(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質基板と、
導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通して充填されてなる貫通導電部と、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部とを有する複合部材の製造方法であって、
多孔質基板の内部および表面に、露光によりイオン交換性基を生成する感光剤を塗布する工程と、
前記感光剤が塗布された多孔質基板にマスクを介して露光を行なうことにより、露光部にイオン交換性基を発生させて貫通導電部用領域および非貫通導電部用領域を前記多孔質基板に形成する工程と、
前記多孔質基板に形成された前記貫通導電部用領域および前記非貫通導電部用領域に発生した前記イオン交換性基に金属イオンを吸着させ、この金属イオンを還元して金属微粒子を析出させることにより導電体を充填して、前記貫通導電部および前記非貫通導電部を前記多孔質基板に形成する工程とを具備し、
前記多孔質基板の平均空隙の大きさは回転半径で定義した場合、この回転半径は前記露光光の波長に対して１／２０以上１０倍以下であり、
前記マスクは、前記多孔質基板に前記貫通導電部用領域を形成するための第一の光透過領域と、前記非貫通導電部用領域を形成するための第二の光透過領域とを有し、前記第二の光透過領域は微細パターン集合から構成され、この第二の光透過領域の平均開口率が５０％以下であることを特徴とする複合部材の製造方法。
【請求項２】
多孔質基板と、
前記多孔質基板の両面に形成された、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部、および前記非貫通導電部を電気的に接続し、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通して充填されてなる貫通導電部とを有する複合部材の製造方法であって、
多孔質基板の内部および表面に、露光によりイオン交換性基を生成する感光剤を塗布する工程と、
前記感光剤が塗布された多孔質基板の両側に各々マスクを位置合わせして配置する工程と、
前記マスクを介して前記感光性組成物層が形成された多孔質基板の両面から露光を行なうことにより、露光部にイオン交換性基を発生させて貫通導電部用領域および非貫通導電部用領域を前記多孔質基板に形成する工程と、
前記多孔質基板に形成された前記貫通導電部用領域および前記非貫通導電部用領域に発生した前記イオン交換性基に金属イオンを吸着させ、この金属イオンを還元して金属微粒子を析出させることにより導電体を充填して、前記貫通導電部および前記非貫通導電部を前記多孔質基板に形成する工程とを具備し、
前記多孔質基板の平均空隙の大きさは回転半径で定義した場合、この回転半径は前記露光光の波長に対して１／２０以上１０倍以下であり、
前記マスクは、前記多孔質基板に前記貫通導電部用領域を形成するための第一の光透過領域と、前記非貫通導電部用領域を形成するための第二の光透過領域とをそれぞれ有し、前記第二の光透過領域は微細パターンの集合から構成され、この第二の光透過領域の平均開口率が５０％以下であり、
前記マスクの位置合わせは、それぞれのマスクの前記第一の光透過領域の位置を基準に行なわれることを特徴とする複合部材の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の複合部材の製造方法に用いられるマスクであって、前記マスクの前記第二の光透過領域を構成する前記微細パターンの大きさは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする複合部材製造用マスク基板。
【請求項４】
前記微細パターンは、円形または多角形であり、この微細パターンが三角格子を組むように配置されている請求項３に記載の複合部材製造用マスク基板。
【請求項５】
前記微細パターンは、円形または多角形であり、この微細パターンが四角格子を組むように配置されている請求項３に記載の複合部材製造用マスク基板。
【請求項６】
前記微細パターンは、開口率が５０％以下の縞状パターンから構成され、縞状パターンの光透過部の幅が０．１μｍ以上、１０μｍ以下である請求項３に記載の複合部材製造用マスク基板。
【請求項７】
請求項１または２に記載の方法により製造された複合部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気、電子、通信などの分野で配線基板等に用いられる、絶縁体に配線などの導電部が形成されてなる複合部材の製造方法、前記複合部材の製造方法に好適に用いることができるマスク基板、および複合部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体をはじめ各種電気電子部品の高集積化や小型化が進んでいる。今後もその傾向はなお一層強まることは確実である。これに伴なって、プリント配線基板においても高密度実装を施すために金属配線のファインパターン化、ファインピッチ化、および立体配線化等が試みられている。
【０００３】
なかでも立体配線は高密度実装に欠かせないものであり、立体配線を有する配線基板を製造するために、種々の方法が提案されている。
【０００４】
しかしながら、従来の配線基板の製造方法によると三次元的に自由な形状の微細な立体配線を容易に形成することは困難であった。
【０００５】
配線基板に立体配線を形成するにあたっては、例えばビルドアップ配線基板などに代表されるように、二次元の配線基板を積層させて多層配線基板構造を構成する。このような多層配線基板構造では、隣接する配線層の間をビアと呼ばれる導電性カラムで結合されている。
【０００６】
こうしたビアは、従来は、次のような手法により形成されていた。まず、感光性ポリイミドやレジストなどを用いたフォトリソグラフィー工程などによって、絶縁体に貫通孔（ビアホール）を設ける。次いで、その穴に選択的にめっきを施したり導電性ペーストを充填することによってビアが形成される。このような方法でビアを形成するには、レジストの塗布と露光、エッチングという工程が必要とされる。このため、手間がかかるうえ、歩留まりを向上させることが難しかった。
【０００７】
ビアの形成方法の他の例としては、絶縁体にドリルやＣＯ2レーザーなどを用いて所定の大きさのビアホールを設け、その穴にめっきを施したり導電性ペーストを充填する方法が挙げられる。
【０００８】
しかしながら、このように絶縁体に穿孔する方法では、数十ミクロン以下の微細なビアを所望の位置に自由に形成することが難しい。
【０００９】
特開平７−２０７４５０号公報に記載されている方法では、ＰＴＦＥなどの３次元多孔質フィルムの孔内に親水性基を有する化合物を含浸させ、この状態で低圧水銀ランプ(波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍ)でパターン露光を行なう。それによって、親水性基を三次元多孔質フィルム上に形成する。さらに、この３次元多孔質フィルムに対して、金属めっきを行なうというものである。
【００１０】
しかしながら、上述の方法では、短波長の光で露光を行なうため３次元多孔質フィルムを構成する材料の劣化が生じる。また、露光光が３次元多孔質フィルムに吸収されて多孔質体内部にまで露光光が侵入せず、微細なビアが形成できない。さらには、含浸させる化合物の多くは液状なため、露光の際に液漏れ対策の必要があるという問題点があった。
【００１１】
また、ビアを形成する別の方法も提案されている。この方法においては、まず、多孔質体からなる絶縁体全面に感光性還元剤および金属塩などを含む感光性組成物を含浸させる。次いで、パターン露光を施すことによって、露光部の金属塩のカチオンを金属核に還元させる。その後、未露光部の感光性組成物を洗浄除去し、さらに、残留した金属核に対し無電解めっきやはんだを施すことによって、所望パターンのビアが形成される。
【００１２】
しかしながら、この方法においては、多孔質体からなる絶縁体全面に金属塩を含む感光性組成物を含浸させるため、未露光部に相当する部分に吸着した金属塩を、露光後に完全に除去することが困難である。したがって、その後の還元工程において、望まない部分へ金属核が析出するという現象が生じる。このような金属核の異常析出は、パターンが微細化するにしたがって隣接するビアや配線層間の絶縁特性に問題を生じさせる。また、金属塩や生じた金属核が露光光を吸収してしまうため、多孔質体内部まで十分に露光できないという問題がある。
【００１３】
さらに、上述したような従来の配線基板の製造方法においては、絶縁体基板にビアを形成した後に配線が形成される。このため、ビアと配線との間の接触が充分でなく、電気的な導通を確保するのが難しいという問題がある。また、ビアを形成してから配線を形成するまでの間に、絶縁体基板が伸縮してビアと配線の間に位置ずれが起こる。この位置ずれを吸収するためには、ランドと呼ばれるビアの受けを配線に形成する必要がある。一般的にランド径はビア径の２〜３倍あり、この大きなランドをよけて配線する必要があるために、配線密度を高くすることが難しい。さらには、配線は絶縁体基板上に形成されるために、配線と絶縁体基板の間は密着性に劣り、電子部品装着時や使用中に絶縁体基板から導電部が剥離してしまうという問題があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような問題を解決するために、特願２０００−１５９１６３において本発明者らは、ナフトキノンジアジドを感光剤として含有する感光性組成物層で内部表面が被覆された多孔質の絶縁体からなる基板に、紫外光をパターン照射することによって、多孔質体内部への導電部の形成を可能にした。この手法によれば、多孔質体内部まで充分露光することが可能なため、微細なビアや配線を形成することができる。
【００１５】
また、感度向上を目指し、さらに可視光でも露光できるように、特願２００１−０９３６６８において、化学増幅を用いた導電パターンの形成方法およびこれに用いられる材料を提示した。
【００１６】
しかしながら、上述したいずれの方法も基板貫通部であるビアと、基板の片面のみに存在する配線部は別個の工程で形成されていた。ビアと配線とが一度のプロセスで形成可能となれば、製造コストが減少するのみならず、ビアと配線の位置合わせの必要がなくなり、多くのメリットが期待される。
【００１７】
本発明は、貫通部であるビアと少なくとも一方の面の配線とを、多孔質の絶縁体からなる基板に一度のプロセスで形成することを可能にして、導電回路設計の自由度を高めた複合部材の製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
また本発明は、上述したような複合部材の製造に用いるためのマスク基板を提供することを目的とする。
【００１９】
さらに本発明は、上述した方法により製造可能な複合部材を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、多孔質基板と、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通して充填されてなる貫通導電部と、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部とを有する複合部材の製造方法であって、多孔質基板の内部および表面に、露光によりイオン交換性基を生成する感光剤を塗布する工程と、前記感光剤が塗布された多孔質基板にマスクを介して露光を行なうことにより、露光部にイオン交換性基を発生させて貫通導電部用領域および非貫通導電部用領域を前記多孔質基板に形成する工程と、前記多孔質基板に形成された前記貫通導電部用領域および前記非貫通導電部用領域に発生した前記イオン交換性基に金属イオンを吸着させ、この金属イオンを還元して金属微粒子を析出させることにより導電体を充填して、前記貫通導電部および前記非貫通導電部を前記多孔質基板に形成する工程とを具備し、前記多孔質基板の平均空隙の大きさは回転半径で定義した場合、この回転半径は前記露光光の波長に対して１／２０以上１０倍以下であり、前記マスクは、前記多孔質基板に前記貫通導電部用領域を形成するための第一の光透過領域と、前記非貫通導電部用領域を形成するための第二の光透過領域とを有し、前記第二の光透過領域は微細パターン集合から構成され、この第二の光透過領域の平均開口率が５０％以下であることを特徴とする複合部材の製造方法を提供する。
【００２２】
また本発明は、多孔質基板と、前記多孔質基板の両面に形成された、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部、および前記非貫通導電部を電気的に接続し、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通して充填されてなる貫通導電部とを有する複合部材の製造方法であって、多孔質基板の内部および表面に、露光によりイオン交換性基を生成する感光剤を塗布する工程と、前記感光剤が塗布された多孔質基板の両側に各々マスクを位置合わせして配置する工程と、前記マスクを介して前記感光性組成物層が形成された多孔質基板の両面から露光を行なうことにより、露光部にイオン交換性基を発生させて貫通導電部用領域および非貫通導電部用領域を前記多孔質基板に形成する工程と、前記多孔質基板に形成された前記貫通導電部用領域および前記非貫通導電部用領域に発生した前記イオン交換性基に金属イオンを吸着させ、この金属イオンを還元して金属微粒子を析出させることにより導電体を充填して、前記貫通導電部および前記非貫通導電部を前記多孔質基板に形成する工程とを具備し、前記多孔質基板の平均空隙の大きさは回転半径で定義した場合、この回転半径は前記露光光の波長に対して１／２０以上１０倍以下であり、前記マスクは、前記多孔質基板に前記貫通導電部用領域を形成するための第一の光透過領域と、前記非貫通導電部用領域を形成するための第二の光透過領域とをそれぞれ有し、前記第二の光透過領域は微細パターンの集合から構成され、この第二の光透過領域の平均開口率が５０％以下であり、前記マスクの位置合わせは、それぞれのマスクの前記第一の光透過領域の位置を基準に行なわれることを特徴とする複合部材の製造方法を提供する。
【００２３】
さらに本発明は、前述の複合部材の製造方法に用いられるマスクであって、前記マスクの前記第二の光透過領域を構成する前記微細パターンの大きさは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする複合部材製造用マスク基板を提供する。
【００２４】
またさらに本発明は、前述の方法により製造された複合部材を提供する。
【００２６】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２７】
本発明者らは、絶縁体などの多孔質基板に露光を施し、露光部に導電体、特に金属を充填して配線パターンおよびビアからなる導電部を形成する複合部材の製造方法について鋭意検討した結果、次のような知見を得た。すなわち、多孔質基板に露光を施す際、多孔質基板内部の散乱現象を積極的に利用することによって、後の工程で導電体を充填して導電部を形成するための領域を、単一の露光工程で得られることを見出した。これにより、多孔質基板の表面から裏面に貫通して導電体が充填されてなる貫通導電部（ビア）と、導電体が前記多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部（配線）とが形成された複合部材を、低減されたプロセスで容易かつ安価に製造することを可能にした。
【００２８】
まず、本発明のコンセプトを述べる。一例として、シート状の多孔質の絶縁体の両側の表面に金属配線と、両面を貫通した金属ビアとを有する、両面配線基板の配線とビアとを同時に作製する方法を説明する。これは理解を助けるため簡略化しており、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】
本発明においては、ナノメートルオーダーからミクロンオーダーの多孔質基板の表層および内部に導電部が形成される。具体的には、多孔質基板内部および表面に感光剤を塗布してなる基板に、紫外光や可視光をパターン照射して感光させ、感光部にイオン交換性基を発生させる。次に、イオン交換性基に金属イオンを吸着させた後に、これを還元して金属微粒子を析出させる。さらに必要に応じて金属メッキを施すことによって導電部を形成する。
【００３０】
導電部は、導電体が多孔質基板の表裏に貫通せずに充填されてなる非貫通導電部（配線部分）と、導電体が多孔質基板の表裏に貫通して形成された貫通導電部（ビア部分）とからなり、従来の手法では、これらは別個の工程で作製される。これに対して本発明では、多孔質基板を用い、特定の露光用のマスクを介して前記基板にパターン露光を行なうことによって、配線部分とビア部分を同時に形成することを可能にした。
【００３１】
一般に、多孔質基板にパターン露光を行なうために光を照射すると、この光は空隙部分と基材部分という２つの屈折率の異なる空間を何回も通過しなければならない。この場合、空隙部分の屈折率は真空とほぼ同じ１であるのに対して、例えば高分子から構成されていると、基材部分の屈折率は１．４以上あるため、光がかなり散乱される。特に、多孔質体の空隙や基材の大きさが光の波長に近い場合には、照射された光は大きく散乱を起こす。さらに多孔質体の場合には、散乱された光が再び散乱体にぶつかり何度も散乱するという多重散乱が発生する。本発明は、こうした多孔質体の性質を積極的に利用したものである。
【００３２】
図１には、本発明にかかる複合部材の製造方法の一実施例の概念図を示す。
【００３３】
図１に示されるように、所定の光透過領域を有するマスク３を介して、多孔質基板１に露光光１０が照射される。本発明に用いられるマスク３は、完全に白抜きの領域４と、非常に細かいドットなどの微細パターンの集合体で構成された領域５との２種類の光透過領域を有する。
【００３４】
このようなマスク３を介して多孔質基板１に露光光１０を照射した場合、大きな白抜きの光透過領域４を通過して多孔質基板１に入射された光は、この多孔質基板１内で散乱する。このため、多孔質基板１内を厚み方向に直進してその裏面まで到達する光は、１％未満とほとんど存在しない。しかしながら、基材自体に光の吸収がなければ、裏面でもかなりの光量を確保することができる。これは、次のようなメカニズムにより説明される。
【００３５】
照射された光は散乱体である多孔質体にあたると屈折し、散乱する確率は散乱体の屈折率から求められる。いくつもの散乱体を通過した後には、散乱を繰り返した結果、直進してきた光はほとんどなくなっている。しかしながら、散乱体の吸光係数が小さければ光のエネルギーは保存されて、散乱光として存在する。すなわち、散乱体内に進行方向の異なる光として存在する。具体的には、図２（ａ）に示すように、マスク３の大きな白抜きの領域を通過した露光光１０は、多孔質基板１の内部を何度も散乱して散乱光１１となり、進行方向を何度も変えながら光源とは反対の面まで到達すると考えられる。こうして、多孔質基板１には、図２（ａ）あるいは図１に示したようなビア用の領域６が、多孔質基板１の裏面まで貫通して感光される。この感光領域６にメッキを施して導電体を充填することによって、図２（ｂ）に示すように貫通したビア８が形成される。
【００３６】
多孔質体の内部のある点でみると、マスクを通過してきた光が直接照射されることは少ないものの、散乱されてきた光によって補填される。このため、ある程度の光の量が確保される。実際に平均空隙径が０．２μｍ、空隙率が７９％、厚み２０μｍのＰＴＦＥ多孔質体の場合、直進してきた光はほとんど存在しないにもかかわらず、多重散乱の結果、５０％程度の光が裏面まで到達することが確認された。
【００３７】
これに対して、非常に細かいドットなどで構成された領域５を通過して多孔質基板１に照射された光は、散乱されて裏面には届かない。大きな白抜き領域の場合には、上述したようにすぐ横の部分は光を通過してきた光が同様に散乱して光量が補填されて、裏面まで貫通して感光される。一方、非常に細かいドットの場合には光量は補填されないので、多孔質基板１に照射された光は基板の表面付近しか感光しない。ただし、散乱した光が横方向にも拡散しているため、図３（ａ）に示すように多孔質基板１の表面は、マスクに形成されたドットの大きさより広く露光される。こうして多孔質基板１の表面には、図３（ａ）あるいは図１に示したような配線用領域７が、裏面まで貫通せずに多孔質基板の表層に感光される。この配線用感光領域７にメッキを施して金属などの導電体を充填することによって、図３（ｂ）に示すような配線９が形成される。
【００３８】
上述したような方法により導電部を形成するために本発明で用いられる多孔質基板は配線基板を形成する場合、絶縁体であることが望ましく、さらには、多孔質の高分子化合物、ガラスファイバーなどの無機化合物、およびそれらの混合物から構成することができる。こうした多孔質基板に露光を施し、露光部に金属などの導電体を充填して配線およびビアからなる導電部を形成した本発明の複合部材は、例えば、プリント配線基板の基材として用いられる。
【００３９】
本発明において用いられる多孔質基板は、多数の空隙を有することが必要である。しかも、この多孔質基板における空隙は互いに連続していることにより、後の工程で導電体を充填させることによって基材の表面と裏面とで導通をとることができる。
【００４０】
本発明では、非常に散乱能の強い多孔質体を用いることを特徴とする。
【００４１】
多孔質基板に垂直に入射された光は、散乱によって方向が曲げられるため、減衰していく。直進光を用いたとき光の減衰率は、点光源である場合と面光源である場合と大きくことなる。点光源の時は光は拡散していき、補償されることはない。このため急速に減衰していく。これに対し面光源である場合は、散乱によって失われた光は、隣りの部分から供給される。このため減衰率は非常に小さくなる。仮に点光源の減衰率をａ、面光源の減衰率をｂとすると、ａとｂは必ず、
ａ＞ｂ
という関係にある。
【００４２】
これに対し、例えば光吸収により減衰させる場合は、散乱がないと仮定すると
ａ＝ｂ
である。
【００４３】
さて、ビアの部分は波長よりはるかに大きな面積が一括で露光されるため、面光源と考えることができる。このため、ビア部分での入射光の減衰は、入射光量をＩ（０）、ｚの位置での光量をＩ（ｚ）とすると
Ｉ（ｚ）＝Ｉ（０）ｅｘｐ（−ｂｚ）
である。
【００４４】
これに対し、配線のパターンなどは配線基板の高密度化にともない非常に微細化が進んでいる。このため、上述の点光源に近い状況であると考えることができる。特に、本発明における微小パターンを用いて露光を行なう場合は、微小パターンは波長に近いため点光源と考えることができる。このため、露光面表面付近での減衰率はａである。
【００４５】
しかしながら、光が拡散するにつれて、ｚ面内で平均化されてくるため面光源に近くなる。このため、ｚ軸方向の光量の変化は、
Ｉ（ｚ）＝Ｉ（０）｛ｊｅｘｐ（−ａｚ）＋ｋｅｘｐ（−ｂｚ）｝
ただし、ｊ＋ｋ＝１
ここで注意しなければならないのは、ａ＞ｂであるため、Ｉ（ｚ）はｚの小さいところではａに従い急速に小さくなり、ｚが大きくなると減衰率がｂにしたがい小さくなる点である。
【００４６】
この式を書き出してみるとわかる通り、本発明では第二の光透過領域によって作製される配線部分は表面近くが強く露光され、その後、減衰していく。なお、ここで表面付近で失われる光は横方向に拡散するため、表面付近の他の部分の感光に用いられるため、表面配線を作製するのに適している。
【００４７】
これに対し、散乱を使わず光吸収のみの場合は、ａ＝ｂであるため、
0003766293.tif 000002
となる。このため、表面付近のみ強く露光されることはない。
【００４８】
このように、多孔質体を用いることによって、ビアの部分は中の方まで導電体が入れ込むことができ、配線の部分は表面のみ導電体を付けることができる。
【００４９】
本発明において、多孔質基板内の空隙の大きさは回転半径で定義される。これはモーメントで重みをかけた半径であり、様々な形のものでも、この回転半径が同一であれば散乱能がほぼ同じだからである。
【００５０】
多孔質基板における空隙の回転半径を実験的に求める手法について、以下に詳細に説明する。
【００５１】
まず、多重散乱が極力ないレベルまで薄く多孔質基板を切りだして、多重散乱を低減したサンプルを準備する。あるいは、基材と屈折率が近い物質を多孔質体基板の空隙に充填して、散乱能を低減しておく。こうして得られたサンプルに対し、レーザーなど直進性の高い点光源を照射して、散乱光をフォトダイオードアレイやＣＣＤなどで測定する。さらに、散乱光の入射角による角度依存性θを検出し、下記数式（１）を用いてｑを求める。
【００５２】
ｑ＝（４π／λ）ｓｉｎ（０．５θ）      （１）
ここで得られるｑは、散乱ベクトルのスカラー値に相当する。
【００５３】
最後に、散乱強度（Ｉ（ｑ））の対数をｑの２乗（ｑ2）に対してプロットする。これは、Ｇｕｉｎｉｅｒプロットと称され、この傾きの平方根の２倍から回転半径が求められる。
【００５４】
図４には、ＰＴＦＥ多孔質フィルムをＨｅＮｅレーザーで照射した際のＧｕｉｎｉｅｒプロットの例を示す。この基材は、実際に実施例で用いたものである。この傾きから求められたＰＴＦＥ多孔質フィルムの基材部分の回転半径は、０．１２から０．１３μｍ、空隙部分の回転半径は０．３９〜０．４２μｍであった。なお、本発明における回転半径とは平均の回転半径をさし、この平均の回転半径は、光散乱法により得られる。
【００５５】
上述したような方法を用いることによって、回転半径を実験的に厳密に求めることができる。実際には、多孔質体の空隙が多数のトンネルや孔の集合である場合には、トンネルや孔の半径の桁が違うことはない。なお、トンネルや孔が半径Ｒの球状であれば、回転半径は下記数式（２）で表わされる。
【００５６】
Ｒｇ＝√（３／５）Ｒ      （２）
また、長さＬ、半径Ｒの棒状の場合には、下記数式（３）で表わされる。
【００５７】
Ｒｇ＝√（Ｒ2／２＋Ｌ2／３）      （３）
本発明においては、多孔質体に照射された光が内部で散乱される現象を利用しているため、最適な空隙の大きさは、以上説明したような回転半径を定義することによって決定される。
【００５８】
散乱能を示す減衰率σは、散乱体が１つの場合、光の波長λと散乱体の体積Ｖおよび回転半径Ｒｇとの間には、下記数式（４）で表わされる関係がある。
【００５９】
σ∝Ｖ2／λ-4＝Ｒｇ6／λ-4        （４）
多数の空隙が空間的に同じ密度で空孔が詰まっている場合は、体積当たりで計算することができるため、下記数式（５）で表わされる。
【００６０】
σ∝Ｒｇ2／λ-4              （５）
このため、本発明で用いられる多孔質体においては、回転半径Ｒｇの２乗で散乱能が大きくなる。
【００６１】
この式にしたがうと、Ｒｇが２０ｎｍ程度になると１μｍあたりの散乱能σは、５×１０-4程度になる。このとき１００μｍ厚の多孔質体の散乱は５％程度になる。本発明では露光後の工程で導電体を埋め込むため、厚みの上限は５００μｍ程度であることを考えると、空隙の回転半径の下限値は露光波長の１／２０と考えられる。
【００６２】
散乱体が小さくなると、光の散乱能は散乱体の体積の２乗に比例して急激に減少し、これは、光の波長との相対的な関係である。多孔質体の散乱能が低下することは、本発明においては極力避けなければならない。このため、本発明で用いられる多孔質基板の空隙の回転半径の下限は、露光で照射する光の波長の１／２０が限度である。これ以上、回転半径が小さいと散乱がほとんど起こらない。実際に散乱が顕著に増大する回転半径は、光の波長の１／４以上であるため、露光で照射する光の波長の１／４以上の回転半径であることが望ましい。また別の問題点として、露光光が紫外線や可視光線の場合、波長に対してあまり回転半径が小さいとめっきの充填が難しくなるという問題もある。
【００６３】
一方、空隙が光の波長に対して大きすぎる場合にも、多孔質体内で十分に散乱しなくなる。このため、空隙の回転半径は、露光で照射される光の波長の１０倍以下であることが望ましい。露光波長が２００〜７００ｎｍ程度であることを考慮すると、μｍオーダーの微細な配線やビアなどの導電部を多孔質基板に作製するには、空隙の回転半径は露光波長の４倍以下であることが望まれる。
【００６４】
こうした空隙を有する多孔質基板には、露光に先立って感光剤が塗布または含浸される。本発明においては、露光によりイオン交換性基を生成する化合物を感光剤として用いることができる。この場合、イオン交換性基を保護している保護基が疎水性であるため、照射量が少ない場合には十分な量のイオン交換性基が発生せず、系全体の疎水性が強い。したがって、引き続いて行なわれる金属イオン交換反応の際に、この領域に金属イオンが近づくことができない。金属イオン、またはその還元体は無電解メッキの触媒としてはたらくため、照射量が少ない領域には、無電解めっきを施しても金属は全く析出しない。
【００６５】
例えば、こうした感光剤が塗布または含浸された多孔質基板に対して異なる照射量で光を照射するには、マスクの露光領域の一部をフィルターで覆って、照射される光の一部を減光することが考えられる。この場合、減光されない光で露光された多孔質基板の露光部では、イオン交換性基が十分に生成して系全体の疎水性が弱められる。こうして疎水性の弱められた領域には、基板の表と裏とが貫通した導電体パターンが形成される。一方、減光された光で露光された多孔質基板の露光部では、上述したような理由から系全体の疎水性が強いので、多孔質基板の照射面のみに導電体パターンが析出する。この結果、一度の露光で、ビアと配線パターンとを同時に形成が可能となる。
【００６６】
しかしながら、上述したような減光は容易に行なうことができず、例えばクロムマスクを用いた場合には、マスクの濃淡によって減光するのは比較的難しい。しかも、このようなマスクは高価である。また、露光光の濃淡のみによって貫通用の領域と表面配線用の領域とを基材に形成した場合、これらの領域に導電体を充填した後には、特に表面配線領域の部分において深さ方向に滲みのような導電体が析出することが多い。その結果、基板の表面と裏面とでの絶縁を確保できなくなるおそれがある。
【００６７】
多孔質基板内部における光の散乱の性質と、無電解メッキ時の金属などの導電体の成長過程とを考慮した結果、本発明者らは、次のように設計されたマスクが非常に効果的であることを見出した。
【００６８】
すなわち、貫通したビア用の領域（貫通導電部用領域）を基板に形成するためのマスクの光透過領域としては、通常の白抜きマスクを用いる。一方、非貫通の配線用の領域（非貫通導電部用領域）を基板の表層に形成するためのマスクの光透過領域は、複数の微細パターン、即ち微細な孔または光が透過可能な微細な領域を配置して構成する。微細パターンの大きさは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００６９】
このような２種類の光透過領域を有するマスクを用いて、多孔質基板にメッキパターンを作製するメリットは大きく、次のように説明される。
【００７０】
無電解メッキは、基本的に核生成成長過程で成長する。すなわち、本発明のマスクを介して露光された基板においては、露光された部分では均等に金属が析出するのではなく、露光部分のある特定の部分に金属の核が発生する。そして、この核を起点として金属が成長するのである。
【００７１】
熱力学的には、金属が均等に析出すると仮定すれば、混合の自由エネルギーは１回微分も２回微分も負である。しかしながら、核生成成長過程であれば１回微分は正であり、２回微分のみが負であるという大きな違いがある。つまり、金属が成長するためには、超えなければいけないポテンシャルバリアがあり、これを超えるためには、ボルツマン分布にしたがって発生する揺らぎによって、確率的に超えたもののみが金属が析出する。したがって、露光量のみで調整すると同じ露光量でもムラができやすい。
【００７２】
これを解決するためには、本発明者らは、多孔質基板表面の微細な一部分のみを強く露光して、この部分を金属が非常に析出しやすい状態とするのが有効であることを見出した。ここを起点として金属を核生成成長させることによって、熱力学的にも安定して金属メッキを析出させることができる。この結果、多孔質基板の表面付近にのみ金属が多く析出し、配線部を得ることが可能となる。これは本発明の実施形態にかかる複合部材の製造方法である。
【００７３】
本発明の実施形態かかる複合部材の製造方法においては、本発明では非常に散乱能の強い多孔質体を用いているため、露光光が基板内部で散乱し減衰していく。このため、露光強度は透明な基板に比べ、多くなくてはならない。散乱体内での光の減衰は下記数式（６）式によって表される。
【００７４】
Ｅ（Ｄ）＝Ｅ（０）ｅｘｐ（−Ｄ／τ）    （６）
Ｅ（Ｄ）は多孔質基板内での深さＤにおける光量、τは光が１／ｅになる深さである。Ｅ（０）は露光される多孔質基板の露光面での露光光強度である。また、導電体が十分に導電性を持つための最低の光量をＥthとする。
【００７５】
表裏に貫通したビアが形成される部分には、裏面まで十分な光が届かなくてはならない。このため、厚さＲの基板でＥ１（０）はＥ１（Ｒ）において十分な光量が確保されなくてはならない。この部分の光透過率は９０％を確保する方が望ましい。値は大きければ大きいほどよく、９９％以上であることが望まれる。
【００７６】
このとき、必要なＥ１（０）は下記数式（７）で表わされる。
【００７７】
Ｅ1（０）≧Ｅth／ｅｘｐ（−Ｒ／τ）        （７）
本発明で用いられる基板は多孔質体基板であり、散乱光を含めた裏面までの光の到達率は１０〜７０％程度である。この値は、本発明では多重散乱を用いているため、７０％を超えるようなものでは多重散乱は起こらず、また、１０％以下ではいくら露光量を増やしても、多重散乱のため表裏を貫通するビアという形状にならないためである。
【００７８】
一方、配線を作製する部分では、露光面側から浅い層だけ導電体の密な層が形成されていることが望ましい。ビア部分で裏面まで十分な光量を確保すると、配線部分の露光面側の光量はかなり落とす必要がある。ここで、第二の光透過領域の第一の光透過領域の対する透過率もしくは開口率をαとすると、配線を作るための露光量Ｅ2（０）は、下記数式（８）で表わされる。
【００７９】
Ｅ2（０）＝αＥ1（０）        （８）
このような条件のもとで、表裏に貫通したビアと露光面のみの配線を同時に形成するためには、αの値が下記数式（９）であることが望ましい。
【００８０】
α≦ｅｘｐ（−Ｒ／τ）          （９）
このような条件から、ビア部分での裏面で十分な露光量を確保し、かつ配線部分の露光面で表面部分だけ露光するためには、第二の光透過領域光量が第一の光透過領域に対して５０％未満であるのが望ましい。ビアを裏面まで精度よく作成しかつ十分な導電体の充填率を得るためには、裏面に到達した光量が、導電体を入れ込むだけの光量のしきい値の１．５倍ほどが必要である。これだけの露光をすると、第二の光透過領域の露光量は３５％未満まで押さえ込む必要がある。
【００８１】
このため、第二の光透過領域は、第一の光透過領域の対する透過率もしくは開口率で５０％以下、望ましくは３５％以下であることが望ましい。
【００８２】
本発明の実施形態にかかる方法に用いられるマスクは２種類の光透過領域を有し、その一方は微細パターン、即ち微細な孔または光が透過可能な微細な領域の集合から構成される。集合を構成する微細パターンの一単位の大きさは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。微細パターンは、これ自体を配線やビアの形状として用いるものではなく、微細パターンの集合で配線やビアを描くため、微細パターン自体が解像されてはいけない。このためマスクの微細パターン一単位の大きさは１０μｍ以下であることが望ましく、１０μｍを越えると微細パターンが個別の導電体パターンとして転写されるおそれがある。また配線のインピーダンスを制御するには、配線の幅や厚さの設計値からのズレを１０％程度以下に抑える必要がある。そのため少なくとも微細パターンの大きさは配線幅の１０％程度以下にする必要がある。微細パターン一単位の大きさが１０μｍを超えると、実質的に配線幅１００μｍ以上の配線しか形成することが難しくなり高密度化ができない。なお、メッキパターン形成時に滑らかな導電体パターンを析出させるには、この微細パターンの一単位の大きさは、５μｍ以下であることが望まれる。
【００８３】
一方、微細パターンの一単位が小さすぎる場合には、そのようなマスクを製造するのが非常に困難になる。実際に、微細パターンの一単位の大きさが０．１μｍを下回るとマスクパターンのエッジのラフネスが非常に大きくなり、結果として露光量が不安定になる。また、本発明においては、金属の核生成成長過程を利用しているため、成長点となる核の大きさがある程度必要である。一般に、スピノーダル分解や核生成成長過程では、成長のきっかけとなる揺らぎの大きさは、０．５〜１μｍ程度である。これより、０．５μｍ以下では成長点となる綺麗な金属核ができないおそれがある。このため、微細パターンの一単位の大きさは０．５μｍ以上であることがより好ましい。
【００８４】
微細パターンの一単位の形状は特に限定されず、円形、三角形、四角系、六角形、あるいは縞状パターンなどとすることができる。複数種の形状の微細パターンを組み合わせても良い。なかでも、円形のパターンを三角格子状に配列すると、微細パターン間の最遠距離の間隔が相対的に小さくなるので都合がよい。六角形の微細パターンの場合も、同様の理由から三角格子状に配列することが好ましい。また、縞状のパターンの場合は、導電性を高める点から、導通と平行方向に縞状のパターンを配置することが望まれる。
【００８５】
これらの微細パターンを合わせた開口率、すなわち微細パターンの集合からなる光透過領域の開口率は、５０％以下である必要がある。５０％を超えると、ビア用領域を感光するためにマスクに形成された白抜きの領域と全く同様に、基板の両面を貫通して感光しやすくなる。そのため配線の下の絶縁層の厚さを充分確保することが困難になる。したがって、貫通導電部領域と基板の表層の非貫通導電部領域とを同時に露光するという本発明の目的を達成することが不可能になる。開口率は、３５％以下である方が、片面のみの領域を作製するのに都合がよい。
【００８６】
例えば、微細パターンが円形で三角格子状に配列されている場合、円の中心間距離は、円の直径の２倍以上とすることが好ましい。あまり中心間距離が小さいと貫通導電部領域と非貫通導電部領域との厚さの差が小さくなる。そのため配線の下層にある絶縁層の厚さが充分でなく、絶縁不良などの原因となる。また、マスク作製の過程でＣＡＤが三角格子を組みにくい場合などは、四角格子を組むように円形の微細パターンを配置することがある。このときの円の中心間距離は、直径の１．５倍以上であることが好ましい。１．５倍以上とることによって、貫通導電部用領域と非貫通導電部用領域とで充分な厚さの差異が得られる。さらに縞状パターンの場合には、隣接する微細パターンの中心間距離は、白抜きされている縞状パターンの幅の３倍以上であることが好ましい。縞状パターンは長さ方向に長く延びているため、円形パターンなどと比較して点光源の性質が弱い。このため基板の深くまで露光されやすい。そのため３倍以下だと貫通導電部用領域と非貫通導電部用領域とで充分な厚さの差異を得ることが難しくなる。
【００８７】
微細パターンの間隔をさらに縮小しても、表面のみの導電体配線を形成することは可能である。しかしながら、いずれの配置でも開口率が５０％を上回ると、表面のみに導電体配線を形成することは困難となって、表面と裏面とでの絶縁が取れなくなる。
【００８８】
次に、露光によりイオン交換性基を生成する化合物を含有する感光性組成物層が形成された多孔質体を用いた場合を例として、本発明の複合部材の製造方法について、図５を用いて説明する。
【００８９】
以下に各工程について述べる。
【００９０】
工程（１）：まず、図５（ａ）に示すように、露光によりイオン交換性基を生成する化合物を含有する感光性組成物層２を、多孔質基板１の多孔質表面または表面及び内部に形成する。
【００９１】
工程（２）：次に、図５（ｂ）に示すように、前記感光組成物層２で被覆された多孔質基板１に対して、本発明のマスク３を介してパターン露光する。このマスクは、遮光された領域３’、完全に光を透過する光透過領域（以下、第一の光透過領域と称する）４、および光透過率が第一の光透過領域に対して５０％以下に抑えられた領域もしくは上述したような微細パターンの集合からなる光透過領域（以下、第二の光透過領域と称する）３’を有する。
【００９２】
すでに説明したように、こうしたマスク３の第一の光透過領域４を通過した露光光１０は多孔質基板１の裏面まで到達するので、露光部にはビア用領域６が貫通して感光される。一方、第二の光透過領域３’を通過した露光光１０は多孔質基板１体の裏面まで到達せず、表面のみに配線用感光領域７が感光される。ビア用感光領域６および配線用感光領域７のいずれの領域にも、光反応によりイオン交換性基が発生する。
【００９３】
工程（３）：その後、工程（２）においてパターン露光によりビア用感光領域６および配線用感光領域７に生成したイオン交換性基に、金属イオンまたは金属を結合させる。その結果、ビア用感光領域６および配線用感光領域７には、図５（ｃ）に示すようにビア８および配線９がそれぞれ形成される。
【００９４】
工程（４）：必要に応じて図５（ｃ）に示すように、感光領域６および７のイオン交換性基に結合した金属イオンを還元処理して金属イオンを金属化し、導電性を向上させる。
【００９５】
工程（５）：さらに必要に応じて、図５（ｄ）に示すように感光領域６および７に形成された導電部に対し、導電性を向上させるために無電解メッキを施す。
【００９６】
なお、工程（２）において、マスクを２枚用いて多孔質絶縁体の両面から露光を行なうことにより、表裏に貫通したビアと、このビアで選択的に接続された表面および裏面の配線とを同時に作製することも可能である。
【００９７】
必要に応じてエポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂、ポリイミド、シリコーン樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等の硬化性樹脂を含浸させ、基板とすることもできる。
【００９８】
本発明において感光剤としては、特願２０００−１５９１６３に記載されているようなオニウム塩誘導体、スルフォニウムエステル誘導体、カルボン酸誘導体およびナフトキノンジアジド誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の誘導体を用いることができる。例えば、ナフトキノンジアジドをノボラック樹脂に導入したものなどが挙げられる。
【００９９】
さらに、特願２００１−０９３６６８に記載されているような光酸発生剤と、酸の存在下でイオン交換性基を生成する高分子化合物とを含有する化学増幅系の感光剤を用いることもできる。このような感光剤を用いる場合には、工程（２）に露光後熱処理を施す必要がある。この結果、高感度化および露光波長の長波長化が実現できる。例えば、アクリル樹脂にテトラヒドロピラニル基やターシャリーブチル基を保護基として導入し、光酸発生剤としてナフタルイミドトリフルオロメタンスルホネートを用いたものなどが挙げられる。
【０１００】
以上説明したように、本発明の複合部材の製造方法によれば、レジストの塗布、エッチングおよびレジストの剥離などの煩雑な工程が必要ない。したがって、フォトリソグラフィーや機械的手法を用いて貫通孔を形成する従来の配線基板の製造方法に比べて、工程が簡略化される。また、絶縁体として多孔質体を用いれば、選択的にメッキや導電ペーストを充填して導電部を形成する工程がなく、作業が容易になる。
【０１０１】
しかも、貫通ビアや両面の配線などを一度の工程で作製することができる。また、ビアと配線が１枚のマスク上に描かれているため、位置合わせが不要であり位置ずれも起こらない。このためビアの受けとなるランドを形成する必要もなく、配線の高密度化が可能である。
【０１０２】
本発明で得られる導電体配線パターンおよびビアは、網の目のような多孔質体の中に導電体が充填されて一体化されているため、曲げ強度などに優れ、配線が基板から剥がれることは構造上ありえない。また、マスクの第二の光透過領域を用いて露光した配線となる領域は、表面付近が強く露光されるため、表面から１／３より浅い所に多くの金属が析出する。このため、両面に同時に配線パターンを一括形成したときも、絶縁性が優れるという特徴がある。さらに、表面に非常に多の金属が析出するため、金属の表面を流れる性質のある高周波電流を流したときに好都合である。また、基板表面部分より突出する部分は非常に薄く、積層するのに好都合である。
【０１０３】
本発明で形成されるような一枚の多孔質基板にビアと配線が造りこまれた配線基板においては、多孔質体中における第二の光透過領域を用いてパターン形成された導電体配線の厚さの多孔質基板の厚さに対する比率は５〜５０％、好ましくは１０〜３４％とする。比率があまり大きすぎる場合には、隣接する配線との間の電気的な絶縁が確保できない。また比率があまり小さいと配線の導電性が充分でない。充分な絶縁性を確保するには、配線の厚さが隣接する配線との間の絶縁層の厚さと同程度かそれ以下であることが望まれる。３４％以下であれば、一枚の多孔質基板の両面に配線が形成されて表と裏の配線が交差する場合においても、絶縁層の厚さを配線の厚さと同程度に確保することが可能である。
【０１０４】
また、動作周波数の高い信号を伝送するためには、隣接する配線間の容量をなるべく小さくする必要がある。隣接する配線間の配線間容量は、配線の対向する面の面積に比例し、配線間の距離に反比例する。断面形状が矩形の配線が水平に平行に並んでいる場合の配線間容量は、配線の高さに比例し、配線間距離に反比例する。また同様に、断面形状が矩形の配線が垂直方向に並んでいる多層配線の場合、配線間容量は配線の幅に比例し、配線間距離すなわち層間距離に反比例する。よって配線間容量を低減するには配線間距離と層間距離を大きくする必要がある。
【０１０５】
しかしながら、配線のファインピッチ化のためには、水平方向の配線間距離を可能な限り小さくする必要がある。対して層間距離は水平方向の配線間距離ほど基板に収容可能な配線長に影響しない。このため水平方向の配線間距離よりも層間距離を大きくすることが望まれる。また層間距離を大きくできるので、配線幅は配線高さより大きくするのがよい。
【０１０６】
また、配線はすべて多孔質体中に埋め込まれていても良いし、一部が多孔質体外に形成されていても良い。配線の多孔質体中に形成された層の厚さに対する、多孔質体外に形成された層に厚さの比率が５０％以下、好ましくは２０％以下とする。多孔質体外に形成された層の厚さが過剰に厚い場合には、配線基板上の凸凹が大きいために、基板上に電子部品を装着する際の実装性に劣るといった問題がある。通常、電気的な絶縁性を高め、金属のマイグレーションを防止するために、多孔質体の導電体が充填された領域以外の絶縁層には樹脂などが充填される。しかしながら、多孔質体外に形成された層は導電体が露出しているために、この層があまり厚いとマイグレーションが起きやすく耐久性に劣る。多孔質体外に形成される層は、多孔質体中の層を形成する際のめっきによって同時に形成するのが最もプロセスが簡便であり良い。
【０１０７】
本発明で製造されたビアおよび配線は、光の散乱を積極的に利用しているため、基板の内部に形成される部分は、必ず角のない構造になる。このため導電体配線部分の断面を見ると、蒲鉾型か、半円形などの下部の丸い形になっている。蒲鉾型とは、矩形の４つの角の内、少なくとも隣接する２つの角が丸くなっていることを指す。
【０１０８】
導電体配線の横断面形状は矩形であるよりも、四隅が丸みを有しているのが良い。少なくとも隣接する配線層が存在する面の辺縁は丸くなっていて蒲鉾型であるのが良い。矩形で四隅が角張っていると、電界の集中により導電体のマイグレーションが生じやすく、デンドライトの生成による電気的な短絡がおきやすい。これに対して丸くなっていれば、そうしたマイグレーションを防止することができる。このため、本発明のビアと配線はマイグレーションがおきにくいという特徴を持つ。
【０１０９】
また、このように配線の横断面を蒲鉾型に形成することによって、多孔質基板に樹脂を含浸する際の樹脂の流れが改善され、配線の裏側などにボイドが生じることを防止することが可能となる。特に、微細なフィラーを分散させた樹脂など流動性が良くない樹脂を含浸する場合には有効である。
【０１１０】
蒲鉾型とは蒲鉾型の曲線の部分、つまり辺縁の丸くなっている部分の曲率半径が配線の厚みの１／３以上であることをさす。好ましくは１／２であることが、このような効果がでやすく好都合である。曲率半径が小さすぎる場合には、充分なマイグレーションの防止効果が期待できない。また上記の比率を保った上で、曲率半径の値としては５μｍ以上であるのがより好ましい。
【０１１１】
さらに、本発明で第二の光透過領域を用いてパターン形成された導電体の配線部分には以下のような特徴がある。
【０１１２】
まず、第一に基板の表面から数μｍの厚さで、導電体の充填率が非常に高い層が存在する（第１の層）。これは露光に微細パターンを用いることによって基板付近が強く露光されるため、およびメッキ時の核生成成長過程の結果表面付近に金属が多く析出するためである。この層は、多孔質体の空隙部分に８０％以上導電体が充填されている層と、場合によってはその上の多孔質体より僅かにはみ出していて、薄い導電体だけが存在する層から構成されている。この部分は、導電体が多いため電気抵抗は小さく、特に高周波電流を流すときは、配線の表面付近にしか流れないため、このような構造が非常に好都合である。
【０１１３】
導電体の充填率は８０％以上、好ましくは９０％以上であることが好ましい。８０％未満の場合には十分な導電率を得ることが難しい。このため、導電性を確保するために配線の幅を大きくしなければならず、高密度化が困難となる。配線層に高周波電流を通すためには、この層の厚みは基板表面から基板の厚さの１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下である。高周波電流は実質的にほとんどこの層を流れるために、この層が基板の厚さの１５％以下と薄いほど下にある配線層との距離を大きくできる。したがって、インピーダンスの整合がとりやすくなる。
【０１１４】
また、第二の特徴として、前述の充填率の高い層に続いて、比較的充填率の小さい層が存在する（第２の層）。この層の厚さは、基板表面から基板の厚さの１０％から５０％までの間が好ましい。これより厚い場合には基板裏面との絶縁性が悪くなるおそれがある。この厚みは基板の厚みが比較的薄いときであり、基板厚が２００μｍを超えるような場合には、１０μｍ〜１００μｍ程度である。
【０１１５】
この層は、多孔質体の基板の中に導電体が食い込んだ構造になっている。この層と第一の特徴である導電体の充填率の非常に高い層の導電体とは、メッキ時に同時に形成されるため連続構造を有している。したがって、一般のプリント配線基板のように、金属配線が基板より剥がれるようなことはない。このため、曲げ強度や温度変化に対して非常に強い構造となっている。この層の導電体の充填率は、１０％以上８０％未満の間であり、大部分は２０％以上６０％以下であることが望ましい。
【０１１６】
充填率の高い層と低い層の厚みの比率は、２：１〜１：５の間が望ましく、さらに好ましくは１：１〜１：２程度である。この比率より充填率の高い層が少ないと配線幅に対して得られる導電率が充分ではないうえ、基板から導電体層が剥がれ落ちる可能性がある。高いと他の配線との接触を起こしたり、漏電が発生するおそれがある。また、後述するような熱膨張係数の差異の緩和が充分でなく、配線が破断する恐れがある。横断面が蒲鉾型の場合、板蒲鉾の板の部分が導電体が緻密な層に相当する。
【０１１７】
さらにこうした２層構造は、導電部の耐熱性を向上させる効果を有する。多孔質体に導電体が充填されていると、充填率によって熱膨張係数が変化する。もし上述のように充填率の高い層と充填されていない領域との間に、充填率の低い層が挿入されていないと、熱履歴によって熱膨張係数の違いにより導電体の破断などが起こりやすい。しかしながら、中間的な熱膨張係数となる充填率の低い層が挿入されることによって、熱膨張係数の差異が緩和され導電部の熱履歴に対する高い耐久性が得られる。充填の低い層の充填率があまり多きすぎる場合には、緩和の効果が充分でなく、絶縁層との間に応力がかかりやすくなる。一方、充填率があまり小さすぎると、充填率が高い層と低い層との間で応力がかかりやすくなる。いずれの場合も、こうした応力は配線の破断の原因となる。
【０１１８】
なお、本発明において多孔質基板の厚さは１０μｍ以上５００μｍ以下、望ましくは２０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。
【０１１９】
【発明の実施の形態】
以下、具体例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの具体例に限定されることは意図されない。
【０１２０】
（実施例１）
実施例１においては、ハーフトーンマスクを用いた多孔質の絶縁体への配線パターンの形成について説明する。
【０１２１】
多孔質基板として、ＰＴＦＥ多孔質シート（空孔径５００ｎｍ，膜厚５８μｍ）を用意した。一方、ナフトキノンジアジド含有フェノール樹脂（ナフトキノンジアジド含有率；３３当量ｍｏｌ％）をアセトンに溶解して、１ｗｔ％のアセトン溶液を調製した。得られた感光剤を、前述のシートの全表面にディップ法によりコーティングしたところ、多孔質の穴の中も含めて、内部空孔表面が感光性組成物で被覆された。
【０１２２】
このシートに対して、ＣＡＮＯＮ  ＰＬＡ５０１を用い、マスクを介して波長４３６ｎｍで露光し、露光部にイオン交換性基を生成させた。ここで使用したマスクはハーフトーンを用いたものであり、その概略構成を図６に示す。
【０１２３】
図６に示されるように、マスク２０にはパッド用の領域を感光するための光透過領域２１、貫通したビア用の領域を感光するための光透過領域２２、および非貫通の配線用の領域を感光するための光透過領域２３が形成されている。マスク２０においては、ビア用の領域を感光するための光透過領域２２は白抜きパターンからなり、配線用の領域を感光するための光透過領域２３はハーフトーンから形成される。マスク２０の全長は１０ｍｍとし、光透過領域２３間の距離Ａは０．９ｍｍとした。また、光透過領域２２の直径Ｂは、０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７５ｍｍおよび０．１ｍｍとした。その他の寸法は、図６に示すとおりである。
【０１２４】
こうしたマスクを介して露光を行なうことによりパターン潜像が形成されたシートを、０．５Ｍに調整した硫酸銅水溶液に５分間浸漬後、蒸留水による洗浄を３回繰り返した。続いて、水素化ホウ素ナトリウム０．０１Ｍ水溶液に３０分間浸漬後、蒸留水で洗浄して複合部材を作製した。得られた複合部材には、Ｃｕからなる導電部が形成されていた。
【０１２５】
導電パターンが形成されたシートを、さらに無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に３０分間浸漬して導電部に銅メッキを施すことにより、配線部を形成した。
【０１２６】
１９５０ｍJ／ｃｍ2の照射量で露光した結果、マスクの光透過領域２３を構成するハーフトーンの光透過率が５５％（１０７０ｍＪ／ｃｍ2）以上の場合に、裏面まで貫通した金属ビアが多孔質シートに形成された。ビアの表裏間での導通を測定したところ、９０％（１７７０ｍＪ／ｃｍ2）以上の光透過率の部分では１００％の部分と全く同じ抵抗値を示した。また、ハーフトーンの光透過率が８．４％〜５０％（１６３ｍＪ／ｃｍ2〜９７０ｍＪ／ｃｍ2）までの場合には、多孔質シートの表面のみに金属メッキが得られた。なかでも、透過率３５％（６８０ｍＪ／ｃｍ2）以下では導電体部分が表面から半分未満に抑えられ、導電体配線として用いるための十分な絶縁性が表裏間で得られた。
【０１２７】
また、マイグレーションが起こり難く耐久性に優れていた。透過率を調整することによって、多孔質シート中に形成された導電体部分の厚さを多孔質シートの厚さに対して１０〜５０％の範囲で自由に制御することができた。多孔質シート外に形成された導電体層の厚さは、多孔質シート内に形成された導電体部分の厚さに対して、いずれも１０％未満であった。ハーフトーンの光透過率が８．０％以下の場合には、多孔質シートの表面にも金属メッキは得られなかった。
【０１２８】
なお、マスク２０の白抜きパターン２２に対応する多孔質シートの領域には、いずれの場合も表裏貫通した金属メッキが形成された。
【０１２９】
本実施例において用いた多孔質基板の空隙の大きさを回転半径で定義すると、露光光の波長の０．８９〜０．９６倍程度である。また、用いたマスクにおいては、ビア用の領域を感光するための光透過領域の平均透過率は９０〜１００％程度であり、配線用の領域を感光するための光透過領域の平均透過率は８．４〜５０％程度である。
【０１３０】
以上の結果から、ビア用の感光領域を形成するための光透過領域２２に白抜きパターンを用いるとともに、配線用の感光領域を形成するための光透過領域２３にハーフトーンを用いることによって、表面のみの配線と表裏貫通したビアとを多孔質シートに一度の露光工程で作製できることが実証された。特に、ハーフトーンの光透過率が１５％から３０％の間では、表面の金属配線が十分な導通があり、しかも裏面との絶縁も良好であった。
【０１３１】
（実施例２）
実施例２においては、微細パターンを使用したマスクを用いた多孔質の絶縁体への配線およびビアの形成について説明する。
【０１３２】
まず、前述の実施例１と同時方法により絶縁体に感光剤をコーティングして試料を用意した。この試料に対して、ＣＡＮＯＮ  ＰＬＡ５０１を用い、マスクを介して波長４３６ｎｍで露光し、露光部にイオン交換性基を生成させた。本実施例においても、前述の実施例１の場合と同様に、用いた絶縁体の空隙の大きさを回転半径で定義すると、露光光の波長の０．８９〜０．９６倍程度である。
【０１３３】
ここで使用したマスクは、配線部に微細パターンを施したものであり、その概略構成を図７に示す。
【０１３４】
図７に示されるように、マスク３０にはパッド用の領域を感光するための光透過領域３１、貫通したビア用の領域を感光するための光透過領域３２、および非貫通の配線用の領域を感光するための光透過領域３３が形成されている。マスク３０においては、ビア用の感光領域を形成するための光透過領域３２は、白抜きパターンからなり、配線用の感光領域を形成するための光透過領域３３は微細パターンの集合から形成される。マスク３０の全長は１０ｍｍとし、光透過領域３３間の距離Ａは０．９ｍｍとした。また、光透過領域３２の直径Ｂは、０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７５ｍｍおよび０．１ｍｍとした。その他の寸法は、図７に示すとおりである。マスク３０においては、配線用の領域を感光するための光透過領域の開口率は、３．６〜４０％程度である。
【０１３５】
こうしたマスクを介して１５００ｍJ／ｃｍ2の照射量で露光を行なうことによりパターン潜像が形成されたシートを、０．５Ｍに調整した硫酸銅水溶液に５分間浸漬後、蒸留水による洗浄を３回繰り返した。続いて、水素化ホウ素ナトリウム０．０１Ｍ水溶液に３０分間浸漬後、蒸留水で洗浄して複合部材を作製した。得られた複合部材には、Ｃｕからなる導電部が形成されていた。
【０１３６】
導電部が形成されたシートを、さらに無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に３０分間浸漬して導電部に銅メッキを施すことにより、配線部を形成した。
【０１３７】
その結果、マスク３０の白抜きパターン３２に対応する基板の領域では、全て表裏面に貫通した金属ビアが形成されていた。
【０１３８】
ここで、配線用の領域を感光するための光透過領域３３を構成する微細パターンの形状やその寸法の影響を調べた。
【０１３９】
まず、微細パターンを縞状パターンにより構成し、この縞状パターンの光が透過する開口部の幅（Ｌμｍ）、および開口部の中心間の距離（Ｐμｍ）を変化させて種々のマスクを準備した。各マスクを用いて上述したような手法により多孔質シートに導電部を形成し、その結果を開口部の幅Ｌおよび中心間距離Ｐとともに下記表１に示す。
【０１４０】
【表１】
0003766293.tif 000003
【０１４１】
表１に示されるように、配線用の感光領域を形成するためのマスクの光透過領域を、縞状パターンの集合から構成する場合には、縞状パターンの開口部の幅Ｌを１．５〜４μｍとし、中心間距離Ｐを２．５〜６μｍとすることによって、多孔質シートの表面のみに良好に導電体パターンを析出させることができる。
【０１４２】
次に、微細パターンとして円形のドットパターンを用い、これを四角格子状に配列することにより、配線用感光領域を形成するための光透過領域を形成した。ドットの直径（φμｍ）、および開口部の中心間の距離（Ｐμｍ）を変化させて種々のマスクを準備した。各マスクを用いて上述したような手法により多孔質シートに導電部を形成し、その結果をドットの直径φおよび中心間距離Ｐとともに下記表２に示す。
【０１４３】
【表２】
0003766293.tif 000004
【０１４４】
表２に示されるように、配線用の感光領域を形成するためのマスクの光透過領域を、四角格子状に配列された円形のドットの集合から構成する場合には、ドットの直径φを１〜５μｍとし、中心間距離Ｐを１．５〜５μｍとすることによって、多孔質シートの表面のみに良好に導電体パターンを析出させることができる。
【０１４５】
さらに、微細パターンとして円形のドットパターンを用い、これを三角格子状に配列することにより、配線用感光領域を形成するための光透過領域を形成した。ここで用いたマスクにおけるドットの配置を図８に示す。各ドットの直径はφμｍであり、Ｐμｍの中心間距離で三角格子を組むように配列されている。図８に示されるように、隣接するドットの中心間の最遠距離は、√３×Ｐμｍとなる。
【０１４６】
ドットの直径（φμｍ）、および開口部の中心間の距離（Ｐμｍ）を変化させて種々のマスクを準備した。各マスクを用いて上述したような手法により多孔質シートに導電部を形成し、その結果をドットの直径φおよび中心間距離Ｐとともに下記表３に示す。
【０１４７】
【表３】
0003766293.tif 000005
【０１４８】
表３に示されるように、配線用の感光領域を形成するためのマスクの光透過領域を、三角格子状に配列された円形のドットの集合から構成する場合には、ドットの直径φを２〜５μｍとし、中心間距離Ｐを４〜８μｍとすることによって、多孔質シートの表面のみに良好に導電体パターンを析出させることができる。
【０１４９】
また、第二の光透過領域のマスクパターンの開口率を調整して透過率を調整することによって、多孔質シート中に形成された導電体部分の厚さを多孔質シートの厚さに対して５〜５０％の範囲で自由に制御することができた。多孔質シート外に形成された導電体層の厚さは、多孔質シート内に形成された導電体部分の厚さに対して、いずれも１０％未満であった。実施例２で第二の光透過領域を用いて作製した基板の断面写真を撮影したところ、実施例１で作製した基板に比べ、導電体層の厚みは薄くなる傾向があった。
【０１５０】
さらに、導電体層の厚みが同じ実施例１のサンプルと実施例２のサンプルを比較すると、基板表面に非常に多くの金属が析出しているのが観察された。この金属は表面から数μｍの範囲までに偏析して緻密な層を形成しており、そこから深い部分の充填率が低いことが確認された。また配線の断面は蒲鉾型であった。例えばマスク３０によって形成した配線の場合、緻密な辺縁の丸くなっている部分の曲率半径は１０μｍであり、配線厚の１／３以上だった。
【０１５１】
また、ここで露光された試料は、露光面側に導電体が多孔質基板の空隙に密に詰まった層と、充填率の小さな層が観察された。それぞれの条件での、この２つの層の厚みを示す。
【０１５２】
縞状パターンの場合、導電体の充填率が８０％以上の層の厚みと、８０％未満の充填率の層の厚みの平均値は以下のとおりであった。
【０１５３】
0003766293.tif 000006
四角格子を組んだ微細パターンの場合、導電体の充填率が８０％以上の層の厚みと、８０％未満の充填率の層の厚みの平均値は以下のとおりであった。
【０１５４】
0003766293.tif 000007
三角格子を組んだ微細パターンの場合、導電体の充填率が８０％以上の層の厚みと、８０％未満の充填率の層の厚みの平均値は以下のとおりであった。
【０１５５】
0003766293.tif 000008
以上のように、導電体が多孔質基板の空隙に密に詰まった層と、充填率の小さな層が観察された。特に、充填率８０％以上の層の実際の充填率は９０％以上であった。また、８０未満の層の充填率は平均６０％程度であった。
【０１５６】
この配線構造は優れた高周波特性を示した。また、マイグレーションも起こり難く耐久性に優れていた。
【０１５７】
（実施例３）
実施例３においては、両面の配線とビアとを一度の露光により同時に形成する例について説明する。
【０１５８】
多孔質基板として、ＰＴＦＥ多孔質フィルム（空孔径６００ｎｍ，膜厚１０２μｍ）を用いた。この絶縁体を用いる以外は、前述の実施例１と同様の方法により感光剤をコーティングして試料を準備した。
【０１５９】
こうした試料の両面から露光を行なうためのマスクとしては、配線部に微細パターンを施した表裏２枚組みのマスクを用意した。
【０１６０】
用いたマスクの概略構成を図９に示す。
【０１６１】
図９に示されるように、マスクは表面露光用マスク４０ａと裏面露光用マスク４０ｂとの２枚組みで構成される。マスク４０ａおよび４０ｂのいずれにも、パッド用の領域を感光するための光透過領域４１、貫通したビア用の領域を感光するための光透過領域４２、および非貫通の配線用領域を感光するための光透過領域４３が形成されている。ビア用の領域を感光するための光透過領域４２は、白抜きパターンからなり、配線用の領域を感光するための光透過領域４３は微細パターンの集合から形成される。
【０１６２】
マスク４０ａおよび４０ｂの全長は１０ｍｍとし、光透過領域４３間の距離Ａは０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．４ｍｍおよび０．９ｍｍとした。また、光透過領域４２の直径Ｂは、０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７５ｍｍおよび０．１ｍｍとした。その他の寸法は、図９に示すとおりである。
【０１６３】
なお、マスクの光透過領域４３における微細パターンとしては、ドットパターンを用い、これを三角格子状に配列した。ドットにおける光が透過する開口部の直径（φμｍ）が３μｍと、４μｍのものを各々用意し、開口部の中心間の距離は直径の２倍とした。マスク４０においては、配線用の領域を感光するための光透過領域の開口率は、２２．６６％程度である。
【０１６４】
試料を２組のマスクに挟み、マークを用いて表裏の配線およびビアが合うように組み合わせた。ＣＡＮＯＮ  ＰＬＡ５０１で、表を波長４３６ｎｍで１２００ｍＪ／２で露光し、次に裏も同様に１２００ｍＪ／２で露光し、表裏とも露光部および貫通部にイオン交換性基を生成させた。本実施例において用いた絶縁体の空隙の大きさを回転半径で定義すると、露光光の波長の０．８９〜０．９６倍程度である。
【０１６５】
パターン潜像が形成されたシートを、０．５Ｍに調整した硫酸銅水溶液に５分間浸漬後、蒸留水による洗浄を３回繰り返した。続いて、水素化ホウ素ナトリウム０．０１Ｍ水溶液に３０分間浸漬後、蒸留水で洗浄して複合部材を作製した。得られた複合部材には、Ｃｕからなる導電部が形成されていた。
【０１６６】
このようにして導電部が形成されたシートを、さらに無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に３０分間浸漬し、導電部に銅メッキを施すことにより配線部を形成した。
【０１６７】
この結果、開口部の直径が３μｍおよび４μｍのいずれのドットパターンのマスクを用いた場合も、多孔質基板の表と裏とに交互に配線が形成され、表裏の配線はビアで接続されてミシン目状を呈したディジーチェーン構造が形成されていた。配線の横断面を観察したところ、厚さ１０μｍの充填率９０％の緻密な層と、厚さ２０μｍの充填率６５％の緻密でない層とからなっていた。
【０１６８】
このディジーチェーン構造の熱履歴に対する耐久性を調べるために、温度サイクル試験を行なった。作製した多孔質基板にベンゾシクロブテン樹脂（ダウケミカル社製）を含浸して、加圧しながら窒素気流下、２２０℃で２時間加熱硬化させて樹脂含浸多孔質基板とした。この多孔質基板を２６０℃で１０秒間加熱した後に、０℃で２０秒間冷却する操作を５００回繰り返して、ディジーチェーンのパット間の抵抗値の変化を調べた。加熱および冷却は、ディジーチェーンが形成された多孔質基板を、それぞれの温度に調整されたシリコンオイル中にそれぞれの時間だけ浸漬することによって行なった。抵抗値の測定は４端子法により測定した。その結果、上記の加熱および冷却の操作を１０００回繰り返した後も、抵抗値の変化は操作前の初期抵抗値の１０％以内と良好な耐温度サイクル性を示した。
【０１６９】
（実施例４）
実施例４においては、両面の配線とビアとを一度の露光により同時に形成し、得られた複合部材の絶縁性を調べた。
【０１７０】
多孔質基板として、ＰＴＦＥ多孔質シート（空孔径６００ｎｍ，膜厚１０２μｍ）を用いた。この絶縁体を用いる以外は、前述の実施例１と同様の方法により感光剤をコーティングして試料を準備した。
【０１７１】
実施例２で用いた、三角格子状に円形の微細パターンを配置したマスク３０のビアに相当する白抜きの部分がない以外は同様のパターンを用い、ＣＡＮＯＮ  ＰＬＡ５０１で、波長４３６ｎｍで１２００ｍＪ／ｃｍ2で露光して露光部にイオン交換性基を生成させた。前述の実施例１の場合と同様に、用いた絶縁体の空隙の大きさを回転半径で定義すると、露光光の波長の０．８９〜０．９６倍程度である。
【０１７２】
次に、ＰＴＦＥ多孔質シートを裏返し、先に露光した配線と直行するようにマスクを配置して、シートの裏面にも同様に１２００ｍＪ／ｃｍ2で露光を行なった。
【０１７３】
パターン潜像が形成されたシートを、０．５Ｍに調整した硫酸銅水溶液に５分間浸漬後、蒸留水による洗浄を３回繰り返した。続いて、水素化ホウ素ナトリウム０．０１Ｍ水溶液に３０分間浸漬後、蒸留水で洗浄して複合部材を作製した。得られた複合部材には、Ｃｕからなる導電部が形成されていた。
【０１７４】
このようにして導電部が形成されたシートを、さらに無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に３０分間浸漬し、導電部に銅メッキを施すことにより配線部を形成した。
【０１７５】
この結果、裏と表で直交している配線が得られた。このシートにベンゾシクロブテン樹脂（ダウケミカル社製）を含浸し、加圧しながら窒素気流下、２２０℃で２時間加熱硬化することによって樹脂含浸多孔質基板を作製した。この樹脂含浸多孔質基板の直交する配線間での絶縁性について調べ、得られた結果を下記表４に示す。
【０１７６】
【表４】
0003766293.tif 000009
【０１７７】
表４の結果から、直径φが７μｍ以上の大きな微細パターンを配置したマスクを用いて作製した配線では、多孔質シートの裏表で導通して絶縁性を確保できないことがわかる。また、微細パターン間の中心間距離Ｐが１．５φ以下と短い場合にも、裏表で導通し絶縁性が取れなかった。一方、微細パターン間の中心間距離Ｐが１２μｍ以上と長い試料は、同一面内の導通がとれず、配線として機能しなかった。
【０１７８】
このように、所定のマスクを介して多孔質シートの一方の面から露光を行なった後、同一のマスクを用いて他方の面から露光を行なう場合、配線として機能できるとともに表面と裏面との絶縁性を確保して、多孔質シートの表面のみに良好に導電体パターンを析出させるためには所定の条件が存在する。例えば、本実施例のように、配線用の感光領域を形成するためのマスク光透過領域を、微細パターンを三角格子状に配列された円形のドットの集合から構成する場合には、ドットの直径φを１〜５μｍとし、中心間距離Ｐを２〜１０μｍとすることが好ましい。
【０１７９】
またドットの直径が２μｍで中心間距離が５μｍの三角格子の微細パターンを用いた配線が形成された樹脂含浸多孔質基板について、高温高湿バイアス試験を行った。まずこの樹脂含浸多孔質基板の配線の横断面を観察したところ、断面形状がかまぼこ型であり、片縁の曲率半径は配線の厚さの１／３以上であった。また樹脂を含浸する際に、ボイドの発生なども観察されなかった。
【０１８０】
樹脂含浸多孔質基板を温度８５℃、湿度８５％の高温高湿槽に収容し、直交する配線間にＤＣ１２Ｖおよび６０Ｖの電圧をそれぞれ５００時間印加した。印加後、直交する配線間の抵抗値を４端子法により測定したところ、いずれも５０ＭΩ以上と良好な絶縁性を保持していた。また上下の配線が交差する部分にマイグレーションに起因するデンドライトなどは観察されなかった。このことからこの樹脂含浸多孔質基板がマイグレーションが起こりにくく、高温高湿耐性を有していることがわかった。またこの樹脂含浸多孔質基板について、実施例２と同様の温度サイクル試験を行い、それぞれの配線のパット間の抵抗値の変化を観察した。その結果、温度サイクル試験後も、抵抗値の変化が初期抵抗値の１０％以内であり、配線が破断などせず良好な温度サイクル耐性を有していることがわかった。同じ絶縁層を用いて、多孔質シート上に貼った厚さ１２μｍの銅箔を通常のフォトリソグラフィー工程により作製した配線パターンについて、同等の試験を行ったところ、一部マイグレーションに起因すると思われる絶縁不良が発生した。このことから本発明の蒲鉾型の横断面の配線は耐マイグレーション性に優れることがわかった。
【０１８１】
（実施例５）
実施例５においては、化学増幅型の感光剤を用いた例を説明する。
【０１８２】
まず、光酸発生剤としてのナフタルイミド・トリフルオロメタンスルホネートを、ポリメチルメタクリレート−ポリテトラヒドロメタクリレート（６５ｍｏｌ％：３５ｍｏｌ％、Ｍｗ＝４００００）のランダムコポリマーに対して１重量部添加した。樹脂と光酸発生剤の固形分との合計が１重量部になるようにアセトン溶液にして、感光性組成物を調製した。
【０１８３】
絶縁体として、ＰＴＦＥ多孔質フィルム（空孔径５００ｎｍ，膜厚２０μｍ）を用い、前述の感光性組成物をディップ法にてフィルム全表面にコーティングした。この操作により、多孔質の穴の中も含め内部空孔表面が感光性組成物で被覆された。
【０１８４】
このフィルムに対して、水銀灯の輝線であるｉ線（λ＝３６５ｎｍ）を用い、所定のマスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ2で露光を施して、露光部に潜像を形成させた。用いた絶縁体の空隙の大きさを回転半径で定義すると、露光光の波長の１．０６〜１．１０倍程度である。
【０１８５】
ここでマスクとしては、実施例２で説明したような三角格子状に円形ドットからなる微細パターンが配置されたマスク３０を用いた。その後、ホットプレート上で加熱することにより脱保護反応を促進させて、露光部にイオン交換性基を生成させた。
【０１８６】
パターン潜像が形成されたシートを、０．５Ｍに調整した硫酸銅水溶液に５分間浸漬後、蒸留水による洗浄を３回繰り返した。続いて、水素化ホウ素ナトリウム０．０１Ｍ水溶液に３０分間浸漬後、蒸留水で洗浄して複合部材を作製した。得られた複合部材には、Ｃｕからなる導電部が形成されていた。
【０１８７】
このようにして導電部が形成されたシートを、さらに無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に３０分間浸漬し、導電部に銅メッキを施すことにより配線パターンを形成した。
【０１８８】
ドットの直径（φμｍ）、および開口部の中心間の距離（Ｐμｍ）を変化させて種々のマスクを準備した。各マスクを用いて上述したような手法により多孔質シートに導電部を形成し、その結果をドットの直径φおよび中心間距離Ｐとともに下記表５に示す。
【０１８９】
【表５】
0003766293.tif 000010
【０１９０】
表５に示されるように、三角格子状に配列された円形のドットの集合から構成された光透過領域を有するマスクを用いて、化学増幅型の感光剤が塗布された多孔質の絶縁体に露光を行なう場合には、ドットの直径φを１〜５μｍとし、中心間距離Ｐを２〜８μｍとすることによって、多孔質シートの表面のみに良好に導電体パターンを析出させることができる。
【０１９１】
特に、本実施例のように化学増幅型の感光剤を用いることによって、感度を高めることが可能となる。
【０１９２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、貫通部であるビアと少なくとも一方の面の配線とを、多孔質基板に一度のプロセスで形成する複合部材の製造方法が提供される。この製造方法によれば、ビアと配線の位置ずれが起こりえない。このためランドレスビアが可能となり、配線の大幅な高密度化を実現できる。また本発明によれば、上述したような複合部材の製造に用いるためのマスク基板が提供される。さらに本発明によれば、上述した方法により製造された複合部材が提供される。
【０１９３】
本発明は、各種インタポーザーやモジュール基板、マザーボードなどの多層配線基板、センサなど多くの用途に好適に用いることができ、その工業的価値は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複合部材の製造方法を示す断面概略図。
【図２】本発明の複合部材の製造方法を示す断面概略図。
【図３】本発明の複合部材の製造方法を示す断面概略図。
【図４】ＰＴＦＥ多孔質フィルムをＨｅＮｅレーザーで照射した際のＧｕｉｎｉｅｒプロット。
【図５】本発明の複合部材の製造方法を説明する工程断面図。
【図６】本発明にかかるマスク基板の一例の構成を表わす概略図。
【図７】本発明にかかるマスク基板の他の例の構成を表わす概略図。
【図８】本発明にかかるマスク基板における微細パターンの配置を説明する図。
【図９】本発明にかかるマスク基板の他の例の構成を表わす概略図。
【符号の説明】
１…多孔質基板
２…感光性組成物層
３…マスク
４…白抜きの第一の光透過領域
５…微細パターンからなる第二の光透過領域
６…ビア形成用感光領域
７…配線形成用感光領域
８…ビア
９…配線
１０…露光光
１１…散乱光
２０…マスク
２１…パッド用光透過領域
２２…白抜きパターン
２３…ハーフトーンパターン
３０…マスク
３１…パッド用光透過領域
３２…白抜きパターン
３３…微細パターン
４０ａ，４０ｂ…マスク
４１…パッド用光透過領域
４２…白抜きパターン
４３…微細パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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