(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な基板上に形成された直線状の主光導波路と、
該主光導波路の所望の部位に設置され、基板面に垂直で前記主光導波路に対して入射角αをなすモニタ用反射薄膜を備えるとともに透明充填剤で満たされた反射溝と、
該モニタ用反射薄膜による反射光を導波するように前記主光導波路と２αの角度をなして設置されたモニタ光導波路と、
該モニタ光導波路の所望の部位に設置され、基板面に垂直で前記モニタ光導波路に対して入射角βをなす偏波補償用透過薄膜を備えるとともに透明充填剤で満たされた偏波補償溝とを具備し、
前記モニタ用反射薄膜の入射角αでのＳ偏波とＰ偏波の反射率をＲｓ（α）、Ｒｐ（α）とし、前記偏波補償用透過薄膜の該入射角βでの該Ｓ偏波と該Ｐ偏波の透過率をＴｓ（β）、Ｔｐ（β）としたとき、
Ｒｓ（α）Ｔｓ（β）＝Ｒｐ（α）Ｔｐ（β）
なる関係が保たれ、
且つ前記偏波補償用透過薄膜が、前記モニタ用反射薄膜と膜厚が異なることにより、または／および屈折率の異なる物質を用いることにより、モニタ光の波長依存性を緩和させたことを特徴とする光回路。
【請求項２】
前記反射溝と前記偏波補償溝が、前記主光導波路及び前記モニタ光導波路のコアより低い底面の部分とコアより高い底面の部分から成る２段底面を有していることを特徴とする請求項１に記載の光回路。
【請求項３】
前記モニタ光導波路の中心線が前記モニタ用反射薄膜の反射点を通り、かつ前記主光導波路と前記モニタ光導波路の光導入端間に間隙が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光回路。
【請求項４】
前記モニタ用反射薄膜と前記偏波補償用透過薄膜が、前記反射溝と前記偏波補償溝に対して斜め方向からの真空薄膜堆積法により形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光回路。
【請求項５】
請求項１ないし４に記載の光回路を同一基板上に複数配置したことを特徴とする光回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光回路に関し、特に光通信や光情報処理の分野で用いられる種々の光回路の内で、特に主光導波路中を伝搬する光信号の一部を取り出してモニタするための光タッピング回路（モニタタップ光回路ともいう）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光モジュールからの出力光をモニタし、モニタ結果に基づいて光伝送系にフィードバックをかけようとする場合、伝送系の機能に影響を与えないように、５％程度の光量をタッピング（結線による出力取り出し）してモニタするが、その際、フィードバック精度を保持する観点から、このタッピングには低偏波特性が要求される。従来、この低偏波特性の要求に応える部品としては、専らファイバ型タップカプラが用いられていた。すなわち、光モジュールとタップカプラをファイバ接続し、タップカプラの９５％出力側は主光伝送路とファイバ接続し、５％出力側はフォトダイオードモジュール（以下、ＰＤモジュールと記述）とファイバ接続してモニタとしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来構成では以下のような解決すべき課題があった。すなわち、上記のように、従来構成では、光モジュールとタップカプラ、タップカプラと主光伝送路、及びタップカプラとモニタ用ＰＤモジュールとをそれぞれファイバ接続するようにしているが、その際に接続されるべき各ファイバには、接続作業において接続装置にファイバをセットするためや、ファイバ接続のミス対策、および装置内でのモジュールレイアウト上の必要性等から、各連結箇所で十分な余長処理（長さを余分に確保する処置）を施しておかなければならなかった。そのため、上記従来構成では、合計６箇所ものファイバ余長処理が必要であった。さらに３箇所のファイバ接続補強部（長さ４５ｍｍ）も必要であり、これらが装置内での実装上大きな面積を占めて、光装置の小型化を阻んでいるとともに、当然のことながら、人手にたよるファイバ余長処理が必要である等から、価格も高いものであった。
【０００４】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたもので、実装密度が高く、量産性の高いモニタ用光タッピング回路（モニタタップ光回路）を提供し、ひいてはより廉価で高性能な光通信網を実現することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を実現するため、本発明は、モニタ用光カプラを光回路内に作り込んで光モジュールに付属させることをねらいとし、平坦な基板（図２の符号１１）上に形成された直線状の主光導波路（図１、図２の符号１）と、該主光導波路（１）の所望の部位に設置され、基板面（１１）に垂直で前記主光導波路（１）に対して入射角αをなすモニタ用反射薄膜（図１、図２の符号２）を備えるとともに透明充填剤（図１、図２の符号３）で満たされた反射溝（図１、図２の符号４）と、該モニタ用反射薄膜（２）による反射光を導波するように前記主光導波路（１）と２αの角度をなして設置されたモニタ光導波路（図１、図２の符号５）と、該モニタ光導波路（５）の所望の部位に設置され、基板面（１１）に垂直で前記モニタ光導波路（５）に対して入射角βをなす偏波補償用透過薄膜（図１の符号６）を備えるとともに透明充填剤（３）で満たされた偏波補償溝（図１、図２の符号７）とを具備し、前記モニタ用反射薄膜（２）の入射角αでのＳ偏波とＰ偏波の反射率をＲｓ（α）、Ｒｐ（α）とし、前記偏波補償用透過薄膜（６）の該入射角βでの該Ｓ偏波と該Ｐ偏波の透過率をＴｓ（β）、Ｔｐ（β）としたとき、
Ｒｓ（α）Ｔｓ（β）＝Ｒｐ（α）Ｔｐ（β）
なる関係が保たれ、且つ前記偏波補償用透過薄膜（６）が、前記モニタ用反射薄膜（２）と膜厚が異なることにより、または／および屈折率の異なる物質を用いることにより、モニタ光の波長依存性を緩和させたことを特徴とする光回路を提供する。
【０００６】
また、上記反射溝（４）と上記偏波補償溝（７）が、上記主光導波路（１）及上記びモニタ光導波路（５）のコアよりも低い底面の部分と、該コアよりも高い底面の部分とから成る、各々２段底面を有していることも本発明の特徴の一つとすることができる。
【０００７】
また、上記モニタ光導波路（５）の中心線が上記モニタ用反射薄膜（２）の反射点を通り、かつ上記主光導波路（１）と上記モニタ光導波路（５）の光導入端間に間隙（図１の符号１０）が設けられていることも本発明の特徴の一つとすることができる。
【０００９】
また、上モニタ用反射薄膜（２）と上記偏波補償用透過薄膜（６）が、上記反射溝（４）と上記偏波補償溝（７）に対して斜め方向からの真空薄膜堆積法により形成されたことも本発明の特徴の一つとすることができる。真空薄膜堆積法としては、蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタ法、電子ビームスパッタ法など各種の薄膜堆積法が用いられる。特に方向性のある薄膜堆積法が最適である。
【００１０】
また、本発明を適用した上記の光回路を同一基板上に複数配置したことも本発明の特徴の一つとすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明の光回路の構成を示す平面図であり、図２はその光回路の断面構造を示す縦断面図である。図１に示すように、平坦な基板（図２の符号１１参照）上に形成された直線状の主光導波路１の途中に、この主光導波路１を入射光路として入射角αをなすような基板面に垂直な壁面を有する反射溝４が設置されており、その垂直壁面にはモニタ用反射薄膜２が形成されている。
【００１３】
反射溝４の主光導波路１を含む断面は、図２の（Ｃ）に示すような、２段底面を呈しており、モニタ用反射薄膜２が形成されている右側の底面は主光導波路１のコアよりも深く、所定の距離をおいて左側の底面はそのコアよりも浅くなっており、この反射溝４には透明充填剤３が満たされている。
【００１４】
さらに、図１に示すように、モニタ用反射薄膜２に対向する側に、主光導波路１と２αの角度をなすようにモニタ光導波路５が設置されている。そして、このモニタ光導波路５の中心線がモニタ用反射薄膜２の反射点を通るように設置されている。
【００１５】
以上のような構成において、図１の右方から主光導波路１内を伝搬してきた光は、モニタ用反射薄膜２においてＳ偏波（電界ベクトルが入射面に垂直な導波光、導波路用語ではＴＭ波）、Ｐ偏波（電界ベクトルが入射面に平行な導波光、導波路用語ではＴＥ波）のそれぞれの偏波成分に対して反射率Ｒｓ(α)、Ｒｐ(α)だけ反射し、残りは透過して左方へ伝搬していく。これら反射光は、主光導波路１と２αの角度をなし、且つ中心線が反射点を通るように設置されたモニタ光導波路５内に入射し伝搬していく。
【００１６】
さて、ここで設定される反射率Ｒはモニタ用であるので、主光導波路１の損失を少なく押さえる観点から、通常数％から１０％以下と設定される。特別に設計された多層薄膜を除いては、モニタ用反射薄膜２はＳ偏波とＰ偏波で数％の偏波依存性を持ち、一般に単層膜ではＳ偏波の方がＰ偏波よりも反射率は高くなる。
【００１７】
今、Ｒｓ(α)を４．５％、Ｒｐ(α)を４．２％とすると、モニタ用反射薄膜２を透過して主光導波路１内を伝搬していく導波光の偏波依存性は、
（１−Ｒｓ(α)）／（１−Ｒｐ(α)）
であるから、デシベル単位で０．０１４ｄＢとなり、通常許容できる値である。
【００１８】
一方、モニタ用反射薄膜２の反射光の偏波依存性は、
Ｒｓ(α)／Ｒｐ(α)
であるから、デシベル単位で０．３０ｄＢとなり、反射したモニタ光の方が主光導波路１を伝搬していく透過光に比較して一桁以上偏波依存性が大きくなり、このままではモニタ光を利用した主伝搬光の制御性に０．３ｄＢ程度の偏波依存が生じてしまうことになる。
【００１９】
この不都合を解決するため、本発明では、図１に示すように、モニタ光導波路５の途中に、モニタ光導波路５を入射光路として入射角βをなす反射面となるような基板面に垂直な壁面を有し、この壁面上に偏波補償用透過薄膜６が形成されているような偏波補償溝７を設置する。この偏波補償溝７はその断面が上記反射溝４と同様に図２の（Ｃ）に示すような２段底面を有しており、また透明充填剤３で満たされている。
【００２０】
ここで、モニタ光導波路５を伝搬する導波光に対する偏波補償用透過薄膜６のＳ偏波に対する透過率をＴｓ(β）、Ｐ偏波に対する透過率をＴｐ(β）としたとき、一般に反射光とは逆に、Ｐ偏波に対する透過率の方がＳ偏波に対する透過率よりも大きくなり、その比率は入射角βによって変えることができる。
【００２１】
そこで、入射角βを、
Ｔｓ(β）／Ｔｐ(β）＝Ｒｐ(α)／Ｒｓ(α)
となるように、すなわち前記（１）式、
Ｒｓ(α)Ｔｓ(β）＝Ｒｐ(α)Ｔｐ(β）
が成り立つように選べば、偏波補償用透過薄膜６を通過した反射導波光のＳ、Ｐ両偏波の光強度は同一となって、偏波依存性は解消されることになる。
【００２２】
その時、モニタ用反射薄膜２を通過した後の導波光の強度に対する、偏波補償用透過薄膜６を通過した後の導波光の強度の割合はＲｓ(α)Ｔｓ(β）、及びＲｐ(α)Ｔｐ(β）となる。これを以下の説明ではタップ率と称することとする。
【００２３】
以上の説明からわかるように、本発明では、モニタ用反射薄膜２で生じた反射光の偏波依存性に対して、Ｓ偏波に対してはＲｓ(α)（１−Ｔｓ(β））だけ、Ｐ偏波に対してはＲｐ(α)（１−Ｔｐ(β））だけ、偏波補償用薄膜６において反射させて、その反射光をモニタ用光導波路５外へ放出するので、偏波依存性が解消される。
【００２４】
【実施例】
さらに、図面を参照して本発明の実施の具体例を詳述する。
【００２５】
［第１の実施例］
まず、本発明を適用した光導波路について述べる。基板１１としてＳｉ基板を用い、このＳｉ基板の上に光導波路１、５としてＳｉＯ２を主成分とするガラスから成る石英系光導波回路を火炎直接堆積法、及びドライエッチング法にて作製した。コアークラッド間の比屈折率差は０．５％、下部クラッドの厚みは２０μｍ、導波路コアは７μｍ角、上下両クラッドを含む全厚みは５０μｍである。この光導波路を用いて図１に示すような光回路の両光導波路１、５の部分を作製した。
【００２６】
次に、本発明の光回路の反射溝４と偏波補償溝７の設計に入るわけであるが、ここでは光学単層膜の反射、透過特性の計算法（例えば、久保田広著「波動光学」、ｐ６２、岩波書店、１９７１年発行を参照）によってそれらを設計した。まず、入射媒質（主光導波路１、モニタ光導波路５）の屈折率をｎ０、入射角をθ０（前記α、βに対応）、光学単層膜（モニタ用反射薄膜２、偏波補償用透過薄膜６）の屈折率をｎ１、光学単層膜内での多重反射角をθ１、透過光の出射媒質（透明充填剤３）の屈折率をｎ２、出射角をθ２とすると、それらの間にはスネルの法則
n0sinθ0=n1sinθ1=n2sinθ2                (2)
が成り立つ。（２）式からθ１，θ２を求めることにより、光学単層膜のＳ偏波、Ｐ偏波に対する振幅反射率ｒｓ，ｐは
r1s=-sin(θ0-θ1)/sin(θ0+θ1),   r1p=tan(θ0-θ1)/tan(θ0+θ1),
r2s=-sin(θ1-θ2)/sin(θ1+θ2),   r2p=tan(θ1-θ2)/tan(θ1+θ2)         (3)
として、
rs,p={r1s,p+r2s,pexp(-iδ)}/{1+r1s,pr2s,pexp(-iδ)}, δ=4πn1dcosθ1/λ    (4)
で与えられる。これから、Ｓ偏波、Ｐ偏波に対する入射角θ０のときのエネルギー反射率Rs,p(θ0)、透過率Ts,p(θ0)は
Rs,p(θ0)=|rs,p|2,    Ts,p(θ0)=1-|rs,p|2          (5)
となる。ここでｄは光学単層膜の膜厚、λは光の波長である。
【００２７】
まず、モニタ用反射薄膜２、偏波補償用透過薄膜６の材料であるが、適用波長λを１．５５μｍとし、この波長での光透過性、高い屈折率、及び作製の容易性から、Ｓｉ蒸着単層膜を、反射・透過薄膜２、６の材料として用いることとした。このＳｉ蒸着単層膜の波長１．５５μｍでの屈折率ｎ１は３．４７７である（AIP Handbook,3rd Edition,p6-41,McGraw-Hill,1972 による）。また、透明充填剤３には屈折率ｎ２が１．４０のシリコーン樹脂を用いることとした。
【００２８】
この作製条件下で、モニタ用に〜４％のタップ率をねらい、Ｓｉ蒸着単層膜の膜厚ｄを１５０Åとした場合の反射率Ｒ（θ０）、透過率Ｔ（θ０）の式（２）〜（５）による計算結果を図３に示す。この計算において、入射媒質（主光導波路１、モニタ光導波路５）の屈折率ｎ０は石英系導波路であるので１．４６とした。また、主光導波路１とモニタ光導波路５の交差角２αは、回路レイアウト上から２０度が好適であるので、２０度とすることとした。この場合、入射角θ０（＝α）は１０度となるわけであるが、図３の（Ａ）に示すように、Ｓ偏波、Ｐ偏波それぞれに対する反射率Ｒは４．４８％、４．１７％となった。このとき、前述したように、主光導波路１の透過光の偏波依存は
｜10Ｌｏｇ［（1 −0.0448）／（１−0.0417）］｜＝0.014 ｄＢ
となって無視できるが、その反射モニタ光の偏波依存に対しては
｜10Ｌｏｇ［0.0448／0.0417］｜＝0.31ｄＢ
となって、これは補償を要した。図３の（Ｂ）によれば、モニタ光導波路５の入射角θ０（＝β）を４４度とすれば、Ｓ偏波、Ｐ偏波に対する透過率がそれぞれ９１．５％、９８．５％となって式（１）が満たされた。この考察から、反射薄膜２、透過薄膜６ともにＳｉ膜で膜厚０．０１５μｍ、入射角α、βは１０度、４４度とした。想定タップ率は４．１％である。ここで、主光導波路１とモニタ光導波路５との間には、図１に示すように、主光導波路１の導波損失低減のため、５μｍの間隙１０を設けた。
【００２９】
次に製造工程の説明に戻るが、上記各設計値を適用し、ドライエッチング法を２段階に実施することによって、図２の（Ａ）に示すような断面構造の、２段底面を有する反射溝４及び偏波補償溝７を形成した。２段底面とした理由は後に述べる。深い方の溝の深さは光導波路コアの下まで達するように４０μｍ、その幅は２０μｍである。浅い方の溝の深さはコアまでは達しない深さ１８μｍ、その幅は３０μｍである。
【００３０】
これら反射溝４及び偏波補償溝７にレジスト１２を塗布、露光して図２の（Ｂ）に示すように、溝４，７の深い溝側に窓９をあけた。
【００３１】
次に、図２の（Ｂ）に示すように、左斜め上方、すなわち矢印８の方向からＳｉを斜めに蒸着して０．０１５μｍの厚みに付けた。
【００３２】
次に、レジスト１２を除去してＳｉ蒸着膜１３をリフトオフすることにより、図２の（Ｃ）に示すような、Ｓｉ蒸着膜から成る反射用薄膜２、偏波補償用透過薄膜６を作製した。
【００３３】
最後に、この溝４，７に屈折率１．４０のシリコーン樹脂を透明充填剤３として充填した。
【００３４】
以上の製造工程から判るように、溝４，７を２段底面溝としたのは、薄膜材料であるＳｉを溝４，７の壁面に斜め蒸着するためと、溝４，７が光導波路コアを切る長さをできるだけ短くするためである。また、Ｓｉの斜め蒸着方向を、図１の矢印８の方向、すなわち反射用薄膜２，透過用薄膜６に対して丁度中間の角度の方向にして、薄膜２，６の膜厚が同一となるようにした。図１では、左方の蒸発源からの薄膜２，６までの距離が異なるように見えるが、蒸発源は数十ｃｍ離れているのに対して、薄膜２，６間の距離は高々数ｍｍであるので、この距離の差は無視できた。
【００３５】
この光回路の波長１．５５μｍでの特性を調べたところ、主光導波路１の挿入損失と偏波依存性はそれぞれ０．２５ｄＢ、０．０２ｄＢであり、偏波補償用透過薄膜６を通過後のモニタタップ率は４％、その偏波依存性は０．０３ｄＢであり、実効上、問題のない値であった。
【００３６】
上記設計条件でのタップ率Ｒｓ(α)Ｔｓ(β）、及びＲｐ(α)Ｔｐ(β）の波長依存性の式（２）〜（５）による計算値を図４に黒丸と白丸で示す。同図には、１．５μｍ帯光通信波長として使用されている波長１．４６〜１．６０μｍでの計算値を示してある。ここで、屈折率が大きく、その波長依存性が無視できないＳｉの屈折率については、前出のＡＩＰ  Ｈａｎｄｂｏｏｋの値から、分散式
ｎ１(λ) ＝4.0023−0.7173λ＋0.3245λ２−0.0517λ３    （６）
を導出して用いた。図４から明らかなように、タップ率の偏波依存性は全波長域に渡って０．０５ｄＢ以下であるが、タップ率自身が長波長側につれて低下し、０．８ｄＢの波長依存性をもっており、上記で作製したモニタタップ光回路で測定しても、図４と同様の結果が得られた。
【００３７】
次に、このタップ率の波長依存性を緩和する方法について、本発明の第２の実施例として述べる。
【００３８】
［第２の実施例］
上述した本発明の第１実施例では、モニタ用反射薄膜２と偏波補償用透過薄膜６に同一膜厚の薄膜を用いていたが、これらの膜厚を異ならせれば波長依存性も緩和することが可能である。モニタ用反射薄膜２の膜厚と入射角αはそれぞれ第１実施例と同じく０．０１５μｍ、１０度、としたまま、偏波補償用透過薄膜６の膜厚と入射角βを０．２９μｍ、１５度とした場合の式（２）〜（６）によるタップ率Ｒｓ(α)Ｔｓ(β）、及びＲｐ(α)Ｔｐ(β）の計算結果を図４の黒四角（Ｓ偏波）、白四角（Ｐ偏波）で示す。この場合、タップ率は２．６％に下がるが、１．４６〜１．６０μｍの波長帯全域に渡ってタップ率波長依存０．１８ｄＢ以下、偏波依存０．０６ｄＢ以下となった。
【００３９】
この計算を元に、上記の数値を持つ反射溝４、偏波補償溝７のある光回路を作製した。この作製は図２に示すＳｉ膜の蒸着およびリフトオフ工程を、モニタ用反射薄膜２の形成と偏波補償用透過薄膜６の形成の２回に分けて別々に実施した。この結果、図４の黒四角（Ｓ偏波）、白四角（Ｐ偏波）で示す計算結果と同様の特性を示す光回路を実現できた。
【００４０】
ところで、図４から分かる通り、前述の第１の実施例は使用波長域が限られている場合に、本第２の実施例はタップ率が下がり、また作製工程は長くなるが、使用波長域が広い場合に適用すればよい。
【００４１】
第１と第２の実施例では、反射用薄膜２と偏波補償用薄膜６としてＳｉ蒸着膜を用いていたが、本発明はこれに限らず、入出射媒質の屈折率（ｎ０もしくはｎ１）よりも大きな屈折率を有する蒸着膜であれば本発明の効果が得られる。例えば、波長１．５５ｍではＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の蒸着膜も適用可能である。
【００４２】
また、本第２の実施例では偏波補償用薄膜６についてその膜厚ｄを変えたが、（４）式から明らかなように、屈折率ｎ１を変えても同等な効果がある。即ち、反射用薄膜２は偏波補償用薄膜６と異なる物質を選ぶことも出来る。
【００４３】
［第３の実施例］
図５に本発明のモニタ用光タッピング回路（モニタタップ光回路）を、同一基板上に多数設けた例を示す。その作製方法は、上述した第１と第２の実施例と同等な方法によって作製した。第１の実施例と同様に反射用薄膜２と補償用薄膜６の膜厚を同等にすることで作業工程を短縮させることが出来た。また、第２の実施例と同様に偏波補償用薄膜６の膜厚を反射用薄膜２の膜厚と異ならせることにより、波長依存性も解消することが出来た。
【００４４】
主光導波路１の途上に設けた角度αの反射溝４と、モニタ光導波路５の途上に設けた角度βをなす偏波補償溝７が占める面積はそれぞれ数百μｍ角である。図５では、反射溝４，偏波補償溝７をそれぞれ一直線上に設置したが、交互に配置したり、ずらして配置することによって、複数本のモニタタップ光回路の間隔も数十〜数百μｍ間隔に短縮することが出来る。
【００４５】
従って、ＡＷＧ（アレイ導波路格子）やアレイ状のＰＬＣ（平面光導波路）型光スイッチと同一基板上に、図５に示す多数本のモニタタップ光回路を設置すれば、モノリシックにこれらの光回路を配置することとなるため、飛躍的な小型化が図れることとなる。
【００４６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、偏波依存性の低いモニタ用光回路を形成できるため、同一基板内に形成された光機能回路のモニタ光による高精度な制御が可能となる。
【００４７】
さらに、本発明によれば、反射溝２及び偏波補償溝７に要する面積は高々数１００μｍ角であるため、図５に示すようにアレイ化も容易である。従って、これをＡＷＧやアレイ光スイッチ回路と同一基板内に作り込んで付属せしめれば、光装置内デバイス実装が従来に比較して飛躍的に簡素化、小型化され、光通信用装置の経済化に資することは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光回路の構成例を示す平面図である。
【図２】図１の反射薄膜２，透過薄膜６の形成過程を示す縦断面図である。
【図３】本発明における光回路の反射率、透過率の特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第１と第２の実施例におけるタップ率の波長依存性を示すグラフである。
【図５】本発明の第３の実施例における光回路のアレイ化の構成例を示す平面図である。
【符号の説明】
１  主光導波路
２  モニタ用反射薄膜
３  透明充填剤
４  反射溝
５  モニタ光導波路
６  偏波補償用透過薄膜
７  偏波補償溝
８  斜め蒸着方向を示す矢印
９  窓
１０  間隙
１１  基板
１２  レジスト膜
１３  Ｓｉ蒸着膜
【図１】
0003764664.tif 000002
【図２】
0003764664.tif 000003
【図３】
0003764664.tif 000004
【図４】
0003764664.tif 000005
【図５】
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