(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有するセラミック基板の前記貫通孔内に金属柱を配置し、前記セラミック基板の両面にそれぞれ前記貫通孔を塞ぐように第１のロウ材を介して金属回路板を取着するとともに前記金属柱と前記金属回路板とを第２のロウ材を介して接合して成り、前記第１のロウ材が前記貫通孔の外周よりも１００μｍ以上外側に配置されていることを特徴とするセラミック回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板の両面に金属回路板を取着し、それらをセラミック基板の内部に配置した金属柱により接続したセラミック回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パワーモジュール用基板やスイッチングモジュール用基板等の回路基板として、セラミック基板上に被着させたメタライズ金属層に銀−銅合金等のロウ材を介して銅等から成る金属回路板を接合させたセラミック回路基板や、セラミック基板上に銀−銅共晶合金にチタン・ジルコニウム・ハフニウムあるいはその水素化物を添加した活性金属ロウ材を介して銅等から成る金属回路板を直接接合させたセラミック回路基板、あるいはセラミック基板上に銅板を載置して加熱し、セラミック基板と銅板とを直接接合させた、いわゆるＤＢＣ（Direct Bond Copper）法によって作製されたセラミック回路基板が用いられている。
【０００３】
また、これら各セラミック回路基板は、金属回路板の実装密度を高めるために、セラミック基板の上下両面に金属回路板を接合させておき、これら上下両面の金属回路板間をセラミック基板に設けた貫通孔内に配置した金属柱により電気的に接続することが行なわれている。
【０００４】
なお、これらセラミック回路基板、例えばセラミック基板上に活性金属ロウ材を介して銅等から成る金属回路板を直接接合させたセラミック回路基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・窒化珪素質焼結体・ムライト質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス材料から成り、厚み方向に貫通する貫通孔を設けたセラミック基板を準備し、次にこのセラミック基板の貫通孔内に金属柱を配置し、銀ロウ粉末（銀と銅との合金粉末）に有機溶剤や溶媒を添加混合して得たロウ材ペーストを金属柱両面に塗布するとともに、セラミック基板上に間に銀−銅合金にチタン・ジルコニウム・ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも１種を添加した活性金属ロウ等のロウ材を挟んで所定パターンの金属回路板を載置当接させ、しかる後、これを還元雰囲気中にて約900℃の温度に加熱し、ロウ材ペーストおよびロウ材を溶融させて、メタライズ金属層と金属回路板とを活性金属ロウ材を介して、および金属回路板と金属柱とを銀ロウ等のロウ材を介して接合することによって製作される。
【０００５】
このように製作されたセラミック回路基板は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半導体素子等の電子部品を半田等の接着剤を介して実装した後、外部入出力用の端子が一体成型された樹脂ケースに組み立てられ、半導体モジュールとなる。この半導体モジュールは、ロボット等の産業機器から電車の駆動部や電気自動車等の幅広い用途に使用され、厳しい環境下での高い信頼性が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のセラミック回路基板は、セラミック基板の表面の貫通孔外周まで金属回路板接合用ロウ材を取着して金属回路板を接合するため、金属柱と金属回路板との接合部からセラミック基板と金属板との接合部までの間隔がほとんどないものであった。そのため金属回路板接合時の熱履歴または接合後の半導体素子の動作時に発する熱や環境変化等により回路基板に熱サイクルが加わると、金属柱の熱膨張とセラミック基板の熱膨張との差によって金属柱が上下の金属回路板を凹ませるあるいは押し上げることとなり熱応力が発生するが、このとき金属柱との接合部とセラミック基板との接合部の間に位置する金属回路板が小さいため、金属回路板の撓み量が小さく、熱応力を吸収できず、この熱応力によりセラミック基板の貫通孔周辺にクラックが発生し易いという問題点があった。
【０００７】
この問題に対して、貫通孔と金属柱との間に間隔を設け、金属回路板の熱応力を吸収するための部分を増やしても、セラミック基板の貫通孔周辺におけるクラックの発生を充分に抑えることができない場合があった。これは、セラミック基板へ貫通孔を形成する工程は、グリーンシートの状態での打ち抜き法が一般的であるが、この際に貫通孔周辺にマイクロクラックが発生し、焼成後の基板でも約50μｍ以下のマイクロクラックとして残存するからであると考えられる。つまり、前述した貫通孔周辺に発生する熱応力の集中し易い部分にマイクロクラックが存在していることとなり、このマイクロクラックが起点となりクラックが発生してしまうからである。
【０００８】
また、セラミック基板にロウ材を取着する工程は、通常はスクリーン印刷によりロウ材ペーストをセラミック基板上に塗布する方法が用いられるが、貫通孔の外周まで塗布しようとすると、セラミック基板内の貫通孔の位置精度やスクリーン印刷の精度またはロウ材ペーストの粘度によっては、貫通孔内へロウ材ペーストが塗布されたり、貫通孔内へロウ材ペーストが垂れ込んだりしてしまうという問題点があった。
【０００９】
このような状態でロウ材を加熱溶融すると、このロウ材と金属柱の上下面に取着されたロウ材とが融合してそれぞれのロウ材の本来の組成が失われ、接合不良やロウ材の電気抵抗の上昇といった不具合が発生してしまう。また、金属柱と貫通孔の内壁との間にロウ材が介在することとなり、金属柱の径方向の熱膨張とセラミック基板の貫通孔の熱膨張との差により貫通孔を押し広げるような熱応力が発生し、セラミック基板の貫通孔周辺にクラックや割れを発生させやすくなる。
【００１０】
さらには、上述したような貫通孔を形成するための打ち抜き工程では貫通孔の周辺にはバリが発生し、焼成後のセラミック基板は貫通孔の周辺部が盛り上がった形状となる場合がある。このような状態で貫通孔の外周までロウ材ペーストを塗布すると、この盛り上がったバリ部分にまでロウ材ペーストを塗布することとなり、塗布されたロウ材ペースト上に金属回路板を載置する際に、金属回路板が貫通孔の周辺以外のロウ材と接しにくくなり、金属回路板とセラミック基板との間のロウ材中にボイドが発生するなどして接合不良になりやすいという問題点があった。
【００１１】
これらのような問題点があると、金属回路板とセラミック基板との接合不良により金属回路板上に搭載された半導体素子等の発生する熱を逃がすことができなくなり、貫通孔を起点とするクラックによりセラミック回路基板の強度および絶縁耐圧特性が低下し、金属柱と金属回路板との接続部におけるロウ材の組成変化による接続不良や電気抵抗上昇により接続部が発熱してしまい、結果として半導体素子等の電子部品を正常に安定して作動させることができなくなってしまうという問題点があった。
【００１２】
本発明は以上のような従来の技術の問題点を解決すべく案出されたものであり、その目的は、貫通孔の周辺にクラックの発生がない、金属回路板とセラミック基板との接合および金属柱と金属回路板との接合が良好な、信頼性の高いセラミック回路基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック回路基板は、貫通孔を有するセラミック基板の前記貫通孔内に金属柱を配置し、前記セラミック基板の両面にそれぞれ前記貫通孔を塞ぐように第１のロウ材を介して金属回路板を取着するとともに前記金属柱と前記金属回路板とを第２のロウ材を介して接合して成り、前記第１のロウ材が前記貫通孔の外周よりも100μｍ以上外側に配置されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明のセラミック回路基板によれば、金属回路板とセラミック基板とを接合するための第１のロウ材をセラミック基板の貫通孔の外周よりも100μｍ以上外側に配置したことから、金属柱の熱膨張とセラミック基板の熱膨張との差による熱応力がセラミック基板の貫通孔の周辺のマイクロクラックに作用してセラミック基板にクラックや割れを発生させることがなくなり、また製造工程において第１のロウ材が貫通孔内に垂れ込んで、金属回路板と金属柱とを接合するための第２のロウ材と融合してロウ材の組成が変化することがないので、金属回路板とセラミック基板および金属回路板と金属柱との接合が良好で、搭載される半導体素子等の電子部品を正常かつ安定に作動させることのできる信頼性の高いセラミック回路基板を得ることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態の例を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は本発明のセラミック回路基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、１はセラミック基板、２は第１のロウ材、３は金属回路板、４はセラミック基板１の貫通孔、５は金属柱、６は第２のロウ材である。このセラミック回路基板は、セラミック基板１の上下両面に所定パターンの金属回路板３が第１のロウ材２を介して取着されており、同時にセラミック基板１に設けた厚み方向に貫通する貫通孔４内に金属柱５がその両端面を第２のロウ材６を介して金属回路板３に接合されて配置されているものである。
【００１７】
セラミック基板１に設けた貫通孔４内に配置されている金属柱５は、その両端が金属回路板３に第２のロウ材６を介して接合されており、これによってセラミック基板１の上下両面に取着されている金属回路板３は金属柱５およびロウ材６を介して電気的に接続されることとなる。
【００１８】
貫通孔４を有するセラミック基板１は、酸化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料で形成されている。例えば、窒化珪素質焼結体から成る場合であれば、窒化珪素・酸化アルミニウム・酸化マグネシウム・酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダ・可塑剤・溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに、この泥漿物に従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１９】
金属回路板３は銅もしくはアルミニウムから成り、銅もしくはアルミニウムのインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば500μｍの厚みで、所定パターンに形成される。
【００２０】
金属回路板３が銅から成る場合は、これを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。特に、第１のロウ材２が活性金属ロウ材から成る場合は、無酸素銅は第１のロウ材２を介してセラミック基板１に取着する際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく活性金属ロウ材との濡れ性が良好となるので、金属回路板３のセラミック基板１への活性金属ロウ材を介しての取着接合が強固となる。従って、金属回路板３は、銅から成る場合はこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【００２１】
金属柱５は、比抵抗が３μΩ・ｃｍ以下と非常に小さい良導電性の銅（1.72μΩ・ｃｍ）もしくはアルミニウム（2.65μΩ・ｃｍ）等により形成しておくと、金属柱５に大きな電流が流れたとしても金属回路板３・金属柱５およびその接続部分からジュール熱による大量の熱が発生することがなく、その結果、金属回路板３上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品を常に適温として、長期間にわたって正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【００２２】
また、金属柱５は、銅から成る場合にはこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。これは、特に第１のロウ材２が活性金属ロウ材から成る場合は、ロウ付けの際に金属回路板３の表面が金属柱５の銅中に存在する酸素により酸化されることがなく、第１のロウ材２との濡れ性が良好となり、金属回路板３のセラミック基板１への第１のロウ材２を介しての接合が強固となるからである。
【００２３】
金属柱５の長さはセラミック基板１の厚みに対して０〜150μｍ短いものとすることが好ましい。金属柱５がセラミック基板１の厚みより長いと、金属柱５が上下に取着された金属回路板３を突き上げてしまい、セラミック基板１と上下の金属回路板３とが良好に接合されなくなってしまう。また、セラミック基板１の厚みに対して150μｍより短いと、金属柱５に多くのロウ材６を被着させる必要がありコストアップになる他、ロウ材６を加熱溶融した際に金属柱５が上下に移動したり傾いたりして、金属柱５と金属回路板３とを良好に接合することが困難となる傾向がある。
【００２４】
第１のロウ材２は、セラミック基板１に第１のロウ材２を介して直接に金属回路板３をロウ付けする場合であれば、活性金属ロウ材が用いられる。活性金属ロウ材は、金属回路板３が銅から成る場合であれば、銀−銅共晶合金にチタン・ジルコニウム・ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を２〜５重量％添加させたものが用いられ、また金属回路板３がアルミニウムから成る場合であれば、アルミニウム−シリコン共晶合金にチタン・ジルコニウム・ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を２〜５重量％添加させたものが用いられる。また、セラミック基板１の表面に予めタングステンまたはモリブデン等のメタライズ金属層を被着させておき、このメタライズ金属層に金属回路板３をロウ材を介して接合させる場合であれば、活性金属成分であるチタン・ジルコニウム・ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を含まない、銀ロウ材またはアルミニウムロウ材が用いられる。
【００２５】
第２のロウ材６は、金属回路板３が銅から成る場合であれば、銀−銅共晶合金から成る銀ロウ材が、また金属回路板３がアルミニウムから成る場合であれば、アルミニウム−シリコン共晶合金から成るアルミニウムロウ材が用いられる。また、第２のロウ材６は貫通孔４の内部に配置され、金属柱５と金属回路板３とを接合するものであり、第１のロウ材２とは区別されて配置されている。
【００２６】
本発明のセラミック回路基板においては、第１のロウ材２が貫通孔４の外周よりも100μｍ以上外側に配置されることが重要である。これは、セラミック基板１の貫通孔４の周辺には約50μｍ以下のマイクロクラックが存在するからである。第１のロウ材２を貫通孔４の外周から100μｍより内側に配置すると、セラミック基板１の熱膨張率と金属柱５の熱膨張率との差に起因する熱応力が貫通孔４周辺の第１のロウ材２の端部に集中し易いので、この熱応力がマイクロクラックに作用してマイクロクラックが起点となりクラックや割れが発生してしまうからである。よって、このマイクロクラックに熱応力が作用することのないように、第１のロウ材２は貫通孔４の外周から100μｍ以上外側に配置されることが重要である。
【００２７】
また、第１のロウ材２を貫通孔４の外周より100μｍ以上外側に配置することにより、セラミック基板１にスクリーン印刷により第１のロウ材２から成るロウ材ペーストを印刷塗布する際のロウ材ペーストの貫通孔４への垂れ込みを防止することが可能となり、さらにはセラミック基板１の貫通孔４付近にグリーンシートの打ち抜きによって発生する盛り上がったバリ部分がある場合に、この部分を避けて第１のロウ材２が塗布されることとなるので、金属回路板３と第１のロウ材２のペーストとの間にボイド等の欠陥をもった接合不良が発生することを防止することが可能となる。
【００２８】
貫通孔４の内壁面と金属柱５の外壁面との間の空間の幅（貫通孔４の半径と金属柱５の半径との差に相当する）は、30〜200μｍの範囲としておくことが好ましい。これは、この空間の幅が30μｍ未満の場合は、セラミック回路基板に熱が加わった際に、セラミック基板１と金属柱５との熱膨張係数の差によって膨張した金属柱５の外壁面がセラミック基板１の貫通孔４の内壁面を押し広げようとするのをセラミック基板１の貫通孔４の内壁面と金属柱５の外壁面との間にある空間で確実に吸収することが困難となり、金属柱５の外壁面がセラミック基板１の貫通孔４の内壁面を押し広げてしまい、セラミック基板１にクラックや割れを発生させてしまうことがあるためである。また、この空間の長さが200μｍを超えた場合は、セラミック基板１の貫通孔４にロウ材６付き金属柱５を挿着する際に、ロウ材６付き金属柱５が傾いてしまい金属回路板３をセラミック基板１と確実に接合できなくなることがあるためである。
【００２９】
貫通孔４を有するセラミック基板１への第１のロウ材２を使用しての金属回路板３の取着は、以下のようにして行なわれるとよい。
【００３０】
まず、例えば金属回路板３が銅から成り、第１のロウ材２が活性金属ロウ材から成る場合であれば、銀−銅共晶合金にチタン・ジルコニウム・ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を２〜５重量％添加させたものに有機溶剤・溶媒を混合して第１のロウ材ペーストを作製し、次にセラミック基板１の上下両面にこの第１のロウ材ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって約10〜40μｍの厚みで所定パターンに印刷塗布する。
【００３１】
次に、セラミック基板１の貫通孔４内に第２のロウ材６付き金属柱５を挿入配置するとともに、セラミック基板１の上下両面に印刷塗布されている第１のロウ材ペースト上に金属回路板３を載置し、しかる後、これを真空中もしくは中性または還元雰囲気中にて、所定温度（銅の場合は約900℃）で加熱処理し、第１のロウ材ペーストおよびロウ材付き金属柱の両端面に被着されたロウ材６を溶融せしめ、溶融した第１のロウ材２でセラミック基板１と金属回路板３を、第２のロウ材６で金属回路板３と金属柱５とを接合させる。
【００３２】
上述した製造方法において、第２のロウ材６付き金属柱５は、セラミック基板１の厚みに対して０〜150μｍ短い金属柱５の両端に第２のロウ材６を被着して、セラミック基板１の厚みに対して40〜140μｍ長くしたものがよい。これは、金属柱５の長さがセラミック基板１の厚みよりも０〜150μｍ短いと、前述したように金属柱５が上下に取着された金属回路板３を突き上げることがなく、セラミック基板１とその両面の金属回路板３との良好な接合を損なうことがないからであり、また、ロウ材６付き金属柱５の長さがセラミック基板１の厚みに対して40〜140μｍ長いと、その両端のロウ材６が確実に上下の金属回路板３と接触し、その後の溶融工程で金属柱５と金属回路板３とがロウ材６を介して確実に接合され、信頼性の高い電気的接合が得られるからである。
【００３３】
ロウ材６付き金属柱５は、例えば、銅もしくはアルミニウムのインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法・引き抜き加工法等の従来周知の金属加工法を施すことによって円柱状に形成して金属柱５を作製し、その後、金属柱５の上下両端面に、銅の場合には銀ロウ材を、アルミニウムの場合にはアルミニウムロウ材を被着させて作製される。また、他の方法としては、ロウ材／銅板もしくはアルミニウム板／ロウ材の順で積層し、圧延加工法によって所定の厚みにしたものに打ち抜き加工法・引き抜き加工法等の金属加工法を施すことにより作製する方法がある。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例および比較例の試験結果を挙げて本発明のセラミック回路基板について詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
【００３５】
まず、打ち抜き加工により貫通孔を形成した窒化アルミニウムグリーンシートを積層し、窒素雰囲気中にて約1800℃の温度で焼成することにより、直径２ｍｍの貫通孔が20個形成された、厚みが0.635ｍｍの窒化アルミニウム質焼結体のセラミック基板を得た。この窒化アルミニウム基板の両面に、銀−銅共晶合金に水素化チタンを３重量％添加させたものに有機溶剤・溶媒を混合して作製した第１のロウ材ペーストをスクリーン印刷にて塗布した。このときの第１のロウ材ペーストパターンの貫通孔の外周からの距離が０μｍ，30μｍ，70μｍ，100μｍのものを作製した。このとき、貫通孔の外周からの距離が０μｍおよび30μｍのものは、第１のロウ材ペーストが貫通孔に垂れ込むものがほとんどであったが、70μｍおよび100μｍのものは垂れ込むものはなかった。
【００３６】
次に、第２のロウ材として銀−銅共晶合金が予め被着された金属柱を貫通孔に挿入し、無酸素銅から成る厚さが0.3ｍｍの予め回路パターン形状に打ち抜き加工された金属回路板を、貫通孔を塞ぐようにセラミック基板を挟んで載置した。金属柱は、直径が1.8ｍｍ、長さが0.635ｍｍ、第２のロウ材を含めた長さが0.685ｍｍのものを用いた。
【００３７】
最後に、真空中にて約900℃の温度に加熱し、第１のロウ材ペーストおよび第２のロウ材を溶融させて、金属回路板とセラミック基板と、および金属回路板と金属柱とを接合してセラミック回路基板を得た。
【００３８】
得られたセラミック回路基板は、−40℃／＋125℃の温度サイクル試験に投入し、温度サイクル試験投入前（初期）と1000サイクル終了後の貫通孔の周辺部の断面を観察して評価した。
【００３９】
評価結果は、まず、貫通孔の外周からの距離が０μｍおよび30μｍのものは、初期で貫通孔の周辺にクラックが観察された。これは、セラミック回路基板の作製時の加熱状態からの冷却時に発生する熱応力が貫通孔の周辺のマイクロクラックに作用して、大きなクラックになったものと考えられる。
【００４０】
また、温度サイクル試験後のものは、金属回路板の幅の小さい部分が、さらに大きくなったクラックによりセラミック基板から剥がれやすくなった。また、貫通孔の外周からの距離が70μｍのものは、初期では貫通孔の周辺にクラックは観察されなかったが、温度サイクル試験後は貫通孔の周辺にクラックが観察された。これは、貫通孔の外周から約50μｍ以下のマイクロクラックの存在する領域に金属回路板とセラミック基板との接続部が存在しないため、セラミック回路基板の作製時に発生する熱応力では貫通孔周辺のマイクロクラックを大きなクラックに進展させるには至らなかったが、温度サイクル試験による繰り返しの熱応力が作用することにより大きなクラックとなったと考えられる。なお、貫通孔外周からの距離が100μｍのものは、初期および温度サイクル試験後においても貫通孔周辺にクラックは観察されなかった。
【００４１】
上記の結果から、金属回路板とセラミック基板とを接合する第１のロウ材が貫通孔の外周よりも100μｍ以上外側に配置された構造とすることによって、温度サイクル試験等の信頼性試験においてもセラミック回路基板の貫通孔周辺にクラックや割れを発生させることはなく、その結果として絶縁耐圧特性に優れ、機械的強度が高く、金属回路板とセラミック基板との接合信頼性の高いセラミック回路基板が得られることが確認できた。
【００４２】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４３】
例えば、上述の実施の形態の例ではセラミック基板１に活性金属ロウ材２を介して直接に金属回路板３をロウ付けしたが、これをセラミック基板１の表面に予めタングステンまたはモリブデン等のメタライズ金属層を被着させておき、このメタライズ金属層に金属回路板３をロウ材を介して接合させてもよい。
【００４４】
また、上述の実施の形態の例ではセラミック基板１に活性金属ロウ材から成る第１のロウ材２を介してあらかじめ回路配線パターン形状に形成された金属回路板３をロウ付けしたが、セラミック基板１と略同形状の金属板をロウ付けした後にエッチングにより不要な金属部分を除去して回路配線パターン形成を行なって金属回路板３としてもよい。
【００４５】
さらには、上述の実施の形態の例ではセラミック基板１の貫通孔４内に第２のロウ材６付き金属柱５を挿入配置したが、金属柱５を挿入配置し、第２のロウ材ペーストをその上下両面に塗布するという方法を採ってもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明のセラミック回路基板によれば、金属回路板とセラミック基板とを接合するための第１のロウ材をセラミック基板の貫通孔の外周よりも100μｍ以上外側に配置したことから、金属柱の熱膨張とセラミック基板の熱膨張との差による熱応力がセラミック基板の貫通孔周辺のマイクロクラックに作用してセラミック基板にクラックや割れを発生させることがなくなり、また製造工程において第１のロウ材が貫通孔内に垂れ込んで、金属回路板と金属柱とを接合するための第２のロウ材と融合してロウ材の組成が変化することがないので、金属回路板とセラミック基板および金属回路板と金属柱との接合が良好で、搭載される半導体素子等の電子部品を正常かつ安定に作動させることのできる信頼性の高いセラミック回路基板を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・セラミック基板
２・・・・第１のロウ材
３・・・・金属回路板
４・・・・貫通孔
５・・・・金属柱
６・・・・第２のロウ材
【図１】
0003830372.tif 000002