(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にデータ線およびゲート線によって区画形成された各画素領域のうちの第１の画素領域には、前記データ線と前記ゲート線に導電接続された薄膜トランジスタと、画素電極と、この画素領域に隣接する第２の画素領域との少なくとも１つの境界領域側に形成され、前記データ線および前記ゲート線から絶縁分離されると共に、前記第１の画素領域の画素電極に導電接続される導電性遮光層とを有し、
前記第１の画素領域の導電性遮光層は、前記ゲート線および前記画素電極に重なるように配置されて成り、
前記画素電極と前記導電性遮光層とは、その両者の間に形成される層間絶縁膜に形成した接続孔を介して導電接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記導電性遮光層は、その外端縁が前記ゲート線上にあることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の画素領域は、前記第２の画素領域とのいずれの境界域側にも前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層によって、前記第１の画素領域は前記第２の画素領域から区画されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の画素領域は、前記第２の画素領域との境界域のうちの２つの境界領域側に前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層および他の２つの境界領域側の導電性遮光層によって前記第２の画素領域から区画されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の画素領域の導電性遮光層は、層間絶縁膜を介して前記ゲート線の幅方向に跨って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス基板の側に形成したブラックマトリクスのような遮光層の構造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
代表的なフラットパネル型ディスプレイである液晶表示装置においては、図２８および図２９に示すように、画像信号を供給するデータ線（ソース線）５０２ａ、５０２ｂ・・・および走査信号を伝達するゲート線５０３ａ、５０３ｂ・・・・が格子状に配置されて、各画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・が区画形成された一方側の透明基板と、共通電極５３３が形成された他方側の透明基板５３０（対向基板）との間に液晶５４０が封入されており、共通電極５３３と各画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・の画素電極５１５５０６との間に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０８を介して印加される電位を制御して、画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・毎の液晶の配向状態を変えるようになっている。このような液晶表示装置においては、たとえば、図２９に示すように、データ線５０２ａと画素電極５０６との隙間からの光の漏れ（矢印Ａで示す。）が表示の品位を低下させてしまうという問題点がある。また、データ線５０２ａと画素電極５０６との間の電界の影響によって液晶の配向状態が乱れるリバースチルトドメイン領域が画素電極５０６の外端縁より内側に発生し、その領域に起因して、表示の品位が低下するという問題点もある。このため、画素毎の表示の精彩度を高める目的に、共通電極５３３が形成された他方側の透明基板５３０に、画素領域間の境界領域に対応して遮光性のブラックマトリクス５３１を形成し、この画素領域間の境界領域にブラックマトリクス５３１が位置するように２枚の透明基板５０９、５３０を対向させて表示の品位を確保している。ここで、各画索領域間の境界領域とブラックマトリクス５３１との間に位置ずれが発生していると、表示の品質が低下するため、ブラックマトリクス５３１の幅にマージンもたせて上述の位置ずれが発生することを防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示装置に対しては、画面の大型化と共に、表示の高品質化が要求されている状況下にあって、従来のようにブラックマトリクスの幅をマージンをもつように広げておくことは、画素領域における開口率（表示可能な領域の面積比）の低下を招来し、表示品質の向上を妨げるという問題点がある。そこで、本願発明者は、マトリクスアレイが形成された透明基板の側にブラックマトリクスも形成しておくことによって、画素領域間の境界領域とブラックマトリクスとの位置ずれを防止し、ブラックマトリクスの幅を必要最小限の幅に設定可能とすることを提案するものである。この提案に沿って、本願発明者が最初に案出したものは、図３０および図３１に比較例として示す液晶表示装置である。これらの図において、透明基板５０９の表面側にはデータ線５０２ａ、５０２ｂ・・・およびゲート線５０３ａ、５０３ｂ・・・が格子状に配置されて各画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・が区画形成されており、これらの各画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・の境界領域に沿ってブラックマトリクス５１７が形成されている。ここで、ブラックマトリクス５１７は、たとえば、画素領域５０１ｂｂにおいて、データ線５０２ａが導電接続するソース５０４、ゲート線５０３ａが導電接続するゲート電極５０５および画素電極５０６が導電接続するドレイン５０７によって構成されたＴＦＴ５０８の表面側に層間絶縁膜５１３、５１５を介して形成されており、データ線５０２ａ、ゲート線５０３ａおよび画素電極５０６のいずれとも絶縁分離された状態にある。このような構成の液晶表示装置においては、ブラックマトリクス５１７の幅に不必要なマージンを設けなくとも、各画素領域とブラックマトリクス５１７とを高い精度で位置合わせできるので、液晶表示装置の開口率が犠性になることがない。しかしながら、この液晶表示装置においては、以下のような新たな問題がある。ブラックマトリクス５１７には、いずれの電位も印加されておらず、フローティング状態にあるため、液晶表示装置の動作状態によって、ブラックマトリクス５１７の電位が変動し、この電位の変動によって画素電極５０６と他方側の透明基板の共通電極との間に存在する液晶の配向状態が乱れて、表示の品質を低下させてしまう。また、いずれの画素領域５０１ａａ、５０１ａｂ・・・に対するブラックマトリクス５１７も共通であるため、たとえば、ブラックマトリクス５１７が画索領域５０１ｂｂの画素電極５０６、データ線５０２ａ、５０２ｂまたはゲート線５０３ａ、５０３ｂなどと短絡していると、液晶表示装置全体が表示不良になってしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶表示装置は、基板上にデータ線およびゲート線によって区画形成された各画素領域のうちの第１の画素領域には、前記データ線と前記ゲート線に導電接続された薄膜トランジスタと、画素電極と、この画素領域に隣接する第２の画素領域との少なくとも１つの境界領域側に形成され、前記データ線および前記ゲート線から絶縁分離されると共に、前記第１の画素領域の画素電極に導電接続される導電性遮光層とを有し、
前記第１の画素領域の導電性遮光層は、前記ゲート線および前記画素電極に重なるように配置されて成り、
前記画素電極と前記導電性遮光層とは、その両者の間に形成される層間絶縁膜に形成した接続孔を介して導電接続していることを特徴とする。
【０００５】
上記構成の如く、画素電極側の基板に導電性遮光層を設けたので、導電性遮光層とゲート線との間に光漏れが生じることを防止でき、表示品質や信頼性などを犠牲にすることなく、開口率を向上させることができる。
【０００６】
前記導電性遮光層は、その外端縁が前記ゲート線上にあれば良い。
【０００７】
前記第１の画素領域は、前記第２の画素領域とのいずれの境界域側にも前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層によって、前記第１の画素領域は前記第２の画素領域から区画されても良い。
【０００８】
前記第１の画素領域は、前記第２の画素領域との境界域のうちの２つの境界領域側に前記導電性遮光層を有し、この導電性遮光層および他の２つの境界領域側の導電性遮光層によって前記第２の画素領域から区画されても良い。
【０００９】
前記第１の画素領域の導電性遮光層は、層間絶縁膜を介して前記ゲート線の幅方向に跨って形成されていると良い。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図、図２は、そのＩ−Ｉ線における断面図である。
【００１９】
本例の液晶表示装置においては、図１に示すように、垂直方向のデータ線１０２ａ、１０２ｂ・・・（信号線）と、水平方向のゲート線１０３ａ、１０３ｂ・・・（走査線）とが格子状に配置され、それらの間に各画素領域１０１ａａ、１０１ａｂ、１０１ａｃ、１０１ｂａ、１０１ｂｂ・・・が区画形成されている。以下に画素領域１０１ｂｂ（第１の画素領域）を例にとって、その構造を説明する。ここで、画素領域１０１ｂｂには画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ、１０１ｃｂ、１０１ｂｃ（第２の画素領域）が隣接しており、画素領域１０１ｂｂには、データ線１０２ａが導電接続するソース１０４、ゲート線１０３ｂが導電接続するゲート電極１０５、および画素電極１０６が導電接続するドレイン１０７によってＴＦＴl０８が構成されている。ここで、画素電極１０６は、ＩＴＯからなる透明電極であって、画素碩域１０１ｂｂの略全面にわたって形成されている。
【００２０】
このＴＦＴl０８の断面構造は、図２に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板１０９の表面側に多結晶シリコン層１１０が形成されており、この多結晶シリコン層１１０には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域１１１を除いて、n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース１０４およびドレイン１０７が形成されている。ここで、リンの導入は、多結晶シリコン層１１０の表面側に形成されたゲート電極酸化膜１１２の上のゲート電極１０５をマスクとするイオン注入を利用することにより、ソース１０４およびドレィン１０７がセルフアラインとなるように行われる。このＴＦＴl０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜１１３が堆積されており、それには第１の接続孔１１３ａと第２の接続孔１１３ｂとが開口されている。そのうちの第１の接続孔１１３ａを介して、低抵抗金属層、たとえばアルミニウム層あるいはアルミニウムを含む合金層からなるデータ線１０２ａがソース１０４に導電接続している。一方、第２の接続孔１１３ｂを介しては、画素電極１０６がドレイン１０７に導電接続している。
【００２１】
さらに、この液晶表示装置においては、透明基板１０９の表面側に、上層側層間絶縁膜１１５と、その表面側に形成された遮光性および導電性を備えるクロム層１１６ｂｂ（導電性遮光層）を有する。ここで、クロム層１１６ｂｂは、画素領域１０１ｂｂにおいてＴＦＴl０８の形成領域と対角の位置、すなわち、画素領域１０１ｂｂと画素領域１０１ａｂ、１０１ａｃ、１０１ｂｃとが接する側の端部において、上層側層間絶縁膜１１５の接続孔１１５ａを介して画素電極１０６に導電接続している。また、クロム層１１６ｂｂは、その外端縁１１６xが画素領域１０１ｂｂと画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ、１０１ｃｂ、１０１ｂｃとの境界領域、すなわち、データ線１０２ａ、１０２ｂおよびゲート線１０３ａ、１０３ｂの直上に位置するように形成されており、データ線１０２ａ、１０２ｂおよびゲート線１０３ａ、１０３ｂとは層間絶縁膜１１３１１５を介して絶縁分離された状態にある。さらに、クロム層１１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、いずれも隣接する画素領域のクロム層とは絶縁分離された状態にある。たとえば、クロム層１１６ｂｂの外端縁１１６xと、クロム層１１６ａｂ、１１６ｂａ、１１６ｃｂ、１１６ｂｃの外端縁１１６ｘとは、データ線１０２ａ、１０２ｂおよびゲート線１０３ａ、１０３ｂの直上位置で絶縁分離された状態にある。従って、いずれのクロム層、たとえば、クロム層１１６ｂｂは画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ、１０１ｃｂ、１０１ｃｃの各画素電極とも絶縁分離された状態にあるため、クロム層１１６ｂｂには同じ画素領域１０１ｂｂの画素電極１０６から電位が印加されることがあっても、他の画素領域の画素電極から電位が印加されない状態にある。加えて、データ線１０２ａの表面側略全体は、層間絶縁膜１１５とクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂａの端部によって覆われ、データ線１０２ａに印加された電位が、その表面側の液晶に対して影響を及ぼすこともないようになっている。また、クロム層１１６ｂｂは、前段のゲート線１０３ａの側に広い重なり面積をもって形成され、このクロム層１１６ｂｂは、画素電極１０６に導電接続しているため、保持容量を構成している状態にある。
【００２２】
本例においては、マトリクスアレイに加えてブラックマトリクス１１６も形成された透明基板１０９と、カラーフィルタおよび共通電極が形成された他方側の透明基板（図示せず）との間に液晶が封入されて、液晶表示装置が構成される。そして、データ線１０２ａ、１０２ｂ・・・およびゲート線１０３ａ、１０３ｂ・・・によって伝達される信号によって、共通電極と各画素電極１０６との間に発生する電位を制御して、画素領域毎の液晶の配向状態を変え、情報を表示するようになっている。
【００２３】
ここで、従来の液晶表示装置においては、共通電極が形成された透明基板には、透明基板１０９の画素領域の境界領域に対応するブラックマトリクスが形成されているが、本例の液晶表示装置においては、各クロム屑、たとえば、クロム層１１６ｂｂが画素領域１０１ｂｂと周囲の画素領域との境界領域に形成されていることを利用して、各クロム層１１６ｂｂ、１１６ａｂ、１１６ｂａ、１１６ｃｂ、１１６ｃｃ・・・をブラックマトリクスとして利用するため、共通電極が形成された透明基板の側にはブラックマトリクスを形成しておく必要がない。従って、従来のように、２枚の透明基板を対向させるときに、各画素領域の境界領域とブラックマトリクス１１６との位置合わせ精度が問題にならないので、ブラックマトリクス１１６の幅を、各画素領域の境界領域、すなわち、データ線１０２ａ、１０２ｂ・・・およびゲート線１０３ａ、１０３ｂなどの幅に対応させて、最小限の幅に設定できる。それ故、液晶表示装置の開口率を向上可能である。
【００２４】
また、クロム層１１６ｂｂは、データ線１０２ａ、１０２ｂ、ゲート線１０３ａ、１０３ｂおよび隣接する画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ、１０１ｃｂ、１０１ｂｃの画素電極から絶縁分離されている一方で、同じ画素領域１０１ｂｂの画素電極１０６には導電接続しているため、クロム層１１６ｂｂの電位は、液晶表示装置の動作状態にかかわらず、常に画素電極１０６と同じ電位が印加された状態にある。それ故、クロム層１１６ｂｂの電位は、画素領域１０１ｂｂにおいて、画素電極１０６と共通電極との間に存在する液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス１１６は、画素領域１０１ｂｂなど、画素領域毎に電気的に独立した状態のクロム層１１６ｂｂ・・・によって構成されているため、たとえば、画素領域１０１ｂｂにおいて、クロム層１１６ｂｂとデータ線１０２ａとが短絡状態にあっても、この画素領域１０１ｂｂのみが表示不可能、すなわち、その影響は表示の点欠陥の発生に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。
【００２５】
（実施例２）
図３は、本発明の実施例２に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図、図４は、そのＩＩ−ＩＩ線における断面図である。ここで、実施例１に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省略する。
【００２６】
この実施例に係る液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線１０２ａ、１０２ｂ．・・・と、水平方向のゲート線１０３ａ、１０３ｂ・・・とが格子状に配線されて区画形成された各画素領域１０１ａａ、１０１ａｂ、１０１ａｃ、１０１ｂａ、１０１ｂｂ・・・のうち、たとえば、画素領域１０１ｂｂ（第１の画素領域）においては、透明基板１０９の表面側にＴＦＴl０８が形成されており、それらの表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜１１３が推積されている。そして、第１の接続孔１１３ａを介して、データ線１０２ａがソース１０４に導電接続している。さらに、それらの表面側には上層側層間絶縁膜１１５も形成されており、これらの第１および上層側層間絶縁膜１１３１１５を貫通する接続孔１１５ａを介して、遮光性および導電性を有するクロム層１１６ｂｂ（導電性遮光層）がドレイン１０７に導電接続している。そして、ドレイン１０７を介して電位が印加されるべき画素電極１０６は、上層側層間絶縁膜１１５の表面側に形成されてクロム層１１６ｂｂに導電接続している。ここで、クロム層１１６ｂｂは、実施例１と同様に、その外端縁１１６xが画素領域１０１ｂｂと、それに隣接する画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ１０１ｃｂ、１０１ｃｂ（第２の画素領域）との境界領域、すなわち、データ線１０２ａ、１０２ｂおよびゲート線１０３ａ、１０３ｂの形成領域の直上に位置するように形成されており、これらのデータ線１０２ａ、１０２ｂおよびゲート線１０３ａ、１０３ｂとは層間絶縁膜１１３１１５によって絶縁分離された状態にある。さらに、クロム層１１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にもクロム層１１６ａｂ、１１６ｂａ・・・として形成されているが、いずれのクロム層も隣接する画素領域のクロム層とは絶縁分離された状態にある。たとえば、クロム層１１６ｂｂは、画素領域１０１ａｂ、１０１ｂａ、１０１ｂｃ、１０１ｃｂの各画素電極１０６と絶縁分離された状態にある。このため、クロム層１１６ｂｂには、同じ画素領域１０１ｂｂの画素電極１０６を介してのみ電位が印加される状態にある。そして、データ線１０２ａの表面側は、層間絶縁膜１１５およびクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂａの端部によって覆われ、データ線１０２ａに印加された電位が、その表面側の液晶に影響を及ぼすことがないようになっている。
【００２７】
このような構成の液晶表示装置においても、実施例１に係る液晶表示装置と同様に、透明基板１０９の側に、マトリクスアレイに加えて、その各画素領域の境界領域に対応してブラックマトリクス１１６が形成されているため、ブラックマトリクス１１６の幅を必要最小限の幅に設定することができるので、液晶表示装置の開口率が高い。また、クロム層１１６ｂｂは、同じ画素領域１０１ｂｂの画素電極１０６のみに導電接続しているため、液晶表示装置の動作状態にかかわらず、クロム層１１６ｂｂには画素電極１０６の電位と同じ電位が印加された状態にあり、クロム層１１６ｂｂの電位が、画素電極１０６と共通電極との間に存在する液晶の配向状態を乱すことがない。また、いずれのクロム層も画素領域毎に電気的に独立しているため、１つの画素領域１０１ｂｂにおいて、クロム層とデータ線などとが短絡しても、その影響が表示の点欠陥が発生するに止まるので、液晶表示装置の信頼性が高いままである。
【００２８】
（実施例３）
図５は、本発明の実施例３に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図、図６は、そのＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。ここで、実施例１に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省略する。
【００２９】
この実施例に係る液晶表示装置においても、たとえば、画素領域１０１ｂｂ（第１の画素領域）においては、実施例１と同様に、透明基板１０９の表面側に形成されたＴＦＴl０８に対し、データ線１０２ａは下層側層間絶縁膜１１３の接続孔１１３ａを介してソース１０４に導電接続している一方、画素電極１０６は上層側層間絶縁膜１１３ｂを介してドレイン１０７に導電接続している。そして、画素電極１０６には、上層側層間絶縁膜１１５の表面側に形成されたクロム層１１６ｂｂが、接続孔１１５ａを介して導電接続している。
【００３０】
本例において、クロム層１１６ｂｂは、その外端縁１１６xがデータ線１０２ａおよびゲート線１０３ａを越えて、隣接する画素領域１０１ｂａ、１０１ｃｂの内側にまで拡張されている。一方、画素領域１０１ｂｂにおける画素領域１０１ｂｃ、１０１ａｂとの境界領域側には、クロム層１１６ｂｂが形成されておらず、クロム層１１６ｂｂは、隣合う境界領域上でL字状を呈している。そして、画素領域１０１ｂｂにおける画素領域１０１ｂｃとの境界領域側には、画素領域１０１ｂｃに形成されたクロム層１１６ｂｃの端部がデータ線１０２ｂを越えて、画素領域１０１ｂｂの内側にまで拡張されている。また、画素領域１０１ｂｂにおける画素領域１０１ａｂとの境界領域側には、画素領域１０１ａｂに形成されたクロム層１１６ａｂの端部がゲート線１０３ｂを越えて、画素領域１０１ｂｂの内側にまで拡張されている。その結果、画素領域１０１ｂｂは、それ自身に対応して形成されたクロム層１１６ｂｂと、隣接する画素領域１０１ｂｃ、１０１ａｂに対応して形成されたクロム層１１６ｂｃ、１１６ａｂとによって区画形成された状態にある。
【００３１】
本例においては、これらのクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・が各画素領域１０１ｂｂ・・・を区画形成する状態にあることを利用して、クロム層１１６ｂｂ・・・をブラックマトリクス１１６として利用する。
【００３２】
このため、本例の液晶表示装置においては、実施例１と同様に、液晶表示装置の開口率が高められており、また、ブラックマトリクス１１６がフローティング状態にないので、その電位が液晶の乱れを引き起こさない。さらに、ブラックマトリクス１１６は画素領域毎に電気的に独立したクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・から構成されているので、クロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・の１つの画素領域における短絡の影響は表示の点欠陥に止まる。
【００３３】
さらに、本例においては、実施例１および実施例２の液晶表示装置と異なり、クロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・の端部同士がデータ線１０２ａ、１０２ｂ・・・およびゲート線１０３ａ、１０３ｂ・・・上で広い範囲にわたって近接配置されていない。このため、ブラックマトリクス１１６を形成するプロセスにおいて、通常の精度をもってクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・を形成しても、それらが互いに短絡することもない。さらに画素領域１０６は層間絶縁膜１１３の表面上に形成され、クロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・は層間絶縁膜１１５の表面上に形成されている。すなわち、画素領域１０６と、隣接する画素領域のクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・とが異なる層上に形成されているため、それらを近接して配置しても、短絡しあうこともない。それ故、画素領域毎に電気的に独立したクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・からなるブラックマトリクス１１６を容易に形成することができる。
【００３４】
なお、実施例３においては、隣接する画素領域との境界領域のうち、隣合う２つの境界領域側に導電性遮光層としてのクロム層１１６ｂｂ、１１６ｂｃ、１１６ａｂ・・・を配置し、このクロム層および他の２つの境界領域側で隣接する画素領域のクロム層によって、画素領域は隣接する各画素領域から区画されている構成であったが、実施例３の変形例として、図７に示すように、ブラックマトリクス１１６を、隣接する画素領域との境界領域のうち、対向する２つの境界領域側に導電性遮光層としてのクロム層１１８ａｂ、１１８ｂｃ、１１９ａｂ、１１９ｂｃ・・・を隣接する画素領域毎に属する方向を変えて形成したものであってもよい。この場合には、各クロム層１１８ａｂ、１１８ｂｃ、１１９ａｂ、１１９ｂｃ・・・は、それぞれ図中の「→」で示す方向の画素領域１０１ａａ、１０１ａｂ、１０１ａｃ・・・の画素電極に導電接続した構造となる。
【００３５】
ここで、液晶表示装置を構成する各要素の形状、構造、材質などは、製造すべき液晶表示装置のサイズ、用途などによって、所定の条件に設定されるべき性質のものであり、限定のないものである。
【００３６】
また、いずれの実施例においても、ブラックマトリクスを構成する導電性遮光層にクロム層を用いたが、その材質には限定がなく、導電性および遮光性を有する材料であれば、チタンやアルミニウムといった金属層、シリコン層、モリブデンシリサイドやタングステンシリサイドといったシリサイト化合物などを用いることもできる。
【００３７】
（実施例４）
図８は、本発明の実施例４に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図９は、そのＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【００３８】
本例の液晶表示装置においても、実施例１に係る液晶表示装置と同様に、垂直方向のデータ線２０２ａ、２０２ｂ・・・（信号線）と、水平方向のゲート線２０３ａ、２０３ｂ・・・（走査線）とが格子状に配置され、それらの間に各画素領域２０１ａａ、２０１ａｂ、２０１ａｃ・・・が区画形成されており、以下に画素領域２０１ｂｂ（第１の画素領域）を例にとって、その構造を説明する。ここで、図９に示す対向基板２３０の側には、カラー表示可能とするためのカラーフィルタ２３２、共通電極２３３および対向基板側配向膜２３４が形成されている。また、対向基板２３０の側には、対向基板側ブラックマトリクス２３１が形成されているが、本例の液晶表示装置においては、後述するとおり、アクティブマトリクス基板の側にもブラックマトリクスが形成されており、対向基板側ブラックマトリクス２３１は、アクティブマトリクス基板の側のブラックマトリクスを補完する目的に設けられている。
【００３９】
図８に示すように、画素領域２０１ｂｂ（第１の画素領域）には画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃ（第２の画素領域）が隣接しており、画素領域２０１ｂｂにおいては、データ線２０２ａが導電接続するソース２０４、ゲート線２０３ｂが導電接続するゲート電極２０５および画素電極２０６が導電接続するドレイン２０７によって、ＴＦＴ２０８が構成されている。ここで、画素電極２０６は、導電性および光透過性の材料としてのＩＴＯからなる透明電極であって、画素領域２０１ｂｂの略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの画素電極２０６も前段のゲート線２０３ａの側に広い重なり面積を有している。
【００４０】
このＴＦＴ２０８の断面構造は、図９に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板２０９の表面側に多結晶シリコン層２１０が形成されており、この多結晶シリコン層２１０には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域２１１を除いて、n型の不純物としてのリンが導入されてソース２０４およびドレイン２０７が形成されている。このＴＦＴ２０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜２１３が推積されており、それには第１の接続孔２１３ａが開□され、この第１の接続孔２１３ａを介して、アルミニウム層からなるデータ線２０２ａがソース２０４に導電接続している。
【００４１】
さらに、本例の液晶表示装置においては、下層側層間絶縁膜２１３の表面側に、上層側層間絶縁膜２１５が形成されており、この上層側層間絶縁膜２１５および下層側層間絶縁膜２１３には第２の接続孔２１５ａが開口されている。そして、第２の接続孔２１５ａを介して画素電極２０６がドレイン２０７に導電接続している。ここで、画素電極２０６は、画素領域２０１ｂｂとそれに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域において、その外端縁２０６xがデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するように形成されている。
【００４２】
また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶縁膜２１５の表面側であって画素電極２０６の下層側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃとの境界領域において、その外端縁２１６xがデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極２０６の外端縁２０６ｘと一致している。ここで、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃのいずれのモリブデンシリサイド層２１６ａｂ、２１６ｂａ、２１６ｃｂ、２１６ｂｃの外端縁２１６xとも、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上位置で絶縁分離された状態にある。従って、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、同じ画素領域２０１ｂｂの画素電極２０６から電位が印加されることがあっても、他の画素領域の画素電極から電位が印加されない状態にある。加えて、データ線２０２ａの表面側略全体は、層間絶縁膜２１５、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ、２１６ｂａの端部および画素電極２０６の端部によって覆われているため、データ線２０２ａに印加された電位が、その表面側の液晶に対して影響を及ぼすこともないようになっている。
【００４３】
このような構成をもって、透明基板２０９の表面側に形成されたアクティブマトリクスには、画素電極２０６およびモリブデンシリサイド層２１６ｂｂの表面側に配向側２２０が形成された状態で、対向基板２３０との間には液晶が充填されて、液晶の配向を利用した表示が可能になる。
【００４４】
このような構成の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ、２１６ａｂ、２１６ｂａ・・・をブラックマトリクス２１６として利用するため、データ線およびゲート線が遮光性を有していれば対向基板２３０の側にブラックマトリクスを必要としないか、あるいは、データ線またはゲート線が遮光性を有していなければ、図９に示す対向基板側ブラックマトリクス２３１のように、補完的に形成するだけでよく、２枚の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度を考慮して、ブラックマトリクス２１６または対向基板側ブラックマトリクス２３１の幅を不必要に広くする必要がない。ここで、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ、２１６ａｂ・‥は、画素領域２０１ｂｂ、２０１ａｂ‥・と同一の透明基板２０９の表面側につくり込まれているため、位置関係の精度が高く、データ線２０２ａ、２０２ｂ・・・およびゲート線２０３ａ、２０３ｂなどの幅に対応させて、最小限の幅に設定できるので、液晶表示装置の開口率を高くすることができる。また、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの電位は、常に画素電極２０６と同じ電位が印加される状態にあるため、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの電位が液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。
【００４５】
しかも、画素電極２０６およびブラックマトリクス２１６のいずれもが電極として作用しても、画素電極２０６の外周範囲とブラックマトリクス２１６の外周範囲とを一致させることができるので、これらの電極からの電位のまわり込むことによって液晶の配向が乱れる領域（リバースチルトドメイン領域）をブラックマトリクス２１６で確実に覆うことができる。さらに、ブラックマトリクス２１６は、画素領域毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・によって構成されているため、たとえば、画素領域２０１ｂｂにおいて、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂとデータ線２０２ａとが短絡状態にあっても、この画素領域２０１ｂｂの点欠陥のみに止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。
【００４６】
さらに、液晶表示装置の高精細化に伴って、画素領域２０１ｂｂは微細化されているため、画素領域２０１ｂｂにおける表示容量が減少し、オフ抵抗の高いＴＦＴ２０８を構成してリーク電流を小さくしても、ゲート線２０３ｂの非選択期間内に表示電圧が低下し、表示の保持特性が低くなりやすい傾向がある。しかしながら、本例の液晶表示装置においては、画素電極２０６の端部が前段のゲート線２０３ａの上方に位置し、それらの間で電荷蓄積容量を形成している。このため、画素領域２０１ｂｂの選択期間中は、前段のゲート線２０３ａが非選択期間で、ゲート線２０３ａには基準電位が印加されていることを利用して、電荷蓄積容量に電荷を蓄積し、画素領域２０１ｂｂの液晶印加電圧の保持特性を向上することもできる。
【００４７】
つぎに、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す領域のうちの左側領域を参照して、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を説明する。図１０（ａ）〜（ｃ）は、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。
【００４８】
ここで、図１０（ａ）に示すように、透明基板２０９の上にＴＦＴ２０８を形成するまでの工程については、周知の方法を採用できるので、それらの説明は省略するが、ＴＦＴ２０８を形成した後に、まず、下層側層間絶縁膜２１３を形成する。つぎに、第１の接続孔２１３ａを形成し、そこにアルミニウム層からなるデータ線２０２ａを形成して、データ線２０２ａをＴＦＴ２０８のソース２０４に導電接続する。つぎに、下層側層間絶縁膜２１３の表面側に上層側層間絶縁膜２１５を形成した後に、この上層側層間絶縁膜２１５に第２の接続孔２１５ａを形成する。
【００４９】
つぎに、モリブデンシリサイド層を推積した後に、図１０（ｂ）に示すように、それをパターニングして、モリブデンシリサイド層２１６ａを形成する。この状態では、まだ、モリブデンシリサイド層２１６ａは、ブラックマトリクス２１６を構成するパターンにまでパターニングされた状態にない。
【００５０】
つぎに、モリブデンシリサイド層２１６ａの表面側にＩＴＯ層２０６ａを形成した後に、まず、ＩＴＯ層２０６ａをパターニングして、図１０（ｃ）に示すように、画素電極２０６を形成する。その後に、画素電極２０６をパターニング形成したときのマスクをそのまま利用して、または、画素電極２０６自身をマスクとしてモリブデンシリサイド層２１６ａをパターニングして、ブラックマトリスク２１６を構成すべきモリブデンシリサイド層２１６ｂｂを形成する。このように、画素電極２０６およびモリブデンシリサイド層２１６ｂｂのうちの下層側にある層に対するパターニング工程では、上層側にある層の外端縁または上層側にある層のパターニングに用いたマスクをマスクとしてパターニングを行う。
【００５１】
その結果、画素電極２０６の外端縁２０６xとモリブデンシリサイド層２１６ｂｂの外端縁２１６xとは一致し、いずれもデータ線２０２ａの直上位置にある構造となる。なお、以降の工程については、周知の工程を採用できるので、その説明を省略する。
【００５２】
以上のとおり、本例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、画素電極２０６をパターニング形成するときには、その下層側にはモリブデンシリサイド層２１６ａがあって下層側が保護されている。このため、ＩＴＯ層２０６ａをパターニングするのに塩素系のエッチャントを使用したときに、上層側層間絶縁膜２１５にピットなどがあっても、エッチャントによって下層側にあるアルミニウム層で構成されたデータ線２０２ａが侵されることがない。このため、データ線２０２ａに断線などが発生しないので、液晶表示装置の信頼性が向上する。
【００５３】
なお、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す領域のうち、右側領域に示す工程断面図は、上記の製造方法に対する変形例である。
【００５４】
すなわち、図１０（ｂ）に示すように、第２の接続孔２１５ａの内部には、モリブデンシリサイド層２１６ａを残した状態にしてある。このため、図１０（ｃ）に示すように、画素電極２０６を形成した後において、ＩＴＯ層からなる画素電極２０６は、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂを介してシリコンからなるドレイン領域２０７に導電接続することになるため、画素電極２０６とドレイン領域１０７とを直接的に接続した場合に比して、そこでの接触抵抗を低減することもでき、表示品質の向上を図ることもできる。
【００５５】
なお、図１３（ａ）〜（ｃ）の左側領域および右側領域のいずれの側に示す製造方法で形成されたアクティブマトリクス基板も、画素領域２０６がブラックマトリクス２１６の上層側にある構造であるが、これに限らず、画素領域２０６とブラックマトリクス２１６との上限関係が逆の構造にすることも可能である。
【００５６】
（実施例５）
図１１は、本発明の実施例５に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す槻略平面図、図１２は、そのV−V線における断面図である。ここで、図８および図９に示した実施例４に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明は省略する。
【００５７】
本例の液晶表示装置においても、画素領域２０１ｂｂ（第１の画素領域）には、画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃ（第２の画素領域）が隣接している。ここで、画素領域２０１ｂｂには、ソース２０４、ゲート電極２０５およびドレイン２０７によって、ＴＦＴ２０８が構成されており、このＴＦＴ２０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜２１３が堆積されている。この下層側層間絶縁膜２１３には第１の接続孔２１３ａおよび第２の接続孔２１３ｂが開口され、そのうちの第１の接続孔２１３ａを介して、アルミニウム層からなるデータ線２０２ａがソース２０４に導電接続し、第２の接続孔２１３ｂを介してはＩＴＯ層からなる画素電極２０６がドレイン２０７に導電接続している。
【００５８】
ここで、画素電極２０６は、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域の近傍にまで形成されて、その外端縁２０６xは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの形成位置から内側にある。また、本例の液晶表示装置においても、画素電極２０６の表面側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）を有し、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂも、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域の近傍にまで形成されて、その外端縁２１６xは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの形成位置から内側にあって、画素電極２０６の外端縁２０６xと一致している。ここで、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの幅については、画素領域２０１ｂｂにおいて液晶の配向に乱れが生じやすい側の幅を太くし、乱れが生じにくい側の幅を狭くすることが好ましい。そこで、本例の液晶表示装置において、データ線２０２ａの側でデータ線２０２ａの電荷の影響によって液晶の配向が乱れるリバースチルトドメイン領域を遮光する目的に、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂのデータ線２０２ａの側の幅Ｗ１は、データ線２０２ｂの側の幅W２に比して太くなるように設定し、アライメントずれが発生しても、確実にリバースチルトドメイン領域を覆うことによって、表示の品位を高く維持する一方、開口率の低下を最小限に抑えるようにしてある。
【００５９】
このような構成の液晶表示装置においても、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・をブラックマトリクスとして利用するため、透明基板２０９の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板２３０の側とを対向させるときに、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂが対向基板側ブラックマトリクス２３１の位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの電位は、画素電極２０６と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス２１６は、画素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・によって構成されているため、画素領域２０１ｂｂにおいて、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂとデータ線２０２ａとが短絡状態にあっても、この画素領域２０１ｂｂのみの表示の点欠陥に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。
【００６０】
つぎに、図１３（ａ）〜（ｄ）に示す領域のうちの左側領域を参照して、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を脱明する。図１３（ａ）〜（ｄ）は、本例の液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。
【００６１】
ここで、図１３（ａ）に示すように、透明基板２０９の上にＴＦＴ２０８を形成するまでの工程については、周知の方法を採用できるので、それらの説明は省略するが、ＴＦＴ２０８を形成した後には、まず、下層側層間絶縁膜２１３を推積した後に、下層側層間絶縁膜２１３に第１の接続孔２１３ａおよび第２の接続孔２１３ｂを形成する。つぎに、画素電極２０６を形成すべきＩＴＯ層２０６ａをスパッタ形成する。
【００６２】
つぎに、図１３（ｂ）に示すように、モリブデンシリサイド層２１６ａを堆積した後に、モリブデンシリサイド層２１６ａのみをパターニングする。この状態では、まだ、モリブデンシリサイド層２１６ａは、ブラックマトリクス２１６を構成するパターンにまでパターニングされていない状態である一方、ＩＴＯ層２０６ａも、画素電極２０６を構成するパターンにパターニングされていない状態である。
【００６３】
つぎに、図１３（ｃ）に示すように、ＩＴＯ層２０６ａをパターニングするに先立って、モリブデンシリサイド層２１６ａの端縁をパターニングして、ブラックマトリクスを構成するモリブデンシリサイド層２１６ｂｂを形成した後に、そのまま同じマスクを利用してＩＴＯ層２０６ａをパターニングして画素電極２０６を形成する。ここで、エッチング精度を高く確保する目的に、モリブデンシリサイド層２１６ａに対してはＣF４ガスによってプラズマエッチングを施す一方、ＩＴＯ層２０６ａに対しては、モリブデンシリサイド層２１６ａに対するプラズマエッチングに引き続いて、ＣH４ガスとH２ガスとの混合ガスを用いて異方性ドライエッチンを施す。その結果、画素電極２０６およびモリブデンシリサイド層２１６ｂｂの外端縁２０６x、２１６xは、いずれも、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域の近傍において一致する構造となる。なお、ＣF４ガスによるプラズマエッチングは、モリブデンシリサイド層２１６ａに代えて、モリブデンシリサイド層やタングステンシリサイド層を採用しても同様に行なえる。
【００６４】
つぎに、データ線２０２ａ、２０２ｂを構成すべきアルミニウム層を形成した後に、図１３（ｄ）に示すように、パターニングを行って、データ線２０２ａを形成する。
【００６５】
以降の工程については、周知の工程を採用できるので、それらの説明は省略する。
【００６６】
以上のとおり、本例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、画素電極２０６およびブラックマトリクス２１６がいずれも電極として作用しても、画素電極２０６の外周範囲とブラックマトリクス２１６の外周範囲とを一致させることができるので、これらの電極からの電位が液晶に及ぼす配向の乱れをブラックマトリクス２１６で確実に覆うことができる。
【００６７】
なお、図１３（ａ）〜（ｄ）に示す領域のうちの右側領域に示す工程断面図は、上記の製造方法に対する変形例である。
【００６８】
すなわち、図１３（ｂ）に示すように、下層側層間絶縁膜２１３を形成した後の領域ａ−１および領域ａ−２において、下層側層間絶縁膜２１３の表面側にＩＴＯ層２０６ａを形成した後に、第１の接続孔２１３ａおよび第２の埠統孔２１３ｂを形成する。
【００６９】
つぎに、図１３（ｂ）に示すように、モリブデンシリサイド層２１６ａを形成する。その結果、ＴＦＴ２０８のソース２０４およびドレイン２０７にモリブデンシリサイド層２１６ａが導電接続する状態になる。
【００７０】
つぎに、図１３（ｃ）に示すように、モリブデンシリサイド層２１６ａをパターニングして、ブラックマトリクス２１６を構成するモリブデンシリサイド層２１６ｂｂを形成するとともに、領域ｃ−１、ｃ−２においては、第１の接続孔２１３ａ、２１３ｂの内部にモリブデンシリサイド層２１６ｂ、２１６ｃを残す。その後に、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの端部をマスクとして利用し、ＩＴＯ層２０６ａをパターニングして画素電極２０６を形成する。その結果、画素電極２０６およびモリブデンシリサイド層１６ｂｂの外端縁２０６x、２１６xは、いずれも、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域の近傍において一致する構造となる。
【００７１】
しかる後に、図１３（ｄ）に示すように、領域ｄ−１のモリブデンシリサイド層２１６ｂの表面側にデータ線２０２ａを形成し、データ線２０２ａがモリブデンシリサイド層２１６ｂｂを介してソース２０４に導電接続する構造とする。
【００７２】
以降の工程については、周知の工程を採用できるので、それらの説明は省略する。
【００７３】
このような製造方法によれば、アルミニウム層たるデータ線２０２ａは、シリコンからなるソース２０４に対してモリブデンシリサイド層２０６ｂを介して接続するので、アルミニウムとの共晶反応によってシリコンがくわれることを防止できるため、薄いシリコン薄膜からＴＦＴ２０８を形成できるので、そのON／OFF比を向上することができる。
【００７４】
また、図１３（ｄ）における領域ｄ−２においては、ＩＴＯ層からなる画素電極２０６とシリコンからなるドレイン２０７とがモリブデンシリサイド層２０６ａを介して導電接続しているため、画素電極２０６とドレイン２０７とを直接的に接続した場合に比してその接触抵抗を低減することもでき、表示品質の向上を図ることもできる。
【００７５】
なお、図１３（ａ）〜（ｄ）の左側領域および右側領域のいずれの側に示す製造方法においても、画素領域２０６がブラックマトリクス２１６の下層側にある場合について説明したが、これに限らず、逆の構造にすることも可能である。
【００７６】
（実施例６）
図１４は、本発明の実施例４に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図１５は、そのＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
【００７７】
本例の液晶表示装置は、その基本的な構造が実施例４に係る液晶表示装置と同様であって、アクティブマトリクス基板の側と、対向基板の側との間に充填する液晶の種類のみが異なるため、対応する部分には同符号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
【００７８】
これらの図において、本例の液晶表示装置も、実施例４に係る液晶表示装置と同様に、画素領域２０１ｂｂには、画素電極２０６の表面側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）を有し、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域にあって、その外端縁２１６xは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上において、画素電極２０６の外端縁２０６xと一致している。
【００７９】
このような構成のアクティブマトリクス基板に対しては、対向基板２３０が対向するように配置され、これらの基板の間には液晶２４１が充填される。ここで、本例の液晶表示装置においては、ポリマー分散型液晶が充填されているので、アクティブマトリクス基板および対向基板２３０の表面側には配向膜が形成されていない。その他の構成については、実施例４に係る液晶表示装置と同様である。
【００８０】
本例の液晶表示装置においても、実施例４に係る液晶表示装置と液晶の種類は異なるが、その各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ、２１６ａｂ、２１６ｂａ・・・をブラックマトリクス２１６として利用するため、対向基板２３０の側にブラックマトリクスを必要としないか、あるいは、図１５に示すように、対向基板側ブラックマトリクス２３１を補完的に形成するだけでよいので、２杖の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度が問題にならない。従って、ブラックマトリクス２１６および対向基板側ブラックマトリクス２３１の幅に不必要にマージンを設ける必要がないので、液晶表示装置の開口率を高くすることができるなど、実施例４に係る液晶表示装置と同様な効果を奏する。
【００８１】
（実施例７）
図１６は、本発明の実施例７に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図１７は、そのＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【００８２】
本例の液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線３０２ａ、３０２ｂ・・・（信号線）と、水平方向のゲート線３０３ａ、３０３ｂ・・・（走査線）とによって区画形成された画素領域のいずれの画素領域においても、画素領域３０１ｂｂ（第１の画素領域）のように、データ線３０２ａが導電接続するソース３１１ａ、ゲート線３０３ｂが導電接続するゲート電極３０５、および画素電極３０６が導電接続するドレイン３１１ｂによって、ＴＦＴ３０８が構成されている。ここで、ＴＦＴ３０８は、機能的には実施例１の液晶表示装置のＴＦＴなどと同様であるが、本例の液晶表示装置においては、いわゆる逆スタガ型ＴＦＴとして構成されている。すなわち、液晶表示装置全体を支持する透明基板３０９の表面側に絶縁膜が形成されており、その表面にゲート電極３０５が形成されている。さらに、それらの表面側には、ゲート電極絶縁膜３０５ａ、ノンドープのアモルファスシリコン層３１０およびn型不純物が導入されたアモルファスシリコン層（ソース３１１ａ、３１１ｂ）が形成され、このアモルファスシリコン層（ソース３１１ａ、３１１ｂ）に対して、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０７ａが形成されている。そのうち、ドレイン電極３０７ａに対しては、層間絶縁膜３１３を介して、画素電極３０６が導電接続している。
【００８３】
さらに、本例の液晶表示装置においても、層間絶縁膜３１３の表面側において、画素電極３０６の下層側に遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層３１６ｂｂ（導電性遮光層）を有し、このモリブデンシリサイド層３１６ｂｂは、画素領域３０１ｂｂと、それに隣接する画素領域３０１ａｂ、３０１ｂａ、３０１ｂｃ、３０１ｃｂとの境界領域にあって、その外端縁３０６xは、データ線３０２ａ、３０２ｂおよびゲート線３０３ａ、３０３ｂの直上に位置するように形成されている。ここで、モリブデンシリサイド層３１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、いずれも隣接する画素領域の画索電極およびモリブデンシリサイド層とは絶縁分離された状態にある。その他の構成については、実施例４に係る液晶表示装置と同様であるため、対応する部分には同符号を付してそれらの説明は省略する。
【００８４】
このような構成の液晶表示装置においては、実施例４に係る液晶表示装置と、ＴＦＴ３０８の構造の差に起因する構造的な差異はあるものの、その表示の原理は同様であるため、実施例４に係る液晶表示装置と同様な効果を奏する。たとえば、各画素領域３０１ｂｂ‥・に形成されたモリブデンシリサイド層３１６ｂｂ・・・をブラックマトリクス３１６として利用するため、対向基板３３０の側にブラックマトリクスを必要としないか、あるいは、図１７に示す対向基板側アクティブマトリクス３３１のように、データ線３０２ａ、３０３ａを通過する光のみを遮る補完的なものだけを形成するだけでよく、２杖の透明基板を対向させるときの位置合わせ精度を考慮して、ブラックマトリクス３１６または対向基板側アクティブマトリクス３３１の幅を不必要に広くする必要がない。しかも、各モリブデンシリサイド層３１６ｂｂ‥・は、画素領域３０１ｂｂ・・・と同一の透明基板３０９の表面側につくり込まれているため、位置関係の精度が高く、データ線３０２ａ、３０２ｂ・・・およびゲート線３０３ａ、３０３ｂなどの幅に対応させて、最小限の幅に設定できるので、液晶表示装置の開口率を高くすることができる。また、モリブデンシリサイド層３１６ｂｂの電位が液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。しかも、画素電極３０６の外周範囲とブラックマトリクス３１６の外周範囲とを一致させることができるので、これらの電極からの電位が液晶に及ぼす配向の乱れをブラックマトリクス３１６で確実に覆うことができるなどの効果を奏する。
【００８５】
（実施例８）
図１８は、本発明の実施例８に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図１９は、そのＶＩＩＩ―ＶＩＩＩ線における断面図である。ここで、図８および図９に示した実施例４に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付してある。
【００８６】
本例の液晶表示装置においても、図１８に示すように、画素領域２０１ｂｂ（第１の画素領域）には、データ線２０２ａが導電接続するソース２０４、ゲート線２０３ｂが導電接続するゲート電極２０５、および画素電極２０６が導電接続するドレイン２０７によって、ＴＦＴ２０８が構成されている。ここで、画素電極２０６は、導電性および光透過性の材料としてのＩＴＯからなる透明電極であって、画素領域２０１ｂｂの略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの画素電極２０６も前段のゲート線２０３ａの側に広い重なり面積を有している。
【００８７】
この画素領域２０１ｂｂの断面構造は、図１９に示すように、液晶表示装置全体を支持する透明基板２０９の表面側に形成された多結晶シリコン層２１０に、チャネル領域２１１を除いて、n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース２０４およびドレイン２０７が形成されている。このＴＦＴ２０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜２１３が推積されており、それには第１の接続孔２１３ａと第２の接続孔２１３ｂとが開口されている。そのうちの第１の接続孔２１３ａを介して、アルミニウム層からなるデータ線２０２ａがソース２０４に導電接続している。
【００８８】
一方、第２の接続孔２１３ｂを介しては、画素電極２０６と同じく導電性および光透過性の材料としてのＩＴＯからなる積み上げ電極層２１４がドレイン２０７に導電接続している。ここで、下層側層間絶縁膜２１３の表面は、ＴＦＴ２０８の形状に対応して凹凸が反映されているが、積み上げ電極層２１４は、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上（ＴＦＴ２０８の非形成領域上）にまで拡張形成されている。従って、この領域２０８ａ上における積み上げ電極層２１４の表面は平坦になっている。
【００８９】
さらに、この液晶表示装置においては、透明基板２０９の表面側に、シリコン酸化膜からなる上層側層間絶縁膜２１５が形成されており、その表面側に画素電極２０６が形成されている。ここで、画素電極２０６は、上層側層間絶縁膜２１５の接続孔２１５ａを介して積み上げ電極層２１４に導電接続しており、この接続孔２１５ａは、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上に形成されている。このため、画素電極２０６は積み上げ電極層２１４の平坦領域に導電接続している。なお、上層側層間絶縁膜２１５としてはポリイミド層などを用いることなどにより、その表面を平坦化して、液晶の配向性をより高めてもよい。
【００９０】
本例においては、マトリクスアレイが形成された透明基板２０９と、カラーフィルタおよび共通電極が形成された他方側の透明基板（図示せず）との間に液晶が封入されて、液晶表示装置が構成される。そして、データ線２０２ａ、２０２ｂ・・・およびゲート線２０３ａ、２０３ｂ・・・によって伝達される信号によって、共通電極と各画素電極２０６との間に発生する電位を制御して、画素領域毎の液晶の配向状態を変え、情報を表示するようになっている。ここで、画素電極２０６へは、電位がＴＦＴ２０８のドレイン２０７および積み上げ電極層２１５を介して印加される。
【００９１】
また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶縁膜２１５の表面側であって画素電極２０６の下層側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域において、その外端縁２１６xがデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極２０６の外端縁２０６xと一致している。ここで、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃのいずれのモリブデンシリサイド層２１６ａｂ、２１６ｂａ、２１６ｂｃ、２１６ｃｂの外端縁２１６xとも、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上位置で絶縁分離された状態にある。
【００９２】
このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・をブラックマトリクスとして利用するため、図１２に示すように、透明基板２０９の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板２３０の側とを対向させるときに、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂが対向基板側ブラックマトリクス２３１の位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの電位は、画素電極２０６と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス２１６は、画素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・によって構成されているため、画素領域２０１ｂｂにおいて、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂとデータ線２０２ａとが短絡状態にあっても、この画素領域２０１ｂｂのみの表示の点欠陥に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。
【００９３】
また、本例の液晶表示装置において、データ線２０２ａは下層側層間絶縁膜２１３上に形成されて、その第１の接続孔２１３ａを介して薄膜トランジスタ２０８のソース２０４に導電接続している一方、画素電極２０６は、パッドとしての積み上げ電極層２１４に積み上げされた状態で、上層側層間絶縁膜２１５上に形成されている。すなわち、データ線２０２ａと画素電極２０６とは、互いに異なる層上に形成されているので、短絡する危険性がない。従って、データ線２０２ａの上方位置にまで画素電極２０６の端部２０６xを配置することができるので、データ線２０２ａの近傍も表示部として利用できる。それ故、画素領域２０１ｂｂの開口率が高い。
【００９４】
さらに、画素電極２０６はデータ線２０２ａに対するシールド効果を発揮するので、データ線２０２ａの電位が液晶の配向を乱すことがない。それ故、表示の品質が向上する。さらに、積み上げ電極層２１４は、導電性を有しているので、マトリクスアレイを構成するのに支障がなく、また、金属層を積み上げ電極層として用いた場合と異なり、ＩＴＯからなる積み上げ電極層２１４は光透過性を有しているので、画素領域２０６が導電接続しやすいように、積み上げ電極層２１４を拡張形成しても、画素領域２０１ｂｂの開口率が犠牲になることがない。加えて、画素電極２０６は、積み上げ電極層２１４を介して積み上げされた状態にあるため、下層側および上層側層間絶縁膜２１３、２１５の接続孔２１３ｂ、２１５ａは、いずれもがアスペクト比の低い構造になっているので、接続孔２１３ｂ、２１５ａの内部における導電接続部の信頼性が高い。
【００９５】
また、本例においては、積み上げ電極層２１４に、画素電極２０６と同じくＩＴＯを用いているため、積み上げ電極層２１４と画素電極２０６との接続抵抗が低い。それ故、ドレイン２０７と画素電極２０６との間の抵抗分は低いレベルを維持できる。さらに、積み上げ電極層２１４および上層側層間絶縁膜２１５の表面側は、ＴＦＴ２０８の形状が反映されて凹凸を有しているが、上層側層間絶縁膜２１５の接続孔２１５ａは、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上に形成されているので、積み上げ電極層２１４と画素電極２０６とのコンタクトの信頼性が高く、そのコンタクト抵抗も低い。また、このような接続構造は、平坦部分を底上げして、画素電極２０６表面を平坦化させて、液晶の配向状態を改善する効果も発揮する。
【００９６】
さらに、液晶表示装置の高精細化に伴って、画素領域２０１ｂｂは微細化されているため、画素領域２０１ｂｂにおける表示容量が減少し、オフ抵抗の高いＴＦＴ２０８を構成してリーク電流を小さくしても、ゲート線２０３ｂの非選択期間内に表示電圧が低下し、表示の保持特性が低くなりやすい傾向がある。しかしながら、本例の液晶表示装置においては、画素電極２０６の端部が前段のゲート線２０３ａの上方に位置し、それらの間で電荷蓄積容量を形成している。このため、画素領域２０１ｂｂの選択期間中は、前段のゲート線２０３ａが非選択期間で、ゲート線２０３ａには基準電位が印加されていることを利用して、電荷蓄積容量に電荷を蓄積し、画素領域２０１ｂｂの液晶印加電圧の保持特性を向上することもできる。しかも、本例においては、画素電極２０６を前段のゲート電極２０３ａの側に広い重なり面積を有するように形成してあるため、保持特性を向上させる効果が顕著である。
【００９７】
（実施例９）
図２０は、本発明の実施例９に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図２１は、そのＩＸ−ＩＸ線における断面図である。ここで、図８および図９に示した実施例４に係る液晶表示装置または図１８および図１９に示した実施例８に係る液晶表示装置の各部分と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。
【００９８】
これらの図において、画素領域２０１ｂｂには、データ線２０２ａが導電接続するソース２０４、ゲート線２０３ｂが導電接続するゲート電極２０５、および画素電極２０６が導電接続するドレイン２０７によって、ＴＦＴ２０８が構成されている。ここで、画素電極２０６は、導電性および光透過性の材料としてのＩＴＯからなる透明電極であって、画素領域２０１ｂｂの略全面にわたって形成されており、その端部がデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するまで拡張されている。そして、いずれの画素電極２０６も前段のゲート線２０３ａの側に広い重なり面積を有している。
【００９９】
この画素領域２０１ｂｂの断面構造は、透明基板２０９の表面側に形成された多結晶シリコン層２１０に、チャネル領域２１１を除いてソース２０４およびドレイン２０７が形成されている。このＴＦＴ２０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜２１３が推積されており、それには第１の接続孔２１３ａと第２の接続孔２１３ｂとが開口されている。そのうちの第１の接続孔２１３ａを介して、アルミニウム層からなるデータ線２０２ａがソース２０４に導電接続している。
【０１００】
一方、第２の接続孔２１３ｂを介しては、積み上げ電極層２１４がドレイン２０７に導電接続している。ここで、下層側層間絶縁膜２１３の表面は、ＴＦＴ２０８の形状に対応して凹凸が反映されているが、積み上げ電極層２１５は、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上（ＴＦＴ２０８の非形成領域上）にまで拡張形成されている。従って、この領域２０８ａ上における積み上げ電極層２１４の表面は平坦になっている。また、透明基板２０９の表面側に、シリコン酸化膜からなる上層側層間絶縁膜２１５が形成されており、その表面側に画素電極２０６が形成されている。この画素電極２０６は、上層側層間絶縁膜２１５の接続孔２１５ａを介して積み上げ電極層２１４に導電接続しており、この接続孔２１５ａは、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上に形成されている。このため、画素電極２０６は積み上げ電極層２１４の平坦領域に導電接続している。
【０１０１】
本例の液晶表示装置においては、データ線２０２ａが、アルミニウム層で構成された下層側の第１のデータ線２０２ａ１と、モリブデンシリサイド層で構成された上層側の第２のデータ線２０２ａ２とで構成された冗長配線構造になっている。一方、積み上げ電極層２１４も、アルミニウム層で構成された下層側の第１の積み上げ電極層２１４ａと、モリブデンシリサイド層で構成された上層側の第２の積み上げ電極層２１４ｂとで構成されている。しかも、ソース層２０２ａと積み上げ電極層２１４とは、同層にあって、第１のデータ線２０２ａ１と第１の積み上げ電極層２１４ａとは同時形成されたものであって、第２のデータ線２０２ａ２と第２の積み上げ電極層２１４ｂとが同時形成されたものである。なお、第２のデータ線２０２ａ２および第２の積み上げ電極層２１４ｂを構成すべき材料としては、画素電極２０６をパターニングするときのエッチャントに溶解しない材料として、モリブデンシリサイドの他にも、チタンシリサイド、タングステンシリサイド、タンタルシリサイド、チタン、タングステン、タンタル、チタンナイトライドなどを用いることができる。
【０１０２】
また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶縁膜２１５の表面側であって画素電極２０６の下層側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域において、その外端縁２１６xがデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極２０６の外端縁２０６xと一致している。ここで、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃのいずれのモリブデンシリサイド層２１６ａｂ、２１６ｂａ、２１６ｃｂ、２１６ｂｃの外端縁２１６xとも、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上位置で絶縁分離された状態にある。
【０１０３】
このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・をブラックマトリクスとして利用するため、透明基板２０９の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板の側とを対向させるときに、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂの電位は、画素電極２０６と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス２１６は、画素毎に電気的に独立した状態のモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・によって構成されているため、画素領域２０１ｂｂにおいて、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂとデータ線２０２ａとが短絡状態にあっても、この画素領域２０１ｂｂのみの表示の点欠陥に止まるので、液晶表示装置の信頼性も高い。
【０１０４】
また、本例の液晶表示装置においては、データ線２０２ａが冗長配線構造になっているので、その信頼性が高い。しかも、積み上げ電極層２１４も、アルミニウム層で構成された第１の積み上げ電極層２１４ａとモリブデンシリサイド層で構成された第２の積み上げ電極層２１４ｂとで構成されて、ＩＴＯ層からなる画素電極２０６は、モリブデンシリサイド層で構成された第２の積み上げ電極層２１４ｂを介してアルミニウム層で構成された第１の積み上げ電極層２１４ａに導電接続しているため、モリブデンシリサイド層は、ＩＴＯ層とアルミニウム層とのコンタクト層として機能するので、そこでの接触抵抗を低減する。しかも、モリブデンシリサイドで上層側の第２の積み上げ電極層２１４ｂを構成しているため、画素電極２０６をエッチング形成する時にそのエッチャント、で積み上げ電極層２１４が侵されない。
【０１０５】
さらに、データ線２０２ａと画素電極２０６とは、互いに異なる層上に形成されているので、短絡する危険性がない。従って、データ線２０２ａの上方位置にまで画素電極２０６の端部２０６xを配置することができるので、可能な限りの開口率を確保できる。また、画素電極２０６はデータ線２０２ａに対するシールド効果を発揮するので、データ線２０２ａの電位が液晶の配向を乱すことがない。それ故、表示の品質が向上する。
【０１０６】
また、画素電極２０６は、積み上げ電極層２１４を介して積み上げされた状態にあるため、下層側および上層側層間絶縁膜２１３、２１５の接続孔２１３ｂ、２１５ａは、いずれもがアスペクト比の低い構造になっているので、接続孔２１３ｂ、２１５ａの内部における導電接続部の信頼性が高い。しかも、積み上げ電極層２１４および上層側層間絶縁膜２１５の表面側は、ＴＦＴ２０８の形状が反映されて凹凸を有しているが、上層側層間絶縁膜２１５の接続孔２１５ａは、ＴＦＴ２０８が形成されていない平坦な領域２０８ａ上に形成されているので、積み上げ電極層２１４と画素電極２０６とのコンタクトの信頼性が高く、そのコンタクト抵抗も低い。また、このような接続構造は、平坦部分を底上げして、画素電極２０６表面を平坦化させて、液晶の配向状態を改善する効果も発揮する。
【０１０７】
さらに、本例の液晶表示装置においては、画素電極２０６の端部が前段のゲート線２０３ａの上方に位置し、しかも、画素電極２０６を前段のゲート電極２０３ａの側に広い重なり面積を有するように形成してあるため、保持特性を向上させる効果が顕著である。
【０１０８】
（実施例１０）
図２２は、本発明の実施例１０に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図２３は、そのX−X線における断面図である。ここで、図１および図２に示した実施例１に係る液晶表示装置と対応する機能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。
【０１０９】
本例の液晶表示装置においても、垂直方向のデータ線１０２ａ、１０２ｂ・・・（信号線）と、水平方向のゲート線１０３ａ、１０３ｂ・・・（走査線）とが格子状に配置され、それらの間に各画素領域１０１ａａ、１０１ａｂ、１０１ａｃ、１０１ｂａ、１０１ｂｂ・・・が区画形成されて、マトリクスアレイが構成されている。そのうち、画素領域１０１ｂｂにおいては、データ線１０２ａが導電接続するソース１０４、ゲート線１０３ｂが導電接続するゲート電極１０５、および画素電極１０６が導電接続するドレイン１０７によって、ＴＦＴl０８が構成されている。ここで、画素電極１０６は、導電性および光透過性の材料としてのＩＴＯからなる透明電極であって、画素領域１０１ｂｂの略全面にわたって形成されている。ここで、ＴＦＴl０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜１１３が推積されており、それには第１の接続孔１１３ａと第２の接続孔１１３ｂとが開口されている。そのうちの第１の接続孔１１３ａを介してアルミニウム層からなるデータ線１０２ａがソース１０４に導電接続している。一方、第２の接続孔１１３ｂを介しては、画素電極１０６がドレイン１０７に導電接続している。さらに、透明基板１０９の表面側に、シリコン酸化膜からなる上層側層間絶縁膜１１５が形成されており、その表面側にモリブデンシリサイド層１１６ｂｂが形成されている。ここで、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂは、上層側層間絶縁膜１１５の接続孔１１５ａを介して画素電極１０６に導電接続しており、この接続孔１１５ａは、ＴＦＴl０８が形成されていない平坦な領域１０８ａとして、画素領域１０２ｂｂにおけるＴＦＴl０８の形成位置とは対角の位置に形成されている。このため、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂは、画素電極１０６の平坦領域に導電接続している。
【０１１０】
さらに、本例の液晶表示装置においては、ゲート電極１０５が、多結晶シリコン層に１×１０２０／ｃm３以下のリンを拡散した厚さが１５００オングストローム以下の下層側ゲート電極層１０５ａと、厚さが２０００オングストローム以下のモリブデンシリサイド層で構成された上層側ゲート電極層１０５ｂとの２層構造になっている。このような２層構造のゲート電極は、まず、多結晶シリコン膜を１０００オングストロームの厚さに形成した後に、それに酸素および窒素雰囲気中でオキシ塩化リンを用いて８５０°Ｃの温度条件で拡散して下層側ゲート電極層１０５ａを形成した後に、２０００オングストロームのモリブデンシリサイド層をスパッタ形成して上層側ゲート電極層１０５ｂを積層したものを、ＣF４−O２系のガスを用いてドライエッチングしたものである。ここで、上層側ゲート電極１０５ｂを構成するモリブデンシリサイドの組成式をＭｏＳｉｘで表したときに、Xの値については、２．０〜３．５に設定することが好ましく、この範囲よりも大きな値の場合には、抵抗値が大きくなり、２．５近傍であることがクラックの発生を防止するのに適している。なお、モリブデンシリサイドに代えて、タングステンシリサイドやチタンシリサイドも採用できる。
【０１１１】
このような構成の本例の液晶表示装置においては、各モリブデンシリサイド層１１６ｂｂ・・・をブラックマトリクス１１６として利用するため、透明基板１０９の側に構成されたアクティブマトリクス基板の側と、対向基板の側とを対向させるときに、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂが対向基板側ブラックマトリクスの位置合わせにおけるマージンとなって、位置合わせ精度が問題にならない。また、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂの電位は、画素電極１０６と同じ電位が印加された状態にあるため、液晶の配向状態を乱すことがないので、高い表示品質が得られる。また、ブラックマトリクス１１６は、画素毎に電気的に独立した状態にあるため、画素領域１０１ｂｂにおいて、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂとデータ線１０２ａとが短絡状態にあっても、表示の点欠陥に止まる。また、本例の液晶表示装置においては、ゲート電極１０５が、多結晶シリコン層にリンを拡散した厚さが１５００オングストローム以下の下層側ゲート電極層１０５ａと、厚さが２０００オングストローム以下のモリブデンシリサイド層で構成された上層側ゲート電極層１０５ｂとのポリサイド構造を採用しながらも、それらの膜厚および不純物導入量を最適化して、クラックの発生を防止しているので、ゲート電極１０５およびゲート線１０３ａ、１０３ｂの低抵抗化を実現している。また、下層側層間絶縁膜１１３および上層側層間絶縁膜１１５に割れなどが発生することも防止できる。
【０１１２】
また、本例においては、上層側層間絶縁膜１１５の表面側は、ＴＦＴl０８の形状が反映されて凹凸を有しているが、上層側層間絶縁膜１１５の接続孔１１５ａは、ＴＦＴl０８が形成されていない平坦な領域１０８ａとして、画素領域１０２ｂｂにおけるＴＦＴl０８の形成位置とは対角の位置に形成されているため、モリブデンシリサイド層１１６ｂｂと画素電極１０６とのコンタクトの信頼性が高い。
【０１１３】
（実施例１１）
図２４は、本発明の実施例１１に係る液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板の一部を示す概略平面図、図２５は、そのＸＩ−ＸＩ線における断面図である。ここで、図１８および図１９に示した実施例８に係る液晶表示装置と対応する槻能を有する部分については同符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。
【０１１４】
本例の液晶表示装置においても、画素領域２０１ｂｂにおいて、透明基板２０９の表面側に形成された多結晶シリコン層２１０に、チャネル領域２１１を除いて、n型の不純物としてのリンが導入されて、ソース２０４およびドレイン２０７が形成されている。このＴＦＴ２０８の表面側には、シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜２１３が推積されており、それには第１の接続孔２１３ａと第２の接続孔２１３ｂとが開口されている。そのうちの第１の接続孔２１３ａを介してデータ線２０２ａがソース２０４に導電接続している。
【０１１５】
一方、第２の接続孔２１３ｂを介しては、耐酸性を有する金属配線層としてのクロム層からなる積み上げ電極層２１４がドレイン２０７に導電接続している。ここで、接続孔２１３ｂの形成位置と、接続孔２１５ａの形成位置との関係は、接続孔２１５ａが接続孔２１３ｂとゲート電極２０５との間に位置している。
【０１１６】
また、本例の液晶表示装置においては、上層側層間絶縁膜２１５の表面側であって画素電極２０６の下層側には、遮光性および導電性を備えるモリブデンシリサイド層２１６ｂｂ（導電性遮光層）が形成されており、このモリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、画素領域２０１ｂｂと、それに隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｂｃ、２０１ｃｂとの境界領域において、その外端縁２１６xがデータ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上に位置するように形成されて、しかも、画素電極２０６の外端縁２０６xと一致している。ここで、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂのような導電性遮光層は、いずれの画素領域にも同様に形成されているが、隣接する画素領域２０１ａｂ、２０１ｂａ、２０１ｃｂ、２０１ｂｃのいずれのモリブデンシリサイド層２１６ａｂ、２１６ｂａ、２１６ｃｂ、２１６ｂｃの外端縁２１６xとも、モリブデンシリサイド層２１６ｂｂは、データ線２０２ａ、２０２ｂおよびゲート線２０３ａ、２０３ｂの直上位置で絶縁分離された状態にある。
【０１１７】
さらに、本例の液晶表示装置において、透明基板２０９の表面側には、アクティブマトリクスアレイを駆動するための駆動回路も、図２６および図２７に示すようなＣＭＯＳ回路をもって形成されている。ここで、図２６は駆動回路のＣＭＯＳ回路の断面図、図２７はその平面図である。
【０１１８】
これらの図において、nチャネル型ＴＦＴ４１０およびpチャネル型ＴＦＴ４２０は、アクティブマトリクス側と同時形成されていくが、アクティブマトリクス側において、ゲート電極２０５、データ線２０２ａおよび画素電極２０６が、それぞれの層間に下層側層間絶縁膜２１３または上層側層間絶縁膜２１５を有していることを利用して、駆動回路側にも多層配線構造が構成されている。すなわち、駆動回路側とアクティブマトリクス側とは、駆動回路側ゲート電極４４１、駆動回路側ゲート電極配線層４４２および下層側層間絶縁膜２１３の形成工程までは、それぞれの工程を援用し合って形成し、その後は、駆動回路側のソース線４１１、４２１を形成した後に、上層側屠間絶縁膜２１５を形成する。そして、上層側層間絶縁膜２１５および下層側層間絶縁膜２１３に対して接続孔４１５ａ、４１５ｂを形成し、これらの接続孔４１５ａ、４１５ｂを介して、アルミニウム配線層４３０をnチャネル型ＴＦＴ４１０およびpチャネル型ＴＦＴ４２０のドレイン４１７、４２７に導電接続するようにしてある。なお、アルミニウム配線層４３０の表面側に形成されているのは、表面保護層２３０である。
【０１１９】
このような構成の本例の液晶表示装置においても、各モリブデンシリサイド層２１６ｂｂ・・・をブラックマトリクスとして利用するため、実施例８に係る液晶表示装置と同様な効果を奏するのに加えて、以下の効果も奏する。すなわち、アクティブマトリクス側において、ゲート電極２０５、データ線２０２ａおよび画素電極２０６が、それぞれの層間に下層側層間絶縁膜２１３または上層側層間絶縁膜２１５を有していることを利用して、nチャネル型ＴＦＴ４１０およびpチャネル型ＴＦＴ４２０のドレイン４１７、４２７に対するアルミニウム配線層４３０を多層配線構造をもって形成してあるため、各配線層間での短絡などの問題点が発生しない。また、多層配線構造であるため、nチャネル型ＴＦＴ４１０およびpチャネル型ＴＦＴ４２０を備えた駆動回路を形成するのに必要な面積も小さくて済み、基板の面積が同じであれば、画素領域を拡張でき、画素側の面積が同じであれば、基板全体、すなわち、液晶表示装置を小型化できる。
【０１２０】
【発明の効果】
以上に記載された通り、画素領域に隣接する画素領域との少なくとも１つの境界領域側に形成され、データ線およびゲート線から絶縁分離されると共に、第１の画素領域の画素電極に導電接続される導電性遮光層とを有し、画素領域の導電性遮光層は、ゲート線および画素電極に重なるように配置したので、導電性遮光層とゲート線との間に光漏れが生じることを防止でき、表示品質や信頼性などを犠牲にすることなく、開口率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図３】本発明の実施例２に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図４】図３のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図５】本発明の実施例３に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図６】図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図７】本発明の実施例３の変形例に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの平面の摸式図である。
【図８】本発明の実施例４に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図９】図８のIV−IV線における断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）のいずれも、図８に示す液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の実施例５に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図１２】図１１のV−V線における断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）のいずれも、図１１に示す液晶表示装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の実施例６に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図１５】図１４のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
【図１６】本発明の実施例７に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一ぶを示す平面図である。
【図１７】図１６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【図１８】本発明の実施例８に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図１９】図１８のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。
【図２０】本発明の実施例９に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図２１】図２０のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。
【図２２】本発明の実施例１０に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図２３】図２２のX−X線における断面図である。
【図２４】本発明の実施例１１に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図２５】図２４のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。
【図２６】本発明の実施例１１に係る液晶表示装置のマトリクスアレイと同一基板上に形成された駆動回路の一部の構成を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施例１１に係る液晶表示装置のマトリクスアレイと同一基板上に形成された駆動回路の一部の構成を示す平面図である。
【図２８】従来の液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図２９】図２８のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図３０】比較例に係る液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図である。
【図３１】図３０のＸＩＩＩＩ−ＸＩＩＩＩ線における断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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