(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ基板上にパターン形成されたＣｕメッキ膜と、このＣｕメッキ膜上に積層されたＣｒ膜と、このＣｒ膜の表面を覆う保護膜と、これらＣｒ膜および保護膜を部分的に除去して露出する前記Ｃｕメッキ膜上に積層されたＮｉメッキ膜と、このＮｉメッキ膜上に積層されたＡｕ膜とを有し、前記Ｎｉメッキ膜と前記Ａｕ膜によってボンディング用パッドが構成されていると共に、前記ボンディング用パッドの周囲に位置する前記Ｃｕメッキ膜が渦巻き形状にパターン形成され、このＣｕメッキ膜によってインダクタ素子が構成されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記Ｃｒ膜がスパッタによって１００ｎｍ以下の膜厚に形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミナ基板上に種々の回路素子が薄膜形成された高周波デバイス用の電子回路基板に係り、特に、トランジスタやダイオード等のベアチップが実装される電子回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、集積回路技術の発達に伴って電子回路がますます小型化されており、アルミナ基板上にコンデンサやインダクタ等の回路素子を薄膜形成すると共に、このアルミナ基板にトランジスタやダイオード等のベアチップをワイヤーボンディングした小型の電子回路基板が開発されている。
【０００３】
図３はこのような電子回路基板の従来例を示す要部断面図である。同図において、符号１はアルミナ基板を示しており、このアルミナ基板１上にはＴｉ膜２とＣｕ膜３およびＮｉ膜４が順次積層されている。また、Ｎｉ膜４の表面は保護膜５によって覆われており、この保護膜５を部分的に除去した部位にはボンディング用パッド６が形成されている。このパッド６は、トランジスタ等のベアチップを搭載するためのダイボンド部、あるいはベアチップに接続されるワイヤーをボンディングするためのワイヤーボンド部であり、Ｎｉ膜４の表面に順次積層されたＮｉ膜７とＡｕ膜８で構成されている。
【０００４】
このように概略構成された電子回路基板において、Ｔｉ膜２はアルミナ基板１の表面にスパッタ法によって形成され、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３とＮｉ膜４が電気メッキ法によってパターン形成されている。下層のＣｕ膜３の膜厚は３〜４μｍに設定されており、このＣｕ膜３はコンデンサの電極やインダクタあるいは伝送線路等の回路素子を形成している。上層のＮｉ膜４の膜厚は約０．３μｍに設定されており、このＮｉ膜４によってＣｕ膜３の酸化や拡散が防止されると共に、保護膜５との密着性が高められている。保護膜５は、フォトレジストのような感光性高分子材料をＮｉ膜４の表面にスピンコートした後、これを露光／現像することによって形成されたもので、その一部にパッド６の形状に対応する除去部５ａが形成されている。パッド６を構成するＮｉ膜７とＡｕ膜８は、保護膜５の除去部５ａ内に露出するＮｉ膜４の表面に無電解メッキ法によって形成され、表面のＡｕ膜８によってベアチップやワイヤーに対する接続の安定化が図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来の電子回路基板にあっては、回路素子を形成するＣｕ膜３の表面にＮｉ膜４が連続メッキにより形成されているため、このＮｉ膜４によってＣｕ膜３の酸化や拡散を防止できると共に、保護膜５との密着性を高めることかできる。しかしながら、このＮｉ膜４の表面にパッド６のＮｉ膜７を形成する際、二重のＮｉメッキとなるため、これらＮｉ膜４とＮｉ膜７間の密着性が悪いという難点があった。
【０００６】
また、この種の電子回路基板を高周波デバイスとして使用する場合、回路素子であるインダクタやフィルタのＱ値を劣化させないことが重要となるが、前述した従来例では、Ｃｕ膜３の表面に形成されたＮｉ膜４が磁性材料からなるため、特に、パッド６の周囲のＣｕ膜３によってインダクタ素子を形成した場合、インダクタのＱ値劣化という問題が顕著となる。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、密着性の高いボンディング用パッドを形成でき、かつＱ値の劣化も少ない電子回路基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電子回路基板は、アルミナ基板上にパターン形成されたＣｕメッキ膜と、このＣｕメッキ膜上に積層されたＣｒ膜と、このＣｒ膜の表面を覆う保護膜と、これらＣｒ膜および保護膜を部分的に除去して露出する前記Ｃｕメッキ膜上に積層されたＮｉメッキ膜と、このＮｉメッキ膜上に積層されたＡｕ膜とを有し、前記Ｎｉメッキ膜と前記Ａｕ膜によってボンディング用パッドを構成すると共に、前記ボンディング用パッドの周囲に位置する前記Ｃｕメッキ膜が渦巻き形状にパターン形成され、このＣｕメッキ膜によってインダクタ素子を構成した。
【０００９】
このように構成された電子回路基板では、Ｃｕメッキ膜の表面に形成されたＣｒ膜によって、Ｃｕメッキ膜の酸化や拡散が防止されると共に保護膜との密着性も高められ、しかも、Ｃｒ膜を部分的に除去して露出するＣｕメッキ膜の表面にボンディング用パッドのＮｉメッキ膜が形成されているため、ボンディング用パッドの密着性を高めることができる。また、ボンディング用パッドの周囲に位置するＣｕメッキ膜を渦巻き形状にパターン形成し、このＣｕメッキ膜によってインダクタ素子を構成したので、インダクタのＱ値が劣化することを防止できる。この場合、Ｃｒ膜はスパッタ法によって薄い膜厚に形成することが好ましく、特に、Ｃｒ膜の膜厚が１００ｎｍ以下に形成されていると効果的である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の実施形態例に係る電子回路基板の要部断面図、図２は該電子回路基板にベアチップを実装した状態を示す平面図であり、図３に対応する部分には同一符号を付してある。
【００１２】
本実施形態例に係る電子回路基板は各種の高周波デバイスとして使用されるもので、図１に示すように、この電子回路基板はアルミナ基板１上にはＴｉ膜２とＣｕ膜３およびＣｒ膜９が順次積層されている。Ｔｉ膜２はアルミナ基板１の表面にスパッタ法によって形成され、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３が電気メッキ法によって３〜４μｍの膜厚に形成されている。Ｃｕ膜３は所望形状にパターニングされており、コンデンサの電極やインダクタあるいは伝送線路等の回路素子を形成している。Ｃｒ膜９は前述した従来例のＮｉ膜４に代わるもので、Ｃｕ膜３の表面にスパッタ法によって形成されている。Ｃｒ膜９の膜厚は５０ｎｍ程度に薄く形成することが好ましく、本実施形態例では多少のバラツキを考慮して、Ｃｒ膜９の膜厚を１００ｎｍ以下に設定している。Ｃｒ膜９の表面には保護膜５が形成されており、この保護膜５はフォトレジストのような感光性高分子材料をＣｒ膜９の表面にスピンコートした後、これを露光／現像することによって形成されたもので、その一部にボンディング用パッド６の形状に対応する除去部５ａが形成されている。また、この保護膜５をレジストとしてＣｒ膜９をエッチングすることにより、Ｃｒ膜９にも除去部５ａと同一形状の除去部９ａが形成されており、これら除去部５ａ，９ａからＣｕ膜３の表面が露出している。そして、これら除去部５ａ，９ａ内に露出するＣｕ膜３に無電解メッキ法を施すことにより、Ｃｕ膜３の表面にＮｉ膜７とＡｕ膜８とが順次積層され、これらＮｉ膜７とＡｕ膜８によってボンディング用パッド６が形成されている。
【００１３】
図２に示すように、このように構成された電子回路基板は、トランジスタやダイオード等のベアチップ１０を任意のボンディング用パッド６上に搭載すると共に、このベアチップ１０と別のパッド６間、あるいは対をなすパッド６間をワイヤー１１で接続することにより、最終的に種々の高周波デバイスとして使用されるようになっている。すなわち、アルミナ基板１上には、前述したＣｕ膜３のパターン形状によって渦巻き形状のインダクタ素子Ｉや伝送線路Ｐが形成されると共に、これらインダクタ素子Ｉや伝送線路Ｐに接続する複数のボンディング用パッド６が形成されており、ベアチップ１０が任意のパッド６上に導電性接着剤を用いて固定され、このベアチップ１０と別のパッド６間や他の対をなすパッド６間にワイヤー１１がボイディングされている。なお、アルミナ基板１上にはコンデンサ等の他の回路素子も形成されており、また、図２において保護膜５は省略されている。
【００１４】
上記した本実施形態例にあっては、アルミナ基板１上に種々の回路素子を形成するためのＣｕ膜３を電気メッキ法によってパターン形成し、このＣｕ膜３の表面にＣｒ膜９を薄い膜厚で形成したため、このＣｒ膜９によってＣｕ膜３の酸化や拡散が防止されると共に、Ｃｒ膜９と保護膜５との密着性を高めることができる。また、このように薄い膜厚のＣｒ膜９をエッチングにより部分的に除去してＣｕ膜３を露出させ、この露出したＣｕ膜３に無電解メッキ法を施してＮｉ膜７を形成したため、Ｃｕ膜３とボンディング用パッド６を形成するＮｉ膜７との密着性が非常に良好となる。さらに、このようなボンディング用パッド６を有する積層構造を高周波回路用のインダクタ素子に適用し、Ｃｕ膜３のパターン形状によって渦巻き形状のインダクタ素子Ｉを形成すると共に、このＣｕ膜３の表面に非磁性材料からなるＣｒ膜９をスパッタ法によって１００ｎｍ以下（好ましくは５０ｎｍ程度）の膜厚に薄く形成したため、インダクタのＱ値劣化をＣｒ膜９によって効果的に防止することができる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１６】
アルミナ基板上にパターン形成したＣｕメッキ膜の表面にＣｒ膜が積層されているため、このＣｒ膜によってＣｕメッキ膜の酸化や拡散が防止されると共に保護膜との密着性も高められ、しかも、Ｃｒ膜を部分的に除去して露出するＣｕメッキ膜の表面にボンディング用パッドのＮｉメッキ膜が形成されているため、ボンディング用パッドの密着性が高い電子回路基板を実現することができる。
【００１７】
また、このようなボンディング用パッドを有する積層構造を高周波回路用のインダクタ素子に適用し、Ｃｕ膜のパターン形状によって渦巻き形状のインダクタ素子を形成したので、インダクタのＱ値が劣化することを防止できる。その際、このＣｕ膜の表面に非磁性材料からなるＣｒ膜をスパッタ法によって１００ｎｍ以下（好ましくは５０ｎｍ程度）の膜厚に薄く形成すると、インダクタのＱ値劣化を効果的に防止することができ、高周波特性に優れた電子回路基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態例に係る電子回路基板の要部断面図である。
【図２】該電子回路基板にベアチップを実装した状態を示す平面図である。
【図３】従来例に係る電子回路基板の要部断面図である。
【符号の説明】
１  アルミナ基板
２  Ｔｉ膜
３  Ｃｕ膜（Ｃｕメッキ膜）
５  保護膜
５ａ  除去部
６  ボンディング用パッド
７  Ｎｉ膜（Ｎｉメッキ膜）
８  Ａｕ膜
９  Ｃｒ膜
９ａ  除去部
１０  ベアチップ
１１  ワイヤー
Ｉ  インダクタ素子
Ｐ  伝送線路
【図１】
0003765565.tif 000002
【図２】
0003765565.tif 000003
【図３】
0003765565.tif 000004