(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２を３０〜５５重量％、Ａｌ２Ｏ３を４〜１５重量％、ＭｇＯを１４〜３５重量％、ＳｒＯを１５〜２５重量％およびＣａＯを５〜２０重量％含むガラスに対して、導電性付与材として酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種を２０〜８０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、気孔率０．１％以下、−５０〜８５℃における体積固有抵抗が１０２〜１０１０Ω・ｃｍであることを特徴とする導電性セラミックス。
【請求項２】
前記ガラスの結晶化率が５０％以下であることを特徴とする請求項１記載の導電性セラミックス。
【請求項３】
比重が５．０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性セラミックス。
【請求項４】
−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×１０−６〜１×１０−５／℃、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の導電性セラミックス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の導電性セラミックスからなることを特徴とする帯電防止部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、導電材料、接点、センサ、ヒータ、真空管部品等に使用可能な導電性セラミックスに関するものであり、特に搬送用アーム、ハンドリング部材、ウエハ搬送用ピンセット等の半導体製造装置等で静電気防止が必要な帯電防止部材に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミックスに導電性を付与したものとして、炭化珪素質セラミックスやランタンクロマイト等ペロブスカイト系セラミックス等からなる導電性を有するセラミックスが知られており、また、アルミナやジルコニア等の絶縁性セラミック材料に、ＴｉＯ2、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等を添加して還元雰囲気下で焼成した導電性セラミックスが知られている（特開平２−２９５００９号公報、特開平１−２４３３８８号公報参照）。
【０００３】
一方、従来、例えば半導体製造装置等で静電気防止が必要な部品（搬送用アーム、ハンドリング治具、ウエハ搬送用ピンセット等）に用いる静電気防止用部材、あるいは抵抗体基体、導電材料、接点、ヒータ、真空管部材、磁気ディスク保持部材として上述した材料からなる体積固有抵抗値が１０4〜１０8Ωｃｍ程度のセラミックスが用いられている。
【０００４】
他方、コンピュータの外部記録装置等として使用される磁気ディスク装置は、図１に示すように、複数枚の磁気ディスク基板１５をシム１０、スペーサ１１及びクランプ１２で固定して、回転軸１３を回転させながら磁気ヘッド１７にて磁気ディスク基板１５表面上に非接触状態で情報の書き込みや読み取りを行うものである。
【０００５】
近年、このような磁気ディスク装置２０は情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッド１７と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気ディスク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求されており、磁気ディスク基板１５を固定・保持するスペーサ１１、シム１０、及びクランプ１２等の保持部材は熱膨張差に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止する為に、セラミックス、ガラスで形成することが検討されている（特公平５−８０７４５号公報、特開昭６１−１４８６６７号公報参照）。
【０００６】
しかしながら、上記保持部材を構成するセラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料である為、これらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持すると、磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや書き込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしまうという問題があり、その対策として上記セラミックスやガラス等の磁気ディスク基板１５との当接面にアルミニウムや亜鉛などの金属膜を被覆して静電気を除去することが考えられている。
【０００７】
ところが、このような方法では、セラミック部材の表面の平坦度が低いために磁気ディスク基板１５との当接面の平坦度が損なわれ、磁気ディスク基板１５に歪みを生じたり、場合によっては、磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５と接触して傷付けてしまう恐れがあり、また、セラミックスやガラスと金属被膜との熱膨張差のために繰り返しの使用により金属被膜が剥がれるといった問題があった。
【０００８】
そこで、特開平２−２２６５６６号公報には前述したアルミナ等に導電性結晶相を添加した導電性セラミックスからなる磁気ディスク保持部材が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した炭化珪素質セラミックスは難焼結体であるために非酸化性雰囲気でかつ２０００℃以上の温度で焼成しなければならず、また、ホットプレスや熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を行う必要があり生産性が悪くコストが高くなる、また、ペロブスカイト系セラミックスについては原料単価が高く、しかも、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ2未満と低く、構造部品材料としての信頼性が低いという問題があった。
【００１０】
さらに、ＴｉＯ2、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等を添加したアルミナ質やジルコニア質の導電性セラミックスでは通常の焼成によって充分に緻密化させることが難しく、緻密体を得るためには還元雰囲気下での焼成や加圧下での焼成が必要であり、コストがかさみ量産性に欠けるという問題があった。
【００１１】
また、上述したアルミナ等に導電性結晶相を添加した導電性セラミックスでは、例えば、ガラス製の磁気ディスク基板との間に熱膨張差があるため、ディスクの高速回転に伴う温度上昇のために磁気ディスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ディスク基板１５間の平行度が損なわれるといった課題があった。そのため、磁気ディスク装置２０の高密度化および大容量化には限界があった。
【００１２】
本発明は、上記課題に対してなされたものであり、その目的は気孔率が低く、表面の平滑性が高く、所定の導電性を有する導電性セラミックスおよびこれを用いた帯電防止部材を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記用途を満足する材料について検討したところ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含むガラスに対して、導電性付与材として酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種を所定の割合で含有するセラミックスが、表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下で、気孔率が０．１％以下、かつ−５０〜８５℃における体積固有抵抗が１０2〜１０10Ω・ｃｍの特性を有し、帯電防止部材として優れた性能を有することを知見した。
【００１４】
すなわち、本発明の導電性セラミックスは、ＳｉＯ２を３０〜５５重量％、Ａｌ２Ｏ３を４〜１５重量％、ＭｇＯを１４〜３５重量％、ＳｒＯを１５〜２５重量％およびＣａＯを５〜２０重量％含むガラスに対して、導電性付与材として酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種を２０〜８０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、気孔率０．１％以下、−５０〜８５℃における体積固有抵抗が１０２〜１０１０Ω・ｃｍであることを特徴とするものである。
【００１５】
ここで、前記ガラスの結晶化率が５０％以下であること、比重が５．０ｇ／ｃｍ３以下であることが望ましく、また、−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×１０−６〜１×１０−５／℃、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることが望ましい。
【００１６】
さらに、上記導電性セラミックスは帯電防止部材として特に好適に使用可能である。
【００１７】
【作用】
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含有するガラスは、ディオプサイド型結晶相Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2Ｏ6を析出可能なガラスであるが、このガラス中に所定量のＳｒＯを含有せしめることによって容易に緻密化でき、極めて気孔率を低減できることから平滑な表面を有する耐磨耗性に優れた材料であるとともに、各成分を調整することによりセラミックスの熱膨張係数を所定の範囲に制御可能なものとなる。
【００１８】
これに、所定の導電性付与材を所定量添加することにより、焼結性を損なわずにセラミックスの体積固有抵抗を所望の範囲内に制御でき、表面平滑性に優れ、気孔率が低いセラミックスとなることから、帯電防止部材として優れた特性を有するものとなる。
【００１９】
なお、前記導電性結晶相のうち酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化コバルト（ＣｏＯ）等は通常半導体材料であるが、焼成等により結晶内に還元された余剰の金属や酸素欠損等の格子欠陥等を生成させることにより、その体積固有抵抗を低下せしめることができる、いわゆる不定比化合物である。これが、導電性結晶相としての機能を有するものであることから、上記絶縁体材料に所定量含有、分散させることによりセラミックスの体積固有抵抗値を１０2〜１０10Ω・ｃｍに調整することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の導電性セラミックスは、ＳｉＯ２を３０〜５５重量％、Ａｌ２Ｏ３を４〜１５重量％、ＭｇＯを１４〜３５重量％、ＳｒＯを１５〜２５重量％およびＣａＯを５〜２０重量％含むガラスに対して、導電性付与材として酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種を２０〜８０重量％の割合で含有するものである。
【００２１】
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯのガラスは、ディオプサイド型結晶相Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2Ｏ6を析出可能なガラスであるが、本発明においては、このガラス中にＳｒＯを含有せしめたものであり、これによってセラミックスの気孔率を低減し、表面粗さを小さくできるとの作用効果がある。
【００２２】
なお、セラミックス中には上記ディオプサイド型結晶相に加え、Ｃａ2ＭａＳｉ2Ｏ7（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、ＣａＭｇＳｉＯ4（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）、（Ｃａ，Ｓｒ）ＳｉＯ3、ＳｒＳｉ2Ａｌ2Ｏ8、（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ2Ａｌ2Ｏ8、ＳｒＳｉＯ3等の結晶相が上記ガラスから析出してもよいが、セラミックスの気孔率をさらに低減し、表面粗さをさらに小さくする点で、前記ガラスの結晶化率は５０重量％以下、特に２５重量％以下、さらに２０重量％以下であることが望ましい。
【００２３】
前記導電性付与材としては、上記群の中でも特に体積固有抵抗値の制御が容易であること、気孔率を低減できることおよび製造の容易性の点で、酸化亜鉛（ＺｎＯ）であることが望ましい。また、これら導電性付与材はその一部がガラス中に固溶することもできるが、平均粒径２μｍ以下の結晶相として、セラミックス中、三次元に連続的に分散することが望ましく、導電性結晶相を通して導通することが望ましいものである。さらに、前記導電性付与材の一部が還元され金属が析出していてもよい。
【００２４】
また、前記導電性付与材は、セラミックス中、２０〜８０重量％、下限値の望ましい範囲は３０重量％以上、特に４０重量％以上、また、上限値の望ましい範囲は７５重量％以下、特に７０重量％であることが重要である。すなわち、前記導電性付与材が２０重量％より少ないと、セラミックスの体積固有抵抗値を所望の範囲内に制御することが難しく、帯電防止部材としての機能が低下するためであり、逆に、前記導電性付与材が８０重量％を超えると、通常の焼成でセラミックスを緻密化させることが難しくなり、平滑性が低下して耐摩耗性が低下する結果、部材としての信頼性が低下するためである。
【００２５】
なお、セラミックス中には酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種の導電性付与材が結晶相として総量で２０〜７０重量％の割合で存在することが望ましい。
【００２６】
また、上記ガラスと導電性付与材に加えて、フィラーとして、ＳｉＯ2、スピネル、イルメナイト、ウイレマイト、ＣａＳｉＯ3、ＳｒＳｉＯ3、ＢａＳｉＯ3、エンスタタイト、コランダム（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア、ムライト、コージェライト、フォルステライト、スラウソナイト、アノーサイト、セルジアン、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2、Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・６ＳｉＯ2、ＮａＡｌＳｉＯ4等、特にコランダム（Ａｌ2Ｏ3）、スピネル、コージェライト、ムライト、コージェライト、ウイレマイトの群から選ばれる少なくとも１種、さらにコランダム（Ａｌ2Ｏ3）等の粉末、ウイスカー等を、望ましくは１０重量％以下添加してセラミックス中に分散させることによって、構造部材としての硬度および強度を高めるとともに、所望のヤング率、熱膨張係数を得ることができる。
【００２７】
ここで、上記ガラスの結晶化度を低めるためには上記フィラーのうちコランダム（Ａｌ2Ｏ3）等のフィラー成分を添加することが望ましい。
【００２８】
なお、上記結晶相のうち、ＳｉＯ2型結晶相としては、クォーツ、トリジマイト、クリストバライト等が使用可能であるが、中でも−５０〜８５℃における平均熱膨張係数が１６〜１８×１０-6／℃であり、安定した熱膨張挙動を有するクォーツ結晶相であることが望ましい。
【００２９】
上記態様のセラミックスの体積固有抵抗値を１０2〜１０10Ω・ｃｍ、特に１０4〜１０6Ω・ｃｍとすることによってセラミックスが帯電することなく耐電防止部材として好適に使用できる。また、気孔率を０．１％以下、特に０．０７％以下、表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下、特に０．０７μｍ以下とすることによって、表面平滑性が高く、耐摩耗性が高く、熱伝導率を高めて寸法精度の高い部材を作製できる。
【００３０】
すなわち、セラミックスの表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍを越えると表面平滑性が低下してセラミック表面での摩耗特性が劣化するとともに、気孔率が０．１％を越えると研磨面に存在するボイド（気孔）内に研磨粉が残存して、これを帯電防止部材として用いる場合には、相手剤に悪影響を及ぼす恐れがある。
【００３１】
さらに、比重を５．０ｇ／ｃｍ3以下、特に４．０ｇ／ｃｍ3以下とすることによって、セラミックスを軽量化できることから、例えば帯電防止部材の好適例である磁気ディスク保持部材として磁気ディスク上に配設するような場合でも磁気ディスクが重さによってたわむことを防止できる。
【００３２】
また、構造体として均一な組成物にて形成し被覆層等がないことから、使用時等の熱膨張差による被覆層の剥離等の問題が生じず、また、−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×１０-6〜１×１０-5／℃、特に５×１０-6〜９×１０-6／℃、さらに５×１０-6〜７．５×１０-6／℃の範囲に制御できることが望ましく、これによって、例えば、ガラスやセラミックスからなる磁気ディスク基板との熱膨張差が小さく、温度上昇によっても精度よくディスクを保持することができる。
【００３３】
さらに、ヤング率が８０ＧＰａ以上、特に１００ＧＰａ以上であることが望ましく、これによって構造体としての信頼性が向上し、例えばネジ止め等によってもかしめても変形することがなく、寸法精度良くディスクを保持することができる。
【００３４】
次に、本発明の導電性セラミックスを製造する方法について説明する。
まず、出発原料として、平均粒径０．５〜１０μｍ、望ましくは１〜５μｍ、特に１．５〜３μｍの上述したようなガラス粉末と、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化錫、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ばれる少なくとも１種の導電性付与材を形成可能な金属、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、窒化物、炭化物等のいずれかの粉末を酸化物換算で２０〜８０重量％と、所望により上述したフィラー成分の酸化物、窒化物、炭化物等を調合、混合する。
【００３５】
そして、この混合粉末に所望により有機バインダ等を添加した後、プレス成形法、冷間静水圧プレス法、押出成形、射出成形、鋳込み成型、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法等の周知の成形法により所定形状に成形した後、酸化性雰囲気中、あるいは非酸化性雰囲気にて例えば８００〜１１００℃の温度で１〜２時間程度の焼成を行う。特に、セラミックスの体積固有抵抗値を制御できる点で、焼成時の雰囲気は酸素濃度１×１０―16〜３×１０5Ｐａ程度であることが望ましい。
【００３６】
これにより相対密度９９．９％以上に緻密化させるとともに、気孔率が０．１％以下のセラミックスを得る。
【００３７】
また、焼成後、表面に粗れがある場合には所望によりセラミックスの表面を研磨してもよいが、本発明のセラミックスは表面平滑性に優れるものであり、望ましくは、焼き肌面での表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とできるものである。
【００３８】
本発明によれば、上述した所定の導電性を有するセラミックスを、帯電する静電気を速やかに除去する帯電防止部材として用いることができ、例えばその一例である磁気ディスク装置の磁気ディスクを保持するための部材である磁気ディスク保持部材として用いることによって、磁気ディスクに静電気が蓄積することなく、磁気ディスクを安定して保持できる。
【００３９】
そこで、図１に本発明の導電性セラミックスを磁気ディスク保持部材を用いた磁気ディスク装置の概略断面図を示す。
磁気ディスク装置２０は、回転軸１３に固定されたハブ１４に、複数枚の磁気ディスク基板１５とスペーサ１１とを交互に挿入し、最後にシム１０およびクランプ１２を配設してネジ１６で固定するものである。そして、回転軸１３の回転に伴い、磁気ディスク基板１５が回転するとともに、磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５の表面上を非接触状態で移動しながらディスク基板の所定の位置に情報の書き込みや読み取りを行うものである。
【００４０】
磁気ディスク基板１５は、アルミニウム基板、アルミナなどのセラミックスの表面にグレーズ層を形成し、該グレーズ層上に磁性膜を備えたもの、あるいは全体がガラスからなりその表面に磁性膜を備えたもの等を用いてもよい。さらに、その他の材質として、チタン、シリコン、ＹＡＧ、カーボン等を用いることもできるが、表面の平滑性、剛性の高さおよびコストの点でガラスからなることが望ましい。
【００４１】
本発明によれば、スペーサ１１、シム１０およびクランプ１２を上述した導電性セラミックスにより形成することによって、磁気ディスク基板１５が帯電するのを防止でき、情報の書き込みや読み込みの際のノイズを低減することができる。
【００４２】
また、その表面は滑らかであり、特にスペーサ１１については、磁気ディスク基板１５との接触面１１ａの表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、特に０．０７μｍ以下、さらに０．０６μｍ以下、また接触面１１ａの平行度が５μｍ以下であることが望ましく、これにより磁気ディスク基板１５を極めて高精度に保持することができる。
【００４３】
また、スペーサ１１は気孔率０．１％以下の緻密体であることから、熱伝導を高めて放熱性を高めることができるとともに、例えスペーサ１１を研磨加工した場合でも研磨面に研磨粉が残存することがないために磁気ディスクに対して悪影響を及ぼすことを防止できる。スペーサ１１、シム１０およびクランプ１２の各エッジ部にはＣ面またはＲ面の面取りが施されている。
【００４４】
さらに、本発明によれば、スペーサ１１、シム１０およびクランプ１２がヤング率８０ＧＰａ以上の高剛性部材からなるため、締め付け時に変形することがなく、高精度に保持できる。
【００４５】
また、熱膨張係数が４×１０-6／℃〜１×１０-5／℃のガラスからなる磁気ディスク基板１５を用いた場合、高速回転による温度上昇によっても磁気ディスク基板１５とスペーサ１１、シム１０およびクランプ１２との熱膨張差が小さくできるため、磁気ディスク基板１５を高精度に保持することができる。したがって、磁気ヘッド１７の磁気ディスク基板１５に対する浮上量を極めて小さくすることができ、情報記録密度を高めることができる。
【００４６】
【実施例】
（実施例）
以下に示す平均粒径３μｍ以下の結晶化ガラス粉末
0003825215.tif 000002
に対して、表１，２に示す平均粒径２μｍの導電性付与材および平均粒径２μｍのフィラー粉末を混合し、これに所定量の水又は有機溶剤及び結合材を添加して約１時間混合した。そして、該混合粉を１００ＭＰａの成形圧で所定の形状にプレス成形した後、大気雰囲気中にて表１、２に示す温度で２時間焼成を行った。
【００４７】
得られたセラミックスについて、アルキメデス法により比重を測定した。また、Ｘ線回折チャートから析出結晶相の同定を行うとともに、ＣｅＯ2を内部標準試料としてリートベルト法により導電性結晶相の存在割合およびガラスの存在率を測定し、ガラス原料との比であるガラスの結晶化度を定量した。さらに、セラミックスの焼き肌面での表面粗さ（Ｒａ）を表面粗さ計により測定した。
【００４８】
また、セラミックスを直径６０ｍｍ×厚さ２ｍｍの寸法に研削加工して体積固有抵抗値を測定した。さらに、−５０〜８５℃における熱膨張係数とヤング率の測定を行った。なお、各測定方法についてはＪＩＳ規定に基づいて測定した。結果は、表１、２に示した。
【００４９】
（比較例１）
実施例のガラスＡ，Ｂを以下のガラスＣ，Ｄに代える以外は実施例と同様にセラミックスを作製し、評価した。結果は表２に示した（試料Ｎｏ．３１〜３４）。
0003825215.tif 000003
（比較例２）
Ａｌ2Ｏ3粉末に対し、表１に示す導電性付与材を３０重量％と、少量の公知の焼結助剤成分を添加して成形後、非酸化性雰囲気中、１７００℃にて焼成してＡｌ2Ｏ3質セラミックスを作製し、実施例１と同様に評価した。結果は表２に示した（試料Ｎｏ．３５、３６）。
【００５０】
【表１】
0003825215.tif 000004
【００５１】
【表２】
0003825215.tif 000005
【００５２】
表１、２から明らかなように、導電性付与材の含有量が８０重量％より多い試料Ｎｏ．８では磁器の体積固有抵抗値を１０2Ω・ｃｍより低く、導電性付与材の含有量が２０重量％より少ない試料Ｎｏ．１、２、２０では磁器の体積固有抵抗値を１０10Ω・ｃｍ以下にすることができなかった。
【００５３】
また、リチウム系のガラスを用いた試料Ｎｏ．３１、３２、また、ＳｒＯを含有しないガラスを用いた試料Ｎｏ．３３、３４では表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍより粗くなった。
【００５４】
アルミナと炭化チタンまたは窒化チタンとからなる試料Ｎｏ．３５、３６では、磁器の体積固有抵抗値を１０2Ω・ｃｍ以上にすることができず、表面粗さ（Ｒａ）も０．１μｍを越えた。
【００５５】
これに対して、本発明に従う試料Ｎｏ．２〜７、１０〜１９、２１〜３０では、いずれも体積固有抵抗値が１０2〜１０10Ω・ｃｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下の優れた特性を有するものであり、磁気ディスク保持部材として有用であることがわかった。
【００５６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ガラスセラミックスの体積固有抵抗値を所望の値に制御でき、かつ容易に緻密化ができ平坦な表面を有することから、高い寸法精度および耐摩耗性に優れた磁気ディスク保持部材が作製でき、静電気による悪影響を防止することができる。
【００５７】
また、セラミックスの熱膨張係数を所望の範囲に制御できるともに、高いヤング率を有するものであることから、構造部材、特に磁気ディスクの保持部材として使用すれば、磁気ディスク基板の熱膨張係数と近似させることが出来、高速回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じることが無く、かつ磁気ディスク基板に帯電した静電気を効率良く逃すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ディスク保持部材を用いた磁気ディスク装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０：シム
１１：スペーサ
１２：クランプ
１３：回転軸
１４：ハブ
１５：磁気ディスク基板
１７：磁気ヘッド
２０：磁気ディスク装置
【図１】
0003825215.tif 000006