(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）パッド及び前記パッド部が開孔されている保護絶縁層を有する半導体ウエハーの前記保護絶縁層上に応力緩和層を形成する工程
（ｂ）前記パッドから前記応力緩和層上に至るまで再配線層を施す工程
（ｃ）前記再配線層に球状ポストとなるメタルボールを搭載する工程
（ｄ）樹脂にて封止を行った後に、前記樹脂の所望量を除去し前記球状ポストの一部を露出させる工程
（ｅ）露出した前記球状ポストの上に外部端子を形成する工程
を有し、前記工程（ｅ）において、前記外部端子は前記球状ポストより融点の低い組成材料でなることを特徴とする半導体ウエハーの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｄ）において、前記樹脂の除去量は、上面から球状ポストの最大径に達するまでとすることを特徴とする半導体ウエハーの製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記工程（ｅ）の後に、ダイシングを施してチップ毎に固片化する工程をさらに有することを特徴とする半導体ウエハーの製造方法。
【請求項４】
チップサイズパッケージ型の半導体装置であって、
パッド及び前記パッド部が開孔されている保護絶縁層を有する基板の前記保護絶縁層上に形成された応力緩和層と、
前記パッドから前記応力緩和層上に至るまで形成された再配線層と、
前記再配線層の所望領域に封止樹脂で一部を囲まれたメタルボールでなる球状ポストと、
前記球状ポストの上に形成された外部端子と、
を有し、
前記外部端子は、前記球状ポストより融点の低い組成材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体装置は、半導体ウエハーであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記球状ポスト及び前記外部端子は、搭載メタルボールで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記球状ポスト及び前記外部端子を構成する搭載メタルボールは、ハンダ材で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
最終配線パッドから電極引き出し用の再配線層において、ポストあるいは外部端子が搭載される領域の再配線層の膜厚の一部が、再配線層を主体的に形成する厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度実装対応のウエーハレベルのＣＳＰ（チップサイズパッケージ）型の半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話や情報端末等の機器類の小型化に伴い、搭載部品の小型，軽量化が要求され、ＬＳＩ等の半導体装置も、従来のウエーハ処理工程とパッケージ組み立て工程を一本化したウエーハレベルのＣＳＰの供給が行われるようになった。ウエーハレベルのＣＳＰの特徴は、従来の単チップから作られるＣＳＰに比べ、インタポーザ等の部品点数や工程数の削減による製造コストを抑え、パッケージトータルの低コスト化を図るものである。この技術は、例えば１９９９年の日経マイクロデバイス２月号ｐ３８〜ｐ６７や電子材料９月号ｐ２１〜ｐ８５にその構造や工程概要が記載されている。
【０００３】
これらの製造方法は、例えば図７及び図８に示す。
【０００４】
まず、図７（Ａ）に示すように、半導体素子が作り込まれたシリコン基板１１のＡｌ合金配線パッド１２上のシリコン窒化膜等の保護絶縁層１３及びポリイミド層１４を開孔した後に、ＣｒやＴｉＷ等の密着層１５上にＣｕをそれぞれスパッタしてシード層１６を形成後、更にフォトレジスト１７をマスクにＣｕを選択メッキし、引き出し用の再配線層１８を形成する。次に、図７（Ｂ）に示すように、新たなフォトレジスト１９をマスクに１００μｍ程度の厚いＣｕ層と、バリア層３１を選択メッキして、バリアが積層されたＣｕポスト３０を形成する。次に、図８（Ａ）に示すように、レジスト１９を剥離した後、再配線層１８をマスクにシード層１６、密着層１５をエッチング除去すると、各々分離した再配線が形成される。更に、図８（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１全体の少なくとも表面を封止樹脂２１で密閉した後、該樹脂２１を研削もしくは機械研磨によってＣｕポスト３０表面のバリア層３１を露出させる。更に自動移載機によって各ポスト３０領域にハンダボールを搭載し、ハンダボールがポスト３０に溶着するように熱処理を施し、外部端子２２を形成する。その後電気特性がチェックされチップ毎にダイシングし、携帯機器類のマザーボード等に装着される。
【０００５】
しかしこの技術においては、以下のような問題を有する。
【０００６】
Ｃｕポスト３０をメッキで形成することで、１００μｍを超すような厚いレジストのパターニングや長時間のメッキ工程を必要とし、コストと流動工数が問題となる。更にＣｕポスト３０は垂直に形成されるため縦方向の引っ張り応力には弱く、特にフレキシブルボードに搭載した場合は再配線層１８との剥離が生ずる問題がある。一方、ポスト３０にかかる圧縮応力をシリコン基板１１表面の半導体素子に不具合を与えないように、厚み数十〜１００μｍ前後のポリイミド層１４を敷いて弾力を持たせているが、逆にこの結果ポストの上下微動に伴い、パッド開孔部と再配線との接触部に応力が集中し、樹脂封止や研削工程あるいはボードへの装着等の後工程で、パッド１２領域周辺に断線やクラックが生じ易い。
【０００７】
又この他、薄いバリア層３１を再現良く残すように研削しなくてはならず、封止樹脂の厚み,研削量及びメッキ厚み等の管理項目が多く量産性も問題である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウエーハレベルのＣＳＰ型の半導体装置において、工程の増加を伴うことなく、低コストで信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体ウエハーの製造方法は、
（ａ）パッド及び前記パッド部が開孔されている保護絶縁層を有する半導体ウエハーの前記保護絶縁層上に応力緩和層を形成する工程
（ｂ）前記パッドから前記応力緩和層上に至るまで再配線層を施す工程
（ｃ）前記再配線層に球状ポストとなるメタルボールを搭載する工程
（ｄ）樹脂にて封止を行った後に、前記樹脂の所望量を除去し前記球状ポストの一部を露出させる工程
（ｅ）露出した前記球状ポストの上に外部端子を形成する工程
を有し、前記工程（ｅ）において、前記外部端子は前記球状ポストより融点の低い組成材料でなることを特徴とする。
【００１０】
（ａ）最終配線パッドから電極引き出し用の再配線層を施す工程
（ｂ）前記再配線層の所望領域に球状ポストとなるメタルボールを搭載する工程
（ｃ）樹脂にて封止を行った後に、前記樹脂の所望量を除去し前記ポストの一部を露出させる工程、及び
（ｄ）露出した前記球状ポストの上に外部端子を形成する工程。
【００１１】
本発明の製造方法においては、ＬＳＩ等の最終配線の外部取り出し用パッド、あるいはダミーパッド開孔部に再配線層を施し、その所望領域に第１のメタルボールを搭載し、溶着させ、これを封止樹脂で包み、研削もしくは機械研磨等によって一部を露出させた後、更に第２のメタルボールを搭載し溶着することで、外部端子が形成される。
【００１２】
この製造方法によれば、側面が弓形をなし引っ張り応力にも強いポストが形成でき、従って工数を増加させることなく、簡易なプロセスによりコストの削減と量産性及び信頼性の向上が図れる。
【００１４】
ここで、前記工程（ｂ）において、再配線層を選択メッキで形成する際に、第１のメタルボールを搭載する領域にフォトレジストを残すことにより、再配線層の金属がメッキされないようなへこみ部を同一工程で形成し、このへこみ部が第１のメタルボールの搭載時のアライメント誤差を吸収し、配置精度を向上するためのガイドとしての役割をなす。このことによりメタルボールの位置ずれや、又メタルボールがハンダ材でなる場合は溶着温度がばらついてもハンダ流れを起こすことがなく、ばらつきの少ない安定した球状ポストを確保することができる。溶着条件のマージン拡大に加え、ポストの固定も確実に行われ接触不良等の低減が可能となる。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記工程（ｄ）において、前記樹脂の除去量は、上面から球状ポストの最大径に達するまでとすることを特徴とする。
【００１７】
ここで、工程（ｃ）及び（ｅ）において、球状ポスト及び外部端子としてハンダでなるメタルボールを用いた場合は、熱処理によって再配線やポストに熱印可することで溶着させるが、ポストとなる第１のメタルボールの融点を、外部端子となる第２のメタルボールの融点より高い材料を用いることで、外部端子自身の溶着や、マザーボード等へ装着する際にポストの形状崩れに対して温度条件のマージンを広く設定することができ、歩留まりの良い組み立てが可能となる。
【００１８】
さらには、本発明の半導体装置の製造方法は、前記工程（ｅ）の後に、ダイシングを施してチップ毎に固片化する工程をさらに有することを特徴とする。
【００１９】
前記チップ毎に固片化する工程は、前記工程（ａ）〜（ｅ）を半導体ウエハーに対して行った場合に適用される工程であり、前記工程（ａ）〜（ｅ）を固片チップに対して行った場合には適用されない。
【００２０】
ここで、工程（ｃ）及び（ｅ）において、球状ポスト及び外部端子としてハンダでなるメタルボールを用いる場合に、内部にＣｕやＮｉ等のハンダより融点の高い核を持ったボールを用いることで外部端子の高さや形状がばらつきが少なくなる。したがってボード搭載時の歩留まりが改善され、更に核の浮遊によってマザーボード等への装着時の応力緩和の役割も果たし、素子への特性影響と装着条件の制御が容易となる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置は、パッド及び前記パッド部が開孔されている保護絶縁層を有する基板の前記保護絶縁層上に形成された応力緩和層と、前記パッドから前記応力緩和層上に至るまで形成された再配線層と、前記再配線層の所望領域に封止樹脂で一部を囲まれたメタルボールでなる球状ポストと、前記球状ポストの上に形成された外部端子と、を有し、前記外部端子は、前記球状ポストより融点の低い組成材料でなることを特徴とする。
【００２２】
この半導体装置によれば、樹脂で覆われるポスト側面の形状は、シリコン基板に対して少なくとも一部に垂直でない領域を持つことができ、ウエーハレベルのＣＳＰとして、例えば携帯機器のマザーボード等に装着する場合の引っ張り応力に対して強度が確保され、歩留まりや信頼性の向上が図れる。更に、ポストが配置される領域の再配線層の少なくとも一部に、搭載するメタルボールの配置ガイドを設けることで、ポストの位置制御と密着強度の向上が図れる。
【００２３】
本発明の半導体装置は半導体ウエハーであってもよい。
【００２５】
さらには、本発明の半導体装置は、前記球状ポスト及び前記外部端子は、搭載メタルボールで形成されていることを特徴とする。
【００２６】
あるいは、本発明の半導体装置は、前記球状ポスト及び前記外部端子を構成する搭載メタルボールは、ハンダ材で形成されていることを特徴とする。
【００２７】
または、本発明の半導体装置は、最終配線パッドから電極引き出し用の再配線層において、ポストあるいは外部端子が搭載される領域の再配線層の膜厚の一部が、再配線層を主体的に形成する厚みより薄くなっていることを特徴とする。
【００２９】
ここで、球状ポストや外部端子をハンダでなるメタルボールで形成する場合に、外部端子は、球状ポストより融点の低い組成材料とすることで、更には該ボール内部に、ハンダより融点の高い、例えばＣｕやＮｉあるいは合金等の核を保有させることで、外部端子の形状ばらつきを抑え、ボード等への装着時の溶着時に応力の緩和や装着条件マージンを広くとることが可能になり、歩留まりや信頼性の向上が図れる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面構造図である。第１の実施の形態に係る半導体装置の構造を簡単に説明する。シリコン基板１１にはＭＯＳトランジスタ等の半導体素子が形成され、これらが層間絶縁膜を介してＡｌ合金等の金属で配線され、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等でなる最終保護絶縁層１３で覆っている。外部電極取り出しのために例えば最終配線の外部への電極取り出し用のパッド１２を設け、該保護絶縁層１３の必要領域を開孔し、その上層に開孔部を除いて例えば数十〜１００μｍ程度のポリイミド層１４が、素子への応力緩和のため積層されている。パッド１２からはＴｉＷでなる密着層１５とＣｕシード層１６、更に数μｍ厚みのＣｕをメッキ成膜した再配線層１８を有する。再配線層１８上の所定領域には、第１のメタルボールを搭載し熱処理によって溶着した球状ポスト２０が形成され、その周囲をエポキシ等の封止樹脂２１で包み、表面はほぼ同一面で研削され、結果的にポスト２０側面は弓形をなしている。露出した頭部に第２のメタルボールを搭載した外部端子２２が、所望ポスト２０上に溶着形成されている。内部素子からパッド１２、再配線層１８、球状ポスト２０等を介して外部端子２２に電気的接続がなされる。
【００３１】
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２及び図３は、これを工程順に説明するための概略断面図である。
【００３２】
図２（Ａ）に示すように、まず半導体素子等が形成されたシリコン基板１１にパッド１２を含むＡｌ合金の最終配線と、プラズマＣＶＤによってシリコン窒化膜等の保護絶縁層１３を１０００ｎｍ程度成膜し、所望領域の該絶縁層１３を選択エッチングして開孔する。更に応力緩和のため厚みが数十〜１００μｍ程度のポリイミド層１４を成膜しパッド開孔部を選択除去する。保護絶縁層１３とポリイミド層１４は同一フォトマスクで選択開孔してもよいが、パッド１２周辺の開孔段差形状をテーパー化し、後述する再配線工程での段切れを防ぐ為に、別工程で行なった。又、感光性ポリイミドを用いるとポリイミド層の開孔工程が簡略化される。次いで、数十〜１００ｎｍ程度のＴｉＷ，１００〜１０００ｎｍ程度のＣｕを連続スパッタして密着層１５及びシード層１６を形成した後、フォトレジスト１７をパターニングしここに数百〜数千ｎｍ程度の厚みのＣｕを選択電界メッキし、Ｃｕ表面の酸化を防ぐためのキャップメタルとして例えばＮｉを薄く連続メッキした再配線層１８を形成する。密着層１５は、Ｔｉｗの他にＣｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣｕ,Ｐｔ等高融点金属やその合金を適用しても良い。またシード層１６にはＣｕの他にＮｉ、ＡｇやＡｕもしくはこれらの合金も適用できる。更にキャップメタルとしてＮｉの他に、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等やその合金も適用できる。
【００３３】
次に、図２（Ｂ）に示すように、フォトレジスト１７を剥離後、必要に応じフラックスを回転塗布してから、再配線層１８の所望領域に直径が１００〜１５０μｍ程度の第１のメタルボール２００を自動移載機で搭載させる。ボール組成はＰｂ８５〜９７ｗｔ％／Ｓｎの組成でなる高温ハンダ材を用いた。
【００３４】
次に、図２（Ｃ）に示すように、１８０〜２３０℃程度の窒素雰囲気中で数〜１０分ほどの熱処理をするとメタルボール２００が多少フローされて再配線層１８に溶着し球状ポスト２０が形成される。
【００３５】
その後、再配線層１８をマスクにイオンミーリングを用いて不要領域のシード層１６と密着層１５を選択除去することで、再配線が各々分離される。この除去工程には、王水、硝酸第二セリウムアンモニウムや水酸化カリウムの水溶液等のウエットエッチでも良いが、再配線を構成する各金属層のサイドエッチや、厚み減少を考慮するとドライエッチャーやミーリング等によるエッチバックが好ましい。又、エッチバックの工程は、メタルボールの搭載前の工程で行なってもよいが、キャップメタルの減少等を考慮すると、球状ポスト２０を溶着した後が好ましい。
【００３６】
続いて、図３（Ａ）に示すように、モールド装置でエポキシ等の封止樹脂２１で球状ポスト２０が充分覆うように封止し、更に、図３（Ｂ）に示すように、グラインダーで該ポスト２０が露出するように研削する。この時の研削量の管理は、球状ポスト２０の頂点から最大径に達するまでの距離の１／５〜４／５の範囲として、研削量のマージンは従来のＣｕポストを用いる場合より十分に大きくできる。ここではポスト２０が封止樹脂２１で上面から包まれるかたちをなすことがポイントである。尚、樹脂２１の研削にはグラインダーを用いたがウエーハ状のシリコン基板全面を一括機械研磨する方式あるいは、酸素やＣＦ4あるいはＮＦ3もしくはこれらの混合ガスを用いたドライエッチャーによるエッチバックも応用可能である。
【００３７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、必要に応じフラックスを塗布し、Ｐｂ／Ｓｎ６０〜７０ｗｔ％の低温ハンダ材でなる第２のメタルボール２２０を自動移載機で必要な球状ポスト２０上に配置し、１７０〜２００℃程度の窒素雰囲気で熱処理させると、図１に示すように、球状ポスト２０と溶着した外部端子２２が形成される。第２のメタルボール２２０の大きさは、ＢＧＡ（Boll Grid Array）用に１５０〜３００μｍ径を用いたが、用途によって特に限定されない。外部端子２２用の第２のメタルボール２２０は、球状ポスト２０に用いる第１のメタルボール２００より融点の低い材料を用いた方が、熱処理時にポストの変形が少ないので、外部端子形状のばらつきが少ない。又、外部端子としてメタルボール２２０を搭載する代わりに、印刷法、メッキ法やメタルジェット法による外部端子用のハンダ層の形成も考えられるが、工数やコスト、形状再現性はボール搭載法に劣る。
【００３８】
第１の実施の形態によれば、ポスト２０の側面は弓形を保って封止樹脂２１で包み込まれるように固定されている。従って後工程で生ずる各方向からの応力に対しても、ポスト２０の密着力が確保され、特に従来に比べ引っ張り方向の応力に対する密着力は大幅に改善され、歩留まりや信頼性の向上が図れた。又、ポスト２０の形成においては、厚いＣｕ層の為のメッキやフォト工程を必要とせず、スループットやコストの改善がなされる。更に外部端子２２を構成する材料の融点をポスト２０の構成材料のそれより低くし、外部端子２２の形状安定化も含めマザーボード等へのＣＳＰ装着歩留まりと信頼性が確保される。
【００３９】
（他の実施の形態）
第１のメタルボール２００を再配線層１８上に搭載して球状ポストを形成するが、搭載時のアライメント誤差や、熱処理時にボールが所定位置から外れてしまうことがまれにあった。従って、図４（Ａ）に示すように、再配線層１８を形成する為のフォト工程で、再配線層を形成する領域の更に内部にパターンレジスト１７０を同一工程で形成しておき、Ｃｕメッキで再配線層１８とＮｉのキャップ層を選択メッキしてからレジスト１７,１７０を剥離すると、図４（Ｂ）に示すように、第１のメタルボール２００を搭載する再配線層１８領域に、へこみ部４０を形成することができる。次にフラックスを回転塗布し、その上部にハンダ材でなる第１のメタルボール２００を自動搭載する。続いて、図５（Ａ）に示すように、熱処理をするとメタルボール２００が多少フローされて再配線層１８とへこみ部４０に溶着した球状ポスト２０が形成される。
【００４０】
その後、再配線層１８をマスクにイオンミーリング等を用いて不要領域のシード層１６と密着層１５を選択除去することで、再配線が各々分離される。
【００４１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、モールド装置でエポキシ等の封止樹脂２１で球状ポスト２０を充分覆うように封止した後、グラインダーで、該ポスト２０を露出させ、且つポスト２０が封止樹脂２１で上面から包まれるかたちをなすように研削し、ハンダ材でなる第２のメタルボール２２０を自動移載機で必要な球状ポスト２０上に配置し、１７０〜２００℃程度のベルト炉を用いて熱処理させると、球状ポスト２０と溶着した外部端子２２が形成される。第１のメタルボール２００の大きさは直径が１００〜１５０μｍ，第２のメタルボール２２０の大きさは１５０〜３００μｍ径を用いたが、用途によって特に限定されるものではない。
【００４２】
このようにしてなる半導体装置は、第１のメタルボールの搭載アライメント誤差が数〜１０μｍ位あっても、へこみ部４０が第１のメタルボール２００のガイドとなって、ポスト２０の想定座標位置に落とし込み配列することができる。更にフラックスを塗布する場合は、へこみ部４０がフラックス溜りとなるため、塗布厚みを従来の１／２以下にしても、密着性や形状等に問題は発生しなかった。
【００４３】
又、へこみ部４０の効果として、熱処理装置のばらつきで温度が高くなってしまった場合に再配線層１８の表面をハンダが流れてしまうような現象がなくなり、更に再配線層１８とポスト２０との密着面積が増し強度も大きくなった。このように、工程を増加することなく、ポストの密着強度や形状の安定化と、フラックスコスト低減が可能となり、量産性の半導体装置を提供できた。更にポストを持たず、直接外部端子を再配線層から取り出すような構造を採る場合にも、このへこみ部４０の形成は、フラックスの溜り，あるいはハンダ材の位置や形状安定化に有効であった。
【００４４】
この他、実施の形態ではポストや外部端子となるメタルボールは、ハンダ材を用いたが、図６に示すように、内部に融点の高いＮｉ核５０を含み、外周が従来のハンダ材で覆われたボールを試作適用した結果、従来の場合に比べポスト２０や外部端子２２の形状の安定化が図れた。マザーボードへＣＳＰを装着する工程においては、ハンダ溶着の際に核の浮遊運動によ、外部端子に高さがばらついても確実な接触と固定が確保され、その結果溶着圧力や温度制御マージンが広がり、組み立て歩留まりの向上が図れた。
【００４５】
尚、これまで説明した実施の形態においては、半導体装置の配線がＡｌ合金で構成された場合について説明したが、Ｃｕや高融点金属材料もしくはそれらの積層や合金配線層で形成されたものでも可能で、さらに配線層の形成がダマシン法で行われる半導体装置にも適用できる。特にＣｕを用いたダマシン配線にＣｕやＮｉの再配線を形成する場合は、平坦性やパッド材との密着相性が良好である。
【００４６】
又、実施例でのメタルボールは、Ｐｂ／Ｓｎ系ハンダのほかに、Ｐｂを含まないハンダ材としてＳｎにＡｇ、ＣｕやＢｉ等を含む組成のハンダの適用も可能であり、更にハンダ意外の材料として、Ｎｉ,Ｃｕ,Ａｕやその他高融点金属、あるいは各種合金を素材とするボールの適用も可能である。
【００４７】
更に、各メタルボールを溶着するにあたってはベルト炉を用いていたが、ボール自動移載機において、基板を加熱しながらボ−ル搭載と同時に加熱処理を行ない、続けて溶着することもできる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ウエーハレベルのＣＳＰにおて、搭載されたメタルボールによって球状ポスト及び外部端子が形成され、更に該ポストを封止樹脂で包むかたちとして、再配線からポストおよび外部端子強度を大きくし信頼性の高い半導体装置を低コストで供給することができる。更にハンダ外部端子内部に、該ハンダ材より高い融点の金属核を保有させることや、球状ポスト直下の再配線層に、メタルボールの配列ガイドのためのへこみ部を形成すること等により、更に各構成部材の形状ばらつきを抑え、ＣＳＰをマザーボードへ装着する際の歩留まり向上や、半導体素子へ加わる応力緩和が図れ、信頼性が高く量産性に富んだ微細ＣＳＰ型の半導体装置を供給できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の断面構造面である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である。
【図３】図２に示す工程に続いて行われる本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である。
【図５】図４に示す工程に続いて行われる本発明の他の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である
【図６】本発明の更に他の実施の形態に係わる半導体装置を示す断面構造図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である。
【図８】図７に示す工程に続いて行われる従来の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面構造図である。
【符号の説明】
１１  シリコン基板
１２  パッド
１３  保護絶縁層
１４  ポリイミド層
１５  密着層
１６  シード層
１７、１９、１７０  レシスト
１８  再配線層
２０  球状ポスト
２１  封止樹脂
２２  外部端子
３０  Ｃｕポスト
３１  バリア層
４０  へこみ部
５０  核
２００  第１のメタルボール
２２０  第２のメタルボール
【図１】
0003750468.tif 000002
【図２】
0003750468.tif 000003
【図３】
0003750468.tif 000004
【図４】
0003750468.tif 000005
【図５】
0003750468.tif 000006
【図６】
0003750468.tif 000007
【図７】
0003750468.tif 000008
【図８】
0003750468.tif 000009