(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電子部品が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、前記搭載部周辺から絶縁基体の側面を介し下面に導出する外部接続用導体とから成る配線基板であって、前記外部接続用導体は配線基板の側面と下面とで形成される角部領域での厚みをＴ1、絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みをＴ2としたとき、Ｔ1＞Ｔ2であるとともに、前記外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記厚みＴ１及びＴ2が、０．４Ｔ1≦Ｔ2≦０．７５Ｔ1、８μｍ≦Ｔ2≦１２μｍを満たすことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や容量素子等の電子部品を搭載するための配線基板に関し、詳しくは多数個取り基板を焼成した後にいわゆるチョコレートブレークにより個々の基板に分割して得られる配線基板に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、半導体素子や容量素子等の電子部品を搭載するための配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体から成り上面に電子部品の搭載部を有する絶縁基体と、タングステンやモリブデン等の高融点金属材料から成り絶縁基体の搭載部周辺から側面を介して下面に導出する外部接続用導体とから構成されている。
【０００３】
そして、絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載固定するとともに電子部品の各電極を搭載部周辺の外部接続用導体に電気的に接続した後、必要に応じて電子部品を蓋体や封止用樹脂で封止することにより製品としての電子装置となる。この電子装置は、外部接続用導体のうち絶縁基体の側面から下面に導出された部位が半田等の低融点ロウ材を介して外部電気回路に接続され、搭載された電子部品が外部接続用導体を介して外部電気回路と電気的に接続される。
【０００４】
このような配線基板は、近時の電子装置の小型化に伴い、その大きさが数ｍｍ角程度の極めて小さなものとなってきており、その製作に際して、焼成後に絶縁基体用の母基板となる広面積のセラミックグリーンシート積層体に複数個分の絶縁基体となる領域を縦横の並びに配列して一体的に形成するとともに、この積層体の上下面に各々の絶縁基体となる領域に区画する分割溝を所定の深さで形成しておき、これを焼成して得た複数個の配線基板の集合体を分割溝に沿って分割（チョコレートブレーク）することによって、多数個を集約的に製作すること（多数個取り）が行なわれている。
【０００５】
前記配線基板の外部接続用導体のうち、絶縁基体の搭載部周辺から側面にかけて導出される部位と、下面に形成される部位とは、母基板となるセラミックグリーンシートの表面に、タングステンやモリブデン等の導電ペーストをスクリーン印刷法で所定パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【０００６】
また前記外部接続用導体のうち、絶縁基体の側面に被着形成される部位は、前記セラミックグリーンシート積層体の分割溝が形成される位置に、分割線に跨るようにして貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面に沿って導電ペーストを、外部接続用導体の搭載部周辺から導出される部位に接続するようにして印刷塗布しておくことにより形成される。この場合、前記配線基板の集合体を分割溝に沿って分割するときに貫通孔も２分割され、切り欠き部表面に印刷塗布・焼成された導電ペーストが配線基板の側面の外部接続用導体となる。
【０００７】
また、セラミックグリーンシート積層体に形成された貫通孔の内壁面に対する導電ペーストの印刷塗布は、例えば、貫通孔の一端側から内部に導電ペーストをスクリーン製版等を介して供給するとともに貫通孔の他端側から真空吸引を施し、貫通孔内壁面に沿って適量の導電ペーストが残留・被着するようにして行なわれる。なお、このときの導電ペーストは、貫通孔内壁面に沿って適量が残留するように、約５００〜１５００ポイズ（約５０〜１５０Ｐａ・Ｓ）と比較的高くされており、塗布された導電ペーストはほぼ全域で約２０μｍ〜２５μｍ程度の厚みとなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように配線基板の集合体を分割溝に沿ってチョコレートブレークして得られた配線基板では、貫通孔の内壁面に塗布・形成された導電ペースト（外部接続用導体）の厚みが約２０μｍ〜２５μｍと比較的厚く、応力が加わったときに延びやすいこと、また、分割溝がある程度の深さにまでしか到達しておらず、絶縁基体の厚み方向の中央領域において母基板が瞬間的に大きな引っ張り応力で破断されることにより分割されることになり、このときに外部接続用導体に大きな応力が加わることから、絶縁基体の側面に形成される外部接続導体の一部が外側に延びるようにして変形、突出してしまい、配線基板に外観不良や電気特性の不良等を生じてしまうという問題があった。
【０００９】
特に、外部接続用導体の低電気抵抗化を図るため、絶縁基体をガラスセラミック焼結体等の低温焼成材料で形成し、外部接続用導体を低電気抵抗の銅、銀、金またはその合金等で形成する場合が多くなり、このような銅や銀、金は展性、延性が大きいことから、上述のような配線基板の側面の外部接続用導体の延び変形・突出の発生が顕著なものとなってきている。
【００１０】
また外部接続用導体のうち、配線基板の側面に形成されるものは、ほぼ全域で同じ厚みであるため、上述のような外部接続用導体の延び・変形を防止するために導電ペーストの印刷量を減らして（全域で）塗布厚みが薄くなるようにすると、この外部接続用導体を外部電気回路に低融点ロウ材を介して接続したとき、外部接続用導体に対する低融点ロウ材の接合強度を確保することができず、配線基板を外部電気回路に強固に接続することができない、という問題が誘発される。
【００１１】
本発明は上記従来の問題に鑑み案出されたものであり、その目的は、例えば外部接続用導体が銅、銀等の展性、延性の大きな金属材料で形成されていたとしても、外部接続用導体に延び変形・突出等の問題が発生することがなく、かつ外部電気回路基板に強固に接続することが可能な配線基板を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、上面に電子部品が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、前記搭載部周辺から絶縁基体の側面を介し下面に導出する外部接続用導体とから成る配線基板であって、前記外部接続用導体は配線基板の側面と下面とで形成される角部領域での厚みをＴ1、絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みをＴ2としたとき、Ｔ1＞Ｔ2であるとともに、前記外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出していることを特徴とするものである。
また、本発明の配線基板は、好ましくは、前記厚みＴ１及びＴ2が、０．４Ｔ1≦Ｔ2≦０．７５Ｔ1、８μｍ≦Ｔ2≦１２μｍを満たすことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の配線基板によれば、外部接続用導体のうち配線基板の側面と下面とで形成される角部領域での厚みをＴ1、絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みをＴ2としたとき、Ｔ1＞Ｔ2としたことから、外部接続用導体のうち絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みを薄くして延び難くすることができ、母基板を分割（チョコレートブレーク）するときに大きな応力が加わったとしても、外部接続用導体が大きく延び変形・突出することはなく、配線基板に外観・特性上の不具合が発生することを有効に防止することができる。
【００１４】
また同時に、本発明の配線基板によれば、外部接続用導体のうち、絶縁基体の側面と下面とで形成される角部領域での厚みＴ1がＴ2に比べて厚いことから、外部接続用導体を低融点ロウ材を介して外部電気回路に接続したとき、低融点ロウ材を強固に接合させるのに十分な導体の厚さを絶縁基体下部周辺で確保することができ、低融点ロウ材と外部接続用導体との接合を強固とし、配線基板を外部電気回路基板に対して強固に接合することができる。
【００１５】
また本発明の配線基板によれば、外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出しているものとしたことから、外部接続用導体の外表面が中央領域から下端にかけて曲面状、階段状等の非平面状に変化し、この外部接続用導体と低融点ロウ材との接合界面も非平面状となるため、外部接続用導体と低融点ロウ材との接合界面に熱応力等の応力が加わったとき、この応力を多方向に分散させることができ、外部接続用導体に対する低融点ロウ材の接続信頼性を良好とし、配線基板の外部電気回路基板に対する接続信頼性を良好とすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素子収納用を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は外部接続用導体である。これらの絶縁基体１および外部接続用導体２により半導体素子３を搭載するための配線基板４が形成される。
【００１７】
前記絶縁基体１は、ガラスセラミック焼結体、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面に半導体素子３を搭載する搭載部１ａを有し、該搭載部１ａに半導体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して接着固定、搭載される。
【００１８】
この絶縁基体１は、いわゆる多数個取り用の母基板から製作される。具体的には、焼成後に絶縁基体１用の母基板となる広面積のセラミックグリーンシート積層体に複数個分の絶縁基体１となる領域を縦横に並べて一体的に配列形成し、この積層体の下面または上下面にカッター刃やプレス金型で切り込みを入れることにより各々の絶縁基体１となる領域を区画する分割溝を形成し、次にこれを焼成して絶縁基体１が母基板中に縦横の並びに複数個一体的に形成された集合体を得、この集合体を分割溝に沿ってチョコレートブレークすることによって、多数個が同時集約的に製作される。
【００１９】
また前記絶縁基体１は、その上面の半導体素子３が搭載される搭載部１ａ周辺から側面を介し下面に導出する外部接続用導体２が被着形成されている。
【００２０】
前記外部接続用導体２は、絶縁基体１の搭載部１ａ周辺の部分に半導体素子３の電極がボンディングワイヤ５等を介して接続され、また、図２に示すように、絶縁基体１の側面部分および下面部分が外部電気回路基板の配線導体６と低融点ロウ材７を介して接続される。
【００２１】
このような外部接続用導体２は、例えば絶縁基体１がガラスセラミック焼結体から成る場合、絶縁基体１（母基板）となるセラミックグリーンシートの表面、およびセラミックグリーンシート積層体の各配線基板となる領域の側面に、銅、銀、金等の粉末を有機溶剤・バインダーと混練して成る導電ペーストを所定パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。この場合、セラミックグリーンシート積層体の絶縁基体１の側面となる領域に導電ペーストを塗布できるように、あらかじめ貫通孔等の開口部をセラミックグリーンシート積層体に設けておく必要がある。セラミックグリーンシート積層体の絶縁基体１となる各領域の側面に印刷された導電ペーストは、焼成後、母基板をチョコレートブレークすることにより２分割され、外部接続用導体２のうち絶縁基体１の側面部分となる。
【００２２】
なお、前記分割溝は母基板の下面から母基板の厚さの約１／５〜１／３程度の深さで形成され、チョコレートブレークは、この分割溝に沿って下方に折り曲げるように応力を加え、分割溝の到達していない母基板の厚み方向の中央領域を（引っ張り）応力で分断させることにより行なわれる。
【００２３】
本発明においては、前記外部接続用導体２について、配線基板４の側面と下面とで形成される角部領域Ａでの厚みをＴ１、絶縁基体１の厚み方向の中央領域Ｂでの厚みをＴ2としたとき、Ｔ1＞Ｔ2であるとともに、前記外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出していることが重要である。
【００２４】
前記外部接続用導体２について、絶縁基体１の厚み方向の中央領域Ｂでの厚みＴ2を、Ｔ1＞Ｔ2（好ましくは０．４Ｔ1≦Ｔ2≦０．７５Ｔ1、８μｍ≦Ｔ2≦１２μｍ）の関係式を満足するように薄くすることにより、外部接続用導体２が銅等の展性、延性の大きな金属材料で形成されていたとしても延び難くすることができ、母基板を分割（チョコレートブレーク）するときに外部接続用導体２のうち、絶縁基体１の厚み方向の中央部分Ｂに大きな応力が加わったとき、外部接続用導体２が大きく延び変形・突出することはなく、配線基板４に外観・特性上の不具合が発生することを有効に防止することができる。
【００２５】
また、外部接続用導体２のうち、絶縁基体１の側面と下面とで形成される角部領域Ａでの厚みＴ1を厚くしていることから、外部接続用導体２を低融点ロウ材７を介して外部電気回路基板の配線導体６に接続したとき、低融点ロウ材７を強固に接合させるのに十分な導体の厚さを確保することができ、配線基板４を外部電気回路基板に強固に接合することができる。
【００２６】
また、外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出しているものとして、絶縁基体１の側面と下面とで形成される角部Ａから中央領域Ｂとで外部接続用導体２の厚みが異なることから、外部接続用導体２の外表面が前記角部Ａから中央領域Ｂにかけて非平面状（図２の例では曲面状）に変化し、この外部接続用導体２と低融点ロウ材７との接合界面も非平面状となるため、外部接続用導体２と低融点ロウ材７との接合界面に、絶縁基体１と外部電気回路基板との熱膨張係数の差に起因する熱応力等の応力が加わったとき、この応力を前記接合界面に沿って多方向に分散させることができ、外部接続用導体２に対する低融点ロウ材７の接続信頼性を極めて良好とすることができる。
【００２７】
この場合、Ｔ2＜８μｍと薄くなりすぎると、絶縁基体１の厚み方向の中央領域Ｂでの外部接続用導体２の厚みが不十分となり、外部接続用導体２と低融点ロウ材７との接合強度が不足し、配線基板４を外部電気回路基板に強固に接合することができず、またＴ2＞１２μｍと厚くなりすぎると、母基板を分割溝に沿ってチョコレートブレークするときに外部接続用導体２に作用する応力により外部接続用導体２が外側に引っ張られて延び、変形して突起を発生させてしまう。したがって、前記外部接続用導体２の、絶縁基体１の厚み方向の中央領域Ｂでの厚みＴ2は、８μｍ≦Ｔ2≦１２μｍの範囲とする必要がある。
【００２８】
また、Ｔ2＜０．４Ｔ1となると、Ｔ2に比べてＴ1の厚みが大きくなり過ぎ、Ｔ1の厚みの部分において外部接続用導体２の絶縁基体１に対する被着強度の低下等の不具合を生じさせてしまい、Ｔ2＞０．７５Ｔ1となると、Ｔ1とＴ2との厚みの差が小さいため、Ｔ1の厚みの部分において外部接続用導体２の厚みが不十分になり、外部接続用導体２に低融点ロウ材７を強固に接合させることができず、配線基板４を外部電気回路基板に強固に接続することができなくなってしまう。したがって、前記外部接続用導体２について、配線基板４の側面と下面とで形成される角部領域Ａでの厚みをＴ1、絶縁基体１の厚み方向の中央領域Ｂでの厚みをＴ2としたとき、Ｔ1およびＴ2は０．４Ｔ1≦Ｔ2≦０．７５Ｔ1の範囲とする必要がある。
【００２９】
なお、前記外部接続用導体２について、厚みＴ1の領域（配線基板４の側面と下面とで形成される角部領域Ａ）と厚みＴ2の領域（絶縁基体１の中央領域Ｂ）との境界部分は、図２に示したように、厚みが連続して変化するように滑らかな曲面状につながるものに限らず、図３（ａ）（ｂ）に示すように、段状や傾斜面状につながるようにしてもよい。
【００３０】
また、前記外部接続用導体２は、その露出表面に、ニッケルや銅、金等の耐食性、ボンディング性、低融点ロウ材の濡れ性等に優れた金属から成るめっき層を被着させておくと、外部接続用導体２の酸化腐食を効果的に防止することができるとともに、外部接続用導体２にボンディングワイヤ５や低融点ロウ材７をより一層確実・強固に接続することができる。従って、前記外部接続用導体２は、その露出表面に、ニッケル、銅、金等のめっき層（図示せず）を１〜２０μｍの厚さ、例えばニッケルめっき層を１〜１０μｍ、金めっき層を０．０３〜３μｍの厚さとなるように被着させておくことが好ましい。なお、前記めっき層の厚さは、外部接続用導体２の部位に応じて適宜変えるようにしてもよく、例えば、ボンディングワイヤ５が接続される部位の金めっき層を１．５〜３μｍと厚くしてボンディング性を高くし、低融点ロウ材７が接続される部位の金めっき層の厚さを０．０３〜０．５μｍと薄くするようにして金−錫等の金属間化合物の生成を抑えて低融点ロウ材７の接続信頼性をより一層高めるようにしてもよい。
【００３１】
次に、上述の配線基板４の製造方法の一例について図４（ａ）乃至（ｅ）に基づいて詳細に説明する。なお、図４（ａ）乃至（ｅ）において、図１乃至図３と同一部分には同一符号を付している。
【００３２】
図４（ａ）乃至（ｅ）は上述の配線基板４の製造方法を説明するための各工程毎の断面図であり、まず図４（ａ）に示すように、広面積のセラミックグリーンシート２１を複数枚形成する。
【００３３】
前記セラミックグリーンシート２１は、例えば、絶縁基体１がガラスセラミック焼結体から成る場合、ホウ珪酸系ガラス、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法等でシート状に成形することにより形成される。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記複数のセラミックグリーンシート２１を、配線基板４の絶縁基体１となる領域に区画し、各区画内に所定の打ち抜き加工を施し、半導体素子３の搭載部１ａ形成用の開口部２３等を設けるとともに、各区画間に跨るようにして貫通孔２２を、金属ピンを用いた機械的な穴あけ加工や、レーザー加工等で形成する。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すように、前記セラミックグリーンシート２１の表面に外部接続用導体２となる導電ペースト２４を所定パターンに印刷塗布し、その後、セラミックグリーンシート２１を上下に積層するとともに、この積層体の貫通孔２２の内壁面に導電ペースト２４を印刷塗布する。
【００３６】
前記導電ペースト２４は、銅、銀、金等の金属粉末に有機溶剤・バインダー等を添加、混練することにより作製され、例えば、絶縁基体１がホウ珪酸系ガラス−酸化アルミニウム系のガラスセラミック焼結体からなる場合であれば銅ペーストが好適に使用される。
【００３７】
また、前記導電ペースト２４の貫通孔２２内壁面への印刷塗布は、例えば、貫通孔２２の配置に合わせて製作したスクリーン製版を介して導電ペーストを貫通孔２２の上端側から内部に供給するとともに貫通孔の下端側から真空吸引を施し、貫通孔２２内壁面に沿って適量の導電ペースト２４が残留・被着するようにして行なわれる。なお、このときの導電ペースト２４は、その粘度を２００〜２５００ポイズ（２０〜２５Ｐａ・Ｓ）の範囲としておくと、導電ペースト２４の粘度が適度に低くなり貫通孔２２の内壁面に残留・被着しにくくなるため、貫通孔２２の中央領域での導電ペースト２４の被着・塗布厚みを上述のように８μｍ〜１２μｍと薄くすることができるとともに、下端部分では導電ペースト２４の表面張力の効果により中央領域に対して１／０．４５〜１／０．７５倍と厚くなるように被着・塗布させることができる。
【００３８】
この場合、導電ペーストの粘度を低くしたことによりスクリーン製版から貫通孔内に供給される導電ペーストの量が多くなりすぎる、ということがないように、スクリーンのメッシュを、例えば約２００♯〜４００♯程度に細かくしておくことが好ましい。
【００３９】
なお、導電ペーストの粘度の調整は、添加する有機溶剤・バインダーの種類や添加量、添加するタイミング、混練時間等を調節すること等により行なうことができる。
【００４０】
次に、図４（ｄ）に示すように、セラミックグリーンシート２１の表面および貫通孔２２内壁面に導電ペースト２４を印刷塗布・被着させて成る積層体の下面にカッター刃やプレス金型で切り込みを入れることにより各々の絶縁基体１となる領域を区画する分割溝２５を形成し、
最後に、この積層体を焼成して、図４（ｅ）に示すように絶縁基体１が母基板中に縦横の並びに複数個一体的に形成された集合体を得、この集合体を分割溝２５に沿ってチョコレートブレークすることによって、多数個の配線基板４が同時集約的に製作される。
【００４１】
このとき、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、外部接続用導体２は、配線基板（となる領域）の下面と側面とで形成される角部での厚さが厚く、絶縁基体１（母基板）の厚み方向の中央領域での厚さが薄くなっている。分割溝２５は絶縁基体１（母基板）の下面側からある程度の深さ（図５（ｂ）のＲで示した線）までしか入っていないが、この分割溝の入っていない領域では外部接続用導体２の厚みが薄いため、母基板をチョコレートブレークするときに延びて変形することが効果的に防止される。また、外部接続用導体２の厚い領域には分割溝２５が入っているためチョコレートブレーク時に大きな応力が作用することはなく、延び変形することはない。
【００４２】
かくして本発明の配線基板４を用いた半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子３を搭載し、次に前記半導体素子３の各電極を外部接続用導体２にボンディングワイヤ５を介して電気的に接続させ、最後に絶縁基体１の上面に蓋体８をガラス、樹脂等から成る封止部材９を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体８とから成る容器内部に半導体素子３を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置となる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、上記実施例においては配線基板を半導体素子収納用パッケージに適用した例について説明したが、これを、混成集積回路基板に適用してもよい。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、外部接続用導体のうち配線基板の側面と下面とで形成される角部領域での厚みをＴ1、絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みをＴ2としたとき、Ｔ1＞Ｔ2としたことから、外部接続用導体のうち絶縁基体の厚み方向の中央領域での厚みを薄くして延び難くすることができ、母基板を分割（チョコレートブレーク）するときに大きな応力が加わったとしても、外部接続用導体が大きく延び変形・突出することはなく、配線基板に外観・特性上の不具合が発生することを有効に防止することができる。
【００４５】
また同時に、本発明の配線基板によれば、外部接続用導体のうち、絶縁基体の側面と下面とで形成される角部領域での厚みＴ1がＴ2に比べて厚いことから、外部接続用導体を低融点ロウ材を介して外部電気回路に接続したとき、低融点ロウ材を強固に接合させるのに十分な導体の厚さを絶縁基体下部周辺で確保することができ、低融点ロウ材と外部接続用導体との接合を強固とし、配線基板を外部電気回路基板に対して強固に接合することができる。
【００４６】
また本発明の配線基板によれば、外部接続用導体の前記角部領域における外面が下側ほど外側に迫り出しているものとしたことから、外部接続用導体の外表面が中央領域から下端にかけて曲面状、階段状等の非平面状に変化し、この外部接続用導体と低融点ロウ材との接合界面も非平面状となるため、外部接続用導体と低融点ロウ材との接合界面に熱応力等の応力が加わったとき、この応力を多方向に分散させることができ、外部接続用導体に対する低融点ロウ材の接続信頼性を良好とし、配線基板の外部電気回路基板に対する接続信頼性を良好とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の一実施例の断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明の配線基板の他の実施例の要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は図１に示す配線基板の製造方法の一例を示す工程毎の断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は図４に示す配線基板の要部拡大斜視図及び要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・絶縁基体
１ａ・・・搭載部
２・・・・外部接続用導体
３・・・・半導体素子
４・・・・配線基板
５・・・・ボンディングワイヤ
６・・・・外部電気回路基板の配線導体
７・・・・低融点ロウ材
Ａ・・・・配線基板の側面と下面とで形成される角部領域
Ｂ・・・・絶縁基体の厚み方向の中央領域
２１・・・セラミックグリーンシート
２２・・・貫通孔
２３・・・開口部
２４・・・導電ペースト
２５・・・分割溝
Ｒ・・・・分割溝の入っている深さを示す線
【図１】
0003769514.tif 000002
【図２】
0003769514.tif 000003
【図３】
0003769514.tif 000004
【図４】
0003769514.tif 000005
【図５】
0003769514.tif 000006