(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の仮基板上にメッキ層を形成し、配線導体パターンを形成する工程、接着剤付きポリイミドフィルムを積層し、配線導体パターンを接着剤付きポリイミドフィルムの接着剤に埋め込む工程、仮基板と仮基板上のメッキ層を除去する工程、ポリイミドフィルムの所定の一部分を、ポリイミドフィルムから配線導体頭部が露出し同時に配線導体側部に接着剤が残るように選択的に除去する工程を含む配線板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は配線板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子装置の組立てにおいて、配線基板の所望箇所に部品との接続用端子を設けることが必要である。配線基板の所望箇所には２次元的に指定される他、３次元的に指定される場合とがある。
３次元的に指定される場合は、配線基板の両面から接続が可能となるようにしておかねばならない。このような方法はフレキシブル配線基板の製造法において、一般的に実施可能である。また。ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板においても広く採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線導体パターンが微細化に十分対応し切れていない。
本発明は、両面アクセス構造をもち、微細パターン配線導体の形成が可能な配線板の製造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、他の電子部品等の接続が３次元的に指定される場合に必要な技術に関し、１層配線導体において両面から電極に接続できる構造としたものである。
【０００５】
本発明は、仮基板上に配線導体パターンを形成し、絶縁材を積層し、絶縁材中に配線導体を埋め込み、仮基板を除去すると共に、所定の配線導体パターン部分の絶縁材を除去し、所定の配線導体パターンが、側部において絶縁材と接着、保持されるようにするものである。
仮基板は導電性のもの、例えば、電解銅箔、圧延銅箔、又は、プラスチックフィルム等も使用できる。
【０００６】
【実施例】
図１は本発明の一実施例を説明するものである。
電解銅箔１（厚さ０．０３５ｍｍ）に厚さ０．００１ｍｍのニッケル２をめっきした後（図１−ａ）、ドライフィルムレジストをラミネートした。続いて、配線パターンを露光現像し、レジスト３を形成した（図１−ｂ）。次に、銅を約０．０２０ｍｍの厚さにめっきし導体４を形成した（図１−ｃ）。レジストを剥離後（図１−ｄ）、厚さ０．０３ｍｍの接着剤層５を塗布した厚さ０．０２ｍｍのポリイミドフィルム６を積層した（図１−ｅ）。積層条件は、１７０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 、３０分の加熱加圧である。次に、電解銅箔１をアルカリエッチャントでエッチングした。アルカリエッチャントは、ニッケルをエッチングせず、銅のみをエッチングする。次いで、ニッケル層２をニッケルエッチャントを用いてエッチング除去した（図１−ｆ）。次に、所望場所に波長２４８ｎｍの、エキシマレーザを照射し、ポリイミド及び接着剤を必要な深さにエッチング除去した。用いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約１５０パルスで配線の露出が可能であった。また、配線側部には接着剤層が残存し、配線を保持していた（図１−ｇ）。
【０００７】
図２は、本発明の配線板の断面図を示すもので１はポリイミドフィルム、２は接着剤、３は配線導体である。本発明の配線板は、配線導体の側部において、絶縁材と接着することにより保持されている配線構造を含むものである。
絶縁材は、導体頭部が露出し、側部に残るよう除去されるよう選択的に除去される。
【０００８】
図３は、本発明の他の実施例を説明するものである。
片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅張りポリイミドフィルム８（図３−ａ）（日立化成工業株式会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚さ２５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５−ＥＤ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３０ｐｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．８ｍ／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望する領域を露光し、現像により所定のレジストパターン９を得た（図３−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で行い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄溶液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。レジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム水溶液で剥離した後（図３−ｃ）、予め所望する部分１１を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３５）を配線面に積層した（図３−ｄ）。積層条件は、１７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧である。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレーザを照射し、ポリイミドを必要な深さにエッチング除去した。用いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはニパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約１３０パルスで所定の部分１３の配線を露光させることが可能であった。また、配線側部にはポリイミドが残存し、配線を保持していた（図３−ｅ）。
【０００９】
図４は、本発明の更に他の実施例を説明するものである。
片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅張りポリイミドフィルム８（図４−ａ）（日立化成工業株式会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚さ２５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５−ＥＤ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３０ｐｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．８ｍ／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望する領域を露光し、現像により所定のレジストパターン９を得た（図４−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で行い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄溶液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。レジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム水溶液で剥離した後（図４−ｃ）、予め所望する部分１１を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３５）を配線面に積層した（図４−ｄ）。積層条件は、１７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧である。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレーザを照射し、ポリイミド及び接着剤層を必要な深さにエッチング除去した。用いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはニパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約１８０パルスで所定の部分１３の配線を露光させることが可能であった。また、配線側部にはポリイミドが残存し、配線を保持していた（図４−ｅ）。
【００１０】
【発明の効果】
本発明により、両面アクセス構造を有する配線基板を安定的に供給可能になった。また、配線側部を絶縁樹脂で支える構造であるため、配線の微細化に有利になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明する断面図である。
【図２】本発明の配線板の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する断面図である。
【図４】本発明の更に他の実施例を説明する断面図である。
【符号の説明】
１  電解銅箔
２  ニッケル層
３  レジスト
４  配線導体
５  接着剤
６  ポリイミドフィルム
７  銅箔
８  ポリイミドフィルム
９  レジストパターン
１０  配線導体
１１  第１の接続孔
１２  接着剤付きポリイミドシート
１３  第２の接続孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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