(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成した電界放射型電子源であって、前記装置本体内に熱伝導型マイクロ真空計測素子を設けたことを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成した電界放射型電子源であって、前記装置本体内に振動型マイクロ真空計測素子を設けたことを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
前記電子源を形成する基板若しくは前記ターゲットを形成する基板上に前記マイクロ真空計測素子を一括形成して成ることを特徴とする請求項１又は２記載の電子線装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記マイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度を算出し、その真空度から電子線装置の駆動条件を制御することを特徴とする電子線装置の制御方法。
【請求項５】
前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件であることを特徴とする請求項４に記載の電子線装置の制御方法。
【請求項６】
前記制御される駆動条件が前記電子源の駆動条件であることを特徴とする請求項４に記載の電子線装置の制御方法。
【請求項７】
前記制御される駆動条件が前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件であることを特徴とする請求項４記載の電子線装置の制御方法。
【請求項８】
前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件、前記電子源の駆動条件、前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件の何れか２つの組み合わせ又は３つの条件であることを特徴とする請求項４記載の電子線装置の制御方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記装置本体内に前記マイクロ真空計測素子を複数個分散配置し、これらマイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度分布を算出し、その真空度分布に応じて、電子源の駆動条件、装置本体内のゲッターの活性化条件を制御することを特徴とする電子線装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源から放出される電子線がターゲットに入射される電子線装置において、ターゲットが蛍光体である表示装置や、ターゲット面への電子線入射状況から種々の物理量を検出するセンサや高速デバイス、耐環境デバイスに用いる電子線装置及びその制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子源としては、熱陰極素子、フィラメント等があり、冷陰極素子としては、電界放出型（ＦＥ型）、表面伝導型（ＳＣＥ型）、金属／絶縁層／金属（ＭＩＭ型）等があり、これら電子源からなる電子線装置を用いたものとしては画像形成装置、表示装置、センサ、電子デバイスなどがある。
【０００３】
ここで電子線装置の製造工程の一例として表示装置について簡単に説明する。以下に示す方法は、その標準的な工程である。
【０００４】
１）ガラス基板に電界放出型電子源アレイを形成したリアプレートを形成する。
【０００５】
２）ガラス基板に電極及び蛍光体を形成したフェースプレートを形成する。
【０００６】
３）リアプレート或いはフェースプレートの何れかに排気孔を有するゲッタールームを設け、スペーサガラスとシール材を介して、リアプレートとフェースプレートを所定の位置に重ね合わせる。
【０００７】
４）封着炉内でシール材により封着する。
【０００８】
５）排気孔より真空排気し、ゲッター活性化を行う。
【０００９】
６）電子源を駆動させ、パネル容器（装置本体）内の吸着ガスの脱離等を含む電子源の初期安定化を行う。
【００１０】
上記の製造工程で、パネル容器の真空度管理が、製造時間短縮や装置寿命に大きく影響し、パネル容器内の真空度を正確に計測することが非常に重要である。パネル容器内の真空度を計測する方法として、真空装置に用いられる電離真空計を、電子源を応用してパネル容器内部に形成する方法が提案されている（特開平９−６９３４７号）。
【００１１】
図９（ａ）は従来例の断面構造を示しており、装置本体であるパネル容器１はリアプレート２と、フェースプレート３と、スペーサガラス４とで構成され、リアプレート２上には複数の電子源５ａを有する電子線アレイ５が形成され、それに対向するようにフェースプレート３には蛍光体６が形成されおり、そしてこれら蛍光体６，電子源アレイ５が形成されていない空き位置に電離真空計７を形成してある。
【００１２】
この電離真空計７は図９（ｂ）に示すようにリアプレート２上に形成した電子源７０と、この電子源７０に対向するようにフェースプレート３側に形成した加速電極７１及びイオンコレクタ電極７２とからなる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した電離真空計７を用いた真空度計測方法には以下のような問題がある。真空度を計測するためには、電子源７０から一定のエミッション電流を安定に得る必要がある。しかし、電子源７０は経時的な劣化や、ばらつきがあるためエミッション電流量が変化し、正確な真空度を計測することができない。また、一般の電離真空計と異なり、狭空間に形成されるためイオン化電流量が小さく精度良く真空度を計測することが困難である等の問題がある。
【００１４】
本発明は、このような問題点に鑑みて為されたもので、その目的とするところは、装置本体内の真空度をより正確に計測することができる電子線装置を提供するとともに、計測する装置本体内の真空度により電子源の破損の防止、封着時の排気時間の短縮、真空度の回復などが図れる電子線装置の制御方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、請求項１の発明は、内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成した電界放射型電子源であって、前記装置本体内に熱伝導型マイクロ真空計測素子を設けたことを特徴とする。
【００１６】
請求項２の発明は、内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成した電界放射型電子源であって、前記装置本体内に振動型マイクロ真空計測素子を設けたことを特徴とする。
【００１７】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記電子源を形成する基板若しくは前記ターゲットを形成する基板上に前記マイクロ真空計測素子を一括形成して成ることを特徴とする
【００１９】
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記マイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度を算出し、その真空度から電子線装置の駆動条件を制御することを特徴とする。
【００２０】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件であることを特徴とする。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源の駆動条件であることを特徴とする。
【００２２】
請求項７の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件であることを特徴とする。
【００２３】
請求項８の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件、前記電子源の駆動条件、前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件の何れか２つの組み合わせ又は３つの条件であることを特徴とする。
【００２４】
請求項９の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記装置本体内に前記マイクロ真空計測素子を複数個分散配置し、これらマイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度分布を算出し、その真空度分布に応じて、電子源の駆動条件、装置本体内のゲッターの活性化条件を制御することを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１は表示装置を構成する電子線装置を構成する本実施形態の装置本体たるパネル容器１の断面構成を示しており、パネル容器１はガラス基板に多孔質ポリシリコンの複数の電子源５ａからなる電子源アレイ５を形成したリアプレート２と、ガラス基板に蛍光体６を形成したフェースプレート３と、リアプレート２とフェースプレー３との間に介在するスペーサガラス４とで構成され、電子源アレイ５の側方のリアプレート２上に熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０を形成している。ここで電子源５ａとして多孔質ポリシリコンを用いた電界型とした場合、電子源５ａの安定駆動真空度が１Ｐａ以下である。従って本実施形態で用いる熱伝導型や後述する振動型のマイクロ真空計測素子の計測範囲が大気圧から０．１Ｐａ程度であることから，他の電子源に比べてこれらマイクロ真空計測素子との整合性が非常に高い。
【００２６】
該マイクロ真空計測素子１０は、図２（ａ）（ｂ）に示すように誘電体薄膜からなるマイクロブリッジ部１１の脚片でリアプレート２上方に空隙１２を介して配置されたＴＣＲの大きなサーミスタ１３により構成され、ガスによる熱伝導変化によって生じるサーミスタ１３の抵抗変化値を検出出力とするもので、計測時にサーミスタ１３に電圧を印加する。
【００２７】
ここで多孔質ポリシリコンの電子源アレイ５の形成方法については省略するが、マイクロ真空計測素子１０の形成方法については以下に説明する。まず多孔質ポリシリコンの電子源アレイ５の作製工程に支障がないように保護層などの工夫を行い、プラズマＣＤＶにより作製したＳｉＯ2をパターン形成し、そのＳｉＯ2の上にプラズマＣＤＶによりＳｉ3Ｎ4を形成し、更にサーミスタとして、プラズマＣＶＤによりアモルファスＳｉＣを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりパターンニングする。ここでサーミスタ材料はアモルファスＳｉＣに限定されものではなく、アモルファスＳｉ、ポリシリコンやＴｉ、Ｐｔ等の金属薄膜などを用いても良い。
【００２８】
さて上記パターンニング後、Ｃｒ電極をパターン形成し、更にプラズマＣＶＤによりＳｉ3Ｎ4を形成し、パターニングする。その後，Ｓｉ3Ｎ4のパターニングによって形成されたエッチングのホールからＳｉＯ2犠牲層をフッ酸により除去し、図２（ａ）（ｂ）に示すマイクロブリッジ構造の熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０を電子源アレイ５と同一基板、つまりリアプレート２上に一括形成する。尚フェースプレート３側にマイクロ真空計測素子１０を形成しても良い。
【００２９】
尚マイクロブリッジ構造の形成では、犠牲層としてＳｉＯ2を、またマイクロブリッジ部１１を構成する誘電体薄膜としてＳｉ3Ｎ4を夫々用いたが、犠牲層とマイクロブリッジ部１１の材料の組み合わせは上記の組み合わせに限定されるものではなく、犠牲層にＡｌやポリシリコン、アモルファスＳｉを用い、マイクロブリッジ部１１の材料にＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯＮなどを用いても良い。
【００３０】
ここでマイクロ真空計測素子は、一般的なＩＣ製造と同様にＳｉウェハ上に形成し、分割して電子装置の装置本体内に実装することが可能であるが、この場合装置本体の形成工程にマイクロ真空計測素子の実装する工程が入り、非常に工程のロスが大きい。また表示装置の場合、低電圧タイプでは装置本体であるパネル容器１を構成するフェースプレート３とリアプレート２の間隔が２００μｍ程度、高電圧タイプでは４〜６ｍｍであるが、Ｓｉウェハの厚みを考慮すると、低電圧タイプでのマイクロ真空計測素子の実装は困難である。
【００３１】
これに対して本実施形態のようにリアプレート２（若しくはフェースプレート３）を基板としてマイクロ真空計測素子１０を一括形成することにより、低電圧型の非常に狭い間隔においてもマイクロ真空計測素子１０を設けることができ、パネル容器１内の真空度計測を可能としている。
【００３２】
また本実施形態で用いる熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０は非常に安定なサーミスタ材料を用いていることから、特性が非常に安定しており、経時的な変化や狭空間による特性への影響がなく、その抵抗変化に基づいて非常に正確な真空度を算出することができる。
【００３３】
（実施形態２）
本実施形態は上記実施形態１の熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０の代わりに図３（ａ）（ｂ）に示す構造の熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０を用いたものである。尚装置全体構成は実施形態１と同じであるからここでは図示しない。本実施形態に用いる熱伝導型のマイクロ真空計測素子１０は、実施形態１における犠牲層形成を除いて、同様にＳｉ基板２１上に誘電体薄膜２４及び誘電体薄膜２４で保護されるサーミスタ２２を作製し、更に信号取り出し用のパッド電極を形成後、Ｓｉ基板２１の一部を異方性エッチングにより除去して誘電体薄膜２４内のサーミスタ２２とＳｉ基板２１との間に空隙２３を設けたマイクロブリッジ構造を形成している。このマイクロ真空計測素子１０はチップにカットされた後、リアプレート２に実装される。この場合、マイクロ真空計測素子１０の厚みから、例えば１ｍｍ以上の空隙を必要となる。しかし、この場合、マイクロ真空計測素子１０は、電子線装置と別に作製されるため、製造歩留まりや、工程の煩雑さが大幅に低減されると共に、マイクロ真空計測素子１０を大量生産できる。
【００３４】
（実施形態３）
上記実施形態１，２ではパネル容器１内の真空度を測定するために熱伝導型のマイクロ真空計測素子を用いているが、本実施形態では図４に示す振動型のマイクロ真空計測素子１０を用いている。振動型のマイクロ真空計測素子１０は誘電体薄膜で形成した振動子のＱ値が真空度に依存することを利用して真空度を計測する素子である。尚装置全体構成は実施形態１と同じであるからここでは図示しない。
【００３５】
ここで本実施形態で用いる振動型のマイクロ真空計測素子１０は次のように製作される。つまり、Ｓｉ基板３１上にＣＶＤによりＳｉＯ2を成膜し、その後、ポリシリコンを成膜して、パターニングする。このポリシリコンは交流加熱により変形を生じさせて共振を起こさせるポリシリコンヒータ３２としての役割と、共振現象を検出する歪みゲージ３３としての働きをする。その上にＣＶＤによりＳｉＯ2を形成する。ポリシリコンの電極形成のため、コンタクトホール形成後Ａｌの成膜バターニングを行い、その後前記のＳｉＯ2をパターニングしてエッチングのホールを形成する。そして異方性エッチングによってＳｉＯ2の薄膜からなるカンチレバー３４の下層のＳｉ基板３１をエッチング除去して空隙３５を形成することにより振動型のマイクロ真空計測素子１０が作製される。
【００３６】
上記歪みゲージ３３の出力により計測される共振周波数に依存したＱ値は、ガスの粘性や衝突により変化するが、この現象が真空度に依存することから，真空度と相関関係がある。従ってこのＱ値により真空度を計測することができるのである。
【００３７】
而して振動型のマイクロ真空計測素子１０は上記実施形態１，２の熱伝導型マイクロ真空計測素子と異なり周囲の温度変化に影響されにくいため、温度対策が不要というメリットもある。また一基板上に形成できるため、経時的な特性変化、狭空間による特性への影響がなく、非常に正確な真空度の計測が可能となる。
【００３８】
（実施形態４）
図５は上述の実施形態１〜３のようにマイクロ真空計測素子１０をパネル容器１内に設けてパネル容器１内の真空度を計測することができるようにした表示装置において、真空度の計測結果から電子源の駆動条件を制御する制御部４０を備えた本実施形態の構成を示す。制御部４０はパネル容器１内のマイクロ真空計測素子１０の検出出力から真空度を算出する真空度計測ブロック４１と、この真空度計測ブロック４１が算出する真空度に応じた駆動条件で駆動ブロック４３を制御する制御ブロック４２と、真空度計測ブロック４１が計測する真空度に基づいてゲッターの再活性化を行うためのゲッター用ブロック４４とからなり、駆動ブロック４５は制御ブロック４２から与えられる駆動条件により、電子源を駆動する。
【００３９】
ここで上記のマイクロ真空計測素子１０を内蔵した表示装置の製造工程において、パネル容器１の封着時のエージング条件を以下に示す。封着工程は、パネル容器１内のマイクロ真空計測素子１０によってパネル容器１内の真空度測定を連続的に行い、真空度計測ブロック４１で算出している真空度の変化から、排気終了時間を決定する。一方通常の方法では、パネル容器１内の真空度が正確に計測できていないため、かなり長時間排気した後に排気終了となる。従って、大幅な工程時間短縮が可能となる。図６はこの排気行程の時間経過を示しており、リアルタイムに真空度を測定するため、従来のような時間管理による排気終了時点（イ）を決定する場合に比べて排気終了時点（ロ）が短くなっている。
【００４０】
また、封着後の電子源駆動による蛍光体などからの吸着ガス排気に関して、電子源の駆動直後は蛍光体の吸着ガスが多量に発生する可能性がある。図７は電子源の駆動時の真空度変化を示す。そこで、制御ブロック４２は真空度計測ブロック４１が算出する真空度から、真空度が急激に変化する初期の段階では、電子源の駆動条件を通常の条件に比べて極弱く設定し、また変化のピークが過ぎた直後から一定期間駆動条件を通常の条件に比べて弱く設定して駆動ブロック４３による電子源の駆動を制御し、過剰なエミッション電流を流さないようにするとともに電子の加速電圧を抑えることにより、電子源の破損を防止しながら真空度の向上をさせることが可能になる。
【００４１】
尚図６，７に於ける縦軸は原点に近い程真空度が高いことを示す。
（実施形態５）
本実施形態は、電子線装置の一例の表示装置において、表示装置の点灯開始前にパネル容器１内の真空度を計測し、真空度が劣化していた場合、ゲッターを活性化させる処理をゲッター用ブロック４３により行い、真空度を回復させる処理を行うと同時に、電子源の駆動条件を通常の条件より弱く設定して、過剰なエミッション電流を流さないようにするとともに電子の加速電圧を抑えることにより、電子源の破損を防止し、また、表示開始後においても、真空度の変化を連続的に計測し、ゲッターの機能低下等による真空度の劣化を計測し、真空度の劣化が認められた場合、ゲッター用ブロック４３によりゲッターに流す電流を制御することによりゲッターの再活性化を行うと同時に、制御ブロック４２は電子源の駆動条件を通常の条件より弱く設定し、エミッション電流量を抑えて過剰なエミッション電流を流さないようにするとともに、電子の加速電圧を抑えるように駆動ブロック４３を制御し、電子源の破損を防止するようにする方法にかかるものである。尚本実施形態における表示装置の制御部の構成は実施形態４と同じであるので、図５を参照する。
【００４２】
ゲッターの再活性化は、非蒸発ゲッターの場合、再活性化初期に吸収していた水素を一時的に放出する性質があるので、点灯前あるいは点灯後に行い、次の点灯時には真空度が回復しているのを検出した後に正常の電子源動作をさせるように駆動ブロック４３を制御する。これにより、表示装置の破損防止、および寿命の改善を可能とする。
（実施形態６）
本実施形態は大型の表示装置に用いたもので、図８に示すように、パネル容器１内にリアプレート２上の電子源アレイ５の周囲に図示するように複数個のマイクロ真空計測素子１０を分散配置し、パネル容器１内の真空度分布を計測可能とした。個々のマイクロ真空計測素子１０から出力から所定の真空度に達していない傾城が検出されるとその近傍の非蒸発型のゲツター５０を再活性化させることによって、真空度を回復させる処置を行い、同時にその領域に位置する電子源５ａの駆動条件を過剰なエミッション電流を流さないようにし、また電子の加速電圧を抑え、電子源５ａの破損を防止するようにする。これによって、大型表示装置のの破損防止、および寿命の改善を可能とできる。尚図８中４はスペーサガラスを示す。
【００４３】
【発明の効果】
請求項１の発明は、内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、装置本体内に熱伝導型マイクロ真空計測素子を設けたので、電離真空計測素子を用いる場合に比して、経時的な特性変化や、狭空間による特性への影響がなく、装置本体内の真空度を非常に正確に計測することが可能となるというという効果がある。
しかも、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成して成る電界放射型電子源であるので、電子源と熱伝導型マイクロ真空計測素子との整合性が非常に高いという効果がある。
【００４４】
請求項２の発明は、内部に電子源と、電子源から放出される電子が照射されるターゲットを真空気密の装置本体内に有する電子線装置において、装置本体内に振動型マイクロ真空計測素子を設けたので、該マイクロ真空計測素子を電子源と同一基板に一括形成することが可能なもので、経時的な特性変化や、狭空間による特性への影響がなく、装置本体内の真空度を非常に正確に計測することが可能となるというという効果がある。
しかも、前記電子源が、導電性材料上に形成されたポリシリコン層の少なくとも表層を多孔質化するとともに酸化することにより得られた多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜を形成して成る電界放射型電子源であるので、電子源と振動型マイクロ真空計測素子との整合性が非常に高いという効果がある。
【００４５】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記電子源を形成する基板若しくは前記ターゲットを形成する基板上に前記マイクロ真空計測素子を一括形成して成るので、別に形成した素子を実装することが困難な狭い装置本体であっても内部にマイクロ真空計測素子を設けることができ、しかもマイクロ真空計測素子の実装工程が無いため、工程ロスを無くすことができるという効果がある。
【００４６】
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記マイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度を算出し、その真空度から電子線装置の駆動条件を制御するので、装置本体内の真空度に応じて電子線装置を適切な状態或いは電子線装置を適切に動作させることが可能となるという効果がある。
【００４７】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件であるので、装置本体の製造時の装置本体の排気工程時に、マイクロ真空計測素子により計測する装置本体の真空度に基づいて空排気終了時間を決定でき、そのため時間管理によって行う場合に比べて大幅に工程時間を短縮でき、しかも装置本体の真空封着後電子源の駆動により装置本体内の吸着ガスを除去する場合、装置本体内の真空度により電子源のエミション電流量を抑え、また、電子の加速電圧を抑える制御が可能となり、そのため、電子源を破壊することなくエージングできるという効果がある。
【００４８】
請求項６の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源の駆動条件であるので、装置のウォーミングアップ時に、真空度を計測して、真空度の劣化が認められた場合に、ゲッターの再活性化効果が現れるまでの間、電子源の駆動条件を抑制することによって、電子源の破損防止を図り、その結果装置破損を防止でき、また通常使用時においても計測される真空度に応じて電子源の駆動制御し、装置の動作を完全に停止させることなく、使用することが可能となるという効果がある。
請求項７の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件であるので、電子源の安定動作に影響がある真空度まで劣化した場合に、ゲッターを再活性化することができ、その結果装置本体内の真空度を回復させることによって装置の動作の安定化が図れ、装置の寿命を向上させることができるという効果がある。
【００４９】
請求項８の発明は、請求項４の発明において、前記制御される駆動条件が前記電子源のエージング条件、前記電子源の駆動条件、前記装置本体に内蔵されたゲッターの活性化条件の何れか２つの組み合わせ又は３つの条件であるので、請求項７乃至８の何れかの発明の効果の何れかを複合的に得られる。
【００５０】
請求項９の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか記載の電子線装置に用いる制御方法であって、前記装置本体内に前記マイクロ真空計測素子を複数個分散配置し、これらマイクロ真空計測素子の出力から装置本体内の真空度分布を算出し、その真空度分布に応じて、電子源の駆動条件、装置本体内のゲッターの活性化条件を制御するので、計測される真空度分布により真空度劣化の激しい部分のゲッターの再活性化や電子源の駆動条件を制御することで、装置の動作の安定性の向上、寿命改善、破損防止が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１を用いた表示装置の断面図である。
【図２】（ａ）は同上に使用する熱伝導型のマイクロ真空計測素子の拡大側断面図である。
（ｂ）は同上に使用する熱伝導型のマイクロ真空計測素子の拡大上面図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施形態２に使用する熱伝導型のマイクロ真空計測素子の拡大側断面図である。
（ｂ）は同上に使用する熱伝導型のマイクロ真空計測素子の拡大上面図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施形態３に使用する振動型のマイクロ真空計測素子の拡大側断面図である。
（ｂ）は同上に使用する振動型のマイクロ真空計測素子の拡大上面図である。
【図５】本発明の実施形態４を用いた全体構成図である。
【図６】同上における排気行程の時間経過説明図である。
【図７】本発明の実施形態５におけるエージング条件の時間経過説明図である。
【図８】本発明の実施形態６を用いた表示装置の正面断面図である。
【図９】（ａ）は従来例の表示装置の断面図である。
（ｂ）は同上に使用する電離真空計測素子の拡大側断面図である。
【符号の説明】
１  パネル容器
２  リアプレート
３  フェースプレート
４  スペーサガラス
５  電子源アレイ
５ａ  電子源
６    蛍光体
１０  マイクロ真空計素子
【図１】
0003861487.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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