(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が８以上であることを特徴とするレジスト剥離用組成物。
【請求項２】
上記アミド系溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種であり、上記グリコールエーテル系溶媒が、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離用組成物。
【請求項３】
上記糖アルコールが、キシリトールであることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離用組成物。
【請求項４】
上記フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩の含有量が０．００１〜１．０重量％、上記有機溶媒の含有量が３０〜９８重量％、上記糖アルコールの含有量が０．０１〜１０重量％、残部が水であることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離用組成物。
【請求項５】
半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層を形成した後、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が８以上であるレジスト剥離用組成物を用いて薬液処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
配線層が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層をドライエッチングにより加工した後、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が８以上であるレジスト剥離用組成物を用いて薬液処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト剥離用組成物に関し、詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示装置中の半導体素子の製造に好適に使用され、低温、短時間で剥離でき、且つ安全性が高く取り扱いが容易なレジスト剥離用組成物に関するものである。さらに、本発明は、半導体基板上に形成されたアルミニウム配線の薬液処理によるエッチング作用を抑制し得る半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示装置中の半導体素子においては、シリコン基板やガラス基板上にアルミニウム、アルミニウム合金等の導電性金属やＳｉＯ２等の絶縁膜を成膜し、さらにホトレジストを均一に塗布した後ホトリソ工程によりレジストパターンを形成し、当該パターンをマスクとし前記の導電性金属や絶縁膜をドライエッチングした後、不要のレジストを除去して微細回路を形成する。
【０００３】
近年、集積回路の高集積化、高密度化に伴い、超微細化が要求されるようになり高度なドライエッチングを行った後、不要のレジストをプラズマアッシングにより除去する。これらのドライエッチング、アッシングの処理によりパターンの側壁部、底辺部等に、レジスト残渣物が残存する。このレジスト残渣物が完全に除去されないと歩留まり低下を招く等の問題を発生する。
【０００４】
上記のレジスト残渣を除去するための従来技術としては、フッ素系化合物をベースとした剥離剤（特開平７−２０１７９４号公報、特開平８−２０２０５２号公報、特開平１１−２７１９８５号公報参照）、ヒドロキシルアミン含有アミン系剥離剤（米国特許第５３３４３３２号参照）、第４級アンモニウム化合物をベースとする剥離剤（特開平７−２４７４９８号公報参照）等が挙げられるが、これらの剥離剤ではレジスト残渣の除去力が低い、或いは各種の配線材料、絶縁膜に対して腐食性がある等の種々の欠点が認められる。このため、超微細化に対応可能な、すなわちレジスト残渣の除去力が高く、各種配線材料、絶縁膜等を腐食しない高機能な剥離剤が求められている。特にアルミニウム合金配線において上述のような問題が顕在化している状況にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
アルミニウム合金配線はリソグラフィ技術によってパターニングされたレジストをマスクにしてドライエッチングで加工することが一般的に行われている。その後、残存したレジストやドライエッチングで生成される反応副生成物（以下、ポリマー）を薬液で構成された剥離剤で除去する。
【０００６】
しかしながら、半導体集積回路の高集積化伴い配線が微細化したアルミニウム合金配線は、上記のような剥離剤により腐食もしくはエッチングされ、この現象に伴い配線抵抗が上昇するということが観察されている。この現象は特にフッ素系化合物をベースとした剥離剤で見られる。また、ヒドロキシルアミン含有アミン系剥離剤や第４級アンモニウム化合物をベースとする剥離剤ではこのような現象が少ないものの、レジストやポリマーの剥離性能が不十分であり、しかも他の金属（下層コンタクト孔埋め込み材料であるタングステン等）のエッチング作用を促進させて電気的ショートを引き起こす現象等があり適用困難な状況にある。
【０００７】
例えば、微細なアルミニウム合金配線、具体的にはライン／スペースが０．２２μｍ／０．２４μｍといった密な配線について配線抵抗歩留まりを測定すると、従来の薬剤を使用した場合、配線抵抗の上昇を抑えることが難しく、結局、配線抵抗歩留りを確保できないことがわかった。勿論、より緩やかな条件で配線を形成する場合には、従来技術でも配線抵抗の上昇幅が問題にならず、良好な歩留まりを確保できている状況にあるが、配線が微細化すればするほど上記問題が顕著になり、その改善が待たれるところである。
【０００８】
さらに、例えば、局所的に密でかつ長いアルミニウム配線、かつ上層アルミニウム配線が疎な下コンタクトに対し面積が大きいボーダレスコンタクト構造（下コンタクトに対し上層アルミニウム配線の被りが無い構造）におけるＴＥＧ（Test Element Group）でコンタクトチェーン抵抗と歩留まりの関係を測定したとろこ、上記のような従来技術では、所望のコンタクトチェーン抵抗の上昇を確保できず、結局、歩留まりを確保できないこともわかってきた。
【０００９】
この現象は、アルミニウム配線加工後のレジストおよび加工時に生成されるポリマーを除去する後処理薬液に起因しており、局所的なアルミニウム配線に対し「えぐれる」現象に起因したものである。これは、アルミニウム配線加工後にアルミニウム配線の表面がアルミナに変質し、後処理薬液がこのアルミナをエッチングし、さらにアルミニウム材料自体をエッチングしたことによるものと推測される。この微小な「えぐれ」は、その後の熱処理履歴によりアルミニウムがマイグレーション化してさらに大きな「えぐれ」に成長するため、多層配線を形成するプロセスでは歩留まり低下を増進させることになる。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の有する欠点を解消することを目的に提案されたものである。すなわち、本発明は、レジストやドライエッチングの副生成物であるポリマー残渣を確実に除去することができ、しかも配線へのダメージ（腐食やエッチング）を最小限に抑えることが可能なレジスト剥離用組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、レジストやポリマー残渣の残存による特性の劣化を解消し、配線の線幅減少による抵抗の上昇を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述の目的を達成するべく、種々の検討を重ねてきた。その結果、フッ素化合物をベースとする剥離剤に糖アルコールを添加することで、配線へのダメージ（腐食やエッチング）を抑えることができるとの知見を得るに至った。
【００１２】
本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明のレジスト剥離用組成物は、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が８以上であることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層を形成した後、あるいは、配線層が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層をドライエッチングにより加工した後、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が８以上であるレジスト剥離用組成物を用いて薬液処理することを特徴とするものである。
【００１３】
例えば、レジスト剥離薬剤によるアルミ配線の線幅減少を抑えるためには、薬剤によるアルミニウム若しくはアルミニウム合金配線へのアタック（腐食やエッチング作用）を限りなくゼロにすることが得策であり、これを実現するためには、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の表面に形成されるアルミナを含む層をエッチングしなければ良いことになる。
【００１４】
上記アルミナを含む層に対するエッチングは、主にフッ素化合物によるものであるが、本発明者らによる実験で、糖アルコールを含む組成物とすることで、アルミナに対するエッチング作用が大幅に抑制されることがわかった。糖アルコールは防食剤としての機能を有し、糖アルコールを含む組成物とすることにより、使用温度（室温）でのアルミナのエッチングレートは１．０ｎｍ／分以下になる。したがって、結果的に、アルミニウム合金等からなる配線の幅の減少が防止され、配線抵抗の上昇が抑えられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用したレジスト剥離用組成物及び半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
本発明のレジスト剥離用組成物は、フッ素化合物、有機溶剤及び水を基本組成とし、これに糖アルコールを添加するとともに、水素イオン濃度（ｐＨ）を８以上に調整してなるものである。このレジスト剥離用組成物を用いることで、アルミナのエッチングレートが１．０ｎｍ／分以下に抑制することが可能になり、結果的にアルミニウム合金等からなる配線の線幅を減少させることを防止して配線抵抗の上昇を抑えることが可能になる。
【００１７】
本発明のレジスト剥離用組成物に用いられるフッ素化合物は、フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩である。ここで、金属イオンを含まない塩基としてはヒドロキシルアミン類、第１級、第２級、第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、複素環式アミン等の有機アミン、アンモニア水、低級アルキルアンモニウム塩基等が好ましく用いられる。
【００１８】
ヒドロキシルアミン類としては、具体的にはヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。第１級脂肪族アミンとしては、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、エチレンジアミン、モノメチルアミン、モノエチルアミン等が挙げられる。第２級脂肪族アミンとしては、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン等が挙げられる。第３級脂肪族アミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等が挙げられる。
【００１９】
脂環式アミンとしてはシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン等が挙げられる。複素環式アミンとしては、ピロール、ピロリジン、ピロリドン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾール等が挙げられる。低級アルキル第４級アンモニウム塩基としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
【００２０】
中でも、アンモニア水が入手が容易、安全性に優れる等の点から最も好ましく用いられる。このフッ素化合物の濃度は０．００１〜１．０重量％の範囲内に設定することが好ましい。フッ素化合物の濃度が０．００１重量％未満ではレジスト残渣の除去性が低下し、逆に１．０重量％を越えると配線材料に対する腐食が激しくなり好ましくない。
【００２１】
有機溶媒としては、アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合溶媒を用いる。ここで、アミド系溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が好適である。グリコールエーテル系溶媒としては、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等が好適である。アミド系溶媒とグリコールエーテル系溶媒との混合比率は任意の割合で良い。また、有機溶媒全体の含有量は、３０〜９８重量％とすることが好ましい。有機溶媒の割合が３０重量％未満であると、配線材料や絶縁膜等の腐食が激しくなり、９８重量％を越えるとレジスト残渣の除去性が低下するので好ましくない。
【００２２】
防食剤として機能する糖アルコールとしては、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、キシリトール、タリトール、イジトール、ズルシトール等が使用可能である。なかでも、キシリトールの効果が高い。糖アルコールの濃度は、０．０１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１重量％未満では配線材料や絶縁膜等への防食効果が低下し、１０重量％を越えるとレジスト残渣の除去性が低下する。さらに、本発明のレジスト剥離用組成物における水素イオン濃度（ｐＨ）は、８以上とする必要がある。レジスト剥離用組成物のｐＨが８未満であると、やはりレジスト残渣の除去性が低下し好ましくない。
【００２３】
上記の組成を有するレジスト剥離用組成物は、配線を形成する半導体素子の製造方法に適用することができ、これにより高集積回路を容易に形成することができる。また、従来の剥離剤を用いた処理では、レジスト残渣を洗浄するための処理を行った後に、アルミニウム配線のアルミニウム表面上にコロージョンと呼ばれる腐食が発生するために、処理後のウエハを長時間大気中に放置することができなかった。本発明のレジスト剥離用組成物で処理することにより、洗浄後のコロージョンの発生を著しく低下させることができ、処理後のウエハを長時間放置することが可能になり、優れた操作性が得られることが判明した。以下、本発明を適用した半導体装置の製造プロセスについて説明する。
【００２４】
半導体素子における配線形成に際しては、先ず、図１に示すように、下地基板１上に導電薄膜２を形成する。下地基板１に使用される無機質基体としては、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、銅及び銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等の半導体配線材料、あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導体、さらにＬＣＤにおけるガラス基板等が挙げられる。
【００２５】
導電薄膜２には、金属膜や半導体膜等が使用されるが、特に、導電薄膜２がアルミニウム、あるいはアルミニウム合金（アルミニウム−銅、アルミニウム−シリコン等）である場合に本発明を適用して好適である。また、導電薄膜２は、単層膜であってもよいし、多層膜とすることも可能である。例えば、アルミニウム合金膜の上限に密着性改善のためのＴｉ層やＴｉＮ層等を積層形成してもよい。
【００２６】
次に、上記導電薄膜２をドライエッチングによってパターニングし、所定のパターンを有する配線層とするが、ドライエッチングに際しては、図２に示すように、レジストパターン３を形成し、これをマスクとしてドライエッチングを行い、図３に示すような配線層４を形成する。ドライエッチング後には、上記配線層４上にレジスト残渣５が残存し、また配線層４の側壁を覆って副生成物であるポリマー残渣６が付着している。
【００２７】
そこで、上述の組成を有するレジスト剥離用組成物を用いて薬液処理を行い、図４に示すように、上記レジスト残渣５やポリマー残渣６を剥離除去する。本発明のレジスト剥離用組成物を使用して薬液処理を行う際の温度は、通常は常温〜９０℃の範囲であるが、特に３０℃以下の低い温度でも剥離することができることから、材料（配線層４）へのアタックを考慮するとできるだけ低い温度で実施するのが好ましい。
【００２８】
なお、ドライエッチング後、所望により灰化処理を行い、しかる後にドライエッチングにより生じた残査を上述したレジスト剥離用組成物で除去するようにしてもよい。ここで言う灰化処理（アッシング）とは、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズマ中で発生する酸素プラズマにより処理し、燃焼反応でＣＯ，ＣＯ２として除去するものである。また、上記薬液処理の前、または後に、リンス薬剤による処理を併せて行うようにしてもよい。
【００２９】
上記薬液処理が終了した後、図５に示すように層間絶縁膜７を形成し、配線層４を保護するとともに、その後形成される配線層等との絶縁を図る。この層間絶縁膜７に対しても、ドライエッチングを行い、例えば層間接続のためのコンタクトホール等を形成する。この層間絶縁膜７のドライエッチング後にも、上述のレジスト剥離用組成物による薬液処理が有効である。
【００３０】
層間絶縁膜７へのコンタクトホールの形成は、図６に示すように、層間絶縁膜７上にレジストパターン８を形成し、これをマスクとしてドライエッチングを施すことにより行う。これにより、図７に示すように、層間絶縁膜７にコンタクトホール９が形成される。それと同時に、コンタクトホール９の側壁にエッチングの副生成物であるポリマー残渣１０が付着する。このポリマー残渣１０がそのまま残存すると、例えば層間接続における特性劣化の原因となる。そこで、このドライエッチングの後に、上述のレジスト剥離用組成物を用いた薬液処理を行い、ポリマー残渣１０を剥離除去する。コンタクトホール９内には、配線層４が一部露呈しているが、上記レジスト剥離用組成物により腐食やエッチングされることはなく、当該洗浄により抵抗が上昇することはない。
【００３１】
上記薬液処理の後、図８に示すようにコンタクトホール９に金属等の導電材料を充填してメタル接続孔１１を形成し、図９に示すように、この上に第２の配線層１２を形成する。その結果、配線層４と第２の配線層１２とは、メタル接続孔１１を介して電気的に接続されることになる。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００３３】
＜実施例１＞
本実施例においては、予めトランジスタ等の素子が形成された下地基板上にメタル配線を形成し、洗浄効果を確認した。第１の配線レイヤー形成までの製造プロセスは、下記の通りである（図１〜図４参照）。
メタル配線膜形成→ドライエッチング→レジストアッシング処理→薬液処理→純水リンス→乾燥
【００３４】
メタル配線膜は下記の５層膜とし、その形成はマグネトロンスパッタ法により行った。
Ti 20nm (0.52Pa, 2kW, Ar35sccm, 300℃)
TiN 20nm (0.78Pa, 6kW, N2 42sccm, Ar 21sccm, 300℃)
Al-0.5%Cu 500nm (0.52Pa, 15kW, Ar 65sccm, 300℃)
Ti 5nm (0.52Pa, 2kW, Ar 35sccm, 300℃)
TiN 100nm (0.78Pa, 6kW, N2 42sccm, Ar 21sccm, 300℃)
【００３５】
ドライエッチングは、メタル配線膜を所定のパターンに加工するための工程であり、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、これをマスクとして下記の条件にて加工した。
0003820545.tif 000002
【００３６】
加工後の形状は図３に示すようになり、レジストパターンの残存分をアッシング処理により除去した。アッシング処理の条件は下記の通りである。
0003820545.tif 000003
【００３７】
また、わずかに残存しているレジスト、さらにはメタル配線のドライエッチング加工によりメタル配線に付着するポリマーを、下記薬液処理にて除去した。
0003820545.tif 000004
【００３８】
本発明のレジスト剥離用組成物を適用することで、上記処理後の形状は図４のようになり、レジストパターンの残分も無く、ポリマー残渣もきれいに剥離され、かつメタル配線の表層に存在するアルミナもほとんどエッチングすること無く、かつ線幅減少もほとんど無い形状を実現することが可能であった。
【００３９】
その後、層間絶縁膜をメタル配線上に形成（図５参照）することでひとつの配線レイヤーを完成した。
0003820545.tif 000005
【００４０】
次に、上層メタル配線との接続孔を設けるために層間絶縁膜の上にフォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成した（図６参照）。そして、ドライエッチングによりコンタクトホールを下記条件にて加工した。
0003820545.tif 000006
【００４１】
加工後の形状は図７のようになり、レジストパターンの残存分をアッシング処理により除去した。また、コンタクトのドライエッチング加工によりコンタクトホールの内壁に付着するポリマーは薬液処理にて除去した。
0003820545.tif 000007
【００４２】
薬液処理プロセスは下記の通りである。
薬液処理（９００秒）→アルコールリンス処理→純水リンス→乾燥
薬液処理には、アミン系含有有機剥離液を用いた。ここで用いる薬剤は、レジストおよびポリマー剥離の観点から、本発明のレジスト剥離用組成物より、例えば、アルカノールアミン、ヒドロキシルアミンとカテコールと水の溶液の方が好ましい。勿論、本発明によるレジスト剥離用組成物を用いても問題は無い。また、アルコールリンス処理には、イソプロピルアルコール若しくはＮ−メチル−２−ピロリドン等を用いることが好ましい。
【００４３】
次に、例えばタングステン膜によりメタル接続孔を埋め込み、その後、CMP処理等によりメタル接続孔を形成した。
0003820545.tif 000008
【００４４】
その後、また上層メタル配線を形成することで多層のメタル配線構造を形成することができることになる（図８及び図９参照）。ここでのプロセスフローおよび形成条件は、図２〜図４と同様である。このようにして形成したメタル配線の電気特性、配線抵抗の上昇を抑制しかつ高歩留りを達成することが可能になる。
【００４５】
上記のように製造した半導体装置において、メタル配線の配線抵抗歩留まりの測定結果を示したものが図１０である。これは、ライン／スペースが０．２２μｍ／０．２４μｍという密な配線ＴＥＧにて測定したものであるが、図示の通り、従来技術に比べて配線抵抗の上昇を抑えること可能となっており、結果的に配線抵抗歩留りを良好に確保できていることがわかる。
【００４６】
また、局所的に密でかつ長いアルミニウム配線、かつ上層アルミニウム配線が疎な下コンタクトに対し面積が大きいボーダレスコンタクト構造（下コンタクトに対し上層アルミニウム配線の被りが無い構造）におけるＴＥＧでコンタクトチェーン抵抗と歩留まりの関係を測定した結果を図１１に示す。
【００４７】
従来技術に対し、コンタクトチェーン抵抗値を抑制することが可能であり、結果的に歩留まりを良好に確保できていることがわかる。これは、アルミニウム配線加工後のレジストおよび加工時に生成されるポリマーを除去する後処理薬液に起因してた局所的なアルミニウム配線に対する「えぐれる」現象が抑制できたことによるものである。
【００４８】
＜実施例２＞
レジスト剥離用組成物の組成を下記の通り変更し、他は実施例１と同様にして半導体装置を製造した。
0003820545.tif 000009
【００４９】
上記のように製造した半導体装置において、メタル配線の配線抵抗歩留まりの測定結果を示したものが図１２である。これは、ライン／スペースが０．２２μｍ／０．２４μｍという密な配線ＴＥＧにて測定したものであるが、図示の通り、従来技術に比べて配線抵抗の上昇を抑えること可能となっており、結果的に配線抵抗歩留りを良好に確保できていることがわかる。
【００５０】
また、局所的に密でかつ長いアルミニウム配線、かつ上層アルミニウム配線が疎な下コンタクトに対し面積が大きいボーダレスコンタクト構造（下コンタクトに対し上層アルミニウム配線の被りが無い構造）におけるＴＥＧでコンタクトチェーン抵抗と歩留まりの関係を測定した結果を図１３に示す。
【００５１】
従来技術に対し、コンタクトチェーン抵抗値を抑制することが可能であり、結果的に歩留まりを良好に確保できていることがわかる。これは、アルミニウム配線加工後のレジストおよび加工時に生成されるポリマーを除去する後処理薬液に起因してた局所的なアルミニウム配線に対する「えぐれる」現象が抑制できたことによるものである。
【００５２】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明を用いることで、メタル配線加工後の配線抵抗の上昇を抑制することが可能になり、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下を引き起こすことなく半導体装置の製造が可能になる。また、本発明によれば、レジストやポリマー残渣を確実に剥離除去することができ、半導体装置における特性劣化を確実に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の配線形成プロセスの一例を工程順に示すものであり、導電薄膜形成工程を示す概略断面図である。
【図２】レジストパターン形成工程を示す概略断面図である。
【図３】ドライエッチングによる配線層パターニング工程を示す概略断面図である。
【図４】薬液処理後の状態を示す概略断面図である。
【図５】層間絶縁膜形成工程を示す概略断面図である。
【図６】レジストパターン形成工程を示す概略断面図である。
【図７】コンタクトホール形成工程を示す概略断面図である。
【図８】メタル接続孔形成工程を示す概略断面図である。
【図９】第２の配線層形成工程を示す概略断面図である。
【図１０】実施例１における配線抵抗歩留まりを従来技術と比較して示す特性図である。
【図１１】実施例１におけるコンタクトチェーン抵抗と歩留まりの関係を示す特性図である。
【図１２】実施例２における配線抵抗歩留まりを従来技術と比較して示す特性図である。
【図１３】実施例２におけるコンタクトチェーン抵抗と歩留まりの関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１  下地基板、２  導電薄膜、３，８  レジストパターン、４  配線層、５  レジスト残渣、６，１０  ポリマー残渣、７  層間絶縁膜、９  コンタクトホール
【図１】
0003820545.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0003820545.tif 000014
【図６】
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【図７】
0003820545.tif 000016
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0003820545.tif 000020
【図１２】
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【図１３】
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