(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板を処理する装置であって、
処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気体を供給する気体供給手段と、
処理液が貯留され、処理液に基板を浸漬させて基板の洗浄処理またはエッチング処理を行うための処理槽と、
前記処理槽の周囲に配置され、前記処理槽から溢れ出た処理液を収容するオーバーフロー槽と、
前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽の上部を遮蔽する処理槽用遮蔽部材と、
前記オーバーフロー槽の上部を遮蔽するオーバーフロー槽用遮蔽部材と、
を備え、
前記気体供給手段は、
前記オーバーフロー槽用遮蔽部材の内側端部の四方に形成され、略水平方向に乾燥気体を供給する第１の気体供給口と、
前記オーバーフロー槽用遮蔽部材の下部に形成され、略鉛直下方向に乾燥気体を供給する第２の気体供給口と、
を有し、
前記第１の気体供給口からは前記処理槽用遮蔽部材と前記処理槽内の処理液の露出液面との間の空間に乾燥気体を供給し、
前記第２の気体供給口からは前記オーバーフロー槽用遮蔽部材と前記オーバーフロー槽内の処理液の露出液面との間の空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段が前記オーバーフロー漕に収容された処理液を前記処理槽に循環供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
処理液により基板を処理する装置であって、
処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気体を供給する第１および第２の気体供給手段と、
基板を保持する基板保持手段と、
基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液吐出手段を有し、前記基板処理手段に保持された基板の表面に対向して配置された遮蔽部材と、
前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基板保持手段に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散した処理液を収容する処理液収容部材と、
を備え、
前記第１の気体供給手段は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を供給し、
前記第２の気体供給手段は前記処理液収容部材と前記基板保持手段の裏面の間の空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記処理液吐出手段と連通接続され、前記処理液吐出手段に供給するための処理液を収容する処理液タンクと、
前記処理液タンクをカバーする処理液タンク用カバーと、
前記処理液タンク内の処理液の露出液面と前記処理液タンク用カバーの間の空間に乾燥気体を供給する第３の気体供給手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記処理液タンクが前記処理液収容部材に収容された処理液を収容することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液吐出手段による処理液の吐出位置が、前記基板保持手段の回転軸の延長線上に存在し、
かつ、
前記処理液の吐出方向が、前記回転軸方向と一致することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１の気体供給手段は、前記処理液吐出手段の処理液の吐出位置の周囲に隣接して前記遮蔽手段に設けられた気体供給口を有し、
前記気体供給口は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して洗浄処理またはエッチング処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
湿式の基板洗浄処理においては、従来より、硫酸単体もしくは硫酸を主成分とする処理液、あるいはリン酸単体もしくはリン酸を主成分とする処理液（以下、単に「処理液」と称する）が、しばしば用いられる。また、洗浄処理の方式には、大別すると、処理液で満たされた処理槽に一度に複数の基板を浸漬して基板を洗浄するバッチ式と、１枚の基板を回転させ、基板の表面に処理液を供給することで基板を洗浄する枚葉式との２つの方式がある。
【０００３】
図４は、従来のバッチ式洗浄装置１００を模式的に示す図である。図４（ａ）は側面断面図、図４（ｂ）は、バッチ式洗浄装置１００の処理部１１０についての正面断面図である。従来のバッチ式洗浄装置１００は、処理槽１１１、処理槽１１１の四方を取り囲むように配置されるオーバーフロー槽１１２、および注入管１１３を備えた処理部１１０と、ポンプＰ１０１と、ヒータＨ１０１と、フィルタＦ１０１と、循環路Ｊ１０１とを備えている。ポンプＰ１０１と、ヒータＨ１０１と、フィルタＦ１０１とは、循環路Ｊ１０１に設けられている。
【０００４】
バッチ式洗浄装置１００においては、矢印ＡＲ１１１に示すように、洗浄処理を行うための処理液ＳＯＬ３が、ポンプＰ１０１の作用によって循環路１０１を循環する。ヒータＨ１０１で加熱され、フィルタＦ１０１でフィルタ処理された処理液ＳＯＬ３は、注入管１１３を通じて処理槽１１１に供給される。処理槽１１１においては、処理槽１１１の高さいっぱいまで処理液ＳＯＬ３が満たされるが、絶えず処理液ＳＯＬ３が注入管１１３から処理槽１１１内へ供給されることにより、処理液ＳＯＬ３は処理槽１１１からあふれ出る。このあふれ出る処理液ＳＯＬ３は、オーバーフロー槽１１２に流れ込み、一旦オーバーフロー槽１１２へ収容される。オーバーフロー槽１１２に収容された処理液ＳＯＬ３は、ポンプＰ１０１によって循環路１０１に再び循環され、注入管１１３から処理槽１１１内へ供給される。
【０００５】
基板Ｗ１０１は、複数枚同時に処理槽１１１に搬入され、ガイド１１４に保持された状態で処理液ＳＯＬ３により洗浄が行われる。洗浄処理においては、基板Ｗ１０１の表面に存在する、レジストや窒化膜（シリコンナイトライド）、酸化膜（二酸化シリコン）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）のエッチング分解による汚染物や残存物の脱離、あるいは処理液ＳＯＬ３への溶解などが生じる。なお、複数枚の基板Ｗ１０１を処理槽１１１に搬入する際には、基板Ｗ１０１の総体積に相当する処理液ＳＯＬ３は、やはりオーバーフロー槽１１２へあふれ出している。
【０００６】
また、図５は、従来の枚葉式洗浄装置２００を模式的に示す図である。従来の枚葉式洗浄装置２００は主として、基板Ｗ２０２を保持しつつ回転する回転基台２２１、回転する基板Ｗ２０２に対して処理液ＳＯＬ４を吐出する処理液吐出口２２２、同様に純水を吐出する純水吐出口２２３、および処理液ＳＯＬ４等の周辺への飛散を防ぐスプラッシュガード（処理液収容部材）２２４を備えた処理部２２０と、処理液を貯蔵する処理液タンク２２５と、ポンプＰ２０２と、ヒータＨ２０２と、フィルタＦ２０２と、ドレンＤＲ２０２と、純水供給部ＤＩＷ２０２と、循環路Ｊ２０２と、処理液バルブＶＬ２２１およびＶＬ２２３と、純水バルブＶＷ２２１と、排気部ＶＣ２０２とを備えている。処理液タンク２２５と、ポンプＰ２０２と、ヒータＨ２０２と、フィルタＦ２０２とは、循環路Ｊ２０２に設けられている。
【０００７】
枚葉式洗浄装置２００においては、矢印ＡＲ２２１に示すように、洗浄処理を行うための処理液ＳＯＬ４がポンプＰ２０２の作用によって循環路Ｊ２０２を循環する。ポンプＰ２０２によって処理液タンク２２５から送られる処理液ＳＯＬ４は、ヒータＨ２０２で加熱され、フィルタＦ２０２でフィルタ処理された後、処理液吐出口２２２から回転する基板Ｗ２０２の表面に供給される。基板Ｗ２０２の表面に供給された処理液ＳＯＬ４は、回転基台２２１の回転に伴って発生する遠心力を受けて基板Ｗ２０２の表面全体に行き渡り、表面全体の洗浄処理を行うことになる。また純水も同様に、純水供給部ＤＩＷ２から純水バルブＶＷ２２１を設けた配管を経て、純水吐出口２２３から基板Ｗ２０２の表面に供給され、処理液ＳＯＬ４による洗浄後に純水により基板Ｗ２０２の洗浄処理が行われる。洗浄処理の際、処理部２２０内に残存する処理液ＳＯＬ４の雰囲気は、矢印ＡＲ２２２に示すように、排気部ＶＣ２０２によって処理部２２０外へ排気される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような従来のバッチ式洗浄装置１００および枚葉式洗浄装置２００はいずれも、図示を省略する保護カバーで外周が覆われてはいるが、処理液の液面ＳＳ３あるいはＳＳ４は大気と直接に接触しているために、矢印ＡＲ１１３あるいはＡＲ２２３に示すように、処理液が大気中の水分を吸収し、処理液濃度が次第に低下するという現象が生じていた。また、例えば硫酸にオゾン（Ｏ３）ガスを混入しながらベルオキソ硫酸を生成させて洗浄処理を行う場合、処理液の濃度の低下や水分混入により、ベルオキソ硫酸の生成量が低下するという現象も生じていた。このため、処理液を繰り返し使用するにつれて、洗浄処理能力が経時的に低下して、洗浄不良が増大してしまうことや、それを避けるために処理液の交換頻度を増やすことによるコストアップなどが問題となっていた。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理液の水分の吸収を抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理液により基板を処理する装置であって、処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気体を供給する気体供給手段と、処理液が貯留され、処理液に基板を浸漬させて基板の洗浄処理またはエッチング処理を行うための処理槽と、前記処理槽の周囲に配置され、前記処理槽から溢れ出た処理液を収容するオーバーフロー槽と、前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽の上部を遮蔽する処理槽用遮蔽部材と、前記オーバーフロー槽の上部を遮蔽するオーバーフロー槽用遮蔽部材と、を備え、前記気体供給手段は、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材の内側端部の四方に形成され、略水平方向に乾燥気体を供給する第１の気体供給口と、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材の下部に形成され、略鉛直下方向に乾燥気体を供給する第２の気体供給口と、を有し、前記第１の気体供給口からは前記処理槽用遮蔽部材と前記処理槽内の処理液の露出液面との間の空間に乾燥気体を供給し、前記第２の気体供給口からは前記オーバーフロー槽用遮蔽部材と前記オーバーフロー槽内の処理液の露出液面との間の空間に乾燥気体を供給することを特徴とする。なお、処理液としては硫酸またはリン酸を含む処理液が考えられる。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給手段が前記オーバーフロー漕に収容された処理液を前記処理槽に循環供給することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３の発明は、処理液により基板を処理する装置であって、処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気体を供給する第１および第２の気体供給手段と、基板を保持する基板保持手段と、基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液吐出手段を有し、前記基板処理手段に保持された基板の表面に対向して配置された遮蔽部材と、前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基板保持手段に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散した処理液を収容する処理液収容部材と、を備え、前記第１の気体供給手段は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を供給し、
前記第２の気体供給手段は前記処理液収容部材と前記基板保持手段の裏面の間の空間に乾燥気体を供給することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記処理液吐出手段と連通接続され、前記処理液吐出手段に供給するための処理液を収容する処理液タンクと、前記処理液タンクをカバーする処理液タンク用カバーと、前記処理液タンク内の処理液の露出液面と前記処理液タンク用カバーの間の空間に乾燥気体を供給する第３の気体供給手段と、をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記処理液タンクが前記処理液収容部材に収容された処理液を収容することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６の発明は、請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液吐出手段による処理液の吐出位置が、前記基板保持手段の回転軸の延長線上に存在し、かつ、前記処理液の吐出方向が、前記回転軸方向と一致することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項７の発明は、請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１の気体供給手段は、前記処理液吐出手段の処理液の吐出位置の周囲に隣接して前記遮蔽手段に設けられた気体供給口を有し、前記気体供給口は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を供給することを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
＜装置概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置として機能する、バッチ式洗浄装置１を模式的に示す図である。図１（ａ）は側面断面図、図１（ｂ）は、バッチ式洗浄装置１の処理部１０についての正面断面図である。本実施形態に係るバッチ式洗浄装置１は、従来のバッチ式洗浄装置１００と同様に、処理槽１１、処理槽１１の四方を取り囲むように配置されるオーバーフロー槽１２、および注入管１３を備える処理部１０と、ポンプＰ１と、ヒータＨ１と、フィルタＦ１と循環路Ｊ１とを備える。ポンプＰ１と、ヒータＨ１と、フィルタＦ１とは、循環路Ｊ１に設けられている。
【００２２】
また、本実施形態に係るバッチ式洗浄装置１においても、従来のバッチ式洗浄装置１００と同様に、矢印ＡＲ１１に示すように、洗浄処理を行うための処理液ＳＯＬ１が、ポンプＰ１の作用によって循環路Ｊ１を循環する。ヒータＨ１で加熱され、フィルタＦ１でフィルタ処理された処理液ＳＯＬ１は、注入管１３を通じて処理槽１１へ供給される。処理槽１１においては、処理槽１１の高さいっぱいまで処理液ＳＯＬ１が満たされるが、絶えず処理液ＳＯＬ１が供給されることにより、処理液ＳＯＬ１は処理槽１１からあふれ出る。このあふれ出る処理液ＳＯＬ１は、処理槽１１の周囲に配置されたオーバーフロー槽１２に流れ込み、一旦オーバーフロー槽１２へ収容される。オーバーフロー槽１２に収容された処理液ＳＯＬ１は、ポンプＰ１によって循環路Ｊ１に再び循環され、注入管１３から処理槽１１へ供給される。
【００２３】
基板Ｗ１の洗浄処理についても従来のバッチ式洗浄装置１００と同様であり、基板Ｗ１は、複数枚同時に処理槽１１に搬入され、ガイド１４に保持された状態で、処理液ＳＯＬ１による洗浄処理が行われる。なお、基板Ｗ１の体積に相当する処理液ＳＯＬ１は、処理槽１１からオーバーフロー槽１２にあふれ出している。
【００２４】
さらにバッチ式洗浄装置１は、処理槽１１およびオーバーフロー槽１２のそれぞれ上部に、処理槽カバー（処理槽用遮蔽部材）Ｃ１およびオーバーフロー槽カバー（オーバーフロー槽用遮蔽部材）Ｃ２を備える。
【００２５】
図２は、オーバーフロー槽カバーＣ２の概略を示す斜視図である。オーバーフロー槽カバーＣ２は、処理槽１１の四方を取り囲んで配置されているオーバーフロー槽１２の直上を覆うように配置される。処理槽１１の上部に当たるところは開口部Ｃ２１となっている。また、図２に示すように、オーバーフロー槽カバーＣ２の開口部Ｃ２１を向いた端部には、複数の気体供給口ＳＧ１が備えられている。これについては後述する。
【００２６】
一方、処理槽カバーＣ１は、このオーバーフロー槽カバーＣ２の開口部Ｃ２１を覆うように、できるだけ処理液ＳＯＬ１の液面ＳＳ１との間に空隙が生じないように、かつオーバーフロー槽カバーＣ２に設けられた気体供給口ＳＧ１をふさぐことなく配置され、図１（ｂ）の矢印ＡＲ１３の向きに開閉可能となっている。
【００２７】
なお、処理槽カバーＣ１およびオーバーフロー槽カバーＣ２は、後述する略閉空間ＳＰ１の体積が、できるだけ小さくなるよう配置されるのが望ましい。
【００２８】
そのうえ、バッチ式洗浄装置１においては、気体供給ラインＬＧ１１より取り入れ、気体バルブＶＧ１１を経た乾燥気体を、オーバーフロー槽カバーＣ２の気体供給口ＳＧ１から処理部１０へ供給することが可能となっている。気体供給ラインＬＧ１１による乾燥気体の処理部１０への供給についての詳細は次述する。気体供給ラインＬＧ１１は、例えば、バッチ式洗浄装置１が配置される工場内でユーティリティとして提供されるライン配管等であってよい（以下、他の気体供給ラインについても同様）。
【００２９】
＜処理液の水分吸収の抑制＞
上述のように、本実施形態に係るバッチ式洗浄装置１においては、処理槽カバーＣ１およびオーバーフロー槽カバーＣ２がそれぞれ、処理槽１１、オーバーフロー槽１２の上部に配置された状態で基板Ｗ１に対する洗浄処理が行われる。その際、処理液ＳＯＬ１と大気との接触を断つことで、処理液ＳＯＬ１の水分吸収と、それに伴う濃度低下との回避を図っている。以下、これについて説明する。なお、気体供給ラインＬＧ１１より供給されている気体は、乾燥した窒素ガス（以下、単に「窒素ガス」と呼ぶ）であるものとする。
【００３０】
気体供給ラインＬＧ１１より連続的に供給される窒素ガスは、矢印ＡＲ１２に示すように、オーバーフロー槽カバーＣ２の気体供給口ＳＧ１から処理部１０の上部空間において、略水平方向に供給される。その結果、処理槽１１あるいはオーバーフロー槽１２の内壁と、処理液ＳＯＬ１の液面ＳＳ１と、処理槽カバーＣ１と、オーバーフロー槽カバーＣ２とで囲まれた略閉空間ＳＰ１が、窒素ガスで満たされることになる。当該略閉空間ＳＰ１に窒素ガスの供給前に存在していた大気は、複数の気体供給口ＳＧ１からの窒素ガスの連続的な供給に伴い、例えば、処理槽カバーＣ１とオーバーフロー槽カバーＣ２との間の空隙部分などから、処理部１０の外部に押し出される。すなわち、略閉空間ＳＰ１に存在していた大気が窒素ガスに置換され、洗浄処理は窒素ガス雰囲気で行われることになる。
【００３１】
なお、気体供給口ＳＧ１と液面ＳＳ１との距離は、液面ＳＳ１を波立たせない位置が最も水分の吸収が少なくなる。例えば、６０ｌ／ｍｉｎの窒素ガスをハーフピッチの２００ｍｍ径の基板を収容した処理槽へ供給する場合、その距離は１０ｍｍ程度が望ましい。
【００３２】
さらに、図２に示すように、オーバーフロー槽１２の液面ＳＳ１に対して直接窒素ガスを供給する複数の気体供給口ＳＧ２をオーバーフロー槽カバーＣ２の下部に設けて、この気体供給口ＳＧ２から窒素ガスを供給すれば、処理液ＳＯＬ１の雰囲気から窒素ガスへの置換時間が短縮できるので望ましい。
【００３３】
窒素ガスは、大気に比べ水分の含有量が小さい（乾燥した）ものを使用する。このため、処理部１０の内部の略閉空間ＳＰ１が窒素ガスで満たされ、液面ＳＳ１と大気との接触が遮断されることにより、処理液ＳＯＬ１の水分の吸収は、従来のバッチ式洗浄装置１００に比して著しく減少することになる。従って、処理液ＳＯＬ１の濃度の経時的な低下も抑制されることになる。
【００３４】
以上より、本実施形態によれば、バッチ式洗浄装置１の上部に略閉空間ＳＰ１を形成し、この略閉空間ＳＰ１を水分の含有量が少ない窒素ガスで満たすことにより、処理液ＳＯＬ１の水分の吸収を抑制して、処理液ＳＯＬ１の安定性を高めることが可能となる。また、大気中に存在する他の汚染要素の混入も抑制され、処理液ＳＯＬ１の清浄度が維持される。
【００３５】
＜第２の実施の形態＞
＜装置概要＞
第１の実施形態では、バッチ式洗浄装置１について、処理液ＳＯＬ１と大気との接触を遮断することにより、処理液ＳＯＬ１の水分の吸収を抑制しているが、枚葉式洗浄装置においても、同様の構成が可能である。
【００３６】
図３は、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置として機能する、枚葉式洗浄装置２を模式的に示す図である。本実施形態に係る枚葉式洗浄装置２においては、従来の枚葉式洗浄装置２００と同様に、処理部２０は図示しない駆動機構により基板Ｗ２を保持しつつ回転する回転基台２１と、処理液ＳＯＬ２等の周辺への飛散を防ぐスプラッシュガード（処理液収容部材）２４とを備える。さらに、処理部２０全体の上部に雰囲気遮蔽板（遮蔽部材）Ｃ３を備える。雰囲気遮蔽板Ｃ３は、処理部２０の上部のカバーとして機能するとともに、回転基台２１に保持された基板Ｗ２の表面に対向して配置されている。また、雰囲気遮蔽板Ｃ３は、回転する基板Ｗ２に対して処理液ＳＯＬ２あるいは純水を吐出する処理液吐出口２２と、気体供給ラインＬＧ２１から気体バルブＶＧ２１を経た乾燥気体を、矢印ＡＲ２２ａに示すように、処理部２０の内部に供給する気体供給口ＳＧ２１とを備えている。処理液吐出口２２は、回転基台２１の回転軸と同軸に配置され、気体供給口ＳＧ２１は、処理液吐出口２２を囲むように隣接配置されている。
【００３７】
また、処理部２０には、気体供給ラインＬＧ２２から供給され気体バルブＶＧ２２を経た乾燥気体を、矢印ＡＲ２２ｂに示すように処理部２０内の回転基台２１の裏面側の空間に供給する気体供給口ＳＧ２２を備える。
【００３８】
さらに、枚葉式洗浄装置２は、従来の枚葉式洗浄装置２００と同様に、処理液を貯蔵する処理液タンク２５と、ポンプＰ２と、ヒータＨ２と、フィルタＦ２と、循環路Ｊ２と、ドレンＤＲ２と、純水供給部ＤＩＷ２と、処理液バルブＶＬ２１、ＶＬ２２、およびＶＬ２３と、純水バルブＶＷ２１と、排気部ＶＣ２１とを主として備える。処理液タンク２５と、ポンプＰ２と、ヒータＨ２と、フィルタＦ２とは、循環路Ｊ２に設けられている。
【００３９】
処理液タンク２５については、その上部にタンクカバーＣ４が配置されているほか、気体供給ラインＬＧ２５から気体バルブＶＧ２５を経た乾燥気体を、矢印ＡＲ２２ｃに示すように、処理液タンク２５の内部に供給する気体供給口ＳＧ２５と、排気部ＶＣ２５とを備える。
【００４０】
本実施形態に係る枚葉式洗浄装置２においても、従来の枚葉式洗浄装置２００と同様に、矢印ＡＲ２１に示すように、洗浄処理を行うための処理液ＳＯＬ２がポンプＰ２の作用によって循環路Ｊ２を循環する。ポンプＰ２によって処理液タンク２５から送られる処理液ＳＯＬ２は、ヒータＨ２で加熱され、フィルタＦ２でフィルタ処理された後、処理液吐出口２２から回転する基板Ｗ２の表面に供給される。基板Ｗ２の表面に供給された処理液ＳＯＬ２は、回転基台２１の回転に伴って発生する遠心力を受けて基板Ｗ２の表面全体に行き渡り、表面全体の洗浄処理を行うことになる。なお、基板Ｗ２に対する純水供給部ＤＩＷ２からの純水も、処理液吐出口２２から供給されるが、純水バルブＶＷ２１と処理液バルブＶＬ２２とを適宜制御することにより、純水と処理液ＳＯＬ２とを切り替えて供給可能となっている。その場合は、純水が処理液タンク２５に流入することがないように、処理液バルブＶＬ２１およびＶＬ２３が適宜制御される。また、処理部２０内に残存する雰囲気は、矢印ＡＲ２２ｄに示すように、排気部ＶＣ２によって処理部２０外に排気される。
【００４１】
＜処理液の水分吸収の抑制＞
次に、枚葉式洗浄装置２における、処理液ＳＯＬ２の水分吸収の抑制について説明する。枚葉式洗浄装置２においても、第１の実施形態におけるバッチ式洗浄装置１の場合と同様に、乾燥気体によって処理液ＳＯＬ２と大気との接触を断つことにより、処理液ＳＯＬ２が水分を吸収することを抑制する。なお、以下においては、各気体供給ラインから供給する乾燥気体として、窒素ガスが用いられる場合を考える。
【００４２】
図３に示すように、枚葉式洗浄装置２の処理部２０の内部には、処理部２０と雰囲気遮蔽板Ｃ３とからなる略閉空間ＳＰ２１が形成されている。この略閉空間ＳＰ２１に対して、気体供給口ＳＧ２１およびＳＧ２２から、矢印ＡＲ２２ａ、ＡＲ２２ｂに示すように窒素ガスが連続的に供給される。これにより、それまで略閉空間ＳＰ２１に存在していた大気は、排気部ＶＣ２あるいは処理部２０と雰囲気遮蔽板Ｃ３との空隙部分などから処理部２０の外部に押し出され、略閉空間ＳＰ２１は窒素ガスで満たされることになる。すなわち、略閉空間ＳＰ２１に存在していた大気が窒素ガスで置換されたことになり、洗浄処理は窒素ガス雰囲気で行われることになる。
【００４３】
また、枚葉式洗浄装置２の処理液タンク２５においても、処理液タンク２５とタンクカバーＣ４とからなる略閉空間ＳＰ２５に対し、矢印ＡＲ２２ｃに示すように、気体供給口ＳＧ２５から窒素ガスを供給し、略閉空間ＳＰ２５に存在していた大気と窒素ガスとを置換する。大気は排気部ＶＣ２５により処理液タンク２５外に排気される。
【００４４】
以上のように大気を窒素ガスで置換することで、処理液ＳＯＬ２の液面ＳＳ２１（基板Ｗ２上における処理液ＳＯＬ２の流れの液面と、この処理液ＳＯＬ２がスプラッシュガード内に飛散した液滴の液面）および液面ＳＳ２５と大気との接触は遮断される。よって、枚葉式洗浄装置２において、処理液ＳＯＬ２と大気とが接触することはほぼ回避される。窒素ガスとしては大気に比べ水分の含有量が小さい（乾燥した）ものを使用し、これにより、処理液ＳＯＬ２に対する水分の吸収は、従来の枚葉式洗浄装置２００に比して著しく減少することになる。従って、処理液ＳＯＬ２の濃度の経時的な低下も抑制されることになる。
【００４５】
以上より、本実施形態においても、第１の実施形態におけるバッチ式洗浄装置１の場合と同様に、枚葉式洗浄装置２の処理部に略閉空間ＳＰ２１を、処理液タンク２５の処理液ＳＯＬ２の上部に略閉空間ＳＰ２５をそれぞれ形成し、これら略閉空間ＳＰ２１およびＳＰ２５を水分の含有量が少ない窒素ガスで満たすことにより、処理液ＳＯＬ２の水分の吸収を抑制して、処理液ＳＯＬ２の安定性を高めることが可能となる。また、大気中に存在する他の汚染要素の混入も抑制され、処理液ＳＯＬ２の清浄度も維持される。
【００４６】
以上、本発明によれば、基板の洗浄に用いる処理液と大気との接触を遮断することにより処理液の水分吸収を低減させ、処理液の濃度低下を抑制することができる。また、大気中の汚染要素の混入も抑制され、処理液の清浄度が維持される。
【００４７】
＜変形例＞
いずれの実施形態においても、供給する乾燥気体は、窒素ガスに限定されない。含有する水分量が少なく、処理液と反応しない気体であればよく、例えば十分に脱水された乾燥空気でもよい。例えば、水分量については、その露点が−６０℃程度以下のガスが望ましい。
【００４８】
気体の供給方法は上述の実施例に限定されず、異なってもよい。例えば、第１の実施形態において、処理槽カバーＣ１から供給を行うような構成であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項７の発明によれば、基板処理装置における処理を、水分の含有量が小さい気体の雰囲気で行うことができ、処理液の水分の吸収を抑制することができる。
【００５０】
特に、請求項１の発明によれば、水分の含有量が小さい気体を処理液の液面近傍に効率よく供給しつつ、複数枚の基板に対する処理を、水分の含有量が小さい気体の雰囲気で一度に行うことができる。
【００５２】
特に、請求項３ないし請求項７の発明によれば、基板に対する処理を、処理液の消費量を抑制しつつ、水分の含有量が小さい気体雰囲気で行うことができる。
特に、請求項３の発明によれば、水分の含有量が小さい気体を基板表面から飛散した液滴の近傍に効率よく供給しつつ、基板に対する処理を行うことができる。
【００５３】
特に、請求項７の発明によれば、水分の含有量が小さい気体を基板表面近傍に効率よく供給しつつ、基板に対する処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】バッチ式洗浄装置１を模式的に示す図である。
【図２】オーバーフロー槽カバーＣ２の概略を示す斜視図である。
【図３】枚葉式洗浄装置２を模式的に示す図である。
【図４】従来のバッチ式洗浄装置１００を模式的に示す図である。
【図５】従来の枚葉式洗浄装置２００を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１  バッチ式洗浄装置
２  枚葉式洗浄装置
１０、２０  処理部
１１  処理槽
１３  注入管
１４  ガイド
２１  回転基台
２２  処理液吐出口
２４  スプラッシュガード
２５  タンク
Ｃ１  処理槽カバー
Ｃ２  オーバーフロー槽カバー
Ｃ２１  開口部
Ｃ３  雰囲気遮蔽板
Ｃ４  タンクカバー
ＤＩＷ２  純水供給部
Ｆ１、Ｆ２  フィルタ
Ｈ１、Ｈ２  ヒータ
Ｐ１、Ｐ２  ポンプ
ＳＧ１、ＳＧ２、ＳＧ２１、ＳＧ２２、ＳＧ２５  気体供給口
ＳＯＬ１、ＳＯＬ２  処理液
ＳＰ１、ＳＰ２１、ＳＰ２５  略閉空間
ＳＳ１、ＳＳ２１、ＳＳ２５  液面
Ｗ１、Ｗ２  基板
【図１】
0003776779.tif 000002
【図２】
0003776779.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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