(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ水平に保持された基板の下面に処理流体を供給して、当該処理流体により、当該基板の下面および端面ならびに上面の周縁部を処理する基板処理装置であって、
基板の上面に接触する接触部を有し、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体と、
基板の下面に対向する下対向面を有する対向部材と、
基板の下面に向けて処理流体を吐出して、当該処理流体で当該基板を上記対向部材から浮上させ、当該基板を上記回転体の接触部に対する押しつけにより保持させる処理流体吐出手段と
を含み、
上記回転体の接触部は、基板の上面の周縁部に接触するように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記処理流体吐出手段が吐出する処理流体は、処理液および処理ガスを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記処理流体吐出手段は、処理流体を吐出するための複数の吐出口を有していることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記回転体の接触部は、基板の上面の周縁部に沿ったリング状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記回転体の接触部は、基板の上面の周縁から所定幅だけ内側に設定されたリング状の領域に接触するように形成されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記回転体の接触部に押しつけられた基板の側方に設けられたガイド部材をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記対向部材の下対向面には、基板の外形に対応して下方に窪んだ段差部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記対向部材は、上記回転体と同じ軸線まわりに回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記基板処理装置は、基板の周縁部から不要物を除去するための装置であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記不要物は、基板の周縁部に形成されている不要な薄膜であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
ほぼ水平に保持された基板の下面に処理流体を供給して、当該処理流体により、当該基板の下面および端面ならびに上面の周縁部を処理する方法であって、
基板の下面に向けて処理流体を吐出して、当該基板の下面に対向する下対向面を有する対向部材から当該基板を浮上させ、当該基板の上面の周縁部をほぼ鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体に備えられた接触部に対して押しつけることにより当該基板を保持させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各種基板に対して、処理流体を用いた処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工場では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板の裏面や周縁部の不要な薄膜を除去するために、いわゆるベベルエッチング処理が行われることがある。
このベベルエッチング処理を実施するための従来の装置は、半導体ウエハなどの被処理基板を保持した状態で回転可能なスピンチャックを備えている。スピンチャックは、ウエハを支持するための複数のチャックピンを含んでいる。チャックピンは、ウエハの周縁部の下面を支持する支持部と、ウエハの端面を挟持する挟持部とを有している。
【０００３】
これにより、ウエハを回転させながら下方からエッチング液を供給することにより、ウエハの裏面にエッチング処理を施すことができる。ウエハ表面の周縁部にエッチング液を回り込ませることによって、ウエハの端面や表面の周縁部にもエッチング処理を施すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような装置によるベベルエッチング処理においては、ウエハ端面および裏面（下面）周縁部のチャックピンが当接する部位には、処理流体、すなわち処理液や処理ガスが供給されない。このため、そのようなウエハの部位は、エッチング処理のむらや乾燥むらが生じる。
そこで、この発明の目的は、処理流体による良好な処理が行える基板処理装置を提供することである。
【０００５】
この発明の他の目的は、処理流体による良好な処理が行える基板処理方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、ほぼ水平に保持された基板（Ｗ）の下面に処理流体を供給して、当該処理流体により、当該基板の下面および端面ならびに上面の周縁部を処理する基板処理装置であって、基板の上面に接触する接触部（２１，２２，２４）を有し、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体（２）と、基板の下面に対向する下対向面（１３ａ）を有する対向部材（１２）と、基板の下面に向けて処理流体を吐出して、当該処理流体で当該基板を上記対向部材から浮上させ、当該基板を上記回転体の接触部に対する押しつけにより保持させる処理流体吐出手段（１５，１６）とを含み、上記回転体の接触部は、基板の上面の周縁部に接触するように配置されていることを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明の構成によれば、処理流体吐出手段により、処理流体を被処理基板の下方から吐出してこの基板の下面に当てることにより、この基板を浮上させ、基板の上面を回転体に設けられた接触部に押しつけることができる。この状態で回転体を回転させると、基板も同時に回転し、基板の下面の処理を行うことができる。さらに、処理流体を基板の端面や上面に回り込ませることにより、基板の端面や上面の処理を行うことができる。処理流体は、たとえば、エッチング液などの薬液、洗浄のための純水、乾燥のためのガス（たとえばＮ２）などとすることができる。
【０００８】
このような、基板処理装置を用いた基板の処理において、回転体の接触部のみが基板の上面で接触している。すなわち、基板の下面および端面に接触する部材が存在しないから、基板の下面および端面に処理流体による処理を良好に施すことができる。
接触部は、たとえば、３つの突起であり基板に３点で接触するものであってもよい。
接触部は、基板上面の周縁部で接触することにより、基板上面の中心側で接触する場合と比べて、基板を安定して支持することができる。たとえば、処理流体が、基板の重心から多少ずれた位置に力を与えるように当てられた場合でも、力のバランスが崩れることなく、基板を一定の位置および向きで保持することができる。
この発明の構成によれば、基板の下面と対向部材の上面（下対向面）との間を処理流体が流通するから、その流通する処理流体で基板を浮上させて接触部に押し付けることができる。
請求項２記載の発明は、上記処理流体吐出手段が吐出する処理流体は、処理液および処理ガスを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【０００９】
処理液（薬液や純水など）による処理の際、処理液と処理ガス（たとえばＮ２）とを同時に基板の裏面（下面）に向けて吐出することにより、使用する処理液の量を節約することができる。すなわち、処理液のみを吐出して、基板を浮上させて回転体の接触部に押し付けようとすると、基板の処理のために必要な最少の流量を大きく上回る流量を必要とする。そこで、基板を浮上させるために、処理ガスを併用することにより、吐出する処理液の流量を少なくすることができる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、上記処理流体吐出手段は、処理流体を吐出するための複数の吐出口を有していることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
複数の吐出口は、基板に対向する広い領域にわたって分布するように設けることができる。これにより、処理流体を基板下面の広い領域に当てることができるので、基板を安定して浮上させることが容易となる。また、基板に対して処理を均一に施すことができる。
【００１２】
請求項４記載の発明は、上記回転体の接触部（２２，２４）は、基板の上面の周縁部に沿ったリング状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
リング状の接触部が全周にわたって基板に接触するように構成することにより、基板上面で接触部が基板に接触している領域より内方に、処理液が入り込まないようにすることができる。たとえば、基板の周縁が、リング状の接触部の内周縁と外周縁との間に位置するように構成することにより、処理液が基板上面側に回り込んだ場合でも、基板上面の全面が処理液と接触しないようにすることができる。
【００１３】
請求項５記載の発明は、上記回転体の接触部（２４）は、基板の上面の周縁から所定幅だけ内側に設定されたリング状の領域に接触するように形成されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板上面において、周縁から所定幅の範囲のみ処理流体が接触するようにすることができる。たとえば、基板上面に処理液を回り込ませることにより、基板上面の周縁から所定幅の範囲に、エッチングや洗浄などの処理を施すことができる。
【００１４】
請求項６記載の発明は、上記回転体の接触部に押しつけられた基板の側方に設けられたガイド部材（２３）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
ガイド部材により、基板の重心が回転の中心に対してずれていた場合でも、回転中に基板が側方に移動する（飛び出す）ことを規制することができる。
【００１５】
請求項７記載の発明は、上記対向部材の下対向面には、基板の外形に対応して下方に窪んだ段差部（１４）が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１６】
この発明によれば、処理流体は、下対向面の段差部により形成された窪み内を満たした状態で、基板を浮上させることができる。このとき、段差部では、基板と対向部材との間隔が狭くなっており、この間を流出する処理流体の圧力は高い。したがって、基板の浮上効果が高まる。すなわち、処理流体は少ない流量で効率的に基板を浮上させることができるので、使用する処理流体の量を節約することができる。
【００１７】
請求項８記載の発明は、上記対向部材は、上記回転体と同じ軸線まわりに回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置である。
対向部材が回転しないとすれば、処理流体は、吐出口から放射方向にのみ流れるので、処理流体に接触しながら回転する基板に対して回転抵抗を与える。本発明の構成によれば、対向部材を回転体と同じ軸線まわりに回転させることができる。そこで、対向部材を基板と同じ方向に回転させることにより、処理流体も同じ方向に回転しながら放射方向に流れるようにすることができる。これにより、基板の回転抵抗を少なくすることができる。この場合、基板と対向部材とは、同じ回転速度で回転させてもよく、異なる回転速度で回転させてもよい。
【００１８】
請求項９記載の発明は、上記基板処理装置は、基板の周縁部から不要物を除去するための装置であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置は、基板の周縁部から不要物を除去するために好適に用いることができる。
請求項１０記載の発明は、上記不要物は、基板の周縁部に形成されている不要な薄膜であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置である。
【００１９】
請求項９記載の基板処理装置は、基板の周縁部に形成されている不要な薄膜を除去するために好適に用いることができる。
請求項１１記載の発明は、ほぼ水平に保持された基板の下面に処理流体を供給して、当該処理流体により、当該基板の下面および端面ならびに上面の周縁部を処理する方法であって、基板の下面に向けて処理流体を吐出して、当該基板の下面に対向する下対向面を有する対向部材から当該基板を浮上させ、当該基板の上面の周縁部をほぼ鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体に備えられた接触部に対して押しつけることにより当該基板を保持させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００２０】
このような基板処理方法により、請求項１記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略化された断面図である。この基板処理装置は、処理対象の基板であるウエハＷの裏面（下面）や周縁部の不要な薄膜などを除去するためのベベルエッチング処理を実施するためのものであり、ウエハＷをほぼ水平に保持するウエハ保持機構１、ウエハ保持機構１に保持されたウエハＷに処理流体を供給する処理流体供給機構２９、および処理時にウエハ保持機構１に保持されたウエハＷに対向して回転される円板状の遮断板２とを備えている。
【００２２】
ウエハ保持機構１は、鉛直方向に沿わせて配置されたチャック軸１１と、このチャック軸１１の上端に設けられほぼ水平方向にのびたウエハ載置台１２とを有している。ウエハ載置台１２の上面には、処理するウエハＷの外形（ほぼ円形）に対応して下方に窪んだ凹所１３が形成されている。凹所１３の直径はウエハＷの直径よりわずかに大きく、凹所１３の深さはウエハＷの厚さにほぼ等しい。凹所１３の底部は、平坦な底面１３ａとなっている。凹所１３の周縁は段差部１４となっている。
【００２３】
チャック軸１１の内部には、処理液供給源および窒素（Ｎ２）ガス供給源からのびた処理流体供給配管１５が挿通されている。処理液供給源は、エッチング液および純水を選択的に供給することができる。処理流体供給配管１５の上端は、凹所１３内に開放しており、吐出口１６をなしている。また、凹所１３の底面１３ａには、凹所１３内のエッチング液および純水を排出可能な排液口１３ｂが複数個形成されており、図示しないコンバムなどの吸引手段に配管接続されている。
【００２４】
また、凹所１３内の周縁部に近い位置には、ウエハ載置台１２を厚さ方向に貫通するガイド穴１８が、チャック軸１１のまわりに等角度間隔で３カ所設けられている。各ガイド穴１８内を上下動可能に、リフタピン１９が設けられている。各リフタピン１９は、下方で共通の支持体２０に支持されており、昇降駆動部３０により、支持体２０を介して上下動される。
また、リフタピン１９の上端部には、ウエハＷの下面に当接可能な傘状の基板当接部１９ａが設けられている。基板当接部１９ａは、ガイド穴１８の直径よりも大きい直径を有しているので、リフタピン１９が下方に移動した際にガイド穴１８を閉塞することができる。さらにこの際、基板当接部１９ａは所定の高さを有しているので、ウエハＷの下面が凹所１３の底面１３ａに接触することがない。
【００２５】
遮断板２は、その上方で鉛直方向に沿わせて設けられた回転軸１７に軸線を合わせて支持されており、回転軸１７を介して回転駆動部３１により回転される。また、遮断板２および回転軸１７は、昇降駆動部３２により上下動される。遮断板２および回転軸１７は、ウエハＷの処理時等は、遮断板２が凹所１３と近接して対向するように配置されているが、凹所１３へのウエハＷの出し入れ時等は上方に移動して退避可能である。遮断板２の下面には、半球状の突起２１が設けられている。
【００２６】
図２は、図１の遮断板２の図解的な底面図である。突起２１は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、回転軸１７のまわりに等角度間隔で３カ所設けられている。
図３は、図１の基板処理装置による基板処理の流れを示す図解図である。
遮断板２および回転軸１７が、凹所１３の上方に退避し、リフタピン１９の上端が載置台１２の上面より所定高さだけ突き出た状態で、ウエハＷがリフタピン１９の基板当接部１９ａの上に載置される（図３（ａ））。
【００２７】
その後、リフタピン１９の基板当接部１９ａの下面が底面１３ａに密接する位置までリフタピン１９が下降し、次いで、遮断板２が凹所１３に近接するように回転軸１７が下方に移動される（図３（ｂ））。このとき、突起２１の先端とウエハＷの上面とは、ほぼウエハＷの厚さに相当する間隔をあけて対向している。またこのとき、リフタピン１９の上端は底面１３ａより上方に所定高さ（たとえば、ウエハＷの厚みの半分程度）だけ突き出ており、ウエハＷが底面１３ａ中央の吐出口１６を塞がないようになっている。またこの際、基板当接部１９ａの下面は底面１３ａに密接して、ガイド穴１８を閉塞するようになっている。
【００２８】
その後、処理液供給源からエッチング液が供給され、窒素ガス供給源から不活性ガスとしての窒素ガスが供給される。エッチング液と窒素ガスとは、同時に処理流体供給配管１５を通って、吐出口１６から吐出される。ウエハＷは、エッチング液および窒素ガスにより押し上げられ、ウエハＷの下面がリフタピン１９の基板当接部１９ａから離れて浮上し、ウエハＷの上面は突起２１に当接する（図３（ｃ））。この状態で、凹所１３の部分を除くウエハ載置台１２の上面とウエハＷの下面とは、ほぼ同一の高さにある。エッチング液および窒素ガスは、ウエハＷの下面と底面１３ａとの間を放射方向に側方へと流れ、段差１４近傍のウエハＷとウエハ載置台１２との隙間より外部へ流出する。このとき、エッチング液はウエハＷの端面にも接触する。
【００２９】
続いて、図３（ｃ）の２点鎖線矢印に示されるように、回転軸１７が回転されることにより遮断板２が回転される。これにより、ウエハＷも回転され、ウエハＷの下面および端面が良好にエッチング処理される。一定時間エッチング液が供給された後、処理液がエッチング液から純水へと切り替えられて、ウエハＷの洗浄が施される。このとき、窒素ガスは引き続き供給され、純水とともに吐出口１６から吐出される。
【００３０】
洗浄が終了した後、純水の供給が停止され、吐出口１６からは窒素ガスのみが吐出される。ウエハＷが浮上して、ウエハＷの上面が突起２１に当接した状態を維持するために、必要により窒素ガスの流量が大きくされる。凹所１３内の純水は、凹所１３の底面１３ａに形成された排液口１３ｂから排出され、ウエハＷの乾燥が施される。
ウエハＷの乾燥が終了すると、回転軸１７の回転が停止されることにより、遮断板２の回転が停止される。これにより、ウエハＷの回転が停止される。続いて、吐出口１６から吐出される窒素ガスの流量が徐々に小さくされて窒素ガスの供給が停止される。これにより、ウエハＷは徐々に浮上高さが低くなり、リフタピン１９の基板当接部１９ａに支持された状態となる（図３（ｂ）と同じ状態）。
【００３１】
以上で、１枚のウエハＷの処理が終了する。このような処理により、ウエハＷの下面および端面に形成されている不要な薄膜を除去することができる。処理終了後は、遮断板２が凹所１３に近接する位置から上方へ退避するように回転軸１７が移動され、処理済のウエハＷはリフタピン１９によって上方に持ち上げられて（図３（ａ）と同じ状態）、処理済みのウエハＷが搬出された後、未処理のウエハＷが搬入されて上述のような処理が繰り返される。
【００３２】
このような、基板処理装置を用いたウエハＷの処理において、遮断板２に設けられた突起２１のみがウエハＷの上面で接触している。すなわち、ウエハＷの下面および端面に接触する部材が存在しないから、ウエハＷの下面および端面に対して、エッチング液によるエッチング処理、純水による洗浄、および窒素ガスによる乾燥を良好に施すことができる。
エッチング処理および洗浄の際、エッチング液または純水と窒素ガスとを同時にウエハＷの下面（裏面）に向けて吐出することにより、使用するエッチング液および純水の量を節約することができる。すなわち、エッチング液または純水のみを吐出して、ウエハＷを浮上させてウエハＷの上面を突起２１に押し付けようとすると、ウエハＷのエッチング処理または洗浄に必要な最少流量を大きく上回る流量を必要とする。そこで、ウエハＷを浮上させるために、窒素ガスを併用することにより、エッチング液または純水の流量を少なくすることができる。
【００３３】
突起２１は、ウエハＷ上面の周縁部で接触することにより、ウエハＷ上面の中心側で接触する場合と比べて、ウエハＷを安定して支持することができる。たとえば、処理流体（エッチング液、純水、および窒素ガス）が、ウエハＷの重心から多少ずれた位置に力を与えるように当てられた場合でも、力のバランスが崩れることなく、ウエハＷを一定の位置および向きで保持することができる。
処理流体は、ウエハＷの下面と底面１３ａとの間を流通するから、その流通する処理流体でウエハＷを浮上させて突起２１に押し付けることができる。また、処理流体は、凹所１３内を満たした状態で、ウエハＷを浮上させることができる。このとき、段差部１４では、ウエハＷとウエハ載置台１２との間隔が狭くなっており、この間を流出する処理流体の圧力は高い。したがって、ウエハＷの浮上効果が高まる。すなわち、処理流体は少ない流量で効率的にウエハＷを浮上させることができるので、使用する処理流体の量を節約することができる。
【００３４】
図４は、図１に示す実施形態の第１の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図（図４（ａ））および断面図（図４（ｂ））である。
本実施形態においては、遮断板２には突起２１の代わりにリング部材２２が、ウエハＷとの接触部材として設けられている。リング部材２２は、ウエハＷの上面の周縁部に沿って全周にわたってウエハＷに接触するように構成されている。また、ウエハＷの周縁は、リング部材２２の内周縁と外周縁との間に位置するように構成されている。これにより、処理流体がウエハＷ上面側に回り込んだ場合でも、ウエハＷ上面の全面が処理流体と接触しないようにすることができる。すなわち、確実にウエハＷの下面および端面のみが処理されるようにすることができる。
【００３５】
図５は、図１に示す実施形態の第２の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図（図５（ａ））および断面図（図５（ｂ））である。
本実施形態においては、図４に示すリング部材２２の下方にさらにガイドリング２３が設けられている。底面図（図５（ａ））において、リング部材２２の外周縁とガイドリング２３の外周縁とは一致している。ガイドリング２３の内周縁は、リング部材２２に接触するウエハＷの周縁より外方にある。すなわち、ガイドリング２３は、リング部材２２に接触するウエハＷの側方を取り囲むように配置されている。
【００３６】
ガイドリング２３により、ウエハＷの重心が回転の中心に対してずれていた場合でも、回転中にウエハＷが側方に移動する（飛び出す）ことを規制することができる。
図６は、図１に示す実施形態の第３の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図（図６（ａ））および断面図（図６（ｂ））である。
本実施形態においては、遮断板２には、ウエハＷとの接触部材としてリング部材２４が設けられている。リング部材２４の外周縁は、接触するウエハＷの周縁より内方にある。
【００３７】
この構成によれば、ウエハＷ上面において、周縁から所定幅の範囲のみ処理流体が接触するようにすることができる。たとえば、ウエハＷ上面にエッチング液および純水を回り込ませることにより、ウエハＷ上面の周縁から所定幅の範囲をエッチング処理および洗浄することができる。
以上の実施形態において、ウエハ載置台１２は、遮断板２と同じ軸線まわりに回転可能に設けられていてもよい。この場合、ウエハＷの回転抵抗を少なくすることができる。なぜなら、ウエハ載置台１２が回転しないとすれば、処理流体は、吐出口１６から放射方向にのみ流れるので、処理流体に接触しながら回転するウエハＷに対して回転抵抗を与える。ウエハ載置台１２をウエハＷと同じ軸線上で同じ方向に回転させることにより、処理流体も同じ方向に回転しながら放射方向に流れるようにすることができる。これにより、ウエハＷの回転抵抗を少なくすることができる。この場合、ウエハ載置台１２とウエハＷとは、同じ回転速度で回転させてもよく、異なる回転速度で回転させてもよい。
【００３８】
上記の実施形態においては、基板処理装置は半導体ウエハの処理するものであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気／光ディスク用基板など、各種基板に対して処理流体を用いた処理を施すための基板処理装置とすることができる。
基板が重く、処理液と処理ガスとの併用で基板を浮上させることが困難である場合は、処理液のみを基板の下方に当てて基板を浮上させることとしてもよい。また、処理ガスのみで基板を浮上させることが困難である場合は、乾燥は別工程で行うこととしてもよい。
【００３９】
上記の実施形態においては、処理流体の吐出口１６は１つとしているが、吐出口１６は複数が設けられていてもよい。複数の吐出口１６は、凹所１３内でウエハＷなどの基板に対向する広い領域にわたって分布するように設けることができる。これにより、処理流体を基板下面の広い領域に当てることができるので、基板を安定して浮上させることが容易となる。また、基板に対して処理を均一に施すことができる。
【００４０】
ウエハＷなどの基板を底面１３ａから浮かせるために、リフタピン１９の代わりに、底面１３ａに固定された突起（たとえば、基板を３点支持可能なもの）が設けられていてもよい。また、ウエハ底面１３ａには、基板の周縁部に対向する部分が高くなるように段差が設けられていて、この段差の周縁部でウエハＷを支持することとしてもよい。これらの場合でも、処理流体の吐出時に吐出口１６が基板により塞がれることはない。
【００４１】
あるいは、上記の実施形態においては、凹所１３の直径はウエハＷ（基板）の直径より大きくされているが、それより小さくてもよい。この場合、基板下面の周縁部が載置台１２の上面に支持され、凹所１３が基板で塞がれることになる。このような場合でも、処理流体の吐出時に吐出口１６が基板により塞がれることはない。
また、上記の実施形態においては、リフトピン１９の基板当接部１９ａの形状を所定の高さを有する傘状のものとした。これは、ウエハＷを底面１３ａから所定高さだけ浮かせるとともに、ガイド穴１８を塞いで凹所１３内の処理流体を不必要に流出させないためであるが、同様の効果を有するものなら何でもよい。たとえば、図７（ａ）および（ｂ）に示すような基板当接部１９１ａ，１９２ａとしてもよい。このようにすれば、基板当接部１９１ａ，１９２ａとガイド穴１８との密接面がテーパ面になっているので、さらにガイド穴１８の密閉性が向上する。
【００４２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略化された断面図である。
【図２】図１の遮断板の図解的な底面図である。
【図３】図１の基板処理装置による基板処理の流れを示す図解図である。
【図４】図１に示す実施形態の第１の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図および断面図である。
【図５】図１に示す実施形態の第２の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図および断面図である。
【図６】図１に示す実施形態の第３の変形例に係る基板処理装置の遮断板の底面図および断面図である。
【図７】ガイド穴および凹所の変形例を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
１    ウエハ保持機構
２    遮断板
１１    チャック軸
１２    ウエハ載置台
１３    凹所
１３ａ    底面
１４    段差部
１５    処理流体供給配管
２１    突起
２２，２４    リング部材
２３    ガイド部材
Ｗ    ウエハ
【図１】
0003754334.tif 000002
【図２】
0003754334.tif 000003
【図３】
0003754334.tif 000004
【図４】
0003754334.tif 000005
【図５】
0003754334.tif 000006
【図６】
0003754334.tif 000007
【図７】
0003754334.tif 000008