(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の透明な第１基板及び透明な第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、
画像表示領域に配置された複数の画素電極と、
該画素電極に電気的に接続された第１の配線及び薄膜トランジスタと、
前記第１の配線と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた第２の配線と、
前記薄膜トランジスタを下方から覆うように設けられた下方遮光膜と、
前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定すると額縁遮光膜と、
前記第２の配線と同一膜からなり、前記画像表示領域の外側に延設される引き出し配線とを備え、
前記額縁遮光膜は、前記第１の配線と同一膜からなる第１の遮光膜及び前記下方遮光膜と同一膜からなる第２の遮光膜からなり、
前記引き出し配線は、前記額縁領域において、コンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続され、且つ前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜によって上方及び下方から覆われており、
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールが形成された周囲に島状に形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の配線と前記第１の遮光膜とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第１の配線と前記第１の遮光膜との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２の配線と前記引き出し配線とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第２の配線と前記引き出し配線との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１の配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線であって、前記第２の配線は、前記画像表示領域の周囲の定電位源に電気的に接続される容量線であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記額縁領域には、前記データ線に信号を供給するためのサンプリングスイッチが形成されており、該サンプリングスイッチは、前記第１の遮光膜により上方から覆われてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板及び前記第２基板は、シール材によって貼り合わされており、前記額縁領域は、当該シール材が配置されたシール領域の内側に当該シール領域と重なるように設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記額縁領域には、前記第１の配線に接続される周辺回路が形成されており、該周辺回路を構成する薄膜トランジスタは、前記第１の遮光膜により上方から覆われてなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
一対の透明な第１基板及び透明な第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、
画像表示領域に配置された複数の画素電極と、
該画素電極に電気的に接続された第１の配線及び薄膜トランジスタと、
前記第１の配線と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた第２の配線と、
前記薄膜トランジスタを下方から覆うように設けられた下方遮光膜と、
前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定する額縁遮光膜と、
前記額縁領域の前記画像表示領域側に形成されたダミー画素領域と、
前記第２の配線と同一膜からなり、前記ダミー画素領域の外側に延設される引き出し配線とを備え、
前記額縁遮光膜は、前記第１の配線と同一膜からなる第１の遮光膜及び前記下方遮光膜と同一膜からなる第２の遮光膜並びに前記画像表示領域から延在され前記第１の遮光膜と前記第２の遮光膜との間に設けられる前記第２の配線からなり、
前記引き出し配線は、前記ダミー画素領域の外側の前記額縁領域において、コンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続されており、
前記ダミー画素領域には、前記第２の配線と前記第２の遮光膜とが重なるように設けられており、前記ダミー画素領域の外側の前記コンタクトホールが形成された周囲には、前記第１の遮光膜と前記第２の遮光膜とが重なるように設けられてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の配線と前記第１の遮光膜とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第１の配線と前記第１の遮光膜との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２の配線と前記引き出し配線とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第２の配線と前記引き出し配線との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールと重なるように形成されてなることを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１の配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線であって、前記第２の配線は、前記画像表示領域の周囲の定電位源に電気的に接続される容量線であることを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記額縁遮光膜は、前記第２基板に設けられていないことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記下方遮光膜は、各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定することを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いることを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域の額縁領域を規定する額縁遮光膜を備えた電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
この種の電気光学装置は、データ線や走査線などの各種配線、画素電極、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチング素子等が形成された素子アレイ基板と、ストライプ状や全面的に形成された対向電極、カラーフィルタ、遮光膜等が形成された対向基板とが対向配置されている。これら一対の基板間で、液晶等の電気光学物質がシール材により包囲されており、このようにシール材が存在するシール領域よりも中央寄りに、複数の画素電極が配置された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面的に見てシール領域の内側輪郭に沿って、画像表示領域の額縁領域が、前述の如く対向基板に設けられた遮光膜と同一膜により規定されている。
【０００３】
このように対向基板上の額縁遮光膜により額縁領域が規定された電気光学装置は、画像表示領域に対応する表示窓が設けられたプラスチック製等の遮光性の実装ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁が位置するように収容される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した電気光学装置によれば、対向基板上のＣｒ（クロム）等からなる額縁遮光膜により額縁領域が規定されているので、素子アレイ基板上にＡｌ（アルミニウム）膜等から形成された配線の対向基板側に向いた表面と、対向基板上の額縁遮光膜の素子アレイ基板側に向いた面とによる内面反射により、対向基板側から入射され素子アレイ基板から出射する表示用の光に、額縁領域内に位置する配線の明暗パターンが混入してしまう。そして最終的には、この配線の内面反射により、例えば、配線が複数配列されている場合には、縞模様等の明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうという問題点がある。
【０００５】
逆に、このような配線の内面反射により映し出される明暗パターンを隠すためには、隠すべき配線が占める基板上領域よりもかなり広く額縁領域を規定するように幅広の額縁遮光膜を形成する必要が生じてしまう。この結果、限られた基板上領域においてなるべく広い画像表示領域を確保するという当該電気光学装置における基本的要請に応えることが困難となる。特に、このような配線の内面反射による明暗パターンを隠すために幅広の額縁遮光膜を形成しても、実装ケースの表示窓の位置合わせ精度を高めないと、実装ケースと電気光学装置とのずれ方に応じて表示画像の左右や上下のいずれかの辺付近に偏って、このような明暗パターンが映し出されてしまう。従って実装ケースに要求される形状や実装ケースに電気光学装置を収容する際の機械的な位置合わせについては高い精度が要求され、入射光に対して十分なマージンを持ってケースを構成することができない。例えば、額縁遮光膜の幅が０．６ｍｍ程度であれば、実装ケースの縁を０．３ｍｍの精度で０．３ｍｍだけ重ねる必要が生じ、これは機械的な位置合わせによっては達成が困難である。この結果、実装ケースの縁が画像表示領域内にはみ出してたり、両者間に隙間が空いて光漏れが生じるという問題が生じる。
【０００６】
更に、むやみに対向基板上の額縁遮光膜の幅を広げたのでは、電気光学装置自体の小型化が困難になる。
【０００７】
また、ＴＦＴアレイ基板側には、画素電極、ＴＦＴ、各種配線等を画像表示領域からシール領域の外側にある周辺領域に引き出すための配線或いは周辺回路からなる各種パターンが額縁領域やシール領域に配置されている。このため、ＴＦＴアレイ基板側から光や熱を照射するのは根本的に困難であり、結局、上述の如く対向基板側からの照射が困難となると、両基板のどちら側からも照射できない事態に陥るという実践上解決困難な問題点がある。
【０００８】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、遮光性能の高い額縁遮光膜により表示画像の周辺に内面反射による配線等のパターンが映し出されることを防止することを可能ならしめる電気光学装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の透明な第１基板及び透明な第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、画像表示領域に配置された複数の画素電極と、該画素電極に電気的に接続された第１の配線及び薄膜トランジスタと、前記第１の配線と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた第２の配線と、前記薄膜トランジスタを下方から覆うように設けられた下方遮光膜と、前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定すると額縁遮光膜と、前記第２の配線と同一膜からなり、前記画像表示領域の外側に延設される引き出し配線とを備え、前記額縁遮光膜は、前記第１の配線と同一膜からなる第１の遮光膜及び前記下方遮光膜と同一膜からなる第２の遮光膜からなり、前記引き出し配線は、前記額縁領域において、コンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続され、且つ前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜によって上方及び下方から覆われており、前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールが形成された周囲に島状に形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、第１基板側に額縁遮光膜を形成するので、第２基板側に額縁遮光膜を形成する必要がなくなるため、額縁領域内において第１基板側の配線や回路素子と第２基板側の遮光膜との内面反射は起こり得ないのである。これにより、表示画像の周辺に内面反射による配線等のパターンが映し出されることはない。
【００１１】
また、前記第１の配線と前記第１の遮光膜とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第１の配線と前記第１の遮光膜との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００１２】
また、前記第２の配線と前記引き出し配線とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第２の配線と前記引き出し配線との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１の配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線であって、前記第２の配線は、前記画像表示領域の周囲の定電位源に電気的に接続される容量線であることを特徴とする。
【００１４】
また、前記額縁領域には、前記データ線に信号を供給するためのサンプリングスイッチが形成されており、該サンプリングスイッチは、前記第１の遮光膜により上方から覆われてなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記第１基板及び前記第２基板は、シール材によって貼り合わされており、前記額縁領域は、当該シール材が配置されたシール領域の内側に当該シール領域と重なるように設けられることを特徴とする。
【００１６】
また、前記額縁領域には、前記第１の配線に接続される周辺回路が形成されており、該周辺回路を構成する薄膜トランジスタは、前記第１の遮光膜により上方から覆われてなることを特徴とする。
【００１７】
また、一対の透明な第１基板及び透明な第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、画像表示領域に配置された複数の画素電極と、該画素電極に電気的に接続された第１の配線及び薄膜トランジスタと、前記第１の配線と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた第２の配線と、前記薄膜トランジスタを下方から覆うように設けられた下方遮光膜と、前記画像表示領域の周囲に額縁領域を規定する額縁遮光膜と、前記額縁領域の前記画像表示領域側に形成されたダミー画素領域と、前記第２の配線と同一膜からなり、前記ダミー画素領域の外側に延設される引き出し配線とを備え、前記額縁遮光膜は、前記第１の配線と同一膜からなる第１の遮光膜及び前記下方遮光膜と同一膜からなる第２の遮光膜並びに前記画像表示領域から延在され前記第１の遮光膜と前記第２の遮光膜との間に設けられる前記第２の配線からなり、前記引き出し配線は、前記ダミー画素領域の外側の前記額縁領域において、コンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続されており、前記ダミー画素領域には、前記第２の配線と前記第２の遮光膜とが重なるように設けられており、前記ダミー画素領域の外側の前記コンタクトホールが形成された周囲には、前記第１の遮光膜と前記第２の遮光膜とが重なるように設けられてなることを特徴とする。
【００１８】
また、前記第１の配線と前記第１の遮光膜とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第１の配線と前記第１の遮光膜との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００１９】
また、前記第２の配線と前記引き出し配線とは、前記額縁領域において相互に分断されており、前記第２の遮光膜は、前記第２の配線と前記引き出し配線との分断箇所における隙間と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００２０】
また、前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールと重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００２１】
また、前記第１の配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線であって、前記第２の配線は、前記画像表示領域の周囲の定電位源に電気的に接続される容量線であることを特徴とする。
【００２２】
また、前記額縁遮光膜は、前記第２基板に設けられていないことを特徴とする。
【００３０】
上述の下方遮光膜を備えた態様では夫々、前記下方遮光膜は、各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定してもよい。
【００３１】
このように構成すれば、第１基板側に形成された遮光膜により、第１基板側で額縁領域を規定するのみならず、各画素の非開口領域をも規定できる。従って、第２基板側に各画素の非開口領域を規定するための遮光膜を設けない構成も可能となり、各画素の開口領域の減少を防げるので、コントラスト比を低下させることなく表示画像を明るくする観点からは一層有利である。
【００５４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５６】
（第１実施形態）
先ず、本発明の第１実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５７】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００５８】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００６０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３がＴＦＴアレイ基板１０側に設けられている。この額縁遮光膜５３の構成については後述する。
【００６１】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図１に示すように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００６２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号をサンプリングする後述のサンプリング回路（第３及び第４実施形態参照）、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６４】
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【００６５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されている。そしてＴＦＴ３０のゲートに対し、所定のタイミングで、図１に示した走査線駆動回路１０４により走査線３ａを介してパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることで、図１に示したデータ線駆動回路１０１によりデータ線６ａを介して供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００６６】
次に、図１及び図２に示した額縁遮光膜５３及びシール材５２の設けられた周辺領域における電気光学装置の詳細構成について、図４を参照して説明する。ここに図４は、図２におけるＣＲ部分を拡大して示す部分断面図である。
【００６７】
図４において、後述の如く画素部に形成される走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ等を層間絶縁する下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３は、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層形成されており、第３層間絶縁膜４３上には、画素電極９ａ及び配向膜１６が形成されている。また第２層間絶縁膜４２と第３層間絶縁膜４３との間には、画像表示領域内に配線されたデータ線６ａと同一膜からなる遮光膜２１２が形成されている。第１層間絶縁膜４１と第２層間絶縁膜４２の間には、画像表示領域内に配線された容量線３００と同一膜からなる、データ線６ａの引き出し配線２０６が形成されている。データ線６ａとその引き出し配線２０６とは、コンタクトホール２８１を介して接続されている。従って、コンタクトホール２８１付近で、同一膜からなる容量線３００と引き出し配線２０６とが相互に分断され、同一膜からなるデータ線６ａと遮光膜２１２とが相互に分断されているが、平面的に見てこれらの分断個所における隙間には、後述の如く画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域を下側から覆う下方遮光膜１１ａと同一膜からなる遮光膜１１ｂが設けられている。尚、この遮光膜１１ｂは、下方遮光膜１１ａから分断形成されてもよいし、連続形成されてもよい。そして、これら遮光膜２１２及び遮光膜１１ｂから図１及び図２に示した額縁遮光膜５３が形成されている。
【００６８】
他方、対向基板２０上には、対向電極２１及び配向膜１６が形成されている。本実施形態では特に、対向基板２０には、額縁遮光膜は設けられていない。
【００６９】
このように本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側に額縁遮光膜５３を形成するので、対向基板２０側に額縁遮光膜を形成する必要がなくなる。従って、その製造中に例えば紫外線硬化樹脂からなるシール材５２を紫外線照射により硬化させる際に、透明な対向基板２０、対向電極２１及び配向膜２２を介して、対向基板２０側から十分な照射を行える。言い換えれば、シール材５２を硬化させる紫外線照射のために額縁領域の幅を狭くする必要がなくなるので、特に両基板の縁側に向かって額縁遮光膜５３を幅広に形成でき、シール領域と額縁遮光膜５３を重ねたり、シール領域を額縁領域内に全て入れてしまうことも可能となる。
【００７０】
そして特に、額縁遮光膜５３を専用の遮光膜からではなく、画素電極９ａに画像信号を供給するデータ線６ａと同一膜からなる遮光膜２１２と、ＴＦＴ３０を下側から覆う下方遮光膜と同一膜からなる遮光膜１１ｂとから構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を避けつつ、ＴＦＴアレイ基板１０上に額縁遮光膜５３を作り込める。しかも、額縁領域に配置されたデータ線６ａの引き出し配線２０６を専用の導電膜からではなく、容量線３００と同一膜から形成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を更に避けることが可能となる。
【００７１】
従って、電気光学装置を比較的寸法精度の低いプラスチック製等の遮光性の実装ケース内に収容しても、画像表示領域１０ａ（図１参照）が実装ケースの縁で隠れたり、額縁遮光膜５３と実装ケースの縁との間で光漏れが生じたりするのを比較的簡単に防げる。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間における内面反射により、額縁遮光膜５３で隠した筈の引き出し配線２０６のパターンが画像表示領域１０ａの周辺に映し出される事態を、額縁遮光膜５３での確実な遮光により対向基板２０での額縁領域の遮光を省くことで防ぐことができる。
【００７２】
加えて本実施形態では、額縁遮光膜５３は、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造中比較的上方に位置する遮光膜２１２から主に形成されており、この遮光膜２１２がコンタクトホール２８１を避けて欠如している部分に遮光膜１１ｂを形成する。ここで、下方に位置する遮光膜１１ｂは、上方に位置する遮光膜２１２よりも、プレーナプロセスにおけるＴＦＴ３０の形成工程等で高温に曝される機会が多くなり且つ下層に位置している分だけ、より大きなストレスが発生する。従って本実施形態のように、額縁遮光膜５３を主に上方に位置する遮光膜２１２で形成することはストレス発生を抑える観点から有利である。尚、下方に位置する遮光膜１１ｂであっても、コンタクトホール２８１の周囲に島状にのみ設けるだけであればストレスの発生は殆ど又は全く問題とならない。
【００７３】
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’断面図である。尚、図６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００７４】
図５において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００７５】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００７６】
図５及び図６に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００７７】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図５中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持つように構成される。このように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【００７８】
本実施形態では特に、容量線３００は、走査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる基板上領域に容量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が図られている。
【００７９】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下方遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下方遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００８０】
そして、図５中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図５中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下方遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
【００８１】
図５及び図６に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００８２】
また容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下方遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００８３】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００８４】
図５及び図６において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００８５】
図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００８６】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００８７】
対向基板２０には、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光膜は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成するのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温度上昇を防ぐ効果は発揮される。
【００８８】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００８９】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下方遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９０】
図６において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９１】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００９２】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９３】
ここで容量線は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイドや、Ａｌ膜から形成しても良い。Ａｌ膜で容量線３００を形成すれば、図４においてデータ線６ａとコンタクトホール２８１を介して電気的に接続されている引き出し線２０６も低抵抗なＡｌ膜で形成できる。これにより、データ線６ａに書き込まれる画像信号の信号遅延を極力低減することができる。
【００９４】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００９５】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【００９６】
以上説明したように本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０側に、額縁遮光膜５３を形成したので、額縁遮光膜を備えていない対向基板２０側からシール材５２を硬化させるための紫外線を十分に照射可能な構成が得られ、額縁領域付近において画像表示領域を狭めることなく確実に遮光を行うことができ、額縁領域に配線された引き出し配線２０６等に対応する明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまう問題も生じない。これらの結果、明るく高品位の画像を表示可能な電気光学装置を実現できる。
【００９７】
以上説明した実施形態では、額縁領域において、配線パターンの一例たる引き出し配線２０６を容量線３００と同一膜から形成し且つ額縁遮光膜５３をデータ線６ａと同一遮光膜から形成したが、引き出し配線をデータ線６ａと同一膜から形成し且つ額縁遮光膜５３を容量線３００と同一遮光膜から形成してもよく、引き出し配線をデータ線６ａや容量線３００と同一膜から形成し且つ額縁遮光膜５３を下方に位置する遮光膜１１ｂから形成してもよい。要するに、図５及び図６で説明した画素部におけるデータ線６ａ、容量線３００、走査線３ａ、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等を構成する複数の導電膜のうち一又は複数（但し、その遮光性の有無は問わない）から額縁領域における配線パターンや回路パターンを形成し且つこれら複数の導電膜のうち一又は複数（但し、遮光性の膜に限る）から額縁遮光膜５３を形成すれば、上述したシール材５２に対し紫外線照射しやすいという利益や額縁領域での高い遮光性能という利益は本実施形態と同様に得られる。
【００９８】
以上説明した実施形態では、画像表示領域１０ａの周囲に額縁領域を規定する額縁遮光膜５３のみならず、各画素の開口領域の周囲に非開口領域を規定する遮光膜（即ち、容量線３００、データ線６ａ及び下方遮光膜１１ａ）を、ＴＦＴアレイ基板１０側に作り込むことで、対向基板２０側に額縁遮光膜も各画素の非開口領域を規定するための遮光膜も設けない構成とされている。このような構成により、該両基板の貼り合わせずれによる各画素の開口領域の減少を防げるので、各画素における光漏れを防止しつつ開口領域を広げることができ、最終的には表示画像におけるコントラスト比及び明るさを一層向上できる。
【００９９】
本実施形態において好ましくは、額縁遮光膜５３は定電位に固定される。このように構成すれば、額縁遮光膜５３に第２層間絶縁膜４２を介して配置される引き出し配線２０６に対して、額縁遮光膜５３の電位変動が悪影響を及ぼす事態、或いは引き出し配線２０６の電位変動が額縁遮光膜５３を介して他の配線や回路素子等に悪影響を及ぼす事態を効果的に防止できる。また定電位に固定された額縁遮光膜５３を定電位配線の一部或いは定電位源として利用できる。
【０１００】
なお以上説明した実施形態では、図６に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化することで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１０１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態における電気光学装置について、図７及び図８を参照して説明する。ここに図７は、画像表示領域の一つの隅付近におけるダミー画素電極が形成された額縁領域を示す拡大平面図であり、図８は、図７のうち額縁遮光膜を構成する複数の遮光膜を抜粋し、模様分けして示す図である。尚、図７及び図８において、図１から図６に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１０２】
第２実施形態は、第１実施形態と比べて額縁領域にダミー画素電極を作り込んだ点及び額縁遮光膜５３’が冗長的且つ相補的に重ねられた複数の遮光膜からなる点が異なり、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。
【０１０３】
図７及び図８において、額縁領域のうち画像表示領域１０ａに隣接する側にあるダミー画素領域２１０には、ダミー画素電極として画像表示領域１０ａ内の画素電極９ａと同様の構成を持つ画素電極９ａが設けられている。尚、図７及び図８では簡単のために、ダミー画素領域２１０には、画像表示領域１０ａの周囲に沿って一列の画素電極９ａが配列されているが、実際には複数列の画素電極９ａが配列されていてもよい。
【０１０４】
ダミー画素領域２１０内における画素電極９ａは、額縁遮光膜５３’により覆われており、各画素の開口領域を持っていない。従って当該電気光学装置の動作時に、ダミー画素領域２１０内における画素電極９ａは、画像表示には直接寄与しないが、画像表示領域１０ａ内の画素電極９ａと同様に、ダミー画素領域２１０に対向する部分における液晶層５０（図６参照）を駆動する。この際、ダミー画素領域２１０内の画素電極９ａは、その四方に画素電極９ａが配置されていないので、係るダミー画素領域では、液晶の配向不良等が起きる。しかしながら、ダミー画素領域２１０自体は、額縁遮光膜５３’により覆われているので、この領域での液晶の配向不良は表示画像を劣化させる原因とはならない。他方、このようなダミー画素領域２１０内の画素電極９ａの存在により、画像表示領域１０ａと額縁領域との境界付近における画素電極９ａに対向する液晶部分も、画像表示領域１０ａの中央付近における液晶部分と同様に良好に配向する。
【０１０５】
このように第２実施形態では、額縁遮光膜５３’で覆われたダミー画素領域２１０に画素電極９ａをダミー画素電極として設けることにより、画像表示領域１０ａの隅々まで液晶を良好に配向させることができ、画像表示領域１０ａの隅々まで良好な画像表示を行えるようになる。
【０１０６】
ここで第２実施形態では特に、額縁遮光膜５３’は、下方遮光膜１１ａと同一膜からなる遮光膜１１ｂと、容量線３００と、データ線６ａと同一膜からなる遮光膜２１２とから形成されている。そして図８に示すように、額縁遮光膜５３’のうちダミー画素領域２１０を覆う部分は、右下がりハッチングされた領域に形成された遮光膜１１ｂと、右上がりハッチングされた領域に形成された容量線３００とにより冗長的に構成されている。またダミー画素領域２１０内の画素電極９ａのコンタクトホール８５を避けて容量線３００には、窓３００ｈが開孔されおり、この領域では、遮光膜１１ｂのみから額縁遮光膜５３’が構成されている。
【０１０７】
他方、額縁遮光膜５３’のうちダミー画素領域２１０から若干外側に位置するコンタクトホール２８１の周囲の部分等は、“＋＋＋”模様が施されたデータ線６ａと同一層からなる遮光膜２１２と遮光膜１１ｂとから冗長的に構成されており、更にその外側の部分は、遮光膜２１２から単独で構成されている。
【０１０８】
このように本実施形態では、遮光膜２１２、遮光膜１１ｂ及び容量線３００を部分的に冗長的に且つ部分的に相補的に重ねて額縁遮光膜５３’を形成することにより、ダミー画素領域２１０内の画素電極９ａ並びにコンタクトホール８５及び２８１等の形成を邪魔しないようにしつつ額縁領域を遮光することができる。更に後述の実施形態の如く、配線のみならず、回路を額縁領域内に設ける場合に、回路素子や他の配線との寄生容量が大きい一の遮光層を局所的に形成しない方が好ましい場合に、この部分で局所的に該寄生容量が小さくなる他の遮光層から額縁遮光膜を形成することも可能となる。
【０１０９】
加えてこのように、冗長的に重ねる構成を採れば、一層の遮光膜（即ち、容量線３００と同一膜のみ、データ線６ａと同一膜のみ、下方遮光膜１１ａと同一膜のみ）では、膜厚或いは入射光強度との関係で、十分な遮光性能が得られない場合に、複数の遮光膜を重ねることで必要な遮光性能を得ることも可能となる。特に本実施形態の如く額縁領域にダミー画素電極を設けたり後述の実施形態の如く額縁領域に周辺回路を作り込んだりする場合には、額縁領域において額縁遮光膜５３’を構成する一層の膜のみに大きな膜厚を割り当てることが装置設計上困難となる事態もあるので、このように冗長的に或いは相補的に重ねられた積層構造を有する額縁遮光膜５３’は、実践上大変有利となる。
【０１１０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態における電気光学装置について、図９から図１２を参照して説明する。ここに図９は、第３実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。図１０は、第３実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を周辺回路と共に示すブロック図である。図１１は、第３実施形態におけるサンプリング回路の各サンプリングスイッチ（Nチャネル型ＴＦＴ）の拡大平面図であり、図１２は、そのD−D’断面図である。尚、図９から図１２において、図１から図６に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１１１】
第３実施形態は、第１実施形態と比べて額縁領域にサンプリング回路を作り込んだ点が異なり、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。
【０１１２】
即ち、図９に示すように、第３実施形態では、外部回路接続端子１０２に隣接した辺における額縁領域内にサンプリング回路３０１が作り込まれている。
【０１１３】
図１０に示すように、データ線６ａの先端（図１０中で下端）は、引き出し配線２０６を介して、サンプリング回路３０１の例えばNチャネル型ＴＦＴから夫々構成された各サンプリングスイッチ２０２に接続されている。他方、外部回路接続端子１０２から画像信号を供給する画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１に接続されている。画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１の各サンプリングスイッチ２０２によりサンプリングされて各データ線６ａに（引き出し配線２０６を介して）供給されるように構成されている。
【０１１４】
図１１及び図１２に示したように、各サンプリングスイッチ２０２は、Ｎチャネルから構成される半導体層２２０を備えており、画像信号線１１５からの引き出し配線１１６の先端部をソース電極（入力側）とし、データ線６ａからの引き出し配線２０６の先端部をドレイン電極（出力側）とし、サンプリング回路駆動信号線１１４の先端部をゲート電極とする、Ｎチャネル型ＴＦＴからなる。尚、このような各サンプリングスイッチ２０２を構成するＮチャネル型ＴＦＴは好ましくは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有する。
【０１１５】
本実施形態では特に、半導体層２２０は、画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。サンプリング回路駆動信号線１１４の先端部（ゲート電極）は、画素部における走査線３ａと同一膜からなる。引き出し配線１１６の先端部（ソース電極）及び引き出し配線２０６の先端部（ドレイン電極）は、画素部における容量線３００と同一膜からなる。そして、額縁遮光膜５３のうち少なくとも当該サンプリングスイッチ２０２を覆う部分は、画素部におけるデータ線６ａと同一膜からなる遮光膜２１２から構成されている。
【０１１６】
このように第３実施形態によれば、額縁領域における周辺回路の一例たるサンプリング回路３０１を専用の導電膜からではなく、画素部における配線や回路素子を構成する導電膜と同一膜から構成し、しかも額縁遮光膜５３を専用の遮光膜からではなく、画素部におけるデータ線６ａと同一膜から構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。そして特に、額縁遮光膜５３により覆われた額縁領域内にサンプリング回路３０１を作り込むことにより、限られた基板上領域の有効利用を図れる。
【０１１７】
また本実施形態では特に、各サンプリングスイッチ２０２を構成するＮチャネル型ＴＦＴの上方に、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を介して遮光膜２１２が設けられている。従って、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の膜厚を適当な膜厚に設定することで、導電性の遮光膜２１２の電位変動が、このＮチャネル型ＴＦＴに及ぼす悪影響を実害がない程度にまで低減できる。このような第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の適当な膜厚は、個々の電気光学装置の仕様等に応じて、実験的、経験的、理論的或いはシミュレーションにより個別具体的に設定すればよい。
【０１１８】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態における電気光学装置について、図１３を参照して説明する。ここに図１３は、第４実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。尚、図１３において、図１に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１１９】
第４実施形態は、第１実施形態と比べて額縁遮光膜５３Ｗが幅広に形成されており、額縁領域がシール領域に重なっている点が異なり、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。即ち、本実施形態では、対向基板２０側からシール材５２を硬化させるための紫外線照射が可能であるので、ＴＦＴアレイ基板１０側では係る紫外線照射用の領域を確保する必要が無いため、このように額縁遮光膜５３Ｗを幅広に形成できるのである。
【０１２０】
この結果、第４実施形態によれば、額縁領域とシール領域との間で光漏れが殆ど又は全く起こらないので、当該電気光学装置を収容する実装ケースの縁と額縁領域との間で光漏れが確実に起こらないようにできる。
【０１２１】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態における電気光学装置について、図１４から図１６を参照して説明する。ここに図１４は、第５実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。図１５は、第５実施形態における周辺回路を構成する相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１６は、そのＢ−Ｂ’断面図である。尚、図１４から図１６において、図１から図６に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１２２】
第５実施形態は、第１実施形態と比べて額縁遮光膜５３Ｗが幅広に形成されており、額縁領域がシール領域に重なっている点、データ線駆動回路１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉがシール領域の内側（即ち液晶層５０に対向する基板上領域）に配置されている点並びにこれに伴い周辺領域を小さくした分だけＴＦＴアレイ基板１０が小面積化している点が異なり、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。即ち、本実施形態では、対向基板２０側からシール材５２を硬化させるための紫外線照射が可能であるので、ＴＦＴアレイ基板１０側では係る紫外線照射用の領域を確保する必要が無いため、このように額縁遮光膜５３Ｗを幅広に形成できるのである。更に、このように額縁遮光膜５３Ｗの幅が広いため、額縁領域にデータ線駆動回路１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉを作り込めるのである。更にまた、このように額縁領域にデータ線駆動回路１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉを作り込むため、周辺領域を小さくでき、これによりＴＦＴアレイ基板１０自体を小面積化できるのである。
【０１２３】
この結果、第５実施形態によれば、額縁領域とシール領域との間で光漏れが殆ど又は全く起こらないので、当該電気光学装置を収容する実装ケースの縁と額縁領域との間で光漏れが確実に起こらないようにできる。しかも、ＴＦＴアレイ基板１０を小型化することにより、電気光学装置全体の小型化・軽量化或いは限られた基板上面積における画像表示領域の大面積化を図ることができ、更に当該電気光学装置を用いて構成したプロジェクタ等の電子機器の小型・軽量化も可能となる。特に、当該電気光学装置を製造する際に、１枚のマザー基板上に作り込み可能な個数も増加するので、製造コストの削減にも繋がる。
【０１２４】
図１５及び図１６に示すように第５実施形態では、周辺回路の一例たるデータ線駆動回路１０１ｉや走査線駆動回路１０４ｉを構成する各相補型ＴＦＴ３０２は、Ｐチャネル領域３２０ｐ及びＮチャネル領域３２０ｎを含む半導体層３２０を備えており、配線３１６の先端部をゲート電極（入力側）とし、低電位配線３２１及び高電位配線３２２の先端部を夫々ソース電極とし、配線３０６の先端部をドレイン電極（出力側）とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ３０２ｎが組み合わされて構成されている。尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ３０２ｎは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有しても良い。
【０１２５】
本実施形態では特に、半導体層３２０は、画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。配線３１６の先端部（ゲート電極）は、画素部における走査線３ａと同一膜からなる。低電位配線３２１及び高電位配線３２２の先端部（ソース電極）並びに配線３０６の先端部（ドレイン電極）は、画素部における容量線３００と同一膜からなる。そして、額縁遮光膜５３のうち少なくとも相補型ＴＦＴ３０２を覆う部分は、画素部におけるデータ線６ａと同一膜からなる遮光膜３１２から構成されている。
【０１２６】
このように第５実施形態によれば、額縁領域における周辺回路を構成する相補型ＴＦＴ３０２を専用の導電膜からではなく、画素部における配線や回路素子を構成する導電膜と同一膜から構成し、しかも額縁遮光膜５３の少なくとも一部分を構成する遮光膜３１２を専用の遮光膜からではなく、画素部におけるデータ線６ａと同一膜から構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。そして特に、額縁遮光膜５３により覆われた額縁領域内にデータ線駆動回路１０１ｉ及び走査線駆動回路１０４ｉ等の周辺回路を作り込むことにより、限られた基板上領域の有効利用を図れる。
【０１２７】
また本実施形態では特に、Ｐチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ３０２ｎの上方に、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を介して遮光膜３１２が設けられている。従って、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の膜厚を適当な膜厚に設定することで、導電性の遮光膜３１２の電位変動がこれらのＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ３０２ｎに及ぼす悪影響を実害がない程度にまで低減できる。このような第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の適当な膜厚は、個々の電気光学装置の仕様等に応じて、実験的、経験的、理論的或いはシミュレーションにより個別具体的に設定すればよい。
【０１２８】
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態における電気光学装置について、図１７及び図１８を参照して説明する。ここに図１７は、第６実施形態における周辺回路を構成する相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１８は、そのＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１７及び図１８において、図１から図６に示した第１実施形態或いは図１４から図１６に示した第５実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１２９】
第６実施形態は、第５実施形態の場合と同様に、第１実施形態と比べて額縁遮光膜が幅広に形成されてシール領域に重なっている点、データ線駆動回路及び走査線駆動回路がシール領域の内側に配置されている点並びにこれに伴い周辺領域を小さくした分だけＴＦＴアレイ基板が小面積化している点が異なり（図１４参照）、その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。そして、第６実施形態は、第５実施形態と比べて各相補型ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極を構成する導電膜並びに各相補型ＴＦＴを覆う額縁遮光膜を構成する遮光膜が異なり、その他の構成については第５実施形態の場合と同様である。
【０１３０】
即ち図１７及び図１８に示したように第６実施形態では特に、相補型ＴＦＴ４０２は、Ｐチャネル領域４２０ｐ及びＮチャネル領域４２０ｎを含む半導体層４２０を備えており、配線４１６の先端部をゲート電極とし、低電位配線４２１及び高電位配線４２２の先端部を夫々ソース電極とし、配線４０６の先端部をドレイン電極とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ４０２ｎが組み合わされて構成されている。尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ４０２ｎは夫々好ましくは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有する。
【０１３１】
本実施形態では特に、半導体層４２０は、画素部における半導体層１ａと同一膜からなる。配線４１６の先端部（ゲート電極）は、画素部における走査線３ａと同一膜からなる。低電位配線４２１及び高電位配線４２２の先端部（ソース電極）並びに配線４０６の先端部（ドレイン電極）は、画素部におけるデータ線６ａと同一膜からなる。そして、額縁遮光膜のうち少なくとも当該サンプリングスイッチ４０２を覆う部分は、画素部における容量線３００と同一膜からなる遮光膜４１１から構成されている。
【０１３２】
このように第６実施形態によれば、額縁領域における周辺回路を専用の導電膜からではなく、画素部における配線や回路素子を構成する導電膜と同一膜から構成し、しかも額縁遮光膜を専用の遮光膜からではなく、画素部における容量線３００と同一膜から構成するので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造や製造工程の複雑化を避けられる。そして特に、第５実施形態と同様に額縁遮光膜（遮光膜４１１）により覆われた額縁領域内に周辺回路を作り込むことにより、限られた基板上領域の有効利用を図れる。
【０１３３】
また本実施形態では特に、Ｐチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ４０２ｎの上方に、第１層間絶縁膜４１を介して遮光膜４１１が設けられている。従って、第１層間絶縁膜４１の膜厚を適当な膜厚に設定することで、導電性の遮光膜４１１の電位変動がこれらのＰチャネル型ＴＦＴ４０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ４０２ｎに及ぼす悪影響を実害がない程度にまで低減できる。このような第１層間絶縁膜４１の適当な膜厚は、個々の電気光学装置の仕様等に応じて、実験的、経験的、理論的或いはシミュレーションにより個別具体的に設定すればよい。
【０１３４】
以上図１から図１８を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１３５】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１３６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路のブロック図である。
【図４】図２のＣR部分を拡大して示す部分断面図である。
【図５】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態における画像表示領域の一つの隅付近におけるダミー画素電極が形成された額縁領域を示す拡大平面図である。
【図８】図７のうち額縁遮光膜を構成する複数の遮光膜を抜粋し、模様分けして示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路のブロック図である。
【図１１】本発明の第３実施形態におけるサンプリング回路の各サンプリングスイッチ（Nチャネル型ＴＦＴ）の拡大平面図である。
【図１２】図１１のD−Ｄ’断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１６】図１５のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１８】図１７のＣ−Ｃ’断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁薄膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下方遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
５３…額縁遮光膜
７０…蓄積容量
７１…中継層
８１、８３、８５…コンタクトホール
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
１１４…サンプリング回路駆動信号線
１１５…画像信号線
１１６…画像信号線の引き出し配線
２０２…サンプリングスイッチ
２０６…データ線の引き出し配線
２１２…遮光膜
３００…容量線
３０１…サンプリング回路
３０２、４０２…相補型ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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