(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、この半導体チップを封止している透明な封止体とを有する半導体素子のための検査方法であって、
被検査体である上記半導体素子を、上記半導体チップの上面が上記封止体を介して光検出手段に対向するように設置し、
封止体に欠陥がない場合には半導体素子からの光が上記光検出手段に入射せず、かつ、封止体に欠陥がある場合にはその欠陥によって生じる散乱光が上記光検出手段に入射するように、光源からの光線を上記半導体チップの上面に対して斜め方向から半導体素子に入射させ、
上記光検出手段による検出結果に基づいて、半導体素子の封止体の欠陥の有無を判定するようにしており、
また、上記半導体素子の検査には、上記封止体の内部欠陥の有無を検査する内部欠陥検査と上記封止体の表面欠陥の有無を検査する表面欠陥検査とがあり、
チップ表面と検出すべき封止体の欠陥とのコントラストが得られるように、上記表面欠陥検査では上記半導体チップの上面に対して１０°〜３０°の角度で半導体素子に光源からの光線を入射させ、上記内部欠陥検査では上記半導体チップの上面に対して０°〜２０°の角度で半導体素子に光源からの光線を入射させ、
上記被検査体である半導体素子が半導体チップ表面に光学センサを有し、封止体の上面を、受光領域は鏡面にし、受光領域以外の領域をナシ地にしたことを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項２】
請求項１の検査方法において、
上記光源として６００ｎｍ〜６７０ｎｍの波長を有するＬＥＤ光源を用いることを特徴とする検査方法。
【請求項３】
請求項１又は２の検査方法において、
上記封止体の表面欠陥を検査する場合と上記封止体の内部欠陥を検査する場合とで、被検査体における検査領域と欠陥判定基準を変えることを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ（以下、チップ）と透明な封止体を有する半導体素子のための検査方法に関し、より詳しくは、上記封止体の欠陥の有無を検査するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７に示すように、チップ１４表面に光学センサ（光電センサ）１６が実装されている場合、この光学センサが外界の光信号を受光可能とするために、チップは一般にモールドと呼ばれる透明樹脂製封止体１８で封止される。従来、このようなモールドの表面欠陥及び内部欠陥は、半導体素子全部について、専任の検査員が顕微鏡を用いて目視で個々に行っていた。具体的には、図９に示すように、単品位置決めジグ２４に単品状態の被検査体をセットし、専任の検査員がモールド表面欠陥、モールド内部欠陥を顕微鏡２３を用いて検査ステーション２２にて１個ずつ検査し、欠陥が発見された場合は、検査員が自ら取り除いていた。
【０００３】
光学センサ１６上面及び光学センサ１６付近に欠陥が存在すると、外界からの光信号を正常に受光することができなくなるため、このようなモールドの欠陥検査は必要不可欠な検査である。
【０００４】
モールド表面の欠陥とは、モールド表面のキズ・モールド表面に付着した異物等のことである。一方、モールド内部欠陥とは、モールド内部の気泡・異物等のことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の目視による半導体素子のモールド欠陥検査には主として次のような欠点がある。
【０００６】
（１）目視検査では、見落としなどの検査ミスが生じる。
【０００７】
（２）検査基準がばらつき、品質が安定しない。
【０００８】
（３）人間の能力には限界がある。
【０００９】
（４）欠陥の大きさ・形状及び場所が不安定であるため、目視検査が非常に困難。
【００１０】
（５）検査に長時間を要する。
【００１１】
このような目視によるモールド（封止体）欠陥検査の欠点を解消するために、本出願人は特願２０００−２１５８０８号（出願日：平成１２年７月１７日）において、モールド欠陥検査の自動化を可能にする検査方法を提案した。この方法は、半導体素子を下側から照射して半導体素子からの光を検出し、その検出結果に基づいてモールド欠陥を判定するものである。しかしながら、この検査方法は、チップが基板に搭載された半導体素子には適用できないことが判明した。光線が基板に遮られて、モールドに入射できないためである。
【００１２】
そこで、本発明は、半導体素子の透明なモールド（封止体）の検査を自動化して、検査の信頼性を向上することのできる検査方法であって、半導体チップが基板に搭載された半導体素子も検査対象とできる検査方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の検査方法は、半導体チップと、この半導体チップを封止している透明な封止体とを有する半導体素子のための検査方法であって、
被検査体である上記半導体素子を上記半導体チップの上面が上記封止体を介して光検出手段に対向するように設置し、
封止体に欠陥がない場合には半導体素子からの光が上記光検出手段に入射せず、かつ、封止体に欠陥がある場合にはその欠陥によって生じる散乱光が上記光検出手段に入射するように、光源からの光線を上記半導体チップの上面に対して斜め方向から半導体素子に入射させ、
上記光検出手段による検出結果に基づいて、半導体素子の封止体の欠陥の有無を判定するようにしており、
また、上記半導体素子の検査には、上記封止体の内部欠陥の有無を検査する内部欠陥検査と上記封止体の表面欠陥の有無を検査する表面欠陥検査とがあり、
チップ表面と検出すべき封止体の欠陥とのコントラストが得られるように、上記表面欠陥検査では上記半導体チップの上面に対して１０°〜３０°の角度で半導体素子に光源からの光線を入射させ、上記内部欠陥検査では上記半導体チップの上面に対して０°〜２０°の角度で半導体素子に光源からの光線を入射させ、
上記被検査体である半導体素子が半導体チップ表面に光学センサを有し、封止体の上面を、受光領域は鏡面にし、受光領域以外の領域をナシ地にしたことを特徴としている。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
上記検査方法では、光源からの光線を半導体チップの上面に対して斜め方向から（たとえば、半導体素子を水平方向に設置した場合つまり半導体チップの上面が水平方向に延びるように設置した場合には、水平方向に対して斜め上方向から）被検査体である半導体素子に入射させるので、チップが基板に搭載されていても、光源からの光線は基板に遮られることなく半導体素子の封止体に入射できる。そして、封止体に欠陥がない場合には、光源から半導体素子の封止体に入射した光は、封止体の上面とこれに対向するチップ表面によって全反射を繰り返しながら前進した後、封止体の外にでる。この光は光検出手段には入射しない。一方、封止体の表面あるいは内部に欠陥がある場合には、光源から半導体素子に入射した光はこの欠陥によって乱反射し、封止体の上面から散乱光が出て、光検出手段に入射する。つまり、光検出手段が封止体からの光を検出したか否かによって、封止体に欠陥があるかないかを判定できる。したがって、この発明の検査方法を用いれば、封止体の欠陥検査を自動化できる。しかも、この検査方法は、チップが透明な封止体で封止された半導体素子であれば、チップの基板への搭載・非搭載を問わず、適用することができる。
【００１７】
上記１０°〜３０°の角度は、チップ表面と表面欠陥とのコントラストを最も良好に得られる角度である。角度が１０°より小さいと、封止体に入射した光源からの光線は欠陥で乱反射せず、検出できない。また、角度が３０°より大きいと、光源からの光線はチップ表面で乱反射してしまう。したがって、いずれの場合も、チップ表面と欠陥とのコントラストがなくなり欠陥を検出できない。
【００１８】
【００１９】
上記０°〜２０°の角度は、チップ表面と内部欠陥とのコントラストを最も良好に得られる角度である。角度が０°より小さいと、基板によって遮光され、封止体に入射することができない。また、角度が２０°より大きいと、光源からの光線はチップ表面で乱反射してしまう。したがって、いずれの場合も、チップ表面と欠陥とのコントラストがなくなり欠陥を検出できない。
【００２０】
なお、封止体内部欠陥の検査時に光線を入射させる角度の上限が封止体表面欠陥の検査時に光線を入射させる角度の上限よりも小さいのは、封止体内部欠陥を検査する場合の方がチップ表面の乱反射の程度をより厳しく抑える必要があるためである。
【００２１】
上述した角度で光源から光線を半導体素子に入射させるために、上記検査装置は、上記光源からの光線が上記半導体チップの上面に対して０°〜３０°の角度をなして半導体素子に入射できるように、光源の光線の出射方向を調整可能としてもよい。０°〜３０°の範囲で調整可能であれば、封止体の表面欠陥を検査するときに使用する角度（１０°〜３０°）にも、封止体の内部欠陥を検査するときに使用する角度（０°〜２０°）にも対応できる。
【００２２】
一実施形態では、高い検出精度を確保するために、上記光源として６００ｎｍ〜６７０ｎｍの波長を有するＬＥＤ光源が用いられる。
【００２３】
一実施形態において、上記検査装置における光検出手段は、半導体素子から来る光を取り込んで半導体素子の画像を形成する撮像手段からなる。この場合、検査装置は撮像手段によって得られた画像を処理して所定の検査領域内の画像データを得る画像処理手段をさらに備え、上記判定手段は上記画像処理手段によって得られた画像データを欠陥判定基準と比較して封止体の欠陥の有無を判定する。
【００２４】
一実施形態では、上記撮像手段はテレセントリックレンズとＣＣＤカメラを備えている。テレセントリックレンズは特定方向の光成分のみを取り込むことができるので、欠陥に起因する散乱先のみを取り込んで撮像することができる。
【００２５】
より高精度の欠陥検出を行うために、外部からの光線が上記光検出手段によって検出されないよう、外部からの光線を遮断する遮光板を設けてもよい。
【００２６】
より高精度の欠陥検出を行うため、光源からの光線が上記封止体の上面に入射するのを防止するための遮光フードを設けてもよい。このような遮光フードを設けることにより、光源からの光線が半導体チップの表面で乱反射し、その光が上記光検出手段によって検出されてしまうという不都合を防止できる。また、遮光フードを設ける場合、遮光フードの先端が半導体素子の上面から０．５ｍｍ以下の距離にあるようにするのが、その目的に関して効果的である。遮光フードは、この遮光フードの先端と半導体素子の上面との距離を（例えば、０ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲で）調整可能としておけば、便利である。
【００２７】
また、本発明の検査方法では、上記被検査体である半導体素子が半導体チップ上に光学センサを有する場合には、封止体の上面を、受光領域は鏡面にし、受光領域以外の領域をナシ地にしている。封止体上面の表面状態をこのようにすれば、受光領域以外の領域に入射した光は、ナシ地表面のお陰で、光検出手段に殆ど検出されない。したがって、このような表面を有する半導体素子に対して遮光フードを用いる場合には、遮光フードの先端部分は封止体上面の全体ではなく、実質的に受光領域のみを覆うようにしてもよい。封止体の上面全体が鏡面の場合には、遮光フードの先端部分は実質的に封止体の上面全体を覆うような寸法にするのがよい。
【００２８】
封止体の表面欠陥を検査する場合と、封止体の内部欠陥を検査する場合とで、被検査体における検査領域と欠陥判定基準を変えることにより、高精度に欠陥を検査することができる。
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施形態に係る半導体素子の検査方法を実施するための検査装置の機構図である。この図に示すように、検査装置は、光源２、遮光板４、テレセントリックレンズ５、ＣＣＤカメラ６、遮光フード１３、画像メモリ７、画像処理部８、画像判定部９、そして装置駆動部１９を有する。
【００３２】
光源２は、水平方向に設置された被検査体である半導体素子１を取り巻くように配置されており、この光源２からの光線３によって半導体素子１を照明する。半導体素子１は、例えば図７に示すように、チップ１４と、基板１７と、チップ１４表面に搭載された光電センサ１６と、透明樹脂からなる封止体（以下、モールドという）１８とからなる。テレセントリックレンズ５とＣＣＤカメラ６は半導体素子１の上方に位置するよう設置されて、半導体素子１を撮像する。テレセントリックレンズ５とＣＣＤカメラ６は撮像手段であり光検出手段である。ＣＣＤカメラ６からの画像信号は画像メモリ７に格納される。そして、画像処理部８は画像メモリ７から読み出された画像信号を処理して所定の検査領域内の画像データを得る。画像データは画像判定部９に送られる。画像判定部９は、画像データと欠陥判定基準を比較して、半導体素子の良否、より詳しくは、モールド（封止体）の欠陥の有無を判定し、判定結果信号１０を出力する。装置駆動部１９はこの判定結果信号１０を受け、判定結果に応じて半導体素子１を分類収納するように、そのための装置を駆動する。なお、画像処理や画像判定は公知の手法を利用して行うことができる。
【００３３】
被検査体である半導体素子１に対して外乱光が入ると、半導体素子１の上面つまりモールド１８の上面からの外乱光によって、チップ１４表面が乱反射を起こし、その結果、チップ１４表面と欠陥とのコントラストがなくなり、検査ができなくなる。このような事態を回避するために、遮光板４が、光源２および被検査体１を覆うようにテレセントリックレンズ５の回りに設けられている。
【００３４】
また、被検査体である半導体素子１に対して、半導体素子１の上面つまりモールド１８の上面から光線３が直接入射すると、チップ１４表面が乱反射を起こし、その結果、チップ１４表面と欠陥とのコントラストがなくなり、検査ができなくなる。このような事態を回避するために、モールド１８上面への光線３の入射を遮断すべく、遮光フード１３が、モールド１８の上面全体を覆うようにテレセントリックレンズ５の回りに設けられている。
【００３５】
欠陥の検出精度は、遮光フード１３の先端とモールド１８の上面との距離が０．５ｍｍ以下のとき良く、０．５ｍｍを超えると、モールド１８の上面から光線３が入射して、そのチップ１４表面で乱反射を起こして、欠陥とのコントラストがなくなり、欠陥を検出することができない。また、半導体素子の表面を傷つけないようにするため、遮光フード１３の先端をモールド１８の上面から最低０．１ｍｍは離した方が望ましい。より高精度の検査を行うには、遮光フード１３の先端とモールド１８の上面との距離は０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍにするのが好ましい。本実施の形態では、遮光フード１３は、その先端が半導体素子の上面から適切な距離に位置するよう、上下方向の位置が０ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲内で調整可能となっている。ただし、調整範囲はこの例に限らない。
【００３６】
また、遮光フード１３先端の開口量は、２．０〜２．４ｍｍのサイズを有する半導体素子に対しては、φ１．８〜φ３．０ｍｍのときに欠陥の検出精度が良く、この範囲以外のときには、半導体素子１の上面から光線３が入射して、チップ１４表面で乱反射を起こして、欠陥とのコントラストがなくなり、欠陥を検出することができなかった。なお、遮光フード１３先端の最適な開口量は、半導体素子の寸法に応じて適宜設定すればよい。
【００３７】
遮光フード１３の先端部分の傾斜角β（先端面から水平方向に延長した線と傾斜部とのなす角度）は本実施の形態では６０°〜８０°であった。この角度も、遮光フードの上部（レンズ５に取りつけられる円筒部分）の直径と先端部分の直径との関係に応じて、適宜変更すればよい。
【００３８】
欠陥検査精度をさらに上げるために、封止体の上面を、受光領域（図７（ａ）において中央の丸で囲まれた領域）のみを鏡面にし、受光領域以外の領域をナシ地にするのが望ましい。封止体上面をこのような表面状態にすることにより、受光領域以外の封止体表面領域で発生した散乱光を光検出手段に検出されないように遮断することが可能となる。なお、このような表面状態を有する半導体素子に対しては、遮光フード１３の先端部分は封止体上面の全体ではなく、実質的に受光領域のみを覆うようにしてもよい。図２、３等は、遮光フード１３の先端部分が実質的に封止体の上面全体を覆う場合を示している。
【００３９】
光源２には単一／ピーク波長のＬＥＤ光源を用いる。この理由は、複数のピーク波長を含んだ光源では、チップ表面で乱反射を起こして、チップ表面と欠陥とのコントラストがなくなり、検査ができなくなるからである。また、テレセントリックレンズ５を用いることによって、特定方向のみの光成分を取り込むことができ、欠陥で乱反射した散乱光のみを撮像することができる。
【００４０】
ＬＥＤ光源としては、６００ｎｍ〜６７０ｎｍのピーク波長を有するＩｎＧａＡ１Ｐ系の黄色ＬＥＤ及びＧａＡ１Ａｓ系の赤色ＬＥＤが望ましい。ＧａＮ系の青色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、ＩｎＧａＡ１Ｐ系の黄色ＬＥＤ、ＧａＡ１Ａｓ系の赤色ＬＥＤについて検討したが、ピーク波長６００ｎｍ〜６７０ｎｍのＩｎＧａＡ１Ｐ系及びＧａＡ１Ａｓ系ＬＥＤが特に欠陥検出精度がよかった。
【００４１】
また、この実施形態では、光源２はモールド表面欠陥検査とモールド内部欠陥検査の両方に共通に使用されるため、水平方向に対して０°〜３０°の角度をなして上斜め方向から光線３が半導体素子1に入射できるように、光線の出射方向を調整可能にしている。ただし、モールド表面欠陥検査時には、図２に示すように、水平方向に対して上側に１０°〜３０°の角度θをなして光線３が半導体素子１に入射できるように出射方向が調整され、モールド内部欠陥検査時には、図３に示すように、水平方向に対して上側に０°〜２０°の角度θをなして光線３が半導体素子１に入射できるように出射方向が調整される。図２、３において、１１はモールド表面の欠陥を表し、１２はモールド内部の欠陥を表している。また、１５はこれらの欠陥によって生じる散乱光を表している。
【００４２】
図５はモールド表面欠陥検査時の光源（光軸）配置角度比較図である。この図に示すように、モールド表面欠陥検査では、半導体素子１に対する光源２の配置角度（つまり、半導体素子１に対する光線３の出射方向）として、水平方向に対して上側の角度θ＝１０°〜３０°が最もチップ表面と欠陥とのコントラストを得られる角度であり、この範囲の角度で光線３を半導体素子１に入射させれば、（ｂ）に示すように、光源２からの入射光３が欠陥で乱反射して、半導体素子１の上面つまりモールド１８の上面に散乱光１５として現れ、この光１５を良好に検出することができる。この角度では、モールド１８に欠陥がない場合には、（ａ）に示すように、入射光３はモールド上面とチップ１４表面との間を全反射しながら前進して、モールド１８の外に出た光はテレセントリックレンズ５に取り込まれない。一方、（ｃ）に示すように、角度θが１０°より小さいと光源２からの入射光３が欠陥で乱反射せず、検出できない。また、（ｄ）に示すように、角度θが３０°より大きいと光線３がチップ１４表面で乱反射するため、この場合も欠陥とのコントラストがなくなり欠陥を検出できない。
【００４３】
図６はモールド内部欠陥検査時の光源（光軸）配置角度比較図である．この図に示すように、モールド内部欠陥検査では、半導体素子１に対する光源２の配置角度（つまり、半導体素子１に対する光線３の出射方向）として、水平方向に対して上側の角度θ＝０°〜２０°が最もチップ表面と欠陥とのコントラストを得られる角度であり、この範囲の角度で光線３を半導体素子１に入射させれば、（ｂ）に示すように、光源２からの入射光３が欠陥で乱反射して、半導体素子１の上面つまりモールド１８の上面に散乱光１５として現れ、この光１５を良好に検出することができる。この角度では、モールド１８に欠陥がない場合には、（ａ）に示すように、入射光３はモールド１８の上面とチップ１４表面との間を全反射しながら前進して、モールド１８の外に出た光はテレセントリックレンズ５に取り込まれない。一方、（ｃ）に示すように、角度θが０°より小さいと、光線３は基板に遮断され、モールド１８に入射することができない。また、（ｄ）に示すように、角度θが２０°より大きいと光線３がチップ１４表面で乱反射するため、いずれの場合も欠陥とのコントラストがなくなり欠陥を検出できない。
【００４４】
図４はモールド表面欠陥検査およびモールド内部欠陥検査でそれぞれ得られる半導体素子１（図７参照）の画像の一例である。１１は表面欠陥、１２は内部欠陥である。
【００４５】
画像処理部８では、画像メモリ７から画像を読み出して画像処理を行い、モールド表面欠陥検査とモールド内部欠陥検査それぞれに応じて設定された検査領域の画像データを抽出する。そして、画像判定部９では、この画像データと検査に応じた検査判定基準とを比較して欠陥の有無の判定を行い、その結果を判定結果信号１０として出力する。出力された結果信号１０は装置駆動部１９に伝えられる。
【００４６】
なお、図１に示した検査装置は、モールド表面欠陥検査とモールド内部欠陥検査とを１つの検査ステーション（図９の２２を参照のこと）で行うようにしたものである。被検査品は、従来から使用されている単品位置決めジグ（図９の２４を参照のこと）にセットすればよい。この単品位置決めジグを公知の送り機構によって所定量づつ検査ステーションの方向に移動させることによって、被検査品を１つずつ検査ステーションの所定位置に送ることができる。
【００４７】
図８は本発明の別の実施形態による検査方法を実施するための検査装置のブロック図である。図１に示した検査装置がモールド表面欠陥検査とモールド内部欠陥検査とを１つの検査ステーションで行うのに対して、図８の検査装置は、モールド表面欠陥検査とモールド内部欠陥検査とをそれぞれ別の検査ステーションで行うようにしたものである。そのため、この検査装置は、図８にブロック図で示すように、モールド表面欠陥検査部２０とモールド内部欠陥検査部２１を別々に備えると共に、それぞれに対する画像判定部９を別々に備える。モールド表面欠陥検査部２０とモールド内部欠陥検査部２１の各々は、図１に示した構成部材２、４、５、６、７、８、１３と同様の構成を備えている。この検査装置は、さらに、被検査品をセットした位置決めジグを検査ステーションに送るための供給部２６と、検査済品のための分類収納部２５と、装置駆動部１９を有する。
【００４８】
この検査装置では、モールド表面検査とモールド内部検査を２つの検査ステーションで同時に行い、画像判定部９、９で判定されたモールド表面検査・モールド内部検査の２つの検査結果を装置駆動部１９にメモリし、その結果を基に、分類収納部２５にて、自動的に良品・不良品の分類収納を行う。モールド表面検査とモールド内部検査はそれぞれ同時に別々の被検査体に対して行い、検査装置の処理時間の短縮を図っている。
【００４９】
なお、上述した実施の形態の説明では、チップを半導体基板に搭載した半導体素子を検査対象としているが、リードフレームにチップが搭載された状態の半導体素子やリードがフレームから切り離されて単品状態になった半導体素子も当然本発明の検査方法の対象となり得ることは、当業者には容易に理解できるであろう。
また、上述した実施の形態では、最も実施しやすい形態として被検査体を水平方向に設置する場合を取り上げたが、本発明は被検査体の半導体素子を水平方向に設置しない場合（たとえば、半導体素子を垂直方向に設置する場合）にも適用可能である。要は、チップの上面に対して斜め方向から（つまり、基板とは反対の斜め方向から）光源からの光線を半導体素子に入射させればよいのである。
【００５０】
【発明の効果】
以上のことから、本発明の検査方法を用いれば、半導体チップが基板に搭載されていようといまいと、透明樹脂で封止された半導体素子の外観検査を精度良く行うことができる。また、信頼性の向上及び検査の自動化が可能になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係る半導体素子の検査方法を実施するための検査装置の機構図。
【図２】  本発明のモールド表面の欠陥を検査する方法を説明する図。
【図３】  本発明のモールド内部の欠陥を検査する方法を説明する図。
【図４】  図１の検査装置のモールド表面欠陥検査用およびモールド内部欠陥検査用の光源を点灯したときにそれぞれ得られる画像の一例を示した図。
【図５】  モールド表面欠陥検査光源（光軸）配置角度比較図。
【図６】  モールド内部欠陥検査光源（光軸）配置角度比較図。
【図７】  （ａ）（ｂ）はそれぞれ被検査体である半導体素子の一例を示す平面図および正面図で、（ａ）にはチップ表面に実装されている光電センサの一例を示している。
【図８】  本発明の別の実施形態に係る検査方法を実施するための検査装置の機構図。
【図９】  従来技術の目視検査方法の一例を示した図。
【符号の説明】
１．半導体素子
２．光源
３．光線
４．遮光板
５．テレセントリックレンズ
６．ＣＣＤカメラ
７．画像メモリ
８．画像処理部
９．画像判定部
１０．判定結果信号
１１．表面欠陥
１２．内部欠陥
１３．遮光フード
１４．チップ
１５．散乱光
１６．光電センサ
１７．基板
１８．透明な封止体
１９．装置駆動部
２０．モールド表面欠陥検査部
２１．モールド内部欠陥検査部
２２．検査ステーション
２３．顕微鏡
２４．単品位置決めジグ
２５．分類収納部
２６．供給部
【図１】
0003851787.tif 000002
【図２】
0003851787.tif 000003
【図３】
0003851787.tif 000004
【図４】
0003851787.tif 000005
【図５】
0003851787.tif 000006
【図６】
0003851787.tif 000007
【図７】
0003851787.tif 000008
【図８】
0003851787.tif 000009
【図９】
0003851787.tif 000010