(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有することを特徴とする、磁気クラスター。
【請求項２】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の磁気クラスター。
【請求項３】
前記磁気クラスターは、塩化コバルトとの混合状態で、７Ｋ以下の温度においてフェリ磁性的な性質を呈することを特徴とする、請求項１又は２に記載の磁気クラスター。
【請求項４】
前記磁気クラスターは、室温において強磁性及び超常磁性の少なくとも一方の性質を呈することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の磁気クラスター。
【請求項５】
前記磁気クラスターの保磁力が室温において約２５０ガウス以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の磁気クラスター。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一に記載の磁気クラスターが複数結合してなることを特徴とする、集合組織体。
【請求項７】
平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の集合組織体。
【請求項８】
Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターが、マトリックス中に分散してなることを特徴とする、磁気記録媒体。
【請求項９】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記磁気クラスターは、複数が結合して集合組織体を構成することを特徴とする、請求項８又は９に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記マトリックスは常磁性を呈する物質を含むことを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記マトリックスは反磁性を呈する物質を含むことを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液に対して紫外線を照射し、前記ジクロロメタン溶液を光化学的に反応させて、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気クラスターの製造方法。
【請求項１５】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１４に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項１６】
前記磁気クラスターは、複数が結合して集合組織体を構成することを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項１７】
前記集合組織体の平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１６に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項１８】
前記コバルトカルボニル化合物は、Co4(CO)12又はCo2(CO)8であることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか一に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項１９】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液を２００℃以上に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を熱化学的に反応させて、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気クラスターの製造方法。
【請求項２０】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液を約１００℃に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を所定時間熱化学的に反応させる工程と、
前記ジクロロメタン溶液を２００℃以上に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を熱化学的に反応させてCo-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気クラスターの製造方法。
【請求項２１】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項２２】
前記磁気クラスターは、複数が結合して集合組織体を構成することを特徴とする、請求項１９〜２１のいずれか一に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項２３】
前記集合組織体の平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項２２に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項２４】
前記コバルトカルボニル化合物は、Co4(CO)12又はCo2(CO)8であることを特徴とする、請求項１９〜２３のいずれか一に記載の磁気クラスターの製造方法。
【請求項２５】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液に対して紫外線を照射し、前記ジクロロメタン溶液を光化学的に反応させて、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
前記磁気クラスターを含む溶液中に所定のマトリックス物質を添加し、前記磁気クラスターと前記マトリックス物質とを共沈させることによって、前記マトリックス中に前記磁気クラスターが分散してなる磁気記録媒体を得る工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項２５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
前記磁気クラスターは、複数が結合して集合組織体を構成することを特徴とする、請求項２５又は２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
前記集合組織体の平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項２７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記コバルトカルボニル化合物は、Co4(CO)12又はCo2(CO)8であることを特徴とする、請求項２５〜２８のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３０】
前記マトリックス物質は、常磁性を呈することを特徴とする、請求項２５〜２９のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３１】
前記マトリックス物質は、反磁性を呈することを特徴とする、請求項２５〜２９のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３２】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液を２００℃以上に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を熱化学的に反応させて、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
前記磁気クラスターを含む溶液中に所定のマトリックス物質を添加し、前記磁気クラスターと前記マトリックスとを共沈させることによって、前記マトリックス中に前記磁気クラスターが分散してなる磁気記録媒体を得る工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３３】
コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して、前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を形成する工程と、
前記ジクロロメタン溶液を約１００℃に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を所定時間熱化学的に反応させる工程と、
前記ジクロロメタン溶液を約２００℃以上に加熱し、前記ジクロロメタン溶液を熱化学的に反応させて、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有し、ｎｍオーダーの大きさを有する磁気クラスターを生成する工程と、
前記磁気クラスターを含む溶液中に所定のマトリックス物質を添加し、前記磁気クラスターと前記マトリックスとを共沈させることによって、前記マトリックス中に前記磁気クラスターが分散してなる磁気記録媒体を得る工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３４】
前記磁気クラスターの長さが３ｎｍ以上であり、直径が０.６ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項３２又は３３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３５】
前記磁気クラスターは、複数が結合して集合組織体を構成することを特徴とする、請求項３２〜３４のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３６】
前記集合組織体の平均粒径が１２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項３５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３７】
前記コバルトカルボニル化合物は、Co4(CO)12又はCo2(CO)8であることを特徴とする、請求項３２〜３６のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３８】
前記マトリックス物質は、常磁性を呈することを特徴とする、請求項３２〜３７のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３９】
前記マトリックス物質は、反磁性を呈することを特徴とする、請求項３２〜３７のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナノ技術による超微細電子デバイスにおける最小の磁気メモリ及び電子伝達ワイヤなどとして好適に用いることのできる、磁気クラスター、磁気記録媒体、磁気クラスターの製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ナノ技術による超微細電子デバイスの分野において、伝導性のナノデバイスとしては、放電などによって作製されるカーボンナノチューブやポルフィリン化合物を積層させた集積棒状化合物などが開発されている。しかしながら、このようなデバイスを他の素子に対してどのようにして結合させるかという点については大きな問題がある。
【０００３】
一方、磁気メモリとしては、還移金属原子を含む様々な無機化合物からなる微粒子を所定のマトリックス中に分散させたものが用いられており、前記微粒子の大きさを微細化することによって、前記磁気メモリの容量を増大させることが試みられている。実際には、マンガンや鉄の酸素化合物クラスターが分散した磁気メモリなどが開発されているが、これらの磁気メモリではスピン反転のブロック温度が十分でなく、実用に足るものではない。
【０００４】
本発明は、ナノ技術による超微細電子デバイス分野において、伝導性のナノデバイス及び磁気メモリなどとして好適に用いることのできる、新規な磁気クラスター、及びこれを用いた磁気記録媒体、並びに前記磁気クラスターの製造方法、及び前記磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明は、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有する磁気クラスターに関する。なお、前記磁気クラスターは、単独で存在することもできるし、以下に示すような製造方法などに起因して、複数が結合してなる集合組織体として存在することもできる。
【０００６】
本発明は、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した結果、上述したような新規な磁気クラスターの作製に成功した。上述した磁気クラスターを構成する単位格子ユニット、すなわちCo-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有する磁気クラスターは、単位体積当たりにおいて大きなスピン量子数を有する。また、正方晶形骨格構造を呈することによって大きな異方性を有するようになる。
【０００７】
また、作製条件を適宜に調節することによって、前記磁気クラスターの大きさをｎｍオーダーに設定することができる。この結果、前記磁気クラスターは、十分に高いブロック温度を有するようになり、超微細電子デバイス分野において実用的な磁気メモリとして使用可能となる。なお、実際の磁気メモリとして用いる場合は、以下に示すように、上述したｎｍオーダーの磁気クラスターを所定のマトリックス中に分散させた、所定の磁気記録媒体を作製し、この磁気記録媒体を磁気メモリとして用いる。
【０００８】
さらに、上述したｎｍオーダーの磁気クラスターは他の素子との結合も容易に行うことができるため、超微細電子デバイス分野において磁性伝導体などとしても用いることができる。
【０００９】
上述した磁気クラスターは、塩化コバルトとの混合状態で、７Ｋ以下の温度においてフェリ磁性的な性質を有する。また、温室において強磁性及び超常磁性の少なくとも一方の性質を有する。また、上述のような低温度及び室温において、約２５０ガウス以上の保磁力を有する。
【００１０】
なお、本発明の磁気クラスターは、クラスター粒子界面に水素原子やフッ素及び塩素などのハロゲン原子、あるいは炭化水素基が骨格の外側に骨格原子を安定化させるために結合していても良い。
【００１１】
本発明の磁気クラスター及び磁気記録媒体のその他の特徴、並びに本発明の磁気クラスターの製造方法及び磁気記録媒体の製造方法については、以下の発明の実施の形態において詳細に説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気クラスターを超微細電子デバイス分野などの磁気メモリとして実用に供するためには、上述したように、前記磁気クラスターをｎｍオーダーの大きさまで成長させる必要がある。具体的には、前記磁気クラスターは、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有する磁気クラスターであり、その長さが３ｎｍ以上、直径が０.８ｎｍ以上となっていることが好ましい。
【００１３】
なお、前記磁気クラスターは単独で存在することもできるし、以下に示すような製造方法などの起因して、複数が結合してなる集合組織体として存在することもできる。前記集合組織体は、平均粒径が１２ｎｍ以下であることが好ましい。これより大きな磁気クラスターを作製しても、超微細電子デバイス分野などの磁気メモリとして要求される範囲を超えてしまい、好ましくない。
【００１４】
本発明の磁気クラスターを超微細電子デバイス分野などにおける磁気メモリとして使用する場合、前述したように、前記磁気クラスターを所定のマトリックス中に分散させる。このマトリックスには、例えば、コバルトセンあるいはビコバルトセンなどの常磁性を有するコバルトセン誘導体、叉はフェロセンあるいはビフェロセンなどのなどの反磁性を有するフェロセン誘導体などの物質を混合することが好ましい。これによって、前記磁気クラスターの残留磁化が増大し、磁気メモリとして良好な磁気特性を呈するようになる。
【００１５】
本発明の磁気クラスターは、例えば以下に示すような光照射を用いる方法（
第１の方法）及び加熱処理を用いる方法（第２の方法）を用いて作製することができる。いずれの場合においても、コバルトカルボニル化合物とジクロロメタンとを混合して前記コバルトカルボニル化合物が溶解してなるジクロロメタン溶液を準備し、このジクロロメタン溶液に紫外線又は適当な加熱処理を施すことにより、光化学反応叉は熱化学反応を通じて前記ジクロロメタン溶液から一酸化炭素（CO）を離脱させることにより、目的とする本発明の磁気クラスターを得るものである。
【００１６】
なお、前記コバルトカルボニル化合物は、Co4(CO)12又はCo2(CO)8を用いることができる。さらには、CO雰囲気下で所定の反応を行い、前記Co4(CO)12に対してコバルト原子数を大きくしたカルボニル化合物を用いることもできる。
【００１７】
図１は、第１の方法に用いる装置の構成を概略的に示す図である。図１に示す装置においては、滴下漏斗８内に前述したジクロロメタン溶液６が入れられており、真空用ガラスフランジ４で密閉された耐圧ガラス容器５内に随時滴下される。なお、滴下漏斗８を用いることなく、ガラス容器５内にジクロロメタン溶液６を予め容れておくこともできる。
【００１８】
ランプ光源１からは集光レンズ２及び光導入窓３を介してガラス容器５内に紫外線が導入され、ジクロロメタン溶液６に照射される。このとき、ガラス容器５の底部に設けられた、例えば回転マグネットをテフロン（登録商標）で覆った回転子７によってジクロロメタン溶液６を著しく攪拌する。なお、反応中に離脱したCOはコック９を介して外部に排出される。
【００１９】
所定の時間が経過した後、ガラス容器５内に残留した溶液を所定のフィルタで濾過し、十分に洗浄することによって、黒褐色を呈する本発明の磁気クラスターを得ることができる。
【００２０】
なお、磁気クラスターの大きさは、コバルトカルボニル化合物のジクロロメタン溶液中の濃度に依存し、１０-４〜１０−５Ｍの濃度では、ブロッキング温度が４Ｋ以下の磁気クラスターが生成されるのみである。しかしながら、濃度が高くなるにつれて磁気クラスターの大きさは増大し、ランプ光源１として５００Ｗ超高圧水銀灯を用いた場合においては、約６０分程度以上照射することによって、nmオーダーの大きさの超常磁性磁気クラスターを作製することができる。
【００２１】
図２は、第２の方法に用いる装置の構成を概略的に示す図である。図２に示す装置においては、フランジ１５によって上下方向から締結した密閉性の耐圧ステンレス容器１４内において、テフロン（登録商標）製容器１３が備えられているとともに、この容器１３内においてガラス管１２が備えられている、ガラス管１２内には、前述したジクロロメタン溶液６が入れられている。ガラス管１２の底部にはガラス板吊し１９が設けられ、複数のガラス板２０がガラス板つるし１９で支持されてジクロロメタン溶液６内に浸積されている。
【００２２】
アルゴン導入管１１よりステンレス容器１４内にアルゴンガスが導入され、容器１４内をアルゴンガスで置換する。このとき、容器１４内に出来るだけ水が残留しないようにする。その後、ステンレス容器１４の外側を覆うようにして設けられたヒータ１６によってジクロロメタン溶液６を２００℃以上、例えば約２１０℃まで加熱し、所定の時間、例えば、１０分から４時間程度保持する。この保持時間によって粒子のサイズが決定される。この時、熱化学反応によって離脱したCOは、排気管１７より外部へ排出される。一連の反応における圧力はステンレス容器１４の上部に設けられた圧力計１８によってモニタリングされる。
【００２３】
所定時間経過した後ヒータ１６を取り外し、ファンでステンレス容器１４内の残留溶液を冷却する。すると、ガラス板２０の表面においてアモルファス炭素マトリックス中に析出した本発明の磁気クラスターを得ることができる。この中の塩化コバルトは、精製水で洗浄し取り去る。なお、好ましくは、前記洗浄物を乾燥条件下で粉砕し、脱気した後において、さらに精製メタノールを用いて脱水し、粉末状にすることにより、本発明の磁気クラスターとして供することもできる。
【００２４】
なお、磁気クラスターの大きさは２１０℃における加熱時間を調節することによって制御することができ、加熱時間が長時間化するほど小さくなる。また、ジクロロメタン中のコバルトカルボニル化合物の濃度にも依存する。
【００２５】
ジクロロメタン溶液６を２００℃以上に加熱する以前に、約１００℃まで加熱して例えば１時間程度保持し、その後に例えば２１０℃まで加熱して上述したような熱化学反応を生ぜしめることが好ましい。この場合においては、本発明の磁気クラスターのジクロロメタン溶液６からの収量が増大する。
【００２６】
さらに、本発明の磁気クラスターを含む磁気記録媒体は、上述のようにして磁気クラスターを作製した後、この磁気クラスターを含む溶液中に所定のマトリックス物質を添加し、前記磁気クラスターと前記マトリックス物質とを共沈させて作製する。このような方法によれば、前記マトリックス中に前記磁気クラスターが分散し、目的とする本発明の磁気記録媒体を作製することができる。
【００２７】
具体的には、図１に示すガラス反応容器５内、又はガラス管１２内に残留した溶液中に前記マトリックス物質を直接に添加して共沈させることもできる。また、作製した磁気クラスターを脱水メタノールに溶解し、さらに濾過および乾燥させる。その後、アルゴン気流中において前記マトリックス物質とともに乳鉢にて均一に混合し、再度ジクロロメタン溶液中に超音波によって分散溶解させ、濾過液から共沈させることによって、目的とする磁気記録媒体を得ることもできる。なお、前記磁気クラスターは、前記マトリックス中に単独で分散することもできるし、複数が結合し集合組織体として存在することもできる。
【００２８】
なお、前述したように、前記マトリックス物質には、コバルトセンあるいはビコバルトセンなどの常磁性を有するコバルトセン誘導体、又はフェロセンあるいはビフェロセンなどの反磁性を有するフェロセン誘導体などの物質を混合することが好ましい。
【００２９】
図３は、上記第２の方法を用いて作製し、水洗によって精製したアモルファス炭素マトリックス中の、Co-C2-Co結合を有する(CoC2)４正方晶形骨格構造を呈する(CoC2)x（Xは自然数）なる分子式を有する平均粒径１２ｎｍの磁気クラスター集合組織体の温度−磁化曲線を示すグラフである。図３から明らかなように１０Ｏｅeの磁場を印加して冷却した場合とゼロ磁場で冷却した場合とで、対称的な振る舞いを示し、常温においてもナノ粒子１個１個が磁気双極子として相互作用する磁石を構成していることが分かる。
【００３０】
図４は、上記第１の方法を用いて得られた磁気クラスターの１．８Ｋにおけるヒステリシス曲線であり、図５は、上記第２の方法を用いて得られたアモルファス炭素中の磁気クラスターの２０Ｋ及び３００Ｋにおけるヒステリシス曲線である。後者の試料中の磁気クラスターの濃度はほぼ１０％に調整されている。図４および図５から明らかなように、本発明の磁気クラスターは高温になるほど僅かながら保持力が増大するという、特異な特徴を呈する。
【００３１】
図６は、上述した第２の方法を用いて作製した、水による精製無しの磁気クラスターのヒステリシス曲線を示すグラフである。なお、測定に供した前記磁気クラスターは平均粒径１２ｎｍの集合組織体である。図６から明らかなように、塩化コバルトを含んでいる場合、１．８Ｋにおいて測定した場合においては、印加磁場の大きさを増大させても磁化は飽和する傾向を示さず、フェリ磁性的な性質を呈することが分かる。なお、測定温度を７Ｋまで上昇させても同様の傾向が得られた。
【００３２】
一方、室温付近の３００Ｋで測定した場合においては、飽和磁化の大きさは小さいものの、強磁性クラスターと超常磁性クラスターとの混合物的な性質を示すことが分かる。
【００３３】
また、１．８Ｋ及び３００Ｋのいずれの場合においても、保持力は２５０ガウス程度であったが、粒子の回転を抑えることによって、５００ガウス以上の保持力が観測された。
【００３４】
図７は、上記第２の方法において、加熱温度の上限を１５０℃及び２１０℃と変化させ、６時間反応させた場合の、磁化−温度曲線を示すグラフである。図５に示した試料より一桁以上粒子の濃度は低くなっている。図７から明らかなように加熱温度を２１０℃とした場合においては、加熱温度が１５０℃の場合に比較して高温側の磁化の大きさが全体として高くなっており、磁化率の高い強磁性成分がより多く生じていることが分かる。
【００３５】
以上、具体例を示しながら発明の実施の形態に則して本発明を説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲において、あらゆる変形や変更が可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ナノ技術による超微細電子デバイス分野において、伝導性のナノ磁性デバイスおよび磁気メモリなどとして好適に用いることのできる、新規な磁気クラスター、及びこれに用いた磁気記録媒体、並びに前記磁気クラスターの製造方法、及び前記磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の方法（光照射利用）に用いる装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】  第２の方法（加熱処理利用）に用いる装置の構成を概略的に示す図である。
【図３】  第２の方法で作製した試料（粒子濃度約１０％）の温度−磁化曲線を示すグラフである。
【図４】  第１の方法で作製した試料の１．８Ｋにおけるヒステリシス曲線である。
【図５】  第２の方法で作製した試料の２０Ｋおよび３００Ｋにおけるヒステリシス曲線である。
【図６】  第２の方法を用いて作製した、塩化コバルトを含む未洗浄試料のヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図７】  第２の方法において加熱温度を１５０℃および２１０℃と変化させて得た磁気クラスターの、磁化−温度曲線を示すグラフである。
【符号の説明】
１  ランプ光源
２  集光レンズ
３  光導入窓
４  真空用ガラスフランジ
５  耐圧ガラス反応容器
６  ジクロロメタン溶液
７  回転子
８  滴下漏斗
９  コック
１１  アルゴンガス導入管
１２  ガラス管
１３  テフロン（登録商標）製容器
１４  耐圧ステンレス容器
１５  フランジ
１６  ヒータ
１７  排気管
１８  圧力計
１９  ガラス板吊し
２０  ガラス板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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