(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、
第１電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第１電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、
前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第２電極とを備え、
前記絶縁性の隔壁は前記第１電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をネガ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項２】
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、
第１電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第１電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、
前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第２電極とを備え、
前記絶縁性の隔壁は前記第１電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をポジ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項３】
前記反射部は前記基板に対して前記第１電極を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層で被覆されている請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項４】
前記凸条は前記隔壁毎に１本設けられている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項５】
前記凸条は前記隔壁毎に２本設けられ、両凸条の外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層が設けられている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、
基板上に前記発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程後に行われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をネガ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第１電極と交差する平行なストライプ状の第２電極を形成する工程と
を有し、
かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、
基板上に前記発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程後に行われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をポジ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第１電極と交差する平行なストライプ状の第２電極を形成する工程と
を有し、
かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、単に有機ＥＬという）を利用し、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の有機ＥＬディスプレイパネルは、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に有機ＥＬ層が形成されている。有機ＥＬ層をマトリックス状に配置した構成とするためには、有機ＥＬ層を形成した後に、第２電極を第１電極と交差（一般には直交）する平行なストライプ状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、ウエットプロセスであるフォトリソグラフ法により第２電極を形成することはできず、一般に蒸着法により形成されている。このとき、第２電極と第１電極との絶縁性及び隣接する第２電極同士の絶縁性を確保するため、第２電極と平行に延びる隔壁を設けることが行われている。
【０００３】
例えば、特開平８−３１５９８１号公報には、図７に示すように、基板４１上に平行に形成された陽極４２と直交する方向（図７の紙面と垂直方向）に形成された絶縁層４３と、その上に形成された逆テーパ状の隔壁４４とを設けて、有機ＥＬ層４５の上に形成された陰極４６同士や陰極４６と陽極４２との絶縁性を確保することが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特開平８−３１５９８１号公報に開示されたような逆テーパ状の隔壁４４を形成する場合は、隔壁４４を形成するのに適した専用のレジストを使用して、現像時におけるネガレジストの上部と下部の溶解速度の差を利用する。そのため、隔壁４４が形成される部分の基板側の構成の違いにより、所定の逆テーパ形状が得られずに、隔壁４４を挟んで両側に位置する陰極４６同士が完全に分離されない事態が発生する場合がある。ここで、基板側の構成の違いとは、例えば、隔壁と対応する位置にあるカラーフィルタの色の違いや、隔壁が形成される絶縁層の光透過性や反射性の違い等である。
【０００５】
また、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、有機ＥＬ素子を封止する必要がある。金属製又はガラス製の封止カバーを有機ＥＬディスプレイパネルの表面に接着させて封止すると、有機ＥＬディスプレイパネルの厚みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、ＳｉＮ等の防湿性に優れた物質を使用して、プラズマＣＶＤ等の方法で数千〜数万ｎｍの厚みの防湿膜（保護膜）を形成し、有機ＥＬ素子を封止する方法がある。しかし、隔壁が逆テーパ状あるいは垂直に形成された場合は、隔壁の上に形成された有機ＥＬ層の端面の封止が不十分となる可能性が高いという問題がある。
【０００６】
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は有機ＥＬ層の上に形成される第２電極間あるいは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保するための逆テーパ状の隔壁を、基板側の構成に拘わらず確実に形成することを可能にする有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。また、第２の目的は有機ＥＬ素子の封止を薄膜で行う場合にも、発光に寄与する有機ＥＬ層の封止を確実に行うことが可能になる有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。第３の目的はその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記第１の目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルであって、第１電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機ＥＬ素子を形成するための領域を残して、前記第１電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、前記領域上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも前記有機ＥＬ層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第２電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第１電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をネガ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている。
また、請求項２に記載の発明では、有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、第１電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第１電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第２電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第１電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をポジ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている。
【０００８】
この発明では、逆テーパ状の隔壁を形成すべき箇所と対応する箇所に設けられた反射部の存在により、フォトリソグラフ加工により逆テーパ状の隔壁を形成する際に、隔壁と他の部分との溶解性に、より差を持たせることが容易になり、所定の逆テーパ形状の凸条を確実に形成できる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記反射部は前記基板に対して前記第１電極を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層で被覆されている。従って、この発明では、反射部での反射光が所望の位置に反射し易くなる。
【００１０】
請求項４に記載の発明では、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記凸条は前記隔壁毎に１本設けられている。従って、隔壁の構成が簡単になるとともに、従来の逆テーパ状の隔壁を使用した有機ＥＬディスプレイパネルに簡単に適用できる。
【００１１】
第２の目的を達成するため、請求項５に記載の発明では、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記凸条は前記隔壁毎に２本設けられ、両凸条の外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層が設けられている。従って、この発明では、隔壁の両外側に順テーパ状の絶縁層が存在するため、有機ＥＬ素子の封止にＳｉＮ等の薄膜を使用することが可能になる。
【００１２】
第３の目的を達成するため、請求項６に記載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をネガ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機ＥＬ層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機ＥＬ層を覆うとともに、前記第１電極と交差する平行なストライプ状の第２電極を形成する工程とを有し、かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする。
また、請求項７に記載の発明では、有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をポジ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第１電極と交差する平行なストライプ状の第２電極を形成する工程とを有し、かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第１電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする。
【００１３】
従って、この発明では、反射部が平行なストライプ状に形成された基板上に、パターニング工程により複数の第１電極が反射部と交差するようにストライプ状に形成される。その後、隔壁形成工程により第１電極上の所定位置に有機ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、第１電極と直交するように逆テーパ状の隔壁が形成される。次に前記領域上に発光層形成工程により有機ＥＬ層が形成され、その後、平行なストライプ状の第２電極が第１電極と直交するように形成される。逆テーパ状の隔壁を形成する際、フォトレジストの隔壁を構成すべき部分と他の部分との溶解性に、より差が生じるように反射部からの光が作用する。その結果、現像時に所定の逆テーパ状の隔壁が確実に形成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図３に従って説明する。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、有機ＥＬディスプレイパネル１は、基板としてのカラーフィルタ２の表面に透明な樹脂製のオーバーコート層３が形成され、その上に第１電極（陽極）４が複数、平行なストライプ状に形成されている。第１電極４はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる。また、オーバーコート層３上には絶縁性の隔壁５が、第１電極４上の所定位置に複数の有機ＥＬ素子６を形成するための領域を残して、第１電極４と直交する平行なストライプ状に形成されている。オーバーコート層３上には隔壁５に隣接して有機ＥＬ層７が形成され、有機ＥＬ層７の上に第２電極８（陰極）が形成されている。
【００１６】
有機ＥＬ層７は第１電極４側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の４層で構成されている。そして、有機ＥＬ層７、有機ＥＬ層７を挟んで両側に形成された第１電極４及び第２電極８により１個の有機ＥＬ素子６が構成されている。
【００１７】
第１電極４及び第２電極８はそれぞれ複数の平行なストライプ状に形成されるとともに、互いに交差（この実施の形態では直交）する状態に配設されているため、有機ＥＬ素子６は両電極４，８の交差部分においてカラーフィルタ２上にマトリックス状に配置されることになる。
【００１８】
有機ＥＬ層７の厚みは通常０．１〜０．２μｍ程度で、第２電極８の厚みは有機ＥＬ層７より薄く、有機ＥＬ層７及び第２電極８の厚みの合計値は最大でも１μｍ以下である。一方、凸条５ａの厚みは３〜２０μｍ程度である。有機ＥＬ層７及び第２電極８は一般に真空蒸着法により形成されるため、それらが不要な隔壁５上にも有機ＥＬ層７及び第２電極８と同じ金属層が形成されている。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、隔壁５は第２電極８と平行に延び、第１電極４と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状の凸条５ａと、該凸条５ａの下側に形成されるとともに凸条５ａより幅広で、凸条５ａに沿って延びる絶縁層５ｂとで構成されている。凸条５ａ及び絶縁層５ｂはネガ型のフォトレジストにより形成されている。
【００２０】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、カラーフィルタ２上には逆テーパ状に形成された凸条５ａと対応する箇所に、該凸条５ａと平行に延びる反射部９が形成されている。反射部９は幅が凸条５ａの底部の幅より少し狭く形成されている。即ち、反射部９は図２に示すように、第１電極４と直交するように、所定間隔で平行に形成されている。なお、図２は反射部９と第１電極４との関係を示す模式平面図である。オーバーコート層３は反射部９を被覆するように形成されている。反射部９は周囲の部分（この実施の形態ではカラーフィルタ２の表面）より反射率が高い材質で形成された膜で構成されている。この実施の形態では反射部９は金属膜（例えばＡｌ膜）で形成されている。
【００２１】
次に前記のように構成された有機ＥＬディスプレイパネル１の製造方法を説明する。
先ずカラーフィルタ２の上の所定位置に反射部９としての金属膜が蒸着により形成された後、オーバーコート層３が反射部９を被覆する状態でカラーフィルタ２の上面全体に形成される。オーバーコート層３は例えば、着色されていない透明なネガ型のフォトレジスト溶液を塗布、硬化させることで形成される。
【００２２】
次にパターニング工程において、オーバーコート層３の上に、図２に示すように、各反射部９と直交する状態で有機ＥＬ層７を形成すべき位置と対応する箇所に、複数の第１電極４がストライプ状に形成される。第１電極４は蒸着により形成される。
【００２３】
次に隔壁形成工程により第１電極４上の所定位置に有機ＥＬ素子６を形成するための領域を残すようにして隔壁５が第１電極４と直交するストライプ状に形成される。隔壁５は通常のネガ型のフォトレジストを使用したフォトリソグラフ法により、絶縁層５ｂと凸条５ａとが２回に分けて形成される。先ず図３（ａ）に示すように、所定の厚みの絶縁層５ｂが形成された後、絶縁層５ｂの上に逆テーパ状の凸条５ａが形成されて、図３（ｂ）に示すように隔壁５が完成する。絶縁層５ｂ及び凸条５ａを形成するフォトレジストの材料（材質）は同じであるが、絶縁層５ｂを形成する際は薄い膜厚に適した濃度のレジスト溶液を使用し、凸条５ａを形成する際は厚い膜厚に適した濃度のレジスト溶液を使用する。
【００２４】
凸条５ａを形成するために、ネガ型のフォトレジスト層の凸条５ａと成るべき箇所に光（紫外線）が照射されるが、その際、反射部９が存在することにより、当該箇所に反射部９の反射光も照射される。その結果、光が照射された部分と、照射されない部分との溶解性の差が、反射部が存在しない場合に比較して、より大きくなり、所定の逆テーパ形状の凸条５ａを確実に形成できる。
【００２５】
次に隔壁５が良く乾燥された後、発光層形成工程（有機ＥＬ層形成工程）により有機ＥＬ層７が形成される。有機ＥＬ層７は有機ＥＬ層７を構成する各層が蒸着により順次形成されることで形成される。有機ＥＬ層７を形成する際はマスキングなしで蒸着が行われるため、有機ＥＬ層７を形成する必要のない隔壁５上にも有機ＥＬ層が形成される。
【００２６】
次に第２電極形成工程により、有機ＥＬ層７を覆うとともに、第１電極４と直交する平行なストライプ状の第２電極８が形成される。第２電極８はＡｌ（アルミニウム）を蒸着することにより形成される。Ａｌを蒸着する際もマスキングなしで行われるため、第２電極８を形成する必要のない隔壁５上にもＡｌ被膜が形成され、図１（ａ），（ｂ）に示す状態となる。有機ＥＬ層７及び第２電極８は凸条５ａの上にも形成されるが、有機ＥＬ層７のうち表示部として機能する部分は隣接する隔壁５間に位置する平面部分１０であり、隔壁５と対応する部分は表示機能は必要としない。
【００２７】
この実施の形態では以下の効果を有する。
（１）  絶縁性の隔壁５は第１電極４と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条５ａを備え、該凸条５ａをフォトレジストで形成するとともに、凸条５ａと対応する箇所に凸条５ａと平行に延びる反射部９が形成されている。従って、フォトリソグラフ加工により逆テーパ状の凸条５ａを形成する際に、凸条５ａと他の部分との溶解性に、より差を持たせることが容易になり、所定の逆テーパ形状の凸条５ａを確実に形成できる。その結果、第２電極８が蒸着法により形成された際、隣接する第２電極８同士が凸条５ａに蒸着された金属層を介して短絡するのが防止される。
【００２８】
（２）  反射部９はカラーフィルタ２に対して第１電極４を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層３で被覆されている。従って、反射部９での反射光が所望の位置に反射し易くなり、オーバーコート層３がない場合に比較して凸条５ａをより所望の形状に形成し易くなる。
【００２９】
（３）  凸条５ａは隔壁５毎に１本設けられている。従って、隔壁５の構成が簡単になるとともに、従来の逆テーパ状の隔壁を使用した有機ＥＬディスプレイパネルに簡単に適用できる。
【００３０】
（４）  従来のものと異なり、逆テーパ状の隔壁を形成するためのフォトレジストとして、有機ＥＬディスプレイパネルの隔壁専用レジストを使用せずに、通常のネガ型のフォトレジストを使用することができ、製造コストを低減できる。
【００３１】
（５）  隔壁５を形成するフォトレジストとしてネガ型のフォトレジストを使用しているため、露光時のフォトマスクとして、ポジ型のフォトレジストを使用した場合に比較して開口率の小さなものを使用でき、ゴミ等が侵入し難い。また、フォトレジストをポジ型のものより安価で入手し易い。
【００３２】
（６）  隔壁５は絶縁層５ｂの上に凸条５ａが形成された構成のため、第２電極８を蒸着法で形成するまでに、第１電極４の表面は隔壁５又は有機ＥＬ層７で被覆された状態となっている。従って、第２電極８を蒸着法により形成する際、第２電極８と第１電極４とが短絡する虞がない。
【００３３】
（第２の実施の形態）
次に第２の実施の形態を図４に従って説明する。この実施の形態では凸条５ａを形成するフォトレジストとしてポジ型のフォトレジストが使用されている点と、反射部９の配設位置とが前記実施の形態と異なり、その他の構成は同じである。前記実施の形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００３４】
ネガ型のフォトレジストの場合は、露光部が硬化して現像時に露光部以外が溶解除去される。一方、ポジ型のフォトレジストの場合は、露光部が可溶性となり、未露光部が残ることで凸条５ａが形成される。従って、反射部９は凸条５ａの底面を挟んで外側と対向する位置に設けられている。
【００３５】
隔壁５を構成する凸条５ａを形成する場合、絶縁層５ｂを形成した後、ポジ型のフォトレジスト溶液をコートし、凸条５ａと対応する部分を除いた箇所に開口を有するフォトマスクを使用して露光が行われる。その際、凸条５ａの底面の外側近傍と対向する位置に反射部９が存在するため、フォトレジスト層のうち凸条５ａとして残るべき部分と、現像時に溶解除去されるべき部分との溶解性の差が大きくなる。その結果、所定の逆テーパ状の凸条５ａが確実に形成される。
【００３６】
従って、この実施の形態では前記実施の形態の（１）、（２）及び（６）と同じ効果を有する他に次の効果を有する。
（７）  凸条５ａの底面の外側近傍と対向する位置に反射部が設けられているため、一般的なポジ型のフォトレジストを使用して逆テーパ状の凸条５ａを確実に形成でき、隔壁用の特殊なネガ型のフォトレジストを使用しなくてもよい。
【００３７】
（第３の実施の形態）
次に第３の実施の形態を図５（ａ），（ｂ）に従って説明する。この実施の形態では隔壁５の構成が前記両実施の形態と大きく異なっている。前記実施の形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００３８】
図５（ａ）に示すように、隔壁５は逆テーパ状の２本の凸条５ａと、両凸条５ａの外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層５ｃとで構成され、前記両実施の形態の構成において凸条５ａの下に存在した絶縁層５ｂは存在しない。即ち、凸条５ａは第１電極４の上に直接形成されている。凸条５ａ及び絶縁層５ｃはポジ型のフォトレジストで形成されている。反射部９は両凸条５ａの底面間と対向する位置に形成されている。従って、フォトレジスト層の除去すべき部分を露光する際、現像時に除去すべき部分と残すべき部分との溶解性の差が大きくなるような露光状態となり、逆テーパ状の凸条５ａが簡単かつ確実に形成される。各凸条５ａの両側壁のうち、対向する側と反対側の側壁の外側には絶縁層５ｃが形成されるため、逆テーパの形状が多少乱れてフォトレジスト樹脂が余分に残っても問題がないので、各凸条５ａの外側部分と対向する位置には、反射部９を設けなくても支障がない。
【００３９】
隔壁５は一対の凸条５ａの外側に沿って形成された順テーパ状の絶縁層５ｃを備えており、有機ＥＬ層７及び第２電極８を構成するＡｌ層は、絶縁層５ｃと対応する部分においては隔壁５に沿って斜状に形成されている。従って、図５（ａ）に鎖線で示すように、平面部分１０から隔壁５に連なる有機ＥＬ層７及びその上に積層形成された第２電極８を覆うように保護膜１１を形成する際、保護膜１１が薄くても確実に有機ＥＬ素子６を封止することができる。また、保護膜１１をプラズマＣＶＤ法で形成した場合は、真空蒸着法で形成した場合と異なり、保護膜１１が有機ＥＬ層７や第２電極８の端部において回り込むように付着されるため、有機ＥＬ層７の端面も保護膜１１で被覆される。
【００４０】
この実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネル１の製造方法は、隔壁形成工程を除いて第１の実施の形態と同じである。隔壁形成工程では、先ずポジ型のフォトレジストを使用して、図５（ｂ）に示すように、逆テーパ状の凸条５ａが形成される。次に図５（ｂ）に鎖線で示すように、ポジ型のフォトレジスト溶液の塗布によりフォトレジスト層１２が形成される。フォトレジスト液を塗布する際に、表面張力の作用により凸条５ａの近辺には、フォトレジスト層１２が厚く塗布された状態となる。その結果、通常の露光、現像を行うことで、図５（ａ）に示すような順テーパ状の絶縁層５ｃが形成される。
【００４１】
この実施の形態では第１の実施の形態の（１）（２）及び（６）と、第２の実施の形態の（７）と同じ効果を有する他に次の効果を有する。
（８）  第１電極４上に形成された有機ＥＬ層７の上に第１電極４と直交するように形成されたストライプ状の第２電極８同士を絶縁するための隔壁５が、逆テーパ状に形成された２本の凸条５ａを備えている。従って、第２電極８が真空蒸着法により形成される際、隣接する凸条５ａ間に蒸着層が跨がることが防止され、第２電極８同士の短絡が防止される。
【００４２】
（９）  隔壁５は両凸条５ａの外側に沿っ形成された順テーパ状の絶縁層５ｃを備えている。従って、平面部分１０から隔壁５に連なる有機ＥＬ層７及びその上に積層形成された第２電極８を覆うように保護膜１１を形成する際に、保護膜１１が薄くても確実に有機ＥＬ素子６を封止することができる。従って、有機ＥＬ素子６の封止にＳｉＮ等の薄膜を使用した場合、表示部として機能する平面部分１０（発光に寄与する部分）の有機ＥＬ層７を前記薄膜で確実に覆うことができ、水分等による劣化に対する信頼性が向上する。
【００４３】
（１０）  絶縁層５ｃはポジ型のフォトレジストで形成されている。ネガ型のフォトレジストを使用した場合は、現像前のフォトレジスト層１２に対して絶縁層５ｃを形成すべき部分を確実に露光する必要がある。従って、逆テーパ状の凸条５ａの陰になる部分の露光を助けるために、反射部９を余分に設ける必要がある。しかし、ポジ型のフォトレジストを使用した場合は、逆テーパ状の凸条５ａの陰になる部分に光を照射する必要がなく、反射部９を余分に設ける必要がない。
【００４４】
実施の形態は前記に限らず、例えば次のように構成してもよい。
○  第３の実施の形態において、凸条５ａ及び絶縁層５ｃをネガ型のフォトレジストで形成してもよい。この場合、図６に示すように、反射部９は凸条５ａと対向する位置に形成されている。この実施の形態では第１の実施の形態の（１）、（２）及び（６）と、第２の実施の形態の（７）と、第３の実施の形態の（８）及び（９）と同じ効果を有する。
【００４５】
〇  隔壁５を凸条５ａ及び絶縁層５ｃで構成する場合、両者を同じタイプのフォトレジストで形成する必要はない。例えば、凸条５ａをネガ型のフォトレジストで形成し、絶縁層５ｃをポジ型のフォトレジストで形成したり、凸条５ａをポジ型のフォトレジストで形成し、絶縁層５ｃをネガ型のフォトレジストで形成してもよい。
【００４６】
○  反射部９を構成する金属膜の材料としてはＡｌに限らず、クロム、チタン、ニッケル等の他の金属を使用してもよい。しかし、取り扱い易さ等の点からＡｌが好ましい。また、反射部９の材質は金属に限らず、膜が形成された状態において周囲の部分より反射率が高い材質であればよく、金属酸化物や樹脂等であってもよい。
【００４７】
○  隔壁５を２本の凸条５ａと、その外側に形成された絶縁層５ｃとから構成する場合は、各凸条５ａはその両側壁が所定の逆テーパ状に形成される必要はなく、絶縁層５ｃと連続する側の側壁（外側の側壁）は場合によっては垂直、あるいは反対側に傾斜していてもよい。
【００４８】
○  反射部９の材質が絶縁性の材質の場合は、オーバーコート層３を設けずに、反射部９の上に第１電極４を形成してもよい。
〇  レジストとしてフォトレジストに限らず、電子線レジストを使用してもよい。
【００４９】
〇  第２電極８は第１電極４と直交する構成に限らず、交差する構成であればよい。
○  有機ＥＬ層７は必ずしも４層構成に限らない。
【００５０】
○  保護膜１１を形成して有機ＥＬ素子６を封止する代わりに、金属製又はガラス製の封止カバー等で封止する構成としてもよい。
前記実施の形態から把握できる技術的思想（発明）について以下に記載する。
【００５１】
（１）  請求項５に記載の発明において、前記有機ＥＬ素子を封止するための保護膜が設けられている。
【００５２】
（２）  （１）に記載の発明において、前記保護膜はプラズマＣＶＤ法により形成されている。
【００５３】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項１〜請求項５に記載の発明では、有機ＥＬ層の上に形成される第２電極間あるいは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保するための逆テーパ状の隔壁を、基板側の構成に拘わらず確実に形成することができる。また、請求項５に記載の発明では、有機ＥＬ素子の封止を薄膜で行う場合にも、発光に寄与する有機ＥＬ層の封止を確実に行うことが可能になる。請求項６及び請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項５に記載の発明のＥＬディスプレイパネルの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は第１の実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルの概略部分斜視図、（ｂ）は部分模式断面図。
【図２】  反射部と第１電極の関係を示す模式平面図。
【図３】  （ａ），（ｂ）は有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程における部分模式断面図。
【図４】  第２の実施の形態の部分模式断面図。
【図５】  （ａ）は第３の実施の形態の部分模式断面図、（ｂ）は隔壁形成工程を示す部分模式断面図。
【図６】  別の実施の形態の模式断面図。
【図７】  従来技術の有機ＥＬディスプレイパネルの部分模式断面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬディスプレイパネル、２…基板としてのカラーフィルタ、３…オーバーコート層、４…第１電極、５…隔壁、５ａ…凸条、５ｃ…絶縁層、６…有機ＥＬ素子、７…有機ＥＬ層、８…第２電極、９…反射部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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