(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合部を有する半導体基板の表面及び裏面に表面電極及び裏面電極を備えた太陽電池セルにおいて、
前記表面電極は、前記半導体基板の特定の辺近傍に、この特定の辺と平行に直線状の表面側太線電極が形成されるとともに、この表面側太線電極に対して直角に延出する複数の表面側細線電極が形成され、
前記裏面電極は、前記半導体基板の特定の辺の対辺近傍に、前記表面側太線電極と平行に直線状の裏面側太線電極が形成されるとともに、この裏面側太線電極に対して鋭角または鈍角をなす方向に延出する複数の裏面側細線電極が形成されたことを特徴とする太陽電池セル。
【請求項２】
前記裏面側細線電極の少なくともいずれかから延出する複数の裏面側細線電極が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記裏面側細線電極は、格子状または六角形状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記裏面側細線電極は、前記裏面側太線電極の延出部が三角形状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池セルの表面電極及び裏面電極に半田を被覆する太陽電池セルの製造方法であって、
前記表面電極の表面側太線電極を下側にし、前記裏面電極の裏面側電極を上側にして、前記半導体基板を半田に浸漬し、前記両太線電極に対して略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施すことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池セルに関し、特に太陽電池セルの電極パターンの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、太陽の光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池セルがある。この太陽電池セルの断面図を図１０に示す。従来の太陽電池セル１は、例えばシリコン等を材質としたｐ型半導体基板２に、ｎ型となるドパーントが拡散されてｎ＋層３としてｐｎ接合が形成される。そして、スクリーン印刷法、蒸着法、スパッタ法等を用いて半導体基板の表面９に電極５、裏面１０に電極７を形成して構成されていた。太陽電池セル１の変換効率を高めるために、受光面側である表面９に凹凸を形成したり、図１０に示したように反射防止膜４を形成する場合もある。
【０００３】
この太陽電池セル１を複数個接続するためには、リード線等の配線材料を用いて、表裏両電極５，７に半田付けをする。配線時に半田付けを容易に行うためには、予め太陽電池セル１の表面電極５及び裏面電極７の表面に、それぞれ半田層６，８を形成しておくと容易に半田付けを行うことができる。このような半田層を太陽電池セルの表裏両電極に形成する方法としては、電極が形成された半導体基板を半田槽に浸漬して引き上げる半田ディップ法が最も容易であり、一般的にこの方法が採用されている。
【０００４】
図７は、従来の太陽電池セルの表面を示す図である。図８は、従来の太陽電池セルの裏面を示す図である。従来の太陽電池セルには、図７に示すように、複数の太陽電池セルを接続するための配線部である太線電極部１１と、太線電極部１１と交差する複数の細線電極部１２と、からなる短冊状の電極が、表面電極として受光面側に設けられる場合が多い。細線電極部１２は、太線電極部１１に電流を集めるためのものである。各電極部は、入射光を多く取り込むために、出来るだけ電極面積を小さくして、電極によって半導体基板の入射光を遮らないように設計されている。
【０００５】
裏面電極は、表面電極と同様に太線電極部１３と、太線電極部１３と交差する複数の細線電極部１４と、からなる短冊状の電極であるが、電極が入射光を遮ることを考慮する必要が無い。そのため、発生した電気を効率よく集めるために、出来るだけ抵抗を低減できるように構成されている。すなわち、図８（Ａ）に示すように、太線電極部１３に電流を集めるための細線電極部１４は、表面電極と比較して、ピッチが狭く本数が多くなるように設計されている。
【０００６】
また、裏面電極は、電気抵抗をさらに低減して太陽電池セルの出力を向上するために、図８（Ｂ）に示した細線電極部１４ｂのように、格子状に形成して使用することもある。
【０００７】
さらに、表面電極の太線電極部１１及び裏面電極の太線電極部１３は、次工程での配線を容易にするために、表面側と裏面側で対称的（上下逆方向）に形成されている。つまり、太陽電池セルの透視図である図１１（Ａ）に示すように、太線電極部１１と太線電極部１３とは、それぞれ設けられた面の端部近傍に位置するので、矢印Ａ方向からの正面図である図１１（Ｂ）に示すように、面２１において対角線の端部近傍に位置することとなる。よって、図１１（Ｃ）に示すように、配線時に接続するリード線の長さが短くできる利点がある。また、太陽電池セルの表面電極１１と、別の太陽電池セルの裏面電極１３とを、直接半田付けする方法にも都合がよい。なお、図１１において、理解しやすいように太線電極部１１，１３と細線電極部１２，１４との厚みを変えて図示しているが、実際は、同じ厚みである。以降の説明に用いる図面においても同様である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１２は、半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げる様子を示す正面図及び側面図である。図１２に示すように、裏面電極の太線電極部１３が上になるように、太陽電池セルを半田槽１８に浸漬し、引上げて半田ディップすると、従来の太陽電池セルでは、図９（Ａ）に示すように裏面電極の細線電極部１４に半田玉１５が発生したり、太線電極部１３に半田溜り１６による凹凸が発生する。そして、太陽電池セルをガラス基板等に接着するラミネート工程で、基板の割れ等による太陽電池セルが破損するという問題があった。
【０００９】
また、作製した太陽電池セルの必要な面積のみを残して不要な部分をカットするダイシング工程においても、裏面の半田玉等による突起が原因で基板がステージにうまく吸着固定できなかった。そのため、ダイシングがうまく出来ない、または太陽電池セルの割れ等による破損が発生するという問題があった。
【００１０】
この原因は、太線電極部に溜まった溶融半田が重力により太線電極部と交差する細線電極部に流れ出し徐々に冷却されるためである。このため、細線電極部に流れ出した半田が途中で半田玉になる。また、太線電極部で半田が流れるのを妨害され、細線電極部に流れなかった溶融半田は太線電極部で固まるため、凹凸の大きな半田溜りとなる。
【００１１】
裏面１０側の太線電極部１３が下方向になるようにして、半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げると、太線電極部１３が下側になるため、細線電極部１４に半田が流れだすことがなくなり、上記のような問題は発生しない。しかしながら、図１１に示したように、表面電極と裏面電極とは、半導体基板の表面９と裏面１０とに対称的に形成されている。そのため、裏面１０側の太線電極部１３が下方向になるようにして、半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げると、表面９側の太線電極部１１が上方向になるため、表面電極において、同様の問題が発生する。
【００１２】
また、裏面電極における電気抵抗を低減するために、格子状に裏面電極を形成した場合は、図９（Ｂ）に示すように太線部と平行になっている電極部で、半田が流れるのが妨害されるため、その部分で不要な凹凸である半田溜り１７が発生する。
【００１３】
半田玉や半田溜りを低減するために、半田ディップ時に太陽電池セルを半田槽から引上げる際の方法を工夫して、例えば太陽電池セルを傾けて引き上げるようにすることも出来る。半田ディップ工程は、装置を用いて自動的に行うが、上記のように太陽電池セルを半田槽に浸漬・引き上げするように装置を構成すると、装置の構造が複雑になる。また、上記のように太陽電池セルを半田槽に浸漬・引き上げすると、太陽電池セルの表面側の電極に、次工程での配線時に必要なだけの厚みの半田層が形成出来ないという問題点があった。
【００１４】
この問題に対して、特許第２７９２６４０号公報には、バスバー部（太線電極部）とフィンガー部（細線電極部）との交差部分を幅狭に形成し、バスバー部の上辺から下辺に向かって屈曲して形成された構成、及び、バスバー部とフィンガー部との交差部分に除去部分を設けた構成が開示されている。この構成によって、バスバー部に付着した半田がフィンガー部に流れることが少なくなるため、フィンガー部に半田玉が形成されることが防止される。
【００１５】
しかしながら、特許第２７９２６４０号公報に開示された構成を実施するためには、バスバー部とフィンガー部との交差部において、微細な加工を施す必要があり、製造コストが上昇する。
【００１６】
本発明は上記の問題に鑑みて成されたものであり、その目的は、太陽電池セルの電極の半田層を形成する時に基板の割れ等破損の原因となる半田玉等の突起が発生しない太陽電池セルを低コストで提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記の課題を解決するための手段として、以下の構成を備えている。
【００１８】
(1) ｐｎ接合部を有する半導体基板の表面及び裏面に表面電極及び裏面電極を備えた太陽電池セルにおいて、
前記表面電極は、前記半導体基板の特定の辺近傍に、この特定の辺と平行に直線状の表面側太線電極が形成されるとともに、この表面側太線電極に対して直角に延出する複数の表面側細線電極が形成され、
前記裏面電極は、前記半導体基板の特定の辺の対辺近傍に、前記表面側太線電極と平行に直線状の裏面側太線電極が形成されるとともに、この裏面側太線電極に対して鋭角または鈍角をなす方向に延出する複数の裏面側細線電極が形成されたことを特徴とする。
【００１９】
この構成においては、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、この半導体基板を半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、表面電極には配線時に信頼性が高く、十分な強度の得られる半田層が形成でき、裏面電極には半田玉や溜り等の半田突起が発生せずに、均一な半田層を形成することができる。よって、ダイシング工程やラミネート工程時に太陽電池セルの割れ等の破損を防ぐことができる。
【００２０】
(2) 前記裏面側細線電極の少なくともいずれかから延出する複数の裏面側細線電極が形成されたことを特徴とする。
【００２１】
この構成においては、裏面側太線電極に対して鋭角または鈍角をなす方向に延出する複数の裏面側細線電極には、少なくともいずれかから延出する複数の裏面側細線電極が形成されている。したがって、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、表面電極には配線時に信頼性が高く、十分な強度の得られる半田層が形成でき、裏面電極では、太線電極から流れ出す半田が、斜めに形成された細線電極に保持されつつ、電極に沿って遅い速度で半田が流れて、急冷されないので裏面電極上に均一に半田層が形成されるので、半田玉や溜り等の半田突起が発生せずに、均一な半田層を形成することができる。
【００２２】
(3) 前記裏面側細線電極は、格子状または六角形状に形成されたことを特徴とする。
【００２３】
この構成においては、太陽電池セルを構成する半導体基板の裏面側細線電極は、格子状または六角形状に形成されている。したがって、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、裏面細線電極が半田の流れを妨害することがなく、溶融半田が分散して流れるので、半田玉や半田溜まりが発生しない。
【００２４】
(4) 前記裏面側細線電極は、前記裏面側太線電極の延出部が三角形状に形成されたことを特徴とする。
【００２５】
この構成においては、太陽電池セルを構成する半導体基板の裏面側細線電極は、その延出部が三角形状に形成されている。したがって、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、このような形状であるため、太線電極の半田が細線電極部に容易に流れるので、太線電極に半田が溜まるのを抑制する効果があり、また、太線電極から流れ出す半田の量が多いため、細線電極部の途中で冷却されて半田玉になることを防止できる。
【００２６】
(5) (1)乃至(4)のいずれかに記載の太陽電池セルの表面電極及び裏面電極に半田を被覆する太陽電池セルの製造方法であって、
前記表面電極の表面側太線電極を下側にし、前記裏面電極の裏面側電極を上側にして、前記半導体基板を半田に浸漬し、前記両太線電極に対して略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施すことを特徴とする。
【００２７】
この構成においては、太陽電池セルを製造するために、半導体基板に形成された少なくとも直線状の太線電極部によって構成された表面電極及び裏面電極に半田を被覆する半田被覆工程では、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、この半導体基板を半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施す。したがって、半田の被覆後に、表面電極及び裏面電極に半田玉や半田溜まり等の突起が発生することなく、均一な半田層を形成することができる。また、ダイシング工程やラミネート工程時に太陽電池セルの割れ等の破損を防ぐことができる。
【００２８】
(6) (4) において、裏面電極は、複数種類の多角形状によって形成されたとすることができる。
【００２９】
この構成においては、太陽電池セルは、少なくとも一部が複数種類の多角形状に形成された裏面電極を備えている。したがって、太陽電池セルを半田ディップを行った際に、裏面電極を流れ出した半田の分散、結合が繰り返され、半田の流れをよりスムーズにすることができ、半田玉や半田溜まり等の不具合の発生を防止することができる。
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る太陽電池セルの表面電極の形状を示す図である。図２は、太陽電池セルの裏面電極の形状を示す図である。
【００３０】
本発明の実施形態に係る太陽電池セルの断面形状は、従来の太陽電池セルの断面形状と同様である。ここで、図１０を用いて、本発明の太陽電池セルの製造方法の概略を説明する。ｐ型シリコン基板２に、ｎ型となるリン等のドパーントを含んだ溶液を塗布後、約９００℃で熱処理することにより拡散し、ｎ＋層３が形成される。ｎ＋層３は、ＰＯＣｌ3 等による気相拡散法を用いてもよい。
【００３１】
次に、太陽電池セルの表面の反射を低減するために、常圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる反射防止膜４を形成する。なお、ｎ＋層３と反射防止膜４を同時に形成してもよい。
【００３２】
そして、スクリーン印刷法により銀ペーストを半導体基板上に印刷して、この銀ペーストを焼成することにより、マイナス電極である表面電極５、プラス電極である裏面電極７を形成する。電極の形成では、上記銀ペーストに限るものではなく、他の導電性ペーストを用いても良いし、蒸着やメッキ等によって電極を形成しても良い。
【００３３】
また、従来技術で説明したのと同様に、半導体基板を半田槽に浸漬・引き上げする半田ディップ法により、複数の太陽電池セル１を接続するための半田層６，８を表面電極５及び裏面電極７の表面に形成する。さらに、半導体基板の不要な部分をカットすることにより所望の太陽電池セルが完成する。
【００３４】
図１に示したように、本発明の太陽電池セルの表面電極は、従来の太陽電池セルの表面電極の形状と同様である。すなわち、複数の太陽電池セルを接続するための配線部である直線状の太線電極部１１と、太線電極部１１と交差する複数の細線電極部１２とからなる短冊状の電極が表面の受光面側に設けられている。細線電極部１２は、太線電極部１１に電流を集めるため使用される。また、入射光を多く取り込むために、出来るだけ電極面積を小さくして、電極によって半導体基板の入射光を遮らないようにされている。
【００３５】
太陽電池セルにおける裏面電極の形状は、表面電極の太線電極部１１に対して所定の角度を有して形成することが可能である。つまり、図２（Ａ）に示すように、半導体基板の裏面中心線に対称に、表面側の太線電極部１１に対して所定の角度に傾斜して設けられた複数の細線電極部１４ｃが、所定のピッチで半導体基板の表面に形成されている。また、細線電極部１４ｃと交差して、細線電極部１４ｃから延出して、且つ太線電極部１１に対して傾斜して設けられた複数の細線電極部１４ｄが所定のピッチで半導体基板の表面に形成されている。
【００３６】
このような形状に裏面電極を形成することにより、太線電極部１１を下側にして半田ディップした際に、表面電極の太線電極部１１には半田付けを容易にするのに必要な半田層が形成できる。また、裏面電極には半田玉等の突起が発生しなくなる。これは電極が垂直方向に形成された場合より遅い速度で、電極に沿って半田が流れるため、半田が急冷されずに電極上に均一に半田層が形成されるためである。
【００３７】
このように半田玉等の突起が形成されないため、作製した太陽電池セルの必要な面積のみを残して不要な部分をカットするダイシング工程において、半導体基板のステージへの吸着不良や割れ等が発生しなくなる。また、それだけでなく、太陽電池セルをガラス基板等に接着するラミネート工程においての割れ等も発生しなくなる。
【００３８】
なお、図２に示した形態では、太線電極部を設けていないが、この場合複数の太陽電池セルは、表面電極の太線電極部１１と細線電極部１４とをリード線などを用いて接続する。
【００３９】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）とは異なる形状の裏面電極である。すなわち、太陽電池セルの表面９側の直線状の太線電極部１１に対して、所定の角度に傾斜して設けられた複数の細線電極部１４ｅが、所定のピッチで半導体基板の表面に形成されている。また、細線電極部１４ｅと交差して、細線電極部１４ｅから延出し、且つ太線電極部１１に対して傾斜して設けられた複数の細線電極部１４ｆが、所定のピッチで半導体基板の表面に形成されている。このような形状の裏面電極においても、図２（Ａ）に示した形状の裏面電極と同様な効果が得られる。
【００４０】
図３は、太陽電池セルの裏面電極における別の形状を示す図である。図３（Ａ）に示した裏面電極は、表面電極の直線状の太線電極部１１に対して、４５度に傾斜して形成された複数の細線電極部１４ｇと、１３５度に傾斜して形成された複数の細線電極部１４ｈとが、交差して格子状に形成されている。そのため、太陽電池セルの半田ディップを行った際に、各細線電極部１４ｇ，１４ｈが半田の流れを妨害することがない。また、溶融半田が分散して流れるので、半田玉や半田溜まりが発生しない。なお、格子状に形成した裏面電極の交差角度は、４５度、１３５度に限るものではなく、太線電極部１１と水平に形成されなければ良い。
【００４１】
図３（Ｂ）に示した裏面電極は、六角形が複数個連なって形成された細線電極部１４ｉによって構成される。つまり、細線電極部１４ｉは、直線状の太線電極部１１に対して略垂直に形成され部分と、太線電極部１１に対して所定の角度で傾斜して形成された部分とからなる。そのため、太陽電池セルの半田ディップを行った際に、流れ出した半田の分散、結合が繰り返され、半田の流れをよりスムーズにすることができ、半田玉や半田溜まり等の突起が発生しない。
【００４２】
次に、細線電極部と太線電極部とを設けた、本願発明実施形態に係る裏面電極について説明する。図４は、図２に示した裏面電極に直線状の太線電極部を設けた形状を示す図である。図４（Ａ）に示すように、半導体基板２の裏面側において長手方向の端部近傍に太線電極部１３を設け、細線電極部１４ｃ，１４ｄの端部と太線電極部１３とを接続している。なお、細線電極部１４ｃ，１４ｄの形状は、図２（Ａ）に基づいて説明した通りである。このように、半導体基板２の裏面１０に直線状の太線電極部１３を形成することにより、次工程での配線を容易に行うことができる。また、太線電極部１３を上側にして太陽電池セルの半田ディップを行った際に、太線電極部１３に付着した溶融半田が流れ出すにも係わらず半田玉が発生しない。これは、裏面電極の太線電極部１３から流れ出す半田が、斜めに形成された細線電極部１４ｃ，１４ｄに保持されつつ、電極に沿って遅い速度で半田が流れるため、急冷されないので裏面電極上に均一に半田層が形成されるためである。
【００４３】
図４（Ｂ）は、図２（Ｂ）に示した裏面電極に太線電極部を設けた形状を示す図である。細線電極部１４ｅ，１４ｆの形状は、図２（Ｂ）に基づいて説明した通りである。図４（Ａ）と同様に、半導体基板の裏面１０側において長手方向の端部近傍に直線状の太線電極部１３を設け、細線電極部１４ｅ，１４ｆの端部と太線電極部１３とを接続している。このような形状の裏面電極においても、図４（Ａ）に示した形状の裏面電極と同様の効果が得られる。
【００４４】
次に、さらに異なる形状の裏面電極を説明する。図５は、太線電極部に対して所定の角度で傾斜した細線電極部と、太線電極部に対して略垂直に形成された細線電極部と、を備えた裏面電極の形状を示す図である。図５（Ａ）に示した裏面電極においては、直線状の太線電極部１３の長手方向の辺と、太線電極部１３に対して所定の角度で傾斜した細線電極部１４ｊと、によって、三角形状部１４ｍが形成されている。また、三角形状部１４ｍの頂点から細線電極部１４ｋが太線電極部１３と略垂直方向に延出している。このような形状であるため、半導体基板２を太線電極部１３を上にして半田ディップした際に、太線電極部１３の半田が細線電極部１４ｊ，１４ｋに容易に流れることができ、太線電極部１３に半田が溜まるのを抑制する効果がある。また、太線電極部１３から流れ出す半田の量が多いため、細線電極部１４ｊ，１４ｋの途中で冷却されて半田玉になることがない。
【００４５】
図５（Ｂ）に示した裏面電極においては、図５（Ａ）に示した裏面電極において形成した三角形状部１４ｍの内部にも電極を形成して、略直線状の太線電極部１３ｂとする。このような形状にすることで、細線電極部１４ｋにおいて、半田玉は発生しない。
【００４６】
次に、さらに異なる形状の裏面電極を説明する。図６は、図３に示した裏面電極に太線電極部を設けた形状を示す図である。図６（Ａ）に示すように半導体基板の裏面側において長手方向の端部近傍に直線状の太線電極部１３を設け、細線電極部１４ｇ，１４ｈの端部と太線電極部１３とを接続している。なお、細線電極部１４ｇ，１４ｈの形状は、図３（Ａ）に基づいて説明した通りである。このように半導体基板２の裏面１０に太線電極部１３を形成することにより、次工程での配線を容易に行うことができる。また、半導体基板２を太線電極部１３を上にして半田ディップを行った際に、表面電極の太線電極部１３に付着した溶融半田が流れ出すにも係わらず半田玉が発生しない。さらに、太線電極部１３に対して、格子状のパターンが４５度に傾けて形成されているので、半田の流れを妨害することがなく、且つ、流れた半田が分散されるので半田玉が発生しない。
【００４７】
図６（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示した裏面電極に太線電極部を設けた形状を示す図である。細線電極部１４ｉの形状は、図３（Ｂ）に基づいて説明した通りである。図６（Ａ）と同様に、半導体基板２の裏面１０側において長手方向の端部近傍に直線状の太線電極部１３を設け、六角形状の細線電極部１４ｉの端部と太線電極部１３とを接続した形状である。このような形状の裏面電極においても、流れ出した半田の分散、結合が繰り返され、半田の流れをよりスムーズにすることができ、図６（Ａ）に示した形状の裏面電極と同様な効果が得られる。
【００４８】
ここで、表面電極の細線電極部１２を直線状の太線電極部１１に対して所定の角度に傾斜して形成した場合には、表面電極上に半田が滑らかに流れる効果がある。上記のように表面電極の細線電極部１２を形成すると、電流の流れる経路が長くなるため、電流経路において若干抵抗が増加し、光電変換効率のロスが生じる。しかし、表面電極上を半田が滑らかに流れるため、表面電極上に半田による凹凸等の無い見栄えの良い太陽電池セルを作製することができる。
【００４９】
なお、本実施例では代表的な裏面電極の形状について図面に基づいて説明を行ったが、裏面電極の形状は図示したものに限定されるものではない。例えば、他の多角形形状や、複数種類の多角形状を組み合わせて細線電極部のパターンが形成されていてもよい。
【００５０】
また、太陽電池セルに使用する基板は、シリコン基板だけでなく、ＧａＡｓ等の化合物半導体基板等を用いてもよい。
【００５１】
さらに、太陽電池セルの表面電極は太線電極部を有する構成を説明したが、表面電極は図２及び図３に示した形状のように太線電極部を有さない構成であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【００５３】
(1) 太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、この半導体基板を半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、表面電極には配線時に信頼性が高く、十分な強度の得られる半田層が形成でき、裏面電極には半田玉や溜り等の半田突起が発生せずに、均一な半田層を形成することができる。よって、ダイシング工程やラミネート工程時に太陽電池セルの割れ等の破損を防ぐことができる。
【００５４】
(2) 裏面側太線電極に対して鋭角または鈍角をなす方向に延出する複数の裏面側細線電極には、少なくともいずれかから延出する複数の裏面側細線電極が形成されているので、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、表面電極には配線時に信頼性が高く、十分な強度の得られる半田層が形成でき、裏面電極では、太線電極から流れ出す半田が、斜めに形成された細線電極に保持されつつ、電極に沿って遅い速度で半田が流れて、急冷されないので裏面電極上に均一に半田層が形成されて、半田玉や溜り等の半田突起が発生せずに、均一な半田層を形成することができる。
【００５５】
(3) 太陽電池セルを構成する半導体基板の裏面側細線電極は、格子状または六角形状に形成されているので、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、裏面細線電極が半田の流れを妨害することがなく、溶融半田が分散して流れるので、半田玉や半田溜まりの発生を防止できる。
【００５６】
(4) 太陽電池セルを構成する半導体基板の裏面側細線電極は、その延出部が三角形状に形成されているので、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げると、このような形状であるため、太線電極の半田が細線電極部に容易に流れるので、太線電極に半田が溜まるのを抑制する効果があり、また、太線電極から流れ出す半田の量が多いため、細線電極部の途中で冷却されて半田玉になることを防止できる。
【００５７】
(5) 太陽電池セルを製造するために、半導体基板に形成された少なくとも直線状の太線電極部によって構成された表面電極及び裏面電極に半田を被覆する半田被覆工程では、太陽電池セルを構成する半導体基板の表面に設けた表面電極の太線電極を下側にし、裏面電極の太線電極を上にして、この半導体基板を半田槽に浸漬して、両太線電極に対して略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施すので、半田の被覆後に、表面電極及び裏面電極に半田玉や半田溜まり等の突起が発生することなく、均一な半田層を形成することができる。また、ダイシング工程やラミネート工程時に太陽電池セルの割れ等の破損を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る太陽電池セルの表面電極の形状を示す図である。
【図２】太陽電池セルの裏面電極の形状を示す図である。
【図３】太陽電池セルの裏面電極における別の形状を示す図である。
【図４】図２に示した裏面電極に直線状の太線電極部を設けた形状を示す図である。
【図５】太線電極部に対して所定の角度で傾斜した細線電極部と、太線電極部に対して略垂直に形成された細線電極部と、を備えた裏面電極の形状を示す図である。
【図６】図３に示した裏面電極に太線電極部を設けた形状を示す図である。
【図７】従来の太陽電池セルの表面を示す図である。
【図８】従来の太陽電池セルの裏面を示す図である。
【図９】従来の太陽電池セルの半田デップ後の裏面を示す図である。
【図１０】太陽電池セルの断面図を示す図である。
【図１１】太陽電池セルの構成及び接続方法を示す図である。
【図１２】半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げる様子を示す正面図及び側面図である。
【符号の説明】
１−太陽電池セル
２−ｐ型シリコン基板
３−ｎ＋層
４−反射防止膜
５−表面電極
６，８−半田層
７−裏面電極
１１，１３−太線電極部
１２，１４−細線電極部
１５−半田玉
１６，１７−半田溜り
１８−半田槽
【図１】
0003749079.tif 000002
【図２】
0003749079.tif 000003
【図３】
0003749079.tif 000004
【図４】
0003749079.tif 000005
【図５】
0003749079.tif 000006
【図６】
0003749079.tif 000007
【図７】
0003749079.tif 000008
【図８】
0003749079.tif 000009
【図９】
0003749079.tif 000010
【図１０】
0003749079.tif 000011
【図１１】
0003749079.tif 000012
【図１２】
0003749079.tif 000013