(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を略水平に保持した基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させながら、この基板の表面と対向して設けられた塗布ノズルから塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出しつつ当該塗布ノズルを基板の中心から周縁側に向かって移動させ、これにより基板の表面に塗布液を螺旋状に塗布する塗布膜形成方法において、
前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第１の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第１の領域を塗布する工程と、
次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第１の領域の外側の基板の周縁領域である第２の領域に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に基板の周縁側に向かって移動する噴霧ノズルから前記塗布膜の溶剤を前記第２の領域に噴霧する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
塗布ノズル及び噴霧ノズルにより前記第２の領域に夫々塗布液を塗布し、溶剤を噴霧した後、基板を回転させたまま塗布ノズルからの塗布液の吐出を停止した状態で噴霧ノズルから第２の領域の周縁位置の塗布液に前記溶剤を噴霧する工程を行うことを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させる回転機構と、
前記基板の表面と対向して設けられ、基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出するための塗布ノズルと、
前記塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズルと、
前記塗布ノズル及び噴霧ノズルを前記基板の径方向に略水平方向に移動させる移動機構と、を備え、
前記基板保持部を回転させると共に前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第１の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第１の領域を螺旋状に塗布し、次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第１の領域の外側の基板の周縁領域である第２の領域に螺旋状に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に噴霧ノズルを基板の外側に向かって移動しながら噴霧ノズルから前記溶剤を前記第２の領域に噴霧することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記噴霧ノズルは略水平軸回りに所定の振幅で回動自在に構成されることを特徴とする請求項３記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの被処理基板に例えばデバイスの保護膜用の塗布液を塗布して塗布膜の形成を行う方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜を形成するために、ポリイミドを半導体ウエハなどの基板上に塗布する処理がある。この塗布処理の方法の一つとして、ポリイミドを溶剤に溶かした薬液を塗布前に溶剤で更に薄め、例ば図１１に示すようにウエハＷを回転させておいて塗布液ノズル１１をウエハＷの径方向に徐々に略水平方向に移動させながら塗布液をウエハＷ表面に吐出し、塗布液を一筆書きの要領で螺旋状に塗布していき、この後ウエハを加熱して溶剤を揮発させ、次いで冷却する方法が検討されている。
【０００３】
この方法では、塗布液ノズル１１からの塗布液の吐出量が一定のときには、当該ノズル１１の移動速度をウエハＷの中央領域で早く、周辺領域で遅くなるように徐々に変化させて、ウエハＷ面内において塗布液の膜厚が均一になるように調整している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述の方法にて、塗布液ノズル１１の移動速度を変化させながら塗布液を塗布したとしても、例えば８インチサイズのウエハＷに対して１０μｍ程度の厚さで塗布液１２を塗布し、加熱して乾燥させると、図１２に示すように、最外部の膜厚がその他の領域の膜厚よりも約０．５μｍ程度盛り上がってしまうという現象が生じてしまうことが認められる。このように最外部の膜厚が大きくなると、その後の工程である現像特性やエッチング特性が変化してしまい、ホールの穴が開かない箇所やエッチングされない箇所が発生するおそれがある。
【０００５】
この理由については次のように考えられる。ウエハＷの周縁領域では側端部からも揮発するため、当該周縁領域の揮発量はその他の領域よりも大きく、これにより周縁領域では溶剤の揮発速度が大きくなる。このように溶剤の揮発速度が異なると揮発速度が大きい部位では揮発により温度が下がり表面張力が大きくなって液が外側へ引き寄せられ、ポリイミドの固化速度が大きいため、ウエハＷの周縁領域ではポリイミドの膜厚が大きくなってしまう。このようにこの例では周縁領域では図１２に示すように溶剤の揮発速度が大きいため、この部位のポリイミドの固化が早まり、結果として膜厚が大きくなると推察される。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は例えば基板にポリイミドを主成分とする塗布膜を形成する場合に、膜厚の高い均一性を確保することができる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の塗布膜形成方法は、基板を略水平に保持した基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させながら、この基板の表面と対向して設けられた塗布ノズルから塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出しつつ当該塗布ノズルを基板の中心から周縁側に向かって移動させ、これにより基板の表面に塗布液を螺旋状に塗布する塗布膜形成方法において、
前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第１の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第１の領域を塗布する工程と、
次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第１の領域の外側の基板の周縁領域である第２の領域に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に基板の周縁側に向かって移動する噴霧ノズルから前記塗布膜の溶剤を前記第２の領域に噴霧する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このような方法は、基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させる回転機構と、
前記基板の表面と対向して設けられ、基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出するための塗布ノズルと、
基板の塗布膜形成領域の周縁領域に前記塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズルと、
前記塗布ノズル及び噴霧ノズルを前記基板の径方向に略水平方向に移動させる移動機構と、を備えた塗布膜形成装置にて実施される。
【０００９】
このような発明によれば、放熱量が大きく塗布膜の溶剤が揮発しやすい基板の周縁領域には、その他の領域よりも前記溶剤が多く塗布されることになるので、基板面内全体に亘って溶剤の揮発程度が揃えられる。これにより溶剤の揮発程度に依存する塗布膜の固化速度が基板面内に亘ってほぼ同じ程度になるので、塗布膜の膜厚が基板面内全体で揃えられ、膜厚の高い均一性を確保することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布膜形成方法を実施するための塗布膜形成装置について説明する。先ずこの装置の全体構成について図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。図中２１はカセットステーションであり、例えば２５枚のウエハＷを収納したカセットＣを載置するカセット載置部２２と、載置されたカセットＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアーム２３とが設けられている。この受け渡しアーム２３の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されている。処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２５が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット３１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。
【００１１】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、塗布ユニット３１の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは例えば図２に示すように塗布ユニット３１にて表面に塗布液が塗られたウエハＷを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット３２、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット３３、ウエハＷを冷却する冷却ユニット３４等が含まれる。なお棚ユニットＵ２，Ｕ３については、ウエハＷを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット３５も組み込まれる。また、上述した主搬送手段２５は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット３１及び棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニット間でウエハＷの受け渡しを行うことが可能となっている。
【００１２】
次に図３〜図５を参照して塗布ユニット３１の説明を行う。ここでは塗布ユニット３１の外装体をなす筐体を省略するが、この図示しない筐体内には、例えば側方にウエハＷの搬入出用の開口部（図示せず）が形成された中空のケース体４１が設けられ、その内部にはウエハＷを裏面側から真空吸着して水平保持する基板保持部をなすウエハ保持部４２と、このウエハ保持部４２を下方側から支持すると共に、塗布処理時にはウエハ保持部４２を鉛直軸周りに回転させる回転機構４３とが設けられている。
【００１３】
ケース体４１の天井部にはＸ方向に延びるスリット４４が形成されており、このスリット４４の上方には、例えばポリイミドを塗布膜の成分とする塗布液を供給するための塗布ノズル５が、下部側先端の吐出孔５１がスリット４４を介してケース体４１内に突出した状態で、ノズル支持部５２により支持されて駆動機構５３によりＸ方向に移動できるように構成されており、この塗布ノズル５は例えば吐出孔５１の口径が１００μｍ程度であって、例えばウエハＷの１０ｍｍ上方側から０．０５ミリリットル／ｓｅｃの流量で塗布液をウエハＷ表面に吐出するようになっている。
【００１４】
また前記ノズル支持部５２には、ウエハＷ表面に塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズル５４が、例えば支持部５５を介して前記塗布ノズル５４の進行方向側に当該ノズル５４と隣接するように設けられている。この噴霧ノズル５４は例えばノズル５４先端の噴霧孔５５の口径が０．５ｍｍ程度であって、例えばウエハＷの３ｍｍ上方側から、例えば０．０２５ミリリットル／ｓｅｃの流量で前記溶剤をウエハＷ表面に噴霧するように構成されている。
【００１５】
前記塗布ノズル５とこの噴霧ノズル５４とは、例えば図５に示すように、塗布ノズル５からウエハＷ表面に吐出される前記塗布液の吐出位置よりも塗布ノズル５の進行方向の前方側に噴霧ノズル５４からウエハＷ表面に前記溶剤が噴霧されるようになっている。
【００１６】
このような塗布ノズル５は例えばフレキシブルな成分供給路６１により、開閉バルブＶ１，混合部６２，開閉バルブＶ２を介して例えばポリイミドなどの前記塗布膜の成分を貯留する成分槽６３に接続されると共に、混合部６２の上流側にて開閉バルブＶ３を介して例えばシンナー液などの塗布膜の溶剤を貯留する溶剤槽６４に接続されている。前記混合槽６２は前記塗布膜の成分と溶剤とを混合して塗布液を調製するためのものであるが、混合槽６２を設置せずに供給路内にて前記塗布液を調整するようにしてもよい。また噴霧ノズル５４は例えばフレキシブルな供給路６５により、開閉バルブＶ４を介して前記溶剤槽６３に接続されている。この例においては図示しない制御部により流量調整部をなす開閉バルブＶ１〜Ｖ４の開度を制御することによって、成分槽６３や溶剤槽６４から混合槽６２に供給される前記成分の量や前記溶剤の量が調整されると共に、塗布液ノズル５から吐出される塗布液の流量や噴霧ノズル５４から噴霧される溶剤の流量が調整される。
【００１７】
次にこのような塗布膜形成装置にて実施される本発明方法について説明する。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入されると、受け渡しアーム２３によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け渡しアーム２３から棚ユニットＵ２中の受け渡しユニット３５を介して主搬送手段２５へと受け渡され、塗布ユニット３１内に搬入される。塗布ユニット３１内に搬入されたウエハＷは、ウエハ保持部４２にて裏面側を吸着され概ね水平に保持される。一方塗布液の供給系では、開閉バルブＶ２，開閉バルブＶ３を所定の開度で開き、混合部６２に所定量の塗布膜の成分及び所定量の溶剤を供給して、当該混合部６２にて所定濃度の塗布液を調製しておく。
【００１８】
そしてウエハＷを所定の回転数で回転させる一方、塗布ノズル５をウエハＷ中心の上方に位置決めし、開閉バルブＶ１を開いて所定量の塗布液の吐出を開始してウエハＷの中心から周縁側へ向かって径方向に徐々に移動させる。このようにすると、ウエハＷ表面では塗布液が螺旋状の模様を描きながら塗布されることになる。
【００１９】
こうして図６及び図７（ａ）に示すように、塗布ノズル５から所定流量の塗布液を吐出しながらウエハＷの中心から周縁側に向かって、例えばウエハＷの塗布膜形成領域の周縁から３ｍｍ〜５ｍｍ程度内側の位置である第１の位置まで移動させ、こうしてウエハＷの塗布膜形成領域の第１の領域７１について塗布液を塗布する。続いて図６及び図７（ｂ）に示すように、塗布ノズル５から所定流量の塗布液を吐出すると共に、開閉バルブＶ４を開いて噴霧ノズル５４から所定流量の溶剤を噴霧しながらウエハＷの塗布膜形成領域の周縁位置まで塗布液ノズル５及び噴霧ノズル５４を移動させ、こうして第１の領域の外側の第２の領域７２について塗布液を塗布する。
【００２０】
このようにするとウエハＷ表面の前記第２の領域７２では、図８に示すように、塗布液ノズル５からウエハＷ表面上に塗布液が吐出され、当該吐出された塗布液の、塗布液ノズル５の進行方向の前方側に噴霧ノズル５４から溶剤７４が噴霧される状態で塗布液が塗布されることになり、こうしてウエハＷ表面に塗布された塗布液では、中央部から前記第１の位置までの前記第１の領域７１よりも、前記第１の領域７１の外側の第２の領域７２の方が前記溶剤が多い状態となる。
【００２１】
次いで塗布液の塗布が行われたウエハＷは、主搬送手段２５にて第１の乾燥手段である減圧乾燥ユニット３２へ搬送され、ここで例えば５０℃程度にウエハＷを加熱すると共に、ウエハＷの置かれる雰囲気を例えば１３．３Ｐａの減圧雰囲気として、例えば図７（ｃ）に示すように、ウエハＷ表面に塗布された塗布液の溶剤を揮発させて乾燥させる。この後ウエハＷは、主搬送手段２５にて第２の乾燥手段である加熱ユニット３３へ搬送され、ここで例えば９０℃程度に加熱されてさらなる溶剤の揮発を行うプリベイクを行った後、主搬送手段２５にて冷却ユニット３４へ搬送され、ここで例えば２３℃程度に冷却され、これにより図７（ｄ）に示すように所定のポリイミド膜７５よりなる塗布膜が形成される。こうして冷却されたウエハＷは主搬送手段２５により例えばカセットステージ２２の元のカセットＣ内に戻される。
【００２２】
上述実施の形態によれば、ウエハＷの塗布膜形成領域の周縁側の第２の領域では塗布液の進行方向の前方側に溶剤を噴霧しながら塗布液の塗布を行っていて、当該領域の溶剤量は第１の領域よりも多くなるので、塗布膜の膜厚をウエハ面内に亘って均一にすることができる。つまり既述のように、ウエハＷの周縁領域の放熱量はその他の領域よりも大きく、この放熱量に依存してこの周縁領域では塗布膜の溶剤の揮発速度が大きくなるので、この領域の前記溶剤の揮発量は他の領域よりも多くなる。
【００２３】
従ってもともとこの第２の領域の前記溶剤量を第１の領域よりも多くし、前記溶剤にて希釈するようにしておけば、前記溶剤が第１の領域よりも多く揮発したとしても、結果として前記溶剤の揮発の程度を第１の領域と揃えられる。このようにウエハＷ面内において前記溶剤の揮発程度がほぼ同じになるので、ポリイミドの固化速度がウエハ面内においてほぼ揃えられ、この結果ウエハＷ面内に亘ってほぼ同じ膜厚のポリイミド膜を形成することができる。
【００２４】
ここで前記第１の位置や、第２の領域にて噴霧ノズル５４から噴霧される前記溶剤の量等は、例えば種々の条件を変えてウエハＷ上にポリイミド膜を形成してウエハＷの塗布膜形成領域の周縁部に盛り上がりが生じるか否かを確認することにより試行錯誤的に決定され、例えば８インチサイズのウエハＷに対して１０μｍ程度の厚さのポリイミド膜を形成する場合には、前記第１の位置はウエハＷの周縁部から３ｍｍ〜５ｍｍ程度内側の位置であることがあることが望ましく、第２の領域にて噴霧ノズル５４から噴霧されるシンナー液の量は、ウエハＷの回転数を１５ｒｐｍとし、噴霧ノズル５４を例えば１．０〜１．２ｍｍ／ｓｅｃの速度で進行させる場合、０．０５〜０．０５５ミリリットル程度であることが望ましい。
【００２５】
実際に、図３に示す構成の塗布ユニット３１にてウエハＷの回転数を１５ｒｐｍとして、塗布ノズル５及び噴霧ノズル５４を例えば１．０〜１．２ｍｍ／ｓｅｃの速度で進行させ、前記第１の位置をウエハＷの周縁部から３ｍｍ内側の位置とし、第２の領域にて噴霧ノズル５４から噴霧されるシンナー液の量を０．０５ミリリットルとして８インチサイズのウエハＷに対して１０μｍ程度の厚さのポリイミド膜を形成し、ウエハＷ面内全体に亘って膜厚を測定して膜厚の均一性を膜厚測定器（ナノスペックＭ５１００）により確認したところ、塗布膜形成領域の周縁領域でのポリイミド膜の盛り上がりは認められず、高い膜厚の均一性を確保できることが確認された。
【００２６】
また上述の例においては、第２の領域に対して塗布液ノズル５から前記塗布液を吐出し、噴霧ノズル５４から前記溶剤を噴霧しながら塗布液ノズル５及び噴霧ノズル５４をウエハＷの塗布膜形成領域の周縁領域まで移動させ、次いでこの塗布膜形成領域の周縁領域にて前記噴霧ノズル５４を停止させて、この状態で所定時間例えば４〜５秒程度この領域の塗布液上に前記溶剤を噴霧するようにしてもよい。このときウエハＷは回転させたままであって、塗布液ノズル５からの塗布液の吐出は停止した状態である。このようにすると、塗布液形成領域の周縁領域には塗布液の形成領域の端面までも十分に前記溶剤を噴霧することができ、これにより当該領域の放熱量が他の領域よりも多くても、前記溶剤の揮発程度が他の領域と揃えられるので、結果としてウエハＷ上に形成されるポリイミド膜の膜厚の均一性を高めることができる。
【００２７】
また上述の例では、前記溶剤は塗布液の進行方向側の前方側に噴霧されるので、この場合には塗布液は予め前記溶剤が噴霧された領域に塗布されることになる。このため前記溶剤により塗布液の接触角が小さくなるので、塗布液が広がりやすい状態となって膜厚が膨らむのを抑えることができ、この点からも塗布膜形成領域の周縁領域での膜の盛り上がりを抑えることができる。
【００２８】
さらに第２の領域においてウエハＷの回転数を第１の領域での塗布よりも例えば５〜１０ｒｐｍ高くしてもよいし、塗布ノズルの移動速度を速くしてもよい。さらにまた図９に示すように、噴霧ノズル５４から噴霧する前記溶剤の量を図８に示す例よりも少ない量に設定するようにしてもよい。
【００２９】
さらに本発明では、図１０（ａ）の塗布ノズルの正面図、図１０（ｂ）の塗布ノズルの平面図に示すように、噴霧ノズル５４の先端位置（吐出孔）を略水平軸まわりに所定の振幅内にて回動自在に設けるようにしてもよい。この例では例えば噴霧ノズル５４は、塗布液ノズル５の進行方向側の前方側に隣接するように、例えば長さ方向のほぼ中央位置がノズル支持部５２にて支持部８１を介して軸支されており、例えば噴霧ノズル５４の上部側は常時塗布液ノズル５側に位置するように付勢されるようになっている。
【００３０】
また前記ノズル支持部５２の内部には、前記噴霧ノズル５４の支持部８１にて支持された領域よりも上部側を塗布液ノズル５側から押圧する例えばエアシリンダー等よりなる押圧部８２が設けられており、この押圧部８２にて常時塗布液ノズル５側に上部側が位置するように付勢されている噴霧ノズル５４を押圧することにより、前記噴霧ノズル５４の吐出孔が所定の振幅で回動（一方向への移動も含むものとする）するように構成されている。
【００３１】
このような例では、噴霧ノズル５４を回動させることにより噴霧ノズル５４の塗布ノズル５に対する角度を変えるようにすれば、塗布液ノズル５からの塗布液の吐出位置の、当該ノズル５の進行方向側の前方の領域において、好ましい領域に自由に前記溶剤を噴霧することができる。また前記溶剤を噴霧させた状態で噴霧ノズル５４を回動させるようにすると、前記塗布ノズル５の進行方向側の前方の領域に対して広い面積で前記溶剤を噴霧することができる。このように噴霧ノズル５４からの前記溶剤の噴霧をさまざまな形態で行えるようにすると、塗布処理のレシピに応じて前記溶剤の噴霧を行うことができ有効である。
【００３２】
以上において本発明では、ウエハＷの塗布膜形成領域の第２の領域では、塗布液ノズル５からのウエハ表面への塗布液の吐出位置よりも当該塗布ノズル５の進行方向側の前方側に前記溶剤を噴霧することが揮発面に直接シンナーを噴霧するという観点からは望ましいが、塗布液ノズル５からのウエハ表面への塗布液の吐出位置とほぼ同じ位置に前記溶剤を噴霧するようにしてもよいし、前記塗布液の吐出位置の当該塗布ノズル５の進行方向側の後方側に前記溶剤を噴霧するようにしてもよい。
また噴霧ノズル５４は塗布ノズル５とは別個に設け、前記第２の領域において塗布液ノズル５と噴霧ノズル５４とを別々に移動させて、ウエハ表面への塗布液の吐出と、前記溶剤の噴霧とを行うようにしてもよい。また前記第２の領域において噴霧ノズル５４を塗布膜形成領域の周縁側に位置させたまま移動させずに、当該周縁領域に前記溶剤を噴霧し、この領域を溶剤雰囲気としてもよいし、図１０に示すように略水平軸回りに回動自在の噴霧ノズル５４を用いて、噴霧ノズル５４の位置を変えずに当該噴霧ノズル５４を回動させながら前記溶剤を広い範囲で噴霧するようにしてもよい。
【００３３】
さらに本発明では、噴霧ノズル５４を設けない構成とし、前記第１の領域に塗布液を吐出するときと、前記第２の領域に塗布液を吐出するときとの間で塗布ノズル５の供給系において制御部により開閉バルブＶ３の開度を調整し、前記第２の領域を塗布するときには、前記開閉バルブＶ３の開度を大きくするように制御して溶剤槽６４からの混合部６２への溶剤供給量を多くし、これにより前記第２の領域の前記溶剤量を増やすようにしてもよい。また流量調整部としては、マスフローコントローラを用いるようにしてもよい。さらに本発明は、ポリイミド膜を成分とする塗布膜について実施例を記載したが、粘度の高い塗布液例えばレジスト液の塗布にも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板に螺旋状に塗布液を吐出して塗布膜を形成するにあたり、塗布膜形成領域の周縁領域における膜の盛り上がりを抑え、膜厚の均一性の高い塗布膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図２】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視図である。
【図３】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニットを説明するための縦断面図である。
【図４】上記の塗布ユニットを説明するための平面図である。
【図５】上記の塗布ユニットにおいて用いられる塗布ノズルと噴霧ノズルを説明するための側面図である。
【図６】本実施の形態の作用を説明するための特性図である。
【図７】本実施の形態の作用を説明するための工程図である。
【図８】上記の塗布ノズルと噴霧ノズルの作用を説明するための側面図である。
【図９】上記の塗布ノズルと噴霧ノズルの作用を説明するための側面図である。
【図１０】塗布ノズルと噴霧ノズルの他の例を示す正面図と平面図である。
【図１１】従来の塗布膜形成方法を説明するための平面図である。
【図１２】従来の塗布膜形成方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
Ｃ    カセット
Ｗ    ウエハ
Ｓ１  処理部
Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３  棚ユニット
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３  開閉バルブ
２１  カセットステーション
２５  主搬送手段
３１  塗布ユニット
４２  ウエハ保持部
４３  回転機構
５    塗布ノズル
５３  駆動機構
５４  噴霧ノズル
６１  成分供給路
６３  成分槽
６４  溶剤槽
６５  溶剤供給路
【図１】
0003754316.tif 000002
【図２】
0003754316.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003754316.tif 000011
【図１１】
0003754316.tif 000012
【図１２】
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