(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明体又はレーザ光線透過体からなる被マーキング材と金属、合金若しくは金属化合物、又は金属、合金若しくは金属化合物を含む複合物とからなるマーキング材とを合わせて設置し、前記被マーキング材側からレーザ光線を前記マーキング材に照射し、放出した金属粒子の衝突によって面を削り表面粗さを粗くした文字、図形又は記号等を認識装置により認識させるマークを形成するマーキング方法において、
前記マーク形成の工程の後に、前記合わせて設置した被マーキング材と前記マーキング材との距離を離し、前記被マーキング材上の前記マーク及び前記マークの周辺にレーザ光線を照射し、付着したパーティクルを除去する除去工程を設けたことを特徴とするマーキング方法。
【請求項２】
透明体又はレーザ光線透過体からなる被マーキング材と金属、合金若しくは金属化合物、又は金属、合金若しくは金属化合物を含む複合物とからなるマーキング材とを合わせて設置し、前記被マーキング材側からレーザ光線を前記マーキング材に照射し、放出した金属粒子の衝突によって前記金属粒子を前記被マーキング材に付着させた文字、図形又は記号等を認識装置により認識させるマークを形成するマーキング方法において、
前記マーク形成の工程の後に、前記合わせて設置した被マーキング材と前記マーキング材との距離を離し、前記被マーキング材上の前記マークの周辺にレーザ光線を照射し、付着したパーティクルを除去する除去工程を設けたことを特徴とするマーキング方法。
【請求項３】
前記マーク形成の工程と前記除去工程との間の工程に除塵工程を設けたことを特徴とする請求項１または２記載のマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルまたはプラズマディスプレイパネル等のガラス基板にレーザ光線によってマークを形成するマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶パネルあるいはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等のガラス基板の表面にレーザ光線を照射し、文字、図形若しくは記号又はバーコード若しくは２次元コードのようなＩＤマークを白色のマークとして形成する方法には次の二つがある。
第１は、図１４に示すようにニッケル、チタン等のマーキング材２にガラス基板の被マーキング材１を所定の間隙を介して合わせて近接させ、ＹＡＧレーザ光をガラス基板に透過させ金属板に集光し照射させるものである（特開平６−１５５９２０）。レーザ光を照射されたマーキング材２である金属板の表面はレーザエネルギによって局所的に加熱されて溶融し、マーキング材２から金属粒子、イオン、プラズマ等の物質が矢印で示すように間隙内に放出され、その一部は、対向するガラス基板の面に当たる。その結果、衝撃でガラス面が削られて、凹みが形成される。このようにしてガラス基板の面が削られて凹みが形成されると光が散乱されるため白色に見える。マーキングする時に、所定の文字、図形若しくは記号となるようにＹＡＧレーザ光をスキャンニングすれば、ガラス表面に白色のマークを形成できるものである。
第２は、ガラスからなる被マーキング材１と、金属等からなるマーキング材２とを密着させ第１の従来例より低エネルギーでマーキングし、ガラス表面に凹部を形成させるものがある（特願平９−６８５９６号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、液晶やＰＤＰに使用される被マーキング材１であるガラス基板に、第１の従来例でマーキングしたとき、金属板であるマーキング材２からの小さな粒子（以下、パーティクルと呼ぶ）がガラス基板上に残存することがあった。この残存したパーティクルは目視する場合には全く影響はないが、落射照明を使用した認識装置で認識するときには残存するパーティクルによって落射光が乱反射し認識ミスを起こすことがある。
また、第２の従来例ではガラス基板上に残存するパーティクルをかなり少なくすることができるが、パーティクルを皆無にすることは難しく、パーティクルの残存はコードの認識率に影響を与えていた。
図１５は落射照明を使用したコードの認識率を調べるコード認識装置の説明図で、（ａ）は概略図（ｂ）は部分拡大した原理図である。
５はコード認識装置で、光源６からの光は絞り７を通してコリメータレンズ８によってほぼ平行光となり、ハーフミラー９を通してガラス基板に照射される。ガラス基板表面が平坦であると、光路Ａのように入射光はその大半が透過し、１０％程度の入射光は入射光と平行に反射する一方、ガラス基板１の表面が凸若しくは凹であると、光路Ｂおよび光路Ｃのように入射光の大半は透過するが、反射光は入射光に平行に反射しない。よって、ガラス基板１の表面が凹凸状であると、ガラス基板表面からの反射光は散乱され入射光とは平行にならず、ハーフミラー９に戻り光がないのでＣＣＤカメラ１０の映像で黒く見える。
ガラス基板上に凹状のくぼみをつくり、１０×１０セグメントの２次元コードを形成した例の平面図を図１６に示す。くぼみを形成したセグメントは落射照明を使用したコード認識装置５では黒く見え、他のセグメントは白く見える。しかし、従来のマーキング方法の場合、パーティクルが残存する。図１７は従来技術で作製した２次元コードマークの認識不良を示す原理図である。入射光が光路Ｃのように残存したパーティクル３にあたると、パーティクル３は光を透過しないため、大半の入射光は散乱される。この散乱光によりＣＣＤカメラ１０に映し出される映像は白く輝き、しかも、光量が多いため実際のパーティクル３の大きさよりも１桁以上大きく映し出される。従来では、ガラス基板上に形成した凹状の部分にもパーティクル３は多数存在し、落射照明で黒く見える部分も白く見えることがあり、コードの認識ミスが生じていた。また、落射照明の代わりにリング照明を使い、ガラス基板表面のマークに斜めから光を照射すると凹状のマーク部を白くＣＣＤカメラ１０上に映し出すこともできる。この場合、ガラス基板表面にパーティクル３が存在するとパーティクル３が白く輝き認識ミスを発生することがある。
そこで、本発明はガラス基板上に残存するパーティクルを皆無にし、認識ミスが発生しない高品質のマークを形成できるマーキング方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため本発明は、透明体又はレーザ光線透過体からなる被マーキング材と金属、合金若しくは金属化合物、又は金属、合金若しくは金属化合物を含む複合物とからなるマーキング材とを合わせて設置し、前記被マーキング材側からレーザ光線を前記マーキング材に照射し、放出した金属粒子の衝突によって面を削り表面粗さを粗くした文字、図形又は記号等を認識装置により認識させるマークを形成するマーキング方法において、
前記マーク形成の工程の後に、前記合わせて設置した被マーキング材と前記マーキング材との距離を離し、前記被マーキング材上の前記マーク及び前記マークの周辺にレーザ光線を照射し、付着したパーティクルを除去し表面が凹凸状になったものを認識装置により認識させる除去工程を設けたものである。
また、透明体又はレーザ光線透過体からなる被マーキング材と金属、合金若しくは金属化合物、又は金属、合金若しくは金属化合物を含む複合物とからなるマーキング材とを合わせて設置し、前記被マーキング材側からレーザ光線を前記マーキング材に照射し、放出した金属粒子の衝突によって前記金属粒子を前記被マーキング材に付着させた文字、図形又は記号等を認識装置により認識させるマークを形成するマーキング方法において、
前記マーク形成の工程の後に、前記合わせて設置した被マーキング材と前記マーキング材との距離を離し、前記被マーキング材上の前記マークの周辺にレーザ光線を照射し、付着したパーティクルを除去する除去工程を設けたものである。
また、前記マーク形成の工程と前記除去工程との間の工程に除塵工程を設けてもよい。
上記手段により、ガラス基板上に残存するパーティクルが完全に除去できるので、認識ミスが発生しないマークが形成できる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
本発明は第１工程(マーク形成の工程)と第２工程(除去工程)からなるもので、この工程を実行させるマーキング装置の概要を図１に示す。
この構成は、レーザ光線を発振するレーザ側とマーキング材２を上下に移動させる移動機構側とからなる。レーザ側は、レーザ源１１、レーザ光スキャナ１２、レーザドライバ１３、演算装置１４で構成される。移動機構側は、マーキング材２を収納するマーキング材ケース１５と移動機構１６とからなる。第１工程ではガラス基板１が所定の位置に搬送されると、演算装置１４から指令信号Ａがレーザドライバ１３に送られる。レーザドライバ１３は、演算装置１４からの指令に応じた直流電流Ｄをクリプトンアークランプ１１２に与え、さらにＱスイッチ１１１に送る高周波ＣをＯＮ／ＯＦＦさせるものである。これによって、レーザ源１１から所定のパワーと周波数を有するレーザ光線ＬＢが発し、レーザ光スキャナ１２に送られる。レーザ光線ＬＢはマーキング材２の上に集光される。同時に指令Ｂ１及びＢ２によってレーザ光線ＬＢはマーキング材表面を走査されて所定の文字、図形、記号等をガラス基板１にマークする。１１３はレンズ、１２１，１２２はミラー、１２３はｆθ集光レンズである。第１工程が終了すると、移動機構１６がＺ方向に動作し、ガラス基板１とマーキング材２を離し、再びガラス基板１にレーザ光線ＬＢが照射され第２工程のプロセスを行うものである。
（第１実施例）本発明の第１実施例を図２〜４に示す。
本実施例は、被マーキング材とマーキング材とを密着させ、レーザ光線を照射するマーキング方法である。図２は第１工程の状態を、図３は第２工程の状態を、図４は終了後の状態をそれぞれ示している。また、それぞれ、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。被マーキング材１としてガラス基板を、マーキング材２としてＴｉからなる金属板を用いた。
まず、第１工程は図２のようにガラス基板と金属板とを合わせ、ＹＡＧレーザ光線ＬＢをガラス基板を通して金属板に照射する。ＹＡＧレーザの照射条件は、パワー５Ｗでレーザパルス周波数３ｋＨz 、ビームスキャン速度６０ｍｍ／秒とした。ＹＡＧレーザは２次元コードになるように所定位置に走査され、ガラス基板の被マーキング面１ａには凹状のマークが形成される。また、被マーキング面１ａには凹状のマークの他、マーキング材１からのパーティクル３が付着する。つぎに、第２工程では図３に示すように、ＹＡＧレーザ光線ＬＢを約５０ミクロンのラインピッチで２次元コード全体に照射した。ＹＡＧレーザの照射条件は、パワーを１０Ｗとし、他の条件は第１工程と同じとした。このＹＡＧレーザ光線ＬＢの照射によってガラス基板１のマーキング面１ａに残存していたパーティクルは完全にガラス基板から除去される。この第１工程と第２工程によって、図４のようにガラス基板から金属成分はすべて取り除かれ、凹状のセグメント（図中では正方形のセル）を有する２次元コードを得ることができる。この凹状のセグメントを表面粗さ計によって測定した結果を図５に示す。図５は２次元コードの表面粗さを示す図である。セグメント部は凹型に削られ、しかも凹状になった部分の表面はサブミクロンの凹凸状となっていた。
このようにして作製した２次元コードを落射照明を使用したコード認識装置５により認識率を測定した。ガラス基板上に形成した２０×２０セグメント（１セグメント２００μm 角）の２次元コードを１００個測定した結果、全数の２次元コードにおいて認識率１００％で読みとることができた。一方、比較のために第１の従来技術によって作製した同形状のものは、平均認識率が６８％と低く、１００個のうち３つのサンプルについては読みとることができなかった。このように本発明は認識ミスの原因となるパーティクルを完全に除去しているためミスの無いコード認識が可能である。なお、本実施例では金属板にチタン（Ｔｉ）のほか、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄鋼、ステンレス、真鍮、マグネタイトを使用したが、認識率はどれも１００％であった。したがって、マーキング材２が金属、合金、金属化合物であれば、本マーキング方法は特に材料が限定されるものではない。また、マーキング材２がレーザ光線を吸収すれば高分子フイルム等の有機物であっても良い。
（第２実施例）
本発明の第２実施例は、第１実施例と同じであるが、レーザ光線のパワーだけを小さくしてマーキングした例である。本実施例では、第１工程におけるレーザ光線のパワーを第１実施例の約１／３に下げた条件で作製した。２次元コードの表面粗さを図６に示す。図５の第１実施例で作製した場合と比べると、ガラス表面を凹状に深く削ることなしに凹凸状にしたものが作製できた。表面はサブミクロンの凹凸を有し、光を散乱するため前述の図４の表面形状のマークと同様にコード認識が可能である。  第１実施例では、レーザ光線に波長１．０６μm のＹＡＧレーザを使用したが、被マーキング材１がレーザ光線を透過し、かつ、マーキング材２がレーザ光線を吸収すれば、他のレーザを使用することが可能である。例えば、被マーキング材１がガラスであるとき、１／２波長のＹＡＧレーザ、または波長６００〜１１００ｎｍの半導体レーザを使用することが可能である。すなわち、本発明のマーキング方法では被マーキング材１がレーザ透過体であって、かつそのときに使用するマーキング材２がレーザ光線を吸収する材料であれば、さまざまな被マーキング材にマーキングが可能となる。
このように、本実施例のマーキング方法によれば、残存するパーティクルが無いのでガラス基板上に読みとりミスのない高品位な２次元コードを作製できる。また、マークがガラスの材質そのものなのでかなり強い酸性溶液中に浸してもマークが消えることはない。また、使用する温度がガラス基板のガラス転移点以下の温度であれば、マークの品質は全く変化せず耐熱性もある。
（第３実施例）
本発明の第３実施例を図７〜９に示す。本実施例はガラス基板への熱的ダメージを少なくするため、第１工程をガラス基板と金属板との間隙をとって行うものである。図７〜９はマーキング作製の各工程の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。図７は第１工程の状態を、図８は第２工程の状態を、図９は終了後の状態をそれぞれ示している。このように第１工程でガラス基板と金属板とを密着させずに間隙を設けてマーキングすると、第２の従来例に示すようにレーザ光線ＬＢが照射されると、通常、膜４がガラス基板１に形成される。膜４が形成されるときには、ガラス基板１は金属板２からのレーザ光線ＬＢの反射、間隙に発生する熱的な影響、並びに金属板２から金属粒子の衝突いわゆるスパッタリングを受けて凹凸が形成されすりガラス状になる。すなわち、第１工程で、ガラス基板の表面はすりガラス状になって、その上に膜４が付着する。続いて、第２工程（図８）において、２次元コード全体を約５０ミクロンのラインピッチでレーザ光線ＬＢを走査すると、膜４は完全に除去される。以上の操作でガラス基板１にすりガラス状の２次元コードが図９のように形成される。本発明では、第１工程で被マーキング材であるガラス基板１とマーキング材である金属板２とが接していないためマーキング中のガラス基板１の温度変化は前述の実施例に比べ小さく、熱的なダメージは緩和される。なお、本実施例において膜４が金属板２から金属状態で付着しても、あるいは酸化物状態で付着しても形成されるガラス基板上の凹凸に大きな差はない。本実施例では、さらにガラス基板に最適な２次元コードを形成するため、間隙の距離依存性を調べた。この実施例で、金属板はステンレスを使用し、間隙を４００μｍ以下の種々の間隙で本マーキング方法によって２次元コードを作製し、その認識率を調べた。さらに２次元コードを作製したときのガラス基板に対する熱的な影響を調べるため認識率と共にガラス基板の強度試験を行った。なお、本実施例では比較のために間隙０μｍの２次元コードも作製し、その認識率と曲げ強度を評価した。図１０は、２次元コードの認識率と曲げ強度の間隙長依存性を示す特性図である。なお、曲げ強度は２次元コードをマークしていない素ガラス基板の曲げ強度を１００％として表したものである。認識率は間隙が０〜１００μｍの間で１００％であり、間隙が１００μｍ以上では間隙が大きくなるにつれ悪くなる。間隙が４００ミクロンでは、凹部の形成が十分にできず、実用上コードマークの認識は困難であった。一方、曲げ強度はガラス基板とマーキング材とを接触して第１工程の処理を行うと素ガラス基板の半分以下となる。しかし、ガラス基板とマーキング材が接触しない間隙、すなわち１ミクロン以上あれば強度の低下は起こるものの実用上問題ない。すなわち、本マーキング方法の第１工程の間隙はコードが認識できる０〜３００μｍならば使用でき、さらに曲げ強度の耐久性と実用的な認識率から、間隙は１〜１００μｍが好ましい。以上のように本実施例から本発明のマーキング方法では、パーティクルに相当する膜がガラス基板に付着してもレーザ光線ですべて除去するので高認識率を有するすりガラス状のコードマークを形成できる。また、ガラス基板と金属板を接触させていないのでガラス基板に熱的なダメージの少ないコードマークを供与できる。
（第４実施例）本発明の第４実施例は、形成するコードマークを微細化するため、第１工程と第２工程の間に除塵工程を設けた例である。一般にガラス基板上に形成するＩＤコードマーク、特に２次元コードマークは、小型のサイズのものが要求されている。微小なマークは、従来のマーキング方法で可能であるが、ガラス基板上に時々金属板成分のパーティクル３が残ることがあり、認識率に悪影響を及ぼすことがあった。残存するパーティクルはサブミクロンであってもリーダで使用する光の波長より大きいと、散乱してコード認識装置５のＣＣＤカメラ１０上ではミクロンオーダの径のパーティクルとして検出される。本発明によって該パーティクルはガラス基板上から除去できるが、第２工程のプロセスによってマークの微細化に悪影響を及ぼすことを見いだした。その詳細について以下に記す。
図１１は、第３実施例の第１工程完了後におけるガラス基板上に形成した２次元コードの周辺の状態を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。白点線で示すように約３０μｍ角の四角形になるようにレーザ光線を走査すると、１セグメントあたり約８０ミクロン角の膜４が付着したマークができる。このマークを顕微鏡で観察すると、パーティクル３が隣のセグメント部に飛散することがある。このパーティクル３は第２工程におけるレーザ光線の照射によって除去できる。図１２はガラス基板表面のパーティクルが除去されるときの原理を示す断面図である。図１２に示すようにレーザ光線ＬＢがパーティクル３に照射されると、パーティクル３がレーザ光線のエネルギーを吸収及び反射し、パーティクル３とガラス基板１の間に熱が発生する。その結果、ガラス基板１の表面は削られセグメント部と同様にすりガラス状になる。実験では、５ミクロン径のパーティクル３が残存すると、ガラス基板では約２倍の１０ミクロン以上のすりガラス状のマークが形成される。パーティクル３の残存によって形成されたすりガラス状のマークは、落射照明のリーダでは黒く映し出される。１セグメントの大きさが２００〜３００μｍではリーダの認識ミスは無かったが、１セグメントの大きさが１００μｍ以下ではリーダの認識ミスが発生した。よって、２次元コードの微細化には第１工程完了後パーティクルを完全に除去することが必要である。
第１の除塵機構を図１３に示す。図１３は、マーキング材２とマーキング材ケース１５の周辺の除塵機構の説明図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。マーキング材ケース１５に吸引機等を接続し、マーキング材２とガラス基板の間に空気の流れをつくれば第２工程で発生するパーティクルも効果的に除去できる。図１３において、１５１はポリウレタン、ポリプロピレン等からなるスペーサ、１５２はマーキング材ケース１５に取り付けられた空気吸引口で、１５３は空気排出口である。マーキング材２の上面は、スペーサ１５１の上面よりも若干低くなるように配置しガラス基板１がスペーサ１５１に接触するとマーキング材２の上面とスペーサ１５１の上面との差に等しい間隙がマーキング材２とガラス基板の間に形成される。マーキング中に図示していない吸引機等によって空気排気口１５３の外側から空気を吸引すると、図１３断面図の矢印のように空気吸気口１５２から空気が吸引され、吸引された空気はガラス基板１とマーキング材２との間隙に空気の流れが発生する。この空気の流れにより、第１工程におけるマーキング中のパーティクルはガラス基板１にほとんど付着しないので図１１のパーティクル３に相当するようなものの発生が皆無となる。また、第２工程においては、レーザ光線の照射によってガラス基板から除去されるパーティクルを効果的に除去できる。
なお、本実施例ではガラス基板とマーキング材の間隙はスペーサ上面とマーキング材上面の高さの差によって決定され、５μｍ以上の間隙をつくるためには容易な方法である。５μｍ以下の間隙を作るときにはスペーサを取り除き、マーキング材の上面を凹状の形状にして、マーキング材をガラス基板に直接接触させると凹状の深さに相当する間隙を比較的容易に作ることができる。
第２の除塵機構は、第１工程の後、粘着テープをガラス基板に付着させ剥ぎ取った。この工程によってガラス基板上のパーティクルは粘着テープに捕獲され、ガラス基板上から完全に除去できる。この除塵工程によって本来セグメントマークが必要ない隣のセグメントへマークすることがなくなり、微細な２次元コードを形成できる。なお、第２除塵機構に粘着テープを使用したが、ガラス基板上のパーティクルを除去できれば、ブラシ、ワイパー紙若しくは布、エアクリーナ、静電除塵機、超音波エアクリーナを使用しても良い。また、マーキング材が設置されている移動機構１６の下部にＸＹステージを設け、巻き取り型粘着テープ、ブラシ、湿式クリーナ、静電気除塵機若しくはエアクリーナ等の除塵機構を設置することも可能である。
（第５実施例）
本発明の第５実施例は、マークの微細化のため、最適なマーキング材を選定した例である。  マーキング材を種々金属、合金、金属化合物、有機物を使用して実施例３と同様にしてガラス基板へのマーキングを試みた。マーキング材は金、銀、銅、白金、鉛、スズ、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、ジルコニウム、ジュラルミン、真鍮、パーマロイ、アンバー合金、ハンダ、りん青銅、タングステン珪素（ＷＳｉ２）、ジルコニヤセラミックス、タングステンカーバイト、六ホウ化ランタン、炭化ケイ素セラミックス、窒化ケイ素セラミックス、グラファイト、フッ化カルシウム、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオルエチレンを使用した。
その結果、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、タングステン珪素、タングステンカーバイト、六ホウ化ランタン、炭化ケイ素セラミックス、窒化ケイ素セラミックスをマーキング材として使用したときパーティクルの発生が少なかった。他のマーキング材料は、パーティクルの発生が第１実施例で使用したステンレスとほぼ同等かそれ以上であった。また、上述のパーティクルの発生が少なかったマーキング材料のうち、炭化ケイ素セラミックスおよび窒化ケイ素セラミックスはマーキング材としては高価であるため現状実用的ではない。
したがって、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、タングステン珪素、タングステンカーバイト若しくは六ホウ化ランタンのマーキング材は、パーティクルの発生が少ないため、これらのマーキング材を使用するによって低コストでコードマークを微細化することが可能である。なお、本実施例ではガラス基板上にクロム膜を形成したが、レーザ光線を吸収する材料、たとえばセラミックス、高分子膜であれば同様に微細なマーキング可能である。本発明のマーキング方法および装置の適用分野は液晶パネル及びＰＤＰパネルに限るものでなく、車両のフロントガラス及び窓ガラス、あるいは建築物の窓ガラス、また、生物組織の顕微鏡観察用スライドガラス等へのマーキングも可能である。
【０００６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ガラス基板等のレーザ透過体にすりガラス状の凹凸のマークを形成する第１工程と、レーザの再照射を行う第２工程とをとり、マーキング材の付着物やパーティクルを完全に除去するようにしたので、読みとりミスのない高品質の２次元コード等のマークを得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いたマーキング装置を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施例の第１工程の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の第１実施例の第２工程の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の第１実施例の終了後の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の第１実施例で作製した２次元コードの表面粗さを示す図である。
【図６】本発明の第２実施例で作製した２次元コードの表面粗さを示す図である。
【図７】本発明の第３実施例の第１工程の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図８】本発明の第３実施例の第２工程の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】本発明の第３実施例の終了後の状態を示す説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１０】本発明の第３実施例で作製した２次元コードの認識率と曲げ強度の間隙長依存性を示す特性図である。
【図１１】本発明の第４実施例の第１工程後におけるガラス基板上に形成した２次元コードの様子を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１２】ガラス基板表面のパーティクルが除去されるときの原理を示す断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施例に用いた除塵機能の説明図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図１４】従来のマーキング原理を示す模式図である。
【図１５】マーキング認識度を調べるコード認識装置の説明図で、（ａ）は概略図、（ｂ）は部分拡大した原理図である。
【図１６】２次元コードマークを表した平面図である。
【図１７】従来技術で作製した２次元コードマークの認識不良を示す原理図である。
【符号の説明】
１  被マーキング材（ガラス基板）
１ａ  被マーキング面
２  マーキング材（金属板）
３  パーティクル
４  膜
５  コード認識装置
６  光源
７  絞り
８  コリメータレンズ
９  ハーフミラー
１０  CCD カメラ
１１  レーザ源
１１１  Ｑスイッチ
１１２  クリプトンアークランプ
１１３  レンズ
１２  レーザ光スキャナ
１２１，１２２  ミラー
１２３  ｆθ集光レンズ
１３  ドライバ
１４  演算装置
１５  マーキング材ケース
１５１  スペーサ
１５２  空気吸引口
１５３  空気排出口
１６  移動機構
１６１  ジョイント
１６２  ピストン
１６３  シリンダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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