(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光に透明な基板の一方の表面に、０．２〜２．０μｍの等しい間隔で、深さ０．４〜５μｍの平行な複数の直線状の溝を設け、溝表面に平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を絶縁体中に分散した超微粒子分散膜を１０〜１００ｎｍの厚さで均一に形成し、入射した光の強度に応じて偏光面回転角を変化させることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
可視光に透明な基板の一方の表面に、０．２〜２．０μｍの等しい間隔で、深さ０．４〜５μｍの平行な複数の直線状の溝を設け、溝表面に平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を絶縁体中に分散した超微粒子分散膜を１０〜１００ｎｍの厚さで均一に形成し、基板の表と裏の両面に、基板を通って偏光面が大きく回転した光を通過し、偏光面の回転角が小さい光は通過できないように偏光軸を相互に回転させ固定した偏光子と検光子を設けたことを特徴とする光学素子。
【請求項３】
上記超微粒子分散膜を形成する超微粒子を分散している絶縁体は可視光に透明である請求項１又は２の光学素子。
【請求項４】
上記基板の溝表面に設けた超微粒子分散膜の基板表面と平行な超微粒子分散膜を除去し、基板表面と平行でない超微粒子分散膜だけを設けた請求項１又は２記載の光学素子。
【請求項５】
上記超微粒子を分散している絶縁体を基板の溝間に充填した請求項１又は２記載の光学素子。
【請求項６】
上記直線状で平行な溝は、寸法の異なる複数の多角形を多重に重ねた平面形状に構成された請求項１又は２記載の光学素子。
【請求項７】
基板の溝間に基板と異なる屈折率の透明材料を充填した請求項１，２，３，４又は６記載の光学素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光で画像を形成したり、画像を加工処理したり、光を用いて計算したりする高速度光デバイスに用いる非線形の光学素子、特に比較的弱い制御光を入射させて、信号光の偏光面を回転させる光学素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報処理を電気回路に頼っていると、現在最も高速なトランジスタでも、その開閉に要する時間を１０ピコ秒台以下にすることは困難であり、多量の情報処理を高速度で実現するために非線形光学材料を使用して光により光を制御する光スイッチが使用されている。
【０００３】
非線形光学材料として、人工的な超格子構造を有した半導体材料や特殊な有機材料が注目され、このような材料を使うと、低いパワーレベルの光でも十分な非線形相互作用が得られる。また、これを微小な光の共振器と組み合わせた、光−光ゲートにより、光で光を開閉することができる。例えばＧａＡｓとＡｌＧａＡｓという２種類の半導体を１０ｎｍ以下のピッチで積層したものでは、０．５ピコ秒という開閉時間が得られている。また、光−光ゲートを組み合わせれば、いろいろな光の論理素子やメモリを作ることができ、それによって光コンピュータを造ることもできる。
【０００４】
上記光−光ゲートより高速な開閉を行う光−光スイッチとして、文献「光アライアンス（１９９７，４，２６頁〜２８頁）」に示されているように光カースイッチがある。この光カースイッチは、これは制御光によって特定の偏波方向の屈折率成分が変化し、偏光面が回転する光カー効果を利用したものであり、図６に示すように、互いに偏光軸が直交するように置かれた偏光子１２と検光子１３との間に制御光を入射するハーフミラー１０とカー効果を示すカー媒質の超微粒子分散ガラス１４とレンズ１５，１６とフィルタ１７が設けられ、超微粒子分散ガラス１４には制御光と信号光が互いに重なり合うようにして入射するようになっている。超微粒子分散ガラス１４としては半導体や金属の超微粒子がガラス中に分散したものが使用されている。この超微粒子分散ガラスの３次非線形特性は、信号光に対しては小さく制御光に対しては大きいため、制御光を入射しないと偏光子１２を通過した信号光の偏光面はカー媒質で回転しないため検光子１３を通過することができない。一方、制御光を入射すると、カー媒質内に屈折率の異方性が生じ、信号光の偏光面が回転することにより検光子１３を通過することができる。このように制御光を入射するかしないかにより信号光の透過率を制御することができる。この光カースイッチの場合、光の強度によって回転した偏光面の角度△φは、△φ＝（ｎωχ／２ｃ）・（εＥ2Ｌ）で表される。ここではｎは屈折率、ωは入射光の角振動数、ｃは光速度、χは３次非線形感受率、εは誘電率、Ｅは制御光電界強度、Ｌは相互作用長である。
【０００５】
この光カースイッチの超微粒子分散ガラス１４は、約１０ｎｍの粒径の半導体や金属の超微粒子がガラス中に分散しているものであり、半導体としてはＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ等があり、金属としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇなどがある。そして半導体微粒子を分散した場合、光吸収により生成される電子と正孔が独立にあるいは励起子として、微粒子内に閉じ込められる量子閉じ込め効果によって非常に大きい３次非線形光学特性を示す。また、金属超微粒子を分散した場合、誘電的な閉じ込めによる局所電場効果により非常に大きい３次非線形光学特性を示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記超微粒子分散ガラスで高い３次非線形光学特性を示すために光による励起子の生成が関与しているため、３次非線形光学特性が増大するのは励起子共鳴波長においてであり、このため光吸収が大きくなるという短所があった。
【０００７】
この発明はかかる短所を改善し、少ない光の吸収で大きいカー効果を得ることにより、比較的弱い制御光を入射させて信号光の偏光面を回転させることができるとともに高速で光をスイッチングすることができる光学素子を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光学素子は、可視光に透明な基板の一方の表面に、０．２〜２．０μｍの等しい間隔で、深さ０．４〜５μｍの平行な複数の直線状の溝を設け、溝表面に平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を絶縁体中に分散した超微粒子分散膜を１０〜１００ｎｍの厚さで均一に形成し、入射した光の強度に応じて偏光面回転角を変化させることを特徴とする。
【０００９】
この発明に係る他の光学素子は、可視光に透明な基板の一方の表面に、０．２〜２．０μｍの等しい間隔で、深さ０．４〜５μｍの平行な複数の直線状の溝を設け、溝表面に平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を絶縁体中に分散した超微粒子分散膜を１０〜１００ｎｍの厚さで均一に形成し、基板の表と裏の両面に、基板を通って偏光面が大きく回転した光を通過し、偏光面の回転角が小さい光は通過できないように偏光軸を相互に回転させ固定した偏光子と検光子を設けたことを特徴とする。
【００１０】
上記超微粒子分散膜を形成する超微粒子を分散している絶縁体は可視光に透明であることが望ましい。
【００１１】
また、上記基板の溝表面に設けた超微粒子分散膜の基板表面と平行な超微粒子分散膜を除去し、基板表面と平行でない超微粒子分散膜だけを設けたり、超微粒子を分散している絶縁体を基板の溝間に充填したり、基板の溝間に基板と異なる屈折率の透明材料を充填しても良い。
【００１２】
また、上記直線状で平行な溝は、寸法の異なる複数の多角形を多重に重ねた平面形状に構成すると良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明の光学素子は、偏光面回転素子と、偏光面回転素子を挟んで設けられた偏光子と検光子を有する。偏光面回転素子は透明基板と超微粒子分散膜を有する。透明基板５、一方の面に幅が０．２μｍ〜２．０μｍで深さが０．４μｍ〜５μｍの平行な複数の直線状の溝が等間隔で形成されている。超微粒子分散膜は平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を透明絶縁体中に分散したものであり、透明基板の溝を有する表面に厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍで均一な厚さに形成されている。
【００１４】
この光学素子の偏光面回転素子に光が入射すると、入射した光は溝と溝間を通り出射する。この偏光面回転素子を光が通るときに、深さがすくなくとも可視光の波長より少し大きい溝の側面に設けた超微粒子分散膜の透明絶縁体に入り、絶縁体に分散した金属又は半導体の超微粒子で複数回反射して３次非線形特性を発現する。そして偏光面回転素子の溝と溝の間を通過した光と溝を通過して超微粒子分散膜により反射された光が位相が揃った場合に回折現象を起こす。この偏光面回転素子に直線偏光を入射すると偏光面が回転し、この偏光面の回転角は入射する光の強度に応じて異なり、入射する光の強度が強い場合に大きくなり、光の吸収が小さく大きな偏光面回転角を得ることができる。また、偏光面を回転させる溝の深さが０．４μｍ〜５μｍであるから、この溝を光が通過する時間は数１０フェムト秒と非常に短時間である。
【００１５】
そこで、偏光面回転素子の両側に設けた偏光子と検光子を、偏光面回転素子を通って偏光面が大きく回転した光は通過でき、偏光面の回転角が小さい光は通過できないように偏光子の偏光軸に対して検光子の偏光軸をあらかじめ回転して設定しておくことにより、信号光と光の強度が変化する光パルスの制御光を入射して、光を高速でオン，オフさせることができる。
【００１６】
【実施例】
図１はこの発明の一実施例の構成図である。図に示すように、光学素子１は偏光面回転素子２と、偏光面回転素子２を挟んで設けられた偏光子３と検光子４を有する。偏光面回転素子２は、図２の断面図に示すように、透明基板５と超微粒子分散膜６を有する。透明基板５は、一方の面に幅Ｗが０．２μｍ〜２．０μｍで深さＨが０．４μｍ〜５μｍの平行な複数の直線状の溝７が等間隔で形成されている。超微粒子分散膜６は平均粒子径２ｎｍ〜２０ｎｍの金属又は半導体の超微粒子を透明絶縁体中に分散したものであり、透明基板５の溝７を有する表面に厚さｔが１０ｎｍ〜１００ｎｍで均一な厚さに形成されている。
【００１７】
この透明基板５は、例えば石英ガラス、サファイア、結晶化透明ガラス、パイレックスガラス、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＴｈＯ2・ＣａＯ、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）などの無機透明材料や、ＭＭＡ、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、ポリプロピレン、アクリル系樹脂、スチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１、フッ素化ポリイミド、フッソ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ナイロン樹脂等の透明プラスチックフィルム等の可視光に透明な材料からなり、溝７が主としてはフォトリソグラフィ法や機械的な加工法によって形成されている。なお、透明基板５として透明プラスチックフィルムを用いると、軽くて曲げやすい等の利点を有する。
【００１８】
超微粒子分散膜６の絶縁体は透明基板５と同じ材料や例えばＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2等が用いられ、この超微粒子分散膜６は、一般的なスバッタ、真空蒸着、ＭＢＥなどのＰＶＤ法やＣＶＤ法、メッキ法等で透明基板５に形成される。そして平均粒子径や超微粒子の含有率などは、これら製膜条件を制御することによって制御することができる。
【００１９】
偏光子３と検光子４は偏光フィルムや、ビームスプリッタを用いた高透過率偏光板などが用いられる。偏光フィルムは大別して多ハロゲン偏光フィルム、染料偏光フィルム、金属偏光フィルムなどがある。多ハロゲン偏光フィルムは２色性物質にヨウ素を用いているために、可視領域全般にフラットな特性を有するが、湿度や高温等に弱い。また、染料偏光フィルムは偏光性能は多ハロゲン偏光フィルムより劣るが、熱や光や湿度に対して耐性が大きいという特徴を有している。これらの偏光フイルムの露出面には傷が付きやすいので保護膜を設けることが望ましい。
【００２０】
上記のように構成された光学素子１の偏光面回転素子２に、図１に示すように、光が入射すると、入射した光は溝７と溝７間を通り出射する。この溝７と溝７間を光が通るときに、深さＨが０．４μｍ〜５μｍと、すくなくとも可視光の波長より少し大きい溝７の側面に設けた超微粒子分散膜６の透明絶縁体に入り、絶縁体に分散した金属又は半導体の超微粒子で複数回反射して３次非線形特性を発現する。そして偏光面回転素子２には溝７が一定間隔で周期的に設けられているから、溝７と溝７間を通過して超微粒子分散膜６により反射された光は位相が揃った場合に回折現象を起こす。この偏光面回転素子２に直線偏光を入射すると偏光面が回転し、この偏光面の回転角は入射する光の強度に応じて異なり、入射する光の強度が強い場合に大きくなり、光の吸収が小さく大きな偏光面回転角を得ることができる。また、偏光面を回転させる溝７の深さが０．４μｍ〜５μｍであるから、この溝７を光が通過する時間は数１０フェムト秒と非常に短時間である。この偏光面回転素子２の両側に設けた偏光子３と検光子４は、偏光面回転素子２を通って偏光面が大きく回転した光は通過でき、偏光面の回転角が小さい光は通過できないように偏光子３の偏光軸に対して検光子４の偏光軸をあらかじめ回転して設定しておく。
【００２１】
この光学素子１に、図３に示すように、ハーフミラー１０を介して光強度が小さい信号光と光強度が大きい制御光とを入射し、光学素子１を通過した光を光検出器１１で検出すると、光学素子１に信号光と制御光が入射しているときは、偏光面回転素子２を通過した光の偏光面は大きく回転し、検光子４を通過して光検出器１１に入射する。また、ハーフミラー１０に入射している制御光が遮断され光学素子１に信号光だけが入射したときは、偏光面回転素子２を通過した光の偏光面は小さく回転して検光子４を通過せず、光検出器１１に入射している光が遮断される。そこで制御光として光の強度が変化する光パルスを用いると、光検出器１１に入射する光を可動部なしで高速度でオン，オフすることができる。この光パルスはモードロッカとして光変調器を使い、これに外部から変調を加えたモード同期という方法や、光パルス圧縮という方法で得ることができる。そして、光パルス圧縮によれば数フェムト秒程度の短い光パルスを得ることができ、フェムト秒の単位の高速度で光をオン，オフすることができる。
【００２２】
上記実施例は偏光面回転素子２の透明基板５の溝７側の表面全体に超微粒子分散膜６を設けた場合について説明したが、透明基板５の溝７の側面にだけ超微粒子分散膜６を設けても、上記実施例と同様な作用を奏することができる。また、透明基板５の溝７の側面にだけ超微粒子分散膜６を設けることにより、光の透過率を向上することができ、より強度が小さい制御光で光をオン，オフすることができる。
【００２３】
また、上記実施例は透明基板５の溝７の部分に他の材料を充填しない場合について説明したが、基本的には屈折率の異なる部位を通過した光が干渉することによって非線形光学効果が生じ、同時に入射光強度に応じて偏光面回転角が変化するので、溝７と溝間の屈折率が異なれば良いから、溝７中に透明基板５とは異なる屈折率を有する透明材料を充填しても良い。このように溝７中に透明基板５とは異なる屈折率を有する透明材料を充填することにより、超微粒子分散膜６を保護することができる。
【００２４】
さらに、基本的には屈折率の異なる部位を通過した光が干渉することによって非線形光学効果が生じることから、図４に示すように、透明基板５の溝７内に、透明絶縁体に金属や半導体の超微粒子を分散した超微粒子分散材料６１を充填しても良い。この場合は、超微粒子分散材料６１に入って金属や半導体の超微粒子により複数回反射して透過した光と透明基板５の溝７間を透過した光が特定波長で干渉し回折して非線形光学効果を増大することができる。但し、この場合、光は超微粒子分散材料６１を透過するので、少し透過率は低下するが、偏光面回転素子２をより簡単に作成することができる。
【００２５】
また、上記各実施例は、透明基板５に断面が矩形の溝７を平行に設けた場合について説明したが、波形や三角形状の溝を設けても良い。また、この溝構造は可視光が干渉して回折できれば良く、したがって直線状溝構造はストライプ状でなくても、大小の複数の多角形を重ねたような平面構造であっても、透過光が干渉して回折を生ずる構造であれば良い。
【００２６】
〔具体例１〕  厚さ１ｍｍの石英基板の片面に、Ｃｒ2Ｏ3層とＣｒ層の２層を厚さが合計で１２０ｎｍとなるように設け、この上にポジ型レジストを設けた。このレジスト上にフォトマスクを配置し、ＵＶ光を用いて、図２に示すように幅Ｗ＝１．０μｍ間隔となるように露光してからウェットエッチング手法を用いてレジスト層をエッチングし、さらにフッ素系ガスを用いて石英表面をエッチングして、深さＨ＝０．６５μｍとなるように加工して溝７を形成した後、レジスト層を剥離して、溝７を有する透明基板５を形成した。この透明基板５の溝７側の表面にスパッタ法を用いて、透明基板５を加熱せずにＣｕ微粒子膜６を形成して偏光面回転素子２を作成した。Ｃｕ微粒子膜６の透明絶縁材料にはＳｉＯ2を使用し、ＳｉＯ2ターゲット上に１０×１０×１ｍｍのＣｕチップを、ＳｉＯ2ターゲットの面積の４０％を覆うようにして配置した。そしてスパッタ用のＡｒガス中に２０％の酸素ガスを導入し、３００Ｗの投入電力を使用してＣｕ超微粒子膜６を形成した。形成したＣｕ超微粒子膜６の膜厚ｔは９０ｎｍであった。また、Ｃｕ超微粒子膜６に区組まれるＣｕ微粒子の平均粒子径を透過電子顕微鏡で測定した結果６ｎｍであった。さらに、Ｃｕ超微粒子膜６の組成はＣｕが５３％であり、他は酸素と微量な炭素と窒素であった。
【００２７】
この偏光面回転素子２の両側に、図３に示すように偏光子３と検光子４を配置し、波長約６３０ｎｍのレーザ光の信号光と制御光をハーフミラー１０を用いて光軸が同一になるようにして、偏光面回転素子２を光軸とほぼ垂直に配置した。この偏光面回転素子２に入射するレーザ光の強度を強くすると、Ｃｕ超微粒子膜６を設けた偏光面回転素子２を通過後の０次光は、偏光面が回転することがわかった。そこで偏光子３と検光子４の偏光軸を、制御光を加えたときに信号光と制御光が検光子を通過するように回転して固定した。そして３μＷの信号光だけをを入射させたが、光検出器１１では検出できなかった。次に、信号光と１０μＷの制御光を同時に入射させたところ光検出器１１でレーザ光は検出することができた。この制御光として１０ピコ秒のパルス幅を有する光パルスとしたが、信号光をオン，オフして検出することができた。
【００２８】
〔具体例２〕  上記具体例１と同様に、石英基板上の加工表面にＣｕ超微粒子膜６を作製した後、ＥＣＲエッチング装置を用いて溝７側面のＣｕ超微粒子膜６だけを残し、溝７間の表面と溝７底面のＣｕ超微粒子膜を剥離して偏光面回転素子２を形成した。ＥＣＲエッチング装置にはＡｒガスを３６ｃｃｍの流量で流し、圧力を１ｍｍトールとし、マイクロ波は６５０Ｗを投入した。エッチング後試料の断面を観察すると、溝７側面のＣｕ超微粒子膜６だけが残っていた。この偏光面回転素子２の光透過率を分光光度計で測定し、具体例１の場合と比較した結果、光透過率は具体例１の約２倍となった。そして具体例１と同様に信号光と制御光を入射してレーザ光のスイッチングを行った結果、偏光面回転素子２の光透過率が向上したため、制御光は具体例１より小さい強度である約７μＷでも光のスイッチングを行うことが確認できた。
【００２９】
〔具体例３〕  石英基板上の表面に幅Ｗ＝０．５μｍ、深さＨ＝０．６μｍの溝７をステッパを用いたフォトリソグラフィー法で形成し、絶縁材料をＳｉＯ2としたＣｕ微粒子材料を溝７内に充填し、機械的研磨法によって表面を平坦になるように研磨して偏光面回転素子２を作成した。そして具体例１と同様に信号光と制御光を入射してレーザ光のスイッチングを行った結果、具体例１と同様の光干渉効果による回折が生じ、偏光子３と検光子４の偏光軸を調整することにより光のスイッチングを行うことができた。この場合、偏光面回転素子２の光透過率は具体例１より低く、制御光は具体例１より強い約１６μＷ必要であった。
【００３０】
〔具体例４〕  具体例１と同様にフォトリソグラフィー法により石英基板表面に、幅Ｗ＝１．０μｍ、深さＨ＝０．６５μｍの溝７を、図５に示すように、３重の矩形が間隔Ｄ＝４μｍで並行に並ぶように形成し、この表面にＣｕ超微粒子膜６を形成して偏光面回転素子２を作成した。そして信号光と制御光を入射して偏光子３と検光子４の偏光軸を調整してレーザ光のスイッチングを行った結果、偏光面回転素子２の光透過率は具体例１より若干向上し、約８．４μＷの制御光で光のスイッチングを行うことができた。
【００３１】
〔具体例５〕  具体例１と同様にして石英基板の表面に溝７を加工してＣｕ超微粒子膜６を形成した後、溝７内をスパッタ法を用いて屈折率が約２．３のＴｉＯ2で埋め、機械的研磨法によって表面を平坦になるように研磨して偏光面回転素子２を作成した。そして、信号光と制御光を入射して偏光子３と検光子４の偏光軸を調整してレーザ光のスイッチングを行った結果、具体例１と同じ強度の制御光で光のスイッチングを行うことができた。
【００３２】
〔比較例１〕  石英基板の表面に溝７を形成せずに膜厚９０ｎｍのＣｕ超微粒子膜６を作製した。この光学素子を使用して具体例１と同様に信号光と制御光を入射したがＣｕ超微粒子膜６による回転角が微小過ぎるため、制御光の強度を強くしても光のスイッチングを行うことはできなかった。
【００３３】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように、透明基板の一方の表面に光の波長オーダーの寸法の連続した溝構造を設け、この溝表面に平均粒子径２〜２０ｎｍの金属や半導体超微粒子を絶縁体中に分散した超微粒子分散膜を形成して光学素子とし、超微粒子分散膜の反射光を利用して３次非線形特性を発現するようにしたから、光学素子を通過するときの光の吸収を大幅に低減することができる。
【００３４】
また、上記光学素子の両面に光の強弱に対応して光を遮断するように偏光軸を相互に回転させた偏光子と検光子を設けることにより、機械的又は電気的なシャッタと比べて高速で光のスイッチングを行うことができる。
【００３５】
さらに、金属や半導体の超微粒子を分散する絶縁体として可視光に透明な材料を用いることにより光の透過率を向上させることができ、強度が小さな制御光で光をスイッチングすることができる。
【００３６】
また、透明基板の溝側面にだけ超微粒子分散膜を形成することにより、光の透過率をより向上することができ、強度がより小さな制御光で光をスイッチングすることができる。
【００３７】
さらに、透明基板の溝内を金属や半導体の超微粒子を絶縁体中に分散した透明材料で充填することにより、光を高速でスイッチングする光学素子を簡単に作成することができる。
【００３８】
また、透明基板に設けた直線状で平行な溝を、寸法の異なる複数の多角形を多重に重ねた平面形状で構成することにより、光を高速でスイッチングする光学素子を容易に製作することができる。
【００３９】
さらに、透明基板に設けた内に透明基板とは異なる屈折率の透明材料で埋めることにより、超微粒子分散膜を保護して安定した光学素子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例の光学素子の構成図である。
【図２】偏光面回転素子の構成を示す断面図である。
【図３】上記実施例の光学素子を使用した光スイッチの構成図である。
【図４】偏光面回転素子の他の構成を示す断面図である。
【図５】透明基板に設けた他の溝を示す配置図である。
【図６】従来の光カースイッチの構成図である。
【符号の説明】
１      光学素子
２      偏光面回転素子
３      偏光子
４      検光子
５      透明基板
６      超微粒子分散膜
７      溝
【図１】
0003751441.tif 000002
【図２】
0003751441.tif 000003
【図３】
0003751441.tif 000004
【図４】
0003751441.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003751441.tif 000007