(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台に設けられた支持部材に基板を支持させた状態で，前記載置台からの輻射熱により当該基板を加熱処理する処理装置において，
前記支持部材は，基板を支持する支持部と，該支持部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており，
前記基台部には，該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り付け自在な固定孔と，該固定孔に前記支持部を案内する誘導溝とが設けられたことを特徴とする，処理装置。
【請求項２】
前記支持部は，直径が１ｍｍ以下の柱形状をなすことを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記支持部は，熱伝導性の低い材質で形成されたことを特徴とする，請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記基台部は，前記載置台と同一の材質で形成されたことを特徴とする，請求項１，２または３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記基台部の表面は，前記載置台の表面と同色となるように形成されたことを特徴とする，請求項１，２，３または４に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハ等の基板を載置台で加熱処理する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては，ＬＣＤ基板の表面に，例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は，ＬＣＤ基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布工程と，形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理工程と，露光処理後のＬＣＤ基板に現像液を供給する現像処理工程とを有している。
【０００３】
これらの処理工程のうち，レジスト塗布工程と露光処理工程との間では，レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてＬＣＤ基板とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱処理工程が行われている。そして，かかる工程の際に使用される加熱処理装置にはＬＣＤ基板を所定の温度に加熱可能な加熱載置台が備えられており，加熱載置台には通常，ＬＣＤ基板を支持するプロキシミティピンが取り付けられている。
【０００４】
プロキシミティピン１００は図１０に示すように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部１０１を有しており，支持部１０１は先端部が滑らかな球面状及び円錐状に形成されている。かかるプロキシミティピン１００がＬＣＤ基板Ｇを支持した際には，図１１に示すように，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台１０３との間に例えば０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間が形成される。そして，この隙間を伝わる加熱載置台１０３からの輻射熱によりＬＣＤ基板Ｇに対する所定の加熱処理が行われてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来では支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が必要となる場合があり，支持部材の肥大化，複雑化を招くおそれがあった。また支持部１０１の形状により輻射熱が遮られる場合があり，上記輻射熱が図１２の矢印で示すようにＬＣＤ基板Ｇの全面に対して均一に伝わらないことがあった。その結果として，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部１０１の転写跡が残ってしまい，歩留まりの低下を引き起こす場合があった。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みて成されたものであり，支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要な処理装置を提供する。そして基板に対する均一な加熱処理が可能な新しい処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，請求項１に記載の処理装置は，載置台に設けられた支持部材に基板を支持させた状態で，前記載置台からの輻射熱により当該基板を加熱処理する処理装置において，前記支持部材は，基板を支持する支持部と，該支持部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており，前記基台部には，該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り付け自在な固定孔と，該固定孔に前記支持部を案内する誘導溝とが設けられたことを特徴としている。
【０００８】
かかる構成によれば，支持部を固定孔に嵌入させることにより，支持部を固定孔にしっかりと固定することができる。従って，支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要となり，支持部材の肥大化，複雑化を防止することが可能となる。
この際，載置台から基板に対する輻射熱の伝搬を妨げにくくするためには，請求項２のように，前記支持部の直径を１ｍｍ以下の柱形状に形成するとよい。
【０００９】
また請求項３の発明は，請求項１または２に記載の処理装置において，前記支持部は，熱伝導性の低い材質で形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば，支持部の熱伝導性が低いために，載置台の熱が支持部を通じて基板に伝わることを抑制することができる。従って，基板と支持部との接触部分には熱が過剰に供給されないために，基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。その結果，支持部の転写跡が基板上に残ることをより確実に抑制することが可能となる。
【００１０】
請求項４の発明は，請求項１，２または３に記載の処理装置において，前記基台部は，前記載置台と同一の材質で形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば，載置台からの輻射熱の熱量と，基台部からの輻射熱の熱量とがより等しくなる。従って，基板の全面に輻射熱をより均等に行き渡らせることができる。その結果，基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【００１１】
請求項５の発明は，請求項１，２，３または４に記載の処理装置において，前記基台部の表面は，前記載置台の表面と同色となるように形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば，載置台および基台部からそれぞれ発せられる熱量がより等しくなるために，基板の全面に対して輻射熱をより均等に行き渡らせることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態は，塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置として具体化されている。なお，図１は塗布現像処理装置の斜視図を，図２は塗布現像処理装置の平面図をそれぞれ示している。
【００１４】
塗布現像処理装置１は図１，２に示すように，例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入出するローダ部２と，ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設された第２の処理部５と，この第２の処理部５と例えば露光装置（図示せず）との間でＬＣＤ基板Ｇを授受するためのインターフェイス部７から構成されている。
【００１５】
ローダ部２にはカセット載置台１０が設けられており，このカセット載置台１０には，例えば未処理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処理済みのＬＣＤ基板Ｇが収納されるカセット１２，１２とがＬＣＤ基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて一列に載置自在である。またローダ部２には，ＬＣＤ基板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
【００１６】
副搬送装置１３は搬送レール１３ａに沿った方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内のＬＣＤ基板Ｇの収納方向（Ｚ方向）に移動自在であり，かつθ方向にも回転自在となるように構成されている。そして，副搬送装置１３はＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台１４に対してもアクセス可能となるように構成されている。
【００１７】
第１の処理部３には，ＬＣＤ基板Ｇに対して所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置１７と，ＬＣＤ基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側には紫外線オゾン洗浄装置１９と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却処理する冷却処理装置２０，２１と，ＬＣＤ基板Ｇを加熱処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されている。これら各種の処理装置に対するＬＣＤ基板Ｇの搬入出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａにより行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイス部４には，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３が備えられている。
【００１８】
第２の処理部５には，主搬送装置２５の搬送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置３０とが多段に配置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処理部５に属する各種処理装置にＬＣＤ基板Ｇを搬入出する搬送アーム２５ａが装備されている。
【００１９】
インターフェイス部７には塗布現像処理装置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するために，ＬＣＤ基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセット３１，３１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，露光装置（図示せず）に対してＬＣＤ基板Ｇを搬送自在な副搬送装置３３とが装備されている。
【００２０】
塗布現像処理装置１は以上のように構成されている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加熱処理装置３０について説明する。
【００２１】
加熱処理装置３０には図３に示すように，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａにより搬入されたＬＣＤ基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されている。この処理室４０には，ＬＣＤ基板Ｇを加熱する発熱体４１を内蔵した矩形状の加熱載置台４２が備えられている。加熱載置台４２はアルミニューム等の材質で形成されており，加熱載置台４２の外周側には当該加熱載置台４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられている。
【００２２】
シャッタ４３は昇降シリンダ４４の作動により上下動自在であり，シャッタ４３が上昇した際には，シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバー４６から垂下したストッパ４７とが接触して，処理室４０内が気密に維持されるように構成されている。また，ストッパ４７には給気口（図示せず）が設けられており，この給気口（図示せず）から処理室４０内に流入した空気は上記排気口４５から排気されるように構成されている。なお，かかる給気口（図示せず）から流入された空気は処理室４０内のＬＣＤ基板Ｇに直接触れないために，ＬＣＤ基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理することができるように構成されている。
【００２３】
また，処理室４０内にはＬＣＤ基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８はモータ４９の駆動で上下動自在に形成されており，ＬＣＤ基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができるように形成されている。また，この状態から昇降ピン４８を下降させると，ＬＣＤ基板Ｇは実線で示すように加熱載置台４２上に載置される。この際，ＬＣＤ基板Ｇはプロキシミティピン５１上に支持される。
【００２４】
プロキシミティピン５１は図４，５に示すように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部５２と，この支持部５２を固定可能な環状の基台部５３とから構成されている。
【００２５】
支持部５２は例えば直径１ｍｍ以下の柱形状に形成されており，フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質から構成されている。そして支持部５２の上端は滑らかな曲面に形成されており，支持部５２とＬＣＤ基板Ｇとの接触面積が極力小さくなるように構成されている。
【００２６】
基台部５３は上記加熱載置台４２と同じ材料で構成されており，加熱載置台４２に設けられた凹部（図示せず）に取り付けられている。そして，加熱載置台４２および基台部５３の各表面は同色となるように形成されており，加熱載置台４２から発せられる輻射熱の熱量と，基台部５３から発せられる輻射熱の熱量とが等しくなるように形成されている。
【００２７】
さらに基台部５３には図６に示すように，上記支持部５２の基端部を取り付け自在な円形状の固定孔５４と，上記支持部５２を固定孔５４に誘導する誘導溝５５とが形成されている。この固定孔５４は基台部５３の略中央部に設けられており，固定孔５４の直径は支持部５２の直径と等しくなるように形成されている。
【００２８】
そして，ＬＣＤ基板Ｇが支持部５２に支持された際には，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台４２との間に，例えば０．２〜０．３ｍｍの隙間，いわゆるプロキシミティギャップが形成されるように構成されている。
【００２９】
本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置３０は以上のように構成されている。次に，加熱処理装置３０の作用，効果について説明する。
【００３０】
カセット載置台１０上に未処理のＬＣＤ基板Ｇを収納したカセット１１が載置されると，副搬送装置１３がカセット１１にアクセスしてＬＣＤ基板Ｇを１枚抜き取る。次いで，副搬送装置１３はローダ部２に装備された受け渡し台１４までこのＬＣＤ基板Ｇを搬送し，このＬＣＤ基板Ｇを受け渡し台１４上に受け渡す。
【００３１】
次いで，ＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５の搬送アーム１５ａに保持された状態で紫外線オゾン洗浄装置１９に搬送され，ＬＣＤ基板Ｇに付着した有機汚染物が除去される。その後，かかるオゾン洗浄が終了したＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５でスクラバ洗浄装置１７に搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後，再び搬送アーム１５ａに支持された状態で受け渡し台２３に搬送される。
【００３２】
受け渡し台２３に受け渡されたＬＣＤ基板Ｇは，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａに保持された状態で疎水化処理装置２８に搬送される。そして，疎水化処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは，再び搬送アーム２５ａに保持された状態で塗布・周縁部除去装置２７に搬送される。
【００３３】
この塗布・周縁部除去装置２７で表面にレジスト膜が形成されると共に，周縁部の不要なレジスト膜が除去される。その後，ＬＣＤ基板Ｇは搬送アーム２５ａに保持された状態で加熱処理装置３０に搬送される。
【００３４】
この際，ＬＣＤ基板Ｇは図７に示すように，下降したシャッタ４３の上方から搬送アーム２５ａと共に処理室４０内に進入し，１点鎖線で示す上昇した昇降ピン４８上に支持される。そして，搬送アーム２５ａを処理室４０から退出させた後にシャッタ４３を上昇させて処理室４０内を気密にする。その後，ＬＣＤ基板Ｇを昇降ピン４８と共に図８の１点鎖線で示した位置から実線の位置まで下降させて，ＬＣＤ基板Ｇをプロキシミティピン５１上に支持させる。プロキシミティピン５１上に支持されたＬＣＤ基板Ｇは，加熱載置台４２および基台部５３からの輻射熱で加熱処理される。
【００３５】
かかる加熱処理が終了した後は，昇降ピン４８が上昇すると共にシャッタ４３が下降する。次いで，処理室４０内に進入した搬送アーム２５ａが昇降ピン４８からＬＣＤ基板Ｇを受け取り，その後，このＬＣＤ基板Ｇと共に処理室４０内から退出する。
【００３６】
その後，このＬＣＤ基板Ｇは搬送アーム２５ａに保持された状態で受け渡し台３２まで搬送され，受け渡し台３２上に受け渡される。そして，受け渡し台３２上のＬＣＤ基板Ｇは今度は副搬送装置３３で露光装置（図示せず）に搬送された後に所定の露光処理が施される。
【００３７】
本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置３０では，プロキシミティピン５１の支持部５２の形状を従来よりも細く形成している。従って，ＬＣＤ基板Ｇに対して与えられる輻射熱のうち，支持部５２で遮られる輻射熱が減少する。その結果，このＬＣＤ基板Ｇには図９の矢印で示すように，輻射熱が均等に行き渡るために，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部５２の転写跡が残ることを従来よりも抑制することが可能となる。
【００３８】
また，基台部５３は加熱載置台４２と同一の材料で形成されており，加熱載置台４２の表面と基台部５３の表面とは各々同色となるように形成されている。従って，加熱載置台４２からの輻射熱の熱量と，基台部５３からの輻射熱の熱量とが等しくなるために，ＬＣＤ基板Ｇに対して均一な輻射熱を与えることができる。その結果，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一な加熱処理が可能となる。
【００３９】
また，支持部５２はフッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質で形成されているために，基台部５３の熱が支持部５２を通じてＬＣＤ基板Ｇに伝わることが抑制される。その結果，ＬＣＤ基板Ｇと支持部５２との接触部分に過剰な熱が供給されないために，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【００４０】
そして，支持部５２と固定孔５４の各直径が等しくなるように形成されているために，支持部５２を固定孔５４に嵌入させた際には，支持部５２が基台部５３にしっかりと固定される。従って，固定孔５４にはフランジ等の別設した固定孔材が不要となり，プロキシミティピン５１の複雑化や肥大化を防止することが可能となる。
【００４１】
なお，上記の実施の形態では加熱処理装置２２を例に挙げて説明したが，本発明はこのような例に限定されず，プロキシミティピンを備えた他の処理装置，例えば疎水化処理装置等についても適用が可能である。また，使用する基板もＬＣＤ基板Ｇに限らず，本発明はＣＤ基板や半導体ウェハ等に対しても適用が可能である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば，支持部は固定孔に嵌入された状態で固定されるために，支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要である。従って，支持部材の複雑化や肥大化を防止することが可能となる。また支持部で遮られる輻射熱が従来よりも少なくなるために，基板に対して均一な輻射熱を与えることができる。従って，基板に対して均一な加熱処理を施すことができ，結果的に支持部の転写跡が基板上に残ることを従来よりも抑制することが可能となる。
【００４３】
特に請求項３によれば，支持部と基板との接触部分に過剰な熱が供給されないために，基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【００４４】
特に請求項４，５によれば，基台部からの輻射熱の熱量と，載置台からの輻射熱の熱量とがより等しくなるために，基板に対してより均一な輻射熱を与えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置を有する塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の断面図である。
【図４】図３の加熱処理装置に具備されたプロキシミティピンの外観を示す斜視図である。
【図５】図４のプロキシミティピンにＬＣＤ基板が支持された様子を示す断面図である。
【図６】図４のプロキシミティピンの基台部に設けられた誘導溝と固定孔とを示す斜視図である。
【図７】図３の加熱処理装置にＬＣＤ基板が搬入される様子を示す断面図である。
【図８】図７のＬＣＤ基板が加熱載置台に載置される様子を示す断面図である。
【図９】図８のＬＣＤ基板に対して輻射熱が伝わる様子を示す断面図である。
【図１０】従来のプロキシミティピンの外観を示す説明図である。
【図１１】従来のプロキシミティピンにＬＣＤ基板が支持された様子を示す断面図である。
【図１２】図１１のＬＣＤ基板に対して輻射熱が伝わる様子を示す断面図である。
【符号の説明】
１  塗布現像処理装置
１５，２５  主搬送装置
３０  加熱処理装置
４２  加熱載置台
５１  プロキシミティピン
５２  支持部
５３  基台部
５４  固定孔
５５  誘導溝
【図１】
0003822752.tif 000002
【図２】
0003822752.tif 000003
【図３】
0003822752.tif 000004
【図４】
0003822752.tif 000005
【図５】
0003822752.tif 000006
【図６】
0003822752.tif 000007
【図７】
0003822752.tif 000008
【図８】
0003822752.tif 000009
【図９】
0003822752.tif 000010
【図１０】
0003822752.tif 000011
【図１１】
0003822752.tif 000012
【図１２】
0003822752.tif 000013