(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造する方法であって、
能動マトリックスを準備する第１過程と、
前記能動マトリックスの上部に、上面を有する不活性層を形成する第２過程と、
前記不活性層の上面を平坦化する第３過程と、
前記不活性層の平坦上面にエッチング防止層を形成する第４過程と、
前記エッチング防止層の上部に、空洞のアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５過程と、
各駆動構造が第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有する駆動構造のアレイを、前記空洞を有する前記薄膜犠牲層の上部に形成する第６過程と、
前記薄膜犠牲層を除去することによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する第７過程と
を含むことを特徴とする光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項２】
前記不活性層が、ＰＳＧ(phosphor-silicate glass）からなることを特徴とする請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項３】
前記不活性層が、ＢＰＳＰ(borophosphor-silicate glass）からなることを特徴とする請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項４】
前記不活性層が２〜３μｍの厚さで沈着されることを特徴とする請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項５】
前記不活性層が、大気圧化学気相蒸着法（ＡＰＣＶＤ）を用いて沈着されることを特徴とする請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項６】
前記不活性層の上面が、化学機械的ポリシング（ＣＭＰ）法を用いて平坦化されることを特徴とする請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項７】
光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造する方法であって、
能動マトリックスを準備する第１過程と、
前記能動マトリックスの上部に、上面を有する不活性層を沈着する第２過程と、
前記不活性層の上面に平坦化層を形成する第３過程と、
前記平坦化層を除去すると共に、前記不非活性層の上面を平坦化する第４過程と、
前記不活性層の平坦上面上に、空洞のアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５過程と、
第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有する駆動構造のアレイを、前記空洞を有する前記薄膜犠牲層の上部に形成する第６過程と、
前記薄膜犠牲層を除去することによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する第７過程と
を含むことを特徴とする光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項８】
前記平坦化層が、スピンコーディング法を用いて形成されることを特徴とする請求項７に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項９】
前記平坦化層が、粘性ポリマーからなることを特徴とする請求項８に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項１０】
前記平坦化層が、化学機械的ポリシング法を用いて除去さると共に、前記不活性層の上面を平坦化することを特徴とする請求項７に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項１１】
前記平坦化層が、エッチバック(etch back）法を用いて除去されると共に、前記不活性層の上面を平坦化することを特徴とする請求項７に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【請求項１２】
前記不活性層の上面を平坦化するための前記エッチバック法が、ＣＦ4 及びＯ2 プラズマを用いるプラズマエッチング法であることを特徴とする請求項１１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光投射システムに関し、特に、光投射システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイの改善された製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、利用可能な多様なビデオ表示システムの中で、光投射システムが大画面で高画質の映像を表示し得るものとして知られている。このような光投射システムでは、ランプから発射される光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー上に一様に照射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続されている。これらのアクチュエータは、印加された電界に応答して変形する圧電材料または電歪材料のような電気的に変形可能な物質でできている。
【０００３】
各ミラーから反射された光ビーム（以下、「反射光」とも称する）は、例えば、光バッフルの開口上に入射される。電気信号を各アクチュエータに印加される場合、入射光ビームに対する各ミラーの相対的な位置が変更されることによって、各ミラーからの反射光の光路が偏向される。各反射の光路が変更される場合、各ミラーから反射され開口を通過する光の量が変化されることによって光の強さが調節される。開口を通じて光量が調節された光は、投射レンズのような適切な光学装置を通じて投射スクリーン上へ伝送され、その上に像を表示することになる。
【０００４】
図１〜図７は、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の製造方法を説明するための過程を示した図である。ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。これに関する製造方法は、本特許出願と出願人を同じくする出願係属中の米国特許出願０８／４３０，６２８号明細書に、「ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭ  ＡＣＴＵＡＴＥＤ  ＭＩＲＲＯＲ  ＡＲＲＡＹ」との名称で開示されている。
【０００５】
このアレイ１００を製造するプロセスは、基板１２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず) 、Ｍ×Ｎ個の接続端子１４のアレイを有し、上面を有する能動マトリックス１０の準備から始まる。
【０００６】
次に、能動マトリックス１０の上面に薄膜犠牲層２４が形成される。その形成の際、薄膜犠牲層２４が金属から形成される場合には、スパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧ(phosphor-silicate glass) から成る場合には、スピンコーティングまたはＣＶＤ法を、多結晶シリコンから成る場合には、ＣＶＤ法を、各々用いて形成される。
【０００７】
その後、図１に示すように、薄膜犠牲層２４により取り囲まれるＭ×Ｎ個の支持部２２のアレイを有する支持層２０が形成されている。この支持層２０は薄膜犠牲層２４上にフォトリソグラフィー法を用いて、接続端子１４の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロット（図示せず) のアレイを形成する工程と、該各空スロットにスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて支持部２２を形成する工程とにより設けられる。この支持部２２は絶縁物質からなる。
【０００８】
続けて、図２に示すように、支持部２２と同一の絶縁物質からなる弾性層３０がゾル−ゲル法、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて支持層２０の上部に形成される。
【０００９】
しかるのち、金属からなるコンジット２６が各支持部２２に形成される。この前記コンジット２６は、まずエッチング法を用いて、弾性層３０の上部から接続端子１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔（図示せず) のアレイを形成する工程と、該各孔内に金属を満たす工程により形成される。
【００１０】
また、電導性第２薄膜層４０がスパッタリング法を用いてコンジット２６を内含する弾性層３０の上部に形成される。この第２薄膜層４０は、支持部２２に形成されたコンジット２６を通じて各トランジスタに電気的に接続されている。
【００１１】
その後、図３に示すように、例えば、ＰＺＴ(lead zirconium titanate) のような圧電物質からなる電気的に変形可能な薄膜層５０（以下、「変形可能層」とも称する）が、ゾル−ゲル法、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて第２薄膜層４０の上部に形成される。
【００１２】
続けて、図４に示すように、変形可能層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０がフォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて、支持層２０が露出されるまで各Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部５５（以下、「変形可能部」とも称する）のアレイ、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電極４５のアレイ及びＭ×Ｎ個の弾性部３５のアレイにパターニングされる。各第２薄膜電極４５の各々は、各支持部２２に形成されたコンジット２６を通じてトランジスタに電気的に連結されており、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１において信号電極として機能をする。
【００１３】
その次に、各変形可能部５５は、相転移を起こすように熱処理されて、Ｍ×Ｎ個の熱処理された構造（図示せず) のアレイを形成することになる。この熱処理された各変形可能部５５は十分に薄いため、圧電物質からなる場合には、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆動の際に、印加される電気信号により分極可能であるので、別に分極は要しない。
【００１４】
その後、電導性及び光反射性の物質からなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極６５のアレイが、Ｍ×Ｎ個の熱処理された構造のアレイにおける変形可能部５５の上部に形成される。この第１薄膜電極６５は、図５に示すように、露出された支持層２０を備えるＭ×Ｎ個の熱処理された構造のアレイの上部を完全に覆うように電導性及び光反射性の物質からなる層６０がスパッタリング法を用いて形成された後、エッチング法を用いて選択的に除去されることによって、図６に示すように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーの構造１１１のアレイ１１０が形成される。ここで、各アクチュエーテッドミラーの構造１１１は、上面及び４つの側面を有する。また、各第１薄膜電極６５は、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１でバイアス電極だけでなくミラーとしての役目を行う。
【００１５】
しかるのち、各アクチュエーテッドミラーの構造１１１の上面及び４つの側面が薄膜保護層（図示せず) で完全に取り囲まれる。
【００１６】
その後、支持層２０の薄膜犠牲層２４は湿式エッチング法により除去される。最後に、薄膜保護層が除去されて、図７に示すように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００を形成することになる。
【００１７】
しかしながら、上述したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法には多くの問題点がある。その中の一つは、従来方法により形成されたアレイ１００の全般的な光効率の低下である。アレイ１００の製造のために用意された能動マトリックス１０が、例えば、基板１２の上部に形成された突出式の接続端子１４により粗い上面を有するため、突起部分が各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１において弾性部３５、第２薄膜電極４５、変形可能部５５及び第１薄膜電極６５上に形成されて、図７に示すように、ミラーとしての機能をする第１薄膜電極６５が入射する光束を不規則的に反射する部分を形成することになる。その結果、アレイ１００における光効率の低下をもたらし、更に、その製造の際に準備された能動マトリックス１０の上面が粗いため、全般的な製造プロセス工程が難しくなる不都合がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の主な目的は、光投射システムに用いられ、改善された光効率を有するアレイを提供し得るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造する方法であって、
能動マトリックスを準備する第１過程と、
前記能動マトリックスの上部に、上面を有する不活性層を形成する第２過程と、
前記不活性層の上面を平坦化する第３過程と、
前記不活性層の平坦上面にエッチング防止層を形成する第４過程と、
前記エッチング防止層の上部に、空洞のアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５過程と、
各駆動構造が第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有する当該駆動構造のアレイを、前記空洞を有する前記薄膜犠牲層の上部に形成する第６過程と、
前記薄膜犠牲層を除去することによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する第７過程とを含むことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造する方法であって、
能動マトリックスを準備する第１過程と、
前記能動マトリックスの上部に、上面を有する不活性層を沈着する第２過程と、
前記不活性層の上面に平坦化層を形成する第３過程と、
前記平坦化層を除去すると共に、前記不非活性層の上面を平坦化する第４過程と、
前記不活性層の平坦上面上に、空洞のアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５過程と、
第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有する駆動構造のアレイを、前記空洞を有する前記薄膜犠牲層の上部に形成する第６過程と、
前記薄膜犠牲層を除去することによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する第７過程とを含むことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレイの製造装置。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。
図８〜図１３及び図１４〜図２０は、各々、本発明による光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の製造方法を説明する概略的な断面図を示す。ここで、Ｍ及びＮは正の整数であり、各図面中で図８〜図１３には、本発明の一実施例に基づくアレイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面図が示されている。同一の部分は同一の参照番号を付して示す。
【００２２】
このアレイ３００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず) のアレイ、Ｍ×Ｎ個の接続端子２１４のアレイ及び基板２１２を含む能動マトリックス２１０の準備から始まる。各接続端子２１４は、トランジスタのアレイで対応する各トランジスタに電気的に接続されている。能動マトリックス２１０は、例えば、基板２１２の上部に形成された接続端子２１４の存在により生じる粗い上面を有する。
【００２３】
次に、図８に示すように、例えばＰＳＧまたはＢＰＳＧ(boropohos phor-silicate glass）などのような絶縁性物質からなり、能動マトリックス２１０の粗い上面を覆う程度の厚さ、即ち、例えば２〜３μｍの厚さを有する不活性層２２０が、大気圧化学蒸着法（ＡＰＣＶＤ）などを用いて、能動マトリックス２１０の上部に形成される。この不活性層２２０は上面を有する。
【００２４】
しかるのち、図９に示すように、不活性層２２０の上面は、化学機械的ポリシング（ＣＭＰ）法を用いて平坦化される。
【００２５】
その後、図１０に示すように、例えば、窒化シリコンのような絶縁性物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有するエッチング防止層２３０が、低圧力ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ）またはプラズマエンハンスドＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）を用いて、不活性層２２０の平坦上面に形成される。
【００２６】
次に、０．１〜２μｍの厚さを有し、例えば、銅ＣｕまたはニッケルＮｉのようなメタル、ＰＳＧまたは多結晶シリコンからなる薄膜犠牲層２５０が、エッチング防止層２３０の上部に形成される。この薄膜犠牲層２５０は、金属から成る場合には、スパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧから形成される場合には、スピンコーティング法やＣＶＤ法を、多結晶シリコンから形成される場合には、ＣＶＤ法を、各々用いて形成される。
【００２７】
その次に、Ｍ×Ｎ個の空洞（図示せず) のアレイがエッチング法を用いて、各空洞が接続端子２１４の一つを取り囲むように薄膜犠牲層２５０上に形成される。
【００２８】
次に、絶縁性物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する弾性層２６０が、ＣＶＤ法を用いて、空洞を含む薄膜犠牲層２５０の上部に沈積される。
【００２９】
その後、金属からなるＭ×Ｎ個のコンジット２５５のアレイが弾性層２６０に形成される。このコンジット２５５の各々は、まずエッチング法を用いて、弾性層２６０の上部から接続端子２１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔（図示せず) のアレイを形成する工程と、例えば、リフト−オフ法（lift-off) を用いて該孔内に金属を満たす工程とにより形成される。
【００３０】
次に、電導性物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層２７０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いてコンジット２５５を含む弾性層２６０の上部に形成される。
【００３１】
また、圧電物質または電歪物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する電気的に変形可能な薄膜層２８０が、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法またはゾル−ゲル法を用いて第２薄膜層２７０の上部に形成される。その後、この変形可能な薄膜層２８０は相転移を起こすように熱処理される。
【００３２】
次に、図１１に示すように、電導性及び光反射性の物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜層２９０が、スパッタリングまたは真空蒸着法を用いて、変形可能な薄膜層２８０の上部に形成される。
【００３３】
その後、第１薄膜層２９０、変形可能な薄膜層２８０、第２薄膜層２７０及び弾性層２６０が、各々フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて、薄膜犠牲層２５０が露出されるまでパターニングされることによって、図１２に示すように、Ｍ×Ｎ個の駆動構造２００のアレイを形成することになる。この駆動構造２００の各々は第１薄膜電極２９５、変形可能な薄膜部２８５、第２薄膜電極２７５、弾性部２６５及びコンジット２５５を含む。第２薄膜電極２７５は、コンジット２５５を通じて接続端子２１４に電気的に接続されており、各駆動構造２００において信号電極としての機能をする。第１薄膜電極２９５は接地されており、各駆動構造２００で共通バイアス電極及びミラーとしての機能をする。
【００３４】
上記において、変形可能な薄膜部２８５が十分に薄いため、ミラー３０１の駆動の際、変形可能な薄膜部２８５が圧電物質からなる場合は、印加される電気信号により分極され得るため、別に分極する必要がない。
【００３５】
最後に、図１３に示すように、薄膜犠牲層２５０がエッチング法によって除去されることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完成することになる。
【００３６】
図１４〜図２０には、本発明の他の実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面図が示されている。
【００３７】
アレイ３００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず) のアレイ、Ｍ×Ｎ個の接続端子２１４のアレイ及び基板２１２を含む能動マトリックス２１０の準備から始まる。各接続端子２１４はトランジスタのアレイのうち、対応するトランジスタに電気的に接続されている。能動マトリックス２１０は、例えば、基板２１２の上部に形成された接続端子２１４の存在により生じる粗い上面を有する。
【００３８】
次に、例えば、ＰＳＧまたはＢＰＳＧのような絶縁性物質からなり、能動マトリックス２１０のアレイの粗い上面を覆う程度の厚さ、即ち、２〜３μｍの厚さを有する不活性層２２０が、ＣＶＤ法などを用いて、能動マトリックス２１０の上部に形成される。この不活性層２２０は上面を有する。
【００３９】
その後、図１４に示すように、不活性層２２０の上面に、乳酸エチルのような溶媒を用いるスピンコーティング法を用いて、アキュプロ(accuflo) のような粘性ポリマーを有する平坦化層２４０が形成される。
【００４０】
その後、図１５に示すように、ＣＭＰ法または、ＣＦ4 及びＯ2 プラズマを用いるプラズマエッチング法などのエッチバック法を用いて、平坦化層２４０が除去され、不活性層２２０の上面が平坦化される。その後、この平坦化層２４０の形成に用いられた溶媒は、ホットプレートベーキング法(hot plate baking method) を用いて９０〜１５０秒の間１５０〜２５０℃の範囲で蒸発させることによって除去される。
【００４１】
その後、図１６に示すように、窒化シリコンのような絶縁性物質からなり、０．１〜２μｍの厚さを有するエッチング防止層２３０が、低圧ＣＶＤまたはプラズマエンハンスドＣＶＤ法などを用いて、不活性層２２０の平坦上面に沈積される。
【００４２】
次に、図１７〜図２０の工程は、図１１〜図１３で述べられた本発明の一実施例による工程と同様に行われてることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完成することになる。
【００４３】
ここで、各薄膜アクチュエーテッドミラー３０１は、ユニモフ構造を有するが、本発明は付加的な電気的に変換可能なエレクトロディスプレーシブ層及び電極層の形成を有するバイモフ構造を有する薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造するのに適用することができることに注目されたい。
【００４４】
さらに、本発明の製造方法は、他の幾何学的構造を有する薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造するように変形され得る。
【００４５】
上記において、本発明の特定の実施例について説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ることは勿論である。
【００４６】
【発明の効果】
従って、本発明によれば、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の製造方法において、各駆動構造２００を構成する薄膜層が不活性層２２０の平坦化上面上に形成されるため、各駆動構造２００を構成する薄膜層は平滑に形成され、またミラーとしての機能をする第１薄膜電極２９５が平滑な上面を有するようすることによって、アレイ３００の全般的な駆動特性及び光効率を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を示す断面図である。
【図２】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図３】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図４】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図５】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図６】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図７】同じく、その製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施例による光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図９】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１０】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１１】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１２】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１３】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１４】本発明の他の実施例による光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１５】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１６】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１７】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１８】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図１９】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【図２０】同じく、その製造方法を説明する概略的な断面図である。
【符号の説明】
２１０  能動マトリックス
２１２  基板
２１４  接続端子
２２０  不活性層
２３０  エッチング防止層
２４０  平坦化層
２５０  薄膜犠牲層
２５５  コンジット
２６０  弾性層
２６５  弾性部
２７０  第２薄膜層
２７５  第２薄膜電極
２８０  変形可能層
２８５  変形可能部
２９０  第１薄膜層
２９５  第１薄膜電極
２００  駆動構造
３００  薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
３０１  薄膜アクチュエーテッドミラー
【図１】
0003764540.tif 000002
【図２】
0003764540.tif 000003
【図３】
0003764540.tif 000004
【図４】
0003764540.tif 000005
【図５】
0003764540.tif 000006
【図６】
0003764540.tif 000007
【図７】
0003764540.tif 000008
【図８】
0003764540.tif 000009
【図９】
0003764540.tif 000010
【図１０】
0003764540.tif 000011
【図１１】
0003764540.tif 000012
【図１２】
0003764540.tif 000013
【図１３】
0003764540.tif 000014
【図１４】
0003764540.tif 000015
【図１５】
0003764540.tif 000016
【図１６】
0003764540.tif 000017
【図１７】
0003764540.tif 000018
【図１８】
0003764540.tif 000019
【図１９】
0003764540.tif 000020
【図２０】
0003764540.tif 000021