(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置が搭載される複数のソケットを備えるバーンイン試験用基板に電源電圧を供給する電源電圧供給手段と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する電流測定手段と、所定の基準値を記憶する記憶部と、前記電流測定手段において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する比較部と、前記比較した結果からそれぞれのソケットに搭載された半導体装置が正常か否かを判断する制御部と、前記判断の結果により異常と判断された半導体装置を特定する表示とその異常状態を識別する表示とを表示する表示部とを備え、
バーンイン試験前に、前記電源供給手段により前記複数のソケットに搭載された半導体装置に通電を行って、前記制御部により非正常品と判断された半導体装置について前記表示部が除去すべき旨の表示を行うことを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項２】
さらに、前記制御部により正常品と判断された半導体装置について、バーンイン試験後に、前記電源供給手段により前記ソケットに搭載された半導体装置に通電を行って、前記制御部の判断結果を前記表示部に表示することを特徴とする請求項１に記載された半導体装置の検査装置。
【請求項３】
前記比較部が、バーンイン試験前に測定した前記ソケットに搭載された半導体装置の電流値とバーンイン試験後に測定した前記ソケットに搭載された半導体装置の電流値の差分の絶対値と前記所定の基準値とを比較する請求項１または請求項２に記載された半導体装置の検査装置。
【請求項４】
前記表示部がさらに、バーンイン試験前後の前記電流値を表示する請求項１に記載された半導体装置の検査装置。
【請求項５】
バーンイン試験前に、複数の半導体装置が搭載される複数のソケットを備えるバーンイン試験用基板に電源電圧を供給する第１の工程と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する第２の工程と、前記第２の工程において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する第３の工程と、前記比較した結果からそれぞれのソケットに搭載された半導体装置が正常か否かを判断する第４の工程と、前記第４の工程により非正常品と判断された半導体装置について除去すべき旨の表示を行う第５の工程とを備え、
前記第５の工程における表示は、前記非正常品と判断された半導体装置を特定する表示と、その異常状態を識別する表示とを表示することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項６】
さらに、正常品と判断された半導体装置について、バーンイン試験後に、前記ソケットに搭載された半導体装置に電源電圧を供給する第６の工程と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する第７の工程と、所定の基準値を記憶し、前記第７の工程において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する第８の工程と、前記比較した結果からそれぞれの前記ソケットに搭載された半導体装置が正常否かを判断する第９の工程と、前記第９の工程により非正常品と判断された半導体装置について除去すべき旨の表示を行う第１０の工程とを備えたことを特徴とする請求項５に記載された半導体装置の検査方法。
【請求項７】
前記第２の工程および第７の工程で測定されたそれぞれの電流値の差分を算出し、その絶対値を演算する第１１の工程と、その絶対値と所定の基準値を比較する第１２の工程とを備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の信頼性を判定するための検査装置およびその方法に関し、特に、半導体装置の製造工程で行われるバーンイン試験に好適な検査装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置は、従来より、シリコンウェハーの研磨、酸化処理、パターン形成、拡散層形成、回路形成、ダイシング（切断）、マウント、ボンディング、封入等のさまざまな工程を経て製造され、電気的特性や外観検査が行われた後に、良品と判断されたものが出荷される。また、製造工程においては、個々の半導体装置に対してバーンイン試験が実施され、高温状態で半導体装置を所定時間通電保管することで、電気的な欠陥のあるものを積極的に除去して信頼性の向上を図っている。
【０００３】
従来、このバーンイン試験は、図６に示すようなバーンイン試験用装置で行われており、このバーンイン試験用装置は、バーンイン用基板２と、発振器６と、電源供給部３４とで構成されていた。また、バーンイン用基板２は、被試験用半導体装置を挿入するＩＣソケット１０と半導体装置の電源ラインにシリ−ズに挿入された抵抗３で構成されていた。電源供給部３４は、電源部５と基準電圧３１と、電圧比較器３２と、電源制御器３３とから構成されており、電源部５は、すべての被試験用半導体装置に電源電圧を供給する役割を有している。
【０００４】
電圧比較器３２は、所定の基準電圧３１と電源部５を比較する回路であり、電源部５の電圧が所定の基準電圧３１を下回ると、電源制御器３３に対して信号を供給する。電源制御器３３は、電源比較器からの信号により動作して、すべての被試験用半導体装置への電源電圧の供給を停止する役割（以後、「過電流監視機能」と呼ぶ）を有している。したがって、従来のバーンイン試験装置では、被試験用半導体装置に流れる電流の総量を、所定の基準電圧３１と電源部５の電圧を電圧比較器３２で比較をすることにより監視して、電源部５の電圧が所定の範囲を超えて基準電圧３１よりも低下した場合には、バーンイン用基板２上にあるＩＣソケット１０に挿入された半導体装置のうち、いずれかが短絡状態にあると判断して、すべての被試験用半導体装置に対する電源部５からの通電を中止する機能が設けられていた。
【０００５】
図７は、従来のバーンイン試験のフローチャートを示す図である。
この図によると、従来のバーンイン試験は、まず、バーンイン用基板２上のＩＣソケット１０に被試験用半導体装置を挿入する（ステップ４０１）作業を行う。次に、バーンイン用基板２をバーンイン試験槽に入れてバーンイン試験を開始する（ステップ４０２）。バーンイン試験が正常に終了した後（ステップ４０３）あるいは、過電流監視機能により異常停止した後（ステップ４０４）に、それぞれのＩＣソケット１０の電源ラインにシリーズに挿入されている抵抗器３の変色の具合を目視で確認する（ステップ４０５）。目視での確認の結果、半導体装置内部の短絡等により異常電流が流れた半導体装置が特定できた場合には、バーンイン用基板２から、これを除去（ステップ４０６）し、その他の問題のない半導体装置については、次工程へ供給する（ステップ４０７）、といった手順で行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のバーンイン用基板２に搭載されていた過電流監視機能は、バーンイン用基板２内の全体の電流を監視していたため、以下のような不都合があった。例えば、内部が短絡状態になっている半導体装置が存在していたとしても、バーンイン用基板２に搭載されている半導体装置の総数が多い場合には、異常状態にある半導体装置の存在を電流値の変化では検出できず、当該機能が作動しない場合がある。また、半導体装置内部が完全な短絡状態までには至らない不完全な短絡状態にあっては、こうした異常状態にある半導体装置を検出し、特定することはほとんど期待できない状況にあった。
【０００７】
また、電源制御器３３内にある電流監視回路のしきい値を変更して、検出感度をアップさせると、半導体装置自体には問題がないにもかかわらず、例えば、ＩＣソケット１０への誤挿入等の初期不良があった場合にもバーンイン試験がその都度、異常停止してバーンイン試験自体が正常かつ円滑に行われない場合があった。
【０００８】
さらに、従来は、バーンイン試験終了後に、ヒューズの溶断の具合や各ＩＣソケット１０の電源ラインにシリーズに挿入されている抵抗器３の変色の具合を目視により調べていたため、検査に相当の時間を要するとともに、ヒューマンエラーのために、不具合品を次工程に流出させてしまう可能性もあった。
【０００９】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、バーンイン試験前の通電試験で、初期不良を除去するとともに、バーンイン試験後の通電試験で半導体装置の劣化等を検出して、工程作業の円滑化と半導体装置の高信頼性を達成する半導体装置の検査装置およびその方法を提供することを目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、複数の半導体装置が搭載される複数のソケットを備えるバーンイン試験用基板に電源電圧を供給する電源電圧供給手段と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する電流測定手段と、所定の基準値を記憶する記憶部と、前記電流測定手段において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する比較部と、前記比較した結果からそれぞれのソケットに搭載された半導体装置が正常か否かを判断する制御部と、前記判断の結果により異常と判断された半導体装置を特定する表示とその異常状態を識別する表示とを表示する表示部とを備え、バーンイン試験前に、前記電源供給手段により前記複数のソケットに搭載された半導体装置に通電を行って、前記制御部により非正常品と判断された半導体装置について前記表示部が除去すべき旨の表示を行うことを特徴とする半導体装置の検査装置を提案している。また、請求項２に係る発明は、請求項１に係るに記載された半導体装置の検査装置について、さらに、前記制御部により正常品と判断された半導体装置について、バーンイン試験後に、前記電源供給手段により前記ソケットに搭載された半導体装置に通電を行って、前記制御部の判断結果を前記表示部に表示することを特徴とする半導体装置の検査装置を提案している。また、請求項５に係る発明は、バーンイン試験前に、複数の半導体装置が搭載される複数のソケットを備えるバーンイン試験用基板に電源電圧を供給する第１の工程と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する第２の工程と、前記第２の工程において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する第３の工程と、前記比較した結果からそれぞれのソケットに搭載された半導体装置が正常か否かを判断する第４の工程と、前記第４の工程により非正常品と判断された半導体装置について除去すべき旨の表示を行う第５の工程とを備え、前記第５の工程における表示は、前記非正常品と判断された半導体装置を特定する表示と、その異常状態を識別する表示とを表示することを特徴とする半導体装置の検査方法を提案している。さらに、請求項６に係る発明は、請求項５に記載された半導体装置の検査方法の検査方法について、さらに、正常品と判断された半導体装置について、バーンイン試験後に、前記ソケットに搭載された半導体装置に電源電圧を供給する第６の工程と、前記ソケットに搭載された半導体装置の各々に流れる電流を測定する第７の工程と、所定の基準値を記憶し、前記第７の工程において測定された各電流値と前記所定の基準値とを比較する第８の工程と、前記比較した結果からそれぞれの前記ソケットに搭載された半導体装置が正常否かを判断する第９の工程と、前記第９の工程により非正常品と判断された半導体装置について除去すべき旨の表示を行う第１０の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法を提案している。
【００１１】
この発明によれば、電源電圧供給手段の作動により、各半導体装置に電流が流れ、電流測定手段の作動により、各半導体装置の電流が測定される。また、電流測定手段により測定された電流値は、記憶部に記憶されている所定の基準値と比較部において比較され、比較の結果、その半導体装置が正常であるか否かを制御部で判断した後,その判断結果が表示部に表示される。したがって、所定の基準値を半導体装置が正常であるか否かを判断するために必要な値に設定しておくことにより、各々の半導体装置について、個別に、それが正常であるか否かを判断することができる。さらに、半導体装置が異常であると判断されたときは、表示器が作動することにより、その異常と判断された半導体装置を特定し、かつ、その異常状態を表示器の色や文字情報等で表示することができる。したがって、異常と判断された半導体装置を速やかに除去することができるとともに、除去された半導体装置についても、表示された異常状態の種別により、適切な処置を行うことができる。
【００１２】
請求項3に係る発明は、請求項１または請求項２に記載された半導体装置の検査装置について、前記比較部が、バーンイン試験前に測定した前記ソケットに搭載された半導体装置の電流値とバーンイン試験後に測定した前記ソケットに搭載された半導体装置の電流値の差分の絶対値と前記所定の基準値とを比較する半導体装置の検査装置を提案している。
【００１３】
この発明によれば、バーンイン試験後に電流測定手段により測定した電流値と記憶部に記憶したバーンイン試験前に測定した電流値の差の絶対値を制御部において算出することで、バーンイン試験前後における電流の変化の具合を把握することができる。そして、この電流値の差の絶対値を所定の基準値と比較することにより、試験前後における電流の変化の具合が正常であるか否かを判定することができる。したがって、測定した電流値から直ちに、異常とはいえないものであっても、試験前後における電流の変化の具合から半導体内部における異常状態の進行具合を推測して、潜在的な不具合品を早い段階で特定することができる。
【００１６】
請求項４に係る発明は、請求項１に記載された半導体装置の検査装置について、前記表示部がさらに、バーンイン試験前後の前記電流値を表示する半導体装置の検査装置を提案している。
【００１７】
この発明によれば、バーンイン試験の前後で測定した電流値の差分の絶対値と所定の基準値と比較することによって、半導体装置内部で異常状態が進行していると判断されたときは、異常と判断された半導体装置を特定する表示とその異常の状態を表示するとともに、バーンイン試験前後の電流値を表示することから、その半導体装置の異常の程度を視覚により判断することができる。
【００１８】
請求項７に係る発明は、請求項６に記載された半導体装置の検査方法の検査方法について、前記第２の工程および第７の工程で測定されたそれぞれの電流値の差分を算出し、その絶対値を演算する第１１の工程と、その絶対値と所定の基準値を比較する第１２の工程とを備えた半導体装置の検査方法を提案している。
【００１９】
この発明によれば、バーンイン試験前後に各半導体装置に流れていた電流値を測定して、その差分の絶対値と所定の基準値とを比較するので、バーンイン試験の前後において、電流値に大きな変化が生じた場合には、半導体装置の異常を検出することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査装置について図１から図５を参照して詳細に説明する。
図１は本実施形態に係る半導体装置の検査装置の構成を示す図である。また、図２は、本実施形態に係る半導体装置の検査装置にある半導体装置の検査回路の構成を示した図である。
本実施形態に係る半導体装置の検査装置は、電源電圧供給手段５と、電流測定手段１２と、記憶部２６と、比較部２７と、制御部２８と、表示部８,１１と、これらの他、電流モニタ端子４、発振器６、外部接続用コネクタ９およびＩＣソケット１０を備えている。電源電圧供給手段５は、バーンイン用基板２に搭載される複数の被試験用半導体装置に電源電圧を供給する直流安定化電源であり、供給電圧値を手動で設定するタイプのものでも、プログラム等で設定できるものでもよい。
【００２１】
電流測定手段１２は、各半導体装置の電源ラインにシリーズに接続された抵抗器３と半導体装置の検査装置７内にある平滑部２２、サンプルホールド部２３、Ａ／Ｄ変換部２４から構成される。
抵抗器３は、各半導体装置の電源ラインを流れる電流を電圧に変換する役割を有する電流電圧変換部２１の構成要素である。一般には、変換する場合の容易さを考慮して１オームの抵抗値が選ばれるが、特にこれに限定されるものではない。また、本実施形態においては抵抗器３を例示したが、例えば、オペアンプを用いた電流電圧変換回路等を用いてもよい。
【００２２】
平滑部２２は、電源投入時のラッシュ電流等の非定常状態での電流を測定対象から除去して半導体装置の検査回路７の誤検出を防止するために設けられたものであり、一般には、静電容量等が用いられる。なお、これと同様な効果が得られるような構成、例えば、ソフト的な処理で、ラッシュ電流の流れている期間のデータをマスクするような処理をしてもよい。
【００２３】
サンプルホールド部２３は、所定の間隔で、電圧に変換された電源ラインの電流を標本化し保持する機能を有する部分であり、一般には、ＯＰアンプを用いた回路で構成される。サンプリングレートの設定は任意であるが、一般には、サンプリングレートが高いほど精度が上がる一方で、サンプリングレートをあまりに高く設定すると、その後の処理時間がかかるという問題があるため、測定対象に要求される精度に応じて設定する必要がある。
【００２４】
Ａ／Ｄ変換部２４は、前段のサンプルホールド部２３でサンプリングされたアナログ電圧値をデジタル値に変換する部分である。電圧値をデジタル値に変換するのは、次段以降の演算、記憶や比較の処理をマイコン等でデジタル処理するためである。また、Ａ／Ｄ変換の精度については、前述のサンプルホールド部２３の場合と同様に、測定対象に要求される精度に応じて設定する必要がある。
【００２５】
演算部２５は、デジタル化されたサンプリング値の中から最大値や最小値を求めたり、すべてのサンプリング値の平均値を求めたり、あるいは、バーンイン試験前後の電流値の差を求める等の演算処理を行う部分であり、演算結果は、比較部２７や記憶部２６に送られる。したがって、半導体装置が正常か否かの判断は、サンプリングされた値をその都度、所定の基準値と比較して判断するシステムでもよいし、一定の時間内にサンプリングされた値から最大値又は最小値を求め、これを所定の基準値と比較し判断を行うシステム又は一定の時間内にサンプリングされた値からその平均値を求め、これを所定の基準値と比較し判断を行うシステムでもよい。いずれのシステムによるかは、測定対象に要求される精度に応じて適宜に選択することができる。なお、本実施例では、当該演算部２５と制御部２８を分けて記述しているが、マイクロコンピュータによりこれらの機能を統合することも可能である。
【００２６】
記憶部２６は、ＲＯＭ（リードオンリーメモリ）やＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）で構成されており、例えば、測定値と所定の基準値を比較し判断する手順や表示装置に情報を表示する手順あるいは、半導体装置の内部が異常状態、すなわち短絡状態又は開放状態であることを判断するための基準値等はＲＯＭに格納され、測定された電流値やこれらのデータを識別するために半導体装置の個々に付される符号又は同一の半導体装置におけるバーンイン試験前後の電流値を識別するために用いられるバーンイン用試験基板２の識別符号等は、不揮発性メモリで構成されるＲＡＭ内に格納される。なお、本実施例においては、半導体装置の検査装置１内に記憶部２６を有するものについて説明を行っているが、例えば、半導体装置の検査装置１とは別の記憶装置を外部に設けて測定データ等を送信することにより、測定データ等の一括管理を行うようなシステムとすることもできる。
【００２７】
比較部２７は、測定値と所定の基準値の比較やバーンイン試験前後の測定値の差分値と所定の基準値の比較等を行う部分であり、本実施例においては、デジタル処理の形で実現される。なお、アナログの状態で比較を行い、その結果のみを表示器で表示するようなシステム場合には、例えば、ウインドコンパレータと論理回路を組み合わせたような構成としてもよい。制御部２８は、演算部２５に演算処理を命じたり、演算処理された測定値を記憶部２６に書き込むことを命じたり、あるいは、比較部２７に対して比較結果の送信を求めるとともに、これに基づいて、半導体装置の内部状態を判断し、判断結果を表示装置８に表示データとして転送したり、外部印刷装置２９や外部表示装置へのデータ転送等の制御を行う部分であり、マイクロコンピュータ等で構成される。
【００２８】
表示部のうち表示器１１は、半導体装置の内部状態を端的に外部に知らせるために用いられるものであり、ＬＥＤやランプ等で構成される。また、各半導体装置に個別に設けられた表示器１１とこれに対応するＩＣソケット１０には、共通する番号や記号が付されたプレートがその近傍に置かれていて、これらの関連性を即座に認知できるようになっている。また、表示器１１は、半導体装置の異常状態を短絡状態、開放状態、半短絡状態または半開放状態に分けて表示できるように色違いのＬＥＤが一組となって配置されている。なお、この表示器１１をバーンイン用基板２の各ＩＣソケット１０の近傍に配置してもよいが、バーンイン試験が高温で相当時間繰り返して行われることを考慮すれば、表示器１１の信頼性の点からも半導体装置の検査装置側に配置した方が有利であるといえる。
【００２９】
表示装置８は、例えば、液晶表示装置のように、文字や数字を表すことができるものであり、半短絡状態や半開放状態であると判断された半導体装置のバーンイン試験前後の電流値や電流値の変化の具合を表示することにより、この半導体装置を工程から除去するのか、別工程で他の検査を行うのか等の判断に利用することができる。なお、本実施形態では、表示器１１と表示装置８の２つを用いて半導体装置の状態を表示することとしたが、例えば、液晶表示装置のような表示装置で文字や数字を表示するとともに、各半導体装置のバーンイン試験基板２における配置の様子を簡単に把握できる図を併せて表示することにより、異常であると判断された半導体装置を特定する方法をとってもよい。
【００３０】
電流モニター端子４は電流電圧変換２１に用いられている抵抗器３に接続され、半導体装置の検査装置１側で、各半導体装置の電源ラインに流れる電流を測定するための電流モニター端子であり、発振器６は半導体装置にクロック信号を供給する装置である。また、外部接続用コネクタ９は外部にある印刷装置や表示装置にデータを出力する際に用いられるコネクタであり、ＩＣソケット１０は、被試験用半導体装置をバーンイン用基板２に搭載するための装置である。
【００３１】
この他に、図示していないが、半導体装置の検査装置１の電源部５や発振器６とバーンイン用基板２を接続するための端子やバーンイン用基板２の電流モニタ端子４を半導体装置の検査回路７に接続するための端子等があり、これらは、容易に脱着可能な構造になっている。また、本発明の実施の形態においては、バーンイン用基板２を用いて被試験用半導体装置の電流測定を行うことにより、工程作業の効率化を図っている。したがって、バーンイン用基板２は、その本来の用途から、生産において相当の期間繰り返して使用されるものであるので、その構成は極めてシンプルなものとし、被試験用半導体装置の電流測定を行うために必要なものはなるべく、半導体装置の検査装置１側に配置されている。なお、各バーンイン用基板２には、データを識別するための識別符号が割り振られている。
【００３２】
図３は、本発明に係る半導体装置の検査方法についての手順を示すフローチャート図である。
これによれば、まず、バーンイン試験前に半導体装置の通電試験を行うために、バーンイン用基板２を半導体装置の検査装置１に接続する（ステップ１０１）。続いて、バーンイン用基板２に問題がないかどうかを確認するため、被試験用の半導体装置をバーンイン用基板２に挿入する前に電源電圧を印加して（ステップ１０２）、各々のＩＣソケット１０に流れる電流を測定する（ステップ１０３）。ここで、異常な電流を示すＩＣソケット１０については、これを確認し、ＩＣソケット１０に異常が見られる（例えば、端子曲がりや異物の混入によるピン間のショート等）ときは、このＩＣソケット１０を交換して次のステップに進む（ステップ１０４）。
【００３３】
次に、バーンイン用基板２上のＩＣソケット１０に半導体装置を挿入し（ステップ１０５）、これに電源電圧を供給するとともに、各々の半導体装置に流れる電流値を測定する（ステップ１０６）。なお、このとき供給する電源電圧は、バーンイン試験と同じ電圧値であってもよいし、この通電試験用に設定された電圧値であってもよい。通電試験の結果、すべての半導体装置に流れる電流の値があらかじめ設定した所定の基準値の範囲内であれば（ステップ１０７）、バーンイン用試験基板２を半導体装置の検査装置１から外して（ステップ１０９）、これをバーンイン試験槽に入れてバーンイン試験を開始する（ステップ１１０）。
【００３４】
一方、被試験用半導体装置のうち、流れる電流値が所定の基準値を満足せず、異常状態すなわち、短絡状態または開放状態であると判断されるものがある場合には、この半導体装置を表示装置８および表示器１１の表示内容によって特定するとともに、これをＩＣソケット１０から外した（ステップ１０８）後に、バーンイン用試験基板２を半導体装置の検査装置１から外す（ステップ１０９）。
【００３５】
次いで、バーンイン用基板２をバーンイン試験槽に入れてバーンイン試験を開始する（ステップ１１０）。なお、このとき外した半導体装置については、別の工程で、故障モードを特定するとともに、これが初期不良であったのか、工程上の何らかの要因により生じたものなのかを調査して前工程にフィードバックをかける。
【００３６】
バーンイン試験が終了したら（ステップ１１１）、バーンイン用基板２をバーンイン試験槽から取り出すとともに、これを半導体装置の検査装置１に接続する（ステップ１１２）。接続が完了したら、バーンイン試験前と同様の手順で、各々の半導体装置に流れる電流値を測定し（ステップ１１３）、各々の半導体装置が正常か否かの判定を行う（ステップ１１４からステップ１１６）。判定の結果は、表示器１１による表示によって、短絡状態または開放状態であると判断されるもの或いは半短絡状態又は半開放状態であると判断されるものを特定するとともに、併せて異常状態が表示される。
【００３７】
不具合があると判定された半導体装置がＩＣソケット１０から外された（ステップ１１６）後、バーンイン用試験基板２を半導体装置の検査装置１から外して次工程（ステップ１１７）に供給する。なお、このとき外した半導体装置については、別の工程で、故障モードを特定するとともに、これが初期不良であったのか、工程上の何らかの要因により生じたものなのかを調査して前工程にフィードバックをかける。
【００３８】
図４は、バーンイン試験前の電流測定における処理のフローチャートである。これによると、被試験用半導体装置に電源電圧を加えて、電源ラインに流れる電流を電流電圧変換部２１により電圧に変換する。次に、平滑部２２を通して電圧波形を平滑化したものをサンプルホールド部２３でサンプリングし、これをＡ／Ｄ変換部２４でデジタル信号に変換した後、演算部２５で最小値あるいは平均値を算出する。この算出された値と記憶部２６にあらかじめ記憶させておいた所定の基準値を比較部２７で比較して、制御部２８が測定した電流値が所定の基準値の下限よりも低いと判断した場合は（ステップ２０１）、当該半導体装置用の表示器１１のうち、開放状態を示す表示器１１を点灯する（ステップ２０２）。
【００３９】
また、演算部２５で算出した測定電流値の最大値あるいは平均値が所定の基準値の上限よりも高いと制御部２８が判断した場合は（ステップ２０３）、短絡状態を示す表示器１１を点灯する（ステップ２０４）。一方、測定した電流値が所定の基準値の範囲内であるときは、制御部２８はこの測定電流値を記憶部２６にバーンイン用基板２の識別符号およびＩＣソケット１０の番号とともにデータとして記憶部２６内のＲＡＭに格納して処理を終了する（ステップ２０５）。
【００４０】
図５は、バーンイン試験後の電流測定における処理のフローチャートである。これによると、バーンイン試験前と同様に、測定した電流値が所定の基準値の下限よりも低いと制御部２８が判断した場合は（ステップ３０１）、当該半導体装置用の表示器１１のうち、開放状態を示す表示器１１を点灯する（ステップ３０２）。また、演算部２５で算出した測定電流値の最大値あるいは平均値が所定の基準値の上限よりも高いと制御部２８が判断した場合は（ステップ３０３）、短絡状態を示す表示器１１を点灯する（ステップ３０４）。
【００４１】
さらに、測定した電流値が所定の基準値の範囲内であるときは、記憶部２６内のＲＡＭに格納したバーンイン試験前の電流値とバーンイン試験後の電流値を比較部２７で比較して（ステップ３０５）、その変化の差が所定の基準値の範囲内であればそのまま処理を終了し（ステップ３０６）、その差が所定の基準値の範囲を超えているときは、半短絡状態または半開放状態を示す表示器１１を点灯するとともに、表示装置８にバーンイン試験前後の電流値とその差を数値で表示する（ステップ３０７）。
【００４２】
以上、図面を参照して本発明の実施の形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。例えば、上記実施の形態では、半導体装置に流れる電流値を電圧値に変換して、以降の比較、演算および判定等の処理を行う例について説明したが、それぞれの半導体装置に個々に電流計を備え、その値を用いて比較、演算および判定等を行うシステムとしてもよい。また、本発明の実施の形態においては、不具合のある半導体装置の特定を表示器や表示装置による表示のみで行っているが、これ以外の方法、例えば、音声による通知により特定する方法を付加してもよい。
【００４３】
また、本発明の実施形態の中でも説明したように、本発明に係る半導体装置の検査装置の利用分野を拡大して、半導体装置の異常のみならず、試験設備側の異常等も検出できるシステムとすることができる。例えば、バーンイン試験用基板上のＩＣソケットに被試験用半導体装置を挿入する前に、バーンイン試験用基板に電圧を印加して、ＩＣソケットに流れる電流値を測定し、この測定値と所定の基準値を比較することとすれば、ＩＣソケットの異常についても判断することができる。このようにして、異常のあるＩＣソケット、例えば、ＩＣソケットの端子曲がりや異物の混入による短絡等の問題を事前に検出し、除去することができれば、被試験用半導体装置に無用なダメージを与えることを防止でき、工程作業の円滑化と半導体装置の品質の向上を図ることができる。
【００４４】
さらに、本発明の実施の形態における半導体装置の検査装置において、同一のＩＣソケットについて、連続して複数回、短絡状態又は開放状態と判断された場合には、これを表示器によって表示することにより不具合のあるＩＣソケットを特定することもできる。この方法によれば、被試験用半導体装置が挿入されていない状態では異常を検出することができないが、半導体装置が挿入されると、この半導体装置によって、例えば、曲がって浮いていた隣接するピン同士が接触してしまう等のＩＣソケットにまつわる不具合を検出することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、個々の被試験用半導体装置について、電流測定手段を設けたことから、異常状態にある半導体装置を確実に検出することができる。また、バーンイン試験前の通電試験により、ＩＣソケットへの半導体装置の挿入不具合等の初期不良を確実に検出することができる。さらに、すべての半導体装置について個別に電流検出手段を設けたことから、半導体装置の内部が短絡又は開放状態となっているか否かを同時に判断することができ、不具合のある半導体装置についてはこれを即座に除去して次工程の作業を進めることができるため、工程作業の円滑化を図ることが可能となる。
【００４６】
また、バーンイン試験前後で通電試験をすることとしたため、これらの値を比較することにより、電流の変化量を把握することができ、これらの値と良品である半導体装置のバーンイン試験前後での一般的な電流の変化量（所定の基準値）とを比較することで、半導体装置の内部における異常状態の進行具合を間接的に把握することができる。したがって、こうした潜在的な不具合を持つ半導体装置を早期に発見し、除去することで、工程作業を円滑に進めることができるとともに、製品の品質向上に寄与することができる。
【００４７】
また、通電試験の結果、異常状態であると判断された半導体装置については、これを特定する表示と異常状態を識別できる表示をすることとしたことから、異常状態にある半導体装置を的確に除去して、工程作業の円滑化を図ることが可能となる。さらに、その半導体装置の不具合の内容が確定できることにより、別工程での不具合の検証を速やかに行うことができ、情報のフィードバックを的確かつ迅速に行うことができる。
【００４８】
また、バーンイン試験前後の電流値の差分の絶対値が所定の基準値の範囲にないときは、半導体装置の内部で異常な状態が進行しているものとして、これを特定するための表示を行い、かつ、電流値の変化の具合も表示することとしたため、これを速やかに除去して工程作業の円滑化を図ることができる。さらに、電流値の変化の具合から、不具合解析の詳細な調査するための作業内容を的確に選定し、前工程に適切な情報をフィードバックすることができる。
【００４９】
さらに、バーンイン試験前後で通電試験を行う検査方法としたことから、バーンイン試験後の検査で、半導体装置の劣化やシリーズ抵抗の劣化、ヒューズの溶断の具合等を検出でき、これらを除去することによって、半導体装置の高信頼性を達成することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態に係る半導体装置の検査装置の構成図である
【図２】  本発明の実施の形態に係る半導体装置検査回路の構成図である。
【図３】  本発明の実施の形態に係る処理フローチャート図である。
【図４】  本発明の実施の形態に係るバーンイン試験前の通電試験における処理フローチャート図である。
【図５】  本発明の実施の形態に係るバーンイン試験後の通電試験における処理フローチャート図である。
【図６】  本発明の実施の形態に係る従来例におけるバーンイン試験用基板の構成図である。
【図７】  本発明の実施の形態に係る従来例によるバーンイン試験のフローチャート図である。
【符号の説明】
１・・・半導体装置の検査装置、２・・・バーンイン用基板、５・・・電源部、
８・・・表示装置、１１・・・表示器、１２・・・電流測定手段、２６・・・記憶部、
２７・・・比較部、２８・・・制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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