(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板製造プロセスで製造された被検査基板を照明する照明手段と、
この照明手段により照明された前記被検査基板表面のマクロ画像を取込む撮像手段と、
前記撮像手段により取込まれた複数枚の前記被検査基板のマクロ画像を重ね合わせた重ね合わせ画像を作成する画像処理手段と、
前記重ね合わせ画像の情報を統計処理又は解析し、前記各被検査基板の共通欠陥に起因する前記製造プロセスの異常検出もしくは異常発生の予測を判定するプロセスモニタリング手段と、
を備えたことを特徴とするマクロ検査装置。
【請求項２】
前記プロセスモニタリング手段は、前記画像処理手段で処理された前記重ね合わせ画像を計算機手段で受け取り、この計算機手段で前記重ね合わせ画像の濃度情報を解析処理し、前記重ね合わせ画像中の特定位置の濃度情報と閾値とを比較して製造プロセスの異常検出又は異常発生の予測を自動的に判定することを特徴とする請求項１に記載のマクロ検査装置。
【請求項３】
前記プロセスモニタリング手段は、前記重ね合わせ画像の濃度ヒストグラムに対する最大濃度と最小濃度の差が設定値以上の場合に、欠陥発生を予測して製造装置に注意信号を出力することを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のマクロ検査装置。
【請求項４】
前記画像処理手段は、前記撮像手段により取込まれた前記各被検査基板に対して合否判定を行い、前記プロセスモニタリング手段は、前記合否判定によりリワーク又は廃棄と判定されたＮＧ基板を除くマクロ画像のみを重ね合わせすることを特徴とする請求項１に記載のマクロ検査装置。
【請求項５】
前記画像処理手段は、前記被検査基板の一枚のマクロ画像では検出できない欠陥を複数枚分加算して前記重ね合わせ画像を作成し、前記プロセスモニタリング手段は、前記重ね合わせ画像中の同じ場所に現れた欠陥を加算して得た基板枚数倍の輝度レベルから前記製造プロセスにおける欠陥の発生を検出もしくは、欠陥発生を予測することを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のマクロ検査装置。
【請求項６】
前記画像処理手段は、前記撮像手段から取込まれた前記各被検査基板のマクロ画像を加算した後に、この加算した画像の平均濃度を減算して前記重ね合わせ画像を作成することを特徴とする請求項１に記載のマクロ検査装置。
【請求項７】
前記画像処理手段は、前記撮像手段から取込まれた前記各被検査基板のマクロ画像に対して下地ムラを排除した補正マクロ画像を加算することを特徴とする請求項１に記載のマクロ検査装装置。
【請求項８】
前記画像処理手段は、前記各検査基板の前記各マクロ画像に対して、スムージング処理とシェーディング補正したシェーディング画像を作成し、このシェーディング画像を前記マクロ画像から引いた画像を加算することを特徴とする請求項１に記載のマクロ検査装置。
【請求項９】
基板製造プロセスで製造された被検査基板に対して照明手段で照明し、
前記照明手段により照明された前記検査基板表面を撮像手段によりマクロ的に撮像し、この撮像手段で撮像された複数枚の前記被検査基板の各マクロ画像を画像処理手段に取込んで重ね合わせ画像を作成し、
この重ね合わせ画像を計算機手段に取込んで統計処理又は解析し、前記各被検査基板の共通欠陥に起因する前記製造プロセスの異常もしくは異常発生の予測を判定することを特徴とするプロセスモニタリング方法。
【請求項１０】
基板製造プロセスで連続して複数枚製造される各検査基板の表面をマクロ的に撮像し、この撮像された各マクロ画像に対して合否判定を行い、この判定結果によりリワーク又は廃棄と判定されたＮＧ基板を除く複数の前記マクロ画像を重ね合わせて重ね合わせ画像を作成し、この重ね合わせ画像の同一場所に出現した共通欠陥を検出することにより前記基板製造プロセスの異常もしくは異常発生の予測を判定することを特徴とするプロセスモニタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ウェハあるいは液晶ガラス基板等の製造ラインまたは検査ラインにおいて、被検体の表面の欠陥を検査するマクロ検査装置及びプロセスモニタリング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネル，ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル），ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）等のフラットパネルや半導体素子用ウェハ等のフォトリソグラフィ・プロセスラインにおいて、基板表面に塗布したレジストの膜厚ムラ、あるいは塵埃の付着等の欠陥は、エッチング後のパターン線幅不良や、パターン内のピンホール等の不良となって現れる。
【０００３】
このような不良を防止するため、従来からエッチング前の基板について欠陥の有無を検査するマクロ検査やミクロ検査が行われている。ミクロ検査は、５μｍ程度の分解能をもった装置によるミクロな欠陥検査、パターン検査であり、これに対し、マクロ検査は、膜厚ムラ・露光不良・レジスト塗布不良などの比較的大きな面積の欠陥を対象にした検査である。マクロ検査は、ミクロ検査では見つからない薄いムラやパターンの連続的な偏りによる欠陥などの検出を行う。また、広い視野を一括検査できることから短時間で検査できるなどの利点がある。
【０００４】
現在、マクロ検査はいまだ目視検査が主流ではあるが、自動検査も行われるようになってきた。この自動検査の方法には、被検査基板１枚毎に画像処理を施して合否判定をおこなうものがあり、特開平０７−０２７７０９号にこのような技術が開示されている。
【０００５】
また、その検査装置で検出された欠陥内容に関し、特願平０６−１５７４２４号及び特願平０６−２３４８１８号に、ある程度まで欠陥種の判別ができる技術が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記マクロ検査装置は、あくまで１枚１枚の合否判定をするものである。
このように１枚１枚の合否判定だけでなく連続で流れてくる基板の欠陥発生状況や良品基板のマクロ画像の変化を確認することにより、欠陥が発生する前に製造プロセスの異常・変調を検出したいとの要求がある。
【０００７】
また、従来のマクロ検査装置では、被検査基板１枚毎の欠陥判定は行っていたが、ロット（約２０枚から３０枚）単位またはそれ以上の枚数での欠陥解析は行っていなかった。したがって、各ロット間の共通欠陥や１枚の基板では薄くて検出できない欠陥等を検出することが困難であり、かかる欠陥の看過の結果、最終的に顕著な不良が発生し歩留り低下の原因ともなっていた。
【０００８】
すなわち、上記場合、良品基板の検査画像は検査装置に残っていないので、その検査画像がどのように変化しているか観察することは不可能である。したがって、ＮＧ基板が流れてくるまでは、製造工程の異常を予測することができず、しかも、その間に多数の異常基板が流れてしまう。
【０００９】
このような事情から製造ラインの不具合・異常の発生予測等を行うための（インライン）プロセスモニターをマクロ検査の情報により実現させることが要望されている。ここで、プロセスモニターとは、欠陥検査装置から得られた欠陥情報をもちいて製造プロセスをモニターする製造管理システムをいう。
【００１０】
本発明は、このような実情を考慮してなされたもので、一枚単位では検出できない欠陥を検出したり、また良品基板しか流れていない場合でも、プロセスの微妙な変調を統計的に捕まえて欠陥の発生を時前に予測し欠陥発生を回避させることが可能なマクロ検査装置及びプロセスモニタリング方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の骨子は、製造プロセスから流れてくる検査対象のマクロ画像を加算蓄積させて加算蓄積画像を作成し、この加算蓄積画像を解析することでプロセスの微妙な変調を統計的に捕まえ、欠陥の発生を検出し、また欠陥発生を時前に予測し回避させることにある。
【００１２】
上記課題の解決は、より具体的には以下のような解決手段により実現される。本発明は、基板製造プロセスで製造された被検査基板を照明する照明手段と、この照明手段により照明された前記被検査基板表面のマクロ画像を取込む撮像手段と、前記撮像手段により取込まれた複数枚の前記被検査基板のマクロ画像を重ね合わせた重ね合わせ画像を作成する画像処理手段と、前記重ね合わせ画像の情報を統計処理又は解析し、前記各被検査基板の共通欠陥に起因する前記製造プロセスの異常検出もしくは異常発生の予測を判定するプロセスモニタリング手段とを備えたことを特徴とするマクロ検査装置である。
また、本発明は、基板製造プロセスで製造された被検査基板に対して照明手段で照明し、前記照明手段により照明された前記検査基板表面を撮像手段によりマクロ的に撮像し、この撮像手段で撮像された複数枚の前記被検査基板の各マクロ画像を画像処理手段に取込んで重ね合わせ画像を作成し、この重ね合わせ画像を計算機手段に取込んで統計処理又は解析し、前記各被検査基板の共通欠陥に起因する前記製造プロセスの異常もしくは異常発生の予測を判定することを特徴とするプロセスモニタリング方法である。
また、基板製造プロセスで連続して複数枚製造される各検査基板の表面をマクロ的に撮像し、この撮像された各マクロ画像に対して合否判定を行い、この判定結果によりリワーク又は廃棄と判定されたＮＧ基板を除く複数の前記マクロ画像を重ね合わせて重ね合わせ画像を作成し、この重ね合わせ画像の同一場所に出現した共通欠陥を検出することにより前記基板製造プロセスの異常もしくは異常発生の予測を判定することを特徴とするプロセスモニタリング方法である。
【００１３】
本発明は、このような構成を設けたことで、例えば個々のマクロ画像を連続的に加算表示させることができ、被検査基板のマクロ欠陥や薄い膜厚のばらつきを強調したり検出したりすることができる。すなわち、一枚単位では検出できない欠陥を検出したり、また良品基板しか流れていない場合でも、プロセスの微妙な変調を統計的に捕まえて欠陥の発生を時前に予測し欠陥発生を回避させることが可能となる。
【００１４】
次に、本発明の前記画像処理手段は、前記撮像手段から取込まれた前記各被検査基板のマクロ画像を加算した後に、この加算した画像の平均濃度を減算して前記重ね合わせ画像を作成することを特徴とする。
また、本発明の画像処理手段は、前記撮像手段から取込まれた前記各被検査基板のマクロ画像に対して下地ムラを排除した補正マクロ画像を加算することを特徴とする。
また、本発明の画像処理手段は、前記各検査基板の前記各マクロ画像に対して、スムージング処理とシェーディング補正したシェーディング画像を作成し、このシェーディング画像を前記マクロ画像から引いた画像を加算することを特徴とする。
【００１５】
本発明の画像処理手段は、このような構成を設けたことで、重ね合わせ画像の作成時にそれぞれ平滑化画像を減算するようにしているので、重ね合わせ画像の平均濃度レベルを所定値に保つことができる。したがって、重ね合わせ画像の濃度値が直ぐに飽和することなく、より効果的に重ね合わせ画像の作成を行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明の実施の形態に係るマクロ検査装置の一例を示す概略構成図である。
【００１８】
同図において、照明系に、干渉光源としてのハロゲンランプ等が用いられた白色光源２１が設けられ、この白色光源２１の前面には、フィルター回転ユニット２２が配置されている。このフィルター回転ユニット２２には、複数種類の干渉フィルター２０が取り付けられ、被検査基板の観察に適合する単色光の取り出しを可能にしている。
【００１９】
フィルター回転ユニット２２を通った光は、光ファイバ２３を介してフロスト２４に与えられる。このフロスト２４は、光ファイバ２３からの光を拡散光に変換するものである。
【００２０】
このフロスト２４からの拡散光はハーフミラー２５で反射してコリメートレンズ２６に導き、ここで平行光に変換される。この平行光は、被検査対象である，レジスト等を塗布した基板２７面に対し均一に一括照射される。
【００２１】
この場合、基板２７上に照射された光は、基板表面に塗布されて薄膜の上面と下面で反射し、膜厚に依存した干渉像を形成する。
一方、別途の照明系として、メタルハライドランプ４１及びコリメートレンズ４２が設けられている。メタルハライドランプ４１から照射された光は、コリメートレンズ４２にて平行光となり、斜め上方から基板２７を一括照射する。
【００２２】
この場合、基板２７上に照射された光は、基板表面に形成されたパターンで回折を起こし、パターンに依存した回折像を形成する。また基板上の、ゴミ、キズといった欠陥も、この回折光学系で観察できる。
【００２３】
これらの干渉像・回折像・ゴミ・キズ等の画像は、コリメートレンズ２６、ハーフミラー２５を通し、さらにズームレンズ２８を通してＣＣＤカメラ２９に結像する。この結像カメラ２９には、解像度の高いモノクロカメラが用いられている。
【００２４】
次に、本マクロ検査装置の観察系、情報解析系の構成について説明する。
ＣＣＤカメラ２９は、カメラコントローラ３０を通して、画像処理装置３１に接続されている。
【００２５】
画像処理装置３１は、複数枚の画像メモリＭ１〜Ｍｎを備え、個々の被検査基板の合否判定を行う画像処理を実行するとともに、基本的には連続する１ロット２０枚分の検査基板の画像を重ね合わせて重ね合わせ画像（加算蓄積画像ともいう）を作成する。
【００２６】
なお、加算蓄積画像は、検査基板のトレンド解析を行うための情報として供するものであり、１ロット分または１ロットに至る途中の加算蓄積の画像及び設定により１ロットを越える多数の加算蓄積の画像も加算蓄積画像である。この加算蓄積画像は、単純加算またはシェーディング補正した画面の加算によって作成される。
【００２７】
本実施形態では、画像の下地ムラを排除する為に生画像からシェーディング補正画像を作成し、加算蓄積する方法を採用している。また、完全なＮＧ画像を加算してしまうとトレンドデータを壊してしまうので、画像処理装置３１において、ＮＧ画像は加算しないようにプログラムされている。
【００２８】
なお、単純加算する場合には、マクロ検査によって得られた生画像を加算したのち、一定濃度（加算した画像の平均濃度）を減算して加算蓄積画像を作成する。
【００２９】
表示部３２は、画像処理装置３１に接続されたＣＲＴモニタや液晶表示パネルからなり、被検査基板を１枚のマクロ画像として表示する他、上記重ね合わせ画像を表示する。
【００３０】
ラインモニター３５は、画像処理装置３１に接続されており、重ね合わせ画像を常時モニター観察する場合に、当該画像を表示する専用の表示装置である。なお、加算蓄積画像の濃度断面画像も表示可能である。
【００３１】
パソコン３３は、画像処理装置３１にて処理された情報を受け取るようになっている。また、マクロ検査装置の全体制御、検査結果の表示・統計解析、検査基板のロットＮｏ．管理・製造装置Ｎｏ．レシピ管理などを行う。
【００３２】
また、パソコン３３は、被検査基板の画像や重ね合わせ画像の情報に基づく統計解析を実行し、本マクロ検査装置がプロセスモニターとして機能するようにしている。なお、パソコンに代えてワークステーション等の他の計算機手段を用いてもよい。
【００３３】
モニター３４は、パソコン３３の表示用モニタである。
次に、以上のように構成された本発明の実施の形態に係るマクロ検査装置の動作について説明する。
【００３４】
まず、本実施形態の装置は、従来の自動マクロ検査装置と同様に被検査基板１枚毎に画像処理を施して合否判定を行う。これにより自動的なマクロ検査が実行される。
【００３５】
この他、本マクロ検査装置は、検査基板について画像重ね合わせを実行し、これを表示して検査員の判断に供するとともに、異常検出もしくは異常発生の予測を自動的に判定し通知しプロセスモニターとして動作する。
【００３６】
以下、図２に従って加算蓄積画像の作成手順を示す。
図２は加算蓄積画像の作成及び異常検出もしくは異常予測の手順を示す図である。
【００３７】
まず、画像処理装置３１において、マクロ検査で得られた被検査画像（図２  （ａ１））を取り込み、画像メモリＭ１に記憶する。このときのｘｘ´濃度断面を示すのが図２（ａ２）である。なお、図２（ａ２）には示さないが、ここで、濃度が所定の閾値を越えている場合には、当該被検査基板に異常が発生していると自動的に判断され通知される。
【００３８】
次に、この被検査画像にスムージング処理を加えシェーディング画像（図２  （ｂ１））を作成し画像メモリＭ２に記憶する。ｘｘ´濃度断面を図２（ｂ２）に示す。なお、ここでスムージングをかけるのは、この画像の平均の濃度レベルを取り出すためである。
【００３９】
次に、被検査画像Ｍ１からシェーディング画像Ｍ２を引き、シェーディング画像（図２（ｃ１））として画像メモリＭ３に記憶する。図２（ｃ２）に示すように、そのｘｘ´濃度断面においては、画像全体の平均レベルが０となっている。
【００４０】
次に、加算蓄積用画像メモリＭ４に画像メモリＭ３を加算する。こうして得られるのが加算蓄積画像（図２（ｄ１））である。ｘｘ´濃度断面を図２（ｄ２）に示す。なお、加算蓄積用画像メモリＭ４はロットの１枚目でクリアされる。さらに複数ロットにわたる長期間のトレンドデータを得たいときは、クリアせずに同じ基板種類のデータをそのまま加算してゆくよう設定する。
【００４１】
次のロットの基板検査に移るまでは、新たな基板を検査する度に上記図２（ａ１）〜図２（ｄ１）を繰り返し、加算蓄積画像についてさらに加算蓄積してゆくこととなる。
【００４２】
以上の処理は画像処理装置３１において行われているが、この加算蓄積画像はパソコン３３に送出され、パソコン３３にて解析処理が実行される。
個々の検査結果における濃度のばらつきがランダムであれば、加算蓄積画像上では特定位置のみの濃度が平均レベルからずれることはなく全体が平均化されるはずである。これに対しプロセスに異常もしくは異常検出されるほどではなくても正常状態からずれ始めている状態（以下、異常等ともいう）にあるときには、特定位置のみの濃度が平均レベルから常にずれている場合がある。
【００４３】
したがって、パソコン３３では、濃度レベルばらつきに対し閾値を設けて、加算蓄積画像がその閾値を越えたらその旨を通知するようにしている。このようにパソコン３３における解析処理において、加算蓄積画像の濃度レベルのばらつきが濃度最大値のたとえば３０％以上となれば注意信号を、４０％以上では異常発生の危険信号をモニタ−３４上に出力する。これらの閾値は、検査項目や被検体の種別等による解析条件に応じて変更することが可能である。なお、この解析処理における判断では、後述するように蓄積画像の濃度ヒストグラムが用いられる。
【００４４】
これにより、複数マクロ画像に基づくトレンドデータによりプロセスモニタリングがなされることとなる。
一方、検査員の監視用に、画像処理装置３１で作成された加算蓄積画像が、ラインモニター３５あるいは表示部３２から表示出力されている。
【００４５】
この加算蓄積画像のラインモニター３５あるいは表示部３２からの表示時には、図２（ｄ１）で作成された加算蓄積画像に一定の濃度（例えば濃度レベル１００）を加え、見やすい画像に変換してから表示装置上に出力する（図２（ｅ１））。なお、検査員の設定操作によりこの画像のｘｘ´濃度断面を表示する場合もある（図２（ｅ２））。
【００４６】
このような加算蓄積画像がラインモニター３５から表示された場合、同画像では同じ場所に現れた欠陥は加算した基板枚数倍の輝度レベルで表示される。従って、１枚の画像では認識できないような薄いムラであっても同じ位置に現れているものは次第に明るいムラとなって表示され、目視でも十分認識できる欠陥となって表示される。
【００４７】
また、完全な良品基板のマクロ画像を蓄積してゆくとその生産ロットの膜厚のばらつきが見えてくる。膜厚のばらつきが一様であれば問題ないが、ある場所に偏って発生している場合には製造装置に問題があるのではないかと推測できる。このような問題点は、簡易には上記パソコン３３の閾値レベル通知機能により検出することができ、さらに、図２（ｄ１），図２（ｄ２），図２（ｅ１）あるいは図２（ｅ２）の加算蓄積画像、濃度断面画像から具体的な異常，異常兆候を詳細検討することもできる。
【００４８】
図３に本実施の形態のマクロ検査装置から得られる加算蓄積画像の一例を示す。また、図４に比較例としてミクロ検査装置から得られる欠陥マップの一例を示す。
【００４９】
図３より、マクロ画像を蓄積することにより濃度ムラが生じていることがわかるが、一方、図４との比較により濃度ムラの発生状況はミクロ欠陥とは必ずしも対応していないことがわかる。このように本マクロ検査装置を用いれば、ミクロ検査装置では検出できないプロセス上の問題点をも検出できることがわかる。
【００５０】
次に、本実施形態のマクロ検査装置を用いた工程の異常等の検出、異常解析のフィードバックについて説明する。
図５は、液晶パネル基板の製造プロセスを示す図である。
【００５１】
パネル基板は、成膜工程５１、レジスト塗布工程５２、露光工程５３、現像工程５４、検査工程５５（マクロ検査５５）及びエッチング工程５６を７〜８回繰り返すことによって完成する。
【００５２】
この検査工程５５では、レジスト塗布・露光・現像の各工程５２，５３，５４における欠陥や異常を検査する。ここでＮＧと判断された基板は、レジストが剥離された後、レジスト塗布工程５２からやり直される（リワークと呼ぶ）か又は廃棄される。
【００５３】
マクロ検査装置は、レジスト塗布不良・露光不良・現像不良・ゴミ・搬送欠陥などのフォトリソ工程で生じた欠陥を捕まえる。そして、検出された欠陥内容は解析され分類されて、最終的には検査員が欠陥の発生原因をつきとめ、レジスト塗布・露光・現像の各工程５２，５３，５４の製造装置にフィードバックすることになる。
【００５４】
この過程において、本検査装置では、マクロ検査で得られた被検査基板の加算蓄積画像もが、ラインモニター３５に表示される。したがって、検査員はこの加算蓄積画像による判定情報を目視確認し、プロセスモニタリングすることができる。
【００５５】
さらに、上記したように、パソコン３３による自動的な注意警報通知もなされる。
図６は加算蓄積画像の濃度ヒストグラムを示す図である。
【００５６】
つまり、パソコン３３の加算蓄積画像に対する自動解析機能が、図６に示す重ね合わせ画像の濃度ヒストグラムを取り、最大濃度と最小濃度の差が設定値（例えば４０％）以上であった場合には、膜厚のばらつきが大きすぎと判断し、欠陥発生の前ぶれとして検査担当者や製造装置に注意信号を出力する。検査員はこの注意警報の通知情報も参考にしてプロセスモニタリングを行う。
【００５７】
上述したように、本発明の実施の形態に係るマクロ検査装置及びプロセスモニタリング方法は、被検査基板の検査画像を重ね合わせて加算蓄積画像を作成し、これを統計処理、また解析してプロセスモニタリングするので、ロット基板に現れる共通欠陥を検出することができる。
【００５８】
また共通欠陥の発生場所が特定できるため、欠陥の発生原因の追跡を容易に行うことができる。さらに、１枚の基板では認識できない薄いムラなどの欠陥も検出することができる。
【００５９】
そして、個々の基板の良否にかかわらずそのマクロ画像を加算蓄積してモニター出力するので、膜厚ムラ等のばらつき具合から欠陥発生の前兆を把握することができ、欠陥の発生予測を行うことができる。
【００６０】
このように、ウェハあるいは液晶ガラス基板等のフォトリソ工程において、欠陥発生を予測しその発生を事前にくい止めるように、生産装置を管理できるので、製造費用の削減及び生産効率の向上も図ることができる。
【００６１】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
本実施形態では、連続する１ロット２０枚分の検査基板の画像を重ね合わせて重ね合わせ画像を作成するとしたが、重ね合わせるべき枚数はこの枚数に限られるものでなく、適宜重ね合わせ数を変更調整することができる。
【００６２】
さらに、本発明は、液晶パネル，ＰＤＰ，ＦＥＤ等のフラットパネル用の基板や、半導体素子用ウェハ等の基板等、種々の基板の検査について適用することができる。
【００６３】
また、実施形態に記載した手法は、計算機に実行させることができるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディスク、ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等）、半導体メモリ等の記憶媒体に格納し、また通信媒体により伝送して頒布することもできる。本装置を実現する計算機は、記憶媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより上述した処理を実行する。
【００６４】
【発明の効果】
以上詳記したように本発明によれば、マクロ画像の加算蓄積画像を作成し解析するようにしたので、一枚単位では検出できない欠陥を検出したり、また良品基板しか流れていない場合でも、プロセスの微妙な変調を統計的に捕まえて欠陥の発生を時前に予測し欠陥発生を回避させることが可能なマクロ検査装置及びプロセスモニタリング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るマクロ検査装置の一例を示す概略構成図。
【図２】加算蓄積画像の作成及び異常検出もしくは異常予測の手順を示す図。
【図３】同実施の形態のマクロ検査装置から得られる加算蓄積画像の一例を示す図。
【図４】ミクロ検査装置から得られる欠陥マップの一例を示す比較図。
【図５】液晶パネル基板の製造プロセスを示す図。
【図６】加算蓄積画像の濃度ヒストグラムを示す図。
【符号の説明】
２１…白色光源
２２…フィルター回転ユニット
２３…光ファイバ
２４…フロスト
２５…ハーフミラー
２６…コリメートレンズ
２７…基板
２８…ズームレンズ
２９…ＣＣＤカメラ
３０…カメラコントローラ
３１…画像処理装置
３２…表示部
３３…パソコン
３４…モニター
３５…ラインモニター
４１…メタルハライドランプ
４２…コリメートレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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