(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に形成された分離絶縁膜と、上記バイポーラトランジスタのコレクタ層と、上記活性領域内で上記コレクタ層上に形成された上記バイポーラトランジスタのベース領域と、上記活性領域を一部覆う様に、上記ベース領域に接続形成されたベース引き出し電極と、このベース引き出し電極の全周囲側壁を取り囲むように絶縁膜を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極と、このエミッタ引き出し電極直下の上記活性領域内で上記ベース領域上に形成された上記バイポーラトランジスタのエミッタ領域と、上記エミッタ引き出し電極上に形成されてエミッタ用のコンタクトホールを介して上層の電極配線層に接続された導電膜とを有し、
上記エミッタ引き出し電極が上記活性領域から上記分離絶縁膜領域に渡って形成され、上記導電膜が、上記エミッタ引き出し電極のうち上記分離絶縁膜領域の部分のみを覆う様に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に形成された分離絶縁膜と、上記バイポーラトランジスタのコレクタ層と、上記活性領域内で上記コレクタ層上に形成された上記バイポーラトランジスタのベース領域と、上記活性領域を一部覆う様に、上記ベース領域に接続形成されたベース引き出し電極と、このベース引き出し電極の全周囲側壁を取り囲むように絶縁膜を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極と、このエミッタ引き出し電極直下の上記活性領域内で上記ベース領域上に形成された上記バイポーラトランジスタのエミッタ領域とを有し、
上記活性領域内の上記ベース引き出し電極に複数の開口部が形成され、上記エミッタ引き出し電極が、上記ベース引き出し電極の周囲部側壁と開口部内壁とに絶縁膜を介してサイドウォールとして形成され、
上層の電極配線層との接続のためのベース用のコンタクトホールが、上記開口部間には形成されず、上記ベース引き出し電極内の周辺部上に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に分離絶縁膜を形成する工程と、上記活性領域を覆うように上記半導体基板上に第１の導電膜と第１の絶縁膜とを順次形成する工程と、マスク膜を用いて上記第１の絶縁膜をパターニングした後、該第１の絶縁膜のパターンをマスクとして上記第１の導電膜をパターニングすることにより、上記第１の導電膜から成るベース引き出し電極を上記活性領域を一部覆うように形成する工程と、上記活性領域内で上記ベース引き出し電極に覆われていない領域に、真性ベース領域を形成する工程と、上記ベース引き出し電極側面に第２の絶縁膜を形成する工程と、その後上記第１の絶縁膜のパターンを覆って全面に第２の導電膜を形成し、該第２の導電膜を異方性エッチングにより除去して該第２の導電膜サイドウォールを残存させ、上記ベース引き出し電極側壁に上記第２の絶縁膜を介して上記第２の導電膜サイドウォールから成るエミッタ引き出し電極を形成する工程と、上記ベース引き出し電極および上記エミッタ引き出し電極から上記半導体基板への不純物拡散により上記活性領域内に、上記真性ベース領域に隣接する外部ベース領域とエミッタ領域とをそれぞれ形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
エミッタ引き出し電極上に導電膜をパターニングして形成し、その後層間絶縁膜を形成して、後工程で形成する電極配線層と接続のためのエミッタ用のコンタクトホールを上記導電膜上に、ベース用のコンタクトホールをベース引き出し電極上にそれぞれ形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
活性領域上から分離絶縁膜上に渡ってエミッタ引き出し電極を形成した後、上記分離絶縁膜上の上記エミッタ引き出し電極のみを覆う様に導電膜を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
エミッタ引き出し電極を形成した後、このエミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成して、活性領域内の上記エミッタ引き出し電極のベース引き出し電極と反対側の半導体基板表面を覆い、次いで上記活性領域内の上記エミッタ引き出し電極上に導電膜を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
エミッタ引き出し電極を形成した後、このエミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成して、活性領域内の上記エミッタ引き出し電極のベース引き出し電極と反対側の半導体基板表面を覆い、次いで上記エミッタ引き出し電極上に自己整合的にシリサイド膜を形成した後、このシリサイド膜を介して上記エミッタ引き出し電極上に導電膜を形成することを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ベース引き出し電極を形成した後、熱酸化法によりシリコン酸化膜から成る第２の絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより上記ベース引き出し電極に覆われていない活性領域上の上記第２の絶縁膜を除去して上記ベース引き出し電極側面に上記第２の絶縁膜を残存させ、次いでイオン注入法により真性ベース領域を形成し、その後エミッタ引き出し電極を形成することを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ベース引き出し電極側壁に第２の絶縁膜を介して第２の導電膜サイドウォールを、活性領域上から分離絶縁膜上に渡って形成し、上記分離絶縁膜上の上記第２の導電膜サイドウォールの一部または全部を除去して、残存した上記第２の導電膜サイドウォールから成るエミッタ引き出し電極を形成することを特徴とする請求項３、４、６〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、バイポーラトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
バイポーラトランジスタは、高速性能および駆動性能が特に優れており半導体集積回路装置に数多く用いられている。
図５６は従来のバイポーラトランジスタの構造を示す断面図である。図において、１は例えばＰ型のシリコン単結晶から成る半導体基板（以下、基板と称す）、２はＮ＋型のコレクタ埋め込み層、３はＮ型のエピタキシャル層、４は素子分離用のフィールド酸化膜、５はフィールド酸化膜４下層に形成されたＰ＋型分離領域、６はＰ＋型分離領域５下層に形成されたＰ型下面分離領域、７はフィールド酸化膜４に囲まれたバイポーラトランジスタの活性領域である。また、８はＮ＋型のコレクタウォール領域、９はポリシリコンから成るＰ＋型のベース引き出し電極、１０はベース引き出し電極９からの不純物拡散により形成されたＰ＋型の外部ベース領域、１１はＰ型の真性ベース領域である。
【０００３】
さらに、１２は活性領域７内でベース引き出し電極９に設けられたエミッタ開口部、１３はエミッタ開口部１２内壁に形成された酸化膜サイドウォール、１４はベース引き出し電極９上に形成されたシリコン酸化膜、１５はエミッタ開口部１２内に埋め込む様に形成され、酸化膜サイドウォール１３およびシリコン酸化膜１４によりベース引き出し電極９と分離された、ポリシリコンから成るＮ＋型のエミッタ引き出し電極、１６はエミッタ引き出し電極１５からの不純物拡散により形成されたＮ型のエミッタ領域である。また、１７は層間酸化膜、１８はベース引き出し電極９、エミッタ引き出し電極１５、およびコレクタウォール領域８にそれぞれ接続形成された電極配線層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この様に構成される従来のバイポーラトランジスタは、ホトリソグラフィ技術を用いて開口したエミッタ開口部１２内に酸化膜サイドウォール１３を介してエミッタ引き出し電極１５を形成する。このため、エミッタ引き出し電極１５からの不純物拡散により形成されるエミッタ領域１６の幅（以下、エミッタ幅と称す）は、エミッタ開口部１２の寸法より酸化膜サイドウォール１３の幅の分だけ小さいものである。
従来のバイポーラトランジスタのエミッタ幅は、上記の様に決定されるため、エミッタ開口部１２を形成する際の写真製版時のばらつきおよびエッチングのばらつき、さらに酸化膜サイドウォール１３の幅のばらつきの影響を受けてしまい、微細化に対してばらつきの影響が大きくなり、信頼性良く微細化を図る上で妨げとなっていた。
【０００５】
この発明は、以上の様な問題点を解消するためになされたものであって、エミッタ領域を高精度で微細化し、バイポーラトランジスタの微細化、高速化を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る半導体装置は、半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に形成された分離絶縁膜と、上記バイポーラトランジスタのコレクタ層と、上記活性領域内で上記コレクタ層上に形成された上記バイポーラトランジスタのベース領域と、上記活性領域を一部覆う様に、上記ベース領域に接続形成されたベース引き出し電極と、このベース引き出し電極の全周囲側壁を取り囲むように絶縁膜を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極と、このエミッタ引き出し電極直下の上記活性領域内で上記ベース領域上に形成された上記バイポーラトランジスタのエミッタ領域と、上記エミッタ引き出し電極上に形成されてエミッタ用のコンタクトホールを介して上層の電極配線層に接続された導電膜とを有し、上記エミッタ引き出し電極が上記活性領域から上記分離絶縁膜領域に渡って形成され、上記導電膜が、上記エミッタ引き出し電極のうち上記分離絶縁膜領域の部分のみを覆う様に形成されたものである。
【０００７】
この発明の請求項２に係る半導体装置は、半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に形成された分離絶縁膜と、上記バイポーラトランジスタのコレクタ層と、上記活性領域内で上記コレクタ層上に形成された上記バイポーラトランジスタのベース領域と、上記活性領域を一部覆う様に、上記ベース領域に接続形成されたベース引き出し電極と、このベース引き出し電極の全周囲側壁を取り囲むように絶縁膜を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極と、このエミッタ引き出し電極直下の上記活性領域内で上記ベース領域上に形成された上記バイポーラトランジスタのエミッタ領域とを有し、上記活性領域内の上記ベース引き出し電極に複数の開口部が形成され、上記エミッタ引き出し電極が、上記ベース引き出し電極の周囲部側壁と開口部内壁とに絶縁膜を介してサイドウォールとして形成され、上層の電極配線層との接続のためのベース用のコンタクトホールが、上記開口部間には形成されず、上記ベース引き出し電極内の周辺部上に形成されたものである。
【０００８】
この発明の請求項３に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に分離絶縁膜を形成する工程と、上記活性領域を覆うように上記半導体基板上に第１の導電膜と第１の絶縁膜とを順次形成する工程と、マスク膜を用いて上記第１の絶縁膜をパターニングした後、該第１の絶縁膜のパターンをマスクとして上記第１の導電膜をパターニングすることにより、上記第１の導電膜から成るベース引き出し電極を上記活性領域を一部覆うように形成する工程と、上記活性領域内で上記ベース引き出し電極に覆われていない領域に、真性ベース領域を形成する工程と、上記ベース引き出し電極側面に第２の絶縁膜を形成する工程と、その後上記第１の絶縁膜のパターンを覆って全面に第２の導電膜を形成し、該第２の導電膜を異方性エッチングにより除去して該第２の導電膜サイドウォールを残存させ、上記ベース引き出し電極側壁に上記第２の絶縁膜を介して上記第２の導電膜サイドウォールから成るエミッタ引き出し電極を形成する工程と、上記ベース引き出し電極および上記エミッタ引き出し電極から上記半導体基板への不純物拡散により上記活性領域内に、上記真性ベース領域に隣接する外部ベース領域とエミッタ領域とをそれぞれ形成する工程とを有するものである。
【０００９】
この発明の請求項４に係る半導体装置の製造方法は、エミッタ引き出し電極上に導電膜をパターニングして形成し、その後層間絶縁膜を形成して、後工程で形成する電極配線層と接続のためのエミッタ用のコンタクトホールを上記導電膜上に、ベース用のコンタクトホールをベース引き出し電極上にそれぞれ形成するものである。
【００１０】
この発明の請求項５に係る半導体装置の製造方法は、活性領域上から分離絶縁膜上に渡ってエミッタ引き出し電極を形成した後、上記分離絶縁膜上の上記エミッタ引き出し電極のみを覆う様に導電膜を形成するものである。
【００１１】
この発明の請求項６に係る半導体装置の製造方法は、エミッタ引き出し電極を形成した後、このエミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成して、活性領域内の上記エミッタ引き出し電極のベース引き出し電極と反対側の半導体基板表面を覆い、次いで上記活性領域内の上記エミッタ引き出し電極上に導電膜を形成するものである。
【００１２】
この発明の請求項７に係る半導体装置の製造方法は、エミッタ引き出し電極を形成した後、このエミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成して、活性領域内の上記エミッタ引き出し電極のベース引き出し電極と反対側の半導体基板表面を覆い、次いで上記エミッタ引き出し電極上に自己整合的にシリサイド膜を形成した後、このシリサイド膜を介して上記エミッタ引き出し電極上に導電膜を形成するものである。
【００１３】
この発明の請求項８に係る半導体装置の製造方法は、ベース引き出し電極を形成した後、熱酸化法によりシリコン酸化膜から成る第２の絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより上記ベース引き出し電極に覆われていない活性領域上の上記第２の絶縁膜を除去して上記ベース引き出し電極側面に上記第２の絶縁膜を残存させ、次いでイオン注入法により真性ベース領域を形成し、その後エミッタ引き出し電極を形成するものである。
【００１４】
この発明の請求項９に係る半導体装置の製造方法は、ベース引き出し電極側壁に第２の絶縁膜を介して第２の導電膜サイドウォールを、活性領域上から分離絶縁膜上に渡って形成し、上記分離絶縁膜上の上記第２の導電膜サイドウォールの一部または全部を除去して、残存した上記第２の導電膜サイドウォールから成るエミッタ引き出し電極を形成するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１を図について詳しく説明する。
図１はこの発明の実施の形態１によるバイポーラトランジスタの構造を示す断面図である。図において、１９は例えばＰ型のシリコン単結晶から成る半導体基板（以下、基板と称す）、２０はＮ＋型のコレクタ埋め込み層、２１はＮ型のコレクタ層としてのエピタキシャル層、２２は素子分離用の分離絶縁膜としてのフィールド酸化膜、２３はフィールド酸化膜２２下層に形成されたＰ＋型分離領域、２４はＰ＋型分離領域２３下層に形成されたＰ型下面分離領域、２５はフィールド酸化膜２２に囲まれたバイポーラトランジスタの活性領域、２６はコレクタ埋め込み層２０に接続形成されたＮ＋型のコレクタウォール領域である。
【００１６】
また、２７は活性領域２５上の所定領域からフィールド酸化膜２２上に渡って形成された、ポリシリコンから成るＰ＋型のベース引き出し電極、２８はベース引き出し電極２７からの不純物拡散により活性領域２５に形成されたＰ＋型の外部ベース領域、２９は活性領域２５に、外部ベース領域２８と隣接して形成されたＰ型の真性ベース領域で、外部ベース領域２８とともにベース領域を構成する。３０はベース引き出し電極２７側面に形成された絶縁膜としてのシリコン酸化膜、３１はシリコン酸化膜３０を介してベース引き出し電極２７側壁にサイドウォールとして形成された、ポリシリコンから成るＮ＋型のエミッタ引き出し電極、３２はエミッタ引き出し電極３１からの不純物拡散により真性ベース領域２９上に形成されたエミッタ領域である。
【００１７】
また、３３はフィールド酸化膜２２領域内のエミッタ引き出し電極３１上に接して所定領域に形成された導電膜、３４および３５は絶縁のためのＴＥＯＳ酸化膜、３６は層間絶縁膜としての層間酸化膜である。３７は層間酸化膜３６およびシリコン酸化膜３４、３５に設けられたコンタクトホール、３８は層間酸化膜３６上に形成された電極配線層であり、特に３７ａは導電膜３３上に配設されたエミッタ用のコンタクトホール、３８ａはコンタクトホール３７ａを介して導電膜３３に接続形成されたエミッタ用電極配線層、３７ｂはベース引き出し電極２７上に配設されたベース用のコンタクトホール、３８ｂはコンタクトホール３７ｂを介してベース引き出し電極２７に接続形成されたベース用電極配線層、３７ｃはコレクタウォール領域２６上に配設されたコレクタ用のコンタクトホール、３８ｃはコンタクトホール３７ｃを介してコレクタウォール領域２６に接続形成されたコレクタ用電極配線層である。
【００１８】
この様に構成されるバイポーラトランジスタの製造方法を、図２〜図１５に基づいて以下に示す。なお、図２〜図１１、図１３および図１４は断面図であり、図１２は断面図と主要部の平面図であり、図１５は主要部の平面図である。
まず、基板１９上にシリコン酸化膜３９を厚く形成し、このシリコン酸化膜３９をレジストマスクを用いてパターニングし、コレクタ埋め込み層２０形成予定領域を開口する。続いて、基板１９上からイオン注入法によりＮ型の例えばアンチモンを注入した後熱処理を行い、Ｎ＋型領域２０ａを形成する（図２）。
次に、シリコン酸化膜３９を除去した後、基板１９上に新たにシリコン酸化膜４０を薄く形成し、その上にホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン４１を形成する。このレジストパターン４１をマスクとして、基板１９上からイオン注入法によりＰ型の例えばボロンを注入してＰ型領域２４ａを形成する（図３）。
【００１９】
次に、レジストパターン４１を除去した後、熱処理を行い、さらにシリコン酸化膜４０を除去する。この後、全面にＮ型のエピタキシャル層２１を成長させる。この時、基板１９表面方向に、Ｎ＋型領域２０ａ内およびＰ型領域２４ａ内の不純物が拡散して、コレクタ埋め込み層２０およびＰ型拡散領域２４ｂが形成される（図４）。
次に、エピタキシャル層２１上の全面にシリコン酸化膜４２を薄く形成し、その上にホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン４３を形成する。このレジストパターン４３をマスクとして、基板１９上からイオン注入法によりＰ型の例えばボロンを注入して、Ｐ型拡散領域２４ｂの上層にＰ型領域２４ｃを形成する（図５）。
【００２０】
次に、レジストパターン４３を除去した後、熱処理を行い、さらにシリコン酸化膜４２を除去する。この後、全面にシリコン酸化膜４４を薄く形成し、その上の全面にポリシリコン膜４５とさらにその上にシリコン窒化膜４６を形成する。この後、シリコン窒化膜４６上にホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン４７を形成し、このレジストパターン４７をマスクとしてシリコン窒化膜４６のフィールド酸化膜２２形成予定領域をエッチング除去する。さらに、全面にホトレジスト膜を形成してホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン４８を形成し、このレジストパターン４８をマスクとして、基板１９上からイオン注入法によりＰ型の例えばボロンを注入して、Ｐ型拡散領域２４ｂの上層にＰ＋型領域２３ａを形成する（図６）。
【００２１】
次に、レジストパターン４７、４８を除去した後、フィールド酸化膜２２を形成し、その後、シリコン窒化膜４６、ポリシリコン膜４５、およびシリコン酸化膜４４を順次除去すると、図に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５と分離領域（フィールド酸化膜２２、Ｐ＋型分離領域２３、Ｐ型下面分離領域２４）とが基板１９上に形成される（図７）。
次に、全面にシリコン窒化膜（図示せず）を形成した後、レジストマスクを用いて上記シリコン窒化膜をパターニングし、その上の全面にリンガラス膜（図示せず）を形成した後、熱処理を施すことによりリンをエピタキシャル層２１に拡散させ、Ｎ＋型のコレクタウォール領域２６を形成する。その後、上記リンガラス膜およびシリコン窒化膜を除去する（図８）。
【００２２】
次に、全面にポリシリコン膜２７ａを約０．２μｍの膜厚に堆積し、基板１９上からイオン注入法により、Ｐ型の例えばＢＦ２＋を、例えば４０ＫｅＶ、４Ｅ１５ｃｍ−２ポリシリコン膜２７ａの全面に注入する。
この後、ポリシリコン膜２７ａ上の全面にＴＥＯＳ酸化膜３４を約０．３μｍの膜厚に堆積し、続いて熱処理を例えば８５０℃で３０分行う。これにより、ポリシリコン膜２７ａからエピタキシャル層２１の活性領域２５に不純物が拡散され、Ｐ型領域２９ａが形成される（図９）。
【００２３】
次に、レジストマスクを用いた異方性エッチングによりＴＥＯＳ酸化膜３４をパターニングし、このＴＥＯＳ酸化膜３４をマスクとして下地のポリシリコン膜２７ａを異方性エッチングして、ベース引き出し電極２７を形成する。このベース引き出し電極２７のパターニングの際の異方性エッチングにより、エピタキシャル層２１表面も０．０５μｍ程度エッチングされ、Ｐ型領域２８ａも一部除去される。この後、基板１９に例えば８５０℃で３０分程度の熱処理を施し、ベース引き出し電極２７側面に０．０５μｍ程度の厚さのシリコン酸化膜３０を形成し、同時にエピタキシャル層２１の表面露出部分にもシリコン酸化膜４９を形成する。さらに、この熱処理によってベース引き出し電極２７から外部ベース領域２８への不純物拡散が行われる（図１０）。
【００２４】
次に、全面異方性エッチングによりシリコン酸化膜４９を除去し、真性ベース領域２９形成のためのイオン注入を、基板１９上からＰ型の例えばＢ＋を、例えば２５ＫｅＶ、２．０Ｅ１４ｃｍ−２で注入して行う。このとき、コレクタウォール領域２６にも注入されるが、Ｎ型不純物の濃度が高いため特に問題はない。また、レジストマスクを用いて真性ベース領域２９にのみ注入しても良い（図１１）。
次に、全面にエミッタ引き出し電極３１となるポリシリコン膜を約０．３μｍの膜厚に堆積した後、基板１９上からイオン注入法によりＮ型の例えばＡＳ＋を、例えば５０ＫｅＶ、１．５Ｅ１６ｃｍ−２でポリシリコン膜の全面に注入する。続いて、このポリシリコン膜を全面異方性エッチングして、ベース引き出し電極２７側壁に、シリコン酸化膜３０を介してポリシリコン膜のサイドウォールを約０．２μｍの幅で残存させ、エミッタ引き出し電極３１を形成する。この後、基板１９に例えば８５０℃で３０分程度の熱処理を施し、エミッタ引き出し電極３１からエピタキシャル層２１へ不純物拡散させ、エミッタ領域３２を形成する（図１２（ａ）、図１２（ｂ））。
【００２５】
次に、全面にＴＥＯＳ酸化膜３５を約０．２μｍの膜厚に形成した後、このＴＥＯＳ酸化膜３５をレジストマスクを用いて異方性エッチングして、フィールド酸化膜２２上におけるエミッタ引き出し電極３１表面を含む所定領域を開口する（図１３）。
次に、全面に金属膜等の導電膜３３を形成し、レジストマスクを用いた異方性エッチングによりパターニングをして、上記ＴＥＯＳ酸化膜３５の開口部に残存させ、エミッタ引き出し電極３１上に導電膜３３を接続形成する（図１４）。
【００２６】
次に、全面に層間酸化膜３６を堆積した後、コンタクトホール３７を形成し（図１５）、このコンタクトホール３７を埋め込む様にアルミニウムから成る電極配線層３８を形成し、レジストマスクを用いて電極配線層３８をパターニングする（図１参照）。
この後、所定の処理を施してバイポーラトランジスタを完成する。
【００２７】
上記実施の形態１に示すバイポーラトランジスタは、エミッタ引き出し電極３１をベース引き出し電極２７側壁にシリコン酸化膜３０を介してサイドウォールとして形成する。このためエミッタ引き出し電極３１からの不純物拡散により形成されるエミッタ領域３２の幅（以下、エミッタ幅と称す）は、上記サイドウォールとしてのエミッタ引き出し電極３１の幅で決定され、この寸法はエミッタ引き出し電極３１を構成するポリシリコン膜の堆積時の膜厚以下（例えば約７０％）となる。このため、エミッタ幅は、ホトリソグラフィ技術の精度によらず、高精度に形成でき、しかもホトリソグラフィ技術の最小寸法よりも微細化が可能となる。
また、ベース引き出し電極２７も従来の様にエミッタ開口部１２を囲んで活性領域７全体に形成することなく、フィールド酸化膜２２の片側一方向のみに形成されるため、バイポーラトランジスタの活性領域２５を縮小できる。
これらの縮小効果により、エミッタ・ベース間容量およびベース・コレクタ間容量が減少しバイポーラトランジスタの速度性能が向上するとともにこの様な効果を有するバイポーラトランジスタが容易に製造できる。
【００２８】
また、導電膜３３をフィールド酸化膜２２領域内のエミッタ引き出し電極３１上に形成することにより、エミッタ引き出し電極３１が微細であっても、コンタクトホール３７ａを介して電極配線層３８ａと容易で確実に電気的接続ができる。
さらに、導電膜３３は、活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上には形成しないため、真性ベース領域２９と導電膜３３とのショート等の問題がなく、容易に製造できる。
【００２９】
また、ベース引き出し電極２７およびエミッタ引き出し電極３１にポリシリコン膜を用いているため、基板１９への不純物拡散により外部ベース領域２８およびエミッタ領域３２がそれぞれ容易に形成でき、バイポーラトランジスタの製造が容易になる。また、低抵抗で信頼性の高いベース引き出し電極２７およびエミッタ引き出し電極３１が形成できる。
さらに、ベース引き出し電極２７がポリシリコンで構成されるため、熱酸化法によりベース引き出し電極２７側面に容易にシリコン酸化膜３０が形成できる。また、熱酸化法で形成されるシリコン酸化膜３０は、高精度で均一な微細幅で形成できる。このためシリコン酸化膜３０を介してベース引き出し電極２７側壁に形成されるエミッタ引き出し電極３１がより高精度に微細に形成でき信頼性が向上する。
【００３０】
なお、ベース引き出し電極２７側面に形成されるシリコン酸化膜３０は、シリコン酸化膜を全面に堆積した後、異方性エッチングによりベース引き出し電極２７側壁にサイドウォールを残存させて形成することもできる。
【００３１】
また、上記実施の形態１では、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタについて説明したが、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタでも同様な効果を有する。
【００３２】
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２を説明する。図１６はこの発明の実施の形態２によるバイポーラトランジスタの構造を示す断面図である。図１６に示す様に、上記実施の形態１で示したバイポーラトランジスタのポリシリコンから成るエミッタ引き出し電極３１上にシリサイド膜としてのＴｉＳｉ２膜５０を自己整合的に形成してエミッタ電極５１を構成し、エミッタ引き出し電極３１の側壁に酸化膜サイドウォール５２を配設したものである。この酸化膜サイドウォール５２は、活性領域２５内でエミッタ引き出し電極３１とフィールド酸化膜２２との間を埋める様に形成される。また、導電膜３３ａは、フィールド酸化膜２２領域内のエミッタ引き出し電極３１上のＴｉＳｉ２膜５０上に接して所定領域に形成される。
【００３３】
この様に構成されるバイポーラトランジスタの製造方法を図１７に基づいて以下に示す。
まず、上記実施の形態１と同様に、ベース引き出し電極２７、エミッタ引き出し電極３１、外部ベース領域２８、真性ベース領域２９、エミッタ領域３２を形成する（図２〜図１２参照）。
次に、全面にＴＥＯＳ酸化膜を約０．２μｍの膜厚に堆積し、全面異方性エッチングしてエミッタ引き出し電極３１側壁に酸化膜サイドウォール５２を形成する。これにより、活性領域２５内でエミッタ引き出し電極３１とフィールド酸化膜２２との間に露出していた真性ベース領域２９表面を、酸化膜サイドウォール５２によって覆う（図１７（ａ））。
【００３４】
次に、全面にＴｉ膜を堆積後、ランプアニールを６００〜７００℃のＮ２雰囲気中で行う。これによりポリシリコンから成るエミッタ引き出し電極３１上およびコレクタウォール領域２６上のＴｉ膜は下地のシリコンと反応してＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ２またはその混合膜となる。この後未反応のＴｉ膜を除去し、再度ランプアニールを最高８００℃程度で行って、エミッタ引き出し電極３１上およびコレクタウォール領域２６上にＴｉＳｉ２膜５０を自己整合的に形成する（図１７（ｂ））。
次に、上記実施の形態１と同様に、ＴＥＯＳ酸化膜３５を形成した後、所定領域を開口し、導電膜３３ａをフィールド酸化膜２２領域内のＴｉＳｉ膜５０上に接続形成する。
この後、上記実施の形態１と同様にして層間酸化膜３６、コンタクトホール３７および電極配線層３８を順次形成し、所定の処理を施してバイポーラトランジスタを完成する（図１６参照）。
【００３５】
この実施の形態２では、エミッタ引き出し電極３１上にＴｉＳｉ２膜５０を形成したため、エミッタ電極５１の抵抗が低減できる。また、この場合ＴｉＳｉ２膜５０はコレクタウォール領域２６上にも形成され、コレクタ電極の抵抗も低減できる。
このため、上記実施の形態１と同様の効果に加え、さらに寄生抵抗が低減できバイポーラトランジスタの速度性能、駆動性能が向上する。
【００３６】
また、ポリシリコンから成るエミッタ引き出し電極３１側壁に酸化膜サイドウォール５２を形成して真性ベース領域２９表面を覆った後、ＴｉＳｉ２膜５０を自己整合的にエミッタ引き出し電極３１上に形成するため、ＴｉＳｉ２膜５０が真性ベース領域２９上に接触して、エミッタ・ベース間がショートするのが防止できて、エミッタ引き出し電極３１上に容易にＴｉＳｉ２膜５０が形成でき、上記効果を有するバイポーラトランジスタを容易に製造できる。
【００３７】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３を説明する。図１８はこの発明の実施の形態３によるバイポーラトランジスタの構造を示す断面図である。図１８に示す様に、上記実施の形態１で示したバイポーラトランジスタのエミッタ引き出し電極３１側壁に、上記実施の形態２と同様の酸化膜サイドウォール５２を配設して、導電膜３３ｂを活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上にも形成し、エミッタ用のコンタクトホール３７ａをエミッタ領域３２の上層に設けたものである。
【００３８】
この様に構成されるバイポーラトランジスタの製造方法を図１９に基づいて以下に示す。
まず、上記実施の形態１と同様に、ベース引き出し電極２７、エミッタ引き出し電極３１、外部ベース領域２８、真性ベース領域２９、エミッタ領域３２を形成する（図２〜図１２参照）。
次に上記実施の形態２と同様に、エミッタ引き出し電極３１側壁に酸化膜サイドウォール５２を形成して、真性ベース領域２９の露出部を覆う（図１７（ａ）参照）。
次に、全面に導電膜３３ｂを形成し、レジストマスクを用いた異方性エッチングによりパターニングして、活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上を含む所定領域に残存させる（図１９）。
【００３９】
次に、上記実施の形態１と同様にして、層間酸化膜３６を形成してコンタクトホール３７を開口し、このコンタクトホール３７を埋め込む様に電極配線層３８を形成してパターニングする。このときエミッタ用のコンタクトホール３７ａは、活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上層に設けられ、エミッタ用の電極配線層３８ａは、コンタクトホール３７ａを介して導電膜３３ｂに接続形成される（図１８参照）。
この後、所定の処理を施してバイポーラトランジスタを完成する。
【００４０】
この実施の形態３では、エミッタ引き出し電極３１側壁に酸化膜サイドウォール５２を形成することにより、導電膜３３ｂと真性ベース領域２９とが接触してエミッタ・ベース間がショートすることなく、導電膜３３ｂを活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上にも形成することができ、エミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成できる領域が広がり、設計上の自由度が向上する。
また、この実施の形態では、エミッタ用のコンタクトホール３７ａをエミッタ領域３２上層に設けたため、エミッタ領域３２とコンタクトホール３７ａとの間の距離が短くなり、エミッタ抵抗が低減できる。
【００４１】
また、導電膜３３ｂをエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成した場合、エミッタ電極の抵抗が低減できる。さらにその場合、エミッタ用のコンタクトホール３７ａをエミッタ領域３２上層だけでなく導電膜３３ｂ上に多数形成できコンタクト抵抗も低減でき、エミッタ抵抗を一層低減できる。
以上のことから、上記実施の形態１と同様の効果に加え、さらに寄生抵抗が低減できバイポーラトランジスタの速度性能、駆動性能が向上する。
【００４２】
なお、導電膜３３ｂは、図２０による平面図に示す様に、活性領域２５内のエミッタ引き出し電極３１上のみを覆う様に形成しても良く、エミッタ領域３２とコンタクトホール３７ａとの間の距離が短くできエミッタ抵抗が低減できる。
【００４３】
また、上記実施の形態２を併用して、エミッタ引き出し電極３１上にＴｉＳｉ２膜５０を形成した後導電膜３３ｂを形成しても良く、寄生抵抗が一層低減できる。
【００４４】
実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４を説明する。図２１はこの発明の実施の形態４によるバイポーラトランジスタの構造を示す断面図である。
図２１に示す様に、上記実施の形態３で示したバイポーラトランジスタのエミッタ引き出し電極３１をほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
この様に構成されるバイポーラトランジスタの製造方法を図２２による平面図に基づいて以下に示す。
まず、上記実施の形態１と同様に、ベース引き出し電極２７、エミッタ引き出し電極３１、外部ベース領域２８、真性ベース領域２９、エミッタ領域３２を形成する（図２〜図１２参照）。
【００４５】
次に、全面にホトレジスト膜５３を形成し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてレジストパターン５３を形成する（図２２（ａ））。このレジストパターン５３をマスクにして、等方性エッチングにより下地のポリシリコンから成るエミッタ引き出し電極３１を除去して、ほぼ活性領域２５内にのみエミッタ引き出し電極３１を残存させる。この後、レジストパターン５３を除去する（図２２（ｂ））。
次に、上記実施の形態３と同様に、酸化膜サイドウォール５２を形成した後、エミッタ引き出し電極３１上に導電膜３３ｂを形成し層間酸化膜３６、コンタクトホール３７、および電極配線層３８を順次形成する（図２２（ｃ）、図２１参照）。
この後、所定の処理を施してバイポーラトランジスタを完成する。
【００４６】
この実施の形態４では、図２２（ｂ）に示す様に、エミッタ引き出し電極３１が、バイポーラトランジスタの動作に関係ない部分をできるだけ除去してほぼ活性領域２５内のみに短く形成されているために、エミッタ抵抗が小さくなるとともに、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減できる。また、上記実施の形態３と同様に、エミッタ用のコンタクトホール３７ａがエミッタ領域３２上層に設けられることによるエミッタ抵抗の低減効果もある。
このため、上記実施の形態１および３と同様の効果に加え、さらに寄生抵抗、寄生容量を低減でき、バイポーラトランジスタの速度性能、駆動性能が向上する。
【００４７】
なお、この場合も上記実施の形態２を併用して、エミッタ引き出し電極３１上にＴｉＳｉ膜５０を形成しても良く、寄生抵抗が一層低減できる。
【００４８】
実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５を説明する。この実施の形態５は上記実施の形態１〜３に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図２３に示す。
図２３（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に複数のベース引き出し電極２７が形成され、活性領域２５周囲の４方向全てのフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極２７が乗り上げ、ベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１がサイドウォールとして形成される。
【００４９】
また図２３（ｂ）は、図２３（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態１および２と同様に導電膜３３（３３ａ）を形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ５−Ａ５線による断面図を図２４に示す。この場合、導電膜３３（３３ａ）が、フィールド酸化膜２２領域内のエミッタ引き出し電極３１上に形成され、この導電膜３３（３３ａ）上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用のコンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００５０】
さらにまた図２３（ｃ）は、図２３（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ５−Ｂ５線による断面図を図２５に示す。この場合、導電膜３３ｂはエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用のコンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００５１】
この実施の形態５では、活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が増大し、バイポーラトランジスタの駆動性能が向上する。
【００５２】
次に、上記実施の形態５の変形例を２ヶ説明する。
図２６は上記実施の形態５の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図２６（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に複数のベース引き出し電極２７が形成され、活性領域２５周囲の３方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極２７が乗り上げ、ベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１がサイドウォールとして形成される。
【００５３】
また、図２６（ｂ）は、図２６（ａ）で示した変形例１によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態１および２と同様に導電膜３３（３３ａ）を形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ５−Ｃ５線による断面図は、図２３（ｂ）の断面図と同じで図２４に示すものとなる。
さらにまた図２６（ｃ）は、図２６（ａ）で示した変形例１によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｄ５−Ｄ５線による断面図は、図２３（ｃ）の断面図と同じで図２５に示すものとなる。
【００５４】
この変形例１では、活性領域２５内に更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して駆動性能が向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００５５】
図２７は上記実施の形態５の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図２７（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に複数のベース引き出し電極２７が形成され、活性領域２５周囲の２方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極２７が乗り上げ、ベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１がサイドウォールとして形成される。
【００５６】
また図２７（ｂ）は、図２７（ａ）で示した変形例２によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｅ５−Ｅ５線による断面図は、図２３（ｃ）の断面図と同じで図２５に示すものとなる。
【００５７】
この変形例２では、活性領域２５内に、上記変形例１よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積も更に増大して駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００５８】
実施の形態６．
次に、この発明の実施の形態６を説明する。この実施の形態６は上記実施の形態１〜３に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図２８に示す。
図２８（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に複数のベース引き出し電極２７が形成され、活性領域２５周囲の２方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極２７が乗り上げ、ベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１がサイドウォールとして形成される。
【００５９】
また図２８（ｂ）は、図２８（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態１および２と同様に導電膜３３（３３ａ）を形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ６−Ａ６線による断面図を図２９に示す。この場合、導電膜３３（３３ａ）が、フィールド酸化膜２２領域内のエミッタ引き出し電極３１上に形成され、この導電膜３３（３３ａ）上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用のコンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００６０】
さらにまた図２８（ｃ）は、図２８（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ６−Ｂ６線による断面図を図３０に示す。この場合、導電膜３３ｂはエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用のコンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００６１】
この実施の形態６では、上記実施の形態５に比べ活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大し、バイポーラトランジスタの駆動性能が向上する。
【００６２】
次に、上記実施の形態６の変形例を２ヶ説明する。
図３１は上記実施の形態６の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図３１（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に複数のベース引き出し電極２７が形成され、活性領域２５周囲の１方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極２７が乗り上げ、ベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１がサイドウォールとして形成される。
【００６３】
また図３１（ｂ）は、図３１（ａ）で示した変形例１によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態１および２と同様に導電膜３３（３３ａ）を形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ６−Ｃ６線による断面図は、図２８（ｂ）の断面図と同じで図２９に示すものとなる。
さらにまた図３１（ｃ）は、図３１（ａ）で示した変形例１によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｄ６−Ｄ６線による断面図は、図２８（ｃ）の断面図と同じ図３０に示すものとなる。
【００６４】
この変形例１では、活性領域２５内に上記実施の形態６よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して駆動性能が向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００６５】
図３２は上記実施の形態６の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図３２（ａ）に示す様に、複数のベース引き出し電極２７と、このベース引き出し電極２７の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極３１とが、全てバイポーラトランジスタの活性領域２５内に形成される。
【００６６】
また図３２（ｂ）は、図３２（ａ）で示した変形例２によるバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｅ６−Ｅ６線による断面図は図２８（ｃ）の断面図と同じ図３０に示すものとなる。
【００６７】
この変形例２では、活性領域２５内に、上記変形例１よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積も更に増大して駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００６８】
実施の形態７．
次に、この発明の実施の形態７を説明する。この実施の形態７は上記実施の形態４に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図３３に示す。
図３３（ａ）に示す様に、上記実施の形態５で示したバイポーラトランジスタの構造（図２３（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
【００６９】
また図３３（ｂ）は、図３３（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ７−Ａ７線による断面図を図３４に示す。この場合、導電膜３３ｂが、活性領域２５内に形成されたエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用のコンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００７０】
この実施の形態７では、上記実施の形態５と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減され、上記実施の形態５と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００７１】
次に、上記実施の形態７の変形例を２ヶ説明する。
図３５は上記実施の形態７の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図３５（ａ）は、上記実施の形態５の変形例１で示したバイポーラトランジスタの構造（図２６（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図３５（ｂ）は、図３５（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ７−Ｂ７線による断面図は上記実施の形態７と同様図３４に示すものとなる。
【００７２】
この変形例１では、上記実施の形態５の変形例１と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減され、上記実施の形態５の変形例１と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００７３】
図３６は上記実施の形態７の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図３６（ａ）は、上記実施の形態５の変形例２で示したバイポーラトランジスタの構造（図２７（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図３６（ｂ）は、図３６（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ７−Ｃ７線による断面図は上記実施の形態７と同様図３４に示すものとなる。
【００７４】
この変形例２では、上記実施の形態５の変形例２と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減され、上記実施の形態５の変形例２と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００７５】
実施の形態８．
次に、この発明の実施の形態８を説明する。この実施の形態８は上記実施の形態４に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図３７に示す。
図３７（ａ）に示す様に、上記実施の形態６で示したバイポーラトランジスタの構造（図２８（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
【００７６】
また図３７（ｂ）は、図３７（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ８−Ａ８線による断面図は、上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。この場合、導電膜３３ｂが、活性領域２５内に形成されたエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成され、ベース用コンタクトホール３７ｂはベース引き出し電極２７上に形成される。
【００７７】
この実施の形態８では、上記実施の形態６と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減され、上記実施の形態６と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００７８】
次に、上記実施の形態８の変形例を説明する。
図３８は上記実施の形態８の変形例によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図３８（ａ）は、上記実施の形態６の変形例１で示したバイポーラトランジスタの構造（図３１（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図３８（ｂ）は、図３８（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ８−Ｂ８線による断面図は上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【００７９】
この変形例では、上記実施の形態６の変形例１と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極２７との間の容量が低減され、上記実施の形態６の変形例１と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００８０】
実施の形態９．
次に、この発明の実施の形態９を説明する。この実施の形態９は上記実施の形態３に示したバイポーラトランジスタの構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図３９に示す。
図３９（ａ）に示す様に、バイポーラトランジスタの活性領域２５に櫛型形状のベース引き出し電極５４が、櫛型の根元部分５４ａをフィールド酸化膜２２上に乗り上げて形成され、ベース引き出し電極５４の周囲全てにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１が形成される。
【００８１】
また図３９（ｂ）は、図３９（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ９−Ａ９線による断面図を図４０に示す。この場合、フィールド酸化膜２２領域内のベース引き出し電極５４、すなわち櫛型形状の根元部分５４ａ上にのみベース用のコンタクトホール３７ｂが形成される。また、導電膜３３ｂが、エミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成される。
【００８２】
この実施の形態９では、ベース引き出し電極５４を櫛型形状に形成し、その櫛の歯パターン５４ｂの部分が活性領域２５内に配設されるため、櫛の歯パターン５４ｂの周囲に長いエミッタ引き出し電極３１が形成できる。
また、この実施の形態では櫛の歯パターン５４ｂにはコンタクトホール３７ｂを形成しない。このため、コンタクトホール３７の幅を考慮してベース引き出し電極櫛の歯パターン５４ｂの幅Ｗ１を決定する必要がなく、微細幅のベース引き出し電極櫛の歯パターン５４ｂを活性領域２５内に多数形成できる。このためベース引き出し電極５４周囲に形成されるエミッタ引き出し電極３１も活性領域２５内に更に長く形成でき、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積を増大でき、バイポーラトランジスタの駆動性能を向上できる。
【００８３】
次に、上記実施の形態９の変形例を説明する。
図４１は上記実施の形態９の変形例によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４１（ａ）は、上記実施の形態９のバイポーラトランジスタの構造（図３９（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去して、ほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図４１（ｂ）は、図４１（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ９−Ｂ９線による断面図は上記実施の形態９と同様図４０に示すものとなる。
【００８４】
この変形例では、上記実施の形態９と同様の効果に加え、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５４との間の容量が低減され、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００８５】
実施の形態１０．
次に、この発明の実施の形態１０を説明する。この実施の形態１０は上記実施の形態３に示したバイポーラトランジスタの構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図４２に示す。
図４２（ａ）に示す様に、ベース引き出し電極５５パターン内に複数の開口部５６が形成され、この開口部５６内側とベース引き出し電極５５パターンの周囲とにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１が形成される。また、バイポーラトランジスタの活性領域２５は開口部５６を横切る様に形成され、活性領域２５周囲の２方向のフィールド酸化膜２２上に開口部５６領域を一部含むベース引き出し電極５５が乗り上げて形成される。
【００８６】
また図４２（ｂ）は、図４２（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ１０−Ａ１０線による断面図は上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。なお、便宜上図３０には、ベース引き出し電極５５内の開口部５６数が３ヶのものが示される。この場合、ベース引き出し電極５５上の各開口部５６間の領域に、ベース用のコンタクトホール３７ｂが形成され、エミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成された導電膜３３ｂ上に、エミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成される。
【００８７】
この実施の形態１０では、ベース引き出し電極５５パターン内に複数の開口部５６を設けて、ベース引き出し電極５５周囲だけでなく、開口部５６内側にもエミッタ引き出し電極３１を形成したため、活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成され、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が増大し、バイポーラトランジスタの駆動性能が向上する。
【００８８】
次に、上記実施の形態１０の変形例を３ヶ説明する。
図４３は上記実施の形態１０の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４３（ａ）に示す様に、上記実施の形態１０のバイポーラトランジスタの構造（図４２（ａ）参照）において、ベース引き出し電極５５内の複数の開口部５６が全てバイポーラトランジスタの活性領域２５内に形成されたものである。
また図４３（ｂ）は、図４３（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ１０−Ｂ１０線による断面図は上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【００８９】
この変形例１では、活性領域２５内に上記実施の形態１０よりも長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００９０】
図４４は上記実施の形態１０の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４４（ａ）に示す様に、上記実施の形態１０のバイポーラトランジスタの構造（図４２（ａ）参照）において、バイポーラトランジスタの活性領域２５に、複数の開口部５６を有するベース引き出し電極５５が形成され、活性領域２５周囲の１方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極５５が乗り上げたものである。
また図４４（ｂ）は、図４４（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成して、コンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ１０−Ｃ１０線による断面図は、上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【００９１】
この変形例２では、活性領域２５内に上記変形例１よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００９２】
図４５は上記実施の形態１０の変形例３によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４５（ａ）に示す様に、上記実施の形態１０のバイポーラトランジスタの構造（図４２（ａ）参照）において、複数の開口部５６を有するベース引き出し電極５５と、このベース引き出し電極５５周囲および開口部５６内側に形成されたエミッタ引き出し電極３１とが全てバイポーラトランジスタの活性領域２５内に形成される。
また図４５（ｂ）は、図４５（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｄ１０−Ｄ１０線による断面図は、上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【００９３】
この変形例３では、活性領域２５内に上記変形例２よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【００９４】
実施の形態１１．
次に、この発明の実施の形態１１を説明する。この実施の形態１１は上記実施の形態４に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図４６に示す。
図４６（ａ）に示す様に、上記実施の形態１０で示したバイポーラトランジスタの構造（図４２（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
【００９５】
また図４６（ｂ）は、図４６（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ１１−Ａ１１線による断面図は、上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。この場合、導電膜３３ｂが、活性領域２５内に形成されたエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成される。またベース用のコンタクトホール３７ｂは、ベース引き出し電極５５上の各開口部５６間の領域に形成される。
【００９６】
この実施の形態１１では、上記実施の形態１０と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５との間の容量が低減され、上記実施の形態１０と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００９７】
次に、上記実施の形態１１の変形例を２ヶ説明する。
図４７は上記実施の形態１１の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４７（ａ）は、上記実施の形態１０の変形例１で示したバイポーラトランジスタの構造（図４３（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図４７（ｂ）は、図４７（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ１１−Ｂ１１線による断面図は上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【００９８】
この変形例１では、上記実施の形態１０の変形例１と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５との間の容量が低減され、上記実施の形態１０の変形例１と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【００９９】
図４８は上記実施の形態１１の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図４８（ａ）は、上記実施の形態１０の変形例２で示したバイポーラトランジスタの構造（図４４（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図４８（ｂ）は、図４８（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ１１−Ｃ１１線による断面図は上記実施の形態６の図２８（ｃ）と同様図３０に示すものとなる。
【０１００】
この変形例２では、上記実施の形態１０の変形例２と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５との間の容量が低減され、上記実施の形態１０の変形例２と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【０１０１】
実施の形態１２．
次に、この発明の実施の形態１２を説明する。この実施の形態１２は上記実施の形態３に示したバイポーラトランジスタの構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図４９に示す。
図４９（ａ）に示す様に、ベース引き出し電極５５ａパターン内に複数の開口部５６ａが微細な間隔Ｗ２で形成され、この開口部５６ａ内側とベース引き出し電極５５ａの周囲とにシリコン酸化膜３０を介してエミッタ引き出し電極３１が形成される。またバイポーラトランジスタの活性領域２５は開口部５６ａを横切る様に形成され、活性領域２５周囲の２方向のフィールド酸化膜２２上に開口部５６ａ領域を一部含むベース引き出し電極５５ａが乗り上げて形成される。
【０１０２】
また図４９（ｂ）は、図４９（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、上記実施の形態３と同様に導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ１２−Ａ１２線による断面図は上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。なお、便宜上図４０には、ベース引き出し電極５５ａ内の開口部５６ａ数が３ヶのものが示される。この場合、ベース引き出し電極５５ａ上に形成されるベース用のコンタクトホール３７ｂは、開口部５６ａ間の領域には形成されず、フィールド酸化膜２２領域内のベース引き出し電極５５ａ周辺部に形成される。また導電膜３３ｂがエミッタ引き出し電極３１上を覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成される。
【０１０３】
この実施の形態１２では、ベース用のコンタクトホール３７ｂを、ベース引き出し電極５５ａの各開口部５６ａ間の領域に形成しない。このためコンタクトホール３７の幅を考慮して開口部５６ａの間隔Ｗ２を設定する必要がなく、微細な間隔で開口部５６ａを、活性領域２５内に多数形成できる。このため開口部５６ａ内側と、ベース引き出し電極５５ａの周囲とに形成されるエミッタ引き出し電極３１も活性領域２５内に長く形成でき、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積を増大でき、バイポーラトランジスタの駆動性能を向上できる。
【０１０４】
次に、上記実施の形態１２の変形例を３ヶ説明する。
図５０は上記実施の形態１２の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図５０（ａ）に示す様に、上記実施の形態１２のバイポーラトランジスタの構造（図４９（ａ）参照）において、ベース引き出し電極５５ａ内の複数の開口部５６ａが全てバイポーラトランジスタの活性領域２５内に形成されたものである。
また図５０（ｂ）は、図５０（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ１２−Ｂ１２線による断面図は上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。
【０１０５】
この変形例１では、活性領域２５内に上記実施の形態１２よりも長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【０１０６】
図５１は上記実施の形態１２の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図５１（ａ）に示す様に、上記実施の形態１２のバイポーラトランジスタの構造（図４９（ａ）参照）において、バイポーラトランジスタの活性領域２５に、複数の開口部５６ａを有するベース引き出し電極５５ａが形成され、活性領域２５周囲の１方向のフィールド酸化膜２２上にベース引き出し電極５５ａが乗り上げたものである。
また図５１（ｂ）は、図５１（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール５７を形成したもので、Ｃ１２−Ｃ１２線による断面図は、上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。
【０１０７】
この変形例２では、活性領域２５内に上記変形例１よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【０１０８】
図５２は上記実施の形態１２の変形例３によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図５２（ａ）に示す様に、上記実施の形態１２のバイポーラトランジスタの構造（図４９（ａ）参照）において、複数の開口部５６ａを有するベース引き出し電極５５ａと、このベース引き出し電極５５ａ周囲および開口部５６ａ内側に形成されたエミッタ引き出し電極３１とが全てバイポーラトランジスタの活性領域２５内に形成される。
また図５２（ｂ）は、図５２（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｄ１２−Ｄ１２線による断面図は、上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。この場合、ベース引き出し電極５５ａ上に形成されるベース用のコンタクトホールは、開口部５６ａ間の領域には形成されず、活性領域２５内のベース引き出し電極５５ａ周辺部に形成される。
【０１０９】
この変形例３では、活性領域２５内に上記変形例１よりも更に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されるため、エミッタ領域３２と真性ベース領域２９との接合面積が更に増大して、駆動性能が一層向上したバイポーラトランジスタが得られる。
【０１１０】
実施の形態１３．
次に、この発明の実施の形態１３を説明する。この実施の形態１３は上記実施の形態４に示したバイポーラトランジスタ構造を複数組み合わせたバイポーラトランジスタの構造に関するもので、その平面図を図５３に示す。
図５３（ａ）に示す様に、上記実施の形態１２で示したバイポーラトランジスタの構造（図４９（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
【０１１１】
また図５３（ｂ）は、図５３（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ａ１３−Ａ１３線による断面図は上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。この場合、ベース引き出し電極５５ａ上に形成されるベース用のコンタクトホール３７ｂは、開口部５６ａ間の微細な領域には形成されず、フィールド酸化膜２２領域内のベース引き出し電極５５ａ周辺部に形成される。また導電膜３３ｂがエミッタ引き出し電極３１上全てを覆う様に形成され、この導電膜３３ｂ上にエミッタ用のコンタクトホール３７ａが形成される。
【０１１２】
この実施の形態１３では、上記実施の形態１２と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５ａとの間の容量が低減され、上記実施の形態１２と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【０１１３】
次に、上記実施の形態１３の変形例を２ヶ説明する。
図５４は上記実施の形態１３の変形例１によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図５４（ａ）は上記実施の形態１２の変形例１で示したバイポーラトランジスタの構造（図５０（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図５４（ｂ）は、図５４（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｂ１３−Ｂ１３線による断面図は上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。
【０１１４】
この変形例１では、上記実施の形態１２の変形例１と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５ａとの間の容量が低減され、上記実施の形態１２の変形例１と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【０１１５】
図５５は上記実施の形態１３の変形例２によるバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図５５（ａ）は、上記実施の形態１２の変形例２で示したバイポーラトランジスタの構造（図５１（ａ）参照）のエミッタ引き出し電極３１を、フィールド酸化膜２２上の部分を除去してほぼ活性領域２５内のみに形成したものである。
また図５５（ｂ）は、図５５（ａ）で示したバイポーラトランジスタにおいて、導電膜３３ｂを形成してコンタクトホール３７を形成したもので、Ｃ１３−Ｃ１３線による断面図は上記実施の形態９の図３９（ｂ）と同様図４０に示すものとなる。
【０１１６】
この変形例２では、上記実施の形態１２の変形例２と同様に活性領域２５内に長いエミッタ引き出し電極３１が形成されているだけでなく、フィールド酸化膜２２領域のエミッタ引き出し電極３１が除去されているため、エミッタ引き出し電極３１とベース引き出し電極５５ａとの間の容量が低減され、上記実施の形態１２の変形例２と同様の効果に加え、バイポーラトランジスタの速度性能が向上する。
【０１１７】
【発明の効果】
以上の様にこの発明によるとエミッタ引き出し電極が、ベース引き出し電極側壁に絶縁膜を介してサイドウォールとして形成される。このためエミッタ幅は、サイドウォールとしてのエミッタ引き出し電極の幅で決定され、ホトリソグラフィ技術の精度によらず、高精度で微細化できる。また、ベース引き出し電極は、バイポーラトランジスタの活性領域を一部覆って形成されるため、活性領域内におけるベース引き出し電極形成領域は従来に比べ縮小できる。これにより活性領域も縮小できる。これらの縮小効果により、エミッタ・ベース間容量およびベース・コレクタ間容量が減少しバイポーラトランジスタの速度性能が向上する。またエミッタ引き出し電極上に導電膜が形成されるため、エミッタ引き出し電極が微細であっても、エミッタ用のコンタクトホールを介して上層の電極配線層と容易で確実に電気的接続が可能となる。また活性領域から分離絶縁膜領域に渡って形成されたエミッタ引き出し電極のうち、分離絶縁膜領域のエミッタ引き出し電極のみを覆う様に導電膜が形成されるため、導電膜と他の導電層とのショート防止のための分離を行う必要がなく製造方法が容易となる。
【０１１８】
またこの発明によると、活性領域内のベース引き出し電極に開口部が形成され、エミッタ引き出し電極がベース引き出し電極の周囲部側壁と開口部内壁とに形成されるため、活性領域内に長いエミッタ引き出し電極が形成でき、エミッタ・ベースの接合面積が増大し、バイポーラトランジスタの駆動性能が向上する。また、ベース用のコンタクトホールが、ベース引き出し電極内の開口部間に形成されず、周辺部上に形成されるため、活性領域内に微細な間隔で多数の開口部を有するベース引き出し電極を形成でき、エミッタ・ベースの接合面積が増大し、バイポーラトランジスタの駆動性能が向上する。
【０１１９】
またこの発明によると、活性領域を一部覆うようにベース引き出し電極を形成し、このベース引き出し電極側面に第２の絶縁膜を形成した後、この第２の絶縁膜を介してベース引き出し電極側壁に、第２の導電膜サイドウォールから成るエミッタ引き出し電極を形成する。このためホトリソグラフィ技術の精度によらず、高精度でエミッタ幅を容易に微細化できる。また、活性領域も縮小できエミッタ・ベース間容量およびベース・コレクタ間容量が減少して、微細化、高速化が促進したバイポーラトランジスタが容易に製造できる。
【０１２０】
またこの発明によると、エミッタ引き出し電極上に導電膜をパターニングして形成し、エミッタ用のコンタクトホールを上記導電膜上の層間絶縁膜に形成するため、微細なエミッタ引き出し電極が容易にしかも確実に、上層の電極配線層と電気的に接続できる。
【０１２１】
またこの発明によると、分離絶縁膜上のエミッタ引き出し電極のみを覆う様に導電膜を形成するため、容易に上層の電極配線層と電気的接続が可能になりバイポーラトランジスタの製造方法が容易となる。
【０１２２】
またこの発明によると、エミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成した後、導電膜を形成するため、エミッタ・ベース間がショートすることなく活性領域内のエミッタ引き出し電極上に容易に形成でき、エミッタ領域上層にエミッタ用のコンタクトホールの形成を可能にして、高性能で設計上の自由度の向上したバイポーラトランジスタを容易に製造できる。
【０１２３】
またこの発明によると、エミッタ引き出し電極側壁に酸化膜サイドウォールを形成した後、エミッタ引き出し電極上に自己整合的にシリサイド膜を形成した後導電膜を形成するためエミッタ・ベース間のショートを防止して容易にシリサイド膜がエミッタ引き出し電極上のみに形成でき、エミッタ電極が低抵抗化されたバイポーラトランジスタを容易に製造できる。
【０１２４】
またこの発明によると、ベース引き出し電極形成後、熱酸化および異方性エッチングによりベース引き出し電極側面のみに第２の絶縁膜を形成し、イオン注入により真性ベース領域形成後エミッタ引き出し電極を形成するため、ベース引き出し電極側面に均一な微細幅の第２の絶縁膜が容易に高精度で形成でき、エミッタ引き出し電極が更に微細化でき、微細化、高速化の促進したバイポーラトランジスタの製造が更に容易になる。
【０１２５】
またこの発明によると、ベース引き出し電極の側壁にサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極の分離絶縁膜上の部分を一部または全部除去するため、エミッタ抵抗低減化され、エミッタ引き出し電極とベース引き出し電極との容量が低減化されたバイポーラトランジスタが容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図および平面図である。
【図１３】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】  この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１６】  この発明の実施の形態２による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】  この発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１８】  この発明の実施の形態３による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１９】  この発明の実施の形態３による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２０】  この発明の実施の形態３の別例による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２１】  この発明の実施の形態４による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２２】  この発明の実施の形態４による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図２３】  この発明の実施の形態５による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２４】  この発明の実施の形態５による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２５】  この発明の実施の形態５による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２６】  この発明の実施の形態５の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２７】  この発明の実施の形態５の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２８】  この発明の実施の形態６による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２９】  この発明の実施の形態６による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３０】  この発明の実施の形態６による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３１】  この発明の実施の形態６の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３２】  この発明の実施の形態６の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３３】  この発明の実施の形態７による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３４】  この発明の実施の形態７による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３５】  この発明の実施の形態７の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３６】  この発明の実施の形態７の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３７】  この発明の実施の形態８による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３８】  この発明の実施の形態８の変形例による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３９】  この発明の実施の形態９による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４０】  この発明の実施の形態９による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図４１】  この発明の実施の形態９の変形例による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４２】  この発明の実施の形態１０による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４３】  この発明の実施の形態１０の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４４】  この発明の実施の形態１０の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４５】  この発明の実施の形態１０の変形例３による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４６】  この発明の実施の形態１１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４７】  この発明の実施の形態１１の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４８】  この発明の実施の形態１１の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図４９】  この発明の実施の形態１２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５０】  この発明の実施の形態１２の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５１】  この発明の実施の形態１２の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５２】  この発明の実施の形態１２の変形例３による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５３】  この発明の実施の形態１３による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５４】  この発明の実施の形態１３の変形例１による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５５】  この発明の実施の形態１３の変形例２による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図５６】  従来の半導体装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１９  半導体基板、２１  コレクタ層としてのエピタキシャル層、
２２  分離絶縁膜としてのフィールド酸化膜、２５  活性領域、
２７  ベース引き出し電極、２８  外部ベース領域、２９  真性ベース領域、
３０  絶縁膜としてのシリコン酸化膜、３１  エミッタ引き出し電極、
３２  エミッタ領域、３３，３３ａ，３３ｂ  導電膜、
３６  層間絶縁膜としての層間酸化膜、３７  コンタクトホール、
３７ａ  エミッタ用のコンタクトホール、３７ｂ  ベース用のコンタクトホール、
３８  電極配線層、５０  シリサイド膜としてのＴｉＳｉ２膜、
５２  酸化膜サイドウォール、５４  ベース引き出し電極、５４ａ  根元部分、
５４ｂ  櫛の歯パターン、５５，５５ａ  ベース引き出し電極、５６，５６ａ  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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