(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線パターンを備えた絶縁部材上にパワー半導体素子が搭載され、該絶縁部材が放熱板上に固定されたパワー半導体モジュールであって、
該絶縁部材と該放熱板とが、直接、接合されてなり、該絶縁部材の膜厚が、周辺部において、端部に向かって漸次薄くなるようにしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
上記絶縁部材が、該絶縁部材と該放熱板との接合面に向かって内方に傾斜した側面を有することを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
上記放熱板が表面上に凹部を有し、該凹部の側壁面と上記絶縁部材の側面とが接するように該凹部内に該絶縁部材が埋め込まれて固定されたことを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
上記放熱板が表面上に台形状の凸部を有し、該凸部の側壁面と上記絶縁部材の側面とが連続するように、台形状の上記絶縁部材を該凸部上に固定したことを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワー半導体モジュールに関し、特に、高い信頼性が要求される電力変換装置用のパワー半導体モジュールの構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は、ＩＧＢＴ、フライホイールダイオード、ＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子を用いたパワー半導体モジュールとして、特開平８-２６４６８０号公報に記載された構造である。図中、１はパワー半導体素子、２はＡｌ２Ｏ３からなる絶縁部材、４はＣｕからなる放熱板、５はＳｎ−Ｐｂ合金からなる半田層、６は金属板である。パワー半導体素子１は、絶縁部材２の表面に形成された金属板６に半田層５で接合されている。絶縁部材２の裏面には、半田付けできるように金属板６が成形されており、かかる金属板６と放熱板４とは半田５で接合されている。
かかるパワー半導体モジュールでは、パワー半導体素子１を駆動することにより発生した熱が、表面側の半田層５、表面側の金属板６、絶縁部材２、裏面側の金属板６、裏面側の半田層５を通って放熱板４に伝えられ放熱される。放熱板４の裏面には、放熱効率を上げるために、更に冷却フィンの付いたヒートシンク等が接続される場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
パワー半導体モジュールを使用した場合に、裏面側の半田層５に亀裂が生じ、パワー半導体素子１から放熱板４への熱放出に対する抵抗が増加することがあった。特に、高い信頼性が要求される電力変換装置用のパワー半導体モジュールでは、例えば、−４０℃〜１２５℃の範囲で、３０００サイクルの繰り返し温度負荷を与える信頼性試験に合格する必要があり、上記半田層５における亀裂の発生は大きな問題であった。
【０００４】
これに対して、発明者らが半田層５の亀裂発生原因を調査した結果、上記パワー半導体モジュールでは、絶縁部材２に用いられるＡｌ２Ｏ３の線膨張係数が４×１０−６〜７×１０−６（１／℃）であり、放熱板４に用いられるＣｕの線膨張係数が１７×１０−６（１／℃）であるため、パワー半導体素子１の発熱により温度変化（例えば室温から約８０℃まで）が生じた場合、上記線膨張係数の差により絶縁部材２と放熱板４との接合部に熱応力が発生し、この結果、強度が低いＰｂ−Ｓｎ半田層５に亀裂が生じていることを見出した。
【０００５】
このような半田層５の亀裂発生を防止する手段として、半田層５の厚みを厚くする方法も考えられるが、かかる方法では、Ｓｕ−Ｐｂ半田層５の熱伝導率が、約５０Ｗ／ｍ・Ｋと、Ｃｕ放熱板４の熱伝導率３５０Ｗ／ｍ・Ｋに比較して約１／７と小さいために十分な放熱特性が得られず、パワー半導体素子１の故障原因となる。
そこで、本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、電力変換装置用のパワー半導体モジュールにおいて、繰り返しの温度ストレスに対して破壊の生じない高信頼性を有するパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に配線パターンを備えた絶縁部材上にパワー半導体素子が搭載され、該絶縁部材が放熱板上に固定されたパワー半導体モジュールであって、該絶縁部材と該放熱板とが、直接、接合されてなることを特徴とするパワー半導体モジュールである。
このように、絶縁部材と放熱板とが直接、接合されてなるパワー半導体モジュ一ルでは、パワー半導体素子が動作中に発熱し、絶縁部材と放熱板との接合面に繰り返し熱応力がかかっても、接合強度が高いため、接合部分等で割れが発生することを防止することができる。
特に、従来構造では、絶縁部材と放熱板との間を、これらより強度の低いＰｂ−Ｓｎ半田層で接合していたため、かかる半田層に熱応力が集中して亀裂が生じていたが、かかる構造ではこのような強度の低い半田層が存在しないため、応力集中による亀裂の発生も起こりにくくなる。
これにより、従来構造では、半田層の割れにより生じていたパワー半導体モジュールの熱抵抗の増加を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールとすることができる。
【０００７】
上記絶縁部材は、該絶縁部材と該放熱板との接合面に向かって内方に傾斜した側面を有することが好ましい。
かかる構造を用いることにより接合面端部での応力集中を低減することが可能となるからである。
【０００８】
上記絶縁部材の板厚は、周辺部において、端部に向かって徐々に薄くなるようにしたことが好ましい。
絶縁部材の端部を薄くして、ある程度の可とう性を持つようにすることにより、パワー半導体素子の発生により絶縁部材端部に生じる熱応力を、絶縁部材を変形させて緩和することが可能となるからである。
【０００９】
また、本発明は、上記放熱板が表面上に凹部を有し、該凹部の側壁面と上記絶縁部材の側面とが接するように該凹部内に該絶縁部材が埋め込まれて固定されたことを特徴とするパワー半導体モジュールでもある。
埋め込みの無い絶縁部材と放熱板の接合構造では、高温での接合後の熱冷却時に、絶縁部材の周囲端面に引張応力が生じるが、絶縁部材を放熱板に設けた凹部に埋めて固定することにより、かかるモードの引張り応力を低減させることが可能となる。
【００１０】
上記放熱板は表面上に台形状の凸部を有し、該凸部の側壁面と上記絶縁部材の側面とが連続するように、台形状の上記絶縁部材を該凸部上に固定したことを特徴とするパワー半導体モジュールでもある。
かかる構造にすることにより、絶縁部材の端部における応力集中を大幅に低減することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
参考例１．
本発明の参考例１について、図１を参照しながら説明する。図１は、参考例１にかかるパワー半導体モジュールの断面図であり、図中、１はパワー半導体素子、２はＡｌＮなどのセラミックの絶縁部材、３は外部筐体、４はＣｕなどの金属の放熱板、５はＳｎ−Ｐｂ半田層、６は絶縁部材２の表面に形成され、一方の面は配線パターンを備えた金属板、７はＡｌからなるボンディングワイヤー、８は外部電極Ａ、９は外部電極Ｂである。
【００１２】
図１１に示したように、従来構造のパワー半導体モジュールでは、両面に金属板６が形成された絶縁部材２が、例えばＳｎ−Ｐｂ半田層を用いて、放熱板４上に接合されているが、参考例１にかかるパワー半導体モジュールでは、絶縁部材２の裏面には金属板６が形成されず、絶縁部材２と放熱板４とが直接、接合されている。このように、絶縁部材２と放熱板４とを直接、接続させることにより、従来構造のＳｎ−Ｐｂ半田層で固定した場合に比較して、両者の接続強度を高くすることが可能となる。
【００１３】
かかるパワ一半導体モジュールは、絶縁部材２の表面側（パワー半導体素子１搭載側）に配線パターンを有する金属板６を成形した後に、絶縁部材２の裏面に放熱板４を接合して製造される。かかる接合は、例えば、ＡｌＮ絶縁部材２と、Ｃｕ放熱板４とを重ねて１０００℃程度に加熱、保持することにより、絶縁部材２のＡｌＮと、放熱板４のＣｕとの間に結合を生じさせて行う。
かかる接合としては、例えば、特公平４−７６５００号公報に記載された接合方法が該当し、更に具体的には、銅板をセラミック板に直接接合する方法としては、表面を酸化した銅板をセラミック板に重ねた状態で１０６５℃以上１０８５℃以下の実質温度に保持し、Ｃｕ２Ｏ−Ｃｕ共晶融液で接合面を濡らし、そのまま冷却して直接接合するという、米国ゼネラルエレクトリック社が開発した方法が該当する。
かかる接合工程は、絶縁部材２の表面に金属板６を接合させる工程と同時に、即ち、絶縁部材２を金属板６と放熱板４とで挟み、加熱することにより行っても構わない。
【００１４】
このように、図１のパワー半導体モジュ一ルを用いることにより、パワー半導体素子１が動作中に発熱し、絶縁部材２と放熱板４との接合面に繰り返し熱応力がかかっても、絶縁部材２と放熱板４とは直接接合されて接合強度が高いため、接合部分等で割れが発生することを防止することができる。特に、従来構造では、絶縁部材２と放熱板４との間に、これらより強度の低いＰｂ−Ｓｎ半田層５が形成されていたため、かかる半田層５に熱応力が集中していたが、本参考例にかかるパワー半導体モジュールでは、このような強度の低い層が存在しないため、応力集中による亀裂の発生も起こりにくくなる。
これにより、従来構造では、熱応力の繰り返しによるＰｂ−Ｓｎ半田層５の亀裂進展により生じていたパワー半導体モジュールの熱抵抗の増加を防止し、強度信頼性が高く、長寿命のパワー半導体モジュールとすることができる。
【００１５】
本参考例１では、絶縁部材２にＡｌＮ、放熱板４にＣｕを用いた場合について述べたが、絶縁部材２にＡｌＮ、放熱板４にＡｌを用いることも可能である。また、絶縁部材２に、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＮなどから選択した材料を用い、放熱板４に、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｕＭｏ、Ｍｏ、ＳｉＣＡｌなどから選択された材料を用いることも可能である。
【００１６】
図１では、Ｃｕ放熱板４上に、２つのＡｌＮ絶縁部材２が直接接合され、かかる絶縁部材２上には、配線パターンが形成された金属板６が設けられている。一の絶縁部材２（右側）上には半田層５を介してパワー半導体素子１と外部電極Ａ８が載置され、他の絶縁部材２（左側）上には半田層５を介して外部電極Ｂ９が載置されている。外部電極Ａ８、Ｂ９とパワー半導体素子１との間はＡｌ等のボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。
電極、素子間の配線がなされた後、外部筐体３が被せられ、その内部に樹脂材料が注入され、パワー半導体モジュールが完成する。外部電極Ａ８、Ｂ９の上端は、キャップ３上面から出るように構成され、外部との電気的接続に用いられる。
【００１７】
図２は、Ｃｕ放熱板４の代わりに、線膨張係数がＡｌＮ絶縁部材２に近いＡｌからなる低熱膨張放熱板１３を用いた場合である。
このように、低熱膨張放熱板１３を用いて放熱板４と絶縁部材２との線膨張係数の差を小さくすることにより、放熱板４と絶縁部材２とを直接接続した構造において両者間に発生する熱応力を低減し、更に、パワー半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１８】
上述したように、絶縁部材２と放熱板４とは、直接接合されている場合がもっとも熱抵抗が小さいが、両者を硬ろう材を用いてろう接した場合にも、一般にろう材からなるろう接層は非常に薄くなるので、熱抵抗はほとんど増加しない。
そこで、図１において、絶縁部材２と放熱板４とを直接接合させる代わりに、Ａｌ合金ろうを用いて両者を接続することによっても、応力集中による亀裂の発生を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを得ることが可能となる。
特に、硬ろう材を用いた場合、軟ろう材に属するＰｂ−Ｓｎ半田に比較して、ろう材の融点が高いため、従来構造で見られたパワー半導体素子１からの放熱によるろう材の軟化という現象が発生せず、半導体素子１の動作中においても、ろう材の強度を高く維持することが可能となる。
ここで、硬ろう材とは、融点が７２３Ｋ以上のろう材をいい、Ａｌ合金ろうの他に、リン銅ろう、銀ろう、金ろうなどが該当する。
なお、図２〜９においては、パワー半導体素子１、外部電極Ａ８等の要素の記載は省略することとする。
【００１９】
参考例２．
本発明の参考例２について、図３を参照しながら説明する。図３は、参考例２にかかるパワー半導体素モジュールの断面図であり、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示し、又１１は応力緩和層を示す。
応力緩和層としては、放熱板４の材料より降伏応力の低い材料や、絶縁部材の材料２の線膨張係数と、放熱板４の材料の線膨張係数との間の線膨張係数を有する材料を用いることができる。
例えば、絶縁部材２がＡｌＮであり、放熱板４がＣｕである場合には、応力緩和層１１は、降伏応力の低いＡｌ材等であることが好ましい。
【００２０】
このように、応力緩和層１１を用いることにより、パワー半導体素子１の動作や、絶縁部材２を放熱板４に固定するのに伴って、絶縁部材２と放熱板４との間に熱応力が発生した場合でも、かかる応力を応力緩和層１１で吸収することにより、亀裂の発生を防止することが可能となる。
【００２１】
なお、応力緩和層１１と絶縁部材２、応力緩和層１１と放熱板４とは、直接接合させることが好ましいが、硬ろう材を用いたろう接でもよく、更には、発生する熱応力が比較的小さい場合には、半田材等の軟ろう材を用いることも可能である。
【００２２】
実施の形態１．
本発明の第１の実施の形態について、図４、５を参照しながら説明する。４、５は、実施の形態１にかかるパワー半導体素モジュールの断面図であり、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００２３】
まず、図４のパワー半導体モジュールは、絶縁部材２が、絶縁部材２と放熱板４との接合面に向かって内方に傾斜した側面１２を有するものである。
例えば、図１に示すように、絶縁部材２と放熱板４とを直接接合させた場合、熱応力は、両者の接合面の端部（最も外方）において最も大きくなる。即ち、絶縁部材２と放熱板４との接合構造では、温度変化に伴う熱応力より、縁部材２と放熱板４との線膨張係数の差に起因してバイメタル的な曲げ変形を生じ、絶縁部材２には全体に曲げモードによる曲げ応力が生じる。更に、詳細には、絶縁部材２の端部側外周面には、絶縁部材２を２層に分離するような局所的な別のモードの引張り応力が作用する。
従って、傾斜側面１２を設けて、かかる応力が作用する方向を変化させ、また端部をできる限り内方に位置するようにすることにより、絶縁部材２の端部に加わる引っ張り応力を小さくすることが可能となる。
このような構造を用いることにより、絶縁部材２と放熱板４とを直接接合した場合や、硬ろう材で接続した場合に、その接合面、特にその端部にかかる熱応力を低減することができ、パワー半導体モジュールの信頼性を更に高くすることが可能となる。
【００２４】
図５のパワー半導体モジュールは、傾斜面１４を設けることにより、絶縁部材２の板厚が、周辺部において、端部に向かって徐々に薄くなるようにしたものである。
このように、絶縁部材２の板厚を端部に向かって徐々に薄くすることにより、かかる端部において絶縁部材２に可とう性を持たせ、変形により接合面に加わる熱応力を緩和することが可能となる。上述のように、熱応力は、特に、接合面の外方ほど大きいため、絶縁部材２の板厚を端部に向かって徐々に薄くなるようにすることにより、熱応力を有効に緩和することが可能となる。
このような構造を用いることにより、絶縁部材２と放熱板４とを直接接合した場合や、硬ろう材で接続した場合に、その接合面、特にその端部、にかかる熱応力を低減することができ、パワー半導体モジュールの信頼性を更に高くすることが可能となる。
【００２５】
なお、図４、５に示す傾斜側面１２や傾斜部１４は、絶縁部材２の周囲全体に設けることが好ましいが、発生する熱応力が比較的小さい場合には、周囲の一部、例えば、絶縁部材２の四隅に設けても良い。
【００２６】
実施の形態２.
本発明の第２の実施の形態について、図６、７を参照しながら説明する。図６、７は、実施の形態２にかかるパワー半導体素モジュールの断面図であり、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００２７】
図６は、放熱板４が表面上に凹部１５を有し、凹部１５の側壁面と絶縁部材２の外周側面とが接するように凹部１５内に絶縁部材２が埋め込まれて固着されたパワー半導体モジュールである。
即ち、絶縁部材２と放熱板４の接合構造では、温度変化によりバイメタル的な変形が生じ、絶縁部材２には全体に曲げモ―ドによる曲げ応力が生じる。換言すれば、絶縁部材２の周縁部には、絶縁部材２を２層に分離するような局所的な引張り応力が作用する。
これに対して、図６に示すように、絶縁部材２を放熱板４に設けた凹部１５に埋めて固定して、絶縁部材２の外周側面を固着することにより、かかる曲げモードの引張り応力を低減させることが可能となる。
従って、図６の構造を採用することにより、絶縁部材２と放熱板４とを直接接合した場合や、硬ろう材で接続した場合に、熱応力により絶縁部材２に加わる曲げモードの応力を低減することができ、パワー半導体モジュールの信頼性を更に高くすることが可能となる。
なお、図６では、絶縁部材２の上方が凹部１５の上面より若干上方に出ているが、絶縁部材２全体を凹部１５に埋め込む構造としてもなお良い。
【００２８】
また、図７は、放熱板４が表面上に台形状の凸部１８を有し、凸部１８の側壁面１６と絶縁部材２の側面１７とが連続するように、台形状の絶縁部材２を凸部１８上に固定したものである。
このように、台形状の放熱板４凸部１８上に、凸部１８の側壁面１６と絶縁部材２の側面１７とが連続するように絶縁部材２を接合することにより、絶縁部材２の端部に発生する熱応力を緩和することができる。
特に、凸部１８の側壁面１６と、絶縁部材２と放熱板４との接合面とのなす角度（即ち、絶縁部材２の側面１７と接合面とのなす角度）を、端部における応力特異性が消滅する条件に設定することにより、絶縁部材２の端部応力を大幅に低減することが可能となる。
凸部１８の側壁面１６と上面（接合面）とのなす角度は、７０〜８０°とすることにより、最も応力を低減することができる。
【００２９】
参考例３．
本発明の参考例３について、図８、９を参照しながら説明する。図８、９は、参考例３にかかるパワー半導体素モジュールの断面図であり、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００３０】
まず、図８に示すパワー半導モジュールでは、絶縁部材２と放熱板４との間に、絶縁部材２より大きな面積を有する金属板６を設け、かかる金属板６と放熱板４とが、硬ろう材でろう接されたパワー半導体モジュールである。かかる構造とすることにより、金属板６が突き出し部２０を有することとなる。
【００３１】
絶縁部材２と放熱板４とを直接、接合する場合、接合工程における温度が高い場合には、放熱板４にそりを生じる場合がある。
これに対して、絶縁部材２が、その両面に同程度の板厚の金属板６（厚さ０.１〜０.３ｍｍ程度）を備えるようにすると、接合工程において、絶縁部材２が一方向に反ることを防止することができる。
【００３２】
また、金属板６が厚い場合（例えば、１ｍｍ以上）、絶縁部材２よりも小さい面積の金属板６では、熱応力が繰り返し加わり、特に金属板６を絶縁部材２に高温で接合し、室温で冷却する過程において、両者の接合端部付近から絶縁部材２にき裂１００を生じる場合がある（図１２）。これは、金属板６の方が、収縮量が絶縁部材２に比較して大きく、金属板６と絶縁部材２との接合端部の絶縁部材２に引張応力が働くためである。そこで、金属板６を絶縁部材２よりも大きくし、突き出し部２０を設けることによって、熱収縮時に絶縁部材２に引張応力が生じる箇所をなくすことができるため、き裂１００の発生を防止することができる。
両面に金属板６が成形された絶縁部材２と放熱板４とを、接合面１９全体でろう材等を用いて接合することにより、放熱板４の接合時の応力、変形を緩和することができる。
【００３３】
本参考例３にかかるパワー半導体モジュールは、図９に示すように、放熱板４が表面上に凸部１８を有し、凸部１８と金属板６との接合領域が、金属板６と絶縁部材６との接合領域より内方となる構造をとることも可能である。
かかる構造とすることにより、絶縁部材２の反り量、絶縁部材２に加わる熱応力を更に低減することが可能となる。
【００３４】
参考例４．
本発明の参考例４について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、参考例４にかかるパワー半導体素モジュールの断面図であり、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
図１０は、配線パターンを有する金属板６を表面に備えた絶縁部材２が放熱板４上に固定され、絶縁部材２と放熱板４とが、直接、接合されてなるモジュール基板である。
かかるモジュール基板では、絶縁部材２と放熱板４とが直接接合されているため、熱サイクルが加わった場合でも、従来の半田層によるものに比べて接合部強度が高いため、亀裂が発生しない。
従って、かかるモジュール基板を用いてパワー半導体モジュールを作成することにより、電力変換装置用のパワー半導体モジュールのような高い信頼性が要求される仕様にも耐えうるパワー半導体モジュールの作製が可能となる。
【００３５】
また、放熱特性が良好であることから、パワー半導体素子１を搭載する複数の絶縁部材２を放熱板４に、従来より高密度に搭載することも可能となり、パワー半導体モジュールの製造工程の簡素化が可能となる。同時に、Ｐｂを含む半田付け工程の廃止により、工程の簡素化や作業環境の改善を図ることも可能となる。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、パワー半導体モジュールにおいて、絶縁部材と放熱板を半田で接合することなく、直接、接合したため、半田層の熱疲労による破壊をなくすることができる。また、半田層をなくして直接、接合するため、モジュールの熱抵抗を低減することができる。
【００３７】
また、本発明によれば、絶縁部材が、絶縁部材と該放熱板との接合面に向かって内方に傾斜した側面を有するため、絶縁部材と放熱板の接合部、特に、絶縁部材端部に集中する熱応力を緩和することができる。
【００３８】
また、本発明によれば、絶縁部材の板厚が、周辺部において端部に向かって漸次薄くなるようにしたため、絶縁部材と放熱板の接合部、特に、絶縁部材端部に集中する熱応力を緩和することができる。
【００３９】
また、本発明によれば、放熱板に設けた凹部内、若しくは凸部上に絶縁部材を接合したため、絶縁部材に発生する熱応力を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図ｌ】  本発明の参考例１にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図２】  本発明の参考例１にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図３】  本発明の参考例２にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュ―ルの断面図である。
【図６】  本発明の実施の形態２にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図７】  本発明の実施の形態２にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図８】  本発明の参考例３にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図９】  本発明の参考例３にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図１０】  本発明の参考例４にかかるパワー半導体モジュール基板の断面図である。
【図１１】  従来構造にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。
【図１２】  従来構造にかかるパワー半導体モジュールの一部の断面図である。
【符号の説明】
１  パワー半導体素子、２  絶縁部材、３  外部筐体、４  放熱板、５  半田材、６  金属板、７  ボンディングワイヤー、８  外部電極Ａ、 ９  外部電極Ｂ、１１  応力緩和層、 １２  傾斜側面、 １３  低熱膨張放熱板、 １４  傾斜部、１５  凹部、 １６  側壁面、 １７  側面、１８  凸部、 １９  接合面、 ２０  突き出し部、１００  き裂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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