(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジスト膜に形成されたパタン上にマスク材を付着させた後、前記レジスト膜を除去することにより、前記基板上に前記マスク材からなるパタンを形成する微細パタン形成法において、前記マスク材が炭素原子の集合体を有する微粒子であることを特徴とする微細パタン形成法。
【請求項２】
前記マスク材がフラーレンおよびフラーレン誘導体のいずれか一方または双方であることを特徴とする請求項１記載の微細パタン形成法。
【請求項３】
回転塗布法により前記マスク材を付着させる工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２記載の微細パタン形成法。
【請求項４】
前記マスク材付着工程後に、高エネルギー線による照射工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の微細パタン形成法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記録・処理デバイス等の製造に用いられる微細パタン形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細で高密度なドット状パタンの配列を利用してコンパクドディスクなどをはじめとして種種の情報記録・処理デバイスが製造されている。
従来、このような微細なドット状パタン配列は、リフトオフ法と呼ばれるパタン反転手法を用いて、ホール状パタンを反転することにより形成されている。
第３図は従来のリフトオフ法に基づく微細パタン形成プロセスを示している。
【０００３】
まず、図３（ａ）におけるように、被加工基板１上に第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜３を塗布した後、電子線や紫外線、あるいはＸ線などの高エネルギー線４を照射する。
そして、現像溶剤においての現像により、照射部の第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜３を除去する。
これにより、図３（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜３が第１のレジスト膜２に対してオーバハング形状となったホールパタン１０を形成する。
【０００４】
ホールパタン１０をオーバハング形状とする理由は、第２のレジスト膜３上のマスク材の付着領域を被加工基板１上の付着部分、すなわち、ドットパタンとなる部分から切り離し、後述のリフトオフプロセスを容易にするためである。
ここで、高エネルギー線４に対して感度の大きいレジスト（第１のレジスト膜２）を下層に、また感度の小さいレジスト（第２のレジスト膜３）を上層に用いると、上層レジスト膜の開口部が下層のものよりも小さくなりオーバハング形状のパタンが得られやすくなる。
また、単層レジスト膜でも、上述したようなオーバハング状のホールパタン１０を形成することは可能である。
しかしながら、ナノメータレベルの高密度ドットパタンを形成する場合には、オーバハング形状が確実に得られる２層レジスト膜が有利となる。
【０００５】
次に、図３（ｃ）に示すように、このオーバハング形状の第２のレジスト膜３上及び被加工基板１上に、この被加工基板１の加工に用いるマスクとなるマスク材５を付着させる。
このマスク材５は、被加工基板１の加工に用いるドライエッチングのエッチングガスに対して耐性の高い材料が用いられる。
このマスク材５の付着法としては、通常電子ビーム蒸着、真空蒸着、あるいはスパッタ法を用いることができる。
また、マスク材５の材料としては、高ドライエッチング耐性の点からニッケルやチタンなどの金属が用いられる。
【０００６】
次に、レジスト剥離液（レジスト除去用の溶剤）に、被加工基板１全体を浸し、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜３を溶解除去する。
この際、第２のレジスト膜３上に付着したマスク材５は、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜３とともに除去される（これを一般にリフトオフと称している）。
これにより、図３（ｄ）に示すように、被加工基板１上にはマスク材５からなるドット状パタンが形成されることになる。
【０００７】
つぎに、ドット状のマスク材パタン５を、被加工基板１の加工用のマスクに用いて、マスクから露出した被加工基板１の領域のエッチング処理を行う。
これにより、図３（ｅ）に示すように、被加工基板１表面に、所定のドット状パタン配列２５を形成する。
そして、加工終了後に、多くの場合マスク材５は不要となるため、図３（ｆ）に示すように、マスクとして用いたマスク材５の除去を行う。
ここで、金属のようなマスク材５の除去に対しては、通常、塩酸などの無機酸が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の微細パタン形成法においては、以下に示すような問題がある。
まず、マスク材５としてニッケルやチタンなどの金属が用いられているが、被加工基板１の加工後の剥離には、上述したように、塩酸などの無機酸を使用しなければならない。
このため、従来の微細パタン形成法は、多くの場合、マスク材５と共に、上記無機酸により被加工基板１も浸食されるため、被加工基板１を損傷せずにマスク材５の金属のみを剥離することは困難であった。
【０００９】
また、従来の微細パタン形成法においては、オーバハング形状の第２のレジスト膜３上にマスク材５である金属を付着する方法として、電子ビーム蒸着、真空蒸着、あるいはスパッタ法などの気相法が用いられている。
しかしながら、マスク材５の付着は、粒子状で第２のレジスト膜３表面に付着するため、粒子径ならびに入射方向に対する粒子数分布のバラツキが発生する。
【００１０】
すなわち、従来の微細パタン形成法には、図３（ｃ）に示すように、オーバハング状のホールパタン１０の開口部を通過して、被加工基板１表面に付着されるマスク材５の寸法及び膜厚が、被加工基板１面内で不均一となり、被加工基板１に対する高精度な基板加工が困難であるという問題があった。
さらに、従来の微細パタン形成法には、上述した各種の気相法において、マスク材５の粒子の温度が高温となるため、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３が、このマスク材５の粒子により、熱損傷を受けて、ホールパタン１０のオーバハングパタンが変形して、被加工基板１の加工精度が低下するという問題も生じていた。
【００１１】
本発明の目的は、半導体基板等の被加工基板に対する微細パタン形成において、上述した問題を解決して、高精度で高信頼性の加工を実現する微細パタン形成法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板上のレジスト膜に形成されたパタン上にマスク材を付着させた後、前記レジスト膜を除去することにより、前記基板上に前記マスク材からなるパタンを形成する微細パタン形成法であって、前記マスク材が炭素原子の集合体を有する（または含む）微粒子であることを特徴とする微細パタン形成法を提供する。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の微細パタン形成法において、前記微粒子がフラーレンおよびフラーレン誘導体のいずれか一方または双方であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の微細パタン形成法において、回転塗布法により前記マスク材を付着させるマスク付着工程を含むことを特徴とする。
さらに、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の微細パタン形成方法において、前記マスク付着工程後、高エネルギー線（例えば、紫外線等）による照射工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
炭素原子の集合体の高エッチング耐性作用については、アプライド・フィジクス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）、第４８（１３）巻、第８３５〜８３７頁（１９８６）に記載されているように、酸素プラズマドライエッチングに対して、最もエッチング耐性の高いレジスト材料であるノボラック樹脂系レジストと比較しても、炭素原子の集合体からなる膜は約２倍耐性が高いことが示されている。
【００１５】
このように、炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子としては、上述のようにフラーレンを用いることができる。
炭素原子が球殻状分子構造をとるフラーレンにはＣ３６，Ｃ６０を始めとして、フラーレン類と呼ばれる各種の形態がある。
このフラーレン類には、炭素原子が６０以上の高次フラーレン、高次フラーレンの一種類で円筒状に長く延びたナノチューブ、金属をその球殻状分子構造の中に取り込んだ金属内包フラーレン等がある。
【００１６】
これらのフラーレン類の内では、高密度化による耐性向上の点から、なるべく分子体積の小さいものが好ましい。
また、フラーレンの炭素原子に、水素や酸素等の原子やメチル基やアミノ基の結合したフラーレン誘導体も、エッチング耐性を高めるのに有効である。
さらに、フラーレン誘導体については原理的に任意のものが使用可能であるが、高密度化による耐性向上の点から、できるだけ分子構造が小さく、しかも溶媒可溶性となる官能基をもつものが最も適している。
【００１７】
本発明において、上述したフラーレンの混合物、また、フラーレンとフラーレン誘導体の混合物を用いてもよい。
フラーレンは、有機溶媒に対して一般に溶解性は低いが、例えば、プロシーディングス・オプ・マレリアルズ・リサーチ・ソサエティ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ）、第５８４巻、第１０３〜１１４頁に記載されているように、Ｃ６０やＣ７０に対して、キシレンやジクロロベンゼン等からなる単一溶媒あるいは混合溶媒を用いることにより、液状のマスク材２０（図１または図２参照）として第２のレジスト膜３上に回転塗布することができる。
【００１８】
すなわち、フラーレン溶液を用いることにより、液状のマスク材２０を、オーバハング状のホールパタン１０（図１及び２）に対して付着させることが可能となる。
ここで、フラーレン溶液は、後に第１及び第２の実施形態において説明するが、キシレンと、フラーレンＣ６０及びＣ７０との混合物であるキシレン溶液を示している。
【００１９】
液状のマスク材２０の付着が可能となれば、図１や図２に示すように、たとえマスク材２０の膜厚に不均一が生じても、マスク材２０のドットパタン寸法は、オーバハング状のホールパタン（第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３で構成）１０の下層の第１のレジスト膜２の開口寸法で決定される。
これにより、本発明の微細パタン形成法においては、マスク材２０を付着させるマスク材付着工程において、従来の気相マスク付着法の場合のように寸法のバラツキが発生せず、被加工基板１に対して、面内均一性の高い、高精度な基板加工が可能となる。
【００２０】
また、回転塗布によるマスク材２０の付着は、常温プロセスであるため、従来例の様に、付着時に第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３により形成されたオーバハング状のホールパタン１０を熱変形させることがない。
さらに、フラーレンは、このプロセスで用いられる紫外線や電子線などの高エネルギー線４に対して感応して、分子間結合反応を引き起こすことが知られている。
【００２１】
例えば、シン・ソリッド・フィルムズ（Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ）、第２５７巻、第１８５〜２０３頁（１９９５）に記載されているように、Ｃ６０分子からなる膜は、紫外線の照射により分子間同士が結合する。
これにより、フラーレン膜は、上述した分子間同士の結合により、さらに強固なマスクとなり、パターニング時の異方性エッチングにおけるエッチング耐性が増幅されて、被加工基板１に対する基板加工の精度を向上させる。
【００２２】
さらに、フラーレン類は、純炭素材料であるため、酸素と反応して炭酸ガスとなるため、フラーレンをマスク材２０として用いれば基板加工後に酸素ガスのプラズマ処理により、被加工基板１を損傷せずに、マスク材２０を完全除去することが可能となる。
これにより、本発明の微細パタン形成法は、信頼性の高い基板加工が実現可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
図１を用いて、本願発明の第１の実施形態の説明を行う、図１は本発明の微細パタン形成プロセスの第１の実施形態を説明するデバイスの線視断面図である。図１（ａ）に示すように、被加工基板１表面に、第１のレジスト膜１を回転塗布する。
そして、この第１のレジスト膜２に含まれる溶剤を飛ばし、レジストを固化させるための熱処理を行い、被加工基板１表面に第１のレジスト膜２を形成する。
【００２４】
次に、第１のレジスト膜２表面に第２のレジスト膜３を回転塗布する。
そして、この第２のレジスト膜３に含まれる溶剤を飛ばし、レジストを固化させるため熱処理し、被加工基板１表面に第１のレジスト膜２と第２のレジスト膜３とからなる２層レジスト膜を形成する。
本第１の実施形態においては被加工基板１にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用い、各レジスト膜においては第１のレジスト膜２としてポジ形電子線レジスト（日本ゼオン社製ＺＥＰ５２０）を、第２のレジスト膜３として特願平09-149744に記載されているフラーレン複合化ＺＥＰ５２０（上記ポジ形電子線レジストのＺＥＰ５２０においてフラーレンの含有率20wt％）を使用した。
【００２５】
図１（ａ）のプロセスにおいて、第１のレジスト膜２及び、第２のレジスト膜３の厚さを、それぞれ１００nm、５０nmとした。
また、第１のレジスト膜２及び、第２のレジスト膜３の両者の感度差は、約１.５倍とする（すなわち、（上層の第２のレジスト膜３のフラーレン複合化ZEP520の感度）：（下層の第１のレジストのZEP520の感度）≒１：１.５）。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、上記第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３に対して、パターンに対応した領域に高エネルギー線４を照射し、現像プロセスにより照射された領域を除去する。
これにより、従来例と同様に、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３から構成されるオーバーハング形状のホールパターン１０の形成を行う。
第１の実施形態においては、高エネルギー線４の照射手段として、加速電圧１００kVの電子線露光装置を用いた。
【００２７】
そして、上述したように、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３からなる２層構造のレジスト膜を、高エネルギー線４により描画した後、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３をZEP520専用現像液により６０秒現像する。
これにより、図１（ｂ）に示すように、６０nmピッチで配列したオーバハング形状のホールパタン１０が形成される。
第１の実施形態においては、フラーレン含有率２０wt％のフラーレン複合化ZEP520を上層レジスト（第２のレジスト膜３）として使用したが、目的とするドットパタンに合わせてフラーレン含有率を自由に変えオーバハング形状のホールパタン１０の形状を最適化することが可能である。
【００２８】
次に、図１（ｃ）に示すように、オーバハング形状のホールパタン１０上に、液状のマスク材２０（この時点ではキシレン溶液）を回転塗布し、マスク材２０を、レジストが無く露出された被加工基板１及び第２のレジスト膜３（上層レジストであるため）の表面に付着させる。
第１の実施形態においては、フラーレンＣ６０及びＣ７０の混合物（混合比約４：１）のキシレン溶液を回転塗布する。
そして、上記キシレン溶液の回転塗布後に熱処理を行い、このキシレン溶液からキシレンを除去して、フラーレン混合物膜であるマスク材２０を形成した。
【００２９】
このとき、上記キシレン溶液におけるフラーレン混合物の濃度と塗布回転数とを調整することにより、上層の第２のレジスト膜３のパタン開口部（ホールパターン１０の開口部）にフラーレン混合物が残存しないように、キシレン溶液を回転塗布することが可能である。
下層の第１のレジスト膜２の開口部（ホールパターン１０の開口部）における熱処理後のフラーレン混合物の膜厚が、約８０nmとなるように、キシレン溶液におけるフラーレンＣ６０及びＣ７０の混合比を調整した。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、フラーレン混合物であるマスク材２０の付着した被加工基板１をレジスト剥離液に浸し、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３を除去することにより、第２のレジスト膜２表面のフラーレン混合物であるマスク材２０を除去する。
これにより、被加工基板１表面に、フラーレン混合物であるマスク材２０からなるドット状パタンが形成される。
ここで、剥離液には市販の剥離液（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を使用し、被加工基板１全体を浸すことにより、各レジスト膜を剥離した。
この剥離液による剥離プロセスにおいて、超音波を使用することにより剥離プロセスを促進することができる。
【００３１】
次に、図１（ｅ）に示すように、マスク材２０により形成された上記ドット状パタンをマスクとして、ドライエッチングにより被加工基板１の加工を行う。
第１の実施形態においては、ハロゲン元素を含むガスを用いたドライエッチングにより、ＳｉＣ基板である被加工基板１をエッチングし、６０nmピッチのＳｉＣのドット状パタン配列２５を形成した。
【００３２】
次に、図１（ｆ）に示すように、ドライエッチング後に、マスク材２０を被加工基板１から剥離する処理を行う。
第１の実施形態においては、マスク材２０に炭素材料であるフラーレンを用いているため、汎用の酸素プラズマ処理装置により、フラーレン混合物であるマスク材２０を容易に除去することが可能である。
【００３３】
このとき、フラーレンからなるマスク材２０のマスク除去プロセスに対しては、被加工基板１の基板損傷の懸念がなければ、硫酸と過酸化水素とからなる除去液を使用することも可能であり、マスク材２０のマスク除去プロセスがより簡便となる。
また、第１の実施形態においては、リフトオフプロセスが確実に実行できる２層レジストを例として説明したが、第１のレジスト膜２のみを用いた単層レジストに対する適用も可能である。
【００３４】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は本発明の微細パタン形成プロセスの第２の実施形態を説明するデバイスの線視断面図である。
図２（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、被加工基板１表面に第１のレジスト膜２を回転塗布する。
そして、この第１のレジスト膜２に含まれる溶剤を飛ばし、レジストを固化させるための熱処理を行い、被加工基板１表面に第１のレジスト膜２を形成する。
【００３５】
次に、第１のレジスト膜２表面に、第２のレジスト膜３を回転塗布する。
そして、この第２のレジスト膜３に含まれる溶剤を飛ばし、レジストを固化させるための熱処理を行い、第１のレジスト膜２表面に第２のレジスト膜２を形成する。
本第２の実施形態においては、被加工基板１にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用い、各レジスト膜において第１のレジスト膜２としてポジ形電子線レジスト（日本ゼオン社製ＺＥＰ５２０）を、第２のレジスト膜３として特願平09-149744に記載されているフラーレン複合化ＺＥＰ５２０（上記ポジ形電子線レジストのＺＥＰ５２０においてフラーレンの含有率20wt％）を使用した。
【００３６】
図２（ａ）のプロセスにおいて、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３の厚さを、それぞれ１００nm、５０nmとした。
また、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３の両者の感度差は、約１.５倍とした（すなわち、（上層の第２のレジスト膜３のフラーレン複合化ZEP520の感度）：（下層の第１のレジスト膜２のZEP520の感度）≒１：１.５）。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３に対して、形成するパターンに対応した領域に高エネルギー線４を照射し、現像プロセスにより照射された領域を除去する。
これにより、第１の実施形態と同様に、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３から構成されるオーバハング形状のホールパタン１０の形成を行う。
第２の実施形態においては、高エネルギー線４の照射手段として、加速電圧１００kVの電子線露光装置を用いた。
【００３８】
そして、上述したように、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３からなる２層構造のレジスト膜を、高エネルギー川により描画した後、第１のレジスト膜２及び第２のレジスト膜３をZEP520専用現像液により６０秒現像する。
これにより、図１（ｂ）に示すように、６０nmピッチで配列したオーバハング形状のホールパタン１０が形成される。
第２の実施形態においては、フラーレン含有率２０wt％のフラーレン複合化ZEP520を上層レジスト（第２のレジスト膜３）として使用したが、目的とするドットパタンに合わせてフラーレン含有率を自由に変えオーバハング形状のホールパタン１０の形状を最適化することが可能である。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、オーバハング形状のホールパタン１０上に、液状のマスク材２０（この時点ではキシレン溶液）を回転塗布し、マスク材２０を、レジストが無く露出された被加工基板１及び第２のレジスト膜３（上層レジストであるため）の表面に付着させる。
第２の実施形態においては、フラーレンＣ６０とＣ７０との混合物（混合比約４：１）のキシレン溶液を回転塗布する。
そして、上記キシレン溶液の回転塗布後熱処理を行い、このキシレン溶液からキシレンを除去して、フラーレン混合物膜であるマスク材２０を形成した。
【００４０】
このとき、上記キシレン溶液におけるフラーレン混合物の濃度と塗布回転数とを調整することにより、上層の第２のレジスト膜３のパタン開口部（ホールパタン１０の開口部）にフラーレン混合物が残存しないように、キシレン溶液を回転塗布することが可能である。
下層の第１のレジスト膜２の開口部（ホールパタン１０の開口部）における熱処理後のフラーレン混合物膜の膜厚が、約８０nmとなるように、キシレン溶液におけるフラーレンＣ６０とＣ７０との混合比を調整した。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示すように、高エネルギー線６（例えば、紫外線）を、前記被加工基板１表面に一括照射する。
第２の実施形態においては、高エネルギー線６として波長３００nm付近の紫外線を照射したが、他の波長領域の紫外線あるいは電子線でも利用が可能である。
また、波長３００nm以下の紫外線に対して、本実施形態で用いたZEP520レジストは、分子切断反応を引き起こすため、以下のリフトオフプロセスにおいて剥離液による溶解が促進され、リフトオフを容易とするという利点がある。
【００４２】
次に、図２（ｄ）に示すように、フラーレン混合物であるマスク材２０の付着した被加工基板１をレジスト剥離液に浸し、第１のレジスト膜２及び、第２のレジスト膜３を除去することにより、第２のレジスト膜２表面に付着しているフラーレン混合物であるマスク材２０を除去する。
これにより、被加工基板１表面にフラーレン混合物のマスク材２０からなるドット状パタンが形成される。
ここで、剥離液には市販の剥離液（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を使用し、被加工基板１全体を浸すことにより、各レジスト膜を剥離した。
この剥離液による剥離プロセスにおいて、超音波を使用することにより剥離プロセスを促進することができる。
【００４３】
次に、図２（ｅ）に示すように、マスク材２０により形成された上記ドット状パタンをマスクとして、ドライエッチングにより被加工基板１の加工を行う。
第２の実施形態においては、ハロゲン元素を含むガスを用いたドライエッチングによりＳｉＣ基板である被加工基板１をエッチングし、６０nmピッチのＳｉＣのドット状パタン配列２５を形成した。
【００４４】
次に、図２（ｆ）に示すように、ドライエッチング後に、マスク材２０を被加工基板１から剥離する処理を行う。
第２の実施形態においては、マスク材２０に炭素材料であるフラーレンを用いているため、汎用の酸素プラズマ処理装置により、フラーレン混合物であるマスク材２０を容易に除去することが可能である。
【００４５】
このとき、フラーレンからなるマスク材２０のマスク除去プロセスに対しては、被加工基板１の基板損傷の懸念がなければ、硫酸と過酸化水素とからなる除去液を使用することも可能であり、マスク材２０のマスク除去プロセスがより簡便となる。
また、第２の実施形態においては、リフトオフプロセスが確実に実行できる２層レジストを例として説明したが、第１のレジスト膜２のみを用いた単層レジストでの適用も可能である。
【００４６】
以上、本発明の第１及び第２の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高耐性の炭素材料からなる緻密なマスク材が得られるため高精度なナノメータレベルの微細パタン形成が実現可能となる。
また、本発明によれば、炭素材料（例えば、フラーレンまたはフラーレン誘導体）からなるマスク材はデバイス性能への汚染がなく、また酸素プラズマ処理により容易に剥離が可能であるため、プロセス適合性ならびに実用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態による微細パタン形成法を説明するデバイスの線視断面図である。
【図２】  本発明の第２の実施形態による微細パタン形成法を説明するデバイスの線視断面図である。
【図３】  従来例による微細パタン形成法を説明するデバイスの線視断面図である。
【符号の説明】
１…基板
２…第１のレジスト膜
３…第２のレジスト膜
４，６…高エネルギー線
２０…マスク材
【図１】
0003844678.tif 000002
【図２】
0003844678.tif 000003
【図３】
0003844678.tif 000004