(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを表面側に有する基板と，前記基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，前記導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ前記接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置であって，
前記絶縁膜で被覆された前記導体パターンにおける前記接続部外方の部分は，基板側に傾斜しており，
前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっていることを特徴とする，半導体装置。
【請求項２】
前記導体パターンの厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に薄くなっていることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続部に対応する前記基板の前記裏面側が，前記ハンダバンプ側に膨出した形状であって，前記導体パターンの基板側は当該膨出形状に沿った形状であることを特徴とする，請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップを表面側に有する基板と，前記基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，前記導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ前記接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置であって，
前記導体パターンの厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に薄くなっており，
前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっており，
前記接続部に対応する前記基板の前記裏面側が，前記ハンダバンプ側に膨出した形状であって，前記導体パターンの基板側は当該膨出形状に沿った形状であることを特徴とする，半導体装置。
【請求項５】
半導体チップを表面側に有する基板と，前記基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，前記導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ前記接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置であって，
前記導体パターンにおける接続部の外側の周辺部には，テーパ形状に成形された段差が設けられ，
前記接続部は，前記基板の前記表面側と反対方向に突出しており，
前記段差部分における前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっていることを特徴とする，半導体装置。
【請求項６】
前記接続部は，前記絶縁膜よりも前記ハンダバンプ側に突出し，前記突出している部分は，前記ハンダバンプ内に埋設されていることを特徴する，請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップを搭載する表面と，表面と反対側の面である裏面とを有する基板と，
前記基板の裏面に形成された導体パターンと，
前記導体パターンの所定の接続部以外の部分を被覆する絶縁膜と，を有し，
前記接続部は，前記絶縁膜よりも前記基板の表面の反対方向側に突出し，その絶縁膜から突出している部分がハンダバンプ内に埋設されていることを特徴とする，半導体装置。
【請求項８】
前記接続部の外側の周辺部には，テーパ形状の段差が形成されていることを特徴とする，請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記突出している部分は，金属メッキで構成されていることを特徴とする，請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記突出している部分は，金属バンプであることを特徴とする，請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記突出している部分の外形は，円錐台形状であることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記突出している部分の外形は，円錐形状であることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記突出している部分の外形は，球の一部を平面で切除した際の曲面部分の形状であることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記突出している部分の側部外周面は，全周に渡って外方に凸に湾曲した形状であることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記突出している部分の側部外周面は，基板側に向かうにつれて次第に広がった形状であることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
ハンダバンプはボール形状であることを特徴とする，請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
半導体チップは少なくともその一部がモールドされたものであることを特徴とする，請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置を製造する方法において，
基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，
前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁体を配置する工程と，
前記所定の接続部以外のエリアの導体パターンのみが圧縮されるように，前記絶縁体を基板に加圧する工程と，
その後，前記基板の表面側に半導体チップを搭載する工程と，
前記接続部にハンダバンプを接合する工程と，を有することを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
加圧前に，導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施す工程を有することを特徴とする，請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
加圧後かつ接続部にハンダバンプを接合する前に，導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施す工程を有することを特徴とする，請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記絶縁体を配置する工程は，前記接続部に対応する位置に孔を有し絶縁体を構成するセラミックス板を，前記導体パターンが形成された基板の裏面に配置することを特徴とする，請求項１８〜２０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記絶縁膜を基板に加圧する工程は，前記セラミックス板を，前記所定の接続部以外のエリアの導体パターンのみが圧縮されるように，前記基板に加圧することを特徴とする，請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記絶縁膜を基板に加圧する工程は，前記セラミックス板の上面全面を前記基板に加圧することを特徴とする，請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記絶縁膜を基板に加圧する工程により，前記導体パターンの厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に薄くなることを特徴とする，請求項１８〜２３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記絶縁膜を基板に加圧する工程により，前記絶縁膜の厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に厚くなることを特徴とする，請求項１８〜２３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置を製造する方法において，
基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，
前記導体パターンにおける所定の接続部の外側の周辺部に，エッチング処理によって，基板の裏面より突出した基部と，当該基部から前記接続部に向かって傾斜するテーパを成形する工程と，
その後前記導体パターンにおける所定の接続部以外に絶縁膜を形成する工程と，
その後，前記基板の表面側に半導体チップを搭載する工程と，
前記接続部にハンダバンプを接合する工程と，を有することを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成するにあたり，接続部が絶縁膜よりも突出するように膜厚を設定することを特徴とする，請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記接続部の突出した部分が前記ハンダバンプ内に埋設されるように，前記接続部に前記ハンダバンプを接合することを特徴とする，請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記絶縁膜は，前記導体パターンが形成されていない基板の裏面にも形成されることを特徴とする，請求項２６〜２８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記絶縁膜を形成する前に，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施すことを特徴とする，請求項２６〜２９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記絶縁膜を形成した後に，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施すことを特徴とする，請求項２６〜２９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
前記テーパ上の絶縁膜は，前記接続部から離れるについて次第に厚くなるように形成されていることを特徴とする，請求項２６〜３１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記絶縁膜は，前記基部上の厚さが同じになるように形成されていることを特徴とする，請求項２６〜３２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記絶縁膜は，前記基部と当該基部上の絶縁膜を合わせた厚さが前記接続部の厚さになるように形成されていることを特徴とする，請求項２６〜３３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年，携帯電話等の携帯機器やＩＣカード等が急速に普及し，それに伴ってその中に搭載される樹脂封止型半導体装置も薄型，小型，軽量のものが要求されるようになっており，これらに対応するために従来から多くのものが提案されている。その１つとして例えば図３１に示すような樹脂封止型の半導体装置１０１のプリント基板などの外部基板１０２への実装状態が提案されている。
【０００３】
かかる実装状態を実現する樹脂封止型の半導体装置１０１は，エポキシ樹脂やセラミックなどからなる基板１０３の表面に半導体チップを封止したモールド部１０４が設けられ，基板１０３の裏面の所定の接続部分には，ハンダバンプとしてのハンダボール１０５が予め接合されている。そしてこの状態の半導体装置１０１を外部基板１０２上に置き，全体を約２２０℃〜２４０℃の雰囲気内におく。それによってハンダボール１０５の少なくとも一部を溶融させ，半導体装置１０１を外部基板１０２に実装するようにしている。かかる実装によれば，低容量，低インダクタンスという電気的特性が得られる。
【０００４】
前記実装状態を実現している樹脂封止型の半導体装置１０１の構造をより詳述すれば，図３２に示したように，基板１０３の裏面側に形成された金属パターン１０６は，所定の接続部１０６ａ以外は，例えばソルダーレジストなどの絶縁膜１０７で覆われており，接続部１０５ａは絶縁膜１０７の表面と面一になるように設定され，かつ接続部１０６ａの表面は平坦である。この接続部１０６ａに，ハンダボール１０５が接合されている。
【０００５】
そして前記半導体装置１０１を外部基板１０２に実装するにあたっては，絶縁層１０８，１０８間に形成された所定の電極部分１０９にハンダボール１０５を合わせ，その状態で全体を前記所定の熱雰囲気に置くのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構造にかかる半導体装置１０１では，外部基板１０２に実装した後に行う信頼性試験において，次のような問題点があった。すなわち，この信頼性試験においては，温度が常温または−６５℃から＋１５０℃の範囲の雰囲気にさらされるが，この時ハンダボール１０５の部分で電気的に断線が生じることがあったのである。これは基板１０３とモールド部１０４からなっている半導体装置１０１と，当該半導体装置１０１が実装される外部基板１０２との熱膨張係数の違いで，図３３に示したように，半導体装置１０１が引っ張られたり，収縮したりして最終的にハンダボール１０５にクラック１１０，１１１が発生し，それによって電気的特性が劣化したり，さらにはこれらクラック１１０，１１１が成長してやがて両者がつながり，断線に至ると考えられる。
【０００７】
発明者らが，これらクラック１１０，１１１の発生部位やパターン，方向を検証したところ，金属パターン１０６に近いところに発生し，しかもその方向がほぼ金属パターン１０６に沿って平行であるものがほとんどであった。そこで発明者らは，基本的にはハンダボールと接合される金属パターン接続部分の形状等を変えるなどして同様な実験したところ，大きな改善が得られた。そこで従来よりも発生するクラック自体の数を抑えたり，発生してもその発生方向，成長方向が断線しにくい方向となる，新規な半導体装置を提供することを第１の目的としている。また本発明は，そのような半導体装置の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側，すなわち実装側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置において，前記絶縁膜で被覆された前記導体パターンにおける前記接続部外方の部分は，基板側に傾斜しており，前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっている半導体装置を提案できる。
【０００９】
発明者らが検証したところ，このように絶縁膜で被覆された例えば金属パターンなど導体パターンにおける接続部外方の部分を基板側に傾斜させると，クラック自体の発生率が低下し，またクラックが発生してもその方向が前記傾斜にほぼ沿った方向，すなわち斜めの方向になっていることがわかった。これは前記した熱膨張係数の差によってハンダボールなどのハンダバンプに発生するストレスの方向が斜めになり，また分散されているためであると考えられる。そしてそのようにクラック自体の発生率が低下するので，電気的特性の劣化を抑えることができ，またクラックが発生してもその方向が斜めになっているので，断線も大幅に改善することができる。
【００１０】
かかる作用効果を有する半導体装置において，前記絶縁膜で被覆された前記導体パターンにおける接続部外方の部分を，基板側に傾斜させるだけでなく，次第に肉薄となるように成形してもよい。さらに，接続部に対応する基板の裏面側を，ハンダバンプ側に膨出した形状とし，導体パターンの基板側を当該膨出した形状に沿った形状としてもよい。
別の観点による本発明によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，前記基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，前記導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ前記接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置であって，前記導体パターンの厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に薄くなっており，前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっており，前記接続部に対応する前記基板の前記裏面側が，前記ハンダバンプ側に膨出した形状であって，前記導体パターンの基板側は当該膨出形状に沿った形状であることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】
別の観点による本発明によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置において，前記導体パターンにおける接続部の外側の周辺部には，テーパ形状に成形された段差が設けられ，前記接続部は，前記基板の前記表面側と反対方向に突出しており，前記段差部分における前記絶縁膜の厚さは，前記接続部に近づくにつれて次第に薄くなっていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１２】
かかる構成の半導体装置によっても，ハンダバンプに発生するストレスの方向が斜めになると共に分散される。したがって，ハンダバンプに発生するクラックが原因の電気的特性の劣化や断線を大幅に改善することができる。
前記接続部は，前記絶縁膜よりも前記ハンダバンプ側に突出し，当該突出している部分は，前記ハンダバンプ内に埋設されていてもよい。
【００１３】
別の観点による本発明によれば，半導体チップを搭載する表面と，表面と反対側の面である裏面とを有する基板と，前記基板の裏面に形成された導体パターンと，前記導体パターンの所定の接続部以外の部分を被覆する絶縁膜と，を有し，前記接続部は，前記絶縁膜よりも前記基板の表面の反対方向側に突出し，その絶縁膜から突出している部分がハンダバンプ内に埋設されていることを特徴とする，半導体装置が提供される。
また，前記接続部の外側の周辺部には，テーパ形状の段差が形成されていてもよい。
【００１４】
このようにハンダバンプと接合される接続部が絶縁膜よりも突出した構造，すなわち接合するハンダバンプ側に突出した構造とすると，クラックが発生しても，その方向が導体パターンに沿った方向とはならず，その結果断線に至ることを抑えることができる。またハンダバンプに生ずるストレスも，突出した接続部の周囲に分散すると考えられるので，クラック自体の発生率も低下する。
【００１５】
前記発明は，接続部自体が突出した構成であったが，接続部に対して突出している部分を別途接合し，この突出している部分とハンダバンプとを接合するようにしてもよい。すなわち，この発明によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置において，導体からなりかつ絶縁膜よりも前記ハンダバンプ側に突出する部分が前記接続部に接合され，ハンダバンプはこの突出している部分と接合されていることを特徴とする，半導体装置が提供される。このように，突出している部分を接続部と別体とした構造であっても，上記発明の場合と同様な作用効果が得られる。
【００１６】
かかる場合，突出している部分は，請求項７に記載したように，金属メッキで構成したり，請求項８に記載したように，金属バンプで構成してもよい。金属メッキの場合には，導体パターンの基本材料が銅であってその表面にＮｉ（ニッケル）やＡｕ（金）でメッキする際，連続した処理工程において当該突出している部分分を形成することができ，能率的である。また金属バンプの場合には，例えば樹脂封止型の半導体装置において金属細線でインナーリードを接続する際に使用されている金属バンプをそのまま用いたり，金属細線と一体になっている金属バンプの場合には，当該金属細線部分を切断したものをそのまま使用することができる。したがって製造が容易でコストも低廉なものにできる。
【００１７】
前記突出している部分の外形，すなわち絶縁膜からハンダバンプ側に突出した部分の外形の形態としては，突出側，すなわちハンダバンプ側に凸に湾曲した形状としたり，さらに円錐台形状（断面が台形の形状）としたり，円錐形状（断面が三角形の形状）とすることが提案できる。またその他に単なる円柱形状（断面が四角形）であってもよい。なお接続部の平面形態が四角形の場合には，それに合わせてこれら突出している部分の外形を各々四角錐台，四角錐，四角柱とすればよい。
【００１８】
さらに絶縁膜よりも突出している部分の外形の形態としては，球の一部を平面で切除した際の曲面部分の形状としたり，突出している部分の側部の外周面が，全周に渡って外方に凸に湾曲した形状としたり，基板側に向かうにつれて次第に広がった形状としてもよい。
【００１９】
接合用のハンダバンプ自体の形状は，従来から使用されているボール形状のもの（いわゆるハンダボール）をそのまま用いることができる。さらに基板上に搭載される半導体チップは，少なくともその一部，例えばインナーリードと電極パッドの部分が，樹脂やその他の絶縁材料によってモールドされたものであってもよい。
【００２０】
本発明の第２の目的，すなわち前記したようなクラックの発生率が少なく，その方向も導体パターンに沿った断線しやすいものではない半導体装置を製造する方法としては，まず，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁体を配置する工程と，前記所定の接続部以外のエリアの導体パターンのみが圧縮されるように，前記絶縁体を基板に加圧する工程と，その後，前記基板の表面側に半導体チップを搭載する工程と，前記接続部にハンダバンプを接合する工程と，を有することを特徴とする，半導体装置の製造方法が提案できる。
【００２１】
かかる特徴を有する半導体装置の製造方法によれば，導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に，例えばセラミック板や樹脂板などの絶縁体を配置し，この絶縁体を基板側に加圧するようにしたので，導体パターンの厚みによって絶縁体と基板との間にあった空隙内に，導体パターンの周辺部等が押し潰されて侵入し，さらにまた基板や絶縁体自体が変形するので，上述の半導体装置を容易に製造することができる。
【００２２】
この場合，導体パターンとして多く用いられているＣｕ（銅）の表面の接続部に，Ｎｉ（ニッケル）やＡｕ（金）でメッキを薄く施す工程は，加圧前に行ってもよく，また加圧後ハンダバンプを接合する前に行ってもよい。
前記絶縁体を配置する工程は，前記接続部に対応する位置に孔を有し絶縁体を構成するセラミックス板を，前記導体パターンが形成された基板の裏面に配置するようにしてもよい。
前記絶縁膜を基板に加圧する工程は，前記セラミックス板を，前記所定の接続部以外のエリアの導体パターンのみが圧縮されるように，前記基板に加圧してもよい。
前記絶縁膜を基板に加圧する工程は，前記セラミックス板の上面全面を前記基板に加圧してもよい。
前記絶縁膜を基板に加圧する工程により，前記導体パターンの厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に薄くなるようにしてもよい。
前記絶縁膜を基板に加圧する工程により，前記絶縁膜の厚さは，前記接続部から離れるにつれて次第に厚くなるようにしてもよい。
【００２３】
また別の観点による本発明によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが接合されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部の外側の周辺部に，エッチング処理によって，基板の裏面より突出した基部と，当該基部から前記接続部に向かって傾斜するテーパを成形する工程と，その後前記導体パターンにおける所定の接続部以外に絶縁膜を形成する工程と，その後，前記基板の表面側に半導体チップを搭載する工程と，前記接続部にハンダバンプを接合する工程と，を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２４】
かかる製造方法によれば，導体パターンにおける所定の接続部の周縁部をエッチング処理によってテーパ形状に成形した後に，前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成するようにしたので，上述した半導体装置を容易に製造することができる。
【００２５】
この場合，所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成するにあたり，接続部が絶縁膜よりも突出するように膜厚を設定すれば，上述した半導体装置を容易に製造することができる。
所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成するにあたり，接続部が絶縁膜よりも突出するように膜厚を設定するようにしてもよい。
前記接続部の突出した部分が前記ハンダバンプ内に埋設されるように，前記接続部に前記ハンダバンプを接合するようにしてもよい。
前記絶縁膜は，前記導体パターンが形成されていない基板の裏面にも形成されてもよい。
前記絶縁膜を形成する前に，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施してもよい。
前記絶縁膜を形成した後に，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施してもよい。
前記テーパ上の絶縁膜は，前記接続部から離れるについて次第に厚くなるように形成されていてもよい。
前記絶縁膜は，前記基部上の厚さが同じになるように形成されていてもよい。
前記絶縁膜は，前記基部と当該基部上の絶縁膜を合わせた厚さが前記接続部の厚さになるように形成されていてもよい。
【００２６】
参考例として，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成する工程と，その後前記接続部表面に金属メッキを施して絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した金属メッキ部分にハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提案できる。
【００２７】
この製造方法では，導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成した後，前記接続部表面に金属メッキを施して絶縁膜よりも突出させるようにしたので，上述の半導体装置を容易に製造することができる。
【００２８】
別の参考例によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施す工程と，その後前記金属メッキ部分以外の導体パターンを絶縁膜で被覆して，金属メッキ部分を絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した金属メッキ部分にハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提案できる。
【００２９】
この製造方法は，先に記した製造方法とは異なり，導体パターンにおける所定の接続部に金属メッキを施した後，当該金属メッキ部分以外の導体パターンを絶縁膜で被覆して，金属メッキ部分を絶縁膜よりも突出させるようにしている。かかる製造方法によっても，上述の半導体装置を容易に製造することができる。
【００３０】
また別の参考例によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成する工程と，その後前記接続部表面に金属バンプを接合させて絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した金属バンプにハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供できる。
【００３１】
この製造方法によれば，導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成した後，前記接続部表面に金属バンプを接合して絶縁膜よりも突出させるようにしたので，上述の半導体装置を容易に製造することができる。
【００３２】
さらに別の参考例によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部に金属バンプを接合させる工程と，その後前記金属バンプ以外の導体パターンを絶縁膜で被覆して，金属バンプ部分を絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した金属バンプにハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提案できる。
【００３３】
この半導体装置の製造方法は，前記した製造方法と異なり，先に導体パターンにおける所定の接続部に金属バンプを接合し，その後に当該金属バンプ以外の導体パターンを絶縁膜で被覆して，金属バンプ部分を絶縁膜よりも突出させるようにしている。かかる製造方法によっても，上述の半導体装置を容易に製造することができる。
【００３４】
別の参考例によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部以外の部分に絶縁膜を形成する工程と，その後前記接続部表面に前記ハンダバンプよりも小さい他のハンダバンプを接合させて絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した前記他のハンダバンプに前記ハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提案できる。
【００３５】
この製造方法は，先に記した製造方法において用いた金属バンプに代えて，本来のハンダバンプとは別の小さいハンダバンプを使用したものであり，上述の半導体装置を容易に製造することができる。しかも本来のハンダバンプを接合する際に使用する技術や装置をそのまま用いたり，応用することで実施できる。なお他のハンダバンプの材料は，本来のハンダバンプの材料と同一のものであってもよいが，必要に応じて物性が異なった他のハンダ材料を用いてもよい。
【００３６】
別の参考例によれば，半導体チップを表面側に有する基板と，この基板の裏面側に形成された導体パターンとを有し，この導体パターンの所定の接続部以外は絶縁膜で被覆され，かつ当該接続部にはハンダバンプが電気的に接続されている半導体装置を製造する方法において，基板の裏面側に導体パターンを形成する工程と，前記導体パターンにおける所定の接続部に前記ハンダバンプよりも小さい他のハンダバンプを接合させる工程と，その後前記他のハンダバンプ以外の導体パターンを絶縁膜で被覆して，前記他のハンダバンプ部分を絶縁膜よりも突出させる工程と，その後前記絶縁膜よりも突出した前記他のハンダバンプに前記ハンダバンプを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法を提案できる。
【００３７】
この半導体装置の製造方法は，先に記した製造方法における絶縁膜の形成工程と，他のハンダバンプの接合工程の順序を入れ換えたものであり，このプロセスによっても上述の半導体装置を容易に製造することができる。もちろんこの製造方法においても，本来のハンダバンプを接合する際に使用する技術や装置をそのまま用いたり，応用することができる。また他のハンダバンプの材料は，本来のハンダバンプの材料と同一のものとしてもよく，必要に応じて物性が異なった他のハンダ材料で構成しても構わない。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１を配線基板などの外部基板２に実装した状態の断面構造の一部を拡大して示しており，説明の都合上，半導体装置１の基板３上に搭載されているモールドされた半導体チップの図示は省略している。なお以下のその他の実施形態においても，基板上のモールドされた半導体チップの図示は省略している。
【００３９】
この半導体装置１の基板３の裏面側には，導体パターンとしての金属パターン４が形成され，さらに金属パターン４の表面には，接続部４ａの部分を残して絶縁膜５で被覆された基本構造を有している。接続部４ａはハンダバンプとしてのハンダボール６が接合されるエリアである。なお接続部４ａの平面形態は，円形である。
【００４０】
この半導体装置１の金属パターン４における前記接続部４ａ以外の部分，すなわち絶縁膜５で被覆された部分は，基板３側に向けて傾斜した形態となっており，さらに外方に向かうにつれて金属パターン４の厚さが次第に肉薄になっている。また基板３の裏面自体の形態も，そのような金属パターン４の形態に沿った形態をなしている。すなわち，接続部４ａに対応した部分が，ハンダボール６側に三次元的に凸に湾曲した形態を有している。
【００４１】
第１の実施形態にかかる半導体装置１は以上の構成を有しており，外部基板２への実装に関しては，前記した従来技術と同様であり，外部基板２の表面に形成されている絶縁層１１，１２間に形成された所定の電極部分１３にハンダボール６を合わせ，その状態で全体を所定の熱雰囲気に置くことで，ハンダボール６接続による実装を行っている。
【００４２】
そして第１の実施形態にかかる半導体装置１によれば，外部基板２へ実装後，例えば信頼性試験において温度変化の激しい雰囲気におかれ，半導体装置１と外部基板２との間の熱膨張係数の差によって，図２の往復矢印Ａに示したように，半導体装置１に対して引っ張りや収縮等による水平方向の力が加わり，その結果，半導体装置１と外部基板２を接続しているハンダボール６にストレスがかかっても，当該ストレスは，図２の往復矢印Ｂに示したように，金属パターン４の傾斜部分に沿ったものとなる。しかも当該ストレスは全周に渡っていわば放射状にかかり，分散されている。
【００４３】
その結果，ハンダボール６には従来よりもクラックが発生しにくく，またたとえクラックＸが発生したとしてもその数は，従来より低減している。そのうえクラックＸの発生方向，成長方向は，前記ストレスとほぼ同じ方向であり，従来と異なり斜めになっている。したがって，従来よりも電気的特性の劣化が少なく，また断線の可能性も低減し信頼性は向上している。
【００４４】
以上の作用効果を有する半導体装置１の製造方法の一例を図３〜６に基づいて説明する。まず図３に示したセラミック性の基板３の裏面に，所定の金属パターン４を形成する。通常この種の金属パターン４はＣｕ（銅）で構成され，接続部４ａの部分の表面にＮｉ（ニッケル），Ａｕ（金）を順次メッキ処理しているが，かかるメッキ処理は，例えば図４に示したように，金属パターン４の形成後に行う。
【００４５】
次いで図５に示したように，接続部４ａの部分が空いて空部分１５ａを有するセラミック板１５を所定の位置におく。その後同図の矢印方向に示したように，基板３の裏面側全体を加圧する。そうすると，金属パターン４の厚みによって基板３とセラミック板１５との間に生じていた空隙ｄ内に，押しつぶされた金属パターン４が入り込む。また接続部４ａに対応してセラミック板１５に形成された空部分１５ａには力が加わらないから，基板３における前記空部分１５ａに対応した領域以外のエリアのみが圧縮された状態となる。
【００４６】
その結果，図６に示したように，金属パターン４における接続部４ａ以外の部分，すなわちセラミック１５によって構成された絶縁膜５で被覆された部分が，基板３側に向けて傾斜した形態となると共に，さらに外方に向かうにつれて金属パターン４の厚さが次第に肉薄となった構造が実現される。また基板３の裏面自体の形態自体も，そのような金属パターン４の形態に沿った形態となるのである。後は，基板３の表面側に半導体チップを搭載し，これを樹脂等でモールドした後，既存の方法によって，ハンダボール６を前記接続部４ａに接合すれば，図１に示した半導体装置１が完成する。したがって効率よく第１の実施形態にかかる半導体装置１を製造することができる。
【００４７】
次に第２の実施の形態にかかる半導体装置について説明する。図７の外部基板２への実装後の状態からわかるように，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２１の基板２２の裏面側の基本的な部材構成は，第１の実施の形態にかかる半導体装置１と同じであり，基板２２の裏面側には，導体パターンとしての金属パターン２３が形成され，さらにこの金属パターン２３の表面には，接続部２３ａの部分を残して絶縁膜２４が被覆されている。接続部２３ａの平面形態は，円形である。
【００４８】
そしてこの半導体装置２１の金属パターン２３における接続部２３ａと絶縁膜５で被覆された部分との間には，段差部分２３ｂが形成され，この段差部分２３ｂは，テーパ状に成形されている。つまり段差部分２３ｂは接続部２３ａに対して斜めになっている。
【００４９】
第２の実施形態にかかる半導体装置２１は以上の構成を有しており，外部基板２への実装に関しては，前記した第１の実施の形態と同じである。
【００５０】
この第２の実施形態にかかる半導体装置２１の場合も，外部基板２へ実装後，例えば信頼性試験において温度変化の激しい雰囲気におかれ，半導体装置２１と外部基板２との間の熱膨張係数の差によって，図８の往復矢印Ａに示したように，半導体装置２１に対して引っ張りや収縮等による水平方向の力が加わり，その結果，半導体装置２１と外部基板２を接続しているハンダボール６にストレスがかかっても，当該ストレスは，図６の往復矢印Ｂに示したように，段差部分２３ｂに沿ったものとなる。しかも当該ストレスは全周に渡っていわば放射状にかかり，分散された格好となっている。したがって，前記第１の実施の形態の半導体装置１と同様，クラックが発生しにくく，またたとえクラックＸが発生したとしてもその数は，従来より低減している。したがって電気的特性の劣化は少ない。そのうえクラックＸの発生方向，成長方向も従来の水平方向とは異なって，金属パターン２３の接続部２３ａに対して斜めになるから，従来よりも断線の可能性が少ない。
【００５１】
以上の作用効果を有する半導体装置２１の製造方法の一例を，図９〜１１に基づいて説明する。まず図９に示した絶縁性の基板２２の裏面に，図１０に示したように所定の金属パターン２３を形成する。次いで既存のエッチング技術によって接続部２３ａを残して，他の被覆される部分をエッチングして絶縁膜によって被覆される膜厚分を削るのであるが，この場合，図１１に示したように，段差部分２３ｂがテーパ状となるようにエッチングする。後は，従来のこの種の半導体装置に使用されているホトリソ技術を利用して接続部２３ａ以外の部分を，例えばソルダレジスト等の絶縁膜２４で被覆する。
【００５２】
なお通常この種の金属パターン２３全体はＣｕ（銅）で構成され，接続部２３ａの表面にＮｉ（ニッケル），Ａｕ（金）を順次メッキ処理しているが，かかるメッキ処理は，図１１に示したように，エッチング処理して段差部分２３ｂを形成した後に行ってもよく，また図１２に示した状態，すなわち絶縁膜２４で接続部２３ａ以外の部分を被覆した後に行ってもよい。
【００５３】
後は，基板２２の表面側に半導体チップを搭載し，これを樹脂等でモールドした後，既存の方法によって，ハンダボール６を前記接続部２３ａに接合すれば，図７に示した半導体装置２１が完成する。したがってきわめて効率よく第２の実施形態にかかる半導体装置２１を製造することができる。しかも従来の金属パターンの製造工程を基本的に変えることなく，第２の実施形態にかかる半導体装置２１を製造することができるというメリットもある。
【００５４】
なお前記した半導体装置２１の製造プロセスにおいて，接続部２３ａ以外の部分を，ソルダレジスト等の絶縁膜２４で被覆する際，その膜厚を制御したり，あるいは，膜厚自体はそのままで金属パターン２３自体の厚さを通常よりも厚くしておき，接続部２３ａとそれ以外の部分との間に形成される段差部分２３ｂの高さを高くするなどして，図１３に示したように，接続部２３ａを絶縁膜２４よりも突出した形状としてもよい。かかる場合，後にハンダボール６を接続部２３ａに接合すると，図１４に示したように，突出した接続部２３ａが，ハンダボール６内に埋設された構造の，第３の実施の形態にかかる半導体装置３１ができあがる。
【００５５】
なお通常金属パターン２３の接続部２３ａ表面に対する通常の金属メッキ処理の時期は，前記第２の実施形態にかかる半導体装置２１と同様，エッチング処理して段差部分２３ｂを形成した後に行ってもよく，また絶縁膜２４で接続部２３ａ以外の部分を被覆した後に行ってもよい。
【００５６】
かかる構成の第３の実施の形態にかかる半導体装置３１の場合も，図１５に示したように，外部基板２へ実装後，例えば信頼性試験において温度変化の激しい雰囲気におかれ，半導体装置３１と外部基板２との間の熱膨張係数の差によって，図８の往復矢印Ａに示したように，半導体装置３１に対して引っ張りや収縮等による水平方向の力が加わり，その結果，半導体装置３１と外部基板２を接続しているハンダボール６にストレスがかかっても，当該ストレスは，図１５の往復矢印Ｂに示したように，段差部分２３ｂに沿ったものとなる。したがって第２の実施の形態にかかる半導体装置２１と同様，クラックが発生しにくく，またたとえクラックＸが発生したとしてもその数は従来より少ない。クラックＸの発生方向，成長方向も従来の水平方向とは異なって斜めになる。その結果，従来よりも電気的特性の劣化が少なく，断線の可能性も少ないという効果が得られる。しかもこの実施形態においては，接続部２３ａがハンダボール６中に突出した構造となっているから，ストレスの分散等が良好でクラックがいっそう発生しにくいものとなっている。
【００５７】
次に第４の実施の形態にかかる半導体装置について説明する。図１６の外部基板２への実装後の状態からわかるように，この第４の実施の形態にかかる半導体装置４１の基板４２の裏面側には，導体パターンとしての金属パターン４３が形成され，さらにこの金属パターン４３の表面には，本来の接続部４３ａの部分を残して絶縁膜４４が被覆されている。そして接続部４３ａの表面には，さらに金属メッキで形成された，突出部４５が形成されている。この突出部４５の形態は，接合されるハンダボール６側に三次元的に凸に湾曲して突出し，かつその平面形態は円形である。また断面形状は，ほぼ円弧と弦によって囲まれた形態をなし，最大厚さは約２０μｍである。そしてハンダボール６はこの突出部４５に接合されている。
【００５８】
この第４の実施の形態にかかる半導体装置４１の場合も，図１７に示したように，外部基板２へ実装後，温度変化の激しい雰囲気におかれ，半導体装置４１と外部基板２との間の熱膨張係数の差によって，図１７の往復矢印Ａに示したように，半導体装置４１に対して水平方向の力が加わり，その結果，ハンダボール６にストレスがかかっても，当該ストレスは，図１７の往復矢印Ｂに示したように，突出部４５の周縁部の形態に沿った方向のものとなる。例えば突出部４５の周縁部が斜めになっていれば，当該ストレスもほぼこれと同じ方向にかかる。またストレス自体も全周渡って放射状に分散される。したがって第３の実施の形態にかかる半導体装置３１と同様，クラックが発生しにくく，またたとえクラックＸが発生したとしてもその数は従来より少ない。そのため従来よりも電気的特性の劣化が少ない。またクラックＸの発生方向，成長方向も従来の水平方向とは異なって斜めになるので，断線の可能性も少ない信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００５９】
なお金属メッキによって構成した突出部４５を，ハンダボール６よりも小さい他のハンダボールによって構成しても，基本的には第４の実施の形態にかかる半導体装置４１と同様な作用効果が得られる。
【００６０】
次にこの第４の実施の形態にかかる半導体装置４１の製造方法について説明する。まず図１８に示した絶縁性の基板４２の裏面に，図１９に示したように所定の金属パターン４３を形成する。次いで既存のエッチング技術によって図２０に示したように，接続部４３ａを残して，他の被覆される部分をエッチングして被覆される厚さ分削る。その後は，従来のこの種の半導体装置に使用されているホトリソ技術を利用して図２１に示したように，接続部４３ａ以外の部分を，例えばソルダレジスト等の絶縁膜４４で被覆する。
【００６１】
その後金属メッキによって接続部４３ａの表面に突出部４５を形成する。なお金属パターン４３の接続部４３ａに対する通常のメッキ処理については，例えば図２０又は図２１の状態のとき，すなわちエッチング処理後，又は絶縁膜４４形成後に，一旦例えばＮｉ（ニッケル）でメッキし，突出部４５自体をＡｕ（金）でメッキで形成することが提案できる。
【００６２】
後は，基板４２の表面側に半導体チップを搭載し，これを樹脂等でモールドした後，既存の方法によってハンダボール６を前記突出部４５に接合すれば，図１６に示した半導体装置４１が完成する。したがってきわめて効率よく第４の実施形態にかかる半導体装置４１を製造することができる。しかも従来の金属メッキ技術をそのまま応用できるので，別途特殊な技術は不要である。
【００６３】
なお第４の実施形態にかかる半導体装置４１を製造する過程において，図２３に示したようにエッチングによって，接続部４３ａを残して他の被覆される部分を被覆される厚さ分削った後に，当該接続部４３ａの表面に先に金属メッキによって突出部４５を形成し，その後図２５に示したように，突出部４５以外の部分を絶縁膜４４で被覆するようにしてもよい。
【００６４】
次に第５の実施の形態にかかる半導体装置について説明する。図２６に示した外部基板２への実装後の状態からもわかるように，この第５の実施の形態にかかる半導体装置５１の基板５２の裏面側には，導体パターンとしての金属パターン５３が形成され，さらにこの金属パターン５３の表面には，本来の接続部５３ａの部分を残して絶縁膜５４が被覆されている。そして接続部５３ａの表面には，突出部としての金属バンプ５５が接合されている。
【００６５】
金属バンプ５５の形態は，全周に渡ってその周面が外方に凸に湾曲した第１の膨出部５５ａにおけるハンダボール６側に，さらに半球状の第２の膨出部５５ｂを設けた形態である。材質としては，Ａｕ（金）が好ましい。
【００６６】
この第５の実施の形態にかかる半導体装置５１の場合も，図２７に示したように，外部基板２へ実装後，温度変化の激しい雰囲気におかれ，半導体装置５１と外部基板２との間の熱膨張係数の差によって，図２７の往復矢印Ａに示したように，半導体装置５１に対して水平方向の力が加わって，その結果，ハンダボール６にストレスがかかっても，当該ストレスは，図２７の往復矢印Ｂに示したように，ほぼ金属バンプ５５の第１の膨出部５５ａと第２の膨出部５５ｂの外周を結ぶ線に沿った方向のものとなる。またハンダボール６にかかるストレス自体も金属バンプ５５の全周に放射状に分散される。したがってこれまで説明した実施の形態にかかる半導体装置と同様，クラックが発生しにくく，電気的特性の劣化を抑えることができる。またたとえクラックＸが発生したとしてもその数は従来よりも少ない。クラックＸの発生方向，成長方向も従来の水平方向とは異なり，ほぼ金属バンプ５５の第１の膨出部５５ａの外周の接線方向となるので，断線の可能性も少ないという効果が得られる。
【００６７】
次にこの第５の実施の形態にかかる半導体装置５１の製造方法について説明する。まず図２８に示したように，例えば既存の方法によって絶縁性の基板５２の裏面に所定の金属パターン５３を形成し，接続部５３ａ以外を絶縁膜５４で被覆する。後は図２９に示したように，金属バンプ５５を接続部５３ａに接合するだけでよい。すなわち従来のプロセスに１つの工程を付加するだけでよい。したがって，製造がきわめて容易である。なお絶縁膜５４で被覆する前に，予め先に金属バンプ５５を接続部５３ａに接合しておき，その後金属バンプ５５以外の部分を絶縁膜５４で被覆するようにしてもよい。金属バンプ５５の接合にあたっては，通常のワイヤボンド方式において実施されている既存の金属バンプの取り付け技術を利用することができる。
【００６８】
そして金属バンプ５５自体は，特別に製造して用意しなくても，例えば図３０に示した公知の半導体装置６１に使用されているものをそのまま利用することができる。この半導体装置６１は，半導体チップ６２の電極パッドと基板６３のインナーリードとを金属バンプ６４を利用して金属細線６５で接続した構成を有している。したがって，この種の半導体装置６１に使用されている金属バンプ６４をそのまま金属バンプ５５として代用することが可能である。
【００６９】
また最近では，金属バンプ６４と金属細線６５とを予め一体的に形成したものも提案されているが，かかる場合には，金属細線６５の部分を金属バンプ６４から切除することで，第５の実施の形態にかかる半導体装置５１において使用したハンダボール６接合用の金属バンプ５５とすることが可能である。
【００７０】
【発明の効果】
本発明にかかる半導体装置によれば，例えば配線基板へ実装後に実施される信頼性試験において温度変化の激しい雰囲気におかれても，ハンダバンプにクラックが発生しづらく，また発生としたとしても断線に至ることを抑えている。したがって，電気特性の劣化のない信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば，そのような半導体装置を効率よく容易に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置を外部基板に実装した状態を示す一部断面の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成する前の基板の状態を示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成した状態を示す説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターンにセラミック板をあてがった状態を示す説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において基板の裏面を加圧した後の状態を示す説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置を外部基板に実装した状態を示す一部断面の説明図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成する前の基板の状態を示す説明図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成した状態を示す説明図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターンにエッチング処理してテーパ状の段差部を形成した状態を示す説明図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部以外を絶縁膜で被覆した状態を示す説明図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部が突出するように絶縁膜を被覆した状態を示す説明図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において突出した接続部にハンダボールを接合した状態を示す説明図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置を外部基板に実装した状態を示す一部断面の説明図である。
【図１７】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成する前の基板の状態を示す説明図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターを形成した状態を示す説明図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において金属パターンにエッチング処理して接続部以外の部分を相対的に薄くした状態を示す説明図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部以外を絶縁膜で被覆した状態を示す説明図である。
【図２２】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部に金属メッキを施して突出部を形成した状態を示す説明図である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の他の製造工程において金属パターンにエッチング処理して接続部以外の部分を相対的に薄くした状態を示す説明図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の他の製造工程において接続部に金属メッキを施して突出部を形成した状態を示す説明図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体装置の他の製造工程において突出部以外を絶縁膜で被覆した状態を示す説明図である。
【図２６】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体装置を外部基板に実装した状態を示す一部断面の説明図である。
【図２７】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【図２８】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部以外を絶縁膜で被覆した状態を示す説明図である。
【図２９】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程において接続部に金属バンプを接合した状態を示す説明図である。
【図３０】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体装置の金属バンプとして使用できる金属バンプを有する他の半導体装置の構成の概略を示す説明図である。
【図３１】従来の半導体装置を外部基板に実装した状態を示す側面の説明図である。
【図３２】従来技術にかかる半導体装置を外部基板に実装した状態を示す一部断面の説明図である。
【図３３】従来技術にかかる半導体装置におけるハンダボールにかかるストレス，クラックの方向を示す一部断面の説明図である。
【符号の説明】
１    半導体装置
２    外部基板
３    基板
４    金属パターン
４ａ  接続部
５    絶縁膜
６    ハンダボール
Ｘ    クラック
【図１】
0003819576.tif 000002
【図２】
0003819576.tif 000003
【図３】
0003819576.tif 000004
【図４】
0003819576.tif 000005
【図５】
0003819576.tif 000006
【図６】
0003819576.tif 000007
【図７】
0003819576.tif 000008
【図８】
0003819576.tif 000009
【図９】
0003819576.tif 000010
【図１０】
0003819576.tif 000011
【図１１】
0003819576.tif 000012
【図１２】
0003819576.tif 000013
【図１３】
0003819576.tif 000014
【図１４】
0003819576.tif 000015
【図１５】
0003819576.tif 000016
【図１６】
0003819576.tif 000017
【図１７】
0003819576.tif 000018
【図１８】
0003819576.tif 000019
【図１９】
0003819576.tif 000020
【図２０】
0003819576.tif 000021
【図２１】
0003819576.tif 000022
【図２２】
0003819576.tif 000023
【図２３】
0003819576.tif 000024
【図２４】
0003819576.tif 000025
【図２５】
0003819576.tif 000026
【図２６】
0003819576.tif 000027
【図２７】
0003819576.tif 000028
【図２８】
0003819576.tif 000029
【図２９】
0003819576.tif 000030
【図３０】
0003819576.tif 000031
【図３１】
0003819576.tif 000032
【図３２】
0003819576.tif 000033
【図３３】
0003819576.tif 000034