(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光導波路が平行に形成された薄板状の導光部と、
前記導光部の厚さ方向と直交する方向に設けられ、前記光導波路に平行光を導く平行光源部と、
前記各光導波路の入口に設けられ前記平行光源部から各光導波路に導かれた平行光を前記導光部の厚さ方向の一方の側に位置する物体当接面に導く反射部と、
前記物体当接面で反射された光を検知する検知部が多数設けられるとともに、該検知部が前記光導波路と対応するように前記導光部と対向して設けられた薄板状の検知部材とを備えたことを特徴とする二次元模様認識センサ。
【請求項２】
前記検知部は、１つの前記光導波路に多数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の二次元模様認識センサ。
【請求項３】
前記平行光源部は、前記導光部の厚さ方向と直交する方向に設けられ、前記平行光を照射する光源を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の二次元模様認識センサ。
【請求項４】
前記光導波路はそれぞれ交差する方向に延びる２種類形成され、前記平行光源部は異なる方向に延びる光導波路ごとに設けられ、前記検知部は前記光導波路の交差する位置に対応するように設けられた請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の二次元模様認識センサ。
【請求項５】
前記平行光源部は同じ方向に延びる光導波路に対して１個設けられ、対応する光導波路と交差する方向に延びる導光路と、該導光路の各光導波路の入口と対向する位置にそれぞれ設けられ、平行光を各光導波路に向けて反射する反射面と、前記導光路の端部に設けられ前記反射面に向けて平行光を照射する光源とを備えた請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の二次元模様認識センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二次元の模様を認識するためのセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、指紋を認識するセンサとしては、例えば以下のようなものがある。センサの上部に設けられたガラス表面に指が押し当てられた時の光の反射率の違いにより形成される紋様を、ガラスの裏面からレンズ等を有する光学機器を用いて光学的に読み取る。そして、読み取りデータがコンピュータで処理されて、指紋が認識される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、センサには小型化の要請があり、この小型化のためにはセンサを薄型化することが有効であるが、従来のセンサでは光源がガラスの下方に設けられているため薄型化し難かった。さらに、光源からの光をガラスで反射させ、この反射された光を検知する構造のため、光源からガラスまでの間に所定の距離を設ける必要があった。このため、従来のセンサでは薄型化し難く、この小型化の要請に対応することができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、小型にすることが容易な二次元模様認識センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１に記載の発明では、複数の光導波路が平行に形成された薄板状の導光部と、前記導光部の厚さ方向と直交する方向に設けられ、前記光導波路に平行光を導く平行光源部と、前記各光導波路の入口に設けられ前記平行光源部から各光導波路に導かれた平行光を前記導光部の厚さ方向の一方の側に位置する物体当接面に導く反射部と、前記物体当接面で反射された光を検知する検知部が多数設けられるとともに、該検知部が前記光導波路と対応するように前記導光部と対向して設けられた薄板状の検知部材とを備えた。
【０００６】
請求項２に記載の発明では、請求項１の発明において、前記検知部は、１つの前記光導波路に多数設けられている。
請求項３に記載の発明では、請求項１又は２の発明において、前記平行光源部は、前記導光部の厚さ方向と直交する方向に設けられ、前記平行光を照射する光源を備えた。
請求項４に記載の発明では、請求項１〜３のいずれかの発明において、前記光導波路はそれぞれ交差する方向に延びる２種類形成され、前記平行光源部は異なる方向に延びる光導波路ごとに設けられ、前記検知部は前記光導波路の交差する位置に対応するように設けられた。
【０００７】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜４のいずれかの発明において、前記平行光源部は同じ方向に延びる光導波路に対して１個設けられ、対応する光導波路と交差する方向に延びる導光路と、該導光路の各光導波路の入口と対向する位置にそれぞれ設けられ、平行光を各光導波路に向けて反射する反射面と、前記導光路の端部に設けられ前記反射面に向けて平行光を照射する光源とを備えた。
【０００８】
従って、請求項１〜３のいずれかに記載の発明によれば、平行光源部から各光導波路に導かれた平行光は、反射部で反射されて物体当接面に導かれる。物体当接面に導かれた光は反射され、検知部で検知される。物体当接面に物体が当接すると、物体当接面に導かれた光の一部が物体に吸収されて反射率が変わり、検知部で検知される光の量が減少する。そして、各検知部から光の量に対応した出力信号が出力される。
【０００９】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれかの発明の作用に加えて、異なる方向に延びる光導波路ごとに設けられた平行光源部から、光導波路に平行光が導かれる。
【００１０】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜４のいずれかの発明の作用に加えて、光源から照射された光は導光路を通って各光導波路に導かれる。光源からの光は反射面に向かって照射され、この光は反射面で反射して各光導波路に導かれる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図１〜図７に従って説明する。
図２に示すように、二次元模様認識センサ１は、導光部材２と検知部材３とを備え、両者が積層された状態で接合されている。
【００１２】
導光部材２は四角形の薄板状に形成されている。本実施の形態では、ほぼ０．０５ｍｍの厚さに形成されている。図１に示すように、導光部材２は光導波路４ａ，４ｂが形成された導光部５と、光導波路４ａ，４ｂに平行光を導く平行光源部６ａ，６ｂと、枠体７とを備えている。
【００１３】
導光部５は正方形の薄板状に形成されている。そして、導光部５の検知部材３と反対側、即ち導光部５の上面が物体当接面８を形成している。導光部５には長さ方向（図１の左右方向）に平行に形成された複数の光導波路４ａと、幅方向（図１の上下方向）に平行に形成された複数の光導波路４ｂとが設けられ、これらが直交するように格子状に形成されている。本実施の形態では、光導波路４ａ，４ｂは全て同じ大きさに形成されている。この光導波路４ａ，４ｂは光透過性を有する材料で形成され、本実施の形態ではガラス（ＳｉＯ2 ）が用いられている。
【００１４】
各光導波路４ａ，４ｂの入口、即ち各光導波路４ａ，４ｂの平行光源部６ａ，６ｂ側には、平行光源部６ａ，６ｂから各光導波路４ａ，４ｂに導かれた平行光を物体当接面８に導く反射部９が設けられている。反射部９は検知部材３との接合面側に形成され、断面三角形状の凹部内面に金属膜を形成することにより鏡部９ａが形成されている。入口側の鏡部９ａは、鏡部９ａを反射して物体当接面８に入射する光が物体当接面８で全反射される入射角度となるような傾斜角度に形成されている。本実施の形態では傾斜角度が２０度に設定されている。
【００１５】
各平行光源部６ａ，６ｂは導光路１０ａ，１０ｂと光源１１ａ，１１ｂとを備え、光源１１ａ，１１ｂから照射された光が導光路１０ａ，１０ｂを通って光導波路４ａ，４ｂに導かれる。
【００１６】
導光路１０ａは、導光部５の光導波路４ａと連続するとともに、光導波路４ａと直交する方向に延びるように形成されている。また、導光路１０ｂは、導光部５の光導波路４ｂと連続するとともに、光導波路４ｂと直交する方向に延びるように形成されている。導光路１０ａ，１０ｂは光透過性を有する材料で形成され、本実施の形態では光導波路４ａ，４ｂと一体に形成され、ガラス（ＳｉＯ2 ）が用いられている。
【００１７】
導光路１０ａの各光導波路４ａの入口と対向する位置には、反射面１２ａが設けられている。また、導光路１０ｂの各光導波路４ｂの入口と対向する位置には、反射面１２ｂが設けられている。反射面１２ａ，１２ｂは、光源１１ａ，１１ｂから照射された平行光を反射して、各光導波路４ａ，４ｂに導かれるような傾斜角度に形成されている。本実施の形態では、光導波路４ａ，４ｂに対して傾斜角度が４５度に設定されている。
【００１８】
光源１１ａ，１１ｂには、平行光を照射するものが使用され、本実施の形態ではレーザダイオードが用いられている。光源１１ａは導光路１０ａの一端に設けられ、導光路１０ａの反射面１２ａに対して４５度の角度で光を照射するように配置されている。また、光源１１ｂは導光路１０ｂの一端に設けられ、導光路１０ｂの反射面１２ｂに対して４５度の角度で光を照射するように配置されている。
【００１９】
枠体７は導光部５及び平行光源部６を囲むように形成されている。この枠体７は光を透過しない材料で形成され、本実施の形態ではシリコンが用いられている。
【００２０】
検知部材３は薄板状に形成され、その上面に検知部としてのフォトトランジスタ１３が設けられている。フォトトランジスタ１３は光導波路４ａと光導波路４ｂとが交差する位置と対応するように格子状に配列され、幅方向及び長さ方向ともに等間隔に配置されている。フォトトランジスタ１３の大きさは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ角であり、そのピッチは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍである。また、検知部材３は、その上面の長さ方向の一端にフォトトランジスタ１３からの信号を取り出す信号取出しパッド１４が設けられている。そして、フォトトランジスタ１３と信号取出しパッド１４とは、図示しない配線によって電気的に接続されている。この信号取出しパッド１４は、フォトトランジスタ１３が格子状に配列されていることから、フォトトランジスタ１３が幅方向にｎ個、長さ方向にｍ個づつ合計ｎ×ｍ個設けられている場合には、ｎ＋ｍ個設けられる。なお、図１は二次元模様認識センサ１の構成を分かりやすくするために、フォトトランジスタ１３が幅方向に３個、長さ方向に３個づつ合計９個設けられ、信号取出しパッド１３が６個設けられた場合を図示している。
【００２１】
この二次元模様認識センサ１の製造方法について説明する。
図３に示すように、検知部材３はシリコンウエハ上にトランジスタを作る従来公知の半導体製造プロセスによって作製される。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ），（ｂ）は、図２に対応した模式断面図である。導光部材２を形成する場合、図４（ａ）に示すように、まずシリコンウエハの反射部９に対応する箇所に、従来公知の異方性エッチングによりＶ字状の凹部を形成する。そして、この凹部の鏡部９ａに対応する箇所に金属膜を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、光導波路４ａ，４ｂ及び導光路１０ａ，１０ｂに対応する箇所をパターンニングした状態でシリコンウエハに不純物を選択的に拡散（Ｐ型拡散）させ、この箇所を陽極化成酸化させることにより、光導波路４ａ，４ｂ及び導光路１０ａ，１０ｂに対応する箇所がＳｉＯ2 （ガラス）に変換される。また、反射面１２ａ，１２ｂに対応する箇所も同時に作製される。さらに、図４（ｃ）に示すように、光源１１ａ，１１ｂ及び信号取出しパッド１４に対応する箇所を従来公知のドライエッチングにより切り取る。
【００２３】
そして、図５（ａ）に示すように、導光部材２の光導波路４ａと光導波路４ｂとが交差する位置に対応する箇所と、検知部材３のフォトトランジスタ１３とが対向する状態となるように両者を接合する。この後、図５（ｂ）に示すように、導光部材２の上面のシリコンを削り、光源１１ａ，１１ｂを取り付けると、二次元模様認識センサ１が製造される。
【００２４】
次に、以上のように構成された二次元模様認識センサ１の作用について説明する。
光源１１ａから照射された平行光は、導光路１０ａ内を反射面１２ａに向かって進行し、反射面１２ａで反射されることにより分岐されて各光導波路４ａに導かれる。光導波路４ａに導かれた光は、鏡部９ａにより反射されて、光導波路４ａの上面、即ち物体当接面８に入射される。この入射された光は、物体当接面８に反射されて光導波路４ａの下面方向に進行し、光導波路４ａの下面と対向する位置に設けられたフォトトランジスタ１３に到達する。フォトトランジスタ１３では、この光の量に対応した検出信号が出力される。この検出信号は信号取出しパッド１４を介して出力され、図示しない信号処理装置でデジタル化される。このデジタル信号が画像データとして使用される。これにより、物体の二次元模様が二次元模様認識センサ１の幅方向において認識される。
【００２５】
次に、光源１１ａからの照射を止め、光源１１ｂから照射させる。光源１１ｂから照射された光は、導光路１０ｂ内を反射面１２ｂに向かって進行し、反射面１２ｂで反射されて各光導波路４ｂへ導かれる。そして、前記と同様にして物体当接面８から反射された光がフォトトランジスタ１３で検知され、この光の量に対応した検出信号が出力される。そして、同様に物体の二次元模様が二次元模様認識センサ１の長さ方向において認識される。
【００２６】
物体当接面８に物体（例えば指）が当接した状態では、図６に示すように、この指１５が当接した箇所では光が吸収されて、物体当接面８から光導波路４ａ，４ｂ内に反射する光の量が減少して反射率が減少する。この減少された光がフォトトランジスタ１３に到達する。フォトトランジスタ１３では、この減少された光の量に対応した検出信号を出力するため、指１５が当接した箇所に対応した位置のフォトトランジスタ１３から出力される電圧は減少する。電圧の減少により、このフォトトランジスタ１３に対応する箇所の物体当接面８には、指１５が当接したことが認識でき、二次元模様認識センサ１全体として物体の二次元模様が認識できる。
【００２７】
このように、幅方向及び長さ方向の各方向ごとに物体当接面８から反射された光をフォトトランジスタ１３で検知していることから、一方向のみ場合に比べて二次元模様認識センサ１の精度が向上する。これは、例えば図１において、フォトトランジスタ１３ａに対応する物体当接面８上に指１５が当接した場合、光源１１ａからの照射のみの二次元模様認識センサ１の幅方向においては、フォトトランジスタ１３ａに到達する光の量が減少する。このため、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃ方向に進行する光の量が減少し、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに対応する箇所の物体当接面８に指１５が当接していないにも拘わらず、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに到達する光の量が減少する。このため、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃでは、指１５が当接したものと誤認識する虞がある。また、この場合、指１５によって光が吸収される量は定率であることから、指１５が当接したフォトトランジスタ１３ａ以降のフォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに指１５によって吸収される割合を乗じた演算処理を行う演算処理手段を設けることにより誤認識を防止することが可能であるが、指１５によって減少された光の量を基準とすることから、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに対応する箇所では、二次元模様認識センサ１の精度が低下する虞がある。
【００２８】
一方、二次元模様認識センサ１の長さ方向、即ち光源１１ｂからの照射を行うと、フォトトランジスタ１３ａに対応する箇所に指１５が当接しても、フォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに到達する光の量はその影響を受けない。従って、光源１１ａからの照射時にフォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃへの光の量が減少したのは、それより照射側で光の量が減少したためと認識でき、誤認識を防止できる。
【００２９】
また、光源１１ａ，１１ｂを交互に照射させているのは、光源１１ａ，１１ｂを同時に照射させると、両者の光が干渉してしまう虞があるためである。
反射部９は、鏡部９ａを反射して物体当接面８に入射する光が物体当接面８で全反射される入射角度となるような傾斜角度に形成されている。光が物体当接面８に入射する入射角度をＸとすると、光導波路４ａ，４ｂはガラスであり、物体当接面８の上方は空気であることから、物体当接面８に入射する光が物体当接面８で全反射されるには、屈折の法則よりＸは４３．２度以上にする必要がある。また、反射部９の傾斜角度Ｙとすると、図７に示すように、反射部９に入射する入射角度及び反射角度は、９０−Ｙ度となる。このため、反射部９の傾斜角度Ｙは、
Ｙ＝（９０−４３．２）／２＝２３．４
となり、２３．４度以下に設定する必要がある。本実施の形態では、Ｙ＝２０度としていることから、この条件を満たしている。
【００３０】
また、予め特定の表面形状を外部処理装置に記憶させ、この記憶させた表面形状と認識された物体の表面形状が同一形状か否かを判別することにより、物体の表面形状を判別することができる。具体的には、特定の指紋を予め外部処理装置に記憶させ、二次元模様認識センサ１で認識された指紋の表面形状が同一形状か否か判別することにより、小型の指紋判別装置にすることもできる。また、特定の点字を予め外部処理装置に記憶させ、二次元模様認識センサ１で認識された点字の表面形状が同一形状か否か判別することにより、小型の点字判別装置にすることもできる。
【００３１】
上記実施の形態によれば、以下に示す効果を有する。
（イ）二次元模様認識センサ１は、光源１１ａ，１１ｂから導光部材２の厚さ方向と直交する方向に光が照射される。従って、二次元模様認識センサ１を薄型化することができ、二次元模様認識センサ１を小型にすることが容易になる。
【００３２】
（ロ）二次元模様認識センサ１の幅方向及び長さ方向の各方向ごとに物体当接面８から反射された光をフォトトランジスタ１３で検知していることから、二次元模様認識センサ１の精度が向上する。
【００３３】
（ハ）光源１１ａ，１１ｂを交互に照射させているので、さらに二次元模様認識センサ１の精度が向上する。
（ニ）光源１１ａ，１１ｂにレーザダイオードを用いているので、光源１１ａ，１１ｂから光が平行に照射され、放射状に照射される場合に比べてレンズなしに光導波路４ａ，４ｂに導入される光量を多くすることができる。このため、簡単な構造で二次元模様認識センサ１の精度を向上させることができる。
【００３４】
（ホ）光源１１ａ，１１ｂからの光は、反射面１２ａ，１２ｂを反射して光導波路４ａ，４ｂ内に導かれることから、光導波路４ａ，４ｂごとに光源１１ａ，１１ｂを設けなくても光導波路４ａ，４ｂに光を導入することができる。このため、光導波路４ａ，４ｂごとに光源を設ける場合に比べて光源の数を減らすことができる。
【００３５】
（へ）反射部９の凹部内面は鏡部９ａで形成されているので、反射面１２ａ，１２ｂからの光を確実に物体当接面８に入射させることができ、二次元模様認識センサ１の精度が向上する。
【００３６】
（ト）反射部９は、鏡部９ａを反射して物体当接面８に入射する光が物体当接面８で全反射される入射角度となるような傾斜角度に形成されているので、物体当接面８に物体が当接した前後でのフォトトランジスタ１３で検知する光の量の変化が大きくなり、二次元模様認識センサ１の精度が向上する。
【００３７】
（チ）フォトトランジスタ１３は格子状に配列されるように幅方向及び長さ方向ともに等間隔に配置されているので、フォトトランジスタ１３よりも少ない数の信号取出しパッド１４で全てのフォトトランジスタ１３からの検出信号を取り出すことができる。
【００３８】
（リ）フォトトランジスタ１３は格子状に配列され、幅方向及び長さ方向ともに等間隔に配置されているので、同一面積の場合、フォトトランジスタ１３を多く配設することができる。このため、二次元模様認識センサ１の精度が向上する。
【００３９】
なお、実施の形態は上記に限らず、例えば以下の場合であってもよい。
○  反射部９は、反射面１２ａ，１２ｂからの光を物体当接面８に入射させることができるものであればよく、反射部９を反射して物体当接面８に入射する光が、物体当接面８で全反射される入射角度となるような傾斜角度に形成されていなくてもよい。この場合にも、二次元模様認識センサ１は、小型にすることが容易になる。
○  光導波路４ａ，４ｂは、平行に形成されていればよく、一方向にのみ形成されている場合であってもよい。この場合、物体当接面８に当接した物体によって減少される光の割合を予め記憶装置に記憶させ、例えば指１５が当接した物体当接面８に対応したフォトトランジスタ１３ａ以降のフォトトランジスタ１３ｂ，１３ｃに、指１５によって吸収される割合を乗じた演算処理を行う演算処理手段を設けることにより、二次元模様認識センサ１の精度の低下を防止することができる。
○  光導波路４ａ，４ｂは、二方向に延びるとともに、これらがそれぞれ直交するように格子状に形成されていなくてもよい。この場合にも、二次元模様認識センサ１は、小型にすることが容易になる。
○  光源１１ａ，１１ｂは、交互に照射させる場合に限らず、同時に照射させてもよい。この場合、両者の光が干渉する虞はあるが、一方向のみの場合に比べ二次元模様認識センサ１の精度は向上する。
○  反射部９は鏡部９ａを形成していなくてもよい。この場合にも反射部９を反射面１２ａ，１２ｂからの光を全反射するような角度に傾斜させることにより、物体当接面８に入射する光の量は減少しにくくなる。
○  光源は、光源からの光を全ての光導波路４ａ，４ｂに導入できるものであればよく、例えば各光導波路４ａ，４ｂの入口ごとに光源を設けてもよい。この場合、導光路１０及び反射面１２ａ，１２ｂを設ける必要がなくなる。また、図８に示すように、光源を光源１１ｃ一つとして、光源１１ｃからの光を導光路１０ａ，１０ｂの双方に分岐するように導入する反射面１２ｃを配置したものであってもよい。
○  光源１１ａ，１１ｂは、平行光が照射されるものの他、放射状に照射されるものであってもよい。この場合、放射状に照射された光を平行光に変えるレンズを介在させることにより、二次元模様認識センサ１を小型にすることが容易になる。
○  検知部は、検知した光に基づいて電気信号を出力することができるものであればよく、フォトトランジスタ１３の他、例えばフォトダイオードであってもよい。
○  信号取出しパッド１４は、全てのフォトトランジスタ１３からの検出信号を取り出すことができるものであればよく、例えばフォトトランジスタ１３と同数の信号取出しパッド１４を設けたものであってもよい。また、信号取出しパッド１４を二次元模様認識センサ１の幅方向の端部及び長さ方向の端部の二箇所に分けて設けてもよい。
【００４０】
以下に、前記実施の形態から把握できる請求項以外の技術的思想を効果とともに説明する。
（１）  請求項１〜５のいずれかにおいて、反射部に鏡部を形成した二次元模様認識センサ。この場合、光源からの光を確実に物体当接面に入射させることができ、二次元模様認識センサの精度を向上させることができる。
【００４１】
（２）  請求項１〜５のいずれかにおいて、反射部は反射部を反射して物体当接面に入射する光が物体当接面で全反射される入射角度となるような傾斜角度に形成されている二次元模様認識センサ。この場合、物体当接面に物体が当接した前後での検知部で検知する光の量の変化が大きくなり、二次元模様認識センサの精度を向上させることができる。
【００４２】
（３）  請求項２〜５のいずれかにおいて、光導波路は格子状に等間隔に形成されている二次元模様認識センサ。この場合、検知部は格子状に配列されるように等間隔に配置され、検知部よりも少ない数の信号取出しパッドで全ての検知部からの検出信号を取り出すことができる。
【００４３】
（４）  請求項１〜５のいずれかに記載の二次元模様認識センサを備えた指紋判別装置。この場合、小型の指紋判別装置を提供することができる。
（５）  請求項１〜５のいずれかに記載の二次元模様認識センサを備えた点字判別装置。この場合、小型の点字判別装置を提供することができる。
【００４４】
（６）  導光部材の反射部に対応する箇所に凹部を設け、この凹部に鏡部を形成し、光導波路を形成した後、光導波路の交差する位置に対応する箇所と検知部材の検知部とが対向する状態となるように両者を接合することを特徴とする二次元模様認識センサの製造方法。この場合、小型にすることが容易な二次元模様認識センサを製造することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜５に記載の発明によれば、二次元模様認識センサを小型にすることが容易になる。
【００４６】
請求項４に記載の発明によれば、光導波路が一方向のみの場合に比べ二次元模様認識センサの精度が向上する。
請求項５に記載の発明によれば、光導波路ごとに光源を設ける場合に比べて光源の数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態の二次元模様認識センサの模式平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線模式断面図。
【図３】実施の形態の検知部材の模式断面図。
【図４】同じく導光部材の製造工程を示す模式断面図。
【図５】同じく二次元模様認識センサの製造工程を示す模式断面図。
【図６】同じく物体当接面での光の反射を示す模式断面図。
【図７】同じく反射部での光の反射を示す模式図。
【図８】別の実施の形態の二次元模様認識センサの模式平面図。
【符号の説明】
１…二次元模様認識センサ、３…検知部材、４ａ，４ｂ…光導波路、５…導光部、６ａ，６ｂ…平行光源部、８…物体当接面、９…反射部、１０ａ，１０ｂ…導光路、１１ａ，１１ｂ…光源、１２ａ，１２ｂ…反射面、１３…検知部としてのフォトトランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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