(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプレイパネルであって、
前記誘電体ガラス層の組成が、酸化鉛６０重量％〜８０重量％、酸化硼素１０重量％〜３０重量％、酸化硅素５重量％〜２０重量％、酸化亜鉛１重量％〜５重量％、金属酸化物１重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化銀、酸化タリウムのうちのいずれか一種）であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
第１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体ガラス層の組成が、酸化鉛６０重量％〜８０重量％、酸化硼素１０重量％〜３０重量％、酸化硅素５重量％〜２０重量％、酸化アルミニウム１重量％〜１０重量％、金属酸化物１重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化銀、酸化タリウムのうちのいずれか一種）であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関するもので、特にプラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス層およびＭｇＯ層に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラズマディスプレイパネルの概略断面図を示したものである。図３において３１は、フロート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスより成るフロントカバープレート（前面ガラス基板）であり、この前面ガラス基板３１上にインジウム−スズ系の透明電極３２、またその上のバス電極としての銀電極３３から成る表示電極３４が存在し、この上をコンデンサの働きをする誘電体ガラス層３５と結晶配向面が（１１１）面に配向した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層３６がおおっている。従来この誘電体ガラス層３５には、主に酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）、酸化硅素（ＳｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から成る比較的低融点（融点５００〜６００℃）の酸化鉛系のガラスが用いられてきた（例えば、特開平７−１０５８５５公報）。
【０００３】
また、上記のＭｇＯ誘電体層３６は主にＭｇＯを原料に用いた電子ビーム加熱による真空蒸着法により形成されてきた（例えば、特開平５−３４２９９１号公報）。
【０００４】
尚、３７は背面ガラス基板（バックプレート）であり、この背面ガラス基板３７上にアドレス電極（銀電極）３８および隔壁３９蛍光体層４０が設けられており、４１が放電ガスを封入する放電空間となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年ハイビジョンをはじめとする高品位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少なく、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、すでに４０インチクラスの製品が開発されている（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．２  ７ページ）。
【０００６】
しかしながら現行４０〜４２インチクラスのプラズマディスプレイの画素レベルは、ＮＴＳＣレベル（画素数６４０×４８０個、セルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ、１セルの面積０．５５ｍｍ2）である（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．２  ７ページ）。
【０００７】
近年期待されているフルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素数が１９２０×１１２５となり、セルピッチも４２インチクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの面積は０．０７２ｍｍ2の細かさになる。同じ４２インチの大きさでハイビジョンテレビを作成した時、１画素の面積でＮＴＳＣと比較すると、１／７〜１／８の細かさとなる。したがって、放電電極（表示電極）間距離が短かくなるばかりでなく放電空間もせまくなるため、従来のＮＴＳＣと同じ放電電圧でパネルを駆動させ、輝度と信頼性を確保するためには誘電体ガラス層およびＭｇＯ保護層の高耐圧化、高信頼の確保、および高容量化が必要となる。
【０００８】
特に誘電体ガラス層およびＭｇＯ保護層の高耐圧化、高信頼性化に対しては、これら層中の気泡や欠陥の抑制が必要であり、また、高容量化（セル面積が減少するため、コンデンサとしての同一容量を保障するためには、誘電体ガラスＭｇＯ膜厚を薄くする必要がある）に対しては、誘電体ガラス層およびＭｇＯ層の膜厚を薄くする必要がある。
【０００９】
従来のＰｂＯ系誘電体ガラスや真空蒸着法によるＭｇＯ膜を用いて誘電体ガラス層やＭｇＯ膜を従来より薄く形成し、ハイビジョン用のプラズマディスプレイパネルに適応すると、膜中の気泡や欠陥のためにパネルをエージングする工程での不良率が高くなるという課題があった。
【００１０】
また、フロントパネル上の銀電極中の銀が誘電体ガラス焼成時に、ガラス基板側に拡散し、ガラス中のスズイオン（Ｓｎイオン）に還元されて、銀のコロイドを発生し、黄色に変色するという課題があったが、特にハイビジョンのような電極ピッチがせまくなると、パネルに黄色のフィルターがかかった状態となり画質上の大きな課題となる。
【００１１】
そこで本発明は、誘電体ガラス層やＭｇＯ膜の信頼性が高く、画質上の問題もないプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するため従来用いられてきた、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスにガラスの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易な金属酸化物を加えることにより誘電体ガラス層が薄くてもピンホールや欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化と高容量化が可能である。またＭｇＯ層を従来の真空蒸着法からＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥が少なくち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が可能である。上記の手段を取ることによってハイビジョンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおいても信頼性の高いパネルが得られる。
【００１３】
また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスに遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加することでガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるいは緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセルさせることが出来画質の向上が計れる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイパネルについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態における交流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断面図を示したものである。図１において、前面ガラス基板１１上にスクリーン印刷後焼成することによって得られた第１の電極としての銀電極１２を形成し、この上に８０重量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１０重量％の酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）、８重量％の酸化硅素（ＳｉＯ2）、１重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、１重量％の酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）から成る誘電体ガラス層１３をスクリーン印刷後焼成して、約１５μｍの膜厚に形成した。
【００１５】
次に上記の誘電体ガラス層１３上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）をＣＶＤ法（化学蒸着法）にて成膜する方法を図２を参照しながら説明する。尚、誘電体ガラス層１３上の保護膜に使用される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層を、ＣＶＤ法（化学蒸着法）を用いることによって酸化マグネシウムの（１００）面に配向させた（１００）配向面誘電体保護層１４とすることができる。
【００１６】
図２は、プラズマディスプレイパネルの保護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置（本実施の形態では特に熱ＣＶＤ法を用いる）の概略図を示したものである。
【００１７】
図２において、２１はアルカリ土類の金属キレートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶＤ装置内に輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ、２２はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となる金属キレートを加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２３はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となるシクロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２４は反応ガスである酸素ボンベ、２５はＣＶＤ装置本体、２６は基板を加熱するヒータ、２７は誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、２８はプラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２９は排気装置である。
【００１８】
先ず、スクリーン印刷後焼成することによって作成された、銀電極上に有機バインダー（１０％のエチルセルローズを含むメーターピネオール）を含む、８０重量％のＰｂＯ、１０重量％のＢ2Ｏ3、８重量％のＳｉＯ2、１重量％のＺｎＯ、１重量％のＫ2Ｏからなる鉛系の誘電体ガラス層をスクリーン印刷法で形成後５５０℃で１０分間焼成して得られたガラス基板２７をＣＶＤ装置２５の３５０℃に加熱されたヒーター部２６上に置き、次にＡｒボンベ２１から毎分１ｌのＡｒガスを１２５℃に加熱された、アルカリ土類の金属キレートであるマグネシウムジピバブロイルメタン［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］が入った気化器２２を通してガラス基板２７上に１分間流し同時にボンベ２４から反応ガスである酸素（Ｏ2）を毎分２ｌの割合で同じく２０秒間ガラス基板２７上に流して熱ＣＶＤを行い、０．３μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。
【００１９】
このＭｇＯ膜のＸ線解析を行なった結果、この膜は、（１００）面に配向していることがわかった。次に図１を用いて、保護層付き前面パネルと背パネルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する方法を述べる。
【００２０】
図１において、スクリーン印刷後焼成することによって得られた第２の電極としての銀電極（アドレス電極）１６と高さ０．１５ｍｍのガラス製の隔壁１７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびその隔壁内に蛍光体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色；ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離されているが、図１には、一色のみを図示している］が設けられた背ガラス基板１５を封着用ガラスを用いて前記前面パネルと張り合せ、放電ガス封入の前に、放電空間部１９を８×１０-7Ｔｏｒｒ真空度に排気し、放電空間部内に１０％キセノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム（Ｈｅ）ガスを放電ガスとして５００Ｔｏｒｒ封入し、交流面放電型プラズマディスプレイとした。
【００２１】
次にこれと同じ製造方法でパネルを２０枚作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、３枚のパネルで欠陥があった。この結果を下記の表の試料番号１に示す。
【００２２】
【表１】
0003818201.tif 000002
【００２３】
（実施の形態２）
次に以下では、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイパネルについて、図面を参照しながら説明する。本実施の形態は、熱ＣＶＤ法の代わりにプラズマＣＶＤ法によってパネルを形成している点が上記の実施の形態１とは異なる。
【００２４】
図１は、本実施の形態を説明するために用いた交流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断面図である。前面ガラス基板１１上にスクリーン印刷後焼成することによって得られた銀電極１２を形成し、この上に７０重量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１３重量％の酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）、１０重量％の酸化硅素（ＳｉＯ2）、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層１３をスクリーン印刷後焼却して、約２０μｍの膜厚に形成した。
【００２５】
次にこの誘電体ガラス層上にＭｇＯをプラズマＣＶＤ法（プラズマ化学蒸着法）にて成膜する方法を図２を用いて述べる。
【００２６】
図２は、プラズマディスプレイパネルの保護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。図２において、２１は、アルカリ土類の金属キレートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶＤ装置内に輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ、２２は、アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となる金属キレートを加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２３は、アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となるシクロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２４は、反応ガスである酸素ボンベ、２５は、ＣＶＤ装置本体、２６は、基板を加熱するヒータ、２７は、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、２８は、プラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２９は、排気装置である。
【００２７】
先ず、スクリーン印刷後焼成によって得られた銀電極上に、有機バインダー（１０％のエチルセルローズを含むメーターピネオール）を含む、７０重量％のＰｂＯ、１３重量％のＢ2Ｏ3、１０重量％のＳｉＯ2、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層をスクリーン印刷法で形成後５５０℃で１０分間焼成して得られたガラス基板２７をＣＶＤ装置２５の２５０℃に加熱されたヒーター部２６上に置き、次にＡｒボンベ２１から毎分１リットル（ｌ）のＡｒガスを１２５℃に加熱された、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物であるＭｇ（Ｃ5Ｈ5）2が入った気化器２１を通してガラス基板２７上に１分間流し同時にボンベ２４から反応ガスである酸素（Ｏ2）を毎分２リットルの割合で同じく１分間ガラス基板２７上に流し、次にプラズマを発生させるために反応容器内を排気装置２９を使用して、１０Ｔｏｒｒに減圧し、高周波電源２８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界を３００ワット（３００Ｗ）で２０秒間印加し、プラズマＣＶＤを行い０．３μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度０．９μｍ／分）。
【００２８】
このＭｇＯ膜のＸ線解析を行なった結果、この膜は、（１００）面に配向していることがわかった。次に図１を用いて保護層付き前面パネルと背パネルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する方法を述べる。
【００２９】
図１においてスクリーン印刷後焼成することによって得られた銀電極１６と高さ０．１５ｍｍのガラス製の隔壁１７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびその隔壁内に蛍光体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色；ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離されているが、図１には、一色のみを図示している］が設けられた背ガラス基板１５を封着用ガラスを用いて前記前面パネルと張り合せ、放電ガス封入の前に、放電空間部１９を８×１０-7Ｔｏｒｒの真空度に排気し、放電空間部内に２０％キセノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム（Ｈｅ）ガスを放電ガスとして６００Ｔｏｒｒ封入し、交流面放電型プラズマディスプレイパネルとした。
【００３０】
次にこれと同じ製造方法でパネルを２０枚作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、２枚のパネルで欠陥が発生していた。この結果を（表１）の試料番号２に示す。
【００３１】
以下同様にして、誘電体ガラスの組成、ＭｇＯの成膜条件等を変えて、前面ガラスパネル（フロントパネル）を作成し、背面パネル（バックパネル）を張り合せて、プラズマディスプレイパネルを２１枚作成し、維持電圧２５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間エージングした後の欠陥パネルの枚数を（表１）及び下記の表の試料番号３〜２７に示す。だだし、試料番号２４〜２７は本願発明外の比較例の試料である。
【００３２】
【表２】
0003818201.tif 000003
【００３３】
上記した（表１）及び（表２）の結果からも明らかなように、誘電体ガラス層の組成を制御することにより、欠陥のない誘電体ガラス層を形成することができる。また、好ましくはＭｇＯ層の形成を熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法とすることにより、欠陥のないＭｇＯ膜を形成することができる。そして結果的にはプラズマディスプレイパネルそのものの信頼性を著しく高めることが可能となる。
【００３４】
具体的には、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の誘電体ガラス層に対しては、金属酸化物１重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）のうちのいずれか一種）を添加する、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスに対しては、金属酸化物１重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）のうちのいずれか一種）を添加することによりガラスの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易となり、結果として誘電体ガラス層が薄くてもピンホールや欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化と高容量化が可能となる。またＭｇＯ層を従来の真空蒸着法からＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥が少なくち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が可能である。そして上記の手段を取ることによってハイビジョンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおいても信頼性の高いパネルが得られる。
【００３５】
また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスに遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加することでガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるいは緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセルさせることが出来画質の向上を計ることができる。
【００３６】
なお、誘電体ガラス組成においてＰｂＯの範囲を６０重量％〜８０重量％に限定したのは６０重量％以下では、ガラスの融点が高くなり、気泡や欠陥をなくすためには、基板ガラス（フロートガラス）の軟化点以上の温度で誘電体ガラスを焼成しなくてはならず、基板ガラスが変形してしまうため好ましくないためであり、また８０重量％以上になると、融点は下るが、誘電体ガラスの熱膨張係数が１００×１０-7／℃以上になるため、焼成後の冷却時に基板ガラス（熱膨張係数８３〜９０×１０-7／℃）が割れるという問題が発生するため好ましくないためである。
【００３７】
また酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）の範囲を１０重量％〜３０重量％に限定したのは、１０重量％以下ではガラスの流動性が悪く結晶化しやすくなるため好ましくないためであり、また３０重量％以上になると融点が高くなり、ガラスの流動温度（気泡がぬける温度）が基板ガラスの軟化点付近になるため好ましくないためである。
【００３８】
さらに酸化硅素（ＳｉＯ2）の範囲を５重量％〜２０重量％に限定したのは、５重量％以下では、誘電体ガラスの耐圧が低下するため好ましくなく、２０重量％以上では、ガラスの融点が高くなりすぎて好ましくないためである。
【００３９】
また酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）は、ガラスを安定化させるための添加物で１〜１０重量％が適しており、１％以下あるいは１０％以上では効果が発揮されない。
【００４０】
さらに金属酸化物は、ガラスの流動性を良くし、気泡や欠陥をなくすための添加物であり、１〜１０重量％が適している。１％以下では、その効果が発揮されず、１０％以上になると耐圧が悪化したり、着色が激しくなったりして好ましくないためである。
【００４１】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明によるＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＭＯ（金属酸化物）系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＭＯ（金属酸化物）系、およびＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（金属酸化物）系の誘電体ガラス層、および、ＣＶＤ法によるＭｇＯ層を使用した誘電体保護層を用いることにより、信頼性が高く、不良率の少ないプラズマディスプレイパネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
【図３】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの断面図
【符号の説明】
１１  前面ガラス基板（フロントカバープレート）
１２  銀電極（表示電極）
１３  誘電体ガラス層
１４  （１００）配向面誘電体保護層
１５  背面ガラス基板（バックプレート）
１６  アドレス電極
１７  隔壁
１８  蛍光体
１９  放電空間
２１  アルゴンガスボンベ
２２  アルカリ土類（ＭｇＯ）の金属キレートの気化器
２３  アルカリ土類（ＭｇＯ）のシクロペンタジエニル化合物の気化器
２４  酸素ガスボンベ
２５  ＣＶＤ装置
２６  基板加熱ヒータ
２７  誘電体ガラス層が形成されたガラス基板
２８  プラズマを発生させるための高周波電源
２９  排気装置
３１  前面ガラス基板（フロントカバープレート）
３２  透明電極
３３  銀電極
３４  表示電極
３５  誘電体ガラス層
３６  （１１１）配向面誘電体保護層（ＭｇＯ層）
３７  背面ガラス基板（バックプレート）
３８  アドレス電極（銀電極）
３９  隔壁
４０  蛍光体層
４１  放電空間
【図１】
0003818201.tif 000004
【図２】
0003818201.tif 000005
【図３】
0003818201.tif 000006