(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性体基板の一方面に形成された磁性体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁界を印加する磁石とで構成される非可逆回路素子であって、前記非磁性体基板の他方面に、底面が前記磁性体で構成されており、かつ側面が前記非磁性体で構成されている溝が設けられ、該溝に中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成されていることを特徴とする、非可逆回路素子。
【請求項２】
前記中心電極用導体は、絶縁被覆線材であり、非磁性体基板と磁性体、または磁性体に巻き回されていることを特徴とする、請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記磁性体が磁性ガーネット単結晶であることを特徴とする、請求項１または２記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記磁性体が液相エピタキシャル成長法で育成された磁性体であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記非磁性体基板が非磁性ガーネット単結晶であることを特徴とする、請求項３記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主にマイクロ波帯で使用されるサーキュレータ、アイソレータ等の非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に携帯電話等の移動体通信機器に採用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向のみに通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。また、最近の移動体通信機器では、その用途から小型化及び軽量化に対する要求が強くなり、これに伴い、アイソレータも同様に小型化及び軽量化を要請されている。
【０００３】
このような要請に応えるものとして、例えば、実開平５−８０００９号公報には、小型化、軽量化を図るため、中心電極用導体を磁性体に巻き回して巻線型の中心電極とした非可逆回路素子が開示されている。この非可逆回路素子は、中心電極の有効長を長くして、中心電極のインダクタンス値を確保し、磁性体を小径化しようとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、磁性体の厚みが薄い場合、強度上の理由から、育成時に使用した非磁性体基板を磁性体下部に残したまま、中心電極用導体を磁性体に巻き回して中心電極が形成される。すると、磁性体下部に巻き回された中心電極用導体とそれに対峙する磁性体の間に非磁性体基板が介在するので、アイソレータに要求される低挿入損失が充分に得られないという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、非磁性体基板付き磁性体を用いても、小型で軽量、かつ、低挿入損失が得られる非可逆回路素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項１において、非可逆回路素子は、非磁性体基板の一方面に形成された磁性体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁界を印加する磁石とで構成されており、前記非磁性体基板の他方面に、底面が前記磁性体で構成されており、かつ側面が前記非磁性体で構成されている溝が設けられ、該溝に中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成されていることを特徴とする。
【０００８】
また，請求項２において、前記中心電極用導体は、絶縁被覆線材であり、非磁性体基板と磁性体、または磁性体に巻き回されていることを特徴とする。
【０００９】
そして、この発明に係る非可逆回路素子では、磁性体が磁性ガーネット単結晶であることが好ましい。また、これらの磁性体が液相エピタキシャル成長法で育成された磁性体であることが好ましい。また、非磁性体基板が磁性体と同じガーネット単結晶であることが好ましい。
【００１０】
これにより、溝は、非磁性体基板と磁性体との界面に達するように形成され、底面が磁性体で構成され、かつ側面が非磁性体で構成されるように設けられているので、中心電極用導体と磁性体の間に非磁性体基盤が介在せず、かつ、磁性体の実効的な厚みも保持されるため、挿入損失を最も小さくすることができる。
また、非磁性体基板の溝の深さを任意に設定できるので、挿入損失をコントロールすることができるとともに、溝に中心電極用導体の一部が半固定されるので中心電極の位置ずれを防ぐことができる。
【００１２】
また、中心電極用導体は、絶縁被覆線材であるため、非磁性体基板や磁性体に巻き回したときに、中心電極用導体が交差する部分において導体同士が互いに接触しても支障がない。
【００１３】
また、磁性体を磁性ガーネット単結晶とすることにより、挿入損失をより小さくすることができる。
【００１４】
また、磁性体が液相エピタキシャル成長法で育成されたものとすることで、磁性体が育成基板と同じ結晶構造を持ち、かつ結晶性の高い磁性体となる。よって、これらの磁性体を用いて挿入損失の小さい、優れた非可逆回路素子を得ることができる。
【００１５】
また、非磁性体基板をガーネット単結晶として磁性体と同じ結晶構造にすることで、特性の安定した挿入損失の小さい非可逆回路素子を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の非可逆回路素子を用いた、寸法３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．０ｍの２端子アイソレータの分解斜視図である。
【００１７】
このアイソレータ１０は、上ヨーク１２及び下ヨーク１４を含み、両ヨークの間に永久磁石１６と樹脂製の基板１８が配置されている。そして、基板１８の上には、４つのコンデンサ２０、１つの抵抗器２２、及び基板付き単結晶２３が配置される。
【００１８】
基板付き単結晶２３は、液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法という。）により、非磁性ガーネット単結晶基板２６の上に磁性ガーネット単結晶２４を育成したものである。そして、非磁性ガーネット単結晶基板２６は、磁性ガーネット単結晶２４が形成された面と反対側の面に、磁性ガーネット単結晶２４の主面と平行に２つの溝２８ａ、２８ｂが形成され、面の中央部で交差している。
【００１９】
基板付き単結晶２３の表面には、２本の被覆銅線で中心電極が構成されるが、この中心電極の構成を図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００２０】
図２（ａ）は、２本の被覆銅線を用いて中心電極を構成した、基板付き単結晶の斜視図であり、また、図２（ｂ）は、図２（ａ）における２点鎖線Ａ−Ａ´線による断面図である。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板付き単結晶２３の非磁性ガーネット単結晶基板２６に形成された溝２８ａ、２８ｂに、被覆銅線３０ａ、３０ｂの一部がそれぞれ配設され、その両端部が基板付き単結晶２３に巻き回されている。そして、被覆銅線３０ａ、３０ｂは、基板付き単結晶２３の上面中央部と下面中央部でそれぞれ交差している。
【００２２】
このようにして、中心電極を構成した被覆銅線３０ａ、３０ｂの一端側はそれぞれ、図１に示した基板１８に接地され、他端側はそれぞれ、入力端子と出力端子の間で互いに直列、並列に接続されたコンデンサに接続されている。また、直列に接続したコンデンサとコンデンサの間には抵抗が直列に配設されている。
【００２３】
（実施例）
以下、本発明の実施の形態を実施例にもとづき説明する。
【００２４】
始めに、ＬＰＥ法により、非磁性ガーネット単結晶（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12）基板上に磁性ガーネット単結晶（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）を育成し、基板付き単結晶を得た。
【００２５】
続いて、この基板付き単結晶から、ダイシングソーにより、平面寸法が０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、磁性ガーネット単結晶部分の厚みが０．１ｍｍ、非磁性ガーネット単結晶基板部分の厚みが０．２ｍｍになるように、複数個の試料を切り出した。
【００２６】
得られた複数個の試料に対し、ダイシングソーにより、磁性ガーネット単結晶が形成された面と反対側の非磁性ガーネット単結晶基板の面に、幅０．０７ｍｍの溝を表１に示した各深さで、面の中央部で交差するように形成した。表中の試料番号１〜３は本発明の参考試料であり、試料番号４〜６は本発明の対象試料である。
【００２７】
【表１】
0003800117.tif 000002
【００２８】
このようにして得られた、溝を有する基板付き単結晶に対し、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、２本の被覆銅線３０ａ、３０ｂの一部を溝２８ａ、２８ｂに配置し、さらに両端部を基板付き単結晶２３に巻き回して中心電極を構成した。そして、図１に示したその他の構成部品と共に２端子アイソレータ１０を組み立てた。なお、本実施例では、基板付き単結晶に対する溝の形成を、非可逆回路素子のサイズに切り出してから行ったが、この順序は逆にしてもよい。
【００２９】
続いて、得られた２端子アイソレータにおける、基板付き単結晶の非磁性ガーネット単結晶基板部分に形成した溝の深さと挿入損失との関係を調べた。その結果を表１に示す。なお、表中、基板側とは非磁性ガーネット単結晶基板側を表す。
【００３０】
表１の試料番号２に示すように、非磁性ガーネット単結晶基板に深さ０．０５ｍｍの溝を設け、その溝に被覆銅線の一部を配設して中心電極を構成したものは、溝を設けない試料番号１よりも挿入損失が向上している。
【００３１】
そして、試料番号３、４に示すように、溝の深さが、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット単結晶基板との界面に近づくほど、その溝に配設する被覆銅線と磁性ガーネット単結晶との距離が縮まり、挿入損失が小さくなっている。
【００３２】
また、試料番号５、６のように、溝をさらに深くして、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット単結晶基板との界面を超えて磁性ガーネット単結晶部分まで形成したものも、溝を設けない試料番号１より挿入損失が向上している。しかしながら、磁性ガーネット単結晶の実効的な厚みが薄くなるため、挿入損失は溝を界面まで形成したところから反転して上昇している。
【００３３】
したがって、挿入損失を最も小さくしたい場合は、次のようにすればよい。すなわち、図３に示す基板付き単結晶の溝２８ａ′、２８ｂ′のように、溝の深さが磁性ガーネット単結晶２４と非磁性ガーネット単結晶基板２６との界面に達するように形成する。そして、溝２８ａ′、２８ｂ′の底面が磁性ガーネット単結晶２４で構成され、かつ側面が非磁性ガーネット単結晶基板２６で構成されるようにする。これにより、基板付き単結晶の表面に被覆銅線を用いて中心電極を構成したとき、被覆銅線と磁性ガーネット単結晶の間に非磁性ガーネット単結晶基板が介在せず、かつ、磁性ガーネット単結晶の実効的な厚みも保持されるため、試料番号４に示すように、挿入損失を最も小さくすることができる。
【００３４】
なお、本実施例では１ＧＨｚ帯での２端子アイソレータを用いて説明したが、この発明は他の周波数帯でも有効に働き、２端子アイソレータ以外の集中定数型アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子にも適用することができる。また、この発明に係る非可逆回路素子は，その全体の構造も図１に示したものに限るものではない。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、非磁性体基板付きの磁性体であっても、小型で軽量、かつ低挿入損失の非可逆回路素子を得ることができ、これを用いることで、優れた集中定数型アイソレータやサーキュレータ等を供給することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に用いる２端子アイソレータの一例を示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）  図１の２端子アイソレータを構成する、被覆銅線を用いて中心電極を構成した基板付き単結晶の斜視図である。
（ｂ）  図２（ａ）のＡ−Ａ´線で切断した、基板付き単結晶の断面図である。
【図３】溝の底面が磁性ガーネット単結晶で構成され、かつ側面が非磁性ガーネット単結晶基板で構成された、基板付き単結晶の斜視図である。
【符号の説明】
１６  永久磁石
２３  基板付き単結晶
２４  磁性ガーネット単結晶
２６  非磁性ガーネット単結晶基板
２８ａ、２８ｂ、２８ａ′、２８ｂ′  溝
３０ａ、３０ｂ  被覆銅線
【図１】
0003800117.tif 000003
【図２】
0003800117.tif 000004
【図３】
0003800117.tif 000005