(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッドを有する半導体ウェーハ上に外部衝撃緩衝膜を形成し、この外部衝撃緩衝膜に前記ボンディングパットに達する開口を形成してなる半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェーハ上に、前記外部衝撃緩衝膜となる感光性材料膜を形成する感光性材料膜形成工程と、
前記ボンディングパットに対応して前記感光性材料膜上に設定した第一の領域を表面から膜厚方向中途部まで選択的に感光させる第一の感光工程と、
前記第一の領域内に含まれ、かつ前記第一の領域より小さく設定した感光性材料膜上の第二の領域を、前記ボンディングパットに達するまで選択的に感光させる第二の感光工程と、
第一，第二の領域が感光した感光性材料膜を現像する現像工程と、
を含み、
前記第一の感光工程に用いるフォトマスクとして、前記第二の感光工程に用いるフォトマスクを用い、かつ、第一の感光工程では、フォトマスクと半導体ウェーハとの間の離間間隔が第二の感光工程でのフォトマスクと半導体ウェーハとの離間間隔とは異なるように、フォトマスクを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第一の感光工程と前記第二の感光工程とを、逆の順序で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか記載の半導体装置の製造方法であって、
感光性材料膜として、ポジ型感光材料膜を半導体ウェーハ上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか記載の半導体装置の製造方法であって、
感光性材料膜として、ポリイミド膜を半導体ウェーハ上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体部品は高集積化、高密度化の傾向にあり、それに伴い半導体装置に搭載する半導体チップは、微細化、大型化している。一方、半導体チップケースであるパッケージは安価な樹脂封止型の物が多用されている。しかしながら、半導体チップの微細化、大型化に伴って、半導体チップは封止樹脂からの応力を強く受けるようになり、例えば封止樹脂中のシリカ充填剤によって半導体チップの表面保護膜（例えばＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4）にクラックが発生したり、さらには配線の断線、特性変動を引き起こし、半導体チップが不良になるという事故がしばしば報告されるようになっている。
【０００３】
そこで多くの半導体メーカーではチップ表面に外部からの衝撃を緩衝する外部衝撃緩衝膜としてポリイミド膜等の硬化樹脂膜を形成して、前記不都合を解消する試みがなされている。図５には、ポリイミド膜の形成方法の従来例が、また、図６には、ポリイミド膜を外部衝撃緩衝膜として用いた半導体チップを搭載した半導体装置の従来構造が示されている。
【０００４】
図５(Ａ)〜(Ｄ)は外部衝撃緩衝膜の形成プロセスの要部断面を拡大して示した図であり、２１は半導体ウェーハ、２２はボンディングパッド、２３は塗布ノズル、２４は感光性ポリイミド材料膜、２５はフォトマスク、２６は紫外線、２７は感光する領域、２８は現像液ノズル、２９は現像液、３０は開口部、３１はスクライブライン、３２は表面保護膜、３３はポリイミド膜からなる外部衝撃緩衝膜である。
【０００５】
まず、図５（Ａ）に示すように、所定の工程が終了した半導体ウェーハ２１を回転させ、表面保護膜３２及びボンディングパッド２２上に塗布ノズル２３によって感光性ポリイミド材料を滴下する。そして、そのまま半導体ウェーハ２１を一定時間回転させ半導体ウェーハ２１上面一面に感光性ポリイミド材料を拡げて、感光性ポイイミド材料膜２４を形成する。
【０００６】
次に、図５(Ｂ)に示すように、露光装置とフォトマスク２５を用いてボンディングパッド２２の周囲に開口部３０を設けるために、感光性ポリイミド材料膜２４を除去する部分に露光装置で紫外線２６を照射し、感光させる。
【０００７】
次に、図５(Ｃ)に示すように、半導体ウェーハ２１上の感光性ポリイミド材料膜２４に現像液ノズル２８で現像液２９を塗布、もしくは吹き付けて、感光した領域２７を除去し、開口部３０を設ける。
【０００８】
次に、図５（Ｄ）に示すように、高温で感光性ポリイミド材料膜２４を硬化して外部衝撃緩衝膜３３を形成し、スクライブライン３１を切断機で切断し半導体チップを形成する。
【０００９】
また、図６は半導体装置の要部断面図を拡大して示した図であり、図において、３４はボンディングボール、３５はボンディングワイヤー、３６はインナーリード、３７はアウターリード、３８は封止樹脂、３９はポリイミド膜のクラック部分、４０は界面剥離部分である。
【００１０】
この半導体装置では、インナーリード３６と直接導通しているアウターリード３７が半導体装置の外部にあることにより、半導体チップ２１の内部から電気信号及び外部基板（図示せず）からの電気信号が入出力されるようになっている。かかる半導体装置の製造方法を簡単に説明すると、前記したように形成した半導体チップ２１のボンディングパッド２２とインナーリード３６とを電気的に導通させるためにワイヤーボンダーによってボンディングワイヤー３５の先端を電気スパーク等によって溶融させてボンディングボール３４を形成する。そして、形成したたボンディングボール３４をボンディングパッド２２に熱、超音波、荷重を用いて接着する。このようにしてボンディングパッド２２とボンディングワイヤー３５の一端を接続し、ボンディングワイヤー３５の他端をインナーリード３６に接続し、しかる後、このようにしてワイヤーボンディングがなされた半導体チップ２２を封止樹脂３８で封止することで、半導体装置が完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構成では、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンディング工程時、ワイヤーボンダーの設備の精度が十分でない場合や、設備異常、オペレーターの操作及び設定ミス等によってボンディングボール３４の接着位置がボンディングパッド２２の中心から著しくずれる場合がある。この場合、外部衝撃緩衝膜３３の開口部３０の端部とボンディングボール３４が接触して、かかる端部にクラック３９が発生し、半導体チップ２１と外部衝撃緩衝膜３３の間に界面剥離が発生する。この界面剥離が発生するとその剥離部分４０に水分が侵入し、半導体チップ２１が耐湿性不良を起こし、半導体装置の信頼性が著しく低下してしまうという欠点がある。
【００１２】
上記課題について鑑み、本発明の目的はボンディングボールが著しくボンディングパッドの中心からずれた場合でも、接触によるポリイミド膜のクラックを発生させることのない半導体装置を製造する方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、次のような構成を備えている。
【００１５】
請求項１の半導体装置の製造方法では、ボンディングパッドを有する半導体ウェーハ上に外部衝撃緩衝膜を形成し、この外部衝撃緩衝膜に前記ボンディングパットに達する開口を形成してなる半導体装置の製造方法において、半導体ウェーハ上に、前記外部衝撃緩衝膜となる感光性材料膜を形成する感光性材料膜形成工程と、前記開口に対応して前記感光性材料膜上に設定した第一の領域を表面から膜厚方向中途部まで選択的に感光させる第一の感光工程と、前記第一の領域内に含まれ、かつ前記第一の領域より小さく設定した前記感光性材料膜上の第二の領域を、前記ボンディングパットに達するまで選択的に感光させる第二の感光工程と、第一，第二の領域が感光した感光性材料膜を現像する現像工程とを含み、前記第一の感光工程に用いるフォトマスクとして、前記第二の感光工程に用いるフォトマスクを用い、かつ、第一の感光工程では、フォトマスクと半導体ウェーハとの間の離間間隔が第二の感光工程でのフォトマスクと半導体ウェーハとの離間間隔とは異なるように、フォトマスクを配置することに特徴を有しており、これにより、感光される第一，第二の領域の大きさの違いにより、形成される外部衝撃緩衝膜の開口上端縁部には切欠部が形成される、という作用を有する。また、第一，第二の感光工程で、一つのフォトマスクを兼用することができ、その分、半導体装置の製造に要するコストを低減することができるうえ、フォトマスクの交換に要する時間も必要なくなる、という作用を有する。
【００１６】
請求項２では、請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第一の感光工程と前記第二の感光工程とを、逆の順序で行うことに特徴を有しており、これにより、請求項１と同様、形成される外部衝撃緩衝膜の開口上端縁部には切欠部が形成されることになる、という作用を有する。
【００１８】
請求項３では、請求項１または２のいずれか記載の半導体装置の製造方法において、感光性材料膜として、ポジ型感光材料膜を半導体ウェーハ上に形成することに特徴としており、これにより、開口を容易にかつ精度よく形成することができる、という作用を有する。
【００１９】
請求項４では、請求項１ないし３のいずれか記載の半導体装置の製造方法において、感光性材料膜として、ポリイミド膜を半導体ウェーハ上に形成することに特徴を有しており、これにより、十分な衝撃緩衝性能を備えた外部衝撃緩衝膜を形成することができる、という作用を有する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
第一の実施の形態
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第一の実施の形態の半導体装置の製造方法における工程順断面図を示す。また、図２に一般的なポジティブ型感光性ポリイミド材料の露光量と残膜率の関係を示す図を示す。本実施の形態では、図２に示す特性を有するポジティブ型感光性ポリイミド材料から外部衝撃緩衝膜を形成している。また、図３には本実施の形態で得ることができる外部衝撃緩衝膜を形成した半導体装置の一例を示した。
【００２２】
図１（Ａ）〜（Ｅ）において、１は半導体チップ、２はボンディングパッド、３は表面保護膜、４はポジティブ型感光性ポリイミド材料膜、５は塗布ノズル、６は第一のフォトマスク、７は紫外線、８は第一の領域、９は第二のフォトマスク、１０は第二の領域、１１は現像ノズル、１２は現像液、１３は開口部、１４はボンディングボール、１５はボンディングワイヤー、１６はインナーリード、１７はアウターリード、１８は封止樹脂、１９はポリイミド膜からなる外部衝撃緩衝膜である。
【００２３】
感光性材料膜形成工程
まず、図１（Ａ）に示すように、所定の工程が終了し、ボンディングパッド２及びボンディングパッド２の部分を開口した表面保護膜３を有する半導体ウェーハ１に塗布ノズル５でポジティブ型感光性ポリイミド材料を上方より滴下し、半導体ウェーハ１を回転させながら全面に広げて、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を形成する。この時の半導体ウェーハ１の回転数によってポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚が決定する。回転数とポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚との関係は、ポリイミド材料の粘度等によって変化するが、本実施の形態では、回転数を調整することで、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚が１５μｍ程度となるように、ポジティブ型感光性ポリイミド材料を塗布する。
【００２４】
第一の感光工程
次に、図１（Ｂ）に示すように、ステッパーもしくはアライナーで第一のフォトマスク６を用いて紫外線７でポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を感光させる。この工程で用いる第一のフォトマスク６の開口はボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部を大きく包括する平面的な大きさ（以下、単に大きさという）に、すなわち、ボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部より一回り大きく形成されている。そして、このような開口を有する第一のフォトマスク６を、照射する紫外線７の焦点位置にくるように、かつ、開口がボンディングパット２の上方位置にくるように配置する。
【００２５】
そして、このような形状を有する第一のフォトマスク６を介してポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４上の第一の領域８を感光する。感光した第一の領域８は、第一のフォトマスク６の開口と同等の形、すなわち、ボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部を大きく包括する形、すなわち、ボンディングパッド２や表面保護膜３の開口部より一回り大きく形成される。具体的には、本実施の形態では、感光する第一の領域８は、ボンディングパッド２より周囲５μｍ程度大きく形成される。しかしながら、ボンディングパッド２が他のボンディングパッド２と近接して在る場合には、第一の領域８の大きさは若干小さくする必要がある。要は、第一の領域８の大きさを次の工程で感光する第二の領域１０より大きくすれば問題とはならない。
【００２６】
また、第一の領域８を形成するための紫外線７の露光量は、図２に示す１００ｍｊ／ｃｍ2の露光量が適当である。すなわち、現段階では現像を行わないが、後の工程で説明する現像工程・キュア工程を実施すると、当初の膜厚１５μｍに対して７．５μｍ程度の膜厚になる、つまり、５０％のポジティブ型感光性ポリイミ材料膜４がボンディングパッド２の近傍に残膜する程度の露光量が適当である。
【００２７】
ここでは１００ｍｊ／ｃｍ2で第一の領域８の感光を実施したが、紫外線７の露光量によってポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の残膜をコントロール出来ることは図２から容易に推測できる。
【００２８】
第二の感光工程
次に、図１（Ｃ）に示すように、第二のフォトマスク９を用いてボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部に合わせて第二の領域１０を感光する。この工程で用いる第二のフォトマスク９の開口はボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部と同じ大きさに形成されている。そして、このような開口を有する第二のフォトマスク９を、照射する紫外線７の焦点位置で、かつ開口がボンディングパッド２の上方位置にくるように配置する。
【００２９】
本実施の形態では、表面保護膜３の開口部に合わせて第二の領域１０を形成するが、後の工程において行うワイヤーボンディング工程（本実施の形態の説明では詳細な説明を省略している）での作業マージンを考慮して第二の領域１０の大きさを決定する必要がある。すなわち、第二の領域１０は第一の領域８より小さい大きさであれば本発明の目的を果たすことが出来る。
【００３０】
また、第二の領域１０を形成するための紫外線７の露光量は図２に示す４００ｍｊ／ｃｍ2以上、すなわち、残膜が０％となる露光量が適当である。具体的には、本実施の形態では、このときの紫外線の露光量は５００ｍｊ／ｃｍ2 としている。これら図１（Ｂ）、図１（Ｃ）で説明した紫外線７の露光量はポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の特性によって変更されるものであるのはいうまでもない。
【００３１】
現像工程
次に、図１（Ｄ）に示すように、半導体ウェーハ１を回転させながら現像液ノズル１１から現像液１２をスプレーし、感光した第一の領域部８、および第二の領域１０を除去することによって図１（Ｄ）に示されるような段差状の切欠部１３ａのあるポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の開口部１３を形成する。本実施の形態では、スプレー形式の現像方法を行ったが、現像液１２を半導体ウェーハ１上に多量滴下し、溶解する方法等、現像の目的を果たすものであれば方法は問わない。
【００３２】
キュア工程
次に、図１（Ｅ）に示すように、硬化炉やオーブンを用いて半導体ウェーハ１を２００〜４００℃の温度でキュアし、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を硬化することで、ポリイミド膜からなる外部衝撃緩衝膜１９を得る。また、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４はキュアを行うと硬化収縮するため、本実施の形態の説明で用いたポリイミド材料の場合、第一の領域８の周縁下方に位置するポリイミド膜１９の膜厚は５μｍ程度となった。また、その他の膜厚は１０μｍ程度に仕上がった。したがって、図１（Ａ）で説明した半導体ウェーハ１上に形成するポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚はキュア時の硬化収縮率（外部衝撃緩衝膜１９の膜厚／ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚）とワイヤーボンディング工程での作業マージンを考慮して決定する。
【００３３】
このような開口部１３に切欠部１３ａがある外部衝撃緩衝膜１９を有する半導体装置の一例を図３に示す。この例ではボンディングパッド２は１００μｍ□でワイヤーボンディング後のボンディングボール１４の図の左右方向断面直径は約９０μｍ、厚みは約２０μｍであるため、ボンディングボール１４がボンディングパッド２の中心から５μｍ以上ずれた場合、従来の形状では開口部１３の端部とボンディングボール１４の端部が接触していたが、本発明のように、ボンディングパッド２の周囲に幅５μｍ、膜厚５μｍの切欠部１３ａを設ければ、開口部１３の端部とボンディングボール１４の端部とは接触せず、したがって、ボンディングパッド２の中心に対するボンディングボール１４のずれのマージンを３〜５μｍ大きく設定することが可能となることがわかる。
【００３４】
第二の実施の形態
以下、本発明の第二の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図４は、本実施の形態の半導体装置の製造方法における工程順の断面図を示している。
【００３６】
図４（Ａ）〜（Ｅ）において、１は半導体チップ、２はボンディングパッド、３は表面保護膜、４はポジティブ型感光性ポリイミド材料膜、５は塗布ノズル、７は紫外線、８は第一の領域、１０は第二の領域、１１は現像ノズル、１２は現像液、１３は開口部、１９はポリイミド膜、２０はフォトマスクである。
【００３７】
感光性材料膜形成工程
まず、図４（Ａ）に示すように、所定の工程が終了し、ボンディングパッド２及びボンディングパッド２の部分を開口した表面保護膜３を有する半導体ウェーハ１に塗布ノズル５でポジティブ型感光性ポリイミド材料を上方より滴下し、半導体ウェーハ１を回転させながら全面に広げて、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を形成する。この時の半導体ウェーハ１の回転数によってポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚が決定する。回転数とポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚との関係はポジティブ型感光性ポリイミド材料の粘度等によって変化するが、本実施の形態では、回転数を調整することで、ポジティブ型感光性材料膜４の膜厚が１５μｍ程度となるように、ポジティブ型感光性ポリイミド材料を塗布した。
【００３８】
第一の感光工程
次に、図４（Ｂ）に示すように、ステッパーもしくはアライナーでフォトマスク２０を用いて紫外線７でポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を感光させる。この工程で用いるフォトマスク２０の開口はボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部とほぼ同一の大きさに形成されている。そして、このような開口を有するフォトマスク２０を、ボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部の上方位置にくるように配置する。さらには、この工程ではフォトマスク２０を半導体ウェーハ１から通常の紫外線７の焦点距離よりも大きくずらす、すなわち、フォトマスク２０と半導体ウェーハ１との離間間隔を通常の紫外線７の焦点距離の場合より開けた状態で、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を感光させる。
【００３９】
具体的には、本実施の形態では、フォトマスク２０の配置位置を通常の紫外線７の焦点位置よりも１５μｍだけポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の表面より離間した位置に配置した状態で、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４上の第一の領域８の感光する。このような状態で感光を行うと、フォトマスク２０での紫外線７の漏れが発生し、遮光が不完全となり、フォトマスク２０の通常の焦点位置での感光領域より大きい領域を感光することができる。
【００４０】
したがって、この工程により、フォトマスク２０を介して感光されるポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４上の第一の領域８は、フォトマスク２０の開口よりやや大きい形、すなわち、ボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部を大きく包括する形に、つまり、ボンディングパッド２もしくは保護膜３の開口部より一回り大きくなる。具体的には、本実施の形態では、感光される第一の領域８は、ボンディングパッド２の周囲５μｍ程度大きく形成される。しかしながら、ボンディングパッド２が他のボンディングパッド２と近接して在る場合には、第一の領域８の大きさは小さくする必要がある。第一の領域８の大きさは次の工程で感光する第二の領域１０より大きければ問題とはならない。
【００４１】
また、第一の領域８を感光するための紫外線７の露光量は、図２に示す１００ｍｊ／ｃｍ2の露光量が適当である。すなわち、現段階では現像を行わないが、後の工程で説明する現像・キュア工程を実施すると、当初の膜厚１５μｍに対して膜厚７．５μｍ程度の膜厚になる、つまり、５０％のポジティブ型感光性ポリイミ材料膜４がボンディングパッド２の近傍に残膜する程度の露光量である。
【００４２】
ここでは１００ｍｊ／ｃｍ2で第一の領域８の感光を行ったが、紫外線７の露光量によってポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の残膜をコントロール出来ることは図２から容易に推測できる。
【００４３】
第二の感光工程
次に、図４（Ｃ）に示すように、図４（Ｂ）で使用したフォトマスク２０を、通常の焦点位置になるように、半導体チップ１に対して近接移動させる。そして、このようなフォトマスク２０の移動を行ったうえで、紫外線７を露光することによってボンディングパッド２もしくは表面保護膜３の開口部に一致する第二の領域１０を感光する。本実施の形態では、表面保護膜３の開口部に合わせて第二の領域１０を形成したが、後の工程である（本実施の形態の説明では詳細の説明を省略している）ワイヤーボンディング工程での作業マージンを考慮して感光する第二の領域１０の範囲を決定する必要がある。すなわち、第二の領域１０は、第一の領域８より狭い範囲であれば本発明の目的を果たすことが出来る。
【００４４】
また、第二の領域１０を感光するための紫外線７の露光量は図２に示す４００ｍｊ／ｃｍ2以上、すなわち、残膜が０％となる露光量が適当である。具体的には、本実施の形態では、このときの紫外線の露光量は５００ｍｊ／ｃｍ2とした。これら図４（Ｂ）、図４（Ｃ）で説明した紫外線７の露光量はポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の特性によって変更することはいうまでもない。
【００４５】
本実施の形態では、第一，第二の感光工程で、一つのフォトマスク２０を兼用することができ、その分、半導体装置の製造に要するコストを低減することができるうえ、フォトマスクの交換に要する時間も必要なくなるので、製造コストの低減と製造時間の短縮化を図れる。
【００４６】
現像工程
次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体ウェーハ１を回転させながら現像液ノズル１１から現像液１２をスプレーし、感光した第一の領域８、第二の領域１０を除去することによって図４（Ｄ）に示されるような段差状の切欠部１３ａのあるポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の開口部１３を形成する。本実施の形態では、スプレー形式の現像方法を行ったが、現像液１２を半導体ウェーハ１上に多量滴下して溶解する方法等といった現像の目的を果たすものであれば方法は問わない。
【００４７】
キュア工程
次に、図４（Ｅ）に示すように、硬化炉やオーブンを用いて半導体ウェーハ１を２００〜４００℃の温度でキュアし、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４を硬化させて、ポリイミド膜からなる外部衝撃緩衝膜１９を得る。また、ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４はキュアを行うと硬化収縮するため本実施の形態の説明で用いたポリイミド材料の場合、第一の領域８の下方の外部衝撃緩衝膜１９の膜厚は５μｍ程度となった。また、その他の膜厚は１０μｍ程度に仕上がった。したがって、図１（Ａ）で説明した半導体ウェーハ１上に形成するポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚はキュア時の硬化収縮率（外部衝撃緩衝膜１９の膜厚／ポジティブ型感光性ポリイミド材料膜４の膜厚）とワイヤーボンディング工程での作業マージンを考慮して決定する。
【００４８】
また、本実施の形態では、表面保護膜３上に形成する膜としてポジティブ型感光性ポリイミド材料を用いたが、ポジティブ型の感光性レジスト材料であればどのような材料であっても同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００４９】
なお、特許請求の範囲に示された本発明は上記した各実施の形態で説明した態様に限られるものではない。
【００５０】
また、このような開口部１３に切欠部１３ａのある外部衝撃緩衝膜１９を有する半導体装置の構成例は、実施の形態１で説明した図３と同様であるので、ここでは、説明を省略する。
【００５１】
なお、上記した第一，第二の実施の形態では、第一の感光工程を行ったのち、第二の感光工程を行っていたが、反対に、第二の感光工程を行ったのち、第一の感光工程を行っても、開口部１３の上端縁部に同様の切欠部１３ａを形成することができるのはいうまでもない。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ワイヤーボンディング工程でのボンディングボールとポリイミド膜の接触を回避でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第一の実施の形態における工程順断面図。
【図２】本発明の半導体装置の第一の実施の形態におけるポジティブ型ポリイミド膜材料の露光量と残膜率の関係を示す図。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法で得られる半導体装置の断面図。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の第二の実施の形態における工程順断面図。
【図５】従来の半導体装置の製造方法の工程順断面図。
【図６】従来の半導体装置の要部断面図。
【符号の説明】
１  ・・・・半導体ウェーハ
２  ・・・・ボンディングパッド
３  ・・・・表面保護膜
４  ・・・・ポジティブ型感光性ポリイミド材料
５  ・・・・塗布ノズル
６  ・・・・第一のフォトマスク
７  ・・・・紫外線
８  ・・・・第一の領域
９  ・・・・第二のフォトマスク
１０・・・・第二の領域
１１・・・・現像ノズル
１２・・・・現像液
１３・・・・開口部
【図１】
0003751731.tif 000002
【図２】
0003751731.tif 000003
【図３】
0003751731.tif 000004
【図４】
0003751731.tif 000005
【図５】
0003751731.tif 000006
【図６】
0003751731.tif 000007