(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたマイクロ波ストリップ線路フィルタであって、
長方形状のマイクロストリップラインエレメントと、入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとからなる複合型エレメントを前記基板上に複数組平行に配置し、接続して形成されるローパスフィルタと、
前記基板上のローパスフィルタと同一基板上に形成され、直列接続される半波長バンドパスフィルタとを備え、
前記入力側マイクロストリップラインは、前記長方形状のマイクロストリップラインエレメントの一方側長辺の一端側に接続され、
前記出力側マイクロストリップラインは、前記長方形状のマイクロストリップラインエレメントの他方側長辺の他端側に接続され、
隣接するマイクロストリップラインエレメントの入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとが反転して形成され、
前記半波長バンドパスフィルタは、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントを平行に所定間隔を隔てて一定角度傾斜させ、かつそれぞれの長さ方向が隣接するマイクロストリップラインエレメントの半分の長さに対向して配置され、
前記基板上には、前記ローパスフィルタを形成する前記複数組の複合型エレメントが配列方向の中心線に対して左右対称に配置されるようにパターンが形成され、
前記ローパスフィルタを形成する前記複数組の複合型エレメントが形成されるパターン間を遮断するように前記基板上の前記中心線上に設けられたリブと、
前記パターンを覆う金属カバーとをさらに備える、マイクロ波ストリップ線路フィルタ。
【請求項２】
前記複数のマイクロストリップラインエレメントは、長辺側の長さが異なることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ波ストリップ線路フィルタ。
【請求項３】
前記複数のマイクロストリップラインエレメントは、入出力インピーダンス特性と帯域内通過特性と帯域外減衰特性が所望の特性となるように、両端のマイクロストリップラインエレメントに比べて内側のマイクロストリップラインエレメントの長辺側の長さが短く形成されることを特徴とする、請求項２に記載のマイクロ波ストリップ線路フィルタ。
【請求項４】
前記複数のマイクロストリップラインエレメントのそれぞれを接続する入力側マイクロストリップラインと出力側マイクロストリップラインの幅が、入出力インピーダンス特性と帯域内通過特性と帯域外減衰特性が所望の特性となるように選ばれることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のマイクロ波ストリップ線路フィルタ。
【請求項５】
中間周波信号を高周波信号に変換して送信する高周波送信機において、
前記中間周波信号と局部発振信号とを混合する混合回路と、
前記混合回路の出力に接続されるフィルタ回路と、
前記フィルタ回路の出力に接続される高周波増幅回路とを備え、
前記フィルタ回路は、基板上に形成されたマイクロ波ストリップ線路フィルタであって、
長方形状のマイクロストリップラインエレメントと、入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとからなる複合型エレメントを前記基板上に複数組平行に配置し、接続して形成されるローパスフィルタと、
前記基板上のローパスフィルタと同一基板上に形成され、直列接続される半波長バンドパスフィルタとを含み、
前記入力側マイクロストリップラインは、前記長方形状のマイクロストリップラインエレメントの一方側長辺の一端側に接続され、
前記出力側マイクロストリップラインは、前記長方形状のマイクロストリップラインエレメントの他方側長辺の他端側に接続され、
隣接するマイクロストリップラインエレメントの入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとが反転して形成され、
前記半波長バンドパスフィルタは、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントを平行に所定間隔を隔てて一定角度傾斜させ、かつそれぞれの長さ方向が隣接するマイクロストリップラインエレメントの半分の長さに対向して配置され、
前記基板上には、前記ローパスフィルタを形成する前記複数組の複合型エレメントが配列方向の中心線に対して左右対称に配置されるようにパターンが形成され、
前記ローパスフィルタを形成する前記複数組の複合型エレメントが形成されるパターン間を遮断するように前記基板上の前記中心線上に設けられたリブと、
前記パターンを覆う金属カバーとをさらに含む、ことを特徴とする、高周波送信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はマイクロ波ストリップ線路フィルタおよびこれを用いた高周波送信機に関し、特に、不要輻射を除去するためのローパスフィルタを構成するマイクロ波ストリップ線路フィルタおよびこれを用いた高周波送信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高周波を用いた無線通信市場は放送衛星、通信衛星など多くのシステムで飛躍的な発展を遂げている。それと同時にインターネットの発達により双方向通信の需要が日を追って高まっている。
【０００３】
図１１は衛星通信を介して双方向通信するシステムの概念図である。図１１において、ＩＤＵ（ＩＮ  ＤＯＯＲ  ＵＮＩＴ）１はテレビ受像機に内蔵されるか、あるいはパーソナルコンピュータ内のボードに収納されており、通信衛星２を介して放送局との間で双方向に通信するための信号処理する。ＩＤＵ１には送信用同軸ケーブル３を介して高周波送信機４が接続されるとともに、受信用同軸ケーブル５を介してＬＮＢ（ＬＯＷ  ＮＯＩＳＥ  ＢＬＯＣＫＤＯＷＮ  ＣＯＮＶＥＲＴＥＲ）６が接続されている。
【０００４】
高周波送信機４とＬＮＢ６は直交偏波分離器７を介してフィードホーン８に結合されており、高周波送信機４からの送信信号はフィードホーン８からマイクロ波として放射され、パラボラアンテナ９で反射されて通信衛星２に向けて送信され、通信衛星２からのマイクロ波はパラボラアンテナ９で反射されフィードホーン８を介してＬＮＢ６で受信される。
【０００５】
図１２は図１１に示したシステムに用いられる高周波送信機のブロック図である。図１２において、高周波送信機４には図１１に示したＩＤＵ１から周波数９５０〜１４５０ＭＨｚの中間周波信号が直流電圧に重畳されて与えられる。この中間周波信号はハイパスフィルタ（ＨＰＦ）４０１を介してＩＦアンプ４０２に与えられて利得が確保された後、アッテネータ４０３で適正なレベルに調整され、さらにＩＦアンプ４０４で増幅され、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）４０５を介してミキサ回路４０６に入力される。
【０００６】
局部発振回路４０７は１３．０５ＧＨｚの局部発振信号を発生し、バッファアンプ４０８を介してミキサ回路４０６に与える。ミキサ回路４０６は１３．０５ＧＨｚの局部発振信号と、９５０〜１４５０ＭＨｚの中間周波信号とをミキシングして、中間周波信号を１４．０〜１４．５ＧＨｚの高周波信号に周波数変換する。ミキサ回路４０６から出力される高周波信号は半波長バンドパスフィルタ４０９に入力され、ミキサ回路４０６で発生する不要輻射成分（スプリアス成分）が減衰された後、２つの高周波増幅回路４１０，４１１で増幅されて大きなゲインが得られる。
【０００７】
高周波増幅回路４１１の出力はバンドパスフィルタ４１２によって増幅されたスプリアス成分が減衰され、ドライバーアンプ４１３に与えられてさらに利得が稼がれる。ドライバーアンプ４１３の出力は受信帯域ノイズフィルタ４１４に与えられ、受信周波数帯域のノイズレベルが雑音レベル程度まで抑えられる。そして、パワーアンプ４１５によって高周波信号が衛星ヘ送信するために必要な高い電力の信号となる。パワーアンプ４１５から出力される高周波信号は、パワーアンプ４１５のゲインによって熱雑音レベルから上昇している受信周波数帯域のノイズレベルを再び減衰させる受信帯域ノイズフィルタ４１６を介して高周波送信機４から図１１に示したフィードホーン８からマイクロ波として放射され、パラボラアンテナ９で反射されて通信衛星２に向けて送信される。
【０００８】
なお、中間周波信号の重畳された直流電圧はインダクタＬを介して電源回路４２１に与えられる、インダクタＬは中間周波信号が電源回路４２１に入力されるのを阻止する。電源回路４２１は与えられた直流電圧を所定の電圧に変換し、電源供給順序回路４２２に与え、電源供給順序回路４２２は直流電圧をＩＦアンプ４０２，４０４、ミキサ回路４０６、局部発振回路４０７、バッファアンプ４０８、高周波増幅回路４１０，４１１、ドライバーアンプ４１３、およびパワーアンプ４１５に供給する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
図１２に示した高周波送信機４において、入力の中間周波信号が−５ｄＢｍ〜−２５ｄＢｍの範囲内でレベル変動しても出力レベルが変動しないようにＩＦアンプ４０２，４０４の利得およびアッテネータ４０３の減衰量が設定される。ＩＦアンプ４０２，４０４は−５ｄＢｍ程度の高いレベルの信号が入力されても所定のレベルで出力するために、飽和領域で使用して信号成分を歪ませている。しかしながら、信号成分を歪ませると、高調波成分が発生するためスプリアス成分が多くなる。
【００１０】
また、ミキサ回路４０６で発生するスプリアスの中で、入力周波数信号９５０ＭＨｚ〜１４５０ＭＨｚの２倍波と、局部発振周波数１３．０５ＧＨｚの混合により発生する１４．９５ＧＨｚ〜１５．９５ＧＨｚのスプリアスは高周波送信機４の出力周波数帯域１４ＧＨｚ〜１４．５ＧＨｚのわずか４５０ＭＨｚ離れたところから発生することになる。このようなスプリアスを抑制するために、図１２に示す半波長バンドパスフィルタ４０９として図１３に示すマイクロストリップフィルタが用いられている。
【００１１】
この図１３に示すマイクロストリップフィルタは、複数（たとえば８枚）の長方形のエレメントをそれぞれ長手方向に１／２の長さずつ平行に対向させかつ平行にずらせて配置したものである。このバンドパスフィルタ４０９は、出力周波数帯域１４ＧＨｚ〜１４．５ＧＨｚを通過帯域とし、１１．６〜１２．１ＧＨｚのイメージ周波数信号と、１４．５０ＧＨｚ以上の信号を減衰させることを狙っているが、１４．９５ＧＨｚは１４．５０ＧＨｚに近接しており、あまり減衰は期待できない。
【００１２】
図１４は半波長バンドパスフィルタ４０９と高周波増幅器４１０，４１１とを含む遮断特性を示す図であり、この図１３から明らかなように、遮断特性として１１．９ｄＢ程度の減衰量しか得ることができず、図１３に示したエレメントを配置した半波長バンドパスフィルタ４０９では２０ｄＢ以上の減衰量をコンスタントに得ることは極めて困難であり、２０ｄＢ以上の減衰量が得られたとしても遮断特性を急峻にすることが出来ないという問題点があった。
【００１３】
それゆえに、この発明の主たる目的は、帯域外減衰量が大きくかつ帯域内偏差が少ないローパスフィルタを構成するマイクロ波ストリップ線路フィルタおよびこれを用いた高周波送信機を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板上に形成されたマイクロ波ストリップ線路フィルタであって、長方形状のマイクロストリップラインエレメントと、入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとからなる複合型エレメントを基板上に複数組平行に配置し、接続してローパスフィルタを形成したことを特徴とする。
【００１５】
また、入力側マイクロストリップラインは長方形状のマイクロストリップラインエレメントの一方側長辺の一端側に接続されており、出力側マイクロストリップラインは長方形状のマイクロストリップラインエレメントの他方側長辺の他端側に接続されていることを特徴とする。
【００１６】
また、複数のマイクロストリップラインエレメントは、隣接するマイクロストリップラインエレメントの入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとが反転して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、複数のマイクロストリップラインエレメントは、長辺側の長さが異なることを特徴とする。
【００１８】
さらに、複数のマイクロストリップラインエレメントは、入出力インピーダンス特性と帯域内通過特性と帯域外減衰特性が所望の特性となるように、両端のマイクロストリップラインエレメントに比べて内側のマイクロストリップラインエレメントの長辺側の長さが短く形成されることを特徴とする。
【００１９】
さらに、複数のマイクロストリップラインエレメントは、配列方向の中心線に対して左右対称に配置され、中心線上にしきいを有し、複数のマイクロ波ストリップラインエレメントを覆う金属カバーを備えたことを特徴とする。
【００２０】
さらに、複数のマイクロストリップラインエレメントのそれぞれを接続する入力側マイクロストリップラインと出力側マイクロストリップラインの幅が、入出力インピーダンス特性と帯域内通過特性と帯域外減衰特性が所望の特性となるように選ばれる事を特徴とする。
【００２１】
さらに、基板上のローパスフィルタに直列接続される半波長バンドパスフィルタを形成したことを特徴とする。
【００２２】
また、半波長バンドパスフィルタは、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントを平行に所定間隔を隔てて一定角度傾斜させかつそれぞれの長さ方向が隣接するマイクロストリップラインエレメントの半分の長さに対向して配置されることを特徴とする。
【００２３】
他の発明は、中間周波信号を高周波信号に変換して送信する高周波送信機において、中間周波信号と局部発振信号とを混合する混合回路と、混合回路の出力に接続されるフイルタ回路と、フィルタ回路の出力に接続される高周波増幅回路とを備え、フィルタ回路は、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントを平行に所定間隔を隔てて一定角度傾斜させかつそれぞれの長さ方向が隣接するマイクロストリップラインエレメントの半分の長さに対向して配置した半波長バンドパスフィルタと、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントと、入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとからなる複合型エレメントを複数組平行に配置し、縦続接続したローパスフィルタとを基板上に形成したことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態のマイクロ波ストリップ線路フィルタが適用された高周波送信機のブロック図である。図１において、高周波送信機４は前述の図１２に示した従来例と同様にして、周波数９５０〜１４５０ＭＨｚの中間周波信号が直流電圧に重畳されて与えられる。この中間周波信号はハイパスフィルタ（ＨＰＦ）４０１を介してＩＦアンプ４０２に与えられて利得が確保された後、アッテネータ４０３で適正なレベルに調整され、さらにＩＦアンプ４０４で増幅され、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）４０５を介してミキサ回路４０６に入力される。
【００２５】
局部発振回路４０７は１３．０５ＧＨｚの局部発振信号を発生し、バッファアンプ４０８を介してミキサ回路４０６に与える。ミキサ回路４０６は１３．０５ＧＨｚの局部発振信号と、９５０〜１４５０ＭＨｚの中間周波信号とをミキシングして、中間周波信号を１４．０〜１４．５ＧＨｚの高周波信号に周波数変換する。ミキサ回路４０６から出力される高周波信号は半波長バンドパスフィルタ４０９とこの発明の特徴となるローパスフィルタ４１７に入力され、ミキサ回路４０６で発生する不要輻射成分（スプリアス成分）が減衰される。この実施形態では半波長バンドパスフィルタ４０９とローパスフィルタ４１７とを組み合わせて１４．９５ＧＨｚ以上の周波数の減衰量が４０ｄＢ以上コンスタントに得られるようにされている。このようにしてスプリアス成分が減衰された高周波信号は２つの高周波増幅回路４１０，４１１で増幅されて大きなゲインが得られる。
【００２６】
高周波増幅回路４１１の出力はバンドパスフィルタ４１２に与えられ、増幅されたスプリアス成分が減衰され、ドライバーアンプ４１３に与えられてさらに利得が稼がれる。ドライバーアンプ４１３の出力は受信帯域ノイズフィルタ４１４に与えられ、受信周波数帯域のノイズレベルが雑音レベル程度まで抑えられる。そして、パワーアンプ４１５によって高周波信号が衛星ヘ送信するために必要な高い電力の信号となる。パワーアンプ４１５から出力される高周波信号は、パワーアンプ４１５のゲインによって熱雑音レベルから上昇している受信周波数帯域のノイズレベルを再び減衰させる受信帯域ノイズフィルタ４１６を介して高周波送信機４に与えられる。そして、高周波信号は図１１に示したフィードホーン８からマイクロ波として放射され、パラボラアンテナ９で反射されて通信衛星２に向けて送信される。
【００２７】
図２は図１に示したローパスフィルタ４１７を構成するこの発明の一実施形態のマイクロ波ストリップ線路フィルタのエレメントの形状を示す図である。
【００２８】
図２において、マイクロストリップ線路フィルタは、回路基板材料として両面基板（誘電率２．６５，銅箔厚み２０μｍ，厚み０．６１ｍｍ）を採用し、ラインエレメント４０として長方形型に構成したものである。このラインエレメント４０の裏面には全面銅箔のアース電極が形成されている。ラインエレメント４０の一方側長辺の一端側には入力側マイクロストリップライン４１が形成されており、他方側長辺の他端側には出力側マイクロストリップライン４２が形成されて複合型エレメントが構成されている。
【００２９】
図３はこの発明の一実施形態のローパスフィルタの形状を示す図である。図３において、図１に示したローパスフィルタ４１７は、図２に示したラインエレメント４０ａ〜４０ｄの入力側マイクロストリップライン４１と、出力側マイクロストリップライン４２とをそれぞれ反転させて少なくとも４組縦続接続したものである。より好ましくは、ラインエレメント４０ａ〜４０ｄの配列方向の中心線に対して各ラインエレメントが左右対称に配置される。
【００３０】
なお、図３に示したローパスフィルタはＬＣＲの分布定数回路で表すことができる。
【００３１】
図４はこの発明の他の実施形態のローパスフィルタの形状を示す図である。この実施形態は、入出力インピーダンス特性と、帯域内通過特性と、帯域外減衰特性が所望の特性となるように、両端のラインエレメント４０ａ，４０ｄに比べて中央よりのラインエレメント４０ｂ，４０ｃの長辺側の長さが短くなるように形成したものである。また、ラインエレメント４０ｂと４０ｃとを接続するマイクロストリップラインも入出力インピーダンス特性と、帯域内通過特性と、帯域外減衰特性が所望の特性となるように、その幅が選ばれる。
【００３２】
図５はこの発明のローパスフイルタと半波長バンドパスフィルタとを示す図である。この実施形態は、基板上に図２に示したローパスフィルタ４０９と、これに直列接続される半波長バンドパスフィルタ４１７を形成したものである。半波長バンドパスフィルタ４１７は、長方形状の複数のマイクロストリップラインエレメントを平行に所定間隔を隔てて一定角度傾斜させかつそれぞれの長さ方向が隣接するマイクロストリップラインエレメントの半分の長さに対向して配置される。
【００３３】
図６はこの発明のローパスフィルタを金属ケースに収容した状態を示す要部断面図であリ、図６（ａ）は図６（ｂ）の線Ａ−Ａに沿う断面図であり、図６（ｂ）は図６（ｃ）の線Ｂ−Ｂに沿う断面図であり、図６（ｃ）は金属ケースを示す平面図である。図６において、シャーシ５２上にマイクロストリップ線路フィルタのためのパターン６１が形成された基板６０が配置され、フレーム５０の基板６０が形成されたパターン６１上には補強とシールドを兼ねたリブ５１が形成されている。
【００３４】
このようにマイクロストリップ線路フィルタのパターン６１上をフレーム５０で覆いかつパターン間をリブ５１で遮蔽することにより、スプリアス成分が外部に漏れるのを少なくできる。
【００３５】
図７は図５に示した半波長バンドパスフィルタとローパスフィルタを直列接続した場合の信号通過特性のシミュレーション結果を示す。図７において、送信周波数１４〜１４．５ＧＨｚを通過帯域としてこの帯域内損失を最小とし、帯域外１４．９５ＧＨｚ以上の帯域での減衰域が最大になるように最適化されており、送信周波数の損失は４ｄＢ以下であり、帯域外１４．９５ＧＨｚ以上の減衰量は５２ｄＢ以上得ている。図８は従来例の半波長バンドパスフィルタのシミュレーション結果を示しており、図７に示したシミュレーション結果の方が受信周波数の減衰量が１９．１ｄＢから３２．９ｄＢ向上しているのが分かる。しかも、図８に比べて図７の方が遮断特性が急峻になっており、その分だけでもスプリアス成分を抑圧できる性能を向上できる。
【００３６】
図９はこの発明のローパスフィルタの遮断特性を示す図であり、図１０は図５の半波長バンドパスフィルタとローパスフィルタと高周波増幅器４１０，４１１とを含む遮断特性を示す図である。
【００３７】
ローパスフィルタ４１７は図９に示す遮断特性を有しており、バンドパスフィルタ４０９と、ローパスフィルタ４１７と、２段の高周波増幅器４１０，４１１とを含む総合特性は、図１０に示すように１４．９５ＧＨｚでの減衰量が帯域内レベルを基準として４７．３ｄＢを得ており、図１４に示した従来例のバンドパスフィルタ４０９に比べて１１．９ｄＢから４７．３ｄＢに３５．４ｄＢ向上している。したがって、この実施形態によれば、図１３に示した従来例の半波長バンドパスフィルタ４０９のみを用いる場合に比べて帯域外減衰量が大きくかつ帯域内偏差が少なくできるので、スプリアス除去特性の向上を図ることができる。
【００３８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、長方形状のマイクロストリップラインエレメントと、入力側マイクロストリップラインと、出力側マイクロストリップラインとからなる複合型エレメントを基板上に複数組平行に配置し、縦続接続して構成したので、帯域外減衰量が大きくかつ帯域内偏差が少ないローパスフィルタを実現でき、スプリアス除去特性の向上を図ることができる。具体的には、帯域内偏差特性を損なうことなく高域側帯域外減衰特性として４０ｄＢ以上がコンスタントに得られ、１４．９５ＧＨｚ以上のスプリアス除去特性の向上を図ることができる。
【００４０】
また、この発明のローパスフィルタは、複合エレメントを反転して配置するようにしたので、複合エレメントを単に縦続接続した場合に比べて、最小限のスペースで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の一実施形態のマイクロ波ストリップ線路フィルタが適用された高周波送信機のブロック図である。
【図２】  この発明の一実施形態のマイクロ波ストリップ線路フィルタのエレメントの形状を示す図である。
【図３】  この発明の一実施形態のローパスフィルタの形状を示す図である。
【図４】  この発明の他の実施形態のローパスフィルタの形状を示す図である。
【図５】  この発明のローパスフイルタと半波長バンドパスフィルタの形状を示す図である。
【図６】  この発明のローパスフィルタを金属ケースに収容した状態を示す要部断面図である。
【図７】  図５に示した半波長バンドパスフィルタとローパスフィルタを直列接続した場合の信号通過特性のシミュレーション結果を示す。
【図８】  従来例の半波長バンドパスフィルタのシミュレーション結果を示す図である。
【図９】  この発明のローパスフィルタの遮断特性を示す図である。
【図１０】  図５に示した半波長バンドパスフィルタとローパスフィルタを直列接続した場合の遮断特性を示す図である。
【図１１】  衛星通信を介して双方向通信するシステムの概念図である。
【図１２】  図１１に示したシステムに用いられる高周波送信機のブロック図である。
【図１３】  図１２に示した高周波送信機に用いられる半波長バンドパスフィルタの形状を示す図である。
【図１４】  従来の半波長バンドパスフィルタとローパスフィルタを直列接続した場合のフィルタと高周波増幅器とを含む遮断特性を示す図である。
【符号の説明】
４  高周波送信機、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ  ラインエレメント、４１  入力側マイクロストリップライン、４２  出力側マイクロストリップライン、４０１  ハイパスフィルタ、４０２，４０４  ＩＦアンプ、４０５，４０９，４１２，４１４  バンドパスフィルタ、４０６  ミキサ回路、４０７  局部発振回路、４１０，４１１  高周波アンプ、４１３  ドライバアンプ、４１５ハイパワーアンプ、４１６  受信帯域ノイズフィルタ、４２１  電源回路、４２２  電源供給順序回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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