(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
この半導体チップの回路形成面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記半導体チップに設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、内部回路に電気的に接続された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
この半導体チップの回路形成面の裏面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記半導体チップに設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、当該半導体チップに形成された貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、内部回路に電気的に接続された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
配線基板と、
この配線基板に低弾性樹脂により接着された半導体チップと、
上記配線基板と上記半導体チップとの接着部に設けられ、半導体チップの内部回路に電気的に接続された内部接続端子と、
上記配線基板の上記半導体チップ搭載面の裏面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記配線基板に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記配線基板に形成され、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記配線基板に形成され、この配線基板に設けられた貫通穴を介して上記内部接続端子に電気的に接続された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
配線基板と、
この配線基板に低弾性樹脂により接着された半導体チップと、
上記配線基板と上記半導体チップとの接着部に設けられ、半導体チップの内部回路に電気的に接続された内部接続端子と、
上記配線基板の上記半導体チップ搭載面の裏面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記配線基板に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記配線基板に形成され、貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記配線基板に形成され、上記内部接続端子に電気的に接続された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線を電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記外堀の内部は、低弾性樹脂で充填されていることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１つの項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外堀の内部の少なくとも一部が中空であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記低弾性樹脂は、ヤング率が１００ＫＰａから５００ＭＰａの間にあることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記低弾性樹脂は、多数の微小ボイドを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
基板本体と、
この基板本体の一方の面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記基板本体に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記基板本体の一方の面側に形成され、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記基板本体の一方の面側に形成され、上記基板本体に設けられた貫通穴を介して他方の面側に導出された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備し、
上記基板本体の他方の面側に半導体チップが実装される
ことを特徴とする半導体装置搭載用配線基板。
【請求項１０】
基板本体と、
この基板本体の一方の面側に設けられた外部接続端子と、
上記外部接続端子の周りの上記基板本体に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、
上記外堀によって囲まれた上記基板本体の他方の面側に形成され、貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、
上記外堀の外側の上記基板本体の他方の面側に形成された第２の配線と、
上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備し、
上記基板本体の他方の面側に半導体チップが実装される
ことを特徴とする半導体装置搭載用配線基板。
【請求項１１】
前記外堀の内部は、低弾性樹脂で充填されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置搭載用配線基板。
【請求項１２】
前記外堀の内部の少なくとも一部が中空であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置搭載用配線基板。
【請求項１３】
前記低弾性樹脂は、ヤング率が１００ＫＰａから５００ＭＰａの間にあることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置搭載用配線基板。
【請求項１４】
前記低弾性樹脂は、多数の微小ボイドを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置搭載用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板に関するもので、特にＳｉ（シリコン）半導体チップやＳｉからなる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を樹脂系の実装基板へ搭載しようとした場合、半導体チップを形成するＳｉが低熱膨張率（５ｐｐｍ）であるのに対して、実装基板に使われる樹脂が大きな熱膨張率（例えばＢＴレジンの場合１７ｐｐｍ）を持っているため、両者の間の電気的な接続を温度変化による応力で壊れないように設計しなければならない。この問題は、設計密度が高まって微細化してくるに従って顕在化してきており、特にフリップチップ技術を用いたＣＳＰ（チップスケールパッケージあるいはチップサイズパッケージ）においては、深刻な課題となっている。
【０００３】
これに対し、例えばＵＳＰ．５，１４８，２６６や特開平１１−２８４０９９号に記載された技術においては、半導体チップとの接続をフレキシブル性を持ったビームリードや金ワイヤーで行い、実装基板との接続端子である半田ボールは、エラストマーを用いて半導体チップからの応力が伝わり難くしている。
【０００４】
図７は、上記特開平１１−２８４０９９号に開示されているパッケージ構造を示す断面図である。半導体チップ１と有機絶縁テープ１４がエラストマー６を介して接着されており、半導体チップ１の配線と有機絶縁テープ１４上の配線１５との間はボンディングワイヤー９で結線されている。このボンディングワイヤー９は、樹脂１３によって被覆されている。そして、上記有機絶縁テープ１４上の配線１５に、ＢＧＡボール４が形成された構造になっている。
【０００５】
このように、有機絶縁テープ１４の下に形成された外部接続端子であるＢＧＡボール４と、半導体チップ１との間がエラストマー６で隔てられているため、実装基板と半導体チップ１の熱膨張差による応力が緩和できる。
【０００６】
しかしながら、この構造では、半導体チップ１と有機絶縁テープ１４との間に大きな熱膨張差があるため、その間にエラストマー６を介在させているにも拘わらず、パッケージの反りを発生させてしまう。外部接続端子（ＢＧＡボール４）は、微細ピッチになるに従い、その高さの均一性がより厳格に求められてくるばかりでなく、接続強度も低下してくるため、外部接続端子に掛かる応力もより小さくすることが必要になってくる。そのため、上述した構造のパッケージでは、例えば０．５ｍｍ未満の接続ピッチに対応することは困難であるのが現状である。
【０００７】
この問題は、上記ＵＳＰ．５，１４８，２６６等の類似する他の公知例においても全く同様であり、０．５ｍｍ未満の接続ピッチに対して有効な接続構造を提供する技術は開発されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の半導体装置及び及び半導体装置搭載用配線基板は、半導体チップと実装基板との間の熱膨張差による応力により破壊されるという問題があった。
【０００９】
この問題を解決するために、種々の構造が提案されているが、外部接続端子の狭ピッチ化に充分に対応するのが困難であるという問題があった。
【００１０】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体チップと実装基板との間の熱膨張差による応力を緩和でき、且つ高密度で接続が可能な半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの回路形成面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記半導体チップに設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、内部回路に電気的に接続された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備することを特徴としている。
【００１２】
また、この発明の請求項２の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの回路形成面の裏面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記半導体チップに設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、当該半導体チップに形成された貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記半導体チップの回路形成面側に設けられ、内部回路に電気的に接続された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備することを特徴としている。
【００１３】
更に、この発明の請求項３の半導体装置は、配線基板と、この配線基板に低弾性樹脂により接着された半導体チップと、上記配線基板と上記半導体チップとの接着部に設けられ、半導体チップの内部回路に電気的に接続された内部接続端子と、上記配線基板の上記半導体チップ搭載面の裏面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記配線基板に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記配線基板に形成され、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記配線基板に形成され、この配線基板に設けられた貫通穴を介して上記内部接続端子に電気的に接続された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備することを特徴としている。
【００１４】
更にまた、この発明の請求項４の半導体装置は、配線基板と、この配線基板に低弾性樹脂により接着された半導体チップと、上記配線基板と上記半導体チップとの接着部に設けられ、半導体チップの内部回路に電気的に接続された内部接続端子と、上記配線基板の上記半導体チップ搭載面の裏面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記配線基板に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記配線基板に形成され、貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記配線基板に形成され、上記内部接続端子に電気的に接続された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備することを特徴としている。
【００１５】
請求項５に記載したように、請求項１乃至４いずれか１つの項に記載の半導体装置において、前記外堀の内部は、低弾性樹脂で充填されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載したように、請求項４に記載の半導体装置において、前記外堀の内部の少なくとも一部が中空であることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載したように、請求項５に記載の半導体装置において、前記低弾性樹脂は、ヤング率が１００ＫＰａから５００ＭＰａの間にあることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に記載したように、請求項５に記載の半導体装置において、前記低弾性樹脂は、多数の微小ボイドを含むことを特徴とする。
【００１９】
また、この発明の請求項９の半導体装置搭載用配線基板は、基板本体と、この基板本体の一方の面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記基板本体に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記基板本体の一方の面側に形成され、上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記基板本体の一方の面側に形成され、上記基板本体に設けられた貫通穴を介して他方の面側に導出された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備し、上記基板本体の他方の面側に半導体チップが実装されることを特徴としている。
【００２０】
更に、この発明の請求項１０の半導体装置搭載用配線基板は、基板本体と、この基板本体の一方の面側に設けられた外部接続端子と、上記外部接続端子の周りの上記基板本体に設けられたドーナツ状の貫通した外堀と、上記外堀によって囲まれた上記基板本体の他方の面側に形成され、貫通穴を介して上記外部接続端子に電気的に接続された第１の配線と、上記外堀の外側の上記基板本体の他方の面側に形成された第２の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤーあるいは蛇行した金属配線層とを具備し、上記基板本体の他方の面側に半導体チップが実装されることを特徴としている。
【００２１】
請求項１１に記載したように、請求項９または１０に記載の半導体装置搭載用配線基板において、前記外堀の内部は、低弾性樹脂で充填されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項１２に記載したように、請求項１０に記載の半導体装置搭載用配線基板において、前記外堀の内部の少なくとも一部が中空であることを特徴とする。
【００２３】
請求項１３に記載したように、請求項１１に記載の半導体装置搭載用配線基板において、前記低弾性樹脂は、ヤング率が１００ＫＰａから５００ＭＰａの間にあることを特徴とする。
【００２４】
請求項１４に記載したように、請求項１１に記載の半導体装置搭載用配線基板において、前記低弾性樹脂は、多数の微小ボイドを含むことを特徴とする。
【００２５】
この発明の請求項１，２の半導体装置あるいは請求項９，１０の半導体装置搭載用配線基板は、その外部接続端子が半導体チップあるいは配線基板本体から応力的に解放されており、実装基板の収縮膨張に対応して追従できるため、極めて信頼性の高い外部との接続を実現できる。
【００２６】
この発明の請求項３，４の半導体装置も同様に、その外部接続端子が半導体チップ及び配線基板本体のいずれとも応力的に解放されているため、極めて信頼性の高い外部との接続を実現できる。更に、外部接続端子は、上下方向にも柔軟な構造となっているため、テストプローブの接触も低加重で行うことができる。
【００２７】
この発明の請求項５の半導体装置あるいは請求項１１の半導体装置搭載用配線基板は、その外部接続端子が半導体チップあるいは配線基板本体から応力的に解放されているばかりでなく、低弾性樹脂によって柔軟に固定されているため、高信頼性な外部との接続を実現しつつ、実装基板からの脱落を回避することができる。
【００２８】
この発明の請求項６の半導体装置あるいは請求項１２の半導体装置搭載用配線基板も同様に、その外部接続端子が半導体チップあるいは配線基板本体から応力的に解放されているばかりでなく、中空の領域によって柔軟に固定されているため、高信頼性な外部との接続を実現しつつ、実装基板からの脱落を回避することができる。
【００２９】
この発明の請求項７の半導体装置あるいは請求項１３の半導体装置搭載用配線基板では、外部接続端子と半導体チップあるいは配線基板本体とを最も効果的に固定できる。
【００３０】
この発明の請求項８の半導体装置あるいは請求項１４の半導体装置搭載用配線基板によれば、ボイド内の空気により体積変化に容易に追従することが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ、この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置について説明するためのもので、（ａ）図は断面図、（ｂ）図は同パッケージのＢＧＡパッド面の概略平面図であり、（ｂ）図のＡ−Ａ’線に沿った断面が（ａ）図に対応している。
【００３２】
すなわち、半導体チップ１とＳｉ配線基板２が、導電性バンプ（内部接続端子）５によりフリップチップ接続されている。上記Ｓｉ配線基板２には、半導体チップ１との接続点の直下に貫通穴８が形成されており、この貫通穴８内から反対面に配線３が延設されている。また、上記Ｓｉ配線基板２には、ＢＧＡパッド（配線）３Ｐが形成されており、その周囲には当該Ｓｉ配線基板２を貫通した外堀７が形成され、Ｓｉ配線基板２の本体とは分離されている。ＢＧＡパッド３Ｐ上には、外部接続端子としてのＢＧＡボール４が設けられている。上記ＢＧＡパッド３ＰとＳｉ配線基板２の本体の配線３とは、ボンディングワイヤー９で接続されている。そして、上記半導体チップ１とＳｉ配線基板２との間の隙間、上記ＢＧＡパッド３Ｐの外周の外堀７の中、及び上記ボンディングワイヤー９の周りにはそれぞれ、低弾性なエラストマー６，１０が配置されている。
【００３３】
本実施の形態では、半導体チップ１とＳｉ配線基板２との間には熱応力が生じないため、この間の接続は非常に信頼性が高く、更に実装基板との外部接続端子であるＢＧＡボール４もその外周の外堀７によって本体と分離されているため、熱応力が解放されて非常に高い信頼性が得られる。しかも、本実施の形態の半導体装置は、Ｓｉ配線基板２に半導体チップと同じ材料（シリコン）を用いているため、ＵＳＰ．５，１４８，２６６や特開平１１−２８４０９９号のように半導体チップと有機配線基板との熱膨張差によるパッケージの反りが生ずることもない。更に、半導体チップ１とＳｉ配線基板２との電気的な接続を、貫通穴８内から裏面側に延設した配線３を用いて行っているため、Ｓｉ配線基板２の配線はＢＧＡボール４側のみに形成すれば良い。上記ＢＧＡボール４は、上下方向にも柔軟な構造となっているため、テストプローブの接触も低加重で行うことができるという効果も得られる。
【００３４】
図２（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ、上記Ｓｉ配線基板（半導体装置搭載用配線基板）２の製造工程を順次示す断面図である。まず、Ｓｉウェハ（Ｓｉ配線基板）２にＲＩＥ等の異方性の高いエッチングによって貫通穴８と外堀７を所定の深さまで掘り込んだ後、熱酸化やＣＶＤによって表面に絶縁層（図示せず）を被覆する（図２（ａ））。
【００３５】
その後、上記絶縁層上に金属を蒸着し、パターニングを行って配線３及びＢＧＡパッド３Ｐを形成する（図２（ｂ））。上記配線３及びＢＧＡパッド３Ｐは必要に応じて、多層配線にすることも勿論可能である。
【００３６】
上記配線３及びＢＧＡパッド３Ｐの形成後は、上記ウェハ２の表面にパシベーション膜１１を被覆し、選択的に開口して（図２（ｃ））、エラストマー６を貫通穴８と外堀７の中に埋め込む（図２（ｄ））。
【００３７】
次に、このウェハ２をＳｉ配線基板の外形になるように個片化と裏面研磨を行う。ここでは、まずＳｉ配線基板の外形に合わせて、所定の深さまでダイシング溝１２を掘り込んだ後（図２（ｅ））、裏面研削を行ってＳｉ配線基板を個片化する（図２（ｆ））手法を用いる場合を例にとって示している。この場合、ダイシング溝１２の深さは、少なくとも貫通穴８の底よりも深く、且つウェハ２の厚さよりも浅いことが必要である。また、裏面研削は、貫通穴８の底の配線３が露出されるまで行う。
【００３８】
なお、上記裏面研削は、通常の砥石によるＢＳＧ（バックサイドグラインディング）以外にも、化学的なエッチング手法を用いても構わないし、またそれらを組み合わせて用いても良い。また、ダイシングはウェハ加工段階で貫通穴８や外堀７とともに、あるいは同じ手法で形成しても構わないが、この場合は、ダイシング溝１２内にエラストマー６が埋まらないようにマスキング、あるいはエッチアウトする必要がある。
【００３９】
最後に、ＢＧＡパッド３Ｐと本体配線３とを接続するためにワイヤーボンディングを行った後、エラストマー１０を塗布してボンディングワイヤー９を保護する（図２（ｇ））。これによって、図１（ａ），（ｂ）に示したＳｉ配線基板２が完成する。
【００４０】
なお、ここでは、ワイヤーボンディングをＳｉ配線基板２の個片化終了後に実施したが、ウェハ加工段階の最終工程で行っても構わない。
【００４１】
図３は、この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板について説明するための断面図である。この第２の実施の形態では、Ｓｉ配線基板２の配線３及びＢＧＡパッド３Ｐを半導体チップ１との接着面側に形成している。このため、ＢＧＡパッド３Ｐの直上に貫通穴８が配置されることになる。また、ボンディングワイヤー９が半導体チップ１とＳｉ配線基板２との間隙に配置されることになるため、当該間隙に充填されるエラストマー６によって、その保護を兼用することが可能である。勿論、第１の実施の形態のようにボンディングワイヤー９の周りに予めエラストマー１０を配置しておいても一向に構わない。一方、ＢＧＡパッド３Ｐ面は、Ｓｉ配線基板２の下地が剥き出しになるため、絶縁膜による保護を行うことが望ましい。但し、実装基板との間に樹脂充填を行うのであれば、この樹脂によって絶縁保護膜を代用することもできる。
【００４２】
本実施の形態では、上記第１の実施の形態と同様に、半導体チップ１とＳｉ配線基板２との間には熱応力が生じないため、この間の接続は非常に信頼性が高く、更に実装基板との外部接続端子であるＢＧＡボール４もその外周の外堀７によって本体と分離されているため、熱応力が解放されて非常に高い信頼性が得られる。しかも、半導体チップと有機配線基板との熱膨張差によるパッケージの反りが生ずることもない。更に、ＢＧＡボール４とＳｉ配線基板２との電気的な接続を、貫通穴８内から裏面側に延設したＢＧＡパッド３Ｐを用いて行っているため、Ｓｉ配線基板２の配線は半導体チップ１との接着面側のみに形成すれば良い。ＢＧＡボール４は、上下方向にも柔軟な構造となっているため、テストプローブの接触も低加重で行うことができる。
【００４３】
上記第２の実施の形態のＳｉ配線基板２は、上記図２（ａ）〜（ｇ）に示した第１の実施の形態のＳｉ配線基板２の製造方法に準じた工程で得られるのは勿論であるが、また、一方、ウェハレベルでパッケージまで形成してしまうことも可能である。
【００４４】
図４（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、上述した第２の実施の形態に係る半導体装置搭載用配線基板をウェハレベルで製造する工程の一例を示す概念図である。図４（ａ）に示すように、前述した図２（ａ）〜（ｃ）までの製造方法に準じて、外堀７、貫通穴８、配線３、ＢＧＡパッド３Ｐ及びパシベーション膜１１が形成されたＳｉ配線基板２に、ウェハ状態のままワイヤーボンディングを行って配線３とＢＧＡパッド３Ｐ間を接続する。その後、更にウェハ状態のままエラストマー６を塗布して半導体素子１をフリップチップ接続で搭載する（図４（ｂ））。この際、半導体素子はウェハ状態であっても構わないし、また個片の半導体チップであっても構わない。また、Ｓｉ配線基板２と半導体素子１の間隙のエラストマー６は、本実施の形態に示すようにＳｉ配線基板２と半導体素子１の接続の前に供しても良いし、その逆にＳｉ配線基板２と半導体素子１の接続の後に充填しても構わない。
【００４５】
本実施の形態では、ＢＧＡパッド３Ｐの外堀７と貫通穴８の中へのエラストマー６の供給は、半導体素子１とＳｉ配線基板２の間隙充填樹脂で代行しているが、事前に供給しておいても一向に構わないし、逆に最後まで何も充填しなくても良い。
【００４６】
半導体素子１とＳｉ配線基板２を接合した後（図４（ｃ））は、Ｓｉ配線基板２の裏面を貫通穴８の底の配線３が露出するまで研削あるいはエッチングし、絶縁保護膜１６を形成する（図４（ｄ））。その後、外部接続端子であるＢＧＡボール４を貫通穴８の直下に形成し（図４（ｅ））、ダイシングによって個片化すれば、上記第２の実施の形態の半導体装置搭載用配線基板が完成する。勿論、ＢＧＡボール４の形成と個片化のどちらを先に行っても構わない。
【００４７】
図５及び図６はそれぞれ、この発明の第３，第４の実施の形態に係る半導体装置について説明するための断面図である。上述した第１，第２の実施の形態では、半導体チップ１を低弾性樹脂（エラストマー）６でＳｉ配線基板２に接着した構造を例にとって説明したが、第３，第４の実施の形態の実施の形態では、上記構造をベアチップに適用したものである。
【００４８】
すなわち、半導体チップ１にドーナツ状の貫通した外堀７を形成し、この外堀７の内側にＢＧＡボール（外部接続端子）４を形成し、半導体素子本体配線と当該外部接続端子との間をワイヤーボンディングによって接続した構造である。図５は半導体チップ１の回路形成面側にＢＧＡボール４、ＢＧＡパッド３Ｐ、ボンディングワイヤー９及び配線３を形成した例であり、図６は半導体チップ１の回路形成面の裏面側にＢＧＡボール４、回路形成面側にＢＧＡパッド３Ｐ、ボンディングワイヤー９及び配線３を設け、貫通穴８を介してＢＧＡボール４とＢＧＡパッド３Ｐとの導通を取った例である。
【００４９】
これらの実施の形態の半導体チップ１を用いれば、パッケージ形態にすることなく（すなわちベアチップで）、実装基板への高信頼性な接続を実現することが可能である。
【００５０】
なお、上記いずれの実施の形態においても、ＢＧＡパッド３Ｐと配線３との間をボンディングワイヤー９で接続した構造で説明したが、当該部分は、例えば蛇行した金属配線層を用いて接続しても構わない。要は、外堀７内と本体の間を柔軟に接続できる構造であれば良い。
【００５１】
また、上述した各実施の形態において用いられるエラストマー（低弾性樹脂）６，１０は、ヤング率が１００ＫＰａから５００ＭＰａの間にある必要があり、より望ましくは、１００ＭＰａ以下である。
【００５２】
更に、理想的には、エラストマー６，１０中に多数の微小ボイドが存在することが望ましい。これは、一般に樹脂材料は弾性率を下げても、体積変化を伴う変形に対しては剛性を示すためである。また、樹脂中に多数の微小ボイドを分散させることにより、ボイド内の空気により体積変化に容易に追従することが可能となる。
【００５３】
半導体チップ１と配線基板２がともにシリコンの場合を例にとって説明したが、ガリウム等の他の半導体材料の場合にも適用できるのは勿論であり、半導体チップと配線基板の熱膨張係数が近いものであれば異種の材料であっても良い。
【００５４】
以上実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、半導体チップと実装基板との間の熱膨張差による応力を緩和でき、且つ高密度で接続が可能な半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板について説明するための図。
【図２】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられるＳｉ配線基板の製造工程を順次示す断面図。
【図３】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板について説明するための断面図。
【図４】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられるＳｉ配線基板をウェハレベルで製造する工程の一例を示す概念図。
【図５】この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置について説明するための断面図。
【図６】この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置について説明するための断面図。
【図７】従来の半導体装置について説明するための断面図。
【符号の説明】
１…半導体チップ、
２…Ｓｉ配線基板、
３…配線、
３Ｐ…ＢＧＡパッド（配線）、
４…ＢＧＡバンプ（外部接続端子）、
５…内部接続部、
６…エラストマー（低弾性樹脂）、
７…外堀、
８…貫通穴、
９…ボンディングワイヤー、
１０…エラストマー（低弾性樹脂）、
１１…パシベーション膜、
１２…ダイシング溝、
１３…樹脂、
１４…絶縁性テープ、
１５…配線、
１６…絶縁保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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