(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板の一方主面に電極ランドを設けて磁芯横置タイプの開磁型コイル部品を搭載するとともに、基板の他方主面及び基板内部の少なくともいずれかにグランドパターンを含む導体パターンを設けた混成集積回路装置において、
前記導体パターンにおける前記開磁型コイル部品の巻線部の正射影領域の全ての導体パターンが除去された磁束通過窓が設けられていることを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の混成集積回路装置において、
前記基板に搭載した開磁型コイル部品の巻線部に対応する基板の他方主面の正射影領域に前記グランドパターンとは独立の前記開磁型コイル部品のインダクタンス調整用の導体パターンが設けられていることを特徴とする混成集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低背な磁芯横置タイプの開磁型コイル部品を基板に搭載した混成集積回路装置に関し、特に、その基板に設けられた導体パターンの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年における携帯情報端末等の電子機器の軽薄短小化に伴い、ＤＣ−ＤＣコンバータ等の一纏まりの回路ブロックを構成するコンデンサ、トランジスタ、トランス、ＩＣ等の各電子部品を一つの基板に高密度に面実装した混成集積回路装置（所謂ハイブリッドＩＣ）が多用されている。
【０００３】
上記混成集積回路装置の個々の電子部品においては当然ながら小型化・低背化が求められており、比較的高さ寸法が大きいコイル部品（トランス、フィルタ、チョークコイル等）は低背化の要請が強く、図５の斜視図に示されるような磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０が考案されるに至っている。
【０００４】
図５から判るように、この磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０は、偏平柱状の巻芯部（破線で示される）２と、該巻芯部２の長さ方向の両端に巻芯部２と一体に各々延設された鍔３、４と、を有するフェライトコア５と、前記フェライトコア５の前記鍔３、４の端面に設けられた複数の外部電極６、６・・と、前記フェライトコア５の巻芯部２に捲回されるとともに両端部が各々前記鍔３、４の外部電極６、６・・に熱圧着等によって導電固着された絶縁被覆導線（ポリウレタン被覆導線やポリエステル被覆導線等）からなる巻線８と、を備える構造であり、概して両端の鍔３、４の間隔が広く、かつ巻線部９は極めて搭載する基板に接近した状態となる。したがって、図６の基板への実装状態を表す側面図に示されるように、磁束Ｂ（即ち、磁力線）が大きく鍔３から鍔４へと巻線部９（巻芯部）の上下に拡がっている。
【０００５】
一方、混成集積回路装置に使用される基板１１には、アルミナ基板やガラスエポキシ基板等種々のものがあるが、その一方主面（基板表面）に電極ランド１４及び配線パターン１２を設けて前記磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０及びその他のチップ部品を半田リフロー等によって搭載（面実装）するとともに、基板１１の他方主面（基板裏面）及び基板内部の少なくともいずれかにグランドパターン１３を含む導体パターンを設けた構造が一般的である。なお、他にも配線パターンやグランドパターン等の導体パターンが幾層にも基板内部に積層形成された多層基板も多用されている。また、上記配線パターン１２やグランドパターン１３等の導体パターンの導体材料はアルミニウム、ないし銅箔、銀箔、金箔、銀−パラジウム等である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような混成集積回路装置では、図６に示されるようにノイズ対策としてのグランド電位の強化のために、基板裏面ないし基板内部においてグランドパターン１３を含む導体パターンを可及的に広く確保するように一面に設けることが一般的となっているが、前述のように磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０は磁束Ｂが鍔３から鍔４へと巻線部９の上下に拡がっているので、巻線部９の直下の領域のグランドパターン１３等の導体パターンの影響を受けてしまい、結果的に開磁型コイル部品１０のインダクタンス値が搭載前と比べて低下してしまう（搭載前の場合に比べて１０〜３０％程度低下する）。
【０００７】
また、逆の視点から言えば、開磁型コイル部品１０はそのインダクタンス値が搭載された基板１１の周辺環境（巻線部９直下の導体パターンの形状、周辺電子部品の配置等）に依存して変化してしまうので、最終的に基板に実装された開磁型コイル部品のインダクタンス値を予め策定することは難しいのである。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、混成集積回路装置に搭載される磁芯横置タイプの開磁型コイル部品のインダクタンス値の低下を抑え、また基板搭載後において所望のインダクタンス値になるように調整可能とするような導体パターンを設けた混成集積回路装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）少なくとも基板１１の一方主面に電極ランド１４を設けて磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０を搭載するとともに、基板１１の他方主面及び基板内部の少なくともいずれかにグランドパターン１３を含む導体パターンを設けた混成集積回路装置において、
前記導体パターンにおける前記開磁型コイル部品１０の巻線部９の正射影領域Ｚの全ての導体パターンが除去された磁束通過窓１８が設けられていることを特徴とする混成集積回路装置３０を提供することにより、上記目的を達成する。
【００１０】
（２）上記（１）に記載の混成集積回路装置において、
前記基板１１に搭載した開磁型コイル部品１０の巻線部９に対応する基板の他方主面の正射影領域Ｙに前記グランドパターン１３とは独立の前記開磁型コイル部品１０のインダクタンス調整用の導体パターン１９が設けられていることを特徴とする混成集積回路装置４０を提供することにより、上記目的を達成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る混成集積回路装置の実施の形態を図面に基いて説明する。なお、従来の技術で説明した混成集積回路装置の同等部材のものは同符号にて示すこととする。また、本発明の対象とする混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）の回路ブロックは磁芯横置タイプの開磁型コイル部品を搭載しているもの全てが含まれ、ＤＣ−ＤＣコンバータ、パワーアンプ等その適用に制限は無い。また、搭載される開磁型コイル部品は低背な磁芯横置タイプであれば、その品種は任意であって、トランス、チョークコイル、フィルタ等種々のものが含まれる。
【００１２】
図１は本発明に係る混成集積回路装置の表面側及びこれを逆さにした裏面側を示す斜視図であり、図２は本発明の請求項１に係る混成集積回路装置３０の開磁型コイル部品搭載部分の側面図であり、図３は本発明の請求項２に係る混成集積回路装置４０の開磁型コイル部品搭載部分の側面図である。図４は本発明の請求項２に係る混成集積回路装置４０におけるインダクタンス値調整を説明するための図である。
【００１３】
先ず、本発明に係る混成集積回路装置３０は、図１に示されるように、少なくとも基板１１の一方主面（基板表面）に配線パターン１２を設けて磁芯横置タイプの開磁型コイル部品１０を搭載するとともに、基板１１の他方主面（基板裏面）及び基板内部の少なくともいずれかにグランドパターン１３を含む導体パターンを設けた構造であって、特に前記導体パターンにおける前記開磁型コイル部品１０の巻線部９の正射影領域Ｚの全てに導体パターンの除去された磁束通過窓１８が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
開磁型コイル部品１０′の巻線部９の正射影領域Ｚ全ての導体パターンが除去された磁束通過窓１８を設けた請求項１の混成集積回路装置３０では、図２に示されるように、開磁型コイル部品１０′の巻線部９の直下に拡がる磁束Ｂがグランドパターン１３の除去された磁束通過窓１８を通過しているため、グランドパターン１３の影響を殆ど受けず、開磁型コイル部品１０′のインダクタンス値の減少が抑えられることが理解されよう。なお、上記図２においては、磁芯横置タイプの開磁型コイル部品の例示として、コア直付けの外部電極６、６・・を有する前記開磁型コイル部品１０と異なり、フェライトコアの鍔３、４に嵌装された金属板からなる複数の外部電極１６、１６・・を有する開磁型コイル部品１０′を示す。両者は共に本発明の対象とする磁芯横置タイプの開磁型コイル部品であることは言うまでもない。
【００１５】
さらに、本発明の請求項２に係る混成集積回路装置４０では、図３に示されるように、基板１１に搭載した開磁型コイル部品１０の巻線部９に対応する基板の他方主面（裏面）の正射影領域Ｙに前記開磁型コイル部品１０のインダクタンス調整用の導体パターン１９が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
上記開磁型コイル部品１０のインダクタンス調整用の導体パターン１９はグランドパターン１３とは独立であって、開磁型コイル部品１０の基板１１への実装後に、図４に示されるように、開磁型コイル部品１０の電極に探針２３を立てインダクタンス値をモニターしつつ適当な形状のノズル２４から５〜５０μｍ程度のアルミナの微粉末（サンド）を高圧空気とともに高速噴射してトリミングするサンドブラスト法等によって、導体パターン１９を選択的に削り取ることで、搭載された開磁型コイル部品１０におけるインダクタンス値に対する上記導体パターン１９の影響の度合いを変えることができ、結果として開磁型コイル部品１０の実効的なインダクタンス値を調整し所望のインダクタンス値が得られるのである。
【００１７】
念のために付言すれば、本発明は混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）の基板のグランドパターンや配線パターン等の導体パターンにつき、搭載される開磁型コイル部品のインダクタンス値に対する影響を予め考慮して、これを回避または利用するという新しい発想の下になされたものであり、開磁型コイル部品の低背化に伴って予想される開磁型コイル部品の形状に鑑み、今後浮上するであろう問題点の解決の道を探ることによって創出されたものであって、開磁型コイル部品を搭載する面実装基板について、特性上極めて有益なことが理解されよう。
【００１８】
【発明の効果】
本発明に係る混成集積回路装置は、上記のように構成されているため、
（１）混成集積回路装置の基板に搭載される磁芯横置タイプの開磁型コイル部品のインダクタンス値が導体パターンによる影響を低減してインダクタンス値の低下を抑えることができるという優れた効果を有する。
（２）基板搭載後に開磁型コイル部品について所望のインダクタンス値となるように調整することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る混成集積回路装置の表面側及びこれを逆さにした裏面側を示す斜視図である。
【図２】本発明の請求項１に係る混成集積回路装置の開磁型コイル部品搭載部分の側面図である。
【図３】本発明の請求項２に係る混成集積回路装置の開磁型コイル部品搭載部分の側面図である。
【図４】本発明の請求項２に係る混成集積回路装置におけるインダクタンス値調整を説明する図である。
【図５】磁芯横置タイプの開磁型コイル部品の斜視図である。
【図６】従来の混成集積回路装置における磁芯横置タイプの開磁型コイル部品搭載部分の側面図である。
【符号の説明】
２        巻芯
３、４        鍔
５        フェライトコア
６、１６        外部電極
８        巻線
９        巻線部
１０、１０′      開磁型コイル部品
１１        基板
１２        配線パターン
１３        グランドパターン
１４        電極ランド
１８        磁束通過窓
１９        導体パターン
３０、４０  混成集積回路装置
Ｚ        巻線部の正射影領域
Ｙ        巻線部に対応する基板の他方主面（裏面）の正射影領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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