(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸によりアルカリ溶解性が増大する被膜形成樹脂成分及び（Ｂ）ポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなる酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項２】
（Ｂ）成分のポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物が、一般式
Ｒ1−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−［Ｚ−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2］n−Ｒ2
（式中のＲ1及びＲ2はたがいに同一又は異なった炭化水素基又は置換炭化水素基、Ｚは二価の炭化水素基、ｎは１〜５の整数である）
で表わされる化合物である請求項１記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ2が置換若しくは未置換の炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状アルキル基あるいは置換若しくは未置換の炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基である請求項２記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項４】
Ｒ1及びＲ2がシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である請求項３記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項５】
Ｒ1及びＲ2がシクロヘキシル基又はフェニル基である請求項４記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項６】
（Ａ）成分の酸によりアルカリ溶解性が増大する被膜形成樹脂成分が、酸解離性の溶解抑制基で保護されたフェノール性水酸基又はカルボキシル基をもつ樹脂である請求項１ないし５のいずれかに記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項７】
酸解離性の溶解抑制基が第三アルコキシカルボニル基、第三アルキル基、アセタール基又はアルコキシアルキル基のいずれかである請求項６記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【請求項８】
酸解離性の溶解抑制基がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基又はエトキシエチル基のいずれかである請求項７記載の化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規化学増幅型ポジ型ホトレジスト、さらに詳しくは、０．２５μｍ以下、具体的には０．１５〜０．２２μｍのような超微細パターンの形成に好適な感度、レジストパターン形状及び解像性に優れる化学増幅型ポジ型ホトレジストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。
【０００３】
この化学増幅型レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、これらは、一般に、酸発生剤と、発生する酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する被膜形成成分とを基本成分としている。
【０００４】
前記ポジ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基などの溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレンなどが用いられており、一方、ネガ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常上記溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレン、あるいはポリヒドロキシスチレンやノボラック樹脂などの樹脂成分に、メラミン樹脂や尿素樹脂などの酸架橋性物質を組み合わせたものが用いられている。
【０００５】
ところで、近年、化学増幅型ポジ型レジストを用いた０．２５μｍ付近の解像性を必要とするリソグラフィープロセスの実用化が図られる一方、半導体素子の微細化への要求は益々高まり、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を用いた０．２５μｍ以下の微細パターンを必要とする次世代半導体素子の開発が進められている。
【０００６】
一方、−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基１つを有するジアゾメタン化合物は古くから知られており（例えば、米国特許第３３３２９３６号明細書、英国特許第１２３１７８９号明細書）、そして、このようなジアゾメタン化合物をＣＥＬ材（コントラストエンハンスト材料）や化学増幅型レジストの酸発生剤として用いた技術が数多く提案されている（特開平２−１１８６５５号公報、特開平２−８４６４８号公報、特開平２−１８７７６４号公報、特開平３−１０３８５４号公報、特開平４−２１０９６０号公報、特開平４−２１７２４９号公報）。
【０００７】
しかしながら、このようなジアゾメタン化合物は、今日の０．２５μｍ以下のレジストパターンを必要とする超微細なリソグラフィーにおいては、該化合物を用いて得られたレジストパターン形状及び解像性では、もはや満足しうるものではなくなってきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、０．２５μｍ以下、さらに詳しくは０．１５〜０．２２μｍの超微細パターンの形成に好適な感度、レジストパターン形状及び解像性に優れる新規化学増幅型ポジ型ホトレジストを提供することを目的としてなされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、感度、レジストパターン形状及び解像性に優れる化学増幅型ポジ型ホトレジストについて鋭意研究を重ねた結果、露光により発生した酸と得られるレジストパターンの解像性の関係に着目し、従来のジアゾメタン化合物から発生した酸に比べ一層嵩高いスルホン酸を発生する酸発生剤を用いることにより、露光後レジスト膜中における露光により発生した酸の移動度が抑制され、解像性及び断面形状に優れるレジストパターンが得られ、前記目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、（Ａ）酸によりアルカリ溶解性が増大する被膜形成樹脂成分及び（Ｂ）ポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなる酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジストを提供するものである。本発明のポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、２個以上の−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基をもつ化合物である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の化学増幅型ポジ型ホトレジストにおいて、（Ａ）成分として用いられる被膜形成樹脂成分としては、酸によりアルカリ溶解性が増大するものであればよく、特に制限されず、従来化学増幅型ポジ型ホトレジストの被膜形成樹脂成分として使用されているものの中から、適宜選択して用いることができる。
【００１２】
このような被膜形成樹脂成分としては、酸解離性の溶解抑制基で保護されたフェノール性水酸基やカルボキシル基をもつ樹脂が挙げられる。
上記酸解離性の溶解抑制基としては特に制限はないが、例えばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基などの第三アルコキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミル基などの第三アルキル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニルメチル基などの第三アルコキシカルボニルアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などのアセタール基や１‐エトキシエチル基、１‐メトキシ‐ｎ‐プロピル基などのアルコキシアルキル基、トリメチルシリル基などのシリルエーテル基などが挙げられる。これらの中で、第三アルコキシカルボニル基、第三アルキル基、アセタール基及びアルコキシアルキル基が好ましく、特にｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基及び１‐エトキシエチル基が好適である。
【００１３】
この（Ａ）成分の具体例としては、（Ａ−１）ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子の１０〜５０モル％、好ましくは１５〜３５モル％がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基により置換されたポリヒドロキシスチレン、（Ａ−２）ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子の１０〜５０モル％、好ましくは１５〜３５モル％がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルメチル基により置換されたポリヒドロキシスチレン、（Ａ−３）ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子の１０〜５０モル％、好ましくは１５〜３５モル％がテトラヒドロピラニル基により置換されたポリヒドロキシスチレン、（Ａ−４）ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子の１０〜５０モル％、好ましくは１５〜３５モル％が１‐エトキシエチル基や１‐メトキシ‐ｎ‐プロピル基などのアルコキシアルキル基により置換されたポリヒドロキシスチレン、（Ａ−５）ヒドロキシスチレンとスチレンとｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレートとの共重合体などが挙げられる。
【００１４】
本発明においては、この（Ａ）成分の被膜形成樹脂成分は１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよいが、特に、前記（Ａ−１）成分と（Ａ−４）成分、（Ａ−３）成分と（Ａ−４）成分を混合して用いるのが好ましい。この際、各成分の混合割合については、（Ａ−１）又は（Ａ−３）成分５〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量％と、（Ａ−４）成分９５〜５０重量％、好ましくは９０〜７０重量％とを混合するのが有利である。
【００１５】
本発明の化学増幅型ポジ型ホトレジストにおいて、（Ｂ）成分の酸発生剤として用いられるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物としては、例えば一般式
0003810211.tif 000002
（式中のＲ1及びＲ2はたがいに同一又は異なった炭化水素基又は置換炭化水素基、Ｚは二価の炭化水素基、ｎは１〜５の整数である）
で表わされる化合物を好ましく挙げることができる。
【００１６】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2で示される炭化水素基又は置換炭化水素基としては、例えば置換若しくは未置換の炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状アルキル基あるいは置換若しくは未置換の炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基、好ましくは置換若しくは未置換のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を挙げることができる。
【００１７】
ここで、置換基としては、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチルなどのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基、さらには上記アルキル基やアルコキシ基の水素原子１つ以上がハロゲン原子により置換されたハロゲノアルキル基やハロゲノアルコキシ基が好ましく挙げられる。
【００１８】
通常、エキシマレーザー（２４８ｎｍ）に対する透過性が高いほど高解像性が達成されることから、Ｒ1、Ｒ2は置換若しくは未置換の炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が好ましく、特にシクロヘキシル基が好ましい。しかし、アルミニウムのような高反射性の金属膜が設けられた基板に対しては、逆にハレーション防止のために透過性が低い方がよいので、このような場合には、置換若しくは未置換の炭素数６〜１５のアリール基が好ましい。また、フェニル基は、焦点深度幅が広くなるので好ましい。
【００１９】
一方、Ｚで示される二価の炭化水素基としては、炭素数１〜１０のアルキレン基を好ましく挙げることができる。このアルキレン基は直鎖状、枝分かれ状のいずれであってもよいが、特に直鎖状のものが好ましく、その例としてはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基などが挙げられる。
また、ｎとしては、合成の容易さ及び酸発生剤としての効果などの点から１が好ましい。
【００２０】
この一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物の好適なものとしては、例えばＲ1とＲ2が共にシクロヘキシル基であって、ｎが１である、一般式
【化１】
0003810211.tif 000003
（式中のｍは１〜１０の整数である）
で表わされる化合物、及びＲ1とＲ2が共にフェニル基であって、ｎが１である一般式
【化２】
0003810211.tif 000004
（式中のｍは１〜１０の整数である）
で表わされる化合物を挙げることができる。
【００２１】
前記一般式（Ｉ−ａ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物の例としては、１，２‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン（ｍ＝２）、１，３‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（ｍ＝３）、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン（ｍ＝６）、１，１０‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン（ｍ＝１０）などが挙げられる。
【００２２】
一方、一般式（Ｉ−ｂ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物の例としては、１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（ｍ＝３）、１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン（ｍ＝４）、１，６‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン（ｍ＝６）、１，１０‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン（ｍ＝１０）などが挙げられる。
【００２３】
前記一般式（Ｉ−ａ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、例えばシクロヘキサンチオールから誘導されるシクロヘキシルメトキシメチルスルフィドにα，ω‐アルカンジチオールを反応させてα，ω‐ビス（シクロヘキシルチオメチルチオ）アルカンを得たのち、過酸化水素などで酸化して、対応するジスルホニル体に導き、次いでトシルアジドなどでジアゾ化することにより、製造することができる。
【００２４】
一方、前記一般式（Ｉ−ｂ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、例えばα‐ハロゲノチオアニソールにα，ω‐アルカンジチオールを反応させて、α，ω‐ビス（フェニルチオメチルチオ）アルカンを得たのち、上記と同様に酸化、次いでジアゾ化することにより、製造することができる。
【００２５】
従来、知られているビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンは、放射線の照射により脱窒素化し、水の存在下で、以下に示すように転移反応することにより、スルホン酸を生成することが知られている。
【００２６】
【化３】
0003810211.tif 000005
【００２７】
これに対し、本発明で用いる一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、例えば一般式（Ｉ）におけるｎが１の場合、以下に示すような転移反応を起こすと推測される。
【００２８】
【化４】
0003810211.tif 000006
【００２９】
当然、ｎが２〜５の場合も、−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基がすべてスルホン酸基に変化する場合もあるし、一部しか変化しない場合が予想される。
【００３０】
このように、本発明で用いるポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、従来公知の−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基を１つ有するジアゾメタン化合物に比べて、より嵩高いスルホン酸が生成し、その結果、露光後の加熱処理により生成したスルホン酸の移動度が小さくなり、断面形状及び解像性に優れるレジストパターンが得られるものと思われる。
【００３１】
本発明においては、この（Ｂ）成分のポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよく、また、その配合量は、前記（Ａ）成分１００重量部当り、通常０．５〜２０重量部、好ましくは１〜１０重量部の範囲で選ばれる。このポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物の量が０．５重量部未満では像形成ができにくいし、２０重量部を超えると均一な溶液とならず、保存安定性が低下する。また、必要に応じ公知の酸発生剤を併用することもできる。
【００３２】
本発明の化学増幅型ポジ型ホトレジストには、前記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、必要に応じ、露光により発生した酸の拡散防止、露光と露光後加熱（ＰＥＢ）間の引き置き経時安定性を目的としてアミン類を、また感度向上、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜、ホウ素−リン−シリケートグラス（ＢＰＳＧ）膜、チタンナイトライド（ＴｉＮ）膜のような膜を設けた各種基板に対するレジストパターンの形状の依存性を抑制するための有機カルボン酸を配合してもよい。
また、解像性向上、反射防止のために基板と本発明レジスト層の間に有機系又は無機系の反射防止膜を設けてもよい。
【００３３】
本発明のポジ型ホトレジストは、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類やエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテート、あるいはそれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体やジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００３４】
該ホトレジストには、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有させることができる。
【００３５】
本発明のホトレジストの使用方法としては従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような支持体上に、該ホトレジストの溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥処理してレジスト層を形成させ、これに縮小投影露光装置などにより、ＫｒＦエキシマレーザー光などの放射線を所望のマスクパターンを介して照射したのち、加熱処理する。次いでこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。
このようにして、マスクパターンに忠実で、断面形状の良好な０．１５〜０．２２μｍ程度の微細なレジストパターンを形成することができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の化学増幅型ポジ型ホトレジストは、ＫｒＦエキシマレーザー用として適しており、感度及び解像度が高く、かつマスクパターンに忠実で断面形状の良好な超微細レジストパターンを与えることができる。また、電子線、Ｘ線用化学増幅型ポジ型ホトレジストとしても好適である。
【００３７】
【実施例】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００３８】
参考例１
１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンの製造
ブロモクロロメタン６００ｇとメタノール１００ｍｌとの混合液に、シクロヘキサンチオール５８．１ｇ（０．５０モル）、９５重量％ナトリウムメトキシド７１．０ｇ（１．２５モル）、メタノール３００ｍｌの混合物を、３０〜３５℃で３時間かけて滴下し、さらに同温度で２時間かきまぜた。この反応液に水７００ｍｌを注入し、分液したのち、有機層を希水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した。次いで、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シクロヘキシルメトキシメチルスルフィド８０．１ｇを無色油状物として得た（見かけ収率１００％、純度６０％）。
【００３９】
次に、上記シクロヘキシルメトキシメチルスルフィド８０．１ｇ（純度換算０．３０モル）、１，６‐ヘキサンジチオール２２．５ｇ（０．１５モル）、アセトニトリル２２０ｍｌの混合物に、９８％硫酸１４．９ｇ（０．１５モル）を１５〜２０℃で１５分間かけて滴下し、さらに同温度で１時間かきまぜた。この反応液に水５００ｍｌを加えて希釈し、酢酸エチル７００ｍｌで抽出した。有機層を希水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去することにより、１，６‐ビス（シクロヘキシルチオメチルチオ）ヘキサン８６．３ｇを無色油状物として得た（見かけ収率１４２％、純度３７％）。
【００４０】
次に、上記１，６‐ビス（シクロヘキシルチオメチルチオ）ヘキサン８５．４ｇ（純度換算０．０８モル）、タングステン酸ナトリウム１．０ｇ、酢酸１２００ｍｌの混合物に、３０重量％過酸化水素水５６０ｇ（４．９４モル）を５０〜６０℃で１．５時間かけて滴下し、さらに６０〜６５℃で６時間かきまぜた。この反応液を室温まで冷却したのち、水４３０ｍｌを加えて析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して粗結晶６０ｇを得た。これをクロロホルム、エタノールの順で懸濁精製し、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルメチルスルホニル）ヘキサン２９．０ｇを黄色結晶として得た（見かけ収率７０％、純度９２％）。
【００４１】
このようにして得られた１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルメチルスルホニル）ヘキサン２６．７ｇ（０．０５モル）、トシルアジド１９．７ｇ（０．１０モル）、アセトニトリル２００ｍｌの懸濁液に水酸化カリウム６．２ｇ（０．１１モル）の水溶液を０〜５℃で１時間かけて滴下し、さらに５〜１５℃で３時間かきまぜた。析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して得た粗結晶１０ｇをアセトニトリル／水より再結晶することにより、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン８．４ｇを微黄色結晶として得た（収率２８．７％、純度９７％）。
【００４２】
この化合物の融点は１０９℃、分解点は１２２℃であった。また、この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図１及び図２に示す。
【００４３】
参考例２
１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンの製造水酸化カリウム１９．５ｇ（０．３５モル）とエタノール２００ｍｌの混合物に、１，３‐プロパンジチオール１６．２ｇ（０．１５モル）を２０〜３０℃で滴下したのち、同温度で１時間かきまぜた。次いで、これに、α‐クロロチオアニソール４７．６ｇ（０．３０モル）を３０〜５０℃で２０分間かけて滴下したのち、同温度で３０分間かきまぜた。この反応液に水１０００ｍｌを加えて希釈したのち、酢酸エチル７００ｍｌで抽出した。有機層を希塩酸、水の順で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去することにより、１，３‐ビス（フェニルチオメチルチオ）プロパン４９．４ｇを淡黄色油状物として得た（収率９４％）。
【００４４】
次に、上記１，３‐ビス（フェニルチオメチルチオ）プロパン４９．４ｇ（０．１４モル）と酢酸４２０ｍｌの混合物に、３５重量％過酸化水素水１６５．０ｇ（１．７０モル）を７０〜１００℃にて３０分間かけて滴下したのち、９０〜１００℃で１時間かきまぜた。その後、この反応液を室温まで冷却したのち、水７００ｍｌを加えて析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して１，３‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）プロパン４８．１ｇを白色結晶として得た（収率７１％）。
【００４５】
このようにして得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）プロパン４８．１ｇ（０．１０モル）とアセトニトリル１０００ｍｌの混合物に、６．２重量％水酸化カリウム水溶液２００ｇ（０．２２モル）を−１０〜０℃で５分間かけて滴下し、同温度で１５分間かきまぜた。さらにトシルアジド３７．５ｇ（０．１９モル）を−１０℃で加えたのち、−１０〜０℃で１０分間かきまぜた。次いで、これを水８０００ｍｌ中に注入し、析出した結晶をろ取したのち、アセトン／水で再結晶することにより、１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン８．７ｇを淡黄色結晶として得た（収率１６％）。
この化合物の分解点は１３５℃であった。また、この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図３及び図４に示す。
【００４６】
参考例３
参考例２において、１，３‐プロパンジチオールの代わりに１，４‐ブタンジチオールを用い、参考例２に準じて１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンを製造した。
この化合物の分解点は１４７℃であった。また、この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図５及び図６に示す。
【００４７】
実施例１
水酸基の水素原子３０モル％をテトラヒドロピラニル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン３０重量部、水酸基の水素原子３９モル％を１‐エトキシエチル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン７０重量部、酸発生剤として参考例１で得た１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン５．９重量部、トリブチルアミン０．１２重量部、トリイソプロパノールアミン０．１２重量部、マロン酸０．０５３重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５２５重量部に溶解したのち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターをとおしてろ過し、化学増幅型ポジ型レジスト溶液を得た。
【００４８】
一方、６インチシリコンウエーハ上に反射防止膜形成用塗布液ＳＷＫ−ＥＸ２（東京応化工業社製）を塗布、乾燥し、その後２００℃で９０秒間加熱し、膜厚１２０ｎｍの有機系反射防止膜を設けた。
該反射防止膜の上に上記ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、ホットプレート上９０℃で９０秒間乾燥することにより、膜厚０．６３μｍのレジスト層を形成した。
次いで、縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００ＥＸ３（キャノン社製）により、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を選択的に照射したのち、１１０℃で９０秒間加熱（ＰＥＢ）処理し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間パドル現像した。次いで純水で３０秒間リンスし、最後に１００℃で６０秒間ポストベークし、ポジ型のレジストパターンを得た。
【００４９】
このようにして０．２５μｍラインアンドスペースパターンが得られる露光量は６１ｍＪ／ｃｍ2であり、その際の限界解像度は０．１７μｍで矩形に近い断面形状であった。また、同じ露光量において、アイソレートパターンを形成したところ、０．１７μｍのレジストパターンが膜減りが少なく矩形に近い断面形状で得られた。
【００５０】
比較例１
酸発生剤をビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン３．３重量部に変えた以外は実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を得た。次いで、実施例１と同様なレジストパターニング処理を行いポジ型のレジストパターンを得た。
このようにして０．２５μｍラインアンドスペースパターンが得られる露光量は５６ｍＪ／ｃｍ2であり、その際の限界解像度は０．１８μｍで矩形に近い断面形状であった。また、同じ露光量において、アイソレートパターンを形成したところ、０．１７μｍのレジストパターンは膜減りや断面形状の点で実施例１のものよりも劣っていた。
【００５１】
比較例２
酸発生剤をビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン３．８重量部に変えた以外は実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を得た。次いで、実施例１と同様なレジストパターニング処理を行いポジ型のレジストパターンを得た。
このようにして０．２５μｍラインアンドスペースパターンが得られる露光量は２０ｍＪ／ｃｍ2であり、その際の限界解像度は０．１８μｍであり、トップ部分が細くなった三角形に近い形状であった。また、同じ露光量において、アイソレートパターンを形成したところ、０．１７μｍのレジストパターンは膜減りが大きく不良な断面形状であった。
【００５２】
比較例３
酸発生剤をビス（ｎ‐プロピルスルホニル）ジアゾメタン２．５重量部に変えた以外は実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を得た。次いで、実施例１と同様なレジストパターニング処理を行いポジ型のレジストパターンを得た。
このようにして０．２５μｍラインアンドスペースパターンが得られる露光量は７９ｍＪ／ｃｍ2であり、その際の限界解像度は０．２０μｍであり、トップ部分が若干細くなった台形に近い形状であった。また、同じ露光量において、アイソレートパターンを形成したところ、０．１８μｍのレジストパターンはほとんど形成されていなかった。
【００５３】
実施例２
水酸基の水素原子３３モル％を１‐エトキシエチル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン５５重量部、水酸基の水素原子３３モル％をｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン４５重量部、酸発生剤として参考例２で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン３．２重量部、トリエチルアミン０．１１重量部、サリチル酸０．６０重量部及びジメチルアセトアミド２．３重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５２５重量部に溶解したのち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターをとおしてろ過し、化学増幅型ポジ型レジスト溶液を得た。
【００５４】
一方、６インチシリコンウエーハ上に上記ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、ホットプレート上９０℃で９０秒間乾燥することにより、膜厚０．７４μｍのレジスト層を形成した。
次いで、縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００ＥＸ３（キャノン社製）により、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃で９０秒間加熱（ＰＥＢ）処理し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間パドル現像した。次いで純水で３０秒間リンスし、最後に１００℃で６０秒間ポストベークし、ポジ型のレジストパターンを得た。
【００５５】
このようにして得られた露光部膜厚が０となる最小露光量を感度として評価したところ、８ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２０μｍラインアンドスペースパターンが良好な矩形状で形成された。また、０．２０μｍラインアンドスペースパターンが得られる焦点深度幅は１．０μｍであった。
【００５６】
実施例３
参考例２で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンの代わりに、参考例３で得られた１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンを用いた以外は、実施例２と同様にして、ポジ型のレジストパターンを形成した。その結果、感度は８ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２０μｍのラインアンドスペースパターンの形状は矩形状であった。焦点深度幅は１．２μｍであった。
【００５７】
比較例４
酸発生剤をビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン２．３重量部に代えた以外は、実施例２と同様にして、化学増幅型ポジ型レジスト溶液を得た。次いで、実施例２と同様にしてレジストパターンを形成し、同様な評価を行ったところ、感度は１２ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２０μｍラインアンドスペースパターンの形状は矩形状であった。また、焦点深度幅は０．８μｍであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】  参考例１で得られた１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図２】  参考例１で得られた１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンの赤外吸収スペクトル図。
【図３】  参考例２で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図４】  参考例２で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンの赤外吸収スペクトル図。
【図５】  参考例３で得られた１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図６】  参考例３で得られた１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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