(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層を現像して前記スルーホール以外の部分の前記第１のレジスト層を除去し、前記スルーホール以外の部分の前記基層上に非反応層を積層し、前記スルーホールの部分の前記第１のレジスト層上及び前記非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、該露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、前記非反応層を除去することにより、前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項２】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層を現像して前記スルーホール以外の部分の前記第１のレジスト層を除去し、前記スルーホール以外の部分の前記基層上に非反応層を積層し、前記スルーホールの部分の前記第１のレジスト層を除去し、前記スルーホールの部分の前記基層上及び前記非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、該露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、前記非反応層を除去することにより、前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項３】
前記非反応層が非感光性有機材料からなる層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層上に感光性フィルムレジストによる第２のレジスト層を積層し、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、前記露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、前記露光した第１のレジスト層を現像して該第１のレジスト層の一部を除去することにより、前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項５】
前記第２のレジスト層の一部を除去した後、加熱処理を行って該第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、前記露光した第１のレジスト層を現像して該第１のレジスト層の一部を除去することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層を現像して前記スルーホール以外の部分の前記第１のレジスト層を除去し、前記スルーホール以外の部分の前記基層上に非反応層を積層し、前記スルーホールの部分の前記第１のレジスト層上及び前記非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、該露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、前記非反応層を除去することにより、前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項７】
基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層を現像して前記スルーホール以外の部分の前記第１のレジスト層を除去し、前記スルーホール以外の部分の前記基層上に非反応層を積層し、該非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、該露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、前記非反応層を除去することにより、前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項８】
前記第２のレジスト層の一部を除去した後、加熱処理を行って前記第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、全ての前記非反応層を除去することを特徴とする請求項１、２、６又は７に記載の方法。
【請求項９】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層上にセパレータ層及び第２のレジスト層を積層し、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、前記露光した第２のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って前記第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、前記セパレータ層の一部を除去し、前記露光した第１のレジスト層を現像して該第１のレジスト層の一部を除去することにより、前記第１のレジスト層、前記セパレータ層及び前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項１０】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、該第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、該露光した第１のレジスト層を現像して前記スルーホールの部分の前記第１のレジスト層を除去し、加熱処理を行って前記第１のレジスト層の上面の前記スルーホールの縁端を傾斜させ、該第１のレジスト層上及び前記スルーホールの部分の前記基層上にセパレータ層を積層し、該セパレータ層上に第２のレジスト層を積層した後、該第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、該露光した第２のレジスト層及び前記第１のレジスト層を現像して該第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って前記第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、前記セパレータ層の一部を除去し、全ての前記第１のレジスト層を除去することにより、前記第２のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記マスクパターンとして、上部の幅が下部の幅より大きいマスクパターンを形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法により形成したマスクパターンを用いて被パターニング膜のパターニングを行った後、該マスクパターンを除去することを特徴とする薄膜のパターニング方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のパターニング方法により、薄膜パターンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクパターンの形成方法、このマスクパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッド等の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスを製造する場合は、ミリング（ドライエッチング）処理やリフトオフ処理又はこれらを組み合わせた処理等のパターニング処理が複数回行われる。これらパターニング処理は、マスクであるフォトレジストパターンを形成することから始まる。
【０００３】
フォトレジストパターンには種々の構造のものがあるが、近年、断面形状を逆台形形状又はＴ字形状とした２層レジストパターンが注目されている。
【０００４】
特公平７−６０５８号公報には、下層の現像液に対する溶解度を利用してパターニングする２層レジストパターンの形成方法の一例として、下層にポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）層を用いたものが記載されている。
【０００５】
しかしながら、ＰＭＧＩは粘度の高いものを作成することができないので厚いレジストパターンを形成することができない。即ち、ＰＭＧＩ層を下層として２層レジストパターンを形成した場合、その厚さは最大で１０μｍ未満である。従って、この２層レジストパターンをマスクとしてリフトオフ法によって薄膜を形成した場合、膜厚の大きい薄膜を形成することが不可能であった。
【０００６】
また、下層のパターニングをその樹脂の上層レジスト用現像液に対する溶解速度を利用して行っているので、高段差や下層の厚みの３倍未満の幅の上層レジストパターン及びかさ部の長さが下層の厚みを超えるような２層レジストパターンとしての断面形状を精度良く制御することが非常に困難であった。
【０００７】
さらに、下層にノボラック樹脂やナフトキノンジアジド（ＮＱＤ）ノボラックレジスト材料を用いた場合、上層レジストを塗布する際に下層との界面でインターミキシングを起こしてしまい、良好な形状のレジストパターンを得ることができなかった。なお、インターミキシングを起こさなくなるまで下層を熱処理すると、下層の感光性が失われてしまい、断面がＴ字形状した２層レジストパターンを得ることができなかった。
【０００８】
このような従来技術の問題点を解消するため、本出願人は、特願２００１−３２７７４５において、（１）基板上に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料による下側レジスト層を積層した後、この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像することにより、下側レジストパターン及び上側レジストパターンからなる２層レジストパターンを形成する方法、並びに、（２）基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料による下側レジスト層を積層した後、この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上にセパレータ層及び上側レジスト層を積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンからなる２層レジストパターンを形成する方法を提案している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、先願の（１）の方法によると、上側レジスト層及び下側レジスト層間の界面でのインターミキシングを回避することが難しかった。また、たとえ回避できたとしても、上側レジスト層及び下側レジスト層の熱収縮率の違いから、変形が発生し、上側レジスト層の剥がれが生じたりして歩留まりが低下する恐れが多分にあった。
【００１０】
また、先願の（２）の方法によると、上側レジスト層及び下側レジスト層間の界面でのインターミキシングは原理的に回避できるが、セパレータ層の形成及び除去が困難であった。さらに、レジスト層及びセパレータ層の熱収縮率の違いから、変形が発生し、レジスト層及びセパレータ層間で剥がれが生じたりして歩留まりが低下する恐れがあった。
【００１１】
従って、本発明の目的は、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できるマスクパターンの形成方法、このマスクパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、高アスペクト比であっても精度の高い断面形状を有するマスクパターンを提供できるマスクパターンの形成方法、このマスクパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明のさらに他の目的は、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供できるマスクパターンの形成方法、このマスクパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００１８】
非反応層とレジスト層との界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００１９】
さらにまた、本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホールの部分の基層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００２０】
第２のレジスト層のみによる単層のマスクパターンであるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００２１】
非反応層が非感光性有機材料からなる層であることが好ましい。
【００２６】
また、本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層上に感光性フィルムレジストによる第２のレジスト層を積層し、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、露光した第１のレジスト層を現像して第１のレジスト層の一部を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００２７】
第２のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００２８】
さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。第２のレジスト層の一部を除去した後、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、露光した第１のレジスト層を現像して第１のレジスト層の一部を除去することが好ましい。これにより、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。
【００２９】
さらに、本発明によれば、基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００３０】
第１のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００３１】
さらにまた、本発明によれば、基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００３２】
第１のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００３３】
第２のレジスト層の一部を除去した後、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、全ての非反応層を除去することが好ましい。これにより、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。
【００３４】
本発明によれば、またさらに、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層上にセパレータ層及び第２のレジスト層を積層し、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、セパレータ層の一部を除去し、露光した第１のレジスト層を現像して第１のレジスト層の一部を除去することにより、第１のレジスト層、セパレータ層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００３５】
加熱処理により第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。さらに、セパレータ層を用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００３６】
基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホールの部分の第１のレジスト層を除去し、加熱処理を行って第１のレジスト層の上面のスルーホールの縁端を傾斜させ、第１のレジスト層上及びスルーホールの部分の基層上にセパレータ層を積層し、セパレータ層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層及び第１のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、セパレータ層の一部を除去し、全ての第１のレジスト層を除去することにより、第２のレジスト層によるマスクパターンを形成するマスクパターンの形成方法が提供される。
【００３７】
加熱処理により第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。また、第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させているので、第２のレジスト層のかさ部の熱だれを抑えることができる。さらに、セパレータ層を用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００３８】
以上述べたマスクパターンとして、上部の幅が下部の幅より大きいマスクパターンを形成することがより好ましい。
【００３９】
本発明によれば、上述の方法により形成したマスクパターンを用いて被パターニング膜のパターニングを行った後、マスクパターンを除去する薄膜のパターニング方法が提供される。さらに、このパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００４０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００４１】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）１０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層１１を形成する。
【００４２】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料を用いる。第１のレジスト層１１の厚さは、３〜３０μｍ、例えば３μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００４３】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール１２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層１１を露光する。
【００４４】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール１２の部分の第１のレジスト層１１を除去し、パターニングされたレジスト層１１´を得る。
【００４５】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層１１´の残りの部分、即ちスルーホール１２以外の部分を露光する。
【００４６】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、レジスト層１１´の上及びスルーホール１２の部分の基層１０の上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層１３を形成する。
【００４７】
第２のレジスト材料としては、第１のレジスト材料よりも粘度の高いものを用いることが望ましい。これにより、第２のレジスト層を第１のレジスト層より厚くすることができる。なお、第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層１３の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００４８】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、第２のレジスト層１３の取り除く部分１４が開口しているマスクを介してこのレジスト層１３を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分１４は、スルーホール１２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【００４９】
次いで、現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｇ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第２のレジスト層による単層のマスクパターン１３´が得られる。
【００５０】
その後、同図（Ｈ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜１５をスパッタリング等で成膜する。
【００５１】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によってマスクパターン１３´を溶解し、被パターニング膜１５の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜１５´が得られる。
【００５２】
本実施形態においては、マスクパターン１３´が第２のレジスト層１１のみの単層で形成されるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００５３】
さらに、単層であることから、レジスト層及びセパレータ層の熱収縮率の違いから、変形が発生し、レジスト層及びセパレータ層間で剥がれが生じたりして歩留まりが低下するという、セパレータ層のある２層レジストで生じるような問題が発生しない。
【００５４】
なお、本実施形態において、第２のレジスト材料を塗布する際に第１のレジスト層との間でインターミキシングが生じて問題となる場合は、第１のレジスト層のパターニング後にセパレータ層を形成してこれを防ぐようにすることも考えられる。
【００５５】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００５６】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【００５７】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【００５８】
図２は本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００５９】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）２０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層２１を形成する。この第１のレジスト層２１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００６０】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。
【００６１】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール２２以外の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層２１を露光する。
【００６２】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール２２以外の部分の第１のレジスト層２１を除去し、スルーホール２２の部分にパターニングされた第１のレジスト層２１´を得る。
【００６３】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層２１´の存在しない部分、即ちスルーホール２２以外の部分の基層２０上に非感光性有機材料を塗布して非反応層２３を形成する。
【００６４】
この非反応層２３の厚さは第１のレジスト層２１より薄くする。非感光性有機材料としては、ポリビニルアルコール系樹脂、酢酸エチル系樹脂及びテフロン系樹脂等があり、これらの１つを水、酢酸エチル等の特定の溶剤に溶解して塗布する。
【００６５】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、スルーホール２２の部分のレジスト層２１´の上及び非反応層２３の上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層２４を形成する。
【００６６】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。ただし、第１のレジスト材料がポジ型レジスト材料の場合、第２のレジスト材料もポジ型レジスト材料であることが好ましい。本実施形態では、第２のレジスト材料としてポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層２４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
第２のレジスト層２４は、同図（Ｅ）〜（Ｈ）に示すように第１のレジスト層２１´とインターミキシングを起こしても何等問題ない。ただし、第２のレジスト層２４が非反応層２３とインターミキシングを起こさない方が望ましい。第２のレジスト層２４と非反応層２３との間でインターミキシングが生じて問題となる場合は、第２のレジスト材料を塗布する前に非反応層２３上にセパレータ層を形成してこれを防ぐようにしても良い。
【００６８】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、第２のレジスト層２４の取り除く部分２５が開口しているマスクを介してこのレジスト層２４を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分２５は、スルーホール２２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【００６９】
次いで、現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｇ）に示すように、第２のレジスト層２４の部分２５を取り除き、さらに、非反応層２３を除去することにより、同図（Ｈ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第２のレジスト層による単層のマスクパターン２６が得られる。
【００７０】
その後、このマスクパターン２６を使用し、第１の実施形態の場合と同様にリフトオフ処理を行うことによって、所望の形状にパターニングされた薄膜を得る。
【００７１】
本実施形態においては、非反応層２３を用いているため、この非反応層とレジスト層との間におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００７２】
さらに、基本的にはセパレータ層を用いていないため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００７３】
なお、本実施形態において、非感光性有機材料による非反応層の代わりに、ポジ型レジスト材料による第３のレジスト層を用いることも可能である。
【００７４】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００７５】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【００７６】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【００７７】
図３は本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００７８】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）３０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層３１を形成する。
【００７９】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第１のレジスト層３１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００８０】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール３２以外の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層３１を露光する。
【００８１】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール３２以外の部分の第１のレジスト層３１を除去し、スルーホール３２の部分にパターニングされた第１のレジスト層３１´を得る。
【００８２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層３１´の存在しない部分、即ちスルーホール３２以外の部分の基層３０上に非感光性有機材料を塗布して非反応層３３を形成する。
【００８３】
この非反応層３３の厚さは第１のレジスト層３１より薄くする。非感光性有機材料としては、ポリビニルアルコール系樹脂、酢酸エチル系樹脂及びテフロン系樹脂等があり、これらの１つを水、酢酸エチル等の特定の溶剤に溶解して塗布する。
【００８４】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、第１のレジスト層３１´を全て除去する。除去方法としては、例えば第１のレジスト材料を露光し、現像して除去する。
【００８５】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、スルーホール３２の部分の基層３０の上及び非反応層３３の上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層３４を形成する。
【００８６】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層３４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００８７】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、第２のレジスト層３４の取り除く部分３５が開口しているマスクを介してこのレジスト層３４を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分３５は、スルーホール３２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【００８８】
次いで、現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｈ）に示すように、第２のレジスト層３４の部分３５を取り除き、さらに、非反応層３３を除去することにより、同図（Ｉ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第２のレジスト層による単層のマスクパターン３４´が得られる。
【００８９】
その後、このマスクパターン３４´を使用し、第１の実施形態の場合と同様にリフトオフ処理を行うことによって、所望の形状にパターニングされた薄膜を得る。
【００９０】
本実施形態においては、非反応層３３を用いているため、この非反応層とレジスト層との間におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、また、マスクパターン３４´が第２のレジスト層のみの単層で形成されるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きないから、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００９１】
さらに、セパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【００９２】
なお、本実施形態において、非感光性有機材料による非反応層の代わりに、ポジ型レジスト材料による第３のレジスト層を用いることも可能である。
【００９３】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【００９４】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【００９５】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【００９６】
図４は本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００９７】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）４０上にレジスト材料を塗布し、プリベークしてレジスト層４１を形成する。
【００９８】
レジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。このレジスト層４１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００９９】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール４２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層４１を露光する。
【０１００】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール４２の部分のレジスト層４１を除去し、パターニングされたレジスト層４１´を得る。
【０１０１】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、スルーホール４２の部分に銅等の金属をめっきして金属層４３を形成する。ただし、この場合、基層４０上にめっき用の電極膜（図示なし）をあらかじめ成膜しておき、これを電極としてめっきを成長させる。レジスト層４１´より厚くめっき成長させることにより、図示にようなキノコ状の金属層４３が得られる。
【０１０２】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、レジスト層４１´を除去することにより、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有する金属層による単層のマスクパターン４３が得られる。なお、めっき用の電極膜は、ドライエッチング等で除去する。
【０１０３】
その後、同図（Ｆ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜４４をスパッタリング等で成膜する。
【０１０４】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、湿式エッチングによりマスクパターン４３を除去し、被パターニング膜４４の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜４４´が得られる。
【０１０５】
本実施形態においては、マスクパターン４３が金属層の単層で形成されるため、レジスト層とのインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１０６】
また、本実施形態では、パターニングが１回で良いため、製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、金属層であることから、セパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０１０７】
なお、本実施形態において、レジスト層の代わりに非感光性有機材料による非反応層を用いることも可能である。
【０１０８】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１０９】
レジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１１０】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１１１】
マトリクス状に配置された複数のマスクパターンを本実施形態の方法を用いて作成し、リフトオフ法を用いれば、図５に示すような、微細で高アスペクト比及び狭ピッチのスペース（スルーホール）群を有する薄膜パターンを形成することができる。これは、金属層によるマスクパターンはレジストを用いる場合よりも基板との密着性が良く、しかもマスクパターン自体の剛性も高いため、アンダーカットの下部を高アスペクト比で作成できるためである。
【０１１２】
図５において、５０は基板、５１は基板５０上にリフトオフ法によって形成された例えばアルミナによる薄膜パターンである。単なる一例であるが、この薄膜パターン５１の厚さは３μｍ、ピッチは８μｍ、スルーホール５２の矩形底面５２ａの寸法は０．６μｍ×０．６μｍである。
【０１１３】
図６は本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法により孤立スペース（孤立スリット）をパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【０１１４】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスリットを形成する膜（基層）６０上にレジスト材料を塗布し、プリベークしてレジスト層６１を形成する。
【０１１５】
レジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。このレジスト層６１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１１６】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スリット６２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層６１を露光する。
【０１１７】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスリット６２の部分のレジスト層６１を除去し、パターニングされたレジスト層６１´を得る。
【０１１８】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、スリット６２の部分に銅等の金属をめっきして金属層６３を形成する。ただし、この場合、基層６０上にめっき用の電極膜（図示なし）をあらかじめ成膜しておき、これを電極としてめっきを成長させる。レジスト層６１´より厚くめっき成長させることにより、図示にような断面がキノコ状の金属層６３が得られる。
【０１１９】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、レジスト層６１´を除去することにより、上部の幅が下部の幅より大きい高アスペクト比のＴ字状の断面形状を有する金属層による単層のマスクパターン６３が得られる。なお、めっき用の電極膜は、ドライエッチング等で除去する。
【０１２０】
その後、同図（Ｆ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜６４をスパッタリング等で成膜する。
【０１２１】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、湿式エッチングによりマスクパターン６３を除去し、被パターニング膜６４の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜６４´が得られる。
【０１２２】
本実施形態においては、マスクパターン６３が金属層の単層で形成されるため、レジスト層とのインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。特に、金属層によるマスクパターン６３がレジストを用いる場合よりも基層６０との密着性が良く、しかもマスクパターン自体の剛性も高いため、アンダーカットの下部を高アスペクト比で作成できるから、微細で高アスペクト比及び狭ピッチの孤立スペース（孤立スリット）がパターニングされた薄膜を得ることができる。
【０１２３】
また、本実施形態では、パターニングが１回で良いため、製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、金属層であることから、セパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０１２４】
なお、本実施形態において、レジスト層の代わりに非感光性有機材料による非反応層を用いることも可能である。
【０１２５】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１２６】
レジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１２７】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１２８】
図７は本発明の第６の実施形態として、リフトオフ法により複数のライン及びスペース（スリット）をパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【０１２９】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスリットを形成する膜（基層）７０上にレジスト材料を塗布し、プリベークしてレジスト層７１を形成する。
【０１３０】
レジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。このレジスト層７１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、複数の互いに平行なスリット７２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層７１を露光し、現像を行って複数のスリット７２の部分のレジスト層７１を除去し、パターニングされたレジスト層７１´を得る。
【０１３２】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、複数のスリット７２の部分に銅等の金属をめっきして複数の互いに平行な金属層７３を形成する。ただし、この場合、基層７０上にめっき用の電極膜（図示なし）をあらかじめ成膜しておき、これを電極としてめっきを成長させる。レジスト層７１´より厚くめっき成長させることにより、図示にような断面がキノコ状の複数の金属層７３が得られる。
【０１３３】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層７１´を除去することにより、上部の幅が下部の幅より大きい高アスペクト比のＴ字状の断面形状を有する金属層による単層のマスクパターン７３が得られる。なお、めっき用の電極膜は、ドライエッチング等で除去する。
【０１３４】
その後、同図（Ｅ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜７４をスパッタリング等で成膜する。
【０１３５】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、湿式エッチングによりマスクパターン７３を除去し、被パターニング膜７４の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜７４´が得られる。
【０１３６】
本実施形態においては、マスクパターン７３が金属層の単層で形成されるため、レジスト層とのインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。特に、金属層によるマスクパターン７３がレジストを用いる場合よりも基層７０との密着性が良く、しかもマスクパターン自体の剛性も高いため、アンダーカットの下部を高アスペクト比で作成できるから、微細で高アスペクト比及び狭ピッチの複数のライン及びスペース（スリット）がパターニングされた薄膜を得ることができる。
【０１３７】
また、本実施形態では、パターニングが１回で良いため、製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、金属層であることから、セパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０１３８】
なお、本実施形態において、レジスト層の代わりに非感光性有機材料による非反応層を用いることも可能である。
【０１３９】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１４０】
レジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１４１】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１４２】
図８は本発明の第７の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【０１４３】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）８０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層８１を形成する。
【０１４４】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であることが好ましい。しかしながら、第２のレジスト層を露光する際にこの第１のレジスト材料によるレジスト層が感光しない場合には、ネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第１のレジスト層８１の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１４５】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール８２以外の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層８１を露光する。
【０１４６】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に第２のレジスト材料としての感光性フィルムレジストを貼り付けて第２のレジスト層８３を形成する。感光性フィルムレジストとしては、ポジ型レジスト材料が好ましいが、ネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。ネガ型レジスト材料を用いる場合は、第１のレジスト層８１と感光波長が異なるものを用いるか、感光性フィルムレジストを貼り付ける前に、第１のレジスト層８１の感光波長を遮断する塗料を塗布するか遮断するフィルムを貼り付ければ良い。この感光性フィルムレジストによる第２のレジスト層８３の厚さは、３０〜１００μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１４７】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、第２のレジスト層８３の取り除く部分８４が開口しているマスクを介してこのレジスト層８３を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分８４は、スルーホール８２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【０１４８】
次いで、１回目の現像を行うことによって、同図（Ｅ）に示すように、一部８４が除去された第２のレジスト層８３´が得られ、さらに２回目の現像を行うことによって、一部、即ちスルーホール８２以外の部分が除去された第１のレジスト層８１´が得られる。これによって、同図（Ｆ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第１のレジスト層８１´及び第２のレジスト層８３´によるマスクパターン８５が得られる。
【０１４９】
その後、同図（Ｇ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜８６をスパッタリング等で成膜する。
【０１５０】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によってマスクパターン８５を溶解し、被パターニング膜８６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜８６´が得られる。
【０１５１】
本実施形態においては、第２のレジスト層８３として感光性フィルムレジストを使用しているため、第１のレジスト層８１との間でインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１５２】
さらに、セパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。また、第１のレジスト層に塗布型レジストを用いているため、基層に凹凸があっても密着性の良いマスクパターンを形成することができる。
【０１５３】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１５４】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１５５】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１５６】
図９は本発明の第８の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【０１５７】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）９０上に第１のレジスト材料としての感光性フィルムレジストを貼り付けて第１のレジスト層９１を形成する。
【０１５８】
感光性フィルムレジストとしては、ポジ型レジスト材料が好ましいが、ネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層９１の厚さは、３０〜１００μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１５９】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール９２以外の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層９１を露光する。
【０１６０】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール９２の部分の第１のレジスト層９１を除去し、パターニングされたレジスト層９１´を得る。
【０１６１】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層９１´の存在しない部分、即ちスルーホール９２以外の部分の基層９０上に非感光性有機材料を塗布して非反応層９３を形成する。
【０１６２】
この非反応層９３の厚さは第１のレジスト層９１より薄くする。非感光性有機材料としては、ポリビニルアルコール系樹脂、酢酸エチル系樹脂及びテフロン系樹脂等があり、これらの１つを水、酢酸エチル等の特定の溶剤に溶解して塗布する。
【０１６３】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、スルーホール９２の部分のレジスト層９１´の上及び非反応層９３の上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層９４を形成する。
【０１６４】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層９４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１６５】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、第２のレジスト層９４の取り除く部分９５が開口しているマスクを介してこのレジスト層９４を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分９５は、スルーホール９２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【０１６６】
次いで、現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｇ）に示すように、第２のレジスト層９４の部分９５を取り除き、さらに、非反応層９３を除去することにより、同図（Ｈ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第１のレジスト層９１´及び第２のレジスト層９４´によるマスクパターン９６が得られる。
【０１６７】
その後、このマスクパターン９６を使用し、第１の実施形態の場合と同様にリフトオフ処理を行うことによって、所望の形状にパターニングされた薄膜を得る。
【０１６８】
本実施形態においては、第１のレジスト層９１として感光性フィルムレジストを使用しているため、第２のレジスト層９４との間でインターミキシングや変形、剥離が起きず、また、非反応層９３を用いているため、この非反応層とレジスト層との間におけるインターミキシングや変形、剥離も起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１６９】
さらに、基本的にはセパレータ層を用いていないため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０１７０】
なお、本実施形態において、非感光性有機材料による非反応層の代わりに、ポジ型レジスト材料による第３のレジスト層を用いることも可能である。
【０１７１】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１７２】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１７３】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１７４】
図１０は本発明の第９の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【０１７５】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）１００上に第１のレジスト材料としての感光性フィルムレジストを貼り付けて第１のレジスト層１０１を形成する。ただし、本実施形態においては、この第１のレジスト層１０１の厚さが、後述する非反応層１０３及び第２のレジスト層１０４の合計の厚さより大きくなるように設定されている。
【０１７６】
感光性フィルムレジストとしては、ポジ型レジスト材料が好ましいが、ネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層１０１の厚さは、３０〜１００μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１７７】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、スルーホール１０２以外の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層１０１を露光する。
【０１７８】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、現像を行ってスルーホール１０２の部分の第１のレジスト層１０１を除去し、パターニングされたレジスト層１０１´を得る。
【０１７９】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、レジスト層１０１´の存在しない部分、即ちスルーホール１０２以外の部分の基層１００上に非感光性有機材料を塗布して非反応層１０３を形成する。
【０１８０】
非感光性有機材料としては、ポリビニルアルコール系樹脂、酢酸エチル系樹脂及びテフロン系樹脂等があり、これらの１つを水、酢酸エチル等の特定の溶剤に溶解して塗布する。
【０１８１】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、非反応層１０３の上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層１０４を形成する。
【０１８２】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層１０４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１８３】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、第２のレジスト層１０４の取り除く部分１０５が開口しているマスクを介してこのレジスト層１０４を露光する。
【０１８４】
次いで、現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｇ）に示すように、第２のレジスト層１０４の部分１０５を取り除き、さらに、非反応層１０３を除去することにより、同図（Ｈ）に示すように、第２のレジスト層１０４´の部分の幅が第１のレジスト層１０１´の部分の幅より大きい断面形状を有するようにパターニングされたよるマスクパターン１０６が得られる。
【０１８５】
その後、このマスクパターン１０６を使用し、第１の実施形態の場合と同様にリフトオフ処理を行うことによって、所望の形状にパターニングされた薄膜を得る。
【０１８６】
本実施形態においては、第１のレジスト層１０１として感光性フィルムレジストを使用しているため、第２のレジスト層１０４との間でインターミキシングや変形、剥離が起きず、また、非反応層１０３を用いているため、この非反応層とレジスト層との間におけるインターミキシングや変形、剥離も起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１８７】
さらに、基本的にはセパレータ層を用いていないため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０１８８】
なお、本実施形態において、非感光性有機材料による非反応層の代わりに、ポジ型レジスト材料による第３のレジスト層を用いることも可能である。
【０１８９】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０１９０】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０１９１】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０１９２】
図１１は本発明の第１０の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【０１９３】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）１１０を用意する。
【０１９４】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、この基層１１０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層１１１を形成する。
【０１９５】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。第１のレジスト層１１１の厚さは、３〜３０μｍ、例えば３μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０１９６】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、スルーホール１１２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層１１１を露光する。
【０１９７】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、この第１のレジスト層１１１上にセパレータ層（バリア層）１１３を形成する。
【０１９８】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、このセパレータ層１１３上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層１１４を形成する。
【０１９９】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層１１４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０２００】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、第２のレジスト層１１４の取り除く部分１１５が開口しているマスクを介してこのレジスト層１１４を露光する。ただし、本実施形態において、この取り除く部分１１５は、スルーホール１１２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【０２０１】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、現像を行って、部分１１５が除去された第２のレジスト層１１４´を得る。
【０２０２】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、加熱処理（べーク処理）を行ってこの第２のレジスト層１１４´をリフローさせ、その上面の縁端を傾斜させたレジスト層１１４´´を得る。
【０２０３】
第２のレジスト材料として、ＳＩＰＲ９３５０（信越化学工業社）や、ＡＺＰ４６２０（クラリアントジャパン社）を用いた場合、例えば温度１３０℃を３０分維持することで加熱処理を行う。
【０２０４】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、セパレータ層１１３の露出されている部分を除去する。
【０２０５】
次いで、現像を行って、第１のレジスト層１１１のスルーホール１１２以外の部分を除去し、これによって、同図（Ｊ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた第１のレジスト層１１１´及び第２のレジスト層１１４´´によるマスクパターン１１６が得られる。
【０２０６】
その後、同図（Ｋ）に示すように、例えばアルミナ等による被パターニング膜１１７をスパッタリング等で成膜する。次いで、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によってマスクパターン１１６を溶解し、被パターニング膜１１７の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜が得られる。
【０２０７】
本実施形態においては、加熱処理により第２のレジスト層１１４´´の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。また、膜形成のスパッタリング時の熱による第２のレジスト層のダレを抑制することができる。さらに、セパレータ層１１３を用いているため、第１のレジスト層１１１及び第２のレジスト層１１４の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０２０８】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０２０９】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０２１０】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。
【０２１１】
図１２は本発明の第１１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体（ストレートバンプ）が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【０２１２】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜（基層）１２０を用意する。
【０２１３】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、この基層１２０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして第１のレジスト層１２１を形成する。
【０２１４】
第１のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。第１のレジスト層１２１の厚さは、３〜３０μｍ、例えば３μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０２１５】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、スルーホール１２２の部分が開口したマスクを介してこのレジスト層１２１を露光し、さらに、現像を行ってこのスルーホール１２２の部分が除去されたパターンを有する第１のレジスト層１２１´を得る。
【０２１６】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、この第１のレジスト層１２１´を露光し、さらに、同図（Ｅ）に示すように、加熱処理（べーク処理）を行ってこの第１のレジスト層１２１´をリフローさせ、その上面の縁端を傾斜させたレジスト層１２１´´を得る。
【０２１７】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、この第１のレジスト層１２１´´上及びスルーホール１２２部分の基層１２０上にセパレータ層（バリア層）１２３を形成する。
【０２１８】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、このセパレータ層１２３上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして第２のレジスト層１２４を形成する。
【０２１９】
第２のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもネガ型レジスト材料であっても良い。本実施形態では、ポジ型レジスト材料を用いている。ネガ型レジスト材料の場合は、これを露光するパターンが反転する。この第２のレジスト層１２４の厚さは、３〜３０μｍであるが、これに限定されるものではない。
【０２２０】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、第２のレジスト層１２４の取り除く部分が開口しているマスクを介してこのレジスト層１２４を露光し、現像してその部分が除去された第２のレジスト層１２４´を得る。ただし、本実施形態において、この取り除く部分は、スルーホール１２２より直径が大きい円形以外の部分とする。これにより、最終的に形成されるマスクパターンが、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有することとなる。
【０２２１】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、加熱処理（べーク処理）を行ってこの第２のレジスト層１２４´をリフローさせ、その上面の縁端を傾斜させたレジスト層１２４´´を得る。
【０２２２】
第２のレジスト材料として、ＳＩＰＲ９３５０（信越化学工業社）や、ＡＺＰ４６２０（クラリアントジャパン社）を用いた場合、例えば温度１３０℃を３０分維持することで加熱処理を行う。
【０２２３】
次いで、同図（Ｊ）に示すように、セパレータ層１２３の露出されている部分を除去する。
【０２２４】
次いで、現像を行って、第１のレジスト層１２１´´を全て除去し、これによって、同図（Ｋ）に示すように、上部の幅が下部の幅より大きいＴ字状の断面形状を有するようにパターニングされた主に第２のレジスト層１２４´´によるマスクパターンが得られる。
【０２２５】
その後、このマスクパターンを使用し、第１の実施形態の場合と同様にリフトオフ処理を行うことによって、所望の形状にパターニングされた薄膜を得る。
【０２２６】
本実施形態においては、加熱処理により第２のレジスト層１２４´´の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。特に本実施形態では、マスクパターンの付け根（下側）の部分が太いため、その形状が安定する。さらに、セパレータ層１２３を用いているため、第１のレジスト層１２１及び第２のレジスト層１２４の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。その結果、このマスクパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０２２７】
マスクパターンを露光で形成することにより、その断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０２２８】
第１のレジスト層の厚さは、リフトオフする材料の厚さの１．１〜１．３倍程度であることが望ましい。
【０２２９】
また、本実施形態におけるマスクパターンの形成方法が、リフトオフ用のマスクパターンを形成する場合のみならず、立体的なパターンを形成する場合のマスクパターン形成に適用できることは言うまでもない。さらに、本実施形態は、平面基板上に低アスペクト比のパターンを形成する場合を示したが、基板が大きな段差を有している場合や、高アスペクト比のパターンを形成する場合にも有効である。
【０２３０】
なお、以上述べた実施形態において、スルーホールの形状は、円形や角形以外のいかなる形状であっても良く、例えば、十字形状等の複雑なパターンであっても良い。
【０２３１】
【実施例】
以下、実施例により、本発明をより具体的に説明する。
【０２３２】
実施例１
第１の実施形態に対応する実施例である。
【０２３３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２３４】
（ｂ）第１のレジスト層として、ポジ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１−６．０）を７．７μｍの厚さにスピンコートし（２１００ｒｐｍ）、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２３５】
（ｃ）以下の条件で第１のレジスト層を露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：感光部が１５×２０μｍの長方形。
【０２３６】
（ｄ）第１のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２３７】
（ｅ）以下の条件で第１のレジスト層を全面露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：無し（全面露光）。
【０２３８】
（ｆ）カーボンを蒸着（アモルファスカーボン）して０．００２μｍの厚さのカーボンによるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ  ＤＥＮＳＨＩ社製  ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２３９】
（ｇ）第２のレジスト層として、ポジ型又はネガ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１−６．０）を７．７μｍの厚さにスピンコートし（２１００ｒｐｍ）、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４０】
（ｈ）以下の条件で第２のレジスト層を露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：ダーク部が一辺が４０μｍの正方形、中心が第１のレジスト層の場合と同じ位置（異なる位置であっても良い）。
【０２４１】
（ｉ）第２のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２４２】
（ｊ）アッシング処理により、カーボンによるセパレータ層の一部を除去した、
0003818188.tif 000002
【０２４３】
（ｋ）第１のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２４４】
以上の処理により、単層のリフトオフ用のマスクパターンが得られた。２層構造のマスクパターンを作成する場合にはレジスト間において剥離が発生していたが、単層構造の本実施例ではこれを防ぐことができた。
【０２４５】
このマスクパターンをリフトオフ用に使用する場合には、リフトオフする薄膜の膜厚を第１のレジスト層の膜厚より小さくすることが望ましい。例えば、リフトオフする薄膜を膜厚が６μｍのアルミナとしても良い。
【０２４６】
本実施例では、マスクパターンの総面積が、このマスクパターン以外の面積に対して小さいため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層に同じ材料を同じ条件で使用した。これにより、第２のレジスト層の膜厚は、第１のレジスト層の上面から７．７μｍ、即ち基板の上面から約１５．５μｍとなった。
【０２４７】
マスクパターンにおける第１のレジスト層のスルーホールが密に形成される場合、第２のレジスト層の膜厚は、基板上面（第１のレジスト層の隙間部分）からの厚みで制御される。従って、第２のレジスト層は第１のレジスト層よりも粘性が高い方が、第２のレジスト層を第１のレジスト層より厚く塗布できるので望ましい。
【０２４８】
本実施例では、セパレータ層として、カーボン蒸着（アモルファスカーボン）を用いているが、以下のごときその他の材料を用いても良い。なお、本実施例では、セパレータ層が透明である必要はない。即ち、第２のレジスト層の露光位置決めは、第１のレジスト層のパターンに直接合わせて行えば良いからである。
▲１▼例えば、Ｔｉスパッタ膜（０．５〜２０ｎｍ）、Ｔａスパッタ膜（０．５〜２０ｎｍ）等の金属スパッタ膜、
▲２▼例えば、アルミナ膜（０．５〜２０ｎｍ）、Ｓｉ膜（０．５〜２０ｎｍ）、ＳｉＯ２膜（０．５〜２０ｎｍ）等の絶縁体、半導体材料スパッタ膜、
▲３▼例えば、ポリビニル（アセト）アルコール（２ｗｔ％水溶液を塗布及び乾燥）、フッ素系樹脂等の有機材料の塗布。
【０２４９】
なお、本実施例のごとく、第２のレジスト層を形成する前に第１のレジスト層を現像する場合には、現像液によって第１のレジスト層の表面に疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成することが可能である。この場合には、セパレータ層を形成する必要がない。
【０２５０】
マスクパターンの下に形成されたセパレータ層は、リフトオフ後に適当な方法（アッシング法、イオンミリング法、湿式エッチング法等）で除去しても良い。
【０２５１】
なお、図１３は本実施例の（ｄ）で現像した第１のレジスト層の一例を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ写真であり、図１４は本実施例の（ｉ）で現像した第２のレジスト層の一例を示すＳＥＭ写真であり、図１５は本実施例の（ｋ）で現像した第２のレジスト層の一例を示すＳＥＭ写真である。
【０２５２】
実施例２
第２の実施形態に対応する実施例である。
【０２５３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２５４】
（ｂ）第１のレジスト層として、ポジ型又はネガ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１又はネガ型の東京応化株式会社のＴＳＭＲ−ｉＮ０１０ＬＰｉ線レジスト）を４μｍの厚さにスピンコートし、１００℃で１８０秒プリベークした。
【０２５５】
（ｃ）以下の条件で第１のレジスト層を露光した（ネガ型の東京応化株式会社のＴＳＭＲ−ｉＮ０１０ＬＰレジストの場合）、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４
ドーズ：１０００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：２．０μｍ
マスク：感光部が１５×２０μｍの長方形。
【０２５６】
（ｄ）第１のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で６０秒×２回現像し、水洗乾燥した。
【０２５７】
（ｅ）非反応層として、ポリビニルアルコール水溶液（３ｗｔ％）又はフッ素系樹脂溶液（３ｗｔ％）を３μｍの厚さ（第１のレジスト層より薄くする）にスピンコートし、１５０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５８】
（ｆ）第２のレジスト層として、ポジ型又はネガ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１）を４μｍの厚さにスピンコートし、１００℃で１８０秒プリベークした。
【０２５９】
（ｇ）以下の条件で第２のレジスト層を露光した（ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１の場合）、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４
ドーズ：１０００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：２．０μｍ
マスク：ダーク部が一辺が４０μｍの正方形、中心が第１のレジスト層の場合と同じ位置（異なる位置であっても良い）。
【０２６０】
（ｈ）第２のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２６１】
（ｉ）非反応層を除去した。（ポリビニルアルコールの場合は第２のレジスト層の現像時に除去されるので水洗した。）
【０２６２】
実施例３
第４の実施形態に対応する実施例である。
【０２６３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２６４】
（ｂ）レジスト層として、ポジ型又はネガ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１−２．０）を２．０μｍの厚さにスピンコートし（３０００ｒｐｍ）、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２６５】
（ｃ）以下の条件でレジスト層を露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
ドーズ：３００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０．０μｍ
マスク：感光部が一辺が５μｍの正方形。
【０２６６】
（ｄ）レジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×３回現像し、水洗乾燥した。
【０２６７】
（ｅ）電解めっきを行って、膜厚４μｍのＮｉ−Ｆｅ合金による金属層を形成した。
【０２６８】
（ｆ）アセトン中に１２０秒浸漬、揺動してレジスト層を剥離し、１００℃で１０分乾燥した。
【０２６９】
以上の処理により、アンダーカットの幅を２μｍとすることができた。
【０２７０】
ただし、基板には、めっき用の電極膜として、Ｔｉ膜（５ｎｍ）及びＮｉＦｅ膜（５０ｎｍ）があらかじめこの順序で成膜してある。（ｆ）のレジスト剥離後、マスクパターン以外の部分のめっき用電極膜を除去しても良い。除去方法としては、イオンミリング法や湿式エッチング法がある。
【０２７１】
イオンミリング法による場合、以下の条件でミリングを行う、特に、アンダーカット部の下の電極膜を除去するため、ミリングの角度が大きくとってある、
0003818188.tif 000003
【０２７２】
金属層としては、Ｎｉ−Ｆｅ合金の代わりに銅等をめっきしても良い。
【０２７３】
また、リフトオフは、例えば第二塩化鉄水溶液を用いた湿式エッチングにより行うことが好ましい。
【０２７４】
実施例４
第７の実施形態に対応する実施例である。
【０２７５】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２７６】
（ｂ）第１のレジスト層として、ポジ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１−６．０）を７．７μｍの厚さにスピンコートし（２１００ｒｐｍ）、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２７７】
（ｃ）以下の条件で第１のレジスト層を露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：感光部が１５×２０μｍの長方形。
【０２７８】
（ｄ）第２のレジスト層として、３〜３０μｍの厚さのポジ型ドライフィルムレジスト（例えば、引き延ばした支持フィルム上に、信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１等の感光性塗布型ポジ型レジストを１０μｍの厚さにスピンコート又はスプレーコートし、ベークして乾燥させたもの）を第１のレジスト層上に押し付け転写して貼り付ける。
【０２７９】
（ｅ）以下の条件で第２のレジスト層を露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：ダーク部が一辺が４０μｍの正方形、中心が第１のレジスト層の場合と同じ位置（異なる位置であっても良い）。
【０２８０】
（ｆ）第２のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２８１】
（ｇ）第１のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２８２】
実施例５
第８の実施形態に対応する実施例である。
【０２８３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２８４】
（ｂ）第１のレジスト層として、３〜５０μｍの厚さのネガ型感光性フィルムレジスト（例えば、デュポン株式会社のフィルムレジスト４７０６）を基板上に貼り付ける。
【０２８５】
（ｃ）以下の条件で第１のレジスト層を露光した、
露光装置：Ｃａｎｏｎ株式会社製  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｍａｓｋ  Ａｌｉｇｎｅｒ  ＰＬＡ−６００ＦＡ
露光条件：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍの６５０ｍＪ／ｃｍ２に相当
マスク：感光部が１５×２０μｍの長方形。
【０２８６】
（ｄ）第１のレジスト層を、アルカリ性水溶液である炭酸水素ナトリウム水溶液、２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．等を用いて現像し、水洗乾燥した。
【０２８７】
（ｅ）非反応層として、ポリビニルアルコール水溶液（３ｗｔ％）又はフッ素系樹脂溶液（３ｗｔ％）を３μｍの厚さ（第１のレジスト層より薄くする）にスピンコートし、１５０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８８】
（ｆ）第２のレジスト層として、ポジ型又はネガ型のノボラック系Ｉ線レジスト（例えば、ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１）を４μｍ（第１のレジスト層より薄くする）の厚さにスピンコートし、１００℃で１８０秒プリベークした。
【０２８９】
（ｇ）以下の条件で第２のレジスト層を露光した（ポジ型の信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１−６．０の場合）、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２  ＮＡ＝０．４、σ＝０．４
ドーズ：１０００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：２．０μｍ
マスク：ダーク部が一辺が４０μｍの正方形、中心が第１のレジスト層の場合と同じ位置（異なる位置であっても良い）。
【０２９０】
（ｈ）第２のレジスト層を、アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．（例えば、信越化学工業株式会社のＳＳＦＤ２３８）を用い、パドル法で５０秒×７回現像し、水洗乾燥した。
【０２９１】
（ｉ）非反応層を除去した。（ポリビニルアルコールの場合は第２のレジスト層の現像時に除去されるので水洗した。）
【０２９２】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０２９３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホールの部分の第１のレジスト層を除去し、第１のレジスト層上及びスルーホールの部分の基層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層及び第１のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部及び全ての第１のレジスト層を除去することにより、第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。第２のレジスト層のみによる単層のマスクパターンであるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９４】
さらに本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。非反応層とレジスト層との界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９５】
さらにまた、本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホールの部分の基層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、非反応層を除去することにより、第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。第２のレジスト層のみによる単層のマスクパターンであるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９６】
さら本発明によれば、基層上にレジスト層を積層した後、レジスト層をスルーホールを有するパターンで露光し、露光したレジスト層を現像してスルーホールの部分のレジスト層を除去し、スルーホールの部分の基層上にレジスト層より厚い金属層をめっき形成した後、レジスト層を現像してレジスト層を除去することにより、金属層によるマスクパターンを形成する。金属層のみによるマスクパターンであるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、よりアスペクト比の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９７】
さらに本発明によれば、基層上にレジスト層を積層した後、レジスト層をスリットを有するパターンで露光し、露光したレジスト層を現像してスリットの部分のレジスト層を除去し、スリットの部分の基層上にレジスト層より厚い金属層をめっき形成した後、レジスト層を現像してレジスト層を除去することにより、金属層によるマスクパターンを形成する。金属層のみによるマスクパターンであるため、レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、よりアスペクト比の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９８】
また、本発明によれば、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層上に感光性フィルムレジストによる第２のレジスト層を積層し、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、露光した第１のレジスト層を現像して第１のレジスト層の一部を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。第２のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０２９９】
さらに、本発明によれば、基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、スルーホールの部分の第１のレジスト層上及び非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、全ての非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。第１のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０３００】
さらにまた、本発明によれば、基層上に感光性フィルムレジストによる第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホール以外の部分の第１のレジスト層を除去し、スルーホール以外の部分の基層上に非反応層を積層し、非反応層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、全ての非反応層を除去することにより、第１のレジスト層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。第１のレジスト層として感光性フィルムレジストを用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。さらに、当然のことながらセパレータ層が不要であるため、その作成及び除去のための工程分だけ製造が容易となる。
【０３０１】
本発明によれば、またさらに、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層上にセパレータ層及び第２のレジスト層を積層し、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、セパレータ層の一部を除去し、露光した第１のレジスト層を現像して第１のレジスト層の一部を除去することにより、第１のレジスト層、セパレータ層及び第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。加熱処理により第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。さらに、セパレータ層を用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【０３０２】
本発明によれば、また、基層上に第１のレジスト層を積層した後、第１のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第１のパターンで露光し、露光した第１のレジスト層を現像してスルーホールの部分の第１のレジスト層を除去し、加熱処理を行って第１のレジスト層の上面のスルーホールの縁端を傾斜させ、第１のレジスト層上及びスルーホールの部分の基層上にセパレータ層を積層し、セパレータ層上に第２のレジスト層を積層した後、第２のレジスト層を第２のパターンで露光し、露光した第２のレジスト層及び第１のレジスト層を現像して第２のレジスト層の一部を除去し、加熱処理を行って第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させ、その後、セパレータ層の一部を除去し、全ての第１のレジスト層を除去することにより、第２のレジスト層によるマスクパターンを形成する。加熱処理により第２のレジスト層の上面の縁端を傾斜させているため、より急峻な側壁を有するスルーホールパターンを提供することができる。さらに、セパレータ層を用いているため、第１のレジスト層及び第２のレジスト層の界面におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できる。また、露光で形成することにより、マスクパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図５】図４の第４の実施形態により形成した薄膜パターンの斜視図である。
【図６】本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法により孤立スペース（孤立スリット）をパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の第６の実施形態として、リフトオフ法により複数のライン及びスペース（スリット）をパターニングする薄膜形成方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の第７の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。
【図９】本発明の第８の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。
【図１０】本発明の第９の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。
【図１１】本発明の第１０の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。
【図１２】本発明の第１１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールをパターニングする薄膜形成方法の一部を説明する工程図である。
【図１３】実施例１の（ｄ）で現像した第１のレジスト層の一例を示すＳＥＭ写真である。
【図１４】実施例１の（ｉ）で現像した第２のレジスト層の一例を示すＳＥＭ写真である。
【図１５】実施例１の（ｋ）で現像した第２のレジスト層の一例を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、２０、３０、４０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０基層
１１、２１、３１、８１、９１、１０１、１１１、１２１  第１のレジスト層
１１´、２１´、３１´、８１´、９１´、１０１´、１１１´、１２１´  パターニングされた第１のレジスト層
１２、２２、３２、５２、８２、９２、１０２、１１２、１２２  スルーホール
１３、２４、３４、８３、９４、１０４、１１４、１２４  第２のレジスト層
１３´、２４´、３４´、８３´、９４´、１０４´、１１４´、１２４´  パターニングされた第２のレジスト層
１４、２５、３５、８４、９５、１０５、１１５  取り除く部分
１５、４４、６４、７４、８６、１１７  被パターニング膜
１５´、４４´、６４´、７４´、８６´  パターニングされた薄膜
２３、９３、１０３  非反応層
２６、８５、９６、１０６、１１６  マスクパターン
４１、６１、７１  レジスト層
４１´、６１´、７１´  パターニングされたレジスト層
４３、６３、７３  金属層
５０  基板
５１  薄膜パターン
５２ａ  矩形底面
６２、７２  スリット
１１３、１２３  セパレータ層
１１４´´  ベーク処理された第２のレジスト層
１２１´´  ベーク処理された第１のレジスト層
【図１】
0003818188.tif 000004
【図２】
0003818188.tif 000005
【図３】
0003818188.tif 000006
【図４】
0003818188.tif 000007
【図５】
0003818188.tif 000008
【図６】
0003818188.tif 000009
【図７】
0003818188.tif 000010
【図８】
0003818188.tif 000011
【図９】
0003818188.tif 000012
【図１０】
0003818188.tif 000013
【図１１】
0003818188.tif 000014
【図１２】
0003818188.tif 000015
【図１３】
0003818188.tif 000016
【図１４】
0003818188.tif 000017
【図１５】
0003818188.tif 000018