(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、
前記基板上に搬送方向と平行な境界線を境にして左側の被処理面領域と右側の被処理面領域とを設定し、
前記左側の被処理面領域については、前記第２の液を前記境界線付近に設定した第１のノズル吐出口から搬送方向と直交する左方向に噴射して前記基板上を横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の左方へ掃き出し、
前記右側の被処理面領域については、前記第２の液を前記境界線付近に設定した第２のノズル吐出口から搬送方向と直交する右方向に噴射して前記基板上を横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の右方へ掃き出す基板処理方法。
【請求項２】
前記第１および第２のノズル吐出口の位置を前記境界線上に設定する請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１および第２のノズル吐出口を搬送方向で隣接させる請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１のノズル吐出口の位置を前記境界線から前記左側の被処理面領域内にオフセットさせるとともに、前記第２のノズル吐出口の位置を前記境界線から前記右側の被処理面領域内にオフセットさせ、
搬送方向と直交する水平方向において前記第１のノズル吐出口と前記第２のノズル吐出口との間の前記基板の被処理領域については、前記第１および第２のノズル吐出口よりも搬送方向上流側に設定した第３のノズル吐出口から前記第２の液を搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直な方向に噴射して前記基板上で流す請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、
前記基板を斜めに横断するように一列に配置した多数の第１のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、
前記一方の側方とは反対側の基板端部付近にて前記第１のノズル吐出口の列と実質的に同じ並びに配置した１個または複数個の第２のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らわない向きで斜め方向に第２の液を噴射して、前記基板端部付近に残っている前記第１の液を前記第２の流れによって前記基板の他方の側方へ掃き出す基板処理方法。
【請求項６】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、
前記基板を斜めに横断するように一列に配置した多数のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、
前記第１の液が掃き出される側の基板端から反対側の基板端へ向って前記ノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくする基板処理方法。
【請求項７】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、
前記基板上に搬送方向と平行な境界線を境にして左側の被処理面領域と右側の被処理面領域とを設定し、
前記左側の被処理面領域については、前記境界線付近から前記基板の左端付近まで分布または延在する第１のノズル吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に前記第２の液を噴射し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を左方へ掃き出し、
前記右側の被処理面領域については、前記境界線付近から前記基板の右端付近まで分布または延在する第２のノズル吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め方向に前記第２の液を噴射し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を右方へ掃き出し、
前記基板の左端付近から前記境界線付近に向って前記第１のノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくし、
前記基板の右端付近から前記境界線付近に向って前記第２のノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくする基板処理方法。
【請求項８】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、
前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線付近の吐出口から搬送方向と直交する左方向に噴射する第１のノズルと、
前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線付近の吐出口から搬送方向と直交する右方向に噴射する第２のノズルとを有し、
前記第１のノズルより噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出し、前記第２のノズルより噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出す基板処理装置。
【請求項９】
それぞれの吐出口が前記境界線上に位置するように前記第１および第２のノズルを配置する請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
それぞれの吐出口が搬送方向で隣接するように前記第１および第２のノズルを配置する請求項８または請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、
前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線より前記左側の被処理面領域内にオフセットした第１の位置から搬送方向と直交する左方向に噴射する第１の吐出口と、前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線より前記右側の被処理面領域内にオフセットした第２の位置から搬送方向と直交する右方向に噴射する第２の吐出口と、前記第１および第２の位置よりも搬送方向上流側の第３の位置から前記第２の液を搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直な方向に噴射する第３の吐出口とを有するノズルとを有し、
搬送方向と直交する水平方向において前記第１の吐出口と前記第２の吐出口との間の前記基板上の被処理領域に対して前記第３の吐出口より前記第２の液を供給し、前記第１の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出し、前記第２の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出す基板処理装置。
【請求項１２】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、
前記基板を斜めに横断するように前記搬送路の上に架けられるスプレー管型ノズルとを有し、
前記スプレー管型ノズルの搬送方向の上流側を向く側面に軸方向に一定間隔で多数の第１の吐出口を設け、前記第１の吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、
前記一方の側方とは反対側の基板端部付近にて前記スプレー管型ノズルの搬送方向の下流側を向く側面に１個または複数個の第２の吐出口を設け、前記第２の吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らわない向きで斜め方向に第２の液を噴射して、前記基板端部付近に残っている前記第１の液を前記第２の流れによって前記基板の他方の側方へ掃き出す基板処理装置。
【請求項１３】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、
前記基板を斜めに横断するように前記搬送路の上に架けられるスプレー管型ノズルとを有し、
前記スプレー管型ノズルの搬送方向の上流側を向く側面に軸方向に一定間隔で多数の吐出口を設け、前記吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出すようにし、
前記第１の液が掃き出される側の基板端から反対側の基板端へ向って前記吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成する基板処理装置。
【請求項１４】
被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、
前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、
前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記境界線付近から前記基板の左端付近まで分布または延在する吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に前記第２の液を噴射する第１のノズル部と、
前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記境界線付近から前記基板の右端付近まで分布または延在する吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め方向に前記第２の液を噴射する第２のノズル部とを有し、
第１のノズル部の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出すようにするとともに、第２のノズル部の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出すようにし、
前記基板の左端付近から前記境界線付近に向って前記第１のノズルの吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成するとともに、前記基板の右端付近から前記境界線付近に向って前記第２のノズルの吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板を水平に搬送しながら基板に所定の処理を施す基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、平流し方式の洗浄処理装置では、ブラシスクラバやジェットスクラバ等の洗浄手段と並べて下流側の搬送路上方にリンスノズルを配置し、該リンスノズルよりその直下を通過する基板に向けてリンス液を噴射して、基板上の汚れている液をリンス液で置換するようにしている。しかしながら、スピンナ方式と異なり、平流し方式では基板に遠心力が働かないため、基板上から液を掃き出すのが難しく、置換効率がよくないという問題がある。
【０００４】
また、平流し方式の現像処理装置でも、現像部の下流側に設けるリンス部ないし乾燥部において、たとえばバブルリンス後に基板上の汚れている液を新しいリンス液で置換することがあるが、上記と同様に置換効率がよくない。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであって、平流し方式において被処理基板上の液を効率的かつ良好に置換できるようにした基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の基板処理方法は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、前記基板上に搬送方向と平行な境界線を境にして左側の被処理面領域と右側の被処理面領域とを設定し、前記左側の被処理面領域については、前記第２の液を前記境界線付近に設定した第１のノズル吐出口から搬送方向と直交する左方向に噴射して前記基板上を横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の左方へ掃き出し、  前記右側の被処理面領域については、前記第２の液を前記境界線付近に設定した第２のノズル吐出口から搬送方向と直交する右方向に噴射して前記基板上を横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の右方へ掃き出す構成としている。
また、本発明の第１の基板処理装置は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線付近の吐出口から搬送方向と直交する左方向に噴射する第１のノズルと、前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線付近の吐出口から搬送方向と直交する右方向に噴射する第２のノズルとを有し、前記第１のノズルより噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出し、前記第２のノズルより噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出す構成としている。
【０００６】
上記第１の基板処理方法または基板処理装置は、搬送路上で水平姿勢をとる基板上の左側の被処理面領域に対しては境界線の付近の第１のノズル吐出口より第２の液を搬送方向と直交する左方向に噴射し、右側の被処理面領域に対しては境界線の付近の第２のノズル吐出口より第２の液を搬送方向と直交する右方向に噴射するので、基板上の第１の液を各位置から近い方の基板側方へ効率よく短時間で掃き出すことができる。しかも、ノズル吐出口は基板を横断するように広く分布する必要はなく境界線付近に位置していればよいので、ノズル吐出口の個数は少なくて済み、ノズルは小型のもので済む。
本発明の好適な一態様によれば、第１および第２のノズル吐出口の位置を境界線上に設定し、さらには第１および第２のノズル吐出口を搬送方向で隣接させる。
上記第１の基板処理方法の好適な一態様によれば、第１のノズル吐出口の位置を境界線から左側の被処理面領域内にオフセットさせるとともに、第２のノズル吐出口の位置を境界線から右側の被処理面領域内にオフセットさせ、搬送方向と直交する水平方向において第１のノズル吐出口と第２のノズル吐出口との間の基板の被処理領域については、第１および第２のノズル吐出口よりも搬送方向上流側に設定した第３のノズル吐出口から第２の液を搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直な方向に噴射して基板上で流す。
かかる方法を実施するための本発明の基板処理装置は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線より前記左側の被処理面領域内にオフセットした第１の位置から搬送方向と直交する左方向に噴射する第１の吐出口と、前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記第２の液を前記境界線より前記右側の被処理面領域内にオフセットした第２の位置から搬送方向と直交する右方向に噴射する第２の吐出口と、前記第１および第２の位置よりも搬送方向上流側の第３の位置から前記第２の液を搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直な方向に噴射する第３の吐出口とを有するノズルとを有し、搬送方向と直交する水平方向において前記第１の吐出口と前記第２の吐出口との間の前記基板上の被処理領域に対して前記第３の吐出口より前記第２の液を供給し、前記第１の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出し、前記第２の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出す。
【０００７】
本発明の第２の基板処理方法は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、前記基板を斜めに横断するように一列に配置した多数の第１のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、前記一方の側方とは反対側の基板端部付近にて前記第１のノズル吐出口の列と実質的に同じ並びに配置した１個または複数個の第２のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らわない向きで斜め方向に第２の液を噴射して、前記基板端部付近に残っている前記第１の液を前記第２の流れによって前記基板の他方の側方へ掃き出す構成としている。
また、本発明の第２の基板処理装置は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、前記基板を斜めに横断するように前記搬送路の上に架けられるスプレー管型ノズルとを有し、前記スプレー管型ノズルの搬送方向の上流側を向く側面に軸方向に一定間隔で多数の第１の吐出口を設け、前記第１の吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、前記一方の側方とは反対側の基板端部付近にて前記スプレー管型ノズルの搬送方向の下流側を向く側面に１個または複数個の第２の吐出口を設け、前記第２の吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らわない向きで斜め方向に第２の液を噴射して、前記基板端部付近に残っている前記第１の液を前記第２の流れによって前記基板の他方の側方へ掃き出す構成としている。
【０００８】
上記第２の基板処理方法または基板処理装置は、搬送路上で水平姿勢をとる基板上で第２の液を基板の進行と逆らう向きで各第１のノズル吐出口から対向する基板の端部まで斜め方向に流すことにより、第２の液の流れによって基板上の第１の液を基板の一側方へ掃き出す。この場合、第１の液を掃き出す基板端部に向かって各第１のノズル吐出口からの第２の液が寄せられることの裏返しとして、反対側の基板端部付近では第１のノズル吐出口からの第２の液の流れが手薄となり第１の液が残ったまま下流側に通過することもある。しかし、第１のノズル吐出口の下流側に通過した（基板上に残存する）第１の液は、第２のノズル吐出口からの第２の液の流れによってその反対側の基板端部から外へ掃き出される。
【０００９】
また、本発明の第３の基板処理方法は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、前記基板を斜めに横断するように一列に配置した多数のノズル吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出し、前記第１の液が掃き出される側の基板端から反対側の基板端へ向って前記ノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくする構成としている。
本発明の第３の基板処理装置は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、前記基板を斜めに横断するように前記搬送路の上に架けられるスプレー管型ノズルとを有し、前記スプレー管型ノズルの搬送方向の上流側を向く側面に軸方向に一定間隔で多数の吐出口を設け、前記吐出口から前記基板の被処理面に向けて前記基板の進行と逆らう向きで斜め方向に第２の液を噴射して前記基板上を斜めに横断するように流し、前記第２の流れによって前記第１の液を前記基板の一方の側方へ掃き出すようにし、前記第１の液が掃き出される側の基板端から反対側の基板端へ向って前記吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成している。
【００１０】
上記第３の基板処理方法または基板処理装置は、搬送路上で水平姿勢をとる基板上で第２の液を基板の進行と逆らう向きで（基板を斜めに横断するように一列に配置した）各ノズル吐出口から対向する基板の端部まで斜め方向に流すことにより、第２の液の流れによって基板上の第１の液を基板の一側方へ掃き出す。ここで、第１の液が掃き出される側の基板端から反対側の基板端へ向って、つまり搬送方向の上流側に向って、ノズル吐出口における第２の液の吐出圧力または流量は次第に大きくなるので、第２の液が流れる行程距離の長い場所ほど流速を強め、全体の流れが均一化される。
【００１１】
また、本発明の第４の基板処理方法は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換する基板処理方法において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送し、前記基板上に搬送方向と平行な境界線を境にして左側の被処理面領域と右側の被処理面領域とを設定し、前記左側の被処理面領域については、前記境界線付近から前記基板の左端付近まで分布または延在する第１のノズル吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に前記第２の液を噴射し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を左方へ掃き出し、前記右側の被処理面領域については、前記境界線付近から前記基板の右端付近まで分布または延在する第２のノズル吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め方向に前記第２の液を噴射し、前記第２の液の流れによって前記第１の液を右方へ掃き出し、前記基板の左端付近から前記境界線付近に向って前記第１のノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくし、前記基板の右端付近から前記境界線付近に向って前記第２のノズル吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量を次第に大きくする構成としている。
本発明の第４の基板処理装置は、被処理基板上で第１の液を第２の液に置換するための基板処理装置において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送するための搬送路と、前記基板上の搬送方向と平行な境界線を境にして設定された左側の被処理面領域に対して、前記境界線付近から前記基板の左端付近まで分布または延在する吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に前記第２の液を噴射する第１のノズル部と、前記基板上の前記境界線を境にして設定された右側の被処理面領域に対して、前記境界線付近から前記基板の右端付近まで分布または延在する吐出口から前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め方向に前記第２の液を噴射する第２のノズル部とを有し、第１のノズル部の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を左方へ掃き出すようにするとともに、第２のノズル部の吐出口より噴射された前記第２の液の流れによって前記基板上で前記第１の液を右方へ掃き出すようにし、前記基板の左端付近から前記境界線付近に向って前記第１のノズルの吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成するとともに、前記基板の右端付近から前記境界線付近に向って前記第２のノズルの吐出口における前記第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるように構成する。
【００１２】
上記第４の基板処理方法または基板処理装置は、搬送路上で水平姿勢をとる基板上で第２の液を基板の進行と逆らう向きで、左側の被処理面領域に対しては境界線付近から基板の左端付近まで分布する各第１のノズル吐出口から基板の左端部まで斜め方向に流し、右側の被処理面領域に対しては境界線付近から基板の右端付近まで分布する各第２のノズル吐出口から基板の右端部まで斜め方向に流すことにより、第２の液の流れによって基板上の第１の液を左側の被処理面領域では基板の左方へ、右側の被処理面領域では基板の右方へそれぞれ掃き出す。ここで、基板の左端付近から境界線付近に向って（つまり搬送方向の上流側に向って）第１のノズルの吐出口における第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるとともに、基板の右端付近から境界線付近に向って（つまり搬送方向の上流側に向って）第２のノズルの吐出口における第２の液の吐出圧力または流量が次第に大きくなるので、第２の液が流れる行程距離の長い場所ほど流速を強め、左側および右側の被処理面領域でそれぞれ全体の流れが均一化される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１４】
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１５】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１６】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１７】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１８】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００１９】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２０】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２１】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２２】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２３】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２４】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２５】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２６】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２７】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００２８】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００２９】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３０】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３１】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３３】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３４】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３５】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００３６】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００３７】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。
【００３８】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００３９】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４０】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４１】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４２】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４３】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４４】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４５】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４６】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４７】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４８】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００４９】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５０】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１２を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に適用した実施形態を説明する。
【００５１】
図４に、本発明の一実施形態によるスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の全体構成を示す。このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロックまたはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
【００５２】
これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬出部を構成している。
【００５３】
基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。
【００５４】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄用のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し用の洗浄スプレー管１３０等が一列に配置されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室（Ｍ3）と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。
【００５５】
ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部１３６も設けられている。
【００５６】
リンス処理部Ｍ4には、本実施形態のリンスノズル１３８が配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部１４０も設けられている。
【００５７】
乾燥処理部Ｍ5には、液切り用のエアーナイフ１４２が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では二対）配置されている。
【００５８】
処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。
【００５９】
ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における全体の動作および作用を説明する。基板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向けて搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成されており、その長辺方向が搬送方向と平行になる向きで搬送路１１４上を搬送される。
【００６０】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対して、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカリ系の薬液を基板被処理面の全面に吹き付け、直後に洗浄スプレー管１２４がプリウエット用の洗浄液たとえば純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置して、基板Ｇの下面（裏面）にも薬液やプレウエット液を吹き付けてもよい。
【００６１】
次いで、基板Ｇはロールブラシ１２６，１２８の間を通り抜け、その際にロールブラシ１２６，１２８が基板Ｇの被処理面および裏面上の異物（塵埃、破片、汚染物等）をそれぞれ擦り取る。その直後に、洗浄スプレー管１２４が基板Ｇの被処理面全体に洗浄液たとえば純水を吹き付け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。
【００６２】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノズル１３４が、加圧された洗浄液（たとえば純水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着または残存している異物が除去される。
【００６３】
ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリンス処理部Ｍ4を通過する。リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に対して、リンスノズル１３８がリンス液たとえば純水を基板Ｇ上で搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めまたは横方向に流れるように供給する。これによって、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液と一緒に流れて側方へ掃き出され、スムースにリンス液に置換される。なお、搬送路１１４の下にも同型または別型のリンスノズル（図示せず）を設けて、基板Ｇの下面（裏面）に向けてリンス液を同様に当てることも可能である。
【００６４】
リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理部Ｍ5に送られる。乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下面に対して、上下のエアーナイフ１４２がナイフ状の鋭利な気体流たとえばエアーを当てることにより、基板Ｇの全面からリンス液が基板後方へ払い落とされる（液切りされる）。なお、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所的に残るのを防止するために、エアーナイフ１４２の少し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）よりたとえば純水を基板Ｇの上面または全面に吹き付けるのが好ましい。
【００６５】
乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られる。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００６６】
次に、図５〜図１２につき、本実施形態のリンス処理部Ｍ4に設けられるリンスノズル１３８の実施例を説明する。
【００６７】
図５に、第１の実施例によるリンスノズル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、“Ｖ”字または“く”字状に形成されたパイプからなるＶ型ノズル１６０で構成されている。このＶ型ノズル１６０の頂部または折曲部にはリンス液導入口１６２が設けられ、このリンス液導入口１６２にリンス液供給管（図示せず）が接続されている。Ｖ型ノズル１６０の頂部から左右斜めに分岐する両翼ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒには軸方向に一定の間隔で複数個の吐出口１６４が設けられている。なお、この実施形態において「左」と「右」は搬送方向（Ｘ方向）を向いて（基準として）定義している。
【００６８】
図示のように、Ｖ型ノズル１６０は、各吐出口１６４が基板の進行に逆らう向きで、好ましくは頂部が搬送路１１４の幅方向中心部に位置し、左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒがそれぞれ基板Ｇの左半分領域および右半分領域をカバーするように、搬送路１１４の上方（または下方）に水平に配置される。各吐出口１６４は水平面に対して搬送路１１４側に所定の角度で向けられてよい。
【００６９】
したがって、基板Ｇが搬送路１１４上でＶ型ノズル１６０の直下を通過する際に、リンス液供給部（図示せず）よりＶ型ノズル１６０にリンス液Ｂが圧送され、各吐出口１６４より基板Ｇに向けてリンス液が吐出または噴射される。そうすると、左ノズル部１６０Ｌの各吐出口１６４より吐出されたリンス液Ｂは基板Ｇ上で矢印Ｌで模式的に示すように基板の進行に逆らう向きで左斜め方向に流れ、右ノズル部１６０Ｒの各吐出口１６４より吐出されたリンス液Ｂは基板Ｇ上で矢印Ｒで模式的に示すように基板の進行に逆らう向きで右斜め方向に流れる。
【００７０】
この構成例では、Ｖ型ノズル１６０の中心部にリンス液導入口を設けているため、左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒの各々において基板中心部に近い吐出口１６４ほど大きな圧力ないし流量でリンス液Ｂを吐出する。こうして、前段の処理部（ブロー洗浄処理部Ｍ3）から持ち込まれた基板Ｇ上の液ＡがＶ型ノズル１６０の左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒより供給されるリンス液Ｂの流れにより掻き出されるようにして基板被処理面の左半分領域および右半分領域別に左側および右側へ掃き出される。その結果、Ｖ型ノズル１６０の下流側では基板Ｇ上にリンス液Ｂだけが残る。
【００７１】
このように、この実施例では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に対して、Ｖ型ノズル１６０がリンス液Ｂを基板Ｇ上で搬送方向に対して斜め方向に流れるように供給することにより、前段の処理部（Ｍ3）から持ち込まれた基板Ｇ上の液Ａをリンス液Ｂの流れにより基板の横または側方へ掃き出す（押し出す）ようにしたので、簡単かつ容易にリンス液Ｂに置換することができる。
【００７２】
さらに、この実施例では、基板Ｇ上の被処理面を左右に二分し、左半分領域についてはＶ型ノズル１６０の左ノズル部１６０Ｌにより液を左方へ流し、右半分領域についてはＶ型ノズル１６０の右ノズル部１６０Ｒにより液を右方へ流すようにしたので、基板上の各部に存在していた旧液または被置換液Ａを側方へ効率良く掃き出すことができる。しかも、Ｖ型ノズル１６０の左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒにより基板Ｇ上でリンス液Ｂを基板の進行に逆らう向きに流すため、基板Ｇ上の旧液または被置換液Ａを強制的に掻き出すようにして一層効率的かつ良好に側方または横へ掃き出すことができる。
【００７３】
また、この実施例におけるＶ型のノズル１６０は、搬送方向の所要スペースが小さくて済むため、装置の小型化に有利である。
【００７４】
この実施例では、基板Ｇ上の置換領域を左右に分けるための境界線（搬送方向と平行でＶ型ノズル１６０の中心部を通る線）を基板中心部に設定したが、適宜左側または右側にオフセットさせることも可能である。ノズル１６０のリンス液導入口は任意の箇所に任意の数だけ設けることができる。
【００７５】
また、この実施例において、基板Ｇ上の左右領域境界線付近でも液の置換を確実に行うためには、Ｖ型ノズル１６０において左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒの頂部寄りの吐出口１６４，１６４を可及的に近づける構成としてよい。あるいは、図６に示すように、ノズル１６０の頂部にも吐出口１６４を設けて、この頂部吐出口１６４から搬送方向と反対向きにリンス液Ｂを吐出させる構成としてもよい。
【００７６】
また、図７に示すように、Ｖ型ノズル１６０の左右分岐部１６０Ｌ，１６０Ｒにおいてリンス液吐出部を軸方向に延びるスリット１６６で構成することも可能である。また、上記した第１の実施例（図５〜図７）の一変形例として、Ｖ型ノズル１６０の左右分岐部１６０Ｌ，１６０Ｒを各々独立または分離したノズルとして構成することもできる。
【００７７】
図８に、第２の実施例によるリンスノズル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路の幅方向中心部付近に、搬送方向に対してそれぞれほぼ直角の左方向および右方向に向けて一対のノズル１６８，１７０を並列に配置する。両ノズル１６８，１７０の吐出口は多口型でもよくスリット型でもよい。両ノズル１６８，１７０は配管（図示せず）を介してリンス液供給部（図示せず）に接続されている。
【００７８】
一方のノズル１６８はリンス液Ｂを搬送方向に対してほぼ直角の左方向に吐出または噴射し、他方のノズル１７０はリンス液Ｂを搬送方向に対してほぼ直角の右方向に吐出する。これにより、基板Ｇ上の左半分領域では、矢印Ｌで模式的に示すようにノズル１６８からのリンス液Ｂが基板中心部から基板上を横断するように左方に流れ、このリンス液Ｂの流れにより各部の旧液または被置換液Ａが左方へ掃き出される。他方、基板Ｇ上の右半分領域では、矢印Ｒで模式的に示すようにノズル１７０からのリンス液Ｂが基板中心部から基板上を横断するように右方に流れ、このリンス液Ｂの流れにより各部の被置換液Ａが右方へ掃き出される。こうして両ノズル１６８，１７０の下流側では基板Ｇ上にリンス液Ｂだけが残る。
【００７９】
両ノズル１６８，１７０の配置位置は任意に変更または調整されてよい。特に、両ノズル１６８，１７０を搬送路幅方向で適宜オフセットさせることで、基板Ｇ上の左右領域境界線付近にもリンス液Ｂを十分に施して良好な置換を行うことができる。
【００８０】
あるいは、図９に示すように、左右に吐出口１７２Ｌ，１７２Ｒを有する１つのノズル１７２からリンス液Ｂを左右横方向に吐出させる構成も可能である。この場合、ノズル１７２の真下を通過する基板中心部にもリンス液Ｂを十分に施すために、左右吐出口１７２Ｌ，１７２Ｒよりも上流側に設けられる中心吐出口１７２Ｃより搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直な方向にリンス液Ｂを吐出させる構成が好ましい。
【００８１】
このように、この第２の実施例では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に対して、搬送方向に対してほぼ直角に左および／または右を向いた吐出口を有するノズル（１６８，１７０）、１７２がリンス液Ｂを基板Ｇ上で搬送方向に対して横方向に流れるように供給することにより、前段の処理部（Ｍ3）から持ち込まれた基板Ｇ上の被置換液Ａをリンス液Ｂの流れにより基板の横または側方へ掃き出すようにしたので、簡単かつ容易にリンス液Ｂに置換することができる。
【００８２】
さらに、この第２の実施例では、基板Ｇ上の被処理面を搬送方向に対して左右に二分し、左半分領域については左向きのノズル１６８またはノズル吐出口１７２Ｌにより液を左方へ掃き出し、右半分領域については右向きのノズル１７０またはノズル吐出口１７２Ｒにより液を右方へ掃き出すようにしたので、基板上の各部に存在していた被置換液Ａを基板側方へ効率良く掃き出すことができる。
【００８３】
この第２の実施例でも、基板Ｇ上の被処理面を左右に分ける境界線は、基板中心部付近に限られるものではなく、適宜左側または右側にオフセットさせることができる。
【００８４】
図１０に、第３の実施例によるリンスノズル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路１１４を横断する方向に直列に配置された複数個たとえば２つのノズル１７４，１７６で構成される。より詳細には、ノズル１７４は搬送路１１４の傍たとえば左側から右方向にリンス液Ｂを噴射し、ノズル１７４より噴射されたリンス液Ｂは基板Ｇの左端部に当たって基板Ｇ上を右方へ横断するように流れる。ノズル１７６は搬送路１１４の上方より右方向にリンス液Ｂを噴射し、ノズル１７６より噴射されたリンス液Ｂは基板Ｇの基板中心部に当たって、ノズル１７４側からのリンス液Ｂの流れに合流して、基板Ｇ上を右方へ横断するように流れる。このように、基板Ｇを横断する方向で、上流側のノズル１７４によるリンス液Ｂの流れに下流側のノズル１７６によるリンス液Ｂの流れを多重または合流させることで、リンス液Ｂの流れを増強し、被置換液Ａの横断的な掃き出しを良好に行うことができる。この実施例で直列配置されるノズルは２個に限らず、３個以上でも可能である。
【００８５】
図１１に、第４の実施例によるリンスノズル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路１１４の傍たとえば左側から基板Ｇの被処理面に向けて右方向にリンス液Ｂを噴射するノズル１７８と、ノズル１７８により基板Ｇ上に形成されるリンス液Ｂの横断的な流れに対して側方（搬送方向の上流および／または下流側）から流体たとえばリンス液Ｂを当てるスプレー管型ノズル１８０とで構成される。
【００８６】
この構成においては、ノズル１８０により基板Ｇ上に流体カーテンを形成することにより、ノズル１７８側からのリンス液Ｂの流れを横方向に整流して（広がりを防止して）、基板Ｇ上の被置換液Ａに対する横方向の掃き出しを良好に行うことができる。しかも、ノズル１７８と同一の液（リンス液Ｂ）をノズル１８０より供給するので、ノズル１７８側からのリンス液Ｂの流れを増強する効果も得られる。
【００８７】
なお、ノズル１８０を片側だけに配置する構成も可能である。また、ノズル１８０より吐出する流体をガスたとえばエアーまたは窒素ガスとすることも可能である。
【００８８】
図１２に、第５の実施例によるリンスノズル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、基板Ｇを斜めに横断するように搬送路１１４の上方に架けられるスプレー管型ノズル１８２で構成される。このノズル１８２の搬送方向とは反対側の側面には軸方向に一定間隔で多数の吐出口１８４が設けられている。これらの吐出口１８４は、基板Ｇの被処理面に向けて基板の進行と逆らう向きで斜め方向（図示の例では左斜め方向）にリンス液Ｂを吐出または噴射する。各吐出口１８４より噴射されたリンス液Ｂは基板Ｇ上で矢印Ｌで模式的に示すように基板の進行に逆らう向きで左斜め方向に流れる。この場合、右端側にいくほど吐出口１８４の吐出圧力または流量を大きくするのが好ましく、ノズル１８２のリンス液導入口１８６を右端部に設けてよい。
【００８９】
さらに、この実施例では、ノズル１８２の右端部に搬送方向の下流側を向く１個または複数個の吐出口１８８を設けている。この吐出口１８８より吐出されるリンス液Ｂは、基板Ｇの右端部を横切って基板の外へ流れて、基板右端部に残っている被置換液Ｂを右方へ掃き出す。
【００９０】
上記した実施形態における各部の構成は一例であり、特にリンスノズル１３８だけでなくスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の他の部分においても種々の変形が可能である。上記した実施形態では、搬送ローラ１１２を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能である。
【００９１】
搬送路の途中で、たとえばリンス処理部Ｍ4内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能である。その場合、本発明における液置換法に重力が加味されることになる。
【００９２】
上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニットまたは洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上で現像停止用リンス処理部より下流側の最終リンス部で上記実施形態と同様の液置換処理を行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任意の液の置換に適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、処理中に液の置換を必要とする任意の被処理基板が含まれる。
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、平流し方式において被処理基板上の液を効率的かつ良好に置換することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】第１の実施例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図６】第１の実施例の一変形例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図７】第１の実施例の一変形例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図８】第２の実施例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図９】第２の実施例の一変形例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図１０】第３の実施例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図１１】第４の実施例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【図１２】第５の実施例におけるリンスノズルの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１０    塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ）  プロセスステーション
２４    洗浄プロセス部
４２    スクラバ洗浄ユニット
１１２    搬送ローラ
１１４    搬送路
Ｍ4    リンス処理部
１３８    リンスノズル
１６０    Ｖ型ノズル
１６０Ｌ  左ノズル部
１６０Ｒ  右ノズル部
１６４    吐出口
１６６    スリット（吐出部）
１６８，１７０，１７２    ノズル
１７４，１７６，１７８    ノズル
１８０    ノズル
１８２    ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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