(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み取り光を発生する発光素子と、
物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、
前記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、
該発光光学系により集光された読み取り光を反射させて進行方向を変える読み取り光反射手段と、
物体表面で反射された読み取り光（以下、反射光という。）を反射させて進行方向を変える反射光反射手段と、
該反射光反射手段により進行方向が変えられた反射光を前記受光素子に集光させる受光光学系と、
上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段を備え、上記発光光学系及び受光光学系を保護するためのレンズカバーと
を有し、
上記レンズカバーに取り付け用突起部を設けたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
読み取り光を発生する発光素子と、
物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、
上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、
上記物体表面で反射された読み取り光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、
上記発光光学系及び上記受光光学系を保護するための透明なレンズカバーと
を有し、
上記レンズカバーは、上記発光光学系で集光された光を反射させて前記物体表面に導き、前記物体表面で反射された読み取り光を反射させて上記受光光学系に導く傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
上記受光素子に入射する外乱光を遮光する遮光手段を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体装置。
【請求項４】
上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段は、１つの傾斜面から構成されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項５】
上記傾斜面の傾斜角度は、上記物体表面で反射され、上記傾斜面に入射する散乱反射光の割合が、直接反射光に対して相対的に増加する角度とされている
ことを特徴とする請求項２又は４記載の光半導体装置。
【請求項６】
上記読み取り光反射手段及び反射光反射手段は、各々２以上の反射面を備える
ことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体装置に関し、特に、バーコードの読み取り、物体検知等に使用されるフォトインタラプタ等の光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は、発光部と受光部を備え、物体表面で反射された発光部からの光を受光部で検出する反射型フォトインタラプタ２０の構成を示している。このような従来のフォトインタラプタ２０では、発光素子チップ２と受光素子チップ３がヘッダ４に、例えば金線等でワイヤーボンディングされて取り付けられている。さらに、このようなフォトインタラプタは、発光素子チップ２からの読み取り光を物体表面に集光させあるいは物体表面で反射された読み取り光を受光素子チップ３に集光させるためのレンズ５、各部材を保持すると共に受光素子チップ３に入射する外乱光を遮断するためのケース１、レンズ５を保護するためのレンズカバー１８等を備えている。
【０００３】
このように構成された反射型フォトインタラプタ２０をバーコードの読み取りに使用する場合、反射型フォトインタラプタ２０上でバーコード６を移動させ、もしくは、バーコード６上で反射型フォトインタラプタ２０を移動させて読み取りを行う。
【０００４】
このとき、バーコードを構成する白の面がレンズ５によって読み取り光が集光される位置にあるときは、反射光の強度が高くなり、受光素子チップ３に集光される反射光の強度が高くなって受光素子チップ３により発生される光電流が増加する。また、バーコードを構成する黒の面が読み取り光が集光される位置にあるときは、反射光の強度が弱くなり、受光素子チップ３により発生される光電流は相対的に少なくなる。これにより、バーコードのパターンが受光素子チップ３により発生される光電流の変化に変換される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のフォトインタラプタ２０では、レンズ５の焦点距離をある程度以下に短くすると、レンズ５の収差が大きくなるために、発光素子チップ２及び受光素子チップ３とバーコード６の間の距離をある程度確保しておく必要があり、このようなフォトインタラプタ２０を用いた機器の小型化を阻害する。
【０００６】
また、無理に発光素子チップ２及び受光素子チップ３とバーコード６の間の距離を短くすると、例えばレンズ５の焦点距離を短くするためにレンズ５の曲率を小さくすると、レンズ５の収差が大きくなってバーコードの白の面と黒の面の判別に支障を生じ、また、焦点深度が取れなくなってバーコードのバタツキ（光軸方向の位置の変化）にも弱くなる。
【０００７】
また、上述の図２に示すような反射型フォトインタラプタでは、作りやすさを考えて発光側、受光側が左右対象につくられている。このため、発光素子チップ２により発する光がバーコードに反射し、その直接反射光がそのまま受光素子チップ３に入射される。このような直接反射光はバーコードの白と黒よりも表面の光沢による強弱があり、表面の光沢の強いバーコードでは、ほとんど読み取り不能になってしまう。そこでセンサを傾けて図３に示すように散乱光の割合を大きくして使用する。
【０００８】
しかしながら、フォトインタラプタを傾けて使用することで、フォトインタラプタの収納スペースが大きくなり、取り付けも難しくなる。従って、このようなフォトインタラプタを用いた機器の小型化がさらに難しくなる。
【０００９】
本発明は、上述のような問題点に鑑みてなされたものであり、機器の小型化に寄与することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光半導体装置は、読み取り光を発生する発光素子と、物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、該発光光学系により集光された読み取り光を反射させて進行方向を変える読み取り光反射手段と、物体表面で反射された読み取り光（以下、反射光という。）を反射させて進行方向を変える反射光反射手段と、該反射光反射手段により進行方向が変えられた反射光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段を備え、上記発光光学系及び受光光学系を保護するためのレンズカバーとを有し、
上記レンズカバーに取り付け用突起部を設けたことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、読み取り光を発生する発光素子と、物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、上記物体表面で反射された読み取り光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、上記発光光学系及び上記受光光学系を保護するための透明なレンズカバーとを有し、
上記レンズカバーは、上記発光光学系で集光された光を反射させて前記物体表面に導き、前記物体表面で反射された読み取り光を反射させて上記受光光学系に導く傾斜面を有することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）及び同図（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、発光素子、受光素子、光学系等を備えたフォトインタラプタに本発明を適用したものである。
【００１４】
このフォトインタラプタ１０は、読み取り光を発生する発光素子チップ２と、被測定物（物体）の表面で反射された読み取り光（以下、反射光という。）を受光する受光素子チップ３と、発光素子チップ２と受光素子チップ３が配置されたヘッダ４と、発光素子チップ２、受光素子チップ３上に配設され、発光素子チップ２からの読み取り光を集光すると共に、反射光を受光素子チップ３に集光するレンズ５と、発光素子チップ２〜ヘッダ４を収納するためのケース１と、レンズ５上に配置されたレンズカバー８より構成されている。
【００１５】
レンズ５は、読み取り光をバーコード６等の被測定物（以下、単にバーコード６という。）の表面に集光するための部分と、バーコード６の表面で反射された読み取り光を受光素子チップ３に集光させるための部分とを有し、各々異なる光軸を有する。
【００１６】
レンズカバー８は、透明なガラス、樹脂等からなり、レンズ５の２つの光軸を含む平面に対して４５°の傾きを持つ傾斜面を備えている。
【００１７】
発光素子チップ２により発生された読み取り光はレンズ５によって集光され、レンズカバー８の傾斜面によって反射され、進行方向が変えられてバーコード６に到達する。（例えばレンズカバー８の屈折率Ｎが１．５である場合には、傾斜面に対する読み取り光の入射角（すなわち傾斜角α１）が４１．８°以上であれば傾斜面に入射した光が全反射する。）バーコード６の表面で反射された読み取り光は、レンズカバー８の傾斜面で進行方向が変えられ、レンズ５によって集光されて受光素子チップ３に入射する。
【００１８】
この第１の実施形態では、上述のようにレンズカバーの傾斜面で読み取り光を反射させる構成としたことによって、図４に示すように、フォトインタラプタを収納するための読み取り光の照射方向のスペースが短くなり、このようなフォトインタラプタを組み込む装置の小型化を実現することができる。
【００１９】
また、従来は読み取り光の進行方向を変更する場合等に、レンズカバーとは別個にプリズム等を設けていたが、上述のような形状のレンズカバーを用いることにより、レンズ５を保護するために設けていたレンズカバーがプリズムと同様に機能するため、別個のプリズム等を設ける必要がない。従って、このようなフォトインタラプタを用いた機器のコストを低減させることができる。
【００２０】
図５（Ａ）及び同図（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第１の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図５では上述の図１中と同様若しくは対応する構成要素は図１と同様な符号で示されている。
【００２１】
このフォトインタラプタ３０は、上述の図１に示すフォトインタラプタ１０と同様に、発光素子チップ２と受光素子チップ３が配置されたヘッダ４と、発光素子チップ２、受光素子チップ３上に配設されたレンズ５と、発光素子チップ２〜ヘッダ４を収納するためのケース１と、レンズ５上に配置されたレンズカバー８とを備えている。
【００２２】
さらに、このフォトインタラプタ３０は、レンズカバー８のバーコード６に対向する面に一体成形された、当該フォトインタラプタ３０の取り付け及び取り付け時の位置決めに用いる取り付け用突起部７を備えている。
【００２３】
この取り付け用突起部７は、円柱状とされており、その口径Ｌ２は、図６に示すように、取り付け用突起部７の先端より出射するときの読み取り光の光の広がり径Ｄ１より大きくなっており、また、バーコード６の表面で反射した反射光の入射をさまたげない程度の径（あるいはケースの内面が低反射率化されていない場合には、レンズ５により受光素子チップ３に集光されうる反射光の入射をさまたげない程度の径）とされている。
【００２４】
このような構成のフォトインタラプタ３０を用いた機器は、図７に示すように、その筐体１１のフォトインタラプタ３０を取り付ける部分に上述の取り付け用突起部７の径Ｄ１に相当する径の取り付け孔１２を備えている。
【００２５】
このような筐体１１にフォトインタラプタ３０を取り付ける際には、図８に示すように、取り付け用突起部７を取り付け孔１２に嵌入する。取り付け孔１２の径が適切であれば、これによりフォトインタラプタ３０が筐体１１に固定される。これにより、フォトインタラプタ３０の取り付けが容易となる。
【００２６】
あるいは、取り付け孔１２の径に若干の遊びを持たせた場合には、取り付け用突起部７を取り付け孔１２に挿入することにより、フォトインタラプタ３０の位置決めを容易に行うことができる。この場合は、接着、融着、ケース１の部材によりフォトインタラプタ３０を挟持、その他の方法により、フォトインタラプタ３０を固定する。
【００２７】
このフォトインタラプタ３０では、読み取り光、反射光の光路である取り付け用突起部７により取り付けあるいは位置決めを行っているために、例えばフォトインタラプタ３０の他端（ヘッダ４付近）で取り付けあるいは位置決めを行っている場合等に比較して、光学特性のばらつきが少ない。また、図９に示すように、フォトインタラプタ３０に設けられた取り付け用突起部７を介して読み取り光、反射光の入出力を行っているために、筐体１１に対するフォトインタラプタ３０の位置が多少変動したとしても、フォトインタラプタ３０自体のフォーカス位置のずれ等はない。
【００２８】
なお、上述の説明では、取り付用突起部７の形状を円柱状としているが、角柱等他の形状でもよい。この場合においても、取り付け孔１２の形状が適切であれば上述と同様にフォトインタラプタ３０を固定することができる。あるいは、若干の遊びを有する場合では、位置決めを容易に行うことができる。特に、角柱等の回転防止面を有する形状とした場合には、フォトインタラプタ３０の回転を防止することができる。
【００２９】
図１０（Ａ）及び同図（Ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第１及び第２の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図１０では上述の図１、図５中と同様若しくは対応する構成要素はこれらの図と同様な符号で示されている。
【００３０】
このフォトインタラプタ４０は、上述の図５に示すフォトインタラプタ３０と同様に、発光素子チップ２と、受光素子チップ３の配置されたヘッダ４と、発光素子チップ２、受光素子チップ３上に配設されたレンズ５と、全体を収納するためのケース１とレンズ上に配されたレンズカバー８と、レンズカバー８のバーコードの対向する面に一体形成された取り付け用突起部７とを備えている。
【００３１】
上述の図５に示すフォトインタラプタ３０では、レンズカバー８の傾斜面の傾斜角α１を４５°としていたが、この図８に示すフォトインタラプタ３０では、この傾斜角α２を４５°以外、例えば５５°としている。この傾斜角α２は、直接反射光が取り付け用突起部７に入射しにくい程度とすればよい。（バーコードまでの距離、取り付け用突起部７の径等によって変化する。）
ここで、傾斜面の傾斜角を４５°とした場合、図１１に示すように、読み取り光がバーコード６に垂直に入射すると、この読み取り光に対する直接反射光が読み取り光と逆の経路をたどってレンズカバー８に入射する。
【００３２】
これに対し、図１２に示すように、傾斜角α２を４５°以外とすればバーコード６の表面で反射された直接反射光は入射方向と異なる方向に反射され、代わりにバーコード６の表面で散乱反射された散乱反射光（散乱光）が入射する。これにより、傾斜面で反射されてレンズ５により受光素子チップ３に集光される反射光中の散乱反射光の割合が直接反射光の割合に対して相対的に増加する。
【００３３】
直接反射光は、光強度が比較的強いが、被測定物表面の色だけでなく光沢等によってもその強度が影響されるため、例えば黒い部分であっても表面に光沢がある場合には、強度が高くなってしまい、白と黒の判断が難しくなってしまうことがある。これに対し散乱反射光は、光強度が比較的弱いが、表面の光沢等に比較的影響されない。このため、散乱反射光の比率を多くすれば、全体としての光強度は低下するが、被測定物表面の光沢等によって影響を受けにくくなり、Ｓ／Ｎ比を高くすることができる。
【００３４】
また、傾斜角α２を４５°より大きくするか小さくすれば反射光中の直接反射光の比率を低下させることができる。上述したように、レンズカバー８の屈折率が、例えば１．５である場合では読み取り光の入射角（すなわち、傾斜角）が４１．８°以上であれば、傾斜面で読み取り光が全反射されるため、傾斜角α２を４１．８°以上４５°未満に設定してもよいが、バーコード６の表面がレンズ５の光軸に平行である状態からずれた場合のマージンを考慮して、傾斜角α２を４５°以上とすることが望ましい。
【００３５】
このフォトインタラプタ４０は、上述のように、傾斜面の傾斜角を４５°以外としているため、入射される反射光中の散乱反射光の比率を高くすることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。また、このフォトインタラプタ４０では、傾斜面の傾斜角が読み取り光及び（散乱）反射光の全反射条件を満たす角度とされていることにより、入射した光の一部が傾斜面を透過して光強度の低下を生じることがない。
【００３６】
図１３（Ａ）及び同図（Ｂ）は本発明の第４の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第１〜第３の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図１３では上述の図１、図５、図１０中と同様若しくは対応する構成要素はこれらの図と同様な符号で示されている。
【００３７】
このフォトインタラプタ５０は、上述の図１に示すフォトインタラプタ１０と同様に、発光素子チップ２と、受光素子チップ３の配置されたヘッダ４と、発光素子チップ２、受光素子チップ３上に配設されたレンズ５と、全体を収納するためのケース１とレンズ上に配されたレンズカバー８とを備えている。
【００３８】
上述の図１、図５、図１０に示すフォトインタラプタ１０、３０、４０では、レンズカバー８に傾斜面を１つだけ設けていたが、この図１３に示すフォトインタラプタ３０では、この傾斜面を２つ備えている。
【００３９】
このような２つの傾斜面を設けない場合には、レンズカバー８の基端部（ケース１に接している部分）からバーコード６までの距離は、図１３（Ｂ）中の距離ａ＋距離ｂとなる。これに対し、このフォトインタラプタ５０では、レンズカバー８の基端部からバーコード６までの距離は同図中の距離ｂとなり、２つの傾斜面が無い場合に比較して距離ａだけ短くなっている。この距離ａは、２つの傾斜面の間隔を調節することにより自由に設定することができる。従って、上述のような２つの傾斜面が無い場合に比較して、このようなフォトインタラプタ５０を設ける機器の小型化に寄与することができる。
【００４０】
また、このフォトインタラプタ５０は、上述のような２つの傾斜面を備えることにより、例えば図１４に示すように、このようなフォトインタラプタ５０を組み込む装置内に複雑な凹凸があり、読み取り光を出力する位置と、レンズ５の光軸とを離すことが望まれる場合であっても対応することができる。これにより、このようなフォトインタラプタ５０を用いた機器の設計の自由度を高めることができる。また、自由度が高くなることにより、これらの機器の小型化等にも寄与することができる。
【００４１】
上述の各実施形態では、反射型フォトインタラプタに本発明を適用した場合について説明したが、第５の実施形態では、図１５に示すように、単体の発光素子６０又は受光素子７０に本発明を適用した。
【００４２】
この発光素子６０は、発光素子チップ２と、この発光素子チップ２を封入した透明な樹脂等からなるパッケージ２１を備えている。このパッケージ２１の一端には、上述の各実施形態のレンズカバー８に形成された傾斜面（反射面）に相当する傾斜面２２が形成されている。
【００４３】
また、受光素子７０は、上述の発光素子６０における発光素子チップ２の代わりに受光素子チップ３を備えている。
【００４４】
このように、発光素子６０、受光素子７０のパッケージ２１の一端に傾斜面２２を設けることにより、これらの発光素子６０、受光素子７０の配置の自由度が高くなる。従って、これらの発光素子６０、受光素子７０を用いた機器の小型化等に寄与することができる。
【００４５】
また、第６の実施形態では、図１６に示すように、上述の第５の実施形態と同様に単体の発光素子８０又は受光素子９０に本発明を適用した。
【００４６】
この発光素子８０は、上述の図１５に示す発光素子６０と同様に、発光素子チップ２と、この発光素子チップ２を封入した透明な樹脂等からなる基体２１を備えている。この基体２１の一端には、上述の第４の実施形態のレンズカバー８に形成された２つの傾斜面（反射面）に相当する傾斜面２３、２４が形成されている。
【００４７】
また、受光素子９０は、上述の発光素子８０における発光素子チップ２の代わりに受光素子チップ３を備えている。
【００４８】
このように、発光素子８０、受光素子９０のパッケージ２１の一端に２つの傾斜面２２、２４を設けることにより、上述の第５の実施形態と同様に、これらの発光素子８０、受光素子９０の配置の自由度が高くなる。従って、これらの発光素子８０、受光素子９０を用いた機器の小型化等に寄与することができる。
【００４９】
また、第７の実施形態のフォトインタラプタでは、図１７に示すように、上述の各実施形態ではレンズカバー８の傾斜面により構成していた反射面をミラーで構成している。
【００５０】
このフォトインタラプタ９９では、ケース１’はヘッダ４と対向する面に傾斜面を有している。この傾斜面の内側には、ミラー２５が取り付けられている。また、ケース１’には読み取り光、反射光の出入射のための開口部が設けられており、この開口部には、レンズカバー８’が取り付けられている。
【００５１】
このような構成のフォトインタラプタ９９では、レンズ５によって集光された読み取り光がミラー２５表面で反射され、バーコード表面６に照射される。また、バーコード６表面で反射された反射光は、ミラー２５で反射され、レンズ５によって受光素子チップ３に集光される。
【００５２】
従って、このフォトインタラプタ９９では、上述の各実施形態のフォトインタラプタと同様に、このようなフォトインタラプタ９９を用いた機器の小型化、低コスト化等に寄与する。
【００５３】
また、上述のケース１’の傾斜面の角度を４５°以外とすることにより、上述の第３の実施形態と同様に、受光する反射光中の散乱光の割合を相対的に増加させＳ／Ｎ比を増加させることができる。
【００５４】
また、上述の各実施形態では、本発明に係る光半導体装置による被測定物としてバーコードを挙げたが、被測定物を、例えば文字等が印刷されたラベル等としてもよい。
【００５５】
【発明の効果】
本発明に係る光半導体装置では、発光光学系により集光された受光素子からの読み取り光の進行方向を、読み取り光反射手段により変え、反射光反射手段により反射光の進行方向を変え、受光光学系によって受光素子に集光させることにより、これにより、読み取り光の出射方向、反射光の入射方向と各光学系の光軸方向を異ならせることができる。従って、当該光半導体の、読み取り光の出射方向、反射光の入射方向の長さを短縮することができる。これにより、当該光半導体装置を用いた機器の小型化に寄与することができる。
【００５６】
また、従来は、読み取り光、反射光の進行方向を変えるために、光半導体素子とは別個にプリズム等を設けていたが、この光半導体装置を用いる場合には、このようなプリズム等を設ける必要がないため、この光半導体装置を用いる機器の低コスト化等に寄与することができる。
【００５７】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、反射手段により、発光素子からの光を反射させて外部に出射させることにより、当該光半導体装置を用いた機器の構成の自由度を向上させて、これらの機器の小型化に寄与することができる。
【００５８】
とを備えている。
【００５９】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、反射手段により、外部から入射する光を反射させて受光素子に導くことにより、当該光半導体装置を用いた機器の構成の自由度を向上させて、これらの機器の小型化に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】  従来のフォトインタラプタの構成を示す図である。
【図３】  従来のフォトインタラプタの使用態様を示す図である。
【図４】  上記本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図５】  本発明の第２の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】  上記第２の実施形態に係る光半導体装置を構成する取り付け用突起部の詳細を示す図である。
【図７】  上記第２の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図８】  上記第２の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図９】  上記第２の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図１０】  本発明の第３の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】  上記第３の実施形態に係る光半導体装置を構成するレンズカバーの動作を説明するための図である。
【図１２】  上記レンズカバーの動作を説明するための図である。
【図１３】  本発明の第４の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１４】  上記第４の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図１５】  本発明の第５の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【図１６】  本発明の第６の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【図１７】  本発明の第７の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【符号の説明】
１  ケース、２  発光素子チップ、３  受光素子チップ、４  ヘッダ、５  レンズ、６  バーコード、７  取り付け用突起部、８  レンズカバー
【図１】
0003824357.tif 000002
【図２】
0003824357.tif 000003
【図３】
0003824357.tif 000004
【図４】
0003824357.tif 000005
【図５】
0003824357.tif 000006
【図６】
0003824357.tif 000007
【図７】
0003824357.tif 000008
【図８】
0003824357.tif 000009
【図９】
0003824357.tif 000010
【図１０】
0003824357.tif 000011
【図１１】
0003824357.tif 000012
【図１２】
0003824357.tif 000013
【図１３】
0003824357.tif 000014
【図１４】
0003824357.tif 000015
【図１５】
0003824357.tif 000016
【図１６】
0003824357.tif 000017
【図１７】
0003824357.tif 000018