(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、湯漏れ受皿の底板に設けられ、底板の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備することを特徴とする単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。
【請求項２】
前記温度検出手段が、熱電対温度計であることを特徴とする請求項１に記載した単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。
【請求項３】
前記熱電対温度計を複数具備することを特徴とする請求項２に記載した単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。
【請求項４】
チョクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、湯漏れ受皿の上部から挿入される露出電線を底板に設け、これに電圧を印加し、漏れた湯による電線の断線から湯漏れを検出するものであることを特徴とする単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。
【請求項５】
前記請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載した湯漏れ検出器を具備することを特徴とする単結晶引上げ装置。
【請求項６】
前記請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載した湯漏れ検出器を使用してルツボから湯漏れ受皿に漏れてくる融液を検出することを特徴とする湯漏れ検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、単結晶棒を成長させるＣＺ法単結晶引上げ装置の湯漏れ検出に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体シリコン単結晶棒製造に用いられる従来のＣＺ法単結晶引上げ装置の一例を図４により説明する。図４に示すように、この単結晶引上げ装置３０は、チャンバ（引上げ室）３１と、チャンバ３１中に設けられたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置されたヒータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結晶５を保持するシードチャック６と、シードチャック６を引上げるワイヤ７と、ワイヤ７を回転又は巻き取る巻取機構（図示せず）を備えて構成されている。ルツボ３２は、その内側の原料シリコン融液（湯）２を収容する側には石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設けられている。また、ヒータ３４の外側周囲にはヒータ断熱材３５が配置されている。
【０００３】
次に、上記の単結晶引上げ装置３０による単結晶育成方法について説明する。
まず、ルツボ３２内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°Ｃ）以上に加熱して融解する。そして、ワイヤ７を巻き出すことにより融液２の表面３の略中心部に種結晶５の先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ７を回転させながら巻き取り、種結晶５を引上げることにより、単結晶育成が開始される。以後、引上げ速度と温度を適切に調節することにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記した単結晶引上げ装置における石英ルツボおよび黒鉛ルツボは、共に高い耐熱性を有しているが、やや脆く、耐衝撃性に乏しいという欠点がある。そこで、単結晶引上げに際し、多結晶原料をルツボに投入すると、その衝撃によってルツボに亀裂が入ることがあり、そこから溶融液が漏れる恐れがある。また、多結晶原料投入時にルツボ内の湯がルツボの周囲に飛散することもある。さらに使用により徐々にルツボが劣化したり、引上げ中の単結晶が落下した場合には、ルツボが破壊されて湯のほぼ全量が流出してしまうこともある。
【０００５】
このように、高温の湯がルツボ外へ流出、飛散すると、ルツボの周りからチャンバの底部に至り、チャンバ底部やヒータ用端子部あるいはルツボ保持軸等の金属部やルツボ駆動装置、下部冷却水配管等を侵食することになる。特に高温のシリコンは反応性が高く金属に対する侵食作用が強いため、冷却水配管が侵されて水が漏れ出せば、水蒸気爆発を起こすという危険性もある。また、装置外に溢れ出すと作業員や機器に危害を及ぼすことになる。
【０００６】
そこで、例えば特開平９−２２１３８５号公報に開示された単結晶引上げ装置では、全溶融原料を収容することができる内容積を有する湯漏れ受皿をルツボの下部に配設してこのような危険性を回避しようとしている。
【０００７】
しかしながら、このように湯漏れ受皿を設置しただけでは、湯漏れの発生を検出することができず、電源を切断する等の即応が出来ないので、有効適切な回避手段をとることができない恐れがある。
【０００８】
また、湯漏れ検出器を備えた単結晶引上げ装置の例としては、本出願人の出願に係る公開の特開平１１−１８０７９４号の技術があり、光学式視覚センサにより引上げ中の単結晶とシリコン融液の接触部を撮像して、湯漏れによる急激な湯面位置変化を検出する方法やルツボ支持軸と種結晶を保持するワイヤの間に電圧を印加して、導電状態の変化を比較器で検出して湯漏れを検知する手段が開示されている。これらの方法は、単結晶引上げ中に生じた湯漏れの検出には極めて有効であるが、最も湯漏れの危険性の高い原料多結晶塊の溶解時に検出できないという欠点がある。さらに原料多結晶の追加投入やルツボ位置の変更等で湯面位置を変化させる場合は、その都度センサの作動を解除する必要があるという不都合がある。
【０００９】
また、ルツボの下部にロードセルを組み込み、常時ルツボの重量を測定し、湯漏れによる急激な重量変化を検出する方式も考えられる。この方式のメリットは、ロードセルの感度、ノイズの大きさ等にもよるが、湯漏れ受皿に溜らない程少量の湯漏れも検出できる可能性がある。しかしながら、ルツボは、回転、上下動の機構を具備しており、これらの精度を維持しながら、重量測定のロードセルを組み込む構造とするためには、高精度な開発設計ならびに高額な投資を必要とする。さらにルツボの振動やルツボに何かが接触しても重量変化として表れ、湯漏れとの相違判断が極めて困難である。
【００１０】
そこで、本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもので、ＣＺ法単結晶引上げ装置において、不慮の事故によってシリコン融液がルツボ外へ流出しても、これを溜めて金属部品や冷却配管から成る下部機構に到達するのを防止する湯漏れ受皿を利用して、ルツボから漏れてくる融液をいち早く的確に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早く行うことができるようにすることを主たる目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器は、チョクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、湯漏れ受皿の底板に設けられ、底板の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備することを特徴としている（請求項１）。
【００１２】
このように湯漏れ検出器を構成すると、単結晶引上げ装置のチャンバの底部で、ルツボの下部に配設された湯漏れ受皿の底板に設置した温度検出手段の上にルツボから漏れてきたシリコン融液がかかると湯漏れ受皿底板の温度が一気に上昇することになる。この底板の温度を温度検出手段で検出し、その検出値の変化を湯漏れ検出手段で検出し、湯漏れと判断した場合には、警報、運転停止等の動作を湯漏れの程度に応じて即時にとることができ、重大な事故災害を回避することが可能となる。特に従来の光学式視覚センサによる湯漏れ検出方法では検出できなかった最も漏れの危険性の高い原料多結晶溶解時にも確実に検出することが可能となる。従って、全ての単結晶引上げ工程において湯漏れ検出が可能である。
【００１３】
この場合、温度検出手段を熱電対温度計とすることができるし（請求項２）、この熱電対温度計を複数具備することができる（請求項３）。
このように温度検出手段を熱電対温度計とすると、瞬時に高感度、高精度の温度測定が可能であり、湯漏れ検出手段により湯漏れの有無の判定を容易に行うことができる。
また一箇所の湯漏れ検出器に熱電対温度計を少なくとも２本備え、１本は予備として誤作動を防止する。例えば、一方のみ高温度検出の場合は、アラームを発して警戒態勢に入り、両方で高温度を検出した場合は直ちに運転の電源を落とすこととし、湯漏れが原因で引き起こされる事故の危険性を回避するようにする。さらに温度検出手段を湯漏れ受皿の底板の複数箇所に設置すれば、湯漏れの検出精度が向上すると共に湯漏れ位置の把握、湯漏れ量を推定することも可能となり、防災体制をより確実なものとすることができる。また、１本が断線等のため温度検出ができなくなっても、予備があれば検出の継続をすることも可能である。
【００１４】
本発明に係る単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器の他の形態は、チョクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、湯漏れ受皿の上部から挿入される露出電線を底板に設け、これに電圧を印加し、漏れた湯による電線の断線から湯漏れを検出するものであることを特徴としている（請求項４）。
【００１５】
このように、単結晶引上げ装置のチャンバの底部で、ルツボの下部に配設された湯漏れ受皿の底板に、湯漏れ受皿の上部から挿入される露出電線を設けておいて、これに電圧を印加しておけば、ルツボから漏れてきたシリコン融液がこれにかかると、露出電線は一気に溶解し、電気絶縁状態になる。この状態を電流や抵抗値等の変化として検出し、湯漏れと判断した場合には、警報、運転停止等の動作を湯漏れの程度に応じて即時にとることができ、重大な事故災害を回避することが可能となる。
【００１６】
また本発明の単結晶引上げ装置は、前記した湯漏れ検出器を具備することを特徴としている（請求項５）。
このように、単結晶引上げ装置に湯漏れ受皿を具備するとともに、本発明の湯漏れ検出器を備えておけば、例えルツボから湯漏れが発生したとしても、直ちに湯漏れを検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を湯漏れの程度に応じて即時に取ることができ、湯漏れが原因で発生する事故を未然に防ぐことができる。
【００１７】
さらに本発明の湯漏れ検出方法は、前記した湯漏れ検出器を使用してルツボから湯漏れ受皿に漏れてくるシリコン融液を検出することを特徴としている（請求項６）。
このように、本発明の湯漏れ検出器を備えておけば、結晶製造工程の全ての段階で直ちに湯漏れを検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早く取ることがでる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また融液についてはシリコンを例にして説明する。
図１（ａ）は、湯漏れ受皿と本発明に係る湯漏れ検出器として熱電対温度検出手段を備えた単結晶引上げ装置要部の縦断面図であり、（ｂ）は湯漏れ受皿の底部の平面図であり、（ｃ）は熱電対温度検出手段を湯漏れ受皿底板に設置した状態を示す拡大断面図である。また、図２は、露出電線による湯漏れ検出器を配置した湯漏れ受皿を示す縦断面図である。図３は、湯漏れ検出手段の（ａ）は動作フロー図であり、（ｂ）はブロック図の一例である。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、ＣＺ法単結晶引上げ装置１０のチャンバ３１は、密閉タンク型であって、下部周壁の冷却水配管あるいはジャケット（不図示) には冷却水が流されている。チャンバ３１内にはルツボ３２が設けられ、ルツボ３２の周囲に配置されたヒータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３及びその回転機構（図示せず）を備えて構成されている。さらにチャンバ３１の下部には雰囲気ガス排出管１３が設けられている。この排出管はチャンバ側面に設けられているが、底部に設けられる場合もある。
【００２０】
ルツボ３２は、その内側の原料シリコン融液（湯）２を収容する側には石英ルツボ３２ａが設けられ、その外側にはこれを保護する黒鉛ルツボ３２ｂが設けられている。
また、ルツボ３２の外周にはヒータ３４が、ヒータ３４の外側周囲にはヒータ断熱材３５が配置されている。ヒータ３４の下部には金属製のヒータ通電用電極１４が取り付けられて装置外部電源に通じている。この電極１４は、上部をカーボン製とし、金属部が高温の炉内に露出しないようにすることもある。
【００２１】
そして、チャンバ３１の底部３１ａの内壁面３１ｂに接して湯漏れ受皿１５が配設されている。
この湯漏れ受皿１５は図２に示したように底板１５ａと筒部１５ｂから成り、その接合は立て込みボルトまたは螺合で接合されている。また、底板と筒部を一体成形したものもある。そして、この湯漏れ受皿１５をチャンバ底部３１ａに嵌め込むことによって受皿底板１５ａはチャンバ底部内壁面３１ｂのほぼ全面に密着する。
【００２２】
湯漏れ受皿１５において、ルツボ保持軸３３やヒータ通電用電極１４等のチャンバ底部３１ａおよび湯漏れ受皿底板１５ａを貫通する部材を通す軸スリーブ１５ｃは底板１５ａにネジ込みで組立てている（図２参照）。また、その高さは各箇所において受皿筒部１５ｂと同レベルとするのが好ましく、底板１５ａと筒部１５ｂとから得られる湯漏れ受皿１５の内容積は全溶融原料２の容積以上となるように設定されている。さらに湯漏れの一部が固化した場合には、体積が膨張する（シリコン融液の比重は約２．５４、固体は２．３３）ので湯漏れ受皿の内容積は、全溶融原料が凝固した時の体積以上とする方が好ましい。
湯漏れ受皿１５の材質は、耐熱性、耐食性、加工性の点から黒鉛材が適しており、中でも等方性黒鉛が好ましく使用される。
【００２３】
このように構成された単結晶引き上げ装置１０においては、ルツボ３２内に投入されたシリコン多結晶原料がヒータ３４により溶融されて溶融原料２が形成される。この溶融原料２に上方からワイヤで吊下げたシードホルダに装着した種結晶を浸漬し、ワイヤ及びルツボ３２を回転させながら所定の速度で引上げることにより所定の単結晶棒を成長させることができる。
【００２４】
上記単結晶引き上げ装置１０において、例えばルツボ３２に多結晶原料を投入した時に原料投入の衝撃に起因してルツボ３２に亀裂が生じると、この亀裂から融液２がルツボ３２の外部へ流出し、流出した融液２はルツボの外周壁に沿って下方へ流れ、チャンバ３１の底部３１ａに向けて落下することになる。
【００２５】
ここで、湯漏れ受皿１５を備えた単結晶引上げ装置１０によれば、チャンバ底部内壁面３１ｂに接して湯漏れ受皿１５が配設されているため、湯漏れ受皿１５によって、流出した融液２を収容することができる。
従って、融液２がルツボ３２の下部機構に達することを確実に防止し、冷却水の蒸発による水蒸気爆発や、流出した融液が装置外に溢れ出して作業員に危険を及ぼすこと等を確実に防止することができる。
【００２６】
しかしながら、このように湯漏れ受皿１５を設置しただけでは、湯漏れが始まった時刻、すなわち、湯漏れの発生を検出することができず、有効適切な事故回避手段をとることができない恐れがある。
そこで、本発明の湯漏れ検出器によってルツボ３２から漏れて湯漏れ受皿１５に溜り始めた湯を検出し、湯漏れの発生自体を素早く検出することによって、警報、運転停止等の動作を即時に起こすことができるようにし、湯漏れが原因で発生する事故を未然に防止することができる。
【００２７】
ここで本発明に係る単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器は、図１（ａ）、（ｂ）に示したように、チョクラルスキー法による単結晶引上げ装置１０のチャンバの底部３１ａでルツボ３２の下部に配設した湯漏れ受皿１５において、ルツボ３２から漏れてくるシリコン融液２を検出する湯漏れ検出器２０であって、湯漏れ受皿１５の底面に設けられ、底面の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備することを特徴としている。
【００２８】
この場合、温度検出手段を熱電対温度計１６とし、この熱電対温度計１６を複数具備することができる。具体的には例えば図１（ｃ）に示したように、湯漏れ受皿底板１５ａ内にキャップ１９を埋め込み、該キャップ１９内にチャンバ底部３１ａを貫通して熱電対１６と予備熱電対１７を挿入し、熱電対先端をできるだけ受皿底板１５ａの表面近くに配置する。熱電対の他端は温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段（不図示）に接続する。そしてこの温度検出手段と湯漏れ検出手段から構成される湯漏れ検出器２０を湯漏れ受皿１５の底板１５ａに複数箇所設置するようにしている（図１（ｂ）参照）。
【００２９】
このように温度検出手段を熱電対温度計１６とすると、瞬時に高感度、高精度の温度測定が可能であり、その検出値の変化から湯漏れ検出手段により湯漏れの有無の判定を容易に行うことができる。
また上記したように一箇所の湯漏れ検出器２０に熱電対温度計１６を少なくとも２本備え、１本は予備品１７とすれば、温度検出の誤作動を防止することができる。
さらに上記のように温度検出手段を湯漏れ受皿の底板の複数箇所に設置すれば、湯漏れの検出精度が向上すると共に湯漏れ位置の把握、湯漏れ量を推定することも可能となり、防災体制をより確実なものとすることができる。
【００３０】
この温度検出手段につながる湯漏れ検出手段の一例を図３に示した。図３（ｂ）のブロック図に示したように、温度検出手段である一対の熱電対で発生する起電力を測温ユニットで温度に変換し、温度制御ユニットで制御信号を出力し、アラームインターロック機構で、警報を発するか、インターロックをかける回路を構成している。
【００３１】
この回路による動作フローは、例えば図３（ａ）に示したように、ルツボ内の原料多結晶を融解する加熱電力が加熱開始後、所定電力が予め定められた値に達したら湯漏れ受皿底板にセットした熱電対温度検出手段による測温を開始し、熱電対が高温度を検出した場合（ｔ＞Ｔ1 、ｔ：熱電対による検出温度、Ｔ1 ：警戒温度）は、アラームを発して警戒態勢に入るようにし、さらに警戒温度を越えた高温度を検出した場合は（Ｔ2 ＝Ｔ1 ＋ｙ：切電温度）直ちに運転の電源を落とすこととし、湯漏れが原因で引き起こされる事故の危険性を回避するようにしている。
【００３２】
勿論、動作フローはこれに限られるものではなく、警戒温度が所定時間継続することによって切電したり、２本の熱電対が高温を検出した時に切電するようにしてもよい。また、温度の変化速度、すなわち、温度が急変した時に、アラーム、切電等をするようにしてもよい。
【００３３】
本発明に係る単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器の他の形態は、図２に示したように、単結晶引上げ装置のチャンバの底部３１ａに配設した湯漏れ受皿１５においてルツボから漏れてくるシリコン融液を検出する湯漏れ検出器２２であって、湯漏れ受皿１５の上部から受皿筒部１５ｂに沿って挿入される露出電線１８を受皿底面に設け、これに電圧を印加し、漏れた湯による露出電線１８の断線から湯漏れを検出するようにしている。
【００３４】
このように湯漏れ検出器２２を構成して、これに電圧を印加すれば、露出電線１８には常時微弱な電流が流れているが、ルツボから漏れてきたシリコン融液がこれにかかると、露出電線１８は一気に融解し、電気絶縁状態を形成する。この状態を電流あるいは抵抗値の変化として検出し、湯漏れと判断した場合には、警報、運転停止等の動作を湯漏れの程度に応じて即時に行うことができ、重大な事故災害を回避することが可能となる。
【００３５】
また一箇所の湯漏れ検出器２２を、少なくとも露出電線１８を２本備えたものとし、１本を予備品とすれば、湯漏れ検出の誤作動を防止することができる。
さらに湯漏れ検出器２２を湯漏れ受皿の底面の複数箇所に設置すれば、湯漏れの検出精度が向上すると共に湯漏れ位置の把握、湯漏れ量を推定することも可能となり、防災体制をより確実なものとすることができる。
【００３６】
この露出電線１８からなる湯漏れ検出器２２の湯漏れ検出手段は、原理的には前記湯漏れ検出器２０の温度検出手段および測温ユニットを露出電線１８で置き換えたものとすれば良い。
【００３７】
以上述べたように、単結晶引上げ装置に湯漏れ受皿と本発明の湯漏れ検出器を備えておけば、例えルツボから湯漏れが発生したとしても、直ちに湯漏れを検出し、警報、運転停止等の対応動作を素早く行うことができ、湯漏れが原因で発生する事故を未然に防ぐことができる。特に従来の光学式視覚センサによる湯漏れ検出方法では検出できなかった最も漏れの危険性の高い原料多結晶溶解時にも確実に検出することが可能となった。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３９】
例えば、上記ではＣＺ法でシリコン単結晶を育成する場合を例に挙げて本発明を説明したが、本発明はシリコン単結晶の製造のみに限定されるものではなく、ＣＺ法による単結晶育成装置であれば、いかなる形態のものであっても本発明を適用できるものであり、本発明でいうＣＺ法には、融液に磁場を印加するＭＣＺ法も含まれる他、ＬＥＣ法を用いた化合物半導体等の単結晶育成装置にも利用できることはいうまでもない。
【００４０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のＣＺ法単結晶引上げ装置によれば、その湯漏れ受皿において、不慮の事故によってシリコン融液がルツボ外へ流出しても、これを完全に検出することができ、湯漏れ量に応じた的確な対応策を素早くとることができる。従って融液が冷却水配管等の金属部に達するのを防いで、チャンバの水蒸気爆発等の危険を未然に回避することができるという効果が得られる。特に従来の光学式視覚センサによる湯漏れ検出方法では検出できなかった最も漏れの危険性の高い原料多結晶溶解時にも確実に検出することが可能となった。従って単結晶引上げ工程の全てにおいて湯漏れ検出が可能である。また本発明の湯漏れ検出器は汎用部品、材料で構成することが出来るので、安価で高感度、高精度の湯漏れ検出器を作製することができ、構造が簡単なので湯漏れ受皿への設置も安価に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る湯漏れ検出器として熱電対温度検出手段を備えた単結晶引上げ装置を示す図面である。
（ａ）単結晶引上げ装置要部の縦断面図、（ｂ）受皿底部の平面図、
（ｃ）ニ組の熱電対温度検出手段を湯漏れ受皿底板に設置した状態を示す拡大断面図。
【図２】露出電線による湯漏れ検出器を配置した湯漏れ受皿を示す縦断面図である。
【図３】温度検出手段として熱電対温度計を使用した場合の湯漏れ検出手段の一例を示す説明図である。
（ａ）動作フロー図、（ｂ）ブロック図。
【図４】従来のＣＺ法で使用される単結晶引上げ装置を示した説明図である。
【符号の説明】
１…単結晶棒、  ２…シリコン融液（湯、溶融原料）、
３…湯面、  ５…種結晶、  ６…シードチャック、  ７…ワイヤ、
１０、３０…ＣＺ法単結晶引上げ装置、  １３…雰囲気ガス排出管、
１４…ヒータ通電用電極、  １５…湯漏れ受皿、  １５ａ…受皿底板、
１５ｂ…受皿筒部、  １５ｃ…軸スリーブ、  １６…熱電対、
１７…予備熱電対、  １８…露出電線、  １９…キャップ、
２０、２２…湯漏れ検出器、  ３１…チャンバ（引上げ室）、
３１ａ…チャンバ底部、  ３１ｂ…チャンバ底部内壁面、  ３２…ルツボ、
３２ａ…石英ルツボ、  ３２ｂ…黒鉛ルツボ、  ３３…ルツボ保持軸、
３４…ヒータ、  ３５…ヒータ断熱材。
【図１】
0003861561.tif 000002
【図２】
0003861561.tif 000003
【図３】
0003861561.tif 000004
【図４】
0003861561.tif 000005