(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、取出し電極と該取出し電極に接続されたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置において、該取出し電極のエレクトロルミネッセンス素子の陰極との接続側の端部が順テーパー状部に形成され、少なくとも該順テーパー状部にエレクトロルミネッセンス素子の陰極が接合され、前記陰極が仕事関数が４ｅＶ以下の電極物質からなり、前記エレクトロルミネッセンス素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であるエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
取出し電極のエレクトロルミネッセンス素子の電極との接続側の端部に隣接する断線防止層に順テーパー状部が形成され、少なくとも該順テーパー状部にエレクトロルミネッセンス素子の電極が接合されてなるエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
順テーパー状部のテーパーの角度が、支持基板面に対して、０．１°〜４５°である請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
取出し電極の厚みが、２００ｎｍ〜１０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略称することがある）表示装置に関する。さらに詳しくは、ＥＬ素子電極とその取出し電極とを強固に接合して構成されたＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発光であることから視認性が高く、また完全固体素子であることから耐衝撃性に優れている。ＥＬ素子は、このような特長を有することから、その発光材料として無機材料を用いた無機ＥＬ素子や、発光材料として有機材料を用いた有機ＥＬ素子の提案が数多くなされており、その実用化が試みられている。
【０００３】
殊に、有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に較べて印加電圧を大幅に低下させることができることから、各種有機材料の開発や改良が進展し、より高性能の有機ＥＬ素子を得るための技術開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子については、面光源としての利用が進められている。有機ＥＬ素子を画素として用いた表示装置においては、有機ＥＬ素子からなる画素を同一平面上に二次元配列することによって、バネルを形成し、この有機ＥＬ表示パネルを構成している個々の有機ＥＬ素子を画素として、これら画素を独立に駆動させることによって、有機ＥＬ表示パネル上に所望の表示を行うように構成されている。
【０００４】
そして、この有機ＥＬ素子は、少なくとも基板上に、陽極、発光層、陰極の順で、あるいはその逆の順で積層された構成となっており、発光層から発した光は、陽極または陰極の少なくとも一方を透明にして外部に取り出される。
ここで、ＥＬ素子電極をそのまま接続端子として使用すると、半田付けなどの接続操作に伴う不具合から、その接続端子上にアルミニウム膜、ニッケル膜を積層した三層構造の電極端子が提案（実開昭６４−１３６９３号公報）されている。また、ＥＬ素子が有機ＥＬ素子の場合には、とくに仕事関数の低い電子注入層側の電極（陰極）が使用されるが、その電極を接続端子として用いる場合には、その電極上に半田付けの可能な金属または抵抗率の低い金属を積層して、接続端子の抵抗を小さく、かつ半田付けを容易にする提案（特開平４−６７９５号公報）がなされている。
【０００５】
しかしながら、前者においては、ＥＬ素子の電極上にさらに金属を積層する必要が生じ、機械的強度が低下するという問題があった。また、後者の場合、有機ＥＬ素子の陰極は、仕事関数が低い、すなわち、外部の空気や水分により容易に酸化などの化学変化を受けて高抵抗化し易く、したがって、接続端子として用いるために、一時的にも外部に引き出すことは得策ではない。
【０００６】
このようなことから、別途、接続端子（取り出し電極）を設け、ＥＬ素子の電極と接続端子を封止内部でつなぎ合わせるようにする提案（特開平５−１９０２８０号公報）がなされている。ところで、この場合には、接続端子の厚みの段差により、ＥＬ素子電極（背面電極）が断線し、ＥＬ表示装置の表示不良が発生するという問題がある。
【０００７】
また、このような接続端子（取り出し電極）とＥＬ素子電極との接続時に生ずる段切れを防止するため、薄膜ＥＬ素子の膜厚と端子部の高さをほぼ一致させるように、ＥＬ素子と接続端子部の間に絶縁膜を埋め込む提案（実開昭６２−８４０８５号公報）がなされている。しかしながら、この場合には、その絶縁膜をＥＬ素子とほぼ同一の厚みでＥＬ素子の端縁に設けることは、容易なことではないという難点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような状況に鑑み、ＥＬ素子電極とその取出し電極とを強固に接合して構成されたＥＬ表示装置を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決するために種々検討を重ねた結果、ＥＬ素子における取出し電極のＥＬ素子電極との接続側の端部が順テーパー状部に形成され、その順テーパー状部にＥＬ素子の電極を接合してなるＥＬ表示装置によれば、上記目的を達成し得ることを見出し、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の要旨は、下記のとおりである。
（１）支持基板上に、取出し電極と該取出し電極に接続されたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置において、該取出し電極のエレクトロルミネッセンス素子の陰極との接続側の端部が順テーパー状部に形成され、少なくとも該順テーパー状部にエレクトロルミネッセンス素子の陰極が接合され、前記陰極が仕事関数が４ｅＶ以下の電極物質からなり、前記エレクトロルミネッセンス素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であるエレクトロルミネッセンス表示装置。
（２）取出し電極のエレクトロルミネッセンス素子の電極との接続側の端部に隣接する断線防止層に順テーパー状部が形成され、少なくとも該順テーパー状部にエレクトロルミネッセンス素子の電極が接合されてなるエレクトロルミネッセンス表示装置。
（３）順テーパー状部のテーパーの角度が、支持基板面に対して、０．１°〜４５°である、前記（１）または（２）に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
（４）取出し電極の厚みが、２００ｎｍ〜１０μｍである前記（１）〜（３）のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、支持基板上に、取出し電極と該取出し電極に接続されたＥＬ素子を備えたＥＬ表示装置において、該取出し電極のＥＬ素子電極との接続側の端部が順テーパー状部に形成され、少なくとも該順テーパー状部にＥＬ素子電極が接続されてなるＥＬ表示装置である。そして、この順テーパー状部のテーパーの角度は、支持基板の表面に対して０．１°〜４５°としてあるものが好ましい。これは、この角度を０．１°よりも小さくすると、取出し電極の長さを長くする必要があり、表示部の範囲を狭めることになることから好ましくない。また、この角度を４５°以上にすると、取出し電極とＥＬ素子電極との接合部における密着性の低下による接続不良や断線のおそれが大きくなるからである。
【００１２】
また、上記取出し電極は、その厚みが２００ｎｍ〜１０μｍであるもの、好ましくは５００ｎｍ〜３μｍであるものが好適に用いられる。この取出し電極においても、ＥＬ表示装置における電極と同様に、ＥＬ表示装置の表示性能を維持する必要がある。したがって、この取出し電極の厚みを２００ｎｍ未満とすると、抵抗値が高くなり過ぎて、表示性能の維持に支障をきたすおそれが大きくなる。また、この取出し電極の適正な抵抗値を維持するためには、その厚みを１０μｍを超えて厚くすると、高精細な取出し電極の形成が困難になるからである。
【００１３】
つぎに、本発明のＥＬ表示装置における、取出し電極のＥＬ素子電極との接続側の端部を順テーパー状部に形成され、少なくとも該順テーパー状部がＥＬ素子電極に接合された構造を、その一例を示す図１により説明する。図１の１は、支持基板であり、２は、支持基板１上に設けられた取出し電極である。そして、３は，この取出し電極２のＥＬ素子電極との接続側の端部であり、この端部３には順テーパー状部４が形成されている。この順テーパー状部４の角度は、支持基板１の表面に対して０．１°〜４５°であるものが好ましい。そして、５は、ＥＬ素子電極であり、このＥＬ素子電極５は、取出し電極２の端部３に形成された順テーパー状部４に接して、さらに取出し電極２の上面に重なり合う形態を有している。このように構成されているので、取出し電極２とＥＬ素子電極５との強固な接合状態を維持することができるのである。すなわち、このように順テーパー状部４を形成することによって、取出し電極２が２００ｎｍ以上の厚膜であっても、取出し電極２と支持基板１表面との段差によるＥＬ素子電極５の断線を防止することができる。
【００１４】
また、本発明においては、取出し電極２のＥＬ素子電極５との接続側の端部にＥＬ素子電極の断線防止層を設けて、該断線防止層に順テーパー状部が形成され、少なくともこの順テーパー状部に、ＥＬ素子電極５が接合された構造であってもよい。このような構造を有する場合の一例を示す図２、また他の例を示す図３により説明すれば、これら図における１は支持基板であり、２は取出し電極、３はこの取出し電極２のＥＬ素子電極５との接続側の端部である。この端部３の側面に隣接して断線防止層６が設けられている。この断線防止層６の形態は、その断面形状が図２に示してあるような形状であっても、また図３に示してあるような形状であってもよい。いずれの断面形状の場合でも、ここで形成される順テーパー状部４の角度は、支持基板１の表面に対して０．１°〜４５°であるものが好ましい。また、これら図における５は、ＥＬ素子電極である。
【００１５】
つぎに、本発明のＥＬ表示装置において用いる取出し電極の材料としては、比抵抗の値が１０-3Ω・ｃｍ以下であるものが好ましく、さらに機械的強度と化学的な安定性を有するものが望ましく、具体的には、銀、アルミニウム、金、ベリリウム、ビスマス、カドミウム、コバルト、クロム、銅、鉄、ガリウム、インジウム、イリジウム、モリブデン、マンガン、ニオブ、ニッケル、オスミウム、鉛、パラジウム、白金、レニウム、ルテニウム、アンチモン、錫、タンタル、チタン、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、珪素、ゲルマニウムなどが挙げられる。これらの中でも、特に好ましいのは、銀、アルミニウム、ニッケル、金、クロム、モリブデンおよび銅である。そして、これらは、単体を用いてもよく、２種以上の合金であってもよい。さらに、これらを用いた単一層からなるものでも、異種金属または異種合金の積層体で形成された電極であってもよい。
【００１６】
また、上記断線防止層を構成する材料としては、合成樹脂や金属、金属酸化物、金属窒化物などを用いることができるが、ここで形成する順テーパー状部に加工しやすい合成樹脂が好適に用いられる。
このような合成樹脂の具体例としては、光硬化型樹脂や熱硬化型樹脂が特に好ましく、アクリレート系樹脂、メタクリレート系樹脂の反応性ビニル基を有するものを硬化させたものが好適に用いられる。さらに、環状オレフィン系樹脂、アクリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、アニリンホルムアルデヒド樹脂、フッ素樹脂などを用いることができる。
【００１７】
また、金属や金属酸化物、金属窒化物の具体例としては、銀、アルミニウム、金、ベリリウム、ビスマス、カドミウム、コバルト、クロム、銅、鉄、ガリウム、インジウム、イリジウム、モリブデン、マンガン、ニオブ、ニッケル、オスミウム、鉛、パラジウム、白金、レニウム、ルテニウム、アンチモン、錫、タンタル、チタン、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、珪素、ゲルマニウムなどの単体やこれらの合金、酸化物あるいは窒化物が挙げられる。
【００１８】
つぎに、本発明のＥＬ表示装置におけるＥＬ素子としては、薄膜型の無機ＥＬ素子でも有機ＥＬ素子であってもよいが、駆動電圧が低く、コンパクト化や軽量化のしやすい有機ＥＬ素子が特に好ましい。この有機ＥＬ素子の構成としては、様々な形態のものであってもよく、少なくとも一対の電極間に有機発光層を含む有機化合物層を挟持させて構成された素子であって、その代表的な素子構成を例示すれば、下記のとおりである。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
本発明における有機ＥＬ素子は、これら各種の素子構成のいかなる形態であってもよいが、上記（８）の構成のものが特に好ましく用いられる。
【００１９】
この有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が１０％以上、好ましくは５０％以上でであるものが望ましく、さらに表面が平滑な基板を用いるのが望ましい。
このような透光性基板としては、たとえば、ガラス基板、合成樹脂基板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された基板が挙げられる。また、合成樹脂基板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板か挙げられる。
【００２０】
つぎに、上記の陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、金等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が、１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００２１】
そして、本発明の有機ＥＬ素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
（ａ）注入機能；電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することがき、陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
（ｂ）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（ｃ）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
【００２２】
有機ＥＬ素子の発光材料は主に有機化合物であり、具体的には所望の色調により、次のような化合物が用いられる。
たとえば、紫外域から紫色の発光を得る場合には、下記の一般式〔１〕で表される化合物が好適に用いられる。
【００２３】
【化１】
0003864009.tif 000002
【００２４】
〔式中、Ｘは下記一般式〔２〕、
【００２５】
【化２】
0003864009.tif 000003
【００２６】
（式中、ｎは２〜５の整数を示す）で表される基を示し、Ｙは下記一般式〔３〕
【００２７】
【化３】
0003864009.tif 000004
【００２８】
で表される基を示す。〕
この一般式〔１〕で表される化合物におけるフェニル基、フェニレン基、ナフチル基には、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基、スルホニル基、カルボニル基、アミノ基、ジメチルアミノ基またはジフェニルアミノ基等の単数または複数の置換基を有する化合物を用いてもよい。また、これら置換基が複数ある場合には、それらが互いに結合し、飽和５員環あるいは６員環を形成していてもよい。さらに、この化合物の形態については、フェニル基、フェニレン基、ナフチル基にパラ位で結合したものが、結合性が良く、かつ平滑な蒸着膜が形成し易いことから好ましい。上記一般式〔１〕で表される化合物の具体例を示せば、下記のとおりである。
【００２９】
【化４】
0003864009.tif 000005
【００３０】
【化５】
0003864009.tif 000006
【００３１】
これら化合物の中では、特にｐ−クォーターフェニル誘導体、ｐ−クインクフェニル誘導体が好ましい。
また、青色から緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に開示されている化合物を挙げることができる。さらに他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１）６２８〜６３７頁および６４０頁に列挙されている。
【００３２】
前記キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物として挙げることができる。
【００３３】
また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平２−２５２７９３号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第０３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。
【００３４】
さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物およびスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（Ｊ. Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ.,第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以上Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ.,第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、または第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラジリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、スチリルアミン誘導体（Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ.,第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年）、クマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ.,ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物等も、発光層の材料として用いることができる。
【００３５】
本発明では特に発光層の材料として、芳香族ジメチリディン系化合物（欧州特許第０３８８７６８号明細書や特開平３−２３１９７０号公報に開示のもの）を用いることが好ましい。具体例としては、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、およびそれらの誘導体を挙げることができる。
【００３６】
また、特開平５−２５８８６２号公報等に記載されている一般式（Ｒｓ−Ｑ）2 −Ａｌ−Ｏ−Ｌ〔式中、Ｌはフェニル部分を含んでなる炭素原子６〜２４個の炭化水素であり、Ｏ−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を示し、Ｒｓはアルミニウム原子に置換８−キノリノラート配位子が２個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラート環置換基を示す〕で表される化合物も挙げられる。具体的には、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００３７】
このほか、特開平６−９９５３号公報等によるドーピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光を得る方法が挙げられる。この場合、ホストとしては、上記の発光材料、ドーパントとしては青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記のホストとして用いられているものと同様な蛍光色素を挙げることができる。具体的には、ホストとしてジスチリルアリーレン骨格の発光材料、特に好ましくは４，４’−ビス（２，２−ジフエニルビニル）ビフェニル、ドーパントとしてはジフェニルアミノビニルアリーレン、特に好ましくは例えばＮ，Ｎ−ジフェニルアミノビニルベンゼンを挙げることができる。
【００３８】
白色の発光を得る発光層としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。
▲１▼有機ＥＬ積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。
▲２▼▲１▼と同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３−２３０５８４号公報）。
【００３９】
▲３▼二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２−２２０３９０号公報および特開平２−２１６７９０号公報）。
▲４▼発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４−５１４９１号公報）。
▲５▼青色発光体（蛍光ピーク３８０〜４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０〜５８０ｎｍ）とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６−２０７１７０号公報）。
【００４０】
▲６▼青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７−１４２１６９号公報）。
これらの中では、上記▲５▼の構成のものが特に好ましい。
さらに、赤色蛍光体としては、下記に示すものが好適に用いられる。
【００４１】
【化６】
0003864009.tif 000007
【００４２】
つぎに、上記材料を用いて発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
【００４３】
また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
このようにして形成される発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常５ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。この発光層は、上述した材料の１種または２種以上からなる一層で構成されてもよいし、また、前記発光層とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであってもよい。
【００４４】
つぎに、正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒であるものが好ましい。本発明の芳香族炭化水素化合物と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【００４５】
このような正孔注入・輸送層の形成材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
【００４６】
正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、芳香族第三級アミン化合物を用いることもできる。
【００４７】
また米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン等を挙げることができる。さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。
【００４８】
そして、この正孔注入・輸送層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化すればよい。この場合、正孔注入・輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族炭化水素化合物を含有していれば、上述した材料の１種または２種以上からなる一層で構成されてもよいし、また、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
【００４９】
また、有機半導体層は、発光層への正孔注入または電子注入を助ける層であって、１０-10 Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に記載の含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【００５０】
つぎに、電子注入層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
【００５１】
そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記一般式〔４〕〜〔６〕、
【００５２】
【化７】
0003864009.tif 000008
【００５３】
〔上記式中、Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 ，Ａｒ5 ，Ａｒ6 ，Ａｒ9 は、各々独立に置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ4 ，Ａｒ7 ，Ａｒ8 は、各々独立に置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。〕で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【００５４】
これら一般式〔４〕〜〔６〕におけるアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。そして、これらへの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。
【００５５】
そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
【００５６】
【化８】
0003864009.tif 000009
【００５７】
つぎに、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
【００５８】
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
つぎに、本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、上記の材料および方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【００５９】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【００６０】
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。
【００６１】
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の芳香族炭化水素化合物は、上記有機化合物層のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。またスピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
【００６２】
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【００６３】
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、印加する交流の波形は任意でよい。
【００６４】
【実施例】
つぎに、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕
支持基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ×１ｍｍ厚のガラス基板（コーニング社製；７０５９）を用い、その中央部の表示領域の周辺部に、取出し電極用のクロムをスパッタリングして、膜厚６００ｎｍに製膜した。
【００６５】
つぎに、ポジ型のフォトレジスト（富士フィルムオーリン社製：ＨＰＲ２０４）を、上記クロム薄膜上にスピンコートし、８０℃でベークした。そして、このフォトレジスト塗布面上に、パターン形成用のマスクとして、２５０μｍライン、５０μｍギャップのストライプ状の陽極側の取出し電極のクロム薄膜パターンおよび、６００μｍライン、１００μｍギャップのストライプ状の陰極側の取出し電極のクロム薄膜パターンを形成することのできる形状のマスクを介して、露光機により１００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で露光した。
【００６６】
つぎに、現像剤として、２．３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、上記で露光したフォトレジストの現像を行い、レジストパターンを形成した。
ついで、エッチャントとして、硝酸第二セリウムアンモニウム１６５ｇと７０重量％濃度の過塩素酸４２ミリリットルおよび、純水１リットルの組成からなる水溶液を用い、これに上記基板を室温で浸漬し、クロム薄膜の露出部をエッチングした。さらに、レジスト剥離剤（長瀬産業社製：Ｎ３０３）を用いて、残存するフォトレジストを剥離し、上記ストライブ形状を有する取出し電極パターンを形成した。
【００６７】
ここで得られた取出し電極につき、その一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、図１に示すように、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して１０°の角度で傾斜した順テーパー形状をなしていることが確認された。
つぎに、ガラス基板中央部の表示領域に、陽極としてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略称する）の薄膜を形成した。この薄膜に形成は、スパッタリング法によって行い、膜厚は１２０ｎｍとした。
【００６８】
ついで、この陽極のＩＴＯ膜の上に、ポジ型のフォトレジスト（富士フィルムオーリン社製：ＨＰＲ２０４）をスピンコートし、８０℃でベークした。そして、このフォトレジスト塗布面上に、パターン形成用のマスクとして、２５０μｍライン、５０μｍギャップのストライプ状の陽極用ＩＴＯ薄膜パターンを形成することのできる形状のマスクを介し、さらに、上記取出し電極パターンとわずかに重なり合うように位置合わせをして、露光機により１００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で露光した。
【００６９】
つぎに、現像剤として、２．３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、上記で露光したフォトレジストの現像を行い、１２０℃においてポストベークして、レジストパターンを形成した。
ついで、エッチャントとして、４７重量％濃度の臭化水素酸水溶液を用いて、これに上記基板を室温で浸漬し、ＩＴＯ薄膜の露出部をエッチングした。さらに、レジスト剥離剤（長瀬産業社製：Ｎ３０３）を用いて、残存するフォトレジストを剥離し、上記取出し電極パターンと接続した形態のＩＴＯ薄膜パターンを形成した。このようにして得られた電極パターン形成基板は、さらに、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄した。
【００７０】
つぎに、この電極パターン形成基板の上記ＩＴＯ薄膜パターン形成面上に、正孔注入層、正孔輸送層、ドーパントを含む発光層、電子注入層、陰極を順次積層した。まず、上記電極パターン形成基板を、蒸着装置（日本真空技術社製）の基板ホルダーに固定し、蒸着源はモリブデン製の抵抗加熱ボートに、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ドーパント、電子注入材料をそれぞれ仕込み、陰極の第二金属として銀をタングステン製フィラメントに、陰極の電子注入性金属としてマグネシウムをモリブデン製ボートに装着した。ついで、真空槽を５×１０-7ｔｏｒｒまで減圧した後、正孔注入層から陰極の蒸着までの間に途中で真空を破ることなく１回の真空引きで、下記のそれぞれの条件下に各層を順次蒸着積層して、有機ＥＬ素子を作製した。
【００７１】
上記正孔注入材料としては、４，４’，４”−トリス−〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンを用い、その加熱温度を３６０℃とし、蒸着速度を０．１〜０．３ｎｍ／秒として、２００ｎｍの正孔注入層を形成した。
正孔輸送材料としては、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニルを用い、加熱温度を２６０℃とし、蒸着速度を０．１〜０．３ｎｍ／秒として、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【００７２】
発光材料としては４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルを用い、ドーパントとしてＮ，Ｎ−ジフェニルアミノビニルベンゼンを用い、発光材料の蒸着速度を０．１〜０．３ｎｍ／秒、ドーパントの蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒において同時蒸着し、全膜厚４０ｎｍ（発光材料に対するドーパントの重量比：１．２〜１．６）のドーパントを含む発光層を形成した。
【００７３】
電子注入材料としては、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムを用い、蒸着速度を０．１〜０．３ｎｍ／秒として、膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。
陰極としては、そのストライブパターンが陽極のＩＴＯストライブパターンの方向に対して垂直方向に、６００μｍライン、１００μｍギャップのストライブパターンを形成することのできるマスクを介し、かつ周縁部が上記取出し電極のクロムパターンとわずかに重なり合うようにして、マグネシウムと銀を同時蒸着した。この場合、マグネシウムの蒸着速度を１．３〜１．４ｎｍ／秒とし、銀の蒸着速度を０．１ｎｍ／秒として、膜厚２００ｎｍの陰極を形成し、図４に示す形態の有機ＥＬ素子の形成されたガラス基板を得た。
【００７４】
つぎに、この有機ＥＬ素子の形成されたガラス基板上の、図４における封止部材形成部位８に、有機ＥＬ素子の表面を覆う封止をした。封止部材としては、サンドブラスト処理により凹状に加工され、外寸法が８０ｍｍ×８０ｍｍで、内寸法が７６ｍｍ×７６ｍｍであり、かつ厚さが１．１ｍｍ、凹状部の深さが０．５ｍｍであるものを用いた。そして、封止部材の凹状部の隅に、直径１ｍｍの不活性物質注入用スルーホールを設けた。
【００７５】
ついで、窒素ガス気流下のドライボックス内において、封止部材の周縁部に、エポキシ系二液混合型接着剤（チバ・ガイギー社製：アラルダイト）を薄く塗布し、これでガラス基板中央部の表示領域を覆い、封止部材の周縁部とガラス基板表面の陽極、陰極および取出し電極の表面を接着させた。そして、封止部材のスルーホールより、不活性物質のフッ化炭化水素（米国３Ｍ社製：フロリナート）を注入し、封止部材と表示領域との間隙を埋めた。最後に、不活性物質注入用スルーホールの周辺に前記接着剤を薄く塗布し、その上に、ガラス基板の切断片を被せて接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００７６】
このようにして得られた有機ＥＬ表示装置の表示性能を確認するため、この有機ＥＬ表示装置の陽極と、陰極のそれぞれの取出し電極に、直流８Ｖの電源からのリード線を接続し、８Ｖの電圧を印加した。
この結果、この有機ＥＬ表示装置における表示部全ての陽極ラインと陰極ラインの交差部に発光が確認された。このことから、有機ＥＬ素子の陽極と陰極およびこれらの取出し電極との間の接続が良好であることが確認された。
【００７７】
〔実施例２〕
実施例１における取出し電極形成時のフォトレジスト現像後のベーク温度を１３０℃に変更した他は、実施例１と同様にして取出し電極を形成した。
ここで得られた取出し電極につき、その一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して９０°の角度で矩形状をなしていることが確認された。
つぎに、このガラス基板上の取出し電極の端部側面に、エポキシ系二液混合型接着剤（チバ・ガイギー社製：アラルダイト）を微量滴下して硬化させた。接着剤の硬化後、この取出し電極の一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、図２に示すとおり、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して３０°の角度で傾斜した順テーパー形状をなしていることが確認された。
【００７８】
ついで、このようにして取出し電極を形成した基板を用い、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を作製し、表示性能の確認をした。
この結果、この有機ＥＬ表示装置における表示部全ての陽極ラインと陰極ラインの交差部に発光が確認された。このことから、有機ＥＬ素子の陽極と陰極およびこれらの取出し電極との間の接続が良好であることが確認された。
【００７９】
〔実施例３〕
実施例２と同様にして取出し電極を形成した。
ここで得られた取出し電極につき、その一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して９０°の角度で矩形状をなしていることが確認された。
つぎに、このガラス基板上の取出し電極の端部側面に、エポキシ系二液混合型接着剤（チバ・ガイギー社製：アラルダイト）を微量滴下して硬化させた。接着剤の硬化後、この取出し電極の一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、図３に示すように、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して２５°の角度で傾斜した順テーパー形状をなしていることが確認された。
【００８０】
ついで、このようにして取出し電極を形成した基板を用い、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を作製し、表示性能の確認をした。
この結果、この有機ＥＬ表示装置における表示部全ての陽極ラインと陰極ラインの交差部に発光が確認された。このことから、有機ＥＬ素子の陽極と陰極およびこれらの取出し電極との間の接続が良好であることが確認された。
【００８１】
〔比較例１〕
実施例２と同様にして取出し電極を形成した。
ここで得られた取出し電極につき、その一部の切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、取出し電極の端部の上面が基板の表面に対して９０°の角度で矩形状をなしていることが確認された。
ついで、この取出し電極を形成した基板を加工することなくそのまま用い、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を作製し、表示性能の確認をした。
【００８２】
この結果、この有機ＥＬ表示装置における表示部の陽極ラインと陰極ラインの交差部のうち、大部分は発光したが、１０本の発光しないラインがあることが確認された。このことから、有機ＥＬ素子の陽極と陰極およびこれらの取出し電極との間の接続に断線部が１０箇所存在することが判明した。
そこで、この有機ＥＬ素子電極と取出し電極の断線部について、その切断端面を電子顕微鏡により観察したところ、図５に示すように、取出し電極の段差により有機ＥＬ素子電極が切断されていることが確認された。
【００８３】
【発明の効果】
本発明のＥＬ表示装置は、ＥＬ素子電極と、その駆動回路を結線するための取出し電極との接合が強固に構成されていることから、当該接合部位での接合不良や断線に起因する表示不良を招くおそれのないＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置におけるＥＬ素子電極とその取出し電極の接合部の一例を示す部分断面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置におけるＥＬ素子電極とその取出し電極の接合部の他の一例を示す部分断面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置におけるＥＬ素子電極とその取出し電極の接合部のさらに他の一例を示す部分断面図である。
【図４】本発明のＥＬ表示装置の封止処理前の平面の説明図である。但し、電極の本数は作図上の都合で実際の本数より減少して表した。
【図５】本発明の比較例１におけるＥＬ表示装置の欠陥部分のＥＬ素子電極とその取出し電極の接合部を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  取出し電極
３  取出し電極のＥＬ素子の電極側の端部
４  順テーパー状部
５  ＥＬ素子の電極
６  断線防止層
７  表示領域
８  封止部材の接着部位
【図１】
0003864009.tif 000010
【図２】
0003864009.tif 000011
【図３】
0003864009.tif 000012
【図４】
0003864009.tif 000013
【図５】
0003864009.tif 000014