(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体の表面に意図的にエッジ部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記基体の表面に形成された前記エッジ部の近傍に位置する結晶化された珪素膜に前記金属元素を集中させる工程と、
前記結晶化された珪素膜をパターニングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凹部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記凹部に形成されたエッジ部の近傍に位置する結晶化された珪素膜に前記金属元素を集中させる工程と、
前記結晶化された珪素膜をパターニングし、前記凹部の底部に活性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記凹部に形成されるエッジ部の角度を９０°〜３０°に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凸部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記凸部に形成されたエッジ部の近傍に位置する結晶化された珪素膜に前記金属元素を集中させる工程と、
前記結晶化された珪素膜をパターニングし、前記凸部の頂上部に活性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記凸部に形成されるエッジ部の角度を９０°〜３０°に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｉｎから選ばれた一種または複数種類の元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属元素として、Ｎｉが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属元素を集中させる工程は、ハロゲン元素を含有する雰囲気中での加熱処理により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属元素としてＮｉが用いられ、
前記金属元素を集中させる工程は、ハロゲン元素を含有する雰囲気中での加熱処理により行われ、
当該工程においては、前記珪素膜中から前記ハロゲン元素を含有する雰囲気中へとＮｉ元素の除去も行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記非晶質珪素膜として、珪素を主成分とした非晶質半導体膜が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、非晶質珪素膜を用いた薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）が知られている。これは、主にアクティブマトリクス型の液晶表示装置のアクティブマトリクス回路を構成するために利用されている。
【０００３】
しかし、非晶質珪素膜を用いたＴＦＴは、動作速度が遅く、またＰチャネル型が実用化できないという問題がある。
【０００４】
このような問題もあり、周辺駆動回路を一体型したアクティブマトリクス型液晶表示装置に利用したり、ＴＦＴを用いて各種集積回路を構成したりすることはできなかった。
【０００５】
この問題を解決するための手段として、結晶性珪素膜を用いる構成が知られている。
【０００６】
結晶性珪素膜を作製する方法としては、加熱による方法とレーザー光の照射による方法とに大別される。
【０００７】
加熱による方法は、再現性や生産性に優れるという特徴を有するが、結晶性に問題がある。
【０００８】
他方、レーザー光の照射による方法は、基板に熱ダメージを与えることがないプロセスを実現できるが、結晶性の均一性や再現性、さらには結晶性の程度といった点で満足できるものではない。また生産性にも問題がある。
【０００９】
このような問題を解決するための一つの手段として、本出願人らの発明である所定の金属元素を用いて結晶化を促進させる方法がある。
【００１０】
これは、非晶質珪素膜にニッケルに代表される金属元素を導入し、その後に加熱処理により結晶性珪素膜を得る方法である。（本出願人による特願平８−３３５１５２号参照）
【００１１】
この方法では、従来の結晶化技術では得られなかったような良好な結晶性を有した結晶性珪素膜を得ることができる。
【００１２】
しかしながら、得られる結晶性珪素膜中にニッケル元素が残留するという問題がある。
【００１３】
上記出願にも詳細に記載されているように、ゲッタリング技術を用いることにより、ある程度ニッケル元素を除去することは可能である。しかし、上記出願に記載されているような方法では、時としてニッケル元素の除去が不完全にな場合がある。
【００１４】
具体的には、得られたＴＦＴの活性層中にニッケル元素の塊（主にニッケルシリサイド成分でなる）が存在する場合が観察される。
【００１５】
一般的にニッケルに代表されるような金属元素は、活性層中から極力排除するに越したことはない。
【００１６】
特にデバイスの実用性を高めるには、活性層中から金属元素を極力排除することが求められる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した金属元素を用いて結晶性珪素膜を得る技術は、高い結晶性を得るためには有用である。しかし、デバイスを作製する場合には金属元素の存在が邪魔となる。
【００１８】
そこで、本明細書で開示する発明は、珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られる結晶性珪素膜を用いてＴＦＴに代表される半導体装置を作製する際に、当該金属元素を半導体装置の活性層中からより徹底的に排除する技術を提供することを課題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的にエッジ部が形成され、
前記エッジ部を避けて前記絶縁表面上に結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有する半導体装置である。
【００２０】
他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凹部が形成され、
前記凹部の底部には結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有する半導体装置である。
【００２１】
他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凸部が形成され、
前記凸部の頂上部には結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有する半導体装置である。
【００２２】
上記３つの発明に構成においては、結晶性珪素膜の代わりに珪素を主成分とする結晶性半導体膜が用いることができる。例えば、Ｓｉx Ｇｅ1-x （0.5 ＜ｘ＜1)で示される膜を用いることができる。またその他珪素成分が半分以上を占める珪化物を用いることができる。
【００２３】
他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的にエッジ部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記基体の表面に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２４】
他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凹部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記基体の表面に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中させる工程と、
得られた珪素膜をパターニングし、前記凹部の底部に活性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２５】
他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基体の表面に意図的に凸部を形成する工程と、
前記絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、
加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、
前記基体の表面に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中させる工程と、
得られた珪素膜をパターニングし、前記凸部の頂上部に活性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２６】
上記３つの構成において、金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｉｎから選ばれた一種または複数種類の元素を用いることができる。特にＮｉ（ニッケル）を用いることが望ましい。
【００２７】
また、非晶質珪素膜の代わりに珪素を主成分とする非晶質半導体膜が用いることができる。例えば、Ｓｉx Ｇｅ1-x （0.05＜ｘ＜1)で示される非晶質半導体膜を用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施する場合の１形態を以下に示す。本明細書で開示する発明では、結晶性珪素膜の出発膜となる非晶質珪素膜の下地（絶縁膜やガラス基板）の表面に意図的にエッジ部を形成する。例えば、長細い溝状の凹部を形成する。
【００２９】
この凹部は、予め後に形成されるＴＦＴの活性層パターンの周辺部に形成するようにする。
【００３０】
凹部の形成は、物理的に傷を形成する方法や、エッチングによる方法、レーザー光の照射による方法等によって行う。
【００３１】
そして、非晶質珪素膜を成膜し、さらにニッケル元素を非晶質珪素膜の少なくとも一部に接して保持させる。そしてさらに加熱処理を施すことにより結晶性珪素膜を得る。
【００３２】
また、必要に応じてさらに加熱処理を加える。こうすると、先に凹部を形成した部分の珪素膜内にニッケルシリサイドの固まりが形成される。
【００３３】
これは、凹部のエッジ部分には応力が集中しており、また欠陥が局所的に集中していることに起因する。
【００３４】
即ち、意図的に形成された応力が集中し、また欠陥が集中した領域に動き回ったニッケル元素がトラップされ、そこで安定化される。そして安定な状態の一つとしてニッケルシリサイド成分となる。
【００３５】
この状態は、部分的にニッケルが集中した領域が形成されたことを意味している。
【００３６】
そして、ニッケルシリサイドの固まりが形成された部分を避けて活性層を形成することで、ニッケルの存在が排除された結晶性珪素膜でなる活性層を形成することができる。
【００３７】
【実施例】
〔実施例１〕
図１及び図２を用いて本実施例の作製工程を示す。本実施例では、
（１）ニッケル元素を用いた横成長と呼ばれる結晶成長手段
（２）ハロゲンゲッタリングと呼ばれるハロゲン元素を含んだ雰囲気中での加熱処理によりニッケル除去手段
（３）基板の一部に凹部を形成することにより、その領域にニッケルを集中させる手段
を用いてＰチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとを同時に作製する工程を示す。
【００３８】
ここでは、図１（Ａ）に示すように石英基板１０１を用意する。石英基板はその表面の状態がなるべく平滑であることが好ましい。具体的には、基板表面に存在する微小な穴（ピットと呼ぶ）が後に成膜される非晶質珪素膜の膜厚の寸法以下であることが好ましい。より好ましくは、後に成膜される非晶質珪素膜の膜厚の１／２以下（好ましくは１／５以下）の段差を有する凹部であることが望まれる。
【００３９】
まず、石英基板の表面に公知のエッチング技術を用いて、凹部１０２、１０３、１０４を形成する。
【００４０】
凹部を形成する方法としては、公知のエッチング技術以外に機械的に傷を形成する方法、レーザー光の照射による方法等を採用することができる。
【００４１】
凹部の形状は、凹部内部の側面がなるべく垂直になるようにし、エッジ部分の角度が９０°になるようにする。これは、後に成膜される珪素膜において、凹部を形成してエッジ部を形成することにより、その部分における応力集中を助長し、さらにその部分における欠陥密度を局所的に高めるためである。
【００４２】
なお、凹部の形状としては、単なる矩形形状以外に内部を広くした台形型のものとした方がより応力集中を高めることができる。
【００４３】
図１に示す凹部は、紙面の手前側と向こう側に長手形状を有するスリット形状を有したものとする。その寸法は、深さを２００ｎｍ、幅を２５０ｎｍとする。またスリット形状の長さは、最終的に形成するＴＦＴの寸法よりも大きなものとする。
【００４４】
図３に後に形成される活性層パターン１１９、１２０と凹部１０２、１０３、１０４との位置関係を示す。なお、図３のＡ−Ａ’で切った断面が図１及び図２に示す断面作製工程図に対応する。
【００４５】
図１（Ａ）に示す状態を得たら、図１（Ｂ）に示すように非晶質珪素膜１０５を５０ｎｍの厚さに成膜する。ここでは、減圧熱ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜１０５を成膜する。
【００４６】
非晶質珪素膜の膜厚は、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲から選択することができる。
【００４７】
非晶質珪素膜の成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法を用いることができる。しかし、膜質の点からは減圧熱ＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４８】
非晶質珪素膜１０５を成膜したら、プラズマＣＶＤ法を用いて１５０ｎｍ厚の図示しない酸化珪素膜を成膜する。そしてこの酸化珪素膜をパターニングすることにより、マスク１０６を形成する。（図１（Ｂ））
【００４９】
このマスク１０６は、開口部１０７を有している。この開口１０７は、紙面の手前側から向こう側へと延在した細長いスリット形状を有している。
【００５０】
マスク１０６を形成したら、１０ｐｐｍのニッケル濃度（重量換算）に調整したニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法を用いて塗布する。この状態で、ニッケル元素が１０８で示されるように表面に接して保持された状態が得られる。
【００５１】
この状態では、マスク１０６に形成された開口１０７の部分において、ニッケル元素が非晶質珪素膜１０５の表面に一部に接して保持された状態が得られる。
【００５２】
ニッケル元素の導入方法としては、上記の溶液を用いる方法が最も簡便であるが、他にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理、ガス吸着法、イオン注入法等を用いることができる。このことは、他の金属元素を用いる場合でも同様である。
【００５３】
次に５７０℃、１４時間の加熱処理を窒素雰囲気中において行う。この工程では、開口部１０７の部分から非晶質珪素膜中へのニッケル元素が拡散し、それに従って、１０９、１１０で示されるような結晶成長が進行する。この結晶成長は、１００μｍ以上に渡って行わすことができる。（図１（Ｃ））
【００５４】
この結晶成長は、膜面に平行な方向に向かって進行する特異なものとなる。この結晶成長形態を横成長と称する。
【００５５】
この結晶成長工程における加熱の温度は、５００℃〜５８０℃程度の範囲から選択することが好ましい。これは、この温度以下では結晶成長速度が低過ぎ、生産性が低下するからである。また、この温度以上では自然各発生（ニッケルの作用によらない結晶成長）が顕著になり、１０９で示されるような結晶成長が阻害されるからである。
【００５６】
この結晶成長のための加熱処理において、基板に凹部を形成した領域において、１１１、１１２、１１３で示されるようにニッケル元素が集中する。ニッケルの一部はニッケルシリサイドとして存在している。（図１（Ｃ））
【００５７】
上記の現象は、１１１、１１２、１１３の領域においては、基板に形成された凹部が存在する関係上、膜中に応力が手中し、また欠陥が集中していることに起因する。
【００５８】
即ち、応力集中や高密度欠陥が存在することで、ニッケルをトラップする、あるいは、ニッケルが安定して存在するような状態が実現されているからである。
【００５９】
ただし、この状態では、１１１、１１２、１１３の部分におけるニッケルの集中はそれ程顕著でなく、未だ膜中にはニッケル元素が分散して存在している。
【００６０】
次にハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中での加熱処理を行う。ここでは、ＨＣｌを３体積％含んだ酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分に加熱処理を行う。
【００６１】
この工程では、熱酸化膜１１５が３０ｎｍの厚さに成膜される。３０ｎｍ厚の熱酸化膜１１５が成膜されることで、珪素膜１１４の膜厚は５０ｎｍから３５ｎｍへと１５ｎｍ減少する。（図１（Ｄ））
【００６２】
この工程では、Ｃｌとニッケルとが結合して塩化ニッケルとして雰囲気中に気化する。そして、珪素膜１１４の全面において、珪素膜中のニッケル元素濃度が減少する。
【００６３】
そして、それと同時に１１６、１１７、１１８の部分においてニッケルシリサイドが成長し、これらの部分にニッケル成分がより集中する。（図１（Ｄ））
【００６４】
即ち、珪素膜１１４中においては、全面から膜該へのニッケル元素の除去が行われるのと同時に膜中の一部にニッケル元素が集中する状態が実現される。
【００６５】
なお、この工程において成膜される熱酸化膜１１５は、塩素（Ｃｌ）のエッチング作用による珪素膜表面の荒れを防ぐために作用する。
【００６６】
上記の加熱処理の温度は、８００℃〜１１００℃の範囲から選択することができる。また、ＨＣｌガスの代わりに他のハロゲン元素を含んだガスを用いてもよい。例えば、ハロゲン元素を含んだガスとして、ＰＯＣｌ3 ガスを用いることができる。
【００６７】
次に熱酸化膜１１５を選択的にエッチングする。そして珪素膜１１４を露呈させる。
【００６８】
次に珪素膜１１４をパターニングし、図１（Ｅ）に示すように活性層パターン１１９及び１２０を形成する。活性層パターン１１９及び１２０は、図３に示すようなパターン形状を有している。
【００６９】
この活性層パターンは、１１６、１１７、１１８のようなニッケルを集中させた場所を避けて形成することが重要でなる。即ち、最初に基板にエッジを形成した部分を避けて活性層パターンの位置取りを設定することが重要である。
【００７０】
次に後にその一部がゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜１２１をプラズマＣＶＤ法によって成膜する。（図１（Ｅ））
【００７１】
次にゲイト電極の基のパターンとなる図示しないアルミニウム膜を４００ｎｍの厚さにスパッタ法によって成膜する。
【００７２】
そしてレジストマスク２００、２０１を用いてこのアルミニウム膜をパターニングする。こうして図２（Ａ）に示す２０１と２０２のパターンを形成する。
【００７３】
次にレジストマスク２００と２０１を残存させた状態でアルミニウムパターン２０２と２０３とを陽極とした陽極酸化を行う。この工程では、電解溶液として、３体積％の蓚酸を含んだ水溶液を用い、アルミニウムパターンを陽極、白金を陰極として陽極酸化が行われる。
【００７４】
この陽極酸化工程において、多孔質状の陽極酸化膜２０４、２０５を４００ｎｍの厚さに成膜する。この陽極酸化膜は、上面にレジストマスクが存在する関係から、アルミニウムパターンの側面に形成される。（図２（Ｂ）参照）
【００７５】
次にレジストマスク２００、２０１を除去する。そして、再度の陽極酸化を行う。この工程では、電解溶液として、３体積％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和したものを用いる。
【００７６】
この工程では、最終的に残存するアルミニウムパターン２０８及び２０９の周囲表面に２０６や２０７で示されるように陽極酸化膜（酸化アルミニウム膜）が成膜される。（図２（Ｂ））
【００７７】
この工程で成膜される陽極酸化膜は緻密な膜質を有したものとなる。
【００７８】
また、残存したアルミニウムパターン２０８と２０９がＴＦＴのゲイト電極となる。ここでは、２０８がＰチャネル型ＴＦＴのゲイト電極、２０９がＮチャネル型ＴＦＴのゲイト電極となる。（図２（Ｂ））
【００７９】
次に露呈した酸化珪素膜１２１を垂直異方性を有するドライエッチング法によって除去する。こうして図２（Ｃ）に示すように２１０、２１１で示される酸化珪素膜が残存した状態が得られる。
【００８０】
この状態でそれぞれの活性層にＰ及びＮ型を付与する不純物のドーピングを行う。ここでは、左側の活性層にボロンのドーピングを、右側の活性層に燐のドーピングをプラズマドーピング法でもって行う。
【００８１】
本実施例では、ドーピングを行う際には、ドーピングを行わない領域をレジストマスクでマスクしておく。
【００８２】
こうして、２１２、２１３の領域にボロンのドーピングが行われる。また、２１４、２１５の領域に燐のドーピングが行われる。（図２（Ｃ））
【００８３】
この工程におけるドーピング条件は、通常のソース及びドレイン領域を形成する場合の条件でもって行えばよい。
【００８４】
次に多孔質状の陽極酸化膜２０４、２０５を除去する。そして再度のドーピングを行う。このドーピングも必要とする箇所に選択的に行う。
【００８５】
またこのドーピングは、先のドーピングよりもドーズ量を１桁程度下げた条件でもって行う。
【００８６】
この工程では、２１６、２１８の領域にボロンのライトドーピングが行われ、２１９、２２１の領域にリンのライトドーピングが行われる。また、２１７、２２０の領域には、ドーピングは行われない。（図２（Ｄ））
【００８７】
こうして、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域２１２、ドレイン領域２１３、さらにチャネル領域２１７、低濃度不純物領域２１６と２１８とが形成される。
【００８８】
また、Ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域２１５、ドレイン領域２１４、さらにチャネル領域２２０、低濃度不純物領域２２０と２２１とが形成される。
【００８９】
ドーピングの終了後にレーザー光または赤外光の照射を行い、被ドーピング領域における結晶構造の改善と、ドーンパントの活性化とを行う。
【００９０】
次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜２２２を２５０ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって行い、さらにアクリル樹脂膜２２３をスピンコート法でもって成膜する。アクリル樹脂膜２２３の膜厚は、最小の部分で７００ｎｍとなるようにする。（図２（Ｅ））
【００９１】
ここで樹脂膜を層間絶縁膜として用いることにより、図１に示す凹部によって発生する凹凸を吸収することができる。
【００９２】
そしてコンタクトホールの形成を行い、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース電極２２４とドレイン電極２２５とを形成する。また同時にＮチャネル型ＴＦＴのソース領域２２７とドレイン電極２２６とを形成する。（図２（Ｅ））
【００９３】
本実施例では、チャネル領域になにもドーピングを行わない場合の例を示したが、ＴＦＴのしきい値を制御するためにＮまたはＰ型を付与する不純物を活性層中の特にチャネル領域にドーピングする構成としてもよい。
【００９４】
また、本実施例では、ゲイト電極としてアルミニウムを用いる場合の例を示したが、他の金属材料や珪素材料、さらにはシリサイド材料を用いた構成としてもよい。
【００９５】
〔実施例２〕
本実施例では、非晶質珪素膜表面の全面にニッケルを元素を導入し、全体を一斉に結晶化させる場合の例を示す。なお、特に断らない部分は、実施例１に示すのと同じ作製工程に従う。
【００９６】
まず、図４（Ａ）に示すように、石英基板１０１上に開口１０２、１０３、１０４を形成する。開口の形状は図３に示すのと同様なものとする。
【００９７】
次に非晶質珪素膜１０５を５０ｎｍの厚さに成膜する。（図４（Ｂ））
【００９８】
そして、６００℃、８時間の加熱処理を行い、非晶質珪素膜の全面を結晶化させ、結晶性珪素膜１０５を得る。この際、部分的に基板に開口が形成されていた部分１１１、１１２、１１３の領域にニッケル元素が集中する。（図４（Ｃ））
【００９９】
上記の加熱処理は、５００℃〜７００℃の温度範囲から選択された温度で行えばよい。
【０１００】
さらにＨＣｌガスを３体積％含有した酸素雰囲気中での加熱処理を９５０℃、３０分の条件で行う。この際、熱酸化膜１１５が３０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１０１】
またこの際、ニッケルシリサイドの固まり１１６、１１７、１１８が形成される。このニッケルシリサイドの固まりは、石英基板１０１に開口１０２、１０３、１０４が形成された部分に形成される。（図４（Ｄ））
【０１０２】
上記加熱処理工程は、塩化ニッケルとしてニッケル元素を膜外に除去する工程と、１１６、１１７、１１８で示されるように所定の部分にニッケル元素を集中させる工程とを同時に行うものである。
【０１０３】
次に熱酸化膜１１５を除去し、さらにニッケルシリサイドが形成された領域を避けて活性層パターン１１９、１２０を形成する。さらにゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜１２１を成膜する。（図４（Ｅ））
【０１０４】
その後は、図２に示す作製工程に従って、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとを作製する。
【０１０５】
〔実施例３〕
図５及び図６に本実施例の作製工程を示す。本実施例では、石英基板に活性層の寸法よりも大きい凹部を形成し、そのエッジの部分にニッケル元素を集中させる構成に関する。
【０１０６】
本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作製する例を示す。
【０１０７】
まず、図５（Ａ）に示すように石英基板５０１の表面に公知のフォトリソグラフィーを用いたエッチング手段により、開口５０２を形成する。この開口の底部には、後にＴＦＴの活性層が形成される。
【０１０８】
開口５０２を形成するのは、その端部（周辺部）にエッジ５０３、５０４を形成するためである。このエッジの部分で後に珪素膜中に局所的に応力が集中し、さらに欠陥密度の高い部分を形成する。
【０１０９】
ここでは、開口の深さは１５０nmとする。また、基板表面の平滑性としては、この開口のエッジ５０３、５０４の段差（即ち１５０nm）よりも小さいピットを有していることが要求される。より好ましくは、開口のエッジの段差の１／３以下、即ち５０nmよりも小さいことが要求される。さらにより好ましくは開口のエッジの段差の１／１０以下、即ち１５nmよりも小さいことが要求される。
【０１１０】
具体的には凹部の深さが３０nm以下（好ましくは１０nm以下）であることが要求される。これは、この開口のエッジの段差部分における珪素膜中における応力の集中や欠陥密度の高さを発明が利用しているからである。
【０１１１】
即ち、石英基板の表面のいたる部分に開口のエッジに相当するような凹凸が存在していては、開口５０２を設けることも意味がなくなってしまうので、上記のような関係を満足する必要がある。
【０１１２】
一般的に開口のエッジ５０３、５０４の段差は、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択することができる。
【０１１３】
また図１１（Ｂ）に示されるような開口のエッジ部の角度θは、９０°〜３０°の範囲から選択するとよい。なお、ｄで示される１１０２が段差部の寸法（エッジ部の寸法）となる。
【０１１４】
図５（Ａ）に示す開口５０２を形成したら、プラズマＣＶＤ法により非晶質珪素膜５０５を５０ｎｍの厚さに成膜する。（図５（Ｂ））
【０１１５】
本実施例で示す結晶成長形態においては、非晶質珪素膜の成膜方法としてプラズマＣＶＤ法を選択しても特に問題はない。
【０１１６】
次に重量換算で１０ｐｐｍの濃度にニッケル濃度を調整したニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法で塗布し、５０６で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。（図５（Ｂ））
【０１１７】
次に６００℃、８時間の加熱処理を加えることにより、非晶質珪素膜５０５を結晶化させ、結晶性珪素膜５１０を得る。
【０１１８】
この結晶性珪素膜５１０においては、５１２、５１３で示す開口５０２のエッジの部分において応力が集中したものとなる。またその部分には欠陥が高密度で存在した状態となる。
【０１１９】
結晶化が終了したら、ＨＣｌガスを３体積％含んだ酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分の加熱処理を行う。
【０１２０】
この工程では、熱酸化膜５１１が形成される。この工程においては、ニッケル元素が塩化ニッケルとして膜外に除去されるのと同時に、５１２、５１３の領域にニッケルシリサイドとしてニッケル元素が集中する。また、珪素膜５１０の膜厚は、５０ｎｍから３５ｎｍに減少する。（図５（Ｃ））
【０１２１】
次に熱酸化膜５１１を除去する。そして、レジストマスク５１４を形成する。このレジストマスクによって、ＴＦＴの活性層のパターンが決定される。（図５（Ｄ））
【０１２２】
レジストマスク５１４は、開口５０２の内部（底部）に形成されるようにすることが重要である。これは、開口５０２のエッジ５０３や５０４が活性層パターンの周囲に存在するようにするためである。
【０１２３】
こうすることで、活性層の内部からニッケル元素を排除することができる。
【０１２４】
次にレジストマスク５１４を用いて珪素膜５１１をパターニングする。こうして活性層のパターン５１５を形成する。（図５（Ｅ））
【０１２５】
この際、活性層パターンの外側（エッチングで除去される領域）に５１２や５１３で示されるニッケルが集中した領域が存在するので、結果として活性層パターン内にニッケル元素が残留することを抑制することができる。
【０１２６】
即ち、図５（Ａ）の石英基板に形成された凹部周辺のエッジ５０３、５０４が、活性層パターン５１５の外側（活性層パターンが形成されない領域）に存在するようにすることで、活性層内にニッケル元素に残留するがニッケル元素の量を低減することができる。
【０１２７】
また、活性層を形成した後にフッ素系エッチャントによるウェットエッチング処理を行うことも有効である。エッチャントとしてはＬＡＬ５００（NH4:17〜20% 、HF:0〜10% 、界面活性剤を混合した溶液、橋本化成（株）製）、ＦＰＭ（H2O2:HF:H2O ＝0.5:0.5:99で混合した溶液）などの溶液を用いることができる。これによりエッジ部に集中したニッケル元素（ニッケルシリサイドの形態で存在すると考えられる）を溶去する（溶液を利用して除去する）ことができる。
【０１２８】
活性層パターン５１５を形成したら、ゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜５１６をプラズマＣＶＤ法により、３０ｎｍの厚さに成膜する。さらにＨＣｌガスを３体積％含んだ酸素雰囲気中における加熱処理により、図示しない熱酸化膜を２０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１２９】
図示しないが、この熱酸化膜はプラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜の内側（活性層の最表面）に形成される。また、熱酸化膜を成膜する結果として、活性層５１５の厚さは、３５ｎｍから２５ｎｍに減少する。（図５（Ｅ））
【０１３０】
次に図示しないアルミニウム膜をスパッタ法で成膜し、さらにレジストマスク５１８を用いてそれをパターニングすることにより、５１７で示すパターンを得る。（図５（Ｆ））
【０１３１】
次にレジストマスク５１８を残存させた状態で陽極酸化法により、多孔質状の陽極酸化膜６０１を４００ｎｍの厚さに形成する。多孔質状の陽極酸化膜の形成方法は実施例１に示したのと同じである。（図６（Ａ）参照）
【０１３２】
さらにレジストマスク５１８を除去し、再度の陽極酸化法により、緻密な膜質を有する陽極酸化膜６０２を７０ｎｍの厚さに形成する。（図６（Ａ））
【０１３３】
この状態において、残存するアルミニウムパターン６０３がＴＦＴのゲイト電極となる。
【０１３４】
次に図６（Ｂ）に示すように露呈した酸化珪素膜５１６をエッチングする。こうして６０４で示される酸化珪素膜が残存する。
【０１３５】
さらに燐のドーピングをプラズマドーピング法でもって行う。この工程で６０５、６０６の領域に燐のドーピングが自己整合的に行われえる。
【０１３６】
次に図６（Ｃ）に示すように多孔質状の陽極酸化膜６０１を除去する。そして、再度燐のドーピングを行う。ここでは、先のドーピングよりもドーズ量を１桁下げた条件でドーピングを行う。
【０１３７】
この工程では、６０７、６０９の領域にライトドーピングが行われる。なお、ドーピングが行われなかった６０８の領域がＴＦＴのチャネル領域となる。
【０１３８】
次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜６１０をプラズマＣＶＤ法により、２５０ｎｍの厚さに成膜する。さらにアクリル樹脂膜６１１をスピンコート法でもって成膜する。アクリル樹脂膜６１１の膜厚は、その最小の部分の膜厚が７００ｎｍとなるようにする。（図６（Ｄ））
【０１３９】
本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作製する例を示したが、ドーパント元素を変更することでＰチャネル型のＴＦＴを作製することもできる。
【０１４０】
また、本実施例では、ゲイト電極としてアルミニウムを用いる場合の例を示したが、他の金属材料や珪素材料、さらにはシリサイド材料を用いた構成としてもよい。
【０１４１】
〔実施例４〕
図７及び図８に本実施例の作製工程を示す。本実施例では、その上部が石英基板に活性層の寸法よりも大きい凸部を形成し、そのエッジの部分にニッケル元素を集中させる構成に関する。
【０１４２】
本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作製する例を示す。
【０１４３】
まず、石英基板を用意し、その表面を平滑にする。これは、ＣＭＰ法を利用して行う。なお、基板表面のピットの深さは実施例３で示した様に、後に形成するエッジ部７０３、７０４の高さの１／３以下（好ましくは１／１０以下）、代表的には３０nm以下（好ましくは１０nm以下）となる様にする。
【０１４４】
次にマスクを用いて図７（Ａ）に示すように石英基板７０１の表面に凸部７０２を形成する。この際、ドライエッチング法を用いることで、凸部の上部は平滑性を残存させ、エッチングした部分は荒れた表面とすることができる。この凸部の上部に後にＴＦＴの活性層が形成される。
【０１４５】
凸部の端部（周辺部）にはエッジ７０３、７０４が形成される。後にこの部分を利用して、珪素膜中に局所的に応力が集中し、さらに欠陥密度の高い部分を形成する。そしてその部分にニッケル元素を集中させる。
【０１４６】
ここでは、凸部の高さは１５０ｎｍとする。
【０１４７】
図１１（Ａ）に凸部の形状を拡大したものを示す。ここで、θの値は、９０°〜３０°の範囲から選択することができる。またｄで示される１１０１が凸部の高さとなる。
【０１４８】
また、図１１（Ｃ）に示すのは、（Ａ）に示す形状において、θ＜９０°となった場合を誇張して示したものである。この様な形状の方が応力集中の度合いが高いのでより効果的にニッケル元素を集中させることができる。
【０１４９】
また、エッジ部の丸み（曲率半径ｒ）は、（Ｄ）に示すように、ｒt 及び／又はｒd が、ｄの１／３以下、好ましくは１／１０以下であることが望ましい。理想的にはｒt ＝ｒd ＝０となる条件（エッジ部が全く丸みを持たない状態）が望ましく、これに可能な限り近づけるのが有効である。
【０１５０】
また、特に（Ａ）に示す構成においては、ｒt の寸法が上記条件を満足していることが望ましい。これは、エッジ部を急峻にするほど、発明の効果が得られるからである。
【０１５１】
なお、上記構成は実施例３に示した凹部を形成する場合にも適用される。即ち、図１１（Ｂ）の各エッジ部においてもｒt 及びｒd の最適条件は本実施例と同様である。
【０１５２】
こうして図７（Ａ）に示す状態を得たら、非晶質珪素膜７０５をプラズマＣＶＤ法でもって５０ｎｍの厚さに成膜する。（図７（Ｂ））
【０１５３】
さらにニッケル酢酸塩溶液を塗布し、７０６で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。
【０１５４】
次に６００℃、８時間の加熱処理を加えることにより、非晶質珪素膜７０５を結晶化させ、結晶性珪素膜７０７を得る。（図７（Ｃ））
【０１５５】
次にＨＣｌガスを３体積％含有した酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分の加熱処理を加えることにより、熱酸化膜７０８を３０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１５６】
この際、結晶性珪素膜７０７の膜厚は５０ｎｍから３５ｎｍに減少する。
【０１５７】
またこの際、ニッケルシリサイドの固まり７０９と７１０とが形成される。即ち、ニッケル元素が７０９と７１０の部分に集中する。（図７（Ｃ））
【０１５８】
これは、石英基板７０１に形成された凸部のエッジ部７０３、７０４の部分において、珪素膜中に応力の集中し、またその部分に欠陥が集中するからである。
【０１５９】
次に熱酸化膜７０８を除去する。そしてレジストマスク７１１を形成する。（図７（Ｄ））
【０１６０】
次にレジストマスク７１１を利用して活性層パターン７１２を形成する。この活性層パターンの位置取りをその外側に７０９や７１０の部分が存在していた状態とすることで、その内部における残留ニッケル元素の濃度を低減させることができる。（図７（Ｅ））
【０１６１】
次にゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜７１３をプラズマＣＶＤ法により、５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１６２】
さらに熱酸化法により、酸化珪素膜７１３の内側に図示しない熱酸化膜を２０ｎｍの厚さに成膜する。こうすることで、活性層の厚さは３５ｎｍから２５ｎｍとなる。
【０１６３】
次に４００ｎｍの厚さのアルミニウム膜をスパッタ法で成膜し、それをレジストマスク７１４でパターニングすることにより、７１５で示されるアルミニウムパターンを形成する。
【０１６４】
次にレジストマスク７１４を残存させた状態で陽極酸化を行う。この工程では、多孔質状の陽極酸化膜８０１を４００ｎｍの厚さに成膜する。（図８（Ａ）参照）
【０１６５】
次にレジストマスク７１４を除去し、再度の陽極酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する陽極酸化膜８０２を７０ｎｍの厚さに成膜する。この状態で残存したアルミニウムパターン８０３がゲイト電極となる。（図８（Ａ））
【０１６６】
次にドライエッチング法により、酸化珪素膜７１３をエッチングし、図８（Ｂ）に示す状態を得る。ここで、８０４が残存した酸化珪素膜でなある。
【０１６７】
この状態で燐のヘビードーピングを行い、８０５と８０６の領域に燐のヘビードーピングを行う。（図８（Ｂ））
【０１６８】
次に多孔質状の陽極酸化膜８０１を除去する。そして再度、燐のドーピングを行う。ここでは、先のドーピングよりもライトドーピングの条件でもって行う。
【０１６９】
この工程では、８０７、８０９の領域にライトドーピングが行われる。こうして、低濃度不純物領域８０７と８０９とが形成される。ここで、ドーピングが行われなかった８０８の領域が後にチャネル領域となる。
【０１７０】
次にレーザー光または赤外光を照射することにより、ドーピングが行われた領域のアニールを行う。
【０１７１】
さらに層間絶縁膜として、窒化珪素膜８１０をプラズマＣＶＤ法で２００ｎｍの厚さに成膜する。さらにアクリル樹脂膜８１１をスピンコート法でもって成膜する。アクリル樹脂膜の膜厚は、最小の部分における膜厚が７００ｎｍとなるようにする。（図８（Ｄ））
【０１７２】
層間絶縁膜として、樹脂膜を形成することで、基板の表面に形成された凸部の凹凸はならされる。即ち、最終的な表面を平坦化することができる。
【０１７３】
次にコンタクトホールの形成を行い、ソース電極８１２とドレイン電極８１３とを形成する。こうしてＮチャネル型のＴＦＴが完成する。
【０１７４】
〔実施例５〕
本実施例では、石英基板上に形成された凸部の上部において横成長を行わせた結晶性珪素膜の領域を形成し、そこを用いてＴＦＴを作製する場合の例を示す。なお、本実施例は実施例４と結晶成長方法が異なるだけであり、その他の構成は実施例４と同様である。
【０１７５】
図９に本実施例の作製工程を示す。まず、石英基板７０１の表面に凸部７０２を形成する。（図９（Ａ））
【０１７６】
石英基板の表面は予め研磨しておき、その表面が平滑になるようにしておく。平滑性は極力高い方が好ましい。詳細な条件は実施例３、４に示した条件に従えば良い。
【０１７７】
凸部７０２を形成する際には、被エッチング面が荒れるようなエッチング手段を利用する。こうすると、基板表面の９０１、９０３の領域７００は、荒れており、また９０２の領域（凸部上部の領域）は平滑な表面を有している状態とすることができる。
【０１７８】
また凸部７０２を形成することで、段差を有するエッジ部分７０３、７０４を形成することができる。
【０１７９】
次に減圧熱ＣＶＤ法を用いて、厚さ５０ｎｍ厚の非晶質珪素膜９００を成膜する。さらに図示しない酸化珪素膜を１５０ｎｍの厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、マスクパターン９０４を形成する。（図９（Ｂ））
【０１８０】
このマスクパターン９０４には、開口９０５が形成されている。この開口は、図面の手前側から向こう側へと長手形状を有するスリット形状を有している。そしてこの開口部において、非晶質珪素膜９００が露呈した状態となっている。
【０１８１】
マスクパターン９０４を形成したら、ニッケル酢酸塩溶液を塗布し、９０６で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。
【０１８２】
次に５７０℃、１４時間の加熱処理を窒素雰囲気中で行うことにより、９０７で示されるような結晶成長を行わせる。この結晶成長を横成長と称する。
【０１８３】
この結晶成長の結果、９０８や９０９の部分にニッケル元素が集中する。これは、これらの部分には応力や欠陥が集中しているからである。
【０１８４】
なお、上述のようにニッケル元素を集中させるには、９０７で示される結晶成長の距離と凸部７０２の寸法との関係を考慮する必要がある。
【０１８５】
即ち、凸部のエッジとエッジとの間の距離、換言すれば７０３の部分と７０４の部分との間の距離を最大結晶成長距離の２倍以下に設定することで、意図的に９０８や９０９の部分にニッケル元素を集中させることができる。
【０１８６】
次に酸化珪素膜でなるマスク９０４を除去する。そしてＨＣｌガスを３体積％含有した酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分の加熱処理を行うことにより、熱酸化膜９１０を３０ｎｍの厚さに成膜する。（図９（Ｄ））
【０１８７】
この際、９１１、９１２の領域にニッケルシリサイド成分は形成される。そしてニッケルこの部分にニッケル元素がさらに集中した状態が得られる。（図９８Ｄ））
【０１８８】
次に熱酸化膜９１０を除去し、さらに露呈した珪素膜をパターニングすることにより、９１３、９１４で示されるパターンを形成する。
【０１８９】
９１３、９１４で示されるパターンは、それぞれＴＦＴの活性層となる。後は、９１３、９１４で示される活性層パターンを利用して、他の実施例に示すような作製工程に従ってＴＦＴを作製すればよい。
【０１９０】
本実施例では、凸部７０２の上部が平滑であるので、（Ｃ）に示す横成長を効果的に行わすことができる。
【０１９１】
他方、凸部７０２の上部以外の領域では、表面の平滑性が損なわれているので、その表面に形成される珪素膜中に欠陥が形成されやすく、そのことで９１１や９１２で示される領域や凸部上部以外の領域における珪素膜中にニッケル元素が集中しやすくすることができる。
【０１９２】
即ち、得られる珪素膜において、活性層として利用する部分以外に領域にニッケル元素を追いやる構成をより効果的に実現することができる。
【０１９３】
〔実施例６〕
本実施例は、図７及び図８にその作製工程を示す例において、ゲイト電極としてモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉX ）を用いた場合の例である。
【０１９４】
図１０に本実施例の作製工程を示す。まず図７に示す作製工程に従って、石英基板７０１上に結晶性珪素膜でなる活性層７１２を形成する。
【０１９５】
次にモリブデンシリサイドでもってゲイト電極１００１を形成する。（図１０（Ａ））
【０１９６】
モリブデンシリサイド以外には、タングステンシリサイド（ＷＳｉx ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉx ）を用いることもできる。
【０１９７】
ゲイト電極１００１を形成したら、層間絶縁膜として窒化珪素膜１００２をプラズマＣＶＤ法で成膜する。さらにアクリル樹脂膜１０３をスピンコート法でもって成膜する。こうして、図１０（Ｂ）に示すシリサイドゲイトを用いたＴＦＴを完成させる。
【０１９８】
なお、本実施例は実施例１〜５に示した全ての構成と組み合わせることが可能である。
【０１９９】
〔実施例７〕
本実施例では、基板に直接凹部や凸部を形成するのではなく、基板上に絶縁膜を成膜し、その膜に他の実施例で示すような加工を施す場合の例を示す。
【０２００】
絶縁膜としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を挙げることができる。
【０２０１】
具体的な例としては、基板として単結晶珪素ウエハーを用い、その表面に熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜に他の実施例で示すように加工を施す例を挙げることができる。
【０２０２】
なお、本実施例は実施例１〜６に示した全ての構成と組み合わせることが可能である。
【０２０３】
〔実施例８〕
本実施例は、図９に示すような作製工程において、基板の表面を平滑する技術に関する。
【０２０４】
図９に示す作製工程においては、最初に石英基板の表面を平滑することが必要となる。
【０２０５】
本実施例では、石英基板の表面を直接平滑にするのではなく、まず石英基板上に膜厚分布を良好にする条件で（即ち、平坦性の高い条件で）非晶質珪素膜を成膜し、その後に熱酸化法により、この非晶質珪素膜を熱酸化膜に変成する。
【０２０６】
こうすることで、石英基板上に平滑性の高い絶縁膜を形成することができる。
【０２０７】
後はこの熱酸化膜を加工することにより、他の実施例に示すような構成を実現すればよい。
【０２０８】
なお、本実施例は実施例１〜７に示した全ての構成と組み合わせることが可能である。
【０２０９】
〔実施例９〕
本実施例では、発明を利用して作製される各種装置の例を示す。本明細書で開示する発明は、ＴＦＴでもって集積回路を構成した回路を備えた各種装置に利用することができる。
【０２１０】
本実施例は、ＴＦＴを利用して集積回路を構成した場合の例を示す。集積回路としては、ＣＰＵ回路、メモリー回路等を挙げることができる。図１２にＴＦＴを利用した集積回路の概要を示す。
【０２１１】
図１３（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この情報処理端末は、本体２００１に表示装置２００５として、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイを備え、さらに内部に集積化回路２００６を備え、また外部から情報を取り込むためのカメラ部２００２を備えている。
【０２１２】
カメラ部２００２には、受像部２００３と操作スイッチ２００４が配置されている。
【０２１３】
情報処理端末は、今後益々その携帯性を向上させるために薄く、また軽くなるもと考えられている。
【０２１４】
このような構成においては、アクティブマトリクス型のディスプレイ２００５が形成された基板上周辺駆動回路や演算回路や記憶回路がＴＦＴでもって集積化されることが好ましい。
【０２１５】
図１３（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントディスプレイである。この装置は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ２１０２を本体２１０１に備えている。また、本体２１０１は、バンド２１０３で頭に装着できるようになっている。
【０２１６】
図１３（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーション装置である。この装置は、本体２２０１に液晶表示装置２２０２と操作スイッチ２２０３を備え、アンテナ２２０４で受診した信号によって、地理情報等を表示する機能を有している。
【０２１７】
図１３（Ｄ）に示すのは、携帯電話である。この装置は、本体２３０１にアクティブマトリクス型の液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音声入力部２３０３、音声出力部２３０２、アンテナ２３０６を備えている。
【０２１８】
また、最近は、（Ａ）に示す携帯型情報処理端末と（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような構成も商品化されている。このような構成においてもアクティブマトリクス型のディスプレイとその他の回路を同一基板上にＴＦＴでもって集積化する構成が有用となる。
【０２１９】
図１３（Ｅ）に示すのは、携帯型のビデオカメラである。これは、本体２４０１に受像部２４０６、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ２４０２、バッテリー２４０５を備えている。
【０２２０】
図１３（Ｆ）に示すのは、プロジェクシン型の液晶表示装置である。この構成は、本体２５０１に光源２５０２、アクティブマトリクス型の液晶表示装置２５０３、光学系２５０４を備え、装置の外部に配置されたスクリーン２５０５に画像を表示する機能を有している。
【０２２１】
ここでは、液晶表示装置としては、透過型のものでも反射型のものでも利用することができる。
【０２２２】
また、図１３（Ａ）〜（Ｅ）に示す装置では、液晶表示装置の代わりにＥＬ素子を利用したアクティブマトリクス型のディスプレイを用いることもできる。
【０２２３】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することで、珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られる結晶性珪素膜を用いてＴＦＴに代表される半導体装置を作製する際に、当該金属元素を半導体装置の活性層中からより徹底的に排除する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図２】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図３】    ＴＦＴの活性層の位置取りの状態を示す図。
【図４】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図５】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図６】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図７】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図８】    発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図９】 発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図１０】  発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示す図。
【図１１】  基板表面に形成される凸部及び凹部の形状を説明する図。
【図１２】  ＴＦＴを利用した集積回路の概要を示す図。
【図１３】  ＴＦＴを利用した装置の概要を示す図。
【符号の説明】
１０１        石英基板
１０２        凹部（溝）
１０３        凹部（溝）
１０４        凹部（溝）
１０５        非晶質珪素膜
１０６        酸化珪素膜でなるマスク
１０７        開口部
１０８        表面に接して保持されたニッケル
１０９        結晶成長方向
１１０        結晶成長方向
１１１        ニッケルが集中する領域
１１２        ニッケルが集中する領域
１１３        ニッケルが集中する領域
１１４        珪素膜
１１５        熱酸化膜
１１６        ニッケルシリサイドを主とするニッケルが集中した領域
１１７        ニッケルシリサイドを主とするニッケルが集中した領域
１１８        ニッケルシリサイドを主とするニッケルが集中した領域
１１９        活性層パターン
１２０        活性層パターン
１２１        酸化珪素膜
【図１】
0003754189.tif 000002
【図２】
0003754189.tif 000003
【図３】
0003754189.tif 000004
【図４】
0003754189.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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