(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に保持した基板を回転させながら、該基板の上方側に設けたノズルを基板の回転中心部側から周縁に向かって移動させると共に塗布膜成分と溶剤とを含む塗布液の吐出を行って、該塗布液を螺旋状に塗布することで基板上に塗布膜を形成していく第１の塗布工程と、
この第１の塗布工程において、ノズルが塗布液の塗布を行った既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知するために、該既塗布領域内における基板の表面状態を監視する監視工程と、
この監視工程で未塗布領域を検知したときに、第１の塗布工程で用いたノズルとは異なるノズルにより該未塗布領域を埋めるように前記塗布液の塗布を行う第２の塗布工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
監視工程は、ノズル直下位置近傍の基板表面を監視する工程であることを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
監視工程は、基板表面に光を照射し、この光の反射強度を監視することで未塗布領域を検知する工程であることを特徴とする請求項１または２記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
監視工程は、基板に塗布された塗布液表面の段差を監視することで未塗布領域を検知する工程であることを特徴とする請求項１または２記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
第１の塗布工程は、ノズルの位置とノズルが該位置にあるときの基板の回転数との関係を示す回転数パターンと、ノズルの位置と該位置におけるノズルの移動速度との関係を表す移動パターンと、を含む塗布データに基づいて行われる工程であり、監視工程において未塗布領域が検知されたときには、同一箇所で未塗布領域が生じないように、前記塗布データの修正を行うデータ修正工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
データ修正工程は、監視工程において、未塗布領域が同一箇所で２回以上続けて検知されたときに塗布データの設定に誤りがあるものと判断し、塗布データの修正を行う工程であることを特徴とする請求項５記載の塗布膜形成方法。
【請求項７】
データ修正工程は、塗布液の塗布が行われる時間の全体に亘って基板の回転数が高くなるように、回転パターンの修正を行う工程であることを特徴とする請求項５または６記載の塗布膜形成方法。
【請求項８】
基板を水平に保持して回転させる基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の中心部と外縁部との間を移動し、該基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を螺旋状に塗布して塗布膜を形成する主ノズルと、
この主ノズルが塗布を行った既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知するため、該既塗布領域内における基板の表面形状を監視する監視手段と、
この監視手段が前記既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知したときに、該未塗布領域を埋めるように前記塗布液の塗布を行う補助ノズルと、を備えることを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項９】
主ノズルは、監視手段と一体的に移動するように構成されたものであることを特徴とする請求項８記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板上に樹脂等を溶剤に溶かした液体例えばポリイミド溶液を塗布し、液膜を形成する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜を形成するために、ポリイミドを半導体ウエハなどの基板上に塗布する処理がある。係る処理では、従来から基板表面に形成される塗布膜の膜厚が全体に亘って均一であることが要求されているが、近年では回路等の微細化に伴い、従来よりも更に高い膜厚の面内均一性が求められている。
【０００３】
このような状況下、塗布膜形成装置の一つとして、ポリイミドを溶剤に溶かした薬液を塗布前に溶剤で更に薄めて塗布液とし、例えば図１１に示すように半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗを回転させておいてノズル１１をウエハＷの中心から径方向に徐々に移動させながら前記塗布液１２をウエハＷ表面に吐出し、この塗布液１２を一筆書きの要領で螺旋状に塗布していくものが検討されている。
【０００４】
このような装置では螺旋状に塗布される塗布液の線を、ウエハＷの径方向に向かって隙間が生じぬように、密着させて配列していくことで塗布液同士が一体化し、結果として膜厚の面内均一性の高い塗布膜が形成される。具体的には例えば予め測定しておいたデータに基づき、ノズル直下位置におけるウエハＷの座標ごとに塗布液の吐出流量、基板の回転数及びノズルの移動速度等の値を合わせ込んだ塗布データを作成し、このデータに基づいて塗布液の塗布が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した装置では例えば１００μｍ程度の細径のノズルが用いられるため、ノズルの流路内にてキャビテーション（空洞現象）が起こり、これに起因して生じる塗布液の泡がウエハＷ表面上で弾けることにより、塗布液の線が途切れたような形状の未塗布領域が発生していしまう問題があった。このため例えば塗布液内に残留する気泡などを除去するための脱気機構をノズル上流に設ける、といった各種対策も検討されたが、その効果はいずれも不十分であった。
【０００６】
また、細径のノズルを用いることにより、ウエハＷ上に塗布される塗布液の線幅も細くなるが、このような幅狭の塗布液を隙間なく密着させていくためには、上述した塗布データに基づいてノズルをウエハＷに対し極めて精密に相対移動させなければならない。しかし、塗布データには各条件ごとに一定の誤差幅が設けられているものの、例えば３つの条件が全て誤差限度間近の値であった場合などには部分的に塗布液の線同士が離れてしまい、各々の隙間に線状の未塗布領域が生じることがあった。
【０００７】
更に、塗布液は見かけ上螺旋を描くように塗布されるが、実際にノズルが螺旋状に動くのではなく、上述したようにノズルの位置をウエハＷの回転と該ウエハＷの径方向に直進するノズルとの兼ね合いで変化させているため、ミクロな視点で見ると、ウエハＷ上の塗布液は微少ながら階段状に変化したものであり、この階段が大きくなれば、やはり隣接する塗布液の線の間に線状の未塗布領域が発生してしまう。
【０００８】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は基板に塗布膜を形成するにあたり、該塗布膜の膜厚の面内均一性を高め、スループットを向上させる技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る塗布膜形成方法は、水平に保持した基板を回転させながら、該基板の上方側に設けたノズルを基板の回転中心部側から周縁に向かって移動させると共に塗布膜成分と溶剤とを含む塗布液の吐出を行って、該塗布液を螺旋状に塗布することで基板上に塗布膜を形成していく第１の塗布工程と、
この第１の塗布工程において、ノズルが塗布液の塗布を行った既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知するために、該既塗布領域内における基板の表面状態を監視する監視工程と、
この監視工程で未塗布領域を検知したときに、第１の塗布工程で用いたノズルとは異なるノズルにより該未塗布領域を埋めるように前記塗布液の塗布を行う第
【００１０】
このような方法によれば、従来塗布液を螺旋状に塗布するにあたり生じ易かった未塗布領域を確実に埋めることができるため、塗布膜の膜厚の面内均一性を高めることができる。具体的には、監視工程はノズル直下位置近傍の基板表面を監視する工程とすることが好ましく、このようにすることで未塗布領域が検知されたときに、第１の塗布工程の終了を待つことなく第２の塗布工程を行うことができ、スループットが向上する。
【００１１】
また前記監視工程については、例えば基板表面に光を照射し、この光の反射強度を監視して未塗布領域を検知する方法、或いは基板に塗布された塗布液表面の段差を監視して未塗布領域を検知する方法を採ることが好ましい。
【００１２】
更に本発明は、前記第１の塗布工程を、ノズルの位置とノズルが該位置にあるときの基板の回転数との関係を示す回転数パターンと、ノズルの位置と該位置におけるノズルの移動速度との関係を表す移動パターンと、を含む塗布データに基づいて行う工程とし、監視工程において未塗布領域が検知されたときに、同一箇所で再び未塗布領域が生じないように、前記塗布データの修正を行うデータ修正工程を含むようにしてもよい。このデータ修正工程は、例えば監視工程において未塗布領域が同一箇所で２回以上続けて検知されたときに塗布データの設定に誤りがあるものと判断し、また該塗布データに誤りがあると判断したときには、塗布液の塗布が行われる時間の全体に亘って基板の回転数が高くなるように、回転パターンの修正を行う工程とすることが好ましい。
【００１３】
このような方法によれば監視工程にて検知された未塗布領域が塗布データの設定不良によるものなのか、それとも偶発的に生じたものなのか見極めることができるため、塗布データの見直しを頻繁に行う必要がないという利点がある。
【００１４】
また本発明に係る塗布膜形成装置は、基板を水平に保持して回転させる基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の中心部と外縁部との間を移動し、該基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を螺旋状に塗布して塗布膜を形成する主ノズルと、
この主ノズルが塗布を行った既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知するため、該既塗布領域内における基板の表面形状を監視する監視手段と、
この監視手段が前記既塗布領域内に生じた未塗布領域を検知したときに、該未塗布領域を埋めるように前記塗布液の塗布を行う補助ノズルと、を備えることを特徴とする。
【００１５】
このような構成において、主ノズルは監視手段と一体的に移動する構成とすることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布膜形成方法を実施する装置について、一例を挙げて説明する。先ずこの装置の全体構成について図１及び図２を参照しながら説明すると、図中２１は、例えば側方に基板であるウエハＷの搬入出を行うための図示しない開口部が形成された中空のケース体であり、その内部にはウエハＷを裏面側から真空吸着し、これを水平に保持するウエハ保持部２２と、このウエハ保持部２２を下方側から支持すると共に、塗布処理時にはウエハ保持部２２を鉛直軸周りに回転させる回転機構２３とが設けられている。
【００１７】
ケース体２１の天井部にはＸ方向に延びるスリット２４が形成されており、このスリット２４の上方には、例えばウエハＷに対して塗布液であるポリイミド溶液を供給するための主ノズル３１及び補助ノズル４１が設けられている。主ノズル３１は駆動機構３２により、補助ノズル４１は駆動機構４２により、いずれも下端部先端の吐出孔３１ａ，４１ａがスリット２４を介してケース体２１内に突出した状態で保持され、夫々が独立してＸ方向に移動するように構成されている。また詳細は後述するが、補助ノズル４１は、主ノズル３１が塗布液の供給を行った範囲内で生じる未塗布領域に塗布液の供給を行うためのものであるため、両ノズルのみならず夫々に対する後述する液供給系についても概ね同様に構成され、例えば吐出孔３１ａ，４１ａの口径は共に１００μｍ程度であって、各々が例えばウエハＷの１０ｍｍ上方側から０．０５ミリリットル／ｓｅｃの流量で塗布液をウエハＷ表面に吐出するようになっている。また回転機構２３及び駆動機構３２，４２の夫々は図示しないコントローラを介して制御部５へと接続しており、該制御部５からの制御信号に従って駆動するように構成されている。
【００１８】
ここで図１を参照しながら本実施の形態における液供給系の構成について説明すると、主ノズル３１及び補助ノズル４１の基端側には塗布液供給源６が接続されており、主ノズル３１と塗布液供給源６との間にはバルブ３３及びポンプ３４が、補助ノズル４１と塗布液供給源６との間にはバルブ４３及びポンプ４４が夫々介設されている。この塗布液供給源６には例えば塗布膜の成分であるポリイミド成分を例えばＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等の溶剤に溶解させたポリイミド溶液が貯留されている。またポンプ３４及びポンプ４４は、図示しないコントローラを介して制御部５と接続されており、制御部５からポンプ３４及びポンプ４４の制御を行うことで主ノズル３１及び補助ノズル４１における塗布液の吐出流量を調節できるように構成されている。
【００１９】
このような構成において、ポンプ３４，４４には例えばベローズ型ポンプが用いられる。ベローズ型ポンプとは、ベローズの伸縮により液の吸入及び吐出のタイミングを切り替えるポンプであり、その伸縮動作は例えばステッピングモータにより行われる。従って例えば制御部５によりステッピングモータの駆動制御を行うことでベローズの伸縮幅を変化させ、これに伴うポリイミド溶液の吐出流量を調節する仕組みとなっている。なお本実施の形態ではベローズやステッピングモータといったポンプ３４，４４における塗布液の流量を調節する部位について図示を省略している。
【００２０】
また、例えば主ノズル３１の側方にはウエハＷの表面状態を監視し、該ウエハＷ上の既に塗布液の塗布が行われた領域（既塗布領域）内に未塗布領域が発生したか否か検知するための監視手段７が設けられている。この監視手段７は、例えば主ノズル３１からウエハＷ表面に供給された塗布液の線及びこの線の左右側近傍を監視することで、塗布液の線上または隣接する領域に未塗布領域が存在するか否か検知するものであり、具体的には例えばレーザー変位計を用いて塗布液の段差から未塗布領域を検知する装置や、例えば赤色ＬＥＤからウエハＷに向けて照射を行い、該ウエハＷの下地で反射した反射光から未塗布領域を検知する装置等を用いることが可能である。また、監視手段７により得たウエハＷの表面状態に関するデータは制御部５へと送信されるように構成されており、該データに基づき例えば補助ノズル４１の駆動制御及びポンプ４４の流量制御が行えるように構成されている。
【００２１】
次いで、図３を参照しながら上述した制御部５について説明を行う。図示する制御部５は主要部をブロック化して示したものであり、大きく分けてデータ処理部５ａ、プログラム格納部５ｂ及びメモリ５ｃからなる各ブロックがバス５１を介して信号の送受信を行うように構成されている。また、制御対象である既述の回転機構２３、駆動機構３２、４２、ポンプ３４、４４及び監視手段７はバス５１を介して制御部５と接続されており、夫々に設けられる図示しないコントロールユニットを介して前記各ブロックとの信号の送受信を行うようになっている。
【００２２】
プログラム格納部５ｂには、例えば監視手段７から送信されるウエハＷの表面状態を監視して得たデータに基づき、未塗布領域が発生したか否か判断し、更に未塗布領域が発生したと判断されたときに例えば該未塗布領域の形状を把握すべくその始点、長さ等の算出を行う未塗布領域検出プログラム５２と、補助ノズル４１を用いて未塗布領域に塗布液を供給するときに駆動機構４２及びポンプ４４の制御を行う補助ノズル駆動プログラム５３と、主ノズル３１を用いて塗布液の螺旋状塗布を行うときに回転機構２３、駆動機構３２及びポンプ３４を制御する塗布プログラム５４とが格納されている。
【００２３】
またメモリ５ｃには、例えば塗布プログラム５４を実行する際に参照される塗布データが複数格納されており、一の塗布データは例えば目標膜厚毎に予め用意されたウエハＷの回転数パターン５５と主ノズル３１の移動パターン５６とで構成されている。図示するように回転数パターン５５は、主ノズル３１の位置（ウエハＷの中心からの距離）と主ノズル３１が該位置にあるときのウエハＷの回転数との関係を、移動パターン５６は、主ノズル３１の位置と主ノズル３１が該位置にあるときの径方向への移動速度との関係を夫々定めたものであり、これら塗布データの組は例えばウエハＷ表面に塗布液を螺旋状に塗布するときに、ウエハＷの中央部から外縁側に向かって塗布されていく塗布液の線同士が、隙間なく密着するように、例えば予め行った実験等に基づき決定されている。
【００２４】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ずウエハＷは図示しない搬送手段によりウエハ保持部２２上方の所定位置まで搬入され、その後ウエハＷ保持部２２により裏面側を吸着され概ね水平に保持される。一方、塗布液供給源６では図示しない混合部にてポリイミド液と溶剤とを所定の比率で混合し、塗布液として適当な濃度となるように調整を行っておく。
【００２５】
そしてオペレータは塗布プログラム５４を実行し、例えば塗布膜の目標膜厚に応じて該塗布プログラム５４がメモリ５ｃから選択する塗布データ中の回転数パターン５５及び移動パターン５６の各データに基づいて、ウエハＷを所定の回転数で回転させる一方、主ノズル３１をウエハＷ中心の上方に位置決めし、バルブ３３を開いて所定量の塗布液の吐出を開始してウエハＷの中心から周縁側へ向かって径方向に徐々に移動させる。このようにすることで、塗布液はウエハＷ表面に螺旋状の模様を描きながら塗布されていく。
【００２６】
以上が特許請求の範囲に記載する第１の塗布工程に相当する工程を説明したものであるが、ここでウエハＷ上において塗布液が塗布されていく方向を前方とすると、監視手段７では例えば主ノズル３１直下位置より僅かに後方位置の表面状態の監視を行っている。そこで例えば監視の結果、未塗布領域が検知された場合の対処等の各工程について、以下に図４に示すフロー図を参照しながら説明していく。なお、ここでは便宜上主ノズル３１及び補助ノズル４１における塗布液の吐出流量は常に一定であるものとし、また未塗布領域Ｐの幅については図５に示すように概ね塗布液Ｑの線幅と同じであるものとして話を進める。
【００２７】
先ず、監視工程７では図６に示すように例えばレーザー変位計により塗布液Ｑ表面の段差を監視しており、予め判明しているウエハＷの表面形状との差から当該監視部位における塗布液Ｑの厚さを検出し、その検出結果に基づいて未塗布領域Ｐが生じたか否かを判断する（ステップ１）。この工程において、ウエハＷ表面に塗布液が全く付着してい場合でも、或いは気泡がはじけて微量の塗布液が付着した場合でも、正常に塗布液が塗布されていない部位は未塗布領域Ｐであると判断される。そして未塗布領域Ｐが検知されるとステップ２にてカウント値Ｓに１を加算し、未塗布領域Ｐが続く限りカウント値がアップしていく。既述のように、ここでは未塗布領域Ｐの幅を一定値とみなしているため、未塗布領域Ｐを認識するカウント値Ｓはそのまま長さ及び面積に比例する。このため例えば後述する補助ノズル４１を用いて行う未塗布領域Ｐに対する塗布処理（第２の塗布工程）を行うか否かの判断はカウント値Ｓの値を基準に行われる。
【００２８】
そして監視手段７にて未塗布領域が検知されなくなると、ステップ１で「Ｎｏ」となり、その時点でカウント値Ｓの値、即ち未塗布領域Ｐの長さが決定し、Ｓの値が設定値Ｓ１よりも大きいか否かの判断が行われる（ステップ３）。ここでＳの値が設定値Ｓ１を越えていなければ、該未塗布領域Ｐは微少であり、カウント値Ｓのカウントを０にリセットする（ステップ４）。従って主ノズル３１がこれまで塗布した領域内では、未塗布領域は生じていないものと擬制され、そのまま第１の塗布工程が継続されると共に、監視手段７ではＳ＝０の状態からカウントが再開される。ここまでの説明はレーザ変位計が未塗布のポイントを見つけた場合であるが、塗布が正常に行われているときは、ステップ１→ステップ２→ステップ３→ステップ４のループになる。
【００２９】
一方、カウント値Ｓの値が設定値Ｓ１を越えていた場合には、設定値Ｓ１を越える数値に設定される設定値Ｓ２よりも大きいか否かの判断が行われる（ステップ５）。このステップ５は、ウエハＷ表面に発生した未塗布領域Ｐがあまりにも大きい場合、塗布液供給系のトラブルなどシステムの異常と判断し、オペレータに知らせるためのものであり、カウント値Ｓが設定値Ｓ２を越えていた場合には、例えばオペレータに第２の塗布工程を行うことができない未塗布領域Ｐが生じた旨を知らしめるべく、異常アラームを発し（ステップ６）、しかる後カウント値を０にリセットする（ステップ７）。
【００３０】
そしてカウント値Ｓの値がＳ２を越えていなければ、回転機構２３の回転周期及びカウント値Ｓのカウント開始時刻から、カウント値Ｓのカウントが開始された未塗布領域Ｐの後端部位（始点）の座標を算出し（ステップ８）、またカウント値Ｓ及び当該部位におけるウエハＷの回転数から未塗布領域Ｐの長さを算出することで未塗布領域Ｐの形状が判明する。そして補助ノズル駆動プログラム５３に基づき補助ノズル４１による該未塗布領域Ｐの塗布が行われる（ステップ９）が、第２の塗布工程は第１の塗布工程の終了を待つことなく、例えば未塗布領域Ｐが検出されると直ちに開始されるため、例えば図７に示すように主ノズル３１における螺旋状塗布が継続された状態で、補助ノズル４１による未塗布領域Ｐへの塗布液の供給が行われ、該未塗布領域Ｐへの塗布終了に伴いカウント値Ｓは０にリセットされる（ステップ１０）。
【００３１】
これまで述べてきたように、本実施の形態によれば主ノズル３１からウエハＷ表面に塗布液の供給を行うと共に、当該塗布液がウエハＷ表面上で未塗布領域を生じることなく意図したとおりに塗布されているか否か監視手段７にて監視するようにしているため、第１の塗布工程においてウエハＷ表面に未塗布領域を検知した後、直ちに第２の塗布工程に移行し、該未塗布領域を塗布液で埋める処置を施すことができる。
【００３２】
また本実施の形態では、監視手段７を主ノズルと一体化させると共に、該監視手段７についてはウエハＷ表面の主ノズル３１直下近傍の監視を行うように構成したため、例えば主ノズル３１から吐出された塗布液がウエハＷ表面に付着した直後に、未塗布領域発生を検知することができる。また監視手段７が未塗布領域を検知したときに行う第２の塗布工程を、主ノズル３１と別個に設けた補助ノズル４１にて行うようにしているため、例えば主ノズル３１による第１の塗布工程終了を待つことなく、並行して補助ノズル４１による第２の塗布工程を行うことができ、スループットの向上を図ることができる。
【００３３】
更に、未塗布領域検知から第２の塗布工程の開始までの時間が長いと、塗布された塗布液内に含まれる溶剤の揮発が始まるため、第１の塗布工程で塗布した部位と第２の塗布工程で塗布した部位とで、溶剤の揮発程度に差が生じ、結果として塗布膜の膜厚の面内均一性が低下してしまう場合があるが、本実施の形態では、第２の塗布工程を未塗布領域検知後速やかに行うことができるため、上記問題の発生を回避できるという利点もある。
【００３４】
ところで上述実施の形態では、塗布液の線が途切れて生じた未塗布領域であっても、塗布データの設定不良等により生じる線状の未塗布領域であっても、いずれにおいても第２の塗布工程を行って該未塗布領域を埋める対策を採ることができるが、上述未塗布領域のうち後者については、例えば塗布データの見直しを行うことで未塗布領域の発生を抑えることができる。そこで、線状の未塗布領域が生じた場合における塗布データの修正を行う実施例について図８のフロー図を参照しながら説明する。
【００３５】
先ず、上述実施の形態では例えば図４におけるステップ２では監視手段７が未塗布領域Ｐを検知し続ける間、継続してカウント値Ｓが増していくが、このとき制御部５ではウエハＷ表面のどの部位で未塗布領域Ｐが発生したかウエハＷ毎にそのデータを把握しており、同一部位で未塗布領域Ｐが２回続けて発生したか否かの判断が行われる（ステップ１１）。そして例えば一のウエハＷでは未塗布領域Ｐが発生したが、次のウエハＷでは同一箇所で未塗布領域Ｐが検知されなかったときには塗布データの修正は行われず、２回続けて検知されると塗布データの設定に誤りがあるものと判断し、該塗布データの修正が行われる（ステップ１２）。
【００３６】
塗布データには既述のようにウエハＷの回転数パターン５５と、主ノズル３１の移動パターン５６とが含まれるが、ここでは回転数パターン５５のみを修正する方法を例にとって説明する。線状の未塗布領域は、塗布液の線同士が密着する場合に比して当該部位における回転数が低いために生じるものであり、例えば図９(a)の縦断面図に示すように該未塗布領域Ｐの幅をＬ１、塗布液の線幅をＬ２とすると、塗布液の線が密着するためにはウエハＷが一回転する間にＬ２だけ外縁側に塗布されなければならないところ、未塗布領域Ｐが検出された部位では、塗布液がＬ１＋Ｌ２外縁側に移動しており、Ｌ１分だけ回転数の遅れがあることが分かる。そこで当該部位において回転数が（Ｌ１＋Ｌ２）／Ｌ２倍の回転周期となるように、例えば図９(b)に示すように点線位置にあった回転数カーブを実線位置まで全体的に上昇させ、修正された回転数カーブを再度メモリ５ｃに格納する。そして、次のウエハＷ以降は修正した回転数カーブを用いて塗布処理が行われる。
【００３７】
このような実施の形態によれば、監視手段７により検出された未塗布領域が塗布データの設定不良であるのか、それとも偶発的に生じたものなのか見極めることができるため、塗布データの見直しを頻繁に行う必要がなくなりスループットが向上する。
【００３８】
以上において、主ノズル３１及び補助ノズル４１における塗布液の吐出流量が一定の場合を例に説明を行ったが、例えばポンプ圧、或いはノズル径を変化させることで該吐出流量を変化させるようにしてもよく、このようにすることで無駄なく、より適切な量の塗布液を未塗布領域に供給することができる。
【００３９】
また上述実施の形態では、主ノズル３１が塗布した後、直ちに未塗布領域が検出され、更に第２の塗布工程が行われていたため、その間隔は短く、未塗布領域が生じたときと第２の塗布工程を行うときのウエハＷの回転数を同一とみなして処理を行ったが、実際には図４に示す回転数パターン５５のようにウエハＷの回転数はノズル直下の位置に応じて変化するため、例えばこれに適合するように補助ノズル４１における吐出流量を及び吐出時間を調節させてもよい。
【００４０】
なお本実施の形態では、補助ノズル４１を用いずに主ノズル３１により未塗布領域を埋めるようにしてもよい。
【００４１】
次に上述の塗布膜形成装置を塗布ユニットに組み込んだ基板処理装置について図１０を参照しながら簡単に説明する。図中８１はカセットステーションであり、例えば２５枚のウエハＷを収納したカセットＣを載置するカセット載置部８２と、載置されたカセットＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアーム８３とが設けられている。この受け渡しアーム８３の奥側には筐体８４にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されている。処理部Ｓ１の中央には主搬送手段８５が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット８６が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。
【００４２】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、塗布ユニット８６の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、例えば塗布ユニット８６にて塗布液が塗られたウエハＷを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット、ウエハＷを冷却する冷却ユニット等が含まれる。なお棚ユニットＵ２，Ｕ３については、ウエハＷを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニットも組み込まれる。また、上述した主搬送手段８５は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット８６及び棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニット間でウエハＷの受け渡しを行うことが可能となっている。
【００４３】
【発明の効果】
以上のように本発明に係る塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置によれば、基板に塗布膜を形成するにあたり、該塗布膜の膜厚の面内均一性を高め、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る塗布膜形成方法を実施するための装置を示す縦断面図である。
【図２】本発明に係る塗布膜形成方法を実施するための装置を示す平面図である。
【図３】前記装置について制御部を中心に全体構成を説明するための説明図である。
【図４】本発明における第２の塗布工程を説明するためのフロー図である。
【図５】未塗布領域Ｐの形状を説明するための概略平面図である。
【図６】主ノズル及び監視手段の作用を説明するための説明図である。
【図７】補助ノズルの作用を説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る塗布膜形成方法の他の実施例を説明するためのフロー図である。
【図９】前記他の実施例における塗布データの修正について説明するための説明図である。
【図１０】前記塗布膜形成方法を実施するための装置を組み込んだ基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図１１】従来発明における塗布液の螺旋状塗布について示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗ      半導体ウエハ
２３    回転機構
３１    主ノズル
４１    補助ノズル
３２，４２  駆動機構
３４，４４  ポンプ
５      制御部
５ａ    データ処理部
５ｂ    プログラム格納部
５ｃ    メモリ
６      塗布液供給源
７      監視手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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