(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、
上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、
半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と平行な方向に沿って形成されたマーカーを有する、
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、
上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、
半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と直交する方向に沿って形成されたマーカーを有する、
ことを特徴とする半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体光素子に関するものであり、詳しくは、半導体光素子内部の光導波路を進行する光が出射端面へ入射する方向と当該出射端面の法線の方向とのなす角が０でない角度θを有し、且つ光の出射方向と出射端面の法線の方向とのなす角が上記角度θに基づいて決定される角度ψである半導体光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体光増幅器や半導体光変調器等の進行波型光デバイス（半導体光素子）では、光の出射端面での反射を低減することが重要である。
【０００３】
出射端面での光の反射率を抑える方法の一つとして、従来では、Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電体膜を当該出射端面に形成するという方法が採用されている。この場合、誘電体膜の厚さｄを、
【０００４】
【数１】
0003754995.tif 000002
【０００５】
となるように制御することにより、光の反射率を３％〜１％程度に抑えることが可能である。
【０００６】
また、さらに反射率を下げる方法として、出射端面への光の進行方向が、出射端面の法線の方向と０でない角度θを有するように、すなわち出射端面への光の入射角がθとなるように、半導体内に光導波路を形成するという方法がある。かかる方法を用いた場合、光導波路の幅を２μｍとしたとき、入射角θを１４°以上に設定すれば、θ＝０のときに比べて光の反射率が１／１００に抑えることが可能であることが分かっている（ Y.Yamamoto et.al. "Coherence,Amplification,and Quantum Effects in Semiconductor Lasers" p268 ）。
【０００７】
ところで、出射端面への光の入射角θが０でない場合、光の出射方向と当該出射端面の法線の方向とのなす角ψについて、スネルの法則により、
【０００８】
【数２】
0003754995.tif 000003
【０００９】
という関係がある。例えば、
θ＝１４゜に設定し、ｎeff ＝３．３のときは、ψ＝５３゜
θ＝７゜  に設定し、ｎeff ＝３．３のときは、ψ＝２４゜
となる。
【００１０】
図１１は、このような半導体光素子をサブマウント上に組み立てたときの斜視図である。また、図１２は、図７のＡ−矢視図である。
【００１１】
図１１を参照して、半導体光素子１は、サブマウント２上で組み立てられている。サブマウント２は、たとえばＳｉにより構成することができる。サブマウント２は、矩形の基準面３に沿う各辺および基準面に対して直交する方向に連続する垂線を基準として、たとえばヒートシンク等にマウントされる。
【００１２】
図１２に示すように、半導体光素子１からの出射光ＬＢは、上記(1) 式に従って、光の出射端面４の法線の方向と角ψだけ屈折した状態で放射される。このため、光学レンズ等を用いて半導体光素子１からの出射光ＬＢを効率よく取り出すためには、出射光ＬＢの出射方向が、サブマウント２の基準面３の各辺のうち２つの辺３ａ，３ｂに平行で、且つ他の２つの辺３ｃ，３ｄに対し垂直であることが望ましい。つまり、半導体光素子１は、サブマウント２に対して角度ψだけ正確に傾けて接着するのが望ましい。従来では、半導体光素子１を角度ψだけ傾けるために、たとえば分度器等を使って角度を測定していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記(1) 式より明らかなように、ｎeff ，θの設定の仕方によって、角度ψが変化する。つまり、半導体素子の仕様に応じてｎeff ，θの値を変える必要があるが、これらの値に応じて傾けるべき角度ψも変化する。従って、半導体光素子１の仕様が変わるごとに傾けるべき角度ψが変化するので、半導体光素子１のマウント作業は、非常に煩雑なものとなっていた。このため、半導体光素子１のマウント作業のコストが上昇し、結果的にデバイス全体のコストが上昇してしまうという問題があった。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、半導体光素子のマウント作業を容易且つ正確に行うことができ、引いてはデバイス全体のコストダウンを図ることができる半導体光素子を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明（請求項１）に係る半導体光素子は、光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と平行な方向に沿って形成されたマーカーを有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明（請求項２）に係る半導体光素子は、光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と直交する方向に沿って形成されたマーカーを有することを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
実施の形態１．
図１は、本実施の形態に係る半導体光素子１０がサブマウント上に配置された状態を示す斜視図である。また、図２は、図１におけるＢ−矢視図である。なお、半導体光素子１０は、後述する積層構造を有しているが、図１および図２においては、その構造を簡略化して図示している。
【００２０】
図１および図２に示すように、半導体光素子１０は、サブマウント１１の基準面１２上に、予め定められた角度ψだけ傾けた状態で配置されている。これは、次の理由によるものである。
【００２１】
半導体光素子１０は、光１５の出射端面１３での光の反射率を下げるために、光導波路１４が出射端面１３の法線方向に対して角度θ（θは、０でない値）だけ傾けて形成されている。つまり、光１５の出射端面１３への入射角がθとなるように設定されている。このため、光１５の出射方向は、スネルの法則により、出射端面１３の法線方向に対して角度ψだけ屈折した方向となっている。ところが、光１５は、サブマウント１１の辺１６に対して直交する方向に出射させる必要があることから、半導体光素子１０を上記角度ψだけ傾けているのである。
【００２２】
本実施の形態の特徴とするところは、半導体光素子１０をサブマウント１１の基準面１２上に上記角度ψだけ傾けて位置決めするために、位置決め構造１７，１８を半導体光素子１０に形成した点である。そして、これら位置決め構造１７，１８によって、半導体光素子１０を簡単且つ正確に基準面１２上にセットできるようになっている。以下、半導体光素子１０について詳しく説明する。
【００２３】
半導体光素子１０は、ｎ−ＩｎＰ基板２０を有しており、このｎ−ＩｎＰ基板２０上にリッジ型の光導波路１４が形成されている。光導波路１４は、上述のように、出射端面１３の法線方向に対して角度θだけ傾けて形成されており、その結果、光１５の出射方向が出射端面１３の法線方向に対して角度ψを有する方向となっている。
【００２４】
また、半導体光素子１０の上面２２には、上記位置決め構造１７，１８が形成されている。具体的には、この位置決め構造１７，１８は、半導体光素子１０の上面２２に形成された凹条からなるマーカーにより構成されている。なお、本実施の形態の説明においては、位置決め構造１７，１８を適宜マーカー１７，１８という。
【００２５】
マーカー１７は、半導体光素子１０の出射端面１３の法線の方向に対して所定の角度を有して形成されている。つまり、マーカー１７は、光１５の出射方向と平行な方向、すなわち出射端面１３の法線の方向とマーカー１７の方向とのなす角がψとなるように形成されている。また、マーカー１８は、マーカー１７と同様の形状であって、マーカー１７と平行に形成されている。つまり、マーカー１８は、光１５の出射方向と平行な方向、すなわち出射端面１３の法線の方向とマーカー１８の方向とのなす角がψとなるように形成されている。
【００２６】
次に、図３および図４を参照して、かかる半導体光素子１０の製造方法について説明する。図３および図４は、それぞれ、半導体光素子１０の製造工程を図示した模式図である。
【００２７】
図３(a) を参照して、まず、ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２３、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ活性層２４，Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２５、Ｐ−ＩｎＰ第１クラッド層２６とを順次積層形成する。
【００２８】
次に、図３(b) に示すように、エッチングマスク２７を形成し、これをマスクとしてエッチング処理を行う。これにより、リッジ型の光導波路１４を形成する。光導波路１４は、本実施の形態では、その幅寸法Ｗが２μｍに設定されている。もっとも、光導波路１４は、半導体光素子１０の仕様に応じて適宜設計変更することが可能であり、幅寸法Ｗについても、所要の仕様に対応させて変更することができる。
【００２９】
エッチングマスク２７は、たとえばＳｉＯ2 やＳｉＮを採用することができる。また、エッチング処理については、ＨＢｒを用いたウェットエッチング等の方法を採用することができる。
【００３０】
次に、図３(c) に示すように、光導波路１４の両側に、Ｆｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９を積層形成する。これらＦｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９は、たとえばＭＯＣＶＤ法を駆使して形成することができる。もっとも、他の公知の方法によって、Ｆｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９を形成することもできる。
【００３１】
次いで、図４(a) に示すように、エッチングマスク２７を除去し、その後、Ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層３０およびＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１を順次積層形成する。これらＰ−ＩｎＰ第２クラッド層３０およびＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１は、たとえば、ＭＯＣＶＤ法を駆使して形成することができるが、その他の公知の方法によって形成することもできる。
【００３２】
次に、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上面にレジストパターンを形成し（図示せず）、これをマスクとしてＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の所定部分をエッチング除去し、凹条を形成する（図４(b) 参照）。この所定部分とは、上述のマーカー１７，１８（図１および図２参照）が形成されるべき部分である。この場合のエッチング処理の方法としては、酒石酸を用いたウェットエッチング等を採用することができる。
【００３３】
詳しく説明すると、マーカー１７，１８は、その長手方向が、半導体光素子１０の出射端面１３の法線の方向と角度ψをなすように形成する。この角度ψは、半導体光素子１０の仕様に対応して、上述した(1) 式から導かれる。すなわち、半導体光素子１０の仕様に対応したｎeff ，θの値によってスネルの法則に基づいて決定される。なお、後述するように、これらマーカー１７，１８は、半導体光素子１０を組み立てる際の位置決め用目印として機能するものであるから、マーカー１７，１８を構成する凹条の幅寸法や長さ寸法は、適宜設定することができる。また、本実施の形態では、一対のマーカー１７，１８を形成したが、いずれか一方のマーカーのみを形成するようにしても良い。
【００３４】
その後、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上面全体にＳｉＯ2 膜３２を形成する。このＳｉＯ2 膜３２は、たとえばスパッタ法を駆使して形成することができる。もっとも、スパッタ法以外の公知の方法を用いてＳｉＯ2 膜３２を形成することもできる。
【００３５】
そして、図示していないが、上記光導波路１４に沿ってＳｉＯ2 膜３２上にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてＳｉＯ2 膜３２に対してエッチング処理を施す。このエッチング処理の方法としては、ＨＦを用いたウェットエッチング法を採用することができる。これにより、ＳｉＯ2 膜２２の光導波路１４に沿う部分が除去され、当該除去された部分が、半導体光素子１０の電流注入部分を構成する。
【００３６】
次に、図４(c) に示すように、上面全体にＴｉおよびＡｕを蒸着して金属蒸着層３３を形成し、この金属蒸着層３３の上にＡｕメッキ層３４を形成する。そして、Ａｕメッキ層３４の上にレジストパターンを形成し（図示せず）、これをマスクとしてＡｕメッキ層３４を所定の形状にパターニングする。さらに、金属蒸着層３３をエッチング処理することにより、金属蒸着層３３を所定の形状にパターニングする。なお、この場合のエッチング処理としては、ＨＦを用いたウェットエッチング法を採用することができる。金属蒸着層３３をパターニングすることにより、予め設計された電極パターンが形成される。
【００３７】
最後に、図４(d) に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２０の裏面に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを順次積層した金属蒸着層３５を形成する。そして、この上にＡｕメッキ層３６を形成し（図示せず）、これをマスクとしてＡｕメッキ層３６を所定の形状にパターニングする。さらに、金属蒸着層３５をエッチング処理することにより、金属蒸着層３５を所定の形状にパターニングする。なお、この場合のエッチング処理としては、ヨウ化カリウム，フッ酸を用いたウェットエッチング法を採用することができる。金属蒸着層３５をパターニングすることにより、予め設計された電極パターンが形成される。
【００３８】
次に、本実施の形態に係る半導体光素子１０の作用効果について説明する。
図１および図２を参照して、半導体光素子１０は、位置決め構造１７，１８を有するので、サブマウント１１の基準面１２上での半導体光素子１０の傾きを容易に決定することができる。すなわち、位置決め構造１７，１８は、半導体光素子１０の仕様に応じて、光１５の出射端面１３の法線の方向と角度ψをなすように形成されているから、当該半導体光素子１０から発せられる光１５がサブマウント１１の辺１６に直交するように、正確に基準面１２上にセットすることができる。
【００３９】
しかも、この位置決め構造１７，１８は、半導体光素子１０の仕様に合わせて製造段階で予め形成しておくことができる。つまり、半導体光素子１０の製造工程において、ガラスマスク作製時に目印として配置しておくことができ、角度ψの誤差は、１゜以内に抑えることが可能である。これにより、従来のように、半導体光素子１０の仕様ごとに異なる角度ψをその都度分度器等を用いて測定する必要がなく、半導体光素子１０を基準面１２上にセットする作業がきわめて簡単である。その結果、半導体光素子１０の組立コストの低減を図ることができ、デバイス全体の低コスト化を図ることができる。
【００４０】
特に、本実施の形態では、位置決め構造１７，１８は、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１に形成したマーカー１７，１８により構成しているので、実際に半導体光素子１０をセットする際には、これらマーカー１７，１８を目印としてサブマウントの辺１２ａに沿わすようにすれば良く、簡単に作業をすることができるという利点がある。
【００４１】
また、位置決め構造１７，１８を凹条からなるマーカーにより構成したので、半導体光素子１０の製造工程中において位置決め構造１７，１８をエッチング処理等によってきわめて簡単に形成することができる。これにより、位置決め構造１７，１８を設けることによるコストの上昇を抑えることができ、デバイス全体の低コスト化が損なわれることがない。
【００４２】
次に、本実施の形態の変形例について説明する。
本実施の形態では、マーカー１７，１８は、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１をエッチング処理することにより構成したが、図４(b) において、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上に形成したＳｉＯ2 膜３２をエッチング処理してマーカー１７，１８を構成することもできる。
【００４３】
また、図４(c) において、電極パターンを形成する際に、同時に金属蒸着層３３をエッチング処理してマーカー１７，１８を構成することもできる。さらに、同図において、Ａｕメッキ層３４をパターニングする際に、同時にマーカー１７，１８を構成することができる。加えて、金属蒸着層３３をエッチング処理する際に、同時にマーカー１７，１８を構成することができる。要するに、半導体光素子１０のマウント作業において、作業者が目視できる目印を半導体光素子１０上に形成すれば良い。
【００４４】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２について説明する。
図５は、実施の形態２に係る半導体光素子４０の斜視図である。また、図６は、図５におけるＣ−矢視図である。
【００４５】
図５，図６を参照して、本実施の形態が実施の形態１と異なる点は、実施の形態１では、マーカー１７，１８をその長手方向が半導体光素子１０の出射端面１３の法線の方向と角度ψをなすように、すなわちマーカー１７，１８を光１５の出射方向と平行になるように形成したのに対し、本実施の形態では、位置決め構造１７，１８を光１５の出射方向と直交するように形成した点である。
【００４６】
なお、その他の構成については、実施の形態１と同様であり、位置決め構造としてのマーカー１７，１８についても、実施の形態１で示したのと同様の工程で形成することができる（図３，図４参照）。このため、図５および図６において、実施の形態１と同様の構成については、図１および図２と同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００４７】
本実施の形態によれば、半導体光素子４０は、位置決め構造１７，１８を有するので、サブマウント１１の基準面１２上での半導体光素子１０の傾きを容易に決定することができる。詳しく説明すると、位置決め構造１７，１８が光１５の出射方向と直交するように形成されているから、半導体光素子１０から発せられる光１５がサブマウント１１の辺１６に直交するように、正確に基準面１２上にセットすることができる。
【００４８】
しかも、この位置決め構造１７，１８は、半導体光素子４０の仕様に合わせて製造段階で予め形成しておくことができる。つまり、実施の形態１で示したように、半導体光素子４０の製造工程において、位置決め構造１７，１８を目印として配置しておくことができ、その角度の誤差は、１゜以内に抑えることが可能である。これにより、従来のように、半導体光素子４０の仕様ごとに異なる角度ψをその都度分度器等を用いて測定する必要がなく、半導体光素子４０を基準面１２上にセットする作業がきわめて簡単である。その結果、半導体光素子４０の組立コストの低減を図ることができ、デバイス全体の低コスト化を図れる。
【００４９】
また、本実施の形態では、実施の形態１と同様に、位置決め構造１７，１８は、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１に形成したマーカー１７，１８により構成することができるので、実際に半導体光素子４０をセットする際には、これらマーカー１７，１８を目印としてサブマウントの辺１２ｂに沿わすようにすれば良く、簡単に作業をすることができるという利点がある。
【００５０】
さらに、位置決め構造１７，１８を凹条からなるマーカーにより構成したので、半導体光素子４０の製造工程中において位置決め構造１７，１８をエッチング処理等によってきわめて簡単に形成することができる。これにより、位置決め構造１７，１８を設けることによるコストの上昇を抑えることができ、デバイス全体の低コスト化が損なわれることがない。
【００５１】
なお、本実施の形態においても上述した実施の形態１の変形例と同様の変形例が考えられ、位置決め構造１７，１８として、半導体光素子４０のマウント作業において、作業者が目視できる目印を半導体光素子４０上に形成することができる。
【００５２】
実施の形態３．
次に、本発明の実施の形態３について説明する。
図７は、実施の形態３に係る半導体光素子５０の斜視図である。また、図８は、図７におけるＤ−矢視図である。
【００５３】
図５，図６を参照して、本実施の形態が実施の形態１と異なる点は、実施の形態１では、半導体光素子１０をサブマウント１１に対して角度ψだけ傾けて位置決めするために、マーカー１７，１８を形成したのに対して、本実施の形態では、位置決め構造として、半導体光素子５０に位置決め面部５１を形成した点である。そして、この位置決め面部５０は、その法線が光１５の出射方向と平行となるように形成されている。すなわち、位置決め面部５１に沿う方向が、光１５の出射端面１３に沿う方向と角度ψをなすように形成されている。なお、その他の構成については、実施の形態１と同様である。このため、図７および図８において、実施の形態１と同様の構成については、図１および図２と同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５４】
次に、図９および図１０を参照して、本実施の形態に係る半導体光素子５０の製造方法について説明する。
半導体光素子５０の製造工程は、上記図３および図４に示す工程と略同様である。以下、詳しく説明する。
【００５５】
図９(a) を参照して、まず、ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２３、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ活性層２４，Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２５、Ｐ−ＩｎＰ第１クラッド層２６とを順次積層形成する。
【００５６】
次に、図９(b) に示すように、エッチングマスク２７を形成し、これをマスクとしてエッチング処理を行う。これにより、リッジ型の光導波路１４を形成する。光導波路１４は、本実施の形態では、その幅寸法Ｗが２μｍに設定されている。もっとも、光導波路１４は、半導体光素子１０の仕様に応じて適宜設計変更することが可能であり、幅寸法Ｗについても、所要の仕様に対応させて変更することができる。
【００５７】
エッチングマスク２７は、たとえばＳｉＯ2 やＳｉＮを採用することができる。また、エッチング処理については、ＨＢｒを用いたウェットエッチング等の方法を採用することができる。
【００５８】
次に、図９(c) に示すように、光導波路１４の両側に、Ｆｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９を積層形成する。これらＦｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９は、たとえばＭＯＣＶＤ法を駆使して形成することができる。もっとも、他の公知の方法によって、Ｆｅ−ＩｎＰブロック層２８およびｎ−ＩｎＰホールトラップ層２９を形成することもできる。
【００５９】
次いで、図１０(a) に示すように、エッチングマスク２７を除去し、その後、Ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層３０およびＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１を順次積層形成する。これらＰ−ＩｎＰ第２クラッド層３０およびＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１は、たとえば、ＭＯＣＶＤ法を駆使して形成することができるが、その他の公知の方法によって形成することもできる。
【００６０】
次に、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上面にレジストパターンを形成し（図示せず）、これをマスクとしてＰ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の所定部分をエッチング除去し、実施の形態１で示したような凹条を形成する。この場合、当該凹条は、上記位置決め面部５１を形成するために、半導体素子５０を切欠くための、いわばけがき線を構成する。
【００６１】
そして、この凹条の方向は、光１５が出射される出射端面１３と角度ψをなす方向である。この角度ψは、半導体光素子５０の仕様に対応して、上述した(1) 式から導かれる。すなわち、半導体光素子５０の仕様に対応したｎeff ，θの値によってスネルの法則に基づいて決定される。また、この場合のエッチング処理の方法としては、酒石酸を用いたウェットエッチング等を採用することができる。
【００６２】
その後、図１０(b) に示すように、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上面全体にＳｉＯ2 膜３２を形成する。このＳｉＯ2 膜３２は、たとえばスパッタ法を駆使して形成することができる。もっとも、スパッタ法以外の公知の方法を用いてＳｉＯ2 膜３２を形成することもできる。
【００６３】
そして、図示していないが、上記光導波路１４に沿ってＳｉＯ2 膜３２上にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてＳｉＯ2 膜３２に対してエッチング処理を施す。このエッチング処理の方法としては、ＨＦを用いたウェットエッチング法を採用することができる。これにより、ＳｉＯ2 膜２２の光導波路１４に沿う部分が除去され、当該除去された部分が、半導体光素子１０の電流注入部分を構成する。
【００６４】
次に、図１０(c) に示すように、上面全体にＴｉおよびＡｕを蒸着して金属蒸着層３３を形成し、この金属蒸着層３３の上にＡｕメッキ層３４を形成する。そして、Ａｕメッキ層３４の上にレジストパターンを形成し（図示せず）、これをマスクとしてＡｕメッキ層３４を所定の形状にパターニングする。さらに、金属蒸着層３３をエッチング処理することにより、金属蒸着層３３を所定の形状にパターニングする。なお、この場合のエッチング処理としては、ＨＦを用いたウェットエッチング法を採用することができる。金属蒸着層３３をパターニングすることにより、予め設計された電極パターンが形成される。
【００６５】
次に、図１０(d) に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２０の裏面に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを順次積層した金属蒸着層３５を形成する。そして、この上にＡｕメッキ層３６を形成し（図示せず）、これをマスクとしてＡｕメッキ層３６を所定の形状にパターニングする。さらに、金属蒸着層３５をエッチング処理することにより、金属蒸着層３５を所定の形状にパターニングする。なお、この場合のエッチング処理としては、ヨウ化カリウム，フッ酸を用いたウェットエッチング法を採用することができる。金属蒸着層３５をパターニングすることにより、予め設計された電極パターンが形成される。
【００６６】
最後に、ウェハからチップ分割を行った後、ダイシングソーで上記形成した凹条に沿って半導体光素子５０を切欠く。これにより、図７に示すような位置決め面部５１を形成する。
【００６７】
本実施の形態によれば、ダイシングにより切欠形成した位置決め面部５１は、その法線が光１５の出射方向と平行になっているから、位置決め面部５１をサブマウント１１の辺１６に沿うように半導体光素子５０を配置することにより、半導体光素子５０から発せられる光１５がサブマウント１１の辺１６に直交するように、正確に基準面１２上にセットすることができる。
【００６８】
しかも、この位置決め面部５１は、半導体光素子５０の仕様に合わせて製造段階で予め形成しておくことができる。これにより、従来のように、半導体光素子５０の仕様ごとに異なる角度ψをその都度分度器等を用いて測定する必要がなく、半導体光素子５０を基準面１２上にセットする作業がきわめて簡単である。その結果、半導体光素子５０の組立コストの低減を図ることができ、デバイス全体の低コスト化を図ることができる。
【００６９】
特に、本実施の形態では、位置決め構造として上記位置決め面部５１を採用したので、位置決め構造をダイシングによりごく簡単に形成することができる。従って、位置決め面部５１を設けることによるコストの上昇を抑えることができ、デバイス全体の低コスト化が損なわれることがない。
【００７０】
次に、位置決め面部５１の形成方法に関する変形例について説明する。
本実施の形態では、位置決め面部５１は、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１を形成した後、当該Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１にけがき線としての凹条を形成することにより構成したが、図９(b) において、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１の上に形成したＳｉＯ2 膜３２をエッチング処理して上記凹条を形成することもできる。
【００７１】
また、図９(c) において、電極パターンを形成する際に、同時に金属蒸着層３３をエッチング処理して凹条を構成することもできる。さらに、同図において、Ａｕメッキ層３４をパターニングする際に、同時に凹条を構成することができる。加えて、金属蒸着層３３をエッチング処理する際に、同時に凹条を構成することができる。要するに、半導体光素子１０の製造工程において、ウェハからチップ分割を行った後にダイシングソーで切欠くためのけがき線を形成していれば良い。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、本願の請求項１に係る発明によれば、光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と平行な方向に沿って形成されたマーカーを有するようにしたので、従来のように、半導体光素子の仕様ごとに異なる角度をその都度分度器等を用いて測定する必要がなく、半導体光素子を傾けてセットする作業がきわめて簡単となるとともに、位置決め手段が半導体光素子の上面に形成されたマーカーにより構成することができる。従って、位置決め手段の構造をきわめて簡単にすることができ、位置決め指標を設けることによるコストの上昇を抑えることができる。しかも、当該マーカーは、いわゆる目印であればその機能を発揮することができるから、半導体光素子の製造工程の一部において簡単に構成することが可能である。これにより、位置決め指標を設けることによるコストの上昇を一層抑えることができる、という効果がある。
【００７３】
また、本願の請求項２に係る発明によれば、光の出射方向が光の出射端面と所定角度をなし、所定のベース部材の基準面上に上記所定角度分だけ傾けてマウントされる半導体光素子において、上記基準面に対する半導体光素子の傾きを決定する位置決め指標として、半導体光素子の上面に、半導体光素子の光の出射方向と直交する方向に沿って形成されたマーカーを有するようにしたので、従来のように、半導体光素子の仕様ごとに異なる角度をその都度分度器等を用いて測定する必要がなく、半導体光素子を傾けてセットする作業がきわめて簡単となるとともに、位置決め手段が半導体光素子の上面に形成されたマーカーにより構成することができる。従って、位置決め手段の構造をきわめて簡単にすることができ、位置決め指標を設けることによるコストの上昇を抑えることができる。しかも、当該マーカーは、いわゆる目印であればその機能を発揮することができるから、半導体光素子の製造工程の一部において簡単に構成することが可能である。これにより、位置決め指標を設けることによるコストの上昇を一層抑えることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る半導体光素子をサブマウント上に配置した状態を示す斜視図である。
【図２】  図１におけるＢ−矢視図である。
【図３】  本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造工程の前半を順に示す断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造工程の後半を順に示す断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態２に係る半導体光素子をサブマウント上に配置した状態を示す斜視図である。
【図６】  図５におけるＣ−矢視図である。
【図７】  本発明の実施の形態３に係る半導体光素子をサブマウント上に配置した状態を示す斜視図である。
【図８】  図７におけるＤ−矢視図である。
【図９】  本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造工程の前半を順に示す断面図である。
【図１０】  本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造工程の後半を順に示す断面図である。
【図１１】  従来の半導体光素子をサブマウント上に配置した状態を示す斜視図である。
【図１２】  図１１におけるＡ−矢視図である。
【符号の説明】
１０  半導体光素子、１１  サブマウント、１２  基準面、１３  出射端面、１４  光導波路、１５  光、１６  辺、１７，１８  位置決め構造、４０  半導体光素子、５０  半導体光素子、５１  位置決め面部。
【図１】
0003754995.tif 000004
【図２】
0003754995.tif 000005
【図３】
0003754995.tif 000006
【図４】
0003754995.tif 000007
【図５】
0003754995.tif 000008
【図６】
0003754995.tif 000009
【図７】
0003754995.tif 000010
【図８】
0003754995.tif 000011
【図９】
0003754995.tif 000012
【図１０】
0003754995.tif 000013
【図１１】
0003754995.tif 000014
【図１２】
0003754995.tif 000015