(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする相変化型記録層を設けてなる書き換え型光学的情報記録用媒体であって、基板と記録層との間に記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けた構造を有し、前記結晶化促進層がＳｂｚＴｅ1−ｚ（０．３≦ｚ≦０．５）を主成分とする合金からなり、かつ、記録層を光エネルギー照射により初期結晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒体。
【請求項２】
結晶化促進層の膜厚が０．２〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】
記録層が（ＳｂxＴｅ1-x）yＭ1-y（０．６≦ｘ≦０．８５、０．８≦ｙ≦１、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種）からなる合金であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】
記録層の組成と結晶化促進層の組成との差成分を主成分とする組成補正層を結晶化促進層と記録層との間に設けたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的情報記録用媒体に関する。詳しくは、レーザー光照射による相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利用した記録消去が極めて高速に行なうことができる光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクには再生専用型、光記録可能型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用ディスクメモリーとしてすでに実用化している。
光記録可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・変形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成される。
【０００３】
光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行う。
ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうディスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光ディスクを用いる光情報記録方法が提案されている。
【０００４】
一方、相変化型は相変化前後で反射率または反射光の位相が変化することを利用するものであり、外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を行う。
相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要としない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】
さらに、レーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であるという利点を有する。
相変化記録方式に用いられる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。
【０００６】
例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられている。
１ビームオーバーライト可能な相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場合が一般的である。
【０００７】
この場合、成膜直後の状態（いわゆるas-depo状態）はアモルファスである場合が一般的であるため、初期状態を結晶状態とするためにディスク全面を短時間で結晶化する必要がある。
この工程を初期結晶化とよぶ。通常この初期結晶化は数十〜百ミクロン程度に絞ったレーザービームを回転するディスクに照射することにより行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一部の相変化媒体は初期結晶化が著しく困難で生産性が良くない。
例えば、Ｓｂ71Ｔｅ29の組成を有する記録層は、非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なうことができるものであるが、基板上に記録層として成膜し、レーザービームを照射して初期結晶化を試みると、膜の多くの部分が結晶化しないままアモルファス状態として残ってしまう。
【０００９】
この操作を数十回繰り返すことにより全面が結晶化できる場合もあるが、これでは生産性が低く実用的でない。
結晶化しにくい原因の一つは、as-depo状態に於けるアモルファスの状態が、レーザービームを照射して形成する記録マークに於けるアモルファスの状態と異なり結晶化しにくいためと考えられる。
【００１０】
また、結晶核がas-depo状態の記録層にはほとんどないことも結晶化しにくい原因となっていることも考えられる。
実際、光学顕微鏡で、レーザービームを照射して初期結晶化を試みた部分の観察をすると、結晶化のすすんだ部分が島状に観察される。
これは結晶核のできた部分でのみ結晶化がすすんでいると理解できる。
【００１１】
このように初期結晶化が困難である記録層を用いようとする場合、生産性は著しく悪化する。
即ち、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とする記録層は初期結晶化の問題を解決することにより、以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なうことができる光学的情報記録用媒体となる。
【００１２】
また、繰り返しオーバーライトにおいて広く知られている代表的な記録層であるＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3疑似２元合金近傍の材料より劣化が少ないという利点もある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本願発明の要旨は、基板上にＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする相変化型記録層を設けてなる書き換え型光学的情報記録用媒体であって、基板と記録層との間に記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けた構造を有し、前記結晶化促進層がＳｂｚＴｅ1−ｚ（０．３≦ｚ≦０．５）を主成分とする合金からなり、かつ、記録層を光エネルギー照射により初期結晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、初期結晶化が困難である記録層を有する光学的情報記録用媒体に、記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けることにより初期結晶化をスムースに行なおうとするものである。
結晶化促進層としては、結晶核となり記録層の結晶化のきっかけとなる。または、結晶化促進層上に設けられる記録層が堆積時に結晶化し易い構造となると考えられるものであれば良く、例えば、結晶化し易い金属等、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、結晶構造が似ており、スパッタリング等による堆積時既に結晶化しており、記録層と屈折率が近い等の性質のものが好ましいため、ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする記録層を用いる場合には、結晶化促進層はＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．７）を主成分とする組成が好ましい。
【００１５】
ＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．７）の組成はas-depo状態から結晶である場合が多く、初期結晶化時結晶核になりやすく、またこの上に設けられる記録層が堆積時に結晶化しやすい状態にする役をなすものと考えられる。
結晶化促進層の組成範囲はＳｂzＴｅ1-zとしたとき０．２≦ｚ≦０．７が好ましく、更に好ましくは０．３≦ｚ≦０．５が好ましい。
【００１６】
さらにＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．７）からなる合金にＧｅ等の他の金属を１０ａｔ．％程度まで、ＳｂzＴｅ1-zの結晶化促進効果を低下させない範囲で添加してもよい。
更に、たとえばＡｇ1Ｓｂ1Ｔｅ2等も結晶化促進層として使用可能である。
初期化後に記録用レーザーを照射してアモルファスマークを記録するには、記録層の融点以上まで加熱するのが通常なので、記録時には結晶化促進層は記録層と共に溶融し、両者がある程度混ざり合うと考えられる。
【００１７】
結晶化促進層は記録層組成とは組成が異なるため、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり合うと記録層組成が経時的に変化してしまうこととなる。
したがって、結晶化促進層は０．２から５ｎｍ程度の比較的薄い膜厚とするのが、混ざり合いによる組成変化を少なくする上で好ましい。
また記録層と結晶化促進層が混ざり合った場合の組成の変化を補うため、結晶化促進層に接して、記録層の組成と結晶化促進層の組成との差成分を主成分とする組成補正層を設け、結晶化促進層と組成補正層が混ざり合った場合に記録層組成に近くなるようにすることも有効である。
【００１８】
組成補正層の膜厚は結晶化促進層の膜厚との関係で決められる。
ＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．７）からなる合金を結晶化促進層とした場合の結晶化の問題は初期化における時点のみの問題なので初期結晶化後、結晶化促進層の組成が変化しても問題はない。
屈折率の関係上からも、初期結晶化後の反射率が、何回か記録を行うと異なってくることが有るため結晶化促進層膜厚は厚すぎると良くない。
【００１９】
結晶化促進層が厚すぎると何回かのオーバーライト記録時の記録信号がきたなくなる。
薄すぎると初期結晶化を容易にする効果が小さくなる。
記録層としては、ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とするものが用いられる。
【００２０】
ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする記録層は前述した通り、非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なうことができるものである。
アモルファスマーク（記録ビット）の安定性を増したり、結晶化速度の調節をするために、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種を２０ａｔ．％程度まで添加しても良い。
【００２１】
特にＡｇ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎが好ましい。
即ち、記録層は（ＳｂxＴｅ1-x）yＭ1-y（０．６≦ｘ≦０．８５、０．８≦ｙ≦１、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種）からなる合金が良い。
【００２２】
記録層の膜厚は１５〜１００ｎｍ程度とされるのが好ましい。
ディスクの層構成は、記録層の保護のため、光学的設計や放熱効果の設計のため記録層のほかに誘電体保護層、反射層を設ける場合が多い。
誘電体保護層材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。
【００２３】
一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００２４】
繰り返し記録特性を考慮するとＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよい。誘電体保護層の膜厚は通常１５〜３００ｎｍ程度とされる。
反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。
【００２５】
本発明における記録媒体の基板としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。
記録層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによって形成される。
記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれている。
【００２６】
【実施例】
以下実施例をもって本発明を更に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１
ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を０．２５ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を０．２５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００２７】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置でのレーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置でのレーザーパワーを１７０ｍＷとし、その間を比例配分して初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００２８】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９６（初期結晶化後／書き換え後）であり大きな問題はなかった。
たとえば３Ｔジッタは１０回記録まですべて６ｎｓ以下であった。
【００２９】
実施例２
ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を０．５ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を０．５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１９ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３０】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置でのレーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置でのレーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００３１】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９２であり大きな問題はなかった。
たとえば３Ｔジッタは１０回記録まですべて６ｎｓ以下であった。
【００３２】
実施例３
ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３３】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置でのレーザーパワーを４００ｍＷ、ディスクの半径２７ｍｍの位置でのレーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００３４】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．８８であり大きな問題はなかった。
たとえば３Ｔジッタは１０回記録まですべて７ｎｓ以下であった。
【００３５】
実施例４
ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１８ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３６】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００３７】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大きな問題はなかった。
【００３８】
実施例５
ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３９】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００４０】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大きな問題はなかった。
【００４１】
比較例１
ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００４２】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできなかった。
【００４３】
このディスクは、光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度で６ｍＷのレーザー光を１００回程度照射することにより１ミクロン程度の幅の初期化が可能であるが、この方法でディスク全面を初期化するには時間がかかりすぎるため実用的ではない。
比較例２
ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、Ｓｂ層を１ｎｍ、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００４４】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷとし、その間はで初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできなかった。
この結果と実施例４、５とからＳｂ2Ｔｅ3層が初期化を容易にしていることがわかる。
【００４５】
比較例３
ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００４６】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできなかった。
この結果と実施例３とから結晶化促進層は基板と記録層との間に設けると良いことがわかる。
【００４７】
実施例６
ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を５．４ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００４８】
このディスクを、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００４９】
光ディスク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）の記録を行なった。
初期結晶化後の反射率と１０回書き換えをした後の結晶状態反射率の比は０．７４であり、２〜５回記録までの３Ｔジッタは１７ｎｓ以上となり問題となることがわかった。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の光学的情報記録用媒体を用いることにより初期結晶化がしやすく、記録消去が極めて高速に行なうことができる書き換え型相変化光ディスクを高生産性に得ることができる。またディスク特性を損なうこともない。