(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）下記（ａ）〜（ｄ）の条件を満足する屈折率プロファイルを備えている。
（ａ）前記ゲルマニウム高濃度層は、順次積層されたセンタコアと、中間部と、リングコアからなるコアを有する。
（ｂ）前記ゲルマニウム低濃度層はクラッドである。
（ｃ）前記中間部の屈折率は、前記センタコアよりも低い。
（ｄ）前記リングコアの屈折率は、前記センタコアよりも低く、かつ前記中間部よりも高い。
【請求項２】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）中心から順次積層されたセンタコアとサイドコアを具備するコアと、クラッドとを有し、該センタコア、クラッド、サイドコアの順に屈折率が低くなるように設定されたＷ型の屈折率プロファイルを備え、
前記センタコアとサイドコアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
【請求項３】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）２層以上からなるコアと、クラッドとを具備し、該コアが中心コアと、その外周上に形成された、この中心コアよりも屈折率が高い周辺コアを有するＯリング型の屈折率プロファイルを備え、
前記コアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光ファイバにおいて、コアとクラッドとの間にゲルマニウム高濃度層を構成している中間層を有することを特徴とする光ファイバ。
【請求項５】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）下記（ａ）〜（ｄ）の条件を満足する屈折率プロファイルを備えている。
（ａ）前記ゲルマニウム高濃度層は、順次積層されたセンタコアと、中間部と、リングコアからなるコアを有する。
（ｂ）前記ゲルマニウム低濃度層はクラッドである。
（ｃ）前記中間部の屈折率は、前記センタコアよりも低い。
（ｄ）前記リングコアの屈折率は、前記センタコアよりも低く、かつ前記中間部よりも高い。
【請求項６】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）中心から順次積層されたセンタコアとサイドコアを具備するコアと、クラッドとを有し、該センタコア、クラッド、サイドコアの順に屈折率が低くなるように設定されたＷ型の屈折率プロファイルを備え、
前記センタコアとサイドコアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
【請求項７】
下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバ。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）２層以上からなるコアと、クラッドとを具備し、該コアが中心コアと、その外周上に形成された、この中心コアよりも屈折率が高い周辺コアを有するＯリング型の屈折率プロファイルを備え、
前記コアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の光ファイバにおいて、コアとクラッドとの間にゲルマニウム高濃度層を構成している中間層を有することを特徴とする光ファイバ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の光ファイバの規定を満足する様に、光ファイバを設計し、製造することを特徴とする光ファイバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は耐水素特性を改善した光ファイバに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
耐水素特性は石英系ガラスからなる光ファイバの伝送特性に関する重要な特性のひとつである。
図１１は一般的な光ファイバを以下の条件
（水素暴露条件）
水素濃度  ：  Ｈ2１００％
温度      ：  ３０度
暴露時間  ：  ２１時間
で水素に暴露したときの暴露前後の波長と損失の関係を示したグラフである。
なお、以下、水素暴露を行っているものは全てこの条件と同一の条件によるものである。
【０００３】
曲線Ａが暴露前、曲線Ｂが暴露後の結果である。さらに水素暴露の作用を明確にするために、水素暴露前後の損失の増加量を示したものが図１２に示した曲線Ｃである。
水素暴露により、１５３０ｎｍ付近に大きな損失ピークが生じ、１５８０ｎｍ付近にも小さな損失ピークが生じていることがわかる。１５８０ｎｍ付近の損失ピークは水素のみの作用によるものであり、１５３０ｎｍ付近の損失ピークは後述するように、光ファイバ中のパーオキシラジカルと水素との結合によるものである。
また、曲線Ｃから水素のみの作用に起因する損失増加分を差し引いたものが曲線Ｄ（破線）である。１５８０ｎｍ付近のピークがほぼ消失し、１５３０ｎｍ付近の比較的大きなピークが残っている。
【０００４】
一般的な光通信システムで多用されているのは、いわゆるＣバンド帯（１５３０〜１５６０ｎｍ）であるため、水素の侵入によって１５３０ｎｍ付近の損失が経時的に変化すると、光ファイバの伝送特性に大きく影響する。
また、最近では１５５０ｎｍを中心とする波長帯を用いた波長多重(Wavelength Division  Multiplexing：ＷＤＭ）システムが積極的に利用されている。
このようなシステムにおいては、例えば１５３０〜１５６０ｎｍという広い領域において、光ファイバの損失波長特性を補償するアンプシステムがあらかじめ組み込まれている。
したがって、光ファイバの損失波長特性が水素の侵入によって経時的に変化すると、組み込まれたアンプシステムでは光ファイバの損失波長特性を補償することができなくなり、システム全体に大きな影響を与える。
【０００５】
１５３０ｎｍ付近の損失ピークは、以下のような作用によって生じるものである。
すなわち、光ファイバ母材が酸素過多雰囲気で製造されることにより、光ファイバ母材中に以下のようなパーオキシ結合
【０００６】
【化１】
0003764040.tif 000002
【０００７】
が存在すると、この光ファイバ母材から光ファイバを溶融紡糸する際に、紡糸条件などによって、内部に以下のようなパーオキシラジカル
【０００８】
【化２】
0003764040.tif 000003
【０００９】
が存在する光ファイバが得られる場合がある。この光ファイバに水素が侵入すると、このパーオキシラジカルと水素が結合して１５３０ｎｍに損失が生じる。
【００１０】
このような損失増加を抑制するために、紡糸条件を最適化して光ファイバ中のパーオキシラジカルの生成を抑制する方法が提案されている。
また、１５３０ｎｍの吸収が可逆的であり、最終的には１３８０ｎｍに吸収ピークをもつＳｉＯＨに変化し、さらにＳｉＯＨの結合に変化すると再度水素雰囲気に暴露されてもはや１５３０ｎｍに吸収を生じないことを利用し、光ファイバを予め水素雰囲下で処理する方法も提案されている。
しかしながら、これらの方法では製造装置上の制約や工程の煩雑化を伴うという問題点があった。
【００１１】
光ファイバの構造についてもいくつか検討がなされている。例えば特開平９−１５４６４号公報においては、順次積層されたコアと蒸着クラッド層とチューブ導入クラッド層からなる光ファイバであって、このチューブ導入クラッド層がファイバ製造時の蒸着クラッド層への水素の移動を実質的に防ぐ水素をトラップする材料が添加された水素ゲッタサイトを備えているものが開示されている。
しかしながら、この方法では製造方法が限定されたり、多用な屈折率プロファイルに適用することができないという問題があった。
【００１２】
また、特開平９−１７１１２０号公報には、順次積層されたコアと内側クラッドと外側クラッドからなる光ファイバであって、伝搬する光のパワーが広がる内側クラッド内にゲルマニウムを添加することにより、過剰な酸素によって生じる上記化１で示したパーオキシ結合およびそれに起因する水素反応性欠陥の生成を抑制したものが開示されている。
しかしながら、ゲルマニウムを添加する内側クラッド領域については「かなりの程度の光が内側クラッド領域を通って伝搬する」という曖昧な記載があるのみであった。また、内側クラッドに二酸化ゲルマニウムが添加されている以外は内側クラッドと外側クラッドとが実質的に同じ材料からなるという特定の屈折率プロファイルについてしか検討がなされていなかった。したがって、現在提案されている種々の屈折率プロファイルに単純に適用することができなかった。
特にＷＤＭシステムにおいては、上述のように１５３０ｎｍ付近の損失の経時変化が問題になりやすい。一方、ＷＤＭシステムに適したものとして、比較的複雑な屈折率プロファイルを備えた光ファイバが提案されているが、このような屈折率プロファイルに従来の方法を適用することは困難である場合が多く、安定したシステムを提供することが困難である場合があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、耐水素特性を改善した光ファイバを提供することを目的とする。
特にパーオキシラジカルと水素との結合に起因する１５３０ｎｍ付近の損失ピークを抑制することができる光ファイバを提供することを目的とする。
さらに、種々の屈折率プロファイルに適用することができる耐水素特性、特に１５３０ｎｍ付近の損失ピークを抑制することができる光ファイバを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明において、は下記の解決手段を提案する。
第１の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）下記（ａ）〜（ｄ）の条件を満足する屈折率プロファイルを備えている。
（ａ）前記ゲルマニウム高濃度層は、順次積層されたセンタコアと、中間部と、リングコアからなるコアを有する。
（ｂ）前記ゲルマニウム低濃度層はクラッドである。
（ｃ）前記中間部の屈折率は、前記センタコアよりも低い。
（ｄ）前記リングコアの屈折率は、前記センタコアよりも低く、かつ前記中間部よりも高い。
第２の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）中心から順次積層されたセンタコアとサイドコアを具備するコアと、クラッドとを有し、該センタコア、クラッド、サイドコアの順に屈折率が低くなるように設定されたＷ型の屈折率プロファイルを備え、
前記センタコアとサイドコアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
第３の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備え、
使用波長帯において、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合が、当該光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）２層以上からなるコアと、クラッドとを具備し、該コアが中心コアと、その外周上に形成された、この中心コアよりも屈折率が高い周辺コアを有するＯリング型の屈折率プロファイルを備え、
前記コアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
第４の発明は、前記第１〜３のいずれかの発明の光ファイバにおいて、コアとクラッドとの間にゲルマニウム高濃度層を構成している中間層を有することを特徴とする光ファイバである。
第５の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）下記（ａ）〜（ｄ）の条件を満足する屈折率プロファイルを備えている。
（ａ）前記ゲルマニウム高濃度層は、順次積層されたセンタコアと、中間部と、リングコアからなるコアを有する。
（ｂ）前記ゲルマニウム低濃度層はクラッドである。
（ｃ）前記中間部の屈折率は、前記センタコアよりも低い。
（ｄ）前記リングコアの屈折率は、前記センタコアよりも低く、かつ前記中間部よりも高い。
第６の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）中心から順次積層されたセンタコアとサイドコアを具備するコアと、クラッドとを有し、該センタコア、クラッド、サイドコアの順に屈折率が低くなるように設定されたＷ型の屈折率プロファイルを備え、
前記センタコアとサイドコアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
第７の発明は、下記（１）〜（３）を満足することを特徴とする光ファイバである。
（１）中心に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度が０．１重量％未満のゲルマニウム低濃度層とを備えた光ファイバであって、
ゲルマニウム高濃度層の外径が、使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上である。
（２）前記ゲルマニウム高濃度層に酸化ゲルマニウム以外の屈折率を降下させる作用を備えたドーパントが共添加されている。
（３）２層以上からなるコアと、クラッドとを具備し、該コアが中心コアと、その外周上に形成された、この中心コアよりも屈折率が高い周辺コアを有するＯリング型の屈折率プロファイルを備え、
前記コアが前記ゲルマニウム高濃度層を構成し、
前記クラッドが前記ゲルマニウム低濃度層を構成している。
第８の発明は、前記第５〜７のいずれかの発明の光ファイバにおいて、コアとクラッドとの間にゲルマニウム高濃度層を構成している中間層を有することを特徴とする光ファイバである。
第９の発明は、前記第１〜８のいずれかの発明の光ファイバの規定を満足する様に、光ファイバを設計し、製造することを特徴とする光ファイバの製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明において、使用波長帯とは、例えば１．５５μｍ付近の波長帯から目的に応じて選択される波長帯をいうものとする。例えば上述のＣバンド帯（１５３０〜１５６０ｎｍ）などが選択される。
最初にふたつの例を示して本発明について詳細に説明する。
【００１６】
（１）第１の実施形態例
図１（ａ）〜図１（ｄ）はＶＡＤ法によって製造されたセグメントコア型の屈折率プロファイルを備えた光ファイバを示した説明図である。
ここで示した屈折率プロファイルは模式的なものであり、実際の屈折率プロファイルは後述するように角がとれた曲線状の形状になっている。この屈折率プロファイルを備えたものはＷＤＭ伝送線路として要求される有効コア断面積（Ａｅｆｆ）の拡大、分散スロープ抑制といった課題の解決に適した屈折率プロファイルのひとつである。
この光ファイバは、酸化ゲルマニウム濃度０．１重量％以上のゲルマニウム高濃度層１と、その外周上に設けられた酸化ゲルマニウム濃度０．１重量％未満の一定の屈折率を有するゲルマニウム低濃度層２とから構成されている。
ゲルマニウム高濃度層１の酸化ゲルマニウム濃度の上限値については後述する。ゲルマニウム低濃度層２の酸化ゲルマニウム濃度の下限値は零である。
【００１７】
この例において、純粋石英ガラスに添加されているドーパントは酸化ゲルマニウムのみである。ゲルマニウムは屈折率を上昇させる作用を備えているため、図１（ｃ）に示した屈折率プロファイルおよび図１（ｄ）に示した酸化ゲルマニウムの濃度分布からわかるように、屈折率プロファイルと酸化ゲルマニウムの分布は一致しており、また、ゲルマニウム高濃度層１の屈折率はゲルマニウム低濃度層２よりも高くなっている。
【００１８】
前記ゲルマニウム高濃度層１は、中心から順次積層されたセンタコア３、中間部４、およびリングコア５からなるコア７と、このコア７の外周上に設けられた中間層６とから構成されている。
また、ゲルマニウム低濃度層２はクラッド８である。すなわち、中間層６はコア７とクラッド８との間に設けられている。
中間部４の屈折率はセンタコア３よりも低く、リングコア５の屈折率はセンタコア３よりも低く、かつ中間部４よりも高い。
中間層６の屈折率は、外側に向かって徐々に低くなっており、中間層６とゲルマニウム低濃度層２との境界においては、ほぼゲルマニウム低濃度層２の屈折率と一致している。
なお、ゲルマニウム低濃度層２は内側の内層２ａと外側の外層２ｂとからなる。ゲルマニウム高濃度層１および内層２ａはＶＡＤ法によって連続する工程により製造されたものであり、外層２ｂは、内層２ａの外側に二酸化シリカ粒子を堆積させる、いわゆる外付け法を用いて製造されたものである。
【００１９】
光ファイバにおいては、一般に中心の屈折率の高い部分をコア、その周囲に設けられ、屈折率がコアよりも低く、かつ略一定の範囲をクラッドという。この例においては、上述のようにセンタコア３からリングコア５までをコア７、ゲルマニウム低濃度層２をクラッド８という。そして、コア７とクラッド８との間に中間層６が設けられた構成となっている。
このとき、コア７の最大屈折率が中間層６の最大屈折率よりも比屈折率差において０．２５％以上高く設定されていることが、伝送路として機能する上で必要とされる。コア７の屈折率の最大値は特に制限されるものではなく、例えば、ＷＤＭ伝送用の光ファイバでは、１．０％以下の比屈折率差が一般的であるが、分散補償用の光ファイバにおいては、１．０％をこえるものもある。
このようにゲルマニウム高濃度層１とゲルマニウム低濃度層２との境界に、コア７の最大屈折率よりも低い最大屈折率を備えた中間層６を設け、コア７とは独立に中間層６の屈折率および径を調整することにより、所望の光学特性を満足させた上で、ゲルマニウム低濃度層２へしみ出す光のパワーの割合の調整を行うことができる。
また、中間層６の屈折率および屈折率分布は、任意に所望の光学特性を実現できるように制御できることが望ましい。例えば、中間層６の屈折率がクラッド８よりも大きくなった場合、カットオフ波長が長くなり、屈折率分布の設計上、問題となることがあり、中間層６の屈折率を制御することが必要になる場合がある。
コア７の外径や中間層６の幅などは屈折率およびそれによって得られる電解分布などによって規定され、設計条件によって適宜変更可能である。
【００２０】
図１（ｃ）、図１（ｄ）に示した曲線Ｅ（ｒ）は使用波長帯の中で、１５５０ｎｍにおける光ファイバ中の電界の広がりを示したものである。これらの図に示したように、光は主に光ファイバの中心、すなわちゲルマニウム高濃度層１を伝搬するが、わずかにその周囲のゲルマニウム低濃度層２に染み出している。
本発明の光ファイバにおいては、このゲルマニウム高濃度層１からゲルマニウム低濃度層２に染み出す光のパワーの割合が光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下、好ましくは０．２％以下になるように設定されている。後述する実験結果に示されているように、０．４％をこえると耐水素特性の改善を図ることができない場合がある。
【００２１】
染み出す光のパワーの割合は、光ファイバを伝搬する光の電界の広がりを表すモードフィールド径（以下、ＭＦＤと略記する）を代替するパラメータとして表すことができる。
すなわち、ゲルマニウム高濃度層１の外径ＤをＭＦＤの２．６倍以上、好ましくは２．８倍以上になるように設計する。これは上述のように染み出す光のパワーを０．４％以下、好ましくは０．２％以下に設定するのと同じ構成をとることを意味し、これらの条件のうち、いずれか一方が満足されていれば、必然的に他方の条件も満足されていることになる。
したがって、染み出す光のパワーの割合若しくはゲルマニウム高濃度層１の外径ＤとＭＦＤとの比率のいずれかによって、本発明の光ファイバを特定することができる。いずれを選択するかは、例えば設計条件などによって選択することができる。
【００２２】
染み出す光のパワーの割合やＭＦＤは、ゲルマニウム高濃度層１の屈折率プロファイル（各層の外径や屈折率）などによって適宜調整することができる。また、これらの値は使用波長帯によっても異なるため、予め選択した使用波長帯における最適な条件を設定すると好ましい。
【００２３】
（２）第２の実施形態例
図２（ａ）〜図２（ｄ）はＭＣＶＤ法によって製造したセグメントコア型の光ファイバを示したものである。図１（ａ）〜図１（ｄ）に示したものと同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
この屈折率プロファイルは、第１の実施形態例とほぼ同様であるが、リングコア５の外周上の中間層６’の屈折率が一定で、かつ中間層６’の屈折率とゲルマニウム低濃度層２（クラッド８）の屈折率とのマッチングが図られている点が異なっている。
【００２４】
ＭＣＶＤ法は、例えばパイプ状の出発石英管を、その長さ方向が水平になるように配置し、この出発石英管の内部に四塩化シリカと四塩化ゲルマニウムなどを気相として送り込み、これらを出発石英管の外部に設置されたバーナーによって加熱し、反応させ、二酸化シリカ粒子および二酸化ゲルマニウム粒子などとして出発石英管の内壁に堆積させて光ファイバ母材を製造する方法である。
すなわち、図２（ａ）、図２（ｂ）に示したように、ゲルマニウム低濃度層２は出発石英管２ｄと、その内側の内層２ｃと外側の外層２ｅとからなり、出発石英管２ｄの内側のゲルマニウム高濃度層１および内層２ｃがＭＣＶＤ法によって連続的に製造された部分であって、外層２ｅは外付け法により製造されたものである。
【００２５】
図２（ｃ）は屈折率プロファイル、図２（ｄ）は酸化ゲルマニウム濃度の分布を示したものである。なお、ゲルマニウム高濃度層１には、酸化ゲルマニウムとともに、屈折率を下降させる作用を備えたフッ素が共添加されている。
ゲルマニウム高濃度層１の屈折率プロファイルは酸化ゲルマニウムの濃度にほぼ比例しており、フッ素の添加により、中間層６’の屈折率とゲルマニウム低濃度層２の屈折率とのマッチングが図られている。
【００２６】
この例においても、第１の実施形態例と同様に、ゲルマニウム高濃度層１からゲルマニウム低濃度層２に染み出す光のパワーの割合が光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下、好ましくは０．２％以下とされている。
また、ゲルマニウム高濃度層１の外径ＤがＭＦＤの２．６倍以上、好ましくは２．８倍以上とされている。
【００２７】
上述のフッ素は各層の屈折率を調整するために添加されているものである。したがって、ゲルマニウム高濃度層１のうち、屈折率を低下させる必要がある部分にのみ添加することもできるし、添加量を加減しながらゲルマニウム高濃度層１の全体に添加することもできる。また、フッ素の添加濃度は特に限定されず、目的に応じて適宜調整することができる。
なお、ゲルマニウム高濃度層１に共添加することができるドーパントはフッ素に限らず、ホウ素などの種々のものを用いることができるが、ゲルマニウムが屈折率を上昇させる作用を備えたものであり、屈折率を下降させる作用を備えたものとしてはフッ素が一般的であるため、フッ素を用いるのが通常である。
このように酸化ゲルマニウム以外のドーパントを共添加することにより、複雑な屈折率プロファイルを実現することができる。例えばゲルマニウム高濃度層１内に、クラッド８よりも低い屈折率を備えた部分を形成することもできる。また、ゲルマニウムの添加に伴う中間層６’の屈折率の上昇を抑えることが可能となり、コア７の屈折率分布からもたらされる光学特性を悪化させることなく、ゲルマニウム低濃度層２に染み出す光のパワーの割合を調整することが可能となる。なお、上述の例においてはＭＣＶＤ法によって製造した光ファイバについてのみフッ素を共添加した例を示したが、ＶＡＤ法などの他の製造方法を適用する場合にもフッ素などを共添加することができることは言うまでもない。
【００２８】
ついで、ゲルマニウム高濃度層１からゲルマニウム低濃度層２に染み出す光のパワーの割合と、水素暴露によって現れる１５３０ｎｍ付近の損失ピークとの関係について、実際に光ファイバを製造して検討を行った結果を示して詳細に説明する。
図３（ａ）〜図３（ｃ）は検討に用いた光ファイバの屈折率プロファイルを示したものである。これらの光ファイバは上述の第２の実施形態例と同様に、全てＭＣＶＤ法によって製造したものである。
図３（ａ）に示したものは中間部４、中間層６’およびその外側のゲルマニウム低濃度層２の屈折率が一致している。図３（ｂ）に示したものは中間層６’とゲルマニウム低濃度層２の屈折率が一致しており、これらの屈折率と比較して中間部４の屈折率が高くなっている。図３（ｃ）に示したものは中間層６’とゲルマニウム低濃度層２（クラッド８）の屈折率が一致しており、これらの屈折率と比較して中間部４の屈折率が低くなっている。このような種々の屈折率分布形状を実現するため、ゲルマニウム高濃度層１および中間層６’には必要に応じてフッ素を共添加している。
【００２９】
なお、本発明において、センタコア３、リングコア５のように屈折率が高い部分の酸化ゲルマニウム添加量の上限値は特に限定しない。しかしながら、図３（ｃ）に示した中間部４のようにゲルマニウム低濃度層２の屈折率を基準にしたときの比屈折率差が−０．１％よりも小さい層においては、酸化ゲルマニウムの添加量の上限値は１．０重量％とされる。０．１〜１．０重量％の範囲で添加すれば耐水素特性の改善効果を得ることができ、１．０重量％をこえると過剰のゲルマニウムによるレイリー散乱損失に起因する伝送損失の悪化が無視できなくなる。また、ゲルマニウムによる屈折率の増加を補正するためにフッ素の添加量が増大するので、同様の問題を生じる。
【００３０】
表１は製造した４種の光ファイバ（試料１〜４）の屈折率プロファイルと光学特性の測定値を示したものである。
【００３１】
【表１】
0003764040.tif 000004
【００３２】
図４は、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合（ＰSiO2／Ｐtotal（％））と、図１１に示したものと同様の損失波長特性のグラフにおける水素暴露後の１５３０ｎｍ付近の損失ピークの大きさとの関係を示したグラフである。
染み出す光のパワーＰSiO2と光の全パワーＰtotalは以下の式によって定義されるものである。
【００３３】
【数１】
0003764040.tif 000005
【００３４】
このグラフからわかるように、ＰSiO2／Ｐtotalと損失ピークの大きさは比例する。損失ピークは小さい程好ましいが０．０１ｄＢ／ｋｍ以下、好ましくは０．００５ｄＢ／ｋｍ以下であれば、光ファイバの伝送特性や、システム全体への影響が小さくすることができ、十分に実用可能な範囲である。
このグラフより、損失ピークの大きさを０．０１ｄＢ／ｋｍ以下とするためにはＰSIO2／Ｐtotalを０．４％以下にすればよく、さらに損失ピークの大きさを０．００５ｄＢ／ｋｍ以下にするためにはＰSiO2／Ｐtotalを０．２％以下にすればよいことがわかる。
【００３５】
また、ゲルマニウム高濃度層の外径を大きくすると、ＰSiO2／Ｐtotalを小さくすることができる。よって、ゲルマニウム高濃度層の外径の下限値はＰSiO2／Ｐtotalの設定値によって定められる。上限値は製造性などの観点からＶＡＤ法、ＭＣＶＤ法などの製造方法、製造装置に応じた制限が生じる。
【００３６】
また、上述のようにＭＦＤは、ゲルマニウム高濃度層の外径を規定するパラメータとして有効であり、ＰSiO2／Ｐtotalを代替するパラメータとして利用することができる。
【００３７】
染み出す光のパワーの割合若しくはゲルマニウム高濃度層の外径とＭＦＤとの比率についての好ましい範囲は、線引きした後の光ファイバ自体についてだけではなく、光ファイバ母材についても同様である。特にＭＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いたプロセスにおいては、光ファイバ母材についてもかなり正確に評価を行うことができる。
したがって、光ファイバ母材の設計段階でゲルマニウム高濃度層の適性な範囲を設定することができる。
【００３８】
なお、セグメントコア型の屈折率プロファイルを備えた光ファイバを例示して説明したが、光ファイバの屈折率プロファイルは特に限定するものではなく、いわゆる階段型やＷ型、Ｏリング型などの種々の屈折率プロファイルを用いることができる。
階段型の屈折率プロファイルとは、例えば中心から順次積層されたセンタコアとサイドコアとクラッドからなり、これらの屈折率がセンタコアから段階的に低くなっているものである。Ｗ型の屈折率プロファイルとは、例えば同様に順次積層されたセンタコアとサイドコアとクラッドからなり、センタコア、クラッド、サイドコアの順に屈折率が低くなるように設定されているものである。Ｏリング型の屈折率プロファイルは、コアが２層以上からなり、中心コアの外周上にこの中心コアよりも屈折率が高い周辺コアが設けられたものである。
なお、これらの屈折率プロファイルにおいても、水素特性を改善するためにコアとクラッドとの間に中間層を設けて、染み出す光の割合が本発明の規定の値以下になるように調整することが好ましい。
また、ＷＤＭ伝送などに適した伝送用の光ファイバのみならず、分散補償光ファイバなどの種々の用途に用いられる光ファイバに適用することができる。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明の効果を具体的に示す。なお、実施例において使用波長（測定波長）は全て１５５０ｎｍである。
（実施例１）
ＭＣＶＤ法を用いて石英系ガラスからなる光ファイバ母材を製造し、これを線引きして光ファイバを得た。この光ファイバの光学特性は、表１および図４に示した試料４と同様であった。
図５（ａ）は屈折率プロファイル、図５（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したものである。この光ファイバにおいては、コアおよび中間層に酸化ゲルマニウムとフッ素を共添加し、各層の酸化ゲルマニウム濃度およびフッ素濃度を調整することにより、図５（ａ）に示したように、酸化ゲルマニウム濃度を０．１重量％以上に維持した上で、ゲルマニウム低濃度層（クラッド）を基準にした比屈折率差が−０．１％以下の層も実現することができた。
ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層へ染み出す光のパワーの割合は、光のパワー全体の０．１％程度に設定した。
また、ファイバ状態において、コアの外径は１６．３μｍ、中間層の外径は２３．１μｍであり、中間層の外径はＭＦＤ（８．４μｍ）の２．７５倍程度を確保できていることがわかる。
【００４０】
ついで、この光ファイバについて水素暴露を行い、波長損失特性を測定した。図６は図１２に示したものと同様のグラフであって、実線は水素暴露後の損失の増加量を示したもの、破線は水素のみの作用に起因する損失増加分を差し引いたものである。
パーオキシラジカルと水素との結合に起因する１５３０ｎｍ付近の損失増加量は０．０００１ｄＢ／ｋｍ以下であり、良好な水素特性が得られた。
【００４１】
（実施例２）
ＶＡＤ法を用いて光ファイバ母材を製造し、これを線引きして光ファイバを製造した。この光ファイバの光学特性は、表１および図４に示した試料３と同様であった。
図７（ａ）は屈折率プロファイル、図７（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したものである。この例においてはコアおよび中間層に酸化ゲルマニウムのみを添加したため、屈折率プロファイルと酸化ゲルマニウムの濃度分布は一致している。ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合は光のパワー全体の０．１％程度に設定した。
また、ファイバ状態において、コアの外径は１４．６μｍ、中間層の外径は２５．１μｍであり、中間層の外径はＭＦＤ（９．３μｍ）の２．７倍を確保できていることがわかる。
ついで、この光ファイバについて水素暴露を行い、波長損失特性を測定した。図８は図６と同様のグラフである。このグラフからわかるように、パーオキシラジカルと水素との結合に起因する損失増加は殆ど確認できない程小さかった。
【００４２】
（実施例３）
ＭＣＶＤ法を用いて石英系ガラスからなる光ファイバ母材を製造し、これを線引きして光ファイバを製造した。この光ファイバの光学特性は、表１および図４に示した試料１と同様であった。
図９（ａ）は屈折率プロファイル、図９（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したものである。
この光ファイバにおいては、コアおよび中間層に酸化ゲルマニウムとフッ素をわずかに共添加し、各層の酸化ゲルマニウム濃度およびフッ素濃度を調整した。
【００４３】
また、ファイバ状態において、コアの外径は１５．７μｍ、中間層の外径２４．３μｍであり、中間層の外径はＭＦＤ（９．３μｍ）の２．６倍程度を確保できていることがわかる。また、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合は光のパワー全体の０．４％程度であった。
ついで、この光ファイバについて水素暴露を行い、波長損失特性を測定した。図１０は図６と同様のグラフである。このグラフからわかるように、パーオキシラジカルと水素との結合に起因する損失増加量は０．００８ｄＢ／ｋｍ程度であり、実施例１、２と比較するとやや大きく、これらの実施例との比較により、さらに損失の増加を抑制するためには、ゲルマニウム高濃度層の外径を大きく設計することにより対応できることが予測できた。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光のパワーの割合を、光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下に設定する、あるいはゲルマニウム高濃度層の外径を使用波長帯におけるモードフィールド径の２．６倍以上にするといういずれかの条件を満足することにより、光ファイバの耐水素特性を向上させることができる。特に１５３０ｎｍ付近のパーオキシラジカルと水素との結合に起因する損失増加量を殆ど無視できる程度にまで小さくすることができる。
また、屈折率プロファイルが限定されず、種々のものに対応することができる。
さらに、ゲルマニウム高濃度層、すなわちコアおよび中間層の一方あるいは両方には必要に応じてフッ素などの他のドーパントを共添加することにより、複雑な屈折率プロファイルに対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１（ａ）〜図１（ｄ）は本発明の第１の実施形態例の光ファイバについて、構造（図１（ａ）、図１（ｂ））、屈折率プロファイル（図１（ｃ））、酸化ゲルマニウム濃度分布（図１（ｄ））を示した説明図である。
【図２】  図２（ａ）〜図２（ｄ）は本発明の第２の実施形態例の光ファイバについて、構造（図２（ａ）、図２（ｂ））、屈折率プロファイル（図２（ｃ））、酸化ゲルマニウム濃度分布（図２（ｄ））を示した説明図である。
【図３】  図３（ａ）〜図３（ｃ）は、光の染み出しと損失ピークとの関係について検討したときに用いた光ファイバの屈折率プロファイルを示した図である。
【図４】  光の染み出しと損失ピークとの関係を示したグラフである。
【図５】  図５（ａ）は実施例１の光ファイバの屈折率プロファイル、図５（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したグラフである。
【図６】  実施例１の波長−損失増加量の関係を示したグラフである。
【図７】  図７（ａ）は実施例２の光ファイバの屈折率プロファイル、図７（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したグラフである。
【図８】  実施例２の波長−損失増加量の関係を示したグラフである。
【図９】  図９（ａ）は実施例３の光ファイバの屈折率プロファイル、図９（ｂ）は酸化ゲルマニウムの濃度分布を示したグラフである。
【図１０】  実施例３の波長−損失増加量の関係を示したグラフである。
【図１１】  通常の光ファイバを水素暴露した前後の損失波長特性を示したグラフである。
【図１２】  図１１に示したグラフにおいて、水素暴露前後の損失増加量と、この損失増加量から水素のみの作用に起因する損失増加分を差し引いた値を示したグラフである。
【符号の説明】
１…ゲルマニウム高濃度層、２…ゲルマニウム低濃度層、６、６’…中間層、７…コア、８…クラッド、Ｄ…ゲルマニウム高濃度層の外径。
【図１】
0003764040.tif 000006
【図２】
0003764040.tif 000007
【図３】
0003764040.tif 000008
【図４】
0003764040.tif 000009
【図５】
0003764040.tif 000010
【図６】
0003764040.tif 000011
【図７】
0003764040.tif 000012
【図８】
0003764040.tif 000013
【図９】
0003764040.tif 000014
【図１０】
0003764040.tif 000015
【図１１】
0003764040.tif 000016
【図１２】
0003764040.tif 000017