(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
半導体基板の裏面における、該基板を加熱するための熱輻射に対する反射率をその部分領域によって異なるものとし、サセプターからの熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、前記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の全面と接触して、該半導体基板を受け入れ、支持するための基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の周縁部と接触して該半導体基板を受け入れ、支持するための第１の凹部と、該第１の凹部の内側に形成され、その表面が空間を介在して上記半導体基板裏面の上記周縁部以外の領域に相対し、その表面からの熱輻射により上記半導体基板を加熱するための第２の凹部とからなる基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
半導体基板の裏面のある部分領域に熱伝導率の高い材料からなる伝熱膜を形成し、該伝熱膜が形成された部分領域とサセプター表面とを接触させ、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
上記半導体基板の裏面には、凹部が形成されており、
その厚さが上記凹部の深さ以上である上記伝熱膜が、上記半導体基板の裏面の上記凹部内のある部分領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
基板厚が薄い第１の部分領域と、その基板厚が厚い第２の部分領域を有する半導体基板の裏面における、上記第２の部分領域のみをサセプターの表面に接触させ、上記第１の部分領域は、サセプターの表面に直接接触しないようにし、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面の上記第１の部分領域の温度より上記第２の部分領域の温度を高くする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
その面が微細な凹凸を有する面である第１の部分領域と、その面が平坦な面である第２の部分領域を有する半導体素子の裏面における、熱輻射に対する反射率が、上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とにおいて同じであり、上記半導体素子の裏面全体をサセプターの表面に接触させ、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板裏面の上記第１の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度より上記半導体基板裏面の上記第２の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度を高くする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
半導体基板より小さい領域に凹部が設けられたサセプターによって、上記半導体基板の裏面と上記凹部内の該サセプター表面とが接触せず、且つ上記凹部が上記半導体基板により覆われた状態で上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板の表面の温度を上記サセプター凹部に対応する部分領域より、該凹部以外のサセプター表面に接触している上記半導体基板裏面の部分領域に対応する部分領域において高くなるようにする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、
第１の部分と該部分を構成する材料より熱伝導率の高い材料で構成される第２の部分を含むサセプターによって、上記半導体基板の裏面の全面と上記サセプターの表面とが接触するように上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面における上記サセプターの第１の部分に対応する部分領域の温度より上記サセプターの第２の部分に対応する部分領域の温度を高くする工程と、
上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、
上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、
上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体装置の製造方法，及び半導体装置に関し、特に同一半導体基板上にレーザ素子と光変調器とを集積化する半導体装置の製造方法，及びそれにより製造される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
オプトエレクトロニクス用を始めとした各種システムの高度化、高機能化に伴い、それらに用いられる半導体装置には高集積化が要求されている。このような半導体装置の一つに、レーザ素子と光変調器を同一半導体基板上に集積化した変調器付き半導体レーザがある。この半導体装置では、別々に作製したレーザ素子と光変調器の光導波路を接続する必要があり、これには様々な困難が伴う。
【０００３】
そのため、エレクトロニクスレターズ（Electronics Letters ）２８巻２号（１９９２年）１５３項に示されているような、レーザ素子と光変調器の光導波路を構成する半導体層の成長を同時に行い、それぞれの光導波路を一体として形成する方法が提案されている。このような方法の例について次に説明する。
まず、図１７(a) に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１上のレーザ素子を形成すべき領域１５の両脇の領域にＳｉＯ2 膜４０を形成し、このＳｉＯ2 膜４０が形成された領域以外の領域にレーザ素子及び光変調器の光導波路を構成するｎ型ＩｎＰクラッド層２，多重量子井戸（ＭＱＷ；Multi Quantum-well）構造活性層３，ｐ型ＩｎＰクラッド層４を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により選択成長させる。この際、上記のＳｉＯ2 膜４０に挟まれた領域１５における半導体層の成長速度は、この領域以外の領域における成長速度より大きくなる。このため、これらの半導体層を成長させた後の図１７(a) のＡ- Ａ' における断面は、図１７(b) に示すようになり、レーザ素子を形成すべき領域１５における半導体層の厚さは、変調器を形成すべき領域１６における半導体層の厚さより厚くなる。従って、レーザ素子におけるＭＱＷ活性層の量子井戸層の厚さは、光変調器におけるそれより厚くなり、この量子井戸の伝導帯における基底準位と価電子帯における基底準位の間のエネルギー差は、レーザ素子より光変調器において大きくなる。従って、光変調器の電極間に印加する電圧がゼロの場合は、レーザ素子で発振された光は、光変調器で吸収されることはない。ここで目的とする光変調器付き半導体レーザを得るためには、この量子井戸層の厚さは、光変調器に適当な逆バイアス電圧を印加した場合に、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ；Quantum-Confinement Stark Effect）によって、レーザ素子からの光を光変調器で吸収できるような厚さに制御される必要がある。レーザ素子の半導体層の成長速度は、上記のＳｉＯ2 膜４０の間隔と各ＳｉＯ2 膜４０の幅によって変えることができるため、上記のように量子井戸層の厚さを制御することは可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の変調器付き半導体レーザ装置において、光変調器における光の吸収効率を向上させるためには、ＭＱＷ活性層の量子井戸の伝導帯における基底準位と価電子帯における基底準位の間のエネルギー差を小さくする方が有利である。そのためには上記量子井戸層が厚い方が良いが、前述のように光変調器の量子井戸層の厚さをレーザ素子の量子井戸層の厚さより厚くすることはできない。このため変調器における上記エネルギー差をレーザ素子におけるそれにできるだけ近い値にすることが望ましい。しかし、この井戸層の厚さの精密な制御は、上記のような選択成長法を用いる限り困難であり、変調器における上記のエネルギー差は、上記の量子井戸層の層厚のバラツキを考慮して、レーザ素子におけるそれより一定程度大きくしておく必要がある。これが変調器における光吸収効率の限界を決定する。従って、変調器における消光比である，（バイアス電圧がゼロの状態の透過光／逆バイアス電圧が印加された状態の透過光）、を向上させることが困難である。
【０００５】
また、図１７(b) に示されているように、成長後の半導体層の表面にはレーザ素子領域と変調器領域の間で段差が生じ、これによりこの後の製造工程を安定なものとすることができない。
【０００６】
さらに、量子井戸層の厚さにより、レーザ素子の発振光の波長と、変調器の吸収光の波長範囲の両方を制御しなくてはならないため、レーザ装置の設計の自由度が小さいという問題がある。
【０００７】
この発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、光変調器の消光比を向上でき、安定な製造工程により作製でき、さらに設計の自由度の大きい、光変調器と半導体レーザ素子を同一基板上に集積化した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。またこの発明は上記半導体装置の製造方法により製造される半導体装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面における、該基板を加熱するための熱輻射に対する反射率をその部分領域によって異なるものとし、サセプターからの熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【０００９】
また、この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造方法は、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の全面と接触して、該半導体基板を受け入れ、支持するための基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているものである。
【００１０】
また、この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造方法は、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の周縁部と接触して該半導体基板を受け入れ、支持するための第１の凹部と、該第１の凹部の内側に形成され、その表面が空間を介在して上記半導体基板裏面の上記周縁部以外の領域に相対し、その表面からの熱輻射により上記半導体基板を加熱するための第２の凹部とからなる基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているものである。
【００１１】
また、この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面のある部分領域に熱伝導率の高い材料からなる伝熱膜を形成し、該伝熱膜が形成された部分領域とサセプター表面とを接触させ、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【００１２】
また、この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造方法は、上記半導体装置の製造方法（請求項４）において、上記半導体基板の裏面には、凹部が形成されており、その厚さが上記凹部の深さ以上である上記伝熱膜が、上記半導体基板の裏面の上記凹部内のある部分領域に形成されているものである。
【００１３】
また、この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、基板厚が薄い第１の部分領域と、その基板厚が厚い第２の部分領域を有する半導体基板の裏面における、上記第２の部分領域のみをサセプターの表面に接触させ、上記第１の部分領域は、サセプターの表面に直接接触しないようにし、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面の上記第１の部分領域の温度より上記第２の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【００１４】
また、この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、その面が微細な凹凸を有する面である第１の部分領域と、その面が平坦な面である第２の部分領域を有する半導体素子の裏面における、熱輻射に対する反射率が、上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とにおいて同じであり、上記半導体素子の裏面全体をサセプターの表面に接触させ、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板裏面の上記第１の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度より上記半導体基板裏面の上記第２の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【００１５】
また、この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板より小さい領域に凹部が設けられたサセプターによって、上記半導体基板の裏面と上記凹部内の該サセプター表面とが接触せず、且つ上記凹部が上記半導体基板により覆われた状態で上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板の表面の温度を上記サセプター凹部に対応する部分領域より、該凹部以外のサセプター表面に接触している上記半導体基板裏面の部分領域に対応する部分領域において高くなるようにする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【００１６】
また、この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、第１の部分と該部分を構成する材料より熱伝導率の高い材料で構成される第２の部分を含むサセプターによって、上記半導体基板の裏面の全面と上記サセプターの表面とが接触するように上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面における上記サセプターの第１の部分に対応する部分領域の温度より上記サセプターの第２の部分に対応する部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むものである。
【００４３】
【作用】
この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面における、該基板を加熱するための熱輻射に対する反射率をその部分領域によって異なるものとし、サセプターからの熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００４４】
また、この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造方法では、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の全面と接触して、該半導体基板を受け入れ、支持するための基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているから、上記半導体基板裏面の上記反射率の低い部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域ほどその温度を高くすることができる。
【００４５】
また、この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造方法では、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の周縁部と接触して該半導体基板を受け入れ、支持するための第１の凹部と、該第１の凹部の内側に形成され、その表面が空間を介在して上記半導体基板裏面の上記周縁部以外の領域に相対し、その表面からの熱輻射により上記半導体基板を加熱するための第２の凹部とからなる基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているから、上記半導体基板裏面の上記反射率の低い部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域ほどその温度を高くすることができる。また、この際、サセプターの上記基板支持凹部内の第２の凹部領域においては、上記半導体基板裏面が上記サセプター表面に接触することによる熱伝導は生じないため、上記の半導体基板裏面の熱輻射に対する反射率の違いによる温度差が、上記の半導体装置の製造方法（請求項１３）におけるサセプターを用いた場合より大きくなる。
【００４６】
また、この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面のある部分領域に熱伝導率の高い材料からなる伝熱膜を形成し、該伝熱膜が形成された部分領域とサセプター表面とを接触させ、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００４７】
また、この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造方法では、上記半導体装置の製造方法（請求項４）において、上記半導体基板の裏面には、凹部が形成されており、その厚さが上記凹部の深さ以上である上記伝熱膜が、上記半導体基板の裏面の上記凹部内のある部分領域に形成されているので、上記伝熱膜が形成された部分領域の方が、それ以外の部分領域よりサセプターからの熱伝導による熱の流れが大きくなり、これにより上記裏面の上記伝熱膜が形成された部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度をそれ以外の部分領域の温度より高くすることができる。基板内における熱伝導は、基板面に垂直な方向のみでなく、横方向にも生じるから、上記伝熱膜を形成した領域と、それ以外の領域の境界においては、これら二つの領域の温度の中間の温度を有する遷移領域ができる。基板表面におけるこの遷移領域の幅は、基板厚が厚いほど広くなる。基板表面に半導体素子を形成するに際しては、この遷移領域の幅は狭い方が望ましいが、そのために基板全体の厚さを薄くすると、基板の機械的強度が低下し、半導体装置の製造工程が不安定なものとなる。しかし、上記のように半導体基板裏面の一定領域にのみ凹部を設けるようにすることにより、この領域でのみ基板厚を薄くし、これ以外の領域においては、基板厚を厚くしておくことができ、基板の機械的強度の低下を抑制しながら、上記遷移領域の幅を狭めることができる。
【００４８】
また、この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、基板厚が薄い第１の部分領域と、その基板厚が厚い第２の部分領域を有する半導体基板の裏面における、上記第２の部分領域のみをサセプターの表面に接触させ、上記第１の部分領域は、サセプターの表面に直接接触しないようにし、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面の上記第１の部分領域の温度より上記第２の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００４９】
また、この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、その面が微細な凹凸を有する面である第１の部分領域と、その面が平坦な面である第２の部分領域を有する半導体素子の裏面における、熱輻射に対する反射率が、上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とにおいて同じであり、上記半導体素子の裏面全体をサセプターの表面に接触させ、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板裏面の上記第１の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度より上記半導体基板裏面の上記第２の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００５０】
また、この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板より小さい領域に凹部が設けられたサセプターによって、上記半導体基板の裏面と上記凹部内の該サセプター表面とが接触せず、且つ上記凹部が上記半導体基板により覆われた状態で上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板の表面の温度を上記サセプター凹部に対応する部分領域より、該凹部以外のサセプター表面に接触している上記半導体基板裏面の部分領域に対応する部分領域において高くなるようにする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００５１】
また、この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造方法では、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、第１の部分と該部分を構成する材料より熱伝導率の高い材料で構成される第２の部分を含むサセプターによって、上記半導体基板の裏面の全面と上記サセプターの表面とが接触するように上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面における上記サセプターの第１の部分に対応する部分領域の温度より上記サセプターの第２の部分に対応する部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むことから、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００７８】
【実施例】
実施例１．
この発明の第１の実施例について説明する。
図１は本実施例１による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図３(a),(b) はこの製造方法を用いて作製される半導体装置を示す断面図である。
【００７９】
最初に、本実施例１の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図１(a) に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１を用意し、次に、この基板１の裏面をその一部が微細な凹凸を有する面１１１となり、その他の部分が鏡面１１２となるように仕上げる。これは、この基板裏面の仕上げに用いる研磨または、エッチングの方法を上記の二つの部分で異なるものとすることにより実現できる。また、凹凸面１１１は写真製版，及びエッチングを用いて形成してもよい。さらに、図１(c) に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１を炭素，Ｍｏまたは石英等からなるサセプター１２に取り付ける。ただし、このサセプター１２の表面には、図１(d) に示すように、半導体基板をはめ込んで支持するための凹部である基板支持用凹部２３が設けられている。ｎ型ＩｎＰ基板１は、その裏面の全面がサセプターの基板支持用凹部の表面に接触するように、サセプター１２により支持されている。この際、図１(c) に示すように、サセプター１２はその裏面側に設けられたヒーター１３により加熱され、さらにこのサセプター１２からの熱輻射と熱伝導によりＩｎＰ基板１は加熱される。この際のサセプターの加熱は、ヒーター加熱ではなく、高周波加熱またはランプ加熱等であってもよい。しかしながら、ＩｎＰ基板１の裏面の，凹凸面１１１の熱輻射に対する反射率は鏡面１１２のそれより大きいため、サセプター１２からの熱輻射（図１(c) における矢印）は、上記鏡面領域１１２では基板裏面を透過して基板内に到達するが、凹凸面領域１１１ではその多くが基板裏面で反射される。さらに、サセプターからの熱伝導は、サセプターとＩｎＰ基板との接触面を通ってＩｎＰ基板内に進んでいくが、ＩｎＰ基板１の裏面において、基板裏面の単位面積当たり、サセプター１２の表面と実際に直接接触する部分の面積は、鏡面領域１１２の方が凹凸面領域１１１より大きく、このため、ＩｎＰ基板が熱伝導によって受け取る熱量は、基板裏面の鏡面領域１１２側の部分の方が凹凸面領域１１１側の部分より大きい。従って、ＩｎＰ基板１は、その鏡面領域１１２側の部分１４２（高温部）の方が凹凸面領域１１１側の部分１４１（低温部）より温度が高くなる。このようにｎ型ＩｎＰ基板１をサセプターを介して加熱しながら、この基板表面上に、図１(e) に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層２，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層５１，多重量子井戸活性層３，ＩｎＧａＡｓＰガイド層５２，ｐ型ＩｎＰクラッド層４，ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６を順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。これらの成長層は、基板上の温度の異なる上記の二つの領域上に成長することとなる。ここで、多重量子井戸活性層３においては、井戸層，バリア層はともにＩｎＧａＡｓＰからなり、それぞれの層のＩｎＧａＡｓＰの組成は、井戸層よりバリア層においてそのバンドギャップが大きくなるような組成となっている。
【００８０】
長波長半導体レーザ装置の活性層を構成するＧａＩｎＡｓＰをＭＯＣＶＤ法により成長させた場合、そのバンドギャップに対応するフォトルミネッセンス（ＰＬ）・ピーク波長には、成長温度依存性がある。これは、成長温度によりＶ族原子の分解効率が変化し、これによりＧａＩｎＡｓＰの組成が変化するためである。このＰＬ波長の温度依存性を図２に示す。ただし、図２において、ａは格子定数であり、横軸Δａ／ａは格子定数の変化率である。組成の変化は格子定数ａの変化に対応する。この図から成長温度により、組成が変化し、これに対応してＰＬ波長も変化していることがわかる。通常の成長温度である６５０℃付近では、成長温度が高い程ＰＬ波長は短波長化する。すなわち、ＧａＩｎＡｓＰのバンドギャップは大きくなる。この温度領域においては、２０℃の温度差で０．０５μｍの波長変化に対応するバンドギャップ変化がある。従って、変調器の多重量子井戸活性層の井戸層における伝導帯の基底準位と価電子帯の基底準位の間のエネルギー差に対応する光の波長（以下では、単に活性層の波長と記す）を１．４９μｍ、レーザ素子の活性層の波長を１．５５μｍとするためには、活性層成長時に高温部１４２の温度を低温部１４１の温度より２０〜２５℃高くすればよい。これにより、高温部１４２には光変調器の活性層を、低温部１４１にはレーザ素子の活性層を成長させることができる。図１(e) では、上記成長層のレーザ素子となる部分をレーザ素子部１５，光変調器となる部分を変調器部１６として示してある。
【００８１】
このようにして、ＩｎＰ基板上に上記の活性層３を含む半導体層を成長させた後、これらの半導体層からなる，ストライプ形状の光導波路をレーザ素子部１５及び光変調器部１６にわたって形成する。この際、必要があれば、光導波路に回折格子を形成してもよい。次に、図３(a) に示すように、上記図１(e) のレーザ素子部１５と光変調器部１６の境界部分のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６をエッチング除去した後、ＩｎＰ基板１の裏面を研削・研磨し、さらにレーザ素子部１５のコンタクト層６の表面にレーザ素子表面電極６１，光変調器部１６のコンタクト層６の表面に光変調器表面電極６２，ＩｎＰ基板１の裏面に裏面電極６３を形成する。ただし、表面電極６１，６２はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６とオーミック接触することが可能な金属からなり、裏面電極６３はｎ型ＩｎＰ基板１とオーミック接触が可能な金属からなる。
【００８２】
これにより、同一基板上にレーザ素子２１５及び光変調器２１６が集積化され、このレーザ素子及び光変調器にわたって連続した活性層３を有する、図３(a) に示す半導体装置を得ることができる。この半導体装置においては、レーザ素子２１５で発振された波長１．５５μｍのレーザ光は、活性層３を含む上記導波路を通って光変調器２１６の活性層に入射する。このとき、光変調器に印加されているバイアス電圧がゼロの場合は、レーザ光は変調器の活性層を通過し、このバイアス電圧が逆バイアスとなっている場合は、レーザ光は変調器の活性層で吸収される。従って、直流動作させているレーザ素子２１５から放射されるレーザ光を光変調器２１６に加えるバイアス電圧を変化させることによって変調することができる。
【００８３】
なお、レーザ素子において、活性層３上に回折格子を形成してもよい。このようなレーザは、分布帰還（ＤＦＢ；Distributed Feedback）型レーザと呼ばれ、安定な単一モード発振を実現することができる。この回折格子は次のようにして形成することができる。すなわち、まず図１(e)に示した半導体層の成長に際して、ＩｎＧａＡｓＰガイド層５２を成長させた後、この層上にレジストを塗布して、干渉露光法によりレーザ素子部１５上に周期的なレジストパターンを残す。次に、このレジストをマスクとして、ＩｎＧａＡｓＰガイド層５２をエッチングして、レジスト下に残ったＩｎＧａＡｓＰガイド層からなる回折格子をレーザ素子部１５にのみ形成する。さらに、レジストを除去した後、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層４，ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６をＭＯＣＶＤ法により成長させる。これにより、上記回折格子はｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれる。この後の、光導波路形成工程，レーザ素子と光変調器との間の素子分離工程，及び電極形成工程は、上記の回折格子を形成しない製造方法と同じである。これにより、図３(b)に示す、ＩｎＧａＡｓＰからなる回折格子５３を備えたＤＦＢレーザ素子２１７，及び光変調器２１６が同一基板上に集積化されてなり、このＤＦＢレーザ素子及び光変調器にわたって連続した活性層３を有する、図３(b)に示す半導体装置を得ることができる。
【００８４】
本実施例１においては、上記のようにＩｎＰ基板１の裏面が、微細な凹凸面１１１の領域と鏡面１１２の領域とからなり、このため熱輻射及び熱伝導によるサセプター１２からＩｎＰ基板への熱の流れが、凹凸面領域においてより鏡面領域において大きくなる。これによって、ＩｎＰ基板の上記凹凸面領域側の部分（低温部１４１）より上記鏡面領域側の部分（高温部１４２）の温度が高くなるため、これら二つの部分に成長する半導体層の組成が異なったものとなり、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層３において低温部１４１に成長する部分の波長は、高温部１４２に成長する部分の波長より長くなる。従って、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することにより、同一基板上に集積化されてなり、連続した活性層３を有するレーザ素子及び光変調器を形成することができる。この際、上記のように成長温度を制御することにより、活性層のＩｎＧａＡｓＰ組成を精密に制御することができるため、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と該量子井戸の価電子帯での基底準位の間のエネルギー差を、レーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができ、レーザ素子で発振される光に対する変調器の光吸収効率を向上させることができる。従って、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、上記のようにして作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。
【００８５】
また、本実施例１においては、前述の従来の製造方法で用いられている選択成長法を用いておらず、ＩｎＰ基板上の全面に半導体層を成長させているため、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、レーザ素子領域と変調器領域との間で段差が生じることはない。従って、この半導体層成長後の製造工程を安定なものとすることができる。
【００８６】
さらに、本実施例１においては、各々の成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、これによってレーザ素子の発振光の波長と、変調器の吸収光の波長範囲を独立に制御することができ、これにより、このような半導体装置の設計の自由度を大きく向上させることができる。
なお、上記活性層３は、上記のような多重量子井戸層ではなく、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなるバルク活性層であってもよい。
【００８７】
また、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層５１及びＩｎＧａＡｓＰガイド層５２は、必要がなければ、設けなくてもよい。
【００８８】
また、本実施例１の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【００８９】
実施例２．
この発明の第２の実施例について説明する。
図４は本実施例２による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例２においては、サセプター１２の表面に設けられた基板支持用凹部２３が、図４(b) に示すように、半導体基板裏面の周縁部に接触してこの基板を支持するための第１の凹部２４ａと、この内側に形成された第２の凹部２４ｂとからなり、この第２の凹部２４ｂの表面は空間を介して、半導体基板の裏面と相対するようになっている。ＩｎＰ基板１は、図４(a) に示すように、このサセプター１２によって支持され，加熱される。ただし、ＩｎＰ基板１の裏面は、上記実施例１と同じように、その一部が微細な凹凸を有する面１１１となり、その他の部分が鏡面１１２となるように仕上げられている。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【００９０】
本実施例２においては、基板１の裏面の大部分がサセプター１２に接触していないため、サセプター１２から基板１への熱の流れにおいては、基板の裏面と空間を介して相対している第２の凹部２４ｂの表面からの熱輻射が支配的となり、熱輻射に対する反射率は、凹凸面１１１より鏡面１１２の方が小さいため、基板１の鏡面１１２に対応する部分の温度が、凹凸面１１１に対応する部分の温度より高くなる。上記実施例１においては、上記の熱の流れには熱輻射の他に熱伝導が寄与しているが、基板裏面の凹凸面と鏡面との間の、熱伝導による熱流量の差は、両者間の熱輻射による熱流量の差より小さい。従って、本実施例２の方が上記実施例１より、基板の上記の二つの部分の温度差を大きくすることができる。すなわち、上記実施例１の方法でレーザ素子部と変調器部で温度差が十分に得られない場合、本実施例２の第１の凹部２４ａと第２の凹部２４ｂとからなる基板支持用凹部２３が設けられたサセプターを用いることにより、効果的に温度差を設けることが可能となる。そしてこの方法により活性層の成長時に高温部１４２の温度を低温部１４１の温度より２０〜２５℃高くすることによって、高温部１４２には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部１４１には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。
【００９１】
そして、このような本実施例２においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例２の方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００９２】
なお、本実施例２の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【００９３】
実施例３．
この発明の第３の実施例について説明する。
図５は本実施例３による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例３は、上記実施例１，２のように、基板裏面の仕上げを場所により変えるのではなく、ＩｎＰ基板１の裏面の全面を鏡面とし、その一部（実施例１，２の凹凸面に対応する部分）に、厚さ数十ｎｍのＳｉＯ膜等からなる反射膜３０をスパッタ法等を用いて形成するものである。ここで、上記基板加熱は、上記実施例１または２と同様のサセプターを用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【００９４】
本実施例３においては、ＩｎＰ基板１の上記反射膜３０が形成された部分より、これが形成されていない部分の方が、熱輻射を吸収し易いため、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、反射膜３０が形成された部分が低温部１４１となり、反射膜が形成されていない部分が高温部１４２となる。活性層成長時に高温部１４２の温度を低温部１４１の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部１４２には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部１４１には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。
【００９５】
そして、このような本実施例３においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、上記実施例１と同様に、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例３に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【００９６】
なお、本実施例３の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【００９７】
実施例４．
この発明の第４の実施例について説明する。
図６は本実施例４による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例４は、上記実施例１，２のように、基板裏面の仕上げを場所により変えるのではなく、ＩｎＰ基板１の裏面の全面を熱輻射に対する反射率が大きくなるような面仕上げとし、その一部（実施例１，２の鏡面に対応する部分）に反射防止膜３１を形成するものである。ここで、上記基板加熱は、上記実施例１または２と同様のサセプターを用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【００９８】
本実施例４においては、ＩｎＰ基板１の上記反射防止膜３１が形成された部分より、これが形成されていない部分の方が、熱輻射を吸収し難いため、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、反射防止膜３１が形成された部分が高温部１４２となり、反射膜が形成されていない部分が低温部１４１となる。活性層成長時に高温部１４２の温度を低温部１４１の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部１４２には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部１４１には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。
【００９９】
そして、このような本実施例４においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例４に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１００】
なお、本実施例４の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１０１】
実施例５．
この発明の第５の実施例について説明する。
図７は本実施例５による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例５は、上記実施例１，２のように、基板裏面の仕上げを場所により変えるのではなく、ＩｎＰ基板１の裏面の一部（上記実施例１，２の鏡面に対応する部分）に熱伝導率の高い材料からなる伝熱膜３２を形成するものである。ここで、上記基板加熱は、上記実施例１と同様のサセプターを用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。この際、図７に示したように、基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となるが、熱伝導は基板面に垂直な方向のみではなく、横方向においても起こるため、高温部と低温部の境界に、これらの部分の温度の中間の温度を有する遷移領域１７ができる。この遷移領域１７の幅は、基板厚及びこの基板上に成長させた半導体層の厚さが厚いほど広くなるが、本実施例においては、ＩｎＰ基板１とこの上に成長させた上記半導体層の全厚は２５μｍであるから、この遷移領域の半導体層表面における幅は、図に示すように、５０μｍ程度となる。レーザ素子部１５と光変調器部１６の間にこの程度の距離があることは、これらが集積化された半導体装置の動作において特に問題とはならない。
【０１０２】
本実施例５においては、ＩｎＰ基板１において上記伝熱膜３２が形成された部分の方が、これが形成されていない部分より、単位時間当たりの，サセプターから流れ込む熱量が多くなり、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、伝熱膜３２が形成された部分が高温部となり、この膜が形成されていない部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。
【０１０３】
そして、このような本実施例５においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例５に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１０４】
なお、本実施例５の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１０５】
実施例６．
この発明の第６の実施例について説明する。
図８は本実施例６による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例６は、図８に示すように、厚さ３００μｍ程度のＩｎＰ基板１の裏面に深さ２８０μｍ程度の凹部を形成し、この凹部内の一部に、熱伝導率の高い材料からなり、上記凹部の深さ以上の厚さを有する伝熱膜３２を形成するものである。ここで、上記基板加熱は、上記実施例１と同様のサセプターを用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。図８に示したように、基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となるが、熱伝導は基板面に垂直な方向のみではなく、横方向においても起こるため、高温部と低温部の温度の中間の温度を有する遷移領域１７が存在することとなる。ＩｎＰ基板１の凹部内における基板とこの上に成長させた上記半導体層の全厚は２０μｍ程度であるから、この遷移領域の半導体層表面における幅は、図に示すように、５０μｍ程度となる。実施例５で述べたように、これは半導体装置の動作において特に問題とはならない。
【０１０６】
本実施例６においては、ＩｎＰ基板１において上記伝熱膜３２が形成された部分の方が、これが形成されていない部分より、単位時間にサセプターから流れ込む熱量が多くなり、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、伝熱膜３２が形成された部分が高温部１４２となり、この膜が形成されていない部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。
【０１０７】
また、本実施例６においては、実施例５のようにＩｎＰ基板１の全体の厚さを２５μｍ程度まで薄くする必要はなく、厚さ３００μｍ程度の厚い基板を用い、素子形成領域に対応する基板裏面の領域にのみ凹部を形成し、この領域での基板厚を２０μｍ程度にすればよいから、基板の機械的強度が実施例５の場合より増し、半導体装置の製造工程がより安定したものとなる。
【０１０８】
そして、このような本実施例６においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１０９】
なお、本実施例６の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１１０】
実施例７．
この発明の第７の実施例について説明する。
図９は本実施例７による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例７は、実施例１，２のように、基板裏面の仕上げを場所により変えるのではなく、図９(a) に示すように、ＩｎＰ基板１の裏面の一部（実施例１，２の凹凸面に対応する部分）に凹部３５を形成して、この凹部において基板裏面がサセプター表面に接触しないようにするか、または図９(b) に示すように基板裏面の一部（実施例１，２の鏡面に対応する部分）に凸部３６を形成して、この凸部においてのみ基板裏面がサセプターに接触するようにするものである。このような基板裏面の凹部及び凸部は、写真製版，及びエッチングを用いて形成することができる。ここで上記基板加熱は、上記実施例１と同様のサセプター１２を用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１１１】
本実施例７においては、ＩｎＰ基板１裏面のサセプター表面に接触している部分では、熱輻射と熱伝導の両方により加熱されるのに対して、基板裏面がサセプター表面に接触していない部分では、熱輻射のみによってしか加熱されないため、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、サセプターに接触していない部分が低温部となり、接触している部分が高温部１４２となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１１２】
そして、このような本実施例７においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例７に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１１３】
なお、本実施例７の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１１４】
実施例８．
この発明の第８の実施例について説明する。
図１０は本実施例８による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例８は、実施例１における基板１裏面の鏡面１１２を平坦でありかつ熱輻射を凹凸面１１１と同程度に反射する面１１３で置き換えたものである。これは、基板裏面の仕上げに用いる研磨または、エッチングの方法を上記の凹凸面１１１部分と平坦面１１３部分で異なるものとすることにより実現できる。また、凹凸面１１１は写真製版，及びエッチングを用いて形成してもよい。ここで上記基板加熱は、上記実施例１と同様のサセプターを用いて行う。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１１５】
本実施例８においては、ＩｎＰ基板１裏面の凹凸面１１１の部分より、平坦な面１１３の部分の方が、サセプター表面と接触する面積が大きいため、サセプター１２からＩｎＰ基板１への熱伝導による熱流は、凹凸面部分より平坦面部分での方が大きくなる。一方、この二つの部分において、熱輻射に対する反射率は上記のように同程度であるため、これらの部分での熱輻射による熱流には、大きな差はない。従って、上記の熱伝導の差によって、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、凹凸面１１１上の基板部分が低温部となり、平坦面１１３上の基板部分が高温部１４２となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１１６】
そして、このような本実施例８においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例８に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１１７】
なお、本実施例８の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１１８】
実施例９．
この発明の第９の実施例について説明する。
図１１は本実施例９による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例９は、上記実施例１〜８のように、基板裏面を場所により変えるのではなく、図１１に示すように、サセプター表面の一部（実施例１の凹凸面に対応する部分）に凹部２５を形成して、この凹部において基板裏面がサセプター表面に接触しないようにするものである。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１１９】
本実施例９においては、ＩｎＰ基板１裏面のサセプター表面に接触している部分では、熱輻射と熱伝導の両方により加熱されるのに対して、基板裏面がサセプター表面に接触していない部分では、熱輻射のみによってしか加熱されないため、この二つの部分で温度差を生じる。すなわち、サセプターに接触していない部分が低温部となり、接触している部分が高温部１４２となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１２０】
そして、このような本実施例９においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１２１】
なお、本実施例９の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１２２】
実施例１０．
この発明の第１０の実施例について説明する。
図１２は本実施例１０による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例１０は、上記実施例１〜８のように、基板裏面を場所により変えるのではなく、図１２に示すように、サセプターを熱伝導率の高い材料からなる部分２６と、これより熱伝導率の低い材料からなる部分２７とで構成したものである。熱伝導率の高い材料としてはＭｏ，熱伝導率の低い材料としてはＣ（炭素），石英等を用いることができる。このサセプターを用いて加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１２３】
本実施例１０においては、ヒーター１３からＩｎＰ基板１への熱の流れが、サセプター１２の上記の二つの部分で異なるため、サセプターの熱伝導率の高い材料からなる部分２６に接触するＩｎＰ基板の部分が高温部となり、熱伝導率の低い材料からなる部分２７に接触する基板部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１２４】
そして、このような本実施例１０においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１２５】
なお、本実施例１０の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１２６】
実施例１１．
この発明の第１１の実施例について説明する。
図１３は本実施例１１による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例１１は、上記実施例１〜１０のように、基板裏面の状態，サセプターの形状または材料を場所により変えるのではなく、図１３に示すように、ＩｎＰ基板１上に活性層３を成長させる際、基板上の一部分に光（図中の波線矢印）を照射することにより、この部分と他の部分との間に温度差を生じさせるものである。照射光としては、アルゴンレーザ光またはＨｅ−Ｎｅレーザ光等を用いることができる。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１２７】
本実施例１１においては、ヒーター１３からサセプター１２を通じて流れる熱によりＩｎＰ基板１全体が加熱されるだけでなく、レーザ光が照射された部分は、この光によりさらに加熱されるため、この部分の温度は、他の部分の温度より高くなる。すなわち、光照射部分が高温部１４２となり、他の部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１２８】
そして、このような本実施例１１においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。実際、本実施例１１に示した方法を用いて作製した光変調器において、１０ｄＢという良好な消光比が得られている。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１２９】
なお、本実施例の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１３０】
実施例１２．
この発明の第１２の実施例について説明する。
図１４は本実施例１２による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例１２は、上記実施例１１における光照射をＩｎＰ基板１の表面側からではなく、裏面側から行うようにしたものである。すなわち、図１４に示すように、サセプター１２は基板１の周縁部のみを支持するようにし、さらにヒーター１３には照射光が通過できる開口部を設け、活性層３を成長させる際、このヒーター開口部を通じてＩｎＰ基板１の裏面側から基板の一部分に光（図中の波線矢印）を照射することにより、この部分と他の部分との間に温度差を生じさせるものである。照射光としては、アルゴンレーザ光またはＨｅ−Ｎｅレーザ光等を用いることができる。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１３１】
本実施例１２においては、ヒーター１３からの輻射熱によりＩｎＰ基板１が加熱されるだけでなく、レーザ光が照射された部分は、この光によりさらに加熱されるため、この部分の温度は、他の部分の温度より高くなる。すなわち、光照射部分が高温部１４２となり、他の部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１３２】
そして、このような本実施例１２においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１３３】
なお、本実施例１２の半導体装置の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法のみでなく、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシ），ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ（ケミカル・ビーム・エピタキシ）を用いた場合にも適用できる。
【０１３４】
実施例１３．
この発明の第１３の実施例について説明する。
図１５は本実施例１３による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例１３は、上記実施例１１における光の代わりに電子ビームを用いたものである。すなわち、図１５に示すように、ＩｎＰ基板１上に活性層３を成長させる際、基板上の一部分に電子ビーム（図中の点線矢印）を照射することにより、この部分と他の部分との間に温度差を生じさせるものである。ただし、本実施例は、ＭＢＥ，ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ等のように高真空中で半導体層の成長が行われる場合にのみ適用できる。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１３５】
本実施例１３においては、ヒーター１３からサセプター１２を通じて流れる熱によりＩｎＰ基板１全体が加熱されるだけでなく、電子ビームが照射された部分は、この電子ビームによりさらに加熱されるため、この部分の温度は、他の部分の温度より高くなる。すなわち、電子ビーム照射部分が高温部１４２となり、他の部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１３６】
そして、このような本実施例１３においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１３７】
実施例１４．
この発明の第１４の実施例について説明する。
図１６は本実施例１４による光変調器とレーザ素子とが同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例１４は、上記実施例１３における電子ビーム照射をＩｎＰ基板１の表面側からではなく、裏面側から行うようにしたものである。すなわち、図１６に示すように、サセプター１２は基板１の周縁部のみを支持するようにし、さらにヒーター１３には照射電子ビームが通過できる開口部を設け、活性層３を成長させる際、このヒーター開口部を通じてＩｎＰ基板１の裏面側から基板の一部分に電子ビーム（図中の点線矢印）を照射することにより、この部分と他の部分との間に温度差を生じさせるものである。ただし、本実施例も、実施例１３と同様に、ＭＢＥ，ガス・ソースＭＢＥ，ＣＢＥ等のように高真空中で半導体層の成長が行われる場合にのみ適用できる。このように加熱されたＩｎＰ基板１上に、上記実施例１に示した工程と同様の工程を用いて、半導体層を成長させ、さらにレーザ素子，光変調器を形成する。
【０１３８】
本実施例１４においては、ヒーター１３からの輻射熱によりＩｎＰ基板１が加熱されるだけでなく、電子ビームが照射された部分は、この電子ビームによりさらに加熱されるため、この部分の温度は、他の部分の温度より高くなる。すなわち、電子ビーム照射部分が高温部１４２となり、他の部分が低温部となる。活性層成長時に高温部の温度を低温部の温度より２０〜２５℃高くすることにより、高温部には波長１．４９μｍの光変調器の活性層を、低温部には波長１．５５μｍのレーザ素子の活性層を成長させることができる。基板の低温部上に成長した半導体層がレーザ素子部１５となり，基板の高温部上に成長した半導体層が光変調器部１６となる。
【０１３９】
そして、このような本実施例１４においても、上記実施例１と同様に、ＩｎＰ基板１の上記の二つの部分に成長する半導体層の組成を異なったものとすることができ、低温部に成長する半導体層によってレーザ素子を形成し、高温部に成長する半導体層によって光変調器を形成することができる。この際、活性層のＩｎＧａＡｓＰの組成を精密に制御することができるため、変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の半導体層の表面は平坦なものとなり、この後の製造工程を安定なものとすることができる。さらに、成長温度を制御することにより、活性層を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成をレーザ素子部と変調器部とにおいてそれぞれ独立に制御することができ、レーザ装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４０】
【発明の効果】
以上のように、この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造方法によれば、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面における、該基板を加熱するための熱輻射に対する反射率をその部分領域によって異なるものとし、サセプターからの熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４１】
また、この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造方法によれば、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の全面と接触して、該半導体基板を受け入れ、支持するための基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているので、上記半導体基板裏面の上記反射率の低い部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域ほどその温度を高くすることができる。
【０１４２】
また、この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造方法によれば、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、上記半導体基板は、その表面が上記半導体基板の裏面の周縁部と接触して該半導体基板を受け入れ、支持するための第１の凹部と、該第１の凹部の内側に形成され、その表面が空間を介在して上記半導体基板裏面の上記周縁部以外の領域に相対し、その表面からの熱輻射により上記半導体基板を加熱するための第２の凹部とからなる基板支持用凹部を有するサセプターにより支持され、加熱されているので、上記半導体基板裏面の上記反射率の低い部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域ほどその温度を高くすることができる。また、この際、サセプターの上記基板支持凹部内の第２の凹部領域においては、上記半導体基板裏面が上記サセプター表面に接触することによる熱伝導は生じないため、上記の半導体基板裏面の熱輻射に対する反射率の違いによる温度差が、上記の半導体装置の製造方法（請求項１３）におけるサセプターを用いた場合より大きくなる。
【０１４３】
また、この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造方法によれば、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面のある部分領域に熱伝導率の高い材料からなる伝熱膜を形成し、該伝熱膜が形成された部分領域とサセプター表面とを接触させ、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって上記半導体基板表面の温度をその部分領域によって異なるものとする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４４】
また、この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造方法によれば、上記半導体装置の製造方法（請求項４）において、上記半導体基板の裏面には、凹部が形成されており、その厚さが上記凹部の深さ以上である上記伝熱膜が、上記半導体基板の裏面の上記凹部内のある部分領域に形成されているので、上記伝熱膜が形成された部分領域の方が、それ以外の部分領域よりサセプターからの熱伝導による熱の流れが大きくなり、これにより上記裏面の上記伝熱膜が形成された部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度をそれ以外の部分領域の温度より高くすることができる。基板内における熱伝導は、基板面に垂直な方向のみでなく、横方向にも生じるから、上記伝熱膜を形成した領域と、それ以外の領域の境界においては、これら二つの領域の温度の中間の温度を有する遷移領域ができる。基板表面におけるこの遷移領域の幅は、基板厚が厚いほど広くなる。基板表面に半導体素子を形成するに際しては、この遷移領域の幅は狭い方が望ましいが、そのために基板全体の厚さを薄くすると、基板の機械的強度が低下し、半導体装置の製造工程が不安定なものとなる。しかし、上記のように半導体基板裏面の一定領域にのみ凹部を設けるようにすることにより、この領域でのみ基板厚を薄くし、これ以外の領域においては、基板厚を厚くしておくことができ、基板の機械的強度の低下を抑制しながら、上記遷移領域の幅を狭めることができる。
【０１４５】
また、この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造方法は、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、基板厚が薄い第１の部分領域と、その基板厚が厚い第２の部分領域を有する半導体基板の裏面における、上記第２の部分領域のみをサセプターの表面に接触させ、上記第１の部分領域は、サセプターの表面に直接接触しないようにし、サセプターからの熱伝導により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面の上記第１の部分領域の温度より上記第２の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４６】
また、この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造方法によれば、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、その面が微細な凹凸を有する面である第１の部分領域と、その面が平坦な面である第２の部分領域を有する半導体素子の裏面における、熱輻射に対する反射率が、上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とにおいて同じであり、上記半導体素子の裏面全体をサセプターの表面に接触させ、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板裏面の上記第１の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度より上記半導体基板裏面の上記第２の部分領域に対応する上記半導体基板表面の部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記第１の部分領域と上記第２の部分領域とでその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、上記第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する上記第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４７】
また、この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造方法によれば、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、半導体基板より小さい領域に凹部が設けられたサセプターによって、上記半導体基板の裏面と上記凹部内の該サセプター表面とが接触せず、且つ上記凹部が上記半導体基板により覆われた状態で上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板の表面の温度を上記サセプター凹部に対応する部分領域より、該凹部以外のサセプター表面に接触している上記半導体基板裏面の部分領域に対応する部分領域において高くなるようにする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【０１４８】
また、この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造方法によれば、有機金属気相成長法を使用して行なう半導体装置の製造方法において、第１の部分と該部分を構成する材料より熱伝導率の高い材料で構成される第２の部分を含むサセプターによって、上記半導体基板の裏面の全面と上記サセプターの表面とが接触するように上記半導体基板を支持し、サセプターからの熱伝導及び熱輻射により上記半導体基板を加熱することによって、上記半導体基板表面における上記サセプターの第１の部分に対応する部分領域の温度より上記サセプターの第２の部分に対応する部分領域の温度を高くする工程と、上記半導体基板表面にIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させ、該成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層を上記半導体基板表面の上記部分領域によってその組成が異なるようにする工程とを含み、上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程は、ある温度を有する第１の部分領域と該部分領域に隣接する該部分領域の温度より高い温度を有する第２の部分領域とを含む上記半導体基板表面に上記III-Ｖ族化合物半導体層を成長させるものであり、上記半導体層の成長工程の後に、上記III-Ｖ族化合物半導体層からなり、上記第１の部分領域及び上記第２の部分領域にまたがる光導波路を形成し、上記第１の部分領域に該光導波路を有するレーザ素子を、上記第２の部分領域に、上記光導波路を有し、かつ、上記レーザ素子のIII-Ｖ族化合物半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップのIII-Ｖ族化合物半導体層を持つ光変調器を形成する工程をさらに含むので、上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおける上記半導体層の組成をそれぞれ精密に制御することができ、変調器における活性層の量子井戸の伝導帯での基底準位と価電子帯での基底準位の間のエネルギー差をレーザ素子におけるそれにきわめて近いものとすることができるため、上記レーザ素子で発振されたレーザ光に対する上記光変調器の光吸収効率を向上させることができる。このため、この光変調器において上記レーザ素子からのレーザ光を変調する場合、良好な消光比を得ることができる。また、成長後の上記半導体層の表面は、上記のレーザ素子形成領域と光変調器形成領域にわたって平坦な面となるため、この半導体層成長後の半導体装置製造工程を安定なものとすることができる。さらに、上記半導体層の組成を上記レーザ素子形成領域と光変調器形成領域とにおいて、それぞれ独立に制御することができるため、半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】  ＭＯＣＶＤ法により成長させたＩｎＧａＡｓＰの組成（格子定数の変化率）とＰＬ波長の成長温度依存性を示した図。
【図３】  この発明の第１の実施例による半導体装置を示す断面図である。
【図４】  この発明の第２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】  この発明の第３の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】  この発明の第４の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】  この発明の第５の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】  この発明の第６の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】  この発明の第７の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】  この発明の第８の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】  この発明の第９の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】  この発明の第１０の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】  この発明の第１１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】  この発明の第１２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】  この発明の第１３の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】  この発明の第１４の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】  従来のレーザ素子と光変調器が同一基板上に集積化された半導体装置の製造方法を示す上面図（図１７(a) ），及び断面図（図１７(b) ）である。
【符号の説明】
１  ｎ型ＩｎＰ基板、２  ｎ型ＩｎＰクラッド層、３  多重量子井戸活性層、４  ｐ型ＩｎＰクラッド層、６  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１２  サセプター、１３  ヒーター、１５  レーザ素子部、１６  光変調器部、１７  遷移領域、２３  基板支持用凹部、２４ａ  基板支持用凹部内の第１の凹部、２４ｂ  基板支持用凹部内の第２の凹部、２５  サセプター表面の凹部、２６  熱伝導率の高い材料からなるサセプターの部分、２７  熱伝導率の低い材料からなるサセプターの部分、３０  反射膜、３１  反射防止膜、３２  伝熱膜（熱伝導率の高い材料からなる膜）、３５  半導体基板裏面の凹部、３６  半導体基板裏面の凸部、４０  選択成長マスク（ＳｉＯ2 膜）、５１  ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層、５２  ＩｎＧａＡｓＰガイド層、６１  レーザ素子表面電極、６２  光変調器表面電極、６３  裏面電極、１１１  微細な凹凸面、１１２  鏡面、１１３  半導体基板裏面の平坦な面、１４１  低温部、１４２  高温部、２１５  レーザ素子、２１６  光変調器。
【図１】
0003755090.tif 000002
【図２】
0003755090.tif 000003
【図３】
0003755090.tif 000004
【図４】
0003755090.tif 000005
【図５】
0003755090.tif 000006
【図６】
0003755090.tif 000007
【図７】
0003755090.tif 000008
【図８】
0003755090.tif 000009
【図９】
0003755090.tif 000010
【図１０】
0003755090.tif 000011
【図１１】
0003755090.tif 000012
【図１２】
0003755090.tif 000013
【図１３】
0003755090.tif 000014
【図１４】
0003755090.tif 000015
【図１５】
0003755090.tif 000016
【図１６】
0003755090.tif 000017
【図１７】
0003755090.tif 000018