(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項２】
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させて、矩形基板の短辺を塗布液吐出ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする請求項１に記載の塗布処理方法。
【請求項３】
処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させることを特徴とする塗布処理方法。
【請求項４】
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
この塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整することを特徴とする請求項３に記載の塗布処理方法。
【請求項５】
前記複数の塗布液貯留室のうち矩形基板の中心側のものよりも外周側のものほうが粘度の高い塗布液を吐出することを特徴とする請求項１、請求項２および請求項４のいずれか１項に記載の塗布処理方法。
【請求項６】
前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量は、基板の中心側より外周側の方が多くなるように調整されることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４および請求項５のいずれか１項に記載の塗布処理方法。
【請求項７】
矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項８】
前記塗布液吐出ノズルは、矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、
前記制御手段は、塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させて、矩形基板の短辺を塗布液吐出ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項７に記載の塗布処理装置。
【請求項９】
矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、かつ、その長手方向に進退自在に設けられ、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて前記塗布液吐出ノズルが矩形基板からはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルが進退することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項１０】
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整するように、前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項９に記載の塗布処理装置。
【請求項１１】
前記塗布液供給手段は、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のもののほうが粘度の高い塗布液を供給することを特徴とする請求項７、請求項８および請求項１０のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、複数の前記塗布液貯留室の塗布液吐出量が基板の中心側より外周側の方が多くなるように、前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項７、請求項８、請求項１０および請求項１１のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
【請求項１３】
前記塗布液吐出ノズルの微小吐出孔の径は、φ１０μｍ〜φ２００μｍであることを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
【請求項１４】
前記塗布液吐出ノズルの微小吐出孔の径は、基板の中心側より外周側の方が大きく形成されていることを特徴とする請求項７から請求項１３のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
【請求項１５】
前記塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔のピッチは、基板の中心側より外周側の方が小さく形成されていることを特徴とする請求項７から請求項１４のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の基板の表面上に、レジスト液のような塗布液を塗布する塗布処理方法および塗布処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。従来から、このような一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システムが用いられている。
【０００３】
このようなレジスト塗布・現像処理システムにおいて、レジスト液を塗布する工程では、矩形のＬＣＤ基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布処理ユニットに搬入される。レジスト塗布処理ユニットでは、基板がスピンチャック上に保持された状態で回転されながら、その上方に設けられたノズルから基板の表面にレジスト液が供給され、基板の回転による遠心力によってレジスト液が拡散され、これにより、基板の表面全体にレジスト膜が形成される。
【０００４】
このレジスト液が塗布された基板は、端面処理ユニット（エッジリムーバー）により周縁の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬入されてプリベーク処理が行われ、冷却ユニットで冷却され、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定のレジストパターンが形成される。
【０００５】
上記レジスト塗布に際しては、従来、静止した基板の略中心にレジスト液を滴下し、その後基板を高速回転して遠心力によりレジスト液を拡散させて塗布する方法が知られている。この方法においては、中心位置よりも周速が著しく大きい外周部から相当量のレジスト液を飛散させており、実際に基板表面に塗布される量は供給したレジスト液の１０〜２０％程度であり、レジスト消費量が著しく多くなってしまう。このため、レジスト液の拡散を容易にしてレジスト供給量を減少させるために、レジスト液の滴下前にシンナー等の溶剤を基板に滴下（プリウエット）する方法が採用されている。
【０００６】
しかしながら、所定のパターンが形成された基板上でレジスト液を拡散する場合には、レジスト液を拡散するために基板を回転しても、レジスト液がパターンの段差を乗り越えることが困難であることから、基板全面にレジスト液を拡散させるためにはレジスト液の供給量を多くせざるを得ず、プリウエットを行ったとしてもレジスト液の削減効果は必ずしも十分ではない。また、このプリウエット方式を採用した場合には、レジスト液の塗布工程の処理時間が長くなるといった不都合がある。
【０００７】
一方、レジスト塗布方式の他のタイプとして、スリットノズルから矩形の基板にレジスト液を帯状に吐出しながら、スリットノズルを矩形の基板上でスキャンして、矩形の基板にレジスト液を塗布し、その後基板を高速回転してレジスト液を拡散するスリットノズル塗布方式がある。このスリットノズル塗布方式では、スリットノズルをスキャンすることによりレジスト液を矩形の基板全面に略均一に塗布することができるため、レジスト液の消費量の削減を図ることができる。
【０００８】
しかしながら、スリットノズルの場合には、必ずしもレジスト液を安定して吐出することができない。また、スリットノズルを矩形の基板上でスキャンする際、スリットノズルを高精度に移動させる必要があり、スリットノズル移動機構が高価になることから、装置コストが高騰してしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、レジスト液のような塗布液を基板の全面に塗布するにあたり、装置コストの高騰を招くことなく、塗布液の使用量を削減することができる塗布処理方法および塗布処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする塗布処理方法を提供する。
【００１２】
本発明の第２の観点では、処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させることを特徴とする塗布処理方法を提供する。
【００１３】
本発明の第３の観点では、矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする塗布処理装置を提供する。
【００１５】
本発明の第４の観点では、矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、かつ、その長手方向に進退自在に設けられ、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて前記塗布液吐出ノズルが矩形基板からはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルが進退することを特徴とする塗布処理装置を提供する。
【００１６】
以上のように構成される本発明によれば、基板を回転させながら塗布液吐出ノズルの微小吐出孔から塗布液を基板上に吐出することにより基板の略全面に塗布液が供給されるので、その後に塗布液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板から遠心力により振り切られる塗布液の量を少なくすることができ、かつ基板に段差が存在しても供給する塗布液の量を増加させる必要もない。したがって、塗布液の使用量を少なくすることができる。また、微小吐出孔からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的に塗布液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンすることにより塗布液を矩形の基板全面に略均一に塗布する場合のように、高精度なノズル移動機構を必要としないため、製造コストの高騰を招来することもない。
【００１７】
また、矩形の基板を回転する場合には、基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さが一定でないため、塗布液吐出ノズルの一部が基板からはみ出すことがある。このような場合に、上記第１および第４の観点のように、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、回転する矩形の基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少し、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように調整することにより、無駄な塗布液を少なくまたは無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【００１９】
さらにまた、上記第２および第４の観点では、塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させるので、矩形基板上の全面に塗布液を供給できるとともに、無駄な塗布液を少なくすることができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【００２０】
上記第１および第３の観点において、塗布液吐出ノズルを矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有するものとし、塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させ、矩形基板の短辺を塗布液塗布液ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または塗布液を吐出しないようにすることができる。これにより、矩形の基板略回転中心から径方向に塗布液を帯状に吐出しながら、基板を回転させる簡易な構成により、塗布液を基板全面に略均一に塗布することができるとともに、無駄な塗布液をより少なくすることができる。
【００２１】
また、上記第１および第３の観点において、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のもののほうが粘度の高い塗布液を吐出するようにすれば、膜厚をより均一に調節することができるとともに、塗布液の飛散を抑制して塗布液の消費量をさらに削減することができる。
【００２３】
上記第２および第４の観点において、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整することにより、膜厚均一性をより高めることができる。また、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のものほうが粘度の高い塗布液を吐出するようにすることにより、膜厚をより均一に調節することができるとともに、塗布液の飛散を抑制して塗布液の消費量を削減することができる。
【００２４】
また、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用いた場合に、前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量は、基板の中心側より外周側の方が多くなるように調整することにより、周速度の大きい外周側の塗布液吐出量を多くすることができ、膜厚をより均一に調節することができる。
【００２５】
塗布液ノズルに形成された微小吐出孔の径は、φ１０μｍ〜φ２００μｍであることが好ましい。また、これらの微小吐出孔の径またはピッチを変えることにより、基板の中心側と外周側の塗布液吐出量を調整することができる。具体的には、基板を回転する際、基板の中心側と外周側とでは、その周速度が異なっていることから、塗布液を基板全面に略均一に塗布するためには、基板の外周側であるほど、より多量の塗布液を吐出する必要があるが、微小吐出孔の径を基板の中心側より外周側の方を大きくすることにより、または、微小吐出孔のピッチを基板の中心側より外周側の方を小さくすることにより、基板の中心側より基板の外周側における塗布液吐出量が多くなるように調整することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明が適用されるレジスト塗布処理ユニットを備えたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【００３０】
このレジスト塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００３１】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３２】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００３３】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００３４】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００３５】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２、３３が配置されている。
【００３６】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００３７】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００３８】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。
【００３９】
上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。
【００４０】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００４１】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００４２】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００４３】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００４４】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１，３２，３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４５】
次に、本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２について説明する。図２はレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２を模式的に示す断面図であり、図３はレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２を模式的に示す平面図である。
【００４６】
図２に示すように、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２には、基板回転手段である駆動機構４０により回転されるスピンチャック４１が設けられ、このスピンチャック４１上には、ＬＣＤ基板Ｇがその表面を水平にして吸着載置されるようになっている。このスピンチャック４１には、このスピンチャック４１とともに回転可能であり、下方からスピンチャック４１および基板Ｇを囲繞する有底円筒形状の回転カップ（処理容器）４２が固定して設けられている。この回転カップ４２も駆動機構４０により回転されるようになっている。駆動機構４０は、ステッピングモータ４０ａ、ステッピングモータ４０ａの回転を伝達する伝達機構４０ｂ，４０ｃ、スピンチャック４１および回転カップ４２を回転させるための伝達機構４０ｄを備えている。
【００４７】
この回転カップ４２の外周側には、回転カップ４２の外周側と下方側を覆い、中空リング状のドレインカップ４４が配置されている。このドレインカップ４４は、レジスト塗布の際に飛散したレジスト液を下方に導くことが可能となっている。また、回転カップ４２の上部開口には、搬送アーム４６により蓋体４５が装着可能となっている。
【００４８】
さらに、ユニット内に設けられた支持柱４８には、ノズルアーム５０が図示しない駆動系により揺動自在かつ昇降自在に設けられ、このノズルアーム５０には、レジスト液を帯状に吐出する長尺状のレジスト液吐出ノズル５１が取り付けられている。
【００４９】
このレジスト液吐出ノズル５１は、図３に示すように、矩形の基板Ｇの略回転中心から略四隅までの長さを有し、レジスト液の吐出時には、その先端部が基板Ｇの略回転中心に位置するように、ノズルアーム５０とともに揺動される一方、レジスト液の吐出後には、待避位置に戻され、ノズル洗浄機構（ノズルバス）７０に装着されるようになっている。
【００５０】
このレジスト液吐出ノズル５１は、基板Ｇの略回転中心から略四隅までの間で複数に分割され、例えば図４に示すように５個のレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅに分割されている。これらレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅは、レジスト液吐出ノズル５１から回転する基板Ｇにレジスト液を帯状に吐出する際、レジスト液吐出量をそれぞれ独立して調整することができる。なお、この際の分割の数はこれに限らず３分割以上であればよい。
【００５１】
レジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅには、それぞれの底面に、レジスト液を吐出するための複数ずつの微小吐出孔５２が穿設されている。これら微小吐出孔５２の径は、φ１０μｍ〜φ２００μｍが好ましく、例えばφ５０μｍである。
【００５２】
図４に示すように、これらレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅには、図示しないレジスト液供給源から延びるレジスト液供給管５３ａ〜５３ｅがそれぞれ接続され、これらレジスト液供給管５３ａ〜５３ｅには、後述する塗布ユニットコントローラ６０からの制御信号に基づいて電磁的に開閉される開閉バルブ５４ａ〜５４ｅがそれぞれ介装されている。これらの開閉バルブ５４ａ〜５４ｅがそれぞれ独立して開閉されることにより、複数のレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅからのレジスト液吐出量がそれぞれ独立して調整されるようになっている。
【００５３】
レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２は、基板Ｇの回転やレジスト液の供給を制御するための塗布ユニットコントローラ６０を有している。この塗布ユニットコントローラ６０から、スピンチャック４１を駆動する駆動機構４０のステッピングモータ４０ａに、基板Ｇの回転を制御するための制御信号が送られるように構成されている。このステッピングモータ４０ａの回転角がエンコーダ６１により検出されて、塗布ユニットコントローラ６０に入力されることにより、基板Ｇの回転速度や回転位置などが把握されるようになっている。
【００５４】
この塗布ユニットコントローラ６０から開閉バルブ５４ａ〜５４ｅには、エンコーダ６１により検出された基板Ｇの回転位置に応じて、開閉バルブ５４ａ〜５４ｅのバルブ開度を調整するための制御信号が送られるように構成されている。
【００５５】
なお、これら複数のレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅは、複数のレジスト液貯留室が相互に連結されて長尺状に一体的に構成されていてもよく、または、一つの長尺状のノズル内に隔壁が設けられて複数のレジスト液貯留室が構成されていてもよい。
【００５６】
レジスト液吐出ノズル５１の待避位置に設けられたノズル洗浄機構（ノズルバス）７０は、図５に示すように、本体７１内に、レジスト液吐出ノズル５１が装着されるバス室７２が形成され、このバス室７２の底面には、ドレン溝７３が形成され、このドレン溝７３は、ドレン管７４に接続されている。
【００５７】
バス室７２の側壁には、シンナー等の溶剤を供給するための一対の供給管７５が設けられ、これら一対の供給管７５の内側には、レジスト液吐出ノズル５１の先端部に、シンナー等の溶剤を吐出するための多数の洗浄ノズル７６が形成されている。
【００５８】
さらに、ドレン管７４には、開閉バルブ７７が介装され、この開閉バルブ７７を閉じることにより、バス室７２内に、シンナー等の溶剤を貯留することができ、この貯留したシンナー等の溶剤によりレジスト液吐出ノズル５１の先端部を洗浄することができる。
【００５９】
次に、上記構成により基板Ｇ表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法について説明する。
まず、図２に示すように、蓋体４５が搬送アーム４６により回転カップ４２（処理容器）の上方に待機された状態とされ、基板Ｇが図示しない搬送アームによりスピンチャック４１上に搬送されて真空吸着される。
【００６０】
次いで、図３に示すように、レジスト液吐出ノズル５１が、ノズルアーム５０によってその先端部にあるレジスト液貯留室５１ａが基板Ｇの略回転中心に位置するように揺動される。
【００６１】
引き続き、基板Ｇがスピンチャック４１とともに所定速度で１回転されると同時に、レジスト液吐出ノズル５１の微小吐出孔５２からレジスト液が基板Ｇ上に帯状に吐出され、基板Ｇ上にレジスト液が塗布される。このように、基板Ｇを１回転する間に基板Ｇの略回転中心から基板端部に至るレジスト液吐出ノズル５１の微小吐出孔５２からレジスト液を吐出しているため、図６の（ａ），（ｂ）に示すような状態で基板Ｇの略全面にレジスト液が塗布される。なお、この際の基板Ｇの回転は１回転以上であればよい。
【００６２】
その後、レジスト液吐出ノズル５１が退避位置へ退避されるとともに、蓋体４５が回転カップ４２上に載置され、回転カップ４２の開口が蓋体４５によって閉止される。この状態で、回転カップ４２とともに基板Ｇが回転されることにより、レジスト膜の厚さが整えられ、レジスト膜厚が均一となる。
【００６３】
この場合に、基板Ｇを回転させながら基板Ｇの略回転中心から基板端部に至るレジスト液吐出ノズル５１の微小吐出孔５２からレジスト液を基板Ｇ上に帯状に吐出することにより基板Ｇの略全面にレジスト液が供給されるので、その後にレジスト液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板Ｇから遠心力により振り切られるレジスト液の量を少なくすることができ、かつ基板Ｇに段差が存在しても供給するレジスト液の量を増加させる必要もない。したがって、レジスト液の使用量を従来よりも著しく減少させることができる。
【００６４】
また、微小吐出孔５２からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的にレジスト液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンしてレジスト液を塗布する場合のような高精度なノズル移動機構を必要としないため、装置コストの高騰を招くこともない。
【００６５】
さらに、多数の微小吐出孔５２からレジスト液を吐出することから、以下の（１）〜（３）に示すような態様で、レジスト液吐出の制御性を高めることができる。
【００６６】
（１）例えば、基板Ｇを回転する際、基板Ｇの中心側と外周側とでは、その周速度が異なっていることから、レジスト液を基板Ｇ全面に略均一に塗布するためには、基板Ｇの外周側であるほど、より多量のレジスト液を吐出する必要があるが、本実施の形態では、レジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅからのレジスト液吐出量をそれぞれ独立して調整することができるため、このように基板Ｇの中心側から外周側になるにつれて、レジスト液吐出量を徐々に多くする必要がある場合には、基板Ｇの中心側のレジスト液貯留室５１ａから外周側のレジスト液貯留室５１ｅになるにつれて、レジスト液吐出量を順次多くするように調整すればよい。この場合には、基板Ｇの中心側のレジスト液貯留室５１ａから外周側のレジスト液貯留室５１ｅになるにつれて、レジスト液吐出量を順次多くするように、塗布ユニットコントローラ６０から開閉バルブ５４ａ〜５４ｅのバルブ開度が順次大きくなるような制御信号を送ればよい。
【００６７】
（２）基板Ｇは矩形であるから、基板Ｇの回転中心から外端縁までの径方向の距離が一定でなく、例えば、基板Ｇの回転中心から四隅までの距離、回転中心から短辺までの距離、および長辺までの距離がそれぞれ異なっているため、回転する基板Ｇにレジスト液吐出ノズル５１からレジスト液を吐出する際、レジスト液吐出ノズル５１の一部が基板Ｇからはみ出し、レジスト液が無駄になることがある。このような場合には、回転する矩形の基板Ｇからはみ出したレジスト液貯留室のレジスト液吐出量を減少させるように、または、吐出しないように調整すれば、無駄なレジスト液を極力少なくすることができる。具体的には、エンコーダ６１により検出された基板Ｇの回転位置のタイミングに応じて、例えば、矩形の基板Ｇの短辺をレジスト液吐出ノズル５１が通過する際には、塗布ユニットコントローラ６０から基板Ｇからはみ出したレジスト液貯留室、例えばレジスト液貯留室５１ｅの開閉バルブ５４ｅのバルブ開度を小さくするか、または、完全に閉じるような制御信号を送ればよい。
【００６８】
（３）微小吐出孔５２の径またはピッチを変えることにより、基板Ｇの中心側と外周側のレジスト液吐出量を調整することができる。具体的には、上記のように、基板Ｇの中心側と外周側との周速度の相違から、基板Ｇの外周側であるほどより多量のレジスト液を吐出する必要があるが、微小吐出孔５２の径を基板Ｇの中心側より外周側の方を徐々に大きくすることにより、または、微小吐出孔５２のピッチを基板Ｇの中心側より外周側の方を徐々に小さくすることにより、基板Ｇの中心側より基板Ｇの外周側におけるレジスト液吐出量が徐々に多くなるように調整することができる。
【００６９】
一方、レジスト液吐出後、レジスト液吐出ノズル５１は待避位置に移動されて、バス室７２に装着される。そこでは、レジスト液吐出ノズル５１は、一対の供給管７５からシンナー等の溶剤が供給されて、洗浄ノズル７６からレジスト液吐出ノズル５１の先端部に向けて吐出される。これにより、微小吐出孔５２の目詰まりを効果的に防止することができる。すなわち、レジスト液吐出ノズル５１には微小吐出孔５２が形成されているため、目づまりを生じやすいが、このノズル洗浄機構７０による洗浄により、目づまりを効果的に防止することができる。
【００７０】
このようなノズル洗浄機構７０では、開閉バルブ７７を閉じることにより、バス室７２内にシンナー等の溶剤を貯留して、この貯留したシンナー等の溶剤によりレジスト液吐出ノズル５１の先端部を洗浄してもよい。この場合にも、目づまりを効果的に防止することができる。
【００７１】
また、開閉バルブ７７を閉じることにより、バス室７２内にシンナー等の溶剤を貯留して、この貯留した溶剤から発生される蒸気に、レジスト液吐出ノズル５１の先端部を晒すことにより、ノズル先端部のレジスト液の乾きを防止してもよい。
【００７２】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図７は本実施形態のレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズル近傍およびその制御系を部分的に示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、図７に示すように、それぞれ粘度の異なるレジスト液を供給するレジスト供給源４３ａ〜４３ｅを有している。これらレジスト供給源４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄおよび４３ｅは、この順で後者になるほど粘度の高いレジスト液を供給するようになっており、開閉バルブ５４ａ〜５４ｅの設けられたレジスト液供給管５３ａ〜５３ｅを介して、レジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅにそれぞれ接続されている。すなわち、レジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅには、基板Ｇの中心から外側に向けて順次粘度の高いレジスト液が供給されるようになっている。
【００７３】
また、図７には一部図示を略すが、塗布ユニットコントローラ６０は、第１の実施形態と同様、図４に示すようにスピンチャック４１を駆動する駆動機構４０のステッピングモータ４０ａを制御するとともに、エンコーダ６１の出力に基づいて開閉バルブ５４ａ〜５４ｅを制御するようになっている。
【００７４】
このように構成されたレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）により基板Ｇにレジスト液を塗布する際には、図８（ａ）〜（ｃ）に順に示すように、レジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅより基板Ｇの略中心から基板端部までそれぞれ粘度の異なるレジスト液を吐出しながら、基板Ｇを１回転させる。これにより、基板Ｇの中心付近には粘度の低いレジスト液を塗布し、基板Ｇの端部側には粘度の高いレジスト液を塗布することができる。なお、図８には、レジスト液の粘度が高いほどレジスト液の塗布線が太くなるように示している。この後、基板Ｇを所定の回転数で回転させて膜厚を整える際に、基板Ｇの中心から端部に向かうにつれて周速度が速くなるが、本実施形態ではこれに対応して基板Ｇの中心から端部に向かうにつれてレジスト液の粘度が高くなっているので、膜厚をより均一に調節することができる。また、基板Ｇ端部に塗布されたレジスト液の基板Ｇ外側への飛散を抑制することができるので、レジスト液の消費量を削減することができる。
【００７５】
なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、図８（ａ）に示すようにレジスト液吐出ノズル５１の一部が基板Ｇの外側にはみ出す場合、基板Ｇからはみ出したレジスト液貯留室５１ｃ，５１ｄからのレジスト液吐出量を減少させるように、または、レジスト液を吐出しないように調節することにより、レジスト液の消費量をさらに削減することができる。
【００７６】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図９は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、レジスト液吐出ノズル５１およびノズルアーム５０を支持する支持柱４８に、レジスト液吐出ノズル５１およびノズルアーム５０をその長手方向を軸として回動可能な駆動モータ５６を有している。このような構成により、本実施形態ではレジスト液吐出ノズル５１が図１０に仮想線で示すように回動自在となっており、微小吐出孔５２から吐出されるレジスト液の基板Ｇに対する角度を任意に調節することができる。
【００７７】
このような構成によれば、図１１に示すように、レジスト液吐出ノズル５１を基板Ｇの回転方向（図中矢印Ａで示す。）に所定角度傾斜した状態に回動させてレジスト液を吐出することにより、基板Ｇに対して滑らかにレジスト液を塗布することができる。また、このようにレジスト液を塗布した場合には、レジスト液が基板Ｇ表面から跳ね返ること、あるいは基板Ｇ表面で飛び散ることを抑制することができる。したがって、その後の膜厚調整でより均一なレジスト膜を形成することができる。
【００７８】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図１２および図１３は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
本実施形態では、図１２に示すように、小型の基板ＧＳを処理する場合にはレジスト液吐出ノズル５１の有するレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅのうち基板Ｇ中心側の３つ（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）からレジスト液を吐出して塗布処理を行う。一方、図１３に示すように、大型の基板ＧＬを処理する場合にはレジスト液吐出ノズル５１の有するレジスト液貯留室５１ａ〜５１ｅの全体からレジスト液を吐出して塗布処理を行う。このようにすることで、基板Ｇの大きさに対応して塗布処理を行うことができる。なお、この場合にも第１の実施形態と同様に、使用するレジスト液貯留室のうち、矩形の基板Ｇを回転することより基板Ｇからはみ出したレジスト液貯留室からは、その際にレジスト液の吐出量を低減もしくは吐出を停止することにより、レジスト液の消費量を削減することができる。
【００７９】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
図１４（ａ）および（ｂ）は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、上記第１〜第４の実施形態におけるノズルアーム５０に代えて、レジスト液吐出ノズル５１の長手方向に伸縮可能に構成された伸縮ノズルアーム８５を有し、この伸縮ノズルアーム８５の先端にレジスト液吐出ノズル５１が設けられている。伸縮ノズルアーム８５の伸縮機構としては、例えば、油圧シリンダ等を使用することができる。
【００８０】
前述のように、基板Ｇは矩形であるため、基板Ｇの回転中心から外端縁までの径方向の長さは一定でなく、レジスト液吐出ノズル５１の位置を固定した場合には基板Ｇの回転にともないレジスト液吐出ノズル５１の一部が基板Ｇからはみ出すことがある。このため、本実施形態では基板Ｇの回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、長い時には図１４（ａ）に示すように伸縮ノズルアーム８５を縮めた状態とし、短い時には図１４（ｂ）に示すように伸縮ノズルアーム８５を伸ばした状態としながら、レジスト液吐出ノズル５１から回転する基板Ｇにレジスト液を吐出する。このようにすることで、基板Ｇからレジスト液吐出ノズル５１がはみ出さないようにして、無駄な塗布液を無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【００８１】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、ノズル洗浄機構は上述したものに限らず図１５に示すように、バス室７２の底部に、超音波発振子８０が設けられたものを用いることもできる。これにより、開閉バルブ７７を閉じてバス室７２内にシンナー等の溶剤を貯留し、レジスト液吐出ノズル５１の先端部がシンナー等の溶剤に浸漬された状態で、超音波発振子８０から超音波が発生されて、レジスト液吐出ノズル５１の先端部が超音波により洗浄される。この場合には、洗浄をより効率的に行うことができるため、目づまりをより一層効果的に防止することができる。
【００８２】
また、上記実施形態では、本発明をレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、これに限るものではない。また、レジスト液を塗布する場合について示したが、スピンコートにより塗布膜を形成する場合であれば、他の塗布液、例えばガラスや誘電体形成用の塗布液等を塗布する場合に適用することも可能である。さらに、上記実施の形態では、被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の基板への塗布膜形成にも適用することができる。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板を回転させながら塗布液吐出ノズルの微小吐出孔から塗布液を基板上に吐出することにより基板の略全面に塗布液が供給されるので、その後に塗布液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板から遠心力により振り切られる塗布液の量が少なくすることができ、かつ基板に段差が存在しても供給する塗布液の量を増加させる必要もない。したがって、塗布液の使用量を少なくすることができる。また、微小吐出孔からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的に塗布液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンすることにより塗布液を矩形の基板全面に略均一に塗布する場合のように、高精度なノズル移動機構を必要としないため、製造コストの高騰を招来することもない。
【００８４】
また、矩形の基板を回転する場合には、基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さが一定でないため、塗布液吐出ノズルの一部が基板からはみ出すことがあるが、このような場合に、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、回転する矩形の基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少し、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように調整することにより、無駄な塗布液を少なくまたは無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【００８６】
さらに、塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させるので、矩形基板上の全面に塗布液を供給できるとともに、無駄な塗布液を少なくすることができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の対象となるレジスト塗布処理装置が適用されるレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】  本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニットの模式的断面図。
【図３】  図２に示したレジスト塗布処理ユニットの模式的平面図。
【図４】  レジスト液吐出ノズルの模式的斜視図、およびレジスト塗布処理ユニットの制御系のブロック図。
【図５】  ノズル洗浄機構を示す平面図、縦断面図、および横断面図。
【図６】  レジスト液を塗布した直後の状態を示す平面図および側面図。
【図７】  本発明の第２の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍ならびにその制御系を部分的に示す模式図。
【図８】  第２の実施形態におけるレジスト液の塗布形態を示す説明図。
【図９】  本発明の第３の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍を示す模式図。
【図１０】  第３の実施形態におけるレジスト液吐出ノズルの回動動作を示す模式図。
【図１１】  第３の実施形態におけるレジスト液の塗布形態を示す説明図。
【図１２】  本発明の第４の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液を塗布する形態を示す模式図。
【図１３】  第４の実施形態におけるレジスト液を塗布する他の形態を示す模式図。
【図１４】  本発明の第５の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍を示す模式図。
【図１５】  ノズル洗浄機構の他の例を示す横断面図。
【符号の説明】
２２…レジスト塗布処理ユニット（塗布処理装置）
４０…駆動機構（基板回転手段）
４１…スピンチャック（基板回転手段）
４２…回転カップ（処理容器）
５０…ノズルアーム（ノズル移動機構）
５１…レジスト液吐出ノズル
５１ａ〜５１ｅ…レジスト液貯留室
５２…微小吐出孔
５３ａ〜５３ｅ…レジスト液供給管（塗布液供給手段）
５４ａ〜５４ｅ…開閉バルブ（塗布液供給手段）
６０…塗布ユニットコントローラ（制御手段）
６１…エンコーダ
７０…ノズル洗浄機構
８０…超音波発振子
Ｇ…ＬＣＤ基板（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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