(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜ガスをプラズマ化して反応させ、被成膜基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、
前記成膜ガスは、シロキサン又はメチルシランのうち何れか一と、酸素含有ガスと、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8のうち何れか一であるエッチングガスとを含み、かつ前記エッチングガスにより成膜中の絶縁膜の表面に凹凸を形成しつつ成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜ガスは、前記シロキサン又はメチルシランのうち何れか一、前記酸素含有ガス、及び前記エッチングガスの他に、シクロヘキサン又はメチルシクロヘキサンのうち何れか一を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜ガスのうち、前記シロキサンは、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【化１】
）、
0003749162.tif 000006
又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
【化２】
）
0003749162.tif 000007
のうち何れか一であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸素含有ガスは、Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記低誘電率を有する絶縁膜の比誘電率は２．２乃至２．３であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記被成膜基板は、表面に銅膜を主とする配線を被覆するバリア絶縁膜が露出しているものであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、銅膜を主とする配線上に低誘電率を有する絶縁膜を形成し、或いはバリア絶縁膜を介して低誘電率を有する主絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求されている。このため、ＲＣディレイの小さい低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。
【０００３】
このような低誘電率絶縁膜を形成するため、一つは、トリメチルシラン（SiH(CH3) 3）とＮ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法が知られている。例えば、M.J.Loboda, J.A.Seifferly, R.F.Schneider, and C.M.Grove, Electrochem. Soc. Fall Meeting Abstracts, p.344(1998)等に記載されている。また、テトラメチルシラン（Si(CH3) 4）とＮ2Ｏを用いたプラズマ励起ＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition法：PE-CVD法）は、例えば、J.Shi, M.A-Plano, T.Mountsier, and S.Nag, SEMICON Korea Technical Symposium 2000, p.279(2000)等に記載されている。
【０００４】
その他、塗布法により成膜したＳＯＧ膜を用いた例が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、テトラメチルシランその他の有機シランとメタンを用いたＣＶＤ法により成膜した絶縁膜では、比誘電率２．３乃至２．８程度が標準的に得られている。しかし、現実には、ＣＶＤ法により成膜した絶縁膜は平坦化の容易なＳＯＧ膜に比べて実用化が遅れている。
【０００６】
ＣＶＤ法による成膜の方がＳＯＧ膜と比べて膜質のよい絶縁膜を得ることができるという可能性を有するため、将来的にバリア絶縁膜上の主絶縁膜をＣＶＤ法により成膜することが望まれている。そのためには、比誘電率の更なる低減を図ることが必要である。
【０００７】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、銅膜を主とする配線を被覆するバリア絶縁膜上に比誘電率を大幅に低減した主絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第１の発明は、半導体装置の製造方法に係り、成膜ガスをプラズマ化して反応させ、被成膜基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記成膜ガスは、シロキサン又はメチルシランのうち何れか一と、酸素含有ガスと、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8のうち何れか一であるエッチングガスとを含み、かつ前記エッチングガスにより成膜中の絶縁膜の表面に凹凸を形成しつつ成膜することを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、シロキサン又はメチルシランのうち何れか一、酸素含有ガス、及びエッチングガスの他に、シクロヘキサン又はメチルシクロヘキサンのうち何れか一を含むことを特徴とし、
第３の発明は、第１又は第２の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスのうち、前記シロキサンは、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【０００９】
【化３】
0003749162.tif 000002
【００１０】
）、又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
【００１１】
【化４】
0003749162.tif 000003
【００１２】
）
のうち何れか一であることを特徴とし、
第４の発明は、第１乃至第３の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記酸素含有ガスは、Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一であることを特徴とし、
第５の発明は、第１乃至第４の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第６の発明は、第１乃至第５の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記低誘電率を有する絶縁膜の比誘電率は２．２乃至２．３であることを特徴とし、
第７の発明は、第１乃至第６の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記被成膜基板は、表面に銅膜を主とする配線を被覆するバリア絶縁膜が露出しているものであることを特徴としている。
【００１３】
以下に、上記本発明の構成により奏される作用を説明する。
【００１４】
成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、成膜ガスは、シロキサン又はメチルシラン（SiHn(CH3)4-n :ｎ＝０，１，２，３）のうち何れか一と酸素含有ガスとを含むほかに、シリコン含有絶縁膜のエッチングガス、例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8のうち何れか一を含むことを特徴としている。
【００１５】
ＣＦ4等のようなシリコン含有絶縁膜のエッチングガスを成膜ガスに含ませることにより、シリコン含有絶縁膜の成膜中に堆積とエッチングが同時に起こるため、成膜中のシリコン含有絶縁膜の表面は凸凹してくる。このため、最終的には成膜ガスのみの場合に比べて内部により多くの空孔を有するシリコン含有絶縁膜を形成することができる。従って、このような成膜ガスにより成膜されたシリコン含有絶縁膜ではその比誘電率を大幅に低減させることができる。
【００１６】
シロキサン又はメチルシランのうち何れか一と、酸素含有ガスと、エッチングガスとの混合ガスに、さらにシクロヘキサン（Ｃ6Ｈ12）又はメチルシクロヘキサン（CH3C6H11）を加えることにより、シリコン含有絶縁膜の多孔性が増加し、シリコン含有絶縁膜の比誘電率を更に低下させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
【００１９】
このプラズマ成膜装置１０１は、プラズマガスにより被成膜基板２１上に絶縁膜を形成する場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから構成されている。
【００２０】
成膜部１０１Ａは、図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【００２１】
チャンバ１内には対向する一対の上部電極２と下部電極３とが備えられ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を供給する低周波電力供給電源８が接続されている。これらの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【００２２】
上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねている。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００℃程度に加熱することにより、成膜ガス等の反応生成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを防止するためである。
【００２３】
下部電極３は被成膜基板２１の保持台を兼ね、また、保持台上の被成膜基板２１を加熱するヒータ１２を備えている。
【００２４】
成膜ガス供給部１０１Ｂには、シロキサンの供給源と、メチルシラン（SiHn(CH3)4-n :ｎ＝０，１，２，３）の供給源と、酸素含有ガスの供給源と、シクロヘキサン（Ｃ6Ｈ12）又はメチルシクロヘキサン（CH3C6H11）のうち何れか一の供給源と、エッチングガスの供給源と、希釈ガスの供給源と、希釈ガス又はパージガスである窒素（Ｎ2）の供給源とが設けられている。
【００２５】
これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｊ及びこれらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｊが接続された配管９ａを通して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐配管９ｂ乃至９ｈの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１ｇや、分岐配管９ｂ乃至９ｈの導通／非導通を制御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｎ、１０ｐが設置され、配管９ａの途中に配管９ａの閉鎖／導通を行う開閉手段１０ａが設置されている。
【００２６】
また、Ｎ2ガスを流通させて分岐配管９ｂ乃至９ｆ内の残留ガスをパージするため、Ｎ2ガスの供給源と接続された分岐配管９ｈとその他の分岐配管９ｂ乃至９ｆの間の導通／非導通を制御する開閉手段１０ｑ乃至１０ｕが設置されている。なお、Ｎ2ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｈ内のほかに、配管９ａ内及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。他に、希釈ガスとして用いることもある。
【００２７】
以上のような成膜装置１０１によれば、シロキサンの供給源と、酸素含有ガスの供給源と、エッチングガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。
【００２８】
これにより、下記の実施の形態に示すように、プラズマＣＶＤ法により低い誘電率を有する絶縁膜を形成することができる。
【００２９】
そして、プラズマ生成手段として、例えば平行平板型の第１及び第２の電極２、３によりプラズマを生成する手段があり、第１及び第２の電極２、３にそれぞれ高低２つの周波数の電力を供給する電源７、８が接続されている。従って、これら高低２つの周波数の電力をそれぞれ各電極２、３に印加してプラズマを生成することができる。
【００３０】
上部電極２及び下部電極３への電力印加の組み合わせは、以下の通りである。即ち、下部電極に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加するか、上部電極に１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加するか、又は下部電極に低周波電力を印加し、かつ上部電極に高周波電力を印加する。
【００３１】
次に、本発明が適用される成膜ガスであるシロキサン、メチルシラン、エッチングガス、酸素含有ガス、及び希釈ガスについては、代表例として以下に示すものを用いることができる。
【００３２】
（ｉ）シロキサン
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【００３３】
【化５】
0003749162.tif 000004
【００３４】
）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
【００３５】
【化６】
0003749162.tif 000005
【００３６】
）、（ii）メチルシラン（SiHn(CH3)4-n：ｎ＝０，１，２，３）
モノメチルシラン（SiH3(CH3)）
ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）
トリメチルシラン（SiH(CH3)3）
テトラメチルシラン（Si(CH3)4）
（iii）エッチングガス
ＮＦ3
ＣＦ4
Ｃ2Ｆ6
Ｃ3Ｆ8
（iv）酸素含有ガス
一酸化窒素（Ｎ2Ｏ）
水（Ｈ2Ｏ）
炭酸ガス（ＣＯ2）
（ｖ）希釈ガス
ヘリウム（Ｈｅ）
アルゴン（Ａｒ）
窒素（Ｎ2）
次に、図２（ａ）乃至（ｄ）を参照して、本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する。図２（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００３７】
成膜ガスとしてＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏ＋ＮＦ3＋Ｈｅを用いたプラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）により、下部配線３４が埋め込まれた下部配線埋込絶縁膜３２と上部配線３８が埋め込まれた上部配線埋込絶縁膜３６との間に挟まれた配線層間絶縁膜３５を成膜する方法に適用する。
【００３８】
成膜条件を以下に示す。なお、成膜においては、ガス導入から成膜開始(プラズマ励起)までのチャンバ内のガスの置換に必要な時間（安定化期間）を１分３０秒間とり、上部電極への反応生成物の付着を防止するため上部電極を１００℃で加熱している。
【００３９】
成膜条件
成膜ガス
ＨＭＤＳＯ流量：５０  SCCM
Ｎ2Ｏ流量     ：２００  SCCM
ＮＦ3流量     ：２００  SCCM
Ｈｅ流量      ：４００  SCCM
ガス圧力      ：１．５  Torr
プラズマ励起条件
下部電極
低周波電力（周波数３８０ｋＨｚ）：０Ｗ
上部電極
高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）：２５０Ｗ
基板加熱条件：３７５℃
まず、図２（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、基板３１上に、膜厚約１μｍのPE-CVD SiO2膜からなる配線埋込絶縁膜３２を形成する。
【００４０】
続いて、配線埋込絶縁膜３２をエッチングして配線溝３３を形成した後、配線溝３３の内面に銅拡散防止膜としてＴａＮ膜３４ａを形成する。次いで、ＴａＮ膜３４ａ表面に図示しない銅シード層をスパッタ法により形成した後、メッキ法により銅膜を埋め込む。ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing 法）により、配線溝３３から突出した銅膜及びＴａＮ膜を研磨して表面を平坦化する。これにより、銅膜３４ｂ及びＴａＮ膜３４ａからなる下部配線３４が形成される。
【００４１】
次に、プラズマＣＶＤ法によりPE-CVD SiO2膜からなるバリア絶縁膜と、ＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏ＋ＮＦ3＋Ｈｅを用いたプラズマＣＶＤ法によりPE-CVD SiO2膜からなる配線層間絶縁膜３５とを形成する。以下にその詳細を説明する。
【００４２】
即ち、配線層間絶縁膜３５を形成するには、まず、基板３１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、基板保持具３に保持する。続いて、基板３１を加熱し、温度３７５℃に保持する。続いて、ＨＭＤＳＯを流量５０sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量２００sccmで、Ｈｅガスを流量４００sccmで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に流入し、チャンバ１内のガス圧力を１．５Torrに調整する。続いて、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの高周波電力１５０Ｗ（０．１８Ｗ／ｃｍ2に相当）を印加する。但し、上部電極２には適当な電力を印加してもよいし、印加しなくてもよい。
【００４３】
これにより、成膜ガスがプラズマ化して反応する。この状態を所定の時間保持して、膜厚約１００ｎｍのPE-CVD SiO2膜からなるバリア絶縁膜３５ａを形成する。以上が被成膜基板２１を構成する。
【００４４】
次いで、基板２１の温度３７５℃に保持した状態で、ＨＭＤＳＯを流量５０sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量２００sccmで、ＮＦ3を流量２００sccmで、Ｈｅガスを流量４００sccmで、チャンバ１内に導入し、圧力を１．５Torrに保持する。続いて、上部電極２に周波数1３．５６ＭＨｚの高周波電力２５０Ｗ（０．３Ｗ／ｃｍ2に相当）を印加する。但し、下部電極３には電力を印加しない。
【００４５】
これにより、ＨＭＤＳＯとＮ2ＯとＮＦ3とＨｅがプラズマ化する。この状態を４０秒間保持して、膜厚凡そ５００ｎｍのPE-CVD SiO2膜からなる主絶縁膜３５ｂを形成する。この場合、成膜ガスはＮＦ3等のようなシリコン含有絶縁膜のエッチングガスを含むので、成膜中に堆積とエッチングが同時に起こる。このため、成膜中のシリコン含有絶縁膜の表面は凸凹してくる。これにより、最終的には成膜ガスのみの場合に比べて内部により多くの空孔を有するシリコン含有絶縁膜を形成することができ、その比誘電率を大幅に低減させることができる。実験によれば、比誘電率２．２乃至２．３が得られた。
【００４６】
以上により、バリア絶縁膜３５ａと主絶縁膜３５ｂとからなる膜厚約６００ｎｍの配線層間絶縁膜３５が形成される。
【００４７】
次いで、配線層間絶縁膜３５上にPE-CVD SiO2膜３２を形成したときと同じ方法により膜厚約１μｍのPE-CVD SiO2膜からなる配線埋込絶縁膜３６を形成する。
【００４８】
次に、よく知られたデュアルダマシン法により銅膜を主とする接続導体３７と上部配線３８を形成する。なお、図中、符号３７ａ、３８ａはＴａＮ膜であり、符号３７ｂ、３８ｂは銅膜である。
【００４９】
次に、バリア絶縁膜３５ａを形成したときと同じ条件で、全面にバリア絶縁膜３９を形成する。これにより、半導体装置が完成する。
【００５０】
以上のように、この発明の実施の形態によれば、配線層間絶縁膜３５の低誘電率を有する主絶縁膜３５ｂの成膜ガスとして、シロキサン又はメチルシラン（SiHn(CH3)4-n :ｎ＝０，１，２，３）のうち何れか一と酸素含有ガスとを含むほかに、シリコン含有絶縁膜のエッチングガスであるＮＦ3を含むものを用いている。
【００５１】
成膜ガス中に混入したシリコン含有絶縁膜のエッチングガスにより、内部により多くの空孔を有するシリコン含有絶縁膜を形成することができ、その比誘電率を大幅に低減させることができる。
【００５２】
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【００５３】
実施の形態で用いたＨＭＤＳＯの代わりに、他のシロキサンを用いることができる。またシロキサンの代わりに、メチルシラン（SiHn(CH3)4-n：ｎ＝０，１，２，３）を用いることができる。メチルシランの種類は既に説明しているので、ここでは省略する。
【００５４】
また、成膜ガスは、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものでもよい。これにより、膜の多孔性が増加し、誘電率を更に低下させることができる。
【００５５】
また、成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）の代わりに、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含む不活性ガスを加えてもよい。これにより、成膜の所謂白濁を防止することができる。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、成膜ガスをプラズマ化して、低比誘電率を有するシリコン含有絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、その成膜ガスとして、シロキサン又はメチルシラン（SiHn(CH3)4-n :ｎ＝０，１，２，３）のうち何れか一と酸素含有ガスのほかに、シリコン含有絶縁膜のエッチングガスを含むものを用いている。
【００５７】
ＣＦ4等のようなシリコン含有絶縁膜のエッチングガスを成膜ガスに含ませることにより、成膜中に堆積とエッチングが同時に起こり、成膜中のシリコン含有絶縁膜の表面は凸凹してくるため、最終的には成膜ガスのみの場合に比べて内部により多くの空孔を有するシリコン含有絶縁膜を形成することができる。
【００５８】
従って、シリコン含有絶縁膜のエッチングガスを含む成膜ガスにより成膜されたシリコン含有絶縁膜ではその比誘電率を大幅に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるプラズマ成膜装置の構成を示す側面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の実施の形態である半導体装置及びその製造方法について示す断面図である。
【符号の説明】
１  チャンバ
２  上部電極
３  下部電極
４  排気配管
５  バルブ
６  排気装置
７  高周波電力供給電源（ＲＦ電源）
８  低周波電力供給電源
９ａ  配管
９ｂ〜９ｈ  分岐配管
１０ａ〜１０ｎ，１０ｐ〜１０ｕ  開閉手段
１１ａ〜１１ｇ  流量調整手段
１２  ヒータ
２１  被成膜基板
３１  基板
３２  下部配線埋込絶縁膜（PE-CVD SiO2膜）
３３  配線溝
３４  下部配線
３４ａ、３７ａ、３８ａ  ＴａＮ膜
３４ｂ、３７ｂ、３８ｂ  銅膜
３５  配線層間絶縁膜
３５ａ、３９  バリア絶縁膜（PE-CVD SiO2膜）
３５ｂ  主絶縁膜（PE-CVD SiO2膜）
３６  上部配線埋込絶縁膜（PE-CVD SiO2膜）
３７  接続導体
３８  上部配線
１０１  成膜装置
１０１Ａ  成膜部
１０１Ｂ  成膜ガス供給部
【図１】
0003749162.tif 000008
【図２】
0003749162.tif 000009