(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光対象物が搭載されるステージを連続的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームをステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で該荷電粒子ビームを偏向走査させて露光対象物上にパターンを露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
ステージフィードバック偏向器と、
該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ステージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバック偏向器に供給するステージフィードバック回路と、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２】
上記ステージフィードバック回路は、上記主偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィードバック偏向器に供給する信号を補正する補正回路を有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項３】
上記ステージフィードバック回路は、
上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの上記ステージの移動量を算出する演算回路と、
該演算回路の出力を、上記主偏向器による偏向量に応じて補正する補正回路と、
該補正回路の出力をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換回路と、
該Ｄ／Ａ変換回路の出力を増幅して上記ステージフィードバック偏向器に供給する増幅回路と、
を有することを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項４】
上記ステージフィードバック偏向器は、上記主偏向器としての偏向コイルの略内側に配置された偏向コイルであることを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項５】
上記ステージフィードバック偏向器は、上記副偏向器よりも荷電粒子ビーム上流側に配置された静電偏向器であることを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項６】
上記補正回路は、
上記主偏向器による偏向量を補正係数に変換する補正係数発生回路と、
該補正係数で上記演算回路の出力値を変換し補正された値として出力する変換回路と、
を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項７】
上記補正係数発生回路は、上記主偏向器による偏向量でアドレス指定されて上記補正係数を出力するメモリであることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項８】
露光対象物が搭載されるステージを連続的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームをステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で該荷電粒子ビームを偏向させる荷電粒子ビーム露光方法において、
ステージフィードバック偏向器を用い、
該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ステージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバック偏向器に供給することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項９】
上記主偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィードバック偏向器に供給する信号を補正することを特徴とする請求項８記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１０】
上記主偏向器による偏向量を補正係数に変換し、該補正係数で、上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの上記ステージの移動量を変換することにより上記補正を行うことを特徴とする請求項９記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビーム露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は、従来の荷電粒子ビーム露光装置の概略構成を示す。
荷電粒子ビーム射出装置１０から射出された荷電粒子ビームＥＢ、例えば電子ビームは、対物レンズ１１を通り、ステージ１２に搭載されたウェーハ１３上に照射される。荷電粒子ビームＥＢの断面は、荷電粒子ビーム射出装置１０内で成形される。ウェーハ１３上の露光位置は、ステージ１２並びに対物レンズ１１内に配置された電磁型主偏向器１４及び静電型副偏向器１５により定められる。ステージ１２の位置は、レーザ干渉測長器１６で測定される。
【０００３】
ビーム制御回路２０は、記憶装置３０から読み出されたパターンデータに基づき、一方では荷電粒子ビーム射出装置１０に信号を供給して、ビーム断面を成形させ、他方ではステージ１２、主偏向器１４及び副偏向器１５に信号を供給して、荷電粒子ビームＥＢのウェーハ１３上照射位置（露光位置）を制御する。
ウェーハ１３上でのビーム走方法を、図８（Ａ）に示す。
【０００４】
フィールドＦｉは、主偏向器１４の偏向範囲であり、例えば一辺の長さＬf＝２ｍｍの正方形である。サブフィールドＳＦｊは、副偏向器１５の偏向範囲であり、例えば一辺の長さＬsf＝１００μｍの正方形である。フィールドＦｉ内において、ビームが主偏向器１４で図中の点線で示す経路に沿って、サブフィールド中心から隣のサブフィールド中心へとステップ偏向される。ステップ偏向毎に、サブフィールド内においてビームが副偏向器１５で偏向走査される。フィールドＦｉ内の走査が終了すると、フィールドＦｉ＋１内に移る。
【０００５】
ウェーハ１３は、ステージ１２により図示−Ｘ方向に連続移動しており、荷電粒子ビーム露光装置の光軸とウェーハ１３との交点の位置をステージ１２の現在位置Ｓとすると、Ｓは、一点鎖線に沿って連続的にＸ方向へ移動する。
ステージ位置は、フィールドＦｉの走査開始時には点Ｓ０であり、サブフィールドＳＦｊの走査開始時には点Ｓｊであり、現在は点Ｓであるとする。一般に、Ｐを始点としＱを終点とするベクトルをＰＱで表す。
【０００６】
サブフィールドＳＦｊ内の偏向ベクトルＳＲは、ＳＲ＝ＳＳｊ＋ＳｊＰｉ＋ＰｉＱｊ＋ＱｊＲと表される。主偏向位置ベクトルＰｉＱｊは、上述のステップ偏向により点線に沿ってサブフィールド中心から隣のサブフィールド中心へとステップ移動する。サブフィールドＳＦｊ内の、副偏向器１５による走査中では、ベクトルＳｊＰｉ及び主偏向位置ベクトルＰｉＱｊは変化せず、ステージ移動ベクトルＳＳｊ及び副偏向位置ベクトルＱｊＲは変化する。
【０００７】
図７は、図６のビーム制御回路２０の構成を示す。
パターンデータは、パターン発生回路２１により、ビーム断面形状データと露光位置データとに分割され、それぞれビーム形状制御回路２２Ａ及びビーム位置制御回路２２Ｂに供給される。ビーム形状制御回路２２Ａの出力により、図６の荷電粒子ビーム射出装置１０内でビーム断面が成形される。
【０００８】
ビーム位置制御回路２２Ｂは、フィールドＦｉ−１の走査を終了するとフィールド中央点Ｐｉを減算回路２３Ａの一方の入力端に供給し、次のフィールドＦｉの走査においてサブフィールドＳＦｊ−１の走査を終了すると、主偏向位置ベクトルＰｉＱｊを加算回路２４Ａの一方の入力端に供給し、次のサブフィールドＳＦｊの走査において副偏向位置ベクトルＱｊＲを加算回路２４Ｂの一方の入力端に供給する。
【０００９】
他方、サブフィールドＳＦｊ−１内での走査終了時点でクロックＣＬＫが立ち上がり、レーザ干渉測長器１６からのステージ現在位置ＳがＳｊとしてレジスタ２５に保持され、次のサブフィールドＳＦｊ内への走査へと移る。フィールド中央点Ｐｉとステージ位置Ｓｊとの差であるベクトルＳｊＰｉが減算回路２３Ａで求められ、これと主偏向位置ベクトルＰｉＱｊとが加算回路２４Ａで加算されて主偏向ベクトルＳｊＱｊが求められる。
【００１０】
主偏向ベクトルＳｊＱｊは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ａで電流に変換され、増幅回路２８Ａで増幅されて、電流Ｉが主偏向器１４に供給される。
また、ステージ位置Ｓｊとステージ現在位置Ｓとの差であるステージ移動ベクトルＳＳｊが減算回路２３Ｂで求められ、これと副偏向位置ベクトルＱｊＲとが加算回路２４Ｂで加算されて、ベクトルＱｊＲ＋ＳＳｊが求められる。ベクトルＱｊＲ＋ＳＳｊは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｂで電流に変換され、電流／電圧変換回路２７Ｂで電圧に変換され、増幅回路２８Ｂで増幅されて、電圧Ｖが副偏向器１５に印加される。
【００１１】
以上のような回路が接続された主偏向器１４及び副偏向器１５で、露光位置が偏向ベクトルＳＲになるように、荷電粒子ビームＥＢが偏向される。
図６の副偏向器１５は、例えば図８（Ｂ）に示す如く、８極の電極１５１〜１５８を備えており、副偏向ベクトル（Ｘ，Ｙ）に対し電極１５１〜１５８にはそれぞれ次のような電圧Ｖ１〜Ｖ８が印加される。
【００１２】
Ｖ１＝  ａＸ＋ｂＹ，  Ｖ５＝−ａＸ−ｂＹ
Ｖ２＝  ｂＸ＋ａＹ，  Ｖ６＝−ｂＸ−ａＹ
Ｖ３＝−ｂＸ＋ａＹ，  Ｖ７＝  ｂＸ−ａＹ
Ｖ８＝  ａＸ−ｂＹ，  Ｖ４＝−ａＸ＋ｂＹ
露光中にステージ１２が連続移動しているので、荷電粒子ビーム射出装置１０から見たサブフィールドＳＦｊは−Ｘ方向へ連続移動している。すなわち、副偏向器１５に印加される電圧Ｖの、ステージ移動ベクトルＳＳｊに相当する成分が連続的に変化する。このため、例えば図８（Ａ）中のサブフィールドＳＦｊの四隅の点Ａ、Ｂ、Ｃ又はＤに荷電粒子ビームＥＢを照射させるには、図８（Ｂ）において副偏向器１５でビームを、サブフィールドＳＦｊの走査開始時点ではそれぞれ点Ａ１、Ｂ１、Ｃ１又はＤ１に偏向させる必要があり、サブフィールドＳＦｊの走査終了時点ではそれぞれ点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２又はＤ２に偏向させる必要がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、光軸に対する電極１５１〜１５８の取付位置誤差により、上記電圧Ｖ１〜Ｖ８の式の右辺にＸ及びＹについての三次の項が付加される。点Ｂ２やＣ２のようにそれぞれ点Ｂ１及びＣ１から離れて副偏向器１５の電極に近づくほど、この三次の項が無視できなくなり、露光位置誤差が増加して、露光パターンの微細化が妨げられる。この三次の項の大きさは、サブフィールドＳＦｊ内の走査中にリアルタイムで変化し、この三次の項の補正を行うと、露光速度が低下し、高速露光を行うことができなくなる。
【００１４】
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、露光速度を低下させることなく露光位置精度を向上させることが可能な荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】
請求項１では、露光対象物が搭載されるステージを連続的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームをステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で該荷電粒子ビームを偏向走査させて露光対象物上にパターンを露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
ステージフィードバック偏向器と、
該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ステージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバック偏向器に供給するステージフィードバック回路とを有する。
【００１６】
この荷電粒子ビーム露光装置によれば、ステージフィードバック偏向器及びステージフィードバック回路を備えることにより、主偏向器でステップ偏向する毎に、副偏向器走査範囲において副偏向器に印加される電圧を一定にすることができるので、上述のような３次の項の複雑な計算をする必要が無くなり、この計算による露光速度の低下を防止して、ステージフィードバック偏向により露光位置精度を向上させることができるという効果を奏する。
【００１７】
請求項２では、請求項１において、上記ステージフィードバック回路は、上記主偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィードバック偏向器に供給する信号を補正する補正回路を有する。
この荷電粒子ビーム露光装置によれば、主偏向器による偏向範囲が比較的広くても、露光位置精度を向上させることができるという効果を奏する。
【００１８】
請求項３の荷電粒子ビーム露光装置では、請求項２において、上記ステージフィードバック回路は、
上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの上記ステージの移動量を算出する演算回路と、
該演算回路の出力を、上記主偏向器による偏向量に応じて補正する補正回路と、
該補正回路の出力をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換回路と、
該Ｄ／Ａ変換回路の出力を増幅して上記ステージフィードバック偏向器に供給する増幅回路とを有する。
【００１９】
請求項４の荷電粒子ビーム露光装置では、請求項３において、上記ステージフィードバック偏向器は、上記主偏向器としての偏向コイルの略内側に配置された偏向コイルである。  この荷電粒子ビーム露光装置によれば、既存の荷電粒子ビーム露光装置にステージフィードバック偏向器を容易に備えることが可能となるという効果を奏する。
【００２０】
請求項５の荷電粒子ビーム露光装置では、請求項３において、上記ステージフィードバック偏向器は、上記副偏向器よりも荷電粒子ビーム上流側に配置された静電偏向器である。
請求項６の荷電粒子ビーム露光装置では、請求項３乃至５のいずれか１つにおいて、上記補正回路は、
上記主偏向器による偏向量を補正係数に変換する補正係数発生回路と、
該補正係数で上記演算回路の出力値を変換し、例えば一次変換し、補正された値として出力する変換回路とを有する。
【００２１】
請求項７の荷電粒子ビーム露光装置では、請求項６において、上記補正係数発生回路は、上記主偏向器による偏向量でアドレス指定されて上記補正係数を出力するメモリである。
この荷電粒子ビーム露光装置によれば、補正係数発生回路を安価に構成することができるという効果を奏する。
【００２２】
請求項８では、露光対象物が搭載されるステージを連続的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームをステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で該荷電粒子ビームを偏向させる荷電粒子ビーム露光方法において、
ステージフィードバック偏向器を用い、
該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ステージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバック偏向器に供給する。
【００２３】
請求項９では、請求項８において、上記主偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィードバック偏向器に供給する信号を補正する。
請求項１０の荷電粒子ビーム露光方法では、請求項９において、上記主偏向器による偏向量を補正係数に変換し、該補正係数で、上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの上記ステージの移動量を変換、例えば一次変換することにより上記補正を行う。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
図１は、図６の回路２０の替わりに用いられる、本発明の第１実施形態のビーム制御回路２０Ａを示す。
この回路が適用される荷電粒子ビーム露光装置では、電磁型主偏向器１４付近に新たなステージフィードバック偏向器４０が配置されている。この偏向器４０は電磁型であり、図２に示す如く、Ｘ方向に対向した一対の偏向コイル４０１と偏向コイル４０２とを備えている。偏向コイル４０１及び４０２はそれぞれ、主偏向器１４を構成する一対の偏向コイル１４１と偏向コイル１４２の略内側に配置されている。光軸付近での磁界強度をより均一化するために、偏向コイル４０１及び４０２は、偏向コイル１４１及び１４２と同様に、サドル形になっている。偏向コイル４０１と偏向コイル４０２とは、不図示の配線で直列接続されており、偏向コイル４０１と偏向コイル４０２とには図示のように互いに同一方向へ同一電流が流れる。ステージフィードバック偏向器４０による偏向範囲は、ウェーハ１３上で例えば±８μｍと、サブフィールドの一辺の長さに比し充分小さいので、偏向コイル４０１及び４０２のターン数はいずれも例えば５であり、高速応答が可能である。
【００２５】
ステージフィードバック偏向器４０は、Ｙ軸方向についても、偏向コイル４０１と偏向コイル４０２とを光軸の回りに９０°回転させた構成を備えている。主偏向器１４のＹ軸方向についても同様である。
ビーム走査方法は、図８（Ａ）についての上述の説明と同一であり、以下の説明において図８（Ａ）中の符号を参照する。
【００２６】
パターンデータは、パターン発生回路２１により、ビーム断面形状データと露光位置データとに分割され、それぞれビーム形状制御回路２２Ａ及びビーム位置制御回路２２Ｂに供給される。
ビーム位置制御回路２２Ｂは、フィールドＦｉ−１の走査を終了すると、フィールド中央点Ｐｉを減算回路２３Ａの一方の入力端に供給し、次のフィールドＦｉの走査において、サブフィールドＳＦｊ−１の走査を終了すると主偏向位置ベクトルＰｉＱｊを加算回路２４Ａの一方の入力端に供給し、次のサブフィールドＳＦｊの走査において副偏向位置ベクトルＱｊＲをＤ／Ａ変換回路２６Ｂに供給する。点ＰｉやベクトルはＸ成分及びＹ成分を有するが、図１では簡単化のために一方の成分の回路のみ示している。副偏向位置ベクトルＱｊＲは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｂで電流に変換され、電流／電圧変換回路２７Ｂで電圧に変換され、増幅回路２８Ｂで増幅されて、電圧Ｖが副偏向器１５に印加される。副偏向器１５は静電型であり、例えば図８に示す如く８極であって、この場合、例えば回路２６Ｂ、２７Ｂ及び２８Ｂを８組有し、８個のＤ／Ａ変換回路２６Ｂの各々に値ＤＶ１〜ＤＶ８が供給される。値ＤＶ１〜ＤＶ８は、ベクトルＱｊＲの成分（Ｘ，Ｙ）を上述のＶ１〜Ｖ８の右辺に代入して得られ、ビーム位置制御回路２２Ｂにより求められる。
【００２７】
他方、サブフィールドＳＦｊ−１内での走査終了時点でクロックＣＬＫが立ち上がり、レーザ干渉測長器１６からのステージ現在位置ＳがＳｊとしてレジスタ２５に保持され、次のサブフィールドＳＦｊ内への走査に移る。フィールド中央点Ｐｉとステージ位置Ｓｊとの差であるベクトルＳｊＰｉが減算回路２３Ａで求められ、これと主偏向位置ベクトルＰｉＱｊとが加算回路２４Ａで加算されて主偏向ベクトルＳｊＱｊが求められる。主偏向ベクトルＳｊＱｊは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ａで電流に変換され、増幅回路２８Ａで増幅されて、電流Ｉが主偏向器１４に供給される。また、ステージ位置Ｓｊとステージ現在位置Ｓとの差であるステージ移動ベクトルＳＳｊが減算回路２３Ｂで求められ、補正回路２９に供給されて補正される。補正回路２９の出力値は、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｃで電流に変換され、増幅回路２８Ｃで増幅されて、電流Ｉfがステージフィーでク偏向器４０に供給される。
【００２８】
以上のような回路が接続された主偏向器１４、副偏向器１５及びステージフィードバック偏向器４０で、露光位置が偏向ベクトルＳＲになるように、荷電粒子ビームＥＢが偏向される。
補正回路２９でステージ移動ベクトルＳＳｊを補正しなかった場合、同一の信号入力範囲によるステージフィードバック偏向器４０の偏向範囲は、主偏向器１４による偏向量に応じて、すなわち加算回路２４Ａの出力に応じて、図３に示す如く変化する。図３中、点Ｑ００、Ｑ１１〜Ｑ１４及びＱ２１〜Ｑ２４はいずれも、主偏向器１４のみでビームを偏向させたときのウェーハ１３上の露光位置（主偏向露光位置）を示している。図３中に実線で示す各矩形は、主偏向露光位置がそれぞれＱ００、Ｑ１１〜Ｑ１４及びＱ２１〜Ｑ２４の状態で、ステージフィードバック偏向器４０に、主偏向露光位置の影響がなければ互いに同一偏向範囲になるようにビームを偏向させ、すなわち例えば電流（Ｉ0，Ｉ0）,（−Ｉ0，Ｉ0）,（−Ｉ0，−Ｉ0）,（−Ｉ0，−Ｉ0）を順に供給してビーム偏向させこれらの露光位置を順に結んで得られたものであり、ステージフィードバック偏向器４０の偏向能率は、主偏向露光位置に応じて異なる。
【００２９】
これら矩形が２点鎖線で示す同一正方形になるように、ステージ移動ベクトルＳＳｊが補正回路２９で補正される。
補正回路２９の構成例を、図４に示す。図４中、ＳＳｊＸ及びＳＳｊＹはそれぞれ図１中のステージ移動ベクトルＳＳｊのＸ成分及びＹ成分である。
この回路２９は、主偏向ベクトルＳｊＱｊを補正係数で一次変換する。すなわち、補正係数発生回路としてのメモリ２９１が主偏向ベクトルＳｊＱｊでアドレス指定されて補正係数αｊ、βｊ、γｊ及びδｊの組が読み出され、それぞれ乗算回路２９２〜２９５の一方の入力端に供給される。これらの補正係数は、図３に示すような実験の結果に基づいて定められる。乗算回路２９２及び２９３の他方の入力端にはＳＳｊＸが供給され、乗算回路２９４及び２９５の他方の入力端にはＳＳｊＹが供給される。乗算回路２９２の出力と乗算回路２９４の出力とが加算回路２９６で加算され、乗算回路２９３の出力と乗算回路２９５の出力とが加算回路２９７で加算される。加算回路２９６及び２９７の出力はそれぞれ、補正された（αｊ・ＳＳｊＸ＋βｊ・ＳＳｊＹ）及び（γｊ・ＳＳｊＸ＋δｊ・ＳＳｊＹ）となり、それぞれＸ成分についてのＤ／Ａ変換器２６Ｃ及びＹ成分についてのＤ／Ａ変換器２６Ｃ（図１では一方の成分のみについて表されている）に供給される。
【００３０】
本第１実施形態によれば、ステージフィードバック偏向器４０及びその回路を備えることにより、サブフィールド走査範囲において副偏向器１５に印加される電圧Ｖを一定にすることができるので、図８（Ｂ）に示す領域Ａ１Ｂ１Ｃ１Ｄ１がこの走査範囲において一定となり、露光位置精度が向上する。また、ステージフィードバック偏向器４０を図２に示す如く配置することにより、既存の荷電粒子ビーム露光装置にステージフィードバック偏向器４０を容易に備えることが可能となる。さらに、補正回路２９でステージ移動ベクトルＳＳｊを補正することにより、上述のような３次の項の複雑な計算をする必要が無くなるので、露光速度を低下させることなく露光位置精度を向上させることができる。
【００３１】
［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態の、図１に対応したビーム制御回路２０Ｂを示す。
この回路が適用される荷電粒子ビーム露光装置では、図１の電磁型ステージフィードバック偏向器４０の替わりに、静電型ステージフィードバック偏向器４０Ａが副偏向器１５の上方かつ副偏向器１５の近くに配置されている。ステージフィードバック偏向器４０Ａの偏向範囲は、例えば±８μｍと副偏向器１５のそれに比し充分小さいので、４極で充分である。ステージフィードバック偏向器４０Ａに接続される回路は、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｃと増幅回路２８Ｃとの間に電流／電圧変換回路２７Ｃが接続されている点で図１の場合と異なる。
【００３２】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
本第２実施形態によれば、ステージフィードバック偏向器４０Ａ及びその回路を備えることにより、サブフィールドＳＦの走査範囲において、副偏向器１５に印加される電圧Ｖを一定にすることができるので、露光位置精度が向上する。また、補正回路２９でステージ移動ベクトルＳＳｊを補正することにより、上述のような３次の項の複雑な計算をする必要が無いので、露光速度を低下させることなく露光位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のビーム制御回路を示すブロック図である。
【図２】主偏向器に対するステージフィードバック偏向器の配置を示す概略図である。
【図３】図１中の補正回路の動作説明図である。
【図４】図１中の補正回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】本発明の第２実施形態のビーム制御回路を示すブロック図である。
【図６】従来の荷電粒子ビーム露光装置の概略構成を示す図である。
【図７】図６のビーム制御回路の構成を示すブロック図である。
【図８】（Ａ）はビーム走査方法を示し、（Ｂ）は副偏向器の横断面とステージ連続移動に伴うビーム偏向範囲の変化を示す図である。
【符号の説明】
１２  ステージ
１３  ウェーハ
１４  主偏向器
１４１、１４２、４０１、４０２  偏向コイル
１５  副偏向器
２０、２０Ａ、２０Ｂ  ビーム制御回路
２３Ａ、２３Ｂ  減算回路
２４Ａ、２３Ａ  加算回路
２５  レジスタ
２６Ａ〜２６Ｃ  Ｄ／Ａ変換回路
２７Ｂ、２７Ｃ  電流／電圧変換回路
２８Ａ〜２８Ｃ  増幅回路
２９  補正回路
２９１  補正係数発生回路
２９１Ａ  メモリ
２９２、２９３  乗算回路
４０、４０Ａ  ステージフィードバック偏向器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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