(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜に対してプリベークを行なう工程（ａ）と、
前記工程（ａ）よりも後に、前記レジスト膜に含まれる溶媒を揮発させる工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記レジスト膜に対して真空中において露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）よりも後に、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（ｄ）とを備え、
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間は、前記レジスト膜に対する熱履歴を中断することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）は、溶媒を揮発させた後に前記レジスト膜に含まれる溶媒の量を、プリベークが行なわれる前に前記レジスト膜に含まれていた溶媒の量の１０％以下にする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、プリベークされた前記レジスト膜を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、プリベークされた前記レジスト膜にエネルギービームを照射する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記エネルギービームは、紫外線又は遠紫外線であることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記レジスト膜は、化学増幅型レジスト材料よりなることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記化学増幅型レジスト材料のベースポリマーは、フェノール系ポリマー、アクリル系ポリマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系ポリマーであることを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記露光光は、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線、又は電子線であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記露光光は、１３．５ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造プロセスにおいて用いられるパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の大集積化及び半導体素子のダウンサイジング化に伴って、リソグラフィ技術の開発の加速が望まれている。
【０００３】
現在のところ、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ又はＡｒＦエキシマレーザ等を露光光とする光リソグラフィによりパターン形成が行われているが、０．１μｍ以下、特に５０ｎｍ以下の微細なパターンを形成するためには、露光光としては、真空中における露光である極紫外線（波長が１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の光）又は電子線等の適用が検討されている。また、これらの露光光に適したレジスト材料としては、解像度及び感度に優れる化学増幅型レジスト材料が挙げられる。
【０００４】
以下、化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜に真空中で極紫外線を照射してパターン露光を行なうパターン形成方法の従来例について、図４(a) 〜(d) を参照しながら説明する。
【０００５】
まず、以下の組成を持つ化学増幅型レジスト材料を準備する。
【０００６】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレート)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポリマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【０００７】
次に、図４(a) に示すように、半導体基板１の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコートして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２を形成した後、該レジスト膜２に対して、ホットプレートを用いて９０℃の温度下で６０秒間の加熱３を行なって、プリベークを行なう。
【０００８】
次に、図４(b) に示すように、プリベークされたレジスト膜２に対して、真空中において１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線４を図示しない反射型マスクを介して照射して、パターン露光を行なう。
【０００９】
次に、図４(c) に示すように、レジスト膜２に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下で６０秒間の加熱５を行なう。このようにすると、レジスト膜２における露光部２ａは、酸発生剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜２における未露光部２ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００１０】
次に、図４(d) に示すように、レジスト膜２に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なって、０．０７μｍの線幅を持つレジストパターン６を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図４（ｄ）に示すように、得られたレジストパターン６の断面形状は劣化してしまう。
【００１２】
レジストパターン６の形状が劣化する理由は次のように考えられる。
【００１３】
プリベークされたレジスト膜２に対して、真空中において極紫外線４を照射してパターン露光を行なう際に、レジスト膜２からアウトガスが発生し、発生したアウトガスが露光光学系のミラー又はマスクに付着する。このため、レジスト膜２に照射される露光光の照度が低下するので、レジスト膜２の露光部２ａにおいて、酸発生剤から十分な量の酸が発生しないためである。
【００１４】
前記に鑑み、本発明は、パターン露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減して、良好な断面形状を持つレジストパターンが得られるようにすることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係るパターン形成方法は、レジスト膜に対してプリベークを行なう工程と、プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発させる工程と、溶媒が揮発したレジスト膜に対して真空中において露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えている。
【００１６】
本発明に係るパターン形成方法によると、プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜に対して真空中でパターン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量が大きく低減すると共に、真空中において溶媒と共にレジスト膜から外部に出る酸発生剤等の量が低減する。このため、露光光学系のミラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、レジスト膜への照射量が増加して良好な断面形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００１７】
本発明に係るパターン形成方法において、溶媒を揮発させる工程は、溶媒を揮発させた後にレジスト膜に含まれる溶媒の量を、プリベークが行なわれる前にレジスト膜に含まれていた溶媒の量の１０％以下にする工程を含むことが好ましい。
【００１８】
このようにすると、パターン露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を確実に低減することができる。
【００１９】
本発明に係るパターン形成方法において、溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜を加熱する工程を含むことが好ましい。
【００２０】
このようにすると、レジスト膜に含まれる溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
【００２１】
本発明に係るパターン形成方法において、溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜にエネルギービームを照射する工程を含むことが好ましい。
【００２２】
このようにすると、レジスト膜に含まれる溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
【００２３】
この場合、エネルギービームとしては、紫外線又は遠紫外線が好ましい。
【００２４】
このようにすると、レジスト膜がエネルギービームに感応することなく、レジスト膜に含まれる溶媒を揮発させることができる。
【００２５】
本発明に係るパターン形成方法において、レジスト膜は、化学増幅型レジスト材料よりなることが好ましい。
【００２６】
この場合、化学増幅型レジスト材料のベースポリマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル系ポリマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系ポリマーを用いることができる。
【００２７】
本発明に係るパターン形成方法において、露光光としては、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線、又は電子線を用いることができる。
【００２８】
また、本発明に係るパターン形成方法において、露光光としては、１３．５ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線を用いることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図１(a) 〜(e) 及び図３を参照しながら説明する。
【００３０】
まず、以下の組成を有する化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００３１】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレート)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポリマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【００３２】
次に、図１(a) に示すように、半導体基板１０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコートして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、ホットプレートを用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱１２を行なって、プリベークを行なう。
【００３３】
次に、図１(b) に示すように、プリベークが行なわれたレジスト膜１１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下で６０秒間の第２の加熱１３を行なって、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させる。このようにすると、溶媒揮発工程後のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量は、プリベーク前のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量の１０％以下になる。
【００３４】
ところで、プリベーク工程と、溶媒を揮発させる工程とを別々に行なう理由は次の通りである。
【００３５】
プリベークのみでレジスト膜１１に含まれる溶媒を十分に揮発させようとすると、加熱時間の増大及び加熱温度の上昇が必要になるため、レジスト膜１１に含まれる感光成分（例えば、酸発生剤）がダメージを受けたり、又はレジスト膜１１に含まれるベースポリマーが収縮してレジスト膜１１が収縮したりするので、レジスト膜１１の解像特性が劣化してしまう。
【００３６】
これに対して、プリベークされたレジスト膜１１に対して、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させる工程を備えていると、レジスト膜１１の解像特性が劣化しない。その理由は、レジスト膜１１に対する熱履歴を一旦中断することにより、加熱時間の増大及び加熱温度の上昇の程度を抑制しつつ、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させることができる。
【００３７】
次に、図１(c) に示すように、加熱により溶媒が揮発したレジスト膜１１に対して、真空中において１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線１４を図示しない反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光を行なう。このようにすると、レジスト膜１１から揮発する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減する。
【００３８】
次に、図１(d) に示すように、レジスト膜１１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下で６０秒間の第３の加熱１５を行なう。このようにすると、レジスト膜１１における露光部１１ａは、酸発生剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜１１における未露光部１１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００３９】
次に、図１(e) に示すように、パターン露光されたレジスト膜１１に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線幅を持つレジストパターン１６を形成する。
【００４０】
第１の実施形態によると、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜１１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜１１から発生するアウトガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良好な断面形状を持つレジストパターン１６を得ることができる。
【００４１】
尚、第１の実施形態においては、プリベークが行なわれたレジスト膜１１に対してホットプレートを用いて１１０℃の温度下で６０秒間の加熱１３を行なったが、これに代えて、ホットプレートを用いて７０℃〜１５０℃の温度下で、３０秒間〜３００秒間の加熱を行なってもよい。
【００４２】
図３は、レジスト膜中に残存する溶媒の割合（プリベーク前のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量に対する、溶媒揮発工程後のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量の割合）と、レジスト膜から発生するアウトガスの比率（溶媒を揮発させないときにレジスト膜１１から発生するアウトガスの量に対する、溶媒を揮発させたときにレジスト膜１１から発生するアウトガスの量の比率）との関係を示している。
【００４３】
図３から分かるように、レジスト膜中に残存する溶媒の割合が１０％以下になると、レジスト膜から発生するアウトガスの比率は著しく低減する。
【００４４】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法について、図２(a) 〜(e) を参照しながら説明する。
【００４５】
まず、以下の組成を有する化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００４６】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレート)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポリマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【００４７】
次に、図２(a) に示すように、半導体基板２０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコートして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成した後、該レジスト膜２１に対して、ホットプレートを用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱２２を行なって、プリベークを行なう。
【００４８】
次に、図２(b) に示すように、プリベークが行なわれたレジスト膜２１に対して、エネルギービームとしての水銀ランプから出射された紫外線２３を２０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで照射して、レジスト膜２１に含まれる溶媒を揮発させる。このようにすると、溶媒揮発工程後のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量は、プリベーク前のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量の１０％以下になる。
【００４９】
次に、図２(c) に示すように、加熱により溶媒が揮発したレジスト膜２１に対して、真空中において１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線２４を図示しない反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光を行なう。このようにすると、レジスト膜２１から揮発する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減する。
【００５０】
次に、図２(d) に示すように、レジスト膜２１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下で６０秒間の第２の加熱２５を行なう。このようにすると、レジスト膜２１における露光部２１ａは、酸発生剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜２１における未露光部２１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００５１】
次に、図２(e) に示すように、パターン露光されたレジスト膜２１に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線幅を持つレジストパターン２６を形成する。
【００５２】
第２の実施形態によると、レジスト膜２１に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜２１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜２１から発生するアウトガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良好な断面形状を持つレジストパターン２６を得ることができる。
【００５３】
尚、第２の実施形態においては、エネルギービームとして、紫外線を照射したが、これに代えて、遠紫外線を照射してもよい。また、レジスト膜２１を感応させることなくレジスト膜２１に含まれる溶媒を揮発させる波長を持つエネルギービームを適宜用いることができる。
【００５４】
また、エネルギービームのエネルギー量としては、２０ｍＪ／ｃｍ2 に限られず、例えば、１０ｍＪ／ｃｍ2 〜２Ｊ／ｃｍ2 であってもよい。
【００５５】
また、第１及び第２の実施形態においては、露光光として、１３．５ｎｍの波長帯を持つ極紫外線を照射したが、これに代えて、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線、又は電子線を照射してもよい。
【００５６】
また、第１及び第２の実施形態においては、化学増幅型レジスト材料を用いたが、これに代えて、非化学増幅型レジスト材料を用いてもよい。
【００５７】
また、化学増幅型レジスト材料のベースポリマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル系ポリマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系ポリマーを用いることができるが、これらに限られるものではない。
【００５８】
以下、化学増幅型レジスト材料のベースポリマーを例示する。
(1) フェノール系のポリマー
○  ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、エトキシエチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%）
○  ポリ（(メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、メトキシメチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%）
○  ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、テトラヒドロピラニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%）
○  ポリ（(フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、フェノキシエチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝32mol%：68mol%）
○  ポリ（(ｔ−ブチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝30mol%：70mol%）
○  ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝30mol%：70mol%）
○  ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルメチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキシカルボニルメチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝28mol%：72mol%）
(2) アクリル系のポリマー
○  ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンアクリル酸エステル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル：メバロニックラクトンアクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル)−(γ−ブチロラクトンアクリル酸エステル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル：γ−ブチロラクトンアクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
(3) メタクリル系のポリマー
○  ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンメタクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンメタクリル酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンメタクリル酸エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンメタクリル酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
(4) シクロオレフィン系のポリマー
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：ノルボルネン−５−カルボキシレート＝40mol%：60mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール＝35mol%：65mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：ノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸＝40mol%：10mol%：50mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝35mol%：15mol%：50mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(２−メチル−２−アダマンタンメタクリレート)−(γ−ブチロラクトンメタクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−メチル−２−アダマンタンメタクリレート：γ−ブチロラクトンメタクリレート＝25mol%：25mol%：30mol%：20mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(γ−ブチロラクトンメタクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：γ−ブチロラクトンメタクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(２−エチル−２−アダマンタンアクリレート)−(メバロニックラクトンアクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−エチル−２−アダマンタンアクリレート：メバロニックラクトンアクリレート＝25mol%：25mol%：35mol%：15mol%）
○  ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(メバロニックラクトンアクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：メバロニックラクトンアクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
【００５９】
【発明の効果】
本発明に係るパターン形成方法によると、プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜に対して真空中でパターン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量が大きく低減して、ミラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良好な断面形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  (a) 〜(e) は、第１の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】  (a) 〜(e) は、第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】レジスト膜中に残存する溶媒の割合と、レジスト膜から発生するアウトガスの比率との関係を示す特性図である。
【図４】  (a) 〜(d) は、従来のパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  半導体基板
１１  レジスト膜
１１ａ  露光部
１１ｂ  未露光部
１２  第１の加熱
１３  第２の加熱
１４  極紫外線
１５  第３の加熱
１６  レジストパターン
２０  半導体基板
２１  レジスト膜
２１ａ  露光部
２１ｂ  未露光部
２２  第１の加熱
２３  エネルギービーム
２４  極紫外線
２５  第２の加熱
２６  レジストパターン
【図１】
0003816006.tif 000002
【図２】
0003816006.tif 000003
【図３】
0003816006.tif 000004
【図４】
0003816006.tif 000005