(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，
基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，
貯留容器内に貯留されている現像液の液面に対して，前記基板を下側に凸状にして，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする，基板の現像処理方法。
【請求項２】
現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，
前記現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程と，
基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，
前記混合液の液面に対して，前記基板を下側に凸状にして，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする，基板の現像処理方法。
【請求項３】
前記貯留容器に現像液を供給し，前記混合液の濃度を変更する工程を有することを特徴とする，請求項２に記載の基板の現像処理方法。
【請求項４】
前記基板を洗浄する洗浄部を有し，
前記基板を前記貯留容器から取り出して，この基板を前記洗浄部に搬送する工程と，
前記基板の少なくとも表面を前記洗浄部で洗浄する工程とを有することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の基板の現像処理方法。
【請求項５】
現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，
基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する保持手段と，
少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，
前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であり，
前記保持手段は，基板の裏面を複数箇所で吸着保持する吸着部材を有し，
前記基板が下側に凸状になるように，前記複数の吸着部材は配置されていることを特徴とする，基板の現像処理装置。
【請求項６】
前記複数の吸着部材のうち，少なくとも一つの吸着部材は前記基板の中心付近を吸着し，他の吸着部材は前記基板の周辺部を吸着するように前記複数の吸着部材は配置されており，
前記基板の中心付近を吸着する吸着部材は，基板の周辺部を吸着する他の吸着部材よりも相対的に下方に突出していることを特徴とする，請求項５に記載の基板の現像処理装置。
【請求項７】
現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，
基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する保持手段と，
少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，
前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であり，
前記保持手段における基板の裏面を吸着する面は，下側に凸状に湾曲して形成されていることを特徴とする，基板の現像処理装置。
【請求項８】
前記貯留容器に現像液を供給する現像液供給手段と，前記処理液を排液する排液手段を有することを特徴とする，請求項５〜７のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
【請求項９】
前記貯留容器に純水を供給する純水供給手段を有することを特徴とする，請求項５〜８のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
【請求項１０】
前記基板を洗浄する洗浄部が前記貯留容器に隣接して設けられており，
前記洗浄部内に基板を搬送する搬送手段を有し，
前記洗浄部は，基板の表面を下方に向けた状態で保持する他の保持手段を有することを特徴とする，請求項５〜９のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の現像処理方法と現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
上述した現像処理では，ウェハの直径上の位置にほぼ直径の長さを有し，長手方向に沿って多数の供給口が形成されている細長の現像液供給ノズルを用いる。そして，この現像液供給ノズルが直径上に位置され，ウェハを少なくとも半回転以上低速で回転させるようにして，ウェハの全面に現像液を所定量供給し，その後ウェハを一定時間静止状態においた後にウェハ上の現像液を洗い流すようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上述したような現像方式では，現像液供給ノズルがウェハに対して相対的に回転しながらウェハ表面に現像液を供給するため，ウェハ上の各部分に現像液が供給されるタイミング，すなわち現像開始タイミングが異なり，現像時間に差が生じる。また，現像液供給開始時に供給口から現像液が供給されるウェハの部分，すなわち現像液のファーストインパクトを受ける部分とその後のウェハの回転により現像液が供給される部分とでは，現像液の供給圧に差が生じる。このように，ウェハ上の各部分において現像時間，供給圧が異なると，ウェハ全面に渡り均一な現像処理が行われず，ウェハの現像欠陥，線幅不良，形状不良等を引き起こすおそれがある。
【０００５】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハ表面全面に渡り，同時期に同圧力で現像液と接触させることができる現像処理方法とそれらの機能を備えた現像処理装置を提供することをその目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する参考例として例えば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，前記基板の表面を下方に向けた状態で保持する工程と，貯留容器内に貯留されている現像液に前記基板の表面のみを浸漬させて，前記基板を現像させる工程と有する現像処理方法が提案される。
【０００７】
このように，基板表面を下方に向けた状態で保持した後，この基板を貯留されている現像液に浸漬させて，基板表面のみを現像することにより，基板表面が現像液に同時に接触され，結果的に基板全面に渡って，現像液が同時期に同圧力で供給される。したがって，基板面内において，現像時間が同一となり，また基板と現像液との接触圧力が同一となるため，基板が均一に現像される。また，基板の表面のみを浸漬させるため，現像液による基板裏面の汚染が防止される。さらに，基板表面のみを浸漬させるだけの現像液の量で足りるため，現像液の節約が図られる。なお，基板表面とは，現像処理が施される処理面をいう。
【０００８】
別の参考例によれば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，前記現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程と，前記基板の表面を下方に向けた状態で保持する工程と，前記混合液に前記基板の表面のみを浸漬させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提案される。
【０００９】
現像液の種類によっては，基板上の塗布液と現像液とが反応して現像欠陥等の原因となる副生成物が生成されることがあるが，純粋な現像液でなく所定濃度の混合液に浸漬させることにより，かかる場合であっても前記浸積の初期からの前記反応が抑制され副生成物の生成が抑制される。なお，前記現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程とは，前記貯留容器に現像液と純水を別々に供給する場合のみならず，予め所定濃度に混合されている混合液を貯留容器に供給して，貯留する場合も含まれる。
【００１０】
かかる参考例において，前記貯留容器に現像液を供給し，前記混合液の濃度を変更する工程を有するようにしてもよい。このように，前記混合液に基板を浸漬させた後に，前記混合液に現像液を加え前記混合液の濃度を変更させることにより，例えば，当初は前記所定濃度よりも低い濃度の混合液に基板を浸漬させ，その後現像液を加えて現像処理に適した所定濃度の混合液にすることができる。それ故，基板上の塗布液と混合液中の現像液とが反応して副生成物が生成されやすい当初は，混合液の濃度を低くしておき，その後徐々に濃度を上げて，所定の現像処理を行うことが可能となる。
【００１１】
別の参考例として，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，貯留容器内に貯留されている現像液の液面に対して，前記基板を所定角度傾けて，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提案される。このように，前記基板の表面を前記液面に接触させる際に，前記基板を液面に対して傾斜させることにより，基板の着液時に周辺から巻き込まれた気体がこの傾斜に沿って上昇し，この気体が基板表面から排除される。したがって，巻き込まれた気体が例えば気泡となって基板表面に付着することにより引き起こされる現像欠陥等が防止される。
【００１２】
上記目的を達成するための本発明によれば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，貯留容器内に貯留されている現像液の液面に対して，前記基板を下側に凸状にして，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提供される。
また，別の参考例によれば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，前記現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程と，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，前記混合液の液面に対して，前記基板を所定角度傾けて，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提供される。
さらに，別の観点から，現像液によって基板の表面を現像する現像処理方法であって，前記現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程と，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する工程と，前記混合液の液面に対して，前記基板を下側に凸状にして，前記基板の表面を前記液面に接触させて，前記基板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提供される。
また，前記基板の現像処理方法は，前記貯留容器に現像液を供給し，前記混合液の濃度を変更する工程を有していてもよい。
【００１３】
前記発明によれば，前記基板が下に凸状に反った状態で前記液面に接触されるため，基板の中心から徐々に周辺部へと浸漬されることとなり，周辺部から気体を巻き込むことはない。また，仮に基板の中心部に気体が取り込まれたとしても，この気体は次第に周辺部へと追いやられ，気体を基板表面から排出することができる。したがって，前記気体により引き起こされる現像欠陥等が防止される。
【００１４】
上述した発明において，前記基板の現像後に少なくとも前記基板の表面を洗浄する工程を有するようにしてもよい。このように，前記基板の表面を洗浄することにより，現像液を洗い流すことができる。したがって，この現像処理後に行われる処理を好適に行うことができる。なお，少なくとも基板表面を洗浄する工程であるので，その際に基板の裏面も洗浄してもよい。
【００１５】
上記発明において，前記基板を洗浄する洗浄部を有し，前記基板を前記貯留容器から取り出して，この基板を前記洗浄部に搬送する工程と，前記基板の少なくとも表面を洗浄する工程とを有していてもよい。
【００１６】
このように，基板を洗浄する洗浄部を前記貯留容器と個別に配置し，前記貯留容器に浸漬されていた基板をこの洗浄部まで搬送して洗浄することにより，前記浸漬工程と前記洗浄工程が異なる場所で行われるため，２枚の基板を同時並行的に処理させることができる。すなわち，一枚の基板が洗浄されているときに他の基板を現像液に浸漬させて現像させることができる。このため，所定数の基板を所定期間内に処理する場合に必要となる現像処理装置の数を低減させることができる。したがって，これらの現像処理装置間に必ず存在する処理精度の誤差により生じる最終線幅の相違等が減少し，好適に多数の現像処理が行われる。また，現像液又は前記混合液と洗浄液が混ざることがないため，容易に再利用することができる。
【００１７】
上述した現像処理方法において，前記基板を洗浄する工程後に，前記基板を乾燥させる工程を有するようにしてもよい。このように，基板を乾燥させる工程を有することにより，上述したように現像し，洗浄した基板を乾燥させることができる。したがって，洗浄液により濡れた基板を乾燥させ，現像処理後の処理を好適に行うことができる。
【００１８】
上記目的を達成する参考例として，現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，前記基板の表面を下方に向けた状態で保持する保持手段と，少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であることを特徴とする基板の現像処理装置が提案される。
【００１９】
このように，前記基板の表面を下方に向けて保持する保持手段と前記現像液を貯留する貯留容器を有し，この保持手段と貯留容器が相対的に移動可能設けることにより，前記基板の表面を現像液の液面に浸漬させる等の上述した請求項１〜３の現像処理方法を好適に実施することができる。したがって，基板面内において均一に現像処理が施されるため，現像欠陥，線幅不良等が防止される。なお，前記処理液は，現像液と純水との混合液や，純粋な現像液をも含む意味である。
【００２０】
参考例として，現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する保持手段と，少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であり，前記保持手段は，保持する基板を水平面に対し傾斜可能に構成されていることを特徴とする基板の現像処理装置が提案される。このように，前記保持手段に前記基板を傾斜させる機能を設けることにより，前記基板を前記貯留容器の処理液の液面に対して傾斜させて，前記基板表面を処理液に接触させることが可能となり，上述した現像処理方法が好適に実施される。したがって，前記接触時に巻き込まれた気体が基板の表面から排除され，現像欠陥等が防止される。なお，前記保持手段が保持する前記基板を水平面に傾斜可能とは，前記保持手段が基板を予め傾斜させて保持する場合や，保持してから傾斜させる場合も含む。
【００２１】
上記目的を達成するための本発明によれば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する保持手段と，少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であり，前記保持手段は，基板の裏面を複数箇所で吸着保持する吸着部材を有し，前記基板が下側に凸状になるように，前記複数の吸着部材は配置されていることを特徴とする基板の現像処理装置が提供される。このとき，前記複数の吸着部材の内，少なくとも一つの吸着部材は，前記基板の中心付近を吸着し，他の吸着部材は，前記基板の周辺部を吸着するように前記複数の吸着部材は配置されており，前記基板の中心付近を吸着する吸着部材は，基板の周辺部を吸着する他の吸着部材よりも相対的に下方に突出しているようにしてもよい。このようにして，前記保持手段に前記吸着部材を設けることにより，基板が下側に凸状に反って保持されるため，上述した現像処理方法が好適に実施される。従って，基板表面が貯留容器の処理液と接触する際に，周辺部の気体が基板表面に巻き込まれることが防止され，仮に気体が巻き込まれたとしてもこの気体を排除できる。したがって，気体の巻き込み等による現像欠陥等が防止される。
【００２２】
別の観点による本発明によれば，現像液によって基板の表面を現像する現像処理装置であって，基板の表面を下方に向けた状態で基板を保持する保持手段と，少なくとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有し，前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であり，前記保持手段における基板の裏面を吸着する面は，下側に凸状に湾曲して形成されていることを特徴とする基板の現像処理装置が提供される。かかる場合も，前記現像処理方法が好適に実施され，その結果，現像欠陥等が防止される。
【００２３】
上記現像処理装置は，処理液を貯留する貯留容器に現像液を供給する現像液供給手段と，前記処理液を排液する排液手段を有していてもよい。
【００２４】
このように，前記貯留容器に現像液を供給する現像液供給手段を設けることにより，前記基板表面を処理液に浸漬する前に貯留容器に現像液を供給し貯留させておいたり，先に純水と現像液との低濃度の混合液を前記貯留容器に貯留しておいた場合には，基板表面を浸積した後に貯留容器に現像液を加えて，前記処理液の濃度を変更させることができる。したがって，上述した現像処理方法が好適に実施されるため，基板面内において均一に現像処理が施され，現像欠陥，線幅不良等が防止される。また，処理液を排液する排液手段を設けることにより，処理液を必要に応じて交換することができ，新鮮な処理液を用いて基板表面を現像することができる。
【００２５】
また，上記現像処理装置は，前記貯留容器に純水を供給する純水供給手段を有していてもよい。
【００２６】
このように，純水供給手段を有することにより，貯留容器に純水を供給して，現像液と混合して所定濃度の処理液を前記貯留容器に貯留することができる。また，前記処理液を交換する際に前記処理液を排液した後に，純水を貯留容器に供給し，貯留容器を洗浄することができる。したがって，清浄に保たれた貯留容器に所定濃度の処理液を貯留し，上述した現像処理を好適に行うことができる。
【００２７】
さらに，上記現像処理装置において，前記純水が供給される供給口を，前記貯留容器の処理液の液面より高い位置に設けるようにしてもよい。このように，前記供給口を貯留容器に貯留される処理液の液面よりも高い位置に設けることにより，前記処理液を排液する際に，前記供給口から純水を供給して前記貯留容器に付着した処理液を好適に洗い流すことができる。したがって，貯留容器の汚染を原因とする処理液の汚染が防止され，現像処理が好適に実施される。
【００２８】
上述した各現像処理装置が，前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を有するようにしてもよい。このように，洗浄液供給手段を設けることにより，上述したように，前記基板表面を前記処理液に浸漬させて所定時間現像した後に，基板に洗浄液を供給し，処理液の付着した前記基板を洗浄することができる。
【００２９】
前記現像処理装置は，基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段を有していてもよい。このように，基板の裏面に洗浄液を供給し，基板の裏面をも洗浄することにより，現像時に過って基板裏面に付着した処理液を洗浄することができる。
【００３０】
また，前記保持手段が，所定速度で回転自在に構成されていることを特徴とする基板の現像処理装置が提供される。このように，前記保持手段に回転機能を取り付けることにより，前記基板の洗浄により前記基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記基板を乾燥させることができる。したがって，基板の乾燥処理が上述した現像，洗浄時に基板を保持していた保持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が無くなる。
【００３１】
前記現像処理装置において，前記基板を洗浄する洗浄部が前記貯留容器に隣接して設けられており，前記洗浄部内に基板を搬送する搬送手段を有し，前記洗浄部は，基板の表面を下方に向けた状態で保持する他の保持手段を有していてもよい。
【００３２】
このように，前記洗浄部を個別に設け，基板を前記貯留容器から前記洗浄部に搬送する搬送手段を有し，さらに洗浄部内に搬送された基板を基板表面を下方に向けて保持する他の保持手段を有することにより，上述した現像処理方法を好適に実施することができる。したがって，必要となる現像処理装置の数が削減され，現像処理装置間のばらつきが減少されるため，多数の基板の現像処理を好適に行うことができる。
【００３３】
上記現像処理装置において，洗浄部は，前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を有するようにしてもよい。このように，洗浄液供給手段により基板表面に直接洗浄液を供給して，基板表面を洗浄することにより，基板表面に付着した処理液を好適に洗浄することができる。
【００３４】
さらに，前記洗浄部が，前記基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段を有するようにしてもよい。このように，基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段を設けることにより，基板裏面の洗浄をも行うことが可能となる。
【００３５】
上記現像処理装置において，前記他の保持手段は，所定速度で回転自在に構成されていてもよい。
【００３６】
このように，前記他の保持手段に回転機能を取り付けることにより，前記基板の洗浄により前記基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記基板を乾燥させることができる。したがって，基板の乾燥処理が上述した洗浄時に基板を保持していた他の保持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が無くなる。
【００３７】
上記現像処理装置は，前記洗浄液を所定温度に設定可能とする温度調節手段を有していてもよい。
【００３８】
かかる場合，前記洗浄液の温度を調節する温度調節装置を設けているため，洗浄力が高くなる最適温度に洗浄液を調節し，その洗浄液により基板の洗浄を行うことができる。したがって，基板の現像に使用された処理液に応じて，洗浄液の温度を設定し，効率よく基板の洗浄を行うことができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００４０】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００４１】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００４２】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００４３】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。また，本実施に形態にかかる現像処理装置においては，ウェハＷを反転し，ウェハＷの表面としての処理面を下方に向ける必要があるため，主搬送装置１３と現像処理装置のある第２の処理装置群Ｇ２との間には，反転装置５５が設けられており，この反転装置５５は，主搬送装置１３から受け取ったウェハＷを反転させることができる。
【００４４】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，本実施の形態にかかる現像処理装置２０の現像部２０ａが下から順に２段に配置されている。処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，本実施の形態にかかる現像処理装置２０の洗浄部２０ｂとが下から順に２段に積み重ねられている。
【００４５】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００４６】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００４７】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００４８】
上述した現像処理装置２０の構造について，詳しく説明する。図４，図５に示すように，現像処理装置２０のチャンバー６０内には，ウェハＷを処理液としての現像液と純水との混合液に浸漬して現像する現像部２０ａと現像後のウェハＷを洗浄・乾燥させる洗浄部２０ｂとが設けられている。
【００４９】
先ず，現像部２０ａについて説明すると，図５に示すように現像部２０ａ内には，上述した現像液を含む混合液を貯留する貯留容器６１が設けられている。この貯留容器６１は，前記混合液が貯留された場合に少なくともウェハＷの処理面Ｓよりも広い液面が形成されるように構成されている。すなわち，ウェハＷの処理面Ｓを混合液の液面に対し略平行に接触させることができるように構成されている。
【００５０】
貯留容器６１下部は，中心が低くなるように傾斜しており，この中心には，貯留されている混合液を排液する排液管６２が設けられている。この排液管６２には，弁６３が取り付けられている。従って，ウェハＷの現像に用いられた混合液を新しいものと交換する際には，弁６３が開放され，この排液管６２から前記混合液を排液することができる。
【００５１】
この貯留容器６１には，この貯留容器６１に現像液を供給する現像液供給手段６５が設けられている。この現像液供給手段６５は，現像部２０ａ外に設けられた現像液供給源６５ａと貯留容器６１内に設けられた現像液供給口６５ｃとを有し，現像液供給手段６５は，現像液供給源６５ａの現像液を現像液供給管６５ｂを通じて，現像液供給口６５ｃから貯留容器６１に供給するように構成されている。現像液供給源６５ａには，現像液の温度を調節する図示しない温度調節装置が取り付けられており，現像液の温度は，常時所定温度に保たれる。さらに，現像液供給口６５ｃ付近には，現像部２０ａ内の雰囲気をチャンバー６０外に排気するための排気管６４が取り付けられており，随時雰囲気制御を行っている。
【００５２】
また，貯留容器６１には，この貯留容器６１に純水を供給する純水供給手段６６が設けられている。この純水供給手段６６は，現像部２０ａ外に設けられた純水供給源６６ａと貯留容器６１内に設けられた純水供給口６６ｃとを有し，純水供給源６６ａの純水を純水供給管６６ｂを通じて，純水供給口６６ｃから貯留容器６１に供給するように構成されている。純水供給管６６ｂの一部は，図６に示すように，貯留部６１の内壁に沿って環状に形成されており，この環状の部分に純水供給口６６ｃが等間隔で複数個設けられている。また，この純水供給口６６ｃは，貯留容器６１に貯留される混合液の最高液面高さよりも高い位置に設けらている。また，純水供給源６６ａには，純水の温度を調節する図示しない温度調節装置が取り付けられており，純水の温度は，常時所定温度に保たれている。
【００５３】
従って，前記現像液供給手段６５と純水供給手段６６により貯留容器６１に現像液と純水を供給し，所定濃度の混合液を貯留することができる。また，上述したように，純水供給口６６ｃが，純水供給管６６ｂに多数個設けられ，かつ混合液の最高液面高さより高い位置に設けられているため，この純水供給口６６ｃから供給される純水により，前記混合液の交換時に貯留容器６１内を好適に洗浄することができる。
【００５４】
貯留容器６１の上方には，ウェハＷの処理面Ｓを下方に向けて保持する保持手段７０が固定して設けられている。この保持手段７０は，ウェハＷを上方から吸着して保持する吸着部７１を有している。この吸着部７１は，その下面に多数の吸引口（図示せず）が設けられ，例えば，真空ポンプなどの吸引手段の吸引によって，ウェハＷを吸着することが可能に構成されている。そして，吸着部７１の吸引のＯＮ・ＯＦＦにより，ウェハＷを着脱する。また，吸着部７１には，この吸着部７１を上下動自在とするシリンダ７２が取り付けられており，このシリンダ７２の駆動は，図示しない制御装置により制御されている。したがって，ウェハＷは，その処理面Ｓを下方に向けて保持された状態で，シリンダ７２により下降され，上述した貯留容器６１に貯留されている混合液にウェハＷ処理面Ｓを浸漬することが可能となる。
【００５５】
また，吸着部７１の吸着面は，図７に示すように保持したウェハＷが所定角度α傾斜するようにわずかに傾斜して形成されている。この傾斜角度αは，ウェハＷの処理面Ｓのみを前記混合液に着液させても，混合液がウェハＷの裏面に回り込まない程度の所定角度である。例えばウェハＷの直径が３００ｍｍでウェハＷの厚みが０．８ｍｍの場合には，約０．５度となる。このように，ウェハＷを所定角度α傾斜させて，保持することにより，ウェハＷ処理面Ｓを混合液に接触させる際に巻き込まれた気体がウェハＷの傾斜に沿って上昇し，ウェハＷの処理面Ｓから前記気体が排除される。なお，上述したウェハＷの傾斜は，予め吸着部７１を傾斜させて形成することにより設けていたが，吸着部７１を所定角度だけ傾斜させるような駆動機構を設けてもよい。
【００５６】
現像部２０ａ内には，上述したウェハＷを反転させる反転装置５５と，前記吸着部７１及び後述する洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１にアクセス自在なウェハＷの搬送手段８０が設けられている。この搬送手段８０には，図８に示すように，水平方向に伸縮自在な水平多関節型ロボットとして構成されているアーム本体８１が設けられている。このアーム本体８１の下側には，アーム本体８１を支持する基盤８２が設けられている。また，この基盤８２下側には，この基盤８２を回転させ，上下移動させ，さらに上述したアーム本体８１を伸縮させるアーム駆動機構８３が取り付けられている。したがって，アーム駆動機構８３に制御された搬送手段８０により，反転装置５５内のウェハＷを現像部２０ａの吸着部７１まで搬送すること，吸着部７１のウェハＷを後述する洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１まで搬送すること，さらにスピンチャック１０１から再び反転装置５５まで搬送することが可能となる。なお，現像部２０ａのチャンバー６０には，ウェハＷを搬入出するための搬送口８５が設けられている。
【００５７】
また，アーム本体８１は，ウェハＷの処理面Ｓを下方に向けた状態で，ウェハＷの処理面Ｓを傷つけないようにウェハＷを保持する必要がある。したがって，例えば，図９に示すように，アーム本体８１のアーム８１ａは，その下面に複数の吸引口８１ｂが設けられ，真空ポンプなどの吸引手段からの吸引によって，ウェハＷの裏面を吸着することが可能に構成されている。そして，この吸引のＯＮ・ＯＦＦによって，ウェハＷを保持，離脱する。また，現像部２０ａの吸着部７１及び洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１にウェハＷを受け渡し可能にするため，アーム８１ａは略３／４円環状に形成され，前記吸着部７１及びスピンチャック１０１がその円環状内を通過可能になっている。したがって，例えば前記吸着部７１にウェハＷを受け渡す際には，吸着部７１が下降し，アーム８１ａに吸着保持されているウェハＷを吸着部７１がウェハＷの裏面から吸着保持し，一方でアーム８１ａがウェハＷの吸着を止めることでアーム８１ａから吸着部７１にウェハＷを受け渡すことができる。
【００５８】
次に，ウェハＷが現像された後にウェハＷに付着した混合液を洗浄する洗浄部２０ｂについて説明する。この洗浄部２０ｂは，図５に示すように，現像部２０ａと隔壁９０により隔てられ隣接して設けられている。洗浄部２０ｂ上部には，現像部２０ａの保持手段７０と類似する他の保持手段としての第２の保持手段１００が固定されて設けられている。この第２の保持手段１００は，ウェハＷを上方から吸着保持するスピンチャック１０１を有している。また，第２の保持手段１００は，スピンチャック１０１の上側に，駆動機構１０２を有し，スピンチャック１０１は，駆動機構１０２により，上下移動自在でかつ回転自在である。
【００５９】
第２の保持手段１００下方には，ウェハＷを洗浄する際に前記駆動機構１０２により下降されたウェハＷを収容する略筒状のカップ１０５が設けられている。このカップ１０５は，洗浄時のウェハＷを側面と底面とで包囲するように形成されており，その上面は開口している。このカップ１０５内には，ウェハＷの処理面Ｓに対して，下方から洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１０６と，ウェハＷの裏面に対して，上方から洗浄液を供給する裏面洗浄液供給ノズル１０７が設けられている。
【００６０】
また，ウェハＷに供給される洗浄液の温度を調節する温度調節装置１０８が設けられており，洗浄液は，洗浄力の高い所定温度に設定され，ウェハＷに供給される。したがって，ウェハＷの洗浄時には，ウェハＷがスピンチャック１０１により回転された状態で，ウェハＷの両面に前記洗浄液供給ノズル１０６と裏面洗浄液供給ノズル１０７から所定温度の洗浄液が供給され，ウェハＷが洗浄される。また，洗浄液により濡れたウェハＷを乾燥させる際には，前記両ノズル１０６，１０７からの洗浄液の供給を停止させ，スピンチャック１０１によりウェハＷを高速回転させることにより，ウェハＷが乾燥される。
【００６１】
また，カップ１０５の底面には，洗浄液を排液するための排液管１１０が取り付けられている。この排液管１１０により，洗浄時にウェハＷから飛散した洗浄液がカップ１０５により受け止められ，その下方の排液管７６から排出されるように構成されている。
【００６２】
なお，現像部２０ａと洗浄部２０ｂの間の隔壁９０には，シャッタ９１が設けられており，洗浄部２０ｂへの搬入出時のみ開放され，その他の時は，各処理部の雰囲気や，各処理液が干渉し合わないように閉鎖されている。
【００６３】
次に，以上のように構成されている現像処理装置２０の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００６４】
先ず，未処理のウェハＷがウェハ搬送体７によりカセットＣから１枚取りだされ，第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入される。このアドヒージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３４又は３５に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００６５】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これらの処理装置において所定の処理が施される。その後，反転装置５５に搬送され，ウェハＷの処理面Ｓが下方に向くように反転させた後，現像処理装置２０に搬送される。
【００６６】
そして，現像処理の終了したウェハＷは，再び反転装置５５で反転された後，主搬送装置１３によりポストベーキング装置３５，クーリング装置３０と順次搬送される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００６７】
上述した現像処理装置２０の作用について詳しく説明すると，先ず，前処理工程の終了したウェハＷが主搬送装置１３により，反転装置５５に搬送される。そして，この反転装置５５においてウェハＷが反転され，ウェハＷの処理面Ｓが下方に向けられる。次いで，ウェハＷは，現像処理装置２０の搬送手段８０により，反転装置５５内から現像処理装置２０の現像部２０ａ内に搬入され，吸着部７１に吸着保持される。
【００６８】
現像部２０ａの貯留容器６１には，図５に示すように現像液供給手段６５と，純水供給手段６６により，温度調節された現像液と純水が供給され，所定濃度の混合液が所定の液面高さまで満たされる。
【００６９】
次に，吸着部７１に保持されたウェハＷが，シリンダ７２により下降され，図１０に示すようにウェハＷの処理面Ｓ全面が前記混合液の液面Ｅに接触し浸漬されたところで停止される。このとき，ウェハＷ裏面に混合液が付着しないように，ウェハＷの下降距離が調節される。また，上述したようにウェハＷは，前記混合液の液面に対して所定角度で傾斜して吸着されているので，液面Ｅと接触する際に巻き込まれた気体ＡがウェハＷの処理面Ｓから排除される。
【００７０】
ウェハＷの処理面Ｓは，混合液に所定時間浸漬され，現像される。そして，所定時間経過後，ウェハＷはシリンダ７２により再び上昇され，混合液から取り出されて貯留容器６１上方に退避される。
【００７１】
次に，ウェハＷは再び搬送手段８０に吸着保持され，シャッタ９１を通って洗浄部２０ｂ内に搬送され，洗浄部２０ｂ内のスピンチャック１０１に吸着保持される。
【００７２】
このとき，現像部２０ａでは，貯留容器６１下方に設けられた弁６３が開放され，前記現像工程で使用された混合液が排液管６３から排出される。その後，純水供給手段６６の純水供給口６６ｃから貯留容器６１内に純水が供給され，付着している前記混合液が洗い落とされる。そして，純水による洗浄が終了すると，純水の供給が停止され弁６３が閉鎖される。次いで，現像液供給手段６５と純水供給手段６６により，所定量ずつ現像液と純水が貯留容器６１内に供給され，再び所定濃度の混合液が貯留される。
【００７３】
そして，上述したように，先のウェハＷが洗浄部２０ｂに搬送され，現像部２０ａの混合液の交換が終了すると，同様にして，次のウェハＷが搬送手段８０により反転装置５５から現像部２０ａ内に搬送されて，現像処理される。こうすることにより，現像部２０ａと洗浄部２０ｂにおいて同時にウェハＷの処理を行うことができる。
【００７４】
一方，洗浄部２０ｂに搬送され，スピンチャック１０１に吸着保持されたウェハＷは，駆動機構１０２により下降され，カップ１０５内の所定位置に収容される。その後，ウェハＷは，駆動機構１０５により回転されると共に，洗浄液供給手段１０６及び裏面洗浄液供給手段１０７から所定温度の洗浄液が供給され，洗浄される。このとき供給される洗浄液は，温度調節装置１０８により洗浄力の高い温度，例えば５０℃程度に調節されている。
【００７５】
ウェハＷの両面に所定時間洗浄液が供給され，その後，洗浄液の供給を停止される。そして，駆動機構１０５によって，ウェハＷの回転速度を上げ，遠心力によりウェハＷに付着している洗浄液を振り切り，乾燥させる。所定時間後ウェハＷの回転を停止させウェハＷの乾燥が終了する。
【００７６】
乾燥が終了したウェハＷは，搬送手段８０により再度支持され，シャッタ９１を経由して，反転装置５５内に搬送される。反転装置５５内に搬送されたウェハＷは，そこで反転され，ウェハＷの処理面Ｓが上向きに戻される。
【００７７】
その後，ウェハＷは，主搬送装置１３により，反転装置５５から次工程が行われるポストベーキング装置３５に搬送される。
【００７８】
以上の実施の形態によれば，ウェハＷの処理面Ｓを下方に向けて保持し，ウェハＷ処理面Ｓのみを貯留容器６１内の混合液に浸漬させて，現像させるため，ウェハＷ処理面Ｓの全面に渡り，現像液を同時期に同圧力で供給することができる。したがって，ウェハＷ処理面Ｓ内で，現像時間が同一となり，混合液とウェハＷとの接触圧力が同一となるため，ウェハＷ処理面Ｓの現像が均一に行われる。
【００７９】
貯留容器６１に現像液だけでなく，純水との混合液を貯留させておき，この混合液にウェハＷを浸漬させるため，ウェハＷ処理面Ｓに塗布されたレジスト液と現像液が当初から過剰に反応し，ウェハＷに害を及ぼす副生成物が生成されることが抑制される。なお，この副生成物の生成は，ウェハＷ処理面Ｓに塗布されるレジスト液の種類により左右されるため，混合液の代わりに純粋な現像液を用いても差し支えない。
【００８０】
また，ウェハＷの処理面Ｓのみを浸漬させるので，現像の必要のないウェハＷの裏面を現像液により汚染させることが防止される。
【００８１】
ウェハＷを混合液の液面に対して，所定角度α傾斜させて吸着保持し，そのまま混合液に接触させるので，この接触時に巻き込まれる気体Ａが排除され，この気体Ａを原因とする現像欠陥等が防止される。
【００８２】
また，現像部２０ａと洗浄部２０ｂを個別に設けたため，２枚のウェハＷを現像部２０ａと洗浄部２０ｂとで同時に処理することができる。従って，スループットが向上すると共に，所定時間内に所定枚数のウェハＷを処理する場合に，最低限必要となる現像処理装置２０の数を減少させることができる。その結果，複数の現像処理装置間で必ず生じる処理精度の誤差を抑制できる。また，現像する混合液と洗浄する洗浄液が混ざることがないため，前記混合液と洗浄液を再利用し易い。
【００８３】
ウェハＷを洗浄する際に用いられる洗浄液が温度調節装置１０８により，洗浄力の高い温度に設定されるため，洗浄力が向上し，ウェハＷに付着した現像液を好適に落とすことができる。
【００８４】
以上の実施の形態では，予め現像に適した所定濃度の現像液と純水との混合液を貯留容器６１に貯留し，その混合液の中にウェハＷを浸漬させて現像していたが，所定濃度に比べて低い濃度の混合液を貯留しておき，ウェハＷをその中へ浸漬させた後に，さらに現像液供給手段６５から現像液を供給し，混合液を所定の濃度にして現像を行ってもよい。このように，ウェハＷが最初に混合液と接触する際には，この混合液の濃度を所定濃度よりも低くしておき，ある程度現像が進んだ後に混合液を所定濃度とすることにより，上述したような現像液とウェハＷ上のレジスト液との反応により生成される副生成物が抑制される。
【００８５】
また，ウェハＷを傾斜させた保持手段７０の吸着部７１に吸着保持させることにより，ウェハＷと混合液とが接触したときに巻き込まれる気体を排除していたが，ウェハＷを下側に凸状になるように保持して，前記気体を排除するようにしてもよい。この場合例えば，図１１に示すように現像部２０ａ内の保持手段１２０の吸着部１２１に複数の吸着部材１２２を凸状に設ける。これらの吸着部材１２２は，ウェハＷの中心付近を吸着する吸着部材１２２ａと，ウェハＷの周辺部を吸着する吸着部材１２２ｂとで構成され，それぞれに対応した吸着部１２１上に配置されている。また，前記ウェハＷの中心付近を吸着する吸着部材１２２ａは，その他の吸着部材１２２ｂよりも突出距離が長く形成されている。したがって，ウェハＷを各吸着部材１２２ａ，１２２ｂにおいて吸着保持すると，ウェハＷ中心付近がウェハＷ周辺部に比べて，下側に突き出て，凸状に保持される。
【００８６】
この結果，上述した実施の形態と同様にして，下側に凸状に保持されたウェハＷを下降させて混合液と接触させ，この際に巻き込まれる気体が，傾斜したウェハＷ処理面Ｓに沿って上昇し排除される。なお，吸着部１２２を格別設けなくとも，図１２に示すように，吸着部１３２自体を下側に凸の形状に形成し，ウェハＷを吸着保持するようにしてもよい。
【００８７】
次に第２の実施の形態として，上述した第１の実施の形態において個別に設けられた現像部２０ａと洗浄部２０ｂとを一箇所に集約し，現像と洗浄の両方を行う現像・洗浄部１４０ａを設けた場合について説明する。
【００８８】
この現像・洗浄部１４０ａを有する現像処理装置１４０の構造は，図１３に示すように，第１の実施の形態の現像部２０ａに洗浄部２０ｂの機能を付加した構造となっている。具体的には，先ず貯留容器１４１に洗浄液が飛散しないように防壁１４１ａが取り付けられている。ウェハＷ処理面Ｓに洗浄液を供給する洗浄液供給手段１４５とウェハＷ裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段１４６が取り付けられている。また，これらの洗浄液供給手段１４５，１４６に供給される洗浄液の温度を調節する温度調節装置１４８が設けられている。さらに，ウェハＷを吸着保持する保持手段１５０には，回転機能が備えられる。なお，その他の構成は，現像処理装置２０の現像部２０ａと同様であり，現像液供給手段６５，純水供給手段６６，搬送手段８０等が設けられている。また，前記保持手段１５０は，保持手段７０と同様に，液面に対して所定角度αに傾斜して形成されており，ウェハＷを所定角度α傾けて保持する。
【００８９】
次にこの現像処理装置１４０の作用について説明すると，第１の実施の形態と同様にして，搬送手段８０によりウェハＷが反転装置５５から現像・洗浄部１４０ａ内に搬送され，保持手段１５０の吸着部１５１に吸着保持される。その後，ウェハＷは，シリンダ１５２により下降され，貯留容器６１内に貯留されている現像液と純水との混合液にウェハＷ処理面Ｓのみを浸漬させる。
【００９０】
この状態で所定時間静止状態に置かれ，現像される。そして，所定時間経過後，再び，ウェハＷは，シリンダ１５２により上昇され，混合液内から取り出される。このとき，貯留容器６１下方の排液管６２の弁６３が開放され，混合液が排液される。ウェハＷは，防壁１４１ａ内の所定位置で停止され，洗浄が開始される。ウェハＷの洗浄は，ウェハＷが回転されると同時に，洗浄液供給手段１４５と裏面洗浄液供給手段１４６から所定温度の洗浄液が供給されて行われる。
【００９１】
所定時間経過後，洗浄液の供給を停止し，ウェハＷの回転速度を上げて，洗浄液が振り切られ，ウェハＷが所定時間乾燥される。
【００９２】
以上の第２の実施の形態では，第１の実施の形態と同様にウェハＷ処理面Ｓを下方に向けて吸着保持し，このウェハＷ処理面Ｓのみを貯留容器６１内に貯留されている混合液に浸漬させて，ウェハＷを現像させるため，ウェハＷ面内において，同時期に同圧力で現像液が供給され，均一に現像される。また，ウェハＷ処理面Ｓのみを浸漬させるため，現像の必要のないウェハＷの裏面が汚染されない。
【００９３】
また，現像処理装置１４０は，現像部と洗浄部とが一箇所に集約され，現像・洗浄部１４０ａを有することにより，第１の実施の形態と比べて現像処理装置がコンパクト化される。また，ウェハＷを現像部から洗浄部に搬送する必要がないため，ウェハＷの搬送中に現像液が垂れ落ちることが無く，現像処理装置１４０の洗浄の手間が省かれる。
【００９４】
また，この第２の実施の形態においても，第１の実施の形態で記載したように，予め貯留容器６１に貯留しておく混合液を純粋な現像液にしてもよいし，所定濃度より低濃度の混合液を貯留しておき，ウェハＷを浸漬させた後に現像液を加え所定濃度にしてもよい。さらに，ウェハＷを保持手段１２０のように下側に凸状に保持するようにしてもよい。
【００９５】
なお，以上の実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハＷの現像処理装置についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤの現像処理装置においても適用できる。
【００９６】
【発明の効果】
本発明によれば，基板表面を下方に向けて保持し，この基板を貯留されている現像液に浸漬させて，基板表面のみを現像するため，基板表面全面に渡って，現像液が同時期に同圧力で接触する。したがって，基板面内において，現像時間が同じであって，基板と現像液との接触圧力も同一となる。その結果，基板面内において均一に現像され，現像欠陥等が防止されるため，歩留まりの向上が図られる。また，基板の表面のみを浸漬させるので，現像液による基板裏面の汚染が防止される。また，基板表面を浸漬させるだけの現像液の量で足りるため，現像液の削減につながり，コストダウンが図られる。
【００９７】
また，本発明によれば，基板を純粋な現像液でなく所定濃度の混合液に浸漬させるため，現像液の種類によっては基板上の塗布液と現像液とが反応して，現像欠陥等の原因となる副生成物が生成されることが抑制される。したがって，この副生成物が基板表面に付着し，現像欠陥等が引き起こされることが防止されるため，歩留まりの向上が図られる。
【００９８】
さらに，本発明によれば，現像液と純水との混合液に基板を浸漬させた後に，前記混合液に現像液を加え前記混合液の濃度を変更させるため，初め，前記所定濃度よりも低い濃度の混合液に基板を浸漬させ，その後現像液を加えて現像処理に適した所定濃度の混合液にすることができる。したがって，基板上の塗布液と混合液中の現像液とが反応して副生成物が生成されやすい当初は，混合液の濃度を低くしておき，その後徐々に濃度を上げて，所定の現像処理を行うことが可能となる。
【００９９】
本発明によれば，前記基板の表面を前記液面に接触させる際に，前記基板を液面に対して傾斜させるため，基板の着液時に周辺から巻き込まれた気体を排除することができる。したがって，巻き込まれた気体により引き起こされる現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られる。
【０１００】
また，本発明によれば，前記基板を下に凸状に反った状態で，前記液面に接触させるため，基板と前記液面との接触時に周辺から巻き込まれた気体を排除することができる。したがって，現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られる。
【０１０１】
本発明によれば，基板の表面を洗浄することにより，上述したように基板表面を現像液に浸漬させたときに基板表面に付着した現像液を洗浄することができる。したがって，基板に付着した現像液により他の装置を汚染することなく，この現像処理後に行われる処理を好適に行うことができる。
【０１０２】
本発明によれば，基板の現像工程と基板の洗浄工程が異なる場所で行われるため，２枚の基板を同時に進行させることができる。このため，所定枚数の基板を所定期間内に処理する場合に最低限必要となる現像処理装置の数を低減させることができる。したがって，これらの現像処理装置間に必ず存在する処理精度の誤差により生じる最終線幅の相違等が減少し，好適に多数の現像処理が行われるため，歩留まりの向上が図られる。また，現像液又は前記混合液と洗浄液が混ざることがなく，容易に前記混合液と洗浄液をリサイクルすることができるため，コストダウンに繋がる。
【０１０３】
本発明によれば，基板を現像し，洗浄した基板を乾燥させることができる。したがって，洗浄液により濡れた基板を乾燥させ，現像処理後の処理を好適に行うことができる。
【０１０４】
本発明によれば，前記本発明の現像処理方法を好適に実施することができる。したがって，基板面内において均一に現像処理が施されるため，現像欠陥，線幅不良等が防止され，歩留まりの向上が図られる。
【０１０５】
また，本発明によれば，保持手段に基板を傾斜させる機能を設けるため，前記本発明の現像処理方法が好適に実施される。したがって，基板と処理液の液面との接触時に巻き込まれた気体が排除されるため，現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られる。
【０１０６】
また，本発明によれば，基板表面と処理液との接触時に周辺部から気体が巻き込まれ難くなる上，仮に巻き込まれたとしても自然に排除されるため，気体により引き起こされる害，例えば現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られる。
【０１０７】
本発明によれば，貯留容器に現像液を供給することができるため前記発明の現像処理方法が好適に実施される。したがって，基板面内において均一に現像処理が施され現像欠陥，線幅不良等が防止されるため，歩留まりの向上が図られる。また，処理液を排液する排液手段を設けるため，処理液を必要に応じて交換することができ，新しい処理液を用いて基板表面を現像することができる。
【０１０８】
また，本発明によれば，貯留容器に純水を供給することができるため，現像液と混合して所定濃度の処理液を前記貯留容器に貯留することができる。したがって，本発明の現像処理方法が好適に実施される。また，必要に応じて処理液を交換する際に前記処理液を排液した後に，純水を貯留容器に供給し，貯留容器内を洗浄することができる。
【０１０９】
さらに，本発明によれば，純水の供給口を貯留容器に貯留される処理液の液面よりも高い位置に設けるため，前記処理液を排液する際に，前記供給口から純水を供給して前記貯留容器に付着した処理液を洗い流すことができる。したがって，貯留容器の汚染を原因とする新しい処理液の汚染が防止され，現像処理が好適に実施されるため，歩留まりの向上が図られる。
【０１１０】
また，本発明によれば，洗浄液供給手段を設けるため，基板表面を処理液に浸漬させて現像した後に，現像液の付着した前記基板を洗浄することができるため，本発明の現像処理方法が好適に実施される。したがって，現像液による他の装置の汚染を防止することができる。
【０１１１】
さらに，本発明によれば，基板の裏面を洗浄する裏面洗浄手段を有するため，現像時に過って基板裏面に付着した処理液を洗浄することができる。したがって，基板の裏面に付着した処理液による他の装置の汚染が防止され，洗浄等の手間が省かれるためスループットの向上に繋がる。
【０１１２】
本発明によれば，基板を保持する保持手段に回転機能が取り付けられるため，基板の洗浄により前記基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記基板を乾燥させることができる。したがって，基板の乾燥処理が上述した現像，洗浄時に基板を保持していた保持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が無くなり，現像処理装置が簡素化される。
【０１１３】
本発明によれば，洗浄部を個別に設け，基板を前記貯留容器から前記洗浄部に搬送する搬送手段を有し，さらに洗浄部内に搬送された基板を基板表面を下方に向けて保持する他の保持手段を有しているため，本発明の現像処理方法を好適に実施することができる。したがって，２枚の基板を同時期に処理することができるため，必要となる現像処理装置の数が削減され，複数の現像処理装置間に必ず存在する処理精度の差により生じる最終線幅の相違等が減少される。その結果，多数の現像処理が好適に行われ，歩留まりの向上が図られる。
【０１１４】
本発明によれば，洗浄液供給手段により基板表面に直接洗浄液を供給して，基板表面を洗浄することができる。したがって，本発明の現像処理方法を好適に実施することができる。
【０１１５】
さらに，本発明によれば，基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段が設けられるため，基板裏面の洗浄を行うことが可能となる。したがって，基板裏面に過って付着した処理液により他の装置を汚染することが防止され，洗浄等の手間が省かれ，スループットの向上が図られる。
【０１１６】
本発明によれば，他の保持手段に回転機能が備えられるため，洗浄時に基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記基板を乾燥させることができる。したがって，基板の乾燥処理が上述した洗浄時に基板を保持していた保持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が無くなり，現像処理装置が簡素化される。
【０１１７】
本発明によれば，基板を洗浄する洗浄液の温度を調節する温度調節装置が設けられるため，洗浄力の最も高い温度に洗浄液を調節し，この洗浄液を用いて基板の洗浄を行うことができる。したがって，基板が好適に洗浄され，基板上に残留する現像液により引き起こされる現像欠陥等が防止されるため，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態で用いられる現像処理装置の横断面の説明図である。
【図５】第１の実施の形態で用いられる現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図６】現像部内の純水供給管の一部と純水供給口の外観を示す斜視図である。
【図７】現像部で用いられるウェハの保持手段の説明図である。
【図８】現像部内に配置された搬送手段の外観を示す斜視図である。
【図９】搬送手段のアーム部分を拡大した説明図である。
【図１０】現像部の保持手段に保持されたウェハが混合液の液面に浸漬された状態を示した説明図である。
【図１１】吸着部を有する保持手段を示した説明図である。
【図１２】下に凸状に形成された保持手段を示した説明図である。
【図１３】第２の実施の形態に用いられる現像処理装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
２０    現像処理装置
６１    貯留容器
７０    保持手段
６５    現像液供給手段
６６    純水供給手段
１００  第２の保持手段
１０６  洗浄液供給手段
１０７  裏面洗浄液供給手段
１０８  温度調節装置
Ｓ    処理面
Ｅ    液面
Ａ    気体
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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