(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空吸着機構により基板を保持するチャックを備え、保持された基板に対して所定の処理を施す複数の基板処理部と、
少なくとも前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の前記基板処理部間で基板を搬送し、かつ、前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、前記基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、前記チャックから前記基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記除電手段は、前記基板に向けてイオンを放射するイオナイザーであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板処理部は、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶表示ディスプレイに使われるガラス基板をフォトリソグラフィ技術を利用して処理を行う技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示ディスプレイ装置の製造工程において、例えばガラス基板上にＩＴＯ薄膜や電極パターン等を形成するために、半導体製造工程において用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小露光してフォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施される。
【０００３】
このような一連の処理は、例えばガラス基板を搬送する搬送装置が走行可能とされた搬送路に沿って、洗浄装置、アドヒージョン処理装置、冷却処理装置、レジスト塗布装置、熱処理装置及び現像装置等を配置した構成の塗布現像処理システムによって行われる。そして、このような塗布現像処理システムでは、ガラス基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ガラス基板にアドヒージョン処理装置にて疎水処理を施し、冷却処理装置にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜を塗布形成する。その後、フォトレジスト膜を熱処理装置にて加熱してプリベーク処理を施した後に冷却し、当該システムに接続された露光装置にて所定のパターンを露光し、露光後のガラス基板を現像装置にて現像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、ポストベーク処理を行い、一連の工程が終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したレジスト塗布装置においては、例えばスピンチャック上にガラス基板を載せて回転させ、その回転中心にレジスト液を供給するスピンコート法が用いられる。
【０００５】
しかしながら、このようなスピンコート法では、ガラス基板がスピンチャックに直接接触しているため、搬送装置の搬送アームによってガラス基板をスピンチャックから離すときにガラス基板に静電気が帯電し、搬送アームとガラス基板との間に大きな電位差を生じてスパークによる静電破壊を生じる、という課題がある。特に、ガラス基板にレジストのような絶縁性の材料を塗布すると、スパークが発生し易いため、かかる課題の解決が望まれている。
【０００６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、簡単な構成で基板の静電破壊を防止することができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、真空吸着機構により基板を保持するチャックを備え、保持された基板に対して所定の処理を施す複数の基板処理部と、少なくとも前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の前記基板処理部間で基板を搬送し、かつ、前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、前記基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、前記チャックから前記基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、少なくとも各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の基板処理部間で基板を搬送し、かつ、各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、チャックから基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部を備えているので、搬送部がチャックから基板を受け取る際にチャックに保持された基板に向けて例えば除電手段により除電が行われ、特に搬送部がチャックから基板を受け取る際に既に除電が行われている。従って、チャックから基板を剥がす際にスパークが発生することもなくなる。
【００１０】
本発明の一の態様として、前記除電手段は、前記基板に向けてイオンを放射するイオナイザーであることを特徴とする。これにより他の構成要素に変更を加えることなく基板の静電破壊を防止できる。
前記基板処理部は、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
この実施の形態では、本発明をガラス基板上にレジスト膜を形成し、露光後のガラス基板を現像する塗布現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００１５】
図１はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す斜視図である。同図に示す塗布現像処理システム１は、ガラス基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」と呼ぶ。）を搬入・搬出するローダ部２と、基板Ｇの第一の処理部３と、中継部４を介して第一の処理部３に連設される第二の処理部５とで主に構成されている。なお、第二の処理部５には受け渡し部７を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置６が連設可能となっている。
【００１６】
上記ローダ部２にはカセットステーション１０が設けられており、未処理の基板Ｇを収容するカセット１１と、処理済みの基板Ｇを収容するカセット１２とをそれぞれ複数載置自在である。カセット１０、１１との間で基板Ｇの搬入出を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット１３とで構成されている。
【００１７】
第一の処理部３には、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の移動及びθ回転可能な主基板搬送装置１５が走行可能とされた搬送路１６の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１７、現像装置１８が並んで配置され、搬送路１１の他方の側に基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置１９、現像処理の後で加熱するポストベークを行う熱処理装置２０、基板Ｇを所定温度に冷却する冷却処理装置２１が多段に配置されている。
【００１８】
第二の処理部５には、第一の処理部３と同様に、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の移動及びθ回転可能な主基板搬送装置２２が移動可能とされた搬送路２３の一方の側に、塗布・周縁部除去装置２４を配置し、搬送路２３の他方の側にレジスト液塗布の後で基板Ｇを加熱するプリベークを行う熱処理装置２０、冷却処理装置２１が多段に配置されている。
【００１９】
受け渡し部７には、基板Ｇを一時待機させるためのカセット２５と、このカセット２５との間で基板Ｇの出し入れを行う搬送用ピンセット２６と、基板Ｇの受け渡し台２７が設けられている。
【００２０】
上記のように構成される塗布現像処理システム１において、カセット１１内に収容された未処理の基板Ｇはローダ部２の搬出入ピンセット１３によって取り出された後、第一の処理部３の主基板搬送装置１５に受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１７内に搬送される。このブラシ洗浄装置１７内にてブラシ洗浄された基板Ｇは、アドヒージョン処理装置１９にて疎水化処理が施され、冷却処理装置２１にて冷却された後、中継部４上に載置される。
【００２１】
第二の処理部５の主基板搬送装置２２がこの基板Ｇを受け取り、レジスト塗布装置３１にてフォトレジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引き続いて周縁部除去装置３０によって基板Ｇの周辺の不要なレジスト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜が熱処理装置２０にて加熱されてベーキング処理が施され、冷却処理装置２１にて冷却された後、露光装置６にて所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Ｇは現像装置１８内へ搬送され、現像液により現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。その後、熱処理装置２０にて加熱されてベーキング処理が施され、冷却処理装置２１にて冷却された後に処理済みの基板Ｇはローダ部１のカセット１２内に収納され、一連の処理が終了する。
【００２２】
図２は上記塗布・周縁部除去装置２４の構成を示す平面図である。
図２に示すように、塗布・周縁部除去装置２４では、基板Ｇに対してレジストを塗布するレジスト塗布装置３１と、このレジスト塗布装置３１によりレジストが塗布された基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周辺部除去装置３２とが並設されている。
【００２３】
レジスト塗布装置３１では、図３に示すように、基板Ｇの出し入れが可能な開口部を上部に有するカップ３３内にスピンチャック３４が配置され、該カップ３３の側部には先端にレジスト供給用のノズル３５を保持する回転保持部材３６が配置されている。スピンチャック３４は図示を省略した真空吸引機構により基板Ｇを保持すると共に回転駆動機構により回転するようになっている。また、スピンチャック３４は図示を省略した昇降機構により昇降可能に構成され、上昇してカップ３３の上面より突き出た状態で主基板搬送装置２２から基板Ｇを受け取り下降し、カップ３３内に基板Ｇを収容する。ここで、スピンチャック３４は保持した基板Ｇを回転させ、他方、回転保持部材３６が回転してノズル３５が基板Ｇのほぼ中心に位置してレジストの供給を開始する。これにより、レジストは遠心力により基板Ｇの全面に一様に伸展する。
【００２４】
周辺部除去装置３２には、保持部材３７によって保持された基板Ｇの４辺の外周に沿ってそれぞれ搬送用レール３８が設けられており、各搬送用レール３８に沿ってレジストを除去するための有機溶剤、例えばシンナーを基板Ｇの周辺部に供給するためのヘッド３９が走査可能に保持されている。各ヘッド３９は、図示を省略して駆動モータの駆動によって搬送用レール３８に沿って走査されるようになっている。
【００２５】
図４は上記ヘッド３９の正面図、図５はその斜視図である。これらの図に示すように、ヘッド３９の略中央部には、保持部材３７により保持された基板Ｇの表裏の各周辺部に向けてシンナー等の有機溶剤を吐出する吐出ノズル４０が基板Ｇの辺方向に多数列設されている。ノズル４０の背面側（基板端部と対向する側）には、ノズル４０から吐出された有機溶剤を基板の外周方向に引き込むための吸引孔４１が設けられている。この吸引孔４１には、図示を省略した排気装置が接続されている。この吸引機構によって有機溶剤が基板側に飛び散るようなことはなくなる。そして、図示を省略した供給装置から吐出ノズル４０へシンナー等の有機溶剤が供給され、他方、ヘッド３９が基板Ｇの端部に沿って所定方向に走査されることにより、ガラス基板Ｇの周辺部のレジストが除去されるようになっている。
【００２６】
また、図６にも示すように、塗布・周縁部除去装置２４の両側には搬送用レール４２が設けられており、この搬送用レール４２に沿って副基板搬送装置としての搬送アーム４３がレジスト塗布装置３１と周辺部除去装置３２との間を移動するようになっている。なお、搬送アーム４３は基板Ｇを保持するために図示を省略した駆動機構によりその両側に配置されたものが近接可能とれている。そして、レジスト塗布装置３１によってレジストが塗布された基板Ｇは、スピンチャック３４の上昇によりカップ３３の上面より突き出た状態となる。この状態で、搬送アーム４３がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取り、周辺部除去装置３２へ移動し、該基板Ｇは周辺部除去装置３２における保持部材３７に受け渡されるようになっている。
【００２７】
また、副基板搬送装置としての各搬送アーム４３の裏面には、それぞれ基板Ｇの裏面に向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー４４が配置されている。そして、例えば搬送アーム４３がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る前後、或いは搬送アーム４３がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取り周辺部除去装置３２へ移動する間等にイオナイザー４４から基板Ｇの裏面に向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【００２８】
従って、本実施形態では、搬送アーム４２によって基板Ｇをスピンチャック３４から離すときに基板Ｇに静電気が帯電するが、イオナイザー４４によって除電されるので、搬送アーム４２と基板Ｇとの間に電位差を生じることはなくなり、スパークによる静電破壊を防止できる。本実施形態では、特に周辺部除去装置３２におけるヘッド３９の吐出ノズル４０が尖った構造であり、吐出ノズル４０がいわば避雷針のような機能を果たしてスパークが発生し易い状況にあるので、上記のように周辺部除去装置３２に搬送するのに先立ち基板Ｇの静電気を除電することは極めて効果的である。
【００２９】
なお、図１５に示すように、レジスト塗布装置３１と周辺部除去装置３２との間に真空式の乾燥装置ＶＤが配置されているような場合にも本発明に係る除電手段としてのイオナイザー４４を配置することは有効である。この場、特に乾燥装置ＶＤから基板Ｇを取り出すときにも静電気が発生するので、そのときにも除電するように構成すれば効果的である。
【００３０】
上述した実施形態では、レジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２への基板Ｇの移動を副基板搬送装置としての搬送アーム４３が行うものであったが、レジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２への基板Ｇの移動を主基板搬送装置２２が行う場合には、主基板搬送装置２２に除電手段を設けてもよい。なお、レジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２への基板Ｇの移動を副基板搬送装置としての搬送アーム４３が行う場合であっても主基板搬送装置２２に除電手段を設けてもよい。
【００３１】
図７は主基板搬送装置２２に除電手段を設けた一例を示す斜視図である。
同図に示す主基板搬送装置２２は、搬送路２３に沿って移動可能な本体５３と、装置本体５３に対して上下動および旋回動が可能なベース部材５４と、ベース部材５４上を水平方向に沿ってそれぞれ独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材５５ａ，５５ｂとを有している。そして、ベース部材５４の中央部と装置本体５３とが連結部５６により連結されている。本体５３に内蔵された図示しないモータにより連結部５６を上下動または回転させることにより、ベース部材５４が上下動または旋回動される。このようなベース部材５４の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材５５ａ，５５ｂの水平移動によりガラス基板Ｇの搬送が行われる。参照符号５７ａ，５７ｂは、それぞれ基板支持部材５５ａ，５５５ｂをガイドするガイドレールである。また、ベース部材５４上の一側に沿って、基板支持部材５５ａ，５５ｂにより支持された基板Ｇに向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー５８が配置されている。
【００３２】
そして、例えばこの主基板搬送装置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る前後、或いは主基板搬送装置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取り周辺部除去装置３２へ移動する間等にイオナイザー５８から基板Ｇに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【００３３】
本実施形態では、特に主基板搬送装置２２に上記構成のイオナイザー５８を設けたので、レジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２へ基板Ｇを移動する場合だけでなく、主基板搬送装置２２が他の装置、例えば熱処理装置２０等から基板Ｇを搬出入する際にもイオナイザー５８からイオンを放射することで除電を行うことができる、という効果がある。
【００３４】
図８は主基板搬送装置２２に除電手段を設けた他の例を示す斜視図である。
同図に示す主基板搬送装置２２は図７に示したものほぼ同様の構成であるが、イオナイザーの配置及びその動作が異なる。即ち、この主基板搬送装置２２においては、ベース部材５４の前面（レジスト塗布装置３１等と対面する面）に除電手段としてのイオナイザー５９が配置されている。
【００３５】
そして、図９に示すように、主基板搬送装置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る際にスピンチャック３４に保持された基板Ｇに向けてイオナイザー５９よりイオンの放射が行われるようになっている。
【００３６】
本実施形態では、特に主基板搬送装置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る際に既に除電が行われているので、スピンチャック３４から基板Ｇを剥がす際にスパークが発生することもなくなる。
【００３７】
なお、以上の実施形態において、搬送アーム４２や主基板搬送装置２２のアームを導電率の高い材料で構成したり、これらのアームに導電率が高まる表面処理を施すことで、基板Ｇに帯電した静電気を他の部材に逃がすことができ、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【００３８】
また、搬送アーム４２や主基板搬送装置２２のアームを接地することで、同様に基板Ｇに帯電した静電気をグランドに逃がすことができ、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【００３９】
更に、搬送アーム４２や主基板搬送装置２２のアームをスピンチャック３４と電気的に導通状態とすることで、これらの間の電位差をなくし、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【００４０】
次に、本発明の更に別の実施形態を説明する。
この実施の形態では、本発明を半導体ウエハ上に層間絶縁膜を形成するためのＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システムに適用した場合について説明する。
【００４１】
図１０〜図１２はこのＳＯＤ処理システムの全体構成を示す図であって、図１０は平面図、図１１は正面図及び図１２は背面図である。
【００４２】
このＳＯＤ処理システム１００は、基板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットブロック１１０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ステーションを所定位置に多段配置してなる処理ブロック１１１と、エージング工程にて必要とされるアンモニア水のボトル、バブラー、ドレインボトル等が設置されたキャビネット１１２とを一体に接続した構成を有している。
【００４３】
カセットブロック１１０では、図１０に示すように、カセット載置台１２０上の突起１２０ａの位置に複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ブロック１１１側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体１２１は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ブロック１１１側の第３の組Ｇ３の多段ステーション部に属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）にもアクセスできるようになっている。
【００４４】
処理ブロック１１１では、図１０に示すように、中心部に基板搬送装置としての垂直搬送型の主ウエハ搬送機構１２２が設けられ、その周りに全ての処理ステーションが１組または複数の組に亙って多段に配置されている。この例では、４組Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の多段配置構成であり、第１および第２の組Ｇ１及びＧ２の多段ステーションはシステム正面（図１０において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の多段ステーションはカセットブロック１１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ステーションはキャビネット１１２に隣接して配置されている。
【００４５】
図１１に示すように、第１の組Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて絶縁膜材料を供給し、ウエハを回転させることによりウエハ上に均一な絶縁膜を形成するＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）と、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せてＨＭＤＳ及びヘプタン等のエクスチェンジ用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理を行うソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）とが下から順に２段に重ねられている。
【００４６】
第２の組Ｇ２では、ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）が上段に配置されている。なお、必要に応じて第２の組Ｇ２の下段にＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）やソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）等を配置することも可能である。
【００４７】
図１２に示すように、第３の組Ｇ３では、２個の低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）と、低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）と、２個の冷却処理ステーション（ＣＰＬ）と、受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）と、冷却処理ステーション（ＣＰＬ）とが上から順に多段に配置されている。低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）はウエハＷを低温加熱処理するものである。冷却処理ステーション（ＣＰＬ）はウエハＷが載置される冷却板を有し、ウエハＷを冷却処理する。受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）は下段にウエハＷを冷却する冷却板、上段に受け渡し台を有する２段構造とされ、カセットブロック１１０と処理ブロック１１１との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００４８】
第４の組Ｇ４では、低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）、２個の低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）と、エージング処理ステーション（ＤＡＣ）とが上から順に多段に配置されている。ここで、低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）は密閉化可能な処理室内に熱板と冷却板とを隣接するように有し、窒素ガス（Ｎ２）に置換された低酸素雰囲気中で高温加熱処理すると共に加熱処理されたウエハＷを冷却処理する。エージング処理ステーション（ＤＡＣ）は密閉化可能な処理室内にＮＨ３＋Ｈ２Ｏを導入してウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をウエットゲル化する。
【００４９】
図１３は主ウエハ搬送機構１２２の外観を示した斜視図であり、この主ウエハ搬送機構１２２は上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部１２５、１２６からなる筒状支持体１２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送装置１３０を装備している。筒状支持体１２７はモータ１３１の回転軸に接続されており、このモータ１３１の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウェハ搬送装置１３０と一体に回転する。従って、ウェハ搬送装置１３０はθ方向に回転自在となっている。このウェハ搬送装置１３０の搬送基台１４０上にはピンセットが例えば３本備えられている。これらのピンセット１４１、１４２、１４３は、いずれも筒状支持体１２７の両壁部１２５、１２６間の側面開口部１４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となるように構成されている。また、例えば搬送基台１４０上の正面側には、ウエハＷに向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー１４５が配置されている。そして、主ウエハ搬送機構１２２はピンセット１４１、１４２、１４３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡しを行う。また、例えば主ウエハ搬送機構１２２がＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）のスピンチャックからウエハＷを受け取る前後等にイオナイザー１４５からウエハＷに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【００５０】
次にこのように構成されたＳＯＤ処理システム１００における動作について説明する。図１４はこのＳＯＤ処理システム１００における処理フローを示している。
【００５１】
まずカセットブロック１１０において、処理前のウエハＷはウエハカセットＣＲからウエハ搬送体１２１を介して処理ブロック１１１側の第３の組Ｇ３に属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台へ搬送される。
【００５２】
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台に搬送されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介して冷却処理ステーション（ＣＰＬ）へ搬送される。そして冷却処理ステーション（ＣＰＬ）において、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）における処理に適合する温度まで冷却される（ステップ１４０１）。
【００５３】
冷却処理ステーション（ＣＰＬ）で冷却処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介してＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）へ搬送される。そしてＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）において、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理が行われる（ステップ１４０２）。
【００５４】
ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）でＳＯＤ塗布処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２によりＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）のスピンチャックから受け取られるが、その際イオナイザー１４５からウエハＷに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。従って、本実施形態では、主ウエハ搬送機構１２２によってウエハＷをスピンチャックから離すときにウエハＷに静電気が帯電するが、イオナイザー１４５によって除電されるので、主ウエハ搬送機構１２２と基板Ｇとの間に電位差を生じることはなくなり、スパークによる静電破壊を防止できる。特にＳＯＤ処理システムにおいては、その後の加熱工程が他のプロセスに比べて高温化で行われるため、このように予め静電気を除電しておくことは、静電破壊を効果的に防止できることになる。
【００５５】
そして、その後、ウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介してエージング処理ステーション（ＤＡＣ）へ搬送される。そしてエージング処理ステーション（ＤＡＣ）において、ウエハＷは処理室内にＮＨ３＋Ｈ２Ｏを導入してウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をゲル化する（ステップ１４０３）。
【００５６】
エージング処理ステーション（ＤＡＣ）でエージング処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介してソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）へ搬送される。そしてソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）において、ウエハＷはエクスチェンジ用薬液が供給され、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が行われる（ステップ１４０４）。
【００５７】
ソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介して低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）へ搬送される。そして低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）において、ウエハＷは低温加熱処理される（ステップ１４０５）。
【００５８】
そして、低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）で低温加熱処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介して低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）へ搬送される。そして低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）において、ウエハＷは低酸素化雰囲気中での高温加熱処理が行われる（ステップ１４０６）。
【００５９】
そして、その後低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）で高温加熱処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介して低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）へ搬送される。そして低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）において、ウエハＷは低酸素雰囲気中で高温加熱処理され、冷却処理される（ステップ１４０７）。
【００６０】
低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）で処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介して受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板へ搬送される。そして受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板において、ウエハＷは冷却処理される（ステップ１４０８）。
【００６１】
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板で冷却処理されたウエハＷはカセットブロック１１０においてウエハ搬送体１２１を介してウエハカセットＣＲへ搬送される。
【００６２】
なお、二層以上の層間絶縁膜を本システム内で二度塗りによって行うような場合には、図１６に示すように一度目の塗布が終了し（ステップ１４０１〜１４０８）た後、基板Ｇの裏面を除電し（ステップ１４０９）、しかる後に二度塗り（ステップ１４１０）をするように構成してもよい。
【００６３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されず、種々変形可能である。例えば、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板が処理装置から基板搬送装置に受け渡されるとき、或いは基板を基板搬送装置から処理装置に受け渡すときに基板に帯電した静電気を除去することができ、これにより基板の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの斜視図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける塗布・周縁部除去装置の構成を示す平面図である。
【図３】図２に示した塗布・周縁部除去装置におけるレジスト塗布装置の概略構成を示す正面図である。
【図４】図２に示した塗布・周縁部除去装置におけるヘッドの正面図である。
【図５】図４に示したヘッドの斜視図である。
【図６】図２に示した塗布・周縁部除去装置の一部概略的斜視図である。
【図７】図１に示した主基板搬送装置に除電手段を設けた一例を示す斜視図である。
【図８】図１に示した主基板搬送装置に除電手段を設けた他の例を示す斜視図である。
【図９】図８に示した主基板搬送装置における除電動作を説明するために図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態に係るＳＯＤ処理システムの平面図である。
【図１１】図１０に示したＳＯＤ処理システムの正面図である。
【図１２】図１０に示したＳＯＤ処理システムの背面図である。
【図１３】図１０に示したＳＯＤ処理システムにおける主ウエハ搬送機構の斜視図である。
【図１４】図１０に示したＳＯＤ処理システムの処理フロー図である。
【図１５】図１に示した塗布現像処理システムにおける塗布・周縁部除去装置の他の構成を示す平面図である。
【図１６】図１０に示したＳＯＤ処理システムにおける他の処理フローを示す図である。
【符号の説明】
１  塗布現像処理システム
２２  主基板搬送装置
２３  搬送路
３１  レジスト塗布装置
３２  周縁部除去装置
４３  搬送アーム（副基板搬送装置）
４４、５８、５９、１４５  イオナイザー（除電手段）
１００  ＳＯＤ処理システム
１２２  主ウエハ搬送機構
ＳＣＴ  ＳＯＤ塗布処理ステーション
Ｇ  ガラス基板
Ｗ  ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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