(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材料からなる基材と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域とを有する被検出物、の真正さをチェックする装置であって、
上記磁性素子を磁気的に検出するための検出部を有し、
上記検出部は、上記走査領域の走査方向に対し交差する方向を向く一対のＭＲ素子を走査方向に並べ上記走査領域を走査する第１の検出素子対と、上記第１の検出素子対に対して平行な方向に上記ＭＲ素子の素子幅の７％から２０％の範囲で位置をずらして配置された一対のＭＲ素子を有し上記第１の検出素子対と同じ走査領域を走査する第２の検出素子対と、
を具備したことを特徴とする被検出物の真正さをチェックするための装置。
【請求項２】
上記第２の検出素子対を２組使用し、これら第２の検出素子対を、第１の検出素子対と平行な方向に互いに反対側に同じ距離だけ位置をずらして配置したことを特徴とする請求項１記載の被検出物の真正さをチェックするための装置。
【請求項３】
非磁性材料からなる基材と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域とを有する被検出物、の真正さをチェックする装置であって、
上記磁性素子を磁気的に検出するための検出部を備えた磁気的検出手段と、
上記被検出物を上記検出部に対して上記走査領域を走査する方向に相対移動させる移送手段とを具備し、
上記磁気的検出手段は、
上記検出部の走査方向に対し交差する方向を向く一対のＭＲ素子を走査方向に並べ上記走査領域を走査する第１の検出素子対と、
上記第１の検出素子対に対して平行な方向に上記ＭＲ素子の素子幅の７％から２０％の範囲で位置をずらして配置された一対のＭＲ素子を有し上記第１の検出素子対と同じ走査領域を走査する第２の検出素子対と、
上記各検出素子対に磁界を与える磁界発生手段と、
上記磁性素子が上記各検出素子対の近傍を通る時に上記検出素子対に生じる電気的出力の変化をとらえて検出信号を得る検出回路と、
被検出物を発行する際に上記第１の検出素子によって得た検出信号を上記検出回路にとり込みかつ被検出物の照合を行う際には上記第１の検出素子対と第２の検出素子対によって得た検出信号を上記検出回路にとり込む切換え手段と、
上記第１の検出素子対によって得られた検出信号に関連するデータをコード表示部に記録するコード書込み手段と、
上記コード表示部に記録されている上記データを読取る読取り手段と、
上記読取り手段によって読取られた上記コード表示部のデータを上記全ての検出素子対によって得られた検出信号と照合しかつこれら検出信号のうちいずれかが上記コード表示部のデータと対応した時にこの被検出物が真正であると判断する手段と、
を具備したことを特徴とする被検出物の真正さをチェックするための装置。
【請求項４】
非磁性材料からなる基材と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域とを有する被検出物、の真正さをチェックする方法であって、
上記被検出物を作成するための作成プロセスと、上記被検出物をチェックするための照合プロセスとを含み、
上記作成プロセスと照合プロセスに使われる処理装置に、一対のＭＲ素子を走査方向に並べ上記走査領域を走査する第１の検出素子対と、上記第１の検出素子対に対して平行な方向に上記ＭＲ素子の素子幅の７％から２０％の範囲で位置をずらして配置された一対のＭＲ素子を有し上記第１の検出素子対と同じ走査領域を走査する第２の検出素子対とを設け、
上記作成プロセスは、上記各検出素子対に対して上記走査領域を相対移動させながら上記第１の検出素子対に磁界を与える走査ステップと、上記磁性素子が上記第１の検出素子対の近傍を通る時に第１の検出素子対に生じる電気的出力の変化をとらえて検出信号を得る検出ステップと、上記検出信号に関連したデータをコード表示部に記録するステップとを含み、
また上記照合プロセスは、上記各検出素子対に対して上記走査領域を相対移動させながら上記第１の検出素子対と第２の検出素子対に磁界を与える走査ステップと、上記磁性素子が上記第１の検出素子対および第２の検出素子対の近傍を通る時にこれら全ての検出素子対に生じる電気的出力の変化をとらえて検出信号を得る検出ステップと、上記検出ステップによって検出された第１の検出素子対および第２の検出素子対による検出信号を上記コード表示部に記録されているデータと照合しかつ上記複数の検出信号のうちいずれかが上記コード表示部に記録されているデータに対し許容レベル内にある時にこの被検出物が真正であると判断する判別ステップとを具備していることを特徴とする被検出物の真正さをチェックするための方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、重要書類や有価証券，紙幣および小切手等の金券，トラベラーズチェック，ＩＤカード，ＣＤカード，クレジットカード等のカード類，パスポート，あるいは美術品，公営競技投票券などのように、偽造を防止する必要のある被検出物をチェックするための装置とチェック方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書類等の真正さをチェックするための手段として、実開平５−４３０７号公報に見られるように、走査領域を磁気的に走査する装置が提案されている。この種の装置は、検出部に磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を設け、被検出物に設けられた磁性素子を上記磁気抵抗素子によって検出するようにしている。従ってこの装置では、磁性素子に応じた固有の波形の検出信号が得られる。
【０００３】
ＭＲ素子を用いた検出部は、少なくとも一対のＭＲ素子を走査方向に並べるとともに、磁石によって発生させた外部磁界をＭＲ素子に与えるようにしている。そしてＭＲ素子に対して走査領域を移動させ、走査領域中の磁性素子がＭＲ素子の近傍を通る際に生じる磁束変化をＭＲ素子によって電気的にとらえるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなＭＲ素子を利用した装置を用いて被検出物を磁気的に走査する場合、検出信号の再現性が重要である。ここで言う再現性とは、同一の被検出物を多数回繰返し検出した時に、実質的に同じ検出信号がいつでも得られるか否かということである。すなわち再現性が悪いと、真正な被検出物を偽物と判断してしまうことがあり、信頼性が低下する。
【０００５】
理論的には、同じ走査領域を同じ検出部によって検出する限り、同じ検出信号が得られるはずであるが、実際には同じ検出部を用いていても、検出部に対して被検出物の位置が走査方向と直角な方向にずれることがあるため、常に同一の検出信号が得られるとは限らない。特に、被検出物を作成・発行する際（データの書込み時）に使用した検出部と、被検出物を照合する際（チェック時）に用いる検出部とが異なる場合には、検出部の製造上の組付け誤差などによって、検出部の位置が装置ごとにばらついていることがあるため、完全な再現性を得ることに困難を伴う。
【０００６】
例えば、素子幅が３ｍｍ程度のＭＲ素子を用いた検出部の場合に、走査方向と直角な方向の位置ずれが０．３ｍｍ以内であれば、実用上問題無いレベルの再現性が得られている。このため従来の装置は、その製造時に、検出部の位置ずれが上記許容範囲を越えないように、検出部の位置を高精度に管理する必要があり、装置のコストがかなり高くなる原因となっている。
【０００７】
従って本発明の目的は、検出部を高精度に位置合わせしなくても、検出信号を正確に再現することができる被検出物のチェック装置とチェック方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を果たすために開発された本発明装置は、請求項１に記載したように、非磁性材料からなる基材と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域とを有する被検出物、の真正さをチェックする装置であって、上記磁性素子を磁気的に検出するための検出部を有し、上記検出部は、上記走査領域の走査方向に対し交差する方向を向く一対のＭＲ素子を走査方向に並べ上記走査領域を走査する第１の検出素子対と、上記第１の検出素子対に対し平行な方向に上記ＭＲ素子の素子幅の７％から２０％の範囲で位置をずらして配置された一対のＭＲ素子を有し上記第１の検出素子対と同じ走査領域を走査する第２の検出素子対とを具備している。
【０００９】
上記検出素子対に使われる磁電変換素子は、磁界の強さにほぼ比例して抵抗値が変化する磁気抵抗素子（ＭＲ素子）が適している。ＭＲ素子を用いた場合には、第１の検出素子対に対して第２の検出素子対の位置をずらす量を、ＭＲ素子の素子幅の７〜２０％とするとよい。
【００１０】
請求項３に記載された本発明装置は、請求項１に記載の装置の構成に加えて、被検出物を走査方向に相対移動させる移送手段と、検出素子対に磁界を与える磁界発生手段と、上記磁性素子が上記各検出素子対の近傍を通る時に上記検出素子対に生じる電気的出力の変化をとらえて検出信号を得る検出回路と、被検出物を発行する際に上記第１の検出素子対によって得た検出信号を上記検出回路にとり込みかつ被検出物の照合を行う際には上記第１の検出素子対と第２の検出素子対によって得た検出信号を上記検出回路にとり込む切換え手段と、第１の検出素子対によって得られた検出信号に関連するデータをコード表示部に記録するコード書込み手段と、上記コード表示部に記録されている上記データを読取る読取り手段と、上記読取り手段によって読取られた上記コード表示部のデータを上記全ての検出素子対（第１の検出素子対と第２の検出素子対）による検出信号と照合しかつこれら検出信号のうちいずれかが上記コード表示部のデータと対応した時にこの被検出物が真正であると判断する手段とを具備している。
【００１１】
そして本発明のチェック方法では、請求項４に記載したように、被検出物を作成・発行する際（コード表示部へのデータ書込み時）には第１の検出素子対を用いて走査領域を走査して検出信号を得るようにし、被検出物の照合を行う際（チェック時）には、全ての検出素子対を用いて走査領域を走査して得られた検出信号をコード表示部のデータと照合する。
【００１２】
【作用】
本発明では、被検出物を作成するための作成プロセスにおいて被検出物の走査領域に多数の磁性素子をランダムに混入しておく、磁性素子は磁性材料からなるワイヤ，箔，粉体，あるいは高分子材料中に磁性粉を含有させた磁性ポリマー素子などである。このような磁性素子が混入された走査領域を上記検出部によって走査する時に得られる固有の波形の検出信号を、被検出物の真正さのチェックに利用する。
【００１３】
すなわち、本発明装置において、検出部に対して走査領域を移動させると、磁性素子の分布等に応じて各ＭＲ素子を通る磁束が変化するため、各ＭＲ素子の特性が経時的に変化する。これにより、各ＭＲ素子間に出力の変化が生じ、検出信号として取り出される。この検出信号は、磁性素子の混入密度や磁性素子のサイズあるいは配置方向などによって走査領域の微小部分ごとに変化するため、各走査領域に固有の出力パターンをもっている。
【００１４】
第１の検出素子対の両側にそれぞれ第２の検出素子対が設けられている場合には、上記作成プロセスにおいて、第１の検出素子対を用いて走査領域の走査が行われる。そしてこの検出信号は、被検出物を作成・発行する際に特定のルールで暗号化され、被検出物あるいはホストコンピュータなどのコード表示部に記録される。
【００１５】
上記被検出物が真正なものであるか否かを照合するプロセスでは、全ての検出素子対を用いて走査領域を走査して検出信号を得る。なお、第１の検出素子対と一組の第２の検出素子対のみが使われる場合は、上記作成プロセスにおいて、第１の検出素子対と第２の検出素子対から得られた２種類の検出波形を補間法などによって１つの波形にしてコード表示部に記録する。
【００１６】
上記のように、被検出物の作成・発行時は第１の検出素子対を用いて１種類の検出信号を得るようにしてコード表示部に登録し、照合時には全ての検出素子対による複数の検出信号のうちいずれかがコード表示部のデータに対して許容レベル内にあるか否かを判断することにより被検出物の照合を行うようにしているため、照合時の検出部の位置ずれ許容範囲が拡大され、検出部を高精度に位置合わせしなくても、検出信号の再現性が高いものとなる。
【００１７】
【実施例】
以下に本発明の一実施例について、図１ないし図７を参照して説明する。
図４に示されるように、被検出物１０の基材１１の中に、多数の磁性素子１２が不特定多数の方向を向くようにランダムに混入されている。基材１１は紙やプラスチックなどの非磁性体からなる。
【００１８】
磁性素子１２は、例えばパーマロイやセンダスト，ソフトフェライト，Ｃｏ系アモルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の高透磁率材料が適している。磁性素子１２の断面形状は円形に限らず、例えば多角形や矩形、長円形、その他であってもよい。図示例の磁性素子１２はワイヤ状であるが、箔、あるいは粉体であってもよい。また、ワイヤと箔と粉体が混ざっていてもよい。また、アクリル樹脂等の高分子材料中に多数の磁性粉を混入した繊維状あるいは帯状の磁性ポリマー素子が使われてもよい。
【００１９】
磁性素子１２の径（ワイヤ，繊維状の場合）あるいは幅（箔，帯状の場合）は被検出物１０のサイズにもよるが、例えば５〜１００μｍ程度であり、その長さは例えば１〜３０mm程度である。これらの磁性素子１２は、被検出物１０を製造する際に、特定の走査領域１７に、ある程度の密度で含まれるようにランダムに混入される。
【００２０】
被検出物１０にコード表示部１８が設けられている。コード表示部１８には、走査領域１７における磁性素子１２の分布状態等に応じた固有の情報が、図５に例示した処理装置２０によって暗号化されて書込まれる。
【００２１】
処理装置２０は、ハウジング２５と移送機構２６を備えている。移送機構２６は、ベルトやローラ等を用いた移送用部材２７によって、被検出物１０を所定速度で図中の矢印Ｆ方向に移動させるようになっている。
【００２２】
被検出物１０の移動経路の途中に、検出部として機能する磁気センサ３０が設けられている。この磁気センサ３０は、図１に示すように、センサ３０の幅方向中心線Ｃ上にほぼ位置する第１の検出素子対３１を備えている。この検出素子対３１は、磁電変換素子の一例としての一対のＭＲ素子４０，４１からなる。ＭＲ素子４０，４１はそれぞれ長手方向中心線Ｌを有する細長い形状であり、中心線Ｌが上記走査方向Ｆに対し交差する方向（図１において角度θが９０°±４５°の範囲）となるように、素子４０，４１が互いに平行に配置されている。ＭＲ素子４０，４１の形状は、図１に示すようなストレートな形状に限ることはない。例えば、素子４０，４１の長手方向中間部において折れ曲がった形状や、円弧状あるいは波形のものであってもよい。
【００２３】
また上記センサ３０は、２組の第２の検出素子対３２，３３を備えている。これら第２の検出素子対３２，３３の構成は第１の検出素子対３１と実質的に同一である。すなわち一方の第２の検出素子対３２は、走査方向Ｆに対し実質的に直角に配された一対のＭＲ素子４０，４１を有し、これらの素子４０，４１が、第１の検出素子対３１の各素子４０，４１と平行な方向に距離Ａだけ位置をずらして配置されている。他方の第２の検出素子対３３も、走査方向Ｆに対し実質的に直角に配された一対のＭＲ素子４０，４１を有し、これらの素子４０，４１が上記検出素子対３２とは反対側に距離Ｂだけ位置をずらして配置されている。ＭＲ素子４０，４１の長さＷは互いに共通であり、Ｗの一例は３ｍｍである。
【００２４】
上記装置２０は、センサ３０の幅方向中心線Ｃ上に位置する第１の検出素子対３１と、第１の検出素子対３１と平行な方向に位置をずらして配置された２組の第２の検出素子対３２，３３を備えているため、図３に示すように、第２の検出素子対の位置をずらした量Ａ，Ｂに相当する分だけ、許容レベル以上の再現性が得られる範囲（位置ずれ許容範囲Ｃ，Ｄ）を拡大することができる。例えば長さ３ｍｍのＭＲ素子を用いた場合、第１の検出素子対３１のみでは位置ずれ許容範囲Ｃ′，Ｄ′が±０．３ｍｍ程度であったが、本実施例のように第１の検出素子対３１に対して第２の検出素子対３２，３３をＡ，Ｂ方向に素子長さＷの約２０％（０．６ｍｍ）ずらして配置した場合には、許容レベル以上の再現性が得られる範囲Ｃ，Ｄを±０．９ｍｍまで拡大することができた。
【００２５】
第１の検出素子対３１に対して第２の検出素子対３２，３３の位置をずらす量Ａ，Ｂは、素子４０，４１の長さＷの７％から２０％の範囲が適当である。位置をずらす量Ａ，Ｂが素子長さＷの７％以下では、許容範囲を拡大できる量が不十分である。また、２０％を越えると、センサ３０の位置ずれの大きさによっては許容レベル以上の再現性が得られない場合が生じる。なお、第２の検出素子対を３組以上設けることによって、許容範囲を更に拡大させるようにしてもよい。
【００２６】
ＭＲ素子４０，４１は磁界の強さに応じて電気抵抗値が変化する磁気抵抗素子であり、要求仕様に応じて、例えばインジウムアンチモンやガリウムヒ素などの化合物半導体を用いた正の磁気特性を有するものや、ニッケルコバルトやパーマロイ等の強磁性体などのように負の磁気特性を有するものが使用される。
【００２７】
検出素子対３１，３２，３３の背後に、磁界発生手段の一例としてのマグネット４３が配置されている。マグネット４３は永久磁石でもよいし、電磁コイルを用いた電磁石が使われてもよい。
【００２８】
図５に一組のＭＲ素子４０，４１を代表して示すように、ＭＲ素子４０，４１は互いに電気的に接続されており、しかも、各ＭＲ素子４０，４１にマグネット４３による同じ強さの磁界が及ぶようになっている。一方のＭＲ素子４０は、検出回路４４を介して、下記コントローラ５０に接続されている。他方のＭＲ素子４１は直流電源回路４５に接続されている。このＭＲ素子４０，４１が並んでいる方向（矢印Ｆ方向）に走査領域１７が移動させられるようになっている。こうしたＭＲ素子４０，４１の回路構成は、各検出素子対３１，３２，３３に共通である。
【００２９】
図２に概念的に示したように、ＭＲ素子４０，４１の近傍を磁性素子１２が通る時、磁性素子１２の位置がａ，ｂ，ｃと変化するのに伴って、出力電圧Ｖout が変化する。すなわち、ＭＲ素子４０，４１の近傍に磁性素子１２が存在しない時には各ＭＲ素子４０，４１にマグネット４３の磁界が均等にかかり、ＭＲ素子４０，４１の抵抗値が互いに等しいので、入力電圧Ｖinに対して出力電圧Ｖout は約半分（Ｖin／２）となる。そして矢印Ｆ方向に磁性素子１２が移動することによってＭＲ素子４０，４１の近傍を磁性素子１２が通ると、磁性素子１２の位置に応じて各ＭＲ素子４０，４１を通る磁束が経時的に変化するとともに、ＭＲ素子４０，４１の抵抗値に差が出るため、出力電圧Ｖout がほぼ（Ｖin／２）を上下するようになる。
【００３０】
ここで一方のＭＲ素子４０の抵抗をＲ1 、他方のＭＲ素子４１の抵抗をＲ2 とすると、出力電圧Ｖout は  Ｖout ＝Ｖin×｛Ｒ1 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝  で表わされる。この出力電圧Ｖout は、磁性素子１２の分布密度や、磁性素子１２の径（または幅）、長さ、方向などの分布状態に応じて大きさが変化するので、固有の波形の出力電圧パターンが検出される。
【００３１】
また上記処理装置２０は、上記検出信号を処理するための処理手段として機能するマイクロコンピュータ等を用いたコントローラ５０と、被検出物１０のコード表示部１８に下記暗号コードを記録するためのコード書込み部５１と、コード表示部１８に記録された暗号コードを読取るためのコード読取り部５２などを備えている。コード書込み部５１と読取り部５２は、読取り／書込み用の回路５３に接続されている。コントローラ５０は、Ａ／Ｄ変換器６０や比較器６１および暗号コード変換器６２などを含んでいる。コントローラ５０に表示器６５が接続されている。
【００３２】
上記コントローラ５０は、被検出物１０を作成・発行する際に第１の検出素子対３１の検出信号をコントローラ５０にとり込み、被検出物１０を照合する際には第１の検出素子対３１と第２の検出素子対３２，３３の検出信号をコントローラ５０にとり込むようにするための切換え手段として機能するスイッチング回路６６を備えている。
【００３３】
次に、上記実施例装置２０の作用について説明する。
図６は被検出物１０を作成するためのプロセスの概略を示している。ステップＳ１においては、被検出物１０の基材１１が製造される際に、磁性素子１２が基材１１に混入される。磁性素子１２が粉体の場合には、走査領域１７にランダムな粉体の濃淡（密度の変化）をつけるか、粉体の密度を一定にしてランダムな模様を描くか、あるいはこれら両者を組合わせておく。
【００３４】
走査・検出ステップＳ２は、走査ステップＳ３と、検出ステップＳ４を含み、被検出物１０が移送機構２６によって所定速度で矢印Ｆ方向に移動させられることにより、走査領域１７に応じた検出信号が得られる。
【００３５】
すなわち走査ステップＳ３において、移送機構２６によって被検出物１０を所定速度で矢印Ｆ方向に移動させると、走査領域１７の複数の微小部分がＭＲ素子４０，４１の近傍を順次通過する。この時、磁性素子１２の分布状態等に応じて各ＭＲ素子４０，４１を通る磁束が経時的に変化するため、ＭＲ素子４０，４１の抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 に差が出ることによって、出力電圧Ｖout は固有の出力電圧パターンとして測定される。
【００３６】
上記検出信号は、走査領域１７が微小時間ごとに区切られて検出され、各微小時間ごとの出力電圧が複数段階にランク付けされてディジタル化される。こうして走査領域１７に固有のコード化された検出信号が得られる。この作成プロセスでは、第１の検出素子対３１の検出信号をコントローラ５０に取り入れるようにしている。なお、第１の検出素子対３１の片側に一組の第２の検出素子対３２のみを用いる場合には、上記作成プロセスにおいて、第１の検出素子対３１と第２の検出素子対３２によって得た２種類の検出波形を補間法などによって１つの検出波形をつくりだす。
【００３７】
上述の検出信号を、暗号化ステップＳ５において、暗号コード変換器６２によって、特定のルールに従って暗号化する。こうして暗号化されたコードが、書込みステップＳ６において、コード書込み部５１の磁気ヘッドによって、コード表示部１８に記録される。この実施例のコード表示部１８は磁気帯であるが、例えば印字ヘッドを用いて上記暗号コードをコード表示部１８にバーコードで記録するようにしてもよい。また、ホストコンピュータのコード記憶領域に上記暗号コードを記憶させるようにしてもよい。
【００３８】
被検出物１０が真正であるか否かのチェックも上記処理装置２０を使って行われる。図７は、被検出物１０の真正さをチェックするための照合プロセスの概略を示している。ステップＳ１１は、前述した被検出物１０の作成プロセスと同様の走査ステップＳ３と検出ステップＳ４を含んでおり、センサ３０によって走査領域１７を所定速度で走査することにより、磁性素子１２の分布等に応じた検出信号を得る。この場合、第１の検出素子対３１と第２の検出素子対３２，３３の各々の検出信号がコントローラ５０にとり込まれるようにスイッチング回路６６が作動する。
【００３９】
コード読取りステップＳ１２において、コード表示部１８に記録されている暗号コードがコード読取り部５２によって読取られる。この暗号コードが、コード再生ステップＳ１３において暗号コード変換器６２によって所定のルールに基いて解読されることにより照合用コードが再生される。そして判別ステップＳ１４において、上記３種類の検出信号が比較器６１によって上記照合用コードと比較される。そして上記検出信号（複数）のうち少なくともひとつが上記照合用コードに対して許容レベル内にあるときに、この被検出物１０が本物であると判断され、その照合結果が表示器６５に表示される。
【００４０】
上記処理装置２０によれば、第１の検出素子対３１のみを単独で用いる場合に比べて、照合時に第２の検出素子対３２，３３を設けた分だけセンサ３０の位置ずれ許容範囲を拡大することができる。このため、センサ３０を高精度に位置合わせする必要がなくなり、処理装置２０の製造が容易となる。なお、第１の検出素子対３１と１組の第２の検出素子対３２のみが使われた場合は、判別ステップＳ１４において、検出素子対３１，３２によって検出された２種類の検出信号が上記照合用コードと比較され、これら検出信号のいずれかが上記照合用コードに対し許容レベル内にあるとき、この被検出物１０が本物であると判断される。
【００４１】
なお、前述した被検出物１０の作成プロセスにおいて、暗号コードをホストコンピュータのコード記憶領域に登録した場合に、照合プロセスにおいてこのホストコンピュータから暗号コードを呼び出し、検出信号と照合させるようにしてもよい。あるいは、照合プロセスにおいて、検出ステップＳ４で得た検出信号を作成プロセスの場合と同じルールで暗号化し、この暗号コードを、コード読取りステップＳ１２で読取った暗号コードと照合させるようにしてもよい。
【００４２】
また、図８に示す検出部（センサ）３０のように、複数組の検出素子対３１，３２，３３の素子４０，４１が互いに入り込むように配置してもよい。こうすれば、複数の検出素子対でもコンパクトに構成することができ、かつ、コストも下げることができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、照合時の検出部の位置ずれ許容範囲が従来装置に比較して拡大され、検出部を高精度に位置合わせしなくても、検出信号の再現性が高い。このため、被検出物の作成・発行時に使用する検出部と照合時に使用する検出部とが異なる場合などにも、被検出物が真正であるか否かを、高い信頼性でチェックすることができる。そして検出部の位置を従来に比較して高精度にする必要がないため、装置のコストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す処理装置の検出部の平面図。
【図２】図１に示された検出部の一部の作用を示す概略図。
【図３】図１に示された検出部の位置ずれ許容範囲とデータ再現性を示す図。
【図４】被検出物の一例を概念的に示す平面図。
【図５】図１に示された検出部を備えた処理装置の概略を一部断面で示す側面図。
【図６】被検出物を作成する際の処理のステップを示すフローチャート。
【図７】被検出物の照合を行う際の処理のステップを示すフローチャート。
【図８】検出部の変形例を示す平面図。
【符号の説明】
１０…被検出物
１１…基材
１２…磁性素子
１７…走査領域
１８…コード表示部
２０…処理装置
３０…磁気センサ（検出部）
３１…第１の検出素子対
３２，３３…第２の検出素子対
４０，４１…磁電変換素子（ＭＲ素子）
４３…磁界発生手段（マグネット）
５０…コントローラ
５１…コード書込み部
５２…コード読取り部。
６６…スイッチング回路（切換え手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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