(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上の導体層上の一部に配されたメッキ層によって形成された接続パッドと、
前記導体層の一部をなしかつ前記接続パッドに隣接して前記接続パッドの周囲に形成された樹脂流れ込み防止部と、
前記導体層の一部をなしかつ前記樹脂流れ込み防止部に隣接して前記樹脂流れ込み防止部の周囲に形成されかつその上面に樹脂層が配される樹脂層形成部とを備え、
前記樹脂流れ込み防止部は、前記接続パッドによって覆われた前記導体層の表面より粗い表面を有し、これにより前記樹脂層を構成する樹脂の前記接続パッド側への流れ込みを阻止可能とした配線基板を製造する方法であって、
前記導体層を化学的に粗面化する際に、エッチングレジストとすることができる金属を選択し、この金属により前記接続パッドの少なくとも最上部を形成するように、前記導体層の上面の一部分を金属メッキして接続パッドを形成するパッド形成工程と、
前記接続パッドをエッチングレジストとして該接続パッドによって覆われていない導体層の上面を化学的に粗面化して接続パッドによって覆われた導体層の上面よりも粗な上面をパッドの周りの導体層に形成することにより前記樹脂流れ込み防止部を形成する化学的粗面化工程と、
前記樹脂層形成部に樹脂層を配する樹脂層形成工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
基材上の導体層上の一部に配されたメッキ層によって形成された接続パッドと、
この接続パッドに隣接して当該接続パッドの周囲に形成されかつ前記導体層を覆う被覆層とを備え、
この被覆層は、
当該被覆層の一部をなしかつ前記接続パッドに隣接して当該接続パッドの周囲に形成された樹脂流れ込み防止部と、
当該被覆層の一部をなしかつ前記樹脂流れ込み防止部に隣接して前記樹脂流れ込み防止部の周囲に形成されかつその上面に樹脂層が配される樹脂層形成部とを備え、
前記樹脂流れ込み防止部は、前記接続パッドによって覆われた前記導体層の表面より粗い表面を有し、これにより前記樹脂層を構成する樹脂の前記接続パッド側への流れ込みを阻止可能とした配線基板を製造する方法であって、
前記被覆層を化学的に粗面化する際に、該被覆層を化学的に粗面化する手段によっては、粗面化されない金属を選択し、この金属により前記接続パッドの少なくとも最上部を形成するように、前記導体層の上面の一部分を金属メッキして接続パッドを形成するパッド形成工程と、
前記被覆層の上面を化学的に粗面化して、接続パッドによって覆われた導体層の上面よりも粗な上面をパッドの周りの被覆層に形成することにより前記樹脂流れ込み防止部を形成する化学的粗面化工程と、
前記樹脂層形成部に樹脂層を配する樹脂層形成工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体層が銅で形成されており、前記接続パッドの少なくとも最上部を形成する金属が金である
請求項１または２の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを含む各種のチップ素子等の電子部品を空洞封止し、実装するのに適した配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化が進み、抵抗、コイル、コンデンサなどの他、半導体やＳＡＷ素子、あるいはセンサ素子などがチップ化され、最近では、ＣＯＢ構造などのようにチップ素子を配線基板の表面に直接に実装する表面実装技術が広く用いられている。
【０００３】
以下、従来の表面実装が可能な配線基板について説明する。
図６は、チップ素子を固着するための接続パッドが上面に設けられた従来の配線基板の構造を示す断面図である。エポキシ樹脂やＢＴ樹脂からなる基材１０１の上面には銅箔と銅箔上に被着された銅メッキ層によって形成される導体層１０２が積層され、導体層１０２の上面の一部には、チップ素子をボンディングして搭載するための接続パッド（以下、単にパッドと称することもある）１０４が設けられている。パッド１０４の下地になる導体層１０２の上面を含めて、導体層１０２の上面全面には、酸化膜を除去し、あわせてプリプレグやレジストなどの樹脂層（以下、プリプレグと称することもある）１０６がアンカー効果により導体層１０２の上面と接着しやすくするためにスクラバー等によって表面粗さが０．３〜０．５μｍ程度に粗面化加工が施されている。図示の例では、プリプレグ１０６によってＢＴ樹脂からなるカバー層１０７が導体層１０２の上面に積層接着されている。なお、スクラバー等によって粗面化し、プリプレグによって被着体であるカバー層１０７を接着するこの工程は、従来多用されている積層配線基板と類似のものである。
【０００４】
上記パッド１０４は、例えば、導体層１０２の上に厚さ５μｍ程度のニッケル層を重ね、最上層に厚さ０．５μｍ程度の金層を設けた多層のメッキ層によって構成されており、パッドをこのような多層の厚いメッキ層によって形成することによって、パッドの表面を平坦化し、チップ素子１０３のバンプ１０８を超音波や半田などによってボンディングする際の信頼性を高めている。
【０００５】
しかしながら、電子機器のさらなる軽薄短小化を図るためには、例えば、ミクロン単位で高精度にボンディングおよび積層接着等ができる配線基板が必要であり、高密度に部品搭載および積層接着できて配線基板を小型化できるように、配線基板上のバンプの占有面積も極力小さくできることが重要になる。
【０００６】
これらの要請に対して、上記の従来技術によれば、チップ素子と樹脂層の間の間隔を必要最小限にまで小さくできないという問題がある。配線基板上にカバー層などの構造物を積層接着する場合には、プリプレグや接着剤などの接着性の樹脂が加熱による軟化と密着のための加圧によってパッドの上面にまで流れ出す。図７は、接着時の加熱によりプリプレグが軟化してパッドの上面へ流れだす様子を示した要部断面図である。清浄で平坦なパッドの上面では樹脂が容易に広がり、樹脂に含まれる流動性の高い成分１０６ａは多くが透明であるのでパッド上に拡がっても見つけることが難しい。しかも、パッド上で硬化した樹脂の膜はボンディング性を著しく阻害する。あるいは、この樹脂がチップ素子のバンプやチップ素子自体にかかり、その機能を阻害するおそれもあった。このため、従来技術によれば、一般にパッドには確実なボンディングを実現するために、樹脂の流入代も安全性を確保した上で設けなければならず、チップ素子の大きさに比べて必要以上に広いパッドにしなければならなかった。その結果、配線基板が大型化してしまっていた。なお。パッドが小さい場合であっても、その周囲部、すなわちパッドの外周と樹脂層の内周との間の間隔は、該樹脂層から流れ出した成分がチップ素子のバンプやチップ素子自体にかからないように十分に広く取る必要があり、その結果、配線基板のさらなる小型化が困難であった。
【０００７】
そこで、本件特許出願人は、別件の特許出願において、基材上に設けられた導体層と、この導体層の表面の一部に設けられた接続パッド配置部に配置された接続パッドを有する配線基板において、前記導体層の接続パッド配置部に隣接して樹脂流れ込み防止部分が設けられ、この樹脂流れ込み防止部分の表面粗さが、前記接続パッド配置部の表面粗さより大きいことを特徴とする配線基板を提案した。上記接続パッド配置部は物理的に粗面化され、上記樹脂流れ込み防止部分は化学的に粗面化されることが好ましい。
【０００８】
この配線基板によれば、上記の樹脂流れ込み防止部分を設けたことにより、樹脂層と接続パッド上に接続されるチップ素子等の間隔を従来より狭くすることができるので、配線基板の小型化を図ることできる。
【０００９】
ところで、このような配線基板を従来法で形成する場合は、次のような工程によって形成されるものと考えられる。
【００１０】
図８によれば、基材１０１上の導体層１０２の上面は、スクラバー等によりその全面が物理的に粗面化され（ａ）、この後接続パッド配置部１０２ａをエッチングレジスト１１０で覆い（ｂ）、次いで、エッチングレジストに被われていない導体層の表面がエッチングされて粗面化される（ｃ）。エッチングレジストを除去したのち（ｄ）、粗面化された導体層の上面を覆ってメッキレジスト１１２が被着され（ｅ）、メッキレジストで覆われない導体層の上面、すなわち接続パッド配置部１０２ａにメッキ層を堆積させて接続パッド１０４を形成する（ｆ）。その後、メッキレジストを除去して作業を完了する（ｇ）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の技術によれば、次のような課題が未解決のままに残されている。
エッチングレジストを用いたのち、メッキレジストを用いる方法によると、2 回のフォトリソ工程を経なければならず、このため、従来は、マスク合わせの公差分だけ無駄なスペースを設けなければならなかった。その結果、パッドとして必要なメッキ面積は、ボンディングの際に本来不可欠な面積よりも大きくなり、パッドが大型化していた。すなわち、図８の（ｅ）以降に示したようなメッキレジストによるマスキングのズレを考慮すると、図８の（ｈ）に示したように必要なパッド幅Ｗ１を確実に確保するためには、幅Ｗ２まで広げる必要がある。
【００１２】
即ち、上記技術によれば、微細化した高精度な配線基板を提供することができないという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、簡略化された工程で、微細化した高精度な配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の本発明によって達成される。
（１）  基材上の導体層上の一部に配されたメッキ層によって形成された接続パッドと、
前記導体層の一部をなしかつ前記接続パッドに隣接して前記接続パッドの周囲に形成された樹脂流れ込み防止部と、
前記導体層の一部をなしかつ前記樹脂流れ込み防止部に隣接して前記樹脂流れ込み防止部の周囲に形成されかつその上面に樹脂層が配される樹脂層形成部とを備え、
前記樹脂流れ込み防止部は、前記接続パッドによって覆われた前記導体層の表面より粗い表面を有し、これにより前記樹脂層を構成する樹脂の前記接続パッド側への流れ込みを阻止可能とした配線基板を製造する方法であって、
前記導体層を化学的に粗面化する際に、エッチングレジストとすることができる金属を選択し、この金属により前記接続パッドの少なくとも最上部を形成するように、前記導体層の上面の一部分を金属メッキして接続パッドを形成するパッド形成工程と、
前記接続パッドをエッチングレジストとして該接続パッドによって覆われていない導体層の上面を化学的に粗面化して接続パッドによって覆われた導体層の上面よりも粗な上面をパッドの周りの導体層に形成することにより前記樹脂流れ込み防止部を形成する化学的粗面化工程と、
前記樹脂層形成部に樹脂層を配する樹脂層形成工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（２）  基材上の導体層上の一部に配されたメッキ層によって形成された接続パッドと、
この接続パッドに隣接して当該接続パッドの周囲に形成されかつ前記導体層を覆う被覆層とを備え、
この被覆層は、
当該被覆層の一部をなしかつ前記接続パッドに隣接して当該接続パッドの周囲に形成された樹脂流れ込み防止部と、
当該被覆層の一部をなしかつ前記樹脂流れ込み防止部に隣接して前記樹脂流れ込み防止部の周囲に形成されかつその上面に樹脂層が配される樹脂層形成部とを備え、
前記樹脂流れ込み防止部は、前記接続パッドによって覆われた前記導体層の表面より粗い表面を有し、これにより前記樹脂層を構成する樹脂の前記接続パッド側への流れ込みを阻止可能とした配線基板を製造する方法であって、
前記被覆層を化学的に粗面化する際に、該被覆層を化学的に粗面化する手段によっては、粗面化されない金属を選択し、この金属により前記接続パッドの少なくとも最上部を形成するように、前記導体層の上面の一部分を金属メッキして接続パッドを形成するパッド形成工程と、
前記被覆層の上面を化学的に粗面化して、接続パッドによって覆われた導体層の上面よりも粗な上面をパッドの周りの被覆層に形成することにより前記樹脂流れ込み防止部を形成する化学的粗面化工程と、
前記樹脂層形成部に樹脂層を配する樹脂層形成工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（３）  前記導体層が銅で形成されており、前記接続パッドの少なくとも最上部を形成する金属が金である上記（１）または（２）の配線基板の製造方法。
【００１５】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の配線基板の製造方法を添付図面に基づいて説明する。
本発明の配線基板を製造方法を説明するに先だって、本発明方法により製造される配線基板の例を説明する。
【００１６】
図４は、この発明の製造方法によって製造される配線基板の構造の一例を示す断面図である。基材１の上面には導体層２が積層されている。上記基材１は、上記したように例えばエポキシ樹脂やＢＴ樹脂で形成され、その厚さが０．１〜１．６ｍｍ程度であることが好ましい。更には、０．２〜０．８ｍｍ、特に０．３〜０．５が好ましい。上記導体層２は、銅等で形成されていることが好ましい。従来から、この導体層２としては、図５に示したように、銅箔２−１上に銅メッキ層２−２を施した構造のものが良く使用されており、上記銅箔２−１はその厚さが９〜３５μｍ、特に１２〜１８μｍ程度、銅メッキ層２−２はその厚さが３〜２５μｍ  特に５〜２０μｍ程度であることが好ましい。この銅メッキ層は、表面を平坦化する作用がある。
【００１７】
上記導体層２の上面の所定の一部には、接続パッド配置部２ａが設けられている。この導体層の接続パッド配置部２ａ上には、電子部品等例えばチップ素子を搭載、接続するための接続パッド４（以下、単にパッドと称することがある）が設けられる。このパッド４は、通常２層以上のメッキ層で構成され、例えば、下地層のニッケルメッキ層、およびこの上に形成される表面層の金メッキ層で構成される。このパッド４は、上記下地層が５〜１０μｍ、表面層が０．５〜３μｍ、そしてその全体厚が５．５〜１３μｍ程度であることが好ましい。このパッド４は、上記の他、ハンダメッキ（ハンダレベラー）、スズメッキ、銀メッキ等で構成してもよく、チップ素子等との接続手段により選択される。上記接続パッド配置部２ａすなわちパッド４のサイズ（面積）は、電子部品のサイズによって異なるが、電子部品の９０〜１３０％増程度であればよい。
【００１８】
上記接続パッド配置部２ａは、主として、上記のようにメッキ層で構成されることが多い。パッドの形成を容易にするため、その表面に形成された酸化膜を除去する目的で、粗面化処理等がなされていることが好ましい。この接続パッド配置部２ａの表面粗さは、０．３〜０．５程度であることが好ましい。なお、本明細書において、導体層とは、上記パッドを含まないものとする。
【００１９】
上記導体層２の接続パッド配置部２ａにほぼ面一で連続して隣接する周囲部分には、所定幅の樹脂流れ込み防止部分２ｂが設けられている。この樹脂流れ込み防止部分２ｂの幅は、０．１〜０．５ｍｍ程度であることが好ましい。この樹脂流れ込み防止部分２ｂの表面は、上記電子部品接続用パッド配置部２ａの表面粗さより大きな粗さで粗面化されている。
【００２０】
導体層２の樹脂流れ込み防止部分２ｂの外側には、これと面一で連続してプリプレグ等の樹脂層２０を形成する樹脂層形成部分２ｃが設けられている。この樹脂層形成部分２ｃは、上記樹脂流れ込み防止部分２ｂと同じ表面粗さを有していることが好ましいが、必ずしもそうでなくともよい。
【００２１】
以上のように構成された配線基板のパッド４上には、抵抗、コイル、コンデンサ、半導体、ＳＡＷ、センサ等のチップ素子１０がそのバンプ１１を介してボンディングされて接続・搭載される。本発明の配線基板は、チップ素子１０がＳＡＷ素子である場合にその効果が特に顕著である。すなわち、ＳＡＷ素子は圧電材料の表面弾性波特性を利用するため、ＳＡＷ素子にプリプレグなどが触れると、素子特性が大きく阻害される。本発明によるとプリプレグによって蓋を封止する等の際にも、プリプレグの流れ出しが上記の樹脂流れ込み防止部分の表面の粗面で食い止められ、パッドの上にプリプレグが流れてくることがないので、ＳＡＷ素子を収容する容器の外形を小型化でき、信頼性に優れたＳＡＷディイスを提供できる。
【００２２】
上記パッドは、ワイヤボンディング用パッドとして用いることも可能である。上記ボンディングは通常超音波ボンディングや、導電性接着剤、半田等によって行なわれる。
【００２３】
上記導体層２の上記樹脂層形成部分２ｃには、例えば、樹脂層であるプリプレグ２０を介してカバー層や蓋等の装着物３０の周囲部分が接着され、例えば蓋である装着物３０内部の空間に上記電子部品が封止される。この場合、プリプレグ２０が樹脂層形成部分２ｃ上に形成される樹脂層となる。
【００２４】
上記のプリプレグ２０による封止工程において、プリプレグ２０は加熱されるが、そのときにプリプレグ２０から流れ出す流動性の高い成分２０ａは、上記樹脂流れ込み防止部分２ｂに溜められて、上記パッド４部分に流れ込むことが防止される。上記樹脂層としては、上記のプリプレグの他、接着剤、レジスト剤、表面保護剤、熱伝導性ペーストやインク、あるいは導電性樹脂等が挙げられ、本発明は、これらに含まれる比較的に低分子量の樹脂や溶剤成分、ビヒクル成分が流動性を持って平坦なメッキ面上では広がる特性を有するのに対して、その流動性を阻害する粗面をパッドの周囲に配することにより、メッキ層であるパッドの上面へのこれらの流動性成分の広がりを阻止しようとするものであり、本明細書で記載した例に限らず多様に適用が可能なものである。
【００２５】
図示はしていないが、基材上の導体層の上面のパッドの部分以外の表面にメッキレジストなどの被覆層を設け、この被覆層の上面を上記導体層の樹脂流れ込み防止部分と同様に粗面化することにより、上記粗面化した導体層と同様の働きを被覆層に持たせることもできる。この変形例によれば、例えば被覆層であるメッキレジストの上面を粗面に形成してメッキレジスト上にプリプレグ２０を挟んでカバー層等の装着物３０を積層接着することもできる。この変形例によれば、レジストを付けてパッド用のメッキを施した後、アルカリ溶液等でパッドを侵さずにメッキレジストの表面を化学的に粗化することができる。この方法では、メッキレジストなどの樹脂層を永久レジストとして用いるので配線基板の製造工程を簡単にできる。また、配線基板の凹凸部が永久レジストにより埋め込まれるので、平坦性を確保できる。
【００２６】
図１は、本発明の配線基板の製造方法を説明する説明図である。
基材１の上に積層される銅箔などの導体層２の上面は、必要に応じてスルーホールの穴を開けた後に銅メッキなどが施されることにより平坦な面に形成されている。導体層２にはテンティング法などにより所望の形状に配線パターンが形成されている（図１（ａ）参照）。
【００２７】
基材１上の導体層２の上面は、好ましくはスクラバー等によりその全面が物理的に粗面化される（ｂ）。本発明においては、この粗面化は、導体層上の酸化膜を除去する程度であってよく、好ましくは、粗面化された導体層２の上面の表面粗さは０．３〜０．５μｍ程度であることが好ましい。従来の粗面化は、導体層上の酸化膜を除去するだけでなく、上記のようなプリプレグ等の接着を目的とする場合は、アンカー効果を得る目的で、粗化を大きくする場合があったが、本発明においては、上記のプリプレグ等のためのアンカー効果発揮させる粗面化は後に改めて行なうので、上記酸化膜を除去する程度であってよく、このため粗面化を上記のように小さくすることができる。この意味では、この工程は、上記の酸化膜が除去できればどのような手段によってもよい。
【００２８】
パッドを形成する領域となる接続パッド配置部２ａを除いて、導体層２の上面には、メッキレジスト２５が被着される（図１（ｃ）参照）。メッキレジストはドライフィルムや液状感光性樹脂であり、露光、現像することにより、メッキが不要な部分にはメッキレジストが残される。
【００２９】
次いで、メッキレジスト２５によって覆われていない導体層２の接続パッド配置部２ａの上面には、必要に応じて銅、ニッケル、金などの金属が順次メッキされてパッド４となるメッキ層５が形成される。このとき、メッキ層が被着される導体層２の上面は前記のように粗面化が小さいので、従来技術に比べてメッキ層の厚さを薄くしても、パッドの上面は十分に平坦である（図１（ｄ）参照）。
【００３０】
その後、メッキレジスト２５を例えばアルカリ液によって除去したのち（図１（ｅ）参照）、パッド４をエッチングレジストとして、メッキレジストが除去された配線パターン領域の導体層２の上面（すなわち樹脂流れ込み防止部分２ｂ、樹脂層形成部分２ｃの上面）を、上記の接続パッド配置部２ａの表面粗さより大きく粗面化する（図１（ｆ）参照）。その表面粗さは、具体的には、０．５〜１０μｍ、特に１〜５μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満であると樹脂流れ込み防止の効果が十分でなく、過度の粗面化を行なうと、加工（特に化学的な加工）が困難になるばかりでなく、配線基板に形成されるスルーホールの端面（エッジ）切れが発生する恐れが生じてくるためである。
【００３１】
上記の表面粗さは次のような実験によって決定した。導体層２の表面と同等の表面を有するサンプルの表面を後述するメック（株）製のＭＥＣｅｔｃｈＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００を用いて表面粗さ０．５、１、２、３、４および５μｍとした。これらのサンプル上にプリプレグを加熱接着して、各サンプルにおける流れ出し量を測定した。具体的には、プリプレグとして、６０μｍのＢＴ樹脂を用い、２００℃２時間の加熱及び３０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加え、サンプル表面の粗化の程度によりプリプレグの流出量がどのように変わったかを計測した。その結果を図３のグラフに示した。なお、図中の実線は流出量の平均値を示し、破線は流出量の３σの上限値（平均値＋３σ）を示している。図２のグラフから分かるように、プリプレグの流れ出し量は、表面粗さを１μｍ以上とすことにより平均で０．１７ｍｍ以下、３σの上限値でも０．３ｍｍ以下に抑えられており、わずかに１μｍの粗化を加えるだけで本発明によれば、流出量を顕著に抑える効果が生じることが分かる。以上により、上記樹脂流れ込み防止部分２ｂの幅および表面粗さを上記の範囲が好ましいとした。
【００３２】
上記の粗面化は、化学的な処理、例えば化学的なソフトエッチング等により行なわれ、凹凸がランダムに配置され、所定面積の平均を取るといずれの部分においても同様な粗面化がなされていることが望ましい。ここで、ソフトエッチングとは、塩化第二鉄等のエッチングに比べ、銅のエッチング速度が遅く、エッチング量を時間で管理できるエッチングのことをいう。
【００３３】
上記のソフトエッチングは、例えば、メック（株）製のＭＥＣｅｔｃｈＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００を２０〜４０℃に加熱し、０．５〜３ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で２０秒〜３分程度被エッチング表面にスプレーし、その後、純水で０．５〜３ｋｇ／ｃｍ2 の圧力スプレーで洗浄した後、２〜５wt％の塩酸による酸洗いと３段の純水洗浄の後にエアナイフおよびスピンドライヤの乾燥を施すことにより行なわれる。
【００３４】
上記樹脂流れ込み防止部分２ｂの表面の所定の水平距離に対する粗化断面の線長（表面粗さが１〜５μｍの場合）は、４．５〜９倍で、どの向きおよびどの部分をとっても上記の範囲内にあることが好ましい。具体的には、上記の条件でメック（株）製のＭＥＣｅｔｃｈＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００を用いて行い、表面粗さが平均２．８μｍのとき、長さ２０μｍ内の粗化断面の線長は、１５２μｍとなり、上記の値は７．６倍となる。粗化断面の線長は、例えば、キーエンス株式会社製表面形状測定器ＶＦ−７５００等によって測定することができる。上記に対し、この粗面化をベルトサンダー（スクラバー）によって行なうと、表面粗さが１〜３μｍの場合、上記の値は、一方向には３〜６．５倍となるが、これと直角な方向には１．０〜１．３倍となってしまう。この意味では、上記接続パッド配置部２ｂの粗面化は、化学的粗面であることがより効果的である。ただし、接続パッド配置部２ｂの寸法が上下左右で異なっている場合で、一方が寸法的に余裕がある場合には、物理的粗面でも粗面の方向配置により効果を示す。
【００３５】
上記本発明の製造方法によれば、メッキレジストによる１回のレジスト精度のみで外形が規制されたメッキ層をエッチングレジストに用いるので、パッドの形状や寸法を微細かつ正確に設定できる。さらに、メッキ層をエッチングレジストに用いるのでパッドの周囲に連なる配線領域の導体層の上面のみを化学的に粗面化することができ、プリプレグ等による被覆層の接着を強固にすることができる。
【００３６】
次に、図３を参照して、本発明の配線基板の製造方法の他の例について説明する。この製造方法によって製造される配線基板は、導体層２のパッド４以外の部分に被覆層が形成されるタイプのものである。
【００３７】
先ず、上記の図１の（ｄ）までに示したようにしてパッド４の形成までを行なった（図３（ａ）。なお、この場合には、被覆層となるメッキレジスト２５の厚さは、１０〜３０μｍ程度が好ましい。
【００３８】
この後、メッキレジスト２５の除去を行なわずに、そのまま残し、このメッキレジスト２５の表面を粗面化した（図３（ｂ））。
【００３９】
上記の被覆層には、主として、エポキシ、アクリル、ポリイミド、ウレタン、フェノール等の樹脂が用いられ、これらの被覆層の粗面化は化学的なエッングによって行なわれることが好ましい。この化学的なエッングは、例えば、高硫酸エッチング浴や高クロム酸エッチング浴を用いて行なわれる。高硫酸エッチング浴の組成は、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）５４０ｍｌ／ｌ、無水クロム酸（ＣｒＯ3 ）２０〜３０ｇ／ｌであることが好ましく、エッチングは、温度６５〜７０℃に設定した上記の浴に２０〜３０分浸漬することによって行なわれることが好ましい。上記高クロム酸エッチング浴の組成は、無水クロム酸（ＣｒＯ3 ）４００ｇ／ｌ、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）２００ｍｌ／ｌであることが好ましく、エッチングは、温度６５〜７０℃に設定した上記の浴に１０〜１５分浸漬することによって行なわれることが好ましい。場合によっては、このエッチングの前にプリエッチングを行なってもよい。
【００４０】
以上のように、導体層上の被覆層表面を樹脂流れ込み防止部分等として用いる場合には、メッキレジストなどの樹脂層を永久レジストとして用いることができるので配線基板の製造工程を簡単にできる。また、配線基板の凹凸部が永久レジストにより埋め込まれるので、平坦性を確保できる。
【００４１】
また、樹脂流れ込み防止部分のための粗面化によりレジスト表面が削られることによりレジストに含まれている接着性のよいフィラー成分が露出するので、樹脂層における樹脂接着力が向上し、接着層形成部分に捺印する場合には、捺印剤等の密着性も上がり、耐洗浄剤性も大幅に向上する。
【００４２】
【実施例】
実施例１
上記図４に示した構造の配線基板を次のようにして作製した。
まず、図１（ａ）に示したように、厚さが１８μｍの銅箔が両面に積層された三菱ガス化学（株）製の厚さが０．５ｍｍのＢＴ樹脂基材（ＣＣＬ−ＨＬ８３０）である基材１の上面に、、導体層２を形成した。導体層２には所望の形状に配線パターンが形成される。この後、図１（ｂ）に示したように、上記導体層２の表面全体をスクラバーにより物理的に粗面化した。このスクラバー処理は、粗面化も目的としているが、表面の酸化膜除去を主目的としている。表面粗さを測定したところ、０．５μｍであった。前記のキーエンス株式会社製の表面形状測定器ＶＦ−７５００により、長さ２０μｍ中の粗化断面の線長を測定したところ、縦が２０μｍ（１倍）、横が約１３０μｍ（６．５倍）であった。
【００４３】
次いで、図１（ｃ）に示したように、導体層２の電子部品接続用パッド配置部２ａ以外の表面を感光性のメッキレジスト層２５で被った。上記の接続パッド配置部２ａの広さは、後に設置するチップ素子の大きさの約１０％大きめに設定した。メッキレジスト層２５の厚さは、２５μｍとした。この後、メッキレジスト層２５を利用して接続パッド配置部２ａのみに、順次、厚さが１０μｍの銅メッキ層、厚さが５μｍのニッケルメッキ層、厚さが１μｍの金メッキ層を積層した多層メッキ層を施し、パッド４とした（図１（ｄ）参照）。
【００４４】
その後、メッキレジスト２５をアルカリ溶液により除去した（図１（ｅ）参照）後、上記パッド４をエッチングレジストとして、導体層２のパッドの部分以外の部分（樹脂流れ込み防止部分２ｂおよび樹脂層形成部分２ｃ）の表面を化学的に粗面化した（図１（ｆ）参照）。
【００４５】
この化学的な粗面化は、メック（株）製のＭＥＣｅｔｃｈＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００を３５℃に加熱し、２ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で被エッチング表面に１分間スプレーし、その後、純水で１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で洗浄し、次いで、３．５wt％の塩酸による酸洗いと３段の純水洗浄の後にエアナイフおよびスピンドライヤの乾燥を施すことにより行なった。このエッチングされた表面をＳＥＭで観察したところ、種々の径の凹部がランダムに配置されたエッチング面となっており、また表面粗さを測定したところ、約３μｍであった。また、上記長さ２０μｍ中の粗化断面の線長を測定したところ、どのような方向も１５２μｍ（７．６倍）であった。
【００４６】
次に、チップ素子１０としてＳＡＷチップを準備した。このＳＡＷチップのサイズは、縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍであった。このＳＡＷチップには、径が１００μｍの金製のバンプ１１が取り付けられている。
【００４７】
上記のようにして準備した配線基板のパッド４上に、バンプ１１を用いて超音波ボンディングによりチップ素子１０をフェースダウンボンディングした（すなわち、図４の構造とした）。
【００４８】
最後に、プリプレグ２０を用いて蓋である装着物３０を接着した。この蓋は、厚さが０．８ｍｍのＢＴ樹脂からなるもので、サイズは縦３．８ｍｍ×横３．８ｍｍであり、チップ素子１０を収容するための空間を構成するため、深さ０．５ｍｍの凹部が設けられている。なお、プリプレグ２０はその側面がパッド４の対向側面から約３００μｍ離れるように設定し、樹脂流れ込み防止部分２ｂとした。従って、導体層２のプリプレグ２０の下方部分が樹脂層形成部分２ｃとなる。
【００４９】
プリプレグとしては、厚さが６０μｍの三菱ガス化学（株）製のＢＴレジンＧＨＰＬ−８３０ＮＦを用いた。プリプレグ２０による蓋の接着硬化は３０ｋｇ／ｃｍ2 の加圧下で２００℃で２時間加熱することによった。これによれば、プリプレグから流れ出す流動性の高い成分は、上記樹脂流れ込み防止部分２ｂでの広がりはその幅である約３００μｍの範囲内に収めることができた。
【００５０】
なお、図６に示したような従来の構造のものである場合は、チップ素子の外側面とプリプレグの内側面との間隔を０．６μｍ程度取らなければならず、本発明の場合の約２倍必要であった。従って、従来においては、蓋のサイズを縦４．４ｍｍ×横４．４ｍｍとしなければならず、面積では、本発明の実施例の蓋の面積は、従来の蓋の面積に比べて約２５％縮小することができた。
【００５１】
実施例２
この実施例は、導体層２のパッドの周囲に被覆層（永久レジスト）を施し、この表面を上記の樹脂流れ込み防止部分および樹脂層形成部分とした配線基板の例である。この配線基板は次のようにして製造した。図３は、実施例２の配線基板の製造ステップを説明する説明図である。
【００５２】
先ず、実施例１の上記図１の（ｄ）までに示したようにしてパッドの形成までを行なった（図３（ａ））。
【００５３】
この後、メッキレジスト２５の除去を行なわずに、そのまま残し、このメッキレジスト２５の表面を化学エッチングした（図３（ｂ））。この化学エッチングは、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）５４０ｍｌ／ｌ、無水クロム酸（ＣｒＯ3 ）２０ｇ／ｌの浴組成の高硫酸エッチング浴（温度６５℃）に２０分間浸漬することによっておこなった。メッキレジスト２５の表面粗さは３．０μｍであった。
【００５４】
この後、このメッキレジスト２５上に、上記実施例１の場合と同様に、プリプレグ２０を用いて蓋である装着物３０を接着した。なお、プリプレグ２０はその側面がパッド４の対向側面から約３００μｍ離れるように設定し、メッキレジスト２５表面の一部を樹脂流れ込み防止部分２ｂとした。
【００５５】
この実施例の場合も、プリプレグから流れ出す流動性の高い成分は、上記樹脂流れ込み防止部分２ｂでの広がりはその幅である約３００μｍの範囲内に収めることができた。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、パッドを形成するための金属メッキ層によって、導体層の上面の一部を覆った後、該金属メッキ層をマスクとして  金属メッキ層によって覆われている導体層の上面を化学的に粗面するようにしたので、高精度な配線基板を提供することができる。
【００５７】
また、本発明によれば、パッドを形成するために設けたレジストなどの被覆層を残したままで、その上面をパッドをエッチングレジストとして用い上面を化学的に粗面するようにしたので、高精度な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による配線基板の製造方法の一例を説明するための図である。
【図２】表面粗さとプリプレグの流れ出し量の関係を示すグラフ図である。
【図３】本発明による配線基板の製造方法の他の例を説明するための図である。
【図４】本発明の製造方法により製造されるチップ素子を表面実装した配線基板の構造の一例を示す断面図である。
【図５】図４に示した本発明の配線基板の要部構造を示す断面図である。
【図６】チップ素子を表面実装した従来の配線基板の構造を示す断面図である。
【図７】図６に示した従来の配線基板の細部を説明する要部断面図である。
【図８】図４および図５に示した構造の配線基板を従来法により製造すると仮定した場合の製造ステップを説明するための図である。
【符号の説明】
１  基材
２  導体層
２ａ  電子部品接続用パッド配置部
２ｂ  樹脂流れ込み防止部分
２ｃ  樹脂層形成部分
４  電子部品接続用パッド
１０  チップ素子
２０  プリプレグ
３０  装着物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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