(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を搭載したステージを設置する試料室と、
荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側から照射し、試料に対して加工、成膜又は観察の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理手段と、
レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側から照射し、前記荷電ビーム処理を検出する検出手段とを備えることを特徴とする荷電ビーム処理装置。
【請求項２】
前記検出手段には、前記レーザビームの照射に基づく前記試料の他方の面側からの反射光あるいは散乱光からなる光学像を検出する撮像手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム処理装置。
【請求項３】
前記検出手段には、前記レーザビームの照射に基づく電気信号を検出する機械式プロービング手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム処理装置。
【請求項４】
前記機械式プロービング手段は、３次元駆動機構を有し、前記ステージに搭載して構成することを特徴とする請求項３に記載の荷電ビーム処理装置。
【請求項５】
前記機械式プロービング手段は、複数のプローブ針を任意に抽出し交換できる接触型探針を備えて構成することを特徴とする請求項３に記載の荷電ビーム処理装置。
【請求項６】
試料を搭載したステージを設置する試料室と、
第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側から照射し、試料に対して加工、成膜又は観察の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理手段と、
第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側から照射し、前記荷電ビーム処理を検出する検出手段とを備えることを特徴とする荷電ビーム処理装置。
【請求項７】
前記検出手段には、第２の荷電ビームの照射に基づく前記試料の電位分布を検出する電位分布検出手段を備えることを特徴とする請求項６に記載の荷電ビーム処理装置。
【請求項８】
荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料室内に設置された試料の一方の面側から照射し、試料に対して加工、成膜又は観察の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、
レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側から照射し、このレーザビームの照射に基づく前記試料の他方の面側からの反射光あるいは散乱光からなる光学像を撮像手段で撮像して前記荷電ビーム処理を検出する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法。
【請求項９】
荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料室内に設置された試料の一方の面側から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、
レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側から照射し、このレーザビームの照射に基づく前記試料から得られるレーザ誘起電気信号の変化または電流もしくは電圧変化を機械式探針により検出して前記荷電ビーム処理を検出する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法。
【請求項１０】
第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、
第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側から照射し、前記試料からの２次荷電粒子信号を検出して荷電ビーム処理を検出する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法。
【請求項１１】
第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、
機械式探針により前記試料への電圧印加を行い、第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側から照射し、前記試料からの２次荷電粒子信号を検出して荷電ビーム処理を検出する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法。
【請求項１２】
試料室内に設置された半導体デバイスの上面側から修正すべき領域、もしくは不良原因を特定するために局所処理を必要とする領域に、集束した荷電ビームを照射して処理を行う荷電ビーム処理工程と、
エネルギビームを前記試料の下面側から照射して、前記半導体デバイスからの物理信号を検出することにより前記荷電ビーム処理の状態を検出し、この検出される荷電ビーム処理の状態を基に荷電ビーム処理の条件補正、または半導体デバイスの良否を判定する解析工程とを有することを特徴とする半導体の不良解析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス等の試料における設計不良やプロセス不良等について解析する不良解析、プロセス欠陥等の欠陥修正を行うための荷電ビーム処理装置及びその方法、半導体の不良解析方法並びに試料の真空内評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスは、微細化、多層化が進み、論理も煩雑化しているため、その製造が極めて困難な状況となっている。その結果として、製造プロセス起因の不良や設計不良等の製品不良が多発するため、その不良原因を解析することが重要となってきている。
このように幾つかある不良のうち、例えば配線系不良（ショート、オープン）の解析手法としては、ＥＢテスタ、エミッション顕微鏡、ＯＢＩＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅａｍ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）やＯＢＩＲＣＨ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅａｍ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ＣＨａｎｇｅ）解析、メカニカルプローバなどが用いられ、論理デバッグの手法としては、荷電ビームによる配線修正が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
集束イオンビームや電子ビームなどの荷電ビームによる配線修正では、不良デバイスの不良個所を直接修正する、すなわち配線の切断や接続を行った後、動作確認することで、デバッグが可能となる。しかしながら、微細化が進んだデバイスでは、集束イオンビームの加工位置精度、加工深さ制御の点で、配線修正が極めて困難であり、修正可能な条件（加工場所はパターンが疎の領域、配線層は比較的表面に近い浅い層）が限られるといった課題があった。
また、加工難度の高い荷電ビーム論理デバッグにおいては、荷電ビーム処理の不良が発生する可能性も高く、修正歩留りが低下するという課題があった。
さらに、論理デバッグでは、不良個所を限定しきれないケースもあり、設計者の経験と勘により試行錯誤しながら配線修正を実際に行い、検証することもある。デバッグの結果、やはり不良という結果となった場合、修正プロセスが不良なのか、修正個所が見当違いであったのかの区別が付かず、解析が長期化するという課題があった。
【０００４】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、多層化され、しかも狭ピッチ化された配線からなる配線層を有する半導体デバイス等の試料に対して特に下層の配線について不良解析や欠陥修正を可能にした荷電ビーム処理装置およびその方法、半導体の不良解析方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、多層化され、しかも狭ピッチ化された配線からなる配線層を有する半導体デバイス等の試料に対して真空内評価を可能にした試料の真空内評価装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体デバイス等の試料の片面から荷電ビームプロセスを行う際に、もう一方の面からエネルギビーム、もしくはプロービングすることによって、前記荷電ビームによる局所プロセスの処理位置や処理深さを検出（例えばモニタ）することにより、信頼性の高い不良解析を実現することができるようにしたことを特徴とする。
また、本発明は、半導体デバイス等の試料を搭載したステージを設置する試料室と、荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側（例えば配線層側）から照射し、試料に対して加工あるいは成膜等の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理手段と、レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側（例えば基板側）から照射し、前記荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出手段とを備えることを特徴とする荷電ビーム処理装置である。
【０００６】
また、本発明は、前記荷電ビーム処理装置の検出手段には、レーザビームの照射に基づく前記試料の他方の面側からの反射光あるいは散乱光からなる光学像を検出する撮像手段を備えることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電ビーム処理装置の検出手段には、レーザビームの照射に基づく機械式探針により電気信号を検出するプロービング手段を備えることを特徴とする。
また、本発明は、半導体デバイス等の試料を搭載したステージを設置する試料室と、第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して試料の一方の面側（例えば基板側）から照射し、試料に対して加工あるいは成膜等の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理手段と、第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側（例えば配線層）から照射し、前記荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出手段とを備えることを特徴とする荷電ビーム処理装置である。
【０００７】
また、本発明は、前記荷電ビーム処理装置の検出手段には、第２の荷電ビームの照射に基づく前記試料内の配線の電位分布を例えば２次電子放出率などで検出する電位分布検出手段（荷電粒子検出器等）を備えることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電ビーム処理装置の検出手段には、第２の荷電ビームの照射に基づく機械式探針により電気信号を検出するプロービング手段（電気信号を印加する場合も含む）を備えることを特徴とする。
また、本発明は、半導体デバイス等の試料を搭載したステージを設置する試料室と、荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを試料の一方の面側（例えば配線層側）から照射し、試料に対して加工あるいは成膜等の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理手段と、前記試料から前記荷電ビーム処理を機械式探針により励起される電流や抵抗の変化として現われる電流または電圧変化等を検出するプロービング検出手段とを備えることを特徴とする荷電ビーム処理装置である。
【０００８】
また、本発明は、荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料室内に設置された半導体デバイス等の試料の一方の面側（例えば配線層側）から照射し、試料に対して加工あるいは成膜等の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側（例えば基板側）から照射し、このレーザビームの照射に基づく前記試料の他方の面側からの反射光あるいは散乱光からなる光学像を撮像手段で撮像して前記荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法である。
また、本発明は、荷電ビーム源にて発生した荷電ビームを荷電ビーム光学系により集束して試料室内に設置された半導体デバイス等の試料の一方の面側（例えば配線層側）から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、レーザ発振源から発生させたレーザビームをレーザ光学系を介して前記試料の他方の面側（例えば基板側）から照射し、このレーザビームの照射に基づく前記試料から得られるレーザ誘起電気信号の変化または電流もしくは電圧の変化を機械式探針により検出して前記荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法である。
【０００９】
また、本発明は、第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して半導体デバイス等の試料の一方の面側（例えば基板側）から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側（例えば配線層側）から照射し、前記試料からの２次荷電粒子信号を検出して荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法である。
また、本発明は、第１の荷電ビーム源にて発生した第１の荷電ビームを第１の荷電ビーム光学系により集束して半導体デバイス等の試料の一方の面側（例えば基板側）から局所領域に照射し、試料に対して所望の荷電ビーム処理を行う荷電ビーム処理工程と、機械式探針により前記試料への電圧印加を行い、第２の荷電ビーム源にて発生した前記第１の荷電ビームとは異なる第２の荷電ビームを試料の他方の面側（例えば配線層側）から照射し、前記試料からの２次荷電粒子信号を検出して荷電ビーム処理を検出（観察も含む）する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法である。
【００１０】
また、本発明は、荷電ビーム源から発生させた荷電ビームを荷電ビーム光学系で集束し、試料室内に搭載した半導体デバイス等の試料の一方の面側（例えば配線層側）から所望の領域に照射して所望の処理を行う荷電ビーム処理工程と、前記試料から機械式探針により電気信号変化を検出することで、荷電ビーム処理を検出する検出工程とを有することを特徴とする荷電ビーム処理方法である。
また、本発明は、試料室内に設置された半導体デバイスの上面（例えば配線層側）から修正すべき領域、もしくは不良原因を特定するために局所処理を必要とする領域に、集束した荷電ビームを照射して処理を行う荷電ビーム処理工程と、エネルギビームを前記試料の下面側（例えば基板側）から照射して、前記半導体デバイスからの物理信号を検出することにより前記荷電ビーム処理の状態を検出（観察も含む）し、この検出される荷電ビーム処理の状態を基に荷電ビーム処理の条件補正、または半導体デバイスの良否を判定する解析工程とを有することを特徴とする半導体の不良解析方法である。
【００１１】
また、本発明は、真空に保持された試料室と、前記試料室に設置しステージと、前記ステージに試料を搭載するための試料ホルダと、前記試料ホルダに搭載された３次元位置決めが可能なマニピュレータとを備えることを特徴とする試料の真空内評価装置である。
また、本発明は、真空に保持された試料室と、前記試料室に設置された、試料を搭載するステージと、前記試料を評価するための３次元位置決めが可能で、かつ、複数のプローブ針を任意に抽出し交換できる接触型探針とを備えることを特徴とする試料の真空内評価装置である。
以上説明したように、前記構成によれば、集束イオンビームや電子ビームなどの荷電ビームによる配線修正や不良解析において、修正プロセスをモニタする手段を搭載することによって、従来困難であった狭ピッチ、深層配線の修正を可能にし、荷電ビーム処理の歩留りを向上できる。
また、前記構成によれば、修正プロセスをモニタすることにより、不良解析の信頼性向上を実現し、手戻りをなくすことで、不良解析のＴＡＴ（タクトタイム）を短縮し、半導体の開発及び製造期間の短縮と低コスト化を実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体デバイス等の不良解析、欠陥修正等を行うための荷電ビーム処理装置およびその方法、および試料の真空内評価装置の実施の形態について図面を用いて説明する。
近年、半導体デバイスは、微細化、多層化が進み、論理も煩雑化しているため、その製造が極めて困難な状況になっている。その結果として、製造プロセス起因の不良や設計不良等の製品不良が多発するため、その不良原因を解析したり、欠陥を修正したりすることが重要になってきている。即ち、本発明に係る半導体デバイスとしては、製造プロセス起因の不良や設計不良等の製品不良をテスタによる動作試験によって調べることができるようにほぼ製品として完成されたものである。当然、不良箇所がある程度特定可能な半完成品でも適用することは可能である。また、半導体デバイスは、半導体チップの状態でも、半導体ウエハ等の基板の状態でもよい。
【００１３】
（実施の形態１）
まず、本発明に係る半導体デバイス等の不良解析、欠陥修正等を行うための荷電ビーム処理装置およびその方法の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明に係る不良解析装置の第１の実施の形態を示す図である。本発明に係る不良解析装置は、液体金属であるＧａイオン源や、デュオプラズマイオン源、ガスプラズマイオン源などで構成されたイオン源２およびイオン源２から出射されたイオンビームの電流を制御する電流制御系やイオンビームを集束する光学系やブランキングさせる光学系や偏向させる偏向電極等を含むイオン光学系４を設置し、真空排気装置（図示せず）により真空に保たれたイオンビーム鏡筒１と、試料７から発生する２次電子や２次イオン等の荷電粒子を検出する荷電粒子検出器８、試料７の表面に帯電した電荷を中和もしくは放出させるために電子やイオンといった荷電ビームもしくは表面を励起して導通化させる波長の光を照射する手段で構成された帯電防止手段９、半導体デバイス等の試料７を載置し、ＸＹステージ、ＸＹＺステージ等から構成されたステージ６および試料７内の配線に流れる電流等をプロービングして検出ためのメカニカルプローバ２０を設置して真空排気される試料室５と、試料７の裏面からレーザ光を照射し、試料の裏面から得られるレーザ顕微鏡像を検出してモニタするためのレーザ発振源１１、対物レンズ等から構成された光学系１４およびカメラ等の撮像手段１３等から構成されるレーザ顕微鏡１０と、荷電粒子検出器８で検出される荷電粒子像、メカニカルプローバ２０で検出される試料７内の配線に流れる電流等の特性、および撮像手段１３で撮像されるレーザ顕微鏡像等を入力してモニタ１００上に出力したり、入力された画像や電流等の特性に基いてイオン光学系４やイオン源２を制御する制御装置（制御電源も含む）１５およびステージ６を制御するコンピュータ２００とで構成される。イオン光学系４は、一例として、引き出し電極、加速電極、アライナ電極、ブランキング電極、スティグマ偏向電極、静電レンズ、制限アパーチャで構成され、制御装置１５からの制御に基いて集束と走査、非照射の制御が行われる。当然、制御装置（制御電源も含む）１５から得られるイオンビームの偏向量（走査量）や試料７に照射されるイオンビーム電流やイオンビームを整形するアパーチヤの径等のデータがコンピュータ２００に入力される。また、ステージ６が位置する座標データもステージ６で計測されてコンピュータ２００に入力される。
【００１４】
上記構成により、イオンビーム３は、イオンビーム鏡筒１に設けたイオン源２から引き出され、コンピュータ２００からの制御指令に基いて制御装置１５によって制御されるイオン光学系４により加速及び集束され、偏向制御や、ビームの照射及び非照射の制御（ブランキング）が行われる。イオンビーム３の加速は、通常２０ｋＶないし５０ｋＶ程度、イオンビーム３の電流は、数ｐＡないし数十ｎＡまで様々であるが、この限りではない。イオンビーム３のビーム径は、イオン光学系４により通常数ｎｍから１．０μｍ程度に集束されるが、用途に応じてビーム径をさらに細く集束しても良いし、拡げても良い。そして、テスタにより動作試験が可能なほぼ完成された半導体デバイス等から形成された試料７は、真空排気装置（図示せず）により真空に保たれた試料室５に設けたステージ６上に搭載される（必要に応じて、試料７は試料ホルダを介してステージ６に搭載しても良い。また、半導体ウエハカセットから自動でステージまで搭載するオートローダを介して導入しても良い。）。次に、イオン光学系４によりイオンビーム３をステージ６に搭載されて位置決めされた試料７に対して走査して、観察、加工、及びデポジションガスと共同して成膜等を行う。ステージ６は、ＸＹステージ、ＸＹＺステージ等が用いられる。イオンビーム３を試料７に照射した際、試料７からは２次荷電粒子（２次イオン及び２次電子）等が放出される。荷電粒子検出器８は、試料７から放出される２次荷電粒子を検出し、信号を増幅した後、コンピュータ２００に入力する。コンピュータ２００は、ステージ６から入力されるステージの座標系（位置座標）と制御装置１５から入力されるイオンビームの走査信号と荷電粒子検出器８から入力される２次荷電粒子信号とに基いてＳＩＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像１００ａを作成してモニタ１００上に出力することによって、観察や加工位置決めなどを行うことができる。加工の位置決めは、例えば、モニタ１００の画面上で加工位置を電子ラインや電子枠等で指定することによってコンピュータ２００は、それを検出してステージ６等を制御することによってイオンビームの光軸に試料上の加工位置を位置決めすることができる。なお、試料７から放出される２次荷電粒子（２次イオン及び２次電子）は、試料表面の凹凸状態を反映させたものである。
【００１５】
また、コンピュータ２００は、荷電粒子検出器８から入力される２次荷電粒子信号を元にその信号強度の時間変化をモニタ１００上に出力することによって、加工終点（通常加工の終点においては材質が変化することから２次荷電粒子信号においても強度の変化が生じる。）の判定を行うことができる。当然、コンピュータ２００において、荷電粒子検出器８から入力される２次荷電粒子信号を元にその信号強度の時間変化を検出することによって、自動的に加工の終点の判定を行うことができる。
試料７の表面（イオンビーム３が照射される面）が電気的に絶縁性である場合、イオンビーム３の照射により表面が帯電することで、イオンビーム３の軌道ずれや試料７の絶縁破壊が発生するため、所望の処理が不可能となる。そこで、電子やイオンといった荷電ビーム、もしくは絶縁物表面を励起して導電化させる波長を有する光（ＳｉＯ2の場合は紫外光など）を照射する手段で構成される帯電防止手段９を用いることによって、帯電を防止または逃がして絶縁膜上においても所望の処理を可能とする。
【００１６】
以上説明した集束イオンビーム装置では、加速したイオンによるスパッタ現象を利用して半導体デバイス（半導体素子）の断面を露出させる加工や、半導体デバイスの配線の欠陥修正や、試料表面の観察及び分析を行うことができる。半導体の断面を露出させる加工の場合、その後ＳＥＭ観察によって断面の観察及び分析をすることができる。また、イオンビーム加工によるフォトマスクの欠陥修正にも適用することができる。
しかしながら、試料７として半導体デバイスの場合、図２に示すように配線層７１が益々多層化され、しかも微細化がはかられることになる。更に、層間絶縁層の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって平坦化されるため、その下の配線層の位置情報が失われることになる。そのため、多層配線層７１における下層配線については半導体デバイスの表面には凹凸として現われず、２次荷電粒子（２次イオン及び２次電子）像として検出することは困難となり、下層配線層の観察もそれに対する加工位置決めも困難となる。なお、モニタ１００の画面上にモニタされた２次荷電粒子像１００ａにおける８０は、図２においてイオンビーム３を照射することによって例えば第２層目の配線を露出されるまで加工された穴を示す。
【００１７】
そこで、イオンビーム３によるプロセスをモニタするモニタ装置（レーザ顕微鏡等）が必要となる。
次に、このモニタ装置（レーザ顕微鏡等）の一実施例について説明する。まず、モニタ装置でモニタできるように、予め次に説明するように、試料７に対して処理を施しておくことが必要となる。即ち、図２に示すように、半導体デバイスである半導体ウエハあるいは半導体チップで構成された試料７を、配線層７１が形成されている面にイオンビーム３が照射できるようにステージ６上に搭載した場合、イオンビーム３の処理をレーザ光１２にてモニタするには、予め、レーザ光１２が処理すべき配線を検知できる程度に試料７の処理予定位置直下の裏面におけるＳｉ基板７３を局所的、あるいは全面的に機械的あるいは機械化学的（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法）に研磨して薄片化しておく。
レーザ発振源１１として赤色Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）を出射するものを用いてレーザ光１２が赤色Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）の場合には、拡散層７４のＳｉを透過しないため、素子分離酸化膜（例えば、ＬＯＣＯＳで材質はＳｉＯ2）７２まで鏡面研磨することによって、素子分離酸化膜７２を通して多層の配線層７１における下層の配線のレーザ顕微鏡像を撮像手段１３で撮像することが可能となる。
【００１８】
一方、レーザ発振源１１として１１００ｎｍ程度ないし１２００ｎｍ程度以上の赤外波長を有する半導体レーザを用いた場合、１１００ｎｍ程度ないし１２００ｎｍ程度以上の赤外波長のレーザ光は、Ｓｉを透過するため拡散層７４を数μｍないし数十μｍ程度まで残しても、多層の配線層７１における下層の配線のレーザ顕微鏡像を撮像手段１３で撮像することが可能となる。
次に、レーザ顕微鏡像によるモニタおよび加工位置の設定について説明する。即ち、半導体デバイスのＳｉ等の基板７３を局所的若しくは全面的に機械的若しくは機械化学的に研磨して薄肉化し、この薄肉化された基板部７３を透過する波長の長い赤色（６００ｎｍ〜７６０ｎｍ程度）若しくは赤外線（７６０ｎｍ以上）のレーザ光１２を、レーザ発振源１１から出射させて光学系１４を介して試料７の裏面（イオンビーム３を照射する面と反対側）に照射する。光学系１４は共焦点顕微鏡の原理を用いており、レーザ光１２を集束して試料７の裏面上を走査し、（明視野もしくは暗視野で）試料７からの反射光や散乱光に基づく顕微鏡像をカメラ等の撮像手段１３で検出するように構成されている。従って、光学系１４によって集束されたレーザビーム１２が試料７の裏面上を走査するように照射され、薄肉化された基板７３を通して多層配線層７１の配線パターン（下層の配線パターンをはっきり表わしたもの）からのレーザ顕微鏡像が光学系１４によって得られ、この得られたレーザ顕微鏡像が撮像手段１３で撮像され、信号処理回路（図示せず）を介してコンピュータ２００に入力される。コンピュータ２００は、撮像手段１３から入力されたレーザ顕微鏡像１００ｂをモニタ１００等に出力させる。このとき、裏面からのレーザ顕微鏡画像１００ｂは、表面からの２次荷電粒子画像１００ａと比較しやすいように反転させるとよい。逆に表面の２次荷電粒子画像１００ａを反転させてもよい。
【００１９】
試料（対象物）７への焦点合わせは、レーザ光軸方向（Ｚ方向）にステージ６を上下動させるのが最も簡便であるが、光学系１４で調整するなどこの限りではない。Ｚ方向の上下動をさせる場合は、イオンビーム３の焦点も若干ずれるため、人手による調整や、Ｚ移動量に応じて自動でイオン光学系４の調整を必要に応じて行う。イオンビーム３の光軸と試料７の交点に、光学系１４の終端から試料７に向かうレーザ光１２の光軸とを概ね一致させておき（１μｍ以内が望ましいがこの限りではない）、試料７の上面（図１での）へのイオンビーム３の処理位置（加工位置）を、試料７の下面（図１での）、すなわち裏面へのレーザ光１２による光学系１４の視野内に入るように配置する。
しかし、例えば、モニタ１００画面上における下層の配線に対するイオンビーム３による加工位置の設定は、裏面からのレーザ顕微鏡画像１００ｂに基づくため、予め、コンピュータ２００は、２次荷電粒子画像１００ａとレーザ顕微鏡画像１００ｂとのずれ量（イオンビーム３の光軸とレーザビーム１２の光軸とのずれ量）を求めておくか、このずれ量を無くすように共通するステージ６の座標系を補正しておけばよい。これにより、コンピュータ２００は、裏面からの配線パターン（特に下層の配線パターンを明確に表わす。）を示すレーザ顕微鏡画像１００ｂに基いて、２次荷電粒子画像１００ａに対して補正されたイオンビーム３の加工位置（加工領域も含む）を設定することが可能となる。
なお、図１では、レーザ発振源１１や光学系１０の一部が試料室５の外側に配置しているが、試料室５内に設置することも可能である。
【００２０】
更に、図３を用いてイオンビーム３による加工位置のモニタリングについて説明する。図３は、加工序盤と加工終盤とにおいて、加工中の半導体断面と、加工底面から得られるモニタ画像（レーザ顕微鏡像）１００ｂとを対応させて示した図である。イオンビーム３により対象配線に対する穿孔加工位置を確認するために、コンピュータ２００によってモニタ１００上にレーザ顕微鏡像１００ｂを表示して観察する。このとき、２次荷電粒子像１００ｂで観察される穿孔加工位置の画像をオフセット補正（ずれ補正）してレーザ顕微鏡像１００ｂ上に表示してもよい。これによって下層配線パターンに対して表面からの穿孔加工位置が観察されることになる。
さらに、加工序盤において、配線パターン（特に下層の配線パターンを明確に表わす。）を示すレーザ顕微鏡画像１００ｂ上に、加工底面を示す画像８２が徐々に映し出され、配線の画像８３と加工底面の画像８２により穿孔加工位置の位置ずれ量等をモニタすることができる。もし、加工中に穴底の位置ずれを確認できた場合には、コンピュータ２００は、加工中断指令を制御装置１５に出して加工を中断し、２次荷電粒子画像１００ａに対する逐次加工位置の位置ずれ補正指令を制御装置１５に出してイオンビーム３による加工位置の補正を行うことができる。なお、位置ずれ補正指令を、モニタ１００の画面上で電子線やカーソル線等を用いることによって作成することもできる。また、コンピュータ２００は、画像処理を施すことによって、自動的に位置ずれ補正指令を作成することもできる。
【００２１】
ところで、加工途中で、半導体デバイスに対して位置ずれ補正加工ができない場合には、最初から修正し直す必要がある。
また、イオンビーム３がＧａイオンビームの場合は、反射率の高いＧａが、最上層および層間絶縁膜のＳｉＯ2に打ち込まれるため、位置の確認はしやすくなる。
一方、加工中に、コンピュータ２００は、例えばステージ６に対して焦点制御信号を出してレーザ光１２の焦点を送り込むことによって、撮像手段１３で加工底面を示す画像が撮像され、この撮像された画像が入力されて例えばモニタ１００によって観察することもできる。この際、ステージ６のＺ方向移動をともなう場合は、イオンビームの焦点深度は通常２００〜３００μｍと深いため、焦点ずれに対しては問題ないが、イオンビーム３が位置ずれを生じる可能性があるため、イオンビーム３を一時停止することが望ましい。
そして、加工終盤においては、レーザ顕微鏡像１００ｂとして、イオンビームによる加工底面の画像８４も鮮明に確認することができ、加工部の配線画像の変化による終点の観察とコンピュータ２００による画像処理に基いて自動的に終点を検出することもできる。なお、終点を観察により認識するときには、終点になった信号をスイッチやキーボード等の入力手段を用いてコンピュータ２００に入力する必要がある。
【００２２】
以上説明したように、イオンビーム３による特に下層配線の切断加工、および下層配線の他の配線との接続加工を行うことが可能となる。多層の配線層として埋設された所望の配線間の付加配線による接続は、所望の配線をイオンビーム３による穴あけ加工によって露出させ（窓開け加工）、該穴内に金属材料ガス雰囲気によるイオンビームＣＶＤにより金属材料を析出させて配線に接続されたプラグを形成し、これらプラグ同志を最上層絶縁膜上でイオンビームＣＶＤにより繋ぎあわせて行う。これと類似して、イオンビーム３を用いたスパッタリングによる窓開け加工、並びにＣＶＤによるプラグおよび該プラグにつながった最上層の絶縁膜上に局所導電膜形成により、下層にある配線から電極パッドを引き出すことができ、その結果この電極パッドをメカニカルプロービングやＥＢテスタ用のパッドとして用いることができる。
【００２３】
次に、レーザ顕微鏡画像１００ｂを配線切断や窓開け加工の終点検出に用いる実施例について説明する。即ち、コンピュータ２００による配線切断の終点制御は、モニタ１００に表示されるレーザ顕微鏡画像１００ｂを元に、加工部の配線残膜の画像８５が消滅し、加工穴底の画像８４が完全に健在化したことを観察し、その時点でイオンビーム３の加工を停止させる信号を入力手段を用いてコンピュータ２００に入力し、コンピュータ２００は、制御装置１５に加工停止指令を出してブランキング電極を作動させてイオンビーム３による加工を停止させることによって行われる。また、コンピュータ２００は、撮像手段１３で撮像されるレーザ顕微鏡画像１００ｂに対して画像処理を施すことによって加工部の配線残膜の画像８５が消滅し、加工穴底の画像８４が完全に健在化したことを自動的に検出し、この検出された信号に基いて制御装置１５に加工停止指令を出してブランキング電極を作動させてイオンビーム３による加工を停止させることもできる。
また、窓開け加工の場合の加工終了の制御（終点制御）は、モニタ１００に表示されるレーザ顕微鏡画像１００ｂを元に、加工部の配線の画像８５が底面画像８４によって消失し始めた時点、あるいは加工部の配線の画像８５が消滅した直後を観察し、その時点でイオンビーム３の加工を停止させる信号を入力手段を用いてコンピュータ２００に入力し、コンピュータ２００は、制御装置１５に加工停止指令を出してブランキング電極を作動させてイオンビーム３による加工を停止（終了）させることによって行われる。また、コンピュータ２００は、撮像手段１３で撮像されるレーザ顕微鏡画像１００ｂに対して画像処理を施すことによって加工部の配線の画像８５が底面画像８４によって消失し始めた時点、あるいは加工部の配線の画像８５が消滅した直後を自動的に検出し、この検出された信号に基いて制御装置１５に加工停止指令を出してブランキング電極を作動させてイオンビーム３による加工を停止（終了）させることもできる。
【００２４】
配線の画像８５が消滅した直後を加工終了とした場合、配線が切断されてしまうが、配線の断面が露出されているので、窓開け加工穴内にこの配線の断面と接続するようにイオンビームＣＶＤによって金属膜を成膜することができ（金属ガスとイオンビームによる成膜では、通常、加工穴底と比較して加工穴側壁の方が成膜速度が速い。）、その結果切断された配線に接続されたプラグを形成することができる。
次に、メカニカルプローバ２０を用いて加工終点判定を行う実施例について説明する。即ち、図１に示したように試料室５内にメカニカルプローバ２０を設置し、配線へのメカニカルプロービングにより、配線に流れるイオンビーム３の電流を計測し、コンピュータ２００はこの計測された電流に基いて加工終点を判定することができる。例えば、イオンビーム３による電流が顕著に流入し始めた時点を窓開け加工の終点として判定する。メカニカルプローバ２０は、ＸＹＺ駆動機構を有し、ステージ６上に搭載するのが望ましいが、この限りではない。ところで、配線へのメカニカルプロービングは、メカニカルプローバ２０による試料７上の所望の電極９０や、イオンビーム３を用いた加工で予め露出させた配線パターンに接触させて行われる。このとき、イオンビーム３を照射し、荷電粒子検出器８で検出される２次荷電粒子像に元づく、メカニカルプローブ２０と試料７の電極９０等のパターン像との相対位置をコンピュータ２００によってモニタ１００に表示することによって観察することができ、その結果メカニカルプローブ２０の位置決めが可能となる。
【００２５】
以上説明した実施の形態によれば、狭ピッチ化による加工サイズの縮小と配線の深層化に対応させることができる。また、裏面からのレーザ顕微鏡像によるモニタリングによって、加工穴底の位置ずれや隣接配線との短絡等の情報が得られ、修正加工の良否をその場で判定することができる。また、コンピュータ２００において、荷電粒子検出器８で検出される２次荷電粒子信号の変化に基いて判定できる終点信号の補助として、レーザビーム１２によるレーザ顕微鏡画像を併用すれば、終点の判定について信頼性を向上させることができる。なお、発光分光器（図示せず）を設置し、該発光分光器によってレーザによる発光分光を捉えることによって、コンピュータ２００は、イオンビーム３の照射状況をモニタすることも可能である。
また、以上では、試料７が半導体デバイスで、配線層が形成されている面にイオンビーム３を照射するように試料７をステージ６に搭載した場合について説明したが、逆に、拡散層が形成されている面にイオンビーム３を照射するようにステージ６に搭載しても良い。この場合、Ｓｉ等の基板を通してイオンビーム３による穴開け加工や配線切断加工を施すことができる。
また、以上では、イオンビーム鏡筒１を試料室７の上方に搭載し、ステージ６の下方よりレーザ光１２を導入しているが、逆に、ステージ６の上方からレーザ光１２を導入し、試料室５の下方にイオンビーム鏡筒１を設置することも可能である。
【００２６】
以上説明した装置及び手順で、配線切断および配線間の接続による配線修正や測定用パッドを形成した後、別の装置である、ＬＳＩテスタ、ＥＢテスタ、マニュアルプローバ等により論理デバッグを行い、次のロットの設計データや製造プロセスに反映させることで、多層化され、狭ピッチされた配線層を有する半導体デバイスの開発及び製造期間を短縮することができる。
【００２７】
次に、配線修正以外の不良解析を同時に行う場合の実施の形態ついて図４を用いて説明する。図４は、本発明に係るレーザ光を用いた不良解析について説明するための図である。図４（ａ）は、実際の配線欠陥を示す模式図である。メカニカルプローバ２０によって、試料７の所望の電極９０や、イオンビーム３を用いた加工で予め露出させた配線パターンに接触させる。そこで、Ｓｉ基板側からレーザビーム１２を走査しながら照射すると、基板７３を通して配線層７１の下層配線に照射することによって、下層の配線材料が励起され、その結果として電流が流れることになる。この電流の変化をメカニカルプローバ２０によって検出する。そして、コンピュータ２００は、図（ｂ）に示すようなレーザビーム１２の２次元の走査を２次元座標とするメカニカルプローバ２０によって検出される電流変化に対応したコントラスト画像（レーザビーム走査による電流信号変換画像）９５を作成し、モニタ１００等に出力して表示することができる。また、レーザビーム１２の照射により、下層の配線材料を局所的に温度上昇させることで抵抗を変化させ、その結果として変化した電流・電圧変化をメカニカルプローバ２０で検出することによって、コンピュータ２００は、図４（ｂ）に示すようなレーザビーム１２の２次元の走査を２次元座標とするコントラスト画像を作成してモニタ１００上に出力させることができる。このモニタ１００に表示された図４（ｂ）に示すコントラスト画像の情報９５と、コンピュータ２００に対して入力手段（記録媒体、もしくはＣＡＤシステムに接続されたネットワーク等）によって入力された図４（ｃ）に示すモニタ１００に表示された試料７のＣＡＤデータ情報９６などと突き合わせて（比較して）解析することによって、配線の異常箇所（断線もしくは断線に近い状態の欠陥箇所や短絡もしくは短絡に近い状態の欠陥箇所）の位置をマウス等を用いて指定することによって特定することができる。なお、コンピュータ２００は、図４（ｂ）に示すコントラスト画像の情報９５と図４（ｃ）に示す試料７のＣＡＤデータ情報９６との差画像を抽出し、この抽出された差画像の端部の座標を算出することによって配線の異常箇所の位置情報を自動的に算出することもできる。コンピュータ２００は、モニタ１００上において指定して特定されたまたは自動的に算出された配線の異常箇所の位置を、荷電粒子検出器８で検出されるイオンビームの座標系に変換することによって、イオン光学系（特に偏向電極）４を制御する制御装置１５に対して配線の異常箇所の位置を特定することができる。そして、コンピュータ２００からの制御指令に基いて制御装置１５によりイオン光学系４を制御してイオンビーム３により配線の欠陥箇所を直接補修（短絡の場合配線切断によって直接補修でき、断線欠陥の場合断線配線同志のプラグを最上層を介して接続して直接補修できる。）するか、あるいは間接的に（他の配線から信号を入力させたり、バイパス付加配線を形成する等の）補修を行う。更に、この補修結果を上記したレーザビーム１２を用いた解析方法により検証することができる。このとき、イオンビーム３による加工のｉｎ―ｓｉｔｕモニタとして、メカニカルプローバ２０から検出される電流もしくは電圧信号変化を利用しても良い。
【００２８】
以上説明した実施の形態によれば、不良解析の試行錯誤に要する時間を短縮でき、製品開発期間及びコストを短縮できる。また、図１では、イオンビーム３が試料７に照射する面からメカニカルプローバ２０を接触させるような配置となっているが、試料７の裏面から所望の配線に接触させるようにメカニカルプローバ２０を配置し、レーザ顕微鏡像に基いて位置決めを行っても良い。
なお、本実施の形態において、イオンビームを電子ビームに代用しても良い。このとき、電子ビームでは加工ができないため、反応性ガスを電子ビーム照射部に供給して加工を促進するための手段（例えばガスノズル）が必要となる。
【００２９】
（実施の形態２）
本発明に係る半導体デバイス等の不良解析、欠陥修正等を行うための荷電ビーム処理装置およびその方法の第２の実施の形態について説明する。図５は、本発明に係る不良解析装置の第２の実施の形態を示す図である。本第２の実施の形態は、第１の実施の形態のレーザ光学系を電子光学系に置き換えたものにほぼ類似する。まず、イオンビーム鏡筒１を試料室５の下方に配置する。その詳細については、第１の実施の形態と同様である。一方、試料室５の上方には、電子ビーム照射装置（電子顕微鏡、ＥＢテスタ、電子ビームアシストエッチング装置等）を搭載する。イオンビーム照射装置との違いは、電子ビーム鏡筒３０内の構成である。電子ビーム鏡筒３０内に設置した電子源３１から電子ビーム３２を放出させ、電子光学系３３で集束させ、走査、非照射の制御を行う。電子源３１は、熱電子放射型（タングステンヘアピンフィラメントやランタンヘキサボライドポイントカソード）、電界放射型などである。電子ビーム３２の加速電圧は、通常数百Ｖないし数百ｋＶ程度、電子ビーム３２の電流は、数ｐＡないし数十μＡまで様々である。電子ビーム３２のビーム径は１ｎｍ程度に集束させるが、用途に応じてビーム径を変えても良い。電子光学系３３は、一例として、引き出し電極、加速電極、スティグマ偏向コイル、静電レンズ、磁場レンズ等で構成する。制御装置９８は、電子光学系（引き出し電極、加速電極、スティグマ偏向コイル、静電レンズ、磁場レンズ等）３３や電子源３１等を制御すると共にスティグマ偏向コイル等に提供する電子ビームの偏向量、電子ビームの加速電圧、電子ビームの電流、電子ビームのビーム径等のデータをコンピュータ２００へ提供するものである。加速電子ビーム照射装置の場合、試料７からの２次イオン放出はほとんどないため、２次電子を荷電粒子検出器３４により検出し、コンピュータ２００に入力し、コンピュータ２００内で、画像処理を行った後、モニタ１００に映し出す。表面が絶縁性を有する試料の場合、電子ビーム照射装置では、加速電圧により２次電子放出量が変化することを利用して、入射電子と放出する２次電子の収支がほぼ一致するように加速電圧をおよそ１ｋＶ以下に下げて観察することにより、試料７の帯電を抑制する手法がよく採られるが、加速電圧を下げると電子ビームの分解能が下がることは避けられない。従って、高分解能を維持しつつ帯電を防止するため、荷電ビーム、もしくは絶縁物表面を励起して導電化させる波長を有する光（ＳｉＯ2の場合は紫外光など）を照射する帯電防止手段９を必要に応じて搭載する。図５は、試料７（半導体）の裏面すなわち拡散層の面からイオンビーム３の局所処理を行う場合について示してある。第１の実施の形態と同様、ステージ６に搭載する前に、予め試料７の薄片化等の予備処理を行うことによって、イオンビーム加工時間を短縮することができる。
【００３０】
以下は、例えば、イオンビーム３の処理が、試料７の対象配線への穿孔加工１０６であった場合について説明する。図６は、第２の実施の形態において電子ビームを用いて不良解析をする実施例を説明するための図である。電子ビーム３２にて半導体デバイスの試料７の上面を走査すると、配線１０１、１０２の電位状態に応じた２次電子放出率の変化が現れ、これを荷電粒子検出器８で検出してコンピュータ２００に入力し、コンピュータ２００において画像処理することによってモニタ１００上に表示することができる。これにより、露出した電極、パシベーション膜１０４で覆われた配線１０１、１０２の電位状態をモニタすることができる。必要に応じてＣＡＤデータをコンピュータ２００に取り込み、画面上で比較することも可能である。例えば下層の対象配線１０３へのイオンビーム３のプロセスをモニタするために、例えば下層の対象配線１０３と導通のある配線１０１、１０２等、前記プロセスにより信号の変化が得られる箇所を含む領域１０５を電子ビーム３２で走査する。例えば、イオンビーム３で穴開け加工１０６を施して配線１０３を切断する際、この配線に繋がる試料７の上面に近い配線１０１、１０２を電子ビーム３２により観察すると切断加工前の電子ビーム像１１０が得られる。イオンビーム３への加工が進み、配線１０３に到達するとイオンビーム３の電流が配線１０３へと流れ込み、対象配線部分の電子ビーム像が変化することになる。ここで、少なくともイオンビーム３が対象配線１０３を含む領域１０５を加工していることが確認できる。さらに加工が進み配線が切断されると、再度電子ビーム像１２０として電子ビーム像の変化を確認でき、この後、入力手段（図示せず）等を用いてコンピュータ２００に入力することによってコンピュータ２００から制御装置１５に加工停止指令信号を入力させてイオンビーム加工を停止することができる。この切断加工が隣接配線へショートしていないことをモニタしたい場合には、はじめの電子ビーム３２の照射領域の設定において、隣接配線に関与する電子ビーム画像が得られるように、例えばモニタ画面上において電子線やカーソル線等を用いて観察領域を指定することによってコンピュータ２００に対して電子線による観察領域を設定しておけばよい。コンピュータ２００は、この設定された電子線による観察領域に関するデータを制御装置９８に提供することによって電子光学系３３の偏向電極（図示せず）またはステージ６を制御することによって設定された観察領域における電子ビーム像が荷電粒子検出器３４によって検出されて得られることになる。この電子ビーム像において画像変化が見られなければ、ショートがないと確認することができるわけである。このとき、イオンビーム照射中は、配線への帯電の影響によりノイズが発生し、この画像モニタに影響を及ぼす場合もあるが、少なくともイオンビーム３が非照射であればショートモニタを行うことはできるため、間欠的にイオンビームを照射し、この非照射時に電子ビーム画像を取り込むことも有効である。もちろん、加工の終点検出において、電子ビーム画像の変化と、イオンビーム照射による荷電粒子検出器８からの信号変化による判定を併用すれば、信頼性を向上させることができる。
【００３１】
また、メカニカルプローバ２０をステージ６に搭載することで、ＥＢテスタとしての機能を拡張することができる。所望の電極パッド９０や、イオンビーム処理（イオンビームＣＶＤ）等により予め下層配線から電極パッドを引き出し、これらにメカニカルプローバ２０を用いてプロービングして電圧印加、電流導入を行い、半導体の動作状態を模擬することで、電子ビーム３２の走査照射により荷電粒子検出器３４で検出される電位コントラスト像をコンピュータ２００において得ることも可能となる。
なお、ガスノズル（図示せず）を搭載して、このノズルから反応性ガス供給しながら、電子ビーム３２を照射することで加工ツールとしての機能拡張を実現できる。また、反応性ガスの代わりに、金属材料ガスを用いることで電子ビーム３２による成膜も可能である。さらに、不良解析の過程において、はじめにＥＢテスタとしての機能を活用して、不良箇所を絞り込み、これをイオンビーム３や前述したＥＢによる加工、成膜を駆使して検証する方法も可能である。図２においては、試料７の上面へ、直接メカニカルプローバ２０を用いてメカニカルプロービングして、裏面からのイオンビーム３によるプロセスをモニタすることも簡便である。
【００３２】
メカニカルプローバ２０については、プローブ針の先端の消耗、誤動作による破損が予想され、この場合、試料室内を大気開放する必要が生じ、作業効率を低下させる。その対策として、予備のプローブを試料室５内に設けておき、遠隔動作でプローブ針を交換させる機構により、装置のダウンタイムを低減することができる。この交換機構は、図７に示すようにロボットのようなマニピュレータにより破損したプローブ針を後退させ、新規のプローブ針１５０をセットする方式や、図８に示すように予め１セットのメカニカルプローバ２０に複数本のプローブ針１５１を円盤１５２上に放射状にセットし、この円盤１５２を回転させ、所望のプローブ針のみ接触させる方式等考えられるが、この限りではない。
いずれの実施の形態についても、反応性ガス（例えば塩素、キセノンダイフロライド、ヨウ素、臭素等）を供給する手段を設け、この反応性ガスをノズルを介して試料７上に供給することにより加工速度を増速する、荷電ビームガスアシストエッチング（イオンビームアシストエッチング、電子ビームアシストエッチング）に応用することも可能である。また、前述したようにデポジション用のガス（例えばタングステンヘキサカルボニル、ＴＥＯＳ等）をノズルを介して供給する手段を設け、これを供給することにより、試料７上に所望の導電性膜あるいは絶縁堆積膜を形成する荷電ビームＣＶＤに適用することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、集束イオンビームや電子ビームなどの荷電ビームによる配線修正や不良解析において、従来困難であった狭ピッチ、深層配線の修正を可能にし、荷電ビーム処理の歩留りを向上できる効果を奏する。
また、本発明によれば、修正プロセスをモニタすることにより、不良解析の信頼性向上を実現し、手戻りをなくすことで、不良解析のＴＡＴ（タクトタイム）を短縮し、半導体の開発及び製造期間の短縮と低コスト化を実現できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体デバイス等の不良解析、欠陥修正等を行うための荷電ビーム処理装置およびその方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】図１に示す第１の実施の形態を半導体デバイスに適用した場合について説明するための断面図である。
【図３】イオンビームによる加工序盤と加工終盤との各々における加工中の半導体断面と、加工底面からのモニタ画像とを説明するための図である。
【図４】配線の欠陥位置を検出して特定するための実際の配線欠陥の模式図と、レーザビーム走査による電流信号変換画像と、ＣＡＤデータとを説明するための図である。
【図５】本発明に係る半導体デバイス等の不良解析、欠陥修正等を行うための荷電ビーム処理装置およびその方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図６】図５に示す第２の実施の形態を半導体デバイスに適用した場合について説明するための断面斜視図および切断加工前と切断終了時とにおけるモニタ画面表示を示す図である。
【図７】本発明に係るメカニカルプローバの一実施例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るメカニカルプローバの他の一実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…イオンビーム鏡筒、２…イオン源、３…イオンビーム、４…イオン光学系、５…試料室、６…ステージ、７…試料（半導体デバイス）、８…荷電粒子検出器、９…帯電防止手段、１０…レーザ顕微鏡、１１…レーザ発振源、１２…レーザビーム、１３…撮像手段、１４…光学系、１５…制御装置、２０…メカニカルプローバ、３０…電子ビーム鏡筒、３１…電子源３１、３２…電子ビーム、３３…電子光学系、７１…配線層、７２…素子分離膜、７４…拡散層、８０…穴、７３…Ｓｉ等の基板、８４…加工底穴の画像、８５…配線残膜の画像、９０…電極、９５…レーザビーム走査による電流信号変換画像、９６…ＣＡＤデータ、９８…制御装置、１００…モニタ、１００ａ…２次荷電粒子画像、１００ｂ…レーザ顕微鏡像、１０１、１０２、１０３…配線、１０６…穴、１１０…切断加工前の電子ビーム像、１２０…切断終了後の電子ビーム像、２００…コンピュータ。
【図１】
0003741897.tif 000002
【図２】
0003741897.tif 000003
【図３】
0003741897.tif 000004
【図４】
0003741897.tif 000005
【図５】
0003741897.tif 000006
【図６】
0003741897.tif 000007
【図７】
0003741897.tif 000008
【図８】
0003741897.tif 000009