(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に形成された電子放出源領域と、この電子放出源領域の周囲を囲むシールド領域と、この電子放出源領域に対向して形成された電子引出し電極とを備えてなる電子源用電極であって、
前記シールド領域は、その表面を鉄または鉄を含む鉄系材料以外の非鉄合金で形成されてなることを特徴とする電子源用電極。
【請求項２】
前記電子放出源領域は、前記電子放出源を生成させるときの表面が鉄または鉄を含む鉄系材料で形成されてなることを特徴とする請求項１記載の電子源用電極。
【請求項３】
前記電子放出源がカーボンナノチューブ層であることを特徴とする請求項２記載の電子源用電極。
【請求項４】
前記非鉄合金が銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、チタン、タングステン、これらを１種または２種以上含む非鉄合金であることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の電子源用電極。
【請求項５】
前記シールド領域は、前記電子放出源を生成させる前に銅ペーストを前記電子放出源領域の周囲に印刷した後、還元性雰囲気で焼成して得られることを特徴とする請求項１記載の電子源用電極。
【請求項６】
前記電子放出源領域の電子放出源の層厚さと、前記シールド領域の非鉄材料の層厚さとが略同一であることを特徴とする請求項５記載の電子源用電極。
【請求項７】
複数の穴部を有する鉄または鉄を含む鉄系材料からなる基板と、この穴部が形成された基板上に電子放出源領域と、この電子放出源領域に対向して形成された電子引出し電極とを備えてなる電子源用電極であって、
前記電子放出源領域が形成された面の裏面は、その表面を鉄または鉄を含む鉄系材料以外の非鉄合金で形成されてなることを特徴とする電子源用電極。
【請求項８】
表面が鉄または鉄を含む鉄系材料からなる基板の電子放出源を形成する領域の周囲に銅ペーストを印刷する工程と、還元性雰囲気で前記銅ペーストを焼成する工程と、電子放出源用原料ガスを用いて前記導体基板表面に電子放出源を生成させる工程とを備えてなることを特徴とする電子源用電極の製造方法。
【請求項９】
外囲器内に電子源用電極と、この電子源用電極に略平行に対向して形成されたメッシュ部を有する電子引出し電極をはさんで前記電子源用電極と対向するアノード電極とを収容した電子管であって、
前記電子源用電極は、請求項１ないし請求項７のいずれか一項記載の電子源用電極であり、前記メッシュ部に対向する領域内に前記電子放出源が配置されていることを特徴とする電子管。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子源用電極およびその製造方法ならびに該電子源用電極を用いた電子管に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カソード電極側に配置した電子源から放出された電子を対向電極に形成された蛍光体層からなる発光部に衝突させて発光させる蛍光表示管などの電子管が知られている。この電子管は、サブミクロンからミクロンサイズの微小電子放出源を用いた真空マイクロデバイスの一種である。基本構成は、従来の真空管と同じ３極管であるが、熱陰極を用いず、カソード電極（エミッタ）に高電界を集中して量子力学的なトンネル効果により電子が引き出される電子放出源を電極としている。
この引出した電子を、アノード電極とカソード電極間の電圧で加速し、アノード電極上に形成した蛍光体層に衝突・励起させて発光させる。陰極線による蛍光体の励起発光という点では、ブラウン管と同じ原理であるが、ブラウン管と比較して体積と重量ならびに消費電力が小さいという特長を持っている。さらに、液晶ディスプレイ装置と比較して、バックライトが必要なく、かつ視野角が広いという特長を持っている。
【０００３】
従来の電子源用電極の一例を図６および図７に示す。図６はカソード電極と電子引出し電極の電極構造を示す図であり、図７はアノード電極を含めた電子管構造を示す図である。
カソード電極となる電子源用電極６は導体基板７の表面にカーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボンなどの電子放出源８が形成され、この電子放出源８と略平行に対向し格子状に形成されたメッシュ部９ａを有する電子引出し電極９が上方に設けられている。
この電極構造において、電子源用電極６に対して電子引出し電極９が正電位となるように電圧を印加すると電界電子放出が起こり、電子源用電極６より電子が引き出される。引き出された電子は、電子引出し電極９に流入するものと、メッシュ部９ａを通過してアノード電極１０へ流入するものに別れる（図７）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６および図７に示した従来の電極構造では、電子引出し電極９を通過して蛍光体を発光させる電子数と比べて電子引出し電極に流入する電子数が多く、電子引出し電極に流入するグリッド電流ＩGとアノード電流ＩAとを加えたトータル電流に対するアノード電流ＩAの比率（以下、この比率を電流分配率という）が低かった。これはカソード電極となる電子源用電極６に対して電子引出し電極９の電位が平行に分布しているため、図６に矢印で示すように、電子源用電極より引き出された電子は、電子引出し電極９に流入する電子ｅG-の数が、メッシュ部９ａを通過してアノード電極１０に達する電子ｅA-の数よりも多くなり、発光に寄与しないグリッド電流ＩGの比率が高くなったためと考えられる。従来、メッシュ部９ａ真下以外にある電子源用電極から放出された電子は殆ど発光に寄与しない無効電流となるグリッド電流になると考えられ、発明者の調査では、従来の電極構造の場合、電流分配率は 5〜10 ％程度であった。また、電子引出し電極と電子源用電極との間隙を狭くすると、相互の接触などが生じるという問題がある。
【０００５】
電子放出源領域の形態として、平板状の導体基板表面に電子放出源が形成された形態以外に、導体基板の表面に複数の穴が形成された電極構造がある。この場合、ＣＶＤ法などの乾式法により電子放出源を形成しようとすると、複数の穴を介して導体基板の表面および裏面にもカーボンナノチューブなどの電子放出源が形成されてしまう。電子放出面と反対側である裏面に形成された電子放出源は、プロアーなどで簡単に除去できないため、以下のような問題がある。
（１）電子放出源が形成された導体基板を他の下地金属などに固定する際、電子放出源が両者の間に挟まり電極の平坦化が悪くなり、電子引出し電極と電子源用電極との間隙の再現性が悪くなる。
（２）また、下地金属との熔接がカーボンナノチューブなどの電子放出源を介しての熔接となるため、熔接強度が低下する。
（３）電極組み立て時に電子引出し電極と電子源用電極間に入り込み接触の原因となる。
【０００６】
本発明は、このような問題に対処するためになされたもので、電子引出し電極と電子源用電極との間隙を狭くしても、トータル電流に対するアノード電流の比率が高まり、電流分配率を上げることができる電子源用電極およびその製造方法ならびに該電子源用電極を用いた電子管を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子源用電極は、基板と、この基板上に形成された電子放出源領域と、この電子放出源領域の周囲を囲むシールド領域と、この電子放出源領域に対向して形成された電子引出し電極とを備えてなる電子源用電極であって、上記シールド領域は、その表面を鉄または鉄を含む鉄系材料以外の非鉄合金で形成されてなることを特徴とする。
上記電子放出源領域は、電子放出源を生成させるときの表面が鉄または鉄を含む鉄系材料で形成されてなることを特徴とする。
また、上記電子放出源がカーボンナノチューブ層であることを特徴とする。
また、上記非鉄合金が銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、チタン、タングステン、これらを１種または２種以上含む非鉄合金であることを特徴とする。
また、上記シールド領域は、電子放出源を生成させる前に銅ペーストを電子放出源領域の周囲に印刷した後、還元性雰囲気で焼成して得られることを特徴とする。
また、上記電子放出源領域の電子放出源と、上記シールド領域の非鉄材料との層厚さが略同一であることを特徴とする。
【０００８】
電子管における電流分配率を向上させるため、図６において、メッシュ部９ａ真下以外にある電子源用電極領域を金属カバーで覆う対策も考えられる。しかし、電子引出し電極と電子源用電極との間隙は、可能な限り短くした方が、より低い電圧でより多くの電子を放出させることができるようになる。そのため、電極間隔は、100〜200μm に設定されるが、金属薄板の厚さは通常 70μm 程度あるので、例えば、電極間隔を 100μm に設定すると、金属カバー表面と電子引出し電極との間隔は 30μm になる。30μm 間隔であると、金属薄板のゆがみ、溶接時のバリ等で容易に金属カバーと電子引出し電極とが接触して電子を引き出すことができない。また、金属薄板の厚さを 50μm 程度にすると、固定する際に金属薄板自身が変形してしまう。電極間隔を大きく取り過ぎると、電子の引き出し電圧が上がってしまう。このように、金属カバーで覆う対策を講じたとしても、実用範囲の駆動電圧、例えば 300V 程度以下の低電圧で駆動するためには製造歩留まりが悪くなり、また、部品点数が増えるため製造コストが上昇する。
【０００９】
本発明の電子源用電極は、基板上に形成された電子放出源領域と、この領域の周囲を囲むシールド領域とを備え、そのシールド領域を乾式法により電子放出源を生成させるときに、該電子放出源を生成させない材料、特に非鉄材料で形成することにより、電子放出源領域内に選択的にカーボンナノチューブなどの電子放出源を生成させることができ、また、電子放出源領域周囲の厚さを薄くでき、電流分配率が向上する。
上記シールド領域として、銅ペーストを厚膜印刷した後、還元性雰囲気で焼成することにより、電子放出源の生成時の触媒作用がない銅層が形成でき、シールド領域には電子放出源となるカーボンナノチューブなどが生成しない。
また、電子放出源領域と、シールド領域との厚さを略同一とすることにより、電子源用電極と電子引出し電極との間隔を短くできるので電子引出し電極に流入する電子数が多くなり、電子管としたときの電流分配率が向上する。
【００１０】
他の電子源用電極は、複数の穴部を有する鉄または鉄を含む鉄系材料からなる基板と、この穴部が形成された基板上に電子放出源領域と、この電子放出源領域に対向して形成された電子引出し電極とを備えてなり、上記電子放出源領域が形成された面の裏面は、その表面を鉄または鉄を含む鉄系材料以外の非鉄合金で形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
電子放出源領域が形成された面の裏面に電子放出源を生成させない導電性部材を形成することにより、カーボンナノチューブなどが生成しないので該裏面は平坦な面となる。その結果、導体基板を他の下地金属などに固定しても電子引出し電極と電子源用電極との間隙の再現性が向上する。また、固定する際の溶接強度が向上する。
【００１２】
本発明の電子源用電極の製造方法は、表面が鉄または鉄を含む鉄系材料からなる基板の電子放出源を形成する領域の周囲に銅ペーストを印刷する工程と、還元性雰囲気で銅ペーストを焼成する工程と、電子放出源用原料ガスを用いて導体基板表面に電子放出源を生成させる工程とを備えてなることを特徴とする。
印刷法を用いることにより、銅層を容易に任意の形状に形成できる。また、電子放出源用原料ガスを用いる乾式法で電子放出源を生成させることにより、
必要とされる箇所に電極を形成できる。
【００１３】
本発明の電子管は、外囲器内に上述した電子源用電極と、この電子源用電極に略平行に対向して形成されたメッシュ部を有する電子引出し電極をはさんで前記電子源用電極と対向するアノード電極とを収容した電子管であって、、電子引出し電極のメッシュ部に対向する領域内において電子源用電極の電子放出源が対向することを特徴とする。
【００１４】
上述した本発明の電子源用電極を用いることにより、該電子源用電極と電子引出し電極との間隔を短くできるので電子引出し電流の低減による省電力が図れる。
また、金属カバーなどを用いないので、部品点数の減少による製造歩留まりが向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の電子源用電極の一例を図１および図２を参照して説明する。図１は一つの電極部分を示す断面図であり、図２は平面図である。
電子源用電極１は、基板２と、この基板２上に銅ペーストを厚膜印刷した後、還元性雰囲気で焼成して得られたシールド領域３と、このシールド領域３で囲まれた内部に形成された電子放出源領域４とから構成される。
【００１６】
基板２は、電子放出源となるカーボンナノチューブなどの電子放出源を乾式法で生成させることができる材料が少なくとも表面に形成されていればよい。例えば、鉄板、鉄合金板、あるいは、ガラス基板やホルステライトなどのセラミック基板の表面に鉄または鉄を含む鉄系材料が形成された基板を使用できる。
鉄または鉄を含む鉄系材料としては、後述する電子引出し電極材料と略等しい熱膨張係数値を有する金属薄板が好ましく、具体的には、４２６合金、４２合金、３６合金、ステンレス（ＳＵＳ３０４）、鉄−ニッケル合金、鋳鉄、純鉄等の薄板等を例示できる。
【００１７】
電子放出源領域４は、基板２上に乾式法で形成される。ここで乾式法とは、レーザー蒸着法、抵抗加熱法、プラズマ法、熱ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、電子線蒸着法等、主に気相成長により電子放出源となるカーボンナノチューブなどの炭素系電子放出源が形成できる方法をいう。好ましい方法としては、不活性ガス若しくは水素ガス存在下に反応ガスを導入する乾式法が好ましく、より好ましくは水素ガス存在下に一酸化炭素を導入し、熱分解した成分を基板上にカーボンナノチューブとして析出させる方法が好ましい。
なお、電子放出源は、電子放出しやすい材料、例えば電子放出しきい値電界が約 20V/μm 程度以下の材料で、かつシールド領域で電子放出源が生成しない材料であれば用いることができる。そのような材料としては、カーボンナノチューブ以外に、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、非晶質ダイヤモンド、非晶質カーボン等の炭素系電子放出材料が挙げられる。
【００１８】
シールド領域３は、カーボンナノチューブなどの炭素系電子放出源が気相成長を開始しない材料で形成される。本発明においては、鉄または鉄を含まない非鉄系材料層であれば好ましい。好適な非鉄材料としては銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、チタン、タングステン、これらを１種または２種以上含む非鉄合金、またはセラミックスが挙げられる。
シールド領域３の形成方法は、印刷方法、無電解メッキ法、レーザー蒸着法、抵抗加熱法、プラズマ法、熱ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、電子線蒸着法等が挙げられる。
特に銅ペーストを所定の膜厚に印刷した後、還元性雰囲気で焼成して得られる導体層を用いると、水素ガス存在下に一酸化炭素を導入する方法で、銅導体層領域にはカーボンナノチューブが生成しない。
電子源用電極１におけるシールド領域３の層厚さは、シールド領域を形成する方法によって異なるが、好ましくは 1〜50μm である。この範囲に設定することにより、電子放出源の形成を防ぐことができる。
【００１９】
電子源用電極１における電子放出源領域４とシールド領域３との層厚さが略同一であることが好ましい。略同一とすることにより、電子管を形成するときに電子引出し電極との距離を短くすることができる。
【００２０】
電子放出源領域４の形態としては、平板状、複数の穴が形成された状態、または表面に突起が形成された状態であってもよい。これらの形態の少なくとも電子引出し電極側表面に電子放出源が形成される。シールド領域３の形成のしやすさから平板状であることが好ましい。
【００２１】
複数の穴部が形成された電子源用電極について図３により説明する。図３は電子放出源領域の電極部分を示す断面図である。
電子放出源用電極１ａは、平板状の導体基板２に複数の穴部２ａが形成され、導体基板２の裏面となる面にシールド領域３ａが形成されている。この電極基板を用いて、乾式法で気相成長を行なうことにより、裏面のシールド領域３ａを除いて電子放出源４が形成する。
シールド領域３ａは、上述した非鉄材料を用いることができる。例えば、上記銅ペーストを用いた銅層とできる。
【００２２】
電子源用電極１の製造方法について図１を援用して説明する。
まず、鉄または鉄を含む材料を表面に有する基板の表面に銅ペーストを電子放出源領域４の周囲に厚膜印刷する。銅ペーストおよび厚膜印刷は周知の銅ペーストおよび印刷方法を採用できる。
電子放出源領域４となる電極形状は、例えば、基板２の表面に電気的に独立した電極群として分割形成されていてもよい。この場合、個々の電子源用電極を個別に制御することによりスタティック駆動に適した表示管が得られる。また、カラー表示に対応させて三本のストライプ状に設けてもよい。アノード電極側の一つの画素を形成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなる螢光体層にそれぞれ電子を放出する電極となる。この電子源用電極と複数個列設されたストライプ状の電子引出し電極とを交差して配置することによりマトリクスの交点が形成されダイナミック駆動に適したカラー表示管が得られる。
【００２３】
次に還元性雰囲気で上記銅ペーストを焼成してシールド領域を形成する。還元性雰囲気としては、窒素ガス、水素ガス、窒素と水素との混合ガス、アルゴンガス等を用いることができ、焼成温度は銅ペーストの種類等により異なるが、600〜900℃、10〜30 分間が好ましい。また、シールド領域の層厚さは、5〜50 μm が好ましい。
【００２４】
最後に電子放出材用原料ガスを用いて基板表面の電極形状領域に電子放出源を生成させる。電子放出源生成装置および方法について図５を参照して説明する。図５は熱ＣＶＤ法による電子放出源生成装置を示す図である。
電子放出源生成装置２１は、基板２を載置できる基板ホルダ１５が内蔵された反応容器１１に反応ガス、好ましくはガスＡおよびガスＢとの混合ガスを供給するガス供給手段１４と、排気手段１２と、基板２を加熱する加熱手段としての赤外線ランプ１３とから構成されている。
基板ホルダ１５上にシールド領域が形成された基板２を載置した後、排気手段１２で反応容器１１内を排気管１６を介して 1Pa 程度の圧力まで真空排気する。
次に赤外線ランプ１３を点灯して基板２を加熱し、昇温させて約 650℃の温度に安定化させる。なお、１８は石英ガラス、２０は反射鏡である。次にガス供給手段１４から反応容器１１内に一酸化炭素と水素ガスとを一酸化炭素濃度が 30 ％となるように排気管１７を介して供給し、この混合ガスを流した状態で反応容器１１内を約 101kPa （約 1 気圧）に保って約 30 分間保持する。基板２のシールド領域で囲まれた電極形状領域にカーボンナノチューブ状繊維の被膜が成長する。その後、混合ガスの供給を止めるとともに赤外線ランプ１３を消灯して反応容器１１内を約 1kPa 程度の圧力になるまで真空排気する。次に反応容器１１内を約 1 気圧に戻して、シールド領域で囲まれた電子放出源領域にカーボンナノチューブ状繊維が形成された基板２が得られる。
【００２５】
電子放出源の原料ガスとして、上記以外に、メタンガスと水素ガスとの混合ガス、二酸化炭素と水素ガスとの混合ガス等が挙げられる。
カーボンナノチューブ状繊維が形成するための好適条件としては、メタンガスと水素ガスとの混合ガスの場合、混合ガス中のメタンガス濃度が 30 ％、導体基板温度が約 850℃、保持時間が約 60 分間である。また、二酸化炭素と水素ガスとの混合ガスの場合、二酸化炭素濃度が 30 ％、導体基板温度が約 650℃、保持時間が約 30 分間である。
【００２６】
本発明の電子管の一例を図４に示す。図４は電子管における電子源用電極と電子引出し電極の電極構造を示す断面図である。図４において、電子源用電極は図１に示す電子源用電極１を用い、この電子源用電極１に略平行に対向して電子引出し電極５が形成されている。電子引出し電極５には、メッシュ部５ａが形成され、個々のメッシュ部は複数の微小な開口部を有している。このメッシュ部５ａ真下に電子源用電極１の電子放出源領域４が配置される。また、電子引出し電極５上方にアノード電極（図示を省略）が形成され、真空容器内に収容されている。
【００２７】
図４に示す電極構造では、導電性部材で形成されたシールド領域３が電子放出源領域４の周囲に配置されているので、電位分布Ｅは図のような凹型となる。すなわち、シールド領域３の電位が電子放出源領域４の電位よりも高くなる電位分布Ｅとなる。この電位分布の変化によって、電子放出源領域４のエッジ部分（外周縁部）から斜め方向に内側へ向けて電子が放射されるようになり、電子引出し電極５のメッシュ部５ａを通過する電子の数が増える。すなわち、凹型の電位分布Ｅが電子放出源領域４から放出された電子を内側へ集めるレンズのような作用をし、電子引出し電極５のメッシュ部５ａを通過する電子の数が増える。一方、シールド領域３からは電子が放出されず、電子引出し電極５に流入する電子の数は減る。これにより、トータル電流に対するアノ一ド電流ＩAの比率が高くなり、電流分配率が上がる。図４に示した電極構造で電子管の試作を行なったところ、電子放出源領域４の層厚さをシールド領域３の層厚さより薄くした場合の電流分配率は 30 ％、電子放出源領域４の層厚さとシールド領域３の層厚さとを同じくした場合の電流分配率は 50 ％であった。なお、図６に示した電極構造の電流分配率は 5 ％であった。
上記電子源用電極は、優れた電流分配率を有するので、平型蛍光表示管、円筒型蛍光表示管、ＦＥＤといった蛍光表示管の電子源に好適に利用できる。
【００２８】
【実施例】
以下、電子源用電極の実施例について述べる。
実施例１
４２６合金基板のシールド領域に銅粉末とバインダーからなる銅ペーストをスクリーン印刷法で形成し窒素ガス中で 550℃、30 分間焼成した。この基板に、基板温度 700℃にて一酸化炭素と水素の混合ガスを流して熱ＣＶＤ法でカーボンナノチューブ層を 30 分間形成した結果、銅を形成していない領域では平均厚さ 10μm のカーボンナノチューブ層が形成された。一方、シールド領域ではカーボンナノチューブは全く形成されなかった。なお、銅層の厚さは 10μm である。
【００２９】
実施例２
シールド領域と同じ形状の開口部を持つメタルマスクを４２６合金基板に重ね、基板温度を 250℃として真空蒸着によりシールド領域に銅を厚さ 1μm 形成した。シールド領城に銅を形成したこの基板に、基板温度 650℃にて一酸化炭素と水素の混合ガスを流して熱ＣＶＤ法でカーボンナノチューブを 10 分間形成した結果、銅を真空蒸着していない領域では平均厚さ 10μm のカーボンナノチューブの層が形成された。一方、銅を真空蒸着したシールド領域ではカーボンナノチューブは全く形成されなかった。
【００３０】
実施例３
鉄合金基板全面に無電解メッキ法でニッケル層を 10μm 形成し、フォトレジストを用いてシールド領域を除く部分のニッケルを化学エッチングで除去した。
この基板に実施例１と同じ方法でカーボンナノチューブを形成した結果、無電解メッキのニッケルを除去した領域のみにカーボンナノチューブの層が形成された。
【００３１】
実施例４
シールド領域のみを50μm チタンクラッド層とした基板に実施例３同様のカーボンナノチューブを形成した結果、カーボンナノチューブ層はチタンのクラッド層部分には全く形成されず必要な領域のみ形成され良好な結果となった。
【００３２】
実施例５
シールド領域と同じ形状の開口部を持つメタルマスクを基板に重ね、純チタンをターゲットに用い基板温度 200℃でアルゴンガス雰囲気でのスパッタリング法によりシールド領域に厚さ 0.2μm のチタン層を形成した。この基板に、基板温度 650℃にて一酸化炭素と水素の混合ガスを流して熱ＣＶＤ法でカーボンナノチューブを 10 分間形成した結果、チタンを形成していない領域のみに平均厚さ 10μm のカーボンナノチューブの層が形成された。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の電子源用電極は、電子放出源領域の周囲を囲むシールド領域が乾式法により電子放出源を生成させるときに該電子放出源を生成させない材料で形成されてなるので、電子放出源領域内にカーボンナノチューブなどの電子放出源を選択的に生成させることができる。
また、電子放出源を生成させるときの表面が鉄または鉄を含む鉄系材料で形成され、シールド領域の表面が鉄または鉄を含む鉄系材料以外の非鉄材料で形成されてなるので、シールド領域に確実に電子放出源の生成を防ぐことができる。
さらに、電子放出源領域と、シールド領域との厚さが略同一であるので、電子管を構成したときに電流分配率が向上する。
【００３４】
本発明の他の電子源用電極は、複数の穴部を有する基板と、この穴部が形成された電子放出源領域面の裏面に、乾式法による電子放出源の生成時に該電子放出源を生成させない材料で形成されてなるので、導体基板を他の下地金属などに固定しても電子引出し電極と電子源用電極との間隙の再現性が向上する。また、固定する際の溶接強度が向上する。
【００３５】
本発明の電子源用電極の製造方法は、基板の電子放出源を形成する領域の周囲に銅ペーストを印刷する工程と、還元性雰囲気でその銅ペーストを焼成する工程と、電子放出材用原料ガスを用いて基板表面に電子放出源を生成させる工程とを備えてなるので、シールド領域となる銅層を容易に任意の形状に形成できる。また、電子源用電極を必要とされる箇所に電極を形成できる。
また、金属カバーなどを用いないので、部品点数の減少による製造歩留まりが向上する。
【００３６】
本発明の電子管は、外囲器内に上述した電子源用電極と、この電子源用電極に略平行に対向して形成されたメッシュ部を有する電子引出し電極と、この電子引出し電極をはさんで上記電子源用電極と対向するアノード電極とを収容した電子管であって、電子引出し電極のメッシュ部に対向する領域内において電子源用電極の電子放出源が対向するので、電流分配率が向上し、電子引出し電流の低減による省電力が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子源用電極の一例を示す電極の断面図である。
【図２】電子源用電極の一例を示す電極の平面図である。
【図３】電子放出源領域の電極部分を示す断面図である。
【図４】電子管における電子源用電極と電子引出し電極の電極構造を示す図である。
【図５】電子放出源生成装置を示す図である。
【図６】従来の電子源用電極の一例を示す電極の断面図である。
【図７】従来の電子源用電極のアノード電極を含めた電子管構造を示す図である。
【符号の説明】
１  電子源用電極
２  基板
３  シールド領域
４  電子放出源領域
５  電子引出し電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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