(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内に薄膜形成対象物を配置し、この薄膜形成対象物に対して薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、
開口部が設けられていて、内部を真空にする真空手段に接続されている真空槽と、
開口部をふさぐための蓋部を有しており、開口部を蓋部により開閉可能にするために、真空槽の開口部側に移動可能に配置されている移動体と、
移動体に設けられている支持部材に着脱可能に保持されており、移動体が真空槽側に移動すると真空槽内に配置されて、薄膜形成対象物に対して薄膜を形成するための反応管ユニットと、
真空槽内に配置されており、反応管ユニットを保持するための支持体を有する位置決め部と、を備え、
支持体は、反応管ユニットが真空槽内に配置された際、反応管ユニットを移動体から分離させて、薄膜形成対象物と反応管ユニットの間に薄膜が形成できるような隙間を有するように保持し、
反応管ユニットには係止片が設けられていて、支持体に係止片が保持されることで、反応管ユニットが移動体から分離して保持され
ることを特徴とする真空薄膜形成装置。
【請求項２】
反応管ユニットは、支持体に着脱可能に配置されているベースプレートと、ベースプレートに回転可能に設けられている回転係止片と、ベースプレートに固定されている固定係止片と、を有している請求項１に記載の真空薄膜形成装置。
【請求項３】
支持体は、回転係止片を支持するための第１支持体と、固定係止片を支持するための第２支持体と、からなっており、
第１支持体には第１支持体を揺動させるための揺動手段が接続されている請求項２に記載の真空薄膜形成装置。
【請求項４】
第１支持体は回転係止片がはめ込まれるための溝が形成されており、溝に回転係止片をはめ込んで第１支持体が揺動すると、反応管ユニットが支持部材から分離し、第１支持体と第２支持体が回転係止片と固定係止片をそれぞれ保持する請求項２に記載の真空薄膜形成装置。
【請求項５】
反応管はプラズマ化学気相成長法により薄膜形成対象物に薄膜を形成する請求項１に記載の真空薄膜形成装置。
【請求項６】
反応管はスパッタリングカソードであって、スパッタリングカソードにより薄膜形成対象物に薄膜を形成する請求項１に記載の真空薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空槽内に薄膜形成対象物を配置し、この薄膜形成対象物に対して薄膜を形成するための反応管ユニットを設けて配置する真空薄膜形成装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の真空薄膜形成装置は、例えばプラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）による薄膜を、薄膜形成対象物に形成するのに用いられる。
図１１は従来の真空薄膜形成装置を示しており、真空槽１０００の中にキャンロール１００１、巻出しロール１００２、巻取りロール１００３、架台１００４、電極１００５、ガス導入パイプ１００６等を備えている。
この電極１００５は、反応管１００７に設けられており、ＤＣ電源（直流電源）１００９から電極１００５に対して電圧をかけることにより、キャンロール１００１の薄膜形成対象物１０１０に対してプラズマ化学気相成長法による薄膜を形成するようになっている。この時ガス導入パイプ１００６より反応ガスが導入される。
【０００３】
ところで反応管１００７は、隙間調整ステージ１０１１に支持されており、隙間調整ステージ１０１１は、架台１００４により真空槽１０００内の床面又は内壁に固定されている。この反応管１００７とキャンロール１００１の隙間Ｄを均一に保つために、この隙間調整ステージ１０１１は反応管１００７の位置を精密に位置調整することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この真空薄膜形成装置では、反応管１００７内の清掃等のメンテナンス作業時には、反応管１００７を真空槽１０００内から取り外さなければならず、取り外すための付帯作業時間が非常に長くなるので、このような反応管１００７を真空槽１０００内に固定する方式は好ましくない。
【０００５】
そこで、図１２及び図１３に示すような別の真空薄膜形成装置が提案されている。
図１２と図１３の装置では、図１１の問題を解消するために、移動台車１０２０を用意し、この移動台車１０２０に真空槽１０３０の扉１０３１を設けるとともに、ガス導入パイプ１００６と反応管１００７を設定している。この反応管１００７は、支持アーム１０３２に支持されている。これにより支持アーム１０３２は、隙間調整ステージ１０１１を介して反応管１００７をＸ方向に位置調整可能に支持しており、移動台車１０２０を作業者がＸ２の方向に引き出すことにより、真空槽１０３０内に配置されている反応管１００７を外部に引き出して、反応管１００７の清掃等のメンテナンス作業を行うことができる。
【０００６】
ところが、図１３に示すように、移動台車１０２０を真空槽１０３０に近づけて、扉１０３１を真空槽１０３０の開口部１０３３で閉じて真空薄膜形成作業状態に保持すると、真空槽１０３０内は排気処理が行われるので、扉１０３１には大気圧が加わり、扉１０３１は図９のように真空槽１０３０内側に大きく反ることになる。
このことから、反応管１００７の位置が変わってしまい、キャンロール１００１の薄膜形成対象物１０１０と、反応管１００７の間の隙間Ｄが変わり、反応管１００７と薄膜形成対象物１０１０の位置調整が非常に困難となってしまう。従って、薄膜形成対象物に対して精度よくプラズマ化学気相成長法による薄膜を形成することができなくなってしまうという問題がある。
そこで本発明は上記課題を解消し、真空槽内の薄膜形成対象物に対して正しく薄膜形成を行うことができるとともに、反応管のような薄膜を形成する機能部のメンテナンス作業を容易に行うことができる真空薄膜形成装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明にあっては、真空槽内に薄膜形成対象物を配置し、この薄膜形成対象物に対して薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、開口部が設けられていて、内部を真空にする真空手段に接続されている真空槽と、開口部をふさぐための蓋部を有しており、開口部を蓋部により開閉可能にするために、真空槽の開口部側に移動可能に配置されている移動体と、移動体に設けられている支持部材に着脱可能に保持されており、移動体が真空槽側に移動すると真空槽内に配置されて、薄膜形成対象物に対して薄膜を形成するための反応管ユニットと、真空槽内に配置されており、反応管ユニットを保持するための支持体を有する位置決め部と、を備え、支持体は、反応管ユニットが真空槽内に配置された際、反応管ユニットを移動体から分離させて、薄膜形成対象物と反応管ユニットの間に薄膜が形成できるような隙間を有するように保持し、反応管ユニットには係止片が設けられていて、支持体に係止片が保持されることで、反応管ユニットが移動体から分離して保持される真空薄膜形成装置により、達成される。
【０００８】
本発明では、蓋部が真空槽の開口部を開閉可能になっており、薄膜を形成するための反応管ユニットを真空槽内から真空槽外へ引き出すことができる。また、反応管ユニットが真空槽内に配置されると、位置決め部が反応管ユニットを移動体から分離して薄膜形成対象物との間に隙間を保ちながら保持する。
これにより、真空槽内が真空状態になって大気圧により蓋部が変形した場合、その蓋部の変形による影響を、反応管ユニットと薄膜形成対象物との間の隙間によって防ぐことができる。
【０００９】
従って、移動体が変形した場合であっても、移動体の変形が反応管ユニットと薄膜形成対象物との隙間の寸法に影響を及ぼすことはないため、正確に薄膜形成対象物に薄膜を形成することができる。さらに、反応管ユニットの清掃等のメンテナンスを行う際に、移動体を動かして反応管ユニットを真空槽内から取り出すことができるため、反応管ユニットのメンテナンス作業を容易にすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１１】
図１には本発明の真空薄膜形成装置の好ましい実施の形態の切り欠き斜視図、図５には図１の側面図をそれぞれ示しており、図１と図５を参照して真空薄膜形成装置１について詳しく説明する。
真空薄膜形成装置１０は、外側を金属製で箱型の槽である真空槽１１で覆われており、真空槽１１の底面には真空槽１１内の空気を排出するための排出口１２が設けられている。排気口１２は真空手段１２ａに接続されている。真空槽１１の側面には開口部１１ａが形成されており、開口部１１ａは後述する蓋部３２で閉鎖される。
【００１２】
この真空槽１１内には、キャンロール１３、巻出しロール１４、巻取りロール１５、位置決め部５０等が設けられている。巻出しロール１４には薄膜形成対象物ＯＢが巻かれており、薄膜形成対象物ＯＢはキャンロール１３に対してほぼ１８０度程度巻かれた後、巻取りロール１５に巻取られる。薄膜形成対象物ＯＢは、図示しないガイドロールによりガイドされていて、巻出しロール１４と巻取りロール１５は図示しないモータにより、それぞれ矢印Ｒ２、Ｒ３方向に回転して巻出し及び巻取り作業を行う。薄膜形成対象物ＯＢが順次巻出されて巻取りロール１５に巻取られる時には、キャンロール１３はＲ１方向に回転する。
【００１３】
次に図１を参照して、移動体３０について詳しく説明する。
移動体３０は移動台車３１、蓋部（扉）３２、支持部材３３、反応管ユニット４０等を有している。移動台車３１は、床Ｆ上を水平に移動できるようにタイヤ３１ａを備えている。移動台車３１は蓋部３２を支持しており、蓋部３２はほぼ垂直になっていて矢印Ｘ方向に移動可能になっている。蓋部３２は、支持部材３３の一端を固定しており、支持部材３３は水平に片持ち式に蓋部３２に対して固定されている。支持部材３３にはストッパ３３ａが設けられており、ストッパ３３ａは支持部材３３に搭載されている反応管ユニット４０が支持部材３３から落ちないようにしている。
移動体３０の移動台車３１をＸ１方向に移動することで蓋部３２が真空槽１１の開口部１１ａを閉鎖することができるとともに、反応管ユニット４０を真空槽１１の外部から真空槽１１の内部へあるいは真空槽１１の内部から真空槽１１の外部へ引出すことができる。
【００１４】
図２は図１における反応管ユニット４０の拡大側面図を示しており、図１、図２及び図５を参照して反応管ユニット４０について詳しく説明する。図２の反応管ユニット４０は、ベースプレート４１、係止片４２Ａ、隙間調整ステージ４４、反応管４５、ガス導入パイプ４６、電極４７等で構成されている。ベースプレート４１は図１の支持部材３３の上に着脱可能に配置されている。
図２の係止片４２Ａはベースプレート４１の側面に設けられており、回転係止片４２と固定係止片４３とからなっている。回転係止片４２、固定係止片４３がベースプレート４１の両端に設けられていて、回転係止片４２及び固定係止片４３は例えば片側に２つずつ設けられている。
【００１５】
回転係止片４２、４２は矢印Ｒ４方向に回転可能に取り付けられており、後述する第１支持体５１、５２にそれぞれはめ込まれて保持される。また、第１支持体５１、５２が揺動した際に、回転係止片４２が回転可能に設けられていることで、反応管ユニット４０が位置決め部５０に対して確実に保持される。固定係止片４３、４３は、反応管ユニット４０が真空槽１１内に配置されたとき、第２支持体５７、５７によってそれぞれ保持される。
【００１６】
図２のベースプレート４１の上には隙間調整ステージ４４が配置されており、隙間調整ステージ４４の上には反応管４５が配置されている。反応管４５は例えば筒型の部材であり、ガラス、プラスチック、セラミック、金属等の材質で作られている。隙間調整ステージ４４は、モータ、ボールネジ、ガイド等を具備するステージであって、反応管４５を矢印Ｘ方向に微調整して反応管４５のキャンロール１３に対する位置調整をすることができる。
【００１７】
反応管４５には非金属材料製のパイプ状のガス導入パイプ４６の一端側が接続されており、ガス導入パイプ４６の他端側には図５の反応ガス供給源４８に接続されている。反応ガス供給源４８は、反応ガスＧをガス導入パイプ４６を介して反応管４５に供給できるようになっている。この反応ガスＧとしては、例えばＳｉＨ４等のシラン系ガス、ＳｉＦ４等のフッ素系ガス、ＣＨ４等の炭化水素系ガスなどを採用できる。
反応管４５内にはプラズマ化学気相成長法による薄膜成形を実施するための金属製でメッシュ状である電極４７が内蔵されていて、電極４７には電源４９が電気的に接続されている。電源４９は、例えば直流電源であって、電極４７に対して電源電圧を供給する。
【００１８】
図３と図４には位置決め部５０の拡大側面図を示しており、図１、図３及び図４を参照して位置決め部５０について詳しく説明する。図３の位置決め部５０は図１の真空槽１１の両側面に配置されており、支持体である第１支持体５１Ａと第２支持体５７、５７、揺動手段５３等から構成されている。
第１支持体５１Ａは２つの第１リンクプレート５１、第２リンクプレート５２からなっている。第１リンクプレート５１の一端側５１ａには溝５１ｂが形成されており、溝５１ｂには回転係止片４２がはめこまれる。第１リンクプレート５１の他端側５１ｃにはプレート５５の一端側５５ａがジョイントシャフト６１ａにより接続されている。また、第１リンクプレート５１は第１軸６０に固定されていて、第１軸６０は真空槽１１の側面に回転可能に保持されている。
【００１９】
第２リンクプレート５２の一端側５２ａには溝５２ｂが形成されており、溝５１ｂには回転係止片４２がはめこまれる。他端側５２ｃにはプレート５５の他端側５５ｂがジョイントシャフト６１ｂにより接続されている。第２リンクプレート５２は第２軸６２に固定されており、第２軸６２は図１の真空槽１１の側面に回転可能に保持されている。真空槽１１の側面には固定係止片４３、４３を保持するための第２支持体５７、５７が設けられている。
【００２０】
次に図３を参照して揺動手段５３について詳しく説明する。揺動手段５３は、ウォームホイール５４、モータ５６、ウォーム５７からなっている。ウォームホイール５４は第１軸６０に固定されているとともに、ウォーム５７に機械的に接続されている。ウォーム５７はモータ５６と機械的に接続されており、モータ５６により矢印Ｒ５、Ｒ６方向に回転することができる。
モータ５６が作動してウォーム５５が矢印Ｒ５方向に回転すると、図４のウォームホイール５４が矢印Ｒ７方向に回転する。そして、ウォームホイール５４に固定されている第１軸６０もこれに同期して回転し、第１軸６０に固定されている第１リンクプレート５１が矢印Ｒ７方向に揺動する。さらに、第１リンクプレート５１とプレート５５を介して接続されている第２リンクプレート５２もこれに同期して矢印Ｒ７方向に揺動する。すると、回転係止片４２、４２と固定係止片４３、４３がそれぞれ第１支持体５１、５２と第２支持体５７、５７に保持されるようになる。逆にモータ５６が矢印Ｒ６方向に回転すると、図４の状態から図３の状態になる。
【００２１】
次に、図１乃至図６を参照して、上述した真空薄膜形成装置の動作例について説明する。
図１は、反応管４５をメンテナンスする時のメンテナンス作業状態を示しており、この場合には、移動台車３１が真空槽１１から離されており、反応管４５が真空槽１１内から取出されている。これにより、作業者は反応管４５の清掃や取替え等のメンテナンス作業を簡単に行うことができる。
【００２２】
次に、薄膜形成対象物ＯＢに対して真空槽１１内で薄膜形成作業を行う場合には、図１に示すように、作業者が移動台車３１を真空槽１１側にＸ１方向に移動させる。すると、図３に示すように、ベースプレート４１に設けられている回転係止片４２が第１支持体５１の溝５１ｂにはめ込まれる。このとき、開口部１１ａは蓋部３２により密閉されている状態になる。そして、モータ５６が作動することにより、図４のように反応管ユニット４０は第１支持体５１Ａにより持ち上げ、固定係止片４３、４３が第２支持体５７、５７により保持される。これにより、図６に示すように、回転係止片４２及び固定係止片４３がそれぞれ第１支持体５１、５２及び第２支持体５７、５７により保持されることになる。
【００２３】
このとき、反応管ユニット４０は支持部材３３から分離しているので、支持部材３３及び蓋部３２の移動量に依存することがなくなる。よって、反応管４５とキャンロール１３の隙間Ｄは、薄膜形成対象物ＯＢに対して正しいプラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ）による薄膜を形成するために、均一に保つことができる。つまり反応管４５の先端部分４５ａは円弧状になっておりキャンロール１３の外周面との間で均一な隙間Ｄを形成することができる。
【００２４】
図６の状態で、排気口１２から真空槽１１内の空気が排気されると、真空槽１１内は真空状態（例えば０．１Ｐａ程度）になったところで、反応管４５内にガス導入パイプ４６を介して反応ガスＧが反応ガス供給源４８から供給される。これとともに、ＤＣ電源４９は、電極４７へ電圧（例えば０．５ＫＶ〜３ＫＶ）を印加する。このような印加状態で、フィルムのような薄膜形成対象物ＯＢをＲ方向に走行させることにより、薄膜形成対象物ＯＢは、プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）による成膜を正確に施すことができる。
【００２５】
つまり、真空槽１１内が真空引きされており、かつ蓋部３２に大気圧が加わっている状態では、蓋部３２が開口部１１ａの内側に反る場合があるが、この場合であっても、反応管ユニット４０は、位置決め部５０から浮いた状態にあるので、支持部材３３が蓋部３２の変形に伴って移動してしまったとしても、反応管ユニット４０とキャンロール１３との隙間Ｄを初期の正しい状態に均一に保つことができるからである。
【００２６】
このような要領で薄膜形成対象物ＯＢに対して成膜を行うことにより、反応管４５の内壁には付着物による汚れが発生する。成膜終了後は、モータＭが作動して、第１支持体５１Ａが回転係止片４２、４２を保持しながら矢印Ｒ７方向に移動させて、反応管ユニット４０を支持部材３３の上に配置する。そして図６の状態から図５の状態に示すように、真空槽１１内を大気開放し、移動台車３１がＸ２の方向に移動される。
【００２７】
以上のようにして真空槽１１内を真空引きして蓋部３２部が、大気圧により反って、支持部材３３の位置が変わってしまったとしても、反応管ユニット４０の反応管４５とキャンロール１３との位置関係は変動しないので、予め定められた正しい隙間Ｄを精密に確保することができる。このことから、真空槽１１内における薄膜形成対象物ＯＢに対する薄膜形成の精度を格段に上げることができる。また反応管４５等のメンテナンスを行う場合には図１の状態のように真空槽１１内から引出すことにより、メンテナンス作業等における従来必要であった付帯作業が短縮し、真空薄膜形成作業の生産性を上げることができる。
【００２８】
別の実施の形態
図７乃至図１０には、本発明の別の実施の形態を示している。
以下の各実施の形態の真空薄膜形成装置は、図１の実施の形態の真空薄膜形成装置とほぼ同様の構造である。従って、以下の実施の形態の真空薄膜形成装置における構成要素について、図１の実施の形態の真空薄膜形成装置における構成要素と同じ場合には、同じ符号を記してその説明を省略する。
【００２９】
第２の実施の形態
図７は、本発明の真空薄膜形成装置の第２の好ましい実施の形態を示している。図１の実施の形態では、反応管ユニット４５がプラズマ化学気相成長法を実施するための反応管４５を有している。しかし、図７の第２の実施の形態においては、この反応管４５の代わりに、スパッタリング用のカソード７１を備えている。このスパッタリング用のカソード７１は、隙間調整ステージ４４に搭載されており、その他の点については図１の実施の形態と同様である。このスパッタリング用のカソード７１を用いることにより、薄膜形成対象物ＯＢに対してスパッタリングにより薄膜を形成することができる。つまり図６の真空薄膜形成装置７０は、スパッタリング装置として用いることができる。
【００３０】
第３の実施の形態
図８には第３の好ましい実施の形態の概略構成図を示している。図８の真空薄膜形成装置が図１の真空薄膜形成装置と異なる点は、移動体及び反応管ユニットを２つ有している点である。
図８の真空薄膜形成装置８０には２つの移動体３０、３０を有しており、移動体３０、３０にはそれぞれ反応管ユニット４０、４０が配置されている。真空槽８１は２つの開口部８１ａ、８１ｂが形成されていて、この開口部８１ａ、８１ｂに蓋部３２、３２が配置される。これに対応して、反応管ユニット４０、４０を支持部材３３、３３から分離して保持するため、位置決め部５０、５０が設けられている。また、巻取りロール１５、巻出しロール１４はキャンロール１３の上側に配置されており、キャンロール１３の両側に反応管４５、４５が配置されるようになる。
これにより、薄膜形成対象物ＯＢに薄膜を形成する速度がより速くなり、生産性を向上させることができる。
【００３１】
第４実施の形態
図９には第４の真空薄膜形成装置の好ましい実施の形態の概略構成図を示している。図９の真空薄膜形成装置が図８の真空薄膜形成装置と異なる点は、一方の反応管ユニットにイオンソースが設けられている点である。
図９において、図８の反応管４５の代わりにイオンソース９１が設けられている。これにより、対象物に薄膜を形成する速度がより速くなり、生産性を向上させることができる。
【００３２】
ところで、本発明は上記実施の形態に限定されない。
図示した真空薄膜形成装置は、プラズマ化学気相成長法やスパッタリングを実施することができるが、これに限らず、他の方式の真空薄膜形成装置にも本発明は適用できる。すなわち、清掃等のメンテナンス作業が必要でかつ反応管やカソードのような反応管ユニットと薄膜形成対象物ＯＢとの間に一定の隙間が必要となる精密な位置決め作業が要求される装置に本発明の真空薄膜形成装置が有効である。
また、上記各実施の形態において、係止片は回転係止片４２と固定係止片４３からなっているが、回転係止片４２は回転しない固定係止片であってもかまわない。また、回転係止片４２と固定係止片４３はベースプレート４１の片側に２つずつ設けられているが、２つ以上設けて、安定性を向上させてもよい。
【００３３】
さらに、上記各実施の形態において、移動体３０には１つの反応管４５が配置されるようにしているが、１つの移動体３０に複数の反応管４５を搭載するようにしてもよい。また、位置決め部５０はモータ５６の駆動により、反応管ユニット４０を移動するようにしているが、図１０に示すように、いわゆるシリンダに置き換えても同様の効果を得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、真空槽内の薄膜形成対象物に対して正しく薄膜形成を行うことができるとともに、反応管のような薄膜を形成する反応管ユニットのメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空薄膜形成装置の好ましい実施の形態１を示す図であり、主にメンテナンス時の状態を示す図。
【図２】図１の真空薄膜形成装置における反応管ユニットを示す拡大側面図。
【図３】図１の真空薄膜形成装置における位置決め部を示す拡大側面図。
【図４】図１の真空薄膜形成装置における位置決め部を示す拡大側面図。
【図５】本発明の真空薄膜形成装置の好ましい実施の形態を示す構成図。
【図６】本発明の真空薄膜形成装置の好ましい実施の形態を示す構成図。
【図７】本発明の真空薄膜形成装置の第２の実施の形態を示す構成図。
【図８】本発明の真空薄膜形成装置の第３実施の形態を示す図。
【図９】本発明の真空薄膜形成装置の第４の実施の形態を示す図。
【図１０】図１の真空薄膜形成装置における位置決め部の別の実施の形態を示す拡大側面図。
【図１１】従来の真空薄膜形成装置を示す図。
【図１２】従来の別の真空薄膜形成装置を示す図。
【図１３】図１２の従来の真空薄膜形成装置の欠点を示す図。
【符号の説明】
１０・・・真空薄膜形成装置、１１・・・真空槽、１１ａ・・・開口部、３０・・・移動体、３２・・・蓋部、３３・・・支持部材、４０・・・反応管ユニット、４１・・・ベースプレート、４２・・・回転係止片、４３・・・固定係止片、４４・・・隙間調整プレート、４５・・・反応管、５０・・・位置決め部、５１・・・第１支持体、５７・・・第２支持体、ＯＢ・・・薄膜形成対象物。
【図１】
0003858437.tif 000002
【図２】
0003858437.tif 000003
【図３】
0003858437.tif 000004
【図４】
0003858437.tif 000005
【図５】
0003858437.tif 000006
【図６】
0003858437.tif 000007
【図７】
0003858437.tif 000008
【図８】
0003858437.tif 000009
【図９】
0003858437.tif 000010
【図１０】
0003858437.tif 000011
【図１１】
0003858437.tif 000012
【図１２】
0003858437.tif 000013
【図１３】
0003858437.tif 000014