(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断すべき球体を挿入するように形成された断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成された案内溝とを有する受け皿と、ダイシング用の切断刃と、前記受け皿の上方に樹脂供給手段を具備し、前記案内溝に挿入されている前記球体を樹脂によって固着した後、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めし、切断を行なう位置決め切断機構とを具備したことを特徴とする球体の切断装置。
【請求項２】
前記案内溝は長手方向に複数個の前記球体を挿入可能なように形成されており、前記切断刃は、前記球体を複数個一度に切断可能なように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の球体の切断装置。
【請求項３】
前記凹溝は円錐または角錐状の個別溝であり、前記個別溝の頂部に、個別の吸引口を有する真空吸引手段を具備してなることを特徴とする請求項１に記載の球体の切断装置。
【請求項４】
前記案内溝は、前記球体の頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の球体の切断装置。
【請求項５】
前記受け皿は前記案内溝に沿って２分割可能であるとともに、前記切断面が上方に配置されるように回転可能に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の球体の切断装置。
【請求項６】
断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成された案内溝とを有する受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供給工程と、前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せしめ、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球を形成する工程とを含むことを特徴とする球体の切断方法。
【請求項７】
断面V字状の凹溝と、切断すべき球体の頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形成された受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供給工程と、前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せしめ、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球に分割する工程と、前記受け皿を前記案内溝に沿って分割し、前記半球の上面が平坦面となるように前記受け皿ごと回転させる工程と、前記上面を支持板を固着し、前記樹脂を溶融せしめ、前記受け皿を離脱せしめ、球体アレイを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
断面V字状の凹溝と、切断すべき球体セルの頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形成された受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、少なくとも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２導電型の半導体層と、前記第２の半導体層表面に形成された透明導電膜からなる外側電極とを形成した多数個の球体セルを用意する工程と、前記セルを、前記受け皿に一列に敷き詰める工程と、前記受け皿内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体セルと共に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する工程と、樹脂で固着された状態で位置決めを行い、前記案内溝に位置決めされた球体セルの中心を通る切断面を形成するように樹脂とともに切断する工程と、この切断面にテープを貼着する工程と、前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記第１導電型の半導体層にコンタクトするように電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は球体の切断装置、球体の切断方法、これを用いた半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法に係り、特に球体から半球を切断する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、半導体集積回路は、チョクラルスキー（Ｃｚ）法などによって引き上げ形成された半導体単結晶インゴットを、スライスして、半導体ウェハを形成し、鏡面研磨などの表面処理を行なった後、素子領域の形成、配線層の形成を経て、ダイシングを行ない、半導体チップを形成し、この半導体チップをパッケージングして形成される。
【０００３】
収率を向上するため、前記半導体インゴットの大口径化は進む一方であり、３００ｍｍの大口径のものも実用化への準備が進められている。しかしながら、大口径の単結晶を欠陥なしに引き上げるには大規模な炉をはじめとする特別の製造装置が必要であるうえ、温度および引き上げ速度のコントロールが必要であり、大口径化は限界にきている。
【０００４】
また、欠陥が多く、デバイスとして使用できない部分も多く、材料の無駄も、大きい。このような状況のもとで、従来のウェハを出発材料とする半導体チップのコスト低減には限界があった。
【０００５】
近年、単結晶シリコンなどの直径１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に回路パターンを形成して半導体素子を製造する技術が提案されている。しかしながら、球面上に回路を形成するのは、究めて複雑な光学系のコントロールが必要であり、プロセス技術の確立はまだ行なわれていないのが現状である。
【０００６】
その１つとして、アルミ箔を用いて多数個の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法では、図１３に示すように、第１導電型表皮部と第２導電型内部を有する半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ箔２０１の両側から突出するように配置し、片側の表皮部２０９を除去し、絶縁層２２１を形成する。次に第２導電型内部２１１の一部およびその上の絶縁層２２１を除去し、その除去された領域２１７に第２アルミ箔２１９を結合する。その平坦な領域２１７が導電部としての第２アルミ箔２１９に対し良好なオーミック接触を提供するようにしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような方法では、高密度配置には限界があり、また、アルミ箔への位置決めが困難であり、多数個の半導体粒子を実装する場合には特に作業性が悪いという問題があった。
【０００８】
また、さらなるコスト低減のために、球状基板を２分割し半球状基板として使用した半導体装置が提案されている。しかしながら、微細な球体を２分割するのは、位置ずれが生じ易く高精度の分割が困難である上、作業性が悪いという問題があった。
【０００９】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、収率の向上をはかり、製造が容易で、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。特別な製造装置を必要とすることなく、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の切断装置は、切断すべき球体を挿入するように形成された断面V字状の凹溝に太陽電池セルなどの球体を挿入し、この凹溝内で樹脂とともに精度よく、球体を固着し、固定した状態で切断刃により半球に２分割するように構成したことを特徴とする。
【００１１】
すなわち、本発明の第１の球体の切断装置では、切断すべき球体を挿入するように形成された断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成された案内溝とを有する受け皿と、ダイシング用の切断刃と、前記受け皿の上方に樹脂供給手段を具備し、前記案内溝に挿入されている前記球体を樹脂によって固着した後、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めし、前記切断を行なう位置決め切断機構とを具備している。
【００１２】
かかる構成によれば、断面V字状の凹溝を用いているため、前記凹溝の側壁と球体との接する位置で球体は保持され、位置決めが極めて容易となる。また、かかる構成によれば、整列された球体をV字状の凹溝内に樹脂で固着した状態で切断することができるため、より高精度の切断が可能となる。
【００１３】
本発明の第２では、長手方向に複数個の前記球体が挿入可能なように前記案内溝を形成するとともに、前記切断刃を、前記球体を複数個一度に切断可能なように構成したことを特徴とする。
【００１４】
かかる構成によれば、多数個の球体を容易に高精度に配列することができ、高精度の切断が可能となる。
【００１５】
また参考例として、前記案内溝は真空吸引手段に接続され、前記案内溝内に球体を真空吸引によって固定するように構成することも可能である。かかる構成によれば、球体を真空吸引によって固着することができるため、凹溝内に密着した状態で切断することができるため、より高精度の切断が可能となる。
【００１６】
本発明の第３では、前記凹溝は円錐または角錐状の個別溝であり、前記個別溝の頂部に、個別の吸引口を有する真空吸引手段を具備してなることを特徴とする。
【００１７】
かかる構成によれば、前記個別溝の間隔を調整することにより、所望の間隔だけ離間した整列状態で分割することが可能となる。
【００１８】
本発明の第４では、前記案内溝は、前記球体の頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように形成されていることを特徴とする。
【００１９】
かかる構成によれば、例えば切断に先立ち、表面を受け皿の上面から突出した分だけ、研磨あるいは選択エッチングし、内側層を露呈せしめる工程が極めて容易に実行可能となり、容易に高精度の電極取出しが可能となる。
【００２０】
本発明の第５では、前記受け皿は前記案内溝に沿って２分割可能であるとともに、前記切断面が上方に配置されるように回転可能に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
かかる構成によれば、切断後、受け皿を回転することにより、切断により得られた半球の平坦面が上にくるようにし、テープで一体化したりあるいは基板上に実装したりするなど、整列状態で実装工程へと移行させることが容易に可能となる。
【００２２】
本発明の第６によれば、断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成された案内溝とを有する受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供給工程と、前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せしめ、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
かかる構成によれば、極めて容易に精度よく球体から半球を得ることが可能となる。
【００２４】
本発明の第７によれば、断面V字状の凹溝と、切断すべき球体の頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形成された受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供給工程と、前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せしめ、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球に分割する工程と、前記受け皿を前記案内溝に沿って分割し、前記半球の上面が平坦面となるように前記受け皿ごと回転させる工程と、前記上面を支持板を固着し、前記樹脂を溶融せしめ、前記受け皿を離脱せしめ、球体アレイを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２５】
かかる構成によれば、切断後、受け皿を回転することにより、切断により得られた半球の平坦面が上にくるようにし、支持基板上に一体的に実装することができ、整列状態で実装工程へと移行させることが容易に可能となり、信頼性の高い球体アレイを得ることが可能となる。
【００２６】
本発明の第８によれば、断面V字状の凹溝と、切断すべき球体セルの頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形成された受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、少なくとも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２導電型の半導体層と、前記第２の半導体層表面に形成された透明導電膜からなる外側電極とを形成した多数個の球体セルを用意する工程と、前記セルを、前記受け皿に一列に敷き詰める工程と、前記受け皿内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体セルと共に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する工程と、樹脂で固着された状態で位置決めを行い、前記案内溝に位置決めされた球体セルの中心を通る切断面を形成するように樹脂とともに切断する工程と、この切断面にテープを貼着する工程と、前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記第１導電型の半導体層にコンタクトするように電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２７】
かかる方法によれば、極めて容易に効率よく高精度に配列された太陽電池アレイを形成することが可能となる。さらにまた、分断された２つの集合体はそれぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。
【００２８】
また、この方法によれば、マスク工程が不要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３０】
実施形態１
本発明の第１の実施形態の球体の切断装置は、図１に全体図、図２に断面概要図を示すように、切断すべき球体を挿入するように形成された断面V字状の凹溝２０と、前記凹溝２０の底部に沿って形成された案内溝２１とを有する受け皿２２と、ダイシング用の切断刃２３と、前記案内溝２１に相対向するように前記ダイシング用の切断刃２３を位置決めし、前記切断を行なう位置決め切断機構２４とを具備している。この凹溝２０の長手方向に球状のシリコンからなる太陽電池セルを一列に配列し、樹脂ノズル２６からポリプロピレン樹脂などのワックス樹脂を供給し、この凹溝２０内に固着した状態でし、切断刃により一挙に半球に分割するようにしたことを特徴とする。なおこの受け皿は案内溝２１を含む切断線で２分割可能なように形成されている。
【００３１】
次にこの切断装置をもちいた切断工程について図３を参照しつつ説明する。図３(a)に示すように、受け皿２２の断面V字状の凹溝２０に、所望の方法で形成された球状の太陽電池セル１を、充填する。
【００３２】
次いで、図３(b)に示すように、樹脂ノズル２６から樹脂を供給しこの樹脂の硬化とともにこの太陽電池セル１を凹溝２０内に固定する。そして、図３(c)に示すように、あらかじめ位置決め切断機構２４で位置決めされた切断刃２３によって半球に分割する。
【００３３】
この後、図３(d)に示すように、１５０℃程度に加熱して、前記ワックス樹脂を溶融除去し、１こづつの半球に分断する。このようにして２分割された半球状の太陽電池セルを実装することにより太陽電池装置を得ることが可能となる。
【００３４】
かかる構成によれば、断面V字状の凹溝を用いているため、前記凹溝の側壁と球体との接する位置で球体は保持され、位置決めが極めて容易となる。
【００３５】
また、ワックス樹脂で固着した状態で切断がなされるため、極めて高精度の切断が可能となる。なお、ここで用いられるワックス樹脂としてはポリプロピレン樹脂に限定されることなく、適宜変更可能である。また、熱硬化性樹脂を使用し、樹脂から離脱させるためには有機溶剤に溶融する方法も適用可能である。
【００３６】
次にこの切断装置を用いた太陽電池の製造工程について詳述する。図４に全体図、図５に断面概要図を示すように、半球状シリコンからなる太陽電池セル１が、底面を、内側電極としての銅板からなる導電プレート５上に最密配列されて固着せしめられ、外側電極は導電プレート５上のセル１間領域に樹脂層４を介して形成された半田層３によって電気的接続および固定がなされたものである。すなわち、ｐ型の単結晶シリコンからなる半球状基板１１と、前記半球状基板の球表面に、ｐｎ接合を形成するように形成されたｎ型多結晶シリコン層１２と、ｎ型多結晶シリコン層１２表面に形成された酸化インジウム錫（ＩＴＯ）からなる透明の外側電極１３とを具備してなる複数個の半球セルがその底面を前記導電プレート５表面に接するように配列され、前記導電プレート５表面の前記セル間に位置する領域には絶縁性の樹脂層４を介して半田層３が形成され、この半田層３を介して前記外側電極１３同士の電気的接続がなされている。
【００３７】
次に、この太陽電池の製造方法について説明する。まず、太陽電池セルを形成する。図６(ａ)に示すように、直径１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下させ、結晶性の良好な多結晶シリコン球１１を形成し、この表面に、フォスフィンを含むシランなどの混合ガスを用いたＣＶＤ法により、ｎ型多結晶シリコン層１２を形成する。ここでＣＶＤ工程は細いチューブ内でシリコン球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガスを供給排出することにより、薄膜形成を行うものである。なお、この工程は、ｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下させながら球状化し、ｐ型多結晶シリコン球を形成するとともに、落下途上で所望のガスと接触させることにより、ｎ型多結晶シリコン層１２を形成する様にすることも可能である。
【００３８】
この後、図６(ｂ)に示すように、スパッタリング法により、基板表面全体に膜厚０．１μｍ程度のＩＴＯ薄膜１３を形成する。
【００３９】
このようにして形成された、太陽電池セル１を、図３(ａ)に示すように、前記受け皿２２の凹溝２０に一列に敷き詰めたのち、この受け皿２２に樹脂１０を流し込み、硬化させる（図３（ｂ））。
【００４０】
そして、この底面を位置決めし、球体のセルを、真ん中で分断するように中心から切断刃（ダイサー）で切断する。
【００４１】
この後、図７(ａ)に示すように、分割後、平坦面が上にくるように受け皿２２を９０度回転して、図７（b）に示すように切断面が上に来るようにし、ポリイミドテープ７で切断面を貼着する。そして、図７(ｃ)に示すように、前記ポリイミドテープ７で固定したまま、前記ワックス樹脂１０を除去する。
【００４２】
さらに、図８（ａ)に示すように、ポリイミドテープ７に貼着された複数のセルを、前記セルが上に位置するように水平に配置し、前記セルの上面からポリイミド樹脂粉体４ｐを振り掛け、前記セルを加熱し、前記セルとセルとの間をポリイミド樹脂層４で固着する。
【００４３】
この後、図８（ｂ）に示すように、前記セルの上面から半田粉体３ｐを振りかけ、前記セルを加熱し、前記半田粉体３ｐを液化し、前記セルの外側電極１３間を半田層３で固着し、ポリイミドテープ７を剥離除去する。
【００４４】
そして、図８（ｃ）に示すように、半球体の裏面側からｐ型不純物を注入し高濃度層１１ｓを形成する。
【００４５】
そして、図８（ｄ）に示すように、この高濃度層１１ｓにコンタクトするように導電プレート５を貼りつけ、さらにポリイミド膜からなる保護膜７を形成する。
【００４６】
このようにして図４および図５に示したような太陽電池セルが完成する。
【００４７】
かかる構成によれば、ｐｎ接合および外側電極の形成された球体を受け皿の凹溝に敷き詰めた状態で最密配置状態に整列させ、これを樹脂で固めることにより、位置精度よく固定し、これを一括して切断することにより、極めて高精度に半球体を得ることが可能となる。
【００４８】
そして切断後、切断面をテープなどで固着し、樹脂を除去することにより、高精度に整列された状態で半球体を得ることができる。そしてこれに高濃度層を形成した後内側電極としての導電プレートを形成することにより、最密配置された半球体からなる高効率の太陽電池を生産性良く形成することができる。
【００４９】
さらにまた、分断された２つの集合体はそれぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。
【００５０】
また、この方法によれば、マスク工程が不要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。
【００５１】
なお、前記案内溝は図９に示すように、真空吸引装置に接続し、球体を真空吸引により凹溝内に吸引固着するようにしてもよい。
【００５２】
実施形態２また、前記案内溝２０ｓは図１０に示すように、球体の上面が露呈する程度の深さに形成することにより、表面研磨により内側電極取出しを行った後、切断を行うようにすることも可能である。すなわち、本発明の第２の実施形態では、図１１（ａ）に示すように、球体セル１を凹溝１０に配置し、樹脂を充填し硬化せしめる。この後、グラインディングにより図１１（ｂ）に示すように、外側層のｎ型多結晶シリコン層１２を除去し、ｐ型アモルファスシリコン球１１を露呈せしめる。
【００５３】
そして樹脂１０を除去し、半球セルを得、後は通常の方法で外側電極および内側電極を形成し、半球状太陽電池を得る。なお前記第１及び第２の実施形態ではｐ型多結晶シリコン球を用いて外側電極まで形成した太陽電池セルをワックス樹脂で一体化し、半球に切断したが多結晶シリコン球１１を素材のまま図３に示したのと同様の方法でワックス樹脂で一体化して半球に分断し、ポリイミドテープ７で一体的に固定した後、ワックス樹脂１０を除去する。
【００５４】
こののち不純物拡散により、リンを拡散し、ｎ型多結晶シリコン層１２を形成する。そしてスパッタリング法により、基板表面全体に膜厚１μｍ程度のＩＴＯ薄膜１３を形成する。
【００５５】
このようにしてセルを形成し、基板上に実装して太陽電池セルが完成する。し、太陽電池が完成する。
【００５６】
次に本発明の第３の実施形態として、図１２R>２に示すように凹溝を円錐または角錐状の個別溝２１Ｐで構成し、前記個別溝の頂部に、個別の吸引口を有する真空吸引手段２６を具備してなることを特徴とする。かかる構成によれば、前記個別溝の間隔を調整することにより、所望の間隔だけ離間した整列状態で分割することが可能となる。
【００５７】
なお、前記実施の形態ではｐｎ接合を形成する半導体層として、アモルファスシリコンを用いたが、これに限定されることなく、単結晶シリコン層あるいは多結晶シリコン層、さらにはＧａＡｓ，ＧａＰなどの化合物半導体層にも適用可能である。さらには、ｐｎ構造のみならず、ｐｉｎ構造にも適用可能である。
【００５８】
この球状の半導体素子の製造に際し、各処理工程を連結してライン化することが可能であるため、生産性が極めて高いという特徴がある。
【００５９】
各工程では、活性ガス、不活性ガス等の気体のみならず、水や各種溶液等の液体をも含む種々の雰囲気での処理がなされる。このような処理工程を連結する場合、被処理物を搬送する雰囲気を前工程から後工程に持ち込まないようにしなければならないため、工程間において被処理物から前工程の雰囲気を除去し、そして後工程に合わせた雰囲気に変換して被処理物を搬送するといった作業が必要であるが、雰囲気変換装置を用いることにより搬送しながら各処理工程が実行でき、極めて高速で作業性よく信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００６０】
また、前記実施例では太陽電池の製造方法について説明したが、球の切断工程は、半導体球の切断のみならず、ガラス球などの絶縁材料にも適用可能であることはいうまでもない。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、極めて容易に、高精度の半球を生産性良く形成することが可能となる。また、位置決めが不要であり、充填密度も高く、高効率で信頼性の高い太陽電池を提供することが可能となる。
【００６２】
また、受光面積を減少することなく、高密度の配置が可能である。またフォトリソグラフィ工程を用いることなく高精度で信頼性の高い太陽電池を得ることができる。また低コスト化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の切断装置を示す図
【図２】同切断装置の断面概要図
【図３】同切断装置を用いた切断工程を示す図
【図４】本発明の第１の実施形態の切断装置を用いて形成される太陽電池を示す図
【図５】本発明の第１の実施形態の切断装置を用いて形成される太陽電池を構成するセルの断面図
【図６】本発明の第１の実施形態の太陽電池を構成するセルの製造工程図
【図７】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程を示す図
【図８】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程を示す図
【図９】本発明の切断装置の変形例を示す図
【図１０】本発明の第２の実施形態の切断装置を示す図
【図１１】本発明の第２の実施形態の切断装置をもちいた太陽電池の製造工程を示す図
【図１２】本発明の第３の実施形態の切断装置を示す図
【図１３】従来例の太陽電池を示す図
【符号の説明】
１ 太陽電池
３ 半田層
４ 樹脂層
５ 導体層
７ ポリイミドテープ（保護膜）
１１ ｐ型多結晶シリコン球
１２ ｎ型多結晶シリコン層
１３ 外側電極
２０ 断面V字状の凹溝
２１ 案内溝
２２ 受け皿
２３ 切断刃
２４ 位置決め切断機構
２５ 太陽電池セル
２６ 樹脂ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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