(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器上部から下方にガスを流送するガス通路が形成された容器に、容器の上部側面に開口されたガス導入口からガスを導入して整流するガス処理容器用整流装置であって、
斜め下方から供給されたガスを水平方向に転向してガス導入口に送入するガス導入ダクトと、
前記ガス通路上端部でガス導入口が側方に形成された迂回空間で、このガス導入口から所定距離離れて天壁から垂下された垂下壁を有する段部およびこの段部から下流側下方に傾斜されガスを下方に案内する傾斜ガイド部と、
ガス導入口の開口面に上下方向に複数段に配置された水平ベーンと、
ガス導入口より下位のガス通路に配置された整流格子とを具備し、
前記水平ベーンは、下位のものほど下流側下方に傾斜された
ことを特徴とするガス処理容器用整流装置。
【請求項２】
容器上部から下方にガスを流送するガス通路が形成された容器に、容器の上部側面に開口されたガス導入口からガスを導入して整流するガス処理容器用整流装置であって、
斜め下方から供給されたガスを水平方向に転向してガス導入口に送入するガス導入ダクトと、
前記ガス通路の上端部でガス導入口が側方に開口された直方体状の迂回空間と、
前記ガス通路のガス導入口より下位に配置された整流格子と、
前記迂回空間にガス導入口の開口面と平行で開口面から奥側に所定間隔をあけて配置され複数の整流空間を形成する複数の垂直整流板とを具備し、
前記垂直整流板と迂回空間の天壁との間に形成される流入口の高さを、ガス導入口から奥側ほど小さくなるように形成された
ことを特徴とするガス処理容器用整流装置。
【請求項３】
整流格子は、導入ガスの流送方向に沿う複数の縦フィンと、導入ガスの横断方向に沿う複数の横フィンとを一定間隔ごとに配置して構成され、
垂直整流板は、前記整流格子の横フィンから一体に上方に延長された
ことを特徴とする請求項２記載のガス処理容器用整流装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容器に導入されたガスを均一に流送する必要があるガス調温塔やガスクーラー、ガス冷却装置、クーリングタワーなどのガス処理容器内に、入口部分に設置されるガス処理容器用整流装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえばごみ焼却炉のガス調温塔では、ガス（排ガス）中に冷却水を噴射して温度調整するため、上部から導入されたガスを均一に下方に送り込む必要がある。
従来のガス調温塔では、図２１，図２２に示すように、熱回収用ボイラから排出される排ガスを、まず４５度斜め上方に誘導して９０度下方に折れ曲がる屈曲ダクト２を介して４５度上方から塔本体１の上部のガス導入口１ａに接続されている。そして塔本体１この入口部では、導入ガスを水平方向に誘導して複数枚の垂直ベーン３と複数枚の水平ベーン４とにより整流し、さらに段部５および傾斜ガイド板６により下方に転向される。そして、塔本体１の上部に平面断面に全面にわたって設置された整流格子７により整流して塔本体１の横断面におけるガスの流れが均一になるように構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来構成では、屈曲ダクト２を使用してガスを導入するため、設備の建屋の最上部に設置されるガス調温塔よりも、屈曲ダクト２が上方に突出してしまうという問題があった。このため、建屋の天井部を屈曲ダクト２に合わせて高くする工事が行われていた。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解決して、屈曲ダクトにより一旦上方に迂回させなくても、下方から送られてくるガスを容器の入口で十分に整流して容器内下方に案内できるガス処理容器用整流装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１記載の発明は、容器上部から下方にガスを流送するガス通路が形成された容器に、容器の上部側面に開口されたガス導入口からガスを導入して整流するガス処理容器用整流装置であって、斜め下方から供給されたガスを水平方向に転向してガス導入口に送入するガス導入ダクトと、前記ガス通路上端部でガス導入口が側方に形成された迂回空間で、このガス導入口から所定距離離れて天壁から垂下された垂下壁を有する段部およびこの段部から下流側下方に傾斜されガスを下方に案内する傾斜ガイド部と、ガス導入口の開口面に上下方向に複数段に配置された水平ベーンと、ガス導入口より下位のガス通路に配置された整流格子とを具備し、前記水平ベーンは、下位のものほど下流側下方に傾斜されたものである。
【０００６】
上記構成によれば、ガス導入ダクトから斜め上方に変向された後、水平に変向されてガス導入口から迂回空間に送入された排ガス流は、流路断面の中央および外周（上部）で高速流となるが、複数の水平ベーンにより分離されたガス流のうち、高速で分離流路部に流入される最上段ガス流は、垂下壁が抵抗となって大幅に減速される。また中央部の分離流路部では、ガス流がかなり加速されて一時的に高速となるが、水平ベーンとの接触による摩擦抵抗と、最上段の分割流路から合流されるガス流と、傾斜ガイド部により流路面積が急激に拡大されることにより、大きい抵抗となって漸次減速され、整流格子に導入される。最下段の分離流路部では、下段の水平ベーンにより大きく下方に転向されることからガス流が加速されることがない。さらにガス流は整流格子で中央部分で比較的速いガス流が整流格子の作用およびガス流同士の接触により平均化される。
【０００７】
したがって、下方から供給されたガス流をガス導入ダクトにより斜め下方から水平方向に転向して容器に送入しても、複数段の水平ベーンと段部とにより迂回空間でガス流を減速して整流格子によりさらに流速を均一化させ、９０°折れ曲がるガス通路に均一なガス流を送り込むことができ、ガス導入ダクトを上方に突出させて上方から送入する必要が無くなり、容器の収納建屋を高くする工事が不要となる。
【０００８】
また請求項２記載の発明は、容器上部から下方にガスを流送するガス通路が形成された容器に、容器の上部側面に開口されたガス導入口からガスを導入して整流するガス処理容器用整流装置であって、斜め下方から供給されたガスを水平方向に転向してガス導入口に送入するガス導入ダクトと、前記ガス通路の上端部でガス導入口が側方に開口された直方体状の迂回空間と、前記ガス通路のガス導入口より下位に配置された整流格子と、前記迂回空間にガス導入口の開口面と平行で開口面から奥側に所定間隔をあけて配置され複数の整流空間を形成する複数の垂直整流板とを具備し、前記垂直整流板と迂回空間の天壁との間に形成される流入口の高さを、ガス導入口から奥側ほど小さくなるように形成されたものである。
【０００９】
上記構成によれば、ガス導入ダクトにより斜め上方から水平方向に転向されてガス導入口に流入されたガス流は、外周側（上部）ほど速い速度分布となっており、このガス流が迂回空間に流入すると、階段状の第１〜第４垂直整流板の上部に衝突し、その上方の流入口から各整流空間にそれぞれ分離されて流入する。この時、各整流空間では第１〜第４整流板と迂回空間の背面壁の表面に沿ってそれぞれ高速のガス流が生じるが、高速となる背面側ほどガス流が接触する面の長さが長く設定されており、その摩擦抵抗により減速されるとともに、垂直整流板の上端部背面に生じる渦流により、抵抗が生じてガス流が減速され、ついで整流格子に流入されることによりガス流の流速が均一化される。
【００１０】
したがって、ガス導入ダクトにより下方から供給されたガス流を斜め下方から水平方向に転向して容器に流入させても、９０°折れ曲がるガス通路で均一な流速に整流することができる。これにより、均一なガス処理が可能となるとともに、ガス導入ダクトを上方に突出させる必要が無くなり、収納建屋を高くする工事が不要となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
ここで、本発明に係るガス整流装置の第１の実施の形態を図１〜図１１に基づいて説明する。
この整流装置１０は、たとえばごみ焼却炉設備の排ガス経路に設置される調温塔１１に設けられるもので、調温塔１１の容器１２内では、上部から下部に向って送りこんだ矩形断面のガス通路１３において排ガス中に冷却水を噴射して所定温度の排ガスを得るものである。したがって、ガス通路１３の流速が均一でないと、効率よく冷却することができない。
【００１２】
この整流装置１０は、鉛直方向のガスダクト１４から調温塔１１の上部側壁でガス通路１３に連通するガス導入口１５にガス導入ダクト１６が接続されている。このガス導入ダクト１６は、その出口で幅：ｗ、高さ：ｈの矩形流路断面に形成され、矩形断面のガス通路１３に対する断面積比がたとえば１：２に形成されている。そして、ガスダクト１４に接続された垂直接続部１６ａと、この垂直接続部１６ａから斜め上方に折り曲げ角θ（４０〜５０°）で折り曲げられた傾斜部１６ｂと、傾斜部１６ｂ上端からさらに水平方向に折り曲げられてガス導入口１５に接続された水平送入部１６ｃとで構成されている。
【００１３】
前記ガス通路１３は、流路の幅：Ｗ（＝ｗ）、高さ（奥行き）：Ｈの矩形断面に形成され、ガス通路１３の上端部にガス導入口１５から水平方向に吹込まれたガス流を下方に迂回させる迂回空間１７が形成されている。この迂回空間１７のガス導入口１５の上辺に連続する天壁１８には、水平部１６ｃからガス導入口１５を介して水平面上に沿って延びる平面部１８ａと、下方に突出する段部１８ｂと、奥側下方に傾斜する傾斜ガイド部１８ｃが形成されている。
【００１４】
すなわち、平面部１８ａでガス導入口１５から所定距離Ｌｏだけ離れた位置から垂下されてガス導入口１５に対向する高さ：Ｈｏの垂下壁１８ｄと、この垂下壁１８ｄの下端部に続く長さＬｐの水平壁１８ｅからなる段部１８ｂが設けられ、ガス流に大きい抵抗を付与している。さらに水平壁１８ｅの後端部から流路断面をガス流を広がる状態で下方に迂回させる傾斜ガイド部１８ｃが設けられており、この傾斜ガイド部１８ｃは水平から下方に傾斜角：α＝３０〜４０°で取付けられている。
【００１５】
またこの迂回空間１７には、ガス導入口１５の開口面から後方に延びるたとえば３枚、上段、中段および下段の水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃが配置されている。これら水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃは上下方向に所定高さＨＡ〜ＨＤの分離流路部２０Ａ〜２０Ｄをあけて配置され、迂回空間１７の全幅方向にわたって側壁間に取付けられている。
【００１６】
これらの詳細を図２を参照して説明すると、上段水平ベーン２１Ａは、全長がＬＡで、水平方向後方に延びる平板状に形成され、導入角βＡ（図示せず）＝０°、排出角γＡ（図示せず）＝０°である。中段水平ベーン２１Ｂは、全長がＬＢで、前端から中間の折り曲げ位置ＰＢまで導入角βＢで傾斜して設置され、さらに折り曲げ位置ＰＢから後端まで排出角γＢで傾斜して設置されている。さらに、下段水平ベーン２１Ｃは、全長がＬＣで、前端から中間の折り曲げ位置ＰＣまで導入角βＣで傾斜して設置され、さらに折り曲げ位置ＰＣから後端まで排出角γＣで傾斜して設置されている。なお、折り曲げ部ＰＢ，ＰＣは半径を有する円弧状であってもよい。
【００１７】
ここで、最上段の分離流路部２０Ａの抵抗を大きくするために、その高さＨＡは垂下壁１８ｄの高さＨｏと同じか、または小さく（ＨＡ≦Ｈｏ）設定されている。もちろん、上段水平ベーン２１Ａの長さＬＡは平面部１８ａの長さＬｏより小さく（ＬＡ＜Ｌｏ）設定されて分離流路部２０Ａのガスを排出する空間２０ａが設けられる。また水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃの長さは、ＬＡ＞ＬＢ（ＬＢｆ＋ＬＢｒ）＞ＬＣ（ＬＣｆ＋ＬＣｒ）の関係にあり、さらに導入角βＡ＜βＢ＜βＣ、排出角γＡ＜γＢ＜γＣの関係にある。これは、水平方向からガス導入口１５に導入されて迂回空間１７で下方に旋回される場合、旋回中心から離れるほど流速が速くなる傾向があるため、これを抑制する必要があり、水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃによりその接触抵抗をガス流に作用させて減速することができる。また旋回中心側ほど旋回半径が小さくなるため、導入角αおよび排出角γを大きく設定することにより、スムーズにガス流を旋回させることができる。
【００１８】
またガス導入口１５の下辺より所定距離Δｈだけ下方位置に、導入ガスの流送方向に沿う複数の縦フィン２２ａと、導入ガスの横断方向に沿う複数の横フィン２２ｂとが一定間隔ごとに組み合わされた整流格子２２が設けられている。
上記構成において、ガスダクト１４からガス導入ダクト１６に導入された排ガスは、傾斜部１６ｂで斜め上方に変向された後、さらに水平に変向されて水平送入部１６ｃからガス導入口１５に送入される。この時、流路断面の中央および外周で高速のガス流が形成される。
【００１９】
ガス導入口１５において、水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃに分離された分離流路２０Ａ〜２０Ｄのうち、最上段の分離流路部２０Ａのガス流は、本来かなりの高速で流入されるものであるが、ガス導入口１５に対向して配置された垂下壁１８ｄと水平ベーン２１Ａとにより大幅に減速されて加速されることがない。また中央部の分離流路部２０Ｂ，２０Ｃでは、ガス流がかなり加速されて一時的に高速となるが、水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃとの接触による摩擦抵抗と、空間２０ａから流入されるガス流と、傾斜ガイド部１８ｃで急激に拡大される流路面積により減速され、整流格子２２に導入される。最下段のガイド空間２０Ｄでは、下段の水平ベーン２１Ｃにより大きく下方に転向されることからガス流が加速されることがない。そして、整流格子２２では、中央部分の比較的速い流速により、幾分高速のガス流があらわれるが、整流格子の作用とガス流同士の接触により平均化される。
【００２０】
ここで上記構成の整流装置１０のシミュレーション結果を図４〜図１１を参照して説明する。ここで設定されたガス導入ダクト１６（ガス導入口１５）の高さ：ｈ＝１０００、幅：ｗ（＝Ｗ）＝２０００、水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃの配置は、ＨＡ＝ＨＢ＝ＨＣ＝ＨＤ＝２５０、長さ：ＬＡ＝６００，ＬＢｆ＝３００，ＬＢＲ＝３００，ＬＣｆ＝２００，ＬＣｒ＝２５０、導入角および排出角は、βＡ＝０，βＢ＝７°，γＢ＝４５°βＣ＝１２°，γＣ＝６７°（各角度は±２．５°）、整流格子２２の高さＨｍ＝３００、ピッチが１５０、ガス通路１３の高さｈ＝２００００（長さの寸法単位はｍｍ）である。ここでガス流量は１００００〜３００００Ｎｍ3／ｈ、入口のガス温度は２４０℃に対応する。
【００２１】
図４に示す流速分布および図５〜図１１に示す各断面位置における流速分布から、整流格子２２から下方に送られるガスの流速分布が均一化されるのがわかる。
上記実施の形態によれば、ガス導入ダクト１６により下方から斜め上方、水平方向と変向されてガス導入口１５に送入された排ガス流を迂回空間１７において、高速の上部のガス流が垂下壁１８ｄでせき止められた分離流路部２０Ａに導入してこの流れを上段水平ベーン２１Ａにより分離させ、上段水平ベーン２１Ａと垂下壁１８ｄの間の空間２０ａから送り出すように構成したので、迂回側外方で極めて加速されたガス流を大幅に減速することができる。また中央部の分離空間２０Ｂ，２０Ｃに導入されたガス流は、水平ベーン２１Ａ〜２１Ｃとの接触による摩擦抵抗と、急激に拡大される流路面積により効果的に減速される。さらに、下部のガイド空間２０Ｄに流入されたガス流は、下段水平ベーン２１Ｃの大きな転向角により加速されることがない。これにより、整流格子２２でガス通路１３内に部分的に高速のガス流が発生することがなく、均一な流速のガス流を得ることができ、均一で効率の良い排ガス温度調整を行うことができる。
【００２２】
次にガス整流装置の第２の実施の形態を図１２〜図２０に基づいて説明する。なお、第１の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
図１２，図１３に示すように、この整流装置３０は、迂回空間３１の天壁３１ａがガス導入口１５の上辺と連続する水平面状の直方体に形成され、迂回空間３１の内部にガス導入口１５の開口面と平行で奥側に所定間隔Ｗ１〜Ｗ５をあけて配置された複数の垂直整流板である第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄが全幅にわたって側壁間に取り付けられ、前後に複数の整流空間３３Ａ〜３３Ｅが形成されている。
【００２３】
これら第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄは、奥側ほど天壁３１ａに接近する長さに形成されて各整流空間３３Ａ〜３３Ｅへの流入口３４ａ〜３４ｄの高さＨ１〜Ｈ４が小さくなる（Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３＞Ｈ４）ように設定される。この実施の形態は、第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄが、整流格子２２を構成する横フィン２２ｂの一部から延長されて一体に構成されているが、整流格子２２とは別に、連続してあるいは所定の隙間をあけて配設してもよい。なお、この整流空間３３Ａ〜３３Ｅの出口には、少なくとも１枚の横フィン２２ｂが配置されるように間隔Ｗ１〜Ｗ５が設定される。
【００２４】
上記構成において、ガス導入ダクト１６からガス導入口１５に流入されたガス流は、その折れ曲がりにより外周側（上部）ほど速い速度分布となっている。このガス流が迂回空間３１に流入すると、階段状の第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄの上部に衝突して流入口３４ａ〜３４ｄから各整流空間３３Ａ〜３３Ｅにそれぞれ分離されて流入する。この時、第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄと背面壁３１ｂの表面に沿って高速のガス流が生じるが、第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄの上部後部側に渦流が生じてガス流の抵抗となり、さらに順次高速となる背面側ほどガス流が接触面する長さが長くなるため、徐々に減速され均一化され整流格子２２に流入される。そしてこの整流格子２２の作用によりガス流が均一化されてガス通路１３に導入される。
【００２５】
上記構成の整流装置のシミュレーション結果を図１４〜図２０を参照して説明する。
ここでガス導入ダクト１６（ガス導入口１５）の高さ：ｈ＝１０００、幅：ｗ＝２０００である。また迂回空間３１の高さ：Ｈ＝１０００、幅：Ｗ＝２０００、流入口３４ａ〜３４ｅの高さＨ１＝７５６，Ｈ２＝５３１，Ｈ３＝３０６，Ｈ４＝８１（各寸法単位はｍｍ）で、その開口比は、ｈ１：ｈ２：ｈ３：ｈ４：ｈ５＝１．５：１：１：１：０．５である。垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄはガス導入口１５側から３，６，９，１２枚目の水平フィン２２ｂと一体に立ち上げられており、整流空間３３Ａ〜３３Ｅの前後幅Ｗ１：Ｗ２：Ｗ３：Ｗ４：Ｗ５＝１：１：１：１：０．６の比率である。
【００２６】
迂回空間３１の入口で高速となるガス流が流入口から整流空間３３Ａ〜３３Ｅに流入すると、第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄと背面壁３１ｂの表面に沿って高速のガス流が生じるが、徐々に減速されて出口の整流格子２２部分ではかなり均一化され、整流格子２２を所定距離過ぎると平均速度の±６０％にほぼ均一化されるのがわかる。
【００２７】
上記実施の形態によれば、直方体形の迂回部３１にガス導入口１５に対向する第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄを前後幅Ｗ１〜Ｗ５を空けて配置して複数の整流空間３３Ａ〜３３Ｅを前後に区画して形成し、各第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄと天壁との間の流入口３４ａ〜３４ｅの高さＨ１〜Ｈ４を背面側（奥側）ほど小さくなる（Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３＞Ｈ４）ように設定し、整流空間の出口に整流格子２２を配置したので、下方から変向されて水平方向に流入されたガス流を分離して流入口３４ａ〜３４ｄから整流空間３３Ａ〜３３Ｅに導入し、第１〜第４垂直バッフル３２Ａ〜３２Ｄとの摩擦と渦流とにより減速して整流格子２２によりガスの流速を均一化することができる。
【００２８】
【発明の効果】
以上に述べたごとく請求項１記載の発明によれば、ガス導入ダクトから斜め上方に変向された後、水平に変向されてガス導入口に送入された排ガス流は、流路断面の中央および外周で高速流となる。そしてガス導入口において、複数の水平ベーンに分離されたガス流のうち最上段ガス流は、高速で流入されるが垂下壁と水平ベーンとに囲まれて大幅に減速される。また中央部では、ガス流がかなり加速されて一時的に高速となるが、水平ベーンとの接触による摩擦抵抗と、流路面積が急激に拡大される傾斜ガイド部とにより減速され、整流格子に導入される。最下段では、下段の水平ベーンにより大きく下方に転向されることからガス流が加速されることがない。そして整流格子で中央部分の比較的速いガス流が整流格子の作用とガス流同士の接触により平均化される。
【００２９】
したがって、ガス導入ダクトにより下方から供給されたガス流を斜め下方から水平方向に転向して容器に流入させても、下方に送るガス通路で均一な流速に整流することができ、均一なガス処理が可能となり、ガス導入ダクトを上方に突出させる必要が無くなり、収納建屋を高くする工事が不要となる。
また請求項２記載の発明によれば、ガス導入ダクトにより斜め上方から水平方向に転向されてガス導入口に流入されたガス流は、上部ほど速い速度分布となっており、このガス流が迂回空間に流入すると、階段状の第１〜第４垂直整流板の上部に衝突してその上方から各整流空間にそれぞれ分離されて流入する。この時、各整流空間では第１〜第４整流板と迂回空間の背面壁の表面に沿ってそれぞれ高速のガス流が生じるが、高速となる背面側ほどガス流が接触する面の長さが長くその摩擦抵抗により減速されるとともに、垂直整流板の上部背面に生じる渦流により、抵抗が生じてガス流が減速され、ついで整流格子２２に流入されることによりガス流の流速が均一化される。
【００３０】
したがって、ガス導入ダクトにより下方から供給されたガス流を斜め下方から水平方向に転向して容器に流入させても、下方に送るガス通路で均一な流速に整流することができ、均一なガス処理が可能となり、ガス導入ダクトを上方に突出させる必要が無くなり、収納建屋を高くする工事が不要となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る整流装置の第１の実施の形態を示す構成図である。
【図２】同整流装置の要部を示す部分拡大断面図である。
【図３】同整流装置を示す要部拡大斜視図である。
【図４】同整流装置のガス流のシミュレーション結果を示す縦断面図である。
【図５】図４に示すａ−ａ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図６】図４に示すｂ−ｂ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図７】図４に示すｃ−ｃ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図８】図４に示すｄ−ｄ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図９】図４に示すｅ−ｅ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１０】図４に示すｆ−ｆ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１１】図４に示すｇ−ｇ′位置の流速を示す拡大速度分布図である。
【図１２】本発明に係る整流装置の第２の実施の形態を示す構成図である。
【図１３】同整流装置を示す要部拡大斜視図である。
【図１４】同整流装置のガス流のシミュレーション結果を示す縦断面図である。
【図１５】図１４に示すＡ−Ａ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１６】図１４に示すＢ−Ｂ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１７】図１４に示すＣ−Ｃ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１８】図１４に示すＤ−Ｄ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図１９】図１４に示すＥ−Ｅ′位置の流速を示す速度分布図である。
【図２０】図１４に示すＦ−Ｆ′位置の流速を示す拡大速度分布図である。
【図２１】従来の整流装置を示す構成図である。
【図２２】同整流装置を示す要部拡大斜視図である。
【符号の説明】
１０    整流装置
１１    調温塔
１２    容器
１３    ガス通路
１５    ガス導入口
１６    ガス導入ダクト
１６ａ  垂直接続部
１６ｂ  傾斜部
１６ｃ  水平送入部
１７    迂回空間
１８    天壁
１８ａ  水平部
１８ｂ  段部
１８ｃ  傾斜ガイド部
１８ｄ  垂下壁
２０Ａ〜２０Ｄ  分離流路部
２１Ａ〜２１Ｃ  水平ベーン
２２    水平格子
２２ｂ  横フィン
３０    整流装置
３１    迂回空間
３２Ａ〜３２Ｄ  垂直バッフル
３３ａ〜３３ｅ  流入口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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