(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の所定の箇所に凹部あるいは貫通孔を設け、該凹部あるいは貫通孔内周に導体層を設け、前記導体層上に電着手段で誘電体層を設け、この誘電体層上に対向電極を設けると共に、前記導体層および誘電体層表面を粗化することによりコンデンサの対向面積を大きく構成した膜状コンデンサ。
【請求項２】
絶縁性基材の所定の箇所に凹部あるいは貫通孔を形成し、、該凹部あるいは貫通孔内周に導体層を形成し、この導体層上に電着手段で誘電体層を形成し、前記誘電体層上にコンデンサにおける対向電極である導体層を形成すると共に、前記導体層および誘電体層表面を粗化することによりコンデンサの対向面積を大きく形成した膜状コンデンサの製造法。
【請求項３】
前記電着手法の条件を変えることにより静電容量を任意に設定した請求項２の膜状コンデンサの製造法。
【請求項４】
前記請求項のいずれかにより構成された膜状コンデンサを一体に形成した回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜状コンデンサとその為の製造法及びこれを有する回路基板に関するものであり、さらに詳細にいえば、本発明は電気・電子機器の小型・軽量化の要求に伴う部品の小型化に対応した膜状コンデンサとその製造法及びこれを有する回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】
電気・電子機器の更なる小型・軽量化の要求のために配線の密度は年々高くなっている。このため回路基板に実装するコンデンサや抵抗などの部品のサイズも小さくなってきている。
【０００３】
しかしながら部品を実装するためには実装用のランドが必要であり、これが回路基板の配線密度向上の阻害要因となっている。また、部品の小型化は、更なる位置合わせ精度の向上を要求するものであり、生産性において不利になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
電着手法は通電部すべてに成膜が可能な手法であり、表面保護層の形成のための電着も可能であり、回路基板の表面保護層の形成法として検討されている。
【０００５】
そこで本発明では、絶縁性基材の所定の箇所に凹部あるいは貫通孔を設け、該凹部あるいは貫通孔内周に導体層を形成し、この導体層上に薄く誘電体層を形成し、更にこの誘電体層上にコンデンサにおける対向電極である導体層を形成することによって膜状のコンデンサを形成することが可能となる。
【０００６】
このとき、誘電体層を形成する際、電着手法を用いるため、電着条件により任意に電着による誘電体の膜厚をコントロールすることで、形成される膜状コンデンサの静電容量を任意に設定することが可能になる。
【０００７】
また、誘電体をラミネートなどの手法で形成する場合、凹部あるいは貫通孔が微細であると埋め込みが困難となり欠陥となるが、電着手法は通電部全てに膜を析出するため、欠陥がない。一方、ワニスにより誘電体層を形成する手法も考えられるが、ラミネート同様、微細化に対しては埋め込みが困難であり、材料が高価であるためにコスト的に不利である。
【０００８】
また、凹部の内周に形成した導体層、及び誘電体層表面を適当な手段で粗化することにより、表面積を増大させ、対向面積を大きくしてコンデンサの静電容量を設定することも可能である。
【０００９】
さらに、上記方法により形成されたコンデンサは配線の一部として形成されるので、従来のコンデンサよりもサイズを小さくすることが出来、また、基板に埋め込まれた構造を有するので、厚み方向の縮小が出来るため、例えば多層回路基板に於ける内層コンデンサへの適用などが可能となる。
【００１０】
そして、基材として可撓性基板を適用すれば、コンデンサを有する可撓性回路基板の形成が可能となり、更なる軽量、小型化、及び屈曲性の付与による折り畳んでの実装が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例による膜状コンデンサの製造工程図を示す。まず同図(1)のように適当な絶縁性基材1の上面にレーザ、プラズマ、リアクティブイオンエッチングなどのような乾式エッチング、または樹脂エッチングのような化学的な湿式エッチング、あるいはドリルやパンチなどのような機械的加工により凹部2を形成する。
【００１２】
次いで同図(2)のようにアディティブの手法を用いて導体層としての回路配線パターン3を形成し、同時に凹部2の内周にも導体層4を形成する。あるいは凹部2を含む基板上面全面に導体層を形成し、サブトラクティブ法で回路配線パターン3及び凹部内周に導体層4を形成する。この後、必要に応じてブラスト等のような機械的手法、またはソフトエッチングなどの化学的手法により導体層表面を粗化する。
【００１３】
次に同図(3)のように電着手法にて凹部2に形成した導体層4上に誘電体層5を薄く形成する。この後必要に応じてブラスト等のような機械的手法、あるいはソフト樹脂エッチングなどの化学的手法により誘電体層5の表面を粗化する。
【００１４】
更に同図(4)のようにアディティブなどの手法を用いて導体層6を形成することにより膜状コンデンサを得る。
【００１５】
図2は本発明の他の実施例による膜状コンデンサの製造工程図を示す。まず同図(1)のように適当な絶縁性基材7にレーザ、プラズマ、リアクティブイオンエッチングなどのような乾式エッチング、あるいは化学的な湿式エッチング、あるいはドリルやパンチなどのような機械的加工により貫通孔8を形成する。
【００１６】
次いで同図(2)のようにアディティブの手法を用いて導体層としての回路配線パターン9を形成し、同時に貫通孔8の内周にも導体層10を形成する。あるいは貫通孔8を含む基板上面全面に導体層を形成し、サブトラクティブ法で回路配線パターン9及び貫通孔8の内周に導体層10を形成する。この後必要に応じてブラスト等のような機械的手法、あるいはソフトエッチングなどの化学的手法により導体層表面を粗化する。
【００１７】
次に同図(3)のように電着手法にて貫通孔に形成した導体層10上に誘電体層11を形成する。この後必要に応じてブラスト等のような機械的手法、あるいはソフト樹脂エッチングなどの化学的手法により誘電体層表面を粗化する。
【００１８】
更に同図(4)のようにアディティブなどの手法を用いて導体層12を形成することにより膜状コンデンサを得る。
【００１９】
これらの実施例は基材として片面あるいは両面に導体層を既に有する基材を用いてサブトラクティブ法あるいはセミアディティブ法で配線を形成した後に凹部あるいは貫通孔を形成してから凹部あるいは貫通孔内周に導体層次いで誘電体層さらには対向する導体層を形成しても良い。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、電着手法を用いるので微細な窪みあるいは貫通孔に形成した導体層に欠陥無く誘電体層を形成することが可能である。
【００２１】
さらに、電着条件を制御することによって膜状コンデンサの静電容量を任意に設定できる。
【００２２】
そして、上記方法により形成された膜状コンデンサは配線の一部として形成されるので、従来のコンデンサよりもサイズを小さくすることが出来、また、基板に埋め込まれた構造を有するので、厚み方向の縮小が出来るため、例えば多層回路基板に於ける内層コンデンサへの適用などが可能となる。この結果、製品の小型化、軽量化に貢献する。
【００２３】
さらに、基材として可撓性基板を適用すれば、コンデンサを有する可撓性回路基板の形成が可能となり、更なる軽量、小型化、及び屈曲性の付与による折り畳んでの実装が可能となる。この結果、製品の小型化、軽量化に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による膜状コンデンサの製造工程図。
【図２】本発明の他の実施例による膜状コンデンサの製造工程図。
【符号の説明】
１  絶縁性基材
２  凹部
３  回路配線パターン
４  凹部内周の導体層
５  誘電体層
６  誘電体層上に形成された対向導体層
７  絶縁性基材
８  貫通孔
９  回路配線パターン
１０  貫通孔内周の導体層
１１  誘電体層
１２  誘電体層上に形成された対向導体層
【図１】
0003854517.tif 000002
【図２】
0003854517.tif 000003