(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が１５００〜１００００で、ｍ−クレゾール系繰返し単位を、全フェノール系繰返し単位中、少なくとも２０モル％含有してなり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が６以下であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂であって、かつ前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶媒に溶解し、これを基板上に塗布し、１１０℃で９０秒間乾燥させて１μｍ膜厚に形成した被膜の、２３℃、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する完全溶解時間が、１０秒以下であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、
（Ｂ）下記一般式（Ｉ）
【化１】
0003750994.tif 000014
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と結合し、炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基、または下記の化学式（ＩＩ）で表される残基
【化２】
0003750994.tif 000015
（式中、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す）を表し；Ｄはそれぞれ独立に水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し、少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕で表されるキノンジアジドエステル化物、および
（Ｃ）下記一般式（ＩＩＩ）
【化３】
0003750994.tif 000016
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と結合し、炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基、または下記の化学式（ＩＶ）で表される残基
【化４】
0003750994.tif 000017
（式中、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す）を表し；Ｅはそれぞれ独立に水素原子、１−エトキシエチル基を表し、少なくとも１つは１−エトキシエチル基を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕で表される酸解離性基含有フェノール化合物を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項２】
（Ｄ）３６５ｎｍ付近の波長の光に対して吸収をもつ化合物を含有することを特徴とする請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の３０〜１００モル％の水素原子が、１−エトキシエチル基で置換されていることを特徴とする請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項４】
レジスト被膜のＢパラメータが、０．２μｍ−１〜１．０μｍ−１の値であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項５】
（１）基板上に請求項１ないし４のいずれか１項に記載のポジ型ホトレジスト組成物の溶液を塗布し、乾燥し、０．１〜０．５μｍ膜厚のレジスト被膜を形成する工程、（２）マスクを介し、前記レジスト被膜に対して選択的露光を行う工程、（３）露光後加熱処理（ＰＥＢ）を行う工程、（４）アルカリ性水溶液による現像処理を行い露光部分を溶解除去する工程、および（５）加熱処理（ポストベーク）を行う工程、を有することを特徴とする傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポジ型ホトレジスト組成物および傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法に関するものであり、特に０．１〜０．５μｍ程度の傾斜インプランテーションプロセスにおいて好適な、ｉ線（３６５ｎｍ）ホトリソグラフィ用の高感度ポジ型ホトレジスト組成物およびそれを用いた傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまで、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とからなるホトレジスト組成物は、ｉ線（３６５ｎｍ）を用いたホトリソグラフィ技術において、解像性、感度、耐エッチング性、および耐熱性に優れることから半導体素子や液晶素子の製造に十分実用に供してきている。
また、従来、露光に用いる光の波長以下の微細なパターンを形成することは困難であるとされていたが、材料やプロセス条件、露光技術の改良により、ｉ線の波長よりも短い、０．３５μｍ程度の微細なパターン形成も実現されている。
また、半導体用のシリコン基板や液晶表示素子用のガラス基板の大口径化に伴い、スループット向上の観点から、以前にもましてホトレジスト組成物の高感度化が望まれており、従来のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物に改良を加えたホトレジスト組成物が種々報告されている。
【０００３】
特開平３−１０７１６０号公報（先行技術１）には、アルカリ可溶性の水素添加フェノール樹脂、光酸発生剤として１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、および酸解離性基を有する化合物を含有してなるレジスト組成物が開示されている。
しかし、当該レジスト組成物は、エキシマレーザーを光源に用いる必要があり、製造コストが高くなるという問題を有する。また、大気中の塩基性物質との接触により失活して感度変化が起こりやすいことから、コーティングディレイ（塗布工程から露光工程までの間の待機時間）やＰＥＤ（露光工程から露光後加熱（ＰＥＢ）工程までの間の待機時間）中の感度変化を少なくすること、いわゆる「引置き安定性」を向上させることが求められる。
【０００４】
特開平３−２４９６５４号公報（先行技術２）には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、光酸発生剤として１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、および酸解離性基を有する化合物を含有してなる感光性組成物が開示されている。
しかし、当該感光性組成物は、保存中に不溶化物を発生しやすく、また、より高解像性で高感度であることが求められる。また、引置き安定性を向上させることが求められる。
【０００５】
特開平６−１３０６６５号公報（先行技術３）には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、光酸発生剤として１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、酸解離性基を有する化合物、およびケトン系溶媒を含有してなる感光性組成物が開示されている。
しかし、当該感光性組成物は、エキシマレーザーを光源に用いる必要があり、製造コストが高くなるという問題を有する。また、引置き安定性を向上させることが求められる。
【０００６】
特開平６−２０２３２０号公報（先行技術４）には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、ポリヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、および酸解離性基を有する化合物を含有してなる感光性組成物が開示されている。
しかし、当該感光性組成物は、保存中に不溶化物を発生しやすく、また、より高解像性で高感度であることが求められる。また、引置き安定性を向上させることが求められる。
【０００７】
特開平８−２２０７４９号公報（先行技術５）には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、酸解離性基を有する化合物、および光酸発生剤を含有してなるレジスト組成物が開示されている。
しかし、当該レジスト組成物は、保存中に感度変化が起こり易く、また、より高解像性で高感度であることが求められる。また、引置き安定性を向上させることが求められる。
【０００８】
なお、引置き安定性を向上させる手段として、アミンや有機カルボン酸などの「クエンチャー」と呼ばれる材料を添加する技術が、特開平９−６００１号公報などに開示されている。しかし、構成成分が多成分系になるため、原料コストが高くなる問題がある。
【０００９】
一方、半導体基板表面に選択的に不純物イオンを打ち込む手法として、レジストマスクパターンの形成された半導体基板を傾斜させた状態でインプランテーションを行う「傾斜インプランテーション」プロセスが、特開平８−２２９６５号公報などに報告されている。
このプロセスは、レジストパターンの直下に当るわずかな基板部分や、基板に形成されたホールの側壁部分にのみイオン注入したいときなどに有効な手段であるとされている。
当該傾斜インプランテーションプロセスにおいては、０．３５μｍ程度の超微細なレジストパターンを形成する場合、イオンの注入が阻害されないように、マスクとなるレジストパターンが０．１〜０．５μｍ程度の非常に薄膜であることが要求される。
しかし、従来のポジ型ホトレジスト組成物においては、薄膜条件下での像形成が困難であり、未露光部分の膜減り、スカムの大量発生、形状に優れたレジストパターンの形成が困難、などの問題があった。
また、インプランテーション工程中は、高熱条件下に曝されるため、レジストパターンの耐熱性を向上させるために現像処理後に「ポストベーク」と呼ばれる加熱処理工程を行うが、ポストベーク中にパターン形状が変形しないように耐熱性が充分にあることが求められる。
【００１０】
以上のことから、０．１〜０．５μｍ程度の薄膜レジストマスクパターンを用いる傾斜インプランテーションプロセスにおいて、使用するポジ型ホトレジスト組成物は、高解像性でコントラストと形状に優れたレジストパターンの形成が可能で、なおかつ高感度で、スカムの発生が抑制され、引置き安定性、耐熱性が良好な材料であることが求められていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、感度、解像性、および引置き安定性が飛躍的に改善されたポジ型ホトレジスト組成物であって、特に傾斜インプランテーションプロセスにおいて、高コントラストの薄膜レジストパターンの形成が可能で、スカムの発生が抑制され、良好な耐熱性を有するポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記ポジ型ホトレジスト組成物を用いた傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記のような従来の課題を解決する事ができた。すなわち本発明は、（Ａ）ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が１５００〜１００００で、ｍ−クレゾール系繰返し単位を、全フェノール系繰返し単位中、少なくとも２０モル％含有してなり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が６以下のあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂であり、かつ前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶媒に溶解し、これを基板上に塗布し、１１０℃で９０秒間乾燥させて１μｍ膜厚に形成した被膜の、２３℃、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する完全溶解時間が、１０秒以下であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）
【００１３】
【化５】
0003750994.tif 000002
【００１４】
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と結合し、炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基、または下記の化学式（II）で表される残基
【００１５】
【化６】
0003750994.tif 000003
【００１６】
（式中、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す）を表し；Ｄはそれぞれ独立に水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し、少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕
で表されるキノンジアジドエステル化物、および
（Ｃ）下記一般式（III）
【００１７】
【化７】
0003750994.tif 000004
【００１８】
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と結合し、炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基、または下記の化学式（IV）で表される残基
【００１９】
【化８】
0003750994.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す）を表し；Ｅはそれぞれ独立に水素原子、１−エトキシエチル基を表し、少なくとも１つは１−エトキシエチル基を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕
で表される酸解離性基含有フェノール化合物を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
【００２２】
また本発明は、（Ｄ）３６５ｎｍ付近の波長の光に対して吸収をもつ化合物を含有することを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
【００２３】
また本発明は、（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の３０〜１００モル％の水素原子が、１−エトキシエチル基で置換されていることを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
【００２４】
また本発明は、レジスト被膜のＢパラメータが、０．２μｍ−１〜１．０μｍ−１の値であることを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
【００２５】
また本発明は、（１）基板上に前記のポジ型ホトレジスト組成物の溶液を塗布し、乾燥し、０．１〜０．５μｍ膜厚のレジスト被膜を形成する工程、（２）マスクを介し、前記レジスト被膜に対して選択的露光を行う工程、（３）露光後加熱処理（ＰＥＢ）を行う工程、（４）アルカリ性水溶液による現像処理を行い露光部分を溶解除去する工程、および（５）加熱処理（ポストベーク）を行う工程、を有することを特徴とする傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法を提供することにある。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
本発明のポジ型ホトレジスト組成物において使用する（Ａ）成分は、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が１５００〜１００００のアルカリ可溶性樹脂であり、かつ前記アルカリ可溶性樹脂を適当な溶媒に溶解し、これを基板上に塗布し、１１０℃で９０秒間乾燥させて１μｍ膜厚に形成した被膜の、２３℃、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する完全溶解時間が、１０秒以下であるアルカリ可溶性樹脂であることができる。
【００２７】
前記（Ａ）成分は、Ｍｗが１５００〜１００００、好ましくは２０００〜５０００である。この時、（Ａ）成分は、低分子量領域のカットを目的とする分別等の操作を行ったものであることが望ましい。低分子量体のカットの方法はとくに制限されないが、例えば次のような方法が好適である。まず、アルカリ可溶性樹脂溶液を、メチルアミルケトン（ＭＡＫ）に溶解させ、これを水洗することにより、触媒、未反応物を除く。次いで、これにヘキサン、ヘプタン等の貧溶媒または、ヘキサン−ＭＡＫ混合溶媒、ヘプタン−ＭＡＫ混合溶媒を加え攪拌後、静置すると、上層が貧溶媒層、下層がＭＡＫ層に分離され、上層に低分子量体、下層に高分子量体が分離される。よって、下層を抽出することにより、高分子量体のアルカリ可溶性樹脂を得ることができる。
【００２８】
（Ａ）成分のＭｗが、１５００未満であると塗布性が劣り、またＭｗが高すぎると解像性が著しく劣るため、１００００以下の範囲で選ぶのが好ましい。
また、分散度｛重量平均分子量／数平均分子量（Ｍｗ／Ｍｎ）｝は、６以下、好ましくは４以下であることがスカム発生リスク低減の点で好ましい。
【００２９】
さらに、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ性水溶液（現像液）に対する溶解性が高いほど好ましく、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を２−ヘプタノンなどの適当な溶媒に溶解し、これを基板上に塗布し、１１０℃で９０秒間乾燥させて１μｍ膜厚に形成した被膜の、２３℃、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する完全溶解時間が、１０秒以下、特には５秒以下であることが好ましい。
【００３０】
このようなアルカリ性水溶液（現像液）に対する溶解性が著しく高い（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を用いることにより、耐熱性および引置き安定性に優れ、かつ、感度、解像性が飛躍的に改善され、傾斜インプランテーションプロセスに好適な、高コントラストの薄膜レジストパターンを形成することができる。
【００３１】
このような（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、上述の特性を示すものであ
れば良く、特に制限はされないが、特には、ｍ−クレゾール系繰返し単位を全フェノール系繰返し単位中、少なくとも２０モル％含有しているアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好ましい。
【００３２】
ここで、前記ｍ−クレゾール系繰返し単位とは、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の合成に用いるフェノール類としてｍ−クレゾールを用い、そのｍ−クレゾールから導かれる繰返し単位であり、例えば、下記式で表される。
【００３３】
【化９】
0003750994.tif 000006
【００３４】
また、前記フェノール系繰返し単位とは、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の合成に用いる種々のフェノール類から導かれるそれぞれの繰返し単位をいう。
【００３５】
このような前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の合成方法としては、特に限定はされないが、例えば、ｍ−クレゾール系繰返し単位を少なくとも２０モル％含有するフェノール類と、アルデヒド類やケトン類とを有機溶媒中に仕込み、酸性触媒の存在下で縮合重合させることにより合成することができる。
【００３６】
前記（Ａ）成分のｍ−クレゾール系繰返し単位の含有量は、全フェノール系繰返し単位中少なくとも２０モル％であり、特には６０モル％以上が好ましく、最も好ましくは、１００モル％（全フェノール系繰返し単位の全てがｍ−クレゾール系繰返し単位）である。ｍ−クレゾール系繰返し単位の含有量が２０モル％未満であると、感度低下と、良好な形状のレジストパターンが形成しにくい点で好ましくない。
【００３７】
上記のｍ−クレゾール以外に上記（Ａ）成分の合成に使用することのできるフェノール類としては、例えばフェノール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
上記（Ａ）成分の合成に使用することのできるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮酸アルデヒド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましいが、特に耐熱性を向上させるためにはヒドロキシベンズアルデヒド類とホルムアルデヒドを組み合わせて用いるのが好ましい。
【００３９】
上記（Ａ）成分の合成に使用することのできるケトン類としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらにまた、アルデヒド類とケトン類とを適宜組み合わせて用いてもよい。
アルデヒド類やケトン類の使用量は、フェノール類に対して４０〜８５重量％程度が好ましい。
【００４０】
上記（Ａ）成分の合成に使用することのできる酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられる。酸性触媒の使用量は、フェノール類に対して０．０５〜５重量％程度が好ましい。
【００４１】
上記（Ａ）成分の合成に使用することのできる有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン等のエーテル類；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類等が挙げられる。有機溶媒の使用量は、フェノール類に対して１００〜２００重量％程度が、コストと反応速度が適度である点で好ましい。
【００４２】
（Ｂ）キノンジアジドエステル化物
本発明のポジ型ホトレジスト組成物において使用する（Ｂ）成分は、上記一般式（Ｉ）で表される１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を分子中に有するキノンジアジドエステル化物であることができる。
【００４３】
（Ｂ）キノンジアジドエステル化物は、上記一般式（Ｉ）において、「Ｄ」が全て水素原子であるフェノール化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ハライドとを縮合反応させ、完全エステル化または部分エステル化することによって製造することができる。この縮合反応は、通常例えばジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等の有機溶媒中、トリエチルアミン、炭酸アルカリまたは炭酸水素アルカリのような塩基性縮合剤の存在下で行うのが有利である。この際、前記フェノール化合物の水酸基の合計モル数の５０％以上、好ましくは６０％以上を１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ハライドでエステル化したエステル化物（すなわち、エステル化率が５０％以上、好ましくは６０％以上のエステル化物）を用いるとより優れた高解像性を得ることができるので好ましい。
【００４４】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物に前記（Ｂ）成分を用いることにより、ｉ線を用いたホトリソグラフィ技術において感度および解像性に優れ、特に０．３５μｍ以下の解像性を達成するのに好適である。
【００４５】
上記一般式（Ｉ）で表される（Ｂ）キノンジアジドエステル化物の具体的例示には、例えば、２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−ヒドロキシフェノール、２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール等のリニア状３核体化合物；ビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン等のリニア状４核体化合物；２，６−ビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシベンジル］−４−メチルフェノール、２，４−ビス［２−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール、２，４−ビス［４−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール等のリニア状５核体化合物等のリニア状ポリフェノール化合物、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−６−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルメタン等のトリスフェノール状ポリフェノール化合物、１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン等のキノンジアジドエステル化物が好ましいものとして挙げられる。
【００４６】
上記一般式（Ｉ）で表される（Ｂ）キノンジアジドエステル化物の中でも下記式で表される直鎖状のエステル化物や、
【００４７】
【化１０】
0003750994.tif 000007
【００４８】
（式中、Ｒ1〜Ｒ8、Ｄ、ａ、ｂおよびｄは前記と同義であり、ｍは１〜３の整数を表す）
下記式で表される分枝状のエステル化物は、０．３５μｍ以下の高い解像性が得られる点で好ましい。
【００４９】
【化１１】
0003750994.tif 000008
【００５０】
（式中、Ｒ1〜Ｒ13、Ｄ、ａ、ｂ、ｃおよびｄは前記と同義である）
【００５１】
なお、本発明のポジ型ホトレジスト組成物に用いる（Ｂ）成分は、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を分子中に有することが必須であり、この基により（Ｃ）成分中の酸解離性基である１−エトキシエチル基を効率よく解離することができる。また、上記（Ｂ）成分を用いると本発明のポジ型ホトレジスト組成物の保存安定性も良く、異物経時が少ないため、スカムの発生も抑制される。
【００５２】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂と下記（Ｃ）成分である酸解離性基含有フェノール化合物との合計量に対し５〜８０重量％、好ましくは１０〜７０重量％の範囲で選ぶことができる。この配合量が、５重量％未満であるとパターンに忠実な画像が得られず、転写性も低下する。一方、８０重量％を超えると感度劣化と形成されるレジスト被膜の均質性が低下し、解像性が劣化するので好ましくない。
【００５３】
（Ｃ）酸解離性基含有フェノール化合物
本発明のポジ型ホトレジスト組成物において使用する（Ｃ）成分は、上記一般式（III）で表される酸解離性基含有フェノール化合物であることができる。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物に（Ｃ）成分を用いることにより、露光部でのアルカリ性水溶液（現像液）に対する溶解性が向上すると共に、未露光部でのアルカリ性水溶液に対する不溶性が高まり、高コントラストの薄膜レジストパターンを形成できる。
また、高感度、高解像性、および引き置き安定性が飛躍的に向上し、さらにスカム発生が抑制されるため、０．３５μｍ以下の超微細なレジストパターンを形成する場合に、形状に優れたレジストパターンを得ることができる。
【００５４】
（Ｃ）酸解離性基含有フェノール化合物は、上記一般式（III）において、「Ｅ」が全て水素原子であるフェノール化合物の、フェノール性水酸基の一部または全ての水素原子を１−エトキシエチル基で置換することにより合成することができる。
【００５５】
上記一般式（III）において、「Ｅ」が全て水素原子であるフェノール化合物具体的例示としては、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１，４−ビス［１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２，６−ビス［１−（２，４−ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］レゾルシン、４，６−ビス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、４，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）−６−メチルフェノール、２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（３−メチル−４，６−ジヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が好ましいものとして挙げられる。
中でも、１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンなどが感度、解像性、焦点深度幅特性、露光余裕度、耐熱性等に優れる点で好ましい。
【００５６】
（Ｃ）成分の合成方法は、とくに限定されるものではなく、常法により合成でき、例えば前記上記一般式（III）において、「Ｅ」が全て水素原子であるフェノール化合物を有機溶媒に溶解し、これに１−エトキシエチル基に対応する化合物、例えばエトキシエチルビニル等および酸を添加し、２０〜７０℃程度の温度で１〜１０時間程度反応を行った後、反応液に塩基性触媒を添加して中和し、その後、反応液をイオン交換樹脂等に通して反応液中の塩基性触媒および塩などを除去し、さらにエバポレーターで濃縮して有機溶媒を減圧除去するなどして１−エトキシエチル基で置換した（Ｃ）成分を得ることができる。
【００５７】
上記有機溶媒としては、（Ｃ）成分が溶解する溶媒であればよく、例示としては、上記（Ａ）成分の合成に使用したものから選ぶことができる。しかし、反応後の洗浄工程で用いる酸水溶液や水と混ざらない有機溶媒であることが好ましく、このような有機溶媒として、１，４−ジオキサンが好ましい。
【００５８】
上記塩基性触媒としては、例えばエチルアミン、エタノールアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン等の一級または二級アミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等の低級アルキル基を含む三級アミンが挙げられ、とくにトリエチルアミン等が好ましい。
上記酸としては、例えばパラトルエンスルホン酸等が挙げられる。
【００５９】
上記１−エトキシエチル基は、酸により分解する酸解離性基であり、その他の酸解離性基には、メトキシメチル基、１−メトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル（ｔ−Ｂｏｃ）基などが挙げられるが、上記１−エトキシエチル基は、本発明に用いる上記（Ｂ）キノンジアジドエステル化物から生成する酸の作用により最も効率良く解離することができる酸解離性基である。
【００６０】
１−エトキシエチル基の置換率は、フェノール性水酸基の水素原子の３０〜１００モル％が好ましく、特には１００モル％が好ましい。置換率が３０モル％未満であると現像コントラストが不十分で、またスカムの発生が多くなりやすく好ましくない。
なお、以下にフェノール性水酸基の水素原子が１−エトキシエチル基で置換された状態の一例を示す。
【００６１】
【化１２】
0003750994.tif 000009
【００６２】
（Ｃ）成分の配合量は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂に対し５〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％の範囲で選ぶことができる。この配合量が、５重量％未満では、解像性が著しく劣る傾向にあり、また５０重量％を超えるとレジストパターンのプロファイル形状および解像性が劣る傾向にあるため好ましくない。
【００６３】
（Ｄ）成分
本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、（Ｄ）成分として３６５ｎｍ付近の波長の光に対して吸収をもつ化合物を配合してもよい。（Ｄ）成分を本発明のポジ型ホトレジスト組成物に配合することにより形状に優れたレジストパターンが形成できるので好ましい。
【００６４】
特に０．１〜０．５μｍ程度の薄膜レジストパターンを用いる傾斜インプランテーションプロセスにおいては、基板からの光の反射により薄膜レジストパターンの形状不良を引き起こし易いため、（Ｄ）成分を配合し、基板からの反射の影響を低減することが望ましい。
【００６５】
（Ｄ）成分としては、ポジ型ホトレジスト組成物に対する相容性を有するものであれば良く、特に制限するものではないが、安価であって、かつハレーション防止効果に優れる点で、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンが好ましい。その他の（Ｄ）成分としては、例えば４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミンなどが挙げられる。
【００６６】
（Ｄ）成分の配合量は、本発明のポジ型ホトレジスト組成物を用いて基板上に形成したレジスト被膜のＢパラメータが０．２μｍ−１〜１．０μｍ−１、特には０．３μｍ−１〜０．７μｍ−１の値となるように調製することが好ましい。なお、Ｂパラメータとは、基板上のレジスト被膜を露光した後に照射した光に対するレジスト被膜の吸収率を示したものである。Ｂパラメータの測定方法は、レジスト組成物を石英基板上に塗布し、乾燥（プリベーク）して、膜厚１．０μｍのレジスト被膜を形成する。これに光学パラメータ測定装置「ＡＢＣアナライザーモデル３００」（リソテックジャパン社製）を用いて、ｉ線（３６５ｎｍ）に対するレジスト被膜の透過率を測定し、次式に基づいてＢパラメータを求める。
【００６７】
【数１】
0003750994.tif 000010
【００６８】
（Ｄ）成分の種類によってその配合量に違いはあるものの、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分の全重量に対して、約０．１〜５重量％、特には１〜３重量％の範囲で配合することが好ましい。この配合量が、０．１重量％未満では、基板からのハレーション防止効果が十分に奏されず、また５重量％を超えるとスカムが発生し易くなる点で好ましくない。
【００６９】
各種添加成分
本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、ストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ（株）製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダクツ（株）製）等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００７０】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、および必要に応じて添加される各種添加成分を、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。とくにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類が好ましい。
【００７１】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物の好適な使用方法について一例を示すと、まず、（Ａ）〜（Ｄ）成分、および必要に応じて添加される各種添加成分を前記したような適当な溶剤に溶かして調製した塗布液を、シリコンウェーハ等の支持体上にスピンナー等を用いて塗布し、乾燥して０．１〜０．５μｍ程度のレジスト被膜（感光層）を形成し、次いで３６５ｎｍ付近の波長の光を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯を用い、所望のマスクパターンを介して選択的露光する。次に１００〜１２０℃程度の加熱条件で露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、これを現像液、例えば１〜１０重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬すると、露光部分が溶解除去されてマスクパターンに忠実な画像を得ることができる。次いで９０〜１１０℃程度の加熱条件でポストベークを行い、傾斜インプランテーションプロセス用の薄膜レジストパターンとする。
前記薄膜レジストパターンは、０．１〜０．５μｍ程度の超薄膜条件下でも、スカムの発生が少なく、また耐熱性および形状に優れたレジストマスクパターンであるので、傾斜インプランテーションプロセスのようなイオン注入プロセスに特に好適である。
【００７２】
【実施例】
なお、ポジ型ホトレジスト組成物の諸物性は次のようにして求めた。
（１）感度：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．３２μｍのレジスト被膜を得た。このレジスト被膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、２．３８重量％ＴＭＡＨ水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、露光部分の膜厚が０になったときの露光時間（Ｅｔｈ）を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で表した。
【００７３】
（２）解像性：
０．５μｍのラインアンドスペース幅（Ｌ＆Ｓ）が１：１のマスクパターンを再現する露光量における限界解像度（μｍ）で表した。
【００７４】
（３）断面形状：
０．５μｍのＬ＆Ｓが１：１のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察し、矩形であったものを◎、ほぼ矩形であるがＴ−トップ形状や基板界面での食い込み形状が見られたものを○、分離パターンが得られなかったものを×として表わした。
【００７５】
（４）スカム評価：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．３２μｍのレジスト被膜を得た。このレジスト被膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、Ｅｏｐ（０．３５μｍのＬ＆Ｓが１：１に形成されるのに要する露光量）を基準露光量とし、その露光量において、露光したのち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ処理を行い、２．３８重量％ＴＭＡＨ水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。次いで１００℃、６０秒間のポストベークを行い、レジストパターンが形成された基板表面全体をＳＥＭにより観察した。スカムがほとんど見られなかったものを○、スカムが大量に発生していたものを×として表わした。
【００７６】
（５−１）引置き安定性評価１（コーティングディレイ：ＰＣＤ）：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．３２μｍのレジスト被膜を得た。このレジスト被膜をケミカルフィルターで脱アミン処理されていない、通常のｉ線レジスト使用環境レベルに保たれた部屋で８時間保管し、その後、この被膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ処理を行い、２．３８重量％ＴＭＡＨ水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、露光部分の膜厚が０になったときの露光時間（Ｅｔｈ１）を計測し、次式
【００７７】
【数２】
（|Ｅｔｈ１−Ｅｔｈ|／Ｅｔｈ）×１００（％）
【００７８】
で表わされる値を引置き安定性（コーティングディレイ：ＰＣＤ）として評価した。なお、当該値が小さいほど、引置き安定性が高く好ましい。
【００７９】
（５−２）引置き安定性評価２（ＰＥＤ）：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．３２μｍのレジスト被膜を得た。このレジスト被膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露光した。その後、レジスト被膜をケミカルフィルターで脱アミン処理されていない、通常のｉ線レジスト使用環境レベルに保たれた部屋で８時間保管し、その後、この被膜に対して、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ処理を行い、２．３８重量％ＴＭＡＨ水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、露光部分の膜厚が０になったときの露光時間（Ｅｔｈ２）を計測し、次式
【００８０】
【数３】
（|Ｅｔｈ２−Ｅｔｈ|／Ｅｔｈ）×１００（％）
【００８１】
で表わされる値を引置き安定性（ＰＥＤ）として評価した。なお、当該値が小さいほど、引置き安定性が高く好ましい。
【００８２】
［合成例１］（アルカリ可溶性樹脂の合成）
ｍ−クレゾール１０８ｇ（１ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸水和物１ｇ（０．００５ｍｏｌ）、γ−ブチロラクトン１６２ｇを加えた１リットルセパラブル４ッ口フラスコに、滴下ロート、冷却管、温度計、メカニカルスターラーを備え撹拌し、マグネティックスターラーで撹拌したオイルバスにて加熱し、反応系内の温度が１００℃まで上昇したところで、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６４．８ｇ（０．８ｍｏｌ）を滴下ロートから反応系へ２０分かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、系内温度を１００℃に保持して４時間反応を行い、反応終了後、系内を室温まで冷却した後、トリエチルアミン０．６ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて中和した。２−ヘプタノンを４００ｇ加えて３リットル分液ロートに入れ、純水１リットルで３回洗浄を行い、有機層を取り出し、エバポレーターで濃縮し、アルカリ可溶性樹脂溶液を得た。なお、得られたアルカリ可溶性樹脂は、Ｍｗ２６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．９６、溶解時間（２．３８）４．０ｓであった。
［溶解時間（２．３８）は、該アルカリ可溶性樹脂溶液を基板上に塗布し、１１０℃で９０秒間乾燥させて１μｍ膜厚に形成したレジスト被膜の、２３℃、２．３８重量％ＴＭＡＨ水溶液に対する完全溶解時間を表す。］
【００８３】
［合成例２］（アルカリ可溶性樹脂の合成）
ｍ−クレゾール８６．４ｇ（０．８ｍｏｌ）、３，４−キシレノール２４．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸水和物１ｇ（０．００５ｍｏｌ）、γ−ブチロラクトン１６２ｇを加えた１リットルセパラブル４ッ口フラスコに、滴下ロート、冷却管、温度計、メカニカルスターラーを備え撹拌し、マグネティックスターラーで撹拌したオイルバスにて加熱し、反応系内の温度が１００℃まで上昇したところで、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６６．９ｇ（０．８３ｍｏｌ）を滴下ロートから反応系へ２０分かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、系内温度を１００℃に保持して４時間反応を行い、反応終了後、系内を室温まで冷却した後、トリエチルアミン０．６ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて中和した。２−ヘプタノンを４００ｇ加えて３リットル分液ロートに入れ、純水１リットルで３回洗浄を行い、有機層を取り出し、エバポレーターで濃縮し、アルカリ可溶性樹脂溶液を得た。なお、得られたアルカリ可溶性樹脂は、Ｍｗ２９００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．８９、溶解時間（２．３８）３．０ｓであった。
【００８４】
［合成例３］（アルカリ可溶性樹脂の合成）
ｍ−クレゾール７０．２ｇ（０．６５ｍｏｌ）、３，４−キシレノール１２．２ｇ（０．１ｍｏｌ）、２，５−キシレノール３０．５ｇ（０．２５ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸水和物１ｇ（０．００５ｍｏｌ）、γ−ブチロラクトン１６２ｇを加えた１リットルセパラブル４ッ口フラスコに、滴下ロート  冷却管、温度計、メカニカルスターラーを備え撹拌し、マグネティックスターラーで撹拌したオイルバスにて加熱し、反応系内の温度が１００℃まで上昇したところで、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６４．９ｇ（０．８０ｍｏｌ）を滴下ロートから反応系へ２０分かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、系内温度を１００℃に保持して４時間反応を行い、反応終了後、系内を室温まで冷却した後、トリエチルアミン０．６ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて中和した。２−ヘプタノンを４００ｇ加えて３リットル分液ロートに入れ、純水１リットルで３回洗浄を行い、有機層を取り出し、エバポレーターで濃縮し、アルカリ可溶性樹脂溶液を得た。なお、得られたアルカリ可溶性樹脂は、Ｍｗ２１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．９７、溶解時間（２．３８）３．５ｓであった。
【００８５】
［合成例４］（酸解離性基含有フェノール化合物の合成）
１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン０．３３ｍｏｌ（水酸基１ｍｏｌ当量）とエトキシエチルビニル１．２ｍｏｌを１リットルのナスフラスコに入れ、１，４−ジオキサンを加えて１５重量％濃度にし、次いでパラトルエンスルホン酸を０．２５ｍｏｌ加え、室温で１時間撹拌後、トリエチルアミン０．５ｍｏｌを加えて中和、さらにイオン交換樹脂を通して、エバポレーターで濃縮して、１−エトキシエチル基でフェノール性水酸基の１００モル％の水素原子を置換した酸解離性基含有フェノール化合物を得た。
【００８６】
［合成例５］（酸解離性基含有フェノール化合物の合成）
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン０．２５ｍｏｌ（水酸基１ｍｏｌ当量）とエトキシエチルビニル１．２ｍｏｌを１リットルのナスフラスコに入れ、１，４−ジオキサンを加えて１５重量％濃度にし、次いでパラトルエンスルホン酸を０．２５ｍｏｌ加え、室温で１時間撹拌後、トリエチルアミン０．５ｍｏｌを加えて中和、さらにイオン交換樹脂を通して、エバポレーターで濃縮して、１−エトキシエチル基でフェノール性水酸基の１００モル％の水素原子を置換した酸解離性基含有フェノール化合物を得た。
【００８７】
［比較合成例１］（アルカリ可溶性樹脂の合成）
ｍ−クレゾール６４．８ｇ（０．６ｍｏｌ）、３，４−キシレノール４８．８ｇ（０．４ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸水和物１ｇ（０．００５ｍｏｌ）、γ−ブチロラクトン１６２ｇを加えた１リットルセパラブル４ッ口フラスコに、滴下ロート、冷却管、温度計、メカニカルスターラーを備え撹拌し、マグネティックスターラーで撹拌したオイルバスにて加熱し、反応系内の温度が１００℃まで上昇したところで、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６６．９ｇ（０．８３ｍｏｌ）を滴下ロートから反応系へ２０分かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、系内温度を１００℃に保持して４時間反応を行い、反応終了後、系内を室温まで冷却した後、トリエチルアミン０．６ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて中和した。２−ヘプタノンを４００ｇ加えて３リットル分液ロートに入れ、純水１リットルで３回洗浄を行い、有機層を取り出し、エバポレーターで濃縮し、アルカリ可溶性樹脂溶液を得た。なお、得られたアルカリ可溶性樹脂は、Ｍｗ４４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．０８、溶解時間（２．３８）１３．０ｓであった。
【００８８】
［比較合成例２］（アルカリ可溶性樹脂の合成）
ｍ−クレゾール４３．２ｇ（０．４ｍｏｌ）、３，４−キシレノール７３．２ｇ（０．６ｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸水和物１ｇ（０．００５ｍｏｌ）、γ−ブチロラクトン１６２ｇを加えた１リットルセパラブル４ッ口フラスコに、滴下ロート、冷却管、温度計、メカニカルスターラーを備え撹拌し、マグネティックスターラーで撹拌したオイルバスにて加熱し、反応系内の温度が１００℃まで上昇したところで、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６８．９ｇ（０．８５ｍｏｌ）を滴下ロートから反応系へ２０分かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、系内温度を１００℃に保持して４時間反応を行い、反応終了後、系内を室温まで冷却した後、トリエチルアミン０．６ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて中和した。２−ヘプタノンを４００ｇ加えて３リットル分液ロートに入れ、純水１リットルで３回洗浄を行い、有機層を取り出し、エバポレーターで濃縮し、アルカリ可溶性樹脂溶液を得た。なお、得られたアルカリ可溶性樹脂は、Ｍｗ５５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．５、溶解時間（２．３８）２０．０ｓであった。
【００８９】
［比較合成例３］（酸解離性基含有フェノール化合物の合成）
１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン０．３３ｍｏｌ（水酸基１ｍｏｌ当量）を１リットルのナスフラスコに入れ、１，４−ジオキサンを加えて１５重量％濃度にし、次いでイオン交換樹脂を通し、エバポレーターを用いて２０重量％濃度に調整した。室温まで冷却した後、該フェノール化合物の水酸基モル当量の１００％に相当するジ−ｔｅｒｔ-ブトキシカルボニル２１８ｇ（１．０ｍｏｌ）を加え、トリエチルアミンを１３６．４ｇ（１．３５ｍｏｌ）加え、４０℃で１時間撹拌後、酢酸１００ｇ（１．６６ｍｏｌ）を純水に溶かして調製した酢酸水溶液６リットル中に加えて中和し、析出物をろ別した。この析出物をジオキサンに溶解し、イオン交換樹脂を通して、エバポレーターで濃縮して、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基でフェノール性水酸基の１００モル％の水素原子を置換した酸解離性基含有フェノール化合物を得た。
【００９０】
［実施例１〜４、比較例１〜３］
（Ａ）成分：                                            １００重量部
[合成例１〜３および比較合成例１および２で合成した樹脂]
（Ｂ）成分：                                              ５０重量部
[下記式
【００９１】
【化１３】
0003750994.tif 000011
【００９２】
で表されるフェノール化合物１モルに対して１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド２モルを用いて合成したキノンジアジドエステル化物と、下記式
【００９３】
【化１４】
0003750994.tif 000012
【００９４】
で表されるフェノール化合物１モルに対して１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド３モルを用いて合成したキノンジアジドエステル化物との重量比２：１の混合物]
（Ｃ）成分：                                              ２０重量部
[合成例４、５および比較合成例３で合成した酸解離性基含有フェノール化合物]
（Ｄ）成分：                                                ４重量部
[２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン]
【００９５】
上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を２−ヘプタノン１０６８重量部に溶解した後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
得られたポジ型ホトレジスト組成物についての上記（１）〜（５）の物性を第１表に示す。
【００９６】
［比較例４］
実施例１において、（Ｃ）成分の代わりに、１−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼンを用いた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。得られたポジ型ホトレジスト組成物についての上記（１）〜（５）の物性を第１表に示す。
【００９７】
【表１】
0003750994.tif 000013
【００９８】
【発明の効果】
本発明によれば、感度、解像性、および引置き安定性が飛躍的に改善されたポジ型ホトレジスト組成物であって、特に傾斜インプランテーションプロセスにおいて、好適な高コントラストの薄膜レジストパターンの形成が可能で、スカムの発生が抑制され、良好な耐熱性を有するポジ型ホトレジスト組成物が提供される。
また、前記ポジ型ホトレジスト組成物を用いた傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法が提供される。