(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記録再生するための録再トラックの両側を、所定パワーの光ビームでアニールする光ディスクであって、前記アニールの最適なパワーを見つけ出すための複数のテスト用トラックと、前記アニールを実施するアニール装置の識別番号（ＩＤ）を記録再生するためのＩＤ用トラックを備えたことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
前記ＩＤ用トラックのＩＤの各ビット記録は、前記所定のアニールパワーもしくはそれより高いアニールパワーで、所定長以上の複数の区間をアニールするかしないかで記録する記録方法であり、前記ＩＤの再生は、予め所定パターンのデータを前記ＩＤ用トラック全体に記録して、前記記録後に前記ＩＤ用トラック上の前記区間毎のデータの有／無または大／小によってそれぞれアニール無し／有りの部分を判別してＩＤの各ビットを再生する再生方法であることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】
前記ＩＤ用トラックにはＩＤに加えて所定のルールに基づいた番号情報が記録され、前記ＩＤおよび／または前記番号情報を前記録再トラックに記録再生するデータ管理用のメディアＩＤとして使用されることを特徴とする請求項１または２記載の光ディスク。
【請求項４】
データを記録再生するための録再トラックの両側を、所定パワーの光ビームでアニールする光ディスクであり、前記アニールに最適なパワーを見つけ出すための複数のテスト用トラックと、前記アニールを実施するアニール装置の識別番号（ＩＤ）を記録再生するためのＩＤ用トラックを備えた光ディスクの製造方法であって、
前記録再トラックの両側を前記所定パワーに対応した設定パワーでアニールする第１のステップと、前記テスト用トラックを、前記設定パワーを中心とした複数の異なるパワーでアニールしたアニール検査トラックを作成する第２のステップを含む前記アニール装置を用いて前記光ディスクをアニールするアニール工程と、
アニール済みの録再トラックの一部もしくは全部をライト／ベリファイして前記録再トラックの良否を判定する第３のステップと、前記アニール検査トラックをライト／ベリファイして前記アニール装置の最適アニールパワーを見つけ出す第４のステップを含む光ディスク検査装置を用いて前記光ディスクの良否を判定する検査工程と、
前記設定パワーを前記検査工程で見つけ出した最適アニールパワーに変更するアニールパワー調整ステップを含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項５】
前記アニール工程は、ＩＤを付与した複数のアニール装置から成り、各アニール装置はそれぞれのＩＤを前記ＩＤ用トラックに記録する第５のステップを含み、前記検査工程の光ディスク検査装置は、前記ＩＤ用トラックからＩＤを読取る第６のステップを含み、前記アニールパワー調整ステップは、前記複数のアニール装置から前記ＩＤで特定したアニール装置１台毎に前記設定パワーを最適アニールパワーに変更することを特徴とする請求項４記載の光ディスクの製造方法。
【請求項６】
前記第５のステップにおける前記ＩＤ用トラックのＩＤの各ビット記録は、前記所定のアニールパワーもしくはそれより高いアニールパワーで、所定長以上の複数の区間をアニールするかしないかで記録する記録方法であり、前記ＩＤの再生は、予め所定パターンのデータを前記ＩＤ用トラック全体に記録して、前記記録後に前記ＩＤ用トラック上の前記区間毎のデータの有／無または大／小によってそれぞれアニール無し／有りの部分を判別してＩＤの各ビットを再生する再生方法であることを特徴とする請求項５記載の光ディスクの製造方法。
【請求項７】
前記第５のステップは、前記ＩＤに加えて所定のルールに基づいた番号情報を前記ＩＤ用トラックに前記メディアＩＤとして記録することを特徴とする請求項５または６記載の光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームによるアニールが必要な光ディスクとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ディスクのＡＶ（オーディオ・ビジュアル）への応用が活発である。例えば、主に映画コンテンツ向けのＤＶＤ（Digital Versatile Disc）では、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷといった追記型や書換型のフォーマットが開発され、ＶＴＲの次世代録画機として普及しつつある。今後ＢＳデジタル放送やブロードバンド通信の普及で、より高画質の圧縮映像を記録できる大容量の光ディスク・フォーマットや、同じ容量でもより小型でポータブルでネットワーク親和性の高い高密度の光ディスク・フォーマットの登場が期待される。このような高密度記録を実現する例として、超解像方式の一種であるＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection：磁壁移動検出）方式の光ディスクが提案されている。ＤＷＤＤ方式の光ディスクでは、隣接する記録トラック間で磁気的な結合を弱める必要がある（磁気異方性の低減）。このため、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合には、情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック間の磁気的な結合を弱める初期化（以下アニール、アニール方法もしくはアニール処理と呼ぶ）を行う。
【０００３】
特願２００１−１２０６８９号では、前記のアニール方法におけるアニールパワーの最適な設定方法が示されている。この従来例では、アニールの最適パワーを求めるため、光ディスク上に設けたパワーテスト領域に、テスト用のアニールパワーを照射してその反射率を測定してアニールの最適パワーを決定する方法ならびに、テスト用のアニールパワー照射中の反射率測定で最適なパワーを決定する方法が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、以上のようなアニールパワーの決定方法では、記録膜の構成によってはアニールパワーに対する反射率の変化が小さいため、決定した最適パワーがバラつき再現性に乏しい場合のあることが分かった。従ってこの方法は、特に高密度化を狙い、結果的にアニールパワー・マージンが狭くなるような使い方に対しては十分とはいえず、より正確なアニールパワーの学習方法が必要となる。そのためには、やはり実際と同じ記録再生を行って、記録再生の可否を確認する、もしくはジッタやエラーレートを測定して、アニールが最適かどうかを判定するテスト（通常録再検査と呼ぶ）を実施するのがベストと考えられる。
【０００５】
ところで、アニールはディスク製造過程において実施されるので、その時点で通常録再検査を実施することが困難な場合がある。前記ＤＷＤＤの光ディスクの例では、アニールは最も光スポットを絞った状態で実施するのが望ましい。通常の記録再生の光投入面側（基板越し）からのアニールは、基板厚みムラやチルトによる収差の影響で高ＮＡのレンズが使えないので、実用的ではない。ＤＷＤＤの光ディスクは片面仕様なので、記録膜の付いた側（膜面）からアニールを実施すれば、光スポットは前記収差の影響がないので短波長（青色）の光ビームを高ＮＡレンズで小さく絞れる。但し、この場合も収差の影響となる保護コートを塗布する前に、膜面からアニールするのが望ましい。以上のようにアニールは保護コートのない膜面から実施するのが好ましいが、保護コートがない状態で磁気ヘッドを使うと記録面を傷つけてしまうので、磁気ヘッドが必要な通常録再検査はこの段階では実施できない。また仮にフライング磁気ヘッドなどを使って通常録再検査ができたとしても、保護コートを塗布すると録再感度が若干シフトするので、最適なアニールパワーの算出には補正が必要になる。
【０００６】
前記通常録再検査をするには、光ディスクの保護コートなどを済ませ、カートリッジに入った完成形であることが望ましい。この形態になっていれば、この光ディスク対応の量産ドライブ装置が使え経済的である。量産ドライブ装置なら、ローディング機構とカートリッジとの関係で、磁気ヘッドと光ヘッドが光ディスクに対して所定の位置に簡単にポジショニングできる。
【０００７】
一方、カートリッジに入ったアニールの可能性はどうかを考える。まず、保護コートの収差問題を克服して保護コート越しにアニールを可能にする必要がある。そして、アニール用光ヘッドを磁気ヘッド側からカートリッジ開口に入るようにして、光ディスク全領域をアクセスできるようにする必要がある。そのためには、青色レーザを使う製造装置用のアニール光ヘッドを、量産用に最適化した光ヘッド以下のサイズに納め、ローディングを含むアニール専用の新規な機構を開発する必要がある。こうした多額の投資を要する開発をしても、カートリッジの開口に磁気ヘッドとアニール用光ヘッドを同じ側に配置することは現実的に困難である。つまり、アニールと前記通常録再検査とは同じ装置で実施できないので、カートリッジに入った光ディスクをアニールするメリットはないと考えられる。
【０００８】
以上説明したように、現状ではアニール実施工程とその最適アニールパワーを精度良く決定する検査工程が一箇所にできず、最適なアニールパワーを決定する有効な手段が存在しないという課題があった。この課題を解決するため、本発明は最適なアニールパワーを見つけ、最適アニールパワーでアニールした光ディスクとその製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の光ディスクは、データを記録再生するための録再トラックの両側を、所定パワーの光ビームでアニールする光ディスクであって、前記アニールの最適なパワーを見つけ出すための複数のテスト用トラックと、前記アニールを実施するアニール装置の識別番号（ＩＤ）を記録再生するためのＩＤ用トラックを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の光ディスクによれば、アニール装置の録再トラックをアニールする前後に、そのアニールパワーが適切か、あるいは適正値からどれだけシフトしているかを、下流の検査工程で検査するためのテスト用トラックが作成できる。また、同時にアニール装置のＩＤをＩＤ用トラックに記録できるので、複数のアニール装置でアニールを実施する場合でも、下流の検査工程でアニール装置が特定でき、アニールパワーがシフトしている場合には、間違いなく対象のアニール装置のアニールパワーを適正値（最適アニールパワー）に補正できる。
【００１１】
また、本発明の光ディスクにおいて、前記ＩＤ用トラックのＩＤの各ビット記録は、前記所定のアニールパワーもしくはそれより高いアニールパワーで、所定長以上の複数の区間をアニールするかしないかで記録する記録方法であり、前記ＩＤの再生は、予め所定パターンのデータを前記ＩＤ用トラック全体に記録して、前記記録後に前記ＩＤ用トラック上の前記区間毎のデータの有／無または大／小によってそれぞれアニール無し／有りの部分を判別してＩＤの各ビットを再生する再生方法であることが好ましい。この好ましい例によれば、ＩＤの記録は、アニール装置のアニール機能を使えばよく、ＩＤの再生も通常の記録再生に信号の有無検出しマイコンで採り込むレベルの簡単な機能を実装するだけで実現できる。
【００１２】
また、本発明の光ディスクにおいて、前記ＩＤ用トラックにはＩＤに加えて所定のルールに基づいた番号情報が記録され、前記ＩＤおよび／または前記番号情報を前記録再トラックに記録再生するデータ管理用のメディアＩＤとして使用されることが好ましい。この好ましい例によれば、著作権保護などに使えるメディアＩＤ情報を、新規な別工程を導入することなく対象の光ディスクに埋め込むことができる。
【００１３】
さらに、前記目的を達成するため、本発明の光ディスクの製造方法は、データを記録再生するための録再トラックの両側を、所定パワーの光ビームでアニールする光ディスクで、前記アニールに最適なパワーを見つけ出すための複数のテスト用トラックと、前記アニールを実施するアニール装置の識別番号（ＩＤ）を記録再生するためのＩＤ用トラックを備えた光ディスクの製造方法であって、前記録再トラックの両側を前記所定パワーに対応した設定パワーでアニールする第１のステップと、前記テスト用トラックを、前記設定パワーを中心とした複数の異なるパワーでアニールしたアニール検査トラックを作成する第２のステップを含む前記アニール装置を用いて前記光ディスクをアニールするアニール工程と、アニール済みの録再トラックの一部もしくは全部をライト／ベリファイして前記録再トラックの良否を判定する第３のステップと、前記アニール検査トラックをライト／ベリファイして前記アニール装置の最適アニールパワーを見つけ出す第４のステップを含む光ディスク検査装置を用いて前記光ディスクの良否を判定する検査工程と、前記設定パワーを前記検査工程で見つけ出した最適アニールパワーに変更するアニールパワー調整ステップを含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明による光ディスクの製造方法によれば、アニール工程で作成したテスト用トラックを、光ディスク検査工程で実際に記録再生してアニールパワーが適正かどうか正確に判定でき、アニール装置のアニールパワーがシフトしている場合には最適アニールパワーに再調整できるので、常に最適なアニールパワーでアニールされた光ディスクが得られる。
【００１５】
また、本発明の光ディスクの製造方法において、前記アニール工程は、ＩＤを付与した複数のアニール装置から成り、各アニール装置はそれぞれのＩＤを前記ＩＤ用トラックに記録する第５のステップを含み、前記検査工程の光ディスク検査装置は、前記ＩＤ用トラックからＩＤを読取る第６のステップを含み、前記複数のアニール装置から前記ＩＤで特定したアニール装置１台毎に前記設定パワーを最適アニールパワーに変更することが好ましい。この好ましい例によれば、アニール工程が複数のアニール装置から構成される場合でも、アニール装置を特定して間違いなく最適アニールパワーに再調整ができる。
【００１６】
また、本発明の光ディスクの製造方法において、前記第５のステップにおける前記ＩＤ用トラックのＩＤの各ビット記録は、前記所定のアニールパワーもしくはそれより高いアニールパワーで、所定長以上の複数の区間をアニールするかしないかで記録する記録方法であり、前記ＩＤの再生は、予め所定パターンのデータを前記ＩＤ用トラック全体に記録して、前記記録後に前記ＩＤ用トラック上の前記区間毎のデータの有／無または大／小によってそれぞれアニール無し／有りの部分を判別してＩＤの各ビットを再生する再生方法であることが好ましい。この好ましい例によれば、この好ましい例によれば、ＩＤの記録は、アニール装置のアニール機能を使えばよく、ＩＤの再生も通常の記録再生に信号の有無検出しマイコンで採り込むレベルの簡単な機能を実装するだけで実現できる。
【００１７】
また、本発明の光ディスクの製造方法において、前記第５のステップは、前記ＩＤに加えて所定のルールに基づいた番号情報を前記ＩＤ用トラックに前記メディアＩＤとして記録することが好ましい。この好ましい例によれば、著作権保護などに使えるメディアＩＤ情報を、新規な別工程を導入することなく対象の光ディスクに埋め込むことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態の光ディスク１００の全体図と各トラックの用途を示す図である。図１において、光ディスク１００はサンプルサーボ方式の光磁気ディスクであり、１０１は複数のトラックから成り、ユーザデータや管理情報など実際にデータを記録再生するためのデータ領域（録再トラック）であり、ドライブ用のテスト領域を含み、この領域の録再トラック１０１が全てアニールされて記録再生できるようにする必要がある。各トラックは複数のセグメント１０２から構成される。セグメント１０２のトラック当りの数は例えば１２８０個と、トラッキングサーボに十分な個数から成る。セグメント１０２は、サンプルサーボ信号やアドレス信号を記録するためのピット領域１０３と、データを記録再生するためのグルーブ領域１０４から構成される。光ディスクの内周と外周にはそれぞれ、リードイン領域１０５とリードアウト領域１０６が配置される。後述するコントロールトラック１０５ａのグルーブ領域以外は、データ領域１０１と同じようにセグメント１０２で構成されている。
【００１９】
各領域のトラック構成は図１の右側に示した。即ち、リードイン領域１０５は、内周から順に、ディスクの使い方に関する情報などを予め記録したコントロールトラック１０５ａ、アニールパワーをテスト（通常データのパワー学習に相当）するための複数本のトラックからなるテスト用トラック１０５ｂ、ならびにアニール装置のＩＤなどＩＤ情報を記録するためのＩＤ用トラック１０５ｃの３領域から構成される。コントロールトラック１０５ａのセグメント１０２内のグルーブ領域１０４は、グルーブの一部がプリピット（エンボスとも呼ぶ）から構成される。リードアウト領域１０６は、ＩＤ用トラック１０６ａならびにテスト用トラック１０６ｂから構成される。ＩＤ用トラック１０５ｃと１０６ａはいずれも１本でも十分機能する。
【００２０】
図２は、光ディスク１００がＤＷＤＤ再生方式の時の構造を示す図で、データ領域１０１の一部断面を示した斜視図（２ａ）と断面の拡大図（２ｂ）である。図２（２ａ）において、２０１は光ディスク１００の基板であり、ポリカーボネートのインジェクション成形などで形成され、厚みは、例えば０．４ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。トラック・ピッチは高密度化のため０．７μｍ以下と小さく設定している。２０２と２０３はそれぞれ、グルーブ領域１０４を構成するグルーブとランドである。２０４、２０５、２０６および２１３はそれぞれ、ピット領域１０３を構成する第１ウォブルピット、第２ウォブルピット、アドレスピットおよびミラー部である。２０７は第１誘電体層、２０８は磁性層、２０９は第２誘電体層で基板上にこの順で成膜され、全体で積層薄膜２００を構成する。第１誘電体層２０７および第２誘電体層２０９には、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2およびこれらの複合材料などの透明誘電材料が使用できる。
【００２１】
２１０は磁気結合遮断領域であり、光ディスク１００のトラック間を分離し、ＤＷＤＤ再生時に隣接トラックからの悪影響を防止するためのものである。磁気結合遮断領域２１０の形成には、光ディスク１００の製造工程で、後述のアニール装置を使う。そのアニール装置の一部である対物レンズを２１１でレーザビームを絞り込んだ高パワーのアニール用光ビーム（光スポット）２１２を、ランド２０３ならびにその延長線上の積層薄膜２００に当てて、磁気的な特性を劣化させることで形成される。実際のディスク製造では、光ディスク１枚毎に、データ領域１０１を含め通常の記録再生を行うトラックの両側を全てアニールすることが必要になる。具体的には所定のアニールパワーでアニールすべき領域のランドにトラッキングをかけながら走査することで、アニールは実現できる。この場合、製造コストを下げるためにはできるだけ走査速度が速く短時間で実現されることが求められる。
【００２２】
磁気結合遮断領域２１０の幅は、トラックピッチを狭めて高密度化するために、小さければ小さい程よい。小さくする必要のある理由の一つは、アニール用光ビーム２１２のエネルギー密度を上げて局所的に、積層薄膜２００を劣化できると共に、同じパワーでも走査速度即ち線速を高められることができることであり、もう一つの理由は、よりトラックピッチの小さいトラックのランドからプッシュプル信号を検出して、トラッキングをかけるためである。アニール用光ビーム２１２の直径をできるだけ小さくするため、ここでは例えばＧａＮの半導体レーザ素子や赤色レーザの波長を半分にするＳＨＧ素子などの波長λが４００ｎｍ程度の短いレーザ光源を用い、対物レンズのＮＡは通常より大きく０．６５〜０．８５とすることで、λ／ＮＡで決まるアニール用光ビームを小さく絞り込んでいる。
【００２３】
また、短波長や高ＮＡの対物レンズを使った場合、通常の記録再生で行うような基板２０１越し（図の下方からレーザ光を入射させる）で、積層薄膜２００上に光ビームを形成しようとすると、通常の光ビームに比べて基板のチルトに対して光ビームの絞り性能が著しく劣化するため好ましい方法とは言えない。逆説的に、基板越しに、安定な光ビームを形成しようとすると、レーザ光源の短波長化や、対物レンズの高ＮＡ化は難しい。
【００２４】
そこで、ここではアニール処理は積層薄膜２００側からレーザ光を入射させている。こうすることで、基板チルトの影響を取り除けるため、レーザ光源の短波長化と対物レンズの高ＮＡ化によって、積層薄膜２００上に小さくて良好なアニール用光ビームが形成できる。例えば、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のアニール用光ビーム２１２のサイズは、通常記録再生に使う波長λ＝６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６の光ビームと比較すると、約０．４４倍と小さくできる。
【００２５】
なお、積層薄膜２００面側からディスクを見ると、ランド２０３は手前に見えるため、通常再生のグルーブのように見えるので、トラッキング極性には注意が必要である。また、通常この種の光ディスクは、製膜後に数μｍ程度の保護コートをスピンコートで塗布するが、この保護コートがあると、フォーカスのＳ字が干渉して膜面へのフォーカス精度が甘くなる、保護コートの厚みムラで対物レンズの収差が発生する、保護コートの厚みによるチルトの影響が無視できなくなるなどの問題点が発生するので、アニールは保護コート無しが好ましい。但し、保護コート時のホコリによるコートムラ、不良を避けるため、アニール工程はクリーンな環境で実施する必要がある。
【００２６】
ランド２０３は、トラック間の熱的な分離効果に加え、主にはアニールを実現するために配置したものである。また、通常の記録再生のために、ランド２０３とは別に、第１ウォブルピット２０４と第２ウォブルピット２０５が設けてある。それぞれのウオブル信号の大きさが同一になるようにサンプルサーボをかけて、再生光ビームがグルーブ２０２の中央を走査できるようにしている。ウォブルピットの配置は、記録再生ビームが、アニール用光ビーム２１２の径の２倍でも、トラッキングがかかるように、奇数、偶数トラックで交互にピットが配置されるよう工夫してある。
【００２７】
次に磁性層２０８の構成を説明する。図２（２ｂ）において、２１，２２，２３はそれぞれ、磁壁移動層、遮断層および記録層であり、この順に第１誘電体層２０７の上に形成されて、磁性層２０８を構成する。
【００２８】
第２誘電体層２０９の厚さは、第２誘電体層２０９側からアニール用のレーザ光を照射した時に、その反射率が低く、光が効率よく吸収されるように設定される。具体的には、第２誘電体層２０９の厚さは、λ／（４×ｎ）の前後が好ましく、λ／（１２×ｎ）以上λ／（２×ｎ）以下（好ましくは、λ／（６×ｎ）以上λ／（２×ｎ）以下）である。
【００２９】
磁性層２０８は、ＤＷＤＤ方式で再生が可能なように３層以上の磁性体層を含む。磁性層２０８は、第２誘電体層２０９側から入射された波長λの光を用いてアニールされた層である。磁性層２０８の一例として、磁性層２０８が、基板２０１側から順に積層された磁壁移動層２１、遮断層２２および記録層２３を含む場合には、各層の材料として、以下のものを用いることができる。磁壁移動層２１の材料には、小さな磁壁抗磁力を有し、遮断層２２のキュリー温度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料で、そのキュリー温度が記録層２３よりも低く遮断層２２よりも高い材料を用いることができる。例えば、ＧｄＣｏやＧｄＦｅＣｏ、またはその合金でキュリー温度が２２０℃〜２６０℃程度のものを用いることができる。
【００３０】
遮断層２２の材料としては、キュリー温度が磁壁移動層２１や記録層２３よりも低いものであり、そのキュリー温度直下まで大きな磁壁抗磁力を有する材料を用いることが好ましい。例えば、ＤｙＦｅやＴｂＦｅ、またはその合金を用いることができ、その典型的なキュリー温度として１４０℃〜１８０℃のものを用いることができる。
【００３１】
記録層２３は大きな磁壁抗磁力を有し、磁壁移動層２１や遮断層２２よりも高いキュリー温度を有し、遮断層２２のキュリー温度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料を用いることができる。例えば、ＴｂＦｅＣｏ、またはその合金で、キュリー温度が２８０℃〜３００℃のものを用いることができる。
【００３２】
図３は、以上で説明した光ディスク１００の製造工程（３ａ）と製造手順（３ｂ）を、アニールを中心に説明した図である。なお以下の説明では、説明の都合上、テスト用トラックは１０５ｂと１０６ｂのうち１０６ｂを、ＩＤ用トラックは１０５ｃと１０６ａのうち１０６ａを使うこととするが、実際の使い方は、反対のものを使ったり、信頼性向上のために両方を使う場合もある。
【００３３】
（３ａ）の製造工程ではまず、Ｓ３０１の成形・製膜工程で、光ディスク基板は射出成形で成形され、その基板上に前述の磁性層２０８などがスパッタリングで製膜される。その後にアニールされる（Ｓ３０２：アニール工程）。アニールされた光ディスク１００は、保護コートや潤滑剤が塗布され、マグネット・クランプのためのクランピングプレートが溶着され、カートリッジに納められる（Ｓ３０３：保護コート・組立て工程）。カートリッジに納められた光ディスク１００は、光ディスク検査工程Ｓ３０４でアニールの良否判定に関わる試験のほか、記録再生のテストや、良品の光ディスクに対する、物理、論理、アプリケーション等のフォーマットなど、出荷検査、設定に相当する処理が施される。ここで良品となり完成した光ディスク１００は、梱包・出荷工程Ｓ３０５を経て市場に出荷される。
【００３４】
アニール工程Ｓ３０２と光ディスク検査工程Ｓ３０４は、他の工程に比べて１枚あたり多くの時間がかかるので、工程の時間を調整するために、それぞれ複数のアニール装置と複数の光ディスク検査装置を配置して使う。図３における複数の矢印はそれを示す。後述するように、光ディスク検査工程Ｓ３０４では、アニール装置毎の設定アニールパワーと最適アニールパワーとの差分を測定できるので、それに基づいて各アニール装置のアニールパワーを最適に補正する（Ｓ３０６：アニールパワー調整）。
【００３５】
なお、光ディスク１００の感度バラつきや不良混入などにより、光ディスク１枚毎にアニールパワー補正すると不具合が生じる可能性があるので、平均化などの統計処理して定期的にアニール装置にフィードバックするのが好ましい。但し、アニールが不完全で記録再生が不良となる場合には、対象のアニール装置はすぐに停止し、その装置を交換・修理する。以上の動作は人手を介していたのでは効率が悪く間違いも発生する可能性があるので、コンピュータを使った自動化を導入するのが好ましい。
【００３６】
アニール装置、光ディスク検査装置の具体的構成例は、それぞれ図６と図７を使って後述するが、それぞれの動作手順（ステップ）は図３（３ｂ１）と（３ｂ２）に示した通りである。
【００３７】
即ち（３ｂ１）のアニール装置の動作手順では、まず通常録再するグルーブ２０２に再生パワーでトラッキングした状態で起動し、アドレスを読んでデータ領域１０１の少なくとも一つ手前のトラックにシークし、ランド２０３にトラッキング極性を変更するようにハーフジャンプしてスチルジャンプを解除し、アニール設定パワーにパワーを上げて、スパイラルに配置されたランド２０３を連続的に走査し、全録再トラック１０１の両側を全てアニールする（Ｓ３０７）。アニールを終えると、一旦パワーを再生パワーに戻し、グルーブ２０２にトラッキングし、アドレスを読めるスタンバイ状態とする。
【００３８】
次に、アニールパワーの検査用トラックをするためテスト用トラック１０６ｂにシークして、設定パワーを中心に異なるアニールパワーでアニールしたテスト用トラック１０６ｂを作成する（Ｓ３０８）。テスト用トラック１０６ｂは、例えば設定パワーを５ｍＷとし、３．５ｍＷ〜６．５ｍＷを０．２５ｍＷ刻みで１３通りの１０６ｂをそれぞれ５本ずつ作成する。テスト用トラック１０６ｂの作成は、各パワー毎に、アニール動作を５本で打ち切るような動作を実施するか、アニール動作中にアニールパワーを順次上げていく動作を実施することによって実現できる。
【００３９】
一旦スタンバイ状態に戻し、最後にＩＤ用トラック１０６ａにシークして、ＩＤを記録する（Ｓ３０９）。この時のトラッキング極性は基本的にグルーブ２０２とする。ＩＤの記録パワーは、設定アニールパワーかそれより高いパワーとして、対象グルーブの区間を確実に劣化させる。なお、簡略化のためにアニール時のトラッキング極性を変えずに、ＩＤ用トラック１０６ａの両端を高パワーでアニールして、グルーブの特性を劣化させてもよいが、隣接トラックも同時に劣化するので好ましい方法とは言えない。
【００４０】
次に（３ｂ２）の光ディスク検査装置の動作手順を説明する。検査すべき光ディスク１００は既にカートリッジに入っている。光ディスク検査装置には、通常の記録再生を備えた量産用の通常ドライブ装置を使うのが経済的に適切である。ここでの動作説明はアニールの良否判定に関わるもののみを示し、前述のようなフォーマット動作や他の出荷検査に関わるような内容の説明は省略する。
【００４１】
光ディスク検査装置は光ディスク起動後、アニール済みの録再トラック１０１を例えば１６本に１本の割合でライト／ベリファイ（Ｗ／Ｖ）して、それらのトラックの良否判定を行う（Ｓ３１０）。この段階で所定レベルの不良が発生した場合には、被検査光ディスクを不良とするが、この不良がアニールによるものかどうかを判定するために、不良でも以降のステップを実施する。
【００４２】
次にアニール装置で作成したアニールパワーの設定値毎のテスト用トラック１０６ｂをＷ／Ｖして、Ｗ／ＶでＮＧとなる上限と下限のアニールパワーを見つけ、その平均パワーを最適アニールパワーとして算出する（Ｓ３１１）。この最適パワー算出のステップでは、より正確なパワーを検出するため通常のＧＯ／ＮＯＧＯのＷ／Ｖではなく、ジッタ測定やエラーレート測定を行うことや、さらにアニールパワー変動に敏感な再生パラメータに変更して再生特性の検査を実施することでより、最適アニールパワーが正確に見つけられる。なお、ここで見つけた上限と下限パワーの差が所定の値を切る時はＮＧとする。また、テスト用トラック１０６ｂに欠陥が見つかった場合には、それを最適パワー演算から除外するよう処理する。
【００４３】
最後に、ＩＤ用トラック１０６ａにシークして、ＩＤ情報を読取り（詳細は後述）、今検査した光ディスク１００がどのアニール装置でアニールされたかを特定し、アニールパワー調整Ｓ３０６に使う。
【００４４】
なお、アニール中にトラックジャンプ等が発生して、アニールが中断した場合には、中断した点からアニールのリトライを試みて、それでもトラックジャンプが発生するようなら、そこをスキップしてアニールする。但し、スキップするトラックの長さは、以降の通常録再に影響のないレベルに限定する必要がある。また、アニール中には、ランド２０３やピット領域１０３のピット品質などを検査して、上流の成形・製膜工程Ｓ３０１にフィードバックすることも有効である。もちろん、アニール装置そのものの故障や不良を検出して、不良光ディスクを作成しないようにすることも大事である。
【００４５】
図４は、前述のＩＤ記録と再生の具体的な方法を説明する図である。まず装置ＩＤの記録を（４ａ）に示す。記録するのは、ＩＤ用トラック１０６ａを、所定長以上の長さに分割した区間にＩＤ情報のビットを割り当てる。ここでは、簡単のためセグメント１０２の１つを１区間としている。ＩＤ情報の記録は、そのビットの“１”、“０”に応じて、セグメント１０２毎にそれぞれ“設定アニールパワー以上のパワー”、“再生パワーレベル”を照射する。
【００４６】
設定アニールパワー以上を照射された部分は、アニールと同様その磁気特性が劣化される。この劣化の度合いを以下の再生処理で検出する。（４ｂ）は、再生前のパターン記録を示す。ＩＤ用トラック１０６ａにシークして、レーザ強度を、記録レベルにして、磁気ヘッドを磁界変調してＩＤ用トラック１０６ａに等価的に記録を行う。ここでのデータパターンは単一周波数の信号とする。セグメント毎に記録でき、しかも超解像再生を要する程高周波数でなく通常ＭＯ再生のできる低周波数で十分なので、実装上の問題は少ない。次にここで準備したＩＤ用トラック１０６ａを再生する（４ｃ）。セグメント１０２の磁気特性を劣化の有／無で、ＭＯの再生振幅はそれぞれ小／大となり、それをエンベロープとして検出して、それぞれビット“１”／“０”と再生できる。
【００４７】
なお、以上の実施形態では、１セグメントを１ビットに割り当てたが、１トラックは例えば１２８０セグメントと多いので、ＩＤ情報を１２８ビット入れても１ビット当り８セグメント以上を割り当ててもよい。また、複数セグメントに１ビットを割当てる場合には、再生信頼性を向上するために、１ビット毎にアニールするセグメント数を一定とするようなＤＣフリー変調などの工夫も好ましい。
【００４８】
図５には、ＩＤ用トラック１０６ａに記録するＩＤ情報の例を示した。アニール装置のＩＤだけなら１６ビットも十分だが、ここでのＩＤ情報の記録は光ディスク１００の１枚毎に、不揮発的な記録を実施しているので、特に最近急速に普及しつつあるメディア情報の配信などに使うメディアＩＤとして拡張して使うことが有効と考えられる。また、そのために新たな工程を必要としない点もメリットである。
【００４９】
（５ａ）は、単純なＩＤ情報の例である。４０１は装置ＩＤで、４０２はそのエラー検出コードＣＲＣである。ここでは、読取り信頼性を向上するために２重書きしている。
【００５０】
（５ｂ）と（５ｃ）は、光ディスク１００の１枚毎にＩＤを与え、しかもその製造履歴も分かるようにしたＩＤ情報の例である。４０３、４０４、４０５はそれぞれ光ディスク１００の製造者ＩＤ、製造年月日、シリアル番号である。シリアル番号４０５は、製造日毎に初期化したシリアル番号でも十分である。付与ＩＤ４０６は、著作権管理機構などから与えられる番号である。４０７と４０８は、以上の情報の集合集４１３に対する、それぞれエラー検出コードＣＲＣとエラー訂正コードＥＣＣである。この例では、情報の集合４１３をメディアＩＤとして使うことを想定している。
【００５１】
（５ｃ）は情報の集合４１３を、付与ＩＤ４０６を除く情報の集合４１４と付与ＩＤ４０６とに分けた例である。４０９と４１０は前者のＣＲＣとＥＣＣ、４１１と４１２は後者のＣＲＣとＥＣＣである。これによって、情報の集合４１４と付与ＩＤを別々のメディアＩＤとして使えることを可能としている。なお、ＩＤ情報にはメディアＩＤとは別に、アニール装置で同時に実施すると好適と考えられる光ディスクのピット信号品質の検査結果データや、アニール中のエラー発生箇所などを記録して、工程管理に使うことも可能である。
【００５２】
図６は、本実施形態のアニール工程に使うアニール装置の主要部のブロック図である。図６において、５０１はλ＝４０５ｎｍのＧａＮの半道体レーザ、５０２は半導体レーザ５０１の出射光の一部を照射パワーとして測定する照射パワー検出器、５０３はビームスプリッタ、２１１はＮＡ０．７５の対物レンズである。半導体レーザ５０１から出射されたレーザ光はビームスプリッタ５０３、対物レンズ２１１を通過して、光ディスク１００のランド２０３に集光されアニール用光ビーム２１２を形成する。半導体レーザ５０１の出射パワーは、照射パワー検出器５０２の検出結果に基づいて、通常のパワーサーボ方式で５０６のアニールパワー制御部で制御する。
【００５３】
アニール用光ビーム２１２は、光ディスク１００の積層薄膜２００に吸収され熱に変化すると共に、反射されてアニール用光ヘッド５００に反射光として戻ってくる。対物レンズ２１１とビームスプリッタ５０３の間に不図示のλ／４板を配置し、前記反射光はビームスプリッタ５０３で光路を変更し反射パワー検出器５０５に導く。反射パワー検出器５０５の出力は、フォーカス誤差信号検出、トラッキング誤差信号検出やトラックアドレス読みなどに使われる。５０７は最適アニールパワー設定部であり、ＤＩＰスイッチまたはＥＥＰＲＯＭなどに設定パワー値がコードとして設定され、その値に基づいてアニール装置の一連の処理が実施される。
【００５４】
５０８はＩＤ設定部であり、これもＤＩＰスイッチまたはＥＥＰＲＯＭなどに装置ＩＤ情報が記憶され、この値に基づいてＩＤ情報が作成され、ＩＤ用トラック１０６ａに記録される。図５（５ｂ）、（５ｃ）のようにＩＤ情報を拡張する場合には、アニール装置をスレーブとして上位のコントローラから情報を送るのが好適である。なお、ＣＲＣやＥＣＣは不図示のアニール装置コントロール用のマイコンで予め計算する構成にすれば、ハード量の増加は少なくて済む。
【００５５】
図７は、本実施形態の光ディスク検査工程に使う光ディスク検査装置の主要部のブロック図である。図７において、６０１は波長λ＝６５０の半道体レーザ、６０２は半導体レーザ６０１の出射光の一部を照射パワーとして測定する出射（照射）パワー検出器、６０３はビームスプリッタ、６０４はＮＡ０．６の対物レンズである。半導体レーザ６０１から出射されたレーザ光はビームスプリッタ６０３、対物レンズ６０４を通過して、光ディスク１００のグルーブ２０２に集光され録再用光ビーム６１０を形成する。半導体レーザ６０１の出射パワーは、出射パワー検出器６０２の検出結果に基づいて録再制御部６０６で制御される。
【００５６】
録再用光ビーム６１０はＭＯ信号を検出するため直線偏光とする。光ビーム６１０は、記録時には記録パワー（周波数一定パルス変調）として磁気ヘッド６０９を磁界変調させながら光ディスク１００の積層薄膜２００を、磁気ヘッド６０９で磁化して情報を記録する。また光ビーム６１０は、再生時には再生パワーを積層薄膜２００に当て、磁壁移動および／または通常の光磁気状態をカー回転角の変化をＭＯ信号として検出する。ＭＯ検出信号として反射された光ビーム６１０は、対物レンズ６０４に戻り、ビームスプリッタ６０３で、ＭＯ信号検出器６０５に導かれる。ＭＯ信号検出器は、フォーカス誤差信号やトラッキング誤差信号のほか、ＭＯ差動信号とサンプルサーボ／アドレス読み用の加算信号を録再制御部６０６に送る。６０７は、録再制御部６０６によって実施するステップＳ３１１で得た、最適アニールパワーが格納される最適アニールパワー格納部である。６０７は、録再制御部６０６によって実施するＩＤ再生ステップＳ３１２で読み出されたＩＤ情報を格納する、再生ＩＤ格納部である。なお、ＩＤ情報のＣＲＣやＥＣＣは不図示の光ディスク検査装置コントロール用のマイコンで後から計算すればハードの追加は少なくて済む。
【００５７】
なお、以上の本発明における実施形態では、ＤＷＤＤ再生方式でサンプルサーボの光ディスクを具体例として説明してきた。しかし本発明は、ＤＷＤＤの光ディスクの記録材料に限定するものではなく、ＤＷＤＤ以外の光磁気材料の特性改善や、相変化材料のトラック間を予め所定のパワーを当てて反射率や記録特性を安定化するためのトラック間アニールなどにも適用可能である。また、サーボ方式も連続サーボにも使えることはいうまでもない。さらに、磁気ディスク上に光ビームでガイドを構成するなどの光ディスク以外の製造にも有効に使えると考えられる。
【００５８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明による光ディスクおよびその製造方法を使えば、アニール工程に使うアニール装置のアニールパワーを常に最適に保つことができ、常に最適なアニールパワーでアニールされた光ディスクおよびその製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における光ディスクの構造を示す図
【図２】（ａ）本発明の実施形態における光ディスクの断面斜視図
（ｂ）本発明の実施形態における光ディスクの拡大図
【図３】本発明の実施形態における製造工程と製造手順を示す図
【図４】本発明の実施形態におけるＩＤの記録・再生方法の説明図
【図５】本発明の実施形態におけるＩＤ情報のデータ例を示す図
【図６】本発明の実施形態における光ディスクの製造工程に用いるアニール装置のブロック図
【図７】本発明の実施形態における光ディスクの製造工程に用いる光ディスク検査装置のブロック図
【符号の説明】
１００  光ディスク
１０１  データ領域（録再トラック）
１０２  セグメント
１０３  ピット領域
１０４  グルーブ領域
１０５  リードイン領域
１０５ａ  コントロールトラック
１０５ｂ  アニールパワーテスト用トラック
１０５ｃ  ＩＤ用トラック
１０６  リードアウト領域
１０６ａ  ＩＤ用トラック
１０６ｂ  アニールパワーテスト用トラック
２００  積層薄膜
２０１  基板
２０２  グルーブ
２０３  ランド
２０４  第１ウォブルピット
２０５  第２ウォブルピット
２０６  アドレスピット
２０７  第１誘電体層
２０８  磁性層
２１  磁壁移動層
２２  遮断層
２３  記録層
２０９  第２誘電体層
２１０  磁気結合遮断領域
２１１  対物レンズ（アニール用）
２１２  アニール用光ビーム
２１３  ミラー部
Ｓ３０１  成形・製膜工程
Ｓ３０２  アニール工程
Ｓ３０３  保護コート・組立て工程
Ｓ３０４  ディスク検査工程
Ｓ３０５  梱包・出荷工程
Ｓ３０６  アニールパワー調整
４０１  装置ＩＤ
４０２，４０７，４０９，４１１  ＣＲＣ
４０３  製造者ＩＤ
４０４  製造年月日
４０５  シリアル番号
４０６  付与ＩＤ
４０８，４１０，４１２  ＥＣＣ
５００  アニール用光ヘッド
５０１  半導体レーザ
５０２  照射パワー検出器
５０３  ビームスプリッタ
５０５  反射パワー検出器
５０６  アニールパワー制御部
５０７  最適アニールパワー設定部
５０８  ＩＤ情報設定部
６００  録再用光ヘッド
６０１  半導体レーザ
６０２  出射パワー検出器
６０３  ビームスプリッタ
６０４  対物レンズ
６０５  ＭＯ信号検出器
６０６  アニールパワー制御部
６０７  最適アニールパワー格納部
６０８  再生ＩＤ格納部
６０９  磁気ヘッド
６１０  録再用光ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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