(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基板上に互いに交差するように形成されたゲートライン及びソースラインと、該ゲートライン及びソースラインに接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され該層間絶縁膜のコンタクトホールによって前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する液晶表示装置において、
樹脂材料からなる前記層間絶縁膜がラビング処理されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
透明絶縁性基板上に互いに交差するように形成されたゲートライン及びソースラインと、該ゲートライン及びソースラインに接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され該層間絶縁膜のコンタクトホールによって前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、
樹脂材料からなる前記層間絶縁膜を形成した後に前記層間絶縁膜をラビング処理する工程と、前記層間絶縁膜のコンタクホール上に画素電極を形成しドレイン電極と画素電極を電気的に接続する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、層間絶縁膜を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力、軽量といった特徴を持ち各種電子機器に広く用いられるようになっている。特にスイッチング素子を能動素子として有するアクティブマトリクス型液晶表示装置はＣＲＴと同等の表示特性が得られるためパソコン等のＯＡ機種、携帯テレビ等のＡＶ機種に広く応用されている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置の具体例を図２を用いて説明する。
ＴＦＴ基板は、ガラス基板等からなる透明絶縁性基板２上に、ソースバスライン３、ドレイン電極４、図示しないゲートバスライン及びＴＦＴを形成した後、層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５にコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜５上に画素電極６を形成することによりドレイン電極４と画素電極６が電気的に接続される。さらにその表面を覆うように配向膜７を形成した後、配向膜７をラビング処理する。
【０００４】
対向基板となる透明絶縁性基板１１上に透明電極１０を形成し、透明電極上に配向膜９を形成した後、配向膜９をラビング処理する。
液晶８を上記ＴＦＴ基板と対向基板の間に封入する。
その後、偏光板１および偏光板１２を設けることにより液晶表示装置が完成する。カラー表示する場合には対向基板１１側にカラーフィルタを設ける。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図２に示す液晶表示装置では、液晶表示装置に注入された液晶を配向させるためには、ラビング処理された配向膜７および配向膜９を液晶に接するように設ける必要があった。
【０００６】
従って、ＴＦＴ基板の製造の最後に配向膜を設ける工程が必要なため、配向膜の形成によって不良品が発生したり、配向膜を形成するための工程が必要なため液晶表示装置の製造に時間がかかってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、透明絶縁性基板上に互いに交差するように形成されたゲートライン及びソースラインと、該ゲートライン及びソースラインに接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され該層間絶縁膜のコンタクトホールによって前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する液晶表示装置において、樹脂材料からなる前記層間絶縁膜がラビング処理されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、透明絶縁性基板上に互いに交差するように形成されたゲートライン及びソースラインと、該ゲートライン及びソースラインに接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され該層間絶縁膜のコンタクトホールによって前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、樹脂材料からなる前記層間絶縁膜を形成した後に前記層間絶縁膜をラビング処理する工程と、前記層間絶縁膜のコンタクホール上に画素電極を形成しドレイン電極と画素電極を電気的に接続する工程を有する。
【０００９】
以下に本発明による作用について説明する。
樹脂材料からなる層間絶縁膜をラビング材によりラビング処理を行うことにより、層間絶縁膜上に画素電極が形成されても液晶の配向制御が可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１に本実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。
液晶表示装置は、偏光板１と、透明絶縁性基板２と、透明絶縁性基板２上に設けられたソースバスライン３とドレイン電極４と図示しないＴＦＴ及びゲートバスラインと、ソースバスライン３等の上に形成された層間絶縁膜５と、ドレイン電極４にコンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極６と、液晶８と、配向膜９と、透明電極１０と、透明絶縁性基板１１と、偏光板１２が設けられている。
【００１１】
ゲートバスラインとソースバスライン３は図示しないゲート絶縁膜を介して交差するように形成されている。
画素電極６と透明電極１０の間に電圧をかけ、液晶８の配向状態を変化させることにより表示を行う。
樹脂材料からなる層間絶縁膜５はラビング処理されており、液晶８の配向状態が制御される。
【００１２】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法を以下に説明する。
透明絶縁性基板２上にゲートバスライン３、ドレイン電極４及び図示しないＴＦＴとソースバスラインとを形成した後に、透明絶縁性基板の全面に層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５をラビング材を用いてラビング処理を行う。
【００１３】
層間絶縁膜５をラビング処理することにより、層間絶縁膜５が配向膜として機能する。
次に、ドレイン電極４上の層間絶縁膜５にコンタクトホールを形成した後、画素電極６を形成する。ドレイン電極４と画素電極６はコンタクトホール部で電気的に接続されている。
透明絶縁性基板２に対向する透明絶縁性基板１１に透明電極１０と、配向膜９を形成し、配向膜９にラビング処理を行う。
【００１４】
透明絶縁性基板２と透明絶縁性基板１１の間に液晶８を封入し、透明絶縁性基板２及び透明絶縁性基板１１の外側に偏光板１および偏光板１２を形成する。
【００１５】
本実施形態の液晶表示装置では、ラビング処理された層間絶縁膜５上に画素電極６を形成しても、プレチルト角３°で液晶８の配向制御が十分に行えることが確認された。
このように、樹脂材料からなる層間絶縁膜を配向膜として利用することにより、図２の液晶表示装置に示す配向膜７を設けなくても配向処理ができ、工程及び材料削減によるコストダウンが可能となる。
【００１６】
【発明の効果】
本発明は、薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置において、薄膜トランジスタのドレイン電極と画素電極の間に介在された樹脂材料の層間絶縁膜を液晶の配向を制御する配向膜として利用することができる。
【００１７】
よって、従来設置されていた２枚の配向膜のうち薄膜トランジスタを有する基板上の配向膜を省略することができ、工程削減によるコストダウン及び配向膜を形成する場合に発生する不良を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図２】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１      偏光板
２      透明絶縁性基板
３      ソースバスライン
４      ドレイン電極
５      層間絶縁膜
６      画素電極
７      配向膜
８      液晶
９      配向膜
１０      透明電極
１１      透明絶縁性基板
１２      偏光板
【図１】
0003841951.tif 000002
【図２】
0003841951.tif 000003