(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルと、ボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの突出部間の上面に接着剤を用いて接着された第１半導体チップと、ボンディングパッドが前記セラミックカプセルの両側に露出する程度の大きさを有し、前記ボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの下面に接着剤を用いて接着された第２半導体チップと、両端は前記第１及び第２半導体チップのボンディングパッドに連結し、中間部は前記セラミックカプセルの突出部上に置かれる金属ワイヤと、前記セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤの中間部が露出するように全体をモールドする封止剤と、前記封止剤から露出した金属ワイヤの中間部に形成された導電性バンプと、前記導電性バンプにマウントされた半田ボールとを含むことを特徴とするスタックパッケージ。
【請求項２】
前記セラミックカプセルの突出部表面に凹にボールランドが形成され、前記ボールランドに金属ワイヤが挟まれ、前記導電性バンプがボールランドに収容されたことを特徴とする請求項１記載のスタックパッケージ。
【請求項３】
前記ボールランドの内壁にメッキ膜が形成され、前記メッキ膜に金属ワイヤが接触されたことを特徴とする請求項２記載のスタックパッケージ。
【請求項４】
前記第２半導体チップの下面が封止剤から露出したことを特徴とする請求項１記載のスタックパッケージ。
【請求項５】
前記封止剤から露出した第２半導体チップの下面に放熱板が付着されたことを特徴とする請求項４記載のスタックパッケージ。
【請求項６】
前記封止剤から露出した第２半導体チップの下面にリードフレームが付着され、前記リードフレームは金属ワイヤを介して第２半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結したことを特徴とする請求項４記載のスタックパッケージ。
【請求項７】
前記セラミックカプセルの水平面に第１及び第２半導体チップを同時に接着できるように、前記接着剤の移動を許容する多数の孔が形成されたことを特徴とする請求項１記載のスタックパッケージ。
【請求項８】
両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルの上面に、ボンディングパッドが上部を向くように第１半導体チップを接着する工程と、前記セラミックカプセルの両側にボンディングパッドが露出する程度の大きさを有する第２半導体チップを、そのボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの下面に接着する工程と、金属ワイヤの一端を前記第１半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結し、他端を前記セラミックカプセルの突出部を越えて前記第２半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結する工程と、前記セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤの中間部が露出するように全体を封止剤でモールドする工程と、前記露出した金属ワイヤに導電性バンプを形成する工程と、前記バンプに半田ボールをマウントする工程とを含むことを特徴とするスタックパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記モールド工程において、前記第２半導体チップの下面も封止剤から露出させることを特徴とする請求項８記載のスタックパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記封止剤から露出した第２半導体チップの下面に放熱板を付着する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載のスタックパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記モールド工程前に、前記セラミックカプセルの突出部表面にボールランドを形成する工程と、前記ボールランドに金属ワイヤを挿入する工程と、前記ボールランド内に金属ワイヤと接触されるように導電性バンプを形成する工程と、前記ボールランド内を半田ペーストで埋め込む工程とをさらに含み、全体結果物を前記封止剤でモールドした後に、前記封止剤と半田ペーストを研磨して前記導電性バンプを露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項８記載のスタックパッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記セラミックカプセルに接着剤の移動を許容する多数の孔を形成して、前記第１及び第２半導体チップを一つの接着剤でセラミックカプセルに同時に接着することを特徴とする請求項８記載のスタックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ、特に少なくとも二つ以上の半導体チップを積層(stack)して一つのパッケージからなるスタックパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、メモリチップの容量増大化が盛んに進行されている。現在、１２８ＭＤＲＡＭの量産段階にあり、２５６ＭＤＲＡＭの量産も近い。
【０００３】
一般的に、メモリチップの容量増大、則ち高集積化の達成方法として、限定された半導体チップの空間内に多数のセルを製造できる技術が開示されている。このような方法は精密な微細線幅を要求する等、高難度の技術及び多くの開発時間を必要とする。したがって、最近、より容易に高集積化が達成できるスタッキング(Stacking)技術が開発され、これに対する研究が盛んに進行されつつある。
【０００４】
半導体業界におけるスタッキングとは、少なくとも二つ以上の半導体チップを垂直に積上げてメモリ容量を倍加させる技術である。こうしたスタッキングによれば、例えば二つの６４ＭＤＲＡＭ級素子を積層して１２８ＭＤＲＡＭ級を、また二つの１２８Ｍ ＤＲＡＭ級素子を積層して２５６ＭＤＲＡＭ級を構成できる。
【０００５】
前記の様なスタッキングによるパッケージの典型的な例を図１及び図２に示す。これを簡単に説明すれば次の通りである。まず、図１に示すように、ボンディングパッドが上面に配置された半導体チップ１にリードフレーム２が接着剤３にて付着される。リードフレーム２のインナーリード２１はボンディングパッドに金属ワイヤ４によって電気的に連結している。リードフレーム２のアウタリード２２だけが両側に露出するように、全体結果物が封止剤５(molding compound)によって密封される。
【０００６】
この様な一つのパッケージ上に同一構造のパッケージが積層される。則ち上部に積層されたパッケージのアウタリード２２が下部パッケージのリードフレーム２の中間部に接合されて、二つの半導体チップが電気的に連結する。
【０００７】
しかしながら、前記の様な一般のスタックパッケージはパッケージの全体厚さが厚いという欠点がある。また、上部パッケージの信号伝達経路は上部パッケージのアウタリードを通じて下部パッケージのリードフレームを通過しなければならないので、電気的な信号経路が長すぎるという欠点もある。特に、上部及び下部パッケージのリードをハンダ付けするが、このハンダ付けの不良によって接続不良がよく引き起こされる。
【０００８】
これを解消するために、従来は図２に示すスタックパッケージが提案された。同図に示すように、上部及び下部半導体チップ１ａ、１ｂが所定間隔をおいて配置される。上部半導体チップ１ａの下面に上部リードフレーム２ａのインナーリード２１ａが付着され、金属ワイヤ４ａにより上部半導体チップ１ａのボンディングパッドに電気的に連結する。また、下部半導体チップ１ｂの上面に下部リードフレーム２ｂのインナーリード２１ｂが付着され、金属ワイヤ４ｂにより下部半導体チップ１ｂのボンディングパッドに電気的に連結する。
【０００９】
上部リードフレーム１ａのアウタリード２２ａは下部リードフレーム２ｂの中間部にレーザーにて接着され、下部リードフレーム２ｂのアウタリード２２ｂは封止剤５ａの外部に突出している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の様に図２に示したスタックパッケージも次の様な問題点を有している。まず、信号伝達経路は低減されたが、各リードフレーム間の距離が近すぎて、動作中に信号干渉が発生する恐れがある。
【００１１】
また、各リードフレームが対向して配置されているため、リードフレーム間の離間距離による不良発生の恐れがある。そして、リードフレーム間をレーザーにて接合させるため、高価なレーザー装備が必要となり、特に各リードフレームが半永久的に接合されるため、以後の保守作業がほとんど不可能である。さらに、チップの大きさが変更されると、それに従いリードフレームを新しく製作しなければならない。
【００１２】
他の問題点としては、各半導体チップが封止剤の内部に位置しているため、駆動中に熱発散が効果的になされない。則ち放熱板機能を行うヒートシンク(heat sink)を設ける部分がないので、熱発散がよくなされない。
【００１３】
従って、本発明の目的は、全体厚さは増加させず信号伝達経路を短くし、信号干渉を最大に抑制できるスタックパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、リードフレームを用いないことで、リードフレーム間の離間距離による不良発生が根本的に防止され、半導体チップの大きさが変更されてもリードフレームを新しく製作しなくて良く、保守作業も容易にすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記の様な目的を達成するために、本発明によるスタックパッケージはセラミックカプセルを含む。セラミックカプセルの上面両側には一対の突出部が形成される。セラミックカプセルの上面には第１半導体チップが接着され、セラミックカプセルの下面には第２半導体チップが接着される。第１及び第２半導体チップはそのボンディングパッドが上部を向くように配置されるが、特に第２半導体チップはそのボンディングパッドがセラミックカプセルの両側に露出する程度の大きさを有する。第２半導体チップの下面には放熱板が付着されることが望ましい。第１及び第２半導体チップのボンディングパッドが金属ワイヤにより電気的に連結する。金属ワイヤの中間部はセラミックカプセルの突出部表面に置かれる。セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤ部分と放熱板だけが露出するように全体を封止剤でモールドする。封止剤から露出した金属ワイヤ部分に導電性バンプが形成され、導電性バンプに半田ボールがマウントされる。
【００１６】
上述した構成からなるスタックパッケージの製造方法は次の通りである。両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルの上面に、ボンディングパッドが上部を向くように第１半導体チップを接着する。セラミックカプセルの両側にボンディングパッドが露出する程度の大きさを有する第２半導体チップを、そのボンディングパッドが上部を向くようにセラミックカプセルの下面に接着する。金属ワイヤの一端を第１半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結し、金属ワイヤの他端をセラミックカプセルの突出部を越えて第２半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結する。セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤ部分と第２半導体チップの下面が露出するように、全体を封止剤でモールドする。封止剤から露出した金属ワイヤ部分に導電性バンプを形成した後、導電性バンプに半田ボールをマウントする。
【００１７】
上述した本発明の構成によれば、セラミックカプセルを挟んで第１及び第２半導体チップが配置され、各ボンディングパッドがリードフレームでない金属ワイヤで連結し、封止剤から露出した金属ワイヤ部分に半田ボールを付着することにより、信号干渉が発生される恐れがほとんどなく、金属ワイヤの取り外しが容易であるので、保守作業もより容易である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施例を詳細に説明する。
（実施例１）
図３乃至図１０は、本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。まず、図４に示すように、セラミックカプセル５０を用意する。セラミックカプセル５０は両側上面に一対の突出部５２が形成され、各突出部５２間の水平面には多数の孔５１が形成された形状である。
【００１９】
図３に示すように、第１半導体チップ３０は、そのボンディングパッド３１が上部を向くようにして、両突出部５２間かつセラミックカプセル５０の上面に定着させる。ボンディングパッド４１がセラミックカプセル５０の両側に露出する程度の大きさを有する第２半導体チップ４０は、接着剤６０を介してセラミックカプセル５０の下面に接着される。この時、接着剤６０は第２半導体チップ４０により押されながら、セラミックカプセル５０の底面に形成された孔５１（図４参照）を介して第１半導体チップ３０とセラミックカプセル５０の間に染み込むことにより、第１半導体チップ３０もセラミックカプセル５０の上面に接着される。次に、放熱板８０は他の接着剤７０を用いて第２半導体チップ４０の下面に付着される。
【００２０】
続いて、図５に示すように、第１及び第２半導体チップ３０、４０のボンディングパッド３１、４１を金属ワイヤ１００で連結し、第１及び第２半導体チップ３０、４０が電気的に連結される。この時、金属ワイヤ１００は、セラミックカプセル５０の突出部５２を越えることにより、その中間部が突出部５２上に置かれることになる。
【００２１】
続いて、図６に示すように、全体結果物を上部及び下部モールドダイ１１０、１１１間のキャビティ内に位置させて、キャビティ内に封止剤１２０をフローさせる。この時、放熱板８０はその両端が上部及び下部モールドダイ１１０、１１１の界面間に挟まれて、突出部５２は上部モールドダイ１１０のキャビティ上壁に張り合わせる。よって、金属ワイヤ１００の中間部は突出部５２と上部モールドダイ１１０により押されて封止剤１２０が塗布されない。このため、図７に示すように、金属ワイヤ１００の中間部及び放熱板８０の下面と側面だけが封止剤１２０から露出する。
【００２２】
次に、金属ワイヤ１００の中間部をより確実に露出させるために、図７に示すように、封止剤１２０の上面にノズル１３０から研磨剤を噴射して封止剤１２０を所定厚さだけ除去することにより、金属ワイヤ１００の中間部は確実に封止剤１２０から露出する。ここで、研磨剤の代りに研磨ペーパーを用いていい。
【００２３】
また、図８に示すように、放熱板８０の下面も封止剤１２０から確実に露出させるために、全体をかえしてから、放熱板８０の上面に研磨剤を噴射して研磨する。
【００２４】
続いて、図９に示すように、封止剤１２０から露出した金属ワイヤ１００の中間部に導電性バンプ１４０を形成し、導電性バンプ１４０に半田ボール１５０をマウントすると、図１０に示す様な実施例１によるスタックパッケージが完成する。
【００２５】
（実施例２）
図１１乃至図１３は本発明の実施例２によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。本実施例２では半田ボール１５０の接合力を強化させるための方案が提示される。図１１に示すように、セラミックカプセルの突出部５２表面に凹状の溝であるボールランド５３を形成し、金属ワイヤ１００をボールランド５３に挟む。そして、導電性バンプ１４０をボールランド５３内に入れて金属ワイヤ１００に接触させた後、ボールランド５３内部を半田ペースト１６０で埋め込む。
【００２６】
次に、図１２に示すように、半田ペースト１６０が露出しないように全体結果物を封止剤１２０でモールドする。続いて、図１２に示す点線まで封止剤１２０、突出部５２及び半田ペースト１６０を研磨して所定厚さだけ除去して導電性バンプ１４０を封止剤１２０から露出させる。その露出した導電性バンプ１４０に、図１３に示すように半田ボール１５０をマウントすると、導電性バンプ１４０を介して半田ボール１５０と金属ワイヤ１００の間の接合力が一層強化される。
【００２７】
一方、半田ボール１５０の接合力を一層強化させるために、図１２に示すように、ボールランド５３の内壁にメッキ膜１７０を形成することも望ましい。
【００２８】
（実施例３）
図１４は本実施例３によるスタックパッケージを示すもので、同図に示すように、放熱板がない以外は実施例１及び２と同様である。封止剤１２１が第２半導体チップ４０の上面にのみ塗布される。則ち第２半導体チップ４０が下部モールドダイのキャビティ底面に定着され、その上部にのみ封止剤１２１が塗布される。
【００２９】
（実施例４）
図１５は本実施例４によるスタックパッケージを示すもので、実施例３によるスタックパッケージと構造は同様であるが、製造工程は相違する。
【００３０】
図１５には示さないが、第２半導体チップ４０の下面にはダミー板が付着され、ダミー板がモールドダイのキャビティ底面に定着された状態で全体結果物が封止剤１２２でモールドされる。次に、第２半導体チップ４０の下面まで研磨すると、ダミー板が除去されて図１５の様なスタックパッケージが完成する。
【００３１】
（実施例５）
本実施例５では一つのスタックパッケージにもう一つのスタックパッケージをスタッキングする方案が提示される。図１６に示すように、図１４または図１５に示すパッケージをかえした状態で、第２半導体チップ４０の上面にリードフレーム９０を接合させて、金属ワイヤ１８０によってリードフレーム９０と第２半導体チップ４０のボンディングパッド４１とを連結させる。
【００３２】
リードフレーム９０は上部に露出した状態であるため、前記と同様な構造のスタックパッケージにマウントされた他の半田ボール１５０をリードフレーム９０に接合すると、二つのスタックパッケージが積層された構造となる。このように、複数個のスタックパッケージを積層し続ける事も出来る。
【００３３】
（実施例６）
本実施例６はモールド工程を排除する方案であって、図１７に示すように一つの基板２２０上に図１４または図１５に示すスタックパッケージが複数個配置されて、各スタックパッケージの半田ボール１５０が基板２２０に実装される。則ちマルチチップパッケージである。
【００３４】
より具体的に説明すれば、セラミックカプセル２００は基板２２０上部に覆われて接着剤２１０を介して基板２２０に接着される。したがって、各スタックパッケージはセラミックカプセル２００の内部に位置することになる。基板２２０の下面には複数個の半田ボール２３０がマウントされる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、セラミックカプセルを挟んで二つの半導体チップが配置され、金属ワイヤで電気的に連結することにより、信号伝達経路が短くなり、かつ信号干渉が排除される効果がある。
【００３６】
また、第２半導体チップの下面が封止剤から露出することにより、熱発散特性が向上される。特に露出した第２半導体チップに放熱板を付着することができるため、熱発散特性が一層向上される。
【００３７】
なお、本発明は、前記実施例に限らず、本発明の技術的要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形・実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のスタックパッケージを示す断面図である。
【図２】従来のスタックパッケージを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図４】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示すセラミックカプセルの斜視図である。
【図５】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図６】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図７】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図８】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図９】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例１によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例２によるスタックパッケージの金属ワイヤ付近の斜視図である。
【図１２】本発明の実施例２によるスタックパッケージの金属ワイヤ付近の断面図である。
【図１３】本発明の実施例２によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例３によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図１５】本発明の実施例４によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図１６】本発明の実施例５によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図１７】本発明の実施例６によるスタックパッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
３０  第１半導体チップ
３１、４１  ボンディングパッド
４０  第２半導体チップ
５０、２００  セラミックカプセル
５１ 孔
５２  突出部
５３ ボールランド
６０、７０、２１０ 接着剤
８０  放熱板
９０ リードフレーム
１００  金属ワイヤ
１１０、１１１ モールドダイ
１２０、１２１、１２２  封止剤
１３０ ノズル
１４０  導電性バンプ
１５０、２３０  半田ボール
１６０ 半田ペースト
１７０ メッキ膜
１８０ 金属ワイヤ
２２０ 基板
【図１】
0003752508.tif 000002
【図２】
0003752508.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003752508.tif 000005
【図５】
0003752508.tif 000006
【図６】
0003752508.tif 000007
【図７】
0003752508.tif 000008
【図８】
0003752508.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003752508.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
0003752508.tif 000016
【図１６】
0003752508.tif 000017
【図１７】
0003752508.tif 000018