(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の赤外線検出器からなる検出器アレイ部と、該検出器アレイ部から送られた信号を処理する信号処理部とがシリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、該赤外線検出器が、
シリコン基板と、
該シリコン基板上に設けられた中空部と、
該中空部上に支持脚で支えられた赤外線検知部とを含み、
該支持脚が配線層からなり、
該赤外線検知部が、該配線層と、該配線層に接続された赤外線検知膜と、該配線層上に設けられた層間絶縁膜であって、該配線層の上面に開口部を備え、該開口部を介して該配線層と該赤外線検知膜とが接続された層間絶縁膜と、該赤外線検知膜上に設けられた保護膜とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項２】
上記支持脚が、更に、上記配線層上に積層された上記層間絶縁膜と上記保護膜とを有することを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項３】
上記支持脚と上記赤外線検知部とが、更に、上記配線層の下部に該配線層に沿って延在する該配線層と略同一の幅の下部絶縁膜を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項４】
上記支持脚と上記赤外線検知部とが、更に、上記配線層の下部に該配線層に沿って延在する該配線層と略同一の幅の下部絶縁膜を有し、上記層間絶縁膜と上記保護膜が、上記配線層の上面から該配線層の側面を通って該下部絶縁膜の底面より下方まで延在したことを特徴とする請求項２に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項５】
複数の赤外線検出器からなる検出器アレイ部と、該検出器アレイ部から送られた信号を処理する信号処理部とがシリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、該赤外線検出器が、
シリコン基板と、
該シリコン基板上に設けられた中空部と、
少なくとも配線層を含む支持脚と、
該中空部上に該支持脚で支えられた赤外線検知部であって、該配線層と該配線層に接続された赤外線検知膜とを含む赤外線検知部とを含み、
該支持脚と該赤外線検知部が、該支持脚と該赤外線検知部の底面から突出し、該配線層に沿って設けられた凸部を有することを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項６】
上記凸部が、上記支持脚と上記赤外線検知部に含まれる上記配線層の一部からなることを特徴とする請求項５に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項７】
上記支持脚と上記赤外線検知部とが、上記配線層の下部に下部絶縁膜を含み、上記凸部が、該下部絶縁膜の一部からなることを特徴とする請求項５に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項８】
上記配線層と上記下部絶縁膜との幅が略同一であることを特徴とする請求項７に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項９】
上記支持脚が、上記配線層と上記下部絶縁膜とからなることを特徴とする請求項７又は８に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項１０】
上記中空部が、上記シリコン基板の一部を除去して形成した凹部からなることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項１１】
上記赤外線検知部が、更に、赤外線吸収膜からなる傘部を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項１２】
赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、
該犠牲層上に、配線材料層を形成する配線材料層形成工程と、
該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とするエッチング工程と、
該配線層を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する検知膜形成工程と、
該赤外線検知膜を覆う保護膜を形成する工程と、
該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部とを形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
上記検知膜形成工程が、該配線層上に層間絶縁膜を形成し、該配線層上の該層間絶縁膜に開口部を形成した後に、該赤外線検知膜を形成する工程からなることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
更に、上記エッチング工程の後に、上記支持脚となる領域の上記配線層を覆う上部犠牲層を形成する工程を含み、
該上部犠牲層上に形成された上記層間絶縁膜と上記保護膜とを除去する工程を含むことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
上記配線材料層形成工程が、上記犠牲層上に下部絶縁層を形成した後に、上記配線材料層を形成する工程からなり、
上記エッチング工程が、該配線材料層とともに該下部絶縁層をエッチングする工程であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１６】
上記配線材料層形成工程が、上記犠牲層上に、上記配線材料層を直接形成する工程であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１７】
赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、
該犠牲層上に、下部絶縁膜と配線材料層とを順次形成する工程と、
該配線材料層と、該下部絶縁層と、該犠牲層の一部を略同一形状のパターンにエッチングして配線層を形成する工程と、
該犠牲層上に、該配線層を覆う層間絶縁膜と保護膜とを順次形成する工程と、
該犠牲層を除去して、該層間絶縁膜と該保護膜とを、該配線層の上面から該配線層の側面を通って該下部絶縁膜の底面より下方まで延在させる工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
上記赤外線検知部に、赤外線検知膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１７にかかる製造方法。
【請求項１９】
赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、
該犠牲層の配線層形成領域に溝部を形成する工程と、
該犠牲層上に、該溝部を埋める下部絶縁膜を形成する工程と、
該下部絶縁膜上に、配線材料層を形成する工程と、
該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とするエッチング工程と、
該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する工程と、
該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部と、該配線層の下方に該配線層に沿って設けられた該下部絶縁膜からなる凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
上記エッチング工程が、該配線材料層とともに該下部絶縁層をエッチングする工程であることを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、
該犠牲層の配線層形成領域に溝部を形成する工程と、
該犠牲層上に、該溝部を埋める配線材料層を形成する工程と、
該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とする工程と、
該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する工程と、
該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部と、該配線層の下部に該配線層からなる凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱型赤外線固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、高感度で熱時定数の短い赤外線検出器を搭載した熱型赤外線固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２３は、Wada等による“Fabrication Process for 256×256 Bolometer-Type Uncooled Infrared Detector” SPIE Vol. 3224, p.40-p.51, 1997に記載された、全体が５００で表される従来の熱型赤外線固体撮像装置の概略図である。
図２３に示すように、従来の熱型赤外線固体撮像装置５００は、シリコン基板１を含む。シリコン基板１上には、熱型赤外線検出器６００を３行×３列に配列した検出器アレイ部５１０と、熱型赤外線検出器６００から送られた電気信号を処理して外部に出力する信号処理回路部５２０が設けられている。熱型赤外線固体撮像装置５００の表面は、酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなる保護膜（図示せず）により覆われている。
【０００３】
図２４は、図２３に示す熱型赤外線検出器６００の、Ｂ−Ｂ方向の断面図である。赤外線検出器６００は、シリコン基板１を含む。シリコン基板１には空洞部２０が設けられ、空洞部２０上には、２方向から支持脚５３０で支えられた赤外線検知部５４０が設けられている。
支持脚５３０は、酸化シリコンからなる下部絶縁膜２上に設けられたチタンの配線層３を含む。配線層３上には、酸化シリコンからなる層間絶縁膜４、同じく酸化シリコンからなる保護膜６が積層されている。
一方、赤外線検知部５４０は、下部絶縁膜２と、下部絶縁膜２上に支持脚５３０から延在する配線層３を有する。配線層３の上には層間絶縁膜４が設けられ、層間絶縁膜４の所定の領域に開口部が設けられている。開口部を介して配線層３に接するようにＶＯＸからなる赤外線検知膜５が層間絶縁膜４上に設けられている。赤外線検知膜５上には保護膜６が形成され、赤外線検知膜５を保護する。
【０００４】
図２５は、熱型赤外線検出器６００の製造工程であり、図２４と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
かかる製造工程では、まず、図２５（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、アモルファスシリコンからなる犠牲層７と、酸化シリコンからなる下部絶縁膜２を堆積させる。次に、チタン層を堆積した後に、塩素系ガスを用いたプラズマエッチングによりチタン層をパターニングし、配線層３を形成する。このとき、下部絶縁膜２はチタン層のエッチングストッパ層となるため、下部絶縁膜２の膜厚は１０００Å以上必要となる。
【０００５】
次に、図２５（ｂ）に示すように、配線層３を覆うように、酸化シリコンからなる層間絶縁膜４を形成した後に、配線層３上に開口部を形成する。続いて、ＶＯＸ層を堆積した後にパターニングを行い、赤外線検知膜５を所定の領域に形成する。更に、酸化シリコンからなる保護膜６を堆積した後、リソグラフィ技術、エッチング技術を用いてエッチング孔８を形成する。
【０００６】
次に、図２５（ｃ）に示すように、エッチング孔８からＸｅＦ２ガスを導入して犠牲層７を除去し、空洞部２０を形成する。これにより、２つの支持脚５３０により支持された赤外線検知部５４０を有する熱型赤外線検出器６００が完成する。
【０００７】
かかる熱型赤外線検出器６００では、赤外線検知部５４０に赤外線が入射することにより赤外線検知膜５の温度が上昇し、これにより赤外線検知膜５の電気的特性も変化する。これを、支持脚５３０に設けた配線層３を介して電気信号として読み出すことにより、赤外線検知部５４０に入射した赤外線の量を検出する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の熱型赤外線固体撮像装置５００を構成する赤外線検出器６００では、支持脚５３０が、下部絶縁膜２、配線層３、層間絶縁膜４、保護膜６からなるため熱コンダクタンスが大きく、赤外線検知部５４０からシリコン基板１に流出する熱量が大きい。このため、赤外線検知部５４０に入射する赤外線量が多くても、赤外線検知部５４０の温度が充分に上昇せず、赤外線の検出感度が低かった。
また、赤外線検知部５４０の熱容量が大きいため、赤外線検出器６００の熱時定数が長く、素早い被写体の動きを追跡することができなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、高感度で熱時定数の短い熱型赤外線検出器を有する熱型赤外線固体撮像装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の赤外線検出器からなる検出器アレイ部と、該検出器アレイ部から送られた信号を処理する信号処理部とがシリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、該赤外線検出器が、シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた中空部と、該中空部上に支持脚で支えられた赤外線検知部とを含み、該支持脚が配線層からなり、該赤外線検知部が、該配線層と、該配線層に接続された赤外線検知膜と、該配線層上に設けられた層間絶縁膜であって、該配線層の上面に開口部を備え、該開口部を介して該配線層と該赤外線検知膜とが接続された層間絶縁膜と、該赤外線検知膜上に設けられた保護膜とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置である。
かかる熱型赤外線固体撮像装置では、支持脚の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部からシリコン基板に流出する熱量を低減できる。この結果、赤外線検知部の赤外線検出感度が向上する。
また、赤外線検知部の熱容量が小さくなり、赤外線検知部を含む熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００１１】
上記支持脚は、更に、上記配線層上に積層された上記層間絶縁膜と上記保護膜とを有するものであって良い。
【００１２】
上記支持脚と上記赤外線検知部とは、更に、上記配線層の下部に該配線層に沿って延在する該配線層と略同一の幅の下部絶縁膜を有するものであっても良い。
このように、下部絶縁層の幅を、配線層と略同一とすることにより、支持脚の熱コンダクタンスが、従来より小さくなる。また、赤外線検知部の熱容量も小さくなる。
【００１３】
また、本発明は、上記支持脚と上記赤外線検知部とが、更に、上記配線層の下部に該配線層に沿って延在する該配線層と略同一の幅の下部絶縁膜を有し、上記層間絶縁膜と上記保護膜が、上記配線層の上面から該配線層の側面を通って該下部絶縁膜の底面より下方まで延在したことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置でもある。
層間絶縁膜と保護膜をかかる構造とすることにより、これらの膜の鉛直方向の高さを調整して、支持脚の反りを防止できる。この結果、下部絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜の膜厚を従来より薄くできるため、支持脚の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部の熱容量が小さくなる。
【００１４】
また、本発明は、複数の赤外線検出器からなる検出器アレイ部と、該検出器アレイ部から送られた信号を処理する信号処理部とがシリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、該赤外線検出器が、シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた中空部と、少なくとも配線層を含む支持脚と、該中空部上に該支持脚で支えられた赤外線検知部であって、該配線層と該配線層に接続された赤外線検知膜とを含む赤外線検知部とを含み、該支持脚と該赤外線検知部が、該支持脚と該赤外線検知部の底面から突出し、該配線層に沿って設けられた凸部を有することを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置でもある。
かかる凸部を有する構造とすることにより、凸部の高さを調整して支持脚の反りを防止できる。この結果、下部絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜の膜厚を従来より薄くできるため、支持脚の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部の熱容量が小さくなる。
【００１５】
上記凸部は、上記支持脚と上記赤外線検知部に含まれる上記配線層の一部からなるものであっても良い。
【００１６】
上記支持脚と上記赤外線検知部とが、上記配線層の下部に下部絶縁膜を含み、上記凸部が、該下部絶縁膜の一部からなるものであっても良い。
【００１７】
上記配線層と上記下部絶縁膜との幅は、略同一であることが好ましい。支持脚の熱コンダクタンスを小さくし、赤外線検知部の熱容量を小さくするためである。
【００１８】
上記支持脚は、上記配線層と上記下部絶縁膜とからなるものであっても良い。支持脚を、配線層と下部絶縁膜のみから形成することにより、支持脚の熱コンダクタンスを小さくできるからである。
【００１９】
上記中空部は、上記シリコン基板の一部を除去して形成した凹部からなるものであっても良い。
【００２０】
上記赤外線検知部は、更に、赤外線吸収膜からなる傘部を含むものであっても良い。赤外線の吸収効率をより高くするためである。
【００２１】
また、本発明は、赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層上に、配線材料層を形成する配線材料層形成工程と、該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とするエッチング工程と、該配線層を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する検知膜形成工程と、該赤外線検知膜を覆う保護膜を形成する工程と、該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部とを形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
【００２２】
上記検知膜形成工程が、該配線層上に層間絶縁膜を形成し、該配線層上の該層間絶縁膜に開口部を形成した後に、該赤外線検知膜を形成する工程からなるものであっても良い。
【００２３】
更に、上記エッチング工程の後に、上記支持脚となる領域の上記配線層を覆う上部犠牲層を形成する工程を含み、該上部犠牲層上に形成された上記層間絶縁膜と上記保護膜とを除去する工程を含むものであっても良い。
【００２４】
上記配線材料層形成工程が、上記犠牲層上に下部絶縁層を形成した後に、上記配線材料層を形成する工程からなり、上記エッチング工程が、該配線材料層とともに該下部絶縁層をエッチングする工程であっても良い。
【００２５】
上記配線材料層形成工程が、上記犠牲層上に、上記配線材料層を直接形成する工程であっても良い。
【００２６】
また、本発明は、赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層上に、下部絶縁膜と配線材料層とを順次形成する工程と、該配線材料層と、該下部絶縁層と、該犠牲層の一部を略同一形状のパターンにエッチングして配線層を形成する工程と、該犠牲層上に、該配線層を覆う層間絶縁膜と保護膜とを順次形成する工程と、該犠牲層を除去して、該層間絶縁膜と該保護膜とを、該配線層の上面から該配線層の側面を通って該下部絶縁膜の底面より下方まで延在させる工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
【００２７】
上記赤外線検知部に、赤外線検知膜を形成する工程を含むものであっても良い。
【００２８】
また、本発明は、赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層の配線層形成領域に溝部を形成する工程と、該犠牲層上に、該溝部を埋める下部絶縁膜を形成する工程と、該下部絶縁膜上に、配線材料層を形成する工程と、該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とするエッチング工程と、該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する工程と、該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部と、該配線層の下方に該配線層に沿って設けられた該下部絶縁膜からなる凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
【００２９】
上記エッチング工程は、該配線材料層とともに該下部絶縁層をエッチングする工程であっても良い。
【００３０】
また、本発明は、赤外線検知部が支持脚で支えられた赤外線検出器を、アレイ状に形成する熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、シリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層の配線層形成領域に溝部を形成する工程と、該犠牲層上に、該溝部を埋める配線材料層を形成する工程と、該配線材料層を所定の形状にエッチングして配線層とする工程と、該配線層に電気的に接続された赤外線検知膜を形成する工程と、該犠牲層を除去して、該配線層を含む支持脚と、該支持脚に支えられ、該配線層と該赤外線検知膜とを含む赤外線検知部と、該配線層の下部に該配線層からなる凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
【００３１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、全体が２００で表される、本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の概略図である。図１に示すように、熱型赤外線固体撮像装置２００は、シリコン基板１を含む。シリコン基板１上には、熱型赤外線検出器１００を３行×３列に配列した検出器アレイ部２１０と、熱型赤外線検出器１００から送られた電気信号を処理して外部に出力する信号処理回路部２２０が設けられている。熱型赤外線固体撮像装置２００の表面は、酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなる保護膜（図示せず）により覆われている。
なお、以下の実施の形態２〜８にかかる熱型赤外線検出器を用いた場合も、熱型赤外線固体撮像装置の外観は、図１に示す熱型赤外線固体撮像装置２００とほぼ同じである。
【００３２】
図２は、図１に示す熱型赤外線検出器１００の、Ａ−Ａ方向の断面図である。図中、図１００と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
赤外線検出器１００は、シリコン基板１を含む。シリコン基板１には空洞部２０が設けられ、空洞部２０上には、２方向から支持脚３０で支えられた赤外線検知部４０が設けられている。
支持脚３０は、酸化シリコンからなる下部絶縁膜２上に設けられた窒化チタンの配線層３を含む。下部絶縁膜２は、配線層３の下方にのみ形成され、下部絶縁膜２の幅は、配線層３の幅と略等しい。配線層３上には、酸化シリコンからなる層間絶縁膜４、同じく酸化シリコンからなる保護膜６が積層されている。
【００３３】
次に、図３を用いて、赤外線検出器１００の製造方法を説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、アモルファスシリコンからなる犠牲層７を堆積する。続いて、酸化シリコンからなる下部絶縁膜２を堆積させる。下部絶縁膜２の膜厚は、５００〜２０００Å程度である。特に、本実施の形態では、下部絶縁膜２が、配線層３のエッチングストッパの役割を果たす必要がないため、５００Å以下に薄くすることもできる。
続いて、窒化チタンからなる配線層３を堆積した後に、一般的なマスクを用いて、配線層３と下部絶縁膜２を同時にエッチングする。エッチングには、フロロカーボン系ガスによるプラズマを用いる。かかるプラズマでは、配線層３と下部絶縁膜２のみがエッチングされ、犠牲層７はエッチングされないため、犠牲層７の表面が露出した時点でエッチングは停止する。
これにより、図３（ａ）に示すような、配線層３と、配線層３と略同じ幅を有する下部絶縁膜２が形成される。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、配線層３を覆うように、酸化シリコンからなる層間絶縁膜４を形成した後に、配線層３上に開口部を形成する。層間絶縁膜４の膜厚は、１０００〜２０００Å程度である。
続いて、ＶＯＸ層を堆積させた後にパターニングを行い、赤外線検知膜５を所定の領域に形成する。
更に、酸化シリコンからなる保護膜６を、１０００〜４０００Å程度堆積させた後、リソグラフィ技術、エッチング技術を用いてエッチング孔８を形成する。
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、エッチング孔８からＸｅＦ２ガスを導入して犠牲層７を除去し、空洞部２０を形成する。これにより、２つの支持脚３０により支持された赤外線検知部４０を有する熱型赤外線検出器１００が完成する。
【００３６】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１００では、支持脚３０において、下部絶縁層２の幅が、配線層３と同程度まで狭くなる。また、下部絶縁層２の膜厚も５００Å以下にまで薄くできる。この結果、支持脚３０の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４０からシリコン基板１に流出する熱量を低減することができる。従って、赤外線検知部４０の赤外線検出感度を向上させることができる。
【００３７】
また、赤外線検知部４０において、下部絶縁膜２は配線層３の下方のみに設けられ、その膜厚は５００Å以下にできるため、赤外線検知部４０の熱容量が小さくなる。従って、赤外線検知部４０を含む熱型赤外線検出器１００の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００３８】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１１０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１１０は、図２４に示す従来構造の熱型赤外線検出器６００に比較して、下部絶縁膜２を有しない構造となっている。他の構成部分の材料や膜厚は、実施の形態１に示した熱型赤外線検出器１００と同じである。
【００３９】
次に、図５を用いて、熱型赤外線検出器１１０の製造方法について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させ、その上に配線層３を形成する。
【００４０】
続いて、図５（ｂ）に示すように、実施の形態１と同じ工程（図３（ｂ）参照）で、層間絶縁膜４、赤外線検知膜５、保護膜６を堆積させ、更に、エッチング孔８を形成する。
【００４１】
最後に、図５（ｃ）に示すように、ＸｅＦ２ガスプラズマを用いて犠牲層７を除去し、２つの支持脚３１により支持された赤外線検知部４１を有する熱型赤外線検出器１１０が完成する。
【００４２】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１１０では、支持脚３１、赤外線検知部４１が、下部絶縁層２を有しない。このため、支持脚３１の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４１からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４１の赤外線検出感度を向上させることができる。
【００４３】
また、赤外線検知部４１の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４１を含む熱型赤外線検出器１１０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００４４】
実施の形態３．
図６は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１２０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１２０は、従来の熱型赤外線検出器６００に比較して、支持脚が、層間絶縁膜４、保護膜６を有しない構造となっている。支持脚３２、赤外線検知部４２の下部絶縁膜２は、配線層３の下方にのみ形成され、その幅は配線層３の幅と略等しい。また、下部絶縁層２の膜厚は５００Å以下に薄くできる。他の構成部分の材料や膜厚は、実施の形態１に示した熱型赤外線検出器１００と同じである。
【００４５】
次に、図７を用いて、熱型赤外線検出器１２０の製造方法について説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させる。続いて、犠牲層７の上に、下部絶縁膜２、配線層３を順次堆積させた後、所定の形状にパターニングする。パターニングは、フロロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチングで行う。この結果、下部絶縁膜２は、配線層３の下方にのみ形成され、その幅は、配線層３の幅と略等しくなる。
【００４６】
続いて、図７（ｂ）に示すように、まず、支持脚３２となる下部絶縁膜２、配線層３を覆うように犠牲層９を形成する。犠牲層９は、犠牲層７と同様にアモルファスシリコンからなる。続いて、実施の形態１と同様に、層間絶縁膜４、赤外線検知膜５、保護膜６を堆積させる。
次に、犠牲層９の上の層間絶縁膜４、保護膜６を選択的に除去する。図７（ｂ）では、犠牲層９の上面に、層間絶縁膜４、保護膜６の一部が残っているが、犠牲層９上の層間絶縁膜４、保護膜６を全て除去しても構わない。
【００４７】
最後に、ＸｅＦ２ガスを用いて犠牲層９及び犠牲層７を除去し、２つの支持脚３２により支持された赤外線検知部４２を有する熱型赤外線検出器１２０が完成する。
【００４８】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１２０では、支持脚３２が、層間絶縁膜４、保護膜６を有しない。また、支持脚３２、赤外線検知部４２において、下部絶縁層２の幅が、配線層３と同程度まで狭くなり、膜厚も５００Å以下にまで薄くできる。
このため、支持脚３２の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４２からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４２の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４２の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４２を含む熱型赤外線検出器１２０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００４９】
実施の形態４．
図８は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１３０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１３０は、従来の熱型赤外線検出器６００に比較して、支持脚３３が、下部絶縁膜２、層間絶縁膜４、保護膜６を有さず、配線層３のみからなる構造となっている。また、赤外線検知部４３も下部絶縁膜２を有しない構造となっている。他の構成部分の材料や膜厚は、実施の形態１に示した熱型赤外線検出器１００と同じである。
【００５０】
次に、図９を用いて、熱型赤外線検出器１３０の製造方法について説明する。
まず、図９（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させる。続いて、犠牲層７の上に、配線層３を堆積させた後、所定の形状にパターニングする。パターニングは、フロロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチングで行う。
【００５１】
続いて、図９（ｂ）に示すように、まず、支持脚３３となる配線層３を覆うように犠牲層９を形成する。犠牲層９は、犠牲層７と同様にアモルファスシリコンからなる。続いて、実施の形態１と同様に、層間絶縁膜４、赤外線検知膜５、保護膜６を堆積させる。
次に、犠牲層９の上の層間絶縁膜４、保護膜６を選択的に除去する。図７（９）では、犠牲層９の上面に、層間絶縁膜４、保護膜６の一部が残っているが、犠牲層９上の層間絶縁膜４、保護膜６を全て除去しても構わない。
【００５２】
最後に、ＸｅＦ２ガスを用いて犠牲層９及び犠牲層７を除去し、２つの支持脚３３により支持された赤外線検知部４３を有する熱型赤外線検出器１３０が完成する。
【００５３】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１３０では、支持脚３３が、配線層３のみからなる。また、赤外線検知部４２も、下部絶縁層２を含まない。
このため、支持脚３３の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４３からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４３の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４３の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４３を含む熱型赤外線検出器１３０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００５４】
実施の形態５．
図１０は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１４０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１４０では、下部絶縁膜２は、配線層３の下方にのみ形成され、下部絶縁膜２の幅は、配線層３の幅と略等しい。また、層間絶縁膜４、保護膜６は、配線層３の上面から側面を経て、下部絶縁膜２の下方まで延在している。
【００５５】
次に、図１１を用いて、熱型赤外線検出器１４０の製造方法について説明する。
まず、図１１（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させる。続いて、犠牲層７の上に、下部絶縁膜２、配線層３を順次堆積させた後、所定の形状にパターニングする。パターニングは、フロロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチングで行う。
下部絶縁膜２、配線層３を所定の形状にエッチングした後、塩素系ガスプラズマに切り替えて、犠牲層７をエッチングする。犠牲層７のエッチングを所定の深さｘで停止することにより、図１１（ａ）に示すような形状に犠牲層７がエッチングされる。
【００５６】
続いて、実施の形態１と同様に、層間絶縁膜４、赤外線検知膜５、保護膜６を順次堆積させた後に、エッチング孔８を形成する。
【００５７】
最後に、ＸｅＦ２ガスを用いて犠牲層７を除去し、２つの支持脚３４により支持された赤外線検知部４４を有する熱型赤外線検出器１４０が完成する。
【００５８】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１４０では、実施の形態１と同様に、下部絶縁膜２の幅を、配線層３の幅と同程度にできる。また、下部絶縁膜２は、配線層３のエッチングストッパとして機能しないため、５００Å以下に薄くできる。
更に、本実施の形態にかかる赤外線検出器１４０に類似した上述の実施の形態１にかかる赤外線検出器１００では、中空部２０上に配置される支持脚３０が、シリコン基板１に略水平になるように、下部絶縁膜２、配線層３、層間絶縁膜４、保護膜６の膜厚や膜応力を調整する必要があった。即ち、これらの膜厚等を調整して、支持脚３０の反りを防止する必要があった。このため、下部絶縁膜２等の膜厚は、一定以上の膜厚とすることが必要であった。
【００５９】
これに対して、本実施の形態にかかる赤外線検出器１４０では、犠牲層７のエッチング深さを変えて、支持脚３０の側壁に形成される層間絶縁膜４と保護膜６の鉛直方向の長さ（図１０にａで表示）を調整することにより、これらの膜厚を調整することなく支持脚３４の反りを防止できる。
従って、層間絶縁膜４および保護膜６を、それぞれ略５００Å以下と薄くすることができる。
【００６０】
このように、本実施の形態にかかる赤外線検出器１４０では、支持脚３４の反りを防止しつつ、支持脚３４に含まれる層間絶縁膜４、保護膜６の膜厚を薄くできるため、支持脚３４の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４４の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４４の層間絶縁膜４、保護膜６が薄くなり、熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４４を含む熱型赤外線検出器１４０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００６１】
なお、赤外線検出器１４０において、実施の形態２にかかる赤外線検出器１１０と同様に、下部絶縁膜２を形成しなくてもよい。これにより、支持脚３４の熱コンダクタンスが更に小さくなり、赤外線検出感度が更に高くなる。また、赤外線検知部４４の熱容量が更に小さくなり、赤外線検出器１４０の熱時定数が更に短くなる。
【００６２】
実施の形態６．
図１２は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１５０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１５０では、支持脚３５、赤外線検知部４５に含まれた配線層３に沿って、配線層３の下部の下部絶縁膜２に凸部１０が設けられている。凸部１０の高さｂは０．２μｍ〜１．０μｍ程度であり、幅は配線層３の幅より狭い。他の構造は、図１００に示す従来の熱型赤外線検出器６００と同じである。
【００６３】
次に、図１３を用いて、熱型赤外線検出器１５０の製造方法について説明する。
まず、図１３（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させる。続いて、犠牲層７をエッチングして溝部１１を形成する。溝部１１は、後の工程で犠牲層２上に形成される配線層３に沿って、配線層３の長さだけ形成される。溝部１１のエッチングには、塩素系ガスのプラズマが用いられ、溝部１１の深さｂが０．２μｍ〜１．０μｍ程度になった時に、エッチングを停止する。
次に、犠牲層７の上に、溝部１１を埋め込むように下部絶縁膜２を堆積させ、その上に、配線層３を堆積させる。続いて、配線層３を所定の形状にパターニングする。パターニングは、塩素系ガスを用いたプラズマエッチングで行う。
次に、配線層３を覆うように層間絶縁膜４を形成した後に、配線層３上に開口部を形成する。続いて、ＶＯＸ層を堆積した後にパターニングを行い、赤外線検知膜５を所定の領域に形成する。更に、保護膜６を堆積した後に、エッチング孔８を形成する。
【００６４】
最後に、ＸｅＦ２ガスを用いて犠牲層７を除去し、２つの支持脚３４により支持された赤外線検知部４４を有する熱型赤外線検出器１５０が完成する。
【００６５】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１５０では、凸部１０の高さｂを調整することにより、支持脚３５の反りを防止することができる。
従来構造の熱型赤外線検出器６００では、主に保護膜６の膜厚を一定以上とすることにより支持脚３５の反りを防止していた。これに対して、本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１５０では、凸部１０の高さｂを調整して反りを防止しているため、保護膜６の膜厚を５００Å以下にすることができる。
このため、支持脚３５の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４５からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４５の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４５の熱容量も小さくなるため、赤外線検知部４５を含む熱型赤外線検出器１５０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００６６】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器の他の変形例を、図１４〜図１６に示す。図中、図１２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
図１４に示す熱型赤外線検出器１５１は、実施の形態１と同様に、下部絶縁膜２の幅を配線層３の幅と略同一としたものである。かかる熱型赤外線検出器１５１では、下部絶縁層２が配線層３のエッチングストッパとなる必要がないため、下部絶縁膜２の膜厚を、５００Å以下にすることができる。他の構成部分は実施の形態１にかかる熱型赤外線検出器１００と同じである。
このように、熱型赤外線検出器１５１では、支持脚３５の熱コンダクタンスが更に小さくなり、赤外線検出感度が更に高くなる。また、赤外線検知部４５の熱容量も更に小さくなり、熱型赤外線検出器１５１の熱時定数が更に短くなる。
【００６７】
図１５に示す熱型赤外線検出器１５２は、実施の形態２と同様に、下部絶縁膜２を含まない構造である。犠牲層（図示せず）に溝部を形成した後に、溝部を埋め込むように配線層３を形成することにより、図１５に示すような形状の配線層３を得ることができる。他の構成部分は実施の形態２にかかる熱型赤外線検出器１１０と同じである。熱型赤外線検出器１５２では、配線層３が有する凸部の高さを調整して、支持脚３５の反りを防止している。
このように熱型赤外線検出器１５２では、支持脚３５の熱コンダクタンスが更に小さくなり、赤外線検出感度が更に高くなる。また、赤外線検知部４５の熱容量も更に小さくなり、熱型赤外線検出器１５２の熱時定数が更に短くなる。
【００６８】
図１６に示す熱型赤外線検出器１５３は、実施の形態３と同様に、支持脚３５が、下部絶縁膜２と配線層３からなり、下部絶縁膜２が凸部１０を含む構造となっている。他の構成部分は実施の形態３にかかる熱型赤外線検出器１２０と同じである。更に、熱型赤外線検出器１５３では、配線層３が有する凸部の高さを調整して、支持脚３５の反りを防止している。
このように、熱型赤外線検出器１５３では、支持脚３５が、下部絶縁膜２と配線層３とからなるとともに、下部絶縁層２の膜厚を５００Å以下としても、支持脚３５の反りは発生しない。このため、支持脚３５の熱コンダクタンスが更に小さくなり、赤外線検出感度が更に高くなる。また、赤外線検知部４５の熱容量も更に小さくなり、熱型赤外線検出器１５３の熱時定数が更に短くなる。
また、下部絶縁膜２や配線層３の膜厚を調整せずに、凸部の高さを調整して支持脚３５の反りを防止するため、製造工程が簡単になる。
【００６９】
実施の形態７．
図１７は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１６０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１６０は、従来の熱型赤外線検出器６００に比較して、支持脚３６が、配線層３のみからなる構造となっている。更に、赤外線検知部４６のが、配線層３と、その上に設けられた赤外線検知膜５のみからなる。
【００７０】
次に、図１８を用いて、熱型赤外線検出器１６０の製造方法について説明する。
まず、図１８（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を堆積させる。続いて、犠牲層７の上に配線層３を堆積させた後、所定の形状にパターニングする。パターニングは、フロロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチングで行う。
【００７１】
続いて、図１８（ｂ）に示すように、まず、支持脚３２となる配線層３を覆うように犠牲層９を形成する。犠牲層９は、犠牲層７と同様にアモルファスシリコンからなる。続いて、赤外線検知膜５のみを堆積させる。
次に、犠牲層９の上の赤外線検知膜５を選択的に除去する。図１８（ｂ）では、犠牲層９の上面に、赤外線検知膜５の一部が残っているが、犠牲層９上の赤外線検知膜５を全て除去しても構わない。
【００７２】
最後に、ＸｅＦ２ガスを用いて犠牲層９及び犠牲層７を除去し、２つの支持脚３６により支持された赤外線検知部４６を有する熱型赤外線検出器１６０が完成する。
【００７３】
本実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１６０では、支持脚３６が配線層３のみからなり他の保護膜６等を含まない。また、赤外線検知部４６も、配線層３とその上に設けられた赤外線検知膜６のみからなる。
このため、支持脚３６の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４６からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４６の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４６の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４６を含む熱型赤外線検出器１６０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
なお、他の実施の形態においても、赤外線検知膜５の表面を露出した状態でも良い場合には、本実施の形態のように赤外線検知部に保護膜６や層間絶縁膜２を形成しなくても良い。
【００７４】
実施の形態８．
図１９は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１７０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１７０は、実施の形態１と同じ構造の支持脚３７、赤外線検知部４７を有する。支持脚３７と赤外線検知部４７は、シリコン基板１の一部をエッチングして設けられた空洞部２１の上に設けられている。
【００７５】
次に、図２０を用いて、熱型赤外線検出器１７０の製造方法について説明する。
まず、図２０（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、犠牲層を形成することなく、直接、下部絶縁膜２と配線層３とを堆積させ、所定の形状にパターニングする。パターニングには、フロロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチングを使用する。
【００７６】
次に、図２０（ｂ）に示すように、配線層３を覆うように層間絶縁膜４を形成した後に、配線層３上に開口部を形成する。続いて、ＶＯＸ層を堆積させた後にパターニングを行い、赤外線検知膜５を所定の領域に形成する。更に、保護膜６を堆積させた後、エッチング孔８を形成する。
【００７７】
次に、図２０（ｃ）に示すように、エッチング孔８からＸｅＦ２ガスを導入してシリコン基板１をエッチングし、空洞部２１を形成する。これにより、２つの支持脚３７により支持された赤外線検知部４７を有する熱型赤外線検出器１７０が完成する。
【００７８】
かかる構造を用いることによっても、支持脚３７の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４７からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４７の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４７の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４７を含む熱型赤外線検出器１７０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【００７９】
なお、他の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器に対して、かかる中空部２１を有する構造を適用することも可能である。
【００８０】
実施の形態９．
図２１は、本発明の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器１８０の断面図であり、図１のＡ−Ａ方向の断面図に相当する。図中、図２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
熱型赤外線検出器１８０は、実施の形態１と同じ構造の支持脚３８、赤外線検知部４８を有し、更に、赤外線検知部４８の上に傘部１３が設けられている。傘部１３は、例えば、VOX等の赤外線検知膜からなる。
【００８１】
次に、図２２を用いて、熱型赤外線検出器１８０の製造方法について説明する。
まず、図２２（ａ）に示すように、シリコン基板１上に犠牲層７を形成する。続いて、犠牲層７上に下部絶縁膜２と配線層３とを堆積させ、所定の形状にパターニングする。
【００８２】
次に、図２２（ｂ）に示すように、実施の形態１と同様の工程を用いて、層間絶縁膜４、赤外線検知膜５、保護膜６を順次堆積させ、更に、エッチング孔８を形成する。
【００８３】
次に、図２２（ｃ）に示すように、アモルファスシリコンからなる犠牲層１３を堆積させた後に、犠牲層１３をパターニングして赤外線検知部４８の保護膜６を露出させる。
続いて、例えば窒化チタン層を堆積させた後に、所定の形状になるようにエッチングする。
最後に、ＸｅＦ２ガスを導入して、犠牲層１３及び犠牲層７を除去して、図２１に示す赤外線検出器１８０が完成する。赤外線検知部４８の保護膜６上に形成された窒化チタン層は、赤外線検出感度を向上させる傘部１３となる。
【００８４】
かかる構造を用いることによっても、支持脚３８の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部４８からシリコン基板１に流出する熱量を低減して、赤外線検知部４８の赤外線検出感度を向上させることができる。
また、赤外線検知部４８の熱容量が小さくなるため、赤外線検知部４８を含む熱型赤外線検出器１８０の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
更には、赤外線検知部４８が傘部１３を含むことにより、赤外線を吸収する面積が大ききなり、赤外線検出感度が向上する。
【００８５】
なお、他の実施の形態にかかる熱型赤外線検出器に対しても、傘部を形成することにより、赤外線検出感度を向上させることができる。
【００８６】
以上の実施の形態１〜９において、下部絶縁膜２、層間絶縁膜４、保護膜６として酸化シリコンを用いる場合について説明したが、代わりに窒化シリコン等の材料を用いてもかまわない。
また、犠牲層７等にアモルファスシリコンを用いる場合について説明したが、ポリイミドを用いても構わない。
更に、赤外線吸収膜５には、ＶＯＸ、ＹＢＣＯ（ＹＢａＣｕＯ）等のボロメータ材料の他に、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３）等の焦電体やＰＮ接合材料のような温度変化により電気的特性の変化する他の材料を使用しても構わない。
【００８７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる熱型赤外線固体撮像装置では、支持脚の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線検知部からシリコン基板に流出する熱量を低減し、赤外線検知部の赤外線検出感度を向上させることができる。
【００８８】
また、赤外線検知部の熱容量が小さくなり、赤外線検知部を含む熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、素早い動きを示す被写体の追跡が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１にかかる熱型赤外線固体撮像装置の概略図である。
【図２】  本発明の実施の形態１にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態１にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図４】  本発明の実施の形態２にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態２にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図６】  本発明の実施の形態３にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図７】  本発明の実施の形態３にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図８】  本発明の実施の形態４にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図９】  本発明の実施の形態４にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図１０】  本発明の実施の形態５にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１１】  本発明の実施の形態５にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図１２】  本発明の実施の形態６にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１３】  本発明の実施の形態６にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図１４】  本発明の実施の形態６にかかる他の熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１５】  本発明の実施の形態６にかかる他の熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１６】  本発明の実施の形態６にかかる他の熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１７】  本発明の実施の形態７にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図１８】  本発明の実施の形態７にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図１９】  本発明の実施の形態８にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図２０】  本発明の実施の形態８にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図２１】  本発明の実施の形態９にかかる熱型赤外線検出器の断面図である。
【図２２】  本発明の実施の形態９にかかる熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【図２３】  従来の熱型赤外線固体撮像装置の概略図である。
【図２４】  従来の熱型赤外線検出器の断面図である。
【図２５】  従来の熱型赤外線検出器の製造工程図である。
【符号の説明】
１  シリコン基板、２  下部絶縁膜、３  配線層、４  層間絶縁膜、５  赤外線検知膜、６  保護膜、７  犠牲層、８  エッチング孔、２０  空洞部、３０  支持脚、４０  赤外線検知部、１００  熱型赤外線検出器、２００  熱型赤外線固体撮像装置、２１０  検出器アレイ、２２０  信号処理回路部。
【図１】
0003810293.tif 000002
【図２】
0003810293.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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