(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0003843470.tif 000018
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される、〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項２】
請求項１に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体のフェロセンの軸不斉が（Ｓ）−体である一般式（II）
【化２】
0003843470.tif 000019
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される、〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項３】
請求項２に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体の絶対配置が（Ｓ，Ｓ，Ｓ）である一般式（III）
【化３】
0003843470.tif 000020
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項４】
請求項２に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体の絶対配置が（Ｒ，Ｒ，Ｓ）である一般式（IＶ）
【化４】
0003843470.tif 000021
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項５】
請求項１に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体のフェロセンの軸不斉が（Ｒ）−体である一般式（Ｖ）
【化５】
0003843470.tif 000022
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される、〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項６】
請求項５に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体の絶対配置が（Ｒ，Ｒ，Ｒ）である一般式（ＶI）
【化６】
0003843470.tif 000023
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項７】
請求項５に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体において、該誘導体の絶対配置が（Ｓ，Ｓ，Ｒ）である一般式（ＶII）
【化７】
0003843470.tif 000024
〔式中、Ｒ1、Ｒ2はフェニル基を表す。〕で表される〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体。
【請求項８】
一般式（ＸIＶ）
【化８】
0003843470.tif 000025
〔式中、Ｒ3、Ｒ4は相異なる置換基であり、置換されていても良いＣ1-20のアルキル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、フェニル基が挙げられる。）、置換されていても良いＣ2-20のアルケニル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、フェニル基が挙げられる。）、置換されていても良いアリール基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、ハロゲン原子、フェニル基が挙げられる。）を表す。またＲ3、Ｒ4が置換基内または置換基間の任意の位置で結合して、脂肪族または芳香族の環を形成しても良い。〕で表されるケトン誘導体を、周期律表第ＶIII族の金属触媒存在下に、一般式（ＸＶ）
【化９】
0003843470.tif 000026
（式中、Ｒ5、Ｒ6またはＲ7は任意に水素原子、Ｃ1-6のアルキル基、フェニル基、ナフチル基またはハロゲン原子を表す。）で表されるシラン誘導体と反応させて、一般式（ＸＶI）
【化１０】
0003843470.tif 000027
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6またはＲ7は前記と同じ意味を表す。）で表されるヒドロシリル化誘導体へ変換する際に、請求項１に記載の〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体の１種又は２種以上を不斉配位子として用いることを特徴とする不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項９】
不斉配位子が請求項２に記載の（Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１０】
不斉配位子が請求項５に記載の（Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１１】
不斉配位子が請求項３に記載の（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１２】
不斉配位子が請求項４に記載の（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１３】
不斉配位子が請求項６に記載の（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１４】
不斉配位子が請求項７に記載の（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１５】
周期律表第ＶIII族の金属が、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、イリジウムから選ばれた１種または２種以上の金属である請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【請求項１６】
周期律表第ＶIII族の金属が、ロジウムまたはイリジウムである請求項８記載の不斉ヒドロシリル化反応。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なフェロセニルジフェニルホスフィン誘導体である〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン、および該誘導体を配位子として用いることを特徴とする不斉ヒドロシリル化反応に関する。
【０００２】
本発明の新規なフェロセニルジフェニルホスフィン誘導体は、金属、特に周期律表第ＶIII族遷移金属元素に対する不斉二座配位子として特に有効であり、該錯体は種々の不斉合成反応に有用である。
また不斉ヒドロシリル化反応は、種々のケトン誘導体から、医薬、農薬を始めとする種々のファインケミカル誘導体の中間体である光学活性アルコール類を得る上で極めて有用な製造方法である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、遷移金属錯体触媒を用いる有機合成反応は精力的に開発されており、中でも光学活性配位子との組合せによる不斉合成反応は、その主流をなすほどに、極めて活発に研究がなされている。
フェロセンを有するホスフィン系の光学活性配位子としては、下記の（Ａ）の構造を有するＴＲＡＰ（アンゲバンテ・ヘミー・インターナショナル・エディション・イングリッシュ（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．）、第３３巻、１１１頁、１９９４年）や（Ｂ）（ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第９２巻、８６７頁、１９９２年）等が知られており、これらをロジウム（Ｉ）触媒の不斉配位子として用いるケトン類のヒドロシリル化反応が行なわれている。
【０００４】
【化１７】
0003843470.tif 000002
【０００５】
ところが、これらの不斉配位子を用いるヒドロシリル化反応は、不斉収率は、最も高い場合でも８０％ｅｅであり、またこれら不斉収率もアリールアルキルケトン類に対してのみで、ジアルキルケトンの場合には、極めて低い不斉収率しか得られないことが知られている。
従って、あらゆるケトン類のヒドロシリル化反応に対して高い不斉収率が得られる一般性を有し、しかも比較的容易に合成可能な新規な光学活性配位子、およびそれを用いた新規な反応系の構築が求められていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討した結果、フェロセン環炭素原子上にオキサゾリン環を有する新規光学活性〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体を開発した。
【０００７】
しかも該誘導体は金属触媒、特に周期律表第ＶIII族の遷移金属錯体触媒の不斉配位子として有効であり、該遷移金属錯体触媒を用いるヒドロシリル化反応においては、単純ケトン類に対しても極めて高い化学収率および光学収率を与える、極めて一般性の高い不斉配位子として有効であることを見出した。
また本発明の不斉ヒドロシリル化反応においては、用いる金属触媒（ロジウム、イリジウム）によって、新たに生成する不斉炭素の立体が反転するという従来全く知られていない結果も得られ、不斉配位子、金属の組合せにより、自由に立体を制御できる新規反応系を確立し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、新規な〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体、ならびに該誘導体の１種又は２種以上を不斉配位子とした遷移金属錯体触媒を用いるヒドロシリル化反応に関するものである。
【０００９】
以下、さらに詳細に本発明を説明する。
即ち、本発明に関わる新規な〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体とは一般式（Ｉ）
【００１０】
【化１８】
0003843470.tif 000003
【００１１】
〔式中、Ｒ1、Ｒ2は任意に置換されていても良いフェニル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基、ハロゲン原子を表す。）、Ｃ1-6のアルキル基または水素原子を表す。〕
で表される。
不斉反応に於いて好ましくはフェロセンの軸不斉が一般式（II）で表される（Ｓ）−体、または一般式（Ｖ）で表される（Ｒ）−体である新規光学活性〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体である。
【００１２】
【化１９】
0003843470.tif 000004
【００１３】
さらに、該誘導体において一般式（II）または一般式（Ｖ）のＲ1、Ｒ2は任意に置換されていても良いフェニル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基、ハロゲン原子を表す。）、Ｃ1-6のアルキル基を表す場合は、該誘導体上に３つの不斉点が生じるが、この場合絶対配置が（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−体の新規〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体が、不斉ヒドロキシル化反応に好ましい。
【００１４】
また一般式（II）または一般式（Ｖ）におけるＲ1、Ｒ2は任意に置換されていても良いフェニル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基、ハロゲン原子を表す。）、Ｃ1-6のアルキル基または水素原子から任意に選択できるが、好ましい置換基としてはフェニル基またはＣ1-6のアルキル基が挙げられ、特にフェニル基が好ましい。
【００１５】
従って、本発明の新規〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィンにおいては、その使用の目的、用途に応じて種々の置換基、絶対配置の化合物を任意に選択できるが、下記の絶対配置を有する〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（以下、ＤＩＰＯＦと称する）類の（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ、Ｘ）、（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ、Ｒ、Ｓ）−ＤＩＰＯＦ、ＸI）、（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ、ＸII）または（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ、ＸIII）が特に不斉ヒドロキシル化反応に好適に使用される。
【００１６】
【化２０】
0003843470.tif 000005
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の新規〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体は、以下のスキームに従ってフェロセンカルボン酸から誘導されるフェロセンカルボン酸クロリドから３工程の反応を経て容易に合成できる。
【００１８】
【化２１】
0003843470.tif 000006
【００１９】
ｉ）第１工程はフェロセンカルボン酸から容易に誘導されるフェロセンカルボン酸クロリドとアミノアルコールとの反応によるアミド体合成工程である。
本反応のもう一方の原料となる光学活性アミノアルコール類は、種々のアミノ酸を水素化リチウムアルミニウム等の還元試薬による方法、オレフィン類を不斉エポキシ化した後にアンモニアを用いて開環する方法またはオレフィン類をクロラミン存在下に不斉オスミウム触媒を用いて誘導する方法などの常法により容易に高い光学純度のアミノアルコールを得られるため、あらゆるアミノアルコール類を本反応に供することができる。
【００２０】
以下に、本反応で用いることができるアミノアルコール類を例示するために、その置換基Ｒ1およびＲ2を列挙するならば、置換していても良いフェニル基としては、フェニル基、p-トルイル基、m-トルイル基、o-トルイル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ノルマルブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−メチル−４−イソプロピルフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、４−シクロペンチルオキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロルフェニル基、３−クロルフェニル基、４−クロルフェニル基及び２，４−ジクロルフェニル基等が挙げられる。
【００２１】
置換していても良いＣ1-6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-アミル基、i-アミル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
反応は、生成する塩化水素の除去のため、塩基を存在させることで容易に行なうことできる。
【００２２】
この場合用いることができる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム及び炭酸水素リチウムのアルカリ金属の重炭酸塩、酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、フタル酸カリウム等の有機酸アルカリ金属塩類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-i-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、ヘキサメチレンテトラミン、ＤＢＵ、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン及び４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等の第３級アミン類、ピリジン、メチルエチルピリジン、２，３−ルチジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，５−ルチジン、３，４−ルチジン、キノリン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−メチルイミダゾール及びＮ−メチルピラゾール等の複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウムヒドロキシド類等の有機塩基類が挙げられるが、特に有機塩基の使用が操作性等の面から有利である。
【００２３】
これら塩基類の使用量は、通常は用いるフェロセンカルボン酸クロリドに対して、０．８〜２０．０モル、好ましくは１．０〜１０．０モルの使用が望ましい。
本反応は有機溶媒中で行なうが、その溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はなく、例えば塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロルエタン及び１，１，２−トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル及び１、４−ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、２−メチル−２−プロパノール、シクロヘキサノール及びベンジルアルコール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、クロルベンゼン、o-ジクロルベンゼン、m-ジクロルベンゼン、p-ジクロルベンゼン及びテトラヒドロナフタリン等の芳香族炭化水素類、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-オクタン及びn-デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル及び安息香酸エチル等のエステル類、アセトニトリル、プロピオニトリル及びブチロニトリル等のニトリル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチル尿素等の尿素類等が挙げられる。これらが単独または組合せて使用できる。
【００２４】
反応温度は、通常−５０〜１５０℃の範囲で可能であるが、特に０〜１００℃の範囲で行なうことが望ましい。
反応時間は用いるアミノアルコールの反応性にもよるが、通常１〜１００時間、生産性、収率等を考慮のうえ、１〜５０時間の範囲で反応が終了するように設定するのが望ましい。
【００２５】
反応終了後は、反応液に有機溶媒および水または飽和食塩水を加え、２層としたのちに、有機層を分離し、水で充分に洗浄後、乾燥、濃縮を行なうことで、中間体のアミド体を粗物として得ることができる。
通常は、続く環化工程のために本工程において、カラムクロマトグラフィーまたは再結晶等の常法による精製を行なうことが望ましいが、粗物をそのまま環化工程に供し、後に精製を行なうことも可能である。
【００２６】
ii）反応の第２工程は、第１工程で得られたアミド体を塩化チオニルで処理後、塩基を用いて閉環し、オキサゾリン環を形成する工程である。
ここで用いる塩化チオニルは、用いる中間体のアミド体に対して０．９〜５倍モル、後処理等の操作性、副反応等を考慮して、通常は１．０〜２．０倍モルの使用が好ましい。
【００２７】
本反応は有機溶媒中で行なうが、その溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はなく、例えば塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロルエタン及び１，１，２−トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル及び１、４−ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、クロルベンゼン、o-ジクロルベンゼン、m-ジクロルベンゼン、p-ジクロルベンゼン及びテトラヒドロナフタリン等の芳香族炭化水素類、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-オクタン及びn-デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル及び安息香酸エチル等のエステル類、アセトニトリル、プロピオニトリル及びブチロニトリル等のニトリル類等が挙げられる。これらが単独または組合せて使用できる。
【００２８】
塩化チオニルでの処理工程の反応温度は、高温は好ましくなく、通常−７８〜２０℃、望ましくは−５０〜０℃である行なうことが好ましい。
反応は、通常５分間〜５時間で終了する。
塩化チオニルでの処理後、続けて塩基を用いて閉環反応はすみやかに完了する。
【００２９】
この場合用いることができる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム及び水酸化バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム及び炭酸バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム及び炭酸水素リチウムのアルカリ金属の重炭酸塩、酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム及びフタル酸カリウム等の有機酸アルカリ金属塩類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-i-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、ヘキサメチレンテトラミン、ＤＢＵ、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン及び４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等の第３級アミン類、ピリジン、メチルエチルピリジン、２，３−ルチジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，５−ルチジン、３，４−ルチジン、キノリン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−メチルイミダゾール及びＮ−メチルピラゾール等の複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウムヒドロキシド類等の有機塩基類が挙げられるが、特にアルカリ金属の炭酸塩、重炭酸塩等の無機塩基の使用が好ましく、これら塩基を水溶液として用いることができる。
【００３０】
これら塩基類の使用量は、通常は用いる塩化チオニルに対して、等モル以上を必要とするが、環化反応を短時間に完結させるためには、２０．０倍モル程度までの大過剰量を用いることが好ましい。
塩基による環化処理は反応液に、その塩基の水溶液を添加、混合攪拌により速やかに完結する。
【００３１】
環化工程の処理温度は、副反応を抑制するためにあまり高温は好ましくなく、通常−２０〜５０℃、好ましくは−１０〜３０℃が望ましい。
環化反応終了後は、常法により反応液に有機溶媒を加え、２層としたのちに、有機層を分離し、水で充分に洗浄後、乾燥、濃縮を行なうことで、２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセンを粗物として得ることができる。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは再結晶等の常法による精製を行なうことで光学的に純粋な２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセンを単離することができる。
【００３２】
iii）第３工程は、得られた２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセンのオキサゾリニル基隣接位を塩基によりメタル化して、次いでジフェニルホスフィンクロリドと反応させてジフェニルホスフィノ基を導入する工程である。
メタル化反応には、一般に強塩基が好適に用いられ、例えば n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムアミド、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド及びカリウム−tert−ブトキシド等の各種アルカリ金属の強塩基類が単独で、または２種以上の組合せで用いられる。
【００３３】
この中でも、アルカリ金属としてリチウムを有する塩基が好ましく、特にn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム等が好ましい。
塩基の使用量は、基質となるオキサゾリニルフェロセンに対して、０．８〜１．５モル、特に０．９〜１．２モルの使用が好ましい。
該メタル化反応の、反応温度は一般に低温が好ましく、−１００〜−２０℃、特に−８０〜−５０℃で行なう方が好結果を与える。
【００３４】
反応は、非水の有機溶媒中で行なうが、この際使用できる溶媒類としては、反応に関与しないものであれば特に制限がなく、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、メチル-tert-ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル及び１、４−ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、クロルベンゼン、o-ジクロルベンゼン、m-ジクロルベンゼン、p-ジクロルベンゼン及びテトラヒドロナフタリン等の芳香族炭化水素類、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-オクタン及びn-デカン等の脂肪族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン及びＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチル尿素等の尿素類等が挙げられる。
【００３５】
メタル化の完了後は、該反応混合物にジフェニルホスフィンクロリドを加えて、ジフェニルホスフィノ基を導入する。
使用するジフェニルホスフィンクロリドの量は、原料のオキサゾリニルフェロセンに対して、０．８〜５．０モル、操作性等から０．９〜２．０モルの使用が好ましい。
【００３６】
本反応の、反応温度は一般に低温で開始することが好ましいが、反応の熟成、完結の際には高温側が好ましい。従って、温度範囲としては−１００〜１００℃、特に−８０〜６０℃の範囲で、反応の進行に従って高温側にシフトさせて反応を行なうことが好結果を与える。
反応時間は、第１段階のメタル化反応が１〜１０時間、ジフェニルホスフィノ化が同様に１〜１０時間の範囲で各々反応が完了する。
【００３７】
反応後の処理方法としては、常法により反応液に水を加えた後に、有機溶媒を加え、有機層を分離する抽出操作を数回行なった後、有機層を水で充分に洗浄後、乾燥、濃縮を行なうことで、〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィンの粗物がフェロセンの軸不斉が（Ｓ）−、（Ｒ）−体の混合物として得られる。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは再結晶等の常法による精製を行なうことで光学的に純粋な（Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィンおよび（Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィンを各々光学的に純粋な形で単離することができる。
【００３８】
上記のように、本願発明の〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン類は、原料から極めて単工程で、しかも光学的に純粋な形で容易に調製することができる、新規なフェロセニルジフェニルホスフィン類である。
続いてケトン類の不斉ヒドロシリル化反応について述べる。
【００３９】
本願発明者は、本願の新規フェロセニルジフェニルホスフィン類が金属、特に周期律表第ＶIII族の遷移金属に対して、高い配位能力が有ることを見出し、近年多くの研究報告のあるケトン類の不斉ヒドロシリル化反応に本願の光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン類を配位子として用いる不斉触媒反応の検討を行なった。
【００４０】
その結果、光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン類が単純ケトンも含めたケトン類の不斉ヒドロシリル化反応の不斉配位子として極めて高い性能を有することを見出した。
また本発明の不斉ヒドロシリル化反応においては、用いる金属触媒（ロジウム、イリジウム）によって、新たに生成する不斉炭素の立体が反転するという従来全く知られていない結果も得られ、不斉配位子、金属の組合せにより、自由に立体を制御できる新規反応系を確立した。
【００４１】
以下、本願の光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン類を配位子として用いる不斉ヒドロシリル化反応について詳細に述べる。
本願の反応基質となるケトン類は、一般式（ＸIＶ）
【００４２】
【化２２】
0003843470.tif 000007
【００４３】
〔式中、Ｒ3、Ｒ4は相異なる置換基であり、置換されていても良いＣ1-20のアルキル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、フェニル基が挙げられる。）、置換されていても良いＣ2-20のアルケニル基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、フェニル基が挙げられる。）、置換されていても良いアリール基（該置換基としては、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基、Ｃ2-6のアルコキシカルボニル基、Ｃ2-6のアシルオキシ基、ハロゲン原子、フェニル基が挙げられる。）を表す。またＲ3、Ｒ4が置換基内または置換基間の任意の位置で結合して、脂肪族または芳香族の環を形成しても良い。〕
で表されるケトン類である。
【００４４】
以下に、本反応で用いることができるケトン類を例示するために、その置換基Ｒ3およびＲ4を列挙するならば、置換されていても良いＣ1-20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-アミル基、i-アミル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、シクロプロピルメトキシエチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、tert-ブトキシカルボニルエチル基、シクロペンチルオキシカルボニルエチル基、アセトキシメチル基、アセトキシエチル基、２−プロパノイルオキシエチル基、３−(tert-ブチルカルボニルオキシ）プロピル基、ベンジル基、１−フェネチル基及び２−フェネチル基等が挙げられる。
【００４５】
置換されていても良いＣ2-20のアルケニル基としては、ビニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、３−ヘキセニル基、アリル基、メタリル基、クロチル基、メトキシビニル基、エトキシビニル基、シクロヘキシルビニル基、４−フェニル−２−ブテニル基、エトキシカルボニルビニル基、tert-ブトキシカルボニルビニル基、アセチルオキシビニル基、１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキセニル基、シンナミル基、スチリル基、６−ドデセンー１−イル基及び１，２−ジフェニルビニル基等が挙げられる。
置換されいても良いアリール基としては、フェニル基、p-トルイル基、m-トルイル基、o-トルイル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−メチル−４−イソプロピルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、４−シクロペンチルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、３−アセトキシフェニル基、３−ベンゾイルオキシフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、４−エトキシカルボニルフェニル基、４−n−プロポキシカルボニルフェニル基、４−tert−ブトキシカルボニルフェニル基、４−シクロペンチルオキシカルボニルフェニル基、４−アセチルオキシフェニル基、４−プロパノイルオキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロルフェニル基、３−クロルフェニル基、４−クロルフェニル基、２−ブロムフェニル基、３−ブロムフェニル基、４−ブロムフェニル基、２，４−ジクロルフェニル基、４−フェニルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、５−アントラセニル基、１−フェナントレニル基、２−フェナントレニル基、３−フェナントレニル基、４−フェナントレニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−メチル−２−ピロリル基、１−メチル−３−ピロリル基、１−メチル−３−ピラゾリル基、１−メチル−４−ピラゾリル基、１−メチル−５−ピラゾリル基、１−メチル−２−イミダゾリル基、１−メチル−４−イミダゾリル基、１−メチル−５−イミダゾリル基、１−メチル−２−インドリル基、１−メチル−３−インダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル、３−ピリダジニル基、２−ピリミジニル基、４−ピリミジニル基、５−ピリミジニル基、２−ピラジニル基及び２−キノキサリル基等が挙げられる。
【００４６】
またＲ3、Ｒ4が置換基内または置換基間の任意の位置で結合して、脂肪族または芳香族の環を形成した場合の例を具体的な化合物で例示すれば、２−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、２−インダノン、１−テトラロン、２−テトラロン、２−デカロン、９−フルオレノン及びカルボン等の環状化合物が挙げられる。
【００４７】
これら置換基、化合物の例は一部であり、本願発明がこれら化合物のみに限定されるものではない。
本願の不斉ヒドロシリル化反応においては、上記ケトン類を周期律表第ＶIII族の遷移金属触媒に本願の光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン誘導体を配位子として添加して、反応を行なう。
【００４８】
本反応で用いられる周期律表第ＶIII族の触媒としては、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム及びイリジウム触媒が挙げられる。これらの元素の中で特にロジウム、イリジウムの錯体及び担持触媒が好ましい。
本不斉ヒドロシリル化反応に使用する触媒は、一般には錯体触媒が好ましく、さらに本願の光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン誘導体と容易に配位子交換を行なうものが望ましいが、一部でも光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン誘導体が配位することでもその効果は認められるため、広範な触媒を供することが可能である。
【００４９】
以下に本反応に使用可能な触媒を具体的に例示する。
白金触媒としては、白金担持シリカ触媒、白金担持アルミナ触媒、白金担持炭素触媒等の担持触媒、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）白金、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）白金、ジクロロビス（トリブチルホスフィン）白金、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金、テトラキス（トリフェニルホスファイト）白金、トリス（トリフェニルホスフィン）白金、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）白金、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）白金、cis-ビス（ベンゾニトリル）ジクロロ白金、ビス（１、５−シクロオクタジエン）白金等の錯体触媒及び塩化白金、酸化白金（アダムス触媒）、白金ブラック等が挙げられる。
【００５０】
ロジウム触媒としては、ロジウム担持シリカ触媒、ロジウム担持アルミナ触媒、ロジウム担持炭素触媒等の担持触媒、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヘキサデカカルボニル六ロジウム、ドデカカルボニル四ロジウム、ジクロロテトラカルボニルロジウム、ヒドリドテトラカルボニルロジウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二ロジウム、ジカルボニル（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ロジウム、シクロペンタジエニルビス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロテトラキス（アリル）二ロジウム等の錯体触媒及び塩化ロジウム、酸化ロジウム等が挙げられる。
【００５１】
パラジウム触媒としては、ラネーパラジウム、パラジウム担持シリカ触媒、パラジウム担持アルミナ触媒、パラジウム担持炭素触媒、パラジウム担持硫酸バリウム触媒、パラジウム担持ゼオライト触媒、パラジウム担持シリカ・アルミナ触媒等の固体または担持触媒、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリブチルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリエチルホスファイト）パラジウム、ビス（シクロオクタ−１、５−ジエン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム等の錯体触媒及びパラジウム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウムが挙げられる。
【００５２】
ルテニウム触媒としては、ルテニウム担持シリカ、ルテニウム担持アルミナ、ルテニウム担持炭素、ルテニウム担持ゼオライト等の担持触媒、ペンタカルボニルルテニウム、ドデカカルボニルトリルテニウム、テトラヒドリドドデカカルボニル四ルテニウム、ジヒドリド（２窒素）トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、テトラカルボニル（トリメチルホスフィト）ルテニウム、ペンタキス（トリメチルホスフィト）ルテニウム、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム、ジアセタトジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロビス（クロロトリカルボニル）ルテニウム、カルボニルクロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、テトラヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、アセタトヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロビス（アセトニトリル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ルテノセン、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、クロロ（シクロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ヒドリド（シクロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、クロロカルボニル（シクロペンタジエニル）ルテニウム、ヒドリド（シクロペンタジエニル）（シクロオクタ−１，５−ジエン）ルテニウム、クロロ（シクロペンタジエニル）（シクロオクタ−１，５−ジエン）ルテニウム、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、シクロオクタトリエン（シクロオクタ−１，５−ジエン）ルテニウム、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、トリカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、トリカルボニル（シクロオクタテトラエン）ルテニウム、トリカルボニル（シクロオクタ−１，５−ジエン）ルテニウム、ジクロルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等の錯体触媒及び塩化ルテニウム、酸化ルテニウム、ルテニウム黒等が挙げられる。
【００５３】
イリジウム触媒としては、ジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二イリジウム、ジクロロビス（シクロオクテン）二イリジウム、クロロカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム、ヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）イリジウム、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ビス（１Ｈ−ピラゾラート）二イリジウム、塩化イリジウム等が挙げられる。
【００５４】
上記触媒の中でも、１価の金属錯体の使用が本反応には好ましく、クロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二ロジウム、ジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二イリジウムの使用が特に好ましい。
以上述べた触媒はそれぞれ単独でも複数組み合わせて使用しても良い。
周期律表第ＶIII族触媒の使用量としては、一般式（ＸIＶ）のケトン誘導体に対して通常０．００００１〜２０モル％の範囲、好ましくは０．０００１〜１０モル％の範囲が良い。
【００５５】
反応に際しては、上記触媒および本願の光学活性フェロセニルジフェニルホスフィン誘導体をあらかじめ混合し、系内で光学活性金属錯体触媒を形成させた後に、一般式（ＸIＶ）のケトン誘導体を添加し、続いて一般式（ＸＶ）
【００５６】
【化２３】
0003843470.tif 000008
【００５７】
（式中、Ｒ5、Ｒ6またはＲ7は任意に水素原子、Ｃ1-6のアルキル基、フェニル基、ナフチル基またはハロゲン原子を表す。）
で表されるシラン誘導体と反応させて、一般式（ＸＶI）
【００５８】
【化２４】
0003843470.tif 000009
【００５９】
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6またはＲ7は前記と同じ意味を表す。）
で表されるヒドロシリル化誘導体へ誘導する。
一般式（ＸＶ）で表されるシラン誘導体としては一般にヒドロシリル化反応で用いられるあらゆる化合物が使用可能であるが、一例を挙げれば、ジフェニルシラン、フェニルシラン、１−ナフチルフェニルシラン、ジクロルシラン、トリクロルシラン、ジクロルメチルシラン、クロルジメチルシラン及びクロルジフェニルシラン等が一般的に使用され、特にジフェニルシランの使用が好ましい。
【００６０】
上記シラン誘導体の使用量は、特に制限はないが、一般式（ＸIＶ）のケトン誘導体に対して、０．５〜１０倍モル、好ましくは０．８〜５倍モルの使用が望ましい。
反応温度は、用いる一般式（ＸIII）のケトン誘導体および一般式（ＸＶ）のシラン誘導体の反応性により異なるが、通常０℃〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃が良い。
【００６１】
反応時間は、上記同様基質の反応性にもよるが通常０．１〜１０時間、好ましくは０．５〜５時間が良い。
本反応は、反応に直接関与しない溶媒中で行なう。用いることのできる溶媒類として一例を挙げれば、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル及び１、４−ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、クロルベンゼン、o-ジクロルベンゼン、m-ジクロルベンゼン、p-ジクロルベンゼン及びテトラヒドロナフタリン等の芳香族炭化水素類、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン及びn-デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル及び安息香酸エチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチル尿素等の尿素類が挙げられ、これらが単独または組合せて使用できる。
【００６２】
上記の反応で得られた光学活性なアルコールのシリルエーテルは、以下の後処理により容易に一般式（ＸＶII）の光学活性なアルコールへ誘導し、純粋な形で単離することができる。
【００６３】
【化２５】
0003843470.tif 000010
【００６４】
反応終了後は、反応混合物をアルコールで処理し、続いて塩酸等の鉱酸で処理を行ない、そののちに常法により反応液に有機溶媒を加え、２層としたのちに、有機層を分離し、水で充分に洗浄後、乾燥、濃縮を行なうことで、目的の光学活性アルコールを粗物として得ることができる。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、減圧蒸留または再結晶等の常法による精製を行なうことで純粋な光学活性アルコールを単離することができる。
【００６５】
【実施例】
以下、実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明する。本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
（Ｓ，Ｓ）−（４，５−ジフェニルオキサゾリン−２−イル）フェロセンの合成。
【００６６】
【化２６】
0003843470.tif 000011
【００６７】
（−）−２−アミノ−１，２−ジフェニルエタノール１．０ｇ（４．６９ミリモル）の乾燥塩化メチレン５０ｍＬ溶液を氷冷し、フェロセンカルボン酸クロリド１．２０ｇ（４．８４ミリモル）、トリエチルアミン２．４０ｇ（２３．７ミリモル）の乾燥塩化メチレン３０ｍＬの溶液をゆっくりと滴下したのちに、反応液を室温にて一昼夜攪拌した。反応混合物に飽和塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬを加えたのちに、塩化メチレン１００ｍＬで３回抽出操作を行なった。抽出溶媒を無水硫酸マグネシウムで乾燥することにより、黄色の固体を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；クロロホルム）で中間体のアミド体を１．４５ｇ得た。（アミノアルコール基準の収率；７６％）。
【００６８】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：１．２０（ｂｒ．，１Ｈ），４．１１（ｓ，５Ｈ），４．３５（ｍ，２Ｈ），４．６３（ｍ，１Ｈ），４．６７（ｍ，１Ｈ），５．１４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．６Ｈｚ），５．４４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．６＆７．８Ｈｚ），６．３５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．１〜７．４（ｍ，１０Ｈ）。
【００６９】
得られたアミド体０．８４ｇ（１．９８ミリモル）を塩化メチレン６０ｍＬ中に懸濁させ、塩化チオニル０．２４ｇ（２．０２ミリモル）の塩化メチレン１５ｍＬ溶液を−２０℃で徐々に滴下して、同温で１時間、さらに０℃で１時間反応を行なった。その後、反応液を冷却した２０％の炭酸カリウム水溶液に添加し、室温にて３０分間攪拌し、塩化メチレン１００ｍＬで３回抽出を行なった。得られた抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去することで赤色の油状物残渣が得られた。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；n-ヘキサン−酢酸エチル）で精製することで目的とする（Ｓ，Ｓ）−（４，５−ジフェニルオキサゾリン−２−イル）フェロセンが２８７ｍｇ（アミド体基準の単離収率；３６％）、黄色結晶として得られた（融点；３３〜３５℃）。
【００７０】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：４．２９（ｓ，５Ｈ），４．４２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝２．２Ｈｚ），４．９２（ｍ，２Ｈ），５．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），５．３１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．２〜７．４（ｍ，１０Ｈ）。
13Ｃ−ＮＭＲ（δ）：６８．９（ｄ），６９．７（ｄ），７０．０（ｓ），７０．６（ｄ），７８．９（ｄ），８８．５（ｄ），１２５．７（ｄ），１２６．７（ｄ），１２７．７（ｄ），１２８．４（ｄ），１２８．８（ｄ），１２８．９（ｄ），１４０．６（ｓ），１４２．３（ｓ），１６６．９（ｓ）。
【００７１】
元素分析値（Ｃ25Ｈ21ＦｅＮＯ）：
計算値：Ｃ，７３．７２；Ｈ，５．２０；Ｎ，３．４４。
分析値：Ｃ，７３．７０；Ｈ，４．８７；Ｎ，３．１８。
【００７２】
実施例２
（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）および（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）の合成。
【００７３】
【化２７】
0003843470.tif 000012
【００７４】
先に合成した（Ｓ，Ｓ）−（４，５−ジフェニルオキサゾリン−２−イル）フェロセン１６３ｍｇ（０．４ミリモル）を、ｓ−ブチルリチウム０．４２ミリモルにより、乾燥ジエチルエーテル３ｍＬ溶液中で反応温度−７８℃において窒素雰囲気下で３時間かけてリチオ化した。その後、ジフェニルホスフィンクロリド１１０ｍｇ（０．５０ミリモル）の乾燥ジエチルエーテル１ｍＬ溶液を同温にて添加した。反応液が室温に戻るまで攪拌した後に、加熱して、溶媒還流下に５時間反応を行なった。反応混合物を飽和塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで処理後、塩化メチレン５０ｍＬを用いて３回抽出操作を行なった。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、続いて溶媒を留去することで目的の生成物をジアステレオマー混合物の黄色固体として得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；n-ヘキサン−酢酸エチル）で精製することで、初期に溶出の（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）を黄色結晶として５６ｍｇ（０．０９４ミリモル、オキサゾリニルフェロセン基準の収率；２４％）、および後に溶出の（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）を黄色結晶として１０５ｍｇ（０．１８ミリモル、オキサゾリニルフェロセン基準の収率；４４％）をそれぞれ純品として単離した。
【００７５】
得られた生成物の各種分析データは以下の通りである。
（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）：黄色結晶、融点；７８〜７９℃。
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．７１（ｍ，１Ｈ），４．２９（ｓ，５Ｈ），４．４３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ），４．９３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），４．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），５．０８（ｍ，１Ｈ），７．０〜７．５（ｍ，２０Ｈ）。
【００７６】
13Ｃ−ＮＭＲ（δ）：７０．９，７２．４，７４．１，７７．２，８８．６，１２５．７，１２６．９，１２７．５，１２８．０，１２８．１，１２８．３，１２８．６，１２８．８，１２９．０，１３２．９，１３４．７，１４０．８，１４２．２，１６５．０。
元素分析値（Ｃ37Ｈ30ＦｅＮＯＰ）：
計算値：Ｃ，７５．１４；Ｈ，５．１１；Ｎ，２．３７。
【００７７】
分析値：Ｃ，７５．３５；Ｈ，５．０２；Ｎ，２．１９。
（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）：黄色結晶、融点；１２４〜１２８℃。
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．７２（ｍ，１Ｈ），４．３２（ｓ，５Ｈ），４．４６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ），５．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），５．１３（ｍ，１Ｈ），５．１９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），６．８〜７．６（ｍ，２０Ｈ）。
【００７８】
13Ｃ−ＮＭＲ（δ）：７０．９，７１．０，７３．１，７４．６，７７．２，７８．５，８８．５，１２５．６，１２６．３，１２７．１，１２８．１，１２８．２，１２８．３，１２８．４，１２８．８，１２９．０，１３２．６，１３２．９，１３４．９，１３５．２，１４０．７，１４２．５，１６５．０。
元素分析値（Ｃ37Ｈ30ＦｅＮＯＰ）：
計算値：Ｃ，７５．１４；Ｈ，５．１１；Ｎ，２．３７。
【００７９】
分析値：Ｃ，７５．０４；Ｈ，５．０３；Ｎ，２．４１。
【００８０】
実施例３
（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）および（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）の合成。
【００８１】
【化２８】
0003843470.tif 000013
【００８２】
実施例１に準じて（＋）−２−アミノ−１，２−ジフェニルエタノールを原料として用いて合成した（Ｒ，Ｒ）−（４，５−ジフェニルオキサゾリン−２−イル）フェロセンを使用して、実施例２と全く同様の反応、処理を行なうことにより、（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）および（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）をそれぞれ純品として単離した。
【００８３】
得られた生成物の分析データは以下の通りであり、先に得た対応するエナンチオマーと全く同様の融点、スペクトルデータを与えた。
（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）：黄色結晶、融点；７８〜７９℃。
【００８４】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．７１（ｍ，１Ｈ），４．２９（ｓ，５Ｈ），４．４３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ），４．９３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），４．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），５．０８（ｍ，１Ｈ），７．０〜７．５（ｍ，２０Ｈ）。
13Ｃ−ＮＭＲ（δ）：７０．９，７２．４，７４．１，７７．２，８８．６，１２５．７，１２６．９，１２７．５，１２８．０，１２８．１，１２８．３，１２８．６，１２８．８，１２９．０，１３２．９，１３４．７，１４０．８，１４２．２，１６５．０。
【００８５】
（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）：黄色結晶、融点；１２４〜１２８℃。
1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．７２（ｍ，１Ｈ），４．３２（ｓ，５Ｈ），４．４６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ），５．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），５．１３（ｍ，１Ｈ），５．１９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），６．８〜７．６（ｍ，２０Ｈ）。
【００８６】
13Ｃ−ＮＭＲ（δ）：７０．９，７１．０，７３．１，７４．６，７７．２，７８．５，８８．５，１２５．６，１２６．３，１２７．１，１２８．１，１２８．２，１２８．３，１２８．４，１２８．８，１２９．０，１３２．６，１３２．９，１３４．９，１３５．２，１４０．７，１４２．５，１６５．０。
【００８７】
実施例４〜１０
光学活性オキサゾリニルフェロセニルホスフィンを用いたロジウム触媒による不斉ヒドロシリル化反応。
【００８８】
【化２９】
0003843470.tif 000014
【００８９】
２０ｍＬのフラスコのジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二ロジウム０．００５ミリモルおよび（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）０．００５ミリモルにアルゴン雰囲気下で乾燥ジエチルエーテル３ｍＬを加え、室温にて１時間攪拌を行なった。ケトン１．０ミリモルの乾燥ジエチルエーテル１ｍＬ溶液を加え、反応フラスコを２５℃の恒温に保ちながら、ジフェニルシラン１．５ミリモルをシリンジで徐々に加え、その後も反応溶液を２５℃に保ちながら反応を行なった。反応終了後、０℃に冷却してメタノール１ｍＬを加え、１時間攪拌を行なった。ガスの発生が停止した後、１Ｎ−塩酸水溶液５ｍＬを加え、さらに室温で１時間攪拌を行なった。反応混合物に飽和塩化ナトリウム水溶液５０ｍＬを加え、ジエチルエーテル５０ｍＬで３回抽出操作を行なった。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、残渣をクーゲルロール蒸留を行ない対応するアルコールを純品として得た。
【００９０】
得られた光学活性アルコールの光学純度（ｅｅ％）および絶対配置は高速液体クロマトグラフィー（カラム；Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ  ＯＪ、ＯＤ、ＯＢまたはＯＦ（ダイセル（株）製））またはガスクロマトグラフィー（カラム；Ｃｈｉｒａｌｄｅｘ  ＧＴ−Ａ、３０ｍ）を用いて決定した。
以下の第１表に、上記合成例に準じて行なった本発明の不斉ヒドロシリル化により得られた反応の結果をまとめて示す。
【００９１】
【化３０】
0003843470.tif 000015
【００９２】
実施例１１〜１６
光学活性オキサゾリニルフェロセニルホスフィンを用いたイリジウム触媒による不斉ヒドロシリル化反応。
【００９３】
【化３１】
0003843470.tif 000016
【００９４】
上記、実施例４〜１０の合成例において、用いる遷移金属触媒をジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二ロジウムからジクロロビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）二イリジウムに替え、不斉配位子として（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＤＩＰＯＦ）または（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（（Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ＤＩＰＯＦ）を用いた他は、全く同様の実験操作、処理を行ない対応するアルコールを純品として得た。
【００９５】
得られた光学活性アルコールの光学純度（ｅｅ％）および絶対配置は高速液体クロマトグラフィー（カラム；Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ  ＯＪ、ＯＤ、ＯＢまたはＯＦ（ダイセル（株）製））またはガスクロマトグラフィー（カラム；Ｃｈｉｒａｌｄｅｘ  ＧＴ−Ａ、３０ｍ）を用いて決定した。
以下の第２表に、上記合成例に準じて行なった本発明の不斉ヒドロシリル化により得られた反応の結果をまとめて示す。
【００９６】
【化３２】
0003843470.tif 000017
【００９７】
【発明の効果】
本発明の方法に従えば、新規な光学活性〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体が、合成的に極めて容易に得ることができる。
また新規な光学活性〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体、とくに〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（ＤＩＰＯＦ）は遷移金属触媒の光学活性配位子として極めて有効であり、合成的に有用な反応であるケトン類の不斉ヒドロシリル化反応を経る光学活性アルコール類の合成が、あらゆるケトン類に対して高い化学収率と、光学純度をもって容易に達成することができる。
【００９８】
また本発明の不斉ヒドロシリル化反応においては、用いる金属触媒（ロジウム、イリジウム）によって、新たに生成する不斉炭素の立体が反転するという従来全く知られていない結果も得られ、不斉配位子、金属の組合せにより、自由に立体を制御できる新規反応系として、その利用価値は極めて高いものと考えられる。
【００９９】
本発明の新規〔２−（４'，５'−ジ置換オキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン誘導体、とくに〔２−（４'，５'−ジフェニルオキサゾリン−２'−イル）フェロセニル〕ジフェニルホスフィン（ＤＩＰＯＦ）は、その他の触媒的不斉反応においても有用と考えられ、今後の新規不斉反応の開発においては、極めて興味深い光学活性ホスフィン誘導体であると考えられる。