(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体の上に、少なくとも非磁性下地層、グラニュラー磁性層、保護膜、および液体潤滑層を順次有する磁気記録媒体であって、
前記グラニュラー磁性層は、Ｃｏを含有する強磁性結晶粒子と、該強磁性結晶粒子を取り巻くＳｉ酸化物を少なくとも含有する非磁性粒界とから構成され、前記強磁性結晶粒子が、１５原子％以上１７原子％以下のＰｔを含有し、前記非磁性粒界がさらに１原子％以上１０原子％以下のＰｔを含有し、かつ該非磁性粒界に存在するＰｔに対するＳｉの含有量が原子比で６以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性粒界が、さらに、Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆからなる群から選択される元素の酸化物または窒化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性基体がプラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基体上に非磁性下地層を形成する工程、該非磁性下地層上にグラニュラー磁性層を積層する工程、該グラニュラー磁性層上に保護膜を積層する工程、および該保護膜上に液体潤滑層を積層する工程、を少なくとも含み、前記各工程は前記非磁性基体の予備加熱なしに実施され、前記グラニュラー磁性層は、少なくともＣｏおよびＰｔを含有する強磁性材料と少なくともＳｉＯ２を含む非磁性材料とを含む混合物からなるターゲットを用い、Ａｒガス中、５ｍＴｏｒｒから３０ｍＴｏｒｒの圧力下のＲＦスパッタリング法にしたがって非磁性下地層上に積層されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載される磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録装置のめざましい技術的進展に伴い、磁気記録媒体の高保磁力化および低ノイズ化に対する要求がいっそう高まっている。そのような要求に向けて、磁性層の組成および構造、ならびに非磁性下地層の材料などに関する様々な提案がなされている。
【０００３】
特に、近年では、磁性結晶粒子の周囲を酸化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造を有する磁性層が提案されている。そのような磁性層は、一般に「グラニュラー磁性層」と呼ばれている。グラニュラー磁性層では、磁性結晶粒子が非磁性非金属からなる粒界相によって物理的に個々に分離されることで磁性結晶粒子間の相互作用が少なくなると考えられている。
【０００４】
米国特許第５６７９４７３号では、ＳｉＯ２などの酸化物が添加されたＣｏＰｔ系合金からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリングを行うことで得られるグラニュラー磁性層を有する磁気記録媒体が、高い保磁力を有し、かつ低ノイズであることを記載している。また、米国特許第５６７９４７３号では、グラニュラー磁性層を構成する結晶粒子の直径、および該結晶粒子間の分離幅、グラニュラー磁性層の巨視的な組成についても記載している。開示されたグラニュラー磁性層は、結晶構造を制御するための基板の加熱を必要としないことから、生産性に優れ、かつプラスチックなどからなる安価な非磁性基体の上にも形成可能であるという特徴を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
グラニュラー磁性層を用いて優れた磁気特性、電磁変換特性を有する磁気記録媒体を実現するためには、磁性層の保磁力および異方性磁界を高めるとともに、磁性層における結晶粒子の磁気的孤立化を高めることで結晶粒子間の相互作用の低減を図る必要がある。すなわち、例えば、ＳｉＯ２などの酸化物と、Ｃｏ系合金などの強磁性合金とを含むターゲットを用いて成膜されるグラニュラー磁性層の場合、ターゲットを構成する酸化物および強磁性合金は、磁性膜中で互いに良好に分離して存在することが望ましい。したがって、スパッタリングにより成膜された際に、強磁性合金からなる強磁性結晶粒子部分と、酸化物からなる結晶粒界部分とに良好に分離し得る適切なターゲットおよびその材料を選択する必要がある。
【０００６】
一般的な成膜技術として、Ａｒガス雰囲気中で実施される各種スパッタリング法が知られている。多くのスパッタリング法では、プラズマ中のＡｒイオンがターゲットに衝突する際の衝撃により、ＳｉＯ２のような酸化物は容易に分解される。さらに、ＳｉＯ２の分解によって遊離したＳｉは、Ｃｏ系合金などの強磁性合金中に容易に拡散し、磁気特性の劣化を引き起こす傾向がある。したがって、実際に成膜された磁性層の組成は、スパッタリングに供されたターゲットの組成と異なる場合が多い。また、同一のターゲットを使用した場合であっても、異なる条件下でスパッタリングを実施すれば、成膜された磁性層の組成が変化してしまう場合がある。
【０００７】
以上説明したように、適切なターゲットを選択したとしても、それらが磁性層として成膜された場合は、ターゲット自体の能力を十分に発揮できないことがある。そもそも、グラニュラー磁性層を適切に制御するためには、成膜プロセスによって得られた磁性層それ自体の組成を制御する必要がある。しかし、そのような指針は今のところ明らかとなっていない。
【０００８】
したがって、本発明の課題は、特定の組成を有するグラニュラー磁性層を用いて、優れた磁気特性および電磁変換特性を有する磁気記録媒体、ならびにその製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、Ｃｏ系合金を含有するグラニュラー磁性層において、磁性結晶粒子および結晶粒界のそれぞれに所定量のＰｔが存在することにより、優れた磁気特性が得られることを見出した。このようなグラニュラー磁性層を用いて磁気記録媒体を構成することにより、磁気記録媒体の高保磁力化と低ノイズ化といった優れた磁気特性および電磁変換特性を実現することが可能となる。
【００１０】
すなわち、本発明にもとづく磁気記録媒体の第１の態様は、非磁性基体の上に、少なくとも非磁性下地層、グラニュラー磁性層、保護膜、および液体潤滑層を順次有する磁気記録媒体であり、上記グラニュラー磁性層は、Ｃｏを含有する強磁性結晶粒子と、該強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界とから構成され、上記非磁性粒界が１原子％以上１０原子％以下のＰｔを含有することを特徴とする。
【００１１】
ここで、上記非磁性粒界は、さらにＳｉ酸化物を含有することが好ましい。また、上記非磁性粒界は、さらに、Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆからなる群から選択される元素の酸化物または窒化物を含有することが好ましい。上記強磁性結晶粒子は、１５原子％以上１７原子％以下のＰｔを含有することが好ましい。また、上記非磁性基体はプラスチック基板であることが好ましい。
【００１２】
本発明にもとづく磁気記録媒体の第２の態様は、非磁性基体の上に、少なくとも非磁性下地層、グラニュラー磁性層、保護膜、および液体潤滑層を順次有する磁気記録媒体であり、上記グラニュラー磁性層は、Ｃｏを含有する強磁性結晶粒子と、該強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界とから構成され、上記非磁性粒界がＳｉとＰｔを含有し、上記非磁性粒界に存在するＰｔに対するＳｉの含有量が原子比で６以上であることを特徴とする。
【００１３】
ここで、上記非磁性粒界に含有されるＳｉは、Ｓｉ酸化物であることが好ましい。また、上記非磁性粒界は、さらに、Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆからなる群から選択される元素の酸化物または窒化物を含有することが好ましい。上記強磁性結晶粒子は、１５原子％以上１７原子％以下のＰｔを含有することが好ましい。上記非磁性基体はプラスチック基板であることが好ましい。
【００１５】
本発明にもとづく磁気記録媒体の製造方法は、上述の磁気記録媒体を製造するものであり、非磁性基体の上に、少なくとも非磁性下地層、磁性層、保護膜、および液体潤滑層を順次成膜する工程を有し、該工程が上記非磁性基体の予備加熱なしに実施されることを特徴とする。
【００１６】
ここで、上記磁性層の成膜は、少なくともＣｏおよびＰｔを含有する強磁性材料とＳｉＯ２とを含む混合物からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法にしたがって５ｍＴｏｒｒから３０ｍＴｏｒｒの圧力下で実施されることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の形態は磁気記録媒体に関する。図１は本発明にもとづく磁気記録媒体の一例を示す模式的断面図である。図１から明らかなように、磁気記録媒体は、非磁性基体１上に非磁性下地層２、グラニュラー磁性層３、および保護膜４が順に形成された構造を有し、さらに保護膜４の上に液体潤滑層５が形成されている。
【００１８】
本発明にもとづく磁気記録媒体では、磁性層は、Ｃｏ系合金からなる強磁性結晶粒子と該強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界とから構成されるグラニュラー磁性層であり、強磁性結晶粒子が１５原子％以上１７原子％以下のＰｔを含有することを特徴とする。
【００１９】
強磁性結晶粒子は、少なくともＣｏとＰｔとを含有し、例えばＣｏＰｔ系合金から形成される。ＣｏＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＰｔ合金にさらにＣｒ，Ｎｉ，およびＴａからなる群から選択される元素を添加してもよい。強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、少なくともＳｉ酸化物、すなわちＳｉＯ２を含有する。非磁性粒界は、さらにＣｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆなどの元素の酸化物または窒化物を含んでもよい。すなわち、酸化物としては、ＳｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＣｏＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２からなる群から選択される。また、窒化物としては、ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＡｌＮからなる群から選択される。グラニュラー構造をより安定に維持するためには、窒化物よりも酸化物の方が好ましい。
【００２０】
既に述べたように、磁気記録媒体の高保磁力化のためには、強磁性結晶粒子内に１５〜１７原子％のＰｔを含有する必要がある。そのような量でＰｔが強磁性結晶粒子内に存在することにより高い異方性磁界もまた達成される。結晶粒子内のＰｔ含有量が１５原子％未満になると、高記録密度に対応し得る高保磁力、高異方性磁界を達成できない。また、磁性層における結晶粒子の分離も不十分となりノイズが増加する。一方、結晶粒子内のＰｔ含有量が１７原子％を超えると、Ｐｔが結晶粒子内に安定に留まらず粒界への析出量が増加する。その結果、結晶粒子の孤立化が阻害され、磁性記録や電磁変換特性の劣化を引き起こす。また、ターゲット中のＰｔ含有量が高くなるため、コストの増加を招き生産性に劣る。
【００２１】
ところで、磁気記録媒体の高保磁力、低ノイズ化のためには、強磁性結晶粒子におけるＰｔ量を制御した状態で、強磁性結晶粒子の磁気的孤立化と結晶粒子間の相互作用の低減を図る必要がある。そのためには、粒界へ酸化物または窒化物を偏析させ、Ｃｏ系合金からなる強磁性結晶粒子と粒界との分離を促す必要がある。
【００２２】
磁気特性の向上のためには、ターゲット中のほとんどのＰｔは磁性結晶粒子の一部として成膜されることが望ましい。しかし、実際のところ磁性層の非磁性粒界中にもＰｔが存在しており、本発明者らは、結晶粒子内と粒界に適量のＰｔが存在することで磁気特性がさらに向上するという結果を得た。理論によって拘束するものではないが、粒界に適量のＰｔが存在することによって、スパッタリング中に結晶粒子内外の界面でＰｔが触媒のように作用し、酸化物または窒化物を安定化して粒界に留まらせると考えられる。したがって、グラニュラー磁性層の優れた構造を得るためには結晶粒界に適量のＰｔが存在することが望ましい。結晶粒界に存在するＰｔの量は、結晶粒界の幅が狭いため測定し難く、実測値にばらつきが生じてしまうため厳密に特定することが困難である。しかし、数多くの実測値およびターゲットの組成を考慮すると、結晶粒界に存在するＰｔ量は、結晶粒界の組成を基準として１〜１０原子％、好ましくは５原子％であることが望ましい。結晶粒界に存在するＰｔ量が１原子％未満になると、Ｓｉの酸化が不十分で、粒界に安定に留まりにくくなり、不安定なＳｉが存在することになる。その結果、磁気特性の劣化、および磁性粒子の分離性の悪化に伴う粒子間の相互作用によるノイズの増加、さらに熱安定性の劣化を引き起こす。一方、結晶粒界に存在するＰｔ量が１０原子％を超えると、磁性結晶粒子内と粒界のＰｔ量に差異がなくなり、Ｐｔがほぼ均一に磁性層に存在することになる。すなわち、結晶粒子内に安定に存在するＰｔ量が低下するため、磁気特性と電磁特性の劣化を引き起こす。
【００２３】
さらに、優れた磁性特性と電磁変換特性を達成するためには、結晶粒界におけるＰｔ「原子％」とＳｉ「原子％」の原子比、Ｓｉ／Ｐｔが６以上であることが好ましい。結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ原子比が６未満になると、非磁性材料の偏折が不十分である。あるいは、磁性結晶粒子内のＰｔが少量であることになり、磁気特性や電磁変換特性の劣化の原因となる。
【００２４】
上述のように、磁気記録媒体を構成するグラニュラー磁性層においてＣｏ系合金を含む強磁性結晶粒子が、結晶粒子内に１５原子％以上１７原子％以下のＰｔ量を含有することで媒体の高保磁力化が達成される。また、結晶粒界に１原子％以上１０原子％以下のＰｔが存在し、さらに結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ原子比が６以上であることで、磁性層中で結晶粒界部分がＣｏ系合金と良好に分離偏析した優れたグラニュラー構造を実現できる。したがって、このように、磁性結晶粒子および結晶粒界にそれぞれ特定のＰｔを含有するグラニュラー磁性層を用いることによって、磁気特性に優れた磁気記録媒体を実現することが可能となる。
【００２５】
以上説明したように、本発明にもとづく磁気記録媒体は、磁性層として上述のグラニュラー磁性層を備えることを特徴とする。したがって、上述のグラニュラー磁性層を除くその他の構成要素については特に限定されるものではない。以下、磁気記録媒体の主な構成要素について図１に沿って簡単に説明する。
【００２６】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラスなどを使用できる。さらに、グラニュラー磁性層の形成が基板の加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、ポリオレフィンまたはその他の樹脂を射出成形することで作製した安価な基板を使用することもできる。
【００２７】
非磁性下地層２としては、磁性層の結晶配向性や粒径、粒界偏析構造などの微細構造を制御できるものであれば、どのような材料を使用してもよい。例えば、従来の磁気記録媒体で使用されているようなＣｒまたはＣｒを主体とする合金は好適に使用できる。その他、グラニュラー磁性層に対して大きな効果を有するＲｕ，Ｏｓ，Ｒｅなどの金属またはそれらを主体とする合金を使用することもできる。非磁性下地層の膜厚は、特に制限されるものではなく、グラニュラー磁性層の構造制御効果および生産性ならびにコストを考慮して、必要十分な膜厚を選択する。
【００２８】
保護膜４としては、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法により成膜された、カーボンを主体とする薄膜を使用することができる。また、液体潤滑層５としては、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
【００２９】
以上、本発明にもとづく磁気記録媒体について図１にしたがって説明したが、本発明の磁気記録媒体は上述の構成に限定されるものではなく、適宜、シード層および中間層などを追加してもよい。例えば、非磁性下地層あるいはグラニュラー磁性層の結晶配向またはその他の構造制御を目的として、非磁性基体と非磁性下地層との間に非磁性のシード層を設けてもよく、また、非磁性下地層とグラニュラー磁性層との間に非磁性の中間層を設けてもよい。そのように追加の層を設けた場合であっても本発明の効果は発揮され、さらに優れた特性を得ることも可能となる。
【００３０】
本発明の第２の形態は上述の磁気記録媒体を製造するための方法に関する。本発明にもとづく磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体の上に、少なくとも非磁性下地層、磁性層、保護膜、および液体潤滑層を順次成膜する工程を有し、この工程が非磁性基体の予備加熱なしに実施されることを特徴とする。
【００３１】
上述の磁性層の成膜は、少なくともＣｏおよびＰｔを含有する強磁性材料とＳｉ酸化物とを含む混合物からなるターゲットを用いてスパッタリング法により実施される。ターゲットの組成および成膜条件は、成膜されたグラニュラー磁性層が所定の組成および構造を有するように適宜選択される。
【００３２】
グラニュラー磁性層の構造を制御するために、成膜は、ＲＦスパッタリング法にしたがって、５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で実施されることが好ましい。成膜雰囲気の圧力が５ｍＴｏｒｒよりも低くなると、特に装置を限定するものではないが、初期成長層による結晶配向性の劣化および結晶粒子の分離性の悪化により、グラニュラー構造が阻害され、各種特性の劣化を引き起こす。一方、圧力が３０ｍＴｏｒｒを超えると、結晶欠陥が増加し、配向性の乱れを生じ、磁気特性や電磁変換特性、さらにＣｏコロージョンなどの信頼性の劣化を招く。
【００３３】
また、グラニュラー磁性層の成膜には、ターゲットとして、例えば、ＳｉＯ２を含む酸化物が添加されたＣｏＣｒＰｔ合金を好適に使用することができる。ターゲット中に含まれる酸化物の適切な割合は、ターゲットの組成および成膜条件によって適宜選択される。しかし、磁性層の成膜時に使用されるターゲットは、グラニュラー磁性層における特定の組成を実現できるものであれば特に限定されるものではない。
【００３４】
本発明にもとづく磁気記録媒体の製造方法は、従来法で多くの場合必要とされる基板の加熱工程を省略しても、磁気記録媒体の高Ｈｃ化と低媒体ノイズ化を達成することが可能である。したがって、製造プロセスの簡略化に伴って製造コストを低下させることが可能である。また、本発明にもとづく磁気記録媒体の製造方法では必ずしも基板の加熱を必要としないため、従来のアルミニウム基板またはガラス基板だけでなく、ポリカーボネートまたはポリオレフィンなどの樹脂からなる安価なプラスチック基板を使用することも可能となる。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法について、実施例により詳細に述べるが、これらは本発明を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３６】
（実施例１）
非磁性基体としてポリカーボネート樹脂を射出成形した３．５インチφのディスク状基板を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕからなる膜厚３０ｎｍの下地層を形成した。次いで、ＳｉＯ２を１０ｍｏｌ％含むＣｏＣｒ１２Ｐｔｘのターゲットを用い、ＲＦスパッタ法により１５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で膜厚１５ｎｍのグラニュラー磁性層を形成した。なお、グラニュラー磁性層の成膜は、ターゲット中のＰｔの比率ｘを１０から２５まで変化させたことを除き全く同じ条件下において、各種ターゲットについてそれぞれ実施した。次いで、各々のグラニュラー磁性層の上に、膜厚１０ｎｍのカーボン保護層を積層した後、それらを真空中から取り出し、引き続きそれらに液体潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布することにより磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００３７】
上述のようにして得られた各々の磁気記録媒体は、図１に示すような構造を有するが、それぞれ成膜時に用いたターゲットの違いに起因してグラニュラー磁性層の組成が異なる。各々の磁気記録媒体について、エネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＳ）による組成分析を行うことにより、グラニュラー磁性層の磁性結晶粒子内に含まれるＰｔ量について測定し、さらに試料振動型磁力計（ＶＳＭ）により磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定した。図２は、磁性結晶粒子内に含まれるＰｔ濃度と磁気記録媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフである。図２のグラフから明らかなように、媒体のＨｃは、磁性結晶粒子内に含まれるＰｔ濃度が増加するのに伴い向上しているが、Ｐｔ濃度が１８原子％以上になると低下する。特に、磁性結晶粒子内に含有するＰｔ濃度が１５原子％以上１７原子％以下の範囲では３５００前後の高い保磁力Ｈｃ［Ｏｅ］が達成された。
【００３８】
（実施例２）
膜厚１５ｎｍのグラニュラー磁性層を成膜する際に、ＳｉＯ２を１０ｍｏｌ％含むＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２ターゲットを使用し、それぞれ異なる成膜条件を用いてＰｔ量を１５〜１７原子％に制御した以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体をそれぞれ作製した。得られた各々の磁気記録媒体のグラニュラー層における結晶粒界の組成についてＥＤＳにより分析した。図３は、結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ原子比と磁気記録媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフである。図３のグラフから分かるように、Ｓｉ／Ｐｔ原子比が３以下であるとＨｃが低下する傾向があり、Ｓｉ／Ｐｔ原子比が６以上の場合、３５００前後の高い保磁力が達成されている。
【００３９】
しかし、Ｓｉ／Ｐｔ原子比が低くても保磁力Ｈｃが高いものも存在する。そこで、Ｓｉ／Ｐｔ原子比の影響について、磁気記録媒体の記録再生時の信号対雑音比（ＳＮＲ）から、以下のようにさらに検討した。ガス圧４０ｍＴｏｒｒで成膜した粒界のＳｉ／Ｐｔ原子比が１．８でＨｃ２９８０Ｏｅの磁気記録媒体（試料２−１）と、ガス圧５ｍＴｏｒｒで成膜した粒界のＳｉ／Ｐｔ比が６．４でＨｃ３５０３Ｏｅの磁気記録媒体（試料２−２）を準備し、それらについて３００ｋＦＣｌにおけるＳＮＲの変化を測定した。ＳＮＲの測定は、スピンスタンドテスターを用いて実施した。なお、磁気記録媒体の記録再生には、書きこみトラック幅１μｍ、ギャップ長０．２５μｍ、再生トラック幅０．７μｍ、シールドギャップ長０．１２μｍのＧＭＲヘッドを使用し、ヘッドの浮上量は約２０ｎｍであった。ＳＮＲの測定結果を以下の表１に示す。
【００４０】
【表１】
0003773104.tif 000002
【００４１】
表１から分かるように、ＳＮＲはＳｉ／Ｐｔ原子比が大きい方で良好である。したがって、粒界におけるＳｉ／Ｐｔ原子比は大きい方が好ましく、特にＳｉ／Ｐｔ原子比が６以上となることで高い保磁力と低ノイズ化を達成することが可能となる。
【００４２】
（実施例３）
膜厚１５ｎｍのグラニュラー磁性層を成膜する際に、ＳｉＯ２を６ｍｏｌ％およびＣｒ２Ｏ３を２ｍｏｌ％含有するＣｏＣｒ６Ｐｔ１２ターゲットを使用して、ＲＦスパッタ法により４０ｍＴｏｒｒおよび１５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、それぞれ膜厚１５ｎｍのグラニュラー磁性層を形成したことを除き、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４３】
得られた磁気記録媒体のグラニュラー磁性層における磁性結晶粒子内のＰｔ量をＥＤＳによりそれぞれ測定したところ、ガス圧４０ｍＴｏｒｒで成膜したものが１３原子％（試料３−１）、ガス圧１５ｍＴｏｒｒで成膜したものが１６原子％（試料３−２）であった。また、ＥＤＳによる結晶粒界の組成分析から各試料の結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ比を求めた。さらに、各試料について、３００ｋＦＣｌにおける記録再生時の信号対雑音比（ＳＮＲ）を求めた。ＳＮＲの測定は、スピンスタンドテスターを用いて実施した。なお、磁気記録媒体の記録再生には、書きこみトラック幅１μｍ、ギャップ長０．２５μｍ、再生トラック幅０．７μｍ、シールドギャップ長０．１２μｍのＧＭＲヘッドを使用し、ヘッドの浮上量は約２０ｎｍであった。結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ比、およびＳＮＲの測定結果を以下の表２に示す。
【００４４】
【表２】
0003773104.tif 000003
【００４５】
表２から明らかなように、ＳＮＲはＳｉ／Ｐｔ比の大きい方で良好であることがわかる。特にＳｉ／Ｐｔ原子比が６以上となることで高い保磁力と低ノイズ化を達成することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、特定量のＰｔを含む組成を有するグラニュラー磁性層によって、優れた磁気特性、電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが可能となる。また、そのような磁気記録媒体は、その製造にあたり、必ずしも基板の加熱を必要としないため、製造プロセスの簡易化が図れると同時に、安価なプラスチック基板を使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にもとづく磁気記録媒体の一例を示す模式的断面図である。
【図２】グラニュラー磁性層の磁性結晶粒子内に含まれるＰｔ濃度と磁気記録媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフである。
【図３】グラニュラー磁性層の結晶粒界におけるＳｉ／Ｐｔ原子比と磁気記録媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  非磁性下地層
３  グラニュラー磁性層
４  保護膜
５  液体潤滑層
【図１】
0003773104.tif 000004
【図２】
0003773104.tif 000005
【図３】
0003773104.tif 000006