(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着フィルムの製造方法であって、
基材ポリイミドフィルムの片面または両面に物理的処理を施す工程；該基材ポリイミドフィルムの物理的処理を施した片面または両面を、基材ポリイミドフィルム表面上の官能基と反応し得る官能基を含む表面改質剤により、表面改質処理する工程；および該基材ポリイミドフィルムの、物理的処理および表面改質処理を施した片面又は両面に接着層を設ける工程を含み、前記物理的処理が加熱処理であることを特徴とする、接着フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記基材ポリイミドフィルムが、非熱可塑性ポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項１に記載の接着フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記表面改質剤が、第１級アミンであることを特徴とする、請求項１または２に記載の接着フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理が、少なくとも遠赤外線処理若しくは熱風循環加熱処理のいずれか一方あるいはその両方の組み合わせであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれかに記載の接着フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記接着層が、熱可塑性ポリイミドを含むことを特徴とする、請求項１から４までのいずれかに記載の接着フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記熱可塑性ポリイミドが、一般式（１）
【化１】
0003736600.tif 000017
（ここで、Ｘは、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、又は
【化２】
0003736600.tif 000018
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、それぞれ独立して、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はハロゲンを示し、Ｙは、
【化３】
0003736600.tif 000019
のいずれかを表す。）で表される基であり、Ｒは、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、または、一般式
【化４】
0003736600.tif 000020
（式中、Ｚは、
【化５】
0003736600.tif 000021
のいずれかを示す）で表される基、
【化６】
0003736600.tif 000022
（式中、Ｚ’は、結合、
【化７】
0003736600.tif 000023
のいずれかを示す）で表される基のいずれかである。）で表される繰り返し単位を有するポリイミドであることを特徴とする、請求項１から５までのいずれかに記載の接着フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかに記載の接着フィルムの製造方法により製造される接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着フィルムの製造方法および接着フィルムに関する。より詳しくは、電子部品、電子回路基板等の固定又は絶縁用等の機械的強度と耐熱性を要求されるフィルムまたはテープに用いられる、基材ポリイミドフィルムに熱可塑性樹脂層を設けてなる接着フィルムおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化、高性能化、および小型化が進み、それに伴って電子部品の小型化および軽量化も進んできている。そのため半導体素子パッケージ方法やそれらを実装する配線材料又は配線部品も、より高密度、高機能、かつ高性能であることが求められる。特に、半導体パッケージ、ＣＯＬ（チップオンロード）またはＬＯＣ（リードオンチップ）パッケージ、あるいはＴＡＢ（テープオートメーティッドボンディング）パッケージやＭＣＭ（マルチチップモジュール）等の高密度実装材料や多層ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等のプリント配線板材料、さらには超伝導コイル被覆材料や航空宇宙材料として好適に用いることのできる良好な機械的特性や耐熱特性、絶縁特性を示す接着材料が求められている。
【０００３】
従来、半導体パッケージやその他実装材料において、良好な機械的特性や耐熱性、絶縁特性を示す接着材料として、主にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸組成物等が使われていた。しかし、これらの接着剤は、有機溶媒溶液またはペーストの状態で、基板上に塗布して使用されるため、乾燥、硬化に長時間を要し、また基板上等に樹脂溶液またはペーストを塗工する際に厚みムラを生じやすい等作業性に問題がある。さらに、乾燥、硬化時に発生するガスによってダイパッド等の基板や半導体素子が汚染され、ワイヤーボンディング不良等の問題が生じる。
【０００４】
これら問題点を解決するために、上記のような従来の接着材料に代わるものとして、耐熱特性、機械的特性に優れる絶縁材料であるポリイミドフィルムに、熱可塑性ポリイミド樹脂や高耐熱性エポキシ樹脂等からなる接着層を設けたポリイミドフィルムを基材とする接着フィルムが提案されている。
【０００５】
このようなポリイミドフィルムを基材とする接着フィルムの製造方法としては、ポリイミドフィルムの片面または両面に、溶液状態の樹脂を塗工し乾燥させて製造する塗工法と、ポリイミドフィルムの片面または両面に樹脂フィルムとを加熱貼合せ加工し製造する熱ラミネート法がある。熱ラミネート法によれば、基材となるフィルムの両面または片面に熱可塑性フィルムを加熱圧着することによって接着フィルムを得ることができる。従って、瞬時に接着でき、作業性を大幅に改善できる。さらに、熱圧着時にガスの発生を伴わないため半導体素子や基板の汚染の問題も改善できる。また、このような接着フィルムにおいては、基板に樹脂溶液やペーストを直接塗工する方法における接着層厚の不均一をきたすおそれがなく、引き続くワイヤボンディングに支障をきたしたり、半導体素子に不均一な歪みを生じさせる問題が生じず、高信頼性の半導体装置を得ることが期待できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般的に基材として用いられるポリイミドフィルムは、種々の樹脂フィルムとの密着性に乏しく、塗工法および熱ラミネート法のいずれによって得られた接着フィルムも、ポリイミドフィルム基材と接着層との十分な密着性が得られにくいという問題点を有していた。ポリイミドフィルム基材と接着層の密着性が不十分であると、打ち抜き加工時にバリの発生を起こしたり、電子配線回路に用いるときに金属導体線と絶縁層である樹脂との間で隔離が起こる。さらに、リードフレーム、ダイパッドとの接着時に基材と接着層間で剥離したり、またパッケージクラックの原因となるパッケージ内における剥離を起こす等加工性やパッケージング信頼性が劣ることになる。
【０００７】
そこで、上記従来の問題点を解決し、機械的特性や耐熱性、絶縁性に優れ、基材のポリイミドフィルムと接着層の密着性が良好な接着フィルムを提供することを目的に鋭意研究を重ねた結果、本発明に至ったのである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の接着フィルムの製造方法の要旨とするところは、基材ポリイミドフィルムの片面または両面に物理的処理を施す工程；該基材ポリイミドフィルムの物理的処理を施した片面または両面を、基材ポリイミドフィルム表面上の官能基と反応し得る官能基を含む表面改質剤により表面改質処理する工程；および該基材ポリイミドフィルムの、物理的処理および表面改質処理を施した片面又は両面に接着層を設ける工程を含むことにある。
【０００９】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記基材ポリイミドフィルムは、非熱可塑性ポリイミドフィルムであり得る。
【００１０】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記表面改質剤は、第１級アミンであり得る。
【００１１】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記物理的処理は、加熱処理、コロナ処理、プラズマ処理、スパッタリング処理、サンドブラスト処理および金属ナトリウム処理からなる群より選択される１種以上であり得る。
【００１２】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記加熱処理は、少なくとも遠赤外線処理若しくは熱風循環加熱処理のいずれか一方あるいはその両方の組み合わせであり得る。
【００１３】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記接着層は、熱可塑性ポリイミドを含み得る。
【００１４】
かかる接着フィルムの製造方法において、上記熱可塑性ポリイミドは、一般式（１）
【００１５】
【化８】
0003736600.tif 000002
【００１６】
（ここで、Ｘは、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、又は
【００１７】
【化９】
0003736600.tif 000003
【００１８】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、およびＲ4 は、それぞれ独立して、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はハロゲンを示し、Ｙは、
【００１９】
【化１０】
0003736600.tif 000004
【００２０】
のいずれかを表す。）で表される基であり、Ｒは、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、または、一般式
【００２１】
【化１１】
0003736600.tif 000005
【００２２】
（式中、Ｚは、
【００２３】
【化１２】
0003736600.tif 000006
【００２４】
のいずれかを示す）
で表される基、
【００２５】
【化１３】
0003736600.tif 000007
【００２６】
（式中、Ｚ’は、結合
【００２７】
【化１４】
0003736600.tif 000008
【００２８】
のいずれかを示す）で表される基のいずれかである。）で表される繰り返し単位を有するポリイミドであり得る。
【００２９】
本発明の接着フィルムの要旨とするところは、上記の接着フィルムの製造方法により製造されることにある。
ことにある。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の接着フィルムは、基材ポリイミドフィルムの片面または両面に物理的処理を施した後、該物理処理を施した面に、さらに表面改質剤により表面改質処理を施し、処理を施した面に接着層を設けることによって得られる。
【００３１】
まず、基材ポリイミドフィルムとしては、当業者に公知のいずれのポリイミドフィルム使用し得る。このようなポリイミドフィルムは、市販されており、代表的には、鐘淵化学工業株式会社製のアピカルシリーズ、デュポン社製のカプトンシリーズ、宇部興産株式会社製のユーピレックスシリーズ、日東電工株式会社製のＵ−フィルムシリーズ等がある。
【００３２】
具体的には、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドあるいはポリエステルイミド等を挙げることができ、非熱可塑性、熱可塑性、熱硬化性のいずれをも含み、ポリイミド樹脂の分子構造は限定されないが、特には、非熱可塑性ポリイミドフィルムであることが好ましい。
【００３３】
ここでポリイミドフィルムの厚みは特に限定されず、数μｍ〜数ｍｍである。通常のフィルムの厚みは３〜３００μｍであり、好ましくは５〜１２５μｍ、より好ましくは５〜７５μｍである。
【００３４】
本発明においては、このような基材ポリイミドフィルムの表面改質に物理的処理を施す。物理的処理の方法は特に限定されないが、代表的には、加熱処理、コロナ処理、プラズマ処理、スパッタリング処理、サンドブラスト処理、および金属ナトリウム処理からなる群より選択される１種あるいは２種以上の組み合わせである。
【００３５】
ここで、加熱処理の方法は、特に限定されず、当業者に公知の装置を用いて処理できる。例えば、遠赤外線処理、熱風循環加熱処理、あるいはそれらの組み合わせが好ましい。加熱温度は最高温度が、１００℃〜７００℃の範囲であることが好ましい。更に好ましくは、最高温度が２００〜６００℃の範囲である。加熱最高温度がこの範囲より高温側の場合、ポリイミドフィルムが熱分解しフィルムの機械的強度、電気特性が大きく低下する。また、低温側の場合、所望の接着性に対する効果が得られない。その処理時間は、最高温度によって異なるが、最高温度での曝露時間が１〜１２００秒の範囲であり得る。好ましくは３〜８００秒の範囲であり、より好ましくは５〜４００秒の範囲であり、特に好ましくは、１０〜３００秒の範囲である。また、加熱処理において、フィルムをロールツーロールにて行う場合、加熱処理温度を段階的に設定することもできる。例えば、２００℃、４００℃、６００℃、４００℃、２００℃に加熱炉の温度を設定し、それぞれの炉の曝露時間を２００秒ずつとして処理し得る。あるいは加熱処理温度を段階的に設定せず、加熱炉を全て５００℃に設定し、フィルムの加熱処理を実施することもできる。
【００３６】
コロナ処理を行なう場合、電極は特に限定されないが、例えばアルミニウム電極が用いられ得る。コロナ放電処理を行なう場合、フィルムの熱膨張により生じる皺を防ぐ為、フィルムの幅方向に伸びを付与し、コロナ放電処理を1 回または複数回にわたって施すこともできる。処理密度は、５０〜８００ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 の範囲が好ましい。その処理時間については、１〜１２００秒の範囲であり得、より好ましくは、３〜８００秒の範囲が好ましい。特に好ましくは、５〜４００秒の範囲、１０〜３００秒の範囲である。
【００３７】
本発明におけるプラズマ放電処理は、いわゆる真空プラズマ処理あるいは減圧プラズマ処理、および常圧プラズマ処理あるいは大気圧プラズマ処理などであり得る。特に、１００〜１０００Ｔｏｒｒの範囲の圧力下で行うことが好ましい。また、常圧プラズマ処理は比較的設備費等が安価であり好ましく用いられる。
【００３８】
プラズマ放電処理に用い得る電極は、金属、ガラス、石英、セラミック等を、表面をグロー放電によって励起されたプラズマのエネルギーによって分解されない誘電体で被覆して作成する。電極に印加する高電圧の周波数は、１〜５００ＫＨｚ、好ましくは１〜２０ＫＨｚであり、２０００〜８０００Ｖ、好ましくは３０００〜５０００Ｖの電圧印加によりグロー放電が起こる。
【００３９】
プラズマガスを形成するのに用いられ得るガスは、例えば、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン、ラドン、窒素等の不活性ガス、また酸素、空気、一酸化炭素、二酸化炭素、四塩化炭素、クロロホルム、水素、アンモニア、カーボンテトラフルオライド、トリクロロフルオロエタン、トリフルオロメタン等である。また、公知のフッ化ガスあるいは上記ガスの混合ガスでも良い。好ましい混合ガスの組み合わせは、アルゴン／酸素、アルゴン／アンモニア、アルゴン／ヘリウム／酸素、アルゴン／二酸化炭素、アルゴン／窒素／二酸化炭素、アルゴン／ヘリウム／窒素、アルゴン／ヘリウム／窒素／二酸化炭素、アルゴン／ヘリウム、アルゴン／ヘリウム／アセトン、ヘリウム／アセトン、ヘリウム／空気、アルゴン／ヘリウム／シランである。
【００４０】
処理密度は、１００〜１００００ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 の範囲が好ましい。更に好ましくは、３００〜７０００ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 の範囲が好ましい。上記範囲を大きく逸脱すると所望の効果が得られない。
【００４１】
スパッタリング処理は、限定されないが、直流２極スパッタ法、バイアススパッタリング、非対称交流スパッタリング、ゲッタスパッタリング、および高周波スパッタリングが挙げられる。
【００４２】
サンドブラスト処理は、研削材を圧縮空気でフィルム表面に吹きつけることにより表面処理を行なうものである。例えば、サンドブラスト吹き出しノズルを備えるサンドブラスト装置を使用することができる。研削材の吹き出し量は、適宜調節され、処理後に研削材や被研削物がポリイミドフィルム表面に残らず、ポリイミドフィルムの強度が低下しないような条件にする必要がある。具体的には、研削材として代表的にはけい砂が用いられる。けい砂の粒径は、０．０５〜１０ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍである。ブラスト距離は、１００〜３００ｍｍとすることが好ましい。ブラスト角度は、４５度〜９０度、より好ましくは４５度〜６０度である。ブラスト量は、１〜１０ｋｇ／ｍｉｎであることが好ましい。研削深さは、０．０１μｍ〜０．１μｍにとどめ、フィルムの強度が低下しないようにする。
【００４３】
このような物理的処理を施した後にさらに基材ポリイミドフィルムに表面改質処理を施す。この処理に施される表面改質剤としては、フィルム表面に塗布する等の処理により、フィルムの耐熱性、機械的特性等の諸特性を損なうことがなくフィルム表面を改質しポリイミドフィルム基材と熱可塑性樹脂の密着性を向上できるものであれば何でも良い。例えば、アルコキシシラン基を有する化合物であるシランカップリング剤、反応性基を有するシロキサンオリゴマー、シロキサン構造を分子鎖中に有するシロキサンジアミン、その他チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、低分子量のヘキサメチレンジアミン、イソフォロンジアミン等脂肪族ジアミンあるいはそのオリゴマー、イソフォロンジイソシアネート等脂肪族ジイソシアネートあるいはそのオリゴマー等が挙げられる。フィルム面の溶媒可溶性、塗工安定性、耐熱性、および物理処理との組み合わせにおいて、接着性の向上が飛躍的に伸びる点から脂肪族ジアミン、特には脂肪族の第一級アミンが好ましい。
【００４４】
表面改質剤による処理方法は特に限定されない。上記のいずれかの表面改質剤を適当な溶媒に溶かし、基材ポリイミドフィルムの表面改質に溶媒溶液を液状又は霧状に吹き付けたり、溶媒溶液を含浸させたローラーや刷毛などで表面に塗布し得るが、他のいずれの方法も採用され得る。溶媒としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類、アセトン・メチルエチルケトンなどのケトン類、ジメチルエーテルなどのエーテル類が用いられる。表面改質剤を溶媒に溶解して用いる場合の濃度は特に限定されないが、２０重量％以下、特には０．１重量％以上５重量％以下で処理するのが好ましい。
【００４５】
さらに、２種あるいはそれ以上の表面改質剤を適宜組み合わせて混合して使用し得る。
【００４６】
本発明においては、物理的処理を施した基材ポリイミドフィルム表面に上記の表面処理を施すことにより、基材ポリイミドフィルムと接着層との接着強度が増加する。
【００４７】
限定はされないが、例えば、基材ポリイミドフィルムとして非熱可塑性フィルムを選択し、物理処理として加熱処理を選択し、表面改質処理剤として第一級アミンを選択してこれらを組み合わせる方法が好ましい。
【００４８】
その機構は現在明らかではないが、表面処理剤の効果が加熱処理により何らかの物理的化学的性質が変化した非熱可塑性ポリイミドフィルムにおいて、特に、顕著に発現されたものと考えられる。
【００４９】
本発明において、接着層となる樹脂組成物としては、熱可塑性樹脂が挙げられ、加熱により接着性を発現するもので、２００℃の加熱で分解を生じない樹脂であれば使用し得る。例えば、ポリエチレン、塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリパラフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリアリレート、およびポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリエーテルアミドイミド等の屈曲基を有するイミドであり熱可塑性を示すポリイミド系樹脂等が挙げられる。特に、熱可塑性ポリイミドが、耐熱性、高絶縁性の点から、本発明においては、好適に接着樹脂として用いることができる。
【００５０】
このような熱可塑性樹脂をそのまま、あるいは適宜溶媒溶液に溶解させ、表面処理を行なった基材ポリイミドフィルムに、塗布あるいは加熱貼合せ加工する。本発明において、接着層を形成するために用いられ得る熱可塑性樹脂は特に限定されないが、基材ポリイミドフィルムと加熱貼合せをする場合は、ガラス転移温度が３００℃以下の熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。ガラス転移温度が３００℃以上の場合、加熱貼合せを３００℃より高い温度で行なわなければならず、加熱装置が高価なものになるためである。
【００５１】
特に好ましい熱可塑性樹脂は、一般式（１）
【００５２】
【化１５】
0003736600.tif 000009
【００５３】
（ここで、Ｘは、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、又は
【００５４】
【化１６】
0003736600.tif 000010
【００５５】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、およびＲ4 は、それぞれ独立して、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はハロゲンを示し、Ｙは、
【００５６】
【化１７】
0003736600.tif 000011
【００５７】
のいずれかを表す。）で表される基であり、Ｒは、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ジフェニレン基、または、一般式
【００５８】
【化１８】
0003736600.tif 000012
【００５９】
（式中、Ｚは、
【００６０】
【化１９】
0003736600.tif 000013
【００６１】
のいずれかを示す）
で表される基、
【００６２】
【化２０】
0003736600.tif 000014
【００６３】
（式中、Ｚ’は、結合
【００６４】
【化２１】
0003736600.tif 000015
【００６５】
のいずれかを示す）で表される基のいずれかである。）で表される繰り返し単位を有するポリイミドである熱可塑性ポリイミドである。上述の繰り返し単位を有することにより、吸湿率が低い接着層を形成することができ、このことによって、本発明の接着フィルムを電子・電機部品用途に応用するときに吸湿による発泡などの不都合を低減することが出来る。
【００６６】
本発明に係る接着層を形成する樹脂組成物には、上記の樹脂の他に、接着性を阻害しない程度に他の成分を加えることができる。このような他の成分は、例えばエポキシ、ジイソシアナート、シアナートエステル、アクリル／メタクリル、アセチレン末端イミドオリゴマー、アリルビスナジイミドなどの樹脂であり、特にエポキシ樹脂が好ましく用いられ得る。本発明に使用できるエポキシ樹脂としては、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール系エポキシ樹脂、フェノールノボラック系エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック系エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック系エポキシ樹脂、ポリフェノール系エポキシ樹脂、ポリグリコール系エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリシロキサン等が挙げられるが、これに限定されない。
【００６７】
エポキシ樹脂をポリイミド樹脂に混合する場合、混合割合は、ポリイミド１００重量部に対して、１〜５０重量部、好ましくは５〜３０重量部である。エポキシ樹脂を加えることにより接着性が増加するが、１重量部より少ない場合はこの効果を発現できず、５０重量部より多くなれば耐熱性等の特性が劣る場合がある。
【００６８】
さらに、本発明における基材ポリイミドフィルムおよび／または接着層に適宜フィラーなどを添加することもできる。例えば、基材ポリイミドフィルムあるいは接着層のいずれかまたは双方に、無機微細粉体を添加できる。この無機微細粉体は、例えば、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＣａＨＰＯ4 、およびＣａ2 Ｐ2 Ｏ7 からなる群より選択されるが、これに限定されない。
【００６９】
本発明の接着フィルムとは、非熱可塑性ポリイミドフィルムの片面もしくは両面に熱可塑性樹脂からなる接着層を設けた接着フィルムであり、形態として特に限定されるものではなく、ある一定の長さで裁断されたシート状、あるいは連続的にロール状に巻かれたテープ状のものであってもよい。
【００７０】
本発明により製造されたポリイミドフィルムを基材とした接着フィルムは、多層ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）や半導体装置のダイパッドボンディング用、半導体装置のリード固定用、あるいはＣＯＬ（Chip on Lead）又はＬＯＣ（Lead on Chip）、ＴＡＢ（Tape  Automated   bonding ）用等の実装用材料等が挙げられ、特に耐熱性、接着部の高信頼性、電気絶縁特性等の利点から自動車積載部品の接着用途、電子部品及び半導体装置用接着材料として好適に用いることができる。
【００７１】
以上、本発明に係る接着フィルムについて実施の形態を説明したが、本発明は、これらの実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で当業者の知識に基づき、種々なる改良、変更、修正を加えた態様で実施しうるものである。
【００７２】
【実施例】
（参考例１）
熱可塑性ポリイミド前駆体の合成
まず、本発明の接着フィルムの接着層を形成する為の接着剤を得た。系全体を氷水で冷やし、窒素置換をした２０００ｍｌの三口のセパラブルフラスコに３３．２g の３，３' ，４，４' ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（以下、ＢＴＤＡという。）、２８７g のジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦという。）を採り、スターラーを用いて撹拌することにより充分に溶解させた。続いて、４３．１g の２，２' ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン（以下、ＢＡＰＰという。）を２０g のＤＭＦに溶解させ投入し反応させた。１５分間の撹拌の後、７６．０g の３，３' ，４，４' −エチレングリコールジベンゾエートテトラカルボン酸二無水物  （以下、ＴＭＥＧ) を１５０g のＤＭＦを用いて投入した。さらに１５分間の撹拌の後、８０．０ｇのＢＡＰＰを１５０ｇのＤＭＦに溶解させて投入し反応させた。３０分間の撹拌の後、さらに３．１ｇのＴＭＥＧを４４．５ｇのＤＭＦに溶かした溶液をフラスコ内の溶液の粘度に注意しながら徐々に投入し、その後１時間撹拌しながら放置した。その後、１０６ｇのＤＭＦを投入し撹拌することでポリアミド酸溶液を得た。さらに、この溶液に、０．３ｇのＣａＨＰＯ4 を加えて均一になるまでよく攪拌した。
【００７３】
（実施例１）
以下に接着フィルムの作製方法を示す。
基材となるポリイミドフィルムとして、非熱可塑性ポリイミドフィルムである１５μm 厚のアピカルＨＰ（鐘淵化学工業社製）を、上下面に遠赤加熱バーを配置したオーブンで４５０℃にて２分間、ピン枠に固定して加熱処理した後に、それぞれの面にイソフォロンジアミンの２重量％メタノール溶液を均一にバーコーターを用いて塗布した後、８０℃で１分加熱し乾燥させた。
【００７４】
参考例で得られた熱可塑性ポリイミド前駆体のＤＭＦ溶液を、上記のように処理したＨＰフィルムの両面に乾燥上がりの厚みがそれぞれ５μｍになるようにバーコーターを用いて塗工して、１２０℃で３分間乾燥させた。その後に、順次、１５０℃にて２分間、２５０℃にて２分間、３２０℃にて２分間で乾燥させながら、イミド化を行い、接着フィルムを得た。
【００７５】
このようにして得られたポリイミド系接着フィルム間の密着性を、ＪＩＣＳ６４８１に準拠して、界面引き剥し強さを測定することにより評価した。
【００７６】
（実施例２〜７）
表面処理剤を表１に示したものに変更した以外は、実施例１と同様の方法により、接着フィルムを作製し、続いて密着性を評価した。
【００７７】
（比較例１）
基材となるポリイミドフィルムに加熱処理を施さないこと以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製し、続いて密着性を評価した。
【００７８】
（比較例２）
基材ポリイミドフィルムとなるポリイミドフィルムに表面改質剤による表面処理を施さない以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製し、続いて密着性を評価した。
【００７９】
（比較例３）
基材ポリイミドフィルムを、上下面に遠赤加熱バーを配置したオーブンで３５０℃にて２分間、ピン枠に固定して加熱処理した後、常圧でプラズマ処理を施した。プラズマ処理は、アルゴン／ヘリウム雰囲気下で、１０秒間、強度１００ｗ／ｍｉｎ／ｍ2 で行なった。その後、実施例１と同様の方法で接着層を付与し、接着フィルムを作製して、密着性を評価した。
【００８０】
（比較例４）
実施例１とは逆に、まず、基材ポリイミドフィルムに表面改質処理を施した後、加熱処理を施した。それ以外の条件はすべて実施例１と同様にして接着フィルムを作製し、密着性を評価した。
【００８１】
実施例１〜７までの接着フィルムの引き剥がし強度および比較例１〜４の接着フィルムの引き剥がし強度の測定結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
0003736600.tif 000016
【００８３】
表１から、本発明の接着フィルムの製造方法により得られる接着フィルムが、他の方法により得られる接着フィルムと比較して、基材ポリイミドフィルムと接着層との密着性が飛躍的に高いことがわかる。
【００８４】
【発明の効果】
本発明の接着フィルムの製造方法によれば、基材ポリイミドフィルムと接着層との密着性が強力な接着フィルムが得られる。
【００８５】
本発明の接着フィルムは、その強い密着性の為に、多層ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）や半導体装置のダイパッドボンディング用、半導体装置のリード固定用、あるいはＣＯＬ（Chip on Lead）又はＬＯＣ（Lead on Chip）、ＴＡＢ（Tape  Automated   bonding ）用等の実装用材料に用いられ得る。