(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の金型間に形成される流入口を持つキャビティ内に溶融樹脂を射出し、前記金型を押圧することによりキャビティ厚さを狭めるディスク用基板の射出圧縮成形方法において、キャビティ内に充填された樹脂の圧力が最小になる時間の０．１秒前から０．３秒後の間で溶融樹脂を充填する流入口を閉じるとともに圧縮工程を開始することを特徴とするディスク用基板の製造方法。
【請求項２】
キャビティを形成する少なくとも一方の面にスタンパを装着し、少なくともスタンパを装着する側の金型鏡面の温度を樹脂材料のガラス転移温度に対して、５Ｋ以上２５Ｋ以下の範囲で低く制御する請求項１に記載のディスク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記キャビティ内に溶融樹脂を射出する前に、樹脂を乾燥する工程を含み、乾燥後に前記樹脂を溶融する請求項１に記載のディスク用基板の製造方法。
【請求項４】
一方がスタンパを持つ一対の金型間に形成されるキャビティ内に溶融樹脂を射出し、前記金型を押圧することによりキャビティ厚さを狭めるディスク用基板の射出圧縮成形装置において、一対の金型を開閉する開閉手段と、樹脂を溶融する加熱手段と、溶融樹脂を閉じた一対の金型間のキャビティ内に充填する射出手段と、キャビティ内に充填した樹脂の流入側への逆流防止のための保圧手段と、充填後に一対の金型をより締める圧縮手段と、キャビティ内に充填する樹脂の圧力が最小となる時間を検出する手段を有し、前記圧力が最小となる時間から０．３秒後までの時間に、キャビティ内に溶融樹脂を流入する入口を閉じる動作、および圧縮工程の開始動作から選ばれる少なくとも一つの動作を行うことを特徴とするディスク基板の製造装置。
【請求項５】
少なくともスタンパを装着する側の金型鏡面の温度を樹脂材料のガラス転移温度に対して、５Ｋ以上２５Ｋ以下の範囲で低く制御する制御手段を具備した請求項４に記載のディスク用基板の製造装置。
【請求項６】
保圧工程において、溶融樹脂を射出した後にスクリューの受ける圧力をモニタし、このモニタ信号を微分した信号の最初のゼロクロス時間を検出し、コア押し機構のない金型に対して、カットパンチ突出油圧回路および型締め油圧回路を所定の時間後に作動させて、カットパンチの突出および型締め力を低圧から高圧へ切り換える手段を具備した請求項４に記載のディスク用基板の製造装置。
【請求項７】
保圧工程において、溶融樹脂を射出した後にスクリューの受ける圧力をモニタし、このモニタ信号を微分した信号の最初のゼロクロス時間を検出し、コア押し機構のある金型に対して、カットパンチ突出油圧回路および射出圧縮油圧回路を所定の時間後に作動させて、カットパンチの突出および射出圧縮力を低圧から高圧へ切り換える手段を具備した請求項４に記載のディスク用基板の製造装置。
【請求項８】
樹脂を溶融する前に、樹脂を乾燥する手段をさらに備えた請求項４に記載のディスク用基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光ディスク等に使用される基板を成形するディスク用基板の製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量、高速のメモリ媒体として光ディスクが注目されている。光ディスクとしては再生専用光ディスク（ＣＤ、ＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等）、記録再生型光ディスク（ライトワンス型）、記録再生消去可能型光ディスク（リライタブル型）等が知られている。これらの光ディスクの基板としては、一般に樹脂基板（ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等）が用いられている。
【０００３】
これらのディスク基板は生産性の面から、一般に射出成形方法や射出圧縮成形方法を用いて形成される。すなわち、固定金型と可動金型との間に型締め状態で形成されるキャビティ内に環状で平坦なスタンパを取付、キャビティ内に溶融樹脂材を射出することによってスタンパ上に形成されているピットや溝を転写した平坦なディスク基板が形成される。
【０００４】
成形装置としては直圧方式とトグル方式との２種類に大別される（たとえば、非特許文献１）。図７に従来の前記２方式の機構部の概略図を示す。
【０００５】
図７（ａ）は直圧方式の場合である。１０１は固定金型であり、大プレート１０３にボルト等で取り付けられている。１０２は可動金型であり、大プレート１０４にボルト等で取り付けられている。可動金型１０２は、油圧回路１０６によりピストン１０７を駆動させ、大プレート１０４に設けられたタイバー１０５をガイドにして平行移動し、固定金型１０１と嵌合したり離れたりする。この場合、固定金型１０１と可動金型１０２との型締めおよび型締め圧の調整は油圧回路１０６で行う。
【０００６】
図７（ｂ）はトグル方式の場合である。１０１は固定金型であり、大プレート１０３にボルト等で取り付けられている。１０２は可動金型であり、大プレート１０４にボルト等で取り付けられている。可動金型１０２は、油圧回路１０８によりピストン１０９を駆動させてトグル１１０を移動させ、大プレート１０４に設けられたタイバー１０５をガイドにして平行移動し、固定金型１０１と嵌合したり離れたりする。固定金型１０１と可動金型１０２との型締め圧の調整は、４本のタイバー１０５に接続する油圧パイプ１１３を介して設けられた油圧回路１１１によって行う。また、金型を閉じた後の射出圧縮圧は大プレート１０４に可動金型１０２と対した位置に設けられた油圧回路１１２によって働かせる。
【０００７】
前記の成形装置を用いて、より高密度の光ディスク用の基板を成形する試みがなされている。
【０００８】
【非特許文献１】
「プラスチック技術読本」、桜内雄二郎著、工業調査会、１９９３年
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一例として外径約１２０ｍｍで、板厚約１．２ｍｍ、トラックピッチが約１．０μｍでピット深さ約１１０ｎｍのポリカーボネート樹脂基板を成形することは、転写性の観点から困難である。
【００１０】
また、高密度化のためには光ディスクへの照射光の絞りを良くするため対物レンズの開口度を大きくする必要がある。この場合、傾きによる収差は板厚に比例し開口度の３乗に比例する。したがって、板厚を薄くしないとピックアップの制御がむずかしくなる。このような薄型の基板成形はより薄い隙間に樹脂を流すことになり、樹脂が冷えやすいために転写が得にくく、応力を受けやすいために複屈折や反りが悪くなるという課題がある。このような薄型の基板成形は、より狭い隙間に樹脂を流すことになり、樹脂が冷えやすいために転写が得にくく、複屈折や反りが悪くなるという問題がある。すなわち、より狭い隙間に樹脂を流すので、金型表面近傍で大きな速度勾配を生じ、金型壁面で冷却されて生成した固体層と中心部の流動層との間に粘性摩擦によるせん断応力が発生する。この結果、樹脂は分子配向を生じ、かつ応力が緩和されないまま固化して残留応力が凍結される。また中心部では静水圧的に一様な圧力を受けたまま残留応力が凍結される。高分子中の特定の原子団は応力によって一定方向を向き、その結果複屈折が発生する。また残留応力は、基板の面方向に不均一であり、かつ厚さ方向にも対称とは限らず反りを生ずる。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、例えば、板厚が１ｍｍ以下といった薄型の樹脂基板成形において、基板の転写、複屈折がディスクとして実用的に十分な高密度光ディスク基板の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を解決するため、本発明のディスク用基板の製造方法は、一対の金型間に形成される流入口を持つキャビティ内に溶融樹脂を射出し、前記金型を押圧することによりキャビティ厚さを狭めるディスク用基板の射出圧縮成形方法において、キャビティ内に充填された樹脂の圧力が最小になる時間の０．１秒前から０．３秒後の間で溶融樹脂を充填する流入口を閉じるとともに圧縮工程を開始することを特徴とする。
【００１３】
前記の方法においては、少なくともスタンパを装着する側の金型鏡面の温度を樹脂材料のガラス転移温度に対して、５Ｋ以上２５Ｋ以下の範囲で低く制御することが好ましい。
【００１４】
前記の方法においては、前記キャビティ内に溶融樹脂を射出する前に、樹脂を乾燥する工程を含み、乾燥後に前記樹脂を溶融することが好ましい。
【００１５】
次に本発明のディスク用基板の製造装置は、一対の金型間に形成されるキャビティ内に溶融樹脂を射出し、前記金型を押圧することによりキャビティ厚さを狭めるディスク用基板の射出圧縮成形装置において、一対の金型を開閉する開閉手段と、樹脂を溶融する加熱手段と、溶融樹脂を閉じた一対の金型間のキャビティ内に充填する射出手段と、キャビティ内に充填した樹脂の流入側への逆流防止のための保圧手段と、充填後に一対の金型をより締める圧縮手段と、キャビティ内に充填する樹脂の圧力が最小となる時間を検出する手段を有し、前記圧力が最小となる時間から０．３秒後までの時間に、キャビティ内に溶融樹脂を流入する入口を閉じる動作、および圧縮工程の開始動作から選ばれる少なくとも一つの動作を行うことを特徴とする。
【００１６】
前記本発明の装置においては、少なくともスタンパを装着する側の金型鏡面の温度を樹脂材料のガラス転移温度に対して、５Ｋ以上２５Ｋ以下の範囲で低く制御する制御手段を具備したことが好ましい。
【００１７】
また前記本発明の装置においては、保圧工程において、溶融樹脂を射出した後にスクリューの受ける圧力をモニタし、このモニタ信号を微分した信号の最初のゼロクロス時間を検出し、コア押し機構のない金型に対して、カットパンチ突出油圧回路および型締め油圧回路を所定の時間後に作動させて、カットパンチの突出および型締め力を低圧から高圧へ切り換える手段を具備したことが好ましい。
【００１８】
また前記本発明の装置においては、保圧工程において、溶融樹脂を射出した後にスクリューの受ける圧力をモニタし、このモニタ信号を微分した信号の最初のゼロクロス時間を検出し、コア押し機構のある金型に対して、カットパンチ突出油圧回路および射出圧縮油圧回路を所定の時間後に作動させて、カットパンチの突出および射出圧縮力を低圧から高圧へ切り換える手段を具備したことが好ましい。
【００１９】
また前記本発明の装置においては、樹脂を溶融する前に、樹脂を乾燥する手段をさらに備えたことが好ましい。
【００２０】
前記本発明の製造方法によれば、薄型の樹脂基板を用いて転写性に優れ、かつ、複屈折がディスクとして実用的に十分な高密度光ディスク基板を製造できる。すなわち、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に溶融樹脂が充填される際に、キャビティ厚さを金型を完全に閉じた場合より広げているので樹脂の流動が良くなり、かつ、金型から溶融樹脂にかける圧力を板厚が制御可能な限り低くしているため溶融樹脂内に生じる応力も低減されて、成形された樹脂基板の複屈折が小さくなる。
【００２１】
また、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が最小となる時間の近傍で樹脂の流入口を閉じるため溶融樹脂内の残留応力が低減されるとともに、樹脂が固化する前に圧縮工程を開始することで、成形された樹脂基板の転写、複屈折が良くなる。また、金型鏡面の調整温度を適切に選ぶことでも転写、複屈折が良くなる。
【００２２】
さらに、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間は成形条件によって変化するが、この時間を検出して溶融樹脂の流入口を閉じる動作と圧縮工程を開始することで常に安定した基板の転写と複屈折を得ることができる。
【００２３】
また本発明の製造装置によれば、キャビティに樹脂を充填する際にキャビティ厚さと射出圧縮力を特定にして樹脂にかかる応力を低減し、複屈折を低下させる。また、金型温度を特定にして樹脂流動を良くさせるとともに樹脂充填時の圧力が極小である時間に樹脂流入を止め、かつ、圧縮工程を開始することで良好な転写と複屈折の低減を図ることができる。この結果、合理的に、かつ、効率よくディスク用基板を製造できる。
【００２４】
本発明の製造装置によれば、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に溶融樹脂が充填される際に、キャビティ厚さを金型を完全に閉じた場合より広げているので樹脂の流動が良くなり、かつ、金型から溶融樹脂にかける圧力を板厚が制御可能な限り低くしているため溶融樹脂内に生じる応力も低減されて、成形された樹脂基板の複屈折が小さくなる。
【００２５】
また、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が最小となる時間の近傍で樹脂の流入口を閉じるため溶融樹脂内の残留応力が低減されるとともに、樹脂が固化する前に圧縮工程を開始することで、成形された樹脂基板の転写、複屈折が良くなる。また、金型鏡面の調整温度を適切に選ぶことでも転写、複屈折が良くなる。
【００２６】
さらに、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間は成形条件によって変化するが、この時間を検出して溶融樹脂の流入口を閉じる動作と圧縮工程を開始することで常に安定した基板の転写と複屈折を得ることができる。
【００２７】
また樹脂を溶融する前に、樹脂を乾燥する手段をさらに備えていると樹脂の加水分解による分子量低下を防止できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態により本発明をさらに具体的に説明する。
【００２９】
（実施の形態１）
まず、トグル方式の成形装置の場合の射出圧縮成形方法について説明する。
【００３０】
図３は本発明で用いた一実施の形態の成形装置の構成を示した概略図である。１は材料乾燥装置であり、ポリカーボネート樹脂、ポリ（メタ）アクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂等の一般のディスク成形に用いられる樹脂材料が空気中の水分を吸収し、この水分が原因で加水分解して分子量が低下することを防止するためである。乾燥方法は熱風循環式乾燥または真空乾燥を用いるのが好ましい。熱風循環式乾燥の好ましい乾燥条件は、ポリカーボネート樹脂を例に挙げると、ポリカーボネート樹脂ペレットを温度１００〜１３０℃の範囲、２〜１０時間に保持して乾燥する。また真空乾燥の場合は、温度６０〜１２０℃の範囲、１〜１０時間、真空度０．１〜１００ｔｏｒｒ程度の範囲で真空乾燥する。この乾燥処理により、ポリカーボネート樹脂ペレットの吸水率を０．０１５ｗｔ％以下にすることが好ましい。以下の実施例においては、熱風循環式乾燥機を用い、温度：１２０℃、時間：６時間の条件で乾燥処理した。ポリカーボネート樹脂ペレットの吸水率を０．０１５ｗｔ％以下にした。
【００３１】
なお、下記の実施例で用いたポリカーボネート樹脂は、融点：２４０℃、ガラス転移温度：１５０℃のものを用いた。
【００３２】
この材料乾燥装置１から温風によってホッパ２に樹脂材料が供給される。樹脂材料は一定の大きさをしたペレットが用いられる。ホッパ２にある樹脂材料はスクリュー３に導かれる。スクリュー３はモータ４によって回転するとともに加熱シリンダ５によって樹脂材料が加熱される。この過程で樹脂が溶融混練される。６は固定金型であり、７は可動金型である。固定金型６および可動金型７は図７（ｂ）に示すように大プレートにボルト等で固定されている。また、図７（ｂ）に示された金型の開閉機構によって、可動金型７が固定金型６と離れたり、嵌合したりする。なお、図３の３６は架台である。
【００３３】
固定金型６と可動金型７とが閉じた状態で型締め圧を働かせておき、油圧回路８によってスクリュー３を回転させずに前進させる。この結果、溶融した樹脂材料がノズル９を介してキャビティ１０内に射出される（射出工程）。射出工程の時間は１秒以下の短時間なので、スクリューの位置で制御する。
【００３４】
キャビティ１０内に樹脂材料が充填されるとスクリュー３側に樹脂材料が還流しようとするのでスクリュー３に油圧回路８によって保圧をかける（保圧工程）。
【００３５】
次に油圧回路１１１によってタイバー１０５を介して固定金型６に可動金型７を型締めした状態で可動金型７のコア部に油圧回路１１２（図７（ｂ）参照）で射出圧縮圧をかけて保持し（圧縮工程）、ポリマーのガラス転移温度以下まで冷却し（冷却工程）、可動金型７を固定金型６から離して後、成形された基板を取り出す。前記圧縮工程と冷却工程は別々でもよいし、同時に行ってもよい。
【００３６】
次に本実施の形態で用いた金型の構造を図１に示す。可動金型７側にスタンパ１１を装着する場合を示している。スタンパ１１の内周にはスタンパ内周押さえ１２が取り付けられ、スタンパ１１の外周にはスタンパ外周押さえ１３が取り付けられている。スタンパ外周押さえ１３は成形基板の外径の規定の役割も兼ねている。
【００３７】
スタンパ１１は可動金型ミラー部１４と密着しており、可動金型ミラー部１４には冷却水路１５が設けられ、冷却水が流されて一定の温度になるように制御されている。この可動金型ミラー部１４は可動金型基盤１６とＯリングを介してボルト等で一体化されている。
【００３８】
可動金型７の中央部にはフローティングパンチ１７、カットパンチ１８、突出ピン１９が設けられている。カットパンチ１８は成形基板の中央部に孔を設けるものである。フローティングパンチ１７と突出ピン１９は成形後に基板を取り出す際に、それぞれ、基板製品部と孔となる不要部（スプル部）を機械的に押し出すように作動する。
【００３９】
可動金型７の外周部には可動金型突当リング２０があり、固定金型６の固定金型突当リング２１と当たることで金型内に形成されるキャビティ１０の最小厚さを規定している。さらに、可動金型突当リング２０の外側には可動金型ガイドリング２２があり、固定金型ガイドリング２３と当たることで金型内に形成されるキャビティ１０の最大厚さを規定している。すなわち、可動金型ガイドリング２２と固定金型ガイドリング２３とが当たることで型締めが行われ、さらに可動金型突当リング２０と固定金型突当リング２１が当たるまで可動金型７のコア部が移動して射出圧縮が行われる。
【００４０】
固定金型６では、固定金型基盤２４に固定金型突当リング２１、固定金型ガイドリング２３および固定金型ミラー部２５が取り付けられている。固定金型ミラー部２５には冷却水路２６が設けられ、これに冷却水が流され一定の温度になるように制御されている。
【００４１】
固定金型６の中央部にはスプルブッシュ２７があり、ノズル９（図３参照）から射出された溶融樹脂がこのスプルブッシュ２７を通ってキャビティ１０に流入する。成形後にこのスプルブッシュ２７の部分の樹脂を取り除くため、スプルブッシュ２７は冷却され樹脂が固化時に収縮して剥離するようになっている。スプルブッシュ２７の周囲には固定側ブッシュ２８が設けられ、スプルブッシュ２７と固定金型ミラー部２５との断熱の働きをする。
【００４２】
成形基板をスタンパ１１から剥すのに、フローティングパンチ１７による機械的な機構以外にエアーブローが用いられ、可動金型７側からはスタンパ内周押さえ１２とフローティングパンチ１７との間、固定金型６側では固定金型ミラー部２５と固定側ブッシュ２８との間から、それぞれ、圧縮空気を吹く（または流す）ようになっている。
【００４３】
表１に最小キャビティ厚さ（室温時、所望基板厚さ基準）と制御可能な最小板厚（所望基板厚さ基準）と所望基板厚さでの複屈折の最大絶対値との対応を示す。最大キャビティ厚さは所望基板厚さより０．２ｍｍ厚くした。このキャビティ厚さの最大と最小との値の差を圧縮代という。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は４０トンで行った。射出圧縮力は溶融樹脂の充填時は４トン、保圧後の圧縮工程では２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。
【００４４】
複屈折とは、異方性ポリマー中を伝播する光の性質の一つをいい、異方性ポリマー中に光が入射するとき、二つの屈折光が現れる現象をいう。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００４５】
【表１】
0003759489.tif 000002
【００４６】
表１より複屈折が５０ｎｍ以下になるのは最小キャビティ厚さが所望基板厚さより０．１ｍｍ以下薄い場合である。この垂直入射で複屈折５０ｎｍのポリカーボネート樹脂基板に斜め入射させると複屈折は大きな値になる。３０度入射の場合は約１００ｎｍになる。また、光ディスクへの照射光は集束光であり、開口度が０．６以上の高い対物レンズを用いる高密度の光ディスクでは再生型のものでも垂直入射の複屈折は５０ｎｍは必要である。また、所望基板厚さを得るためには、金型間は開く方向しか制御できないので、最小キャビティ厚さは所望基板厚さより厚くはできない。したがって、最小キャビティ厚さは所望基板厚さに対して０ｍｍから０．１ｍｍ薄くすれば良いことが確認できた。
【００４７】
次に最大キャビティ厚さについて検討した。最小キャビティ厚さを所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くする。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は４０トンで行った。射出圧縮力は溶融樹脂の充填時は４トン、保圧後の圧縮工程では２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。測定結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
0003759489.tif 000003
【００４９】
表２から圧縮代が大きくなるほど複屈折は良くなり、板厚のショットばらつきは大きくなる。圧縮代が大きくなるほど、キャビティ１０内に溶融樹脂が充填される際のキャビティ１０の厚さが厚くなるため溶融樹脂は流れやすい反面、基板の板厚を調整するためには樹脂が冷却される際に金型を閉じる移動量が多く必要だからである。
【００５０】
表２から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下なのは圧縮代が０．１５ｍｍ以上であり、板厚のショットばらつきが±３５μｍ以下なのは圧縮代が０．３ｍｍ以下の場合である。ここで、板厚のばらつきの基準を±３５μｍとしたが、板厚のばらつきが±３５μｍを越えると収差が大きくなって信号の読み出し等に影響を及ぼすからである。複屈折の基準５０ｎｍは表１のところで説明した通りである。
【００５１】
表２より圧縮代、すなわち、最大キャビティ厚さと最小キャビティ厚さとの差は０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が良いことを確認できた。
【００５２】
表３に溶融樹脂の充填時の射出圧縮力と複屈折との関係を示す。最小キャビティ厚さは所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くし、圧縮代は０．２ｍｍとした。また、基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は４０トンで行った。保圧後の圧縮工程での射出圧縮力は２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００５３】
【表３】
0003759489.tif 000004
【００５４】
表３から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下になるのは樹脂充填時の射出圧縮力が１０トン以下の場合であった。この場合、溶融樹脂がキャビティ１０の内に充填される前はキャビティ１０の厚さは射出圧縮力によって最小になっているが、キャビティ１０の内に溶融樹脂が充填されると樹脂圧の方が大きいためにキャビティ１０の厚さは最大まで広がり、その結果、樹脂の流動が良くなって樹脂が受ける応力が低減され複屈折が良くなる。
【００５５】
（実施の形態２）
本実施の形態では成形装置が直圧方式の場合を説明する。図７（ｂ）に示すようにトグル方式の成形装置の場合は、金型の開閉と金型の型締めと射出圧縮が、それぞれ、油圧回路１０８、油圧回路１１１、油圧回路１１２に分かれて駆動される。これに対して、図７（ａ）に示すように直圧方式の場合は金型の開閉と金型の型締めと射出圧縮を油圧回路１０６だけで行う。
【００５６】
金型の構造を図２に示す。コア部を移動させる方式の図１の場合と比べて固定金型ガイドリング２３と可動金型ガイドリング２２がない構造になっている。図１の場合は最小キャビティ厚さと最大キャビティ厚さとを規定する構造になっていたのに対して、図２の場合は最小キャビティ厚さのみを規定する構造になっている。
【００５７】
表４に最小キャビティ厚さ（室温時、所望基板厚さ基準）と制御可能な最小板厚（所望基板厚さ基準）と所望基板厚さでの複屈折の最大絶対値との対応を示す。最大キャビティ厚さは所望基板厚さより０．２ｍｍ厚くした。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。第１型締め力は４トン、第２型締め力は２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００５８】
【表４】
0003759489.tif 000005
【００５９】
表４より複屈折が５０ｎｍ以下になるのは最小キャビティ厚さが所望基板厚さより０．１ｍｍ以下薄い場合である。また、所望基板厚さを得るためには、金型間は開く方向しか制御できないので、最小キャビティ厚さは所望基板厚さより厚くはできない。したがって、最小キャビティ厚さは所望基板厚さに対して０ｍｍから０．１ｍｍ薄くすれば良いことが確認できた。
【００６０】
次に最大キャビティ厚さについて検討する。最小キャビティ厚さを所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くする。金型の開き量をレーザ変位計を用いて測定した。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。第１型締め力は４トン、第２型締め力は２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。測定結果を表５に示す。
【００６１】
【表５】
0003759489.tif 000006
【００６２】
表５から圧縮代が大きくなるほど複屈折は良くなり、板厚のショットばらつきは大きくなる。
【００６３】
表５から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下なのは圧縮代が０．１５ｍｍ以上であり、板厚のショットばらつきが±３５μｍ以下なのは圧縮代が０．３ｍｍ以下の場合である。したがって、圧縮代、すなわち、最大キャビティ厚さと最小キャビティ厚さとの差は０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が良いことを確認できた。
【００６４】
表６に溶融樹脂の充填時の第１型締め力と複屈折との関係を示す。最小キャビティ厚さは所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くし、圧縮代は０．２ｍｍとした。また、基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１２５℃、スプル温度は６０℃とした。第２型締め力は２０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００６５】
【表６】
0003759489.tif 000007
【００６６】
表６から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下になるのは第１型締め力が１０トン以下の場合であった。この場合、溶融樹脂がキャビティ１０の内に充填されると樹脂圧の方が大きいためにキャビティ１０の厚さは広がり、その結果、樹脂の流動が良くなって樹脂が受ける応力が低減され複屈折が良くなる。
【００６７】
本実施の形態では、直圧方式の成形装置の場合を示したが、トグル方式の成形装置の場合でも、図２の構造の金型を用いて同様の動作を行うことができる。トグル方式の成形装置の場合には、実施の形態１のようなコア部を移動させる射出圧縮機構を用いず、型締め機構のみを用いて型締めを行う。このようにしてトグル方式の成形装置に直圧方式の成形装置の場合と同じ成形条件を設定した結果、同様の結果が得られることを確認した。
【００６８】
（実施の形態３）
実施の形態１および実施の形態２ではキャビティ１０を押す力を２段にし、かつ、第１力を低く、第２力を高く設定した。ここでは、キャビティ１０を押す力が１段の場合を検討した。金型は図２の構造のものを用いた。成形装置は直圧方式のものを用いた。
【００６９】
表７に最小キャビティ厚さ（室温時、所望基板厚さ基準）と制御可能な最小板厚（所望基板厚さ基準）と所望基板厚さでの複屈折の最大絶対値との対応を示す。最大キャビティ厚さは所望基板厚さより０．２ｍｍ厚くした。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１３０℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は８トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００７０】
【表７】
0003759489.tif 000008
【００７１】
表７より複屈折が５０ｎｍ以下になるのは最小キャビティ厚さが所望基板厚さより０．１ｍｍ以下薄い場合である。また、所望基板厚さを得るためには、金型間は開く方向しか制御できないので、最小キャビティ厚さは所望基板厚さより厚くはできない。したがって、最小キャビティ厚さは所望基板厚さに対して０ｍｍから０．１ｍｍ薄くすれば良いことが確認できた。
【００７２】
次に最大キャビティ厚さについて検討する。最小キャビティ厚さを所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くする。金型の開き量をレーザ変位計を用いて測定した。基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１３０℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は８トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。測定結果を表８に示す。
【００７３】
【表８】
0003759489.tif 000009
【００７４】
表８から圧縮代が大きくなるほど複屈折は良くなり、板厚のショットばらつきは大きくなる。
【００７５】
表８から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下なのは圧縮代が０．１５ｍｍ以上であり、板厚のショットばらつきが±３５μｍ以下なのは圧縮代が０．３ｍｍ以下の場合である。したがって、圧縮代、すなわち、最大キャビティ厚さと最小キャビティ厚さとの差は０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が良いことを確認できた。
【００７６】
表９に溶融樹脂の充填時の型締め力と複屈折および板厚との関係を示す。最小キャビティ厚さは所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くし、圧縮代は０．２ｍｍとした。また、基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１３０℃、スプル温度は６０℃とした。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００７７】
【表９】
0003759489.tif 000010
【００７８】
表９から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下になるのは型締め力が１０トン以下の場合であった。この場合、溶融樹脂がキャビティ１０の内に充填されると樹脂圧の方が大きいためにキャビティ１０の厚さは広がり、その結果、樹脂の流動が良くなって樹脂が受ける応力が低減され複屈折が良くなる。また、板厚のショットばらつきが±３５ｎｍ以下になるのは型締め力が６トン以上の場合であった。これは型締め力が高いほど最大キャビティ厚さが薄くなり、冷却時にキャビティの面の移動量が減少するためである。したがって、型締め力が１段の場合は型締め力は６トン以上１０トン以下が良いことを確認できた。
【００７９】
本実施の形態では、直圧方式の成形装置の場合を示したが、トグル方式の成形装置の場合でも、同様の動作を行うことができる。トグル方式の成形装置の場合にも、実施の形態１のようなコア部を移動させる射出圧縮機構を用いず、型締め機構のみを用いて型締めを行う。このようにしてトグル方式の成形装置に直圧方式の成形装置の場合と同じ成形条件を設定した結果、同様の結果が得られることを確認した。
【００８０】
（実施の形態４）
実施の形態１から実施の形態３までのような製造方法によって、ポリカーボネート樹脂で、外径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍ、信号領域が、トラックピッチ１．０μｍ、深さ１１０ｎｍのピットの基板を成形した場合、複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下の特性は樹脂温度が３８０℃では金型温度が１２０℃以上で得られる。この場合、ピットの転写は十分である。
【００８１】
そこで、さらに高密度の信号部分をもつ基板成形の場合を検討した。スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ０．６μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。  この場合、実施の形態１および実施の形態２の製造方法で成形するとピット深さが７０ｎｍ台、複屈折の最大絶対値が８０ｎｍ台であった。まず、トグル方式の成形装置について検討した。
【００８２】
転写を良くするために、図１の金型の場合は射出圧縮力を大きくするとキャビティ１０内の樹脂に歪が生じて複屈折の絶対値が大きくなった。また、図２の金型の場合は型締め力を大きくすると複屈折の絶対値が大きくなった。そこで、複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下になる成形条件である金型温度とスプル温度を変えてピット深さを測定した結果を表１０に示す。金型温度は固定金型６と可動金型７とで同じになるように制御した。ポリカーボネートの分解開始温度を考慮して樹脂温度は上限と考えられる３８０℃に固定した。成形サイクルは１５秒で行った。
【００８３】
【表１０】
0003759489.tif 000011
【００８４】
表１０から金型温度は１３０℃あればトラックピッチ０．６μｍ、ピット深さ１１０ｎｍを転写することがわかる。ただし、金型温度が１４５℃で成形した基板はプロペラ状に反っているため光ディスク用の基板には使用できないことがわかった。また、スプル温度の影響は小さいことがわかった。
【００８５】
金型温度とは一般に金型内を流れている媒体の制御温度のことを呼ぶ。しかし、実際の成形では溶融した樹脂が流入するキャビティ１０の温度が重要である。そこで、成形の１サイクルのうちで上がったり下がったりするキャビティ１０の表面近傍の鏡面温度を測定し、溶融した樹脂が流入する際の温度を求め、この温度をここでは金型鏡面温度と呼ぶことにする。基板がプロペラ状に反った金型温度１４５℃の際の金型鏡面温度はポリカーボネートのガラス転移温度１５０℃であった。そこで、金型鏡面温度は樹脂材料のガラス転移温度より低く、好ましくは、５℃以上低く制御しなければならないことがわかった。また、金型温度１３０℃の際の金型鏡面温度は１３５℃であった。
【００８６】
ここで、スタンパ１１が装着されている可動金型７の温度を１３５℃に固定して固定金型６の温度を変えた結果を表１１に示す。スプル温度は６０℃とした。
【００８７】
【表１１】
0003759489.tif 000012
【００８８】
表１１からスタンパを装着していない方の金型温度は転写に影響がないことがわかる。したがって、少なくともスタンパを装着した方の金型温度が１３０℃以上あればトラックピッチ０．６μｍ、深さ１１０ｎｍのピットの転写は良好である。
【００８９】
以上のことから、外径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍの基板を成形して実用可能な製品を得るためには、少なくともスタンパを装着した方の金型鏡面温度が樹脂材料のガラス転移温度より５Ｋ以上２５Ｋ以下、好ましくは５Ｋ以上１５Ｋ以下低くしなければならないことがわかった。
【００９０】
ここでは成形サイクルを１５秒に固定して検討した。この成形サイクルを短くすると金型温度は同じでも金型鏡面温度は高くなる。そこで、成形サイクルを１５秒、１２秒、８秒と変えて金型鏡面温度と転写および複屈折との関係を調べると、十分な転写および５０ｎｍ以下の複屈折が得られる金型鏡面温度は成形サイクルに依らないことがわかった。
【００９１】
また、図２の金型を直圧方式の成形装置に載せて成形を行っても、図１や図２の金型をトグル方式の成形装置に載せた場合と同じで、外径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍの基板を成形して実用可能な製品を得るためには、少なくともスタンパを装着した方の金型鏡面温度が樹脂材料のガラス転移温度より５Ｋ以上２５Ｋ以下、好ましくは５Ｋ以上１５Ｋ以下低くしなければならないことがわかった。
【００９２】
（実施の形態５）
次に溶融樹脂が受ける圧力と複屈折との関係を調べた。ここでは、図１の金型をトグル方式の成形装置に載せた場合について説明する。溶融樹脂の受ける圧力を直接検出することはできないので、溶融樹脂の反力としてスクリューが受けた圧力で代用し、図３の油圧回路８に設けた圧力計によって検出する。この場合の検出圧力は図４のような時間変化を示した。射出工程でピーク圧をもち、保圧工程の始めのころに極小値を示し、徐々に圧力が上昇している。ピーク圧を示すのは溶融樹脂がキャビティ１０内に満たされた後も溶融樹脂を充填しようとするからであり、極小値を保圧工程で示すのはキャビティ１０に入りきらなかった溶融樹脂がスプルブッシュ２７、ノズル９、スクリュー３と還流し、スクリュー３によって押し出される溶融樹脂と衝突するからと考えられる。また、その後、徐々に樹脂の圧力が上昇するのは保圧のためと考えられる。
【００９３】
この図４の圧力変化をもと溶融樹脂の圧力が極小となる時間の近傍でキャビティ１０への溶融樹脂の充填を止めた。具体的には、図１のカットパンチ１８を突き出した。また、射出圧縮力をカットパンチ１８を突き出すとほぼ同時に４トンから２０トンにした。すなわち、圧縮工程を開始した。表１２に結果を示す。
【００９４】
基板外径は１２０ｍｍであり、所望基板厚さは０．６ｍｍで行った。最小キャビティ厚さは所望基板厚さより０．０５ｍｍ薄くし、圧縮代は０．２ｍｍとした。また、スタンパ１１の信号領域は、トラックピッチ０．６μｍ、深さ１１０ｎｍのピットとした。樹脂材料はポリカーボネート樹脂を用いた。樹脂温度は３８０℃、金型温度は１３５℃、スプル温度は６０℃とした。型締め力は４０トンで行った。成形サイクルは１５秒で行った。複屈折測定にはヘリウムネオンガスレーザを用い、平行光を垂直入射させ、ダブルパスの値を求めた。
【００９５】
【表１２】
0003759489.tif 000013
【００９６】
表１２から複屈折の絶対値が５０ｎｍ以下になるのは溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間から０．３秒後より以前の時間である。
【００９７】
圧縮工程の開始はキャビティ１０への溶融樹脂の充填を止めたのと同時か早い方がよい。これは、圧縮工程の開始によってキャビティ１０内の樹脂に働く圧力が緩和されるからである。また、溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間から０．１５秒より早い時間では、基板の板厚ばらつきが±５０μｍ以上と大きくなった。したがって、溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間より０．１秒前から０．３秒後に溶融樹脂を充填する注入口を閉じるか、または圧縮工程を開始することが好ましい。
【００９８】
本実施の形態は、成形装置がトグル方式であったが直圧方式でも第１型締め力を４トン、第２型締め力を２０トンとし、他の条件はトグル方式の場合と同じに設定して行ったが同様の結果が得られた。
【００９９】
実施の形態１乃至５はポリカーボネート樹脂を取り扱ったが、もちろん、他の樹脂でも構わない。
【０１００】
（実施の形態６）
実施の形態５ではキャビティ１０内の樹脂が受けた圧力と複屈折との関係を調べた。このキャビティ１０内の溶融樹脂の圧力の極小時間は成形装置によって、また、成形条件によってばらつきがある。そこで、本発明のディスク基板の製造装置はこのキャビティ１０内の溶融樹脂の圧力の極小時間を検出してこの圧力が最小となる時間から０秒乃至０．３秒後に、キャビティ内に溶融樹脂を流入する入口を閉じる動作、または圧縮工程の開始動作を行うようにするものである。
【０１０１】
具体的な仕組みは図５に示すとおりである。すなわち、スクリューの受ける圧力の検出器２９でキャビティ１０内の圧力の時間変化を検出し電圧変化に変換する。次に、圧力極小時間検出器３０で圧力が極小となる時間を検出する。具体的には、スクリューの受ける圧力の検出器２９からの電気信号を微分して保圧工程での最初のゼロクロス時間を検出する。図６にこのゼロクロス時間の検出方法を示す。信号（ａ）はスクリューの受ける圧力の検出器２９からの信号である。信号（ｂ）は信号（ａ）の微分信号である。この信号（ｂ）のゼロクロスの検出パルス信号が信号（ｃ）である。信号（ｄ）は保圧工程以降でプラス値を示すゲート信号である。ここで、信号（ｃ）と信号（ｄ）との積を求めると信号（ｅ）となり、この信号（ｅ）が保圧工程で最初に信号（ｂ）がゼロクロスとなる時間を示す。この信号（ｂ）から信号（ｅ）までの処理が圧力極小時間検出器３０で行われる。
【０１０２】
次にこの圧力極小時間を起点にタイマー３１および３２を作動させ、図２のようなコア押し機構のない金型の場合はカットパンチ突出油圧回路３３および型締め油圧回路３４を所定の時間後に作動させてカットパンチの突出と第１型締めから第２型締めに切り替える。図１のようにコア押し機構のある金型の場合はカットパンチ突出油圧回路３３および射出圧縮油圧回路３５を所定の時間後に作動させてカットパンチの突出と射出圧縮力の高圧への切り替えを行う。タイマー３１およびタイマー３２の時間は０秒乃至０．３秒で、タイマー３２の時間の方がタイマー３１の時間と同じか短いことが望ましい。
【０１０３】
以上の結果、実施の形態５と同様の結果が得られた。
【０１０４】
本発明のディスク基板の製造装置の全体構成は、一対の金型を開閉する開閉手段と、樹脂を溶融する加熱手段と、溶融樹脂を閉じた一対の金型間のキャビティ内に充填する射出手段と、キャビティ内に充填した樹脂の流入側への逆流防止のための保圧手段と、充填後に一対の金型をより締める圧縮手段と、キャビティ内に充填する樹脂の圧力が最小となる時間を検出する手段を有するものであり、前記圧力が最小となる時間から０秒乃至０．３秒後に、キャビティ内に溶融樹脂を流入する入口を閉じる動作、または圧縮工程の開始動作を行うものである。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が最小となる時間の近傍で樹脂の流入口を閉じるため溶融樹脂内の残留応力が低減されるとともに、樹脂が固化する前に圧縮工程を開始することで、成形された樹脂基板の転写、複屈折が良くなる。また、金型鏡面の調整温度を適切に選ぶことでも転写、複屈折が良くなる。
【０１０６】
さらに、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間は成形条件によって変化するが、この時間を検出して溶融樹脂の流入口を閉じる動作と圧縮工程を開始することで常に安定した基板の転写と複屈折を得ることができる。
【０１０７】
また本発明の製造装置によれば、キャビティに樹脂を充填する際にキャビティ厚さと射出圧縮力を特定にして樹脂にかかる応力を低減し、複屈折を低下させる。また、金型温度を特定にして樹脂流動を良くさせるとともに樹脂充填時の圧力が極小である時間に樹脂流入を止め、かつ、圧縮工程を開始することで良好な転写と複屈折の低減を図ることができる。この結果、合理的に、かつ、効率よくディスク用基板を製造できる。
【０１０８】
本発明の製造装置によれば、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に溶融樹脂が充填される際に、キャビティ厚さを金型を完全に閉じた場合より広げているので樹脂の流動が良くなり、かつ、金型から溶融樹脂にかける圧力を板厚が制御可能な限り低くしているため溶融樹脂内に生じる応力も低減されて、成形された樹脂基板の複屈折が小さくなる。
【０１０９】
また、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が最小となる時間の近傍で樹脂の流入口を閉じるため溶融樹脂内の残留応力が低減されるとともに、樹脂が固化する前に圧縮工程を開始することで、成形された樹脂基板の転写、複屈折が良くなる。また、金型鏡面の調整温度を適切に選ぶことでも転写、複屈折が良くなる。
【０１１０】
さらに、閉じた一対の金型間に形成されたキャビティ内に充填された溶融樹脂の受ける圧力が極小となる時間は成形条件によって変化するが、この時間を検出して溶融樹脂の流入口を閉じる動作と圧縮工程を開始することで常に安定した基板の転写と複屈折を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１、実施の形態４〜６に用いた金型の構成を示した断面側面図である。
【図２】本発明の実施の形態２〜４、実施の形態６に用いた金型の構成を示した断面側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１〜６に用いた成形装置の構成を示した断面側面図である。
【図４】本発明の一実施の形態のスクリューが受ける圧力の時間変化を示す図である。
【図５】図５（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態６に示す成形装置の機能説明構成図である。
【図６】図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明の実施の形態６に示す成形装置のスクリューの受ける圧力の検出器及び圧力極小時間検出器での信号処理を示した図である。
【図７】図７（ａ）（ｂ）は従来の成形装置の機構部の概略を示す平面図である。
【符号の説明】
１  材料乾燥装置
２  ホッパ
３  スクリュー
４  モータ
５  加熱シリンダ
６  固定金型
７  可動金型
８  油圧回路
９  ノズル
１０  キャビティ
１１  スタンパ
１２  スタンパ内周押さえ
１３  スタンパ外周押さえ
１４  可動金型ミラー部
１５  冷却水路
１６  可動金型基盤
１７  フローティングパンチ
１８  カットパンチ
１９  突出ピン
２０  可動金型突当リング
２１  固定金型突当リング
２２  可動金型ガイドリング
２３  固定金型ガイドリング
２４  固定金型基盤
２５  固定金型ミラー部
２６  冷却水路
２７  スプルブッシュ
２８  固定側ブッシュ
２９  スクリューの受ける圧力の検出器
３０  圧力極小時間検出器
３１、３２  タイマー
３３  カットパンチ突出油圧回路
３４  型締め油圧回路
３５  射出圧縮油圧回路
３６  架台
１０１  固定金型
１０２  可動金型
１０３、１０４  大プレート
１０５  タイバー
１０６、１０８、１１１、１１２  油圧回路
１０７、１０９  ピストン
１１０  トグル
１１３  油圧パイプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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