(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、
上記半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置において、
上記半導体層の上記端面は、上記基板上に上記半導体層を積層し、上記半導体層にメサ部を形成した後、上記半導体層のうち、上記端面の光出射領域または光入射領域となる部分以外の上記メサ部から上記メサ部以外の部分にまたがって劈開補助溝をドライエッチングにより形成し、この劈開補助溝から上記半導体層および上記基板を劈開することにより形成されたものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、
上記半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置において、
上記半導体層の上記端面は、上記基板上に上記半導体層を積層し、上記半導体層にメサ部を形成した後、上記半導体層のうち、上記メサ部以外の部分の少なくとも一部に上記メサ部を両側から挟み込むように劈開補助溝をドライエッチングにより形成し、上記メサ部は両側が上記劈開補助溝と同一直線上でＶ字状にくびれた平面形状を有し、上記劈開補助溝から上記半導体層および上記基板を劈開することにより形成されたものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上記劈開補助溝の断面形状はＶ字状、Ｕ字状、または延長方向に平行な一側面を垂直面とする形状を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
上記半導体層はｐｎ接合を含み、上記劈開補助溝の少なくとも一部は、上記ｐｎ接合をまたぐ深さで形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
上記半導体層は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
上記基板は、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、上記半導体層と異なる劈開方位を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
上記半導体装置は、上記端面を共振器端面とする半導体レーザであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、上記半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置の製造方法において、
上記基板上に上記半導体層を積層する工程と、
上記半導体層にメサ部を形成する工程と、
上記半導体層のうち、上記端面の光出射領域または光入射領域となる部分以外の上記メサ部から上記メサ部以外の部分にまたがって劈開補助溝をドライエッチングにより形成する工程と、
上記劈開補助溝から上記半導体層および上記基板を劈開することにより、上記半導体層に上記端面を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、上記半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置の製造方法において、
上記基板上に上記半導体層を積層する工程と、
上記半導体層にメサ部を形成する工程と、
上記半導体層のうち、上記メサ部以外の部分の少なくとも一部に上記メサ部を両側から挟み込むように劈開補助溝をドライエッチングにより形成する工程と、
上記劈開補助溝から上記半導体層および上記基板を劈開することにより、上記半導体層に上記端面を形成する工程とを有し、
上記メサ部は両側が上記劈開補助溝と同一直線上でＶ字状にくびれた平面形状を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記劈開補助溝の断面形状はＶ字状、Ｕ字状、または延長方向に平行な一側面を垂直面とする形状を有することを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記半導体層はｐｎ接合を含み、上記劈開補助溝の少なくとも一部を、上記ｐｎ接合をまたぐ深さで形成するようにしたことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記劈開補助溝は、上記半導体層の上記劈開面と同一面上に延在することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
上記劈開補助溝を、上記半導体層の上記劈開面と垂直な方向に、製造すべき上記半導体レーザの共振器長とほぼ同一間隔で周期的に形成するようにしたことを特徴とする請求項８〜１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記半導体層は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記基板は、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、上記半導体層と異なる劈開方位を有することを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
上記半導体装置は、上記端面を共振器端面とする半導体レーザであることを特徴とする請求項８〜１５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、劈開により共振器端面を形成するようにした半導体レーザのような半導体装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）などのＩＩＩ族元素と窒素（Ｎ）のＶ族元素とからなる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどは直接遷移型半導体であり、かつ、ＡｌＧａＩｎＡｓやＡｌＧａＩｎＰなど、既に実用化されている半導体レーザに用いられている半導体よりバンドギャップが大きいため、発光波長が４００ｎｍ帯の短波長半導体レーザや、紫外乃至緑色で発光可能な発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子など、高集積、高密度の光ディスク再生装置に用いられる光源やフルカラー表示素子に用いられる光素子などへの広い応用が期待されている。また、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、高電界における飽和電子速度が大きいことなどから高出力、高周波の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）など電子走行素子の材料としても注目されている。
【０００３】
この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザ、発光ダイオード、ＦＥＴなどは、例えばサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板などの基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより製造される。
【０００４】
ところで、一般に、半導体レーザにおいては、共振器端面を形成する必要がある。ＡｌＧａＩｎＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系またはＩｎＰ系の半導体レーザにおいては、基板やその上に成長される半導体層が劈開性を有しており、その劈開面を半導体レーザの共振器端面とする場合が多い。
【０００５】
一方、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その結晶構造が六方晶系のウルツァイト構造であるという性質上、一般に、安定な劈開面を得ることが難しい。また、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザは、上述のようにサファイア基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることにより製造される場合が多く、サファイア基板が劈開性を有していないため、劈開面を共振器端面とする半導体レーザの形成が難しかった。
【０００６】
ここで、例えば特開平８−２２２８０７号公報および特開平９−１７２２２３号公報には、サファイア基板およびその上に積層されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層を劈開することにより共振器端面を形成するようにした、ＧａＮ系半導体レーザの製造方法が開示されている。
【０００７】
すなわち、この従来のＧａＮ系半導体レーザの製造方法においては、図８に示すように、ｃ面のサファイア基板１０１上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ＧａＮバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０７を順次成長させる。
【０００８】
次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０７上に所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。これにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４、活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０７が、一方向に延びる所定のメサ形状にパターニングされる。符号１０８は、このメサ部を示す。
【０００９】
次に、レジストパターンを除去した後、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０７上にｐ側電極（図示せず）を形成するとともに、エッチングされた部分のｎ型ＧａＮコンタクト層１０３上にｎ側電極（図示せず）を形成する。
【００１０】
次に、上述のようにしてレーザ構造が形成されたウェハ状のサファイア基板１０１を裏面側からラッピングすることにより、サファイア基板１０１の厚さを１５０μｍ程度にする。次に、共振器端面を形成すべき、例えば（１１−２０）面にあたる位置のサファイア基板１０１の裏面に、この（１１−２０）面と平行な方向に延在する直線状の劈開補助溝１０９を形成する。ここで、メサ部１０８の延在する方向と平行な方向、したがって、共振器長方向には、複数の劈開補助溝１０９を、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの共振器長とほぼ同一間隔で周期的に形成する。
【００１１】
次に、劈開補助溝１０９に沿ってサファイア基板１０１をその上の半導体層とともにバー状に劈開することにより、両共振器端面を形成し、さらに、このバーをチップ化する。以上により、目的とするＧａＮ系半導体レーザが製造される。
【００１２】
この従来のＧａＮ系半導体レーザの製造方法によれば、レーザ構造を構成する半導体層にエッチングにより共振器端面を形成する場合に比べて、光学特性に優れた劈開面（疑似劈開面）からなる共振器端面を形成することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来のＧａＮ系半導体レーザの製造方法では、次のような問題があった。
【００１４】
すなわち、通常、半導体レーザの光共振器長は１ｍｍ以下、特に０．２〜０．７ｍｍ程度の範囲に設計されることが多い。しかしながら、この値まで光共振器長を小さくするためには、ラッピングによりサファイア基板１０１の厚さを小さくする必要があり、例えばサファイア基板１０１の厚さを１５０μｍ以下にしないと、サファイア基板１０１およびその上の半導体層が劈開補助溝１０９に沿って割れにくくなるため、所望の位置に光学的平坦性の良好な共振器端面を形成することが困難であった。
【００１５】
また、サファイア基板１０１は化学的に安定なため、この上に形成される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層、またはＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜に対して選択的にエッチングすることが難しい。したがって、結晶成長表面や裏面の一部を保護してサファイア基板１０１だけを化学的に加工することは困難である。このため、サファイア基板１０１に劈開補助溝１０９を形成するためには、ダイシングやスクライブなど機械加工を行う必要があり、また、この場合、劈開補助溝１０９のパターン精度や微細加工に問題があった。
【００１６】
しかるにサファイア基板１０１は、その厚さの減少に伴い強度が低下するため、サファイア基板１０１の厚さを小さくした場合、例えばダイサーやスクライバーを用いてサファイア基板１０１の裏面に劈開補助溝１０９を形成する際に、サファイア基板１０１が表面まで割れたり、欠けたりする可能性が高くなり、この場合も、良好な共振器端面を形成することができなくなるという問題があった。また、このようなサファイア基板１０１の割れ欠け防止などのため、ラッピング後のサファイア基板１０１の厚さや、劈開補助溝１０９形成後の劈開補助溝１０９の部分におけるサファイア基板１０１の厚さを制御し、サファイア基板１０１の厚さ分布のばらつきを小さくする必要もでてきた。さらに、サファイア基板１０１の厚さを小さくする程、サファイア基板１０１とこの上に成長される半導体層との熱膨張係数の差から生じる熱応力や、ラッピングなどのダメージにより、基板の反りが大きくなり、取り扱いが難しくなる問題があった。
【００１７】
したがって、この発明の目的は、基板上に積層された半導体層に劈開面からなる端面を形成し、この際、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、半導体層と異なる劈開方位を有する基板を用いた場合や、半導体装置の寸法を１ｍｍ以下と小さくしたい場合であっても、半導体層に良好な劈開面を制御性良く安定に形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第１の発明は、
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、
半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置において、
半導体層の端面は、基板上に半導体層を積層し、半導体層にメサ部を形成した後、半導体層のうち、端面の光出射領域または光入射領域となる部分以外のメサ部からメサ部以外の部分にまたがって劈開補助溝をドライエッチングにより形成し、この劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することにより形成されたものである
ことを特徴とするものである。
【００２１】
この発明の第２の発明は、
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、
半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置において、
半導体層の端面は、基板上に半導体層を積層し、半導体層にメサ部を形成した後、半導体層のうち、メサ部以外の部分の少なくとも一部にメサ部を両側から挟み込むように劈開補助溝をドライエッチングにより形成し、メサ部は両側が劈開補助溝と同一直線上でＶ字状にくびれた平面形状を有し、劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することにより形成されたものである
ことを特徴とするものである。
【００２３】
この発明の第３の発明は、
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置の製造方法において、
基板上に半導体層を積層する工程と、
半導体層にメサ部を形成する工程と、
半導体層のうち、端面の光出射領域または光入射領域となる部分以外のメサ部からメサ部以外の部分にまたがって劈開補助溝をドライエッチングにより形成する工程と、
劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することにより、半導体層に端面を形成する工程と
を有することを特徴とするものである。
この発明の第４の発明は、
基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置の製造方法において、
基板上に半導体層を積層する工程と、
半導体層にメサ部を形成する工程と、
半導体層のうち、メサ部以外の部分の少なくとも一部にメサ部を両側から挟み込むように劈開補助溝をドライエッチングにより形成する工程と、
劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することにより、半導体層に端面を形成する工程とを有し、
メサ部は両側が劈開補助溝と同一直線上でＶ字状にくびれた平面形状を有することを特徴とするものである。
【００２４】
この発明において、劈開補助溝の断面形状は、例えば矩形状であってもよいが、半導体層および基板を劈開する際の劈開位置の規定や工程を容易に行う観点から、この劈開補助溝の断面形状は、例えばＶ字状、Ｕ字状、または延長方向に平行な一側面を垂直面とする形状など、劈開の際にその底部に応力集中が生じやすい形状であることが好ましい。
【００２５】
この発明において、端面の主要部となる部分は、半導体装置の種類によって異なる。例えば、半導体層の端面を通じて光出射または光入射が行われるような半導体装置、具体的には、半導体レーザまたは発光ダイオードなどの半導体発光装置や、フォトディテクターなどの半導体受光装置のような光半導体装置においては、端面の主要部とは、光出射領域または光入射領域となる部分のことを言い、より好適には、さらにその近傍の部分を含む部分のことを言う。一方、電界効果トランジスタなどの電子走行素子、または複数の電子走行素子を集積した半導体集積回路などにおいては、例えばチップ化したときの構造上の中央部のことを言う。
【００２６】
この発明において、半導体装置が、端面に光出射領域または光入射領域を有する光半導体装置である場合は、この光半導体装置の特性を損なわないようにする観点から、劈開補助溝は、端面の光出射領域または光入射領域となる部分以外に形成される。なお、この場合、第１の発明、第３の発明および第５の発明においては、劈開補助溝を、端面の光出射領域または光入射領域となる部分の直上の部分に、光出射領域または光入射領域となる部分に達しないように形成するようにしてもよい。
【００２７】
この発明においては、半導体層の材料として、例えば、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少なくともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含むＶ族元素とからなる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いることができる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどである。また、この発明においては、基板として、例えば劈開性が無いか、劈開が困難か、または、この上に積層される半導体層と異なる劈開方位を有するものを用いることができる。このような基板の具体例を挙げると、上述の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザなどの半導体装置において用いられるサファイア基板などである。
【００２８】
この発明の第３の発明、第４の発明、第５の発明および第６の発明においては、劈開補助溝は、半導体層の劈開面と平行な方向に延在することが好ましく、また、劈開補助溝を、半導体層の劈開面と垂直な方向に、ほぼ同一間隔で周期的に形成することが好ましい。
【００２９】
上述のように構成されたこの発明の第１の発明、第３の発明および第５の発明によれば、端面を形成すべき部分における半導体層のうち、端面の主要部となる部分以外の部分の少なくとも一部に劈開補助溝を形成していることにより、半導体層における劈開位置を規定しやすく、しかも、この劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することができるので、基板および半導体層の劈開を、劈開補助溝が形成された位置で、容易にかつ確実に行うことができる。このため、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、この上の半導体層と異なる劈開方位を有する基板を用いた場合や、半導体装置の寸法を例えば１ｍｍ以下と小さく規定したい場合であっても、半導体層における劈開位置を規定しつつ、この半導体層に良好な劈開面からなる端面を安定に形成することができる。しかも、この場合、端面の主要部となる部分以外の部分に劈開補助溝を形成するようにしているため、製造すべき半導体装置の特性を何ら損なうことなく、半導体層に劈開面を形成することができる。
【００３０】
上述のように構成されたこの発明の第２の発明、第４の発明および第６の発明によれば、端面を形成すべき部分における半導体層の少なくとも一部に、ｐｎ接合をまたぐ深さで劈開補助溝を形成するようにしていることにより、半導体層における劈開位置を規定しやすく、しかも、この劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することができるので、基板および半導体層の劈開を、劈開補助溝が形成された位置で、容易にかつ確実に行うことができる。このため、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、この上の半導体層と異なる劈開方位を有する基板を用いた場合や、半導体装置の寸法を例えば１ｍｍ以下と小さく規定したい場合であっても、半導体層における劈開位置を規定しつつ、この半導体層に良好な劈開面からなる端面を安定に形成することができる。また、この場合、ｐｎ接合に達しない深さで劈開補助溝を形成する場合に比べて、半導体層のより深い所まで劈開補助溝が形成されることから、基板および半導体層の劈開をより容易に行うことができる。
【００３１】
また、この発明においては、半導体層に劈開補助溝を形成するようにしていることにより、この劈開補助溝をウェハプロセスによるドライエッチング技術を用いて形成することができる。このため、劈開補助溝を良好なパターン精度で形成するこができ、劈開補助溝を破線状にするなど微細加工を行うこともできる。また、従来のようにダイシングやスクライブなど機械加工を伴う工程を必要としないため、基板の厚さが小さく強度が強くない場合であっても、劈開補助溝の形成に係わる基板の割れ欠けの問題が生じない。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３３】
図１は、この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの斜視図である。
【００３４】
図１に示すように、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、例えばｃ面のサファイア基板１上にレーザ構造を構成する複数の半導体層が積層された半導体層２が設けられている。この半導体層２は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。また、この半導体層２は、ｐｎ接合を含んでいる。この半導体層２に設けられた共振器端面３（図１においては、前方の共振器端面のみが図示されている）は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の劈開面である（１１−２０）面により構成されている。このＧａＮ系半導体レーザにおいて、これらの共振器端面３は、ウェハ状のサファイア基板１上に半導体層２を積層した後、半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成し、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開することにより形成されたものである。
【００３５】
以下に、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの詳細について、図２を参照して、その製造方法とともに説明する。ここで、図２Ａは、このＧａＮ系半導体レーザの製造の一工程におけるウェハの平面図、図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図、図２Ｃは、図２ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００３６】
図２に示すように、このＧａＮ系半導体レーザの製造方法においては、例えば、ｃ面のサファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法により、レーザ構造を構成する半導体層２として、ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＧａＮコンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０を順次成長させる。ここで、ＧａＮバッファ層５の厚さは例えば２μｍ、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さは例えば２μｍ、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層８の厚さは例えば０．５μｍ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さは例えば０．５μｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０の厚さは例えば０．２μｍである。
【００３７】
次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとしてウエットエッチング法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０が、一方向に延びる所定のリッジストライプ形状にパターニングされる。
【００３８】
次に、このエッチングに用いたレジストパターンを除去し、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延びる所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより溝を形成する。これにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、活性層８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の下層部が、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延在する所定のメサ形状にパターニングされる。
【００３９】
なお、ここでは、レーザ構造を構成する半導体層２の劈開性を考慮して、ｃ面のサファイア基板１上に成長された半導体層２に形成される共振器端面３が、半導体層２の劈開しやすい劈開面である（１１−２０）面にあたるように、予め、リッジストライプ部１１およびメサ部１２を形成する方位を決めておく。
【００４０】
次に、このエッチングに用いたレジストパターンを除去した後、例えばＣＶＤ法により全面にＳｉＯ2 膜のような絶縁層１３を形成する。次に、リソグラフィーおよびエッチングにより、リッジストライプ部１１の上側の部分における絶縁層１３に開口１３ａを形成するとともに、溝の上側の所定部分における絶縁層１３に開口１３ｂを形成する。絶縁層１３に形成されたこれらの開口１３ａおよび１３ｂは、リッジストライプ部１１およびメサ部１２の延在する方向と平行な方向に延在する所定のストライプ形状を有する。
【００４１】
次に、絶縁層１３に形成された開口１３ａの部分におけるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に、例えばＮｉ／Ｔｉ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極１４を形成するとともに、絶縁層１３に形成された開口１３ｂの部分におけるｎ型ＧａＮコンタクト層６上に、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ側電極１５を形成する。
【００４２】
次に、上述のようにしてウェハ状のサファイア基板１上にレーザ構造を形成した後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分、具体的には、メサ部１２の両側の溝に対応する部分の一部を、例えばイオンミリング法のようなドライエッチング法により、例えばＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する所定のストライプ状の劈開補助溝４を形成する。すなわち、この第１の実施形態においては、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分に、メサ部１２を両側から挟むようにして劈開補助溝４を形成する。図２Ｃ中、この劈開補助溝４を形成するためのエッチングによって除去された部分を、一点鎖線で示す。この場合、この劈開補助溝４は、後に共振器端面３となる部分のうち、光出射領域に対応する部分やｐｎ接合の存在する部分には形成されておらず、ＧａＮ系半導体レーザの特性を何ら損なうものではない。図３は、この劈開補助溝４が形成された状態のウェハを示す斜視図である。
【００４３】
ここで、この劈開補助溝４は、後に行われる劈開の際に、半導体層２およびサファイア基板１を、この劈開補助溝４に沿って容易にかつ確実に劈開することができるように、次のように構成されている。
【００４４】
すなわち、この劈開補助溝４は、例えばＶ字型の断面形状を有し、後に行われる劈開の際に、その底部に応力集中が起こりやすいようにされている。上述のイオンミリング法では、エッチング異方性がないことや、エッチングマスクとなるレジストパターンとの選択性が小さいことなどの理由により、条件によって、このようなＶ字状の断面形状を有する劈開補助溝４を容易に形成することができる。また、この劈開補助溝４は、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する直線状の底部を有している。また、この劈開補助溝４の延長方向の先端部は、半導体層２の劈開位置の規定に有利に働くように、例えばＶ字状の平面形状を有している。なお、後に行われる劈開によって形成される共振器端面３の平坦性を良好にする観点から、同一部分の劈開に用いられる劈開補助溝４、特にその底部および延長方向の先端部は、同一直線上に存在することが好ましい。
【００４５】
また、この第１の実施形態においては、後述のように、この劈開補助溝４に沿って共振器端面３が形成されることから、リッジストライプ部１１およびメサ部１２の延在する方向と平行な方向、したがって、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの共振器長方向には、複数の劈開補助溝４が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの共振器長とほぼ同一間隔で、周期的に形成される。
【００４６】
次に、上述のように半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成した後、サファイア基板１を裏面側からラッピングすることにより、このサファイア基板１の厚さを例えば５０〜１５０μｍ程度にする。
【００４７】
次に、ウェハ状のサファイア基板１をその上の半導体層２などとともに、劈開補助溝４に沿ってバー状に劈開することにより、半導体層２に両共振器端面３を形成する。この際、この第１の実施形態においては、次のようにしてサファイア基板１および半導体層２の劈開を行う。図４は、この第１の実施形態において、サファイア基板１および半導体層２を劈開補助溝４に沿って劈開するとき劈開方法を説明するための断面図である。図４においては、図２Ｂおよび図２Ｃと直交する方向の断面が示されている。
【００４８】
すなわち、図４に示すように、この第１の実施形態においては、サファイア基板１および半導体層２を劈開補助溝４に沿って劈開する際に、例えば円形ローラー（図示せず）などの補助を用いて、劈開補助溝４が存在する側、したがって、半導体層２が積層された側の主面が凸となるような向きにサファイア基板１をたわませ、劈開補助溝４の底部に応力を集中させ、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開することにより、バーまたはチップ２１を得るようにしている。
【００４９】
ここで、サファイア基板１をいずれの方向に反らせても劈開は可能であるが、上述のように、劈開補助溝４が存在する側の主面が凸となるような向きにサファイア基板１を反らせ劈開を行っているのは、このようにした方が、これと反対の向きにサファイア基板１を反らせて劈開を行う場合よりも、半導体層２およびサファイア基板１が、所定の位置で割れやすくなるためである。
【００５０】
上述のようにして、サファイア基板１および半導体層２をバー状に劈開し、半導体層２に劈開面からなる共振器端面３を形成した後、必要に応じて共振器端面３に端面コーティングを施し、さらに、この後、このバーをチップ化する。このチップ化は、ダイシングやスクライブによりバーを分離することにより行ってもよく、あるいは、予め、半導体層２の所定部分に、例えば共振器端面３となる半導体層２の（１１−２０）面に垂直な方向に延在する劈開補助溝を形成しておき、バーをこの劈開補助溝に沿って劈開することにより行ってもよい。
【００５１】
以上のようにして、目的とするＧａＮ系半導体レーザを完成させる。ここで、図２Ａ中、一点鎖線によって囲まれた部分が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの一つのレーザチップに対応する。
【００５２】
上述のように構成されたこの第１の実施形態によれば、サファイア基板１上にレーザ構造を構成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層２を積層した後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成し、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開するようにしていることにより、半導体層２における劈開位置を規定しやすく、半導体層２およびサファイア基板１を容易にかつ確実に劈開することができる。このため、劈開性の無いサファイア基板１を用いた場合であっても、この上に積層された半導体層２に、光学的平坦性の優れた劈開面からなる共振器端面３を安定に形成することができ、しかも、共振器長を例えば１ｍｍ以下と小さくする場合であっても、そのような良好な共振器端面３を有するＧａＮ系半導体レーザを、所望の共振器長で実現することができる。
【００５３】
また、この第１の実施形態によれば、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、光出射領域となるリッジストライプ部１１に対応する部分や、ｐｎ接合の存在するメサ部１２に対応する部分以外の部分に劈開補助溝４を形成するようにしており、この部分では、劈開補助溝４をどの様な深さに形成しても、ＧａＮ系半導体レーザの特性は何ら損なわれないので、劈開補助溝４の形成する際の制御が容易であるという利点も有する。
【００５４】
また、この第１の実施形態によれば、半導体層２に劈開補助溝４を形成し、劈開の際に、この半導体層２が積層された側の主面が凸になるようにサファイア基板１を反らせていることにより、劈開が半導体層２側から生じ、半導体層２における劈開位置の規定や、半導体層２に良好な劈開面を形成するのに有利である上に、半導体層２が積層された側の主面が凹になるようにサファイア基板１を反らせた場合に起こる可能性がある問題、具体的には、例えば、半導体層２、特にその最表面が圧縮され、これに起因して、半導体層２の表面付近がつぶれたり平坦性が劣化したりするという問題が生じないという利点も有する。
【００５５】
さらに、この第１の実施形態によれば、劈開補助溝４は、イオンミリング法のようなウェハプロセスにおけるドライエッチング技術を用いて形成することができるため、劈開補助溝４を良好なパターン精度および寸法精度で形成することができ、また、例えば劈開補助溝４の平面パターンを破線状にするなど、素子構造に応じた微細加工を行うことも可能である。また、このように劈開補助溝４をドライエッチング技術を用いて形成することにより、従来のように、劈開補助溝の形成にダイシングやスクライブなどの機械加工を必要としないので、この機械加工の応力やダメージによるウェハの割れ欠けなどが発生しないという利点も有する。
【００５６】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。図５は、この第２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。ここで、図５Ａは、このＧａＮ系半導体レーザの製造の一工程におけるウェハの平面図、図５Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図、図５Ｃは、図５ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００５７】
図５に示すように、この第２の実施形態においては、第１の実施形態と同様に工程を進めて、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０を所定のリッジストライプ形状にパターニングする工程まで行う。
【００５８】
次に、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延在し、かつ、メサ部１２の共振器端面３を形成すべき部分に対応する部分にＶ字状のくびれを有する所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより溝を形成する。これによって、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、活性層８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の下層部が、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延在する所定のメサ形状にパターニングされる。このメサ部１２は、共振器端面３を形成すべき部分で両側がＶ字状にくびれた平面形状を有する。ただし、このメサ部１２のくびれ１２ａの先端部は、リッジストライプ部１１に達しないものとする。ここで、このメサ部１２の互いに向かい合うくびれ１２ａの先端部同士を結ぶ直線は、後に共振器端面３となる半導体層２の（１１−２０）面と平行であることが好ましい。
【００５９】
次に、第１の実施形態と同様に工程を進めて、ｐ側電極１４およびｎ側電極１５の形成まで行った後、第１の実施形態と同様に、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、メサ部１２の両側の溝に対応する部分の一部を、ＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する所定のストライプ状の劈開補助溝４を形成する。図５Ｃに、この劈開補助溝４を形成するためのエッチングによって除去された部分を、一点鎖線で示す。ここで、後に行われる劈開によって形成される共振器端面３の平坦性を良好にする観点から、同一部分の劈開に用いられる劈開補助溝４の底部および先端部、ならびに、メサ部１２のくびれ１２ａの先端部は、同一直線上に存在することが好ましい。
【００６０】
この後、第１の実施形態と同様に工程を進めて、目的とするＧａＮ系半導体レーザを完成させる。ここで、図５Ａ中、一点鎖線によって囲まれた部分が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの一つのレーザチップに対応する。
【００６１】
この第２の実施形態の上記以外の構成は、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６２】
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。なお、この第２の実施形態においては、メサ部１２が、共振器端面３を形成すべき部分で内側にくびれている分だけ、このメサ部１２の両側に、第１の実施形態よりも先端部同士を近接させて劈開補助溝４を形成することができる。このため、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、劈開補助溝４の存在する部分の比率を、第１の実施形態に比べて大きくすることができるので、半導体層２およびサファイア基板１の劈開をより容易に行うことができる。また、メサ部１２のうち、共振器端面３を形成すべき部分がＶ字状にくびれていることによっても劈開がより容易となる上に、半導体層２における劈開位置の規定もより容易となる。
【００６３】
次に、この発明の第３の実施形態について説明する。図６は、この第３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。ここで、図６Ａは、このＧａＮ系半導体レーザの製造の一工程におけるウェハの平面図、図６Ｂは、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図、図６Ｃは、図６ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００６４】
図６に示すように、この第３の実施形態においては、劈開補助溝４を、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１に対応する部分以外の部分、具体的には、メサ部１２に対応する部分の一部と、メサ部１２の両側の溝に対応する部分とに、リッジストライプ部１１を両側から挟むようにして形成する。
【００６５】
すなわち、この第３の実施形態においては、第１の実施形態と同様に工程を進めて、ｐ側電極１４およびｎ側電極１５の形成まで行った後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１に対応する部分以外の部分、具体的には、リッジストライプ部１１の両側のメサ部１２に対応する部分の一部と、メサ部１２の両側の溝に対応する部分とを、例えばＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する所定のストライプ状の劈開補助溝４を形成する。図６Ｃ中、劈開補助溝４を形成するためのエッチングによって除去された部分を、一点鎖線で示す。ここで、この劈開補助溝４は、メサ部１２に対応する部分において、半導体層２のｐｎ接合をまたぐ深さになっているが、この劈開補助溝４は、光出射領域となる部分には形成されていないので、このＧａＮ系半導体レーザの特性を何ら損なうものではない。
【００６６】
この後、第１の実施形態と同様に工程を進めて、目的とするＧａＮ系半導体レーザを完成させる。図６Ａ中、一点鎖線によって囲まれた部分が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの一つのレーザチップに対応する。
【００６７】
この第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点を得ることができる。なお、この第３の実施形態においては、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２に形成された劈開補助溝４が、メサ部１２に対応する部分の一部まで延在しているため、リッジストライプ部１１の両側に、第１の実施形態よりも先端部同士を近接させて劈開補助溝４を形成することができる。このため、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、劈開補助溝４の存在する部分の比率を、第１の実施形態に比べて大きくすることができるので、半導体層２およびサファイア基板１の劈開をより容易に行うことができる。
【００６８】
次に、この発明の第４の実施形態について説明する。図７は、この第４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。ここで、図７Ａは、このＧａＮ系半導体レーザの製造の一工程におけるウェハの平面図、図７Ｂは、図７ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図、図７Ｃは、図７ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００６９】
図７に示すように、この第４の実施形態においては共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、メサ部１２の両側の溝に対応する部分に一部に、メサ部１２を両側から挟むようにして劈開補助溝４を形成するとともに、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分にも劈開補助溝４を形成するようにしている。
【００７０】
すなわち、この第４の実施形態においては、第１の実施形態と同様に工程を進めて、ｎ側電極１４およびｐ側電極１５の形成まで行った後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、メサ部１２の両側の溝に対応する部分の一部を、ＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、メサ部１２を両側から挟むようにして劈開補助溝４を形成するとともに、リッジストライプ部１１に対応する部分をｐ型ＧａＮコンタクト層１０の厚さ方向の途中の深さまでエッチングし、それ以外のメサ部１２に対応する部分をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分にも劈開補助溝４を形成する。図７Ｃ中、この劈開補助溝４を形成するためのエッチングによって除去された部分を、一点鎖線で示す。
【００７１】
ここで、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分に形成された劈開補助溝４は、劈開の際にその底部に応力集中が生じやすいように、例えばＶ字状の断面形状を有することが好ましい。なお、リッジストライプ部１１に対応する部分に形成された劈開補助溝４の底部は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０の厚さ方向の途中の深さに留められ、それ以外のメサ部１２に対応する部分に形成された劈開補助溝４の底部は、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さ方向の途中の深さに留められており、したがって、このリッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分に形成された劈開補助溝４は、光出射領域に到達する深さとはなっていないので、ＧａＮ系半導体レーザの特性を何ら損なうものではない。また、このリッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分における劈開補助溝４は、素子構造の都合などで、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分の一部のみに形成するようにしてもよい。
【００７２】
この後、第１の実施形態と同様に工程を進めて、目的とするＧａＮ系半導体レーザを完成させる。ここで、図７Ａ中、一点鎖線によって囲まれた部分が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの一つのレーザチップに対応する。
【００７３】
この第４の実施形態の上記以外の構成は、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７４】
この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点を得ることができる。なお、この第４の実施形態においては、劈開補助溝４がリッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分にも形成されており、したがって、共振器端面３を形成すべき部分に形成されている劈開補助溝４の比率が、第１の実施形態の場合よりも大きくされているため、サファイア基板１および半導体層２の劈開をより容易に行うことができる。
【００７５】
以上この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数値、材料、構造、製造プロセスなどはあくまで例にすぎず、これに限定されるものではない。
【００７６】
また、上述の第１〜第４の実施形態においては、劈開補助溝４の断面形状をＶ字状としているが、この劈開補助溝４の断面形状は、Ｕ字状、延長方向に平行な一側面を垂直面とする形状であってもよく、または、矩形状であってもよい。
【００７７】
また、上述の第１〜第４の実施形態においては、メサ部１２に対応する部分の両側における劈開補助溝４は、例えば、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより形成してもよく、あるいは、ＧａＮバッファ層５とサファイア基板１との界面までエッチングすることにより形成してもよい。また、第４の実施形態においては、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分における劈開補助溝４のうち、リッジストライプ部１１に対応する部分以外の部分は、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９を越えてエッチングすることにより形成してもよい。
【００７８】
また、上述の第１〜第４の実施形態においては、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層２の成長にＭＯＣＶＤ法を用いているが、この半導体層２の成長には例えば分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いてもよい。
【００７９】
また、上述の第１〜第４の実施形態においては、この発明をリッジストライプ構造のＧａＮ系半導体レーザに適用した場合について説明したが、この発明は、電極ストライプ構造のＧａＮ系半導体レーザに適用することも可能である。
【００８０】
また、上述の第１〜第４の実施形態においては、この発明をＤＨ構造（Double Heterostructure）の半導体レーザに適用した場合について説明したが、この発明は、ＳＣＨ構造（Separate Confinement Heterostructuer）の半導体レーザは勿論、発光ダイオードに適用することも可能であり、さらに、これらの半導体レーザや発光ダイオードのような半導体発光装置以外にも、フォトディテクタなどの半導体受光装置に適用することも可能である。
【００８１】
さらに、この発明は、劈開性が無いか、劈開が困難か、あるいは、その上に成長される半導体層と異なる劈開方位を有する基板上に、劈開性を有する半導体層が成長された半導体装置において、半導体層に劈開面を形成する際の共通の技術であるので、この発明は、上記した半導体発光装置および半導体受光装置のような光半導体装置に留まらず、電界効果トランジスタなどの電子走行素子、または、複数の電子走行素子を集積した半導体集積回路、さらには、同一基板上に電子走行素子と光半導体装置とを集積した光電子集積回路など、半導体装置全般に適用することが可能であり、特に、チップサイズを微細寸法に規定したい半導体装置に適用した場合、顕著な効果を奏するものである。また、この発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外に、種々の材料を用いた半導体装置に適用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上のように、この発明の第１の発明、第３の発明および第５の発明によれば、端面を形成すべき部分における半導体層のうち、端面の主要部となる部分以外の部分の少なくとも一部に劈開補助溝を形成していることにより、また、この発明の第２の発明、第４の発明および第６の発明によれば、端面を形成すべき部分における半導体層の少なくとも一部に、ｐｎ接合をまたぐ深さで劈開補助溝を形成していることにより、半導体層における劈開位置を規定しやすく、しかも、この劈開補助溝から半導体層および基板を劈開することができるので、基板および半導体層の劈開を、劈開補助溝が形成された位置で、容易にかつ確実に行うことができる。このため、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、この上の半導体層と異なる劈開方位を有する基板を用いた場合や、半導体装置の寸法を例えば１ｍｍ以下と小さく規定したい場合であっても、半導体層における劈開位置を規定しつつ、この半導体層に良好な劈開面からなる端面を制御性良く安定に形成することができ、これによって、光学的平坦性が良好な劈開面からなり、光学特性に優れた共振器端面を有する半導体レーザを実現することができる。
【００８３】
また、この発明によれば、劈開補助溝を、ウェハプロセスによるドライエッチング技術を用いて形成することができるため、従来のようにダイシングやスクライブなどの機械加工によって劈開補助溝を形成する手法に比較して、劈開補助溝のパターン精度や微細加工性に優れ、また、機械的ダメージによるウェハの割れ欠けなどの問題が生じないため、安定して半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの斜視図である。
【図２】  この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図３】  この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための斜視図である。
【図４】  この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】  この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図６】  この発明の第３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図７】  この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図８】  従来のＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板、２・・・半導体層、３・・・共振器端面、４・・・劈開補助溝、５・・・ＧａＮバッファ層、６・・・ｎ型ＧａＮコンタクト層、７・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、８・・・活性層、９・・・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１０・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層、１１・・・リッジストライプ部、１２・・・メサ部、１２ａ・・・くびれ、１３・・・絶縁層、１３ａ，１３ｂ・・・開口、１４・・・ｐ側電極、１５・・・ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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