(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する半導体ウェハの表面側のほぼ全面に導電層を形成し、その上に配線部分を電解めっきし、その後、導電層除去工程にて電解めっきした配線部分以外の導電層を除去することにより半導体ウェハの表面側に配線を形成する半導体装置の製造方法において、
上記半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿設した後、該貫通孔に導電性材料を設ける貫通孔導電工程と、
半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、
半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、
上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して上記配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記電解めっき工程において、上記半導体ウェハの表面側の導電層内にほぼ均一のめっき電流が流れていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハのほぼ全面にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記貫通孔は、半導体ウェハに散在して複数穿設され、かつ半導体ウェハの少なくともほぼ中心位置に少なくとも１個穿設されるとともに、
上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、少なくとも上記半導体ウェハの中心部近傍にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハの外周部の複数の個所にても電気的に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記貫通孔導電工程は、
半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、
上記半導体ウェハの表面側に上記貫通孔を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、
その後、上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、
上記保護層を上記半導体ウェハから除去する保護層除去工程とからなることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子を搭載する半導体ウェハの表面側のほぼ全面に導電層を形成し、その上に配線部分を電解めっきし、その後、導電層除去工程にて電解めっきした配線部分以外の導電層を除去することにより半導体ウェハの表面側に配線を形成する半導体装置の製造方法において、
半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、
上記半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通するとともに、上記半導体ウェハの表面側の貫通開口が上記導電層に覆われている貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、
上記半導体ウェハの表面側の導電層上に、配線が形成される部分にマスク開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、
上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、
上記半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、
上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して上記配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とをこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
電解めっきを行った後、上記半導体ウェハからマスクを剥離するマスク剥離工程と、
上記半導体ウェハの表面側の上記配線が形成されていない導電層を除去する導電層除去工程と、
上記半導体ウェハを個片に切断することにより電気的に独立した複数の配線を形成する切断工程とをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記貫通孔に設けられる導電性材料が金属であることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記導電性材料充填工程は、
半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、
その後、上記半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、
上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなることを特徴とする請求項６から９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記導電性材料充填工程は、
半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、
その後、上記半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、
上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなることを特徴とする請求項６から９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記保護層形成工程において、保護シートを上記半導体ウェハの表面ほぼ全面に貼付することにより保護層を形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
上記マスクは感光性樹脂であることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記導電層除去工程において、プラズマによるドライエッチングを行うことにより導電層を除去することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記導電層除去工程において、上記半導体ウェハの裏面側の導電層も同時に除去することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
上記導電層除去工程において、酸エッチングを行うことにより導電層を除去することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、他の電子部品等と電気的に接続する配線が電解めっきにより形成される半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
他の電子部品又は配線基板等との電気的な接続を目的として表面側の絶縁保護膜上に配線を電解めっきにより形成する場合、表面側の絶縁保護膜上に形成された導電層を給電層とし、電解めっき装置のカソード（陰極）端子を給電層に接触させて導通を図る方法が知られている。
【０００３】
このような電解めっき装置として、図１７に示すような噴流式電解めっき装置１００が知られている。
【０００４】
この電解めっき装置１００においては、カップ１０１の底中央に備えられた噴出口１０２から、メッシュ状のアノード電極（陽極）１０３を通ってめっき液が噴出する。ウェハ１１０はカップ１０１の上部開口部に設けられたウェハ支持リング１０４に支持されている。このウェハ１１０は、半導体素子が形成される表面側に、全面に渡って給電層が形成され、さらにその上に、めっきする部分を開口するマスクが形成されている。ウェハ支持リング１０４に設けられた複数個のカソード端子１０５は、ウェハ１１０の給電層の外周部と数箇所にて接触している。
【０００５】
噴出口１０２からめっき液を噴出してウェハ１１０の表面に当てながら、アノード電極１０３とカソード端子１０５との間に所定の電流を流すことにより、めっき処理が行われる。
【０００６】
しかし、この電解めっき装置１００を用いるめっき方法には、以下の問題が存在する。
【０００７】
（１）カソード端子１０５と給電層との接触面積が狭いので、この部分にめっき液が入り込むと、電圧降下が大きいために、めっき析出物の異常成長が生じる。この異常めっき析出物が粉状に脱落し、ウェハ１１０の表面に付着して、突起等のめっき不良の原因となる。
【０００８】
（２）ウェハ１１０の径が大きくなるほど、周方向および半径方向のめっき厚の厚薄の問題が生じる。これは、カソード端子１０５と給電層との接点が、ウェハ１１０の外周部の数箇所であるために、接点から遠いほどめっき電流が流れにくく、めっき厚が薄くなるためである。
【０００９】
上記（１）に対する対策として、従来例１（特開２０００−３２８２９１号公報）における、図１８に示すような、ウェハ支持リング１０４とカソード端子１０５との構成と導通方法とがある。ウェハ１１０はめっき液がめっき面以外に流入しないように設けられたウェハ１１０の径より小さいパッキン１０６に密着し、カソード端子１０５はパッキン１０６より外側でウェハ１１０の実質全周に渡って電気的に接触することによってカソード端子１０５とめっき液とが接触することがないように構成している。
【００１０】
また、上記（１）に対する対策として、従来例２（特開平４−４１６９７号公報）における、図１９に示すような、カソード端子（めっき用コンタクトピン）１０５の構成と導通方法とがある。これは、給電層（下地導電性被膜）に電気的に接触する金属製のカソード端子１０５の先端が、めっき液との接触を防止するために柔軟性のある吸盤形状の絶縁物カバー１０７に周囲を囲まれ、ウェハ（めっき被加工物）１１０をカソード端子１０５に押し当て、絶縁物カバー１０７が変形してウェハ１１０に密着することによって、カソード端子１０５の先端にめっき液が接触しないことを意図したものである。
【００１１】
上記（２）に対する対策として、従来例１において、カソード端子１０５はウェハ１１０の実質全周にわたって電気的に接触することによって、円周方向において給電層（下地金属層）中のめっき電流が等しくなる構成となっている。また、アノード電極１０３を中央部ほどウェハ１１０に近づく笠型に構成することにより、半径方向のめっき厚が均一になるようにしている。
【００１２】
また、上記（２）に対する対策として、めっき電流を流れやすくするために、給電層の厚みを増加すれば良い。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来例１および２のように、パッキン１０６や絶縁物カバー１０７等のウェハ１１０への接触によってカソード端子１０５とめっき液とを隔離する構成では、本質的にカソード端子１０５とめっき液との接触という危険性が含まれている。よって、めっき液とカソード端子との接触による異常めっき析出物の発生に伴うめっき不良の防止は完全とはいえない。従って、接触が発生した場合のウェハ１１０の損害、およびカソード端子１０５を含めた電解めっき装置１００の保守によるコストの増加が避けられない。
【００１４】
また、上記従来例１は、めっき液がめっき面以外に流入しないようにパッキン１０６を設け、カソード端子１０５をパッキン１０６より外側でウェハ１１０の実質全周にわたって給電層と電気的に接触する構成であるが、ウェハ１１０の実質全周にわたりパッキンが接触するためパッキン１０６より外側の部分はめっきされず歩留まりの低下に繋がるとともに、パッキン１０６が接触する部分は平坦でなければならないという制約が伴う。
【００１５】
また、上記従来例２のように、めっき液と接触することがないように、カソード端子１０５の先端の周囲に絶縁物カバー１０７を設ける構成では、カソード端子１０５の先端の高さと絶縁物カバー１０７の上端の高さを最適に保つことが重要である。カソード端子１０５の高さと絶縁物カバー１０７の上端の高さとの差が小さくなると、絶縁物カバー１０７が変形しウェハ１１０に密着する前にカソード端子１０５がウェハ１１０に接触し、絶縁物カバー１０７の密着不足によりカソード端子１０５とめっき液が接触する。また、逆にカソード端子１０５が絶縁物カバー１０７の上端の高さから下がりすぎると、ウェハ１１０とカソード端子１０５とが電気的に接触することが困難となり、導通不良が発生する。
【００１６】
さらに、上記従来例１の導通方法は、ウェハ半径方向におけるめっき厚を均一にするために、ウェハ半径方向では中心に向かってめっき電流が少なくなることを意図して、アノード電極１０３を中央部ほどウェハ１１０に近づく笠型に構成している。しかし、メッシュ状のアノード電極１０３を笠型に加工する必要があるので、コストが高くなる。また、半導体装置の配線構成等に合わせて、最適なアノード電極１０３の形状と配置位置とに変更する必要があるので、同じ電解めっき装置を用いて種類の異なるウェハを処理することができない。
【００１７】
また、めっき電流を流れやすくするために、給電層の厚みを増加する構成では、給電層にはＡｕなどの高価な材料が用いられているので、コストが高くなる。また、その上にめっき層が形成されない給電層は、エッチング等により除去する必要があるが、給電層の厚みが増加するほど処理工程に要する時間が長くなる。また、ケミカルエッチングを用いた場合には、厚み方向のエッチングと同時に、横方向にもエッチングが進行するので、配線としてのめっき層下の給電層を除去し過ぎてしまい、配線不良が生じる可能性がある。
【００１８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、めっき液とカソード端子との接触による異常めっき析出物の発生に伴うめっき不良を防止し得る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明の更なる目的は、均一な厚さのめっき層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、半導体素子を搭載する半導体ウェハの表面側のほぼ全面に導電層を形成し、その上に配線部分を電解めっきし、その後、導電層除去工程にて電解めっきした配線部分以外の導電層を除去することにより半導体ウェハの表面側に配線を形成する半導体装置の製造方法において、上記半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿設した後、該貫通孔に導電性材料を設ける貫通孔導電工程と、半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して上記配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とを含むことを特徴としている。なお、上記工程の順序は、必ずしもこれら記載の順序に限らない。
【００２１】
一般に、半導体装置の製造方法において、他の電子部品又は配線基板等との電気的な接続を目的として配線を電解めっきにより形成する場合、半導体基板としての半導体ウェハの表面側に形成された導電層を給電層とし、電解めっき装置のカソード（陰極）端子を給電層に接触させて導通を図る方法がある。
【００２２】
上記の半導体装置の製造方法に係る半導体ウェハとして、表面側および裏面側にほぼ全面に渡って導電層が形成され、例えば、表面側に形成された導電層上にマスクが形成されているとともに、貫通孔に設けられている導電性材料によって表面側および裏面側に形成された導電層が導通されている半導体ウェハを用いることが、本発明に係る半導体装置の製造方法の特徴である。
【００２３】
半導体ウェハの表面側および裏面側にほぼ全面に渡って形成された導電層とは、表面側および裏面側に全面に渡って形成されていてもよいが、めっき用給電層として充分な範囲に渡ってこれらの導電層が形成されていればよい。すなわち、半導体ウェハの表面側の導電層の形成される範囲は、電解めっき装置のカソード端子との接触点および貫通孔の形成領域を含む範囲であり、前記形成領域は前記接触点の何れかを含む範囲に含まれさえすればよい。また、半導体ウェハの裏面側の導電層の形成される範囲は、めっき層の形成領域および貫通孔の形成領域を含み、めっき層の形成領域が貫通孔の形成領域の何れかを含む範囲に含まれさえすればよい。
【００２４】
上記の構成により、半導体ウェハの裏面側の導電層は、電解めっき装置のカソード端子との接続点をその範囲内に有し、この導電層に接触するカソード端子から流れ込むめっき電流によって、給電層としての導電層内に導通を得ることができる。また、半導体ウェハの貫通孔に設けられた導電性材料によって、半導体ウェハの裏面側の導電層と、半導体ウェハの表面側の導電層との間に、導通を得ることができる。さらに、半導体ウェハの表面側の導電層も、貫通孔の形成領域をその範囲内に有し、めっき層の下地として導電層内に導電を得ることができ、めっき層を形成するための給電層となることができる。よって、半導体ウェハの表面側の導電層側にめっき層を形成することができる。
【００２５】
ここで、電解めっき装置のカソード端子は、半導体ウェハの裏面側の導電層と接触しているので、すなわち、めっき層が形成される表面側では接触していないので、例えば、噴流式めっき装置の半導体ウェハの表面に当てられるめっき液とカソード端子とが接触することを防止し得る。よって、異常めっき析出物の生成に伴うめっき不良の発生を防止し得る。従って、接触が発生した場合の半導体ウェハの損害、およびカソード端子を含めた電解めっき装置の保守によるコストを削減することができる。
【００２６】
また、めっき液とカソード端子とが接触することを防止し得るので、半導体ウェハの表面と接触して支持する側に、例えば、めっき液がめっき面以外に流入しないようにするパッキン等を設ける必要がなくなる。よって、半導体ウェハを支持する部分を最小限にできるので、半導体ウェハのめっき面を最大化することができる。また、半導体ウェハを吊り下げて支持することも可能になるので、半導体ウェハの表面すべてをめっき面とすることができる。従って、半導体ウェハの歩留まりを向上させることができる。さらに、パッキン等と接触する部分は平坦でなければならないという制約をなくすことができ、半導体ウェハの製造工程の管理等を簡略化できる。
【００２７】
この結果、めっき液とカソード端子との接触による異常めっき析出物の発生に伴うめっき不良を防止し得る半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００２８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記電解めっき工程において、上記半導体ウェハの表面側の導電層内にほぼ均一のめっき電流が流れていることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成により、さらに、めっき給電層としての半導体ウェハの表面側の導電層内にほぼ均一のめっき電流が流れているので、ほぼ均一の厚さのめっき層を形成することができる。
【００３０】
また、例えば、噴流式電解めっき装置を用いる場合、メッシュ状のアノード電極（陽極）を笠型等に加工する必要がなく、半導体ウェハの配線構成等が異なっていても同じ電解めっき装置を用いて処理することができるので、工程の管理等を簡略化できる。
【００３１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハのほぼ全面にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【００３２】
上記の構成により、さらに、半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とが、半導体ウェハのほぼ全面にて電気的に接続されている。よって、導電性材料の設けられた貫通孔が半導体ウェハのどの位置に設けられていたとしも、貫通孔の導電性材料とそのほぼ真上の導電層を介して、カソード端子と表面側の導電層との導通を得ることができる。よって、貫通孔の位置が異なっていても、同じ電解めっき装置を用いて処理することができるので、工程の管理等を簡略化できる。また、電流の低下が生じないほぼ均一のめっき電流を、貫通孔の周りの表面側の導電層に得ることができるので、貫通孔の周りにほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができる。
【００３３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記貫通孔は、半導体ウェハに散在して複数穿設され、かつ半導体ウェハの少なくともほぼ中心位置に少なくとも１個穿設されるとともに、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、少なくとも上記半導体ウェハの中心部近傍にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【００３４】
上記の構成により、さらに、貫通孔は、半導体ウェハに散在して複数穿設されているので、電解めっき装置のカソード端子と半導体ウェハの裏面側の導電層との電気的な接続位置がどこであっても、貫通孔に充填された導電性材料によって、半導体ウェハの表面側の導電層との導通がとられている。
【００３５】
さらに、貫通孔は半導体ウェハの少なくともほぼ中心位置に少なくとも１個穿設されるとともに、半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とは、少なくとも半導体ウェハの中心部近傍にて電気的に接続されている。なお、貫通孔が半導体ウェハの少なくともほぼ中心位置に少なくとも１個穿設されるとは、半導体ウェハの中心を取り囲む同心円上に複数個の貫通孔が穿設される場合を含んでいる。
【００３６】
従って、半導体ウェハの外周部にてのみ電気的に接続されている従来の場合とは異なり、従来は導電層の内部抵抗によりめっき電流が低下していた半導体ウェハの中心部近傍にても、ほぼ中心位置に設けられる貫通孔に充填されている導電性材料を通じて、表面側と裏面側との導電層と電気的に接続されている。よって、従来不可能であった表面側の導電層の中心部の周りにて、導電層の厚さを増すことなく、電流の低下が生じないほぼ均一のめっき電流を得ることができる。これにより、半導体ウェハの周りにほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができる。
【００３７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハの外周部の複数の個所にても電気的に接続されていることを特徴としている。
【００３８】
上記の構成により、さらに、半導体ウェハの中心部近傍だけではなく、外周部の複数の個所にても、半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とが電気的に接続されている。よって、半導体ウェハに散在する複数の貫通孔および半導体ウェハのほぼ中心に位置する少なくとも１個の貫通孔により、表面側の導電層の中心部の周りおよび外周部にて、導電層の厚さを増すことなく、電流の低下が生じないほぼ均一のめっき電流を得ることができる。これにより、半導体ウェハの中心部の周りおよび外周部にてほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができる。
【００３９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記貫通孔導電工程は、半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、上記半導体ウェハの表面側に上記貫通孔を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、その後、上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、上記保護層を上記半導体ウェハから除去する保護層除去工程とからなることを特徴としている。
【００４０】
上記の構成により、さらに、貫通孔に導電性材料が設けられた半導体ウェハを形成する貫通孔導電工程を容易に行うことができる。
【００４１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、半導体素子を搭載する半導体ウェハの表面側のほぼ全面に導電層を形成し、その上に配線部分を電解めっきし、その後、導電層除去工程にて電解めっきした配線部分以外の導電層を除去することにより半導体ウェハの表面側に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通するとともに、上記半導体ウェハの表面側の貫通開口が上記導電層に覆われている貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、上記半導体ウェハの表面側の導電層上に、配線が形成される部分にマスク開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、上記半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して上記配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とをこの順に含むことを特徴としている。
【００４２】
上記の構成により、さらに、保護層を形成および除去する必要がないので、一層、工程を簡略化して表面側と裏面側との導通がとられた半導体ウェハを形成する工程を容易に行うことができる。また、前述した工程と、半導体装置の構成等により、選択することができる。
【００４３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、電解めっきを行った後、上記半導体ウェハからマスクを剥離するマスク剥離工程と、上記半導体ウェハの表面側の上記配線が形成されていない導電層を除去する導電層除去工程と、上記半導体ウェハを個片に切断することにより電気的に独立した複数の配線を形成する切断工程とをさらに含むことを特徴としている。
【００４４】
上記構成により、さらに、マスク剥離工程と導電層除去工程と切断工程とにより、個片のチップとしての半導体装置を容易に得ることができる。
【００４５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記貫通孔に設けられる導電性材料が金属であることを特徴としている。
【００４６】
上記の構成により、さらに、貫通孔に導電性材料として金属が設けられるので、貫通孔に鍍金などにより導電体が形成されたり、貫通孔に導電体ペーストが設けられる場合に比べて、導電性に優れる。また、後述するように、半導体ウェハ一括処理を短時間にて処理できる可能性を含んでいる。
【００４７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記導電性材料充填工程は、半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、その後、上記半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなることを特徴としている。
【００４８】
上記の構成により、さらに、複数枚の半導体ウェハを一括して処理することができるとともに、複雑な機構を必要としないので、安価に処理することができる。
【００４９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記導電性材料充填工程は、半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、その後、上記半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなることを特徴としている。
【００５０】
上記の構成により、さらに、複数枚の半導体ウェハを一括して処理することができるとともに、複雑な機構を必要としないので、安価に処理することができる。また、先に記した導電性材料充填工程と、半導体装置の構成等によって選択することができる。
【００５１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記保護層形成工程において、保護シートを上記半導体ウェハの表面ほぼ全面に貼付することにより保護層を形成することを特徴としている。
【００５２】
上記の構成により、さらに、保護シートを貼付することにより保護層を形成しているので、簡易に保護層を形成できる。
【００５３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記マスクは感光性樹脂であることを特徴としている。
【００５４】
上記の構成により、さらに、マスクの材料として一般的な感光性樹脂を用いているので、既存の工程を用いることができる。
【００５５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、プラズマによるドライエッチングを行うことにより導電層を除去することを特徴としている。
【００５６】
上記の構成により、さらに、導電層を除去するために、プラズマによるドライエッチングが行われるので、既存の工程を用いることができる。
【００５７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、上記半導体ウェハの裏面側の導電層も同時に除去することを特徴としている。
【００５８】
上記の構成により、さらに、半導体ウェハの表面側の導電層の除去と同時に、裏面側の導電層も同時に除去するので、裏面側の導電層を除去する必要がある場合には、工程を簡素化できる。
【００５９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、酸エッチングを行うことにより導電層を除去することを特徴としている。
【００６０】
上記の構成により、さらに、導電層を除去するために、酸エッチングが行なわれるので、既存の工程を用いることができる。また、先に記したプラズマによるドライエッチングと、半導体装置の構成等によってエッチング方法を選択することができる。
【００６１】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１から図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００６２】
本実施の形態にかかる半導体基板としての半導体ウェハ（以後は、単にウェハと記す。）１には、図示しない絶縁保護膜が全面に渡って形成されている。
【００６３】
このウェハ１に対して、図１から図７に示すように、表裏面の導通がとられ、マスクが形成されたウェハを形成する導通半導体ウェハ形成工程についてまず説明する。
【００６４】
最初に、図１から図４に示すように、貫通孔２に導電性材料としてのはんだ４が設けられたウェハ１を形成する貫通孔導電工程について説明する。
【００６５】
まず、図１に示すように、貫通孔形成工程として、溶液を用いたケミカルエッチングまたは反応性ガスを用いたドライエッチングにより、貫通孔２を穿孔する。
【００６６】
なお、貫通孔２は、後述するめっき工程（図８参照）において、電解めっき装置３０（図１１参照）のカソード端子３４とウェハ１の裏面（図中下側の面）側の導電層６との接続位置との近傍に設けられることが好ましい。しかし、貫通孔２の位置および個数は、ウェハ１の表面（図中上側の面）側の導電層５および裏面側の導電層６内に充分な導通が得られ、均一な厚さのめっき層８を形成できるように決めればよい。また、貫通孔２の径は、後述するはんだ充填工程（図３参照）にてこの貫通孔２に充填されるはんだ４によって、充分な導通が得られるように決めればよい。
【００６７】
次に、図２に示すように、保護層形成工程として、ウェハ１の表面である素子形成面上に保護層としての保護シート３を貼付する。保護シート３の材質としては、ＰＶＣ（塩化ビニル）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等があるが、これに限定されることなく、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）等であってもよい。
【００６８】
ここで、保護シート３は貫通孔２を覆うようにウェハ１の表面全面に貼付しているが、これに限定されるものではない。保護シート３は、次の導電性材料充填工程（図３参照）において、貫通孔２からウェハ１の表面側にはんだ４を浸入させないためのものである。よって、ウェハの表面側の貫通孔２の貫通開口を覆い、はんだ４をウェハ１の表面側に浸入させないだけの領域を有する形状の保護シートを貼付すればよい。なお、保護シートの代わりに、塗布等により保護層を形成してもよい。
【００６９】
次に、導電性材料充填工程として、導電性材料としてのはんだ４を貫通孔２に充填する工程を説明する（図４参照）。
【００７０】
まず、図３に示すように、導電性材料配置工程として、溶融させたはんだ４とウェハ１の裏面側とが接するように配置する。次に、減圧工程として、ウェハ１と溶融させたはんだ４とを含む空間を減圧した後、増圧工程として、前記空間の圧力を大気圧に戻すことにより溶融させたはんだ４を貫通孔２に充填する（図４参照）。
【００７１】
なお、この順序に限定されるものではない。例えば、まず、減圧工程として、ウェハ１と溶融させたはんだ４とを含む空間を減圧した後、導電性材料配置工程として、溶融させたはんだ４とウェハ１の裏面側とが接するように配置する。その後、増圧工程として、前記空間の圧力を大気圧に戻すことにより溶融させたはんだ４を貫通孔２に充填してもよい。また、貫通孔２に溶融させたはんだ４を充填しているが、これに限定されるものではなく、導電性材料である導電性ペーストや他の金属等を充填してもよい。
【００７２】
なお、貫通孔２に導電性材料を形成するには、貫通孔２にはんだ４等を充填するだけとは限らない。例えば、貫通孔２に鍍金等により導電体を形成したり、貫通孔２に導電体ペーストを注入してもよい。
【００７３】
次に、貫通孔２に溶融させたはんだ４を充填させた後、図４に示すように、保護層剥離工程として、保護シート３を剥離する。
【００７４】
これにより、はんだ４を貫通孔２に充填する導電性材料充填工程、および、はんだ４が設けられたウェハ１を形成する貫通孔導電工程が完了する。
【００７５】
次に、図５に示すように、表面導電層形成工程として、ウェハ１の表面側のほぼ全面にスパッタリングにより厚さ３００ｎｍの導電層５を形成する。ここで、導電層５を形成する方法はスパッタリングに限定されることはなく、例えば、真空蒸着等の適当な方法によって形成してもよい。また、後述するめっき工程（図８参照）にて充分な導通を導電層５内に確保できれば、導電層５の厚さは３００ｎｍに限定されることはない。
【００７６】
なお、導電層５の形成される範囲は、ウェハ１の表面側のほぼ全面であるとしたが、これに限定されることはない。例えば、ウェハ１の表面側の全面であってもよいし、後述する電解めっき装置３０（図１１参照）のカソード端子３４との接触位置および貫通孔２の形成領域を含む範囲であり、前記形成領域は前記接触点の何れかを含む範囲に含まれさえすればよい。
【００７７】
次に、図６に示すように、裏面導電層形成工程として、ウェハ１の裏面側のほぼ全面にスパッタリングにより厚さ３００ｎｍの導電層６を形成する。ここで、導電層６を形成する方法はスパッタリングに限定されることはなく、例えば、真空蒸着等の適当な方法によって形成してもよい。また、後のめっき工程にて充分な導通を導電層６内に確保できれば、導電層６の厚さは３００ｎｍに限定されることはない。
【００７８】
なお、導電層６の形成される範囲は、ウェハ１の裏面側のほぼ全面であるとしたが、これに限定されることはない。例えば、ウェハ１の裏面側の全面であってもよいし、後述するめっき層８（図８参照）の形成領域および貫通孔２の形成領域を含み、めっき層８の形成領域が貫通孔２の形成領域の何れかを含む範囲に含まれさえすればよい。なお、ウェハ１の裏面側の導電層６を先に形成し、その後ウェハ１の表面側の導電層５を形成してもよい。また、導電層５、６の材質としては、例えば金、銅等が挙げられる。
【００７９】
次に、図７に示すように、マスク形成工程として、ウェハ１の表面側の導電層５に電気絶縁性材料である感光性樹脂（フォトレジスト）により、めっきする部分にマスク開口７ａを有する厚さ１０μｍのマスク７を形成する。ここで、後述する配線形成（図８参照）にとって充分な厚さが確保されれば、感光性樹脂の厚さは１０μｍに限定されることはない。
【００８０】
これにより、表裏面の導通がとられ、マスク７が形成されたウェハ１を形成する導通半導体ウェハ形成工程が完了する。
【００８１】
次に、電解めっき工程として、電解めっき装置３０（図１１参照）によりウェハ１の表面側および裏面側に形成された導電層５、６を給電層として電解めっきを行い、図８に示すように、ウェハ１の表面側にめっき層８を形成する。この電解めっき装置３０を用いためっき方法については、後述する。
【００８２】
次に、電解めっきを行いめっき層８を形成した後、図９に示すように、マスク剥離工程として、ウェハ１からマスク７を剥離する。
【００８３】
次に、図１０に示すように、エッチング工程として、ウェハ１の表面側及び裏面側の導電層５、６を酸エッチングにより除去し、電気的に独立した複数の配線を形成する。ここで、エッチング方法は酸エッチングによらず、プラズマによるドライエッチングでもよい。最後に、切断工程として、切断してチップに個片化することにより半導体装置を完成させる。なお、ドライエッチングによりエッチングする場合、ウェハ１の裏面側の導電層６をエッチングする必要はなく、チップに個片化する際の切断工程において裏面側の導電層６を切断することにより電気的に独立した複数の配線を形成してもよい。
【００８４】
ここで、電解めっき装置３０を用いためっき方法について図１１に基づいて説明する。
【００８５】
電解めっき装置３０においては、カップ３１の底中央に備えられた噴出口３２から、メッシュ状のアノード電極３５を通ってめっき液が噴出する。ウェハ１はカップ３１の上部開口部に設けられたウェハ支持リング３３に支持されている。ウェハ支持リング３３に設けられた複数個のカソード端子３４は、ウェハ１の裏面側の導電層６と接触している。
【００８６】
噴出口３２からめっき液を噴出してウェハ１の表面に当てながら、アノード電極３５とカソード端子３４との間に所定のめっき電流を流すことにより、めっき処理が行われる。
【００８７】
なお、カソード端子３４と導電層６との接触位置は、貫通孔２の近傍であることが好ましいが、導電層５内に均一なめっき電流が流れれば、任意の位置でよい。例えば、この接触位置は、ウェハ１の外周部近傍と中心部近傍とを含む複数の接点であったり、外周部と中心部との真ん中近傍を含む複数の接点である場合がある。さらに、カソード端子３４と導電層６との接触は、面接触でもよい。例えば、カソード端子３４が、ウェハ１とほぼ同じ大きさの面形状を導電層６側に有し、そのほぼ全面で導電層６と接触していてもよい。この場合、貫通孔２の位置に関わらず、常に貫通孔２の近傍にてカソード端子３４と導電層６とが接触できるので、異なる半導体装置を同じ電解めっき装置を用いて処理することができる。
【００８８】
また、カソード端子３４は、導電層６との接触が図中上側から確実にとれさえすれば、任意の１箇所および複数箇所において任意の形状・構成により電気的に接続してもよい。よって、半導体装置の構成に関わらず、同じ電解めっき装置３０を用いて、めっき処理を行うことができる。
【００８９】
ここで、カソード端子３４は、ウェハ１の裏面側の導電層６と接触しているので、すなわち、図中上側からウェハ１を押さえて接触しているので、めっき液とカソード端子３４とが接触することはない。また、もしウェハ支持リング３３のウェハ支持部にめっき液が入り込んだとしても、上側に位置するウェハ１の裏面側にめっき液が流れ込むことはない。よって、異常めっき析出物の生成に伴うめっき不良が発生することを防止し得る。
【００９０】
また、ウェハ１の裏面側の導電層６は、カソード端子３４との接続位置をその範囲内に有し、全面に渡って充分な導通を確保する厚さに形成されているので、この導電層６に接触するカソード端子３４の先端から流れ込むめっき電流によって、給電層としての導電層６内は全面に渡って充分な導通を得ることができる。また、ウェハの貫通孔２に充填されたはんだ４によって、ウェハ１の裏面側の導電層６と、ウェハ１の表面側の導電層５との間に、充分な導通を得ることができる。このウェハ１の表面側の導電層５も、貫通孔２の形成領域をその範囲内に有し、めっき層８の下地として全面に渡って充分な導通を確保する厚さに形成されているので、給電層としての導電層５内全面に均一なめっき電流を保つことができ、ほぼ均一な厚さのめっき層８を形成することができる。
【００９１】
また、めっき液とカソード端子３４とが接触することがなくなるので、ウェハ１の表面と接触して支持する側に、例えば、めっき液がめっき面以外に流入しないようにするパッキン１０６等（図１８参照）を設ける必要がない。よって、支持する部分を最小限にできるので、ウェハ１のめっき面を最大化することができる。また、ウェハ１を吊り下げて支持することも可能になるので、ウェハ１の表面すべてをめっき面とすることができる。従って、ウェハ１の歩留まりを向上させることができる。さらに、パッキン１０６等と接触する部分は平坦でなければならないという制約をなくすことができ、ウェハ１の製造工程の管理等を簡略化できる。
【００９２】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図１２ないし図１６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施の形態１と同じ構成を有する部材には同じ部材番号を付し、説明を省略する。
【００９３】
本実施の形態にかかるウェハ１には、図示しない絶縁保護膜が全面に渡って形成されている。
【００９４】
このウェハ１に対して、図１２から図１６に示すように、表裏面の導通がとられ、マスクが形成されたウェハを形成する導通半導体ウェハ形成工程について説明する。
【００９５】
このウェハ１に、図１２に示すように、表面導電層形成工程として、ウェハ１の表面側のほぼ全面にわたってスパッタリングにより厚さ３００ｎｍの導電層５を形成する。
【００９６】
次に、図１３に示すように、貫通孔形成工程として、ウェハ１に対して、溶液を用いたケミカルエッチングまたは反応性ガスを用いたドライエッチングにより貫通孔２を穿孔する。
【００９７】
次に、図１４に示すように、マスク形成工程として、ウェハ１の表面側の導電層５上に、少なくとも貫通孔２を覆う位置に少なくとも貫通孔２を覆う形状の電気絶縁性材料である感光性樹脂により、めっきする部分にマスク開口７ａを有する厚さ１０μｍのマスク７を形成する。また、感光性樹脂への露光現像工程は、必ずしもこの段階で行う必要はなく、溶融されたはんだ４を貫通孔２に充填させた後に行ってもよい。
【００９８】
次に、図１５に示すように、導電性材料充填工程として、導電性材料としてのはんだ４を貫通孔２に充填する。
【００９９】
次に、図１６に示すように、裏面導電層形成工程として、ウェハ１の裏面側のほぼ全面にスパッタリングにより厚さ３００ｎｍの導電層６を形成する。
【０１００】
これにより、表裏面の導通がとられ、マスク７が形成されたウェハ１を形成する導通半導体ウェハ形成工程が完了する。
【０１０１】
電解めっき装置３０を用いためっき方法および以降の半導体装置の製造工程は、実施の形態１と同じであるので、説明は省略する。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿設した後、該貫通孔に導電性材料を設ける貫通孔導電工程と、半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とを含む構成である。
【０１０３】
それゆえ、異常めっき析出物の生成に伴うめっき不良の発生を防止し得る。従って、接触が発生した場合の半導体ウェハの損害、およびカソード端子を含めた電解めっき装置の保守によるコストを削減することができる。また、半導体ウェハの歩留まりを向上させることができる。さらに、半導体ウェハの製造工程の管理等を簡略化できる。
【０１０４】
この結果、めっき液とカソード端子との接触による異常めっき析出物の発生に伴うめっき不良を防止し得る半導体装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１０５】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記電解めっき工程において、上記半導体ウェハの表面側の導電層内にほぼ均一のめっき電流が流れている構成である。
【０１０６】
それゆえ、さらに、ほぼ均一の厚さのめっき層を形成することができるという効果を奏する。また、工程の管理等の簡略化ができるという効果を奏する。
【０１０７】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハのほぼ全面にて電気的に接続されている構成である。
【０１０８】
それゆえ、さらに、工程の管理等を簡略化できる。また、貫通孔の周りにほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができるという効果を奏する。
【０１０９】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記貫通孔は、半導体ウェハに散在して複数穿設され、かつ半導体ウェハの少なくともほぼ中心位置に少なくとも１個穿設されるとともに、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、少なくとも上記半導体ウェハの中心部近傍にて電気的に接続されている構成である。
【０１１０】
それゆえ、さらに、半導体ウェハの中心部の周りにほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができるという効果を奏する。
【０１１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と上記電解めっき装置のカソード端子とは、上記半導体ウェハの外周部の複数の個所にても電気的に接続されている構成である。
【０１１２】
それゆえ、さらに、半導体ウェハの中心部の周りおよび外周部にてほぼ均一の厚さのめっき層を得ることができるという効果を奏する。
【０１１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記貫通孔導電工程は、半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通する貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、上記半導体ウェハの表面側に上記貫通孔を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、その後、上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、上記保護層を上記半導体ウェハから除去する保護層除去工程とからなる構成である。
【０１１４】
それゆえ、さらに、貫通孔に導電体材料を設けられた半導体ウェハを形成する貫通孔導電工程を容易に行うことができるという効果を奏する。
【０１１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、半導体素子を搭載する半導体ウェハの表面側のほぼ全面に導電層を形成し、その上に配線部分を電解めっきし、その後、導電層除去工程にて電解めっきした配線部分以外の導電層を除去することにより半導体ウェハの表面側に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハの表面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する表面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの表面側と裏面側とを貫通するとともに、上記半導体ウェハの表面側の貫通開口が上記導電層に覆われている貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、上記半導体ウェハの表面側の導電層上に、配線が形成される部分にマスク開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、上記貫通孔に導電性材料を充填する導電性材料充填工程と、上記半導体ウェハの裏面側にほぼ全面に渡って導電層を形成する裏面導電層形成工程と、上記半導体ウェハの裏面側の導電層と電解めっき装置のカソード端子とを電気的に接続して上記配線部分の電解めっきを行う電解めっき工程とをこの順に含む構成である。
【０１１６】
それゆえ、さらに、保護層を形成および除去する必要がないので、一層、工程を簡略化して表面側と裏面側との導通がとられた半導体ウェハを形成する工程を容易に行うことができるという効果を奏する。また、前述した工程と、半導体装置の構成等により、選択することができるという効果を奏する。
【０１１７】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、電解めっきを行った後、上記半導体ウェハからマスクを剥離するマスク剥離工程と、上記半導体ウェハの表面側の上記配線が形成されていない導電層を除去する導電層除去工程と、上記半導体ウェハを個片に切断することにより電気的に独立した複数の配線を形成する切断工程とをさらに含む構成である。
【０１１８】
上記構成により、さらに、個片のチップとしての半導体装置を容易に得ることができるという効果を奏する。
【０１１９】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記貫通孔に設けられる導電性材料が金属である構成である。
【０１２０】
それゆえ、さらに、貫通孔に鍍金などにより導電体が形成されたり、導電体ペーストが設けられる場合に比べて、導電性に優れる。また、半導体ウェハ一括処理を短時間にて処理できる可能性を含んでいるという効果を奏する。
【０１２１】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記導電性材料充填工程は、半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、その後、上記半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなる構成である。
【０１２２】
それゆえ、さらに、複数枚の半導体ウェハを一括して処理することができるとともに、安価に処理することができるという効果を奏する。
【０１２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記導電性材料充填工程は、半導体ウェハと上記導電性材料とを含む雰囲気を大気圧から減圧する減圧工程と、その後、上記半導体ウェハの裏面側と上記導電性材料とを接触させて配置する導電性材料配置工程と、上記雰囲気の圧力を大気圧に戻すことにより、上記貫通孔に上記導電性材料を充填する増圧工程とからなる構成である。
【０１２４】
それゆえ、さらに、複数枚の半導体ウェハを一括して処理することができるとともに、安価に処理することができるという効果を奏する。また、先に記した導電性材料充填工程と、半導体装置の構成等によって選択することができるという効果を奏する。
【０１２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記保護層形成工程において、保護シートを上記半導体ウェハの表面ほぼ全面に貼付することにより保護層を形成する構成である。
【０１２６】
それゆえ、さらに、簡易に保護層を形成できるという効果を奏する。
【０１２７】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記マスクは感光性樹脂である構成である。
【０１２８】
それゆえ、さらに、既存の工程を用いることができるという効果を奏する。
【０１２９】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、プラズマによるドライエッチングを行うことにより導電層を除去する構成である。
【０１３０】
それゆえ、さらに、既存の工程を用いることができるという効果を奏する。
【０１３１】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、上記半導体ウェハの裏面側の導電層も同時に除去する構成である。
【０１３２】
それゆえ、さらに、裏面側の導電層を除去する必要がある場合には、工程を簡素化できるという効果を奏する。
【０１３３】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、上記の構成に加えて、上記導電層除去工程において、酸エッチングを行うことにより導電層を除去する構成である。
【０１３４】
それゆえ、さらに、既存の工程を用いることができるという効果を奏する。また、先に記したプラズマによるドライエッチングと、半導体装置の構成等によってエッチング方法を選択することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る半導体装置の製造方法の実施の一形態を示すものであり、貫通孔を形成したウェハの断面図である。
【図２】  上記ウェハに保護シートを貼付した状態を示す断面図である。
【図３】  上記ウェハの貫通孔に溶融されたはんだを充填する状態を示す断面図である。
【図４】  上記ウェハから保護シートを剥離した状態を示す断面図である。
【図５】  上記ウェハの表面側に導電層を形成した状態を示す断面図である。
【図６】  上記ウェハの裏面側に導電層を形成した状態を示す断面図である。
【図７】  上記ウェハの表面側にマスクを形成した状態を示す断面図である。
【図８】  上記ウェハに電解めっきを行った状態を示す断面図である。
【図９】  上記ウェハのマスクを剥離した状態を示す断面図である。
【図１０】  上記ウェハに電気的に独立の配線を形成した状態を示す断面図である。
【図１１】  上記半導体装置の製造方法に使用される電解めっき装置を示す断面図である。
【図１２】  本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施の形態を示すものであり、表面側に導電層を形成したウェハの断面図である。
【図１３】  上記ウェハに貫通孔を形成した状態を示す断面図である。
【図１４】  上記ウェハの表面側にマスクを形成した状態を示す断面図である。
【図１５】  上記ウェハの貫通孔に溶融させたはんだを充填した状態を示す断面図である。
【図１６】  上記ウェハの裏面側に導電層を形成した状態を示す断面図である。
【図１７】  従来の電解めっき装置を示す断面図である。
【図１８】  上記電解めっき装置のウェハ支持リングを示す断面図である。
【図１９】  従来の他の電解めっき装置のカソード端子の先端部を示す断面図である。
【符号の説明】
１    半導体ウェハ
２    貫通孔
３    保護シート（保護層）
４    はんだ（導電性材料）
５    導電層（給電層）
６    導電層（給電層）
７    マスク
７ａ  マスク開口
８    めっき層
３０    電解めっき装置
３４    カソード端子
【図１】
0003836375.tif 000002
【図２】
0003836375.tif 000003
【図３】
0003836375.tif 000004
【図４】
0003836375.tif 000005
【図５】
0003836375.tif 000006
【図６】
0003836375.tif 000007
【図７】
0003836375.tif 000008
【図８】
0003836375.tif 000009
【図９】
0003836375.tif 000010
【図１０】
0003836375.tif 000011
【図１１】
0003836375.tif 000012
【図１２】
0003836375.tif 000013
【図１３】
0003836375.tif 000014
【図１４】
0003836375.tif 000015
【図１５】
0003836375.tif 000016
【図１６】
0003836375.tif 000017
【図１７】
0003836375.tif 000018
【図１８】
0003836375.tif 000019
【図１９】
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