(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータを備えた金属酸化物半導体ガスセンサを加熱した後、安定状態へ移行する過程での、金属酸化物半導体の抵抗値の変化の程度を求め、該変化の程度が小さいことからガスセンサの被毒を検出し、
次いで、被毒を検出しなかった場合には、金属酸化物半導体の抵抗値が第１の所定値以上不連続に変化することから呼気がガスセンサへ向けて吹き込まれたことを検知すると共に、被毒を検出した場合には、前記第１の所定値よりも小さな第２の所定値以上、金属酸化物半導体の抵抗値が不連続に変化することから呼気が吹き込まれたことを検知し、
さらに、被毒を検出しなかった場合には、呼気の吹き込み検知から第１の時間経過した時点での、金属酸化物半導体の抵抗値を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、被毒を検出した場合には、呼気の吹き込み検知から前記第１の時間よりも長い第２の時間経過した時点での、金属酸化物半導体を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、かつ前記検出閾値を被毒による感度低下を補うように変更することを特徴とする、呼気検知方法。
【請求項２】
ヒータを備えた金属酸化物半導体ガスセンサと、該ヒータに通電して金属酸化物半導体を加熱するための手段と、加熱後に安定状態へ移行する過程での金属酸化物半導体の抵抗値の変化の程度を求めて、該変化の程度が小さいことからガスセンサの被毒を検出するための被毒検出手段と、
被毒検出手段が被毒を検出しなかった場合には、被毒の有無の検出後に、金属酸化物半導体の抵抗値が第１の所定値以上不連続に変化することから呼気がガスセンサへ向けて吹き込まれたことを検知すると共に、被毒を検出した場合には、被毒の有無の検出後に、前記第１の所定値よりも小さな第２の所定値以上、金属酸化物半導体の抵抗値が不連続に変化することから呼気が吹き込まれたことを検知するための吹き込み検知手段と、
被毒を検出しなかった場合には、呼気の吹き込み検知から第１の時間経過した時点での、金属酸化物半導体の抵抗値を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、被毒を検出した場合には、呼気の吹き込み検知から前記第１の時間よりも長い第２の時間経過した時点での、金属酸化物半導体を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、かつ前記検出閾値を被毒による感度低下を補うように変更するための手段とを設けたことを特徴とする、呼気検知装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の利用分野】
この発明はガス検出に関し、特にガスセンサの被毒の検出に関する。
【０００２】
【従来技術】
金属酸化物半導体ガスセンサはシリコーン蒸気などの触媒毒により被毒を受けることが知られ、特開平２００１−１９４３３０号は、被毒を受けたガスセンサではヒートクリーニング時に空気中での抵抗値が増加することを報告している。しかしながらこの公報のデータによれば、被毒検出時のＣＯに対する警報濃度の分布は４４００〜６３００ppmに及び、被毒を検出した時にはガスセンサは極端に劣化しており、被毒の検出前に使用者がＣＯ中毒を起こす可能性がある。
【０００３】
【発明の課題】
この発明の基本的な課題は、より実用的な被毒の検出方法と装置とを提供することにある。
この発明での追加の課題は、被毒時の感度不足を補うことにある。
【０００４】
【発明の構成】
この発明の呼気検知方法は、ヒータを備えた金属酸化物半導体ガスセンサを加熱した後、安定状態へ移行する過程での、金属酸化物半導体の抵抗値の変化の程度を求め、該変化の程度が小さいことからガスセンサの被毒を検出し、次いで、被毒を検出しなかった場合には、金属酸化物半導体の抵抗値が第１の所定値以上不連続に変化することから呼気がガスセンサへ向けて吹き込まれたことを検知すると共に、被毒を検出した場合には、前記第１の所定値よりも小さな第２の所定値以上、金属酸化物半導体の抵抗値が不連続に変化することから呼気が吹き込まれたことを検知し、さらに、被毒を検出しなかった場合には、呼気の吹き込み検知から第１の時間経過した時点での、金属酸化物半導体の抵抗値を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、被毒を検出した場合には、呼気の吹き込み検知から前記第１の時間よりも長い第２の時間経過した時点での、金属酸化物半導体を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、かつ前記検出閾値を被毒による感度低下を補うように変更することを特徴とする。
【０００５】
この発明の呼気検知装置は、ヒータを備えた金属酸化物半導体ガスセンサと、該ヒータに通電して金属酸化物半導体を加熱するための手段と、加熱後に安定状態へ移行する過程での金属酸化物半導体の抵抗値の変化の程度を求めて、該変化の程度が小さいことからガスセンサの被毒を検出するための被毒検出手段と、被毒検出手段が被毒を検出しなかった場合には、被毒の有無の検出後に、金属酸化物半導体の抵抗値が第１の所定値以上不連続に変化することから呼気がガスセンサへ向けて吹き込まれたことを検知すると共に、被毒を検出した場合には、被毒の有無の検出後に、前記第１の所定値よりも小さな第２の所定値以上、金属酸化物半導体の抵抗値が不連続に変化することから呼気が吹き込まれたことを検知するための吹き込み検知手段と、被毒を検出しなかった場合には、呼気の吹き込み検知から第１の時間経過した時点での、金属酸化物半導体の抵抗値を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、被毒を検出した場合には、呼気の吹き込み検知から前記第１の時間よりも長い第２の時間経過した時点での、金属酸化物半導体を検出閾値と比較して呼気中のガスを検出し、かつ前記検出閾値を被毒による感度低下を補うように変更するための手段とを設けたことを特徴とする。
【０００６】
好ましくは、前記金属酸化物半導体の抵抗値から基準値を求めて記憶し、該基準値を検出閾値に変換して、金属酸化物半導体の抵抗値と比較し、金属酸化物半導体の抵抗値が検出閾値以下でガスを検出すると共に、被毒検出時に、被毒による感度低下を補うように、基準値から検出閾値への変換条件を変更する。
【０００７】
また例えば、前記加熱をヒータへの通電による金属酸化物半導体のヒートクリーニングとすると、ヒートクリーニング後の抵抗値の減少の程度が小さいことから、被毒を検出できる。
【０００８】
なおこの明細書では、パルス加熱は例えば加熱時間が２秒以下の場合をいい、パルス加熱時間は好ましくは１秒以下とし、また特にパルス加熱時間が１秒以下で、かつパルス加熱とパルス加熱との間に、パルス加熱時間の５０倍、好ましくは１００倍以上の非加熱時間を置くものをいう。ヒートクリーニングとは、ヒートクリーニング以外の場合にもガスセンサが加熱されるもので、かつ電源投入時などの所定のイベントに対して例えば非定期的に行われるものである。ヒートクリーニングの時間は例えば３秒以上とし、ヒートクリーニングでは、これ以外の加熱時期での加熱温度よりも高い温度に加熱する。
【０００９】
【発明の作用と効果】
発明者らは、被毒を受けたガスセンサでは、高温に加熱した後に安定状態へ移行する間の抵抗値の変化が、正常なセンサに比べ小さいことを見出した。なおパルス加熱では、被毒によってパルス加熱後安定状態へ移行する間に抵抗値が増加し、被毒によってこの抵抗値の増加が小さくなる（図１０）。またヒートクリーニングでは、ヒートクリーニング後安定状態へ移行する間の抵抗値の減少の程度が、被毒によって小さくなる（図５）。この発明では、ガスセンサの被毒を検出できる。
【００１０】
【実施例】
図１〜図６に、携帯用の口臭検出装置を例に実施例を示す。図１に用いたガスセンサ２を示すと、４はアルミナなどの基板で、６はガラスなどを用いた断熱膜で、８は膜状のヒータ、１０はガラス膜やシリカ膜などを用いた絶縁膜で、１２は膜状の金属酸化物半導体で、ここでは厚さ２０μｍのＳｎＯ2膜を用いた。基板４は剛性樹脂製のベースに接着剤などでダイボンドしたが、宙吊りにしてリード線で支えても良い。なおガスセンサの形状，構造，材料自体は任意で、例えばコイル状のヒータ兼用電極の中心部に検出電極を配置し、これらをＳｎＯ2などの金属酸化物半導体でビーズ状に埋設したガスセンサなどでもよい。
【００１１】
図２にガス検出装置の構成を示すと、２０は電池電源で、ここでは単５アルカリ乾電池×２の３Ｖ電源とし、２２はスイッチ、２４は負荷抵抗である。２６はマイクロコンピュータで、２８はサンプリング部でＡＤコンバータを備え、３０はヒータ制御部で、スイッチ２２を介してヒータ８をオンする。３２はタイマで、ヒータのオン／オフや金属酸化物半導体１２の抵抗値（センサ抵抗）のサンプリング、被毒の検出などに必要なタイミング信号を発生する。
【００１２】
３４は被毒検出部で、ヒートクリーニング終了後の所定時間帯でのセンサ抵抗の変化から、被毒の有無とその程度とを検出する。被毒検出はここでは所定時間帯の最初と最後とのセンサ抵抗の比で行い、これ以外に、所定時間帯の最後などでのセンサ抵抗の値自体などを加味してもよい。３６は立上り検出部で、センサ抵抗が不連続に変化することから、呼気が吹き込まれたことを検出する。３８はバックグラウンド汚染検出部で、ヒートクリーニング終了後所定の時間でのセンサ抵抗から、ヒートクリーニングが不足もしくはバックグラウンドが汚染されていることを検出する。４０はガス検出部で、例えば立上り検出時のセンサ抵抗と、それから所定時間経過後のセンサ抵抗との比を用いて、あるいはこの比に立上り検出時のセンサ抵抗などを加味して、呼気中のガス濃度を検出する。
【００１３】
４２はＩ／Ｏで、ＬＥＤ４４〜４６を介して口臭の程度などを表示すると共に、ガスセンサ２が被毒されており検出不能の場合はその旨を、またバックグラウンドが汚染されており検出不能の場合にはその旨を表示する。４８はスタート処理部で、スイッチ５０がオンされたことに伴い、マイクロコンピュータ２６をスタートさせ、所定の条件でマイクロコンピュータ２６を停止させる。なおガス検出装置を使用していないときに、金属酸化物半導体１２に検出電流が流れることを防止するため、金属酸化物半導体１２と電源２０との間などに適宜のスイッチを設けてもよい。
【００１４】
図３にガスセンサの駆動パターンを模式的に示す。ガス検出装置の電源がオンされると、例えば６秒間ヒータ８に連続的に通電して金属酸化物半導体をヒートクリーニングし、その後は例えば２５０ｍ秒周期で、例えば８ｍ秒ずつヒータをオンし、ヒータオフ後所定時間（１２０m秒）経過時に破線で示すように、サンプリングパルスを発生させて、センサ抵抗を読み込む。
【００１５】
図４〜図６に実施例の動作アルゴリズムと特性とを示す。スイッチをオンして電源を投入すると、例えば６秒間ヒートクリーニングし、ヒートクリーニング終了から１秒後（７秒目）のセンサ抵抗と、ヒートクリーニング終了から４秒後（１０秒目）のセンサ抵抗との比などにより、被毒の有無とその程度とを検出する。被毒を検出すると、被毒が極端に著しい場合、ＬＥＤなどを介して被毒により検出不能であることを表示する。被毒の程度が極端ではない場合、被毒の程度に応じて以降の検出条件を変更する。
【００１６】
呼気が吹き込まれたことを圧力センサなどで検出してもよいが、ここではセンサ抵抗の不連続な変化から立上りを検出する。例えば被毒が存在しない場合、２５０ｍ秒間でセンサ抵抗が３LSB以上低下したことをもって立上りとし、被毒を検出した場合、２５０ｍ秒間で２LSB以上の変化があれば呼気が吹き込まれたものとする。そして立上り検出時のセンサ抵抗を基準値として、図２のガス検出部４０に記憶する。ここで基準値が極端に低いのは、ヒートクリーニング不足かバックグラウンド汚染かのいずれかである。そこで例えば、立上り検出時のセンサ抵抗が所定の基準値よりも低い場合、基準値の関数として、判定しきい値を変更する。なお判定しきい値は、基準値に乗算などを行う定数で、基準値を判定しきい値を用いて変換したものが、検出閾値である。判定しきい値の変更では、基準値に応じて判定しきい値に乗算する係数を例えば３段階などに不連続に変化させてもよく、あるいは基準値に応じてこの定数を連続的に変化させてもよい。
【００１７】
呼気中の出力のサンプリングは、被毒の有無によりサンプリングのタイミングをシフトさせる。被毒がない場合、呼気への応答が速いので、例えば立上り検出から３秒後のセンサ信号を用い、被毒がある場合立上り検出から５秒後のセンサ信号を用いる。なお被毒がない状態からのサンプリング時期のシフトは、被毒の程度により複数段階に変化させてもよい。呼気中のセンサ出力と基準値の比などにより、呼気の汚れの程度を検出する。これはガスセンサが口臭センサの場合、口臭の程度を表し、アルコールセンサの場合はアルコール濃度となる。汚れ判定では例えば３つの検出閾値を設け、これらとの比較により、汚れの程度を４段階に分けて検出する。
【００１８】
検出閾値の発生では、基準となる定数を例えば３種類用意し、これにバックグラウンド汚染時の判定しきい値変更用の定数と被毒の程度による定数とを乗算する。そして被毒が著しい、もしくはバックグラウンドが汚染されている場合、基準値からの変化が小さくても、呼気が汚染されているものとするように定数を制御する。このようにして口臭の程度やアルコールの程度を４段階に識別し、結果をＬＥＤ４４〜４６に表示し、その後例えば２秒間程度ヒートクリーニングして、電源をオフする。
【００１９】
図５に、被毒時と正常時とのセンサ抵抗の波形を示し、これらは各５ヶのセンサ抵抗の波形の平均値である。またセンサの被毒は、１０ppmのヘキサメチルジシロキサン雰囲気中に１日センサを曝すことにより行った。ヒートクリーニング中のセンサ抵抗は、正常品も被毒品も大差なく、ヒートクリーニング終了直後のセンサ抵抗にも大差はない。時刻７秒目〜１０秒目の３秒間でのセンサ抵抗の変化は、被毒品では小さく正常品では大きい。なお７秒目での金属酸化物半導体の温度は１００℃程度、１０秒目の間の金属酸化物半導体１２の温度は室温である。そこで１０秒目と７秒目との抵抗値の比、あるいは１０秒目や７秒目の抵抗値自体をこれらに加味したものなどを用いれば、被毒の程度を検出することができる。
【００２０】
被毒を検出すると、呼気の吹き込みの立上り検出の条件を変更する。これは被毒により呼気中の水蒸気に対する応答性が低下するためである。そして被毒すると、呼気に対する応答が低下するので、呼気中出力のサンプリングの時間を例えば２秒間延長する。また呼気中のメチルメルカプタンなどに対する感度も低下するので、検出閾値の発生に用いた定数を変更する。これらにより被毒の影響を補正して、ほぼ正確に呼気中のメチルメルカプタン濃度やアルコール濃度などを測定することができる。
【００２１】
図６に、被毒の程度と１ppmのメチルメルカプタンへの感度との関係を示す。この図は１７ヶのガスセンサに対する測定値を示し、図の左下側の集団は被毒を受けていないガスセンサで、中央部〜右上の集団は被毒を受けたガスセンサの集団である。横軸の被毒係数は１０秒目と７秒目とのセンサ抵抗の比で、被毒によりこの値は１に近づく。縦軸は１２秒目と１５秒目との抵抗値の比で、被毒により感度が失われ、この値も１に近づく。そして被毒係数とメチルメルカプタン感度とはよく相関し、被毒係数により被毒の有無を評価し、かつメチルメルカプタン感度の低下を正確に補正し得ることが分かる。
【００２２】
参考例
図７〜図１１に、ＣＯ検出装置の被毒検出を例に、参考例を示す。図７に回路構成を示すと、用いたガスセンサ２は図１のもので、図２と同じ符号は同じものを表す。２３は金属酸化物半導体１２を電池電源２０に接続するためのスイッチで、６０は新たなマイクロコンピュータである。６２は新たなタイマで、６４はＡＤコンバータを備えた新たなサンプリング部で、スイッチ２３を制御すると共に、負荷抵抗２４への出力電圧を読み込む。６６は新たなヒータ制御部で、ヒータ信号Ｈによりスイッチ２２をオンさせて、ヒータ８に電力を加える。６８はＣＯ検出部で、７０は被毒検出部であり、パルス加熱後のセンサ抵抗の増加率を統計化し、被毒を検出する。７２は新たなＩ／Ｏで、ＣＯの発生時にはＣＯ検出信号を、被毒検出時には被毒検出信号を発生し、報知部７４によりＣＯの発生並びにガスセンサ２の劣化（被毒）を報知する。
【００２３】
図８にガスセンサ２の駆動パターンを示す。動作周期は例えば６０秒で、そのうち最初の１４ｍ秒の間、ヒータ８をオンして金属酸化物半導体１２をパルス的に加熱し、パルス加熱時の最高温度は約４００℃である。そして周期の最初から例えば１秒目のセンサ信号をサンプリング部で読み込んで、ＣＯを検出する。被毒の検出には、ヒータ８によるパルス加熱（以下単にパルス加熱）後のセンサ抵抗の増加率を用い、ここでは周期の始めから１５ｍ秒目と３０ｍ秒目のセンサ信号を用いる。なおこの実施例では、周期の始めを０ｍ秒として時刻を表し、例えばパルス加熱の終了時が１４ｍ秒で、被毒検出用の信号のサンプリング時が１５ｍ秒と３０ｍ秒である。
【００２４】
ガスセンサ２を劣化させるため加速試験を行った。５０℃相対湿度９５％の雰囲気で、ガスセンサ２を１０個使用し、時々恒温恒湿槽から取り出してＣＯに対する警報濃度の変化を調べた。なおＣＯに対する警報濃度の初期値は１００ppmである。１０個のガスセンサ中で最も劣化の激しかったものでは、５０℃相対湿度９５％中４６日目に、ＣＯの警報濃度（ガスセンサの抵抗値のＣＯ濃度依存性から算出）が１００ppmから３００ppmに増加し、５６日目にはＣＯの警報濃度が１０００ppmに達した。残りの９個のガスセンサでは、５６日目の警報濃度は４００ppm以下であった。
【００２５】
５０℃相対湿度９５％の雰囲気中で劣化したセンサは水蒸気による被毒を受けたものと見なし、以下被毒センサあるいは被毒品と呼ぶ。図９，図１０は、恒温恒湿槽から取り出した直後の、被毒センサと他の正常なセンサ（１個）の抵抗値の波形を示している。被毒センサに対して空気中の抵抗値の波形（２０℃相対湿度６５％）を示し、正常センサに対して、空気中と水素１０００ppm中並びにＣＯ１００ppm中の波形を示す。図９には時刻０〜２０秒間の波形を示し、図１０には時刻０〜１００ｍ秒間の波形を示す。
【００２６】
被毒センサの波形では、パルス加熱中の抵抗値も高く、パルス加熱終了後の抵抗値の増加率が僅かである。しかしながらパルス加熱中の抵抗値は、−１０℃などの極端に低温でかつ絶対湿度の低い雰囲気（空気中）で、正常センサの場合、標準状態の空気から１０〜１００倍程度増加するので、パルス加熱中の抵抗値自体から被毒の有無を検出するのは困難である。これに対して、パルス加熱後の抵抗値の増加率は、低温低湿中でむしろ増加するので、パルス加熱後の抵抗値の増加率を用いると、低温低湿中（絶対湿度の低い雰囲気）で、誤って被毒と判断することがない。
【００２７】
次に水素１０００ppm中ではパルス加熱後の抵抗値の増加率がごく僅かであるが、これは３０ｍ秒目や１５ｍ秒目のセンサ抵抗をチェックすること（抵抗値が低いことをチェック）により、被毒と区別することができる。またこれ以外に梅雨などの多湿期には、パルス加熱後のセンサ抵抗の増加率が減少する。しかし正常品の場合、多湿期でも被毒センサの抵抗の増加率よりは充分大きな抵抗の増加率（１５ｍ秒〜３０ｍ秒の間に抵抗値が１０〜２０倍程度増加）を示し、また多湿期での１５ｍ秒目のセンサ抵抗（通常は１０ＫΩ程度）は被毒時の１５ｍ秒目のセンサ抵抗（１ＭΩ程度）よりも充分に低い。これらのため、１５ｍ秒目と３０ｍ秒目とのセンサ抵抗の比を用いることにより、被毒の有無を検出できる。そして検出の信頼性を増す場合、１５ｍ秒目や３０ｍ秒目のセンサ抵抗の値自体を加味してやればよい。なお１５ｍ秒目や３０ｍ秒目は、パルス加熱後の過渡的な抵抗値の増加を検出するための適宜の時刻の例である。
【００２８】
図１１に、参考例での被毒検出のアルゴリズムを示す。ガスセンサは６０秒周期で動作するが、被毒の検出は７時間毎に行い、これは被毒検出の時定数を１週間〜３０日程度とし、この間の様々な時刻の信号を用いるためである。
【００２９】
被毒検出のサブルーチンが起動すると、１５ｍ秒目でのセンサ抵抗Ｒs15と、３０ｍ秒目でのセンサ抵抗Ｒs30とを記憶し、Ｒs30とＲs15との比が１０未満か否かをチェックし、かつＲs15が５０ｋΩ以上か否かをチェックする。図１０の例では、被毒品でＲs30とＲs15の比は３程度、正常品で４０程度である。また乾燥雰囲気ではこの比は増加する。水素中や多湿の雰囲気ではこの比は減少するものの、Ｒs15が５０ｋΩ以上となることはほとんどない。Ｒs15の値のチェックは省略してもよく、またＲs30のチェックなどに変えてもよい。
【００３０】
１回のみの被毒の兆候で被毒と判断するのは危険なので、被毒の有無の検出結果を統計化する。統計化の原理は、Ｒs30／Ｒs15の値の移動平均を求め、移動平均が例えば１０以下になった際に被毒と判断することである。ここではＲs30とＲs15の比が１０以下で、かつＲs15が５０ｋΩ以下の場合カウンタを１加算する。ただしカウンタの最大値は２５５とする。また前記のいずれかの条件が満たされない場合、被毒の兆候がないものとしてカウンタを１減算し、カウンタの値の最小値は０とする。次にカウンタの値が３２以上か否かをチェックし、カウンタの値が３２以上でガスセンサが被毒されたものとして報知し、以降は被毒の兆候が消滅した場合にも、被毒検出の結果がキャンセルされないようにカウンタの値を固定する。またカウンタの値が３２未満の場合、被毒がないものとして被毒の報知を行わない。
【００３１】
７時間毎に被毒の有無を判断し、カウンタの値を３２とするので、被毒の兆候が生じてから、被毒の報知を行うまでの最短時間は約９日となる。この期間は例えば１週間〜３０日程度の範囲で適宜に変更できる。一旦被毒を報知するとカウンタの値を固定するのは、それ以降に被毒の兆候が消えても、正常なセンサとは見なさないためである。しかしながら、被毒を報知するためのカウンタの値を３２以上，被毒の報知を取り消すためのカウンタの値を例えば１６未満として、被毒の検出と取り消しとにマージンを持たせ、被毒を報知後もカウンタの値の増減を認めてもよい。これは一時的な被毒を受けるが、その後被毒から回復し得る場合に有効である。
【００３２】
なお実施例１（図１〜図５）では被毒検出の統計化を示さなかったが、図１１と同様のアルゴリズムで統計化しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】    実施例で用いたガスセンサの断面図
【図２】    実施例のガス検出装置のブロック図
【図３】    実施例でのガスセンサの駆動パターンを示す図
【図４】    実施例のガス検出装置の動作アルゴリズムを示すフローチャート
【図５】    実施例での被毒の検出、呼気の吹き込みによる立上りの検出、被毒による呼気中出力のサンプリング時期の変更と、判定しきい値の変更とを示す特性図
【図６】    実施例での被毒の検出結果と１ppmのメチルメルカプタンへの感度との相関を示す特性図
【図７】    参考例のガス検出装置のブロック図
【図８】    参考例でのガスセンサの駆動パターンを示す図
【図９】    図８の駆動パターンでの、２０秒分のセンサの出力波形を示し、被毒センサの空気中の抵抗値の挙動と、正常センサの空気中及び水素１０００ppm中並びにＣＯ１００ppm中の抵抗値の挙動を示す。
【図１０】  図９中の０〜１００ｍ秒の区間でのセンサの抵抗値の挙動を拡大して示す図
【図１１】  参考例での被毒検出のアルゴリズムを示すフローチャート
【符号の説明】
２          ガスセンサ
４          基板
６          断熱膜
８          ヒータ
１０        絶縁膜
１２        金属酸化物半導体
２０        電池電源
２２，２３  スイッチ
２４        負荷抵抗
２６，６０  マイクロコンピュータ
２８，６４  サンプリング部
３０，６６  ヒータ制御部
３２，６２  タイマ
３４，７０  被毒検出部
３６        立上り検出部
３８        バックグラウンド汚染検出部
４０        ガス検出部
４２，７２  Ｉ／Ｏ
４４〜４６  ＬＥＤ
４８        スタート処理部
５０        スイッチ
６８        ＣＯ検出部
７４        報知部
【図１】
0003750998.tif 000002
【図２】
0003750998.tif 000003
【図３】
0003750998.tif 000004
【図４】
0003750998.tif 000005
【図５】
0003750998.tif 000006
【図６】
0003750998.tif 000007
【図７】
0003750998.tif 000008
【図８】
0003750998.tif 000009
【図９】
0003750998.tif 000010
【図１０】
0003750998.tif 000011
【図１１】
0003750998.tif 000012