(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置であって、
基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線に接続されたスイッチング手段と、
該スイッチング手段に接続され、第３層間絶縁膜上に設けられた画素電極とが具備されてなり、
前記画素電極が平面視少なくとも３つ以上の辺の組み合わせからなる多辺形型に形成され、前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極の周縁部が、前記第３層間絶縁膜下に形成された絶縁膜からなる断面四角の突起部により、画素電極の他の周縁部よりも突出されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、少なくとも１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極周縁部に凸部が連続形成されてなることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
一対の基板間に垂直配向モードの液晶が挟持され、一方の基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線に接続されたスイッチング手段と、該スイッチング手段に接続された画素電極とが具備され、前記基板に対向させて設けられた他方の基板に対向電極が設けられてなり、
前記画素電極が平面視少なくとも３つ以上の辺の組み合わせからなる多辺形型に形成され、
前記他方の基板の対向電極の一部に前記画素電極の形成位置に対応させて電極凸部が形成されるとともに、前記電極凸部と前記画素電極の対向配置平面視状態において、前記電極凸部の周囲側に前記画素電極の少なくとも１辺側の周縁部を除いた他の周縁部がはみ出すように配置されてなり、
前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、前記他の周縁部が、前記画素電極の前記少なくとも１辺側の周縁部よりも突出され、
前記電極凸部が、前記他方の基板の対向電極に、前記画素電極の突出された周縁部を除いた画素電極の残りの部分に対応して形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記液晶が、負の誘電異方性を有する液晶とされたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極が四角形型に形成され、前記四角形型の画素電極の３辺の周縁部に沿って平面視コ字状の凸部が形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記凸部が前記画素電極を構成する辺に沿って間欠的に形成されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極が電界を生成させるものであり、前記画素電極周縁部の突出した部分が、前記画素電極によって生成される電界の等電位線を、前記画素電極周縁部側において傾斜させるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記スイッチング手段が、前記走査線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタに接続された前記画素電極と、該画素電極に接続された蓄積容量と、該蓄積容量の容量線と、前記走査線及び前記容量線の上方に形成された第２層間絶縁膜と、該第２層間絶縁膜の上方に形成されたデータ線とが具備されてなり、前記画素電極周縁部のうち、平面視前記容量線が形成された辺に対して向かい合う辺の位置が他の画素電極周縁部よりも低いことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記スイッチング手段が、前記走査線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査線の上方に形成された第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜の上方に形成された導電層と、該導電層の上方に形成された第２層間絶縁膜とが具備されてなり、前記データ線が前記第２層間絶縁膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記基板に凹部が形成され、該凹部上に少なくとも前記スイッチング手段とデータ線と走査線が形成されてなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１１】
光源と、前記光源からの光を変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投影する投影光学系とを備え、前記光変調装置として請求項１〜１０に記載のいずれかの電気光学装置が組み込まれたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１２】
前記マトリクス状に配置された複数の画素電極において、
個々の画素電極の突出された周縁部がそれぞれ同じ向きに、その他の低く形成された周縁部がそれぞれ同じ向きに、向けられて整列され、画素電極の周縁部の低く形成された周縁部が投射画像の上方向あるいは下方向に向くように配置されてなることを特徴とする請求項１０記載の投射型表示装置。
【請求項１３】
垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置の製造方法であって、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記走査線を形成する工程と、
前記走査線上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成する工程と、
画素電極形成予定位置の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に、絶縁膜からなる平面的にコ字状の突起部を形成する工程と、
前記データ線上及び突起部上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜上に前記半導体層に接続されるように画素電極を形成し、
前記突起部上に形成した画素電極周縁部に凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置の製造方法であって、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
基板上に前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及び前記ドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記走査線を形成する工程と、
前記走査線上に第１層間絶縁膜を介在して導電層を形成する工程と、
前記導電層上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成する工程と、
画素電極形成予定位置の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に絶縁膜からなる突起部を形成する工程と、
前記データ線上及び突起部上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜及び第３層間絶縁膜に対し、側壁が前記突起部に接するようにコンタクトホールを開孔する工程と、
前記コンタクトホールを介して前記導電層に接続されるように画素電極を形成し、前記突起部上に形成した画素電極周縁部に凸部を形成する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記走査線とデータ線と薄膜トランジスタを形成する領域に対応させて基板に凹部を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
垂直配向モードの液晶を備え、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が設けられてなる電気光学装置において、
基板上に設けられ、前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及び前記ドレイン領域となる半導体層と、
前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けら、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された走査線と、
前記走査線上に第１層間絶縁膜を介在して設けられた導電層と、
前記導電層上に設けられた第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に設けられた絶縁膜からなる突起部と、
前記データ線上及び前記突起部上に設けられた第３層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜及び第３層間絶縁膜に対し、側壁が前記突起部に接するように開孔されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを介して前記導電層に前記画素電極が接続され、前記突起部上に設けられた画素電極の周縁部に凸部が設けられることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置とそれを備えた投影式表示装置及び電気光学装置の製造方法に関し、特に画素電極周縁部に凸部を設けることによって液晶分子の配向制御をなすようにした電気光学装置及びそれを用いた投射型表示装置と電気光学装置の製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下適宜ＴＦＴと略称する）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数のＴＦＴがＴＦＴアレイ基板上に設けられている。各ＴＦＴは、走査線にゲート電極が接続され、データ線に半導体層のソース領域が接続され、画素電極に半導体層のドレイン領域が接続されている。ここで特に画素電極は、ＴＦＴや配線を構成する各種の層や当該画素電極を相互に絶縁するための層間絶縁膜上に設けられているため、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介してＴＦＴを構成する半導体層のドレイン領域に接続されている。そして、ＴＦＴのゲート電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ドレイン間を介して画素電極に供給される。このような画像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて短時間しか行われない。このため、極短時間だけオン状態とされたＴＦＴを介して供給される画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、各画素電極には液晶容量と並列に蓄積容量が形成されるのが一般的である。他方、この種の電気光学装置においては、ＴＦＴアレイ基板上に形成された半導体層から、画素スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域並びにこれらの間にあるチャネル領域が構成される。画素電極は、積層構造をなす走査線、容量線、データ線等の配線及びこれらを相互に電気的絶縁するための複数の層間絶縁膜を介して、半導体層のドレイン領域と接続される必要がある。ここで、ＴＦＴアレイ基板側から見て半導体層の上にゲート電極が設けられるトップゲート構造を有する正スタガ型又はコプレナー型のポリシリコンＴＦＴの場合などは特に、積層構造における半導体層から画素電極までの層間距離が例えば１０００ｎｍ程度又はそれ以上に長いために、両者を電気的接続するためのコンタクトホールを開孔するのが困難となる。より具体的には、エッチングを深く行うにつれてエッチング精度が低下して、目標とする半導体層を突き抜けて開孔してしまう可能性が出て来るため、ドライエッチングのみで、このような深いコンタクトホールを開孔することが極めて困難となる。このため、ドライエッチングにウエットエッチングを組み合わせて行ったりするが、すると今度はウエットエッチングによりコンタクトホールの径が大きくなってしまい、限られた基板上領域において配線や電極を必要なだけレイアウトするのが困難となるのである。
【０００３】
そこで最近では、走査線上に形成される層間絶縁膜に対して、半導体層のソース領域に至るコンタクトホールを開孔してデータ線とソース領域との電気的接続をとる際に、半導体層のドレイン領域に至るコンタクトホールを開孔してこの層間絶縁膜上にデータ線と同一層からなるバリア層と称される中継用の導電層を形成しておき、その後、データ線及びこのバリア層上に形成された層間絶縁膜に対して、画素電極からこのバリア層に至るコンタクトホールを開孔する技術が開発されている。このようにデータ線と同一層からなるバリア層を中継して画素電極からドレイン領域への電気的接続をとるように構成すれば、画素電極から一挙に半導体層に至るコンタクトホールを開孔するよりも、コンタクトホールの開孔工程等が容易となり、各コンタクトホールの径も小さくて済む利点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この種の電気光学装置においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が強く、このためには、画像表示領域の高精細化或いは画素ピッチの微細化及び高画素開口率化（即ち、各画素において、表示光が透過しない非画素開口領域に対する、表示光が透過する画素開口領域の比率を高めること）が極めて重要となっている。
【０００５】
しかしながら、画素ピッチの微細化が進むと、電極サイズや配線幅、更にコンタクトホール径などには製造技術により本質的な微細化の限界があるため、相対的にこれらの配線や電極等が画像表示領域を占有する比率が高まるため、画素開口率が低くなってしまうという問題点がある。
【０００６】
また、この種の電気光学装置に用いる液晶のタイプとして垂直配向モードの液晶が知られている。この垂直配向モードの液晶とは、電界を印加していない場合に液晶分子がその長軸方向を基板の厚さ方向（基板に対して垂直方向）に向けて起立してホメオトロピック配向するもので、更に負の誘電異方性を有する液晶の場合に電界を印加すると液晶分子が基板に平行な方向に倒れてホモジニアス配向することで表示状態を切り替えるものである。
【０００７】
図２７は、この種の垂直配向モードを備えた一般的な液晶表示装置の画素単位の透過率を測定した結果を示すものである。図２７の符号ＡＡで示す領域が１つの画素領域を示し、この画素領域ＡＡにおいて、符号ＡＢで示す領域が透過率の高い領域を示し、符号ＡＣで示す領域が透過率の低い領域を示す。透過率の低い領域ＡＣは四角形状の画素電極の対角線に沿って生成される。
【０００８】
この垂直配向モードの液晶表示装置において液晶分子が起立したホメオトロピック配向状態から倒れてホモジニアス配向状態に変化する場合のことを想定すると、周囲の電界の影響が何もない場合、どの方向に液晶分子が倒れるかは確率の問題となるが、通常は周囲の電界の影響によって画素電極周縁部側の液晶分子から倒れ始めるので、平面視四角形状の画素電極に対応する液晶分子において画素周縁部側から画素中央部側に向かって順次内向きに配向すると考えられ、画素電極の４つの周辺側から均等に画素電極中央部に向かって液晶分子が順次倒れようとする結果、画素電極上において対角線位置にドメインの境界の暗い部分が生成されてしまい、図２７の符号ＡＣで示す透過率の低い領域になってしまうものと推定できる。
【０００９】
なお、ホメオトロピック状態の液晶にプレチルト角を与えて９０度よりも若干低い角度で起立させるように設計しておき、液晶分子が倒れ始める方向を制御することも考えられるが、ホメオトロピック状態の液晶にプレチルト角を付与し過ぎると、ホメオトロピック状態において黒表示している状態であるとすると、黒表示が薄くなり、コントラストが低下し、表示品質の低下につながるおそれがある。
【００１０】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、画素電極あるいは共通電極が液晶に作用させる等電位線を画素電極の少なくとも１つの周縁部以外の周縁部側において傾斜させることで、等電位線を傾斜させていない画素電極周縁部の液晶の配向に他の領域の液晶の配向を揃えるように配向させ、ドメイン境界の暗い領域を画素の一端部側に集中させることで明るく、高コントラストな表示を得られるようにした電気光学装置とそれを用いた投影型表示装置及び電気光学装置の製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は前記課題を解決するために、垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置であって、
基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線に接続されたスイッチング手段と、
該スイッチング手段に接続され、第３層間絶縁膜上に設けられた画素電極とが具備されてなり、
前記画素電極が平面視少なくとも３つ以上の辺の組み合わせからなる多辺形型に形成され、前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極の周縁部が、前記第３層間絶縁膜下に形成された絶縁膜からなる断面四角の突起部により、画素電極の他の周縁部よりも突出されてなることを特徴とする。
【００１２】
本発明の構成によれば、画素電極の少なくとも１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極周縁部が、他の周縁部よりも突出されているので、突出形成された画素電極周縁部が発生させる等電位線は、低く形成された画素電極周縁部が発生させる等電位線よりも傾斜することとなる。この傾斜した等電位線は、垂直配向している液晶が画素電極中央側に向かって倒れて配向しようとした場合に、液晶に外力を作用させて内向きに傾く液晶を少なくしようとする。しかし、低く形成された画素電極周縁部において、等電位線は傾斜しないか、ほとんど傾斜しないので、画素電極の内側に向けて液晶が倒れて配向しようとする。結果的に画素電極が配向させる液晶は、全体として、低く形成された画素電極周縁部の液晶の配向状態に支配されつつ配向してゆくので、ドメインの境界の暗い領域は画素電極周縁部の一側に寄せ集められる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示が得られる。
【００１３】
画素電極の少なくとも１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極周縁部が高く形成されていれば良いので、画素電極周縁部の全周に凸部を形成し、その凸部の内、少なくとも１つの辺に対応する凸部を低く形成し、他の辺に対応する凸部を高く形成する構造を採用しても良く、このような構造も本願発明に包含するものとする。
【００１４】
本発明の電気光学装置は前記課題を解決するために、前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、少なくとも１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極周縁部に凸部が連続形成されてなることを特徴とする。
【００１５】
凸部を形成した画素電極周縁部が発生させる等電位線は傾斜するので、垂直配向している液晶が画素電極中央側に向かって倒れて配向しようとした場合に、液晶に外力を作用させて内向きに傾く液晶を少なくしようとする。しかし、凸部を形成していない側の画素電極周縁部において等電位線は傾斜しないので、画素電極の内側に向けて液晶が倒れて配向しようとする。結果的に画素電極が配向させる液晶は、全体として、凸部を形成していない側の画素電極周縁部の液晶の配向状態に支配されつつ配向してゆくので、ドメインの境界の暗い領域は画素電極周縁部の一側に寄せ集められる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示が得られる。
【００１７】
対向電極の電極凸部周縁からはみ出す周縁部分を有する画素電極を設けることによっても画素電極周縁部の少なくとも１つを除いた周縁部側に傾斜した等電位線を生成することが可能となる。これにより、画素電極が配向させる液晶は、全体として、はみ出し部分を有しない側の画素電極周縁部の液晶の配向状態に支配されつつ配向してゆくので、ドメインの境界の暗い領域は画素電極周縁部の一側に寄せ集められる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示が得られる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は前記課題を解決するために、一対の基板間に垂直配向モードの液晶が挟持され、一方の基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線に接続されたスイッチング手段と、該スイッチング手段に接続された画素電極とが具備され、前記基板に対向させて設けられた他方の基板に対向電極が設けられてなり、
前記画素電極が平面視少なくとも３つ以上の辺の組み合わせからなる多辺形型に形成され、
前記他方の基板の対向電極の一部に前記画素電極の形成位置に対応させて電極凸部が形成されるとともに、前記電極凸部と前記画素電極の対向配置平面視状態において、前記電極凸部の周囲側に前記画素電極の少なくとも１辺側の周縁部を除いた他の周縁部がはみ出すように配置されてなり、
前記画素電極の輪郭を構成する３つ以上の辺のうち、前記他の周縁部が、前記画素電極の前記少なくとも１辺側の周縁部よりも突出され、
前記電極凸部が、前記他方の基板の対向電極に、前記画素電極の突出された周縁部を除いた画素電極の残りの部分に形成されてなることを特徴とする。
【００１９】
この構成においても画素電極周縁部の少なくとも１つを除いた周縁部に傾斜した等電位線を生成することが可能となる。これにより、画素電極が配向させる液晶は、全体として、はみ出し部分を有しない側、即ち、画素電極周縁部の低い部分に対応する側の液晶の配向状態に支配されつつ配向してゆくので、ドメインの境界の暗い領域は画素電極周縁部の一側に寄せ集められる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示が得られる。
【００２０】
また、この構成においては、画素電極周縁部の突出した部分と、対向電極の電極凸部とが共働して等電位線を傾斜させるので、等電位線の傾斜をより効果的に生成することができ、ドメインの境界の暗い領域を画素電極周縁部の一側に、より強く寄せ集めることができる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が更に広がり、より高コントラストな表示が得られる。
【００２１】
先に記載の本発明において、前記液晶が、電界の無印加時に基板に対して起立し、電界の印加時に倒れる方式の垂直配向モードであって、負の誘電異方性を有する液晶とされることが好ましい。
【００２２】
これにより、電界の無印加時に基板に対し起立してホメオトロピック配向していた液晶が、電界の印加時に倒れてホモジニアス配向しようとする際に先に記載の、高コントラストと明るい表示領域の拡張効果が得られる。
【００２３】
先に記載の本発明において前記画素電極が、四角形型に形成され、前記四角形型の画素電極の３辺の周縁部沿って平面視コ字状の凸部が形成されてなることを特徴とすることが好ましい。
【００２４】
四角形型の画素電極であり、三辺側の周縁部に平面視コ字状の凸部が形成されていると、画素電極の三辺側の周縁部で等電位線が傾斜し、残り一辺側の周縁部で等電位線が傾斜しないか、傾斜が弱いので、この一辺側の周縁部の液晶の配向に合うように他の三辺側の液晶の配向が揃う結果、ドメインの境界の暗い領域を画素電極周縁部の一辺側に対向する側に確実に寄せ集めることができる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が更に広がり、より高コントラストな表示が得られる。
【００２５】
本発明は更に、前記凸部が前記画素電極を構成する辺に沿って間欠的に形成されてなる構成を採用しても良い。
【００２６】
画素電極に形成する凸部は画素電極周縁部に辺の全長に沿って形成されていることが好ましいが、間欠的であっても画素電極周縁部に等電位線の傾斜部分を形成させることはできるので、上述のような液晶配向制御の面からは間欠的であっても良い。
【００２７】
本発明は、前記画素電極が電界を生成させるものであり、前記画素電極周縁部の突出した部分が、前記画素電極によって生成される電界の等電位線を、前記画素電極周縁部側において傾斜させるものであることを特徴とする。
【００２８】
前記スイッチング手段が、前記走査線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタに接続された前記画素電極と、該画素電極に接続された蓄積容量と、該蓄積容量の容量線と、前記走査線及び前記容量線の上方に形成された第２層間絶縁膜と、該第２層間絶縁膜の上方に形成されたデータ線とが具備されてなり、前記画素電極周縁部のうち、平面視前記容量線が形成された辺に対して向かい合う辺の位置が他の画素電極周縁部よりも低いことを特徴とする。
【００２９】
前記スイッチング手段として具体的に、薄膜トランジスタからなるものを適用することができ、薄膜トランジスタに蓄積容量を接続することで画素電極に印加した電荷を長い時間保持することができる。また、例えば、画素電極の周縁部のうち、1辺は容量線、２辺はデータ線、１辺は走査線で囲まれた場合、容量線は、例えば半導体層と誘電体膜と、走査線と同一膜からなる容量線とにより形成されているため、走査線より突出しており、またデータ線は走査線よりも第１絶縁膜を挟んで上方に形成されているため、走査線よりも突出している。従って、走査線に沿った辺が他の辺よりも容易に低くすることが可能となる。
【００３０】
先に記載の本発明において、前記スイッチング手段が、前記走査線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に接続された蓄積容量と、該蓄積容量の容量線と、前記走査線及び前記容量線の上方に形成された第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜の上方に形成された導電層と、該導電層の上方に形成された第２層間絶縁膜とが具備されてなり、前記データ線が前記第２層間絶縁膜上に形成されてなることを特徴とする。
【００３１】
前記スイッチング手段として具体的に、薄膜トランジスタからなるものを適用することができ、薄膜トランジスタに蓄積容量を接続することで画素電極に印加した電荷を長い時間保持することができる。
【００３２】
本発明において、前記基板に凹部が形成され、該凹部上に少なくとも前記薄膜トランジスタとデータ線と走査線が形成されてなる構成でも良い。
【００３３】
基板に形成した凹部上に薄膜トランジスタとデータ線と走査線を配置するならば、これらを構成するための各種の膜を堆積した積層構造を採用しても、それらの上に形成される絶縁膜あるいは画素電極に不要な凹凸や応力集中を防止することができ、これらの絶縁膜や画素電極で欠陥の少ないものを得ることができる。
【００３４】
本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投影する投影光学系とを備え、前記光変調装置として、先に記載のいずれかの電気光学装置が組み込まれたことを特徴とする。
【００３５】
先に記載の電気光学装置であるならば、画素においてドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示を得ることができるので、この電気光学装置を備えた投影光学装置にあっても明るく高コントラストな表示のドメイン境界の目立たない表示品質の高い投射画像を得ることができる。
【００３６】
更に先に記載の投射型表示装置において、前記マトリクス状に配置された複数の画素電極において、個々の画素電極の突出形成された周縁部がそれぞれ同じ向きに、その他の低く形成された周縁部がそれぞれ同じ向きに、向けられて整列され、画素電極の周縁部の低く形成された周縁部が投射画像の上方向あるいは下方向に向くように配置されてなることを特徴とする構成を採用することができる。
【００３７】
複数の画素電極において個々の画素電極の突出形成された周縁部どうしが、また、低く形成された周縁部どうしが全て同じ方向に向けられて整列され、画素電極周縁部の低い周縁部が投射画像の上方向か下方向に揃えられてなることで、投射画像の左右方向に色むらの生じ難い状態で、明るく高コントラストな投射画像を得ることが可能となる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置の製造方法であって、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記走査線を形成する工程と、
前記走査線上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成する工程と、
画素電極形成予定位置の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に、絶縁膜からなる平面的にコ字状の突起部を形成する工程と、
前記データ線上及び突起部上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜上に前記半導体層に接続されるように画素電極を形成し、
前記突起部上に形成した画素電極周縁部に凸部を形成するという、比較的簡単な各工程を用いて前述の各発明で示した構造の高コントラストな表示品質の良好な液晶表示装置を製造できる。
また、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、垂直配向モードの液晶を備えた電気光学装置の製造方法であって、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
基板上に前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及び前記ドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記走査線を形成する工程と、
前記走査線上に第１層間絶縁膜を介在して導電層を形成する工程と、
前記導電層上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成する工程と、
画素電極形成予定位置の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に絶縁膜からなる突起部を形成する工程と、前記データ線上及び突起部上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜及び第３層間絶縁膜に対し、側壁が前記突起部に接するようにコンタクトホールを開孔する工程と、
前記コンタクトホールを介して前記導電層に接続されるように画素電極を形成し、前記突起部上に形成した画素電極周縁部に凸部を形成する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、前記走査線とデータ線と薄膜トランジスタを形成する領域に対応させて基板に凹部を形成する工程を更に含むことを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、垂直配向モードの液晶を備え、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とが具備されてなり、前記画素電極周縁部に凸部が設けられてなる電気光学装置において、
基板上に設けられ、前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及び前記ドレイン領域となる半導体層と、前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けら、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された走査線と、
前記走査線上に第１層間絶縁膜を介在して設けられた導電層と、
前記導電層上に設けられた第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極の周縁部の少なくとも１辺を除く周縁部に設けられた絶縁膜からなる突起部と、前記データ線上及び前記突起部上に設けられた第３層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜及び第３層間絶縁膜に対し、側壁が前記突起部に接するように開孔されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介して前記導電層に前記画素電極が接続され、前記突起部上に設けられた画素電極の周縁部に凸部が設けられることを特徴とする。
【００３９】
また、基板に予め凹部を形成しておき、該凹部上に薄膜トランジスタと各種配線と容量電極を形成するならば、これらの積層体の上に形成される凹凸を小さくすることができる。
【００４０】
本発明の以上のような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４２】
（電気光学装置の第１実施形態）
本発明による電気光学装置の第１実施形態である液晶装置の構成について、図１から図４を参照して説明する。
【００４３】
図１は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図４は画素電極の略図である。尚、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。尚又、図２のＡ−Ａ’線は、後述するデータ線６ａと容量線３ｂの重なり部分から出発してコンタクトホール５の部分と半導体層１ａの部分を通過し、図２において右側に折れて延出し、更にコンタクトホール８ａ、８ｂ部分を通過し、コンタクトホール８ｂ部分から図２において上側に折れて延出した線である。
【００４４】
図１において、本第１実施形態における液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９を制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線（ソース線）６ａが当該ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線（ゲート線）３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれるようになっている。この画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁程度も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置を実現できる。
【００４５】
図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９（データ線６ａと走査線３ａにより囲まれた矩形状の領域に設けられた平面視四角形状のもの）が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿って画素電極９と平面視若干の間隔をあけてデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９は、図中右上がりの斜線で示した領域の間に夫々形成されておりバッファとして機能する導電層８０（以下、バリア層と称す。）を中継して、第１コンタクトホール８ａ及び第２コンタクトホール８ｂを介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された構成のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４６】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部３ｂ１と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図２中、上向き）に突出した延出部３ｂ２とを有する。
【００４７】
また、前述のＴＦＴ３０と走査線３ａ・・・とデータ線６ａ・・・とが形成されている後述のＴＦＴアレイ基板１０にあっては、これらのＴＦＴ３０・・・と走査線３ａ・・・とデータ線６ａ・・・の部分の下側の領域を通るようにＴＦＴアレイ基板１０の上面側に凹部１０ａが形成されている。更に、該凹部１０ａの底面において、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０の下側を通るように、第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には図２において、第１遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａに沿って縞状に形成されていると共に、データ線６ａと交差する箇所が図中下方に幅広に形成されており、この幅広の部分により各ＴＦＴのチャネル領域１ａ’をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位置に設けられている。
【００４８】
次に図３の断面図に示すように、液晶装置は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９が設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９は例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミドの薄膜などの垂直配向モードを適用可能な有機薄膜からなる。
【００４９】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側（液晶側）には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミドの薄膜などの垂直配向モードを適用可能な有機薄膜からなる。これらの配向膜１６、２２は必要に応じてラビング処理が施されて垂直配向モードの液晶にプレチルト角を付与するように構成される。ラビング処理は電界による配向方向と同じ向きになるように、配向処理はコ字状の凸部９Ｂの開口部と反対方向、即ち図２６のＢと反対向きに液晶が倒れる方向に処理を行うことが望ましい。また、配向膜１６、２２はどちらか一方でも均一な配向が得られるが、両方を形成したほうがより均一な配向が得られる。プレチルト角としては２〜３度程度が好ましく、このプレチルト角を大きくし過ぎると垂直配向した場合の黒表示が薄くなって表示品質の低下につながるおそれを有する。
【００５０】
ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング素子としてのＴＦＴ３０が設けられている。
【００５１】
対向基板２０には、更に図３に示すように、各画素の非開口領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリクスと称される第２遮光膜２３を設けても良い。
【００５２】
以上のように構成され、画素電極９と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材（図２０及び図２１参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成されている。
【００５３】
更に本実施形態では、液晶層５０は電界を印加していない状態で各液晶分子がその長軸を配向膜１６、２２に対して直交する向きに対向させて起立し、ホメオトロピック配向し、画素電極９と共通電極２１が電界を印加した状態において基板に対して平行になるようにホモジニアス配向するタイプの垂直配向モードの液晶が選定される。ただし、液晶にプレチルト角を導入する場合は、ホメオトロピック配向状態において基板に対して完全に垂直配向ではなく基板面に垂直な線（法線）対して数度程度の傾斜を有しつつ配向し、ホモジニアス配向状態において基板面に完全に平行ではなく数度程度の傾斜を有しつつ配向する。
【００５４】
このような垂直配向モードの液晶として、例えば、負の誘電異方性を有するネマチック液晶、コレステリック液晶等を用いることができる。
【００５５】
液晶の垂直配向を得るための方式として、例えばＥＣＢ（電圧制御複屈折：electrically controlled birefringence）方式が知られているのでこのＥＣＢ方式を用いることができ、ＥＣＢ方式の中でも一般的とされるＤＡＰ（deformation of aligned phase）方式を採用することができる。ＥＣＢ方式において垂直配向を得る方法としては、長鎖アルキル基を有する界面活性剤、カップリング剤や金属錯体を基板に塗布する方法が一般的であるが、この他に知られている他の方式の表示形態としても良いのは勿論である。
【００５６】
また、液晶分子を基板に対して垂直配向させるためには、垂直配向が可能なポリイミドの配向膜を用いることができ、液晶としてより具体的には、メルクジャパン（株）：商品名ＭＸ９６１２１０等を用いることができる。
【００５７】
シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入されている。
【００５８】
更に図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０の凹部１０ａの底面上には、第１遮光膜１１ａが設けられていてもよい。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。
【００５９】
更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、下地絶縁膜１２が設けられていてもよい。
【００６０】
本実施形態では、半導体層１ａを高濃度ドレイン領域１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、これに対向する容量線３ｂの本線部３ｂ１の一部を第２蓄積容量電極とし、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持された第１誘電体膜とすることにより、第１蓄積容量７０ａが構成されている。更に、前記第２蓄積容量電極（本線部３ｂ１の一部）と対向するバリア層８０の一部を第３蓄積容量電極８０ｂとし、これらの電極間に第１層間絶縁膜８１を設ける。この第１層間絶縁膜８１は第２誘電体膜としても機能し、第２蓄積容量７０ｂが図３に示すように形成されている。そして、これら第１蓄積容量７０ａ及び第２蓄積容量７０ｂが第１コンタクトホール８ａを介して並列接続されて蓄積容量７０が構成されている。
【００６１】
図３において画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜（第１誘電体膜）２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えて構成されている。
【００６２】
また、バリア層８０及び第２誘電体膜（第１層間絶縁膜）８１の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及びバリア層８０へ通じるコンタクトホール８ｂが各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。前記高濃度ソース領域１ｄへのコンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続されている。
【００６３】
更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、バリア層８０へのコンタクトホール８ｂが形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。
【００６４】
前記コンタクトホール８ｂを介して、画素電極９はバリア層８０に電気的接続されており、更に画素電極９はバリア層８０を中継してコンタクトホール８ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００６５】
前述の画素電極９は、以上のように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００６６】
画素電極９は、本実施形態では平面視矩形状（四角形状）に形成され、図４に示すように画素電極９の周縁を構成する４つの辺９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄにおいて、１つの辺９ａを除く残り３つの辺９ｂ、９ｃ、９ｄに対応する画素電極周縁部に平面視コ字状の凸部９Ｂが形成されていて、前記画素電極９において１つの辺９ａを除く他の辺９ｂ、９ｃ、９ｄに対応する画素電極周縁部が他の部分（画素電極の辺９ａ側と画素電極中央部）よりも突出されている。前記画素電極９の凸部９Ｂは、画素電極周縁部の下側に図３に示す断面四角形状の絶縁膜の突起部９Ａを第２層間絶縁膜４上に位置するように、かつ、突起部９Ａを平面視コ字状になるように形成することにより形成されている。この突起部９Ａはこの画素電極周縁部に凸部９Ｂを形成するためのものなので、その断面形状は特に制限されるものではなく、四角形の外の多角形状、半円状等、特に形状は限定されるものではない。
【００６７】
尚、図４では画素電極９の辺９ａを手前側に揃えてコ字状の凸部９Ｂの開口方向Ｂを図４の手前向きに示しているが、図２に示す平面図ではコ字状の凸部９Ｂの開口方向Ｂを全ての画素において図２の上向きに揃えて配置されている。つまり、開口方向は、走査線３ａに沿って形成されている。より具体的には、本実施形態においては、画素電極９の４辺のうち、一辺は容量線３ｂ、二辺はデータ線６ａ、１辺は走査線３ａで囲まれているため、容量線６ｂに沿う辺は、半導体層と誘電体膜と走査線と同一膜からなる容量線とにより形成されているため、走査線３ａより高くなっている。また、データ線６ａは走査線３ａよりも層間絶縁膜４を挟んで上方に形成されているため、走査線３ａよりも高くなっている。従って、走査線３ａに沿う辺が他の辺よりも層間膜が少ないため低くくすることが可能であり、この辺を容易に開口方向Ｂとすることができる。
【００６８】
これは、後に説明する投射型表示装置として液晶装置を利用した場合に、色ずれを防止するためである。その他の利用形態の場合はコ字状の凸部９Ｂの開口方向Ｂは任意の方向を向いてもよく、１個１個異なっていても、複数個ずづ揃っていても差し支えない。但し、後述するように、コ字状の凸部９Ｂの開口方向Ｂは、透過率の低い領域が遮光領域と重なるように配置することが透過率を高くする上で好ましい。また、この凸部９Ｂは、画素電極９が発生させる後述の等電位線の画素電極周縁部での傾斜をつけるために設けられている。
【００６９】
前記画素電極９の凸部９Ｂの幅は２〜４μｍ程度で良く、高さは０.１〜１.０μｍ程度で良い。あるいは、凸部９Ｂの幅は画素電極９の幅の８％〜１８％程度の幅が好ましい。
【００７０】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度も良いし、ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持っても良いし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００７１】
以上のように構成された本実施形態においては特に、縞状に形成された第１遮光膜１１ａは、走査線３ａ下に延設されて、定電位源又は大容量部分に電気的に接続されてもよい。このように構成すれば、第１遮光膜１１ａに対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。この場合、定電位源としては、当該液晶装置を駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。
【００７２】
また、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一のポリシリコン膜からなり、第１の蓄積容量７０ａの第１誘電体膜２と画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜等からなり、第１蓄積容量電極１ｆと画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ等とは、同一の半導体層１ａからなる。このため、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造を単純化でき、更に、後述の電気光学装置の製造方法において、同一の薄膜形成工程で容量線３ｂ及び走査線３ａを同時に形成でき、蓄積容量７０ａの第１誘電体膜（ゲート絶縁膜）２を同時に形成できる。
【００７３】
遮光膜からなるバリア層８０は、例えば、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このように構成すれば、バリア層８０形成工程の後に行われる高温処理により、バリア層８０が破壊されたり溶融しないようにできる。
【００７４】
更に、これらの高融点金属と画素電極９を構成するＩＴＯ膜とが接触しても高融点金属が腐食することはないため、第２コンタクトホール８ｂを介してバリア層８０及び画素電極９間で良好なコンタクトがとれる。
【００７５】
次に、本実施形態の液晶装置における画素電極９が対向基板２０の共通電極２１との間に電界を印加した場合の等電位線を図５に示す。
【００７６】
図５に示す等電位線から明らかなように、等電位線は画素電極９の凸部９Ｂを有する周縁部において傾斜する。この実施形態の如く垂直配向モードの液晶にあっては、電界無印加時において基板に対して起立してホメオトロピック状態で配向していたものが、当電位線に沿って倒れて基板に対して平行なホモジニアス配向状態に変化しようとする。ここで、先のように等電位線が画素電極９の周縁部において傾斜していると、垂直配向モードの液晶にあっては、画素電極９の周縁部側において外側から内側に倒れようとする液晶分子の力が緩和される。しかしここで、画素電極９の周縁部において辺９ａに沿った周縁部分は凸部９Ｂが形成されていないので、傾斜していない等電位線に沿って他の部分よりも優先的に液晶分子が倒れようとするので、辺９ａに沿った周縁部分の液晶分子が優先的にホモジニアス配向状態に変化し始め、その他の部分の液晶分子がそれに続いて配向し始めるので、凸部を有していない従来の画素電極よりも液晶の配向状態を揃え易い特徴を有する。
【００７７】
より具体的には、後述する図２６を基に説明する実施例で示すように、ドメインの境界の透過率の悪い領域をコ字状の画素電極９の凸部９Ｂの開口部と反対側に寄せ集めて縮小するとともに、表示の明るい領域を拡張することができ、これによってドメインの境界の透過率の悪い領域が対角線状に発生していた従来構造よりも高コントラストの高品質の表示状態を得ることができる。その際、透過率の悪い領域が、容量線付近の遮光領域とできるだけ重なるように配置することで、光の損失を減らすことができ表示品質を高めることができる。
【００７８】
以上説明した実施形態においては、画素電極９を矩形状に形成したが、画素電極９の平面形状は、矩形状には限らない。
【００７９】
画素電極を用いて表示する場合に、画素電極どうしがまとまった形状であれば画素電極の形状は任意で良いので、図６に示すように五角形状の第１の画素電極９０と、４角型の突起を有する７角形状の第２の画素電極９１と、三角形状の突起を有する第３の画素電極９２を隣接配置した形状とすることもできる。この形態の第１の画素電極９０で配向制御するためには、第１の画素電極９０の１つの辺９０ａを除いた４つの辺９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ、９０ｅに沿う凸部９０Ｂを形成することで本発明に適用することができる。第２の画素電極９１で配向制御するためには、第２の画素電極９１の１つの辺９１ａを除いた５つの辺９１ｂ、９１ｃ、９１ｄ、９１ｅ、９１ｆに沿う凸部９０Ｂを形成することで本発明に適用することができる。第３の画素電極９２で配向制御するためには、第２の画素電極９２の１つの辺９２ａを除いた３つの辺９２ｂ、９２ｃ、９２ｄに沿う凸部９０Ｂを形成することで本発明に適用することができる。
【００８０】
また、図７に示すように扇形の画素電極９３、９４、９５を３つ丸型に配置した構造の画素電極に本発明を適用することも可能である。ここで、本発明で使用する多辺形とは、三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、を含めた多角形状の外に、２つの直線の辺と曲線の辺からなる扇形も包含するものとする。
【００８１】
図７に示す扇形の画素電極９３の場合、円弧状の辺９３ａ部分に対応させて凸部９３Ｂを形成し、他の辺９３ｂ、９３ｃの部分には凸部を形成しない構造を採用し、画素電極９４の場合、円弧状の辺９４ａ部分に対応させて凸部９４Ｂを形成し、他の辺９４ｂ、９４ｃの部分には凸部を形成しない構造を採用し、画素電極９５の場合、円弧状の辺９５ａ部分に対応させて凸部９５Ｂを形成し、他の辺９５ｂ、９５ｃの部分には凸部を形成しない構造を採用することができる。
【００８２】
なお、図７に示す構造とは、逆に、辺９３ｂ、９３ｃ部分、辺９４ｂ、９４ｃ部分、辺９５ｂ、９５ｃ部分に凸部を形成し、辺９３ａ、９４ａ、９５ａ部分に凸部を形成しない構造とすることもできる。
【００８３】
更に本発明において、図８に示すように平面視四角形状の画素電極９６に対して平面視略コ字状になるように辺９６ａを除く辺９６ｂ、９６ｃ、９６ｄに沿って間欠的に電極を配して凸部９６Ｂを構成しても良い。
【００８４】
凸部９６Ｂが間欠的に平面視コ字状に形成されていても、等電位線の傾斜部分を発生させることはできるので、本発明の目的を達成することができる。
【００８５】
更に本発明において、図９に示すように平面視四角形状の画素電極９７に対して辺９７ａを除く辺９７ｂ、９７ｃ、９７ｄに沿って平面視コ字状になるように凸部９７Ｂを形成した上に、辺９７ａに沿って凸部９７Ｂよりも高さの低い凸部９７Ｄを形成してなる構成とすることもできる。
【００８６】
この構造において凸部９７Ｄの高さを凸部９７Ｂの高さよりも十分に低くしておくならば、凸部９７Ｂが等電位線に傾斜部分を生成させることが十分にできるので、本発明の目的を達成することができる。
【００８７】
図９に示す構造は、図２に示す平面構造において、画素電極９の周囲の積層構造を検討した場合に適用される場合がある。
【００８８】
例えば、図２において平面視左右方向に延設されている走査線３ａと、図２において平面視上下方向に延設されているデータ線６ａとによって区画された領域に設けられる画素電極９である場合、図２に示す構造では、画素電極９の周囲の左右方向には走査線３ａ、容量線３ｂの本線部３ｂ１、導電層８０、ポリシリコン層等が存在しているとともに、画素電極９の周囲の上下方向にはデータ線６ａ、容量線３ｂの延出部３ｂ２、ポリシリコン層等が存在し、これらの配線や層によって画素電極９の周縁部には段部が形成され、これらの段部に近接するように、あるいは一部重複するように画素電極９を形成すると、自然に画素電極９の周縁部に凸部が形成される構造が考えられる。この構造の場合、四角形状の画素電極９のうち、一側の辺９ａ側の凸部を低くして他の三辺側９ｂ、９ｃ、９ｄの凸部を高くすると目的を達成できる。
【００８９】
具体的には、図３に示すような突起部９Ａを利用して凸部９Ｂを形成する手段の外に、画素電極９の辺９ａ側に位置する走査線３ａの下の基板１０の上面のみに凹部を形成して走査線３ａを形成する位置を低くしておき、その他のＴＦＴ３０とデータ線６ａを形成する領域には基板１０に凹部を形成しない構成を採用することで対応することができる。これにより、図９に示す構造の凸部９７Ｂを備えた画素電極９７を図２に示す平面構造の液晶表示装置に適用することができるようになる。
【００９０】
これらのいずれの構造においても先の実施形態の場合と同様に、画素電極周縁部分の一側を除いた部分の等電位線を傾斜させることができるので、凸部を形成していない一側の液晶の配向に他の側の液晶を揃えて配向できる効果を得ることができる。
【００９１】
（電気光学装置の第１実施形態における製造プロセス）
次に、以上のような構成を持つ本実施形態における液晶装置の製造プロセスについて、図１０から図１４を参照して説明する。尚、図１０から図１４は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応させて示す工程図である。
【００９２】
先ず図１０の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。そして、このＴＦＴアレイ基板１０の上面において、後述するＴＦＴ３０とデータ線６ａと走査線３ａとを形成するべき位置に対応させて凹部１０ａを形成する。凹部１０ａを形成するには基板１０の上面で凹部１０ａを形成するべき領域をエッチングすれば良い。
【００９３】
ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。尚、遮光膜上には、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成しても良い。
【００９４】
次に工程（２）に示すように、該形成された遮光膜上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図２参照）を形成する。
【００９５】
次に工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａの上に、シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとする。
【００９６】
次に下地絶縁膜１２の上に、ポリシリコン膜２を５０〜２００ｎｍ、好ましくは約１００ｎｍ形成する。
【００９７】
この際、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０として、ｎチャネル型の画素スイッチング用ＴＦＴ３０を作成する場合には、Ｖ族元素の不純物を僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、III族元素の不純物を僅かにイオン注入等によりドープしても良い。
【００９８】
次に工程（４）に示すように、図２に示した如き第１蓄積容量電極１ｆを含む所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００９９】
次に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１蓄積容量電極１ｆを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜２ａを形成し、更に、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ｂを約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、熱酸化シリコン膜２ａ及び絶縁膜２ｂを含む多層構造を持つ画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に蓄積容量形成用の第１誘電体膜２を同時に形成する。この結果、第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、ゲート絶縁膜２（第１誘電体膜）の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは、約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。但し、ポリシリコン膜１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。
【０１００】
次に図１１に示す工程（６）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等によりレジスト層５００を形成した後、例えばＰイオンをドーズ量約３×１０１２／ｃｍ２でドープして、第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化しても良い。
【０１０１】
次に、レジスト層５００を除去した後、減圧ＣＶＤ法等により全体にポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。ポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。
【０１０２】
次に図１１に示す工程（７）に示すように、レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂ（本線部３ｂ１と延出部３ｂ２）を形成する。走査線３ａ及び容量線３ｂは、高融点金属や金属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポリシリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。
【０１０３】
次に図１１に示す工程（８）に示すように、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度でドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。
【０１０４】
次に工程（９）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層６００を走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度でドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【０１０５】
尚、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成してもよい。
【０１０６】
次に、図１２に示す工程（１０）に示すように、レジスト層６００を除去した後、容量線３ｂ（本線部３ｂ１と延出部３ｂ２）上及び走査線３ａ上並びにゲート絶縁膜（第１誘電体膜）２上に、高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜８１を１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の比較的薄い厚さに堆積する。但し、前述のように、第１層間絶縁膜８１は、多層膜から構成してもよいし、一般にＴＦＴのゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により、第１層間絶縁膜８１を形成可能である。第１層間絶縁膜８１の場合には、第２層間絶縁膜４の場合のように余り薄くするとデータ線６ａ及び走査線３ａ間の寄生容量が大きくなってしまうことはなく、またＴＦＴ３０におけるゲート絶縁膜２のように余り薄く構成するとトンネル効果等の特異現象が発生することもない。
【０１０７】
次に図１２に示す工程（１１）に示すように、バリア層８０と高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８ａを形成する。
【０１０８】
次に、第１層間絶縁膜８１及びコンタクトホール８ａを介して覗く高濃度ドレイン領域１ｅの全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜をスパッタ処理により堆積し、５０〜５００ｎｍ程度の膜厚の導電膜を形成する。５０ｎｍ程度の厚みがあれば、後に第２コンタクトホール８ｂを開孔する時に突き抜ける可能性は殆どない。尚、この導電膜上には、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成しても良い。また、前記の導電膜として応力緩和のためにドープトポリシリコン膜等を用いても良い。
【０１０９】
次に該形成された導電膜上にフォトリソグラフィによりバリア層のパターン（図２参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して導電膜に対しエッチングを行うことにより、図１２の工程（１２）に示すような第３蓄積容量電極８０ａを含むバリア層８０を形成する。
【０１１０】
次に第１層間絶縁膜８１及びバリア層８０を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。第２層間絶縁膜４の膜厚が５００ｎｍ以上あれば、データ線６ａ及び走査線３ａ間における寄生容量は余り又は殆ど問題とならない。
【０１１１】
次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、図１２の工程（１３）に示すようにデータ線６ａに対するコンタクトホール５を開孔する。また、走査線３ａや容量線３ｂを基板周辺領域において図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により第２層間絶縁膜４に開孔することができる。
【０１１２】
次に、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。
【０１１３】
次に図１３に示す工程（１４）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６ａを形成する。
【０１１４】
次に図１３の工程（１５）に示すように、四角形状の画素電極９の周縁部分のうち、辺９ｂ、９ｃ、９ｄに相当する部分に対して断面４画型の平面形状ではコ字状の突起部９Ａを形成する。この突起部９Ａを形成するには全面に絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて突起部９Ａをパターニングして形成すればよい。ここで用いる絶縁膜は、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなるものを用いることができる。
【０１１５】
次に、前記突起部９Ａとデータ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【０１１６】
次に図１４に示す工程（１７）に示すように、画素電極９とバリア層８０とを電気的に接続するためのコンタクトホール８ｂを、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。また、テーパ状にするためにウェットエッチングを用いても良い。
【０１１７】
次に工程（１８）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９’を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更に、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９を形成する。尚、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９を形成してもよい。
【０１１８】
続いて、画素電極９の上に可溶性ポリイミド系の配向剤を塗布、焼成した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図３参照）が形成される。本実施例では配向剤としてポリイミド系の有機材料を用いたが、ＳｉＯのような無機配向膜を使って配向処理することも可能である。
【０１１９】
他方、図３に示した対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び額縁としての第３遮光膜（図２０及び図２１参照）が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。
【０１２０】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面に可溶性ポリイミド系の配向剤を塗布、焼成した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２（図３参照）が形成される。
【０１２１】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材（図２０及び図２１参照）により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成されて液晶装置が構成される。
【０１２２】
（電気光学装置の第２実施形態）
本発明による電気光学装置の第２実施形態である液晶装置の構成について、図１５を参照して説明する。図１５は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の断面図である。尚、図１５に示した第２実施形態において図２及び図３を基に先に説明した第１実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。また、図１５においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【０１２３】
図１５において、第２実施形態では第１実施形態とは異なり、画素電極９に形成する凸部９Ｂを形成するための絶縁膜の突起部９Ａを第２層間絶縁膜４の上に設けるのではなく、ＴＦＴアレイ基板１０の凹部１０ａの底面上に突起部９Ｄとして設けた構造である。その他の構成については第１実施形態の場合と同様である。この突起部９Ｄを設ける位置は、先の第１実施形態の突起部９Ａと同じ平面位置で良い。
【０１２４】
この実施形態ではＴＦＴアレイ基板１０の凹部１０ａに突起部９Ｄを設けているので、画素電極９に先の第１実施形態の場合と同様に凸部９Ｂを形成することができる。
【０１２５】
従って本第２実施形態の構造においても先の第１実施形態の構造と同等の作用効果を得ることができる。
【０１２６】
（電気光学装置の第３実施形態）
本発明による電気光学装置の第３実施形態である液晶装置の構成について、図１６〜図１９を参照して説明する。図１６は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の断面図、図１７は画素電極と対向電極の配置関係を一側から見た図、図１８は画素電極と対向電極の配置関係を他側から見た図、図１９は画素電極と対向電極の電極凸部を示す図である。尚、図１６に示した第３実施形態において図２及び図３を基に先に説明した第１実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。また、図１６〜図１９においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【０１２７】
本第３実施形態の構造において、ＴＦＴアレイ基板１０とその上に形成された全ての層の積層構造は第１実施形態の構造と同等である。この第３実施形態において第１実施形態の構造と異なっているのは、対向基板側の構造である。
【０１２８】
この第３実施形態の構造においては、一方のＴＦＴアレイ基板１０に対向して設けられている他方の基板２００において、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素電極９に対応する部分に凸部２００Ａを設け、その他の部分は凹部２００Ｂとし、画素電極９に形成されている凸部９Ｂに対向する部分に、凸部２００Ａの角部２００Ｃを配置し、対向基板２００の下面を覆うように共通電極２００Ｄを設けた構造である。なお、図１６において符号２００Ｅは共通電極２００Ｄの下面において対向する画素電極９の周縁部分まわりを覆い隠すために設けられたブラックマスクである。
【０１２９】
この第３実施形態において、対向基板２００に設けた凸部２００Ａの下面側にも共通電極（対向電極）２００Ｄが被覆されているので、凸部２００Ａの下面側に共通電極からなる電極凸部２００Ｄ１が形成されている。この電極凸部２００Ｄ１は、図１７〜図１９に詳細に示すように画素電極９に形成した平面視コ字状の凸部９Ｂの内側に合致し、画素電極９から平面視はみ出さないような四角形状に形状にされている。そして、基板１０と対向基板２００を後述する図２０と図２１に示すように液晶セルとして組みつけた場合に、平面視コ字状の内側の四角形と対向基板２００側の電極凸部２００Ｄ１が位置合わせされる。
【０１３０】
この第３実施形態においても画素電極９と共通電極２００Ｄとの間に存在する液晶において共通電極９の凸部９Ｂ近傍の液晶と、電極凸部２００Ｄ１まわりの液晶がいずれも傾斜する等電位線の影響を受けるので、第１実施形態の構造と同様に液晶の配向制御を円滑に行なうことができる。図１７と図１８にこの傾斜する等電位線の方向を矢印ｅで示した。
【０１３１】
本第３実施形態においては、画素電極９の凸部９Ｂの存在に加えて電極凸部２００Ｄ１によっても等電位線を傾斜できるので、電界無印加状態で起立したホメオトロピック配向状態の液晶を倒してホモジニアス状態にする場合に、第１実施形態の構造よりもより強く液晶に規制力を作用させることができる。
【０１３２】
なお、対向基板２００側にコ字状の凸部を形成し、基板１０側に平面状の画素電極を形成すると、画素電極周縁部の等電位線の傾きが、図１７及び図１８に示す矢印ｅとは逆の傾斜関係となるので、このような構造は除外とする。
【０１３３】
また、画素電極９に凸部９Ｂを設けないで平坦な画素電極構成とし、対向基板２００側にのみ図１７と図１８に示すような電極凸部２００Ｄ１を設ける構造を採用することができる。平坦な画素電極９と下向きの凸型の電極凸部２００Ｄ１との組み合わせによっても、図１７と図１８の矢印ｅに示す向きの傾斜した等電位線を得ることができるので、本発明の目的を達成することができる。
【０１３４】
ただし、この構成の場合、基板１０と対向基板２００とを位置合わせした場合に、画素電極９と電極凸部２００Ｄ１の平面視状態では、図１９に示す場合と同様に、平面視した電極凸部２００Ｄ１の１つの辺２００Ｄａを除く３つの辺２００Ｄｂ、２００Ｄｃ、２００Ｄｄの外側に画素電極９の３つの辺９ｂ、９ｃ、９ｄの周辺部がはみ出し、かつ、電極凸部２００Ｄ１の残りの辺２００Ｄａと画素電極９の残りの辺９ａが重なるような配置関係とすることが好ましい。
【０１３５】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における液晶装置の全体構成を図２０及び図２１を参照して説明する。尚、図２０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図２１は、図２０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【０１３６】
図２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図２１に示すように、図２０に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。尚、本実施の形態によれば、対向基板２０上の第２遮光膜２３はＴＦＴアレイ基板１０の遮光領域よりも小さく形成すれば良い。また、液晶装置の用途により、第２遮光膜２３は容易に取り除くことができる。
【０１３７】
以上図２０と図２１を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１３８】
以上説明した各実施形態における液晶装置は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３枚の液晶装置がＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【０１３９】
以上説明した各実施形態における液晶装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、このように液晶装置を液晶プロジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びソース側ＬＤＤ領域１ｂ、ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃに光が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Anti Reflection)被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があったが、各実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及びソース側ＬＤＤ領域１ｂ、ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃとの間に第１遮光膜１１ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。
【０１４０】
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効である。
【０１４１】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図２２から図２５を参照して説明する。
【０１４２】
先ず図２２にこのような液晶装置１００を備えた電子機器の概略構成を示す。
【０１４３】
図２２において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。
【０１４４】
次に図２３と図２５に、このように構成された電子機器の具体例を各々示す。
【０１４５】
図２３において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。
【０１４６】
液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。
【０１４７】
この際特にＢ（青）光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４８】
ここでライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが先の実施形態の液晶表示装置から構成されているので、高コントラストなドメイン境界の暗い領域の目立たない表示状態の投射光表示を得ることができる。
【０１４９】
更に本実施形態にあっては、図２４に示すように画素電極に形成される平面視コ字状の凸部９Ｂの開口部９Ｆの方向を一方向に揃え、ミラーによる反射に対して視角特性が変化しないように、開口部９Fが図２３において紙面と垂直な方向となることが望ましい。図２４では９個の画素電極に配置される凸部９Ｂのみを抽出して示した。
【０１５０】
このように凸部９Ｂの開口部９Ｆを同一方向に揃え、ミラーによる反射に対して視角特性を左右対称にすることで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを通過する光を合成した時に色ずれのおそれを極力少なくすることができる。
【０１５１】
これに対して凸部９Ｂの開口部９Ｆを全て右側に向けた場合は、左右方向に色ずれを生じやすく、スクリーン上のカラーの投射画像（映像）として見た場合に左右方向での色ずれが目立つこととなる。一般にスクリーン上のカラーの投射画像を上下方向の深い角度から見るおそれは少なく、左右方向の深い角度から、即ち、スクリーンのカラー投射画像の左右方向から見る確率は高いので、左右方向の色ずれを生じる場合に投射画像の劣化は目立ち易くなる。
【０１５２】
このような対策として図２４に示す凸部９Ｂの配列とし、開口部９が図２３において紙面に垂直な方向になるようにライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが配置されることが好ましい。
【０１５３】
更に投射型表示装置のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに先の実施形態の液晶装置を用いる場合、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがメタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２からの熱により容易に７０℃程度に加熱されるので、液晶装置のパネル設計にあたり、Δｎｄ（ｎは液晶の屈折率、ｄはセルギャップを示す）の値が７０℃で最適値となるように液晶の種類を設定することが好ましい。
【０１５４】
図２５において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【０１５５】
以上図２３と図２５を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図２２に示した電子機器の例として挙げられる。
【０１５６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、製造効率が高く、高コントラストでドメインの境界の暗い部分の目立たない高品位の画像表示が可能な液晶装置を備えた各種の電子機器を実現できる。
【０１５７】
【実施例】
ガラス基板上に図１〜図３に示す構造のＴＦＴと各種配線構造を適用してＴＦＴアレイ基板を作成した。このＴＦＴアレイ基板の製造には図１０〜図１４に示す製造方法を適用し、第１遮光膜をＷsi薄膜から、下地絶縁膜をＮＳＧ膜から、第２、第３層間絶縁膜をそれぞれＮＳＧ,ＢＰＳＧ膜から、データ線をＡｌ、走査線をリンドープpoly-Si膜の配線から、配向膜をポリイミドから、画素電極と対向電極（共通電極）をＩＴＯから形成した。
【０１５８】
図２に示す平面構造において、隣接する上下の走査線の間隔は２１μｍ、左右に隣接するデータ線の間隔は１８μｍ、画素電極の横幅は２１μｍ、縦幅は２１μｍ、四角形状の画素電極の３つの周縁部まわりの絶縁膜上に幅２μｍ、厚さ０.８μｍの絶縁膜の凸部をフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、その上に画素電極をパターニングして画素電極周縁部に平面視コ字状の幅１７（コ字状部分の開口部の間隔）μｍの凸部を形成した。基板と対向基板との間のセルギャップを３μｍとし、液晶としてメルクジャパン（株）：商品名ＭＸ９６１２１０を用いて液晶セルを形成し、透過率試験に供した。
【０１５９】
この結果、液晶装置の透過率として５７％の優れた値を得ることができた。
【０１６０】
これに対し、画素電極以外の構成は先の例と同等とし、画素電極周縁部に凸部を形成していないタイプの液晶表示装置を作成し、先と同様の透過率測定を行なった結果、透過率は４５％を示した。
【０１６１】
以上の結果から本発明を適用することで液晶装置としての透過率を１２％程度向上できることが判明した。
【０１６２】
図２６は画素電極周縁部に凸部を形成した構造の液晶表示装置の画素毎の透過率分布を示し、図２７は画素電極周縁部に凸部を設けていない構造の液晶表示装置の画素毎の透過率分布を示す。各図において花びら模様の図形の輪郭線の内側が透過率の高い領域を示し、花びら模様の輪郭線の外側の部分が透過率の低い領域を示す。
【０１６３】
図２７に示す透過率分布にあっては、先にも説明した通り、符号ＡＣで示す領域が各画素の対角線位置に存在し、各画素の対角線状にディスクリネーションラインが生成されてしまうおそれを有する。
【０１６４】
これに対し、図２６に示す透過率分布では、図２７に示す花びら模様の１つを拡大して１つの画素全体に広げたような透過率を示し、花びら模様の輪郭線の周囲に存在するドメインの境界を示す透過率の低い領域ＡＤ、ＡＥ、ＡＦはいずれも１つの画素領域の端部に寄せ集められた形とされている。
【０１６５】
以上のことから、本発明を適用して平面視四角形状の画素電極の周縁部にコ字状の凸部を形成して画素電極の３方の等電位線を傾斜させることで、ドメインの境界の暗い領域を目立たなくすることができると同時に、画素の中央部を含めた広い領域を明るい表示領域とすることができ、高コントラストの表示品質の高い液晶装置を提供できることを立証できた。
【０１６６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の電気光学装置によれば、画素電極の少なくとも１つの辺を除いた残りの辺に沿う画素電極周縁部を、他の周縁部よりも高くしたので、高く形成された画素電極周縁部が発生させる等電位線を、低く形成された画素電極周縁部が発生させる等電位線よりも傾斜させることができる。
【０１６７】
この傾斜した等電位線は、垂直配向している液晶が画素電極中央側に向かって倒れて配向しようとした場合に、液晶に外力を作用させて内向きに傾く液晶を少なくしようとする。しかし、低く形成された画素電極周縁部において等電位線は傾斜しないか、傾斜がほとんど生じないので、画素電極の内側に向けて液晶が倒れて配向しようとする。結果的に画素電極が配向させる液晶は、全体として、低く形成された画素電極周縁部の液晶の配向状態に支配されつつ均一な向きに配向してゆくので、ドメインの境界の暗い領域は画素電極周縁部の一側に寄せ集められる結果、ドメインの境界の暗い領域が目立たなくなるとともに、明るい表示領域が広がり、高コントラストな表示が得られる。
【０１６８】
以上のような効果は、画素電極周縁部に凸部を設けることで具体的に得ることができ、画素電極が四角形状であるならば、３方に凸部を設けるか、対向電極側に電極凸部を特別な配置関係で設けることで先の効果を得ることができる。
【０１６９】
前述の傾斜した等電位線が液晶に作用させる力を効率的に利用するためには、電界無印加時の配向状態が基板に対して起立するホメオトロピック配向状態となり、電界印加時の配向状態が起立状態から倒れるホモジニアス状態となる垂直配向モードの液晶に適用することが好ましく、この場合に明るい表示領域を拡張する効果と、高コントラストな表示が得られる効果を確実に得ることができる。
【０１７０】
本発明の電気光学装置を光変調装置に適用した投影型表示装置であるならば、明るい表示領域を拡張する効果と、高コントラストな表示が得られる効果を有する投影型の表示形態を得ることができる。
【０１７１】
また、投影型表示装置の場合、個々の画素電極の高く形成された周縁部と低く形成された周縁部が全て同じ方向に向けられて整列されてなる構造を採用することで、液晶を透過する光の対称性を得ることができ、色ずれの生じ難い投影光を得ることができ易くなる。
【０１７２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、比較的少ない工程数で且つ比較的簡単な各工程を用いて先に説明した光コントラストと明るい表示形態の電気光学装置を製造できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  電気光学装置の第１実施形態である液晶装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路図である。
【図２】  第１実施形態の液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】  第１実施形態の液晶装置における画素電極の構成図である。
【図５】  第１実施形態の液晶装置の画素電極により発生される等電位線を示す説明図である。
【図６】  画素電極の第２の例を示す平面図である。
【図７】  画素電極の第３の例を示す平面図である。
【図８】  画素電極の第４の例を示す平面図である。
【図９】  画素電極の第５の例を示す平面図である。
【図１０】  第１実施形態の液晶装置の製造プロセスのうち、工程（１）〜（５）を順を追って示す工程図である。
【図１１】  第１実施形態の液晶装置の製造プロセスのうち、工程（６）〜（９）を順を追って示す工程図である。
【図１２】  第１実施形態の液晶装置の製造プロセスのうち、工程（１０）〜（１３）を順を追って示す工程図である。
【図１３】  第１実施形態の液晶装置の製造プロセスのうち、工程（１４）〜（１６）を順を追って示す工程図である。
【図１４】  第１実施形態の液晶装置の製造プロセスのうち、工程（１７）〜（１８）を順を追って示す工程図である。
【図１５】  電気光学装置の第２実施形態である液晶装置のＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図１６】  電気光学装置の第３実施形態である液晶装置の断面図である。
【図１７】  第３実施形態において画素電極に形成された凸部と対向基板の共通電極に形成された凸部の配置関係を一側から見た状態を示す図である。
【図１８】  第３実施形態において画素電極に形成された凸部と対向基板の共通電極に形成された凸部の配置関係を他側から見た状態を示す図である。
【図１９】  第３実施形態において画素電極側の凸部と共通電極側の凸部を比較して示す図である。
【図２０】  各実施形態の液晶装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２１】  図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図２２】  本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図２３】  電子機器の一例として液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図２４】  図２３の液晶プロジェクタの液晶ライトバルブの画素群の凸部を模式的に示す図である。
【図２５】  電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図２６】  従来の液晶表示装置の画素毎の液晶の透過率分布を示す図である。
【図２７】  本発明に係る構造を採用した液晶表示装置の画素毎の液晶の透過率分布を示す図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｆ…第１蓄積容量電極、２…ゲート絶縁膜（第１誘電体膜）、３ａ…走査線、３ｂ…容量線（第２蓄積容量電極）、４…第２層間絶縁膜、５…コンタクトホール、６ａ…データ線、７…第３層間絶縁膜、８ａ…第１コンタクトホール、８ｂ…第２コンタクトホール、９…画素電極、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ…辺、９Ｂ…凸部、１０…ＴＦＴアレイ基板、１２…下地絶縁膜、１５…コンタクトホール、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、３０…画素スイッチング用ＴＦＴ、５０…液晶層、５２…シール材、５３…第３遮光膜、７０…蓄積容量、７０ａ…第１蓄積容量、７０ｂ…第２蓄積容量、８０…バリア層、８１…第１層間絶縁膜（第２誘電体膜）、９０、９１、９２…画素電極、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ、９０ｅ…辺、９１ａ、９１ｂ、９１ｃ、９１ｄ、９１ｅ、９１ｆ…辺、９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ…辺、９３、９４、９５…画素電極、９３ａ、９３ｂ、９３ｃ…辺、９３Ｂ、９４Ｂ、９５Ｂ…凸部、９４ａ、９４ｂ、９４ｃ…辺、９５ａ、９５ｂ、９５ｃ…辺、９６…画素電極、９６Ｂ…凸部、９６ａ、９６ｂ、９６ｃ、９６ｄ…辺、９７…画素電極、９７ａ、９７ｂ、９７ｃ、９７ｄ…辺、９７Ｂ…凸部、９７Ｄ…凸部、１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ…ライトバルブ（光変調装置）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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