(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気テープ用の非磁性支持体、該非磁性支持体上に形成された金属電極として機能できる非磁性金属層、該非磁性金属層上に形成された金属磁性層、及び該金属磁性層上にプラズマＣＶＤ法により成膜形成された保護膜を含んで成り、
前記非磁性金属層の比抵抗が前記金属磁性層の比抵抗に比べて小さく、
前記金属磁性層の厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍで、前記金属磁性層及び前記非磁性金属層の合計の比抵抗の値が３１×１０−６Ωｍ以下である
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性金属層が、アルミニウム、銅、金、銀から成る群から選択される１又は２以上の金属又は合金により形成される
ことを特徴とする請求項１記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性金属層の厚みが１０ｎｍ〜１００ｎｍである
ことを特徴とする請求項１記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項４】
磁気テープ用の非磁性支持体上に金属電極として機能できる比抵抗が金属磁性層の比抵抗に比べて小さい非磁性金属層及び前記金属磁性層を、前記金属磁性層の厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍで、前記金属磁性層及び非磁性金属層の合計の比抵抗の値が３１×１０−６Ωｍ以下となるように順次成膜して記録媒体前駆体を形成し、
前記記録媒体前駆体をプラズマ放電電極と対向させ、非磁性金属層及び金属磁性層とプラズマ放電電極間に原料ガスを供給しながら放電させる真空薄膜形成技術により、前記記録媒体前駆体表面に保護膜を形成する
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成した、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法に関し、より詳細には長時間記録用のビデオテープ、あるいは大容量のテープストリーマーとして用いて好適な高密度磁気記録用の金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、オーディオテープ、ビデオテープ等の磁気記録テープとして、非磁性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の磁気粉末を、塩化ビニルー酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の各種結合剤中に分散させて作製した磁性塗料を塗布し、乾燥させることにより得られる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られている。
近年の高密度記録化への要求の高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成技術によって、直接非磁性支持体上に、あるいは極めて薄い接着層を介して磁性層を形成する、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
このような金属薄膜型磁気記録媒体は、保磁力や角形比に優れ、又磁性層を極めて薄層にできることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、又記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、更には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属粒子の充填密度を高めることができる等の種々の利点を有している。
又電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着によって形成する方法が提案され、実用化されている。
【０００４】
上述したような、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体においては、耐久性や走行性を向上させるために、磁性層上に保護層を形成したり、磁性層形成面とは反対側の主面に、バック層を形成したりすることが通常行われている。
又金属薄膜型磁気記録媒体では、高密度記録化に対応してスペーシングロスの低減化を図るために、表面が一層平滑化される方向にある。
しかし磁性層の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるため、摩擦力が増大し、磁性層に生じるせん断力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するために、磁性層上には保護膜を形成することがある。
【０００５】
この保護膜としては、例えばカーボン膜や石英（ＳｉＯ２ ）膜、ジルコニア（ＺｒＯ２）膜等が知られ、これらの材料膜は、ハードディスクにおいて既に使用されている。そして最近では、カーボン膜のうちでも特に、ダイヤモンド構造を有する硬質カーボン膜（いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜）が保護膜として有力視されており、現在広く使用されている。
この硬質カーボン保護膜を成膜する方法として、スパッタリング法あるいはプラズマＣＶＤ法等が挙げられる。
【０００６】
このうちスパッタリング法は、Ａｒ等のスパッタガスを電場や磁場を利用して電離（プラズマ化）し、加速することでターゲット表面に衝突させる。プラズマ粒子が衝突したターゲットからはターゲット原子が弾き出され、この弾き出された原子が被処理体上に堆積することでスパッタ膜が形成される。しかしこのスパッタリング法によって硬質カーボン膜を形成した場合、膜形成速度が一般的に遅く、工業的見地から生産性に劣る。
一方プラズマＣＶＤ法では、膜の原料となる原料ガスに、電場で発生したプラズマのエネルギーによって分解あるいは合成等の化学反応を起こさせる。この化学反応の結果生成する反応物は被処理体上に堆積し、ＣＶＤ膜が形成される。このプラズマＣＶＤ法は、スパッタリング法に比べて膜形成速度が速く、従って上述の硬質カーボン保護膜の成膜手段として期待される。
【０００７】
このようなプラズマＣＶＤ法で硬質カーボン保護膜を成膜する方法を図２のプラズマＣＶＤ装置に基づいて説明する。
図２のプラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバ１１内に、アース電位となっている円筒状の回転支持体１２、該回転支持体１２に向けて設置された反応管１３及び該反応管１３内に装着された放電電極１４を有している。前記反応管１３はその一端１５が真空チャンバ１１の底部を貫通しており、この反応管端部１５から硬質カーボン膜形成用反応ガス、例えばエチレン等の気体状脂肪族炭化水素や、トルエン等の液体の芳香族炭化水素を気化させたガスが反応管内に導入されるようになっている。放電電極１４としてはガスを通し易く且つ電界を均一に掛けることができ、更に柔軟性を獲得し易いメッシュ状のものが好ましく使用される。具体的な材料としては銅が代表的であるが、導電性を有する金属であれば使用でき、これらには、ステンレス、真鍮及び金等が含まれる。
【０００８】
このようなプラズマＣＶＤ装置では、ＣＶＤ膜が成膜される被処理体１６は巻出しロール１７と巻取りロール１８間を１対の案内ロール１９により案内されて上記回転支持体１２の表面に沿って連続走行する。この連続走行している被処理体１６が放電電極１４との対向位置に対応する回転支持体１２の個所に達したときに、被処理体１６中の金属磁性層と放電電極１４間でプラズマが発生して原料ガスが分解や合成等の反応を起こし、その反応生成物が被着堆積してＣＶＤ膜（硬質カーボン保護膜）が連続的に成膜される。この時に、電流は被処理体１６、及びアース電位となっている回転支持体１２を通してアースへ流れていく。
このような前記プラズマＣＶＤ装置では、被処理体１６中の金属成分と放電電極１４間でのプラズマ放電により原料ガスの分解を起し、これにより硬質カーボン保護膜が成膜される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで磁気記録媒体のさらなる高密度記録化の要請を受けて、記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が使用されている。
ＭＲヘッドは、磁気記録媒体からの微小な漏洩磁束を高感度で検出できるという特性を有するため、金属磁性層の薄膜化を進めることにより、低ノイズ化が可能になり、面記録密度の向上を図ることが可能になる。
ところが金属磁性層が薄くなるに伴い、その比抵抗が高くなり、前述したプラズマＣＶＤ装置での安定放電が難しくなっている。
【００１０】
プラズマ放電が安定化しないと、特にプラズマ放電で成膜される硬質カーボン保護膜等の成膜速度が小さくなり、又成膜される膜の品質も劣化し易いという欠点がある。成膜速度が低下すると単位時間当たりの磁気記録媒体の生産個数、従って生産性が低下する。
安定放電を達成するためだけであれば、金属磁性層の厚さを厚くすれば良いが、前述した時代の趨勢である金属磁性層の薄膜化に逆行し、本来の趣旨に反することになる。
従って本発明はこれらの欠点を解消し、満足できる速度で保護膜を成膜できかつ全体の膜厚も減少させることのできる金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体は、磁気テープ用の非磁性支持体、該非磁性支持体上に形成された金属電極として機能できる非磁性金属層、該非磁性金属層上に形成された金属磁性層、及び該金属磁性層上にプラズマＣＶＤ法により成膜形成された保護膜を含んで成り、非磁性金属層の比抵抗が金属磁性層の比抵抗に比べて小さく、金属磁性層の厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍで、金属磁性層及び非磁性金属層の合計の比抵抗の値が３１×１０−６Ωｍ以下であることを特徴とする。
本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法は、磁気テープ用の非磁性支持体上に金属電極として機能できる比抵抗が金属磁性層の比抵抗に比べて小さい非磁性金属層及び金属磁性層を、該金属磁性層の厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍで、金属磁性層及び非磁性金属層の合計の比抵抗の値が３１×１０−６Ωｍ以下となるように順次成膜して記録媒体前駆体を形成し、この記録媒体前駆体をプラズマ放電電極と対向させ、非磁性金属層及び金属磁性層とプラズマ放電電極間に原料ガスを供給しながら放電させる真空薄膜形成技術により、記録媒体前駆体表面に保護膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明では、金属薄膜型磁気記録媒体（以下記録媒体と略称する）の薄膜化を図るとともに生産性を向上させること、特に記録媒体に形成される保護膜を高速度で成膜することを意図している。
前述した従来技術のように記録媒体の主要な構成要素である金属磁性層を薄膜化すると、引き続き行われるプラズマＣＶＤ法により成膜される保護膜の成膜速度が低下する。
本発明では、金属磁性層と非磁性支持体の間に、非磁性金属層を形成することにより記録媒体の薄膜化と保護膜の高速成膜を同時に達成する。
【００１３】
この非磁性金属層は金属磁性層より比抵抗の低い非磁性金属や合金、例えばその抵抗値率が４２０Ω／インチ２以下であるアルミニウム、銅等が好ましく使用できる。工業的に高価であるが、金や銀を使用しても良い。
非磁性金属層の膜厚は、金属磁性層の膜厚減少分より薄くして記録媒体の薄膜化を達成することが望ましい。更に非磁性金属層の本来の機能であるプラズマＣＶＤ法による保護膜の成膜速度を確保するという観点から非磁性金属層と金属磁性層の合計の比抵抗が一定範囲内に維持されるように非磁性金属層の膜厚を決定する。
このように望ましい非磁性金属層の膜厚は種々の条件に依存するが、好ましくは１００ｎｍ以下更に好ましくは５０ｎｍ以下である。非磁性金属層と金属磁性層の合計の比抵抗の値は金属磁性層の厚さに大きく依存し、望ましい比抵抗値の範囲も一概には特定できないが、例えば金属磁性層厚が５０〜１００ｎｍの場合には、３１×１０−６Ωｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
このような特性を有する非磁性金属層を有する記録媒体（記録媒体前駆体）に、従来技術で使用されている前述のプラズマＣＶＤ装置等を利用して保護膜の成膜を行うと、非磁性金属層の存在のために非磁性金属層と金属磁性層とを合わせた比抵抗が大きく減少してプラズマ放電が安定化して、成膜される硬質カーボン保護膜等の成膜速度が高く維持され、又成膜される膜の品質も劣化し難くなる。そして非磁性金属層の膜厚が金属磁性層の膜厚減少分より薄くすると記録媒体全体の薄膜化が達成できる。更に非磁性金属層の材質として機械的強度の高い材料を使用すると、薄膜化により機械的強度が低下し易い記録媒体の機械的強度を、薄膜化していない従来の記録媒体と同等又はそれ以上に維持できる。
【００１５】
引き続き非磁性金属層以外の各要素について説明する。
非磁性支持体には、通常の磁気テープとして使用できる公知の材料をいずれも適用でき、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラメチレンフタレート、ポリ−１，４−シクロヘキサンジメチレンフタレート、ポリエチレン２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリエチレン−ｐ−オキソベンゾエート等のポリエステル類が挙げられる。特にＰＥＴ及びＰＥＮが材料の入手し易さや加工性の良好さの点から好適である。
これらのポリエステル類は、ホモポリエステルでもコポリエステルであっても良い。
【００１６】
非磁性金属層の上に成膜される金属磁性層の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属や、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金等が挙げられ、この金属磁性層は単層膜であっても多層膜であっても良い。
この金属磁性層を形成する真空薄膜形成技術としては、真空下で金属磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性金属層上に被着させる真空蒸着法や、金属磁性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法等のいわゆるＰＶＤ技術が挙げられる。
【００１７】
保護膜例えば硬質カーボン保護膜はこのような金属磁性層上に形成される。この硬質カーボン保護膜は好ましくはダイヤモンド構造を有するカーボン膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜である。カーボンにはグラファイト構造を有するもの、ダイヤモンド構造を有するもの等が知られており、ラマン分光スペクトルを測定すると、それぞれに由来するピークが観察される。前記ダイヤモンドライクカーボン膜とは、少なくともその一部がダイヤモンド構造を有し、ラマン分光スペクトルにおいて、前記ダイヤモンド構造に由来するピークが観察される膜をいう。通常はグラファイト構造に由来するピークとともに前記ダイヤモンド構造に由来するピークが現れる。
保護層形成材料は、金属磁性薄膜用の保護層として一般に使用されている公知材料を使用でき、カーボン以外に、例えばＣｒＯ２、Ａｌ３ Ｏ３ 、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ２ 、Ｓｉ３ Ｏ４、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ−ＳｉＯ２ 、ＺｒＯ２ 、ＴｉＯ２ 、ＴｉＣ、ＭｏＳ等が使用できる。
【００１８】
この保護層は、プラズマＣＶＤ法等の公知の真空成膜技術により形成することができる。このＣＶＤ法は、炭素化合物等をプラズマ中で分解して成膜する技術で、耐磨耗性、耐蝕性及び表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗を有するダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボンを、１０ｎｍ以下の厚さに安定して成膜することができる。
この場合炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の公知の材料を使用できる。又プラズマ中で分解させるために高周波のバイアス電圧を用いる。又プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、ＡｒやＨ２を導入しても良い。
【００１９】
ダイヤモンドライクカーボンの膜硬度や耐蝕性の向上のために、カーボンが、窒素やフッ素と反応した状態であっても良く、ダイヤモンドライクカーボン膜は、単層であっても多層であっても良い。又プラズマ生成時に、炭素化合物の他に、Ｎ２、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２ Ｆ２ 等のガスを単独あるいは適宜混合した状態で成膜しても良い。
保護層は厚くし過ぎるとスペーシングによる損失が増加し、薄すぎると耐磨耗性及び耐蝕性が劣化してしまうので、４〜１５ｎｍ程度の厚さに形成することが望ましい。
【００２０】
更に必要に応じて非磁性支持体の金属磁性層を形成した側とは反対側の面にバックコート層を被覆したり、前記非磁性支持体と金属磁性層間に非磁性金属層に加えて下塗り層を形成したり、保護膜上に潤滑剤層を形成する等、付加的に各種層を形成することは何ら差し支えない。この場合、例えばバックコート層に含まれる非磁性顔料及び樹脂結合剤、あるいは潤滑剤層に含まれる材料として、従来公知のものを使用できる。
本発明の記録媒体はＭＲヘッド用として特に好ましく使用できるが、誘導型ヘッド用等として使用しても良い。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係わる金属薄膜型磁気記録媒体の実施態様を添付図面を参照しながら説明する。
図１Ａは本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の一実施態様を示す概略縦断面図、図１Ｂは同じく他の実施態様を示す概略縦断面図である。
図１Ａに示す態様の金属薄膜型磁気記録媒体（記録媒体）１００では、２〜５μｍ程度の厚さを有するポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂から成る非磁性支持体１の上側表面に、好ましくは５０〜１００ｎｍの厚さを有する非磁性金属層２が真空蒸着等により被覆されている。この非磁性金属層２の上面には潤滑剤や防錆剤とよりコーティングを施しておくことが望ましい。使用する潤滑剤は、磁気テープの用途として一般に使用されるものを使用でき、特に骨格がフルオロカーボン系、アルキルアミン系、アルキルエステル系等が好適である。
【００２２】
この非磁性金属層２上には、強磁性金属材料から形成された金属磁性層３が被覆され、非磁性金属層と金属磁性層を合わせた比抵抗が好ましくは３１×１０−６Ωｍ以下となるように調整され、更に該金属磁性層３上には硬質カーボン保護膜等の保護層４が被覆されている。
上記非磁性支持体１の下側表面には前述したコーティングを施しておくことが望ましく、この非磁性支持体１の裏面側には、例えばポリウレタン系のバックコート塗料を塗布することにより、バックコート層５が形成されている。
この記録媒体１００では、非磁性支持体１と金属磁性層３の間に挟まれた非磁性金属層２が、該非磁性金属層２と金属磁性層３とを合わせた比抵抗を一定値以下に維持しているため、保護膜４を真空成膜技術により成膜する際に、従来の単に金属磁性層の膜厚を薄くした記録媒体の場合と異なり、成膜速度が過度に低下することがなく、一定値以上に維持される。
【００２３】
図１Ｂに示す他の実施態様に係る金属薄膜型磁気記録媒体１００Ａでは、図１Ａの非磁性金属層２に加えて非磁性支持体１とバック層５の間に強化層６を挿入してある。この態様では、強化層６が金属薄膜型磁気記録媒体１００Ａ全体の機械的強度を向上させるため、全体の機械的強度を低下させることなく非磁性支持体１の厚さを従来よりも薄くすることができ、更に非磁性金属層２の存在により保護膜４を一定値以上の速度で成膜できる。
【００２４】
【実施例】
次に本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体に関する実施例及び比較例を記載するが、これらは本発明を限定するものではない。
【００２５】
実施例１〜５及び比較例１〜４
（金属薄膜型磁気記録媒体の作製）
図１Ａに示した金属薄膜型磁気記録媒体の非磁性支持体として、厚さが６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。
真空蒸着法によって酸素を導入しながら、下記の蒸着条件で非磁性支持体上に非磁性金属層を成膜した。
【００２６】
（蒸着条件）
金属材料：Ａｌ（アルミニウム）１００重量％
導入ガス：酸素ガス
酸素導入量：０〜１．０ＳＬＭ
蒸着時真空度：２．０×１０−２Ｐａ
【００２７】
次いで図２の蒸着装置を用い、下記の蒸着条件で非磁性金属層上に金属磁性層を斜め蒸着法により成膜した。
（蒸着条件）
金属磁性材料：Ｃｏ（コバルト）１００重量％
入射角：４５°〜９０°
導入ガス：酸素ガス
蒸着時真空度：２．０×１０−２Ｐａ
【００２８】
次いでプラズマＣＶＤ法により、下記保護層成膜条件により、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン保護膜を形成した。
（保護膜成膜条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス（アルゴン混合率２０容量％）１５０ｓｃｃｍ
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：直流電流１．２５ｋＶ
【００２９】
次いで磁性層形成面とは反対面に、潤滑剤を塗布した。使用した潤滑剤は、フルオロカーボンを主骨格とするダイキン工業株式会社製商品名「デムタム」を、第３アミンであるジメチルデシルアミンで変性し、塩構造を取るように合成した。
塗布した潤滑剤上に、バック材料であるポリウレタン系のバックコート塗料をグラビアロール法により０．５μｍの厚さで塗布した。
最後に得られた金属薄膜型磁気記録媒体を裁断し、磁性層面にパーフルオロエーテル系潤滑剤を塗布し、サンプルの磁気テープを作製した。
【００３０】
実施例１〜５（非磁性金属層と金属磁性層を有する）及び比較例１〜４（金属磁性層のみを有し、非磁性金属層を有しない）では、前記成膜条件下で成膜時間を調節することにより、表１に示すように非磁性金属層及び金属磁性層の膜厚を変えたサンプルを作製し、それらのサンプルに対して、電気抵抗同一条件で作製した硬質カーボン保護膜の成膜速度を測定した。電気抵抗は表面積１インチ×１インチの抵抗で、厚みは断面ＴＥＭ法で求めた。それらの結果を表１に示す。
【００３１】
表１から次のことが分かる。
比較例１〜４の非磁性金属層を有しないサンプルの場合、膜厚が５０ｎｍより薄くなると（比較例１及び２）、急激に保護膜に及び成膜速度が低下した。膜厚を薄くすることにより、金属磁性層の電気抵抗が減少したためと推測できる。又膜厚が５０ｎｍ（比較例２）、１００ｎｍ（比較例３）及び１５０ｎｍ（比較例４）と増加するにつれて成膜速度は増大した。これは金属磁性層の比抵抗が減少したからであると推測できるが、成膜速度は増大しても薄膜化には逆行し、記録媒体全体を小型化することができなかった。
【００３２】
金属磁性層の膜厚を５０ｎｍ一定として非磁性金属層の厚みを変化させた実施例１〜５では、非磁性金属層の厚みが１０ｎｍ（実施例１）、２０ｎｍ（実施例２）、３０ｎｍ（実施例３）、５０ｎｍ（実施例４）及び１００ｎｍ（実施例５）と増加するにつれて、比抵抗が順に３１、２９．５、２７．２、１３及び９×１０−６Ωｍと減少し、これにほぼ反比例するように、保護膜の成膜速度は順に３２０、３７０、３９０、４１０及び４３０ｎｍ／分と上昇した。
更に、金属磁性層と非磁性金属層の合計の膜厚が１５０ｎｍで等しい例、つまり金属磁性層が５０ｎｍで非磁性金属層が１００ｎｍである実施例５と、金属磁性層が１５０ｎｍ（非磁性金属層なし）の比較例３を比較すると、実施例５では比抵抗が９と低く成膜速度も４３０ｎｍ／分と高いのに対し、比較例３では比抵抗が２２．５と高く成膜速度も３９２ｎｍ／分と実施例５よりかなり低くなっている。これらの結果から同一膜厚のサンプルでは実施例のつまり非磁性金属層を有するサンプルの方が成膜速度が速かったことが分かり、同一成膜速度のサンプルでは非磁性金属層を有するサンプルの方が薄膜化が達成し易いと考えられる。
【００３３】
生産性を考慮すると、保護膜成膜速度（同一時間で形成される保護膜の膜厚）は速い方が望ましい。しかしながら非磁性金属層をできるだけ薄くすることもコストの面から重要である。従って充分な膜形成速度に対して１０％以内に抑えることを考えると、非磁性金属層膜厚が２０ｎｍ以上であると保護膜成膜速度の減少を１０％以内に抑えることができ、従って非磁性金属層の膜厚は可能であれば２０ｎｍとすることが好ましく、これに対応する比抵抗は３０×１０−６Ωｍである。
【００３４】
【表１】
0003733878.tif 000002
【００３５】
【発明の効果】
本発明は、非磁性支持体と金属磁性層間に非磁性金属層を形成した金属薄膜型磁気記録媒体である。この非磁性金属層の存在により、金属磁性層の薄膜化により発生する保護膜の成膜速度の低下という問題点が解消されて、高い生産性で小型化した記録媒体を提供できる。
つまり、保護膜形成前の記録媒体前駆体の膜厚が従来の対応する記録媒体前駆体の膜厚の膜厚より薄く、かつ非磁性金属層と金属磁性層とを合わせた比抵抗が従来の記録媒体の金属磁性層の比抵抗と同等となる場合は、保護膜の成膜速度は同等であるが、より小型化又は薄膜化した記録媒体が得られる。逆に膜厚が同じ場合は前記比抵抗が小さくなって保護膜の成膜速度が上昇して高生産性で記録媒体を製造できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１Ａは本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の一実施態様を示す概略縦断面図、図１Ｂは同じく他の実施態様を示す概略縦断面図である。
【図２】  プラズマＣＶＤ法で硬質カーボン保護膜を成膜する際に使用できるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す縦断面図。
【符号の説明】
１００、１００Ａ・・金属薄膜型磁気記録媒体、１・・非磁性支持体、２・・非磁性金属層、３・・金属磁性層、４・・保護膜、５・・バックコート層、６・・強化層、１１・・真空シャンバ、１２・・回転支持体、１３・・反応管、１４・・放電電極、１５・・反応管端部、１６・・被処理体、１７・・巻出しロール、１８・・巻取りロール、１９・・案内ロール。
【図１】
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【図２】
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