(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光部品と、該第１の光部品と間隔を介して対向配置される第２の光部品と、これら第１、第２の光部品と光軸を一致させて第１、第２の光部品の間に光軸方向の間隔を介して配置された第１の光部品寄りの第１のレンズおよび第２の光部品寄りの第２のレンズと、この第１のレンズと第２のレンズを前記第１の光部品と第２の光部品間で伝搬する光の点対称のモードフィールド形状を保ちながら第１の光部品に対する第１のレンズの移動後の距離と第２の光部品に対する第２のレンズの移動後の距離とが等しくなるように前記第１と第２の光部品の光軸方向に移動することにより前記第１の光部品と第２の光部品との結合効率を変化させて光パワーを調整するレンズ移動手段と、を有することを特徴とする可変光減衰器。
【請求項２】
第１の光部品と、該第１の光部品と間隔を介して対向配置される第２の光部品と、これら第１、第２の光部品と光軸を一致させて第１の光部品と第２の光部品との間隔に配置される第１の光部品寄りの第１のレンズおよび第２の光部品寄りの第２のレンズと、該第１のレンズおよび第２のレンズを前記第１の光部品と第２の光部品間で伝搬する光の点対称のモードフィールド形状を保ちながら前記第１と第２の光部品の光軸方向に移動することにより前記第１の光部品と第２の光部品との結合効率を変化させて光パワーを調整するレンズ移動手段とを有し、前記レンズは第１、第２の光部品の光軸方向に間隔を介して配設された第１のレンズと第２のレンズであり、レンズ移動手段は前記第１の光部品に対する第１のレンズの距離と前記第２の光部品に対する第２のレンズの距離とが等しい位置をスタート位置として前記第１のレンズと前記第２のレンズを同時に同じ距離だけ逆方向に移動させることを特徴とする可変光減衰器。
【請求項３】
レンズは半導体微細加工技術を用いて半導体基板上に形成され、レンズ移動手段は前記レンズを電磁力又は静電力により移動させることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の可変光減衰器。
【請求項４】
レンズは半導体微細加工技術を用いて形成したヒンジを介して半導体基板上に垂直に立設されていることを特徴とする請求項３記載の可変光減衰器。
【請求項５】
第１の光部品と第２の光部品は半導体基板上に固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の可変光減衰器。
【請求項６】
第１の光部品と第２の光部品の少なくとも一方は光ファイバであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の可変光減衰器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に用いられる光の減衰器として用いられるものであり、特に、光増幅器の増幅特性平坦化に用いられる可変光減衰器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、波長多重伝送の急激な普及に伴い、例えば図６に示すように、波長多重光の伝送路３０の中継位置にそれぞれ光増幅器３１を設け、それぞれの光増幅器３１によって前記波長多重伝送光を増幅することが行なわれるようになった。このように、複数の光増幅器３１によって波長多重伝送光を増幅しながら伝送を行なうと、長距離波長多重伝送が可能となる。
【０００３】
同図に示すような波長多重伝送システムにおいて、それぞれの光増幅器３１には、多波長光を一括して増幅する機能が要求される。また、波長多重伝送の伝送品質向上のために、複数の光増幅器３１による光増幅後に伝送光波長間でのパワー差が少ないことが要求される。
【０００４】
上記伝送光波長間でのパワー差を少なくするために、例えばそれぞれの光増幅器３１内に、多波長光を一括して所望のパワーに揃える機能を有する可変光減衰器を設けることが提案されている。
【０００５】
この種の可変光減衰器には、▲１▼波長ごとの光減衰量が一定であること（換言すれば、波長を変化させても光減衰量に変動が無いまたは変動が少ないこと）、▲２▼３０ｄＢ以上の光減衰量を達成できること、▲３▼高光入力パワーに耐えられること、▲４▼小型であること、等が要求される。
【０００６】
図７には、従来の可変光減衰器の一例が示されている。同図に示す可変光減衰器は、光部品である光ファイバ３，４同士の間で伝搬する光の光路上に、ガラス基板１１と光吸収膜１２を有する光吸収部材１５を配置して形成されている。
【０００７】
前記ガラス基板１１は、光ファイバ３，４の光軸方向をＺ軸方向としたとき、Ｚ軸にほぼ直交するＸＹ平面上に配置され、前記光吸収膜１２はガラス基板１１の表面側に堆積形成されている。光吸収膜１２は、ＸＹ平面上で膜厚分布を有しており、例えばＺ軸方向の厚みがＸ方向において図の右側に向かうにつれて徐々に厚くなるように形成されている。光吸収膜１２の表面側とガラス基板１１の裏面側にはそれぞれ、無反射コート１３，１４が施されている。
【０００８】
この可変光減衰器においては、同図の矢印Ａに示すように、光吸収部材１５を図のＸ方向に移動すると、光ファイバ３，４の光路上における光吸収膜１２の厚みが可変され、それにより、光減衰量が可変される。
【０００９】
図８の（ａ）には、可変光減衰器の別の例が示されている。同図に示す可変光減衰器は、光路上にファラデー回転子１６を設け、このファラデー回転子１６を前記光路方向で両側から挟む複屈折楔板１７と永久磁石１８とを設け、さらに、光路と直交する方向でファラデー回転子１６を両側から挟む電磁石１９を設けて形成されている。なお、図中、２０は波長板を示す。
【００１０】
この可変光減衰器は、電磁石１９に印加する印加電流によってファラデー回転子１６の磁化方向を可変するものであり、ファラデー効果を用いて光減衰量を可変可能としたものである。なお、上記２種の可変光減衰器は実用化されている。
【００１１】
図９の（ａ）には、可変光減衰器のさらに別の例が示されている。同図に示す可変光減衰器は、光ファイバ３の光路上に配置される直線状のシャッター板２１と、このシャッター板２１の移動機構を有している。この可変光減衰器においては、シャッター板２１を図のＸ方向に移動していき、シャッター板２１による遮光量を可変する。なお、同図に示す可変光減衰器の構成は、IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,Vol.5,No.1,January/February 1999,pp18-25に記載されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示した可変光減衰器において、光吸収膜１２によって３０ｄＢ以上の光減衰量を得ようとすると、現状の技術では光吸収膜１２の幅（図のＷｘ）を１ｃｍ程度に大きくする必要があり、この光吸収膜１２等の移動のためには、モータ等の移動手段が必要不可欠である。そのため、装置の小型化が困難であった。
【００１３】
また、光吸収膜１２を設けて可変光減衰器を形成すると、入射光パワーが大きい場合に光吸収膜１２が熱を持ち、閾値以上のパワーの光が入射すると光吸収膜１２が破壊されるといった問題もあった。
【００１４】
一方、図８の（ａ）に示す可変光減衰器においては、例えば同図の（ｂ）の特性線ａ、ｂ、ｃに示すように、光減衰特性の波長依存性が大きく、ある波長で所望の光減衰量が得られても、波長が異なると所望の光減衰量にならないといった問題があった。なお、上記特性線ａは波長１５３５ｎｍの光減衰量を、特性線ｂは波長１５４９ｎｍの光減衰量を、特性線ｃは波長１５６５ｎｍの光減衰量をそれぞれ示す。
【００１５】
また、この可変光減衰器においては、電磁石１９、ファラデー回転子１６、永久磁石１８の他、図示されていない偏光子や検光子を必要とするため、構成が複雑になり、装置の小型化も難しいといった問題があった。
【００１６】
さらに、図９の（ａ）に示す可変光減衰器においても、例えば同図の（ｂ）の特性線ａ、ｂに示すように、光減衰特性の波長依存性が大きいといった問題があった。
【００１７】
なお、同図の（ｂ）の特性線ａは、シャッター板２１の位置を、１５００ｎｍの波長で１２．２ｄＢ減衰させる位置に固定し、波長を変化させた場合の光減衰特性の波長依存性を示すものであり、この場合、１６００ｎｍの波長における光減衰量と波長１５００ｎｍの波長における光減衰量とを比較すると、約０．８ｄＢの光減衰量差が発生している。
【００１８】
また、同図の（ｂ）の特性線ｂは、シャッター板２１の位置を、１５００ｎｍの波長で１３．５ｄＢ減衰させる位置に固定し、波長を変化させた場合の光減衰特性の波長依存性を示すものであり、この場合、１６００ｎｍの波長における光減衰量と波長１５００ｎｍの波長における光減衰量とを比較すると、約１ｄＢの光減衰量差が発生している。
【００１９】
このように、図９の（ａ）に示す可変光減衰器においては、光減衰量が大きくなると、光減衰特性の波長依存性がより顕著になるために、３０ｄＢの光減衰量を得ようとした場合には、その波長依存性が特性線ｂよりもさらに大きくなり、波長依存性の問題を解決しなければ、その実用化が困難であった。
【００２０】
さらに、この構成においては、光モードフィールドをシャッター板２１により遮るため、受光側の光ファイバ端面では回折によって広がった非点対称の回折パターンが形成される。この回折パターンは光ファイバ端面サイズよりも広がっており、光ファイバ端面の端の方で受光される光は、その偏光方向により反射率が異なり、偏波依存性損失が発生するといった問題もあった。
【００２１】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、光減衰量の波長依存性を小さくすることができ、例えば３０ｄＢ以上の光減衰量を達成でき、高光入力パワーに耐えられ、偏波依存性損失の発生も抑制できる小型の可変光減衰器を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をもって課題を解決するための手段としている。すなわち、第１の発明は、第１の光部品と、該第１の光部品と間隔を介して対向配置される第２の光部品と、これら第１、第２の光部品と光軸を一致させて第１、第２の光部品の間に光軸方向の間隔を介して配置された第１の光部品寄りの第１のレンズおよび第２の光部品寄りの第２のレンズと、この第１のレンズと第２のレンズを前記第１の光部品と第２の光部品間で伝搬する光の点対称のモードフィールド形状を保ちながら第１の光部品に対する第１のレンズの移動後の距離と第２の光部品に対する第２のレンズの移動後の距離とが等しくなるように前記第１と第２の光部品の光軸方向に移動することにより前記第１の光部品と第２の光部品との結合効率を変化させて光パワーを調整するレンズ移動手段と、を有する構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２３】
また、第２の発明は、第１の光部品と、該第１の光部品と間隔を介して対向配置される第２の光部品と、これら第１、第２の光部品と光軸を一致させて第１の光部品と第２の光部品との間隔に配置される第１の光部品寄りの第１のレンズおよび第２の光部品寄りの第２のレンズと、該第１のレンズおよび第２のレンズを前記第１の光部品と第２の光部品間で伝搬する光の点対称のモードフィールド形状を保ちながら前記第１と第２の光部品の光軸方向に移動することにより前記第１の光部品と第２の光部品との結合効率を変化させて光パワーを調整するレンズ移動手段とを有し、前記レンズは第１、第２の光部品の光軸方向に間隔を介して配設された第１のレンズと第２のレンズであり、レンズ移動手段は前記第１の光部品に対する第１のレンズの距離と前記第２の光部品に対する第２のレンズの距離とが等しい位置をスタート位置として前記第１のレンズと前記第２のレンズを同時に同じ距離だけ逆方向に移動させる構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２６】
さらに、第３の発明は、上記第１又は第２の発明の構成に加え、前記レンズは半導体微細加工技術を用いて半導体基板上に形成され、レンズ移動手段は前記レンズを電磁力又は静電力により移動させる構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２７】
さらに、第４の発明は、上記第３の発明の構成に加え、前記レンズは半導体微細加工技術を用いて形成したヒンジを介して半導体基板上に垂直に立設されている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２８】
さらに、第５の発明は、上記第１乃至第４のいずれか一つの発明の構成に加え、前記第１の光部品と第２の光部品は半導体基板上に固定されている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２９】
さらに、第６の発明は、上記第１乃至第５のいずれか一つの発明の構成に加え、前記第１の光部品と第２の光部品の少なくとも一方は光ファイバである構成をもって課題を解決する手段としている。
【００３０】
本発明者は、例えば図９の（ａ）に示したような、光モードフィールドをシャッター板により遮る構成の可変光減衰器において生じる光減衰量の波長依存性の原因が、光の波長が長波長側になると光部品のモードフィールド径が大きくなり、その逆に光の波長が短波長側になるとモードフィールド径が小さくなるといったモードフィールド径の波長依存性にあると考えた。
【００３１】
また、本発明者は、図９の（ａ）に示したような可変光減衰器において生じる偏波依存性損失は、シャッター板により遮る光の量が大きくなると大きくなる傾向があることを見出した。これは、シャッター板により遮る光の量が大きくなるに従い、回折による光モードフィールド形状が対称性をさらに崩して広がり、また、その光パワーが小さくなるため、相対的に偏波依存性損失が大きくなるためと考えられる。
【００３２】
なお、この偏波依存性損失の傾向は、本発明者が上記提案と同様のシャッター挿入方式の可変光減衰器について実験した実験結果において明らかにしたものである。
【００３３】
ただし、上記回折パターンが光軸中心に点対称で広がっていれば、偏波依存性損失は発生しない。例えば図５に示すように、回折パターンの端の方であっても、対称な部分が上下左右に同様に存在すれば、上下でＴＥ偏波の光は左右の端ではＴＭ偏波であり、逆に上下でＴＭ偏波であれば、左右ではＴＥ偏波になっており、結局、偏波による反射率の差を上下と左右で打ち消し合う。そのため、結果的に、偏波依存性損失が発生しないことになる。
【００３４】
そこで、本発明者は、シャッター板等によって第１の光部品から第２の光部品に伝搬する光を遮るのではなく、光の点対称モードフィールド形状を保ちながら第１の光部品と第２の光部品との光結合効率を変化させられる構成を検討した。
【００３５】
その結果、上記構成の本発明のように、互いに対向配置される第１の光部品と第２の光部品との間隔に、第１、第２の光部品と光軸を一致させて１枚以上のレンズを配置し、該レンズを前記第１と第２の光部品の光軸方向に移動することにより、第１の光部品と第２の光部品との間で伝搬する光の光路長を光軸方向に変化させ、点対称モードフィールド形状を保ちながら、第１の光部品と第２の光部品の結合効率を変化させて光パワーの減衰量を調整できることを見出した。
【００３６】
すなわち、上記のように、本発明においては、単なる空間系の光路長を光軸方向に変化させることにより第１の光部品と第２の光部品との結合効率を変化させるものであるから、シャッターによる回折の影響を受けることはなく、ガウシアンビームとして広がる以外の回折はないため、レンズに光軸中心の点対称モードフィールド形状を保ち、偏波依存性損失は発生しない。
【００３７】
また、本発明の可変光減衰器は、３０ｄＢ以上の光減衰量を達成でき、かつ、シャッター等によりモードフィールドを遮る場合と異なり、光減衰量の波長依存性を非常に小さくできる。なお、本発明者は、本発明の可変光減衰器が、３０ｄＢ減衰時でも波長１５３０ｎｍと波長１５８０ｎｍの光減衰量差を約０．３６ｄＢ以下と非常に小さな値にできることをシミュレーションと実験により確認している。
【００３８】
さらに、本発明の可変光減衰器は、フィルタを使用しないため、高光入力パワーに耐えられる。
【００３９】
したがって、本発明の可変光減衰器は、例えば波長分割多重伝送用の光増幅器に設けられて、多波長光を一括して所望のパワーに揃える機能を有する可変光減衰器としての条件を全て満たすことが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明において、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。図１には、本発明に係る可変光減衰器の一実施形態例が示されており、同図の（ａ）にはその平面図が、同図の（ｂ）にはその側面図がそれぞれ示されている。
【００４１】
これらの図に示されるように、本実施形態例の可変光減衰器は、半導体基板としてのシリコン基板１を有しており、このシリコン基板１の中央部には凹部３５が形成され、この凹部３５をシリコン基板１の長手方向に挟む両側に、Ｖ溝２８，２９が形成されている。Ｖ溝２８には第１の光部品としての第１の光ファイバ３が挿入固定され、Ｖ溝２９には、第１の光ファイバ３と間隔を介して対向配置される第２の光部品としての第２の光ファイバ４が挿入固定されている。第１の光ファイバ３の接続端面と第２の光ファイバ４の接続端面との間隔は７５０μｍである。
【００４２】
第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４との間隔には、前記凹部３５の底面上に、互いに第１、第２の光ファイバ３，４の光軸方向（Ｚ方向）に間隔を介して配設された第１のレンズ８と第２のレンズ９が設けられており、第１、第２のレンズの焦点距離は４０μｍである。
【００４３】
第１、第２のレンズ８，９は半導体微細加工技術を用いて形成され、半導体微細加工技術を用いて形成したヒンジ５，６を介してシリコン基板１に垂直に立設されている。第１の光ファイバ３と第１のレンズ８と第２のレンズ９と第２の光ファイバ４は、互いに光軸を一致させて配置されている。
【００４４】
前記凹部３５の底面上には櫛歯状のアクチュエーター７ａ，７ｂが設けられており、これらのアクチュエーター７ａ，７ｂは、第１のレンズ８と第２のレンズ９を第１と第２の光ファイバ３，４の光軸方向に移動することにより第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４の結合効率を変化させて光パワーを調整するレンズ移動手段として機能する。アクチュエーター７ａ，７ｂには、それぞれ、アクチュエーター７ａ，７ｂの力をつり合わせるばね２３が設けられている。
【００４５】
アクチュエーター７ａ，７ｂには電圧印加手段（図示せず）が接続されており、アクチュエーター７ａ，７ｂは静電力によりＺ方向に進退移動し、それにより、第１のレンズ８と第２のレンズ９を静電力によりＺ方向に移動させる。本実施形態例において、アクチュエーター７ａ，７ｂは第１のレンズ８と第２のレンズ９を同時に同じ距離だけ逆方向に移動させる構成と成している。
【００４６】
なお、初期位置において、第１のレンズ８と第１の光ファイバ３との距離（ファイバ端面−レンズ間距離）は３３０μｍ、第２のレンズ９と第２の光ファイバ４との距離は３３０μｍである。アクチュエーター７ａ，７ｂへの印加電圧は１００Ｖまでの範囲で可変でき、この印加電圧を１００Ｖとしたとき、上記各距離は２７０μｍまで小さくなる。
【００４７】
本実施形態例は以上のように構成されており、アクチュエーター７ａ，７ｂに電圧を印加し、動作させると、第１の光ファイバ３の接続端面と第１のレンズ８との距離および、第２の光ファイバ４の接続端面と第２のレンズ９との距離が共に同じ量だけ変化し、それに伴い、第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４との光路長が変化し、図２に示すように、光減衰量を可変できる。
【００４８】
なお、図２の特性線ａは波長１５３０ｎｍにおける特性を示し、特性線ｂは波長１５８０ｎｍにおける特性を示す。これらの特性線ａ、ｂから明らかなように、光路長変化と光減衰量変化の関係は、波長１５３０ｎｍと波長１５８０ｎｍにおいて殆ど同じである。
【００４９】
また、本実施形態例の可変光減衰器は、図２に示したように３０ｄＢ以上の光減衰量を達成でき、しかも、図３に示すように、約１０ｄＢ減衰時（特性線ａ）、約２０ｄＢ減衰時（特性線ｂ）、約３０ｄＢ減衰時（特性線ｃ）において、殆ど光減衰量の波長依存性が無い。ちなみに、本実施形態例の可変光減衰器は、３０ｄＢ減衰時でも、波長１５３０ｎｍと波長１５８０ｎｍの光減衰量差が約０．３６ｄＢ以下と非常に小さな値である。
【００５０】
さらに、本実施形態例の可変光減衰器は、上記のように、単なる空間系の光路長を光軸方向に変化させることにより第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４との結合効率を変化させるものであるから、従来例で示したシャッターによる回折の影響を受けることはなく、偏波依存性損失の発生を抑制することができる。本実施形態例において、挿入損失は０．３ｄＢであり、この値（０．３ｄＢ）から３１．２ｄＢ（アクチュエーター７ａ，７ｂに１００Ｖ印加時）までの光減衰量において、波長１５３０ｎｍ〜１５８０ｎｍの範囲における偏波依存性損失を約０．２ｄＢ以下にすることができた。
【００５１】
なお、図４は、本実施形態例の可変光減衰器の偏波依存性損失を波長ごとに測定した結果を示し、同図において、特性線ａは約１０ｄＢ減衰時、特性線ｂは約２０ｄＢ減衰時、特性線ｃは約３０ｄＢ減衰時の特性をそれぞれ示す。
【００５２】
さらに、本実施形態例の可変光減衰器は、図７に示した従来の可変光減衰器のようにフィルタを使用しないため、高光入力パワーに耐えることができる。
【００５３】
さらに、本実施形態例において、第１、第２のレンズ８，９は半導体微細加工技術を用いてシリコン基板１上に形成したものであり、第１、第２のレンズ８，９は半導体微細加工技術を用いて形成したヒンジ５，６を介してシリコン基板１上に垂直に立設しているので、レンズの支持機構を的確にし、可変光減衰器を小型化することができるし、第１、第２のレンズ８，９を、アクチュエーター７ａ，７ｂによって、正確に静電力により移動させることができる。
【００５４】
さらに、本実施形態例によれば、第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４をシリコン基板１に形成したＶ溝２８，２９上に固定しているので、第１、第２の光ファイバ３，４の光軸合わせを容易に、かつ、正確にできる。
【００５５】
なお、本発明は上記実施形態例に限定されることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上記実施形態例では、静電力を利用してアクチュエーター７ａ，７ｂにより第１、第２のレンズ８，９を移動させる構成としたが、例えば磁性膜堆積とエッチングなどの半導体微細加工技術を用いてマイクロ電磁石を形成し、電磁力によって第１、第２のレンズ８，９を移動させる電磁力駆動方式としてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態例では、第１の光ファイバ３と第２の光ファイバ４との間隔に第１と第２の２つのレンズ８，９を設けたが、第１と第２の光ファイバ３，４の間隔に配置されるレンズの数は特に限定されるものではなく適宜設定されるものであり、１つのレンズとしてもよいし、３つ以上のレンズとしてもよい。また、レンズの大きさや形状は特に限定されるものでなく、適宜設定されるものである。
【００５７】
さらに、本発明において、第１、第２のレンズ８，９などのレンズの移動距離は特に限定されるものでなく適宜設定されるものである。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、第１の光部品と、該第１の光部品と間隔を介して対向配置される第２の光部品との間で伝搬する光の点対称のモードフィールド形状を保ちながらこれら第１の光部品と第２の光部品との結合効率を調整して光パワーを調整するので、光減衰量の波長依存性を小さくすることができるし、シャッター板を用いた場合と異なり偏波依存性損失の発生を抑制することができるし、さらに、高光入力パワーに耐えることができる小型の可変光減衰器とすることができる。
【００５９】
また、本発明において、対向配置した第１の光部品と第２の光部品との間にレンズを設けて、このレンズを第１の光部品と第２の光部品の光軸方向に移動する構成としたので、前記第１の光部品と第２の光部品の結合効率を変化させて光パワーを調整し、光減衰量を自在に可変することができ、３０ｄＢ以上の光減衰量を達成することもできる。
【００６０】
また、この構成の本発明によれば、上記の如く、第１の光部品と第２の光部品との間で伝搬する光の光路長を光軸方向に変化させて光減衰量を可変するものであるから、光減衰量の波長依存性を小さくすることができるし、シャッター板を用いた場合と異なり偏波依存性損失の発生を抑制することができるし、さらに、高光入力パワーに耐えることができる小型の可変光減衰器とすることができる。
【００６１】
さらに、この構成の本発明において、レンズは第１、第２の光部品の光軸方向に間隔を介して配設された第１のレンズと第２のレンズであり、レンズ移動手段は前記第１のレンズと前記第２のレンズを同時に同じ距離だけ逆方向に移動させる構成によれば、第１と第３の光部品の結合効率を効率的に変化させ、上記効果を効率的に発揮することができる。
【００６３】
さらに、本発明において、レンズは半導体微細加工技術を用いて半導体基板上に形成され、レンズ移動手段はレンズを電磁力又は静電力により移動させる構成によれば、静電力や電磁力により光反射体を正確に移動でき、光減衰量の制御特性が良好な可変光減衰器とすることができる。
【００６４】
さらに、本発明において、レンズは半導体微細加工技術を用いて形成したヒンジを介して半導体基板上に垂直に立設されている構成によれば、レンズの支持構成を的確にすることができる。
【００６５】
さらに、本発明において、第１の光部品と第２の光部品は半導体基板上に固定されている構成によれば、第１、第２の光部品とレンズとの光軸合わせを容易に、かつ、正確にすることができ、可変光減衰器の小型化を図ることができる。
【００６６】
さらに、本発明において、第１の光部品と第２の光部品の少なくとも一方は光ファイバとした構成によれば、可変光減衰器と他の光部品との接続作業性を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る可変光減衰器の一実施形態例を示す要部構成図である。
【図２】上記実施形態例におけるファイバ端面−レンズ間距離の変化量と光減衰量変化との相関データを示すグラフである。
【図３】上記実施形態例における光減衰量の波長依存性を示すグラフである。
【図４】上記実施形態例における光減衰量の偏波依存性損失特性を示すグラフである。
【図５】点対称に広がった光の回折パターンを示す説明図である。
【図６】波長多重伝送システムのシステム構成例の説明図である。
【図７】従来の可変光減衰器の一例を示す説明図である。
【図８】従来の可変光減衰器の別の例とその光減衰量の波長依存性を示す説明図である。
【図９】従来の可変光減衰器のさらに別の例とその光減衰量の波長依存性を示す説明図である。
【符号の説明】
１  シリコン基板
３  第１の光ファイバ（第１の光部品）
４  第２の光ファイバ（第２の光部品）
５，６  ヒンジ
７ａ，７ｂ  アクチュエーター
８  第１のレンズ
９  第２のレンズ
２３  ばね
２８，２９  Ｖ溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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