(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面に，少なくとも，抵抗膜及びその両端に対する主上面電極とをその各々の材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程，前記絶縁基板の上面に抵抗膜を覆うオーバーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と，前記各主上面電極を覆う補助上面電極をその材料ペーストの塗布及び焼成にて当該補助上面電極の一部が前記オーバーコートの一部に重なるように形成する工程を有するチップ抵抗器の製造方法において，
前記補助上面電極用の材料ペーストに，単位体積当たりの表面積を約１．０ｍ2 ／ｇ以下にした粒度の銀粒子を含む銀ペーストを使用して，これに前記オーバーコートにおけるガラスと略同じ軟化点のガラスフリットを混合し，この補助上面電極用の材料ペーストを，前記オーバーコート用ガラスペーストを塗布したあとにおいて塗布し，前記オーバーコートの焼成と，補助上面電極の焼成とを，前記軟化点よりも高い温度で同時に行うことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
前記オーバーコートにおけるガラス，及び前記補助上面電極用の材料ペーストにおけるガラスフリットとして，少なくともＰｂＯを５０〜７５ｗｔ％と，ＳｉＯ3 を２０〜３５ｗｔ％とを含むガラスを使用することを特徴とする請求項１に記載したチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，チップ型に構成した絶縁基板に，抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ抵抗器において，これを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ抵抗器は，例えば，特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように，チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが，前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面により可成り高く突出し，カバーコートの上面と端子電極の上面の間の段差が大きいと言う形状であったから，このチップ型抵抗器を，真空吸着式のコレットにて吸着するときに吸着ミス又は落下することが多発するとか，或いは，このチップ型抵抗器を，その抵抗膜側を下向きにした状態でプリント基板に半田付け実装するときに，片側が浮き上がる等の問題があった。
【０００３】
そこで，先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は，図９及び図１０に示すように，チップ型絶縁基板１の左右両端部に，抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して，この両端子電極３を，前記絶縁基板１の上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと，この主上面電極３ａの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと，絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと，前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより，この両端子電極３の上面と，前記抵抗膜２に対するガラスによるカバーコート４の上面との間における段差を小さくするか，段差を無くすることを提案している。なお，前記ガラスによるカバーコート４は，アンダーコート４ａと，これを覆うオーバーコート４ｂとの二層構造になっている。
【０００４】
また，前記した先行技術のチップ抵抗器は，前記公報に記載されているように，大まかに言って，
（i ）. 絶縁基板１の上面に，抵抗膜２を，その材料ペーストの塗布とその後における焼成にて形成すると共に，この抵抗膜２の両端に対する左右一対の主上面電極３ａを，その材料ペーストである銀ペーストの塗布とその後における焼成にて形成する。
（ii）. 前記抵抗膜２に対して，ガラスによるアンダーコート４ａを，そのガラスペーストの塗布とその後における焼成にて形成する。
（iii ）. 前記絶縁基板１に対して，全体を覆うガラスによるオーバーコート４を，そのガラスペーストの塗布とその後における焼成にて形成する。
（iv）. 両主上面電極３ａの上面に，肉厚状の補助上面電極３ｂを，その材料ペーストである銀ペーストの塗布とその後における焼成にて，当該補助上面電極３ｂの一部が前記オーバーコート４ｂの一部に重なるように形成する。
（v ）. 前記絶縁基板１の左右両端面に側面電極３ｃを，その材料ペーストである銀ペーストの塗布とその後における焼成にて形成する。
（vi）. そして，前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，従来の製造方法では，両主上面電極３ａの上面を覆う肉厚状の補助上面電極３ｂを，その一部がオーバーコート４ｂに重なるように構成しているものの，オーバーコート４ｂと補助上面電極３ｂとは互いに一体的に接合するように構成されていないから，金属メッキ層３ｄを形成する工程で，メッキ処理液が前記補助上面電極３ｂとオーバーコート４ｂとの間に浸入することになり，しかも，各種の加工工程等における熱負荷の繰り返しによって前記補助上面電極３ｂとオーバーコート４ｂとの間に隙間ができて，この部分に亀裂（クラック）が発生して，製品の歩留り率が低下すると言う問題がある。
【０００６】
これに加えて，前記オーバーコート４ｂと補助上面電極３ｂとの間に隙間からの大気中の硫化物等が侵入するから，前記銀製の主上面電極３ａに硫化腐食等の腐食が発生するおそれが大きくて，使用中において抵抗値が変化するばかりか，極端な場合には，主上面電極３ａの一部の消失，つまり，当該主上面電極３ａに断線が発生することもあって製品の信頼性が低いと言う問題もあった。
【０００７】
本発明は，チップ抵抗器をこのような問題が発生することがない形態で製造するようにした方法を提供することを技術的課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明における製造方法は，
「絶縁基板の上面に，少なくとも，抵抗膜及びその両端に対する主上面電極とをその各々の材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程，前記絶縁基板の上面に抵抗膜を覆うオーバーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と，前記各主上面電極を覆う補助上面電極をその材料ペーストの塗布及び焼成にて当該補助上面電極の一部が前記オーバーコートの一部に重なるように形成する工程を有するチップ抵抗器の製造方法において，
前記補助上面電極用の材料ペーストに，単位体積当たりの表面積を約１．０ｍ2 ／ｇ以下にした粒度の銀粒子を含む銀ペーストを使用して，これに前記オーバーコートにおけるガラスと略同じ軟化点のガラスフリットを混合し，この補助上面電極用の材料ペーストを，前記オーバーコート用ガラスペーストを塗布したあとにおいて塗布し，前記オーバーコートの焼成と，補助上面電極の焼成とを，前記軟化点よりも高い温度で同時に行うことを特徴とする。」
ものである。
【０００９】
【発明の作用・効果】
絶縁基板に対して，抵抗膜を覆うオーバーコートと，主上面電極を覆う補助上面電極とを形成するに際して，前記したように，補助上面電極用の材料ペーストに，オーバーコートにおけるガラスと略同じ軟化温度を有するガラスフリットを混合し，この補助上面電極用の材料ペーストを，前記オーバーコート用ガラスペーストを塗布したあとにおいて塗布し，前記オーバーコートの焼成と，補助上面電極の焼成とを，前記軟化点よりも高い温度で同時に行うことにより，補助上面電極用材料ペースト中のガラスフリットと，オーバーコートのガラスとが同時に溶融して互いに溶け合うことになるから，補助上面電極とオーバーコートとは，互いに重なっている部分において略一体的に結合されるのである。
【００１０】
従って，本発明によると，補助上面電極及び側面電極の表面に金属メッキ層を形成する工程で，メッキ処理液が前記補助上面電極とオーバーコートとの間に浸入することを確実に阻止でき，しかも，各種の加工工程等における熱負荷の繰り返を受けても前記補助上面電極とオーバーコートとの間に隙間ができることを確実に防止できるから，製品の歩留り率を大幅に向上できるのであり，その上，主上面電極に硫化腐食等の腐食が発生することを確実に低減できるから，抵抗値の変動及び主上面電極の断線発生を抑制できて，製品の信頼性を大幅に向上できる効果を有する。
【００１１】
しかも，オーバーコートの形成するための焼成と，補助上面電極を形成するための焼成とを，一回の焼成にて同時に行うことにより，焼成の工程を一回少なくできるから，その分だけ製造コストを低減できる効果を有する。
【００１２】
その上，補助上面電極用の材料ペーストとして，単位体積当たりの表面積を約１．０ｍ2 ／ｇ以下の荒い粒度の銀粒子を含む銀ペーストを使用したことにより，前記した同時の焼成に際して補助上面電極の収縮は遅く且つ小さくなるから，オーバーコートとの間において，オーバーコートに亀裂が発生したり，或いは，当該補助上面電極に剥がれによる盛り上がりが発生したりすることを大幅に低減できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を，図１〜図８の図面について説明する。
【００１４】
本発明は，チップ抵抗器を以下に述べる順序にて製造する。
（i）. チップ型に構成した絶縁基板１１の上面に，図１に示すように，左右一対の主上面電極１３ａを，その材料ペーストであるところの単位体積当たりの表面積が約３．５ｍ2 ／ｇ程度の細かい粒度の銀粒子を含む銀ペーストの塗布と，その後における乾燥と，この乾燥後における焼成とにより形成し，次いで，図２に示すように，抵抗膜１２を，その材料ペーストの塗布と，その後における乾燥と，この乾燥後における焼成とにより形成する。
【００１５】
なお，別の実施の形態では，抵抗膜１２の方を先に形成し，その後において両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い。
（ii）. 次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図３に示すように，前記抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，そのガラスペーストの塗布と，その後における乾燥と，この乾燥後における焼成とにより形成したのち，前記両主上面電極１３ａに対して通電用のプローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザー光線等にてトリミング溝１５を刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調節する。
（iii ）. 次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図４に示すように，オーバーコート１４ｂ形成用のガラスペーストを前記アンダーコート１４ａの全体を覆うように塗布したのち乾燥する。
【００１６】
このオーバーコート１４ｂ用のガラスペーストとして，例えば，少なくともＰｂＯ５０〜７５ｗｔ％とＳｉＯ3 ２０〜３５ｗｔ％とを含むことにより軟化点を約５４０〜５７０℃にしたガラスを使用する。
（iv）. 次いで，前記絶縁基板１１の上面のうち両主上面電極１３ａの部分に，図５に示すように，補助上面電極１３ｂを形成するための材料ペーストを，その一部が前記オーバーコート１４ｂの一部に重なるように塗布したのち乾燥する。
【００１７】
このとき，前記補助上面電極１３ｂの材料ペーストとして，単位体積当たりの表面積を約１．０ｍ2 ／ｇ以下の荒い粒度の銀粒子（平均粒径２〜３ミクロン）を含む銀ペーストを使用し，これに，例えば，少なくともＰｂＯ５０〜７５ｗｔ％とＳｉＯ3 ２０〜３５ｗｔ％とを含むことにより軟化点を約５４０〜５７０℃に設定したガラスフリットの０．３〜１５ｗｔ％を混合して成る銀ペーストを使用する。
【００１８】
そして，全体を，約６００〜６２０℃の温度で焼成することにより，前記オーバーコート１４ｂ及び前記補助上面電極１３ｂを同時に形成する。
（v ）. 次いで，前記絶縁基板１１における左右両端に，図６に示すように，側面電極１３ｃを，材料ペーストであるところの銀ペーストの塗布と，その後における乾燥と，この乾燥後における焼成とにより形成する。
（vi）. そして，メッキ処理工程に移行して，ニッケルメッキを施したのち，半田メッキ又は錫メッキを行うことにより，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に対して金属メッキ層１３ｄを形成することにより，図７及び図８に示すような形態のチップ抵抗器の完成品にする。
【００１９】
本発明の製造方法においては，前記したように，前記補助上面電極１３ｂ用のガラスフリットを含む銀ペーストを，前記オーバーコート１４ｂ用ガラスペーストの塗布したあとにおいて，その一部に重ねて塗布し，前記オーバーコート１４ｂの焼成と，補助上面電極１３ｂの焼成とを，前記軟化点よりも高い温度で同時に行うものであることにより，補助上面電極用銀ペースト中におけるガラスフリットと，オーバーコートにおけるガラスとが同時に溶融して互いに溶け合うことになるから，補助上面電極１３ｂとオーバーコート１４ｂとは，互いに重なっている部分において略一体的に結合されるのである。
【００２０】
その結果，前記金属メッキ層１３ｄを形成する工程でメッキ処理液が前記補助上面電極１３ｂとオーバーコート１４ｂとの間に浸入すること，及び，その後における各種の加工工程等における熱負荷の繰り返を受けても前記補助上面電極１３ｂとオーバーコート１４ｂとの間に隙間ができることを確実に防止できるのである。
【００２１】
ところで，前記したように，補助上面電極１３ｂとオーバーコート１４ｂとを焼成にて形成すると同時に，その重なり部分において互いに略一体的に結合するとき，補助上面電極１３ｂ及びオーバーコート１４ｂの各々は，別々に収縮することになる。
【００２２】
この場合において，本発明者達の実験によると，補助上面電極１３ｂを形成するための材料ペーストとして，従来と同様に，前記主上面電極１３ａ及び側面電極１３ｃを形成するための材料ペーストである銀ペーストと同じ銀ペースト，つまり，単位体積当たりの表面積を約３．５ｍ2 ／ｇ程度の比較的細かい粒度（平均粒径１ミクロン）の銀粒子を含む銀ペーストを使用した場合には，その焼成に際しての収縮は，オーバーコート１４ｂの焼成に際しての収縮よりも早く且つ大きくなるから，前記オーバーコート１４ｂのうち補助上面電極１３ｂに対して重なる部分が補助上面電極１３ａに引っ張られてオーバーコート１４ｂに亀裂が発生したり，或いは，補助上面電極１３ｂの一部がオーバーコート１４ｂから剥がれて盛り上がると言う現象が発生するのであった。
【００２３】
これに対して，補助上面電極１３ｂ用の材料ペーストとして，前記したように，単位体積当たりの表面積を約１．０ｍ2 ／ｇ以下の荒い粒度の銀粒子（平均粒径２〜３ミクロン）を含む銀ペーストを使用した場合には，同時の焼成に際して補助上面電極１３ｂの収縮は遅く且つ小さくなるから，オーバーコート１４ｂに亀裂が発生すること，及び，補助上面電極１３ｂに剥がれによる盛り上がりが発生することを大幅に低減できるのであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第１の状態を示す斜視図である。
【図２】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第２の状態を示す斜視図である。
【図３】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第３の状態を示す斜視図である。
【図４】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第４の状態を示す斜視図である。
【図５】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第５の状態を示す斜視図である。
【図６】  本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第５の状態を示す斜視図である。
【図７】  前記した製造方法によるチップ抵抗器を示す斜視図である。
【図８】  図７のVIII−VIII視拡大断面図である。
【図９】  従来の製造方法によるチップ抵抗器を示す斜視図である。
【図１０】  図９のＸ−Ｘ視拡大断面図である。
【符号の説明】
１１                      絶縁基板
１２                      抵抗膜
１３ａ                    主上面電極
１３ｂ                    補助上面電極
１３ｃ                    側面電極
１３ｄ                    金属メッキ層
１４ａ                    アンダーカバーコート
１４ｂ                    オーバーコート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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