(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ねられたＲＯＭ及びＲＡＭメモリ領域を有するＲＯＭ−ＲＡＭディスクであって、
所定の半径を越えた外側領域に、前記重ねられたＲＯＭ及びＲＡＭメモリ領域用のメモリ構造が含まれ、
前記所定の半径の内側領域に、ＲＡＭメモリ領域用のメモリ構造、又はピットを有するＲＯＭメモリ領域用のメモリ構造が含まれており、
前記所定の半径は、前記ディスクが一定の回転速度で駆動されているとき、ＲＡＭメモリ構造が該所定の半径で所定の最小長を有するように規定されており、前記最小長は、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ情報信号からＲＡＭ情報信号を分離するために必要な長さであることを特徴とするＲＯＭ−ＲＡＭディスク。
【請求項２】
ＲＯＭメモリ構造を読み出すと同時に、ＲＡＭメモリ構造を読み出し又は書き込むための方法であって、
前記ＲＯＭメモリ構造及び前記ＲＡＭメモリ構造が、所定の半径を越えた外側領域で重ねられたＲＯＭ及びＲＡＭメモリ領域を含むＲＯＭ−ＲＡＭディスクに含まれており、その方法は、
前記所定の半径を越える外側領域だけに、前記重ねられたＲＯＭ及びＲＡＭメモリ領域のメモリ構造を書き込むステップを有しており、
前記所定の半径は、前記ディスクが一定の回転速度で駆動されているとき、ＲＡＭメモリ構造が該所定の半径で所定の最小長を有するように規定されており、前記最小長は、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ情報信号からＲＡＭ情報信号を分離するために必要な長さであることを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
前記一定の回転速度は、実質的に５００ｒｐｍであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ＲＯＭ−ＲＡＭディスク、及びＲＯＭ領域を読み出しかつ同時にＲＡＭ領域へ書き込み、更に走査ユニットを用いてＲＯＭ及びＲＡＭを同時に読み出すことが可能な方法に関する。
【０００２】
ＲＯＭ−ＲＡＭディスクは、読み出しのみできるメモリ領域、及び読み出しかつ書き込みの両方ともできるメモリ領域を有する光学記憶媒体である。読み出しのみ可能なメモリは、ＲＯＭ即ち読み出し専用メモリと称され、読み出しかつ書き込みの両方ともできるメモリは、ＲＡＭ即ちランダムアクセスメモリと称される。ＲＯＭは、ＣＤ内のスパイラルデータトラックを形成するピットと称されるものによって、光学情報媒体上に実現される。ＣＤの場合には、光反射するアルミニウム層がディスク上に記憶されたデータを表すピットと称される凹部を有する。一方、ＭＯＤは、異なる磁化によってデータを記録でき、かつデータを読み出せる磁性体層を有する。その上、情報及びビットは、異なる磁化方向を有するスパイラルデータトラック上のドメインに記憶される。この場合、アナログ記録ディスクと対照的に、データトラックは、ＣＬＶと称される一定の線速度で内側から外側へ読まれる。
【０００３】
独国特許公開公報第３７３２８７５号は、ディスクの形態で、ＲＯＭ−ＲＡＭディスクと称される光学ディスク及び光磁気ディスクの組合わせを表す記録媒体を開示している。この記録媒体上において、データは、スパイラルデータトラックのピット内及びドメイン内の両方に記憶される。ピット及び磁性体ドメインは、一方が他方の上に配置されるため、ＲＯＭ−ＲＡＭディスクのメモリ容量即ちメモリ量は、理論的にはメモリ量の和に等しくなる。
【０００４】
ピット若しくは磁性体ドメイン内の、又はＲＡＭ領域若しくはＲＯＭ領域内の光学情報媒体上に記録される情報を記憶しかつ読み出すことができるために、最小長のメモリ構造が必要とされ、その長さは、走査レーザビームの波長及び使用されるメモリ原理に依存する。走査する光学情報媒体のための使用頻度の高い７８０ｎｍのレーザビーム波長の場合、最大メモリ量を実現するためのＲＡＭ領域又はＲＯＭ領域の最小長のメモリ構造は、およそ０．８μｍである。ＲＯＭ−ＲＡＭディスク上のＲＡＭ領域に記憶された情報を再生するために、ＲＡＭ情報のための記録構造の最小長は、１．３８μｍよりも大きい長さが必要とされる。それは、ＲＯＭ情報及びＲＡＭ情報から構成される混合された信号からＲＡＭ情報を選択しかつ読み出すことができるようにするためのものである。これは、結果的に異なる速度でＲＯＭ領域又はＲＡＭ領域、及びＲＯＭ−ＲＡＭ領域を読み出すことが必要となり、ＲＯＭ−ＲＡＭ領域を同時に読み出し、及びＲＯＭ領域を読み出しかつ同時にＲＡＭ領域へ書き込むことができなくなる。線速度ＣＬＶが増加することによって、ＲＯＭ−ＲＡＭディスクのメモリ量は、理論的な２倍のメモリ容量と比べて必然的に減少する。
【０００５】
従って、ＲＯＭ及びＲＡＭを同時に読み出すことが可能であり、ＲＯＭ領域の読み出しかつ同時にＲＡＭ領域へ書き込むことが可能であり、更にできる限り大きなメモリ量が可能な方法及びＲＯＭ−ＲＡＭディスクを生成することが、本発明の目的である。
【０００６】
この目的は、主クレームに記載された本発明によって達成される。本発明の更なる発展の効果は、従属請求項に記載されている。
【０００７】
ＲＯＭ−ＲＡＭディスクが、ベースとして用いられ、スパイラル情報トラックに重畳されたＲＯＭ及びＲＡＭのメモリ領域を有する。読み出し中に情報を分離するために、より長いメモリ構造及び増加させた線速度が必要とされるにもかかわらず、同等の直径を有する情報媒体の場合に、できる限り大きいメモリ量を保証するために、ＲＯＭ及びＲＡＭの両方のメモリ構造を有するＲＯＭ−ＲＡＭディスクの領域が、走査又は書き込みの速度が、一定の回転速度で、ＲＯＭ及びＲＡＭ構造に記憶された情報の読み出し及び分離を保証する速度に達する直径を越えたところにのみ設けられ、又は、全体のメモリ領域に、ＲＯＭ−ＲＡＭ領域と、ＲＡＭのための減少したデータクロック速度が与えられ、これは一定の線速度を用いて記憶されかつ読み出される。
【０００８】
第１の設計は、内側領域にＲＯＭ領域若しくはＲＡＭ領域のどちらか一方と、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ信号から一定の回転速度でＲＯＭ信号又はＲＡＭ信号を分離するのに必要とされる線速度が達成される直径を越えたところのみのＲＯＭ−ＲＡＭメモリ領域とを設けた記録媒体を提供する。第２の設計は、完全にＲＯＭ−ＲＡＭとして設けられ、かつＲＡＭ用に減少したデータクロックを有する一定の線速度を用いて読み出し及び記憶される情報媒体上で利用できるメモリ表面を備えている。ＲＯＭ−ＲＡＭのＲＯＭは、変更されない。第１の設計に関して、光磁気ディスクが、通常の方法のデータの読み出し及び記憶に関連して、一定の角速度ＣＡＶ又は一定の回転速度で制御されることに注意すべきであり、従って線速度は半径と共に増加する。従って、ＲＯＭ−ＲＡＭディスクのＲＯＭ−ＲＡＭ領域のＲＡＭメモリ容量は、より大きい直径でのみ使用するにも関わらず、従来の消去可能ディスクのメモリ容量と同じであり、ＲＯＭ−ＲＡＭディスクのメモリ量はＲＯＭ領域によって増加され、更に、ＲＯＭ領域の読み出しかつ同時にＲＡＭ領域への書き込みと、ＲＯＭ及びＲＡＭを同時に読み出すことが可能である。ＲＯＭ及びＲＡＭの両方のメモリ構造を有する領域は、第１の設計の場合、線速度が一定の回転速度で、好ましくは少なくとも１．８ｍ／ｓである直径を越えたところに設けられている。
【０００９】
特に第１の設計に関連する方法の特別の特徴は、一定の線速度で走査されるＣＤのＲＯＭと対照的に、ＲＯＭ−ＲＡＭ情報媒体が一定の回転速度若しくは一定の角速度で走査され、つまり、一定の角速度で記録される。５００ｒｐｍの領域におけるディスクの一定の回転速度が、ＲＯＭ−ＲＡＭディスク上に情報を読み出しかつ書き込むために利用される。
【００１０】
第２の設計に関連して提供された方法は、特に、一定の線速度で読み出しかつ書き込みをするＲＯＭ−ＲＡＭディスクを備える。これは、ＣＤに比べて減少されたデータクロック速度でＲＡＭ領域に記憶されかつ読み出される情報によって実行される。１．２ｍ／ｓの領域の公知の線速度は、この場合に用いられる。この場合、メモリ構造の必要とされる長さが、減少されたクロック速度を用いて達成されるために、一定の線速度即ちＣＬＶを用いる公知の方法において効果的に動作することができる。
【００１１】
これらの設計の比較から、記憶のために利用できる領域又は第２の設計のメモリ量が、第１の設計のメモリ量以上に増やされ、第２の設計のメモリ量は、元のＲＯＭメモリ容量及び新しいＲＡＭメモリ容量の合計から構成される。好ましくは、記録媒体の特別の設計及び一定の回転速度の使用の結果として、又はＲＡＭのために減少されたデータ速度を有する一定の線速度を用いることによって、スパイラルトラックに同時にＲＯＭ及びＲＡＭメモリ領域を含む情報媒体のメモリ容量が増されるとともに、ＲＯＭ及びＲＡＭの同時の読み出しと、１つの走査ユニットを用いて同時にＲＯＭ領域の読み出し及びＲＡＭ領域への書き込みとが達成される。
【００１２】
本発明は、図を参照する以下の文に、より詳細に説明されている。
図１は、線速度のダイアグラムを表している。
図２は、第１のＲＯＭ／ＲＡＭ情報媒体のメモリ領域の配分の概略図を表している。
図３は、第２のＲＯＭ／ＲＡＭ情報媒体のメモリ領域の配分の概略図を表している。
【００１３】
第１の設計によれば、図２は、第１のＲＯＭ−ＲＡＭ情報媒体即ち第１のＲＯＭ−ＲＡＭディスクのメモリ領域の配分を表しており、図３は、第２のＲＯＭ−ＲＡＭ情報媒体即ち第２のＲＯＭ−ＲＡＭディスクのメモリ領域の配分を表している。図２及び図３に概略図として説明されたＲＯＭ−ＲＡＭ情報媒体は、再生及び／又は記録装置において情報媒体を中心に位置決めするために内側領域に中心ホールを有し、これに近接して、締め付け用の共通規格に従った領域で、かつ同様に情報記憶が設けられていない領域が設けられる。従っておよそ２５ｍｍの半径Ｒを越えた領域だけが、情報記憶及び情報再生用に設けられている。図２による第１の設計のＲＯＭ−ＲＡＭディスクは、情報記憶及び情報再生用に設けられた半径Ｒ及び対応する直径を超えた領域に、排他的な磁性体ドメイン又は排他的なピットのどちらか一方、いわゆるＲＯＭ又はＲＡＭのどちらか一方を含む領域を有する。この第１のメモリ領域に隣接して、スパイラルトラック上に重畳された実際にＲＯＭ−ＲＡＭメモリ領域を形成するピット及び磁性体ドメインの両方を有する第２のメモリ領域ＲＯＭ−ＲＡＭが設けられる。公知の記録及び再生装置の要素を効果的に用いることができ、それにもかかわらず比較的高いメモリ容量を実現することができるために、内側領域のＲＯＭメモリを有するメモリ領域の配分が選択されるのが好ましく、従っておよそ５００ｒｐｍの回転速度を利用できる。これは、およそ１．２ｍ／ｓの線速度が実現されている内側領域のＣＤの回転速度に対応する。この線速度は、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ情報信号からのＲＯＭ情報又はＲＡＭ情報の分離のために十分でないので、ＲＯＭ−ＲＡＭ領域は、１．８ｍ／ｓよりも高い線速度が一定の回転速度で達成されている半径Ｒ又は直径を越えたところにのみ設けられる。図１に明らかに説明されているように、この値はおよそ４０ｍｍの半径Ｒを越えたところで生じる。記録媒体は、利用できるメモリ領域が完全にＲＯＭ−ＲＡＭとして設けられていないけれども、比較的より大きいメモリ容量が達成される。これは、特に、走査信号の分離のために必要とされるメモリ構造の長さと、排他的なＲＯＭ又はＲＡＭのメモリ領域を有する情報媒体の場合よりも必要な走査速度との結果である。
【００１４】
図１の連続的な線を参照して、５００ｒｐｍの一定の回転速度において図１から分かるように、ＲＡＭのみ又はＲＯＭのみのメモリ領域のために必要とされる１．２ｍ／ｓの速度Ｖは、２５ｍｍの半径Ｒで達成され、ＲＯＭ−ＲＡＭメモリ領域の書き込み及び読み出しのために必要とされる１．８ｍ／ｓの速度Ｖは、４０ｍｍの半径Ｒで達成される。
【００１５】
図３によれば、第２の設計は、スパイラルトラック上の全体の利用できるメモリ領域に重畳されるピット及びドメインの両方を有するＲＯＭ−ＲＡＭディスクで表せられ、これらドメインは、ＲＯＭ−ＲＡＭ情報媒体を形成する。ＲＯＭ−ＲＡＭディスクは、わずか１．２ｍ／ｓの一定の線速度で書き込まれ、かつこの線速度だけで読み込まれる。この速度は、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ信号からＲＯＭ信号又はＲＡＭ信号の分離のために実際に低すぎる。それにもかかわらず、ＲＡＭ情報のデータクロック速度が減少されることにより、ＲＯＭ及びＲＡＭを同時に読み出し並びにＲＯＭ領域の読み出し及び同時にＲＡＭ領域へ書き込み、及び更により大きいメモリ量が達成される。クロック速度の減少は、より長いメモリ構造に導き、従って、混合されたＲＯＭ−ＲＡＭ信号からＲＯＭ信号又はＲＡＭ信号を分離するために必要とされる長さのメモリ構造が達成される。更に、メモリ量は増加される。これは、簡単な比較で表せられる。２５ｍｍのメモリ領域の内側半径Ｒｉ及び７５ｍｍのメモリ領域の外側半径Ｒａの場合、これは結果としてＣＬＶ即ち一定の線速度の場合に、
Ａ＝πＲａ2−πＲｉ2＝π５０００ｍｍ2
の領域Ａを有効に用いることになる。
【００１６】
一定のクロック速度即ちデータ速度及びＣＡＶ即ち一定の回転速度の場合には、内側半径Ｒｉが記憶情報量／トラックを決定し、各トラックで利用できるメモリ量は第１のトラックと同じであると仮定することができるので、メモリ量の視点から考えて、全てのトラックは結果として同一になる。これは結果として、
Ａ＝２πＲｉ（Ｒａ−Ｒｉ）＝π２５００ｍｍ2
の領域Ａを有効に用いることになる。
【００１７】
結果的に、ＣＬＶの場合のメモリ量は、ＣＡＶの場合よりも大きく、従って更に効果的に記録できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】線速度のダイアグラムを表している。
【図２】第１のＲＯＭ／ＲＡＭ情報媒体のメモリ領域の配分の概略図を表している。
【図３】第２のＲＯＭ／ＲＡＭ情報媒体のメモリ領域の配分の概略図を表している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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