(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学特性が可逆的に変化し、Ｔｅ，Ｓｅ，及びＳｂから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の側に接し、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層と、硫黄または硫化物を含む保護層とを有する光学情報記録媒体であって、前記拡散防止層は前記保護層と前記記録膜との間に設けられており、前記拡散防止層の材料成分Ｘが、Ｎｉ、Ｌａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記記録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層を有し、前記拡散防止層の材料成分Ｘの平均含有量が、前記記録膜の両側で異なる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層を有し、前記記録膜のレーザー入射側に位置する前記拡散防止層の平均組成が（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０≦ｙ≦１）、レーザー入射側と反対側に位置する拡散防止層の平均組成が（Ｇｅ1-zＸz）dＯeＮf（但し、ｄ＞０、ｅ≧０、ｆ＞０、０≦ｚ≦１）であり、かつ０≦ｙ＜ｚの関係にある請求項１または２の何れかに記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】
ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比が、（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０＜ｙ≦０．５）で表される範囲内にある請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】
ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層の平均組成比が、（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成図において、組成点
Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、
Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、
で囲まれた範囲内にある請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項６】
ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層の膜厚が１ｎｍ以上である請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録膜が、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの三元素を主成分とする相変化材料である請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】
光学特性が可逆的に変化し、Ｔｅ，Ｓｅ，及びＳｂから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の側に接し、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層と、硫黄または硫化物を含む保護層とを有する光学情報記録媒体の製造方法であって、前記拡散防止層が前記保護層と前記記録膜との間に設けられており、前記拡散防止層を、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をターゲットとし、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応性スパッタリングにより形成し、前記拡散防止層の材料成分Ｘは、Ｎｉ、Ｌａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする光学情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザー光線の照射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に記録することができる光学記録情報媒体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報を大容量に記録でき、高速での再生及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相変化型記録媒体等が知られている。これら光記録媒体は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであり、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用している。また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なることを記録として利用しているものであり、レーザーの出力パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書き換えが可能であるという利点がある。
【０００３】
光記録媒体の層構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。基板１には、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラス等が用いられ、一般的にはレーザー光線を導くための案内溝が施されている。
【０００４】
記録膜３は、光学特性の異なる状態間を変化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディスクの場合、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、及びＩｎ−Ｔｅ−Ｓｅ等を主成分とする材料が知られている。
【０００５】
反射層５は、一般にＡｕ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属、または金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層ではない。
【０００６】
また、図４中では省略したが、光学情報記録媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反射層５の上にオーバーコート層を設けた構成、または紫外線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合わせた構成等が一般的に用いられている。
【０００７】
保護層２、４、６は、記録膜材料の酸化、蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担うと共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っている。また、保護層を構成する材料の条件としては、上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或いは基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。
【０００８】
これらの保護層が記録膜に接して用いられる場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でなければならない。例えば図４Ｂに示すように、保護層を二層とし異なる材料を用いることにより、基板との接着性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録の特性に優れた媒体を得る提案が知られている。
【０００９】
保護層２、４、６の材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物、ＧｅＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ3Ｎ4等の窒化物、ＧｅＯＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の窒酸化物、他、炭化物、フッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等が各種提案されているが、専ら適用されている材料としてはＺｎＳ−ＳｉＯ2が挙げられる。
【００１０】
なお、保護層を異なる物質の複合材料とすることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。例えば特開昭６３−５０９３１号公報には、窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な膜質の保護層を得る例が開示されている。また、特開平２−１０５３５１号公報には、保護層をシリコン及びインジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示されている。さらに、特開平２−２６５０５１号公報、特開平２−２６５０５２号公報には、保護膜がＳｉ、Ｎ、Ｓｉより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を得る例が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
記録の書き換えを多数回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が見られることが最近判明した。このことは、信号の書き換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。
【００１２】
しかしながら、生産時の製造条件の制御のし易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。また、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましいことはいうまでもない。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するため、より一層耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特性を有する光学情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の光学情報記録媒体は、光学特性が可逆的に変化し、Ｔｅ，Ｓｅ，およびＳｂから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の側に接し、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層と、硫黄または硫化物を含む保護層とを有する光学情報記録媒体であって、前記拡散防止層は前記保護層と前記記録膜との間に設けられており、前記拡散防止層の材料成分Ｘが、Ｎｉ、Ｌａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする。これにより、ＧｅＮ若しくはＧｅＯＮの何れかを主成分とする層を設けた場合に比べ、更に耐候性に優れた媒体を得ることが可能となる。
【００１７】
また前記光学情報記録媒体においては、記録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層を有し、前記拡散防止層の材料成分Ｘの平均含有量が、前記記録膜の両側で異なることが好ましい。
【００１８】
また前記光学情報記録媒体においては、記録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層を有し、前記記録膜のレーザー入射側に位置する前記拡散防止層の平均組成が（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０≦ｙ≦１）、レーザー入射側と反対側に位置する拡散防止層の平均組成が（Ｇｅ1-zＸz）dＯeＮf（但し、ｄ＞０、ｅ≧０、ｆ＞０、０≦ｚ≦１）であり、かつ０≦ｙ＜ｚの関係にあることが好ましい。
【００１９】
また前記光学情報記録媒体においては、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比が、（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０＜ｙ≦０．５）で表される範囲内にあることが好ましい。
【００２０】
また前記光学情報記録媒体においては、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層の平均組成比が、（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とするの三元組成図において、組成点
Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、
Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、
で囲まれた範囲内にあることが好ましい。
【００２１】
また前記光学情報記録媒体においては、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層の膜厚が、１ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２２】
また前記光学情報記録媒体においては、記録膜が、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの三元素を主成分とする相変化材料であることが好ましい。
【００２３】
次に本発明の光学情報記録媒体の製造方法は、光学特性が可逆的に変化し、Ｔｅ，Ｓｅ，及びＳｂから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の側に接し、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする拡散防止層と、硫黄または硫化物を含む保護層とを有する光学情報記録媒体の製造方法であって、前記拡散防止層が前記保護層と前記記録膜との間に設けられており、前記拡散防止層を、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をターゲットとし、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応性スパッタリングにより形成し、前記拡散防止層の材料成分Ｘは、VIII族元素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含み、前記拡散防止層の材料成分のVIII族元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含み、前記拡散防止層の材料成分のIIIａ族元素は、Ｙ及びＬａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする。
【００２４】
これにより、記録材料との密着性に更に優れた良好な膜質の窒化物層若しくは窒酸化物層が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いながら具体的に説明する。本発明に関する光学情報記録媒体の層構成の一例を図１に示す。これは図４Ｂの構成において保護層６、４をそれぞれ拡散防止層７、８に置き換えたものである。
【００２６】
拡散防止層７、８は、記録膜３と保護層２、４との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的として設けられる。この層を設ける位置は記録膜３のいずれか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設けることが好ましい。拡散防止層中に含有される成分が情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もありうるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用いればよい。
【００２７】
なお、本発明の光学情報記録媒体の構成は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層８と反射層５の間に他の材料からなる層を設ける構成、保護層２を全て拡散防止層７の材料で置き換えた構成、または反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種々の構成に適用することが可能である。
【００２８】
以下の説明では説明を簡略化するため図２に示した構成で、基板１に厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層２、４にはＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記録膜３には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を主成分とする相変化型材料、反射層５にはＡｌ合金を用いた例について述べる。但し、記録膜材料としては、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金の他に、例えばＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層５の材料、保護層２、４についても他の材料を用いることができる。
【００２９】
拡散防止層７、８は本発明の特徴を成す部分であり、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成分とし、Ｘは、ＬａまたはＮｉのうちの少なくとも１つの元素を含む材料とする。
【００３０】
この拡散防止層７、８は、基本的にはゲルマニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物であるが、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部応力または滑性等が原因で記録膜及び／または基板との密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全く見受けられない。これに対して本発明の窒化ゲルマニウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明はこのように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまたは窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特性を付与できる発明である。
【００３１】
また、保護層中にＡｒ、Ｋｒ等のスパッタガス成分のうち希ガスや、Ｈ、Ｃ、Ｈ2Ｏ等が不純物として含まれることがあるが、これら不純物の濃度を１０atom％以下に抑えることにより、不純物が含有されない場合と同様の特性を得ることができる。
【００３２】
拡散防止層７、８の平均組成比は、図３に示す（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成図において、組成点
Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、
Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、
で囲まれた範囲内にあることが好ましく、
Ｅ（（ＧｅＸ）65.0Ｏ0.0Ｎ35.0）、Ｆ（（ＧｅＸ）53.9Ｏ9.20Ｎ36.9）、
Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、
で囲まれた範囲内にあることが望ましい。
【００３３】
この組成範囲の根拠は、窒素または酸素と結合していないＧｅ、またはＸの何れかが過剰に存在する（以下、余剰ＧｅまたはＸと称す）場合、余剰ＧｅまたはＸが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾向にあり、逆にＧｅ、またはＸと結合していない窒素または酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。
【００３４】
拡散防止層７、８中に含有されるＧｅ・Ｘの平均組成比の範囲は、ＸがＧｅに対して５０atom％以下であることが好ましい。このＧｅ・Ｘの組成割合の根拠は、Ｘの含有量がＧｅ含有量の５０atom％より多いと、物質Ｘが記録の繰り返し後で記録膜へなだれ込んで記録膜の光学変化を妨げてしまう傾向が顕著となる場合があり、１０atom％よりも少ないと、ＧｅＮ若しくはＧｅＯＮ何れかへの物質Ｘの添加効果があまり顕著でない場合がある。
【００３５】
拡散防止層７、８の膜厚は１ｎｍ以上であることが必要である。これは膜厚が１ｎｍ以下である場合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ−ザ光強度が得られる範囲である。なお、レ−ザ光強度は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存し、適宜設定できる。
【００３６】
次に、これら光学情報記録媒体の製造方法について述べる。上記光学情報記録媒体を構成する多層膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸着、ＣＶＤ等の方法が可能であるが、ここではスパッタリング法を用いた場合を例に説明し、図３にその成膜装置の一例の概略図を示す。
【００３７】
真空容器９には排気口１５を通して真空ポンプ（図示省略）を接続してあり、真空容器９内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口１４からは、一定流量のＡｒ等の希ガス、窒素、酸素、またはこれらの混合ガスを供給することができるようになっている。図３中１０は基板であり、基板の自公転を行うための駆動装置１１に取り付けられている。
【００３８】
１２はスパッタ膜の材料成分を含むスパッタターゲットであり、陰極１３に接続されている。ここでは、ターゲット１２として直径１０ｃｍ厚さ６ｍｍのディスク状のものを用いた。陰極１３は図示は省略したが、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続されている。また、真空容器９を接地することにより、真空容器９及び基板１０は陽極に保たれている。
【００３９】
記録膜３、及び保護層２を成膜する際は、Ａｒに窒素を２．５vol.％混合したガスを、全圧がそれぞれ１．０mTorr、０．５mTorrとなるように一定の流量で供給し、陰極にそれぞれＤＣ１．２７W/cm2、ＲＦ５．１０W/cm2のパワーを投入して行った。
【００４０】
反射層５を成膜する際は、Ａｒガスを全圧３．０mTorrになるように供給し、ＤＣ４．４５W/cm2のパワーを投入して行った。スパッタガス中の希ガスとしては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタ可能な希ガスが用いられる。
【００４１】
拡散防止層７、８を成膜する際は、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎとを含む材料をターゲットとし、ＸをＬａまたはＮｉのうち少なくとも１つの元素を含む材料とする。成膜ガスは希ガスと窒素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリングにより製造する。膜質が硬質である場合、または膜の内部応力が大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成膜ガス中に混合することにより、良好な膜質の層を得ることができる場合がある。
【００４２】
本実施の形態の例として、図１に示した光学情報記録媒体の構成で、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＮｉＮ、とした場合を（１）、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＬａＮとした場合を（２）とする。また、比較例として拡散防止層７、８をいずれもＧｅＮとした場合を（０）とする。なお、上記（０）〜（２）の拡散防止層７、８の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍで共通とした。
【００４３】
また、ＧｅＮｉＮ層、ＧｅＬａＮ層、ＧｅＮ層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれＧｅＮｉ、ＧｅＬａ、Ｇｅとし、ＧｅＮｉＮ膜、ＧｅＬａＮ膜中に含有されるＮｉ、Ｌａ原子数のＧｅ原子数に対する比率は共に２５atom％となるようにした。
【００４４】
さらに、拡散防止層７、８を成膜する際のスパッタガスはＡｒと窒素との混合ガス、スパッタガス圧は１０mTorr、スパッタパワー密度は６．３７W/cm2で全て共通とし、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧をvol.２０％、３０vol.％、４０vol.％と変化させて成膜を行った。
【００４５】
以上の媒体を評価した結果を（表１）に示す。特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性について行った。耐候性の評価は、９０℃、８０％の加速試験を２００時間行い、１００時間毎に光学顕微鏡にて剥離の有無を観察した。２００時間後まで剥離が全く観察されなかったものを○、１００時間後では剥離は無く、２００時間後で剥離が発生したものを△、１００時間後で剥離が観察されたものを×として示した。
【００４６】
記録の繰り返し特性は、ＥＦＭ信号方式により最短マーク長が０．６１μｍとなる場合について３Ｔから１１Ｔの長さのマークを記録し、マークの前端間及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Ｔで割った値（以下ジッター値）が、１０万回の繰り返し記録後で前端間、後端間共に１３％を越えないものを○、１０万回後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が１３％を越えたものを×として示した。
【００４７】
【表１】
0003816658.tif 000002
【００４８】
また、拡散防止層８をＧｅＮ、拡散防止層７をＧｅＮｉＮ、ＧｅＬａＮとし、拡散防止層８を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を３０vol.％で一定、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を４０vol.％、５０vol.％、６０vol.％と変化させた以外は（１）（２）と同条件で作製した媒体をそれぞれ（３）、（４）とする。この場合の比較例として拡散防止層７、８を共にＧｅＮとした場合の媒体を（０）’とする。これらの媒体を評価した結果を（表２）に示す。
【００４９】
【表２】
0003816658.tif 000003
【００５０】
以上、（表１）及び（表２）の結果より、拡散防止層としてＧｅＮｉＮ、またはＧｅＬａＮを用いた場合、ＧｅＮのみの場合に比べて、記録の繰り返し特性を損ねることなく耐候性が向上していることがわかる。
【００５１】
次に、拡散防止層７、８をそれぞれＧｅＮ、ＧｅＮｉＮとし、ＧｅＬａＮ膜中に含まれるＣｒ原子数のＧｅ原子数に対する比率を５％、１０％、２０％、３０％、５０％、６０％と変化させたディスクを作製し、これらの媒体を順に（５）（６）（７）（８）（９）（１０）とする。ディスクの層構成は上記既述のディスク（０）〜（４）と同様とし、拡散防止層７を成膜する際の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８のそれをvol.２０％、３０vol.％、４０vol.％、５０vol.％、６０vol.％と変化させた。これらのディスクの評価結果を（表３）に示す。
【００５２】
【表３】
0003816658.tif 000004
【００５３】
（表３）より、Ｎｉ含有量がＧｅに対して１０atom％以上になるとＮｉの添加効果が現われ始めることがわかる。但し、Ｃｒ含有量がＧｅに対して６０atom％以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。これはＮｉがＧｅに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合しない余剰Ｃｒが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化しているためと考えられる。以上より、ＧｅＮｉＮ膜中のＮｉ含有量は、Ｇｅに対して５０％以下が好ましいといえる。
【００５４】
上記の説明では、Ｘ成分としてＮｉ及びＬａを例に説明したが、Ｘの元素はＮｉ及びＬａに限定されるものではなく、上述したように拡散防止層に含有されるＸは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素であれば良く、このような元素としてはＮｉ及びＬａ以外に、Ａｕ、またはＹなどの他のIIIａ族元素、またはＦｅ、Ｃｏなどの他のVIII族元素があり、その何れを用いても効果の差は若干見られるものの本質的には含有の効果があり、その含有量についてもほぼ同様であった。
【００５５】
【発明の効果】
以上述べたように、記録膜の少なくとも一方に接し、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮを主成分とする拡散防止層を、保護層と記録膜との間に設け、拡散防止層の材料成分Ｘを、Ｌａ、またはＮｉのうちの少なくとも１つの元素を含む材料とすることにより、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消去の繰り返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の光情報記録媒体の一層構成を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の(ＧｅＸ)・Ｏ・Ｎの組成範囲を示す三角組成図。
【図３】本発明の一実施例の成膜装置の一例を示す図。
【図４】従来の光情報記録媒体の層構成例を示す断面図で、Ａは４層構成の光記録媒体の断面図、Ｂは５層構成の光記録媒体の断面図。
【符号の説明】
１  基板
２  保護層
３  記録膜
４  保護層
５  反射層
６  保護層
７  拡散防止層
８  拡散防止層
９  真空容器
１０  基板
１１  基板駆動装置
１２  ターゲット
１３  陰極
１４  ガス供給口
１５  排気口
【図１】
0003816658.tif 000005
【図２】
0003816658.tif 000006
【図３】
0003816658.tif 000007
【図４】
0003816658.tif 000008