(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する基板に形成された側壁および底面を有するフィーチャ中にカプセル化された金属構造を製造する方法であって、
前記基板の前記上面ならびに前記フィーチャの前記側壁および底面に第１のバリア層を付着させる段階と、
前記フィーチャに金属を充てんする段階と、
前記金属中に第１のリセスを形成し、これによって前記金属の上面を前記基板の前記上面よりも低くする段階と、
前記金属の前記上面に第２のバリア層を付着させる段階と、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層を平坦化し、これによって前記基板の前記上面が露出し、前記第２のバリア層の一部分が前記金属の前記上面に残り、前記金属の前記上面の一部分が露出する平坦化段階と、
前記金属の前記露出部分に第２のリセスを形成する段階と、
前記金属の前記上面および前記第２のバリア層の残りの部分に第３のバリア層を付着させ、これによって前記金属中の前記第２のリセスを埋める段階と、
前記第３のバリア層を平坦化し、これによって前記基板の前記上面を露出させ、前記第１のバリア層、前記第２のバリア層および前記第３のバリア層によって前記金属をカプセル化する平坦化段階と
を含み、
前記金属中に第１のリセスを形成する前記段階、前記金属中に第２のリセスを形成する前記段階、前記第１のバリア層および前記第２のバリア層を平坦化する前記平坦化段階、および、前記第３のバリア層を平坦化する前記平坦化段階が、化学
機械研磨（ＣＭＰ）によって実施される方法。
【請求項２】
前記フィーチャに金属を充てんする前記段階がさらに、
前記第１のバリア層の上に前記金属のシード層を付着させる段階と、
前記シード層を使用して前記金属を電気めっきする段階
を含む、カプセル化された金属構造を製造する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属が前記第１のバリア層に電気めっきされ、前記金属中に第１のリセスを形成する前記段階が前記第１のバリア層上から前記金属を除去する段階をさらに含む、カプセル化された金属構造を製造する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上面を有する基板の側壁および底面を有するフィーチャ中に形成されたカプセル化された金属構造であって、
前記フィーチャの前記側壁および底面を覆うＴａＮの第１のバリア層と、
前記第１のバリア層を覆うＴａの第２のバリア層と、
前記フィーチャを埋め、その中にリセス形成された中央の第１の部分とリセス形成された周辺の第２の部分とを有し、前記第１の部分及び第２の部分の上面が前記基板の前記上面よりも低い金属と、
前記金属の第１の部分の上面を覆う第３のバリアと、
前記金属の第２の部分の上面と接触して、前記金属をカプセル化する第４のバリアと、を備え、
前記第４のバリア層が平坦化され、これによって前記基板の前記上面が露出した
金属構造。
【請求項５】
前記金属が銅を含む、請求項４に記載のカプセル化された金属構造。
【請求項６】
請求項４に記載のカプセル化された前記金属構造と、
前記金属構造の上面に形成された開口を有する第２の基板層と、
前記開口の側壁および前記開口の底の前記カプセル化された金属構造を覆う誘電層と、
前記開口の前記側壁および前記底の前記誘電層を覆い、前記開口を埋め、キャパシタ構造の上部プレートを形成する追加の層と
を備え、
前記誘電層および前記追加の層が平坦化され、これによって前記第２の基板層の前記上面が露出した
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ構造。
【請求項７】
前記金属が銅を含む、請求項６に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
【請求項８】
前記誘電層がＴａ2Ｏ5を含む、請求項６に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
【請求項９】
前記追加の層が窒化タンタルを含む、請求項６に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体プロセッシングに関し、詳細には、半導体装置中の電気めっきされた金属構造をカプセル化するプロセスに関する。本発明はさらに、このような金属構造を組み込んだ装置中の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造、特に、製造プロセスの後段（「バック・エンド・オブ・ザ・ライン」ないし「ＢＥＯＬ」）では、マルチレベル構造中の誘電層中にしばしば金属線が埋め込まれる。１つのレベルの金属線は一般に、他のレベルの金属線から分離する必要がある。これは一般に、これらのレベル間に高誘電率バリア（例えば窒化シリコン）を配置することによって達成される。
【０００３】
インターレベル誘電体およびインターレベル・バリア中に電気めっきされた金属線を形成する従来のＢＥＯＬプロセスを図１〜５に示す。インターレベル誘電層（ＳｉＯ2など）１０は、その中に形成されたフィーチャ１１を有する。めっき線のためのライナ／接着プロモータ１２が、フィーチャ１１の側壁および底面を含む誘電層の表面に付着される（図１）。銅の電気めっきの場合、層１２は一般に、窒化タンタル（基板１０と接触）とタンタルを組み合わせたものである。層１２は、銅拡散バリアの働きをする一方で、基板への接着を促進する。図２に示すように、めっきする金属のためのシード層１３が表面全体に付着される。次いで、表面全体にめっきが実施され、フィーチャ１１がめっき金属１４で埋められる（図３参照）。フィーチャ全体が確実に埋められるよう、めっきは、過剰のめっき金属がフィーチャ１１の外側の領域１５に現れるまで続けられる。この過剰の金属は、領域１５のライナ材料とともに、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの平坦化プロセスを用いて除去されて、図４に示すような金属線が得られる。めっき金属１４は、上面１４ａを除きライナ１２によって取り囲まれる。
【０００４】
金属線をカプセル化する（これによって金属のエレクトロマイグレーションおよび拡散よる金属線の電気的短絡および劣化を防ぐ）ため、インターレイヤ誘電体１０の上面は誘電層１６で覆われる（図５参照）。この層は一般に窒化シリコンである。層１６の高い誘電率のため、（インターレベル誘電体１０、金属１４および層１６を含む）レベル構造全体の誘電率は増大する。これには、完成した半導体装置の性能を低下させる効果がある。
【０００５】
めっき金属をカプセル化する一方で、ブランケット誘電層が排除され、そのため半導体装置の性能が向上する改良式のＢＥＯＬ製造プロセスが求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基板のフィーチャ中にカプセル化された金属構造を製造する方法であって、基板の上面が露出する方法を提供することによって、上述の必要性に対処する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
これは、フィーチャの側壁および底面を第１のバリア層で覆い、フィーチャに金属を充てんし、金属中にリセス（recess）を形成し、次いで、金属の上面を覆い第１のバリア層と接触した追加のバリア層を付着させることによって達成される。次いで、追加のバリア層を平坦化し、これによって基板の上面を露出させる。この平坦化は、ＣＭＰによって実施することが好ましく、フィーチャは、フィーチャの中に金属のシード層を付着させ、金属を電気めっきすることによって埋めることが好ましい。
【０００８】
本発明の一態様によれば、金属中にリセスを（好ましくはＣＭＰによって）形成し、これによって金属の上面を基板の上面よりも低くする。次いで、金属の上面に第２のバリア層を付着させ、第１のバリア層および第２のバリア層を平坦化する。平坦化後には、基板の上面が露出し、金属は、第１のバリア層および第２のバリア層によってカプセル化され、第２のバリア層は基板の上面と同一平面となる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、第１のバリア層および第２のバリア層を平坦化することによって、基板の上面が露出し、さらに、金属の上面の一部分が露出し、第２のバリア層の一部分が金属の上面に残る。次いで、金属の露出部分に第２のリセスを形成し、金属の上面および第２のバリア層の残りの部分に第３のバリア層を付着させ、これによって金属中の第２のリセスを埋める。次いで、第３のバリア層を平坦化し、これによって基板の上面を露出させ、第１のバリア層、第２のバリア層および第３のバリア層によって金属をカプセル化する。
【００１０】
本発明はさらに、上述のカプセル化された金属構造を含む金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法を提供する。第１の基板層がその中に形成されたフィーチャを有し、カプセル化された金属構造がフィーチャ中に形成される。フィーチャの側壁および底面は第１のバリア層によって覆われ、フィーチャが金属で埋められ、金属が、第１のバリア層と接触した追加のバリア層によって覆われる。次いで、第１の基板層の上面およびカプセル化された金属構造の上に第２の基板層を付着させる。第２の基板層中に開口を形成して、カプセル化された金属構造を露出させる。第２の基板層の上に誘電層を付着させ、これによって開口の側壁および開口の底の露出したカプセル化金属構造を覆う。追加の層を付着させて、開口の側壁および底の誘電層を覆い、開口を埋める。次いで、誘電層および追加の層を平坦化する。
【００１１】
本発明の追加の態様に基づいて、基板のフィーチャ中に形成されたカプセル化された金属構造が記載される。この構造は、フィーチャの側壁および底面を覆う第１のバリア層、フィーチャを埋め、リセスがその中に形成され、これによってその上面が基板の上面よりも低くなった金属、ならびに、金属の上面を覆い、第１のバリア層と接触し、これによって金属をカプセル化する追加のバリア層を含む。追加のバリア層は平坦化され、これによって基板の上面が露出する。
【００１２】
本発明の他の態様に基づいて、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ構造が記載される。この構造は、第１の基板層に形成されたフィーチャ中に、キャパシタ構造の下部プレートを形成するカプセル化された金属構造を含み、フィーチャの側壁および底面が第１のバリア層によって覆われ、フィーチャが金属で埋められ、金属が、第１のバリア層と接触した追加のバリア層によって覆われる。この構造はさらに、第１の基板層の上面の第２の基板層であって、カプセル化された金属構造の上に形成された開口を有する第２の基板層を含む。誘電層が、開口の側壁および開口の底のカプセル化された金属構造の部分を覆う。キャパシタ構造の上部プレートを形成する追加の層が、開口の側壁および底の誘電層を覆い、開口を埋める。誘電層および追加の層が平坦化され、これによって第２の基板層の上面が露出する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施形態の以下の説明では、ＳｉＯ2インターレベル誘電体中に埋め込まれたＣｕ線のカプセル化の諸段階を詳細に説明する。以下の説明は一例に過ぎないこと、ならびにさまざまな基板、金属および金属付着プロセスを用いて本発明を実施することができることを理解されたい。具体的には本発明は、電気めっきによって形成された金属線のカプセル化に限定されるものではない。
【００１４】
第１の実施形態：単一バリア再付着
図６に示すように、誘電層２０は、その中に形成されたフィーチャ２１を有する。このフィーチャで金属線を所望している。ライナ材料の層２２を、フィーチャ２１の側壁および底面を含む表面全体に付着させる。Ｃｕをめっきする場合には先に述べたように、このライナ材料が、ＴａＮとＴａを組み合せたものであり、ＴａＮが層２０と接触することが好ましい。このライナは、拡散バリアおよび接着プロモータの働きをする。次いで、このライナの上にシード層２３を、一般に化学蒸着（ＣＶＤ）によって付着させる。
【００１５】
次いで、シード層２３を使用して電気めっきを実施し、ライナ２２の上に金属２４をめっきする。従来のプロセスとは対照的に、（フィーチャ２１を含む）表面を意図的にアンダーめっきする（to underplate）。めっき金属２４はフィーチャ２１を埋めるが、リセス２４ｄができている（図７参照。図３と比較されたい）。
【００１６】
次いで、過剰の金属（すなわちライナ２２の上面２２ａよりも上方の金属）を化学機械研磨（ＣＭＰ）によって除去する。ＣＭＰプロセス条件は、意図的に「ディッシング」、すなわち除去している材料中における皿（ディッシュ）形のリセスの形成、を促進するように選択する。（ＣＭＰ技術の熟練者であれば、通常は望ましくない「ディッシング」を軟かい研摩パッドを使用して促進できることを理解しよう。）したがってこのＣＭＰプロセスでは、上面２２ａから全ての金属を除去し、さらに、金属２４の上面２４ａが層２０の上面２０ａよりも低くなるように、フィーチャ２１の内部から一部の金属を除去する（図８参照）。したがってこのＣＭＰプロセスは、基板層２０およびめっき金属２４のトポグラフィ中にリセス２４ｃを形成する。
【００１７】
次いで、図９に示すように表面全体に層２５を付着させる。この層は、ライナ／バリア層２２と同じ材料とすることができる。このライナ材料の代わりに、またはこのライナ材料に加えて、窒化シリコンなどの他の拡散バリヤ材料を使用してもよい。層２５は、めっき金属２４の上面のリセス２４ｃを埋め、これによってめっき金属の表面全体が拡散バリアによって保護される。
【００１８】
次いで、層２２、２５を平坦化して、層２０の上面２０ａを露出させる（図１０参照）。この平坦化プロセスがＣＭＰであることが好ましい。上に述べたプロセス（「ディッシング」を伴うＣＭＰ）とは対照的に、このプロセス条件は、高度の平坦化が得られ、そのため研磨した層２５の上面２５ａが上面２０ａと同一平面となるように選択する。したがって、図１０に示すように、基板層２０中に埋め込まれ、その上面が基板層の上面と同一平面にあるカプセル化された金属構造（ライナ／バリア層２２、２５によって取り囲まれためっき金属２４）が形成される。従来の構造とは対照的に（図５と図１０を比較されたい）、高誘電率バリア層の範囲がめっき金属線の位置に限定される。
【００１９】
第２の実施形態：二重バリア再付着
この実施形態では、要件がそれほど厳しくないＣＭＰプロセスを使用してカプセル化された金属線を得る。具体的には、第１の実施形態のプロセスに追加の段階を追加して、上面バリア層を高度に平坦化研磨する必要性を回避する。
【００２０】
第１の実施形態の場合と同様に、基板層２０中にフィーチャ２１を形成し、基板層の表面にライナ／バリア層２２および金属シード層を付着させ、金属２４がフィーチャ２１を埋めるように電気めっきを実施する。次いで、「ディッシング」を促進するプロセスを用いてめっき金属を研磨し、層２２およびリセスを持たせた金属線の上にバリア層２５を付着させる。その結果得られる構造を図１１（図９に相当）に示す。次いで層２２および２５を平坦化する。これもやはりＣＭＰによって実施することが好ましい。このプロセスにおける平坦化は、第１の実施形態ほどには完全でないと仮定する。例えば、研磨速度の不均一性を補償するため、これらの層をオーバー研磨する（to overpolish）必要がある場合がある。この結果得られる構造を図１２に示す。この平坦化プロセス後には、層２２、２５は層２０の上面２０ａから完全に除去され、層２２は、めっき金属２４の角のところの領域２２ｂが腐食され、層２５は、めっき金属２４の「ディッシング」されたリセスの中の部分２５ｂにまで縮小される。第１の実施形態と比較すると、ＣＭＰプロセス要件が緩和されたことによって、金属線のカプセル化が不完全となっている。
【００２１】
この構造を再び研磨する。このときには、めっき金属２４の「ディッシング」を促進するように選択した条件下で実施する。金属表面の中央の領域はバリア層部分２５ｂによって覆われているため、この研磨プロセスによって、金属線の縁に「マイクロディッシング」領域３１が形成される（図１３参照）。これを実施するのは、充てんおよび研磨を実施してカプセル化された構造を得ることができる凹んだ金属領域を作り出すためである。次いで、別のライナ／バリア層３２を表面に付着させ、これによってバリア層部分２５ｂを覆い、「マイクロディッシング」領域３１を埋める（図１４）。
【００２２】
最後に、層３２を平坦化し（これもやはりＣＭＰが好ましい）、これによって層２０の上面２０ａを再び露出させる。めっき金属線の元々の凹んだ領域はバリア層部分２５ｂによって覆われ、「マイクロディッシング」領域３１は依然として凹んでいることに留意されたい。したがって、層３２を（上面２０ａから確実に完全に除去するために）オーバー研磨することができ、それでもめっき金属の露出領域は層３２によって依然として覆われる。図１５に示すように、この結果得られる構造では、層３２の残りの部分がめっき金属２４の「マイクロディッシング」領域３１を覆っている。第１の実施形態の場合と同様に、金属の上面の高誘電率バリア層（層２５および３２の残りの部分）の範囲がめっき金属線の位置に限定される。
【００２３】
このようにして、第１の実施形態の構造に類似したカプセル化された金属構造が得られる（図１０と１５を比較されたい）。この第２の実施形態は、追加のバリア付着段階のコストと引き替えに、ＣＭＰ平坦化プロセスの要件がそれほど厳密でなくてもよいという利点を有する。
【００２４】
ＭＩＭキャパシタへの応用
本発明の金属カプセル化プロセスを、ＭＩＭキャパシタの製造において有利に使用することができる。図１６〜２０にこの製造プロセスを示す。図１６は、前述の第１の実施形態で準備したカプセル化された金属構造を示す。この例では、基板層４０がＳｉＯ2、カプセル化された金属４１がＣｕ、バリア層４２、４３がＴａとＴａＮを組み合わせたものであると仮定する。
【００２５】
図１６の構造の上面に絶縁層４４（例えばＳｉＯ2）を付着させる。次いでこの層を、標準のフォトリソグラフィ技法を使用してパターニングし、エッチングして、金属構造の上方に開口４５を形成する（図１７）。開口４５は、ＭＩＭキャパシタの上部プレートの位置を画定する。
【００２６】
次いで、図１８に示すように、層４４の上および開口４５の中にＴａ2Ｏ5などの誘電層４６を付着させる。次いでこの層を（好ましくはＣＭＰによって）平坦化し、これによって、この層を層４４の上面４４ａから除去し、開口４５の内側の部分は残す。次いで、層４４および４６の上に追加の層４７を付着させる。この層（例えばＴａＮ）が、ＭＩＭキャパシタ構造の上部キャパシタ・プレートを形成する（図１９参照）。次いで層４７を平坦化し、これによって層４４の上面４４ａを再び露出させる。したがって、層４７の残りの部分は、カプセル化された金属４１の上方の開口４５に限定され、これらの層の間に誘電層４６が挟まる。あるいは、層４６の付着の直後に層４７を付着させ、次いで、これらの２つの層を単一の研磨プロセスで平坦化してもよい。
【００２７】
完成したＭＩＭキャパシタ構造を図２０に示す。このＭＩＭキャパシタ製造手順では、リソグラフィック・プロセスが１段階だけで済むことに留意されたい。さらに、開口４５のサイズを制御することによって、ＭＩＭキャパシタのプレートの面積を制御することができる。
【００２８】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２９】
（１）上面を有する基板に形成され、側壁および底面を有し、少なくとも前記側壁および底面が第１のバリア層によって覆われ、金属が充てんされたフィーチャ中に、カプセル化された金属構造を製造する方法であって、
前記金属中にリセスを形成し、これによって前記金属の上面を前記基板の前記上面よりも低くする段階と、
前記金属の前記上面を覆う追加のバリア層を付着させ、前記第１のバリア層と接触させる段階と、
前記追加のバリア層を平坦化する段階と
を含む方法。
（２）前記方法が繰り返され、これによって最後のバリア層を平坦化した後に、前記基板の前記上面が露出され、前記第１のバリア層と前記最後のバリア層を含む少なくとも１層の追加のバリア層とによって前記金属がカプセル化される、カプセル化された金属構造を製造する上記（１）に記載の方法。
（３）前記金属中にリセスを形成する前記段階および前記平坦化段階が、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実施される、カプセル化された金属構造を製造する上記（１）に記載の方法。
（４）上面を有する基板に形成された側壁および底面を有するフィーチャ中にカプセル化された金属構造を製造する方法であって、
前記基板の前記上面ならびに前記フィーチャの前記側壁および底面に第１のバリア層を付着させる段階と、
前記フィーチャに金属を充てんする段階と、
前記金属中にリセスを形成し、これによって前記金属の上面を前記基板の前記上面よりも低くする段階と、
前記金属の前記上面に第２のバリア層を付着させる段階と、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層を平坦化し、これによって前記基板の前記上面を露出させ、前記第１のバリア層および前記第２のバリア層によって前記金属をカプセル化する段階と
を含む方法。
（５）前記フィーチャに金属を充てんする前記段階がさらに、
前記第１のバリア層の上に前記金属のシード層を付着させる段階と、
前記シード層を使用して前記金属を電気めっきする段階
を含む、カプセル化された金属構造を製造する上記（４）に記載の方法。
（６）前記金属中にリセスを形成する前記段階および前記平坦化段階が、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実施される、カプセル化された金属構造を製造する上記（４）に記載の方法。
（７）前記金属が前記上面に電気めっきされ、前記金属中にリセスを形成する前記段階が前記上面から前記金属を除去する段階をさらに含む、カプセル化された金属構造を製造する上記（５）に記載の方法。
（８）上面を有する基板に形成された側壁および底面を有するフィーチャ中にカプセル化された金属構造を製造する方法であって、
前記基板の前記上面ならびに前記フィーチャの前記側壁および底面に第１のバリア層を付着させる段階と、
前記フィーチャに金属を充てんする段階と、
前記金属中に第１のリセスを形成し、これによって前記金属の上面を前記基板の前記上面よりも低くする段階と、
前記金属の前記上面に第２のバリア層を付着させる段階と、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層を平坦化し、これによって前記基板の前記上面が露出し、前記第２のバリア層の一部分が前記金属の前記上面に残り、前記金属の前記上面の一部分が露出する段階と、
前記金属の前記露出部分に第２のリセスを形成する段階と、
前記金属の前記上面および前記第２のバリア層の前記残りの部分に第３のバリア層を付着させ、これによって前記金属中の前記第２のリセスを埋める段階と、
前記第３のバリア層を平坦化し、これによって前記基板の前記上面を露出させ、前記第１のバリア層、前記第２のバリア層および前記第３のバリア層によって前記金属をカプセル化する段階と
を含む方法。
（９）前記フィーチャに金属を充てんする前記段階がさらに、
前記第１のバリア層の上に前記金属のシード層を付着させる段階と、
前記シード層を使用して前記金属を電気めっきする段階
を含む、カプセル化された金属構造を製造する上記（８）に記載の方法。
（１０）前記金属中に第１のリセスを形成する前記段階、前記金属中に第２のリセスを形成する前記段階および前記平坦化段階が、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実施される、カプセル化された金属構造を製造する上記（８）に記載の方法。
（１１）前記金属が前記上面に電気めっきされ、前記金属中に第１のリセスを形成する前記段階が前記上面から前記金属を除去する段階をさらに含む、カプセル化された金属構造を製造する上記（９）に記載の方法。
（１２）金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法であって、
上面を有し、側壁および底面を有するフィーチャがその中に形成された第１の基板層を用意する段階と、
前記フィーチャの前記側壁および底面が第１のバリア層によって覆われ、前記フィーチャが金属で埋められ、前記金属が、前記第１のバリア層と接触した追加のバリア層によって覆われたカプセル化された金属構造を、前記フィーチャの中に形成する段階と、
前記第１の基板層の前記上面および前記カプセル化された金属構造の上に第２の基板層を付着させる段階と、
前記第２の基板層中に開口を形成して、前記カプセル化された金属構造を露出させる段階と、
前記第２の基板層の上に誘電層を付着させ、これによって前記開口の側壁および前記開口の底の前記露出させたカプセル化金属構造を覆う段階と、
追加の層を付着させて、前記開口の前記側壁および前記底の前記誘電層を覆い、前記開口を埋める段階と、
前記誘電層および前記追加の層を平坦化する段階と
を含む方法。
（１３）カプセル化された金属構造を形成する前記段階が、
前記基板の前記上面ならびに前記フィーチャの前記側壁および底面に前記第１のバリア層を付着させる段階と、
前記フィーチャに金属を充てんする段階と、
前記金属中にリセスを形成し、これによって前記金属の上面を前記基板の前記上面よりも低くする段階と、
前記追加のバリア層を付着させて、前記金属の前記上面を覆い、前記第１のバリア層と接触させる段階と、
前記追加のバリア層を平坦化する段階と
を含む、ＭＩＭキャパシタを製造する上記（１２）に記載の方法。
（１４）前記金属中にリセスを形成する前記段階、前記追加のバリア層を付着させる前記段階および前記追加のバリア層を平坦化する前記段階が繰り返され、これによって、最後のバリア層を平坦化した後に、前記基板の前記上面が露出し、前記金属が、前記第１のバリア層と前記最後のバリア層を含む少なくとも１層の追加のバリア層とによってカプセル化される、ＭＩＭキャパシタを製造する上記（１３）に記載の方法。
（１５）前記金属中にリセスを形成する前記段階および平坦化する前記段階が、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実施される、ＭＩＭキャパシタを製造する上記（１３）に記載の方法。
（１６）前記誘電層および前記追加の層を平坦化する前記段階が、前記第２の基板層の上面から前記誘電層および前記追加の層を除去し、これによって、前記第２の基板層の前記上面が露出し、前記誘電層の残りの部分および前記追加の層の残りの部分が前記開口中に配置される、ＭＩＭキャパシタを製造する上記（１２）に記載の方法。
（１７）上面を有する基板の側壁および底面を有するフィーチャ中に形成されたカプセル化された金属構造であって、
前記フィーチャの前記側壁および底面を覆う第１のバリア層と、
前記フィーチャを埋め、リセスがその中に形成され、これによってその上面が前記基板の前記上面よりも低くなった金属と、
前記金属の前記上面を覆い、前記第１のバリア層と接触し、これによって前記金属をカプセル化する追加のバリア層と
を備え、
前記追加のバリア層が平坦化され、これによって前記基板の前記上面が露出した
金属構造。
（１８）前記金属が銅を含む、上記（１７）に記載のカプセル化された金属構造。
（１９）前記第１のバリア層がタンタルおよび窒化タンタルを含む、上記（１７）に記載のカプセル化された金属構造。
（２０）前記追加のバリア層の上面が、前記基板の前記上面と同一平面にある、上記（１７）に記載のカプセル化された金属構造。
（２１）上面を有し、側壁および底面を有するフィーチャがその中に形成された第１の基板層と、
キャパシタ構造の下部プレートを形成する前記フィーチャ中のカプセル化された金属構造であって、前記フィーチャの前記側壁および底面が第１のバリア層によって覆われ、前記フィーチャが金属で埋められ、前記金属が、前記第１のバリア層と接触した追加のバリア層によって覆われた金属構造と、
前記第１の基板層の前記上面の第２の基板層であって、前記カプセル化された金属構造の上に形成された開口を有する第２の基板層と、
前記開口の側壁および前記開口の底の前記カプセル化された金属構造を覆う誘電層と、
前記開口の前記側壁および前記底の前記誘電層を覆い、前記開口を埋め、キャパシタ構造の上部プレートを形成する追加の層と
を備え、
前記誘電層および前記追加の層が平坦化され、これによって前記第２の基板層の前記上面が露出した
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ構造。
（２２）前記金属が銅を含む、上記（２１）に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
（２３）前記第１のバリア層がタンタルおよび窒化タンタルを含む、上記（２１）に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
（２４）前記誘電層がＴａ2Ｏ5を含む、上記（２１）に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
（２５）前記追加の層が窒化タンタルを含む、上記（２１）に記載のＭＩＭキャパシタ構造。
【図面の簡単な説明】
【図１】インターレベル誘電層中に金属線を製造し、この金属線をカプセル化する従来のプロセスの一段階を示す図である。
【図２】インターレベル誘電層中に金属線を製造し、この金属線をカプセル化する従来のプロセスの図１に続く段階を示す図である。
【図３】インターレベル誘電層中に金属線を製造し、この金属線をカプセル化する従来のプロセスの図２に続く段階を示す図である。
【図４】インターレベル誘電層中に金属線を製造し、この金属線をカプセル化する従来のプロセスの図３に続く段階を示す図である。
【図５】インターレベル誘電層中に金属線を製造し、この金属線をカプセル化する従来のプロセスの図４に続く段階を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に基づくカプセル化プロセスの一段階を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に基づくカプセル化プロセスの図６に続く段階を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に基づくカプセル化プロセスの図７に続く段階を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に基づくカプセル化プロセスの図８に続く段階を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に基づくカプセル化プロセスの図９に続く段階を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に基づくプロセスの追加の段階を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に基づくプロセスの図１１に続く追加の段階を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に基づくプロセスの図１２に続く追加の段階を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に基づくプロセスの図１３に続く追加の段階を示す図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態に基づくプロセスの図１４に続く追加の段階を示す図である。
【図１６】カプセル化された金属構造を使用した本発明に基づくＭＩＭキャパシタ製造の一段階を示す図である。
【図１７】カプセル化された金属構造を使用した本発明に基づくＭＩＭキャパシタ製造の図１６に続く段階を示す図である。
【図１８】カプセル化された金属構造を使用した本発明に基づくＭＩＭキャパシタ製造の図１７に続く段階を示す図である。
【図１９】カプセル化された金属構造を使用した本発明に基づくＭＩＭキャパシタ製造の図１８に続く段階を示す図である。
【図２０】カプセル化された金属構造を使用した本発明に基づくＭＩＭキャパシタ製造の図１９に続く段階を示す図である。
【符号の説明】
１０  インターレベル誘電層
１１  フィーチャ
１２  ライナ／接着プロモータ
１３  シード層
１４  めっき金属
１４ａ  めっき金属の上面
１５  フィーチャの外側の領域
１６  誘電層
２０  誘電層（基板層）
２０ａ  誘電層の上面
２１  フィーチャ
２２  ライナ層
２２ａ  ライナ層の上面
２２ｂ  めっき金属の角のライナ層の領域
２３  シード層
２４  金属
２４ａ  金属の上面
２４ｃ  金属のリセス
２４ｄ  金属のリセス
２５  ライナ／バリア層
２５ａ  ライナ／バリア層の上面
２５ｂ  リセスの中のライナ／バリア層
３１  マイクロディッシング領域
３２  ライナ／バリア層
４０  基板層
４１  金属
４２  バリア層
４３  バリア層
４４  絶縁層
４４ａ  絶縁層の上面
４５  開口
４６  誘電層
４７  キャパシタの上部プレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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