(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャピラリ先端位置でワイヤ先端にボールを形成し、キャピラリをＩＣチップ上面に向けて下降させ、ボールをＩＣチップの上面に圧接して接合するボンディング方法において、第１バンプボンディング時の速度切替位置を第２バンプボンディング以後の速度切替位置より大きい高さに設定し、第２バンプボンディング以後は先行するボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置によって第１バンプボンディング時の速度切替位置より小さい所定の高さに更新し、各ボンディング動作時に前記速度切換位置までキャピラリを所定の下降動作速度で下降させ、その後下降動作速度より小さいサーチ動作速度で下降させることを特徴とするボンディング方法。
【請求項２】
ボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置の変化量が所定のしきい値を超えた時に、ボンディング動作をエラー停止させることを特徴とする請求項１記載のボンディング方法。
【請求項３】
ＩＣチップを所定位置に位置決めして固定するステージと、キャピラリに挿通したワイヤ先端にボールを形成した後キャピラリを下降させてボールをＩＣチップ上面にボンディングしてバンプを形成するボンディングヘッドとを備えたバンプボンダーにおいて、設定された速度切換位置で下降動作速度からそれよりも小さいサーチ動作速度に切り換えてキャピラリを下降させる手段と、ボンディング時のキャピラリの高さ位置を検出する手段と、第１バンプボンディング時の速度切替位置を第２バンプボンディング以後の速度切替位置より大きい高さに設定し、第２バンプボンディング以後は先行するボンディング時のキャピラリの高さ位置によって第１バンプボンディング時の速度切替位置より小さい所定の高さ位置の速度切換位置に更新設定する手段とを備えたことを特徴とするバンプボンダー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワイヤボンディング技術によるボンディング方法及びそれによってＩＣチップの電極にバンプを形成するバンプボンダーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ワイヤボンディング技術によりＩＣチップの電極とパッケージ導体部との電気的接続を行うボンダーは、「半導体ハンドブック（第２版）」株式会社オーム社発行に種々紹介されている。また、この種の従来のワイヤボンディングを行うボンダーでも、その用い方によってＩＣチップの電極に電気接続用のバンプを形成することはでき、例えば特願平８−２４９７２４号等において既に提案されている。
【０００３】
この種のバンプボンダーにおいては、図８（ａ）に示すように、ＩＣチップ６１をステージ６２上の所定ボンディング位置に位置決め固定し、ボンディングヘッドに配設した超音波ホーン先端のキャピラリ６３にワイヤを挿通し、そのワイヤ先端にボール６４を形成し、その後キャピラリ６３を下降させてボール６４をＩＣチップ６１上面の電極に圧接させた状態でキャピラリ６３に超音波を印加することにより、ボール６４を電極にボンディングし、その後ワイヤをクランプした状態でキャピラリ６３を上昇させてワイヤを切断することによりバンプを形成するようにしている。
【０００４】
ところで、バンプ形成速度を高めて生産性を向上するには、上記キャピラリ６３の下降速度を高くする必要があるが、キャピラリ６３を高速で下降させるとＩＣチップ６１の電極に対してボール６４が強く衝突することになり、ボール６４に過大なオーバーシュート荷重が作用して適正なバンプを形成することができない。そこで、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ステージ６２上の高さｔのＩＣチップ６１の上面からボール６４までの高さＨが適当に設定された所定のサーチレベルＳ1 に達するまで、すなわちステージ６２上面からｔ＋Ｓ1 の高さ位置に到達するまでは、キャピラリ６３を比較的高速の下降動作速度Ｖ1 にて下降させ、サーチレベルＳ1 に達した後はそれよりも小さいサーチ動作速度Ｖ3 にて下降させることにより、ボール６４に過大な荷重を作用させることなく生産性を向上するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通例では上記サーチレベルＳ1 は１００μｍ程度に設定され、サーチ動作速度Ｖ3 は１２ｍｍ／ｓｅｃ程度に設定されているが、その場合ボール６４が電極に衝突した時に発生するオーバーシュート荷重は１２ｇ程度に達することになる。
【０００６】
一方、近年はＩＣチップ６１が微小化するとともにバンプ数が増加する傾向にあり、それに伴ってバンプが微小化することになる。このように微小なバンプの場合には上記のようにオーバーシュート荷重が１２ｇもあると、ボール６４の変形が大きくなり過ぎて適正なバンプを形成できないという問題がある。
【０００７】
そこで、オーバーシュート荷重を１０ｇ以下、例えば３〜５ｇ程度まで低下させる必要があるが、そのためにはサーチ動作速度を５ｍｍ／ｓｅｃ程度まで下げる必要があり、そうするとバンプ形成速度が著しく低下して生産性低下を来すことになる。
【０００８】
その対策としてはサーチレベルＳ1 を７０μｍ程度まで小さくすることが考えられるが、ＩＣチップ６１の高さｔのばらつきは、大きい場合には５０μｍ程度に達することがあり、さらにステージ６２の高さにもばらつきがあるため、キャピラリ６３が下降動作速度Ｖ1 ないしサーチ動作速度Ｖ3 への移行速度でＩＣチップ６１の電極にボール６４が衝突する恐れがあり、ボール６４に作用する荷重のオーバーシュートが過大になり、適正なバンプを形成できないことがあるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、微小なバンプを形成する場合にも生産性を低下することなく適正にバンプを形成できるボンディング方法及びバンプボンダーを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のボンディング方法は、キャピラリ先端位置でワイヤ先端にボールを形成し、キャピラリをＩＣチップ上面に向けて下降させ、ボールをＩＣチップの上面に圧接して接合するボンディング方法において、第１バンプボンディング時の速度切替位置を第２バンプボンディング以後の速度切替位置より大きい高さに設定し、第２バンプボンディング以後は先行するボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置によって第１バンプボンディング時の速度切替位置より小さい所定の高さに更新し、各ボンディング動作時に前記速度切換位置までキャピラリを所定の下降動作速度で下降させ、その後下降動作速度より小さいサーチ動作速度で下降させることを特徴とする。本発明によれば、ＩＣチップ上面の高さにばらつきがあってもその高さ位置に応じて速度切換位置が設定され、したがって速度切換位置を低く設定してもボールを常にサーチ動作速度でＩＣチップ上面に衝突させることができる。かくして、サーチ動作速度を小さくしても生産性が低下せず、微小なバンプを形成する場合にも高い生産性を維持しながら適正なバンプを形成することができる。なお、本発明方法はバンプ形成以外のボンディングにも適用することができる。
【００１１】
また本発明は、各ボンディング動作毎に、キャピラリの高さ位置を検出して速度切換位置を更新しているので、同一のＩＣチップにおける高さのばらつきやステージ上面のばらつきのために、各電極の高さ位置にばらつきがある場合でも、常に適正に速度切換位置が設定され、適正なバンプを形成できる。
【００１２】
また、ボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置の変化量が所定のしきい値を超えた時に、ボンディング動作をエラー停止させることにより、不適正なボール形成が検出されなかった場合でもボンディング時に確実にエラー検出して無駄なボンディング動作を無くすことができる。
【００１３】
また、本発明のバンプボンダーは、ＩＣチップを所定位置に位置決めして固定するステージと、キャピラリに挿通したワイヤ先端にボールを形成した後キャピラリを下降させてボールをＩＣチップ上面にボンディングしてバンプを形成するボンディングヘッドとを備えたバンプボンダーにおいて、設定された速度切換位置で下降動作速度からそれよりも小さいサーチ動作速度に切り換えてキャピラリを下降させる手段と、ボンディング時のキャピラリの高さ位置を検出する手段と、第１バンプボンディング時の速度切替位置を第２バンプボンディング以後の速度切替位置より大きい高さに設定し、第２バンプボンディング以後は先行するボンディング時のキャピラリの高さ位置によって第１バンプボンディング時の速度切替位置より小さい所定の高さ位置の速度切換位置に更新設定する手段とを備えたことを特徴とするものであり、上記ボンディング方法により適正なバンプを生産性良く形成することができる。
【００１４】
また、検出したキャピラリの高さ位置の変化量を所定のしきい値と比較してエラー信号を出力する手段を備えると、ボンディングエラーを確実に検出して無駄なボンディング動作を無くすことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のバンプボンダーの一実施形態について図１〜図７を参照しながら説明する。
【００１６】
まず、本実施形態のバンプボンダーの全体構成を図１を参照して説明する。図１において、バンプボンダーはＩＣチップ１を供給するＩＣチップ供給部２と、ＩＣチップ１の電極にバンプをボールボンディングにて形成するボンディング部３と、ＩＣチップ排出部（図示せず）と、これらの間でＩＣチップ１を順次移載する移載手段４を備えている。ＩＣチップ排出部は、ＩＣチップ供給部２と基本的に同様の構成であるため、図示を省略している。
【００１７】
ＩＣチップ１はトレイ５に整列収納されており、そのトレイ５を多数積層状態で収納したマガジン６がＩＣチップ供給部２に搬入される。ＩＣチップ供給部２には、マガジン６を搭載して上下に移動可能なリフタ７と、所定高さ位置でマガジン６内のトレイ５を移載手段４によるＩＣチップ１の取出位置に引き出し、再収納するトレイ押引手段８が設けられている。
【００１８】
ボンディング部３は、ＩＣチップ１を固定するとともに超音波熱圧着でボンディングするためにヒータを内蔵したボンディングステージ９と、ＩＣチップ１の位置決め手段１０と、ＩＣチップ１の電極にバンプを形成するボンディングヘッド１１（図２、図３参照）にて構成されている。ボンディングステージ９には左右に一対のボンディング位置９ａ、９ｂが設けられ、各々にＩＣチップ１を吸着固定する吸着口が設けられている。
【００１９】
位置決め手段１０は、各ボンディング位置９ａ、９ｂの後部にボンディングステージ９に固定して配設された固定規制ブロック１２ａ、１２ｂと、Ｘ、Ｙ方向に移動可能な規制駆動手段１５に取付けられた可動規制爪１４にて構成されている。可動規正爪１４にはその左右両側にＩＣチップ１の角部に係合して位置規制するコーナー部１４ａ、１４ｂが形成されており、それぞれ固定規制フロック１２ａ、１２ｂの間でＩＣチップ１を挟持してボンディング位置９ａ、９ｂに位置決めする。
【００２０】
規制駆動手段１５は、Ｘ方向移動機構１６とＹ方向移動機構１７にて移動台１８をＸ方向とＹ方向の２方向に移動可能に構成されており、この移動台１８上に規正爪取付脚１９が図示しないガイド機構及び付勢手段にてＸ方向及びＹ方向に所定範囲弾性的に後退変位可能に支持され、この規正爪取付脚１９上端に可動規正爪１４が固定されている。
【００２１】
ボンディングヘッド１１はＸ方向及びＹ方向に移動可能なＸＹテーブル（図示せず）上に搭載されており、図２に示すようにワイヤ供給機構２１とワイヤをボンディングステージ９上でＩＣチップ１にボンディングするボンディング作業機構２２を備えている。ワイヤ供給機構２１は、ワイヤリール２３と、このワイヤリール２３からのワイヤ２０を上方から供給されてボンディングを行うボンディング作業機構２２との間に、ワイヤ２０の途中をエアー２４で上向きの湾曲状態に吹き上げてワイヤ２０にテンションを与えるワイヤテンショナー２５と、ボンディング作業機構２２におけるクランパ２８のワイヤガイド２８ａの真上でワイヤ２０を上方への吹き上げエア２６にさらしてワイヤ２０に上向きのテンションを付与するワイヤテンショナー２７とが配設され、エア２４、２６にて所定の供給経路及びテンションを保つようにワイヤ２０をフローティング支持しながらボンディング作業機構２２に無理なく供給できるように構成されている。
【００２２】
ボンディング作業機構２２は、図２、図３に示すように、ワイヤ２０を把持するクランパ２８と、先端にワイヤが挿通されるキャピラリ３０を有するとともにワイヤ先端に形成されたボールに超音波振動を印加するホーン２９と、放電用のトーチ３１とを備えている。また、ボンディング作業の状態を視覚認識する認識カメラ３２が上部に配設され、認識画像を認識用モニタ（図示せず）に表示するとともにデータ処理装置（図示せず）に認識信号を入力してデータ処理するように構成されている。また、ボンディング作業機構２２を図示しない支点軸を中心に往復回動させて先端部を上下動させる上下動電磁駆動部３３と、クランパ２８を開閉する開閉電磁駆動部３４とが設けられている。
【００２３】
ボンディング作業を図４を参照して説明すると、ワイヤ２０はキャピラリ３０を通じて送り出され、キャピラリ３０がＩＣチップ１の所定の電極３５と対向する位置に移動する都度、トーチ３１からのスパーク電流によってキャピラリ３０の先端から突出しているワイヤ先端部が溶かされて図４（ａ）に示すようにボール２０ａが形成される。キャピラリ３０と各電極３５との対向位置は認識カメラ３２の視覚認識のもとに高精度に制御される。形成されたボール２０ａはキャピラリ３０にてＩＣチップ１の電極３５上に熱圧着と超音波振動とによって図４（ｂ）に示すように接合される。この際の圧着力は形成するバンプ径に応じて数ｇ〜数１０ｇに設定され、超音波振動は水平方向にかけられ、振幅０．５μｍ、振動数６０〜７０ＫＨZ （具体例としては６３．５ＫＨZ ）程度とするのが好適である。次いで、ワイヤ２０を挟持したクランパ２８およびキャピラリ３０の上動によって、図４（ｃ）に示すようにワイヤ２０を切断して、電極３５上にボール２０ａとボール２０ａから突出したワイヤ部分２０ｂからなるバンプ３６が形成される。
【００２４】
ＩＣチップ１の移載手段４は、図１に示すように、サーボモータとボールネジ機構などから成るＸ方向移動機構４１にて移動可能なＸ方向移動台４２と、その上端に設置されたＹ方向に移動可能なＹ方向スライダ４３と、Ｙ方向スライダ４３に装着された吸着ヘッド４４を備えている。吸着ヘッド４４には、Ｘ方向に並列して一対の吸着ノズル４５が配設され、ＩＣチップ１の各種移載を合理的に行うように構成されている。Ｙ方向スライダ４３はＹ方向ガイド４６に案内され、サーボモータ４７の正逆回転によって回動するタイミングベルト４８に連結されてＹ方向に往復移動される。
【００２５】
以上の構成のバンプボンダーを動作制御する制御部の概略構成を図５を参照して説明する。キャピラリ３０を上下移動させる上下動電磁駆動手段３３から成るＨ軸駆動手段、クランパ２８を開閉する開閉電磁駆動部３４から成るクランパ駆動手段、トーチ３１とワイヤ２０先端の間でスパークを発生させるスパーク電源駆動手段５４、ボンディングヘッド１１をＸ、Ｙ方向に位置決め移動させるテーブル駆動手段５５、その他の各駆動手段等を制御する制御手段５２にＣＰＵ５１からの指令信号及び各種検出手段による検出結果に基づいた制御信号が入力されている。検出手段は、ＩＣチップ１の電極３５の位置や形成したバンプ３６の画像認識を行う上記認識カメラ３２以外に、キャピラリ３０の高さ位置を検出するキャピラリ高さ検出手段５６、ボール２０ａが電極３５に当接したことをワイヤ２０の電位変化等によって検出する当り検出手段５７、トーチ３１とワイヤ２０間のスパーク時の電圧変化を検出して正常なボール２０ａが形成されたか否かを検出するトーチ−ワイヤ間電圧検出手段５８、その他の検出手段が設けられ、それらの検出信号が演算処理手段５３に入力され、ＣＰＵ５１からの指令により所定の演算処理を行い、その結果をＣＰＵ５１や制御手段５２に出力するように構成されている。
【００２６】
以上の構成のバンプボンダーにおいて、ＩＣチップ供給部２のリフタ７にマガジン６を搬入すると、リフタ７とトレイ押引手段８にてトレイ５が順次ＩＣチップ取り出し位置に供給される。ＩＣチップ取り出し位置のトレイ５内のＩＣチップ１は移載手段４にて順次ボンディング部３に向けて移送され、ボンディングステージ９上の所定位置に移載される。次に、位置決め手段１０の固定規制ブロック１２ａ、１２ｂと可動規制爪１４にてＩＣチップ１がボンディング位置９ａ、９ｂに正確に位置決めされる。
【００２７】
次に、ＩＣチップ１が位置決めされた状態で、上述の如くボンディングヘッド１１のキャピラリ３０にてＩＣチップ１の各電極３５にワイヤ２０先端のボール２０ａをボンディングしてバンプ３６が形成される。ＩＣチップ１に対するバンプ形成が終了すると、位置決め手段１０によるＩＣチップ１の挟持を開放し、移載手段４の吸着ノズル３５にてＩＣチップ１を吸着し、ＩＣチップ排出部におけるトレイのＩＣチップ収納空間に収納される。
【００２８】
本実施形態における上記バンプ３６の形成動作の詳細を、図６のフローチャートを参照して説明する。まず、ＩＣチップ１の最初のバンプ（第１バンプ）であるか否かを判定し（ステップ＃１）、第１バンプの場合はボンドレベルを予め入力されたＩＣチップ１の高さデータに基づいて設定された設定値とし、図７（ａ）に示すように、下降動作速度とサーチ動作速度の速度切換位置であるサーチレベルを従来と同様に十分に大きく設定したＳ1 （例えば、１００μｍ）に設定する（ステップ＃２）。
【００２９】
次に、その設定条件でボンディング動作を実行する（ステップ＃３）。まず、トーチ３１にてスパークを発生させてボール２０ａを形成し、その際にトーチ−ワイヤ間電圧検出手段５８による検出信号からスパークエラがあったか否かを判定し（ステップ＃４）、スパークエラーがあった場合は動作エラー終了とする。
【００３０】
次いでキャピラリ３０をサーチレベルＳ1 まで高速の下降動作速度Ｖ1 にて下降させ、サーチレベルＳ1 に到達すると下降速度をサーチ動作速度Ｖ2 に低下させて下降させ、ボール２０ａがＩＣチップ１の電極３５に当接すると、超音波を印加してボンディングする。
【００３１】
その際、本実施形態では直径が４５μｍ程度の微小なバンプ３６を形成するようにしているので、ボール２０ａが電極３５に衝突したときのオーバーシュート荷重は３ｇ程度に納める必要がある。そのために、本実施形態ではサーチ動作速度Ｖ2 を、従来１２ｍｍ／ｓｅｃであったものを５ｍｍ／ｓｅｃに設定している。そのため、図７（ａ）に示すように、サーチ動作速度Ｖ2 による下降動作時間が長くかかることになる。
【００３２】
また、このボンディング時に当り検出手段５７にて当たりを検出したときのキャピラリ３０の高さをキャピラリ高さ検出手段５６から取り込み（ステップ＃５）、次に第１バンプの場合はステップ＃６の判定によってステップ＃８に移行し、上記当り検出高さを前ボンドレベルとして設定する。そして、ステップ＃９の判定において生産が終了でなければ、ステップ＃１に戻る。
【００３３】
次に、ステップ＃１の判定で上記のようにして第１バンプのバンプ形成が終了しているとステップ＃１０に移行し、ステップ＃８で設定した前ボンドレベルをボンドレベルに設定するとともに、図７（ｂ）に示すようにサーチレベルをＳ2 に設定する。このサーチレベルＳ2 は、例えば先のサーチレベルＳ1 が１００μｍであったものを、５０〜７０μｍ程度の小さい距離に設定する。
【００３４】
次に、その設定条件でステップ＃３に移行してボンディング動作を実行し、上記ステップ＃４、＃５の動作を行う。このとき、サーチレベルＳ2 を小さく設定しているので、サーチ動作速度Ｖ2 が小さくても、図７（ｂ）に示すようにキャピラリ２０の下降時間が短くて済み、第２バンプ以後は生産性良くハンプ３６を形成することができる。また、上記のようにボンドレベルを前ボンドレベルに設定しているので、サーチレベルＳ2 を小さく設定してもキャピラリ３０下端のボール２０ａは常に確実にサーチ動作速度Ｖ2 で電極３５に衝突し、オーバーシュート荷重を安定して低くでき、バンプ形状が不安定になる恐れがない。
【００３５】
次に、ステップ＃６の判定では第１バンプでないのでステップ＃７に移行し、前ボンドレベルと今回のステップ＃５での当り検出高さ（ボンドレベル）との差の絶対値Ａを演算して、その値が所定の許容値以下であるか否かを判定し、許容値以下であれば適正にボンディングが行われたものと判定できるので、ステップ＃８に移行するが、許容値より大きければ形成したバンプ３６が異常に大きいか、小さいかであるため、動作エラー終了する。かくして、スパークエラーでは検出できなかったボール２０ａの異常等によるバンプ３６の異常をボンディング動作中に確実に検出してエラー停止することができ、ＩＣチップ１の生産性及び品質管理に効果を発揮する。
【００３６】
【発明の効果】
本発明のボンディング方法によれば、以上の説明から明らかなように、第１バンプボンディング時の速度切替位置を第２バンプボンディング以後の速度切替位置より大きい高さに設定し、第２バンプボンディング以後は先行するボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置によって第１バンプボンディング時の速度切替位置より小さい所定の高さに更新し、各ボンディング動作時に前記速度切換位置までキャピラリを所定の下降動作速度で下降させ、その後下降動作速度より小さいサーチ動作速度で下降させるようにしているので、先行するボンディング時のキャピラリの高さ位置に基づいて速度切換位置が設定され、ＩＣチップ上面の高さにばらつきがあってもその高さ位置に応じて速度切換位置が設定されるため、速度切換位置を低く設定してもボールを常にサーチ動作速度でＩＣチップ上面に衝突させることができ、従ってサーチ動作速度を小さくしても生産性が低下せず、微小なバンプを形成する場合にも高い生産性を維持しながら適正にボンディングすることができる。
【００３７】
また、各ボンディング動作毎に、キャピラリの高さ位置を検出して速度切換位置を更新すると、同一のＩＣチップにおける高さのばらつきやステージ上面のばらつきのために、各電極の高さ位置にばらつきがある場合でも、常に適正に速度切換位置が設定され、適正なバンプを形成できる。
【００３８】
また、ボンディング時に検出したキャピラリの高さ位置の変化量が所定のしきい値を超えた時に、ボンディング動作をエラー停止させることにより、不適正なボール形成が検出されなかった場合でもボンディング時に確実にエラー検出して無駄なボンディング動作を無くすことができる。
【００３９】
また、本発明のバンプボンダーバンプボンダーにおいては、設定された速度切換位置で下降動作速度からそれよりも小さいサーチ動作速度に切り換えてキャピラリを下降させる手段と、ボンディング時のキャピラリの高さ位置を検出する手段と、先行するボンディング時のキャピラリの高さ位置によって速度切換位置を更新設定する手段とを備えているので、上記ボンディング方法により適正なバンプを生産性良く形成することができる。
【００４０】
また、検出したキャピラリの高さ位置の変化量を所定のしきい値と比較してエラー信号を出力する手段を備えると、ボンディングエラーを確実に検出して無駄なボンディング動作を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のバンプボンダーの要部構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態におけるボンディングヘッドのワイヤ供給機構の斜視図である。
【図３】同実施形態におけるボンディングヘッドのボンディング作業機構及び認識カメラの斜視図である。
【図４】同実施形態におけるボンディング作業工程の断面図である。
【図５】同実施形態における制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図６】同実施形態におけるボンディング動作のフローチャートである。
【図７】同実施形態におけるキャピラリの下降動作を示し、（ａ）は第１バンプ形成時の下降動作における高さ位置と下降速度を示すグラフ、（ｂ）は第２バンプ以後のバンプ形成時の下降動作における高さ位置と下降速度を示すグラフである。
【図８】従来例におけるボンディング動作を示し、（ａ）は動作説明図、（ｂ）はバンプ形成時の下降動作における高さ位置と下降速度を示すグラフである。
【符号の説明】
１  ＩＣチップ
９  ボンディングステージ
１１  ボンディングヘッド
２０  ワイヤ
２０ａ  ボール
３０  キャピラリ
３３  上下動電磁駆動部
３５  電極
３６  バンプ
５６  キャピラリ高さ位置検出手段
５７  当り検出手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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