(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、
前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極を有してなるビームとを備え、
前記基板側電極が、前記単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、前記単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁されて成る
ことを特徴とする静電駆動型ＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
単結晶半導体基板に選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域を形成する工程と、
前記単結晶半導体基板の表面に不純物を導入して前記選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域にて絶縁分離された導電性半導体領域からなる基板側電極を形成する工程と、
前記基板側電極上を含んで選択的に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に駆動側電極を有するビームを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程を有する
ことを特徴とする静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項３】
前記不純物導入を、イオン注入法、熱拡散法又は固相拡散法により行う
ことを特徴とする請求項２記載の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、
前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有してなるビームとを備え、
前記基板側電極が、前記単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、前記単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁されて成る
ことを特徴とする光学ＭＥＭＳ素子。
【請求項５】
単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、
前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有するビームとを備え、
前記基板側電極が、前記単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、前記単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁されて成る
ことを特徴とする光変調素子。
【請求項６】
単結晶半導体基板内の不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる共通の基板側電極と、
前記共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有してなる複数のビームとを備え、
前記共通の基板側電極が、前記単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、前記単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁されて成る
ことを特徴とするＧＬＶデバイス。
【請求項７】
レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光の光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスを備えたレーザディスプレイであって、
前記ＧＬＶデバイスは、
単結晶半導体基板内の不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる共通の基板側電極と、
前記共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有する複数のビームとを備え、
前記共通の基板側電極が、前記単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、前記単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁されて成る
ことを特徴とするレーザディスプレイ。
【請求項８】
単結晶半導体基板上に、ＭＥＭＳ素子と該ＭＥＭＳ素子を保護するパッケージを有するＭＥＭＳ装置であって、
前記ＭＥＭＳ素子は、単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力に駆動する駆動側電極を有するビームとを有して形成され、
前記ＭＥＭＳ素子を駆動するための電気供給用配線が前記単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域により形成され、
前記パッケージは、該パッケージの支持部の一部が前記電気供給用配線と交差するように形成されて成る
ことを特徴とするＭＥＭＳ装置。
【請求項９】
前記パッケージは、支持部とその上に配置されたガラス基板とから形成され、前記支持部と前記ガラス基板とが陽極接合で封止されて成る
ことを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電駆動型のＭＥＭＳ素子とその製造方法、光学ＭＥＭＳ素子、光変調素子、ＧＬＶデバイス、レーザディスプレイ、及びＭＥＭＳ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細技術の進展に伴い、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、超小型電気的・機械的複合体）素子、及びＭＥＭＳ素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。
ＭＥＭＳ素子は、シリコン基板、ガラス基板等の基板上に微細構造体として形成され、機械的駆動力を出力する駆動体と、駆動体を制御する半導体集積回路等とを電気的に、更に機械的に結合させた素子である。ＭＥＭＳ素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン引力などを応用して電気的に行われる。
【０００３】
図１１及び図１２は、光の反射や回折を利用し、光スイッチ、光変調素子に適用される光学ＭＥＭＳ素子の代表的な構成を示す。
【０００４】
図１３に示す光学ＭＥＭＳ素子１は、基板２と、基板２上に形成した基板側電極３と、基板側電極３に対向して平行に配置した駆動側電極４を有するビーム（梁）６と、このビーム６の一端を支持する支持部７とを備えて成る。ビーム６と基板側電極３とは、その間の空隙８によって電気的に絶縁されている。
基板２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、ガラス基板のような絶縁性基板などの所要基板が用いられる。基板側電極３は、不純物をドーピングした多結晶シリコン膜、金属膜（例えばＣｒ蒸着膜）などで形成される。ビーム６は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の絶縁膜５と、その上面に形成された膜厚１００ｎｍ程度の例えばＡｌ膜からなる反射膜を兼ねる駆動側電極４とから構成される。このビーム６は、支持部７にその一端を支持した、所謂片持ち梁式に形成される。
この光学ＭＥＭＳ素子１では、基板側電極３と駆動側電極４に与える電位に応じて、ビーム６が基板側電極３との間の静電引力又は静電反発により変位し、例えば図１３の実線と破線で示すように、基板側電極３に対して平行状態と傾斜状態に変位する。
【０００５】
図１４に示す光学ＭＥＭＳ素子１１は、基板１２と、基板１２上に形成した基板側電極１３と、基板側電極１３をブリッジ状に跨ぐビーム１４とを備え成る。ビーム１４と基板側電極１３とは、その間の空隙１３によって電気的に絶縁されている。
ビーム１４は、基板側電極３をブリッジ状に跨いで基板１２上に立脚する例えばＳｉＮ膜からなるブリッジ部材１５と、基板側電極１３に対向して相互に平行にブリッジ部材１５上に設けられた、例えば膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ膜からなる反射膜を兼ねる駆動側電極１６とから構成される。基板１２、基板側電極１３、ビーム１４等は、図１３で説明したと同様の構成、材料を採り得る。ビーム１４は、その両端が支持された所謂ブリッジ式に形成される。
この光学ＭＥＭＳ素子１１では、基板側電極３と駆動側電極４に与える電位に応じて、ビーム１４が基板側電極１３との間の静電引力又は静電反発により変位し、例えば図１４の実線と破線で示すように、基板側電極３に対して平行状態と凹み状態に変位する。
【０００６】
これ等の光学ＭＥＭＳ素子１、１１は、光反射膜を兼ねる駆動側電極４、１６の表面に光が照射され、ビーム４、１４の駆動位置に応じて、その光の反射方向が異なるのを利用して、一方向の反射光を検出してスイッチ機能を持たせた、光スイッチとして適用できる。
また、光学ＭＥＭＳ素子１、１１は、光強度を変調させる光変調素子として適用できる。光の反射を利用するときは、ビーム４、１４を振動させて単位時間当たりの一方向の反射光量で光強度を変調する。この光変調素子は、いわゆる時間変調である。
光の回折を利用するときは、共通の基板側電極３、１３に対して複数のビーム６、１４を並列配置して光変調素子を構成し、共通の基板側電極３、１３に対する例えば１つ置きのビーム６、１４の近接、離間の動作により、光反射膜を兼ねる駆動側電極の高さを変化させ、光の回折によって駆動側電極で反射する光の強度を変調する。この光変調素子は、いわゆる空間変調である。
【０００７】
図１５は、ＳＬＭ（シリコンライトマシーン）社がレーザディスプレイ用光強度変換素子、つまり光変調器として開発したＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ）デバイスの構成を示す。
ＧＬＶデバイス２１は、図１５Ａに示すように、ガラス基板等の絶縁基板２２上にタングステン、チタンなどの高融点金属およびそれらの窒化膜、または、ポリシリコン薄膜による共通の基板側電極２３が形成され、この基板側電極２３に交叉してブリッジ状に跨ぐ複数、本例では６つのビーム２４〔２４1 、２４2 、２４3 、２４4 、２４5 、２４6 〕が並列配置されてなる。基板側電極２３及びビーム２４の構成は、前述の図１４で説明したと同じ構成である。即ち、図１５Ｂに示すように、ビーム２４では、例えばＳｉＮ膜によるブリッジ部材２５の基板側電極２３と平行する面上に膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ膜による反射膜兼駆動側電極２６が形成されてなる。
ブリッジ部材２５と、その上に設けられた反射膜兼駆動側電極２６とからなるビーム２４は、リボンと通称されている部位である。
【０００８】
ビーム２４の反射膜兼駆動電極２６として使用したアルミニウム膜（Ａｌ膜）は、（1)  比較的容易に成膜できる金属であること、（2)  可視光領域での反射率の波長分散が小さいこと、（3)  Ａｌ膜表面に生成したアルミナ自然酸化膜が保護膜となって反射面を保護すること等の理由から、光学部品材料として好ましい金属である。
また、ブリッジ部材２５を構成するＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）は、減圧ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉＮ膜であって、その強度、弾性定数等の物理値が、ブリッジ部材２５の機械的駆動に対して適切であるとして選定されている。
【０００９】
基板側電極２３と反射膜兼駆動側電極２６との間に微小電圧を印加すると、前述した静電現象によってビーム２４が基板側電極２３に向かって近接し、また、電圧の印加を停止すると離間してもとの状態に戻る。
ＧＬＶデバイス２１は、基板側電極２３に対する複数のビーム２４の近接、離間の動作（即ち、１つ置きのビームの近接、離間の動作）により、光反射膜兼駆動側電極２６の高さを交互に変化させ、光の回折によって（６つのビーム２４全体に対して１つの光スポットが照射される）、駆動側電極２６で反射する光の強度を変調する。
静電引力及び静電反発力を利用して駆動するビームの力学的特性は、ＣＶＤ法等で成膜されるＳｉＮ膜の物性によってほぼ決定され、Ａｌ膜はミラーとしての役割が主である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＭＥＭＳ素子における基板側電極は、上述したようにシリコンやＧａＡｓなどの半導体基板上の絶縁層上、あるいはガラス基板等の絶縁性基板上に形成される。その電極材料としては、不純物をドーピングした多結晶シリコン膜や金属膜が使用される。しかしながら、これらの電極材料は結晶構造を有するため、表面に凹凸が発生する。例えば、多結晶シリコン電極の場合、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）分析によると、表面の粗度ＲＭＳ（平方自乗平均）値を制御することは、製造工程の温度制御を厳密に行うことにより達成できるものであり、通常の成膜手法と、従来実施されてきた半導体製造工程を経た後には容易に２０ｎｍ以上の表面凹凸を生成し得ることが知られている。その程度は材料や形成方法に依存する。
【００１１】
この表面凹凸は、電気的な特性やＭＥＭＳ素子の動作特性上、大きな問題とはなりにくいが、特に、光学ＭＥＭＳ素子を製造する際にしばしば問題となっていた。即ち、上述したような光学ＭＥＭＳ素子の基板側電極は、光反射膜を兼ねる駆動側電極の下部に位置されることが多い。この場合、製造工程において、下層膜の表面凹凸は上層膜に順次転写されることになり、最上層にある光学的に重要な膜表面には、拡大転写された表面凹凸を有する駆動側電極、すなわち反射膜が形成されることになる。
【００１２】
例えば、上述の図１３のＭＥＭＳ素子１は、基板上に基板側電極３を形成し、支持部７を形成した後、基板側電極３を含む面上に空隙形成用の犠牲層膜（図示せず）を形成し、さらに犠牲層上にビームを形成し、次いで、犠牲層膜を除去して基板側電極３とビーム６間に空隙８を形成するようにして作製される。犠牲層はシリコン（多結晶シリコン、非晶質シリコン等）やシリコン酸化膜が用いられる。犠牲層がシリコンの場合は、例えば硝酸とフッ酸の混合液や、フッ素（Ｆ）を含むガスのガスエッチングによって除去することができ、犠牲層が酸化膜の場合は、フッ酸溶液や、フッ化炭素ガスのエッチングにより除去することが一般的である。
【００１３】
つまり、基板側電極（ａ）と空隙形成用の犠牲層膜（ｂ）と反射膜を兼ねる駆動側電極（ｃ）の３層構成で作製された光学ＭＥＭＳ素子においては、それぞれの膜単独での観測される表面凹凸の最大値を、Ｒmax （ａ）、Ｒmax （ｂ）、Ｒmax （ｃ）とすると、３層の積層膜を形成したときの最上層の表面では、これらの最大値の和が、発生する可能性のある表面凹凸量になる。
【００１４】
光学部品の性能で表現すると、アルミニウム（Ａｌ）を反射膜とする光学ＭＥＭＳ素子において、Ａｌ膜の反射率は理想的なバルクＡｌ膜では９２％が得られるはずであるが、この表面凹凸量の制御が行われないと、この反射率は数％以上の劣化を示し８５％程度しか得られないこともある。極端な場合、表面が曇ってしまったように見えることもある。このような光学ＭＥＭＳ素子は、光学素子としての性能を使用する際に問題となる。
【００１５】
また、設計上の課題もある。ＭＥＭＳ振動子、即ちビームの共振周波数は、振動の質量や、駆動部を支える各部位の膜の張力などで設計されるが、一般に設計時には各膜の物性値は理想的な薄膜状態での物性値を使用して計算、設計されることが現状である。ところが、例えば、ＲＭＳ値が２０ｎｍの場合に、使用する膜厚がこれと比較して小さくなると、膜構造としてのうねりが無視できなくなり、このうねり構造の力学的な緩和までを含めたＭＥＭＳ素子設計が必要となる。これは、現状の設計ツールでは計算時間、精度の観点から極めて困難である。
【００１６】
図１６に示すように、例えば基板側電極を多結晶シリコンで形成した場合、その多結晶シリコン膜の表面の凹凸が拡大してビーム（Ａｌ／ＳｉＮ積層膜）６を構成する駆動側電極（Ａｌ膜）４の表面に転写され、駆動側電極４をミラーとする光反射率が劣化する。
【００１７】
一方、ＭＥＭＳ素子では、稼働部であるビームを保護するために、例えば図１７Ａ，Ｂに示すように、パッケージング工程がある。このパッケージングは、基板２上の例えばシリコン酸化層による支柱部１８を形成し、この支柱部１８上に透明基板、例えばガラス基板９を接合している。ＭＥＭＳ素子１を駆動するための電気供給用配線１０は、基板側電極３と同時に形成されので、支柱部１８の一部では、配線１０上を這う形となり支柱部１８の一部の接合面が配線１０による段差が生じる。このため、支柱部１８表面の全面にわたてパッケージ部材のガラス基板９を密着して載置できず、また、表面の凹凸が支柱部表面１８ａに転写され、例えば陽極接合法による支柱部表面１８ａとガラス基板９との接合に支障を来すものであった。
【００１８】
本発明は、上述の点に鑑み、ビーム表面の平坦化を図り、性能の向上を図り、さらに製造工程の設計の自由度の向上を図った静電駆動型ＭＥＭＳ素子とその製造方法、光学ＭＥＭＳ素子、光変調素子、ＧＬＶデバイス、レーザディスプレイ、及びＭＥＭＳ装置を提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子は、単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極を有してなるビームとを備え、基板側電極が単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁された構成とする。
本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法は、単結晶半導体基板に選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域を形成する工程と、単結晶半導体基板の表面に不純物を導入して選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域にて絶縁分離された導電性半導体領域からなる基板側電極を形成する工程と、基板側電極上を含んで選択的に犠牲層を形成する工程と、犠牲層上に駆動側電極を有するビームを形成する工程と、犠牲層を除去する工程を有する。
【００２０】
本発明の静電駆動型ＭＥＭＳ素子では、基板側電極が単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体基板表面のまま維持され、鏡面仕上げの極めて平坦な表面に維持される。従って、基板側電極上に犠牲層、ビーム等を順次堆積して最終的に得られるビームの基板側電極との対向面、及び駆動側電極表面は、平坦化される。この駆動側電極を光反射膜に適用した場合、駆動側電極表面での光反射率が向上する。
本発明の静電駆動側ＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、表面が平坦化されたビームを有するＭＥＭＳ素子を精度良く且つ容易に製造できる。
【００２１】
本発明に係る光学ＭＥＭＳ素子は、単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有してなるビームとを備え、基板側電極が単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁された構成とする。
【００２２】
本発明の光学ＭＥＭＳ素子では、基板側電極が単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体基板表面のまま維持され、鏡面仕上げの極めて平坦な表面に維持される。従って、上述と同様に、最終的に得られるビームの光反射膜兼駆動側電極の光反射面は、平坦化され、これによって光反射率が向上し、光の利用効率が向上する。
【００２３】
本発明に係る光変調素子は、単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有するビームとを備え、基板側電極が単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁された構成とする。
【００２４】
本発明の光変調素子では、基板側電極が単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体基板表面のまま維持され、鏡面仕上げの極めて平坦な表面に維持される。従って、上述と同様に、最終的に得られるビームの光反射膜兼駆動側電極の光反射面は、平坦度が著しく向上し、これによって光反射率が向上し、光の利用効率が向上する。
【００２５】
本発明に係るＧＬＶデバイスは、単結晶半導体基板内の不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる共通の基板側電極と、共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有してなる複数のビームとを備え、共通の基板側電極が単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁された構成とする。
【００２６】
本発明のＧＬＶデバイスでは、基板側電極が単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体基板表面のまま維持され、鏡面仕上げの極めて平坦な表面に維持される。従って、上述と同様に、最終的に得られるビームの光反射膜兼駆動側電極の光反射面は、平坦化され、これによって光反射率が向上し、光の利用効率が向上する。
【００２７】
本発明に係るレーザディスプレイは、レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光の光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスを備えたレーザディスプレイであって、ＧＬＶデバイスが、単結晶半導体基板内の不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる共通の基板側電極と、共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する光反射膜兼駆動側電極を有する複数のビームとを備え、共通の基板側電極が単結晶半導体基板に形成された選択酸化による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域により、単結晶半導体基板の周辺領域から電気的に絶縁された構成とする。
本発明のレーザディスプレイでは、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスにおいて、その基板側電極を単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成するので、上述と同様に複数のビームの光反射膜兼駆動側電極の表面が平坦化される。従って、光反射率が上がり、レーザディスプレイにおける光利用効率が向上する。
【００２８】
本発明に係るＭＥＭＳ装置は、単結晶半導体基板上に、ＭＥＭＳ素子と該ＭＥＭＳ素子を保護するパッケージを有するＭＥＭＳ装置であって、ＭＥＭＳ素子は、単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力に駆動する駆動側電極を有するビームとを有して形成され、ＭＥＭＳ素子を駆動するための電気供給用配線が単結晶半導体基板内に不純物導入して形成された導電性半導体領域により形成され、パッケージは、該パッケージの支持部の一部が電気供給用配線と交差するように形成された構成とする。
本発明のＭＥＭＳ装置では、ＭＥＭＳ素子において基板側電極が単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、前述と同様に最終的に得られるビームの駆動側電極表面が平坦化される。この駆動側電極を光反射膜に適用した場合、光反射率が向上する。また、電気供給用配線も単結晶半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されるので、パッケージを半導体基板上に配置したとき、パッケージの支持部が段差のない半導体基板上に配置され、封止が確実になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００３０】
図１は、本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な一実施の形態を示す。
本実地の形態に係るＭＥＭＳ素子３１は、半導体基板３２の一面の所定領域に所要の導電型の不純物を導入して導電性半導体領域３３を形成し、この導電性半導体領域３３を基板側電極となし、この基板側電極３３に対向するように一端を絶縁性支持部３４に支持された静電駆動型のビーム３５を配置して構成される。ビーム３５は、いわゆる片持ち梁式に構成される。なお、ＭＥＭＳ素子３１には、この駆動を制御する半導体集積回路等が一部に組み込まれている。
【００３１】
半導体基板３２は、単結晶半導体基板、例えばシリコン（Ｓｉ），ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの基板を用いることができる。この半導体基板３２にｐ型あるいはｎ型の不純物をイオン注入法、熱拡散法、或いは固相拡散法等により導入して導電性半導体領域、即ち基板側電極３３を形成することができる。基板側電極３３は、絶縁分離領域３６により周囲から絶縁分離される。
【００３２】
基板側電極３３の絶縁分離としては、図２Ａに示すように、例えばシリコン半導体基板３２の表面に選択酸化（いわゆるＬＯＣＯＳ）層３６１を形成し、この選択酸化層３６１ により基板側電極３３を絶縁分離することができる。
或いは、図２Ｂに示すように、基板側電極３３をトレンチ分離（ＳＴＩ：Ｓｈａｉｉｏｗ  Ｔｒａｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）で絶縁分離することもできる。即ち、導電性半導体領域３３を囲む溝４３を形成し、この溝４３内に絶縁層、例えばシリコン酸化層４４を埋め込んで成るトレンチ分離領域３６２により、基板側電極３３を絶縁分離することができる。
【００３３】
絶縁性支持部３４は、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜、シリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜等の絶縁体、本例ではシリコン窒化膜で形成することができる。ビーム３５は、例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜、シリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜等の絶縁膜、本例では強度、弾性定数などの物性値がビームの機械的駆動に対して適切な、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜３７とその上の駆動側電極３８との積層膜で形成される。駆動側電極３８としては、Ａｇ膜、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜、或いはチタンＴｉ，タングステンＷ，モリブデンＭｏ，タンタルＴａなどのいずれかの高融点金属膜、等を用いることができる。
【００３４】
図６〜図７は、上述の静電駆動型ＭＥＭＳ素子３１の製造方法の一実施の形態を示す。
先ず、図６Ａに示すように、半導体基板、例えばシリコン単結晶基板３２の一面の所定領域に選択酸化（ＬＯＣＯＳ）による絶縁層３６1 を形成し、この絶縁層３６1 で囲まれた領域にｐ型又はｎ型の不純物を導入して導電性半導体領域（いわゆる不純物拡散領域）３３を形成する。この導電性半導体領域３３が基板側電極となる。
【００３５】
導電性半導体領域３３を形成するための不純物導入法としては、イオン注入法、熱拡散法、固相拡散法等がある。イオン注入の場合は、例えば加速した燐、ホウ素又は砒素等をシリコン基板３２中に注入し、熱処理によりシリコン基板３２の結晶性を回復させる。熱拡散法では、例えば燐を導入する場合、Ｃｌ3 ＰＯガス雰囲気で熱処理を行う。固相拡散法では、シリコン基板３２上に例えばホウ素をドープしたホウ珪酸ガラス（ＢＳＧ）膜或いは燐をドープした燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜等を堆積し、熱処理して固相拡散を行いホウ素或いは燐などの不純物を導入する。
【００３６】
次に、図６Ｂに示すように、シリコン基板３２の上面に支持部となる絶縁膜、本例ではシリコン窒化膜をＣＶＤ法等により成膜し、パターニングして基板側電極３３より離れた位置にシリコン窒化膜による支持部３４を形成する。次いで、全面に空隙形成用の犠牲層、本例では多結晶シリコン膜４０を形成し、支持部３４の面と同一面となるように多結晶シリコン層４０をエッチバックする。なお、犠牲層４０としては、多結晶シリコン膜の他、非晶質シリコン膜、フォトレジスト膜、あるいは支持部３４及びビームを構成する絶縁膜とエッチングレートの異なる絶縁膜（例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜など）等を用いることもできる。
【００３７】
次に、図６Ｃに示すように、支持部３４上及び多結晶シリコン層４０上を含んで全面に、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜等の絶縁膜、本例ではシリコン窒化膜３７及びその上の駆動側電極材料層３８′を順次形成する。
【００３８】
次に、図７Ｄに示すように、レジストマスク４１を形成し、このレジストマスク４１を介して駆動側電極材料層３８′及びその下のシリコン窒化膜３７を選択的にエッチング除去して、支持部３４に支持される駆動側電極３８及びシリコン窒化膜３７からなるビーム３５を形成する。
【００３９】
次に、図７Ｅに示すように、犠牲層である多結晶シリコン層４０を例えばＸｅＦ2 ガスによるガスエッチングにより除去し、基板側電極３３とビーム３５との間に空隙４１を形成して、目的の静電駆動型ＭＥＭＳ素子３１を得る。
【００４０】
図８〜図９は、上述の静電駆動型ＭＥＭＳ素子３１の製造方法の他の実施の形態を示す。
先ず、前述の図６Ａと同様に、図８Ａに示すように、半導体基板、例えばシリコン単結晶基板３２の一面の所定領域に選択酸化（ＬＯＣＯＳ）による絶縁層３６1 を形成し、この絶縁層３６1 で囲まれた領域にｐ型又はｎ型の不純物を導入して導電性半導体領域（いわゆる不純物拡散領域）３３を形成する。この導電性半導体領域３３が基板側電極となる。
【００４１】
次に、図８Ｂに示すように、この基板、即ち一部に不純物拡散領域３３を形成した基板３２の全面に犠牲層用の例えば多結晶シリコン膜５０を堆積する。
次いで、図８Ｃに示すように、多結晶シリコン膜５０に対して、ビームを支えるポスト（支持部）となる領域に開口５１を形成する。
【００４２】
次に、図９Ｄに示すように、開口５１内を含んで犠牲層である多結晶シリコン膜５０上にビームとなる例えばＳｉＮ膜３７とＡｌ膜３８′の積層膜を形成する。開口５１の側壁に形成されたＡｌ／ＳｉＮ２層膜（３７、３８′）は、そのままビームを支える中心が空洞となる円柱ないしは角柱のポスト（支持部）５２となる。
【００４３】
最後に、図９Ｅに示すように、Ａｌ／ＳｉＮ積層膜（３７、３８′）を所定のパターンに加工してＳｉＮ膜３７とＡｌの駆動側電極３８とからなるビーム３５を形成し、目的のＭＥＭＳ素子３１を得る。図９Ｆでは。ポスト５２から一方向にビーム３５を長くしているので、所謂片持ち梁式のＭＥＭＳ構造を得ることができた。
【００４４】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子３１によれば、基板側電極３３をシリコン単結晶基板３２の一面に形成した導電性半導体領域（不純物拡散領域）で形成するので、基板側電極３３の表面は、シリコン単結晶基板３３のままで維持され、研磨鏡面仕上げの極めて平坦な表面に維持される。従って、製造工程において、この基板側電極３３上に犠牲層４０、ビーム３５を構成するＳｉＮ膜３７及び駆動側電極３８を順次堆積しても、前述の図１６に示した下地の凹凸を反映していくことはなく、ビーム３５の駆動側電極３８の上面３８ａ、或いはビーム３５の絶縁膜３７の基板側電極３３と対向する下面を平坦化することができる。特に、上面３８ａは、駆動側電極３８を構成する膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映された表面が達成される。例えば駆動側電極３８をＡｌ膜で形成するときは、Ａｌ膜上面はＡｌ膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映されることになる。その結果、図５に示すように、平坦性の良好な駆動側電極３８が形成される。
【００４５】
このＭＥＭＳ素子３１を光学ＭＥＭＳ素子に適用した場合には、この駆動側電極３８の上面３８ａがより平坦な光反射面（いわゆるミラー面）となり、光反射率が向上して反射光の光利用効率が増え、オン・オフ制御できる光スイッチ、光強度を変調する光変調素子などの光素子としての性能の向上を図ることができる。
【００４６】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、半導体基板３２に不純物導入によって形成した不純物拡散領域で基板側電極３３を形成するので、基板側電極３３の表面は単結晶基板３２の表面に維持され、その鏡面仕上げの極めて平坦な面となる。その後、犠牲層４０、又は５０、ビームを構成する絶縁膜３７及び駆動側電極材料層３８′を順次堆積し、犠牲層４０、又は５０を除去するようにしたことにより、駆動側電極３８が平坦化されたビーム３５を有するＭＥＭＳ素子３１を精度良く且つ容易に製造することができる。
【００４７】
図３は、本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す。本例はビームをブリッジ状に形成した場合である。
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子５１は、半導体基板３２の一面の所定領域に所要の導電型の不純物を導入して導電性半導体領域３３を形成し、この導電性半導体領域３３を基板側電極となし、この基板側電極３３に対向するように基板側電極３３をブリッジ状に跨ぐ静電駆動型のビーム５２を配置して構成される。基板側電極３３は、前述の図２Ａ、図２Ｂに示す選択酸化による絶縁層３６1 或いはトレンチ分離領域３６2 等による絶縁分離領域３６により周囲から絶縁分離される。
ビーム５２は、基板側電極３３をブリッジ状に跨いで基板３２上に立脚する絶縁膜、例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜からなるブリッジ部材５３と、基板側電極３３に対向して相互に平行にブリッジ部材５３上に設けられた駆動側電極５４とから構成される。
半導体基板３２、基板側電極３３、ビーム５２を構成する絶縁膜５３及び駆動側電極５４等は、前述の図１で説明したと同様の構成、材料を採り得るので、詳細説明を省略する。
【００４８】
このＭＥＭＳ素子５１は、前述の図６〜図７で説明したと同様の工程で製造することができる。
即ち、半導体基板３２の絶縁分離領域３６で囲まれた領域表面に不純物を導入して導電性半導体領域（不純物拡散領域）による基板側電極３３を形成した後、基板側電極３３上を含んで選択的に犠牲層を形成し、次いで、犠牲層上及び絶縁分離領域が形成された基板上を含んでブリッジ状の絶縁膜５３及びブリッジ状絶縁膜５３の基板側電極３３と平行する面上に駆動側電極５４を形成してビーム５２を形成し、その後に犠牲層を除去することにより、ＭＥＭＳ素子５１を製造することができる。
【００４９】
本実施の形態に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子５１においても、前述と同様に、基板側電極３３がシリコン単結晶基板３２の一面に形成した導電性半導体領域（不純物拡散領域）で形成されるので、ビーム５２の駆動側電極５４の上面５４ａは下地の凹凸に反映されず、駆動側電極５４を構成する膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映された表面になり、平坦化される。従って、光学ＭＥＭＳ素子に適用した場合、この駆動側電極５４の上面５４ａがより平坦なミラー面となり、光反射率が向上して反射光の光利用効率が増え、光スイッチ、光変調素子等の光素子としての性能の向上を図ることができる。
【００５０】
図４は、本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す。
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子５５は、半導体基板３２の一面の所定領域、例えば中央を挟んで対向する２つの領域に所要の導電型の不純物を導入して導電性半導体領域３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕を形成し、この導電性半導体領域３３Ａ，３３Ｂを夫々基板側電極となし、この両基板側電極３３Ａ，３３Ｂに対向するように、ビーム５６〔５６Ａ，５６Ｂ〕を配置して構成される。ビーム５６Ａ，５６Ｂは、共通のビームで形成され、中央の支持部５７上にビームの中心を支持して、その中心から左右に延びる部分でビーム５６Ａ，５６Ｂが構成される。基板側電極３３Ａ，３３Ｂは、上例と同様の絶縁分離領域３６により周囲から絶縁分離される。ビーム５６は、絶縁膜、例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜５８とその上の駆動側電極５９の積層膜で形成される。
半導体基板３２、基板側電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕、ビーム５６〔５６Ａ，５６Ｂ〕を構成する絶縁膜５８、駆動側電極５９等は、前述の図１で説明したと同様の構成、材料を採り得るので、詳細説明を省略する。
なお、基板側電極３３Ａ，３３Ｂを独立に形成したが、共通の１つの基板側電極３３として、この基板側電極３３にビーム５６Ａ，５６Ｂを対向して配置した構成とすることもできる。
【００５１】
このＭＥＭＳ素子５５は、前述の図６〜図７で説明したと同様の工程で製造することができる。
即ち、半導体基板３２の絶縁分離領域３６で囲まれた領域表面に不純物を導入して導電性半導体領域（不純物拡散領域）による基板側電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕を形成し、中央に選択的に絶縁膜による支持部５７を形成した後、基板側電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕上を含んで選択的に犠牲層を形成し、次で、支持部５７及び犠牲層上を含んで絶縁膜５８及び駆動側電極５９を形成してビーム５６〔５６Ａ，５６Ｂ〕を形成し、その後に犠牲層を除去することにより、ＭＥＭＳ素子５５を製造することができる。
【００５２】
本実施の形態の静電駆動型ＭＥＭＳ素子５５においても、前述と同様に、基板側電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕がシリコン単結晶基板３２の一面に形成した導電性半導体領域（不純物拡散領域）で形成されるので、ビーム５６〔５６Ａ，５６Ｂ〕の駆動側電極５９の表面は下地の凹凸に反映されず、駆動側電極５９を構成する膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映された表面になり、平坦化される。従って、光学ＭＥＭＳ素子に適用した場合、この駆動側電極５６の上面５６ａがより平坦なミラー面となり、光反射率が向上して反射光の光利用効率が増し、光スイッチ、光変調素子などの光素子としての性能の向上を図ることができる。
【００５３】
上述のＭＥＭＳ素子３１、５１、５５は、光の反射を利用する光学ＭＥＭＳ素子と、光の回折を利用する光学ＭＥＭＳ素子に適用できる。光の反射を利用する場合は、基板側電極３３に対して１つのビーム３５、５２又は５６を配置した構成、或いは共通の基板側電極３３に対して夫々が独立に駆動する複数のビーム３５を配置した構成とすることができる。光の回折を利用する場合は、共通の基板側電極３３に対して複数のビーム３５、５２又は５６を並列配置して構成される。
【００５４】
上記光学ＭＥＭＳ素子を用いて光変調素子を構成することができる。
本実施の形態の光変調素子によれば、反射効率、回折効率が向上して反射光の光利用率が増え、光変調素子としての特性、性能の向上を図ることができる。
【００５５】
図１０Ａ，Ｂは、ＭＥＭＳ素子を保護するためのパッケージの構成を示す。
本実施の形態においては、ＭＥＭＳ素子３１を構成する基板側電極３３が、半導体基板３２内に不純物を導入して形成した導電性半導体領域で形成されると共に、ＭＥＭＳ素子３１を駆動するための電気供給用配線４４も基板側電極３３と同じ半導体基板３２内に不純物を導入して形成した導電性半導体領域で形成される。このＭＥＭＳ素子３１（特に、ビーム３５、基板側電極３３を含む駆動体部分）を取り囲むように、基板３２上に例えばＳｉＯ2 層による支柱部４５が形成される。支柱部４５の一部は配線４４上を這うように形成されるが、基板側電極３３が半導体基板３２内の導電性半導体領域（不純物拡散領域）で形成されているので、段差がなく、支柱部４５表面は全面にわたって平坦面に形成される。また、配線４４表面も凹凸がなく、支柱部４５表面に従来のような配線の表面凹凸が転写されない。この支柱部４５上にパッケージ部材のガラス基板４６を載置して例えば陽極接合法で支柱部４５とガラス基板４６とを接合し封止する。
【００５６】
本実施の形態のパッケージングでは、支持部４５の表面に段差がなく、且つ凹凸も生ぜず、支持部４５表面の全面にわたり平坦化されるので、ガラス基板４６を支持部４５上に密着して載置することができ、陽極接合により確実に封止できる。即ち、ＭＥＭＳ素子を有するチップ全体の平坦度を向上できるので、ＭＥＭＳ素子に固有のマッケージングの自由度が増し、ＭＥＭＳ素子の製造工程の設計自由度の向上とコスト低減を図ることができる。
【００５７】
図１１は、本発明に係るＧＬＶデバイスの実施の形態を示す。
本実施の形態に係るＧＬＶデバイス６１は、前述の図３で説明したと同様ように、半導体基板、例えばシリコン単結晶基板６２の一面に不純物を導入して形成した導電性半導体領域（不純物拡散領域）による共通の基板側電極６３に対して、ブリッジ部材６４と金属膜による駆動側電極６５の積層膜からなる複数本例では６つのビーム６６〔６６1 、６６2 、６６3 、６６4 、６６5 、６６6 〕を並列配置して構成される。
このＧＬＶデバイス６１は、前述と同様に基板側電極６３に対する１つ置きのビーム６６の近接、離間の動作により、光反射膜を兼ねる駆動側電極６５の高さを交互に変化させ、光の回折によって駆動側電極６５で反射する光の強度を変調する。
【００５８】
本実施の形態に係るＧＬＶデバイス６１は、基板側電極６３を半導体基板６２の一面に形成した導電性半導体領域（不純物拡散領域）により構成するので、結果としてビーム６６の反射膜を兼ねる駆動側電極６５のミラー面の光反射率を向上させることができ、光利用効率の高い、高性能のＧＬＶデバイスを提供することができる。
【００５９】
図１２は、上述のＭＥＭＳ素子を適用した光変調素子としてのＧＬＶデバイスを用いた光学装置の一実施の形態を示す。本例ではレーザディスプレイに適用した場合である。
本実施の形態に係るレーザディスプレイ７１は、例えば、大型スクリーン用プロジェクタ、特にデジタル画像のプロジェクタとして、或いはコンピュータ画像投影装置として用いられる。
【００６０】
レーザディスプレイ７１は、図１２に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のレーザ光源７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂと、各レーザ光源に対して、それぞれ光軸上に順次、設けられたミラー７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂ、各色照明光学系（レンズ群）７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂ、及び光変調素子として機能するＧＬＶデバイス７８Ｒ，７８Ｇ，７８Ｂとを備えている。
レーザ光源７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂは、それぞれ例えば、Ｒ（波長６４２ｎｍ、光出力約３Ｗ）、Ｇ（波長５３２ｎｍ、光出力約２Ｗ）、Ｂ（波長４５７ｎｍ、光出力約１．５Ｗ）のレーザを射出する。
【００６１】
更に、レーザディスプレイ７１は、ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂによりそれぞれ光強度が変調された赤色（Ｒ）レーザ光、緑色（Ｇ）レーザ光、及び青色（Ｂ）レーザ光を合成する色合成フィルタ８０、空間フィルタ８２、ディフューザ８４、ミラー８６、ガルバノスキャナ８８、投影光学系（レンズ群）９０、およびスクリーン９２を備えている。色合成フィルタ８０は、例えばダイクロイックミラーで構成さる。
【００６２】
本実施の形態のレーザディスプレイ７１は、レーザ光源７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂから射出されたＲＧＢ各レーザ光が、それぞれミラー７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂを経て各色照明光学系７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂから各ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂに入射する。各レーザ光は、色分類された画像信号であり、ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂに同期入力されるようになっている。
更に、各レーザ光は、ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂによって回折されることにより空間変調され、これら３色の回折光が色合成フィルタ８０によって合成され、続いて空間フィルタ８２によって信号成分のみが取り出される。
次いで、このＲＧＢの画像信号は、ディフューザ８４によってレーザスペックルが低減され、ミラー８６を経て、画像信号と同期するガルバノスキャナ８８により空間に展開され、投影光学系９０によってスクリーン９２上にフルカラー画像として投影される。
【００６３】
本実施の形態のレーザディスプレイ７１では、光変調素子として図１１に示す構成のＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂを備えるので、射出される画像信号の光束は、従来の光変調素子を用いたレーザディスプレイに比べて向上する。信号の光束が向上することから、レーザ光源７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂからのレーザ光の利用効率が向上する。
【００６４】
本実施の形態のレーザディスプレイ７１では、各色のレーザ光源７２に対応して、ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂを備えているが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、これ以外の構成を有する各種のディスプレイについても適用可能である。
例えば、光源を白色とする一方で、ＲＧＢそれぞれの波長の光のみを反射して（それ以外の光は回折する）各色を表示するようにビームの幅が異なる光変調素子７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂが１画素を構成するようにしてもよい。
また、ＲＧＢの画素データからなる画像情報に同期したカラーホイールを通してＧＬＶデバイス７８に、単一の光源からの白色光を入射させるようにすることもできる。
更に、例えば、単一のＧＬＶデバイス７８を用いて、ＲＧＢのＬＥＤ（発光ダイオード）からの光を回折し、画素毎の色の情報を再生するように構成すれば、簡単なハンディタイプのカラーディスプレイとなる。
【００６５】
また、本発明に係るＧＬＶデバイスは、本実施の形態のレーザディスプレイのようなプロジェクタ類だけでなく、光通信におけるＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｐｌｅｘｉｎｇ：波長多重）伝送用の各種デバイス、ＭＵＸ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ：パラレルーシリアル変換器／分配化装置）、あるいはＯＡＤＭ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｄｄ／Ｄｒｏｐ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）、ＯＸＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｒｏｓｓ  Ｃｏｎｎｅｃｔ）等の光スイッチとして用いることもできる。
更に、例えばディジタル画像等を直画できる微細描画装置、半導体露光装置や、プリンタエンジンなど、その他の光学装置にも適用することができる。
【００６６】
また、本実施の形態のレーザディスプレイ７１では、ＧＬＶデバイス７８Ｒ、７８Ｇ、７８Ｂを用いて空間変調を行うレーザディスプレイについて説明したが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、位相、光強度などの干渉・回折により変調可能な情報のスイッチングを行うことができ、これらを利用した光学装置に応用することが可能である。
【００６７】
【発明の効果】
本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子によれば、基板側電極を半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成し、基板側電極の表面を半導体基板表面と同様の平坦面に維持するので、ＭＥＭＳ素子に顕在化していたビームの駆動側電極の表面の凹凸（ラフネス）を飛躍的に低減し平坦化することができる。よって、ＭＥＭＳ素子としての性能の向上を図ることができる。
また、ＭＥＭＳ素子の基板側電極が半導体基板と同一面に形成されるので、ＭＥＭＳ素子を有するチップ全体の平坦度も向上し、ＭＥＭＳ素子に固有のパッケージングの自由度を増し、製造工程の設計自由度を向上し、コスト低減を図ることができる。
本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、上述のＭＥＭＳ素子を精度よく且つ容易に製造するとができる。
【００６８】
本発明の静電駆動型ＭＥＭＳ素子を光学ＭＥＭＳ素子に適用したときは、その光反射膜兼駆動側電極の表面が平坦化するので、光反射率が向上し、光利用効率が高くなり、光学ＭＥＭＳ素子としての性能の向上を図ることができる。
本発明の静電駆動型ＭＥＭＳ素子を光の反射、或いは回折を利用した光変調素子に適用したときは、その光反射膜兼駆動側電極の表面が平坦化するので、光反射率が向上し、光利用効率の高い光変調素子を提供できる。つまり、性能の向上した光変調素子を提供できる。
【００６９】
本発明の光変調素子でＧＬＶデバイスを構成するときは、光利用効率の高いＧＬＶデバイスを提供できる。つまり、性能の向上したＧＬＶデバイスを提供できる。
本発明のＧＬＶでナイスをレーザディスプレイに組み込むときは、光利用効率の高いレーザディスプレイを提供できる。つまり、性能の向上したレーザディスプレイを提供できる。
本発明のＭＥＭＳ装置によれば、ＭＥＭＳ素子を保護するパッケージを電気供給用配線と交差するように半導体基板上配置するとき、半導体基板の平坦面に配置することができ、密着性良くパッケージングされたＭＥＭＳ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な一実施の形態を示す構成図である。
【図２】Ａ  本発明の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の基板側電極の絶縁分離領域の一例である。Ｂ  本発明の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の基板側電極の絶縁分離領域の他の例である。
【図３】本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す構成図である。
【図４】本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す構成図である。
【図５】本発明に係る静電駆動型ＭＥＭＳ素子の駆動側電極の平坦性を示す要部の断面図である。
【図６】Ａ〜Ｃ  図１の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図７】Ｄ〜Ｅ  図１の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図８】Ａ〜Ｃ  図１の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図９】Ｄ〜Ｅ  図１の静電駆動型ＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図１０】Ａ  ＭＥＭＳ素子のパッケージの要部の構成図である。
Ｂ  図８Ａの９０°方向から見た要部の構成図である。
【図１１】Ａ  本発明に係るＧＬＶデバイスの実施の形態を示す構成図である。
Ｂ  図１１Ａの断面図である。
【図１２】本発明に係るレーザディスプレイの実施の形態を示す構成図である。
【図１３】従来の説明に供する光学ＭＥＭＳ素子の代表的な一例である。
【図１４】従来の説明に供する光学ＭＥＭＳ素子の代表的な他の例である。
【図１５】従来のＧＬＶデバイスを示す構成図である。
【図１６】従来の光学ＭＥＭＳ素子の駆動側電極の凹凸を示す要部の断面図である。
【図１７】Ａ  従来のＭＥＭＳ素子のパッケージの要部の構成図である。
Ｂ  図１７Ａの９０°方向から見た要部の構成図である。
【符号の説明】
３１、５１、５５・・・ＭＥＭＳ素子、３２・・・半導体基板、３３、３３Ａ、３３Ｂ・・・基板側電極、３４、５７・・・支持部、３５、５２、５６Ａ、５６Ｂ・・・ビーム、３６・・・絶縁分離領域、３６1 ・・・ＬＯＣＯＳの絶縁層、３６2 ・・・トレンチ分離領域、３７、５８・・・絶縁膜、３８、５４、５９・・・駆動側電極、４０・・・犠牲層、４５・・・支柱部、４６・・・ガラス基板、５３・・・ブリッジ部材、６１・・・ＧＬＶデバイス、６２・・・半導体基板、６３・・・基板側電極、６４・・・ブリッジ部材、６５・・・駆動側電極、６６〔６６1 、６６2 、６６3 、６６4 、６６5 、６６6 〕・・・ビーム、６７・・・絶縁分離領域、７１・・・レーザディスプレイ、７２〔７２Ａ，７２Ｇ，７２Ｂ〕・・・レーザ光源、７４〔７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂ〕、８６・・・ミラー、７６〔７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂ〕・・・照明光学系、７８〔７８Ｒ，７８Ｇ，７８Ｂ〕・・・ＧＬＶデバイス、８０・・・色合成フィルタ（ダイクロイックミラー）・・・空間フィルタ、８４・・・ディフューザ、８６・・・ミラー、８８・・・ガルバノスキャナ、９０・・・投影光学系、９２・・・スクリーン
【図１】
0003755460.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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