(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の矩形の絶縁板要素が一体的に積層された積層体よりなり、当該絶縁板要素の積層方向（Ｘ方向）に沿って平坦な表面および裏面が形成された板状の基板本体、並びに、この基板本体において互いに隣接する絶縁板要素における界面を形成する少なくとも一方の板面において、各々前記基板本体の厚み方向（Ｚ方向）に伸びてその一端面および他端面がそれぞれ基板本体の表面および裏面に露出した状態で、互いに界面方向に離間して並ぶよう金属薄層をパターニングすることにより形成された金属膜条体よりなる複数の配線路を有する配線路パターンよりなり、前記基板本体の表面における各配線路の一端面による表面電極素子の界面方向（Ｙ方向）における配置ピッチが、前記基板本体の裏面における各配線路の他端面による裏面電極素子のＹ方向における配置ピッチより小さいピッチ変換コネクターと、
このピッチ変換コネクターの表面に設けられた一方の接続配線層と、
前記ピッチ変換コネクターの下面に設けられた他方の接続配線層とを具えてなり、
前記一方の接続配線層は、その表面に形成された、前記ピッチ変換コネクターの表面電極素子に対応して配置された複数の接続用電極と、この接続用電極をこれに対応する表面電極素子に電気的に接続する、当該一方の接続配線層の厚み方向に伸びる短絡部とを有し、
前記他方の接続配線層は、その表面に形成された、標準格子点上に配置された端子電極と、前記ピッチ変換コネクターにおける裏面電極素子をいずれかの端子電極に電気的に接続する、当該他方の接続配線層の厚み方向に伸びる短絡部を含む層内配線部とを有し、この層内配線部により、前記端子電極と裏面電極素子のＸ方向およびＹ方向のピッチが変換された状態とされていることを特徴とするコネクター装置。
【請求項２】
一方の接続配線層の表面に、厚み方向に伸びる導電部を有する異方導電性エラストマー層が一体的に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のコネクター装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば回路基板とテスターとを電気的に接続するために用いられるコネクター装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、プリント回路基板などの回路基板においては、図２２に示すように、回路基板９０の中央部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域９１のための多数のリード電極９２が格子状に配列されてなるリード電極領域９３が形成される。そして、現在においては、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電極領域９３のリード電極数が一層増加し高密度化する傾向にある。
【０００３】
このような回路基板の電気的特性を検査するために、一般に、テスターと称される電気導通試験装置が使用されており、通常、電気的コネクター装置を介して、検査対象である回路基板がテスターに電気的に接続される。
ここに電気的コネクター装置としては、絶縁性基板よりなり、検査対象回路基板の被検査電極に対応した配置パターンで配置された接続用電極を表面に有し、テスターに対応した、通常、標準格子点位置に配置されたパターンの端子電極を裏面に有するピッチ変換コネクターが用いられる。
【０００４】
而して、ピッチ変換コネクターにおいては、検査対象回路基板の被検査電極の配置ピッチに対応した小さな配置ピッチで接続用電極を形成することが必要である。
従来、小さな配置ピッチの電極パターンを形成する場合に、例えばフォトリソグラフィによれば、高い信頼性を有するものを確実に形成することができることが知られている。そして、ピッチ変換コネクターの表面に、フォトリソグラフィによって接続用電極を形成することが行われている。
【０００５】
しかしながら、検査対象回路基板の被検査電極が格子点上の位置に配置されたものであって、その配置ピッチが、例えば０．３ｍｍ以下のような微小ピッチのものとなると、これに対応する微小ピッチの接続用電極をピッチ変換コネクターの表面に形成することは可能であっても、当該接続用電極と、裏面における端子電極のいずれかのものとを電気的に接続するために必要な、当該ピッチ変換コネクターの絶縁性基板をその厚み方向に伸び、かつ面方向に二次元的に拡がるように伸びる短絡用配線を形成することは、きわめて困難である。
【０００６】
このような短絡用配線を形成するために、従来、例えば多数の絶縁板を積重してなる積重体の両面および各界面に、例えばフォトリソグラフィによって配線路を形成すると共に、各絶縁板を貫通して形成されたスルーホールあるいはバイアホールを利用して各絶縁板を厚み方向に貫通して伸びる貫通短絡部を形成することが知られている。
【０００７】
しかしながら、このような構成では、ピッチ変換用コネクターの厚み方向に伸びる配線路の形成における制約が大きく、それ自体が微小な貫通短絡部を高い信頼性をもって微小配置ピッチで形成することができない。そして、このために、実際上、検査対象回路基板に形成された微小ピッチの被検査電極を有効に検査するためのピッチ変換コネクターは、きわめて複雑な構成を有するものとなり、非常に高価なものとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、表面にきわめて微小な配置ピッチの表面電極素子を有し、かつ、裏面に当該表面電極素子とその一方向における配置ピッチが異なる裏面電極素子を有すると共に、対応する表面電極素子と裏面電極素子とを確実に電気的に接続する、厚み方向に伸びる短絡用配線を有し、高い信頼性を有し、しかも容易に製造することのできるピッチ変換コネクターを備えてなり、表面に所要の微小な配置ピッチで形成された接続用電極を有し、裏面に標準格子点位置に配置された端子電極を有する、回路基板検査用に好適なピッチ変換用コネクター装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のコネクター装置は、多数の矩形の絶縁板要素が一体的に積層された積層体よりなり、当該絶縁板要素の積層方向（Ｘ方向）に沿って平坦な表面および裏面が形成された板状の基板本体、並びに、この基板本体において互いに隣接する絶縁板要素における界面を形成する少なくとも一方の板面において、各々前記基板本体の厚み方向（Ｚ方向）に伸びてその一端面および他端面がそれぞれ基板本体の表面および裏面に露出した状態で、互いに界面方向に離間して並ぶよう金属薄層をパターニングすることにより形成された金属膜条体よりなる複数の配線路を有する配線路パターンよりなり、前記基板本体の表面における各配線路の一端面による表面電極素子の界面方向（Ｙ方向）における配置ピッチが、前記基板本体の裏面における各配線路の他端面による裏面電極素子のＹ方向における配置ピッチより小さいピッチ変換コネクターと、
このピッチ変換コネクターの表面に設けられた一方の接続配線層と、
前記ピッチ変換コネクターの下面に設けられた他方の接続配線層とを具えてなり、
前記一方の接続配線層は、その表面に形成された、前記ピッチ変換コネクターの表面電極素子に対応して配置された複数の接続用電極と、この接続用電極をこれに対応する表面電極素子に電気的に接続する、当該一方の接続配線層の厚み方向に伸びる短絡部とを有し、
前記他方の接続配線層は、その表面に形成された、標準格子点上に配置された端子電極と、前記ピッチ変換コネクターにおける裏面電極素子をいずれかの端子電極に電気的に接続する、当該他方の接続配線層の厚み方向に伸びる短絡部を含む層内配線部とを有し、この層内配線部により、前記端子電極と裏面電極素子のＸ方向およびＹ方向のピッチが変換された状態とされていることを特徴とする。
【００１２】
本発明のコネクター装置においては、一方の接続配線層の表面に、厚み方向に伸びる導電部を有する異方導電性エラストマー層が一体的に設けられていることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明のコネクター装置におけるピッチ変換コネクターの一例における構成を一部を破断して示す説明用斜視図である。このピッチ変換コネクター１０は、多数の矩形の絶縁板要素１２（その長さ方向をＹ方向、幅方向をＺ方向とする。）が、その厚み方向（図でＸ方向）に積層された積層体よりなる板状の基板本体１１と、この基板本体１１における各絶縁板要素１２の隣接するものにおける界面を形成する板面の同一側面に形成された同一形態を有する配線路パターン２０とにより構成されている。
各配線路パターン２０は、各々Ｚ方向に伸びる金属膜条体よりなる複数の配線路２１が、Ｙ方向に互いに電気的に分離して並ぶ状態に形成されて構成されている。
【００１５】
基板本体１１においては、各絶縁板要素１２の長さ方向側面の集合によって当該絶縁板要素１２の積層方向Ｘに沿って伸びる平坦な表面１３および裏面１４が形成されている。
この基板本体１１は、平坦な表面および裏面を有する６面体であればよく、平坦な表面および裏面が６面体における各面のうち最大のものでなくてもよい。
基板本体１１を構成する絶縁板要素１２の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料であることが好ましく、各種の樹脂を使用することができるが、例えばガラス繊維補強型エポキシ樹脂を好適に用いることができる。
【００１６】
配線路パターン２０における配線路２１の各々は、その一端面２２が基板本体１１の表面１３に露出した状態とされると共に、その他端面２３が基板本体１１の裏面１４に露出した状態とされており、各配線路２１の一端面２２により表面電極素子が形成されると共に、各配線路２１の他端面２３により裏面電極素子が形成されている。すなわち、各配線路２１は、絶縁板要素１２の板面において、その両端部がＺ方向の両端面に伸びる状態とされ、各配線路２１の一端面２２と他端面２３とは、絶縁板要素１２のＺ方向に伸びる連結部２４によって一体的に連結された状態とされると共に、各配線路２１における連結部２４は、絶縁板要素１２の中央に位置されるものからＹ方向両側に向かうものほど、外方に拡がる傾斜角度が大きくなる状態に伸びるものとされている。
【００１７】
配線路２１の各々の一端面２２による表面電極素子は、当該ピッチ変換用コネクターが回路基板検査用に供される場合には、検査対象である回路基板の被検査電極のパターンに対応した格子点上に配置されており、配線路２１の一端面２２の界面方向、すなわちＹ方向におけるピッチｐ１は、これに対応する配線路２１の他端面２３による裏面電極素子のＹ方向におけるピッチｐ２より小さな状態とされている。
【００１８】
各配線路２１を構成する材料としては、例えば銅などの導電性を有する金属材料が用いられる。
【００１９】
以上において、絶縁板要素１２の厚みおよび数は、検査対象である回路基板の電極の数および配置ピッチに応じて適宜選定されるが、例えば、絶縁板要素１２の厚みは、０．１〜０．５ｍｍであり、絶縁板要素１２の数は、７〜５０枚である。
また、各配線路２１を形成する金属膜の厚みは、例えば９〜５０μｍであり、各配線路２１の幅は、例えば４０〜３００μｍである。
【００２０】
このような構成によれば、配線路パターン２０は例えばフォトリソグラフィによって正確な形態で形成することができるので、各配線路２１は、一端面２２の配置ピッチが微小なものであっても、これと他端面２３との連結部２４による電気的な接続状態を確実できわめて高い信頼性を有するものとすることができる。
また、Ｘ方向の配置ピッチは、基本的に絶縁板要素１２の厚みに従うため、これも微小なものとすることが容易である。
従って、得られるピッチ変換用コネクターにおいて、表面に微小ピッチの表面電極素子を形成することができると共に、この表面電極素子とその一方向における配置ピッチが異なる裏面電極素子を裏面に形成することができ、しかも、対応する表面電極素子と裏面電極素子とを電気的に接続する、厚み方向に伸びる短絡用配線をきわめて信頼性の大きいものとすることができる。
【００２１】
以上の例においては、配線路パターン２０は、積重された各絶縁板要素１２の同一側を向く板面に同一の形態で形成されているが、積重された絶縁板要素のうち隔一のものの両面に、特定の厚み方向の投影像が一致する形態で配線路パターンを形成し、間に介在する絶縁板要素には配線路パターンを形成しない構成とすることもできる。
【００２２】
また、すべての配線路パターン２０が同一の形態のものである必要はなく、例えば隔一の配線路パターン２０が同一の形態のものであって隣接する配線路パターン２０が異なる形態のものなど、複数の形態の配線路パターンを組み合わせることができる。この場合には、Ｘ方向およびＹ方向における配置ピッチを調整することができるので、後述する接続配線層の内層配線部の形成における自由度を大きくすることができる。
【００２３】
次に、上記のピッチ変換コネクターの製造方法について説明する。
図２に示すように、例えば両面に銅よりなる金属薄膜２５が形成されてなる板状の絶縁板要素形成材１５が所要の枚数用意される。そして、各絶縁板要素形成材１５の金属薄層２５が例えばフォトエッチング法によってパターニングされることにより、図３に示すように、各絶縁板要素形成材１５の両面に、既述の図１によって説明した状態の一端面２２、連結部２４および他端面２３よりなる複数の配線路２１よりなる配線路パターン２０が形成される。各絶縁板要素形成材１５には、例えば数値制御型ドリリング装置により、予め当該絶縁板要素形成材１５を貫通する複数のガイド孔１６が形成されており、配線路パターン２０は、このガイド孔１６を基準として所要の位置に形成されている。
この両面の配線路パターン２０は、特定の厚み方向の投影像が一致する形態で形成されている。
【００２４】
次に図４に示すように、熱硬化性の接着性樹脂よりなる板状の接着性絶縁板要素形成材１７が所要の枚数用意され、各接着性絶縁板要素形成材１７には、例えば数値制御型ドリリング装置により、当該接着性絶縁板要素形成材１７を貫通する複数のガイド孔１８が形成される。
【００２５】
そして、図５に示すように、絶縁板要素形成材１５と接着性絶縁板要素形成材１７とを、ガイドピン２６がガイド孔１６，１８に挿通されることにより位置決めされた状態で、加圧板２７，２８の間に交互に積重し、これらの全体を加熱下で積層方向に加圧して接着させることにより、図６に示すように、複数の絶縁板要素形成材１５と複数の接着性絶縁板要素形成材１７とが交互に一体的に積層されてなる中間積層体１９が形成される。
この中間積層体１９の積層方向の両側には、配線路パターンが形成されていない通常の絶縁板要素が、接着性絶縁板要素形成材を介して配置される。
【００２６】
そして、中間積層体１９を、例えば数値制御型ルーター装置によって、積層方向に伸びる２つの切断面Ｃ１，Ｃ２が形成されるよう切断することにより、その切断面Ｃ１によって平坦な表面を形成し、切断面Ｃ２によって平坦な裏面を形成すると共に、これらの切断面Ｃ１，Ｃ２のＺ方向におけるレベルを選定することにより、配線路２１の一端面２２および他端面２３を当該表面および裏面に露出させてそれぞれ表面電極素子および裏面電極素子を形成し、これにより、図１に示す構成のピッチ変換コネクターを製造する。
【００２７】
このような製造方法によれば、確実にかつ極めて容易に上述の構成を有するピッチ変換コネクターを製造することができ、しかも、電極端子を構成する配線路２１の一端面２２および他端面２３はその断面積が非常に微小なものであるが、これを確実に表面および裏面に露出した状態とすることができ、確実に表面電極素子および裏面電極素子を形成することができる。
【００２８】
次に、本発明のコネクター装置について詳細に説明する。
図７は、本発明のコネクター装置の一例における構成を示す説明用断面図である。このコネクター装置は、基本的には、図１に示す構成のピッチ変換コネクター１０と、このピッチ変換コネクター１０の上面に設けられた上部接続配線層３０と、ピッチ変換コネクター１０の下面に設けられた、当該ピッチ変換コネクター１０の断面面積より相当に大きい断面面積を有する下部接続配線層４０とにより構成されている。
図示の例では、ピッチ変換コネクター１０と第２接続配線層４０と固定支持するために、外形の輪郭形状が第２接続配線層４０の輪郭形状に適合し、中央にピッチ変換コネクター１０の輪郭形状に適合する形状の貫通孔が形成された板状の支持枠部材３５が、ピッチ変換コネクター１０の下部に嵌合された状態で接着剤により固定された状態で設けられている。
【００２９】
上部接続配線層３０の上面には、検査対象である回路基板の被検査電極のパターンに対応した格子点上の位置に接続用電極３１が、当該上面から突出状態に形成されている。そして、当該上部接続配線層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部３２により、接続用電極３１とピッチ変換コネクター１０における配線路２１の一端面２２による表面電極素子とが電気的に接続されている。
【００３０】
下部接続配線層４０は、ピッチ変換コネクター１０の下面に形成された第１絶縁層４１と、この第１絶縁層４１の下面に形成された第２絶縁層４２との積層体により構成されている。
【００３１】
第１絶縁層４１の下面には、図において紙面に直角な方向の面に沿って適宜のパターンの内層配線部４３が形成されており、この内層配線部４３は、当該第１絶縁層４１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部４４により、ピッチ変換コネクター１０における配線路２１の他端部２３による裏面電極素子に接続されている。
【００３２】
また、第２絶縁層４２の下面には、検査用テスターに適宜の手段によって電気的に接続される端子電極４５が、標準格子点上の位置に配置されて設けられており、この端子電極４５と内層配線部４３とは、当該第２絶縁層４２を適宜の位置においてその厚み方向に貫通して伸びる短絡部４６により、電気的に接続されている。
【００３３】
このように、上記のコネクター装置においては、接続用電極３１の各々が、短絡部３２、配線路２１、短絡部４４、内層配線部４３および短絡部４６を介して、端子電極４５と電気的に接続された状態とされている。
【００３４】
実際の構成においては、接続用電極３１と端子電極４５との電気的な接続は回路基板の検査目的に応じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用電極３１と端子電極とが必ず１対１の対応関係で接続される必要はなく、端子電極４５、内層配線部４３、配線路２０および接続用電極３１のすべてについて種々の要請される接続状態を実現することができる。
【００３５】
以上において、接続用電極３１の表面面積は、例えば０．００３〜０．０９ｍｍ2 であり、接続用電極３１の配置ピッチは、例えば０．１〜０．５ｍｍであり、隣接する接続用電極３１間の離間距離は、例えば０．０５〜０．４ｍｍである。また、端子電極４５の表面面積は、例えば０．０４〜１．５ｍｍ2 であり、端子電極４５の配置ピッチは、例えば０．９〜２．５４ｍｍである。
【００３６】
上記の構成によれば、上部接続配線層３０の上面に形成された微小ピッチで配置された接続用電極３１の各々と、下部接続配線層４０の下面に形成された端子電極４５との関係は、ピッチ変換コネクター１０の配線路２１の構成によってそのＹ方向のピッチが変換されると共に、下部接続配線層４０における内層配線部４３により、Ｘ方向およびＹ方向のピッチが変換された状態となる。そして、このピッチ変換のための配線路２１および内層配線部４３は、それぞれ、大きな自由度で形成することができるので、所望の電極配列を有するコネクター装置であって、微小な配置ピッチの接続用電極を有し、しかもきわめて高い信頼性を有するものを容易に得ることができる。
【００３７】
また、表面電極素子および裏面電極素子そのものは、既述のように、その面積が微小なものであるが、上部接続配線層３０を形成することにより、例えば被検査電極と接触される接続用電極を必要な接触面積を有するものとして形成することができる。しかも接続用電極３１は、上部接続配線層３０の上面に単独で形成されるので、確実に所期の位置に接続用電極を形成することができる。従って、例えば、隔一的に位置される絶縁板要素の両面に配線路パターンが形成される場合には、各絶縁板要素の同一側の板面に配線路パターンが形成される場合に比して、配線路２１の金属膜の厚みに起因して僅かにＸ方向のピッチに微小変位が生ずることがあっても、これに影響されることなしに所期の接続用電極３１を形成することができる。
【００３８】
以上の例においては、上部接続配線層３０の厚み方向に貫通して伸びる短絡部３２にのみにより、配線路２１の一端面２２と接続用電極３１とが接続されているが、上部接続配線層３０においても、二次元方向の配線を行うことができ、これにより、接続用電極３１を配線路２１の一端面２２の配置パターンと異なる配置パターンで形成することができる。この場合には、当該上部接続配線層３０の下面において配線部を形成することも可能であるが、下部接続配線層４０と同様に二層構造として内層配線部を形成することが好ましい。
【００３９】
上記のコネクター装置は、ピッチ変換コネクターの上面に放射線硬化性樹脂よりなる絶縁材料層を形成し、この絶縁材料層の上面に、ピッチ変換コネクターにおける配線路の一端面に電気的に接続された接続用電極を形成して上部接続配線層を形成すると共に、ピッチ変換コネクターの下面および支持枠部材の下面に放射線硬化性樹脂よりなる絶縁材料層を形成し、この絶縁材料層には層内配線部を設け、この絶縁材料層の下面に、ピッチ変換コネクターにおける配線路の他端面に電気的に接続された端子電極を形成して下部接続配線層を形成することにより、製造することができる。
【００４０】
以下、本発明のコネクター装置の具体的な製造方法について説明する。
図８に示すように、ピッチ変換コネクター１０の上面に、放射線の照射により硬化する硬化性樹脂が塗工されることにより、上部の絶縁材料層３６が形成されると共に、ピッチ変換コネクター１０の下部が支持枠部材３５に貫通孔に嵌入して固定された状態で、ピッチ変換コネクター１０の下面および支持枠部材３５の下面に、上記と同様にして下部の絶縁材料層５１が形成される。
ピッチ変換コネクター１０と支持枠部材３５とを固定するために、エポキシ樹脂製の接着剤を用いることができる。
【００４１】
その後、絶縁材料層３６および絶縁材料層５１に対し、これらの絶縁材料層が感応する放射線の照射を含むフォトリソグラフィにより、図９に示すように、当該絶縁材料層３６および当該絶縁材料層５１の各々を貫通する短絡部形成孔３７および短絡部形成孔５２を形成する。
【００４２】
次に、図１０に示すように、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法などによって全体をメッキ処理することにより、短絡部形成孔３７内および短絡部形成孔５２内が銅メッキされ、これにより、配線路２１の一端面２２に接続された状態で絶縁材料層３６を厚み方向に貫通して伸びる短絡部３２が形成されると共に、配線路２１の他端面２３に接続された状態で絶縁材料層５１を厚み方向に貫通して伸びる短絡部４４が形成される。
そして、このメッキ処理により、絶縁材料層３６の上面全面に金属薄層３８が形成され、絶縁材料層５１の下面に金属薄層５３が形成される。
【００４３】
次に、金属薄層３８を、例えばバフ研磨装置により研磨して除去し、図１１に示すように、絶縁材料層３６の上面における短絡部３２の上端位置に金メッキすることにより、接続用電極３１を形成し、これにより、上部接続配線層３０を形成する。
【００４４】
一方、絶縁材料層５１の下面に形成された銅メッキによる金属薄層５３に対してフォトエッチング処理を行うことにより、図１２に示すように、当該金属薄層の一部が除去されて所要のパターンの内層配線部４３が形成され、これにより、第１絶縁層４１が形成される。
【００４５】
次に、図１３に示すように、第１絶縁層４１の下面に、放射線の照射により硬化する硬化性樹脂を塗工することにより、絶縁材料層５４を形成し、この絶縁材料層５４に対し、当該硬化性樹脂が感応する放射線の照射によるフォトリソグラフィを行うことにより、図１４に示すように、当該絶縁材料層５４を貫通する短絡部形成孔５５が形成される。
【００４６】
次いで、図１５に示すように、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法などによって短絡部形成孔５４内が銅メッキされ、これにより、内層配線部４３に接続された状態で絶縁材料層５４を厚み方向に貫通して伸びる短絡部４６が形成される。そして、絶縁材料層５４の下面に形成された銅メッキによる金属薄層５６を例えばバフ研磨装置により研磨して除去し、図１６に示すように、絶縁材料層５４の下面における短絡部４６の下端位置に金メッキすることにより端子電極４５が形成され、これにより、下部接続配線層４０が形成される。
そして、必要に応じて、上部接続配線層３０の上面および下部接続配線層４０の下面を研磨することにより、余分な銅メッキ層を除去することにより、図７に示す構成のコネクター装置が製造される。
【００４７】
図１７は、本発明のコネクター装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。このコネクター装置においては、図７に示すコネクター装置と同様にして、ピッチ変換コネクター１０、上部接続配線層３０、下部接続配線層４０および支持枠部材３５が設けられており、上部接続配線層３０の上面には、更に異方導電性エラストマー層６０が一体的に設けられている。
【００４８】
この異方導電性エラストマー層６０は、図１８に示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる多数の導電部６１が接続用電極３１上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部６１が相互に絶縁部６２によって絶縁された状態とされている。各導電部６１においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成されている。この導電部６１は、厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部６２は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されないものである。
【００４９】
上記異方導電性エラストマー層６０の導電部６１における導電性粒子Ｐの充填率は１０体積％以上、好ましくは１５体積％以上である。導電部を加圧導電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いときには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接続を達成することができる点では好ましい。しかし、接続用電極３１の配置ピッチが小さくなると、隣接する導電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、このため、導電部６１における導電性粒子Ｐの充填率は４０体積％以下であることが好ましい。
【００５０】
図示の例においては、異方導電性エラストマー層６０の外面において、導電部６１が絶縁部６２の表面から突出する突出部を形成している。
このような例によれば、加圧による圧縮の程度が絶縁部６２より導電部６１において大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電部６１に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結果、異方導電性エラストマー層６０に作用される加圧力が不均一であっても、各導電部６１間における導電性のバラツキの発生を防止することができる。
【００５１】
このように導電部６１が突出部を形成する場合には、当該突出部の突出高さｈは、異方導電性エラストマー層６０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部６２の厚さである。）の８％以上であることが好ましい。また、異方導電性エラストマー層６０の全厚ｔは、接続用電極３１の中心間距離として定義される配置ピッチｐの３００％以下、すなわちｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充足されることにより、異方導電性エラストマー層６０に作用される加圧力が変化した場合にも、それによる導電部６１の導電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
【００５２】
導電部６１が突出部を形成する場合においては、突出部の平面における全体が導電性を有することは必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、配置ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在していてもよい。
また、隣接する導電部６１間の離間距離ｒの最小値は、当該導電部６１の幅Ｒの１０％以上であることが好ましい。このような条件が満足されることにより、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が原因となって隣接する導電部６１同士が電気的に接触するおそれを十分に回避することができる。
以上の例において、導電部６１の平面形状は接続用電極３１と等しい幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する円形、その他の適宜の形状とすることができる。
【００５３】
導電部６１の導電性粒子としては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができる。
【００５４】
後述する方法においては、ニッケル、鉄、またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
【００５５】
導電性粒子の粒径は、導電部６１の加圧変形を容易にし、かつ導電部６１において導電性粒子間に十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍであることが好ましく、特に１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００５６】
導電部６１を構成する絶縁性で弾性を有する高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００５７】
具体的には、硬化処理前には液状であって、硬化処理後に上部接続配線層３０と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。高分子物質用材料には、上部接続配線層３０に対する接着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加することができる。
【００５８】
絶縁部６２を構成する材料としては、導電部６１を構成する高分子物質と同一のものまたは異なるものを用いることができるが、同様に硬化処理後に上部接続配線層３０と密着状態または接着状態を保持して一体となるものが用いられる。
【００５９】
このような絶縁部を形成することにより、異方導電性エラストマー層それ自体の一体性並びにその上部接続配線層に対する一体性が確実に高くなるため、コネクター装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮に対して優れた耐久性を得ることができる。
【００６０】
以上のような構成のコネクター装置は、その上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電極３１に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下面の端子電極４５が適宜の接続手段を介してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧された状態とされる。この状態においては、コネクター装置の異方導電性エラストマー層６０の導電部６１が導電状態となり、これにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接続が達成される。
【００６１】
このような構成のコネクター装置によれば、接続用電極３１と、検査対象回路基板の被検査電極との電気的接続が、異方導電性エラストマー層６０を介して達成されるので、高い接続信頼性が得られる。
【００６２】
上記のコネクター装置における異方導電性エラストマー層６０は、例えば次のようにして上部接続配線層３０の上面に形成される。
硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よりなるコネクター用材料が調製され、図１９に示すように、このコネクター用材料が上部接続配線層の上面に塗布されることによりコネクター用材料層６５が形成され、これが金型のキャビティ内に配置される。
【００６３】
この金型は、各々電磁石を構成する上型７１と下型７２とよりなり、上型７１には、接続用電極３１に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付して示す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、下面が平坦面である磁極板７３が設けられており、当該磁極板７３の平坦な下面がコネクター用材料層６５の表面から離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。
なお、図１９および図２０においては、接続用電極３１以外の部分の詳細は省略されている。
【００６４】
この状態で上型７１と下型７２の電磁石を動作させ、これにより上部接続配線層の厚さ方向の平行磁場を作用させる。その結果、コネクター用材料層６５においては、接続用電極３１上に位置する部分において、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用されることとなり、この分布を有する平行磁場により、図２０に示すように、コネクター用材料層６５内の導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により接続用電極３１上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に配向する。
【００６５】
然るに、このとき、コネクター用材料層６５の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動する結果、接続用電極３１上に位置する部分の高分子物質用材料表面が隆起し、突出した導電部６１が形成される。従って、形成される絶縁部６２の厚さｔ1 は、初期のコネクター用材料層６５の厚さｔ0 より小さいものとなる。
そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部を形成する導電部６１と絶縁部６２とよりなる異方導電性エラストマー層６０を上部接続配線層上に一体的に設けることができ、以てコネクター装置が製造される。
【００６６】
磁極板７３の代わりに、図２１に示すように、上型７１が接続用電極３１に対応するパターンの強磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、当該上型７１の下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより下方に突出した状態の磁極板７５を使用することもできる。
更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であって、接続用電極３１に対応するパターンの部分が、それ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いることもできる。
これらの場合にも、コネクター用材料層６５に対しては接続用電極３１の領域において、より強い平行磁場が作用されることとなる。
【００６７】
また、平行磁場を作用させたままで上型７１と下型７２の間隔が可変の金型を用い、最初は上型７１をコネクター用材料層６５の上面と同一のレベルに配置しておき、平行磁場を作用させながら上型７１と下型７２の間隔を徐々に広げて行く操作によってコネクター用材料層６５の隆起を生じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。
【００６８】
本発明において、異方導電性エラストマー層６０は、その導電部６１が絶縁部６２より突出していることは必須のことではなく、平坦な表面を有するものであってもよい。このような場合には、例えば図１９に示した構成の金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。
【００６９】
コネクター用材料層６５の厚さは例えば０．１〜３ｍｍとされる。このコネクター用材料層６５のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が１０1 ｓｅｃ-1の歪速度の条件下において１０4 〜１０7 センチポアズ程度であることが好ましい。
コネクター用材料層６５の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
【００７０】
また、磁極板７３の強磁性体部分Ｍは鉄、ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎは、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂または空気層などにより形成することができる。
コネクター用材料層６５に作用される平行磁場の強度は、金型のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスとなる大きさが好ましい。
【００７１】
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、コネクター用材料層６５の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０℃で３０分間程度で行われる。
【００７２】
以下、本発明の好ましい態様を列挙する。
（１）少なくとも一面に、互いに一方向に離間して並ぶ金属膜条体よりなる複数の配線路を有する配線路パターンが形成された板状の絶縁板要素形成材の複数を、厚み方向に、熱硬化性の接着性樹脂よりなる板状の接着性絶縁板要素形成材を介して積重し、この積重体を加熱圧着処理することにより、絶縁板要素形成材が接着性絶縁板要素形成材によって接着されてなる中間積層体し、
この中間積層体を絶縁板要素形成材の積重方向に沿った平坦な切断面が形成されるよう切断することにより、当該切断面による表面および裏面を形成すると共に当該表面および裏面に各配線路の一端面および他端面をそれぞれ露出させることを特徴とするピッチ変換コネクターの製造方法。
（２）絶縁板要素形成材には両面に配線路パターンが形成されており、両配線路パターンは、同一の厚み方向の投影像が一致するものである上記（１）のピッチ変換コネクターの製造方法。
（３）一方の接続配線層の表面に、厚み方向に伸びる導電路形成部を有する異方導電性エラストマー層が一体的に設けられていることを特徴とするコネクター装置。
【００７３】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００７４】
（１）コネクターの製造
１７０ｍｍ（縦幅）×２８０ｍｍ（横幅）×０．２ｍｍ（厚み）のガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる絶縁板要素形成材（１５）の両面に、各々の厚みが１８μｍの銅よりなる金属薄膜（２５）を積層してなる材料を１６枚用意し、これらの材料の両面の金属薄膜（２５）上に、厚みが５０μｍのエッチング用ドライフィルムレジスト「ＮＫ３５０（日立化成工業社製）」をドライフィルムレジストラミネーターによりラミネートすることにより、レジスト層を形成した。このレジスト層に対して、露光装置によりパターンマスクを介して露光処理した後、炭酸ナトリウムを主成分として含有する現像液を用い、スプレー現像法により現像し、更に塩化第二鉄を主成分として含有するエンチッグ液によりエッチング処理することにより、絶縁板要素形成材（１５）の両面に複数の配線路（２１）よりなる配線路パターンを形成した。
この配線路パターンにおける配線路の一端面のピッチは、０．２ｍｍであり、他端面のピッチは１．８ｍｍである。
【００７５】
これらの絶縁板要素形成材（１５）に、数値制御型ドリリング装置により、当該絶縁板要素形成材（１５）を貫通する外径が５ｍｍの複数のガイド孔（１６）を形成した（図３参照）。
【００７６】
一方、１７０ｍｍ（縦幅）×２８０ｍｍ（横幅）×０．２ｍｍ（厚み）のガラス繊維補強型の熱硬化性の接着性樹脂よりなる板状の接着性絶縁板要素形成材（１７）を２７枚用意し、これらの接着性絶縁板要素形成材（１７）に、数値制御型ドリリング装置により、当該接着性絶縁板要素形成材（１７）を貫通する外径が５ｍｍの複数のガイド孔（１８）を形成した（図４参照）。
【００７７】
次に、ステンレス（ＳＵＳ）製の加圧板（２８）上に、厚みが５０μｍのプラスチック製離型シートを介して、接着性絶縁板要素形成材（１７）を６枚積重し、その上に、絶縁板要素形成材（１６）と接着性絶縁板要素形成材（１７）とを交互に１６枚ずつ積層し、更にその上に接着性絶縁板要素形成材（１７）を５枚積重し、外径４．９８ｍｍ、長さ２５ｍｍのガイドピン（２６）を、絶縁板要素形成材（１６）および接着性絶縁板要素形成材（１７）のガイド孔（１５，１７）に挿通させることにより位置合わせを行い、厚みが５０μｍのプラスチック製離型シートを介してステンレス（ＳＵＳ）製の加圧板（２７）を配置した（図５参照）。
そして、これらの全体を、真空積層プレス機により、温度１７０℃、加圧力３０ｋｇ／ｃｍ2 、加圧時間２時間の条件で加熱圧着させることにより、複数の絶縁板要素形成材（１５）と複数の接着性絶縁板要素形成材（１７）とが一体的に積層されてなる中間積層体（１９）を形成した（図６参照）。
【００７８】
次いで、得られた中間積層体（１９）を、数値制御型ルーター装置によって、積層方向に伸びる２つの切断面（Ｃ１，Ｃ２）が形成されるよう切断することにより、一方の切断面Ｃ１によって平坦な表面を形成し、他方の切断面（Ｃ２）によって平坦な裏面を形成すると共に、配線路（２１）の一端面（２２）および他端面（２３）を当該表面および裏面に露出させ、ピッチ変換コネクター（１０）を製造した（図１参照）。
【００７９】
（２）上部接続配線層および下部接続配線層の形成
得られたピッチ変換コネクター（１０）の下部に、全体の寸法が１２０ｍｍ（縦幅）×１２０ｍｍ（横幅）×３．６ｍｍ（厚み）のガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる支持枠部材（３５）の貫通孔に嵌入させ、２液型エポキシ樹脂接着剤を用いて固定し、その後、ピッチ変換コネクター（１０）の上面および下面並びに支持枠部材（３５）の下面をバフ研磨機およびサンドペーパーを用いて研磨して平滑化した。
【００８０】
次に、ピッチ変換コネクター（１０）の上面に、放射線の照射により硬化する液状レジスト「ＮＰＲ−ＥＸＢ（日本ポリテック社製）」を塗工することにより、厚みが３０μｍの上部の絶縁材料層（３６）を形成し、その後、この絶縁材料層（３６）に対して、露光装置によりパターンマスクを介して露光処理した後、炭酸ナトリウムを主成分として含有する現像液を用い、スプレー現像法により現像することにより、短絡部形成孔（３７）を形成した。
一方、ピッチ変換コネクター（１０）の下面および支持枠部材（３５）の下面に、放射線の照射により硬化する液状レジスト「ＮＰＲ−ＥＸＢ」を塗工することにより、厚みが３０μｍの下部の絶縁材料層（５１）を形成し、その後、この絶縁材料層（５１）に対して、露光装置によりパターンマスクを介して露光処理した後、炭酸ナトリウムを主成分として含有する現像液を用い、スプレー現像法により現像することにより、短絡部形成孔（５２）を形成した（図９参照）。
【００８１】
次に、無電解銅メッキ法およびその後の電解銅メッキ法によって全体をメッキ処理することにより、短絡部形成孔（３７）内および短絡部形成孔（５２）内を銅メッキし、これにより、配線路（２１）の一端面（２２）に接続された状態で絶縁材料層３６を厚み方向に貫通して伸びる短絡部３２を形成すると共に、配線路２１の他端面２３に接続された状態で絶縁材料層５１を厚み方向に貫通して伸びる短絡部４４を形成した（図１０参照）。
【００８２】
そして、上部の絶縁材料層（３６）の表面に形成された金属薄層（３８）を、バフ研磨装置およびサンドペーパーにより研磨して除去し、当該絶縁材料層（３６）の上面における短絡部（３２）の上端位置に金メッキすることにより、格子点上の位置に配置された、厚みが１０μｍの接続用電極（３１）を形成し、これにより、上部接続配線層（３０）を形成した（図１１参照）。
【００８３】
一方、下部の絶縁材料層（５１）の下面に形成された銅メッキによる金属薄層（５３）に対してフォトエッチング処理を行うことにより、当該金属薄層の一部を除去して内層配線部（４３）を形成し、これにより、第１絶縁層（４１）を形成した（図１２参照）。
【００８４】
次に、第１絶縁層（４１）の下面に、放射線の照射により硬化する液状レジスト「ＮＰＲ−ＥＸＢ」を塗工することにより、厚みが３０μｍの絶縁材料層（５４）を形成した（図１３参照）。その後、この絶縁材料層（５４）に対して、露光装置によりパターンマスクを介して露光処理した後、炭酸ナトリウムを主成分として含有する現像液を用い、スプレー現像法により現像することにより、短絡部形成孔（５５）を形成した（図１４参照）。
【００８５】
その後、無電解銅メッキ法によって短絡部形成孔（５４）内を銅メッキすることにより、内層配線部（４３）に接続された状態で絶縁材料層（５４）を厚み方向に貫通して伸びる短絡部（４６）を形成した（図１５参照）。そして、絶縁材料層（５４）の下面に形成された銅メッキによる金属薄層（５６）を、バフ研磨装置およびサンドペーパーにより研磨して除去し、絶縁材料層（５４）の下面における短絡部（４６）の下端位置に金メッキすることにより、端子電極（４５）を形成し、これにより、下部接続配線層（４０）を形成した（図１６参照）。
【００８６】
以上において、接続用電極（３１）は、各電極の寸法が０．１ｍｍ平方で、電極の配置ピッチが０．２ｍｍであり、端子電極（４５）は、各電極の寸法が直径１．１ｍｍの円形で、電極の配置ピッチが１．８ｍｍであった。
【００８７】
（３）異方導電性エラストマー層の形成
室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合で混合してなるコネクター用材料を調製し、これを上記の上部接続配線層（３０）の表面に塗布したものを、基本的に図２０に示す構成の金型を用いる方法に従って処理した。すなわち、下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより０．１ｍｍ突出する磁極板（７５）を用い、強磁性体部分Ｍの下面とコネクター用材料層との間に０．０３ｍｍの間隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用材料層を隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して硬化させ、これにより、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、絶縁部の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔが１０％の異方導電性エラストマー層を形成し、もってコネクター装置を製造した。
【００８８】
〔実験例１〕
以上のコネクター装置について、抵抗測定器「ミリオームハイテスター」（日置電機社製）を用い、下部接続配線層の下面側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定した。
その結果、すべての接続用電極について、電気抵抗値は３３ｍΩ以下と極めて小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認された。
【００８９】
〔実験例２〕
更に当該コネクター装置について、上記と同様の抵抗測定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定したところ、電気抵抗値はいずれも２ＭΩ以上と非常に大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認された。
【００９０】
【発明の効果】
本発明のコネクター装置によれば、そのピッチ変換コネクターにおける配線路パターンは例えばフォトリソグラフィによって正確な形態で形成することができるので、各配線路は、一端面の配置ピッチが微小なものであっても、これと他端面との電気的な接続状態を確実できわめて高い信頼性を有するものとすることができる。
また、積層方向における配置ピッチは、基本的に絶縁板要素の厚みに従うため、これも微小なものとすることが容易である。
従って、得られるピッチ変換用コネクターにおいて、表面に微小ピッチの表面電極素子を形成することができると共に、この表面電極素子とその一方向における配置ピッチが異なる裏面電極素子を裏面に形成することができ、しかも、対応する表面電極素子と裏面電極素子とを電気的に接続する、厚み方向に伸びる短絡用配線をきわめて信頼性の大きいものとすることができる。
【００９２】
本発明のコネクター装置によれば、一方の接続配線層の上面に形成された微小ピッチで配置された接続用電極の各々と、他方の接続配線層の下面に形成された端子電極との関係は、ピッチ変換コネクターの配線路の構成によってその一方向のピッチが変換されると共に、他方の接続配線層における内層配線部により、一方向およびこれと垂直な他方向のピッチが変換された状態となる。そして、このピッチ変換のための配線路および内層配線部は、それぞれ、大きな自由度で形成することができるので、所望の電極配列を有するコネクター装置であって、微小な配置ピッチの接続用電極を有し、しかもきわめて高い信頼性を有するものを容易に得ることができる。
【００９３】
また、一方の接続配線層の表面に異方導電性エラストマー層を設けることができ、これにより、接続用電極と、検査対象回路基板の被検査電極との電気的接続が、異方導電性エラストマー層を介して達成されるので、高い接続信頼性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のコネクター装置におけるピッチ変換コネクターの一例における構成を一部を破断して示す説明図である。
【図２】図１におけるピッチ変換コネクターの製造方法に用いられる絶縁板要素形成材を示す説明図である。
【図３】絶縁板要素形成材の表面に配線路が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図４】図１におけるピッチ変換コネクターの製造方法に用いられる接着性絶縁板要素形成材を示す説明用断面図である。
【図５】絶縁板要素形成材と接着性絶縁板要素形成材とを積重した状態を示す説明用断面図である。
【図６】中間積層体の構成を一部を破断して示す説明図である。
【図７】本発明のコネクター装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図８】ピッチ変換コネクターの表面および裏面の各々に上部の絶縁材料層および下部の絶縁材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図９】上部の絶縁材料層および下部の絶縁材料層に短絡部形成孔が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】上部の絶縁材料層および下部の絶縁材料層に短絡部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】上部の絶縁材料層の上面に接続用電極が形成され、もって上部接続配線層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１２】下部の絶縁材料層の下面に内層配線部が形成されて、もって第１絶縁層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１３】第１絶縁層の下面に絶縁材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１４】第１絶縁層の下面に形成された絶縁材料層に、短絡部用形成孔が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１５】  第１絶縁層の下面に形成された絶縁材料層に、短絡部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１６】絶縁材料層の下面に端子電極が形成されて、もって下部接続配線層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１７】本発明に係る異方導電性エラストマー層を有するコネクター装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図１８】図１７に示すコネクター装置における異方導電性エラストマー層部分を拡大して示す説明用断面図である。
【図１９】上部接続配線層の上面にコネクター材料層が形成されて金型にセットされた状態を示す説明用断面図である。
【図２０】図１９において、平行磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図２１】異方導電性エラスマー層を形成するために用いられる金型の他の例を示す説明用断面図である。
【図２２】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  ピッチ変換コネクター
１１  基板本体          １２  絶縁板要素
１３  表面              １４  裏面
１５  絶縁板要素形成材  １６  ガイド孔
１７  接着性絶縁板要素形成材
１８  ガイド孔          １９  中間積層体
２０  配線路パターン    ２１  配線路
２２  一端面            ２３  他端面
２４  連結部            ２５  金属薄膜
２６  ガイドピン        ２７，２８  加圧板
３０  上部接続配線層    ３１  接続用電極
３２  短絡部            ３５  支持枠部材
３６  絶縁材料層        ３７  短絡部形成孔
３８  金属薄層          ４０  下部接続配線層
４１  第１絶縁層        ４２  第２絶縁層
４３  内層配線部        ４４  短絡部
４５  端子電極          ４６  短絡部
５１  絶縁材料層        ５２  短絡部形成孔
５３  金属薄層          ５４  絶縁材料層
５５  短絡部形成孔      ５６  金属薄層
６０  異方導電性エラストマー層
６１  導電部            ６２  絶縁部
６５  コネクター用材料  ７１  上型
７２  下型              ７３，７５  磁極板
９０  回路基板          ９１  機能素子領域
９２  リード電極        ９３  リード電極領域
Ｅ  弾性高分子物質      Ｐ  導電性粒子
Ｎ  非磁性体部分        Ｍ  強磁性体部分
Ｇ  間隙
【図１】
0003820603.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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