(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤが接合された少なくとも２つのＩＣベアチップを隣接配置するとともに、前記２つのＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを樹脂で被覆して成る電子回路装置において、
前記２つのＩＣベアチップ間の配線基板領域に、第１のダミー用ボンディングワイヤを前記２つのＩＣベアチップの配列方向を横切る方向に配設するとともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続されたＩＣベアチップ外周の配線基板領域に、前記第１のダミー用ボンディングワイヤと直交する方向に一対の第２のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ1、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ2、第１のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ3 、第２のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ4とした時、各々の高さがＨ4＞Ｈ1であり、且つＨ4＞Ｈ3＞Ｈ2であることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
配線基板上に、ボンディングワイヤによって接続されたＩＣベアチップを配置するとともに、該ＩＣベアチップの対角線上に、該ＩＣベアチップに接続するボンディングワイヤの頂点部の高さよりも高い頂点部を有し、且つＩＣベアチップを跨ぐダミー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆したことを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板上にＩＣベアチップを搭載し、所定配線パターンとの間をボンディングワイヤで接続して成る電子回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣベアチップは、樹脂モールドにより、またセラミックパッケージなどの容器に収容して、配線基板上に実装されていた。しかし、電子機器・通信機器などの小型化に伴い、絶縁基板に所定配線パターンを形成した配線基板上に、直接ＩＣベアチップを搭載し、ＩＣベアチップと所定配線パターンとの間をワイヤボンディング技術によって接続した構造の電子回路装置が使用されている。
【０００３】
このようなＩＣベアチップ及びボンディングワイヤは、絶縁保護、外部からの機械的な衝撃、腐食などを防止するために、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状シリコーン樹脂（以下、これらをシリコーン被覆部材という）によって被覆していた。
【０００４】
このシリコーン被覆部材でＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを完全に被覆するために、配線基板上にＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを囲う枠体部材を設け、この枠体内にシリコーン被覆部材を充填・硬化していた。また、配線基板の表面に凹部を設け、この凹部の底面にＩＣベアチップを搭載し、ボンディングワイヤで電気的な接続処理を施し、凹部内にシリコーン被覆部材を充填・硬化していた。
【０００５】
しかし、上述の枠体を用いたり、また、基板の表面に凹部を形成したりして、シリコーン被覆部材の被覆領域を規定する構造では、部品点数が増加したり、基板の構造が複雑になったりして、低コストが困難であった。
【０００６】
こに対して、シリコーン被覆部材の液粘性などを制御して、枠体部材や凹部を設けず、配線基板上に直接搭載したＩＣベアチップ及びボンディングワイヤにシリコーン被覆部材で被覆することも提案されている（特開平１０−５０８９６号、特開平１０−４１４３８号）。
【０００７】
しかし、配線基板上にＩＣベアチップを搭載し、ボンディングワイヤを形成して、その上部にシリコーン被覆部材で被覆するにあたり、シリコン被覆部材がＩＣベアチップ及び該ＩＣベアチップと接合するボンディングワイヤを完全被覆する必要があり、そのため枠体に代わる低背の半田レジスト膜を形成したり、ＩＣベアチップの形状の角部を削除したりしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際には、配線基板上にボンディングワイヤで接合した状態のＩＣベアチップを搭載し、シリコーン被覆部材で被覆した場合に、以下の２つの問題は完全に解決されるに至らなかった。
【０００９】
１つは、ＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを被覆するシリコーン被覆部材となる前駆体液（シリコーン被覆部材を形成するための供給した樹脂液）は、その供給時において配線基板上に平面方向に拡がり、その結果、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部材の厚みが薄くなってしまう。その結果、ＩＣベアチップに接合したボンディングワイヤの頂点部分が外部に露出し、ボンディングワイヤの腐食が発生してしまう。同時に、十分な厚みが得られず、耐衝撃性が低下してしまう。
【００１０】
今１は、逆にＩＣベアチップ上に供給したシリコーン被覆部材が厚くなりすぎると、外部の衝撃により、シリコーン被覆部材が樹脂振動してしまう。そして、この振動による応力は、ボンディングワイヤに加わり、ボンディングワイヤの断線、剥離、ボンディングワイヤ倒れなどを発生してしまう。
【００１１】
特に、同一平面上に配線基板上に、頂点高さが異なるボンディングワイヤによって接続された２つのＩＣベアチップ（一方が信号処理系のＩＣベアチップ、他方が電力処理系ＩＣベアチップ）を夫々隣接配置し、該２つのＩＣベアチップ上に連続したシリコーン被覆部材で被覆してなる電子回路装置では、夫々のシリコーン被覆部材の高さを制御しないと、上述の問題点がいずれかの問題が発生してしまう。
【００１２】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ＩＣベアチップ上に被覆するシリコーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディングワイヤの腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤの断線・剥離・倒れを防止することができる電子部品装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、配線基板上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤによって接続された少なくとも２つのＩＣベアチップを隣接配置するとともに、前記２つのＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを樹脂（シリコーン被覆部材）で被覆してなる電子回路装置において、前記２つのＩＣベアチップ間の配線基板領域に、第１のダミー用ボンディングワイヤを前記２つのＩＣベアチップの配列方向を横切る方向に配設するとともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続されたＩＣベアチップ外周の配線基板領域に、前記第１のダミー用ボンディングワイヤと直交する方向に一対の第２のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ1、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ2、第１のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ3、第２のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ4とした時、各々の高さがＨ4＞Ｈ1であり、且つＨ4＞Ｈ3＞Ｈ2である電子回路装置である。
【００１４】
このような構成により、ＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを被覆するシリコーン被覆部材となる前駆体液を供給した時、前駆体液はその表面張力により各ボンディングワイヤにまとわりついて保持される。その結果、シリコーン被覆部材の表面は、一方のＩＣベアチップ（電力処理系ＩＣベアチップでボンディングワイヤが太く、頂点部の高さが高い側のＩＣベアチップ）から他方のＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチップでボンディングワイヤが細く、頂点部の高さが低い側のＩＣベアチップ）にかけて傾斜することになる。そして、第１ダミー用ボンディングワイヤ及び第１ダミー用ボンディングワイヤを有する本発明の構造では、シリコーン被覆部材の表面は、第２のダミー用ボンディングワイヤから第１のダミー用ボンディングワイヤにかけて急勾配の傾斜面となり、第１のダミー用ボンディングワイヤから他方のＩＣベアチップのボンディングワイヤにかけて緩やかな傾斜面となる。
【００１５】
これにより、一方のＩＣベアチップにおいて、このＩＣベアチップに接合するボンディングワイヤは、第２のダミー用ボンディングワイヤの存在により、シリコーン被覆部材によって完全に被覆されることになる。他方のＩＣベアチップにおいては、厚みが薄いシリコーン被覆部材が存在することになる。
【００１６】
従って、一方のＩＣベアチップに接合するボンディングワイヤはシリコーン被覆部材に埋設されることになり、腐食などが一切発生しない。
【００１７】
また、他方のＩＣベアチップにおいては、シリコーン被覆部材に外部衝撃が加わり、樹脂振動が発生しても、厚みが薄いため、その樹脂振動による応力を小さくなる。その結果、ボンディングワイヤの断線、剥離、倒れなどを有効に抑えることができる。
【００１８】
しかも、基板平面方向に広がろうとするシリコーン被覆部材の前駆体液は、第２のダミー用ボンディングワイヤに保持されるように働くため、配線基板上に拡がりにくく、シリコーン被覆部材の形成に必要な面積を小さくすることができる。これにより配線基板の小型化が可能となる。
【００１９】
また、シリコーン被覆部材の前駆体液の拡がりを制御できるため、シリコーン被覆部材の厚みを同時に容易に管理することもできる。
【００２３】
第２の発明は、配線基板上に、ボンディングワイヤによって接続されたＩＣベアチップを配置するとともに、該ＩＣベアチップの対角線上に、該ＩＣベアチップに接続するボンディングワイヤの頂点部の高さよりも高い頂点部を有し、且つＩＣベアチップを跨ぐダミー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆したことを特徴とする電子回路装置である。
【００２４】
この発明は、上述の第１の発明の一方のＩＣベアチップや他方のＩＣベアチップに、さらに、単独に配線基板上に搭載されたＩＣベアチップに適用することができる。
【００２５】
この発明の構造のように、ＩＣベアチップ上部で、対角線上に延びるダミー用ボンディングワイヤがシリコーン被覆部材内に埋設されることになる。このため、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部材の厚みを容易に制御でき、シリコーン被覆部材自身の機械的な強度を向上させることができる。従って、ボンディングワイヤの腐食を防止するとともに、外部衝撃による樹脂振動の応力が発生しても、その応力を減少させることができ、ボンディングワイヤの断線・剥離・倒れを有効に防止できる。さらに、基板平面上に広がるシリコーン被覆部材の前駆体液を抑制でき、その結果、ＩＣベアチップを被覆するシリコーン被覆部材の領域を小さくすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電子回路装置を図面に基づいて詳説する。
【００２７】
図１は、本発明の電子回路装置の部分平面図であり、図２はＸ−Ｘ線の断面図である。
【００２８】
本発明の電子回路装置１０は、絶縁基板１１上に所定配線パターンを形成した配線基板１と、電力処理系ＩＣベアチップ２と、信号処理系ＩＣベアチップ３と、第１〜第２のダミー用ボンディングワイヤ４、５、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状シリコーン樹脂の被覆部材（以下、これらをシリコーン被覆部材７という）とから構成されている。
【００２９】
絶縁基板１１は、例えばアルミナ、チッ化アルミなどのセラミック材料、ガラスエポキシ基板などから成る。絶縁基板１１上には、所定配線パターンが形成されている。この配線パターンとは、ＩＣベアチップ２、３が搭載される部位の電極パッド２１、３１、ＩＣベアチップ２、３と電気的に接続される配線パターン２２、３２、第１のダミー用ボンディングワイヤ４が形成されるダミー用電極パッド４１、第１のダミー用ボンディングワイヤ５が結合されるダミー用電極パッド５１を含んでいる。
【００３０】
このような配線パターンは、例えば、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ、銅などの導体膜上に、必要に応じてＮｉメッキ及びＡｕメッキが施されている。
【００３１】
ＩＣベアチップ２（一方のＩＣベアチップ）は、例えば、電力処理系ＩＣベアチップであり、電源端子やバイアス供給端子などの比較的大きな電力が供給される増幅用トランジスタやソレノイド、モータなどを駆動させるためのスイッチングトランジスタなどが例示でき、例えばＭＯＳＦＥＴである。例えばソレノイド、モータなどを駆動させるためのスイッチングトランジスタでは、約１Ａの大きな電流の処理が行なわれる。尚、図では省略しているが、ＩＣベアチップ２の上面には入出力パッドが形成されている。
【００３２】
ＩＣベアチップ３（他方のＩＣベアチップ）は、例えば、信号系処理系ＩＣベアチップであり、Ｃ−ＭＯＳＩＣなどが例示でき、例えば数μＡ〜数百ｍＡ程度の信号を処理するものである。尚、図では省略しているがＩＣベアチップ３の上面には入出力パッドが形成されている。
【００３３】
このＩＣベアチップ２は、絶縁基板１１の電極パッド２１上に搭載されている。そして、ＩＣベアチップ２の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定配線パターン２２の一部との間には、アルミニウム、Ａｕなどのボンディングワイヤ２０がボンディング接合されて、互いの電気的な接続が達成される。尚、電力処理系ＩＣベアチップ２に接合されるボンディングワイヤ２０は、例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーなどが例示でき、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さＨ1 は絶縁基板１１の表面から例えば１．５〜２．０ｍｍとなっている。
【００３４】
また、ＩＣベアチップ３は、絶縁基板１１の電極パッド３１上に搭載されている。そして、ＩＣベアチップ３の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定配線パターン３２の一部との間には、アルミニウム、Ａｕなどのボンディングワイヤ３０がボンディング接合されて、互いの電気的に接続が達成される。尚、信号処理系ＩＣベアチップ３に接合されるボンディングワイヤ３０は、例えば直径３０〜５０μｍのアルミワイヤーなどが例示でき、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さＨ2 は絶縁基板１１の表面から例えば０．７〜１．０ｍｍとなっている。
【００３５】
通常、電力処理系ＩＣベアチップ２に用いるボンディングワイヤ２０は、上述のように１Ａ程度の大きな電流が流れることから、その直径を太くしている。また、直径を太くした結果、ワイヤが撓みにくくなるため、ボンディングワイヤの頂点部の高さを高く、ボンディング距離を長くして、安定したワイヤボンディングができるようにしている。結果、上述のように、信号処理系ＩＣベアチップ３に用いるボンディングワイヤ３０に比較して、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さＨ1 が高くなってしまう。
【００３６】
第１のダミー用ボンディングワイヤ４は、ＩＣベアチップ２とＩＣベアチップ３との間に、ＩＣベアチップ２、３の配列方向を横切るように配置された電極パッド４１、４１間に形成されるボンディングワイヤである。この第１のダミー用ボンディングワイヤ４は、例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであり、ボンディングワイヤ４の頂点部は、ＩＣベアチップ２とＩＣベアチップ３との幅方向の略中心部に位置している。そして、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さをＨ1 、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さをＨ2 、第１のダミー用ボンディングワイヤ４の頂点部の高さをＨ3 とした時、第１のダミー用ボンディングワイヤ４の高さＨ3 を、Ｈ2 ＜Ｈ3 ＜Ｈ1 となるように設定する。
【００３７】
第２のダミー用ボンディングワイヤ５は、例えば、ＩＣベアチップ２の一対の辺、図ではＩＣベアチップ２の上辺及び下辺の外周に、該辺に平行に配置された電極パッド５１、５１間に形成されるボンディングワイヤである。この第２のボンディングワイヤ５は、例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであり、ボンディングワイヤ５の頂点部は、ＩＣベアチップ２に接続されたボンディングワイヤ２０の頂点を考慮し設計されており、例えば、図２に示す断面において、第２のダミー用ボンディングワイヤ５内に、ＩＣベアチップ２に接続されたボンディングワイヤ２０が位置するようにすることが望ましい。
【００３８】
第２のダミー用ボンディングワイヤ５の頂点部の高さＨ4 は、ＩＣベアチップ２に接続したボンディングワイヤ２０の頂点高さＨ1 とした時、Ｈ4 ＞Ｈ1 となるように設定する。
【００３９】
シリコーン被覆部材７は、配線基板１に搭載したＩＣベアチップ２、３及びそれに接合するボンディングワイヤ２０、３０を絶縁的に保護し、外部からの機械的な衝撃から保護し、腐食などを防止するためのものである。具体的には、ゲル状またはゴム状シリコーン樹脂である。そして、シリコーン被覆部材７は、ＩＣベアチップ２、３に連続して共通的に被覆されている。このシリコーン被覆部材７の前駆体液は、液粘度が３０００ポイズ以上であり、チクソ性（塑性変形の度合、即ち、前駆体液を塗布供給した時に原形を維持する度合を示す性質、例えば、塗布供給５回転／秒させた時に得られる粘度と塗布供給１５回転／秒させた時に得られる粘度との比率が１０以上）を有しており、この前駆体液を加熱硬化しすることにより、シリコーン被覆部材７が得られる。得られたシリコーン被覆部材７は、ゴム状またゲル状で所定弾性を有している。
【００４０】
第１の発明では、上述したように、配線基板１上に頂点部の高さＨ1 、Ｈ2 が異なるボンディングワイヤ２０、３０によって接続されたＩＣベアチップ２、３を夫々隣接配置し、このＩＣベアチップ２、３及びボンディングワイヤ２０、３０が連続してシリコーン被覆部材７によって被覆されている。そして、シリコーン被覆部材７の表面は、ＩＣベアチップ２、３の隣接しあう間隔の配線基板領域に形成された第１のダミー用ボンディングワイヤ４を境界Ａに、シリコーン被覆部材７の厚みが厚い一方のＩＣベアチップ２の領域と、シリコーン被覆部材７の厚みの薄い他方のＩＣベアチップ３の領域とに分けられる。
【００４１】
一方のＩＣベアチップ２の領域のシリコーン被覆部材７の厚みは、は、ボンディングワイヤ２０（頂点部高さＨ1 ）よりも高い頂点部（Ｈ4 ）の一対の第２のダミー用ボンディングワイヤ５に、前駆体液が表面張力によって保持されることにより規定される。即ち、シリコーン被覆部材７によりボンディングワイヤ２０を埋設されることになる。これにより、ボンディングワイヤ２０の腐食を有効に防止できる。尚、ボンディングワイヤ２０と第２のダミー用ボンディングワイヤ５との頂点部分の差ΔＨ（＝Ｈ4 −Ｈ1 ）を０．５ｍｍ〜０．２ｍｍに設定することが望ましい。即ち、ΔＨが０．５ｍｍ未満となると、一対の第２のダミー用ボンディングワイヤ５、５間のシリコーン被覆部材７からボンディングワイヤ２０が露出することがない。ΔＨが２．０ｍｍを越えると、相対的にシリコーン被覆部材７の量が多くなり過ぎて、絶縁基板１１の表面の拡がりが増し、また、他方のＩＣベアチップ３側に過剰にシリコーン被覆部材７が移行してしまうために好ましくない。
【００４２】
また、他方のＩＣベアチップ３の領域のシリコーン被覆部材７は、第１のダミー用ボンディングワイヤ４の表面張力によって、表面の傾斜度合いが変化して、第１のダミー用ボンディングワイヤ４から他方のＩＣベアチップ３にかけて、その表面の傾斜が非常に緩やかになり、他方のＩＣベアチップ３上のシリコーン被覆部材７の厚みが薄くなる。
【００４３】
このように、特に、ＩＣベアチップ３の上部の厚みを薄くできることにより、外部衝撃により樹脂振動が発生しても、その振動による応力を低減でき、ボンディングワイヤ３０の断線・剥離・ワイヤ倒れを未然に防止できる。
【００４４】
このため、２つのＩＣベアチップ２、３を近接配置させ、ＩＣベアチップ２、３と配線パターン２２、３２との接続が安定し、しかも、ボンディングワイヤ２０、３０の腐食がなく、小型な電子回路装置となる。
【００４６】
また、ＩＣベアチップ２の互いに対向する一対の辺（図１では上下辺）の外周に、該上下辺に平行で、且つ該ＩＣベアチップ２に接続するボンディングワイヤ２０の頂点部の高さＨ1 よりも高い頂点部の高さＨ4 を有するダミー用ボンディングワイヤ（第２のダミー用ボンディングワイヤ５）が形成されている。
【００４７】
このような構造により、上述したように、配線基板１上に供給したシリコーン被覆部材７の前駆体液が広がることを抑制でき、配線基板の小型化が達成される。
【００４８】
同時に、シリコーン被覆部材７内に、ＩＣベアチップ２に接続するボンディングワイヤ２０を完全に埋設させることができるため、腐食を防止できる。
【００４９】
図３、図４は、第２の発明を第１の発明に適用した状態の平面図及びその断面図である。
【００５０】
図３、図４において、図１、図２に比較して、配線基板１上に、一対の第３のダミーボンディングワイヤ６、６が設けられた構造である。
【００５１】
一対の第３のダミーボンディングワイヤ６、６は、平面が矩形状のＩＣベアチップ３の対角線の延長線上に形成された電極パッド６１、６１、６１、６１に接合され、ＩＣベアチップ３の上方で互いに交差するように形成されている。
【００５２】
尚、一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６のうち、低い側の頂点部の高さをＨ5 とした場合、Ｈ2 ＜Ｈ5 となっている。
【００５３】
このようにＩＣベアチップ３の上方に略対角線上に交差しあう一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６によって、ＩＣベアチップ３上をシリコーン被覆部材７の厚みが規制できる。そして、ＩＣベアチップ３に接続するボンディングワイヤ３０がシリコーン被覆部材７の表面から露出することを完全に防止できる。また、配線基板１の表面に広がるシリコーン被覆部材７を抑制することができる。これにより、ボンディングワイヤ３つの腐食を防止でき、小型の電子回路装置となる。
【００５４】
しかも、ＩＣベアチップ３上のシリコーン被覆部材７の厚み内に、第３のダミー用ボンディングワイヤ６が埋設されるため、シリコーン被覆部材７自身の剛性を高まり、これにより、外部の衝撃によりシリコーン被覆部材７が樹脂振動が発生しようとしても、有効に抑えることができる。また、その樹脂振動を一対のダミー用ボンディングワイヤ６、６によって、振動応力を細かく分散することができ、応力自身を小さくすることができる。その結果、ボンディングワイヤ３０の切断、剥がれ、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
【００５５】
尚、信号系ＩＣベアチップ３は、一般に入力出力パッドが多く、ボンディングワイヤ３０が各４辺から導出されることになる。しかし、一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６が、ＩＣベアチップ３の対角線上に跨がるように形成されるため、ＩＣベアチップ３の入出力パッドに接続されたボンディングワイヤ３０と直接接触したりすることが一切ない。
【００５６】
尚、上述の説明では、矩形状のＩＣベアチップ３の対角線を跨ぐように一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６を形成しているが、対角線上に電極パッド６１、６１を形成することができない場合には、一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６が対角線近傍になるように形成しても構わない。
【００５７】
図３、図４では、ＩＣベアチップ２、３を近接配置した電子回路装置に適用した例を示しているが、図３、４に示す一つのＩＣベアチップ３が単独に形成された電子回路装置にも適用できる。また、上述の例では、ＩＣベアチップ３の上方を、２本の第３のダミー用ボンディングワイヤ６，６で跨ぐように形成したが、一方の対角線上を跨ぐ１本の第３のダミー用ボンディングワイヤ６を形成しても構わない。
【００５８】
尚、第１〜第３のダミー用ボンディングワイヤ４、５、６の電気的な接続について言及していなが、例えば、そのインダクタンス成分を利用して、インダクタンス素子として利用してもよい。また、ＩＣベアチップ周囲の複雑な配線パターンを簡略化するためのジャンパー導体として用いても構わない。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、ＩＣベアチップと配線基板の所定配線パターンとを接続するボンディングワイヤ以外に、２つのＩＣベアチップ間に、また、ＩＣベアチップの一対の辺に各々平行に、さらに、ＩＣベアチップを対角線上で跨ぐように、夫々ダミー用ボンディングワイヤを形成している。従って、ＩＣベアチップを被覆するシリコーン被覆部材の厚みを簡単に制御することができ、ＩＣベアチップ及びＩＣベアチップと接合するボンディングワイヤをシリコーン被覆部材で完全に被覆でき、ボンディングワイヤの腐食を防止することができる。
【００６０】
また、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部材の厚み部分に発生する外部衝撃による樹脂振動を有効に抑えることができ、ボンディングワイヤの断線、剥離、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子回路装置の概略平面図である。
【図２】本発明の図１中のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図３】本発明の他の電子回路装置の概略平面図である。
【図４】本発明の図１中のＹ−Ｙ線の断面図である。
【符号の説明】
１０・・・電子回路装置
１・・・・配線基板
１１・・・絶縁基板
２１、３１・・電極パッド
２２、３２・・配線パターン
４１、５１、６１・・電極パッド
２・・・・ＩＣベアチップ（電力処理系ＩＣベアチップ）
３・・・・ＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチップ）
４・・・第１のダミー用ボンディングワイヤ
５・・・第２のダミー用ボンディングワイヤ
６・・・第３のダミー用ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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