(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだ粉末と、ベース樹脂、活性剤および増粘剤からなるフラックスとを混合したソルダペーストにおいて、増粘剤が硬化ひまし油であり、上記フラックス中に沸点が１００℃以下のアミンと有機２塩基酸からなる塩を含み、周囲をシリコーンゲルで封止するところに用いることを特徴とするソルダペースト。
【請求項２】
前記塩が、フラックス中に０.１〜１０重量％の量で含まれる請求項１に記載のソルダペースト。
【請求項３】
前記アミンが、ジエチルアミン，ｎ-ブチルアミン，sec-ブチルアミン，tert-ブチルアミン，イソブチルアミン，ｎ-プロピルアミン，トリエチルアミン，ジイソプロピルアミン，イソアミルアミン，tert-アミルアミンからなる群から選ばれる少なくとも一つである請求項１〜２のいずれかに記載のソルダペースト。
【請求項４】
有機２塩基酸が、炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸である請求項１〜３のいずれかに記載のソルダペースト。
【請求項５】
前記塩がジイソプロピルアミンとコハク酸の塩である請求項１〜４のいずれかに記載のソルダペースト。
【請求項６】
はんだ粉末の平均粒径が、２０〜１０６μｍである請求項１〜５のいずれかに記載のソルダペースト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ソルダペースト、特にはゲル封止された半導体装置や、高発熱素子をはんだ付けにより組みたてるパワーモジュール用に好適なソルダペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般にソルダペーストは、そのフラックス中の成分として、活性剤および増粘剤が配合されるが、活性剤としては、優れたぬれ性を付与することのできるジフェニルグアニジンの臭化水素酸塩などのアミンのハロゲン化水素酸塩が、また増粘剤としては、優れた印刷性を付与するために窒素を含むアマイド系ワックスが用いられてきた。粉末はんだには４５〜２０μｍのものが使用されている。
【０００３】
図１には、半導体装置の代表的な例を示すが、この構造ではセラミック基板３上にはんだ接合された半導体チップ２がシリコーンゲル４（および５）により封止されている。
このような半導体装置は次のようにして製造される。
はんだ層１は、表面及び裏面に金属層が形成されたセラミックス基板３の表面の金属層６上の所定領域に、スクリーン印刷によりソルダペーストを供給して、ソルダペースト層１を形成した後、半導体チップ２をソルダペースト層が形成された箇所に搭載し、加熱処理を施すことにより、ソルダペースト層中のはんだ粉末を溶融させるとともに、フラックス成分によりはんだ表面の酸化膜を還元したのち、フラックス成分を外部に排出させ、続けて冷却処理を施し溶融したはんだを凝固させる。
続いて洗浄工程により、はんだ層１の周囲等に付着したフラックスの残渣（以下、フラックス残渣と記す）を除去した後、半導体チップ同士を連結する細線８を取り付けるワイヤボンディング工程などを経て、最後にワイヤボンディングの保護並びに絶縁耐圧確保の観点から、脱泡した液体状シリコーンゲル４を基板３及び半導体チップ２を覆うように供給し、加熱処理を施しシリコーンゲル４を硬化させている。
【０００４】
従来のソルダペーストでは、はんだ付工程において、活性剤であるアミンのハロゲン化水素酸塩は活性温度（融点）に達した後、はんだ付けのために消費され、アミンが遊離する。しかしながら、そのアミンは沸点が高いためほとんど揮発せず、また一部の消費されない活性剤が残るため、アミンはフラックス残渣中に多く残存する。
さらに、増粘剤として、窒素成分を含むアマイド系ワックスが使用されるが、はんだ付け工程後、これはほとんど揮発せずにフラックス残渣中に残存する。
しかし、このような窒素化合物、特にアミンの存在は、付加型シリコーンゲルの硬化反応を阻害することが知られている。
【０００５】
したがって、はんだ付工程終了後に洗浄工程によりフラックス残渣の除去を行わない場合、フラックス残渣中に多く残存するアミンが原因でシリコーンゲルが硬化阻害を起こし、オイル状のゲル未硬化領域が広範囲に発生するため、ワイヤ保護の用をなさないばかりか、絶縁耐圧不足、シリコーンゲルの剥離/剥落が生じるなどの不具合を生じていた。
はんだ付工程の温度を大幅に上昇させれば残存するアミンを減じることが出来るが、はんだ付される部品や基板の耐熱温度や信頼性確保の観点から、はんだ付工程の温度上昇は望めない。
これらの理由から、ゲル封止された半導体装置では、はんだ付工程終了後に、洗浄工程を付加しなければならず、洗浄液購入費用、洗浄廃液廃棄費用、洗浄装置の購入/保守費用等が必要となるためコストアップの要因となるばかりか、環境への配慮の点からも問題となっていた。
【０００６】
さらにはまた、このような従来のソルダペーストを用いたはんだ付では、はんだ粒子表面の酸化膜がぬれを阻害したり、フラックス成分をはんだ内部にトラップするために、ボイドと呼ばれる未接合領域を多く発生していた。
このボイド９は、熱抵抗増大を招くため、機器の信頼性を確保する上で、大きな問題の一つとなることが知られており、特に、発熱の大きなパワー素子を搭載する場合に、より顕著な問題となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、無洗浄でゲル封止可能で、かつ低ボイドはんだ付が可能なソルダペーストを得ることを目的とするものである。
【０００８】
【発明を解決するための手段】
本発明は、はんだ粉末と、ベース樹脂、活性剤および増粘剤からなるフラックスとを混合したソルダペーストにおいて、増粘剤が硬化ひまし油であり、上記フラックス中に沸点が１００℃以下のアミンと有機２塩基酸からなる塩を含み、周囲をシリコーンゲルで封止するところに用いることを特徴とするソルダペーストに関する。
特に、本発明は前記塩の融点が、はんだ粉末の液相線温度以下である上記ソルダペーストに関する。
更に、本発明は、はんだ粉末の平均粒径が、２０〜１０６μｍである上記いずれかに記載のソルダペーストに関する。
また、本発明は、上記いずれかに記載のソルダペーストを用いて組み立てられた電子モジュールに関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明のソルダーペーストは、ソルダーペーストを構成するフラックス中に沸点が１００℃以下のアミンと有機２塩基酸からなる塩を含み、且つ１２０〜３５０℃ではんだ付けを行った後のフラックス残渣中に窒素を含む成分が１０００ｐｐｍ未満、好ましくは１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする。
本発明で用いる沸点が１００℃以下のアミンの例としては、ジエチルアミン，ｎ-ブチルアミン，sec-ブチルアミン，tert-ブチルアミン，イソブチルアミン，ｎ-プロピルアミン，トリエチルアミン，ジイソプロピルアミン，イソアミルアミン，tert-アミルアミン等が例示できる。
【００１０】
有機２塩基酸は、好ましくは炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸が用いられる。このような有機２塩基酸の例としては、マロン酸，コハク酸，グルタル酸，アジピン酸，ピメリン酸，セバシン酸が挙げられる。
上記のアミンと有機２塩基酸の塩は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
アミンと有機２塩基酸の特に好ましい塩はジイソプロピルアミンとコハク酸の塩である。
上記塩はフラックス中に０.１〜１０重量％の量で含まれる。好ましくは０.３〜３重量％で含まれる。この塩の含有量が１０重量％より多いと良好なペーストにならない。また、０.１重量％より少ないと活性剤としての効果がない。
【００１１】
本発明では、増粘剤としては、窒素を含まないものを使用する。このような増粘剤としては特に限定されないが、特に好ましいものとしては硬化ひまし油が挙げられる。
増粘剤の添加量はフラックス中２〜１０重量％が好ましい。
【００１２】
上記フラックスと組み合わせて本発明のソルダペーストで用いるはんだ粉末は、通常使用されるＳｎおよびＰｂを主成分として含有するものが使用できる。ＳｎおよびＰｂを主成分とする粉末はんだの例としては、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｐｂ系合金等が挙げられる。また本発明の粉末はんだとしては、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金等の鉛フリー合金も使用できる。
はんだ粉末の平均粒径は２０〜１０６μｍの範囲が好ましい。特に好ましくは３２〜６３μｍである。１０６μｍより大きいと基板への印刷性が悪くなり、２０μより小さいとはんだ付け後のはんだ中にボイドが多く生じるようになり、上記した問題を引き起こすようになる。
本発明のソルダペーストは、上記フラックスとこの平均粒径範囲のはんだ粉末を組み合わせることによりボイドの発生を一層抑制することが可能となった。
本発明でのはんだの平均粒径はマイクロトラック粒度分析計によって測定したものである。
【００１３】
本発明のソルダペーストのフラックスは、上記した沸点が１００℃以下のアミンと有機２塩基酸からなる塩および増粘剤に基材樹脂（例えば、天然ロジン、重合ロジン、不均化ロジン、水添ロジン、および各種変性ロジンなどロジン類あるいはポリオレフィン、カルボキシル基含有ポリオレフィン等から選ばれる少なくと１種）、溶剤（例えば、アルコール類、グリコール類、エステル類、エーテル類などが例示され、好ましくはそのうち沸点が１６０℃以上、特に２２０〜２７０℃で、吸湿性が小さい、他のフラックス成分との相溶性に優れたもの）、有機酸、ハライド化合物などの添加剤が配合されてなる。
【００１４】
本発明のソルダーペーストは、上記のようなフラックスに先に記載した粉末はんだを定法により配合混練することにより調製することができる。ソルダペースト中フラックスと粉末はんだの割合は重量比で、８：９２〜１６：８４、好ましくは９：９１〜１２：８８である。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例 １〜３
表１に示す配合のフラックス（各フラックス成分の配合比率は重量部で示されている）と粉末はんだとを配合混練することにより、実施例１〜３のソルダペーストを調製した。フラックスと粉末はんだの混合比はいずれの実施例においても重量比で１０：９０である。
【００１６】
比較例 １〜２
実施例と同じように、表１に示すフラックスと粉末はんだを配合混練することにより、比較例１〜２のソルダペーストを調製した。
【００１７】
実施例および比較例によって調製したソルダペーストを印刷機を用いて基板上に印刷し、半導体チップを搭載後、標準条件でリフローしてパワーモジュールを組み立てた。
はんだ付け後のパワーモジュールのシリコーンゲルの硬化度合およびはんだ中のボイド発生度合を次のようにして評価し、結果を表１に示した。
【００１８】
〔ソルダペーストの評価方法〕
（１）シリコーンゲルの硬化度合
シリコーン（東芝シリコーン社製ＴＳＥ３０５１）をはんだ付け後のパワーモジュールの基板表面に流し込む。オーブン中で１２５℃で１２０分加熱し、シリコーンを硬化させる。シリコーンゲルとモジュール表面との間に剥離がなければ合格とする。
（２）ボイド発生度合
パワーモジュール基板のはんだ付け後のはんだ中に存在するボイドをＸ線により観察し、ランド面積に占めるボイドの占有面積率を確認する。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
【表２】
0003824901.tif 000003
【００２１】
【発明の効果】
本発明のソルダペーストは１２０℃以上の温度ではんだ付けをした場合フラクッス中に窒素を１０００ｐｐｍ以上残留しないので、パワーモジュール中ではんだに接して存在するシリコーンの硬化阻害を生じることなく、またはんだ中にボイドを生じるという問題も引き起こさないため、ゲル封止された半導体装置や、高発熱素子をはんだ付けにより組みたてるパワーモジュール用に使用するに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のはんだを用いて組み立てたパワーモジュールの模式図。
【図２】  本発明のソルダペーストを用いて組み立てたパワーモジュールの模式図。
【符号の説明】
１：はんだ層、２：半導体チップ、３：セラミック基板、４：シリコーンゲル、５：シリコーンゲル硬化不良部、６：セラミック基板上面の表面金属層、７：セラミック基板下面の裏面金属層、８：ワイヤ、９：はんだ中のボイド、１０：外部電極、１１：エポキシ樹脂、１２：ケース。
【図１】
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【図２】
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