(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する基板保持機構と、
前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、
前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板上に供給された処理液の拡散方向に位置するように前記処理液供給ノズルに隣接して配置され、前記処理液の供給と同時に前記基板上にリンス液を供給するリンス液供給ノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を水平に保持する基板保持機構と、
前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、
前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去するリンス液を、前記処理液の供給と同時に前記基板に供給するリンス液供給ノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記基板上には露光処理されたパターンが形成され、
前記処理液は現像液からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液は洗浄液からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板の回転速度に対する前記処理液供給ノズルの移動速度は、前記処理液供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズルが前記基板の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度に対する前記移動速度に対して、相対的に遅いことを特徴とする請求項１から請求項４いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板の回転速度に対する前記処理液供給ノズルの移動速度は、供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズルが前記基板の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度に対する前記移動速度に対して、相対的に速いことを特徴とする請求項１から請求項４いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リンス液供給ノズルと前記処理液供給ノズルとの位置関係を可変する可変機構を更に有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給ノズルの前記移動速度が一定の場合、前記基板の回転速度を前記処理液供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近くなるほど、相対的に遅くなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記可変機構は、前記処理液供給ノズルが前記基板の直径上を移動する場合、前記基板の中心部を境に、前記処理液の拡散方向に前記処理液供給ノズルの位置を変えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、
前記リンス液供給ノズルは、前記基板上に供給された前記処理液が拡散する方向に位置することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、
前記リンス液は、前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルが前記基板の外縁部から中心部に向けて移動するときに、前記処理液供給ノズルの後方に前記リンス液供給ノズルを位置させながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に、前記リンス液を供給することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
水平保持された基板を回転させ、処理液が滴下される前記基板上の領域が移動していくように、前記基板に対して前記処理液を供給する基板処理方法であって、
前記基板上に前記処理液とリンス液とを同時に供給していく工程と、
前記処理液と前記リンス液とを同時に供給しながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に前記処理液が滴下された直後に前記リンス液を供給していく工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液を供給する基板は、露光処理された基板であり、
前記処理液は現像液であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記処理液は洗浄液であり、
前記洗浄液を使用する際の前記リンス液は純水であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の表面に現像液や洗浄液等の処理液を塗布する基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス（ＩＣチップ）やＬＣＤの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィー技術を利用することで、半導体ウエハやガラス基板等の被処理基板の表面に微細なパターンを高精度かつ高密度に形成する。
【０００３】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハの表面にレジスト液を塗布した後、これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理・エッチング処理することにより所定の回路パターンを形成するようにしている。
【０００４】
近年、フォトリソグラフィ技術によって形成するべき半導体回路の線幅がますます微細化する傾向にあり、これに伴い現像処理時における現像処理の被処理基板面内均一性が厳しく要求されている。
【０００５】
現像液の塗布は、例えばスピンコーティング法で行うことができ、このスピンコーティング法では、ウエハの中央付近に現像液を滴下し、ウエハを回転させることにより、現像液を遠心力により拡散する。現像液がウエハ全面に塗布された後、ウエハの中央付近にリンス液を滴下、拡散することによりウエハ上の現像液を除去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような現像液塗布の場合、現像液が滴下されるウエハの中心部では、新鮮な現像液が塗布されるものの、ウエハの周縁部では、現像処理が済んだ現像液を含む液が塗布される。このため、ウエハの中心部と周縁部とでは、現像処理能力が異なり、面内で均一に現像処理することが困難であった。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、被処理基板上に常に新鮮な処理液を供給し、基板全面を高い現像処理能力の現像液で処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するために、本発明の基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持機構と、前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記基板上に供給された処理液の拡散方向に位置するように前記処理液供給ノズルに隣接して配置され、前記処理液の供給と同時に前記基板上にリンス液を供給するリンス液供給ノズルと、を具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、処理液ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下された領域では新しい処理液により処理される。そして、この処理済みの液は基板の回転により拡散するが、この拡散された処理済の液はリンス液供給ノズルから供給されるリンス液によりただちに除去される。このため、基板上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
【００１０】
また、本発明の基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持機構と、前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去するリンス液を、前記処理液の供給と同時に前記基板に供給するリンス液供給ノズルと、を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明のこのような構成によれば、処理液ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下された領域では新しい処理液により処理される。そして、この処理済みの液は直ちにリンス液により除去されるので、基板上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、前記リンス液供給ノズルは、前記基板上に供給された前記処理液が拡散する方向に位置することを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、処理液ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下された領域では新しい処理液により処理される。そして、この処理済みの液は基板の回転により拡散するが、この拡散された処理済の液はリンス液供給ノズルから供給されるリンス液によりただちに除去される。このため、基板上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
【００１４】
また、本発明の基板処理方法は、水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、前記リンス液は、前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去することを特徴とする。
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、処理液ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下された領域では新しい処理液により処理される。そして、この処理済みの液は直ちにリンス液により除去されるので、基板上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
また、本発明の基板処理方法は、水平保持された基板を回転させ、処理液が滴下される前記基板上の領域が移動していくように、前記基板に対して前記処理液を供給する基板処理方法であって、前記基板上に前記処理液とリンス液とを同時に供給していく工程と、前記処理液と前記リンス液とを同時に供給しながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に前記処理液が滴下された直後に前記リンス液を供給していく工程と、を具備することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下この発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
図１は、この発明を、半導体ウエハ（以下「ウエハW」という）の表面に処理液として洗浄液を供給する洗浄処理装置に適用した例を示す概略構成図である。また、図２は、この装置を上方から見た平面図である。
【００１７】
更に、図３は、この発明を、ウエハWの表面に処理液としての現像液を供給する現像処理装置に適用した例を示す概略構成図である。また、図４は、この装置を上方から見た平面図である。
【００１８】
図１に示すように、洗浄処理装置は、基板保持機構としてその上面にウエハＷを水平に吸着保持し、かつこのウエハＷを回転駆動及び昇降駆動するスピンチャック１１０を有する。このスピンチャック１１０の上方には、このウエハＷに対向位置決め可能に保持され、ウエハＷ上に洗浄液を滴下するための洗浄液供給ノズル１４０と、リンス液としての純水を滴下するためのリンス液供給ノズル１１１とが隣接して配置されている。洗浄液供給ノズル１４０は、供給管１４１及びエアーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁１４２を介して洗浄液タンク１４３に接続されている。リンス液供給ノズル１１１は、供給管１１２及びエアーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁１１３を介してリンス液タンク１１４に接続されている。
【００１９】
また、洗浄液供給ノズル１４０及びリンス液供給ノズル１１１は、図に示すようにＬ字状に構成されたＺ駆動機構１１５の先端にホルダ１１７を介して保持されている。Ｚ駆動機構１１５の基端部は、Ｙ駆動機構１１６によって保持されている。図２に示すように、このＹ駆動機構１１６は、Ｙ方向に沿って前記カップ１２４の外側にまで延出されたＹレール１２０を有し、洗浄液供給ノズル１４０とリンス液供給ノズル１１１をウエハＷ上とノズル待機部１２１との間で移動できるようになっている。このノズル待機部１２１は、洗浄液供給ノズル１４０及びリンス液供給ノズル１１１を収納できるように構成されていると共に、これらノズルの先端部を洗浄できるように構成されている。
【００２０】
洗浄液供給ノズル１４０及びリンス液供給ノズル１１１は、図２に示すように、ウエハＷの外縁部と中心部を結ぶ方向、すなわちウエハＷの半径に沿った矢印Ａ方向に沿って移動し、洗浄液供給ノズル１４０は矢印Ａ上に常に位置するように移動する。一方、リンス液供給ノズル１１１は、矢印Ａ上からはややはずれて位置し、移動方向（矢印方向）に向かって見て、洗浄液供給ノズル１４０の後方に位置する。リンス液供給ノズル１１１の位置は、滴下された洗浄液の拡散方向（矢印Ｂ）によって決定され、ウエハＷ上に滴下された洗浄液が拡散する領域に、少なくともリンス液が供給されるように設定すれば良い。尚、洗浄液の塗布はウエハＷの回転とノズルの移動により行われ、洗浄液の拡散方向は、ウエハＷの回転方向によって決定される。
【００２１】
また、前記スピンチャック１１０の周囲には、ウエハＷが回転駆動されている最中に飛散する余分な洗浄液を受けるカップ１２４が設けられている。
【００２２】
図３に示すように、現像処理装置は、上述の洗浄処理装置と同じ構成をしており、ノズルから供給される液が違う点で異なる。現像処理装置は、基板保持機構としてその上面にウエハＷを吸着保持し、かつこのウエハＷを回転駆動及び昇降駆動するスピンチャック１０を有する。このスピンチャック１０の上方には、このウエハＷに対向位置決め可能に保持され、ウエハＷ上に現像液を滴下するための現像液供給ノズル４０と、リンス液としての例えば純水を滴下するためのリンス液供給ノズル１１とが配置されている。現像液供給ノズル４０は、供給管４１及び制御弁４２を介して現像液タンク４３に接続されている。リンス液供給ノズル１１は、供給管１２及びエアーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁１３を介してリンス液タンク１４に接続されている。
【００２３】
また、現像液供給ノズル４０及びリンス液供給ノズル１１は、図に示すようにＬ字状に構成されたＺ駆動機構１５の先端にホルダ１７を介して保持されている。Ｚ駆動機構１５の基端部は、Ｙ駆動機構１６によって保持されている。図４に示すように、このＹ駆動機構１６は、Ｙ方向に沿ってカップ２４の外側にまで延出されたＹレール２０を有し、現像液供給ノズル４０とリンス液供給ノズル１１をウエハＷ上とノズル待機部２１との間で移動できるようになっている。このノズル待機部２１は、現像液供給ノズル４０及びリンス液供給ノズル１１を収納できるように構成されていると共に、これらノズルの先端部を洗浄できるように構成されている。
【００２４】
現像液供給ノズル４０及びリンス液供給ノズル１１は、図４に示すように、ウエハＷの外縁部と中心部を結ぶ方向、すなわちウエハＷの半径に沿った矢印Ｃ方向に沿って移動し、現像液供給ノズル４０は矢印Ｃ上に常に位置するように移動する。一方、リンス液供給ノズル１１は、矢印Ｃ上からはややはずれて位置し、移動方向（矢印方向）に向かって見て、現像液供給ノズル４０の後方に位置する。リンス液供給ノズル１１の位置は、滴下されたリンス液の拡散方向（矢印Ｄ）によって決定され、ウエハＷ上に滴下された現像液が拡散する領域に、少なくともリンス液が供給されるように設定すれば良い。尚、現像液の塗布は、ウエハＷの回転及びノズルの移動により行われ、現像液の拡散方向は、ウエハＷの回転方向によって決定される。
【００２５】
また、前記スピンチャック１０の周囲には、ウエハＷが回転駆動されている
最中に飛散する余分な現像液を受けるカップ２４が設けられている。
【００２６】
本実施形態の洗浄処理装置によれば、洗浄工程時に、ウエハＷ上に洗浄液が滴下された直後にリンス液が供給される。このリンス液は、使用済みの汚れた洗浄液を直ちに除去するので、ウエハＷ上には、常に新しい洗浄液が供給されることになる。従って、ウエハＷの全面において、新しい洗浄液により洗浄が行われるので、面内における洗浄むらがなく、また洗浄能力が非常に高い。
【００２７】
本実施形態の現像処理装置によれば、現像洗浄工程時に、ウエハＷ上に現像液が滴下された直後にリンス液が供給される。このリンス液は、使用済みの汚れた現像液を直ちに除去するので、ウエハＷ上には常に新しい現像液が供給されることになる。従って、ウエハＷの全面において、新しい現像液により現像が行われるので、面内における現像むらがなく、また現像能力が非常に高い。
【００２８】
上記の現像処理装置は、図５〜図７に示す塗布現像処理システムに適用される。また、上記の洗浄処理装置は、この塗布現像処理システムに投入される前にウエハＷを洗浄する投入前洗浄工程において使用される。
【００２９】
図５に示すように、この塗布現像処理システムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハＷを順次取り出すカセット部６０と、カセット部６０によって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び現像液塗布や熱処理などの一連のプロセス処理を行なうプロセス処理部６１と、レジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に受け渡すインタフェース部６２とを備えている。
【００３０】
カセット部６０には、カセットＣＲを位置決め保持するための４つの突起部７０ａと、この突起部７０ａによって保持されたカセット内からウエハＷを取り出す第１のサブアーム機構７１とが設けられている。このサブアーム機構７１は、ウエハＷを取り出したならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハＷをプロセス処理部６１に設けられたメインアーム機構７２に受け渡すことができるようになっている。
【００３１】
カセット部６０とプロセス処理部６１間でのウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図７に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニット群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処理するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに対するレジスト液の定着性を高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせをするアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待機させておくためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、レジスト塗布後のシンナー溶剤を乾燥させる２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び露光処理後の加熱処理を行なうポストエキスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）と現像処理後の水分除去に使うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から上へと積み上げて構成されている。
【００３２】
そして、前記ウエハＷのメインアーム機構７２への受け渡しは、前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われる。
【００３３】
また、図５に示すように、このメインアーム機構７２の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメインアーム機構７２を囲むように設けられている。前述した第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを上下方向に積み上げ的に構成されている。
【００３４】
前記第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２には、現像処理装置（ＤＥＶ）及びこの実施形態のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）が設けられている。図６に示すように、この第１、第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成したものである。
【００３５】
一方、前記メインアーム機構７２は、図７に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド７９と、ガイド７９に沿って上下駆動されるメインアーム７８を備えている。また、このメインアーム７８は平面方向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されている。したがって、このメインアーム７８を、上下方向に駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせることができるようになっている。
【００３６】
以下に、塗布現像処理システムにおけるウエハＷの処理方法について説明する。
【００３７】
まず、上述した図１に示す洗浄処理装置内にウエハＷを搬送する。ウエハＷは、塗布現像処理システムにおいて露光パターンを形成する面を上方に向けて、スピンチャック１１０により水平に吸引保持される。
【００３８】
次に、図２に示すように、ウエハＷを時計回りに回転させた状態で、洗浄液及びリンス液をウエハＷ上に同時に供給しながら、ウエハＷの外縁部からウエハ中心部に向かって、Ｙ駆動機構１１６を駆動することにより洗浄液供給ノズル１４０及びリンス液供給ノズル１１１を矢印Ａ方向に沿って移動させる。これにより、洗浄液によるウエハＷの洗浄及び洗浄液のリンスを行うことができる。この際、ウエハＷの回転速度は一定とし、ノズルの移動速度は、ウエハＷの中心部に近くなるにつれて徐々に遅くなるように設定する。これにより、ウエハＷ面内で供給される洗浄液の量を均一化するこができる。具体的には、２００ｍｍの直径を有するウエハＷを処理する場合には、ウエハＷの回転速度を例えば１０〜２００ｒｐｍ、より好ましくは３０〜１５０ｒｐｍとし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば３０ｍｍ／ｓに設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハＷの中心部付近で例えば５ｍｍ／ｓとなるように設定した。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハＷの回転速度を変化させても良く、ウエハＷの回転速度が、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど相対的に遅くなるように設定すれば良い。
【００３９】
このように洗浄されたウエハＷは乾燥処理され、塗布現像処理システムのカセット部６０のカセットＣＲ内に載置される。
【００４０】
次に、カセット部６０から第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してウエハＷを受け取ったメインアーム機構７２は、先ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行なう。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処理する。
【００４１】
冷却処理されたウエハＷは、前記メインアーム機構７２によって第１の処理ユニット群Ｇ１（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。このレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）によりレジスト液が塗布されたウエハＷは、メインアーム機構７２によってアンロードされ、第４の処理ユニット群Ｇ４を介して前記インタフェース部６２に受け渡される。
【００４２】
この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図７に示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び２つのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したものである。
【００４３】
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤（シンナー）を飛ばして乾燥される。
【００４４】
また、このプリベーキングユニットはレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と別に設置しても良いし、レジスト液塗布装置内に設置されていても良い。
【００４５】
次に、このウエハＷはクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部６２に設けられた第２のサブアーム機構６４に受け渡される。
【００４６】
ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機構６４は、受け取ったウエハＷを順次カセットＣＲ内に収納する。このインターフェース部は、前記ウエハＷをカセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受け渡し、露光処理後のウエハＷが収納されたカセットＣＲを受け取る。
【００４７】
露光処理された後のウエハＷは、前記とは逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機構７２に受け渡され、このメインアーム機構７２は、この露光後のウエハＷをポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に挿入した後、所定の温度にてクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却し、その後、現像処理装置（ＤＥＶ）に挿入し現像処理を行なわせる。現像処理後のウエハＷは、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送され、加熱乾燥した後、この第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセット部６０に排出される。
【００４８】
現像処理装置内では、ウエハＷは、スピンチャック１０により水平に吸引保持される。次に、図４に示すように、ウエハＷを時計回りに回転させた状態で、現像液及びリンス液を同時にウエハＷ上に供給しながら、ウエハＷの外縁部からウエハ中心部に向かって、Ｙ駆動機構１６を駆動することにより現像液供給ノズル４０及びリンス液供給ノズル１１を矢印Ｃ方向に沿って移動させる。これにより、現像及びリンスを行うことができる。この際、ウエハＷの回転速度は一定とし、ノズルの移動速度は、ウエハＷの中心部に近くなるにつれて徐々に遅くなるように設定した。これにより、現像処理の終了のタイミングをウエハＷ面内で均一化することができる。具体的には、２００ｍｍの直径を有するウエハＷを処理する場合には、ウエハＷの回転速度を例えば１０〜２００ｒｐｍ、より好ましくは３０〜１５０ｒｐｍとし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば３０ｍｍ／ｓに設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハＷの中心部付近で例えば５ｍｍ／ｓとなるように設定した。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハＷの回転速度を変化させても良く、ウエハＷの回転速度が、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど相対的に遅くなるように設定すれば良い。また、本実施形態では、ウエハＷの回転速度に対するノズルの移動速度を、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるに従って、ノズルがウエハＷの周縁部付近に位置する場合の回転速度に対するノズルの移動速度に対して、相対的に遅くなるように設定することにより、ウエハＷ面内での現像処理終了のタイミングを均一にすることができるが、ノズルの移動速度をノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど速くなるように設定しても良い。この場合、例えばウエハＷの回転速度を一定とし、ノズルの移動速度をノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるに従って速くすることにより、ウエハＷと現像液との接触時間をウエハＷ面内で均一化することができる。これは、ウエハＷの中心部にノズルの位置が近くなるほど面積的に塗布領域が小さくなっていくためである。
なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処理を容易に行ない得るようになっている。
【００４９】
なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処理を容易に行ない得るようになっている。
【００５０】
ここで、本実施形態における洗浄処理装置及び現像処理装置による洗浄処理及び現像処理の効果について、現像処理装置を例に挙げて、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は従来の実施形態、図１１は本実施形態を説明する図である。図１０（ａ）はウエハＷ上に現像液３００を塗布している状態を示す図である。図１０（ｂ）は、横軸が図１０（ａ）に対応したウエハＷ上の位置、縦軸がそのウエハＷの位置における現像液の現像液の現像能力を示している。図１１（ａ）はウエハＷ上に現像液３００及びリンス液３０１を塗布している状態を示す図である。図１１（ｂ）は、横軸が図１１（ａ）に対応したウエハＷの位置、縦軸がそのウエハＷの位置における現像液の現像液の現像能力を示している。
【００５１】
従来では、ウエハＷ全面に現像液が供給された後、リンス液が供給される。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル４０より滴下された直後の現像液３００ａは新しいため、領域Ａ−Ｂで区切られた領域での現像処理は、新しい現像液により現像処理される。これに対し、領域Ｂ−Ｃで区切られた領域では、領域Ａ−Ｂで既に現像処理に使われた汚れた現像液３００ｂが拡散し、ウエハＷ表面に接触することになる。この結果、領域Ｂ−Ｃにおける現像液３００ｂの現像処理能力は、領域Ａ−Ｂにおける現像液３００ａの現像処理能力と比較し、著しく劣ってしまう。
【００５２】
これに対し、本実施形態においては、現像処理で既に使われた汚れた現像液はリンス液により除去されるため、常に新しい現像液がウエハＷ上に供給される。すなわち、図１１（ａ）に示すように、現像液供給ノズル４０より滴下された直後の現像液３００ａは新しく、滴下された領域では新しい現像液により現像処理される。更に、現像処理で既に使われた現像液は、リンス液３０１によって直ちに除去されるので、ノズルの移動及びウエハＷの回転により、常にウエハＷ上には新しい現像液３００ａが供給されることになる。従って、図１１（ｂ）に示すように領域Ｄ−Ｅには新しい現像液が常に供給されることとなり、ウエハＷ面内で高い現像処理能力を得ることができる。なお、この効果は、洗浄処理装置においても同じことが言え、洗浄処理装置においては、常に新しい洗浄液がウエハＷ全面に供給されることになる。
【００５３】
上述の実施形態においては、処理液ノズルとしての洗浄液供給ノズルとリンス液供給ノズルとの位置関係、処理液ノズルとしての現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルとの位置関係は、それぞれ固定されているが、処理液ノズルとリンス液供給ノズルとの位置関係を可変するように設定しても良い。例えば、図８及び図９に示すように、処理液供給ノズル２４０に対して、リンス液供給ノズル２１１の位置が可変可能となるように設定することができる。尚、図８はノズル周辺部を横から見た図、図９は図８のノズルを上方から見た場合の平面図である。また、Ｚ駆動機構２１５は、上述の実施形態のＺ駆動機構１５または１１５に相当する。
【００５４】
図８及び図９に示すように、処理液供給ノズル２４０は、Ｚ駆動機構２１５の先端にホルダ２１７を介して保持されている。更に、リンス液供給ノズル２１１は、ホルダ２１７と軸２３０により接続されたホルダ２４２に保持されている。処理液供給ノズル２４０及びリンス液供給ノズル２１１は、それぞれ図示しない処理液タンク、リンス液タンクに、供給管２４１、２１２を介して接続されている。ホルダ２４２は、軸２３０を中心に、図９に示すように、３６０度回転可能に設定されている。このような構造とすることにより、処理液ノズルに対してリンス液供給ノズルの位置を任意に設定することができるので、ウエハＷ上に滴下された処理液の拡散状態に応じて、リンス液供給ノズルの位置を好ましい位置に設定することができる。また、この位置の設定は、ノズルがウエハＷ上を移動している間に行えるように設定しても良い。更に、図８及び図９に示す構造に加え、処理液ノズルとリンス液供給ノズルとの距離を任意に設定可能な構造とすることにより、ウエハＷの大きさ、ウエハＷの回転速度やノズルの移動速度などの設計範囲の幅が更に広がる。
【００５５】
また、上述の実施形態において、ノズルは、ウエハＷの半径上を片道移動しているが、例えば、ウエハＷの半径上を往復移動しても良く、ウエハＷの直径上を移動しても良い。ウエハＷの直径上をノズルが移動する場合では、ウエハＷの中心部を境にリンス液供給ノズルの位置を変える必要があり、処理液ノズルから滴下される処理液の拡散方向にリンス液供給ノズルが位置するように設定すれば良い。
【００５６】
なお、この実施形態は、その他発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、半導体ウエハに現像液を供給する現像処理装置を例にとって説明したが、半導体ウエハに限定されるものではなく、ＬＣＤ製造に用いる矩形状のガラス基板に現像液を塗布する装置であってもよい。また、上述の洗浄液供給装置においても、ＬＣＤ製造に用いる矩形状のガラス基板の洗浄工程に用いることができる。また、上記実施形態では、処理液として現像液や洗浄液を例に挙げているが、レジスト材の剥離液などであっても良く、変形可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、被処理基板全面に新しい処理液を供給することができるので、基板面内における処理むらがなく、更に処理能力を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る洗浄処理装置を示す概略構成図である。
【図２】図１の洗浄処理装置の上面図である。
【図３】この発明の一実施形態に係る現像処理装置を示す概略構成図である。
【図４】図３の洗浄処理装置の上面図である。
【図５】この発明に係わる現像処理装置を適用した塗布現像処理装置の平面図である。
【図６】図５の塗布現像処理装置の側面図である。
【図７】図５の塗布現像処理装置の正面図である。
【図８】他の実施形態に係るノズルの構造を示す側面図である。
【図９】図８の上面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、従来の現像液塗布の状態を示す図であり、図１０（ｂ）は、横軸が現像液滴下位置と現像液の現像能力との関係を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）は、一実施形態における現像液塗布の状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、横軸が現像液滴下位置と現像液の現像能力との関係を示す図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（被処理基板）
１０、１１０…スピンチャック
１１、１１１、２１１…リンス液供給ノズル
１５、１１５…Ｚ駆動機構
１６、１１６…Ｙ駆動機構
４０…現像液供給ノズル
１４０…洗浄液供給ノズル
２４０…処理液供給ノズル
２４２…ホルダ
３００…現像液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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