(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなる半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなり、前記窒化物半導体はＩｎＧａＮであり、前記バンドギャップを小さくするIII族元素はインジウムであり、前記不純物はマグネシウムである半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなり、前記窒化物半導体はＡｌＧａＮであり、前記バンドギャップを小さくするIII族元素はガリウムであり、前記不純物はマグネシウムである半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在用いられている半導体デバイスの多くは、不純物をドーピングして抵抗を低くした半導体層を用いて構成されている。この不純物をドーピングした半導体層の抵抗が高いと半導体デバイスの特徴を十分に発揮できない場合がある。現在、このような問題点を持つ半導体系として、窒化物半導体のｐ型層が代表例として挙げられる。そこで、ｐ型の窒化物半導体を半導体系の例とし、ｎｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）をデバイスの例として、従来技術の説明を行う。
【０００３】
図８は、半導体中のアクセプタ準位の深さと正孔の放出の関係を示す。アクセプタ準位が浅い場合（図中、左側）には、正孔はアクセプタから価電子帯へ容易に放出されるために、半導体層の抵抗が低くなる。この抵抗の低い不純物層をｎｐｎ型ＨＢＴのベース層に適用した場合には、ベース電流が流れやすいので、ＨＢＴの持つ本来の特性を発揮しやすい。これに対して、アクセプタ準位が深い場合（図中、右側）には、正孔はアクセプタに捕われているので、価電子帯へ放出されにくい。このため、半導体層の抵抗が高くなる。この半導体層をＨＢＴのベース層に適用した場合には、ベース電流が流れにくいので、正常なトランジスタ動作ができなかったり、高周波特性に悪影響が出る。従って、アクセプタ準位が深い場合には、何らかの方法によって、正孔濃度あるいは正孔の移動度を増加させることによって、半導体層の抵抗を低くすることが必要となる。
【０００４】
抵抗の低いｐ型窒化物半導体を作製するために、超格子中のピエゾ効果を利用して正孔濃度を増加させる方法が発表されている（K. Kumakura, T. Makimoto and N. Kobayashi, "Enhanced Hole Generation in Mg-Doped AlGaN/GaN Superlattices due to Piezoelectric Field", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 39, pp. 2428-2430 (2000）など)。ピエゾ効果の存在しない超格子（通常の超格子）に対するバンド図を図９に、そして、ピエゾ効果の存在する超格子（窒化物半導体に特有な超格子）に対するバンド図を図１０に示す。ピエゾ効果の存在しない場合（図９の場合）は、図８の場合と同様に、熱エネルギーによってアクセプタから正孔が放出される。ピエゾ効果が存在する場合には、図１０で示したように、ピエゾ効果によってバンドが変調される。このピエゾ電界によってアクセプタからの正孔の放出が促進されるために、正孔濃度を高くすることができる。しかしながら、図１０からわかるように、超格子の膜厚方向にはポテンシャルの起伏がある。従って、正孔が膜厚方向へ走行する際には、そのポテンシャルの起伏が正孔の走行の妨げとなる可能性がある。さらに、この構造をＨＢＴのベース層に用いた場合には、膜厚方向に走行する少数キャリアである電子はポテンシャルのくぼみに落ちて、多数キャリアである正孔と再結合しやすくなる。このため、電流利得が減少するという問題が起こる。
【０００５】
また、これらのアクセプタをドーピングした超格子では、ピエゾ電界を発生させる必要がある。このピエゾ電界を発生させるためには、結晶に歪が生じている必要がある。しかしながら、超格子を構成する２つの層の厚さが厚くなると結晶が歪を緩和する（結晶にヒビが入る）ので、歪がかからなくなる。従って、超格子を構成する２つの層の厚さには制限がある。この厚さの制限は、超格子を構成する２つの層の格子定数差に依存しており、臨界膜厚と呼ばれている。効果的に正孔を放出するためには、超格子を構成する各層の厚さは、通常は１０ｎｍ程度以下である必要がある。
【０００６】
現在、ＨＢＴを作製する際に用いられている半導体材料系は、主として、ＡｌＧａＡｓ/ＧａＡｓ系、ＩｎＰ/ＩｎＧａＡｓ系、Ｓｉ/ＳｉＧｅ系である。これらのＨＢＴの多数が、ベース層にアクセプタをドーピングしたｐ型層を用いている。このようなｎｐｎ型ＨＢＴでは、エミッタ層にはｎ型でバンドギャップの大きな半導体材料を用い、ベース層にはｐ型でエミッタ層より小さなバンドギャップを持つ半導体材料が用いられる。現在のＨＢＴに利用されている半導体材料系におけるエミッタ層とベース層に用いられる材料を表１に示した。
【０００７】
【表１】
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ベース層に用いられているこれらの材料では、ほとんどすべてのアクセプタから正孔が放出されているので、アクセプタ準位の深さは非常に浅い。従って、現在使用されている材料系では、アクセプタ準位が深いことによって高い正孔濃度が得られないという問題は起きていなかった。
【０００８】
アクセプタ準位が浅いｐ型半導体をベース層とした従来のＨＢＴにおいて、ベース層での元素の組成比を変化させて電流利得を高くする構造がある。この構造は傾斜ベース構造と呼ばれており、そのバンド図を図１１に示す。傾斜ベース構造では、エミッタ側からコレクタ側にかけてバンドギャップが小さくなるように元素の組成比を変化させるため、ベース層での伝導帯端には電界がかかる。この電界によって電子が加速されるために、ベース層中での電子の寿命が長くなり、高い電流利得が得られる。比較のためにベース層での元素の組成が一定である、均一ベース構造のバンド図を図１２に示す。この場合に、ベース層における伝導帯端には図１２に示したような傾斜がなく、一定であり、伝導帯端における電子の加速は起こらない。図１１に示したような従来の傾斜ベース構造では、均一ベース構造に比べて、伝導帯端でのバンドの傾斜によって電子を加速させる点が新しい。しかしながら、従来の半導体におけるアクセプタ準位が浅いために、ベース層での元素の組成を変化させても価電子帯端を傾斜させることはできなかった。また、価電子帯端を傾斜させる必要も無かった。
【０００９】
以上説明したように、従来のＨＢＴにおいては、ベース層中に浅いアクセプタ準位を形成することができ、そのアクセプタ準位が放出する正孔によってベース層の比抵抗が低下するので、ベース層を厚くすることなく、ベース層のシート抵抗（層に沿った方向の抵抗）を小さくすることが可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
これに対して、窒化物半導体では、アクセプタ準位が深いために、室温（２０℃付近）ではアクセプタから正孔が放出されない、という問題がある。例えば、ＭｇアクセプタをドーピングしたＧａＮでは、アクセプタ濃度が２×１０１９ｃｍ−３に対して、室温における正孔濃度は３×１０１７ｃｍ−３である。つまり、アクセプタ準位が深いために、室温では、全体の約１/１００のアクセプタしか正孔を放出していない。このため、窒化物半導体のＨＢＴにおいて、ベース抵抗を低くするためには、ベース層を厚くする必要がある。この場合の「ベース抵抗」とは、ベース層のシート抵抗のことであり、この抵抗値が高いと、ベース電極からベース層への信号伝達が遅くなり、ＨＢＴの高周波特性が劣化するので、この抵抗値は低いことが好ましい。しかしながら、この抵抗値を下げるためにベース層を厚くすると、電流利得がベース層の厚さ（ベース層幅）の自乗に反比例して減少するので、トランジスタ特性が劣化する。そこで、窒化物半導体構造の抵抗を低下させることが重要な課題となる。
【００１１】
さらに、現在使用されている半導体材料に比べて、窒化物半導体では、ベース層を走行する少数キャリアである電子の寿命が短い。従って、高い電流利得を得るためには、ベース層を薄くする必要がある。このように、窒化物半導体で作製したＨＢＴでは、高い電流利得を保つと同時にベース抵抗を減少させなければならない、という問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、上記の課題、すなわち、窒化物半導体構造の抵抗を低下させ、窒化物半導体で作製したＨＢＴにおいて、高い電流利得を保つという課題とを解決し、低抵抗の窒化物半導体構造を実現させ、その窒化物半導体構造をベース層として用いて、電流利得が高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、請求項１に記載のように、
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなる半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。
【００１４】
また、本発明は、請求項２に記載のように、
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなり、前記窒化物半導体はＩｎＧａＮであり、前記バンドギャップを小さくするIII族元素はインジウムであり、前記不純物はマグネシウムである半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。
【００１５】
また、本発明は、請求項３に記載のように、
２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であり、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなり、前記窒化物半導体はＡｌＧａＮであり、前記バンドギャップを小さくするIII族元素はガリウムであり、前記不純物はマグネシウムである半導体構造をベース層とし、前記ベース層の内部においてエミッタ側からコレクタ側に向かって前記組成比を変化させることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、ＨＢＴでのベース層にドーピングしたアクセプタ準位の深さを制御することによって、抵抗が低く、キャリアに対するポテンシャル障壁の少ない構造をベース層とするＨＢＴを提供することを主要な特徴とする。
【００１８】
本発明は、従来の技術と比較して、ＨＢＴでのベース層を構成する元素の組成を変化させることにより、アクセプタ準位を制御し、しかも、価電子帯に電界を印加する点が異なる。
【００１９】
本発明においては、半導体層を構成する元素の組成を変化させることにより、ドーピングしたアクセプタ準位を制御する。この際、表面から基板側にかけて不純物準位の深さが変化するようにすれば、正孔は半導体内に均一に存在するのではなく、表面側あるいは基板側に偏って蓄積される。その結果、膜厚方向に走行するキャリアに対するポテンシャル障壁が存在することなく、深い不純物準位からも効果的に正孔が放出される。さらに、マイナスにイオン化したアクセプタをプラスの正孔が遮蔽する効果（スクリーニング効果）によって移動度が上昇する。従って、半導体層の抵抗を低くすることができるとともに、キャリアが膜厚方向に円滑に走行する。
【００２０】
本発明に係るＨＢＴにおいては、ベース層を構成する元素の組成を変化させることにより、ドーピングしたアクセプタ準位を制御する。この際、エミッタ層からコレクタ層にかけて不純物準位の深さが変化するようにすれば、正孔はベース層内に均一に存在するのではなく、ベース層内のコレクタ層側あるいはエミッタ層側に偏って蓄積される。その結果、膜厚方向に走行するキャリアに対するポテンシャル障壁が存在することなく、深い不純物準位からも効果的に正孔が放出されるとともに、実効的なベース層幅が小さくなる。従って、ベース層の抵抗を低くすることができると同時に、電流利得を高くすることができる。
【００２１】
以下に、本発明を実施の形態例によって説明する。
【００２２】
［本発明の基礎となる構造］
本発明に係るＨＢＴのベース層の構造をｐ型ＩｎＧａＮによって実現する方法を以下に示す。
【００２３】
ｐ型ＩｎＧａＮは有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いてサファイア基板上に作製した。作製したｐ型ＩｎＧａＮの構造及びバンド図を、それぞれ、図２及び図３に示す。この場合に、図２中のＭｇドープｐ型ＩｎＧａＮが請求項１に記載の窒化物半導体に該当する。なお、前記のＭｇドープｐ型ＩｎＧａＮは、図２に示したように、２層のバッファー層の上に形成されている。
【００２４】
この場合のアクセプタはマグネシウム（Ｍｇ）原子であり、原子濃度は約３×１０１９ｃｍ−３である。この場合に、マグネシウムが請求項１に記載のアクセプタとしてドーピングされた不純物に該当する。
【００２５】
ｐ型ＩｎＧａＮは、Ｉｎ組成の違いによって、バンドギャップや、Ｍｇアクセプタ準位の深さが異なってくることが報告されている。窒化物半導体におけるバンドギャップとＭｇアクセプタ準位の深さの関係を図４に示す（K. Kumakura, T. Makimoto and N. Kobayashi, "Activation Energy and Electrical Activity of Mg in Mg-Doped InｘGa１−ｘN (x<0.2)", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 39, pp. L337-L339 (2000))。図の縦軸がアクセプタ準位の深さを表している。
【００２６】
図２で示したように、表面側からサファイア基板側に向かって、ｐ型ＩｎＧａＮ層中のインジウム（Ｉｎ）組成を０％から６％まで厚さに比例して増加させた。このため、図３で示したように、表面側からサファイア基板側に向かって、正孔に対するポテンシャルが低くなるように価電子帯が傾くことになる。従って、表面側に存在するアクセプタの不純物準位が深くても効率的に正孔が放出され、ｐ型ＩｎＧａＮの構造の抵抗が低下する。この場合に、インジウムが請求項１に記載のバンドギャップを小さくするIII族元素に該当する。
【００２７】
また、本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造では、Ｉｎ組成を徐々に変化させているが、ＩｎＧａＮ層全体の膜厚が厚いので、ＩｎＧａＮ層は緩和している（層中の歪が緩和している）と考えられる。従って、Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮとＧａＮバッファー層との間にはピエゾ電荷は存在しない。
【００２８】
図２の構造に対するホール測定を２３℃において行ない、膜厚と垂直な方向（膜面に平行な方向）の電気伝導特性を調べた。電子ビーム蒸着によって真空蒸着したＰｄ/Ａｕをオーミック電極として用いた。この結果、シート正孔濃度、移動度及びシート抵抗は、それぞれ、５.８×１０１３ｃｍ−２、２.５ｃｍ２/Ｖｓ及び４.３×１０４Ωであった。ここで、ｐ型ＧａＮ、Ｉｎ濃度が３％のｐ型ＩｎＧａＮ及び６％のｐ型ＩｎＧａＮに対するシート正孔濃度、移動度及びシート抵抗を、本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造に対する値と比較して表２に示す。
【００２９】
【表２】
これら３つの層内のＩｎ組成は均一であり、膜厚は図２の構造と同じ１３０ｎｍである。また、Ｍｇ原子のドーピング濃度は、図２の構造で用いたドーピング濃度と同じにしている（約３×１０１９ｃｍ−３)。この場合の本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造では、Ｉｎ原子の平均組成は３％である。Ｉｎ濃度が３％均一のｐ型ＩｎＧａＮに対するシート抵抗は、本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造に対する値よりも約２倍も高い。表２には、ｐ型ＧａＮ、Ｉｎ濃度が３％均一のｐ型ＩｎＧａＮ及び６％均一のｐ型ＩｎＧａＮに対するシート抵抗の平均値も示している。この平均値は本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造に対する値よりも２倍以上もあり、本発明において、抵抗が減少していることを示している。
【００３０】
本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造では、ｐ型ＩｎＧａＮ層のＩｎ組成を変化させることによって価電子帯のポテンシャルが傾斜した結果、アクセプタから効率的に正孔が放出されている。そして、正孔が基板側に偏って蓄積した結果、スクリーニング効果によって、移動度が上昇したものと考えられる。これらの２つの効果によって、本発明に係るＨＢＴのベース層である半導体構造に対する抵抗が減少した。そして、抵抗が減少する効果は、膜厚が１３０ｎｍでも現れる。
【００３１】
［実施の形態例］
本発明に係るｎｐｎ型ＨＢＴのバンド図の一例を図１に示す。注目するべき点は、ベース層内の伝導帯端ではなく、ベース層内の価電子帯端がエミッタ層からコレクタ層にかけて傾斜している点である。この傾斜のためにエミッタ層側に存在する深いアクセプタ準位からも正孔が効果的に放出され、コレクタ層側に蓄積される。従って、［本発明の基礎となる構造］で述べたように、スクリーニング効果による移動度の上昇の効果も出るために、ベース抵抗が低くなる。さらに、この場合には実効的なベース層の幅は図１中のＷｅｆｆとなるので、電流利得は均一ベース構造の場合（この場合には、実効的なベース層の幅は構造上のベース層の幅Ｗｂに等しい）に比べて、（Ｗｂ/Ｗｅｆｆ)２ 倍になる。この倍率は、Ｗｂ＞Ｗｅｆｆであるので、１よりも大きい。
【００３２】
このように、本発明によってベース抵抗を低くすることができ、それと同時に、電流利得を高くすることができる。
【００３３】
図５は、ＭＯＶＰＥ法でサファイア基板上に作製した本発明に係るＨＢＴの構造を示す。図において、ベース層（図中、Ｇｒａｄｅｄ−ＩｎＧａＮベースと表示）に、図２に示した構造を適用した。つまり、ベース層の厚さを１３０ｎｍとして、コレクタ側からエミッタ側にかけてベース層内でのＩｎ組成を６％から０％まで減少させた。この構造での電流利得は２３℃において約５であった。これに対して、Ｉｎ組成が３％均一のＩｎＧａＮをベース層とした均一ベースＨＢＴでは、電流利得が約１であった。このように、図２に示したｐ型窒化物半導体をベース層に用いた場合には、ＨＢＴの特性が改善された。
【００３４】
なお、図５に示したＨＢＴの構成において、エミッタ及びコレクタはＳｉドープのｎ-ＧａＮであり、エミッタとベースとの間にはＧａＮのスペーサ層があり、ベースとコレクタとの間には、Ｉｎ組成が位置によって変化するＳｉドープのＧａＮがあり、エミッタ上にはエミッタ電極としてＡｌ/Ａｕ電極が形成され、ベース表面の一部にはベース電極としてＰｄ/Ａｕ電極が形成され、コレクタの下層としてＳｉドープのｎ-ＧａＮサブコレクタがあり、このサブコレクタの表面の一部にはコレクタ電極としてＡｌ/Ａｕ電極が形成され、ＨＢＴ全体は、図５に示したように、２層のバッファー層の上に形成されている。
【００３５】
図１では、コレクタ側に正孔が蓄積したが、図６に示したようにエミッタ側に正孔が蓄積していても良い。また、図１や図６では、ベース層での伝導帯には電界がかかっていなかったが、電界がかかっても良い。ただし、この電界の方向は電子がエミッタからコレクタに向かって加速される方向が望ましい。
【００３６】
また、図１では、ベース層のエミッタ端でのＩｎ組成がエミッタのベース端でのＩｎ組成と等しくなっている。しかしながら、ベース層のエミッタ端では金属との間にオーミック接合を形成しなければならない。図４で示したように、Ｉｎ組成が高くなるのに伴ってアクセプタ準位が浅くなるので、Ｉｎ組成が高いほうが良好なオーミック接合を形成しやすい。従って、ベース層のエミッタ端でのＩｎ濃度がエミッタ層のベース端でのＩｎ組成よりも高くなっても良い。この様子を図７に示す。エミッタはＧａＮとし、ベース層のエミッタ端でのＩｎ組成は３％であり、コレクタ端に向かってＩｎ組成を６％まで増加させている。
【００３７】
以上はｎｐｎ型ＨＢＴに関して実施の形態例を示したが、ｐｎｐ型ＨＢＴにも本発明を適用できるのは明らかである。
【００３８】
さらに、窒化物半導体であるＩｎＧａＮにおいて、組成を変化させる元素としてＩｎを用いて説明を行ったが、窒化物半導体であるＡｌＧａＮにおいて、組成を変化させる元素としてのＧａの組成を変化させても、上記と同様の本発明の効果が現れる。また、ＩｎＡｌＧａＮなどの４つの元素から構成される４元系の半導体では、（ＩｎＡｌ)ＧａＮと考えて、２つの元素からなる（ＩｎＡｌ）の組成をＧａに対して変化させても良い。５元系以上の半導体においても同様である。
【００３９】
以上の説明から明らかなように、２種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であって、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなることを特徴とする半導体構造を構成することによって、低抵抗の窒化物半導体構造を実現させ、その窒化物半導体構造をベース層として用いて、ベース抵抗が低く、しかも、電流利得が高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成することができる。
【００４０】
また、本発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいては、ピエゾ電界を利用せず、発生もさせていないので、膜厚方向に走行するキャリアに対するポテンシャル障壁が無く、キャリアの走行が円滑に行われる。従って、このようなポテンシャル障壁に起因する層抵抗の増大や電流利得の低下の問題が解消される。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の実施によって、低抵抗の窒化物半導体構造を実現させ、その窒化物半導体構造をベース層として用いて、電流利得が高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の一例のバンド図を示す図である。
【図２】  本発明に係るＨＢＴのベース層としての、ｐ型窒化物半導体であるｐ型ＩｎＧａＮを示す図である。
【図３】  図２の構造に対するバンド図を示す図である。
【図４】  窒化物半導体におけるバンドギャップとＭｇアクセプタ準位の深さの関係を示す図である。
【図５】  ＭＯＶＰＥ法でサファイア基板上に作製した本発明に係るＨＢＴの構造を示す図である。
【図６】  本発明に係る、エミッタ側に正孔が蓄積したｎｐｎ型ＨＢＴのバンド図を示す図である。
【図７】  本発明において、コレクタ端に向かってベース層のＩｎ組成を３％から６％まで増加させた場合のバンド図を示す図である。
【図８】  半導体中のアクセプタ準位の深さと正孔の放出の関係を示す図である。
【図９】  ピエゾ効果のない超格子構造に対するバンド図を示す図である。
【図１０】  ピエゾ電界が存在する超格子構造に対するバンド図を示す図である。
【図１１】  ｎｐｎ型ＨＢＴにおける傾斜ベース構造のバンド図を示す図である。
【図１２】  ｎｐｎ型ＨＢＴにおける均一ベース構造のバンド図を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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