(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の電極と、回路基板の前記電極に対応する接続パッドとを、導電性の突起電極を介して接続することにより、前記半導体装置を前記回路基板上に実装するフリップチップ接続構造において、
前記半導体装置と前記回路基板との間隙に、熱可塑性を有する高分子液晶材料を含有した樹脂部材を備え、
前記半導体装置の表面に、ポリイミドからなる樹脂部材が貼付され、
前記ポリイミドからなる樹脂部材の表層部が、プラズマ放電処理されていることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の接続構造を備え、
前記回路基板は、前記接続パッドと電気的に接続された複数の外部入出力端子を含むことを特徴とする、半導体装置パッケージ。
【請求項３】
前記回路基板の前記半導体装置搭載面が熱硬化性樹脂で覆われたことを特徴とする、請求項２記載の半導体装置パッケージ。
【請求項４】
半導体装置の素子面の複数の電極と、回路基板の前記複数の電極に対応する複数の接続パッドとを、導電性の突起電極を介して接続することにより、前記半導体装置を前記回路基板上に実装するフリップチップ接続方法であって、
前記複数の接続パッドより内側の領域、もしくは前記半導体装置の素子面の複数の電極より内側の領域に、シート状の熱可塑性を有する高分子液晶材料を含有した樹脂部材を設置する工程と、
前記回路基板上の複数の接続パッド、または前記半導体装置の素子面の複数の電極に、導電性の突起電極を形成する工程と、
前記半導体装置と前記回路基板との対向する電極同士を位置合せし、当接する工程と、
加圧と加熱とを併用して、前記高分子液晶材料を含有した樹脂部材により、前記半導体装置と前記回路基板との電気的、機械的接続ならびに封止を同時に行なう工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の接続方法。
【請求項５】
前記シート状の高分子液晶材料を含有した樹脂部材の厚さは、フリップチップ実装後の前記半導体装置の電極形成面と前記回路基板の表面とのギャップよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする、請求項４記載の半導体装置の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の接続構造および接続方法ならびにそれを用いた半導体装置パッケージに関するものであり、半導体装置等の電子部品を回路基板上に実装する接続構造およびそれを用いた半導体装置パッケージならびにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置を回路基板上にベアチップの状態で直接実装するフリップチップ接続は、半導体装置の電極に形成された突起電極と対応する回路基板の電極とを位置合せし、加圧、加熱により電気的な接続を行ない、その後、半導体装置と回路基板との隙間に熱硬化性の液体樹脂等を注入し、樹脂硬化を行なうことで封止し、半導体装置と回路基板との電気的、機械的接続をより強固にしていた。
【０００３】
図６は、特公平４−５１０５７号公報に示される従来の半導体装置の接続方法の一例を示す断面図である。
【０００４】
図６を参照して、フリップチップ接続を工程順に説明すると、まず、図６（ａ）に示すように、半導体装置１の電極２上に、ワイヤバンピング法あるいはめっき法によって突起電極５を形成する。必要に応じて、該突起電極５の高さを整えるためにレベリングを行なうこともできる。
【０００５】
次に、図６（ｂ）に示すように、半導体装置１の電極２上の突起電極５と、回路基板３上の接続パッド４との位置合せを行ない、半導体装置１の電極２上の突起電極５と回路基板３上の接続パッド４とを当接せしめ、加圧、加熱することによって電気的な接続を行なう。
【０００６】
最後に、図６（ｃ）に示すように、半導体装置１と回路基板３との隙間にディスペンサ５０等を用いて液状の熱硬化性の封止樹脂５６を注入した後、加熱硬化させて封止を完了する。
【０００７】
このように、従来の半導体装置の接続方法においては、半導体装置を回路基板に電気的に接続した後に、液状熱硬化性の封止樹脂をディスペンサ等を用いて半導体装置の周辺部に滴下し、回路基板との隙間に充填し、オーブン等で熱硬化していた。
【０００８】
一方、テープキャリアタイプの半導体装置の製造に関しては、特開平５−１１４６１８号公報に開示されている技術があった。図７は、このような従来の半導体装置の接続方法の他の例を示す断面図である。
【０００９】
図７を参照して、この方法は、複数のフィンガーリード６０を有するキャリアテープ７０の所定の位置に、半導体装置１を配設する工程と、半導体装置１の電極５とフィンガーリード６０との接続部全体の上に半導体装置１の能動面と同じ大きさかまたはわずかに大きめの高分子液晶からなるフィルム６６を載せ、加熱溶融させて封止する工程とを有するものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した図６に示す特公平４−５１０５７号公報に開示された方法においては、以下のような問題があった。すなわち、ディスペンサ５０による樹脂の吐出量にはばらつきがあり、かつ樹脂の滴下領域が必要である。また、ＬＳＩの高密度化、多ピン化が進み、必然的に微細ピッチ化が進むと、当然チップと基板との間隙は狭くなる。たとえば、半導体装置１と接続パッド４の表面との間隙が２５〜３０μｍ、半導体装置１と基板３との間隙が５０μｍ程度のものが検討されている。したがって、このような狭い間隙に封止樹脂５６を充填するためには、当然封止樹脂５６の粘度を低くしなければならない。しかしながら、樹脂の粘度が低いと、半導体装置１の周辺部に大きなフィレット（樹脂の流れ出し）５６ａが形成されてしまう。
【００１１】
また、たとえば熱硬化性樹脂として一般的なエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用した場合、耐加水分解性や耐吸水性に問題があり、信頼性低下の原因となっていた。
【００１２】
また、上述した図７に示す特開平５−１１４６１８号公報に開示された方法においては、次のような問題点があった。すなわち、テープキャリアタイプの半導体装置１を高分子液晶からなるフィルム６６によって封止する前に、半導体装置１の電極５と、キャリアテープ７０の上面に形成された銅箔等からなるフィンガーリード６０とを熱圧着等の方法により接続しなければならない。したがって、電極５の融点が高分子液晶からなるフィルム６６の融点よりも低いかあるいは同程度の場合には、封止工程における加熱動作によって電極の接続が切断、剥離してしまうので、半田等の融点の比較的低い材料を電極に用いることができなかった。
【００１３】
また、封止工程においては加熱のみしか行なっていないため、複数のフィンガーリード６０間の空隙にまで溶融状態の高分子液晶６６が行き渡らず、したがって、接着強度が不十分となるという問題があった。さらに、フィンガーリード６０間の空隙間の空気および水分が原因となって、半導体装置１の性能劣化を引き起こすという問題もあった。
【００１４】
本発明の目的は、上述した問題点を解決し、高い信頼性を有する半導体装置の接続構造および接続方法ならびにそれを用いた半導体装置パッケージを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明による半導体装置の接続構造は、半導体装置の電極と、回路基板の電極に対応する接続パッドとを、導電性の突起電極を介して接続することにより、半導体装置を回路基板上に実装するフリップチップ接続構造において、半導体装置と回路基板との間隙に、熱可塑性を有する高分子液晶材料を含有した樹脂部材を備え、半導体装置の表面にポリイミドからなる樹脂部材が貼付され、ポリイミドからなる樹脂部材の表層部がプラズマ放電処理されていることを特徴としている。
【００１７】
請求項２の発明による半導体装置パッケージは、請求項１の発明の半導体装置の接続構造を備え、回路基板は、接続パッドと電気的に接続された複数の外部入出力端子を含むことを特徴としている。
【００１８】
請求項３の発明による半導体装置パッケージは、請求項２の発明の構成において、回路基板の半導体装置搭載面が、熱硬化性樹脂で覆われたことを特徴としている。
【００１９】
請求項４の発明による半導体装置の接続方法は、半導体装置の素子面の複数の電極と、回路基板の複数の電極に対応する複数の接続パッドとを、導電性の突起電極を介して接続することにより、半導体装置を回路基板上に実装するフリップチップ接続方法であって、複数の接続パッドより内側の領域、もしくは半導体装置の素子面の複数の電極より内側の領域に、シート状の熱可塑性を有する高分子液晶材料を含有した樹脂部材を設置する工程と、回路基板上の複数の接続パッド、または半導体装置の素子面の複数の電極に、導電性の突起電極を形成する工程と、半導体装置と回路基板との対向する電極同士を位置合せし、当接する工程と、加圧と加熱とを併用して、高分子液晶材料を含有した樹脂部材により、半導体装置と回路基板との電気的、機械的接続ならびに封止を同時に行なう工程とを含むことを特徴としている。
【００２０】
請求項５の発明による半導体装置の接続方法は、請求項４の発明の構成において、シート状の高分子液晶材料を含有した樹脂部材の厚さは、フリップチップ実装後の半導体装置の電極形成面と回路基板の表面とのギャップよりも厚くなるように形成されていることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（参考例１）
図１は、本発明に関連する参考例１に係る半導体装置の接続構造の一例を示す断面図である。
【００２２】
図１を参照して、半導体装置１の電極２の最表層には、Ａｌが形成されている。また、該電極２には、Ａｕワイヤを用いたワイヤバンピング法によって、Ａｕからなる突起電極５が形成されている。一般に、電極２を除く半導体装置１の最表面には、絶縁保護膜として、ＳｉＮ等が形成されている。
【００２３】
一方、回路基板３としては、ＰＰＯ（ポリフェニリンオキサイド）基板が使用され、該基板３の接続パッド４の最表層には、Ａｕが形成されている。
【００２４】
したがって、突起電極５と接続パッド４とは、Ａｕ−Ａｕ固相拡散接合により、電気的な接続が行なわれている。
【００２５】
また、半導体装置１と回路基板３との間隙には、高分子液晶材料からなる樹脂部材６が充填されている。該高分子液晶材料からなる樹脂部材６は、フィルム状のＶＥＣＴＲＡ（登録商標）（Hoechst Celanese Corporation製）である。
【００２６】
なお、本参考例１では、回路基板３をＰＰＯ基板としたが、これに限られるわけではなく、他の有機系基板が用いられてもよい。具体的には、たとえば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板等を用いることができる。また、回路基板３は、硬質であってもよいし、逆にフレキシブル状であってもよい。
【００２７】
また、突起電極５の形成方法は、ワイヤバンピング法に限らず、めっき法等を用いてもよい。さらに、突起電極５の材質もＡｕに限らず、その他の金属または合金でもよい。たとえば、Ｐｂ４０Ｓｎ６０、Ｐｂ７０Ｓｎ３０、Ｓｎ９６．５Ａｇ３．５の半田等を用いることができる。
【００２８】
（実施の形態１）
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の接続構造の一例を示す断面図である。
【００２９】
図２を参照して、半導体装置１の電極２の最表層にはＡｌが形成され、少なくとも電極２を除く半導体装置１の最表層にポリイミド樹脂層７が形成されている。さらに、該ポリイミド樹脂層７は、封止材としての高分子液晶材料からなる樹脂部材６に対する密着性を向上する目的で、その表面にはプラズマ処理がなされている。
【００３０】
一方、回路基板３としては、ポリイミドベース銅張積層板が使用され、該基板３の接続パッド４の最表層には、Ａｕが形成されている。また、該接続パッド４には、Ａｕ合金ワイヤを用いたワイヤバンピング法によって、Ａｕ合金からなる突起電極５が形成されている。
【００３１】
したがって、回路基板３の突起電極５と半導体装置１の電極２とは、Ａｕ−Ａｌ固相拡散接合により、電気的な接続が行なわれている。
【００３２】
また、半導体装置１と回路基板３との間隙には、高分子液晶材料からなる樹脂部材６が充填されている。高分子液晶材料からなる樹脂部材６は、前述した参考例１で用いたものと同じである。
【００３３】
なお、本実施の形態では、回路基板３として、ポリイミドベース銅張積層板を用いたが、これに限られるわけではなく、他の有機系基板や無機系基板が用いられてもよい。
【００３４】
また、突起電極形成方法は、ワイヤバンピング法に限らず、めっき法等を用いてもよい。さらに、突起電極５の材質も、Ａｕ合金に限らず、その他の金属または合金でもよい。また、突起電極５の形成は、半導体装置１の電極２側へ形成してもよい。さらに、電極２と接続パッド４のメタル構造も、図２に示すものに限定されるものではない。
【００３５】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置パッケージの一例を示す断面図である。
【００３６】
図３を参照して、半導体装置１の電極２の最表層にはＡｌが形成され、電極２を除く半導体装置の最表層には、ポリイミド樹脂層７が形成されている。なお、図３の場合においても、図２の場合と同様に、ポリイミド樹脂層７の表面がプラズマ処理され得ることは言うまでもない。
【００３７】
一方、回路基板１３としては、ポリイミドベース銅張積層板が使用され、該基板１３の接続パッド４の最表層には、Ａｕが形成されている。また、該接続パッド４には、Ａｕ合金ワイヤを用いたワイヤバンピング法によって、Ａｕ合金からなる突起電極５が形成されている。
【００３８】
したがって、実施の形態１と同様に、突起電極５と電極２とは、Ａｕ−Ａｌ固相拡散接合により、電気的な接続が行なわれている。
【００３９】
また、半導体装置１と回路基板１３との間隙には、高分子液晶材料からなる樹脂部材６が充填されている。高分子液晶材料からなる樹脂部材６は、前述した参考例１や実施の形態１で用いたものと同様である。
【００４０】
また、回路基板１３は、マトリクス状に配置された接続用の開口部１０を有し、該開口部１０を介して接続パッド４に接続された半田ボール８を外部入出力端子とし、半導体装置１をパッケージ化している。
【００４１】
また、外部の衝撃から保護するため、半導体装置１搭載面は、熱硬化性のエポキシ樹脂等のモールド樹脂９で金型成形されている。この他、半導体装置１搭載面を、熱硬化性の液状樹脂をポッティングして硬化してもよい。
【００４２】
なお、前述した実施の形態１、２と同様、回路基板の基材、突起電極形成方法、突起電極の材質、電極および接続パッドのメタル構造、ならびにモールド樹脂の種類等は、ここに示すものに限定されるものではない。
【００４３】
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の接続方法の一例を示す断面図である。
【００４４】
▲１▼  ステップ１
まず、図４（ａ）に示すように、電極２の部分を除く素子面の最表層に厚さが４μｍのポリイミド樹脂層７が形成された半導体装置１の表面に、矢印２０に示すようにＡｒガス中でプラズマ放電処理を行なう。装置としては、九州松下電器（株）製のＰＣ２０Ｆ−Ｇを使用し、純度９９．９９％以上のＡｒを流量５０ｃｃ／分で流しながら、出力７５０Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚ、放電時間３０秒の条件で放電処理を行なう。なお、電極２の最表面には、Ａｌ−１％Ｓｉが形成されている。
【００４５】
このように、半導体装置１に形成されたポリイミド樹脂層７にプラズマ放電処理を施すほか、たとえば、プラズマ放電処理を施したポリイミド樹脂層７を半導体装置１の表面に、接着、貼付する方法をとることもできる。
【００４６】
なお、ポリイミド樹脂層７の厚みは、ここに示すものに限定されるものではない。また、耐熱性、耐候性、電気的特性向上等の目的のために、他の樹脂とブレンドしたポリイミド樹脂あるいは添加剤を含有したポリイミド樹脂等を使用してもよい。同様に、プラズマ放電処理に用いるガスの種類や放電条件も、前述したものに限定されるわけではない。
【００４７】
▲２▼  ステップ２
次に、図４（ｂ）に示すように、回路基板３の複数の接続パッド４より内側の領域に、厚さが３０〜５０μｍ程度のフィルム状の熱可塑性を有する高分子液晶材料からなる樹脂部材６を設置する。該高分子液晶材料からなる樹脂部材６は、フィルム状のＶＥＣＴＲＡ（登録商標）（Hoechst Celanese Corporation製）である。高分子液晶材料からなる樹脂部材６の設置方法は、熱による仮圧着でもよいし、単に回路基板３上に載せるだけでもよい。なお、この実施の形態において、回路基板３は、ポリイミドベース銅張積層板であり、接続パッド４の最表層にはＡｕが形成されている。
【００４８】
高分子液晶材料からなる樹脂部材６の厚さは、フリップチップ実装後の半導体装置１の電極形成面と基板３の表面とのギャップｈ1 （図１参照）よりも厚くなるように設定される。この理由を以下に説明する。
【００４９】
半導体装置１上に形成された突起電極５と、基板３の電極４との接続信頼性は、Ａｕ−Ａｕ拡散による接合強度に加え、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の密着力による機械的強度に保護されている。そのため、高分子液晶材料からなる樹脂部材６による密着力を高めるほど、両電極間の接続信頼性は向上する。したがって、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の厚さがギャップｈ1 よりも厚くなるように設定しておけば、半導体装置１の接続時の荷重印加によって、高分子液晶材料からなる樹脂部材６が半導体装置１の電極形成面全体に押し広げられることになる。そのため、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の接着面積が大きくなる結果、接着強度を大きくすることができるからである。
【００５０】
本実施の形態では半導体装置１の外形が７×５ｍｍであり、その電極２が外周部より１００〜２００μｍ内側に形成されている。ｈ1 ＝３０μｍに対し、厚さが４０μｍの高分子液晶材料からなる６．５×４ｍｍの樹脂部材６を使用する。
【００５１】
▲３▼  ステップ３
次に、図４（ｃ）に示すように、回路基板３の接続パッド４に、φ８０μｍのＡｕ合金からなる突起電極５を形成する。該突起電極５は、φ２０μｍのＡｕ合金ワイヤ（田中電子工業（株）製のＧＢＣ−Ｔｙｐｅ）を用いたワイヤバンピング法によって形成する。該突起電極５は、Ａｕとほぼ変わらない融点を有するＡｕ合金からなっている。前述した高分子液晶材料からなる樹脂部材６の融点は２８０℃であるので、突起電極の融点の方が高い。
【００５２】
なお、突起電極形成方法は、ワイヤバンピング法に限らず、めっき法等を用いることもできる。
【００５３】
▲４▼  ステップ４
次に、図４（ｄ）に示すように、半導体装置１と回路基板３との対向する電極２と突起電極５とを位置合せし、当接する。
【００５４】
▲５▼  ステップ５
次に、図４（ｅ）に示すように、加熱および加圧ツール３０で、突起電極のＡｕ合金と、電極２の最表面のＡｌ−１％ＳｉをＡｕ−Ａｌ固相拡散接合する。
【００５５】
詳細に説明すると、加熱および加圧ツール３０を一定温度、たとえば４４０℃となるように制御し、２ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力を加える。これにより、Ａｕ−Ａｌ固相拡散接合が行なわれると同時に、封止材としての高分子液晶材料からなる樹脂部材６が軟化し、その後の冷却によって高分子液晶材料からなる樹脂部材６が固化することにより、封止が完了する。
【００５６】
この際、ステージ４０を設定温度３２０℃に加熱しておくことにより、封止樹脂としての高分子液晶材料からなる樹脂部材６および電極５に対して所定温度まで素早く熱を伝達することができる。その結果、短時間で高分子液晶材料からなる樹脂部材６を溶融させるとともに、Ａｕ−Ａｌ固相拡散接合を促進させることができる。また、加圧動作により、溶融した高分子液晶材料からなる樹脂部材６が広がるため、電極２と突起電極５との接合部を含む半導体装置１と回路基板３との間隙を封止することが可能となる。
【００５７】
従来のテープキャリアタイプの半導体装置の場合には、電極接続工程と封止工程とが別々に行なわれるので、半田材として利用可能なのは、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の融点よりも十分高いものだけであった。したがって、たとえば、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の融点が２８０℃のとき、電極の材質として融点が２６０℃の半田（Ｐｂ７０Ｓｎ３０）を用いることはできなかった。
【００５８】
しかしながら、本発明においては、ステップ５に示したように、電極接続工程と封止工程とを同時に行なうことを特徴としているので、たとえば、ステップ５でのステージ加熱温度を半田の融点以下に設定しておけば、高分子液晶材料からなる樹脂部材６の融点が２８０℃のとき、電極の材質として融点が２６０℃の半田（Ｐｂ７０Ｓｎ３０）を用いることは可能である。これにより、電極材料の選択に制限が生じない。
【００５９】
（参考例２）
図５は、本発明に関連する参考例２に係る半導体装置パッケージの一例を示す断面図であり、積層型（スタックド）の半導体装置への適用例を示している。
【００６０】
図５を参照して、この半導体装置パッケージにおいては、回路基板１３上に、第１のチップ１と第２のチップ８１とが搭載されている。この第１のチップ１と第２のチップ８１とは、その裏面同士が接着剤８５により接着されている。
【００６１】
第１のチップ１の周辺部には、複数の第１の電極２が形成されている。第２のチップ８１の周辺部には、複数の第２の電極８２が形成されている。
【００６２】
第１のチップ１に形成された電極２と、回路基板１３の表面上の第１の接続パッド４とは、金属部材５を介してフリップチップ方式により接続されている。第２のチップ８１上に形成された電極８２と、回路基板１３の表面上の第１の接続パッド４より外周に形成された第２の接続パッド８７とは、金属ワイヤ８８を介してワイヤボンディング方式により接続されている。第１および第２のチップ１、８１は、さらにその全体が覆われるように、第２の樹脂９によりモールドされている。
【００６３】
また、回路基板１３の裏面には、第３の接続パッド８０がマトリクス状に形成され、第３の接続パッド８０上には、半田ボール８が形成されている。さらに、第１の接続パッド４に囲まれる領域の基板１３には、少なくとも１つの貫通孔８４が形成されている。この貫通孔８４は、第１の樹脂６が吸湿後のリフローにより膨張することを防止する働きがある。
【００６４】
また、この半導体装置パッケージにおいて、第１のチップ１の電極２の最表層にはＡｌが形成されている。一方、回路基板１３としては、ポリイミドベース銅張積層板が使用され、該基板１３の第１の接続パッド４の最表層には、Ａｕが形成されている。また、第１の接続パッド４には、Ａｕ合金ワイヤを用いたワイヤバンピング法によって、Ａｕ合金からなる突起電極５が形成されている。
【００６５】
したがって、実施の形態１と同様に、突起電極５と電極２とは、Ａｕ−Ａｌ固相拡散接合により、電気的な接続が行なわれている。
【００６６】
また、第１のチップ１と回路基板１３との間隙には、高分子液晶材料からなる第１の樹脂部材６が充填されている。高分子液晶材料からなる第１の樹脂部材６は、前述した参考例１や実施の形態１で用いたものと同様である。さらに、前述した参考例１や実施の形態１と同様、回路基板の基材、突起電極形成方法、突起電極の材質、電極および接続パッドのメタル構造、ならびにモールド樹脂の種類等は、ここに示すものに限定されるものではない。
【００６７】
【実施例】
（信頼性試験結果）
上述した実施の形態３の方法に従い、実施例の半導体装置パッケージを作製した。
【００６８】
一方、比較のため、フリップチップ接続を行なった半導体装置に対し、封止材としてのエポキシ樹脂をディスペンサにより充填して、比較例の半導体装置パッケージを作製した。
【００６９】
このようにして得られた実施例と比較例の半導体装置パッケージについて、ＰＣＴ（Pressure Cooker Test）における電極の導通状態を試験した。実験条件としては、温度を１２１℃、圧力を２ａｔｍ、湿度を飽和とした。
【００７０】
得られた結果を表１に示す。
【００７１】
【表１】
0003741553.tif 000002
【００７２】
表１より明らかなように、比較例の半導体装置パッケージでは、３００時間経過後において全サンプル数６個中２個が不良となった。これに対し、実施例の半導体装置パッケージは、８００時間経過後も、導通状態に変化は見られなかった。
【００７３】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、半導体装置と高分子液晶材料またはそのブレンド樹脂部材との密着力を向上させることができる。
【００７５】
請求項２および３の発明によれば、より高い信頼性に対する要求に応じることができる。
【００７６】
請求項４の発明によれば、封止樹脂をシート状としているので、従来のようにポッティング領域を確保する必要がない。また、狭い間隙に封止樹脂を充填する必要がないので、樹脂の粘度を低くしたことが原因で従来発生していた半導体装置周辺部の大きなフィレット（樹脂の流れ出し）の形成を防止することができる。これらはいずれも、半導体装置の設置面積を減少させるという効果を有する。
【００７７】
また、この発明によれば、ディスペンサによる樹脂の吐出と比較して、樹脂量はシートのサイズおよび厚さにより容易に管理できる。そのため、樹脂量のばらつきを少なくすることができる。
【００７８】
さらに、この発明によれば、封止、接続工程において、加熱とともに加圧動作を行なうので、溶融した高分子液晶材料からなる樹脂部材が半導体装置あるいは回路基板上に形成された電極間の隙間に入りやすくなる。その結果、高分子液晶材料からなる樹脂部材の封止材としての機能（接着力）を一層高めることができる。
【００７９】
請求項５の発明によれば、高分子液晶材料からなる樹脂部材が半導体装置の電極形成面全体に押し広げられることにより、安定した接続を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に関連する参考例１の半導体装置の接続構造を示す断面図である。
【図２】  本発明の実施の形態１の半導体装置の接続構造を示す断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態２の半導体装置パッケージを示す断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態３の半導体装置の接続方法を示す断面図である。
【図５】  本発明に関連する参考例２の半導体装置パッケージを示す断面図である。
【図６】  従来の半導体装置の接続方法の一例を示す断面図である。
【図７】  従来の半導体装置の接続方法の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
２  半導体装置の電極
３、１３  回路基板
４  接続パッド
５  突起電極
６  高分子液晶材料からなる樹脂部材
７  ポリイミド樹脂層
８  半田ボール
９  モールド樹脂
１０  開口部
なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【図１】
0003741553.tif 000003
【図２】
0003741553.tif 000004
【図３】
0003741553.tif 000005
【図４】
0003741553.tif 000006
【図５】
0003741553.tif 000007
【図６】
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【図７】
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