(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体を溶解させた処理液を基板に作用させて、基板を表面処理する処理部を備えた基板処理装置において、
前記処理部は、
基板を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温する基板昇温手段と、
前記基板昇温手段により昇温された基板に処理液を作用させて、基板を表面処理する基板表面処理手段と
を備え、
前記基板表面処理手段は、
処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、
前記処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって処理液を作用させるように、前記処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、
前記基板昇温手段は、前記基板回転手段により回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所の温度を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記基板昇温手段による基板昇温と、前記基板表面処理手段による基板への処理液の作用とを同時に行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記基板回転手段は、起立姿勢に保持された基板をその周方向に回転させ、
前記処理槽は、その側部における、起立姿勢の基板の一部が浸漬された処理液の液面箇所に、当該槽内の処理液を排出するための処理液排出口を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板表面処理手段から排出された処理液を前記基板表面処理手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させる循環手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記循環手段は、前記基板表面処理手段から排出された処理液の温度を所定の温度に温調する温調手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板表面処理手段は、
処理液により表面処理された基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄処理する洗浄処理手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記基板表面処理手段は、
洗浄液により表面が洗浄処理された基板に対して不活性ガスを供給して基板表面を乾燥処理する乾燥処理手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理液は、気体としてのオゾンを純水に溶解させたオゾン水であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）を処理液により表面処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置としては、例えば、オゾンを純水に溶解させたオゾン水（処理液）を、基板としてのウエハに供給してこのウエハにオゾン水処理を施し、ウエハ表面上のフォトレジスト（以下、適宜にレジストと呼ぶ）などの有機物を剥離させる処理を施すものがある。このように、オゾン水を供給してウエハを表面処理する場合（例えば、ウエハ表面上のレジストをオゾン水によって剥離させる処理を行う場合）には、オゾン水によるレジストとの反応速度Ｒは、次に示す演算式（１）で表される。
【０００３】
Ｒ＝ｋ＊Ｃ＊Ｔ    ・・・  （１）
但し、ｋ；反応定数、Ｃ；溶存オゾン濃度、Ｔ；オゾン水の処理温度である。この演算式（１）によれば、反応速度Ｒは、溶存オゾン濃度Ｃおよびオゾン水の処理温度Ｔを高くすればする程大きくなることがわかる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来例装置の場合には、次のような問題がある。
すなわち、溶存オゾン濃度Ｃとオゾン水の処理温度Ｔとは相反する関係にある。例えば、反応速度Ｒを上げるために、オゾン水の処理温度Ｔ、すなわち、オゾン水の液温度を上昇させて高くすると、逆にオゾンの溶解度が小さくなるため、溶存オゾン濃度Ｃが小さくなってしまい、溶存オゾン濃度Ｃとオゾン水の処理温度Ｔの両方とも高めるように両立させることができない。したがって、処理温度Ｔを上げることができないため、処理温度Ｔを常温（２５°Ｃ）程度としており、反応速度Ｒは遅く、レジストを完全に剥離するために処理時間が長くなり、スループットが低いという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液による基板表面処理の反応速度を向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【０００７】
（削除）
【０００８】
（削除）
【０００９】
請求項１に記載の基板処理装置は、気体を溶解させた処理液を基板に作用させて、基板を表面処理する処理部を備えた基板処理装置において、前記処理部が、基板を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温する基板昇温手段と、前記基板昇温手段により昇温された基板に処理液を作用させて、基板を表面処理する基板表面処理手段とを備え、前記基板表面処理手段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、前記処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって処理液を作用させるように、前記処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、前記基板昇温手段が、前記基板回転手段により回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所の温度を前記処理液の温度よりも高い所定温度に昇温することを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板昇温手段による基板昇温と、前記基板表面処理手段による基板への処理液の作用とを同時に行うことを特徴とするものである。
【００１１】
（削除）
【００１２】
また、請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板回転手段は、起立姿勢に保持された基板をその周方向に回転させ、前記処理槽は、その側部における、起立姿勢の基板の一部が浸漬された処理液の液面箇所に、当該槽内の処理液を排出するための処理液排出口を備えていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項４に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板表面処理手段から排出された処理液を前記基板表面処理手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させる循環手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項５に記載の基板処理装置は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記循環手段が、前記基板表面処理手段から排出された処理液の温度を所定の温度に温調する温調手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項６に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板表面処理手段が、処理液により表面処理された基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄処理する洗浄処理手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項７に記載の基板処理装置は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記基板表面処理手段が、洗浄液により表面が洗浄処理された基板に対して不活性ガスを供給して基板表面を乾燥処理する乾燥処理手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項８に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理液は、気体としてのオゾンを純水に溶解させたオゾン水であることを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
【００１９】
（削除）
【００２０】
（削除）
【００２１】
請求項１に記載の発明によれば、基板昇温手段は、基板を気体を溶解させた処理液の温度よりも高い所定温度に昇温する。基板表面処理手段は、基板昇温手段により昇温された基板に処理液を作用させてこの基板を表面処理する。したがって、基板を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温させた状態でこの基板に処理液を作用させているので、基板表面に対する処理温度は基板表面温度と近似でき、基板表面に対する処理温度を高めることで処理液による基板表面処理の反応速度が速められ、なおかつ、処理液の温度を積極的に上昇させる訳ではないので、処理液の温度上昇に起因する処理液中の溶存気体濃度の低下が防止され、処理液中の溶存気体濃度の低下に起因する処理液による基板表面処理の反応速度の低下が防止された状態で、処理液によって基板表面が処理されることになる。その結果、処理液による基板表面処理の反応速度が速められる。また、基板表面処理手段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって処理液を作用させるように、処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態でこの基板を回転させる基板回転手段とを備えている。基板昇温手段は、基板回転手段により回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所の温度を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温することでこの基板全面にわたってその所定温度に昇温する。したがって、基板の一部を処理液中に浸漬するタイプのものであっても、基板昇温とこの基板への処理液の作用とを同時に行う構成を実現でき、処理液による基板表面の処理時間を短縮できる。
【００２２】
また、請求項２に記載の発明によれば、基板昇温手段による基板昇温と、基板表面処理手段による基板への処理液の作用とを同時に行っている。したがって、基板昇温とこの基板への処理液の作用とが同時に行われることと、基板表面の温度を高温に維持した状態でこの基板の表面処理が施されることによって、処理液による基板表面の処理時間を、基板の昇温が完了した後にこの基板に処理液を作用させる場合に比べて短縮できる。
【００２３】
（削除）
【００２４】
また、請求項３に記載の発明によれば、基板回転手段は、起立姿勢に保持された基板をその周方向に回転させる。処理槽の側部で、起立姿勢の基板の一部が浸漬された処理液の液面箇所に備えられた処理液排出口により、その槽内の処理液が排出される。
【００２５】
また、請求項４に記載の発明によれば、循環手段は、基板表面処理手段から排出された処理液をこの基板表面処理手段に戻して基板の表面処理に再利用するように処理液を循環させる。したがって、基板表面処理手段における基板への処理液の供給量が増加し、基板に対する処理液の線速度が上がり、処理液による基板表面処理の処理時間がさらに短縮される。
【００２６】
また、請求項５に記載の発明によれば、温調手段は、基板表面処理手段から排出され基板表面処理手段に戻される処理液の温度を所定の温度に温調する。したがって、処理液の溶存気体濃度が最適である温度、すなわち、処理液の溶存気体濃度が最大となる温度に温調されて基板表面処理手段に戻され、基板表面処理の反応速度が最大となる最適な処理液の温度で基板を表面処理できる。
【００２７】
また、請求項６に記載の発明によれば、洗浄処理手段は、処理液により表面処理された基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄処理する。したがって、処理液による基板の表面処理と、洗浄液による基板表面の洗浄処理とを適宜選択して行える。
【００２８】
また、請求項７に記載の発明によれば、乾燥処理手段は、洗浄液により表面が洗浄処理された基板に対して不活性ガスを供給して基板表面を乾燥処理する。したがって、処理液による基板の表面処理と、洗浄液による基板表面の洗浄処理と、洗浄処理後の基板の乾燥処理とを適宜選択して行える。
【００２９】
また、請求項８に記載の発明によれば、処理液は、気体としてのオゾンを純水に溶解させたオゾン水としている。したがって、オゾン水で基板を表面処理する場合においても、基板をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温させた状態でこの基板にオゾン水を作用させているので、基板表面に対する処理温度は基板表面温度と近似でき、基板表面に対する処理温度を高めることでオゾン水による基板表面処理の反応速度が速められ、なおかつ、オゾン水の温度を積極的に上昇させる訳ではないので、オゾン水の温度上昇に起因するオゾン水中の溶存オゾン濃度の低下が防止され、オゾン水中の溶存オゾン濃度の低下に起因するオゾン水による基板表面処理の反応速度の低下が防止された状態で、オゾン水によって基板表面が処理されることになる。その結果、オゾン水による基板表面処理の反応速度が速められる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。以下に説明する本発明の実施例に係る基板処理装置は、気体（例えば、オゾン）を溶解させた処理液（例えば、純水にオゾンを溶解させたオゾン水）をウエハなどの基板に作用させて、この基板を表面処理するものである。
【００３１】
〈第１実施例〉
本発明の第１実施例に係る基板処理装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す外観斜視図であり、図３は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す縦断面図であり、図４は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。
【００３２】
この基板処理装置は、図１に示すように、大きく分けて、オゾンを純水に溶解させた処理液としてのオゾン水に基板Ｗを浸漬してこの基板Ｗを表面処理（例えば、基板Ｗの表面上の有機物（レジスト）を剥離させる処理）するための処理槽１と、この処理槽１にオゾン水などを供給するための供給系２と、この処理槽１からオゾン水などを排出する排出系３とを備えている。以下、各部の構成を詳細に説明する。
【００３３】
供給系２は、オゾン水のみを処理槽１に供給したり、純水のみを処理槽１に供給したり、オゾン水や純水などに所定の薬液を混合させた混合液を処理槽１に供給したりできるように構成されている。具体的には、供給系２は、オゾン水供給源からのオゾン水をインラインミキシングバルブ１１に導入するためのオゾン水導入管１２と、純水供給源からの純水をインラインミキシングバルブ１１に導入するための純水導入管１３と、インラインミキシングバルブ１１からのオゾン水などを処理槽１に導入するための共通導入管１４とを備えている。
【００３４】
なお、インラインミキシングバルブ１１は、オゾン水や純水などに所定の薬液を混合させて出力するためのものである。インラインミキシングバルブ１１には、各薬液の供給管１５ａ〜１５ｄが接続されており、薬液のインラインミキシングバルブ１１への供給，停止を切り換えるための開閉弁１６ａ〜１６ｄが、供給管１５ａ〜１５ｄに設けられている。オゾン水導入管１２には、オゾン水の処理槽１への供給，停止を切り換えるための開閉弁１２ａが備えられている。純水導入管１３には、純水の処理槽１への供給，停止を切り換えるための開閉弁１３ａと、与えられる空気圧（パイロット圧）に応じて二次側（インラインミキシングバルブ１１側）の純水の圧力を調整する圧力調整器１７とが備えられている。
【００３５】
なお、オゾン水導入管１２に、与えられる空気圧（パイロット圧）に応じて二次側（インラインミキシングバルブ１１側）のオゾン水の圧力を調整する圧力調整器を設けるようにしても良い。また、上述した供給系２のうちの純水導入管１３や開閉弁１３ａなどの純水供給ラインと、共用に係る共通導入管１４や処理槽１などとによって、オゾン水処理された基板Ｗに対して純水（洗浄液）を供給して基板Ｗの表面を水洗（洗浄）処理する洗浄処理部４が構成されており、この洗浄処理部４が本発明における洗浄処理手段に相当する。
【００３６】
処理槽１は、図１〜図３に示すように、槽内が空洞である円筒状に形成されたものであり、複数枚の基板Ｗを起立姿勢にして各基板Ｗ間の間隔を空けた状態で槽内に収納可能で、なおかつ、供給系２からのオゾン水などの処理液や純水などの洗浄液がその槽内に供給されるようになっており、オゾン水などにより基板Ｗの表面処理を施すためのものである。
【００３７】
処理槽１の底部には、図１〜図３に示すように、供給系２の共通導入管１４に連通された注入管２１が取り付けられている。注入管２１は、内部が空洞である円筒形状のものであり、その両端部は閉塞されており、円弧状の側面に多数の噴出孔２２が並設されており、これらの噴出孔２２が並設されている箇所とは別の側面に注入孔２３が形成されており、この注入孔２３から導入される処理液など（処理液としてのオゾン水、純水のみ、あるいはオゾン水や純水などに所定の薬液を混合させた混合液のいずれか）が各噴出孔２２から噴出される。各噴出孔２２が処理槽１内に臨むように注入管２１は処理槽１に取り付けられ、注入管２１の各噴出孔２２から処理槽１内に処理液などが供給される。
【００３８】
処理槽１の側部には、図１に示すように、処理槽１の底部から槽内に供給されたオゾン水を槽内に所定量だけ収容するように、処理槽１内に供給された余分なオゾン水を槽外に排出させるための処理液排出口２４が備えられている。この処理液排出口２４は、例えば、処理槽１の内部に起立姿勢で収納されて周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転可能状態である基板Ｗの中心付近（基板Ｗの中心あるいはそれよりやや上方位置）にオゾン水の液面が位置するように、処理槽１の側部に配置されている。この処理液排出口２４には、第１処理液排出管２５が接続されている。
【００３９】
排出系３は、処理槽１からの余分のオゾン水を排出するための第１処理液排出管２５の他に、処理槽１内に供給された処理液（オゾン水や純水や混合液のいずれか）を全て排出するための第２処理液排出管２６を備えている。この第２処理液排出管２６には、供給液の排出，停止を切り換えるための開閉弁２６ａが備えられている。
【００４０】
また、処理槽１には、複数枚の基板Ｗを起立姿勢にして各基板Ｗ間の間隔を空けて並べた状態で槽内に収納保持し（図２参照）、なおかつ、保持されたこれらの基板Ｗをこの基板Ｗの周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転させる基板回転保持機構３１が備えられている。
【００４１】
基板回転保持機構３１は、図３に示すように、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けて並べた状態で保持するための回転ドラム３２を備えている。この回転ドラム３２は、水平方向（円筒形状の処理槽１の中心軸方向）に向く回転軸３３により回転可能に支持されている。回転ドラム３２は、一対の回転板３４が複数本（例えば、３本）の保持桿３５により連結されている。また、複数本の保持桿３５のうちの１つの保持桿３５ａが基板Ｗの処理槽１内への搬入出のために回動可能となっている。
【００４２】
処理槽１の側方には、ベルト３６を介して回転軸３３を回転させるためのモータ３７と、保持桿３５ａを回動させる操作軸３８を駆動する保持駆動源３９とを備えた回転駆動部４０が設けられている。回転軸３３は、対向する処理槽１の側壁に設けられた軸受４１により回転自在に支持されている。軸受４１による回転軸３３の支持箇所は、ラビリンスパッキン４２により、液及びガスの漏れがないように処理槽１内部と外部とが完全に隔離されている。なお、回転ドラム３２は、モータ３７により、例えば３０ｒｐｍ程度で回転する。すなわち、複数枚の基板Ｗは、その周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に３０ｒｐｍ程度で回転することになる。なお、上述した基板回転保持機構３１が本発明における基板回転手段に相当する。
【００４３】
さらに、処理槽１の上部には、図１〜図３に示すように、基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する基板昇温部５が備えられている。この基板昇温部５には、例えば、処理槽１の上半分側の円弧状の側壁に、水平方向（円筒形状の処理槽１の中心軸方向）に向くように複数本（例えば１２本）のハロゲンランプ５１が並設されている。これらのハロゲンランプ５１は、上述の基板回転保持機構３１により起立姿勢で周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転される複数枚の基板Ｗの液面から出ている部分（処理液（オゾン水）接触箇所以外の箇所に相当する）に対して光を照射し、これらの基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する。このように、回転している基板Ｗの液面から出ている部分に対して光照射され、基板Ｗの光照射を受ける部分が回転に伴って変更されていくので、基板Ｗの全体がほぼ満遍なく昇温されることになる。
【００４４】
また、基板Ｗの中央部分と周縁端部部分とで温度差が生じる場合には、周縁端部部分は処理レートが速く中央部分は処理レートが遅くなるので、処理レートの遅い基板Ｗの中央部分に合わせてハロゲンランプ５１の照射時間を設定することで、基板Ｗの中央部分も十分に表面処理される程度の処理時間を確保できる。基板Ｗの表面温度は、例えば、オゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温される。例えば、基板Ｗの表面上のレジストを剥離除去しようとする場合は、基板Ｗの表面温度をオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度に昇温することが好適である。なお、図１〜図３には図示していないが、ハロゲンランプ５１の異常を検知するために、ハロゲンランプ５１の近傍の温度を計る温度センサを処理槽１内に設けておいても良い。
【００４５】
なお、上述した基板昇温部５が本発明における基板昇温手段に相当し、上述した処理槽１と基板昇温部５とを含めたものが処理部に相当する。
【００４６】
次に上記のように構成された基板処理装置の基板処理動作について、図４のタイムチャートを参照しながら説明する。
【００４７】
まず、処理槽１のカバー（図示省略）を開けた状態にして、オゾン水（処理液）による表面処理（レジスト剥離処理）をしようとする複数の基板Ｗを、処理槽１内にセットする。具体的には、図３に示した保持駆動源３９は、操作軸３８を駆動し、この操作軸３８の駆動により１つの保持桿３５ａが回動されて退避され、基板Ｗの処理槽１内への搬入が可能になる。例えば基板搬入ロボット（図示省略）などにより、起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けた状態にして、複数の基板Ｗを、処理槽１の内部の回転ドラム３２に収容する。回転ドラム３２に複数の基板Ｗが収容保持されると、処理槽１のカバー（図示省略）を閉じた状態にする。
【００４８】
次に、モータ３７を回転させることで回転軸３３が回転し、回転軸３３の回転に伴って回転ドラム３２が回転する。回転ドラム３２は、例えば３０ｒｐｍ程度で回転する。すなわち、複数枚の基板Ｗは、その周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に３０ｒｐｍ程度で回転することになる。また、回転ドラム３２の回転と同時に、ハロゲンランプ５１による光照射も開始され、処理槽１内へのオゾン水の供給も開始される。なお、処理槽１内に供給されるオゾン水の温度は、例えば、常温（２５°Ｃ程度）である。また、ハロゲンランプ５１による光照射により、基板Ｗの温度は、オゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温される。このようにして、オゾン水による基板Ｗのレジスト剥離処理が開始される。
【００４９】
すなわち、基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する第１工程と、この第１工程により昇温された基板Ｗにオゾン水を作用させてこの基板Ｗを表面処理する第２工程とが同時に行われることになる。なお、基板Ｗの回転とハロゲンランプ５１による光照射と処理槽１内へのオゾン水供給との開始タイミングは、同時であっても良いし、基板Ｗを回転させてから、ハロゲンランプ５１による光照射を開始して、処理槽１内へのオゾン水供給を開始するなど、適宜ずらして実行するようにしても良い。
【００５０】
ハロゲンランプ５１による光照射は、基板Ｗの中央部分も十分にレジストが剥離処理されるように、処理レートの遅い基板Ｗの中央部分に合わせて設定された照射時間の間だけ行われる。また、ハロゲンランプ５１による光照射が行われている間は、処理槽１内へのオゾン水供給と基板Ｗの回転の両方とも継続して行われる。オゾン水は、図１に示すようにオゾン水導入管１２，インラインミキシングバルブ１１，共通導入管１４，注入管２１を介して処理槽１内に供給されており、処理槽１内に供給された余分なオゾン水は、処理液排出口２４，第１処理液排出管２５を介して処理槽１外に排出されており、所定量のオゾン水を槽内に収容するようになっている。
【００５１】
ハロゲンランプ５１による光照射が上述の設定された照射時間の間だけ行われると、ハロゲンランプ５１による光照射を停止し、処理槽１内へのオゾン水供給も停止し、基板Ｗの洗浄（例えば、純水による水洗）が開始される。なお、基板Ｗの回転は継続して行われている。具体的には、オゾン水導入管１２の開閉弁１２ａを閉じてインラインミキシングバルブ１１へのオゾン水の供給を停止し、純水導入管１３の開閉弁１３ａを開いてインラインミキシングバルブ１１への純水の供給を開始し、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを開いて処理槽１内のオゾン水を槽外に廃液しながら処理槽１内に純水を供給するなどして、処理槽１内をオゾン水から純水に置換して、基板Ｗの表面を純水によって水洗処理する。
【００５２】
基板Ｗの洗浄（例えば、純水による水洗）が終了すると、基板Ｗの回転を停止し、純水導入管１３の開閉弁１３ａを閉じて処理槽１内への純水の供給を停止し、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを開いて処理槽１内の純水を廃液する。純水の廃液の際には、基板Ｗの回転を停止させているので、純水が四方に飛散することがなく、廃液が円滑に行われる。処理槽１内の純水の廃液が終了すると、処理槽１のカバー（図示省略）を開けた状態にして、処理済みの複数の基板Ｗを処理槽１内から搬出して、次工程に搬送する。具体的には、図３に示した保持駆動源３９は、操作軸３８を駆動し、この操作軸３８の駆動により１つの保持桿３５ａが回動されて退避され、基板Ｗの処理槽１からの搬出が可能になる。基板搬出ロボット（図示省略）により、処理済みの複数の基板Ｗを、起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けた状態で、処理槽１の内部の回転ドラム３２から搬出して、次工程に搬送する。
【００５３】
したがって、基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する基板昇温部５と、この基板昇温部５により昇温された基板Ｗにオゾン水を作用させてこの基板Ｗを表面処理する処理槽１とを備えているので、第１，第２工程を行うことができ、オゾン水中の溶存オゾン濃度を低下させないよう維持したままで基板Ｗの表面に対する処理温度を高めることができ、オゾン水による基板Ｗの表面処理の反応速度を大幅に速めて格段に向上させることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。
【００５４】
また、基板昇温部５による基板Ｗの昇温と、処理槽１による基板Ｗへのオゾン水の作用とを同時に行えるようにしているので、第１，第２工程を同時に行うことができ、基板Ｗの昇温が完了した後にこの基板Ｗにオゾン水を作用させる場合に比べて、オゾン水による基板Ｗの表面の処理時間をさらに大幅に短縮することができ、さらに高スループットを図ることができる。
【００５５】
また、処理槽１は、基板Ｗの一部分にオゾン水を接触させる状態で、基板Ｗを回転させて、基板Ｗのオゾン水接触箇所を回転とともに変更していき、基板Ｗの全面にわたってオゾン水を接触させて作用させるように構成され、基板昇温部５は、処理槽１内で回転される基板Ｗのうちのオゾン水接触箇所以外の箇所の温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温することで、基板Ｗの全面にわたってその所定温度に昇温するように構成されているので、基板Ｗの昇温とこの基板Ｗへのオゾン水の作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾン水による基板Ｗの表面の処理時間を大幅に短縮できる。
【００５６】
具体的には、オゾン水が供給されて所定量のオゾン水を収容する処理槽１と、この処理槽１内のオゾン水中に基板Ｗの一部を浸漬させた状態で、基板Ｗを回転させて基板Ｗのオゾン水浸漬箇所を回転とともに変更していき、基板Ｗの全面にわたってオゾン水を作用させるように構成された基板回転保持機構３１とを備え、基板昇温部５は、基板回転保持機構３１により回転される基板Ｗのうちのオゾン水浸漬箇所以外の箇所の温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温することでこの基板Ｗの全面にわたってその所定温度に昇温するように構成されているので、基板Ｗの一部をオゾン水中に浸漬するタイプのものであっても、基板Ｗの昇温と基板Ｗへのオゾン水の作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾン水による基板Ｗの表面の処理時間を大幅に短縮できる。
【００５７】
また、処理槽１は、オゾン水により表面処理された基板Ｗに対して純水（洗浄液）を供給して基板Ｗの表面を水洗（洗浄）処理する洗浄処理部４を備えているので、オゾン水による基板Ｗの表面処理と、オゾン水による基板Ｗの表面の水洗処理とを適宜選択して行うことができる。
【００５８】
〈第２実施例〉
次に、本発明の第２実施例に係る基板処理装置について、図５を参照して説明する。図５は、本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。本発明の第２実施例に係る基板処理装置は、図５に示す基板昇温部５以外については、上述した第１実施例と同じ構成であり、上述した第１実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第２実施例では、基板昇温部５以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００５９】
この基板処理装置の基板昇温部５は、図５に示すように、上述した第１実施例のハロゲンランプ５１に替えて、高温に加熱した気体（加熱蒸気やガスなど）を処理槽１に供給して排気する高温気体供給部５２を備えている点のみが上述した第１実施例とは異なっている。高温気体供給部５２においては、基板Ｗの温度がオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温されるような温度になるように、気体供給源からの気体（蒸気やガスなど）をヒータ部５３で加熱して処理槽１に供給するようにしている。上述したガスとしては、例えば、窒素（Ｎ2 ）などの不活性ガスが挙げられる。
【００６０】
したがって、基板昇温部５に高温気体供給部５２を備えた場合であっても、上述した第１実施例と同様の効果を有する。
【００６１】
〈第３実施例〉
次に、本発明の第３実施例に係る基板処理装置について、図６を参照して説明する。図６は、本発明の第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。本発明の第３実施例に係る基板処理装置は、図６に示す基板昇温部５以外については、上述した第１実施例と同じ構成であり、上述した第１実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第３実施例では、基板昇温部５以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００６２】
この基板処理装置の基板昇温部５は、図６に示すように、上述した第１実施例のハロゲンランプ５１に替えて、高温に加熱した温純水を処理槽１に供給する温純水供給部６１を備えている点のみが上述した第１実施例とは異なっている。温純水供給部６１においては、基板Ｗの温度がオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温されるような温度になるように、純水供給源からの純水をヒータ部６２で加熱して処理槽１に供給するようにしている。なお、この温純水供給部６１には、処理槽１への温純水の供給，停止を切り換えるための開閉弁６１ａが備えられている。また、処理槽１の上半分側の円弧状の側壁には、水平方向（円筒形状の処理槽１の中心軸方向）に向くように複数本（例えば３本）の温純水注入管６３が並設されている。この温純水注入管６３の処理槽１側には、供給された温純水を槽内に注入するための温純水注入孔６４が形成されている。この温純水注入孔６４は、複数の基板Ｗに満遍なく温純水を供給できるようにしたものであれば良く、長手方向に細長い単一のスリット形状の孔や、長手方向に複数個の孔を配設したものなどが挙げられる。
【００６３】
温純水により基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温して、昇温された基板Ｗをオゾン水により表面処理（基板Ｗの表面上のレジストを剥離処理）する動作手順としては、例えば、次に説明する２つの動作手順（第１，第２の動作手順）が挙げられる。
【００６４】
まず、第１の動作手順について説明する。なおここでは、オゾン水による表面処理を受けるべき複数の基板Ｗは処理槽１内に収納された状態にあるものとして各動作手順について説明する。
【００６５】
温純水供給部６１においては、基板Ｗの温度がオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温されるような温度になるように、純水供給源からの純水をヒータ部６２で加熱し、この温純水を開閉弁６１ａを開いて複数本（例えば３本）の温純水注入管６３に供給し温純水注入孔６４を介して処理槽１内に供給する。図６に示すように、３本の温純水注入管６３により、３系統の温純水が処理槽１内に供給される。温純水供給部６１による処理槽１内への温純水の供給が開始されると、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを開いて、処理槽１内に供給された温純水を処理槽１外に排出し、処理槽１内を空状態にするようにして、設定された所定時間の間だけ処理槽１内への温純水の供給が行われ、基板Ｗの温度をオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度に昇温している。このようにして、基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する第１工程が行われる。
【００６６】
上述の設定された所定時間の間だけ処理槽１内への温純水の供給が行われると、温純水供給部６１の開閉弁６１ａを閉じて処理槽１内への温純水の供給を停止し、オゾン水導入管１２の開閉弁１２ａを開いて処理槽１内へのオゾン水の供給を開始し、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを閉じて処理槽１内に所定量のオゾン水が収容される。このようにして、昇温された基板Ｗにオゾン水を作用させてこの基板Ｗを表面処理（オゾン水による基板Ｗのレジスト剥離処理）する第２工程が行われる。この第３実施例では、第１工程と第２工程とが同時に行われるのではなく、第１工程の後に第２工程が行われることになる。
【００６７】
次に、第２の動作手順について説明する。なおここでは、オゾン水による表面処理を受けるべき複数の基板Ｗは処理槽１内に収納された状態にあるものとして各動作手順について説明する。
【００６８】
温純水供給部６１においては、基板Ｗの温度がオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度にまで昇温されるような温度になるように、純水供給源からの純水をヒータ部６２で加熱し、この温純水を開閉弁６１ａを開いて複数本（例えば３本）の温純水注入管６３に供給し温純水注入孔６４を介して処理槽１内に供給する。図６に示すように、３本の温純水注入管６３により、３系統の温純水が処理槽１内に供給される。温純水供給部６１による処理槽１内への温純水の供給が開始されると、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを閉じて、処理槽１内に供給された温純水を処理槽１内に所定量だけ収容した状態にするようにして、基板Ｗをこの温純水に浸漬させ、設定された所定時間の間だけ処理槽１内への温純水の供給が行われ、基板Ｗの温度をオゾン水の温度（例えば、常温：２５°Ｃ）よりも高く、なおかつ、２００°Ｃ以下の範囲内の所定温度に昇温している。なお、余分な温純水は、処理液排出口２４から処理槽１外へ排出される。このようにして、基板Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高い所定温度に昇温する第１工程が行われる。
【００６９】
上述の設定された所定時間の間だけ処理槽１内への温純水の供給が行われると、温純水供給部６１の開閉弁６１ａを閉じて処理槽１内への温純水の供給を停止し、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを開いて処理槽１内の温純水を排出した後にこの第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを閉じる。そして、オゾン水導入管１２の開閉弁１２ａを開いて、処理槽１内へのオゾン水の供給を開始し、処理槽１内に所定量のオゾン水を収容させる。このようにして、昇温された基板Ｗにオゾン水を作用させてこの基板Ｗを表面処理（オゾン水による基板Ｗのレジスト剥離処理）する第２工程が行われる。この第３実施例では、第１工程と第２工程とが同時に行われるのではなく、第１工程の後に第２工程が行われることになる。
【００７０】
なお、いずれの第１，第２の動作手順においても、必要であれば、温純水供給による基板Ｗの昇温動作に戻り、その昇温後にオゾン水による処理を再度実行するように、繰り返しても良い。
【００７１】
したがって、温純水供給による基板Ｗの昇温（第１工程）を実行した後に、昇温された基板Ｗのオゾン水による表面処理（第２工程）を実行しているので、オゾン水が温純水により希釈されることがなく、基板昇温部５に温純水供給部６１を採用した場合であっても、オゾン水中の溶存オゾン濃度を低下させないよう維持したままで基板Ｗの表面に対する処理温度を高めることができ、オゾン水による基板Ｗの表面処理の反応速度を大幅に速めて格段に向上させることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。なお、この第３実施例では、第１工程の後に第２工程を行うことになるので、上述した第１，第２実施例と比べて処理時間は長くなってしまうが、従来と比べて処理時間を短縮できる。
【００７２】
〈第４実施例〉
次に、本発明の第４実施例に係る基板処理装置について、図７を参照して説明する。図７は、本発明の第４実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。本発明の第４実施例に係る基板処理装置は、図７に示す循環系７１以外については、上述した第１実施例と同じ構成であり、上述した第１実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第４実施例では、循環系７１以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００７３】
この基板処理装置の循環系７１は、図７に示すように、処理槽１から排出されたオゾン水を再び処理槽１内に戻して基板Ｗの表面処理（レジスト剥離処理）に再利用するための流路であり、一端が第１処理液排出管２５に接続されて他端が処理槽１に接続された処理液再供給管７２を備えている。この処理液再供給管７２には、処理槽１から排出されたオゾン水を再び処理槽１内に戻すためのポンプ７３と、処理槽１からのオゾン水を所定の温度に温調する温調部７４と、処理槽１から排出されたオゾン水中の不純物を濾過するためのフィルタ７５と、温調されて不純物除去されたオゾン水の処理槽１への供給，停止を切り換えるための開閉弁７６と、共通導入管１４に連通された注入管２１とは別に処理槽１の底部に設けられた注入管２１とを備えている。また、この処理液再供給管７２のフィルタ７５と開閉弁７６との間は、共通導入管１４に接続されるように分岐しており、その分岐経路途中には、温調されて不純物除去されたオゾン水の共通導入管１４への供給，停止を切り換えるための開閉弁７７が備えられている。なお、上述した循環系７１が本発明における循環手段に相当し、上述した温調部７４が本発明における温調手段に相当する。
【００７４】
したがって、処理槽１から排出されたオゾン水を処理槽１に戻して基板Ｗの表面処理に再利用するように、オゾン水を循環させる循環系７１を備えているので、処理槽１における基板Ｗへのオゾン水の供給量を増加させることができ、基板Ｗに対するオゾン水の線速度を上げることができる。すなわち、基板Ｗの近傍でのオゾン水の攪拌効果を向上させることができ、オゾン水による基板Ｗの表面処理の反応速度をさらに向上させることができる。その結果、処理時間を一層短縮することができる。
【００７５】
なお、図７に示すように、循環されたオゾン水を、新たなオゾン水（供給系２からのオゾン水）に混合して処理槽１内に供給するか、単独で処理槽１内に供給するかは、上述の開閉弁７６，７７を操作することで選択でき、いずれの場合でも、処理槽１内へのオゾン水の流量を増加させることができ、上述したようにオゾン水による基板Ｗの表面処理の反応速度をさらに向上させることができる。
【００７６】
また、処理液再供給管７２に処理槽１から排出され再度処理槽１に戻されるオゾン水の温度を所定の温度に温調する温調部７４を備えているので、オゾン水の溶存オゾン濃度が最適である温度、すなわち、処理液の溶存オゾン濃度が最大となる温度に温調して処理槽１に戻すことができ、基板Ｗの表面処理の反応速度が最大となる最適なオゾン水の温度で基板Ｗに表面処理を施すことができる。
【００７７】
〈第５実施例〉
次に、本発明の第５実施例に係る基板処理装置について、図８，図９を参照して説明する。図８は、本発明の第５実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図９は、本発明の第５実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。本発明の第５実施例に係る基板処理装置は、図８に示す乾燥処理系８１以外については、上述した第４実施例と同じ構成であり、上述した第４実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第５実施例では、乾燥処理系８１以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００７８】
この基板処理装置の乾燥処理系８１は、図８に示すように、純水（洗浄液）により表面が水洗（洗浄）処理された基板Ｗに対して窒素（Ｎ2 ）ガスなどの不活性ガスを供給して基板Ｗの表面を乾燥処理するために、不活性ガスを処理槽１に供給するとともに、不活性ガスを処理槽１から排気するための経路である。この乾燥処理系８１は、不活性ガス供給源からの不活性ガスの処理槽１内に供給するための不活性ガス供給管８２と、この不活性ガス供給管８２の途中に設けられ、不活性ガスの処理槽１内への供給，停止を切り換えるための開閉弁８２ａと、第１処理液排出管２５と第２処理液排出管２６とに接続された排気管８３と、この排気管８３の途中に設けられ、処理槽１から排出された不活性ガスの排出，停止を切り換えるための開閉弁８３ａとを備えている。なお、上述した乾燥処理系８１が本発明における乾燥処理手段に相当する。
【００７９】
ここで、この基板処理装置の乾燥処理系８１により、純水により表面が水洗処理された基板Ｗに対して不活性ガスを供給して基板Ｗの表面を乾燥処理する動作について説明する。なお、基板Ｗがオゾン水によりレジスト剥離処理を受けた後に、この基板Ｗに対して純水による水洗処理を施すまでの動作は、上述した第１実施例と同様であるので、ここでは基板Ｗの水洗処理が完了した時点から動作説明する。
【００８０】
基板Ｗの純水による水洗処理が終了すると、基板Ｗの回転を停止し、純水導入管１３の開閉弁１３ａを閉じて処理槽１内への純水の供給を停止し、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａを開いて処理槽１内の純水を廃液する。処理槽１内の純水の廃液が終了すると、不活性ガス供給管８２の途中の開閉弁８２ａを開いて不活性ガス供給源からの不活性ガスの処理槽１内への供給を開始し、基板Ｗを回転させ、第２処理液排出管２６の開閉弁２６ａと排気管８３の開閉弁８３ａとを開いて処理槽１内からの不活性ガスを排気する。このように、不活性ガスの供給と基板Ｗの回転による遠心力となどによって、基板Ｗを乾燥処理する。なお、排気管８３の開閉弁８３ａの後段側に真空ポンプを設けて処理槽１内を減圧させて乾燥処理を行うようにしても良い。
【００８１】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、処理槽１のカバー（図示省略）を開けた状態にして、処理済みの複数の基板Ｗを処理槽１内から搬出して、次工程に搬送する。具体的には、図３に示した保持駆動源３９は、操作軸３８を駆動し、この操作軸３８の駆動により１つの保持桿３５ａが回動されて退避され、基板Ｗの搬送が可能になる。基板搬出ロボット（図示省略）により、処理済みの複数の基板Ｗを、起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けた状態で、処理槽１の内部の回転ドラム３２から搬出して、次工程に搬送する。
【００８２】
したがって、処理槽１に不活性ガスを供給するとともに、処理槽１から不活性ガスを排出するための乾燥処理系８１を設けているので、処理槽１でオゾン水によるレジスト剥離処理と純水による水洗処理とを施した基板Ｗに対して、同一処理槽１内で乾燥処理を施すことができる。また、オゾン水による基板Ｗのレジスト剥離処理と、純水による基板Ｗの水洗処理と、水洗処理後の基板Ｗの乾燥処理とを適宜に選択して行うことができる。
【００８３】
なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。
＜変形例＞
（１）上述した実施例では、オゾン水供給源から処理槽１へオゾン水の供給を行っているが、純水にオゾンを溶解させる溶解モジュールやエジェクタなどを設けたり、インラインミキシングバルブ１１などで純水にオゾンを溶解させたりして、供給されたオゾンと純水とでオゾン水を生成するようにしても良い。
【００８４】
（２）上述した実施例では、１つまたは２つの注入管２１により処理槽１内に処理液を供給するようにしているが、さらに複数個の注入管２１を処理槽１の底部に配設し、これらの注入管２１により処理槽１内に処理液を供給するようにしても良い。
【００８５】
（３）上述した第１，第４，第５実施例では、ハロゲンランプ５１を用いているが、このハロゲンランプ５１に替えて赤外線ヒータ（例えば、遠赤外線ヒータ）などを用いても良い。
【００８６】
（４）上述した実施例では、処理槽１内を常圧状態としているが、処理槽１内を所定の加圧状態にする加圧手段を設け、処理槽１内を所定の加圧状態にして基板Ｗの表面処理を施すようにしても良い。この場合は、処理液（例えば、オゾン水）の沸点を上げることができ、溶存気体濃度（オゾン水の場合は、溶存オゾン濃度）を上げることができるため、反応速度を上げることができる。また、上述した第３実施例の温純水の沸点を上げることができ、基板Ｗの温度、すなわち、処理温度を上げることができるため、反応速度を上げることができる。
【００８７】
（５）上述した実施例では、処理槽１を、処理液（例えば、オゾン水）に基板を浸漬する方式のものとしているが、図１０に示すように、真空チャック部９１で基板Ｗを保持し、真空チャック部９１内に設けられたヒータ部９２により基板Ｗの裏面を加熱して昇温し、基板Ｗの表面にノズル９３により処理液（例えば、オゾン水）を供給するようなシャワー方式のものであっても良い。
【００８８】
（６）上述した実施例では、基板Ｗをオゾン水のみにより表面処理しているが、有機物（レジスト）に対して反応速度の大きいＯＨラジカルなどの活性種を発生させるために、インライミキシングバルブ１１で所望の薬液（例えば、過酸化水素水など）をオゾン水に混合させて添加させたり、メガソニック（超音波）照射、ＵＶ（紫外線）照射、放射線照射などをオゾン水に付加させても良い。
【００８９】
（７）上述した実施例において、オゾン水の半減期を長くするために、ｐＨの小さい酸（塩酸、フッ酸等）などの薬液や、ＯＨラジカルのスカベンジャー（消費物質）としての炭酸イオン（ＣＯ32-），重炭酸イオン（ＨＣＯ32-）になる炭酸やカルボン酸などの薬液を、インライミキシングバルブ１１でオゾン水に添加するようにしても良い。
【００９０】
（８）上述した実施例では、処理液の一例としてオゾンを溶解させたオゾン水を挙げているが、オゾン以外の気体を溶解させた溶液を処理液とする場合であっても、適用可能である。
【００９１】
（９）上述した実施例では、処理槽１を複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ処理のものとしているが、処理槽１を基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉処理のものとする場合にも適用できる。
【００９２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温する基板昇温手段と、この基板昇温手段により昇温された基板に処理液を作用させてこの基板を表面処理する基板表面処理手段とを備えているので、処理液中の溶存気体濃度を低下させないよう維持したままで基板表面に対する処理温度を高めることができ、処理液による基板表面処理の反応速度を速めることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。また、基板表面処理手段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、この処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態でこの基板を回転させて基板の処理液浸漬箇所を回転とともに変更していき、基板全面にわたって処理液を作用させるように構成された基板回転手段とを備え、基板昇温手段は、基板回転手段により回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所の温度を処理液の温度よりも高い所定温度に昇温するように構成されているので、基板の一部を処理液中に浸漬するタイプのものであっても、基板昇温とこの基板への処理液の作用とを同時に行う構成を実現でき、処理液による基板表面の処理時間を短縮できる。
【００９３】
（削除）
【００９４】
（削除）
【００９５】
（削除）
【００９６】
また、請求項２に記載の発明によれば、基板昇温手段による基板昇温と、基板表面処理手段による基板への処理液の作用とを同時に行うので、基板の昇温が完了した後にこの基板に処理液を作用させる場合に比べて、処理液による基板表面の処理時間をさらに短縮することができ、さらに高スループットを図ることができる。
【００９７】
（削除）
【００９８】
また、請求項３に記載の発明によれば、処理槽の側部で、起立姿勢の基板の一部が浸漬された処理液の液面箇所に備えられた処理液排出口により、その槽内の処理液が排出される。
【００９９】
また、請求項４に記載の発明によれば、基板表面処理手段から排出された処理液をこの基板表面処理手段に戻して基板の表面処理に再利用するように処理液を循環させる循環手段を備えているので、基板表面処理手段における基板への処理液の供給量を増加させることができ、基板に対する処理液の線速度を上げることができ、処理液による基板表面処理の処理時間をさらに短縮することができる。
【０１００】
また、請求項５に記載の発明によれば、循環手段は、基板表面処理手段から排出された基板表面処理手段に戻す処理液の温度を所定の温度に温調する温調手段を備えているので、処理液の気体溶存濃度が最適である温度、すなわち、処理液の気体溶存濃度が最大となる温度に温調して基板表面処理手段に戻すことができ、基板表面処理の反応速度が最大となる最適な処理液の温度で基板に表面処理を施すことができる。
【０１０１】
また、請求項６に記載の発明によれば、基板表面処理手段は、処理液により表面処理された基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄処理する洗浄処理手段を備えているので、処理液による基板の表面処理と、洗浄液による基板表面の洗浄処理とを適宜選択して行うことができる。
【０１０２】
また、請求項７に記載の発明によれば、基板表面処理手段は、洗浄液により表面が洗浄処理された基板に対して不活性ガスを供給して基板表面を乾燥処理する乾燥処理手段を備えているので、処理液による基板の表面処理と、洗浄液による基板表面の洗浄処理と、洗浄処理後の基板の乾燥処理とを適宜選択して行うことができる。
【０１０３】
また、請求項８に記載の発明によれば、処理液は、気体としてのオゾンを純水に溶解させたオゾン水としているので、オゾン水中の溶存オゾン濃度を低下させないよう維持したままで基板表面に対する処理温度を高めることができ、オゾン水による基板表面処理の反応速度を速めることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】  本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す外観斜視図である。
【図３】  本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す縦断面図である。
【図４】  本発明の第１実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。
【図５】  本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】  本発明の第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図７】  本発明の第４実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】  本発明の第５実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】  本発明の第５実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。
【図１０】  本発明の第１〜５実施例とは別の基板処理装置の要部の構成を示す概略側面図である。
【符号の説明】
１  …  処理槽
４  …  洗浄処理部
５  …  基板昇温部
３１  …  基板回転保持機構
７１  …  循環系
７４  …  温調部
８１  …  乾燥処理系
Ｗ  …  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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