(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、
上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、
上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、
を備える配線基板であって、
上記導体層は、
上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層と、
この無電解メッキ層及び上記フィルドビア上に形成され、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層と、
上記第１電解メッキ層上に形成され、導体層表面をなし、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一な第２電解メッキ層と、
を備える
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記導体層表面はエッチング粗化面とされており、
上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に上部樹脂絶縁層を備える
配線基板。
【請求項３】
樹脂絶縁層と、
上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、
上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、
を備える配線基板であって、
上記導体層は、
上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層と、
この無電解メッキ層及び上記フィルドビア上に形成され、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層と、
上記第１電解メッキ層上に形成され、導体層表面をなすほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層と、
を備える
配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板であって、
前記第２電解メッキ層は、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一であり、
前記導体層表面はエッチング粗化面とされており、
上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に上部樹脂絶縁層を備える
配線基板。
【請求項５】
請求項２または請求項４に記載の配線基板であって、
前記上部樹脂絶縁層上に上部導体層を備える
配線基板。
【請求項６】
樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫通孔内及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層、を備える基板のうち、外部に露出する上記無電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有する第１メッキ液により電解メッキを施し、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層を形成する第１電解メッキ工程と、
上記第１電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外でメッキが成長する性質を有する第２メッキ液により電解メッキを施し、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一な第２電解メッキ層を形成する第２電解メッキ工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項７】
樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫通孔内及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層、を備える基板のうち、外部に露出する上記無電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有する第１メッキ液により電解メッキを施し、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層を形成する第１電解メッキ工程と、
上記第１電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外でメッキが成長する性質を有する第２メッキ液により電解メッキを施し、ほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層を形成する第２電解メッキ工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１電解メッキ工程において、少なくとも前記貫通孔がメッキで充填されるまで電解メッキを施す
配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２電解メッキ工程よりも後に、前記導体層表面をエッチング粗化する粗化工程と、
粗化された上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上部樹脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２電解メッキ工程において、少なくとも約１μｍ以上の厚さの前記第２電解メッキ層を形成する
配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２電解メッキ工程において、粒径約１μｍ以上のメッキ粒子よりなる前記第２電解メッキ層を形成する
配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項６〜請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２電解メッキ工程よりも後に、前記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上部樹脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、
上記上部樹脂絶縁層上に上部導体層を形成する上部導体層形成工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂絶縁層と、これを貫通するビアと、これら樹脂絶縁層及びビアの上に形成された導体層とを有する配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、ビア及び導体層がメッキで形成され、しかも、ビアがメッキで充填されたフィルドビアである配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、略板形状の樹脂絶縁層に、これを貫通するフィルドビアがメッキで充填形成され、これらの上に導体層がメッキで形成された配線基板が知られている。
例えば、図８に主面１０２側の部分拡大断面図を示す配線基板１０１が挙げられる。この配線基板１０１は、その中心に略板形状のコア基板１０３を備える。コア基板１０３の両面には第１樹脂絶縁層１０５が積層され、さらにその上には、第２樹脂絶縁層１０７が積層されている。また、第２樹脂絶縁層１０７上には、ソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）１０９が積層されている。
【０００３】
このうちコア基板１０３には、これを貫通する略筒状のスルーホール導体１１１が所定の位置に複数形成されている。また、第１樹脂絶縁層１０５には、これを貫通する第１ビア用貫通孔１１３が所定の位置に複数形成され、各第１ビア用貫通孔１１３には、第１フィルドビア１１５がメッキにより充填形成されている。同様に、第２樹脂絶縁層１０７には、第２ビア用貫通孔１１７が所定の位置に複数形成され、各第２ビア貫通孔１１７には、第２フィルドビア１１９が形成されている。また、ソルダーレジスト層１０９には、これを貫通するパッド用開口１２１が所定の位置に複数形成されている。
【０００４】
コア基板１０３と第１樹脂絶縁層１０５との層間には、配線やパッド等の所定パターンの第１導体層１２３が形成され、コア基板１０３のスルーホール導体１１１や第１絶縁層１０５の第１フィルドビア１１５と接続している。また、第１樹脂絶縁層１０５と第２樹脂絶縁層１０７との層間にも、配線１２６やパッド１２４等の所定パターンの第２導体層１２５が形成され、第１樹脂絶縁層１０５の第１フィルドビア１１５や第２樹脂絶縁層１０７の第２フィルドビア１１９と接続している。また、第２樹脂絶縁層１０７とソルダーレジスト層１０９との層間にも、配線やパッド１２８等の所定パターンの第３導体層１２７が形成され、第２樹脂絶縁層１０７の第２フィルドビア１１９と接続している。そして、第３導体層１２７のパッド１２８は、この配線基板１０１に電子部品を搭載するため、ソルダーレジスト層１０９のパッド用開口１２１内に露出している。
【０００５】
このような配線基板１０１のうち、第１樹脂絶縁層１０５の内部や表面に形成された第１フィルドビア１１５及び第２導体層１２５は、次のようにして形成する。
即ち、まず、公知の手法により、コア基板１０３にスルーホール導体１１１を形成すると共に、コア基板１０３上に第１導体層１２３を形成し、さらにこれらの上に、第１ビア用貫通孔１１３を有する第１樹脂絶縁層１０５を形成した基板１３１を用意する（図９参照）。
【０００６】
次に、この基板１３１に、無電解メッキを施し、第１樹脂絶縁層１０５の表面及び第１ビア用貫通孔１１３内に、図中に太線で示す無電解メッキ層を形成する。そして、この無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層１３３を形成する（図９参照）。
その後、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有するメッキ液（以下、本明細書では、このような性質を有するメッキ液をフィルドビア用メッキ液とも言う。）を用いて、この基板１３１に電解メッキを施す。そうすると、図９に示すように、第１ビア用貫通孔１１３にメッキが充填され第１フィルドビア１１５が形成されると共に、この第１フィルドビア１１５上及び第１樹脂絶縁層１０５の無電解メッキ層上に、電解メッキ層が形成される。
【０００７】
なお、フィルドビア用メッキ液には、孔内のメッキ成長を促進する一方、孔外でのメッキ成長を抑制するために、Ｎ系高分子化合物等のレベラー（メッキ抑制剤）などが通常含まれている。
電解メッキ後は、メッキレジスト層１３３を除去して、メッキレジスト層１３３に覆われていた無電解メッキ層をエッチング除去すれば、所定パターンの第２導体層１２５となる（図８参照）。このようにして、第１樹脂絶縁層１０５に、第１フィルドビア１１５及び第２導体層１２５が形成される。
【０００８】
その後は、第１樹脂絶縁層１０５及び第２導体層１２５の上に、第２樹脂絶縁層１０７を積層し、上述と同様にして、新たに第２フィルドビア１１９及び第３導体層１２７を形成する。そして、第２樹脂絶縁層１０７及び第３導体層１２７の上に、開口１２１を有するソルダーレジスト層１０９を形成すれば、図８に示す配線基板１０１ができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フィルドビア用メッキ液を用いて、第１フィルドビア１１５及び第２導体層１２５を形成すると、第２導体層１２５の状態が、基板１３１内で場所により異なり不具合を生じる。これは、電解メッキ時に基板１３１内で電流密度が偏っていることが影響するものと考えられる。
【００１０】
この不具合について、図９に示す基板１３１に即して具体的に説明すると、形成する配線やパッド等の配置が粗となる部分、即ち、メッキレジスト層１３３のパターンが粗な部分（図９中で左側の部分）は、メッキ時に電流密度が高くなり、メッキ液中のレベラーをこの部分に吸着しやすい。このため、図９中で左側部分にある第１フィルドビア１１５Ｌやその上の第２導体層１２５のパッド１２４Ｌ付近を観察すると、図１０に部分拡大断面図を示すように、パッド１２４Ｌにおいてメッキ粒子の成長が抑えられ、その結果、メッキの厚さ（パッド１２４Ｌ、即ち第２導体層１２５の厚さ）も比較的薄くなる。また、メッキ粒子の成長が抑えられた結果、粒径が０．１μｍ以下というように極端に粒径の小さなメッキ粒子が偏在した領域を生じさせることがある。
これに対し、配線やパッド等の配置が密になる部分、即ち、メッキレジスト層１３３のパターンが密な部分（図９中で右側の部分）は、メッキ時の電流密度が低くなり、メッキ液中のレベラーを吸着しにくい。このため、図９中で右側部分にある第２導体層１２５の配線１２６Ｒ付近を観察すると、図１１に部分拡大断面図を示すように、メッキ粒子が比較的大きく成長し、メッキの厚さ（配線１２６Ｒ、即ち第２導体層１２５の厚さ）も比較的厚くなる。
【００１１】
また、個々のパッド１２４や配線１２６だけをみても、メッキレジスト層１３３は、レベラーを吸着しにくい性質を有するので、図１０及び図１１に示すように、その近傍では、レベラーが集まりにくく、メッキ粒子が比較的大きく成長し、メッキの厚さも比較的厚くなる。一方、メッキレジスト層１３３から離れた部分（中央部）は、レベラーを吸着しやすいので、メッキ粒子の成長が抑えられ、メッキの厚さも比較的薄くなる。その結果、例えば、図１０に示すパッド１２４Ｌでは、その周縁部（端部）が中央部よりも跳ね上がった形状となる。また、図１１に示す配線１２６Ｒでも、その両縁部（端部）が中央部よりも跳ね上がった形状となる。
【００１２】
また、基板１３１のうち、電解メッキ用の電極との接続点付近（図示しない）でも、相対的に電流密度が高くなり、レベラーを吸着しやすいので、メッキ粒子の成長が抑えられ、メッキの厚さも比較的薄くなるが、電極の接続点から離れた所では、電流密度が低くなり、レベラーが吸着しにくいので、メッキ粒子が成長し、メッキの厚さも比較的厚くなる。
このように、導体層（第２導体層１２５）が、場所により厚くなったり薄くなったり、あるいは、パッド１２４の周縁部や配線１２６の両縁部等で跳ね上がった形状となるので、導体層に外観不良をもたらす。このことは、第３導体層１２７についても言えるものである。
【００１３】
さらに、第２導体層１２５等の上に第２樹脂絶縁層１０７を積層する前、あるいは、第３導体層１２７等の上にソルダーレジスト層１０９を積層する前に、第２導体層１２５の表面または第３導体層１２７の表面をエッチングにより粗化すると、第１，第２導体層１２５，１２７表面のメッキ粒子の分布の不均一に起因して粗化ムラが生じ、外観不良となる。その上、例えば０．１μｍ以下といった微細なメッキ粒子が集まった部分では、良好な粗化面が形成されずに、第２導体層１２５と第２樹脂絶縁層１０７との密着強度、あるいは、第３導体層１２７とソルダーレジスト層１０９との密着強度の低下を招くこともある。
また、例えば、図８において破線で囲む第２導体層１２５のうち凸状に跳ね上がった周縁部などでは、第２樹脂絶縁層１０７を介してその上に形成された第３導体層１２７との絶縁間隔が小さくなって、上下の導体層間でショート等の電気不良を生じることもある。
【００１４】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、樹脂絶縁層と、これを貫通しメッキにより充填形成されたフィルドビアと、これらの上にメッキにより形成された導体層とを有する配線基板において、導体層の厚さがほぼ均一な配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板であって、上記導体層は、上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層と、この無電解メッキ層及び上記フィルドビア上に形成され、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層と、上記第１電解メッキ層上に形成され、導体層表面をなし、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一な第２電解メッキ層と、を備える配線基板である。
【００１６】
本発明では、フィルドビアがメッキにより充填形成された配線基板において、樹脂絶縁層上及びフィルドビア上に形成された導体層は、第１電解メッキ層のうち基板平面方向のいずれかの部分に、微細なメッキ粒子が偏在しているにも拘わらず、その上の第２電解メッキ層のメッキ粒子は、粒度分布が場所によらずほぼ均一である。
第１電解メッキ層に微細なメッキ粒子が偏在するということは、その部分でメッキの成長が遅くなり、第１電解メッキ層の厚さが部分的に変動していることを示している。一方、導体層表面をなす第２電解メッキ層は、メッキ粒子の大きさの分布が場所によらずほぼ均一であるので、メッキ成長が場所によらずほぼ同じであり、層の厚さもほぼ均一であると言える。
【００１７】
このような導体層は、下方にある第１電解メッキ層については厚さに変動があるが、その上にほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層があるので、全体としてみると、第１電解メッキ層の占める割合が小さいことから、全体の厚みの変動を小さく抑えられる。従って、この導体層は、場所により厚くなっている所や薄くなっている所が比較的少なく、また、部分的に大きく跳ね上がっている所も少ないので、導体層全体でその厚さがほぼ均一となっている。よって、導体層の外観も良好である。
【００１８】
なお、導体層のうち第１電解メッキ層中に偏在する微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、約５分の１以下の大きさである場合、さらには、約１０分の１以下の大きさである場合には、特にメッキ成長の不均一が大きくなるので、その上に均一な厚さの第２電解メッキ層を形成することで導体層全体の厚さの変動を抑制することができる。また、微細なメッキ粒子の粒径が約０．１μｍ以下となる場合も、特にメッキ成長の不均一が大きくなるので、その上にほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層を形成することで導体層全体の厚さの変動を抑制することができる。
【００１９】
さらに、上記の配線基板であって、前記導体層表面はエッチング粗化面とされており、上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に上部樹脂絶縁層を備える配線基板とすると良い。
【００２０】
微細なメッキ粒子が偏在する第１電解メッキ層が、メッキ粒子の分布がほぼ均一な第２電解メッキ層に覆われているので、導体層表面をエッチングにより粗化したときに、導体層表面がムラなく均一に粗化される。従って、本発明の配線基板は、導体層表面がほぼ均一な粗さの粗化面となっているので、導体層とその上に形成された上部樹脂絶縁層との密着強度の不均一がない。
この場合、第２電解メッキ層のメッキ粒子の平均粒径は、約１μｍ以上とするのが好ましい。導体層と上部樹脂絶縁層との密着強度の不均一がない（粒径が０．１μｍ以下のメッキ粒子が偏在した不均一な部分がない）上、粗化面の表面粗さも大きくできるので、これらの密着強度を高くすることができるからである。
【００２１】
また、他の解決手段は、樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板であって、上記導体層は、上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層と、この無電解メッキ層及び上記フィルドビア上に形成され、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層と、上記第１電解メッキ層上に形成され、導体層表面をなすほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層と、を備える配線基板である。
【００２２】
本発明では、フィルドビアがメッキにより充填形成された配線基板において、樹脂絶縁層上及びフィルドビア上に形成された導体層は、第１電解メッキ層のうち基板平面方向のいずれかの部分に、微細なメッキ粒子が偏在している。微細なメッキ粒子が偏在するということは、その部分でメッキの成長が遅くなり、第１電解メッキ層の厚さが部分的に変動していることを示している。一方、第１電解メッキ層の上にある第２電解メッキ層は、厚さがほぼ均一である。
【００２３】
このような導体層は、下方にある第１電解メッキ層については厚さに変動があるが、その上にほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層があるので、全体としてみると、第１電解メッキ層の占める割合が小さいことから、全体の厚みの変動を小さく抑えられる。従って、この導体層は、場所により厚くなっている所や薄くなっている所が比較的少なく、また、部分的に大きく跳ね上がっている所も少ないので、導体層全体でその厚さがほぼ均一となっている。よって、導体層の外観も良好である。
【００２４】
なお、導体層のうち第１電解メッキ層中に偏在する微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、約５分の１以下の大きさである場合、さらには、約１０分の１以下の大きさである場合には、特にメッキ成長の不均一が大きくなるので、その上に均一な厚さの第２電解メッキ層を形成することで導体層全体の厚さの変動を抑制することができる。また、微細なメッキ粒子の粒径が約０．１μｍ以下となる場合も、特にメッキ成長の不均一が大きくなるので、その上にほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層を形成することで導体層全体の厚さの変動を抑制することができる。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
さらに、上記の配線基板であって、前記第２電解メッキ層は、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一であり、前記導体層表面はエッチング粗化面とされており、上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に上部樹脂絶縁層を備える配線基板とすると良い。
【００２８】
微細なメッキ粒子が偏在する第１電解メッキ層が、メッキ粒子の粒度分布がほぼ均一な第２電解メッキ層に覆われているので、導体層表面をエッチングにより粗化したときに、導体層表面がムラなく均一に粗化される。従って、本発明の配線基板は、導体層表面がほぼ均一な粗さの粗化面となっているので、導体層とその上に形成された上部樹脂絶縁層との密着強度の不均一がない。
この場合、第２電解メッキ層のメッキ粒子の平均粒径は、約１μｍ以上とするのが好ましい。導体層と上部樹脂絶縁層との密着強度の不均一がない（粒径が０．１μｍ以下のメッキ粒子が偏在した不均一な部分がない）上、粗化面の表面粗さも大きくできるので、これらの密着強度を高くすることができるからである。
【００２９】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記上部樹脂絶縁層上に上部導体層を備える配線基板とすると良い。
【００３０】
前述したように、第２電解メッキ層を備える導体層は、パッドの周縁部や配線の両縁部などにおける跳ね上がりが少なく、厚さがほぼ均一である。従って、この導体層と、上部樹脂絶縁層を介して形成した上部導体層との絶縁間隔を十分に保つことができ、上下の導体層間でショートや絶縁抵抗の低下等の電気不良が生じにくい。
【００３１】
また、他の解決手段は、樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫通孔内及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層、を備える基板のうち、外部に露出する上記無電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有する第１メッキ液により電解メッキを施し、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層を形成する第１電解メッキ工程と、
上記第１電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外でメッキが成長する性質を有する第２メッキ液により電解メッキを施し、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一な第２電解メッキ層を形成する第２電解メッキ工程と、を備える配線基板の製造方法である。
或いは、樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板の製造方法であって、上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫通孔内及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層、を備える基板のうち、外部に露出する上記無電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有する第１メッキ液により電解メッキを施し、微細な粒子が偏在する第１電解メッキ層であって、上記の微細なメッキ粒子が、同じ第１電解メッキ層中の大きなメッキ粒子に比して、５分の１以下の大きさである第１電解メッキ層を形成する第１電解メッキ工程と、上記第１電解メッキ層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外でメッキが成長する性質を有する第２メッキ液により電解メッキを施し、ほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層を形成する第２電解メッキ工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００３２】
本発明では、まず、無電解メッキ層上に、孔外よりも孔内でメッキが成長する第１メッキ液を使用して、第１電解メッキ層を形成する（第１電解メッキ工程）。そしてその後、第１電解メッキ層上に、孔内と同程度に孔外でメッキが成長する、または、孔内よりも孔外でメッキが成長する第２メッキ液を使用して、第２電解メッキ層を形成する（第２電解メッキ工程）。つまり、２種類のメッキ液を用いて電解メッキ層を形成する。
第１メッキ液は、場所によりメッキの成長を異ならせることで、貫通孔内を効率よくメッキで充填することができる反面、前述したように、導体層が、場所により厚くなったり薄くなったり、部分的に跳ね上がった形状となったりする。一方、第２メッキ液は、メッキが均一に成長するので、均一な厚さの導体層を形成することができる。
【００３３】
本発明では、第１電解メッキ工程で、後に第２電解メッキ層を形成する分を考慮し、薄く第１電解メッキ層を形成している。このように、第１電解メッキ層を薄くすれば、第１電解メッキ層の場所による厚さの違いや部分的な跳ね上がりがほとんどないか、あるいは、第１メッキ液だけで電解メッキ層全部を形成する従来よりも小さく抑えられる。
そして、第２電解メッキ工程において、第１電解メッキ層上にほぼ均一な厚さの第２電解メッキ層を形成するので、たとえ第１電解メッキに小さな厚さの違いや跳ね上がりができていても、その状態で導体層全体の厚さを厚くすることができる。このため、導体層の厚さの変動を全体として少なくすることができる。つまり、導体層全体の厚さをほぼ均一なものとすることができ、外観が良好な導体層とすることができる。
【００３４】
なお、第１電解メッキ工程において電解メッキを施す基板は、無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層が形成され、このメッキレジスト層から無電解メッキ層が部分的に露出する基板でも良いし、無電解メッキ層が略全面に露出する基板でもあっても良い。
このうちメッキレジスト層を有する基板を用いる場合には、第２電解メッキ工程後、メッキレジスト層を除去し、メッキレジスト層に覆われていた無電解メッキ層をエッチングして除去すれば、所定パターンの導体層を形成することができる。
【００３５】
一方、略全面に無電解メッキ層が露出する基板を用いる場合には、第２電解メッキ工程後、第２電解メッキ層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、これから露出する第２電解メッキ層、並びに、その下にある第１電解メッキ層及び無電解メッキ層をエッチングして除去すれば、所定パターンの導体層を形成することができる。
この場合、電解メッキ時にレジスト層が存在しないので、従来技術で述べたようなレジスト層の粗密に起因するメッキ層の厚さの違いやレジスト層からの距離に起因するメッキ層の跳ね上がりという問題は生じない。しかし、第１メッキ液だけを用いて電解メッキ層全部を形成すると、場所によりメッキ層が厚くなったり薄くなったりすることがある。また、第１メッキ液だけでは、メッキの成長が遅く、導体層を形成するのに時間がかかる。従って、本発明を適用することにより、ほぼ均一な厚さの導体層を、確実に効率よく形成することができる。
【００３６】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記第１電解メッキ工程において、少なくとも前記貫通孔がメッキで充填されるまで電解メッキを施す配線基板の製造方法とすると良い。
【００３７】
導体層の厚さの変動を小さくするには、導体層のうち第１電解メッキ層の割合を小さくする、つまり、第１電解メッキ層を薄くするのが好ましい。一方、貫通孔内が十分にメッキで充填されないと、即ち、第１電解メッキ層のうち貫通孔のある部分で凹みがあると、第２電解メッキ工程で、この凹みにならって第２電解メッキ層が形成され、その結果、導体層にも凹みができる。このため、この上に形成する上部樹脂絶縁層や上部導体層が変形することがある。
これに対し、本発明では、少なくとも貫通孔がメッキで充填されるまで、即ち、少なくとも貫通孔にフィルドビアが形成されるまで、第１電解メッキ工程を行っているので、第１メッキ層のうち貫通孔のある部分に凹みがないか、あるいは、十分に小さくなっている。従って、第２電解メッキ工程後においても、フィルドビア上にほぼ均一な厚さの導体層を形成することができ、上部樹脂絶縁層や上部導体層の変形も防止される。
【００３８】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記第２電解メッキ工程よりも後に、前記導体層表面をエッチング粗化する粗化工程と、粗化された上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上部樹脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００３９】
粗化工程前の導体層の表面付近のメッキ粒子（第２電解メッキ層のメッキ粒子）は、ほぼ均一な大きさとなっているので、導体層の表面をエッチング粗化したときに、その表面はほぼ均一な粗さの粗化面となる。従って、上部樹脂絶縁層を形成したときに、粗化された導体層と上部樹脂絶縁層との密着強度の不均一がない。
【００４０】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記第２電解メッキ工程において、少なくとも約１μｍ以上の厚さの前記第２電解メッキ層を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００４１】
第２電解メッキ層が極端に薄いと、その下の第１電解メッキ層に厚さの変動がある場合に、導体層全体としてみても、厚さの変動が大きく現れやすい。
これに対し、本発明では、少なくとも約１μｍ以上の厚さの第２電解メッキ層を形成するので、導体層全体の厚さの変動を少なくし、ほぼ均一な厚さの導体層とすることができる。さらに、第２電解メッキ層の厚さを、約１μｍ以上、より好ましくは約３μｍ以上とすると、導体層全体の厚さの変動をさらに少なくし、より均一な厚さの導体層を形成することができる。
【００４２】
また、粗化工程がある場合には、第２電解メッキ層が極端に薄いと、第２電解メッキ層がすべてエッチング粗化され、さらには、第１電解メッキ層までエッチング粗化されることがある。そうすると、第１電解メッキ層は、メッキ粒子の大きさが不均一な部分もあるので、これに起因して粗化面に粗化ムラが生じ、導体層と上部樹脂絶縁層との密着強度が低下することがある。
これに対し、本発明では、第２電解メッキ層を、少なくとも約１μｍ以上形成するので、粗化工程で導体層の表面をエッチング粗化しても、第１電解メッキ層までは粗化されにくく、粗化面に粗化ムラが生じにくい。なお、より好ましくは、第２電解メッキ層の厚さを約３μｍ以上とすると、導体層をエッチング粗化しても、粗化後に第２電解メッキ層が残って第１電解メッキ層までは粗化されなくなり、確実に粗化ムラを防止することができる。
【００４３】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記第２電解メッキ工程において、粒径約１μｍ以上のメッキ粒子よりなる前記第２電解メッキ層を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００４４】
導体層の表面付近の第２電解メッキ層のメッキ粒子が極端に小さいと、粗化工程で所望の粗さを有する粗化面が得られず、導体層と上部樹脂絶縁層との密着強度が低下することがある。
しかし、本発明では、導体層の表面付近を形成する第２電解メッキ層のメッキ粒子の粒径を、約１μｍ以上と大きくしているので、粗化工程で所望の粗さの粗化面を形成することができる。従って、導体層と上部樹脂絶縁層の密着強度を向上させることができる。
【００４５】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記第２電解メッキ工程よりも後に、前記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上部樹脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、上記上部樹脂絶縁層上に上部導体層を形成する上部導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００４６】
前述したように、２種類のメッキ液で２層の電解メッキ層を形成することにより、導体層の跳ね上がりをなくし、あるいは少なくして、導体層の厚さをほぼ均一にすることができる。従って、この上に上部絶縁層を形成して、さらにその上に上部導体層を形成しても、導体層と、上部樹脂絶縁層を介して形成した上部導体層との間の絶縁間隔に小さくなる所がなく、これらの上下の導体層間でショート等の電気不良が生じにくい。
【００４７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１について、図１に主面２側の部分拡大断面図を示す。この配線基板１は、主面２と図示しない裏面とを有する略矩形の略板形状をなし、その中心には、ガラス繊維布にエポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる略板形状のコア基板５を備える。そして、その両面には、エポキシ樹脂等からなる第１樹脂絶縁層７がそれぞれ積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる第２樹脂絶縁層９が積層されている。また、第２樹脂絶縁層９上には、エポキシ樹脂等からなるソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）１１が積層されている。
【００４８】
このうちコア基板５には、これを貫通するスルーホール導体用貫通孔１４が所定の位置に複数形成され、それらの内周面には、略筒状のスルーホール導体１５がそれぞれ形成されている。そして、各スルーホール導体１５内には、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状のプラグ材１６が充填されている。
第１樹脂絶縁層７には、これを貫通する直径約７０μｍ、高さ（長さ）約３５μｍの第１ビア用貫通孔１８が所定の位置に複数形成され、各第１ビア用貫通孔１８には、略円柱形状の第１フィルドビア１９がメッキにより充填形成されている。
同様に、第２樹脂絶縁層９にも、これを貫通する直径約７０μｍ、高さ約３５μｍの第２ビア用貫通孔２２が所定の位置に複数形成され、各第２ビア用貫通孔２２にメッキで充填された略円柱形状の第２フィルドビア２３が形成されている。
また、ソルダーレジスト層１１には、これを貫通するパッド用開口２５が所定の位置に複数形成されている。
【００４９】
コア基板５と第１樹脂絶縁層７との層間には、所定パターンの配線やパッド等の第１導体層２７が形成され、コア基板５のスルーホール導体１５や第１樹脂絶縁層７の第１フィルドビア１９と接続している。
また、第１樹脂絶縁層７と第２樹脂絶縁層９との層間にも、所定パターンの配線３０やパッド２８等の第２導体層２９が形成され、第１樹脂絶縁層７の第１フィルドビア１９や第２樹脂絶縁層９の第２フィルドビア２３と接続している。
また、第２樹脂絶縁層９とソルダーレジスト層１１との層間にも、所定パターンの配線３４やパッド３２等の第３導体層３１が形成され、第２樹脂絶縁層９の第２フィルドビア２３と接続している。第３導体層３１の一部のパッド３２は、この配線基板１にＩＣチップなど電子部品を搭載するため、ソルダーレジスト層１１のパッド用開口２５内に露出している。なお、このパッド３２の表面には、酸化防止のためＮｉメッキ層が形成され、さらにその上にＡｕメッキ層が形成されている（図示しない）。
【００５０】
この配線基板１のうち、第１樹脂絶縁層７の内部及び表面に形成された第１フィルドビア１９と第２導体層２９について、図２及び図３を参照しつつ詳述する。
図２は、図１中で左側に示した第１フィルドビア１９Ｌ及びその上に形成された第２導体層２９のパッド２８Ｌ付近を示している。この第１フィルドビア１９Ｌは、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有するフィルドビア用メッキ液（第１メッキ液）によって、第１ビア用貫通孔１８にメッキで充填形成されている。このため、第１ビア用貫通孔１８内では、メッキの成長が早く、メッキ粒子の平均粒径が約１〜２μｍと比較的大きく、粒度分布がほぼ均一である。
【００５１】
一方、この第１フィルドビア１９Ｌ上のパッド２８Ｌは、図中に太線で示す無電解メッキ層３３と２層の電解メッキ層とを有する。即ち、パッド２８Ｌの下部には、無電解メッキ層３３に、第１フィルドビア１９Ｌと同様にフィルドビア用メッキ液により形成された第１電解メッキ層３５が存在し、その上には、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度にまたはそれよりも孔外でメッキが成長する性質を有するコンフォーマルメッキ液（第２メッキ液）により形成された第２電解メッキ層３７が存在する。
【００５２】
このうち第１電解メッキ層３５は、フィルドビア用メッキ液を用いて形成されているので、場所によりメッキ粒子の粒径が異なっている。具体的には、パッド２８Ｌの周縁部（端部）付近は、形成の際に用いるメッキレジスト層がメッキ液中のレベラー（メッキ抑制剤）を吸着しにくいため、その近傍では、比較的メッキ成長が早く、メッキ粒子が大きめであるが、中央部に向かうにしたがって、レベラーを吸着しやすくなるため、メッキ成長が遅くなり、メッキ粒子の粒径が小さくなっていく。中央部付近の最も小さなメッキ粒子は、０．１μｍ以下の微細なものとなっており、第１電解メッキ層３５は、全体としてみると、０．１μｍ程度から２μｍ程度まで粒径のバラツキが大きく、しかも、粒度分布が不均一である。また、部分的に０．１μｍ以下の粒径のメッキ粒子が密集（偏在）した領域を有している。このため、第１電解メッキ層３５の厚さも、周縁部付近（厚さ約１０μｍ）が中央部（厚さ約５μｍ）よりも少し厚く、周縁部が少し跳ね上がった形状をなしている。もっとも、従来のパッド１２４の比較すると、この第１電解メッキ層３５の跳ね上がりは、小さなものとなっている（図１０参照）。
【００５３】
これに対して、第２電解メッキ層３７は、コンフォーマルメッキ液を用いて形成されているので、メッキ粒子の粒径が、場所に拘わらず約１〜２μｍとほぼ均一な大きさで、また、粒度分布が場所に拘わらずほぼ均一で、厚さも約１０μｍとほぼ均一な厚さとなっている。
第２電解メッキ層３７は、第１電解メッキ層３５の小さな跳ね上がりにならって、周縁部が中央部よりもごく僅かに跳ね上がっているが、第２電解メッキ層３７が均一な厚さで形成されているので、パッド２８Ｌ全体としてみれば、従来（図１０参照）とは異なり、ほぼ均一な厚さとなっている。具体的には、従来は約２０μｍの厚さの導体層を形成すると、最大約１８μｍの厚みの差が生じていたのに対して、本実施形態では、最大約５μｍの厚みの差しか生じていない。
なお、パッド２８Ｌの表面は、第２導体層２９と第２樹脂絶縁層９との密着強度を向上させるために、エッチングにより表面が荒らされ、表面粗さＲａが約０．５μｍのほぼ均一な粗化面とされている。パッド２８Ｌの表面全体がほぼ均一に分布するメッキ粒子で構成されているためである。
【００５４】
図３は、図１中で右側に示した第２導体層２９の配線３０Ｒ付近を示している。この配線３０Ｒは、上記のパッド２８Ｌと同様に、図中に太線で示す無電解メッキ層３３と、配線３０Ｒの下部にあるフィルドビアメッキ液により形成された第１電解メッキ層３５と、その上にコンフォーマルメッキ液により形成された第２電解メッキ層３７とを有する。
このうち第１電解メッキ層３５は、上記のパッド２８Ｌの場合と同様に、配線３０Ｒの両縁部（端部）付近は、形成の際に用いるメッキレジスト層がメッキ液中のレベラーを吸着しにくいので、その近傍は、比較的メッキ成長が早くて、メッキ粒子が大きめであるが、中央部に向かうにしたがって、レベラーを吸着しやすくなるので、メッキ成長が遅くなって、メッキ粒子の粒径が小さくなる。中央部付近では、粒径０．１μｍ以下の微細な粒子になっている。そして、第１電解メッキ層３５の厚さも、両縁部付近（厚さ約１０μｍ）が中央部（厚さ約５μｍ）よりも厚く、両縁部が少し跳ね上がった形状をなしているが、従来の配線１２６の比較すると、この第１電解メッキ層３５の跳ね上がりも、小さなものとなっている（図１１参照）。
【００５５】
一方、配線３０Ｒの第２電解メッキ層３７も、上記のパッド２８Ｌと同様に、メッキ粒子の粒径が、場所に拘わらず約１〜２μｍとほぼ均一な大きさで、粒度分布が場所に拘わらずほぼ均一で、その厚さも約１０μｍでほぼ均一な厚さとなっている。
また、第２電解メッキ層３７は、第１電解メッキ層３５の小さな跳ね上がりにならって、ごく僅かに跳ね上がっているが、第２電解メッキ層３７は均一な厚さで形成されているので、配線３０Ｒ全体としてみれば、従来と異なりほぼ均一な厚さとなっている（図１１参照）。なお、配線３０Ｒの表面も、パッド２８と同様に、エッチングにより表面が荒らされ、表面粗さＲａが約０．５μｍのほぼ均一な粗化面とされている。
【００５６】
さらに、従来の配線基板１０１では、配線１２６やパッド１２４等が密に配置された部分は、これらが粗に配置された部分に比べて、メッキ粒子の成長が早く、メッキの厚さも厚くなっていた（図１０及び図１１参照）。
これに対し、本実施形態の配線基板１では、図３に示した配線３０Ｌのように、配線３０やパッド２８が密な部分と、図２に示したパッド２８Ｒのように、配線３０やパッド２８が粗な部分とで、第１電解メッキ層３５については、僅かに厚みに差がある。しかし、それらの上に均一な第２電解メッキ層３７が形成されているので、配線３０やパッド２８全体の厚さをみれば、場所に拘わらずほぼ均一である。
なお、詳細な説明は省略するが、第２樹脂絶縁層９に形成する第２フィルドビア２３及び第３導体層３１についても、第１フィルドビア１９及び第２導体層２９と同様なことが言える（図２及び図３参照）。
【００５７】
このように、本実施形態の配線基板１は、第２，第３導体層２９，３１のうち、第１電解メッキ層３５，３８の部分には、微細なメッキ粒子が偏在するが、その上の第２電解メッキ層３７，３９の部分は、メッキ粒子の粒度分布が場所に拘わらずほぼ均一である。
このような導体層は、下方にある第１電解メッキ層３５，３８に厚さの変動があっても、その上に均一な厚さの第２電解メッキ層が形成されているので、全体としてみると、厚さの変動が小さく抑えられている。従って、第２，第３導体層２９，３１は、その厚さがほぼ均一で外観も良好である。
【００５８】
また、第２，第３導体層２９，３１の表面は、エッチング粗化面となっているが、第２，第３導体層２９，３１の表面付近（第２電解メッキ層３５，３８）のメッキ粒子の粒度分布がほぼ均一であるので、表面がムラなく均一に粗化されている。従って、この配線基板１は、第２，第３導体層２９，３１とその上に形成された第２樹脂絶縁層９またはソルダーレジスト層１１との密着強度の不均一がない。
特に、第２電解メッキ層３５，３８のメッキ粒子の大きさが、１μｍ以上であるので、第２，第３導体層２９，３１の表面粗さを大きくすることができ、これにより密着強度も高くすることができる。
さらに、第２導体層２９の厚さがほぼ均一であるので、この第２導体層２９と、第２樹脂絶縁層９を介して形成した第３導体層３１との絶縁間隔が十分に確保されている。従って、上下の導体層間でショート等の電気不良が生じにくい。
【００５９】
次に、上記配線基板１の製造方法について、図を参照しつつ説明する。
まず、コア基板５の両面に銅箔が張られた略板形状の両面銅張のコア基板５を用意し、スルーホール導体用貫通孔１４を所定の位置に複数形成する（図４参照）。次に、公知の手法により、コア基板５の両面の略全面にメッキ層を形成すると共に、スルーホール導体用貫通孔１４の内周面に略筒状のスルーホール導体１５を形成する。その後、スルーホール導体１５内に、エポキシ樹脂等からなるプラグ材１６を形成する。その後、上記メッキ層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層をエッチング除去して、コア基板５上に所定パターンの第１導体層２７を形成する（図４参照）。
【００６０】
次に、第１絶縁層形成工程において、コア基板５及び第１導体層２７等の上に、第１ビア用貫通孔１８を有する第１樹脂絶縁層７を形成する（図４参照）。
具体的には、コア基板５の両面に、感光性エポキシ樹脂等からなるシート状の未硬化樹脂を重ね、加熱処理して半硬化させる。その後、所定パターンのマスクを用いて、半硬化樹脂絶縁層を露光・現像し、さらに、これを加熱・硬化させて、第１ビア用貫通孔１８を有する第１樹脂絶縁層７を形成する。
【００６１】
次に、無電解メッキ工程において、第１樹脂絶縁層７の表面及び第１ビア用貫通孔１８内に、図中に太線で示すように、厚さ約０．７μｍの無電解メッキ層３３を形成する（図４参照）。
その後、メッキレジスト層形成工程において、この無電解メッキ層３３上に所定パターンのメッキレジスト層４１を形成する（図４参照）。
【００６２】
次に、第１電解メッキ工程において、この基板４３に電解メッキを施し、図４に示すように、外部に露出する無電解メッキ層３３、即ち、メッキレジスト層４１から露出する無電解メッキ層３３上に、第１ビア用貫通孔１８が完全にメッキで埋まるまでメッキを形成する。この工程では、メッキ液として、孔を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長するフィルドビア用メッキ液（第１メッキ液）を使用する。
【００６３】
これにより、第１ビア用貫通孔１８がメッキで充填されて第１フィルドビア１９が形成されると共に、この第１フィルドビア１９上及び第１樹脂絶縁層７の表面の無電解メッキ層３３上に、第１電解メッキ層３５が形成される。
第１電解メッキ層３５は、パッド２８の周縁部や配線３０の両縁部となる所が厚さ約１０μｍで、中央部の厚さ約５μｍのよりも厚くなり、少し跳ね上がった形状となる。メッキレジスト層４１の近傍には、フィルドビア用メッキ液中のレベラー（メッキ抑制剤）が集まりにくいからである。但し、前述した従来の第２導体層１２５と比較すると、第１電解メッキ層３５の厚さを薄くしている分だけ、その跳ね上がりは、小さくなっている（図１０及び図１１参照）。
【００６４】
また、第１電解メッキ層３５は、配線やパッド等の配置が密な部分、即ち、メッキレジスト層のパターンが密な部分は、これらが粗な部分に比べて、僅かにメッキ粒子の成長が早く、第１電解メッキ層３５の厚さも厚くなっている。これは、メッキレジスト層４１が密な部分では、フィルドビア用メッキ液中のレベラーを吸着しにくいからである。但し、従来の第２導体層１２５と比較すると、第１電解メッキ層３５の厚さを薄くしている分だけ、場所による厚さの変動も、小さくなっている（図１０及び図１１参照）。
【００６５】
次に、第２電解メッキ工程において、電解メッキを施し、図５に示すように、第１電解メッキ層３５上に第２電解メッキ層３７を形成する。その際、メッキ液としては、第１電解メッキ工程と異なり、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外でメッキが成長するコンフォーマルメッキ液（第２メッキ液）を使用する。
この工程では、およそ１０μｍの厚さの第２電解メッキ層３７が第１電解メッキ層３５上に形成される。第２電解メッキ層３７は、ほぼ均一な厚さで形成されるので、第１電解メッキ層３５に場所による厚さの違いや跳ね上がりなど厚さの変動があっても、第１電解メッキ層３５と第２電解メッキ層３７とを合わせてみれば、従来（図１０及び図１１参照）よりも、厚さの変動が小さくなっている。
【００６６】
次に、第２導体層形成工程において、メッキレジスト層４１を除去し、メッキレジスト層４１に覆われていた無電解メッキ層３３を、エッチングにより除去することで、所定パターンの第２導体層２９を形成する。
上記のように、第１電解メッキ工程では、後に第２電解メッキ層３７を形成する分だけ、薄く第１電解メッキ層３５を形成している。つまり、メッキ成長が場所により異なる第１メッキ液による第１電解メッキ層３５を薄くしているので、第１電解メッキ層３５には、従来のような場所による厚さの違いや部分的な跳ね上がりの影響が少なくなる。そして、第２電解メッキ工程において、第１電解メッキ層３５上に厚さのほぼ均一な第２電解メッキ層３７を形成するので、第２導体層２９全体としてみれば、厚さの変動が小さくなっている。従って、第２導体層２９は、ほぼ均一な厚さで、外観が良好なものとなる。
【００６７】
また、本実施形態では、第１ビア用貫通孔１８がメッキで充填されるまで、即ち、第１ビア用貫通孔１８に第１フィルドビア１９が形成されるまで、第１電解メッキ工程を行っているので、第１電解メッキ層３５のうち第１ビア用貫通孔１８のある部分に凹みがない。従って、この点においても、第２導体層２９は、ほぼ均一な厚さとすることができる。
また、第２電解メッキ層３７の厚さを、約１μｍ以上であり、さらには、約３μｍ以上でもある約１０μｍと厚く形成したので、第１電解メッキ層３５の厚さの変動の影響を少なくし、第２導体層２９の厚さをほぼ均一にすることができる。
【００６８】
次に、粗化工程において、第２導体層２９の表面を、エッチングにより、表面粗さＲａが約０．５μｍとなるように粗化する（図１〜図３参照）。
その際、第２導体層２９の表面付近、即ち、第２電解メッキ層３７は、メッキ粒子が約１〜２μｍと大きく、しかも、ほぼ均一であるので、粗化面にムラができにくく、所望の粗さの均一な粗化面を得ることができる。
また、本実施形態では、第２電解メッキ層３７の厚さを、約１μｍ以上であり、さらには、約３μｍ以上でもある約１０μｍをしたので、この粗化工程で第２導体層２９をエッチング粗化しても、第２電解メッキ層３７が残って第１電解メッキ層３５までは粗化されず、粗化面に粗化ムラが生じにくい。
【００６９】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１樹脂絶縁層形成工程と同様にして、第１樹脂絶縁層７及び第２導体層２９上に、第２ビア用貫通孔２２を有する第２樹脂絶縁層９を形成する。
その際、上記の粗化工程で、第２導体層２９の表面は、ほぼ均一で大きな表面粗さの粗化面となっているので、第２導体層２９と第２樹脂絶縁層９との密着強度の不均一がなく、しかも、密着強度が高い。
【００７０】
この後は、第１樹脂絶縁層７に第１フィルドビア１９や第２導体層２９を形成したのと同様にして、第２樹脂絶縁層９に第２フィルドビア２３や第３導体層３１を形成する。即ち、無電解メッキ工程、メッキレジスト層形成工程、第１電解メッキ工程、第２電解メッキ工程、第３導体層形成工程、及び、粗化工程を順次行う。
その後、ソルダーレジスト層形成工程において、第２樹脂絶縁層９及び第３導体層３１上に、パッド用開口２５を有するソルダーレジスト層１１を形成する。
具体的には、第２樹脂絶縁層９及び第３導体層３１上に、半硬化のソルダーレジスト層を形成し、開口に対応した所定パターンのマスクを用いて露光し、現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、開口２５を有するソルダーレジスト層１１を形成する。
【００７１】
このように、第２フィルドビア２３及び第３導体層３１は、第１フィルドビア１９や第２導体層２９の形成方法に準じて形成しているので、これらと同様な効果を得ることができる。
さらには、第３導体層３１を形成したときに、第２導体層２９は、厚さがほぼ均一で跳ね上がり等の凸部がないので、第２導体層２９と第３導体層３１との絶縁間隔は、全体にわたり十分に確保されている。従って、これらの上下の導体層間でショート等の電気不良が生じにくい。
【００７２】
ソルダーレジスト層１１を形成した後は、Ｎｉ−Ａｕメッキ工程において、ソルダーレジスト層１１から露出するパッド３２等に、酸化防止のため、Ｎｉメッキ層を形成し、さらにその上にＡｕメッキ層を形成する。
このようにして、配線基板１が完成する。なお、ソルダーレジスト層１１から露出するパッド３２にハンダなどでピンを立設したり、あるいはハンダバンプを形成してもよい。
【００７３】
（実施形態２）
次いで、第２の実施形態について、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板の構造は、上記実施形態１の配線基板１と同様である。しかし、その製造方法については、上記実施形態１では、いわゆるセミアディティブ法で第２，３導体層２９，３１等を形成しているのに対し、本実施形態では、いわゆるサブトラクティブ法によって第２，３導体層２９，３１等を形成している点が異なる。その他の部分は、上記実施形態１と同様であるので、同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
【００７４】
本実施形態では、以下のようにして配線基板１を製造する。
即ち、上記実施形態１と同様にして、第１ビア用貫通孔１８を有する第１樹脂絶縁層７まで形成した基板４３を用意する（図５参照）。そして、無電解メッキ工程において、第１樹脂絶縁層７の表面及び第１ビア用貫通孔１８内に、無電解メッキ層３３を形成する。
【００７５】
次に、上記実施形態１とは異なり、メッキレジスト層を形成することなく、第１電解メッキ工程を行う。即ち、図６に示すように、図中に太線で示す無電解メッキ層３３が略全面に露出した基板４３に電解メッキを施し、第１ビア用貫通孔１８がメッキで完全に埋まるまでメッキを形成する。なお、メッキ液は、上記実施形態１と同様に、フィルドビア用メッキ液（第１メッキ液）を使用する。
これにより、第１ビア用貫通孔１８がメッキで充填されて第１フィルドビア１９が形成されると共に、この第１フィルドビア１９上及び第１樹脂絶縁層７の表面の無電解メッキ層３３上に、略全面に厚さ約１０μｍの第１電解メッキ層５５が形成される。この第１電解メッキ層５５は、基板４３の略全面に形成されているので、上記実施形態１のような跳ね上がりは見られないが、電解メッキ用の電極と接続点付近など、電流密度が相対的に異なる場所で、若干厚さの変動が見られることがある。但し、第１電解メッキ層５５は、後に第２電解メッキ層５７を形成する分だけ薄くしているので、その厚さの変動も、従来の第２導体層１２５と比べると、小さなものとなっている（図１０及び図１１参照）。
【００７６】
次に、第２電解メッキ工程において、図６に示すように、上記実施形態１と同様なコンフォーマルメッキ液（第２メッキ液）を用いて電解メッキを施し、第１電解メッキ層５５上に第２電解メッキ層５７を形成する。この工程では、およそ１０μｍの厚さの第２電解メッキ層５７が第１電解メッキ層５５上に形成されるが、上記実施形態１と異なり、基板４３の略全面に形成される。
なお、この第２電解メッキ層５７は、全体にわたりほぼ均一な厚さで形成されるので、第１電解メッキ層５５に厚さの変動ができたとしても、メッキ層全体としてみれば、ほぼ均一な厚さとなる。
【００７７】
次に、第２導体層形成工程において、図７に示すように、第２電解メッキ層５７上に所定パターンのエッチングレジスト層５９を形成し、このエッチングレジスト層５９から露出する第２電解メッキ層５７、並びに、その下の第１電解メッキ層５５及び無電解メッキ層３３を、エッチングにより除去する。
これにより、所定パターンの第２導体層２９が形成されるので、その後、エッチングレジスト層５９を除去する。
【００７８】
上記のように、第１電解メッキ工程では、後に第２電解メッキ層５７を形成する分だけ、薄く第１電解メッキ層５５を形成している。しかも、略全面に第１電解メッキ層を形成している。このため、従来のような場所による厚さの違い等の影響は少ない。そして、第２電解メッキ工程において、第１電解メッキ層５５上に厚さのほぼ均一な第２電解メッキ層５７を形成するので、第２導体層２９全体としてみれば、厚さの変動が小さくなっている。従って、第２導体層２９は、ほぼ均一な厚さで、外観が良好なものとなる。
【００７９】
また、上記実施形態１と同様に、第１ビア用貫通孔１８がメッキで充填されるまで、第１電解メッキ工程を行っているので、第１電解メッキ層５５のうち第１ビア用貫通孔１８のある部分に凹みがなく、第２導体層２９は、ほぼ均一な厚さとなる。
また、第２電解メッキ層５７の厚さを、約１μｍ以上であり、さらには、約３μｍ以上でもある約１０μｍと厚く形成したので、第１電解メッキ層５５の厚さの変動の影響を少なくし、第２導体層２９の厚さをほぼ均一にすることができる。
【００８０】
これ以後は、上記実施形態１または上述した本実施形態の工程を行い、配線基板１を製造していく。即ち、上記実施形態１と同様に、粗化工程、第２樹脂絶縁層形成工程を行い、第２樹脂絶縁層９を形成する。
その後、本実施形態で説明したように、無電解メッキ工程、第１電解メッキ工程、第２電解メッキ工程、及び、第３導体層形成工程を順に行い、第３導体層３１を形成する。
次に、上記実施形態１と同様に、粗化工程、ソルダーレジスト形成工程、及び、Ｎｉ−Ａｕメッキ工程を行えば、配線基板１が完成する。
なお、本実施形態では記載を省略したが、本実施形態の配線基板１の構造は、上記実施形態と同様であるので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。また、製造方法についても、上記実施形態と同様な工程については、上記実施家位置と同様な効果を得ることができる。
【００８１】
以上において、本発明を実施形態１，２に即して説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態１，２では、第２導体層２９の第１電解メッキ層３５のうちパッド２８や配線３０の中央部を中心に微細なメッキ粒子が偏在しているものについて示したが、微細なメッキ粒子の存在場所は、第１電解メッキ工程のメッキ条件（メッキ液の組成やメッキ時間等）により異なる場合がある。
例えば、第１電解メッキ層３５を上記実施形態よりもさらに薄く形成すれば、パッド２８の中央部には、第１フィルドビア１９と同様に大きなメッキ粒子が形成されることがある。この場合、中央部の周りに微細な粒子が形成され、さらにその周り（周縁部）に、上記実施形態のように大きな粒子が形成される。
しかし、このようにメッキ粒子の偏在場所が異なっても、本発明を適用することで、第２導体層２９の厚さをほぼ均一にすることができるなど、上記各実施形態１，２と同様な効果を得ることができる。
【００８２】
また、上記実施形態２では、第１電解メッキ工程後、引き続いて第２電解メッキ工程を行ったが、第１電解メッキ工程後、第２電解メッキ工程前に、第１電解メッキ層５５をエッチングして薄くしても良い。このようにすれば、第１電解メッキ層５５が場所により厚かったり薄かったり、あるいは、跳ね上がりがあったとしても、第１電解メッキ層５５による導体層の厚さの変動に対する影響を小さくすることができる。従って、第２導体層２９を、さらに確実に均一な厚さとすることができる。また、第１電解メッキ層の表面を研磨して平坦にしても良い。研磨により平坦にすれば、第２導体層２９の厚さ変動を確実に解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【図２】  実施形態１に係る配線基板のうち、フィルドビア及び第２導体層のパッド付近の部分拡大断面図である。
【図３】  実施形態１に係る配線基板のうち、第２導体層の配線付近の部分拡大断面図である。
【図４】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、第１メッキ液により電解メッキを施した後の様子を示す説明図である。
【図５】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、第２メッキ液により電解メッキを施した後の様子を示す説明図である。
【図６】  実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、第２メッキ液により電解メッキを施した後の様子を示す説明図である。
【図７】  実施形態２に係る配線基板の製造方法に関し、エッチングにより第２導体層を形成した様子を示す説明図である。
【図８】  従来技術に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【図９】  従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、フィルドビア及び電解メッキ層を形成した様子を示す説明図である。
【図１０】  従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、フィルドビア及び電解メッキ層をを形成した基板のうち、フィルドビア及び第２導体層のパッド付近の部分拡大断面図である。
【図１１】  従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、フィルドビア及び電解メッキ層を形成した基板のうち、第２導体層の配線付近の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１      配線基板
５      コア基板
７      第１樹脂絶縁層
９      第２樹脂絶縁層
１１    ソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）
１９    第１フィルドビア
２３    第２フィルドビア
２７    第１導体層
２９    第２導体層
３３    無電解メッキ層
３５    （第２導体層の）第１電解メッキ層
３７    （第２導体層の）第２電解メッキ層
３１    第３導体層
３８    （第３導体層の）第１電解メッキ層
３９    （第３導体層の）第２電解メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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