(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、
設計パターンから補正対象エッジを抽出するステップと、
前記補正対象エッジから隣接するパターンの最近接エッジまでの距離を算出する距離算出ステップと、
この距離算出ステップにおいて、算出された距離が決められた有る距離より小さい場合には、前記補正対象エッジから決められたある範囲内にあるパターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出するステップと、
前記シミュレーションで算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、
前記距離算出ステップにおいて、前記算出された距離が決められた距離より大きい場合には、予めルール化されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップとを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。
【請求項２】
前記シミュレーションは、光強度シミュレーション技術を用いることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン補正方法。
【請求項３】
前記ルール化されたエッジ移動量は、前記補正対象エッジを含むパターン寸法、該補正対象エッジと該補正対象エッジに隣接するパターンとの距離、該補正対象エッジに隣接するパターンの寸法の少なくとも一つをパラメータとして表されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン補正方法。
【請求項４】
投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法を含むマスク作成システムにおいて、
設計パターンから補正対象エッジを抽出する手段と、
前記補正対象エッジから隣接するパターンの最近接エッジまでの距離を算出する距離算出手段と、
この距離算出手段により算出された距離が、決められた距離より小さい場合には、前記補正対象エッジから決められたある範囲内にあるパターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出する手段と、
前記シミュレーションにより算出されたにエッジ移動量に基づいて該補正対象エッジを移動させる手段と、
前記距離算出手段により算出された距離が、決められた距離より大きい場合には、予めルール化されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させる手段と具備してなることを特徴とするマスクパターン作成システム。
【請求項５】
前記シミュレーションは、光強度シミュレーション技術を用いることを特徴とする請求項４に記載のマスクパターン作成システム。
【請求項６】
前記ルール化されたエッジ移動量は、前記補正対象エッジを含むパターン寸法、該補正対象エッジと該補正対象エッジに隣接するパターンとの距離、該補正対象エッジに隣接するパターンの寸法の少なくとも一つをパラメータとして表されていることを特徴とする請求項４に記載のマスクパターン作成システム。
【請求項７】
投影光学系によりウェハ上に所望のパターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、
設計パターンから補正対象エッジを抽出するステップと、
抽出された補正対象エッジの長さを算出するステップと、
算出された補正対象エッジの長さが所定の長さより大きい場合には、補正対象エッジの長さ方向に垂直な一次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップと、
前記算出された補正対象エッジの長さが所定の長さより小さい場合には、補正対象エッジを中心とする二次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップとを具備し、
前記一次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップは、
前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直な方向に隣接する隣接パターンの最近接エッジまでの距離Ｓを算出する距離算出ステップと、この距離算出ステップにおいて、算出された距離Ｓが決められたある距離Ｓ’より小さい場合には、前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直なある範囲内での一次元パターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出し、算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、
前記算出された距離Ｓが決められたある距離Ｓ’より大きい場合には、前記距離Ｓ、前記補正対象エッジを含むパターン線幅Ｗ、前記補正対象エッジと隣接するエッジを含むパターン線幅Ｗ’の少なくとも一つをパラメータとして予めルール化されたエッジ移動量に基づいて、前記補正対象エッジを移動させるステップとを含み、
前記二次元パターンレイアウトに黄いてエッジ移動量を算出するステップは、
前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直な方向に存在する最近接エッジまでの距離ｓｐを算出し、該長さ方向に対して平行な方向に存在する最近接エッジまでの距離ｓｈを算出する距離算出ステップと、この距離算出ステップにおいて、算出された距離ｓｐ，ｓｈの少なくとも一方がそれぞれ決められた距離ｓｐ’，ｓｈ’より小さい場合には、前記補正対象エッジを中心とするある決められた範囲内での二次元パターンレイアウトに応じてシミュレーションでエッジ移動量を算出し、算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、前記算出された距離ｓｐ，ｓｈが共にそれぞれ決められた距離ｓｐ’，ｓｈ’より大きい場合には、前記距離ｓｐ，ｓｈ、補正対象エッジを含むパターン線幅Ｗ、補正対象エッジと隣接するパターン線幅ｗｐ，ｗｈの少なくとも一つをパラメータとして予めルール化されたエッジ移動量に基づいて、前記補正対象エッジを移動させるステップとを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。
【請求項８】
コンピュータに、投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法を実現させるためのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
コンピュータに、
設計パターンから補正対象エッジを抽出する機能と、
前記補正対象エッジから隣接するパターンの最近接エッジまでの距離を算出する距離算出機能と、
この距離算出機能により算出された距離が、決められた距離より小さい場合には、前記補正対象エッジから決められたある範囲内にあるパターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出する移動量算出機能と、
この移動量算出機能により算出されたエッジ移動量に基づいて該補正対象エッジを移動させる機能と、
前記距離算出機能により算出された距離が、決められた距離より大きい場合には、予めルール化されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させる機能とを実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェハ上に所望パターンを形成するためのマスクパターン補正方法および該補正方法を有するマスタパターン作成システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体製造技術の進歩は非常にめざましく、最小加工寸法０．２０μｍサイズの半導体が生産されるようになった。このような微細化は光リソグラフィ技術と呼ばれる微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。光リソグラフィとは、ＬＳＩの設計パターンからマスクを作成し、このマスクに光を照射し、投影光学系によってマスク上に描かれたパターンに従ってウェハ上に塗布されているレジストを感光させ、この感光分布にしたがってレジストを現像し、ウェハ上にレジストパターンを形成する一連の工程のことである。この工程によって形成されたレジストパターンを覆いにして下地をエッチングすることによって、ＬＳＩパターンをウェハ上に形成する。
【０００３】
パターンサイズが投影光学系の限界解像力に比べて十分大きい時代には、ウェハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状がそめまま設計パターンとして描かれ、その設計パターンに忠実なマスタパターンを作成し、そのマスタパターンを投影光学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンがウェハ上に形成できた。しかしパターンの微細化が進むにつれて光近接効果が顕著になり、設計パターン通りに作成したマスクでは、ウェハ上に形成されるパターンが設計パターンと異なってしまい、それに伴う弊害が顕著になり始めた。
【０００４】
例えば、ラインァンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンでは、同じマスク面内にある疎パターンと密パターンが共に所望寸法に仕上がる露光量がそれぞれのパターンで異なるため、リングラフィ工程で必要とされる露光量マージンを得ることができなくなる。そこで、ある決められた露光量で露光したときの仕上がり平面形状が、パターンの疎密に依らず、ある所定の寸法以内に仕上がるようにパターンエッジ位置を予め移動させておく方法洪提案されている。これを光近接効果補正と呼んでおり、これを実現する方法としては大きく２つの方式が提案されている。
【０００５】
１つは、予めエッジ移動量をルール化しておき、そのルールに従って設計データのエッジ位置を移動させる方法である（ルールベース方式）。この方法では、補正されるエッジと最近接するエッジとの距離に応じてエッジ移動量をルール化しているため、簡単なルールで記述することができ、補正に要する時間も比較的短くて済む。
【０００６】
しかし、高精度な光近接効果補正を実現させるためには、最近接するエッジまでの距離だけでなく、補正されるパターンの線幅や最近接パターンの線幅などにも応じて、エッジ移動量を変えることが必要になる。このうち、補正されるパターン線幅に応じてエッジ移動量を変化させる方法は、Proc. SPIE 2197(1994)361などで報告されており、補正精度向上に有効であることが示されている。
【０００７】
しかし、さらに最近接のパターン線幅に応じてエッジ移動量を変化させるためには、より複雑な補正ルールが必要になり、それに伴ってルール作成に必要なテストパターン形状や測定技術も非常に煩雑になる。
【０００８】
そこで、もう一つの方式であるシミュレーションベース方式の補正方法が有効になる。この方法では様々なパターンレイアウトを有する設計データから、最適なエッジ移動量を求めるために必要な範囲を描出し、その範囲内で最適なエッジ移動量を光強度シミュレーション技術によって算出することができる。したがって、上記に示すような複雑なルールを作成する必要がなく、実験結果をより高精度に予測するためのモデルに使用されるパラメータ値を決めるだけで、高精度な補正を行うことができる。
【０００９】
このように、シミュレーションベース方式は補正精度向上に対しては非常に有効であるが、各パターンレイアウトに応じて補正量を算出するための計算を行うため、補正時間が膨大になることがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記で示したように、従来のルールベース方式光近接効果補正では補正時間は短くて済むが、高精度な補正精度を得ることが困難であった。一方でシミュレーションベース方式光近接効果補正では高精度な補正は可能であるが、補正時間が莫大になることが懸念される。
【００１１】
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもめであり、短い補正時間で高精度な補正を実現するためのマスタパターン補正方法および該補正方法を有するマスタパターン作成システムを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
［構成］
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【００１３】
（１）本発明（請求項１）は、投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、設計パターンから補正対象エッジを抽出するステップと、前記補正対象エッジから隣接するパターンの最近接エッジまでの距離を算出する距離算出ステップと、この距離算出ステップにおいて、算出された距離が決められた有る距離より小さい場合には、前記補正対象エッジから決められたある範囲内にあるパターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出するステップと、前記シミュレーションで算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、前記距離算出ステップにおいて、前記算出された距離が決められた距離より大きい場合には、予めルール化されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
（２）本発明（請求項７）は、投影光学系によりウェハ上に所望のパターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、設計パターンから補正対象エッジを抽出するステップと、抽出された補正対象エッジの長さを算出するステップと、算出された補正対象エッジの長さが所定の長さより大きい場合には、補正対象エッジの長さ方向に垂直な一次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップと、前記算出された補正対象エッジの長さが所定の長さより小さい場合には、補正対象エッジを中心とする二次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップとを具備し、前記一次元パターンレイアウトに応じてエッジ移動量を算出するステップは、前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直な方向に隣接する隣接パターンの最近接エッジまでの距離Ｓを算出する距離算出ステップと、この距離算出ステップにおいて、算出された距離Ｓが決められたある距離Ｓ’より小さい場合には、前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直なある範囲内での一次元パターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出し、算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、前記算出された距離Ｓが決められたある距離Ｓ’より大きい場合には、前記距離Ｓ、前記補正対象エッジを含むパターン線幅Ｗ、前記補正対象エッジと隣接するエッジを含むパターン線幅Ｗ’の少なくとも一つをパラメータとして予めルール化されたエッジ移動量に基づいて、前記補正対象エッジを移動させるステップとを含み、前記二次元パターンレイアウトに黄いてエッジ移動量を算出するステップは、前記補正対象エッジの長さ方向に対して垂直な方向に存在する最近接エッジまでの距離ｓｐを算出し、該長さ方向に対して平行な方向に存在する最近接エッジまでの距離ｓｈを算出する距離算出ステップと、この距離算出ステップにおいて、算出された距離ｓｐ，ｓｈの少なくとも一方がそれぞれ決められた距離ｓｐ’，ｓｈ’より小さい場合には、前記補正対象エッジを中心とするある決められた範囲内での二次元パターンレイアウトに応じてシミュレーションでエッジ移動量を算出し、算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、前記算出された距離ｓｐ，ｓｈが共にそれぞれ決められた距離ｓｐ’，ｓｈ’より大きい場合には、前記距離ｓｐ，ｓｈ、補正対象エッジを含むパターン線幅Ｗ、補正対象エッジと隣接するパターン線幅ｗｐ，ｗｈの少なくとも一つをパラメータとして予めルール化されたエッジ移動量に基づいて、前記補正対象エッジを移動させるステップとを含むことを特徴とする。
【００１５】
又、システムに係わる本発明は方法に係わる発明としても成立し、方法に係わるシステムは装置に係わる発明としても成立する。
また、システム又は方法に係わる本発明は、コンピュータに当該発明に相当する機能を実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体としても成立する。
【００１６】
［作用］
本発明は、上記構成によって以下の作用・効果を有する。
【００１７】
本発明を用いて、補正対象エッジの隣接パターン距離に応じて、シミュレーションベース方式とルールベース方式とに補正方式を振り分ければ、補正精度を落とさずに高速な補正が可能となる。また、予め作成すべき補正ルールも比較的容易であるため、煩雑なテストパターンや測定技術を必要としない。
【００１８】
特に隣接スペース幅Ｓが比較的広く設計されているロジック製品では、この発明が非常に有効であり、高速で高精度な補正が可能となる。また、二次元の光近接効果補正も必須となってきているが、これをシミュレーションベース方式だけで実現することは現状のコンピュータ性能では難しく、本発明を用いてより高速且つ高精度な補正量を求めることが非常に重要である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１に示す一次元パターンを用いて、補正対象パターン１の仕上がり寸法に影響を与える主な要因である、補正対象パターン１自身の線幅Ｗと隣接する隣接パターン２のエッジまでのスペース幅Ｓと隣接パターンの線幅Ｗ’を変化させたときのパターンの仕上がり寸法を計算した。露光条件はλ＝０．２４８μｍ，ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５，ε＝０．６７で、ＨＴ６％のブライトフィールドマスクとし、Ｗ＝０．１４〜０．２５μｍ，Ｓ＝Ｗ〜２．０μｍ，Ｗ’＝Ｗ〜２．０μｍのマスクを作成し、それぞれのマスクで光強度計算を行った。さらにレジストの現像プロセスによる影響を考慮するために、算出された光学像にガウス関数をたたみこみ、それにより得られた像から仕上がり寸法を算出した。
【００２１】
図２（ａ）〜（ｃ）に補正対象パターン線幅Ｗ毎に、ＳとＷとを変化させた場合のパターンの仕上がり寸法をそれぞれ示す。図２から、パターンの仕上がり寸法は隣接スペース幅Ｓだけでなく、補正対象パターン１と隣接するパターン２の線幅Ｗ’によっても変化することが分かる。言い換えると、補正対象エッジの移動量を隣接スペース幅Ｓだけで決める補正方法では、十分な補正精度を得ることができないことが分かる。
【００２２】
そこで、図３（ａ）〜（ｃ）にＷ’が変化した場合の仕上がり寸法の変化量を隣接スペース幅Ｓに対して示す。図３から、この条件下では隣接スペース幅Ｓが小さいほど、Ｗに依存して仕上がり寸法が変化しており、寸法の変化量は４０〜６０ｎｍ程度もあることが分かる。
【００２３】
すなわち、ルールベース方式で補正を行う際には、隣接スペースＳのみならず、隣接パターン線幅Ｗ’も考慮した補正ルールを作成しなければ、高精度な補正が困難であることが見出された。
【００２４】
［第２の実施形態］
第１の実施形態の結果を基に、シミュレーションベース方式、もしくはルールベース方式に割り当てられる隣接スペース幅Ｓの臨界値Ｓ’を算出した。
【００２５】
まず、マスク検査の可否やマスクデータ量の許容量等から決まる補正対象エッジの最小移動量が５ｎｍ、ＭＥＦ（Mask Enhanced Factor）が１〜２であると仮定すると、仕上がり寸法は５ｎｍ×２（ｅｄｇｅ数）×ＭＥＦ＝１０〜２０ｎｍ程度の寸法エラーが生じる。このとき、エッジの最小移動量をより小さくしなけれぱ、この寸法エラー量も小さくすることはできない。なお、ＭＥＦ（Mask Enhanced Factor）は、マスクが１ｎｍ変化したときのウェハ上での仕上がり寸法変化量（ｎｍ）である。
【００２６】
一方、図３（ａ）〜（ｃ）から、Ｓ≧０．８μｍでは隣接パターン線幅Ｗ’に依存する仕上がり寸法の変化量は１０ｎｍ程度となることが分かる。さらにマスクをＣｒマスクにした場合や、ダークフィールドマスクにした場合でも、第１の実施形態での計算と同様の計算を行ったところ、どの場合でもパターン線幅Ｗに依存する仕上がり寸法の変化量はＳ≧０．８μｍで１０ｎｍ程度となることが見出された。
【００２７】
したがって、隣接スペース幅Ｓが０．８μｍ以上で、隣接パターン線幅Ｗ’に依存した仕上がり寸法の変化量が１０ｎｍ程度あるとしても、エッジの最小移動量が５ｎｍであれば、この寸法変化量を補正することは不可能である。
【００２８】
つまり、エッジの最小移動量が５ｎｍのとき、隣接スペース幅Ｓが０．８μｍ以上の条件を満たすパターンを、隣接スペース幅Ｓに応じてエッジ移動量をルール化されたルールベース方式光近接効果補正で補正することで十分に高精度な補正を実現することができる。
【００２９】
また、エッジの最小移動量が２．５ｎｍであるときには、上記と同様な計算から寸法エラー量が５〜１０ｎｍ程度となるので、図３で示されるように、隣接スペース幅Ｓ≧１．０μｍの領域はルールベース方式で、隣接スペース幅Ｓが１．０μｍより小さい場合にはミュレーションベース方式で補正することで高精度な補正が実現できる。
【００３０】
ここに示したようにエッジの最小移動量に応じて、ルールベース方式かシミュレーションベース方式かに割り当てるＳの大きさを変化させれば、高速でかつ高精度な補正が可能であることが見出された。
【００３１】
［第３の実施形態］
図４に示す二次元パターンを用いて、補正対象パターン２１と、この補正対象パターンに隣接する隣接パターン２２，２３の隣接パターンスペース幅ｓｐ，ｓｈと隣接パターン２２，２３の線幅ｗｐ，ｗｈとが変化した場合のそれぞれのショートニング量を計算し、特にパターン２２，２３の線幅ｗｐ，ｗｈが変化した場合のショートニング量の変化量を調べた。ここでショートニング量とは、注目パターン２から算出される仕上がりパターンの末端部から後退量であると定義し、＋であれば後退していることを表す。ここで、隣接パターン２２，２３の線幅ｗｐ，ｗｈに依存してショートニング量が変化する場合には、隣接パターン２２，２３とのスペース幅ｓｐ，ｓｈのみでショートニング量をルール化しても所望の補正精度を得ることができない。言い換えると、ショートニング量を低減させるためにライン先端部に付加される補助パターンの大きさを、隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈのみでルール化しても、精度の良い補正結果を得ることは困難である。
【００３２】
一方、ショートニング量が隣接パターン線幅ｗｐ，ｗｈにほとんど依存しない場合には、隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈのみで補助パターンの大きさをルール化し、高速な補正を行うことが有効である。
【００３３】
そこで、ショートニング量がｗｐ，ｗｈにほとんど依存しなくなるような隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈの臨界値ｓｐ’，ｓｈ’を求めた。
【００３４】
まず、隣接パターン線幅ｗｐ，ｗｈが変化した場合のショートニング量の変化量を図５に示す。ここで、露光条件はλ＝０．２４８μｍ，ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、ε＝０．６７，ＨＴ６％ブライトフィールドマスクとし、Ｗ＝０．１６μｍに固定し、ｓｈ，ｓｐ＝０．１６〜２．０μｍ，ｗｐ，ｗｈ＝０．１６μｍ，２．０μｍのそれぞれのマスクを用いた場合の結果である。
【００３５】
この結果から、隣接スペース幅ｓｈ，ｓｐが小さい場合には隣接パターン線幅ｗｐ，ｗｈに依存してショートニング量も変化することが分かるが、隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈが０．６μｍ以上では、その変化量が１０ｎｍ程度にまで小さくなり、ショートニング量は隣接パターン線幅ｗｐ，ｗｈにほとんど依存しないことが分かる。したがって、隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈが０．６μｍより小さい場合には高精度なシミュレーションベース方式のショートニング量の補正を行い、隣接スペース幅ｓｐ，ｓｈが０．６μｍ以上の場合では高速なルールベース方式でショートニング量の補正を行うことで、補正精度を損なわずに高速な補正を行うことが可能となった。
【００３６】
［第４の実施形態］
図６に、第４の実施形態に係わるパターンエッジ補正法の概略を示すフローチャートを示す。図６に基づいて処理手順を説明する。
【００３７】
先ず、設計パターンを入力する（ステップＳ１）。次いで、入力された設計パターンから補正の対象となるエッジを抽出する（ステップＳ２）。次いで、補正対象エッジが合ったか判定する（ステップＳ３）。
【００３８】
補正対象エッジがあると判定された場合、抽出された補正対象のエッジの長さを測定し、補正対象となるパターンを一次元として扱える長さＬ’より長いか判定する（ステップＳ４）。
【００３９】
判定の結果、Ｌ＞Ｌ’の場合、一次元近接効果補正を行う（ステップＳ５）。次いで、設計パターンから隣接スペース幅Ｓを算出し、隣接スペース幅Ｓが臨界値Ｓ’より大きいか判定する（ステップＳ６）。
【００４０】
判定の結果Ｓ≧Ｓ’の場合、一次元ルールベース方式を選択する（ステップＳ７）。次いで、ルールテーブルを参照してエッジの移動量を決定する（ステップＳ８）。そして、ステップＳ２に戻り、補正対象エッジの抽出を行う。
【００４１】
ステップＳ６における判定の結果、Ｓ≧Ｓ’では無い場合、一次元シミュレーション補正方式を選択する（ステップＳ９）。そして、シミュレーションを行ってエッジの移動量を決定する（ステップＳ１０）。そして、ステップＳ２に戻り、補正対象エッジの抽出を行う。
【００４２】
ステップＳ４における判定の結果Ｌ＞Ｌ’ではない場合、二次元光近接効果によりエッジ移動量を決定することを選択する（ステップＳ１１）。次いで、スペース幅ｓｐが臨界値ｓｐ’以下、且つ隣接スペース線幅ｓｈが臨界値ｓｈ’以下であるか判定する（ステップＳ１２）。判定の結果、ｓｐ≦ｓｐ’且つｓｈ≦ｓｈであった場合、二次元ルールベース補正方式によりエッジの移動量を決定することを選択する（ステップＳ１３）。次いで、ルールテーブルを参照して、エッジの移動量を決定する（ステップＳ１４）。そして、ステップＳ２に戻り、補正対象エッジの抽出を行う。
【００４３】
ステップＳ１２における判定の結果、ｓｐ≦ｓｐ’且つｓｈ≦ｓｈ’では無い場合（ｓｐ＞ｓｐ’或いはｓｈ＞ｓｈ’の場合）、二次元シミュレーション補正方式を選択する（ステップＳ１５）。そして、シミュレーションを行ってエッジの移動量を決定する（ステップＳ１６）。そして、ステップＳ２に戻り、補正対象エッジの抽出を行う。
【００４４】
何れかの方法でエッジの移動量を決定した後、ステップＳ２に戻って、補正対象となるエッジの抽出を行い、ステップＳ３において補正対象エッジがないと判定されるまで、上述した方法で補正すべきエッジの補正を全て行う。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、以上の各機能は、ハードウェアを用いても、ソフトウェアを用いても実現可能である。
【００４６】
また、本実施形態は、コンピュータに所定の機能を実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体として実施することもできる。
【００４７】
上述した実施形態は一部にすぎず、さらにここで用いた数字も一例に過ぎない。各デバイス、レイヤーに応じて、ここに示した実施形態を応用し、具体的な数字も実験結果やさらに厳密な計算結果から決定するべきであることも言うまでもない。
【００４８】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、補正対象エッジの隣接パターン距離に応じて、シミュレーションベース方式とルールベース方式とに補正方式を振り分ければ、補正精度を落とさずに高速な補正が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる補正対象パターンと、このパターンに隣接するパターンの構成を示す平面図。
【図２】補正対象パターン線幅Ｗ毎に、ＳとＷ’とを変化させた場合のパターンの仕上がり寸法を示す図。
【図３】補正対象エッジと隣接するエッジを含む線幅Ｗ’が変化した場合の仕上がり寸法の変化量を隣接スペース幅Ｓに対して示す図。
【図４】補正対象パターンと、このパターンに隣接するパターンの構成を示す平面図。
【図５】隣接パターン線幅ｗｐ，ｗｈが変化した場合のショートニング量の変化量を示す図。
【図６】第４の実施形態に係わるパターンエッジ補正方法の概略を示すフローチャート。
【符号の説明】
１…補正対象パターン
２…隣接パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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