(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子を載置する載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、上面に一辺から対向する他辺にかけて線路導体が形成された略四角形の誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟むように接合された誘電体から成る立壁部から成るとともに前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記線路導体の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされたリード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記リード端子は、その表面に多数の窪みが存在しており、該窪みは平均開口径が５μｍ以上のもののうち平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍのものが95％以上を占めていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩやＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果型トランジスター）などの半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＦＥＴ等の半導体素子を気密封止して収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージともいう）を図４に、また半導体パッケージに組み込まれる入出力端子を図５（ａ），（ｂ）に示す。図４，図５において、11は半導体パッケージ、13は半導体素子の載置部、14は略四角形の基体、14ａは基体14の対向する辺部に設けられたネジ止め用の孔、15は入出力端子、15ａおよび15ｂは入出力端子15の平板部および立壁部である。また、16は枠体、16ａは入出力端子15の取付部、17はシールリング、18は線路導体をそれぞれ示す。
【０００３】
図４，図５に示すように、半導体パッケージ11は、一般に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属から成り、上面の略中央部にＦＥＴ等の半導体素子が載置される載置部13を設けた基体14を有する。この基体14は、略四角形の板状であり、その対向する辺部に外部の実装基板（図示せず）にネジ止めするためのネジ止め用の孔14ａが設けられている。
【０００４】
また、載置部13を囲繞するようにして基体14の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合されると共に、側部に半導体素子と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端子15を嵌着接合するための貫通孔または切欠き部から成る取付部16ａが設けられた枠体16を有する。図４の場合、取付部16ａは枠体16の上面を切り欠いた切欠き部から成り、枠体16はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成り、シールリング17が枠体16の上面および入出力端子15の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合される。シールリング17は、入出力端子15を枠体16とともに挟持し、その上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等により接合する接合媒体として機能する。
【０００５】
そして、半導体パッケージ11は、取付部16ａに取着された入出力端子15と、枠体16の上面に取着されて半導体素子２を気密に封止する蓋体Ａとを設けることにより、図６に示す半導体装置Ｂとなる。即ち、半導体パッケージ11は、基体14の載置部13に半導体素子12を錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定させると共に、半導体素子12の電極をボンディングワイヤを介して入出力端子15の線路導体18に電気的に接続する。その後、枠体16の上面に、シールリング17を介して蓋体Ａを周知のシーム溶接法等により接合して、基体14と枠体16と蓋体Ａとを備えた容器内部に半導体素子12を気密に収容することにより、図６に示すような製品としての半導体装置Ｂとなる。この半導体装置Ｂは、実装基板上にネジ止めされた後、外部電気回路から供給される電流でＦＥＴ等の半導体素子12が機能し、無線通信の基地局等に多用されている。
【０００６】
そして、半導体装置Ｂを構成する半導体パッケージ11に用いられる入出力端子15においては、周囲と電気的に絶縁されているとともに枠体16内外を導通し、リード端子19の接続およびワイヤーボンディングが可能な配線パターン（線路導体18）の形成が必要となる。この入出力端子15は、図５に示すように、上面に線路導体18が形成された平板部15ａの上面に、線路導体18の一部を挟んで立壁部15ｂが接合されて成る。また、平板部15ａの線路導体18に略平行な両側面には、線路導体18を擬似同軸状に囲み接地導体として機能すると共に、枠体16の取付部16ａの内周面に銀ロウ等のロウ材を介して接合される接合媒体として機能するメタライズ層が形成されている。
【０００７】
線路導体18の枠体16外側の部位の表面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成り、銀ロウ等のロウ材で接合されて入出力端子15と外部電気回路との電気的接続を行なうためのリード端子19が接合される。リード端子19を接合するロウ材としては、一般に銀ロウ等のロウ材が用いられ、リード端子19を線路導体18に強固かつ信頼性良く接合する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成るリード端子19は、金属ブロックから切削加工や圧延加工により板状に加工する加工工程において、その表面に油性の汚れやその他の異物が付着し、これらの汚れや異物を除去するために塩酸などの酸性処理液を用いて表面処理が行われる。その際、ＦｅやＮｉ成分が選択的に食刻され、その結果、リード端子19の表面に幅や径が十数μｍ程度、深さが数十μｍ〜百数十μｍ程度の下端が尖った楔状の窪み19ａが多数形成されてしまう。
【０００９】
そして、リード端子19の一端部を入出力端子15の線路導体18にロウ付けする際に、ロウ材がリード端子19の側面から上面へと這い上がってリード端子19の側面および上面がロウ材で覆われると、ロウ材が窪み19ａの中に侵入して楔状となって存在することとなる。このとき、半導体素子12を載置する際の加熱やシーム溶接時の加熱の際に発生する熱、またはＧａＡｓＦＥＴ等から成る半導体素子12に十数Ａ（アンペア）から50Ａを超える大電流を流した際のジュール熱が、線路導体18からリード端子19に繰り返し加わり、この熱に起因する熱応力が窪み19ａ内の楔状のロウ材とリード端子19との間で繰り返し発生する。このとき、楔状の窪み19ａにはロウ材によって外側方向に押し広げられるように熱応力が繰り返し作用し、その結果、リード端子19に窪み19ａの下端を起点としてクラックが発生し、そのクラックが成長してリード端子19の折り曲げ強度が極端に劣化する場合があった。
【００１０】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、リード端子が繰り返し加熱されても、リード端子にクラックが発生したりクラックが成長してリード端子が破壊に至るようなことを防ぐことができるものとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置する載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、上面に一辺から対向する他辺にかけて線路導体が形成された略四角形の誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟むように接合された誘電体から成る立壁部から成るとともに前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記線路導体の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされたリード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記リード端子は、その表面に多数の窪みが存在しており、該窪みは平均開口径が５μｍ以上のもののうち平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍのものが95％以上を占めていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、リード端子はその表面に存在する多数の窪みが平均開口径が５μｍ以上のもののうち平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍのものが90％以上を占めていることから、ロウ材が窪みの中に侵入することがほとんどなくなり、半導体素子を載置する際の加熱やシーム溶接時の加熱による熱等によって窪みからクラックが発生することがなくなる。従って、リード端子の折曲げ強度を極めて大きくすることができる。また、リード端子の表面状態が均質になるため、ロウ付け後に金属メッキ層を形成する際にリード端子の表面にきわめて信頼性良くかつ強固に金属メッキ層を被着させることができる。
【００１３】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の作用効果を有するとともに半導体素子が長期に亘り正常かつ安定して作動し得る信頼性の高いものとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は、本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２（ａ）は本発明の半導体パッケージを構成する入出力端子の斜視図、（ｂ）はメッキ前のリード端子部の拡大断面図、（ｃ）はロウ付け後にメッキが施されたリード端子部の拡大断面図である。また、図３は本発明の半導体装置の斜視図である。
【００１６】
これらの図において、１は半導体パッケージ、２は半導体素子、３は半導体素子２の載置部、４は上面に半導体素子２が載置される載置部３を有する、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｃｕ−Ｗ合金等の金属やＡｌ2Ｏ3セラミックス等のセラミックスから成る基体、４ａはネジ止め用の孔、５はＡｌ2Ｏ3セラミックス等の誘電体から成る入出力端子、５ａ，５ｂは入出力端子５の平板部および立壁部、６は基体４の上面に載置部３を囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部からなる入出力端子５の取付部６ａを有する、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等から成る金属製の枠体である。
【００１７】
また、８は線路導体、９はリード端子、９ａは楔形の窪み、９ｂは表層、９ｃは窪み、Ｃ，Ｄはロウ付け後に形成されたＮｉメッキ層、およびＡｕメッキ層、10はロウ材である。リード端子９以外の本発明の半導体パッケージ１および半導体装置Ｂ全体の基本構成は、従来の半導体パッケージを示す図４，図５と同様であり、リード端子９以外の各部の詳細な説明は省略する。
【００１８】
本発明の半導体パッケージ１を構成する入出力端子５は、図１，図２に示すように、上面の一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体８を有する略四角形の誘電体から成る平板部５ａおよびその上面に線路導体８の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る略直方体の立壁部５ｂとから構成され、線路導体８が平板部５ａ上に設けられている。
【００１９】
メタライズ層等から成る線路導体８の表面には、酸化による腐食防止、ワイヤボンディング性、半田の濡れ性および線路導体８の低電気抵抗化のために、Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＮｉおよびＰｄのうちの少なくとも１種からなる金属メッキ層が、無電解めっき法、電解めっき法等によって被着されていることが好ましい。特に、耐食性の向上と低電気抵抗化の点で、最表層はＡｕ層から成ることがより好ましい。また、線路導体８中には、平板部５ａの誘電体との密着性を向上させるために、誘電体を構成するセラミックスを主成分としたセラミック成分、または誘電体と同一組成のセラミック成分を0.05〜２体積％の割合で含有させることが好ましい。
【００２０】
線路導体８の枠体６外側の部位には、外部電気回路から入出力端子５へ電流を入力するためのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るリード端子９が、銀ロウ等のロウ材で接合される。リード端子９はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる金属結晶の集合体からなり、この合金は塑性変形を生じ易い特性を有していることからリード端子９用として多用されている。
【００２１】
本発明では、図２（ｃ）に示すように、リード端子９の表面に存在する窪みが平均開口径が５μｍ以上のもののうち平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍの窪み９ｃが95％以上を占めている構成とするには、リード端子９の表面に多数の微粒子を噴射して衝突させるサンドブラスト法等の衝撃加工を施すことが好ましい。リード端子９の表面に衝撃加工により圧縮応力層の領域が形成されると、圧縮応力層では金属結晶が横方向に偏平化される。
【００２２】
即ち、偏平化された金属結晶が密着した隙間のない緻密な表層９ｂが形成されるとともにリード端子９の表面に上記の窪み９ｃが略均一に形成される。このような構成は、サンドブラスト法によりリード端子９の表面の金属結晶が潰されて横方向に伸び、塩酸等の酸性液の処理で発生した楔形の窪み９ａを塞いだり埋めることにより形成される。これにより、窪みへのロウ材の侵入を有効に防止することができる。また、偏平化された金属結晶が元の形状に戻ろうとする復元力が常に面方向に作用するため、たとえ大きな径の楔形の窪み９ａがありこの窪み９ａの中にロウ材10が侵入したとしても、ロウ材10の熱膨張による応力を緩和することができ、リード端子９にクラックが発生するのを大幅に抑えることができる。金属結晶の復元力は１個では微々たるものであるが、全体ではリード端子９にわずかな反りを発生させるぐらいの圧縮応力となる。これにより、ロウ材10の熱膨張によって窪み９ａの内面に作用する押し広げようとする応力が緩和され、リード端子９にクラックが発生することが大幅に抑制される。
【００２３】
また、リード端子９の表面状態を均質なものとすることができるので、ロウ付け後にＮｉメッキ層ＣおよびＡｕメッキ層Ｄを信頼性良くかつ強固に被着させることが可能となる。
【００２４】
本発明において、サンドブラスト処理が過剰となり効果がそれ以上では一定となってしまうのは30秒程度であるが、この時間の範囲内で平均開口径が５μｍ未満の窪みが多く、かつ窪み９ｃが95％未満の場合、サンドブラスト処理が不十分ということであり、従って圧縮応力層が充分に形成されず、楔形の窪みに対する圧縮応力が小さくなってロウ材の熱膨張によるクラックの発生を抑えることが困難となる。平均開口径が10μｍを超える窪みが多くなる場合には、この窪み９ｃが95％未満であっても、上記時間の範囲内において大きな径の粒子を吹き付けることによって短時間でサンドブラスト処理が過剰となっている場合であり、従ってこの場合にはリード端子９に大きな圧縮応力が発生して反りが発生し、ロウ付けの際にロウ材の厚さがばらついて剥がれ易くなってしまう。
【００２５】
窪み９ｃの深さが500ｎｍを超える場合、サンドブラスト処理に際して深い窪みが数多く生成されているということを示し、これによりリード端子の表面に大きな圧縮応力が発生しているということであり、この場合リード端子９に反りが発生し、ロウ付けの際にロウ材の厚さがばらついて剥がれ易くなってしまう。
【００２６】
サンドブラスト処理に用いるブラスト用の微粒子（研磨材粒子）は、表層９ｂを形成する偏平化された金属結晶の粒子の平均粒径（５〜10μｍ程度）よりも大きな平均粒径を有するアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス，炭化珪素（ＳｉＣ）セラミックス，ガラス，硬質樹脂などからなる。これは平均粒径が小さくなると質量が小さくなり、噴射させても衝突エネルギーの大きさが小さく、よってその偏平化の効果が大きく得られないからであり、従って、例えば平均粒径10〜30μｍの研磨材粒子を、10ｍｍの距離、噴射圧力0.2ＭＰａ／ｃｍ2、噴射時間30秒程度の条件で、リード端子９の表面に衝突させると良い。
【００２７】
このとき、偏平化された金属結晶の粒子の平面視における面積は、サンドブラスト前の金属結晶の平面視における面積の1.2〜2.0倍であることがよい。これにより、リード端子９の表面に発生した楔形の窪み９ａのほとんどを表層９ｂで覆うことができる。その結果、楔形の窪み９ａ内へのロウ材10の侵入をきわめて効果的に防ぐことができ、折り曲げるように外力を加えても容易に破断することのないリード端子９を作製することができる。また、たとえ楔形の窪み９ａが残ったとしても、表層９ｂは圧縮応力層となっているため、ロウ材10の熱応力によって窪み９ａの内面を外側方向に広げようとする応力は有効に緩和される。
【００２８】
リード端子９の表面に形成された、平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍの窪み９ｃは、リード端子９の表面や断面の顕微鏡写真を観察したり、レーザ光を使用した表面粗さ計によって計数することができる。この場合、平均開口径が５μｍ未満の小さな窪みはロウ材の侵入がないため計数する必要がないこととなる。また、窪み９ｃの平均開口径は、最大径と最小径を測定しその平均をとる方法、または窪み９ｃの平面視形状を円形や楕円形に近似し近似曲線の直径や長径と短径の平均値を算出する方法等によって特定できる。
【００２９】
圧縮応力層である表層９ｂの厚さは50〜100μｍがよい。50μｍ未満の場合、サンドブラスト処理が不十分であり、窪み９ｃに作用する圧縮応力の効果が小さくなってしまう。100μｍを超えると、サンドブラスト処理が過剰であり、リード端子９に反りが発生してロウ付けの際にロウ材の厚さがバラついて剥がれ易くなってしまう。また、表層９ｂが圧縮応力層となっていることは、Ｘ線回折法で分析すると、分子間の距離が小さくなっていることから回折ピークがずれてしまうことで特定できる。
【００３０】
サンドブラストに用いる研磨材粒子は、セラミックスからなるものが好ましい。研磨材粒子が金属である場合、リード端子９を構成するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る金属結晶の粒子が横方向に伸び過ぎてしまい、リード端子９に反りが発生し易くなる。また、リード端子９の表面が金属粒子の衝突によって相転移等が生じて改質され、ロウ材10の濡れ性が劣化する場合がある。
【００３１】
また本発明のリード端子９は、好ましくは均質な表面を有するとともに偏平化された金属結晶の粒子からなる表層９ｂが形成されていることにより、ロウ付け後に、Ｎｉメッキ層ＣまたはＡｕメッキ層Ｄから成るか、Ｎｉメッキ層Ｃ，Ａｕメッキ層Ｄを順次被着させて成る金属メッキ層を、信頼性良くリード端子９の表面に形成することができる。その結果、酸化や腐食がほとんど発生することのないリード端子９を有する半導体パッケージ１を作製することができる。
【００３２】
【実施例】
本発明の半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。まず、幅が0.6ｍｍ，長さが20ｍｍ，厚さが0.2ｍｍのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリード端子９を用意した。リード端子９はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる板を圧延加工して所定の厚さとし、これを型で打ち抜くことによって作製した。リード端子９の表面をエッチング処理することにより、平均開口径が10〜20μｍ程度、深さが50〜100μｍ程度の下方が細くなった楔形の窪み９ａを多数形成させた。
【００３３】
このリード端子９の表面に、平均粒径が10，20，30（μｍ）のアルミナセラミック粉末を10ｍｍの距離をおいて0.2ＭＰａ／ｃｍ2の圧力でそれぞれ10，20，30，40，50，60（秒）噴射してサンドブラスト処理を行ない、18種各100個ずつサンプルを作製した。
【００３４】
これらのサンプルから、表面に平均開口径が３，５，７，10，15（μｍ）の窪み９ｃがそれぞれ95％以上形成されたもの（平均開口径が３μｍの場合３μｍ未満のものは計数せず）を各20個ずつ選び出し、それらの一端部（先端から２ｍｍ程度の部位）を、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッキ層，Ａｕメッキ層を被着して成り、１ｍｍ角の複数個の電極が端部に形成された線路導体８に、Ａｇロウを用いて850℃の温度で接合した。このとき、Ａｇロウがリード端子９の一端部の側面から上面に這い上がり、這い上がったＡｇロウによりリード端子９の一端部の側面および上面が覆われていることを確認した。
【００３５】
そして、これらのサンプルに−55℃〜125℃の温度サイクル（１サイクル60分）を10サイクル負荷し、Ａｇロウによるクラックの発生を促進させた。次に、90°折り曲げてもとに戻すという試験により折り曲げ強度を評価した。折り曲げ強度は、227ｇ（８オンス）の錘をリード端子９の他端につるした状態でサンプルを90°傾けてもとに戻すというサイクルを何回繰り返せるかで評価した。その結果を表１に示す。折り曲げ回数の値は20個のサンプルの平均値である。
【００３６】
【表１】
0003752471.tif 000002
【００３７】
表１より、サンドブラストが極く短時間でかつ、小さい粒径（10μｍ）のアルミナ粉末が用いられた場合には、サンドブラスト後の窪み９ｃの平均開口径が５μｍ未満のサンプルが得られ、このサンプルにおいてはサンドブラストの効果が小さく、よって横方向の圧縮応力が小さく、平均４サイクル未満でリード端子９が破断した。サンプルを顕微鏡で観察すると、全てのサンプルにおいて楔形の窪みにロウ材が存在していた。また、大きな粒径（30μｍ）のアルミナ粉末を噴射して窪み９ｃの径が10μｍを超える場合、ロウ材は、もとから存在していた楔形の窪みではなくて、新たに生成した窪み９ｃ内に楔状に残留する場合が多々発生し、これに起因してリード端子９にクラックが発生し、ほとんどのリード端子９が３サイクル以内で破断した。
【００３８】
これにより、窪み９ｃの平均開口径が５〜10μｍであればロウ材が侵入し難くなり、横方向の圧縮応力が作用している表層９ｂが形成されたリード端子９が得られることが判明した。
【００３９】
次に、窪み９ｃの深さをレーザ光を使用した表面粗さ計で測定し、深さの平均値が25，50，100，200，350，500，750（ｎｍ）のサンプルを各20個ずつ用意し、リード端子９の一端部を線路導体８にＡｇロウで接合した後、リード端子９の折り曲げ強度を評価した。このとき、窪み９ｃの平均開口径が７〜８μｍ程度となるものを選択した。これらのサンプルについて、リード端子９の折り曲げ強度を上記と同様にして評価した結果を表２に示す。
【００４０】
【表２】
0003752471.tif 000003
【００４１】
表２より、窪み９ｃの深さが50ｎｍ未満では、リード端子９にクラックが発生して少ない折り曲げ回数で破断する場合があった。これは、小さい粒径のアルミナ粉末を短時間噴射した場合であり、この場合にも圧縮応力が小さく、したがってロウ材の熱膨張により少ない折り曲げ回数でリード端子９が破壊された。また、大きな粒径のアルミナ粉末を用いて深さが500ｎｍを超える場合には、リード端子９にクラックが発生する場合があった。これは、ロウ材が新たに生成した窪み９ｃの中に取り込まれて残留してしまう場合があるからであり、これらのことから、サンドブラスト後の窪み９ｃの深さは50〜500ｎｍが良いことが明らかになった。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、リード端子９はＦｅ−Ｎｉ合金から成っていても良く、この場合にも本発明と同様の効果が得られる。また、リード端子９の表面に金属メッキ層を形成しなくてもよい。さらに、上記実施の形態ではリード端子９の表面にサンドブラスト処理を施した例について説明したが、リード端子９の表面に本発明の構成の窪み９ｃを形成できるのであればエッチング処理を施してもよく、また鋳型等で成型して作製してもよい。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置する載置部を有する基体と、基体の上面に載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、上面に一辺から対向する他辺にかけて線路導体が形成された略四角形の誘電体から成る平板部および平板部の上面に線路導体の一部を間に挟むように接合された誘電体から成る立壁部から成るとともに取付部に嵌着された入出力端子と、線路導体の枠体外側の部位に一端部がロウ付けされたリード端子とを具備し、リード端子は、その表面に多数の窪みが存在しており、窪みは平均開口径が５μｍ以上のもののうち平均開口径が５〜10μｍで深さが50〜500ｎｍのものが95％以上を占めていることにより、ロウ材が窪みの中に侵入することがほとんどなくなり、半導体素子を載置する際の加熱やシーム溶接時の加熱による熱等によって窪みからクラックが発生することがなくなる。従って、リード端子の折曲げ強度を極めて大きくすることができる。また、リード端子の表面状態が均質になるため、ロウ付け後に金属メッキ層を形成する際にリード端子の表面にきわめて信頼性良くかつ強固に金属メッキ層を被着させることができる。
【００４４】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の作用効果を有するとともに半導体素子が長期に亘り正常かつ安定して作動し得る信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子の斜視図、（ｂ）は本発明の入出力端子におけるリード端子の拡大断面図、（ｃ）は本発明のリード端子の拡大断面図である。
【図３】本発明の半導体装置について実施の形態の例を示す斜視図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図５】（ａ）は従来の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子の斜視図、（ｂ）は従来の入出力端子におけるリード端子の断面図である。
【図６】従来の半導体装置の斜視図である。
【符号の説明】
１：半導体素子収納用パッケージ
２：半導体素子
３：載置部
４：基体
５：入出力端子
６：枠体
８：線路導体
９：リード端子
９ｂ：表層
９ｃ：窪み
10：ロウ材
Ａ：蓋体
Ｂ：半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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