(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブアセンブリ（４２０）と、第２サブアセンブリ（４３０）と、該両サブアセンブリを保持するための保持手段（３９２）とを備え、
上記第１サブアセンブリ（４２０）は、第１基層（３８２）と、該基層上に形成され複数の薄膜からなる第１薄膜構成部（３８４）と、該薄膜構成部を覆う第１絶縁層（３９０）とを備え、上記第１薄膜構成部は、少なくとも２つの読み取り用エレメント（３８６）と、少なくとも１つの書き込み用エレメント（３８８）とを備え、読み取り用エレメントの数は、書き込み用エレメントの数よりも少なくとも１つ以上多く、
上記第２サブアセンブリ（４３０）は、第２基層（４０２）と、該基層上に形成され複数の薄膜からなる第２薄膜構成部（３９６）と、該薄膜構成部を覆う第２絶縁層（３９４）とを備え、上記第２薄膜構成部（３９６）は、少なくとも１つの書き込み用エレメント（３９８）と、少なくとも２つの読み取り用エレメント（４００）とを備え、読み取り用エレメントの数は、書き込み用エレメントの数よりも少なくとも１つ以上多く、
上記保持手段（３９２）は、第１サブアセンブリの読み取り用エレメントの少なくとも１つが磁気テープのヘッド・アセンブリを通過する走行方向（４１５）に沿って第２サブアセンブリの読み取り用エレメントの少なくとも１つに対して整列するように、上記両サブアセンブリを相対的固定位置に保持し、
第１サブアセンブリの他の各読み取り用エレメントは、上記走行方向に沿って第２サブアセンブリの各書き込み用エレメントに対して整列し、
第１サブアセンブリの各書き込み用エレメントは、上記走行方向に沿って第２サブアセンブリの他の読み取り用エレメントに対して整列する両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリであって、
上記テープのサーボ・トラックに追随自在でありかつテープの両走行方向において読み／書き自在の両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリ（３８０）。
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、改良型のテープ用磁気抵抗性薄膜式ヘッド・アセンブリに関する。
発明の背景
コンピュータ用データ記憶装置に用いられる磁気テープ・レコーダの今日の状況において、読み／書き能力は、実質的にエラーがない磁気記録式データを提供するための必須の特徴となっている。読み／書き用ヘッド・アセンブリは、読み取り用エレメントと直列に書き込み用エレメントを備えている。この読み取り用エレメントのギャップは、書き込み用エレメントのギャップに近接して設けられると共に、この読み取り用エレメントは、テープの運動方向に対して書き込み用エレメントの下流側に設けられている。「記録されたばかり」のデータを継続的に読取ることにより、そのオリジナル・データが記録装置内のテンポラリー・ストレージ内に記録されている場合には、この記録されたデータの質が直ちに判別される。その再生データは、オリジナル・データと照合され、エラーが生じている場合には、再記録等の適切な処置が取られる。
最近の種々のテープ記録装置では、データの読み／書きがテープの何れか一方の走行方向において実行されるところで、オペレーションを必要とする。そのような両走行方向記録装置の一例として、ストリーミング・テープ装置が挙げられる。この装置にあっては、テープは両方向に走行し、走行方向に対してテープに螺旋状に記録されるようになっている。両走行方向において読み／書きができるようにするために、３つのヘッドよりなるヘッド・アセンブリが従来的に必要とされてきた。すなわち、第１書き込み用エレメントは読み取り用エレメントに隣接して設けられており、この読み取り用エレメントは第２書き込み用エレメントに隣接して設けられている。或いは、第１読み取り用エレメントは書き込み用エレメントに隣接して設けらており、この書き込み用エレメントは第２読み取り用エレメントに隣接して設けられている。たとえば、米国特許第５０３４８３８号公報（ブロック氏）を参照のこと。
磁気テープに記録されるデータの量は、テープのデータ・トラックの数を増すことにより、従って隣接するトラックのセンターライン間の距離を小さくすることにより、向上させることができる。そのようなテープの読み／書きに相応しいテープ用ヘッドには、読み／書き用エレメントがヘッド・アセンブリ内に高精度で配列されることが要求される。これは、各読み取り用エレメントと、その各書き込み用エレメントとの間の距離を小さくすることにより達成されることができる。読み／書き用エレメントを整列させる際に生じる問題点は、また、３つのヘッドのうちの１つを削除することにより単純化されることができる。しかし、このようにヘッドの１つを削除することにより、従来的に、たとえば、ＩＢＭ３４８０に見られるように、両走行方向における読み／書き能力が損なわれてしまうという問題を生じている。
テープ用ヘッドは、また、磁気記録テープによるヘッドの摩耗の問題を有している。テープ用ヘッド上にテープが繰り返し通過すると、テープ用ヘッドの表面が、時間の経過と共に摩耗していくであろう。そして、この摩耗により、ヘッドの性能が損なわれる可能性がある。
テープ用ヘッドは、（１）ヘッドの摩耗が抑えられ、（２）読み取り用エレメントと、それらの各書き込み用エレメントとの間の距離が、該両エレメントを単一のヘッド・アセンブリに結合することにより小さく抑えられ、（３）読み取り用エレメントと書き込み用エレメントは、各トラック毎に、（２つの読み取り用エレメントと１つの書き込み用エレメントではなく、或いは、１つの読み取り用エレメントと２つの書き込み用エレメントではなく）１つずつ備えられ、そして（３）両走行方向の読み／書き能力を備えたものであることが望ましい。
発明の要旨
本発明は、２つのテープ用ヘッドが互いに結合されたものからなる両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリを含む。第１テープ用ヘッドは、互いに結合された読み／書き用モジュールからなる。その書き込み用モジュールは、基層上に形成された薄膜構成部と、該薄膜構成部上を覆う絶縁層とからなる。この薄膜構成部は、少なくとも１つの読み取り用エレメントを有する。その書き込み用モジュールは、それが読み取り用エレメントの代わりに少なくとも１つの書き込み用エレメントを備える点を除いて、読み取り用モジュールに類似している。その２つのモジュールは、磁気テープがヘッド・アセンブリを通過する走行方向に対して、読み取り用エレメントが各書き込み用エレメントと整列するように、結合されている。これにより、テープの１走行方向における少なくとも１つのトラックにおいて、第１ヘッドによる読み／書きが可能になる。
第２ヘッドは、上記第１ヘッドと同一であるが、その向きは、第１ヘッドの向きと逆方向に読み／書きできるように、第１ヘッドに対して反対方向に設けられる。この２つのヘッドは、作られたヘッド・アセンブリが双方向において読み／書きできるように、互いに結合されている。
１実施例において、本発明は、第１，２サブアセンブリからなるテープ用ヘッド・アセンブリを含む。この第１サブアセンブリは、薄膜からなる基層上に形成された薄膜構成部と、該薄膜構成部を覆う絶縁層とを有する。この薄膜構成部は、読み／書き用エレメントを備えている。この第２サブアセンブリは上記第１アセンブリに類似している。この第２サブアセンブリは、第１サブアセンブリのすべての読み取り用エレメントが第２アセンブリの書き込み用エレメントに対してヘッド・アセンブリを通過する磁気テープの走行方向に沿って実質的に整列するように、第１サブアセンブリに対して固定された位置に保持されている。この第１サブアセンブリのすべての書き込み用エレメントは、同様に、第２サブアセンブリの各読み取り用エレメントに対して整列している。従って、このヘッド・アセンブリは、磁気テープの双方向に対して読み／書きすることができる。
他の実施例において、本発明は、各サブアセンブリの読み取り用エレメントが書き込み用エレメントの数よりも少なくとも１つ以上多い点を除いて、上記実施例のアセンブリに類似の第１，２サブアセンブリを有する。この２つのサブアセンブリは、第１サブアセンブリの少なくとも１つの読み取り用エレメントがヘッド・アセンブリを通過する磁気テープの走行方向において第２サブアセンブリの少なくとも１つの書き込み用エレメントと整列するように、互いに固定された位置に保持される。残りの読み／書き用エレメントは、上記実施例に記載したように配置される。この２つのサブアセンブリの読み取り用エレメントの配置により、双方向における読み／書きを可能ならしめる一方、ヘッド・アセンブリをテープのサーボ・トラックに追随させることが可能となる。
さらに、他の実施例において、本発明は、上記実施例に類似のテープ用ヘッド・アセンブリであって、２つのサブアセンブリ間に設けられヌープ尺度で少なくとも８００の硬さを有するハード・ブロックを備えたテープ用ヘッド・アセンブリを有する。このハード・ブロックにより、テープ用ヘッド・アセンブリの耐摩耗性が改善される。
また、さらに、他の実施例によれば、本発明は、読み／書き用モジュールを互いに結合したものからなるテープ用ヘッド・アセンブリを有する。この読み取り用モジュールは、基層と、膜厚の小さい第１絶縁層と、磁気抵抗性感知層と、少なくとも１つの伝導層と、膜厚が小さい第２絶縁層と、シールド層と、膜厚が大きい絶縁層とを備える。この書き込み用モジュールは、基層と、膜厚の小さい第１絶縁層と、伝導層と、膜厚が小さい第２絶縁層と、ポール層と、膜厚が大きい絶縁層とを備えている。この２つのモジュールは、ヘッドがテープの１走行方向において読み／書き可能なように互いに結合されている。この基層には、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣを用いることができ、シールド層及びポール層には、ＣｏＺｎＮｂを用いることができ、そして、絶縁層には、ダイヤモンド状炭素を用いることができる。
さらに、他の実施例においては、本発明は、薄膜からなる薄膜構成部をウェハー上に形成する方法を含む。
本発明の種々の実施例により、ヘッドの摩耗は、（１）読み取り用エレメントとそれらの各書き込み用エレメントとの間隔を小さくし、（２）ヘッド・アセンブリを硬い材料から形成し、そして（３）読み取り用エレメントと書き込み用エレメントとの間に硬いブロックを設けることによって最小限にされる。本発明は、各データ・トラックに対して、１つの読み取り用エレメントと１つの書き込み用エレメントとからなる対を使用しているが、この対は、互いに逆に備えられているため、このヘッド・アセンブリは、両方向に走行するテープに対して読み／書きを実行することができる。
【図面の簡単な説明】
添付図面を参照してなした以下の詳細説明により、本発明の新規な特徴及び利点が、この技術分野に精通した人々に明らかになるであろう。
図１は、従来技術に係るテープ用ヘッド・アセンブリを側面方向から示す横断面図である。
図２は、本発明の１実施例に係るテープ用ヘッドのチップを側面方向から示す横断面図である。
図３は、本発明の１実施例に係るテープ用ヘッドの横断面図である。
図４Ａ−４Ｄは、本発明の１実施例に係るウェハー上に形成された薄膜構成部を側面方向から示す横断面図である。
図５は、本発明の１実施例に係るテープ用ヘッドであって、極度に摩耗したテープ・ヘッドを側面方向から示す横断面図である。
図６は、本発明の１実施例に係る、ヘッドの摩耗を減じるため構成を側面方向から示す横断面図である。
図７−９は、本発明の種々の実施例に係るテープ用ヘッド・アセンブリ上の読み／書き用エレメントの上部を描写的に示した図である。
図１０は、本発明の１実施例に係るテープ用ヘッド・アセンブリ上の読み／書きエレメントであって、サーボ・トラックに追随する読み／書き用エレメントの上部を描写的に示した図である。
図１１は、本発明に係るハード・ブロックを備えたテープ用ヘッド・アセンブリ上の読み／書き用エレメントの上部を描写的に示した図である。
好ましい実施例の詳細な説明
図１は、ＩＢＭ３４８０ヘッドに類似した従来技術に係るテープ用ヘッド・アセンブリを示している。薄膜の磁気抵抗性（ＭＲ）読み取りエレメント用サンドイッチ部１２が、フェライト・ウェハー１６に結合されている。このフェライト・ウェハー１６の面には、上記読み取りエレメント用サンドイッチ部１２を間に挟んだ状態で、フェライト・クロージャ２６が結合されており、これにより、読み取り用ヘッド２２が形成されている。また、薄膜の誘導性書き込みエレメント用サンドイッチ部１４がフェライト・ウェハー１８に結合されている。このフェライト・ウェハー１８の面には、上記書き込みエレメント用サンドイッチ部１４を間に挟んだ状態で、フェライト・クロージャ２８に結合されており、これにより、書き込み用ヘッド２４が形成されている。フェライト・ウェハー１８の反対側の面には、フェライト・ウェハー１６の上記読み取りエレメント用サンドイッチ部１２の反対側の面が結合されており、これにより、図１に示すように、完全にアセンブリが形成されている。このテープ・ヘッド・アセンブリ１０は、２つの単一のタイプのヘッドを備えているため（読み取り用ヘッド２２と書き込み用ヘッド２４）、双方向における読み／書き能力を有していない。
上記薄膜の読み取りエレメント用サンドイッチ部１２は、上記薄膜の書き込みエレメント用サンドイッチ部１４から、約３．８ｍｍの間隔を置いて隔てられている。この大きな隔たりは、３つの理由により、不都合を生じる。先ず第１に、この大きな隔たりにより、読み取りエレメント用サンドイッチ部１２が、薄膜の書き込みエレメント用サンドイッチ部１４により書き込まれた（不図示の）磁気テープの所定の書き込み用トラックと整列しないであろう可能性が増大する。これは、２つのヘッドに対して、磁気テープの走行路の位置が幾らか変化するためである。これにより、読み／書きに対するヘッド・アセンブリ１０の能力は、損なわれるであろう。従って、読み取り用サンドイッチ部１２と、書き込み用サンドイッチ部１４とを互いに出来る限り接近させることが好ましく、これにより、テープが迷走する間隔を最小限に抑えられる。第２に、読み取り用サンドイッチ部１２と、書き込み用サンドイッチ部１４との間隔が大きい程、テープ用ヘッド・アセンブリ１０の製造中に、読み取り用エレメントと、書き込み用エレメントとを整列させることがより困難になる。第３に、読み取り用サンドイッチ部１２と書き込み用サンドイッチ部１４との間隔が大きい程、テープ・トラックのセンターラインに対する駆動ヘッドの不整列に基づくオフ・トラック・エラーが増大する。
図２は、本発明に係るシングル・ヘッド３０を側面方向から示した横断面図である。このヘッド３０は、読み取り用モジュール３２と、書き込み用モジュール５２とを備えている。（不図示の）磁気テープは、読み書きを実行するために、右から左方向へテープ・ヘッド３０の上面を移動するであろう。この読み取り用モジュール３２は、基層３４と、薄膜構成部５７と、膜厚が大きい絶縁層４８とからなる。この薄膜構成部５７は、薄膜の第１絶縁層３６と、磁気抵抗性（ＭＲ）感知層３８と、第１伝導層４０と、第２伝導層４２と、薄膜の第２絶縁層４４と、シールド層４６とからなる。上記基層３４は、磁性セラミクス若しくは非磁性セラミクスを含むことができる。好ましい磁性セラミクスは、たとえば、ＮｉＺｎ（フェライト）の如く、保磁性が低く、高磁性モーメントと高透磁率とを有するセラミクスである。しかしながら、もし、基層３４が非磁性セラミクスを有する場合、該基層は、また、セラミクス層と、膜厚が小さい第１絶縁層３６との間に（不図示の）磁性層を備えなければならない。この磁性層は、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、コバルト・ジルコニウム・ニオブ（ＣＺＮ）、コバルト・ジルコニウム・タンタル（ＣＺＴ）、若しくはＡｌＦｅＳｉから形成することができる。好ましい非磁性セラミクスは、ヌープ硬度尺度で約１８００の硬度を有するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣを含む。好ましいＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミクスは、ミネソタ州セント・ポールにある３Ｍから入手可能な「３Ｍセラミクス２１０」である。このセラミクスは、チタン・カーバイドの粒子を約３０重量％含んでいる。
上記基層３４は、上記ＭＲ感知層３８に対する低磁気シールド又は最初の磁気シールドとして機能する。このシールドにより、検知されるテープの部分に密接する隣接転移部からの磁束がＭＲ感知層３８に達することが防止されると共に、該磁束がテープからの信号を損なうことが防止される。
この３つの絶縁層３６，４４，４８は、非磁性材料又は非伝導材料であることが好ましい。この３つの絶縁層３６，４４，４８は、酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3から形成することができる。この３つの絶縁層３６，４４，４８は、しかしながら、ダイヤモンド状の炭素、具体的には、水素と化合した非結晶質の炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から形成することが好ましい。ダイヤモンド状の炭素は、炭素の１非結晶質形態であり、程度が大きいｓｐ3ボンディングを有している。このため、炭素材料は、ダイヤモンドの種々の物理的性質を有している。たとえば、非結晶質炭素（ａ−Ｃ）や、イオン・ビーム形成炭素（ｉ−Ｃ）や、ダイヤモンド又は非結晶質ダイヤモンド等の他の材料を使用することもできる。読み取り用モジュール３２の特定の構成に対応するように、膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４は、０．０５〜０．５μｍの厚さのものを使用できる。膜厚が大きい絶縁層４８は、上記第１，２絶縁層３６，４４よりもずっと大きい膜厚を有するものであることが好ましく、これにより、平坦に形成することができ、しかも、０．２μｍから数百μｍの膜厚に形成できる。
上記ＭＲ感知層３８は、磁気テープ信号による磁場が変化したとき、抵抗が変化して信号を発生する。このＭＲ感知層３８は、約８０％のニッケルと、約２０％の鉄とからなるＮｉＦｅ（パーマロイ）から形成されることが好ましい。
上記シールド層４６は、保磁性が小さく、しかも磁気飽和モーメントが大きい磁性材料から形成されることが好ましい。このシールド層４６は、その厚さが２〜６μｍであることが好ましく、ヌープ硬度尺度で硬度が５００以下のＮｉＦｅ（パーマロイ）から形成されることができる。このシールド層４６は、しかしながら、ヌープ尺度で６００−９００の硬度を夫々有するＦｅＴａＮやＣｏＺｎＮｂ等のより硬い材料から形成されることが好ましい。
上記第１伝導層４０は、０．０４〜０．１０μｍの厚さを有することが好ましく、たとえば、チタンや、タンタルや、ニオブや、クロム等の高抵抗を有するコンダクタから形成される必要がある。第１伝導層４０を流れる電流により、磁気バイアスが与えられ、該磁気バイアスにより、ＭＲ感知層３８を殆どのリニア・レンジにおいて作動させるようになっている。第２伝導層４２は、０．１〜０．３μｍの厚さを有することが好ましく、金や、銅や、アルミニウム等の低抵抗のコンダクタから形成される必要がある。この第２伝導層４２により、層３８，４０の感知部と、（不図示の）ターミネーション・パッドとの間に低抵抗路が提供される。第２伝導層４２は、単一ヘッド３０の磁気テープ接触面方向上向きに延在していない。
図２に示すように、書き込み用モジュール５２は、基層５４と、薄膜構成部６７と、膜厚が大きい絶縁層６８とからなる。この薄膜構成部６７は、膜厚が小さい第１絶縁層５６と、伝導層５８と、必要に応じて設けられる平滑層６０と、膜厚が小さい第２絶縁層６４と、ポール層６６とからなる。基層５４は、読み取り用モジュール３２の基層３４と同一材料から形成されることが好ましい。該基層５４は、書き込み用モジュール５２に対して底磁気ポール又は最初の磁気ポールとして機能する。
膜厚が小さい上記第１，２絶縁層５６，６４は、上記読み取り用モジュール３２の膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４と同一材料から形成されることが好ましい。膜厚が大きい絶縁層６８は、読み取り用モジュール３２の膜厚が大きい絶縁層４８と同一材料から形成されることが好ましく、また、膜厚が大きい該絶縁層４８と同様に、その膜厚は、平坦に形成されることができるように、膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４よりも遥に大きいことが好ましい。
伝導層５８は、モジュール３２の第２伝導層４２と同一材料から形成されることができる書き込み用コイルからなる。平滑層６０は、フォトレジストであることが好ましい。ポール層６６により、磁界は、書き込み用コイルから案内されて（たとえば、テープやディスク等の）磁気メディア上に書き込まれる。ポール層６６は、読み取り用モジュール３２のシールド層４６と同一材料から形成されることが好ましい。上記層のすべて又はその一部は、図２に示した横断面に対して交わる方向にパターン化されることができる。読み取り用モジュール３２の膜厚が大きい絶縁層４８は、エポキシ層５０により、モジュール５２の膜厚が大きい絶縁層６８に結合される。このエポキシ層５０は、可能な限り小さい膜厚を有するべきである。
読み取り用モジュール３２の第２伝導層４２と、書き込み用モジュール５２の伝導層５８（たとえば、書き込み用コイル）は、図３に示すように、夫々、リード５９及び６３に電気的に接続されている。ヘッド３０の上部の水平部ａは、約０．１〜０．５ｍｍの幅を有する。読み取り用モジュール３２は、書き込み用モジュール５２から、約０．０５〜０．２５ｍｍ隔てられている。従って、読み取り用モジュールと、書き込み用モジュールとの間の間隔は、図１に示した従来装置のものに対して、約１５〜７５分の１に減じられる。
図３に示したヘッド３０の上部形状により、その上を通過する（不図示の）磁気テープを読み取り用モジュール３２と書き込み用モジュール５２とにより密接に従わせることができ、これにより、テープ・ヘッドの離れを減じることができる。ヘッド上部の水平部は、その目的を実現するために、基層３４，５４の他の部分よりもその幅が２〜３ミル（０．１ｍｍ）より大きい必要はなく、或いは、基層３４，５４の他の部分よりもその高さが高い必要はない。図２に示したテープ用ヘッド３０の部分は、図３のカッコ５５により示している。図３は、ヘッド３０の基層３４，５４の全体を示している。読み取り用モジュール３２の層３６〜４６は、薄膜構成部５７として集合的に示している。書き込み用モジュール５２の層５６〜６６は、薄膜構成部６７として集合的に示している。この基層３４，５４には、電気リード５９，６３が夫々形成されている。リード５９は、読み取り用モジュール３２の第２伝導層４２に電気的に接続されており、リード６３は書き込み用モジュール５２の伝導層５８（たとえば、書き込み用コイル）に電気的に接続されている。基層３４，５４は、リード５９，６３が互いに隔てられ（不図示の）フレックス・テーブルが互いに接することなくリード５９，６３に接続されるアソビが形成されるように構成されている。読み取り用モジュール３２の膜厚が大きい絶縁層４８により、図３に示すように、リード５９の全体が覆われている。同様にして、書き込み用モジュール５２の膜厚が大きい絶縁層６８により、リード６３が覆われている。
本発明に係るヘッド３０は、以下のようにして構成される。すなわち、層３６〜４８は、基層３４上に順次積層される。次いで、層５６〜６８は、基層５４上に順次積層される。柔軟なリードが、各モジュールに接続される。次いで、読み取り用モジュール３２と書き込み用モジュール５２とが、膜厚が大きい絶縁層４８を膜厚が大きい絶縁層６８にエポキシ５０により接合することにより、互いに組み立てられる。
図４Ａ〜４Ｄは、薄膜構成部を基層上に形成するための方法を示している。該図は、書き込み用モジュール５２に対する形成方法を示しているが、同一の形成方法を用いて、読み取り用モジュール３２を形成することができる。まず初めに、０．２〜０．３ｍｍの深さの複数のリリーフ・スロットが、エッチング又は機械的にウェハーに形成され、これにより、柔軟なケーブルが接続できるようにしている。また、これにより、隆起した複数のリッジが形成される。図４Ａは、ウェハー６１の横断面である。このウェハー６１は、基層５４と同一材料から形成されることができる。基層５４に類似の数百の基層は、この単一ウェハー６１から形成されることができる。
次いで、膜厚が大きく、大きな構成を有するコンダクター若しくはリード６３が、典型的なマスキング技術及び沈積技術により、ウェハー６１のエッチング面に形成される。ウェハー６１には、典型的にフォトリジストである平滑層６５が塗布され、これにより、図４Ａに示す如く、ウェハーのリリーフ・スロットが充填される。
次いで、平滑層６５は、図４Ｂに示すように、ウェハー６１の水準に達するように、ラッピング又は研磨され、これにより、リード６３のコンタクトは露出し、基層６１のリッジ上に位置するリード６３の部分が取り除かれる。次いで、ウェハー６１上に、薄膜構成部６７が、図４Ｃに示す如くリード６３の露出部に接するように沈積される。平滑層６５は、洗い流されるか、若しくは、エッチングで除去される。そして、カッコ６２に示すように、第３絶縁層６８が、リード６３上及び薄膜構成部６７上に沈積され、それらを保護する。
本発明に係る上記すべての実施例は、（不図示の）磁気テープとの接触により生じるテープ用ヘッドの摩耗に影響され易い。図５に示すように、磁気テープがヘッド３０’の上面を長期間に亙って連続的に走行することにより、読み取り用モジュール３２’と書き込み用モジュール５２’との間に位置するヘッドの中間部が摩耗する。
図６は、本発明の１実施例に係り、ヘッドの摩耗が減じられるヘッド７０を示す。読み取り用モジュール３２と、書き込み用モジュール５２との中間に、ハード・ブロック６９が備えられている。このブロック６９は、摩耗に対して高い抵抗性を有する必要がある。このブロック６９は、基層３４，４４と同一材料から形成することができる。この材料としては、たとえば、ヌープ硬度で８００以上の硬さを備えたフェライトや、ヌープ硬度で約１８００の硬さを備えたＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等の、より硬い材料を用いることができる。このハード・ブロック６９は、フェライト等の磁性材料からなる場合、書き込み実行時において、読み取りエレメントに対する電磁シールドとして使用されることができる。このブロック６９は、約０．１３〜０．２６ｍｍの厚さを有することができる。このブロック６９は、膜厚が大きい絶縁層４８と６８との間に設けられ、エポキシ層４９，５１により、夫々、該層４８，６８に結合されている。ブロック６９に補助されて、リード５９と６３との間に間隔が形成される。
図７は、本発明の１実施例に係るヘッド・アセンブリ８０の上部を描写的に示した図である。書き込み用エレメントは、図中、四角形状のボックスにより示しており、また、読み取り用エレメントは、図中、直線により示している。このヘッド・アセンブリ８０は、図２，３に示したヘッド３０に類似のヘッド１２０，１３０から構成されている。ヘッド１２０は、書き込み用モジュール８４と、読み取り用モジュール８２とから構成されており、該両モジュール８２，８４は、エポキシ層９０により、互いに結合されている。この読み取り用モジュール８２は、基層１０２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２２と、膜厚が大きい厚膜層１１２とからなる。この薄膜構成部１２２は、少なくとも１つの読み取り用エレメントを有する。図７は、４つの読み取り用エレメント９２を示している。
上記書き込み用モジュール８４は、基層１０４と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２４と、膜厚が大きい絶縁層１１４とから構成されている。この薄膜構成部１２４は、少なくとも１つの書き込み用エレメント９４を備える。図７は、４つの書き込み用エレメント９４を示している。
（不図示の）磁気テープは、ヘッド１２０を跨いで矢印１１５，１２５で示す方向に走行することができる。各読み取り用エレメント９２は、矢印１１５が示す方向に沿って、各書き込み用エレメント９４に対して整列している。
ヘッド１２０と同様に、ヘッド１３０は、書き込み用モジュール８６と、読み取り用モジュール８８とから構成されており、該両モジュール８６，８８は、互いに、エポキシ層１００により結合されている。この書き込み用モジュール８６は、基層１０６と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２６と、膜厚が大きい絶縁層１１６とから構成される。膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２６は、少なくとも１つの書き込み用エレメント９６を備える。図７は、４つの書き込み用エレメント９６を示している。
読み取り用モジュール８８は、基層１０８と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２８と、膜厚が大きい絶縁層１１８とから構成されている。この膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２８は、少なくとも１つの読み取り用エレメント９８を備える。図７は、４つの読み取り用エレメント９８を示している。
上記磁気テープは、ヘッド１３０を跨いで矢印１１５，１２５で示す方向に移動することができる。各読み取り用エレメント９８は、矢印１２５で示す方向沿いに、各書き込み用エレメント９６に対して整列している。ヘッド１２０は、図７に示す如くエポキシ層１１０によりヘッド１３０に結合されている。
このヘッド・アセンブリ８０は、８つのトラックに対して読み／書きできるように構成されている。このヘッド・アセンブリ８０は、矢印１１５，１２５で示す方向において、同時に４つのトラックに対して読み／書きすることができる。もし、磁気テープがヘッド・アセンブリ８０上を矢印１１５で示す方向に移動している場合には、このヘッド・アセンブリは、トラックがヘッド１２０の書き込み用エレメント９４により書き込まれた直後、ヘッド１２０の読み取り用エレメント９２上を通過するデータ・トラックを読取ることができる。もし、磁気テープが、ヘッド・アセンブリ８０上を矢印１２５で示す方向に移動している場合には、このヘッド・アセンブリは、トラックがヘッド１３０の書き込み用エレメント９６により書き込まれた直後、ヘッド１３０の読み取り用エレメント９８上を通過するデータ・トラックを読取ることができる。読み取り用モジュール８２の読み取り用エレメント９２が、矢印１１５又は１２５の方向に沿って、書き込み用モジュール８４の各書き込み用エレメント９４と整列する限り、或いは、書き込み用モジュール８４の各書き込み用エレメント９４が、矢印１１５又は１２５の方向に沿って、読み取り用モジュール８２の読み取り用エレメント９２と整列する限り、或いは、書き込み用モジュール８６の書き込み用エレメント９６が、読み取り用モジュール８８の読み取り用エレメント９８と整列する限り、或いは、読み取り用モジュール８８の読み取り用エレメント９８が、書き込み用モジュール８６の書き込み用エレメント９６と整列する限り、読み取り用エレメントの数と書き込み用エレメントの数は、幾つであってもよい。
図８は、本発明の１変形例に係るヘッド・アセンブリ１８０の上部を描写的に示した図である。このヘッド・アセンブリ１８０は、エポキシ層１９２により互いに結合されたサブアセンブリ２２０，２３０から構成される。このサブアセンブリ２２０は、基層１８２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１８４と、膜厚が大きい絶縁層１９０とからなる。この膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１８４は、４つの読み取り用エレメント１８６と、４つの書き込み用エレメント１８８とを備える。
このサブアセンブリ２３０は、基層２０２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１９６と、膜厚が大きい絶縁層１９４とからなる。この膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１９６は、４つの読み取り用エレメント１９８と、４つの書き込み用エレメント２００とを備える。（不図示の）磁気テープは、矢印２１５，２２５で示す方向に、ヘッド・アセンブリ１８０上を移動することができる。
ヘッド・アセンブリ８０のように、このヘッド・アセンブリ１８０は、８つのトラックに対して読み／書きすることができる。このヘッド・アセンブリ１８０は、２１５又は２２５のいずれか一方向において、４つのトラックに対して同時に読み／書きを実行することができる。そして、上記ヘッド・アセンブリ８０と同様に、サブアセンブリ２２０の読み取り用エレメント１８６が、矢印２１５又は２２５の方向に沿って、サブアセンブリ２３０の各書き込み用エレメント１９８と整列する限り、或いは、サブアセンブリ２３０の各書き込み用エレメント１９８が、矢印２１５又は２２５の方向に沿って、サブアセンブリ２２０の読み取り用エレメント１８６と整列する限り、或いは、サブアセンブリ２２０の書き込み用エレメント１８８が、同方向に沿って、サブアセンブリ２３０の読み取り用エレメント２００と整列する限り、或いは、サブアセンブリ２３０の読み取り用エレメント２００が、同方向に沿って、サブアセンブリ２２０の書き込み用エレメント１８８と整列する限り、読み取り用エレメントの数と書き込み用エレメントの数は、幾つであってもよい。
図９は、本発明の変形例に係るヘッド・アセンブリ２８０の上部を描写的に示した図である。このヘッド・アセンブリ２８０は、エポキシ層２９２により互いに結合されたサブアセンブリ３２０，３３０から構成されている。このサブアセンブリ３２０は、基層２８２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部２８４と、膜厚が大きい絶縁層２９０とから構成されている。この薄膜構成部２８４は、読み取り用エレメント同士が隣り合わせにならないように、或いは、書き込み用エレメント同士が隣り合わせにならないように構成された４つの読み取り用エレメント２８４と、４つの書き込み用エレメント２８８とを有している。
サブアセンブリ３３０は、基層３０２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部２９６と、膜厚が大きい絶縁層２９４とからなる。膜厚が小さい薄膜からなるこの薄膜構成部２９６は、４つの書き込み用エレメント２９８と、４つのの読み取り用エレメント３００とを備えている。（不図示の）磁気テープは、矢印３１５，３２５が示す方向にヘッド・アセンブリ２８０を横切る。
ヘッド・アセンブリ８０，１８０のように、このヘッド・アセンブリ２８０は、８つのトラックに対して読み／書きできるようになっており、いずれか１方向において同時に４つのトラックに対して読み／書きすることができる。このヘッド・アセンブリ２８０は、これらの４つのトラックのうちいずれの２つのトラックも互いに隣接しないように構成されている。そして、ヘッド・アセンブリ８０，１８０のように、このヘッド・アセンブリの読み取り用エレメントと書き込み用エレメントとが同数である限り、該エレメント数は、任意に設定できる。ヘッド・アセンブリ２８０の読み取り用エレメント２８６が各書き込み用エレメント２９８と整列する限り、或いは、書き込み用エレメント２９８が読み取り用エレメント２８６と整列する限り、或いは、書き込み用エレメント２８８が各読み取り用エレメント３００と整列する限り、或いは、読み取り用エレメント３００が書き込み用エレメント２８８と整列する限り、読み取り用エレメントと書き込み用エレメントとのパターンは、上記以外のものを使用することができる。
図１０は、本発明の他の１変形例に係るヘッド・アセンブリ３８０の上部を描写的に示す図である。このヘッド・アセンブリ３８０は、エポキシ層３９２により互いに結合されたサブアセンブリ４２０，４３０から構成される。このサブアセンブリ４２０は、基層３８２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部３８４と、膜厚が大きい絶縁層３９０とから構成される。この薄膜構成部３８４は、４つの読み取り用エレメント３８６と３つの書き込み用エレメント３８８とを備える。この４つの読み取り用エレメント３８６の１つは、ヘッド・アセンブリ３８０の中央に位置している。
上記サブアセンブリ４３０は、基層４０２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部３９６と、膜厚が大きい絶縁層３９４とから構成されている。この薄膜構成部３９６は、３つの書き込み用エレメント３９８と４つの読み取り用エレメント４００とを備えている。この４つの読み取り用エレメント４００の１つは、ヘッド・アセンブリ３８０の中央に位置している。
上記ヘッド・アセンブリ３８０は、矢印４１５，４２５が示す方向において、３つのトラックに対して同時に読み／書きすることができるように構成されている。サブアセンブリ４２０の中央に位置する読み取り用エレメントは、矢印４１５，４２５が示す方向に沿って、ヘッド４３０の中央に位置する読み取り用エレメントに対して整列している。これにより、ヘッド・アセンブリ３８０を、両方向４１５，４２５に対して（不図示の）磁気テープのサーボ・トラックに追随させることができるようになっている。両方のサブアセンブリ４２０，４３０に読み取り用エレメントが付加される限りにおいて、読み取り用エレメントと書き込み用エレメントとの対の数は、幾つであってもよい。もし、２つのサーボ・トラックに同時に追随できることが好ましい場合には、サブアセンブリ４２０の２つ目の読み取り用エレメント３８６を、矢印４１５，４２５が示す方向に沿って、サブアセンブリ４３０の２つ目の読み取り用エレメント４００に対して整列させることができる。
図１１は、本発明の１変形例に係るヘッド・アセンブリ５８０の上面部を描写的に示す図である。このヘッド・アセンブリ５８０は、図６のサブアセンブリ４７に夫々類似した２つのサブアセンブリ５２０，５３０から構成されている。このサブアセンブリ５２０は、基層４８２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部４８４と、膜厚が大きい絶縁層４９０とから構成されている。この薄膜構成部４８４は、読み取り用エレメント４８６と、書き込み用エレメント４８８とを備えている。
上記サブアセンブリ５３０は、基層５０６と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部５００と、膜厚が大きい絶縁層４９８とから構成されている。この薄膜構成部は、書き込み用エレメント５０２と読み取り用エレメント５０４とを備えている。
上記サブアセンブリ５２０，５３０は、耐摩耗性ブロック４９４により、互いに隔てられている。このブロック４９４は、エポキシ層４９２によりサブアセンブリ５２０に結合されており、また、該ブロック４９４は、エポキシ層４９６によりサブアセンブリ５３０に結合されている。読み取り用エレメントと書き込み用エレメントは、図８に示した構成と類似に構成されているが、この読み取り用エレメントと書き込み用エレメントは、また、図９，１０に示す如く構成することもできる。同様にして、図７のヘッド・アセンブリ８０に、この耐摩耗性ブロック４９４を備えることもできる。すなわち、サブアセンブリ１２０の読み取り用モジュール８２と書き込み用モジュール８４との間に１つの耐摩耗性ブロックを設け、また、サブアセンブリ１３０の読み取り用モジュール８６と書き込み用モジュール８８との間に他のブロックを設けることができる。
本発明は、好ましい実施例を参照して記載したが、この技術に精通している技術者は、本発明がその精神又は目的から逸脱することなく種々の形式で実施できることを認識するであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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