(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、反強磁性層と、電極層とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、外側に強磁性層を有しており、
前記反強磁性層は、一面が前記磁気抵抗効果膜の前記強磁性層の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、前記磁気抵抗効果膜に前記交換結合によるバイアス磁界を印加し、
前記電極層は、軟磁性層を含み、前記軟磁性層は、一面が前記反強磁性層の他面に隣接し、
前記反強磁性層は２つであり、それぞれは前記磁気抵抗効果膜の相反する両端部に、互いに間隔を隔てて配置されており、
前記電極層は２つであり、それぞれは前記２つの反強磁性層にそれぞれ隣接する
磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
磁気抵抗効果膜と、反強磁性層と、電極層とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、外側に強磁性層を有しており、
前記反強磁性層は、一面が前記磁気抵抗効果膜の前記強磁性層の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、前記磁気抵抗効果膜に前記交換結合によるバイアス磁界を印加し、
前記電極層は、軟磁性層を含み、前記軟磁性層は、一面が前記反強磁性層の他面に隣接し、
前記反強磁性層は、前記磁気抵抗効果膜の前記強磁性層の前記一面の面内に備えられている
磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜はスピンバルブ膜であり、
前記磁気抵抗効果膜の前記強磁性層は、フリー層である
磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、
更に、補助層を含み、
前記補助層は、前記磁気抵抗効果膜の前記両端部の側部に配置され、前記電極層を支持する
磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項４に記載された磁気抵抗効果素子であって、前記補助層は、軟磁性層または絶縁層の何れかである磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
読み取り素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記読み取り素子は、請求項１乃至５の何れかに記載された磁気抵抗効果素子でなる
薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載された薄膜磁気ヘッドであって、更にスライダを含み、前記スライダは、前記読み取り素子を支持している薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項６又は７に記載された薄膜磁気ヘッドであって、更に誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項６乃至８の何れか一項に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。
【請求項１０】
磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項９に記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行う磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク（ＨＤＤ）の高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を有する読み取り素子と、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
読み取り素子の特性としては、バルクハウゼンノイズが小さいことが要求される。バルクハウゼンノイズを低減する手段としては、ＭＲ素子に対して長手方向にバイアス磁界を印加することが行われている。ＭＲ素子に対する長手バイアス磁界の印加は、例えば、ＭＲ素子の両側に、永久磁石や、強磁性層と反強磁性層との積層体等によって構成されたバイアス磁界印加層を配置することによって行われる。
【０００４】
ところで、例えば特開平１１−３１３１３号公報に記載されているように、ＭＲ素子の両側にバイアス磁界印加層を配置すると、ＭＲ素子においてバイアス磁界印加層に隣接する端部近傍に、バイアス磁界印加層からの磁界によって磁化の方向が固定されて、信号磁界を感知することが出来ない領域（以下不感領域と称する）が生じることが知られている。
【０００５】
そのため、電極層をＭＲ素子に重ならないように配置した場合には、センス電流が不感領域を通過するために、読み取り素子の出力が低下するという問題があった。
【０００６】
この問題を解決するために、特開平８−４５０３７号公報、特開平９−２８２６１８号公報、特開平１１−３１３１３号公報、特開２０００−７６６２９号公報等に示されているように、電極層を、ＭＲ素子を構成する磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と称する）に部分的に重なる（以下、オーバーラップと称する）ように配置することが行われている。ＭＲ膜としては、スピンバルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）が用いられる。
【０００７】
しかしながら、電極層をＳＶ膜上にオーバーラップさせた場合、オーバーラップした部分のＳＶ膜にはセンス電流が流れないので、直接的に出力に寄与することはないが、メディアからの記録磁界を吸収し、トラック中央部の高感度領域まで記録磁界を伝達し、実効トラック幅を広げてしまい、トラック端部の読みにじみの発生という問題点を生じる。
【０００８】
このような問題を解決する手段として、特開平１１−１７５９２８号公報は、電極層の一部に軟磁性膜を配置することにより、トラック端部の読みにじみを低減する構造を開示している。特開平１１−１７５９２８号公報では、ＭＲ膜のバルクハウゼンノイズを抑止するためのバイアス磁界印加層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等に代表される一対の永久磁石層を用いている。
【０００９】
しかしながら、このような構造では、永久磁石層から発生される磁界が、電極層の一部に用いた軟磁性層に吸収され、有効なバイアス磁界をＭＲ膜に与えられないという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、高出力及び高安定度を確保し得るＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【００１１】
本発明のもう一つの課題は、トラック端部における読みにじみを低減し、実効トラック幅を狭くし得るＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【００１２】
本発明の更にもう一つの課題は、バイアス磁界を、ＭＲ膜に高効率で印加し、高出力及び高安定度を確保したＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るＭＲ素子は、ＭＲ膜と、反強磁性層と、電極層とを含む。前記ＭＲ膜は、外側に強磁性層を有する。前記反強磁性層は、一面が前記ＭＲ膜の前記強磁性層の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、前記ＭＲ膜に対して前記交換結合によるバイアス磁界を印加する。
【００１４】
前記電極層は、軟磁性層を含む。前記軟磁性層は、一面が前記反強磁性層の他面に隣接する。
【００１５】
上述したように、本発明に係るＭＲ素子は、ＭＲ膜と、反強磁性層とを含む。ＭＲ膜は外側に強磁性層を有する。反強磁性層は、一面がＭＲ膜の強磁性層の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、ＭＲ膜に対して交換結合によるバイアス磁界を印加する。上記構造によれば、ＭＲ膜のバルクハウゼンノイズを抑制することができる。このため、高出力及び高安定度を確保し得る。
【００１６】
本発明に係るＭＲ素子において、電極層は軟磁性層を含む。この軟磁性層は一面が反強磁性層の他面に隣接しているから、反強磁性層を介して、ＭＲ膜にオーバーラップする。このオーバーラップにより、ＭＲ素子において、バイアス磁界印加層となる反強磁性層と隣接する端部近傍に、不感領域が生じるのを回避することができる。
【００１７】
また、電極層は軟磁性層を含んでいるから、外部から印加される信号磁界を、電極層に含まれる軟磁性層によって吸収し、信号磁界がＭＲ膜の高感度領域まで伝達されるのを回避し得る。従って、実効トラック幅の拡大を防ぎ、トラック端部の読みにじみの発生を抑制することができる。
【００１８】
しかも、ＭＲ膜に対するバイアス磁界の印加は、従来の永久磁石層と異なって、ＭＲ膜の強磁性層と交換結合する反強磁性層による。交換結合によるバイアス磁界は、電極層の一部に用いられている軟磁性層に吸収されることがない。このため、バイアス磁界を、ＭＲ膜に高効率で印加し、高出力及び高安定度のＭＲ素子を得ることができる。
【００１９】
より詳しくは、ＭＲ膜はスピンバルブ膜であり、ＭＲ膜の強磁性層は、フリー層である。この場合、反強磁性層は２つであり、それぞれはＭＲ膜の相反する両端部に、互いに間隔を隔てて配置される。電極層も２つであり、それぞれは２つの反強磁性層にそれぞれ隣接する。
【００２０】
本発明は、更に、上述したＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を開示する。これらの薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置が、本発明に係るＭＲ素子の利点を有することは明らかである。
【００２１】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。図面は、単なる実施例を示すに過ぎない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るＭＲ素子の平面図、図２は図１に示したＭＲ素子の正面図である。図示されたＭＲ素子は、ＭＲ膜３００と、反強磁性層４１、４２と、電極層３５、３６とを含んでいる。
【００２３】
ＭＲ膜３００はＳＶ膜によって構成されている。図示されたＳＶ膜は、フリー層（強磁性層）３０１、非磁性層３０２、ピンド層（強磁性層）３０３及び反強磁性層３０４を順次積層して構成される。上記構造により、反強磁性層３０４と接したピンド層３０３が一定方向に磁化された状態になる。
【００２４】
上述したＳＶ膜を有するＭＲ膜３００において、磁界検知面１００に外部磁界Ｆ１が印加された場合、フリー層３０１の磁化方向が外部磁界Ｆ１の強さに応じて回転する。ＳＶ膜の抵抗値は、ピンド層３０３の磁化方向に対するフリー層３０１の磁化方向の角度によって定まる。ＳＶ膜の抵抗値は、フリー層３０１の磁化方向がピンド層３０３の磁化方向に対して、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最小になる。それに対応して、ＭＲ膜３００内を縦方向に流れるセンス電流Ｉｓの大きさが変化するので、このセンス電流Ｉｓから、外部磁界Ｆ１を検出することができる。
【００２５】
反強磁性層４１、４２は、一面がＭＲ膜３００のフリー層３０１の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、交換結合により、ＭＲ膜３００のフリー層３０１に縦方向バイアス磁界を加える。図示実施例において、反強磁性層４１、４２は、ＭＲ膜３００のフリー層３０１の一面の面内に備えられている。反強磁性層４１、４２は周知の材料、組成によって構成することができる。具体的には、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等を挙げることができる。
【００２６】
電極層３５、３６のそれぞれは、ＭＲ膜３００の相対する両端部に接続されている。電極層３５、３６は、ＭＲ膜３００にセンス電流Ｉｓを供給するものであって、軟磁性層３５１、３６１と、非磁性層３５２、３６２とを含む。軟磁性層３５１、３６１は、ＭＲ膜３００の縦方向の両端において、一面が反強磁性層４１、４２の他面に隣接している。軟磁性層３５１、３６１の膜厚は、反強磁性層４１、４２の膜厚よりも大きくすることが、軟磁性層３５１、３６１の機能上、望ましい。軟磁性層３５１、３６１としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等を用いることができる。
【００２７】
非磁性層３５２、３６２は、軟磁性層３５１、３６１の他面に隣接して設けられる。非磁性層３５２、３６２は、例えば、Ａｕ等によって構成される。軟磁性層３５１、３６１の端縁間の距離が光学的トラック幅ＴＷ１を与える。
【００２８】
上述したように、本発明に係るＭＲ素子は、ＭＲ膜３００と、反強磁性層４１、４２を含む。ＭＲ膜３００は外側にフリー層（強磁性層）３０１を有する。反強磁性層４１、４２は、一面がＭＲ膜３００の強磁性層の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、ＭＲ膜３００のフリー層（強磁性層）３０１に対して、反強磁性膜４１、４２との交換結合によるバイアス磁界を印加する。従って、ＭＲ膜３００のフリー層３０１のバルクハウゼンノイズを抑制し、高出力及び高安定度を確保し得る。
【００２９】
しかも、電極層３５、３６は軟磁性層３５１、３６１を含む。この軟磁性層３５１、３６１は一面が反強磁性層４１、４２の他面に隣接しているから、反強磁性層４１、４２を介して、ＭＲ膜３００にオーバーラップする。このオーバーラップにより、ＭＲ膜３００において、反強磁性層４１、４２に隣接する端部近傍に、不感領域が生じるのを回避することができる。
【００３０】
また、電極層３５、３６は軟磁性層３５１、３６１を含んでいるから、外部から印加される信号磁界Ｆ１を、電極層３５、３６に含まれる軟磁性層３５１、３６１によって吸収し、信号磁界Ｆ１がＭＲ膜３００の高感度領域まで伝達されるのを回避し得る。従って、光学的トラック幅ＴＷ１からの実効トラック幅ＴＷｓの拡大を防ぎ、トラック端部の読みにじみの発生を抑制することができる。
【００３１】
更に、ＭＲ膜３００に対する縦バイアス磁界の印加は、従来の永久磁石層と異なって、ＭＲ膜３００のフリー層３０１と交換結合する反強磁性層４１、４２による。交換結合によるバイアス磁界は、電極層３５、３６の一部に用いられている軟磁性層３５１、３６１に吸収されることがない。このため、バイアス磁界を、ＭＲ膜３００に高効率で印加し、高出力及び高安定度のＭＲ素子を得ることができる。
【００３２】
図示実施例では、補助層３４１、３４２を含んでいる。補助層３４１、３４２はＭＲ膜３００の両端部の側部に配置され、電極層３５、３６を支持する。補助層３４１、３４２は、例えばＮｉＦｅ等でなる軟磁性層、または、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁層の何れかによって構成される。更に、ＭＲ膜３００、及び、補助層３４１、３４２は、Ａｌ2Ｏ33等の絶縁層３２によって支持され、ＭＲ膜３００、電極層３５、３６は、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁層３３によって覆われている。
【００３３】
絶縁層３２、３３の外側には、第１のシールド層３１及び第２のシールド層２１が備えられており、ＳＶ膜３００に対してノイズとなる外部磁界を遮蔽する。
【００３４】
次に、実験データを挙げて、本発明に係るＭＲ素子の効果を説明する。表１は、ＭＲ素子のサンプル１〜５について、軟磁性膜３５１、３６１とフリー層３０１との間の距離ｄ１と、実効トラック幅ＴＷｓ（μｍ）、及び、バルクハウゼンノイズ発生率（％）との関係を示す実験データである。サンプル１〜３は、電極層の一部に軟磁性膜を配置するとともに、バルクハウゼンノイズを抑止するためのバイアス磁界印加層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔでなる永久磁石層を用いた従来サンプルである。
【００３５】
サンプル４及び５は本発明に係るＭＲ素子である。このうち、サンプル４は補助層３４１、３４２をＮｉＦｅでなる軟磁性層で構成したもの、サンプル５は補助層３４１、３４２をＡｌ2Ｏ3でなる絶縁層で構成したものである。
【表１】
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【００３６】
表１に示されるように、ハードマグネットバイアス方式になるサンプル１〜３において、軟磁性層３５１、３６１とフリー層３０１との間の距離ｄ１を小さくすると、実効トラック幅ＴＷｓが小さくなり、読みにじみが縮小するが、バルクハウゼンノイズ発生率が増大する。
【００３７】
これに対して、本発明に係るＭＲ素子のサンプル４及び５は、軟磁性層３５１、３６１とフリー層３０１との間の距離ｄ１＝１３ｎｍまで縮小した場合、実効トラック幅ＴＷｓ及びバルクハウゼンノイズ発生率の何れの点においても、従来品であるサンプル１〜３のそれよりも改善される。特に、バルクハウゼンノイズ発生率の低減効果が著しい。
【００３８】
図３はＳＥＭにより測長したトラック幅ＴＷ１と、実効トラック幅ＴＷｓとの関係を示すデータである。図において、■はサンプル１〜３等で示した従来品のデータ、□は本発明品のデータである。
【００３９】
図３に示されるように、従来品の場合、ＳＥＭにより測長したトラック幅（光学的トラック幅）ＴＷ１が０．２μｍよりも小さくなると、光学トラック幅ＴＷ１と、実効トラック幅ＴＷｓとの間に差が大きくなる。これは、読みにじみを生じていることを示す。
【００４０】
これに対して、本発明品の場合、ＳＥＭにより測長した光学トラック幅ＴＷ１が０．２μｍよりも小さい範囲においても、光学トラック幅ＴＷ１と、実効トラック幅ＴＷｓとの間に差が、従来品よりも小さくなっている。このことは、読みにじみが低減されていることを意味する。
【００４１】
図４はＣＰＰ ＧＭＲ素子（Current Perpendicular to a Plain Giant Magnetoresistance）による磁気抵抗効果素子を示す。図において、図１及び２に現れた構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００４２】
図１及び２に示した磁気抵抗効果素子の場合、センス電流ＩｓをＭＲ膜３００の膜面と平行に流していたのに対し、ＣＰＰ ＧＭＲ素子は、センス電流Ｉｓを膜面に垂直に流して動作させるものであり、トラック幅及び素子高さが０．１μｍ以下の超微小サイズの読み取り素子として期待されている。
【００４３】
図示されたＣＰＰ ＧＭＲ素子は、第１の電極層３７１及び第２の電極層３７２を備える。第１の電極層３７１は、ＭＲ膜３００の最下層に位置する反強磁性層３０４のほぼ中央部に隣接する。第１の電極層３７１の両側は、絶縁層３８１、３８２によって埋められている。
【００４４】
第２の電極層３７２は反強磁性層４１、４２の間において、ＭＲ膜３００の最上層に位置するフリー層３０１に隣接している。
【００４５】
ＭＲ膜３００の両側が補助層３４１、３４２によって埋められている点、反強磁性層４１、４２及び補助層３４１、３４２の表面が軟磁性層３５１、３６１によって覆われている点は、図２の場合と同様である。
【００４６】
図４に示したＣＰＰ ＧＭＲ素子を用いた場合も、図１及び図２を参照して説明した作用効果が得られる。
【００４７】
図５は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、図６は図５に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。図６において、寸法は部分的に誇張されており、実際の寸法とは異なる。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、書き込み素子となる電磁変換素子２と、読み取り素子となるＭＲ素子３とを含む。
【００４８】
スライダ１は、媒体対向面側にレール１１、１２を有し、レールの表面が空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４として利用される。レール１１、１２は２本に限らない。１〜３本のレールを有することがあり、レールを持たない平面となることもある。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることもある。何れのタイプのスライダ１であっても、本発明の適用が可能である。また、スライダ１は、レールの表面に、例えば３〜８ｎｍ程度の層厚を有するＤＬＣ等の保護層を備えることもあり、このような場合は保護層の表面がＡＢＳ１３、１４となる。スライダ１はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体１５の表面にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の無機絶縁層１６を設けたセラミック構造体である。
【００４９】
電磁変換素子２は誘導型磁気変換素子である。電磁変換素子２及びＭＲ素子３は、レール１１、１２の一方または両者の空気流出端（トレーリング．エッジ）ＴＲの側に備えられている。電磁変換素子２及びＭＲ素子３は、スライダ１に備えられ、電磁変換のための端部がＡＢＳ１３、１４と近接した位置にある。空気流出端ＴＲの側にある側面には、電磁変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８及びＭＲ素子３に接続された取り出し電極２９、３０がそれぞれ設けられている。
【００５０】
電磁変換素子２は、ＭＲ素子３に対する第２のシールド層を兼ねている第１の磁性層２１、第２の磁性層２２、コイル層２３、アルミナ等でなるギャップ層２４、絶縁層２５及び保護層２６などを有している。第２のシールド層は、第１の磁性層２１から独立して備えられていてもよい。
【００５１】
第１の磁性層２１及び第２の磁性層２２の先端部は微小厚みのギャップ層２４を隔てて対向するポール端となっており、ポール端において書き込みを行なう。第１及び第２の磁性層２１、２２は、２層以上の多層構造であってもよい。第１及び第２の磁性層２１、２２の複層化は、例えば、特性改善を目的として行われることがある。ポール端の構造に関しても、トラック幅の狭小化、記録能力の向上等の観点から、種々の改良、及び、提案がなされている。本発明においては、これまで提案された何れのポール構造も採用できる。ギャップ層２４は非磁性金属層またはアルミナ等の無機絶縁層によって構成される。
【００５２】
第２の磁性層２２は、更に、第１の磁性層２１との間にインナーギャップを保って、ＡＢＳ１３、１４の後方に延び、後方結合部において第２の磁性層２２に結合されている。これにより、第１の磁性層２１、第２の磁性層２２及びギャップ層２４を巡る薄膜磁気回路が完結する。
【００５３】
コイル層２３は、第１及び第２の磁性層２１、２２の間に挟まれ、後方結合部の周りを渦巻き状に回る。コイル層２３の両端は、取り出し電極２７、２８に導通されている（図５参照）。コイル層２３の巻数および層数は任意である。
【００５４】
絶縁層２５は、有機絶縁樹脂層またはセラミック層で構成する。セラミック層の代表例は、Ａｌ2Ｏ3層またはＳｉＯ2層である。絶縁層２５の内部にはコイル層２３が埋設されている。絶縁層２５は第１及び第２の磁性層２１、２２の間のインナーギャップの内部に充填されている。絶縁層２５の表面には第２の磁性層２２が備えられている。保護層２６は、電磁変換素子２の全体を覆っている。保護層２６はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等の無機絶縁材料で構成されている。
【００５５】
図７はＭＲ素子３の部分をＡＢＳ側からみた拡大図である。このＭＲ素子３は、図１及び図２に示したものと実質的に同じである。図１及び図２に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
【００５６】
図７を参照すると、ＭＲ素子３の付近には、第１のシールド層３１と、絶縁層３２と、絶縁層３３と、第１の磁性層２１として兼用される第２のシールド層２１とが備えられている。第１のシールド層３１はパーマロイ等によって構成される。ＭＲ素子３は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層２１の間に配置されている。ＭＲ素子３は、端面がＡＢＳ１３、１４に臨んでおり、ＡＢＳ１３、１４は、図１の磁界検知面１００に一致する。
【００５７】
図８は本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正面図、図９は図８に示した磁気ヘッド装置の底面図である。磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド４と、ヘッド支持装置５とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド４は図５〜図７を参照して説明にした本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。
【００５８】
ヘッド支持装置５は、金属薄板でなる支持体５３の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体５１を取付け、この可撓体５１の下面に薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。
【００５９】
可撓体５１は、支持体５３の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側枠部５５、５６と、支持体５３から離れた端において外側枠部５５、５６を連結する横枠５４と、横枠５４の略中央部から外側枠部５５、５６に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片５２とを有する。
【００６０】
舌状片５２のほぼ中央部には、支持体５３から隆起した、例えば半球状の荷重用突起５７が設けられている。この荷重用突起５７により、支持体５３の自由端から舌状片５２へ荷重力が伝えられる。
【００６１】
舌状片５２の下面に薄膜磁気ヘッド４を接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド４は、空気流出側端側が横枠５４の方向になるように、舌状片５２に取付けられている。本発明に適用可能なヘッド支持装置５は、上記実施例に限らない。
【００６２】
図１０は本発明に係る磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置は、磁気ヘッド装置６と、磁気ディスク７とを含む。磁気ヘッド装置６は図８及び図９に図示したものである。磁気ヘッド装置６は、ヘッド支持装置５の一端が位置決め装置８によって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置の薄膜磁気ヘッド４は、ヘッド支持装置５によって支持され、磁気ディスク７の磁気記録面と対向するように配置される。
【００６３】
磁気ディスク７が、図示しない駆動装置により、矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘッド４が、微小浮上量で、磁気ディスク７の面から浮上する。ヘッド支持装置５の先端部に取り付けられた薄膜磁気ヘッド４は、磁気ディスク７の径方向ｂ１またはｂ２に駆動される。そして、ヘッド支持装置５を回転駆動する位置決め装置８により、薄膜磁気ヘッド４が、磁気ディスク７上の所定のトラック位置に位置決めされ、磁気記録の読み出し、書き込みが行われる。
【００６４】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【００６５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）高出力及び高安定度を確保し得るＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
（ｂ）トラック端部における読みにじみを低減し、実効トラック幅を狭くし得るＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
（ｃ）バイアス磁界を、ＭＲ膜に高効率で印加し、高出力及び高安定度を確保したＭＲ素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るＭＲ素子の平面図である。
【図２】  図１に示したＭＲ素子の正面図である。
【図３】  ＳＥＭにより測長したトラック幅（光学的トラック幅）と、実効トラック幅との関係を示すデータである。
【図４】  ＣＰＰ ＧＭＲ素子による磁気抵抗効果素子を示す図である。
【図５】  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】  図５に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図７】  図５及び図６に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子の部分をＡＢＳ側からみた拡大図である。
【図８】  本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。
【図９】  図８に示した磁気ヘッド装置の底面図である。
【図１０】  本発明に係る磁気記録再生装置の平面図である。
【符号の説明】
３００                ＭＲ膜
３２、３３            絶縁層
３５、３６            電極層
３５１、３６１        軟磁性層
３５２、３６２        非磁性層
３０１                強磁性層（フリー層）
４１、４２            反強磁性層
【図１】
0003748224.tif 000003
【図２】
0003748224.tif 000004
【図３】
0003748224.tif 000005
【図４】
0003748224.tif 000006
【図５】
0003748224.tif 000007
【図６】
0003748224.tif 000008
【図７】
0003748224.tif 000009
【図８】
0003748224.tif 000010
【図９】
0003748224.tif 000011
【図１０】
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