(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して薬液処理及びリンス処理を行う基板処理装置において、
基板に対して薬液により薬液処理を行った後、薬液から置換された純水によりリンス処理を行うための処理手段と、
前記処理手段に薬液を供給する薬液供給部と、
前記処理手段に純水を供給する純水供給部と、
前記処理手段から排出された純水を収容する内部空間を有するセル及び前記セル内に導かれた純水の比抵抗値または濃度値を測定するセンサを備える測定手段と、
予め前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの急峻さと、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの急峻さとを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたと判定した場合、前記リンス処理を終了させる判定手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記判定手段は、前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの傾きと、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの傾きとを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記判定手段は、前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がり途中であって、立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信号の値と、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がり途中であって、立ち上がり開始から前記所定時間経過時における検出信号の値とを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理手段は、基板を収容するとともに、薬液及び純水を貯留する基板処理槽を備え、
前記純水供給部は、前記基板処理槽に純水を供給することにより、前記基板処理槽に貯留されていた薬液を排出して薬液から純水へ置換させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に対して、純水と薬液とが混合された溶液や、純水のみで構成されるリンス液で表面処理を施す基板処理装置に係り、特に、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種基板の製造プロセスにおいて、目標とする濃度になるように純水と薬液とが混合された溶液、純水のみで構成されるリンス液などの各種の液に、基板を浸漬して基板表面に種々の処理を施す基板処理装置が汎用されている。
このような基板処理装置は、例えば、目標とする濃度になるように純水と薬液とが混合された溶液が供給された処理槽に基板を浸漬してその基板表面に薬液処理を施している。そして、薬液処理が終了すると、処理槽から薬液が排出されるように処理槽にリンス液である純水のみを供給していき、処理槽内を薬液から純水に置換していき、基板表面に付着している薬液を洗い流すリンス処理を施すようになっている。
【０００３】
薬液が基板の表面に残留していると、必要以上に薬液処理が進行したり、パーティクルの発生原因となったりするため、リンス処理が十分に行われたかどうかを確認してからリンス処理を終了させる必要がある。このため、処理槽から排出されるリンス液の排出経路に、リンス液中の薬液の混入度合を検出する検出手段としての比抵抗測定器の計測部を配設しておき、リンス処理後のリンス液の比抵抗が所定値以上になったときにリンス処理が終了したと判断するようになっている。すなわち、リンス処理が十分に行われていないときにはリンス液中に混入している薬液によりその比抵抗が低くなるが、リンス処理が十分に行われてリンス液中に薬液がほとんど混入されなくなるとその比抵抗が高くなるので、比抵抗が所定値に達した段階でリンス処理が終了したと判断する。
【０００４】
比抵抗測定器は、内部空間を有するセルと、セル内にリンス液の比抵抗値を測定する計測部とを備え、処理槽に使われるリンス液をそのセル内に導いて元々セル内にあった溶液と置換させてこの送られてきたリンス液の比抵抗値を測定するよう構成されている。なお、薬液による計測部の腐食を軽減するために、リンス処理を所定時間施して処理槽からの溶液の薬液濃度が非常に低くなってから、すなわち、ほとんどリンス液になってから、このリンス液をセル内に導いて計測部で比抵抗値を測定するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、目標濃度になるように純水と薬液とが混合された溶液の供給される処理槽に基板を浸漬して基板表面に薬液処理を施した後に、処理槽内を薬液から純水に置換して基板表面の薬液を洗い流すリンス処理を、図６に示すように、所定時間Ｔ（例えば、１０分程度）施してから、このリンス処理を継続しながら処理槽内の溶液の比抵抗値を比抵抗測定器で測定している。処理槽内の溶液の比抵抗値が上がって所定値Ｂ（例えば、１６〔ＭΩｃｍ〕など）に達した時点（時間ｔ３）でリンス処理が完了したと判断するようになっている。
【０００６】
しかしながら、比抵抗測定器のセル内に純水が貯留されているという構成上、空気中に含まれている炭酸ガスなどがその中に溶け込んでしまい、セル内の純水の比抵抗を下げることになる。したがって、図６に示すように、処理槽からセル内へのリンス液の導入が開始され計測部で比抵抗値の計測を開始した時点（時間ｔ１）は前述の理由から比抵抗が低い所からスタートすることになり、セル内が処理槽からのリンス液（比抵抗の高い純水）に置換されるまでに数分かかり、この数分間は比抵抗としては所定値Ｂに到達せず低いままであるので、比抵抗回復に相当の時間がかかるという問題点がある。そして、実際には処理槽が純水で完全に置換されているにも係わらず、計測部での計測開始当初の数分間は比抵抗が所定値Ｂに到達していないことからリンス処理が不完全であると判断されリンス処理が継続されることになり、計測部で比抵抗が所定値Ｂに達したことを検出するまでリンス処理が終了できず、処理時間が長くなることによるスループットの悪化、リンス液が無駄に消費されるという問題があり、装置ランニングコスト、いわゆる、ＣＯＯ（cost of ownership ）低下の大きな要因となっている。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、薬液から置換された純水の比抵抗値や濃度値を計測する時間を短縮でき純水の消費量を削減できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板処理装置は、基板に対して薬液処理及びリンス処理を行う基板処理装置において、基板に対して薬液により薬液処理を行った後、薬液から置換された純水によりリンス処理を行うための処理手段と、前記処理手段に薬液を供給する薬液供給部と、前記処理手段に純水を供給する純水供給部と、前記処理手段から排出された純水を収容する内部空間を有するセル及び前記セル内に導かれた純水の比抵抗値または濃度値を測定するセンサを備える測定手段と、予め前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの急峻さと、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの急峻さとを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたと判定した場合、前記リンス処理を終了させる判定手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記判定手段は、前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの傾きと、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がりの傾きとを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定することを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記判定手段は、前記センサにより測定された基準となる純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がり途中であって、立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信号の値と、前記リンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の立ち上がり途中であって、立ち上がり開始から前記所定時間経過時における検出信号の値とを比較することによって、純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定することを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理手段は、基板を収容するとともに、薬液及び純水を貯留する基板処理槽を備え、前記純水供給部は、前記基板処理槽に純水を供給することにより、前記基板処理槽に貯留されていた薬液を排出して薬液から純水へ置換させることを特徴とするものである。
【００１２】
（削除）
【００１３】
（削除）
【００１４】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
測定しようとする、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値の大小に応じて、その比抵抗値または濃度値を測定するセンサからの検出信号の立ち上がりの急峻さは変化することになる。そこで、判定手段は、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準となる純水のそれと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する。したがって、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さのみを検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間が短縮され、純水の消費量が削減される。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明によれば、判定手段は、センサの検出信号の立ち上がりの傾きを基準となる純水のそれと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する。したがって、センサの検出信号の立ち上がりの傾きのみを検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間が短縮され、純水の消費量が削減される。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明によれば、判定手段は、センサにより測定されたリンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の信号の立ち上がり途中であってその立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信号の値を、センサにより測定された基準となる純水のそれと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する。したがって、センサの検出信号の立ち上がり途中の検出信号の値を検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間が短縮され、純水の消費量が削減される。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明によれば、基板処理槽は、純水が供給されることで元々あった溶液が徐々に排出されて槽内が純水に置換されていき、この純水中に基板を浸漬してリンス処理を施している。このような基板処理槽の場合でも、基板処理槽から導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間が短縮され、純水の消費量が削減される。
【００１８】
（削除）
【００１９】
（削除）
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
本実施例に係る基板処理装置の概略構成を図１を参照して説明する。
この基板処理装置は、目標とする濃度になるように純水と薬液とが混合された溶液、純水のみで構成されるリンス液などの各種の液を貯留し、貯留する溶液やリンス液中に半導体ウエハ等の基板Ｂを浸漬し、基板Ｂに対して薬液処理又はリンス処理などの表面処理を施す基板処理槽１０と、この基板処理槽１０内に薬液を供給する薬液供給部１２と、基板処理槽１０内にリンス液である純水を供給する純水供給部１４と、薬液供給部１２からの薬液又は純水供給部１４からの純水の供給によって基板処理槽１０の上部開口からオーバーフローした薬液又は純水を排出する液排出部１６と、装置全体の動作を制御する制御部１８とを備えている。
【００２１】
基板処理槽１０は、石英ガラス等により側面視略Ｖ字状で平面視略矩形状に構成される一方、その内部に基板Ｂを収容したキャリア（図面省略）が搬送用ロボットにより挟持されて搬入されるようになっており、その底部には薬液と純水の供給路を兼ねた液供給管２０が連結されている。この液供給管２０には、導入弁連結管２２、スタティックミキサ２４及び給排液切替弁２６が上流側から下流側に向けて順に配設されている。また、導入弁連結管２２には、薬液供給部１２からの薬液を導入する薬液導入弁２８，３０が連結されている。
なお、上述した基板処理槽１０が本発明における処理手段に相当する。
【００２２】
なお、導入弁連結管２２は、薬液導入弁２８，３０を介して薬液供給部１２からの各薬液を個別に導入するものである。また、スタティックミキサ２４は、薬液供給部１２からの薬液と純水供給部１４からの純水とを混合して所定の濃度の薬液を生成するものである。また、給排液切替弁２６は、薬液又は純水を基板処理槽１０内に供給するか又は、基板処理槽１０内の薬液又は純水を後述する排液管７４及び排液ドレン７６を介して装置外部に排出するものである。
【００２３】
薬液供給部１２は、複数種類の薬液ＱA ，ＱB を貯留する薬液容器３８，４０と、各薬液導入弁２８，３０及び各薬液容器３８，４０の間をそれぞれ連通する薬液供給管４８，５０と、各薬液供給管４８，５０をそれぞれ開閉する薬液切替弁４８１，５０１と、薬液ＱA ，ＱB をそれぞれ液供給管２０側にそれぞれ圧送する圧送ポンプ４８２，５０２と、各圧送ポンプ４８２，５０２の上流側にそれぞれ配設された薬液供給量測定器４８３，５０３と、各圧送ポンプ４８２，５０２の下流側にそれぞれ配設された薬液フィルタ４８４，５０４とを備えている。
【００２４】
純水供給部１４は、純水供給源５２から液供給管２０側に純水Ｗを圧送する純水供給管５８と、この純水供給管５８に上流側から下流側にかけて順に配設された純水加熱部６０、純水開閉弁６２、圧力調整レギュレータ６４、純水圧力測定器６６及び純水フィルタ６８とを備えている。なお、圧力調整レギュレータ６４は、空気圧制御によって純水供給管５８内を圧送される純水流量を制御するものである。
【００２５】
液排出部１６は、基板処理槽１０の上部外周に配設され、基板処理槽１０の上部開口からオーバーフローする薬液又は純水を受け入れる排液槽７０と、この排液槽７０の底部に形成された排出口７２に一端が連結された排液管７４と、この排液管７４の他端に連結された排液ドレン７６とを備えている。これらの排液槽７０、排液管７４及び排液ドレン７６により排液経路が構成される。
【００２６】
また、排液槽７０内における基板処理槽１０の上部外周には、その基板処理槽１０の上端に形成された排出孔１１に対応する位置に、その排出孔１１から排出されたリンス処理後の純水が流れ込む通路部材７８がゴムパッキング８０を介して取り付けられている。この通路部材７８は、耐薬品性に優れた樹脂等で形成され、基板処理槽１０内のリンス処理後の純水が内部を流れる直方体形状の通路形成部材７８１と、この通路形成部材７８１内の純水の流れを制御するアクチュエータ部７８２とから構成されており、通路形成部材７８１には純水中の比抵抗を測定する比抵抗測定器８２が取り付けられ、アクチュエータ部７８２にはソレノイド等からなる後述する駆動手段７８２ａが配設されている。
【００２７】
図２は通路部材７８の外観斜視図であり、図３は図２に示した通路部材７８の一部を切り欠いて示す要部斜視図であり、図４は図２に示した通路部材７８のＡ−Ａ線断面図であり、図５は図２に示した通路部材７８のＢ−Ｂ線断面図である。なお、これらの図には、方向を明確にするためのＸＹＺ直角座標系を併せて図示している。
【００２８】
すなわち、通路形成部材７８１には、その内部に、前後方向（Ｘ方向）に形成された第１の通路７８３ａと、左右方向（Ｙ方向）に形成された第２の通路７８３ｂと、上下方向（Ｚ方向）に形成された第３の通路７８３ｃとからなる導入通路７８３が形成されている。
【００２９】
第１の通路７８３ａは、一端が通路形成部材７８１の前面（＋Ｘ方向）に開口しており、この開口部分が基板処理槽１０の排出孔１１と対向する純水の流入口７８３ｄを構成する。なお、通路部材７８は、この流入口７８３ｄが基板処理槽１０の排出孔１１に対向するようにこの基板処理槽１０に取り付けられる。また、第１の通路７８３ａには、この第１の通路７８３ａよりの小径のドレン孔７８３ｅが通路形成部材７８１の上面（＋Ｚ方向）に通じるように形成されている。
【００３０】
また、第２の通路７８３ｂは、一端が第１の通路７８３ａの他端に連通される一方、他端が通路形成部材７８１の左側面（＋Ｙ方向）に開口しており、この開口部分が比抵抗測定器８２の挿入口７８３ｆを構成する。なお、比抵抗測定器８２は、この挿入口７８３ｆに挿入されて通路部材７８に取り付けられ、その先端の計測部８２１が第２の通路７８３ｂ内に露出するようになっている。
【００３１】
また、第３の通路７８３ｃは、一端が第２の通路７８３ｂに連通され、他端が通路形成部材７８１の上面（＋Ｚ方向）に開口しており、この開口部分が純水の流出口７８３ｇを構成する。従って、通路部材７８の前面の流入口７８３ｄから流入されたリンス処理後の純水は第１，第２及び第３の通路７８３ａ，７８３ｂ及び７８３ｃからなる導入通路７８３を通過して上面の流出口７８３ｇから流出されることになり、比抵抗測定器８２の計測部８２１はこの導入通路７８３内を流れる純水の比抵抗を測定する。
【００３２】
なお、上述した比抵抗測定器８２と通路形成部材７８１が本発明における測定手段に相当し、通路形成部材７８１が本発明におけるセルに相当し、上述した計測部８２１が本発明におけるセンサに相当する。
【００３３】
また、第１の通路７８３ａと第２の通路７８３ｂとの接合部分には、アクチュエータ部７８２内に配設されている駆動手段７８２ａにより通路部材７８の軸挿入孔７８３ｉに挿入された軸体７８２ｂを介して前後方向（Ｘ方向）に進退する弁体等からなる開閉部材７８２ｃが配設されている。そして、この開閉部材７８２ｃが前側（＋Ｘ方向）に移動したときに第１の通路７８３ａと第２の通路７８３ｂとの間が遮断され、流入口７８３ｄから流入したリンス処理後の純水が流出口７８３ｇ側に流れるのが阻止される一方、後側（−Ｘ方向）に移動したときに第１の通路７８３ａと第２の通路７８３ｂとの間が開放され、流入口７８３ｄから流入したリンス処理後の純水が流出口７８３ｇ側に流れるようになっている。
【００３４】
このように開閉部材７８２ｃを設けているのは、通常、比抵抗測定器８２の計測部８２１には耐薬品性がないため、それが損傷しないように薬液濃度が十分に低下して、薬液が十分に純水で置換されてから取り込むようにするためである。比抵抗測定器８２によって測定された比抵抗値は、制御部１８に出力され、純水による置換度合いの判断に利用される。
【００３５】
また、通路形成部材７８１の上面（＋Ｚ方向）には、ドレン孔７８３ｅ及び流出口７８３ｇよりも前側（＋Ｘ方向）の位置に左右方向（Ｙ方向）の両端に亘る衝立板７８４が上方に突設されており、ドレン孔７８３ｅ及び流出口７８３ｇから外部に流出した純水が衝立板７８４に遮られることによって基板処理槽１０内に流れ込まないようになっている。
【００３６】
図１に戻って、制御部１８は、図示を省略するが、所定の演算処理を行なうＣＰＵ（中央処理装置）と、所定の処理プログラムが記憶されているＲＯＭ（読出し専用メモリ）と、処理データを記憶するＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）とを備えており、上記所定の処理プログラムに従って基板処理装置の動作を制御する。さらに、制御部１８は、比抵抗測定器８２の計測部８２１からの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準となる純水のそれと比較することによって、導入されてきたリンス液が薬液から十分に置換されたか否かを判定する判定部１９を備えている。判定部１９は、上記ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭを用いて上記所定の処理プログラムに上記の判定機能を含めることによって実現できる。
【００３７】
すなわち、制御部１８には、薬液供給量測定器４８３，５０３、純水圧力測定器６６、及び比抵抗測定器８２が接続され、それらから所定の出力信号が入力されるようになっている。また、制御部１８には、給排液切替弁２６、薬液導入弁２８，３０、薬液切替弁４８１，５０１、圧送ポンプ４８２，５０２、純水加熱部６０、純水開閉弁６２、圧力調整レギュレータ６４、及びアクチュエータ部７８２の駆動手段７８２ａが接続され、上記出力信号に基づきそれぞれの動作が制御されるようになっている。
【００３８】
次に上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。
（１）基準となる純水のみの比抵抗回復曲線を予め取得しておく事前準備を行なう。
まず、スタートスイッチ（図面省略）がＯＮされると、純水開閉弁６２が開かれる一方、純水供給源５２から供給された純水Ｗが純水加熱部６０で所定温度に加熱され、液供給管２０を介して基板処理槽１０内に供給される。このとき、薬液導入弁２８，３０は閉じられており、純水だけが基板処理槽１０内に継続して供給される。そして、基板処理槽１０の上部開口からオーバーフローした純水は排液槽７０内に排出され、その排出口７２から排液管７４、排液ドレン７６を介して装置外部に排出される。
【００３９】
制御部１８は、図３に示す開閉部材７８２ｃを後側（−Ｘ方向）に移動させるよう駆動手段７８２ａを駆動させ、第１の通路７８３ａと第２の通路７８３ｂとの間を開放し、流入口７８３ｄから流入した純水が流出口７８３ｇ側に流れるようにするとともに、比抵抗測定器８２に比抵抗の測定開始を指示する。比抵抗測定器８２の計測部８２１は、図６に示すように、第２の通路７８３ｂに流入される純水の比抵抗値を微小単位時間（例えば、０．１秒）毎に測定していき、計測部８２１からの検出信号が制御部１８に送られ、この測定結果から得られる純水のみの比抵抗回復曲線（二点鎖線で示す）が制御部１８のＲＡＭに記憶され取得される。なお、前述したように比抵抗測定器８２の通路形成部材７８１内に純水が貯留されているという構成上、空気中に含まれている炭酸ガスなどがその中に溶け込んでしまい、通路形成部材７８１内の純水の比抵抗を下げることになるという理由から、この純水のみの比抵抗回復曲線は、図６に二点鎖線で示すような立ち上がりを有する特性となっている。制御部１８の判定部１９は、取得した基準となる純水のみの比抵抗回復曲線の立ち上がりの急峻さとして、例えばこの立ち上がりの傾きを算出して記憶している。このようにして、事前準備が完了する。
【００４０】
（２）上記事前準備が完了すると通常の使用状態になり、基板Ｂに所望の薬液処理を施す。
具体的には、上記の事前準備が完了すると、純水が上部開口からオーバーフローしている基板処理槽１０内に基板Ｂが搬入される。その後、基板処理槽１０内に給送される１の薬液ＱA ，ＱB に対応した薬液導入弁２８，３０が開かれる一方、その１の薬液ＱA ，ＱB に対応する１の圧送ポンプ４８２，５０２が駆動されて所定の薬液（原液）が導入弁連結管２２を介してスタティックミキサ２４に給送される。このスタティックミキサ２４に給送されてきた薬液は、スタティックミキサ２４内で純水供給部１４から給送されてきた純水と混合され、所定濃度の薬液とした上で基板処理槽１０内に供給される。
【００４１】
そして、この動作が継続されることで基板処理槽１０内の純水が薬液に置換され、これにより基板Ｂの表面に対して薬液処理が施される。なお、このとき１の薬液導入弁２８，３０が開かれていることから薬液処理であると判断され、純水供給源５２から給送される純水Ｗは圧力調整レギュレータ６４によりリンス処理の場合よりも少ない流量となるように制御されてスタティックミキサ２４に給送される。また、薬液処理であると判断されたときには、通路部材７８の開閉部材７８２ｃは駆動手段７８２ａにより前側（＋Ｘ方向）に移動して第１の通路７８３ａを遮断するようになっており、基板処理槽１０内の薬液が導入通路７８３の開閉部材７８２ｃよりも下流側には流れ込まないようになっている。
【００４２】
この結果、比抵抗測定器８２の計測部８２１は薬液に浸漬されることがないので、計測部８２１の電極等の薬液による腐食が抑制される。なお、薬液は導入通路７８３の開閉部材７８２ｃの手前までは流入することになるが、ドレン孔７８３ｅを介して通路部材７８の外部に排出されることになる。
【００４３】
（３）基板Ｂに対する薬液処理を終了しリンス処理を施す。
具体的には、一定時間が経過して基板Ｂに対する薬液処理が終了すると、開いていた１の薬液導入弁２８，３０が閉じられ、対応する１の圧送ポンプ４８２，５０２の駆動が停止される。なお、このとき、薬液導入弁２８，３０がすべて閉じられていることからリンス処理であると判断され、純水供給源５２から給送される純水Ｗは圧力調整レギュレータ６４により薬液処理の場合よりも多い流量となるように制御されて基板処理槽１０内に給送される。
【００４４】
そして、純水のみが基板処理槽１０内に供給されると、基板処理槽１０内の薬液が上部開口からオーバーフローして排液槽７０内に排出されることにより基板処理槽１０内の薬液が純水と置換される。排液槽７０内に排出された薬液は、排出口７２から排液管７４及び排液ドレン７６を介して装置外部に排出される。このように、基板処理槽１０内が純水で置換されることにより、基板Ｂの表面に対して薬液を洗い流すリンス処理が施されることになる。
【００４５】
（４）基板処理槽１０からのリンス処理後の純水の比抵抗を測定し、その検出信号の立ち上がりの急峻さから、基板Ｂに対するリンス処理の良否を判断する。
具体的には、リンス処理を所定時間施した後に、通路部材７８の開閉部材７８２ｃが駆動手段７８２ａにより後側（−Ｘ方向）に移動して導入通路７８３が開放されるようになっており、基板処理槽１０内のリンス処理後の純水が排出口１１を介して通路部材７８の流入口７８３ｄから導入通路７８３内に流れ込んで流出口７８３ｇから通路部材７８の外部に流出される一方、導入通路７８３内を流れる純水の比抵抗が比抵抗測定器８２の計測部８２１により測定される。
【００４６】
制御部１８の判定部１９は、計測部８２１からの検出信号の立ち上がり（図６に実線で示す）の急峻さを、前述の事前準備で取得しておいた基準となる純水での立ち上がり（図６に二点鎖線で示す）の急峻さと比較し、基板処理槽１０から導入通路７８３に導入されてきたリンス処理後の純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定して、基板Ｂに対するリンス処理の良否を判断する。なお、計測部８２１による比抵抗測定は、測定開始からほんの短時間（例えば、１５秒〜３０秒）となっている。
【００４７】
具体的には、基板処理槽１０から導入通路７８３に導入されてきたリンス処理後の純水を計測部８２１で測定したときのその検出信号の立ち上がり（図６に実線で示す）の傾きが、前述の事前準備で取得しておいた基準となる純水での立ち上がり（図６に二点鎖線で示す）の傾きと同等あるいはそれより上回っている場合には、判定部１９は、リンス処理後の純水が薬液から十分に置換されている、すなわち、基板処理槽１０内は十分に純水に置換されたと判定し、基板Ｂに対するリンス処理が良好に施されたとしてリンス処理を終了する。本実施例では時間ｔ２でリンス処理を終了している。
【００４８】
なお、周囲環境などの影響により、基板処理槽１０からのリンス処理後の純水の比抵抗値が変化する場合があり、基板処理槽１０からのリンス処理後の純水を測定したその検出信号の立ち上がり（図６に実線で示す）の傾きが、前述の事前準備で取得しておいた基準となる純水のみの検出信号の立ち上がり（図６に二点鎖線で示す）の傾きを、僅かながら上回ることもある。
【００４９】
これに対して仮に、図６に破線で示すようにリンス処理後の純水を測定したときのその検出信号の立ち上がりの傾きが、前述の事前準備で取得しておいた基準となる純水での立ち上がりの傾きより下回っている場合には、判定部１９は、リンス処理後の純水が薬液から十分に置換されていないと判定し、基板Ｂに対するリンス処理が不十分で未完了であり不良であると判断する。このような場合は、リンス処理をさらに継続してもリンス処理が良好に完了しない場合であり、何らかの異常があったとして警報等を発し、リンス処理を異常終了させるようにしている。
【００５０】
このようにリンス処理の良否が判定されると、基板Ｂに対して次の薬液処理を施したり、基板Ｂを次工程に払い出したりするなど上記所定の処理プログラムに従った動作を行なう。
【００５１】
したがって、計測部８２１による比抵抗測定は、測定開始からほんの短時間（例えば、１５秒〜３０秒）で十分であり、計測部８２１からの検出信号の立ち上がりの急峻さのみを検出するだけで、基板処理槽１０から導入通路７８３に導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、前述の従来例と比べて、純水の比抵抗値を計測する時間を短縮でき純水の消費量を削減できる。
【００５２】
具体的には、前述の従来例では、導入通路７８３に貯留されている純水に空気中の炭酸ガスなどが溶け込むことでその比抵抗が低下するという理由から、図６に示すように、計測開始当初の数分間は比抵抗が所定値Ｂ（例えば、１６〔ＭΩｃｍ〕など）に到達しないので、実際に基板処理槽１０が純水で完全に置換されているとしても、計測部８２１に比抵抗が所定値Ｂに達するまで（時間ｔ３〔分〕）リンス処理が継続され、リンス液が無駄に消費されるという問題があったが、本実施例装置では、これらの問題が以下のように改善されている。
【００５３】
図６に示すように、計測部８２１による比抵抗測定は、測定開始からほんの短時間（例えば、１５秒〜３０秒）で十分であり（この時間をｔ２〔分〕と表記する。）、計測部８２１からの検出信号の立ち上がりの急峻さのみを検出するだけで、基板処理槽１０から導入通路７８３に導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かが即座に判定されるので、前述の従来例と比べて、純水の比抵抗値を計測する時間を数秒程度（時間ｔ２〔分〕）に短縮でき、単位時間当たりのオーバーフローリンス流量（以下、ＯＲ流量と略す。）がＸ〔リットル／分〕であったとすると、純水の消費量を（ｔ３−ｔ２）×Ｘ〔リットル〕に削減できる。リンス処理する処理時間をｔ２〔分〕まで削減でき、スループットを改善でき、装置ランニングコスト、いわゆる、ＣＯＯを向上させることができる。
【００５４】
具体的には、図７（ａ）に二点鎖線で示すように、リンス処理が所定時間（一律１０分間）施された時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測している。前述の従来例では、比抵抗が所定値に達することでリンス処理終了を判定しているのでリンス処理に１４分かかっていたが、本実施例では、比抵抗の傾きを計測するだけで良いのでリンス処理を１０．５分程度に短縮できる。
【００５５】
なお、上記の一律１０分間としている計測前リンス時間は、水洗完了の確実性を確保するために経験則により決定されたものであるので、かなりのマージンが含まれており、過剰に純水が消費される場合がある。
【００５６】
そこで、本実施例装置では、リンス処理の上記所定時間を短くしていきそのときのリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測することで、図７（ａ）に実線で示すように、最適な計測前リンス時間（７分間）を求めることができる。よって、リンス処理が７分間施された時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測（０．５分）することで、リンス処理終了を判定でき、リンス処理を７．５分程度に短縮できる。図８に示すように、前述の従来例での純水消費量は、水洗時間１４〔分〕×ＯＲ流量２０〔リットル／分〕＝２８０〔リットル〕であったが、本実施例での純水消費量は、水洗時間７．５〔分〕×ＯＲ流量２０〔リットル／分〕＝１５０〔リットル〕であり、１３０〔リットル〕削減することができる。
【００５７】
なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。
（１）上述した実施例では、基板処理槽１０をオーバーフローリンス型としているが、基板Ｂに純水をシャワー状に供給しながら、基板処理槽１０に元々あった溶液を急速排出したり、急速排水を止めて純水を貯留することを１度ないし複数回行うことで基板処理槽１０内を純水に置換するクイックダンプリンス（以下、ＱＤＲと略す。）型とした場合であっても良い。以下にＱＤＲの場合について説明する。
【００５８】
具体的には、図７（ｂ）に二点鎖線で示すように、リンス処理が所定時間（一律１０分間）施された時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測している。前述の従来例では、比抵抗が所定値（例えば、１６〔ＭΩｃｍ〕など）に達することでリンス処理終了を判定しているのでリンス処理に１１分かかっていたが、本実施例のＱＤＲの場合でも、比抵抗の傾きを計測するだけで良いのでリンス処理を１０．５分程度に短縮できる。
【００５９】
なお、上記の一律１０分間としている計測前リンス時間は、水洗完了の絶対的な確実性を確保するために経験則により決定されたものであるので、かなりのマージンが含まれており、過剰に純水が消費される場合がある。
【００６０】
そこで、本実施例装置では、リンス処理の上記所定時間を短くしていきそのときのリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測することで、図７（ｂ）に実線で示すように、最適な計測前リンス時間（３．５分間）を求めることができる。よって、リンス処理が３．５分間施された時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測（０．５分）することで、リンス処理終了を判定でき、リンス処理を４分程度に短縮できる。図８に示すように、前述の従来例での純水消費量は、水洗時間１１〔分〕でシャワー流量１４〔リットル／分〕であることなどから２５４〔リットル〕であったが、本実施例での純水消費量は、水洗時間４〔分〕でシャワー流量１４〔リットル／分〕であることなどから８７〔リットル〕であり、１６７〔リットル〕削減することができる。
【００６１】
（２）上述した実施例では、判定部１９は、計測部８２１からの検出信号の立ち上がりの傾きを基準となる純水のそれと比較しているが、計測部８２１からの検出信号の立ち上がり途中であってその立ち上がり開始から所定時間経過時（例えば、１分程度まで）における検出信号の値を、基準となる純水のそれと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００６２】
（３）上述した実施例では、純水の比抵抗を測定する計測部８２１を例示しているが、純水の濃度を測定するものとした場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００６３】
（４）上述した実施例では、センサ検出信号の立ち上がりの急峻さからリンス処理の良否を即座に判断しているが、このセンサ検出信号の立ち上がりの急峻さから、所定時間経過時の純水の比抵抗値または濃度値を推測したり、純水の比抵抗値または濃度値が所定値に到達するまでの時間を推測したりすることもできる。
【００６４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準となる純水での急峻さと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する判定手段を備えているので、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さのみを検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを即座に判定することができ、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間を短縮でき、純水の消費量を削減できる。
【００６５】
また、請求項２に記載の発明によれば、センサの検出信号の立ち上がりの傾きを基準となる純水での傾きと比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する判定手段を備えているので、センサの検出信号の立ち上がりの傾きのみを検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを即座に判定することができ、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間を短縮でき、純水の消費量を削減できる。
【００６６】
また、請求項３に記載の発明によれば、センサにより測定されたリンス処理で使用された純水の比抵抗値または濃度値の信号の立ち上がり途中であってその立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信号の値を、基準となる純水での前記所定時間経過時における検出信号の値と比較することによって、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを判定する判定手段を備えているので、センサの検出信号の立ち上がり途中の検出信号の値を検出するだけで、導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを即座に判定することができ、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間を短縮でき、純水の消費量を削減できる。
【００６７】
また、請求項４に記載の発明によれば、処理手段は、基板を収容するとともに、薬液及び純水を貯留する基板処理槽を備え、前記基板処理槽が、純水が供給されることで元々あった薬液が徐々に排出されていき槽内が薬液から純水へ置換されていく処理槽の場合であっても、処理槽から導入されてきた純水が薬液から十分に置換されたか否かを即座に判定でき、薬液から置換された純水の比抵抗値または濃度値を計測する時間を短縮でき、純水の消費量を削減できる。
【００６８】
（削除）
【００６９】
（削除）
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】  図１に示す基板処理装置の基板処理槽に設けられている通路部材の外観斜視図である。
【図３】  図２に示す通路部材の一部を切り欠いて示す要部斜視図である。
【図４】  図２に示す通路部材のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】  図２に示す通路部材のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】  実施例に係る比抵抗回復曲線を示す特性図である。
【図７】  実施例に係るＯＲ，ＱＤＲ処理時の水洗時間を示す特性図である。
【図８】  実施例に係るＯＲ，ＱＤＲ処理時の純水消費量を示す図である。
【符号の説明】
１０  …  基板処理槽
１２  …  薬液供給部
１４  …  純水供給部
１６  …  液排出部
１８  …  制御部
１９  …  判定部
７８  …  通路部材
８２  …  比抵抗測定器
７８１  …  通路形成部材
７８２  …  アクチュエータ部
７８３  …  導入通路
８２１  …  計測部
Ｂ  …  基板
Ｗ  …  純水
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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