(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着源のうち少なくとも一つは有機材料を用い、その有機材料が堆積されない温度に加熱された壁で、蒸着源と基板が対向する空間を囲んだ状態で、０．０１Ｐａ以下の減圧下の真空チャンバー内で蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにした真空蒸着装置において、真空チャンバーに接続して減圧可能な予備チャンバーを付設し、蒸着源を真空チャンバーと予備チャンバーの間で移動自在にして成ることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
蒸着源と基板とが相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにして成ることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
蒸着源と、蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁とが、相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにして成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
蒸着源として用いる有機材料が、有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁として筒体を用い、真空チャンバー内に複数の筒体を配置し、各筒体に蒸着源を配置すると共に、基板を各筒体の開口部間に亘って移動させるようにして成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁として筒体を用い、一つの筒体に複数の蒸着源を配置すると共に各蒸着源の間を仕切る仕切り壁を筒体内に設け、筒体と仕切り壁によってそれぞれの蒸着源と基板が対向する空間をそれぞれ囲んで成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項７】
基板を移動させる基板送り装置を具備し、基板送り装置を基板の移動速度を制御自在に形成して成ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項８】
基板を移動させる基板送り装置を具備し、基板を円運動させる方向に移動させるように基板送り装置を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項９】
基板として長尺シート材を用い、長尺シート材を一対の一方のロールから巻き外すと共に他方のロールに巻き付けて移動させるようにして成ることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項１０】
筒体の基板の側の開口部の幅を、基板の移動方向と直交する方向の基板の幅より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に形成して成ることを特徴とする請求項２乃至９のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項１１】
有機材料が堆積されない温度に加熱された壁で、蒸着源と基板が対向する空間のうち、６０〜９０％を囲んで成ることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項１２】
有機材料が堆積されない温度に加熱された壁の、蒸着源と基板が対向する空間を囲む側の表面が、有機材料と反応しにくい材質で形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の真空成形装置を用いて、基板表面に複数の有機材料を蒸着することを特徴とする有機材料の真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に有機エレクトロルミネッセンス材料の被膜を蒸着して成膜するため等に用いられる真空蒸着装置及び真空蒸着方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着装置は、真空チャンバー内に蒸着源と基板とを対向させて配置し、真空チャンバー内を減圧した状態で、蒸着源を加熱して、蒸着源を溶融させて蒸発させるか、もしくは蒸発源を昇華させるかして、気化させ、この気化させた物質を基板の表面に堆積させて成膜するようにしたものである。蒸着源の加熱方法は、蒸着源に電子を加速して照射する電子ビーム法や、タングステンやモリブデンなどの高融点金属からなるボートを抵抗体として電流を流して、ボートの上に置いた蒸着源を加熱する抵抗加熱法などがある。そして加熱されて蒸着源から発生する気化分子は蒸着源から法線方向に直進的に放出されるが、放出空間は真空に保たれているため、気化分子の平均自由行程は数十ｍにも及び、気化分子は直進して、蒸着源と対向して配置される基板の上に付着して堆積されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように気化分子は蒸着源２から法線方向に直進的に放出されるので、図１４に矢印で示すように、気化分子は四方八方へ飛散する方向に直進することになるが、基板３の表面が平面状のものであると、蒸着源２からの距離が基板３の中央部と端部とではｄ1，ｄ2のように異なるので、基板３の中央部と端部とでは蒸着物質の堆積量が異なり、基板３に成膜される膜厚が不均一になり易いという問題があった。
【０００４】
またこのように蒸発源２から気化分子が飛散する方向に直進するために、基板３へ向かって進行しない気化分子が多く、この気化分子は基板３の表面に付着せず成膜に寄与しないので、無効材料となる。従って蒸発源２の材料利用効率が低い、つまり歩留まりが低いという問題や、基板３の表面の成膜速度が遅くなるという問題もあった。
【０００５】
そしてこの基板３に付着されない気化分子は、真空チャンバーの内壁に到達して付着・堆積されることになるが、同じ真空チャンバーを用いて異なる材料に切り換えて真空蒸着を行なう場合、材料を切り換えて真空蒸着をする際に、真空チャンバーの内壁に堆積している前の材料が再度加熱されて気化し、これが真空蒸着で形成される蒸着膜に混入して汚染し、成膜の純度が低下するという問題も引き起こすものであった。
【０００６】
さらにこのように真空チャンバーの内壁に材料が堆積されていると、真空チャンバーを大気に開放した際に空気中の水分やガスがこの堆積された材料に吸蔵され、真空チャンバー内を真空に維持することがこの吸蔵された水分やガスが阻害因子となって困難になり、またこの真空チャンバーの内壁に堆積された材料がフレーク状の細片になって剥がれ、基板３やボート等のルツボを汚染する原因になるという問題も発生するおそれがあった。
【０００７】
ここで、有機エレクトロルミネッセンス材料のような有機材料は真空蒸着の際の加熱温度が低いので、基板３に付着されない気化分子は真空チャンバーの内壁に付着して堆積され易く、またこの真空チャンバーの内壁に堆積したものは気化し易いので、上記のような基板３に付着されない気化分子が真空チャンバーの内壁に堆積することによる問題が顕著に発生するおそれがある。
【０００８】
また、有機薄膜素子は基板上に有機薄膜を順次積層堆積させて個々の機能を付加するものとして形成されており、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上の透明電極の上に順次有機薄膜を積層していく積層構造になっているのが一般的であり、複数の有機材料を順次真空蒸着することによってこのような積層構造が作製されている。そしてこの真空蒸着の際に、有機材料のホスト材料に蛍光を有する発光材料を少量ドープする方法が、ＫｏｄａｋのＴａｎｇらにより発表されて以来一般に採用されている。例えば緑色素子形成においてＡｌｑ３層をホスト材料にキナクリドンを同時に蒸着する共蒸着を行なってドープすることがよく知られている。さらに、高効率有機ＥＬ素子を形成するため、陽極からのホール注入効率を高めるためにホール輸送性の有機物とドーパントである電子受容性の化合物を共蒸着することや、電子輸送性の有機物とドーパントであるＬｉなどの電子供与性の金属を共蒸着して電子注入層を形成することなども知られている。
【０００９】
これらのように有機材料を真空蒸着する成膜方法においては、一つの真空チャンバー内に二つ以上の蒸発源を設置して、真空蒸着をすることが一般に行なわれているが、このように共蒸着する場合、ドープ材料の濃度は膜の性質を決定する大きな要因である。つまり、有機材料の場合は蒸発温度が低く、２元蒸着を行なう場合も二つの蒸着源の蒸発温度が接近している場合が多く、どちらか一方の有機材料が真空チャンバーの壁などに付着している場合に、加熱によってそれらが再蒸発すると、成膜された膜内のドーピング濃度に影響を及ぼすことになる。従って、このような場合にも、既述したような、基板に付着されない気化分子が真空チャンバーの内壁に堆積することによる問題が顕著に発生するおそれがあるのである。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板に有機材料を蒸着するにあたって、均一な膜厚で成膜速度高く、しかも歩留まり高く蒸着を行なうことができ、また真空チャンバー内に蒸着物が堆積されることを最小限に抑えて、真空チャンバー内の真空の質を高く保持しつつ高い純度で真空蒸着を行なうことができる真空蒸着装置を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る真空蒸着装置は、蒸着源２のうち少なくとも一つは有機材料を用い、その有機材料が堆積されない温度に加熱された壁４で、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲んだ状態で、０．０１Ｐａ以下の減圧下の真空チャンバー１内で蒸着源２を加熱して基板３表面に蒸着するようにした真空蒸着装置において、真空チャンバー１に接続して減圧可能な予備チャンバー１１を付設し、蒸着源２を真空チャンバー１と予備チャンバー１１の間で移動自在にして成ることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項２の発明は、上記請求項１において、蒸着源２と基板３とが相対的に移動した状態で、蒸着源２を加熱して基板３表面に蒸着するようにして成ることを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項３の発明は、上記請求項１又は２において、蒸着源２と、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４とが、相対的に移動した状態で、蒸着源２を加熱して基板３表面に蒸着するようにして成ることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項４の発明は、上記請求項１乃至３のいずれかにおいて、蒸着源２として用いる有機材料が、有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項５の発明は、上記請求項１乃至４のいずれかにおいて、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４として筒体５を用い、真空チャンバー１内に複数の筒体５を配置し、各筒体５に蒸着源２を配置すると共に、基板３を各筒体５の開口部間に亘って移動させるようにして成ることを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項６の発明は、上記請求項１乃至５のいずれかにおいて、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４として筒体５を用い、一つの筒体５に複数の蒸着源２を配置すると共に各蒸着源２の間を仕切る仕切り壁６を筒体５内に設け、筒体５と仕切り壁６によってそれぞれの蒸着源２と基板３が対向する空間をそれぞれ囲んで成ることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項７の発明は、上記請求項１乃至６のいずれかにおいて、基板３を移動させる基板送り装置７を具備し、基板送り装置７を基板３の移動速度を制御自在に形成して成ることを特徴とするものである。
【００１８】
また請求項８の発明は、上記請求項１乃至７のいずれかにおいて、基板３を移動させる基板送り装置７を具備し、基板３を円運動させる方向に移動させるように基板送り装置７を形成して成ることを特徴とするものである。
【００１９】
また請求項９の発明は、上記請求項１乃至７のいずれかにおいて、基板３として長尺シート材８を用い、長尺シート材８を一対の一方のロール９から巻き外すと共に他方のロール１０に巻き付けて移動させるようにして成ることを特徴とするものである。
【００２１】
また請求項１０の発明は、上記請求項２乃至９のいずれかにおいて、筒体５の基板３の側の開口部の幅を、基板３の移動方向と直交する方向の基板３の幅より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に形成して成ることを特徴とするものである。
【００２２】
また請求項１１の発明は、上記請求項１乃至１０のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温度に加熱された壁４で、蒸着源２と基板３が対向する空間のうち、６０〜９０％を囲んで成ることを特徴とするものである。
【００２３】
また請求項１２の発明は、上記請求項１乃至１１のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温度に加熱された壁４の、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む側の表面が、有機材料と反応しにくい材質で形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
また、本発明の請求項１３に係る有機材料の真空蒸着方法は、上記請求項１乃至１２のいずれかに記載の真空成形装置を用いて、基板３表面に複数の有機材料を蒸着することを特徴とするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】
図１は本発明の実施の形態の一例における真空チャンバー１を示すものであり、真空チャンバー１は底板１６と底板１６の上面に設けられる真空容器１７とから形成してある。底板１６には排気口１８が設けてあり、この排気口１８に気密的に取り付けられるゲートバルブ１９を介して真空ポンプ２０が排気口１８に接続してある。図１の例では、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４として上下が開口する円筒形の筒体５を用いるようにしてあり、この筒体５は真空チャンバー１内において底板１６の上に設置してある。勿論、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４は、このような円筒形の他に、角筒形、円錐形など任意の形状の筒体５として形成することができ、また仕切り板を組み合わせて壁４を形成することもできる。筒体５の外周にはシーズヒータ２１を巻き付け、底板１６に設けた電流導入端子部２２を介して電源２３がシーズヒータ２１に接続してあり、シーズヒータ２１を発熱させることによって筒体５を加熱することができるようにしてある。
【００２７】
また筒体５の下部内には高融点金属のボートで形成される発熱体２４が配置してあり、この発熱体２４の両端は筒体５及び真空容器１７を貫通して取着された一対の電流導入端子２５の各一端に電気的に接続した状態で取り付けてある。この一対の電流導入端子２５の各他端には電源２６が接続してあり、電源２６からの給電によって発熱体２４を抵抗発熱させるようにしてある。さらに筒体５の外側において底板１６に複数本の支柱２７が立設してあり、各支柱２７の上端部間に基板支持体２８が取り付けてある。基板支持体２８は真空チャンバー１内において、筒体５の上端開口の直上に近接した位置に水平に配置してあり、基板支持体２８には筒体５の上端開口の中央部の位置で開口窓２９が形成してある。
【００２８】
尚、図１の実施の形態では、筒体５の下部内には一つの発熱体２４を配置して一種類の蒸着源２を加熱して蒸着を行なうようにしてあるが、筒体５の下部内に複数の発熱体２４を配置し、各発熱体２４にそれぞれ異なる蒸着源２を充填して、各蒸着源２を個別に加熱することによって、共蒸着を行なうようにしてもよい。
【００２９】
本発明において蒸着源２としては、複数の蒸着源２を用いる場合にはそのうち少なくとも一つは有機材料を用いるものである。この有機材料としては、例えば有機エレクトロルミネッセンス材料（以下、有機ＥＬ材料と略称）を用いるものであり、有機ＥＬ材料としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、キナクリドン、ルブレン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、バソフェナントロリン、バソクプロイン、オキサジアゾールなどを例示することができる。ＥＬを蒸着する場合、有機ＥＬ材料以外に一部金属を用いる場合もある。従って複数の蒸着源２のうち一部のものは蒸着源２として金属など有機材料以外の材料を用い、有機材料と同時に蒸着するようにしてもよい。有機材料以外の材料としては、リチウム、セシウム、フッ化リチウム、及びこれらを含有する合金などを用いることができる。また有機ＥＬ材料などの被膜を表面に成膜する基板３としては、ガラス、金属、樹脂など任意のものを用いることができ、特に制限されるものではない。
【００３０】
尚、本発明の真空蒸着装置は、蒸発源２として上記のような有機ＥＬ材料を用いるものに限定されるものではなく、例えば太陽電池の光電変換層を形成する有機材料を蒸発源２として用いてもよい。この光電変換層を形成する有機材料としては、例えばペリレン誘導体、フタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体等を挙げることができる。
【００３１】
そして蒸着源２を発熱体２４の上に充填して筒体５の下部の中央にセットすると共に、基板３を基板支持体２８の上に開口窓２９から下面を露出させた状態でセットし、基板３と蒸着源２とを上下に対向配置する。また真空ポンプ２０を作動させて真空チャンバー１内を真空状態に減圧し、さらに発熱体２４を発熱させて蒸着源２を加熱すると共にシーズヒーター２１によって筒体５を加熱する。このように真空チャンバー１内を減圧して蒸着源２を加熱すると、蒸着源２は溶融・蒸発、あるいは昇華して気化し、蒸着源２から発生するこの気化分子３１は蒸着源２から法線方向に直進的に放出され、四方八方へ飛散する方向で直進する。ここで、気化分子３１は一部が基板３へ向けて直進し、他は基板３から外れる方向に直進するが、この気化分子３１が進む蒸着源２と基板３の間の空間は筒体５で囲まれており、気化分子３１は筒体５内に閉じ込められた状態にあるので、図１に示すように、基板３から外れる方向に直進する気化分子３１も飛散してしまうことなく、筒体５の内壁で反射して基板３へ向けて進み、蒸着源２から発生する気化分子３１の多くを基板３の表面に到達させて付着させることができる。従ってこのように、蒸着源２から発生する気化分子３１の多くが基板３の表面に付着して成膜に寄与することになるので、無効材料が少なくなり、蒸発源２の材料利用効率が高くなって歩留まりの高い蒸着が可能になり、基板３の表面の成膜速度を速くすることができるものである。また気化分子３１は筒体５の内壁で反射して色んな方向から基板３の表面の各部に付着するので、基板３の表面の各部への堆積量が均一化され、均一な膜厚で成膜することができるものである。
【００３２】
また、筒体５は加熱されていてホットウォールになっているために、気化分子３１が筒体５の表面に付着しても、付着物は筒体５で再加熱されて気化し、筒体５の表面に堆積されることがなくなるものである。このように、筒体５の表面に蒸着源２の材料が堆積されることを防ぐことができるものであり、そして蒸着源２から発生する気化分子３１は筒体５内に閉じ込められているために、真空チャンバー１の内壁に付着して堆積することも低減することができるものである。従って、同じ真空チャンバー１を用いて異なる材料に切り換えて真空蒸着を行なう場合に、材料を切り換えて真空蒸着をする際に加熱を行なっても、加熱で気化するような堆積材料が筒体５や真空チャンバー１の表面に存在しないので（存在しても少量）、真空蒸着で形成される蒸着膜を汚染するようなことがなくなって、純度の高い成膜を行なうことが可能になるものである。また空気中の水分やガスが吸蔵される堆積材料が筒体５や真空チャンバー１の表面に存在しないので（存在しても少量）、真空チャンバー１内を真空に維持することが困難になることを防ぐことができるものである。
【００３３】
本発明のように蒸着源２として有機ＥＬ材料などの有機材料を用いる場合、有機材料は気化温度が低いので、基板３に付着されない気化分子３１は筒体５に付着して堆積され易いが、筒体５を上記のように加熱することによって、このような堆積を確実に防ぐことができるものである。また基板３に成膜される有機ＥＬ材料の膜厚は数百ｎｍの薄い層であり、膜の純度が非常に厳密に要求されるが、上記のように純度の高い成膜を行なうことが可能なので、本発明は有機ＥＬ材料を蒸着する際に特に有効である。
【００３４】
ここで、筒体５を蒸発源２の材料が堆積されない温度に加熱するにあたって、筒体５の加熱温度は、真空蒸着を行なう際の減圧下での蒸発源２の材料の気化温度（蒸発温度、昇華温度）以上に設定するのが好ましい。筒体５の加熱温度の上限は特に設定されるものではないが、蒸発源２の材料が分解しない温度であることが必要であるので、一般的には加熱温度の上限は蒸発源２の材料の気化温度＋１００℃程度に設定するのが適当である。蒸発源２である有機ＥＬ材料の気化温度は５０〜３００℃程度であるので、筒体５の加熱温度は１００〜４００℃程度に設定するのが一般的である。尚、筒体５を加熱するにあたって、図１の例では、加熱源としてシーズヒータ２１を筒体５に固着して用いるようにしたが、このように加熱源を筒体５に固着して加熱を行なう他に、ハロゲンヒータのように輻射熱を利用したランプ加熱で加熱を行なうようにしてもよい。
【００３５】
また真空チャンバー１内の減圧度は、蒸発源２の材料に応じて適宜設定されるが、蒸着源２から出る気化分子３１が真空チャンバー１内の気体分子と衝突せずに基板３に到達することができること、すなわち平均自由行程が数十ｃｍ以上であることが必要であり、０．０１Ｐａ以下に設定する必要がある。減圧度は低い程好ましく、理想的には０Ｐａである。また、図１の実施の形態では、円筒形に形成される筒体５の基板３の側の開口部の幅を、基板３の幅より１０％広い寸法からこの幅より１０％狭い寸法の範囲内で形成するようにしてある。
【００３６】
図２は本発明の実施の形態の他の一例における真空チャンバー１を示すものであり、真空チャンバー１内に正方形の角筒状に形成した複数の筒体５が一列に並べて配置してある。各筒体５は基台３３の上に載置してあり、各筒体５の外周にはシーズヒータ２１を巻いて加熱することができるようにしてある。また各筒体５の下部に発熱体２４を設け、発熱体２４の上に充填して蒸着源２を各筒体５の下側にセットするようにしてある。そして真空チャンバー１内において各筒体５の直上間に渡るように基板送り装置７が配置してある。この基板送り装置７は一対のプーリ３４，３４と、両プーリ３４，３４の両端間に懸架される左右一対の無限索条体の搬送具３５，３５から形成されるものであり、プーリ３４を回転駆動させることによって搬送具３５を走行させ、左右の搬送具３５の上に跨らせて載置した基板３を各筒体５の上端開口の直上間に亘って連続的に移動させることができるようにしてある。
【００３７】
このものにあって、真空チャンバー１内を真空状態に減圧し、発熱体２４を発熱させて各筒体５の下側の蒸着源２を加熱すると共にシーズヒーター２１によって各筒体５を加熱すると、各筒体５内で蒸着源２から気化分子３１が発生する。各筒体５で発生した気化分子３１は、基板３が筒体５の上端開口の直上を通過する際に、基板３の下面に付着して堆積し、そして基板３には各筒体５の上を通過する際にそれぞれ気化分子３１が付着して堆積し、基板３に蒸着膜を成膜することができるものである。このように基板送り装置７で基板３を各筒体５の上端開口の直上間を連続的に移動させながら、基板３を次々に基板送り装置７で送るようにすることによって、蒸着をバッチ処理ではなく、連続処理で行なうことが可能になるものであり、しかも基板３を筒体５の開口を横切るように移動させながら基板３の下面に気化分子３１を付着させて蒸着膜を成膜することができるので、基板３の下面に均一に気化分子３１を付着させて均一な厚みで成膜することが可能になるものである。また基板３には各筒体５の上を通過する際に蒸着を受けるので、各筒体５に設ける蒸着源２として異なる材料を用いることによって、異種の複数の材料を積層した構造で成膜することが可能になるものである。基板３に蒸着した有機ＥＬ材料を発光させるために、基板３に蒸着した膜は積層構造になっているが、上記のように積層構造で蒸着が行なえるので、本発明は有機ＥＬ材料を蒸着する際に特に有効である。
【００３８】
また、基板送り装置７は搬送具３５の走行速度を任意に変更できるように制御されており、基板３の移動速度を任意に調整できるようにしてある。基板３に蒸着される膜厚は基板３が筒体５の上端の開口に面している時間に依存するので、基板３の送り速度を調整して筒体５の上を通過する時間を調整することによって、基板３に成膜される膜厚を制御することが可能になるものである。
【００３９】
尚、図２の実施の形態にあって、筒体５の上端の開口部の、基板３を移動させる方向と直交する方向での幅Ｗ1を、基板３の移動方向と直交する方向での幅Ｗ2より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に形成してある。筒体５の上端の開口部の幅Ｗ1がこれより広いと、筒体５の開口部と基板３との間から逃げて飛散する気化分子３１の量が多くなり、歩留まりが悪くなる。逆に筒体５の上端の開口部の幅Ｗ1がこれより狭いと、基板３の側端部へ到達する気化分子３１の量が少なくなって基板３の側端部の蒸着膜厚が薄くなり、均一な膜厚で成膜することが難しくなる。
【００４０】
図３は本発明の他の実施の形態の一例における真空チャンバー１を示すものであり、真空チャンバー１内に上下に開口する円筒状に形成した筒体５が配置してある。筒体５内には縦の仕切り壁６が複数枚配置してあり、筒体５内を横方向に複数の空間３７に仕切るようにしてある。仕切り壁６にはシーズヒータ２１が固着してあり、筒体５と同じ温度で仕切り壁６を加熱することができるようにしてある。この仕切り壁６で仕切られる各空間３７の下部内には発熱体２４が設けてあり、発熱体２４に蒸着源２を充填して各空間３７の下部内に蒸着源２をセットするようにしてある。従って筒体５の下部内に複数の蒸着源２をセットすることができるものであり、筒体５と仕切り壁６によって各蒸着源２と基板３が対向する空間３７が囲まれるようになっている。また筒体５の外周にはシーズヒータ２１を巻いて加熱することができるようにしてあり、さらにハロゲンランプ３８を真空チャンバー１内に配置してこのハロゲンランプ３８を熱源として筒体５を加熱することができるようにもしてある。
【００４１】
そして真空チャンバー１内において筒体５の上端開口の直上に基板送り装置７が配置してある。この基板送り装置７は水平に配置される円板３９と真空チャンバー１の外部に取着されるモーター４０を具備して形成してあり、モーター４０の出力軸４１に円板３９の中央を固定することによって、円板３９を水平面で回転駆動できるようにしてある。この円板３９にはその円周に沿って複数の開口窓２９が形成してあり、この開口窓２９の上に基板３を載置するようにしてある。図４は円板３９の保持の機構を示すものであり、真空チャンバー１の内壁に設けた複数本のガイドレール支持腕４２によってリング状のガイドレール４３を固定し、円板３９の下面に設けたコロ４４をガイドレール４３の上面に沿って走行させることによって、円板３９を回転自在に支持するようにしてある。
【００４２】
このものにあって、真空チャンバー１内を真空状態に減圧し、発熱体２４を発熱させて筒体５内の各蒸着源２を加熱すると共に筒体５及び仕切り壁６を加熱すると、筒体５内の各空間３７で蒸着源２から気化分子３１が発生する。一方、基板３は基板送り装置７の円板３９の回転に従って筒体５の上面開口の上を円運動して移動しており、この移動によって基板３が各空間３７の上端開口の直上を通過する際に、各空間３７で発生した気化分子３１は基板３の下面に付着して堆積し、基板３に蒸着膜を成膜することができるものである。このように基板３を各空間３７の上面の開口を横切って移動させながら、基板１の下面に気化分子３１を付着させて蒸着膜を成膜することができるので、基板３の下面に均一に気化分子３１を付着させて均一な厚みで成膜することが可能になるものである。また基板３には各空間３７の上を通過する際に蒸着を受けるので、各空間３７に設ける蒸着源２として異なる材料を用いることによって、異種の複数の材料を積層した構造で成膜することが可能になるものである。そしてこの図３の実施の形態では、前記の図２の実施の形態の場合のように、複数の筒体５を用いるような必要なく、このような異種の複数の材料を積層構造で成膜することができるので、装置の構成を単純化することができるものである。
【００４３】
図５は基板３を円運動で移動させるようにした基板送り装置７の他の態様を示すものであり、真空チャンバー１内に上記と同様なリング状のガイドレール４３を設けると共にモータ４０で回転駆動される駆動円板４５をガイドレール４３の上方に配置し、複数枚の円板３９の外周の両端をガイドレール４３と駆動円板４５に載置してある。そしてこのものでは、駆動円板４５を回転駆動させることによって、上面に基板３を載せた円板３９を自転させながらガイドレール４３に沿って公転させるようにして、基板３を円運動で移動させることができるものである。
【００４４】
図６の実施の形態では、筒体５内に複数の蒸着源２を設けるにあたって、図３のように仕切り壁６で筒体５内を仕切らないようにしてある。従ってこのものでは、筒体５の下部内の複数の蒸着源２から、複数の材料が混ざった状態で基板３に蒸着することができるものである。
【００４５】
図７は本発明の実施の形態の他の一例における真空チャンバー１を示すものであり、基板３として樹脂フィルムなど可撓性の長尺シート材８を用いるようにしてある。長尺シート材８を形成する樹脂フィルムとしてはＰＥＴやポリエチレンなど任意のものを用いることができる。そして真空チャンバー１内には複数枚の仕切り板などで形成される壁４が配置してあり、この壁４間において上下が開口する複数の空間３７が形成されるようにしてある。壁４にはシーズヒータ２１を固着して加熱することができるようにしてある。この壁４で囲まれる各空間３７の下側には発熱体２４が設けてあり、発熱体２４に蒸着源２を充填して各空間３７の下側に蒸着源２をセットするようにしてある。
【００４６】
真空チャンバー１内は壁４を設けた下部の部屋と上部の部屋とに仕切り天井４６で上下に仕切ってあり、仕切り天井４６には空間３７の上方位置に開口窓４７が形成してある。この仕切り天井４６より上側の部屋には一対のロール９，１０が配置してあり、一方のロール９に長尺シート材８を巻き付けてあると共にこのロール９から繰り出した長尺シート材８を他方のロール１０に巻き取ることができるようにしてある。またこのロール９，１０間において開口窓４７内に配置してバックロール４８が設けてあり、一方のロール９から繰り出した長尺シート材８をこのバックロール４８の外周に沿わせて送った後、他方のロール１０に巻き取るようにしてあり、バックロール４８の外周に沿わせる際に長尺シート材８を開口窓４７から空間３７を介して蒸着源２に対向させるようにしてある。
【００４７】
このものにあって、真空ポンプ２０を作動させて真空チャンバー１内を真空状態に減圧し、発熱体２４を発熱させて各蒸着源２を加熱すると共に壁４を加熱すると、壁４で囲まれる各空間３７で蒸着源２から気化分子３１が発生する。一方、長尺シート材８はロール９，１０を回転駆動させることによってロール９からロール１０へと連続的に移動しており、長尺シート材８がバックロール４８の外周に沿って開口窓４７から露出する際に、各空間３７で発生した気化分子３１は長尺シート材８の下面に付着して堆積し、長尺シート材８に蒸着膜を成膜することができるものである。このように長尺シート材８を連続的に送って移動させながら、長尺シート材８の表面に気化分子３１を付着させて蒸着膜を成膜することができるので、長尺シート材８に全長に亘って均一に気化分子３１を付着させて均一な厚みで成膜することが可能になるものである。またロール９，１０は回転速度を調整自在に制御されており、ロール９，１０は回転速度を制御して巻取り速度を変えることによって、長尺シート材８の移動速度を変えることができるものであり、長尺シート材８に蒸着させる膜の厚みを制御することが可能であると共に、成膜を高速で行なわせることも可能になるものである。
【００４８】
尚、上記の各実施の形態では、基板３を送ることによって、蒸着源２に対して基板３を移動させるようにしたが、基板３と蒸着源２とは相対的に移動すればよいものであり、基板３を固定して蒸着源２を移動させるようにしてもよく、また基板３と蒸着源２の両方を移動させるようにしてもよい。
【００４９】
また、蒸着源２が固定されている場合、壁４も固定されていると、壁４に対する蒸着源２の相対位置が一定であるので、壁４の特定の個所に特定の蒸発源２の材料が付着し易くなって、壁４を加熱することによって堆積を防止する効果が不十分になるおそれがあるが、このときには、蒸発源２と壁４の少なくとも一方を移動させることができるようにして、両者を相対的に移動した状態で蒸着を行なうようにすれば、壁４の特定の個所に特定の蒸発源２の材料が付着するようなことを未然に防ぐことができ、壁４を加熱することによって堆積を防止する効果を高く得ることができるものである。
【００５０】
図８は本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、真空チャンバー１の下部の両側に予備チャンバー１１が設けてある。各予備チャンバー１１はゲートバルブ４９を介して真空チャンバー１に接続してあり、ゲートバルブ４９を開くことによって予備チャンバー１１を真空チャンバー１の下部内に連通させ、ゲートバルブ４９を閉じることによって予備チャンバー１１と真空チャンバー１の間の連通を気密的に遮断することができるようにしてある。既述のように真空チャンバー１には真空ポンプ２０が接続してあるが、各予備チャンバー１１にも別の真空ポンプ２０がそれぞれ接続してあり、これらの各予備チャンバー１１は上面の開口が蓋５０によって開閉できるようにしてある。真空チャンバー１の上部内には複数枚の仕切り板などで形成される壁４が配置してあり、この壁４間において複数の上下が開口する空間３７が形成されるようにしてある。この壁４にはシーズヒータ２１を固着して加熱することができるようにしてある。また壁４の上方には基板支持体２８が配置してあり、各空間３７に対応して基板支持体２８に開口窓２９を設け、各開口窓２９の個所において基板支持体２８の上に基板３を載置してセットするようにしてある。
【００５１】
また、各予備チャンバー１１内には直線状のガイドレール５２が設けてあり、ガイドレール５２にスライド具５３がスライド移動自在に取り付けてある。このスライド具５３に真空チャンバー１の側へ突出するように屈曲したアーム５４が設けてあり、アーム５４の先端に移動ステージ５５が取着してある。この移動ステージ５５は中央部が真空チャンバー１側に開口した平面Ｕ字形に形成してある。そして各予備チャンバー１１の下側には駆動ガイドレール５６がガイドレール５２と平行に設けてあり、この駆動ガイドレール５６に駆動スライド具５７がスライド移動駆動されるように取り付けてある。スライド具５３と駆動スライド具５７は例えば共にマグネットで形成してあり、駆動スライド具５７を駆動ガイドレール５６に沿って駆動してスライド移動させると、この駆動スライド具５７に吸引されてスライド具５３もガイドレール５２に沿ってスライド移動するようにしてある。
【００５２】
さらに、真空チャンバー１の底部内には固定ステージ５９が設けてある。固定ステージ５９は図１１のように中央が上下に開口する平面形状ロ字形に形成してあり、この固定ステージ５９の中央開口にリフト板６０が配置してある。リフト板６０はシリンダー装置６１によって固定ステージ５９より上方へ持ち上げられるように昇降自在になっている。
【００５３】
図１０は蒸着源保持カセット６３を示すものであり、基台６４の上面にＬ字形の複数対の端子板６５を取り付け、対をなす端子板６５の上端部間に高融点金属のボートで形成される発熱体２４が取り付けてある。各端子板６５は端部の給電接続部６６を基台６４の端縁から突出させてある。この蒸着源保持カセット６３は移動ステージ５５の上に載置して使用されるものである。
【００５４】
上記のように形成される真空蒸着装置で真空蒸着を行なうにあたっては、まず一つの予備チャンバー１１の蓋５０を開いて上面を開口させ、この予備チャンバー１１内に位置する蒸着源保持カセット６３の発熱体２４の上に蒸着源２を充填してセットする。この後に図９（ａ）のように蓋５０を閉じて真空ポンプ２０を作動させ、予備チャンバー１１内を真空状態に減圧する。一方、真空チャンバー１内も真空状態に減圧してあり、壁４は加熱してある。そしてゲートバルブ４９を開いて一対の予備チャンバー１１のうち一方の予備チャンバー１１と真空チャンバー１内を連通させる。次に駆動スライド具５７を駆動ガイドレール５６に沿って真空チャンバー１の側へスライド移動させると、この駆動スライド具５７に吸引されているスライド具５３もガイドレール５２に沿って真空チャンバー１の側へスライド移動し、図９（ｂ）のように移動ステージ５５は予備チャンバー１１から開いているゲートバルブ４９を通して真空チャンバー１内に導入される。移動ステージ５５の上に載置されている蒸着源保持カセット６３も移動ステージ５５とともに真空チャンバー１に導入されるものであり、移動ステージ５５と蒸着源保持カセット６３は固定ステージ５９の直上に位置するようになっている。次に、リフト板６０が上昇し、移動ステージ５５の中央の開口を挿通して上昇するリフト板６０によって、図９（ｃ）のように移動ステージ５５の上から蒸着源保持カセット６３が持ち上げられる。このように蒸着源保持カセット６３が持ち上げられると、駆動スライド具５７が真空チャンバー１から離れる方向へスライド移動し、この駆動スライド具５７に吸引されているスライド具５３も真空チャンバー１から離れる方向へスライド移動し、図９（ｄ）のように移動ステージ５５を真空チャンバー１から予備チャンバー１１内に戻すようになっている。この後、リフト板６０を下降させて図９（ｅ）のように蒸着源保持カセット６３を固定ステージ５９の上に載置させる。このように蒸着源保持カセット６３が固定ステージ５９の上に載置されてセットされると、真空チャンバー１内に設けた給電電極６７が下降して、蒸着源保持カセット６３の各端子板６５の給電接続部６６に接触し、端子板６５を介して発熱体２４に給電して発熱体を発熱させるようにしてある。
【００５５】
この後、ゲートバルブ４９を閉じ、既述と同様にして基板３に蒸着源保持カセット６３の発熱体２４に充填した蒸着源２の材料を基板３に蒸着して成膜を行なうことができるものである。そして、蒸着源２が消費されると、上記と逆の手順で蒸着源保持カセット６３が予備チャンバー１１に戻される。すなわちリフト板６０が上昇して蒸着源保持カセット６３が持ち上げられ、上記のゲートバルブ１９を開いて移動ステージ５５を真空チャンバー１に導入し、次にリフト板６０が降下して蒸着源保持カセット６３が移動ステージ５５の上に載り、蒸着源保持カセット６３が移動ステージ５５とともに予備チャンバー１１に戻され、最後にゲートバルブ４９が閉じられる。このとき、他方の予備チャンバー１１において蒸着源保持カセット６３の発熱体２４の上に蒸着源２が充填してセットされており、この他方の予備チャンバー１１から蒸着源保持カセット６３が上記と同様にして真空チャンバー１内にセットされるようになっている。このようにして、真空チャンバー１内を開いて大気に曝す必要なく、真空チャンバー１内の蒸着源２を取り換えて補充することが迅速に行なえるものであり、基板３への蒸着膜を膜厚を厚く成膜することが可能になるものである。
【００５６】
図８の実施の形態では、一対の予備チャンバー１１を真空チャンバー１の両側に接続するようにしたが、予備チャンバー１１は一つのみを用いて真空チャンバー１とこの予備チャンバー１１の間で蒸着源２の取り換えができるようにしてもよい。また、３個以上の予備チャンバー１１を用い、真空チャンバー１の回りに放射状に各予備チャンバー１１を接続するようにすることもできる。図１３の実施の形態では、真空チャンバー１を平面視五角形に形成し、五個の予備チャンバー１１を真空チャンバー１の回りに接続するようにしてある。このものでは各予備チャンバー１１から順に真空チャンバー１内の蒸着源２を取り換えて補充することができるものである。
【００５７】
尚、蒸着源２と基板３が対向する空間を壁４で囲むにあたって、この空間は完全に壁４で囲まれている必要はなく、空間の６０〜９０％の範囲が壁４で囲まれていれば良い。蒸着源２と基板３が対向する空間の６０〜９０％の範囲を壁４で囲むことによって、歩留まり良く均一な膜厚で蒸着して成膜することが可能になるものである。
【００５８】
また、有機材料が堆積されない温度に加熱される壁４は、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む側の表面がこの有機材料と反応しにくい材質で形成しておくのが好ましい。このような有機材料と反応しにくい材質としては、アルミナ、炭化ケイ素などのセラミックや、ダイヤモンド、ステンレススチールを例示することができる。このように壁４を形成しておくことによって、有機材料が壁４に付着した場合であっても、有機材料が壁４によって変質されることを防ぐことができ、壁４に一旦付着した有機材料が再度蒸発して、基板３に蒸着されて成膜される場合でも、成膜の純度が低下することを防ぐことができるものである。
【００５９】
【実施例】
次に、図２の実施形態の装置について、具体的な実施例で本発明の効果を実証する。
【００６０】
図２に示す装置において、各筒体５として、材質がＳＵＳ３１６で、寸法が５０ｍｍ×５０ｍｍ×高さ２５０ｍｍに形成したものを用い、各発熱体２４としてタングステンフィラメントとルツボからなるものを用いた。また各発熱体２４に充填される蒸着源２として、基板３の移動方向の手前から順に、ＣｕＰｃ（copper phthalocyanine）、α−ＮＰＤ（α−naphthylphenylbiphenyldiamine）、Ａｌｑ３（tris-(8-hydroxyquinoline)）をそれぞれ用い、基板３として５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚み０．７ｍｍのガラス板を用いた。
【００６１】
そして、各発熱体２４に５Ａの電流を流して各蒸着源２を加熱して蒸発させると共に、各筒体５を２５０℃に加熱し、基板３を基板送り装置７によって２ｍｍ／秒の移動速度で各筒体５の上方を移動させることによって、基板３に真空蒸着をした。
【００６２】
このように蒸着を行なった基板３について、蒸着膜の膜厚を触針式膜厚計で測定し、またこの膜厚から蒸着速度（タクトタイム）を評価した。さらに、蒸着前後の基板３の質量変化と、蒸着前後の発熱体２４のルツボの質量変化を測定し、これらから、蒸着源２の利用効率である材料利用効率を評価した。
【００６３】
(蒸着前後基板質量変化／蒸着前後ルツボ質量変化)×１００＝材料利用効率
その結果、蒸着膜のトータル膜厚＝１３００Å、平均蒸着速度＝１７．３Å／秒、材料利用効率＝３５．０％であった。比較のために、筒体５を用いずに同様に蒸着を行なったところ、蒸着膜のトータル膜厚＝１４０Å、平均蒸着速度＝１．９Å／秒、材料利用効率＝４．２％であり、加熱された壁である筒体５を用いたことによる本発明の効果が実証された。
【００６４】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る真空蒸着装置は、０．０１Ｐａ以下の減圧下の真空チャンバー内で蒸着源を加熱して基板表面に蒸着する真空蒸着装置において、蒸着源のうち少なくとも一つは有機材料を用い、その有機材料が堆積されない温度に加熱された壁で、蒸着源と基板が対向する空間を囲むようにしたので、蒸着源から発生する気化分子を壁で囲んで閉じ込めることができ、蒸着源から発生する気化分子の多くを基板の表面に到達させて付着させることができるものであり、均一な膜厚で成膜速度高く、しかも歩留まり高く蒸着を行なうことができるものである。また、気化分子が壁の表面に付着しても再加熱されて気化し、壁の表面に堆積されることがなくなるものであり、同じ真空チャンバーを用いて異なる材料に切り換えて真空蒸着を行なう場合に、純度の高い成膜を行なうことが可能になると共に、真空チャンバー内を真空に維持することが困難になることを防ぐことができるものである。
しかも、真空チャンバーに接続して減圧可能な予備チャンバーを付設し、蒸着源を真空チャンバーと予備チャンバーの間で移動自在にしたので、真空チャンバー内を開いて大気に曝す必要なく、予備チャンバーから真空チャンバー内の蒸着源を取り換えて補充することができるものである。
【００６５】
また請求項２の発明は、上記請求項１において、蒸着源と基板とが相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにしたので、蒸着源として複数種の材料を用いることによって、基板の表面に異なる材料を蒸着することができ、異種の複数の材料を積層した構造で成膜することが可能になるものである。
【００６６】
また請求項３の発明は、上記請求項１又は２において、蒸着源と、蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁とが、相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにしたので、壁の特定の個所に蒸発源の材料が付着するようなことを未然に防ぐことができ、壁を加熱することによって堆積を防止する効果を高く得ることができるものである。
【００６７】
また請求項４の発明は、上記請求項１乃至３のいずれかにおいて、蒸着源として用いる有機材料が、有機エレクトロルミネッセンス材料であるので、精度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することが容易になるものである。
【００６８】
また請求項５の発明は、上記請求項１乃至４のいずれかにおいて、蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁として筒体を用い、真空チャンバー内に複数の筒体を配置し、各筒体に蒸着源を配置すると共に、基板を各筒体の開口部間に亘って移動させるようにしたので、各筒体に設ける蒸着源として異なる材料を用いることによって、基板の表面に異なる材料を順に蒸着することができ、異種の複数の材料を積層した構造で成膜することが可能になるものである。
【００６９】
また請求項６の発明は、上記請求項１乃至５のいずれかにおいて、蒸着源と基板が対向する空間を囲む壁として筒体を用い、一つの筒体に複数の蒸着源を配置すると共に各蒸着源の間を仕切る仕切り壁を筒体内に設け、筒体と仕切り壁によってそれぞれの蒸着源と基板が対向する空間をそれぞれ囲むようにしたので、一つの筒体内の複数の蒸着源を仕切り壁で分離した状態で、蒸着源の材料が混ざり合うことなく、基板に成膜することができるものである。
【００７０】
また請求項７の発明は、上記請求項１乃至６のいずれかにおいて、基板を移動させる基板送り装置を具備し、基板送り装置を基板の移動速度を制御自在に形成したので、基板の移動速度の調整によって蒸着の作用を受ける時間を調整することができ、基板の表面に成膜する蒸着膜の膜厚を任意に制御することができるものである。
【００７１】
また請求項８の発明は、上記請求項１乃至７のいずれかにおいて、基板を移動させる基板送り装置を具備し、基板を円運動させる方向に移動させるように基板送り装置を形成したので、基板を移動させることによって蒸着源に対する位置を変えながら基板の表面への蒸着を行なうことができ、基板の表面の成膜の膜厚を均一化することができるものである。
【００７２】
また請求項９の発明は、上記請求項１乃至７のいずれかにおいて、基板として長尺シート材を用い、長尺シート材を一対の一方のロールから巻き外すと共に他方のロールに巻き付けて移動させるようにしたので、長尺シート材に全長に亘って蒸着を行なって成膜することができるものである。
【００７４】
また請求項１０の発明は、上記請求項２乃至９のいずれかにおいて、筒体の基板の側の開口部の幅を、基板の移動方向と直交する方向の基板の幅より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に形成したので、歩留まり良く均一な膜厚で蒸着して成膜することが可能になるものである。
【００７５】
また請求項１１の発明は、上記請求項１乃至１０のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温度に加熱された壁で、蒸着源と基板が対向する空間のうち、６０〜９０％を囲むようにしたので、歩留まり良く均一な膜厚で蒸着して成膜することが可能になるものである。
【００７６】
また請求項１２の発明は、上記請求項１乃至１１のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温度に加熱された壁の、蒸着源と基板が対向する空間を囲む側の表面が、有機物が反応しにくい材質で形成されているので、有機材料が壁に付着した場合であっても、有機材料が変質し難く、壁に一旦付着した有機材料が再度蒸発して基板に付着した場合でも、成膜の純度が低下することを防ぐことができるものである。
【００７７】
また、本発明の請求項１３に係る有機材料の真空蒸着方法は、上記請求項１乃至１２のいずれかに記載の真空成形装置を用いて、基板表面に複数の有機材料を蒸着するようにしたので、均一な膜厚で成膜速度高く、しかも歩留まり高く有機材料を蒸着することができ、有機材料による純度の高い成膜を行なうことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図である。
【図４】同上の実施の形態の一部を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態の他の一例を示す一部の斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態の他の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の他の一例を示す断面図である。
【図９】同上の実施の形態の一部を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。
【図１０】同上の実施の形態の一部を示す斜視図である。
【図１１】同上の実施の形態の一部を示す斜視図である。
【図１２】同上の実施の形態の一部を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略平面図である。
【図１４】蒸着源と基板との関係を示す概略図である。
【符号の説明】
１  真空チャンバー
２  蒸着源
３  基板
４  壁
５  筒体
６  仕切り壁
７  基板送り装置
８  長尺シート材
９  ロール
１０  ロール
１１  予備チャンバー
【図１】
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【図２】
0003742567.tif 000003
【図３】
0003742567.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003742567.tif 000008
【図８】
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【図９】
0003742567.tif 000010
【図１０】
0003742567.tif 000011
【図１１】
0003742567.tif 000012
【図１２】
0003742567.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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