(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板上に配置された少なくとも１つの情報層とを備え、前記情報層がＴｅ、Ｏ及びＭを含有する材料からなる記録層を有し、前記透明基板側から入射する光ビームについて、前記記録層に情報を記録する前の反射率よりも、前記記録層に情報を記録した後の反射率が低いことを特徴とする追記型光学的情報記録媒体。
但し、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素である。
【請求項２】
前記情報層が、前記記録層に関して前記透明基板と反対側に反射層を備え、前記反射層が、屈折率ｎが３以下又は消衰係数ｋが１以上の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記反射層が、屈折率ｎが２．０以下又は消衰係数ｋが２．０以上の材料からなることを特徴とする請求項２に記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記反射層の膜厚が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記情報層が、前記記録層と前記反射層との間、及び前記透明基板と前記記録層との間から選ばれる少なくとも一方に、屈折率ｎが１．５以上の材料からなり、膜厚が０．０１λ／ｎ以上０．３λ／ｎ以下である誘電体層を備えたことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
但し、λは情報の再生に用いる光ビームの波長である。
【請求項６】
前記情報層が、前記透明基板と前記記録層との間に、屈折率ｎが１．５以上の材料からなり、膜厚が０．０１λ／ｎ以上０．３λ／ｎ以下である誘電体層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の追記型光学的情報記録媒体。
但し、λは情報の再生に用いる光ビームの波長である。
【請求項７】
前記誘電体層の膜厚が０．０５λ／ｎ以上０．３λ／ｎ以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項８】
前記誘電体層の膜厚が０．０１λ／ｎ以上０．２λ／ｎ以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項９】
前記情報層を含む合計ｎ層の情報層を有し、前記ｎ層の情報層の間にそれぞれ分離層が配置されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
ただし、ｎは２以上の整数である。
【請求項１０】
前記情報層を含む合計ｎ層の情報層を有し、前記情報層が、前記ｎ層の情報層において前記透明基板から最も遠くに位置することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
ただし、ｎは２以上の整数である。
【請求項１１】
前記情報層を含む合計ｎ層の情報層を有し、前記情報層が、前記ｎ層の情報層において前記透明基板から最も近くに位置することを特徴とする請求項６に記載の追記型光学的情報記録媒体。
ただし、ｎは２以上の整数である。
【請求項１２】
前記記録層において、酸素原子の含有割合が２５原子％以上６０原子％以下、Ｍ原子の含有割合が１原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層の膜厚が２ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項１４】
前記記録層に情報を記録した後における前記光ビームの反射率から、前記記録層に情報を記録する前における前記光ビームの反射率を差し引いた反射率差ΔＲが−５％よりも低いことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項１５】
さらに保護基板を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体。
【請求項１６】
請求項１５に記載の追記型光学的情報記録媒体の製造方法であって、前記保護基板上に少なくとも１つの情報層を形成し、前記情報層上に前記透明基板を形成することを特徴とする追記型光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれかに記載の追記型光学的情報記録媒体の製造方法であって、少なくとも前記記録層を形成した後に、６０℃以上で５分以上保持するアニール処理を施すことを特徴とする追記型光学的情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に形成された薄膜に、レーザービーム等の高エネルギー光ビームを照射することにより、信号品質の高い情報信号を記録・再生することのできる追記型の光学的情報記録媒体、その製造方法、記録方法及び記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
透明基板上に薄膜を形成し、この薄膜に微小なスポットに絞り込んだレーザー光を照射して情報信号を記録再生する記録媒体は公知である。追記型の記録媒体としては、基板上にＴｅとＴｅＯ2の混合物であるＴｅＯx（０＜ｘ＜２〉記録薄膜を形成したものが知られている（特開昭５０−４６３１７号公報）。この記録媒体からは、再生用光ビームの照射により大きな反射率変化を得ることができる。
【０００３】
ＴｅＯx記録薄膜は、レーザーアニール等の初期化処理を施すことなく成膜後の非晶質状態のままで、レーザー光を照射して結晶の記録マークを形成することができる。これは非可逆過程であって上書きによる修正や消去ができないため、この記録薄膜を用いた媒体は、追記型の記録媒体として利用できる。この記録薄膜は耐湿性等の環境信頼性が高いため、誘電体の保護層等を必要としない。製造コストを削減するために、ＴｅＯx記録薄膜は、単層膜として用いられている。
【０００４】
ＴｅＯx記録薄膜では、記録後信号が飽和するまで、すなわち記録薄膜中のレーザー光照射による結晶化が十分進行するまでに若干の時間を要する。このため、この記録薄膜を用いた媒体は、そのままでは、例えばデータをディスクに記録して一回転後にそのデータを検証するコンピュータ用データファイルのように、高速応答性が要求される媒体としては不適当である。この欠点を補うために、ＴｅＯxに第３の元素としてＰｄ、Ａｕを添加することが提案されている（特開昭６０−２０３４９０号公報、特開昭６１−６８２９６号公報、特開昭６２−８８１５２号公報）。
【０００５】
Ｐｄ及びＡｕは、ＴｅＯx薄膜中において、レーザー光照射時にＴｅの結晶成長を促進する働きをしていると考えられ、これによって、Ｔｅ及びＴｅ−Ｐｄ合金又はＴｅ−Ａｕ合金の結晶粒が高速で生成する。Ｐｄ及びＡｕは、耐酸化性が高く、ＴｅＯx薄膜の高い耐湿性を損なうことがない。
【０００６】
媒体１枚あたりが扱える情報量を増やすための基本的手段として、レーザー光の短波長化、レーザー光を集光する対物レンズの開口数を大きくしてレーザー光のスポット径を小さくするという手段が知られている。また、マークエッジ記録やランド＆グルーブ記録が導入されている。さらに、複数の情報層を積層した多層構造も提案されている。多層構造を有する媒体において、複数の情報層のいずれか一つを選択するための層認識手段及び切り換え手段も提案されている。
【０００７】
このような高密度記録に対応するため、ＴｅＯxに第３の元素としてＰｄ、Ａｕ等を添加した記録材料の組成、及び膜厚を改良した記録媒体も提案されている（特開平９−３２６１３５号公報、ＷＯ９８／０９８２３号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、記録媒体では、フォーカシング・トラッキング等のサーボ制御を行うために、記録前の状態で一定以上の反射率が必要とされる。記録前よりも記録後の反射率が高い反射率増加型の媒体では、記録後にはさらに反射率が高くなる。このため、反射率増加型では、記録前及び記録後のいずれか一方の状態で反射率を０に近づけられず、信号のコントラストを大きくする上では不利となる。これに対し、反射率減少型の媒体では、記録前の反射率を高く保ちながら記録後の反射率を低くできるため、サーボ制御の面でも好ましく、かつ信号のコントラストを大きくする上でも有利である。
しかし、ＴｅＯx記録薄膜を用いた従来の記録媒体は、いずれも記録前よりも記録後の反射率が高い反射率増加型であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
ＴｅＯx記録薄膜を用いた記録媒体を反射率減少型とすることはこれまで検討されていない。これは、おそらくＴｅＯxが反射率増加型の材料、即ち結晶化に伴い反射率が上昇する材料であることに起因している。本発明者が検討したところ、ＴｅＯx記録薄膜は、その組成や膜厚を変えても、反射率減少型にすることはできなかった。しかし、さらに検討を重ねた結果、本発明者は、ＴｅＯx記録薄膜を用いた反射率減少型の記録媒体を作製することに成功した。
【００１０】
即ち、本発明の記録媒体は、透明基板と、この透明基板上に配置された少なくとも１つの情報層とを備え、この情報層がＴｅ、Ｏ及びＭを含有する材料からなる記録層を有し、上記透明基板側から入射する光ビームについて、上記記録層に情報を記録する前の反射率よりも、上記記録層に情報を記録した後の反射率が低いことを特徴とする。但し、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素である。
【００１１】
上記記録薄膜を用いた反射率減少型の記録媒体は、例えば、少なくとも１つの反射調整層を情報層に追加することにより得ることができる。この反射調整層の例には、後述する反射層や誘電体層が含まれる。反射調整層は、典型的には、光学干渉効果により、この層が存在しない状態では記録層に情報を記録する前の反射率よりも記録層に情報を記録した後の反射率が高いが、この層が存在する状態では記録前の反射率よりも記録後の反射率が低くなるように媒体からの反射を調整する。反射調整層は、単層であっても複数の層であってもよい。
【００１２】
本発明は、さらに、上記記録媒体の製造方法、記録方法、記録装置も提供する。本発明の製造方法の一形態では、本発明の記録媒体を製造するに際し、保護基板上に情報層を形成し、この情報層上に透明基板を形成することを特徴とする。このように保護基板上に情報層を形成する方法は、例えば厚さ０．４ｍｍ以下の薄い透明基板に適している。
【００１３】
本発明の製造方法の別の一形態では、本発明の記録媒体を製造するに際し、少なくとも記録層を形成した後に、６０℃以上で５分以上保持するアニール処理を施す工程を実施することを特徴とする。この製造方法によれば、より高いＣ／Ｎ比を実現できる。
【００１４】
本発明の記録方法は、光ビームに対して相対的に移動する上記記録媒体に、透明基板の側から光ビームをピークパワーとこのピークパワーよりも小さいパワーとの間で変調させながら照射して記録マークを形成することにより、情報の記録を行い、上記光ビームに対する上記記録媒体の線速度Ｖと、照射する光ビームを上記ピークパワーに保持する時間Ｔとの積ＶＴが、上記線速度Ｖが大きくなるにつれて大きくなるように、上記時間Ｔを設定することを特徴とする。
【００１５】
本発明の記録装置は、媒体回転手段と、この媒体回転手段により回転する上記記録媒体に光ビームを照射して記録マークを形成する光ビーム照射手段と、この光ビーム照射手段により照射される光ビームをピークパワーとこのピークパワーよりも小さいパワーとの間で変調する光ビーム変調手段とを含み、この光ビーム変調手段が、上記光ビームに対する上記記録媒体の線速度Ｖと、照射する光ビームを上記ピークパワーに保持する時間Ｔとの積ＶＴが、上記線速度Ｖが大きくなるにつれて大きくなるように、上記時間Ｔを設定することを特徴とする。この記録装置は、情報の再生機能を併有する記録装置、いわゆる記録再生装置も包含する。
【００１６】
媒体の線速度が大きくなるにつれて、記録マーク間の熱干渉は小さくなる。その結果、同じ長さの記録マークを同じピークパワー照射時間で形成すると、線速度が大きくなるにつれて記録マークが小さくなる。本発明の記録方法及び記録装置によれば、記録媒体の線速度Ｖとピークパワーの照射時間Ｔとの積ＶＴが、線速度Ｖが大きくなるにつれて大きくなるように照射時間Ｔを設定することにより、記録マークの大きさの相違を補償できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
ＴｅＯx記録薄膜を用いた媒体を反射率減少型とすることは、これまで検討されておらず、その可能性も指摘されていない。しかし、本発明者の検討によると、本来的に反射率増加型である記録薄膜を用いた媒体の特性を変更できるいくつかの条件が存在することがわかった。そして、更なる検討の結果、高い反射率を確保しながら、高密度の情報の記録及び再生においても、高いＣ／Ｎ比と高い感度を実現できることが確認された。
【００１８】
本発明の好ましい一形態では、情報層が、記録層に関して透明基板と反対側に反射層を備えている。この反射層は、屈折率ｎが３以下又は消衰係数ｋが１以上、特にｎが２．０以下又はｋが２．０以上の材料が好ましい。ｎとｋとの条件は、同時に備えているとさらによく、従って、例えばｎが３以下かつｋが１以上がより好ましい。反射層の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好適である。
【００１９】
反射層を含む場合、情報層は、記録層と反射層との間、及び透明基板と記録層との間から選ばれる少なくとも一方に、屈折率ｎが１．５以上の材料からなり、膜厚が０．０１λ／ｎ以上０．３λ／ｎ以下である誘電体層をさらに含むことが好ましい。本明細書において、λは情報の再生に用いる光ビーム（例えばレーザー光）の波長である。
【００２０】
この誘電体層は、反射層を形成しない場合にも好ましい反射調整効果を奏しうる。この場合、誘電体層は記録層よりも透明基板側に配置するとよい。即ち、本発明の好ましい別の一形態では、情報層が、透明基板と記録層との間に誘電体層を備えており、この誘電体層は、屈折率ｎが１．５以上の材料からなり、膜厚が０．０１λ／ｎ以上０．３λ／ｎ以下である。
【００２１】
本発明の記録媒体では情報層は１層に制限されない。例えば、透明基板側から、第１情報層及び第２情報層をこの順に備えていてもよい。記録容量を増すために、さらに第３情報層、第４情報層，，，を備えていても構わない。このように、記録媒体が、さらに少なくとも１つの追加の情報層を含んで合計でｎ層の情報層（ｎは２以上の整数）を有する場合は、各情報層の間に分離層を介在させることが好ましい。この分離層は、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。
【００２２】
記録媒体がｎ層の情報層（ｎは２以上の整数）を有する場合は、ｎ層の情報層において、上記で説明した情報層は、透明基板から最も遠くに位置することが好ましい。反射層によりレーザー光の透過が制限されるからである。一方、上記情報層が反射層を含まない場合、例えば透明基板と記録層との間に配置された誘電体層により反射率減少型への変換を実現している場合は、ｎ層の情報層において、上記情報層は透明基板から最も近くに位置することが好ましい。高い透過率が得られるからである。追加の情報層は、レーザー光による情報の再生が可能であればその構成に特に制限はない。
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながらさらに具体的に説明する。図１及び図２は、本発明の記録媒体の一構成例の部分断面図である。
【００２４】
図１に示した記録媒体は、透明基板１上に、記録層２、反射層３及び保護基板４がこの順に設けられて構成されている。図２に示した記録媒体は、透明基板１上に、誘電体層７、記録層２及び保護基板４がこの順に設けられて構成されている。これらの記録媒体において、記録層２と反射層３、及び誘電体層７と記録層２は、それぞれ情報層１０として機能している。これらの媒体では、透明基板１の側からレーザー光５を、対物レンズ６で集光して照射することにより、記録層２に情報が記録され、或いは記録された情報が再生される。再生のために照射される波長λのレーザー光は、情報が記録された領域に照射されると相対的に小さい反射率を示す。
【００２５】
図３に示した記録媒体は、透明基板１上に、第１情報層１０、分離層９、第２情報層２０、保護基板４がこの順に設けられて構成されている。第２情報層２０と保護基板４との間に、さらに追加の情報層を配置してもよい。追加の情報層として、第３情報層３０及び第４情報層４０を配置した例を図４に示す。図示したように、各情報層の間には分離層９を配置するとよい。この媒体に対しても、透明基板１の側からレーザー光５を対物レンズ６で所定の情報層に集光し、情報が記録又は再生される。情報層が複数含まれる媒体では、いずれか一つの情報層が上記で説明した特徴を備えていればよい。
【００２６】
透明基板１の材料としては、レーザー光５の波長において略透明の材料、例えば、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、又はこれらを適宜組み合わせた材料を用いることができる。透明基板の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度とするとよい。０．３ｍｍ以下の厚さは、レンズ開口数（ＮＡ）の高い光学系を用いた、より高密度の記録に適している。
【００２７】
記録層２の材料としては、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（Ｍは上記記載の元素）を主成分とする材料が好適である。本明細書において、主成分とは、８０原子％を超える１又は２以上の成分をいい、２以上の成分が主成分である場合には、成分の合計が８０原子％以上であればよい。元素Ｍの好ましい例には、Ｐｄ及びＡｕが含まれる。Ｐｄ及び／又はＡｕの添加により、十分な結晶化速度及び高い環境信頼性が実現しやすくなる。この材料は、酸素原子（Ｏ原子）を２５原子％以上６０原子％以下、Ｍ原子を１原子％以上３５原子％以下含有する組成を有することが好ましい。
【００２８】
Ｏ原子が２５原子％未満では、記録層の熱伝導率が高くなりすぎて、記録マークが過大となることがある。このため、記録パワーを上げてもＣ／Ｎ比が上がりにくい。これに対し、Ｏ原子が６０原子％を超えると、記録層の熱伝導率が低くなりすぎて、記録パワーを上げても記録マークが十分大きくならないことがある。このため、高いＣ／Ｎ比と高い感度が実現しにくくなる。
【００２９】
Ｍ原子が１原子％未満では、レーザー光照射時にＴｅの結晶成長を促進する働きが相対的に小さくなって記録層２の結晶化速度が不足することがある。このため、高速でマークを形成できなくなる。これに対し、Ｍ原子が３５原子％を超えると、非晶質−結晶間の反射率変化が小さくなって、Ｃ／Ｎ比が低くなることがある。
【００３０】
記録層２には、Ｔｅ、Ｏ及びＭ以外の元素が含まれていてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、又は耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも１種の元素を添加してもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。
【００３１】
記録層２の膜厚は、２ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましい。十分なＣ／Ｎ比が得やすくなるからである。この膜厚が２ｎｍ未満では十分な反射率及び反射率変化が得られないためＣ／Ｎ比が低くなることがある。この観点から、記録層は５ｎｍ以上がさらによい。一方、この膜厚が７０ｎｍを超えると、記録層の薄膜面内の熱拡散が大きくなって高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなるおそれがある。
【００３２】
反射層３の材料としては、屈折率ｎが３以下及び／又は消衰係数ｋが１以上の材料を用いるとよい。ｎ及びｋの好ましい範囲は、それぞれ２．０以下、２．０以上である。具体的には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｒ等を含む金属、半金属若しくは合金材料、又はＴｉＮ、ＺｒＮ等の誘電体を用いればよい。
【００３３】
反射層３を配置する場合には、反射層３の冷却能がレーザー光の吸収による記録層２の発熱を拡散し、その結果、記録感度が低下することがある。このため、反射層の材料の熱伝導率は低いことが好ましい。従って、上記材料の中でも、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属又は合金が好適である。
【００３４】
但し、記録層２と反射層３との間に誘電体層を配置する場合は、反射層への熱拡散が抑制されるため、熱伝導率の高い反射層を設けても記録感度はさほど低下しない。従って、この場合は、必ずしも反射層３として熱伝導率の低い材料を選択しなくてもよい。
【００３５】
保護基板４の材料としては、透明基板１の材料として例示した材料を用いればよいが、透明基板１と異なる材料を用いてもよく、レーザー光５の波長において透明でなくてもよい。保護基板４の厚さは、特に限定されないが、０．０５〜３．０ｍｍ程度が好適である。
【００３６】
誘電体層７の材料としては、屈折率ｎが１．５以上、より好ましくは２．０以上、さらに好ましくは２．５以上の材料が好ましい。具体的には、例えばＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ等を主成分とする材料が適している。誘電体層７の膜厚は、反射率変化を大きくできる膜厚を選択するとよく、その具体的範囲は上記に例示したとおりである。
【００３７】
複数の情報層が配置されている場合も、少なくとも１つの情報層が、透明基板に近い側から、記録層２及び反射層３をこの順に、又は誘電体層７及び記録層２をこの順に設けて構成することが好ましい。しかし、その他の情報層は、記録層２とは異なる組成を有する記録層を含んでいてもよく、追記型に限らず、書き換え型や再生専用型の記録層を含んでいてもよい。
【００３８】
分離層９としては、紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。分離層９の厚さは、第１情報層１０及び第２情報層２０のいずれか一方を再生する際に他方からのクロストークが小さくなるように、少なくとも、焦点深度ΔＺを上回る厚さであることが好ましい。焦点深度ΔＺは、対物レンズ６の開口数ＮＡとレーザー光５の波長λにより決定され、集光点の強度が無収差の８０％を基準とすると、一般に、ΔＺ：λ／｛２（ＮＡ）2｝と近似できる。例えば、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の場合は、ΔＺ＝０．４７９μｍである。この光学系を用いる場合は、±０．５μｍ以内は焦点深度内となってしまうので、分離層９の厚さを１．０μｍよりも大きくするとよい。
【００３９】
また、分離層９の厚さは、複数の情報層に高密度の情報の記録・再生を可能にするため、情報層の間の距離が対物レンズ６の集光可能な範囲にあるように設定するとよい。分離層の厚さは、具体的には、透明基板１の厚さと合わせて、対物レンズの許容できる基材厚公差内にすることが好ましい。
【００４０】
上述の記録媒体２枚を、それぞれの保護基板４の側を対向させて貼り合わせていわゆる両面構造としてもよい。両面構造とすると、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに２倍にすることができる。
【００４１】
記録層２、反射層３、誘電体層７等の各層は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular  Beam  Epitaxy）法等の通常の気相薄膜堆積法により形成すればよい。
【００４２】
これらの薄膜層及び分離層９は、透明基板１上に順次形成した後に保護基板４を形成又は貼り合せてもよいし、逆に保護基板４上に順次形成した後に透明基板１を形成又は貼り合せてもよい。後者は透明基板１が０．４ｍｍ以下のように薄い場合に適している。この場合、レーザー光案内用の溝であるグルーブやアドレス信号等の凹凸パターンは、予め所望の凹凸パターンが形成されたスタンパ等から転写して、保護基板４及び分離層９の表面に形成しておくとよい。その際、分離層９のように、その厚さが薄く、インジェクション法の適用が困難な場合は、２Ｐ法（photo-polymerization法）を用いてもよい。
【００４３】
本発明の記録媒体は、グルーブ、グルーブ間のランド、又はグルーブとランドとの両方を記録トラックとして用いることができる。記録トラックの間隔は、特に制限されないが、高密度記録のためには記録再生に用いるレーザー光の波長をλ、レンズ開口数をＮＡとしたときに、λ／ＮＡ以下、特に０．８λ／ＮＡ以下が好適である。
【００４４】
本発明の記録媒体は、高温度条件下で一定時間以上保持してアニールすることにより、より高いＣ／Ｎ比及びより低いジッタ値を得やすくなる。これは、このアニ−ル工程により、記録層中にランダムに拡散している各原子の一部が適度に結合して微小な結晶核を形成し、記録に際して結晶化がよりスムーズに行われるためと考えられる。こうして、マークエッジがよく揃い、マーク形状がよく整ったマーク形成が可能となる。
【００４５】
アニール温度は、記録層２の組成によっても異なるが、発明者が実験により確認したところによると、６０℃以上であって、透明基板が溶融しない温度、即ちその軟化点又は融点以下、例えばポリカーボネイトの場合は１２０℃以下が好ましい。アニール時間は、記録層の組成及びアニール温度によっても異なるが、発明者の実験によれば、Ｃ／Ｎ比向上等の効果が飽和するためには、少なくとも５分は必要である。さらに長時間アニールしてもよいが、効果が飽和した後にアニールを継続しても、基本的には、記録再生特性に変化は見られない。
【００４６】
以下、本発明の記録媒体の光学設計及び光学特性について説明する。多層膜について各層の材料の屈折率、消衰係数及び膜厚を定め、全ての界面について、エネルギー保存則に基づいて光エネルギー収支の連立方程式を立て、これを解くと、多層膜全体における、入射する光ビームに対する反射率、透過率及び各層の吸収率を求めることができる（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年等）。この手法を用いて、以下の各構成について、光学計算を行った。
【００４７】
以下の構成は、レーザー光の入射側を左側として表示する。
・構成Ａ  ：基板／記録層／基板
・構成Ｂ  ：基板／誘電体層／記録層／基板
・構成Ｃ  ：基板／記録層／誘電体層／基板
・構成Ｄ  ：基板／誘電体層／記録層／誘電体層／基板
・構成Ａ'：基板／記録層／反射層／基板
・構成Ｂ’：基板／誘電体層／記録層／反射層／基板
・構成Ｃ’：基板／記録層／誘電体層／反射層／基板
・構成Ｄ’：基板／誘電体層／記録層／誘電体層／反射層／基板
【００４８】
入射する光ビームの波長は、４０５ｎｍ又は６６０ｎｍとした。また、基板の光学定数ｎ−ｉｋは、いずれの波長においても１．６−ｉ０．０とした。誘電体層の光学定数は、その依存性を調べるために、ｎ＝１．５〜３．０の範囲で変化させ、ｋ＝０．０として計算した。記録層の光学定数は、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ＝４２：５３：５）を用いることを想定して、波長４０５ｎｍにおいて非晶質で２．５−ｉ０．６、結晶で２．０−ｉ１．６、波長６６０ｎｍにおいて非晶質で２．５−ｉ０．６、結晶で３．０−ｉ１．６とした。これらはいずれも、石英基板上に成膜した膜厚約２０ｎｍのサンプルを、分光器で反射率及び透過率を測定し、その値から計算により求めたものである。なお、記録層の結晶状態のサンプルは、オーブン内で結晶化温度近傍の２８０℃で２分間保持して結晶化させたものを用いた。反射層の光学定数は、その依存性を調べるためにｎ＝０．５〜４．０、ｋ＝０．５〜８．０の範囲で変化させて計算した。
【００４９】
記録層が結晶及び非晶質のときの反射率をそれぞれＲcry及びＲamoとし、記録により生じる反射率差ΔＲ（ΔＲ＝Ｒcry−Ｒamo）を求めた。ここでは、各波長及び各構成において、誘電体層又は反射層の膜厚を任意に変化させた場合のΔＲの最小値ΔＲminを算出した。
【００５０】
構成Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤについて、記録層の膜厚が２０ｎｍ及び４０ｎｍの場合に、誘電体層の屈折率ｎを変化させた場合の結果を図５に示す。図５によると、いずれの波長においても、又はいずれの記録層の膜厚においても、構成Ａ及び構成Ｃでは、誘電体層の屈折率ｎの値を変えてもΔＲminが０より小さくならず、反射率減少型にはならない。これに対し、誘電体層を光入射側に有する構成Ｂでは、誘電体層の屈折率ｎを大きくするほどΔＲminは小さくなり、反射率減少型となる。構成Ｄでも、構成Ｂとほぼ同様の反射率変化が得られる。これらの媒体では、屈折率が高いほど大きな反射率変化が得られた。
【００５１】
従って、反射率減少型で大きな反射率変化を得るためには、少なくとも、記録層の光入射側には誘電体層を設け、その屈折率ｎを１．５以上、好ましくは２．０以上、より好ましくは２．５以上とするとよい。これに対し、反光入射側に誘電体層を設けてもあまり効果がない。
【００５２】
図６に、構成Ｂにおける反射率差ΔＲの光入射側誘電体層の膜厚依存性を示す。ここでは、波長が６６０ｎｍ又は４０５ｎｍ、記録層の膜厚が２０ｎｍ、誘電体層の屈折率ｎが２．５の場合について例示する。図６によると、ΔＲが小さくなるのは、波長をλ、誘電体層の屈折率をｎとすると、波長により若干異なるが、概ね０．１λ〜０．２５λを中心として０．０１λ〜０．３λの範囲であることがわかる。
【００５３】
構成Ａ’、Ｂ’、Ｃ’及びＤ’について、記録層の膜厚が２０ｎｍで誘電体層の屈折率ｎが２．０の場合に、反射層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋを変化させた場合の結果を（表１）に示す。
【００５４】
【表１】
0003752177.tif 000002
0003752177.tif 000003
【００５５】
表１において◎はΔＲmin＜−１５、○は−１５≦ΔＲmin＜−１０、Δは−１０≦ΔＲmin＜−５、×は−５≦ΔＲminを示す。表１によると、構成及び波長によって若干の相違はあるものの、反射層の屈折率ｎが小さいほど、消衰係数ｋが大きいほどΔＲminは小さくなる。表１によると、反射層は、例えば、ｎが２．０以下又はｋが２．０以上であることが好ましい。ｎが２．０以下かつｋが２．０以上であるとさらによい。図５に示したように、構成Ａ〜Ｄにより、ΔＲminを−１５％より小さくすることはできなかった。しかし、表１に示したように、反射層を用いるとΔＲminを−１５％より小さくすることが可能となった。
【００５６】
波長６６０ｎｍにおいては、反射層のみを追加した構成Ａ’でも、反射率変化が大きい反射率減少型となり、構成Ｂ’、Ｃ’及びＤ’のように誘電体層を追加すれば、さらに反射率変化を大きくすることができた。一方、波長４０５ｎｍにおいては、反射層のみを追加した構成Ａ’ではΔＲminを−５％よりも小さくすることはできなかった。しかし、この波長では、構成Ｃ’及びＤ’のように、光入射側と反対側、即ち記録層と反射層との間に誘電体層を設けることにより、ΔＲminを十分に小さくすることができた。このような波長域による相違は、記録層の結晶の屈折率ｎの違い、即ち、波長４０５ｎｍでは波長６６０ｎｍに比べて結晶の屈折率が１．０程度小さくなっていることに起因していると考えられる。
【００５７】
一般に、非晶質の光学定数は波長依存性が小さいが、結晶の光学定数は波長依存性が大きくなることが多い。Ｔｅを含む材料はこの傾向が顕著であり、波長が短くなるにつれて結晶の屈折率ｎが小さくなる。このため、赤色波長域のように結晶のｎが大きい波長域（例えば６００〜８００ｎｍ）では、誘電体層を追加しなくともΔＲminを十分小さくできるが、青紫色波長域のように結晶のｎが小さい波長域（例えば３５０〜４５０ｎｍ）では、記録層と反射層の間に誘電体層を追加しなければ、ΔＲminを十分小さくできない。青紫波長域では、誘電体層の追加の効果は、赤色波長域における効果を上回った。
【００５８】
図７に示した記録再生装置の一例では、レーザーダイオード１１を出たレーザー光５は、ハーフミラー１２及び対物レンズ６を通して、モーター１３によって回転している光ディスク１４上にフォーカシングされ、情報信号の記録再生が行われる。情報信号の記録を行う際には、レーザー光５の強度を複数のパワーレベル間で変調する。レーザー強度を変調するためには、レーザー強度変調回路１６を用いればよい。レーザー強度の変調には、具体的には、半導体レーザーの駆動電流を変調して行えばよいが、電気光学変調器、音響光学変調器等を用いてもよい。
【００５９】
マークを形成する部分に対しては、例えばピークパワーＰ1の単一矩形パルスを適用してもよいが、特に長いマークを形成する場合は、過剰な熱を省き、マーク幅を均一にするために、ピークパワーＰ1及びボトムパワーＰ3（但し、Ｐ1＞Ｐ3）の間で変調された複数のパルスの列からなる記録パルス列を用いることが好ましい。マークを形成しない部分に対しては、バイアスパワーＰ2（但し、Ｐ1＞Ｐ2）で一定に保てばよい。
【００６０】
異なる線速Ｖ1及びＶ2（但しＶ1＜Ｖ2）で物理的な長さの等しいマークをそれぞれ形成する際には、レーザー光をピークパワーＰ1で発光させる時間をＴ1及びＴ2とした場合、Ｔ1・Ｖ1がＴ2・Ｖ2よりも小さくなる（Ｔ1Ｖ1＜Ｔ2Ｖ2）ようにするとよい。これは、線速が高くなる程マーク間の熱干渉が小さくなるため、Ｔ1・Ｖ1とＴ2・Ｖ2を等しくすると、線速が高いＶ2の場合にマークが小さくなってしまうからである。
【００６１】
マークの長さやその前後のスペースの長さ、さらには隣のマークの長さ等の各パターンによってマークエッジ位置に不揃いが生じ、ジッタ増大の原因となることがある。上記の記録再生方法を適用すると、これを防止し、ジッタを改善するために、上記パルス列の各パルスの位置又は長さをパターン毎にエッジ位置が揃うように必要に応じて調整し、補償することができる。
こうして記録された情報信号を再生するためには、パワーレベルＰrの連続光を光ディスクに照射し、その反射光をフォトディテクター１５に入射させ、その反射光量変化を再生信号として検出すればよい。
【００６２】
なお、図３及び図４に示したような複数の情報層を備えた記録媒体に情報を記録又は再生する場合、複数の情報層のいずれかを選択する必要がある。このためには層認識手段及び層切り替え手段が必要となるが、これらの手段としては、従来から知られているものを用いればよい。層認識手段及び層切り替え手段は、既に商品化されている再生専用光ディスクＤＶＤの記録再生装置にも搭載されている。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
【００６４】
（実施例１）
透明基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。透明基板の直径は約１２ｃｍ、厚さは約０．６ｍｍ、グルーブ及びランド幅は共に０．６μｍ、グルーブ深さは約７０ｎｍとした。
【００６５】
透明基板のグルーブが形成された表面に、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）ターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、Ａｌ−Ｃｒ（原子数比９８：２）ターゲットを用いて膜厚約４０ｎｍのＡｌ−Ｃｒ反射層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、記録層はＤＣ電源で１００Ｗ、反射層はＤＣ電源で５００Ｗの条件で成膜した。記録層はＡｒとＯ2の混合ガス（流量比４５：５５）、反射層はＡｒのみを、いずれもガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気中で成膜した。こうして形成された膜面上に紫外線硬化性樹脂を介してダミー基板を貼り合わせ、紫外線光を照射して硬化させた。このディスクを９０℃で２時間程度アニールしてディスクＡを得た。
【００６６】
ディスクＡのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層の組成は、オージェ電子分光法による元素分析によると、原子数比でＴｅ：Ｏ：Ｐｄ＝４２：５３：５であった。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層の非晶質状態における光学定数ｎ−ｉｋは波長６６０ｎｍにおいて非晶質で２．５−ｉ０．６、結晶で３．０−ｉ１．６であり、ポリカーボネイトは１．６−ｉ０．０、Ａｌ−Ｃｒは２．０−ｉ６．０であった。これらの光学定数から計算すると、本実施例のディスクの反射率はＲamo＝３５．０％、Ｒcry＝１９．１％、ΔＲ＝−１５．９％、非晶質状態の場合の記録層の光吸収率はＡamo＝４０．０％となる。
【００６７】
さらに、アニール工程を省略した以外は上記と同様にしてディスクＢを、Ａｌ−Ｃｒ反射層を除いた以外は上記と同様にしてディスクＣを作製した。ディスクＣについてディスクＡと同様の計算を行うと、Ｒamo＝７．４％、Ｒcry＝１８．４％、ΔＲ＝１１．０％、Ａamo＝３０．６％となる。分光器を用いてこれらの値を実測したところ、ほぼ計算どおりの結果となった。
【００６８】
ディスクＡ〜Ｃのグルーブ及びランドに対し、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系を用い、線速８．２ｍ／ｓで回転させながら、９．７ＭＨｚの単一信号を記録した。記録に用いたパルス波形はピークパワーＰ1及びバイアスパワーＰ2の間で変調された単一の矩形パルスで、パルス幅は２５．８ｎｓとした。Ｐ2は１．０ｍＷとし、再生パワーＰrも同じく１．０ｍＷとした。この条件で、未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザーで測定した。
【００６９】
その結果、ディスクＡについては、グルーブではＰ1＝１０ｍＷで５４ｄＢ、ランドではＰ1＝１０ｍＷで５２ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。これに対し、ディスクＢについては、グルーブではＰ1＝１０ｍＷで５３ｄＢ、ランドではＰ1＝１０ｍＷで５１ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。ディスクＣについては、グルーブではＰ1＝１２ｍＷで５１ｄＢ、ランドではＰ1＝１２ｍＷで５、ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。
【００７０】
このように、反射層を設けることにより、ΔＲの絶対値が大きい反射率減少型の媒体を提供できた。特にアニールを施せば、高いＣ／Ｎ比が得られるようになり、Ｒamoを大きくできるために反射率が高く、Ａamoを大きくできるために感度が高い記録媒体が得られた。
【００７１】
（実施例２）
保護基板として、ポリカーボネイト樹脂を用いた。保護基板の直径は約１２ｃｍ、厚さは約１．１ｍｍ、グルーブピッチは約０．３２μｍ、グルーブ深さは約２０ｎｍとした。
【００７２】
保護基板のグルーブが形成された側の表面に、第２情報層として、Ａｌ−Ｃｒ（原子数比９８：２）ターゲットを用いて膜厚約４０ｎｍのＡｌ−Ｃｒ反射層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）ターゲットを用いて膜厚約２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源で５００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源で５００Ｗ、記録層はＤＣ電源で１００Ｗの条件で成膜した。また、反射層及び誘電体層はＡｒのみ、記録層はＡｒとＯ2の混合ガス（流量比４５：５５）を、いずれもガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気中で成膜した。
【００７３】
第２情報層の上に分離層として紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上からグルーブピッチ約０．３２μｍ、グルーブ深さ約２０ｎｍのグルーブが形成されたポリカーボネイト上にＡｌ薄膜コーティングを施したスタンパ基板を押しつけた状態で紫外線光を照射して硬化させた。その後にスタンパ基板を剥離することで分離層にグルーブを形成した。
【００７４】
この分離層の上に、第１情報層として、膜厚約１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、膜厚約２５ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層の各層を、第２情報層と同様にしてこの順に積層した。第１情報層の上に、紫外線硬化性樹脂を介して厚さ約０．０９ｍｍのポリカーボネイト基板を貼り合せ、紫外線光を照射して硬化させることで、厚さ約０．１ｍｍの透明基板を形成した。さらに、このディスクを９０℃で２時間程度アニールしてディスクＤを得た。
【００７５】
Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層の非晶質状態における光学定数ｎ−ｉｋは波長４０５ｎｍにおいて非晶質で２．５−ｉ０．６、結晶で２．０−ｉ１．６であり、ポリカーボネイトは１．６−ｉ０．０、Ｚｎ−Ｓは２．５−ｉ０．０、Ａｌ−Ｃｒは０．７−ｉ４．０であった。これらの光学定数から計算すると、ディスクＤは、第１情報層でＲamo＝９．６％、Ｒcry＝２．５％、ΔＲ＝−７．１％、Ａamo＝１９．８％、記録層が非晶質状態の時の透過率はＴamo＝６９．６％、第２情報層でＲamo＝３０．８％、Ｒcry＝４．８％、ΔＲ＝−２６．０％、Ａamo＝４９．８％となる。分光器を用いてこれらの値を実測したところ、ほぼ計算どおりの値が得られた。
【００７６】
ディスクＤの第１情報層のグルーブ及び第２情報層のランドに対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５の光学系を用い、線速度５．０ｍ／ｓで回転させながら、１２．３ＭＨｚの単一信号を記録した。記録に用いたパルス波形はピークパワーＰ1及びバイアスパワーＰ2の間で変調された単一の矩形パルスで、パルス幅は２０．４ｎｓとした。Ｐ2は１．０ｍＷとし、再生パワーＰrは第１情報層に対しては１．０ｍＷ、第２情報層に対しては１．５ｍＷとした。この条件で、未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザーで測定した。
【００７７】
その結果、本実施例のディスクは、第１情報層のグルーブではＰ1＝８ｍＷで５０ｄＢ、第２情報層のランドではＰ1＝１０ｍＷで５０ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。いずれも実用的な記録媒体として十分なＣ／Ｎ比及び感度を有していた。
【００７８】
この第１情報層は、透過率が約７０％と高いため、これと同様の構成を有する情報層を複数用いることにより、汎用のレーザーの出力で記録可能な３層以上の情報層を有する記録媒体を実現することも可能である。
【００７９】
（実施例３）
保護基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。保護基板の直径は約１２ｃｍ、厚さは約１．１ｍｍ、グルーブピッチは約０．３２μｍ、グルーブ深さは約２０ｎｍとした。
【００８０】
保護基板のグルーブが形成された側の表面に、第４情報層として、Ａｌ−Ｃｒ（原子数比９８：２）ターゲットを用いて膜厚約４０ｎｍのＡｌ−Ｃｒ反射層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約１５ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）ターゲットを用いて膜厚約２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約１５ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第４情報層の表面に、紫外線硬化性樹脂を用いて２Ｐ法により保護基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３μｍの分離層を形成した。
【００８１】
この分離層の表面に、第３情報層として、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約１０ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０、１０）ターゲットを用いて膜厚約１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第３情報層の表面に、紫外線硬化性樹脂を用いて２Ｐ法により保護基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３μｍの分離層を形成した。
【００８２】
この分離層の表面に、第２情報層として、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約１５ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）ターゲットを用いて膜厚約８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第２情報層の表面に、紫外線硬化性樹脂を用いて２Ｐ法により保護基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３μｍの分離層を形成した。
【００８３】
この分離層の表面に、第１情報層として、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約２０ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）ターゲットを用いて膜厚約６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、Ｚｎ−Ｓ（原子数比５０：５０）ターゲットを用いて膜厚約３５ｎｍのＺｎ−Ｓ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１情報層の表面に、ポリカーボネイトのシートを紫外線硬化樹脂を用いて貼り合わせ、厚さ０．０８ｍｍの透明基板とした。
【００８４】
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源５００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源５００Ｗ、記録層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層及び誘電体層は、Ａｒのみ、記録層はＡｒ及びＯ2の混合ガス（流量比４５：５５）を、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。さらに、このディスクを９０℃で２時間程度アニールしてディスクＥとした。
【００８５】
ディスクＥの各情報層のグルーブに対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５の光学系を用い、線速度５．０ｍ／ｓで回転させながら、１２．３ＭＨｚの単一信号を記録した。記録に用いたパルス波形は、ピークパワーＰ1及びバイアスパワーＰ2の間で変調された単一の矩形パルスで、パルス幅は２０．４ｎｓとした。Ｐ2は０．５ｍＷとし、再生パワーＰrは、第１情報層を再生する場合は０、５ｍＷ、第２情報層を再生する場合は０．６ｍＷ、第３情報層を再生する場合は０．７ｍＷ、第４情報層を再生する場合は１．０ｍＷとした。再生パワーは、レーザー光入射側から離れるにつれて大きくなるように設定されている。この条件で、未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトルアナライザーで測定した。
【００８６】
その結果、ディスクＥからは、第１情報層ではＰ1＝９．０ｍＷで５１ｄＢ、第２情報層ではＰ1＝９．５ｍＷで５１ｄＢ、第３情報層ではＰ1＝１１．０ｍＷで５０ｄＢ、第４情報層ではＰ1＝１０．５ｍＷで５２ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。こうして、情報層を多層としても、十分なＣ／Ｎ比及び感度を有する記録媒体となることが確認できた。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、記録前の反射率が高く、高密度な情報の記録再生においてもＣ／Ｎ比及び感度の高い良好な記録再生特性が得られる追記型の光学的情報記録媒体、その製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図である。
【図２】  本発明の光学的情報記録媒体の別の一構成例の断面図である。
【図３】  本発明の光学的情報記録媒体のまた別の一構成例の断面図である。
【図４】  本発明の光学的情報記録媒体のさらに別の一構成例の断面図である。
【図５】  各波長・各記録層膜厚における反射率差ΔＲと誘電体層の屈折率ｎとの関係の一例を示す図である。
【図６】  反射率差ΔＲと誘電体層の屈折率ｎとの関係の一例を示す図である。
【図７】  本発明の光学的情報記録媒体の記録装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
１  透明基板
２  記録層
３  反射層
４  保護基板
５  レーザー光
６  対物レンズ
７  誘電体層
８  第１情報層
９  分離層
１０  第１情報層
２０  第２情報層
３０  第３情報層
４０  第４情報層
１１  レーザーダイオード
１２  ハーフミラー
１３  モーター
１４  光ディスク
１５  フォトディテクター
１６  レーザー強度変調回路
【図１】
0003752177.tif 000004
【図２】
0003752177.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
0003752177.tif 000008
【図６】
0003752177.tif 000009
【図７】
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