(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流を通電する２つのコイルと、
該２つのコイルによって生じる磁界を差動検出する２つの磁気インピーダンス素子を有し、
該２つの磁気インピーダンス素子は、同一の非磁性基板の同一面上に形成された磁性薄膜からなり、それぞれの磁界検出方向を同方向として該磁界検出方向に沿って並ぶように配置されており、
前記２つのコイルは、前記被測定電流の通電によって前記２つの磁気インピーダンス素子に対して互いに逆方向の磁界を印加するように構成されたことを特徴とする電流センサー。
【請求項２】
前記２つのコイルは、それぞれの中心軸方向が前記２つの磁気インピーダンス素子の磁界検出方向に沿うようにして、該磁界検出方向に沿って並んで前記磁気インピーダンス素子のそれぞれを包囲するように、磁気インピーダンス素子の周囲に巻回されていることを特徴とする請求項１に記載の電流センサー。
【請求項３】
前記２つのコイルは、前記非磁性基板の前記磁気インピーダンス素子を形成した面の側の近傍に配置されたコイルボビンに巻回され、それぞれの中心軸方向が前記磁気インピーダンス素子の磁界検出方向に沿うようにして、該磁界検出方向に沿って並ぶように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の電流センサー。
【請求項４】
前記２つの磁気インピーダンス素子のそれぞれの両端に形成された電極が電流センサーを実装する回路基板に直接に半田付けされることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の電流センサー。
【請求項５】
前記磁気インピーダンス素子に対してバイアス磁界を印加するための永久磁石が前記非磁性基板において前記磁気インピーダンス素子が設けられた面と反対側の面に設けられたことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の電流センサー。
【請求項６】
前記永久磁石は硬磁性薄膜からなることを特徴とする請求項５に記載の電流センサー。
【請求項７】
前記磁気インピーダンス素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルが前記２つのコイルの間に配置されたことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の電流センサー。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電流センサーと、
前記２つの磁気インピーダンス素子に高周波電流を印加する高周波発振回路と、
前記２つの磁気インピーダンス素子のそれぞれの両端から取り出された信号を検波する２つの検波回路と、
該２つの検波回路の出力信号を差動増幅する差動増幅回路を有し、
該差動増幅回路の出力信号を電流検出信号として出力することを特徴とする電流検出装置。
【請求項９】
請求項７に記載の電流センサーと、
該電流センサーの前記バイアスコイルに交流バイアス電流を印加するバイアス印加回路と、
前記２つの磁気検出素子に高周波電流を印加する高周波発振回路と、
前記２つの磁気検出素子のそれぞれの両端から取り出された信号を検波する２つの検波回路と、
該２つの検波回路の出力信号を差動増幅する第１の差動増幅回路と、
該第１の差動増幅回路の出力のプラスとマイナスのピーク電圧をそれぞれホールドする２つのピークホールド回路と、
該２つのピークホールド回路の出力信号を差動増幅する第２の差動増幅回路を有し、
該第２の差動増幅回路の出力信号を電流検出信号として出力することを特徴とする電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器などに組み込まれ、電流の監視や制御用に使用される電流センサー、特に、磁気検出素子を用い、回路基板等の電流路に挿入して微小電流を検出する磁気検出型の電流センサー、及びこの電流センサーとその駆動及び信号処理回路からなる電流検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の低消費電力化、動力制御の高精度化などに伴って、使用される電流が微小になり、より高感度な電流センサーが必要になってきている。また、電子機器には小型で、且つインテリジェントな性能が求められ、容易に回路基板等に実装できる高感度な電流センサーが必要になってきている。
【０００３】
従来の磁気検出素子を用いた微小電流センサーには、様々な構成のものが提案されているが、基本的な構成は殆ど同じである。即ち、図８のように、ギャップを有する磁性体コアに対し、測定される電流が流れる被測定電流路を巻回または貫通させ、被測定電流による磁束変化を磁性体コアのギャップ部に設置した磁気検出素子で検出するものである。磁気検出素子には主にホール素子が用いられるが、他に磁気抵抗素子を用いたものもある。また、磁性体コアを用いない方式もあり、図９のように被測定電流路がコイルパターンとして形成され、このコイルパターン上に磁気検出素子を設置したもの、または図１０のように直線状の被測定電流路の両脇に磁気検出素子を設置したものなどがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、磁気検出素子にホール素子や磁気抵抗素子を用いた従来の電流センサーでは、磁気検出素子の感度が低く、磁性体コアで磁束を集中させても数ｍＡの検出が限度である。磁性体コアを用いない方式では微小電流の検出は殆ど不可能である。
【０００５】
これに対し、μＡオーダーのより微小な電流を検出する方法として、磁気検出素子に磁気インピーダンス素子を用いる方法が考えられる。磁気インピーダンス素子は、磁性体からなる素子本体に高周波電流を印加すると素子本体の両端間のインピーダンスが外部磁界に応じて変化するもので、ホール素子や磁気抵抗素子に比べて２桁以上高い感度を有するため、より高感度な電流センサーを実現できる可能性がある。
【０００６】
しかし、図８のように磁性体コアのギャップに磁気検出素子を挿入する方式で磁気検出素子に磁気インピーダンス素子を用いると、磁気インピーダンス素子の磁界検出方向が素子の長手方向であるために、ギャップ幅が非常に大きくなり、従来のセンサーと同程度の感度しか得ることができない。磁性体コアを用いない方法でも、図１０のように被測定電流路の両脇に素子を配置する構成では、磁気インピーダンス素子の長手方向を電流路に垂直に配置する必要があるため、磁気インピーダンス素子と電流路を近接させても同素子の一部にしか磁界が加わらず殆ど感度が得られない。図９の方式でも同様である。
【０００７】
また、微小な電流を検出する場合には、被測定電流による磁界に対して外乱磁界が非常に大きくなるため、感度が高いだけでなく、外乱磁界を正確に分離して被測定電流による微小磁界のみを検出できるものでなければならない。さらに、外乱磁界の除去を２つの磁気検出素子を用いた差動検出により行う場合、磁気検出素子の感度や温度特性等には通常ばらつきがあり、これが微小電流の検出では大きな誤差要因となる。特に、直流または低周波域では電流検出が不可能となる。すなわち、μＡオーダーの検出を可能にするには、感度の向上と共に、外乱磁界や磁気検出素子の特性のばらつきによる誤差を生じない構成が不可欠となる。
【０００８】
以上の事情を鑑み、本発明では、高感度な磁気インピーダンス素子を用いた電流センサーであって、外乱磁界の中でも微小電流による磁界を正確に検出し、それによりμＡオーダーの微小電流の検出が可能で、且つ容易に回路基板に実装できる電流センサー、及びこの電流センサーとその駆動及び信号処理回路からなる電流検出装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明によれば、電流センサーの構成として、
被測定電流を通電する２つのコイルと、
該２つのコイルによって生じる磁界を差動検出する２つの磁気インピーダンス素子を有し、
該２つの磁気インピーダンス素子は、同一の非磁性基板の同一面上に形成された磁性薄膜からなり、それぞれの磁界検出方向を同方向として該磁界検出方向に沿って並ぶように配置されており、
前記２つのコイルは、前記被測定電流の通電によって前記２つの磁気インピーダンス素子に対して互いに逆方向の磁界を印加するように構成されたものとした。
【００１０】
また、より具体的な構成として、
前記２つのコイルは、それぞれの中心軸方向が前記２つの磁気インピーダンス素子の磁界検出方向に沿うようにして、該磁界検出方向に沿って並んで前記磁気インピーダンス素子のそれぞれを包囲するように、磁気インピーダンス素子の周囲に巻回されている構成、及び、
前記２つのコイルは、前記非磁性基板の前記磁気インピーダンス素子を形成した面の側の近傍に配置されたコイルボビンに巻回され、それぞれの中心軸方向が前記磁気インピーダンス素子の磁界検出方向に沿うようにして、該磁界検出方向に沿って並ぶように配置された構成を採用した。
【００１１】
また、前記２つの磁気インピーダンス素子のそれぞれの両端に形成された電極が電流センサーを実装する回路基板に直接に半田付けされる構成を採用した。
【００１２】
また、前記磁気インピーダンス素子に対してバイアス磁界を印加するための永久磁石が前記非磁性基板において前記磁気インピーダンス素子が設けられた面と反対側の面に設けられた構成、より好ましくは前記永久磁石が硬磁性薄膜からなる構成、及び、
前記磁気インピーダンス素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルが前記２つのコイルの間に配置された構成を採用した。
【００１３】
また、電流検出装置の構成として、上記本発明に係る電流センサーであって、上記バイアスコイルを配置した構成以外の電流センサーと、
前記２つの磁気インピーダンス素子に高周波電流を印加する高周波発振回路と、
前記２つの磁気インピーダンス素子のそれぞれの両端から取り出された信号を検波する２つの検波回路と、
該２つの検波回路の出力信号を差動増幅する差動増幅回路を有し、
該差動増幅回路の出力信号を電流検出信号として出力する構成、及び、
上記本発明に係る電流センサーであって、上記バイアスコイルを配置した構成の電流センサーと、
該電流センサーの前記バイアスコイルに交流バイアス電流を印加するバイアス印加回路と、
前記２つの磁気検出素子に高周波電流を印加する高周波発振回路と、
前記２つの磁気検出素子のそれぞれの両端から取り出された信号を検波する２つの検波回路と、
該２つの検波回路の出力信号を差動増幅する第１の差動増幅回路と、
該第１の差動増幅回路の出力のプラスとマイナスのピーク電圧をそれぞれホールドする２つのピークホールド回路と、
該２つのピークホールド回路の出力信号を差動増幅する第２の差動増幅回路を有し、
該第２の差動増幅回路の出力信号を電流検出信号として出力する構成を採用した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
〈第１の実施形態〉
本発明による電流センサーとこれを用いた電流検出装置の第１の実施形態を図１〜３により説明する。
【００１６】
図１（ａ）は、本実施形態の電流センサーの構成を示している。電流センサー１は、回路基板１４上に実装された符号３〜１２で示す以下の各部材から構成される。
【００１７】
３は、磁気検出素子の基板としての非磁性基板である。
【００１８】
４ａ，４ｂは磁気検出素子を構成する磁気インピーダンス素子であり、同一の非磁性基板３の同一面上に、細長いつづら折り状パターンの磁性薄膜として形成されており、その長手方向を磁界検出方向として、それぞれの磁界検出方向を同方向として、その磁界検出方向に沿って並ぶように配置されている。磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの互いに対向する内側の端どうしは接続されており、その接続部から共通の電極５ｃが引き出されて形成されており、また、同素子４ａ，４ｂのそれぞれの他端には電極５ａ，５ｂが形成されている（図１（ｂ）参照）。非磁性基板３は、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの形成されている面が回路基板１４に対して垂直になる向きで回路基板１４上に配置され、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの３個の電極５ａ〜５ｃが回路基板１４に直接に半田付けされることにより、非磁性基板３が回路基板１４上に実装される。
【００１９】
６ａ，６ｂは、被測定電流を通電する被測定電流路としてのコイルであり、それぞれの中心軸方向が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの磁界検出方向に沿うようにして、その磁界検出方向に沿って並んで同素子４ａ，４ｂのそれぞれを包囲するように、同素子４ａ，４ｂの周囲（非磁性基板３の周囲）に巻回されている。このコイル６ａ，６ｂは図１（ｂ）に示すように直列に接続されているが、互いに逆回りに巻回されている。
【００２０】
８は、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに対してバイアス磁界を印加するためのバイアスマグネット（永久磁石）であり、非磁性基板３において磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの形成された面と反対側の面に設けられている。
【００２１】
１２は、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂを外乱となる外部磁界から磁気シールドするためのシールドである。
【００２２】
次に、図１（ｂ）は上記構成からなる電流センサー１の動作原理の説明図である。電流検出時には、外乱磁界中で、上記の互いに逆回りに巻回された２つのコイル６ａ，６ｂに被測定電流が通電される。これにより、コイル６ａ，６ｂの夫々から互いに逆方向の磁界±ΔＨが発生してそれぞれが磁気インピーダンス素子６ａ，６ｂに印加され、図１（ｂ）中のグラフに示すような磁界の勾配が磁気インピーダンス素子６ａ，６ｂの近傍に形成される。この磁界の勾配の位置による磁界の差を２つの磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂで差動検出する。
【００２３】
ここで、被測定電流により形成される磁界の勾配は局所的なものであるため、外乱磁界と正確に分離することができる。また、その磁界を差動検出する２つの磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂは、同一の非磁性基板３の同一面上に隣接して磁性薄膜として成膜されたものであるため、磁界−インピーダンス特性、感度、温度特性などにおいて、２つの素子４ａ，４ｂの間で殆ど差がない。このため、非常に高精度な差動検出を行うことができる。これにより、被測定電流による磁界が外乱磁界に対して非常に微小な磁界であっても、その磁界を正確に検出することが可能になり、磁気インピーダンス素子の高感度な磁界検出能力を有効に利用して、直流からの広い周波数域でμＡオーダーの電流検出が可能になる。
【００２４】
また、本実施形態の電流センサー１では、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの電極５ａ〜５ｃを回路基板１４に直接に半田付けすることにより、同素子４ａ，４ｂと非磁性基板３とバイアスマグネット８から構成される磁気検出素子が回路基板１４に実装されるので、磁気検出素子を実装するためのホルダー等が不要であり、構成を簡単にすることができ、また、直接実装により電流センサーの組み付けをさらに容易にすることができる。
【００２５】
次に、図２は、上述した図１の電流センサー１を用いた電流検出装置２の回路構成を示している。ここに示すように、電流検出装置２は、電流センサーの磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに高周波電流を印加する高周波発振回路２０と、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの両端から取り出された信号を検波する検波回路２２ａ，２２ｂと、この検波回路２２ａ，２２ｂの出力信号を差動増幅する差動増幅回路２４で構成されている。
【００２６】
この構成で、電流検出時には、被測定電流が電流センサーのコイル６ａ，６ｂに通電されるとともに、高周波発振回路２０から高周波電流が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに印加される。コイル６ａ，６ｂから発生する磁界と外乱となる外部磁界、及びバイアスマグネット８のバイアス磁界に応じて磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂのそれぞれの両端間のインピーダンスが変化し、高周波電流の振幅電圧が変化する。その信号が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの両端から取り出されて検波回路２２ａ，２２ｂにより検波され、さらに検波回路２２ａ，２２ｂの出力信号が差動増幅回路２４で差動増幅され、差動増幅回路２４の出力信号が電流検出信号として出力される。
【００２７】
ここで、上述した理由により、被測定電流による磁界が外乱磁界に対して非常に微小な磁界であっても、その磁界を磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂによる差動検出で正確に検出することができ、直流からの広い周波数域でμＡオーダーの微小な電流を正確に検出することができる。
【００２８】
図３は、電流検出装置２による微小電流の測定例を示すものであり、１０μＡ，１０Ｈｚの電流を検出したときのものである。下側の信号は被測定電流値に対応した電圧であり、上側の信号が電流検出装置の出力である。この上側の信号波形が下側の信号波形に正確に対応しており、上述した図１の電流センサー１と図２の電流検出装置２の構成により、外乱磁界に埋もれている微小電流の磁界を正確に分離、検出し、μＡオーダーの電流分解能を実現していることがわかる。
【００２９】
〈第２の実施形態〉
次に、本発明の第２の実施形態を図４により説明する。図４は、第２の実施形態における電流センサーの構成を示している。図４において、第１の実施形態の図１中と共通もしくは相当する部分には共通の符号を付してあり、共通部分の説明は省略する。これは後述する第３の実施形態の図５においても同様とする。また、第２の実施形態における電流検出装置の電流センサーの駆動及び信号処理回路の構成は第１の実施形態の回路構成と共通とし、その図示と説明は省略する。
【００３０】
図４に示す電流センサー１の構成において、第１の実施形態と異なる点として、まずバイアスマグネット８は、硬磁性薄膜からなるものとして、非磁性基板３の磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂを形成した面の反対側の面に形成されている。
【００３１】
また、被測定電流路であるコイル６ａ，６ｂは、コイルボビン９に巻回されており、このコイルボビン９は、回路基板１４上で非磁性基板３の磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂを形成した面の側の近傍に配置されている。すなわち、コイル６ａ，６ｂは、第１の実施形態のように磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂを包囲しておらず、同素子４ａ，４ｂの片側近傍に配置されている。なお、コイル６ａ，６ｂは、それぞれの中心軸方向（コイルボビン９の中心軸方向）が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの磁界検出方向に沿うようにして、その磁界検出方向に沿って並ぶように配置される。
【００３２】
このような、本実施形態の電流センサー１の構成によれば、コイル６ａ，６ｂを巻回したコイルボビン９、及び磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂとバイアスマグネット８を設けた非磁性基板３というチップ形状の２個の部品から成り、それぞれを電流検出装置の電流センサーの駆動及び信号処理回路と共に回路基板１４に直接実装することができるため、電子機器等への組み込みが非常に容易である。
【００３３】
また、コイル６ａ，６ｂの径を小さくでき、それに伴ってコイル６ａ，６ｂの銅線の長さも短くできるため、コイル６ａ，６ｂの抵抗とインダクタンスを小さく設定でき、被測定電流路に挿入される負荷を小さくすることができる。
【００３４】
さらに、バイアスマグネット８が硬磁性薄膜として形成されることにより、バイアスマグネットの設置及び位置調整作業が不要になり、電流センサーの構成を簡単にすることができる。また、２つの磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂにおいて、バイアスマグネット８の設置位置の誤差によるバイアス磁界のずれを無くすことができる。
【００３５】
〈第３の実施形態〉
次に、本発明の第３の実施形態を図５〜７により説明する。
【００３６】
図５は第３の実施形態による電流センサー１の構成を示している。ここに示す電流センサー１の構成では、第１の実施形態におけるバイアスマグネット８の代わりに、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂにバイアス磁界を印加するためのバイアスコイル１０を被測定電流路のコイル６ａ，６ｂの間に配置し、非磁性基板３の周囲に巻回している。これ以外の部分の構成は第１の実施形態の図１の構成と同様である。
【００３７】
図６は、図５の電流センサー１を用いた第３の実施形態の電流検出装置２の回路構成を示している。この構成では、バイアスコイル１０に交流バイアス電流を印加するＡＣバイアス印加回路２８、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに高周波電流を印加する高周波発振回路２０、磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの両端から取り出された信号を検波する検波回路２２ａ，２２ｂ、この検波回路２２ａ，２２ｂの出力信号を差動増幅する第１の差動増幅回路２４ａ、この差動増幅回路２４ａの出力の交流バイアスに対応したプラスとマイナスのピーク電圧をホールドするピークホールド回路２６ａ，２６ｂ、このピークホールド回路２６ａ，２６ｂの出力信号を差動増幅する第２の差動増幅回路２４ｂを有している。
【００３８】
ところで、磁気インピーダンス素子の磁界に対するインピーダンス変化、即ち検波回路の出力の特性は、図７（ａ）に示すような曲線で、基本的に直線ではない。このため、広いレンジの電流検出、即ち広いレンジの磁界検出を行う場合には、通常の固定バイアス磁界を用いる方法では直線性を確保できない。そこで、図７（ａ）に示すように矩形波のバイアス磁界を加え、出力特性上の磁界のプラス側とマイナス側の２つの動作点Ｖｐ（＋），Ｖｐ（−）の差ΔＶｐを検出することにより、図７（ｂ）に示すように磁界に対する直線性を確保することができる。本実施形態のように、差動の２つの磁気インピーダンス素子を用いる場合も同様で、同じ矩形波磁界を加えれば、図７（ｂ）の出力特性を持った２つの素子で差動検出を行ったのと同じことになり、直線性の良い差動検出ができる。
【００３９】
すなわち、上記の図６の構成で、電流検出時には、被測定電流が電流センサーのコイル６ａ，６ｂに通電され、高周波発振回路２０から高周波電流が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに印加されるとともに、ＡＣバイアス印加回路２８から交流バイアス電流がバイアスコイル１０に印加され、これによりバイアスコイル１０から矩形波のバイアス磁界が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂに印加される。コイル６ａ，６ｂから発生する磁界と外乱となる外部磁界とバイアス磁界に応じて磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂのそれぞれの両端間のインピーダンスが変化し、高周波電流の振幅電圧が変化する。そのそれぞれの信号が磁気インピーダンス素子４ａ，４ｂの両端から取り出されて検波回路２２ａ，２２ｂにより検波され、差動増幅回路２４ａで差動増幅される。さらに、差動増幅回路２４ａの出力信号のプラス側とマイナス側のピーク電圧がピークホールド回路２６ａ，２６ｂによりホールドされる。そして、ピークホールド回路２６ａ，２６ｂの出力信号が差動増幅回路２４ｂで差動増幅され、この回路２４ｂの出力信号が電流検出信号として出力される。
【００４０】
以上のような本実施形態によれば、上述のように交流バイアス電流による交流バイアス磁界の印加によって、被測定電流に対する出力の直線性を向上させることができ、より広いレンジの電流検出を行なうことができる。
【００４１】
なお、本実施形態において、被測定電流が通電される２つのコイル６ａ，６ｂにおいて、交流バイアス磁界による誘導起電力は互いに逆方向に生じて相殺されるため、交流バイアス磁界が被測定電流に影響を与えることはない。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、外乱磁界の中でも微小電流による微小な磁界を正確に検出することができ、磁気インピーダンス素子の高感度な磁界検出能力を有効に利用して、直流からの広い周波数域でμＡオーダーの電流検出が可能であり、しかも回路基板への実装が容易な優れた電流センサー、及びこのセンサーとその駆動及び信号処理回路からなる電流検出装置を提供することができ、動力制御の高精度化や電子機器の高性能化に貢献することができるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態における電流センサーの構成を示す斜視図、（ｂ）は同センサーの動作の説明図である。
【図２】同実施形態における電流検出装置の回路構成を示すブロック回路図である。
【図３】同検出装置による電流検出例を示すグラフ図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における電流センサーの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施形態における電流センサーの構成を示す斜視図である。
【図６】同実施形態における電流検出装置の回路構成を示すブロック回路図である。
【図７】同検出装置における交流バイアス磁界を用いた検出方法を説明する線図である。
【図８】従来の電流センサーの構成を示す概略構成図である。
【図９】他の従来の電流センサーの構成を示す斜視図である。
【図１０】さらに他の従来の電流センサーの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  電流センサー
２  電流検出装置
３  非磁性基板
４ａ，４ｂ  磁気インピーダンス素子
５ａ〜５ｃ  電極
６ａ，６ｂ  被測定電流路のコイル
８  バイアスマグネット
９  コイルボビン
１０  バイアスコイル
１２  シールド
１４  回路基板
２０  高周波発振回路
２２ａ，２２ｂ  検波回路
２４，２４ａ，２４ｂ  差動増幅回路
２６ａ，２６ｂ  ピークホールド回路
２８  ＡＣバイアス印加回路
【図１】
0003764834.tif 000002
【図２】
0003764834.tif 000003
【図３】
0003764834.tif 000004
【図４】
0003764834.tif 000005
【図５】
0003764834.tif 000006
【図６】
0003764834.tif 000007
【図７】
0003764834.tif 000008
【図８】
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【図９】
0003764834.tif 000010
【図１０】
0003764834.tif 000011