(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波磁界を発生する加熱コイルと、前記加熱コイルの負荷である温度によって飽和磁束密度が変化する感温磁性金属で構成した断熱材で囲んだ容器と、前記加熱コイルの負荷インピーダンスを測定するインピーダンス測定手段と、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波インバータと、前記高周波インバータを構成する高周波スイッチング手段を制御する制御手段と、前記インピーダンス測定手段の出力と判定値を比較することにより、前記容器の温度がキュリー温度に対応する温度より高いかどうかを判断する比較手段と、前記インピーダンス測定手段の出力が判定値に達するまでの間は、前記加熱コイルへの高周波電流の供給を印可し、前記インピーダンス測定手段の出力が判定値を超えると前記加熱コイルへの高周波電流の供給を印加と休止を繰り返す間欠供給とすることによって前記容器に供給する平均加熱電力を低下させる誘導加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感温磁性金属で構成した発熱体を使用して温度制御を実行する誘導加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
キュリー温度を有する感温磁性金属を使って温度を制御する誘導加熱技術は、例えば実公昭６１−１６６１５に開示されている。以下この構成を図１８に基づいて説明する。１は調理に使用する容器で、キュリー温度を有する感温磁性金属を使用している。容器１は支持板２上に載置されており、加熱コイル３によって誘導加熱される発熱体である。
【０００３】
図１９は、このときの容器１の温度と、加熱コイル３の電圧を一定にした条件で容器１に加えた熱量との関係を示している。横軸には温度を、縦軸には容器１に加えた熱量を示している。曲線ａに示しているように、加熱コイル３の電圧を一定にした条件ではキュリー温度θ１付近では、容器に加わる加熱量が低下するものである。直線ｂは容器１からの放熱量を示しており、容器１の温度と室温との差に比例している。実公昭６１−１６６１５に開示されている技術では、容器１は加熱量と放熱量とがバランスしているキュリー温度よりやや低い温度θ２で、容器１の温度が精度良く制御されるものとなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし前記従来の構成のものは、図１８のａに示しているように、キュリー温度θ１を超えても多少は加熱されるようになっている。また、容器１の表面積が小さかったり、あるいは容器１の周囲が断熱材で囲われた構成となっている場合には、図１８のｃに示しているように放熱量は一層減少するものである。この結果、容器１の温度がキュリー温度θ１を超えても、さらに温度が上昇することになるものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、加熱コイルの負荷インピーダンスに応じて発熱体に供給する平均加熱電力を調整するようにして、温度制御の精度の高い誘導加熱装置としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載した発明は、高周波磁界を発生する加熱コイルと、前記加熱コイルの負荷である温度によって飽和磁束密度が変化する感温磁性金属で構成した断熱材で囲んだ容器と、前記加熱コイルの負荷インピーダンスを測定するインピーダンス測定手段と、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波インバータと、前記高周波インバータを構成する高周波スイッチング手段を制御する制御手段と、前記インピーダンス測定手段の出力と判定値を比較することにより、前記容器の温度がキュリー温度に対応する温度より高いかどうかを判断する比較手段と、前記インピーダンス測定手段の出力が判定値に達するまでの間は、前記加熱コイルへの高周波電流の供給を印可し、前記インピーダンス測定手段の出力が判定値を超えると前記加熱コイルへの高周波電流の供給を印加と休止を繰り返す間欠供給とすることによって前記容器に供給する平均加熱電力を低下させるようにして、発熱体の放熱量が小さくても発熱体の温度の上昇を防止でき、温度制御の精度の高い誘導加熱装置としている。
【０００７】
【実施例】
以下本発明の実施例について説明する。図１は本実施例の構成を示すブロック図である。支持板２の上部には、周囲を断熱材１０で囲んだ発熱体である容器１１を載置している。容器１１は、キュリー温度以下では温度が上昇するにつれて飽和磁束密度が低下する磁性体であり、キュリー温度を越えると非磁性となる感温磁性金属によって構成している。断熱材１０としては、本実施例ではグラスウールを使用している。支持板２の下部には、高周波インバータ９が供給する高周波電流を流して高周波磁界を発生する加熱コイル３を設けている。
【０００８】
図２は高周波インバータ９の構成を示すブロック図である。高周波インバータ９は、容器１１等の加熱コイル３の負荷インピーダンスを測定するインピーダンス測定手段１３と、インピーダンス測定手段１３の出力を受けて制御信号を出力する制御手段１４と、制御手段１４の指示によって高周波電流を出力する出力手段１２を有している。
【０００９】
また、図３は具体回路を示す回路図である。本実施例の高周波インバータ９は、商用電源１５を、整流器１６で整流し、ＩＧＢＴ等の高周波スイッチング手段１７と、高周波スイッチング手段１７のオンオフを制御する制御手段１４と、加熱コイル３と並列に接続した共振コンデンサ１９によって高周波に変換して、加熱コイル３に供給している。高周波スイッチング手段１７には、逆電圧がかかったときに電流を流す逆導通ダイオード２０を接続している。また、高周波スイッチング手段１７のコレクタ−エミッタ間には、インピーダンス測定手段１３を構成する電圧測定手段２２を接続している。また商用電源１５から入力される入力電流を検出する入力電流検出手段２３を接続している。また、整流器１６の両端にはノイズ防止用コンデンサ２５を接続している。
【００１０】
以下本実施例の動作について説明する。調理物を内部に収容した調理容器１１を支持板２上に載置して、図示していないスイッチをオンすると、誘導加熱装置は動作を開始する。すなわち、高周波インバータ９が加熱コイル３に高周波電流を供給し、加熱コイル３が高周波磁界を発生して、容器１１が誘導加熱されて調理が進行するものである。このとき、本実施例では容器１１の周囲を断熱材１０によって囲んでいるため、調理終了時の調理物の温度は効率的に保温されるものである。
【００１１】
本実施例の回路構成は、一般に電圧共振型インバータと呼ばれている。制御手段１４は、入力電流検出手段２３が検出している入力電流を定格電流以下となるように、高周波スイッチング手段１７のオンオフ時間を制御している。このとき入力電流検出手段２３が検出する入力電流は、商用電源１５がＡＣ１００Ｖで一定しているため、入力電力を示しているものである。
【００１２】
図４は、このときの高周波スイッチング手段１７のコレクタ−エミッタ間の電圧Ｖｃｅを示している。実線ａは、容器１１等が構成している加熱コイル３の負荷インピーダンスの抵抗成分が大きい場合の波形を、破線ｂは同じく負荷インピーダンスの抵抗成分が小さい場合を示している。負荷インピーダンスの抵抗成分が小さい場合は、共振時のＱが大きくなって共振電圧の振幅が大きくなるものである。
【００１３】
本実施例で使用している容器１１は、前記したように、キュリー温度以下では温度が上昇するにつれて飽和磁束密度が低下する磁性体であり、キュリー温度を越えると非磁性となる感温磁性金属によって構成している。この容器１１を使用して、容器１１の温度を一定に温度制御する方法を示す。図５は容器１１の温度と、高周波インバータ９から見た負荷インピーダンスの抵抗成分との関係を示す特性図である。横軸は温度を、縦軸は抵抗値Ｒを採っている。この図から明らかであるように、容器１１は、キュリー温度θ付近では抵抗値が低下しているものである。この理由は、図６に示しているように、容器１１を流れる高周波電流の厚さが温度によって変化するためである。高周波電流が導体中を流れる厚さである表皮深さδは、数１で表現される。
【００１４】
【数１】
0003858335.tif 000002
【００１５】
ここでＫは定数、ｆは高周波電流の周波数、μは容器１１の材質の比透磁率である。容器１１がステンレス系で温度が低いときは、ｆを２０ｋＨｚとすると、μは約１００で、δは０．４ｍｍとなる。つまり、図６（ａ）に示しているように加熱コイル３からの磁束は容器１１の底部の下表面に集中するものである。従って、発生する渦電流も下表面に集中し断面積が小さくなるため電気抵抗は大きくなるものである。容器１１の温度が高くなるにつれて、容器１１を構成する金属材料の飽和磁束密度が低下する。このため、加熱コイル３が発生する高周波磁束は容器１１の内部にまで侵入するようになる。このため、発生する渦電流の流れる厚さが増大し、断面積が大きくなって電気抵抗は低下してくるものである。さらに温度が上昇してキュリー温度θに達すると、μ＝１となるので、δ＝４ｍｍとなって、図６（ｂ）に示しているように、渦電流は容器１１の厚さ全体を流れて、電気抵抗は最小となるものである。
【００１６】
以上のように容器１１の温度が変化すると、インピーダンス測定手段１３を構成する電圧測定手段２２が検出するＶｃｅは、図７（ａ）に示すように変化している。つまり、キュリー温度θに対応する温度Ｔａの前後で、Ｖｃｅが変化するものである。従って、制御手段１４がこの電圧測定手段２２が検出したＶｃｅの値を判定値ｍより大きいか小さいかを認識することによって、容器１１の現在の温度がＴａより高いか低いかを判断できるものである。図７（ｂ）は、この判断の結果制御手段１４が出力手段１２に出力する信号を示している。つまり本実施例の場合には、制御手段１４の信号は、高周波スイッチング手段１７に印加している。制御手段１４は、電圧測定手段２２が検出するＶｃｅが判定値ｍに達するまでの間は、入力電流検出手段２３が検出する入力電流によって決定される入力電力がａとなるように、高周波スイッチング手段１７を制御しているものである。また、電圧測定手段２２が検出するＶｃｅが判定値ｍを越えると、加熱コイル３への高周波電流の供給を、印加と休止を繰り返す間欠供給としているものである。この印加時間と休止時間との比を１：４とした場合には、平均電力としてはｂに示しているように、温度が低い間の加熱電力ａの約５分の１の電力を加熱コイル３に供給するものである。このときの容器１１の放熱特性がｃで示す特性であるとすると、前記制御の結果、容器１１の温度は、加熱電力よりも放熱量の方が多いため徐々に低下してくるものである。電圧測定手段２２が検出する電圧Ｖｃｅが所定値ｍ以下となると、制御手段１４は低温時の所定電力ａを再び出力するように指示するものである。このときの加熱電力は、放熱量ｃよりも大きいため容器１１の温度は徐々に上昇する。こうして、容器１１の温度はＴａで安定する。このとき、放熱特性ｃが温度Ｔａにおいて、ｂ以上ａ以下であれば容器１１の温度は確実にＴａで安定する。本実施例では、この放熱特性の幅をｄとして示している。この結果、容器１１の温度は、図８に示すような特性で変化するものである。図８（ａ）は、時間の経過とＶｃｅの変化を示しており、図８（ｂ）はこのときの容器１１の温度の変化を示している。
【００１７】
以上のように本実施例によれば、制御手段１４が加熱コイル３への高周波電流の供給を間欠的に行うことによって容器１１に供給する平均加熱電力を低下させる構成とすることによって、特に容器１１の放熱量が小さくても容器１１の温度の上昇を防止でき、温度制御の精度の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００１８】
なおこのとき、制御手段１４が小さい印加電力を連続して加えた場合には、容器１１の温度リプルをより小さくする制御が可能となるものである。図９（ａ）はＶｃｅの温度特性を、図９（ｂ）は容器に印加する電力を示している。また図１０（ａ）は、このときの高周波スイッチング手段１７のＶｃｅの時間変化を示している。図１０（ｂ）は、容器１１の温度の時間変化を示している。つまり容器１１の温度が上昇して、電圧測定手段２２が検出するＶｃｅが図９に示している特性ａに従って変化し、判定値ｍに達すると制御手段１４は加熱コイル３に対する供給電力をａからｂに低下させる。この時のＶｃｅの温度特性は図９（ａ）のｂになる。この結果、容器１１の温度が図１０（ｂ）に示しているように徐々に低下して、電圧測定手段２２が検出するＶｃｅが判定値ｎに達すると、制御手段１４は印加電力が図９（ｂ）のａとなるように高周波スイッチング手段１７駆動するものである。この時の容器１１の温度がＴａである。この結果、容器１１の温度は図１０（ｂ）に示しているようにリプルの無い状態で制御されるものである。
【００１９】
なおこのとき、容器１１に供給する加熱量が多い間、つまり加熱コイル３に供給する電力がａまたはｂと大きい間は、制御手段１４が２値の判定値ｍとｎを有し連続制御を実行できるようする。電力ｂを加えてもさらに温度が上昇する場合には、間欠動作をしてさらに平均印加電力を低下させる。すなわち、制御手段１４が判定値ｐを有して、電圧測定手段２２が検出するＶｃｅが判定値ｐを越えると、加熱コイル３への高周波電流の供給を、印加と休止を繰り返す間欠供給をして平均印加電力をさらにｃにまで低下させる。ｃは零でもよい。このように容器１１はリプルの無い安定した温度制御ができるとともに、平均印可電力を零まで連続的に絞ることができて、使い勝手の良い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００２０】
なお、高温になったときの印加電力は零にまで下げてもよいが、負荷インピーダンスの測定して温度を検知するためには多少なりとも高周波電流を流す必要があるので、一定時間毎、もしくは温度が下がった頃を見計らって高周波電流を印加し、負荷インピーダンス測定の結果、温度が低下していれば元の大きい電力を印加するという制御を行う。
【００２１】
（実施例２）
続いて本発明の第２の実施例について説明する。図１１は、本実施例の構成を示す断面図である。本実施例では、容器１１は、感温磁性金属２８と非磁性の低抵抗率の金属２９とを感温磁性金属が加熱コイル側となるように積層して構成しているものを使用している。この非磁性の低抵抗率の金属としては、銅やアルミあるいは銀を使用している。
【００２２】
以上のように構成することによって、容器１１の温度がキュリー温度を越えて上昇した場合に、加熱コイル３が発生する高周波磁界が容器１１に鎖交したときに容器１１に流れる誘導電流は非磁性の低抵抗率の金属２９の中を流れるものである。この結果、加熱コイル３から見た負荷インピーダンスの抵抗分Ｒと容器１１の温度との関係は、図１２（ａ）に示すように変化するものである。すなわち、容器１１が感温磁性金属だけで構成した場合には、ａに示すような特性であったものが、感温磁性金属と非磁性の低抵抗率の金属を積層することによってｂに示すような特性となるものである。つまり、容器１１の温度が高い間は、抵抗Ｒは感温磁性金属だけで構成した場合よりも低くなるものである。このとき同時に、高周波スイッチング手段１５のＶｃｅと容器１１の温度との関係も、図１２（ｂ）に示すように変化するものである。つまり、容器１１の温度が高くなると、容器１１が感温磁性金属だけで構成した場合には、ａに示すような特性であったものが、感温磁性金属と非磁性の低抵抗率の金属を積層することによってｂに示すように大きくなるものである。このため、電圧測定手段２２による電圧検出が容易に出来、前記実施例で説明した温度制御がより確実に出来るものである。また、容器１１の感温磁性金属部が非磁性となったときには、非磁性の低抵抗率の金属部が磁気シールド機能を発揮するものである。つまり、加熱コイル３が発生する高周波磁界が図１１に示している容器１１内の例えば金属製のお玉３０と鎖交することを防止できる。このため、お玉３０が高周波磁界によって誘導加熱され高温になったりすることはないものである。
【００２３】
（実施例３）
続いて高周波インバータの入力電流を測定して負荷インピーダンスを測定する実施例について説明する。図１３は、本実施例の制御方法を説明する特性図である。図１３（ａ）には、容器１１の温度と加熱コイル３から見た負荷インピーダンスの抵抗分Ｒとの関係を示している。このとき、高周波スイッチング手段１７のＶｃｅのピーク電圧が一定となるように制御手段１４によって制御していると、図２に示しているインピータンス測定手段１３を構成する入力電流検出手段２３が検知する高周波インバータ９に対する入力電流Ｉｉｎは、図１３（ｂ）に示すように変化するものである。ｍは、本実施例の制御手段１４が有している入力電流Ｉｉｎの判定値である。入力電流検出手段２３が検知する入力電流Ｉｉｎが判定値ｍ以下になると、つまり容器１１の温度がＴｃ以下になると、加熱コイル３に対する高周波電流の供給を間欠的に行うようにして、容器１１に対する加熱量を例えばそれまでの１／５とする。こうして容器１１の放熱量の方が容器１１に供給する加熱量よりも多くなる。容器１１の温度がＴｃまで低下して入力電流検出手段２３が入力電流Ｉｉｎが判定値ｍを越えると、加熱コイル３に対する高周波電流の供給を連続的に行うようにして、容器１１に対する加熱量を通常状態に戻すものである。この様子は図１３（ｃ）に示している。図１３（ｃ）に示している直線ｃは、容器１１の放熱特性を示している。以上のように制御することによって、容器１１の温度はＴｃで安定するものである。
【００２４】
次に入力電流Ｉｉｎの判定値をｎにすると同様の動作をして、容器１１の温度はＴｄで安定するものである。つまり本実施例では、負荷インピーダンスに応じて容器１１に供給する平均印加電力を変更するようにして、容器１１の制御温度を調整できる誘導加熱装置を実現できるものである。
【００２５】
また図１４は、別の制御方法を説明する特性図である。図１４（ａ）は、高周波スイッチング手段１５のＶｃｅのピーク電圧ａが一定となるように制御したときの、高周波スイッチング手段のＶｃｅの特性を示している。また図１４（ｂ）は、高周波スイッチング手段１７のコレクタ電流Ｉｃの変化を示している。図１４（ｃ）は、逆導通ダイオード１６に流れる電流の波形を示している。容器１１の温度が低く、加熱コイル３の負荷インピーダンスの抵抗成分が大きい場合は、Ｉｃは実線ｂに示すようになる。容器１１の温度が高く加熱コイル３の負荷インピーダンスの抵抗成分が小さい場合にはＩｃは破線ｃに示すように変化する。従って、図２に示すインピータンス測定手段１３として高周波スイッチング手段１７を流れる電流を検出する電流検出手段とし、制御手段１４が前記ｂとｃの差を判断できる設定値を有する構成とすると、前記説明に準じた温度制御が実行できるものである。
【００２６】
また図１４（ｃ）に示している、逆導通ダイオード２０を流れる電流は、実線ｂで示した容器１１の温度が低い場合と、破線ｃで示した容器１１の温度が高い場合との差が大きいため、インピーダンス測定手段１３として設けた逆導通ダイオード２０を流れる電流を検出する電流検出手段と、制御手段１４に設けた前記ｂとｃの差を判断できる設定値とを使用することによって、感度の高い温度制御を実行することが出来るものである。
【００２７】
（実施例４）
図１５はハーフブリッジ方式の高周波インバータの構成を示す接続図である。直流電源３５が供給する電流を、制御手段３６が２石の高周波スイッチング手段３７・３８を交互にオンするように制御して高周波に変換して、加熱コイル４０と共振コンデンサ４１に高周波電流を供給するようにして、容器１１を誘導加熱するものである。図１６は、このときの各部の動作波形を示している。Ｖｃｅ１・Ｖｃｅ２は、高周波スイッチング手段３７・３８のコレクタ・エミッタ間の電圧である。この回路構成とした場合には、高周波スイッチング手段３７・３８には直流電源３５の電圧Ｅ以上の電圧はかからないものである。またＩは、加熱コイル４０および共振コンデンサ４１を流れる電流である。この電流Ｉは、容器１１の温度が低く負荷インピーダンスの抵抗成分が大きいときは実線ａで示すように変化し、容器１１の温度が高く負荷インピーダンスの抵抗成分が小さいときは破線ｂで示すように変化する。つまり、容器１１の温度が低くなると、電流Ｉの振幅が大きくなるものである。Ｖは共振コンデンサ４１の両端の電圧を示している。このＶもＩと同様、容器１１の温度が低く負荷インピーダンスの抵抗成分が大きいときは実線ａで示すように変化し、容器１１の温度が高く負荷インピーダンスの抵抗成分が小さいときは破線ｂで示すように変化する。つまり、容器１１の温度が低くなると振幅が大きくなるものである。
【００２８】
従って、前記各実施例と同様、インピーダンス測定手段１３として、加熱コイル４０または共振コンデンサ４１を流れる電流を測定する電流測定手段を使用し、制御手段１４がａとｂの差を検出できる設定値を有するようにすれば、容器１１の温度を正確に制御することが出来るものである。またインピーダンス測定手段１３として、共振コンデンサ４１の両端の電圧を測定する電圧測定手段を使用し、制御手段１４がａとｂの差を検出できる設定値を有するようにすれば、容器１１の温度を正確に制御することが出来るものである。
【００２９】
（実施例５）
続いて本発明の第５の実施例について説明する。図１７は、本実施例で使用しているインピーダンスの計測方法を説明する特性図で、加熱コイル３のインダクタンスＬの温度特性を示している。容器１１の温度が高くなるとインダクタンスは低下し、従って図１に示している共振コンデンサ１９との間の共振周波数は高くなるものである。そこで本実施例では、インピーダンス測定手段１３として、高周波インバータ９の発振周波数を測定する周波数測定手段を使用し、制御手段１４が発振周波数の差を検出する構成としているものである。周波数の測定はマイコンなどディジタル式の回路では容易に精度よく行える。
【００３０】
【発明の効果】
請求項１に記載した発明は、発熱体の放熱量が小さくても発熱体の温度の上昇を防止でき、温度制御の精度の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例である誘導加熱装置の構成を示すブロック図
【図２】  同、高周波インバータの構成を示すブロック図
【図３】  本発明の第１の実施例である誘導加熱装置の高周波インバータの回路構成を示す接続図
【図４】  同、高周波スイッチング手段のＶｃｅの変化を示す特性図
【図５】  同、容器の温度と負荷の抵抗成分との関係を示す特性図
【図６】  （ａ）同、容器の温度が低いときに容器に流れる誘導電流の状態を示す説明図
（ｂ）同、容器の温度が高いときに容器に流れる誘導電流の状態を示す説明図
【図７】  （ａ）同、高周波スイッチング手段のＶｃｅのピーク電圧と容器の温度との関係を示す特性図
（ｂ）同、容器に供給する加熱電力と容器の温度との関係を示す特性図
【図８】  （ａ）同、Ｖｃｅの時間的変化を示す説明図
（ｂ）同、容器の温度の変化を示す説明図
【図９】  同、制御手段が２値の設定値を有して高周波スイッチング手段を駆動したときの高周波スイッチング手段の動作特性を示す説明図
【図１０】  （ａ）同、高周波スイッチング手段の時系列的な動作を示す特性図
（ｂ）同、容器の温度の時系列的な変化を示す特性図
【図１１】  本発明の第２の実施例である誘導加熱装置に使用している容器の構成を示す断面図
【図１２】  （ａ）同、負荷インピーダンスの抵抗分の温度変化を示す特性図
（ｂ）同、Ｖｃｅの温度変化を示す特性図
【図１３】  本発明の第３の実施例である誘導加熱装置の負荷インピーダンスの計測方法を説明する特性図
（ａ）負荷インピーダンスの抵抗分と温度との関係を示す特性図
（ｂ）入力電流と温度との関係を示す特性図
（ｃ）制御手段が制御する入力電流の変化を示す特性図
【図１４】  同、誘導加熱装置の別の負荷インピーダンスの計測方法を説明する特性図
（ａ）Ｖｃｅのピーク値を一定としたときのＶｃｅの変化を示す特性図
（ｂ）同、コレクタ電流の変化を示す特性図
（ｃ）同、逆導通ダイオードを流れる電流の変化を示す特性図
【図１５】  本発明の第４の実施例であるハーフブリッジ方式の高周波インバータの構成を示す接続図
【図１６】  同、各部の動作を示す波形図
【図１７】  本発明の第５の実施例である高周波インバータの負荷インピーダンスの計測方法を示す特性図
【図１８】  従来の誘導加熱装置の構成を示す接続図
【図１９】  同、容器の温度と加熱量との関係を示す特性図
【符号の説明】
３  加熱コイル
９  高周波インバータ
１１  容器
１３  インピーダンス測定手段
１４  制御手段
１７  高周波スイッチング手段
１９  共振コンデンサ
２２  電圧測定手段
２３  入力電流測定手段
【図１】
0003858335.tif 000003
【図２】
0003858335.tif 000004
【図３】
0003858335.tif 000005
【図４】
0003858335.tif 000006
【図５】
0003858335.tif 000007
【図６】
0003858335.tif 000008
【図７】
0003858335.tif 000009
【図８】
0003858335.tif 000010
【図９】
0003858335.tif 000011
【図１０】
0003858335.tif 000012
【図１１】
0003858335.tif 000013
【図１２】
0003858335.tif 000014
【図１３】
0003858335.tif 000015
【図１４】
0003858335.tif 000016
【図１５】
0003858335.tif 000017
【図１６】
0003858335.tif 000018
【図１７】
0003858335.tif 000019
【図１８】
0003858335.tif 000020
【図１９】
0003858335.tif 000021