(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子と、シリコン材からなるベースにガラス材からなるカバーを接合一体化し、かつ、内部構成部品を組み込んだ電子部品チップとを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、樹脂モールドするとともに、前記内部構成部品を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記外部端子に電気接続したことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
露出するベースの底面にヒートシンクを設けたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
外部端子と、シリコン材からなるベースにガラス材からなるカバーを接合一体化して可動片を挟持し、かつ、前記カバーの内側底面に固定接点を配置したマイクロリレーチップとを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、樹脂モールドするとともに、前記可動片および前記固定接点を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記外部端子に電気接続したことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品、特に、マイクロリレーチップ等の電子部品チップを樹脂モールドした電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
従来、マイクロリレーチップの電子部品としては、例えば、特願平７−２９９７６５号の図２７，図２８に提案されているものがある。すなわち、マイクロリレーチップの各接続電極をリードフレームの各外部端子にワイヤーボンディグした後、樹脂モールドしたマイクロリレーである。
【０００３】
しかしながら、前述の電子部品では、マイクロリレーチップ全体を樹脂モールドしていたので、放熱しにくい。このため、内部構成部品の発熱により、誤動作が生じやすく、動作特性が変化しやすい。
【０００４】
また、前述の電子部品では、マイクロリレーチップの各接続電極をリードフレームに形成した各外部端子にワイヤーボンディグで個々に接続しなければならない。このため、作業工数が多く、生産性が低い。さらに、振動等によって断線しやすいので、信頼性が低いという問題点がある。
【０００５】
本発明は、前記問題点に鑑み、熱による誤動作や動作特性の変化を防止でき、生産性，信頼性が高い電子部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる電子部品は、前記目的を達成するため、外部端子と、シリコン材からなるベースにガラス材からなるカバーを接合一体化し、かつ、内部構成部品を組み込んだ電子部品チップとを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、樹脂モールドするとともに、前記内部構成部品を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記外部端子に電気接続した構成としてある。
【０００７】
本発明によれば、ガラス材よりも熱伝導率の高いシリコン材からなるベースの底面が露出している。このため、放熱しやすく、熱による誤動作，動作特性の変化を防止できる電子部品が得られる。
【０００８】
また、本発明によれば、従来例のようにワイヤーボンディングで個々に電気接続する必要はなく、カバーに設けたスルーホールを介して内部構成部品が外部端子に電気接続される。このため、接続作業が簡単になり、生産性が向上するとともに、接続信頼性が向上する。特に、外部端子をリードフレームで形成すれば、作業工数がより一層減少し、生産性が向上する。
【０００９】
本発明の実施形態としては、露出するベースの底面にヒートシンクを設けた構成であってもよい。
本実施形態よれば、放熱するためのヒートシンクを介して放熱効率が向上する。このため、熱による誤動作，動作特性の変化をより一層効果的に防止できる。
【００１０】
本発明にかかる他の電子部品は、外部端子と、シリコン材からなるベースにガラス材からなるカバーを接合一体化して可動片を挟持し、かつ、前記カバーの内側底面に固定接点を配置したマイクロリレーチップとを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、樹脂モールドするとともに、前記可動片および前記固定接点を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記外部端子に電気接続した構成としてある。
本発明によれば、前述の発明と同様な作用効果を奏する電子部品が得られるという効果がある。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明にかかる実施形態を図１ないし図４７の添付図面に従って説明する。
第１実施形態にかかるマイクロリレーは、図１に示すように、上面に可動片２０の両端を固定支持した可動接点ブロック１０と、この可動接点ブロック１０に陽極接合された固定接点ブロック３０とで形成されている。そして、前記可動片２０の上面に設けた可動接点２５は、前記固定接点ブロック３０の天井面に形成した一対の固定接点３８，３９に接離可能に対向している。
【００１２】
すなわち、図２Ａないし図２Ｃに示すように、前記可動接点ブロック１０を構成するベース１１は、シリコン，ガラス等のウエハからなるものである。
【００１３】
前記可動片２０は、シリコン等の単結晶からなる薄板状基材２１の上面に、絶縁膜を介し、厚さ方向に湾曲させるための駆動手段を一体に設けたものである。そして、この駆動手段は、圧電素子２４の表裏面に駆動用下部電極，上部電極２２，２３を積層して構成されている。
【００１４】
前記固定接点ブロック３０は、ガラス，シリコン等のウエハ３１からなるもので、入出力用スルーホール３２，３５および駆動用スルーホール３３，３４が形成されている。
【００１５】
前記入出力用スルーホール３２，３５は、ウエハ３１の下面に形成されたプリント配線３６，３７を介して固定接点３８，３９にそれぞれ電気接続されている。さらに、前記入出力用スルーホール３２，３５は、プリント配線３６，３７との接続信頼性を高めるため、その下端部に導電材からなる接続パッド３２ａ（図示せず），３５ａを設けてある。
【００１６】
一方、駆動用スルーホール３３，３４は、その下端部に導電材からなる接続パッド３３ａ，３４ａを設けることにより、前記駆動用下部，上部電極２２，２３にそれぞれ接続可能としてある。
【００１７】
本実施形態によれば、スルーホール３２ないし３５を介し、接続ポイントが同一平面上に揃っているので、接続が容易なるという利点がある。
【００１８】
次に、前述のマイクロリレーの製造方法について説明する。
本実施形態では、図２Ａないし図２Ｃに示すように、可動接点ブロック１０と、固定接点ブロック３０とを別工程で製造した後、両者を陽極接合で一体化して組み立てる方法を採用している。
なお、説明の便宜上、図３Ａないし図１０Ｃにおいては、重要な部分のみを示す部分断面図とした。
【００１９】
まず、可動接点ブロック１０は、図３Ａないし図３Ｅに示すように、ベース１１となる厚さ４００μｍ，結晶方位１００の第１シリコンウエハ１１ａの表裏面に、後述するＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）エッチングのマスク材となる熱酸化膜（thermal SiO２）を形成する。そして、レジスト（resist）を塗布し、フォトリソグラフィによってＴＭＡＨエッチングするためのパターンを形成する。ついで、熱酸化膜をエッチングした後、レジストを除去する。
【００２０】
つぎに、図４Ａないし図４Ｃに示すように、ＴＭＡＨでシリコンウエハ１１にエッチングを施してキャビティ（cavity）を形成した後、その表裏面にマスク材となるシリコン窒化膜を積層する。そして、表面側のシリコン窒化膜および熱酸化膜をドライエッチングおよび酸化膜エッチングで除去する。
【００２１】
一方、厚さ４００μｍ，結晶方位１００のシリコンウエハの片面に、厚さ２μｍの高濃度のＢ（ホウ素），Ｇｅ（ゲルマニウム）層をエピタキシャル成長で形成する。さらに、その表面に２０μｍの通常濃度のＢ層をエピタキシャル成長で形成し、薄板状基材２１を形成するための第２シリコンウエハ２１ａを得た。そして、この第２シリコンウエハ２１ａのＢ層を前記第１シリコンウエハ１１ａの上面に載置し、直接接合で一体化する（図４Ｄ）。
【００２２】
そして、図５Ａないし図５Ｄに示すように、第２シリコンウエハ２１ａの表面をＴＭＡＨでエッチングしてシンニング（thining）する。これによって、エピタキシャル成長で形成した高濃度のＢ，Ｇｅ層でエッチングが停止し、エピタキシャル成長で形成した通常濃度のＢ層が露出し、薄板状基材２１が形成される。ついで、露出したＢ層の表面に後述する下部電極２２の保護膜であるＬＴＯ（低温成長酸化膜）を形成する。そして、チタン（Ｔｉ）および白金（Ｐｔ）をスパッタリングで順次積層することにより、下部電極２２を形成する。さらに、スパッタリングでチタン酸ジルコン酸鉛等の圧電薄膜（ＰＺＴ）をスパッタリングで形成する。
【００２３】
ついで、図６Ａないし図６Ｄに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィで圧電薄膜のパターンを形成する。そして、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）でエッチングした後、レジストを除去することにより、圧電素子２４が形成される。ついで、ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布によって絶縁膜を形成する。ＳＯＧを使用するのは、圧電薄膜は加熱されると、その特性が変化するおそれがあるので、加熱せずに絶縁膜を形成するためである。そして、レジストを塗布し、フォトリソグラフィでパターンを形成する。さらに、絶縁膜の中央部を除去して圧電素子２４を露出させた後、上部電極２３となる白金（Pt）薄膜をスパッタリングで蒸着する。
【００２４】
ついで、図７Ａないし図７Ｄに示すように、白金薄膜にレジストを塗布し、フォトリソグラフィによって上部電極２３のパターンを形成する。そして、不要な白金をエッチングして上部電極２３を形成し、レジストを除去する。さらに、レジストを塗布し、フォトリソグラフィで上部電極２２，下部電極２３間のＳＯＧによる絶縁膜をエッチングするためのパターンを形成する。
【００２５】
ついで、図８Ａないし図８Ｄに示すように、フォトリソグラフィによってＳＯＧによる絶縁膜をエッチングして除去し、上部電極２２，下部電極２３間の絶縁膜のパターンを形成した後、フォトレジストを除去する。そして、上部電極２３と後述する可動接点２５との間を絶縁する絶縁膜ＳｉＯ２をスパッタリングまたはＬＴＯによる方法で形成する。さらに、可動接点材料ＣｒおよびＡｕをスパッタリングで順次積層する。
【００２６】
そして、図９Ａないし図９Ｃに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィによってパターンを形成する。ついで、不要な可動接点材料をエッチングすることにより、可動接点２５および接続台部２６を形成した後、レジストを除去する。
【００２７】
さらに、図１０Ａないし図１０Ｃに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィによってパターンを形成する。そして、絶縁膜を除去して下部電極２２，上部電極２３の一端を露出させた後、レジストを除去することにより、可動片２０を備えた可動接点ブロック１０が完成する。
【００２８】
固定接点ブロック３０は、図１１Ａないし図１１Ｅに示すように、ガラスウエハ３１に出入力用スルーホール３２，３５および駆動用スルーホール３３，３４を形成する。そして、動作空間を確保するための凹部３１ａおよび固定接点３８，３９を配置するための凹部３１ｂを順次形成する。ついで、ガラスウエハ３１の凹部３１ａ，３１ｂに導電材を蒸着し、フォトリソグラフィによって不要な導電材をエッチングしてプリント配線３６，３７を形成する。さらに、導電材を蒸着し、フォトリソグラフィでエッチングすることにより、固定接点３８，３９および接続パッド３２ａ（図示せず），３３ａ，３４ａ，３５ａを形成し、固定接点ブロック３０が完成する。なお、接続パッド３３ａは、下部電極２２に電気接続するために肉厚となっている。
【００２９】
最後に、図２Ａないし図２Ｃに示すように、可動接点ブロック１０に固定接点ブロック３０を載置し、陽極接合することにより、組み立てが完了する。
【００３０】
本実施形態によれば、可動接点ブロック１０に設けた接続台部２６に、固定接点ブロック３０に設けたスルーホール３５の接続パッド３５ａが圧接する。このため、スルーホール３５と接続パッド３５ａとの接続が確実となり、接触信頼性が向上するという利点がある。なお、スルーホール３２も同様な構造となっている。
【００３１】
この第１実施形態にかかるマイクロリレーの動作について説明する。
まず、圧電素子２４に電圧が印加されていない場合、可動片２０は平坦なままであり、可動接点２５が一対の固定接点３８，３９から開離している。
【００３２】
ついで、上部電極２２，下部電極２３を介して圧電素子２４に電圧を印加すると、前記圧電素子２４が上方に湾曲する。このため、可動片２０が湾曲して可動接点２５を押し上げ、この可動接点２５が一対の固定接点３８，３９に接触して電気回路を閉成する。
【００３３】
そして、前記圧電素子２４に対する電圧の印加を解除すると、薄板状基材２１のばね力により、可動片２０が元の状態復帰し、可動接点２５が固定接点３８，３９から開離する。
【００３４】
なお、前記圧電素子としては、前述のものに限らず、電圧を印加すると、厚さ方向に変形し、電圧の印加を解除しても、その変形状態を維持する形状記憶圧電素子を利用してもよい。
【００３５】
また、前述の実施形態において、駆動を開始する臨界値近傍の圧縮応力を、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜等のシリコン化合物膜から得られるように設計しておけば、小さな入力で大きな変位を得ることができるという利点がある。ただし、シリコン化合物膜を形成する位置は、薄板状基材の片面に直接形成する場合に限らず、任意の位置に形成してもよい。
【００３６】
第２実施形態は、図１２Ａないし図１９に示すように、薄板状基材２１の熱膨張率と、その上面に金属材を積層して形成される駆動層２８の熱膨張率との差を利用して可動片２０を湾曲させ、接点を開閉する場合である。したがって、第２実施形態は、第１実施形態が圧電素子２４の厚さ方向の湾曲を利用して接点を開閉する点において第１実施形態と異なる。
【００３７】
ただし、第２実施形態は、前述の第１実施形態と同様、可動片２０を両端支持した可動接点ブロック１０と、固定接点ブロック３０とを陽極接合することにより、組み立てられる。
【００３８】
可動接点ブロック１０を構成するベース１１は、前述の第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３９】
可動片２０は、薄板状基材２１の表層部内に形成したヒータ層２７に、絶縁膜を介し、金属材を積層して駆動層２８を形成し、さらに、絶縁膜を介して可動接点２５を形成したものである。そして、前記ヒータ層２７の両端部には接続パッド２７ａ，２７ｂが露出している。
【００４０】
固定接点ブロック３０は、前述の第１実施形態と同様、ガラスウエハ３１に入出力用スルーホール３２，３５および駆動用スルーホール３３，３４を形成したものである。そして、前記入出力用スルーホール３２，３５はプリント配線３６，３７を介して固定接点３８，３９に電気接続されている。さらに、スルーホール３２，３３，３４，３５の下端部には、導電材からなる接続パッド３２ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａがそれぞれ形成されている。ただし、接続パッド３２ａ，３５ａは図示されていない。
【００４１】
次に、前述の構造を有するマイクロリレーの製造方法について説明する。
なお、説明の便宜上、図１３Ａないし図１９には、重要な部分のみを示す部分断面図とした。さらに、図１３Ａないし図１４Ｄに示すように、ベース１１に薄板状基材２１を形成するまでの工程は、前述の第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
したがって、図１５Ａないし図１５Ｄに示すように、薄板状基材２１にレジストを塗布してフォトリソグラフィでヒータ層２７となる部分のパターンを形成する。さらに、露出する薄板状基材２１の表層部内にＢ（ホウ素）イオンを注入する。ついで、フォトレジストを除去した後、注入したＢイオンを電気的に活性化して電気抵抗を増大させるために加熱する。
【００４３】
そして、図１６Ａないし図１６Ｄに示すように、ヒータ層２７を絶縁するためにＬＴＯ（低温成長酸化膜）を積層する。さらに、レジストを塗布し、フォトリソグラフィによってコンタクトホールのパターンを形成する。ついで、不要な酸化膜を除去してヒータ層２７のコンタクトホールを形成した後、レジストを除去する。ついで、その表面に駆動層２８および接続部２７ａ，２７ｂを形成する金属薄膜をスパッタリングで積層する。
【００４４】
さらに、図１７Ａないし図１７Ｄに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィで駆動層２８および接続部２７ａ，２７ｂを形成するためのパターンを形成する。そして、不要な金属薄膜をエッチングで除去して駆動層２８および接続部２７ａ，２７ｂを形成し、レジストを除去する。ついで、低温成長酸化膜からなる絶縁膜およびスパッタリングによる金属薄膜を順次積層する。
【００４５】
ついで、図１８Ａないし図１８Ｄに示すように、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィで可動接点２５および接続台部２６のパターンを形成し、金属薄膜の不要な部分をエッチングで除去した後、レジストを除去する。さらに、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィでヒータ層２７に接続するためのコンタクトホールのパターンを形成する。そして、絶縁膜のパターンニングにより、コンタクトホール上に位置する絶縁膜を除去し、接続部２７ａ，２７ｂを露出させる。
【００４６】
そして、図１９に示すように、フォトレジストを除去することにより、可動片２０を両端支持した可動接点ブロック１０が完成する。
【００４７】
一方、固定接点ブロック３０は、前述の第１実施形態とほぼ同様に処理して形成されるので、詳細な説明は省略する。
【００４８】
最後に、図１２Ｂに示すように、可動接点ブロック１０に固定接点ブロック３０を載置し、陽極接合で接合一体化することにより、組立作業が完了する。
【００４９】
本実施形態によれば、可動接点ブロック１０に設けた接続台部２６に、図示しないスルーホール３５の下端部に設けた接続パッド３５ａが圧接する。このため、スルーホール３５とプリント配線３７との接続が確実になり、接続信頼性が向上するという利点がある。なお、スルーホール３３も同様な構造となっている。
【００５０】
この第２実施形態の動作について説明する。
まず、ヒータ層２７に電圧が印加されていない場合、ヒータ層２７が発熱しない。このため、可動片２０は平坦なままであり、可動接点２５が一対の固定接点３８，３９から開離している。
【００５１】
ついで、接続部２７ａ，２７ｂを介してヒータ層２７に電圧を印加して加熱すると、前記ヒータ層２７の発熱によって駆動層２８が加熱され、膨張する。この駆動層２８は薄板状基材２１よりも熱膨張率が大きい。このため、可動片２０は上面が凸部となるように湾曲し、可動接点２５が一対の固定接点３８，３９に接触して電気回路を閉成する。
【００５２】
そして、前記ヒータ層２７に対する電圧の印加を解除し、発熱を停止すると、駆動層２８が収縮する。このため、薄板状基材２１のばね力によって可動片２０が元の状態に復帰し、可動接点２５が固定接点３８，３９から開離する。
【００５３】
本実施形態によれば、ヒータ層２７の発熱に基づいて膨張する駆動層２８の熱膨張率は、薄板状基材２１の熱膨張率よりも極めて大きい。このため、本実施形態によれば、応答特性がよく、大きな接点圧力が得られるという利点がある。
【００５４】
第３実施形態は、図２０Ａないし図２０Ｃに示すように、薄板状基材２１の熱膨張率と、前記薄板状基材２１の表層部内に形成したヒータ層２７の熱膨張率との差を利用する場合である。このため、第３実施形態は、第２実施形態が薄板状基材２１の熱膨張率と金属材からなる駆動層２８の熱膨張率との差を利用した点において前述の第２実施形態と異なる。なお、絶縁膜２９は、可動接点３０をヒータ層２７から絶縁するためのものである。
【００５５】
本実施形態の製造は、金属材からなる駆動層２８を設けない点を除き、前述の第２実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
【００５６】
この第３実施形態の動作について説明する。
まず、ヒータ層２７に電圧が印加されていない場合、ヒータ層２７が発熱しないので、可動片２０は平坦なままであり、可動接点２５が一対の固定接点３８，３９から開離している。
【００５７】
ついで、接続部２７ａ，２７ｂを介してヒータ層２７に電圧を印加すると、前記ヒータ層２７が発熱する。このため、ヒータ層２７自体が膨張するとともに、このヒータ層２７に加熱されて薄板状基材２１が膨張する。しかし、ヒータ層２７は、薄板状基材２１よりも熱膨張率が大きいので、可動片２０は上面が凸部となるように湾曲する。このため、可動接点２５が一対の固定接点３８，３９に接触して電気回路を閉成する。
【００５８】
そして、前記ヒータ層２７に対する電圧の印加を解除し、ヒータ層２７の発熱を停止すると、ヒータ層２７が収縮する。このため、薄板状基材２１のばね力によって可動片２０が元の状態に復帰し、可動接点２５が固定接点３８，３９から開離する。
【００５９】
本実施形態によれば、第２実施形態のように金属材からなる駆動層２８を設ける必要がなく、ヒータ層２７を駆動層に兼用できる。このため、第２実施形態よりも生産工程が少なく、生産性の高いマイクロリレーが得られるという利点がある。
【００６０】
前述の実施形態では、ヒータ層２７を薄板状基材２１の表層部内に形成する場合について説明したが、必ずしもこれに限らず、薄板状基材２１の表面にプラチナ，チタン等の金属材あるいはポリシリコンを積層して形成してもよい。
【００６１】
第４実施形態は、図２１に示すように、シリコン製ハンドルウエハ４０からなる箱形ベース４１の開口縁部に、シリコン製デバイスウエハ５０からなるカバー５１を接合一体化したものである。
【００６２】
前記箱形ベース４１は、熱酸化膜４３を形成した凹所４２の底面に、接続パッド４４、プリント配線４５および固定接点４６を左右対称に形成したものである。
【００６３】
一方、表裏面に酸化膜５２，５３を形成した前記カバー５１は、一対の平行なスリット５４，５４を形成することにより、可動片５５が切り出されている。この可動片５５には、平面略コ字形状の拡散抵抗からなるヒータ部５６が形成されている。このヒータ部５６の両端部は、前記酸化膜５２から露出する接続パッド５７，５７に接続されている。また、前記可動片５５の下面には、前記固定接点４６，４６に接離する可動接点５８が設けられている。さらに、前記カバー５１は、前記接続パッド４４，４４に対応する位置に接続用開口部５９，５９が形成されている。
【００６４】
次に、第４実施形態にかかるマイクロリレーの製造方法を、図２３Ａないし図２６Ｆについて説明する。
なお、図２３Ａないし図２６Ｆにおいて左側に示した断面図は図２２の２３Ａ−２３Ａ線断面図であり、右側に示した断面図は図２２の２３Ｂ−２３Ｂ線断面図を示す。
【００６５】
図２３Ａないし図２３Ｊに示すように、箱形ベース４１となるハンドルウエハ４０は、不純物タイプで面方位が任意なものであり、このハンドルウエハ４０の下面にアライメントマーク４７をウェットエチングあるいはドライエッチングで形成する（図２３Ｃ，２３Ｄ）。ついで、前記アライメントマーク４７をエッチングマスクに位置決めし、前記ハンドルウエハ４０の上面に凹所４２をウェットエチングあるいはドライエッチングで形成する（図２３Ｅ，２３Ｆ）。さらに、前記ウエハを熱酸化して酸化膜を形成した後、その外側面および下面の熱酸化膜を除去する（図２３Ｇ，２３Ｈ）。残存する酸化膜４３は、固定接点４６を絶縁するとともに、後述する低温接合を容易にするためのものである。そして、前記凹所４２の底面に位置する酸化膜４３の上面に接続パッド４４，プリント配線４５および固定接点４６を形成し、箱形ベース４１を得る（図２３Ｉ，２３Ｊ）。
【００６６】
前記固定接点４６等の形成方法としては、スパッタリング、蒸着等の半導体プロセス処理の他、スクリーン印刷法，鍍金法も可能である。なお、前記スクリーン印刷法は比較的厚い金属膜（１０μｍ前後）を形成できるので、固定接点４６等の形成には有利である。ただし、スクリーン印刷法では９００℃前後の焼結処理を必要とする。
【００６７】
また、前記固定接点４６等の材料としては、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄの単体またはこれらの化合物が挙げられる。
一方、図２４Ａないし図２４Ｈに示すように、可動片５５を形成するため、デバイスウエハ５０としてｐ型ＳＯＩウエハを使用する。まず、デバイスウエハ５０の下面側の薄いシリコン層にリンイオンを打ち込み、埋設された酸化膜５２に到達するまで拡散させることにより、ヒータ部５６を形成する（図２４Ｃ，２４Ｄ）。さらに、前記ウエハ５０全体に熱酸化膜を形成した後、下面の熱酸化膜５３だけを残して他の熱酸化膜を除去する（図２４Ｅ，２４Ｆ）。下面に残存する熱酸化膜５３は可動接点５８を絶縁するとともに、後述する低温接合を容易にするものである。そして、前記固定接点４６，４６と同様に、スパッタリング，蒸着等で前記酸化膜５３の下面に可動接点５８を形成する（図２４Ｇ，２４Ｈ）。
【００６８】
そして、図２５Ａおよび図２５Ｂに示すように、前記箱形ベース４１に前記デバイスウエハ５０を接合一体化する。
【００６９】
従来、約１０００℃の接合温度でシリコン同士を直接接合一体化していたが、本実施形態では、熱酸化膜４３，５３を介して接合一体化するので、４５０℃以下の低温で接合一体化できる。このため、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等の低融点の金属を接点材料に使用でき、設計の自由度が広がるという利点がある。
【００７０】
ついで、デバイスウエハ５０の上面に位置するシリコンをＴＭＡＨあるいはＫＯＨ等のアルカリエッチング液で除去する。このアルカリエッチング液は酸化膜エッチレートがシリコンエッチレートよりも極端に小さい。このため、膜厚精度の高い酸化膜／シリコン／酸化膜のサンドイッチ構造が得られる（図２５Ｃ，２５Ｄ）。
【００７１】
さらに、酸化膜５２のうち、接続パッド５７，５７を形成する部分を除去し、前記ヒータ部５６の端部を露出させる（図２５Ｅ，２５Ｆ）。そして、図２６Ａおよび図２６Ｂに示すように、ヒータ部５６と接続パッド５７との間におけるオーミック接触を得るため、露出させたヒータ部の端部にリンを打ち込む。ついで、Ａｌ，Ａｕ等で接続パッド５７，５７を形成する（図２６Ｃ，２６Ｄ）。最後に、前記酸化膜／シリコン／酸化膜を部分的に除去し、平行な一対のスリット５４，５４を形成して可動片５５を切り出すとともに（図２６Ｅ，２６Ｆ）、接続用開口部５９，５９を形成する（図２１）。この接続用開口部５９を介して接続パッド４４，４４がワイヤボンディングで外部に接続可能となる。
【００７２】
次に、前述の構造を有するマイクロリレーの動作について説明する。
駆動用接続パッド５７，５７に電流を入力していない場合には、ヒータ部５６が発熱せず、可動片５５が真直であるので、可動接点５８が固定接点４６，４６から開離している。
【００７３】
そして、前記駆動用接続パッド５７，５７に電流を入力すると、ヒータ部５６が発熱して可動片５５を加熱して膨張させる。このため、可動片５５が座屈して湾曲し、可動接点５８が固定接点４６，４６に接触する。
【００７４】
ついで、前述の電流の入力を除去すると、可動片５５の温度が低下して収縮する。このため、可動片５５が元の形状に復帰し、可動接点５８が固定接点４６，４６から開離する。
【００７５】
本実施形態によれば、ヒータ部５６が可動片５５の内部に形成され、さらに、その表裏面が酸化膜５２，５３で被覆されているので、熱損失が少ない。このため、応答特性が高いとともに、消費電力の少ないマイクロリレーが得られる。
【００７６】
本願発明の第５実施形態は、図２７に示すように、可動片５５の基部にアール５５ａを形成した場合である。応力集中を緩和し、耐久性が向上するという利点がある。
【００７７】
第６実施形態は、図２８および図２９に示すように、可動片５５を除いたカバー５１の上面にドライエッチングで冷却用フィン５１ａを形成した場合である。例えば、多数のマイクロリレーを並設した場合に、外部からの熱の干渉を防止し、動作特性にバラツキが生じるのを防止できるという利点がある。
【００７８】
なお、可動片５５の上面だけにフィン５１ａを設けてもよく、あるいは、カバー５１の上面全体にフィン５１ａを設けてもよい。
【００７９】
第７実施形態は、図３０に示すように、可動片５５に、可動接点５８を囲む一対の略コ字形のスリット５５ｂ，５５ｂを設けることにより、一対のヒンジ部５５ｃ，５５ｃを形成し、前記可動接点５８を回動可能に支持する場合である。
【００８０】
本実施形態によれば、前記可動接点５８が固定接点４６，４６に接触するときに、前記ヒンジ部５５ｃ，５５ｃを介して可動接点５８が回転する。このため、固定接点４６，４６に対する可動接点５８の片当たりがなくなり、接触信頼性が向上するという利点がある。
【００８１】
第８実施形態によれば、図３１に示すように、可動片５５の基部をシリコン酸化物，シリコン窒化物からなるシリコン化合物部５５ｄ，５５ｅで仕切る場合である。このため、本実施形態では、接続パッド５７，５７がシリコン化合物部５５ｅの上面を乗り越えてヒータ部５６まで延在している。
【００８２】
一般に、シリコン，シリコン酸化膜，シリコン窒化膜の熱伝導率は、それぞれ１．４１２Ｗ／（ｃｍＫ），０．０１４Ｗ／（ｃｍＫ），０．１８５Ｗ／（ｃｍＫ）である。シリコン酸化膜，シリコン窒化膜の熱伝導率はシリコンの熱伝導率よりも極めて小さい。このため、可動片５５のヒータ部５６が発熱しても、前記シリコン化合物部５５ｄ，５５ｅが外部への熱伝導による熱の拡散を防止する。この結果、応答特性に優れ、節電型のマイクロリレーが得られるという利点がある。
【００８３】
第９実施形態は、図３２に示すように、可動片５５の基部近傍にシリコン化合物部５５ｄ，５５ｅを形成した場合である。特に、接続パッド５７近傍のシリコン化合物部５５ｅは不連続となっている。
【００８４】
第１０実施形態は、図３３に示すように、接続用開口部５９，５９の内側面から露出するシリコン層を絶縁膜５９ａでそれぞれ被覆した場合である。
【００８５】
本実施形態によれば、信号用接続パッド４４，４４にワイヤボンディングしたワイヤがカバー５１のシリコン層に接触することがなく、駆動用電源に干渉されないという利点がある。
第１１実施形態は、図３４に示すように、前述の第１実施形態とほぼ同様であり、異なる点は、可動片２０の表裏面に可動接点２５，２５を設けた場合である。他は前述の実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
【００８６】
第１２実施形態は、図３５に示すように、前述の第１実施形態とほぼ同様である。異なる点は、可動片２０を固定接点３８，３９側に予め湾曲するように付勢することにより、可動接点２５を固定接点３８，３９に接触させ、常時閉成のマイクロリレーとした点である。
【００８７】
このため、復帰状態で可動接点２５が一対の固定接点３８，３９に常時接触している。そして、前述の実施形態のように駆動手段を駆動すると、付勢力に抗して可動片２０が反転し、可動接点２５が固定接点３８，３９から開離する。ついで、駆動手段の駆動を停止すると、可動片２０自身の付勢力によって可動片２０が反転し、可動接点２５が固定接点３８，３９に接触して元の状態に復帰する。
【００８８】
本実施形態によれば、動作していない場合であっても、可動接点２５が固定接点３８，３９に接触しているので、消費電力が少ない節電型マイクロリレーが得られる。
【００８９】
なお、可動接点２５を可動片２０の表裏面に設けることにより、複数の電気回路を交互に開閉してもよい。
【００９０】
第１３実施形態は、図３６に示すように、基材２０の表面に設けた２つの可動接点２５ａ，２５ｂで異なる電気回路を交互に開閉する場合である。
すなわち、可動片２０を構成する薄板状基材２１の両側縁部の略中央部から同一軸心上に回動軸２１ｂ，２１ｂを突設し、さらに、この回動軸２１ｂ，２１ｂをベース１１に一体化してある。
【００９１】
そして、可動片２０の片側半分２０ａが下方に凸形状となるように予め湾曲させて付勢してある一方、残る片側半分２０ｂが上方に凸形状となるように予め湾曲させて付勢してある。
【００９２】
したがって、駆動手段の駆動前においては可動接点２５ａが一対の固定接点３８ａ，３９ａから開離している一方、可動接点２５ｂが一対の固定接点３８ｂ，３９ｂに接触している。
【００９３】
そして、駆動手段を駆動すると、可動片２０の片側半分２０ａが上方に凸形となるように反転し、可動接点２５ａが一対の固定接点３８ａ，３９ａに接触する。これと同時に、可動片２０の片側半分２０ｂが下方に凸形となるように反転し、可動接点２５ｂが一対の固定接点３８ｂ，３９ｂから開離する。
【００９４】
さらに、前記駆動手段の駆動を停止すると、可動片２０が自己のばね力によって元の状態に復帰する。このため、可動接点２５ａが一対の固定接点３８ａ，３９ａから開離する。一方、可動接点２５ｂが一対の固定接点３８ｂ，３９ｂに接触する。
【００９５】
なお、本実施形態は、可動片２０の上面に２個の可動接点２５ａ，２５ｂを配置した場合であるが、必ずしもこれに限らない。可動片２０の表裏面に２個ずつ可動接点を設けることにより、４つの電気回路を同時に開閉してもよい。
【００９６】
前述の第１実施形態から第１３実施形態における駆動手段としては、通常の圧電素子、形状記憶圧電素子、ヒータ層単体、ヒータ層と金属材からなる駆動層との組み合わせ、あるいは、拡散抵抗からなるヒータ部のいずれかを、必要に応じて選択できることは勿論である。
【００９７】
また、前述の実施形態によれば、可動接点にプリント配線を施す必要がなく、固定接点のみにプリント配線を形成するだけでよい。このため、製造工数が少なく、生産性の高いマイクロリレーが得られる。
さらに、前述の実施形態によれば、可動片にプリント配線を行う必要がなく、可動片に反りが生じても、プリント配線に断線が生じないので、寿命が長い。
そして、前述の実施形態では、接点構造がいわゆるダブルブレイクとなるので、絶縁特性が良いという利点がある。
【００９８】
ついで、前記可動片は真空中あるいはネオン，アルゴン等の不活性ガスを充填した雰囲気中において駆動することにより、接点開閉時に生じる絶縁物の発生を防止してもよい。
【００９９】
（実施例１）
可動片を構成するシリコンウエハからなる厚さ２０μｍの薄板状基材の上面に、厚さ１．４μｍの酸化膜、厚さ０．３μｍの下部電極、厚さ２μｍの圧電素子、および、厚さ０．３μｍの上部電極を順次積層し、全体厚さ２４μｍ、スパン４ｍｍ、巾０．８ｍｍの大きさを有する可動片からなるマイクロリレーについて、印加電圧に対する接触荷重および変位量を計算した。計算結果を図３７Ａおよび図３７Ｂに示す。
図３７Ａおよび図３７Ｂによれば、圧電素子に対する印加電圧を制御するだけで所定の接点圧力，変位が得られることが判る。
【０１００】
（実施例２）
可動片を構成するシリコンウエハからなる厚さ２０μｍの薄板状基材の表層部内に深さ３μｍのヒータ層を形成し、かつ、このヒータ層の上面に厚さ１．１μｍの絶縁性酸化膜を形成し、全体厚さ２１．１μｍ、スパン４ｍｍ、巾０．８ｍｍの大きさを有する可動片からなるマイクロリレーについて、印加電圧に対する接触荷重および変位量を計算した。計算結果を図３８Ａおよび図３８Ｂに示す。
【０１０１】
図３８Ａおよび図３８Ｂによれば、印加電圧を制御し、ヒータ層の発熱を調整するだけで所定の変位，接点圧力が得られることが判る。
【０１０２】
次に、第２の目的を達成するマトリックスリレーを示す第１４ないし第１７実施形態を図３９Ａないし図４５の添付図面に従って説明する。
第１４実施形態は、図３９Ａないし図４１Ｂに示すように、ベース１１０に、可動片ユニット１２０、および、カバー１４０を順次積み重ね、接合一体化したマトリックスリレーである。
【０１０３】
前記ベース１１０は、シリコンウエハ１１０ａの上面に４本の浅溝１１１，１１２，１１３，１１４を所定のピッチで並設したものである。
【０１０４】
前記可動片ユニット１２０は、方形枠状シリコンウエハ１２０ａに第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４を架け渡すように形成することにより、絶縁状態で並設したものである。そして、第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４は単結晶の薄板状基材１２５の上面に絶縁膜１２６を積層し、さらに、下部電極１２７、圧電素子１２８および上部電極１２９を順次積層してある。また、前記絶縁膜１２６の中央部には可動接点１３０が絶縁状態で配置されている。
【０１０５】
そして、前記ベース１１０に可動片ユニット１２０を積み重ねて接合一体化することにより、前記第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４は前記浅溝１１１，１１２，１１３，１１４の上方に位置するとともに、その両端を前記ベース１１０の開口縁部にそれぞれ固定支持されることになる。
【０１０６】
なお、図３９Ｂにおいて、下部電極１２７、圧電素子１２８および上部電極１２９が、可動接点１３０で分断されているように図示されているが、左右の下部電極１２７、圧電素子１２８および上部電極１２９はそれぞれ電気接続されている。
【０１０７】
前記カバー１４０は、ガラスウエハ１４０ａの下面に内部空間となる深溝１４１，１４２，１４３，１４４を所定のピッチで並設し、この深溝１４１，１４２，１４３，１４４の天井面のうち、前記可動接点１３０に対応する位置に一対の固定接点１４５，１４６をそれぞれ設けてある。
【０１０８】
各固定接点１４５は、前記ガラスウエハ１４０ａの下面に沿って形成したプリント配線（図示せず）を介し、ガラスウエハ１４０ａに設けたスルーホール１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａにそれぞれ接続され、カバー１４０の表面に引き出されている。
【０１０９】
同様に、各固定接点１４６は、前記ガラスウエハ１４０ａの下面に沿って形成したプリント配線１５１，１５２，１５３，１５４を介し、ガラスウエハ１４０ａに設けたスルーホール１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂにそれぞれ接続され、カバー１４０の表面において電気接続可能となっている。
【０１１０】
そして、前記スルーホール１６１ａ，１６２ａはプリント配線１５５を介して入力用第１接続パッド１７０に電気接続され、前記スルーホール１６３ａ，１６４ａはプリント配線１５６を介して入力用第２接続パッド１７１に電気接続されている。さらに、前記スルーホール１６１ｂ，１６３ｂはプリント配線１５７を介して出力用第１接続パッド１７２に電気接続されている。また、前記スルーホール１６２ｂ，１６４ｂはプリント配線１５８を介して出力用第２接続パッド１７３に電気接続されている。
【０１１１】
また、４つの下部電極１２７は、カバー１４０に設けた駆動用共通スルーホール１８０に電気接続されている。一方、４つの上部電極１２９は、カバー１４０に設けた駆動用スルーホール１８１，１８２，１８３，１８４にそれぞれ電気接続されている。
【０１１２】
したがって、図４１Ａ，４１Ｂの回路図における入力１，２、および、出力１，２が、前記接続パッド１７０，１７１、および、接続パッド１７２，１７３にそれぞれ対応する。
【０１１３】
また、図４１Ａ，４１ＢにおけるＲｙ１，２，３，４が、前記第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４からなるリレーにそれぞれ対応する。
【０１１４】
次に、前述の構造を有するマトリックスリレーの動作について説明する。
まず、第１可動片１２１の下部電極１２７，上部電極１２９に電圧が印加されていない場合、圧電素子１２８が励起されず、第１可動片１２１は平坦なままであり、その可動接点１３０は固定接点１４５，１４６から開離している。
【０１１５】
そして、駆動用共通スルーホール１８０および駆動用スルーホール１８１を介し、圧電素子１２８が上方に湾曲するように電圧を印加すると、薄板状基材１２５のばね力に抗して第１可動片１２１が上方に湾曲する。このため、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６に接触し、スルーホール１６１ａ，１６１ｂからプリント配線１５５，１５７を介し、接続パッド１７０，１７２が相互に導通する。
【０１１６】
さらに、前述の電圧の印加を解除すると、薄板状基材１２５のばね力によって第１可動片１２１が元の状態に復帰し、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６から開離する。
【０１１７】
以後、同様に、スルーホール１８０，１８２を介し、第２可動片１２２の圧電素子１２８が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第２可動片１２２が上方に湾曲する。このため、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６に接触し、スルーホール１６２ａ，１６２ｂからプリント配線１５５，１５８を介し、接続パッド１７０，１７３が相互に導通する。
【０１１８】
また、スルーホール１８０，１８３を介し、第３可動片１２３の圧電素子１２８が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第３可動片１２３が上方に湾曲する。このため、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６に接触し、スルーホール１６３ａ，１６３ｂからプリント配線１５６，１５７を介し、接続パッド１７１，１７２が相互に導通する。
【０１１９】
さらに、スルーホール１８０，１８４を介し、第４可動片の圧電素子１２８が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第４可動片１２４が上方に湾曲する。このため、可動接点３０が固定接点１４５，１４６に接触し、スルーホール１６４ａ，１６４ｂからプリント配線１５６，１５８を介し、接続パッド１７１，１７３が相互に導通する。
【０１２０】
前述の第１４実施形態では、印加電圧を解除すると、元の状態に復帰する通常の圧電素子１２８を利用する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、印加電圧を解除しても、変形状態を維持し、逆方向に電圧を印加した場合に元の状態に復帰する形状記憶圧電素子を使用することにより、いわゆるラッチングタイプのマトリックスリレーとしてもよい。
【０１２１】
第１５実施形態は、図４２Ａ，図４２Ｂおよび図４３に示すように、前述の第１実施形態とほぼ同様であり、異なる点は、第１実施形態が圧電素子２８の変形を利用する場合であるのに対し、第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４の熱膨張による変形を利用する点である。
【０１２２】
すなわち、第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４は、単結晶からなる薄板状基材１２５の表面にホウ素等を打ち込んで電気抵抗を大きくしたヒータ層１３１と、絶縁膜１３２を介し、金属材を積層して形成した駆動層１３３とからなるものである。そして、前記絶縁膜１３２の中央部には、可動接点１３０が絶縁状態で配置されている。
【０１２３】
次に、第１５実施形態にかかるマトリックスリレーの動作について説明する。
例えば、図４２Ａおよび図４２Ｂに示すように、第３可動片１２３のヒータ層１３１に電流が流れていない場合、ヒータ層１３１が発熱しないので、駆動層１３３は膨張しない。このため、第１可動片１２１は平坦なままであり、その可動接点１３０は固定接点１４５，１４６から開離している。
【０１２４】
そして、駆動用共通スルーホール１８０および駆動用スルーホール１８３を介してヒータ層１３１に電流を流すと、ヒータ層１３１が発熱し、薄板状基材１２５および駆動層１３３を加熱する。しかし、薄板状基材１２５の熱膨張係数よりも駆動層１３３の熱膨張係数の方が極めて大きいので、薄板状基材１２５のばね力に抗して第３可動片１２３が上方に湾曲する。このため、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６に接触する。この結果、スルーホール１６３ａ，１６３ｂからプリント配線１５６，１５７を介して接続パッド１７０，１７２が相互に導通する。
【０１２５】
さらに、前述の電圧の印加を解除すると、薄板状基材１２５のばね力によって第３可動片１２３が元の状態に復帰し、可動接点１３０が固定接点１４５，１４６から開離する。
【０１２６】
なお、他の第１，第２，第４可動片１２１，１２２，１２４の動作は、前述の第１４実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１２７】
また、各可動片は駆動手段としてヒータ層だけを形成してもよい。さらに、前記ヒータ層は、薄板状基材の表面にプラチナ，チタン等の金属材あるいはポリシリコンを積層して形成してもよい。
【０１２８】
前述の実施形態では、４つの可動片を並設したマトリックスリレーについて説明したが、必ずしもこれに限らず、図４４に示す第１６実施形態あるいは図４５に示す第１７実施形態のように、４つ以上の可動片を並設したマトリックスリレーに適用してもよいことは勿論である。この場合における各固定接点の接続方法としては、例えば、カバーに設けたスルーホールを介し、カバーの表面に多層構造のプリント配線を形成して接続する方法がある。
【０１２９】
次に、第３の目的を達成する電子部品を示す第１８実施形態を、図４６および図４７の添付図面に従って説明する。
本実施形態はマイクロリレーに適用した場合であり、マイクロリレーチップ２１０と、箱形の基台２３０と、ヒートシンク２４０とからなるものである。
【０１３０】
前記マイクロリレーチップ２１０は、並設した５つの接点機構を内蔵するもので、片面に凹部２１２を形成したシリコン単結晶からなるベース２１１と、このベース２１１の開口縁部に両端を固定支持した可動片２１３と、前記ベース２１１に陽極接合で一体化したガラスウエハ２２１からなるカバー２２０とで構成されている。
【０１３１】
前記可動片２１３は、シリコン単結晶からなる薄板状基材２１４の片側表層部内にホウ素等を打ち込んで電気抵抗値を大きくしたヒータ層２１５に、絶縁膜２１６を介し、金属材からなる駆動層２１７を積層したものである。さらに、前記絶縁膜２１６の中央部には、可動接点２１８が絶縁状態で配置されている。
【０１３２】
カバー２２０は、ガラスウエハ２２１の片面に設けた凹部２２２の底面に、一対の固定接点２２３，２２４を形成したものである。
【０１３３】
前記固定接点２２３，２２４は、図示しない入出力用スルーホールを介してガラスウエハ２２１の表面に引き出され、その表面に設けたプリント配線２２５，２２６を介して基台２３０の入出力用外部端子２３１，２３２（図４６中、奥側に位置する外部端子２３１は図示せず）に電気接続されている。
【０１３４】
さらに、ガラスウエハ２２１には、前記可動片２１３のヒータ層２１５に電気接続するスルーホール２２７，２２８が形成されている。このスルーホール２２７，２２８は後述する基台２３０の駆動用入力端子２３３，２３４にそれぞれ電気接続される。
【０１３５】
次に、本実施形態にかかるマイクロリレーの組立方法について説明する。
まず、図示しないリードフレームにプレス加工を施し、入出力用外部端子２３１および駆動用外部端子２３３を交互に櫛歯状に打ち抜くとともに、入出力用外部端子２３２および駆動用外部端子２３４も同様に形成する。そして、前記外部端子２３１ないし２３４の自由端部に、マイクロチップ２１０の図示しない入出力用スルーホールおよび駆動用スルーホール２２７，２２８をそれぞれ位置決めし、電気接続する。
【０１３６】
ついで、一対の金型でマイクロリレーチップ２１０を挾持し、ベース２１１の底面が露出するように基台２３０を一体成形する。
【０１３７】
さらに、前記基台２３０の上面に形成した環状段部２３５に、熱伝導率の大きい銅，アルミニウム，真鍮等の板状ヒートシンク２４０を嵌め込んだ後、前記外部端子２３１ないし２３４をリードフレームから切り離した後、その先端部を屈曲することにより、組立作業が完了する。
【０１３８】
前述の構成からなるマイクロリレーの動作について説明する。
駆動用外部端子２３３，２３４から可動片２１３のヒータ層２１５に電流が流れていない場合、可動片２１３は平坦なままであり、可動接点２１８は一対の固定接点２２３，２２４から開離している。
【０１３９】
ついで、駆動用外部端子２３３，２３４を介して駆動用スルーホール２２７，２２８からヒータ層２１５に電流が流れると、ヒータ層２１５が発熱し、薄板状基材２１４および駆動層２１７が熱膨張する。そして、駆動層２１７の熱膨張率は薄板状基材２１４の熱膨張率よりも極めて大きいので、可動片２１３は固定接点２２３，２２４側に湾曲する。ついで、可動接点２１８が一対の固定接点２２３，２２４に接触して電気回路を閉成する。
【０１４０】
そして、前述の電流を断ってヒータ層２１５の発熱を停止すると、薄板状基材２１４および駆動層２１７が冷えて収縮する。このため、可動片２１３が元の状態に復帰し、可動接点２１８が固定接点２２３，２２４から開離する。
【０１４１】
前述の実施形態では、外部端子２３１，２３２，２３３，２３４と、ヒートシンク２４０とを部材で構成する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、リードフレームから外部端子およびヒートシンクを同時に打ち抜いて屈曲し、外部端子とヒートシンクとの間にマイクロリレーチップを位置決めし電気接続した後、樹脂モールドしてもよい。
【０１４２】
また、前述の実施形態ではマイクロリレーチップに適用する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、内部構成部品が発熱する他の電子部品チップに適用してもよいことは勿論である。
【０１４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる電子部品によれば、ガラス材よりも熱伝導率の高いシリコン材からなるベースの底面が露出しているので、放熱しやすく、熱による誤動作，動作特性の変化を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本願発明にかかるマイクロリレーの第１実施形態を示す概略断面図である。
【図２】  図２Ａは、図１に示したマイクロリレーの詳細な平面図、図２Ｂは、その分解断面図、図２Ｃは、接合した状態を示す図２Ａの２Ｃ−２Ｃ線断面図である。
【図３】  図３Ａないし図３Ｅは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図４】  図４Ａないし図４Ｄは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図５】  図５Ａないし図５Ｄは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図６】  図６Ａないし図６Ｄは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図７】  図７Ａないし図７Ｄは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図８】  図８Ａないし図８Ｄは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図９】  図９Ａないし図９Ｃは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１０】  図１０Ａないし図１０Ｃは、図１で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１１】  図１１Ａないし図１１Ｅは、図１で示した固定接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１２】  図１２Ａは、本願発明にかかるマイクロリレーの第２実施形態を示す平面図、図１２Ｂは、その分解断面図、図１２Ｃは、その接合した状態を示す図１２Ａの１２Ｃ−１２Ｃ線断面図である。
【図１３】  図１３Ａないし図１３Ｅは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１４】  図１４Ａないし図１４Ｄは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１５】  図１５Ａないし図１５Ｄは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１６】  図１６Ａないし図１６Ｄは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１７】  図１７Ａないし図１７Ｄは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１８】  図１８Ａないし図１８Ｄは、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図１９】  図１９は、図１２Ａないし図１２Ｃで示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。
【図２０】  図２０Ａは、本願発明にかかるマイクロリレーの第３実施形態を示す平面図、図２０Ｂは、その分解断面図、図２０Ｃは、その接合した状態を示す図２０Ａの２０Ｃ−２０Ｃ線断面図である。
【図２１】  図２１は、本願発明にかかるマイクロリレーの第４実施形態を示す斜視図である。
【図２２】  図２２は、図２１で示したマイクロリレーの平面図である。
【図２３】  図２３Ａないし図２３Ｊは、図２１で示したマイクロリレーのハンドルウエハの製造工程を示す断面図である。
【図２４】  図２４Ａないし図２４Ｈは、図２１で示したマイクロリレーのデバイスウエハの製造工程を示す断面図である。
【図２５】  図２５Ａないし図２５Ｆは、図２３Ａないし図２４Ｊに示したウエハを接合した後の製造工程を示す断面図である。
【図２６】  図２６Ａないし図２６Ｆは、図２３Ａないし図２４Ｊに示したウエハを接合した後の製造工程を示す断面図である。
【図２７】  図２７は、本願発明にかかるマイクロリレーの第５実施形態を示す平面図である。
【図２８】  図２８は、本願発明にかかるマイクロリレーの第６実施形態を示す斜視図である。
【図２９】  図２９は、図２８で示したフィンの拡大斜視図である。
【図３０】  図３０は、本願発明にかかるマイクロリレーの第７実施形態を示す平面図である。
【図３１】  図３１は、本願発明にかかるマイクロリレーの第８実施形態を示す平面図である。
【図３２】  図３２は、本願発明にかかるマイクロリレーの第９実施形態を示す平面図である。
【図３３】  図３３は、本願発明にかかるマイクロリレーの第１０実施形態を示す斜視図である。
【図３４】  図３４は、本願発明にかかるマイクロリレーの第１１実施形態を示す断面図である。
【図３５】  図３５は、本願発明にかかるマイクロリレーの第１２実施形態を示す断面図である。
【図３６】  図３６は、本願発明にかかるマイクロリレーの第１３実施形態を示す断面図である。
【図３７】  図３７Ａは、圧電素子を利用したマイクロリレーの理論的動作特性、特に、印加電圧と接触荷重との関係を示を示すグラフ図であり、図３７Ｂは、印加電圧と変位との関係を示すグラフ図である。
【図３８】  図３８Ａは、ヒータ層を駆動層に兼用したマイクロリレーの理論的動作特性、特に、温度上昇と接触荷重との関係を示すグラフ図であり、図３８Ｂは、温度上昇と変位との関係を示すグラフ図である。
【図３９】  図３９Ａは、マトリックスリレーであるマイクロリレーの第１４実施形態を示す平面図、図３９Ｂは、図３９Ａの３９Ｂ−３９Ｂ線断面図である。
【図４０】  図４０は、図３９Ａの４０−４０線断面図である。
【図４１】  図４１Ａは、図３９Ａおよび図３９Ｂのマトリックスリレーの回路を示すマトリックス回路図、図４１Ｂは図４１Ａを見やすくするために書き換えた回路図である。
【図４２】  図４２Ａは、本願発明にかかるマトリックスリレーの第１５実施形態を示す平面図、図４２Ｂは、図４２Ａの４２Ｂ−４２Ｂ線断面図である。
【図４３】  図４３は、図４２Ａの４３−４３線断面図である。
【図４４】  図４４は、マトリックスリレーを構成する並設した多数の可動片を示す第１６実施形態の斜視図である。
【図４５】  図４５は、多数のリレー素子からなる第１７実施形態にかかるマトリックスリレーの回路図である。
【図４６】  図４６は、本願発明にかかる電子部品を示す第１８実施形態の斜視図である。
【図４７】  図４７は、図４６に示した電子部品の横断面図である。
【符号の説明】
２１０…マイクロリレーチップ、２１１…ベース、２１３…可動片、２１４…薄板状基材、２１５…ヒータ層、２２０…カバー、２２３，２２４…固定接点、２２７，２２８…スルーホール、２３０…基台、２３１，２３２…入出力用外部端子、２３３，２３４…駆動用外部端子、２４０…ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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