(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板上に透明導電層と不透明金属膜を順次積層した後、所定部分をパターニングして、ゲートバスライン、カウンター電極構造物、及び下部基板の縁にゲートパッドを形成する段階と、
前記ゲートバスライン及びカウンター電極が形成された下部基板の上部にゲート絶縁膜、チャンネル用非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を順次積層し、ドーピングされた非晶質シリコン層及びチャンネル用非晶質シリコン層を前記ゲートバスラインを覆うようにパターニングし、アクティブ領域を形成する段階と、
前記露出したカウンター電極構造物上の不透明金属膜を除去してカウンター電極を形成する段階と、
前記下部基板の結果物の上部に絶縁膜を蒸着する段階と、
前記絶縁膜の上部に透明導電層を形成し、前記透明導電層を前記カウンター電極とオーバーラップするように櫛形にパターニングして画素電極を形成する段階と、
前記ゲートパッドがオープンされるように絶縁膜をエッチングすると同時に、アクティブ領域上の絶縁膜をエッチングする段階と、
前記下部基板の結果物の上部に不透明金属膜を蒸着した後、ゲートバスラインと交差し、アクティブ領域の両側に存在するようにパターニングしてデータバスライン、ソース及びドレイン電極を形成する段階とを含み、
前記画素電極とカウンター電極との間に電圧差が発生する際、フリンジフィールドが形成されることを特徴とするフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記透明導電層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層であることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲートバスライン用の不透明金属膜は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＭｏＷの中から選択される一つであることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記データバスライン用の不透明金属膜は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層金属膜、の中から選択される一つであることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）駆動液晶表示装置の製造方法に関し、より具体的には製造段階を縮小できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、フリンジフィールド駆動液晶表示装置（高開口率及び高透過率の液晶表示装置）は、一般的なＩＰＳモード液晶表示装置の低い開口率及び透過率を改善させるため提案されたものであり、これに対しては大韓民国特許出願第９８−９２４３号で出願されている。
【０００３】
このようなフリンジフィールド駆動液晶表示装置は、カウンター電極と画素電極とを透明伝導体に形成しながらカウンター電極と画素電極との間隔を上下基板の間の間隔より狭く形成し、カウンター電極と画素電極との上部にフリンジフィールドが形成されるようにする。
【０００４】
図１を参照し、従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明する。
図１を参照すると、透明な下部絶縁基板１の上部にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層をＡｒガス、Ｏ２ガス、及びＩＴＯターゲットを利用しスパッタリング方式で形成した後、櫛形又はプレート（ｐｌａｔｅ）形をなすようパターニングしてカウンター電極２を形成する（第１マスク工程）。
【０００５】
その後、カウンター電極２が形成された下部基板１の上部に不透明金属膜をスパッタリング方式で形成し、所定部分をパターニングしてゲートバスライン３と共通電極線（未図示）を形成する（第２マスク工程）。
【０００６】
その後、ゲートバスライン３が形成された透明な下部絶縁基板１の上部にゲート絶縁膜４と、チャンネル用の非晶質シリコン膜５及びドーピングされた非晶質シリコン膜６を積層した後、薄膜トランジスタの形にパターニングする（第３マスク工程）。
【０００７】
次いで、結果物の上部にＩＴＯ層をスパッタリング方式で蒸着した後、カウンター電極２の上部に櫛形になるようＩＴＯ層をパターニングし、画素電極７を形成する（第４マスク工程）。
【０００８】
その後、ゲートパッド部の上部のゲート絶縁膜を除去してパッドをオープンさせる（第５マスク工程）。
【０００９】
次いで、結果物の上部に不透明金属膜をスパッタリング方式で蒸着した後、所定部分エッチングし、ソース、ドレイン電極８ａ、８ｂ及びデータバスライン（未図示）を形成する（第６マスク工程）。
【００１０】
次いで、露出したドーピング済みの非晶質シリコン層７を公知の方式で除去する。このとき、オープンされたゲートパッド部とデータバスライン用の金属膜とがコンタクトされる。
【００１１】
しかし、前記のようなフリンジフィールド駆動液晶表示装置の下部基板の構造物を形成するためには、前述のように６回のマスク工程が求められる。このとき、上記マスク工程というのは公知のようにフォトリソグラフィー工程であり、その工程のみでもレジスト塗布工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジスト除去工程を含む。これに従い、一回のマスク工程を進めるのに長時間が所要する。
【００１２】
これにより、６回のマスク工程を含むフリンジフィールド駆動液晶表示装置を製造するのに非常に長い時間が求められ、製造費用が上昇することになり収率が低下するという問題点が生じている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は上記従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、製造工程を短縮し生産性を向上させることができるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するためになされた本発明によるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に透明導電層と不透明金属膜を順次積層した後、所定部分をパターニングして、ゲートバスライン、カウンター電極構造物、及び下部基板の縁にゲートパッドを形成する段階と、前記ゲートバスライン及びカウンター電極が形成された下部基板の上部にゲート絶縁膜、チャンネル用非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を順次積層し、ドーピングされた非晶質シリコン層及びチャンネル用非晶質シリコン層を前記ゲートバスラインを覆うようにパターニングし、アクティブ領域を形成する段階と、前記露出したカウンター電極構造物上の不透明金属膜を除去してカウンター電極を形成する段階と、前記下部基板の結果物の上部に絶縁膜を蒸着する段階と、前記絶縁膜の上部に透明導電層を形成し、前記透明導電層を前記カウンター電極とオーバーラップするように櫛形にパターニングして画素電極を形成する段階と、前記ゲートパッドがオープンされるように絶縁膜をエッチングすると同時に、アクティブ領域上の絶縁膜をエッチングする段階と、前記下部基板の結果物の上部に不透明金属膜を蒸着した後、ゲートバスラインと交差し、アクティブ領域の両側に存在するようにパターニングしてデータバスライン、ソース及びドレイン電極を形成する段階とを含み、前記画素電極とカウンター電極との間に電圧差が発生する際、フリンジフィールドが形成されることを特徴とする。
【００１５】
また、前記透明導電層はＩＴＯ層であり、前記ゲートバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＭｏＷ中から選択される一つであることを特徴とし、データバスライン用の不透明金属膜はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層金属膜、の中から選択される一つであることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、ゲートバスラインを透明金属層と不透明金属層との積層構造に形成して、ゲートバスラインの形成時にカウンター電極の形状を備えた後、アクティブ領域をゲートバスラインを覆うよう形成する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明金属層を除去することによりカウンター電極を形成する。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウンター電極の形状を同時に構築することができるため、一回のマスク工程を減少することができる。したがって、従来より一回少ない５回のマスク工程でフリンジフィールド駆動液晶表示装置を製作することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明にかかるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。なお、実施例を説明するための全ての図面で同一機能を有するものは同一符号を用い、その反復的な説明は省略する。
【００１８】
図２乃至図５は、本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図であり、図６乃至図９は、本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【００１９】
図２及び図６を参照すると、下部基板１００の上部に透明な導電層であるＩＴＯ層１０とゲートバスライン用金属膜１１、例えばＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＭｏＷのような不透明金属膜とを順次積層する。
【００２０】
次いで、第１マスク工程によりゲートバスライン用の金属膜１１とＩＴＯ層１０をパターニングし、ゲートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物１１ｂを形成する。このとき、カウンター電極構造物１１ｂは図２のようにプレート形に形成するか又は櫛形に形成することができ、ゲートバスライン１１ａはＩＴＯ層１０とゲートバスライン用の金属膜１１との積層構造に形成される。このとき、図面に示されていないが、下部基板１００の縁にはゲートバスライン１１ａの形成と同時に、ゲートパッド（未図示）が形成される。
【００２１】
その次に、図３及び図７に示すように、ゲートバスライン１１ａ及びカウンター電極構造物１１が形成された下部基板１００の上部にゲート絶縁膜１３ａ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びドーピングされた半導体層１３ｃを順次形成する。その次に、ゲートバスライン１１ａを覆うようにドーピングされた半導体層１３ｃ、非晶質シリコン層１３ｂ、及びゲート絶縁膜１３ａを第２マスク工程により所定部分をパターニングし、アクティブ領域１３を形成する。アクティブ領域１３の形成でカウンター電極構造物１１ｂは露出し、ゲートバスライン１１ａはアクティブ領域１３により覆われるようになる。
【００２２】
その後、露出したカウンター電極構造物１１ｂのゲートバスライン用金属膜１１を除去し、透明ＩＴＯ層でなるカウンター電極１２を形成する。その後、カウンター電極１２が形成された下部基板１００の上部に絶縁膜１５を蒸着する。
【００２３】
図４及び図８に示すように、絶縁膜１５上部に画素電極用の透明な導電層であるＩＴＯ層を蒸着した後、カウンター電極１２とオーバーラップされながら櫛形を有するようＩＴＯ層を第３マスク工程を介してパターニングし、画素電極１６を形成する。このとき、櫛形の画素電極１６の形成で下部のカウンター電極１２が露出される。
【００２４】
その後、絶縁膜１５により埋められているゲートパッド（未図示）を、第４マスク工程を介してエッチングすることによりゲートパッドを露出させる。このとき、ゲートパッドを露出させるとともにアクティブ領域１３の上部の絶縁膜１５をエッチングする。
【００２５】
その後、図５及び図９に示すように、下部基板１００の上部にデータバスライン用の金属膜、例えばＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の不透明金属膜を蒸着する。次いで、データバスライン用の金属膜の所定部分を第５マスク工程によりパターニングし、ゲートバスライン１１ａと交差するデータバスライン１７と、データバスライン１７から延長しアクティブ領域１３の一側の所定部分とコンタクトされるソース電極１７ａと、アクティブ領域１３の他側の所定部分とコンタクトされ画素電極１６の所定部分とコンタクトされるドレイン電極１７ｂとを形成する。これにより、５回のマスク工程でフリンジフィールドで駆動される液晶表示装置を製造することになる。
【００２６】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】
以上、詳しく説明したように、本発明によればゲートバスラインを透明金属層と不透明金属層の積層構造に形成し、ゲートバスライン形成時にカウンター電極の形状を備えた後、アクティブ領域をゲートバスラインを覆うよう形成する。その後、露出したカウンター電極の表面の不透明金属層を除去することによりカウンター電極を形成する。これに従い、ゲートバスラインを形成するときカウンター電極の形状を同時に構築することができるため一回のマスク工程を減少することができる。したがって、従来より一回少ない５回のマスク工程でフリンジフィールド駆動液晶表示装置を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図である。
【図３】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図である。
【図４】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図である。
【図５】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の平面図である。
【図６】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図７】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図８】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図９】本発明に係るフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【符号の説明】
１０        ＩＴＯ層
１１        ゲートバスライン用の金属膜
１１ａ      ゲートバスライン
１１ｂ      カウンター電極構造物
１２        カウンター電極
１３        アクティブ領域
１３ａ      ゲート絶縁膜
１３ｂ      非晶質シリコン層
１３ｃ      ドーピングされた半導体層
１５        絶縁膜
１６        画素電極
１７        データバスライン
１７ａ      ソース電極
１７ｂ      ドレイン電極
１００      下部基板
【図１】
0003796566.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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