(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ内に複数の半導体チップを搭載した半導体装置であって、
前記半導体チップの側面に接続用パッドを突出形成するとともに、前記半導体チップの表面から前記接続用パッドの裏面に達する傾斜面を形成し、この傾斜面に前記接続用パッドと導通する配線を設け、
前記半導体チップの前記側面に形成された接続用パッドを互いに突き合わせ、前記半導体チップ同士を直に接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記斜面に代えて前記半導体チップを貫通する貫通穴を用い、この貫通穴に前記配線を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面にエッチングによりＶ字断面を形成した後、前記Ｖ字断面を横断する配線を形成し、前記Ｖ字断面の底部に沿って切り出しを行い、この切り出しにより露出した前記配線の端面を含む側面に前記接続用パッドを形成し、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に配線を形成した後、前記半導体チップの側面に前記接続用パッドを形成し、前記配線と前記接続用パッドを結ぶ貫通穴を形成するとともに当該貫通穴の内壁に金属膜を形成し、前記配線と前記接続用パッドとの導通を図った後に、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に係り、特に単一のパッケージ内に複数の半導体チップを組み込んだ半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、単一のパッケージ内に複数の半導体チップを組み込み、一層の多機能化や高密度実装を達成するための半導体装置が知られており、一般的にはこれをＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）と称している。
【０００３】
図１７は、従来の半導体装置（ＭＣＰ）の構造を示す断面説明図である。同図に示すように従来の半導体装置１では、その表面に配線が形成された基板２の実装面３に複数の半導体チップ４Ａ、４Ｂが搭載されている。そしてこれら半導体チップ４Ａ、４Ｂでは、上面５に設けられた接続用パッド（図示せず）と、基板２の表面に形成されたランド（図示せず）との間をワイヤ６で接続するとともに、前記ワイヤ６を用いて隣り合う半導体チップ４Ａ、４Ｂの接続用パッド間を接続するようにしている（ワイヤボンディングと呼ばれ、ワイヤ材質は金やアルミが主流）。
【０００４】
このように構成された半導体装置１では、隣り合う半導体チップ４Ａ、４Ｂ間での信号の入出力を行うとともに、基板２に取り付けられた外部端子７を介して半導体装置１の外部との信号の入出力を行うようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述した半導体装置１では、下記に示すような問題点があった。
【０００６】
すなわち第１の問題点としては、隣り合う半導体チップ４Ａ、４Ｂ間の接続は、ワイヤ６によって行われるため、チップ間距離（図中、ｔ寸法参照）が有る程度必要となり、半導体装置１の小型化を阻害する要因となっていた。
【０００７】
また第２の問題点としては、チップ間の接続がワイヤによって行われるので、当該ワイヤを用いることによる接続不良（短絡や断線）が発生するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記従来の問題点に着目し、ワイヤボンディングを用いることなく、チップ間の接続を行い、装置本体の小型化や、接続不良を防止することのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体チップの接続用パッド同士を直に突き合わせるようにすれば、ワイヤボンディング等の接続作業を不要にすることができるという知見に基づいてなされたものである。
【００１０】
すなわち本発明に係る半導体装置は、パッケージ内に複数の半導体チップを搭載した半導体装置であって、前記半導体チップの側面に形成された接続用パッドを互いに突き合わせ、前記半導体チップ同士を直に接続するよう構成した。本発明に係る半導体装置によれば、接続用パッドを互いに突き合わせることで、導通を直に得ることができる。ここで接続用パッドの間にはワイヤ等が介在しないことから、半導体チップ間の距離を最短にすることが可能となり、半導体装置自体の小型化を達成することができる。またワイヤ等の不使用により、当該ワイヤ等を起因とする短絡、導通不良といった障害を取り除くことができ、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【００１１】
また本発明に係る半導体装置は、前記半導体チップの前記側面に前記接続用パッドを突出形成するとともに、前記半導体チップの表面から前記接続用パッドの裏面に達する傾斜面を形成し、この傾斜面に前記接続用パッドと導通する配線を設けるよう構成した。本発明に係る半導体装置によれば、半導体チップの表面に形成された配線は、その半導体チップの表面下に形成された抵抗、容量等といった素子に接続されており、これら素子への信号の入出力を可能にしている。そしてこのように素子に接続された配線の先端は、前記半導体チップの縁辺側に延長され、半導体チップの側面に突出形成された接続用パッドに接続されることとなるが、ここで配線は傾斜面を経由して前記接続用パッドの裏面に達している。このように傾斜面を設ければ、配線をスパッタ等で形成する際、金属膜が十分な厚みをもって形成される（端部に傾斜面を形成しなければ、半導体チップの縁辺はエッジ状になり配線となる金属膜が薄くなることで導通の信頼性が低下する）。このため配線と接続用パッドとの導通を確実にすることができ、装置自体の信頼性を向上させることができる。なお傾斜面は、半導体チップの縁辺に一様に形成したり、あるいは配線を引き回す範囲だけに形成する（いわゆる溝部を設ける）ようにしてもよい。
【００１２】
なお本発明に係る半導体装置は、前記斜面に代えて前記半導体チップを貫通する貫通穴を用い、この貫通穴に前記配線を設けるよう構成した。本発明に記載の半導体装置によれば、前記貫通穴はレーザ光等によって形成することができる。このため結晶方位の影響を受けず任意の角度を有した貫通穴を空けることが可能となり、半導体チップの厚みや接続用パッドの位置関係を考慮して配線との導通を図ることができる。なお貫通穴の内部に形成される配線は、貫通穴を形成したのち、当該貫通穴の内壁に金属膜を蒸着させるようにして形成すればよい。
【００１３】
また本発明に係る半導体装置は、前記半導体チップの前記側面を傾斜面とこの傾斜面に続く垂直面とで構成し、前記傾斜面と前記垂直面とに前記接続用パッドを突出形成し、前記傾斜面に設けた前記接続用パッド同士を突き合わせるとともに、前記垂直面に設けた前記接続用パッド同士を突き合わせ、前記半導体チップを積層方向に直に接続するよう構成した。本発明に記載の半導体装置によれば、傾斜面と垂直面とに接続用パッドがそれぞれ設けられているので、傾斜面に設けた接続用パッド同士を突き合わせるとともに、垂直面に設けた接続用パッド同士を突き合わせるよう半導体チップを積み重ねていけば、実装面積を増やすことなく複数の半導体チップとの接続を行うことができる。
【００１４】
そして本発明に係る半導体装置は、前記半導体チップの前記側面を前記傾斜面と前記垂直面とに代えて、断面くさび状となるよう前記傾斜面で構成した。本発明に記載の半導体装置によれば、半導体チップの縁辺は一対の傾斜面で構成されているので、傾斜面に設けられた接続用パッドをそれぞれ突き合わせるようにすれば、積層方向への接続が可能になり、実装面積を増やすことなく複数の半導体チップとの接続を行うことができる。
【００１５】
また本発明に係る半導体装置は、パッケージ内に複数の半導体チップを搭載した半導体装置であって、側面の一部を形成する接続用パッドと、この接続用パッドの上層に形成される配線とを有した前記半導体チップ同士を前記接続用パッドが互いに対向するよう突き合わせ、前記半導体チップ同士を直に接続するよう構成した。本発明に記載の半導体装置によれば、半導体チップの側面に接続用パッドが露出しているので、この側面に形成された接続用パッドを突き合わせるようにすれば、当該接続用パッド間の導通がなされ、半導体チップ同士の信号の入出力を行うことができる。なお半導体チップの表面には、接続用パッドが露出しているので、配線は半導体チップの表面にスパッタ等により金属膜を形成し、この金属膜にエッチングを施すといった通常の形成工程で形成することができる。また側面に露出する接続用パッドは、ダイシングラインを跨ぐ位置に接続用パッドに相当する穴をエッチング等で形成し、この穴に銅やタングステンをＣＶＤにて堆積させる。そして銅やタングステンが埋め込まれた穴をダイシングラインに沿って切断すれば、銅やタングステンからなる接続用パッドを半導体チップの側面（いわゆる切り口）に露出させることができる。
【００１６】
また本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面にエッチングによりＶ字断面を形成した後、前記Ｖ字断面を横断する配線を形成し、前記Ｖ字断面の底部に沿って切り出しを行い、この切り出しにより露出した前記配線の端面を含む側面に前記接続用パッドを形成し、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことを特徴としている。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、傾斜面を突き合わせたＶ字断面の表面に配線を設け、その後Ｖ字断面の底部に沿って当該Ｖ字断面を２分割すれば、傾斜面に配線が形成されるとともに側面に配線の端部が露出した形態を得ることができる。このため半導体チップの側面を突き合わせることで、接続用パッド同士の接触がなされ、信号の入出力を行うことができる。
【００１７】
また本発明に記載の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に配線を形成した後、前記半導体チップの側面に前記接続用パッドを形成し、前記配線と前記接続用パッドを結ぶ貫通穴を形成するとともに当該貫通穴の内壁に金属膜を形成し、前記配線と前記接続用パッドとの導通を図った後に、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことを特徴としている。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、配線と接続用パッドとの間を金属膜が形成された貫通穴で結ぶことにより導通が図られる。このため半導体チップの側面を突き合わせることで、接続用パッド同士の接触がなされ、信号の入出力を行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る半導体装置および半導体装置の製造方法に係る具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの側面形状を示す斜視図である。同図に示すように半導体装置１０に搭載される半導体チップ１２には、その表面下に抵抗や容量といった素子が形成されている。そしてこれら素子の上面には絶縁膜１４が形成されるとともに、当該絶縁膜１４の表面には、図示しないコンタクトホールを介して前記素子と導通がなされた金属配線１６が形成されている。
【００２０】
ところで半導体チップ１２の側面１８には、他の半導体チップ１２との突き合わせ接続をなすための、接続用パッド２０が形成されている。そして当該接続用パッド２０は、メタライズによって形成された金属素地２２と、当該金属素地２２の表面に形成されるメッキ地２４によって構成されている。また接続用パッド２０の裏面側、すなわち金属素地２２側には、傾斜部となる溝部２６が形成されており、この溝部２６における底面に金属配線１６を延長形成させることで、当該金属配線１６と接続用パッド２０との接続を行うようにしている。
【００２１】
このように形成された半導体チップ１２においては、同図（２）に示すように、接続用パッド２０同士が対向するよう一対の半導体チップ１２が突き合わされており、半導体チップ１２間の信号の入出力が行えるようになっている。なお本実施の形態では、半導体チップ１２の一側面に接続用パッド２０を設けることとしたが、これに限定されることもなく、半導体チップ１２の複数の側面に接続用パッド２０を設け、半導体チップ１２同士の突き合わせ接続を行うようにしてもよい。また外部端子２８がその周縁に複数設けられた基板３０と、これら半導体チップ１２との接続は、従来通り金やアルミを材料とするワイヤ３１にて行われる（ワイヤーボンディング）。
【００２２】
図２および図３は、第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【００２３】
図２（１）に示すように、半導体チップ１２の表面には絶縁膜１４が形成されており、この絶縁膜１４の下層には前述の通りＭＯＳトランジスタや抵抗、容量といった素子が形成してある。そしてこのように形成された半導体チップ１２の絶縁膜１４の上面に同図（２）に示すようにレジストパターン３２をスピンコート、フォトエッチングにより作成し、その後、同図（３）に示すようにＫＯＨ水溶液やエチレンジアミン水溶液等のエッチング液を用いてエッチングを行う。ここで半導体チップ１２における表面の結晶面は（１００）面に設定されており、このためレジストパターン３２が外された領域（溝部２６の形成領域）では、上記エッチング液により（１００）面と５４．７４度をなすＶ字形の断面形状を得ることができる（図中、角度αを参照）。そしてエッチングが終了した後は、レジストパターン３２を除去するとともに、アルミまたはアルミ合金からなる金属膜をスパッタなどにより堆積させ、この金属膜をエッチングして絶縁層１４から溝部２６に至る金属配線１６を形成する。この状態を同図（４）に示す。
【００２４】
このように金属配線２６を形成した後は、断面Ｖ字型の底部をダイシングラインとしてペレダイスを行う。ペレダイス後の状態を図３（１）に示す。このような状態では、金属配線１６の端面が半導体チップ１２の側面１８に露出した形態となっており、その後は、この側面に金属配線１６の端面を含むようメタライズによって金属膜を形成し、その後スプレー式のレジストの塗布、エッチングを行い金属下地２２を形成し（同図（２）参照）、当該金属下地２２の表面にメッキを施すことで接続用パッド２０を形成する。このような手順を得れば、半導体チップ１２の側面１８に接続用パッド２０を形成することができ、半導体チップ１２同士を突き合わせた半導体装置１０を製作することが可能となる。なお突き合わされる半導体チップ１２は、同一物であっても異種の物であっても構わないことはいうまでもない。さらに図１〜図３においては傾斜面を溝部２６として説明を行ったが、この形態に限定されることもなく、溝部２６を構成する側壁部分を取り外して傾斜面とし、この傾斜面上に金属配線１６を形成するようにしてもよい。
【００２５】
図４は、第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの側面形状を示す斜視図である。同図に示すように、第２の実施の形態においては、第１の実施の形態で用いた溝部２６に代えて貫通穴を適用した状態である。なお第２の実施の形態において第１の実施の形態と共通である箇所は同一の番号を用いて説明を行う。
【００２６】
第２の実施の形態となる半導体チップ１２では、絶縁膜１４の表面上に形成された金属配線１６と、側面１８に形成された接続用パッド２０との間を貫通穴３４で結ぶとともに、当該貫通穴３２の内側（内壁面）に金属を蒸着させた形態となっており、この蒸着面にて金属配線１６と接続用パッド２０との導通を図るようにしている。このように貫通穴３４を用いて金属配線１６と接続用パッド２０との導通を図るようにすれば、第１の実施の形態と同様に、側面１８に接続用パッド２０が形成された半導体チップ１２を形成することができ、これら半導体チップ２０同士を突き合わせるだけで両者間の信号の入出力を行うことができる。
【００２７】
図５および図６は、第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【００２８】
図５（１）に示すように半導体チップ１２の表面には絶縁膜１４が形成されており、この絶縁膜１４の下層には前述の通りＭＯＳトランジスタや抵抗、容量といった素子が形成してある。そしてこのように形成された半導体チップ１２の絶縁膜１４の上面に同図（２）に示すようにアルミまたはアルミ合金からなる金属膜をスパッタなどにより堆積させ、この金属膜をエッチングして絶縁層１４の上面に金属配線１６を形成する。このように金属配線１６を形成した後は、ダイシングラインに沿ってペレダイスを行う。この状態を同図（３）に示す。そしてペレダイスにより個々の半導体チップ１２とした後には、その側面１８に、金属配線１６の端面を含むようメタライズによって金属膜を形成し、その後スプレー式のレジストの塗布、エッチングを行い金属下地２２を形成し（同図（４）参照）、当該金属下地２２の表面にメッキを施すことで接続用パッド２０を形成する。当該接続用パッド２０を形成した後の形状を図６（１）に示す。
【００２９】
そして金属配線１６と接続用パッド２０とを形成した後は、レーザ加工により金属配線１６と接続用パッド２０とを貫通するように貫通穴３４をあける（同図（２）参照）。そして半導体チップ１２に貫通穴３４をあけた後は、同図（３）に示すように貫通穴３４の内壁面に銅やアルミを蒸着（図中、ハッチング部分）させ、この蒸着により金属配線１６と接続用パッド２０との導通を図るようにしている。
【００３０】
なお貫通穴３４を用いた方法では、エッチングを用い傾斜部を形成する方法と異なり（半導体チップ１２の結晶方位に左右される傾斜面とは異なり）、半導体チップ１２に対して角度を自在に設定できるので、金属配線１６の引き出し位置や、接続用パッド２０の位置が変動しても確実に双方を結んだ貫通穴３４を形成させることができる。
【００３１】
このような手順を得れば、第１の実施の形態に用いられた半導体チップと同様、当該半導体チップ１２の側面１８に接続用パッド２０を形成することができ、半導体チップ１２同士を突き合わせた半導体装置１０を製作することが可能となる。なお突き合わされる半導体チップ１２は、同一物であっても異種の物であっても構わないことはいうまでもない。
【００３２】
図７は、第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの形状を示す上面図であり、図８は、同チップの形状を示す斜視図である。これらの図に示すように、同チップにおいては、側面を傾斜面３６とこれに続く垂直面３８とで構成し、この傾斜面３６と垂直面３８とにそれぞれ接続用パッド２０を形成した形態となっている。なお第３の実施の形態において第１の実施の形態と共通である箇所は同一の番号を用いて説明を行う。
【００３３】
図７および図８に示すように第３の実施の形態となる半導体チップ１２では、絶縁膜１４の表面上に形成された金属配線１６を延長させ、側面を構成する傾斜面３６およびこれに続く垂直面３８に形成された接続用パッド２０に接続させた形態となっている。このように金属配線１６と、接続用パッド２０との導通を図るようにすれば、第１の実施の形態と同様に、側面１８に接続用パッド２０が形成された半導体チップ１２を形成することができ、これら半導体チップ１２同士を突き合わせるだけで両者間の信号の入出力を行うことが可能となる。さらに図１１に示すように、傾斜面３６に形成された接続用パッド２０同士を突き合わせるとともに、垂直面３８に形成された接続用パッド２０同士を突き合わせるように、半導体チップ１２を積層させていけば、複数の半導体チップ１２との接続を図ることが可能となる。また半導体チップ１２は積層されるので、実装面積が増加するのを防止することができる。
【００３４】
図９および図１０は、第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。なお図９および図１０（１）については、図７におけるＡ断面を示し、図１０（２）および図１０（３）については、図７におけるＢ断面を示す。
【００３５】
図９（１）に示すように、半導体チップ１２の表面には絶縁膜１４が形成されており、この絶縁膜１４の下層には前述の通りＭＯＳトランジスタや抵抗、容量といった素子が形成してある。そしてこのように形成された半導体チップ１２の絶縁膜１４の上面にレジストパターンをスピンコート、フォトエッチングにより作成し、その後、ＫＯＨ水溶液やエチレンジアミン水溶液等のエッチング液を用いてエッチングを行う。ここで半導体チップ１２における表面の結晶面は（１００）面に設定されており、このためレジストパターン３２が外された領域（傾斜面３６の形成領域）では、上記エッチング液により（１００）面と５４．７４度をなすＶ字形の断面形状を得ることができる（図中、角度αを参照）。この状態を同図（２）に示す。そしてエッチングが終了した後は、レジストパターンを除去するとともに、アルミまたはアルミ合金からなる金属膜をスパッタなどにより堆積させ、この金属膜をエッチングして絶縁層１４から傾斜面３６に至る金属配線１６を形成する。なお形成される金属配線１６の長さは２種類あり、片側の金属配線１６は傾斜面３６の中央まで延長され（以下、傾斜面用の金属配線１６と称す）、他方側の金属配線１６は垂直部３８との稜線位置まで延長されている（以下、垂直面用の金属配線１６と称す）。
【００３６】
金属配線２６を形成した後は、同図（４）に示すように傾斜面用の金属配線１６の端部に接続されるよう傾斜面３６にメタライズによって金属膜を形成し、その後スプレー式のレジストの塗布、エッチングを行い金属下地２２を形成し、当該金属下地２２の表面にメッキを施すことで接続用パッド２０を形成する（図１０（１））。このような手順を得れば、半導体チップ１２の傾斜面３６に接続用パッド２０を形成することができる。
【００３７】
そして傾斜面３６に傾斜面用の金属配線１６に接続される接続用パッド２０を形成した後は、同図（２）および同図（３）に示すようにダイシングラインに沿って半導体チップ１２のペレダイスを行うとともに、その垂直面３８にメタライズによって金属膜を形成し、その後スプレー式のレジストの塗布、エッチングを行い金属下地２２を形成し、当該金属下地２２の表面にメッキを施すことで接続用パッド２０を形成する。
【００３８】
このような手順を得れば、半導体チップ１２の傾斜面３６と垂直面３８とに接続用パッド２０を形成することができ、直に突き合わせが行えるとともに、積層が可能な半導体装置１０を製作することが可能となる。なお突き合わされる半導体チップ１２は、同一物であっても異種の物であっても構わないことはいうまでもない。
【００３９】
図１２は、第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの第１応用例を示す。同図に示すように、半導体チップ１２の端面をくさび状となるよう、一対の傾斜面３６で構成し、当該傾斜面３６上に接続用パッド２０（図１２においては図示せず）を設けるようにすれば、複数の半導体チップ１２と突き合わせ接続を行うことが可能になる。なお半導体チップ１２における素子等が形成されない背面側（能動面の反対側）では、能動面側と通じる貫通穴を用いて接続用パッド２０との導通を図るようにすればよい。
【００４０】
そして図１３も、第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの第２応用例を示しており、半導体チップ１２の側面を傾斜面３６だけで構成し、その傾斜面３６に設けた接続用パッド２０（図１３においては図示せず）と、半導体チップ１２における能動面４０側とを貫通穴３４で結び、導通を図るようにすれば、半導体チップ１２同士を直に突き合わせて接続させることができる。
【００４１】
なお上述した実施の形態においては、側面より接続用パッド２０を突出させ、この接続用パッド２０同士を突き合わせることで半導体チップ１２同士の接続を行うようにしたが、この形態に限定されることもなく、側面の一部を接続用パッド２０とし、側面と突き合わせることで、半導体チップ１２同士の接続を行うようにしてもよい。
【００４２】
図１４は、第４の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す上面図であり、図１５は、同装置に用いられる半導体チップの側面形状を示した斜視図である。なお第４の実施の形態において第１の実施の形態と共通である箇所は同一の番号を用いて説明を行う。
【００４３】
これらの図に示すように、半導体装置１０においては、外部端子２８が形成された基板３０に、一対の半導体チップ１２が搭載されている。そしてこれら半導体チップ１２の能動面４０と側面１８には、接続用パッド２０が露出した形態となっており、前記側面１８に露出した接続用パッド２０を突き合わせることで半導体チップ１２同士の接続を行うようにしている。接続用パッド２０を突き合わせ後の形態を同図（２）に示す（同図（２）は同図（１）におけるＡ部拡大図を示す）。
【００４４】
このように半導体チップ１２の側面１８に接続用パッド２０を露出させても第１の実施の形態と同様に、半導体チップ１２同士を突き合わせるだけで両者間の信号の入出力を行うことが可能となる。
【００４５】
図１６は、第４の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。同図（１）に示すように、半導体チップ１２の表面（すなわち能動面４０）には絶縁膜１４が形成されており、この絶縁膜１４の下層には図示しないＭＯＳトランジスタや抵抗、容量といった素子が形成してある。そしてこのように形成された半導体チップ１２の絶縁膜１４の上面にレジストパターン３２をスピンコート、フォトエッチングにより作成する。なおここでレジストパターン３２はホール形状となっており、その大きさは、能動面４０側に露出する接続用パッド２０を一対突き合わせただけの範囲に設定される。
【００４６】
そしてこのレジストパターン３２に沿って、ドライエッチングを施し、ホール４２を形成した後は、ＣＶＤにより接続用パッド２０となる銅またはタングステン４４をホール４２が埋まるまで堆積させ（同図（２））、その後、半導体チップ１２の能動面４０側にエッチバックを施し、ホール４２以外の範囲に堆積された銅またはタングステン４４を同図（３）に示すように除去する。
【００４７】
このようにホール４２のみに銅またはタングステン４４を残した後は、絶縁膜１４の表面に金属配線１６を形成し、図示しない素子と接続用パッド２０との導通を図るようにする。そして金属配線１６の形成後は、ホール４２を二分するダイシングライン４６に沿って半導体チップ１２のペレダイスを行う。このようにダイシングライン４６に沿って半導体チップ１２を取り出せば、当該半導体チップ１２の側面１８には、接続用パッド２０が露出した形態となる。このためこの接続用パッド２０同士を突き合わせるよう側面１８を密着させれば、半導体チップ１２間で信号の入出力を行うことが可能となる。
【００４８】
なお本製造工程では、能動面４０側（すなわち半導体チップ１２の表面に大して垂直方向）からの加工により、半導体チップ１２の側面１８に接続用パッド２０を形成することができるので、従来の設備をそのまま用いて本半導体チップを製作することが可能になる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、パッケージ内に複数の半導体チップを搭載した半導体装置であって、前記半導体チップの側面に形成された接続用パッドを互いに突き合わせ、前記半導体チップ同士を直に接続したことから、半導体チップ間の距離を最短にすることができ、半導体装置の小型化を図ることができる。また半導体チップを直に接続したので、当該半導体装置の間に介在する部品が無くなり、装置本体の信頼性向上を図ることができる。
【００５０】
またパッケージ内に複数の半導体チップを搭載した半導体装置であって、側面の一部を形成する接続用パッドと、この接続用パッドの上層に形成される配線とを有した前記半導体チップ同士を前記接続用パッドが互いに対向するよう突き合わせ、前記半導体チップ同士を直に接続したことから、上記効果に加え、通常の形成工程（半導体チップの表面への施しのみ）だけで接続用パッドを形成することができる。
【００５１】
そして素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面にエッチングによりＶ字断面を形成した後、前記Ｖ字断面を横断する配線を形成し、前記Ｖ字断面の底部に沿って切り出しを行い、この切り出しにより露出した前記配線の端面を含む側面に前記接続用パッドを形成し、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことから、側面に接続用パッドを有した半導体チップを得ることができ、この半導体チップの側面同士を突き合わせることでチップ間の接続を行うことができる。
【００５２】
さらに素子が形成された半導体チップに接続用パッドを形成した後、これら複数の前記半導体チップを基板に搭載し前記接続用パッド間の接続をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に配線を形成した後、前記半導体チップの側面に前記接続用パッドを形成し、前記配線と前記接続用パッドを結ぶ貫通穴を形成するとともに当該貫通穴の内壁に金属膜を形成し、前記配線と前記接続用パッドとの導通を図った後に、この接続用パッド同士を突き合わせるよう複数の前記半導体チップを前記基板上に搭載したことからも、側面に接続用パッドを有した半導体チップを得ることができ、この半導体チップの側面同士を突き合わせることでチップ間の接続を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの側面形状を示す斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図４】第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの側面形状を示す斜視図である。
【図５】第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図７】第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの形状を示す上面図である。
【図８】同チップの形状を示す斜視図である。
【図９】第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図１１】半導体装置１０における半導体チップ１２の積層状態を示す側面図である。
【図１２】第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの第１応用例を示す。
【図１３】第３の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの第２応用例を示す。
【図１４】第４の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す上面図である。
【図１５】同装置に用いられる半導体チップの側面形状を示した斜視図である。
【図１６】第４の実施の形態に係る半導体装置に用いられる半導体チップの製作工程図である。
【図１７】従来の半導体装置（ＭＣＰ）の構造を示す断面説明図である。
【符号の説明】
１            半導体装置
２            基板
３            実装面
４Ａ、４Ｂ    半導体チップ
５            上面
６            ワイヤ
７            外部端子
１０            半導体装置
１２            半導体チップ
１４            絶縁膜
１６            金属配線
１８            側面
２０            接続用パッド
２２            金属素地
２４            メッキ地
２６            溝部
２８            外部端子
３０            基板
３２            レジストパターン
３４            貫通穴
３６            傾斜面
３８            垂直面
４０            能動面
４２            ホール
４４            銅またはタングステン
４６            ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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