(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波コンポーネントであって、
該マイクロ波コンポーネントは、該コンポーネントの内側に内部表面を有し、該内部表面は、イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされており、かつ、１より小さい二次収率係数を有する、マイクロ波コンポーネント。
【請求項２】
前記コーティングは１．５マイクロメータ以下の厚さを有する、請求項１に記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項３】
前記コーティングは０．２〜０．７５マイクロメータの厚さを有する、請求項２に記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項４】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのコーティングは、酸素を４３〜４７原子パーセント、アルミニウムを０．５〜４．５原子パーセント、ガドリニウムを２．５〜６．５原子パーセント、鉄を２６〜３０原子パーセントおよびイットリウムを１８〜２２原子パーセント含む、請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項５】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのコーティングは、一つ以上の微量元素をさらに含む、請求項４に記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項６】
前記イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされた前記内部表面は銀を含む、請求項１〜５のいずれかに記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項７】
前記イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされた前記内部表面はアルミニウムを含む、請求項１〜５のいずれかに記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項８】
前記内部表面はシリコンを含む、請求項１〜５のいずれかに記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項９】
１より小さい二次収率係数を有するマイクロ波コンポーネントを生産する方法であって、該マイクロ波コンポーネントは、該コンポーネントの内側に内部表面を有しており、該方法は、
イットリウム−鉄−ガーネットのターゲット材料を提供する工程と、
スパッタリングによって、該イットリウム−鉄−ガーネットのターゲット材料を用いて、該マイクロ波コンポーネントの該内部表面をコーティングする工程であって、このように提供されたコーティングは１より小さい二次収率係数を有する、工程と
を包含する方法。
【請求項１０】
前記コーティング工程は、
（ａ）前記内部表面を有する前記マイクロ波コンポーネントと前記イットリウム−鉄−ガーネットのターゲット材料とをマグネトロンスパッタリングソースの前記スパッタリングチャンバ内に配置する工程と、
（ｂ）該スパッタリングチャンバを密閉し、該チャンバ内の圧力を下げる工程と、
（ｃ）高周波電源を作動させて、該マグネトロンスパッタリングソースに電力を供給して、該電源をある電力レベルに設定する工程と、
（ｄ）気体を該スパッタリングチャンバ内に導入して、該チャンバ内の該圧力を増加させて該ターゲット材料上にスパッタリングプラズマを誘発させる工程と、
（ｅ）スパッタリングプラズマが発生した後、該チャンバ内の該圧力を減少させる工程と、
（ｆ）該内部表面上に該ターゲット材料のコーティングを形成する工程と
を包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｂ）における前記圧力は１０-8Ｔｏｒｒ（１．３３３２２×１０−６Ｐａ）まで低下する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記高周波電源は１３．５６ＭＨｚにおいて１００ワットの電力レベルに設定される、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｄ）は超高純度のアルゴンガスを導入する工程を包含する、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｄ）は、精密なリークバルブを介して前記気体を前記スパッタリングチャンバ内にリークすることによって、超高純度のアルゴンガスを導入する工程を包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｄ）における前記圧力は１０-1Ｔｏｒｒ（１３．３３２２Ｐａ）まで増加する、請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
工程（ｅ）における前記圧力は４．５×１０-2Ｔｏｒｒ（５．９９４Ｐａ）まで減少する、請求項１０〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
工程（ｆ）は２０ｎｍ／分の速度で前記ターゲット材料をスパッタリングする工程を包含する、請求項１０〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのターゲット材料は、酸素を４３〜４７原子パーセント、アルミニウムを０．５〜４．５原子パーセント、ガドリニウムを２．５〜６．５原子パーセント、鉄を２６〜３０原子パーセントおよびイットリウムを１８〜２２原子パーセント含む、請求項１０〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのターゲット材料は、一つ以上の微量元素をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記マイクロ波コンポーネントの前記内部表面は銀を含む、請求項１０〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記マイクロ波コンポーネントの前記内部表面はアルミニウムを含む、請求項１０〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記マイクロ波コンポーネントの前記内部表面はシリコンを含む、請求項１０〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
工程（ｆ）は、前記ターゲット材料のコーティングにて前記内部表面を１．５マイクロメータ以下の厚さにコーティングする工程を包含する、請求項１０〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
工程（ｆ）は、前記ターゲット材料のコーティングにて前記内部表面を０．２〜０．７５マイクロメータの厚さにコーティングする工程を包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
マイクロ波コンポーネントを備えたマイクロ波通信デバイスであって、
該マイクロ波コンポーネントは、該コンポーネントの内側に内部表面を有しており、該内部表面は、イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされており、かつ、１より小さい二次収率係数を有する、マイクロ波通信デバイス。
【請求項２６】
前記コーティングは１．５マイクロメータ以下の厚さを有する、請求項２５に記載のマイクロ波コンポーネント。
【請求項２７】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのコーティングは、酸素を４３〜４７原子パーセント、アルミニウムを０．５〜４．５原子パーセント、ガドリニウムを２．５〜６．５原子パーセント、鉄を２６〜３０原子パーセントおよびイットリウムを１８〜２２原子パーセント含む、請求項２５または２６に記載のマイクロ波通信デバイス。
【請求項２８】
前記イットリウム−鉄−ガーネットのコーティングは、一つ以上の微量元素をさらに含む、請求項２５または２６に記載のマイクロ波通信デバイス。
【請求項２９】
前記イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされた前記内部表面は銀を含む、請求項２５〜２８のいずれかに記載のマイクロ波通信デバイス。
【請求項３０】
前記イットリウム−鉄−ガーネットでコーティングされた前記内部表面はアルミニウムを含む、請求項２５〜２８のいずれかに記載のマイクロ波通信デバイス。
【請求項３１】
前記内部表面はシリコンを含む、請求項２５〜２８のいずれかに記載のマイクロ波通信デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の背景）
（１．発明の分野）
本発明は、通信デバイスのコンポーネントに関する。具体的には、本発明は、表面処理、およびマイクロ波コンポーネントまたは二次電子放出が低く保たれる必要がある他のコンポーネントに表面処理を施す方法である。表面処理は、好適には、スパッタリングによってコンポーネントの内部表面に施されるイットリウム−鉄−ガーネットから成るコーティングである。
【０００２】
（２．関連技術の説明）
二次電子放出は、高周波（例えば、マイクロ波）電磁放射に曝された電子コンポーネント内で生じる公知の問題である。このような電磁界に曝される場合に、入射電子がコンポーネントの表面上に衝突すると、さらなる電子（いわゆる、二次電子）がコンポーネントの表面から放出され得る。次いで、これらの二次電子は入射電子と同じ電磁界に曝されることが多いため、コンポーネント表面にさらに衝突し得、これにより、さらなる二次電子の放出が生じ得る。特定の環境下において、電子（入射電子および二次電子）は、電磁界によって駆動されて、コンポーネント内で行ったり来たり跳ね返り得る。電子がコンポーネントの表面に衝突するごとに、さらなる二次電子が放出され得る。マルチパクション（ｍｕｌｔｉｐａｃｔｉｏｎ）として公知のこの現象によって、電磁界によって駆動される電子の再生またはなだれが生じ得る。この電子の再生またはなだれによって、コンポーネントの悪化、変調のひずみ、破壊的な結果をもたらす不安定性、コンポーネント全体の破壊が生じ得る故障モードが生じ得る。したがって、このような高周波電磁界に曝された電子コンポーネントは、二次電子放出およびマルチパクションの効果を最小限に留めるように設計されるため、コンポーネントの対応する電子なだれによる故障の可能性が減少する。
【０００３】
用語「二次収率係数（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｙｉｅｌｄ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）」は、この分野では、コンポーネントの表面に衝突する各入射電子に対して生成された二次電子の数の比率を示すために用いられる。二次収率係数が１より大きい場合は、各々の入射電子に対して一つ以上の二次電子がコンポーネントの表面から放出されることを意味し、その場合、電子なだれのように電子の数が増加する可能性が高い。
【０００４】
現在、通信コンポーネントは、通常、コンポーネントの内部表面の形状寸法を操作することによって、二次電子放出およびマルチパクションを制御するように設計される。設計者は、任意の所与の動作周波数に対して、二次電子増倍が生じる、コンポーネントの形状寸法および電力レベルの範囲があることを認識する。これをふまえて、コンポーネントの内部表面の寸法は、二次電子増倍を制御または防止するように設計され得、したがって、コンポーネントの電子なだれによる故障が防止される。
【０００５】
しかし、このような設計の実施は、製造の点からは困難であり、コンポーネントの設計寸法および設計サイズが制約される。マルチパクションに対する安全性マージンを維持するために、単純な設計をやめてより複雑な設計が好まれることが多い。これらの設計上の制約により、コンポーネントの形態および取り付けが逆に制限される。所定の場合において、二次電子増倍を効果的に防止または制御するには、より大きい複数のコンポーネントが必要であることが多い。これらの制限は、サイズおよび重量を最小限に留める必要がある通信衛星にあるような通信コンポーネントおよび宇宙船のオンボード上の有効搭載量に対しては、特定の欠点を提示する。さらに、このように設計されたコンポーネントを分析することは困難、かつ、時間がかかり、依然、マルチパクションの排除が保証されない。分析を検証するために高価なテストが必要である場合が多い。最初の検証の後でさえも、コンポーネント材料が時間と共に劣化し、コンポーネントの故障を引き起こし得る状態に曝され得る。
【０００６】
マルチパクションの防止はまた、通常、任意の電子の予測された飛行経路で、誘電材料をコンポーネント内に挿入することによっても試行されてきた。しかし、このような誘電材料を用いると、電気コンポーネントの損失が増加し得、デバイスの電力処理能力が減少する。したがって、所与の電力レベルで誘電体を用いると、コンポーネントが大きく重くなる。これは、通信衛星などの多くの用途において望ましくない。
【０００７】
あるいは、コンポーネントの内部表面にコーティングを施して、電子飛行経路を中断したりまたは電子なだれを防止することが試行されてきた。しかし、この別の例は、表面の誘電加熱および損失の増加に起因して、高電力の設計において実現可能でないことが多い。二次電子の経路に挿入された任意の巨視的に薄い誘電体によりマルチパクションが防止されるが、損失の増加または他の望ましくない物理特性に起因してコンポーネントが使用不可能になり得る。
【０００８】
所定の公知の材料（例えば、炭素すす）は１より小さい二次収率係数を有するが、コンポーネントの内部表面に付着し、環境テストおよびガス放出テストに耐え、酸化に耐え（およびしたがって、二次電子収率の結果が増加する）、ならびにコンポーネントの損失を増加しない材料を検出することは別の問題である。さらに、例えばアロジン（アロジン処理はアルミニウム合金上に保護クロマート変換コーティングを化学的に付与することである）などの以前に用いられた所定の表面処理では、コーティングが不均一で制御不可能な厚みになり、損失が高くなる。アロジンが二次電子放出の防止に実際に失敗し得る証拠もある。アロジン処理は、環境的な欠点も提示する。これは、アロジン処理がクロム酸の使用に関与し、したがって、使用済みの溶液の廃棄が困難および高価だからである。カーボンブラックなどの他のコーティングは、二次電子収率（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｙｉｅｌｄ）は低いが、コンポーネントの表面への付着が限られる。例えば、カーボンブラックは、宇宙空間の用途における使用には実行不可能である。なぜならば、カーボンブラックは真空状態で表面への付着を維持することができず、他の機器が汚される危険があるからである。
【０００９】
したがって、通常の電子コンポーネントの低損失の要件を妨げない表面処理が必要である。残念ながら、ほとんどの導電性が高い表面は、１より高い二次電子収率係数を有し、これにより、マルチパクションを受けやすい。さらに、大気に曝された後、任意の結果生じた表面酸化により、二次収率因子（ｓｅｃｏｎｄ  ｙｉｅｌｄ  ｆａｃｔｏｒ）がさらに増加し、この結果マルチパクションも増加する。適切な表面処理は、高温でのピーリングにも耐える必要があり、ガス放出し得ず、かつ、好適には、危険材料から形成されず、危険副産物を生成しない。したがって、理想的な表面処理は、１より小さい二次収率係数を有するだけでなく、低損失であり、誘電性を有し、時間による酸化に耐え、温度上昇による化学変化に耐え、ピーリングを生じずに高温に耐えることができ、ガス放出をせず、さらに非危険材料からなることである。さらに、理想的な表面処理は、製造、テスト、サービス環境にも耐える必要がある。
【００１０】
（発明の要旨）
好適にはアルゴンをスパッタリングすることによって、主張したようにコンポーネントの内部表面に施したイットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ）のコーティングを含む、表面処理および電子コンポーネントに表面処理を施す方法を提供する。上記コーティングは、好適には、１３．５６ＭＨｚにおける１００ワットの高周波電力において４．５×１０-2Ｔｏｒｒ（５．９９４Ｐａ）のアルゴンの圧力のもとでスパッタリングされる。上記の結果生じるコーティングは、厚さが約１．５マイクロメータ以下、好適には、０．２〜０．７５マイクロメータであり、最も好適には、約０．５マイクロメータである。本発明のコーティグが銀でメッキされたコンポーネントに施された場合、二次収率係数が約１．４から１より小さい値に減少する。
【００１１】
（発明の詳細な説明）
本発明は、デバイスの損失を目に見えて増加させずに、１より小さい二次収率係数を減少させる通信コンポーネント用のコーティングである。本発明はまた、このコーティングを通信コンポーネントに施す方法にも関する。
【００１２】
コーティング材料は、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ）からなる。ＹＩＧは、広くは、フェライトおよびガーネットと呼ばれる材料系内にある。その材料は、圧縮された焼結粉末、好適には、アルミニウムで構成されたＹＩＧまたはガドリニウムで構成されたＹＩＧの形態で市販されている。例示の適切なＹＩＧは、酸素４５％、アルミニウム２．５％、ガドリニウム４．５％、鉄２８％およびイットリウム２０％を含む（すべての比率は原子パーセント±２％である）。別の適切なＹＩＧは、微量元素としてマンガンをさらに含む。適切なＹＩＧは、マグネシウム、カルシウム、チタン、ナトリウム、リン、ベリリウムおよびセシウムなど、一つ以上のさらなる微量元素をさらに含み得る。本発明の目的では、微量元素は約０．０５％以下で存在する元素と定義する。コーティングがスパッタリングされる表面は、通常、銀でメッキされるが、アルミニウムまたはシリコンでもあり得る。しかし、本発明は、これらの特定の表面に施されるコーティングに限定されない。
【００１３】
図１は、マイクロ波コンポーネントの内部表面に施された本発明のコーティングを示す。コーティング（１）をマイクロ波コンポーネント（３）の内部表面（２）に施した。コーティング（１）を構造内の突起（４）にも施した。図１において、コーティングが施されたコンポーネント（２）の内部表面を、斜線エリアによって表し、コーティング（１）を非斜線エリアによって表す。
【００１４】
本発明の好適な方法によって、ＹＩＧコーティングを、プラズマスパッタリングによってコンポーネントの表面上にスパッタリングする。スパッタリングの一般的なプロセスでは、ターゲット原子を変位させることが必要であり、これは、高い運動エネルギーを有するイオンによって実行される運動量の移行を介して行われる。通常、および本発明の好適な実施形態において、アルゴンはスパッタリングチャンバ内の作用ガスである。
【００１５】
このようなスパッタリング動作において、正電荷のアルゴンイオンはＡｒ+および電子を含むプラズマ内に生成され得る。プラズマスパッタリングの場合、コーティングターゲットは、ＹＩＧソース材料であり、カソードとして電圧源に電気的に接続され、コーティングされるべきコンポーネントの内壁はアノードとして接続される。コーティングターゲットおよびコーティングされるべきコンポーネントは、電圧源に接続されたスパッタリングチャンバ内に配置され、スパッタリングチャンバ内の圧力は低くされる。次いで、電圧が二つの電極（アノードおよびカソード）にわたって生成され、プラズマ放電が生成される。プラズマ放電は、電子およびイオンを生成し、イオン化された作用ガスに運動エネルギーを付与する。Ａｒ+イオンは、プラズマから抽出されて、暗黒部分を通じて加速され、コーティングターゲット上に衝突する。Ａｒ+イオンがターゲットに衝撃した際、コーティング表面材料はスパッタリングチャンバ内に解放される。
【００１６】
コーティングターゲット表面における運動量の移行の間、正のターゲットイオン、負のターゲットイオン、電子、原子、ダイマーおよびトリマーが解放される。正のターゲットイオンはターゲットに戻って、加熱に寄与する。負のターゲットイオンは、引きつけられて、アノードとして電気的に荷電されたコンポーネントの表面に付着する。
【００１７】
スパッタリング速度は、ターゲット電圧、ターゲット電流密度およびチャンバ圧力によって決定される。電圧および電流（電力）が高いと、より多いスパッタリング種が解放される。圧力が高いと、より多くのイオン密度が提供されるが、同時に、散乱によって、イオンおよび原子のエネルギーが減少する。このプロセスによって、ターゲットの表面がスパッタリングされる。スパッタリング材料の組成およびしたがって堆積層はイオンの存在に依存する。
【００１８】
本発明のコーティングは、以下の方法によって生成された。スパッタリングターゲットを、ビューラーの低速ダイヤモンド鋸および潤滑剤などの脱イオン水を用いて、直径３／４”（１９．０５ｍｍ）、高さ３／１６”（４．７６２５ｍｍ）のＹＩＧの円形ディスクを１／８”（３．１７５ｍｍ）の高さに切断することによって生成した。ＹＩＧディスクの組成元素（原子パーセント±２％）は、酸素４５％、アルミニウム２．５％、ガドリニウム４．５％、鉄２８％およびイットリウム２０％を含んでいる。切断されたＹＩＧディスクの面は、シリコンカーバイド紙および潤滑剤などの水を用いて、６００〜８００グリットの仕上げにまで研磨される。
次いで、準備されたＹＩＧディスクを、ＳＳＬ−１００のＸＰＳ機器のスパッタリングチャンバ内の冷却された水中（ＵＳＧｕｎＩＩTM（カリフォルニア州のＵＳ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，  Ｉｎｃ．）平面マグネトロンスパッタリングソース）に取り付けた。直径３／４”（１９．０５ｍｍ）のＹＩＧディスクを収容するために、改変されたターゲットクランプハウジングをアルミニウムから機械加工した。次いで、コーティングされるべきクリーンな金属基板（電子コンポーネントを表す）を、スパッタリングチャンバ内にＹＩＧターゲットから約２”（５．０８ｃｍ）離し、ＹＩＧターゲットの方に向けて配置した。スパッタリングチャンバは、スパッタリングの前に１０-8Ｔｏｒｒ（１．３３３２×１０-6Ｐａ）に達することが認められた。
次いで、マグネトロンソース用のＲＦ電源が作動して、１３．５６ＭＨｚにおいて１００ワットの高周波電力レベルに設定される。次いで、超高純度（ＵＨＰ）アルゴンガスを、精密なリークバルブを介してスパッタリングチャンバ内にリークされると、プラズマがＹＩＧターゲット上に衝撃を与えるまで圧力が増加する（約１０-1Ｔｏｒｒ（１３．３３２Ｐａ））ことが認められた。スパッタリングプラズマを達成した後、アルゴンの圧力が４．５×１０-2Ｔｏｒｒ（５．９９４Ｐａ）まで減少した。これらの状況下において、ＹＩＧのコーティングは、約２０ｎｍ／分の速度で金属基板上で形成された。サンプルスパッタリングの前に、新たなＹＩＧターゲットを空のチャンバで１〜２分間スパッタリングして、ディスクの基底面のあらゆる表面の汚れを取ってきれいにした。
【００１９】
銀／銅／アルミニウムを含むコンポーネントの内部表面上にアルゴンをスパッタリングすることによって形成された本発明のコーティングのテスト結果を図２に示す。コーティングは、約０．５マイクロメータの厚さを有した。グラフ（５）は、一次入射光線エネルギー（ｅＶで測定される）が図示するような範囲にわたって変化した際の二次収率係数の変化を示す。グラフ（５）に示すように、二次収率係数は１より小さかった。
【００２０】
約０．５マイクロメータの厚さのコーティングは、銀基板およびアルミニウム基板上の二次収率係数を１より小さく減少させるに十分であった。アルミニウム基板上のコーティングが、厚さ１．８〜２マイクロメータを越えると、膜の付着が弱くなり得る。これは恐らく、膜が厚くなるにつれて、応力が増すからである。同様に、厚さが約２マイクロメータを越えるコーティングにおいて、アルミニウムと成長するＹＩＧ膜との間のスパッタリングの間、基板のプラズマ加熱に起因した示差熱の拡大が役に立つ。したがって、良好なＹＩＧコーティングは、厚さが約１．５マイクロメータ以下であり、好適には、約０．２〜約０．７５マイクロメータであり、最も好適には、厚さ約０．５マイクロメータである。
【００２１】
好適には、ＲＦ電力は約１００ワットである。ＲＦ電力がこれより低いと、スパッタリング速度が非直線的に降下し、この結果のスパッタリングＹＩＧ膜は、スパッタリング時間を長くしても、所望の反マルチパクション特性を有さない。逆に、ＲＦ電力が１００ワットを越える場合、ＹＩＧターゲットは激しい亀裂を生じ得、これによりコーティング特徴に悪影響を与え得る。
【００２２】
アルゴンガスの圧力は、好適には、マグネトロンの安全なソースの動作における許容最大値に非常に近く保たれる。アルゴンの圧力が低くなるということは、スパッタリング速度が遅くなることを意味し、スパッタリング時間がより長くなる。
【００２３】
本発明のコーティングは以下の利点を有する。コーティング自体が、低い電子放出を有し、二次電子放出を防止し、さらに、コンポーネント材料内から放出された任意の二次電子を吸収することに役立つ。コーティングが微視的な厚さ（約１．５マイクロメータ以下、好適には、約０．２〜約０．７５マイクロメータ、最も好適には、約０．５マイクロメータ）であるため、その上に配置されたコンポーネントの損失が目に見えては増加しない。本発明の方法によって、二次収率係数が１より小さい低損失コーティングは、比較的迅速な様態で（約１０〜３０分のオーダーで）提供され得る。コーティングは、周波数または電力レベルとは無関係にマルチパクションを制御する。さらに、コーティングにより、デバイスの設計を任意の形状寸法にすることが可能になる。したがって、結果として生じるデバイスは、より単純で、より小さく、しばしばより軽量である。本発明のコーティングはまた、真空、熱サイクルおよび大気圧において安定し、高温におけるピーリングに耐え、さらに、非中毒性である。本発明のコーティングは、種々の電力および周波数レベルでのマルチパクションを防止する能力を有し、宇宙空間の用途における使用に関し特定の利点を提供する。宇宙空間の用途において、マルチパクションのイニシエーターは、ランダムな宇宙線または主な粒子の発射体を生成する他の量子事象であり得る。
【００２４】
本発明は本明細書において特定の実施形態に関して記載されることが理解されるべきである。開示された特定の形態に本発明を限定することは意図されないことが理解されるべきである。逆に、本発明の範囲内にあるすべての改変および別の形態を包括することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、コンポーネントの内部表面上およびコンポーネント内への突起上への本発明のコーティングの通常の実施を示す。
【図２】  図２は、厚さ約０．５マイクロメータのＹＩＧコーティング上で測定された、二次収率係数対一次入射電子光線エネルギーのプロットである。このＹＩＧコーティングは、アルゴンガスで２５分間のスパッタリングによって生成され、銀／銅／アルミニウムサンプルの内部表面上に施された。
【図１】
0003854150.tif 000002
【図２】
0003854150.tif 000003