(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に設けられた複数のデータ線および複数の走査線と、該データ線および走査線に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向した垂直配向型の液晶装置であって、
平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向が前記画素電極の前記走査線に沿う辺と交差する方向とされ、前記ラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の平面形状を非対称とし、前記非対称な平面形状を有する２つの角のうちの一方は前記画素電極が切り欠かれた切り欠き部となっており、
前記スイッチング素子を構成する半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量を有し、前記切り欠き部が前記蓄積容量の一部と平面的に重なった配置とされたことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶分子を含む液晶層と、前記第２の基板と前記液晶層との間に位置する、電圧無印加状態で前記液晶分子を前記第２の基板の面に対して垂直に配向させる垂直配向膜と、を有し、
前記第２の基板の前記液晶層に面する側に、データ線と、前記データ線と交差する走査線と、前記データ線および前記走査線と電気的に接続されたスイッチング素子を構成する半導体層と、前記半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量と、前記半導体層に電気的に接続された画素電極と、が形成され、
前記画素電極の一部が前記データ線の一部と平面的に重なり、
平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向が前記画素電極の前記走査線に沿う辺と交差する方向とされ、前記ラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の平面形状を非対称とし、前記非対称な平面形状を有する２つの角のうちの一方は前記画素電極が切り欠かれた切り欠き部となっており、
前記スイッチング素子を構成する半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量を有し、前記切り欠き部が前記蓄積容量の一部と平面的に重なった配置とされたことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶分子を含む液晶層と、前記第２の基板と前記液晶層との間に位置する、電圧無印加状態で前記液晶分子を前記第２の基板の面に対して垂直に配向させる垂直配向膜と、を有し、
前記第２の基板の前記液晶層に面する側に、データ線と、前記データ線と交差する走査線と、前記データ線および前記走査線と電気的に接続されたスイッチング素子を構成する半導体層と、前記半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量と、前記半導体層に電気的に接続された画素電極と、が形成され、
平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向が前記画素電極の前記走査線に沿う辺と交差する方向とされ、前記ラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の平面形状を非対称とし、前記非対称な平面形状を有する２つの角のうちの一方は前記画素電極が切り欠かれた切り欠き部となっており、
前記スイッチング素子を構成する半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量を有し、前記切り欠き部が前記蓄積容量の一部と平面的に重なった配置とされたことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記第２の基板の前記液晶層に面する側に、基板側から順に、前記半導体層、前記走査線、前記データ線が積層されていることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記走査線と前記蓄積容量の他方の電極とが同一の材料から形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記蓄積容量が前記半導体層の一部と容量線とを有してなり、前記容量線が前記データ線と平面的に交差していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
第１のデータ線と、前記第１のデータ線に隣接する第２のデータ線と、前記第１のデータ線および前記第２のデータ線と交差する第１の走査線と、前記第１のデータ線および前記第２のデータ線と交差するとともに前記第１の走査線に隣接する第２の走査線と、前記第１の走査線と前記第２の走査線との間に位置する蓄積容量と、前記第１のデータ線と前記第２のデータ線と前記第１の走査線と前記蓄積容量とにそれぞれ平面的に一部重なる画素電極と、前記画素電極上に形成され、電圧無印加状態で液晶分子を前記第２の基板の面に対して垂直に配向させる垂直配向膜と、前記垂直配向膜上に配置された前記液晶分子を含む液晶層と、を有し、
平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向が前記画素電極の前記走査線に沿う辺と交差する方向とされ、前記ラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の平面形状を非対称とし、前記非対称な平面形状を有する２つの角のうちの一方は前記画素電極が切り欠かれた切り欠き部となっており、
前記スイッチング素子を構成する半導体層の一部を一方の電極とする蓄積容量を有し、前記切り欠き部が前記蓄積容量の一部と平面的に重なった配置とされたことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記蓄積容量の他方の電極が、不純物イオンを含むポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置および電子機器に関し、特に垂直配向型の液晶装置における画像のちらつき防止構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１６は、従来のＴＦＴ（Thin Film Transistor, 薄膜トランジスタ）型液晶表示装置（Liquid Crystal Display, 以下、ＬＣＤと記すこともある）において一方の基板を構成するＴＦＴアレイ基板の一構成例を示すものである。
この図に示すように、ＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極１０１が設けられており、画素電極１０１の縦横の境界に各々沿ってデータ線１０３、走査線１０４および容量線１０６が設けられている。データ線１０３は、コンタクトホール１０８を介してポリシリコン膜からなる半導体層１０９のうちの後述するソース領域に電気的に接続されており、画素電極１０１は、コンタクトホール１１０を介して半導体層１０９のうちの後述するドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体層１０９のうち、後述するチャネル領域１１１（図中右下がりの斜線の領域）に対向するように走査線１０４が配置されている。
【０００３】
このＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示装置の断面構造は、図１７のようになっている。
この図に示すように、液晶装置は一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０７と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１１２とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０７には、透明導電性薄膜からなる画素電極１０１が設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０７上の各画素電極１０１に隣接する位置に各画素電極１０１をスイッチング制御するＴＦＴ１０２が設けられている。ＴＦＴ１０２は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線１０４、当該走査線１０４からの電界によりチャネルが形成される半導体層１０９のチャネル領域１１１、走査線１０４と半導体層１０９とを絶縁する絶縁薄膜１１３、データ線１０３、半導体層１０９の低濃度ソース領域１１４および低濃度ドレイン領域１１５、半導体層１０９の高濃度ソース領域１１６および高濃度ドレイン領域１１７を備えている。
【０００４】
また、走査線１０４上、絶縁薄膜１１３上を含むＴＦＴアレイ基板１０７上には、高濃度ソース領域１１６へ通じるコンタクトホール１０８および高濃度ドレイン領域１１７へ通じるコンタクトホール１１０が各々形成された第１層間絶縁膜１１８が形成されている。つまり、データ線１０３は、第１層間絶縁膜１１８を貫通するコンタクトホール１０８を介して高濃度ソース領域１１６に電気的に接続されている。さらに、データ線１０３上および第１層間絶縁膜１１８上には、高濃度ドレイン領域１１７へ通じるコンタクトホール１１０が形成された第２層間絶縁膜１１９が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１１７は、第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９を貫通するコンタクトホール１１０を介して画素電極１０１に電気的に接続されている。
【０００５】
また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜１１３を走査線１０４の一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１０９を延設して第１蓄積容量電極１２０とし、さらにこれらに対向する容量線１０６の一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量１０５が構成されている。
【０００６】
他方、対向基板１１２には、ＴＦＴアレイ基板１０７上のデータ線１０３、走査線１０４、ＴＦＴ１０２の形成領域に対向する領域、すなわち各画素の非表示領域にブラックマトリクスとして機能する第１遮光膜１２２が設けられている。さらに、第１遮光膜１２２上を含む対向基板１１２上には、その全面にわたって透明導電性薄膜からなる対向電極（共通電極）１２３が設けられている。
【０００７】
そして、ＴＦＴアレイ基板１０７の第２層間絶縁膜１１９上および画素電極１０１上に配向膜１２１が設けられ、対向基板１１２の対向電極１２３上にも配向膜１２４が設けられている。これらＴＦＴアレイ基板１０７と対向基板１１２は、画素電極１０１と対向電極１２３とが対向するように配置され、これら基板１０７、１１２とシール材（図示略）により囲まれた空間に液晶１２５が封入されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示装置の配向モードには、電圧無印加状態で液晶分子が水平に配向した水平配向モードと、垂直に配向した垂直配向モードとがある。信頼性等の面から従来は水平配向モードが主流であったが、垂直配向モードがいくつかの優れた特性を持っていることから、近年、垂直配向型のＬＣＤが採用されてきている。
【０００９】
例えば、垂直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配列された状態（法線方向から見た光学的リターデーションが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の質が良く、高いコントラストが得られる。また、正面コントラストに優れる垂直配向型ＬＣＤでは、一定のコントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのＴＮ液晶に比較して広くなる。さらに、画素内の液晶の配向状態を多分割化するマルチドメイン化の技術を採用すれば、極めて広い視野角を得ることができる。また、垂直配向型ＬＣＤにおいては、応答速度と配向制御とが他の液晶表示モードに比較してより密接な関係にあり、その配向状態により得られる応答速度が大きく異なるが、初期配向にバイアスを与えることにより応答速度が大幅に改善される、といった特性を有している。
【００１０】
垂直配向型ＬＣＤはこのような利点を有しているが、その反面、以下のような問題点を有している。
すなわち、一般に垂直配向モードは、水平配向モードに比較して配向規制力が弱いという特性を有している（上述したような垂直配向型ＬＣＤにおける応答速度の強い配向状態依存性も、この特性に起因していると考えられる）。配向規制力が弱いことで、電圧印加時の液晶は過渡的に数々の配向方向を容易にとり、不安定なドメイン構造が形成されやすくなる。特に、プレチルト角が小さい場合、液晶に横電界が作用しなければ液晶分子が立った状態から全て一様な方向に倒れるが、駆動方法としてライン反転、ドット反転等を用いると液晶に横電界が印加されるために、ドット反転駆動の場合、液晶分子が矩形の画素の各辺の外周部から中心部に向けてそれぞれ倒れていき、また、ライン反転駆動の場合、隣り合う画素電極間で電気的に極性差のある側の辺から中心部に向けて倒れていく傾向にある。
【００１１】
図１８は、この種の一般的な垂直配向モードを備えた液晶表示装置の画素単位の透過率のシミュレーション結果を示すものである。図１８の符号ＡＡで示す領域が１つの画素領域を示し、この画素領域ＡＡにおいて、符号ＡＢで示す領域が透過率の高い領域を示し、符号ＡＣで示す領域が透過率の低い領域を示す。つまり、液晶分子が画素の各辺の外周部から中心部に向けて倒れていった結果、矩形の画素の対角線に沿ってドメインの境界ができ、この部分が透過率の低い領域、いわゆるディスクリネーションラインとなる。なお、図１８はラビングの影響を考慮しておらず、対角線上の２本のディスクリネーションラインの交点が画素の中心にあるが、図１８においてＴＦＴアレイ基板側のラビング方向が紙面の上から下に向かう方向であったとすると、実際にはディスクリネーションラインの交点が画素の中心よりも紙面の下方向に移動した状態となる。すなわち、ディスクリネーションラインの交点は、ラビング方向先端側に偏って位置することになる。
【００１２】
しかしながら、垂直配向型ＬＣＤでは、もともと配向規制力が弱く、不安定なドメイン構造が形成されやすいため、例えば基板上の配向処理のわずかな乱れやその時々の電圧印加状態のバラツキなどによって、上述した画素中心のやや下側にできるディスクリネーションラインの交点が左右にふらつくという現象が生じることがある。ディスクリネーションラインは常に同じ箇所に発生している限りほとんど問題ないが、ディスクリネーションラインの交点の動きは、使用者の目には画像のちらつきとして視認される、という点で問題があった。
【００１３】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、垂直配向型の液晶装置においてディスクリネーションラインの動きに起因する画像のちらつきを抑制し得る構造を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、課題を解決するための第１の手段である本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に設けられた複数の信号線と、該信号線に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有し、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向した垂直配向型の液晶装置であって、平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の平面形状を非対称としたことを特徴とするものである。
【００１５】
従来の垂直配向型液晶装置においては、２本のディスクリネーションラインの交点が画素の中心近傍に生じたとしても、その交点の位置は極めて不安定なものであり、基板上の配向処理の乱れ、その時々の電圧印加状態のバラツキ等の要因によりディスクリネーションラインの交点のふらつきが生じていた。その結果、使用者の目に画像のちらつきが視認されていた。
これに対して、本発明の液晶装置においては、ディスクリネーションラインの交点が偏って位置するラビング方向先端側にて、ラビング方向を対称軸とした画素電極の対向する２つの角の平面形状が非対称となっているので、液晶分子が画素電極の外周から中心に向けて倒れる際に交点の位置が２つの角を結ぶ線分の中心線上からいずれかの方向にずれることになる。またこの際、画素電極中央部の極めて不安定な位置にディスクリネーションラインの交点が形成されていた従来の場合と比較すると、本発明の場合、中央からずれたある特定の位置にディスクリネーションラインの交点が安定して形成される傾向が強くなる。これにより、ディスクリネーションラインの交点の動きに起因する画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【００１６】
具体的には、前記画素電極の非対称な平面形状を持つ２つの角は、その一方の角を切り欠いた形状とすることができる。またこれとは逆に、その一方の角が張出部を有する形状とすることもできる。
例えば四角形状の画素電極を平面視したとして、画素電極の上方に位置する配向膜のラビング方向が上から下に向かう方向である場合、本発明で言うところの「配向膜のラビング方向を対称軸としてラビング方向先端側にあたる対向する２つの角」とは、左下の角と右下の角ということになる。そこで、例えば画素電極の左下の角を切り欠いた形状とすると、画素電極の中心よりも右下寄りの位置にディスクリネーションラインの交点が安定して形成されるようになる。あるいは、画素電極の左下の角に張出部を設けた形状とすると、上述の場合とは逆に、画素電極の中心よりも左下寄りの位置にディスクリネーションラインの交点が安定して形成されるようになる。いずれにしても、これらの方法を採ると、画素電極の形状を変えるだけであるから、画素電極のマスクパターンを変更するのみで済み、製造プロセスを変更する必要がないため、本発明の課題を解決するに有効な手段である。
【００１７】
また、課題を解決するための第２の手段である本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に設けられた複数の信号線と、該信号線に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有し、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向した垂直配向型の液晶装置であって、平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の部分の当該画素電極の膜厚が異なっていることを特徴とするものである。
すなわち、この構成は、前記画素電極の膜厚が異なる２つの角のうち、一方の角の部分を当該画素電極の残りの部分の膜厚よりも厚く形成するか、あるいは、一方の角の部分を当該画素電極の残りの部分の膜厚よりも薄く形成するか、のいずれかの手段により実現できる。
【００１８】
配向膜のラビング方向を対称軸としてラビング方向先端側にあたる画素電極の対向する２つの角のうち、一方の角の部分を当該画素電極の残りの部分の膜厚よりも厚く形成したとすると、液晶への電圧印加時にこの部分に発生する等電位線は、他の部分の等電位線よりも画素電極中央側から外周側に向けて高くなるように傾斜することになる。この傾斜した等電位線は、垂直配向している液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れるように配向しようとする際に液晶分子に対して画素電極外側に向かう力を作用させ、液晶分子を画素電極中央側に向けて倒れにくくする。よって、この場合のディスクリネーションラインの交点は、画素電極の中心よりも膜厚を厚くした角寄りの位置に安定して形成されるようになる。その結果、第１の手段と同様、画像のちらつきを抑制することができる。これとは逆に、一方の角の部分を当該画素電極の残りの部分の膜厚よりも薄く形成したとすると、上記と全く逆の作用によりディスクリネーションラインの交点は、画素電極の中心よりも膜厚を薄くした角から離れた側の位置に安定して形成されるようになる。その結果、画像のちらつきを抑制することができる。
【００１９】
課題を解決するための第３の手段である本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に設けられた複数の信号線と、該信号線に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有し、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向した垂直配向型の液晶装置であって、平面形状が多角形状に形成された前記画素電極の角のうち、該画素電極の上方に設けられた配向膜のラビング方向を対称軸として、ラビング方向先端側にあたる対向する２つの角の上方に位置する配向膜の高さが異なっていることを特徴とするものである。
【００２０】
上述の第２の手段では画素電極の角の部分の膜厚を変え、この部分の等電位線を傾斜させることにより、ディスクリネーションラインの交点の形成位置をずらすようにした。これに対して、第３の手段においては、画素電極の膜厚は一定であっても、例えば画素電極の一方の角の部分の上に絶縁膜を形成するなどして配向膜の高さをこの部分だけ変えることによっても、等電位線を傾斜させることができる。その結果、第２の手段と同様の作用によりディスクリネーションラインの交点の形成位置を安定化させ、画像のちらつきを抑制することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、上記本発明の液晶装置を備えたことにより画像のちらつきの少ない表示部を有する電子機器を実現することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図７を参照して説明する。
図１は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。なお、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
図１に示すように、本実施の形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極１と当該画素電極１を制御するためのＴＦＴ２（スイッチング素子）がマトリクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデータ線３（信号線）が当該ＴＦＴ２のソース領域に電気的に接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線３同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ２のゲートに走査線４が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線４にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極１は、ＴＦＴ２のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２４】
画素電極１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５を付加する。例えば画素電極１の電圧は、蓄積容量５によりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、保持特性はさらに改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。本実施の形態では、蓄積容量５を形成する方法として、半導体層との間で容量を形成するための配線である容量線６を設けている。また、容量線６を設ける代わりに、画素電極１と前段の走査線４との間で容量を形成しても良い。
【００２５】
図２に示すように、液晶装置のＴＦＴアレイ基板７上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性薄膜からなる複数の画素電極１がマトリクス状に設けられており、画素電極１の縦方向の辺に沿ってデータ線３が設けられ、横方向の辺に沿って走査線４および容量線６が設けられている。データ線３は、コンタクトホール８を介してポリシリコン膜からなる半導体層９のうち後述するソース領域に電気的に接続されており、画素電極１は、コンタクトホール１０を介して半導体層９のうち後述するドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体層９のうち後述するチャネル領域１１（図中右下がりの斜線の領域）に対向するように走査線４が配置されている。
【００２６】
本実施の形態のＴＦＴアレイ基板７においては、後述する配向膜がラビング処理されており、そのラビング方向が図２の紙面において上から下に向かう方向（矢印Ｒで示す方向）となっている。そして、画素電極１が略矩形状に形成されているが、図２における画素電極１の左下の角だけは矩形状に切り欠かれた形状とされている（切り欠き部を符号１ａで示す）。
【００２７】
次に断面構造を見ると、図３に示すように、液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板がＴＦＴアレイ基板７であり、これに対向配置された他方の基板が対向基板１２である。ＴＦＴアレイ基板７は例えば石英基板からなり、対向基板１２は例えばガラス基板や石英基板からなるものである。ＴＦＴアレイ基板７上に画素電極１が設けられ、ＴＦＴアレイ基板７上の各画素電極１に隣接する位置には各画素電極１をスイッチング制御するＴＦＴ２が設けられている。ＴＦＴ２は、ＬＤＤ構造をなしており、走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネルが形成される半導体層９のチャネル領域１１、走査線４と半導体層９とを絶縁する絶縁薄膜１３、データ線３、半導体層９の低濃度ソース領域１４および低濃度ドレイン領域１５、半導体層９の高濃度ソース領域１６および高濃度ドレイン領域１７を備えている。
【００２８】
また、走査線４上、絶縁薄膜１３上を含むＴＦＴアレイ基板７上には、高濃度ソース領域１６へ通じるコンタクトホール８、高濃度ドレイン領域１７へ通じるコンタクトホール１０が各々形成された第１層間絶縁膜１８が形成されている。つまり、データ線３は、第１層間絶縁膜１８を貫通するコンタクトホール８を介して高濃度ソース領域１６に電気的に接続されている。さらに、データ線３上および第１層間絶縁膜１８上には、高濃度ドレイン領域１７へ通じるコンタクトホール１０が形成された第２層間絶縁膜１９が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１７は、第１層間絶縁膜１８および第２層間絶縁膜１９を貫通するコンタクトホール１０を介して画素電極１に電気的に接続されている。なお、画素電極１と高濃度ドレイン領域１７とは、データ線３と同一のＡｌ膜や走査線４と同一のポリシリコン膜を中継して電気的に接続する構成としてもよい。
【００２９】
ＴＦＴ２は、上述のようにＬＤＤ構造を持つのが好ましいが、低濃度ソース領域１４および低濃度ドレイン領域１５に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を採っても良いし、ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであっても良い。
【００３０】
また本実施の形態では、ＴＦＴ２の走査線４の一部からなるゲート電極をソース・ドレイン領域間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース・ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造あるいはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００３１】
また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜１３を走査線４の一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層９を延設して第１蓄積容量電極２０とし、さらにこれらに対向する容量線６の一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量５が構成されている。より詳細には、半導体層９の高濃度ドレイン領域１７が、データ線３および走査線４の下に延設され、同じくデータ線３および走査線４に沿って延びる容量線６部分に絶縁薄膜１３を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極２０とされている。特に、蓄積容量５の誘電体としての絶縁薄膜１３は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ２のゲート絶縁膜の場合、薄くかつ高耐圧の絶縁膜となるから、蓄積容量５は比較的小面積で大容量の蓄積容量とすることができる。
【００３２】
また、画素電極１上および第２層間絶縁膜１９上には、図２の矢印Ｒの方向にラビング処理が施された配向膜２１が設けられている。
【００３３】
他方、対向基板１２には、ＴＦＴアレイ基板７上のデータ線３、走査線４、ＴＦＴ２の形成領域に対向する領域、すなわち各画素の非表示領域に第１遮光膜２２が設けられている。さらに、第１遮光膜２２上を含む対向基板１２上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２３が設けられている。対向電極２３もＴＦＴアレイ基板７の画素電極１と同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成されている。第１遮光膜２２の存在により、対向基板１２の側からの入射光がＴＦＴ２の半導体層９のチャネル領域１１や低濃度ソース領域領域１４、低濃度ドレイン領域１５に侵入することはない。さらに、第１遮光膜２２は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を有している。そして、対向電極２３上には、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して垂直に配向させる垂直配向膜２４が設けられている。これらＴＦＴアレイ基板７と対向基板１２は、画素電極１と対向電極２３とが対向するように配置され、これら基板７、１２と後述するシール材（図１１および図１２参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層２５が形成されている。
【００３４】
［第１実施形態の液晶装置の製造プロセス］
次に、上記構成を有する液晶装置の製造プロセスについて、図４ないし図７を参照して説明する。なお、図４から図７は各工程におけるＴＦＴアレイ基板７側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。
【００３５】
図４の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板７を用意する。ここで、好ましくはＮ2（窒素）等の不活性ガス雰囲気下、約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板７に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。すなわち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板７を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。
【００３６】
次に、ＴＦＴアレイ基板７上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、このアモルファスシリコン膜に対して窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施すことにより、ポリシリコン膜２６を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。
【００３７】
この際、図３に示したＴＦＴ２として、ｎチャネル型のＴＦＴを作成する場合には、当該チャネル領域１１にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素の不純物イオンをわずかにイオン注入等によりドープしても良い。また、ＴＦＴ２をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素の不純物イオンをわずかにイオン注入等によりドープしても良い。なお、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成しても良い。あるいは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜を形成しても良い。
【００３８】
次に工程（２）に示すように、図２に示したような所定パターンの半導体層９を形成する。すなわち、特にデータ線３下で容量線６が形成される領域および走査線４に沿って容量線６が形成される領域には、ＴＦＴ２を構成する半導体層９から延設された第１蓄積容量電極２０を形成する。
【００３９】
次に工程（３）に示すように、ＴＦＴ２を構成する半導体層９とともに第１蓄積容量電極２０を約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、さらに減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つＴＦＴ２のゲート絶縁膜となるとともに容量形成用の誘電体膜となる絶縁薄膜１３を形成する（図３参照）。この結果、半導体層９および第１蓄積容量電極２０の厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁薄膜１３の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する場合に熱による反りを防止することができる。ただし、ポリシリコン膜２６を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つ絶縁薄膜１３を形成してもよい。
【００４０】
なお、工程（３）において特に限定されないが、第１蓄積容量電極２０となる半導体層９部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０12／ｃｍ2でドープして、低抵抗化させてもよい。
【００４１】
次に工程（４）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜２７を堆積した後、Ｐを熱拡散し、ポリシリコン膜２７を導電化する。または、Ｐイオンをポリシリコン膜２７の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００４２】
次に、図５の工程（５）に示すように、ポリシリコン膜２７をパターニングし、図２に示したような所定パターンの走査線４と容量線６を形成する。これらの走査線４および容量線６の膜厚は、例えば約３５０ｎｍとする。
【００４３】
次に、工程（６）に示すように、図３に示したＴＦＴ２をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層９に、先ず低濃度ソース領域１４および低濃度ドレイン領域１５を形成するために、走査線４の一部となるゲート電極を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素の不純物イオン２８を低濃度で（例えば、Ｐイオンを１×１０13〜３×１０13／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。これにより、走査線４下の半導体層９はチャネル領域１１となる。この不純物イオン２８のドープにより容量線６および走査線４も低抵抗化される。
【００４４】
続いて、工程（７）に示すように、ＴＦＴ２を構成する高濃度ソース領域１６および高濃度ドレイン領域１７を形成するために、走査線４よりも幅の広いマスクでレジスト層２９を走査線４上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物イオン３０を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１×１０15〜３×１０15／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。また、ＴＦＴ２をｐチャネル型とする場合、半導体層９に、低濃度ソース領域１４および低濃度ドレイン領域１５並びに高濃度ソース領域１６および高濃度ドレイン領域１７を形成するために、Ｂ（ボロン）などのIII族元素の不純物イオンを用いてドープする。なお、例えば、低濃度の不純物イオンのドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線４の一部であるゲート電極をマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線６および走査線４もさらに低抵抗化される。
【００４５】
また、工程（６）および工程（７）を再度繰り返し、ＢイオンなどのIII族元素の不純物イオンを行うことにより、ｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる。これにより、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つ後述するデータ線駆動回路および走査線駆動回路をＴＦＴアレイ基板７上の周辺部に形成することが可能となる。このように、ＴＦＴ２を構成する半導体層９をポリシリコン膜で形成すれば、ＴＦＴ２の形成時にほぼ同一工程で、データ線駆動回路および走査線駆動回路を形成することができ、製造上有利である。
【００４６】
次に、工程（８）に示すように、ＴＦＴ２における走査線４と容量線６を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１８を形成する。第１層間絶縁膜１８の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【００４７】
次に、図６の工程（９）の段階で、高濃度ソース領域１６および高濃度ドレイン領域１７を活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線３に対するコンタクトホール８を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、あるいはウェットエッチングにより形成する。また、走査線４や容量線６を図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール８と同一の工程により第１層間絶縁膜１８に開孔する。
【００４８】
次に、工程（１０）に示すように、第１層間絶縁膜１８の上に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜３１として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積し、さらに工程（１１）に示すように、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程等により、金属膜３１をパターニングしてデータ線３を形成する。
【００４９】
次に、工程（１２）に示すように、データ線３上を覆うように、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜１９を形成する。第２層間絶縁膜１９の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【００５０】
次に、図７の工程（１３）の段階において、ＴＦＴ２において、画素電極１と高濃度ドレイン領域１７とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【００５１】
次に、工程（１４）に示すように、第２層間絶縁膜１９の上に、スパッタリング等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜３２を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、さらに工程（１５）に示すように、これをパターニングして画素電極１を形成する。なお、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極１を形成してもよい。
【００５２】
次に、工程（１６）に示すように、全面に配向膜２１としてポリイミド系の水平配向膜（例えば、ＪＳＲのＪＡＬＳ６５７）を、スピンコーターを用いて膜厚５０ｎｍ程度に形成する。続いて、所定の方向でラビング処理を施すことにより、配向膜２１が形成される。
【００５３】
他方、図３に示した対向基板１２については工程図の例示を省略するが、ガラス基板等が先ず用意され、第１遮光膜２２および後述する額縁としての第２遮光膜（図１１参照）を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成する。なお、これら遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【００５４】
その後、対向基板１２の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２３を形成する。さらに、対向電極２３の全面に垂直配向膜２４を形成する。この際、垂直配向膜２４の材料としては、ポリイミド、界面活性剤、カップリング剤、金属錯体等を用いることができる。さらに、金属膜と直鎖構造の硫黄化合物分子により前記金属膜表面に形成された単分子膜とを含む配向膜を用いることもできる。
【００５５】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板７と対向基板１２とを対向配置し、セル厚が４μｍになるようにシール材により貼り合わせ、空パネルを作製する。次いで、ネガ型液晶を空パネル内に封入すれば、本実施の形態の液晶装置が作製される。
【００５６】
本実施の形態の液晶装置においては、略矩形状の画素電極１の図２における左下の角、すなわち通常２本のディスクリネーションラインの交点が偏って位置する側であるラビング方向先端側の２つの角のうち、一方の角のみが切り欠かれた形状となっており、左下の角と右下の角の平面形状が非対称となっている。そのため、電界印加時に液晶分子が画素電極１の外周から中心に向けて倒れる際に生じるディスクリネーションラインの交点の位置が、２つの角の平面形状が対称である場合に比べて右下の角寄りにずれるとともに、この特定の位置にディスクリネーションラインの交点が安定して形成される傾向が強くなる。これにより、ディスクリネーションラインの交点の動きに起因する画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【００５７】
また、この方法は画素電極１の形状を変えるだけで実施することができるので、画素電極１のマスクパターンを変更するのみで済み、製造プロセスを変更する必要がないため、上記の効果を比較的容易に得ることができる。
【００５８】
［第２の実施の形態の液晶装置］
以下、本発明の第２の実施の形態を図８を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置の特徴点は、画素電極の１つの角の部分の膜厚を変えたことにあり、第１の実施の形態のように画素電極の角を切り欠いてはいない。つまり、画素の平面的なパターン構成は従来技術として示した図１６と同一である。よって、以下では平面図の図示は省略し、図２のＡ−Ａ’線と同一箇所の断面構造を示す図８を用いて本実施の形態を説明する。
【００５９】
本実施の形態の液晶装置は、図２に示した第１の実施の形態の液晶装置とは異なり、画素電極の左下の角を切り欠いたものではない。この切り欠き部分には画素電極をなす透明導電性薄膜が存在しており、画素電極が矩形状になっているが、図８に示すように、画素電極３４をなす透明導電性薄膜のこの部分（符号３４ａで示す部分、平面図においては図２における画素電極の左下の角）のみが、他の部分よりも膜厚が厚く形成されている。そのため、画素電極３４上に設けられる配向膜２１はこの部分のみが盛り上がった状態となっている。他の構成は、第１の実施の形態の液晶装置と全く同様である（図８において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付す）。
【００６０】
本実施の形態の液晶装置の場合、図２における画素電極において、配向膜のラビング方向を対称軸としてラビング方向先端側にあたる左下の角と右下の角のうち、左下の角の部分３４ａのみが当該画素電極３４の残りの部分の膜厚よりも厚く形成されているため、液晶への電圧印加時にこの部分に発生する等電位線は、他の部分の等電位線よりも画素電極中央側から外周側に向けて高くなるように傾斜することになる。この傾斜した等電位線により、垂直配向している液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れるように配向しようとする際に液晶分子に対して画素電極外側に向かう力が作用し、液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れにくくなる。よって、この場合の２本のディスクリネーションラインの交点は、画素電極の中心よりも膜厚を厚くした側の左下の角寄りの位置に安定して形成されるようになる。その結果、第１の実施の形態と同様、画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【００６１】
［第３の実施の形態の液晶装置］
以下、本発明の第３の実施の形態を図９を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置も第２の実施の形態と同様、画素の平面的なパターン構成は従来技術として示した図１６と同一である。よって、以下では平面図の図示は省略し、図２のＡ−Ａ’線と同一箇所の断面構造を示す図９を用いて本実施の形態を説明する。
【００６２】
本実施の形態の液晶装置は、図９に示すように、第２の実施の形態とは逆に、画素電極３６をなす透明導電性薄膜の図２における画素電極の左下の角の部分３６ａのみが、他の部分よりも膜厚が薄く形成されている。そのため、画素電極３６上に設けられる配向膜２１はこの部分が他の画素電極３６上の部分よりも低くなっている。他の構成は、第１、第２の実施の形態の液晶装置と全く同様である（図９において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付す）。
【００６３】
本実施の形態の液晶装置の場合、図２における画素電極において、配向膜のラビング方向を対称軸としてラビング方向先端側にあたる左下の角と右下の角のうち、左下の角の部分３６ａのみが当該画素電極３６の残りの部分の膜厚よりも薄く形成されているため、液晶への電圧印加時にこの部分に発生する等電位線は、他の部分の等電位線よりも画素電極中央側から外周側に向けて低くなるように傾斜することになる。この傾斜した等電位線により、垂直配向している液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れるように配向しようとする際に液晶分子に対して画素電極内側に向かう力が作用し、液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れやすくなる。よって、この場合の２本のディスクリネーションラインの交点は、画素電極の中心よりも右下の角寄りの位置に安定して形成されるようになる。その結果、第２の実施の形態と同様、画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【００６４】
［第４の実施の形態の液晶装置］
以下、本発明の第４の実施の形態を図１０を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置も、第２、第３の実施の形態と同様、画素の平面的なパターン構成は従来技術として示した図１６と同一である。よって、以下では平面図の図示は省略し、図２のＡ−Ａ’線と同一箇所の断面構造を示す図１０を用いて本実施の形態を説明する。
【００６５】
第２、第３の実施の形態の液晶装置が、画素電極の１つの角の部分のみの膜厚を変えていたのに対し、本実施の形態の液晶装置では、画素電極３８の膜厚自体は一様であり、画素電極３８の表面は全体にわたって平坦である。その代わりに、図１０に示すように、画素電極３８の左下の角にあたる部分に任意の膜材料からなる誘電体層３９が設けられ、その上に設けられた配向膜２１はこの部分のみが盛り上がった状態となっている。他の構成は、第１〜第３の実施の形態の液晶装置と全く同様である（図１０において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付す）。
【００６６】
本実施の形態の液晶装置の場合、画素電極３８の膜厚は一様であるが、画素電極３８上の左下の角の部分にのみ誘電体層３９を設け、この部分の配向膜２１を盛り上げたことによって、この部分の画素電極を厚くした第２の実施の形態と同様の作用を呈する。すなわち、画素電極３８上の左下の角の部分に発生する等電位線が傾斜することにより、液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れようとする際に液晶分子に対して画素電極外側に向かう力が作用し、液晶分子が画素電極中央側に向けて倒れにくくなる。よって、この場合の２本のディスクリネーションラインの交点は、画素電極の中心よりも左下の角寄りの位置に安定して形成されるようになる。その結果、上記実施の形態と同様、画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【００６７】
［液晶装置の全体構成］
次に、上記各実施の形態に共通の液晶装置の全体構成を図１１、図１２を参照して説明する。なお、図１１は、ＴＦＴアレイ基板７をその上に形成された各構成要素とともに対向基板１２の側から見た平面図であり、図１２は、対向基板１２を含めて示す図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００６８】
図１１において、ＴＦＴアレイ基板７の上には、シール材４１がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第１遮光膜２２と同じかあるいは異なる材料からなる額縁としての第２遮光膜４２が設けられている。シール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路４３および外部回路接続端子４４がＴＦＴアレイ基板７の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路４５がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線４に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路４５は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路４３を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線３は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線３は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。このようにデータ線３を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板７の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路４５間をつなぐための複数の配線４６が設けられている。また、対向基板１２のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板７と対向基板１２との間で電気的導通をとるための導通材４７が設けられている。そして、図１２に示すように、図１１に示したシール材４１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１２が当該シール材４１によりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。
【００６９】
以上、図１ないし図１２を参照して説明した各実施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板７上には、さらに製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路４３および走査線駆動回路４５をＴＦＴアレイ基板７の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板７の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板１２の投射光が入射する側およびＴＦＴアレイ基板７の出射光が出射する側には各々動作モードの違いに応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の方向で配置される。
【００７０】
以上説明した各実施形態における液晶装置は、例えば直視型の液晶表示装置に適用しても良いし、液晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用しても良い。
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型またはコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効である。
【００７１】
［電子機器］
以下、本発明の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図１３において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１４は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
図１４において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図１５において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１３ないし図１５に示す電子機器は、上記の液晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、画像のちらつきのない表示品位に優れた電子機器を実現することができる。
【００７２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば第１の実施の形態においては、図２においてラビング方向が紙面の上から下に向かう方向であるとした時に画素電極の左下の角を切り欠いた形状としたが、右下の角を切り欠いた形状としても良い。また、切り欠き部の形状や寸法についても任意で良い。さらにこの場合、画素電極の左下の角と右下の角の形状が非対称でありさえすればよいので、切り欠き部を設けるのとは逆に、いずれか一方の角を外方に向けて張り出させた張出部を設ける構成としても良い。また、液晶装置を構成する各種膜の材料、膜厚、寸法、製造条件等の具体的な記載に関しては、上記実施の形態に限ることなく、適宜設計変更が可能である。また、上記実施の形態ではＴＦＴ型液晶装置の例を挙げて説明したが、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode,薄膜ダイオード）を用いたＴＦＤ型液晶装置に本発明を適用することもできる。
【００７３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、垂直配向モードにおいて液晶分子が画素電極の外周から中心に向けて倒れていく際にできる２本のディスクリネーションラインの交点の位置が画素の中心部からいずれかの方向にずれるとともに、画素電極中心部の極めて不安定な位置にディスクリネーションラインの交点が形成されていた従来の場合と比較すると、中心からずれたある特定の位置にディスクリネーションラインの交点が安定して形成される傾向が強くなる。この作用により、ディスクリネーションラインの交点の動きに起因する画像のちらつきを従来に比べて抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態の液晶装置の画像表示領域において、マトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】  同、液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の隣接する複数の画素群を示す平面図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】  同、液晶装置の製造プロセスを示す工程断面図である。
【図５】  同、工程断面図の続きである。
【図６】  同、工程断面図の続きである。
【図７】  同、工程断面図の続きである。
【図８】  本発明の第２実施形態の液晶装置を示す断面図である。
【図９】  本発明の第３実施形態の液晶装置を示す断面図である。
【図１０】  本発明の第４実施形態の液晶装置を示す断面図である。
【図１１】  各実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１２】  図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１３】  本発明の液晶装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１４】  同、電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１５】  同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１６】  従来のＴＦＴアレイ基板の隣接する複数の画素群を示す平面図である。
【図１７】  図１６のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図１８】  垂直配向モードを備えた液晶表示装置の画素単位の透過率のシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
１，３４，３６，３８  画素電極
２  ＴＦＴ（スイッチング素子）
３  データ線（信号線）
４  走査線
５  蓄積容量
６  容量線
７  ＴＦＴアレイ基板
１２  対向基板
２１  配向膜
２４  垂直配向膜
２５  液晶層
３９  誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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