すように、本実施形態では特に、容量線３００は、導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜７２と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜７３とが積層された多層構造を持つ。このうち第２膜７３は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜としての機能を持つ。また第１膜７２は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての第２膜７３とＴＦＴ３０との間に配置された光吸収層としての機能を持つ。他方、容量線３００に対して、誘電体膜７５を介して対向配置される中継層７１ａは、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての第２膜７３とＴＦＴ３０との間に配置される光吸収層としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する中間導電層としての機能を持つ。
【００４９】
このような遮光機能については図４から図８を参照して後に詳述する。
【００５０】
本実施形態では、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画素電極９ａ）に接続された画素電位側容量電極としての中継層７１ａと、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５１】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出している。そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００５２】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。
【００５３】
本実施形態では特に、格子状の下側遮光膜１１ａの形成領域は、同じく格子状の上側の遮光層（即ち、容量電極３００及びデータ線６ａ）の形成領域内に位置する（即ち、一回り小さく形成され、下側遮光膜１１ａは、容量線３００及びデータ線６ａの幅より狭く形成されている）。そして、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’は、その低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ（即ち、ＬＤＤ領域）との接合部を含めて、このような格子状の下側遮光膜１１ａの交差領域内に（従って、格子状の上側遮光膜の交差領域内に）位置する。
【００５４】
これらの上側遮光膜の一例を構成する第２膜７３及び下側遮光膜１１ａは夫々、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。また、このような第２膜７３を含んでなる容量線３００は、多層構造を有し、その第１膜７２が導電性のポリシリコン膜であるため、係る第２膜７３については、導電性材料から形成する必要はないが、第１膜７２だけでなく第２膜７３をも導電膜から形成すれば、容量線３００をより低抵抗化できる。
【００５５】
また図３において、容量電極としての中継層７１ａと容量線３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い程良い。
【００５６】
光吸収層として機能するのみならず容量線３００の一部を構成する第１膜７２は、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のポリシリコン膜からなる。また、遮光層として機能するのみならず容量線３００の他の一部を構成する第２膜７３は、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜からなる。このように誘電体膜７５に接する側に配置される第１膜７２をポリシリコン膜から構成し、誘電体膜７５に接する中継層７１ａをポリシリコン膜から構成することにより、誘電体膜７５の劣化を阻止できる。更に、このような容量線３００を誘電体膜７５上に形成する際に、誘電体膜７５の形成後にフォトレジスト工程を入れることなく、連続で容量線３００を形成すれば、誘電体膜７５の品質を高められるので、当該誘電体膜７５を薄く成膜することが可能となり、最終的に蓄積容量７０を増大できる。
【００５７】
図２及び図３に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して中継接続用の中継層７１ｂに接続されており、更に中継層７１ｂは、コンタクトホール８２を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、中継層７１ｂは、前述した諸機能を持つ中継層７１ａと同一膜から同時形成される。
【００５８】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００５９】
画素電極９ａは、中継層７１ａを中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。即ち、本実施形態では、中継層７１ａは、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及び光吸収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦＴ３０へ中継接続する機能を果たす。このように中継層７１ａ及び７１ｂを中継層として利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００６０】
図２及び図３において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板１０には、平面的に見て格子状の溝１０ｃｖが掘られている（図２中右下がりの斜線領域で示されている）。走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ３０等の配線や素子等は、この溝１０ｃｖ内に埋め込まれている。これにより、配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間における段差が緩和されており、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。
【００６２】
本実施形態では特に、溝１０ｃｖの底面には、溝１０ｃｖの側壁に近づくに連れて低くなるように傾斜する斜面が設けられている。このような溝１０ｃｖ内の斜面の構成及び作用効果については遮光機能と共に図４から図８を参照して後に詳述する。
【００６３】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００６４】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００６５】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このように対向基板２０上の遮光膜は好ましくは、平面的に見て容量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位置するように形成する。これにより、対向基板２０上の遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。
【００６６】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００６７】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６８】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６９】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７０】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１ａ及び７１ｂ並びに容量線３００が形成されており、これらの上には、中継層７１ａ及び７１ｂへ夫々通じるコンタクトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００７１】
尚、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００７２】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１ａへ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００７３】
次に、図４から図８を参照して、本実施形態における基板１０の上面に形成される斜面及び遮光機能について詳述する。
【００７４】
ここに、図４から図８は夫々、上述した実施形態の基本構成の中で、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の上下における上側遮光膜（容量線３００及びデータ線６ａ）及び下側遮光膜１１ａ並びに下側遮光膜１１ａが形成される基板１０の上面における斜面の各種具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。尚、実際のこれら各膜や斜面の形状や配置は、３次元的であり図４から図８に示したものより複雑となるが、ここではチャネル領域１ａ’付近における入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２に対する、基板１０の斜面及び遮光膜による遮光の関係を図式的に示すこととする。また図４から図８では夫々、基板１０上の積層構造の中からチャネル領域１ａ’とその上下遮光膜とを抽出して、これらと基板１０の上面並びに入射光及び戻り光との関係を示すようにしている。
【００７５】
図４から図８に示す各種具体例では夫々、当該電気光学装置における上側（即ち、入射光の入射側）から入射する入射光Ｌ１に対しては、容量線３００及びデータ線６ａが、上側遮光膜として機能する。従って、このような入射光Ｌ１のうち特に基板に垂直な入射光Ｌ１ｓがＴＦＴ３０に到達することを確実に防止できる。他方、当該電気光学装置における下側（即ち、入射光の出射側）から入射する戻り光Ｌ２に対しては、下側遮光膜１１ａが文字通り下側遮光膜として機能する。従って、このような戻り光Ｌ２のうち特に基板に垂直な戻り光Ｌ２ｓがＴＦＴ３０に到達することを防止できる。
【００７６】
ここで入射光Ｌ１は、基板１０に対して斜め方向から入射する斜め光Ｌ１ｉを含んでいる。例えば入射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成分を１０％程度含んでいる。同様に戻り光Ｌ２も、斜め光Ｌ２ｉを含んでいる。そして、斜め光Ｌ１ｉが、基板１０の上面や下側遮光膜１１ａの上面等で反射されて、或いは斜め光Ｌ２ｉが、上側遮光膜の下面等で反射されて、更にこれらが当該電気光学装置内の他の界面で反射されて、内面反射光・多重反射光Ｌ３が生成される。
【００７７】
これに対し、先ず図４に示す具体例では、基板１０の溝１０ｃｖ内に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面４０１が形成されている。下側遮光膜１１ａは、溝１０ｃｖ内の平坦面４０２の上に形成されている。従って、内面反射光・多重反射光Ｌ３は、斜面４０１の存在により、チャネル領域１ａ’の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する成分（光）を低減できる。
【００７８】
本実施形態において、例えば基板１０を石英基板から構成し、その上の下地絶縁膜を酸化シリコン膜或いは窒化シリコン膜から構成すると、両者が接する界面で、両者の屈折率の相違により、斜め光Ｌ１ｉや斜め光Ｌ２ｉが反射して内面反射光・多重反射光Ｌ３が生成される。しかしながら、上述の如く斜面４０１を設けることで、内面反射光・多重反射光Ｌ３による悪影響を低減できるので特に問題とはならない。
【００７９】
図５に示す具体例では、基板１０の溝１０ｃｖ内に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面４０１が形成されている。そして特に、下側遮光膜１１ａは、溝１０ｃｖ内の平坦面４０２の上のみならず、斜面４０１上にも形成されている。従って、内面反射光・多重反射光Ｌ３は、斜面４０１及び斜面４０１上にある下側遮光膜１１ａの部分の存在により、チャネル領域１ａ’の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する成分（光）を低減できる。なお、少なくとも下側遮光膜１１ａの斜面４０１が光吸収性を備えていれば、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する光をより低減することができる。
【００８０】
図６に示す具体例では、基板１０の溝１０ｃｖ内に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面４０１が形成されている。下側遮光膜１１ａは、溝１０ｃｖ内の平坦面４０２の上に形成されている。そして特に、上側遮光膜（３００、６ａ）の下地面として、平坦面５０２の両側或いは周囲に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直上から遠ざかるに連れて高くなるように傾斜する斜面５０１が形成されている。従って、内面反射光・多重反射光Ｌ３は、斜面４０１及び斜面５０１上にある上側遮光膜部分の存在により、チャネル領域１ａ’の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する成分（光）を低減できる。加えて、このように構成すれば、Ａｌ膜等の高反射率の導電膜から上側遮光膜を形成しても、その内面反射による弊害は小さくて済む。尚、図６に示す具体例では、斜面５０１は、溝１０ｃｖの側壁の立ち上がりに対応して傾斜している。よって、このような傾斜５０１を比較的簡単に形成できる。
【００８１】
図７に示す具体例では、基板１０の溝１０ｃｖ内に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の中央直下から遠ざかるに連れて低くなるように湾曲して傾斜する斜面４０１’が形成されている。即ち、溝１０ｃｖの底面に平坦面はない。下側遮光膜１１ａは、このような斜面４０１’上に湾曲して形成されている。そして、上側遮光膜（３００、６ａ）の下地面として、斜面４０１’に対応して湾曲する中央斜面５０１’の両側或いは周囲に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直上から遠ざかるに連れて高くなるように傾斜する斜面５０１が形成されている。従って、内面反射光・多重反射光Ｌ３は、斜面４０１’及び斜面５０１上にある上側遮光膜部分の存在により、チャネル領域１ａ’の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する成分（光）を低減できる。
【００８２】
図８に示す具体例では、基板１０の溝１０ｃｖを省略し、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の直下から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する斜面４０１が形成されている。そして特に、下側遮光膜１１ａは、平坦面４０２の上のみならず、斜面４０１上にも形成されている。従って、内面反射光・多重反射光Ｌ３は、斜面４０１及び斜面４０１上にある下側遮光膜１１ａの部分の存在により、チャネル領域１ａ’の周り或いは側方に拡散される傾向が強くなる。このため、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達する成分（光）を低減できる。
【００８３】
そして、図４から図８に示した具体例では、斜面４０１（或いは４０１’）は、データ線６ａの方向に垂直に切った断面上で溝１０ｃｖの縁に向かうに連れて傾斜しているように構成してもよい。これにより、内面反射光・多重反射光Ｌ３をデータ線６ａに交差する方向に拡散できる。また、斜面４０１（或いは４０１’）は、走査線３ａの方向に垂直に切った断面上で溝１０ｃｖの縁に向かうに連れて傾斜しているように構成してもよい。これにより、内面反射光・多重反射光Ｌ３を走査線３ａに交差する方向に拡散できる。或いは、斜面４０１（或いは４０１’）は、データ線６ａの方向に垂直に切った断面上で溝１０ｃｖの縁に向かうに連れて傾斜しており、且つ走査線３ａの方向に垂直に切った断面上で溝１０ｃｖの縁に向かうに連れて傾斜しているように構成してもよい。これにより、内面反射光・多重反射光Ｌ３をデータ線６ａ及び走査線３ａに交差する方向に夫々拡散できる。加えて、溝１０ｃｖについても、基板１０上における平面形状が格子状である必要はなく、例えばデータ線６ａに沿ったストライプ状の溝であってもよいし、走査線３ａに沿ったストライプ状の溝であってもよい。また、図８に示した具体例の如く、溝１０ｃｖは全く掘られていなくてもよい。いずれの場合にも、斜面４０１（或いは４０１）を設けることで、上述の如き内面反射光・多重反射光Ｌ３をチャネル領域１ａ’から遠ざけるように拡散する効果は得られる。
【００８４】
更に、図４から図８に示した具体例の如く斜面４０１（或いは４０１’）を有する基板１０は、単一層から構成してもよいし、斜面を形成するための上層を含む複数層から構成してもよい。
【００８５】
以上図１から図８を参照して説明したように構成された本実施形態によれば、対向基板２０側からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその付近に入射光Ｌ１が入射しようとすると、データ線６ａ及び容量線３００（特に、その第２膜７３）からなる格子状の上側遮光膜で遮光を行う。他方、ＴＦＴアレイ基板１０側から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその付近に戻り光Ｌ２が入射しようとすると、下側遮光膜１１ａで遮光を行う。そして特に、斜め光Ｌ１ｉやＬ２ｉが入射することにより発生する内面反射光・多重反射光Ｌ３については、基板１０の上面の斜面４０１（或いは４０１’）の作用により、チャネル領域１ａ’を中央にして拡散する傾向が強くなるので、これらが最終的にチャネル領域１ａ’に到達する事態を効果的に防止できる。加えて、内面反射光・多重反射光Ｌ３のうち、基板１０の斜面４０１（或いは４０１’）によっては、除去できない光路を辿る成分（光）については、光吸収層としての第１膜７２及び中継層７１ａにより吸収除去できるので、チャネル領域１ａ’に到達可能な内面反射光・多重反射光Ｌ３の成分は最終的に極僅かなものとなる。
【００８６】
以上の結果、本実施形態により、各画素の開口率を高めつつ耐光性を高めることにより画素スイッチング用ＴＦＴ３０の光リークによる特性劣化を低減でき、最終的にコントラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可能となる。
【００８７】
以上説明した実施形態では、図３に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝１０ｃｖを掘ることで緩和しているが、これに変えて又は加えて、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ(Spin On Glass)を用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【００８８】
更に以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【００８９】
（基板の溝内に斜面を形成する製造プロセス）
次に、基板１０に溝１０ｃｖを掘る製造プロセスの一例について図９を参照して説明する。
【００９０】
先ず工程（１）では、基板１０に対し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、最終的に掘るべき溝１０ｃｖよりも若干小さい溝１０ｃｖ’を掘る。
【００９１】
次に工程（２）では、溝１０ｃｖ’を含めた基板１０の全面にスパッタリング等により、高融点金属から遮光膜１１を形成する。
【００９２】
次に工程（３）では、レジスト６００を溝１０ｃｖ’内における遮光膜１１上に形成する。
【００９３】
次に工程（４）では、レジスト６００及び遮光膜１１をエッチングし、レジスト６００で覆われていない遮光膜１１部分を完全に除去する。更に、当該エッチングを続ける。すると、露出した基板１０の表面がエッチングされるので、レジスト６００が除去された領域には、レジストの後退に対応して、レジスト６００の中央に向かって基板がエッチングされる深度が徐々に浅くなる。即ち、レジストの後退に応じて傾斜４０１が形成されることとなり、目標の溝１０ｃｖが得られた時点で、当該エッチングを停止する。
【００９４】
最後に工程（５）では、小さくなったレジスト６００を剥離する。すると、溝１０ｃｖ内の平坦面４０１上に下側遮光膜１１ａが形成され、しかもその両側に溝１０ｃｖの縁に向かうに連れて低くなるように傾斜する斜面４０１が得られる。
【００９５】
以上のように工程（１）から工程（５）により、基板１０に対し、底面に斜面４０１が形成された溝１０ｃｖを掘ることができ、更に溝１０ｃｖ内に下側遮光膜１１ａが配置された構造が得られる。特に、電気光学装置の製造プロセスの初期において、このように溝１０ｃｖを基板１０に掘っておけば、その後の電気光学装置の製造プロセスについては、斜面４０１がない或いは溝１０ｃｖがない通常の場合と同様に行えば足りる。
【００９６】
尚、基板１０に斜面４０１（或いは４０１’）を形成する製造プロセスは図９に示したものに限らないことは言うまでもなく、どのような製造プロセスにより斜面４０１（或いは４０１’）を形成しても、最終的に同様の形状が得られる限り、前述したのと同様の効果が得られる。
【００９７】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１０及び図１１を参照して説明する。尚、図１０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１１は、図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【００９８】
図１０において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１１に示すように、図１０に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００９９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１００】
以上図１から図１１を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１０１】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１０２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】実施形態における、上下遮光膜及び基板の斜面の一具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。
【図５】実施形態における、上下遮光膜及び基板の斜面の他の具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。
【図６】実施形態における、上下遮光膜及び基板の斜面の他の具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。
【図７】実施形態における、上下遮光膜及び基板の斜面の他の具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。
【図８】実施形態における、上下遮光膜及び基板の斜面の他の具体例を２次元的に示す図式的な擬似断面図である。
【図９】実施形態において基板の溝内に斜面を形成する製造プロセスを示す工程図である。
【図１０】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁薄膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１０ｃｖ…溝
１１ａ…下側遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
７１ａ…中継層
７１ｂ…中継層
７２…容量線の第１膜
７３…容量線の第２膜
７５…誘電体膜
８１、８２、８３、８５…コンタクトホール
３００…容量線
４０１、５０１…斜面
４０２、５０２…平坦面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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