(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、第２基板及び第３基板の３枚の基板を重ね合わせ、接合する方法において、前記第１基板及び前記第２基板とを密着させた状態で保持し、その上方に前記第３基板を非接触状態で保持し、前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板を加熱昇温後、前記第１基板と前記第２基板を第１の陽極接合により接合し、その後に、前記第３基板を前記第２基板の面上に押圧下降させ、前記第３基板と前記第２基板を第２の陽極接合により接合することを特徴とする基板の陽極接合方法。
【請求項２】
請求項１において前記第１基板及び前記第３基板はガラス基板であり、前記第２基板は半導体基板であることを特徴とする基板の陽極接合方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２基板は、局所的にダイヤフラムとなる薄肉部を備えた半導体基板であることを特徴とする基板の陽極接合方法。
【請求項４】
請求項２において前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板はＲＣＡ洗浄を経て表面を清浄化された後、接合されることを特徴とする基板の陽極接合方法。
【請求項５】
第１基板、第２基板及び第３基板の３枚の基板を重ね合わせ、陽極接合する接合装置において、  前記第１基板及び前記第２基板を密着させた状態で載置する共に、前記第１基板に接する第１の印加電極と、
前記第３基板の下面が前記第２基板の上面と非接触状態で対向した状態と、前記第３基板の下面が前記第２基板の上面と接触した状態の２つの状態に切り替わるように、前記第３の基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持された前記第３基板の上面に接する第２の印加電極と、
前記第２の基板に接する第３の印加電極と、
前記支持部が、前記第３基板を前記第２基板と非接触状態で支持した状態で、前記第１の印加電極と前記第３の印加電極との間に電圧を印加し、前記第３基板を前記第２基板と接触状態で支持した状態で前記第２の印加電極と前記第３印加電極との間に電圧を印加する電圧印加手段とを有することを特徴とする基板の陽極接合装置。
【請求項６】
請求項５記載の陽極接合装置において、前記支持部を上方に付勢する付勢手段と、該付勢手段の付勢力より大きな力で、前記支持部に支持された前記第３基板を下方に押圧し、前記第３基板を支持部と共に下方に移動させ、前記第２基板と密着させる押圧手段を備えたことを特徴とする基板の陽極接合装置。
【請求項７】
請求項５記載の陽極接合装置において、前記第１基板と密着された状態で前記第１の印加電極に支持された前記第２基板を、上方より局部的に押圧固定する少なくとも１つの金具を有し、且つ前記金具は前記第１の印加電極と絶縁された状態で配置されており、前記第３の印加電極として機能することを特徴とする基板の陽極接合装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板の接合方法及び接合装置に係り、特に３層基板の陽極接合を行うに際して、好適な陽極接合方法及び接合するための装置もしくは治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体基板同士や半導体基板とガラス基板とを接合するための種々の技術が知られている。例えばマイクロマシニング分野においては、シリコンウエハ（以下、半導体基板ともいう。）とホウケイ酸ガラス基板（以下、単にガラス基板ともいう。）とを接触させ、この状態で陽極接合により半導体基板とガラス基板とを接合する技術があり、この技術により圧力センサ、インクジェットヘッド等の種々のマイクロ部品を製造する試みがなされている。
【０００３】
図７はこのような陽極接合技術を用いたインクジェットヘッドの製造装置を示すものである。ガラス製の下基板１１の表面には表面凹部１１ａが縦横に配列された状態に多数形成されており、凹部１１ａの底面には対向電極が設けられている。この下基板１１の上にはシリコンウエハから成る中基板１２が重ねられている。
【０００４】
この中基板１２には例えばエッチングにより溝１２ａが形成され、この溝１２ａの底壁にはダイヤフラムとして機能する薄肉部１２ｂが形成されている。このダイヤフラムは共通電極としても機能し、凹部１１ａの底面に設けられた対向電極とキャパシタを構成する。圧力センサとして用いる場合は、圧力によってダイヤフラムが変形し、それによって生じるダイヤフラムとこれに対向する電極かなるらキャパシタの容量の変化を電気的に検出することにより圧力を計測する。また、インクジェットヘッドのアクチュエータとして用いる場合は、ダイヤフラムとこれに対向する電極かなるらキャパシタに充放電することにより、溝１２ａによって形成されるインク室内に充填されたインクに圧力を与えてノズルからインクを吐出することになる。
【０００５】
中基板１２の上にはさらにガラス製の上基板１３が重ねられる。
【０００６】
このようにして、下基板１１、中基板１２及び上基板１３が積層された状態で、接合治具によって相互に固定する。この接合治具には、下基板１１、中基板１２及び上基板１３にそれぞれ所定の電圧を印加できるように第１の印加電極板２１と、第２の印加電極板２４及び第３の印加電極２５とがそれぞれ設けられている。
【０００７】
接合するには、先ず上記接合治具と共に各基板を２５０〜３５０℃に加熱昇温し、上記第１の印加電極板２１と第３の印加電極２５とを電源１４に接続することにより、まず下基板１１と中基板１２との間に数百ボルトの直流電圧を印加し、陽極接合を行い、次に、第２の印加電極板２４と第３の印加電極２５との間に電源１５を接続して、中基板１２と上基板１３との陽極接合を同様に行う。このようにして中基板１２の両側に下基板１１、上基板１３が接合されることによって、薄肉部１２ｂを振動部とする例えば圧力センサ、もしくはインクジェットヘッドが多数形成された接合体が完成する。この接合体は後に、ダイシング等によって個々の圧力センサもしくはインクジェットヘッドに分離される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記陽極接合に際して、事前に基板を相互に位置決めし、接触させて重ね合わせた状態とする必要があるが、半導体基板やガラス基板の表面を清浄性の高い表面に形成しているため、下基板１１と中基板１２とによる第１の重ね合わせに際しては基板表面の水酸基により形成される水素結合により２枚の基板の接触状態が決定されるものの、同様な上基板１３と中基板１２とによる第２の重ね合わせにより、前記第１の重ね合わせによる接触状態が変化し、中基板１２が上基板１３との新たな接触状態を形成する結果、中基板１２が上下の基板より影響を受け撓んだり歪んだりするため、相互の基板間に空間が発生したり、陽極接合時に接合不良領域として残存したりするという問題点がある。
ここで、半導体基板の表面には微細な凹凸形状が各種パターニング、エッチング、堆積技術等によって形成されており、特に圧力センサやインクジェットヘッド等を形成する場合には、シリコン製の中基板１２は上下の基板に比べ薄く、また極めて薄い薄肉部が半導体基板上に形成されるため、下基板１１上に中基板１２を載置する時はもちろん、その後に上基板１３を中基板１２上に載置する時に、中基板１２に内部応力が増長、残存し、マイクロ部品等の形成素子の特性を悪化させてしまうという問題がある。
【０００９】
より具体的な従来の接合方法を図７に示す接合装置２０にて説明する。図７では、先ず第１の基板としての下基板１１と、第２の基板としての薄肉部１２ａを有する中基板１２とをそれぞれ第１の印加電極板２１上に載置し、さらに第３の基板としての上基板１３を重ねて中基板１２上に載置する。
【００１０】
この状態の接合治具とともに各基板を３４０℃まで加熱昇温後、第１の印加電極板２１をマイナス、第３の印加電極２５をプラスとし両電極間に８００ボルトの直流電圧を印加し、下基板１１と中基板１２との陽極接合を行う。次に３４０℃のままで、第２の印加電極板２４をマイナス、第３の印加電極２５をプラスとして同様に直流８００ボルトを印加して上基板１３と中基板１２との陽極接合を完了させた。このように接合させた中基板１２の薄肉部１２ａの状態は撓みが発生し、インクジェットヘッドとしての素子特性についても所定の特性が得られない状態であった。
【００１１】
これは下基板１１上に載置された中基板１２と下基板１１間の水素結合による均一な密着状態が、さらに上基板１３を載置させたことにより変化し、局部的には中基板１２が上基板１３との水素結合形成の結果、中基板１２が持ち上げられ下基板１１との間で密着不良を起こし、陽極接合時でもその応力が薄肉部１２ａに撓みや歪みとなって生ずることによるものである。
【００１２】
この解決手段として下基板１１と中基板１２とを加熱昇温後陽極接合し、さらに冷却後上基板１３を載置し同様に陽極接合する方法もとりうるものの、加熱昇温を２回行わなければならず、手間がかかる欠点を有している。
【００１３】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、上記のような３基板間の接合を行う場合に、基板に撓みや歪みが生ずることなく、内部応力が残存しない状態で陽極接合する方法及び接合装置を実現することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、第１、第２及び第３基板の３枚の基板を重ね合わせ、接合する方法において、第１及び第２基板とを密着させた状態で保持し、その上方に第３基板を非接触状態で保持し、前記第１乃至第３の基板を加熱昇温後、前記第１及び第２基板間の第１の陽極接合を行い、その後に前記第３基板を前記第２基板面上に押圧下降させ、前記第３基板と前記第２基板間の第２の陽極接合を行うことを特徴とする基板の陽極接合方法である。
【００１５】
この方法に用いられる具体的な基板の材質については、第１及び第３基板はガラス基板であり、第２基板は半導体基板である。また、第２基板には、局所的にダイヤフラムとなる薄肉部を備えている。この場合には薄肉部の存在によって半導体基板に撓みや歪みが発生し易く、またその薄肉部の撓みや歪みによって製造される素子特性が影響を被り易いので、本発明の接合方法を用いることが特に効果的である。
【００１６】
また、接合の精度を高めるために、接合前に、前記第１、第２及び第３基板はＲＣＡ洗浄を経て表面を清浄化された後、接合されることが望ましい。  次に、本発明の接合装置は、第１、第２及び第３基板の３枚の基板を重ね合わせ、陽極接合する接合装置において、第１及び第２基板を密着させた状態で載置する共に、前記第１の基板に接する第１の印加電極と、前記第２の基板の上方に、第３基板の下面が前記第２基板の上面と非接触状態で対向した状態と、第３基板の下面が前記第２基板の上面と接触した状態の２つの状態で、前記第３の基板を支持する支持部と、前記支持部に支持された前記第３基板の上面に接する第２の印加電極と、前記第２の基板に接する第３の印加電極と、前記支持部が、前記第３基板を前記第２基板と非接触状態で支持した状態で前記第１、第３印加電極間に電圧を印加し、前記第３基板を前記第２基板と接触状態で支持した状態で前記第２、第３印加電極間に電圧を印加する電圧印加手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
前記第３基板を前記第２基板と接触状態、非接触状態で切り換えて支持する好ましい具体的な手段としては、前記支持部を上方に付勢する付勢手段と、該付勢手段の付勢力より大きな力で、前記支持部に支持された前記第３の基板を下方に押圧し、該基板を支持部と共に下方に移動させ、前記第２の基板と密着させる押圧手段を更に備えることが挙げられる。
【００１８】
また、前記第１の基板と密着された状態で前記第１の印加電極に支持された前記第２基板を、上方より局部的に押圧固定する少なくとも１つの金属金具を有し、且つ該金属金具は第１の印加電極板と絶縁された状態で配置されており、第３の印加電極として機能するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板の接合方法をインクジェットヘッドに適用した例について説明する。
【００２０】
（本発明に適用されるインクジェットヘッドの一例）
図８は本発明を適用したインクジェットヘッドの分解斜視図である。また、図９は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図である。
【００２１】
これらの図に示すように、インクジェットヘッド１００は、インク液滴を基板の上面に設けたインクノズルから吐出させるフェイスインクジェットタイプであり、静電駆動方式のものである。インクジェットヘッド１００は、キャビティープレート１２（中基板、第２の基板）を挟み、上側にノズルプレート１３（上基板、第３の基板）、下側に電極基板１１（下基板、第２の基板）がそれぞれ積層された３層構造となっている。
【００２２】
キャビティープレート１２は、例えばシリコン基板であり、プレートの表面には底壁が振動板１０５として機能するインク室１０６を構成することになる凹部１０７と、凹部１０７の後部に設けられたインク供給口１０８を形成することになる細溝１０９と、各々のインク室１０６にインクを供給するためのインクリザーバ１１０を構成することになる凹部１１１とがエッチングによって形成されている。このキャビティープレート１２の下面は鏡面研磨によって平滑化されている。
【００２３】
このキャビティープレート１２の上側に接合されるノズルプレート１３は、例えばガラス製の基板、もしくはシリコン基板である。ノズルプレート１３において、インク室１０６の上面を規定している部分には各インク室１０６に連通する複数のインクノズル１２１が形成されている。
【００２４】
このノズルプレート１３をキャビティープレート１２に接合することにより、上記の凹部１０７、１１１、および細溝１０９が塞がれて、インク室１０６、インク供給口１０８、インクリザーバ１１０のそれぞれが区画形成される。
【００２５】
なお、インクリザーバ１１０の底面を規定する部分にはインクリザーバ１１０にインクを供給するための孔１１２ａが設けられており、基板接合後、後述する電極基板１１に設けられた孔１１２ｂと共にインク供給孔１１２を形成する。インク供給孔１１２には、不図示の接続チューブを介して不図示のインクタンクに接続される。インク供給孔１１２から供給されたインクは、各インク供給口１０８を経由して独立した各インク室１０６に供給される。
【００２６】
キャビティープレート１２の下側に接合される電極基板１１は、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板である。この電極基板１１において、各々の振動板１０５に対向する部分には振動室（隙間）１１５を構成することになる凹部１１６が形成されている。この凹部１１６の底面には、振動板１０５に対向する個別電極１１７が形成されている。個別電極１１７は、ＩＴＯからなるセグメント電極部１１８と端子部１１９を有している。
【００２７】
この電極基板１１をキャビティープレート１２に接合することにより、各インク室１０６の底面を規定している振動板１０５と個別電極１１７のセグメント電極部１１８は、非常に狭い隙間を隔てて対向する。この隙間１１５はキャビティープレート１２と電極基板１１の間に配置した封止材１２０によって封止される。
【００２８】
振動板１０５は薄肉とされており、面外方向、すなわち、図９において上下方向に弾性変形可能となっている。この振動板１０５は、各インク室側の共通電極として機能する。この共通電極としての振動板１０５の底面１５１にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜が形成されている。この振動板１０５に対向する個別電極１１７のセグメント電極部１１８の表面にも、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜が形成されている。隙間１１５を挟み、振動板１０５と、対応する各セグメント電極部１１８とによって対向電極が形成されている。
【００２９】
振動板１０５と個別電極１１７との間には電圧印加装置１２５が接続されている。電圧印加装置１２５の一方の出力は各個別電極１１７の端子部１１９に接続され、他方の出力はキャビティープレート１２に形成された共通電極端子１２６に接続されている。キャビティープレート１２自体は導電性をもつため、この共通電極端子１２６から振動板（共通電極）１０５に電圧を供給することができる。また、より低い電気抵抗で振動板１０５に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、キャビティープレート１２の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すれば良い。本例では、キャビティープレート１２と電極基板１１との接続に陽極接合を用いるために、キャビティープレート１２の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【００３０】
このように構成したインクジェットヘッド１においては、電圧印加装置２５からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板１０５はセグメント電極部１１８の側へ撓み、インク室１０５の容積が拡大する。次に、電圧印加装置１２５からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板１０５はその弾性復帰力によって復帰し、インク室１０６の容積が急激に収縮する。この時発生する内圧変動により、インク室１０６に貯留されたインクの一部が、インク室１０６に連通しているインクノズル１２１から記録紙に向かって吐出する。
【００３１】
なお、インクジェットヘッド１００で使用されるインクとしては、水、アルコール、トルエン等の主溶媒にエチレングリコール等の界面活性剤と、染料または顔料とを溶解または分散させることにより調製される。さらに、インクジェットヘッド１にヒータを設けておけば、ホットメルトインクも使用できる。
【００３２】
（本発明の接合装置、接合方法の一実施形態）
次に、図１、図２を参照して本発明に係る陽極接合方法及び接合装置の実施の形態について説明する。以下に示す各実施形態は、前述したインクジェットヘッドの製造に際して用いるように構成された半導体基板とガラス基板との陽極接合方法或いは装置である。特に断りがない限り、同一の符号は同一のものをさす。
【００３３】
しかし、本発明においては、半導体基板とガラス基板との陽極接合に限らず、半導体基板同士、或いは他の材質の接合にたいしても適用することも可能である。
【００３４】
図１は第１実施形態における接合装置の構造を示す平面図（ｂ）と平面図のＡＡ´における概略縦断面図（ａ）である。本実施形態は第１の印加電極板２１と、第１の印加電極板２１に取り付けられたコイルバネ２２によって上方に付勢された支持保持部２３と、第２の印加電極板２４とから構成される。
【００３５】
まず、図示しない基板供給部から清浄に洗浄されたガラス製の下基板１１（外形３インチφ、厚さ１ｍｍ）を、同じく図示しない吸着保持手段により第１の印加電極板２１上に載置する。次に清浄に洗浄された半導体製の中基板１２（外形３インチφ、厚さ０.１８ｍｍ）を同様に吸着保持手段により吸着保持し、下基板の表面上に形成された位置合わせマーク等を基準として画像処理等の公知の方法により位置合わせを行い、下基板１１上に載置する。尚中基板１２には薄肉部１２ａとして３５０μｍ×６．５ｍｍ、厚さ１３μｍの複数のダイアフラムが形成してある。またこの時中基板１２と下基板１１は共に清浄な表面に加工されているので、両基板表面に存在する水分または表面水酸基同士の水素結合力により下基板１１上にぴったりと密着固定される。またこの場合第３の印加電極２５により中基板１２上より２箇所が押圧保持されることにより、下基板１１と中基板１２は密着した状態で第１の印加電極板２１に固定保持される。
【００３６】
次に清浄に洗浄された上基板１３（サイズ９０×５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を同様な方法により支持保持部２３上に載置する。支持保持部２３はコイルバネ２２により上方に付勢されているので上基板１３は中基板１２へは非密着状態で保持される。次に上基板１３上に第２の印加電極板２４を被せる。この場合であっても上基板１３が中基板１２への非密着状態を維持できうるだけの付勢強度をコイルバネ２２によって支持保持部２３に持たせてある。
【００３７】
次に３基板がセットされた接合治具２０を３４０℃に加熱昇温した後、第１の印加電極板２１をマイナス電位、第３の印加電極板２５をプラス電位として８００ボルトの直流電圧を１０分間印加し、下基板１１と中基板１２との第１の陽極接合を行い、両基板の接合を完了する。
【００３８】
さらに接合治具２０が３４０℃に保持された状態で、第２の印加電極板２４を図示しない駆動手段、例えば流体圧シリンダー等の機構により昇降可能に接続された押圧支持棒２６により、図２に示すように上基板１３が中基板１２に密着するまで第２の印加電極板２４を押圧する。この場合にはコイルバネ２２の付勢強度以上の押圧力を押圧支持棒２６に加える。
【００３９】
そして、前記手順と同様に第２の印加電極板２４をマイナス電位、第３の印加電極２５をプラス電位として８００ボルトの直流電圧を印加して第２の陽極接合としての上基板１３と中基板１２との永久接合を完了させる。
【００４０】
本実施形態によれば、下基板１１上に載置密着された薄肉部を有する中基板１２は、上基板１３と非接触状態に保持されたまま陽極接合されるため、上基板１３と下基板１１の両基板とからの複雑な応力を受けることなく、下基板１１との陽極接合を完了し、従って応力のない接合が可能である。第１の陽極接合後の状態では中基板１２は下基板１１上へ強固に固定されているため、すなわち中基板１２上の薄肉部はその周囲を接合固定されているため、その後の上基板１３の上方からの押圧によっても撓みや歪みを受けることはない。
【００４１】
このように、得られた接合体での半導体製の中基板１２のダイヤフラムの状態を調べた結果、撓みや歪みの無い良好な状態であり、インクジェットヘッドとしての素子特性も同様に良好であった。
【００４２】
（本発明の接合装置、接合方法の他の実施形態）
（第２実施形態）
次に、図３，図４を用いて、本発明に係わる第２実施形態について説明する。この実施形態においては、図３に示すように、支持保持部２３が第２の印加電極板２４の固定用としても機能する構成をしている。
【００４３】
上記接合治具２０は第１実施形態と同様に下基板１１と中基板１２とをそれぞれ第１の印加電極板２１上に載置させ、次に上基板１３を支持保持部２３上に載置させる。さらに第２の印加電極板２４を支持保持部２３の支柱２７を利用して被せ、接合治具２０を３４０℃まで加熱昇温する。
【００４４】
次に下基板１１と中基板１２とを直流電圧印加によって陽極接合し、その後図示しない駆動機構により押圧棒２６により第２の印加電極板２４を押圧することにより、図４に示すように上基板１３を中基板１２上へ密着させる。
【００４５】
最後に、図４に示す状態にて中基板１２と上基板１３とに直流高電圧を印加し、中基板１２と上基板１３間の陽極接合を完了する。
【００４６】
このようにして接合された中基板１２のダイヤフラム１０５を観察したところ、撓みや歪みの無い良好な状態であり、インクジェットヘッドとしての素子特性も同様に良好であった。
【００４７】
（第３実施形態）
次に第３の実施形態について図５で説明する。この実施形態については図５に示すように１つの中基板１２に対し３枚の上基板１３が接合される。また、第２の印加電極板２４には上基板１３ａ、１３ｂ、１３ｃの形状に対応し、且つコイルバネにより夫々独立して下方に押圧される３枚の印加電極板２４ａ、２４ｂ、２４ｃが取り付けられている。
【００４８】
先ず下基板１１と中基板１２とをそれぞれ第１の印加電極板上に載置させ、次に上基板１３ａ、１３ｂ，１３ｃを支持保持部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ上に載置させる。さらに第２の印加電極板２４を被せ、以下第２実施形態と同様に接合治具２０を３４０℃まで加熱昇温する。
【００４９】
次に第２実施形態と同様に下基板１１と中基板１２とを直流電圧印加によって陽極接合し、その後駆動機構により押圧棒２６により第２の印加電極板２４を押圧することにより上基板１３ａ、１３ｂ、１３ｃを中基板１２上へ密着させる。この場合には個々の印加電極板２４ａ、２４ｂ、２４ｃがそれぞれ独立して取り付けられているので、上基板１３ａ、１３ｂ、１３ｃに基板厚み差があっても中基板１２への密着は可能である。
【００５０】
中基板１２と上基板１３ａ、１３ｂ、１３ｃとに直流電圧を印加し、接合を完了する。
【００５１】
このようにして接合された、中基板１２のダイヤフラム１０５を観察したところ、撓みや歪みの無い良好な状態であり、インクジェットヘッドとしての特性も同様に良好であった。
【００５２】
各実施形態ではガラス製の下基板１１、シリコンの中基板１２を接合し、さらにガラス製の上基板１３を接合する場合を例にとって説明したが、上基板１３に半導体基板を用いてして、他の接合手段、例えばシリコン基板同士での直接接合を行う場合であっても良い。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば以下の効果を奏する。
【００５４】
本発明の接合方法および接合装置によれば第３基板を第２基板上に非接触状態にて支持保持し、加熱昇温して第１基板と第２基板との第１の陽極接合した後に、第３基板を第２基板上に密着させて第２基板と第３基板間の陽極接合を行うため、第２基板に加わる応力を最小とすることができ、陽極接合後においても第２基板に内部応力の残存することのない接合体を形成することができる。
【００５５】
特に第２の基板が他の基板に比べ薄く、また局所的にダイヤフラム等の薄肉部を有する場合、薄肉の存在によって半導体基板に撓みや歪みが発生し易く、またその薄肉部の撓みや歪みによって製造される素子特性が悪影響を被り易いので、本発明は特に効果的である。
【００５６】
本実施形態では下基板１１、中基板１２を接合し、さらに上基板１３を接合する場合を例にとって説明したが、上基板１３の代わりに半導体基板として、他の接合手段、例えばシリコン基板同士での直接接合を行う場合であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる第１実施形態を示す上面図のＡＡ´断面での概略縦断面図（ａ）及び概略上面図（ｂ）。
【図２】本発明に係わる第１実施形態における第２の陽極接合前の状態を示す概略縦断面図。
【図３】本発明に係わる第２実施形態における上面図のＡＡ´断面での概略断面図（ａ）及び概略上面図（ｂ）。
【図４】本発明に係わる第２実施形態における第２の陽極接合前の状態を示す概略縦断面図。
【図５】本発明に係わる第３実施形態における上面図ＡＡ´断面での概略断面図（Ａ）及び概略上面図（ｂ）。
【図６】本発明に係わる第３実施形態における第２の陽極接合前の状態を示す概略縦断面図。
【図７】インクジェットヘッドの製造工程の中の陽極接合による基板接合の状態を示す概略説明図。
【図８】本発明が適用されるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図。
【図９】図８に示すインクジェットヘッドの断面図。
【符号の説明】
１１  下基板
１２  中基板
１３  上基板２０  接合装置（治具）
２１  第１の印加電極板
２２  コイルバネ
２３  支持保持部
２４  第２の印加電極板
２５  第３の印加電極
２６  押圧ピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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