(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に紫外線を照射して所定の処理を行う基板処理装置において、
前記基板を載置して支持する載置台と、
電力の供給を受けて紫外線を発する複数のランプと紫外線を透過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫外線を前記窓部材を通して前記載置台上の前記基板に照射する紫外線照射手段と、
前記基板に干渉しない位置で前記載置台に設けられた光センサを有し、前記紫外線照射手段からの前記載置台上の前記基板に照射される紫外線の照度を測定する紫外線照度測定手段と、
前記基板に対する紫外線照射処理を開始する前に、前記紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距離を可変調整する照射距離調整手段と、
前記紫外線照射処理中に、前記紫外線照射手段からの紫外線が前記載置台上の前記基板の被処理面を走査すると同時に前記光センサが前記窓部材の下を通過するように、前記載置台および前記紫外線照射手段のいずれか一方または双方を所定の方向に移動させる駆動手段と、
前記紫外線照射処理中に、前記紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値に基づいて前記窓部材の下の紫外線照度分布を測定ないし監視し、輝度が異常に低いランプまたは点灯不能のランプを検出する紫外線照度モニタ手段と
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記照射距離調整手段が、前記載置台上に載置される前記基板の板厚に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距離を可変調整する手段を含む請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記照射距離調整手段が、
所望の基準照度を設定する基準照度設定手段と、
前記紫外線照度測定値を前記基準照度と比較して、その比較誤差を零に近づけるように前記載置台と前記紫外線照射手段との間の相対位置を調整する相対位置調整手段と
を有する請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記照射距離調整手段が、
前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔について最大値を設定する最大間隔設定手段と、
前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最大値を越えそうなときは前記間隔を前記最大値に制限する最大間隔制限手段と
を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記照射距離調整手段が、
前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔について最小値を設定する最小間隔設定手段と、
前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最小値を割りそうなときは前記間隔を前記最小値に制限する最小間隔制限手段と、
前記間隔が前記最小値を割りそうなときにアラームを発生する警報手段と
を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記光センサが、前記走査方向において前記基板よりも前の位置に配置される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記複数のランプが、それぞれ円筒状の誘電体バリア放電ランプであり、ランプ長手方向と直交する水平方向に並べて配置される請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記窓部材と前記載置台上の前記基板との間の隙間に不活性ガスの流れを形成する不活性ガス流形成手段を有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記不活性ガス流形成手段が、
前記載置台と対向して前記窓部材の近くから前記窓部材と前記載置台上の前記基板との間の隙間に向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス噴射手段と、
前記窓部材を挟んで前記不活性ガス噴射手段とは反対側の位置で前記隙間を通ってきた不活性ガスを吸い込む不活性ガス吸い込み手段と
を有する請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記載置台側から見て、前記不活性ガス噴射手段と前記不活性ガス吸い込み手段とが前記移動の方向において前記窓部材の前方側と後方側とにそれぞれ配置される請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記駆動手段が、前記載置台または前記紫外線照射手段のいずれか一方を第１の位置で固定したまま他方を第２の位置で回転移動させる回転駆動手段を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に紫外線を照射して所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板（たとえば半導体ウエハ、ＬＣＤ基板等）の表面が清浄化された状態にあることを前提として各種の微細加工が行われる。したがって、各加工処理に先立ちまたは各加工処理の合間に被処理基板表面の洗浄が行われ、たとえばフォトリソグラフィー工程では、レジスト塗布に先立って被処理基板の表面が洗浄される。
【０００３】
従来より、被処理基板表面の有機物を除去するための洗浄法として、紫外線照射による乾式洗浄技術が知られている。この紫外線照射洗浄技術は、所定波長（紫外線光源として低圧水銀ランプを使用するときは１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、誘電体バリア放電ランプでは１７２ｎｍ）の紫外線を用いて酸素を励起させ、生成されるオゾンや発生期の酸素によって基板表面上の有機物を酸化・気化させ除去するものである。
【０００４】
従来の典型的な紫外線照射式洗浄装置は、上記のような紫外線光源となるランプを石英ガラスの窓を有するランプ室内に複数本並べて収容し、該石英ガラス窓を介してランプ室に隣接する洗浄処理室内に被処理基板を配置し、ランプ室内のランプより発せられる紫外線を該石英ガラス窓を通して被処理基板の表面に一定時間照射するようになっている。最近は、被処理基板の表面と平行にランプを相対移動つまり走査させる機構により、装置のコンパクト化（ランプ数の削減や石英ガラス窓の小型化等）も図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような紫外線照射式洗浄装置において、所期の洗浄効果を得るには、紫外線ランプより被処理基板に照射される紫外線の照度および光量をそれぞれ所定値以上確保する必要があり、そのような紫外線照射条件を満たすように装置各部の仕様がなされてはいる。しかしながら、紫外線ランプの輝度が経時変化で低下すると、被処理基板に対する紫外線の照度ないし光量が不足して、洗浄不良を来すおそれがある。しかるに、従来のこの種の装置は、被処理基板における紫外線照度を正確に測定する手段や、紫外線照度の変化を適確に補償する手段を備えておらず、紫外線洗浄処理の品質および効率を安定に維持するのが難しかった。
【０００６】
また、誘電体バリア放電ランプを用いる装置では、該ランプより放射される波長１７２ｎｍの紫外エキシマ光が酸素に非常に吸収されやすく、石英ガラス窓を出てから被処理基板の表面に到達するまでの距離が大きいほど指数関数的に減衰する。このため、両者（石英ガラス窓と被処理基板）間の隙間をできるだけ狭くするのが好ましく、通常は寸法誤差や機械精度の誤差を勘案して３〜７ｍｍに設定している。しかし、このような小さな隙間でも紫外線の照度は数分の１程度まで大幅に減衰してしまい、エネルギー効率が低かった。
【０００７】
さらに、この種の装置では、石英ガラスの外側表面（基板側の表面）に紫外線による反応生成物が付着する現象が問題となっている。すなわち、被処理基板の表面またはその付近に付着または漂遊している有機物や薬品等が紫外線の光エネルギーで反応して、その反応生成物が基板と間近に対向する石英ガラスに付着して白色の析出物となり、それによって石英ガラスの紫外線透過特性が低下したり、石英ガラスから反応生成物または析出物が剥がれてパーティクルの原因になることがある。
【０００８】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、紫外線照射処理において被処理基板に対する紫外線の照度を適確に管理して、処理品質および効率を安定に維持するようにした基板処理装置を提供することを第１の目的とする。
【０００９】
本発明の第２の目的は、紫外線照射用の窓部材を紫外線反応生成物から効果的に保護するようにした基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板に紫外線を照射して所定の処理を行う基板処理装置において、前記基板を載置して支持する載置台と、電力の供給を受けて紫外線を発する複数のランプと紫外線を透過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫外線を前記窓部材を通して前記載置台上の前記基板に照射する紫外線照射手段と、前記基板に干渉しない位置で前記載置台に設けられた光センサを有し、前記紫外線照射手段からの前記載置台上の前記基板に照射される紫外線の照度を測定する紫外線照度測定手段と、前記基板に対する紫外線照射処理を開始する前に、前記紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距離を可変調整する照射距離調整手段と、前記紫外線照射処理中に、前記紫外線照射手段からの紫外線が前記載置台上の前記基板の被処理面を走査すると同時に前記光センサが前記窓部材の下を通過するように、前記載置台および前記紫外線照射手段のいずれか一方または双方を所定の方向に移動させる駆動手段と、前記紫外線照射処理中に、前記紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値に基づいて前記窓部材の下の紫外線照度分布を測定ないし監視し、輝度が異常に低いランプまたは点灯不能のランプを検出する紫外線照度モニタ手段とを有する。
【００１１】
上記の基板処理装置においては、紫外線照射手段より載置台上の被処理基板に与えられる紫外線の照度が経時的に変化しても、紫外線照射処理に先立って紫外線照度測定手段により紫外線の照度を測定し、その紫外線照度測定値に応じて照射距離調整手段により照度変化を補償するように照射距離を可変調整するので、紫外線照度を一定または安定に維持することができる。さらに、紫外線照射処理中は、紫外線照射手段からの紫外線が載置台上の基板の被処理面を走査するように紫外線照射手段に対して載置台が相対的に移動する際に、載置台上に設けられている紫外線照度測定手段の光センサが窓部材の下を通過し、紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値に基づいて紫外線照度モニタ手段が窓部材の下の紫外線照度分布を測定ないし監視し、使用中のランプの中で輝度が異常に低いランプまたは点灯不能のランプがあればそれを検出する。このように、紫外線照度の経時的変化および空間的変化のいずれも共通の光センサを用いる簡易な構成で適確に監視ないし管理することが可能であり、これによって処理品質および効率を安定に維持することができる。
【００１２】
本発明の好適な一態様によれば、前記紫外線照度測定手段の光センサが、前記走査方向において前記基板よりも前の位置に配置される。また、前記複数のランプが、それぞれ円筒状の誘電体バリア放電ランプであり、ランプ長手方向と直交する水平方向に並べて配置される。
【００１３】
また、別の好適な一態様として、前記照射距離調整手段が、前記載置台上に載置される前記被処理基板の板厚に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距離を可変調整する手段を含む構成であってよい。このように、被処理基板の板厚を照度調整のパラメータとすることも、照度測定ないし照度調整の精度を高めるうえで有効である。
【００１４】
また、基板に対する紫外線照度を所望の値に安定に維持するために、好ましくは、前記照射距離調整手段が、所望の基準照度を設定する基準照度設定手段と、前記紫外線照度測定値を前記基準照度と比較して、その比較誤差を零に近づけるように前記載置台と前記紫外線照射手段との間の相対位置を調整する相対位置調整手段とを有する構成であってよい。
【００１５】
また、安定かつ良好な紫外線照射処理を行うために、好ましくは、前記照射距離調整手段が、前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔について最大値を設定する最大間隔設定手段と、前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最大値越えそうなときは前記間隔を前記最大値に制限する最大間隔制限手段とを有してよく、および/または、前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔について最小値を設定する最小間隔設定手段と、前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最小値を割りそうなときは前記間隔を前記最小値に制限する最小間隔制限手段とを有してよい。
【００１６】
また、本発明の好適な一態様によれば、前記窓部材と前記載置台上の前記基板との間の隙間に不活性ガスの流れを形成する不活性ガス流形成手段が設けられる。この不活性ガス流形成手段は、好ましくは、前記載置台と対向して前記窓部材の近くから前記窓部材と前記載置台上の前記基板との間の隙間に向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス噴射手段と、前記窓部材を挟んで前記不活性ガス噴射手段とは反対側の位置で前記隙間を通ってきた不活性ガスを吸い込む不活性ガス吸い込み手段とで構成されてよい。この場合、前記載置台側から見て、前記不活性ガス噴射手段と前記不活性ガス吸い込み手段とが前記移動の方向において前記窓部材の前方側と後方側とにそれぞれ配置されるのが好ましい。
【００１７】
上記の構成においては、窓部材と載置台上の基板との間の隙間に不活性ガスの流れが形成されることで、隙間から空気、特に酸素が追い出され、紫外線照射手段の窓部材から処理室内に出た紫外線が基板に到達するまでに酸素に吸収されて減衰する度合いが低減される。これにより、所望の照度を得るためのランプ消費電力が少なくて済み、ランプ寿命も延びる。また、紫外線反応生成物も不活性ガスの流れに乗って隙間から排除されるため、窓部材に付着し難くなる。
【００１８】
本発明の好適な一態様によれば、前記駆動手段が、前記載置台または前記紫外線照射手段のいずれか一方を第１の位置で固定したまま他方を第２の位置で回転移動させる回転駆動手段を有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２０】
図１に、本発明の基板処理装置が組み込み可能なシステム例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。
【００２１】
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。
【００２２】
システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の主搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２３】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。
【００２４】
洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。
【００２５】
塗布プロセス部２４は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。
【００２６】
現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５５と、加熱ユニット（ＨＰ）５３とを含んでいる。
【００２７】
各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，５２，５８が設けられ、主搬送装置３８，５４，６０が各搬送路に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，５２，５８の一方の側にスピンナ系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理または照射処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ，ＵＶ等）が配置されている。
【００２８】
システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５７およびバッファステージ５６を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。
【００２９】
図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１６上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の主搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。
【００３０】
洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が除去される。これによって、基板Ｇの濡れ性が向上し、次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めることができる。
【００３１】
次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、主搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。
【００３２】
塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
【００３３】
その後、基板Ｇは、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受け、次いでエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４で基板周縁部の余分（不要）なレジストを除かれる（ステップＳ8）。
【００３４】
次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ9）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。
【００３５】
上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の主搬送装置５４と現像プロセス部２６の主搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ11）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５７を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ11）。
【００３６】
現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ12）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５５の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ13）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ14）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５３を用いることもできる。
【００３７】
現像プロセス部２６での一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４内の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。
【００３８】
この塗布現像処理システムにおいては、洗浄プロセス部２２の紫外線照射ユニット（ＵＶ）に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１１につき本発明を紫外線照射ユニット（ＵＶ）に適用した実施形態を説明する。
【００３９】
図３に示すように、本発明の一実施形態による紫外線照射ユニット（ＵＶ）は、下面に合成石英ガラスからなる紫外線照射窓６２を取付し、室内に複数本（図示の例は３本）の円筒状紫外線ランプ６４(1)，６４(2)‥‥，６４(n)をランプの長手方向と直交する水平方向に並べて収容してなるランプ室６６と、このランプ室６６の下に隣接して設けられた洗浄処理室６８とを有する。
【００４０】
ランプ室６６内において、各紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)はたとえば誘電体バリア放電ランプでよく、後述するランプ電源部（１２０）より商用交流電力の供給を受けて発光し、有機汚染の洗浄に好適な波長１７２ｎｍの紫外線（紫外エキシマ光）を放射する。各紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の背後つまり上には横断面円弧状の凹面反射鏡７０が配置されており、各ランプ６４(1)〜６４(n)より上方ないし側方に放射された紫外線は直上の反射鏡凹面部で反射して紫外線照射窓６２側に向けられるようになっている。
【００４１】
ランプ室６６内には、紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)をたとえば水冷方式で冷却する冷却ジャケット（図示せず）や、紫外線を吸収する（ランプ発光効率を悪化させる）酸素の室内への進入を防止するための不活性ガスたとえばＮ2ガスを導入しかつ充満させるガス流通機構（図示せず）等も設けられてよい。
【００４２】
ランプ室６６の両側には、紫外線洗浄処理中に紫外線照射窓６２の下面に沿って酸素または空気排除用の不活性ガスたとえばＮ2ガスを流すための不活性ガス噴射部７２および不活性ガス吸い込み部７４が設けられている。
【００４３】
不活性ガス噴射部７２は、図３においてランプ室６６の右隣つまり後述する走査時のテーブル移動方向（Ｙ方向）において前方側に配置されており、紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)と平行に延在するガス配管７６と、このガス配管７６に一定の間隔を置いて一列に設けられた多数の不活性ガス噴射口７８と、ガス配管７６に不活性ガスを所定の流量および圧力で供給する不活性ガス供給部８０と、各不活性ガス噴射口７８より噴射される不活性ガスを紫外線照射窓６２の下に案内するガス案内部材８２とを有している。
【００４４】
不活性ガス吸い込み部７４は、図３においてランプ室６６の左隣つまり走査時のテーブル移動方向（Ｙ方向）において後方側に配置されており、紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)と平行に延在するガス配管８４と、このガス配管８４に一定の間隔を置いて一列に設けられた多数のガス吸気口８６と、ガス配管８４に負圧を与えるとともに、流入したガスを排気するガス排気部８８と、不活性ガス噴射部７２より紫外線照射窓６２の下を流れて来た不活性ガスをガス吸気口８６に向けて案内するためのガス案内部材９０とを有している。なお、ランプ室６６に対して不活性ガス噴射部７２および不活性ガス吸い込み部７４の配置位置を反対にしてもよい。
【００４５】
不活性ガス噴射部７２および不活性ガス吸い込み部７４の外側に隣接して、この紫外線照射ユニット（ＵＶ）内の各部に所要の用力または制御信号を供給するための用力供給部および制御部を収容するユーティリティ・ユニット９２が設けられている。
【００４６】
洗浄処理室６８内には、基板Ｇを載置して支持するための水平移動および昇降可能なステージ９４が設けられている。この実施形態では、ボールネジ９６を用いる自走式のステージ駆動部９８の上にステージ９４を垂直方向（図のＺ方向）に昇降可能に搭載し、ステージ駆動部９８がボールネジ９６およびこれと平行に延在するガイド１００に沿って図のＹ方向に、つまりランプ室６６の真下をランプ配列方向と平行に横切るように、可変制御可能な速度で往復移動できるように構成されている。
【００４７】
ステージ９４には、基板Ｇの搬入／搬出時に基板Ｇを水平姿勢で担持するための複数本（たとえば６本）のリフトピン１０２が垂直に貫通している。この実施形態では、各リフトピン１０２が基板受け渡し用の所定高さ位置で固定され、基板Ｇの搬入／搬出時には、これらの固定リフトピン１０２に対してステージ９４が基板Ｇの搬入／搬出の邪魔にならない退避用の下限高さ位置Ｈbとステージ９４自ら基板Ｇを載置支持するための一点鎖線で示す上限高さ位置Ｈaとの間で昇降機構（図示せず）により昇降可能となっている。
【００４８】
ステージ９４は基板Ｇよりも一回り大きなサイズに形成され、基板Ｇを載置する中心部付近の所定領域（基板載置領域）９４ａには、基板Ｇを支持するための多数の支持ピン（図示せず）や基板Ｇを吸引保持するための真空チャック吸引口（図示せず）が設けられている。そして、図３において基板載置領域９４ａの右隣、より詳細には図４に示すようにステージ往動方向（Ｙ方向）の前隣に位置するステージ右側端部９４ｂ上には、ランプ室６６からステージ９４上の基板Ｇに照射される紫外線の照度を測定するための光センサ１０４が設けられている。
【００４９】
図３において、ステージ９４のＹ方向原点位置に隣接する洗浄処理室６８の側壁には、固定リフトピン１０２の上端部に近い高さ位置にて基板Ｇを搬入／搬出するための開閉可能なシャッタ（扉）１０６が取り付けられている。このシャッタ１０６は洗浄プロセス部２２の搬送路３６（図１）に面しており、搬送路３６上から主搬送装置３８が開状態のシャッタ１０４を通って洗浄処理室６８内への基板Ｇの搬入・搬出を行えるようになっている。
【００５０】
洗浄処理室６８の側壁または底面には１つまたは複数の排気口１０８が設けられており、各排気口１０８は排気管１１０を介して排気ダクト等の排気系統（図示せず）に接続されている。また、洗浄処理室６８の適当な箇所に外気吸い込み口（図示せず）が設けられてよい。
【００５１】
図５に、この紫外線照射ユニット（ＵＶ）における制御系の構成を示す。制御部１１２は、マイクロコンピュータおよび所要の周辺回路で構成されてよく、内蔵のメモリには本ユニット内の各部および全体を制御するための所要のプログラムを格納しており、適当なインタフェースを介して、本塗布現像処理システムの全体的な処理手順を統括するメインコントローラ（図示せず）や本紫外線照射ユニット（ＵＶ）内の制御系の各部に接続されている。
【００５２】
この実施形態において、制御部１１２と関係する本紫外線照射ユニット（ＵＶ）内の主要な部分は、シャッタ１０６を開閉駆動するためのシャッタ駆動部１１４、ステージ９４をＺ方向で昇降駆動するためのステージ昇降駆動部１１６、ステージ９４をＹ方向で水平駆動または走査駆動するための走査駆動部１１８、ランプ室６６内の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)を点灯駆動するためのランプ電源部１２０、ランプ室６６の紫外線照射窓６２の下に不活性ガスの流れをつくるための不活性ガス流駆動部１２２、装置内の各部の状態または状態量を検出するためのセンサ類１２４等である。
【００５３】
ステージ昇降駆動部１１６および走査駆動部１１８はそれぞれの駆動源としてたとえばサーボモータを有し、ステージ駆動部９８内に設けられる。不活性ガス流駆動部１２２は、不活性ガス噴射部７２の不活性ガス供給部８０および不活性ガス吸い込み部７４のガス排気部８８にそれぞれ設けられる開閉弁を開閉駆動する。センサ類１１２には、ステージ９４の右側端部９４ｂに設置されている上記光センサ１０４が含まれる。
【００５４】
図６に、この紫外線照射ユニット（ＵＶ）においてランプ室６６よりステージ９４上の基板Ｇに照射される紫外線の照度を所定値に調整するための照度調整部の構成を示す。この照度調整部において、光センサ１０４およびステージ昇降駆動部１１６を除く部分１２８〜１３８は制御部１１２に含まれる。
【００５５】
光センサ１０４の出力信号（たとえば光電流）は照度測定回路１２８に入力される。照度測定回路１２８は、光センサ１０４の出力信号の値と光センサ１０４の受光面と基板Ｇの表面との間の高さ位置のオフセットｄとを変数としてステージ９４上の基板Ｇの表面における紫外線照度の測定値（または推定値でもよい）Ｅを所要の信号処理または演算処理で求める。ここで、ステージ９４の基板載置面９４ａを基準面として、光センサ１０４の受光面の高さ位置Ｓhは一定であり、基板Ｇの板厚Ｇｔはこの塗布現像処理システムで現在流れている（処理を受けている）被処理基板に関する条件データまたは属性データの１つとして板厚設定部１３０にセットされる。したがって、上記の高さ位置オフセットｄはｄ＝Ｇｔ−Ｓｈで与えられる。
【００５６】
照度測定回路１２８より得られた紫外線照度測定値Ｅは、照度比較部１３２に与えられる。照度比較部１３２は、紫外線照度測定値Ｅを基準照度設定部１３４からの基準照度Ｅsと比較し、両者の差分つまり誤差δＥを求める。ここで、基準照度Ｅsは、所定の走査速度の下で所望の紫外線洗浄効果を保証できる適当な照度に設定されてよい。
【００５７】
ステージ昇降制御部１３６は、照度比較部１３２からの照度誤差δＥに応じて、その誤差δＥを零に近づけるようにステージ昇降駆動部１１６を駆動制御してステージ９４の基板載置用高さ位置Ｈaを変える。これにより、照度測定回路１２８より得られる紫外線照度測定値Ｅが基準照度Ｅsに一致したところで、ステージ高さ位置の可変調整が停止するようになっている。
【００５８】
ただし、ステージ昇降制御部１３６は、所定の位置センサ（図示せず）等からのステージ高さ位置を表す位置情報と、板厚設定部１３０からの基板板厚（Ｇt）データとからステージ９４上の基板Ｇとランプ室６６の紫外線照射窓６２との間の間隔Ｄをモニタするとともに、この間隔Ｄについて最大／最小間隔設定部１３８より最大値Ｄmaxおよび最小値Ｄminのデータを受け取る。そして、照度比較部１３２からの照度誤差δＥに応じてステージ９４の高さ位置を変えていく過程で間隔Ｄが最大値Ｄmax（たとえば７ｍｍ）または最小値Ｄmin（たとえば３ｍｍ）に達したときは、そこで強制的にステージ９４の高さ調整を停止して、間隔Ｄを最大値Ｄmaxまたは最小値Ｄminに制限または固定保持するようになっている。
【００５９】
図７に、この紫外線照射ユニット（ＵＶ）における主要な動作手順を示す。先ず、上記メインコントローラからの指示を受けて制御部１１２を含めてユニット内の各部を初期化する（ステップＡ1）。この初期化の中で、ステージ９４は、Ｙ方向ではシャッタ１０６に近接する所定の原点位置に位置決めされ、Ｚ方向では退避用の高さ位置（Ｈb）に降ろされる。
【００６０】
主搬送装置３８（図１）がカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０から処理前の基板Ｇを本紫外線照射ユニット（ＵＶ）の前まで搬送してくると、制御部１１２は主搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しをするように該当の各部を制御する（ステップＡ2）。
【００６１】
より詳細には、先ずシャッタ駆動部１１４を制御してシャッタ１０６を開けさせる。主搬送装置３８は一対の搬送アームを有しており、一方の搬送アームに洗浄前の基板Ｇを載せ、他方の搬送アームを空き（基板無し）状態にしてくる。本紫外線照射ユニット（ＵＶ）内に洗浄済みの基板Ｇがないときは、洗浄前の基板Ｇを支持する方の搬送アームをそのまま開状態のシャッタ１０６を通って洗浄処理室６８内に伸ばし、その未洗浄基板Ｇを固定リフトピン１０２の上に移載する。本紫外線照射ユニット（ＵＶ）内に洗浄済みの基板Ｇが有るときは、最初に空の搬送アームでその洗浄済みの基板Ｇを搬出してから、未洗浄の基板Ｇを上記と同様にして搬入する。上記のようにして本紫外線照射ユニット（ＵＶ）で紫外線洗浄処理を受けるべき基板Ｇが主搬送装置３８により固定リフトピン１０２の上に搬入載置されたなら、シャッタ１０６を閉める。
【００６２】
次いで、制御部１１２は、ステージ昇降駆動部１１６を制御してステージ９４を基板載置用の基準高さ位置Ｈa0まで上昇させる（ステップＡ3）。この際、ステージ９４の上昇する間に真空チャック部の吸引を開始させ、ステージ９４が基板載置用の基準高さ位置Ｈa0に到達すると同時に基板Ｇを吸引保持できるようにしてよい。なお、基板載置用の基準高さ位置Ｈa0と固定リフトピン１０２の先端の高さ位置との間に適当なマージンが設定されてよい。
【００６３】
次に、制御部１１２は、ランプ電源部１２０を制御して紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)を点灯させるとともに（ステップＡ4）、不活性ガス流駆動部１２２を制御して不活性ガス噴射部７２および不活性ガス吸い込み部７４を作動させる（ステップＡ5）。これにより、ランプ室６６の右側の不活性ガス噴射部７２が紫外線照射窓６２の下に向けて不活性ガス（Ｎ2ガス）を送り込み、ランプ室６６の左側または下流側で不活性ガス吸い込み部７４が不活性ガスを吸い込むことにより、紫外線照射窓６２の下面に沿ってステージ移動方向（Ｙ方向）と平行に不活性ガスの流れ（フロー）が形成される。
【００６４】
次に、制御部１１２は、紫外線洗浄処理（ステップＡ7）に入る前に照度調整を行う（ステップＡ6）。
【００６５】
図８に、一実施例による照度調整の手順を示す。先ず、ランプ室６６に対して照度測定用光センサ１０４の位置合わせが必要であればこれを行う（ステップＢ1）。たとえば、図３のＹ方向原点位置ではステージ右側端部９４ｂ上の光センサ１０４が紫外線照射窓６２直下の紫外線照射領域から外れるようであれば、ステージ９４をＹ方向に幾らか移動させて光センサ１０４を該紫外線照射領域の中に入れるようにしてよい。また、Ｚ方向においては、上記基板載置用の基準高さ位置Ｈa0とは異なる照度調整用の基準位置Ｈa1を設定し、ステージ９４をその高さ位置Ｈa1に合わせることも可能である。
【００６６】
上記のようにランプ室６６に対して光センサ１０４を所定位置にセットしたうえで、上記照度制御部（図６）における照度測定回路１２８および板厚設定部１３０によりステージ９４上の基板Ｇに対する紫外線の照度を測定する（ステップＢ2）。次いで、照度比較部１３２および基準照度設定部１３４により基準照度Ｅsに対する照度測定値Ｅの誤差δＥ（δＥ＝Ｅs−Ｅ）を求める（ステップＢ3）。
【００６７】
そして、ステージ昇降制御部１３６が、この誤差δＥの極性および絶対値を判定し（ステップＢ4）、ステージ昇降駆動部１１６を制御してステージ９４の高さ位置を選択的に可変調整する（ステップＢ5〜Ｂ11）。
【００６８】
この実施例では、δＥ＜０のとき、つまり照度測定値Ｅが基準照度Ｅsよりも大きいときは、原則的にはステージ高さ位置Ｈaを所定ピッチ（たとえば０．１ｍｍ）だけ下げて紫外線照射窓６２とステージ９４上の基板Ｇとの間隔Ｄを当該ピッチだけ広げ（ステップＢ6）、それから照度測定に戻る（ステップＢ12，Ｂ2）。しかし、間隔Ｄが最大／最小間隔設定部１３８より与えられる最大値Ｄmaxに達しているか、これを越えるようであるときは、間隔Ｄが最大値Ｄmaxに止まる高さ位置でステージ９４を固定する（ステップＢ8）。通常、間隔Ｄが最大値Ｄmax付近に調整されるのは、ランプ室６６側のランプ輝度が最大のとき、つまり紫外線ランプ６２(1)〜６２(n)の使用開始直後または交換直後である。
【００６９】
また、δＥ＞０のとき、つまり照度測定値Ｅが基準照度Ｅsより小さいときは、原則的にはステージ高さ位置Ｈaを所定ピッチ（たとえば０．１ｍｍ）だけ上げて紫外線照射窓６２とステージ９４上の基板Ｇとの間隔Ｄを当該ピッチだけ狭め（ステップＢ10）、それから照度測定に戻る（ステップＢ12，Ｂ2）。しかし、間隔Ｄが最大／最小間隔設定部１３８より与えられる最小値Ｄminに達しているか、これを割るようであるときは、間隔Ｄが最小値Ｄminに止まる高さ位置にステージ９４を固定する（ステップＢ11）。さらに、このように間隔Ｄが最小値Ｄminに調整されるのは、ランプ室６６における紫外線ランプ６２(1)〜６２(n)の輝度が経時劣化等により相当低下しているときであるから、ランプ交換等のメンテナンスを促すためのアラームを発してもよい（ステップＢ11）。また、そのようなアラームを発した場合は、紫外線洗浄処理を中止してもよい。
【００７０】
照度測定値Ｅが基準照度Ｅsに一致するとき（δＥ＝０）は、ステージ９４の高さ位置Ｈaを変えずに照度測定に戻る（ステップＢ5，Ｂ2）。なお、基準照度Ｅsの値に適当な幅または範囲を持たせ、照度測定値Ｅがその範囲内に収まるときは両者一致（δＥ＝０）とみなすことも可能である。
【００７１】
この実施例では、照度測定値Ｅが基準照度Ｅsに一致するまでフィードバックをかけるため、精度の高い照度調整を行うことができる。しかし、照度比較部１３２からの比較誤差δＥに応じた間隔またはステージ高さ位置の調整目標値を演算し、その調整目標値に到達するようにステージ９４の高さ位置をオープンループ制御で調整することも可能である。
【００７２】
上記のような照度調整（ステップＡ6）が行われている間、紫外線照射窓６２とステージ右側端部９４ｂとの隙間Ｐには後述する紫外線照射洗浄処理のときとほぼ同じ条件で不活性ガス噴射部７２から不活性ガス吸い込み部７４に向けて不活性ガス（Ｎ2ガス）が流れる。この不活性ガスの流れＦ（図３）は隙間Ｐから空気、特に酸素を効果的に排除する働きがある。これにより、ランプ室６６の紫外線照射窓６２より垂直下方に放射された紫外線（紫外エキシマ光）が光センサ１０４の受光面に到達するまでに酸素に吸収されて減衰する度合いが大幅に軽減され、不活性ガスの流れがないときと比較して同じ間隔Ｄでのステージ上の照度は大きく向上する。なお、不活性ガスの流れＦは、ステージ側よりは紫外線照射窓６２側に寄って流れるのが好ましい。
【００７３】
上記のような照度調整（ステップＡ6）の後に、ステージ９６上の基板Ｇに対する紫外線洗浄処理が実行される（ステップＡ7）。この紫外線照射洗浄処理を行うため、制御部１１２はステージ駆動部９８内の走査駆動部１１８によりステージ９４を原点位置と点線９４’で示す往動位置との間でＹ方向に片道移動または往復移動させる。このステージ移動では、ステージ９４がランプ室６６の真下を先の照度調整（ステップＡ6）で決定された高さ位置でＹ方向に横切ることで、ランプ室６６の紫外線照射窓６２よりほぼ垂直下方に向けて放射される波長１７２ｎｍの紫外線が基板Ｇを基準照度にほぼ等しい照度で照射しながらステージ移動方向（Ｙ方向）とは逆方向に基板の一端から他端まで走査する。
【００７４】
このように基板Ｇに対して波長１７２ｎｍの紫外線が照射されることにより、基板表面付近に存在している酸素が該紫外線によりオゾンＯ3に変わり、さらにこのオゾンＯ3が該紫外線によって励起され酸素原子ラジカルＯ＊が生成される。この酸素原子ラジカルにより、基板Ｇの表面に付着している有機物が二酸化炭素と水とに分解して基板表面から除去される。分解・気化した有機物は排気口１０８から排気される。
【００７５】
このような走査式の紫外線洗浄処理において、基板Ｇに対する紫外線の照射量または積算光量はステージ９４の移動速度（走査速度）に反比例する。つまり、走査速度Ｆを速くするほど基板Ｇに対する紫外線照射時間が短くなって紫外線照射量は少なくなり、反対に走査速度を遅くするほど基板Ｇに対する紫外線照射時間が長くなって紫外線照射量は多くなる。一定の限度内で、紫外線照射量が多いほど、基板Ｇの表面から除去される有機物も多くなる。
【００７６】
この実施形態では、上記のように照度調整（ステップＡ6）でランプ室６６よりステージ９４上の基板Ｇに与えられる紫外線の照度を基準照度付近の値に調整してから、上記のような走査式の紫外線洗浄処理（ステップＡ7）を行うので、ランプ室６６における紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の輝度が経時劣化等により低下しても紫外線照射時間および走査速度を設定値に保ったまま（したがってスループットを下げることなく）、良好な洗浄処理品質を維持できる。
【００７７】
また、紫外線洗浄処理中には、図９に示すように、不活性ガス噴射部７２および不活性ガス吸い込み部７４によりランプ室６６の紫外線照射窓６２とステージ９４上の基板Ｇとの間の隙間Ｐに不活性ガス（Ｎ2ガス）の流れＦが形成される。先の照度調整（ステップＡ6）のときと同様に、この不活性ガスの流れＦは隙間Ｐから空気、特に酸素を効果的に排除する働きがある。なお、基板Ｇの表面付近に付着または浮遊している酸素はそれほど排除されず、紫外線洗浄処理用のオゾンの生成に必要な酸素は十分に確保される。
【００７８】
このように不活性ガスの流れＦにより隙間Ｐから空気中の酸素が除去されることで、ランプ室６６の紫外線照射窓６２より垂直下方に放射された紫外線（紫外エキシマ光）がそれほど減衰せずに基板表面の各部に到達することができる。このため、ランプ室６６側ではランプ投入電力をそのぶん低減できるとともに、ランプ６４の寿命を延ばすことができる。さらに、紫外線洗浄処理に付随して生成される紫外線反応生成物は不活性ガスの流れＦに巻き込まれるようにして不活性ガス吸い込み部７４に吸い込まれて外部へ排出されため、紫外線照射窓６２には付着し難いという利点もある。
【００７９】
上記のようなステージ９４上の基板Ｇに対する走査式の紫外線洗浄処理が終了したなら、制御部１１２はランプ電源部１２０を制御して紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)を消灯させる（ステップＡ8）。そして、直後に不活性ガス流駆動部１２２を制御して、紫外線照射窓６２直下の不活性ガスの流れＦを止める（ステップＡ9）。
【００８０】
次いで、制御部１１２はステージ９４をスタート位置に戻す（ステップＡ10）。この実施形態では、先ず走査駆動部１１８によりステージ９４を復動させ、次にＹ方向原点位置にて真空チャックをオフにしてからステージ昇降駆動部１１６によりステージ９４を退避用の高さ位置（Ｈb）まで降ろし、基板Ｇを固定リフトピン１０２に支持させる。こうして、１枚の基板Ｇに対する本紫外線洗浄ユニット（ＵＶ）内の全工程が終了し、主搬送装置３８（図１）が来るのを待つ。
【００８１】
上記した実施形態のように走査式で紫外線洗浄処理を行う場合には、ステージ９４上の照度測定用の光センサ１０４がランプ室６６の紫外線照射窓６２を通過する際に照度調整部（図６）の照度モニタ機能を働かせて、紫外線照射窓６２直下の紫外線照度（分布）を測定ないし監視することも可能である。この照度モニタ機能により、ランプ室６６内の各紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の輝度をステージ９４側からモニタし、輝度が異常に低いランプまたは点灯不能のランプを検出できる。
【００８２】
上記した実施形態では、ランプ室６６側を固定し、ステージ９４側を基板Ｇの表面と平行に移動させる走査方式であった。しかし、ステージ９４側を所定位置で固定し、ランプ室６６側を基板Ｇの表面と平行に移動させる走査方式も可能である。
【００８３】
また、紫外線走査のためのランプ室６６とステージ９４との相対移動を回転運動で実現することも可能である。図１０および図１１に回転走査式の装置構成例を示す。図中、上記した実施形態のものと同様の構成または機能を有する部分には同一の符号を附してある。この構成例では、ステージ駆動部１４０にステージ昇降機構と回転機構（図示せず）を設け、紫外線照射処理を行うときは該回転機構が作動してステージ９４および基板Ｇをステージ中心鉛直軸Ｏの回りに所定の速度で回転移動させるようにしている。なお、ステージ９４側を固定し、ランプ室６６側を回転移動させる構成も可能である。
【００８４】
このような回転走査式によれば、ステージ９４またはランプ室６６の平面的スペースは必要最小限で済むので、装置スペースの小型化を実現できる。また、図１１に示すように、ランプ室６６内の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の所要長さ寸法を短くすることもできる。
【００８５】
上記した実施形態におけるランプ室６６内や洗浄処理室６８内の構成、特に紫外線照射窓６２、紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)、ステージ９４、ステージ駆動部９８，１４０、照度調整部（図６）等の構成も一例であり、各部について種々の変形が可能である。
【００８６】
上記実施形態では、照度測定用の光センサ１０４をステージ９４上の基板Ｇに最近接する位置に配置して、光センサ１０４の出力信号を基に基板Ｇにおける紫外線照度を測定するので、精度の高い照度測定を行うことができる。しかし、精度は落ちるが、そのような照度測定用の光センサ１０４を他の場所、たとえばステージ９４の外側に配置することも可能であり、あるいはステージ９４上の基板載置領域９４ａ内に受光面を露出させて埋設配置することも可能である。
【００８７】
上記実施形態では、ランプ室６６とステージ９４との距離（照明距離）を可変調整するために、ランプ室６６を固定配置し、ステージ９４の高さ位置を可変調整した。しかし、反対に、ステージ９４の高さ位置を固定し、ランプ室６６の高さ位置を可変調整する構成も可能であり、あるいは双方の位置をそれぞれ可変調整する構成も可能である。
【００８８】
上記実施形態では、ステージ９４上に載置される基板Ｇの板厚Ｇtに応じた照度測定ないしステージ高さ位置調整を行うため、より精度の高い照度調整を実現できる。しかし、精度は低くなるが、基板Ｇの板厚Ｇtを無視してランプ室６６とステージ９４との距離（照明距離）を可変調整しても、実用上十分な照度調整が可能である。
【００８９】
上記実施形態は、紫外線照射洗浄装置（ＵＶ）に係わるものであった。しかし、本発明の基板処理装置は、有機汚染の除去以外の目的で被処理基板に紫外線を照射する処理にも適用可能である。たとえば、上記したような塗布現像処理システムにおいて、ポストベーキング（ステップＳ13）の後にレジストを硬化させる目的で基板Ｇに紫外線を照射する工程に上記実施形態と同様の紫外線照射装置を使用できる。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、紫外線照射処理において被処理基板に対する紫外線の照度を適確に管理して、処理品質および効率を安定に維持することができる。また、紫外線照射用の窓部材を紫外線反応生成物から効果的に保護することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】実施形態の紫外線照射ユニットの構成を示す斜視図である。
【図４】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度測定用光センサの取付構造を示す斜視図である。
【図５】実施形態の紫外線照射ユニットの制御系の構成を示すブロック図である。
【図６】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度調整部の一構成例を示すブロック図である。
【図７】実施形態の紫外線照射ユニットにおける主要な動作手順を示すフローチャートである。
【図８】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度調整の手順を示すフローチャートである。
【図９】実施形態の紫外線照射ユニットにおいて紫外線照射窓と基板との間の隙間に不活性ガスを流す方式の作用を示す部分側面図である。
【図１０】別の実施形態の紫外線照射ユニットの構成を示す斜視図である。
【図１１】別の実施形態の紫外線照射ユニットの要部を示す平面図である。
【符号の説明】
３８    主搬送装置
ＵＶ    紫外線照射ユニット
６２    紫外線照射窓（石英ガラス窓）
６４(1)，６４(2)，‥‥，６４(n)    紫外線ランプ
６６    ランプ室
６８    洗浄処理室
７２    不活性ガス噴射部
７４    不活性ガス吸い込み部
９４    ステージ
９４ａ    基板載置領域
９４ｂ    ステージ右側端部
９８    ステージ駆動部
１０４    光センサ
１１２    制御部
１１６    ステージ昇降駆動部
１１８    走査駆動部
１２２    不活性ガス流駆動部
１２８    照度測定回路
１３０    板厚設定部
１３２    照度比較部
１３４    基準照度設定部
１３６    ステージ昇降制御部
１３８    最大／最小間隔設定部
１４０    ステージ駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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