(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理ユニットを有する基板処理装置を用い、基板をカセットから取り出し複数の処理ユニットで処理してカセットに戻すまでの処理フローに従って基板を処理する方法であって、
（ａ）対象カセット内に収納された複数の基板を前記複数の処理ユニットで処理する手順を表わす第１の処理フローと第２の処理フローを指定する工程と、
（ｂ）前記対象カセットから前記複数の基板を順次取出して、前記第１の処理フローに従って処理を進める工程と、
（ｃ）前記対象カセットから最初に取出された第１の基板に関して前記第１の処理フローの最後の処理ユニットによる処理が終了した際に、前記第１と第２の処理フローの関係に基づいて、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できるか否かを判断する工程と、
（ｄ）前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断された場合には、前記第１の基板を前記対象カセットに戻すことなく、前記複数の処理ユニットによる前記第２の処理フローの処理を開始する工程と、
を備える基板の処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板の処理方法であって、さらに、
（ｅ）前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できないと判断された場合には、前記第２の処理フローによる処理が開始できるまでの間、前記第１の処理フローによる処理が終了した基板を前記対象カセット内に一時的に収納する工程、
を備える基板の処理方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の基板の処理方法であって、前記工程（ｃ）は、
前記第１と第２の処理フローをそれぞれ規定する第１と第２の処理レシピが互いに等しい場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、
を備える基板の処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板の処理方法であって、前記工程（ｃ）は、
前記第１と第２の処理フローが互いに等しい場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、を備える基板の処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板の処理方法であって、
前記対象カセットに当初収納されていた基板の枚数が、前記処理フローにおける処理ポジション数に１を加算した数以下である、
基板の処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板の処理方法であって、
前記工程（ｃ）は、
前記第１の処理フローが、一時収納手段によって複数枚の基板を一時的に収納し、前記一時収納手段から前記対象カセットに基板を１枚ずつ搬送する工程を含んでいる場合には、
前記第１の基板に対する前記第１の処理フローの処理が終了した時点で前記対象カセット以外のカセットに収納されていた基板に対する処理が開始されていない場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、
を備える基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数の処理ユニットを有する基板処理装置によって半導体ウェハや液晶表示装置用基板などの基板を処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の処理を行なう基板処理装置においては、各処理ユニットに基板を搬送する順序（処理フロー）と各処理ユニットにおける処理条件とを規定する処理レシピに従って、基板が各処理ユニットに搬送されてそれぞれ処理が実行される。処理フローとは、１枚の基板をカセットから取り出し、複数の処理ユニットで処理してカセットに戻すまでの処理の流れを意味する。また、処理フローに沿った一巡の処理は「処理ループ」と呼ばれている。
【０００３】
図１４は、処理フローの一例を示す説明図である。「ＩＮＤ」はカセットからの基板の取り出しと収納とを行なうインデクサと呼ばれる装置を示している。また、「ＳＣ」はスピンコータ、「ＨＰ１」，「ＨＰ２」はホットプレート、「ＣＰ１」，「ＣＰ２」はクールプレートと呼ばれる処理ユニットをそれぞれ示している。なお、処理フロー上で並列に配置されている処理ユニット（例えば２つのホットプレートＨＰ１，ＨＰ２）は、基板がこれら２つの処理ユニットに交互に搬入されることを意味している。図１４から解るように、１回の処理ループでは、１つの処理ユニットでは処理が１回行なわれるだけである。換言すれば、１回の処理ループでは、同一の処理ユニットで同じ基板が複数回処理されることはない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、同一のカセット内に収納された複数の基板に関して、２回以上の処理ループを実行したい場合がある。この場合に、従来は、１回目の処理ループによる処理が終了した基板を一旦カセット内に戻し、同一のカセットに収納されていたすべての基板に対して１回目の処理ループが終了するまでカセット内で待機させていた。そして、同一のカセットに収納されていたすべての基板に対して１回目の処理ループが終了した後で、２回目の処理ループを開始していた。このため、従来は、２回以上の処理ループで処理を行なう場合に、各処理ループの間にかなりの待機時間が必要であるという問題があった。
【０００５】
この発明は、従来技術における上述の課題を解決するためになされたものであり、同一のカセット内に収納されている複数の基板に関して２回以上の処理ループを実行する場合に、処理ループ間の待機時間を短縮することのできる方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上述の課題の少なくとも一部を解決するため、第１の発明は、複数の処理ユニットを有する基板処理装置を用い、基板をカセットから取り出し複数の処理ユニットで処理してカセットに戻すまでの処理フローに従って基板を処理する方法であって、
（ａ）対象カセット内に収納された複数の基板を前記複数の処理ユニットで処理する手順を表わす第１の処理フローと第２の処理フローを指定する工程と、
（ｂ）前記対象カセットから前記複数の基板を順次取出して、前記第１の処理フローに従って処理を進める工程と、
（ｃ）前記対象カセットから最初に取出された第１の基板に関して前記第１の処理フローの最後の処理ユニットによる処理が終了した際に、前記第１と第２の処理フローの関係に基づいて、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できるか否かを判断する工程と、
（ｄ）前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断された場合には、前記第１の基板を前記対象カセットに戻すことなく、前記複数の処理ユニットによる前記第２の処理フローの処理を開始する工程と、
を備える。
【０００７】
第１の基板に関して第１の処理フローの最後の処理ユニットによる処理が終了した時に、第１と第２の処理フローの関係に基づいて、第１の基板に対して第２の処理フローによる処理を継続して実行できるか否かを判断している。従って、第１の基板に対して第２の処理フローによる処理を継続できると判断された場合には、第１と第２の処理フローによる処理の間の待機時間を短縮することができる。
【０００８】
上記第１の発明において、さらに、
（ｅ）前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できないと判断された場合には、前記第２の処理フローによる処理が開始できるまでの間、前記第１の処理フローによる処理が終了した基板を前記対象カセット内に一時的に収納する工程、
を備えることが好ましい。
【０００９】
こうすれば、第２の処理フローによる処理が開始できるまでの間、第１の処理フローによる処理が終了した基板を対象カセット内に一時的に収納するので、第２の処理フローによる処理が開始できる状態になったときに、直ちにその処理を開始することができる。
【００１０】
また、前記工程（ｃ）は、
前記第１と第２の処理フローをそれぞれ規定する第１と第２の処理レシピが互いに等しい場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、
を備えることが好ましい。
【００１１】
第１と第２の処理レシピが互いに等しい場合には、第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行することができることがある。従って、第１と第２の処理フローの間の待機時間を短縮することができる。
【００１２】
また、前記工程（ｃ）は、
前記第１と第２の処理フローが互いに等しい場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、を備えることが好ましい。
【００１３】
第１と第２の処理レシピが互いに等しくない場合も、第１と第２の処理フローが互いに等しい場合には、第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行することができることがある。従って、第１と第２の処理フローの間の待機時間を短縮することができる。
【００１４】
なお、前記対象カセットに当初収納されていた基板の枚数が、前記処理フローにおける処理ポジション数に１を加算した数以下であることが好ましい。
【００１５】
こうすれば、第１の基板を対象カセットに戻すことなく、第２の処理フローの処理を開始することができる。
【００１６】
あるいは、前記工程（ｃ）は、
前記第１の処理フローが、一時収納手段によって複数枚の基板を一時的に収納し、前記一時収納手段から前記対象カセットに基板を１枚ずつ搬送する工程を含んでいる場合には、
前記第１の基板に対する前記第１の処理フローの処理が終了した時点で前記対象カセット以外のカセットに収納されていた基板に対する処理が開始されていない場合に、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断する工程、
を備えることが好ましい。
【００１７】
処理フローが一時収納手段から対象カセットに基板を搬送する工程を含む場合には、複数の基板が一時収納手段に一時的に収納された後に対象カセットに戻される。従って、この場合には、第１の基板に対する第１の処理フローの処理が終了した時点で対象カセット以外のカセットに収納されていた基板に対する処理が開始されていない場合に、第１の基板に対して第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断できる。従って、第１と第２の処理フローの処理間の待機時間を短縮できる。
【００１８】
【発明の他の態様】
この発明は、以下のような他の態様も含んでいる。第１の態様は、複数の処理ユニットを有する基板処理装置であって、
対象カセット内に収納された複数の基板を前記複数の処理ユニットで処理する手順を表わす第１の処理フローと第２の処理フローを指定する入力手段と、
基板を前記対象カセットおよび前記複数の処理ユニットの間で搬送する基板搬送手段と、
前記第１と第２の処理フローに従って基板を前記複数の処理ユニットで処理する際に、前記複数の処理ユニットおよび前記基板搬送手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記対象カセットから前記複数の基板を順次取出して、前記第１の処理フローに従って処理を進める処理実行手段と、
前記対象カセットから最初に取出された第１の基板に関して前記第１の処理フローによる処理が終了した際に、前記第１と第２の処理フローの関係に基づいて、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できるか否かを判断する判断手段と、
前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断された場合には、前記第１の基板を前記対象カセットに戻すことなく、前記複数の処理ユニットによる前記第２の処理フローの処理を開始させる処理継続手段と、
を備える基板の処理装置。
【００１９】
第２の態様は、コンピュータシステムのマイクロプロセッサによって実行されることによって基板処理装置を制御するソフトウェアプログラムを格納した携帯型記憶媒体であって、
（ａ）対象カセット内に収納された複数の基板を前記複数の処理ユニットで処理する手順を表わす第１の処理フローと第２の処理フローを指定する工程と、
（ｂ）前記対象カセットから前記複数の基板を順次取出して、前記第１の処理フローに従って処理を進める工程と、
（ｃ）前記対象カセットから最初に取出された第１の基板に関して前記第１の処理フローによる処理が終了した際に、前記第１と第２の処理フローの関係に基づいて、前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できるか否かを判断する工程と、
（ｄ）前記第１の基板に対して前記第２の処理フローによる処理を継続して実行できると判断された場合には、前記第１の基板を前記対象カセットに戻すことなく、前記複数の処理ユニットによる前記第２の処理フローの処理を開始する工程と、
を備える基板の処理を実行させるためのソフトウェアプログラムを格納する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
Ａ．装置の構成：
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。図１は、この発明の実施例を適用する基板処理装置の全体構成を示す斜視図、図２はその平面図である。
【００２１】
基板処理装置は、インデクサ２０と、塗布処理部３０と、インタフェイスユニット４０と、熱処理ユニット５０と、を備えている。インデクサ２０の上面テーブルには、半導体ウェハＷを収納した複数のカセット２２が載置される。インデクサ２０は、移載ユニット２４（図２）によってカセット２２から処理前の半導体ウェハＷを取り出し、また、処理後の半導体ウェハＷをカセット２２に搬入する機能を有する。なお、図１に示すように、インデクサ２０の全面には操作パネル２６が設けられている。操作パネル２６は、オペレータがデータの入力を行なうキーボードと、各種のデータや処理状態等の表示を行なう表示装置と、フロッピディスクドライブとを有している。
【００２２】
塗布処理部３０は、スピンコータ（回転式塗布処理ユニット）３２と、複数の熱処理板ユニット３６とを有している。図２に示すように、複数の熱処理板ユニット３６は、ウェハＷを加熱するためのホットプレートＨＰ１〜ＨＰ４，ＨＨ１〜ＨＨ２と、ウェハＷを冷却するためのクールプレートＣＰ１〜ＣＰ２とを有している。なお、ホットプレートＨＨ１〜ＨＨ２は、通常のホットプレートよりもより高温で加熱処理が行なえる機能を備えるホットプレートである。塗布処理部３０は、これらの処理ユニット３２，３６によって、半導体ウェハＷの表面に塗布液を供給して被膜を形成する処理を実行する。
【００２３】
図２に示すように、塗布処理部３０の中央には通路３７が設けられており、通路３７には半導体ウェハＷを搬送するための搬送ユニット３８が設けられている。搬送ユニット３８は、インデクサ２０の移載ユニット２４から半導体ウェハＷを受け取り、予め設定された処理フローに従って半導体ウェハＷを各処理ユニット３２，３６（ＨＰ１〜ＨＰ４，ＨＨ１〜ＨＨ２，ＣＰ１〜ＣＰ２）に順次搬送する。
【００２４】
なお、搬送ユニット３８と移載ユニット２４は、本発明における基板搬送手段に相当する。
【００２５】
インタフェイスユニット（ＩＦＣ）４０には、複数枚のウェハを収容するための複数の石英ボート４２が配置されている。これらの石英ボート４２には、塗布処理部３０で塗布処理された半導体ウェハＷが収納される。
【００２６】
熱処理ユニット（ＡＶＦ）５０は、ボート搬送室５４と炉室５６とを備えている。ボート搬送室５４は、塗布処理後のウェハＷを複数枚収納した石英ボート４２を搬送するボート搬送ユニット５８を備えている。また、炉室５６には、石英ボート４２に収納された複数枚のウェハＷを一括して熱処理する縦型熱処理炉５９が設置されている。
【００２７】
なお、この明細書における「処理ユニット」とは、スピンコータ（ＳＣ）３２、各熱処理板ユニット３６（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ４，ＨＨ１〜ＨＨ２，クールプレートＣＰ１〜ＣＰ２）、熱処理ユニット（ＡＶＦ）５０のそれぞれを意味している。
【００２８】
図３は、図１の基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。図３において、コントローラ２７は、演算部（ＣＰＵ）やメインメモリ（ＲＡＭおよびＲＯＭ）を備えた演算処理装置であり、操作パネル２６のディスプレイ２８およびキーボード２９と接続されている。コントローラ２７は、オペレータ（ユーザ）によって予め設定された処理レシピに従って搬送ユニット３８や移載ユニット２４の動作、および、各処理ユニットの動作を制御する。また、インタフェイスユニットＩＦＣと熱処理ユニットＡＶＦとが通信可能に接続されている。コントローラ２７は、本発明における制御手段や、処理実行手段、判断手段、および処理継続手段としての機能を有している。また、キーボード２９は、本発明における入力手段に相当する。
【００２９】
なお、コントローラ２７による各種の機能を実現するソフトウェアプログラム（アプリケーションプログラム）は、フロッピディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の携帯型記憶媒体（可搬型記憶媒体）からコントローラ２７のメインメモリまたは外部記憶装置に転送される。
【００３０】
Ｂ．第１実施例：
図４は、第１実施例における半導体ウェハの処理フローの一例を示す説明図である。図４の処理フローにおいては、半導体ウェハは、インデクサＩＮＤから取出された後、スピンコータＳＣ、ホットプレートＨＰ１（またはＨＰ２）、ホットプレートＨＰ３（またはＨＰ４）、ホットプレートＨＨ１（またはＨＨ２）、クールプレートＣＰ１（またはＣＰ２）の順に搬送されて各処理ユニットで処理を受け、処理が終了するとインデクサＩＮＤに戻される。そして、インデクサＩＮＤは、ウェハをカセット２２内に搬入する。図４において、各処理ユニットを示すブロック内に記されている丸で囲まれた数字１〜９は、各処理ユニットで処理されている基板の番号を示している。また、インデクサＩＮＤを示すブロック内に記されている丸で囲まれた数字１０は、カセットから取出されてインデクサＩＮＤの待機ピン（図示せず）において待機状態にあるウェハを示している。
【００３１】
第１実施例では、各ウェハに関してこの同一の処理フローを２回実施する。オペレータは、この処理フローを規定した処理レシピを２回実行する旨を操作パネル２６を用いて指定する。なお、処理レシピには、処理フローと、各処理ユニットにおける処理条件とが規定されている。
【００３２】
図５は、第１実施例における２回目の処理フローによる処理を開始する際のコントローラ２７の判断手順を示すフローチャートである。なお、以下では「処理フローによる処理」を単に「処理ループ」とも呼ぶこともある。１番目のウェハに関して、処理フロー上の最後の処理ユニット（図４の例ではクールプレートＣＰ１またはＣＰ２）による処理が終了すると、図５のステップＳ１において、対象カセットの最終ウェハが対象カセットから搬出されているか否かを判断する。ここで、「対象カセット」とは、処理中のウェハが収納されていたカセットを言う。また、「最終ウェハが対象カセットから搬出されている」とは、最終ウェハが対象カセットから取出されており、処理フロー上においてインデクサＩＮＤの待機ピン以降の位置にあることを意味する。
【００３３】
対象カセットの最初のウェハの処理が終了した時点で最終ウェハが対象カセットから搬出されているか否かは、対象カセット内に当初から収納されていたウェハ枚数と、処理フロー上の処理ポジション数とによって決まる。ここで、「処理ポジション数」とは、処理フロー上においてウェハが処理を受ける位置の数である。図４の例では、処理ポジションはスピンコータＳＣからクールプレートＣＰ２までの９箇所である。対象カセット内に収納されていたウェハの枚数が、（処理ポジション数＋１）以下の場合には、ステップＳ１の判断が肯定される。図４の例では、対象カセット内に収納されていたウェハの枚数が１０枚以下である場合には、ステップＳ１の判断が肯定される。なお、上述の判断において処理ポジション数に１を加算したのは、インデクサＩＮＤにおける待機ピンの位置を考慮したからである。
【００３４】
ステップＳ１において対象カセットの最終ウェハが搬出されてない場合には、１番目のウェハを対象カセットに戻さずにそのまま２回目の処理ループを開始することはできない。従って、この場合にはステップＳ４が実行され、１番目のウェハがインデクサＩＮＤに戻されて対象カセットに搬入される。一方、対象カセットの最終ウェハが既に搬出されている場合には、ステップＳ２において、現行処理のレシピ（１回目の処理フローを規定している処理レシピ）と次の処理のレシピ（２回目の処理フローを規定している処理レシピ）とが同一か否かを判断する。
【００３５】
１回目と２回目の処理フローのレシピが同一でない場合には、２回目の処理フローの処理が１回目フローの処理とは異なるので、１番目のウェハに対して２回目の処理ループをそのまま継続できない可能性がある。そこで、この場合には、ステップＳ４が実行され１番目のウェハがインデクサＩＮＤに戻される。
【００３６】
一方、１回目と２回目の処理フローのレシピが同一である場合には、１番目のウェハに対して２回目の処理ループをそのまま継続することができる。そこで、この場合には、ステップＳ３において１番目のウェハをインデクサＩＮＤに戻すことなく、処理フロー上の最初の処理ユニット（図４の場合にはスピンコータＳＣ）に搬送する。
【００３７】
図６は、対象カセットのウェハ枚数が（処理ポジション数＋１）に等しい場合におけるステップＳ３の搬送手順を示す説明図である。図６（Ａ）はステップＳ３の実行前の状態を示し、図６（Ｂ）は実行後の状態を示している。図６（Ａ）の状態からステップＳ３が実行されると、搬送ユニット３８は、まずインデクサＩＮＤの待機ピン上で待機していた１０番目のウェハをスピンコータＳＣまで搬送し、スピンコータＳＣでの処理が終了した９番目のウェハと交換する。なお、搬送ユニット３８は２組のアームを有しており、各処理ユニットにおいて２組のアームを用いてウェハを交換する作業を行ないつつ、ウェハを次の処理ユニットに順次搬送していく機能を有している。すなわち、図６（Ａ）の例では、９番目のウェハがスピンコータＳＣからホットプレートＨＰ１に搬送され、７番目のウェハがホットプレートＨＰ１から次のホットプレートＨＰ３に、５番目のウェハがホットプレートＨＰ３からさらに次のホットプレートＨＨ１に、３番目のウェハがホットプレートＨＨ１からクールプレートＣＰ１にそれぞれ搬送される。また、１番目のウェハは、図６（Ｂ）に示すように、クールプレートＣＰ１から取出されて搬送ユニット３８のアーム上で待機する。
【００３８】
図６（Ｂ）の状態において各処理ユニットにおける処理が終了すると、搬送ユニット３８のアーム上で待機していた１番目のウェハがスピンコータＳＣで処理されていた１０番目のウェハと交換されて、１番目のウェハに対する２回目の処理ループが開始される。また、１０番目のウェハはスピンコータＳＣからホットプレートＨＰ２に搬送され、８番目のウェハはホットプレートＨＰ２から次のホットプレートＨＰ４に、６番目のウェハはホットプレートＨＰ４からさらに次のホットプレートＨＨ２に、２番目のウェハがホットプレートＨＨ２からクールプレートＣＰ２にそれぞれ搬送される。また、２番目のウェハは、図６（Ｃ）に示すように、クールプレートＣＰ１から取出されて搬送ユニット３８のアーム上で待機する。
【００３９】
こうして、２回目の処理ループが終了したウェハは、クールプレートＣＰ１（またはＣＰ２）からインデクサＩＮＤに戻され、対象カセット内に収納される。
【００４０】
図７は、対象カセットに収納されていたウェハ枚数が処理ポジション数以下の場合におけるステップＳ３の搬送手順を示す説明図である。図７の例では、対象カセットのウェハ枚数は８であり、処理ポジション数は９である。このように、対象カセットのウェハ枚数が処理ポジション数以下の場合には、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、１回目の処理ループを終了した１番目のウェハを、そのまま処理フロー上の最初の処理ユニット（スピンコータＳＣ）に搬入できる。すなわち、この場合には、図６に示すようにウェハを搬送ユニット３８上で待機させる必要はない。
【００４１】
上述したように、第１実施例では、１番目のウェハに対して１回目の処理ループが終了した際に、対象カセット内に収納されていた最終ウェハが対象カセットから取出されているか否かを判断し、最終ウェハが取出されている場合には１番目のウェハをインデクサＩＮＤに戻すことなく、１番目のウェハに対する２回目の処理ループを継続する。従って、「対象カセット内のすべてのウェハに対して１回目の処理ループが終了するまでウェハをカセット内に待機させておく」という従来の方法に比べて、ウェハの待機時間を短縮することができ、従ってスループットを向上させることができる。また、ウェハをカセット内に戻す回数が減少するので、カセットへのウェハの搬入／搬出に伴うパーティクル（不純物）の発生を低減することができる。
【００４２】
なお、ステップＳ４において１番目のウェハを対象カセット内に一旦収納する場合には、２番目以降のウェハも対象カセットに順次収納する。そして、各ウェハに対して１回目の処理ループが終了するたびに、ステップＳ１とステップＳ２の判断を実行する。そして、ステップＳ１とＳ２における判断が共に肯定された場合には、１回目の処理ループの処理を終了して対象カセット内に一旦収納されていたウェハを対象カセットから順次取出して、２回目の処理ループの処理を開始する。こうすれば、１回目の処理ループと２回目の処理ループの間の待機時間を従来に比べて短縮することが可能である。
【００４３】
Ｃ．第２実施例：
図８は、第２実施例において２回目の処理ループを実行する際の判断手順を示すフローチャートである。図８の手順は、図５の手順にステップＳ１１を追加したものである。
【００４４】
第２実施例では、ステップＳ２において現行処理と次の処理のレシピが異なることが判明した場合に、ステップＳ１１において、現行処理のレシピで規定されている処理フローと次の処理のレシピで規定されている処理フローとが同一か否かを判断する。２つの処理フローが同一の場合には、ステップＳ３を実行し、１番目のウェハを対象カセットに戻すことなく２回目の処理ループを実行する。一方、２つの処理フローが同一でない場合には、ステップＳ４において１番目のウェハを一旦対象カセットに収納する。
【００４５】
第２の実施例では、１回目の処理のレシピと、２回目の処理のレシピとが異なる場合にも、１回目と２回目の処理フローが同じ場合には、その間の待機時間を短縮することが可能である。
【００４６】
Ｄ．第３実施例：
図９は、第３実施例における処理フローを示す説明図である。図９の処理フローは、図４に示す第１実施例の処理フローのクールプレートＣＰ１，ＣＰ２の後にインタフェイスユニットＩＦＣを設け、石英ボート４２ａ，４２ｂに収納されたウェハをインタフェイスユニットＩＦＣから熱処理ユニットＡＶＦに搬送するようにしたものである。この例では、各石英ボート４２ａ，４２ｂに５０枚のウェハＷが収納できるものと仮定している。本実施例の熱処理ユニットＡＶＦでは、２カセット分のウエハ、すなわち５０枚のウエハを一度に熱処理できるように構成されたものとする。
【００４７】
図９の状態では、１番目から５０番目までの最初の５０枚のウェハに対しては熱処理ユニット５０における熱処理が終了しており、インタフェイスユニットＩＦＣの第１の石英ボート４２ａに収納されて待機している。また、５１番目から１００番目までの５０枚のウェハに対しては、熱処理ユニット５０において熱処理が実行されている。そのため、図９の状態では、スピンコータＳＣ，ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ４，ＨＨ１〜ＨＨ２，ＣＰ１〜ＣＰ２の各処理部は空き状態となっている。
【００４８】
インタフェイスユニット４０の各石英ボート４２ａ，４２ｂはそれぞれ複数枚のウェハを収納することが可能なので、処理フローの中にインタフェイスユニット４０が含まれている場合には、２回目の処理ループの開始に当たって第１実施例や第２実施例と異なる判断が必要になる。
【００４９】
図１０は、第３実施例において、２回目の処理ループを行なう際のコントローラ２７の判断手順を示すフローチャートである。ステップＳ２２において、対象カセット以外のカセットからウェハが搬出されているか否か、すなわち、他のカセットのウェハに関する処理が熱処理ユニットＡＶＦ以外の各処理ユニットにおいて行われているか否かを判断する。ステップＳ２２においてこのような判断を行なうのは、処理レシピによっては、複数のカセットに対して同一の処理を行なうことを規定しているものが存在するものである。他のカセットのウェハに関する処理が行なわれている場合には、対象カセットのウェハに対する２回目の処理ループを直ちに開始することはできない。従って、この場合にはステップ２７に移行してインデクサＩＮＤにウェハを戻し、対象カセット内にウェハを一時的に収納する。なお、この場合の対象カセットとは、５０枚の基板に対するものが対象となるので、２カセット分が相当する。一方、他のカセットのウェハの処理が開始されていなければ、ステップＳ２４に移行する。
【００５０】
ステップ２３では、対象カセットにおいて、次のレシピの処理はインタフェイスユニットＩＦＣを含む処理か否かを判断する。ここでこのような判断を行うのは、もし次のレシピがインタフェイスユニットＩＦＣを含まないレシピの場合、インデクサＩＮＤに戻さずにそのまま次のレシピによる各処理ユニットでの処理に移行すると、次のレシピによって処理の終了したウエハと、ＩＦＣから搬出されたウエハとがインデクサＩＮＤに戻るときにインデクサＩＮＤでかちあう可能性があり、それを避けるためである。そこで、次のレシピがインタフェイスユニットＩＦＣを含まないレシピの場合には、ステップ２７に移行してインデクサＩＮＤにウエハを戻し、対象カセット内にウエハを一時的に収納する。一方、対象カセットにおいて、次のレシピの処理が、インタフェイスユニットＩＦＣを含む処理の場合には、ステップ２４に移行する。
【００５１】
ステップＳ２４では、現行の処理フローにおいて、インタフェイスユニットＩＦＣとインデクサＩＮＤとの間に処理ユニットによるプロセス処理を含むか否かが判断される。図９の処理フローでは、インタフェイスユニットＩＦＣとインデクサＩＮＤとの間に処理ユニットによるプロセス処理を含まないのでステップＳ２６が実行され、インデクサＩＮＤにウェハＷを戻さずに、２回目の処理ループの処理を開始する。
【００５２】
図１１は、図９の状態からステップＳ２６の処理を実行した状態を示している。図９の状態からステップＳ２６が実行されると、第１の石英ボート４２ａで待機していた１番目のウェハは、搬送ユニット３８によって第１の石英ボート４２ａから取出されて、処理フローの最初の処理ユニット（スピンコータＳＣ）に搬入される。
【００５３】
このように、処理フローの中にインタフェイスユニットＩＦＣが含まれている場合には、インタフェイスユニットＩＦＣ内の石英ボート４２がウェハを一時的に収納するバッファ（一時収納手段）として機能する。従って、この場合には、図６（Ａ）のように、２回目の処理ループを開始する際にウェハを搬送ユニット３８で待機させる必要はない。
【００５４】
ところで、図１０のステップＳ２４において、インタフェイスユニットＩＦＣとインデクサＩＮＤとの間に処理ユニットによるプロセス処理を含む場合には、ステップＳ２５の判断が実行される。図１２は、インタフェイスユニットＩＦＣとインデクサＩＮＤとの間に処理ユニットによるプロセス処理を含む場合の処理フローの一例を示す説明図である。図１２の処理フローでは、クールプレートＣＰ１（またはＣＰ２）による処理がインタフェイスユニットＩＦＣの後に行なわれる。このような処理フローの場合には、ステップＳ２５において、現行の処理ループのレシピと次の処理ループのレシピとが同一か否かを判断する。そして、その結果に応じてインデクサＩＮＤにウェハを戻さずに処理を行なう（ステップＳ２６）か、または、インデクサＩＮＤにウェハを戻して対象カセットに一時的に収納する（ステップＳ２７）か、を決定する。なお、ステップＳ２５〜Ｓ２７の処理は、第１実施例におけるステップＳ２〜Ｓ４（図５）の処理と同一である。
【００５５】
上述したように、処理フローにインタフェイスユニットＩＦＣが含まれている場合には、インタフェイスユニットＩＦＣが有する複数の石英ボート４２をウェハＷを一時的に収納しておくバッファとして利用できる。従って、１回目の処理ループが終了した時点において、他のカセットのウェハの処理が開始されていなければ、すなわち熱処理ユニットＡＶＦ以外の各処理ユニットにおいて行われていなければ、ウェハをインデクサＩＮＤに戻すことなく２回目の処理ループを開始することが可能である。この結果、ウェハの待機時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【００５６】
なお、ステップＳ２７において１番目のウェハを対象カセット内に一旦収納する場合には、２番目以降のウェハも対象カセットに順次収納する。そして、各ウェハに対する１回目の処理ループの処理が終了するたびに、ステップＳ２２〜Ｓ２５の判断を実行する。そして、ステップＳ２２〜Ｓ２５の判断によってステップＳ２６を実行することが決定された場合には、１回目の処理ループを終了して対象カセット内に一旦収納されていたウェハを対象カセットから順次取出して、２回目の処理ループを開始する。こうすれば、１回目の処理ループと２回目の処理ループの間の待機時間を従来に比べて短縮することが可能である。
【００５７】
Ｅ．第４実施例：
図１３は、第４実施例における処理フローの一部を示す説明図である。第４実施例の手順は、図１０に示す第３実施例の手順のステップＳ２５の後にステップＳ３１，Ｓ３２を追加したものである。なお、図１３では、ステップＳ２４以前のステップを図示の便宜上省略している。
【００５８】
ステップＳ３１では、現行処理のレシピで規定されている処理フローと次の処理のレシピで規定されている処理フローとが同一か否かを判断する。２つの処理フローが同一の場合には、ステップＳ２６に移行し、１番目のウェハを対象カセットに戻すことなく２回目の処理ループを実行する。一方、２つの処理フローが同一でない場合には、ステップＳ３２の判断を行なう。ステップＳ３２では、現行処理のフロー上においてインタフェイスユニットＩＦＣの後に使用されている処理ユニットを、次の処理においてインタフェイスユニットＩＦＣの前に使用するか否かを判断する。例えば、現行の処理フローが図１２に示すものであり、次の処理フローが図１１に示すものである場合には、ステップＳ３２における判断が肯定される。ステップＳ３２の判断が肯定された場合には、次の処理ループの処理を開始することができないことが多いので、ステップＳ２６に移行し、１回目の処理ループの処理を終了したウェハをインデクサＩＮＤに戻して一旦対象カセットに収納する。
【００５９】
上述した第４実施例の手順によれば、現行の処理フローと次の処理フローとの種々の関係に従って（すなわちステップＳ２５，Ｓ３１，Ｓ３２の判断に応じて）、インデクサＩＮＤに戻さずに次の処理ループを開始できるか否かを判断している。従って、インデクサＩＮＤに戻さずに２回目の処理ループを開始できる場合が増えるので、ウェハの待機時間を短縮でき、スループットを向上させることができる。
【００６０】
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例を適用する基板処理装置の全体構成を示す斜視図。
【図２】基板処理装置の平面図。
【図３】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】第１実施例における処理フローを示す説明図。
【図５】第１実施例において２回目の処理ループを実行する際の判断手順を示すフローチャート。
【図６】対象カセットのウェハ枚数が（処理ポジション数＋１）に等しい場合におけるステップＳ３の搬送手順を示す説明図。
【図７】対象カセットのウェハ枚数が処理ポジション数以下の場合におけるステップＳ３の搬送手順を示す説明図。
【図８】第２実施例において２回目の処理ループを実行する際の判断手順を示すフローチャート。
【図９】第３実施例における処理フローを示す説明図。
【図１０】第３実施例において２回目の処理ループを実行する際の判断手順を示すフローチャート。
【図１１】図１０のステップＳ２６における搬送手順を示す説明図。
【図１２】インタフェイスユニットＩＦＣとインデクサＩＮＤとの間に処理ユニットによるプロセス処理を含む場合の処理フローの一例を示す説明図。
【図１３】第４実施例における判断手順の一部を示すフローチャート。
【図１４】処理フローの一例を示す説明図。
【符号の説明】
２０…インデクサ（ＩＮＤ）
２２…カセット
２４…移載ユニット（基板搬送手段）
２６…操作パネル
２７…コントローラ（制御手段、処理実行手段、判断手段、処理継続手段）
２８…ディスプレイ
２９…キーボード（入力手段）
３０…塗布処理部
３２…スピンコータ（ＳＣ）
３６…熱処理板ユニット
３７…通路
３８…搬送ユニット（基板搬送手段）
４０…インタフェイスユニット（ＩＦＣ）
４２…石英ボート（一時収納手段）
５０…熱処理ユニット（ＡＶＦ）
５４…ボート搬送室
５６…炉室
５８…ボート搬送ユニット
５９…縦型熱処理炉
ＣＰ１，ＣＰ２…クールプレート
ＨＨ１，ＨＨ２…ホットプレート
ＨＰ１〜ＨＨ４…ホットプレート
ＩＦＣ…インタフェイスユニット
ＩＮＤ…インデクサ
ＳＣ…スピンコータ
ＳＤ…スピンデベロッパ
Ｗ…半導体ウェハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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