(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項２】
基材上にハードコート層と、ＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項３】
基材上にＴｉＯ2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項４】
基材上にハードコート層と、ＴｉＯ2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項５】
さらに防汚コートがなされている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項６】
前記Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシランから選ばれた１種以上の化合物を含むものである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
【請求項７】
ＬＣＤ用に使用される請求項１乃至６の何れか１項に記載の反射防止フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーブミラー、バックミラー、ゴーグル、窓ガラス、及びパソコン・ワープロ等のディスプレイ、その他商業用ディスプレイ等の各種表面における光の反射防止膜に適用される低屈折率ＳｉＯ2 膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ワープロ、コンピュータ、テレビ等の各種ディスプレイや各種光学レンズ、光学物品、自動車、電車等の窓ガラスの表面における光の反射防止をするために、これらの物品の表面に、反射防止フィルムを貼着することが行われている。
【０００３】
反射防止膜として、例えば、ガラス上に形成された膜厚０．１μｍ程度のＭｇＦ2 の薄膜の場合を説明する。入射光が薄膜に垂直に入射する場合に、特定の波長をλ0 とし、この波長に対する反射防止膜の屈折率をｎ0 、反射防止膜の厚みをｈ、および基板の屈折率をｎg とすると、反射防止膜が光の反射を１００％防止し、光を１００％透過するための条件は、次の式（１）および式（２）の関係を満たすことが必要であることは既に知られている（サイエンスライブラリ  物理学＝９「光学」７０〜７２頁、昭和５５年，株式会社サイエンス社発行）。
【０００４】
【数１】
0003773340.tif 000002
【０００５】
ガラスの屈折率ｎg ＝約１．５であり、ＭｇＦ2 膜の屈折率ｎ0 ＝１．３８、入射光の波長λ0 ＝５５００Å（基準）と既に知られているので、これらの値を前記式（２）に代入すると、反射防止膜の厚みｈは約０．１μｍ前後の光学薄膜が最適であると計算される。したがって、従来このような厚みの光学薄膜が反射防止膜に使用されていた。このような光学薄膜の形成には、真空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等の真空処理が適していることが知られている。
【０００６】
また、前記式（１）によれば、光の反射を１００％防止するためには、上層膜の屈折率がその下層膜の屈折率の約平方根の値になるような材料を選択すればよいことが分かり、従来、このような原理を利用して、上層膜の屈折率をその下層膜の屈折率よりも低い値とすること、即ち、基板上に高屈折率層、低屈折率層の順に薄膜を設けることにより光の反射防止が行われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ＳｉＯ2 膜は一般に低屈折率の膜として知られていることから反射防止膜等によく用いられているが、種々の層構成とした反射防止膜において、さらに低い低屈折率膜が要望されている。
【０００８】
そこで本発明は、ＳｉＯ2 膜とするための原料を用い、しかもその屈折率が本来のＳｉＯ2 膜よりも低い屈折率のＳｉＯ2 膜を形成した反射防止フィルムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の反射防止フィルムは、基材上にＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする。
別の本発明の反射防止フィルムは、基材上にＴｉＯ2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする。
【００１０】
ＳｉＯ2 成膜原料に炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入されて成膜されることにより、ＳｉＯ2 膜自体の屈折率よりもさらに低い屈折率の膜となる。本発明の低屈折率要素が導入されたＳｉＯ2 膜は本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率であるので、反射防止膜の上層膜として有用である。
【００１２】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含むガス、及びＯ原子を含むガスを原料ガスとし、ＣＶＤ法により基材上に薄膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法のさらに限定した方法は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の真空条件に維持された真空チャンバー内に導入して、グロー放電によりプラズマ流とし、前記プラズマ流を該真空チャンバー内に配置された基材上に接触させることにより、基材上に薄膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明のＣＶＤ法により形成される膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを使用して形成されているので、形成されたＣＶＤ膜は、Ｓｉ原子が酸化された実質的に無機質のＳｉＯ2 膜となり、低屈折率要素を含むガスを使用しない膜に比べて、本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率の膜となる。また、得られた低屈折率膜は、高硬度で付着強度の高い膜となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の構成例を模式的に示したものである。図１において１は、その内部を所望の真空度に設定することができる真空チャンバーである。該真空チャンバー１内に、ウェッブ２の巻出し及び巻取りを行うことができ、ウェッブ２の正走行及び逆走行機能が付与された一対のロール３、４を含む巻出巻取機構が配置されている。ロール３及びロール４の間を走行するウェッブ２の面に対してプラズマＣＶＤ処理を行うためのプラズマゾーン５が配置されている。該プラズマゾーン５には、混合原料ガスを噴出する部分と平板電極６と、ウェッブ２を安定して走行させることができ且つアースされている成膜ドラム７が含まれる。前記平板電極６としては、不活性ガスを噴出させることでプラズマを生成するガス噴出電極を用いることができる。
【００１６】
本発明のＣＶＤ法により低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成するための原料には、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含むガス、及びＯ原子を含むガスが使用される。
【００１８】
Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、低屈折率膜の主原料である。炭素原子が１〜４個のアルキル基、特にメチル基、エチル基は本来のＳｉＯ2 膜の屈折率よりも、屈折率を低下させる目的で導入される。Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、真空チャンバー内に導入される際にはガス化される。本発明において、ガス化原料のアルキル基の炭素原子数を１〜４個と限定した理由は、炭素原子数が５個以上のアルキル基を有する原料だと、ＣＶＤの際に蒸気となり難く、低屈折率膜を形成することが困難となるからである。
【００１９】
このようなガス化可能なＳｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料には、ヘキサメチルジシロキサン（略語：ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（略語：ＴＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン等の含Ｓｉ有機化合物が使用でき、好ましくはＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯが挙げられ、特に好ましくはＨＭＤＳＯである。これらの分子中には、メチル基、エチル基等の炭素原子が１〜４個のアルキル基、Ｓｉ原子及びＯ原子を含む。
【００２２】
Ｏ原子を含むガスは、Ｓｉ原料を酸化させてＳｉＯ2 とするために使用される。
【００２３】
上記の各ガスからなる混合ガスには、望ましい性質を付与する目的でさらに他のガス状物質を添加してもよい。
【００２４】
上記Ｓｉ原料ガスを含む混合ガスを真空チャンバーへ導入する流量（ＳＬＭ）比は、１：０．１〜２０が望ましい。
【００２５】
プラズマＣＶＤを行う際には真空チャンバー内は１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の圧力に維持することが望ましい。
【００２６】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜が形成された製品の好ましい形態として反射防止フィルムを例にして以下に説明する。基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材を用いる（東レ株式会社製、商品名：ルミラーＴ−６０、厚さ：１００μｍ）。該ＰＥＴ基材上にＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層、ＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層の順に、膜厚をそれぞれ、１２５Å、２５０Å、１０００Å、８００Åとなるように順次積層する。ＩＴＯ層の形成方法はどのような手段でも構わないが、一般的にはスパッタ法が適用できる。ＩＴＯ層の代わりにＴｉＯ2 層などの高屈折率材料を用いることも可能である。その場合、ＳｉＯ2 層の下層の屈折率がＳｉＯ2 層の屈折率よりも高いほど反射防止の効果が付与され、反射防止フィルムとしての性能が向上する。しかも、ＩＴＯ層を用いた場合には、フィルムの導電性が付与されるため、電磁波シールド性及び帯電防止性が発揮される。さらにその上に、表面のはっ水性を高くして指紋などの汚れが付かないようにする防汚コートの目的でフッ素系樹脂を１００Å以下の膜厚でウェットコートしてもよい。
【００２７】
上記反射防止フィルムにおいて、基材上のハードコート層上に最初に形成するＩＴＯ層とＳｉＯ2 層を有機系材料のウエットコートで置き換えることも可能である。ＩＴＯをスパッタリングして成膜するには時間がかかり、それが生産コストを引き上げる要因となっているので、このような成膜手段の代替はコスト面で有利である。上記有機系材料のウエットコート膜上に成膜するＩＴＯ層はあまり密着性が良くない。このような場合には有機層とＩＴＯ層の間に接着剤に相当する他の物質を薄く（通常は１００Å以下）形成してもよい。
【００２８】
もし、それほど高い反射防止特性を必要としない場合（低反射性フィルムを得る場合）には、ハードコート層上にＳｉＯ2 層のみを形成してもよい。このような層構成は、ＬＣＤ用の反射防止フィルムにおいてコスト面から多用されている。この場合には、基材として光学特性が優れた、即ち、複屈折を持たないＴＡＣ（富士フィルム株式会社製、商品名：フジタック、厚さ：１００μｍ）が用いられる。
【００２９】
【実施例】
プラズマＣＶＤ法により本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成する方法を、次の実施例により示す。
【００３４】
〔実施例１〕
原料の一部としてＯ2 を用い、プラズマを生成するためのキャリアーガスとしてＡｒを用いた。これらのガスの流量をＯ2 が３０ｓｃｃｍ、Ａｒが３０ｓｃｃｍの混合ガスとして、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に導入した。このキャリアーガスにより、モノマー材料としてのＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）をバブリングしてモノマー材料を、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に供給した。バブリング温度は室温とした。プラズマは、１００Ｗ、１３．５６ＭＨZ の電力を上部電極とアース電極の間に印加して発生させた。
【００３５】
基材として、ＰＥＴフィルム［厚さ１００μｍ、東レ株式会社製、ルミラーＴ−６０（商品名）］を用い、成膜時間は１０分とした。得られた膜の屈折率をエリプソメトリーで求めたところ１．４２であった。また、ＣＨ3 基の有無はＩＲ分光特性により評価したところ、１２７７ｃｍ-1付近にＳｉ−ＣＨ3 結合の伸縮ピークが現れ、存在が認められた。
【００３６】
〔比較例１〕
比較のために、上記実施例１の方法において、Ｏ2 ：１００ｓｃｃｍとした以外は上記実施例１と同一の工程により成膜して、比較例２のＳｉＯ2 膜を得た。得られたＳｉＯ2 膜をＩＲ分光特性により評価したところ、ＣＨ3 基の存在が殆ど認められなかった。本比較例１により得られたＳｉＯ2 膜の屈折率をエリプソメトリーで求めたところ１．４４であった。上記実施例１のＣＨ3 基が導入されたものよりも屈折率が高かった。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成した反射防止フィルムにおいて、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜であって、且つ、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成された低屈折率ＳｉＯ2 膜は、該低屈折率要素が導入されていないＳｉＯ2 膜よりも低屈折率となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の構成例を模式的に示したものである。
【符号の説明】
１  真空チャンバー
２  ウェッブ
３、４  ロール
５  プラズマゾーン
６  平板電極
７  成膜ドラム
【図１】
0003773340.tif 000003