(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンに締結される略筒状の主体金具と、該主体金具に一体的に形成された接地電極と、前記主体金具に挿入された中心電極と、前記主体金具と前記中心電極との間に配置される略筒状の絶縁体と、該絶縁体の先端と当接した状態で前記主体金具と前記中心電極との間の先端側に配置された円筒状のイグナイタプラグ用半導体を有し、該イグナイタプラグ用半導体の表面に前記接地電極と前記中心電極間とで沿面放電間隙を形成するイグナイタプラグであって、
前記イグナイタプラグ用半導体は、炭化珪素が６７重量％以上８０重量％以下と、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのいずれか一種以上から選ばれた焼結助剤とを２０重量％以上３３重量％以下含むとともに、該イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であり、かつ前記イグナイタプラグ用半導体の外側付近及び内部中心付近ともに、粒子同士が粒界相を介して結合することを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項２】
エンジンに締結される略筒状の主体金具と、該主体金具に一体的に形成された接地電極と、前記主体金具に挿入された中心電極と、前記主体金具と前記中心電極との間に配置される略筒状の絶縁体と、該絶縁体の先端と当接した状態で前記主体金具と前記中心電極との間の先端側に配置された円筒状のイグナイタプラグ用半導体を有し、該イグナイタプラグ用半導体の表面に前記接地電極と前記中心電極間とで沿面放電間隙を形成するイグナイタプラグであって、
前記イグナイタプラグ用半導体は、炭化珪素が６７重量％以上８０重量％以下と、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのいずれか一種以上から選ばれた焼結助剤とを２０重量％以上３３重量％以下含むとともに、該イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であり、かつ密度が３．３０ｇ／ｃｍ3 以上３．３４ｇ／ｃｍ3 以下であることを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載されたイグナイタプラグにおいて、  前記イグナイタプラグ用半導体は外側付近及び内部中心付近ともに、ほぼ同一の密度を呈することを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項４】
請求項２に記載されたイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体は外側付近及び内部中心付近ともに、粒子同士が粒界相を介して結合することを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体は前記沿面放電間隙の表面から０．３ｍｍ以上の内部において略均一の抵抗値を有することを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項６】
請求項１、３、４または請求項５に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体の密度は、３．３０ｇ／ｃｍ3 以上３．３４ｇ／ｃｍ3 以下であることを特徴とするイグナイタプラグ。
【請求項７】
請求項１から請求項６に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体の高さは４ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするイグナイタプラグ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ジェットエンジンやガスタービン等の点火のために用いられるイグナイタプラグ用半導体を備えたイグナイタプラグに関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の従来技術として、アメリカ合衆国特許第３５５８９５９号公報、同４９７３８７７号公報に開示された技術が知られている。
アメリカ合衆国特許第３５５８９５９号公報に開示された技術は、炭化珪素と酸化アルミニウムとを主体として、ホットプレスにより焼結された構成が開示されており、主に高温状態及び燃料浸潤状態において、高エネルギ火花放電を行ったときの火花耐久性の向上を目的とするものである。
また、アメリカ合衆国特許４９７３８７７号公報に開示された技術は、微小粒径の炭化珪素と微小粒径の酸化アルミニウムとを焼結助剤とともに混合し、所定形状に成形したのち、焼成温度１８００℃以上、焼成圧力２００ｋｇ／ｃｍ2 以上でホットプレス焼成する技術で、イグナイタ用半導体の組織を強靱化するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のアメリカ合衆国特許第３５５８９５９号公報に開示された技術は、加熱温度が２７００゜Ｆ（約１４８０℃）に達した時点から圧力を６００ポンド／インチ（約４２ｋｇ／ｃｍ2 ）加え、温度の上昇とともに圧力を上昇させ、焼成温度に達したときには６０００ポンド／インチ（約４２０ｋｇ／ｃｍ2 ）とし、焼成温度を所定時間保った後、徐々に冷却し、２７００゜Ｆ（約１４８０℃）までこの圧力を保持するものである。このような製造方法によって製造された半導体は、炭化珪素が６５％以上の場合には、相対密度が９５％以下のものまでしか得られない。このため、炭化珪素含有量の低いものに比べスパーク回数に対する火花消耗の度合いが大きい。また、焼成温度は３４４０゜Ｆ（約１８９３℃）以上必要であり、焼成物がカーボン製の焼成型に接着しやすい。
【０００４】
また、上記のアメリカ合衆国特許４９７３８７７号公報に開示された技術は、図８の温度変化Ａ2 に示すように、加熱温度が１２００℃に達した時点から、圧力変化Ｂ2 に示すように焼成物に２５０ｋｇ／ｃｍ2 を加え、その後、加圧した状態で加熱温度を焼成温度まで上昇させ、焼成温度を所定時間保ち、その後徐々に冷却し、１２００℃に低下した時点で加圧圧力を開放したものである。なお、図８の破線Ａｒ2 は焼成時における雰囲気圧力を示すものである。
【０００５】
また、このアメリカ合衆国特許４９７３８７７号公報に開示された技術によって製造された半導体を端面から０．３ｍｍ毎に削って抵抗値を測定し、その測定結果を図５の破線Ｅ2 に示す。なお、試験条件は、ギャップ１．２３ｍｍで、２０００Ｖメガオーム計を用いて測定した。このグラフに示されるように、この従来技術によって製造された半導体は内部の方が抵抗値が大きく上昇する。従って、研磨されてイグナイタプラグ用半導体を形成した場合、抵抗値が内部に向かって上昇する内側の半導体が主体となってしまう。
【０００６】
これらの製造方法によって製造された半導体は、組織の粒子同士が粒界相を介して結合しておらず、密度が不均一であった。具体的には、図１０に示すように、組織が粗（粒子同士が粒界相を介して結合されていない）であった。
【０００７】
従って、研磨によって形成されたイグナイタプラグ用半導体をイグナイタプラグに組み込み使用した場合、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損し、一度の火花消耗の程度が大きく、且つ広範囲におよんでしまう。
このため、これらの従来技術によって製造されたイグナイタ用半導体は、スパーク回数に対する火花消耗の度合が大きく耐久性の向上が望まれていた。
【０００８】
【発明の目的】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その目的は、スパーク回数に対する火花消耗の度合が小さく、耐久性に優れたイグナイタ用半導体およびその製造方法の提供にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のイグナイタプラグは次の技術的手段を採用している。
【００１０】
［請求項１の手段］
エンジンに締結される略筒状の主体金具と、該主体金具に一体的に形成された接地電極と、前記主体金具に挿入された中心電極と、前記主体金具と前記中心電極との間に配置される略筒状の絶縁体と、該絶縁体の先端と当接した状態で前記主体金具と前記中心電極との間の先端側に配置された円筒状のイグナイタプラグ用半導体を有し、該イグナイタプラグ用半導体の表面に前記接地電極と前記中心電極間とで沿面放電間隙を形成するイグナイタプラグであって、
前記イグナイタプラグ用半導体は、炭化珪素が６７重量％以上８０重量％以下と、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのいずれか一種以上から選ばれた焼結助剤とを２０重量％以上３３重量％以下含むとともに、該イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であり、かつ前記イグナイタプラグ用半導体の外側付近及び内部中心付近ともに、粒子同士が粒界相を介して結合することを特徴とする。
【００１１】
［請求項２の手段］
エンジンに締結される略筒状の主体金具と、該主体金具に一体的に形成された接地電極と、前記主体金具に挿入された中心電極と、前記主体金具と前記中心電極との間に配置される略筒状の絶縁体と、該絶縁体の先端と当接した状態で前記主体金具と前記中心電極との間の先端側に配置された円筒状のイグナイタプラグ用半導体を有し、該イグナイタプラグ用半導体の表面に前記接地電極と前記中心電極とで沿面放電間隙を形成するイグナイタプラグであって、
前記イグナイタプラグ用半導体は、炭化珪素が６７重量％以上８０重量％以下と、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのいずれか一種以上から選ばれた焼結助剤とを２０重量％以上３３重量％以下含むとともに、該イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であり、かつ密度が３．３０ｇ／ｃｍ3 以上３．３４ｇ／ｃｍ3 以下であることを特徴とする。
【００１２】
［請求項３の手段］
請求項１または請求項２に記載されたイグナイタプラグにおいて、前記イグナイタプラグ用半導体は外側付近及び内部中心付近ともに、ほぼ同一の密度を呈することを特徴とする。
【００１３】
［請求項４の手段］
請求項２に記載されたイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体は外側付近及び内部中心付近ともに、粒子同士が粒界相を介して結合することを特徴とする。
【００１４】
［請求項５の手段］
請求項１乃至請求項４に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体は前記沿面放電間隙の表面から０．３ｍｍ以上の内部において略均一の抵抗値を有することを特徴とする。
【００１５】
［請求項６の手段］
請求項１、３、４または請求項５に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、  前記イグナイタプラグ用半導体の密度は、３．３０ｇ／ｃｍ3 以上３．３４ｇ／ｃｍ3 以下であることを特徴とする。
【００１６】
［請求項７の手段］
請求項１から請求項６に記載されたいずれかのイグナイタプラグにおいて、
前記イグナイタプラグ用半導体の高さは４ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の作用および効果】
請求項１のイグナイタプラグでは、炭化珪素を６７重量％以上８０重量％以下とすることによって半導体のスパーク回数に対する火花消耗の度合いを最も少なくできる。
また、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのうちいずれか一種以上の焼結助剤を加えることによって、焼成後の抵抗値が下がるため、所要の火花放電電圧を低下させることができる。
そして、イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であるため、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがなく、一度の火花消耗の程度が小さく、且つ狭い範囲での火花消耗で済む。さらに、イグナイタプラグ用半導体の外側から内部までの粒子同士が粒界相を介して結合しているため、イグナイタプラグ用半導体が塊状に欠損することを一層効果的に避けることができる。また、イグナイタプラグ用半導体の火花消耗が進行した場合、その火花消耗の割合が急激に大きくなることがない。
【００１９】
請求項２のイグナイタプラグでは、炭化珪素を６７重量％以上８０重量％以下とすることによってイグナイタプラグ用半導体のスパーク回数に対する火花消耗の度合いを最も少なくできる。
また、酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化カルシウムのうちいずれか一種以上の焼結助剤を加えることによって、焼成後の抵抗値が下がるため、所要の火花放電電圧を低下させることができる。
そして、イグナイタプラグ用半導体に対する組成の相対密度が９５％以上であるため、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがなく、一度の火花消耗の程度が小さく、且つ狭い範囲での火花消耗で済む。また、イグナイタプラグ用半導体の密度が３．３０ｇ／ｃｍ3 〜３．３４ｇ／ｃｍ3 であることによって相対密度が非常に高く、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがなく、一度の火花消耗の程度が小さく、且つ狭い範囲での火花消耗で済む。
【００２０】
請求項３のイグナイタプラグでは、イグナイタプラグ用半導体は外側付近及び内部中心付近ともに、ほぼ同一の密度を呈するため、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがない。また、イグナイタプラグ用半導体の火花消耗が進行した場合、火花消耗の割合が急激に大きくなることがない。
【００２１】
請求項４のイグナイタプラグでは、イグナイタプラグ用半導体の外側から内部までの粒子同士が粒界相を介して結合することによって、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがない。また、イグナイタプラグ用半導体の火花消耗が進行した場合、火花消耗の割合が急激に大きくなることがない。
【００２２】
請求項５のイグナイタプラグでは、イグナイタプラグ用半導体の内部における抵抗値が略均一であるため、イグナイタプラグ用半導体の火花消耗が進行しても放電電圧が急激に上昇することがない。
【００２３】
請求項６のイグナイタプラグでは、イグナイタプラグ用半導体の密度が３．３０ｇ／ｃｍ3 以上３．３４ｇ／ｃｍ3 以下であることによって相対密度が非常に高く、火花放電時にイグナイタプラグ用半導体が小さな塊状に欠損することがなく、一度の火花消耗の程度が小さく、且つ狭い範囲での火花消耗で済む。
【００２４】
請求項７のイグナイタプラグでは、イグナイタプラグ用半導体の高さが４ｍｍ未満であると、その高さが小さいことによって、イグナイタプラグ内部へのイグナイタプラグ用半導体の組付け作業が困難となる。すなわち、イグナイタプラグ用半導体を接地電極の内面に固定させる際の位置決めを行い難く、中心電極と接地電極との放電間隙に偏心が生じやすい。また、イグナイタプラグ用半導体の高さが１０ｍｍよりも大きいと、イグナイタプラグ用半導体の火花放電が進行した場合、火花放電の生じる場所がイグナイタプラグの内部の深い部分となるため、エンジンの始動性が低下する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明のイグナイタプラグ用半導体を有するイグナイタプラグおよびその製造方法を図面に基づいて説明する。
〔実施例の構成〕
図１ないし図６は本発明のイグナイタプラグ用半導体を有するイグナイタプラグおよびその製造方法に関する図面である。図７は相対密度に対する火花消耗を示すグラフである。図９はイグナイタプラグ用半導体の組織における粒子同士での結合状態を示すセラミック材料の組織写真である。以下、イグナイタプラグ用半導体と半導体とを便宜上、区別せずに双方とも用いる。
【００２８】
低電圧放電型イグナイタプラグ１は、ジェットエンジン、ガスタービン等のエンジンに締結される略筒状の主体金具２、この主体金具２に挿入された中心電極３、主体金具２と中心電極３との間に配置される略筒状の絶縁体４、この絶縁体４の先端と当接した状態で主体金具２と中心電極３との間の先端側に配置された円筒状のイグナイタ用半導体５等から構成される。
【００２９】
主体金具２は、図示しないエンジンに締結されることでエンジンにアース接地されるもので、先端の内周側にはテーパー部２ａを介して肉厚が大きくされ、その先端部位には小径（例えば、内径６．４ｍｍ）で軸方向へ延びる内筒面２ｂが接地電極として形成されている。
【００３０】
中心電極３は、主体金具２の中心に配置される棒状のもので、図示しない点火装置から約２０００Ｖの電圧が印加されるものである。この中心電極３の先端部位には、大径（例えば、外径４．０ｍｍ）で軸方向へ延びる外筒面３ａが形成される。なお、この外筒面３ａと、主体金具２の内筒面２ｂとの間には、環状の火花放電隙間ｇが形成され、中心電極３に約２０００Ｖの電圧が印加されると、火花放電隙間ｇで、高エネルギー放電が成される。
【００３１】
絶縁体４は、酸化アルミニウムなどのセラミック製の絶縁体４で、主体金具２の内部において中心電極３を絶縁保持するためのものである。
【００３２】
イグナイタプラグ用半導体５は、後述する製造方法によって製造されるもので、炭化珪素と酸化アルミニウムを主原料として焼成したＳｉＣ−Ａｌ2 Ｏ3 ソリッド型半導体である。このイグナイタプラグ用半導体５は、上述のように略筒状を呈し、その外周面の先端側は主体金具２のテーパ部２ａに一致する形状に設けられている。また、イグナイタプラグ用半導体５の内周面は、中心電極３の外筒面が嵌め込まれる寸法に設けられている。
【００３３】
次に、イグナイタプラグ用半導体５の製造方法を、図１を参照して説明する。１）平均粒径が５μｍ以下、望ましくは０．５μｍ以下の炭化珪素６７〜８０重量％と、平均粒径が１μｍ以下、望ましくは０．２μｍ以下の酸化アルミニウム１９〜２９重量％に、焼結助剤（酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化珪素）１〜５重量％を添加し（本実施例では酸化マグネシウム０．３重量％、酸化カルシウム０．５重量％、酸化珪素１．９重量％にて実施した）、蒸留水を混ぜて約４時間混合した後、乾燥する（混合工程）。
この場合、炭化珪素が６７重量％未満であると半導体の抵抗値が上昇し、火花が飛ばない場合が生じ、イグナイタプラグとしての機能を発揮し難い。また、８０重量％よりも多いと半導体の抵抗値が低くなりすぎ、イグナイタプラグの発火部表面に燃料が付着した際に、半導体表面から若干奥の部分で火花放電が発生し、スパークによる欠損の程度が大きくなりやすい。
【００３４】
また、平均粒径を５μｍ以下としたのは、火花放電による火花消耗の割合が小さいためである。０．５μｍ以下とすることによってこの傾向が顕著となり、火花消耗は溝状に発生する。これによって、一度の火花消耗の程度が小さく、小さな火花消耗の範囲で済む。
酸化アルミニウムが１９重量％未満であると、半導体の抵抗値が低くなりすぎ、イグナイタプラグの発火部表面に燃料が付着した際に、半導体表面から若干奥の部分で火花放電が発生し、火花放電による小さな塊状の欠損の程度が大きくなるからである。また、２９重量％よりも多いと、半導体の抵抗値が上昇し、火花が飛ばなくなるため、イグナイタプラグとしての機能を発揮し得ないからである。
【００３５】
平均粒径を１μｍ以下としたのは、炭化珪素の場合と同様に火花放電による火花消耗の度合いが小さいためである。０．２μｍ以下とすることによってこの傾向が顕著となり、火花消耗は溝状に発生する。これによって、一度の火花消耗の程度が小さく、小さな火花消耗の範囲で済む。
焼結助剤が１重量％未満の場合には、半導体の抵抗値が上昇し、火花が飛ばなくなるため、イグナイタプラグとしての機能を発揮し難い。また、５重量％よりも多いと、半導体がもろくなり火花放電による衝撃により小さな塊状の欠損が多くなる。
【００３６】
２）上記混合工程によって得られた混合物をカーボン製の焼成型に入れ、図１の温度変化Ａ1 に示すように、昇温速度２０℃／分で加熱し、混合物を焼成温度である１８００〜１９００℃に加熱焼成する（加熱工程）。
３）この加熱工程時に加熱温度が焼成温度に達した際に、図１の圧力変化Ｂ1 に示すように、焼成型内で加熱される混合物を約２５０ｋｇ／ｃｍ2 に加圧する（加圧工程）。なお、図１の破線Ａｒ1 は焼成時における雰囲気圧力を示すものである。
加圧圧力は、２００ｋｇ／ｃｍ2 以上であれば本発明の目的を達成する半導体が得られるが、約２５０ｋｇ／ｃｍ2 が最良である。加圧圧力の決定にはカーボン製の焼成型の寿命も重要な要素となる。この場合に４００ｋｇ／ｃｍ2 よりも大きいとカーボン製の焼成型の寿命が極端に低下し、型の破損が多くなることによって工数が上昇する。
【００３７】
４）加熱温度１８００〜１９００℃、加圧圧力約２５０ｋｇ／ｃｍ2 のホットプレスの状態を約３０分間保ち、その後徐々に冷却し、加熱温度が約１４００℃に低下した際に、加圧を開放する（ホットプレス工程）。
５）上記の焼成によって得られた半導体５ａ（図２、図３参照、外径寸法が１０ｍｍ、内径寸法が２ｍｍ、厚み６ｍｍ）を、図２のイグナイタプラグ１に組み込み可能な寸法に研磨する（研磨工程）。
以上の行程によって、イグナイタ用半導体５の製造が完成する。
なお、上記混合工程によって得られた混合物を６００μｍ程度に整粒し、その整粒物をカーボン製の焼成型に入れることによって作業性を向上させることが望ましい。
【００３８】
〔計測結果〕
上記の製造方法によって製造された半導体５ａ（実施例品）と、従来技術によって製造された半導体（従来品）とを比較した。
（組織の比較）
実施例品の半導体５ａは、加熱工程時において、加熱温度が焼成温度に達した際に、混合物を加圧するため、混合物が柔らかくなっており、加圧された圧力を混合物の内部まで充分伝達することができ、結果的に図３に示すように、半導体５ａの組織が密となる（図９）。つまり、実施例品の半導体５ａは、全体に亘って粒子同士が粒界相を介して結合され、組織全体がほぼ均一に密になる。なお、半導体５ａが、窒化珪素７５重量％、酸化アルミニウム２５重量％の場合、密度は全体に亘って３．３０ｇ／ｃｍ3 〜３．３４ｇ／ｃｍ3 となり、相対密度が９８〜９９％程度の高密度の半導体が得られる。
【００３９】
これに対し、従来品の半導体は、焼成物が硬い状態で加圧されるため、半導体の上下面のみが加圧初期に硬化し、内部まで圧力が充分伝わらない。このため、従来品の半導体は、半導体の組織が粗であった。
【００４０】
（抵抗値の比較）
実施例品の半導体５ａは、上述のように、組織全体がほぼ均一に密になるため、組織全体の抵抗値もほぼ均一化することができる。この実施例品の半導体５ａを、図４の矢印に示すように、先端側の端面から０．３ｍｍ毎に削って抵抗値を測定した。なお、試験条件は、測定用の針２本をギャップ１．２３ｍｍで、半導体の軸線から放射線上に並べ、半導体の厚みのほぼ中央において２０００Ｖメガオーム計にて測定した。測定値は、一端面において、３箇所測定した平均値を取った。その測定結果を図５の実線Ｅ１に示す。このグラフに示されるように、本実施品の半導体５ａは表面の抵抗値も内部の抵抗値もほぼ均一化することができる。
【００４１】
これに対し、従来品の半導体は、半導体の組織が粗であり、上記と同様な抵抗値測定を行なった場合、特にアメリカ合衆国特許４９７３８７７号公報に開示された方法で製造された半導体は図５の破線Ｅ2 に示すように、内部の方が抵抗値が大きく上昇する。
【００４２】
（火花消耗の比較）
実施例品のイグナイタプラグ用半導体５を用いたイグナイタプラグ１を使用し、火花スパーク回数と、火花消耗による深さ（最大消耗部の深さ）を調べた。その火花消耗試験の結果を図６の実線Ｆ1 に示す。なお、試験条件は、０．５μＦ、３０００Ｖ、１０気圧である。このグラフに示されるように、実施例品のイグナイタプラグ用半導体５はスパーク回数に対する火花消耗の度合が極めて小さい。なお、火花消耗は溝状に発生し、一度のスパークによる火花消耗の程度が小さく、小さな火花消耗の範囲で済む。
【００４３】
これに対し、従来品のイグナイタプラグ用半導体を、上記と同様な火花消耗試験を行なった場合、図６の破線Ｆ2 に示すように、スパーク回数に対する火花消耗の度合が大きい。これは、イグナイタプラグ用半導体が塊状に欠損し、一度のスパークによる火花消耗の程度が大きく、且つ広範囲におよんでしまうためである。
また、一定回数スパークを行った際における相対密度に対する、火花消耗による深さを図７に示す。この結果からも相対密度が９５％以上あることによって火花消耗の程度が改善されていることがわかる。
【００４４】
〔実施例の効果〕
本実施例によって製造された半導体５ａは、上述のように、外側から内部までの密度がほぼ均一に密になるとともに、抵抗値もほぼ均一化することができ、結果的にスパーク回数に対する火花消耗の度合を極めて小さくできる。そして、本実施例によって製造されたイグナイタ用半導体５を用いたイグナイタプラグ１は、イグナイタ用半導体５の火花消耗が小さく抑えられるため、耐久性に優れ高い信頼性を得ることができる。
【００４５】
〔変形例〕
上記の実施例で示した数値や形状等は、実施例を説明するための一例であって、本発明は実施例中の数値や形状等に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】加熱温度と加圧圧力の変化を示すグラフである（実施例）。
【図２】低電圧放電型イグナイタプラグの先端の断面図である（実施例）。
【図３】半導体の内外の組織の密度を説明するための説明図である（実施例）。
【図４】半導体の斜視図である。
【図５】抵抗値変化を示すグラフである（実施例と従来技術との比較）。
【図６】火花消耗を示すグラフである（実施例と従来技術との比較）。
【図７】相対密度に対する火花消耗を示すグラフである。
【図８】加熱温度と加圧圧力の変化を示すグラフである（従来技術）。
【図９】本発明にかかる半導体の組織の粒子同士での結合状態を示すセラミック材料の組織写真である。
【図１０】従来技術における半導体の組織の粒子同士での結合状態を示すセラミック材料の組織写真である。
【符号の説明】
２    主体金具
２ｂ  内筒面（接地電極）
３    中心電極
４    絶縁体
５    イグナイタプラグ用半導体
５ａ  半導体
【図１】
0003751682.tif 000002
【図２】
0003751682.tif 000003
【図３】
0003751682.tif 000004
【図４】
0003751682.tif 000005
【図５】
0003751682.tif 000006
【図６】
0003751682.tif 000007
【図７】
0003751682.tif 000008
【図８】
0003751682.tif 000009
【図９】
0003751682.tif 000010
【図１０】
0003751682.tif 000011