(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の：
基材、
該基材の表面上の光伝送導波路、
寸法ｄ1を有する光ファイバー、および
該基材の表面上に、該光ファイバーと該光導波路を光学的に心合わせして連結するためのチャンネルを含んでなる、保持力試験により測定された値で少くとも１ニュートン（Ｎ）である該光ファイバーをずらす力に耐える手段；
を含んでなり、
該チャンネルの縦軸と該導波路とが、該チャンネル中での該光ファイバーの据付けにおいて、該ファイバーの光伝送コアと該導波路とが光学的に芯が合うか、若しくは実質的に光学的に芯が合うように心合わせされ、若しくは実質的に心合わせされており、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直な方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１／２ｄ1より大きく、
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2以下となる、および
（ｄ）Ｗ1が約０．６ｄ1から約０．９９ｄ1である、
ように選ばれている、
光導波路を有する光学連結デバイス。
【請求項２】
Ｗ1が約０．８ｄ1から約０．９９ｄ1である、請求の範囲第１項に記載の光学連結デバイス。
【請求項３】
Ｗ1が約０．９ｄ1から約０．９９ｄ1である、請求の範囲第２項に記載の光学連結デバイス。
【請求項４】
ｄ2が１／２ｄ1より大きい値から約２ｄ1までである、請求の範囲第２項に記載の光学連結デバイス。
【発明の詳細な説明】
発明の背景
１．発明の分野
本発明は、光ファイバーの光導波路への連結を容易にするための光学連結デバイス、およびそのような連結素子を製造する方法に関する。本発明のもう一つの態様は、本発明の連結デバイスを含んでなる光ファイバー-光導波路相互連結デバイス、および複数の配列（ａｒｒａｙ）を含んでなるそのような配列体に関する。
２．従来技術の説明
光通信分野における最近の発展により、光の制御と経路指示のための多数の光導波路デバイスが提供されている。独立の基材上に創られる光導波路デバイスは、面集積光デバイスまたは光子デバイスと呼ばれることが多い。さらに、これらのデバイスは、特定の経路に沿って光の伝搬を経路指定するためだけに役立つ受動デバイスと、光の強さや偏光のような、進行する光の或種機能を制御する、または光がそれに沿って伝搬される経路を動的に制御する能動デバイスとに特性化される。しかし、光導波路の付いた基材上での光の伝搬は、普通、１メートルより遥かに短い伝搬距離にだけ適している。より長い距離の伝搬には、光ファイバーが、その素晴らしい透光特性と数キロメートルの長さで製造できることに因り、特に優れた媒体である。それ故、光導波路デバイスは、光通信若しくは光センサまたは分配システムに利用される場合には、基材上の少くとも一点で、また多くの点で、光ファイバーに連結されることが必要である。光ファイバー・システムへの差込みを容易にするために、長い光ファイバーに連結された光導波路デバイスはこの技術分野では“ピグテール付き（ｐｉｇｔａｉｌｅｄ）”導波路デバイスと呼ばれることが多い。光は光ファイバーのコア領域を通って伝搬し、これらのコア領域はその直径を二三ミクロンのように小さくすることができる。かくして、光ファイバーの導波路への連結を、光が殆ど無駄にならないように効率的に行うためには、当然光ファイバーの導波路への心合わせ（アラインメント：ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）が不可欠な要素となる。光導波路を有する基材に光ファイバーを効率的に連結するために、従来技術分野で非常に多くの物品と方法が考案されている。心合わせの限界許容度に対する要求により、従来技術での考案と方法は非常に複雑かつ高価なものになった。シリコンの特定結晶配向が高い精度で優先的にエッチングされるという事実を利用する米国特許第４，７６７，１７４号などの位置決め素子として、“Ｖ-グルーブ（溝）（Ｖ-ｇｒｏｏｖｅｓ）”を利用する多くの方法が記載されている。これは、レジストの塗布と露光、それに続く液体エッチングを含む一連のリソグラフィー工程で行われる。しかし、このＶ-グルーブは、一度作られると、シリコンウエハの表面に対する光ファイバーの位置を決めるためだけしか役立たない。まだその他に、導波路の末端に対する光ファイバーの末端の位置を決めることが残っている。これは、普通、この二つの成分をお互いに対して顕微鏡下で操作し、次いで光学用品質の糊でその整列を固定することにより行われる。顕微鏡操作は量産過程に利用するには費用と時間のかかる操作である。代替法として、追加の位置決め素子を用いることによりＶ-グルーブと光ファイバーを導波路に対して位置決めすることができるが、これもまた複雑さを増し、従って費用のかかる方法である。Ｖ-グルーブ法が二本の光ファイバーをお互いに連結するだけのために用いられる場合でも、米国特許第４，９７３，１２６号明細書におけるように、数種の追加の位置決め素子が必要である。またＶ-グルーブ法は光ファイバーをシリコンそれ自身の表面などの或る種の表面に対して位置決めするのにも役立つが、このＶ-グルーブはその光ファイ��ーを正しい位置に保持するための如何なる力も提供しない。即ち、その光ファイバーは、何らかの保持力を提供するための、一種またはそれ以上の追加の素子が存在しなければ、その溝から容易に滑り抜けてしまう。普通カバー・プレート若しくはＶ-グルーブを含む第２の基材がその光ファイバーに接して、それをＶ-グルーブの中に保持するために下に押し付け、そして光セメント若しくは感光性樹脂を用いてそのアセンブリを一つに保持している。
導波路または集積光デバイスも付いている基材上で光ファイバー位置決めデバイスを創る数種の方法が、従来技術の中に教示されている。これらの方法は、光ファイバーと導波路との連結を完全にするために集められなければならない個々の素子の全体としての数を減らすのには役立つ。しかし、これらの方法は量産にはまだ複雑であり、またかかる連結を提供する簡単で、低コストで、効率的な方法を提供するためには、十分な保持力が不足している。米国特許第５，１５０，４４０号明細書には、導波路をプラスチックフィルム中に印刷し、次いでこの導波路端末近くのフィルムのエキシマレーザ・アブレーションによって、そのフィルムの中に長方形のグルーブ（溝）を創る方法が説明されている。次いで、この導波路とグルーブの付いたフィルムの両面に追加のフィルム層をラミネートして、断面が正方形の開口がその導波路の面内に創られるようにする。この開口の端は、普通、次のミクロトーミング工程で近付き易く、平滑にされる。次いで、この正方形の開口に液状の感光性高分子接着剤を充填し、そして光ファイバーをこの正方形の開口に入れ、硬化工程で正しい場所に固定する。この方法は、ラミネーションやエキシマレーザ・アブレーションなどの多数の製造工程を含み、特定の導波路タイプの発明品、即ちレーザ・アブレーションのような方法でうまく切り込みを付けることができるところの、導波路と同じオーダーの厚みの薄いプラスチックシート中に創られた導波路に限定される。この方法は、半導体ウエハ、ポリイミド回路基板材料、ガラス、ニオブ酸リチウムおよびその他の結晶性基材およびセラミック基材などの他の有用な基材上に創られた光導波路に光ファイバーを付ける便利な方法ではない。この方法は、その厚みが光導波路の厚みと同じでない任意のフィルムに光ファイバーを取付ける方法を提供しない。ただ、そのフィルムが、切込みを付ける工程の後で、外すことができるもう一つの層の上に担持されている場合は例外であるが、これは製造工程を一層複雑にする。米国特許第４，７３５，６７７号明細書には、シリコン基材の表面に光ファイバーを整列させるための導波路を提供する方法が説明されている。この方法では、先ず、スート法（ｓｏｏｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ）でシリコンウエハ上にガラスの層を生長させる必要がある。この方法では、ガラスの前駆体を火災加水分解法で処理してシリコン表面にガラス粒子を沈着させ、次いで、電気炉で加熱して、そのガラスを固めてやる。次いで、このガラスの層にリソグラフィー法でパターンを作成し、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）などによってエッチングして、位置決め素子を形成させる。これらの素子の生成後、それらの間に光ファイバーを挿入し、接着剤またはＣＯ2レーザ・ビームでそのガラスを融解して固定化する。この方法は、多数の加工工程を含み、高温加工で損傷を受けない、若しくはＲＩＥエッチングで損傷するであろう敏感な電子デバイスを含んでいない基材に限定される。ポリイミド・プリント回路基板およびポリカーボネートなどの導波路素子用に望ましい多くの基材は、これらの理由により用いられない。さらに、この方法は、Ｖ-グルーブ法のように接着剤の添加若しくは他の高温融解法を使う場合を除��て、その光ファイバーを位置決めすることにだけ役立ち、その連結に固定性若しくは保持力を提供しない。成形した熱可塑性樹脂中に光ファイバー位置決め素子を形成させる数種の方法が提供されている。日本特許公開第２７８００４号公報は、型（ダイ）の中で熱可塑性樹脂を圧縮成形する方法により断面が大体三角形の光ファイバー案内グルーブを提供している。これは、基本的には、シリコンＶ-グルーブの型-成形プラスチック・バージョン（ｖｅｒｓｉｏｎ）である。Ｖ-グルーブを製造するためにリソグラフィー・エッチングの必要性を除く一方で、この方法には他の欠点が残っている。即ち、その導波路にそのＶ-グルーブを心合わせする必要がまだ残っており、またそのＶ-グルーブに光ファイバーを保持するための追加の素子が必要なままであり、そのことは日本特許公開第２７８００４号公報に示されている。日本特許公告第２５４４０４号公報には、さらに、無機ガラス若しくは可塑性樹脂を型-成形して作られる混成光回路が教示されている。その結果得られるものは米国特許第４，７３５，６７７号で得られるような光学デバイスおよび光ファイバー用の位置決め素子であるが、シュート層の沈着やエッチングの必要のない素子の付いた基材である。しかし、光ファイバーを保持するチャンネルの形状はその頭部の寸法が底部の寸法と同じか、より大きくなければならず、さもないと成形の型から基材を取出すのが困難若しくは不可能になるであろう。日本特許公告第２５４４０４号公報は、その保持部分のブロックがＶ字形、若しくはそのチャンネルの頭部が底部より大きい台形に作られておれば、型からの取外しがより容易であることを教示している。そして、また、この方法は光ファイバーを導波路に対して位置決めする問題を部分的には解決しているが、そのファイバーに安心できる保持力を提供しない。これら従来法の全てで、位置決めグルーブの内部に光ファイバーを保持するために何等かの力を加えなければならない。さらに、若し液体の光セメント若しくは光活性単量体または光学マッチング液が連結領域に入れられると、光ファイバーと位置決めグルーブの壁が毛細管作用の力によって濡れるであろう。これはグルーブ内部で光ファイバーを浮き上がらせる作用をし、より大きい力でグルーブ内部で、光ファイバーを下に抑えるための第２の素子が存在しなければ、光ファイバーと導波路の心合わせがうまくできなくなる。可塑性樹脂を型-成形する方法は汚染物を何も含まない型を保全する必要があるという追加の欠点を有する。若し導波路または位置決め素子を成形するマスター・ダイス内のグルーブが汚染されると、繰返し使用の際にその誤差は各続きの成形で忠実に繰返され、正確な光ファイバーの位置決めが妨げられるであろう。結論として、日本特許公告第２５４４０４号公報の型成形法では、その基材、導波路および位置決め素子が同じ材料から一緒に成形される。これは、シリコンウエハ、ニオブ酸リチウムウエハおよびプリント回路基板などの他の望ましい基材上で創られた導波路に光ファイバーを位置決めする可能性を前もって排除し、導波路材料の選択を型-成形プラスチックおよびガラスのクラスに限定することになる。
かくして、多くの追加の製造工程或いは位置決め素子またはマイクロマニプレータによる手の込んだ心合わせを必要とせず、且つ光学接着剤または熱処理により正しい位置に保持された追加の素子を必要としないので、その光ファイバーに確実な保持力を提供するところの、多様な希望される基材の上で光導波路に光ファイバーを簡単かつ正確に位置決めすることを可能にするデバイスおよび方法に対する要求は残っている。
発明の要約
本発明の一つの態様は：
表面上の所定の位置に光導波路据付のための表面領域を有する基材；および
直径の大きさｄ1の光ファイバーと、該所定の位置に位置決めされた光導波路とを光学的に心合わせして連結するための、該基材の表面上のチャンネル；
を含んでなり；
該チャンネルの縦軸と該所定の位置とは、該チャンネル中での該光ファイバーの据付けと該所定の位置内での該光導波路の据付けにおいて、該ファイバーの光伝送コアと該導波路とが光学的に芯が合うか、若しくは実質的に光学的に芯が合うように一直線になっており、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直な方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１／２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2に等しいか、それより小さい
ように選ばれ；
該チャンネル中の該光ファイバーの据付けにおいて、該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、図１０に示し、本明細中で後で説明される試験法（以後“保持力試験”と呼ぶ）で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である、
光学連結デバイスに関する。
本発明のもう一つの態様は：
基材；
該基材の表面上の光伝送導波路；および
直径の大きさｄ1の光ファイバーと該光導波路とを光学的に心合わせして連結するための、該基材の表面上のチャンネル；
を含んでなり；
該チャンネルの縦軸と該導波路とが、該チャンネル中での該光ファイバーの据付けにおいて、該ファイバーの光伝送コアと該導波路とが光学的に芯が合うか、若しくは実質的に光学的に芯が合うように心合わせされ、若しくは実質的に心合わせされており、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直な方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１／２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2に等しいか、それより小さいように選ばれ；
該チャンネル中の該光ファイバーの据付けにおいて、該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である；
光導波路を有する光学連結デバイスに関する。
さらに、本発明のもう一つの態様は：
基材；
該基材の表面上で位置決めされた光伝送導波路；および
直径の大きさｄ1の光ファイバーと、該光導波路とを光学的に心合わせして連結するための、該基材の表面上のチャンネル；
を含んでなり；
該チャネルの縦軸と該導波路とが心合わせされ、若しくは実質的に心合わせされており、該チャンネルはその中に該ファイバーの光伝送コアと該導波路とが光学的に心が合うか、若しくは実質的に光学的に心が合うように位置決めされている該光ファイバーを有し、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直な方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１／２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2に等しいか、それより小さいように選ばれ；
該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である；
光ファイバー-光導波路相互連結デバイスに関する。
本発明のさらにもう一つの態様は、本発明の基材上に複数の光導波路-光ファイバー連結素子を有する、改良されたピッグテール付き平面光学デバイス、および高分子パッケージ中に封入されたこの改良されたピッグテール付き平面光学デバイスを含んでなるパッケージ化平面光学デバイスに関する。
また、本発明のもう一つの態様は、該基材の表面上の所定の位置における光導波路据付けのための表面領域、および直径ｄ1の光ファイバーと、該所定の位置に位置決めされた該光導波路とを光学的に心合わせして連結するための高分子光ファイバー位置決め素子とを有する基材を含んでなり；該高分子光ファイバー位置決め素子は複数の側壁を有するチャンネルを含んでなり、該チャンネルの縦軸と該所定の位置とが、該チャンネル中での該光ファイバー、および該所定位置での該光導波路の据付けにおいて、該光ファイバーと該光導波路が光学的に心合わせされ、若しくは実質的に光学的に心合わせされるように一直線若しくは実質的に一直線に並んでおり、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直の方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１/２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つ、Ｗ2に等しいか、それより小さい
ように選ばれ；
該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である
光学連結デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材の表面に一種またはそれ以上の光重合性単量体を含んでなる層を乗せる工程；
ｂ）該層を放射線のパターンに露光して、該高分子位置決め素子の表面寸法を有する重合した単量体の露光パターンと未露光単量体のパターンを形成させる工程；および
ｃ）該未露光の単量体を除去して、該表面上に該導波路の縦軸が該位置と一直線若しくは実質的に一直線に並んでいる該高分子位置決め素子を形成させるために現像する工程；
を含んでなる方法に関する。
本発明は、また、基材、該基材の表面に位置決めされた光伝送導波路、および直径ｄ1の光ファイバーと該光導波路とを光学的に心合わせして連結するための高分子光ファイバー位置決め素子とを含んでなり；該高分子光ファイバー位置決め素子は複数の側壁を有するチャンネルを含んでなり、該チャンネルの縦軸が該導波路の縦軸と、該チャンネル中での該光ファイバーの据付けにおいて、該光ファイバーと該光導波路が光学的に心合わせされ、若しくは実質的に光学的に心合わせされるように、一直線若しくは実質的に一直線に並んでおり、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直の方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁間の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１/２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2に等しいか、それより小さいように選ばれ；
該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である
光導波路を有する光学的連結デバイスを製造する方法であって、
ａ）表面上に導波路を有する基材の表面に一種またはそれ以上の光重合性単量体を含んでなる層を乗せる工程；
ｂ）該層を放射線のパターンに露光して、該高分子位置決め素子の表面寸法を有する重合した単量体の露光パターンと未露光単量体のパターンを形成させる工程；および
ｃ）該未露光の単量体を除去して、該表面上に該チャンネルの縦軸が該導波路の縦軸と一直線若しくは実質的に一直線に並んいる該高分子位置決め素子を形成させるために現像する工程；
を含んでなる方法に関する。
また、本発明のもう一つの態様は、基材、該基材の表面に位置決めされた高分子光伝送導波路、および直径ｄ1の光ファイバーと該光導波路とを光学的に心合わせして連結するための高分子光ファイバー位置決め素子とを含んでなり；該高分子光ファイバー位置決め素子は複数の側壁を有するチャンネルを含んでなり、該チャネルの縦軸が該導波路の縦軸と、該チャンネル中での該光ファイバーの据付けにおいて該光ファイバーと該光導波路が光学的に心合わせされ、若しくは実質的に光学的に心合わせされるように、一直線若しくは実質的に一直線に並んでおり、該チャンネルは複数の側壁と底面を有し、該底面に垂直な方向での断面の深さｄ2の点における該側壁間の隔りは幅Ｗ1であり、そして該底面に接した点における該側壁の隔りは幅Ｗ2であり；
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は、
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１／２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つＷ2に等しいか、それより小さいように選ばれ；
該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上である光導波路を有する光学連結デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材の表面に一種またはそれ以上の光重合性単量体を含んでなる層を乗せる工程；
ｂ）該層を放射線のパターンに露光して、該高分子位置決め素子の表面寸法を有する重合した単量体の露光パターンと未露光単量体のパターンを形成させる工程；および
ｃ）該未露光の単量体を除去して、該表面上に、該チャンネルの縦軸が該導波路の縦軸と一直線若しくは実質的に一直線に並んでいる該高分子位置決め素子を形成させるために現像する工程；
を含んでなる方法に関する。
本発明は、一つまたはそれ以上の長所を示す。例えば、光導波路の取付けを望まれる非常に多様な基材上で有用である。基材および光導波路に悪影響を及ぼす如何なる高温加工も含まない。高い位置決め若しくは心合わせ精度と、製造法の簡単さおよび低コストとを組み合せた光リソグラフ法を使用する。光ファイバーにしっかりした保持力を提供し、それによって光導波路への光ファイバーの取り付けが簡単になり、特に複数のファイバー若しくは光ファイバーの配列体を単一の基材若しくは光導波路配列体に取付ける重要なケースで簡単になる。正確な心合わせと、光導波路基材上の小さい領域内に位置決めされた光ファイバーのしっかりした保持が得られ、嵩高いクリップや位置決め素子を利用する従来技術での方法より高密度での光学的相互連結が可能になる。光ファイバー位置決めチャンネルに、従来のデバイスでは提供されなかった斬新な幾何学的形状が提供され、その同じ物を製造する方法が提供される。結論として、本発明は製造コストに不利益に影響する複雑で、高価な位置決めデバイスを必要としないで、光導波路への光ファイバーの簡単なアセンブリーを可能にする。
【図面の簡単な説明】
本発明は、以下の本発明の詳細な説明と添付した図面を参照すれば、より十分に理解され、そしてさらなる利点が明らかになるであろう：
図１は、本発明の推奨される光学連結デバイスの透視図である。
図２は、本発明の推奨される光学連結デバイスと光導波路の実施態様の透視図である。
図３は、本発明の推奨される光ファイバー-光導波路相互連結デバイスの実施態様の透視図である。
図４は、光学的緩衝層を有する、図３の実施態様の透視図である。
図５は、図３中の５′-５に沿って描かれた本発明の推奨される光ファイバー-光導波路相互連結デバイスの断面図である。
図６は、その中に二本の光ファイバーを有する、台形或いは実質的に台形のチャンネルを有する本発明のもう一つの望ましい光ファイバー-光導波路相互連結デバイスの断面図である。
図７は、基材表面上に一つ以上の光学連結デバイスと、光導波路に相互連結された光ファイバーを有する本発明の配列体の透視図である。
図８は、本発明のもう一つの推奨される配列体の透視図である。
図９は、図３の相互連結素子に類似で、高分子被覆を有する本発明のパッケージ化された光ファイバー-光学相互連結デバイスの切抜き断面を有する透視図である。
図１０は、本発明の連結デバイスの保持力を測定するための装置である。
図１１は、本発明の連結デバイスの推奨される製造法を例示、説明するものである。
図１２は、本発明の連結デバイスのもう一つの推奨される製造法を例示、説明するものである。
推奨される実施態様の説明
本発明の望ましい実施態様は上記の図を参照することによりこの技術分野の習熟者により良く理解されるであろう。これらの図に例示された本発明の望ましい態様は網羅的であること、または本発明を開示された正確な形に限定することを意図するものではない。これらの図は、本発明の原理とその応用および実際の利用を記述し、若しくは最も良く説明し、それによってこの技術分野の他の習熟者が本発明を最もうまく利用できるように選ばれたものである。
本発明の連結デバイスの一つの望ましい態様は図１に描かれ、番号１０で示されている。デバイス１０は基材２０の表面に位置付けされたチャネル１２を含んでなる。チャンネル１２は、或る特定の幾何学的寸法を有することを前提として、任意の形状若しくは長さを持つことができる。チャンネル１２は光重合性単量体およびその類似物を用いてリソグラフィー法で作ることができる。チャンネル１２は単一構造であっても良く、或いは多数の部分から構成されていても良い。図１に示された本発明の望ましい態様においては、チャンネル１２はリソグラフ法で成形され、そしてチャンネル１２の側壁１６および１８と、チャンネル１２の底面（床）を形成する基材２０の表面部分を形作る隣接する一対の位置決め素子１４によって形成されている。チャンネル１２は、基材２０の表面上で、その縦軸が基材の表面上の予め決められた所定位置２２と一直線若しくは実質的に一直線になるように位置決めされている。
基材２０は常用の光導波路デバイス用の基材の製造に用いられる任意の固体材料で作ることができる。これら材料の望まれる特性は、そのデバイスの普通の操作温度における機械的および光学的安定性である。基材２０の製造に使用される望ましい材料は、プリント回路基板材料、重合体、石英、ガラス、溶融シリカ、半導体用ウエハおよび無機結晶体である。
本発明の望ましい連結および光導波路デバイスが図２に描かれ、番号２６で代表されている。連結および光導波路デバイス２６は、基材２０の表面上で、チャンネル１２を規定する重合体位置決め素子１４を含んでなる。デバイス２６は、また基材２０の表面上の所定の位置（デバイス１０の位置２２に対応する）に、チャンネル１２の縦軸と一直線若しくは実質的に一直線になるように位置決めされている導波路２８を含んでいる。
本発明の望ましい光ファイバー-導波路相互連結デバイスが図３に描かれ、番号３０で代表されている。相互連結デバイス３０は、基材２０の表面上で、チャンネル１２の側壁１６および１８を規定する、重合体位置決め素子１４およびチャンネル１２の縦軸と一直線若しくは実質的に一直線になっているチャンネル導波路２８を含んでいる。相互連結デバイス３０はチャンネル１２中に位置決めされた光ファイバー３２も含んでおり、その光ファイバー３２の光伝送コア３４は導波路２８と光学的に心合わせされ、若しくは実質的に光学的に心合わせされていて、光が光伝送コア３４を通って光チャンネル導波路２８に伝搬されるようになっている。
本発明のもう一つの望ましい光ファイバー-光導波路相互連結デバイスが図４に描かれ、番号３６で代表されている。相互連結デバイス３６は類似の番号で示されている相互連結デバイス３０の成分の全てを含んでいる。加えて、相互連結デバイス３６は基材２０の表面に追加の緩衝層３８を含んでおり、導波路２８と素子１４は緩衝層３８の表面上に位置している。光緩衝層３８は、導波される光の伝搬の性質により、基材の屈折率がチャンネル光導波路の屈折率より大きい場合に、伝搬損失の小さい導波路構造物を提供するために必要になる。この機能を提供できる任意の材料が緩衝層３８の製造に用いることができる。緩衝層３８の製造に用いられる材料の例は、屈折率の低い光高分子（フォトポリマー）、スピン-コートされた高分子層、スピン-オン・ガラス（ｓｐｉｎ-ｏｎ  ｇｌａｓｓｅｓ）、二酸化ケイ素、化学蒸着（ＣＶＤ）で形成される酸化物およびフルオロポリマーである。望ましい材料は屈折率の低い光高分子およびフルオロポリマーであり、より望ましい材料は屈折率の低い光高分子である。
基材２０の表面上でのチャネル１２と、導波路２８若しくは所定の位置２２との相対位置は本発明で非常に重要である。図１、２、３および４に描かれているように、チャンネル１２と導波路２８若しくは所定の位置２２は、チャンネル１２の縦軸と導波路２８若しくは所定の位置２２の縦軸が一直線上若しくは実質的に一直線上にあって、光ファイバー３２をチャンネル１２中に入れた時、光ファイバー３２の光伝送コアと導波路２８若しくは所定の位置２２とが光学的に心合わせされ、若しくは実質的に光学的に心合わせされていて、光が光伝送コア３４を通って導波路２８に伝搬されるようになっている。これらの図に描かれているように、チャンネル１２が素子１４の側壁１６および１８と基材２０の底面２４から形成されている本発明の望ましい態様では、素子１４はこの効果を提供するように位置付けされている。高分子位置決め素子１４が光重合性単量体からリソグラフィー法で創られる本発明のより望ましい態様では、素子１４は比較的高い精度でチャンネル導波路２８と心合わせすることができる。例えば、特に正確な心合わせ法は、高分子位置決め素子１４とチャンネル光導波路２８を同じ重合性単量体から同じ紫外線（ＵＶ）露光工程で創る方法である。これは、同じパターンマスクに両リソグラフ・画像（ｆｅａｔｕｒｅ）を入れることにより、または単一露光工程で両パターンを走査するように、レーザ直接書込み装置をプログラムすることによって達成される。
図５は、図３の５′−５の線に沿っての、相互連結デバイス２８の断面図であり、本発明が適切に機能するために存在しなければならない必要不可欠な斬新な幾何学的関係にあるチャンネル１２、素子１４、側壁１６および１８、光ファイバー３２、芯３４および基材２０を描いている。これら素子の相互関係は本発明の利点にとって非常に重要である。即ち、チャンネル１２中の光ファイバー３２の位置決めにおいて、一定の幾何学的パラメータを有するチャンネル１２と光ファイバー３２を使用することにより、この光ファイバー３２は、該ファイバーを該チャンネルからずらすのに要する力が、後で考察する、図１０に示した保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートンに等しいか、それ以上になるようにチャンネル１２中に保持される。一般に、チャンネル１２の断面は、チャンネル１２が、チャンネル１２の底面２４から該底面に垂直の方向での深さｄ2の点におけるチャンネル１２の領域で、Ｗ1の寸法の幅を有し、チャンネル１２の底辺２４に隣接するチャンネル１２の領域でＷ2の寸法の幅を持っている。光ファイバー３２は直径ｄ1を有する。本発明利点を提供するために、パラメータＷ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2は以下のように選ばれる：
（ａ）Ｗ2はＷ1より大きく、
（ｂ）ｄ2は１/２ｄ1より大きく、そして
（ｃ）ｄ1はＷ1より大きく、且つ、Ｗ2に等しいか、それより小さい。
Ｗ1、Ｗ2、ｄ1およびｄ2の値は広い範囲で変えられるが、それでもチャンネル１２中での光ファイバー３２の連結が、光ファイバー３２を該チャンネル１２からずらすのに要する力が、後で考察する、図１０に示した保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上であるという前提で、上の条件に適合される。しかし、一般に、支配的なファクターはｄ1、ｄ2およびＷ1の相対値である。本発明の望ましい態様では、Ｗ1は約０．６ｄ1から約０．９９ｄ1、より望ましくは約０．８ｄ1から約０．９９ｄ1、そして最も望ましくは約０．９ｄ1から約０．９９ｄ1である。ｄ2の値は、望ましくは１／２ｄ1より大い値から約２ｄ1、そしてより望ましくは約０．６ｄ1から約０．９９ｄ1、そして最も望ましくは約０．８ｄ1から約０．９９ｄ1である。特に望ましい態様では、ｄ2は約０．９ｄ1から約０．９９ｄ1である。ｄ1は任意の光ファイバーの直径の値であり、そのような光ファイバーは単一ファイバー、偏光保持ファイバー、マルチファイバー若しくはケーブル、ＵＶ-ＮＩＲ（紫外線-近赤外線）透過性ファイバーおよび硬質高分子被覆ファイバー・ケーブルなどである。ｄ1の値は、望ましくは１ｍｍに等しいかそれ未満、より望ましくは約１２５μｍから約１ｍｍ、そして最も望ましくは約１２５μｍから約２５０μｍである。とりわけ望ましい態様では、ｄ1の値は約１２５μｍから約１４０μｍである。
Ｗ2の値は広い範囲で変えられ、唯一の必要条件は、Ｗ2がＷ1より大きく、且つｄ1より大きいか、等しいことである。Ｗ2は、望ましくはｄ1より大きく、約２ｄ1まで、より望ましくは約１．０ｄ1から１．５ｄ1、そして最も望ましくは約１．０ｄ1から１．２ｄ1である。とりわけ望ましい態様では、Ｗ2は約１．０ｄ1から１．１ｄ1である。
チャンネル１２の長さは、該光ファイバーを該チャンネルからずらすのに必要な力が、後で考察する、図１０に示した保持力試験で求めた値で約０．０１ニュートン（Ｎ）に等しいか、それ以上であるという前提で、広い範囲で変えられる。本発明の望ましい態様では、チャンネル１２の長さはｄ1に大体等しいか、それより大きい。より望ましくは、チャンネル１２の長さは約０．１から約２０ｍｍ、そして最も望ましくは約０．５から約１０ｍｍである。とりわけ望ましい態様では、チャンネル１２の長さは約１から約５ｍｍである。
チャンネル１２の断面の形状は広い範囲で変えられ、それでもチャンネル１２中での光ファイバー３２の連結が図１０の方法の試験を通るという前提で、上記の条件に適合する。図５では側壁１６と１８は直線として描かれているが、これは本発明の必要条件ではなく、側壁１６と１８は本発明の基本的寸法要件が侵されない限り、曲がっていても、内側若しくは外側に湾曲していても、若しくは類似の形でも良く、また一方が直線で他方は直線でなくてもよい。
図１から５に描かれている本発明の望ましい態様では、チャンネル１２は台形若しくは実質的に台形の断面を有する。図５の望ましい態様では、チャンネル１２は、基材２０の表面上の二つの平行な若しくは実質的に平行な高分子位置決め素子１４で形成されている。チャンネル１２は、素子１４の各々の側面から形成される側壁１６および１８と、両素子１４の間の基材２０の表面で形成されている底面（床）２４を有する。図５に示されているように、高分子位置決め素子１４はチャンネル１２を規定し、それは逆台形の断面を持ち、その二つの平行若しくは実質的に平行な不等辺の長い方の寸法は４０で、これは二つの不等平行辺の他方の寸法４２より大きく、そして寸法４０である平行不等辺の長い方の辺は頭部に位置し、そして寸法４２である不等平行辺の短い方は基材２０または、場合によって基材２０の上に付いている緩衝層３８（図４参照）と接して位置している。
高分子位置決め素子１４の側面が基材２０の法線となす壁角（ｗａｌｌ  ａｎｇｌｅ）は文字αで示されている。高分子素子１４が望ましい逆台形若しくは実質的な逆台形の形状を持つためには、角度αは０より大きくなければならない。角度αが０であると、素子１４の断面は、従来技術の場合のように、単なる長方形になり、二つの素子１４の間で創られるチャンネル１２中の光ファイバー３２の位置をその連結が図１０の試験を通るように保持するという予想外の能力を持たなくなるであろう。角度αが大きく作られている方が、光ファイバー３２をチャンネル内に保持するのがより容易になる。しかし、如何に大きい角度αまでうまく作ることができるかは実際的意味で制約がある。角度αが余り大きくなると、高分子１４の基部（図５での寸法４２）が、比較的良好な接着を確保するために、基材２０と十分な接触面積を持つために高分子素子１４の幅の寸法（図５での寸法４０）も大きくならなければならず、これは本発明の主要な利点である相互連結素子の密度に悪い影響を持つ。それ故、壁角αは約１度から約３０度の範囲に限定するのが望ましい。より望ましくは、壁角αは約２度から約２５度の範囲、そして最も望ましくは壁角αは約３度から約２０℃の範囲である。
高分子位置決め素子１４は一定の重要な物理的性質を有する。これらの物理的性質により、光ファイバーの直径ｄ1がチャンネル１２の頭部の開口の幅の寸法Ｗ1より大きい場合、応力を加えると変形してその中に挿入するのが可能になる。しかし、その変形は永久的であってはならず、高分子位置決め素子１４は、光ファイバー３２に有用な保持力を提供するために、できるだけ迅速に元の寸法形状に回復するか、実質的に回復しなければならない。それ故、この性質は或る程度の弾性強度を提供しなくてはならない。また、この高分子は余り脆くて挿入により損傷されてはならず、また余り硬くて光ファイバー３２を傷付ける原因になってはいけない。材料の性質の立場から、ガラスの位置決め素子を用いる従来技術の方法がなぜ適していないかは明らかである。この高分子は、望ましくは分子量が約５０，０００またはそれ以上の高分子、より望ましくは１００，０００またはそれ以上の高分子である。本発明の最も望ましい態様では、この高分子材料はそのゲル化点以上で架橋される、即ちその分子量が無限大の高分子になる光高分子である。この架橋光高分子は最も望ましい物理的性質を持っているだけでなく、素子１４がリソグラフ法で作られる場合、架橋光高分子は現像溶媒に最早溶けないので、未照射単量体の除去が最も簡単である。この高分子は結晶性というより、大体非晶質（結晶度５０％未満）であるべきであり、そのガラス転移温度（Ｔｇ）は、分子鎖セグメントの高い移動度を確保するために、その融点より低くあるべきである。この高分子の結晶度は２５％未満であるのが望ましく、そしてより望ましくは、その結晶度は、約１０％未満である。最も望ましい態様では、この高分子は完全に非晶質、即ちその結晶度は約０％である。基材２０上の反応性単量体の単一の層から、両高分子位置決め素子１４および高分子光導波路２８を一回のリソグラフ工程を用いて製造する本発明の態様では、完全に非晶性の高分子が望ましく、その場合高分子の結晶領域からの光の散乱による損失量が最小の光導波路が得られるであろう。Ｔｇに関して言えば、光導波路デバイスに光ファイバーを付ける便利な温度は室温であるから、光高分子のＴｇは室温より低いことが基本的である。かくして、Ｔｇは約３０℃未満であるのが望ましく、そしてより望ましくは約２０℃未満であり、そしてそのＴｇが１０℃未満である光高分子材料が最も望ましい。今説明した光高分子のＴｇは、そのポリマーの本来の性質であることが望ましい。しかし、可塑剤の添加若しくは溶媒によるその高分子膨潤などの、高分子科学の一般的技術で知られている多くの方法によって、高分子のＴｇは調節できることが認められており、そしてそのように処理した高分子もまた本発明の方法の中でその範囲を逸脱することなしに使用できる。加えて、その光高分子マトリックス中に捕捉されている未反応の単量体がそのような可塑剤として役立つことがさらに知られている。さらに、その光ファイバーが本発明のチャネルに一度挿入されると、その高分子位置決め素子のＴｇは、最早、その臨界範囲内に入っている必要がないことが分かっている。このＴｇは、後になって、溶媒若しくは可塑剤を蒸発させることにより、その高分子をさらに橋���けすることにより、より高い値に調整できる。同様に、余り便利ではないが、室温以上、即ち約３０℃以上のＴｇを有する高分子は、そのデバイスの集積をその高分子のＴｇに等しいかそれ以上の高い温度で行い、次いでＴｇより低い温度に冷却すれば使用できる。位置決め素子１４を構成する高分子は、その分子鎖の全体としての動きを抑え、そして素子１４の間の位置決めチャンネル１２に光ファイバー３２を挿入した後、素子１４を必要な幾何学的形状に復帰させるために、多数の架橋点を含んでいるのが望ましい。この高分子素子１４の形状の回復は、その反発弾性と低い永久セット性とに関連する。位置決め素子１４を構成する高分子材料は、そのゲル化点以上で橋架け高分子である、望ましい場合には必然的に高分子鎖当たり最少一つの主要化学結合の架橋が存在することになる。より望ましい組成では、反応性単量体の少くとも一つが多管能性単量体、即ち同じ分子に二つまたはそれ以上の反応基を含んでいる単量体である。このような多官能性単量体が単量体混合物の主要成分である場合には、得られる高分子は非常に広範囲に橋架けされ、高分子鎖当たり多くの架橋ができるであろう。
本発明で有用な高分子が示す引張り強さは、望ましくは約１００から約８５０ｋｇｃｍ-2の範囲であり、より望ましくは約１５０から約３００ｋｇｃｍ-2の範囲である。
本発明の方法で有用な架橋光高分子の伸び率（％）は、より望ましい組成では架橋水準が増大するために、望ましくは約２から約３００％の範囲であり、より望ましくは約２％から約１００％の範囲である。硬さの有用な値は約２０から約２００ｓ（振り子硬さ）の範囲であり、より望ましくは約４０から約１５０ｓの範囲である。
素子１４の製造には非常に多様な高分子が用いられる。素子１４の製造に使用するのに推奨されるのは、ウレタンアクリレートおよびメタクリレート、エステルアクリレートおよびメタクリレート、エポキシアクリレートおよびメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレートおよびメタクリレート、およびビニル基を含む有機単量体のような光反応性単量体若しくはそのような単量体の混合物の光重合によって生成するフォトポリマーである。そのようなアクリレートおよびメタクリレート単量体の例は、例えばベンゼン、ナフタレン、ビスフェノール-Ａ、ビフェニレン、メタンビフェニレン、ジ-（トリフルオロメチル）メタンビフェニレン、フェノキシフェニレンおよびその類似物のモノ、ジ、トリおよびテトラアクリレートまたはメタクリレートのような、アリールジアクリレート若しくはメタクリレート、トリアクリレート若しくはメタクリレートおよびテトラ-アクリレート若しくはメタクリレートである。有用な単量体には、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、β-カルボキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、プロピレングリコール・モノアクリレート、２-（２-エトキシエトキシ）エチルアクリレート、Ｎ-ビニルピロリドン、１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレート若しくはジメタクリレート、ネオペンチルグリコール・ジアクリレート、ジエチレングリコール・ジアクリレート若しくはジメタクリレート、トリエチレングリコール・ジアクリレート若しくはジメタクリレート、テトラエチレングリコール・ジアクリレート若しくはジメタクリレート、ポリエチレングリコール・ジアクリレート若しくはジメタクリレート、ジプロピレングリコール・ジアクリレート、トリプロピレングリコール・ジアクリレート、エトキシル化ネオペンチルグリコール・ジアクリレート、プロポキシル化ネオペンチルグリコール・ジアクリレート、脂肪族ジアクリレート、アルコキシル化脂肪族ジアクリレート、脂肪族カーボネート・ジアクリレート、トリメチロールプロパン・トリアクリレート若しくはトリメタクリレート、ペンタエリトリトール・トリアクリレート、エトキシル化トリメチロールプロパン・トリアクリレート、プロポキシル化トリメチロールプロパン・トリアクリレート、グリセリルプロポキシル化・トリアクリレート、トリス（２-ヒドロキシエチル）イソシアヌレート・トリアクリレート、ペンタエリトリトール・テトラアクリレート、ジペンタエリトリトール・ペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパン・テトラアクリレート、アルコキシル化テトラアクリレートのような脂肪族アクリレート、ジアクリレート、トリアクリレートおよびテトラアクリレートも含まれる。最も望ましい単量体は、トリメチロールプロパン・トリアクリレート、ペンタエリトリトール・トリアクリレート、エトキシル化トリメチロールプロパン・トリアクリレート、グリセリルプロポキシル化・トリアクリレート、ペンタエリトリトール・テトラアクリレート、ジペンタエリトリトール・ペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパン・テトラアクリレート、メチルメタ���リレート、ｎ-ブチルアクリレート、２-エチルヘキシルアクリレート、イソデシルアクリレート、２-ヒドロキシエチルアクリレート、２-ヒドロキシプロピルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、１，４-ブタンジオールジアクリレート、エトキシル化ビスフェンールＡジアクリレート、ネオペンチルグリコール・ジアクリレート、ジエチレングリコール・ジアクリレート、ジエチレングリコール・ジメタクリレート、１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレートおよびペンタエリトリトール・テトラアクリレートである。
特に有用なものは、少くとも一つの単量体がジアクリレート若しくはトリアクリレートのような多官能性の単量体である混合物であり、これらは反応した光高分子内で架橋網目を形成するであろう。本発明の方法で用いられる望ましい単量体混合物は３３％のジェノマー（Ｇｅｎｏｍｅｒ）Ｔ１６００ウレタンアクリレートと６７％の１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレートとの混合物であり、また６７％のエトキシル化ビスフェンールＡジアクリレートと３３％のトリメチロールプロパン・トリアクリレートの混合物である。
チャネル１２は一本の光ファイバー３２、若しくは、図６に描いたように、一本以上の光ファイバーを含んでいてもよい。さて、適した基材２０上の高分子位置決め素子の領域を通して見た断面図である図６を参照して説明すると、次の態様において、素子１４は、二本の光ファイバー３２がチャンネル１２の中に収容されるように位置付けされており、このチャンネル１２は、各光ファイバー３２の光伝送芯３４が導波路（描かれていない）と光学的に心合わせされ、若しくは実質的に心合わせされるように素子１４の間に形成されている。これも本発明の一つの態様であり、これによって光導波路の密度を増加させることが可能であり、またファン・イン（ｆａｎ-ｉｎ）およびファン・アウト（ｆａｎ-ｏｕｔ）領域の長さと面積を減らすことができる。光ファイバー３２の保持力は、唯一本の光ファイバーが位置決めチャンネルを占有している態様程大きくないが、それでも従来技術の方法に比べて基材上の光導波路に光ファイバーを取付ける場合の有用性を増大させるに十分である
本発明の望ましい配列体（ａｒｒａｙ）が図７に示され、番号４６で代表されている。さて、図７を参照して説明すると、次の態様では、単位の基材５０上に光導波路４８の配列体が心合わせされた本発明の高分子位置決め素子５２の配列体と共に提供される。素子５２の各対は、それが関連している光導波路４８の末端と心合わせされ、平行に並んでおり、その心合わせはこの技術分野での既知の方法、例えばその上に記録マークも付いている露光マスクを利用するようなリソグラフィーによって行われるのが望ましい。光ファイバー５４の末端は、高分子位置決め素子によって形成されているチャンネル５６の一つにファイバー５４の光伝送コア５８が光導波路４８の端と一直線で芯合せされるように挿入されることが示されている。光ファイバー５４は、図１から図５におけるような必要な幾何学的形状を持った高分子位置付け素子によって、追加の素子、光学糊若しくは融解の必要なしに、そのチャンネル中にしっかりと保持される。このしっかりした位置決めは、近くのチャンネル５６中に追加の光ファイバー５４を、既に場所を占めるているる光ファイバー５４の位置決めを乱すことなしに、入れることを可能にする。これは、光導波路４８に光ファイバー５４をくっ付ける組立てを従来技術の方法に比べて非常に容易にする。また、各光ファイバーを一つの配列体に個々に導入する可能性も提供され、全光ファイバーが同時に乗せられる従来技術の方法に関連して生じる位置決めの累積誤差を克服することができる。
本発明のもう一つの望ましい配列体が図８に示され、番号６０で代表されている。さて、図８を参照して説明すると、そこに描かれている態様６０では、追加の光学的緩衝層６６を有する単一基材６４上に、一番外側でない位置決め素子６８が光導波路６２の配列体と共に二つの隣接するチャンネル７０の壁面を形成している、心合わせされた高分子位置決め素子６８が提供されている。即ち、中央の高分子位置決め素子６８は二つの光導波路６２によって共用されている。かくして、取付けられる光ファイバーの数をｎとすれば、必要な高分子位置決め素子６８の数はｎ＋１である。この様式で基材６４上での隣接光導波路６２の間の距離を減らすことができ、それによって光導波路６２の密度を増大させるか、若しくはこの技術分野の習熟者に知られているマルチ-ポート光導波路デバイスのファン・インおよびファン・アウト領域の大きさを減らすことができる。
本発明の光ファイバー-導波路相互連結素子、または図１から図８に描いたようなかかる相互連結素子の配列体は、図９に描かれているように、被覆層を付けて製造することができる。次に、図７の態様に類似の態様の、高分子位置決め素子５２の領域の切抜き断面を有する透視図である図９を参照して説明する。高分子位置決め素子５２は、要求される幾何学的形状のチャンネル構造５６を提供するために、場合によっては光学緩衝層（示されていない）も付いている基材５０の表面上で光重合法でリソグラフィー手法で作られる。チャンネル５６は、光ファイバー５４の光伝送コア５８が基材５０の表面上で光チャンネル導波路４８の末端と接触を保つように、心合わせ位置決めと、光ファイバー５４への保持力との両方を提供する。高分子位置決め素子５２は、この構造体に被覆材料層７４が塗布される間、光ファイバー５４を正しい位置に保持するのに役立つ。層７４はこの光導波路構造体を物理的損傷や塵から保護するのに役立ち、そしてチャンネル光導波路４８の開口数（Ｎ．Ａ．）を光ファイバー５４の開口数に適合するように調整し、それによって開口数の不適合による光学的損失を減らす手段としても役立つ。この被覆層７４は光学セメント、熱または光重合により硬化して重合体になる反応単量体混合物、硬化してガラスになるガラス前駆体、若しくは溶液法で塗布し、次いで乾燥するプラスチック或いはガラスである。本発明の高分子位置決め素子５２は、そのユニークな幾何学的形状によって付与される保持力により、被覆塗布工程中に光ファイバー５４がずれないように光ファイバー５４を正しい位置に維持し、かくして従来技術の欠点が克服される。特に、光ファイバー５４は、チャンネル５６中で被覆塗布液の毛細管作用の力によって“浮上”（“ｆｌｏａｔｅｄ”）することなく、素子５２のユニークな幾何学的形状によって発生する保持力によって、基材５０に接するように抑えられる。従来技術の方法は、この被覆塗布工程の間、光ファイバーの正しい位置を維持するのに必要な力を加えるために追加の素子を必要とする。
図１０は挿入される光ファイバーに供給される高分子位置決め素子１４の保持力を示し、そしてそのような力を評価するための試験方法を図示している。図１０に描いた試験の望ましい態様では、高分子位置決め素子７６と高分子光導波路７８の配列体が反応性単量体混合物のマスク照射法によって薄い光学緩衝層８２の付いたシリコン・ウエハ基材８０の表面に印刷される。ガラス光ファイバー８４が、光導波路７８と心合わせして保たれている一対の高分子位置決め素子７６によって形成されているチャンネル８６の一つに挿入される。光ファイバー８４への保持力を増加させるための接着剤若しくは追加の素子は存在せず、光ファイバーは単に高分子位置決め素子７６の保持力によって正しい位置に保持されているだけである。光ファイバー８４の他の端はアルミニウム・ブロック９０の端に穿孔されている孔８８中に挿入される。このブロックの質量は１グラム、望ましくは１０グラム、より望ましくは５０グラム、さらに望ましくは７５グラム、最も望ましくは１００グラムであり、数滴のエポキシ樹脂９２によって孔８８にしっかり固定されている。質量１グラムのブロックは光ファイバー８４と素子７６の連結に０．０１ニュートンの力を加え、質量１０グラムのブロックは光ファイバー８４と素子７６の連結に０．１ニュートンの力を加え、質量５０グラムのブロックは光ファイバー８４と素子７６の連結に０．５ニュートンの力を加え、質量７５グラムのブロックは光ファイバー８４と素子７６の連結に０．７５ニュートンの力を加え、質量１００グラムのブロックは光ファイバー８４と素子７６の連結に１．０ニュートンの力を加える。このシリコン・ウエハ基材８０をクランプ９４で挟み、アルミニウム・ブロックがテーブル・トップ９６から明瞭に持ち上げられるようにぶら下げた。ブロック９０はウエハ８０で吊り下げられ、単に高分子位置決め素子７６（約５ｍｍの長さが望ましい）と光ファイバー８４との相互作用によって生じる保持力によって、光導波路７８に対する光ファイバー８４の位置に認められる如何なる変化もなしに１時間の間保持された。この方法は光ファイバー８４と光導波路７８の連結が期待以上に安定なことを明らかにしめす。その連結はユニークな幾何学的形状を有する本発明のチャンネルによって提供されるが、これは従来技術の方法では追加の素子やセメントが存在しなければ提供されないものである。図１１と１２は、要求されるユニークな幾何学的形状の高分子位置決め素子を提供する本発明の方法を例証するものである。図１１に、紫外線によるパターン・マスク照射法で高分子素子９８を提供する方法が詳細に説明される。場合によっては、光学緩衝材料１０２の層で被覆されている基材１００に、光反応性単量体の層１０４を光導波路に連結されるべき光ファイバーの半径（１／２ｄ1）より大きい厚みで塗布する。高分子位置決め素子１１２のパターン、および場合によってはチャンネル導波路素子（描かれていない）のパターンを含んでいる部分だけ紫外線１１０が透過し得る不透明領域（１０８）のパターンを有するイメージ・マスク１０６を、単量体層１０４の上に極く接近させて置き、そして例えば水銀若しくはキセノンランプからの紫外線１１０が��メージ・マスク１０６の表面に当たるように方向づけられる。マスク１０６の透明な領域を透過した紫外線１１０は、これらイメージ領域のすぐ下にある単量体層１０４の領域１１２中で光重合を誘起する。イメージ・マスク１０６の不透明な領域１０８によって紫外線から遮蔽されているこれらの単量体領域では重合が起きない。紫外線照射後、イメージ・マスク１０６を外し、未反応の単量体をアセトン若しくはメタノールのような適当な溶媒で洗い流し、基材１００の上に光重合した構造体のパターンを残す。このパターンは、図１０の試験に通るために必要な幾何学的形状を有する台形若しくは実質的に台形である望ましい断面を有するチャンネル１１４を規定する、本発明の高分子位置決め素子９８に対応している。一般にリソグラフ法で可能である高分子構造の光描写の簡単さと容易さおよび心合わせの非常な正確さによって、本発明の方法が従来技術の方法の欠点の多くを克服することを可能になる。図１１の右側に示したような逆台形である高分子位置決め素子９８のユニークな幾何学的形状が、適切な照射条件を選択することにより達成される。未反応単量体層１０４の紫外線波長での吸光度は、紫外線強度勾配がそのフィルムを通じて確立されるのに十分な程度に大きくなければならない。即ち、光反応の開始を誘起させるために、その単量体層中で利用できる紫外線の量は、単量体層の有限の吸光によって、頭部若しくはイメージ・マスク側から底部若しくは基材側に向かって減少するであろう。この紫外線の勾配は頭部から底部にかけて起きる光重合反応の量に勾配が生じる原因になり、これが現像された高分子構造のユニークな幾何学的形状をもたらし、この幾何学的形状は本発明の方法では容易に得られるが、従来技術の方法では容易に達せられないものである。そのフィルムの上部から底部に向かって起きる光重合の量の勾配はその単量体層中に溶けた酸素ガスの存在によってさらに影響され、このような酸素は、光重合過程で生成するラジカルによって全ての酸素が消費された領域中を除いて、光重合反応を抑えたり停止させたりする。光重合反応の進行中における溶解酸素ガスのこのような作用はこの技術分野の習熟者にはよく知られている。また、この光高分子構造体の必要な幾何学的形状は自己-集光過程によりさらに影響を受ける。即ち、単量体層１０４の表面にに当たった光はその表面で光重合を開始し、そしてその固体化した高分子材料の屈折率はその液状の単量体の屈折率より大きいので、その中を通る光を屈折させる。このようにして、単量体層の基材側により近い単量体層に当たる光による架空の像が、その上にある既に重合した材料による屈折によって変えられる。この効果は、得られる重合した構造体がその上に像影光が当たる頭部表面から底部若しくはその層の基材側に向かって狭くなる原因になる。
図１２では、石英の顕微鏡対物レンズのような集光光学素子１２０によって、紫外線レーザ・ビーム１１６が単量体層１１８の表面に集光され、高分子位置決め素子１２２に対応するパターンで、そして、場合によっては、光導波路デバイス（描かれていない）のパターンで集光されたレーザ・スポットを単量体層１１８の表面に走査することにより、光重合された区画１２１が形成される。露光が完了した後、基材１２４からアセトンやメタノールのような適当な溶剤で未露光の単量体を洗い流して、場合によっては光緩衝層１２６の付いている基材１２４の表面に希望の幾何学的形状を有する高分子位置決め素子１２２を形成させる。図１２の方法の場合には、高分子位置決め素子１２２の必要なユニークな幾何学的形状は単量体層１１８内での同じ光勾配によって提供されるが、さらにそのレーザの平行ビームを望ましい逆台形の幾何学的形状を有する断面を持った単量体層を横切る光の集光錐面に変換する集光光学素子１２０の集光性によって一層強められる。製造される光高分子の得られる幾何学的形状に及ぼす溶解酸素および自己-集光の影響が、この走査レーザ露光の場合にも考えられる。
光反応性単量体層１０４および１１８は光重合性単量体若しくはそのような単量体の混合物、および一種またはそれ以上の光開始剤、そして、場合によっては、一種またはそれ以上の安定剤を含んでなる。有用な単量体は、メチルメタクリレート、ｎ-ブチルアクリレート、２-エチルヘキシルアクリレート、イソデシルアクリレート、２-ヒドロキシエチルアクリレート、２-ヒドロキシプロピルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、１，４-ブタンジオールジアクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡ・ジアクリレート、ネオペンチルグリコール・ジアクリレート、ジエチレングリコール・ジアクリレート、ジエチレングリコール・ジメタクリレート、１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレート、トリメチロールプロパン・トリアクリレート、ペンタエリトリトール・トリアクリレートおよびペンタエリトリトール・テトラアクリレート並びにそれらの混合物のような、位置決め素子の製造に用いられる前記の単量体である。特に有用なもののは、少くとも一つの単量体がジアクリレート若しくはトリアクリレートのような多官能性の単量体である混合物であり、ジェノマーＴ１６００ウレタンアクリレートと１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレートとの混合物またはエトキシル化ビスフェノールＡ・ジアクリレートとトリメチロールプロパン・トリアクリレートの混合物のような、反応した光高分子内で架橋網目を形成するであろう混合物である。
これら単量体混合物での紫外線による重合の開始に使用するために、多様な光開始剤が適している。シー．ジー．ロフィーの表面被覆の光重合、第３章（１９８２）、［Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ，ｃｈａｐｔｅｒ  ３（１９８２）  ｂｙ  Ｃ．Ｇ．Ｒｏｆｆｅｙ］などの、光高分子系用の有用な開始剤に関する多くの優れた文献がこの技術分野で入手できる。望ましい光開始剤は推奨される単量体に可溶で、照射用に選ばれる光の波長で有効な吸収を有する開始剤である。若しも、光高分子素子の必要でユニークな幾何学的形状が単量体層の厚み方向での光開始反応の勾配の確立によって得られるのであれば、その層はその照射波長で有意な吸光度を有することが重要である。若し、これらの波長での成分単量体の吸光度が小さいならば、光開始剤によって必要な吸収を提供してもよい。数種の光開始剤を組合わせるのは、波長感度を広げるために、若しくは添入溶解度を増すために、または用いられる特定光源に単量体系の光応答速度を適合させるために有用である。本発明の方法で特に有用な光開始剤は、２-ヒドロキシ-２-メチル-１-フェニル-プロパン-１-オン［ダロキュア（Ｄａｒｏｃｕｒ）１１７３］、２，２-ジメトキシ-２-フェニルアセトフェノン［イルガキュア（Ｉｒｇａｃｕｒｅ）６５１］、およびベンゾフェノン（イルガキュア５００）を１：１で加えて増感した１-ヒドロキシ-シクロヘキシルフェニルケトンである。特に望ましい光開始剤混合物はこれら三種の増感剤の１：１：１混合物である。
光重合性単量体混合物中での有用な開始剤の量は、照射光源中に存在する利用できる光力（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｏｗｅｒ）での希望の光重合速度および高分子位置決め素子の壁角度と厚みに依存する。一般に、開始剤が少なければ、走査レーザ・ビームのような明るさの大きい集光光源を必要とし、開始剤が多い場合には、水銀ランプなどのプリント回路基板のような大きい面積をカバーするために広がる明るさの小さい光源を必要とする。光開始剤の有用な添入量は、全単量体混合物層に対する重量パーセントで０．１から１０％、望ましくは０．５から８％の範囲、そして最も望ましくは２から６％の範囲である。
以下の実施例は、本発明の有用性をさらに説明することを意図するものである。本発明の範囲はこれら実施例によって限定されるものではなく、本発明の範囲内での他の利用がこの技術分野の習熟者には明らかになるであろう。本発明は添付された請求の範囲によってのみ限定されるものである。
実施例１
シリコン・ウエハに、光硬化性含フッ素単量体混合物（８０部のＦ８ペルフルオロポリエーテルジオール・ジアクリレート、１０８部のＦ４０ペルフルオロポリエーテルジオール・ジアクリレート、６部のヘキサフルオロイソブチレン／ビニルアルコール共重合体、３部のイルガキュア５００および３部のダロキュア１１７３）を６０００ｒｐｍでスピンコートし、次いで窒素雰囲気中１０００ワットのキセノン・ランプ下で１分間硬化し、厚み４ミクロンの光学緩衝層を得た。このウエハを１２０℃で１０分熱処理し、次いで、次に付けられる導波路層の接着性を向上させるために、３０秒間酸素反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）した。この基材に厚み１８０ミクロンの光硬化性アクリレート単量体混合物（５０部のジェノマーＴ１６００ウレタン・アクリレート、９８部の１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレート、１部のダロキュア１１７３、１部のイルガキュア６５１および１部のイルガキュア５００）の層を広げた。この基材を紫外線アルゴン・レーザーの集光ビームの下に置いたコンピュータ制御位置決めステージの上に置いた。このコンピュータは、導波路デバイスの４つのポート（ｐｏｒｔｓ）の各末端に、個々の高分子位置決め素子の対を有する、３×１チャネル導波路コンビナ（ｃｏｍｂｉｎｅｒ）で設計されている試料の不連続領域だけが露光されるように、このレーザー・ビーム下で試料を動かすようにプログラムされた。この選択パターン露光が完了した後、この基材をアセトンで洗って、レーザの照射を受けなかった全領域から未反応の単量体を除去した。その結果、光ファイバー“ピグテール”の取付けを容易にするために正確に心合せされされた高分子位置決め素子を有する半導体基材上のリブ導波路３×１コンビナが得られた。これら高分子位置決め素子は、それらの間に形成されるチャネル中に直径１４０ミクロンの裸のガラスファイバーがしっかりと保持されるように正確に描写形成されていた。
実施例２
実施例１の導波路デバイスをその端末領域を拡大して見るために解像顕微鏡の下に置いた。裸のガラス光ファイバー・ストランドを高分子位置決め素子により形成されているチャネル中に手で挿入した。一度挿入すると、そのガラス光ファイバーが非常にきっちりと把持されるていることが直ぐ認められた。それ故、前に挿入された光ファイバーのいずれをも邪魔することなく、４つの導波路ポートの各々にうまくピグテールを取付けるのが容易であった。
実施例３
実施例２のピグテールを付けたデバイスをＣＣＤカメラの下に押しつけ、そのファイバーの端末部分がＴＶスクリーン上で観察できるようにした。この光ファイバーピグテールをＸＹＺ位置決めステージで把持し、導波路基材に対して動かすことができるようにした。この位置決めステージを用いて、その光ファイバーを面内および面外の両方向に移動させた。この光ファイバーが高分子位置決め素子から外れることを誘き起こすことなしに、どちらの方向にもその光ファイバーを大きく曲げることが可能であった。
実施例４
実施例１および２と同様にしてピグテールを付けた試料を調製したが、本実施例では、実施例１の非-フッ素化アクリレート単量体混合物が光学緩衝層の調製に用いられ、屈折率のより大きいアクリレート単量体混合物（９６部のエトキシル化ビスフェノールＡ・ジアクリレート、３３部のトリメチロールプロパン・トリアクリレート、３部のイルガノックス１０１０酸化防止剤、１部のダロキュア１１７３、１部のイルガキュア６５１および１部のイルガキュア５００）が光導波路および高分子位置決め素子を調製するために用いられた。反応性イオンエッチングは用いられなかった。ガラス光ファイバーピグテールを正しく付けた後、全構造体に屈折率の小さいアクリレート単量体混合物の厚い層を被覆塗装し、次いで紫外線で露光して重合した。その結果、塵や物理的損傷から保護するために高分子層によって完全にカプセル化されたデバイスが得られた。この高分子位置決め素子は、追加の保持用素子を必要としないで、この被覆塗装工程中光導波路デバイスの末端へのガラス光ファイバーの心合せを維持することができた。
実施例５
基材がシリコンウエハでなく、ポリイミド・ラミネート回路基板材料であることを除いて、実施例４と同様にして３×１コンビナを作った。
実施例６
各端に長さ５ｍｍの高分子位置決め素子の付いた真直ぐな光導波路のパターンを含む、ガラスにクロムメッキしたフォトマスクを調製した。このマスクを、実施例４の光硬化させた屈折率の小さい薄い光学緩衝層の付いたシリコン基材の上に塗布した、実施例４の屈折率の大きい１２５ミクロンの厚みの光硬化性の単量体混合物の層に接触させて置いた。基材、光硬化性単量体およびイメージ・マスクから成るこのサンドイッチ構造体を、紫外線反射レンズの付いた出力１０００ワットの光を平行にしたキセノン・ランプの下に置いた。その単量体を１２秒露光し、マスクを外し、未露光部分をアセトンで洗い流した。真直ぐな光導波路と高分子位置決め素子が光学緩衝層の付いたシリコン基材上に残った。この一対の高分子位置決め素子で形成されているチャンネル中に、長いガラス光ファイバーを、高分子導波路と心合せされるように、挿入した。この光ファイバーの他の端に１１０グラムのアルミニウムの錘をエポキシ樹脂で取付けた。そのエポキシ樹脂を乾燥後、この導波路の付いたウエハを垂直にぶら下げて、その錘が高分子位置決め素子の把持作用によってだけ懸垂されるようにした。この光ファイバーと高分子位置決め素子とが相互作用している長さは５ｍｍだけであり、この部分には如何なるタイプの糊やエポキシ樹脂も付いていなかった。この錘はその導波路基材から吊り下げられたままで数か月間放置されたが、その光ファイバーにずれは起きなかった。
実施例７
基材がシリコンウエハでなく、ポリイミド・ラミネート回路基板材料であることを除いて、実施例６と同様にして各末端に対の高分子位置決め素子の付いた光導波路をイメージ・マスク露光法で調製した。
実施例８
実施例４の方法を繰り返したが、二つの高分子光導波路は４０ミクロンの距離で書き込まれ、高分子位置決め素子はガラス光ファイバーの直径の２倍より僅かに小さい距離でレーザで書き込まれた。光導波路の各末端における高分子位置決め素子の間のチャンネルの中に二本の裸の光ファイバー・ピグテール（全部で４本のピグテール）を入れた。これら高分子位置決め素子は、被覆塗装の間、個々の光導波路に対する各光ファイバーの心合せを維持する能力があった。
実施例９
実施例１の集光レーザ書込み法、および実施例６のマスク照射法の両方法を用いてシリコン基材上に高分子位置決め素子を調製した。次いで、この結晶性シリコン・ウエハを、高分子位置決め素子に垂直な方向で、その素子の断面がえられるようにへき開破壊させた。次いで、このへき開された高分子位置決め素子の断面を光学顕微鏡と走査電子顕微鏡で調べた。この高分子素子の構造は、二つの不等平行辺の長い方が頭部に位置し、二つの不等平行辺の短い方がシリコン・ウエハ基材に接して位置する逆台形である、本発明の望ましい態様の必要な幾何学的形状を有していることが観測された。かくして得られた、隣接する二つのそのような構造体の間のチャンネルの形状は、頭部により小さい開口を持ち、そして基材面の距離がより大きいチャンネルであり、本発明の必要な幾何学的形状を有していた。このチャンネルの形状は二つの平行不等辺の長い方が基材に接する辺である台形として説明することもできる。このチャンネルの頭部の分離幅は適したガラス光ファイバーの直径１４０ミクロンより小さいが、底部の分離寸法は光ファイバーの寸法を収容するに十分であった。
実施例１０
レキサン（Ｌｅｘａｎ）ポリカーボネートのシートから構成される基材を実施例４の光学緩衝材料の薄い層でスピンコートし、キセノンランプを１０秒照射して硬化した。次いで、この基材を（５６部のエトキシル化ビスフェノールＡ・ジアクリレート、１９部のトリメチロールプロパン・トリアクリレート、２１部のジェノマーＴ１６００ウレタン・アクリレート、４１部の１，６-ヘキサンジオール・ジアクリレート、１．７部のイルガノックス１０１０酸化防止剤、１部のダロキュア１１７３、１部のイルガキュア６５１、１部のイルガキュア５００を含んでいる）反応性単量体混合物の２０ミクロンの厚みの層で被覆した。実施例１の集光紫外線レーザ装置を用いて長方形のプラトー（台地）から成るパターンを書込み、次いでメタノールで洗って現像した。このプラトー構造の付いた基材を、次に、実施例４の屈折率の大きい単量体混合物の１２０ミクロンの層で被覆し、同じ集光紫外線レーザ装置を用いて、各々の末端に高分子位置決め素子の対を有する真直ぐなチャンネル導波路に対応するパターンを書込んだ。このチャンネル導波路はプラトー部分と同じ長さで、導波路はプラトーの先端に位置し、各々の末端が一線に並ぶように位置していた。従って、高分子位置決め素子はそのプラトーの端を丁度超えた所に位置した。この露光された微細構造体をメタノールで洗って未反応の単量体を除き、２０ミクロンのプラトーの上に乗ったチャンネル光導波路を得た。この導波路の各末端には、中心は合っているが、その長方形のプラトーの端を丁度超えた所に位置する高分子位置決め素子の対が付いている。高分子位置決め素子の各対で形成されているチャンネル構造体に、直径１４０ミクロンで、コアの径が１００ミクロンのガラス光ファイバーのピグテールを取付けた。この方式では、その光ファイバーはその光導波路と正確に心合をせされ、即ちプラトー部分は差段（オフセット：ｏｆｆｓｅｔ）として役立ち、光ファイバーのコアの一番下の部分が正確に光導波路の底部に位置し、垂直方向にも水平方向にも素晴らしい心合わせができる。このピグテールの付いた導波路構造体を、プラトー構造体も含めて、同じ単量体混合物で被覆し、この混合物をキセノン・ランプ下で１分間光硬化した。この硬化導波路材料と硬化被覆材料の屈折率は、導波路と光ファイバーの開口数とが適合するように選ばれた。
実施例１１
基材がポリイミド・ラミネート回路基板材料であり、未反応単量体をアセトン洗浄で除去したことを除いて、実施例１０の方法を繰返した。
実施例１２
長方形のプラトー部分と高分子位置決め素子を有する光導波路との両方を印刷するために、集光紫外線レーザの代りにガラスにクロム・メッキしたフォトマスクキセノンランプを使用したことを除いて、実施例１１の方法を繰返した。
対照実施例
末端に対の位置決め素子が付いた真直ぐなチャンネル光導波路のパターンの付いたクロム・フォトマスクを調製した。この位置決め素子の対は、真直ぐなチャネル光導波路断面上の正中線（ｍｉｄｌｉｎｅ）で心合わせされており、この位置決め素子の中心線間の距離は２４０ミクロンであった。素子の各対の間に形成されるチャンネルの幅が１５０から１３０ミクロンの範囲になるように、位置決め素子の幅を９０ミクロンから５ミクロンずつ増やして１１０ミクロンまで変えた。このパターンを、実施例６におけるように、リソグラフ法で露光して印刷し、繋がった高分子位置決め素子を有する高分子チャネル導波路を作った。かかる素子間に形成されるチャンネルの頭部の幅は１５０から１３０ミクロン（この分離幅は図５での寸法Ｗ1と同等である）に変えられた。次いで、直径１４０ミクロンのガラス光ファイバーを高分子光導波路と芯合せして、各チャンネルに挿入した。図５を参照すれば、これは、チャンネルの頭部における位置決め素子間の距離である寸法Ｗ1が光ファイバーの直径より小さい場合から光ファイバーの直径より大きい場合の範囲に当たる。チャンネルに光ファイバーを挿入してから、その基材を持ち上げて、そのファイバーの重量をその接合にかけるような、非常に小さい乱れ（ｄｉｓｔｕｒｂａｎｃｅｓ）を与えて観察し、頭部の間隔が１４５および１５０ミクロンのチャンネルは、チャンネル導波路の末端と接触している光ファイバーを保持することができないことを認めた。頭部の間隔が１４０ミクロンのチャンネルは、非常に小さい乱れでは、ファイバーの位置を保つことができるが、ファイバーにかかる力が増すと、保てなかった。頭部の間隔が１３５および１３０ミクロン（光ファイバーの直径より小さい）のチャンネルは、光ファイバーと光チャンネル導波路の非常に強固な連結を提供し、光ファイバーから小さい錘をぶら下げても乱されない。頭部の間隔が１３５ミクロンのチャンネルが安全な連結を提供するので推奨されるが、挿入時にその光ファイバーに必要とされる力は頭部の間隔が１３０ミクロンの場合より小さい。かくして本発明の必要な幾何学的形状を所有しないこれら位置決め素子、即ち頭部の間隔が挿入されるべき光ファイバーの直径より大きい位置決め素子は、光ファイバーと光導波路との安全で正確な位置決めである本発明の望ましい性質を提供しない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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