(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される基板保持台と、前記真空容器の外側に配置されたコイルに高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供給装置からなるプラズマ処理装置であって、
上記真空容器は、分離可能で、かつそれぞれ半球殻状の上側部と下側部とからなり、
上記下側部を、上記上側部に対して当接させて上記真空処理室を閉鎖する上昇位置と、上記上側部に対して離反させて上記真空処理室を開放する降下位置とに移動させる昇降機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
上記真空容器の下側部の外側にケーシングを備え、このケーシングの内部空間は、上記真空容器に対して基板を搬入出するための基板移載機構が配設された移載室であり、
上記真空容器の下側部が上記上昇位置にあると、上記真空処理室と上記移載室とが遮断され、
上記真空容器の下側部が上記降下位置にあると、上記真空処理室と上記移載室とが連通することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
上記基板搬送機構は、基板を保持して水平方向に旋回する搬送アームを備えることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
上記真空処理室内に配置され、上記基板を保持する基板保持台と、
上記基板保持台に対して基板を上昇させて上記搬送アームによる基板の移載を可能とする突き上げ機構と備えることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
上記基板保持台は昇降可能であり、
上記突き上げ機構は、上記基板保持台の降下と連動して基板保持台から基板を上昇させることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上記下側部が上記上昇位置にあるときに、上記下側部を上記上側部に対して付勢する付勢機構を備えることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を含む電子デバイス、及びマイクロマシン等の製造に使用される、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１６は従来のプラズマ処理装置の一例である、誘導結合プラズマ（Inductively coupled plasma(ＩＣＰ)）エッチング装置を示している。近年、半導体やＬＣＤ等の電子デバイスの微細化が急速に進んでおり、その製造工程においてより高い加工精度を得るために、プラズマを高密度化する手段としてこのＩＣＰエッチング装置が導入されている。
【０００３】
真空容器１の一部を構成する半球状の石英ベルジャ２の外側には、誘導結合プラズマコイル（ＩＣＰコイル）３が配置されている。また、基板４は真空容器１内にコイル３と対向して配置された下部電極５上に載置される。石英ベルジャ２の頂端部にはガス供給装置６に接続されたガス導入口７が形成されている。また、真空容器１には排気装置として真空ポンプ８が接続されている。
【０００４】
ガス導入口７からガスを導入しつつ真空ポンプ８で排気を行い、真空容器１内の圧力を一定に保持する。ガス導入口７から真空容器１内に噴出されたガスは基板４に向けて拡散し、真空ポンプ８に吸い込まれることによりガス流れ９を形成する。このガス流れ９の途中に基板４が配置されている。
【０００５】
高周波電源１１からマッチング回路１２を介してコイル３に高周波電力を供給すると、真空容器１内にプラズマ１３が発生する。このプラズマ１３により、ガス分子の解離や分子同士の衝突によって正電荷を有するイオン、電子、及び電荷的には中性であり高い反応性を有するラジカルが発生する。一般にはイオンやラジカルの衝突より、基板４のエッチングを行う。ＩＣＰのプラズマはアース電位壁付近ではガス分子の解離性が極端に低下する特性があるため、真空容器１の壁から距離を隔てた石英ベルジャ２の下側にドーナツ状のプラズマ１３を発生させる必要がある。
【０００６】
真空容器１には、基板４を交換するためのゲート開口部１４と、このゲート開口部を開閉するためのゲート弁１５が設けられている。移載室１６に対して複数の真空容器１が配設されているクラスタ形式やマルチチャンバ形式の場合には、真空容器１内がメンテナンス等のための大気開放された場合にも移載室１６内の真空を保持できるように、ゲート弁１５をいわゆる逆圧対応とする必要がある。また、真空容器１には、複数のビューイングポイント１７と、その開口部１８が設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記図１６に示す従来のＩＣＰエッチング装置には、基板４の大型化に伴う以下の問題がある。
【０００８】
上記のようにゲート開口部１４を開閉するゲート弁１５は逆圧対応である必要がある。基板４が大型化すると、ゲート開口部１４の断面積を大きく設定する必要があるため、ゲート弁１５は機構が複雑化して大型化し、高価になる傾向がある。特に、上記複数の真空容器１を備えるクラスター形式やマルチチャンバ形式の場合には、真空容器１の数に対応する個数のゲート弁１５が必要となるため、基板４が大型化すると大幅なコスト増大につながる。
【０００９】
また、ゲート開口部１４の断面積を大きくしても、大型の基板４を高速で真空容器１内に搬入出するのは困難であり、スループットを向上することができない。
【００１０】
これらの問題は、ＩＣＰエッチング装置に限らず、プラズマエッチング装置を含む他のプラズマエッチング装置、スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置についても該当する。
【００１１】
そこで、本発明は、真空容器内へ基板を搬入出するためのゲート開口部及びゲート弁をなくし、大型の基板であっても高速で信頼性の高い真空容器に対する搬入出を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための、本発明は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される基板保持台と、前記真空容器の外側に配置されたコイルに高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供給装置からなるプラズマ処理装置であって、上記真空容器は、分離可能な上側部と下側部とからなり、上記下側部を、上記上側部に対して当接させて上記真空処理室を閉鎖する上昇位置と、上記上側部に対して離反させて上記真空処理室を開放する降下位置とに移動させる昇降機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。下側部の昇降により真空処理室を開閉することができるため、基板を搬入出するためのゲート開口部及びこのゲート開口部を開閉するためのゲート弁を設ける必要がない。従って、装置構造の簡易化と、コストの低減を図ることができる。また、下側部が上側部に対して離反することにより真空処理室が開放されるため、開放された真空処理室は真空容器の水平方向全周で外部空間と連通する。従って、大型の基板であっても高速で真空処理室への搬入出を行うことができる。上記上側部及び上記下側部は、それぞれ半球殻状である。
【００１３】
具体的には、上記真空容器の下側部の外側にケーシングを備え、このケーシングの内部空間は、上記真空容器に対して基板を搬入出するための基板移載機構が配設された移載室であり、上記真空容器の下側部が上記上昇位置にあると、上記真空処理室と上記移載室とが遮断され、上記真空容器の下側部が上記降下位置にあると、上記真空処理室と上記移載室とが連通する。真空処理室の開放時には、真空処理室と移載室は真空容器の水平方向全周で連通するため、大型の基板であっても移載室内の基板移載機構によって高速で真空処理室へ搬入出することができる。
【００１４】
さらに具体的には、上記基板搬送機構は、基板を保持して水平方向に旋回する搬送アームを備える。真空処理室と移載室は真空容器の水平方向全周で連通するため、水平方向に旋回するアームにより効率的に基板の搬入出を行うことができる。
【００１５】
また、上記真空処理室内に配置され、上記基板を保持する基板保持台と、上記基板保持台に対して基板を上昇させて上記搬送アームによる基板の移載を可能とする突き上げ機構を備える。
この基板保持台を昇降可能とし、上記突き上げ機構が、上記基板保持台の降下と連動して基板保持台から基板を上昇させてもよい。
【００１６】
上記下側部が上記上昇位置にあるときに、上記下側部を上記上側部に対して付勢する付勢機構を設けてもよい。この付勢機構を設けることにより、真空処理室の大気圧開放時に下側部を上側部に対して強固に押し付けて真空処理室と移載室を遮断することができる。従って、メンテンナス等のために真空処理室を大気圧開放した場合にも、移載室の真空を確実に保持することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＩＣＰエッチング装置２１を示している。このＩＣＰエッチング装置２１は、図８に示すマルチチャンバ式のプラズマ処理装置の一部を構成している。詳細には、マルチチャンバ式のプラズマ処理装置は、その内部が移載室２２を構成するケーシング２３を備えており、この移載室２２に複数個（本実施形態では４個）のＩＣＰエッチング装置２１が取り付けられている。移載室２２にはロードドック２４から供給された基板２５を各ＩＣＰエッチング装置２１に対して搬入出するためのダブルアーム型の基板搬送ロボット（移載機構）２６が収容されている。図９に示すように、基板搬送搬送ロボット２６はそれぞれ基板２５を保持するためのブレード２７ａ，２７ｂを先端に有する進退可能な搬送アーム２８ａ，２８ｂと、これらの搬送アーム２８ａ，２８ｂの基端が取り付けられた旋回及び昇降可能なベース２９とを備えている。
ＩＣＰエッチング装置２１の真空容器３０は、上半球部（上側部）３１、下半球部（下側部）３２、及びリングプレート３３を備えている。上半球部３１と下半球部３２は半球殻状であり、その内面及び外面が半球面である。また、リングプレート３３の内面も球面の一部を構成している。従って、上半球部３１、下半球部３２、及びリングプレート３３の内面により区画される真空処理室３４は球状である。詳細には、真空処理室３４の上側の部分（北半球部分）が上半球部３１により区画され、下側の部分（南半球部分）が下半球部３２により区画され、上下方向中央部分（赤道部分）がリングプレート３３により区画されている。基板２５をその上面に保持する基板保持台３６は下半球部３２内のリングプレート３３付近に配設されている。そのため、基板２５は赤道面（真空処理室３４の内部空間の中心を通り、真空容器３０の上半球部３１の極と下半球部３２の極とを結ぶ軸に対して垂直な平面）付近に、水平な姿勢で配置されている。
【００１８】
上半球部３１は透明性を有する誘導体である石英からなるが、ＳｉＮ等の他の誘電体であってもよい。下半球部３２及びリングプレート３３は、上半球部３１と同様に石英であってもよく、コスト及び取扱性を考慮して硬質アルマイト処理を施したアルミニウム製としてもよい。
【００１９】
ケーシング２３の上部には開口２３ａが設けられており、この開口２３ａの周縁部分にリングプレート３３が固定されている。リングプレート３３とケーシング２３の壁部との間にはＯリングにより気密性が確保されている。上半球部３１はリングプレート３３の上面に固定されている。上半球部３１とリングプレート３３との間もＯリングにより気密性が確保されている。後に詳述するように、下半球部３２は、図１に示すようにリングプレート３３の下面に当接する上昇位置と、図２に示すようにリングプレート３３の下面から離反する降下位置とに移動可能である。下半球部３２の上端にもＯリングが取り付けられている。
【００２０】
図１及び図４に示すように、半球面状である上半球部３１の内面に沿って、真空処理室３４内にガスを噴出するための複数の石英チューブ３８が配置されている。これらの石英チューブ３８は基端側が上半球部３１の極の部分で合流し、継手３９を介してガス供給源４０に接続されている。
【００２１】
図１及び図５に示すように、上半球部３１の外面に沿って複数の誘導結合プラズマコイル（ＩＣＰコイル）コイル４２が配置されている。これらのコイル４２は、それぞれ螺旋状に配置されており、いわゆるマルチスパイラルコイルを構成している。各コイル４２の基端側は高周波電源４３に接続されており、その間にはマッチング回路４４が介設されている。
【００２２】
図１及び図６に示すように、コイル４２の外側には上半球部３１の半球状の輪郭に沿って複数の赤外線ランプヒータ４５が配置されている。赤外線ランプヒータ４５は上半球部３１及びコイル４２に対して間隔をあけて配置されている。また、赤外線ランプヒータ４５は上半球部３１の極に対して対称に放射状に延びるように配置されている。赤外線ランプヒータ４５の外側には半球状の反射板４６が配置されている。
【００２３】
図１に示すように、下半球部３２の極（南極）には、真空処理室３４からガスを排出するための排出口４７が設けられている。この排出口４７はベローズ４８によりケーシング２３の下部に設けられた開口２３ｂに接続されている。また、この開口２３ｂはメインバルブ４９兼オートプレッシャーコントロールバルブ４９であるバルブ４９を介して真空ポンプ５０に接続されている。基板保持台は鉛直方向に延びる中空ブラケット５１の先端に固定されている。一方、中空ブラケット５１の下端は、ケーシング２３の開口２３ｂの周縁に取り付けられた支持体５２に固定されている。図７に示すように、支持体５２には真空容器３０の排気部からバルブ４９へ向けてガスが通過できるように、開口５２ａが設けられている。
【００２４】
次に、下半球部３２の昇降機構について説明する。
下半球部３２には昇降シャフト５３の上端が固定されている。昇降シャフト５３はケーシング２３の下部に設けられた挿通孔２３ｃを通って移載室２２の外部に突出している。また、昇降シャフト５３の下端には昇降プレート５４が固定されている。ケーシング２３の下面と昇降プレート５４はベローズ５５により連結されており、このベローズ５５内に昇降シャフト５３が挿通されている。鉛直方向に延びるボールねじ５６が昇降プレート５４に固定されたナット５７が螺合している。また、ボールねじ５６はスプライン継手５８を介してモータ５９の出力軸に連結されている。従って、モータ５９によりボールねじ５６が回転駆動されると、その回転方向に応じて昇降プレート５４が昇降する。また、昇降プレート５４と下半球部３２は昇降シャフト５３により連結されているため、昇降プレート５４と共に下半球部３２が昇降する。詳細には、下半球部３２は、図１に示すようにリングプレート３３の下面に当接して真空処理室３４を密閉する上昇位置と、図２に示すようにリングプレート３３の下面から離反して真空処理室３４を開放する降下位置に移動する。
【００２５】
上記ボールねじ５６のみでは下半球部３２をリングプレート３３に対して押し付ける推力が不足し、真空処理室３４内を確実に密閉することができない。そこで、下半球部３２に対する推力を補助する機構が設けられている。まず、昇降プレート５４の下方に、シリンダ６０が配設されている。このシリンダ６０の上向に延びるロッドの先端には付勢プレート６１が固定され、この付勢プレート６１に対応する係合孔６２が昇降プレート５４に設けられている。図２に示すように、下半球部３２が降下位置にあるときには、シリンダ６０のロッドが引込位置にあり、付勢プレート６１は昇降プレート５４から離れている。しかし、図１に示すように、下半球部３２が上昇位置にあるときには、シリンダ６０のロッドが突出位置となり、係合孔６２に嵌まり込んだ付勢プレート６１により昇降プレート５４が上向に付勢される。ボールねじ５６とモータ５９の出力軸はスプライン継手５８を介して連結されているため、ボールねじ５６の回転停止中もある程度上昇可能である。従って、付勢プレート６１から作用する上向の推力は昇降プレート５４から昇降シャフト５３を経て下半球部３２に伝達される。その結果、下半球部３２はリングプレート３３の下面に対して強く押し付けられ、下半球部３２とリングプレート３３の間に介在するＯリングが大きく圧縮される。トグル機構等の他の手段で下半球部３２を上半球部３１に対して付勢してもよい。
【００２６】
このＩＣＰエッチング装置２１では、下半球部３２の昇降により真空処理室３４を開閉することができるため、基板２５を搬入出するためのゲート開口部及びこのゲート開口部を開閉するためのゲート弁（図１６参照）を設ける必要がない。従って、装置構造の簡易化と、コストの低減を図ることができる
【００２７】
次に、図３及び図７を参照して、基板保持台３６に対して基板２５を昇降させる突き上げ機構について説明する。まず、基板保持台３６内に突き上げブラケット６３が昇降自在に収容されている。この突き上げブラケット６３の上面には突き上げピン６４の基端側が固定されている。突き上げピン６４は、突き上げブラケット６３の位置に応じて基板保持台３６から突出可能である。突き上げブラケット６３は中空ブラケット５１内に延びる駆動シャフト６５の上端に固定されている。この駆動シャフト６５は中空シャフトの内部と真空処理室３４を遮断するためのベローズ６６に挿通されている。駆動シャフト６５の下端が固定されたプレート６７にはボールねじ６８の先端が連結されている。また、中空ブラケット５１内には、円筒体６９が軸受７０によってそれ自体の軸線回りに回転自在に支持されている。この円筒体６９には、上端にボールねじ６８と係合するナット７１が固定され、下端にギア７２ａが固定されている。このギア７２ａは支持体５２内で水平方向に延びる水平シャフト７３の一端に固定されているギア７２ｂに係合している。支持体５２から外部に突出している水平シャフト７３の他端に固定されたギア７２ｃは、モータ７４の出力軸に固定されたギア７２ｄに係合している。この突き上げ機構では、モータ７４が回転すると円筒体６９と共にナット７１が回転し、その回転方向に応じてボールねじ６８が昇降する。その結果、突き上げブラケット６３と共に突き上げピン６４が昇降する。エッチング処理時には、突き上げブラケット６３は図３において実線で示す降下位置にあり、突き上げピン６４の先端は基板保持台３６の上面と一致している。一方、基板２５の移載時には突き上げブラケット６３は図３において点線で示す上昇位置にあり、突き上げピン６４の先端が基板保持台３６の上面から突出して基板保持台３６に対して基板２５を上昇させる。
【００２８】
基板２５に対してエッチングを行う際には、ガス供給源４０から供給されたガスが石英チューブ３８のガス噴出口４１から真空処理室３４内に噴出される。また、真空ポンプ５０により真空処理室３４から排出口４７を介してガスが排出され、バルブ４９によって真空処理室３４内は一定の圧力に維持される。高周波電源４３からコイル４２に対して高周波電力が供給されると、真空処理室３４内にプラズマ７５が発生し、基板２５がエッチングされる。
【００２９】
基板交換時には、図２に示すように、下半球部３２が降下して、リングプレート３３から離れる。その結果、真空処理室３４が開放されて移載室２２と連通する。次に、突き上げプレート６７の上昇により突き上げピン６４が基板保持台３６から突出し、処理済の基板２５が基板保持台３６から上昇する。次に、搬送アーム２８ａ，２８ｂにより処理済の基板２５が次の基板２５と交換される。この際、真空処理室３４と移載室２２とは真空容器３０の水平方向全周で連通しており、搬送アーム２８ａ，２８ｂが真空処理室３４内に進入するための空間が水平方向に広く確保されている。従って、両方の搬送アーム２８ａ，２８ｂを同時に延ばした状態で、旋回動作と昇降動作とにより基板２５の交換を行うことができ、高速で信頼性の高い基板２５交換を実現できる。
【００３０】
メンテナンス等のために真空処理室３４を大気圧に開放する場合には、図１に示すように、シリンダ６０のロッドを突出位置とし、付勢プレート６１により下半球部３２をリングプレート３３に向けて上向きに付勢する。これによって大気圧に開放される真空処理室３４と移載室２２とが確実に遮断されるため、移載室２２の真空は確実に保持される。従って、図８に示すように共通の移載室２２に設けられた複数のＩＣＰエッチング装置２１の真空容器３０を互いに独立して大気開放することができる。
【００３１】
（第２実施形態）
次に、図１０から図１５に示す本発明の第２実施形態に係るＩＣＰエッチング装置２１について説明する。
このＩＣＰエッチング装置２１は基板保持台３６の昇降機構を備え、基板保持台３６の昇降と突き上げピン６４の動作が連動する。
【００３２】
図１０及び図１３に示すように、突き上げピン６４はその下端が基板保持台３６の下面から突出するように基板保持台３６に挿通されている。突き上げピン６４の下端にはばね受け板７７が固定され、ばね受け板７７と基板保持台３６の下面との間にはばね７８が配置されている。基板保持台３６の下面とばね受け板７７とはベローズ７９により連結されており、このベローズ７９内に突き上げピン６４の下部とばね７８が収容されている。図１３に示すように、ばね７８の付勢力により突き上げピン６４はその先端が基板保持台３６の上面と一致するように位置決めされている。
【００３３】
図１３及び図１５に示すように、基板保持台３６は鉛直方向に延びるボールねじ８０の上端に固定されている。基板保持台３６の下面と係止部材８１がベローズ８２により連結されており、ボールネジはこのベローズ８２に挿通されている。図１４に示すように、係止部材８１は中空ブラケット８３の上端に固定されており、ボールねじ８０の下端側は係止部材８１を通過して中空ブラケット８３の内部に延びている。中空ブラケット８３内には円筒体８４が軸受８５により支持されている。この円筒体８４の上端にはボールねじ８０と係合するナット８６が固定されている。中空ブラケット８３の下端が固定された支持体５２内で円筒体８４の下端に固定されたギア８８ａと、水平方向に延びる水平シャフト８７の一端に固定されたギア８８ｂが係合している。支持体５２外に位置する水平シャフト８７の他端に固定されたギア８８ｃは、モータの出力軸に固定されたギア８８ｄと係合している。この突き上げ機構では、モータが回転すると円筒体８４と共にナット８６が回転し、その回転方向に応じてボールねじ８０が昇降する。このボールねじ８０の昇降により、基板保持台３６が昇降する。
【００３４】
図１０及び図１３に示すように、基板保持台３６が最も上昇した位置にあるときには、ばね受け板７７と係止部材８１との間には、距離ａの隙間が存在している。従って、基板保持台３６の最上昇位置からの降下量がこの距離ａに達するまでの範囲では、突き上げピン６４は駆動されず、基板保持台３６の鉛直方向の位置のみが変化する。一方、図１２に示すように、基板保持台３６の最上昇位置から降下量が距離ａを超えると、ばね７８の付勢力に抗してばね受け板７７が押し上げられるため、基板保持台３６の上面から突き上げピン６４が突出する。この突き上げピン６４の突出により基板２５が基板保持台３６から上昇する。
【００３５】
図１０及び図１５に示すように、基板保持台３６にはその周囲を取り囲むアースシールド板８９が取り付けられている。このアースシールド板８９にはガスを通過させるための多数の貫通孔９０が設けられている。基板保持台３６の昇降と共に、このアースシールド板８９も昇降する。第２実施形態のその他の構成は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
図１０に示すように、エッチング処理時には、石英チューブ３８のガス噴出口４１から真空処理室３４内にガスが噴出される一方、真空ポンプ５０により排気部を介して真空処理室３４からガスが排出され、バルブ４９によって真空処理室３４内は一定の圧力に維持される。真空処理室３４は球状であり、上半球部３１の極側から供給されたガスが、下半球部３２極側から排出されて、ガス流れ７６が形成される。高周波電源４３からコイル４２に高周波電力を供給すると、プラズマ７５が発生し、基板２５がエッチング処理される。
【００３７】
基板交換時には、下半球部３２が図１０に示すようにリングプレート３３に当接する上昇位置から、図１１で示すリングプレート３３から離反した降下位置に降下する。その結果、真空処理室３４が開放されて移載室２２と連通する。次に、図１２に示すように、基板保持台３６が距離ａを越えて降下し、突き上げピン６４が基板保持台３６から突出することにより処理済の基板２５が基板保持台３６から上昇する。その後に、搬送アーム２８ａ，２８ｂにより基板２５が交換されるが、真空処理室３４と移載室２２とは真空容器３０の水平方向全周で連通しているため、両方の搬送アーム２８ａ，２８ｂを同時に延ばした状態で、高速で信頼性の高い基板２５交換を行うことができる。
【００３８】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態はＩＣＰエッチング装置２１を例として説明したが、本発明は、高周波（Very High Frequency（ＶＨＦ））プラズマエッチング装置、反応イオンエッチング（Reactive Ion etching(ＲＩＥ)）装置、上部電極と下部電極の両方に高周波電力を印加する２周波ＲＩＥ装置を含む他のプラズマエッチング装置、スパッタリング装置、プラズマ７５ＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置にも適用することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明のプラズマ処理装置では、真空容器が分離可能な上側部及び下側部からなり、昇降機構によって下側部を昇降させることにより、真空処理室を開閉することができる。よって、基板を搬入出するためのゲート開口部及びこのゲート開口部を開閉するためのゲート弁を真空容器に設ける必要がなく、装置構造の簡易化と、コストの低減を図ることができる。また、下側部が上側部に対して離反することにより真空処理室が開放されるため、開放された真空処理室は真空容器の水平方向全周で外部空間と連通する。従って、大型の基板であっても高速で真空処理室への搬入出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＩＣＰエッチング装置（真空処理室閉鎖時）を示す縦断面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＩＣＰエッチング装置（真空処理室開放時）を示す縦断面図。
【図３】基板突き上げ機構を示す概略縦断面図。
【図４】ガス注入石英チューブを示す斜視図。
【図５】コイルの配置を示す概略斜視図。
【図６】赤外線ランプヒータの配置を示す斜視図。
【図７】支持体を示す概略斜視図。
【図８】マルチチャンバ式の真空処理装置を示す一部破断斜視図。
【図９】移載機構を示す斜視図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るＩＣＰエッチング装置（真空処理室閉鎖時）を示す縦断面図。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るＩＣＰエッチング装置（真空処理室開放時）を示す縦断面図。
【図１２】本発明の第２実施形態に係るＩＣＰエッチング装置（基板上昇時）を示す縦断面図。
【図１３】基板突き上げ機構を示す概略斜視図。
【図１４】係止部材を示す部分斜視図。
【図１５】基板保持台を示す部分斜視図。
【図１６】従来のプラズマ処理装置の一例を示す縦断面図。
【符号の説明】
２２            移載室
２３            ケーシング
２５            基板
２６            基板搬送ロボット
２８ａ，２８ｂ        搬送アーム
３０            真空容器
３１            上半球部
３２            下半球部
３３            リングプレート
３４            真空処理室
３６            基板保持台
３８            石英チューブ
４２            コイル
４５            赤外線ランプヒータ
４６            反射板
４７            排気口
５０            真空ポンプ
６１            付勢プレート
６３            突き上げブラケット
６４            突き上げピン
７５            プラズマ
７６            ガス流れ
７７            ばね受け板
７８            ばね
８１            係止部材
８９            アースシールド板
９０            貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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