(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表裏面が種結晶層に形成された基板を準備する工程と、上記基板の表裏面に、２〜１０μｍ平方の大きさの開口が前後左右に３０〜１００μｍピッチで並んだマスク層を形成する工程と、上記表裏面のマスク層の上に、液相成長法によって結晶膜層を形成する工程と、上記表裏面の結晶膜層の表層部もしくはその上に、ｎ層もしくはｐ層を形成することにより接合構造を得る工程と、上記表裏面の接合形成部の上に、透明導電膜層を形成する工程と、上記表裏面の透明導電膜層の上に、表面電極となる電極部を形成する工程と、上記電極部が形成された表裏面の透明導電膜層に、２枚のモジュール形成用透明カバーを、それぞれ接着剤層を介して固定する工程と、上記固定された両側の透明カバーを、電極部，透明導電膜層，接合形成部および結晶膜層と一体化した状態で、マスク層付基板からそれぞれ外すことにより、２個のモジュール部材と、マスク層付基板とに分離する工程と、上記２個のモジュール部材から、それぞれ太陽電池モジュールを得る工程とを備えたことを特徴とする太陽電池モジュールの製法。
【請求項２】
上記種結晶層が（１００）単結晶シリコンからなる基板を用い、液相成長法によって、テクスチャ構造の結晶膜層を得るようにした請求項１記載の太陽電池モジュールの製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高性能の太陽電池モジュールを低コストで得ることのできる太陽電池モジュールの製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、太陽電池モジュールとしては、例えば図７に示す、スーパーストレート型モジュールが多く用いられている。このものは、太陽電池の受光面側に、白板強化ガラス等の透明基板１を配置してモジュールの支持板とし、その下に、透明な充填材料（ポリビニルブチロール，エチレンビニルアセテート等）２と裏面コート材（フッ化ビニルフィルム等）３とを用いて、太陽電池セル４を封入した構造になっている。なお、５は太陽電池セル同士を直列もしくは並列に接続するためのリード、６はモジュールに機械的強度を付加するためのアルミ枠である。
【０００３】
上記太陽電池セル４には、単結晶，多結晶，アモルファスの３タイプがあるが、近年、性能の点で、単結晶シリコンあるいは多結晶シリコンを材料とする結晶シリコン系太陽電池が注目を集めている。しかし、結晶シリコンは、材料コストが高いため、できるだけ薄膜にすることが望まれている。また、厚みの薄い方が、太陽電池としての性能が向上するとの報告もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、結晶シリコン薄膜を用いた太陽電池セルを低コストで製造する方法がいろいろ検討されているが、これには、つぎのような大きな問題がある。すなわち、薄膜状の結晶シリコンは、機械的強度が弱く、何らかの支持基板上に形成することが必要であるが、薄膜形成を高温で行うため、支持基板としてガラス板を用いることができない。したがって、結晶シリコン薄膜を、その形成時の支持基板から、モジュール部材であるガラス板に移す作業が必要となるが、そのために、複雑な工程が余分に必要となり、低コスト化を実現することができないという問題である。
【０００５】
例えば、結晶シリコン薄膜を、その形成時の支持基板から外すのに、特定の剥離層を設け、その層をエッチング除去する方法（特開平７−２２６５２８号公報等）や、特定の分離層を設け、その層を機械的に破断する方法（特開平８−２１３６４５号公報、特開平１０−１９００２９号公報等）が提案されているが、これらは、いずれも、結晶シリコン薄膜の上に、特定の剥離層や分離層を設ける工程が余分に必要で、しかも、結晶シリコン薄膜分離後は、その余分な層を除去する等の手間を要する。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、高性能の太陽電池モジュールを、低コストで得ることができ、余分な材料を使い捨てることもない、優れた製法の提供をその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、少なくとも表裏面が種結晶層に形成された基板を準備する工程と、上記基板の表裏面に、２〜１０μｍ平方の大きさの開口が前後左右に３０〜１００μｍピッチで並んだマスク層を形成する工程と、上記表裏面のマスク層の上に、液相成長法によって結晶膜層を形成する工程と、上記表裏面の結晶膜層の表層部もしくはその上に、ｎ層もしくはｐ層を形成することにより接合構造を得る工程と、上記表裏面の接合形成部の上に、透明導電膜層を形成する工程と、上記表裏面の透明導電膜層の上に、表面電極となる電極部を形成する工程と、上記電極部が形成された表裏面の透明導電膜層に、２枚のモジュール形成用透明カバーを、それぞれ接着剤層を介して固定する工程と、上記固定された両側の透明カバーを、電極部，透明導電膜層，接合形成部および結晶膜層と一体化した状態で、マスク層付基板からそれぞれ外すことにより、２個のモジュール部材と、マスク層付基板とに分離する工程と、上記２個のモジュール部材から、それぞれ太陽電池モジュールを得る工程とを備えた太陽電池モジュールの製法を第１の要旨とする。
【０００８】
また、上記太陽電池モジュールの製法のなかでも、特に、上記種結晶層が（１００）単結晶シリコンからなる基板を用い、液相成長法によって、テクスチャ構造の結晶膜層を得るようにした方法を第２の要旨とする。
【０００９】
すなわち、本発明は、種結晶層を有する基板の表裏面に、開口付マスク層を介して、結晶膜層，接合，透明導電膜層および電極部を形成し、この両面に、接着剤層を介してモジュール形成用の透明カバーを固定し、両透明カバーを機械的に外して、２個のモジュール部材と、マスク層付基板とに分離し、上記２個のモジュール部材から、それぞれ太陽電池モジュールを得るようにしたものである。この製法によれば、セル中間体とする薄膜形成時には、基板が全体を保持する支持体となり、透明カバー側に上記薄膜を一体的に固定して外したのちは、上記透明カバーが支持体となって、これを保持するようになっている。したがって、太陽電池の主要部となる薄膜部分が、つねに安定的に保持されており、歪んだり損傷したりすることなく、高性能を保ったまま、モジュール化することができる。そして、一度に２個のモジュール部材を得ることができ、しかも残部であるマスク層付基板を繰り返し利用することができるため、製造コストを安価に抑えることができる。また、従来のように、分離のために特別な層を形成して分離後はその層を除去する、という余分な工程と材料の無駄がなく、これによっても、低コスト化を図ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について説明する。
【００１１】
本発明によれば、例えばつぎのようにして太陽電池モジュールを得ることができる。すなわち、まず、図１（ａ）に示すように、少なくとも表裏面が種結晶層に形成された基板１０を準備する。ただし、基板１０の表裏面は、ミラー面となるよう、例えばＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：５の処理液を用いてケミカルエッチングを施すことが好適である。また、基板１０は、ｐ型であってもｎ型であってもよいが、通常、ｐ型のシリコン基板が好適に用いられる。
【００１２】
そして、上記基板１０として、特に、（１００）単結晶シリコンウェーハを用いることが好適である。（１００）単結晶シリコンウェーハを用いると、後述するように、上記基板１０の表裏面から結晶膜層１３を成長させた場合（図１〔ｄ〕参照）に、その結晶構造が、ピラミッド形状が並ぶ反射防止構造（テクスチャ構造）になるため、より高性能のものが得られるからである。
【００１３】
ただし、上記反射防止構造の結晶膜層１３を得る場合の基板１０は、必ずしも全体が（１００）単結晶シリコンで構成されている必要はなく、例えば安価な導電性基板（カーボン，石英，ステンレス等）の両面に、真空化学エピタキシー法（ＶＣＥ），化学蒸着法（ＣＶＤ）あるいはスパッタ法等を用いて、（１００）単結晶シリコン薄膜を成膜したものを用いてもよい。また、上記と同様の安価な導電性基板の表裏面に、粉末状の（１００）単結晶シリコンを均一に散布してプレスすることにより、基板の表裏面に粉末状シリコンを圧着させたものを用いてもよい（特開平１０−１３９３号参照）。
【００１４】
つぎに、上記基板１０の表裏面に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 等からなるマスク層１１を、熱酸化法等によって形成する。
【００１５】
なお、上記マスク層１１の厚みは、特に限定するものではないが、例えば１００〜１０００ｎｍ、なかでも５００ｎｍ程度に設定することが好適である。すなわち、マスク層１１が厚すぎると、酸化に時間がかかりすぎて好ましくないとともに、基板１０から剥離するおそれがあり、逆に薄すぎると、マスクとしての役目が不充分となるおそれがあり、また後述するＬＰＥ工程時にマスク層１１がなくなってしまうおそれもあるからである。
【００１６】
つぎに、上記表裏面のマスク層１１に、図１（ｃ）に示すように、所定形状の開口１２を多数、所定間隔で形成する。上記開口１２の大きさおよび間隔は、後述する結晶膜層１３を、このマスク層１１からきれいに外せるか否かの重要なポイントとなるもので、２〜１０μｍ平方の大きさで、前後左右に３０〜１００μｍピッチで並ぶように設定しなければならない。開口１２が小さく間隔が開きすぎても、またその逆でも、マスク層１１から結晶膜層１３をきれいに外しにくくなるからである。
【００１７】
なお、上記マスク層１１の形成は、通常、ホトリソグラフィ工程によって、表裏のマスク層１１を、交互にパターニングすることによって行うことが好適である。
【００１８】
つぎに、上記開口１２付マスク層１１の上に、図１（ｄ）に示すように、結晶膜層１３を形成する。なお、上記結晶膜層１３の材料は、前記基板１０の種結晶層と同一に設定する。そして、その成膜工程は、成膜速度が面方位依存性の大きい、液相成長法（ＬＰＥ）によって行う。
【００１９】
上記ＬＰＥによる成膜工程を、より詳しく説明すると、まず、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ａｌ等の低融点金属またはその合金を溶融し、その中に成膜材料（例えばＳｉ）を溶かして飽和させておく。そして、この溶融金属に、上記マスク層１１付基板１０を浸漬した状態で、上記溶融金属を徐冷する。これにより、表裏面のマスク層１１のそれぞれに結晶が析出する。なお、結晶は、上記マスク層１１の各開口１２内から成長し、開口１２上部に盛り上がり、最終的につながって、所定厚みの結晶膜層１３となる。このとき、種結晶層として、（１００）単結晶シリコンを用いたものは、結晶構造がピラミッド形状の反射防止構造となる。
【００２０】
つぎに、表裏面の結晶膜層１３の上に、図２（ａ）に示すように、ｎ層１４を形成することにより、結晶膜層１３とｎ層１４との間に接合構造を形成する。
【００２１】
上記接合形成は、どのような方法によっても行うことができるが、例えばプラズマＣＶＤ装置を用い、３００℃以下の条件で、両面同時にｎ層１４を形成することにより、低温接合を行うことが好ましい。なお、上記ｎ層１４の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、１０〜５００ｎｍ程度に設定することが好適である。
【００２２】
つぎに、表裏面に形成されたｎ層１４の上に、図２（ｂ）に示すように、反射防止膜を兼ねる透明導電膜１５を、両面同時に形成する。膜の材質としては、ＩＴＯ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等があげられ、その形成方法としては、スパッタ法，真空蒸着法，常圧ＣＶＤ法等、従来公知の適宜の方法があげられる。また、その厚みは、特に限定されるものではないが、通常、１０〜１００ｎｍ程度に設定することが好適である。
【００２３】
そして、表裏面に形成された透明導電膜層１５の上に、スクリーン印刷法等によって、図２（ｃ）に示すように、銀等からなる電極部１６を、両面同時に形成し、ついで、各電極部１６に、セル間接続用のリボン（図示せず）を接続しておく。このようにして、セル中間体１７を得る。
【００２４】
つぎに、図３（ａ）に示すように、２枚一対のモジュール用の透明カバー（ガラス板，ＦＲＰ，透明樹脂板等）１８を用意し、一方の透明カバー１８の内側面に、完成モジュールを想定した配置で、上記電極部１６が表裏面に形成されたセル中間体１７の、片面の電極部１６付透明導電膜層１５を、接着剤層１９を介して固定する。また、反対面の電極部１６付透明導電膜層１５に、もう一方の透明カバー１８を、上記の取り付け方と同様にして、接着剤層１９を介して固定する。これによって、２枚の透明カバー１８が、上下からセル中間体１７を挟持した構造が得られる。なお、上記接着剤層１９の材質としては、ポリビニルブチロール（ＰＶＢ），エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等があげられる。また、図では、セル中間体１７を１個しか示してないが、実際には、セル中間体１７は、透明カバー１８に対し、縦横複数個ずつ列状に並べられた状態で取り付けられる（図５〔ｂ〕におけるセル３０の配列を参照）。
【００２５】
つぎに、図３（ｂ）に示すように、上記透明カバー１８を、矢印で示すように、互いの間隔が広がるように移動させて、電極部１６、透明導電膜層１５、ｎ層１４および結晶膜層１３を、透明カバー１８と一体化した状態で、マスク層１１付基板１０からそれぞれ剥離させる。これにより、２個のモジュール部材２０と、マスク層１１付基板１０の３つの部材に分かれる。なお、上記透明カバー１８の移動には、透明カバー１８の外側面に真空吸着パッドで吸いつけて後退させる等の機械的移動手段が適用される。
【００２６】
そこで、各モジュール部材２０を用い、従来公知の、適宜の太陽電池モジュール作製方法に準じて、太陽電池モジュールを完成させる。例えば、まず、図４（ａ）に示すように、露出した結晶膜層１３の上に、ｐ+ 層２１を積層形成する。これは、そのつぎに形成される電極層２２によって変換効率が低下するのを防止するために設けられる層であり、必ずしも必要ではないが、設けることが望ましい。
【００２７】
上記ｐ+ 層２１の形成は、どのような方法によっても行うことができるが、例えばプラズマＣＶＤ装置を用い、２００℃以下の条件で、ｐ+ 層２１を形成することにより、低温形成を行うことが好ましい。そして、上記ｐ+ 層２１の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、１００〜１０００ｎｍ程度に設定することが好適である。
【００２８】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、上記ｐ+ 層２１の上に、アルミニウム，銀等からなる裏面電極２２を形成する。この裏面電極層２２は、入射した光を透過させないよう反射する機能も兼ねており、通常、全面に形成される。上記電極部１６，ｎ層１４，透明導電膜層１５，結晶膜層１３，ｐ+ 層２１および裏面電極層２２からなる部分が、いわゆるセル３０に相当する部分である。
【００２９】
つぎに、図４（ｃ）に示すように、各セル３０の電極部１６に予め取り付けられた接続用のリボン３１を、隣のセル３０の裏面電極層２２に接続することにより、各セル３０同士を、直列もしくは並列に接続する。
【００３０】
そして、図４（ｄ）に示すように、セル３０の裏面側（透明カバー１８が取り付けられている側と反対側）に充填材３２を充填し、バックシート３３で被覆してラミネートする。これにより、全体が一つにパッケージ化される。なお、上記充填材３２としては、前記接着剤層１９の構成材料と同様のものがあげられ、両者は、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、上記バックシート３３としては、耐水性，耐湿性，耐候性等に優れた有機シートが好適に用いられる。このような有機シートとしては、フッ化ビニルフィルムや、アルミ箔をフッ化ビニルフィルムで挟んだラミネートシート等があげられる。
【００３１】
つぎに、得られたパッケージ体の周囲を、図５（ａ）に示すように、アルミ枠３４で締め込んで固定する。これによって、パッケージ体の機械的な強度が高められる。なお、上記パッケージ体は、通常、長方形等の矩形であることから、アルミ枠３４は、図５（ｂ）に示すように、パッケージ体の四辺にそれぞれ取り付けられるようになっている。
【００３２】
そして、図６に示すように、上記パッケージ体の裏面側に、端子ボックス３５を取り付けることにより、目的とする太陽電池モジュールを得ることができる。
【００３３】
一方、残部であるマスク層１１付基板１０は、図１（ｃ）に示す段階のものと同一であり、以下の工程に、そのまま繰り返し利用することができる。なお、繰り返し使用することにより、変形や破損等が生じて再利用できなくなった場合は、マスク層１１部分を除去してシリコン部分のみとした上で、ＬＰＥ法の原料シリコン（溶質）として再利用することができる。
【００３４】
上記製法によれば、基板１０の表裏面に順次層を重ねていき、両側から透明カバー１８を固定したのち、それぞれを、セルとなる部分ごと外すことにより、一度に２個のモジュール部材を得ることができ、しかも残部であるマスク層１１付基板１０を繰り返し利用することができるため、製造コストを安価に抑えることができる。また、材料無駄がない。そして、殆どの処理において、表裏面同時に成膜等の処理を行うことができるため、製造効率がよい。
【００３５】
また、基板１０として、少なくともその表裏面が（１００）単結晶シリコンで形成されたものを用いると、その上に成長する結晶膜層１３が、テクスチャ構造を備えたものとなるため、より高性能の太陽電池モジュールが得られるという利点がある。
【００３６】
さらに、上記基板１０の上に形成するマスク層１１の開口１２を、２〜１０μｍ平方の大きさで、前後左右の３０〜１００μｍピッチで並ぶようにしているため、上記テクスチャ構造が、精度よく形成されるとともに、マスク層１１と結晶膜層１３との界面剥離が良好に行われるという利点を有する。
【００３７】
なお、上記の方法では、ｐ型の結晶膜層１３に接合を形成するために、その上にｎ層１４を形成し（図２〔ａ〕参照）、モジュール部材２０となった段階で、結晶膜層１３の裏面側にｐ+ 層２１を形成している（図４〔ａ〕参照）が、結晶膜層１３がｎ型である場合には、接合形成のためにはｐ層を形成し、モジュール部材２０における裏面側にはｎ+ 層を形成するようにする。また、これらの形成条件は、できるだけ穏やかな、低温形成によることが好ましいが、場合によっては、高温下での拡散法によって接合を形成することもできる。
【００３８】
また、上記の方法では、基板１０の表裏面の全面に、マスク層１１を形成したのち、パターニングにより開口１２を形成しているが、場合によっては、ゾル−ゲル法等によって、一工程で、開口１２付のマスク層１１を形成するようにしても差し支えはない。
【００３９】
さらに、上記の方法では、殆どの工程において、表裏面を同時に処理するようにしているが、場合によっては、各面への処理を交互に行うようにしても差し支えはない。
【００４０】
つぎに、本発明の実施例について説明する。
【００４１】
【実施例】
【００４２】
厚み０．５ｍｍで１０ｃｍ角の（１００）単結晶シリコンウェーハを基板として用いた。なお、このものの両面を、ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：５の処理液を用いてケミカルエッチングを施してミラー面とした。つぎに、その表裏面に、熱酸化法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成したのち、ホトリソ工程によって、上記ＳｉＯ2 膜に、５μｍ平方の開口を５０μｍピッチで縦横に並べて形成した。そして、１０００℃の溶融Ｓｎを溶媒とし、媒質としてＳｉを溶かして飽和した浴を調製して、この中に、上記ＳｉＯ2 膜付の基板を浸して、０．１℃／分で８００℃まで徐冷することにより、高さ３０μｍ、底辺５０μｍのピラミッド構造のシリコン単結晶からなる結晶膜層を得た。
【００４３】
つぎに、プラズマＣＶＤ装置を利用して、基板温度２００℃、圧力２６．６Ｐａ、原料ガスＳｉＨ4 ：Ｈ2 ＝５：９５を２０ＳＣＣＭ（「ＳＣＣＭ」は０℃、１．０１３×１０2 ＫＰａでのガスが１分間に流れる流量ｃｃを示す単位）、ドーピングガスＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：９９を３ＳＣＣＭ、ＰＦ電力３８ｍＷ／ｃｍ2 、成膜時間１７分の条件下で、上記表裏面の結晶膜層の上に、３×１０20（ｃｍ-3）のキャリア濃度のｎ層を得た。
【００４４】
つぎに、スパッタにより、上記表裏面のｎ層の上に、厚み５０ｎｍのＩＴＯ膜を得たのち、その表裏面の上にそれぞれ水銀電極を形成し、それにセル間接続用のリボンを接続することにより、セル中間体を得た。そして、接着剤（ＥＶＡ）を用いて、縦１１８ｃｍ×５３ｃｍのモジュール用透明ガラス板に、上記セル中間体を、縦９枚×横４枚の計３６枚を並べて貼着して固定した。そして、セル中間体が露出している方の面に、上記と同様にして、もう一枚のモジュール用透明ガラス板を固定した。
【００４５】
つぎに、両側の透明ガラス板の外側面を、それぞれ真空吸着パッドで吸引保持した状態で外側に開き、２個のモジュール部材と、ＳｉＯ2 膜付基板残部とに分離した（図３〔ｂ〕参照）。そして、上記各モジュール部材のセル中間体において、露出している結晶膜層の上に、プラズマＣＶＤ装置を利用して、基板温度２００℃、圧力２６．６Ｐａ、原料ガスＳｉＨ4 ：Ｈ2 ＝５：９５を２０ＳＣＣＭ、ドーピングガスＢＨ3 ：Ｈ2 ＝１：９９を３ＳＣＣＭ、ＰＦ電力３８ｍＷ／ｃｍ2 、成膜時間１７分の条件下で、３×１０19（ｃｍ-3）のキャリア濃度のｐ+ 層を得た。
【００４６】
そして、以下、通常のモジュール形成と同様にして、アルミニウム膜によって裏面電極を形成し、セル間接続を行ったのち、裏面に充填材（ＥＶＡ）を充填し、バックシートで被覆してラミネートすることにより、全体をパッケージ化した。そして、周囲をアルミ枠で囲い、裏面に端子ボックスを取り付けることにより、太陽電池モジュールを得た。このもののモジュール変換効率（〔出力電気エネルギー／太陽光エネルギー〕×１００）は１３〜１５％であり、従来品に比べて、良好な変換効率であった。また、上記モジュール製造に際し、モジュール部材を分離した残部であるＳｉＯ2 膜付基板は、ＳｉＯ2 膜表面がきれいに結晶膜層と剥離しており、その形のまま結晶膜層形成に再利用することができた。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の太陽電池モジュールの製法によれば、基板の表裏面に順次セルとなる層を重ねていき、両側からモジュール形成用の透明カバーを固定したのち、それぞれを、セルとなる部分ごと外すようになっているため、セル中間体とする薄膜形成時には、基板が全体を保持する支持体となり、透明カバー側に上記薄膜を一体的に固定して外したのちは、上記透明カバーが支持体となって、これを保持するようになっている。したがって、太陽電池の主要部となる薄膜部分が、つねに安定的に保持されており、歪んだり損傷したりすることなく、高性能を保ったまま、モジュール化することができる。そして、一度に２個のモジュール部材を得ることができ、しかも残部である酸化膜層付基板を繰り返し利用することができるため、製造コストを安価に抑えることができる。また、従来のように、分離のために特別な層を形成して分離後はその層を除去する、という余分な工程と材料の無駄がなく、これによっても、低コスト化を図ることができる。そして、殆どの処理において、表裏面同時に成膜等の処理を行うことができるため、製造効率がよいという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）はいずれも本発明の一実施例における工程説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はいずれも本発明の一実施例における工程説明図である。
【図３】（ａ），（ｂ）はともに本発明の一実施例における工程説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）はいずれも本発明の一実施例における工程説明図である。
【図５】（ａ），（ｂ）はともに本発明の一実施例における工程説明図である。
【図６】本発明の一実施例における工程説明図である。
【図７】従来の太陽電池モジュールの一例を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  基板
１１  マスク層
１３  結晶膜層
１４  ｎ層
１５  透明導電膜層
１６  電極部
１８  透明カバー
１９  接着剤層
２０  モジュール部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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