(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、
前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨した後に、ポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながら前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間させるトップリング移動昇降機構と、
前記研磨面に接触してそのドレッシングを行うドレッサーとを備え、
前記ドレッサーは、前記研磨面の内側の研磨に使用する領域と研磨面の外周縁までの間に段差がなくなるように研磨面の外周縁までドレッシングを行うことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
前記ドレッサーは、前記トップリングよりも大径であることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項３】
前記ターンテーブルの回転方向と、前記トップリングの回転方向と、前記研磨終了後のトップリングの移動方向は互いに同一方向であることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項４】
研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング方法において、
前記研磨面の内側の研磨に使用する領域と研磨面の外周縁までの間に段差がなくなるように、ドレッサーにより研磨面の外周縁までドレッシングを行い、
前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨し、
研磨終了後にポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながら前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間することを特徴とするポリッシング方法。
【請求項５】
前記ドレッサーは、前記トップリングよりも大径であることを特徴とする請求項４記載のポリッシング方法。
【請求項６】
前記ターンテーブルの回転方向と、前記トップリングの回転方向と、前記研磨終了後のトップリングの移動方向は互いに同一方向であることを特徴とする請求項４記載のポリッシング方法。
【請求項７】
研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング方法において、
ポリッシング対象物の一部をポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながらターンテーブルの外へ持ち出す場合に、ポリッシング対象物が割れない程度に、研磨面の内側の部分と研磨面の周縁部の段差が小さくなるように、ドレッサーによりドレッシングを行い、
前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨し、
研磨終了後に前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間することを特徴とするポリッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリッシング装置及び方法に係り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシング装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの微細化と高集積化が進み、回路の配線間距離が狭くなりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。従来の半導体ウエハの平坦化装置として、自己平坦化ＣＶＤ装置やエッチング装置等があるが、これらは完全な平坦化を実現できていない。最近、前記装置に比べて容易で完全な平坦化を実現できると期待されるポリッシング装置により、半導体ウエハの平坦化を行なうことが試みられている。
【０００３】
この種のポリッシング装置は、各々独立した回転数で回転する上面に研磨クロスを貼ったターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧し、砥液を供給しつつポリッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面に研磨している。研磨クロスには、従来、不織布からなる研磨クロスを用いていた。しかしながら、近年、ＩＣやＬＳＩの集積度が高くなるに従って、研磨後のポリッシング対象物の段差がより小さいことが要望されている。該段差の小さい研磨の要望に応えるため、研磨クロスに硬い材質のもの、例えば発泡ポリウレタンからなる研磨クロスを用いるようになってきた。
【０００４】
研磨クロスに半導体ウエハを当接して、研磨テーブルを回転することによりポリッシングを行うと、研磨クロスには砥粒や研磨クズが固着し、又、研磨クロスが不織布等の場合には、研磨クロスの繊維が寝てくる。このため、同一の研磨クロスを用いて半導体ウエハの研磨を繰返すと研磨速度が低下し、又、研磨ムラが生じる等の問題がある。そこで、半導体ウエハの研磨の前後、又は最中に研磨クロス面の表面状態を回復するドレッシングが行なわれている。
【０００５】
発泡ポリウレタンのような硬い材質の研磨クロス表面のポリッシングによる上述した変化を回復させるドレッシング方法として、ダイヤモンドドレッサーを用いる方法がある。このダイヤモンドドレッサーを用いると研磨クロス面の変化の回復が効果的で、ポリッシュレート（研磨速度）の低下も少ないという利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダイヤモンドドレッサーで研磨クロス面をドレッシングする場合には、研磨クロスが僅かながら削られる。この場合、研磨クロスのドレッシングは、研磨時に使用される領域に多少の余裕をもった領域のみ行なわれるため、ドレッシングの回数を重ねていくうちに研磨面全体の研磨クロス面の平坦性が失われ、その結果として研磨クロスの外周側が内周側より高い、一定の幅の段差が形成される。
【０００７】
また、半導体ウエハの研磨が終了した後、半導体ウエハを研磨クロスから引き剥がす必要があるが、半導体ウエハを保持したトップリングをそのまま上昇させると、研磨クロスと半導体ウエハとの表面張力が大きく、トップリングのみが上昇し、半導体ウエハが研磨クロスに密着して残ってしまうことがあった。
【０００８】
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、半導体ウエハ等の基板状のポリッシング対象物を研磨クロスの外周縁から外部に露出させた後にポリッシング対象物を研磨クロスから引き剥がすオーバーハング方式を取り入れ、このオーバーハング時にポリッシング対象物の割れを防ぐことができるとともに、ポリッシング対象物の被研磨面に形成される研磨跡をなくすことができるポリッシング装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の１態様は、研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨した後に、ポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながら前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間させるトップリング移動昇降機構と、前記研磨面に接触してそのドレッシングを行うドレッサーとを備え、前記ドレッサーは、前記研磨面の内側の研磨に使用する領域と研磨面の外周縁までの間に段差がなくなるように研磨面の外周縁までドレッシングを行うことを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の他の態様は、研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング方法において、前記研磨面の内側の研磨に使用する領域と研磨面の外周縁までの間に段差がなくなるように、ドレッサーにより研磨面の外周縁までドレッシングを行い、前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨し、研磨終了後にポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながら前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間することを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の更に他の態様は、研磨面を有するターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポリッシング方法において、ポリッシング対象物の一部をポリッシング対象物が研磨面と接触した状態を保ちながらターンテーブルの外へ持ち出す場合に、ポリッシング対象物が割れない程度に、研磨面の内側の部分と研磨面の周縁部の段差が小さくなるように、ドレッサーによりドレッシングを行い、前記ターンテーブルの内側でポリッシング対象物の全面を研磨面と接触させた状態で研磨し、研磨終了後に前記トップリングを横方向に移動させてポリッシング対象物の少なくとも一部を研磨面からはみ出させてからトップリングを上昇させることによってポリッシング対象物を該研磨面から離間することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明によれば、研磨面をドレッシングする際に、研磨面の外周縁までドレッシングを行い、研磨面の内側から外周縁までの間の段差を可能な限り小さくするか又はなくすことにより、半導体ウエハ等の基板状のポリッシング対象物を研磨面の外周縁から露出させるオーバーハング時にポリッシング対象物が割れることがない。またポリッシング対象物の被研磨面に形成される研磨跡をなくすことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図１および図２は本発明のポリッシング装置の全体構成を示す図であり、図１は平面図、図２は正面図である。図１および図２に示すように、ポリッシング装置は、ターンテーブル２０と、半導体ウエハ２を保持しつつターンテーブル２０に押しつけるトップリング３を有したトップリングユニット４とを具備している。前記ターンテーブル２０はモータ２１に連結されており、矢印で示すようにその軸心回りに回転可能になっている。またターンテーブル２０の上面には、研磨クロス５（例えば、ロデール社製のＩＣ−１０００）が貼設されている。研磨クロス５の表面はポリッシング対象物である半導体ウエハ２と摺接する研磨面を構成している。
【００１４】
トップリングユニット４はアーム状のトップリングへッド７を有し、トップリングヘッド７の先端部はトップリング３を保持し、トップリングヘッド７の基端部は揺動軸８により支持されている。そして、揺動軸８を回転させることにより、トップリングヘッド７は揺動可能になっている。その結果、トップリング３は半導体ウエハ２を受け渡すためのプッシャー４０の上方の受渡し位置とターンテーブル２０上の研磨位置と図１に示す待機位置とに位置できるようになっている。トップリング３は、モータ１５及び昇降シリンダ１６に連結されている。これによって、トップリング３は矢印で示すように昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっており、半導体ウエハ２を研磨クロス５に対して任意の圧力で押圧できるようになっている。また半導体ウエハ２はトップリング３の下端面に真空等によって吸着されるようになっている。なお、トップリング３の下部外周部には、半導体ウエハ２の外れ止めを行うガイドリング６が設けられている。また、ターンテーブル２０の上方には砥液供給ノズル（図示せず）が設置されており、砥液供給ノズルによってターンテーブル２０上の研磨クロス５に研磨砥液が供給されるようになっている。
【００１５】
半導体ウエハ２の研磨が終了し、半導体ウエハ２を研磨クロス５から引き剥がす場合に、研磨クロス５と半導体ウエハ２との表面張力を減らすために、半導体ウエハ２を保持したトップリング３を水平方向に移動させ、半導体ウエハ２の研磨面の一部を研磨クロス５の外周縁から露出させたオーバーハングの状態で半導体ウエハを持ち上げる。この半導体ウエハ２のオーバーハングは、研磨中にポリッシング対象物の研磨面を検査する場合にも行われることがある。しかしながら、半導体ウエハ２を研磨クロス５からオーバーハングさせる際に、研磨クロスの段差に半導体ウエハおよびこれを保持したトップリングが乗り上げて、半導体ウエハが割れるという問題点がある。
【００１６】
図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、上述の状態を図示した模式図である。図３（ａ）に示すように、ターンテーブル２０上の研磨クロス５の外周部には、ドレッシングによって段差部５ａが形成されている。トップリング３を移動させてトップリング３および半導体ウエハ２をオーバーハングさせる際に、半導体ウエハ２は段差部５ａに乗り上げ、この際、半導体ウエハ２に負荷がかかって割れる場合がある。また図３（ｂ）に示すように、ターンテーブル２０とトップリング３とは、矢印に示すように同一方向に回転しており、半導体ウエハ２が段差部５ａに乗り上げる際に、研磨クロス５の段差部５ａの影響で半導体ウエハ２に「の」の字型の跡がついてしまうということが確認されている。原因として考えられるのは、添付の図のように回転しながらクロスの外周へ向かうオーバーハングの時に、段差に乗り上げる半導体ウエハの位置は、半導体ウエハの外周から中心に向かって回転方向にあたる。その軌跡が、図３（ｃ）に示すように「の」の字型の跡として半導体ウエハに残ってしまうと考えられる。
【００１７】
図１および図２に示すように、ポリッシング装置は、ドレッシングユニット１１を備えている。ドレッシングユニット１１はアーム状のドレッサーヘッド１４を有し、ドレッサーヘッド１４の先端部はドレッサー１０を保持し、ドレッサーヘッド１４の基端部は揺動軸１９により支持されている。そして、揺動軸１９を回転させることにより、ドレッサーヘッド１４は揺動可能になっている。その結果、ドレッサー１０はターンテーブル２０上のドレッシング位置と図１に示す待機位置とに位置できるようになっている。ドレッサー１０は回転用のモータ１７と昇降用のシリンダ１８とに連結されており、矢印で示すように昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっている。
【００１８】
図４はドレッシングユニット１１におけるドレッサー１０の詳細構造を示す図であり、図４（ａ）は底面図、図４（ｂ）はａ−ａ断面図、図４（ｃ）はｂ部分の拡大図である。ドレッサー１０は、その下部に、円板状で下面の周端部に所定の幅で微粒のダイヤモンドを電着させる帯状の凸部１２ａが形成されてなるドレッサー本体１２を具備し、該凸部１２ａの表面に微粒のダイヤモンドを電着させて形成したダイヤモンド電着リング１３が設けられている。ターンテーブル２０およびドレッサー１０を回転させた状態で、ダイヤモンド電着リング面を研磨クロス面に当接させて、研磨クロス表面を薄く削り取りドレッシングを行う。ダイヤモンド電着リング１３は凸部１２ａの表面に微粒のダイヤモンドを付着させ、ダイヤモンド付着部にニッケルメッキを施すことにより、ニッケルメッキ層により微粒のダイヤモンドを固着した構造である。
【００１９】
また、ダイヤモンド電着リング１３は複数個（図では８個）に分割して形成している。ドレッサー本体１２の直径は、研磨対象物である半導体ウエハ２の直径に対して大きくなっており、半導体ウエハの研磨時には研磨クロスのドレスアップされた面が半導体ウエハの研磨面に対して、テーブルの半径方向の内周側及び外周側に余裕を持つようになっている。なお、ダイヤモンド電着リングからなるダイヤモンドドレッサーに代えて、ブラシ毛が研磨クロス面に対し直交する方向に延伸するナイロンブラシを用いてもよく、または複数のＳｉＣセクターからなるリングを使用したＳｉＣドレッサーとしてもよい。この場合、ＳｉＣドレッサーは、図３に示す構造と同様のものであり、表面に数十μｍの角錐状の多数の突起を有したものからなっている。
【００２０】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、本発明の研磨クロス５とドレッサー１０との関係を示す図である。
図５（ａ）に示す例においては、研磨クロス５は外周部全周をカット（切断）して研磨クロス５の外周縁５ｅをターンテーブル２０の外周縁２０ｅの内側に位置させ、ドレッサー１０の外周縁１０ｅ、すなわち、ダイヤモンド電着リング１３の外周縁よりも研磨クロス５の外周縁５ｅがターンテーブルの半径方向の内方に位置するようにしている。
また、図５（ｂ）に示す例においては、研磨クロス５はカット（切断）せずに研磨クロス５の外周縁５ｅとターンテーブル２０の外周縁２０ｅとを概略一致させ、ドレッサー１０の外径を大きくして所定径とし、ドレッサー１０の外周縁１０ｅ、すなわち、ダイヤモンド電着リング１３の外周縁よりも研磨クロス５の外周縁がターンテーブルの半径方向の内方に位置するようにしている。
【００２１】
図６は研磨クロスに２層クロスを用いた場合を示す例である。本実施例においては、研磨クロス５は２層クロスからなり、第１層（下層）５Ａは、例えばＳＵＢＡ８００（不織布をウレタン樹脂で固めた研磨クロス）からなり、第２層（上層）５Ｂは、例えばＩＣ１０００（発泡ポリウレタンからなる研磨クロス）からなっている。そして、研磨クロス５の第２層５Ｂにおける外周部全周をカット（切断）して、ドレッサー１０の外周縁１０ｅ、すなわち、ダイヤモンド電着リング１３の外周縁よりも研磨クロス５の第２層５Ｂの外周縁５Ｂｅがターンテーブルの半径方向の内方に位置するようにしている。
【００２２】
図５（ａ）、図５（ｂ）および図６において、ドレッサー１０は自身の軸心の回りに回転するが、ドレッシング中にドレッサー１０は研磨クロス５上で研磨クロス５の半径方向に移動しないようになっている。即ち、ドレッサー１０の揺動はしないようになっている。図５（ａ）、図５（ｂ）および図６に示すように、本発明によれば、研磨クロス５をあらかじめ、ドレッサー１０の外周よりも内側のサイズにカット（切断）するか、又はドレッサー１０の径を大きくして所定径とし、研磨クロスの外周を余さずにドレッシングするようにしており、これにより研磨クロス５の研磨面に段差ができないので、半導体ウエハ２を研磨クロス５の外側にオーバーハングする際に半導体ウエハ２が割れることがない。またオーバーハング時に段差の影響によって生ずる「の」の字型の研磨跡をなくすことができる。
【００２３】
また、図５（ａ）、図５（ｂ）および図６において、ダイヤモンド電着リング１３の外周縁よりも研磨クロス５の外周縁５ｅ，５Ｂｅがターンテーブルの半径方向の内方に位置しているが、本発明はこれに限らず、例えば、ダイヤモンド電着リング１３の外周縁と研磨クロス５の外周縁とがターンテーブルの半径方向において同位置であっても、研磨クロスのドレッサーによる研磨面に段差ができないようにできる。
【００２４】
以下、本発明に係るトップリング及びドレッサーと研磨面の位置関係について詳細に述べる。
図７はトップリング及びドレッサーと研磨面の位置関係を示す概略図である。図７に示すように、トップリング３による半導体ウエハ２の研磨位置とドレッサー１０によるドレッシング位置は、回転するターンテーブル２０の中心２０ａを挟んでターンテーブルの直径上に対称に配置されている。図７においてはわかりやすいように、トップリング３とドレッサー１０の各々の作業位置を実線で示したが、研磨作業とドレッシング作業は同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。即ち、ターンテーブル２０の中心２０ａから研磨中のウエハの中心までの距離ａと、ターンテーブル２０の中心２０ａからドレッシング作業中のドレッサー１０の中心までの距離ｂが等しい。なお、本発明ではトップリング３とドレッサー１０はそれぞれ作業中は定位置で移動しない。トップリング３とドレッサー１０のターンテーブル上での半径方向の位置を合わせることにより、研磨工程及びドレッシング工程の双方への影響を考慮した研磨及びドレッシングの運転条件の調整が行いやすい。
【００２５】
ここで、さらに、本実施例ではトップリング３の直径よりもドレッサー１０の直径が大きく設定されている。すなわち、半導体ウエハ２の研磨に使用する研磨クロス５の領域（外側の破線Ｌ１と内側の破線Ｌ２の間の領域）よりも広い領域をドレッシングすることができる。このように構成することにより、ドレッサー１０を作業中に揺動させなくても研磨クロス５の半導体ウエハと接触する領域は常に均一に平坦化され、また適度に目立てが行われる状態が得られる。ここで、オーバーハング動作時に半導体ウエハ２に負荷がかからないように、研磨クロス５の外周縁までドレッシングが行われるようになっている。即ち、ドレッサー１０の外周縁を研磨クロス５の外周縁と一致させてもよいし、予めドレッサー１０を研磨クロス５の外周縁よりも数ｃｍはみ出させた配置にしてもよい。
【００２６】
本発明に係るポリッシング装置においては、トップリングユニット４（すなわちトップリングヘッド７）は揺動軸８を中心に作業位置Ｐａと待機位置Ｐｂの間を揺動する。トップリングユニット４は、さらに半導体ウエハ２の受け渡し位置Ｐｃであるプッシャー４０との間も移動する。一方、ドレッシングユニット１１（すなわちドレッサーヘッド１４）は揺動軸１９を中心に作業位置Ｐｄと待機位置Ｐｅとの間を揺動する。
【００２７】
トップリングユニット４およびドレッシングユニット１１は揺動軸８，１９を中心に揺動し、さらに揺動軸８，１９を極力ターンテーブル２０に近づけたので、このようにトップリング３、ドレッサー１０が移動する場合も、ポリッシング装置全体としては省スペースが保たれる。また、トップリング３及びドレッサー１０の作業領域及び移動領域は重複しなく、それぞれの揺動軸８，１９もターンテーブル２０を挟んで反対側に配置されているので、トップリング３とドレッサー１０は作業位置、待機位置、および移動軌跡において両者は干渉することがない。すなわち、トップリング３とドレッサー１０は、互いの運転状況を気にせず、独立して自由に運転することができる。
【００２８】
なお、前述のオーバーハング動作は、図の矢印Ｒ方向に向かって行われる。ターンテーブル２０及びトップリング３は各々同一方向に自転（実施例では時計回り）している。トップリング３のオーバーハングは、図示されるように、トップリング３の回転方向とターンテーブル２０の回転方向と同じ方向に向かって研磨面上を揺動することによって行われる。これらトップリング３の回転方向とターンテーブル２０の回転方向とトップリングユニット４のオーバーハングの揺動方向が同一（実施例では時計回り）になっているため、トップリング３が揺動時に研磨クロス５の回転と順方向の移動になり、研磨クロスに余計な負荷を与えず、研磨クロス５の表面を逆立てることがない。また、トップリング３は研磨終了後、次工程であるプッシャー４０に近づく方向にオーバーハング動作を行うので、半導体ウエハ２の搬送にかかるタクトタイムを減少させることができる。
【００２９】
図８はトップリングのオーバーハング動作を示す概略図である。図８に示すように、オーバーハング動作は半導体ウエハ２の中心２ａを研磨クロス５からはみ出させない範囲で、極力ウエハの被研磨面を露出させた状態まで揺動させてからトップリング３を上昇させる。好ましくは、半導体ウエハの被研磨面の４０％以上を露出させ、かつ半導体ウエハ２の中心２ａを研磨クロス５からはみ出させない状態までオーバーハングした後にトップリング３を上昇させるのがよい。ウエハ中心２ａをはみ出させると、トップリング３が傾き、ウエハに悪影響を及ぼす。
【００３０】
なお、ドレッサー１０の運転方法もトップリング３と同様である。トップリング３及びドレッサー１０は、待機位置から研磨面上方の作業位置までそれぞれ揺動し、その後に下降し、研磨面（研磨クロス５の表面）と接触させる。研磨加工及びドレッシング作業が終了したら、トップリング３およびドレッサー１０をそのまま横方向に揺動させ、トップリング３及びドレッサー１０の一部をオーバーハングさせた後、上昇させ、研磨面から離間させる。このオーバーハング動作により研磨面と半導体ウエハ２及び研磨面とドレッサー１０の表面張力を軽減でき、確実に研磨面から離間できるとともに、本発明ではドレッシングを研磨クロス５の外周縁まで行っているので、半導体ウエハ２にも傷がつかない。なお、ドレッサー１０は表面積が大きくないのでオーバーハングせず、そのまま作業位置Ｐｄで上昇してもよい。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウエハ等の基板状のポリッシング対象物を研磨クロスの外周縁から露出させた後にポリッシング対象物を研磨クロスから引き剥がすオーバーハング方式を取り入れ、このオーバーハング時にポリッシング対象物が割れることがない。またポリッシング対象物の研磨面に形成される研磨跡をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るポリッシング装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係るポリッシング装置の全体構成を示す正面図である。
【図３】ポリッシング装置における半導体ウエハを保持したトップリングと研磨クロスとの関係を示す模式図である。
【図４】本発明のドレッサーの詳細構造を示す図である。
【図５】本発明の研磨クロスとドレッサーとの関係を示す図である。
【図６】本発明の研磨クロスとドレッサーとの関係を示す図である。
【図７】トップリング及びドレッサーと研磨面の位置関係を示す概略図である。
【図８】トップリングのオーバーハング動作を示す概略図である。
【符号の説明】
２    半導体ウエハ
２ａ    半導体ウエハ中心
３    トップリング
４    トップリングユニット
５    研磨クロス
５ａ    段差部
６    ガイドリング
７    トップリングヘッド
８，１９    揺動軸
１０    ドレッサー
１１    ドレッシングユニット
１２    ドレッサー本体
１２ａ    凸部
１３    ダイヤモンド電着リング
１４    ドレッサーヘッド
１５，１７，２１    モータ
１６，１８    昇降シリンダ
２０    ターンテーブル
Ｐａ，Ｐｄ    作業位置
Ｐｂ，Ｐｅ    待機位置
Ｐｃ    受け渡し位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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