(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0003772351.tif 000020
（式中、Ｌはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物。
【請求項２】
一般式（Ｉ）
【化２】
0003772351.tif 000021
（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物を式（Ｖ）
【化３】
0003772351.tif 000022
のヴィッティヒ反応剤と反応させ、触媒存在下で接触還元させた後に、脱アセタール化させた後、式（ＩＩ）
【化４】
0003772351.tif 000023
のヴィッティヒ反応剤と反応させ、次いで加水分解する工程をｍ−２回繰り返した後、一般式（ＩＩＩ）
【化５】
0003772351.tif 000024
（式中、ｙは０〜７の整数を表わす。）で表わされるヴィッティヒ反応剤と反応させることを特徴とする一般式（ＩＶ）
【化６】
0003772351.tif 000025
（式中、ｙは０〜７の整数を表わし、ｍは２〜４の整数を表わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は電気光学的表示材料として有用なトリフルオロメトキシベンゼン誘導体の製造方法及びその製造中間体である新規化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、ゲーム、電卓をはじめとして、最近ではワープロ、コンピューター、テレビ等に用いられ、電子装置と人とのインターフェースとして重要なものとなっている。
【０００３】
液晶を用いた表示方式は、（１）電界効果（ＦＥＭ）型、（２）動的散乱（ＤＳＭ）型、及び（３）熱効果（ＴＥＭ）型に大別されるが、現在までのところ実用化されているのは、電界効果型に基づく表示方式である。電界効果型には、ねじれネマチック（ＴＮ）型、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）型、ゲスト−ホスト（ＧＨ）型、電界制御複屈折（ＥＣＢ）型、コレステリック−ネマチック相転移（ＣＮ−ＰＴ）型、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）型等が知られており、現在主流となっているのはＴＮ型及びＳＴＮ型である。また、表示容量の増加要求に対応するため、駆動方式においても、従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動、単純マトリックス駆動が実用化されてきた。これらの駆動方式を用いてもＴＮ型では大容量化は困難であったが、ＳＴＮ型を改良することより、ある程度までは容量の増加が可能となった。しかしながら、このＳＴＮ型も近年の大表示容量要求に対してはもはや対応できない状況にある。そこで、表示画素ごとに閾特性をもつ非線形素子を用いた、ＭＩＭ（Metal Insurator Metal）方式、能動素子を用いた、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式等のアクティブマトリックス方式が開発され、これによればＣＲＴに匹敵する大容量化や高精細化が可能となるため、液晶テレビや高精細ディスプレイとして実用化され、現在急速に発展している。
【０００４】
このアクティブマトリックス表示方式に用いられる液晶材料としては、通常の液晶表示方式と同様に、種々の特性が要求されているが、特に、（１）比抵抗が高く、電圧保持率に優れること、（２）閾値電圧が低いこと、（３）作動温度範囲が広いこと、（４）応答性に優れること等が重要である。
【０００５】
一般に、液晶表示における閾値電圧を低くするためには、液晶材料の弾性定数を小さくするか、あるいは誘電率異方性を大きくする必要がある。
しかしながら、弾性定数を小さくすると応答も同時に遅くなる傾向にあり、高速応答性を保持しつつ閾値電圧を低くするためには、通常、誘電率異方性を大きくする必要がある。そこで、液晶化合物の誘電率異方性を大きくするためには、液晶分子の分子長軸方向に極性の大きい基を導入する必要があり、そのための極性基としてはこれまで主としてシアノ基が用いられてきた。
【０００６】
しかしながら、シアノ基を有する化合物を用いた液晶材料は、高い比抵抗値や高い電圧保持率を得ることは困難であるため、アクティブマトリックス表示方式には適さない。よって、誘電率異方性を大きくするためには、４−フルオロフェニル基や３，４−ジフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメトキシフェニル基等のように、極性基としてシアノ基に換えてフッ素原子を用いた基を有する液晶化合物が用いられてきている。
【０００７】
一方、応答を高速にするためには、液晶材料の粘性を低くする必要がある。上記のフッ素系の化合物のうち、４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する液晶化合物は例えば、対応する４−トリフルオロメチルフェニル基を有する液晶化合物より低粘性であり、高速応答性に優れていることが報告されている。（G.W.Gray et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 204, 91,(1991)及び第１６回液晶討論会予稿集2K215）
しかしながら、この４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する液晶化合物は、ネマチック相上限温度があまり高くないこと、及びスメクチック相温度範囲が広いという問題点を有していた。そのため、これを用いて温度範囲の広い液晶組成物を得ることは決して容易ではなく、また、より優れた応答性も要求されていた。
【０００８】
一方、ジフルオロフェニル基を有する液晶化合物において、そのアルキル側鎖をアルケニル基に置き換えることにより、液晶相上限温度を上昇させ、粘度を低下させ、且つ高い比抵抗値を維持できることが報告されている。（特開平３−２２３２２３号公報）
そこで、４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する液晶化合物の側鎖をアルケニル基に変換することにより、ネマチック相上限温度や応答性が改善されることが期待できる。中でもその温度範囲や粘性の点で一般式（ＩＶ）
【０００９】
【化６】
0003772351.tif 000002
【００１０】
（式中、ｙは０〜７の整数を、ｍは０〜４の整数を表わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされるフェニルビシクロヘキサン誘導体が好ましいと考えられた。
【００１１】
このように側鎖がアルケニル基で且つ４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する化合物は、特表平４−５０１２７０号公報に記載されている。しかしながら、本公報に記載されている一般的製造方法によれば、中間体としてシクロヘキサンカルボン酸誘導体を経由するわけであるが、カルボン酸をアルデヒドに変換する必要があるなど製造工程が頻雑であり、このような一般式（ＩＶ）で表わされるフェニルビシクロヘキサン骨格を有する化合物を製造する場合、原料となる４’−ケトビシクロヘキサン−４−カルボン酸エチルの入手、中間体のビシクロヘキサンカルボン酸誘導体（Ｂ）
【００１２】
【化７】
0003772351.tif 000003
【００１３】
（式中、ＸはＦ、Ｃｌ、−ＣＦ3、−ＣＮ、−ＯＣＦ3または−ＯＣＨＦ2であり、そしてＹ及びＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦである。）
の異性化等についても問題が多く、工業的にも容易に製造できるものではない。
以上のように、側鎖がアルケニル基で且つ４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する化合物は、その優れた特性が期待されているにもかかわらず、実用的な製造方法については知られていなかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、液晶相の温度範囲及び表示装置の応答速度等の改善に効果的と考えられるアルケニル側鎖を有するトリフルオロメトキシベンゼン誘導体の新規な製造方法を提供し、さらに、上記製造方法において、合成中間体として有用な新規なビシクロヘキサン−４−オン誘導体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（ＩＶ）で表わされるアルケニル側鎖を有するトリフルオロメトキシベンゼン誘導体の製造中間体として、一般式（Ｉ）
【００１６】
【化８】
0003772351.tif 000004
【００１７】
（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる新規な４’−フェニルビシクロヘキサン−４−オン誘導体を提供する。
【００１８】
一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、以下のようにして製造することができる。
【００１９】
【化９】
0003772351.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｑは臭素原子または塩素原子を表わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わす。）
一般式（ＶＩ）で表わされるトリフルオロメトキシベンゼン誘導体から調製されたグリニヤール反応剤を式（ＶＩＩ）のビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレンアセタールと反応させ、次いで酸触媒存在下で脱水させることにより一般式（ＶＩＩＩ）で表わされるシクロヘキセン誘導体を得ることができる。
【００２１】
【化１０】
0003772351.tif 000006
【００２２】
（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わす。）
次に、一般式（ＶＩＩＩ）の化合物を、パラジウムカーボン等の触媒の存在下で接触還元することにより、シクロヘキサン環がシス及びトランス配置の異性体混合物を得ることができる。このシス、トランス体の混合物を、ｔ−ブトキシカリウム等の強塩基と反応させることにより、トランス体に異性化させて、次いで蟻酸等の酸存在下で、脱アセタール化することにより、本発明の新規化合物である一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。
【００２３】
斯くして得られた一般式（Ｉ）の化合物を中間体として、前述の一般式（ＩＶ）で表わされるアルケニル側鎖を有するトリフルオロメトキシベンゼン誘導体を以下のようにして容易に製造することができるが、本発明はこの一般式（ＩＶ）の化合物の製造方法をも提供するものである。
【００２４】
一般式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）のヴィッティヒ反応剤と反応させ、次いで酸存在下で加水分解することにより、シクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得ることができるが、これはホルミル基の結合したシクロヘキサン環が、シス及びトランス配置の異性体混合物である。このシス、トランス体の混合物を塩基によりトランス体に異性化させて一般式（ＩＸ）
【００２５】
【化１１】
0003772351.tif 000007
【００２６】
（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）のシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得ることができる。
【００２７】
【化１２】
0003772351.tif 000008
【００２８】
この一般式（ＩＸ）の化合物を式（ＩＩ）のヴィッティヒ反応剤と反応させた後、酸存在下で加水分解する工程を必要に応じてｍ回繰り返し、次いで式（ＩＩＩ）のヴィッティヒ反応剤と反応させることにより一般式（ＩＶ）の化合物を得ることができる。
【００２９】
ここでｙ≧１である場合には、得られた一般式（ＩＶ）の２重結合は主としてシス体である。このシス体は、トリエチルボラン、トリフェニルゲルマン、あるいはｐ−トルエンスルフィン酸等によりトランス体に異性化することが可能である。
【００３０】
上記工程中、式（ＩＩ）のヴィッティヒ反応剤との反応を３回繰り返す代わりに、式（Ｖ）
【００３１】
【化１３】
0003772351.tif 000009
【００３２】
のヴィッティヒ反応剤を反応させた後、ラネーニッケル等の触媒の存在下に接触還元し、脱アセタール化してもよい。
以上のように、一般式（Ｉ）で表わされる化合物を合成中間体として反応させることにより製造された一般式（ＩＶ）で表わされる化合物の代表例を第１表に掲げる。
【００３３】
【表１】
0003772351.tif 000010
【００３４】
（表中、Ｃは結晶相を表わし、Ｓはスメクチック相を表わし、Ｎはネマチック相を表わし、Ｉは等方性液体相を表わし、括弧内の温度はモノトロピック転移温度を表わす。）
比較のため、第１表の（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）と類似構造を有する化合物を第２表に示す。
【００３５】
【表２】
0003772351.tif 000011
【００３６】
上表より、本発明における新規中間体化合物及びそれを用いた製造方法により合成された一般式（ＩＶ）で表わされる化合物は、比較的高い温度までネマチック相を示すことが理解できる。
【００３７】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３８】
なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び質量スペクトル（ＭＳ）で確認した。ＭＳにおけるＭ+は親ピークを表わし、ＮＭＲにおけるｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３重線、ｍは多重線を表わし、ｂは幅広い吸収を表わす。
（実施例１）  トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの合成
（１−ａ）    ４−［１−（４−メトキシフェニル）シクロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成
【００３９】
【化１４】
0003772351.tif 000012
【００４０】
マグネシウム１６．６ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに懸濁し、１−ブロモ−４−トリフルオロメトキシベンゼン１５０ｇのＴＨＦ６００ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流を続ける速度で滴下し、１時間室温で攪拌した。さらに、４，４’−ビシクロヘキサンジオンモノエチレンアセタール１２３ｇのＴＨＦ５００ｍｌ溶液を室温で２時間で滴下し、３時間室温で攪拌した。反応終了後、２０％塩化アンモニウム水溶液５００ｍｌを加え、反応生成物を酢酸エチル１０００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜去して、得られた結晶をトルエン１０００ｍｌに溶解して、ここに硫酸水素カリウム１０ｇを加え、５時間加熱還流させた。得られた反応生成物を室温まで放冷し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した後、これをエタノールから再結晶させて、４−［１−（４−メトキシフェニル）シクロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチレンアセタール１５０ｇを得た。
（１−ｂ）    トランス−４’−（４−メトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンエチレンアセタールの合成
上記（１−ａ）で得た４−［１−（４−メトキシフェニル）シクロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチレンアセタール１５０ｇを酢酸エチル７５０ｍｌに溶解し、５％パラジウム炭素１５ｇを加え、オートクレーブを用いて水素圧３気圧下で８時間反応させた。反応終了後、触媒を濾別し溶媒を溜去して、ベンゼン環に直結したシクロヘキサン環がシス及びトランス配置である混合物（シス／トランス比：１／２）１４９ｇを得た。これをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７５０ｍｌに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム４３ｇを加え、７０℃で６時間攪拌した後、水１０００ｍｌを加え、反応生成物を酢酸エチル１０００ｍｌで抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去した後、メタノールから再結晶させて、トランス−４’−（４−メトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンエチレンアセタール１１２ｇを得た。
（１−ｃ）  トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの合成
上記（１−ｂ）で得たトランス−４’−（４−メトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンエチレンアセタール１１２ｇをトルエン３００ｍｌに溶解し、蟻酸３００ｍｌを加えて１時間加熱還流させた。反応生成物を室温まで放冷し、ここに水３００ｍｌを加え有機相を分離した。有機相を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した後、これをヘキサンから再結晶させてトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの白色結晶９０．２ｇを得た。
融点：７３．７℃
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４０（Ｍ+）
ＮＭＲ：δ＝１．１〜２．２（ｍ，１４Ｈ）、２．２〜２．６（ｍ，５Ｈ）、７．１〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
（実施例２）  トランス−４’−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの合成
【００４１】
【化１５】
0003772351.tif 000013
【００４２】
実施例１において１−ブロモ−４−トリフルオロメトキシベンゼンに換えて、１−ブロモ−３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシベンゼンを用いた他は実施例１と同様にしてトランス−４’−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンを得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３５８（Ｍ+）
ＮＭＲ：δ＝１．１〜２．２（ｍ，１４Ｈ）、２．２〜２．７（ｍ，５Ｈ）、６．８５〜７．３５（ｍ，３Ｈ）
（参考例１）  トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−エテニルビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．１の化合物）の合成
【００４３】
【化１６】
0003772351.tif 000014
【００４４】
塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム５７．０ｇをＴＨＦ１８０ｍｌに溶解し、５℃で冷却した。冷却後、ｔ−ブトキシカリウム１８．７ｇを内温が１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌した。これに、実施例１で得られたトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オン４０．０ｇのＴＨＦ２００ｍｌ溶液を液温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに３０分間攪拌した。反応終了後、水１００ｍｌを加え、有機相を分離し、溶媒を溜去した。有機相にヘキサン４００ｍｌを加え不溶物を濾別して、濾液をメタノールと水の混合液、飽和食塩水で順次洗條し、溶媒を溜去して、これをＴＨＦ１５０ｍｌで溶解し、１０％塩酸１５０ｍｌを加え、３０分間加熱還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、有機相を分離し、溶媒を溜去した。これをエタノール３００ｍｌに溶解し、１０％水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、１時間室温で攪拌した後、水３００ｍｌを加えて、析出した結晶を濾過し、水、メタノールで洗條し、減圧乾燥した後、トランス−４’−（トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒド３９．１ｇを得た。
【００４５】
沃化メチルトリフェニルホスホニウム５７．９ｇをＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、５℃で冷却した。ここに、ｔ−ブトキシカリウム１６．１ｇを内温が１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌した。これに、上記で得たトランス−４’−（トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒド３９．０ｇのＴＨＦ１６０ｍｌ溶液を内温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに１時間攪拌した。反応終了後、水１００ｍｌを加え、有機相を分離し、溶媒を減圧下で溜去した。有機相にヘキサン２００ｍｌを加え不溶物を濾別して、濾液をメタノールと水の混合液、飽和食塩水で順次洗條した後、溶媒を溜去して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−エテニルビシクロヘキサン３３．０ｇを得た。
（参考例２）  トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．２の化合物）の合成
【００４６】
【化１７】
0003772351.tif 000015
【００４７】
臭化２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウム６２．５ｇをＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、５℃で冷却した。ここにｔ−ブトキシカリウム１５．８ｇを内温が１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌した。反応終了後、実施例１で得たトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オン４０．０ｇのＴＨＦ２００ｍｌ溶液を内温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに３０分間攪拌した後、水１００ｍｌを加え、有機層を分離し、溶媒を溜去した。有機層にヘキサン４００ｍｌを加え不溶物を濾別し、濾液をメタノールと水の混合液、飽和食塩水で順次洗滌した後、溶媒を溜去して、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−４−［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチリデン］ビシクロヘキサン４９．７ｇを得た。
【００４８】
上記で得られたトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−４−［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチリデン］ビシクロヘキサンの全量を酢酸エチル２５０ｍｌに溶解し、ラネーニッケル５ｇを加え、オートクレーブを用いて水素圧３気圧下で１８時間室温で攪拌した。反応終了後、触媒を濾別後、溶媒を溜去して得られた粗生成物を、エタノールから再結晶させて、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン１６．１ｇを得た。
【００４９】
上記で得られたトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン１６．０ｇをトルエン８０ｍｌに溶解し、蟻酸８０ｍｌを加え１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水８００ｍｌを加え有機相を分離した。有機相を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去して、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４−プロパナール１４．０ｇを得た。
【００５０】
沃化メチルトリフェニルホスホニウム２１．３ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解し、５℃で冷却した。ここにｔ−ブトキシカリウム５．９ｇを内温が１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌した。反応終了後、上記で得たトランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４−プロパナール１３．９ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を内温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに１時間攪拌し、ここに水２０ｍｌを加え、有機相を分離し、溶媒を溜去した。有機相にヘキサン７５ｍｌを加え不溶物を濾別し、濾液をメタノールと水の混合液、飽和食塩水で順次洗條した後、溶媒を溜去して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン１２．５ｇを得た。
（参考例３）  液晶組成物の調製（１）
低粘性で高速応答性に優れたアクティブマトリックス用母体液晶（Ｍ）
【００５１】
【化１８】
0003772351.tif 000016
【００５２】
を調製した。この母体液晶（Ｍ）のネマチック相上限温度（ＴN-I）及びこの組成物をセル厚４．５μｍのＴＮセルに封入して作製した液晶素子の２０℃における応答時間を測定したところ以下の通りであった。
【００５３】
ＴN-I：     １１６℃
応答時間：       ２１．５ｍ秒
この組成物（Ｍ）７０重量％及び参考例１で合成した、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−エテニルビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．１の化合物）
【００５４】
【化１９】
0003772351.tif 000017
【００５５】
３０重量％から成る液晶組成物（Ｍ−１）を調製し、同様にしてそのＴN-Iと応答時間を測定したところ以下の通りであった。
ＴN-I：     １２０．９℃
応答時間：       １７．７ｍ秒
従って、（Ｎｏ．１）の化合物を添加することにより、ネマチック相の温度範囲が拡大し、且つ応答時間の短い液晶組成物が得られることがわかる。また、この組成物の比抵抗値は１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も９９％と高いものであった。
（参考例４）  液晶組成物の調製（２）
参考例３と同様に、母体液晶（Ｍ）７０重量％及び参考例２で合成した、トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．２の化合物）
【００５６】
【化２０】
0003772351.tif 000018
【００５７】
３０重量％から成る液晶組成物（Ｍ−２）を調製し、同様にしてそのＴN-Iと応答時間を測定したところ以下の通りであった。
ＴN-I：        １２５．３℃
応答時間：       １６．７ｍ秒
従って、（Ｎｏ．２）の化合物を添加することにより、ネマチック相の温度範囲がさらに拡大し、且つ応答時間のより短い液晶組成物が得られることがわかる。また、この組成物の比抵抗値も１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も９９％と高いものであった。
（参考例５）
比較のために、（Ｎｏ．１）の化合物と類似構造を有する式（Ｒ−１）
【００５８】
【化２１】
0003772351.tif 000019
【００５９】
７０重量％及び母体液晶（Ｍ）３０重量％から成る液晶組成物（ＭＲ−１）を調製し、参考例３と同様にしてそのＴN-Iと応答時間を測定したところ以下の通りであった。
【００６０】
ＴN-I：        １１５．１℃
応答時間：       １９．８ｍ秒
従って、式（Ｒ−１）の化合物を含有する液晶組成物ではネマチック相上限温度は上昇させることができず、応答時間についてもあまり短縮させることはできないことが理解できる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明に係わる一般式（Ｉ）で表わされる新規化合物であるビシクロヘキサン−４−オン誘導体を中間体として用いることにより、一般式（ＩＶ）で表わされるアルケニル基を側鎖として有する（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン誘導体を容易に製造することができる。製造された化合物は、添加により液晶組成物のネマチック相の温度範囲を拡大させ、応答時間を短縮させることができ、高い電圧保持率を得ることも可能である。従って、アクティブマトリックス駆動用液晶材料として極めて優れており、ワープロやノートパソコン、液晶テレビなど高速応答性を重視する液晶表示に有用な液晶材料の製造上、極めて有用である。