(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに貼り合わされた一対の基板間に液晶を封入して成り、少なくとも一方の基板が相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を有し、該基板張出し部の表面には配線が形成される液晶装置を製造するための製造方法において、
前記基板張出し部の表面に流動性を有する保護剤を供給する保護剤供給工程と、
前記基板張出し部の表面に供給された保護剤を前記一対の基板が貼り合わされている領域へ向けて流れるように該一対の基板を傾斜させる基板傾斜工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記基板張出し部の表面にはＩＣチップが直接に実装されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤供給工程で、前記ＩＣチップと前記相手側基板との間の領域に保護剤を供給しないことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、基板張出し部の表面のうち前記ＩＣチップから見て一方の片側領域及び他方の片側領域において、保護剤の吐出口を前記一方の基板辺端近傍とＩＣチップ近傍との間の重ならない経路で往復移動させながら保護剤を供給することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４の少なくともいずれか１つにおいて、前記保護剤は常温硬化型樹脂であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４の少なくともいずれか１つにおいて、前記保護剤は紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、図形等といった像を表示する液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、一般に、一対の基板間に液晶を封入した構造の液晶パネルに、バックライト等といった照明装置や、液晶駆動用ＩＣ等といった付帯機器を付設することによって形成される。また、液晶パネルは、一般に、第１電極が形成された第１基板と第２電極が形成された第２基板とをシール材によって互いに貼り合わせ、それらの基板間に形成される間隙、いわゆるセルギャップ内に液晶を封入することによって形成される。
【０００３】
液晶駆動用ＩＣ等を液晶パネルに付設するための方法として、液晶パネルを構成する一対の基板の一方又は双方に相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を形成し、上記液晶パネル内部の第１電極及び第２電極につながる配線をその基板張出し部の表面に形成し、そして、この配線に液晶駆動用ＩＣを接続するという方法が知られている。例えば、ＣＯＧ（ Chip On Glass）方式の液晶装置では、基板張出し部の表面に液晶駆動用ＩＣを直接に実装して、ＩＣチップのバンプと基板張出し部上の配線とを導電接続する。
【０００４】
このように基板張出し部を有する液晶装置に関しては、その基板張出し部の表面に形成された配線に電食すなわちコロージョンが発生することを防止する必要があり、そのため、従来から、シリコンモールド等といった保護剤を基板張出し部の表面に付着、例えば塗布して配線を被覆するという措置が講じられている。なお、電食とは、配線に異常な電流が流れることによってその配線が腐食して損耗することであり、例えば、配線に汚れが付着した状態で通電が行われたり、配線が外気に触れている状態で通電が行われること等に起因して発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、液晶装置の基板張出し部の表面に保護剤を付着、例えば塗布する際には、その保護剤は単に塗布するだけであって、その高さを一定値に制限するといった処理は行われていなかった。このため、保護剤の付着高さが高くなって、液晶装置を使用する電子機器の部品がその保護剤に当たってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電食防止のための保護剤を基板張出し部の表面に薄く均一に付着させることができる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１）  上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置の製造方法は、互いに貼り合わされた一対の基板間に液晶を封入して成り、少なくとも一方の基板が相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を有し、該基板張出し部の表面には配線が形成される液晶装置を製造するための製造方法において、前記基板張出し部の表面に流動性を有する保護剤を供給する保護剤供給工程と、前記基板張出し部の表面に供給された保護剤を前記一対の基板が貼り合わされている領域へ向けて流れるように該一対の基板を傾斜させる基板傾斜工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
この液晶装置の製造方法によれば、保護剤が有する流動性を利用してその保護剤を基板張出し部上で流動させるようにしたので、基板張出し部上に供給した保護剤の高さを均一な薄い厚さに形成できる。しかも、単に基板を傾斜させるという非常に簡単な処理だけでそのことを実現できる。
【０００９】
また、一対の基板がシール材によって貼り合わされている液晶パネル構造において基板張出し部におけるシール材近傍の領域には、通常、保護剤が付着させにくいのであるが、本発明に係る製造方法によれば、その領域にも保護剤を極めて容易に行き渡らせることができる。
【００１０】
（２）  上記（１）項記載の液晶装置の製造方法は、基板張出し部の表面にＩＣチップを直接に実装する方式の液晶装置、すなわちＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置に対して適用できる。この方式の液晶装置では、液晶表示領域を構成する電極とＩＣチップの端子すなわちバンプを接続する配線が、基板張出し部の表面のかなり広い領域に亘って形成される。従って、このＣＯＧ方式の液晶装置に本発明を適用すれば、広い領域に亘って存在する配線を均一な薄い厚さの保護剤によってきれいに覆うことができる。
【００１１】
（３）  上記（２）項記載の液晶装置、すなわちＣＯＧ方式の液晶装置を本発明に係る製造方法を用いて製造する場合には、ＩＣチップと基板との間には保護剤を供給しないという方法を採用することができる。
【００１２】
一般に、基板張出し部の表面に保護剤を供給するときには、図６に示すように、いわゆるディスペンサ２４によって一定量の保護剤１８を狭い領域に吐出しながらそのディスペンサ２４を矢印Ａのように移動させる。このような保護剤供給方法を採用する場合であって、ディスペンサ２４から吐出される保護剤の吐出量が比較的多いとき、ディスペンサによってＩＣチップと基板との間に保護剤を供給するものとすれば、該部分への保護剤の供給量が過剰となるおそれがある。これに対し、上記のように、ＩＣチップと基板との間には保護剤を供給しないことにすれば、そのような保護剤の過剰な供給を防止できる。
【００１３】
（４）  上記（２）項又は上記（３）項記載の液晶装置、すなわちＣＯＧ方式の液晶装置に対して保護剤の供給を行う場合には、基板張出し部の表面のうちＩＣチップから見て一方の片側領域及び他方の片側領域において、保護剤の吐出口を基板辺端近傍とＩＣチップ近傍との間の重ならない経路で往復移動させながら保護剤を供給することができる。この方法によれば、保護剤を吐出するための装置の吐出量が比較的小さい場合でも、保護剤を基板表面に均一に供給できる。
【００１４】
（５）  上記（１）項から上記（４）項記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤は常温硬化型樹脂とすることができる。このような常温硬化型樹脂としては、例えばシリコンを含む樹脂であるシリコンモールドを用いることができる。常温硬化型樹脂を用いる場合には、その樹脂を基板張出し部の表面に供給した後、特別な樹脂硬化工程を行わなくても樹脂が自然に硬化させることができる。
【００１５】
（６）  上記（１）項から上記（４）項記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤は紫外線硬化型樹脂とすることができる。この方法によれば、基板張出し部上に供給した保護剤の流れ具合を確認した上で保護剤を硬化できるので好都合である。
【００１６】
また、ＣＯＧ方式の液晶装置の場合には一般的にはＩＣチップと基板との間の部分に保護剤を充填することが難しいのであるが、保護剤として紫外線硬化型樹脂を用いれば、当該部分への保護剤の充填を確認してから保護剤を硬化できるので好都合である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
まず、本発明に係る液晶装置の製造方法を説明するのに先立って、その製造方法を用いて製造される液晶装置について、図１の平面図及び図２の断面図を用いて説明する。
【００１８】
ここに示す液晶装置１は、互いに対向する一対の基板２ａ及び２ｂを有し、これらの基板はシール材３によってそれらの周囲が互いに接着される。シール材３の内部には、図２に示すように導電材４が含まれている。また、シール材３の一部には図１に示すように液晶注入口３ａが形成される。
【００１９】
図２において、第１基板２ａは基板素材６ａを有し、その基板素材６ａの液晶側表面、すなわち第２基板２ｂに対向する面には、例えばコモン電極として作用する第１電極７ａが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコート層８ａが形成され、さらにその上に配向膜９ａが形成される。なお、図１では、便宜上、オーバーコート層８ａ及び配向膜９ａの図示を省略してある。また、図２において、基板素材６ａの外側表面には光学素子としての偏光板１１ａが貼着される。
【００２０】
第１基板２ａに対向する第２基板２ｂは基板素材６ｂを有し、その基板素材６ｂの液晶側表面、すなわち第１基板６ａに対向する面には、例えばセグメント電極として作用する第２電極７ｂが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコート層８ｂが形成され、さらにその上に配向膜９ｂが形成される。なお、図１では、便宜上、オーバーコート層８ｂ及び配向膜９ｂの図示を省略してある。また、図２において、基板素材６ｂの外側表面には光学素子としての偏光板１１ｂ及び半透過反射板１２が貼着される。つまり、本実施形態の液晶装置１は図２の下側面が像表示面となる。
【００２１】
なお、第１基板２ａ及び第２基板２ｂの双方又は一方に設けられる光学素子としては、上記したもの以外に必要に応じて他の素子、例えば位相差板、光拡散板等が考えられる。また、基板素材６ａ，６ｂには、必要に応じて、その他の光学要素、例えばカラーフィルタ等を設けることもできる。
【００２２】
基板素材６ａ，６ｂは、例えばガラス等といった硬質な光透過性材料や、プラスチック等といった可撓性を有する光透過性材料等によって所定形状、例えば長方形状や正方形状に形成される。また、第１電極７ａ及び第２電極７ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明電極によって１０００オングストローム程度の厚さに形成され、オーバーコート層８ａ及び８ｂは、例えば酸化珪素、酸化チタン又はそれらの混合物等によって８００オングストローム程度の厚さに形成され、そして配向膜９ａ及び９ｂは、例えばポリイミド系樹脂によって８００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００２３】
第１電極７ａは、図１に示すように、複数の直線パターンを互いに平行に配列することによって、いわゆるストライプ状に形成される。一方、第２電極７ｂは上記第１電極７ａに交差するように複数の直線パターンを互いに平行に配列することによって、やはりストライプ状に形成される。これらの電極７ａと電極７ｂとがドットマトリクス状に交差する複数の点が、像を表示するための画素を形成する。そして、それら複数の画素によって区画形成される領域が、文字等といった像を表示するための表示領域となる。
【００２４】
以上のようにして形成された第１基板２ａ及び第２基板２ｂのいずれか一方の液晶側表面には、図２に示すように、複数のスペーサ１３が分散され、さらにいずれか一方の基板の液晶側表面にシール材３が例えば印刷等によって図１に示すように枠状に設けられる。また、そのシール材３の適所に液晶注入口３ａが形成される。
【００２５】
両基板２ａ及び２ｂの間にはスペーサ１３によって保持される均一な寸法、例えば５μｍ程度の間隙、いわゆるセルギャップが形成され、液晶注入口３ａを通してそのセルギャップ内に液晶１４が注入され、その注入の完了後、液晶注入口３ａが樹脂等によって封止される。
【００２６】
図１において、第１基板２ａは第２基板２ｂの外側であって、さらにシール材３の外側へ張り出す基板張出し部２ｃを有する。第１基板２ａ上の第１電極７ａはその基板張出し部２ｃへ直接に延び出て配線１５となっている。また、第２基板２ｂ上の第２電極７ｂはシール材３に含まれる導電材４（図２参照）を介して基板張出し部２ｃ上の配線１５につながっている。なお、符号２０は、図示しない外部回路との間で電気的な接続をとるための外部接続端子を示している。
【００２７】
各電極７ａ，７ｂ、それらにつながる基板張出し部２ｃ上の配線１５及び外部接続端子２０は、実際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞれの基板２ａ及び２ｂの表面全域に形成されるが、図１及びこれから説明する各図では構造を分かり易く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極等を模式的に図示し、さらに一部の電極の図示は省略してある。また、電極７ａ及び７ｂは、直線状に形成されることに限られず、適宜の文字、図形等といったパターンとして形成されることもある。
【００２８】
基板張出し部２ｃ上には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１７によって液晶駆動用ＩＣ１６が直接に実装され、いわゆるＣＯＧ方式の実装構造が構成される。液晶駆動用ＩＣ１６は、図２に示すように、その能動面すなわち図２の下面に、複数の端子すなわちバンプ２１を有する。
【００２９】
ＡＣＦ１７は、周知の通り、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば図２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム２２の中に多数の導電粒子１９を分散させることによって形成される。
【００３０】
このＡＣＦ１７を挟んで基板張出し部２ｃと液晶駆動用ＩＣ１６とを熱圧着、すなわち加熱下で加圧することにより、液晶駆動用ＩＣ１６を基板張出し部２ｃに接着すると共に、液晶駆動用ＩＣ１６のバンプ２１と基板張出し部２ｃ上の配線１５との間及び液晶駆動用ＩＣ１６のバンプ２１と基板張出し部２ｃと上の外部接続端子２０との間において単一方向の導電性を持つ接続を実現する。
【００３１】
図１において、基板張出し部２ｃの表面には保護剤としてのシリコンモールド１８が付着されている。このシリコンモールド１８は基板張出し部２ｃ上の配線１５が外気に触れることによって電食を発生することを防止するために、それらの配線１５の全てを覆うように設けられるものである。
【００３２】
図２に示すように、第２基板２ｂはシール材３の外側へ張り出す延出部２ｄを有し、そのため、第１基板２ａと第２基板２ｂとの間には、延出部２ｄ、基板張出し部２ｃ及びシール材３によって囲まれる凹部２３が形成される。シリコンモールド１８はこの凹部２３の中にも充填されて、該部に存在する配線１５を被覆する。
【００３３】
以上のように構成された液晶装置１に関して、液晶駆動用ＩＣ１６によって第１電極７ａ又は第２電極７ｂのいずれか一方に対して行ごとに走査電圧を印加し、さらにそれらの電極の他方に対して表示画像に基づいたデータ電圧を画素ごとに印加することにより、両電圧の印加によって選択された各画素部分を通過する光を変調し、もって、基板２ａ又は２ｂの外側、本実施形態の場合は基板２ａの外側に文字、数字等といった像を表示する。
【００３４】
以下、上記構成から成る液晶装置１を製造するための製造方法について、図３に示す工程図を参照して説明する。
【００３５】
まず、図１の第１基板２ａの複数個分の大きさを有する大判の基板素材をガラス、プラスチック等によって形成し、図３の工程Ａ１において、その大判基板素材に対して第１電極形成工程を実施する。具体的には、ＩＴＯを材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、図４（ａ）に示すように、大判基板素材６ａ’の表面に所定パターンの第１電極７ａ、配線１５及び外部接続端子２０を形成する。なお、図４（ａ）では、大判基板素材６ａ’のうち第１基板２ａの１個分の領域だけを示している。
【００３６】
次に、オーバーコート層８ａ（図２参照）を図４（ａ）の大判基板素材６ａ’の表面に、例えば酸化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷によって形成する（図３の工程Ａ２）。そしてその上に、例えばポリイミド系樹脂を材料としてオフセット印刷によって配向膜９ａ（図２参照）を形成し（図３の工程Ａ３）、その配向膜に配向性を持たせるためにラビング処理を行う（図３の工程Ａ４）。
【００３７】
さらにその上に、例えばエポキシ系樹脂を材料として例えばスクリーン印刷によってシール材３を枠形状に形成し（図３の工程Ａ５）、さらにスペーサ１３（図２参照）を分散する（図３の工程Ａ６）。これにより、図４（ａ）に示すような大判の第１基板２ａ’が形成される。なお、図４（ａ）では、便宜上、オーバーコート層及び配向膜の図示を省略してある。
【００３８】
他方、図１の第２基板２ｂの複数個分の大きさを有する大判の基板素材をガラス、プラスチック等によって形成し、図３の工程Ｂ１において、その大判基板素材に対して第２電極形成工程を実施する。具体的には、ＩＴＯを材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、図４（ｂ）に示すように、大判基板素材６ｂ’の表面に所定パターンの第２電極７ｂを形成する。なお、図４（ｂ）では、大判基板素材６ｂ’のうち第２基板２ｂの１個分の領域だけを示している。
【００３９】
次に、オーバーコート層８ｂ（図２参照）を図４（ｂ）の大判基板素材６ｂ’の表面に、例えば酸化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷によって形成する（図３の工程Ｂ２）。そしてその上に、例えばポリイミド系樹脂を材料としてオフセット印刷によって配向膜９ｂ（図２参照）を形成し（図３の工程Ｂ３）、その配向膜に配向性を持たせるためにラビング処理を行う（図３の工程Ｂ４）。これにより、図４（ｂ）に示すような大判の第２基板２ｂ’が形成される。なお、図４（ｂ）では、便宜上、オーバーコート層及び配向膜の図示を省略してある。
【００４０】
以上により大判第１基板２ａ’（図４（ａ））及び大判第２基板２ｂ’（図４（ｂ））が作製された後、図３の工程Ｃ１において、大判第１基板２ａ’と大判第２基板２ｂ’とをシール材３を間に挟んで重ね合わせ、さらに圧着すること、すなわち加熱下で加圧することにより、両基板を互いに貼り合わせる。この貼り合わせにより、液晶装置１の主たる部分である液晶パネル構造を複数個含む大きさの大判パネル構造が形成される。なお、この貼り合わせに際しては、図４（ａ）の大判第１基板２ａ’又は図４（ｂ）の大判第２基板２ｂ’のいずれか一方を図示の状態から裏返した状態で相手側の大判基板と貼り合わせる。
【００４１】
以上のようにして大判のパネル構造が作製された後、このパネル構造に対して第１ブレイク工程を実施する（図３の工程Ｃ２）。具体的には、パネル構造を構成する大判第１基板２ａ’に関して図４（ａ）に示す第１切断線Ｌ１ａに沿って該大判基板を切断し、一方、大判第２基板２ｂ’に関して図４（ｂ）に示す第１切断線Ｌ１ｂに沿って該大判基板を切断する。
【００４２】
これにより、液晶注入口３ａが外部へ露出した状態の液晶パネル部分が複数個含まれる中判のパネル構造、いわゆる短冊状のパネル構造が複数個切り出される。そしてその後、各液晶注入口３ａを通して各液晶パネル部分の内部に液晶１４を注入し、さらにその注入の完了後にその液晶注入口３ａを樹脂によって封止する（図３の工程Ｃ３）。
【００４３】
その後、工程Ｃ４において中判パネル構造に対して第２ブレイクを実施する。具体的には、図４（ａ）の第２切断線Ｌ２ａ及び図４（ｂ）の第２切断線Ｌ２ｂに沿って中判パネル構造を構成する第１基板及び第２基板を切断し、これにより、図２に示す液晶装置１であって、液晶駆動用ＩＣ１６、シリコンモールド１８偏光板１１ａ，１１ｂ及び半透過反射板１２が付設されていないものが１個ずつ分断される。
【００４４】
その後、ＡＣＦ１７を用いて基板張出し部２ｃの表面に液晶駆動用ＩＣ１６が実装され（工程Ｃ５）、さらに基板素材６ａ，６ｂの外側表面にそれぞれ偏光板１１ａ，１１ｂが貼着され（工程Ｃ６）、さらに、像が表示されない側の基板、本実施形態の場合は第２基板６ｂの外側表面に半透過反射板１２が貼着される（工程Ｃ７）。
【００４５】
その後、工程Ｃ８において、保護剤としてのシリコンモールドの供給工程が実行される。具体的には、図５に示すように、シリコンモールド１８を吐出するためのディスペンサ２４の吐出口を、基板張出し部２ｃの表面のうち液晶駆動用ＩＣ１６から見て一方の片側領域２ｅにおいて、基板辺端近傍Ｐ１とＩＣチップ近傍Ｐ２との間の重ならない経路Ｋ１で往復移動させながら、その吐出口からシリコンモールド１８を吐出して基板張出し部２ｃの表面に塗布、すなわち供給する。
【００４６】
なお、液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂの端辺との間の間隔Ｇは、例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍ、平均的には０．８ｍｍ程度である。そして、吐出経路Ｋ１の終点は、液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂの端辺との間の上記の間隔Ｇの領域であって、液晶駆動用ＩＣ１６の端辺から所定寸法Ｄ、例えば２ｍｍ程度内部へ入った所に設定される。
【００４７】
他方、基板張出し部２ｃの表面のうち液晶駆動用ＩＣ１６から見て他方の片側領域２ｆにおいては、ＩＣチップ近傍Ｐ２と基板辺端近傍Ｐ１との間の重ならない経路Ｋ２でディスペンサ２４を往復移動させながら、そのディスペンサ２４の吐出口からシリコンモールド１８を吐出する。この片側領域２ｆに関するシリコンモールドの供給は、もう一方の片側領域２ｅに引き続いて連続的に行われることに鑑み、その吐出の開始点は、液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂの端辺との間の間隔Ｇの領域であって、液晶駆動用ＩＣ１６の端辺から所定寸法Ｄ、例えば２ｍｍ程度内部へ入った所に設定される。そして、基板辺端近傍Ｐ１を吐出の終了点とする。
【００４８】
なお、液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂの端辺との間の間隔Ｇの領域であって、片側領域２ｅの吐出終了点ともう一方の片側領域２ｆの吐出開始点との間の領域では、シリコンモールド１８の吐出を行わない。
【００４９】
以上のような、シリコンモールド１８の吐出処理により、液晶駆動用ＩＣ１６のまわりの基板張出し部２ｃの表面にシリコンモールド１８が供給される。なお、このときのシリコンモールドの表面状態は、基板張出し部２ｃの表面全体にわたって厳密に均一な薄い厚さとなっているわけではなく、ディスペンサ２４の吐出口の口径の大きさに応じた凹凸を有している。
【００５０】
その後、図３の工程Ｃ９において、図２に示すように、基板張出し部２ｃの表面に塗布、すなわち供給されたシリコンモールド１８が常温によって硬化する前の適宜のタイミングで、一対の基板２ａ及び２ｂが貼り合わされている領域、換言すれば液晶１４を封止しているシール材３へ向けてシリコンモールド１８が矢印Ｂの方向へ流れるように、液晶装置１の全体を角度θで傾斜させる。
【００５１】
これにより、工程Ｃ８において基板張出し部２ｃに供給されたシリコンモールド１８は傾斜角度θに従って矢印Ｂのように流動して、基板張出し部２ｃの表面全体へ、例えば１００μｍ以下の厚さで薄く均一に行き渡って配線１５の全てを確実に被覆する。しかも、シリコンモールド１８は、図２において基板張出し部２Ｃ、第２基板２ｂの延出部２ｄ及びシール材３によって囲まれる凹部２３にも確実に充填され、該領域に存在する配線１５を確実に被覆する。
【００５２】
このように、基板張出し部２ｃの表面に付着させるシリコンモールド１８の厚さを無理なく非常に薄く形成できるので、本液晶装置１を電子機器、例えば携帯電話機や携帯情報端末機等に組み込む際、基板張出し部２ｃに対向する場所には広い空間が形成され、各種の部品を必要に応じてその空間内に配設することが可能となる。
【００５３】
図５において、ディスペンサ２４によって基板張出し部２ｃの表面にシリコンモールド１８を供給する場合、液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂの端辺との間の間隔Ｇの領域であって、片側領域２ｅともう一方の片側領域２ｆとの間の領域において、ディスペンサ２４からのシリコンモールド１８の吐出を一旦停止するのは次に理由による。
【００５４】
すなわち、ディスペンサ２４から吐出されるシリコンモールド１８の吐出量が比較的多いとき、ディスペンサ２４によって液晶駆動用ＩＣ１６の長辺と第２基板２ｂとの間の狭い間隙Ｇの部分にもシリコンモールド１８を供給するものとすれば、該部分へのシリコンモールド１８の供給量が過剰となるおそれがあるからであり、これに対して本実施形態のように、液晶駆動用ＩＣ１６と第２基板２ｂとの間の狭い領域にはシリコンモールド１８を供給しないことにすれば、そのようなシリコンモールド２４の過剰な供給を防止できるからである。
【００５５】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００５６】
例えば、図３に示した工程図は、本発明を理解し易くするために挙げた一例であり、実際の製造工程においては、図３に例示した工程以外の各種の工程を必要に応じて追加することがでできる。
【００５７】
また、図３の実施形態では、保護剤供給工程Ｃ８及び基板傾斜工程Ｃ９を、偏光板の貼付工程Ｃ６及び半透過反射板の貼付工程Ｃ７が終了した後の最終段階で実施したが、これらの工程Ｃ８及びＣ９を、より早い段階で実施することもできる。
【００５８】
また、図１に示した実施形態では保護剤としてシリコンモールド、すなわち常温硬化型樹脂を用いたが、保護剤としてその他の種類の常温硬化型樹脂を用いることもできるし、あるいは、常温硬化型樹脂に替えて紫外線硬化型樹脂を用いることもできる。紫外線硬化型樹脂を用いる場合には、基板張出し部上に供給した保護剤の流れ具合を確認した上で保護剤を硬化できるので好都合である。
【００５９】
また、基板張出し部上にＩＣチップを直接に実装する構造のＣＯＧ方式の液晶装置の場合には、一般的に、ＩＣチップと基板との間の部分に保護剤を充填することが難しいのであるが、保護剤として紫外線硬化型樹脂を用いれば、当該部分への保護剤の充填を確認してから保護剤を硬化できるので好都合である。
【００６０】
【発明の効果】
本発明に係る液晶装置の製造方法によれば、保護剤が有する流動性を利用して保護剤を基板張出し部上で流動させるようにしたので、基板張出し部上に供給した保護剤の高さを均一な薄い厚さに形成できる。しかも、単に基板を傾斜させるという非常に簡単な処理だけでそのことを実現できる。
【００６１】
また、一対の基板がシール材によって貼り合わされている液晶パネル構造において基板張出し部におけるシール材近傍の領域には、通常、保護剤が付着させにくいのであるが、本発明に係る製造方法によれば、その領域にも保護剤を極めて容易に行き渡らせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の製造方法を用いて製造される液晶装置の一例を一部破断して示す平面図である。
【図２】図１の液晶装置の断面構造を示す断面図である。
【図３】本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図４】図３の製造方法の途中で形成される大判の基板の一部を示す平面図である。
【図５】図３の製造方法の主要工程を説明するための平面図である。
【図６】保護剤の塗布方法の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１              液晶装置
２ａ，２ｂ      基板
２ａ’，２ｂ’  大判基板
２ｃ            基板張出し部
２ｄ            基板の延出部
２ｅ，２ｆ      基板の片側領域
３              シール材
７ａ，７ｂ      電極
１４              液晶
１５              配線
１６              液晶駆動用ＩＣ
１８              シリコンモールド（保護剤）
２３              基板の凹部
２４              ディスペンサ
Ｄ              寸法
Ｇ              間隔
Ｋ１，Ｋ２      シリコンモールドの供給経路
Ｐ１            基板辺端近傍
Ｐ２            ＩＣチップ近傍
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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