(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下が開口された炭化ケイ素質材料からなるインナーチューブと、このインナーチューブの外周を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下部が開口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウターチューブと、前記インナーチューブ及び前記アウターチューブの下部を支持する基台と、前記アウターチューブの前記フランジ部下面と前記基台との間に介在されたシールリングと、この基台の中央部に設けた開口に対して開閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチューブの外周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁とを備えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチューブが炭化ケイ素質材料からなり、前記基台の前記シールリングよりも内周に、前記基台と一体又は別部材からなる、環状で断面が曲面状の突出部が設けられており、この突出部に、前記アウターチューブのフランジ部下面が当接支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記突出部が、環状で断面が円弧状の板バネからなる請求項１記載の低圧ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記基台の前記シールリングよりも外周に、前記突出部よりも圧縮変形しやすい材質の環状の支持材が設けられ、前記アウターチューブのフランジ部下面は、前記突出部と、前記シールリングと、前記支持材とに当接している請求項１又は２記載の低圧ＣＶＤ装置。
【請求項４】
上下が開口された炭化ケイ素質材料からなるインナーチューブと、このインナーチューブの外周を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下部が開口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウターチューブと、前記インナーチューブ及び前記アウターチューブの下部を支持する基台と、前記アウターチューブの前記フランジ部下面と前記基台との間に介在されたシールリングと、この基台の中央部に設けた開口に対して開閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチューブの外周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁とを備えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチューブが炭化ケイ素質材料からなり、前記アウターチューブのフランジ部下面は、半径方向外方に向かうほど上方に傾斜するテーパ状をなし、かつ、前記フランジ部下面の内周部が断面曲面状に形成されていて、この曲面状部分が前記基台に直接又は間接的に当接支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記アウターチューブの外周面と前記フランジ部との接合部のコーナーが鈍角又はＲ付となるように炭化ケイ素質材料が肉盛りされており、前記フランジ部の角部が面取り又はＲ付に形成されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の低圧ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの表面に、例えば窒化シリコン等の膜を形成する際に用いられる低圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、上記のような低圧ＣＶＤ装置としては、例えば図６に示すような装置が用いられている（特開平５−１６６７４１号参照）。この低圧ＣＶＤ装置は、アウターチューブ１１とインナーチューブ１２とで二重管１３を構成している。アウターチューブ１１及びインナーチューブ１２の下部には、基台１４が配置され、これらのチューブ１１、１２を支持している。基台１４には、インナーチューブ１２の内側の空間に連通するガス導入管１５と、インナーチューブ１２とアウターチューブ１１との間の空間に連通する排気管１６とが取付けられている。
【０００３】
基台１４の下面には開口があり、リフト１８によって昇降動作する蓋体１７が開閉可能に取付けられている。蓋体１７上には、台座１９を介してウエハボート２０が設置され、ウエハボート２０には、多数の半導体ウエハＷが支持されている。したがって、リフト１８により蓋体１７が上昇すると、蓋体１７上に台座１９を介して設置されたウエハボート２０及びウエハＷが二重管１３内に導入され、蓋体１７が基台１４の開口を封止する。また、リフト１８により蓋体１７が下降すると、基台１４の開口が開いて、蓋体１７上に台座１９を介して設置されたウエハボート２０及びウエハＷが取り出されるようになっている。また、二重管１３の外周には、ヒータを有する円筒状の炉体２１が配置されている。
【０００４】
上記従来の低圧ＣＶＤ装置において、アウターチューブ１１の材質としては、石英ガラスが用いられていた。その理由は、石英ガラスは、高純度のものが得やすく、半導体ウエハＷの汚染防止の上で好ましいと考えられたからである。また、石英ガラスは、低温ＣＶＤ装置用として十分な耐熱性を有しており、熱膨張係数が非常に小さいので、炉体２１内部に配置された部分と、炉体２１の下方に配置された部分との間に温度差があっても、熱応力による破損は起きなかった。また、石英ガラスは、熱伝導率が小さいので、アウターチューブの下面の温度が高くならず、気密シールも容易である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
低圧ＣＶＤ装置によって、半導体ウエハＷの表面にＣＶＤにより被膜を形成するとき、アウターチューブ１１の内面や、インナーチューブ１２の表面にもＣＶＤ膜が形成される。ところが、このＣＶＤ膜は剥れやすく、パーティクルが発生して半導体ウエハＷを汚染するという問題があった。このため、アウターチューブ１１及びインナーチューブ１２を洗浄して、表面に付着したＣＶＤ膜を除去する操作を頻繁に行う必要があった。
【０００６】
本発明者らは、上記従来の低圧ＣＶＤ装置においてＣＶＤ膜が剥れてパーティクルが発生する理由は、アウターチューブ１１の材質である石英の熱膨張率0.54×10-6／℃と、窒化シリコン膜等のＣＶＤ膜の熱膨張率４〜７×10-6／℃との差が大きいことにあると考えた。
【０００７】
そこで、本発明者らは、炭化ケイ素の熱膨張率4.5 ×10-6／℃が、上記窒化シリコン膜等のＣＶＤ膜の熱膨張率に近いことから、アウターチューブ１１の材質を炭化ケイ素にすることにより、上記のパーティクルの問題を解決できるのではないかと考えた。
【０００８】
ところが、アウターチューブ１１の材質を炭化ケイ素質材料とした場合には、石英ガラスと比べて炭化ケイ素はヤング率、熱膨張率及び熱伝導率が大きい材料であるため、アウターチューブ１２の炉体２１内部に配置された部分から、炉体２１の下方の基台１４に接触する部分に熱が伝わり、冷却された基台１４と接触させるとその近傍に大きな温度勾配が発生して、熱応力による破損が生じやすいという新たな問題が生じることがわかった。
【０００９】
すなわち、図７は、炭化珪素ケイ素質材料からなるアウターチューブ２２を形成し、基台６５上の環状の溝６５ａに挿入されたシールリング６８を介して、アウターチューブ２２を基台６５上に設置した状態を示す。なお、アウターチューブ２２は、円筒状の周壁２２ａと、この周壁２２ａの上面を閉塞する上壁２２ｂと、周壁２２ａの下端外周に設けられたフランジ部２２ｃとで構成されている。シールリング６８は、フランジ部２２ｃの下面中央に配置されている。
【００１０】
ところが、上記のような一般的な構造では、周壁２２ａの炉体２１のヒータに近接した部分が高温となり、基台６５に当接した部分が低温となるため、熱膨張差によって周壁２２ａの下端部近傍の直径が相対的に小さくなり、フランジ部２２ｃが図７に示すように、半径方向外方に向かうほど下方に傾斜したテーパ状になる。このため、フランジ部２２ｃの下面外周が基台６５に強く当接して荷重Ｗを受けることになる。また、外周側のみ接するので、冷却が外周側から行われ、フランジ部内外周の温度差も生じるようになる。
【００１１】
その結果、フランジ部２２ｃの外周及び上面Ａには、強い周方向引張応力が作用する。更に、アウターチューブ２２内を減圧した場合には、フランジ部２２ｃが基台６５上面に強く押し付けられるため、周壁２２ａとフランジ部２２ｃとの接合部Ｃに強い曲げ応力が作用する。こうして、炭化ケイ素質材料からなるアウターチューブ２２は、短期間のうちに破損してしまい、十分な耐久性を得ることができなかった。なお、図７では、基部Ｂ等が大きく湾曲した形状をなしているが、これは熱変形状態を誇張して示したものであり、実際にはこれほど大きく湾曲しているわけではない。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、ＣＶＤ膜が剥れて発生するパーティクルによる汚染が生じにくく、しかもアウターチューブの耐久性に優れた低圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１は、上下が開口された炭化ケイ素質材料からなるインナーチューブと、このインナーチューブの外周を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下部が開口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウターチューブと、前記インナーチューブ及び前記アウターチューブの下部を支持する基台と、前記アウターチューブの前記フランジ部下面と前記基台との間に介在されたシールリングと、この基台の中央部に設けた開口に対して開閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチューブの外周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁とを備えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチューブが炭化ケイ素質材料からなり、前記基台の前記シールリングよりも内周に、前記基台と一体又は別部材からなる、環状で断面が曲面状の突出部が設けられており、この突出部に、前記アウターチューブのフランジ部下面が当接支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１５】
本発明の第２は、前記第１の発明において、前記突出部が、環状で断面が円弧状の板バネからなる低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１６】
本発明の第３は、前記第１又は２の発明において、前記基台の前記シールリングよりも外周に、前記突出部よりも圧縮変形しやすい材質の環状の支持材が設けられ、前記アウターチューブのフランジ部下面は、前記突出部と、前記シールリングと、前記支持材とに当接している低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１７】
本発明の第４は、上下が開口された炭化ケイ素質材料からなるインナーチューブと、このインナーチューブの外周を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下部が開口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウターチューブと、前記インナーチューブ及び前記アウターチューブの下部を支持する基台と、前記アウターチューブの前記フランジ部下面と前記基台との間に介在されたシールリングと、この基台の中央部に設けた開口に対して開閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチューブの外周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁とを備えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチューブが炭化ケイ素質材料からなり、前記アウターチューブのフランジ部下面は、半径方向外方に向かうほど上方に傾斜するテーパ状をなし、かつ、前記フランジ部下面の内周部が断面曲面状に形成されていて、この曲面状部分が前記基台に直接又は間接的に当接支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１８】
本発明の第５は、前記第１〜４のいずれか１つの発明において、前記アウターチューブの外周面と前記フランジ部との接合部のコーナーが鈍角又はＲ付となるように炭化ケイ素質材料が肉盛りされており、前記フランジ部の角部が面取り又はＲ付に形成されている低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１９】
本発明の第１によれば、アウターチューブの材質をＣＶＤ膜と熱膨張率が近い炭化ケイ素質材料としたことにより、アウターチューブ内面に形成されたＣＶＤ膜が剥れにくくなり、ＣＶＤ膜がある程度厚くなるまでそのまま繰返し使用できるため、ＣＶＤ膜を除去するための洗浄操作の回数を顕著に少なくすることができる。
【００２０】
また、アウターチューブは、主としてフランジ部のシールリングよりも内周の部分が、基台に直接又は間接的に当接することにより支持されているので、例えば図１に示すように、熱膨張差によってアウターチューブ７２の周壁７２ａの下端部近傍の直径が相対的に小さくなって、フランジ部７２ｃが半径方向外方に向かうほど下方に傾斜したテーパ状になっても、アウターチューブ７２の荷重Ｗがシールリング６８よりも内周で支持され、またフランジ部７２ｃの内周から冷却が行われるため、フランジ部７２ｃの外周及び上面Ａにかかる引張り応力や、周壁７２ａの下端部Ｃにかかる曲げ応力等が軽減され、アウターチューブ７２の破損を防止することができる。
【００２１】
また、基台のシールリングよりも内周に、基台と一体又は別部材からなる、環状で断面が曲面状の突出部を設けたことにより、アウターチューブのフランジ部下面がこの突出部に当接支持される。また、突出部の断面が曲面状をなしているので、フランジ部下面が突出部上面に均一に当接し、片当りによる応力集中が避けられる。
【００２２】
本発明の第２によれば、前記突出部が環状で断面が円弧状の板バネからなるので、フランジ部下面がより均一に突出部に当接し、片当りによる応力集中を更に効果的に防止することができる。また、局所的な冷却による温度差の発生を防止することができる。
【００２３】
本発明の第３によれば、基台のシールリングよりも外周に、前記突出部よりも圧縮変形しやすい材質の環状の支持材を設け、アウターチューブのフランジ部下面を前記突出部と前記シールリングと前記支持材とに当接させたので、アウターチューブを設置しやすくなると共に、アウターチューブが熱膨張差で前記のように変形するときには、支持材が先に圧縮変形するので、アウターチューブの荷重は主として突出部によって支持される。
【００２４】
本発明の第４によれば、アウターチューブのフランジ部下面が、半径方向外方に向かうほど上方に傾斜するテーパ状をなし、かつ、フランジ部下面の内周部が断面曲面状に形成されていて、この曲面状部分が基台に直接又は間接的に当接支持されているので、アウターチューブが熱膨張差によって前記のように変形しても、アウタチューブの荷重をフランジ部下面の内周部で支持することができる。また、フランジ部下面の内周部が断面曲面状に形成されているので、片当りによる応力集中を避けることができる。
【００２５】
本発明の第５によれば、アウターチューブの外周面とフランジ部との接合部のコーナーが鈍角又はＲ付となるように炭化ケイ素質材料を肉盛りし、フランジ部の角部を面取り又はＲ付に形成したことにより、フランジ部の接合部や角部に熱応力が集中することを避けて、破損をより効果的に防止することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１〜３には、本発明による低圧ＣＶＤ装置の一実施例が示されている。
図２に示すように、この低圧ＣＶＤ装置６０は、金属缶体６１と、その内周に貼られた断熱材６２とからなる炉壁６３を有している。炉壁６３の内周にはヒータ６４が取付けられ、炉壁６３の下面は基台６５によって閉塞されている。基台６５の中央には、半導体ウエハＷの導出入口をなす開口が設けられ、図示しないリフトによって昇降動作することにより、上記開口を開閉する蓋体６６が設けられている。更に、基台６５にはガスの導入排出口６７が設けられている。
【００２７】
基台６５上には、上下端面が開口された炭化ケイ素質材料からなるインナーチューブ７１と、このインナーチューブ７１の外周を所定の間隙をもって囲む、同じく炭化ケイ素質材料からなるアウターチューブ７２の二重管７３が設置されている。アウターチューブ７２は、円筒状の周壁７２ａと、この周壁７２ａの上面を閉塞する上壁７２ｂと、周壁７２ａの下端外周に設けられたフランジ部７２ｃとで構成されている。基台６５のフランジ部７２ｃの下面が接する部分には、基台６５と一体の環状の突出部分６９と、その外周に配置された耐熱性ゴム等からなるシールリング６８が配置されている。なお、基台６５内には、図示しない水冷ジャケットが形成されており、シールリング６８の熱損傷を防止するようにしている。
【００２８】
図１に示すように、基台６５の突出部６９は、断面が曲面状、より具体的にはかまぼこ型をなし、フランジ部７２ｃが熱変形によって傾斜しても、その下面が常に均一に当るようになっている。シールリング６８は、突出部６９の外周に配置され、フランジ部７２ｃが熱変形によって傾斜したときには、より圧縮されるようになっている。なお、図１では、アウターチューブ７２の周壁７２ａの基部が大きく湾曲した形状をなしているが、これは熱変形状態を誇張して示したものであり、実際にはこれほど大きく湾曲しているわけではない。
【００２９】
なお、アウターチューブ７２の外周面７２ａとフランジ部７２ｃとの接合部のコーナー７２ｄは、鈍角又はＲ付となるように、炭化ケイ素質材料からなる接着剤が肉盛りされており、フランジ部７２ｃのそれぞれの角部７２ｅは、面取り又はＲ付に形成されている。この場合、コーナー７２ｄ及び角部７２ｅを鈍角又は面取り形状にする場合には、その角度が110 °以上となるようにすることが好ましい。また、コーナー７２ｄ及び角部７２ｅをＲ付にする場合には、Ｒの半径は１〜４mmとするのが好ましい。
【００３０】
なお、アウターチューブ７２は、例えば泥漿鋳込み成形等の方法によって一体成形して作れるが、図３に示すように、周壁７２ａ、上壁７２ｂ、フランジ部７２ｃのそれぞれの部分を、炭化ケイ素粉末を原料として別々に成形した後、これらの部分を炭化ケイ素の接着剤で接合して作ることもできる。
【００３１】
次に、図１〜３に示した低圧ＣＶＤ装置の使用方法について説明する。
ウエハボート５０に多数の半導体ウエハＷを挿入支持させ、蓋体６６上に載せて二重管７３内に導入し、蓋体６６によって基台６５の開口部を閉じる。そして、ガス導入排出口６７を通して二重管７３内を減圧し、反応ガスを導入して半導体ウエハＷの表面にＣＶＤ膜を形成する。こうして成膜が終了したら、二重管７３内の減圧を解除し、蓋体６６を下降させてウエハボート５０に支持された半導体ウエハＷを取出す。このような操作を繰返すことにより、半導体ウエハＷの表面に繰返しＣＶＤ膜を形成することができる。
【００３２】
上記の成膜操作において、アウターチューブ７２の内面及びインナーチューブ７１の表面にもＣＶＤ膜が形成される。このＣＶＤ膜が剥れると、パーティクルとなって半導体ウエハＷを汚染し、歩留良く製品を製造できない。このため、成膜操作を何回か繰返した後に、アウターチューブ７２及びインナーチューブ７１を洗浄して、ＣＶＤ膜を除去する必要がある。従来はこの洗浄操作を頻繁に行う必要があったため、製造の作業性を低下させる原因となっていた。
【００３３】
しかし、本発明では、アウターチューブ７２及びインナーチューブ７１のいずれも炭化ケイ素質材料からなり、炭化ケイ素質材料がＣＶＤ膜に近い熱膨張率を有しているため、ＣＶＤ膜が比較的厚くなっても剥れにくく、上記洗浄操作の間隔を長くしてＣＶＤ装置の休止期間を短くし、製造の作業性を向上させることが可能となった。
【００３４】
また、アウターチューブ７２を熱伝導性のよい炭化ケイ素質材料にすると、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃが、水冷ジャケットで冷却される基台６５に接して冷却を受け、アウターチューブ７２のそれより上の部分は、ヒータ６４により加熱されて高温となるため、図１に示すように、熱膨張差によって周壁７２ａの下端部近傍の直径が相対的に小さくなり、フランジ部７２ｃが半径方向外方に向かうほど下方に傾斜したテーパ状になる。この状態で、アウターチューブ７２内を減圧すると、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃ下面には、基台６５に対して下向きの強い荷重Ｗが作用する。
【００３５】
しかし、本発明では、基台６５上に突出部６９が形成され、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃの内周部分が、常に突出部６９に当接して支持されるので、フランジ部７２ｃの内周側から冷却が行われ、フランジ部７２ｃの外周及び上面Ａにかかる引張り応力や、周壁７２ａの下端部Ｃにかかる曲げ応力等が軽減され、アウターチューブ７２の破損を防止することができる。
【００３６】
更に、この実施例では、アウターチューブ７２の周壁７２ａとフランジ部７２ｃとの接合部のコーナー７２ｄが鈍角又はＲ付となるように炭化ケイ素質材料を肉盛りし、フランジ部７２ｃの角部７２ｅを面取り又はＲ付に形成したことにより、それらの部分に熱応力が集中することを防止して、フランジ部７２ｃの破損をより一層効果的に防止できる。
【００３７】
図４には、本発明による低圧ＣＶＤ装置の他の実施例が示されている。なお、図１〜３の実施例と実質的に同一部分には同符号を付して、その説明を省略することにする。
【００３８】
この実施例では、基台６５上に環状の溝７５が形成され、この溝７５内の内周にシールリング６８が配置され、溝７５内の外周に環状の支持材７６が配置されている。シールリング６８、支持材７６は、いずれもフッ素系樹脂等の耐熱性合成樹脂又はゴムからなる。そして、シールリング６８の更に内周に、環状で断面が円弧状の板バネ７７が配置されている。この板バネ７７は、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃ下面から受ける荷重に対して、ある程度柔軟に変形できる程度の弾性を有しているが、上記支持材７６よりは剛性が高くなっている。
【００３９】
したがって、アウタチューブ７２が図１に示すように熱変形したとき、フランジ部７２ｃの外周が支持材７６を圧縮させて下方に傾斜し、アウターチューブ７２の荷重は、主として板バネ７７によって支持される。また、板バネ７７が断面円弧状をなし、かつ、弾性変形することにより、フランジ部７２ｃの片当りが防止され、応力集中及び局所的な冷却が避けられる。このため、アウターチューブ７２の破損をより効果的に防止することができる。
【００４０】
図５には、本発明による低圧ＣＶＤ装置の更に他の実施例が示されている。なお、図１〜３の実施例と実質的に同一部分には同符号を付して、その説明を省略することにする。
【００４１】
この実施例では、基台６５上に環状の溝７５が形成され、この溝７５内にシールリング６８が嵌着されている。そして、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃの下面７２ｆが、半径方向外方に向けて上方に傾斜したテーパ状をなし、この下面７２ｆの内周側の角部７２ｇが、断面曲面状、この実施例ではＲ付に形成されている。そして、アウターチューブ７２は、上記フランジ部７２ｃの下面７２ｆの内周角部７２ｇにおいて、基台６５上面に当接支持されている。
【００４２】
したがって、アウタチューブ７２が図１に示すように熱変形しても、フランジ部７２ｃの下面７２ｆの外周部と基台６５との間に隙間が設けられているので、アウターチューブ７２は、常にフランジ部７２ｃの下面７２ｆの内周角部７２ｇで支持される。また、フランジ部７２ｃの下面７２ｆの内周角部７２ｇが曲面状をなしているので、フランジ部７２ｃが熱変形によって傾斜しても、基台６５に対して常に均一に当るようになっている。このような構造によっても、アウターチューブ７２の破損を効果的に防止することができる。
【００４３】
【実施例】
図１、２に示した低圧ＣＶＤ装置において、アウターチューブ７２の外径が３１０mm、チューブ厚が４mm、フランジ部７２ｃの外径が３５０mm、フランジ部７２ｃの厚さが１２mmとする。また、アウターチューブ７２のヒータ６４が配置された部分の温度（均熱部温度）が７８０℃、基台６５に当接する部分の温度（冷却部位温度）が２５０℃とし、ヒータ６４下端からフランジ部７２ｃまでの距離を１５０mmとする。
【００４４】
上記の設定で、基台６５上に突出部６９を設け、フランジ部７２ｃの下面内周を突出部６９に当接させた本発明の実施例の場合と、基台６５を図７に示すような平面とし、熱変形するとフランジ部の下面外周が基台６５に当接する場合とについて、それぞれ発生応力を計算して比較した。
【００４５】
その結果、熱歪みによるフランジ部上面の応力は、図７の例では最大値４．６kgf/mm2 であったが、図１、２に示した実施例の場合には３．１kgf/mm2 に低減された。また、熱歪み＋内部真空によるフランジ部の接合部内周の応力は、図７の例では最大値６．６kgf/mm2 であったが、図１、２に示した実施例の場合には３．６kgf/mm2 に低減された。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アウターチューブの材質をＣＶＤ膜と熱膨張率が近い炭化ケイ素質材料としたことにより、アウターチューブ内面に形成されたＣＶＤ膜が剥れにくくなり、ＣＶＤ膜がある程度厚くなるまでそのまま繰返し使用できるため、ＣＶＤ膜を除去するための洗浄操作の回数を少なくして、製造の作業性を向上させることができる。
【００４７】
また、アウターチューブは、主としてフランジ部のシールリングよりも内周の部分が、基台と一体又は別部材からなる、環状で断面が曲面状の突出部により支持されているので、アウターチューブが熱変形しても、アウターチューブの荷重がシールリングよりも内周で常に支持されるため、フランジ部の外周及び上面にかかる引張り応力や、周壁の下端部にかかる曲げ応力等が軽減され、アウターチューブの破損を防止することができる。また、突出部の断面が曲面状をなしているので、フランジ部下面が突出部上面に均一に当接し、片当りによる応力集中が避けられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による低圧ＣＶＤ装置の一実施例を示す要部断面図である。
【図２】同低圧ＣＶＤ装置の全体を示す正面断面図である。
【図３】本発明による低圧ＣＶＤ装置に用いられるアウターチューブの成形方法の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明による低圧ＣＶＤ装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図５】本発明による低圧ＣＶＤ装置の更に他の実施例を示す要部断面図である。
【図６】従来の低圧ＣＶＤ装置の一例を示す断面図である。
【図７】低圧ＣＶＤ装置においてアウターチューブを炭化ケイ素質材料とした場合の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
５０  ウエハボート
６０  低圧ＣＶＤ装置
６３  炉壁
６４  ヒータ
６５  基台
６７  ガス導入排出管
６８  シールリング
６９  突出部
７１  インナーチューブ
７２  アウターチューブ
７２ａ  周壁
７２ｂ  上壁
７２ｃ  フランジ部
７２ｄ  コーナー
７２ｅ  角部
７２ｆ  下面
７２ｇ  内周角部
７３  二重管
７５  環状の溝
７６  支持材
７７  板バネ
【図１】
0003861350.tif 000002
【図２】
0003861350.tif 000003
【図３】
0003861350.tif 000004
【図４】
0003861350.tif 000005
【図５】
0003861350.tif 000006
【図６】
0003861350.tif 000007
【図７】
0003861350.tif 000008