(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと前記チャンバ内に設置されたＮ個の分散ヘッド及びサセプタを具備した膜形成装置を利用してウェハ上に段階的に膜を形成する方法において、
前記ウェハを積載した少なくとも一つのランカセットをロードする第１段階と、
前記ランカセット内のウェハ中の最初のスロットからＮ−１スロットまでの初期ロード用ウェハ及びスロットウェハを順序の順に前記分散ヘッドにロードする第２段階と、
一定厚さ比で蒸着する第３段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして次スロットのウェハをロードする第４段階と、
前記ランカセット内の最終スロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第３段階と第４段階とを反復する第５段階と、
前記初期ロード用ウェハをアンロードされた順序の順に前記分散ヘッドに再ロードする第６段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第７段階と、
前記初期ロード用ウェハ中最終のウェハがロードされるまで第６段階と第７段階とを反復する第８段階と、
クリーンアップを実施して前記ウェハを全てアンロードする第９段階とを含むことを特徴とするダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項２】
前記Ｎは、５であることを特徴とする請求項１に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項３】
前記一定厚さ比率は、２０％であることを特徴とする請求項２に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項４】
前記ランカセットには、２５枚のウェハが積載されることを特徴とする請求項２に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項５】
前記膜は、ＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項６】
前記膜形成の設備は、常圧ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項５に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項７】
チャンバと前記チャンバ内に設置されたＮ個の分散ヘッド及びサセプタを具備した膜形成装置を利用してウェハ上に段階的に膜を形成する方法において、
前記ウェハを積載した２個のランカセットＡ、Ｂをロードする第１段階と、
前記ランカセットＡ内のウェハ中の最初スロットからＮ−１スロットまでの初期ロード用ウェハ及びＮスロットウェハを順序の順に前記分散ヘッドにロードする第２段階と、
一定厚さ比で蒸着する第３段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＡ内の次スロットのウェハをロードする第４段階と、
前記ランカセットＡ内の最終スロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第３段階と第４段階とを反復する第５段階と、
前記ランカセットＢ内の最初のスロットウェハをロードする第６段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第７段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＢ内の次スロットのウェハをロードする第８段階と、
前記ランカセットＢ内の最終のスロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第７段階と第８段階とを反復する第９段階と、
前記初期ロード用ウェハをアンロードされた順序の順に前記分散ヘッドに再ロードする第１０段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第１１段階と、
前記初期ロード用ウェハ中の最終ウェハがロードされるまで第１０段階と第１１段階とを反復する第１２段階と、
クリーンアップを実施して前記ウェハを全てアンロードする第１３段階とを含むことを特徴とするダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項８】
前記Ｎは、５であることを特徴とする請求項７に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項９】
前記一定厚さ比は、２０％であることを特徴とする請求項８に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１０】
前記ランカセットＡ及びランカセットＢには、各々２５枚のウェハが積載されることを特徴とする請求項８に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１１】
前記膜は、ＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１２】
前記膜形成の設備は、常圧ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１１に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１３】
チャンバと前記チャンバ内に設置されたＮ個の分散ヘッド及びサセプタを具備した膜形成装置を利用してウェハ上に段階的に膜を形成する方法において、
前記ウェハを積載した３個のランカセットＡ、Ｂ、Ｃをロードする第１段階と、
前記ランカセットＡ内のウェハ中の最初スロットからＮ−１スロットまでの初期ロード用ウェハ及びＮスロットウェハを順序の順に前記分散ヘッドにロードする第２段階と、
一定厚さ比で蒸着する第３段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＡ内の次スロットのウェハをロードする第４段階と、
前記ランカセットＡ内の最終スロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第３段階と第４段階とを反復する第５段階と、
前記ランカセットＢ内の最初のスロットウェハをロードする第６段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第７段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＢ内の次スロットのウェハをロードする第８段階と、
前記ランカセットＢ内の最終スロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第７段階と第８段階とを反復する第９段階と、
前記ランカセットＣ内の最初のスロットウェハをロードする第１０段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第１１段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＣ内の次スロットのウェハをロードする第１２段階と、
前記ランカセットＣ内の最終のスロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第１１段階と第１２段階とを反復する第１３段階と、
前記初期ロード用ウェハをアンロードされた順序の順に前記分散ヘッドに再ロードする第１４段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第１５段階と、
前記初期ロード用ウェハ中の最終ウェハがロードされるまで第１４段階と第１５段階とを反復する第１６段階と、
クリーンアップを実施して前記ウェハを全てアンロードする第１７段階とを含むことを特徴とするダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１４】
前記Ｎは、５であることを特徴とする請求項１３に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１５】
前記一定厚さ比は、２０％であることを特徴とする請求項１４に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１６】
前記ランカセットＡ、Ｂ、Ｃには、各々２５枚のウェハが積載されることを特徴とする請求項１４に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１７】
前記膜は、ＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１８】
前記膜形成の設備は、常圧ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１７に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項１９】
第１０段階以後に前記ランカセットＢを新しいランカセットに交替する段階をさらに含むことにより、クリーンアップ後工程を再び開始する際に、前記ランカセットＢから開始するようにしたことを特徴とする請求項１３に記載のダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【請求項２０】
チャンバと前記チャンバ内に設置されたＮ個の分散ヘッド及びサセプタを具備した膜形成装置を利用してウェハ上に段階的に膜を形成する方法において、
前記ウェハを積載した３個のランカセットＡ、Ｂ、Ｃをロードする第１段階と、
前記ランカセットＡ内のウェハ中の最初スロットからＮ−１スロットまでの初期ロード用ウェハ及びＮスロットウェハを順序の順に前記分散ヘッドにロードする第２段階と、
一定厚さ比で蒸着する第３段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＡ内の次スロットのウェハをロードする第４段階と、
前記ランカセットＡ内の最終のスロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第３段階と第４段階とを反復する第５段階と、
前記ランカセットＢ内の最初のスロットウェハをロードする第６段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第７段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＢ内の次のスロットのウェハをロードする第８段階と、
前記ランカセットＢ内の最終のスロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第７段階と第８段階を反復する第９段階と、
前記ランカセットＣ内の最初のスロットウェハをロードする第１０段階と、
前記ランカセットＢを新しいランカセットに交替する第１１段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第１２段階と、
前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして前記ランカセットＣ内の次スロットのウェハをロードする第１３段階と、
前記ランカセットＣ内の最終のスロットウェハが前記分散ヘッドにロードされる時まで第１２段階と第１３段階とを反復する第１４段階と、
前記ランカセットＢ内の最初のスロットウェハをロードする第１５段階と、
前記ランカセットＣを新しいランカセットに交替する第１６段階と、
その以上工程を進行すべくランカセットがない時まで第７段階〜第１６段階を反復する第１７段階と、
前記初期ロード用ウェハをアンロードされた順序の順に前記分散ヘッドに再ロードする第１８段階と、
前記一定厚さ比で蒸着する第１９段階と、前記初期ロード用ウェハ中の最終ウェハがロードされるまで第１８段階と第１９段階とを反復する第２０段階と、前記クリーンアップを実施して前記ウェハを全てアンロードする第２１段階とを含むことを特徴とするダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はダミーウェハ（Ｄｕｍｍｙ  Ｗａｆｅｒ）を使用しないウェハ上の膜形成方法に係り、より詳細には、常圧ＣＶＤ装置等でＵＳＧ、ＢＰＳＧのような膜を形成する場合、一般的に使用されるダミーウェハを省略することにより設備効率を増加させてウェハの損失を防止して連続的な（Ｓｕｐｅｒ  ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ）工程を可能にする膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的にＣＶＤ膜を形成する工程では膜を形成しようとする一枚のウェハを対応する一個の分散ヘッド（Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  Ｈｅａｄ）に載置する方式で、全体の分散ヘッドに各々ウェハを載置した後に工程を進行する。
これを図１を参考として具体的に説明すると次のようになる。
まず、分散ヘッド（図においては、Ｄ／Ａ  ＡからＤ／Ａ  Ｅのように示す。）が５個であると仮定すると、コールドアーム（Ｃｏｌｄ  Ａｒｍ）１２によりダミーウェハＤ１−Ｄ４をダミーウェハカセット１から順序よくエレベーター（Ｅｌｅｖａｔｏｒ：図示せず）で移送した後、ロードサセプタ（Ｌｏｒｄ  Ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）１３を利用して各々の分散ヘッドＥ〜Ｂにロードする。次に、ランカセット（Ｒｕｎ  Ｃａｓｓｅｔｅ）３から膜を形成する１番スロットウェハ（Ｓｌｏｔ  Ｗａｆｅｒ）Ｗ１を分散ヘッドＡにロードさせる順序よく全体の分散ヘッドにウェハをロードさせる。この状態が初期のウェハローディング（Ｗａｆｅｒ  Ｌｏａｄｉｎｇ）状態である。
【０００３】
次に、一定厚さ比でＣＶＤ膜を形成する。この膜形成は、厚さ比は全体を１００％にする時には、１００％を分散ヘッドの個数で割った値で行う。即ち、この従来例では１００％／５＝２０％ずつ段階的に蒸着させる。
次に、チャンバ（Ｃｈａｍｂｅｒ）内の各々のウェハを、次分散ヘッドに移動して最初にロードされたダミーウェハをエレベーターを通じてアンロード（Ｕｎｌｏａｄ）してランカセット３から２番スロットウェハをロードする。このような方法を反復すると、ダミーウェハＤ１〜Ｄ４は、各々ロードされた順序によって２０％、４０％、６０％、８０％ずつＣＶＤ膜が形成された状態で分散ヘッドＥを経てアンロードされる。また、ランカセット３からロードされた１番スロットウェハからは総５回の段階的蒸着により１００％の蒸着が完了された後アンロードされる。前記ウェハはアンロードされた後にクーリングステーション（Ｃｏｏｌｉｎｇ  Ｓｔａｔｉｏｎ）１０で３０秒程度待機した後、カセットの該当スロットに各々積載される。
【０００４】
このような方法でランカセット３内の全てのウェハに対して蒸着工程を実施する。２５枚のウェハが積載されたランカセット３の場合には２５番スロットウェハを分散ヘッドＡにロードして蒸着工程を実施してチャンバ内の各ウェハを次分散ヘッドに移動させると、分散ヘッドＥにロードされた２１番スロットウェハはエレベーターを通してアンロードされる。
【０００５】
この時、ランカセット内にはその以上のスロットウェハがないため、初期にアンロードされたダミーウェハはアンロードされた順序よく再ロード（Ｒｅｌｏａｄ）して段階的に蒸着する。このようにして２５番スロットウェハＷ２５が分散ヘッドＥにロードされると、図２に示すように、分散ヘッドＡから分散ヘッドＤまでは全てダミーウェハＤ１−Ｄ４にロードされる。この状態で最終蒸着を実施すると２５番スロットウェハＷ２５及びダミーウェハＤ１−Ｄ４は全て１００％蒸着される。この後クリーンアップ（Ｃｌｅａｎ  Ｕｐ）を実施して全てのウェハをアンロードする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の方法には次のような問題点があった。
１．ダミーウェハの莫大な損失が発生した。
一般的にダミーウェハは、他の工程で試験用ウェハとして使用したウェハの中で、信頼性が無くなったウェハを用いるので、その発生量には限界があった。一方、一つのＣＶＤを設備するには、通常一工程を進行する際、４枚のダミーウェハが使用されるので合計２４枚のダミーウェハをローディングして約６，３００オングストロームの厚さで蒸着膜が形成される。したがって、少ないときでも３週に一度、多いときには１週に一度ずつダミーウェハカセットを交換する必要がり、ダミーウェハの損失が大きくなるという問題点があった。
また、ダミーウェハが充分に供給されない場合には、ダミーウェハに代わって正常的なウェハを使用しなければならない場合もある。
【０００７】
２．ダミーウェハは破損しやすいので、破損により発生する粒子がチャンバ内の他のウェハに影響するという問題点があった。また、かかる粒子の発生により、設備の稼働を中止する必要が生じる場合があり、これによって設備効率が減少される。
【０００８】
３．ダミーウェハの適切な供給等の管理は作業者がいないと不可能であり、連続的な工程の自動化が困難な問題点があった。
以上のような問題点に鑑みて、本発明の膜形成方法においては、ダミーウェハを使用しない膜形成方法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、連続的な工程が可能な膜形成方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するための本発明は、前記ウェハを積載した少なくとも一つのランカセットをロードする第１段階と、前記ランカセット内のウェハの中で最初のスロットからＮ−１スロットまでの初期ロード用ウェハ及びＮスロットウェハを順序よく前記分散ヘッドにロードする第２段階と、一定厚さ比で蒸着する第３段階と、前記ロードされたウェハを次分散ヘッドに移動させ最終分散ヘッドにロードされた前記ウェハをアンロードして次スロットのウェハをロードする第４段階と、前記ランカセット内の最終スロットウェハが前記分散ヘッドにロードされるまで第３段階と第４段階とを反復する第５段階と、前記初期ロード用ウェハをアンロードされた順序よく前記分散ヘッドに再ロードする第６段階と、前記一定厚さ比で蒸着する第７段階と、前記初期ロード用ウェハの中で最終ウェハがロードされるまで第６段階と第７段階とを反復する第８段階と、クリーンアップを実施して前記ウェハを全てアンロードする第９段階とを含むダミーウェハを使用しないウェハ上の膜形成方法を開示する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について具体的に説明する。まず、説明の便宜のために次のような限定条件を設定しておく。
チャンバ内の分散ヘッドは５個として、ランカセット内には２５枚のウェハが積載されていることとする。また、ロードされた後に１００％蒸着が完了されないでアンロードされる初期ロード用ウェハは“第１ウェハ”と称して、ロードされた後に、１００％蒸着が完了してアンロードされるウェハは“第２ウェハ”と称する。しかし、全体的に蒸着が完了される時点では前記第１ウェハも１００％蒸着が完了される。
【００１１】
図３は１ロータ工程時の本発明により膜を形成する方法を図式的に示す説明図であり、図３（ａ）は初期のウェハローディング状態を示し、図３（ｂ）は最終ウェハローディング状態を示す。また、図４は１ロータ工程の場合の本発明の膜形成方法による順序図を示す。
【００１２】
カセットステーションにランカセット２３をロードしてから工程を開始する（段階２１０）。図３（ａ）に示されるように、分散ヘッドＥから分散ヘッドＡまで４枚の第１グループウェハ（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−１）〜４番スロットウェハ（Ａ−４））と１枚の第２グループウェハ（即ち、５番スロットウェハ（Ａ−５））を各々ロードする（段階２２０）。この時、６番スロットウェハ（Ａ−６）はエレベーター上に載置され分散ヘッドにロードされる準備状態になっている。
【００１３】
次に、一定厚さ比で段階的蒸着を実施する（段階２３０）。この実施形態において厚さ比は全体分散ヘッドの個数が５であるから２０％ずつ段階的に蒸着する。したがって、分散ヘッドＡから分散ヘッドＥを経てアンロードされると、総数５回の蒸着を経るようになって１００％蒸着が完了される。
【００１４】
次に、サセプタを移動させ各ウェハを次分散ヘッドにロードさせて、分散ヘッドＥにロードされた第１ウェハ（１番スロットウェハ）はエレベーターを通してアンロードしてクーリングステーションに３０秒程度徐冷した後、ランカセットの該当スロットに積載する。また、エレベーター上に載置されている次スロットの第２ウェハ（即ち、６番スロットウェハ（Ａ−６））を分散ヘッドＡにロードした後、蒸着を実施する（段階２４０）。
【００１５】
このような方法でランカセット２３内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各々のウェハを移動させ蒸着が完了された第２ウェハがアンロードされると、この後にはランカセット２３内にその以上は第２ウェハが存在しないため、蒸着が完了していないアンロードされた第１ウェハ（即ち、１番スロットウェハ〜４番スロットウェハ）がアンロードされた順序により再ロードされる（段階２７０）。したがって、図３（ｂ）に示すように、第１ウェハ（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）が全てロードされた場合には最終スロットウェハ（即ち、２５番スロットウェハ（Ａ−２５））は分散ヘッドＥにロードされた状態として最終蒸着を実施して（段階２８０）。クリーンアップを実施してチャンバ内の全てのウェハをアンロードして１ロータ工程を終了する（２９０）。
【００１６】
したがって、初期に蒸着が１００％完了されなかった第１ウェハは、工程が終了された時点では蒸着が１００％完了される。これを図式的に説明すると表１のようになる。
【表１】
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表１のように第１ウェハが初期ロードされ段階的蒸着を経てアンロードされた状態での１番スロットウェハ〜４番スロットウェハの厚さ比率は各々２０％、４０％、６０％、８０％であり、この状態で再ロードされ段階的蒸着を経る間に、各々８０％、６０％、４０％、２０％の厚さ比率で膜が蒸着される。したがって、最終蒸着が完了された時には第１ウェハは全て同一に１００％の厚さ比率を持つようになる。
【００１７】
このようにダミーウェハに代わって膜を蒸着するための第１ウェハでダミーウェハの役割を遂行するように蒸着順序を変更することによりダミーウェハを使用しなくても同一な効果ができる。これによって、ダミーウェハの損失が減少してチャンバ内のダミーウェハの破損による粒子の発生を抑制できるため設備の稼働を中断する等の設備効率を減少させる原因を除去できる。また、ダミーウェハを別に準備する必要がないため作業者による別の管理が必要なく、したがって、自動化が容易で連続的な膜形成工程が可能になる。
【００１８】
図５は２ロータ工程時の本発明による膜形成方法の第２の実施の形態として示したものであり、ＣＶＤ膜を形成する方法を図式的に示す説明図であり、図５（ａ）は初期のウェハローディング状態を示し、図５（ｂ）は最終ウェハローディング状態を示す。図６は２ロータ工程の本発明による順序図である。Ａ、ＢカセットステーションにランカセットＡ及びランカセットＢをロードした後工程を開始する（段階５００）。
【００１９】
図５（ａ）に示すように、分散ヘッドＥから分散ヘッドＡまでランカセットＡの第１ウェハ４枚（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−１）〜４番スロットウェハ（Ａ−４））と第２ウェハ１枚（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−５））を各々ロードする（段階５０５）。この時、６番スロットウェハ（Ａ−６）はエレベーター上に載置され分散ヘッドにロードされる準備になっている。
【００２０】
次に、一定厚さ比率で段階的蒸着を実施する（段階５１０）。この実施形態において厚さ比率は全体分散ヘッドの個数が５であるから２０％ずつ段階的に蒸着する。したがって、分散ヘッドＡから分散ヘッドＥを経てアンロードされると、総５回の蒸着を経るようになって１００％蒸着が完了される。
次に、サセプタを移動させ各ウェハを次分散ヘッドにロードさせて、分散ヘッドＥにロードされた第１ウェハ（１番スロットウェハ）はランエレベーターを通してアンロードしてクーリングステーション２５に３０秒程度徐冷した後にランカセットＡの該当スロットに積載する。また、次スロットの第２ウェハを分散ヘッドＡにロードした後蒸着を実施する（段階５１５）。
【００２１】
このような方法でランカセットＡ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、以後にはランカセットＡ内にそれ以上は第２ウェハが存在しないため（段階５２０）、ランカセットＢ内の１番スロットウェハがロードされる（段階５３５）。段階的蒸着（段階５４０）及びランカセットＢ内の第２ウェハアンロード／ロード（段階５４５）を反復しながらランカセットＢ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、以後にはランカセットＢ内にそれ以上は第２ウェハが存在しないため、蒸着が完了されなくアンロードされた第１ウェハ（即ち、ランカセットＡの１番スロットウェハ〜４番スロットウェハ）がアンロードされた順序よく再ロードされる（段階５５０）。したがって、図５（ｂ）に示すように、第１ウェハ（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）が全てロードされた場合にはランカセットＢの最終スロットウェハ（即ち、２５番スロットウェハ（Ｂ−２５））は分散ヘッドＥにロードされた状態として最終蒸着を実施して（段階５５５）、クリーンアップを実施してチャンバ内の全てのウェハをアンロードして２ロータ工程を終了する（段階５６０）。
【００２２】
このように、２ロータ工程においても、後ロータのランカセット（この場合にはランカセットＢ）の最終スロットウェハに連続して初期ロード用第１ウェハをロードして蒸着工程を実施することによりダミーウェハなしに簡単に工程が完了できる。
【００２３】
次に、本発明の膜形成方法の第３の実施の形態について説明する。図７は３ロータ工程時の本発明のよりＣＶＤ膜を形成する方法を図式的に示す説明図であり、図７（ａ）は初期のウェハローディング状態を示し、図７（ｂ）は最終ウェハローディング状態を示す。
【００２４】
この実施形態においても、図７（ａ）に示すように、初期には分散ヘッドＥから分散ヘッドＡまでランカセットＡの第１ウェハ４枚（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−１）〜４番スロットウェハ（Ａ−４））と第２ウェハ１枚（即ち、５番スロットウェハ（Ａ−５））を各々ロードする。この状態で蒸着を開始して、図７（ｂ）に示すように、第１ウェハ（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）が全てロードされた場合にはランカセットＣの最終スロットウェハ（即ち、２５番スロットウェハ（Ｃ−２５））は分散ヘッドＥにロードされた状態で最終蒸着を実施して、クリーンアップを実施してチャンバ内の全てのウェハをアンロードして３ロータ工程を終了する。
【００２５】
図８は連続的な膜形成工程に本発明の方法を利用して蒸着工程を実施する順序を図式的に示す説明図である。その一番目方法を図８（ａ）を参考にして具体的に説明する。Ａ、Ｂ、ＣカセットステーションにランカセットＡ、ランカセットＢ及びランカセットＣをロードした後工程を開始する。
【００２６】
次、分散ヘッドＥからＡまでランカセットＡの第１ウェハ４枚（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−１）〜４番スロットウェハ（Ａ−４））と第２ウェハ１枚（即ち、５番スロットウェハ（Ａ−５））を各々ロードする。
【００２７】
次に、一定厚さ比率で段階的蒸着を実施して、サセプタを移動させ各ウェハが次分散ヘッドにロードされるようにして、分散ヘッドＥにロードされた第１ウェハ（１番スロットウェハ）はエレベーターを通してアンロードしてクーリングステーション２５に３０秒程度徐冷させた後にランカセットＡの該当スロットに積載する。また、次スロットの第２ウェハを分散ヘッドＡにロードした後蒸着を実施する。
【００２８】
このような方法でランカセットＡ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、以後にはランカセットＡ内にその以上は第２ウェハが存在しないため、ランカセットＢ内の１番スロットウェハがロードされる。段階的蒸着及びランカセットＢ内の第２ウェハアンロード／ロードを反復しながらランカセットＢ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。
【００２９】
最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、以後にはランカセットＢ内にその以上は第２ウェハが存在しないため、ランカセットＣ内の１番スロットウェハがロードされる。
この時、ランカセットＢ内の全てのウェハは蒸着が完了されて新しいロータに交替される。
【００３０】
前記段階を反復して最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されて、サセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、この後にはランカセットＣ内にその以上は第２ウェハが存在しないため、交替されたランカセットＢの１番スロットウェハがロードされる。また、ランカセットＣの最終スロットウェハが蒸着完了されアンロードされと、さらにランカセットＣ内の全てのウェハは蒸着が完了されて新しいロータに交替される。このようにしてランカセットＢとＣを利用して連続的に工程が実施できる。
したがって、ランカセットの進行順序はＡ１→Ｂ１→Ｃ１→Ｂ２→Ｃ２→Ｂ３→Ｃ３→…の順に行われる。
【００３１】
一方、工程がその以上進行するランカセットがないと、蒸着が完了されなくアンロードされた第１ウェハ（即ち、ランカセットＡの１番スロットウェハ〜４番スロットウェハ）がアンロードされた順序よく再ロードされる。したがって、図７（ａ）に図示されるように、第１ウェハ（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）が全てロードされた場合にはランカセットＣまたはランカセットＢの最終スロットウェハ（即ち、２５番スロットウェハ（Ｃ−２５、Ｂ−２５））は分散ヘッドＥにロードされた状態で最終蒸着を実施して、クリーンアップを実施してチャンバ内の全てのウェハをアンロードして連続工程を終了する。
このような方法によると、ランカセットＡが最後に引出されるため多少の問題の発生がある。
【００３２】
従って２番目の方法を図８（ｂ）に他の実施例として説明する。Ａ、Ｂ、ＣカセットステーションにランカセットＡ、ランカセットＢ及びランカセットＣをロードした後工程を開始する。次、分散ヘッドＥから分散ヘッドＡまでランカセットＡの第１ウェハ４枚（即ち、１番スロットウェハ（Ａ−１）〜４番スロットウェハ（Ａ−４））と第２ウェハ１枚（即ち、５番スロットウェハ（Ａ−５））を各々ロードする。
【００３３】
次に、一定厚さ比率で段階的蒸着を実施して、サセプタを移動させ各ウェハが次分散ヘッドにロードされるようにして、分散ヘッドＥにロードされた第１ウェハ（１番スロットウェハ）はエレベーターを通してアンロードして、次スロットの第２ウェハを分散ヘッドＡにロードした後蒸着を実施する。
【００３４】
このような方法によってランカセットＡ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、この後にはランカセットＡ内にその以上の第２ウェハがないため、ランカセットＢ内の１番スロットウェハがロードされる。段階的蒸着及びランカセットＢ内の第２ウェハアンロード／ロードを反復しながらランカセットＢ内の最終スロットウェハ（２５番スロットウェハ）が分散ヘッドＡにロードされるまで前記段階を反復する。
【００３５】
最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、この後にはランカセットＢ内にその以上は第２ウェハが存在しないため、ランカセットＣ内の１番スロットウェハがロードされる。
この時、ランカセットＢ内の全てのウェハは蒸着が完了されて新しいロータに交替する。
【００３６】
前記段階を反復して最終スロットウェハがロードされ蒸着が実施されてサセプタが次分散ヘッドに各ウェハを移動させ蒸着完了された第２ウェハがアンロードされると、以後にはランカセットＣ内にその以上は第２ウェハが存在しないため、蒸着が完了されていないままアンロードされている第１ウェハ（即ち、ランカセットＡの一番スロットウェハ〜４番スロットウェハ）がアンロードされた順序よく再ロードされる。したがって、図８（ｂ）に図示されるように、第１ウェハ（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）が全てロードされた場合にはランカセットＣまたはランカセットＢの最終スロットウェハ（即ち、２５番スロットウェハ（Ｃ−２５、Ｂ−２５））は分散ヘッドＥにロードされた状態で最終蒸着を実施して、クリーンアップを実施してチャンバ内の全てのウェハをアンロードして連続工程を終了する。
【００３７】
したがって、ランカセットの進行順序はＡ１→Ｂ１→Ｃ１→Ａ１→Ｂ２→Ｃ２→Ａ２→Ｂ３→Ｃ３→Ａ２→…の順に行われる。
【００３８】
次に、分散ヘッドＥから分散ヘッドＡまで交替されたランカセットＢの第１ウェハ４枚（即ち、１番スロットウェハ（Ｂ−１）〜４番スロットウェハ（Ｂ−４））と第２ウェハ１枚（即ち、５番スロットウェハ（Ｂ−５））を各々ロードして新しい工程を開始する。また、これと同時にランカセットＡ、Ｂを交替することにより連続的に工程が実施できる。
【００３９】
このような方法においては、クリーンアップ後再ロード時に予熱により３ロータ当たり約４分程度の時間損失が発生する問題点はあるが、これは無視できる程度である。
【００４０】
【発明の効果】
以上のように、本発明の膜形成方法によると、ダミーウェハに代わって膜を蒸着するための第１ウェハでダミーウェハ役割を遂行するように蒸着される順序を変更することにより、ダミーウェハを使用しなくても同一な効果ができる。したがって、ダミーウェハの損失が減少してチャンバ内のダミーウェハの破損による粒子の発生が減少し、設備稼働を中断する等の設備効率を減少させる原因が除去できる。また、ダミーウェハを別に準備する必要がないため作業者による別の管理が必要なく自動化が容易で連続的な膜形成工程が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の膜形成方法による初期のウェハローディング状態を示す説明図である。
【図２】  従来の膜形成方法による最終ウェハローディング状態を示す説明図である。
【図３】  本発明による１ロータ工程時のウェハローディング状態を示す説明図である。（ａ）は初期のウェハローディング状態、（ｂ）は最終のウェハローディング状態を示す説明図である。
【図４】  本発明による１ロータ工程時の膜形成方法を説明する順序図である。
【図５】  本発明による２ロータ工程時のウェハローディング状態を示す説明図である。（ａ）は初期のウェハローディング状態、（ｂ）は最終のウェハローディング状態を示す説明図である。
【図６】  本発明による２ロータ工程時の膜形成方法を説明する順序図である。
【図７】  本発明による３ロータ工程時のウェハローディング状態を示す説明図である。（ａ）は初期のウェハローディング状態、（ｂ）は最終のウェハローディング状態を示す説明図である。
【図８】  （ａ）は、本発明の一実施形態による連続工程時の中間のウェハローディング状態を示す説明図であり、（ｂ）は本発明の他の実施形態による連続工程時の最終のウェハのローディング状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１…ダミーウェハカセット
３…ランカセット
１０…クーリングステーション
１２…コールドアーム
１３…ロードサセプタ
Ｗ…スロットウェハ
Ｄ…ダミーウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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