(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小な対象物（Ｗ）をハンドリングするためのマイクロマニピュレータであって、
前記対象物（Ｗ）を把持する一対の指部材（１４，１５）と、
前記一対の指部材（１４，１５）のうちの少なくとも一方に形成され、前記対象物（Ｗ）を把持する力を検知するための拡散歪みゲージ（１８）と、
前記一対の指部材（１４，１５）の先端の相対向する面に形成され、前記対象物（Ｗ）をそれらの面から離間して把持する突部（２２，２３）と
を備え、前記突部（２２，２３）の表面に導電性の金属膜（３６）が形成されているマイクロマニピュレータ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロマニピュレータにおいて、
前記指部材（１４，１５）の先端にはハンドリング部（１６，１７）が前記指部材（１４，１５）の延出方向に対して斜めとなるように形成され、前記突部（２２，２３）はハンドリング部（１６，１７）の相対向する面（１６ａ，１７ａ）に形成されて前記対象物（Ｗ）を面（１６ａ，１７ａ）から離間して把持するようにしたマイクロマニピュレータ。
【請求項３】
指部材（１４，１５）となる単結晶シリコン基板（３１）の表面側に酸化膜（３２）を形成する工程と、
前記酸化膜（３２）の所定領域に窓（３２ａ）を形成し、その窓（３２ａ）から不純物を添加することによって拡散歪みゲージ（１８）を形成する工程と、
前記酸化膜（３２）に窓（３２ｂ）を形成し、その窓（３２ｂ）から前記単結晶シリコン基板（３１）をエッチングすることによって突部（３４）を形成する工程と、
前記突部（３４）の表面に導電性の金属膜（３６）を形成する工程と
からなるマイクロマニピュレータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は微小な対象物のハンドリングが可能なマイクロマニピュレータ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１９に示すように、マイクロマシンの組み立て等に使用されるマイクロマニピュレータ５１は、微小な対象物Ｗを挟持し、目的の場所にハンドリングするようになっている。また、マイクロマニピュレータ５１には、その力を検知するためにバルクの歪みゲージ５２が取着されている。歪みゲージ５２は、マイクロマニピュレータ５１の一方（又は両方）に固着され、そのマニピュレータ５１の撓みに応じた電気信号を検出信号として出力する。この歪みゲージから出力される検出信号に基づいて、マニピュレータ５１の力（挟持力）を検知することができるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、微小な対象物Ｗは、その大きさがミクロンオーダー程度であるため、分子間力（ファンデルワールス力）や静電気力等の影響によって、マイクロマニピュレータ５１に付着してしまう。その結果、対象物Ｗを目的の場所に移動させても、対象物Ｗはマニピュレータ５１から離れないので、対象物Ｗをハンドリングすることができなくなるという問題があった。
【０００４】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、微小な対象物を確実にハンドリングすることができるマイクロマニピュレータを提供することにある。また、そのようなマイクロマニピュレータの製造方法を提供することができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１に記載の発明は、微小な対象物をハンドリングするためのマイクロマニピュレータであって、前記対象物を把持する一対の指部材と、前記一対の指部材のうちの少なくとも一方に形成され、前記対象物を把持する力を検知するための拡散歪みゲージと、前記一対の指部材の先端の相対向する面に形成され、前記対象物をそれらの面から離間して把持する突部とを備え、前記突部の表面に導電性の金属膜が形成されていることを要旨とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のマイクロマニピュレータにおいて、前記指部材の先端にはハンドリング部が前記指部材の延出方向に対して斜めとなるように形成され、前記突部はハンドリング部の相対向する面に形成されて前記対象物を面から離間して把持するようにしたことを要旨とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、指部材となる単結晶シリコン基板の表面側に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の所定領域に窓を形成し、その窓から不純物を添加することによって拡散歪みゲージを形成する工程と、前記酸化膜に窓を形成し、その窓から前記単結晶シリコン基板をエッチングすることによって突部を形成する工程と、前記突部の表面に導電性の金属膜を形成する工程とから構成される。
【０００９】
従って、請求項１に記載の発明によれば、対象物を把持する一対の指部材の先端の相対向する面には突部が形成され、その突部の表面には、導電性の金属膜が形成されている。そして、突部によって対象物がそれらの面から離間されて把持される。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、指部材の先端にはハンドリング部が前記指部材の延出方向に対して斜めとなるように形成され、ハンドリング部の相対向する面に突部が形成されて対象物が面から離間されて把持される。
【００１２】
請求項３に記載の発明によれば、指部材となる単結晶シリコン基板の表面側に酸化膜が形成され、酸化膜の所定領域に窓が形成され、その窓から不純物を添加することによって拡散歪みゲージが形成される。また、酸化膜に窓が形成され、その窓から単結晶シリコン基板がエッチングされて突部が形成され、その突部の表面に導電性の金属膜が形成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図１〜図１８に従って説明する。
図４に示すように、マイクロマニピュレータ（以下、単にマニピュレータという）１１には、一対のアームＡ１，Ａ２が設けられている。アームＡ１，Ａ２にはそれぞれ支持部材１２，１３が設けられている。支持部材１２，１３は、図示しないアクチュエータによって微小（数ミクロン〜数十ミクロン程度）な対象物Ｗを挟む方向（図２の矢印方向）に駆動操作されるようになっている。支持部材１２，１３の先端には、対象物Ｗを把持する指部材１４，１５がそれぞれ取着されている。
【００１４】
指部材１４，１５は、面方位（１００）の単結晶シリコンよりなり、それぞれ同一で対象物Ｗに対して対称の薄板状に形成されている。指部材１４は支持部材１２を構成する部材１２ａ，１２ｂ間に挟み込まれて取着固定され、指部材１５は支持部材１３を構成する部材１３ａ，１３ｂ間に挟み込まれて取着固定されている。
【００１５】
両指部材１４，１５は、例えば機械的加工（ダイシング）によって短冊状でその先端が斜めにカットされてそれぞれハンドリング部１６，１７が形成されている。ハンドリング部１６，１７は、平面上に置かれた対象物Ｗを挟持するハンドリング領域を拡大するために形成されている。即ち、マニピュレータ１１は、ハンドリング部１６，１７の傾きに対応して斜めに支持され、対象物Ｗを挟持するようになっている。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、一方の指部材１４の側面１４ａには、その先端から所定位置に拡散歪みゲージ１８が形成されている。拡散歪みゲージ１８は、配線パターン１９を介してパッド２０に接続され、そのパッド２０は、図示しない配線を介してマイクロマニピュレータ１１を駆動制御する駆動装置に接続されている。
【００１７】
また、図１（ｂ）に示すように、一方の指部材１４には、その外側面１４ｂ側から異方性エッチング等の方法によって、面方位（１００）に対応する角度で凹設（エッチング）されて薄肉部２１が形成されている。薄肉部２１は、マニピュレータ１１を駆動操作して対象物Ｗを挟んだ場合に指部材１４が薄肉部２１から撓んで、マニピュレータ１１の力を検知し易くするために形成されている。
【００１８】
拡散歪みゲージ１８は、マニピュレータ１１の力によって指部材１４と共に撓み、その撓みの応力に応じた電気信号を検出信号として出力する。そして、指部材１４、拡散歪みゲージ１８、及び、薄肉部２１によって、マニピュレータ１１の力を検知する力センサが構成されている。即ち、指部材１４，１５は、対象物Ｗを把持するとともに、力センサによって対象物Ｗを把持する力を検知することが可能な構成となっている。
【００１９】
拡散歪みゲージ１８は、指部材１４がマニピュレータ１１の操作によって撓む場合に、その撓みの最も大きい位置に形成されている。従って、拡散歪みゲージ１８は、マニピュレータ１１の力を最も良く検出し、その力に応じた電気信号を検出信号として出力する。また、拡散歪みゲージ１８は方位＜１１０＞に形成されている。この方位＜１１０＞に形成された拡散歪みゲージ１８は、出力する電気信号がの電圧が最も大きくなる。従って、拡散歪みゲージ１８は、指部材１４の撓みの応力、即ち、マニピュレータ１１の力の検出感度が最も大きくなる。
【００２０】
指部材１４を製造する場合、先ず、面方位（１００）のシリコンウェハ（図示せず）を用意する。そのシリコンウェハの表面側には拡散歪みゲージ１８を形成し、裏面側からエッチングによって薄肉部２１を形成する。次に、拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成したシリコンウェハを短冊状に機械的加工（ダイシング）して指部材１４が形成される。
【００２１】
従って、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２のように指部材１４に取着する必要がない。また、拡散歪みゲージ１８の位置は、指部材１４の先端から一定の位置となり、精度良く形成することができる。従って、拡散歪みゲージ１８から出力される検出信号は、各指部材１４毎のばらつきがなくなる。
【００２２】
また、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２に比べて小さく形成することができるので、指部材１４の先端付近に形成することができる。また、指部材１４には、薄肉部２１を形成し、その指部材１４の撓みによって拡散歪みゲージ１８が撓むようにした。その結果、従来のバルクの歪みゲージ５２を用いたマニピュレータ５１に比べて、その力の検出感度が高くなる。
【００２３】
平面上に置かれた対象物Ｗをハンドリングする場合、ハンドリング部１６，１７を平面と略平行となるようにマニピュレータ１１を斜めに支持することによって、ハンドリング部２４，２５のどの部分でも対象物Ｗをハンドリングすることができる。従って、本実施の形態のマニピュレータ１１は、対象物Ｗをハンドリングする領域、所謂ハンドリング面積が広くなる。
【００２４】
図２に示すように、ハンドリング部１６，１７の相対向する側面１６ａ，１７ａには、複数のマイクロピラミッド２２，２３がそれぞれ設けられている。マイクロピラミッド２２，２３は、ハンドリング部１６，１７と対象物Ｗとの間に作用するファンデルワールス力を低減するために設けられている。
【００２５】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、各マイクロピラミッド２２，２３は、八角錐台状に形成されている。また、各マイクロピラミッド２２，２３は、所定の間隔で縦方向（図３（ａ）において上下方向）及び横方向（図３（ａ）において左右方向）に等間隔で並べて形成されている。図２に示すように、マイクロピラミッド２２（２３）は、対象物Ｗをハンドリング部１６（１７）の側面１６ａ（１７ａ）から離間するように高さ及び間隔が設定されている。
【００２６】
尚、実際には、後述するエッチング方法によってハンドリング部１６，１７の側面１６ａ，１７ａの所定領域をエッチングして除去することによってマイクロピラミッド２２，２３が形成されている。また、マイクロピラミッド２２，２３の表面は、後述する成膜法によって白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の導電性の金属により被膜され、ファンデルワールス力の作用が更に低減されている。
【００２７】
一般に、ファンデルワールス力は、分子間に働く力であるが、マクロな物体が近接したときにも生じる電磁気学的力である。球−平面間の相互作用力、即ち、対象物Ｗとハンドリング部１６，１７の側面１６ａ，１７ａとの間の相互作用力Ｆvdw は、対象物Ｗの球径：ｄ、対象物Ｗと側面１６ａ，１７ａとの間の距離：Ｚ、定数：Ｈとすると、
【数１】
0003764207.tif 000002
で表される。いま、平面にｂの粗さを持たせると、（数１）は、
【数２】
0003764207.tif 000003
のように近似される。（数２）から明らかなように、粗さｂにより、ファンデルワールス力Ｆが平面の場合の相互作用力Ｆvdw に比べて小さくなる。そして、平面に対する粗さｂは、側面１６ａ，１７ａにそれぞれ形成されたマイクロピラミッド２２，２３の高さとなるため、マイクロピラミッド２２，２３によってハンドリング部１６，１７と対象物Ｗとの間に作用するファンデルワールス力が低減される。尚、上記の（数１）（数２）は、（オーム社刊、新体系化学工学微粒子工学、奥山他２名著）に述べられている。
【００２８】
図５は、上記のマイクロピラミッド２２，２３の効果を確認するための遠心型付着装置の概略図である。この装置は、指部材１４をハンドリング部１６の側面１６ａと平行な面でモータＭにより回転させ、その指部材１４上に載置された対象物Ｗ２に遠心力を与えるものである。対称物Ｗ２としては、所定の大きさの物質、例えば、直径３０ミクロンのシリカ球を用いた。遠心力が与えられた対象物Ｗ２は、ハンドリング部１６との間のファンデルワールス力の作用が大きいほどハンドリング部１６上の残存数が多く、逆にファンデルワールス力の作用が小さいほど残存数がすくなくなる。
【００２９】
図６は、上記の装置による試験の結果を示す特性図である。この試験には、マイクロピラミッド２２を形成していない指部材と、マイクロピラミッド２２が形成されているが導電性の金属で被膜していない指部材と、本実施の形態の導電性の金属で被膜したマイクロピラミッド２２を有する指部材１４を用いた。図中、ラインＬ１はマイクロピラミッド２２を形成していない指部材、ラインＬ２はマイクロピラミッド２２が形成されているが導電性の金属で被膜していない指部材、ラインＬ３は本実施の形態の導電性の金属で被膜したマイクロピラミッド２２を有する指部材１４の特性を示している。尚、縦軸は対象物Ｗ２の残存率、横軸は対象物Ｗ２に与えられる遠心力を示している。
【００３０】
図６から明らかなように、マイクロピラミッド２２を形成した指部材のほうが、マイクロピラミッド２２を形成していない指部材に比べて対象物Ｗの残存率が低い。また、遠心力が小さい領域では、導電性の金属で被膜していないマイクロピラミッドに比べて、導電性の金属で被膜したマイクロピラミッド２２の方が対象物Ｗの残存率が低い。即ち、導電性の金属で被膜したマイクロピラミッド２２は他に比べてファンデルワールス力の作用が小さい。従って、上記の指部材１４，１５を用いたマイクロマニピュレータ１１により対象物Ｗをハンドリングする場合、その対称物Ｗは指部材１４，１５のハンドリング部１６，１７に付着しにくい。
【００３１】
次に、上記の指部材１４の製造工程を図７〜図１８に従って説明する。尚、図７〜図１８は、製造工程を判りやすくするために、指部材１４の寸法を適宜変更してある。
【００３２】
先ず、図７に示すように、ｐ型単結晶シリコンよりなるシリコン基板３１の上面に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）３２を形成する。次に、図８に示すように、酸化膜３２の所定領域にフォトリソグラフィによって拡散歪みゲージ１８に対応する大きさの窓３２ａを形成する。その窓３２ａからイオン注入等によってシリコン基板３１にほう素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散させる。この結果、図９に示すように、後に指部材１４の側面１４ａとなる面に拡散歪みゲージ１８が形成される。
【００３３】
次に、図１０に示すように、シリコン基板３１を酸化させて拡散歪みゲージ１８の上面に酸化膜３３を形成する。次に、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、酸化膜３２にフォトリソグラフィによって後にハンドリング部１６となる領域に井桁状の窓３２ｂを形成する。この窓３２ｂによって、後にマイクロピラミッド２２となる場所に、矩形状の酸化膜３２が残される。
【００３４】
次いで、図１２に示すように、窓３２ｂからＴＭＡＨやＫＯＨ等のエッチング液を用いて異方性エッチングによってシリコン基板３１をエッチングすることにより、８角錐状の突部３４が形成される。また、エッチング時間を適宜設定することによって、エッチング深さ、即ち、突部３４を後のマイクロピラミッド２２の高さに対応させて形成する。
【００３５】
次に、図１３に示すように、拡散歪みゲージ１８上の酸化膜３３にコンタクトのための窓３３ａを所定位置に形成する。また、突部３４上の酸化膜３２を除去する。この酸化膜３２の除去によって、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、シリコン基板３１上に縦横に配列した８角錐状の突部３４が形成される。
【００３６】
次に、図１５に示すように、シリコン基板３１の上面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリングや真空蒸着等により堆積させた後、フォトリソグラフィを行うことで、拡散歪みゲージ１８に接続された配線パターン１９及びパッド２０（図１５では図示せず）を形成する。次いで、図１６に示すように、ＣＶＤ等によってＳｉＮやＳi3Ｎ4 等を堆積させることにより、シリコン基板３１の上面にパッシベーション膜３５を形成し、配線パターン１９等と突部３４を被覆する。
【００３７】
次に、図１７に示すように、後にハンドリング部１６となる領域の上面に、スパッタリングや蒸着等によって導電性のプラチナ（Ｐｔ）等よりなる金属膜３６を形成する。この金属膜３６とパッシベーション膜３５が上面に形成された突部３４によって、マイクロピラミッド２２が形成される。
【００３８】
次に、図１８に示すように、シリコン基板３１の裏面に酸化膜３７を形成し、フォトリソグラフィによって酸化膜３７に窓３７ａを形成する。その窓３７ａから異方性エッチングによってシリコン基板３１を裏面からエッチングすることによって、薄肉部２１を形成する。
【００３９】
上記したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）対象物Ｗをハンドリングするハンドリング部１６，１７の相対向する側面１６ａ，１７ａには、複数のマイクロピラミッド２２，２３がそれぞれ設けられている。各マイクロピラミッド２２，２３は、八角錐台状に形成され、それらマイクロピラミッド２２，２３によって対象物Ｗは、ハンドリング部１６，１７の側面１６ａ，１７ａから離間され、対象物Ｗとハンドリング部１６，１７との間に作用するファンデルワールス力が低減される。その結果、対象物Ｗがハンドリング部１６，１７に付着しにくくなるので、その対象物Ｗを確実に目的の場所にハンドリングすることができる。
【００４０】
（２）マイクロピラミッド２２，２３の表面は、白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の導電性の金属により被膜され、ファンデルワールス力の作用が更に低減される。その結果、対象物Ｗがハンドリング部１６，１７に更に付着しにくくなるので、その対象物Ｗを確実に目的の場所にハンドリングすることができる。
【００４１】
（３）マニピュレータ１１を構成する支持部材１２，１３の先端に、拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成した単結晶シリコンよりなる指部材１４を取着した。マニピュレータ１１によって対象物Ｗを挟んだ時に、指部材１４は、薄肉部２１の部分で撓み、その撓みによる応力を拡散歪みゲージ１８が検知して撓みに応じた電気信号を検出信号として出力するようにした。
【００４２】
その結果、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２のように指部材１４に取着する必要がない。また、拡散歪みゲージ１８の位置は、指部材１４の先端から一定の位置となり、精度良く形成することができ、各指部材１４毎の検出信号のばらつきを防ぐことができる。
【００４３】
（４）拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２に比べて小さく形成することができるので、指部材１４の先端付近に形成することができる。また、指部材１４には、薄肉部２１を形成し、その指部材１４の撓みによって拡散歪みゲージ１８が撓むようにした。その結果、従来のバルクの歪みゲージ５２を用いたマニピュレータ５１に比べて、その力の検出感度を高めることができる。
【００４４】
（５）指部材１４，１５の先端を斜めに成形してハンドリング部１６，１７を形成した。その結果、マニピュレータ１１のハンドリング面積が広くなり、平面上に置かれた対象物Ｗをハンドリング部１６，１７のどの場所でも挟み込むことができるので、微小な対象物Ｗを容易にハンドリングすることができる。
【００４５】
（６）上記の製造工程によれば、通常の半導体を製造する工程にたいして特別な工程が必要ないので、容易にマイクロピラミッド２２，２３を有する指部材１４，１５を製造することができる。
【００４６】
尚、本発明は以下のように変更してもよく、その場合にも同様の作用及び効果が得られる。
【００４７】
・上記実施の形態では、マイクロピラミッド２２，２３を八角錐状に形成したが、六角錐、八角柱、六角柱等の任意の形状に形成して実施してもよい。
・上記実施の形態では、ダイシングにより指部材１４，１５の外形形状を成形したが、異方性エッチング又は等方性エッチングにより外形形状を成形するようにしてもよい。
【００４８】
・上記実施の形態において、面方位（１００）のシリコン基板を用いて指部材１４を形成したが、面方位（１１０）のシリコン基板を用いることにより、薄肉部２１を形成する際に、側面から垂直にエッチングすることができる。尚、面方位（１１０）のシリコン基板を用いた場合、歪みゲージ１８を方位＜１１１＞に沿って形成した場合に、同じ歪み量に対する出力電圧が最も大きくなる。
【００４９】
・上記実施の形態では、指部材１４，１５を単結晶シリコンにより形成し、一方の指部材１４に拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成してマニピュレータ１１の力を検知するようにしたが、他方の指部材１５にも同様に拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成し、一対の指部材１４，１５の双方でマニピュレータ１１の力を検知するようにしてもよい。
【００５０】
・上記実施の形態では、一対の指部材１４，１５の双方を単結晶シリコンにより形成したが、薄肉部２１及び拡散歪みゲージ１８を形成しない側の指部材１５をステンレス等の金属により形成してもよい。
【００５１】
・上記実施の形態では、酸化膜３２に井桁状の窓３２ｂを形成してマイクロピラミッド２２，２３を縦横に配列して形成したが、その配列は任意でよく、例えば、斜めに配列して形成する、ランダムに形成するなど様々に形成して実施してもよい。その際、マイクロピラミッド２２，２３の高さ及び間隔を対象物Ｗが側面１６ａ，１７ａから離間するように設定することはいうまでもない。
【００５２】
以上、この発明の各実施の形態について説明したが、各実施の形態から把握できる技術思想について、以下にそれらの効果とともに記載する。
（イ）前記指部材（（１４）には薄肉部（２１）が形成され、拡散歪みゲージ（１８）はその薄肉部（２１）の表面に形成されたマイクロマニピュレータ。この構成によれば、薄肉部によって指部材が撓みやすく、把持する力の検出感度を高めることが可能となる。
【００５３】
（ロ）更に、単結晶シリコン基板（３１）の裏面からエッチングして薄肉部（２１）を形成する工程を備えたマイクロマニピュレータの製造方法。この構成よれば、薄肉部によって指部材が撓みやすく、把持する力の検出感度を高めることができるマイクロマニピュレータを容易に製造することが可能となる。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、微小な対象物を確実にハンドリングすることが可能なマイクロマニピュレータを提供することができる。また、そのようなマイクロマニピュレータを容易に製造することが可能な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  (a) はマニピュレータの平面図、(b) は側面図。
【図２】  ハンドリング部の拡大平面図。
【図３】  (a) はマイクピラミッドの平面図、(b) は側面図。
【図４】  第一の実施の形態のマニピュレータを示す斜視図。
【図５】  付着力の実験する遠心型付着力装置の概略構成図。
【図６】  遠心力に対する対象物の残存率を示す特性図。
【図７】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図８】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図９】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１０】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１１】  (a) はマニピュレータの製造工程を示す断面図、(b) は平面図。
【図１２】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１３】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１４】  (a) はマニピュレータの製造工程を示す断面図、(b) は平面図。
【図１５】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１６】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１７】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１８】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１９】  従来のマイクロマニピュレータを示す斜視図。
【符号の説明】
１４，１５…指部材、１８…拡散歪みゲージ、１６，１７…ハンドリング部、
２２，２３…突部としてのマイクロピラミッド、３１…シリコンウェハ、Ｗ…対象物。
【図１】
0003764207.tif 000004
【図２】
0003764207.tif 000005
【図３】
0003764207.tif 000006
【図４】
0003764207.tif 000007
【図５】
0003764207.tif 000008
【図６】
0003764207.tif 000009
【図７】
0003764207.tif 000010
【図８】
0003764207.tif 000011
【図９】
0003764207.tif 000012
【図１０】
0003764207.tif 000013
【図１１】
0003764207.tif 000014
【図１２】
0003764207.tif 000015
【図１３】
0003764207.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
0003764207.tif 000018
【図１６】
0003764207.tif 000019
【図１７】
0003764207.tif 000020
【図１８】
0003764207.tif 000021
【図１９】
0003764207.tif 000022