(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板上に、互いに直交するゲート配線及びデータ配線と薄膜トランジスタとを形成する第１の工程と、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれた画素領域に画素電極を形成する第２の工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法において、
前記第１の工程の後、
前記透明絶縁基板全面に、前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線又は前記データ配線からなる凸領域の高さと等しい膜厚、又はそれ以上の膜厚で透明絶縁膜を堆積し、
前記画素領域内、かつ、前記凸領域周囲の前記透明絶縁膜の膜厚と略等しい距離の範囲を除く領域の少なくとも一部に前記透明絶縁膜が残るように、該透明絶縁膜をエッチングし、
少なくとも、前記透明絶縁膜で挟まれる溝内部を平坦化膜で埋設し、
前記第２の工程では、前記透明絶縁膜又は前記平坦化膜で形成される平坦な領域に前記画素電極を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
前記透明絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び有機平坦化膜のいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
前記透明絶縁膜を、前記平坦化膜と等しい屈折率を有する材料を用いて形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
前記透明絶縁膜を、同一の材料を用いて、複数回に分けて積層することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
前記透明絶縁膜を、異なる種類の材料を用いて、複数回に分けて積層することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
透明絶縁基板上に、互いに直交するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及び前記データ配線の交点近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれた画素領域に配設された画素電極とを少なくとも備えたアクティブマトリクス基板において、
予め形成された前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線又は前記データ配線からなる凸領域の高さと等しい膜厚、又はそれ以上の膜厚を有する透明絶縁膜が、前記画素領域内、かつ、前記凸領域周囲の前記透明絶縁膜の膜厚と略等しい距離の範囲を除く領域の少なくとも一部に形成され、
形成された前記透明絶縁膜で挟まれる溝内部に平坦化膜が埋設され、
形成された前記透明絶縁膜又は埋設された前記平坦化膜で形成される平坦な領域に画素電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記透明絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び有機平坦化膜のいずれかを含むことを特徴とする請求項６記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
前記透明絶縁膜が、前記平坦化膜と等しい屈折率を有する材料からなることを特徴とする請求項６又は７に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
前記透明絶縁膜が、同一の材料を複数回に分けて形成した積層膜からなることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
前記透明絶縁膜が、異なる種類の材料を複数回に分けて形成した積層膜からなることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイのスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を用いるアクティブマトリクス液晶表示装置の開発が進められている。このアクティブマトリクス液晶表示装置は、ゲート配線、ドレイン配線及びＴＦＴ等が形成されたアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ、ブラックマトリクス等が形成された対向基板との間に液晶を狭持し、アクティブマトリクス基板と対向基板の各々に設けた電極間又はアクティブマトリクス基板内に設けた複数の電極間に印加した電圧で液晶分子を回転させ、光の透過／反射特性を各々の画素で変化させて画面を制御するものである。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス液晶表示装置において表示の高精細化、高画質化を達成するためには、液晶の配向状態を厳密に制御することが重要であり、そのためには、基板の平坦性や液晶を駆動する電極の形状、電極の間隔等の精度を高めることが求められる。ここで、従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法について図面を参照して簡単に説明する。
【０００４】
図４に示すように、従来のアクティブマトリクス基板は、ガラス基板１からなる透明絶縁性基板にＴＦＴの半導体層１２となるアモルファスシリコン、ポリシリコン等を堆積し、フォトリソグラフィ及びドライエッチング技術を用いて島状のＴＦＴ領域を形成する。その後、基板全面にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１７を介してゲート配線７を形成し、ゲート配線７を覆うようにシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１８を形成する。そして、半導体層１２端部領域のゲート絶縁膜１７及び層間絶縁膜１８を除去した後、データ配線、ソース電極８ａ及びドレイン電極８ｂを形成してＴＦＴ２を形成する。
【０００５】
次に、ＴＦＴ２の段差を平坦化するための平坦化膜６を堆積した後、ソース電極８ａ上にコンタクトホールを形成し、画素領域上に各ＴＦＴ２のソース電極８ａと接続されるＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等からなる画素電極９を形成する。
【０００６】
一方、図示しない対向基板には、ガラス基板からなる透明絶縁性基板上の各画素領域にＲＧＢ各色のカラーフィルタを形成し、各画素間の不要な光を遮光するためのブラックマトリクス等を形成する。その後、両基板をギャップスペーサ等を介在させて貼り合わせ、両基板の隙間に液晶を注入、封止することによりアクティブマトリクス液晶表示装置が完成する。
【０００７】
しかしながら、上述したアクティブマトリクス基板では、ＴＦＴ２やゲート配線７、ドレイン配線８による凹凸を吸収するために平坦化膜６を形成しているが、平坦化膜６だけでは基板全体を平坦化することができず、特に、ＴＦＴ２近傍の画素電極９は、図に示すように平坦化膜６の傾斜を反映して画素電極９端部が持ち上がり、基板間のギャップが変化することにより液晶に印加される電圧が不均一となり、表示品位を低下させる要因となる。この問題は、アクティブマトリクス基板の一部を占めるＴＦＴ２やゲート配線７、データ配線８が凸状に形成され、このわずかな凸領域によって平坦化膜６の傾斜が広い領域にまで及んでしまうことに起因している。
【０００８】
そこで、本願発明者は、先願においてＴＦＴ２、ゲート配線７及びデータ配線８を形成する領域を除いて、予めＴＦＴ２の段差以上の膜厚の透明絶縁膜を形成した後にＴＦＴを形成する技術を開示している。この方法によれば、画素電極９が形成される領域は透明絶縁膜によって平坦化されているため、上述した問題を回避することができる。
【０００９】
この先願に係るアクティブマトリクス基板の構造及び製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、先願に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一部を模式的に示す図であり、（ａ）及び（ｂ）は（ｃ）のＢ−Ｂ′線における断面図、（ｃ）は画素の平面図である。又、図６は、先願の技術における問題点を示す断面図である。
【００１０】
図５（ａ）に示すように、先願に係るアクティブマトリクス基板は、ガラス基板１上にシリコン酸化膜等をＴＦＴ領域よりも高くなる所定の膜厚で堆積した後、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、後の工程で画素電極９が形成される部分を含む領域に透明絶縁膜１３を形成する。この時、透明絶縁膜１３以外の凹部になっている領域は図５（ｃ）の溝５として形成されている。
【００１１】
その後、図５（ｂ）に示すように、半導体層１２、ゲート絶縁膜１７、ゲート配線７及びゲート配線７、層間絶縁膜１８、データ配線８、ソース電極８ａ及びドレイン電極８ｂを形成してＴＦＴ２を形成し、画素領域上に画素電極９を形成する。この時、画素電極９とソース電極８ａとを接続する画素配線１０のみは透明絶縁膜１３の段差部を横切るが、ＴＦＴ２、ゲート配線７およびデータ配線８は溝５の中に作製される。
【００１２】
このようにして作製されたアクティブマトリックス基板では、溝５は幅が狭く面積が小さいのに対して、主に画素電極９が形成される透明絶縁膜１３は大きい面積で平坦な面を形成しているために、アクティブマトリックス基板全体としては平坦性のある構成となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のアクティブマトリクス基板の製造方法では、特にＴＦＴ２の作製におけるパターン寸法精度の制御が困難であり、また、画素部の光透過性が低下し、表示画像が暗くなってしまうという欠点がある。
【００１４】
すなわち、先に透明絶縁膜１３を形成してから、透明絶縁膜１３に挟まれた溝５の中にＴＦＴ２、ゲート配線７、データ配線８、ソース／ドレイン電極８ａ、８ｂ等を形成するため、透明絶縁膜１３の段差の影響を受けてこれらを加工するためのレジストの膜厚が厚くなってしまい、微細なレジストパターンを形成することができず、また、アスペクト比の大きい穴や溝に対してドライエッチング等の処理を行わなければならないため、寸法精度の制御が困難となってしまう。具体的には、例えば、約２μｍ厚のフォトレジストの形成時に、穴もしくは溝が１μｍ程度である場合には、露光時のピントが１μｍの高さの差となり、寸法精度が悪化してしまう。
【００１５】
また、図６に示すように、プロセスを経るに従って、透明絶縁膜１３には層間絶縁膜が何層にも堆積されるため、透明絶縁膜１３の側壁に積層膜１４が堆積し、特に側壁部では入射光に対する積層膜１４の膜厚が実効的に厚くなるため、光の反射、屈折等を引き起こして光透過性が低下してしまい、表示画質の劣化を招いてしまう。
【００１６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、ＴＦＴやゲート配線、データ配線等の段差の影響による画素領域の凹凸を抑制し、かつ、画素領域に積層される絶縁膜による光透過性の低下を防止することができるアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【問題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、透明絶縁基板上に、互いに直交するゲート配線及びデータ配線と薄膜トランジスタとを形成する第１の工程と、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれた画素領域に画素電極を形成する第２の工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記第１の工程の後、前記透明絶縁基板全面に、前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線又は前記データ配線からなる凸領域の高さと等しい膜厚、又はそれ以上の膜厚で透明絶縁膜を堆積し、前記画素領域内、かつ、前記凸領域周囲の前記透明絶縁膜の膜厚と略等しい距離の範囲を除く領域の少なくとも一部に前記透明絶縁膜が残るように、該透明絶縁膜をエッチングし、少なくとも、前記透明絶縁膜で挟まれる溝内部を平坦化膜で埋設し、前記第２の工程では、前記透明絶縁膜又は前記平坦化膜で形成される平坦な領域に前記画素電極を形成するものである。
【００１８】
本発明においては、前記透明絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び有機平坦化膜のいずれかを含むことが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、前記透明絶縁膜を、前記平坦化膜と等しい屈折率を有する材料を用いて形成する構成とすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、前記透明絶縁膜を、同一の材料を用いて、複数回に分けて積層する構成とすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、前記透明絶縁膜を、異なる種類の材料を用いて、複数回に分けて積層する構成とすることもできる。
【００２２】
また、本発明のアクティブマトリクス基板は、透明絶縁基板上に、互いに直交するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及び前記データ配線の交点近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれた画素領域に配設された画素電極とを少なくとも備えたアクティブマトリクス基板において、予め形成された前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線又は前記データ配線からなる凸領域の高さと等しい膜厚、又はそれ以上の膜厚を有する透明絶縁膜が、前記画素領域内、かつ、前記凸領域周囲の前記透明絶縁膜の膜厚と略等しい距離の範囲を除く領域の少なくとも一部に形成され、形成された前記透明絶縁膜で挟まれる溝内部に平坦化膜が埋設され、形成された前記透明絶縁膜又は埋設された前記平坦化膜で形成される平坦な領域に画素電極が形成されているものである。
【００２３】
このように、本発明は上記構成により、ＴＦＴおよびゲート配線、データ配線を形成した後に、ＴＦＴおよび配線の高さよりも厚い透明絶縁膜をＴＦＴおよび配線以外の領域に形成することにより、アクティブマトリクス基板に占める平坦な領域を多くして実効的な平坦化を図ることができ、特に、画素電極の平坦性を担保することができるため、表示品位を向上させることができる。さらに、透明絶縁膜として有機塗布膜等を用いることにより、アクティブマトリックス基板上の少ない面積の凹領域を容易に埋め込むことが可能となり、アクティブマトリックス基板のさらなる平坦化を図ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、その好ましい一実施の形態において、ガラス基板上に、ゲート配線、データ配線及び薄膜トランジスタを形成した後、ガラス基板全面に、薄膜トランジスタ、ゲート配線又はデータ配線からなる凸領域の高さと略等しい膜厚、又はそれ以上の膜厚で透明絶縁膜を堆積し、凸領域から透明絶縁膜の膜厚と略等しい距離又はそれ以上の距離だけ離間した領域に透明絶縁膜が残るようにエッチングを行い、エッチングにより形成された溝内部を平坦化膜で埋設した後、透明絶縁膜又は平坦化膜で形成される平坦な領域に画素電極を形成するものであり、透明絶縁膜を平坦性を保てる限界の領域まで形成することにより、基板全体の平坦性を向上させ、画素電極を画素領域内の広い領域にわたって平坦に形成することができる。
【００２５】
【実施例】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００２６】
［実施例１］
まず、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板及びその製造方法について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板の構造を示す平面図であり、図２は、その製造方法の一部を模式的に示す工程断面図である。
【００２７】
図１に示すように、本実施例のアクティブマトリクス基板には、ゲート配線７とデータ配線８とが互いに直交する方向に形成され、ゲート配線７及びデータ配線８の交差点近傍にはスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）が配設されている。そして、ゲート配線７とデータ配線８とで囲まれる各々の画素には、ＴＦＴ２及びゲート配線７、データ配線８の近傍を除く領域に本実施例の特徴である透明絶縁膜３が設けられている。更に、透明絶縁膜３内側の平坦な部分には画素電極９が形成され、ＴＦＴ２のソース電極８ａと接続されている。
【００２８】
また、図示しないがアクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、ＲＧＢ各色のカラー表示を行うためのカラーフィルタ及び余分な光を遮光するためのブラックマトリクスが形成され、それらの基板の間に液晶が狭持され、各々の基板に設けた電極間、又はアクティブマトリクス基板に設けた複数の電極間に電圧を印加して液晶の配向方向を制御し、光の透過／反射特性を調整することにより画面が表示される。
【００２９】
次に、図２を参照して本実施例のアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、一般的なプロセスを用いてＴＦＴ２を形成する。具体的には、ガラス基板１の透明絶縁性基板上にＴＦＴ２の半導体層１２となるアモルファスシリコン、ポリシリコン等を堆積した後、公知のリソグラフィ及びエッチング技術を用いて島状のＴＦＴ領域を形成する。その後、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１７を介して半導体層１２上にゲート配線７を形成し、その上にシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１８を堆積する。そして、半導体層１２端部領域の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１７を除去してコンタクトホールを形成し、データ配線８、ソース電極８ａ及びドレイン電極８ｂを形成する。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなる透明絶縁膜３を、例えばＣＶＤ法等を用いて１．５μｍ程度の膜厚で成膜した後、その上にフォトレジスト１１を形成して、パターンニングを行い、露出した透明絶縁膜３をエッチング除去する。その際、透明絶縁膜３の膜厚をＴＦＴ２領域と等しいか又はそれ以上の高さとなるように調整することが重要である。また、後工程で図１に示す溝５を形成することになるフォトレジスト１１の端部（第１のフォトレジスト端部１１ａ及び第２のフォトレジスト端部１１ｂ）は、透明絶縁膜３表面の平坦性が失われない程度に、ＴＦＴ２、ゲート配線７及びデータ配線８に近接するように、透明絶縁膜３の膜厚（１．５μｍ）と同程度又はそれ以上の距離を離して形成される。
【００３１】
すなわち、透明絶縁膜３を形成する領域がＴＦＴ２やゲート配線７、データ配線８と近接しすぎると、透明絶縁膜３の端部がＴＦＴ、配線等の凸部の影響を受けて持ち上がり、表面の平坦性を確保することができず、また、透明絶縁膜３とＴＦＴ２等との距離が離れすぎると、後の工程でＴＦＴ２領域等を埋める平坦化膜６の平坦性を確保することができなくなったり、光透過性が透明絶縁膜３よりも劣る平坦化膜６を広い領域に形成するために光の利用効率が低下してしまうといった問題が生じる。
【００３２】
従って、アクティブマトリクス基板全体の平坦性を確保し、かつ、光の利用効率を高めるためには、透明絶縁膜３を形成する領域を明確に限定する必要があり、本願発明者の知見によれば、ＴＦＴ、配線等の凸領域の影響により生じる透明絶縁膜３の傾斜領域１５は、透明絶縁膜３の膜厚と同程度であるため、ＴＦＴ、配線等の凸領域と透明絶縁膜３の端部との距離は、透明絶縁膜３の膜厚と同等か、又はそれよりもやや大きく（例えば１０％程度大きく）設定すれば基板全体の平坦性を確保することができることを確認している。
【００３３】
なお、本実施例では、透明絶縁膜３の膜厚を１．５μｍ程度としたが、この膜厚は、ＴＦＴ２の構造、各構成物の膜厚、形状等によって適宜変更することが可能であり、ＴＦＴ、配線等の凸領域と同等又はそれよりも高く設定すれば良く、かつ、透明絶縁膜３の形成領域を極力広げるために厚くなりすぎないように設定することが好ましい。
【００３４】
また、透明絶縁膜３の材料はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜に限定されず、光透過性のある任意の絶縁膜を用いることができ、成膜方法もＣＶＤ法に限らず、任意の方法を用いることができる。更に、成膜は一度に行ってもよく、又、複数回に分けて積層しても良い。積層する場合、同一の材料に限らず、異なる種類の材料の積層膜（例えば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜）としても良く、異なる材料の積層膜とした場合には、各々の膜で応力を吸収し合うことが可能であり、透明絶縁膜３全体としての応力を緩和するという効果も期待できる。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示すように、有機材料からなる平坦化膜６を透明絶縁膜３上での膜厚が、例えば３００ｎｍ程度になるようにスピン塗布法等により形成する。この平坦化膜６は図１の溝５を埋めて基板全体を平坦化するために形成するものであり、平坦化膜６の透過特性は一般的に透明絶縁膜３よりも劣るため、表示領域ではできるだけ薄い方が好ましい。しかしながら、薄すぎると透明絶縁膜３上で均一に塗布することができず、また、透明絶縁膜３端部のカバレッジが悪くなり端部が露出する場合があるため、ある程度透明絶縁膜３上にも形成されるような膜厚に設定することが好ましい。
【００３６】
この後、ソース電極８ａ上の平坦化膜６を除去してコンタクトホール１６を形成した後、図２（ｄ）に示すように、このコンタクトホール１６上及び画素領域上にＩＴＯ等の透明電極を堆積し、透明絶縁膜３及び平坦化膜６で形成される平坦面の上に画素電極９を形成すると共にソース電極８ａと接続してアクティブマトリックス基板が作製される。
【００３７】
このように、本実施例のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、ガラス基板１上に作製されるゲート配線７及びデータ配線８を含むＴＦＴ２領域は、透明絶縁膜３のパターンによって構成される溝の中に作製され、透明絶縁膜３は高さがＴＦＴ２領域と同等又はそれよりも高く、かつ透明絶縁膜３上部は平坦になっている。また、ＴＦＴ２領域と透明絶縁膜３との距離は透明絶縁膜３の膜厚と同等又はそれ以上であり、平面的に見て、透明絶縁膜３の占める面積が溝５領域よりも格段に広くなっている。このような構成において、平坦化膜６を塗布することにより、溝５領域には平坦化膜６が流れ込み、ガラス基板上の大部分を占める透明絶縁膜３領域上に平坦化膜６が設定膜厚でもって形成されるため、ガラス基板全体として平坦性を向上させることができる。
【００３８】
［実施例２］
次に、本発明の第２の実施例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法について、図３を参照して説明する。図３は、第２の実施例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一部を模式的に示す工程断面図である。なお、本実施例は、第１の実施例の透明絶縁膜３を有機材料で形成することを特徴とするものであり、他の部分の構成については前記した第１の実施例と同様である。
【００３９】
本実施例のアクティブマトリクス基板の製造方法について説明すると、前記した第１の実施例と同様に、一般的なプロセスを用いてＴＦＴ２を形成する。具体的には、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１の透明絶縁性基板上にＴＦＴ２の半導体層１２となるアモルファスシリコンやポリシリコン等を堆積した後、公知のリソグラフィ及びエッチング技術を用いて島状のＴＦＴ領域を形成する。その後、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１７を介して半導体層１２上にゲート配線７を形成し、その上にシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１８を堆積する。そして、半導体層１２端部領域の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１７を除去してコンタクトホールを形成し、データ配線８、ソース電極８ａ及びドレイン電極８ｂを形成する。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、例えば、有機材料からなる段差平坦化膜４を、１．５μｍ程度の膜厚で塗布した後、その上にフォトレジスト１１を形成して、パターンニングを行い、露出した段差平坦化膜４をエッチング除去する。その際、段差平坦化膜４の膜厚をＴＦＴ２の凸領域と同等又はそれ以上の高さとなるように調整する。また、前記した第１の実施例と同様の理由により、後の工程で図１に示す溝５を形成することになるフォトレジスト１１の端部（第１のフォトレジスト端部１１ａ及び第２のフォトレジスト端部１１ｂ）は、段差平坦化膜４表面の平坦性が失われない程度にＴＦＴ２、ゲート配線７及びデータ配線８に近接し、かつ、段差平坦化膜４の膜厚（１．５μｍ）と同程度又はそれ以上の距離を離して形成される。なお、塗布した際の段差平坦化膜４の流動性により段差平坦化膜４の膜厚はＴＦＴ２の凸部ではそれ以外の領域よりも２割程度薄く形成される。
【００４１】
次に、図３（ｃ）に示すように、段差平坦化膜４と同一材料の有機膜からなる平坦化膜６を段差平坦化膜４上での膜厚が、例えば３００ｎｍ程度になるようにスピン塗布法により形成する。この平坦化膜６は図１の溝５を埋めて基板全体を平坦化するために形成するものであり、前記した第１の実施例と同様の理由により、ある程度段差平坦化膜４上にも形成されるような膜厚に設定することが好ましい。なお、段差平坦化膜４と平坦化膜６の粘度は同じでも異なっていても良い。
【００４２】
この後、ソース電極８ａ上の平坦化膜６を除去してコンタクトホール１６を形成した後、図３（ｄ）に示すように、このコンタクトホール１６上及び画素領域上にＩＴＯ等の透明電極を形成し、段差平坦化膜４及び平坦化膜６で形成される平坦面の上に画素電極９を形成すると共にソース電極８ａと接続してアクティブマトリックス基板が作製される。
【００４３】
このように、本実施例のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、第１の実施例に述べた効果に加え、図３（ｂ）に示したように、ＴＦＴ２上部の段差平坦化膜４の膜厚が薄く形成されるため、段差平坦化膜４の傾斜領域１５が少なくなるため、第１の実施例に比べてフォトレジスト端部１１ａ、１１ｂとＴＦＴ２との距離を短くすることができる。従って、段差平坦化膜４の領域が広くなり、これに従って画素電極９の面積を広くすることができるため、開口率の向上を図ることができる。
【００４４】
また、第１の実施例では、画素電極９の下が無機の透明絶縁膜３と有機の平坦化膜６との種類の異なる膜の積層構造になっているため、界面での屈折率の差による光の透過率の低減が起こる場合があるが、本実施例の場合は、同じ材質の平坦化膜の積層であるため界面での透過率の低下を抑えることができるという効果もある。
【００４５】
なお、本実施例ではＴＦＴを順スタガ構造とするアクティブマトリクス基板の製造方法について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、ＴＦＴは逆スタガ構造でもよく、液晶の駆動方式はＴＮ（Twisted Nematic）方式でもＩＰＳ（In-Plane Switching）方式でも良い。また、アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタを形成するＣＦｏｎＴＦＴ構造にも適用することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のアクティブマトリクス基板及びその製造方法によれば下記記載の効果を奏する。
【００４７】
本発明の第１の効果は、アクティブマトリックス基板における透明絶縁膜（段差平坦化膜）の占める割合を大きくすることができ、透明絶縁膜（段差平坦化膜）以外の領域は少ない面積でかつ穴もしくは溝状に形成された構成になるため、平坦化膜による穴もしくは溝部分のみの充填が容易になり、完全平坦化も容易にできるということである。
【００４８】
その理由は、ＴＦＴ、ゲート配線およびデータ配線からなる凸領域を除く部分に前記凸領域の段差と同等又はそれよりも厚い透明絶縁膜（段差平坦化膜）を形成し、かつ、凸領域と透明絶縁膜（段差平坦化膜）との距離を膜厚と同程度又はそれ以上にすることにより、アクティブマトリックス基板に占める平坦な領域を多くすることができるからである。
【００４９】
また、本発明の第２の効果は、ＴＦＴ等の要素デバイスの形成は、平らな基板上に通常の半導体プロセスを繰り返して行うため、予め透明絶縁膜を配設した後にＴＦＴ等を形成する従来例のようにレジストパターンの精度が損なわれるという問題が生じることがなく、プロセスの精度通りにＴＦＴ等を形成することができるということである。
【００５０】
また、本発明の第３の効果は、従来例に比べて、透過率の劣化が生じないということである。その理由は、予め透明絶縁膜を配設する従来例では、溝および段差に各種成膜がなされるため段差の側壁に数種の膜が積層され、横方向の膜厚増加および膜同士の干渉等により光の減衰が生ずるが、本発明ではＴＦＴ等を形成した後に透明絶縁膜（段差平坦化膜）を形成するため、段差の側壁に膜が積層されることがないからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一部を模式的に示す工程断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一部を模式的に示す工程断面図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス基板の構造を示す断面図である。
【図５】従来のアクティブマトリクス基板の構成及び製造方法の一部を模式的に示す図であり、（ａ）、（ｂ）は工程断面図、（ｃ）は平面図である。
【図６】従来のアクティブマトリクス基板の製造方法における問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  ＴＦＴ
３  透明絶縁膜
４  段差平坦化膜
５  溝
６  平坦化膜
７  ゲート配線
８  データ配線
８ａ  ソース電極
８ｂ  ドレイン電極
９  画素電極
１０  画素配線
１１  フォトレジスト
１１ａ  第１のフォトレジスト端部
１１ｂ  第２のフォトレジスト端部
１２  半導体層
１３  透明絶縁膜
１４  積層膜
１５  傾斜領域
１６  コンタクトホール
１７  ゲート絶縁膜
１８  層間絶縁膜
【図１】
0003841198.tif 000002
【図２】
0003841198.tif 000003
【図３】
0003841198.tif 000004
【図４】
0003841198.tif 000005
【図５】
0003841198.tif 000006
【図６】
0003841198.tif 000007