(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱帯、均熱帯、徐冷帯および冷却帯からなるローラハース型連続封着炉において、前記加熱帯内にマッフルを取り付け、該マッフルと天井壁間および炉床間の各空間にラジアントチューブバーナを配設し、かつ、前記マッフル内の両側壁側に電熱ヒータを配設するとともに、前記均熱帯と徐冷帯を内板構造とし、かつ、前記徐冷帯の天井部、炉床部および両側壁部に電熱ヒータを配設したことを特徴とするローラハース型連続封着炉。
【請求項２】
前記均熱帯および徐冷帯の少なくとも炉床部にラジアントチューブバーナを配設し、このラジアントチューブバーナを炉立上げ時のみに燃焼させる前記請求項１に記載のローラハース型連続封着炉。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はローラハース型連続封着炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
従来、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと言う）の製造方法の一つとして、図７に示すように、表面ガラス基板Ｗ1とチップ管Ｐ付き背面ガラス基板Ｗ2とをいずれか一方の外縁部に軟質ガラス等からなる封着剤Ｓを塗布して重ね合わせ、クリップ等のクランプ治具Ｃにより一体に固定してＰＤＰ組立体Ｗとし、このＰＤＰ組立体ＷをトレイＴｒに載置して連続封着炉に装入することにより両ガラス基板を封着し、その後、チップ管Ｐから両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2間を所定真空にしたうえで放電ガスを封入し、チップ管Ｐを封止切断することによりＰＤＰとする方法がある。
【０００３】
ところで、前記連続封着炉は、たとえば、特開平６−３６６８８号公報に開示されているように、ＰＤＰ組立体Ｗの加熱を、炉天井部に設けた上部ヒータと炉床部に設けた下部ヒータとで行なう方式であるため、炉壁の放熱の影響によりＰＤＰ組立体Ｗの炉壁側の温度が低くなり、両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2の加熱が不均一になるばかりか、封着剤Ｓの均一加熱ができず、良好な封着処理ができないという問題があった。
【０００４】
また、炉内壁を構成する断熱材が直接炉内雰囲気と接触するため、断熱材からの塵埃が雰囲気中に混入し、その結果、ＰＤＰ組立体Ｗの内部が汚染されるという問題を有する。
さらに、被処理材として、表面ガラス基板とチップ管付き背面ガラス基板とを前述同様封着剤を介して重ね合わせクランプ治具で一体化して前記封着炉で封着し、チップ管により内部を所定の真空として、いわゆる真空二重断熱ガラスパネルとすることもできるが、この場合においても、同様の問題が生じる。
したがって、本発明は、２枚のガラス基板を所定間隔で封着剤により封着する場合において、封着剤を均一に加熱して２枚のガラス基板を封止でき、しかもガラス基板間が汚染されないローラハース型連続封着炉を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、加熱帯、均熱帯、徐冷帯および冷却帯からなるローラハース型連続封着炉において、前記加熱帯内にマッフルを取り付け、該マッフルと天井壁間および炉床間の各空間にラジアントチューブバーナを配設し、かつ、前記マッフル内の両側壁側に電熱ヒータを配設するとともに、前記均熱帯と徐冷帯を内板構造とし、かつ、前記徐冷帯の天井部、炉床部および両側壁部に電熱ヒータを配設したものである。
また、前記均熱帯および徐冷帯の少なくとも炉床部にラジアントチューブバーナを配設し、このラジアントチューブバーナを炉立上げ時のみに燃焼させるようにしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態を図にしたがって説明する。
本発明にかかるローラハース型連続封着炉Ｔは、図１に示すように、加熱帯Ｉ、均熱帯II、徐冷帯III、ターン部IV、冷却帯Ｖとからなり、前記ターン部IVを除きハースローラ１が設けられている。
なお、２はハースローラ１を備えた装入部、３は同じくハースローラ１を備えた抽出部で、炉の装入，抽出端部にはスロート部４，５が設けてある。
【０００７】
前記加熱帯Ｉは、図２，図３に示すように、炉内に耐熱鋼製の上部マッフル１０ａと下部マッフル１０ｂが取り付けられ、この上・下部マッフル１０ａ，１０ｂと下記する内板構造の側壁１９とで加熱空間が形成される。また、上記マッフル１０ａと天井壁（断熱材）１１間および下部マッフル１０ｂと炉床（断熱材）１２間の各空間に所定間隔をもって複数のラジアントチューブバーナ１３が配設され、かつ、マッフル１０内の両側壁側に電熱ヒータ１４が配設されている。
【０００８】
前記均熱帯IIと徐冷帯IIIは、図４に示すように、断熱材１５の内面に耐熱鋼板からなる内板１６を取り付けた内板構造となっており、かつ、天井部１７、炉床部１８および両側壁部１９に電熱ヒータ１４を有する。また、均熱帯IIと徐冷帯IIIの炉床部１８には、所定間隔をもってラジアントチューブバーナ１３が配設され、炉立上げ時のみに燃焼させるようになっている。
そして、前記内板１６は、図６に示すように、断熱材１５の内面に、たとえばアルミ箔等の金属箔２１を炉殻１０に設けたピン２２にワッシャ２３、ナット２４により固定するとともに、金属箔２１の炉内側に前記内板１６を前記金属箔２１と同様、前記ピン２２にワッシャ２３、ナット２４により固定し、断熱材１５からの塵埃が炉内に侵入することを防止する。
また、前記冷却帯Ｖは図５に示すように耐熱鋼にて製作され、水冷ジャケット２５で水冷構造となっている。
【０００９】
なお、前記ターン部IVも断熱材１５の内面に前述と同様の内板１６をピン２２、ワッシャ２３、ナット２４で取り付け、天井部、炉床部、側壁部に加熱ヒータ１４を配設するとともに、昇降・回転可能なフォーク状の載置部２７を有する回転機構２６が設けられ、載置部２７をハースローラ１間に位置させて昇降・回転させることにより処理材Ｗを反転移送するようになっている。
また、前記均熱帯II、徐冷帯IIIおよび冷却帯Ｖの各帯は炉長方向に複数の分割制御が可能なように温度制御される。
【００１０】
したがって、搬送トレイＴｒに載置された前記ＰＤＰ組立体Ｗは、封着炉Ｔ内で、図８に示すヒートカーブにしたがって加熱され、封着剤Ｓにより両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2が封着される。その後、炉外にてチップ管Ｐを利用して両ガラス基板Ｗ1，Ｗ2間を排気し、放電ガスを封入するとともにチップ管Ｐを切断しＰＤＰとする。
【００１１】
なお、前記説明では、処理材ＷとしてＰＤＰ組立体の場合を示したが、前述のように、処理材Ｗとしては真空二重断熱ガラスパネルを構成する２枚のガラス板であってもよい。
【００１２】
また、加熱帯Ｉ内に上・下部マッフル１０ａ，１０ｂを取付けて、この上・下部マッフルと側壁の内板１６とで加熱空間を形成したが、矩形筒の一体マッフルでもよく、また、均熱帯IIおよび徐冷帯IIIにラジアントチューブバーナ１３を配設して、炉立上げ時にのみ燃焼させることで炉立上げ時間を短縮するようにしたが、ラジアントチューブバーナを配設することなく、帯内に設ける発熱ヒータで対応するようにしてもよい。さらに、前記説明では、炉をＵ字状に設置したが、ターン部IVを設けることなく直線上に設置してもよい。
【００１３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のローラハース型連続封着炉によれば、加熱帯をマッフル構造とし、マッフルと炉天井壁間と炉床間の空間にラジアントチューブバーナを配設し、かつ、マッフル内の両側壁に電熱ヒータを配設したため、ラジアントチューブバーナからの熱は、マッフルを介して処理材に伝熱されることになり局部過熱あるいは加熱不足がなく、しかも電熱ヒータがマッフル内の炉壁側に配設されているため、処理材が２枚のガラスを封着剤を介して一体化するプラズマディスプレイパネル組立体あるいは２重断熱ガラスパネル組立体にあってもガラス板は勿論、封着剤も均一に加熱される。
また、均熱帯と徐冷帯においても、天井部、炉床部、側壁に電熱ヒータを配設して４面加熱方式としたので前記パネル全体を均一に均熱、徐冷することができ、パネルに歪みが生じず、かつ、封着剤も均一に溶融して完全に２枚のガラスを封着することができる。
さらに、加熱帯はマッフル構造で、均熱帯および徐冷帯は内板構造としてあり、しかも、マッフル、内板内に設置する加熱源は電熱ヒータであるから、断熱材からの塵埃の炉内侵入による炉内雰囲気の汚染がないため、ＰＤＰ組立体の封着においては、後工程で放電ガスを封入しても不純ガスの混在は極めて少なく、良好なＰＤＰとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明にかかるローラハース型連続封着炉の平面図。
【図２】  図１の断面図。
【図３】  加熱帯の断面図。
【図４】  徐冷帯の断面図。
【図５】  冷却帯の断面図。
【図６】  徐冷帯の一部拡大断面図。
【図７】  処理材の一例を示す断面図。
【図８】  ヒートカーブ。
【符号の説明】
１…ハースローラ、１０ａ…上部マッフル、１０ｂ…下部マッフル、１１…天井壁、１２…炉床、１３…ラジアントチューブバーナ、１４…電熱ヒータ、１６…内板、Ｉ…加熱帯、II…均熱帯、III…徐冷帯、Ｖ…冷却帯、Ｃ…クランプ治具、Ｐ…チップ管、Ｓ…封着剤、Ｔ…封着炉、Ｗ１，Ｗ２…ガラス基板、Ｗ…処理材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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