(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶の成長が完了した時点で、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成るマーキング情報と結晶長等の成長ロット情報とを予め記憶装置に格納しておき、半導体結晶のスライス加工時に、前記マーキング情報に基づいてスライス直後のウェハ表面にマーキング装置により識別パターンを形成し、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数等のスライス情報をスライス加工装置から前記記憶装置に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新し、結晶在庫及びウェハ在庫を管理することを特徴とする半導体結晶加工方法。
【請求項２】
前記識別パターンの形成は、レーザ光をウェハに照射することにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体結晶加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体結晶加工方法、特に半導体ウェハ上に在庫管理を目的としてウェハ識別用の識別パターンをマーキングしつつ半導体結晶をスライス加工する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体結晶は、結晶成長後にブレードやワイヤ等を用いたスライス加工装置（スライサ）により多数枚のウェハに切断される。切断された個々のウェハは、エッチング、ラッピング、鏡面研磨等の工程を経て、必要に応じレーザ光等を用いたマーキング装置により、ウェハ表面に番号等の識別パターンを形成する。
【０００３】
識別パターンを施したウェハは、作業員の目視による個々のウェハの識別、自動認識装置による識別に好都合で、加工プロセスにおけるウェハの所在管理・品質管理を容易にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、一本の半導体結晶はスライサにより多数枚のウェハに切断され、その後エッチング、鏡面研磨等の加工が施される。この切断された個々のウェハは、切断前の半導体結晶との比較において、数量的な面のみならず、色・形状等の外観面に関し、一見しただけでは他の成長ロットのウェハとの識別が難しく、スライス後の後工程において多大な労力を投入して厳重な管理を行っている。
【０００５】
しかしながら、上記のような管理ではウェハの取り違いミス等の完全撲滅は難しく、受注量や生産量が増大した際の品質管理・作業効率の面で問題となっていた。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、スライス後の後工程においての個々のウェハの識別を容易にし、結晶成長ロット管理やウェハ管理の簡略化を図ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体結晶加工方法は、半導体結晶の成長が完了した時点で、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成るマーキング情報と結晶長等の成長ロット情報とを予め記憶装置に格納しておき、半導体結晶のスライス加工時に、前記マーキング情報に基づいてスライス直後のウェハ表面にマーキング装置により識別パターンを形成し、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数等のスライス情報をスライス加工装置から前記記憶装置に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新し、結晶在庫及びウェハ在庫を管理するものである。前記識別パターンの形成は、具体的にはレーザ光をウェハに照射することにより行うことができる。
【０００８】
本発明においては、半導体結晶のスライス時、記憶装置に格納されているマーキング情報を読み込み、読み込んだ情報に基づいてスライス後のウェハ表面に対して、例えばレーザ光を照射して識別パターンを形成する。一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数（スライス後の枚数）等のスライス情報がスライス加工装置から共有記憶装置に取り込まれ、結晶成長ロット情報を更新し、結晶在庫・ウェハ在庫を管理する。従って、スライス後の後工程において、番号等の識別パターンを施したウェハにて誤りなく作業を行うことが可能となり、個々のウェハの識別を容易にして、結晶成長ロット管理・在庫管理の簡略化を図ることができる。即ち、ダメージの少ないインゴット認識用刻印として利用することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００１０】
図１において、１は半導体結晶加工装置本体、２はスライス情報を取り込むためのコンピュータ（第１コンピュータ）、３は複数のコンピュータから同時に読み書き可能な磁気記憶装置等から成る共有記憶装置、４はマーキング指示・在庫管理を行うためのコンピュータ（第２コンピュータ）である。
【００１１】
半導体単結晶加工装置本体１は、ブレードにより一本の半導体結晶を多数枚のウェハに切断するスライス加工装置（スライサ）と、切断後のウェハにウェハ識別用の識別パターンを形成するマーキング装置としてのレーザ装置とを具備している。
【００１２】
スライス情報を取り込むための上記第１コンピュータ２及びマーキング指示・在庫管理を行うための上記第２コンピュータ４には、複数のコンピュータから同時に読み書き可能な上記共有記憶装置３が接続されており、両コンピュータ２、４と共有記憶装置３とは各々ネットワークにより接続されている。
【００１３】
まず、半導体結晶の成長が完了した時点で、第２コンピュータ４から、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成る「マーキング情報」と結晶長等の「成長ロット情報」とを予め共有記憶装置に格納しておく。次に、スライス後の後工程において個々のウェハの識別を容易にするために、半導体結晶のスライス時に、共有記憶装置３に格納されている「マーキング情報」を読み込み、読み込んだ「マーキング情報」に基づいてスライス後のウェハ表面にマーキング装置のレーザ光を照射して識別パターンを形成（マーキング）する。そして、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、第１コンピュータ２により、ウェハ取得枚数（スライス後のウェハ枚数）等の「スライス情報」を半導体結晶加工装置本体１から共有記憶装置３に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新する。これによって、スライス後の後工程において番号等の識別パターンを施したウェハにて誤りなく作業を行うことが可能となるので、個々のウェハの識別を容易にして、結晶成長ロット管理・在庫管理の簡略化を図ることができる。
【００１４】
即ち、一本の半導体結晶を多数枚のウェハに切断するスライサにマーキング装置を具備し、スライスした直後のウェハに番号等の識別パターンを形成することにより、結晶成長ロット管理とウェハ管理の簡略化を図るものである。加えて、共有記憶装置３に半導体結晶の成長ロット情報を予め記憶させておき、マーキング時に取り込まれたスライス情報によって結晶成長ロット情報を更新することにより、スライス後の適正な在庫管理・生産管理を行うものである。
【００１５】
次に、図１、図２及び、表１、表２を用いて、本発明の実施形態をより具体的に説明する。
【００１６】
図２は、半導体結晶加工装置本体１のマーキング部近傍の拡大図である。図２において、２ｌは半導体結晶加工装置本体１が具備するスライス加工装置によりスライスされたスライス後のウェハ、２２はスライス後のウェハを運搬するキャリア、２３はスライス後のウェハに識別パターンを形成するマーキング装置を示している。
【００１７】
また、表１はスライス前の、表２はスライス後のマーキング指示・在庫管理用のデータベースの構造を示しており、表の左端に示す成長ロット番号をキーにして、半導体結晶成長時の「結晶長（成長ロット情報）」、スライス時の「スライス厚さ（スライス情報）」、スライス後にウェハに形成する成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成る「マーキング内容（マーキング情報）」、スライス後に一本の半導体結晶から取得した「ウェハ取得枚数（スライス情報）」等が格納できるようになっている。
【００１８】
【表１】
0003796994.tif 000002
【００１９】
【表２】
0003796994.tif 000003
【００２０】
半導体結晶・ウェハの生産管理者は、半導体結晶の成長が完了した時点で、予め表１のような半導体結晶の「成長ロット情報」（この例では結晶長の５００mm）と、マーキング情報（この例では表１中の（１）の成長ロット番号と（２）のウェハ番号）とを、第２コンピュータ４を用いて、共有記憶装置３に格納しておく。
【００２１】
その後、半導体結晶のスライス時（図１）において、共有記憶装置３に予め格納させておいた「マーキング情報」である成長ロット番号とウェハ番号をコンピュータ２を介して読み込む。半導体結晶が半導体結晶加工装置本体１のスライス加工装置にてウェハ状にスライスされた後、図２のキャリア２２によってマーキング装置２３に搬送されたウェハ２１は、読み込まれた「マーキング情報」である成長ロット番号及びウェハ番号に基づいて、ウェハ表面に対してレーザを照射することによって成長ロット番号及びウェハ番号を含む識別パターンを形成（マーキング）する。
【００２２】
本実施例の場合、各々のウェハに対し、表１にあるような成長ロット番号「ＡＡＡＡＡ」とそれぞれのウェハ番号が、スライス後のウェハ２１上に刻まれる。ここでレーザの照射によって形成される識別パターンの深さは、後工程（エッチング、ラッピング、鏡面研磨等）で完全に除去できるよう数ミクロンとする。
【００２３】
全てのウェハにスライス・マーキング処理が完了すると、成長ロット番号に対するスライス厚さ、一本の半導体結晶から取得されたウェハ取得枚数等の「スライス情報」が、半導体結晶加工装置本体１に接続された第１コンピュータ２を通して共有記憶装置３に取り込まれ、表２のように結晶成長ロット情報を更新する。即ち、表１の「スライス厚さ」、「ウェハ取得枚数」の空白欄に、それぞれの値「７５０μｍ」、「５５０枚」が書き込まれる。
【００２４】
「スライス情報」が取り込まれたことで、第２コンピュータ４は半導体結晶がウェハ状に加工されたことを認識し、結晶在庫から該当ロットのデータを削除して、ウェハ在庫に登録される。
【００２５】
これら一連の処理を通して、現在スライス前の結晶在庫が何本くらい存在するか、またスライス厚さ別のウェハが各々何枚くらい存在するかを機械的に把握して、結晶在庫とウェハ在庫を管理する。
【００２６】
上記実施形態では、半導体結晶の加工ということで、特に結晶の種類や製法等には言及していないが、化合物半導体の結晶（例えばＬＥＣ法やボート法）やシリコン結晶等において同様に適用することが可能である。
【００２７】
また、マーキング指示・在庫管理用のデータベースの構造について格納するデータ項目は、結晶長等５項目としたが、「結晶特性」や「結晶成長日」、「結晶加工日」等の項目を適宜増やすことで、ウェハの管理・在庫管理の幅を広げ、より行き届いた品質管理・生産管理を行うこともできる。
【００２８】
加えて本実施形態では、マーキングはスライス後の後工程でのウェハ管理に主眼を置いており、マーキングする識別パターンを、後工程（エッチング、ラッピング、鏡面研磨等）で完全に除去できるよう数ミクロンとしたが、該当工程の運用方法、顧客要求仕様等により設定の変更が可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体結晶加工方法によれば、半導体結晶の成長が完了した時点で、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成るマーキング情報と結晶長等の成長ロット情報とを予め記憶装置に格納しておき、半導体結晶のスライス加工時に、前記マーキング情報に基づいてスライス直後のウェハ表面にマーキング装置により識別パターンを形成し、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数等のスライス情報をスライス加工装置から前記記憶装置に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新するようにしたので、スライス後の後工程において個々のウェハの識別が容易となり、結晶成長ロット管理やウェハ・結晶在庫管理の簡略化を図ることが可能となる。従って、本発明を導入することにより、結晶成長ロット別のウェハ取得枚数、材料歩留、長期停滞のロット等の情報の把握を容易に行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体結晶加工方法を実施する加工装置の概要図である。
【図２】図１の半導体結晶加工装置におけるマーキング装置及びその近傍を示した拡大図である。
【符号の説明】
１  半導体結晶加工装置本体
２  スライス情報を取り込むためのコンピュータ
３  共有記憶装置
４  マーキング指示・在庫管理を行うためのコンピュータ
２１  ウェハ
２２  キャリア
２３  マーキング装置
【図１】
0003796994.tif 000004
【図２】
0003796994.tif 000005