(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の液処理を行う液処理方法であって、
基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１工程と、
前記液処理の終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら、前記基板の表面に前記処理液の液膜が残るように、前記基板にガス噴射ノズルを用いて乾燥ガスを噴射する第２工程と、
前記第２工程が終了した基板を加熱処理することによって前記基板の表面に残された処理液を蒸発させる第３工程と、
を有し、
前記第２工程においては、前記基板に形成される液膜が所定の膜厚となるように、前記ガス噴射ノズルによって乾燥ガスが吹き付けられた部分に形成された液膜の厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記ガス噴射ノズルから吹き出される乾燥ガス量を調整することを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
基板に所定の液処理を行う液処理方法であって、
液処理部内で基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１工程と、
液処理部内で前記液処理の終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら、前記基板の表面に前記処理液の液膜がほぼ均一に残るように、前記基板にガス噴射ノズルを用いて乾燥ガスを噴射する第２工程と、
前記第２工程が終了し、液膜がほぼ均一に残った基板を前記液処理部から離間して配備されたベークユニット内に搬送して加熱処理することによって前記基板の表面に残された処理液を蒸発させる第３工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項３】
前記第２工程においては、前記基板に形成される液膜が所定の膜厚となるように、前記ガス噴射ノズルによって乾燥ガスが吹き付けられた部分に形成された液膜の厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記ガス噴射ノズルから吹き出される乾燥ガス量を調整することを特徴とする請求項２に記載の液処理方法。
【請求項４】
前記液膜の厚みの測定結果に基づいて前記液膜の厚みが所定の厚みに達していない部分に選択的に水蒸気を供給することにより前記基板に形成される液膜の厚みが調整されることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液処理方法。
【請求項５】
基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
基板に乾燥ガスを噴射するガス噴射ノズルを有し、前記液処理部における処理が終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら前記ガス噴射ノズルを用いて前記基板に乾燥ガスを噴射する乾燥処理部と、
前記乾燥処理部において、前記基板に前記処理液の液膜が形成されるように前記ガス噴射ノズルから噴射される乾燥ガスの流速を制御する噴射量制御装置と、
を具備し、
前記乾燥処理部は、
前記ガス噴射ノズルに所定量の乾燥ガスを供給するガス供給機構と、
前記基板に前記ガス噴射ノズルから乾燥ガスが吹き付けられた後に形成される処理液の液膜の厚みを測定するセンサと、
を有し、
前記噴射量制御装置は、前記センサによって測定された液膜の厚みに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の厚みが所定の厚みとなるように前記ガス供給機構から前記ガス噴射ノズルに供給される乾燥ガス流量を調整することを特徴とする液処理装置。
【請求項６】
前記センサの測定結果に基づいて前記液膜が所定の厚みに達していない部分に選択的に水蒸気を供給する水蒸気供給ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項５に記載の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等に対して洗浄処理や現像処理等の液処理を行う液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いてＬＣＤ基板に所定の回路パターンを形成している。
【０００３】
例えば、現像処理については、基板を水平姿勢で水平方向に搬送しながら、（１）基板の表面に現像液を塗布し、基板上に現像液パドルを形成して所定時間保持することにより現像反応を進行させ、（２）基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し落とし、（３）リンス液を基板に供給して現像液残渣を除去する洗浄（リンス）処理を行い、（４）基板搬送方向の前方側から後方側に向けてエアーナイフを用いて基板に空気等の乾燥ガスを噴射することにより、基板表面のリンス液を吹き飛ばして基板を乾燥する、という方法が知られている。ここで、エアーナイフによる基板の乾燥処理は、基板表面にリンス液が残らないように行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、エアーナイフを用いて基板に乾燥ガスを吹き付けた際には基板表面のリンス液が飛散してミストが発生するために、このミストが、エアーナイフから吹き出された乾燥ガスによって既に乾燥処理が施された基板の一部に付着することがあった。この場合には、ミストが付着した部分にウォーターマークや現像シミが発生し、基板品質が低下する問題があった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板におけるウォーターマーク等の液処理跡の発生を抑制する液処理方法および液処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理方法であって、
基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１工程と、
前記液処理の終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら、前記基板の表面に前記処理液の液膜が残るように、前記基板にガス噴射ノズルを用いて乾燥ガスを噴射する第２工程と、
前記第２工程が終了した基板を加熱処理することによって前記基板の表面に残された処理液を蒸発させる第３工程と、
を有し、
前記第２工程においては、前記基板に形成される液膜が所定の膜厚となるように、前記ガス噴射ノズルによって乾燥ガスが吹き付けられた部分に形成された液膜の厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記ガス噴射ノズルから吹き出される乾燥ガス量を調整することを特徴とする液処理方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理方法であって、
液処理部内で基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１工程と、
液処理部内で前記液処理の終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら、前記基板の表面に前記処理液の液膜がほぼ均一に残るように、前記基板にガス噴射ノズルを用いて乾燥ガスを噴射する第２工程と、
前記第２工程が終了し、液膜がほぼ均一に残った基板を前記液処理部から離間して配備されたベークユニット内に搬送して加熱処理することによって前記基板の表面に残された処理液を蒸発させる第３工程と、
を有することを特徴とする液処理方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
基板を略水平姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
基板に乾燥ガスを噴射するガス噴射ノズルを有し、前記液処理部における処理が終了した基板を略水平姿勢で搬送しながら前記ガス噴射ノズルを用いて前記基板に乾燥ガスを噴射する乾燥処理部と、
前記乾燥処理部において、前記基板に前記処理液の液膜が形成されるように前記ガス噴射ノズルから噴射される乾燥ガスの流速を制御する噴射量制御装置と、
を具備し、
前記乾燥処理部は、
前記ガス噴射ノズルに所定量の乾燥ガスを供給するガス供給機構と、
前記基板に前記ガス噴射ノズルから乾燥ガスが吹き付けられた後に形成される処理液の液膜の厚みを測定するセンサと、
を有し、
前記噴射量制御装置は、前記センサによって測定された液膜の厚みに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の厚みが所定の厚みとなるように前記ガス供給機構から前記ガス噴射ノズルに供給される乾燥ガス流量を調整することを特徴とする液処理装置が提供される。
【０００９】
上記第１から第３の観点に係る基板処理方法および基板処理装置によれば、ガス噴射ノズルによって乾燥ガスが吹き付けられた基板の表面には処理液の液膜が形成されるために、基板に乾燥ガスを噴射することによって発生する処理液のミストが基板に付着しても、このミストは液膜に取り込まれる。これにより基板におけるウォーターマーク等の発生が防止される。また、基板の表面に形成された処理液の液膜によって基板の静電気蓄積量が低減され、これにより基板が破損し難くなる。なお、この基板処理方法によれば、基板表面の処理液を完全に吹き飛ばす必要がないために、ガス噴射ノズルから吹き出される乾燥ガス量を低減することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）に対してレジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に説明することとする。図１はレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。
【００１１】
このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えている。カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１２】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台と、処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えている。この載置台と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は、カセットＣと処理ステーション２に対してアクセス可能な搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能である。
【００１３】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有している。搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３側に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１側に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。
【００１４】
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１５】
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中で基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理と乾燥処理が行われる。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら現像液塗布、現像後の洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は、例えば、コロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００１６】
レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持された基板Ｇにレジスト液を滴下し、基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液を基板Ｇ全体に拡げてレジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドにより基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがこの順序で配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間で基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。
【００１７】
図２は第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図である。第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられており、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００１８】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１では、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積み重ねられている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積み重ねられている。
【００１９】
第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２０】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００２１】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。
【００２２】
図３は第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図である。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４では、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９と基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積み重ねられている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５では、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積み重ねられている。
【００２３】
第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２４】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。
【００２５】
図４は第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図である。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７では、下から順に、基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積み重ねられている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８では、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積み重ねられている。
【００２６】
第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２７】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間で基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対する基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００２８】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有している。また、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２９】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、基板Ｇはスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３０】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置された基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４または熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際の基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００３１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置された基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。周縁レジスト除去終了後、基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。
【００３２】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３３】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われる。次いで基板Ｇは搬送装置４２により露光装置４に搬送され、そこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３４】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、そこで基板Ｇに所定の情報が記される。次いで、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、第２の搬送装置３６により、そこから第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。
【００３５】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明する。
【００３６】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３７】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に載置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００３８】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図であり、図６は概略平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、液切り／リンスゾーン２４ｄ、第１リンスゾーン２４ｅ、第２リンスゾーン２４ｆ、乾燥ゾーン２４ｇから構成されている。導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、また乾燥ゾーン２４ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。
【００３９】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、モータ等を駆動してコロ１７を回転させることによってコロ１７上の基板Ｇを所定方向へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられている。このコロ搬送機構１４を動作させることによって、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３からｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に向けて、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の内部を通って基板Ｇを略水平姿勢で搬送できるようになっている。コロ１７は基板Ｇに撓み等が生じ難いように、基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）およびこの搬送方向に垂直なＹ方向に所定数設けられている。
【００４０】
なお、図６にはコロ搬送機構１４は図示していない。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、処理ゾーン毎に独立して駆動可能な複数のコロ搬送機構１４を設けてもよい。例えば、基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａでは第１のモータの駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２４ｂと液切り／リンスゾーン２４ｄの間では第２のモータの駆動によって搬送され、第１リンスゾーン２４ｅから乾燥ゾーン２４ｇの間では第３のモータの駆動によって搬送されるようにすることができる。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における基板Ｇの搬送速度が異なる領域毎に行ってもよい。
【００４１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、基板Ｇは基板保持アーム９４から昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。コロ搬送機構１４を動作させることによって、基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。
【００４２】
導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられている。この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等してパスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。
【００４３】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきた基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンである。第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８をガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる駆動機構（図示せず）と、スライドアーム５８に取り付けられた昇降機構（図示せず）とを有している。現像ノズル５１ａ・５１ｂはこの昇降機構に取り付けられて昇降自在となっている。
【００４４】
現像ノズル５１ａ・５１ｂには図示しない現像液供給源から現像液が供給されるようになっている。例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１ｂと基板Ｇとの間隔を調整した後に、基板Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液を基板Ｇに吐出することにより、基板Ｇに現像液が塗布される。
【００４５】
現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、スリット状の吐出口に代えて、例えば、複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いてもよい。
【００４６】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて現像液が液盛りされた基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４ｄへ搬送する間に、基板Ｇ上からこの現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、こうして基板Ｇの搬送途中に基板Ｇからこぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たに基板Ｇに現像液を補充するように現像液を塗布する。
【００４７】
このために、第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるように固定して設けられている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送される基板Ｇ上に所定量の現像液が略帯状に吐出される。但し、この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは必須なものではない。
【００４８】
基板Ｇにおける現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。逆に、現像反応に要する時間を考慮して第１の現像液供給ゾーン２４ｂから液切り／リンスゾーン２４ｄへの基板Ｇの搬送速度を決定する。
【００４９】
液切り／リンスゾーン２４ｄにおいては、基板Ｇを傾斜姿勢に変換して基板Ｇ上の現像液を流し落とし、さらに傾斜姿勢に保持された基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出して、基板Ｇ上の現像液を洗い流す。このような処理を行うために、液切り／リンスゾーン２４ｄは、基板Ｇを傾斜姿勢に変換することによって基板Ｇに塗布された現像液を液切りする図示しない基板傾斜機構と、傾斜姿勢に保持された基板Ｇの表面に現像液を洗い流すリンス液（純水）を供給するリンスノズル５２と、リンスノズル５２を保持するリンスノズルアーム８７と、リンスノズルアーム８７と嵌合し、基板Ｇの搬送方向に延在するように設けられたガイドレール８６と、ガイドレール８６に沿ってリンスノズルアーム８７を移動させる駆動機構８８とを有している。
【００５０】
基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板Ｇの表面に沿ってリンスノズル５２を基板Ｇの上方端から下方端へと移動させながら、リンスノズル５２からリンス液を基板Ｇに吐出することによって、基板Ｇに残っている現像液を洗い流す。リンスノズル５２の移動は高速、例えば、５００ｍｍ／秒で行うことができ、こうして基板Ｇの現像液除去を短時間で行うことができる。
【００５１】
リンスノズル５２の１回の移動で基板Ｇ全体にリンス液が行き渡るように、リンスノズル５２は基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。リンスノズル５２からはスプレー状にリンス液を吐出させてもよい。
【００５２】
液切り／リンスゾーン２４ｄにおける現像液の除去処理では現像液の除去は完全ではなく、このために第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆにおいて、基板Ｇを搬送しながらさらに基板Ｇにリンス液を供給して徹底的に現像液を除去する。
【００５３】
第１リンスゾーン２４ｅには複数のリンスノズル５３ａが設けられ、第２リンスゾーンにも複数のリンスノズル５３ｂが設けられている。リンスノズル５３ａ・５３ｂは、基板Ｇの表面側と裏面側にそれぞれ所定数設けられている。リンスノズル５３ａ・５３ｂとしては、搬送される基板Ｇ全体にリンス液を吐出できるように、基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。なお、第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆは、１箇所のリンスゾーンとして構成することが可能である。
【００５４】
第２リンスゾーン２４ｆを通過した基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｇでは、基板Ｇを所定速度で搬送しながら基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを吹き付けて、基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばす。このような処理を行うために、乾燥ゾーン２４ｇには、搬送される基板Ｇに向けて空気を噴射するエアーナイフ５４ａ・５４ｂと、エアーナイフ５４ａ・５４ｂへ空気を供給するブロワー４９と、ブロワー４９からエアーナイフ５４ａ・５４ｂへ供給する空気の流量、流速、風圧等を制御する噴射量制御装置４７と、エアーナイフ５４ｂを通過した基板Ｇの表面に形成されたリンス液の液膜（以下「水膜」という）の厚みを測定する膜厚センサ４８が設けられている。
【００５５】
エアーナイフ５４ａ・５４ｂは、基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、基板Ｇの幅方向全体に空気を吐出することができるようになっている。また、エアーナイフ５４ａ・５４ｂは、エアーナイフ５４ａ・５４ｂの長手方向が基板搬送方向と所定の角度をなすように取り付けられている。これにより、基板Ｇの表面のリンス液は、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから吹き出された乾燥ガスによって後方のエッジに集められ、その後に吹き飛ばされるために、基板Ｇのエッジ部に多量のリンス液が残ることを防止することができる。
【００５６】
エアーナイフ５４ａ・５４ｂから基板Ｇに向けて噴射される空気にパーティクルが可能な限り含まれないようにするために、ブロワー４９またはブロワー４９とエアーナイフ５４ａ・５４ｂとを連結する送風配管にパーティクル捕集用のフィルターが内蔵されている。膜厚センサ４８はＹ方向の複数箇所で水膜の厚みを測定することができるようになっている。膜厚センサ４８としては、例えば、基板Ｇの表面に現れる干渉縞や屈折率の変化を測定するものや、ＣＣＤカメラを用いることができる。
【００５７】
基板Ｇにエアーナイフ５４ａ・５４ｂから乾燥ガスが吹き付けられると、基板Ｇの表面にあるリンス液の一部がミスト化し、これが空中に拡散する。基板Ｇをエアーナイフ５４ａ・５４ｂによって完全に乾燥させてしまった後に、基板搬送方向の前方に回り込んだミストが基板Ｇに付着すると、シミ等のウォーターマークが発生する。
【００５８】
そこで、乾燥ゾーン２４ｇにおいては基板Ｇの表面を完全には乾燥させない。つまり、乾燥ゾーン２４ｇにおいて基板搬送方向の前方側に設けられているエアーナイフ５４ｂから乾燥ガスが吹き付けられた後に、基板Ｇの表面に水膜が残るようにする。この水膜の厚みは、基板Ｇからリンス液がこぼれ落ちることがない程度に薄く形成する。例えば、水膜の厚みはレジスト膜に形成された現像パターンの凹凸が水膜に埋没する程度であれば十分であり、数μｍから数十μｍの厚みがあればよい。また、この水膜の厚みは基板Ｇ全体でほぼ均一であることが好ましい。
【００５９】
乾燥ゾーン２４ｇにおいては、エアーナイフ５４ｂから乾燥ガスが吹き付けられた後に基板Ｇに形成される水膜の厚みが膜厚センサ４８によって測定され、この測定結果が噴射量制御装置４７へ送信され、噴射量制御装置４７は基板Ｇに形成される水膜の厚みが設定値となるように、ブロワー４９からエアーナイフ５４ａ・５４ｂへの送風量を制御する。このようなフィードバック制御によって基板Ｇに形成される水膜の厚みを一定にすることができる。
【００６０】
このように基板Ｇに水膜を残した場合には、リンス液のミストが基板Ｇに再び付着しても、このミストは水膜に取り込まれるために、基板Ｇにおけるウォーターマークの発生が防止される。なお、このような水膜は基板Ｇの裏面には形成しないことが好ましい。これは、基板Ｇの裏面が濡れていると、コロ１７の跡が基板Ｇの裏面に残って、基板Ｇの品質を低下させる場合があることによる。
【００６１】
基板Ｇの表面に水膜を形成する場合には、基板Ｇの表面のリンス液を完全に吹き飛ばす必要がないために、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから吹き出される乾燥ガスの量を低減することが可能となる。例えば、乾燥ガスとして空気を用いる場合において、この空気はブロワーからエアーナイフ５４ａ・５４ｂに送られる構成を取った場合には、ブロワーの運転負荷を低減することができる。また、基板Ｇの表面に形成された水膜によって基板Ｇの静電気蓄積量が低減されるために、基板Ｇの破損を抑制することも可能となる。
【００６２】
なお、基板Ｇにウォーターマークが発生しないように基板Ｇに水膜を形成するための条件（エアーナイフ５４ａ・５４ｂからの空気噴射条件）が実験的または経験的に求められた後には、例えば、膜厚センサ４８による水膜の厚み測定は確認的に行うかまたは省略することができる。また、エアーナイフ５４ａ・５４ｂとして、噴射する空気の流速を長手方向で部分的に変えることができる構造のものを用い、基板Ｇの撓みや基板Ｇ上でのリンス液の移動形態を考慮して、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから噴射する乾燥ガスの流速を部分的に変えることによって、基板Ｇに形成される水膜の厚み分布を小さくすることができる。
【００６３】
乾燥ゾーン２４ｇにおける乾燥処理が終了した基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。基板Ｇはそこからポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０等に搬送されて熱処理され、このときに基板Ｇに形成されている水膜は蒸発除去される。
【００６４】
上述した現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における基板Ｇの処理は、まずパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入された基板Ｇを、コロ搬送機構１４によって導入ゾーン２４ａを通過させて第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入する。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへの基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。
【００６５】
次に、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、基板Ｇを所定位置で停止させた状態で保持して、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒の速さで、基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながら基板Ｇの表面に現像液を塗布する。基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液を基板Ｇ上に液盛りすることができる。
【００６６】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛りが終了した基板Ｇを、コロ搬送機構１４を動作させて、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する。基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際には、現像液補充ノズル５１ｃから基板Ｇ上に現像液が補充され、基板Ｇの搬送時に基板Ｇからこぼれ落ちる現像液が補充される。
【００６７】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送された基板Ｇはさらに液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送され、そこで基板Ｇを傾斜姿勢に変換して基板Ｇ上の現像液を流し落とす。なお、基板Ｇから流し落とされた現像液は、回収されて再利用に供される。基板Ｇが所定の傾斜角度に到達するとほぼ同時に、リンスノズル５２から所定のリンス液を、例えば全体で２０ｄｍ３／分の吐出量で基板Ｇに向けて吐出させながら、リンスノズルアーム８７を基板Ｇの表面に沿って、例えば５００ｍｍ／秒の速度で移動させる。
【００６８】
続いて、基板Ｇを、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度で第１リンスゾーン２４ｅに搬送し、そこで基板Ｇをこの搬送速度で搬送しながら基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、基板Ｇに付着している現像液の除去を行う。第１リンスゾーン２４ｅを通過した基板Ｇは第２リンスゾーン２４ｆに搬入され、そこでさらにリンス処理が行われる。第２リンスゾーン２４ｆにおける基板Ｇの搬送速度は、先の第１リンスゾーン２４ｅにおける基板Ｇの搬送速度よりも遅くする（例えば、３６ｍｍ／秒）ことが好ましい。これによってより精密なリンス処理を行うことができる。
【００６９】
第２リンスゾーン２４ｆを通過した基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｇに搬入される。乾燥ゾーン２４ｇでは、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度で基板Ｇを搬送しながら、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから基板Ｇの表面に所定厚みの水膜が形成されるように、基板Ｇに乾燥ガスが吹き付けられる。乾燥ゾーン２４ｇでの処理が終了した基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そこで所定の紫外線照射処理が施される。
【００７０】
次に、乾燥ゾーン２４ｇの別の実施形態について説明する。図７は、乾燥ゾーン２４ｇの別の実施形態（「乾燥ゾーン２４ｇ´」とする）を示す側面図であり、図８はその平面図である。乾燥ゾーン２４ｇ´は、第２リンスゾーン２４ｆ側に設けられた基板乾燥処理部４６ａと、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５側に設けられた水膜形成処理部４６ｂとを有している。
【００７１】
基板乾燥処理部４６ａはエアーナイフ５４ａ・５４ｂと、ブロワー４９と、噴射量制御装置４７とを有している。これらは図５および図６に示す乾燥ゾーン２４ｇに設けられているものと同じものである。基板乾燥処理部４６ａでは、エアーナイフ５４ａ・５４ｂを用いて基板Ｇに空気を吹き付けることによって基板Ｇに付着しているリンス液を吹き飛ばす処理が行われる。ここで基板Ｇに付着したリンス液をほぼ完全に吹き飛ばすようにエアーナイフ５４ａ・５４ｂから空気を噴射してもよく、一方、基板Ｇの表面に所定厚みの水膜が形成されるように、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから空気を噴射してもよい。
【００７２】
水膜形成処理部４６ｂでは、基板乾燥処理部４６ａを通過した基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら基板Ｇに水蒸気を供給することによって基板Ｇの表面に水膜を形成する。このために水膜形成処理部４６ｂは、基板乾燥処理部４６ａを通過した基板に形成された水膜の厚みを測定する膜厚センサ４８と、膜厚センサ４８の測定結果に基づいて水膜の厚みが所定値に達していない部分（完全に乾燥している部分を含む）に選択的に水蒸気を供給する水蒸気供給ノズル８９ａと、水蒸気供給ノズル８９ａに水蒸気を供給する水蒸気発生装置８９ｂと、膜厚センサ４８からの信号に基づいて水蒸気発生装置８９ｂから水蒸気供給ノズル８９ａへ供給する水蒸気量を制御する水蒸気供給制御装置９０と、を有している。水蒸気発生装置８９ｂにおいて発生させた水蒸気は窒素（Ｎ２）加圧されて水蒸気供給ノズル８９ａへと供給される。
【００７３】
膜厚センサ４８はＹ方向の複数箇所で水膜の厚みを測定することができるようになっている。また、水蒸気発生装置８９ｂにおいて発生させた水蒸気は窒素（Ｎ２）により加圧されて水蒸気供給ノズル８９ａへと供給される。図９は水蒸気供給ノズル８９ａへの水蒸気の供給形態をより詳細に示した説明図である。水蒸気供給ノズル８９ａは、水蒸気吐出口が設けられたノズル部材１０１が一方向に複数連設されることによって、一方向に長い形状となっている。
【００７４】
複数のノズル部材１０１からは別々に水蒸気を噴射することができるように、水蒸気発生装置８９ｂから複数のノズル部材１０１へは別々に水蒸気を供給する配管が設けられており、これら配管にはそれぞれに開閉バルブ１０２が設けられている。開閉バルブ１０２の開閉動作は水蒸気供給制御装置９０によって制御される。ノズル部材１０１に設けられている水蒸気吐出口からは、水蒸気が円錐シャワー状となって噴射し、基板Ｇに水蒸気が吹き付けられるようになっている。
【００７５】
図１０は乾燥ゾーン２４ｇ´における処理工程を示す説明図（フローチャート）である。最初に、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから基板Ｇに空気を吹き付けて、基板Ｇからリンス液を吹き飛ばす。次に、基板Ｇの表面に形成された水膜の厚みを膜厚センサ４８によって測定する。
【００７６】
この膜厚センサ４８による測定結果が、基板Ｇの表面の濡れ状態が良好な状態、つまり、良好な基板Ｇの表面にほぼ一定の厚みの水膜が形成されており、水膜の膜厚分布もまたほぼ一定である状態を示している場合には、基板Ｇに対する水蒸気供給ノズル８９ａからの水蒸気の噴射は行わずに、基板Ｇをｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へと搬出する。一方、膜厚センサ４８による測定結果が、基板Ｇの表面の濡れ状態が良好でない状態、つまり、水膜が全く形成されていない状態、または水膜の厚みが部分的に所定の厚みに達していない状態、または水膜の膜厚分布にばらつきが大きい状態を示している場合には、水蒸気供給ノズル８９ａから基板Ｇに水蒸気が吹き付けられ、これにより基板Ｇに一定厚みの水膜が形成される。
【００７７】
このとき、水蒸気供給ノズル８９ａは複数のノズル部材１０１から構成され、かつ、各ノズル部材１０１からは別々に水蒸気を噴射することができるようになっているので、膜厚センサ４８の測定結果に基づいて、水膜の薄い部分にのみ水蒸気を吹き付けることができる。これにより水膜全体の厚みを厚くすることなく、水膜の厚み分布を小さくすることができる。このようにして水膜が形成された基板Ｇは、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へと搬出される。
【００７８】
このような構成を有する乾燥ゾーン２４ｇ´を用いた場合には、基板乾燥処理部４６ａを通過する際に、エアーナイフ５４ａ・５４ｂから吹き付けられた空気によって発生したリンス液のミストが、その後に乾燥された基板Ｇに付着しても、さらにその後に水膜が均一に形成されるために、ミストに起因するウォーターマーク等の発生を抑制することができる。
【００７９】
なお、膜厚センサとしては、Ｙ方向に移動可能であり、Ｙ方向にスキャンすることによって基板Ｇ全体の水膜の厚みを測定することができるものを用いてもよい。同様に、水蒸気供給ノズルとして、Ｙ方向に移動可能であり、Ｙ方向にスキャンすることによって水膜の厚みが所定値に達していない部分に選択的に水蒸気を供給して水膜を形成するものを用いてもよい。
【００８０】
次に、乾燥ゾーン２４ｇのさらに別の実施形態について説明する。図１１は乾燥ゾーン２４ｇのさらに別の実施形態（「乾燥ゾーン２４ｇ″」とする）を示す側面図である。乾燥ゾーン２４ｇ″には、エアーナイフ５４ａ・５４ｂと、エアーナイフ５４ａ・５４ｂに空気を供給するブロワー４９が設けられ、また、基板搬送方向前方側のエアーナイフ５４ｂが設けられている位置において、基板搬送方向の後方側の空間（後方空間９９ａ）と前方側の空間（前方空間）９９ｂとを仕切る隔壁板９８が設けられている。
【００８１】
この乾燥ゾーン２４ｇ″においては、最初にエアーナイフ５４ａから基板Ｇに空気が吹き付けられる。ここで基板Ｇにおいてエアーナイフ５４ａから空気が吹き付けられた部分（エアーナイフ５４ａを通過した部分）が完全に乾燥されることがないように、エアーナイフ５４ａから噴射される空気量、つまりブロワー４９からエアーナイフ５４ａへ送風される空気量を制御する。これによりエアーナイフ５４ａから基板Ｇに空気が吹き付けられることによって発生するリンス液のミストが、例えば、エアーナイフ５４ａよりも基板搬送方向前方側に移動している基板Ｇの一部分に付着しても、この部分には水膜が残っているために、基板Ｇへのウォーターマークの発生は防止される。
【００８２】
エアーナイフ５４ａを通過した基板Ｇには、次いでエアーナイフ５４ｂから空気が吹き付けられる。このときにもエアーナイフ５４ｂから基板Ｇに空気が吹き付けられることによって基板Ｇからリンス液のミストが発生するが、エアーナイフ５４ｂからは斜め後方に向けて空気が噴射されているために、このミストは、エアーナイフ５４ｂと基板Ｇとの隙間を通って前方空間９９ｂには拡散することなく、後方空間９９ａへと拡散し、さらにこのミストは隔壁板９８があるために後方空間９９ａから前方空間９９ｂへは拡散できない。こうして、エアーナイフ５４ａ・５４ｂを用いて基板Ｇを完全に乾燥させながら、基板Ｇへのミストの付着を防止することができる。
【００８３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、乾燥ゾーン２４ｇにおいて基板Ｇを乾燥させるために空気を用いた場合について説明したが、その他のガス、例えば、窒素ガスを用いて基板Ｇを乾燥させることもできる。この場合には、ブロワー４９に代えて、ボンベや窒素供給用工場配管等の窒素供給装置を用い、これらの窒素供給装置からエアーナイフ５４ａ・５４ｂへの窒素供給量等を噴射量制御装置４７によって制御すればよい。
【００８４】
また、上記説明においてはリンス液として純水が用いられるために、基板Ｇに水膜を形成することによって基板Ｇにおけるウォーターマークの発生を防止したが、例えば、純水以外の処理液を用いて液処理を行う場合には、この処理液の膜が基板に形成されるように、処理液の蒸気を基板に吹き付ければよい。
【００８５】
本発明はＬＣＤガラス基板に限定して適用されるものではなく、その他の用途に用いられるガラス基板や、半導体ウエハ、その他のセラミックス基板等の液処理とそれに付随する乾燥処理にも適用できる。
【００８６】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、基板におけるウォーターマーク等の発生が防止され、基板の品質を高めることができる。また、基板の表面に処理液の液膜を形成した場合には、基板における静電気蓄積量が低減され、これにより基板が破損し難くなる。なお、基板に液膜を形成するために基板表面の処理液を完全に吹き飛ばさない場合には、使用される乾燥ガス量を低減し、製造コストを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】  図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】  図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】  図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】  本発明に係る現像処理ユニットの概略構造を示す側面図。
【図６】  図５に示した現像処理ユニットの概略構造を示す平面図。
【図７】  現像処理ユニットを構成する乾燥ゾーンの別の実施形態を示す概略側面図。
【図８】  図７に示す乾燥ゾーンの概略平面図。
【図９】  図７および図８に示す乾燥ゾーンに設けられる水蒸気供給ノズルへの水蒸気の供給形態を示す説明図。
【図１０】   図７および図８に示す乾燥ゾーンにおける処理工程を示す説明図。
【図１１】  現像処理ユニットを構成する乾燥ゾーンのさらに別の実施形態を示す概略側面図。
【符号の説明】
１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ；液切り／リンスゾーン
２４ｅ；第１リンスゾーン
２４ｆ；第２リンスゾーン
２４ｇ・２４ｇ´・２４ｇ″；乾燥ゾーン
４６ａ；基板乾燥処理部
４６ｂ；水膜形成処理部
４７；噴射量制御装置
４８；膜厚センサ
４９；ブロワー
５４ａ・５４ｂ；エアーナイフ
８９ａ；水蒸気供給ノズル
８９ｂ；水蒸気発生装置
９０；水蒸気供給制御装置
９８；隔壁板
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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