(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路チップと、
前記チップ上のローパスフィルタ部であって、フィルタオンチップ部品を備え且つ前記フィルタオンチップ部品に関連したカットオフ周波数を有する、ローパスフィルタ部と、
オンチップ部品とオフチップ部品とを備える制御回路と、
を含み、
前記制御回路オンチップ部品と前記フィルタオンチップ部品とが同じ製造プロセスで処理されており、
前記制御回路オフチップ部品が、所望のローパスフィルタ部カットオフ周波数にしたがって構成されたオフチップ抵抗器及びオフチップキャパシタを備えており、
前記制御回路オンチップ部品が、前記制御回路によって作成された制御信号によって自動的に調節され、且つ
前記制御信号はその後に前記フィルタオンチップ部品を調節するために使用され、それによって前記ローパスフィルタ部に対する前記所望のカットオフ周波数を自動的に提供することを特徴とするフィルタ。
【請求項２】
半導体集積回路チップと、
前記チップ上のローパスフィルタ部であって、フィルタトランスコンダクタと該フィルタトランスコンダクタに接続されたフィルタキャパシタとを備え、且つ前記ローパスフィルタ部が前記フィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍFと前記フィルタキャパシタの容量とに関連したカットオフ周波数を有する、ローパスフィルタ部と、
制御回路トランスコンダクタとオフチップ抵抗器ＲEXTとオフチップキャパシタＣEXTと前記フィルタキャパシタと同じ製造プロセスで処理されたオンチップキャパシタＣINTとを備えるｇｍ制御回路であって、積ＲEXTＣEXTが所望のローパスフィルタ部カットオフ周波数にしたがって構成されたｇｍ制御回路と、
を含み、
前記制御回路トランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍCは、前記制御回路によって作成された制御信号によってｇｍC-1とＣINTとの積が積ＲEXTＣEXTに比例するように調節され、
前記制御信号はその後に前記フィルタトランスコンダクタのｇｍFを調節するために使用され、それによって前記ローパスフィルタ部に対する適切なカットオフ周波数を自動的に提供することを特徴とするフィルタ。
【請求項３】
（ａ）半導体チップと、
（ｂ）前記チップ上のローパスフィルタ部であって、所定のカットオフ周波数を有し、該カットオフ周波数がフィルタオンチップ部品の関数であって、該オンチップ部品が制御信号に従って変化するように適合されている、ローパスフィルタ部と、
（ｃ）制御回路と、
を含むフィルタであって、前記制御回路が、
（i）制御回路オンチップ部品と、
（ii）制御回路オフチップ部品と、
（iii）リファレンス周波数を作成する第１の発振器であって、前記制御回路オフチップ部品を有しており、前記リファレンス周波数が前記制御回路オフチップ部品の関数であり、前記リファレンス周波数が前記フィルタの所定のカットオフ周波数に従って選択される、第１の発振器と、
（iv）前記チップの上にあって可変周波数を作成する第２の発振器であって、該可変周波数は前記制御回路オンチップ部品の関数であり、該可変周波数は前記制御信号によって制御される、第２の発振器と、
（v）前記リファレンス周波数と前記可変周波数との間の差に応じて、前記可変周波数を前記リファレンス周波数に向けて駆動し且つ対応するように前期フィルタオンチップ部品を変化させてそれによって前記フィルタのカットオフ周波数を変えるためのフィードバック信号を作成する、制御ループと、
を備えることを特徴とするフィルタ。
【請求項４】
（ａ）半導体チップと、
（ｂ）前記チップ上のローパスフィルタ部であって、（ｉ）フィルタトランスコンダクタと、（ii）該フィルタトランスコンダクタに接続されたフィルタキャパシタと、を備えており、前記フィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍFと前記フィルタキャパシタの容量とに関連したカットオフ周波数を有する、ローパスフィルタ部と、
（ｃ）制御回路トランスコンダクタを有するｇｍ制御回路と、
を含むフィルタであって、
前記ｇｍ制御回路が，
（ｉ）リファレンス周波数を作成する第１の発振器であって、前記チップ上にある部分とオフチップキャパシタとを有しており、前記リファレンス周波数が前記オフチップキャパシタの容量の関数である、第１の発振器と、
（ii）可変周波数を作成する前記チップ上の第２の発振器であって、オンチップキャパシタを有しており、前記可変周波数が前記オンチップキャパシタの容量の関数であり、前記可変周波数が制御回路トランスコンダクタ制御信号によって制御される、第２の発振器と、
（iii）前記リファレンス周波数と前記可変周波数との間の差に応じて、前記可変周波数を前記リファレンス周波数に向けて駆動するためのフィードバック信号を作成する、制御ループと、
を備えており、
（iv）前記制御回路トランスコンダクタには前記制御回路トランスコンダクタ制御信号が供給され、該制御回路トランスコンダクタ制御信号は前記制御回路トランスコンダクタのトランスコンダクタンスを前記制御回路トランスコンダクタ制御信号に従って変化させ且つ対応するように前記フィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスを変え、これにより前記ローパスフィルタ部のカットオフ周波数を変えることを特徴とするフィルタ。
【請求項５】
複数の直列に結合された前記ローパスフィルタ部を含んでおり、それらのフィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスが前記ｇｍ制御回路によって作成される前記制御回路トランスコンダクタ制御信号に従って変化されることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記ｇｍ制御回路が、
前記リファレンス周波数と前記可変周波数とが供給されて、これらの供給された信号の間の差に関連する出力信号を作成する、周波数比較器と、
前記出力信号によって制御される可変電流源であって、その出力が前記制御回路トランスコンダクタに対する前記制御回路トランスコンダクタ制御信号を提供する、可変電流源と、
前記制御回路トランスコンダクタに供給されるコモンモードリファレンス電圧と、
前記コモンモードリファレンス電圧と前記制御回路トランスコンダクタの出力とが供給されて、前記コモンモードリファレンス電源に関連したコモンモード制御信号を提供する、コモンモード電圧制御回路と、
前記コモンモード制御信号によって制御されて、前記制御回路トランスコンダクタに前記コモンモード制御信号に従って電流を供給する、第２の電流源と、
前記第２の電流源によって前期制御回路トランスコンダクタに供給される電流に応じて前記フィードバック信号を作成する、制御電圧フィードバックループと、
を備えることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ。
【請求項７】
複数の直列に結合された前記ローパスフィルタ部を含んでおり、それらのフィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスが前記ｇｍ制御回路によって作成される前記制御回路トランスコンダクタ制御信号に従って変化されることを特徴とする請求項６に記載のフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、一般的にはフィルタに関しており、より具体的には、そのようなフィルタの帯域幅またはカットオフ周波数をチューニングする方法及び装置に関している。さらにより具体的には、本発明は、外部リファレンス部品を使用することによってそのようなフィルタのカットオフ周波数変動を最小化する方法に関している。
【０００２】
（背景技術）
当該技術で知られているように、一般的に利用可能な能動及び受動部品を使用した集積回路ローパスフィルタは、製造プロセス及び温度に対する部品の依存性のために、実際のカットオフ周波数における変動が大きく、その値における変動（すなわち許容度）が小さくなるように制御されることができる。加えて、多段フィルタにおける全ステージが独立して変化する。そのような変動は、多くのアプリケーションにおいて望ましくない。
【０００３】
（発明の開示）
本発明によれば、半導体集積回路チップ上のローパスフィルタ部を有するフィルタが提供される。このローパスフィルタ部は、オンチップ部品を含む。このローパスフィルタ部は、そのオンチップ部品に関連したカットオフ周波数を有する。制御回路が提供される。この制御回路は、オンチップ部品とオフチップ部品とを含む。制御回路オンチップ部品とフィルタオンチップ部品とは、同じ集積回路製造プロセス、及び／又は温度で処理されており、したがって整合している。制御回路オフチップ部品はオフチップであって、チップ製造プロセス及び／又は温度からは独立している。制御回路オフチップ部品は、所望のローパスフィルタ部カットオフ周波数にしたがって構成されている。プロセス及び／又は温度によって引き起こされるローパスフィルタ部の所望のカットオフ周波数における変動を補償するために、制御ループが設けられている。この制御ループは、制御回路オフチップ部品と制御回路オンチップ部品との間の差に比例する制御信号に応答する。制御ループはこの差に応じて、オンチップ部品をオフチップ部品と比例関係で自動的に調節する。制御ループはまた、フィルタオンチップ部品を調節するためにも使用され、それによって、ローパスフィルタ部に対する所望のカットオフ周波数をプロセス及び／又は温度が引き起こす変動から独立して自動的に提供する。
【０００４】
本発明の他の特徴によれば、半導体集積回路チップとこのチップ上のローパスフィルタ部とを有するフィルタが提供される。このローパスフィルタ部は、フィルタトランスコンダクタとこのフィルタトランスコンダクタに接続されたフィルタキャパシタとを含む。ローパスフィルタ部は、フィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍFとフィルタキャパシタＣFの容量とに関連したカットオフ周波数を有する。ｇｍ制御回路が提供される。このｇｍ制御回路は、制御回路トランスコンダクタとｇｍ制御回路オンチップキャパシタＣINTとオフチップ抵抗器ＲEXTとオフチップキャパシタＣEXTとを含む。制御回路トランスコンダクタとフィルタトランスコンダクタとは同じ集積回路製造プロセスで処理されており、したがって整合している。抵抗器ＲEXTとキャパシタＣEXTとはオフチップであって、製造プロセスからは独立している。積ＲEXTＣEXTは、所望のローパスフィルタ部カットオフ周波数にしたがって構成されている。オンチップキャパシタＣINTはフィルタキャパシタＣFに整合しており、したがって双方が同じＩＣチップ製造プロセスで処理されている。プロセス及び／又は温度によって引き起こされるローパスフィルタ部の所望のカットオフ周波数における変動を補償するために、フィルタトランスコンダクタのｇｍFは、ＲEXTＣEXTがｇｍF-1ＣINTとの比例関係を維持するように、制御ループによって対応して可変される。より具体的には、制御回路トランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍCは、制御回路によって作成された制御信号によって、ｇｍC-1とＣINTとの積がＲEXTＣEXTに適切に比例するように変化される。同時に、この制御信号は、フィルタトランスコンダクタのｇｍFを調節するためにも使用され、それによって、ローパスフィルタ部に対する所望のカットオフ周波数をプロセス及び／又は温度が引き起こす変動から独立して自動的に提供する。
【０００５】
本発明の他の局面によれば、半導体集積回路チップとそのチップ上のローパスフィルタ部とを有するフィルタが提供される。このローパスフィルタ部は、フィルタトランスコンダクタとこのフィルタトランスコンダクタに接続されたフィルタキャパシタとを含む。ローパスフィルタ部は、フィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍFとフィルタキャパシタの容量とに関連したカットオフ周波数を有する。制御回路トランスコンダクタを有するｇｍ制御回路が提供される。このｇｍ制御回路は、リファレンス周波数を作成する第１の発振器を含む。この第１の発振器は、オンチップの部分とオフチップキャパシタとオフチップ抵抗器とを有している。リファレンス周波数は、オフチップキャパシタの容量とオフチップ抵抗器の抵抗との積に反比例する。第２の発振器はチップ上にあって、可変周波数を作成する。この第２の発振器はオンチップキャパシタを有している。可変周波数は、制御回路トランスコンダクタのトランスコンダクタンスｇｍCをオンチップキャパシタの容量で割った商に比例する。この可変周波数は、フィードバック制御信号によって制御される。制御ループが設けられる。この制御ループは、リファレンス周波数と可変周波数との差に応答し、そのようなループは制御回路トランスコンダクタ制御信号を作成し、これが制御ループに与えられる。制御ループは、トランスコンダクタ制御信号に応じて、可変周波数をリファレンス周波数に向けて駆動するためのフィードバック信号を作成する。制御回路は、制御回路トランスコンダクタを含む。制御回路トランスコンダクタ制御信号は、制御回路トランスコンダクタのトランスコンダクタンスを、制御回路トランスコンダクタ制御信号にしたがって可変し、対応するようにフィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスを変え、且つ対応するようにローパスフィルタ部のカットオフ周波数を変える。
【０００６】
そのような構成により、制御ループにおけるフェーズロックドループと一対のオンチップ発振器とを使用することによって、ローパスフィルタ部のカットオフ周波数を制御することができ、オフチップ部品を使用してその変動を最小化して、リファレンス周波数を制御することができる。
【０００７】
本発明の他の形態によれば、フィルタは複数の直列に結合されたフィルタ部を含んでおり、それらのフィルタトランスコンダクタのトランスコンダクタンスが、ｇｍ制御回路によって作成される制御回路トランスコンダクタ制御信号に従って変化される。
【０００８】
そのような構成により、カットオフ周波数は、直列に結合されたローパスフィルタ（すなわちステージ）がすべてお互いに固定された周波数関係を有するように、制御されることができる。
【０００９】
本発明のある実施形態によれば、ｇｍ制御回路はリファレンス周波数と可変周波数とを供給される周波数／位相比較器を含み、これらの供給された信号の間の差に関連する出力信号を作成する。この出力信号によって制御される可変電流源が設けられる。この電流源の出力は、制御回路トランスコンダクタに対する制御回路トランスコンダクタ制御信号を提供する。
【００１０】
本発明のその他の形態によれば、コモンモードリファレンス電圧が制御回路トランスコンダクタに供給される。コモンモード電圧制御回路には、コモンモードリファレンス電圧と制御回路トランスコンダクタの出力とが供給されて、コモンモードリファレンス電圧に関連したコモンモード制御信号を提供する。第２の電流源はコモンモード制御信号によって制御されて、制御回路トランスコンダクタにコモンモード制御信号に従って電流を供給する。制御電圧フィードバックループは、第２の電流源によって制御回路トランスコンダクタに供給される電流に応じたフィードバック信号を作成する。
【００１１】
本発明のこれら及びその他の特徴は、以下の詳細な記載を添付の図面と共に参照すると、より容易に明白になるであろう。
【００１２】
（発明を実施するための最良の形態）
ここで図１を参照すると、半導体チップ１２を有するフィルタ１０が示されている。ローパスフィルタ部１４は、チップ１２の上にある。このローパスフィルタ部１４は、複数の、ここではｎ個の直列に結合されたフィルタステージ１６1−１６nを含む。ローパスフィルタステージ１６1−１６nの各一つは、同一のトランスコンダクタを用いている。それらの例示的な一つ、ここではステージ１６1が詳細に示されており、一対のトランスコンダクタ１８、２０（以下では時にはフィルタトランスコンダクタと称される）とそれらの間に配置されて従来の方法で配列されたキャパシタＣF（時には以下ではフィルタキャパシタＣFと称される）とを含み、フィルタトランスコンダクタ１８、２０のトランスコンダクタンスｇｍFとフィルタキャパシタＣFの容量とに関連したカットオフ周波数を有するローパスフィルタを提供する。より具体的には、ローパスフィルタ部１４のカットオフ周波数はｇｍF／ＣFに比例する。ステージは同一ではないが様々な方法で結合されることができることに留意すべきである。例えば、キャパシタ値は、ステージからステージに渡って異なってもよい。
【００１３】
ｇｍ制御回路２２が設けられる。このｇｍ制御回路２２は図２により詳細に示されており、フィルタトランスコンダクタ１８、２０に整合したオンチップトランスコンダクタ２４（以下では時には制御回路トランスコンダクタと称される）を有する。ｇｍ制御回路２２は、オフチップすなわち外部の抵抗器ＲEXTとオフチップキャパシタＣEXTとを含む。これらのオフチップ部品は比較的精密なデバイスであり、集積回路チップ（すなわちＩＣチップ）製造プロセスからは独立している。これより、フィルタの所望のカットオフ周波数がひとたび選択されると、ＲEXT及びＣEXTの値が、そのような所望のカットオフ周波数にしたがって選択される。
【００１４】
ｇｍ制御回路２２はオンチップキャパシタＣINTを含む。オンチップキャパシタＣINTとオンチップフィルタキャパシタＣFとは同じチップ上にあり、そのために同じＩＣチップ製造プロセスで処理されている（すなわち、これらは整合されている）。上述のように、ローパスフィルタカットオフ周波数はｇｍF／ＣFに比例する。ローパスフィルタ部１４の所望のカットオフ周波数におけるプロセスの変動に起因する変動（これらは、とりわけフィルタキャパシタＣFに対するそのようなプロセス変動の影響の結果として生じるものであり、上述のようにＣFはＣINTにおける変動によって整合される）を補償するために、フィルタトランスコンダクタ１８、２０のｇｍFがそのような変動に対抗するように変化させられて、ローパスフィルタ部に所望のカットオフ周波数を提供する。より具体的には、図２に関連して以下により詳細に説明されるように、制御回路トランスコンダクタ２４（図２）のトランスコンダクタンスｇｍCは、制御回路２２によって作成された制御信号によって自動的に調節されて、ｇｍC-1とＣINTとの積がＲEXTＣEXTに適切に比例する。制御信号はそれから、フィルタトランスコンダクタ１８、２０のｇｍFを調節するために使用され、それによって、ローパスフィルタ部１４に対する所望のカットオフ周波数を、フィルタキャパシタＣF及びフィルタトランスコンダクタｇｍFにおけるプロセスに起因した変動から独立して自動的に提供する。
【００１５】
より具体的には、図２を参照すると、ｇｍ制御回路２２は、鋸波波形、ここでは鋸波電圧をリファレンス周波数にて作成する第１の発振器２６を含む。この第１の発振器２６は、図１に示されるようにチップ１２上にある部分と、オフチップキャパシタＣEXTとオフチップ抵抗器ＲEXTとを有している。リファレンス周波数は、オフチップキャパシタＣEXTの容量とオフチップ抵抗器ＲEXTとの積に反比例する（すなわち、リファレンス周波数は１／（ＣEXTＲEXT）に比例する）。
【００１６】
第２の発振器２８（図２）はチップ２８上にあり、鋸波波形、ここでは鋸波電圧を可変周波数にて作成する。この第２の発振器２８は、オンチップキャパシタＣINTを有している。可変周波数は、ｇｍC／ＣINTに比例する。この可変周波数は、ライン３０ａ上のフィードバック信号によって制御されるが、これは、以下に詳細に説明される方法にて制御ループ３２によって作成される。しかし、ここでは、この制御ループ３２はリファレンス周波数と可変周波数との差に応答し、そのような制御ループ３２はライン３０ａ上に可変周波数をリファレンス周波数に向けて駆動するためのフィードバック信号を作成する。
【００１７】
図２及びｇｍ制御回路２２をより詳細に参照すると、そのような回路２２は周波数／位相比較器部２３、ここでは位相検出器３１と電荷ポンプ３２とを備えるフェーズロックドループ（ＰＬＬ）を含む。この周波数／位相比較器部２３にはリファレンス周波数と可変周波数とが供給され、そのような供給された信号の間の差に関連する制御回路トランスコンダクタ制御信号をライン３０上に作成する。より具体的には、フェーズロックドループ（ＰＬＬ）の位相検出器３１は電荷ポンプ３２を動作させる。電荷ポンプ３２は、図示されるように、ライン３０上に制御信号を、及びループフィルタ４０に電圧を、供給する。
【００１８】
上述のように、制御回路３２はオンチップ制御回路トランスコンダクタ２４を含む。このトランスコンダクタ２４は、ライン３０ａ上のフィードバック信号に結合されている。ライン３０上の制御回路トランスコンダクタ制御信号は、制御回路トランスコンダクタ２４のトランスコンダクタンスを、ライン３０上の制御回路トランスコンダクタ制御信号にしたがって可変し、対応するようにフィルタトランスコンダクタ１８、２０（図１）のトランスコンダクタンスｇｍFを変え、且つこれによりローパスフィルタステージ１６1のカットオフ周波数を変える。さらに、ローパスフィルタ１６1−１６nの各々のトランスコンダクタンスもまた、ｇｍ制御回路２２のループフィルタ４０及びＰＭＯＳトランジスタＰ11、Ｐ21、・・・、Ｐn1によって作成された制御回路トランスコンダクタ制御信号にしたがって可変される。これにより、カットオフ周波数は、全てのローパスフィルタ１６1−１６nが関連したカットオフ周波数を有するように制御されることができる。すなわち、ここで、フィルタ１６1−１６nを備えている複合ローパスフィルタ回路のカットオフ周波数は、トランスコンダクタンス制御回路の周波数に対して固定比に維持される。
【００１９】
より具体的には、図２を参照すると、リファレンス電流Ｉ＝ＶREF2／ＲEXTは、差動増幅器３７（これにはＶREF2、ここではバンドギャップ電位Ｖgoに比例する電圧が供給される。すなわちＶREF2＝ｋ2Ｖgo、ここでｋ2は定数である。）及びＰＭＯＳトランジスタ３９とオフチップ抵抗器ＲEXTに接続されたダイオードによって定まる。リファレンス電流はＰＭＯＳトランジスタ４１によってミラーされ、そのようなミラーされた電流がオフチップキャパシタＣEXTに供給されて、比較器４３の非反転入力に電圧が供給される。比較器４３の反転入力は電圧ＶREF3＝ｋ3Ｖgo（ここでｋ3は定数）に結合される。比較器４３の出力は位相検出器３１に結合されて、ＮＭＯＳトランジスタ４４を通じて比較器４３の非反転入力に戻されることで、発振器２６を提供する。
【００２０】
位相検出器３１のもう一方の入力には、第２の比較器４５の出力が提供される。この第２の比較器４５は、やはりリファレンス電圧ＶREF3（ここでＶREF3＝ｋ3Ｖgo）に結合された反転入力を有する。比較器４５の非反転入力はオンチップキャパシタＣINTに接続されている。制御ループ３２からのフィードバック電流ｇｍCＶREF1（そのようなフィードバック電流ｇｍCＶREF1は、説明される方法にて作成される）もまたオンチップキャパシタＣINTに供給されることに留意されたい。比較器４５の出力は、ＮＭＯＳトランジスタ４７を通じてその非反転入力に戻って結合されることで、第２の発振器２８を提供する。
【００２１】
定常状態では、電流ＩREFはフィードバック電流ｇｍCＶREF1（これはまた、ＶREF1＝ｋ1Ｖgoという関係によってバンドギャップ電圧にも関係している）に等しく、ＲEXTＣEXTはｇｍC-1ＣINTに適切に比例してフィルタ部１４に所望のカットオフ周波数を提供する。より具体的には、制御ループ３２からのｇｍCＶREF1からの電流が低すぎると（すなわち比較器４５、鋸波周波数が低すぎると）、ライン３０上のループフィルタ４０における電圧は負に増えて、これが制御ループ３２からのライン３０ａ上のフィードバック信号（すなわち電流ｇｍCＶREF1）を、比較器３１及び比較器４５の双方が周波数及び位相がロックされた鋸波電圧を作成するまで増加させる。そのような条件下では、ｇｍC／ＣINTは、望まれるように[ｋ2／ｋ1] ＲEXT-1ＣEXT-1に等しくなるように駆動される。しかし、ライン３０ａ上のフィードバック電流（すなわちｇｍCＶREF1）は、オンチップ制御ループトランスコンダクタ２４に起因する必要がある。その点は、以下のように実行される。コモンモード電圧ＶCMに関して強制された、すなわち固定された電圧（ＶCM＋／−[ＶREF1／２]）が、制御回路トランスコンダクタ２４の入力端子に与えられる。このコモンモード電圧は、フィルタトランスコンダクタ１８、２０において使用されるものと同じコモンモード電圧である。制御回路トランスコンダクタ２４は、このように出力電流（[ＩBIAS／２]＋／−[ｇｍCＶREF1／２]）を作成する。コモンモード電圧制御ループ（差動増幅器Ａ1（これにはコモンモード電圧ＶCMが供給される）とこの差動増幅器Ａ1によって供給される電圧によって制御されるＰＭＯＳトランジスタＰ7及びＰ8とによって構成されている）が構成され、これによって制御回路トランスコンダクタ２４の負（−）の出力端子もまたコモンモード電圧になるように駆動される。そのような状況下で、ＰＭＯＳトランジスタＰ7及びＰ8からの電流は（[ＩBIAS／２]−[ｇｍCＶREF1／２]）と規定される。これより、ＰＭＯＳトランジスタＰ7によって供給される電流（すなわち[ＩBIAS／２]−[ｇｍCＶREF1／２]）と制御回路トランスコンダクタ２４の正の出力によって供給される電流（すなわち[ＩBIAS／２]＋[ｇｍCＶREF1／２]）との間には、ｇｍCＶREF1という正味の差が存在する。
【００２２】
このフィードバック電流ｇｍCＶREF1を流すために、差動増幅器Ａ2とＰＭＯＳトランジスタＰ6とによって構成されている第２の制御ループが追加される。この第２の制御ループは、制御回路トランスコンダクタ２４の正（＋）の出力をコモンモード電圧ＶCMに保持し且つＰＭＯＳトランジスタＰ6を使用してフィードバック電流ｇｍCＶREF1を流すように動作する。より具体的には、ＰＭＯＳトランジスタＰ6から出力された電流はＰＭＯＳトランジスタＰ5を使用して複製され、これがオンチップキャパシタＣINTにて電圧をランプさせるために使用されるフィードバック電流ｇｍCＶREF1を供給する。
【００２３】
可変電流源が、ＰＭＯＳトランジスタＰ1とダイオード接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ2とによって提供される。この電流源は、ライン３０上の制御回路トランスコンダクタ制御信号によって制御され、図示されているように出力電流ＩBIASを作成する。この電流源の出力電流ＩBIASは、制御回路トランスコンダクタ２４のために制御回路トランスコンダクタ制御信号を提供する。より具体的には、ライン３０上の電圧における変動が、ＮＭＯＳトランジスタＮ2を通じてバイアス電流ＩBIASに対応する変動を作成する。なお、ＮＭＯＳトランジスタＮ2の電流は、図示されているように、ＮＭＯＳトランジスタＮ3及びＮ4によってＩBIAS／２のようにミラーされる。これらの電流ＩBIAS／２は、図示されているように、制御回路トランスコンダクタ２４に対する電流シンクである。固定電圧（ＶCM＋／−[ＶREF1／２]）が、制御回路トランスコンダクタ２４の入力に供給される。
【００２４】
最後に、フィルタトランスコンダクタ１８、２０のトランスコンダクタンスを制御するための出力電流が、ＰＭＯＳトランジスタＰ9及びＰ10によって提供される。これらのトランジスタＰ9及びＰ10からの電流は、上述のように、制御ループトランスコンダクタ２４のトランスコンダクタンスを制御するために使用されるトランジスタＰ1からの平均電流（すなわちＩBIAS）に等しい。なぜなら、これらのトランジスタＰ9及びＰ10は、制御回路ループフィルタ４０にて使用されるキャパシタＣLの非供給端子から離れるようにバイアスされるからである。そのような構成は、フィルタトランスコンダクタ１８、２０に供給される制御電流におけるノイズ及びリプルを低減する。
【００２５】
これより、要約すると、リファレンスｇｍC（すなわち、制御回路トランスコンダクタ２４のｇｍC（及びフィルタトランスコンダクタ２０、２２のｇｍF））は、同一のバイアス条件（すなわち、出力及び入力端子が同じコモンモード電圧ＶCMにある）の下で動作し、且つトランスコンダクタ２４、２０、及び２２のために使用されるバイアス電流は同一であって、優れた整合をもたらす。
【００２６】
他の実施形態は、添付の請求項の考え及び範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明にしたがったフィルタのブロック図である。
【図２】  図１のフィルタにて使用されるｇｍ制御回路のブロック図である。
【図１】
0003822105.tif 000002
【図２】
0003822105.tif 000003