(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の液状前駆物質源（liquid precursor source）を使用して半導体基板上で薄膜を処理するための方法であって、
ａ）共通（common）温度での前記液状前駆物質の各々の相対的蒸気圧を決定する工程と、
ｂ）最高の蒸気圧を有する第１液状前駆物質源を気化させ、マニホールド内への前記気化された第１液状前駆物質源の導入点を処理チャンバーから離隔させて、前記処理チャンバーにも接続された前記マニホールド内に、結果として生じた蒸気を導入する工程と、
ｃ）前記第１液状前駆物質源より低い蒸気圧を有する第２液状前駆物質源を気化させ、前記気化された第１液状前駆物質源の前記導入点より前記処理チャンバーに近い前記気化された第２液状前駆物質源の導入点で、結果として生じた蒸気を前記マニホールド内に導入する工程と、を備え、
前記処理チャンバーに向かう方向に徐々に高くなった温度をもって、温度勾配が前記マニホールドに沿って維持される方法。
【請求項２】
各液状前駆物質源が気化されて前記マニホールドに導入されるように、各液状前駆物質源を加熱する工程をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記気化された液状源の前記マニホールド内への各導入点の中間にある１つ以上の位置で前記マニホールドを加熱する工程をさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
複数の液状前駆物質源を使用して半導体基板上で薄膜を処理するための方法であって、
ａ）共通温度での前記複数の液状前駆物質源の各々の相対的蒸気圧を決定する工程と、
ｂ）前記複数の液状前駆物質源のうち最高の蒸気圧を有する第１液状前駆物質源を気化させ、前記第１液状前駆物質源から結果として生じる蒸気を、マニホールドにも接続された処理チャンバーの上流側の導入点で前記マニホールド内に導入する工程と、
ｃ）前記第１液状前駆物質源の前記蒸気圧より低い蒸気圧を有する第２液状前駆物質源を気化させ、前記処理チャンバーの上流側にあるが前記気化された第１液状前駆物質源の前記マニホールドへの前記導入点の下流側にある前記気化された第２液状前駆物質源の導入点で、前記第２液状前駆物質源から結果として生じる蒸気を前記マニホールド内に導入する工程と、
ｄ）前記第１液状前駆物質源及び前記第２液状前駆物質源の各蒸気圧より低い蒸気圧を有する第３液状前駆物質源を気化させ、前記処理チャンバーの上流側にあるが前記気化された第１及び第２液状前駆物質源の前記マニホールドへの前記各導入点の下流側にある前記気化された第３液状前駆物質源の導入点で、前記第３液状前駆物質源から結果として生じる蒸気を前記マニホールド内に導入する工程とを備え、
前記処理チャンバーに向かう方向に徐々に高くなった温度をもって、温度勾配が前記マニホールドに沿って維持される方法。
【請求項５】
各液状源が、気化されて前記マニホールド内に導入されるように、各液状源を加熱する工程をさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記気化された液状源の前記マニホールドへの各導入点の中間にある１つ以上の位置で前記マニホールドを加熱する工程をさらに含む請求項５記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板上での薄膜の形成に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体基板上での薄膜の形成に使用される２以上の液状成分の堆積チャンバーへの気化及び移送に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、平坦化（planarization ）で使用される酸化ケイ素膜の形成のような半導体基板上での薄膜の処理において、液状源前駆物質（liquid source precursor ）ないしは液状成分がよく使用されている。これらの液体は通常、源タンク（source tank ）に貯蔵されており、送出しシステムを用いて蒸気として堆積チャンバーに送り出される。この送出しシステムにおいて、各液体は別個のライン及び別個の液体流量計（各反応物質の個々の流速制御を提供するためのもの）を通して流され、共通のマニホールド内に蒸気として注入される。それから、マニホールド内を流れる蒸気は、マニホールド内へのガス及び気化された液状源前駆物質の入口点の下流部でマニホールドに接続された処理チャンバーに導入される。
【０００３】
蒸気成分は、処理チャンバーに入るとすぐに、例えば半導体基板上に薄膜を形成するよう十分に作用するが、既に気化された液状源成分の凝縮若しくはまだ液状である成分の沸騰のいずれかの問題が送出しシステム内で起こる場合があり、この問題は、マニホールドに沿った点を含む、送出しシステムの様々な点で維持される温度に依存するということが分かってきた。例えば、マニホールドに沿った特定点における温度が低すぎる（コールドスポット）と、既に気化された液状前駆物質源ないしは液状成分の凝縮がマニホールドのその点で起こるおそれがある。他方、マニホールド内で非常に高い温度を維持すると（上述のような望ましくない凝縮を抑制するため）、マニホールド内への気化・注入部の上流側での特定液状成分の液体供給ラインにおいて、液状成分の沸騰若しくは分解を引き起こす場合がある。そして、これは、沸騰成分或いは沸騰しつつある成分が液体流量計を通って流れるとき、液体流量計の揺らぎによりその特定成分の流速制御における不安定性をもたらす場合がある。
【０００４】
例えば、半導体基板上で、平坦化層として使用するための酸化ケイ素からなる薄膜の形成において、酸化ケイ素（silicon oxide ）は通常、次の平坦化ステップの間、酸化ケイ素の流動性（flow characteristics）を高めるようリン及び／又はホウ素で処理される。このことは、アルコキシシランのような液状シリコン源前駆物質（例えばテトラエチルオルソシリケート（tetraethylorthosilicate 、TEOS））、ホスホン酸トリメチル（trimethylphosphite、TMP ）、ホスホン酸トリエチル（triethylphosphite 、TEP ）、若しくはリン酸トリエチル（triethylphosphate 、TEPO）のような液状リン源前駆物質、及び／又は、ホウ酸トリメチル（trimethylborate 、TMB ）若しくはホウ酸トリエチル（triethylborate、TEB ）のような液状ホウ素源前駆物質の使用をもたらすこととなる。
【０００５】
これらの液体は別個の源タンクに貯蔵され、送出しシステムを用いて蒸気として堆積チャンバーに送り出される。この送出しシステムにおいては、シリコン、リン及びホウ素の液状源は別個のライン及び別個の液体流量計を通って流れ、それから各々蒸気として共通のマニホールドに注入される。これらの液状源は通常、マニホールド内でキャリヤガスと混合される。マニホールド内を流れる蒸気は、堆積チャンバー内の半導体基板上にドープ酸化ケイ素膜（doped silicon oxide film）を形成するよう気体状酸素源とさらに混合される。気体状酸素源は、早期反応を避けるよう堆積チャンバーに入る直前に混合される。反応は通常、熱ＣＶＤ反応若しくはプラズマ励起ＣＶＤ反応のどちらかでよい。結果として形成される酸化ケイ素膜中のドーパントの存在は、後で酸化ケイ素膜をリフロー（reflow）する温度を低下させ、平坦化された膜を作製する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した反応物のような様々な成分が堆積チャンバー内で反応し、半導体基板上に形成される構造の平坦化に有用で十分なドープ酸化ケイ素膜を形成する一方で、送出しシステムにおける凝縮若しくは沸騰という問題が起こりうるということが分かってきた。上述したように、マニホールドに沿った特定点での温度が低すぎると、既に気化した反応物の凝縮がマニホールドのその点で起こるおそれがあるが、マニホールド内で非常に高い温度を維持すると、液体供給ラインにおいて、マニホールド内への反応物の気化・注入部の上流側で液状前駆物質の沸騰若しくは分解をもたらす場合があり、その場合、液体流量計を通る液状前駆物質の変則的な流れを引き起こす。
【０００７】
結果として生じる反応物の流速の不安定性は、上述のいずれかの問題のため、適当にドープされた酸化ケイ素膜の均質生成物の十分な形成を妨げる。例えば、上述した、リン及び／又はホウ素をドープした酸化ケイ素膜の形成において、早期凝縮は、１種類以上のドーパントの膜中への導入に影響を与える場合があり、また酸化ケイ素膜中のドーパントの均質な分布にも影響を与える。また、処理チャンバーへの気化速度及び流れが均一でない場合には、酸化ケイ素薄膜のマイクロ層はそれぞれ、互いに異なる濃度のドーパントを導入する可能性がある。
【０００８】
従って、半導体基板上の薄膜処理において用いられる成分送出しシステム、特に、液状前駆物質を利用する送出しシステムは、蒸気或いは液体状態での各成分の温度感受性（temperature sensitivity ）を低下させる態様で設計され操作されるならば好都合となるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、液状前駆物質源を用いて半導体基板上で薄膜を処理するための方法及び装置を備え、当該方法及び装置においては、まず、最高の蒸気圧を有する液状前駆物質源ないしは液状成分が気化され、処理チャンバーに接続された共通のマニホールド内に蒸気として導入される。なお、この導入点は処理チャンバーから離隔配置されている。この後、第１液状前駆物質源より低い蒸気圧を有する第２液状前駆物質源は、前以て気化された液状前駆物質源の入口点よりも処理チャンバーに近い点で、気化された形にしてマニホールド内に導入される。これは各液状前駆物質源に対して繰り返され、その場合、次に低い蒸気圧を有する後続の各液状前駆物質源は、予め気化された液状前駆物質源より処理チャンバーに近い点で、気化された形にしてマニホールド内に導入される。この場合、温度勾配は、気化する前の液状前駆物質源の早期沸騰若しくは既に気化された成分の凝縮をなお軽減しつつ、マニホールドに沿って処理チャンバーに向かう方向に温度が高くなるようにして温度を維持するのがよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
今、図１を参照すると、本発明の方法及び装置は、共通のマニホールド内への特定の導入順序で複数の液状前駆物質源の蒸気を処理チャンバーの上流側で共通のマニホールド内に導入することによって半導体基板上の薄膜の形成を改良するものである。液状前駆物質源の蒸気は、最高の蒸気圧を有する液状前駆物質源が処理チャンバーの最上流側の点でマニホールドに導入されるようにして、それぞれの蒸気圧の順にマニホールドに導入される。次に低い蒸気圧を有する液状前駆物質源からの蒸気は、最高の蒸気圧の液状源から生じる蒸気の導入点の下流にある点で、すなわち処理チャンバーにより近い点で導入される。これは、各液状前駆物質源に対して繰り返され、その場合には、次に低い蒸気圧を有する後続の  （succeeding）各液状前駆物質源の蒸気が、より高い蒸気圧を有するそれより前の液状前駆物質源の蒸気の導入点の下流側の点でマニホールドに導入される。
【００１１】
「最高蒸気圧」及び「次に低い蒸気圧」という言い回しを使用することにより、同じ温度で測定したときのいくつかの液体の各蒸気圧を比較するものである。以下、より詳細に述べるように、各液状前駆物質に対し、蒸気として共通のマニホールド内に導入する点で別々の温度が用いられるということはもちろん認識されるであろう。
【００１２】
今、図２に移ると、非限定的な例示として、本発明の方法及び装置が、シリコン、リン及びホウ素の液状前駆物質源を使用して、シリコンウェハ上でのホウ素及びリンをドープしたシリコン酸化ガラス（boron and phosphorus doped silicon oxide glass、ＢＰＳＧ）からなる膜の形成に関して図示されている。
【００１３】
図２に示されるように、堆積チャンバー１０が、チャンバー１０内のサセプター１２ないしはウェハー支持台１２上に載置されたシリコンウェハー２０を有した状態で示されている。共通のマニホールド３０からのキャリアガス及び処理ガス及び／又は蒸気は、チャンバー１０内にあってウェハ２０の上方に配置された分配ノズル若しくはシャワーヘッド１４を通って堆積チャンバー１０に入り込む。チャンバー１０は通常、大気圧以下の圧力に排気（evacuate）され或いはその圧力に維持されるが、いかなる場合においても、チャンバー１０は、ガス及び蒸気がマニホールド３０を通ってチャンバー１０の方向に流れるようキャリアガス及び処理ガス及び／又は蒸気よりも低圧で維持される。なお、チャンバー１０は主に、マニホールド３０の端部に配置される。
【００１４】
アルゴン、窒素若しくはヘリウムのようなキャリアガス源４０は、ライン４２、流量コントローラー４４、第２ライン４６及び閉止バルブ４８を通ってマニホールド３０と結ばれている。キャリアガスはこれらを通って、堆積チャンバー１０から最も離れた、すなわち最も上流側にある入口点３１の方に流れ、そのため入口点３１でマニホールド３０に入り込むキャリアガスは、堆積チャンバー１０に流入する前にマニホールド３０の全長を通過することになる。
【００１５】
マニホールド３０における入口点３１の下流側では、５０℃で４００トールの蒸気圧を有するホウ素ドーパント（例えば、ホウ酸トリエチル（ＴＭＢ））の液状源５０が、蒸気としてマニホールド３０に導入される（マニホールド３０に蒸気として導入される全液状源のうち、与えられた温度で最高蒸気圧をこの液状源が有すると仮定）。液状ホウ素源５０はライン５２を介して流量計５４に接続されており、この流量計５４を通って液状ホウ素ドーパント源が第２ライン５６、そして複合型バルブ・気化器５８に流通する。このバルブ・気化器５８は液状ホウ素ドーパントを気化させ、点３２で蒸気としてマニホールド３０に流れ込むホウ素ドーパントの量を制御する。この点３２は、キャリアガスの入口点３１より下流側、すなわち処理チャンバーにより近いところにある。
【００１６】
複合型バルブ・気化器５８は、マニホールド３０に沿って流通するキャリアガスが第１ポートを通って流入し、チャンバーないしはキャビティを通って移送される構造を備えるとよい。なお、このキャビティにおいて、液状前駆物質は圧力のかかった状態で、キャリアガスの流れに対してほぼ垂直に配置された注入ポートからキャリアガス流の中に径方向に注入される。注入ポート開口部を通る液状前駆物質の流れはダイアフラムによって制御され、このダイアフラムは、フィードバック制御システムに電気的に接続された圧電素子により制御され、その構造体を通る液状前駆物質の流れをその中で気化するよう制御するようになっている。従って、圧力勾配が、液体アパーチャポートとキャビティの他の部分との間に存在することとなる。その場合、液状前駆物質源は、キャビティ内の、液体と蒸気・ガスとの間に結果として生じる圧力差により気化され、ガス・蒸気の混合物は、バルブ・気化器構造体５８からマニホールド３０に戻る。バルブ・気化器構造体５８は加熱手段（図示せず）を備え、低減された圧力で、キャリアガスと共に、キャビティを通って流れる蒸気の凝縮点より高い温度であるが気化されていない液状前駆物質の沸点若しくは分解温度より低い温度でその構造体を維持するようにするのがよい。このようなバルブ・気化器構造体は、１９９３年１２月１２日に出願され、本件出願人に譲渡され且つ係属している米国特許願第０７／９９０，７５５号（特願平第５−３１５，４６６号）に詳細に示されている。
【００１７】
５０℃で７０トールの蒸気圧を有するリンドーパント（例えば、ホスホン酸トリメチル（ＴＭＰ））の液状前駆物質源６０は、ライン６２を介して流量計６４に連結されている。液状リンドーパント源６０は、流量計６４から第２ライン６６及び複合型バルブ・気化器６８に流れる。このバルブ・気化器６８は、点３４で蒸気としてマニホールド３０に流れ込む液状リンドーパントを気化させるとともに、このリンドーパントの量を制御するものであり、上述のバルブ・気化器５８と類似か若しくは同一のものである。なお、上記の点３４は、キャリアガス入口点３１及びリンドーパント蒸気入口点３２より下流側にある。
【００１８】
前述の構造におけるものと同様に、バルブ・気化器６８の温度は、気化されていない液状前駆物質を沸騰若しくは分解させることなく液状リン源の気化をもたらすに十分な範囲内で維持されるとよい。特定の液状ホウ素ドーパント源は、前述の液状前駆物質源と共に、特定の液状リンドーパント源より高い蒸気圧を有するので、バルブ・気化器６８及びリンドーパント蒸気入口点３４におけるマニホールド３０の温度を、液状リン源の気化を許容するのに十分高い温度に維持すれば、それより前に気化されたホウ素ドーパント源のマニホールド３０のその点での凝縮を引き起こすことはないであろう。
【００１９】
液状ホウ素前駆物質の蒸気の入口点３２と液状リン前駆物質の蒸気の入口点３４との間にあるマニホールド３０は加熱する必要がないかもしれないが、点３２と点３４との間にあるマニホールド３０の温度を、バルブ・気化器５８及びバルブ・気化器６８において維持される各温度の中間温度で維持することが好ましい。このことは、例えば、点３２と点３４との間にあるマニホールド３０をヒーティングテープで被包し、調整可能な外部電源にそのヒーティングテープを接続することによって達成することができる。
【００２０】
上記ホスホン酸トリメチル液状リンドーパント源の蒸気圧は、ホウ酸トリメチル液状ホウ素ドーパント源の蒸気圧より低い（同じ温度で）ということに気付くであろう。それゆえ、本発明によれば、気化された液状リンドーパント源の蒸気は、気化された液状ホウ素ドーパント源の蒸気の下流側でマニホールド３０に導入される。しかし、同じ温度で液状ホウ素ドーパント源より高い蒸気圧を有する別の液状リンドーパント源を用いれば、気化された液体リンドーパント源は、まずマニホールド３０、すなわち堆積チャンバー１０の上流側であって最も離隔配置された点でマニホールド３０に導入される。例えば、ホウ酸トリエチル又はホスホン酸トリメチルを各々ホウ素源又はリン源として用いれば、ホスホン酸トリメチルはホウ酸トリエチルより高い蒸気圧を有するため（同じ温度で）、ホスホン酸トリメチル蒸気は、ホウ酸トリエチル蒸気の導入部の上流側の点でマニホールド３０に導入される。
【００２１】
ここで、各液状前駆物質の蒸気圧を比較目的のみのための共通の参照温度で比較して各蒸気のマニホールド３０内に流入する順番を決定するということに注意されたい。個々の液状前駆物質がそれぞれ気化されてマニホールド３０内を流れるガス流及び蒸気流に導入されるときの実際の圧力は、個々の気化器の温度とマニホールド３０内の圧力とを含む他の外部因子に依存するであろう。
【００２２】
また、図２を参照すると、５０℃で９トールの蒸気圧を有するシリコンの液状源７０（例えば、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）のようなアルコキシシラン）が、流量計７４に続くライン７２を介してマニホールド３０に接続されており、流量計７４を通して液状シリコン源を第２ライン７６に、そして、複合型バルブ・気化器７８（バルブ・気化器構造体５８と類似或いは同一）に流れる。このバルブ・気化器７８は、液状シリコン源７０を気化させ、点３６で蒸気としてマニホールド３０に流れ込むシリコン源の量を制御する。点３６は、キャリアガス入口点３１、ホウ素ドーパント蒸気入口点３２及びリンドーパント蒸気入口点３４より下流側にあるように図２に示されているが、これは、ホウ酸トリメチル及びホスホン酸トリメチルの蒸気圧と比較して、ＴＥＯＳの蒸気圧の方がより低いためである。しかし、ＴＥＯＳの蒸気圧より低い蒸気圧を有するホウ素及び／又はリンの液状前駆物質源を用いれば、気化されたＴＥＯＳのマニホールド３０への入口点は変更されることとなる。
【００２３】
さらに、本発明によれば、他の液状シリコン源（例えば、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン若しくはトリエトキシシランのような他のアルコキシシラン）をＴＥＯＳの代りに用いれば、気化されたシリコン源のマニホールド３０への入口点は、必要ならば、他の気化された液状前駆物質源の入口点に対し他の液状前駆物質の同じ温度での蒸気圧に対する特定の液状シリコン源の蒸気圧に基づいて適切に調整される。
【００２４】
酸素のガス状源８０は、酸素、オゾン或いはその混合物を含み、この酸素源をライン８２から、ドーパント及びシリコンの各液状源の蒸気の入口点３２、３４及び３６の下流側にある入口点３８に流すことによって、マニホールド３０に導入される。前述したように、このような酸素源は、マニホールド内で、酸素がマニホールド３０内の他のガス及び蒸気と早期反応することを避けるよう、マニホールド３０への入口点を、ガス・蒸気の堆積チャンバー１０への導入部の直前に有するのが好ましい。
【００２５】
各入口点が堆積チャンバー１０に近くなるにつれて蒸気圧が低くなる順に各液状前駆物質の蒸気がマニホールド３０に注入された状態で、すべての反応物がマニホールド３０に導入された後では、本発明によれば、ガス混合物は、ウェハ２０の上方にある分配ノズルないしはシャワーヘッド１４を通して堆積チャンバー１０に入り込む。結果として、反応物の各ガス状源及び各液状源からの、マニホールド３０を通る蒸気・ガスの混合物の流れを制御することができるとともに、マニホールド内の既に気化された成分のいずれの成分の凝縮をも又は気化されていない液状反応源のいずれの成分の早期沸騰若しくは分解をも除去し又は軽減する。
【００２６】
【実施例】
次の記述は、ＴＥＯＳ、ホスホン酸トリメチル及びホウ酸トリメチルを用いることによる多くのシリコンウェハ上でのＢＰＳＧ層の形成に関するものであって、本発明の実施の形態をさらに説明したものである。一端が堆積チャンバーに接続されているマニホールドの他端に、約１００℃のヘリウムガスが１０００ｓｃｃｍ流入された。ヘリウムガス入口点での温度は、閉ループ温度制御システムにより約１００℃に維持された。液状ホウ酸トリメチル源からの液状ホウ酸トリメチルは、５０ミリグラム／分の割合で流量計を通って流され、それから、気化されてアルゴン入口点の下流側の点でマニホールドに注入された。ホウ素含有ドーパント蒸気の入口点ではマニホールドは約８０℃に維持された。液状ホウ酸トリメチル源からの液状ホウ酸トリメチルは、２０ミリグラム／分の割合で第２流量計を通って流され、それから、気化されてホウ素含有蒸気入口点の下流側の点でマニホールドに注入された。リン含有ドーパント蒸気の入口点ではマニホールドは約１２０℃に維持された。液状ＴＥＯＳもまた、５００ミリグラム／分の割合で流量計を通って流され、それから、気化されてリン含有蒸気入口点の下流側の点でマニホールドに注入された。ＴＥＯＳ蒸気の入口点ではマニホールドは約１２０℃に維持された。さらに、マニホールドの堆積チャンバーに対する連結部に最も近い点で、酸素（Ｏ2 ）と８重量パーセントオゾン（Ｏ3 ）との混合物が約４０００ｓｃｃｍの割合でマニホールドに流入された。マニホールドは、ＴＥＯＳ蒸気の入口点から処理チャンバーまで約１００℃の温度に維持された。このプロセスは多くのウェハに対して繰り返され、各ウェハに対しては同じ標準フロー制御及び同じ温度を使用した。
【００２７】
結果として生じるシリコンウェハ上に形成されたＢＰＳＧコーティングないしは膜は、均質にドープされたシリコン酸化ガラス層の形成に対して、それぞれフーリエ変換赤外反射分光法（ＦＴＩＲ分光法）を用いて検査された。本発明の実施例の結果から、ホウ素含有量又はリン含有量がＢＰＳＧ又はウェハ全域にわたって０．１％も変化しない均一なコーティングが得られるということが分かった。このことは、先に気化された反応物の凝縮、及び／又は、気化されていない反応物の早期沸騰という問題が、均一にドープされたＢＰＳＧ膜ないしはＢＰＳＧ層をシリコンウェハ上に繰り返し可能に形成することを許容するほどに除去され若しくは充分軽減されたということを示している。
【００２８】
【発明の効果】
このように、本発明は、２以上の液状前駆物質源を用いて被膜（coating film）を半導体基板上に形成するための方法及び装置を提供するものであり、本発明においては、液状前駆物質源はそれぞれ気化され、共通のマニホールドに蒸気圧（同じ温度で測定したとき）の低くなっていく順に導入される。この場合、最高の蒸気圧を有する液状前駆物質源は、処理チャンバーから最も遠くに配置された点でマニホールドに導入され、処理チャンバー内には、マニホールドからガス及び蒸気の混合物が流入される。本発明の方法及び装置は、先に気化された液状前駆物質源のマニホールドにおける凝縮、及び／又は、気化前の液状前駆物質源の沸騰若しくは分解を除去し又は軽減し、もって、より均一な分布の処理ガス及び処理蒸気が処理チャンバーに送られ、向上した均質性を有する膜の形成をもたらすことになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明を具現化した装置配列の概略図である。
【符号の説明】
１０…処理チャンバー、１２…サセプタ、１４…分配ノズル、２０…ウェハー、３０…マニホールド、３１…入口点、３２…入口点、３４…入口点、３６…入口点、３８…入口点、４０…キャリアガス源、４２…ライン、４４…流量コントローラー、４６…第２ライン、４８…閉止バルブ、５０…ホウ素ドーパント液状源、５２…ライン、５４…流量計、５６…第２ライン、５８…バルブ、６０…リンドーパント液状源、６２…ライン、６４…流量計、６６…第２ライン、６８…バルブ・気化器、７０…シリコン液状源、７２…ライン、７４…流量計、７６…第２ライン、７８…バルブ・気化器、８０…酸素源、８２…ライン。
【図１】
0003745413.tif 000002
【図２】
0003745413.tif 000003