(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、垂直信号線及び水平信号線により上記複数の画素からの画素信号を選択的に読み出し可能な撮像素子と、
上記複数の画素の中から正常な機能を持たない欠陥画素が存在する位置を検出する欠陥画素位置検出手段と、
当該欠陥画素位置検出手段により検出された上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しを禁止する読み出し制御手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
上記撮像素子は、所定の有効受光画素の周囲に予備受光画素を有しており、上記読み出し制御手段により上記有効受光画素の特定の行または列から画素信号の読み出しが禁止されたときに、上記予備受光画素のうち複数の画素を新たに有効受光画素として上記所定の有効受光画素に補充することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
上記欠陥画素位置検出手段により検出された欠陥画素の位置が上記撮像素子の略中央部を基準とした所定領域内にあるときに、上記読み出し制御手段による上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しを禁止することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子上に発生する欠陥画素を検出し、この欠陥画素を補正する機能を有する固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、固体撮像装置において、固体撮像素子上の正常な機能を持たない欠陥画素を補正する手法には、主として以下のような補間形式が用いられている。
例えば、欠陥画素の出力を１画素前の出力または１画素後の出力で置き換える手法として、特公平４−７３６７５号公報には次のように開示されている。この装置のブロック構成図及び画素の出力波形図をそれぞれ、図１１、図１２に示す。図１２に示す出力波形図は、横軸が固体撮像素子上（画面）の水平方向の位置を、縦軸が信号レベルを表す。
【０００３】
図１１において、固体撮像素子１０１上からの各画素信号は、走査駆動回路１０２によって順次読み出される。上記画素信号の中から欠陥信号が抽出され、この欠陥信号を発生する欠陥画素の位置が欠陥位置記憶回路１０３に記憶される。この欠陥画素記憶回路１０３は、上記欠陥画素からの信号が第一Ｓ／Ｈ回路１０４を通過するときに、このＳ／Ｈパルスをマスクし、１画素前のデータで置き換える。
【０００４】
ところが、図１３（ａ）に示すように画面中にＡで示す欠陥画素Ｘｎが、白い被写体と斜線で示す黒い被写体との切り替わり点に存在する場合、上述した置換手法では上記欠陥画素Ｘｎが位置する境界部の１画素部分に白い出力が発生する。画面上ｎ行目（ｎは正の整数）にＡで示した上記欠陥画素Ｘｎがあるとし、その様子を拡大したものを図１３（ｂ）に示す。このとき、第（ｎ−１）行目〜第（ｎ＋１）行目の画素の出力波形図は、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すようになる。なお、“０”は黒レベル、“１”は白レベルを表す。
【０００５】
ここで、１画素遅延回路（ＤＬ）１０６を通った図１２（ｄ）〜（ｆ）に示すデータから、１画素遅延回路１０６を通らない図１２（ａ）〜（ｃ）に示すデータをそれぞれ減算する。さらに、この結果、１画素前のデータで置き換えて不自然となる画素Ｘｎに関しては、スイッチ１０８により該当画素Ｘｎの出力の通過時のみ、減算器１０７の図１２（ｇ）に示す出力を通過させ、さらに、最終の減算器１０９により１画素遅延回路１０６の図１２（ｅ）に示す出力から、減算器１０７の図１２（ｇ）に示した出力を減算し、図１２（ｈ）に示す波形を得る。
【０００６】
それ以外の画素信号出力に関しては、後段の最終の減算器１０９の出力が１画素遅延回路１０６の出力に等しくなるように、スイッチ１０８で減算器１０７の出力信号をオン，オフする。
【０００７】
以上の操作により、ｎ行目の上記欠陥画素Ｘｎの信号出力のみ１画素後のデータＹｎで置き換わり、第（ｎ−１）列目〜第（ｎ＋１）列目の波形はそれぞれ図１２（ｄ），（ｈ），（ｆ）に示す出力で構成されることになる。この結果、図１３（ｂ）に示したように欠陥画素Ｘｎが白レベルの出力になりくくなる。
【０００８】
また、欠陥画素の周辺の数画素の出力レベルを平均演算し、この平均の出力レベルを該欠陥画素の出力に置き換える手法として、特公平６３−２３２５７９号公報には次のように開示されている。図１４は、この装置の構成を示すブロック図である。
【０００９】
固体撮像素子２００上の各画素の出力信号は、走査駆動回路２０１によって順次読み出され、アナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ２０２によりディジタル信号に変換される。フレームメモリ２０３は、固体撮像素子２００に対して画面全体（撮像素子全体）にわたる均一入射光を照射したときの撮像素子出力を、オフセット信号として蓄積するためのメモリである。そして、この固体撮像装置では、演算器２０４により通常露光時の撮像素子の出力信号から、上記フレームメモリ２０３に蓄えられた上記オフセット信号が減算されて補正出力が得られる。
【００１０】
上記フレームメモリ２０３にはレベルディテクタ２０５が接続され、このレベルディテクタ２０５により、ある閾値を越えたオフセット信号を有する出力が欠陥画素の出力と認定される。ここで、画素からの出力のうち上記閾値を越えない信号はそのまま出力する。一方、欠陥画素と認定した画素からの出力は、これをＸ２２として、画素の走査線に対応した遅延時間を持つシフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３の一部より、この欠陥画素の出力Ｘ２２を中心とした８個の近傍画素の出力信号を取り出した平均値｛（Ｘ１１＋Ｘ１２＋Ｘ１３＋Ｘ２１＋Ｘ２３＋Ｘ３１＋Ｘ３２＋Ｘ３３）／８｝によって置き換える。
【００１１】
上記レベルディテクタ２０５により判定された欠陥画素の位置は、該欠陥画素が到達するタイミングに合せて空間演算回路２０７に欠陥認識フラグを送り、空間演算回路２０７ではこの欠陥認識フラグを受けたときのみ所定の平均値演算を行って上記欠陥画素を補正し、置き換えて出力する。
【００１２】
ただし、ここでシフトレジスタＳＲｎは入力信号をｎ行遅延することができるシフトレジスタを表し、画素出力Ｘｎｍは撮像素子上のｎ行ｍ列目（ｎ，ｍは正の整数）の画素出力を表す。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、欠陥画素の１画素前の画素出力で置き換えることによって、該欠陥画素の出力を補正する場合、欠陥画素が連続もしくは１画素おきに発生したとき等に対しては、適当な補正を行うことができなかった。例えば、２画素連続して欠陥画素が発生した場合、その部分は３画素連続した信号出力が表示されることになる。これは、特に高精細の映像表示を行う必要があるときには、局所的に著しい解像度の劣化となり非常に目障りであった。この補正は、たとえ前後の２画素で置換したところで置換には限界があり、多連続する欠陥画素には対応できないことは明らかである。
【００１４】
また、欠陥画素に対してその周囲数画素をサンプルし、その平均レベルで置換する場合も同様であり、数画素連続もしくは集中して発生する欠陥画素に対しては、サンプル数を増やせば、上述のように距離的に離れた異なるレベルの画素信号で連続して置き換えられる可能性は減るが、領域を拡大すればするほどその領域での欠陥画素数も増えるため、平均値が最適なものになるとは限らない。
【００１５】
また、高精細の映像を得ようとすれば、それだけ多画素の固体撮像素子を必要とし、それに比例して欠陥画素数も増え、連続する欠陥画素の発生率も上がってゆく。このことが高精細な多画素固体撮像素子の歩留まりを著しく下げ、撮像装置全体の価格を上昇させている。
【００１６】
そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、固体撮像素子上の正常な機能を持たない欠陥画素を検出してこの欠陥画素を含む行または列を読み飛ばすことにより、高品質の画像が得られるようにするとともに、固体撮像素子における欠陥画素の容認数を増すことでその製造歩留まりを向上させ、低価格化を図ることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、垂直信号線及び水平信号線により上記複数の画素からの画素信号を選択的に読み出し可能な撮像素子と、上記複数の画素の中から正常な機能を持たない欠陥画素が存在する位置を検出する欠陥画素位置検出手段と、当該欠陥画素位置検出手段により検出された上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しを禁止する読み出し制御手段とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
また、さらに本発明の固体撮像装置は、上記撮像素子が所定の有効受光画素の周囲に予備受光画素を有しており、上記読み出し制御手段により上記有効受光画素の特定の行または列から画素信号の読み出しが禁止されたときに、上記予備受光画素のうち複数の画素を新たに有効受光画素として上記所定の有効受光画素に補充することを特徴とする。
【００１９】
また、さらに本発明の固体撮像装置は、上記欠陥画素位置検出手段により検出された欠陥画素の位置が上記撮像素子の略中央部を基準とした所定領域内にあるときに、上記読み出し制御手段による上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しを禁止することを特徴とする。
【００２０】
すなわち、本発明の固体撮像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素から、垂直信号線及び水平信号線により画素信号を選択的に読み出し可能な撮像素子を有しており、上記複数の画素の中から正常な機能を持たない欠陥画素の存在する位置が欠陥画素位置検出手段により検出される。そして、上記欠陥画素位置検出手段により検出された上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しが読み出し制御手段により禁止される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態の固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【００２２】
図１において、走査駆動回路２により読み出された固体撮像素子４からの出力信号は、欠陥画素検出部６へ出力される。この欠陥画素検出部６は、上記出力信号から欠陥画素を検出し、この検出結果を補正判定部８へ送出する。補正判定部８は、受け取った欠陥画素の検出結果から、欠陥画素の位置を検出し、検出した位置を走査駆動回路２へ送出する。走査駆動回路２は、上記欠陥画素の位置を受け取り、該当する欠陥画素の補正、すなわち、該当する欠陥画素が存在する行または列の読み出しを行わないように画素の読み出しを制御する。
【００２３】
なお、上記欠陥画素検出部６は、例えば均一露光と遮光撮像を行ったときの素子（画素）出力を欠陥画素検出部６内のメモリに取り込み、このときの出力レベルが異常出力レベルである場合、すなわち、画面全体の平均出力レベルから適度に設定した範囲内に収まらない場合にこれを欠陥画素と見なす。さらに、後述するように補正判定部８は、欠陥画素の補正を実行するか否か、すなわち、欠陥画素が存在する行または列の読み飛ばしを行うか否かを判定し、この判定結果を走査駆動回路２へ送出する。
【００２４】
次に、図２に示すアルゴリズムを用いて、本固体撮像装置の動作について説明する。
上記補正判定部８は、走査駆動回路２の発する画素を読み出すための読み出し制御パルスと、欠陥画素検出部６の出力のタイミングを監視することにより、欠陥画素が存在する固体撮像素子上の行及び列を認識する。また、補正判定部８は、固体撮像素子上の行及び列の独立読み出し機能を利用して、上記異常出力レベルがマスクされる行及び列を検索する。そして、求めた行及び列から欠陥画素の位置を特定する（ステップＳ１）。その後、走査駆動回路２により欠陥画素が存在する行または列の読み出しが行われるタイミングに、走査駆動回路２に対してこの読み出しをマスクするパルスを送出する（ステップＳ２）。
【００２５】
次に、走査駆動回路２による欠陥画素の読み飛ばし動作をＭＯＳ型固体撮像素子であるＣＭＤ（Ｃharge Ｍodulation Ｄevice ）を用いて行った場合を例にとって以降の説明を行う。
【００２６】
図３は、全画素をａ行×ｂ列の画素で構成するＭＯＳ型固体撮像素子の簡易構造を示す図である。この固体撮像素子は、行毎の読み出しを一括制御する垂直走査制御部１０と、列毎の読み出しを一括制御する水平走査制御部１２とを有し、これら垂直走査制御部１０及び水平走査制御部１２より各行、各列に駆動パルスを送信することにより、画素信号を出力する。
【００２７】
また、図４及び図５は横軸に時間を取ったときの画素信号を出力するために必要となる上記駆動パルスを示すタイミングチャートである。固体撮像素子上の画素の読み出しは以下の手順で制御される。
【００２８】
垂直走査制御部１０においては、まず読み出しを開始するためにφSTV が与えられる。これにより第１行目の読み出しが開始されると同時に、各行に対する読み出し制御電位パルスφGn（n ＝１，２，…）が一斉に印可される。読み出し制御電位パルスφGnの電位は大きく４種類あり、Ｖ1 ［Ｖ］の期間では電荷を蓄積し、Ｖ2 ［Ｖ］で読み出し状態となり、この読み出し完了後にＶ3 ［Ｖ］で全蓄積電荷を放出する。Ｖ4 ［Ｖ］は余剰電荷を放出するための電位であり、再度読み出し電位Ｖ2 ［Ｖ］が来るまで、Ｖ1 ［Ｖ］による電荷蓄積とＶ4 ［Ｖ］による余剰電荷の放出とを繰り返す。
【００２９】
一方、水平走査制御部１２においても、同様にφSTV に同期する読み出し開始パルスφSTH が与えられ、第１列目の読み出しが開始される。φSTH は読み出し列を第１列目に戻すように、水平読み出し周期毎にパルスを発生する動作を繰り返す。第ｎ列の出力は、各列のスイッチを順次φPm（m ＝１，２，…）で制御することで読み出し、電荷を出力アンプに送り出して図４（ｇ），図５（ｆ）に示す信号出力Ｓig.outを得る。
【００３０】
以下に、図３に示すｎ行ｍ列目（ｎ，ｍは正の整数）にある欠陥画素Ａを実際に読み飛ばすための走査について説明する。
まず、行読み飛ばしにより補正するときの走査パルスについて述べる。ｎ行目の読み出しを制御するφGnにおいて、ｎ行目を読み出そうとした場合、このタイミングの１水平期間（１Ｈ）には、本来ならば図４（ｄ）に点線で示すような読み出し電位Ｖ2 ［Ｖ］と全蓄積電荷放出電位Ｖ3 ［Ｖ］が与えられる。
【００３１】
しかし、ｎ行目の読み出しを飛ばすために、図４（ｄ）に点線で示すような電位を与えず、図４（ｄ）に実線で示すような余剰電荷放出電位Ｖ4 ［Ｖ］と電荷蓄積電位Ｖ1 ［Ｖ］のみを繰り返し与え続けるようにする。これにより、固体撮像素子上のｎ行目の画素の読み出しを飛ばし、ｎ行目の画素をマスクすることができる。
【００３２】
そして、本来第ｎ行が読み出されるタイミングでは第（ｎ＋１）行の信号出力を読み出すために、図４（ｅ）に示すようなφGn+1の読み出し電位を１水平走査期間だけ早く与える。同様に、第（ｎ＋１）行目以降の行の読み出しタイミングは、順次１水平走査期間早めにシフトさせる。以上の走査を毎フレームもしくは毎フィールド繰り返して、常に第ｎ行を読み飛ばす。
【００３３】
次に、列読み飛ばしにより補正しようとしたときの走査パルスについて、図５を用いて説明する。
ｍ列目の読み出しを制御するφPmにおいて、ｍ列目を読み出そうとした場合、このタイミングの１画素走査期間（１Ｐ）には、本来ならば図５（ｄ）に点線で示すような読み出し制御パルスが与えられる。そこで、図５（ｄ）に点線で示すような電位を与えないことにより、ｍ列目の読み出しを飛ばし、ｍ列目の画素をマスクする。
【００３４】
そして、本来第ｍ列が読み出されるタイミングにおいて、第（ｍ＋１）列の信号出力を読み出すために、図５（ｅ）に示すようなφPm+1の読み出し電位を１画素走査期間早く与える。同様に、第（ｍ＋１）列以降の列の読み出しタイミングを順次１画素走査期間早めにシフトさせる。以上の走査を毎水平走査期間繰り返して、常に第ｍ列を読み飛ばす。
【００３５】
以上説明したように本第１の実施の形態によれば、固体撮像素子上の独立した任意の行または列の読み出しが可能であることにより、欠陥画素が連続して存在する行または列を読み飛ばすことで連続する欠陥画素を置換することによって発生する局所的な解像度悪化を防止することができる。また、固体撮像素子上の連続する画素欠陥を容認できるようにすることで、多画素固体撮像素子の製造歩留まりを向上させて、固体撮像装置の低価格化が可能となる。
【００３６】
次に、第２の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
この第２の実施の形態は、上記固体撮像素子４に予備受光画素を設けたものであり、その他の構成については、図１に示した上記第１の実施の形態と同様であるため、ここに編入するものとしその説明は省略する。
【００３７】
図６は、予備受光画素を設けた固体撮像素子の画素配列形態の簡易図である。この固体撮像素子４は（ａ行×ｂ列）個（ａ，ｂは正の整数）の有効受光画素に加え、垂直，水平方向にそれぞれｃ行，ｄ列（ｃ，ｄは正の整数）の予備受光可能画素を有し、任意の行及び列の画素を独立して読み出すことが可能である。さらに、上記固体撮像素子４は、予備受光画素行に対して各水平行毎にオプティカルブラック（以下ＯＢと記す）部を備えている。ただし、ＯＢ部は特に水平方向に各行用意されている必要はなく、ＯＢ部を用いた処理が予備受光画素に対しても通常の有効受光画素と同様に行える配置であれば良い。
【００３８】
この固体撮像装置では、上記第１の実施の形態おいて、読み飛ばしが行われた行または列の本数分だけ、予備受光画素として用意している行または列を有効受光画素として取り扱うようにする。
【００３９】
例えば、垂直，水平方向にｘ行，ｙ列（ｘ，ｙは正の整数）の読み飛ばしを行った場合、予備受光画素行または列の有効受光画素に隣接する側から、ｘ本（行），ｙ本（列）を有効受光画素行または列として取り扱うように読み出しを変更する。以下、上記第１の実施の形態と全く同様の動作により、読み飛ばしを実行する。
【００４０】
上記第１の実施の形態において、欠陥画素の発生状況に応じて読み飛ばす行または列が多くなると、読み飛ばした行または列の分だけ読み出し周期が短縮され、タイミングジェネレータに対する負担が大きくなるとともに、映像欠落に伴う解像本数の低下を引き起こす。そこで、あらかじめ持っている予備受光画素列もしくは行のうち、読み飛ばした分だけ有効受光画素とすることにより、読み飛ばしにより生じるタイミングジェネレータの負担を軽減し、映像欠落に伴う解像本数の低下も防ぐことができる。
【００４１】
次に、第３の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
この第３の実施の形態は、上記第１の実施の形態の図２に示したアルゴリズムに対し、補正、すなわち、画素の読み飛ばしを実行するか否かの判定フローを付加するものである。その他の構成については、図１に示した上記第１の実施の形態と同様であるため、ここに編入するものとしその説明は省略する。
【００４２】
有効受光画素をａ行×ｂ列（ａ，ｂは正の整数）で構成する固体撮像素子において、ｎ行ｍ列目にある画素が欠陥と判定された場合について説明する。この欠陥画素が図７に示す領域β内に存在するとき、すなわち、画面端部からｅ行，ｆ列の範囲内に収まるときには、補正判定部８はこれを画面表示上の見た目に影響を与えない欠陥画素であると判断し、読み飛ばしによる補正を指示しない、つまり、欠陥画素が存在する行または列の読み出しを中止するためのマスクパルスを発生しない。ここで、ｅ行，ｆ列は画面表示上の見た目に影響を与えない周辺部を網羅できる値であるとする。
【００４３】
また、欠陥画素が図７に示す領域α内の画面中央部にあるときには、補正判定部８はこれを画面表示上の見た目に影響を与える欠陥画素であると判断し、この欠陥画素が存在する行または列の読み出しを中止するためのマスクパルスを発生して、これを走査駆動回路２に送る。以降、読み飛ばし処理までの流れは上記第１の実施の形態と同様である。
【００４４】
なお、ここでは画面端部の欠陥画素を補正しない例を説明したが、注目する領域の外にある欠陥画素は補正しないというような仕様にも、同様に応用できる。以上説明したように本第３の実施の形態によれば、固体撮像素子の画面略中央部付近の欠陥画素のみを補正することとし、画面端部に発生する欠陥画素は目障りになりにくいためこれを補正しないこととすることにより、装置の規模もしくは補正の動作時間を短縮することができる。
【００４５】
次に、第４の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
この第４の実施の形態は、上記第１の実施の形態の図２に示したアルゴリズムに対し、補正、すなわち、画素の読み飛ばしを実行するか否かの判定フローを付加するものである。その他の構成については、図１に示した上記第１の実施の形態と同様であるため、ここに編入するものとしその説明は省略する。
【００４６】
図８は、第４の実施の形態の固体撮像装置におけるアルゴリズムを説明するための図である。この図８を用いて、本固体撮像装置の動作について説明する。
この固体撮像装置では、固体撮像素子４上において、欠陥画素検出部６により欠陥として検出された画素の位置を、例えば不図示のＣＰＵのアドレスマップに対応させて記憶しておく。そして、欠陥画素が検出される度に（ステップＳ１０）、補正判定部８は補正を実行するか否か、すなわち、この欠陥画素の周囲ｚ行×ｗ列内に存在する画素が欠陥画素であるか否かを判定する（ステップＳ１１，Ｓ１３）。つまり、欠陥画素に隣接する画素が欠陥であるか否かを１画素づつ確認し、これを行方向にｚ回、列方向にはｗ回繰り返して、周囲ｚ行×ｗ列の画素欠陥状況を確認する（ステップＳ１１，Ｓ１３）。
【００４７】
この過程で欠陥画素が確認された場合は、補正判定部８は該当画素が存在する行または列を読み飛ばすのためのマスクパルスを発生し（ステップＳ１２，Ｓ１４）、これを走査駆動回路２に送る。以降、読み飛ばし処理までの流れは上記第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
以上説明したように本第４の実施の形態によれば、欠陥と判定された画素の周囲ｚ行×ｗ列（ｚ，ｗは正の整数）の所定範囲に他の欠陥画素が存在するか否かを判定し、欠陥画素が存在しない場合は読み飛ばしによる補正を実施しないことにより、すなわち、離散的に１画素単位で発生した欠陥画素に対しては、その欠陥画素の存在する行または列の読み飛ばしによる補正を行わないことにより、読み飛ばし過多に伴う映像の抜けに起因する局所的な異常映像の発生を抑止できる。
【００４９】
次に、第５の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
この第５の実施の形態は、上記第１の実施の形態の図２に示したアルゴリズムに対し、補正、すなわち、画素の読み飛ばしを実行するか否かの判定フローを付加するものである。上記判定フローでは、読み飛ばしによる補正が垂直（行）または水平（列）方向で連続しているか、もしくは極めて接近しているかどうかを確認し、これにより読み飛ばしを行うか否かを決定する。その他の構成については、図１に示した上記第１の実施の形態と同様であるため、ここに編入するものとしその説明は省略する。
【００５０】
図９は、第５の実施の形態の固体撮像装置におけるアルゴリズムを説明するための図である。この図９用いて、本固体撮像装置の動作について説明する。
この固体撮像装置では、固体撮像素子４上において、欠陥画素検出部６により欠陥として検出された画素の存在する行または列は読み飛ばされるものとして（読み飛ばし行または列）これらの位置を、例えば不図示のＣＰＵのアドレスマップに対応させて記憶しておく（ステップＳ２０）。補正判定部８は、読み飛ばし行または列の位置を記憶したアドレスマップにおいて、欠陥画素の存在する行または列毎に、該欠陥画素が存在する行または列の前後の行または列が読み飛ばし判定されているか否かを確認する（ステップＳ２１，Ｓ２３）。ここで、読み飛ばされていないことを認識した場合は、上記欠陥画素が存在する行または列を読み飛ばすためのマスクパルスを発生する（ステップＳ２２，Ｓ２４）。
【００５１】
また、上記ステップＳ２１，Ｓ２３にて欠陥画素が存在する行または列の前後の行または列が読み飛ばし判定されている場合は、上記欠陥画素が存在する行または列の読み飛ばしを中止する（ステップＳ２５）。さらに、上記欠陥画素が存在する行または列の読み飛ばしを中止した場合は、この結果を上記読み飛ばし行または列の位置を記憶したアドレスマップにフィードバックし、データを更新する。以降、読み飛ばし処理までの流れは上記第１の実施の形態と同様である。
【００５２】
以上説明したように本第５の実施の形態によれば、欠陥画素が存在する行または列の近傍の行または列の画像信号に対して、すでに読み飛ばしが行われているときは、読み飛ばしによる補正を行わないことにより、集中する読み飛ばしに伴う映像の抜けに起因した局所的な異常映像の発生を抑止できる。
【００５３】
次に、６の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
この第６の実施の形態は、上記第１の実施の形態の図２に示したアルゴリズムに対し、欠陥画素をこれを含んだ垂直（行）方向に読み飛ばすか、あるいは水平（列）方向に読み飛ばすかを判定するフローを付加するものである。すなわち、この実施の形態では、任意の欠陥画素に注目し、この欠陥画素と同一の行もしくは列に他の欠陥画素が存在した場合、他の欠陥画素がその欠陥画素を含む水平（行）方向に多いか、垂直（列）方向に多いかを判定し、多い方向の行または列を読み飛ばす。
【００５４】
図１０は、第６の実施の形態の固体撮像装置におけるアルゴリズムを説明するための図である。この図１０を用いて、本固体撮像装置の動作について説明する。
【００５５】
上記第４の実施の形態のように欠陥画素の位置をアドレスマップ化し（ステップＳ３０）、このデータをもとに行毎，列毎に欠陥画素の数をカウントして、欠陥画素が存在する行または列に関し行毎，列毎の欠陥画素数を格納するＬ．Ｕ．Ｔ．（Ｌook Ｕp Ｔable）を作成する（ステップＳ３１）。
【００５６】
ここで本固体撮像装置では、検出した任意の欠陥画素が存在する行または列、それぞれに存在する欠陥画素数を上記欠陥画素数Ｌ．Ｕ．Ｔ．により確認し、行方向にｕ個の欠陥画素、列方向にｖ個の欠陥画素が確認できたとする。
【００５７】
続いて、補正判定部８はｕ＜ｖが成り立つか否かを判定する（ステップＳ３２）。ここで、ｕ＜ｖであれば、行方向よりも列方向に欠陥画素が多いと見なして列方向を読み飛ばすためのマスクパルスを発生する（ステップＳ３４）。一方、ｕ＜ｖでないときは、列方向よりも行方向に欠陥画素が多いと見なして行方向を読み飛ばすためのマスクパルスを発生する（ステップＳ３３）。
【００５８】
本第６の実施の形態においては、上記Ｌ．Ｕ．Ｔ．からの情報に基づき、欠陥画素が最も多く存在する行または列から優先的に読み飛ばし、これにより補正された行または列上の欠陥画素を欠陥とは見なさずに、残った欠陥画素に対してのみ上記判定フローを繰り返す。これにより、順次欠陥画素を減らしてゆけば、より効率的な補正を行える。なお、以降の読み飛ばし処理までの流れは上記第１の実施の形態と同様である。
【００５９】
以上説明したように本第６の実施の形態よれば、任意の欠陥画素に注目して、他の欠陥画素がその欠陥画素を含む水平（行）方向に多いか、垂直（列）方向に多いかを判定し、多い方向の行または列を読み飛ばすことにより、読み飛ばしを実行する行または列の本数を削減する。これにより、読み飛ばしによる映像の抜けを抑止して、より効率的な欠陥補正を行うことができる。
【００６０】
なお、上記第３〜６の実施の形態は、それぞれを任意に合成して同時に各効果を得ることが可能である。
なお、本発明の上記実施形態によれば、以下のごとき構成が得られる。
（１）  マトリクス状に配置した複数の画素を有する撮像素子と、
上記撮像素子上の行または列を独立して読み出す読出手段と、
欠陥画素の位置を検出もしくは格納する欠陥画素位置導出手段と、
この欠陥画素位置導出手段により導出した上記欠陥画素を含む行または列からの画素信号の読み出しを行わないように制御する読み出し制御手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。
（２）  上記撮像素子は、映像を表示するために必要な数の受光領域が行方向にａ画素、列方向にｂ画素（ａ，ｂは正の整数）から成っており、これに加えて行，列方向にそれぞれｃ行，ｄ列（ｃ，ｄは正の整数）の予備の受光可能画素を備えたことを特徴とする（１）に記載の固体撮像装置。
（３）  上記読み出し制御手段は、上記欠陥画素位置導出手段で導出された欠陥画素の位置が上記撮像素子の略中央部にあるとき、上記撮像素子が撮像する映像が見た目に影響するものとして、上記欠陥画素が存在する行または列に対して読み出しを行わないことを特徴とする（１）に記載の固体撮像装置。
（４）  上記読み出し制御手段は、検出された欠陥画素に連続して又は上記欠陥画素から予め決められた近傍の位置にさらに欠陥画素が存在する場合、上記検出された欠陥画素が存在する行または列の画素信号を読み飛ばすことを特徴とする（１）に記載の固体撮像装置。
（５）  上記読み出し制御手段は、欠陥画素が存在する行または列に関して連続して又は上記欠陥画素から予め決められた近傍の位置にある行または列に対し、読み飛ばしが既に実施されている場合、上記欠陥画素が存在する行または列に対して読み飛ばしを行わないことを特徴とする（１）に記載の固体撮像装置。
（６）  上記読み出し制御手段は、注目する欠陥画素と同一の行または列に存在する欠陥画素の数を認識し、この認識した欠陥画素の数が行方向に多い場合は行方向に、また列方向に多い場合は列方向に対して画素信号の読み出しを行わないことを特徴とする（１）に記載の固体撮像装置。
【００６１】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、固体撮像素子上の正常な機能を持たない欠陥画素を検出してこの欠陥画素を含む行または列を読み飛ばすことにより、高品質の画像が得られるようにするとともに、固体撮像素子における欠陥画素の容認数を増すことでその製造歩留まりを向上させ、低価格化を図ることが可能な固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態の固体撮像装置の動作を説明するための図である。
【図３】全画素をａ行×ｂ列の画素で構成するＭＯＳ型固体撮像素子の簡易構造を示す図である。
【図４】画素信号を出力するための駆動パルスを示すタイミングチャートである。
【図５】画素信号を出力するための駆動パルスを示すタイミングチャートである。
【図６】予備受光画素を設けた固体撮像素子の画素配列形態の簡易図である。
【図７】第３の実施の形態の固体撮像装置の動作を説明するための画素配列形態の簡易図である。
【図８】第４の実施の形態の固体撮像装置の動作を説明するための図である。
【図９】第５の実施の形態の固体撮像装置の動作を説明するための図である。
【図１０】第６の実施の形態の固体撮像装置の動作を説明するための図である。
【図１１】従来例の装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】図１１に示す装置における画素の出力波形図である。
【図１３】欠陥画素と画面表示状態を示す図である。
【図１４】従来例の装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
２  走査駆動回路
４  固体撮像素子
６  欠陥画素検出部
８  補正判定部
１０  垂直走査制御部
１２  水平走査制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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