(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、
前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める工程と、
複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する工程と、
前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる複数の前記反射信号パターンを重畳し、重畳信号パターンを作成する工程と、
前記重畳信号パターンのピークの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とするパターン評価方法。
【請求項２】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、
前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める工程と、
複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する工程と、
前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる各反射信号パターンのピーク位置を求める工程と、
求められたピーク位置のヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とするパターン評価方法。
【請求項３】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、
前記被測定物の２次元画像中の前記パターンの長手方向の向きに応じて、前記パターンの座標変換を行う工程と、
前記座標変換された２次元画像から前記パターンの輪郭を抽出し、該パターンの輪郭位置を複数の位置において求める工程と、
求められた輪郭位置のヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とするパターン評価方法。
【請求項４】
前記座標変換工程が、複数の前記反射信号パターンの中心位置が揃うように、該反射信号パターンの座標変換を行うことを特徴とする請求項３に記載のパターン評価方法。
【請求項５】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、
前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める手段と、
複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する手段と、
前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる複数の前記反射信号パターンを重畳し、重畳信号パターンを作成する手段と、
前記重畳信号パターンのピークの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とするパターン評価装置。
【請求項６】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、
前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該前記被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める手段と、
複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する手段と、
前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる各反射信号パターンのピーク位置を求める手段と、
求められたピーク位置のヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とするパターン評価装置。
【請求項７】
所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、
前記被測定物の２次元画像中の前記パターンの長手方向の向きに応じて、前記パターンの座標変換を行う手段と、
前記座標変換された２次元画像から前記パターンの輪郭を抽出し、該輪郭の位置を複数の位置において求める手段と、
求められた輪郭の位置のヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とするパターン評価装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法及びパターン評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パターン微細化の進展により、限界解像度付近での吸収エネルギー分布のコントラスト劣化やそれに伴うレジスト樹脂の現像速度ばらつきによって、レジストパターンのエッジラフネス（輪郭形状のバラツキ）が大きな問題となっている。
【０００３】
レジストのエッジラフネスは、エッチング時に下地パターンに転写され、最終的に形成される配線の電気特性にも大きな影響を与える。このため、リソグラフィ工程においては、エッジラフネスの小さいレジストプロセスやエッチングプロセスを構築することが重要となっている。このようなプロセスを構築するためには、エッジラフネスを定量的に評価する手段が必要となる。
【０００４】
しかしながら、従来の電子顕微鏡による観察では、パターン形状の評価やパターン寸法を測定することができても、パターンのエッジラフネスを定量的に評価することはできなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、パターンの輪郭形状を定量的に評価する方法が存在しなかった。
本発明の目的は、パターンの輪郭形状を定量的に評価するためのパターン評価方法及びパターン評価装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
［構成］
（１）本発明（請求項１）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める工程と、複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する工程と、前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる前記反射信号パターンを重畳し、重畳信号パターンを作成する工程と、前記重畳信号パターンのピークの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とする。
（２）本発明（請求項２）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める工程と、複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する工程と、前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる各反射信号パターンのピーク位置を求める工程と、求められたピーク位置のヒストグラムを作成する工程と、前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
構成（１）、（２）の好ましい実施態様を以下に示す。複数の前記反射信号パターンの中心位置がそろうように、該反射信号パターンの座標変換を行う。
（３）本発明（請求項３）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、該パターンの輪郭形状を評価するパターン評価方法であって、前記被測定物の２次元画像中の前記パターンの長手方向の向きに応じて、前記パターンの座標変換を行う工程と、前記座標変換された２次元画像から前記パターンの輪郭を抽出し、該パターンの輪郭位置を複数の位置において求める工程と、求められた輪郭位置のヒストグラムを作成する工程と、記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
（４）本発明（請求項５）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める手段と、複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する手段と、前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる前記反射信号パターンを重畳し、重畳信号パターンを作成する手段と、前記重畳信号パターンのピークの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とする。
（５）本発明（請求項６）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、前記被測定物の異なる複数の箇所にエネルギー線を走査して該前記被測定物からの反射エネルギーを検出し、複数の反射信号パターンを求める手段と、複数の前記反射信号パターンに基づき、前記パターンの長手方向に対してエネルギー線の走査方向が垂直になるように、前記エネルギー線の走査方向を調整する手段と、前記走査方向が調整されたエネルギー線の走査により得られる各反射信号パターンのピーク位置を求める手段と、求められたピーク位置のヒストグラムを作成する手段と、前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とする。
【０００９】
構成（４），（５）の好ましい実施態様を以下に示す。
前記パターンの長手方向と前記エネルギー線の走査方向とを直交させる手段を具備する。
【００１０】
複数の前記反射信号パターンの中心位置がそろうように、該反射信号パターンの座標変換を行う手段を具備する。
（６）本発明（請求項７）は、所定のパターンが形成された被測定物に対し、前記パターンの輪郭形状を評価するパターン評価装置において、前記被測定物の２次元画像中の前記パターンの長手方向の向きに応じて、前記パターンの座標変換を行う手段と、前記座標変換された２次元画像から前記パターンの輪郭を抽出し、該輪郭の位置を複数の位置において求める手段と、求められた輪郭位置のヒストグラムを作成する手段と、前記ヒストグラムの広がりを求め、この広がりの波形の所定値以上を正規分布関数で近似し、σ値から前記パターンの輪郭形状を評価する手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１２】
［作用］
本発明は、上記構成によって以下の作用・効果を有する。
反射信号パターンを重畳した波形データ，或いは輪郭位置のヒストグラムの広がりを求めることによって、パターンの輪郭形状を定量的に評価することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係わる寸法測定用ＳＥＭの概略構成を示す模式図である。
【００１４】
鏡筒１０内に設置された電子銃１１から照射された電子ビーム１２は、試料室２０内に設置されたステージ２１上のウェハ２２に対して照射される。試料室２０内には、２次電子及び反射電子の検出を行うＭＣＰ（Micro Channel Plate ）２３が設置されている。ＭＣＰ２３は、信号処理部３１を介して、制御計算機４０内の波形記憶部４１に接続されている。波形記憶部４１は、波形演算部４２に接続されている。また、ステージ２１は、制御計算機４０内のステージ制御系４３に接続されている。また、ウェハ２２には電圧を印加する基板電位制御部３２が接続されている。また、試料室２０に隣接して搬送ロボット５１，ノッチ検出器５２及びウェハキャリア５３が設置されている。
【００１５】
このＳＥＭの加速電圧は、通常１〜２ｋＶ程度であり、基板電位制御部３２によって、ウェハに５００〜８００Ｖの電圧（リターディング電圧）を印加することができる。ビーム分解能は、２ｎｍ程度である。
【００１６】
本装置を用いてウェハ２２上に形成されたレジストパターンのエッジラフネスの評価を行った。
ノッチタイプの８インチのＳｉウェハ２２上にフォトレジストの塗布，並びに露光・現像を行って、複数のチップのレジストパターンを形成した。
【００１７】
ウェハ２２上に形成されたチップの平面図を図２に示す。チップ６０には、素子が形成されたデバイス領域６１と異なる領域に、ラフネス評価用パターン６２と回転調整用パターン６３が形成されている。
【００１８】
次に、実際のエッジラフネス評価を行う前の回転調整手順について図３のフローチャートを用いて説明する。
先ず、ウェハキャリア５３に設置されたウェハ２２は、搬送ロボット５１上に載置される。そして、ウェハ２２が搬送ロボット５１によって試料室２０内に搬入される前に、ノッチ検出器５２でウェハ２２の粗回転調整を行う（ステップＳ１）。
【００１９】
次いで、粗回転調整後のウェハ２２を、搬送ロボット５１によって試料室２０内のステージ上に移動する（ステップＳ２）。試料室２０内に搬入後、ウェハ２２上の適当なパターンを用いて、焦点・非点調整といった通常のビーム調整を行う。倍率１０万倍で観察したところ、ビーム分解能が２ｎｍ程度であることを確認した。ここでの加速電圧は、２ｋＶ、リターディング電圧は８００Ｖとした。動作距離は５ｎｍとした。
【００２０】
次いで、ウェハ２２の回転調整を行う。予め、チップ６０に配置された比較的大きなパターンの位置座標とその形状を入力装置（不図示）を用いて、制御計算機４０に入力しておく。そして、ウェハ２２内の離れた位置にある２個所のチップ６０を指定する。ウェハ２２の離れた位置にあるチップ６０上の同じパターンを２カ所で観察し、その位置座標を求め、ウェハ２２の回転量を計算する（ステップＳ３）。
【００２１】
次いで、評価パターン６２のチップ６０内の位置座標と、測定するチップ６０の座標を入力する。入力された座標は、先に計算されたウェハ２２の回転量にあわせて座標変換を行う。前に計算されたウェハ２２の回転量から、各チップ６０の原点をステージ制御系４３で計算する（ステップＳ４）。このようにすれば、ウェハ２２が傾いていても、指定されたチップ６０とそのチップ６０内の評価用パターン６２の位置にステージ２１を移動させることができる。
【００２２】
そして、このようにして、チップ上６０に配置された評価用パターン６２の位置までステージ２１を移動する（ステップＳ５）。上述した装置の調整及びウェハの回転調整が終了した後、評価用パターン６２のエッジラフネス評価を行った。
【００２３】
エッジラフネス評価用パターン６２は、ライン＆スペース・パターンである。測定時に倍率を１０万倍程度に上げると、パターンが傾いていることがある。パターンの傾きについては、次に示すような補正を行った。
【００２４】
ＳＥＭ倍率を観察倍率である１０万倍程度まで上げて、評価用パターン６２の上下２点の測定点７１ａ，ｂに対して電子ビームを走査し、評価用パターン６２のエッジの位置７２ａ，ｂを測定する（図４（ａ））。２つのエッジの位置７２ａ，ｂ結んだ線分７３がビーム走査方向と垂直になるように、ビームの走査方向を回転させる（図４（ｂ））。この結果、電子ビームの走査方向とパターンが垂直になる。
【００２５】
ウェハの回転調整及びビーム走査方向の調整が終了した後に、評価用パターンのエッジラフネスを評価した。エッジラフネスの評価方法を図５のフローチャート及び図６を参照して説明する。
【００２６】
先ず、図６（ａ）に示すように、評価用パターン６２から２点の基準点８１ａ，ｂを選択する。次いで、選択された２点の基準点８１ａ，ｂの間を１００等分し、１００個の測定点８２を設定する。次いで、各測定点８２に対して電子ビームを走査し複数の２次電子波形データ（図６（ｂ））８３を得る。（ステップＳ１）。得られた複数の２次電子波形データ８３をそれぞれ記憶する（ステップＳ２）。これらの２次元電子波形８３のデータを位置座標に変換し（ステップＳ３）、重畳計算処理して積算波形８４（図６（ｃ））を得る（ステップＳ４）。
【００２７】
積算波形８４の２つのピークのうち、一方のピークの位置に注目し、積算波形８４の広がりを求める。ここでは、波形８４をあるしきい値８５以上の部分の広がりを評価した（図６（ｄ））。波形のあるしきい値８５以上の波形を正規分布関数で近似し、σ値からエッジラフネス評価を行う（ステップＳ５）。
【００２８】
通常の寸法測定用ＳＥＭから得られる測定結果とともにエッジラフネスの測定結果として５ｎｍの値を得ることができた。
［第２実施形態］
第１実施形態では、パターンの傾きにあわせて、電子ビームの走査方向を回転させたが、本実施形態では、電子ビームの走査方向を補正しないでエッジラフネスの定量的な評価を行った。なお、用いた装置は、第１実施形態と同様である。
【００２９】
先ず、第１実施形態と同様に、２点の基準点９１ａ，ｂを設定した後、２点の基準点９１ａ，ｂの間を１００等分し、１００個の測定点９２を設定する（図７（ａ））。各測定点９２に対し電子ビームの走査を行い、各測定点９２での２次電子波形データ９３を得る（図７（ｂ））。
【００３０】
次いで、各波形データ９３におけるパターン６２の中心位置を求め、最小二乗法を用いてパターン６２の中心がそろうように、各波形データ９３に対して座標変換を行う（図７（ｃ））。次いで、座標変換後の各波形データから、各波形のピーク位置９４を求め、ピーク位置のヒストグラム９５を作成する（図７（ｄ））。このヒストグラム９５を第１実施形態と同様に、あるしきい値９６以上の部分だけを抽出する。抽出された部分に対して正規分布関数で近似したフィッティング波形９７を求める。フィッティング波形のうち、一方のエッジ位置に注目し、信号波形の広がりを求めた（図７（ｅ））。この結果、第１実施形態と同様に、通常の寸法測定結果とともにエッジラフネスの測定結果を求めることができる。
【００３１】
［第３実施形態］
図８は、本発明の第３実施形態に係わる寸法測定用ＳＥＭの概略構成を示す模式図である。なお、図８において、図１の寸法測定用ＳＥＭと同一な部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３２】
図８の寸法測定用ＳＥＭは、図１のそれに対し、外部からのＳＥＭ画像データ４５を２次元画像記憶装置に入力するデータ入力部４４を具備している。
本実施形態では、第１実施形態と同様にウェハの粗回転調整及び試料室内でのビーム方向の調整を行った。評価パターンは、第１及び第２実施形態と同様に、図４に示すレジストパターンを使用した。
【００３３】
次に、図９のフローチャートを参照しつつ本実施形態におけるエッジラフネスの評価方法について説明する。
先ず、評価パターンに対して電子ビームを２次元走査し、２次元画像を取り込む（ステップＳ１）。次いで、取り込んだ２次元画像からパターンの輪郭を抽出する処理を行う（ステップＳ２）。ここでは、パターンの縁部分の２次元電子発生量が大きく、画像データの強度分布が大きいことを利用し、しきい値以上の強度を持つ画像データ上のピクセルのみを抽出する。その後、２次元画像中のパターンの長手方向が、直交座標系のｘ軸或いはｙ軸と平行になるように、パターンの座標変換を行う。
【００３４】
次いで、輪郭抽出処理後の画像データから、複数の箇所における輪郭の位置を求める。ここでは、画像データ上のランダムな位置５００箇所についてパターンの輪郭の位置を求める（ステップＳ３）。輪郭位置を求める際、パターンの長手方向線からの距離として求める。つまり、直線状の理想的なパターンの長手方向線からのズレ量として輪郭の位置を求める。
【００３５】
次いで、求められた輪郭の位置のヒストグラムを形成する（ステップＳ４）。そして、ヒストグラムに対して、正規分布関数を用いてフィッティングを行い、σ値を求める（ステップＳ５）。
【００３６】
以上の処理の結果、第１及び２実施形態と同様に、レジストパターンのエッジラフネスを定量化することが可能になった。ここでは、通常の寸法測定結果とともにエッジラフネスの測定結果５ｎｍを得ることができた。
【００３７】
上述した処理は、信号演算部で行った。本実施形態では、２次元画像の取得後に行っている。しかしながら、この処理は、複数の試料について画像を取り込み、オフライン処理で行うこともできる。例えば、他の寸法ＳＥＭで出力された画像データ４５をデータ入力部４４を通して、信号処理部４１に入力し、エッジラフネスを評価することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第１実施形態において、ビームの走査方向に調整を行わずに反射信号パターンを得、得られた反射信号パターンの中心位置がそろうように座標変換を行った後に、重畳信号パターンを演算しても良い。
【００３９】
また、第２実施形態において、ビームの走査方向がパターンの長手方向と垂直となるように調整した後反射信号パターンを検出し、得られた反射信号パターンのピーク位置を求めてることも可能である。
【００４０】
上記実施形態では、評価装置として寸法測定用の電子顕微鏡を用い、ウェハに電圧を印加して評価を行っているが、本発明は電子ブームの加速電圧や基板電位によって制限されるものではない。例えば、ウェハに電圧を印加しないで評価を行うことができるし、断面観察用の電子顕微鏡を用いて加速電圧１５ｋＶで評価を行ってもよい。
【００４１】
また、本発明は、評価装置のプローブの種類で制限されるものではない。すなわち、プローブとして用いられるものが、電子ビーム以外の光，例えばレーザ光線やＸ線等を用いた評価装置であってもよい。また、２次元画像を取得する手段としては、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用いることが可能である。
【００４２】
また、上記実施形態では、２点の基準転換を１００等分した位置を測定点としていたが、本発明は測定点の選択方法によって、制限されるものではない。例えば、測定点を基準点間で全くランダムに設定してもよい。
【００４３】
また、本発明は、パターンの回転調整方法によって、制限されるものではなく、他のウェハ，パターンの回転調整方法を用いることが可能である。
また、本発明は、パターンの配置方法によって制限されるものではなく、デバイス領域の中にラフネス評価用パターンを配置することも可能である。また、デバイス領域内のパターンを使用することも可能である。同様のパターンであれば、本発明を適用することが可能である。
【００４５】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、反射信号パターンを重畳した波形データ，或いは輪郭位置のヒストグラムの広がり評価することによって、パターンの輪郭形状を定量的に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係わる寸法ＳＥＭの概略構成を示す模式図。
【図２】チップの構成を示す平面図。
【図３】パターンの傾き調整方法の手順を説明する図。
【図４】パターンの傾きの調整方法を説明する図。
【図５】第１実施形態に係わるパターンのエッジラフネス評価方法の手順を説明するための図。
【図６】第１実施形態に係わるパターンのエッジラフネスの評価方法を説明するための図。
【図７】第２実施形態に係わるパターンのエッジラフネスの評価方法を説明するための図。
【図８】第３実施形態に係わる寸法測定用ＳＥＭの概略構成を示す模式図。
【図９】第３実施形態に係わるパターンのエッジラフネスの評価方法を説明するための図。
【符号の説明】
１０…鏡筒
１１…電子銃
１２…電子ビーム
２０…試料室
２１…ステージ
２２…ウェハ
２３…ＭＣＰ
３１…信号処理部
３２…基板電位制御部
４０…制御計算機
４１…波形記憶部
４２…波形演算部
４３…ステージ制御系
５１…搬送ロボット
５２…ノッチ検出器
５３…ウェハキャリア
６０…チップ
６１…デバイス領域
６２…ラフネス評価用パターン
６３…回転調整用パターン
７１…測定点
７２…エッジの位置
７３…線分
８１…基準点
８２…測定点
８３…２次元電子波形
８４…積算波形
８５…しきい値
９１…基準点
９２…測定点
９３…２次元電子波形データ
【図１】
0003816660.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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