(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方のフィルムが透光性を有するとともに、一方のフィルムの表面に複数の電極が形成され、かつ、他方のフィルムが導電性を有する第１および第２のフィルムと、
上記複数の電極にそれぞれ接続された状態で上記第１および第２のフィルム間に挟み込まれ、これら両フィルム面内において所定の平面パターンをもって配列された複数の光半導体チップと、
を備えており、
上記光半導体チップは、基板に化合物半導体により半導体積層部を成長させ、かつ半導体積層部上に光反射層を形成したものから上記基板を除去し、かつ除去面に導電層を形成した構造をもつＬＥＤチップであることを特徴とする、光半導体モジュール。
【請求項２】
上記第１および第２のフィルム間には、上記複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが挟み込まれている、請求項１に記載の光半導体モジュール。
【請求項３】
上記中間フィルムは、光拡散性を有している、請求項２に記載の光半導体モジュール。
【請求項４】
上記電極は、透光性を有するとともに、上記第１および第２のフィルムのうち、少なくとも一方の透光性を有するフィルムの表面に形成されている、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光半導体モジュール。
【請求項５】
上記複数の光半導体チップは、マトリクス状の平面パターンをもって配列されている、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の光半導体モジュール。
【請求項６】
上記第１および第２のフィルムは、ともに透光性を有している、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の光半導体モジュール。
【請求項７】
少なくとも一方のフィルムが透光性を有するとともに、一方のフィルムの表面に複数の光半導体チップと接続可能な複数の電極が形成され、かつ他方のフィルムが導電性を有する第１および第２のフィルムが用意されている、光半導体モジュールの製造方法であって、
基板に化合物半導体により半導体積層部を成長させ、かつ半導体積層部上に光反射層を形成した一定面積を有する光半導体原形を形成する工程と、
上記光半導体原形の上記光反射層上に延伸可能な帯状部材を貼着する工程と、
上記光半導体原形から上記基板を除去し、かつ除去面に導電層を形成したものを切断して上記複数の光半導体チップに分割する工程と、
上記帯状部材を所定の方向に延伸させることにより、上記複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列させる工程と、
上記帯状部材が貼着された面とは反対の面に対して、上記複数の光半導体チップ全体にわたって上記第１のフィルムを接合する工程と、
上記複数の光半導体チップから上記帯状部材を剥離した後、その帯状部材が貼着されていた面に対して、上記複数の光半導体チップ全体にわたって上記第２のフィルムを接合する工程と、
を有していることを特徴とする、光半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
上記複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列させる工程の後、これら複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムを上記帯状部材に貼着する工程を有している、請求項７に記載の光半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップやＬＤ（レーザダイオード）チップなどの光半導体チップを備えた光半導体モジュール、および光半導体モジュールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器のインジケータなどとして可視形態で利用される光半導体モジュールは、通常一つのＬＥＤチップごとに透光性を有する樹脂パッケージによって封止した構造とされており、つまり、ＬＥＤチップは、パッケージ内に内蔵された状態とされている。このような光半導体モジュールでは、パッケージ内においてＬＥＤチップと電極とを接続するために、ワイヤ・ボンディングによる極細状の導体ワイヤを介して接続されているのが一般的とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体モジュールでは、次のような不具合があった。
【０００４】
すなわち、近年において、光半導体モジュールの使用用途は未だ拡大の一途を辿っているのが実情であり、その使用用途如何では、光半導体モジュールの薄型化が強く要請される場合がある。たとえば、全体が薄手のカード状に形成されるＩＣカードの内部に光半導体モジュールを組み込むような場合には、ＬＥＤチップを内蔵したモジュール全体の厚みをできる限り小さくすることが望まれる。また、多数のＬＥＤチップを集合させることにより、配列画素による幾何学的な表示を可能としてインジケータなどと異なる趣向の表示機能を発揮させようという要望もある。
【０００５】
ところが、従来のインジケータなどで利用される光半導体モジュールでは、ＬＥＤチップと電極とがワイヤ・ボンディングによって接続されているため、ＬＥＤチップの厚みに加えて導体ワイヤのボンディング高さ分を考慮しなければならず、ＩＣカードのような薄手の厚み程度まで薄型化した構造を到底実現することができなかった。
【０００６】
一方、複数のＬＥＤチップを利用して配列画素による幾何学的な表示を可能とする場合、パッケージ化された個々のＬＥＤチップを多数集合させる必要があることから、パッケージ分の大きさに起因してモジュール全体が大きな構造となってしまい、上記薄型化の問題に加えてモジュール全体の小型化を図ることができなかった。
【０００７】
また、このような不具合は、ＬＥＤチップに限らず、ＬＤチップなどの他の光半導体チップにおいても、同様に生じていた。
【０００８】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、従来とは全く異なる構造のものであり、光半導体チップを多数集合させてモジュール化するのに伴って、モジュール全体の薄型化および小型化を実現することができる光半導体モジュール、およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【０００９】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１０】
すなわち、本願発明の第１の側面によって提供される光半導体モジュールは、少なくとも一方のフィルムが透光性を有するとともに、一方のフィルムの表面に複数の電極が形成され、かつ、他方のフィルムが導電性を有する第１および第２のフィルムと、上記複数の電極にそれぞれ接続された状態で上記第１および第２のフィルム間に挟み込まれ、これら両フィルム面内において所定の平面パターンをもって配列された複数の光半導体チップと、を備えており、上記光半導体チップは、基板に化合物半導体により半導体積層部を成長させ、かつ半導体積層部上に光反射層を形成したものから上記基板を除去し、かつ除去面に導電層を形成した構造をもつＬＥＤチップであることを特徴としている。
【００１１】
上記技術的手段が講じられた第１の側面により提供される光半導体モジュールによれば、複数の光半導体チップが第１および第２のフィルム間に挟み込まれた状態で、これら両フィルム面内において所定の平面パターンをもって配列された構造である。これら複数の光半導体チップは、第１および第２のフィルムのうち、一方のフィルムの表面に形成された複数の電極を介して通電可能とされている。これにより、複数の電極を介した通電制御に応じて複数の光半導体チップから選択的に光が発せられ、複数の光半導体チップによる配列画素に応じた幾何学的な表示が可能となる。したがって、光半導体モジュールは、２枚のフィルムに挟み込まれた状態で複数の光半導体チップを配列した構造であるので、チップおよび２枚のフィルム分のみの厚みを有することでモジュール全体の薄型化を実現することができる。しかも、フィルム面内において個々の光半導体チップが単に平面パターンをもって配列された構造であることから、第１および第２のフィルムによって従来のパッケージ機能を果たしつつ、モジュール全体の小型化を実現することができる。
【００１４】
また、この光半導体モジュールにおいては、光半導体チップは、基板に化合物半導体により半導体積層部を成長させ、かつ半導体積層部上に光反射層を形成したものから上記基板を除去し、かつ除去面に導電層を形成した構造をもつＬＥＤチップとしているので、結晶成長用の基板を備えた光半導体チップとは異なり、ウェハから形成される結晶成長用の基板の厚み分が排除されることから、チップ自体の厚みをかなり小さくすることができ、それにともなってモジュール全体の厚みも相当小さくすることができる。
【００１５】
他の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２のフィルム間には、上記複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが挟み込まれている。
【００１６】
このような実施形態によれば、第１および第２のフィルム間には、複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが挟み込まれているので、中間フィルムの穿孔部に光半導体チップが嵌め合わされる状態で、その中間フィルムが第１および第２のフィルムを表裏面としてモジュール全体の補強機能を果たし、薄型でありながら剛性のあるモジュール構造を提供することができる。
【００１７】
さらに、他の好ましい実施の形態においては、上記中間フィルムは、光拡散性を有している。
【００１８】
このような実施形態によれば、中間フィルムが光拡散性を有しているので、光半導体チップから発せられた光が中間フィルムを通じて効率よく第１のフィルムまたは第２のフィルムへと導かれ、外部に放出される光の明るさを一定に保つことができる。
【００１９】
さらに、他の好ましい実施の形態においては、上記電極は、透光性を有するとともに、上記第１および第２のフィルムのうち、少なくとも一方の透光性を有するフィルムの表面に形成されている。
【００２０】
このような実施形態によれば、透光性を有する電極が第１および第２のフィルムのうち、少なくとも一方の透光性を有するフィルムの表面に形成されているので、光半導体チップから発せられた光が透光性を有するフィルムを透過しつつ電極も透過することとなり、光半導体チップから外部に放出される光の透過性を良好とすることができる。
【００２１】
なお、透光性を有する電極としては、液晶ディスプレイなどで用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜が利用可能である。あるいは、一般的に良導体である金などの金属でも適用可能であり、その厚みを十分に小さくすることによって、透光性をもたせることができる。
【００２２】
さらに、他の好ましい実施の形態においては、上記複数の光半導体チップは、マトリクス状の平面パターンをもって配列されている。
【００２３】
このような実施形態によれば、複数の光半導体チップは、マトリクス状の平面パターンをもって配列されているので、そのような光半導体チップを選択的に発光させることにより、インジケータなどと異なる趣向の表示機能、たとえば文字や図形などの幾何学的な表示を行うことができる。
【００２４】
さらに、他の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２のフィルムは、ともに透光性を有している。
【００２５】
このような実施形態によれば、第１および第２のフィルムは、ともに透光性を有しているので、モジュール全体の表裏両面から光が外部に放出されることとなり、いずれの面を表面または裏面とするか関わりなくしてモジュールの取り扱いを容易とすることができる。
【００２６】
また、本願発明の第２の側面により提供される光半導体モジュールの製造方法は、少なくとも一方のフィルムが透光性を有するとともに、一方のフィルムの表面に複数の光半導体チップと接続可能な複数の電極が形成され、かつ他方のフィルムが導電性を有する第１および第２のフィルムが用意されている、光半導体モジュールの製造方法であって、基板に化合物半導体により半導体積層部を成長させ、かつ半導体積層部上に光反射層を形成した一定面積を有する光半導体原形を形成する工程と、上記光半導体原形の上記光反射層上に延伸可能な帯状部材を貼着する工程と、上記光半導体原形から上記基板を除去し、かつ除去面に導電層を形成したものを切断して上記複数の光半導体チップに分割する工程と、上記帯状部材を所定の方向に延伸させることにより、上記複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列させる工程と、上記帯状部材が貼着された面とは反対の面に対して、上記複数の光半導体チップ全体にわたって上記第１のフィルムを接合する工程と、上記複数の光半導体チップから上記帯状部材を剥離した後、その帯状部材が貼着されていた面に対して、上記複数の光半導体チップ全体にわたって上記第２のフィルムを接合する工程と、を有していることを特徴としている。
【００２７】
上記技術的手段が講じられた第２の側面により提供される光半導体モジュールの製造方法によれば、延伸可能な帯状部材を利用して複数に分割された光半導体チップを一まとめにして一度に配列させることができるので、本願発明の第１の側面によって提供される光半導体モジュールを適切に、かつ効率良く製造することができる。
【００２９】
また、先述と同様の光半導体モジュール、つまり、化合物半導体の結晶成長に用いられた基板以外の半導体積層部を本体とする光半導体チップを備えた光半導体モジュールを製造することができる。
【００３０】
他の好ましい実施の形態においては、上記複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列させる工程の後、これら複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムを上記帯状部材に貼着する工程を有している。
【００３１】
このような実施形態によれば、先述と同様の光半導体モジュール、つまり、複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが第１および第２のフィルム間に挟み込まれた状態の光半導体モジュールを製造することができる。
【００３２】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００３４】
図１は、本願発明にかかる光半導体モジュールの一実施形態を示した概略斜視図、図２は、図１に示す光半導体モジュールを拡大分解して示した拡大分解斜視図、図３は、図１に示す光半導体モジュールのＸ−Ｘ断面を一部拡大して示した一部拡大断面図である。
【００３５】
図１によく示されるように、光半導体モジュールＡは、一例として薄手のＩＣカードＢ内に組み込まれる程度の大きさのものであり、ＩＣカードＢの厚みよりも薄いシート状とされている。このような光半導体モジュールＡは、複数のＬＥＤ（発光ダイオード）チップ１、ＬＥＤチップ１を挟み込む状態で被覆する第１および第２のフィルム２，３、およびＬＥＤチップ１とともに第１および第２のフィルム２，３間に挟み込まれる中間フィルム４を具備して概略構成されている。
【００３６】
ＬＥＤチップ１それぞれは、光反射層１１、半導体積層部１２、および導電層１３が順次積層して設けられた構造を有しており、上記半導体積層部１２によって発光作用が発揮されるものである。このＬＥＤチップ１は、上記半導体積層部１２を構成する化合物半導体を結晶成長させるのに用いられた後述の基板が上記半導体積層部１２から除去された構造となっている。また、ＬＥＤチップ１は、たとえば０．３ｍｍ角のペレット状に形成されている。さらに、上記光反射層１１、半導体積層部１２、および導電層１３のトータルの厚みは、５〜１０μｍ程度の極薄寸法とされている。このようなＬＥＤチップ１の複数個は、後述する第１および第２のフィルム２，３間の平面内において、複数行複数列にわたるマトリクス状の平面パターンをもって所定間隔おきに配列された構造とされている。
【００３７】
上記光反射層１１は、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、あるいはその他の光沢を有する金属の薄膜層であり、後述するように、蒸着あるいはスパッタリングなどによって所定の金属を成膜して形成された部分である。
【００３８】
上記半導体積層部１２は、従来既知の発光ダイオードと同様な構成である。この半導体積層部１２は、ガリウムを含むIIIb−Ｖｂ属化合物半導体の単純結晶を利用したものであり、たとえば、光拡散層としてのＧａＰ層１２ａ、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｂ、発光層１２ｃ、およびｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄが積層された構造となっている。上記発光層１２ｃは、ＩｎＧａＡｌＰの層である。
【００３９】
上記導電層１３は、たとえば金（Ａｕ）の薄膜層であり、上記ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄの表面全面に金を蒸着あるいはスパッタリングなどによって成膜させた部分である。この金製の導電層１３は、その厚みがたとえば１００Å程度であり、十分に薄いことから透光性を有している。
【００４０】
第１および第２のフィルム２，３それぞれは、たとえば厚みが１０μｍ〜１００μｍ程度で透光性を有する合成樹脂フィルムであり、図示される一例では、その全体的な平面視形状が長矩形状に形成されている。
【００４１】
上記第１のフィルム２は、上記ＬＥＤチップ１の片側となる光反射層１１の表面に貼着されるものであり、金属粒子などの導電性粒子を練り込むなどしてそのフィルム各所に導電性をもたせたものである。
【００４２】
上記第２のフィルム３は、上記ＬＥＤチップ１の光反射層１１の反対側となる電極層１３の表面に貼着されるものであり、その貼着面には、複数のＬＥＤチップ１それぞれに接続する複数の電極３１が形成されている。これら電極３１は、複数のＬＥＤチップ１それぞれと整合する位置でマトリクス状の平面パターンをもって薄膜形成されており、第２のフィルム３の厚みに比べて十分に薄く形成されることから透光性を有している。また、これら電極３１は、互いに導通することなく第２のフィルム３の一端へと引き延ばされた配線パターン３２に接続されており、このような配線パターン３２も、電極３１と同様にして薄膜形成されたものである。なお、これら電極３１と配線パターン３２とは、いわゆるＩＴＯ膜などの透明電極膜によって構成することも可能である。
【００４３】
中間フィルム４は、上記ＬＥＤチップ１と同程度の厚みを有する合成樹脂フィルムであり、その全体的な平面視形状が上記第１および第２のフィルム２，３と同様の形状とされている。また、中間フィルム４には、第１および第２のフィルム２，３間に挟み込まれた状態で複数のＬＥＤチップ１に嵌め合わされる複数の穿孔部４ａが形成されており、それ以外の実体部分は、絶縁性および光拡散性を有している。このような穿孔部４ａは、その各々がＬＥＤチップ１よりもわずかに大きな形状をもって形成されており、ＬＥＤチップ１が収まる具合の大きさとされている。
【００４４】
次に、上記光半導体モジュールＡの製造方法について、図４ないし図１３を参照しながら説明する。
【００４５】
まず、図４に示すように、製造方法においてのみ用いられるＧａＡｓ基板５の表面上に、複数の半導体層１２ａ〜１２ｄを結晶成長させて、半導体積層部１２を作製する。この結晶成長は、たとえば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって行えばよく、この成長法によって発光ダイオードを構成する所定の化合物半導体の単結晶を効率良く成長させることができる。なお、上記ＧａＡｓ基板５は、ウェハとして形成されたものであって、その厚みは２００μｍ〜３００μｍ以上である。上記半導体積層部１２は、このウェハの表面の全面に作製する。
【００４６】
次いで、図５に示すように、上記半導体積層部１２の最上層のＧａＰ層１２ａの表面に、光沢を有する所定のＡｇやＣｒなどの金属を蒸着またはスパッタリングによって成膜し、光反射層１１を作製する。このようにして作製されたウエハ全体の大きさに匹敵するものを光半導体原形という。
【００４７】
その後、図６に示すように、光半導体原形の光反射層１１の表面全面に、延伸可能な帯状部材６を貼着する。この帯状部材６とは、上記ウェハよりも大きな平面積を有するたとえばエキスパンドテープなどからなるものであり、その貼着面には、あらかじめ粘着層が被膜形成されている。
【００４８】
上記帯状部材６の貼着作業後には、図７に示すように、結晶成長に用いられたＧａＡｓ基板５を半導体積層部１２の片面から除去する。この作業は、たとえば上記ＧａＡｓ基板５をアンモニアと過酸化水素水とを混合したエッチング処理液に浸漬させるエッチング処理によって行うことができる。また、このようなエッチング処理に代えて、たとえば上記ＧａＡｓ基板５を機械的な手段によって研削して除去することも可能である。ただし、作業性および半導体積層部１２の保護の観点からすれば、エッチッグ処理を行うことが好ましい。
【００４９】
上記ＧａＡｓ基板５を除去した後には、図８に示すように、半導体積層部１２の最外層に位置するｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄの表面に、金製の導電層１３を形成する。この作業は、金を蒸着し、またはスパッタリングすることによって行うことができる。これまでの作業工程により光半導体原形が作製され、続いて以下に説明する作業工程によってペレット状のＬＥＤチップ１が作製される。
【００５０】
ウエハ全体の大きさに匹敵する光半導体原形が完成された後には、図９に示すように、その光半導体原形を帯状部材６に貼着させた状態で分割する。この際、光半導体原形は、図示されないが采の目状に分割され、その分割された各々がペレット状のＬＥＤチップ１とされる。この作業は、一般のウェハのダイシング工程と同様に、たとえばダイヤモンドカッタやレーザカッタを用いて行われる。
【００５１】
次いで、図１０に示すように、帯状部材６を矢印方向Ｗに延伸させることにより、その帯状部材６に貼着されたＬＥＤチップ１を所定間隔ｔおきに配列させた状態とする。この際、帯状部材６は、図示しないが矢印方向Ｗに直交する方向にも延伸され、その結果、ＬＥＤチップ１は、マトリクス状の平面パターンをもって配列された状態となる。
【００５２】
その後、図１１に示すように、帯状部材６を延伸させたままの状態で穿孔部４ａをＬＥＤチップ１に嵌め合わせつつ、その帯状部材６の貼着面に中間フィルム４を貼着する。この際、中間フィルム４は、連続したテープ状の中間形態のものが用いられる。
【００５３】
上記中間フィルム４の貼着作業後には、図１２に示すように、帯状部材６を延伸させたままの状態で、その帯状部材６が貼着された面とは反対の面となるＬＥＤチップ１および中間フィルム４の表面全体に第２のフィルム３を接合する。この際、ＬＥＤチップ１の導電層１３と第２のフィルム３の電極３１とが整合して接続されるように位置合わせしながら作業が行われる。また、第２のフィルム３は、上記中間フィルム４と同様に連続したテープ状の中間形態のものが用いられる。
【００５４】
上記第２のフィルム３の接合作業後、貼着状態にある帯状部材６がＬＥＤチップ１および中間フィルム４から剥離され、その後、図１３に示すように、帯状部材６が貼着されていたＬＥＤチップ１および中間フィルム４の表面全体に第１のフィルム２を接合する。この際も、第１のフィルム２は、上記中間フィルム４や第２のフィルム３と同様に連続したテープ状の中間形態のものが用いられる。
【００５５】
上記一連の作業工程によれば、第１および第２のフィルム２，３間にマトリクス状の平面パターンをもって複数のＬＥＤチップ１が配列された構造の半完成品が作製され、この半完成品を所定寸法の長矩形状に切断することによって最終形態の上記光半導体モジュールＡが完成することとなる。
【００５６】
このようにして製造された光半導体モジュールＡでは、複数のＬＥＤチップ１が第１および第２のフィルム２，３間に挟み込まれた状態で、これら両フィルム２，３面内においてマトリクス状の平面パターンをもって配列された構造である。これら複数のＬＥＤチップ１それぞれは、第１のフィルム２に対してそのフィルム全体に練り込まれた導電性粒子を介してアース接続された状態であり、一方、第２のフイルム３に対してはそれぞれ対応する電極３１を介して図示しない外部電源と導通された状態とされている。これにより、複数の電極３１を介した通電制御に応じて複数のＬＥＤチップ１から選択的に光が発せられ、複数のＬＥＤチップ１による配列画素に応じた幾何学的な表示発光が第２のフィルム３を通じて視認されることとなる。
【００５７】
したがって、光半導体モジュールＡは、２枚のフィルム２，３に挟み込まれた状態で複数のＬＥＤチップ１をマトリクス状に配列した構造であるので、チップ１および２枚のフィルム２，３分のみの厚みを有することでモジュール全体の薄型化を実現することができ、しかも、フィルム２，３面内において個々のＬＥＤチップ１がマトリクス状の平面パターンをもって配列された構造であることから、第１および第２のフィルム２，３によって従来のパッケージ機能を果たしつつ、モジュール全体の小型化を実現することができる。
【００５８】
また、ＬＥＤチップ１は、製造工程における化合物半導体の結晶成長に用いられた基板５以外の半導体積層部１２を本体としているので、結晶成長用の基板５を備えた従来構造のＬＥＤチップとは異なり、ウェハから形成される結晶成長用の基板５の厚み分が排除されることから、チップ自体の厚みをかなり小さくすることができ、それにともなってモジュール全体の厚みも相当小さくすることができる。
【００５９】
さらに、第１および第２のフィルム２，３間には、複数のＬＥＤチップ１に整合して複数の穿孔部４ａを有する中間フィルム４が挟み込まれているので、中間フィルム４の穿孔部４ａにＬＥＤチップ１が嵌め合わされる状態で、その中間フィルム４が第１および第２のフィルム２，３を表裏面としてモジュール全体の補強機能を果たし、薄型でありながら剛性のあるモジュール構造を提供することができる。
【００６０】
さらにまた、複数のＬＥＤチップ１は、マトリクス状の平面パターンをもって配列されているので、そのようなＬＥＤチップ１を選択的に発光させることにより、インジケータなどと異なる趣向の表示機能、たとえば文字や図形などの幾何学的な表示を行うことができる。
【００６１】
一方、上記したような光半導体モジュールＡの製造方法によれば、延伸可能な帯状部材６を利用して複数に分割されたＬＥＤチップ１を一まとめにして一度に配列させることができるので、薄型化および小型化された上記光半導体モジュールＡを適切に、かつ効率良く製造することができる。
【００６２】
なお、本実施形態においては、第１および第２のフィルム２，３ともに透光性を有するものであるが、他の実施形態としてＩＣカードＢの表面側となる第２のフィルム３のみに透光性をもたせ、ＩＣカードＢの内部に収容される第１のフィルム２は、透光性を有することなく光反射性を有するようなものであってもよい。
【００６３】
また、第１のフィルム２は、第２のフィルム３と同様に片面に透光性を有する電極が形成されたものであってもよい。この場合、その電極の厚み分がモジュール全体の厚みに加えられることから、なるべく薄型のモジュールを作製する場合には、上記実施形態の構造がもっとも望ましいといえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明にかかる光半導体モジュールの一実施形態を示した概略斜視図である。
【図２】図１に示す光半導体モジュールを拡大分解して示した拡大分解斜視図である。
【図３】図１に示す光半導体モジュールのＸ−Ｘ断面を一部拡大して示した一部拡大断面図である。
【図４】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図５】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図６】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図７】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図８】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図９】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図１０】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図１１】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図１２】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図１３】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【符号の説明】
１    ＬＥＤチップ
２    第１のフィルム
３    第２のフィルム
３１  電極
４    中間フィルム
４ａ  穿孔部
５    基板
１２  半導体積層部
Ａ    光半導体モジュール
【図１】
0003841130.tif 000002
【図２】
0003841130.tif 000003
【図３】
0003841130.tif 000004
【図４】
0003841130.tif 000005
【図５】
0003841130.tif 000006
【図６】
0003841130.tif 000007
【図７】
0003841130.tif 000008
【図８】
0003841130.tif 000009
【図９】
0003841130.tif 000010
【図１０】
0003841130.tif 000011
【図１１】
0003841130.tif 000012
【図１２】
0003841130.tif 000013
【図１３】
0003841130.tif 000014