(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状をなし、単結晶シリコンから成る本体の上下面は、異方性エッチングで形成された（１１１）面またはその等価な、平坦面であり、
前記本体の側面の非エッチング部は、（１００）面から［１１０］方向へ４．７°〜１４．７°傾斜させた面またはその等価な面であって、入射光を受光するとともに、その光の一部を反射させて所定方向へ光路変換させる受光素子が配設された素子配設面であり、
前記本体の下面と前記素子配設面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする光路変換体。
【請求項２】
前記受光素子が光を反射する面は、前記本体の下面に対して垂直方向であって前記下面側からの入射光に対して９０°の角度で光路変換させて略水平方向への出射光とすることを特徴とする請求項１に記載の光路変換体。
【請求項３】
前記受光素子は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰの化合物半導体材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光路変換体。
【請求項４】
単結晶ウエハの両主面に対し異方性エッチングを施すことにより、前記両主面上に交互に位置するＶ溝を複数条に形成するとともに、前記Ｖ溝の両側に形成され断面が平行四辺形状で厚みが交互に異なる柱状部を形成する工程と、厚みの小さい方の柱状部を除去することにより、厚みの大きい方の柱状部を分離する工程とを含み、柱状をなす本体の非エッチング面の一部を入射光を受光するとともに、その光の一部を反射させて所定方向へ光路変換させる光半導体素子を設ける素子配設面とした光路変換体の製造方法。
【請求項５】
単結晶ウエハの両主面に対し異方性エッチングを施すことにより、前記両主面上に交互に位置するＶ溝を複数条に形成するとともに、前記Ｖ溝の両側に形成され断面が平行四辺形状で厚みが交互に異なる柱状部を形成する工程と、厚みの小さい方の柱状部を除去することにより、厚みの大きい方の柱状部を分離する工程とを含み、柱状をなす本体の非エッチング面の一部を入射光を所定方向へ光路変換させるための光反射面とした光路変換体の製造方法。
【請求項６】
前記単結晶ウエハの一主面と前記素子配設面との境界部分に半導体の不純物拡散領域を形成する工程と、前記素子配設面側の前記不純物拡散領域に前記光半導体素子をオーミック接合させる工程と、をさらに含む請求項３に記載の光路変換体の製造方法。
【請求項７】
高低差のある低位置面及び高位置面を形成した基板の低位置面に面発光素子及び該面発光素子の出射光を反射させる請求項１〜３のいずれかに記載の光路変換体を配設するとともに、前記高位置面に前記光路変換体からの反射光を入射させる光伝送体を配設したことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信及び光情報通信分野等において使用される光路変換体、及びその製造方法、並びにそれを用いた光モジュールに関する。
【０００２】
【発明の背景】
表面実装型の光伝送モジュールにおいて、動作電流や温度特性に優れた面発光レーザー（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ、以下、ＶＣＳＥＬともいう）の出射光を、所定形状の基体の反射面により光路を変えて、光ファイバ等の光素子に光学的接続を容易に行わせることが可能である。また、基体の反射面となる面に受光素子を搭載することで、ＶＣＳＥＬの出力監視が容易になる。
【０００３】
ところで、上述の光路変換体を、光伝送モジュールの基板として好適に用いられる単結晶シリコンで形成する場合、光路変換体の反射面は基板の異方性エッチングで形成することにより、高精度に平坦な反射面を作製できる。
【０００４】
しかし、基板を異方性エッチングにより高精度に平坦な反射面を作製するには、不純物の少ない基板を選択しなければならず、そのための製法が限定されしかもコスト高となる。すなわち、例えばＦＺ（フローティング・ゾーン）法によって製作された、コストの高いシリコン基板が選ばれる。これは、例えばＣＺ（チョコラルスキー）法などの比較的安価な手法によって製作されたシリコン基板は、製法プロセス上、不純物が混入し、結晶中に欠陥を作りやすいためである。このような欠陥は異方性エッチングの際に、エッチング面にピットを形成し、平坦な反射面が作製できない。
【０００５】
また、上記ＦＺ法で製作されたシリコン基板を用いた場合でも、高精度に平坦な反射面を作製するには、エッチング条件を最適化しなければならず、このような最適化は容易ではない。
【０００６】
また、受光素子のような光半導体素子を上記のような光路変換体を利用して搭載する場合、異方性エッチングで形成された面に搭載することになり、この面は基板表面に対し傾斜しているので、多数の光半導体素子を精度良く搭載するのが困難であるという問題が生じる。
【０００７】
さらに、光路変換体の実装基板への搭載時に、光路変換体を実装基板へ加圧・密着させることになるため、光路変換体のエッジ部で、受光素子に接続する電極配線が断線する恐れがあるという問題があった。
【０００８】
そこで本発明では、上述の問題を解消し、光反射面または素子配設面として平坦性の優れた面を備えた光路変換体を容易にかつ迅速に提供でき、さらに、面発光素子と光伝送体との光接続を高効率にできる、信頼性の高い光モジュールを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光路変換体は、柱状をなし、単結晶シリコンから成る本体の上下面は、異方性エッチングで形成された（１１１）面またはその等価な、平坦面であり、前記本体の側面の非エッチング部は、（１００）面から［１１０］方向へ４．７°〜１４．７°傾斜させた面またはその等価な面であって、入射光を受光するとともに、その光の一部を反射させて所定方向へ光路変換させる受光素子が配設された素子配設面であり、前記本体の下面と前記素子配設面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また特に、前記受光素子が光を反射する面は、前記本体の下面に対して垂直方向であって前記下面側からの入射光に対して９０°の角度で光路変換させて略水平方向への出射光とすることを特徴とする。
【００１２】
また、特に前記受光素子は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰの化合物半導体材料からなることを特徴とする
【００１３】
また本発明の光路変換体の製造方法は、単結晶ウエハの両主面に対し異方性エッチングを施すことにより、前記両主面上に交互に位置するＶ溝を複数条に形成するとともに、前記Ｖ溝の両側に形成され断面が平行四辺形状で厚みが交互に異なる柱状部を形成する工程と、厚みの小さい方の柱状部を除去することにより、厚みの大きい方の柱状部を分離する工程とを含み、柱状をなす本体の非エッチング面の一部を入射光を受光するとともに、その光の一部を反射させて所定方向へ光路変換させる光半導体素子を設ける素子配設面としたことを特徴とする。
【００１４】
また本発明の光路変換体の製造方法は、単結晶ウエハの両主面に対し異方性エッチングを施すことにより、前記両主面上に交互に位置するＶ溝を複数条に形成するとともに、前記Ｖ溝の両側に形成され断面が平行四辺形状で厚みが交互に異なる柱状部を形成する工程と、厚みの小さい方の柱状部を除去することにより、厚みの大きい方の柱状部を分離する工程とを含み、柱状をなす本体の非エッチング面の一部を入射光を所定方向へ光路変換させるための光反射面としたことを特徴とする。
【００１５】
また本発明の光路変換体の製造方法は、前記単結晶ウエハの一主面と前記素子配設面との境界部分に半導体の不純物拡散領域を形成する工程と、前記素子配設面側の前記不純物拡散領域に前記光半導体素子をオーミック接合させる工程と、をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
また本発明の光モジュールは、高低差のある低位置面及び高位置面を形成した基板の低位置面に面発光素子及び該面発光素子の出射光を反射させる請求項１または２に記載の光路変換体を配設するとともに、前記高位置面に前記光路変換体からの反射光を入射させる光伝送体を配設したことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施形態の例について模式的に示した図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１に本発明の光モジュールから受光素子を除いた参考形態の光モジュールＭ１の断面図を示す。
【００１９】
光モジュールＭ１は、高低差のある低位置面１ａ及び高位置面を形成した基板１の低位置面１ａに、面発光素子３、及び面発光素子３の出射光Ｌ１を反射させる光路変換体２をそれぞれ配設し、高位置面に形成され光軸に直交する断面形状がＶ字状を成す搭載用溝１ｂに、光路変換体２からの反射光Ｌ２を先端４ａに入射させる光ファイバやその他の光導波路体から成る光伝送体４を配設している。
【００２０】
ここで、光路変換体２は異方性エッチングが可能な材料から成り柱状である。そして、この本体の上下面２ａ，２ｂがアルカリ水溶液等を用いた異方性エッチングで形成されている。また、側面の非エッチング部である傾斜面２ｃが、面発光素子３からの入射光Ｌ１を所定方向へ光路変換させるための光反射面または受光素子等の光半導体素子を配設するための素子配設面としている。
【００２１】
この光路変換体２は本体が単結晶シリコンから成り、異方性エッチングを施す上下面２ａ，２ｂが（１１１）面またはその等価な面であり、かつ光反射面または素子配設面が、（１００）面から［１１０］方向へ４．７°〜１４．７°（最適には９．７°）傾斜させた面またはその等価な面であると、面発光素子３からのほぼ垂直な出射光を、光路変換体２の傾斜面２ｃでほぼ９０°角度で光路変換させて（略水平方向へ）水平に配設された光伝送体４へ入射させることができ、効率よく光接続できる。このように、光反射面は入射光に対して９０°の角度で光路変換させるように形成されているとよい。
【００２２】
光路変換体２は、以下のようにして製造される。
【００２３】
まず、図２に平面図、図３に図２のＡ−Ａ’線断面図にて示すように、単結晶ウエハＷの両主面１０，１３に対し、所定のフォトレジスト１１の形成面を保護し、露出面に対しアルカリ水溶液等による異方性エッチングを施すことにより、両主面１０，１３上に交互に位置するＶ溝１２を所定方向に複数条に形成する。これにより、Ｖ溝１２の両側に形成され断面が平行四辺形状で厚みが交互に異なる柱状部１４，１５が形成される。
【００２４】
なお、光路変換体２の傾斜面２ｃは光反射面または光半導体素子を高精度に配設するため、単結晶ウエハの両主面１０、１３は、ＭＣＰ（メカノケミカルポリッシュ）により鏡面（算術平均粗さが１０ｎｍ以下）に研磨されたものを用いる。
【００２５】
次に、厚みの小さい方の柱状部１５の両側に示したラインＤにおいてダイシングすることにより除去し、厚みの大きい方の柱状部１４を分離する。なお、図３において、θ１は４０°〜５０°、θ２は５９．４°〜６９．４°となる。（←θ１は４５°に対して±５°、θ２は６４．４°に対して±５°。光ファイバに光を有効に入射させるために、光ファイバの開口比を考慮して傾きの範囲を±５°とした。）
このようにして得た、柱状をなす本体の非エッチング面の一部を、入射光を所定方向へ光路変換させるための光反射面、または光半導体素子を設ける素子配設面とする。
【００２６】
面発光素子３は、例えばＶＣＳＥＬを用いるが、実装基板表面に対し法線方向に発光している形状であれば適用可能である。
【００２７】
光伝送体４は、光ファイバのほかに各種形状の光導波路体や基板１に直接形成した光導波路であってもよい。
【００２８】
かくして、異方性エッチング技術を用いた傾斜面を光反射用の斜面として用いず、鏡面研磨されたウエハの両主面を光反射面または光半導体素子の素子配設面とすることができ、平坦性の優れた光反射面または素子配設面を備えた、優れた光路変換体を提供できる。
【００２９】
また、光路変換体はウエハプロセスによる一括作製が可能なため、非常に低コストに作製可能である。
【００３０】
また、ウエハ面方位により入射光に対して所定角度で光路変換させる光路変換体を提供できるため、任意の傾斜角を形成でき、面発光素子からの出射光を効率的に入射光学系へ効率的に入射する光学系を提供できる。
【００３１】
さらに、光路変換体として単結晶シリコンを用いることにより、光半導体素子をシリコン基板上に直接形成したり、光半導体素子としてシリコンとは異なる化合物半導体材料を用いる場合、別の化合物半導体基板上に複数の光半導体素子を形成し、複数の光路変換体が形成されたシリコン基板表面へ、一括して貼り合わせる接着が可能なため、実装コストを削減した優れた受光素子付き光路変換体が実現される。
【００３２】
次に、本発明に係る実施形態について説明する。
【００３３】
図４に斜視図にて示すように、光路変換体２の非エッチング面である傾斜面（素子配設面）２ｃに、フォトダイオード等の受光素子である光半導体素子５を配設し、さらに、この光半導体素子５の電気信号線路，電流供給線路である電極パターン７，８を形成している。ここで、５ａは受光部、５ｂは電極パッドであり、電極パッド５ｂと電極パターン８とがボンディングワイヤ９で接続されている。
【００３４】
また、接着部材６を用いる場合は、ＡｕＳｉ系、ＡｕＳｕ系、ＰｂＳｎ系、Ｉｎ系の半田等を用いることにより、実装強度や信頼性に優れた実装が行える。但し、本文では、直接接合法と呼ばれる、半田や接着剤の接着部材６を用いることなく、光半導体素子５の表面の化学的性質を利用して接着できる。すなわち、クリーニングされた光半導体素子５の表面を光路変換体２の表面に接触させ水素結合により接着します。さらにアニールを行うことで水分子が蒸発し、酸素を介したより強固な結合へと変化し、信頼性を向上させることができる。
【００３５】
また、光路変換体２において、その本体の下面２ｂと素子配設面２ｃとの間、すなわち、素子配設面２ｃとエッチング面である下面２ｂとの境界部において、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されている。
【００３６】
このようにして構成した光路変換体２を用い、図５に断面図にて示すように、光モジュールＭ２は、高低差のある低位置面及び高位置面を形成した基板１の低位置面１ａに、面発光素子３及びこれからの出射光を反射させる光路変換体２を配設するとともに、前記高位置面に光路変換体２からの反射光を入射させる光伝送体４を配設している。なお、光モジュールＭ２において、光路変換体２に光半導体素子５を配設すること以外の構成は、図１に示す光モジュールＭ１とほぼ同様であり、同一構成要素については同一符号を付し説明を省略する。
【００３７】
かくして、光モジュールＭ２によれば、光モジュールＭ１と同様な効果を奏する上に、素子配設面と光路変換体の下面との間に所定以上（例えば１×１０18ｃｍ-3以上）の不純物濃度が拡散されているため、金属薄膜等で形成される受光素子の電気信号線路、電流供給線路を２面に形成する必要が無くなり、電気配線が光路変換体のエッジで断線することがない。
【００３８】
【実施例】
次に、本発明の光モジュールをより具体化した実施例について説明する。
＜参考例＞
図１に示す光モジュールＭ１において、単結晶シリコンから成り高低差のある基板１の低位置面１ａに光路変換体２及び面発光レーザー３が配設され、基板１の高位置面に形成された断面Ｖ字形状の搭載溝１ｂに光ファイバ４が配設されたものとした。
【００３９】
ここで、基板１は特に材質がＣＺ法で作製されたコストが安いことに特徴のあるシリコンを用い、段差は異方性エッチングにより形成した。また、光ファイバ４の搭載溝１ｂは異方性エッチングにより形成した。また、面発光レーザー３はＧａＡｓ系材料を用いた。
【００４０】
また、光路変換体２は以下のようにして作製した。
【００４１】
まず、図２に示すように、ＭＣＰにより鏡面に研磨された表裏面１０，１３が（１００）面から９．７°傾いた面を有するウエハＷを用い、表裏面において、フォトリソグラフィー技術により、［１１０］方向へ沿って直線状にフォトレジスト１１を等間隔に被着形成し、このウエハＷの露出部を水酸化カリウム水溶液に浸すことにより異方性エッチングを施した。これにより、（１１１）面及びそれに等価な面が斜面の断面Ｖ字状の溝１２が形成された。
【００４２】
図３に示すように、ウエハＷは（１００）から前記［１１０］方向へ９．７°傾いているので、傾斜角θ１は４５°、θ２は６４．４°となる。なお、θ１は光路を９０°変換するために、θ１＝４５°に設定する必要があり、この形成は異方性エッチングにより高精度に形成した。
【００４３】
また、４５°斜面を有する光路変換体用柱状体１４を形成するように、表面１０と裏面１３でフォトレジスト１１の形成領域をずらした。
【００４４】
次に、フォトレジスト１１をリムーバーにより除去し、その後、光路変換体用柱状体１４の上下面１０，１３に光反射膜を形成するべく金属薄膜を形成した。ここで、金属薄膜の最上層には反射率の高いＡｕを用いた。また、この最上層金属膜をウエハＷのシリコン基体上に有効に形成させるために、最上層金属薄膜とシリコン基体の間に下地金属膜としてＣｒ層を用い、シリコン基体表面にシリコン酸化膜層を形成した。金属薄膜の合計膜厚は約１μｍとした。
【００４５】
そして、図３に示すラインＤに沿って、ダイシングにより切断を行い、個々の光路変換体となるように切り分けた。その際に、エッチング残部である小さい方の柱状部１５が完全に除去され、所定形状の光路変換体が作製できた。
【００４６】
次に、こうして作製された光路反射体２は、図１に示すように、実装基板である基板１上の位置合わせマーカー（不図示）を利用して、正確に位置決めし実装固定した。この際の固定材にはＡｕＳｕ系の半田を用いた。
【００４７】
また、面発光レーザー３を加圧・密着させ、実装基板１に形成された薄膜半田（不図示）を溶解・冷却し、基板１上に実装固定し、次いで、光ファイバ４を搭載用溝１ｂ上に搭載し、例えば樹脂、或いはガラス板等の平板基板で押圧固定する等の方法で実装固定した。
【００４８】
かくして、光モジュールＭ１によれば、光反射面はミラー加工された｛１００｝面を利用するので、高精度に平坦化された反射面を実現できる。また、異方性エッチングにおいてエッチング面を高精度に平坦化する必要がないことにより、ＦＺ法、ＣＺ法等の各種の製法で作製したシリコン基板を用いることができ、また、エッチング中に超音波揺動などを行う必要がなく、エッチング条件の最適化が省けた。また、光路反射体はシリコンウエハの両面からエッチングを行うことにより、断面が略平行四辺形で、光路変換体の上面が平坦になることから、光路変換体は従来のフリップチップボンディング技術による高精度の実装も可能となった。
【００４９】
＜実施例＞
次に、図４及び図５に示した他の実施例について説明する。
【００５０】
光路変換体２の作製は参考例と同様にして行った。
【００５１】
そして、図４に示すように、光路変換体２の斜面２ｃに、光半導体素子５を以下のようにして配設した。
【００５２】
また、図５に示す光モジュールＭ２は、光路変換体２に光半導体素子５を配設し、その配線等を施した以外については、既に説明した光モジュールＭ１と同様に構成した。
【００５３】
この実施例では、光路変換体２の光反射面である傾斜面２ｃと下面２ｂの境界部分にＢ（ボロン）をイオン注入し、その不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3以上とした。なおこの時、Ａｌなど半導体の不純物であればＢ以外でも良い。
【００５４】
次いで、光半導体素子５用の電気信号線路７、電流供給線路８を金属薄膜で形成した。この金属薄膜は上層／下層で、Ａｕ／Ｃｒとし、その厚みは合計で約１μｍとした。このとき、各線路の一端は、不純物拡散領域２０，２１まで配置した。
【００５５】
そして、別の半導体基板、例えばｎ+型ＧａＡｓ基板上に厚み１．０μｍ、不純物濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ層、厚み４．０μｍ、不純物濃度１×１０15ｃｍ-3のｉ型ＧａＡｓ層、厚み０．５μｍ、不純物濃度１×１０15ｃｍ-3のｉ型ＧａＡｓ層を形成し、最上層のｐ型ＧａＡｓ層の窓部からｐ型不純物のＺｎを約０．５μｍ拡散し、メサエッチ後、ｐ、ｎ電極を形成し、フォトダイオードである光半導体素子５を作製した。
【００５６】
その後、光ファイバへの反射する所望の光強度を得るために、上記の光半導体素子５上へ高屈折材料、低屈折材料を用いた誘電体多層膜を真空蒸着により作製しても良い。ここで、光半導体素子５は、ＧａＡｓ以外のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰなどの化合物半導体材料でも、また、ＰＩＮ型フォトダイオード以外のアバランシェ・フォト・ダイオードなど、フォトダイオードの機能を有するものであれば良い。
【００５７】
そして、光半導体素子５を形成したＧａＡｓ基板表面とガラス基板をＷＡＸで固定した後、光半導体素子形成領域を残し、ＧａＡｓ基板をエッチング除去した。
【００５８】
さらに、ガラス基板に固定された光半導体素子を、シリコン基板表面の反射面に位置合わせし、水素結合により接触させ、ＷＡＸを除去し、３００〜４００℃の熱処理を行い、光半導体素子５を水素結合だけでなく、酸素を介したさらに強固に接着させた。同時に、反射鏡素子の電気信号線路７、電流供給線路８と光路変換体２の不純物拡散領域２１，２６もアニールされ、オーミック接合された。
【００５９】
なお、ＡｕＳｉ系、ＡｕＳｕ系、ＰｂＳｎ系、Ｉｎ系の半田等の接着部材６を用いても、実装強度や信頼性に優れた実装が行えた。
【００６０】
このようにして得た受光素子付き光路変換体２は、実装基板１上の位置合わせマーカー（不図示）を用いて、正確に位置決めし実装した。その後、光半導体素子が搭載された光路変換体と実装基板に対して３００〜４００℃の熱処理を行い、実装基板上の電気信号線路、電流供給線路と反射鏡素子の不純物拡散領域をアニールすることによりオーミック接合された。
【００６１】
かくして、本発明の光モジュールＭ２によれば、参考例の光モジュールＭ１の作用・効果に加えて、以下のような効果を奏する。受光素子は、ダイシング・カット前のシリコン基板表面に基板同士の貼り合わせで一括接着させるために、従来、個々の受光素子をエッチングされた斜面に実装するのに比べて、実装時間の削減・高精度の実装が実現できた。
【００６３】
また、受光素子付き光路変換体の端部に存在する高濃度の不純物領域を介して、実装基板と受光素子付き光路変換体の電極が結合される。その結果、受光素子付き光路変換体のエッジ部に電極が配線されていないことから断線することがなくなる。
【００６４】
【発明の効果】
請求項１に記載の光路変換体によれば、異方性エッチング技術を用いた傾斜面を光反射用の斜面として用いず、鏡面研磨がしやすいウエハの両主面を光反射面または光半導体素子の素子配設面とすることができ、平坦性の優れた素子配設面を備えた優れた光路変換体を提供できる。
【００６５】
また、請求項４，５に記載の光路変換体の製造方法によれば、ウエハプロセスによる一括作製が可能なため、非常に低コストの光路変換体が作製可能である。
【００６６】
また、請求項２に記載の光路変換体によれば、ウエハ面方位により入射光に対して所定角度で光路変換させるようにできるため、面発光素子からの出射光を効率的に入射光学系へ効率的に光接続できる光モジュールを提供できる。
【００６７】
また、請求項１に記載の光路変換体において、素子配設面に受光素子が配設させることにより、面発光素子の出射光を精度よくモニタすることができるとともに、受光素子からの反射光を効率的に光伝送体へ入射させることが可能な優れた光モジュールを提供できる。
【００６８】
さらに、請求項１に記載の光路変換体によれば、光路変換体の下面と素子配設面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されているので、金属薄膜で光半導体素子の電極パターンを光路変換体の２面に形成する必要が無くなり、光路変換体のエッジで金属薄膜の断線がない信頼性に優れた光モジュールを提供できる。
【００６９】
そして、請求項７に記載の光モジュールによれば、光伝送体に面発光素子からの出射光を効率よく光接続され、しかも信頼性の高い優れた光モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る光路変換体及び光モジュールから受光素子を除いた参考形態を模式的に説明する断面図である。
【図２】  本発明に係る光路変換体の製造方法を模式的に説明するための平面図である。
【図３】  図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】  本発明に係る光路変換体を模式的に説明する斜視図である。
【図５】  本発明に係る光モジュールを模式的に説明する斜視図である。
【符号の説明】
１：基板
１ａ：基板１の低位置面
１ｂ：搭載用溝
２：光路変換体
２ａ、２ｂ：光路変換体の上下面
２ｃ：光路変換体の傾斜面
３：面発光素子
４：光伝送体
４ａ：光伝送体の先端
５：光半導体素子（受光素子、フォトダイオード）
５ａ：受光部
５ｂ：電極パッド
６：接着部材（接着面）
７：電気信号線路
８：電流供給線路
９：ボンディングワイヤ
１０、１３：単結晶ウエハＷの両主面
１１：フォトレジスト
１２：Ｖ溝
１４，１５：光路変換体用柱状部
２０，２１：不純物拡散領域
Ｍ１，Ｍ２：光モジュール
Ｌ１：出射光
Ｌ２：反射光
Ｗ：単結晶ウエハ
θ１、θ２：エッチング面の傾斜角度
【図１】
0003764671.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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