(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学材料分析に用いる表面ミクロ機械加工技術によって製造される、光学測定波長が波長λに集中する電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計であって、
本体ブロック（１）と、
その内の少なくとも一枚（４１）が半透過性であり前記本体ブロック（１）に対して可動式となっている、前記本体ブロック（１）に連なる略平行な二枚の反射鏡（４１，２６）であって、最大でも互いの間隔が複数の半波長すなわちλ/２の複数分の間隔を有する反射鏡と、
前記反射鏡（４１，２６）を形成する構造体のそれぞれに含まれて、前記反射鏡（４１，２６）の間に静電力を発生させることを可能とするそれぞれに対応する第一及び第二の電極構造体（６，２０）とを有し、
前記可動式の反射鏡（４１）を形成する構造体が、光学領域の平坦性を最大限度に確保するために、前記反射鏡（４１）における光学領域（２４）を取り囲む構造的に弱い領域（１５）を有し、
且つ、前記可動式反射鏡（４１）を形成する構造体に含まれる第一の電極構造体（２０）と、固定された前記反射鏡（２６）を形成する構造体に含まれる第二の電極構造体（６）と、の間における電気的接触の防止を図り、これら電極構造体（２０，６）間の静電力により前記光学領域（２４）を取り囲む前記電極構造体（２０）を用いて前記光学領域（２４）を移動する干渉計であって、
光学掃引フィルタとして光学的な材料分析に用いられ、
前記本体ブロック（１）がシリコンからなり、
前記反射鏡（４１，２６）各々が少なくともポリシリコン層（３，１１）を含んでなることを特徴とするファブリ・ペロ干渉計。
【請求項２】
前記可動式反射鏡（４１）に含まれる前記電極構造体（２０）は、前記光学領域（２４）を囲むように作成されていることを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項３】
前記可動式反射鏡（４１）に含まれる前記電極構造体（２０）が円形の環状電極であることを特徴とする請求項２に記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項４】
固定された前記反射鏡（２６）を形成する構造体における電極（２５）は前記光学領域（２４）を囲むように作成されていることを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項５】
前記光学領域（２４）を取り囲む環状電極（２５）を更に有し、前記環状電極（２５）における内部領域には絶縁領域（２７）と導電領域（２９）とが配置されると共に、前記環状電極（２５）には対向する電極（２２）が設けられ、前記絶縁領域（２７）は、前記対向電極（２２）と電位的に接続される導電領域（２９）から前記環状電極（２５）を分離することを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項６】
前記構造的に弱い領域（１５）は前記反射鏡における環状の薄状化された領域であること特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項７】
誘電材料としてドーピングされていない或いは僅かにドーピングされたポリシリコンを用いることで、所定のシリコン層上に異なる誘電性の絶縁体を与えることを特徴とする請求項１記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項８】
導電材料としてドーピングされたポリシリコンを用い、且つ誘電性の絶縁材料として僅かにドーピングされたポリシリコンを用いて、前記光学領域（２４）の前記電極（２２，２９）となる領域が形成されることを特徴とする請求項１記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項９】
前記本体ブロック（１）は、固定された前記反射鏡（２６）の裏面にその底部が達する開口孔（１４）を有することを特徴とする請求項１記載のファブリ・ペロ干渉計。
【請求項１０】
前記可動式反射鏡（４１）を形成する構造体は、前記光学領域（２４）の外部に配置された、前記二枚の反射鏡（４１，２６）に挟まれる空間から外部空間に連通する孔（２８）を有することを特徴とする請求項１記載のファブリ・ペロ干渉計。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、表面ミクロ機械加工技術によって製造される請求項１の前文に記載の静電同調可能型ファブリ・ペロ干渉計に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明は、可視光線から赤外線までの（ＶＩＳ−ＩＲ）範囲における光学材料分析技術に適用するものである。
【０００３】
非分散性光スペクトラム・アナライザは、従来、種々のタイプの光フィルタを使用している。このうち重要なフィルタは、一般に、一定の波長に同調された帯域フィルタである。２つの波長を測定したい場合、フィルタが２つ必要となり、適正な方法でフィルタの位置を変える切替機構を付加するか、代わりに個別の検波器を各フィルタの後ろに設置している。このフィルタ切替操作は、従来、フィルタが取り付けられるターンテーブルによって実行されている。つまり、ターンテーブルが回転している間、ＤＣ信号よりも利点の大きい信号形態である検波器出力信号としてＡＣ電圧（または電流）が得られる。
【０００４】
このターンテーブル機構の問題は、ベアリングの摩耗により有効寿命が比較的短いことである。本発明の効果的な実施例では、使用による摩耗を伴うような可動部を必要とせずに、帯域中心波長を電気的に同調できるフィルタ構造について説明している。以下に、この種の発明の公知例を示す。
【０００５】
ミクロ機械加工技術によって製造される静電同調可能なシリコンベースの干渉計は、Ｊ．Ｈ．ハーマンおよびＤ．Ｊ．クリフトの「光ファイバＷＤＭシステムに使用するシリコンにミクロ機械加工した小型ファブリ・ペロ干渉計」（”Ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒｓ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  ｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｆｏｒ  Ｕｓｅ  ｉｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｆｉｂｅｒ  ＷＤＭ  Ｓｙｓｔｅｍｓ”）（ダイジェスト・オブ・テクニカルペーパーズ、トランスデューサーズ’９１、３７２頁、１９９１年サンフランシスコ）、Ｋ．アラタニ他の「表面ミクロ機械加工された同調可能型干渉計アレー」（”Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｔｕｎｅａｂｌｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ  Ａｒｒａｙ”）（ダイジェスト・オブ・テクニカルペーパーズ、トランスデューサーズ’９３、６７８頁、１９９３年横浜）ならびにカタギリ他の米国特許４、８５９、０６０の各出版物により公知である。
【０００６】
Ｊ．Ｈ．ハーマンおよびＤ．Ｊ．クリフトの引用文献に開示されている構造は、３つのシリコン・ウエハからミクロ機械加工技術によって作られた大容量コンポーネントから成っている。そのような構造では、干渉計反射鏡の平行化制御のための補助電界偏向電極が必要になる。
アラタニ他の引用文献では、可視光線レンジで使用されるミクロ機械加工された電気同調可能型干渉計アレーが開示されている。このアレー内の個々の干渉計のサイズは、２０ｘ２０μｍ2 ほどの小ささである。このような小型の干渉計は、シングル・モードの光ファイバと一緒にしか使用できない。
【０００７】
米国特許４、８５９、０６０に開示されている構造は、干渉計を形成するために結合された２枚の厚いウエハから構成されている。この構造物の長さは、静電気の引力を制御することによって調節される。ただし、このような構造の欠点は、構造体に反射鏡の形を制御するための矯正処置が採られていないために、反射鏡の表面が球形に湾曲することである。
【０００８】
上に述べた干渉計の制御範囲は、干渉計における静止長の最大約３０％であり、実際には約２０％である。
光干渉計の同調操作のための温度制御の使用は、ＤＥ特許３９  ２３  ８３１により公知であり、この場合、干渉計の各反射鏡間の熱電光学媒体としてシリコンが使用されている。熱電光学媒体の屈折率は、温度に関する強力な相関的要素である。この媒体の加熱／冷却は、干渉計の両脇に設置されたペルチエ素子によって実行される。エタロンの光学的長さは、エタロンの通過域の波長の間隔が、分析対象となる気体のスペクトル回転振動吸収線の間隔と一致するように選択される。ＥＰ特許出願０  １９６  ７８４では、シリコンの屈折率の温度依存性を、温度測定のファイバ光学技術に利用している。
【０００９】
ＤＥ特許公報３６  １１  ８５２に開示されている実施例には、膨大な熱量を伴うことによって同調速度が遅くなるという欠点がある。さらに、ここで採用されている組立技術には、干渉計の反射鏡の各面の平行度を獲得するという問題がある。また、干渉計エタロン内のシリコン媒体の厚さは、厳密な正確さが要求される。干渉計の冷却／加熱は、干渉計の光軸に孔のあるペルチエ素子によって実行されるが、このような素子を利用した場合、素子を装着するうえで接着を要するため、製造上の問題が発生する。また、これらの構成要素は、非標準型であることから高価である。前記公報に教示されている実施例では、金属被膜による反射鏡を使用しているが、これによって干渉計構成要素の光透過能力がかなり低いものとなっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記技術の欠点を克服し、かつ表面ミクロ機械加工技術によって製造される全く新しいタイプの電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計であり、また光学材料分析における同調可能型フィルタ構成要素としての使用に適した干渉計を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電極のうち少なくとも１つが光学領域から完全に外部に位置するように電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計素子の光学的長さを制御する電極を配置する点に基礎を置いている。
さらに詳細に言えば、本発明によるファブリ・ペロ干渉計素子は、請求項１の特性を示す箇所で述べられている点を特徴としている。
【００１２】
また、本発明には、極めて重要な利点がある。
最大の利点は、本発明による干渉計の制御範囲が従来の構造によって得られる範囲に比べてはるかに広いことである。極端な場合、干渉計の長さはゼロまで制御され、したがって、互いに接している干渉計エタロン底部に電位が加わらないため、互いに引きつけ合う傾向がそれ以上見られなくなる。
【００１３】
また、隔膜構造の周辺に孔があるため孔の地点で湾曲が可能であり、したがって同調範囲全域にわたって光学領域の平面性を維持することから、本発明による干渉計の反射／透過曲線は、干渉計による制御が行われている間、側面の形を維持する。
さらに、本発明による干渉計によって制御方法が容易になるが、これは、反射鏡の光学領域の変位が従来の構造に比べて滑らかな制御電圧の関数となるためであり、この場合、干渉計エタロン・ギャップの閉鎖電圧に近づくと、反射鏡の動きが極めて急速になる。
【００１４】
シリコンは、降伏応力までフックの法則に従い、かつ６００℃以下の温度ではヒステリシスを全く示さないことから、機械的特性に関して優れた材料と言える。
シリコン層の上に酸化物あるいは窒化物を堆積できるため、化学薬品に対して耐性にすることができる。シリコンから作られた各素子もまた、シリコン対シリコンまたはガラス接着により互いに接着される。
従来の構造では、誘電体層に二酸化珪素または窒化珪素のいずれかを使用する。本発明では、誘電体層としてドーピングされていない、あるいはわずかにドーピングされているポリシリコンを使用することによって構造上の利点を引き出しており、これによって、干渉計の上面は平面性の高い構成が可能である。その結果、別の素子との接着が容易になる。
【００１５】
次に、以下に述べる添付図面に照らし合わせながら実施例を例示することにより、本発明を詳細に考察する。
また、添付図面の断面図にはサイズが示されていないが、この図面の目的は、ミクロ機械加工技術を用いて積層構造としての電極の製造方法を示すことにあり、実際の寸法は後に示している。
【００１６】
【実施例】
まず、図３について説明する。各素子を示す用語は次の通りである。
シリコン基板１は、シリコン・ウエハまたはシリコン部品である。
下部反射鏡は、シリコン基板１上に作られた多層構造体２６である。
干渉計の波長は、下部反射鏡２６上に作られた層７によって決まる。図示された構造の場合、この層の厚さは、干渉計の光学的な静止長に等しい。材料が取り除かれている領域は、干渉計のエタロン８と呼ばれる。
【００１７】
上部反射鏡４１は、エタロン８上に作られた多層構造から成っている。
中央の電極６および２２は、環状電極２０と同様、一定の領域において下部反射鏡２６または上部反射鏡４１のシリコンを反射鏡の偏向電圧が加わる導伝性電極にドーピングすることによって形成されている。代表的な例として、電極の形は左右対称の環状として示しているが、他の形も可能である。
光学領域２４は、反射鏡の偏向が行われている間において平面性を維持する上部反射鏡４１の領域を示している。
短エタロン干渉計とは、エタロンの光学的長さが最大で半波長になるものがある干渉計である。
【００１８】
静止波長は、干渉計エタロンの静止長に対応する最大波長である。
偏向電圧が全く印加されないとき、静止長は、干渉計エタロンの静止長を示している。
上部反射鏡４１の光学領域２４には、ミクロ機械加工によって孔２８が開けられており、この孔を通して材料が取り除かれ、干渉計のエタロン８が形成される。
上部反射鏡４１の薄くなっている領域１５は、光学領域の偏向下位領域としての働きをする。
本発明によるファブリ・ペロ干渉計は、エタロンの長さが電界偏向によって制御可能な構造である。このため、干渉計通過域の中心波長も制御可能となっている。ファブリ・ペロ干渉計の基本的な等式は次のように表すことができる。
【００１９】
【数１】
0003742124.tif 000002
ただし、ｄは両反射鏡間のエタロン長さであり、ｍは整数（例えば、干渉計エタロンの軸モード数、または干渉のオーダー数）、ｎはエタロン媒体の屈折率であり、λは波長である。従来の干渉計の場合、ｍの値は、１０〜１００、０００の範囲内にあるが、本発明では、ｍ＝１となる短エタロン干渉計を使用している。干渉計の通過帯域幅Ｂ（＝ＦＷＨＭ）は、反射鏡の反射率ｒとエタロン長さｄの関数である。
【００２０】
【数２】
0003742124.tif 000003
干渉計オーダー数の様々な値に対応する各スペクトル線の間の自由スペクトル領域ＦＳＲは、隣接する送信波形間の間隔を示している。ＦＳＲは、オーダー数ｍに関するｍおよびｍ＋１の値を求めることにより、等式（２）から計算できる。
【００２１】
【数３】
0003742124.tif 000004
等式（３）から明らかなように、ｍの値が小さくなるとＦＳＲの値は大きくなる。また、ＦＳＲの値が大きくなると、例えば、カットオフ・フィルタなどにより、隣接する干渉計オーダー数のスペクトル線の消去が容易になる。表面ミクロ機械加工技術によってシリコンから作られた干渉計の場合、距離ｄを２μｍにすることができ、かつｍ＝１となる。したがって、ＦＳＲの値は、２μｍとなる。ただし、干渉計の通過域は、多層反射鏡の層の数に影響されることがある。
【００２２】
図１ａに示される干渉計の従来の電極構成では、制御範囲が、最大でも干渉計エタロンの静止長の３分の１である。このようなファブリ・ペロ干渉計は、通常、基板１と、干渉計エタロンの静止長を決める層７と、基板１上に作成される電極６と、層７上に作成され反射鏡の中心領域２４が光学領域と可動電極両方の役割を果たす構造を有する可動式かつ透過性の反射鏡とから成っている。また、図１ｂから明らかなように、本発明による干渉計の構造では、制御範囲が従来の構造に比べてはるかに広くなる。これは、電極２０に面している反射鏡部の平均変位よりもはるかに大きい振幅で移動するように上部反射鏡の中心領域２４を配置することによって実現され、この場合、変位の振幅は、最大で干渉計エタロンの静止長の約３分の１まで可能である。また、静電力を引き起こす電界は、図に点線で示されている。
【００２３】
図１ｃについて説明すると、測定構成部は光源３１を具備し、光源３１は光学測定チャネル３３に向けて光を放射する。同調可能型ファブリ・ペロ干渉計３５により、光学測定チャネルを通過した放射光は、制御可能な干渉計３５の長さを調節することによって所望の方法で濾波できる。濾波された信号は、信号輝度や位相などの適正な変数として検波器３９によって検出される。
【００２４】
図２について説明すると、２つの異なる長さの干渉計エタロンを対象にしたファブリ・ペロ干渉計の通過域がグラフに示されている。偏向電圧がゼロのとき、干渉計通過域は２μｍに集中し、偏向電圧が加わると、１．７μｍになる。
ファブリ・ペロ干渉計は、反射モードだけでなく、透過モードでも動作可能である。透過モードでは、狭帯域フィルタとして干渉計を使用するが、反射モードでは、干渉計はバンドストップ・フィルタとして動作し、つまり、他のすべてのスペクトルの波長が狭波長帯域を除いて反射されることになる。
【００２５】
次に、図３について説明する。干渉計構造は、干渉計の本体部としての役割を果たすシリコン・ウエハ１上に作成される。層２は窒化珪素から成り、層３はポリシリコンから形成されている。また、層４は二酸化珪素から成り、層５はポリシリコンから成るが、層５の場合、領域６が環状の導伝下部電極にドーピングされた構造となっている。干渉計の静止長を決める層７は、二酸化珪素から成り、内部はエッチング加工されエタロン・キャビティ８を形成している。ここに説明する実施例では、（図示された状態に反して）層７が完全に取り除かれるが、これは、エッチング孔２８がエタロン・キャビティ８のリム部に近いためである。二酸化珪素のエッチング処理によって形成されたキャビティは、干渉計反射鏡間のエタロンとして作用する。層９はポリシリコンから成り、図の濃いハッチング部分が層５の領域６と同じ方法でドーピングされた構造となっている。層１０は二酸化珪素から成るパターン層である。層１１はポリシリコンから成り、ドーピング領域は図の濃いハッチング部分である。干渉計の上部反射鏡４１は、層９、１０、１１の中心部から成り、下部反射鏡２６は、層２、３、４、および５から成っている。窒化珪素層１３は、無反射層である。ここに説明する構造は、１μｍからこれを上回る波長までのＩＲ領域において利用可能である。
【００２６】
層５、９、１１のドーピングされていないシリコンは、機械的支持層と絶縁誘電体層の両方の働きをする。これにより、同一のシリコン層の各部分間で短絡が起きる可能性を持たずに、この部分を別の電位に導くことが可能である。
干渉計は、金属接触部１２に電圧を加えることによって制御可能であり、その場合、静電力によって上部反射鏡は下方に引き寄せられ、干渉計エタロンが短くなる。光学領域の電極がドーピングされたポリシリコンから成り、かつ電極間の誘電体絶縁部がドーピングされていないあるいは若干ドーピングされているシリコンから形成された場合、完全に平坦な構造が得られる。わずかにドーピングされたポリシリコン層の光学的性質がドーピングを一切行っていないポリシリコン層とほとんど同じであることから、電極領域も光学領域の一部として利用できるのである。
【００２７】
また、シリコン基板ウエハ１がＶＩＳ（可視光線）領域のすべての放射を吸収することから、図４に示すようなエッチングによって形成された孔１４を有する干渉計構造を提供し、この点を解決している。孔２８により、干渉計エタロンの内側から二酸化珪素をエッチングにより除去できる。干渉計の光学領域２４は、孔２８による境界内に位置している。また、光学領域２４は、その内側で干渉計エタロン長さの全制御範囲にわたって上部反射鏡４１を平坦に保持する薄状の環状部分１５で囲まれている。層１１の導伝領域を介して、上部反射鏡４１の中心電極２２に制御電圧が印加される。孔２８は、干渉計の光学領域２４の外部に位置しなければならず、好ましくは、円に沿って等間隔に分割した方がよい。孔２８の形は、小さい環状の孔から干渉計領域の半径方向に細長く伸びたスロット型の孔まで幅広い範囲のものが可能である。
【００２８】
干渉計のエタロン８は、孔２８を介してエッチングによって形成されることが好ましい。光学領域２４を平坦に保持するためには、屈曲領域として機能する薄状の環状領域１５が光学領域２４の周りに形成されなければならない。
干渉計は、通常、光学領域の直径が約０．５ｍとなるような約１ｍｍの直径を有している。干渉計の外部寸法は、例えば、２ｍｍｘ２ｍｍのサイズが可能である。反射鏡の各種層の厚さは数百ｎｍであり、エタロンの長さは、１μｍ未満から数μｍまで希望する波長領域によって異なる。
【００２９】
機械的制御範囲は、エタロンの静止長からゼロまでの範囲にわたっている。光学的制御範囲は、波長関数として反射係数を定める反射鏡の構造によって異なっている。金属被膜による反射鏡を使用した場合、最大の光学的制御範囲が得られるが、多層誘電体反射鏡では、静止波長の約半分の制御範囲しか得られない。
次に、図５では、干渉計構造の別の態様が示されている。中心電極２９に印加された電圧は、下部反射鏡の下部シリコン層へのドーピングによって形成された導伝路３８を介して取り込まれる。中心電極２９は、絶縁層２７によって下部反射鏡の環状電極構造体２５から絶縁される。下部反射鏡２６の中心電極構造体２９から静電荷を放出するため、中心電極構造体２９が上部反射鏡４１の電極構造体２２と同じ電位に導かれる。
【００３０】
図６では、さらに別の態様の干渉計構造２が示されている。この構造を使用した場合、上部中心電極２２と環状電極２０に印加された電圧は、二酸化珪素層に設けられたシリコンを充填した補助孔３６を介して取り込まれる。この構造は、３端子回路に構成可能である。
当業者にとって、このような電界偏向動作は、上記の構造が従来技術の例として理解され本発明の精神に限定されない複数の様々な方法によって実行可能なことは明らかである。
したがって、本発明の特性は、環状電極構造によって可能な制御範囲の拡大、制御領域全域にわたって光学領域２４を平坦に維持できるようにする光学領域２４を囲む薄状環１５、ならびに誘電体絶縁としてドーピングを一切行わないか若干行っているポリシリコンの使用である。
【００３１】
以下に、図３に関して、干渉計の製造工程を明らかにする例示方法により、干渉計構造の詳細を説明する。
支持基板材料は、主要厚さ０．５ｍｍ、ドーピング・レベル１０15原子／ｃｍ3 未満および（１００）結晶系のシリコン・ウエハ１である。シリコン・ウエハの上面には、窒化珪素のλ／４層２が形成される。
次に、窒化珪素層２の上には、ドーピングされていない多結晶質シリコンのλ／４層３が形成され、さらに層３の上に二酸化珪素のλ／４層４が形成される。さらに、二酸化珪素層４の上には、ドーピングされていないポリシリコンのλ／４層５が形成される。
【００３２】
また、層５の上にはフォトレジスト層が塗布され、フォトレジストはパターン化される。次に、シリコンに対して、約１０14原子／ｃｍ3 のドーパント濃度により、燐、硼素、または砒素原子のイオン注入が行われる。さらに続いて、レジスト層が除去される。パターン層５の上には二酸化珪素のλ／２層７が形成されるが、その場合、この二酸化珪素から、図３に示される構造体７が残るまで二酸化珪素の必要な箇所が除去される。
この構造体の上には、ドーピングされていないポリシリコンのλ／４層９が形成され、さらに、フォトレジスト層が塗布された後、フォトレジストはパターン化される。次に、燐、硼素、または砒素原子でイオン注入が行われ、フォトレジストが除去される。
【００３３】
次に、二酸化珪素のλ／４層１０が形成され、図３に示される構造体１０の形にパターン化される。この層の上には、ドーピングされていないポリシリコンのλ／４層１１が形成され、フォトレジスト層が塗布された後、フォトレジストのパターン化が行われる。さらに、燐、硼素、または砒素原子でイオン注入が行われ、フォトレジストが取り除かれる。
続いて、新たにフォトレジストが塗布されパターン化されるが、これは、エタロン・キャビティ８を形成するため、孔２８と薄状化領域１５をミクロ機械加工し、孔２８を通して層７から二酸化珪素をエッチングで除去するためである。次に、例えば、真空蒸発または機械マスクによるスパッターなどによって、金属製接触パッド１２が形成される。この金属層１２は、多層金属被膜にしてもよい。最後に、ウエハの下面に何らかの被膜が塗布される場合もあり得るが、これを除去して、代わりに、下面に窒化珪素のλ／４層１３を形成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は従来の同調可能型ファブリ・ペロ干渉計の側面図である。（ｂ）は本発明による同調可能型ファブリ・ペロ干渉計の側面図である。（ｃ）は本発明による干渉計用の測定器構成のブロック図である。
【図２】本発明による干渉計の実施例に関する通過域曲線を、干渉計のそれぞれ異なる２つの波長において示したグラフである。
【図３】シリコンが透過性となる波長での操作用に作られた本発明によるファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図である。
【図４】可視光線による波長での操作用に作られた本発明によるファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図である。
【図５】可視光線による波長での操作用に作られた本発明による別のファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図である。
【図６】シリコンが透過性となる波長での操作用に作られた本発明による別のファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図である。
【図７】電極部の断面を示す図６のファブリ・ペロ干渉計の平面図である。
【符号の説明】
１………………本体ブロック
２６、４１…………反射鏡
６、２０…………電  極
【図１】
0003742124.tif 000005
【図２】
0003742124.tif 000006
【図３】
0003742124.tif 000007
【図４】
0003742124.tif 000008
【図５】
0003742124.tif 000009
【図６】
0003742124.tif 000010
【図７】
0003742124.tif 000011