(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、
同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器の内部で基板を処理する基板処理方法において、
前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち、前記基板が前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入される期間と前記反応容器の内部から搬出される期間、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法。
【請求項２】
反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、
同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、
前記反応容器の内部から搬出されている前記ボートに前記所定の処理を施す前の基板を保持させる基板チャージ工程と、
前記基板チャージ工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入するボートロード工程と、
前記ボートロード工程が終了した後、前記反応容器の内部を真空引きする真空引き工程と、
前記真空引き工程が終了した後、前記ボートに保持された基板に前記所定の処理を施す基板処理工程と
を備え、
前記ボートロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、
同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、
前記反応容器の内部で前記ボートに保持された基板に前記所定の処理を施す基板処理工程が終了した後、前記反応容器の内部の圧力を大気圧に戻す大気戻し工程と、
前記大気戻し工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部から搬出するボートアンロード工程と、
前記ボートアンロード工程が終了した後、前記ボートから前記基板を取り出す基板ディスチャージ工程と
を備え、
前記ボートアンロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法。
【請求項４】
反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、
同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、
前記反応容器の内部から搬出されている前記ボートに前記所定の処理を施す前の基板を保持させる基板チャージ工程と、
前記基板チャージ工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入するボートロード工程と、
前記ボートロード工程が終了した後、前記反応容器の内部を真空引きする真空引き工程と、
前記真空引き工程が終了した後、前記基板に前記所定の処理を施す基板処理工程と、
前記基板処理工程が終了した後、前記反応容器の内部の圧力を大気圧に戻す大気戻し工程と、
前記大気戻し工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部から搬出するボートアンロード工程と、
前記ボートアンロード工程が終了した後、前記ボートから前記基板を取り出す基板ディスチャージ工程と
を備え、
前記ボートロード工程の間、及び前記ボートアンロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。ここで、反応容器としては、例えば、２重構造の反応容器が用いられる。また、所定の処理としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理が用いられる。このＣＶＤ処理としては、例えば、熱ＣＶＤ処理やプラズマＣＶＤ処理が用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスを製造するためには、ウェーハの表面に所定の薄膜を形成する成膜装置が必要になる。
【０００３】
この成膜装置としては、密閉された反応空間で化学反応を使って成膜処理を行うＣＶＤ装置がある。
【０００４】
このＣＶＤ装置としては、一度に複数のウェーハの表面に所定の薄膜を形成するバッチ式のＣＶＤ装置がある。
【０００５】
このバッチ式のＣＶＤ装置としては、成膜すべき複数のウェーハを水平方向に重ねるようにして鉛直方向に配設する縦型のＣＶＤ装置がある。
【０００６】
この縦型のＣＶＤ装置では、密閉された反応空間を形成するための反応容器として、例えば、アウタチューブとインナチューブとを有する２重構造の反応炉が用いられる。
【０００７】
反応容器として２重構造の反応炉を用いる縦型のＣＶＤ装置では、ウェーハの搬入搬出口は、通常、反応炉の下端部に設けられる。また、このＣＶＤ装置では、通常、成膜処理用の反応ガス等は、反応炉の下端部から供給され、反応炉の内部の雰囲気は、反応炉の上端部からアウタチューブとインナチューブとの間の空間を介して排出される。
【０００８】
図１３は、上述した２重構造の反応炉を有する従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を示す側断面図である。以下、この従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を説明する。なお、以下の説明では、この縦型ＣＶＤ装置が減圧ＣＶＤ装置であるものとして説明する。
【０００９】
図示の縦型ＣＶＤ装置１００は、反応室１ａの内部（反応空間）で化学反応を使ってウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成する反応系１１０と、反応室１ａの内部にウェーハＷを搬入したり、反応室１ａの内部からウェーハＷを搬出する搬送系１２０と、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給するガス供給系１３０と、反応室１ａの内部を真空排気する排気系１４０とを有する。
【００１０】
ここで、アフタパージ処理とは、成膜処理が終了した後、反応室１ａの内部に不活性ガスを供給するとともに、反応室１ａを真空排気することにより、反応室１ａの内部の雰囲気を不活性ガスでパージする処理をいう。また、大気戻し処理とは、アフタパージ処理が終了した後、真空排気処理を停止して、反応室１ａに不活性ガスを供給することにより、反応室１ａの圧力を大気圧に戻す処理をいう。この大気戻し処理は、反応室１ａの内部からウェーハＷを排出するための準備処理である。
【００１１】
反応系１１０は、反応室１ａを形成するための反応炉１１１を有する。この反応炉１１１は、アウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとを有する２重構造の反応炉として構成されている。この反応炉１１１の下端部には、ウェーハＷの搬入及び搬出を行うための炉口２ａが設けられている。
【００１２】
ガス供給系１３０は、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給するためのガス供給ノズル１３１を有する。このガス供給ノズル１３１のガス吹出し口４ａは、炉口２ａ付近に設けられている。
【００１３】
排気系１４０は、主排気処理を行うための主排気ライン１４１と、過加圧防止処理を行うための過加圧防止ライン１４２と、スロー排気処理を行うためのバイパスライン１４３とを有する。
【００１４】
ここで、主排気処理とは、排気コンダクタンスを大きくすることにより、反応室１ａを高速で真空排気する真空排気処理をいう。また、過加圧防止処理とは、アフタパージ処理が終了した後の大気戻し処理において、反応室１ａの圧力が大気圧を越えてしまうのを防止するための真空排気処理をいう。また、スロー排気処理とは、排気コンダクタンスを小さくすることにより、反応室１ａを低速で真空排気する真空排気処理をいう。
【００１５】
排気系１４０の雰囲気排出口５ａは、反応炉１１１の下端部からアウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとの間の空間３ａを介して反応室１ａの内部の雰囲気を排出するような位置に設定されている。
【００１６】
上記構成においては、成膜処理を行う場合、まず、成膜すべきウェーハＷが基板搬送系１２０によって反応室１ａの内部に搬入される。この搬入処理が終了すると、反応室１ａがバイパスライン１４３によってスロー排気される。この場合、反応室１ａの内部の雰囲気は、反応炉１１１の上端部からアウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとの間の空間３ａを介して排出される。
【００１７】
この真空排気処理により、反応室１ａの真空度が所定の真空度になると、成膜処理用の反応ガスがガス供給系１３０によって炉口２ａ付近に供給される。また、反応室１ａが主排気ライン１４１により主排気される。これにより、反応ガスが反応炉１１１の下端部（ガス供給側）から上端部（排気側）に流れ、反応室１ａの内部に分散される。その結果、ウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成される。また、未反応ガス（反応に関与しなかった反応ガス）や反応副生成物の蒸気は、反応炉１１１の上端部から空間３ａを介して排出される。
【００１８】
ウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成されると、不活性ガスがガス供給系１３０によって反応室１ａに供給される。このとき、主排気ライン１４１による主排気処理は、そのまま継続される。これにより、反応室１ａの雰囲気が不活性ガスでパージされる。このアフタパージ処理が終了すると、主排気処理が停止され、不活性ガスの供給処理だけが続けられる。これにより、反応室１ａの内部の圧力が上昇する。
【００１９】
反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えると、過加圧防止ライン１４２により反応室１ａが真空排気される。これにより、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に保持される。このあと、所定のタイミングで、不活性ガスの供給処理と過加圧防止処理とが停止され、成膜の済んだウェーハＷが反応室１ａの内部から搬出される。
【００２０】
以上が、反応炉として２重構造の反応炉１１１を有する従来の縦型ＣＶＤ装置の構成である。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような構成の従来の縦型ＣＶＤ装置１００では、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、この炉口２ａを介して反応室１ａの内部に外気が侵入するとともに、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流する。これにより、この縦型ＣＶＤ装置１００には、次のような４つの問題があった。
【００２２】
（１）第１の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって反応室１ａの内部が汚染されてしまうという問題である。
【００２３】
（２）第２の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって反応室１ａの内部にパーティクルが発生するという問題である。
【００２４】
すなわち、反応室１ａの内部には、アフタパージ処理を実行しても、微量の未反応ガスが残留する。この未反応ガスは、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、この外気に含まれる水蒸気と混じる。これにより、反応室１ａの内部に汚染物質が発生する。この汚染物質はパーティクルとして作用する。これにより、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、反応室１ａの内部にパーティクルが発生してしまうわけである。
【００２５】
（３）第３の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって、成膜時、ウェーハＷの表面にヘイズ（曇り）を生じるという問題である。
【００２６】
すなわち、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、炉口２ａ付近の内壁に付着した反応副生成物から発生するベイパ（脱ガス）が反応室１ａの内部に逆流する。これにより、成膜時、このベイパによってウェーハＷの表面にヘイズが発生する。
【００２７】
（４）第４の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流することによって反応室１ａの内部が汚染されてしまうという問題である。
【００２８】
すなわち、未反応ガスまたは反応副生成物の蒸気は、排気系１４０の雰囲気排出路を介して排出される際、温度の低い部分に接触すると固化する。この固化したガスは、雰囲気排出路の内部の金属面や石英部材に反応副生成物として付着する。この反応副生成物は、付着量が多くなると、剥がれてパーティクルになることがある。
【００２９】
これにより、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流すると、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部にパーティクルが流れ込む。その結果、反応室１ａの内部が汚染されてしまう。
【００３０】
そこで、本発明は、反応室の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間、反応室の内部への外気の侵入と気相の逆流とを抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために第１の発明の基板処理装置は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から外側筒状体と内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる装置において、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、外側筒状体と内側筒状体との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、基板処理用の雰囲気排出路を使って反応容器の内部の雰囲気を排出する雰囲気排出手段とを備えたことを特徴とする。
【００３２】
この第１の発明の基板処理装置では、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、不活性ガスが不活性ガス供給手段によって外側筒状体と内側筒状体との間の空間に供給される。これにより、未反応ガス等の排出側から反応容器の内部に不活性ガスが供給される。言い換えれば、基板搬入搬出口とは反対側から反応容器の内部に不活性ガスが供給される。その結果、反応容器の内部への外気の侵入が抑制される。
【００３３】
また、この期間、反応容器の内部の雰囲気が雰囲気排出手段により基板処理用の雰囲気排出路を介して排出される。これにより、基板処理用の雰囲気排出路から反応容器の内部への気相の逆流が抑制される。
【００３４】
第２の発明の基板処理装置は、第２の装置において、予め定めた期間が基板搬入搬出口を介して基板の搬入及び搬出が行われる期間であることを特徴とする。
【００３５】
この第２の発明の基板処理装置では、不活性ガスの供給と反応容器の内部の雰囲気の排出とは、反応容器の内部に処理すべき基板を搬入する期間と、反応容器の内部から処理の済んだ基板を搬出する期間とに行われる。これにより、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間に常時不活性ガスの供給と雰囲気の排出とを行う構成に比べ、不活性ガスの消費量を減らすことができる。また、雰囲気排出路に設けられているＯリングとして、耐熱性の高い高価なものではなく、通常のものを用いることができる。これにより、Ｏリングをメンテナンスで交換する場合のランニングコストを低減することができる。
【００３６】
第３の発明の基板処理装置は、第１の発明または第２の発明の装置において、雰囲気排出手段がスロー排気処理によって反応容器の内部の雰囲気を排出するように構成されていることを特徴とする。
【００３７】
この第３の発明の基板処理装置では、反応容器の内部の雰囲気は、スロー排気処理によって排出される。これにより、反応容器の内部の雰囲気の排出による反応容器の内部の圧力変動を抑制することができる。その結果、この圧力変動により、外側筒状体や内側筒状体に堆積した膜が剥がれたり、雰囲気排出路の内部や基板搬入搬出口付近の内部に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。
【００３８】
第４の発明の基板処理装置では、第１の発明，第２の発明または第３の発明の装置において、不活性ガス供給手段により供給される不活性ガスの流量が雰囲気排出手段により排出される雰囲気の流量より多くなるように設定されていることを特徴とする。
【００３９】
この第４の発明の基板処理装置では、不活性ガスの流量が雰囲気の流量より多くなるように設定されているため、反応容器の内部の圧力が陽圧に設定される。これにより、不活性ガスの流量が雰囲気の流量と同じかまたは少ない場合より、反応容器の内部への外気の侵入を抑制する効果を高めることができる。
【００４０】
第５の発明の板処理装置は、第１の発明，第２の発明，第３の発明または第４の発明の装置において、不活性ガス供給手段のガス供給口が、外側反応容器と内側反応容器との間の空間に面する反応容器の内壁のうち、基板処理用の雰囲気排出口付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に設けられていることを特徴とする。
【００４１】
この第５の発明の基板処理装置では、不活性ガス供給手段のガス供給口が、基板処理用の雰囲気排出口付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に設けられているので、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００４２】
第６の発明の基板処理装置は、第１の発明，第２の発明，第３の発明，第４の発明または第５の発明の装置において、反応容器の内部に搬入された基板を加熱するための加熱手段を有し、不活性ガス供給手段のガス供給口がこの加熱手段により加熱される位置に設けられていることを特徴とする。
【００４３】
この第６の発明の基板処理装置では、ガス供給手段のガス供給口が加熱手段によって加熱される位置に設けられているので、このガス供給口を外側筒状体と内側筒状体との間の内壁のうち反応副生成物が存在しないような位置に設けることができる。これにより、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００４４】
第７の発明の基板処理装置は、第１の発明，第２の発明，第３の発明，第４の発明，第５の発明または第６の発明の装置において、不活性ガス供給手段のガス供給口が複数設けられていることを特徴とする。
【００４５】
この第７の発明の基板処理装置では、ガス供給口が複数設けられるので、不活性ガスの流速を抑えることができる。また、ガス供給口の位置、向き、大きさのうち、少なくとも１つを複数のガス供給口間で適宜異ならせることができる。
【００４６】
以上から、この第７の発明の基板処理装置では、外側筒状体と内側筒状体との間の空間で不活性ガスの対流が発生することを抑制することができる。これにより、不活性ガスの対流による反応副生成物の巻上げを抑制することができる。その結果、不活性ガスの対流によるパーティクルの増大を抑制することができる。
【００４７】
また、このような構成によれば、外側筒状体と内側筒状体との間の空間全体に不活性ガスを供給することができるので、反応容器の内部全体に不活性ガスを供給することができる。これにより、基板搬入搬出口からの外気の侵入を効果的に抑制することができる。
【００４８】
第８の発明の基板処理装置は、第７の発明の装置において、複数のガス供給口が、内側筒状体の周囲に沿って分散的に設けられるとともに、それぞれのガス供給方向がいずれも反応容器の他端部側に向かうように設定されていることを特徴とする。
【００４９】
この第８の発明の基板処理装置では、複数のガス供給口が内側筒状体の周囲に沿って分散的に設けられるとともに、それぞれのガス供給方向が反応容器の他端部側に向かうように設定されているので、不活性ガスの対流の発生を抑制することができるとともに、外側筒状体と内側筒状体との間の空間全体に不活性ガスを供給することができる。
【００５０】
第９の発明の基板処理装置では、第１の発明，第２の発明，第３の発明，第４の発明，第５の発明，第６の発明，第７の発明または第８の発明の装置において、不活性ガス供給手段が反応容器の内部に供給される不活性ガスの流量を制御可能なように構成され、雰囲気排出手段が反応容器の内部から排出される雰囲気の流量を制御可能なように構成されていることを特徴とする。
【００５１】
この第９の発明の基板処理装置では、不活性ガスの流量と雰囲気の流量とを制御可能なので、これらの流量として、外気の侵入と気相の逆流とを効果的に抑制可能な流量を設定することができる。
【００５２】
第１０の発明の基板処理装置は、第９の発明の装置において、雰囲気排出手段が、反応容器の内部の雰囲気を排出する排出手段と、この排出手段により排出される雰囲気の流量を検出する検出手段と、この検出手段により検出された流量が予め定めた値となるように排出手段によって排出される雰囲気の流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【００５３】
この第１０の発明の基板処理装置では、排出手段によって排出される雰囲気の流量が検出手段により検出される。そして、この検出手段により検出された流量が予め定めた流量となるように、排出手段により排出される雰囲気の流量が制御手段によって制御される。
【００５４】
これにより、排出手段により排出される雰囲気の流量が予め定めた流量になるように自動的に制御される。その結果、排出手段によって排出される雰囲気の流量を予め定めた値に設定した後、この流量を変化させるような要因が発生したとしても、この変化を抑制することができる。
【００５５】
第１１の発明の基板処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から外側筒状体と内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる方法において、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、外側筒状体と内側筒状体との間に不活性ガスを供給するとともに、基板処理用の雰囲気排出路を使って反応容器の内部の雰囲気を排出することを特徴とする。
【００５６】
この第１１の発明の基板処理方法でも、第１の発明の基板処理装置と同様に、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、不活性ガスが外側筒状体と内側筒状体との間の空間に供給されるとともに、反応容器の内部の雰囲気が基板処理用の雰囲気排出路を介して排出される。これにより、反応容器の内部への外気の侵入と、基板処理用の雰囲気排出路から反応容器の内部への気相の逆流とを抑制することができる。
また、本発明の基板処理方法は、次の第１２〜第１５の発明のように構成してもよい。
第１２の発明の基板処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器の内部で基板を処理する基板処理方法において、前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち、前記基板が前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入される期間と前記反応容器の内部から搬出される期間、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法である。
第１３の発明の基板処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、前記反応容器の内部から搬出されている前記ボートに前記所定の処理を施す前の基板を保持させる基板チャージ工程と、前記基板チャージ工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入するボートロード工程と、前記ボートロード工程が終了した後、前記反応容器の内部を真空引きする真空引き工程と、前記真空引き工程が終了した後、前記ボートに保持された基板に前記所定の処理を施す基板処理工程とを備え、前記ボートロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出することを特徴とする基板処理方法である。
第１４の発明の基板処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、前記反応容器の内部で前記ボートに保持された基板に前記所定の処理を施す基板処理工程が終了した後、前記反応容器の内部の圧力を大気圧に戻す大気戻し工程と、前記大気戻し工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部から搬出するボートアンロード工程と、前記ボートアンロード工程が終了した後、前記ボートから前記基板を取り出す基板ディスチャージ工程とを備え、前記ボートアンロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法である。
第１５の発明の基板処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す方法であって、同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが導入され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の雰囲気が排出される反応容器と、基板を保持し、前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入、及び、前記反応容器の内部から搬出されるボートとを備えた基板処理装置を使って基板に所定の処理を施す基板処理方法において、前記反応容器の内部から搬出されている前記ボートに前記所定の処理を施す前の基板を保持させる基板チャージ工程と、前記基板チャージ工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部に搬入するボートロード工程と、前記ボートロード工程が終了した後、前記反応容器の内部を真空引きする真空引き工程と、前記真空引き工程が終了した後、前記基板に前記所定の処理を施す基板処理工程と、前記基板処理工程が終了した後、前記反応容器の内部の圧力を大気圧に戻す大気戻し工程と、前記大気戻し工程が終了した後、前記ボートを前記基板搬入搬出口を介して前記反応容器の内部から搬出するボートアンロード工程と、前記ボートアンロード工程が終了した後、前記ボートから前記基板を取り出す基板ディスチャージ工程とを備え、前記ボートロード工程の間、及び前記ボートアンロード工程の間に、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に、前記雰囲気排出路を介して排出される雰囲気の流量よりも多い流量の不活性ガスを供給しつつ、Ｏリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を介して前記反応容器の内部の雰囲気を排出する基板処理方法である。
【００５７】
第１６の発明の基板処理装置は、一端部に基板搬入搬出口が設けられた筒状の反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置において、反応容器の周囲に配設され、基板搬入搬出口を介して反応容器の内部に搬入された基板を加熱する加熱手段と、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、反応容器の他端部側であって加熱手段によって加熱されるような位置から反応容器の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、スロー排気処理によって真空排気処理を行う基板処理用の雰囲気排出路を使って反応容器の内部の雰囲気を排出する雰囲気排出手段とを備えたことを特徴とする。
【００５８】
この第１６の発明の基板処理装置では、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、不活性ガス供給手段によって、反応容器の他端部側であって加熱手段によって加熱されるような位置から反応容器の内部に不活性ガスが供給される。これにより、基板搬入搬出口側とは反対側から反応容器の内部に不活性ガスが供給される。その結果、反応容器の内部への外気の侵入が抑制される。
【００５９】
また、この期間、反応容器の内部の雰囲気が雰囲気排出手段によって基板処理用の雰囲気排出路を介して排出される。これにより、基板処理用の雰囲気排出路から反応容器の内部への気相の逆流が抑制される。
【００６０】
また、この第１６の発明の基板処理装置では、雰囲気排出手段によって反応容器の内部の雰囲気を排出する場合、スロー排気処理によって排出される。これにより、排気処理の開始時、排気処理によって反応容器の内部の圧力が変動するのを抑制することができる。その結果、この圧力変動によって、反応容器の内部に堆積した膜が剥がれたり、雰囲気排出路の内部や基板搬入搬出口付近の内部に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。
【００６１】
また、この第１６の発明の基板処理装置では、反応容器の内部に不活性ガスを供給する場合、この不活性ガスは、反応容器の他端部側であって加熱手段によって加熱されるような位置から供給される。これにより、この不活性ガスを反応副生成物が存在しないような位置から供給することができる。その結果、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００６２】
なお、この第１６の発明の基板処理装置は、２重構造の反応容器を有する基板処理装置だけでなく、１重構造の反応容器を有する基板処理装置にも適用することができる。
【００６３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００６４】
［１］第１の実施の形態［１−１］構成
図１は、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図１には、本発明に係る基板処理装置を反応炉（反応容器）として２重構造の反応炉を有する縦型ＣＶＤ装置に適用した場合を代表として示す。また、以下の説明では、図示の縦型ＣＶＤ装置が減圧ＣＶＤ装置であるものとして説明する。
【００６５】
図示の縦型ＣＶＤ装置において、従来の縦型ＣＶＤ装置と異なる主な点は、第２のガス供給系２４０と第２のバイパスライン２６４とが追加されている点である。
【００６６】
すなわち、図示の縦型ＣＶＤ装置２００は、反応室１ａの内部で化学反応を使ってウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成する反応系２１０と、反応室１ａの内部に成膜すべきウェーハＷを搬入したり、反応室１ａの内部から成膜の済んだウェーハＷを搬出する搬送系２２０と、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給する第１のガス供給系２３０と、反応室１ａにバックパージ処理用の不活性ガスを供給する第２のガス供給系２４０と、反応室１ａを真空排気する排気系２６０とを有する。
【００６７】
ここで、バックパージ処理とは、反応室１ａが炉口（ウェーハ搬入搬出口）２ａを介して外部に開放されている状態において、反応室１ａの上端部側から反応室１ａの内部に不活性ガスを流すことにより、反応室１ａの内部に外気が侵入するのを防止する処理をいう。すなわち、成膜処理用の反応ガス等の排出側から反応室１ａの内部に不活性ガスを供給することにより、反応室１ａの内部に外気が侵入するのを防止する処理をいう。
【００６８】
なお、本実施の形態では、このバックパージ処理は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、成膜すべきウェーハＷを反応室１ａの内部に搬入するウェーハ搬入期間と、成膜の済んだウェーハＷを反応室１ａの内部から搬出するウェーハ搬出期間とに行われる。言い換えれば、後述するボート２２１を反応室１ａにロードするボートロード期間と、このボート２２１を反応室１ａからアンロードするボートアンロード期間とに行われる。
【００６９】
反応系２１０は、反応室１ａを形成するための反応炉２１１を有する。この反応炉２１１は、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとを有する２重構造の反応炉として構成されている。
【００７０】
すなわち、アウタチューブ１Ａは、上端部が円弧状の壁４ａによって閉塞され、他端部が開放された円筒状に形成されている。このアウタチューブ１Ａは、円筒状の炉口フランジ３Ａの上端部に載置されている。インナチューブ２Ａは、上端部と下端部が開放された円筒状に形成されている。このインナチューブ１Ａは、アウタチューブ１Ａの内部に、このアウタチューブ２Ａとほぼ同軸的に配設されている。また、このインナチューブ１Ａは、リング状の鍔４Ａの上に載置されている。この鍔４Ａは、炉口フランジ３Ａの内壁に形成されている。炉口２ａは、反応炉２１１の下端部に形成されている。
【００７１】
反応炉２１１の周囲には、反応室１ａの内部に搬入されたウェーハＷを加熱するためのヒータ２１２が設けられている。
【００７２】
上記搬送系２２０は、成膜すべきウェーハＷを保持するためのボート２２１を有する。このボート２２１は、ボートキャップ２２２を介して炉口キャップ２２３の上に載置されている。この炉口キャップ２２３は、成膜処理時に炉口２ａを封止する機能を有する。また、この炉口キャップ２２３は、図示しないボートエレベータにより昇降駆動されるようになっている。成膜すべき複数のウェーハＷは、鉛直方向に水平に重ねるように、ボート２２１に収容されている。
【００７３】
上記第１のガス供給系２３０は、成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを反応室１ａの内部に供給するためのガス供給ノズル２３１を有する。このガス供給ノズル２３１の先端部１Ｂは、鍔４Ａの下方において、例えば、炉口フランジ３Ａを通して鍔４Ａの内縁付近まで延在されている。この先端部１Ｂには、ガス吹出し口（ガス供給口）１ｂが形成されている。このガス吹出し口１ｂのガス吹出し方向は水平方向に設定されている。
【００７４】
上記第２のガス供給系２４０は、反応室１ａにバックパージ処理用の不活性ガスを供給する不活性ガス供給配管２４１を有する。この不活性ガス供給配管２４１の先端部１Ｃは、鍔４Ａの上方において、炉口フランジ３Ａを通して、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに導かれている。この場合、この先端部１Ｃは、例えば、インナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されている。この先端部１Ｃには、ガス吹出し口１ｃが形成されている。このガス吹出し口１ｃは、図２に示すように、１つだけ設けられている。また、このガス吹出し口１ｃのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。
【００７５】
ガス吹出し口１ｃが空間３ａに設定されることにより、バックパージ処理用の不活性ガスは、反応炉２１１の上端部側（成膜処理用の反応ガス等の排出側）から反応室１ａの内部に供給されることになる。言い換えれば、この不活性ガスは、炉口２ａとは反対側から反応室１ａの内部に供給されることになる。
【００７６】
また、このガス吹出し口１ｃがインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されることにより、このガス吹出し口１ｃは、空間３ａに面する反応室１ａの内壁のうち、排気系２６０の雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に位置決めされる。また、このガス吹出し口１ｃがインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されることにより、このガス吹出し口１は、反応副生成物が付着しないような位置に位置決めされる。これは、このような部分は、ヒータ２１２により加熱されることにより、反応副生成物が付着しないような高温に維持されるからである。
【００７７】
不活性ガス供給配管２４１には、ハンドバルブ２４２と、レギュレータ２４３と、逆止弁２４４と、第１のフィルタ２４５と、仕切弁２４６と、マスフローコントローラ２４７と、第２のフィルタ２４８とが上流から順次挿入されている。また、この不活性ガス供給配管２４１には、それぞれ第１分岐配管２４９と第２の分岐配管２５０とを介して圧力計２５１と圧力スイッチ２５２とが接続されている。この接続位置は、不活性ガス供給配管２４１に対するレギュレータ２４３の挿入位置と逆止弁２４４の挿入位置との間に設定されている。
【００７８】
なお、この第２のガス供給系２４０により供給される不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が用いられる。
【００７９】
上記排気系２６０は、主排気処理を行うための主排気ライン２６１と、過加圧防止処理を行うための過加圧防止ライン２６２と、スロー排気処理を行うための第１のバイパスライン２６３と、同じくスロー排気処理を行うための第２のバイパスライン２６４とを有する。
【００８０】
ここで、第１のバイパスライン２６３によるスロー排気処理は、ボートロード処理後の真空排気処理（真空引き処理）の開始時に実行される。これに対し、第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理は、ボートロード期間とボートアンロード期間とに実行される。
【００８１】
なお、ボートロード処理後の真空排気処理の開始時に、真空排気処理として、スロー排気処理を用いる目的としては、次の２つがある。第１の目的は、ボート２２１やウェーハＷが反応室１ａの内部の圧力変動によって発生する気流によって飛ばされ、破損するのを防止するところにある。第２の目的は、この気流によってパーティクルが発生するのを抑制するところにある。
【００８２】
すなわち、反応室１ａを真空排気すると、真空排気処理の開始時、反応室１ａの内部の圧力が変動する。反応室１ａの内部の圧力が変動すると、反応室１ａの内部で気流が発生する。この気流が大きいと、ボート２２１やウェーハＷが飛ばされ、破損してしまうことがある。また、ボート２２１やウェーハＷが飛ばされないまでも、気流が発生すると、パーティクルが発生する可能性が高い。ボートロード処理後、パーティクルが発生すると、ウェーハＷの歩留まりが低下する。
【００８３】
そこで、ボードロード処理後の真空排気処理においては、最初、スロー排気処理によって真空排気を行うようになっている。このような構成によれば、ボートロード処理後の真空排気処理の開始時、反応室１ａの内部の圧力変動が抑制され、気流の発生が抑制される。その結果、ボート２２１やウェーハＷの破損が防止され、パーティクルの発生が抑制される。
【００８４】
なお、ボードロード処理後の真空排気処理においては、スロー排気処理によって、反応室１ａの内部の圧力が所定の圧力まで低下すると、スロー排気処理に代わって主排気処理が実行される。
【００８５】
上記主排気ライン２６１は、主排気配管１Ｄを有する。この主排気配管１Ｄの一端部は、炉口フランジ３Ａに接続されている。この接続位置は、鍔４Ａの上方に設定されている。主排気配管１Ｄの他端部は、真空ポンプ２Ｄに接続されている。この主排気配管１Ｄには、主排気弁３Ｄが挿入されている。
【００８６】
上記過加圧防止ライン２６２は、過加圧防止配管１Ｅを有する。この過加圧防止配管１Ｅの一端部は、主排気配管１Ｄに接続されている。この接続位置は、主排気弁３Ｄの上流側に設定されている。この過加圧防止配管１Ｅには、過加圧防止弁２Ｅが挿入されている。
【００８７】
上記第１のバイパスライン２６３は、第１のバイパス配管１Ｆを有する。この第１のバイパス配管１Ｆの一端部は、主排気弁３Ｄの上流側で主排気配管１Ｄに接続され、他端部は、主排気弁３Ｄの下流側で主排気配管１Ｄに接続されている。この場合、第１のバイパス配管１Ｆの一端部の接続位置は、過加圧防止配管２６２の接続位置の下流側に設定されている。この第１のバイパス配管１Ｆには、第１のバイパス弁２Ｆと、ニードル弁３Ｆとが上流側から順次挿入されている。
【００８８】
上記第２のバイパスライン２６４は、第２のバイパス配管１Ｇを有する。この第２のバイパス配管１Ｇの一端部は、主排気弁３Ｄの上流側で主排気配管１Ｄに接続され、他端部は、主排気弁３Ｄの下流側で主排気配管１Ｄに接続されている。この場合、第２のバイパス配管１Ｇの一端部の接続位置は、過加圧防止配管２６２の接続位置の下流側に設定されている。この第２のバイパス配管１Ｇには、流量制御弁２Ｇと、流量計３Ｇとが上流側から順次挿入されている。
【００８９】
［１−２］動作上記構成において、動作を説明する。まず、図３を参照しながら、ウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成するための全体的な動作を説明する。図３は、この動作を示すフローチャートである。
【００９０】
この動作を開始する前は、ヒータ２１２は、昇温状態に設定され、真空ポンプ２Ｄは、排気運転状態に設定されている。この状態で、動作を開始すると、まず、ウェーハＷをボート２２１に装填するためのウェーハチャージ処理が実行される（ステップＳ１１）。すなわち、この場合、炉口キャップ２２３が下降し、ボート２２１が反応炉２１１の下方に位置決めされている。これにより、図示しないウェーハ搬送装置により、成膜すべき複数のウェーハＷがボート２２１に装填される。
【００９１】
このウェーハチャージ処理が終了すると、ボート２２１を反応室１ａに搬入するボートロード処理が実行される（ステップＳ１２）。すなわち、ウェーハチャージ処理が終了すると、炉口キャップ２２３が図示しないボートエレベータにより上昇駆動される。これにより、ボート２２１が反応室１ａに搬入される。その結果、成膜すべき複数のウェーハＷがボート２２１に収容された状態で、反応室１ａに搬入される。このとき、炉口２ａが炉口キャップ２２３により封止される。
【００９２】
このボートロード処理が終了すると、反応室１ａの内部の雰囲気を排出する真空排気処理が実行される（ステップＳ１３）。この真空排気処理においては、最初、第１のバイパスライン２６３によるスロー排気処理が実行される。そして、このスロー排気処理によって反応室１ａの内部の圧力が予め定めた圧力まで低下すると、主排気ライン２６１による主排気処理が実行される。
【００９３】
すなわち、ボートロード処理が終了すると、まず、第１のバイパス弁２Ｆが開かれる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気は、第１のバイパス管１Ｆを介して緩やかに排出される。この場合、排気速度は、ニードル弁３Ｆにより調整される。
【００９４】
このあと、反応室１ａの圧力が予め定めた圧力まで低下すると、第１のバイパス弁２Ｆが閉じられ、主排気弁３Ｄが開かれる。これにより、反応室１ａの雰囲気は、今度は、主排気管１Ｄを介して急速に排出される。
【００９５】
このあと、反応室１ａの真空度が予め定めた真空度になり、かつ、反応室１ａの内部の温度が予め定めた温度に保持されると、成膜処理が実行される（ステップＳ１４）。すなわち、反応室１ａの真空度が予め定めた真空度になり、かつ、反応室１ａの温度が予め定めた温度に保持されると、ガス供給ノズル２３１を介して炉口２ａ付近に反応ガスが供給される。また、このとき、主排気ライン２６１による主排気処理はそのまま続けられる。
【００９６】
これにより、炉口２ａ付近に供給された反応ガスが上方に流れ、排気室１ａに分散される。その結果、ボート２２１に保持されているウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成される。この場合、未反応ガスや反応副生成物の蒸気は、反応炉２１１の上端部からアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａを介して排出される。
【００９７】
この成膜処理が終了すると、アフタパージ処理が実行される（ステップＳ１５）。すなわち、成膜処理が終了すると、反応室１ａに対する反応ガスの供給が停止され、不活性ガスの供給が開始される。この不活性ガスの供給も、ガス供給ノズル２３１を介して行われる。また、このとき、主排気ライン２６１による主排気処理は続けられる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が不活性ガスでパージされる。その結果、反応室１ａの内部に残留している未反応ガス等が排出される。
【００９８】
このアフタパージ処理が終了すると、大気戻し処理が実行される（ステップＳ１６）。すなわち、アフタパージ処理が終了すると、主排気弁３Ｄが閉じられる。これにより、主排気処理が停止される。これに対し、第１のガス供給系２３０による不活性ガスの供給は続けられる。これにより、反応室１ａの内部の圧力が上昇する。その結果、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に戻される。
【００９９】
なお、反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えると、過加圧防止弁２Ｅが開かれる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が過加圧防止配管１Ｅを介して排出される。その結果、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に保持される。反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えたことを検出する大気圧センサは、例えば、主排気配管１Ｄや炉口フランジ３Ａから分岐した配管に設けられる。
【０１００】
この大気戻し処理が終了すると、ボートアンロード処理が実行される（ステップＳ１７）。すなわち、大気戻し処理が終了すると、反応室１ａに対する第１のガス供給系２３０による不活性ガスの供給は停止される。また、炉口キャップ２２３がボートエレベータにより下降駆動される。これにより、ボート２２１が反応室１ａの内部から搬出される。その結果、成膜の済んだウェーハＷがボート２２１に収容された状態で、反応室１ａの内部から搬出される。
【０１０１】
このボートアンロード処理が終了すると、ボート２２１から成膜の済んだウェーハＷを取り出すためのウェーハディスチャージ処理が実行される（ステップＳ１８）。
【０１０２】
以上により、ウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成するための全体的な動作が終了する。
【０１０３】
次に、第２のガス供給系２４０によるバックパージ処理と第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理とを説明する。
【０１０４】
まず、第２ガス供給系２４０によるバックパージ処理について説明する。この処理は、図４に示すように、ボートロード期間とボードアンロード期間とに実行される。すなわち、ウェーハチャージ処理やアフタパージ処理が終了すると、第２のガス供給系２４０の仕切弁（エアバルブ）２４６が開かれる。これにより、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃから上方に向けて不活性ガスが吹き出される。
【０１０５】
吹き出された不活性ガスは、図５に示すように、アウタチューブ１Ａの上端部に形成された円弧状の壁（天井）４ａに案内されて反応室１ａの内部に導かれる。これにより、反応室１ａの排気側からガス供給側に不活性ガスが流れる。その結果、炉口２ａが開かれているにもかかわらず、反応室１ａの内部への外気の侵入が抑制される。
【０１０６】
この場合、不活性ガスの流量は、マスフローコントローラ２４７により予め定めた流量となるように制御される。また、不活性ガスの逆流は、逆止弁２４４により防止される。さらに、不活性ガスに含まれる不純物は、第１，第２のフィルタ２４５，２４８により除去される。
【０１０７】
また、不活性ガスの圧力は、レギュレータ２４３により高圧から適正値に落とされる。これは、図示しないガスボンベから出力される不活性ガスの圧力が、通常、高圧に設定されているからである。ガスボンベから出力される不活性ガスの圧力が高圧に設定されているのは、通常、ガスボンベが工場設備として設けられ、ガスボンベと反応室１ａとの間の距離がかなり大きなものとなるからである。
【０１０８】
また、不活性ガス供給配管２４１の内部の圧力が適正値かどうかは、圧力スイッチ２５２により検出される。不活性ガス供給配管２４１の内部の圧力が適正値より低い場合は、不活性ガスを流そうとしても流れず、適正値より高い場合は、不活性ガスを流し始める際、一気に流れるという問題が生じる。
【０１０９】
通常の仕様では、圧力スイッチ２５２は、圧力の低下を検知するように設定される。そして、この圧力スイッチ２５２により圧力の低下が検出された場合は、図示しないコントローラによりエラー処理されるようになっている。このコントローラは、装置の制御を司るコントローラである。通常、マスフローコントローラ２４７には、各流量ごとに、適正なガスの流量が設定されている。以上がバックパージ処理である。
【０１１０】
次に、第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理を説明する。この処理も、図４に示すように、ボートロード期間とボードアンロード期間とに実行される。すなわち、ウェーハチャージ処理や大気戻し処理が終了すると、第２のバイパスライン２６４の流量制御弁２Ｇが開かれる。この場合、主排気ライン２６１の主排気弁３Ｄと、過加圧防止ライン２６２の過加圧防止弁２Ｅと、第１のバイパスライン２６３の第１のバイパス弁２Ｆは閉じられている。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が第２のバイパスライン２６４の第２のバイパス配管１Ｇを介して排出される。その結果、反応室１ａの内部への気相の逆流が抑制される。
【０１１１】
この場合、第２のバイパス配管１Ｇを流れる雰囲気の流量が流量計３Ｇで検出される。そして、この検出結果に基づいて、流量制御弁２Ｇの開度が制御される。これにより、雰囲気の流量が予め定めた流量に保持される。この流量は、第２のガス供給系２４０から供給される不活性ガスの流量より少なくなるように設定されている。これにより、反応室１ａの圧力は、陽圧に設定される。
【０１１２】
［１−３］効果以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
【０１１３】
（１）まず、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに不活性ガスを供給するようにしたので、未反応ガス等の排出側から反応室１ａの内部に不活性ガスを供給することができる。言い換えれば、炉口２ａとは反対側から反応室２ａの内部に不活性ガスを供給することができる。これにより、反応室１ａの内部への外気の侵入を防止することができる。その結果、外気の侵入による反応室１ａの内部の汚染と、パーティクルの発生と、ウェーハＷの表面へのヘイズの発生と、自然酸化膜の成長等を抑制することができる。
【０１１４】
（２）また、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間、反応室１ａの内部の雰囲気を、専用の雰囲気排出路ではなく、ウェーハ処理用の雰囲気排出路（厳密には、主排気配管１Ｄの上流側部分）を介して排出するようにしたので、ウェーハ処理用の雰囲気排出路から反応室１ａの内部への気相の逆流を抑制することができる。これにより、気相の逆流に伴うパーティクルの逆拡散によって反応室１ａの内部が汚染されてしまうことを抑制することができる。
【０１１５】
（３）また、本実施の形態によれば、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、ボートロード期間とボートアンロード期間だけ、反応室１ａの内部に対する不活性ガスの供給処理（バックパージ処理）と、反応室１ａの内部の雰囲気の排出処理とを実行するようにしたので、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間に、常時、不活性ガスの供給処理と雰囲気の排出処理とを行う構成に比べ、不活性ガスの消費量を減らすことができるとともに、排気系２６０の配管１Ｄ，１Ｇ等に設けられているＯリングをメンテナンスで交換する場合のランニングコストを低減することができる。
【０１１６】
すなわち、気相の逆流によるパーティクルの増大を抑制するためには、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間、常時、第２のバイパスライン２６４による真空排気処理を実行することが好ましい。
【０１１７】
しかしながら、このようにすると、不活性ガスの消費量が増大する。また、主排気配管１Ｄの上流側部分や第２のバイパス配管１Ｇ等に、長時間、反応室１ａ内の高温の雰囲気が流れるため、これらの温度が上昇し、真空シール用のＯリングが破損しやすくなる。このため、このＯリングとして、耐熱性の高い材料によって形成された高価なものを用いる必要がある。その結果、メンテナンスでＯリングを交換する際のランニングコストが高くなる。
【０１１８】
これに対し、本実施の形態では、ボートロード期間とボートアンロード期間だけ、第２のバイパスライン２６４による真空排気処理を実行するようにしたので、配管１Ｄ，１Ｇ等の温度上昇を少なくすることができる。これにより、Ｏリングとして通常のＯリングを用いることができるので、メンテナンスでＯリングを交換する際のランニングコストを低減することができる。
【０１１９】
なお、このように第２のバイパスライン２６４による真空排気処理をボートロード期間とボートアンロード期間とに限定したとしても、パーティクルの増大によるウェーハＷの汚染を抑制することができる。これは、パーティクルの増大によるウェーハＷの汚染が問題になるのは、パーティクルが増大するときに、ウェーハＷが反応室１ａ付近に存在する場合だからである。そして、この場合というのは、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、ボートロード期間とボートアンロード期間とだからである。
【０１２０】
（４）また、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間に反応室１ａの雰囲気を排出する場合、スロー排気処理によって排出するようにしたので、この排出による反応室１ａの内部の圧力変動を抑制することができる。これにより、この圧力変動によってアウタチューブ１Ａやインナチューブ２Ａに堆積した膜が剥がれたり、配管１Ｄ，１Ｇ等の内部や炉口２ａ付近の内壁に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。
【０１２１】
（５）また、本実施の形態によれば、第２のガス供給ライン２４０によって反応室１ａの内部に供給される不活性ガスの流量を第２のバイパスライン２６４によって反応室１ａの内部から排出される雰囲気の流量より多くしたので、反応室１ａの内部の圧力を陽圧に設定することができる。これにより、不活性ガスの流量が雰囲気の流量と同じか少ない場合より、反応室１ａの内部への外気の侵入を抑制する効果を高めることができる。また、これにより、自然酸化膜の成長を良好に抑制することができる。
【０１２２】
（６）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに面する反応炉２１１の内壁のうち、雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に設けるようにしたので、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【０１２３】
（７）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、ヒータ２１２によって加熱される位置に設けるようにしたので、このガス吹出し口１ｃを反応副生成物が存在しないような位置に設けることができる。これにより、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【０１２４】
（８）また、本実施の形態によれば、第２のガス供給系２４０によって供給される不活性ガスの流量と第２のバイパスライン２６４によって排出される雰囲気の流量とを制御可能としたので、これらの流量として、外気の侵入と気相の逆流とを効果的に抑制可能な流量を設定することができる。
【０１２５】
（９）また、本実施の形態によれば、第２のバイパスライン２６４によって排出される雰囲気の流量を予め定めた流量に自動的に制御することができるようにしたので、この流量を予め定めた値に設定した後、この流量を変化させるような要因が発生したとしても、この変化を抑制することができる。
【０１２６】
（１０）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、インナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在するようにしたので、不活性ガスを反応室１ａの内部に届きやすくすることができる。
【０１２７】
［１−４］変形例（１）以上の説明では、第２のガス供給系２４０の流量制御器として、マスフローコントローラ２４７を用いる場合を説明した。しかしながら、本実施の形態では、マスフローコントローラ２４７以外の流量制御器を用いるようにしてもよい。
【０１２８】
（２）また、以上の説明では、第２のバイパスライン２６４の流量制御弁２Ｇとして、エア弁を用いる場合を説明した。しかしながら、本実施の形態では、エア弁とニードル弁との組合わせを用いるようにしてもよい。
【０１２９】
［２］第２の実施の形態 図６は、本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【０１３０】
先の実施の形態では、不活性ガス供給配管２４１の先端部１Ｂをインナチューブ１Ａの上端部より少し下まで延在する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、この延在距離を短くするようにしたものである。
【０１３１】
図６は、この様子を示す図である。なお、図６において、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１３２】
図において、２７１は、本実施の形態の第２のガス供給系２４０の不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７１の先端部１Ｈは、図１の不活性ガス供給配管２４１と同様に、炉口フランジ３Ａを通してアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに導かれた後、例えば、インナチューブ２Ａの軸方向の中央部より少し下まで延在されている。この先端部１Ｈには、ガス吹出し口１ｈが形成されている。このガス吹出し口１ｈのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。
【０１３３】
このような構成においても、不活性ガス供給配管２７１の先端部１Ｈを雰囲気排出口１ｄが設けられる位置とは反対側に設けることにより、この雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないようにすることができる。
【０１３４】
また、このような構成によれば、不活性ガス供給配管２７１の長さが短いため、メンテナンス時、不活性ガス供給配管２７１の取付け、取外しを容易に行うことができる。
【０１３５】
［３］第３の実施の形態 図７は、本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【０１３６】
先の第１，第２の実施の形態では、不活性ガス供給配管２４１，２７１のガス吹出し口１ｃ，１ｄを１つだけ設ける場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、ガス吹出し口を複数設けるようにしたものである。
【０１３７】
図７は、この様子を示す斜視図である。なお、図７において、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１３８】
図において、２７２は、本実施の形態の第２のガス供給系２４０の不活性ガス供給配管を示す。図には、図６の不活性ガス供給管２７１と同様に、先端部１Ｉをインナチューブ２Ａの中央部の少し下まで延在する場合を代表として示す。
【０１３９】
この不活性ガス供給配管２７２の先端部１Ｉには、３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉが形成されている。ガス吹出し口１ｉのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。ガス吹出し口２ｉのガス吹出し方向は、インナチューブ２Ａに向かって右方向に設定されている。ガス吹出し口３ｉのガス吹出し方向は、インナチューブ２Ａに向かって左方向に設定されている。
【０１４０】
このような構成によれば、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａにおける不活性ガスの対流を抑制することができる。
【０１４１】
すなわち、先の第１，第２の実施の形態では、不活性ガスの吹出し口として、１つの吹出し口１ｃ，１ｄしか設けないので、不活性ガスの流速を抑制することが困難であるとともに、不活性ガスを１つの方向にしか吹き出すことができない。これにより、これらの実施の形態では、図８に示すように、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａで、不活性ガスの流量が多くなると、対流Ｘが発生する。なお、図８には、第２の実施の形態の場合を代表として示す。
【０１４２】
これに対し、本実施の形態では、ガス吹出し口を３つ設けるとともに、これら３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉのガス吹出し方向を異なる方向に設定するようにしたので、不活性ガスの流量が多い場合においても、活性ガスの流速を抑えることができるとともに、不活性ガスを異なる方向に吹き出すことができる。
【０１４３】
これにより、本実施の形態では、３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉを一箇所に集中的に設けているにもかかわらず、不活性ガスの対流Ｘの発生を抑制することができる。その結果、本実施の形態では、不活性ガスの吹出しによる反応副生成物（雰囲気排出路１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物）の巻上げだけでなく、不活性ガスの流量が多い場合の不活性ガスの対流Ｘによる反応副生成物の巻上げも抑制することができる。これにより、本実施の形態では、先の第１，第２の実施の形態より、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【０１４４】
また、上述したような構成によれば、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができるため、反応室１ａの内部全体に不活性ガスを供給することができる。これにより、反応室１ａの内部に対する外気の侵入を効果的に阻止することができる。
【０１４５】
［４］第４の実施の形態 図９は、本発明に係る基板処理装置の第４の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【０１４６】
本実施の形態は、第１の実施の形態と同様に、先端部１Ｊがインナチューブ２Ａの上端部付近まで延在された不活性ガス供給配管２７３の先端部１Ｊに、第３の実施の形態と同様に、３つのガス吹出し口１ｊ，２ｊ，３ｊを設けるようにしたものである。
【０１４７】
このような構成においても、空間３ａにおける不活性ガスの対流Ｘを抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができるため、先の第３の実施の形態とほぼ同様な効果を得ることができる。
【０１４８】
［５］第５の実施の形態 図１０は、本発明に係る基板処理装置の第５の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【０１４９】
先の第３，第４の実施の形態では、複数のガス吹出し口を１箇所に集中的に設ける場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、これらをインナチューブ２Ａの周りに分散的に設けるとともに、すべてのガス吹出し口のガス吹き出し方向を上方向に設定するようにしたものである。
【０１５０】
図１０は、この様子を示す図である。図において、２７４は、本実施の形態の不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７４の先端部１Ｋは、インナチューブ２Ａを取り囲むリング状に形成されている。そして、このリング状の先端部１Ｋには、複数のガス吹出し口１ｋ，２ｋ，…がインナチューブ１Ａの周囲に沿って等間隔で設けられている。これらのガス吹出し方向は、いずれも上方向に設定されている。なお、図には、不活性ガス供給配管２７４の先端部１Ｋをインナチューブ２Ａの軸方向の中央部より少し下まで延在する場合を示す。
【０１５１】
このような構成によれば、不活性ガスの流速を抑えることができるとともに、図１０に示すように、複数のガス吹出し口１ｋ，２ｋ，…から平行に不活性ガスを吹き出すことができる。これにより、空間３ａにおける不活性ガスの対流の発生を抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができる。
【０１５２】
［６］第６の実施の形態 図１１は、本発明に係る基板処理装置の第６の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【０１５３】
本実施の形態は、先端部がインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在された不活性ガス供給配管の先端部を、第５の実施の形態と同様に、リング状に形成したものである。
【０１５４】
図１１は、この様子を示す図である。図において、２７５は、不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７５の先端部１Ｌは、インナチューブ２Ａを取り囲むようにリング状に形成されている。この先端部１Ｌの上面には、複数のガス吹出し口１ｌ，２ｌ，…が等間隔で形成されている。
【０１５５】
このような構成においても、空間３ａにおける不活性ガスの対流Ｘの発生を抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができる。
【０１５６】
［７］第７の実施の形態
図１２は、本発明に係る基板処理装置の第７の実施の形態の構成を示す斜視図である。なお、図１２において、図１とほぼ同じ機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１５７】
先の実施の形態では、本発明を、反応炉として２重構造の反応炉２１１を有する基板処理装置に適用する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、図１２に示すように、一重構造の反応炉２１５を有する基板処理装置にも適用することができる。
【０１５８】
この場合、図１２に示すように、不活性ガス供給配管２７６の先端部１Ｃを反応炉２１５の上端部に接続するようにすれば、二重構造の反応炉２１１において、不活性ガスをアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間から供給する場合と同様に、不活性ガスを炉口２ａとは反対側から反応室１ａの内部に供給することができる。これにより、反応室１ａの内部に対する外気の侵入を抑制することができる。
【０１５９】
［８］そのほかの実施の形態以上、本発明の７つの実施の形態を説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
【０１６０】
（１）例えば、先の第１〜第７の実施の形態では、第２のガス供給系２４０により反応室１ａの内部に供給される不活性ガスの流量を第２のバイパスライン２６４により反応室１ａの内部から排出される雰囲気の流量より多くする場合を説明した。しかしながら、本発明では、不活性ガスの流量を雰囲気の流量と同じかまたは少なくするようにしてもよい。
【０１６１】
このような構成であっても、第２のバイパスライン２６４による雰囲気の排出のみを行う場合より、炉口２ａからの大気の巻込みを少なくすることができる。これにより、炉口２ａからの外気の侵入を抑制することができる。その結果、外気の侵入による反応室１ａの内部の汚染と、パーティクルの発生と、ヘイズの発生と、自然酸化膜の成長等を抑制することができる。
【０１６２】
また、このような構成によれば、第２のバイパスライン２６４の排出量、すなわち、雰囲気の流量を設定する場合、炉口２ａからの大気の巻込みを気にせず設定することができる。これにより、雰囲気の流量として、気相の逆流を効果的に抑制することができるような流量を設定することができる。
【０１６３】
（２）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、減圧ＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、常圧ＣＶＤ装置にも適用することができる。
【０１６４】
（３）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、ＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ＣＶＤ装置以外の成膜装置にも適用することができるとともに、成膜装置以外の基板処理装置にも適用することができる。
【０１６５】
（４）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、半導体装置のウェーハを処理する基板処理装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ウェーハ以外の基板を処理する基板処理装置にも適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示装置のガラス基板を処理する基板処理装置にも適用することができる。
【０１６６】
（５）また、以上の説明では、本発明を、ロードロック式以外の方式の基板処理装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ロードロック式の基板処理装置にも適用することができる。
【０１６７】
（６）このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。
【０１６８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の基板処理方法によれば、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、外側筒状体と内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給するようにしたので、反応容器の内部に対する外気の侵入を抑制することができる。
【０１６９】
また、この基板処理方法によれば、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、反応容器の内部の雰囲気を基板処理用の雰囲気排出路を介して排出するようにしたので、雰囲気排出路から反応容器の内部への気相の逆流を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の構成を示す側断面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の不活性ガス供給配管の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すもので、特に、バックパージ処理とスロー排気処理の実施時期を示す図である。
【図５】本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すもので、特に、不活性ガスの流れを示す図である。
【図６】本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の効果を説明するための図である。
【図９】本発明に係る基板処理装置の第４の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る基板処理装置の第５の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る基板処理装置の第６の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る基板処理装置の第７の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図１３】従来の基板処理装置の構成を示す側断面図である。
【符号の説明】
２００…縦型ＣＶＤ装置、２１０…反応系、２２０…搬送系、２３０…第１のガス供給系、２４０…第２のガス供給系、２６０…排気系、２１１，２１５…反応炉、２１２…ヒータ、２２１…ボート、２２２…ボートキャップ、２２３…炉口キャップ、２３１…ガス供給ノズル、２４１，２７１，２７２，２７３，２７４，２７５，２７６…不活性ガス供給配管、２４２…ハンドバルブ、２４３…レギュレータ、２４４…逆止弁、２４５…第１のフィルタ、２４６…仕切り弁、２４７…マスフローコントローラ、２４８…第２のフィルタ、２４９…第１の分岐配管、２５０…第２の分岐配管、２５１…圧力計、２５２…圧力スイッチ、２６１…主排気ライン、２６２…過加圧防止ライン、２６３…第１のバイパスライン、２６４…第２のバイパスライン、１Ａ…アウタチューブ、２Ａ…インナチューブ、３Ａ…炉口フランジ、４Ａ…鍔、１ａ…反応室、２ａ…炉口、３ａ…空間、１Ｂ，１Ｃ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊ，１Ｋ，１Ｌ…先端部、１ｂ，１ｃ，１ｈ，１ｉ〜３ｉ，１ｊ〜３ｊ，１ｋ，２ｋ，…，１ｌ，１ｌ，……ガス吹出し口、１Ｄ…主排気配管、２Ｄ…排気用ポンプ、３Ｄ…主排気弁、１Ｅ…過加圧防止配管、２Ｅ…過加圧防止弁、１Ｆ…第１のバイパス配管、２Ｆ…第１のバイパス弁、３Ｆ…ニードル弁、１Ｇ…第２のバイパス配管、２Ｇ…流量制御弁、３Ｇ…流量計、Ｗ…ウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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