(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板とこれら基板間に挟持された液晶層とを少なくとも備え、前記一対の基板のうちの一方の基板上に反射層が設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に凸部形成用の膜を形成する工程と、
該凸部形成用膜上にインクジェット用ヘッドから多数の樹脂の液滴を吐出させる工程と、
該樹脂の液滴を焼成して固化させる工程と、
固化後の多数の樹脂片をマスクとして前記凸部形成用膜をエッチングする工程と、
エッチング後に残った多数の樹脂片を除去して前記凸部形成用膜からなる凸部を残存させる工程と、
該凸部を基にして基板上面に光を散乱させるための曲面状の凹凸を形成する工程と、
前記曲面状の凹凸の上方に前記反射層をなす金属膜を形成する工程とを有し、
前記液滴１滴分の吐出量を１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲とし、各液滴の吐出量をばらつかせるとともに、前記基板上に吐出された前記液滴間の間隔をばらつかせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
対向配置された一対の基板とこれら基板間に挟持された液晶層とを少なくとも備え、前記一対の基板のうちの一方の基板上に反射層が設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に前記反射層をなす金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の上に凸部形成用の膜を形成する工程と、
該凸部形成用膜上にインクジェット用ヘッドから多数の樹脂の液滴を吐出させる工程と、
該樹脂の液滴を焼成して固化させる工程と、
固化後の多数の樹脂片をマスクとして前記凸部形成用膜をエッチングする工程と、
エッチング後に残った多数の樹脂片を除去して前記凸部形成用膜からなる凸部を残存させる工程と、
該凸部を基にして基板上面に光を散乱させるための曲面状の凹凸を形成する工程と  を有し、
前記液滴１滴分の吐出量を１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲とし、各液滴の吐出量をばらつかせるとともに、前記基板上に吐出された前記液滴間の間隔をばらつかせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記凸部形成用膜の膜厚を０．５μｍないし３μｍの範囲とすることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記凸部形成用膜として有機系絶縁膜を用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機系絶縁膜が熱可塑性を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機系絶縁膜としてアクリル系樹脂膜を用いることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記凸部形成用膜からなる凸部が形成された基板を熱処理することにより前記凸部の角をだれさせて前記曲面状の凹凸を形成することを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記凸部形成用膜からなる凸部の上方を含む基板上の全面をオーバーコート膜で覆うことにより前記曲面状の凹凸を形成することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記オーバーコート膜の膜厚を０．５μｍないし６μｍの範囲とすることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記オーバーコート膜の膜厚を前記凸部形成用膜の膜厚の１倍ないし１．５倍の範囲とすることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記インクジェット用ヘッドから吐出させる樹脂としてフォトレジストを用いることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方に反射層が設けられた反射型液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の反射型液晶表示装置においては、太陽光や照明光などの外光を反射させるための反射板を、液晶層を挟持する一対の基板、偏光板等で構成される液晶パネルの外面（表示面と反対側の面）に外付けしていた。ところが、この構造の場合、視差が大きくなり、画像が２重に映る等の視認性上の問題があった。そこで、アルミニウム等の反射率の高い金属からなる反射層もしくは画素電極を兼ねた反射層（以下、これを反射電極という）を液晶パネルの一方の基板上に作り込む反射層内蔵パネルが提案され、既に実用化されている。しかしながら、この反射層内蔵パネルにおいても、ただ単に鏡面状の反射層を設けただけでは、表示画面に使用者の顔や照明などが映る、いわゆる映り込みと呼ばれる現象が発生し、視認性が悪くなってしまう。このため、反射層の表面に凹凸を形成することによって光を散乱させ、映り込みを防止する対策が採られている。
【０００３】
図７は、従来の光散乱機能を有する反射層を備えた基板の製造プロセスを示す工程断面図である。
【０００４】
まず図７（ａ）に示すように、基板１００上に有機系絶縁膜１０１を形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、有機系絶縁膜１０１上にフォトレジスト１０２を塗布する。次に、図７（ｃ）に示すように、数十μｍ程度の微細なパターンを有するフォトマスク１０３を用いて紫外光による露光を行ってフォトレジスト１０２を感光させ、現像を行うことにより図７（ｄ）に示すようなレジストパターン１０４を形成する。次に、図７（ｅ）に示すように、レジストパターン１０４をマスクとして有機系絶縁膜１０１のウェットエッチングを行い、エッチング後、レジストパターン１０４を剥離すると、図７（ｆ）に示すように、パターニングされた有機系絶縁膜１０１からなる凸部１０５が形成される。次に、図７（ｇ）に示すように、同様の有機系絶縁膜からなるオーバーコート膜１０６で全面を覆うことにより曲面状の凹凸が形成される。ここでは、凸部１０５の上をオーバーコート膜１０６で覆うことにより曲面状の凹凸を形成したが、この方法に代えて、有機系絶縁膜１０１が熱可塑性を有するものであれば、凸部形成後に熱処理を施すことによって凸部１０５の角をだれさせて丸め、曲面状の凹凸を形成することもできる。図示を省略するが、最後に曲面状の凹凸に沿ってアルミニウム膜を成膜することにより反射層を形成する。
【０００５】
上記構成の基板を液晶パネルの下側基板に用いた場合、上側基板、液晶層を透過してきた光は反射層の表面で反射するが、その際、反射層の表面に凹凸があるために反射光が散乱し、表示画面上の映り込みを防止することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、上記光散乱機能を有する反射層を備えた基板の製造工程においては、反射層表面に凹凸を付与するために有機系絶縁膜の凸部を形成するが、この凸部の形成に際してレジスト塗布、露光、現像といった通常のフォトリソグラフィー工程が必要であった。このフォトリソグラフィー工程の存在により、製造プロセス全体の工程数が多くなる、製品の納期が長くなる、また、フォトマスクの使用も相俟って製造コストが高騰する、等の不具合が生じていた。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、光散乱機能を有する反射層を備えた基板を一方の基板とする液晶表示装置の製造方法において、製造プロセスをより簡略化することができ、工期の短縮、製造コストの低減等に寄与できる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、対向配置された一対の基板とこれら基板間に挟持された液晶層とを少なくとも備え、一対の基板のうちの一方の基板上に反射層が設けられた液晶表示装置の製造方法であって、一方の基板上に凸部形成用の膜を形成する工程と、凸部形成用膜上にインクジェット用ヘッドから多数の樹脂の液滴を吐出させる工程と、樹脂の液滴を固化させる工程と、固化後の多数の樹脂片をマスクとして凸部形成用膜をエッチングする工程と、エッチング後に残った多数の樹脂片を除去して凸部形成用膜からなる凸部を残存させる工程と、この凸部を基にして基板上面に光を散乱させるための曲面状の凹凸を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
液晶表示装置の製造方法、特に反射層を形成する側の基板の製造方法において、従来はレジスト塗布、露光、現像工程等を有する半導体製造プロセスでごく一般的なフォトリソグラフィー技術を用いてレジストパターンを形成し、このレジストパターンを基に光散乱用の凸部を形成していた。それに対して、本発明者は、インクジェットプリンタ用のヘッドを用いて基板上に微細な樹脂の液滴を吐出させると、光散乱用凸部に適した寸法の微細なパターン（樹脂片）が形成できることを見いだした。すなわち、インクジェットプリンタ用ヘッドから微細な樹脂の液滴を吐出させ、これを固化させただけで従来のフォトリソグラフィー工程における現像処理が終わった状態と同様になる。以下は従来法と同様にして、この微細パターンをマスクとして凸部形成用膜のエッチングを行えばよい。つまり、本発明の方法によれば、光散乱用凸部の形成に際してフォトリソグラフィー工程が不要になるため、フォトリソグラフィー工程に伴う製品の納期の長期化、製造コストの高騰等の問題を解消することができる。
【００１０】
また、前記凸部形成用膜の膜厚は０．５μｍないし３μｍの範囲とすることが望ましい。
【００１１】
その理由は、凸部形成用膜の膜厚を０．５μｍ未満とした場合、形成される凸部の高さが低すぎて光の散乱効果が低下し、映り込みが防止できない。逆に膜厚が３μｍを超えると、表面の凹凸が大きくなり過ぎ、セルギャップがばらつくことになるため、液晶パネルとしての光学特性（コントラスト等）が低下する、ローツイストドメイン、ストライプドメイン等の配向乱れが生じる、といった問題が生じるからである。
【００１２】
前記凸部形成用膜の材料としては、有機系絶縁膜を用いることができる。この有機系絶縁膜は熱可塑性を有することが望ましい。具体的には、有機系絶縁膜としてアクリル系樹脂膜を用いることができる。
【００１３】
基板上に凸部形成用膜からなる凸部を形成した後、この凸部を基に光散乱用の曲面状の凹凸を形成する方法には、以下の２つの方法が考えられる。一つは、例えばアクリル系樹脂のように熱可塑性を有する膜を凸部形成用膜の材料に用いた場合、凸部形成用膜からなる凸部が表面に形成された基板を熱処理することによって、凸部の角をだれさせて丸め、曲面状の凹凸を形成することができる。
【００１４】
他の一つは、凸部形成用膜からなる凸部の上方を含む基板上の全面をオーバーコート膜で覆うことによって、曲面状の凹凸を形成することができる。後者の方法の場合、凸部形成用膜の材料は熱可塑性を有するものに限らない。またこの場合、オーバーコート膜の膜厚を０．５μｍないし６μｍの範囲とする必要があり、さらには凸部形成用膜の膜厚の１倍ないし１．５倍の範囲とすることが望ましい。
【００１５】
その理由は、オーバーコート膜の膜厚を凸部形成用膜の膜厚の１倍未満とした場合、凸部の角が充分に丸くならないために光の散乱効果が低下し、逆に１．５倍を超えると、凹凸が平坦化され過ぎるために光の散乱効果が低下し、ともに映り込みが防止できないからである。
【００１６】
前記インクジェット用ヘッドから吐出させる樹脂として、具体的にはフォトレジストを用いることができる。その場合、フォトレジストの液滴１滴分の吐出量を１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲とすることが望ましい。
【００１７】
その理由は、現状のインクジェット技術では１ナノｃｃ未満の吐出量の制御は困難だからである。また、吐出量が１００ナノｃｃを超えると、凹凸の径が大きくなり過ぎ、そのパターンが視認されてしまうからである。吐出後のレジストの径で言えば、３０μｍ以下とすることが望ましい。
【００１８】
また、インクジェット用ヘッドから吐出させる樹脂の各液滴の吐出量をできるだけランダムに近い状態でばらつかせることが望ましい。同様に、樹脂の液滴間の間隔もできるだけランダムに近い状態でばらつかせることが望ましい。
【００１９】
その理由は、樹脂の各液滴の吐出量、すなわち吐出させた樹脂の径が一定であったり、液滴間の間隔が一定だったりすると、画面を見たときにモアレ模様が発生してしまい、視認性が低下するからである。
【００２０】
反射層に関しては、曲面状の凹凸の上方に反射層をなす金属膜を形成してもよいし、反射層をなす金属膜の上方に曲面状の凹凸を形成してもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図５を参照して説明する。
【００２２】
図１は本実施の形態の方法により製造される液晶表示装置１の構成を示す断面図であり、本実施の形態はパッシブマトリックスＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型液晶表示装置の例であり、液晶パネル部２、光学補償フィルム３、偏光板４等からなる周知の構成となっている。
【００２３】
液晶パネル部２は、例えばガラス基板等からなる第１の基板５と第２の基板６（一対の基板）とが対向配置され、その間に液晶層７が挟持されている。第１の基板５の第２の基板６と対向する対向面上に、アルミニウム膜等の高反射率の金属膜からなる反射電極８（反射層）が直線状に並行して複数形成されている。この反射電極８の表面には曲面状の凹凸が形成されているが、この部分についての詳細は製造方法の説明のところで後述する。
【００２４】
一方、第２の基板６の第１の基板５と対向する対向面上には、例えば樹脂ブラックレジスト等からなる遮光膜９が格子状に形成され、遮光膜９間にはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に対応するカラーフィルター層１２が形成されている。カラーフィルター層１２を覆うようにオーバーコート膜１３が形成され、オーバーコート膜１３上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる対向電極１４が直線状に並行して複数形成されている。これら第１の基板５上の反射電極８と第２の基板６上の対向電極１４とは互いに交差して格子状となるように配置されている。したがって、反射電極８表面で外光が反射されると同時に、光が散乱されるようになっている。
【００２５】
第１の基板５および第２の基板６の液晶表示領域に対応する範囲は、反射電極８上および対向電極１４上の部分も含めて配向膜（図示せず）で覆われている。さらに、第１の基板５と第２の基板６との間には、所定の径を有する複数のギャップ材（図示せず）が分散して配置され、それにより液晶パネルのセルギャップが例えば５．２μｍで一定に保たれている。また、第１の基板５および第２の基板６の対向面の縁部にはシール材１６が配置され、シール材１６により封止された第１の基板５と第２の基板６との間にツイスト角２４０°のＳＴＮ型液晶が封入されて液晶層７が形成され、液晶パネル部２が構成されている。
【００２６】
次に、光散乱機能を有する反射電極を備えた第１の基板の製造方法について説明する。図２は、その製造プロセスを示す工程断面図である。
【００２７】
まず図２（ａ）に示すように、第１の基板５となるガラス基板を用意し、その基板上にアクリル系有機絶縁膜１７（凸部形成用膜）を成膜する。この時、アクリル系有機絶縁膜１７の膜厚は０．５μｍ〜３μｍ程度とすることが好ましい。次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェット用ヘッド１０を用いてアクリル系有機絶縁膜１７上にフォトレジスト１８（樹脂）の液滴を多数吐出させる。
【００２８】
ここで用いるインクジェット用ヘッド１０の構造の一例を図３および図４に示す。当該インクジェット用ヘッド１０は、図３に示すように、例えばステンレス製のノズルプレート１１と振動板１３とを備え、両者は仕切部材（リザーバプレート）１５を介して接合されている。ノズルプレート１１と振動板１３との間には、仕切部材１５によって複数の空間１９と液溜まり２１とが形成されている。各空間１９と液溜まり２１の内部はフォトレジストで満たされており、各空間１９と液溜まり２１とは供給口２３を介して連通している。さらに、ノズルプレート１１には、空間１９からフォトレジストを噴射するためのノズル孔２５が設けられている。一方、振動板１３には液溜まり２１にフォトレジストを供給するための孔２７が形成されている。
【００２９】
また、図４に示すように、振動板１３の空間１９に対向する面と反対側の面上には圧電素子２９が接合されている。この圧電素子２９は一対の電極３１の間に位置し、通電すると圧電素子２９が外側に突出するように撓曲し、同時に圧電素子２９が接合されている振動板１３も一体となって外側に撓曲する。これによって空間１９の容積が増大する。したがって、空間１９内に増大した容積分に相当するフォトレジストが液溜まり２１から供給口２３を介して流入する。次に、圧電素子２９への通電を解除すると、圧電素子２９と振動板１３はともに元の形状に戻る。これにより、空間１９も元の容積に戻るため、空間１９内部のフォトレジストの圧力が上昇し、ノズル孔２５から基板に向けてフォトレジストが噴出される。
【００３０】
このフォトレジスト１８を吐出させる工程では、インクジェット用ヘッド１０の動作を適切に制御することにより、フォトレジスト１８の液滴１滴分の吐出量を１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲内に設定することが望ましい。さらに、フォトレジスト１８の液滴の吐出量をできるだけランダムに近い状態でばらつかせることが望ましい。同様に、フォトレジスト１８の液滴間の間隔もできるだけランダムに近い状態でばらつかせることが望ましい。
【００３１】
図５は、フォトレジストの液滴１滴分の吐出量と液滴の径との関係を調べたものである。ここで用いたフォトレジストは、ＪＳＲ社製ＮＮ５５０である。吐出量が１ナノｃｃの時、レジスト径は約６μｍとなり、その後吐出量を増加させるにつれてレジスト径は大きくなり、吐出量が１００ナノｃｃの時、レジスト径は約２８μｍとなる。レジスト径を変えて反射層を形成した基板を実際に作製し、光の散乱効果を評価したところ、レジスト径が３０μｍ以下であれば、凹凸のパターンが視認されることなく、充分な散乱効果が得られることがわかった。また、現状のインクジェット技術では吐出量が１ナノｃｃ以下の制御は困難である。このことから、フォトレジストの液滴１滴分の吐出量は、１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲内とするのが好ましいことがわかる。
【００３２】
次に、温度１２０℃、時間１０分の条件でフォトレジスト１８の焼成を行う。この焼成によってフォトレジスト１８中の溶剤が揮発し、フォトレジスト１８が硬化して次のエッチングに対する耐性が強くなる。焼成温度は６０℃〜１４０℃程度の範囲でよい。次に、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト１８をマスクとしてアクリル系有機絶縁膜１７のウェットエッチングを行う。
【００３３】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト１８を剥離すると、第１の基板５上にアクリル系有機絶縁膜１７からなる凸部２０のみが残存する。次に、凸部２０が形成された第１の基板５を温度２００℃で２時間、焼成する。焼成前の凸部２０は図２（ｄ）に示したような角張った形状をしているが、アクリル系有機絶縁膜１７が熱可塑性を有しているので、この焼成により角がだれて丸くなり、凸部２０は図２（ｅ）に示すような形状（符号２０’とする）となる。焼成温度は１５０℃〜２００℃程度の範囲でよく、焼成時間は３０分以上あればよい。次に、図２（ｆ）に示すように、凸部２０’を覆うように基板全面に反射電極形成用膜となるアルミニウム膜２２を成膜し、これをパターニングすることにより反射電極８を形成する。最後に、図示しない配向膜を形成することにより一方の基板が完成する。
【００３４】
なお、第２の基板６の製造方法、すなわち、カラーフィルター形成、対向電極形成、配向膜形成等の工程は、従来法と何ら変わらないため、説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態の液晶表示装置１の製造方法によれば、インクジェットプリンタ用ヘッド１０を用いてフォトレジスト１８の液滴を吐出させることにより凸部形成用のレジストパターンを形成することができ、従来用いていたフォトリソグラフィー工程が不要になるため、フォトリソグラフィー工程に伴う製品の納期の長期化、製造コストの高騰等の問題を解消することができる。また、アクリル系有機絶縁膜１７の膜厚、インクジェット用ヘッド１０からのフォトレジスト１８の吐出量、吐出間隔等の製造条件を最適化することによって、充分な光散乱効果を得て映り込みを確実に防止し、しかも、コントラストの低下、配向乱れ、モアレ模様等の視認性上の問題が生じることのない反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図６を参照して説明する。
【００３７】
本実施の形態の液晶表示装置の構成は第１の実施の形態と同一であり、本実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、第１の基板の製造方法のみである。したがって、以下では液晶表示装置の構成の説明は省略し、第１の基板の製造方法のみについて説明する。図６は第１の基板の製造プロセスを示す工程断面図であるが、図２と同じ構成要素には同一の符号を付す。
【００３８】
まず図６（ａ）に示すように、第１の基板５上に膜厚０．５μｍ〜３μｍ程度の第１のアクリル系有機絶縁膜１７（凸部形成用膜）を成膜する。次に、図６（ｂ）に示すように、インクジェット用ヘッド１０を用いて第１のアクリル系有機絶縁膜１７上にフォトレジスト１８（樹脂）の液滴を吐出させる。この時、フォトレジスト１８の液滴１滴分の吐出量を１ナノｃｃないし１００ナノｃｃの範囲内に設定し、さらにフォトレジスト１８の吐出量をばらつかせ、液滴間隔もばらつかせることが望ましい。次に、フォトレジスト１８の焼成を行った後、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト１８をマスクとして第１のアクリル系有機絶縁膜１７のウェットエッチングを行う。次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト１８を剥離すると、第１の基板５上に第１のアクリル系有機絶縁膜１７からなる凸部２０のみが残存する。以上の工程は第１の実施の形態と同様である。
【００３９】
次に、図６（ｅ）に示すように、第１のアクリル系有機絶縁膜１７からなる凸部２０を覆うように第１の基板５全面に第２のアクリル系有機絶縁膜２４（オーバーコート膜）を形成する。第２のアクリル系有機絶縁膜２４の膜厚は、充分な光散乱効果を得るために０．５μｍ〜６μｍの範囲とする必要があり、さらには第１のアクリル系有機絶縁膜１７の膜厚の１倍〜１．５倍の範囲とすることが望ましい。第１のアクリル系有機絶縁膜１７からなる凸部２０上に第２のアクリル系有機絶縁膜２４を形成したことで、第２のアクリル系有機絶縁膜２４の表面は曲面状の凹凸が形成された状態となる。次に、図６（ｆ）に示すように、第２のアクリル系有機絶縁膜２４上に反射電極形成用膜となるアルミニウム膜２２を成膜し、これをパターニングすることにより反射電極８を形成する。最後に、図示しない配向膜を形成することにより第１の基板５が完成する。
【００４０】
すなわち、本実施の形態と第１の実施の形態とでは凸部２０の角を丸める方法が異なり、第１の実施の形態が熱処理を用いて凸部２０の角をだれさせる方法を採っていたのに対し、本実施の形態では凸部２０をさらにもう１層の膜で覆う方法を採った。本実施の形態においても、第１のアクリル系有機絶縁膜１７の膜厚、インクジェットの条件に加えて第２のアクリル系有機絶縁膜２４の膜厚を最適化することによって、映り込みを確実に防止し視認性に優れた反射型液晶表示装置が得られる、という第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では凸部形成用の膜としてアクリル系有機絶縁膜を用いたが、これに限ることなく、ポリイミド系有機絶縁膜などを用いることもできる。また、アクリル系有機絶縁膜の上に反射電極を形成して反射電極の表面に凹凸を形成する例を挙げたが、これとは逆に、平坦な反射電極の上にアクリル系有機絶縁膜による凹凸を形成する構成でもよい。この場合でも、アクリル系有機絶縁膜表面の凹凸で光が散乱し、同様な効果を得ることができる。また、第２の実施の形態においては、アクリル系有機絶縁膜による凸部を同一材料のアクリル系有機絶縁膜でオーバーコートする構成を採用したため、当然ながら膜同士のなじみが良くて好ましいが、凸部を形成するための膜とオーバーコートのための膜は必ずしも同一材料である必要はない。
【００４２】
その他、上記実施の形態で述べた製造工程上の具体的な条件等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能なことは勿論である。さらに、本発明の製造方法は、ＳＴＮ型液晶表示装置に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode）型液晶表示装置、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）型液晶表示装置等にも適用が可能である。
【００４３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、映り込みが生じることのない視認性に優れた反射型液晶表示装置が得られ、光散乱用凸部の形成に際してフォトリソグラフィー工程が不要になるため、製造プロセスが簡略化でき、製品の納期の短縮化、製造コストの低減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態の製造方法により得られる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】  本発明の第１の実施の形態の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】  本方法に用いられるインクジェット用ヘッドの構成例を示す斜視図である。
【図４】  図３に示すインクジェット用ヘッドのノズル部分の断面図である。
【図５】  インクジェット用ヘッドを用いた場合のフォトレジストの吐出量とレジストの径との関係を示すグラフである。
【図６】  本発明の第２の実施の形態の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】  本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１  液晶表示装置
５  第１の基板
６  第２の基板
７  液晶層
８  反射電極（反射層）
１０  インクジェット用ヘッド
１７  （第１の）アクリル系有機絶縁膜（凸部形成用膜）
１８  フォトレジスト（樹脂）
２０，２０’凸部
２２  アルミニウム膜（金属膜）
２４  第２のアクリル系有機絶縁膜（オーバーコート膜）
【図１】
0003800876.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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