(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース盤を直線状の所定区間路に往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、絶縁シート上に導電ペーストを噴射する電極層形成手段と、同絶縁シート上にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段とを、それぞれ１ないし複数個並設し、区間路の両側には絶縁シートを重ね合わせる絶縁シート積層手段を配置し、
前記ベース盤が前記区間路を１ないし数往復する間に、上記絶縁シート積層手段によって絶縁シートを供給し、その絶縁シート上に前記電極層形成手段及び前記絶縁層形成手段によって所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成することを特徴とするセラミック積層体の製造装置。
【請求項２】
上記電極層形成手段が導電ペーストを噴射する電極層形成ユニットで、且つ上記絶縁層形成手段がセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成ユニットであり、
前記区間路上方に複数の支持部材を並設するとともに、それら支持部材に、前記絶縁層形成ユニットと前記電極層形成ユニットとをそれぞれ１ないし複数個着脱可能に取り付けたことを特徴とする請求項１記載のセラミック積層体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックス積層体の製造方法及び製造装置、詳しくは積層セラミックコンデンサ、積層インダクタや抵抗、フィルタ等の積層型セラミック電子部品を製造するために、複数の絶縁層とそれら絶縁層の界面の電極層とを備えたセラミックス積層体の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミック積層体の製造に関し、ベース板上に薄膜層を直接的に積層する方式が提案されている（特開平９−２３２１７４号公報）。
また、同公報によれば、セラミックスラリーをインクジェット方式により噴射してセラミック層を形成する工程と、機能材料ペーストをインクジェット方式により噴射して内部回路要素を形成する工程とを備え、これら工程の繰り返しによって、複数層のセラミック層とこれらセラミック層間の内部回路要素とからなる積層体を得るようにしている。
【０００３】
しかしながら、前記従来技術よれば、ＸＹ方向へ移動するベース板の上方で、スラリー噴射ヘッド及びペースト噴射ヘッドからセラミックスラリーと機能材料ペーストとを繰返し噴射させて積層体が構成されるため、各層における平坦性を確保するのが困難であった。
すなわち、前記従来技術では、セラミックスラリー又は機能材料ペーストの噴射によって形成された薄膜層の表面には微小な凹凸が形成されるので、上層部ほど平坦性が悪くなるという問題があり、完成された積層体の内部精度に懸念があった。その上、平坦状のセラミック層を、セラミックスラリーの噴射によって形成しているため、その噴射作業に時間がかかるという問題もあった。
また、上記セラミック層上に内部回路要素からなる層を形成して一層の薄膜層を形成すれば、前記内部回路要素からなる層における電極層間に凹嵌部を生じて前記薄膜層の平坦性が損なわれ、その薄膜層を積層したときに前記凹嵌部により空隙を生じて焼成後の電子部品にボイドが発生する原因ともなっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来事情に鑑みてなされたものであり、その課題とする処は、電極パターンを有する薄膜層を平坦性よく高精度に形成することで、内部精度の高い高品質なセラミック積層体を効率よく生産することができるセラミックス積層体の製造装置を提供することにある。
【０００５】
上記課題を解決するために、第１の発明は、絶縁シートを重ね合わせる絶縁シート積層手段と、絶縁シート上に導電ペーストを噴射する電極層形成手段と、同絶縁シート上にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段とを備えたセラミックス積層体の製造装置であって、前記各手段の繰返しにより、複数層の絶縁シートの各シート間に、所定の電極パターンが配設された薄膜層を有するセラミック積層体を形成する。
【０００６】
具体的には、ベース盤を直線状の所定区間路に往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、絶縁シート上に導電ペーストを噴射する電極層形成手段と、同絶縁シート上にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段とを、それぞれ１ないし複数個並設し、区間路の両側には絶縁シートを重ね合わせる絶縁シート積層手段を配置し、前記ベース盤が前記区間路を１ないし数往復する間に、上記絶縁シート積層手段によって絶縁シートを供給し、その絶縁シート上に前記電極層形成手段及び前記絶縁層形成手段によって所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成することを特徴とする。
すなわち、絶縁層形成手段、及び電極層形成手段を１ないし必要最少な複数個を並設し、それらが配置された直線状の区間路にベース盤を往復動させるとともに、その往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるようにしたことを特徴とする。
上記絶縁層形成手段は、一般に知られているドクターブレード方式、インクジェット方式、あるいはローラ塗布方式等を採用するが、絶縁層の緻密化に対応し精度を高めるためには、インクジェット方式を採用することが好ましい。
【０００８】
そして、第２の発明では、上記電極層形成手段が導電ペーストを噴射する電極層形成ユニットで、且つ上記絶縁層形成手段がセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成ユニットであり、前記区間路上方に複数の支持部材を並設するとともに、それら支持部材に、前記絶縁層形成ユニットと前記電極層形成ユニットとをそれぞれ１ないし複数個着脱可能に取り付けたことを特徴とする。
【００１５】
また、上記電極層形成手段と上記絶縁層形成手段との一方または双方を、インクジェット方式とすれば、微細緻密な層形成が可能であるとともに電極層間の凹嵌部にセラミックスラリーを充填するなど絶縁層を高精度に形成することができる。
【００１６】
更に、上記絶縁層形成手段が、上記電極層形成手段により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層が形成される領域を除いた所定領域にセラミックスラリーを充填するようにすれば、薄膜層の平坦性が確保されてボイドの発生原因が除去され、製造される電子部品の高品質を担保することができる。尚、この場合の絶縁層形成手段にはインクジェット方式を採用することが適切である。
【００１７】
また、絶縁シートにバイヤホールを開孔するレーザー穿孔手段を備え、該穿孔手段により開孔したバイヤーホールに上記電極層形成手段により導電ペーストを充填して、上下薄膜層の電極層を接続するバイヤ電極を形成するようにすれば、レーザー穿孔方式でバイヤホールを開孔した場合に、電極層形成ユニットにより導電ペーストを充填してバイヤ電極を精度よく確実に形成することができる。
【００１８】
更に、上記薄膜層の状態を撮像するカメラ手段を備えれば、薄膜層の表面状態を検出して、絶縁層のピンホールや電極層の断線等を発見できるので、積層体製造の歩留まりを高めて生産性を向上させることができるとともに、インクジェットノズルなどの目詰まりも発見でき保守点検が容易である。
また、絶縁シート上の基準マークを撮像して画像処理によって上記電極層形成手段及び上記絶縁層形成手段を位置決めするためのカメラ手段を備えれば、絶縁層形成手段、電極層形成手段の位置制御を確実にして正確な電極パターンを形成することができる。
【００１９】
尚、上記セラミックスラリーは、ガラス複合系材料として硼珪酸ガラス形成物質に修飾物質（例えば、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ３，Ｋ2Ｏ，ＺｎＯ等）を加えたガラス粉末と、アルミナ，ムライト，コージェライト，石英等のセラミックとの混合物を原料とするもの、結晶化ガラス系材料としてコージェライト系，αスポジュメン系等の結晶化するガラス粉末からなるものを使用する。
また、電極パターン用の導電ペーストには、例えば銅系の導体材料、あるいはタングステンＷ、モリブデンＭｏ、マンガンＭｎ等を使用し、バイヤ電極用の導電ペーストには、導体抵抗の小さな銀系の導体材料、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銀−パラジウム−白金等を使用する。
なお、前記セラミックスラリー、導電ペーストの材料に、光照射によって乾燥が促進される光硬化材料を含有させることもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、図１により製造装置の概要を説明すれば、このセラミックス積層体の製造装置Ａ１は、図示しない機枠内に配設され、直線状水平に配置されたガイドレール１１に、可動台１２を往復動可能に載設するとともに、可動台１２の上面部に上下動可能なステンレス製のベース盤１３を設けることで、作業テーブル１０を構成し、前記ガイドレール１１によりベース盤１３が往復動する区間路１０ａを形成している。
【００２１】
区間路１０ａは、ベース盤１３の幅と略同等の幅を有する直線路であって、その上部に絶縁層形成手段Ｃとしてのインクジェットノズル、電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズルを並設し、さらには適宜に、押圧手段Ｒとしての押圧ロールや、レーザー穿孔手段Ｐとしてのレーザー穿孔ユニットを追加して並設しており、この区間路１ａの長さは約１．５〜２ｍである。また、この区間路１０ａの両側各々には、絶縁シート積層手段２０を配置している。
【００２２】
可動台１２は、図示しないが一般的であるサーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより前記区間路１０ａの長手方向（Ｘ方向）へ往復動してベース盤１３を前記区間路１０ａに沿って移動させ、その移動方向及び速度はコントローラにより制御される。
ベース盤１３もまた、サーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより上下動し、その上下動作は積層工程に応じて順次下降するようにコントローラによって制御される。
上記絶縁層形成手段Ｃおよび電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズルは、前記区間路１０ａを横断する方向へ微小間隔をおいて多数のノズルを並設したものであり、押圧手段Ｒもまた区間路１０ａの横断方向へ延在するものである。
【００２３】
なお、上記絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐは、ユニット化して、必要に応じ適時に着脱可能とし、かつ設置位置を調整可能としておくことが好ましく、例えば、図７に例示するように、作業テーブル１０の背面側となる部位に支持壁１４を設け、その支持壁１４には、複数の支持部材１５を前記作業テーブル１上へ向けて突出状に固定するとともに、それら支持部材１５に、ユニット化された上記絶縁層形成手段Ｃ、及び、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐをそれぞれ１ないし複数個着脱可能に取り付ける。
【００２４】
更に詳細には、ユニット化された絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ，レーザー穿孔手段Ｐは、それぞれの上半部に形成した支持部材１５への取付部３０を同一構造にしている。
すなわち、各取付部３０は、前記支持部材１５の上下の支持杆１５ａ，１５ｂと略同等長さの矩形状であって、その長手方向に貫通する二本の取付孔３１，３１を上下間隔をおいて開孔するとともに、両取付孔の中間に軸孔３２を長手方向へ貫通させて開孔する。そして、上記取付孔３１内には、微細径のボールを内外に突出状かつ回転可能に収納せしめた筒形のリテーナー（図示せず）を装着している。
【００２５】
上記絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐの各々は、それらを使用するときには、それら各取付部３０のリテーナー内に前記支持部材１５の支持杆１５ａ，１５ａが摺設するようにして取付孔３１を貫通させ、その後に、軸孔３２に締付ボルト３３を差し込み先端を支持壁１４のナット孔１４ａに螺着することにより、取付部３２を支持壁１４に締付け固定して、所定位置にセットされている。
そして、上記締付ボルト３３を抜き取ることにより取付部３０を支持杆１５ａ，１５ｂから抜き取ることができる。すなわち、各ユニットは着脱可能であり、また交換可能である。
【００２６】
また、図８は、上記上記絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐを、ユニット化して、必要に応じて着脱可能されるようにした他の好ましい態様を示すものである。
図８において、各支持部材４１は、適宜厚さからなる矩形板の下端部両側にレール部４２を形成するとともに前面中央部にナット孔４３を設けたものである。
支持部材４１は、その複数個が支持壁１４にＸ軸方向に沿い所定の間隔で固定状に並設され、作業テーブル１０上へ向けて水平状に突出する。
一方、ユニット化された上記上記絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐの各取付部４５は、前記支持部材４１のレール部４２に摺接して嵌め合う嵌合部４６が長手方向にわたり形成されているとともに、前端には前記支持部材４１の前面に当接する当て板４７を一体に立ち上げ、該当て板４７に締付ボルト４８を回動可能に取り付けたものである。
【００２７】
上記上記上記絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐは、それぞれの取付部４５の嵌合部４６を支持部材４１のレール部４２に摺接して嵌め合い、当て板４７を支持部材４１の前面に押し当て締付ボルト４８をナット孔４３に螺着することにより、該取付部４５を介して支持壁１４に固定して所定位置にセットされる。
【００２８】
また、上記押圧手段Ｒは、好ましくは図６に例示するように、表面に極微粘着性を有する押圧ロール６１に、粘着性を有する除塵ローラ６２を接触させるように構成されている。
押圧ロール６１は、支持部材６３に回転自在に配置したロールの表面に粘着性が極微な表面処理を施したもので、その表面に粘着性を有する除塵ローラ６２を回転自在に接触させて両者を接触状のまま支持部材６３を上下動可能に設置する。
【００２９】
上記押圧手段Ｒによれば、絶縁シート１ａを押圧ロール６１によって押圧し圧着するとともに、セラミックス積層体の製造中に絶縁シート１ａの表面に付着した微細な塵埃等を、押圧ロール６１の周面に付着させることで取り除く。なお、押圧ロール６１に付着した塵埃等は、押圧ロールより高い粘着性を有する除塵ローラ６２の表面に転着する。さらに、除塵ローラ６２へ転着した塵埃等は、該除塵ローラ６２を適時に取り外して清掃し、あるいは除塵ローラ６２に剥離部材（図示せず）を当接させることによって除去すればよい。
【００３０】
また、上記絶縁シート積層手段２０は、図５に詳細に示すように、絶縁シート１ａが付着されたテープ状物１を繰出す繰出し機構２１と、テープ状物１から剥がされた絶縁シート１ａを吸着してベース盤１３上へ搬送する吸着搬送機構２２とから構成される。
【００３１】
前記テープ状物１は、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムからなるテープ状のキャリアフィルム１ｂの表面に、薄板状のセラミックグリーンシートである絶縁シート１ａを付着させてなる。
【００３２】
繰出し機構２１は、繰出しローラー２１ａから繰出されるテープ状物１を巻取りローラー２１ｂによって巻取るとともに、その繰出し巻取り間の経路途中に、テープ状物１のキャリアフィルム１ｂ側に摺接するように、下流側端部（送り方向側端部）に鋭角部２１ｃ１を有する剥離機構２１ｃを配設し、搬送されるテープ状物１が鋭角に曲げられるようにしている。
そして、この繰出し機構２１によれば、テープ状物１は、前記鋭角部２１ｃ１により鋭角に曲げられることで、その表面に付着された絶縁シート１ａが剥がされることになる。
【００３３】
吸着搬送機構２２は、バキューム機構によって絶縁シート１ａを吸着または離脱する吸着部２２ａを、上下方向に昇降可能、且つガイドレール２２ｂに沿って水平動可能に具備するとともに、該吸着部２２ａの側面側に下向きの切断刃２２ａ１を配設してなり、上記繰出し機構２１によってテープ状物１から剥がされ切断刃２２ａ１で所定形状にカットされる絶縁シート１ａを、吸着して搬送し、ベース盤１３上の所定位置に重ね合わせる。
【００３４】
なお、上記絶縁シート積層手段２０は、テープ状の絶縁シート１ａをカットしベース盤１３上で重ね合わせるように構成した一例を示しているが、予め所定形状に形成された絶縁シートをベース盤１３上で重ね合わせるようにした構成であっても構わない。
【００３５】
而して、上記製造装置Ａによれば、絶縁シート１ａを重ね合わせる絶縁シート積層工程（図３（ａ）及び（ｄ）、（ｈ）参照）、絶縁シート１ａ上に導電ペーストを噴射する電極層形成工程（図３（ｂ）及び（ｆ）、（ｊ）参照）、絶縁シート１ａ上にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成工程（図３（ｃ）及び（ｇ）参照）等の各工程を繰返すことによって、複数層の絶縁シート１ａの各シート間に、所定の電極パターンが配設された薄膜層ｔを有するセラミック積層体を形成する。
【００３６】
以下に、前記製造工程を、インダクタ用セラミックス積層体Ｓ１を製造する場合の一例により詳細に説明する。
（１）左側の絶縁シート積層手段２０における吸着搬送機構２２によってベース盤１３上に絶縁シート１ａが敷設される（図２（ａ）及び図３（ａ）参照）。
【００３７】
（２）ベース盤１３が左端側から右端側へ移動する際に、右側電極層形成手段Ｅのインクジェットノズルから導電ペーストを噴射し（図２（ａ）参照）、絶縁シート１ａ上に所定面積の電極層２を形成し（図３（ｂ）参照）、次いで、同ベース盤１３の移動中に、絶縁層形成手段Ｃのインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射して（図２（ａ）参照）、同絶縁シート１ａ上における電極層２間及び電極層２の隣接部に絶縁層３を形成し、電極層２及び絶縁層３からなる薄膜層ｔが形成される（図３（ｃ）参照）。
【００３８】
（３）前記電極層２及び絶縁層３の上面に、右側の吸着搬送機構２２によって絶縁シート１ａが積層される（図２（ｂ）及び図３（ｄ）参照）。
【００３９】
（４）ベース盤１３が右端側から左端側へ移動する際に、右側押圧手段Ｒの押圧によって最上層部の絶縁シート１ａをその下の電極層２及び絶縁層３に圧着し（図２（ｂ）参照）、同ベース盤１３の移動中に、レーザー穿孔手段Ｐによって最上層部の絶縁シート１ａの所定位置にバイヤホール４が穿設され、更に、同ベース盤１３の移動中に、左側電極層形成手段Ｅのインクジェットノズルから導電ペーストを噴射し（図２（ｂ）参照）、該電極ペーストによって前記バイヤホール４を埋めてバイヤ電極４ａを形成するとともに絶縁シート１ａ上に所定面積の電極層２を形成し（図３（ｆ）参照）、次いで、左側の絶縁層形成手段Ｃのインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射して（図２（ｂ）参照）、同絶縁シート１ａ上における電極層２間及び電極層２の隣接部に絶縁層３を形成し、電極層２及び絶縁層３からなる薄膜層ｔが形成される（図３（ｇ）参照）。
【００４０】
その後は、電極層２及び絶縁層３の上面に吸着搬送機構２２によって絶縁シート１ａが積層される工程と、上記（４）の工程と同様に、押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃが順番に作動する工程とが繰り返され（図２（ｃ）及び図３（ｈ）〜（ｊ）、ベース盤１３上にインダクタ用セラミックス積層体Ｓ１が構成される。
【００４１】
なお、上記工程はインダクタ用セラミックス積層体Ｓ１の製造工程を例示したが、上記構成の製造装置Ａ１によれば、図４に例示するコンデンサ用セラミックス積層体Ｓ２を製造することもできる。
この場合の工程は、詳細には説明しないが、大まかには上記工程におけるレーザー穿孔手段Ｐによる動作を省いた工程となる。
【００４２】
次に、図９に例示する態様のセラミックス積層体の製造装置について説明する。
図９は製造装置Ａ２の概要を示し、図示しない垂直な支持壁に、回転ドラム１１０を回転可能に取り付けるとともに、該回転ドラム１１０の下方一側寄りに、上記製造装置Ａ１における絶縁シート積層手段２０と略同様にして絶縁シート１ａを前記ドラム１１０の作業面１１０ａ上で重ね合わせる絶縁シート積層手段１２０を配設し、回転ドラム１１０の直下には製造されたセラミック積層体ＣＳを回収する積層体回収機構１３０を配設する。
また、同製造装置Ａ２は、図示しないが、前記回転ドラム１１０を駆動するモーター及び減速制御部、セラミックスラリーを収容するスラリータンク、導電ペーストを収容するペーストタンク、回転ドラム１１０内をバキュームするバキューム機構、制御ボックス、配線機器等を具備している。
【００４３】
回転ドラム１１０は、ステンレス鋼など金属製の多角形状ドラムであって（図面は１２角形を例示する）、その外周面に平坦な作業面１１０ａを連続して区画し、各作業面１１０ａにはバキュームにより吸引作用を生起するように吸引孔１１１，１１１…を開口している。この吸引孔１１１は、作業面１１０ａ裏面側に設けられスライド駆動するスライドシャッター１１２によって、絶縁シート１ａを吸着する際に開放され、また絶縁シート１ａを離脱する際には閉鎖される。
【００４４】
この回転ドラム１１０は、前記モータにより連続回転又は間欠回転するように設定され、回転停止中に、前記絶縁シート積層手段１２０の吸着搬送機構１２２から供給される絶縁シート１ａを、吸着搬送機構１２２の吸着部１２２ａに対向する作業面１１０ａに吸着する。
【００４５】
前記絶縁シート積層手段１２０は、上記製造装置Ａ１の絶縁シート積層手段２０と略同様の構成であるため詳細には説明しないが、絶縁シート１ａとキャリアフィルム１ｂとからなるテープ状物１をローラー１２１ａから繰出して巻取りローラー１２１ｂに巻き取り、その繰出し巻取り間の経路途中で、剥離機構１２１ｃによってテープ状物１から絶縁シート１ａを剥がすとともに切断刃１２２ａ１により所定形状に切断し、その切断された絶縁シート１ａを、吸着部１２２ａによって吸着して作業面１１０ａに対向する位置まで搬送して、作業面１１０ａ上で重ね合わせる。
【００４６】
また、回転ドラム１０は、間欠回転時における停止状態で前記各作業面１１０ａに対向して夫々の作業を施す作業ステージ又は予備用のステージを配置し、それら作業ステージＳＴに、時計回りに、第一押圧手段Ｒ１、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃ、第二押圧手段Ｒ２等を適宜に配設し、更に、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃの各手段ごとに、必要に応じてカメラ手段Ｑを備えている。
【００４７】
第一押圧手段Ｒ１、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃの各手段は、上述した製造装置Ａ１における押圧手段Ｒ、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃを、作業面１１０ａ上でＸ軸方向（回転ドラムの周方向）、Ｙ軸方向（回転ドラムの幅方向）へ移動可能、且つその移動量が制御されるとともに、作業面上を直角に上下動するＺ軸方向（接離する方向）へ移動可能に配設し、且つその移動量が制御されるように構成している。
【００４８】
また、第二押圧手段Ｒ２は、作業面１１０ａ上をＺ軸方向へ上下動するプレス板１１５を例示し、該プレス板１１５の下降により、作業面１１０ａ上に積層されるセラミック積層体ＣＳを、最終段階で押圧し、絶縁シート１ａと電極層２及び絶縁層３との密着性を高めて各層を均一化させるものである。
【００４９】
また、カメラ手段Ｑは、絶縁シート１ａ上の基準マークを撮像して画像処理装置へ送信し、それにより上記レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃを、位置合わせすべくＸ軸方向及びＹ軸方向へ位置制御したり、あるいは絶縁層のピンホールや電極層の断線等を発見するＣＣＤカメラである。
【００５０】
また、上記積層体回収機構１３０は、回転ドラム１１０の所定数の回転により作業面１１０ａ上にセラミック積層体ＣＳが形成された最終段階で、セラミック積層体ＣＳを回収台１３１により受け取り、それを回収アーム１３３により回収マガジン１３４へ収容させるものである。
尚、セラミック積層体ＣＳは、積層体回収機構１３０に受け取られる際、回収台１３１に対向する作業面１１０ａの裏面側のスライドシャッター１１２により、同作業面１１０ａの吸引孔１１１が閉鎖されることで、回転ドラム１１０内のバキュームによる吸着力から開放される。
【００５１】
而して、上記製造装置Ａ２によれば、時計方向へ間欠回転する回転ドラム１１０が停止した適時に、各作業面１１０ａに対向する絶縁シート積層手段１２０、第一押圧手段Ｒ１、レーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃ、第二押圧手段Ｒ２、積層体回収機構１３０等が作動することで、セラミック積層体ＣＳが製造される。
前記各手段及び機構の作動順序については詳述しないが、例えば、インダクタ用セラミックス積層体Ｓ１を製造する場合には、上述した図３に示す積層順序となるように、回転ドラム１１０の間欠回転時における停止状態で、各作業面１１０ａに対向する前記各手段及び機構が作動し、インダクタ用セラミックス積層体Ｓ１が製造されることになる。
【００５２】
なお、上記製造装置Ａ２では、押圧手段として第一押圧手段Ｒ１及び第二押圧手段Ｒ２の双方を設けた好ましい態様を示しているが、何れか一方の押圧手段を省いた構成とし、絶縁シート１ａが積層される毎に、または最後の絶縁シート１ａが積層された後に、省かなかった一方の押圧手段によって絶縁シート１ａ上を押圧するようにすることも可能である。
【００５３】
次に、図１０に例示する態様のセラミックス積層体の製造装置について説明する。
この製造装置Ａ３は、支持台２１０上面に機体２３０を設置し、その機体２３０を挟んで左右位置（Ｘ軸線方向の位置）の一方に、セラミックススラリーを吐出する絶縁層形成手段Ｃ、導電ペーストを噴射する電極層形成手段Ｅ、絶縁シート１ａ上にバイアホールを穿設するレーザー穿孔手段Ｐ、絶縁シート１ａ上面をローラーで押圧する第一押圧手段Ｒ１を設置し、その他方に、絶縁シート積層手段２２０を設置して構成されている。
【００５４】
機体２３０は、対向する側方の二面に開口部２３６，２３６を形成した箱状の本体２３１における下板２３２上に、ベース盤２３３を上下動可能（Ｚ軸線方向に制御動可能）に配置し、同本体２３１の上板２３４に、ベース盤２３３に相対して第二押圧手段Ｒ２を上下制御動可能（Ｚ軸線方向に制御動可能）に支持し、ベース盤２３３の上面と第二押圧手段Ｒ２との間のスペースがセラミックス積層体の積層用スペースＳとして利用されるように構成されている。
更に、この機体２３０は、上板２３４の両端部各々の下面側に、開口部２３６をスライド可能な窓部またはシャッターにより開閉する遮断手段２３７を配備し、且つ、この両遮断手段２３７，２３７によって外気と非連通にされた際の積層用スペースＳを、排気装置により真空雰囲気にするバキューム手段２３８を機体２３０の上面に載置している。
【００５５】
前記ベース盤２３３は、その下位に設けられている支持体に連絡するサーボーモータ、ステッピングモータ等電気制御可能なモータを駆動源とするボールネジ機構、ガイド部等からなるステージ制御機構で上下制御動可能に構成されており、また前記第二押圧手段Ｒ２は、本実施の形態ではプレス板２３５を同様に電気制御可能なモータを駆動源とするボールネジ機構、ガイド部等からなるプレス制御機構で本体２３１の上板２３４に上下制御動可能に支持することによって構成されている。
【００５６】
絶縁層形成手段Ｃ、及び電極層形成手段Ｅ、レーザー穿孔手段Ｐ、第一押圧手段Ｒ１の各手段は、上述した製造装置Ａ１における押圧手段Ｒ、及びレーザー穿孔手段Ｐ、電極層形成手段Ｅ、絶縁層形成手段Ｃを、支持アーム２４１の先端に水平方向に並設させるとともに、該支持アーム２４１を、サーボーモータ、ステッピングモータ等電気制御可能なモータを駆動源とするボールネジ機構、ガイド部等の制御動手段２４０によって、側方から機体２３０に向けて移動（接近・離間）して前記積層用スペースＳ内に出入させるように構成している。
【００５７】
絶縁シート積層手段２２０は、上述した製造装置Ａ１の絶縁シート積層手段２０と同構造によって繰出されるテープ状物１から絶縁シート１ａを、剥がすとともにカットして繰出す繰出し機構２２１と、テープ状物１から剥がされた絶縁シート１ａを吸着してベース盤２３３上へ搬送する吸着搬送機構２２２とから構成される。
【００５８】
前記吸着搬送機構２２２は、バキューム機構によって絶縁シート１ａを吸着または離脱する吸着部２２２ａを、支持アーム２２３の先端部に上下方向に昇降可能に配設し、且つ該支持アーム２２３の後端部を図示しない支持壁に固定されたガイドレール２２２ｂに沿って水平動可能に具備するとともに、該吸着部２２２ａの側面側に下向きの切断刃２２２ａ１を配設してなり、上記繰出し機構２２１によってテープ状物１から剥がされ切断刃２２ａ１によってカットされて繰出される絶縁シート１ａを、吸着して搬送し、ベース盤２３３上の所定位置に重ね合わせる。
【００５９】
而して、上記製造装置Ａ３によれば、絶縁シート積層手段２２０、絶縁層形成手段Ｃ、電極層形成手段Ｅ、レーザー穿孔手段Ｐ、第一押圧手段Ｒ１を積層用スペースＳに出入りさせて、ベース盤２３３上で絶縁シート１ａ上に所定の電極パターンが配設された薄膜層ｔを形成し、これら各手段の出入りの繰り返しによりセラミックス積層体を形成した後、各手段を後退させ、左右の両遮断手段２３７によって両開口部２３６，２３６を閉鎖し、バキューム手段２３８によって積層用スペースＳの空気を排除しつつ第二押圧手段Ｒ２でセラミック積層体を加圧して、絶縁シート１ａと薄膜層ｔとの間及び薄膜層ｔ内部に残留する空気を脱気するとともに、絶縁シート１ａと薄膜層ｔとの密着性を高めて各層を均質一体化させる。
前記各手段及び機構の作動順序については詳述しないが、例えば、インダクタ用セラミックス積層体Ｓ１を製造する場合には、上述した図３に示す積層順序となるように、前記各手段を積層用スペースＳに出入りさせればよい。
【００６０】
なお、上記製造装置Ａ３は、押圧手段として第一押圧手段Ｒ１及び第二押圧手段Ｒ２の双方を設けた好ましい態様を示しているが、第一押圧手段Ｒ１を省いた構成とし、絶縁シート１ａが積層される毎に、または最後の絶縁シート１ａが積層された後に、第二押圧手段Ｒ２によって絶縁シート１ａ上を押圧するようにすることも可能である。
また、同製造装置Ａ３は、遮断手段２３７及びバキューム手段２３８を省いた構成とし、大気圧雰囲気中で、絶縁シート１ａ上面が押圧されるようにすることも可能である。
また、図３に示すセラミック積層体の製造工程おいて、電極層２を形成する工程と絶縁層３を形成する工程と（図３（ｂ）と（ｃ）、同図（ｆ）と（ｇ））は、逆であっても構わない。
また、上記製造装置Ａ１及びＡ３は、上記製造装置Ａ２におけるカメラ手段Ｑを、電極層形成手段Ｅ、及び絶縁層形成手段Ｃ、レーザー穿孔手段Ｐ等に並設し、前記各手段を位置合わせすべくＸ軸方向及びＹ軸方向へ位置制御したり、あるいは絶縁層のピンホールや電極層の断線等を発見するようにしてもよい。
【００６１】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
第１の発明によれば、所定の電極パターンが配設された薄膜層を、複数層の絶縁シートの各シート間に形成するため、絶縁シートに挟まれることで各薄膜層の平坦性が向上する。
その上、薄膜層上に絶縁シートを重ね合わせるようにしているため、平坦状のセラミック層（電極層を有する薄膜層上下の絶縁層）をセラミックスラリーの噴射によって形成する従来技術と比較して、作業時間が大幅に短縮される。
したがって、電極パターンを有する薄膜層を、平坦性よく高精度に形成することができる上、該薄膜層上下の絶縁層を絶縁シートによって短時間に形成することができ、ひいては、内部精度の高い高品質なセラミック積層体を効率的に生産することができる。
【００６２】
しかも、ベース盤の往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるので、セラミック積層体の薄膜各層を一層効率的に製造することができるとともにそれらの積層体の製造時間を短縮して生産性を高めることができる。
そして、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段は必要最少な個数を並設すればよいので、前記区間路の必要長を短く設定することができ実用化が可能な小型装置であって、しかも前記各形成手段の最少個数により安価な製造装置を提供することができる。
【００６３】
更に、第２の発明によれば、上記絶縁層形手段、電極層形成手段をそれぞれユニット化し着脱可能としたので、それら各ユニットのセッティングが容易であり、しかも各ユニットの配置を変更することにより多種多様な積層体の製造に対応することができ、汎用性のある小型装置を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係わるセラミックス積層体の製造装置の一例を示す正面図である。
【図２】  同製造装置によるセラミックス積層体の製造工程を示す断面図である。
【図３】  同セラミックス積層体の製造工程を更に詳細に示す断面図である。
【図４】  同製造装置により製造されたセラミックス積層体の他例を示す断面図である。
【図５】  絶縁シート積層手段の一例を示す正面図である。
【図６】  押圧手段の一例を示す正面図で、要部を断面で示している。
【図７】  絶縁層形成ユニット、及び電極層形成ユニット、押圧ユニットを、それぞれ支持壁に対し着脱可能にした構成の一例を示す斜視図である。
【図８】  絶縁層形成ユニット、及び電極層形成ユニット、押圧ユニットを、それぞれ支持壁に対し着脱可能にした構成の他例を示す斜視図である。
【図９】  本発明に係わるセラミックス積層体の製造装置の他例を示す正面図である。
【図１０】  本発明に係わるセラミックス積層体の製造装置の他例を示す正面図である。
【符号の説明】
１ａ：絶縁シート                    ２：電極層
３：絶縁層                          １０ａ：区間路
１４：支持壁                        １５：支持部材
２０：積層手段                      １１０：回転ドラム
１１０ａ：作業面                    ２３７：遮断手段
２３８：バキューム手段              Ｃ：絶縁層形成手段
Ｅ：電極層形成手段                  Ｒ：押圧手段
Ｒ１：第一押圧手段                  Ｒ２：第二押圧手段
ｔ：薄膜層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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