(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材が充填されていると共に、その側部がフィレット材にて封止されたフリップチップ型半導体装置において、上記アンダーフィル材が、
（Ａ）液状エポキシ樹脂：２０〜１００重量部、
（Ｂ）硬化剤：０〜８０重量部（但し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計は１００重量部である）、
（Ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して１００〜４００重量部、
（Ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、
（Ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2                                      （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部
を含有する液状エポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であると共に、
上記フィレット材が、
（ａ）液状エポキシ樹脂：２０重量部以上１００重量部未満、
（ｂ）硬化剤として酸無水物：０重量部を超え８０重量部以下（但し、（ａ）成分と（ｂ）成分の合計は１００重量部である）で、エポキシ樹脂中のエポキシ基１モルに対し０．３〜０．７モルの酸無水物基となる量、
（ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２５０〜５００重量部、
（ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、
（ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2                                        （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部
を含有する液状エポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が５〜１９ｐｐｍ／℃であることを特徴とするフリップチップ型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材が充填されていると共に、その側部がフィレット材にて封止されたフリップチップ型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
電気機器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。そして、ベアチップ実装の一つにフリップチップ（ＦＣ）実装がある。ＦＣ実装とは、ＬＳＩチップの配線パターン面に高さ１０〜１００μｍ程度のバンプといわれる電極を数個から数千個形成し、基板の電極を導電ペースト或いは半田等で接合する方式である。このため、ＦＣの保護に用いる封止材料は、基板とＬＳＩチップのバンプ等による数１０μｍ程度の隙間に浸透させる必要がある。従来のフリップチップ用アンダーフィル材として使用される液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤及び無機質充填剤を配合し、信頼性を高めるために半導体のチップや基板、バンプと線膨張係数を一致させるために、多量の無機質充填剤を配合する処方が主流となってきている。
【０００３】
しかしながら、このような充填剤を高充填したフリップチップ用アンダーフィル材においては、充填剤の高充填化により粘度が高くなり、チップと基板の隙間に侵入する速度が著しく低下し、生産性が非常に悪くなるといった問題点が提示されており、この問題点の改善が望まれる。更に近年、半導体チップサイズの大型化に伴い、半田リフロー時において、半導体チップ、封止材料、有機基板及び半田バンプの膨張係数を一致させても、チップクラックのみならずフィレット部のクラックの問題がクローズアップされてきた。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、アンダーフィル部には隙間侵入性に優れた液状エポキシ樹脂組成物を用い、フィレット部にはアンダーフィル部に使用する封止材よりも膨張係数の低い封止材で封止することにより、半導体装置の信頼性を高めることができ、特に熱衝撃試験に優れたフリップチップ型半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、フリップチップ型半導体装置を製造するに際し、ガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃のアンダーフィル材とガラス転移温度以下の膨張係数が５〜１９ｐｐｍ／℃であるフィレット材を組み合わせることによって、信頼性の高いフリップチップ型半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００６】
即ち、本発明は、基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材が充填されていると共に、その側部がフィレット材にて封止されたフリップチップ型半導体装置において、上記アンダーフィル材が、液状エポキシ樹脂及び無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であると共に、上記フィレット材が、液状エポキシ樹脂及び無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、かつこの硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が５〜１９ｐｐｍ／℃であることを特徴とするフリップチップ型半導体装置を提供する。
【０００７】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明に係るフリップチップ型半導体装置は、図１に示したように、有機基板１の配線パターン面に複数個のバンプ２を介して半導体チップ３が搭載されているものであり、上記有機基板１と半導体チップ３との間の隙間（バンプ２間の隙間）にアンダーフィル材４が充填され、その側部がフィレット材５で封止されたものである。
【０００８】
この場合、上記アンダーフィル材４、フィレット材５は、いずれもエポキシ樹脂、無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物よりなるものであるが、本発明においては、アンダーフィル材のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃、特に２０〜３０ｐｐｍ／℃であり、一方フィレット材のガラス転移温度以下の膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは５〜１９ｐｐｍ／℃、より好ましくは１０〜１８ｐｐｍ／℃であるものを使用するもので、これにより上記基板とチップとの間の間隙を確実にアンダーフィル材が充填すると共に、優れた耐熱衝撃性が与えられる。アンダーフィル材のガラス転移温度以下での膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超える場合、あるいはフィレット材のガラス転移温度以下での膨張係数が２０ｐｐｍ／℃を超える場合には、いずれも内部応力が大きくなり、ヒートサイクル試験においてクラックが発生するという欠点がある。また、アンダーフィル材のガラス転移温度以下での膨張係数が２０ｐｐｍ／℃より小さい場合には、ハンダバンプとの膨張係数の差が大きくなり、耐クラック性、耐湿性等の点で不良を起こす結果となる。
【０００９】
ここで、上記膨張係数を得る点から、上記アンダーフィル材を形成するエポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）液状エポキシ樹脂：２０〜１００重量部、
（Ｂ）硬化剤：０〜８０重量部（但し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計は１００重量部である）、
（Ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して１００〜４００重量部、
（Ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、
（Ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2                            （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部
を含有する液状エポキシ樹脂組成物であることが好ましく、また、上記フィレット材を形成するエポキシ樹脂組成物は、
（ａ）液状エポキシ樹脂：２０重量部以上１００重量部未満、
（ｂ）硬化剤として酸無水物：０重量部を超え８０重量部以下（但し、（ａ）成分と（ｂ）成分の合計は１００重量部である）で、エポキシ樹脂中のエポキシ基１モルに対し０．３〜０．７モルの酸無水物基となる量、
（ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２５０〜５００重量部、
（ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、
（ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2                            （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部
を含有する液状エポキシ樹脂組成物である。
【００１０】
上記エポキシ樹脂組成物について更に詳述すると、本発明に用いられる上記（Ａ）及び（ａ）成分の液状のエポキシ樹脂は、一分子中に２個以上のエポキシ基があればいかなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂などが例示される。この中でも室温で液状のエポキシ樹脂を使用する。これらのエポキシ樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹脂を侵入性に影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問題はない。
【００１１】
【化１】
0003773022.tif 000002
【００１２】
上記液状エポキシ樹脂中の全塩素含有量は、１５００ｐｐｍ以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、１００℃で５０％エポキシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１５００ｐｐｍを超え、抽出水塩素が１０ｐｐｍを超えると、半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそれがある。
【００１３】
上記エポキシ樹脂は、後述する硬化促進剤［（Ｄ）、（ｄ）成分］を用いることで単独でも硬化させることができるが、場合によっては硬化剤［（Ｂ）、（ｂ）成分］としてメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸などの酸無水物、ジシアンジアミド、アジピン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジドなどのカルボン酸ヒドラジドを使用することができる。
【００１４】
なお、上記硬化剤の配合量は特に制限されず、エポキシ樹脂を硬化させる有効量であり、その種類によって相違するが、上述した酸無水物を用いる場合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して硬化剤中の酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）から誘導されるカルボン酸基の比を０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲にすることが好適であるが、通常、液状エポキシ樹脂の配合量は２０〜１００重量部、特に４０〜１００重量部、硬化剤の配合量は０〜８０重量部、特に０〜６０重量部で、液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計量を１００重量部とすることができる。
【００１５】
いずれの場合も、硬化促進剤［（Ｄ）、（ｄ）成分］として、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体、リン系、シクロアミジン系誘導体を使用することができる。イミダゾール誘導体は酸無水物系硬化剤の硬化促進剤として、更にはエポキシ樹脂の硬化剤として使用できる。硬化促進剤として使用する場合は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対し、０．０１〜１０重量部、望ましくは０．５〜５重量部である。０．０１重量部より少ないと硬化性が低下し、１０重量部より多いと硬化性に優れるが、保存性が低下する傾向となる。酸無水物を硬化剤として用いる場合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１モルに対し、０．３〜０．７モルの酸無水物基となるように配合することが望ましい。０．３モル未満では硬化性が不十分であり、０．７モルを超えると、未反応の酸無水物が残存し、ガラス転移温度の低下となるおそれがある。より望ましくは０．４〜０．６モルの範囲である。
【００１６】
本発明の組成物には、応力を低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体といった熱可塑性樹脂などを配合してもよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記式（１）で示される一分子中の珪素原子の数が２０〜４００、好ましくは４０〜２００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５、好ましくは１〜３、より好ましくは２であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体［（Ｅ）、（ｅ）成分］を配合することがよい。
【００１７】
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2                            （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、好ましくは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、好ましくは１．９５〜２．０５、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３、好ましくは１．９６≦ａ＋ｂ≦２．０６を満足する正数を示す。）
【００１８】
なお、Ｒの一価炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基を挙げることができる。
上記共重合体としては、中でも下記構造のものが望ましい。
【００１９】
【化２】
0003773022.tif 000003
【００２０】
【化３】
0003773022.tif 000004
（上記式中、Ｒは上記と同じ、Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ2は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2-、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。ｎは４〜１９９、好ましくは１９〜９９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。）
【００２１】
上記共重合体は、ジオルガノポリシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対し０〜２０重量部、特には２〜１５重量部含まれるように配合することで、応力をより一層低下させることができる。
【００２２】
本発明には、膨張係数を小さくする目的から従来より知られている各種の無機質充填剤を添加する。無機質充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミ、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケートなどが使用される。無機質充填剤は、アンダーフィル部の封止材には、侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るため、フリップチップギャップ幅（基板とチップとの間隙）に対して平均粒径が約１／１０以下、最大粒径が１／２以下であることが好ましい。特には、平均粒径は１０μｍ以下、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍ、更に好ましくは１〜３μｍとすることがよく、また最大粒径は５０μｍ以下、好ましくは４５μｍ以下とすることがよい。なお、本発明において、平均粒径は、例えば、レーザー光回折法等による粒度分布測定装置を用いて、重量平均値（又はメジアン径）などとして用いることができる。
【００２３】
上記充填剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００重量部に対して１００〜４００重量部、望ましくは、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００重量部に対して１５０〜２５０重量部の範囲で配合することが好ましい。１００重量部未満では、膨張係数が大きく冷熱試験においてクラックの発生を誘発させるおそれがある。４００重量部を超えると、粘度が高くなり、薄膜侵入性の低下をもたらすおそれがある。
【００２４】
フィレット部の封止材に用いる無機質充填剤は、平均粒径が０．５〜３０μｍ、特に１〜２０μｍであることが好ましい。また、その配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００重量部に対して２５０〜５００重量部の範囲が好ましい。２５０重量部未満では、膨張係数が大きく冷熱試験においてフィレットクラックの発生を誘発させるおそれがある。５００重量部を超えると、粘度が高くなり、流動性の低下をもたらし、フィレット形成ができない場合がある。
【００２５】
本発明の封止材（液状エポキシ樹脂組成物）には、更に必要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど）、その他の添加剤を配合することができる。
【００２６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤を同時に又は別々に必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶解、混合、分散させることにより製造することができる。これらの混合物の混合、撹拌、分散等の装置は特に限定されないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
【００２７】
なお、本発明において、アンダーフィル部の封止材として用いる液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１０,０００ポイズ以下のものが好ましく、また、フィレット部の封止材として用いる液状エポキシ樹脂組成物の粘度も、２５℃において１０,０００ポイズ以下のものが好ましい。
【００２８】
更に、上記アンダーフィル部、フィレット部の封止材の成形方法、成形条件は、常法とすることができるが、好ましくは、アンダーフィル部に対しては熱オーブンを用いて１５０℃で０．５時間以上の条件において硬化、成形することが好ましく、０．５時間未満では十分な硬化物特性が得られない場合がある。フィレット部に対しても１５０℃で０．５時間以上の条件で硬化、成形することが好ましく、０．５時間未満では十分な硬化物特性が得られない場合がある。
【００２９】
【実施例】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３０】
［実施例、比較例］
表１，２に示す成分を３本ロールで均一に混練することにより８種のエポキシ樹脂組成物を得た。これらのエポキシ樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表１，２に示す。
［粘度］
ＢＨ型回転粘度計を用いて２０ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
［チキソ比］
ＢＨ型回転粘度計を用いて２ｒｐｍと２０ｒｐｍの粘度の比を２５℃におけるチキソ比とした。
［ゲル化時間］
組成物のゲル化時間を１５０℃の熱板上で測定した。
［Ｔｇ］：ガラス転移温度
５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物サンプルを用いてＴＭＡ（熱機械分析装置）により５℃／分の速度で昇温した際の値を測定した。
［ＣＴＥ−１］：Ｔｇ以下の膨張係数
［ＣＴＥ−２］：Ｔｇ以上の膨張係数
上記ガラス転移温度の測定において、ＣＴＥ−１は５０〜８０℃の温度範囲、ＣＴＥ−２は２００〜２３０℃の温度範囲における値を求めた。
［侵入試験］
図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、熱板１１上に下側スライドガラス１２を載置し、その上にそれぞれ厚さ８０μｍの２枚のポリイミドフィルム１３,１３を１ｃｍの間隔を隔ててセットし、その上から上側スライドガラス１４を被せ、上記両スライドガラス１２，１４と２枚のポリイミドフィルム１３，１３とにより、幅１ｃｍ、高さ８０μｍの間隙１５を形成した。上記下側スライドガラス１２上にエポキシ樹脂組成物１６を置き、熱板１１を８０℃，１２０℃に設定した時、上記組成物１６が上記間隙１５に２０ｍｍの距離まで浸透、到達するまでの時間を測定した。
［ＰＣＴ剥離テスト］
ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて積層し、生じた隙間にアンダーフィル材用エポキシ樹脂組成物を侵入、硬化させ、ＰＣＴ（１２１℃，２．１ａｔｍ）の環境下に置き、１６８ｈｒ後の剥離をＣ−ＳＡＭで確認した。
［熱衝撃性不良率］
ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０ｍｍにカットした厚み０．６ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて積層し、生じた隙間にアンダーフィル材用エポキシ樹脂組成物を侵入、フィレット部にフィレット材用エポキシ樹脂組成物を塗布し、１５０℃で４時間硬化させ、得られた試験片を−５５℃，１分／１６０℃，３０秒の熱サイクルを繰り返して、５０，１００，２５０サイクル後に硬化物にクラック及び剥離が発生しているものを不良とし、不良率を測定した（試験数＝２０）。
【００３１】
【表１】
0003773022.tif 000005
【００３２】
【表２】
0003773022.tif 000006
【００３３】
【化４】
0003773022.tif 000007
【００３４】
ＲＥ３１０：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製）
ＲＥ３０４：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製）
ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製）
ＳＯ３２Ｈ：最大粒径４５μｍ以下で、平均粒径２μｍの真球状シリカ（アドマテクス（株）製）
ＳＥ１５：平均粒径１５μｍの球状溶融シリカ（徳山曹達（株）製）
ＫＢＭ４０３：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
２ＰＨＺ−ＰＷ：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）
２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ：２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）
ＨＸ３７４１：イミダゾ−ル化合物を含有するマイクロカプセル化触媒（旭チバ（株）製）
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、アンダーフィル部には隙間侵入性に優れた液状エポキシ樹脂組成物を用い、フィレット部にはアンダーフィル部に使用する封止材よりも膨張係数の低い封止材で封止することにより、得られるフリップチップ型半導体装置は非常に信頼性の高いものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】フリップチップ型半導体装置の一例を示す概略図である。
【図２】侵入試験で用いたテストピースを示し、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
１  有機基板
２  バンプ
３  半導体チップ
４  アンダーフィル材
５  フィレット材
１１  熱板
１２  下側スライドガラス
１３  ポリイミドフィルム
１４  上側スライドガラス
１５  間隙
１６  エポキシ樹脂組成物
【図１】
0003773022.tif 000008
【図２】
0003773022.tif 000009