(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路にて干渉低減動作を行う装置であって、
制御装置（２）、発振器（３）、混合器（４）、キャパシタンスダイオード（Ｃ）およびインダクタンス（Ｌ）が含まれている形式のものにおいて、
該制御装置（２）は、該インダクタンス（Ｌ）の第１の部分を形成する第１のボンディングワイヤを介して、該キャパシタンスダイオード（Ｃ）に接続されており、
該キャパシタンスダイオード（Ｃ）は、該インダクタンス（Ｌ）の第２の部分を形成する第２のボンディングワイヤを介して、前記発振器（３）に接続されており、
前記発振器は該混合器に接続されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
該インダクタンスの第１の部分および該インダクタンスの第２の部分がそれぞれ、該インダクタンス（Ｌ）の半分を形成する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
第１のボンディングワイヤおよび第２のボンディングワイヤは、弓形の形状で設けられていてエポキシ樹脂の層の中に収容されている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
該キャパシタンスダイオード（Ｃ）は、集積回路にボンディングされている、請求項１記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は請求項１の上位概念に示された、集積回路の中で同調回路における干渉を低減させる装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
混合器を励振する発振器が集積回路の中で用いられることは知られている。さらに、混合器により変換されてＩＦ信号になるＲＦ信号が、外部の同調回路を介して、混合器へ供給される。この種の装置において、高周波の受信と送信の結果として干渉が生ずる。
【０００３】
【発明の解決すべき課題】
本発明の目的は集積回路の中で同調回路における干渉を低減させる簡単な装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項１の特徴部分に示された構成により解決されている。有利な実施例が従属形式の請求項に示されている。
【０００５】
【発明の効果】
発振器の従来の外部回路においては、高い周波数の受信と送信の結果、集積回路の接続ピンを介して、および有利にはインダクタンスとキャパシタンスから成る同調回路の結果、外部同調回路を介して、干渉が発生する。
【０００６】
本発明によれば、外部同調回路は集積回路の中に集積化される。そのため接続ピンおよび外部回路に起因して従来技術で発生する干渉が、回避される。この解決手段の主な基本的技術思想は次の事実と結び付けられている。即ち外部の接続ピンと同調回路との結合効果は、集積回路の内部における接続点の結合効果よりも何倍も大きいという事実である。この結合効果の低減によっては、干渉の侵入が除去されることが保証される。
【０００７】
同調回路はインダクタンスとキャパシタンスから構成される。インダクタンスは集積回路中のボンディングワイヤにより形成される。キャパシタンスはキャパシタにより形成される。このキャパシタは一方では、集積回路の他の素子と同様にこの回路の内部において完全に集積化される。しかしそれにもかかわらずキャパシタを通常の素子により形成してこのキャパシタを集積回路へボンディングすることもできる。
【０００８】
同調回路は可調整に設計されるため、キャパシタンスダイオードが有利に発振素子として使用できる。インダクタンスはボンディングワイヤとして形成されるため、これらのボンディングワイヤは有利にキャパシタへの接続導体を形成するために用いられる。
【０００９】
別の利点は、干渉性の接続ピンキャパシタンスとインダクタンスが存在しない結果、キャパシタの制御範囲が改善されて同調範囲が拡大される。この構成の結果、コストが低減され、インダクタンスとキャパシタンスの完全に集積化された構成が最も有利な解決手段となる。
【００１０】
ボンディングワイヤは正確に再現可能に製造され、弓形の形状でチップの上の個々の接続点へ供給される。ボンディングワイヤは、集積回路中の他のボンディングワイヤと同様にエポキシ樹脂層により囲まれ、そのため正確に取付け固定される。
【００１１】
集積回路にて複数個の発振器の相互接続は実施が困難である。何故ならば発振器が接続ピンとそれらの回路を介して互いに干渉するからである。しかし集積回路の中で複数個の発振器を接続することは可能である、何故ならば集積回路の内部では、発振器は集積回路の外部の発振器により影響されないからである。
【００１２】
本発明の発展形式においてはリング発振器が、適切な発振周波数を混合器へ供給するために用いられる。
【００１３】
周波数が高くなるにつれて生ずる問題点は、高い周波数の結果としてボンディングワイヤの発振器への影響が増加する点にある。この不利な点は、同じく集積回路中に集積化できるリング発振器を用いて回避される。
【００１４】
リング発振器のスペクトルを適用事例に適する様に形成する目的で、リング発振器はＰＬＬ回路へ接続できる。ＰＬＬ回路はリング発振器からのゆらぎと位相ノイズを平滑化する。可及的に広い帯域幅を有するＰＬＬ回路が使用されるべきである、何故ならばノイズがこの帯域幅の内部だけで除去され、その結果、制御回路はこの帯域幅内で動作するからである。そのためＰＬＬ回路は有利に１ＭＨｚの帯域幅を有するようにすべきである。
【００１５】
リング発振器の回路構成を、多量のノイズがスタートから生じないように設計することにより、ノイズを低減することもできる。
【００１６】
負荷として用いられる複数個のダイオードを、またはリング発振器の少なくとも１つのダイオード段を同調回路により置き換えると、ノイズはいつそう低減される。
【００１７】
この場合、広帯域ＰＬＬ回路との組み合わせは有利であり、改善された同調範囲が得られ、リニヤな同調特性が改善される。
【００１８】
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
【００１９】
【実施例】
図１は入力側の同調用素子を有する集積回路を示す。制御回路２はキャパシタンスダイオードＣおよび集積回路１へ接続されている。キャパシタンスダイオードＣはインダクタンスＬを介して集積回路１へ接続されている。発振器３と混合器４は互いに接続されており、これらは集積回路の中に設けられている。キャパシタンスダイオードＣとインダクタンスＬが同調回路を構成する。同調回路の周波数ｆｏは発振器へ供給される。周波数ｆｏは次の式で与えられる。
【００２０】
【数１】
0003742668.tif 000002
【００２１】
無線周波数ｆZF＝ｆｏ±ｆRFも混合器４へ供給される。干渉Ｓが所定の同調回路に不利な影響を与える。
【００２２】
図２は集積化された発振素子を有する集積回路を示す。制御回路２，発振器３，混合器４，キャパシタンスダイオードＣおよびインダクタンスＬはこの集積回路の中で集積化されている。インダクタンスＬはボンディングワイヤにより構成されている。全部のインダクタンスＬは２つのボンディングワイヤのインダクタンス素子の加算により得られる。ボンディングワイヤは弓形の形状に設けられている。キャパシタンスダイオードは集積回路の上へボンディングされている。ボンディングワイヤは有利に接続導体としても用いられる。
【００２３】
図３は公知のリング発振器を示す。電圧ＶＣＣはＤ１，Ｄ４，Ｄ７，Ｄ１０，Ｄ１３，Ｄ１６，Ｄ１９，Ｄ２２へ供給される。３つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３；Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６；Ｄ７，Ｄ８，Ｄ９；Ｄ１０，Ｄ１１，Ｄ１２；Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１５；Ｄ１６，Ｄ１７，Ｄ１８；Ｄ１９，Ｄ２０，Ｄ２１；Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４がそれぞれ直列に接続されており、トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８のコレクタ出力側に設けられている。トランジスタＴ１のコレクタはトランジスタＴ４のベースへ接続されている。トランジスタＴ２のコレクタはトランジスタＴ３のベースへ接続されている。トランジスタＴ３のコレクタはトランジスタＴ６のベースへ接続されている。
【００２４】
トランジスタＴ４のコレクタはトランジスタＴ５のベースへ接続されている。トランジスタＴ５のコレクタはトランジスタＴ８のベースへ接続されている。トランジスタＴ６のコレクタはトランジスタＴ７のベースへ接続されている。トランジスタＴ７のコレクタはトランジスタＴ１のベースへ接続されている。トランジスタＴ８のコレクタはトランジスタＴ２のベースへ接続されている。トランジスタＴ１，Ｔ２；Ｔ３，Ｔ４；Ｔ５，Ｔ６；Ｔ７，Ｔ８のエミッタは互いに接続されていて電流源Ｉｏへ接続されている。電流源Ｉｏは制御回路２により制御できる。周波数ｆｏは電流源の電流Ｉｏに比例する。
【００２５】
図４はリング発振器５とＰＬＬ回路との組合わせ体を示す。この組み合わせ体は集積回路１の中で組み合わされている。リング発振器とＰＬＬ回路が試験の目的で一緒に組合わせられる時は、この種の装置を用いて、３０ＭＨｚから２ＧＨｚまでの同調範囲が可能となる。さらにチューニングは実質的にリニヤである、即ち周波数はパラメータの関数としてリニヤに変化する。そのため電流は周波数の関数としてリニヤに変化する。
【図面の簡単な説明】
【図１】入力側の発振素子を有する集積回路のブロック図である。
【図２】集積化された発振回路を有する集積回路である。
【図３】リング発振器の回路図である。
【図４】ＰＬＬ回路とリング発振器との組み合わせ体のブロック図である。
【符号の説明】
１    集積回路
２    制御回路
３    発振器
４    混合器
ｆZF＝ｆIF、ｆHF＝ｆRF
【図１】
0003742668.tif 000003
【図２】
0003742668.tif 000004
【図３】
0003742668.tif 000005
【図４】
0003742668.tif 000006