(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、前記第１電極に接続してなるスイッチング素子とを有する有効発光領域と、
前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、を含み、
前記有効発光領域及び前記ダミー領域には、前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層がマトリクス状に配置されており、
前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、
前記ダミー領域において、前記スイッチング素子を走査する走査信号を供給する走査線が前記絶縁部の下方に形成されてなる
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記走査線と前記絶縁部との間には、複数の層間絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２電極は、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の各々を駆動するための画素回路とを有する有効発光領域と、
前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、を含み、
前記有効発光領域及び前記ダミー領域には、前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するための前記走査線に対して交差する信号線と、マトリクス状に配置され前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層とが形成されており、
前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、
前記第２電極は、前記有効発光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されており、
前記ダミー領域において、前記走査線は前記絶縁部の下方に形成されており、
前記信号線と前記第２電極との間には少なくとも層間絶縁層が形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、さらに前記画素回路を介して当該画素回路に対応する前記発光素子に駆動電力を供給する電源配線を含み、
前記電源配線は、前記走査線とは異なる層に形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、少なくとも前記有効発光領域内に配置される前記電源配線は、前記走査線と前記第２電極との間に形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の発光装置において、前記電源配線と前記走査線との間には、層間絶縁層が形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載の発光装置において、前記電源配線と前記第２電極との間には、層間絶縁層が形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれかに記載の発光装置において、前記第２電極は、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子には、正孔注入／輸送層が形成されてなることを特徴とする請求項５から請求項１０の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
第１電極と第２電極との間に形成された発光層を含む発光素子と、前記発光素子を駆動するための画素回路と、が複数形成されてなる有効発光領域と、
前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、
前記画素回路に走査信号を供給するための走査線と、
前記画素回路にデータ信号を供給するためのデータ信号と、を含み、
前記有効発光領域及び前記ダミー領域において、前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層がマトリクス状に配置され、前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、
前記ダミー領域に設けられた前記走査線は、前記ダミー領域に設けられた前記絶縁部により前記第２電極から離間されて形成されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置及び電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持された構造のカラー発光装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ装置の開発が行われている。以下、典型的な発光装置（有機ＥＬ装置）について簡単に説明する。
【０００３】
図１２は、典型的な発光装置の配線構造を示す図である。図１２に示したように、典型的な発光装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並行して延びる複数の電源配線９０３とがそれぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されている。
【０００４】
また、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄膜トランジスタ９１４を介して電源配線９０３に電気的に接続されたときに電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
上記の発光層９１０には、赤色に発光する発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接続される電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
以上の構成において、走査線９０１に走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給されている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から得られる。
上記のように複数の電気光学素子の各々に対応して設けられた画素回路により駆動される式は、アクティブマトリクス駆動方式として知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９８／３６４０号パンフレット。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した発光装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させるためには、電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。しかしながら、図１２に示したように、走査線９０１、信号線９０２、及び電源配線９０３が入り組んで配線されているため、電源配線９０３と走査線９０１及び信号線９０２との間の寄生容量が生じている。この寄生容量が大きいと、定められた期間内に画像信号を画素領域Ａに供給することができず、コントラストの低下が生ずる等の正常な画像表示を行えない虞があるという問題があった。
【０００８】
また、上記の発光装置が携帯性を有する電子機器、例えば携帯電話機の発光装置として用いられる場合には、表示面積の大面積化が求められるとともに、小型・軽量化が求められる。この両方の要求に応えるためには、発光装置の表示面を有効に利用した構成とする必要がある。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配線間の寄生容量を少なくすることにより、画像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像表示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用を図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、前記第１電極に接続してなるスイッチング素子とを有する有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、を含み、前記有効発光領域及び前記ダミー領域には、前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層がマトリクス状に配置されており、前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、前記ダミー領域において、前記スイッチング素子を走査する走査信号を供給する走査線が前記絶縁部の下方に形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、表示に寄与する有効発光領域以外の表示に寄与しないダミー領域において、走査線が絶縁部の下方に形成されているため、寄生容量を低減させることができる。
【００１２】
上記の発光装置は、前記走査線と前記絶縁部との間には、複数の層間絶縁層が形成されていること
この発明によれば、走査線と絶縁部との間に複数の層間絶縁層を形成することで、走査線と第２電極との間隔を広げることができるため、走査線と第２電極との間に生ずる寄生容量を低下させる上で好適である。
【００１３】
また、上記の発光装置において、前記第２電極が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されていることが好ましい。
【００１４】
更に、上記の発光装置において、前記発光素子には、正孔注入／輸送層が形成されていてもよい。
【００１５】
この発明によれば、発光素子が正孔注入／輸送層と発光層とが積層されてなり、この発光層に対して電位変動の少ない駆動電流を印加することにより、高輝度で正確な色彩の表示を行うことができる。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の第２の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の各々を駆動するための画素回路とを有する有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、を含み、前記有効発光領域及び前記ダミー領域には、前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するための前記走査線に対して交差する信号線と、マトリクス状に配置され前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層とが形成されており、前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、前記ダミー領域において、前記走査線は前記絶縁部の下方に形成されており、前記信号線と前記第２電極との間には少なくとも層間絶縁層が形成されていること、を特徴とする。
【００１７】
また、上記の発光装置において、さらに前記画素回路を介して当該画素回路に対応する前記発光素子 に駆動電力を供給する電源 配線を含み、前記電源配線は、異なる層に形成されていることが好ましい。このような構成とすることにより、配線のためのスペースを有効に利用することができる。
上記の発光装置において、前記電源配線のうち少なくとも前記有効発光領域に配置される部分は、前記走査線と前記第２電極との間に形成されていることが好ましい。このような構成とすることにより、前記走査線は前記電源配線に比べて前記第２電極から離れて形成されることとなるので、前記走査線を介して供給される走査信号の遅延やなまりなどの問題が低減される。また、前記電源配線が前記走査線に比べて前記第２電極に接近して配置されるので、前記電源配線と前記第２電極との間に積極的に容量を形成することも可能となる。前記電源配線と前記第２電極との間に積極的に容量を形成することにより、前記電源配線を介して供給される駆動電力の変動が低減され、駆動電力が安定化される。
上記の発光装置において、前記電源配線と前記第２電極との間には、層間絶縁層が形成されていることが好ましい。
【００１８】
上記の発光装置において、前記第２電極が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されていることが好ましい。
【００１９】
上記の発光装置において、前記発光素子には、正孔注入／輸送層が形成されてなることが好ましい。
本発明の第３の発光装置は、第１電極と第２電極との間に形成された発光層を含む発光素子と、前記発光素子を駆動するための画素回路と、が複数形成されてなる有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミー領域と、前記画素回路に走査信号を供給するための走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するためのデータ信号と、を含み、前記有効発光領域及び前記ダミー領域において、前記発光素子を構成する少なくとも１つの機能層がマトリクス状に配置され、前記機能層の周囲には絶縁部が設けられており、前記ダミー領域に設けられた前記走査線は、前記ダミー領域に設けられた前記絶縁部により前記第２電極から離間されて形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の発光装置を表示装置として備えることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による発光装置及び電子機器について詳細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図である。
【００２２】
図１に示した発光装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。図１に示す本実施形態の発光装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延びる複数の電源配線１０３とがそれぞれ配線されており、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２３】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２には、薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００２４】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）１１２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチング素子）１２３、画素電極（第１電極）１１１、発光層１１０、及び陰極（第２電極）１２とが設けられる。尚、第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子は、本発明にいうスイッチング素子に相当しており、上記２つのトランジスタにより画素回路が構成されている。スイッチング薄膜トランジスタ１１２は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、走査線１０１から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、スイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する。
【００２５】
カレント薄膜トランジスタ１２３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ１１２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して電源配線１０３に電気的に接続したときに電源配線１０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
【００２６】
上記の少なくとも陽極、発光装置、及び陰極によって形成される発光層１１０には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、及び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに接続される電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線されているのは、発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００２７】
また、本実施形態の発光装置においては、陰極１２と電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂとの間に第１の静電容量Ｃ1が形成されている。発光装置１が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ1に電荷が蓄積される。発光装置１の駆動中に各電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。
【００２８】
尚、この発光装置１においては、走査線１０１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを介して陰極１２に電流が流れる。このとき、発光層１１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０から得られる。
【００２９】
次に、本実施形態の発光装置１の具体的な構成について、図２〜図４を参照して説明する。図２は、本実施形態の発光装置の平面模式図であり、図３は、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。図２に示すように、本実施形態の発光装置１は、基板２、不図示の画素電極群領域、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）、及び画素部３（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。
【００３０】
基板２は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図１に示したカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省略）を基板２上にマトリックス状に配置した領域である。電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続されている。画素部３は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状である。この画素部３は、中央部分の有効発光領域４（図中二点鎖線の枠内）と、有効発光領域４の外側に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３１】
また、有効発光領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が配置されている。この走査線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に位置して設けられている。更に、ダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。また更に、有効発光領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の発光装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３２】
図２に示すように、電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の周囲に配設されている。各電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領域５の外側に沿って延在し、有効発光領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されている。この陰極用配線１２ａは、電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００３３】
また、基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用ＩＣ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１、及び発光用電源回路１３２が内蔵されている。
【００３４】
次に、図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に画素部３が形成されている。また、基板２には、画素部３を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、画素部３と封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３５】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソース電極）には、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略している。更に、図３及び図４においては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図４においては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及びカレント薄膜トランジスタ１２３の図示を省略している。
【００３６】
次に、図３において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。図３に示した走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。尚、図４においては、検査回路１０６の図示を省略しているが、この検査回路１０６にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。検査回路１０６に備えられている薄膜トランジスタは、後述するダミー画素電極１１１´に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
【００３７】
図３に示すように、走査線駆動回路１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。また、図４に示したように、下地保護層２８１上には、走査線１０１が形成されている。更に、走査線回路用制御信号配線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成されている。また、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、電源配線１０３が形成されている。この電源配線１０３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用しており、前述したように画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
【００３８】
例えば、図３中左側にある赤色用の電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ1上に形成された第２配線１０３Ｒ2とから構成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｒ3により接続されている。このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰極用配線１２ａはコンタクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線１０３Ｒ2は、陰極用配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をとることで、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間、及び、第２配線１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００３９】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2とから構成され、第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1及び第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ3，１０３Ｂ3により接続されている。そして、青色の第１配線１０３Ｂ1と陰極用配線１２ａの間、及び、青色の第２配線１０３Ｂ2と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４０】
第１配線１０３Ｒ1と第２配線１０３Ｒ2との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び走査線１０１のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例えば、有効発光領域４内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込む事ができないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板２が割れる恐れが生じる。
【００４１】
また、各電源配線１０３Ｒの上側には、画素部３から延出した陰極１２が形成されている。これにより、各電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ2が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ2と陰極１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ1が形成される。ここで、第２配線１０３Ｒ2と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ2と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板２が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むと膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００４２】
このように、本実施形態の発光装置１は、電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。
特に、電源配線１０３と陰極１２とが画素部３の外側で対向しているので、電源配線１０３と陰極１２との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷も電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００４３】
ここで、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５は、画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成されている。
【００４４】
尚、図５においては、カレント薄膜トランジスタ１２３の断面構造を示しているが、スイッチング薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。スイッチング薄膜トランジスタ１１２のゲート電極２４２は図４に示した走査線１０１に接続される。また、ゲート電極２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとする。
【００４５】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中左側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成されている。
【００４６】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース電極２４３と同一層に形成されたドレイン電極２４４に接続されている。
【００４７】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すように、画素電極１１１は有効発光領域４に対応する位置に形成されているが、有効発光領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１´が設けられる。このダミー画素電極１１１´は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
【００４８】
次に、画素部３の実画素領域４には、発光層１１０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されている。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に備えられており、各発光層１１０を区画している。バンク部１２２は、基板２側に位置する無機物バンク層１２２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００４９】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるまで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００５０】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００５１】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００５２】
次に、図５に示すように、発光層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層１１０及び正孔注入／輸送層１１０ａを含む構成を機能層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０の間に設けることにより、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０では、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００５３】
次に、図３及び図４に示したように、画素部３のダミー領域５には、ダミー発光層２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１´の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１´上に形成されている。
【００５４】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００５５】
ダミー領域５を有効発光領域４の周囲に配置することにより、有効発光領域４の発光層１１０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物インクの乾燥条件を有効発光領域４内で一定にすることができ、有効発光領域４の周縁部で発光層１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００５６】
次に、陰極１２は、有効発光領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち画素部３の外側で電源配線１０３と対向配置されている。また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線１２ａに接続されている。陰極１２は、画素電極１１１の対向電極として発光層１１０に電流を流す役割を果たす。
この陰極１２は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のうち、反射層１２ｃのみが画素部３の外側まで延出されている。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基板２側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ/Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層１２ｂ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００５７】
ここで、図４に示すように、下地保護層２８１上に形成されている走査線１０１は、ダミーバンク部２１２、更にはバンク部２１２の下方に位置するように配置されている。これは、走査線１０１をダミーバンク部２１２及びバンク部２１２の下方に配置することで、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることにより、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さくするためである。
【００５８】
本実施形態においては、走査線１０１と陰極１２との間に、複数の層間絶縁層（第２層間絶縁層２８３及び第１層間絶縁層２８４）及びバンク部２１２が配置されており、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることができるため、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さくする上で極めて好適である。この寄生容量が小さくなることにより、走査線１０１に供給される走査信号の時間的遅延を抑えることができるため、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込むことができるようになり、コントラストの低下を防止することができる。
【００５９】
次に、本実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。まず、図６〜図８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。尚、図６〜図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応している。また、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００６０】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、図６（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
【００６１】
シリコン層２４１は、有効発光領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００６２】
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２４１，２５１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０-17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００６３】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄ，２６１Ｄが形成される。
【００６４】
その後、図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約２００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、電源配線の第１配線１０３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成する。更に、これらのゲート電極２４２，２５２，２６２等を形成するときに、図４に示した走査線１０１を同時に形成する。
【００６５】
更に、ゲート電極２４２，２５２，２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２，２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ，２６１ｂ、及び低濃度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，２５１Ｄが形成される。
【００６６】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ2を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００６７】
そして、図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ1を設ける。次に、図７（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ3を形成する。
【００６８】
次に、図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ3によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４，２５４、各電源配線の第２配線１０３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ2、走査線回路用電源配線１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。
上記のように、第１配線１０３Ｒ1及び１０３Ｂ1を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成するとともに、第２配線１０３Ｒ2及び１０３Ｂ2を陰極用配線１２ｂと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ2が形成される。
【００６９】
以上の工程が終了すると、図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ2を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基板２上に回路部１１が形成される。
【００７０】
次に、図９を参照して、回路部１１上に画素部３を形成することにより発光装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応している。まず、図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、画素電極１１１及びダミー画素電極１１１´を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１´は島状に配置される。
【００７１】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー画素電極１１１´上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１２２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１´を完全に覆うように形成する。ここで、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、図２中のＢ−Ｂ´線に沿う断面において走査線１０１の上方に形成される点に注意されたい。無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無機物膜をパターニングすることにより形成する。
【００７２】
更に、図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層１２２ｂは、無機物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク部１２２を形成する。
【００７３】
続いて、バンク部１２２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に、このプラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有している。
【００７４】
即ち、バンク部１２２を所定温度（例えば７０〜８０°程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク部１２２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７５】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１０及びダミー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発光層１１０並びにダミー発光層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。尚、この発光層１１０及びダミー発光層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７６】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０上に陰極層１２ｂを形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成することにより得られる。このように、反射層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを画素部３から基板２上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３との間に第１の静電容量Ｃ1が形成される。最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に示すような発光装置１が得られる。
【００７７】
このようにして製造された発光装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１０に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は、本発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図１０において６０１は筐体であり、６０２は発光装置であり、６０３はキーボードである。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１１に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、発光装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【００７８】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、表示に寄与する有効発光領域以外の表示に寄与しないダミー領域においても、走査線が絶縁部の下方に形成されているため、寄生容量を低減させる上で効果的であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図２】  本発明の一実施形態による発光装置の平面模式図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図４】  図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。
【図５】  画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。
【図６】  本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】  本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】  本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】  本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】  本発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１１】  他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【図１２】  典型的な発光装置の配線構造を示す図である。
【符号の説明】
４    有効発光領域
５    ダミー領域
１２    陰極（第２電極）
１０１    走査線
１０２    信号線
１０３    電源配線
１１０    発光素子
１１０ａ    正孔注入／輸送層
１１０ｂ    発光層
１１１    画素電極（第１電極）
１１２    スイッチング薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）
１２２    バンク部（絶縁部）
１２３    カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチング素子）
２１２    ダミーバンク部（バンク）
２８３    第２層間絶縁層
２８４    第１層間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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