(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置され末端がフレーム枠と接続した複数のリード部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有したリードフレームであって、
前記フレーム枠の切断位置の一部に樹脂を充填する樹脂充填部を設けたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置され末端がフレーム枠及び連結部と接続した複数のリード部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記連結部は隣合うユニットの前記複数のリード部間を接続し、すくなくとも前記フレーム枠，前記連結部及び前記リード部の底面に樹脂フイルムを接着したリードフレームであって、
前記フレーム枠の切断位置の一部に樹脂を充填する樹脂充填部を設けたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
樹脂充填部が開口部または凹部である請求項１または２のリードフレーム。
【請求項４】
樹脂充填部としてダイパッド部に半導体素子が搭載される面の反対面に凹部を設けた請求項１または２のリードフレーム。
【請求項５】
樹脂充填部は、切断幅より広いことを特徴とする請求項１または２のリードフレーム。
【請求項６】
連結部は、切断幅より狭いことを特徴とする請求項２のリードフレーム。
【請求項７】
樹脂充填部として切断位置の交点部に開口部を設けた請求項１または２のリードフレーム。
【請求項８】
請求項１または２のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含み、
前記樹脂封止工程は、前記リードフレームの底面に封止シートを張り付けて行うとともに、前記半導体素子ごとに封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項２のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含み、
前記樹脂封止工程は、複数の半導体素子を大型のキャビテー内に搭載して一括封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
切断工程における切断の切り込み位置は、樹脂が充填された樹脂充填部の位置であることを特徴とする請求項８，９または１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
切断工程における回転ブレードの回転速度あるいは送り速度を、切断位置により変更することを特徴とする請求項８，９または１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）と称される外部端子となるリード部が片面封止された小型／薄型の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームと、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】
図２０は各半導体装置が個別に樹脂封止される製造方法に用いられる第１の従来のリードフレームの平面図であり、図２１（ａ）は図２０の１個の半導体装置部分に対応した領域Ｂの部分の詳細拡大図であり、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。
【０００５】
この第１の従来のリードフレームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状の複数のリード部１０４とより構成されている。そしてリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分がリード部１０４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して設けられている。
【０００６】
図２１（ａ）において、破線で囲まれた領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を製造する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、フレーム枠１０１には樹脂の注入エリアーであるゲート、ランナー部を配する幅広部１０１−３（図２０）が必要である。
【０００７】
また図２１（ａ）において、一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部分を示している。この金型での切断は半導体装置ごとに切断する。
【０００８】
また、図２１（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード部１０３によって支持されているが、その吊りリード部１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。また、ダイパッド部１０２は下方あるいは上方に露出しているタイプもある。このことは、次に述べる第２の従来のリードフレームについても同様である。
【０００９】
次に第２の従来のリードフレームとして、金型に設けた大型ギャビテーで封止する一括封止といわれる封止方法に用いるリードフレームについて説明する。図２２（ａ）は一括モールド用の第２の従来のリードフレームの全体平面図、図２２（ｂ）はその部分拡大図であり、図２０，図２１と同等部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１０】
この一括モールド用のリードフレームでは、隣あった半導体装置のリード部１０４とリード部１０４とを接続する連結部１０１−１があり、半導体装置間にはランナー部のエリヤーを必要としないため多くの半導体装置を配列でき、同一リードフレーム寸法で多くのダイパッドの配列が可能になる。このリードフレームを用いた場合、各ダイパッド部１０２に半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、回転ブレードと呼ばれる高速で回転する薄型の砥石により、リードフレーム単位で切断することになる。
【００１１】
なお、第１，第２の従来のリードフレームは、それぞれ図２０，図２２に示すように、パターンが１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されるものである。
【００１２】
なお、図示していないが、第１，第２の従来のリードフレームの表面には、主としてパラジウム（Ｐｄ）メッキまたは、ハンダメッキが施されているものである。パラジウムメッキについては、下地材が銅（Ｃｕ）であり、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層の３層でメッキ層が形成されている。
【００１３】
次に、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図２３は、図２０，図２１に示した第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２３（ａ）はその内部構成を破線で示した透視平面図であり、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＢ−Ｂ’箇所の断面図である。
【００１４】
図２３（ａ），（ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７により封止されている。そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成している。
【００１５】
なお、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出しているが、リード部１０４間にも樹脂が充填されており、封止樹脂１０７とリード部１０４の側面（切断面）は実質的に同一面である。
【００１６】
また、図２４は、図２２に示した第２の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の断面図であり、図２３と同等部分には同一符号を付し、その説明を省略する。これは、金型に設けた大型のキャビテーを使用して一括封止し、回転ブレードで切断した半導体装置で、カット側面が封止樹脂１０７の上面まであり、金型での切断はできない。
【００１７】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。まず、第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１８】
まず図２５に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部（図示せず）と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０４とを有したリードフレーム（第１の従来のリードフレーム）を用意する。
【００１９】
そして図２６に示すように、ダイパッド部１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０５を搭載しボンディングする。
【００２０】
次に図２７に示すように、ダイパッド部１０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００２１】
次に図２８に示すように、半導体素子１０５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。この封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を露出させるための部材である。
【００２２】
次に図２９に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止する。図３０には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を示している。
【００２３】
次に図３１に示すように、リードフレームのリード部１０４の底面に密着させていた封止シート１０９をピールオフ等により除去する。
【００２４】
次に図３２に示すように、リード部１０４の切断箇所１１０に対して、金型による切断刃１１１でリードカットを行う。このようにして図２３に示した樹脂封止型半導体装置を製造できる。
【００２５】
また、図２２に示した第２の従来のリードフレームを用いた場合も、同様にして、ダイパッド部１０２上に半導体素子１０５を搭載しボンディングし、金属細線１０６を接続する。その後、金型に設けた大型のキャビテーで一括封止する。図３３に外囲を封止樹脂１０７で一括封止した状態を示す。図３３において、１１３は樹脂フイルムであり、この樹脂フイルム１１３は、リードフレームの裏面側にはじめから貼り付けられているもので、このリードフレームを用いた場合には、樹脂フイルム１１３が有るため、封止シート１０９は用いない。
【００２６】
封止後、樹脂フイルム１１３をピールオフ等により除去する。次に、図３４の斜視図に示すように、回転ブレード１２による切削でフレーム単位での分離を行う（切断箇所１１４）。このようにして図２４に示した樹脂封止型半導体装置を製造できる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法では、樹脂封止後、リード部１０４の切断箇所を金型で切断してフレームより分離させ、樹脂封止型半導体装置を得ているが、リード部１０４をフレーム枠１０１から切断することにより、リード部１０４の切断面と封止樹脂１０７の切断面が同一面で形成されるため、金型の摩耗等により生産性が悪い、また樹脂がかけることによるリード部１０４と封止樹脂１０７との密着不良の発生、検査工程の検査不良、樹脂くずを除去する工程、樹脂くずの検査工程、また、ユーザーでの実装時に樹脂くずにより接続端子であるリード部１０４の接続不良が発生する。
【００２８】
また、第２のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、上記の課題はほぼ解決できるが、特にリードフレームを構成するＣｕ材の切断が困難で、回転ブレード１２の表面にあるダイヤモンド等の間に切削されたＣｕが付着してとれにくくなるため、回転ブレード１２の摩耗が激しく、連続切断の時間を長くすることができなかった。これは、フレーム枠１０１及び連結部１０１−１に代表するＣｕ材の多い部分の切断において特に顕著である。したがって、生産性の向上が図れなかった。
【００２９】
本発明の目的は、片面封止型半導体パッケージのカット品質を向上し、かつ半導体装置の生産性の向上を図ることができるリードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
請求項１のリードフレームは、ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置され末端がフレーム枠と接続した複数のリード部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有したリードフレームであって、フレーム枠の切断位置の一部に樹脂を充填する樹脂充填部を設けたことを特徴とする。
【００３１】
請求項２のリードフレームは、ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置され末端がフレーム枠及び連結部と接続した複数のリード部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記連結部は隣合うユニットの前記複数のリード部間を接続し、すくなくとも前記フレーム枠，前記連結部及び前記リード部の底面に樹脂フイルムを接着したリードフレームであって、フレーム枠の切断位置の一部に樹脂を充填する樹脂充填部を設けたことを特徴とする。
【００３２】
上記の請求項１，請求項２の構成によれば、切断位置の一部に樹脂を充填する樹脂充填部を設けたことにより、回転ブレードで切断する際、樹脂充填部に充填した樹脂の働きにより回転ブレードに付着したＣｕ材等のリードフレーム構成材料を除きやすくして目詰まりといわれる現象を少なくし、連続切断時間を長くでき生産性を向上することができる。
【００３３】
請求項３のリードフレームは、請求項１または２のリードフレームにおいて、樹脂充填部が開口部または凹部である。樹脂充填部が開口部の場合、回転ブレードで切断する際のリードフレーム構成材料の切断面積を少なくして切削量を減らし、回転ブレードの摩耗を防止でき、樹脂充填部が凹部の場合、リードフレームの強度を保ちつつ、充填された樹脂の働きにより回転ブレードの目詰まりを防止することができる。
【００３４】
請求項４のリードフレームは、請求項１または２のリードフレームにおいて、樹脂充填部としてダイパッド部に半導体素子が搭載される面の反対面に凹部を設けている。このことにより、回転ブレードの切削性を保ち、樹脂の働きで返りの少ない切断品質が可能になる。
【００３５】
請求項５のリードフレームは、請求項１または２のリードフレームにおいて、樹脂充填部は、切断幅より広いことを特徴とする。このことにより、樹脂充填部に充填された樹脂の幅が回転ブレードの幅より広くなり、樹脂の働きで回転ブレード先端の摩耗を少なくして切削性を保ち、連続切断時間をより長くすることが可能になる。
【００３６】
請求項６のリードフレームは、請求項２のリードフレームにおいて、連結部は、切断幅より狭いことを特徴とする。このことにより、回転ブレードにより連結部は樹脂とともに切削される。
【００３７】
請求項７のリードフレームは、請求項１または２のリードフレームにおいて、樹脂充填部として切断位置の交点部に開口部を設けている。このことにより、回転ブレードの切削性を保ち、回転ブレードに付着したＣｕ材等のリードフレーム構成材料が半導体装置のコーナー部に付着するのを少なくして、樹脂の働きで品質のよい半導体装置の生産が可能になる。
【００３８】
請求項８の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１または２のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、前記接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含むことを特徴とする。
【００３９】
請求項９の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含み、樹脂封止工程は、前記リードフレームの底面に封止シートを張り付けて行うとともに、前記半導体素子ごとに封止することを特徴とする。
【００４０】
請求項１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項２のリードフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程と、接続工程後に、外囲を樹脂封止するとともに前記リードフレームの樹脂充填部に樹脂を充填する樹脂封止工程と、樹脂封止工程後に、前記リードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して回転ブレードによりリードフレームの樹脂を充填した樹脂充填部とともにカットを行う切断工程とを含み、樹脂封止工程は、複数の半導体素子を大型のキャビテー内に搭載して一括封止することを特徴とする。
【００４１】
上記の請求項８〜１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、本発明のリードフレームを用いることにより、切断工程において回転ブレードによる品質のよい切断が可能になるとともに、回転ブレードの磨耗を少なくして連続切断時間を長くでき生産性を向上することが可能になる。
【００４２】
請求項１１の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項８，９または１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、切断工程における切断の切り込み位置は、樹脂が充填された樹脂充填部の位置であることを特徴とする。このことにより、切り込み時にリードフレームを構成する材料（Ｃｕ材等）と回転ブレードが接しないため、Ｃｕ材等のカエリの発生を防止し、品質のよい切断面を得ることが可能である。
【００４３】
請求項１２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項８，９または１０の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、切断工程における回転ブレードの回転速度あるいは送り速度を、切断位置により変更することを特徴とする。例えば、樹脂のみを切削する位置では高速で切削を行い、樹脂とリードフレームのＣｕ材等を切削する位置では低速で切削を行うなど、切削品質と生産性を考慮して回転速度、送り速度等の条件を設定することにより、回転ブレードの目詰まりの発生を抑えることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態について図面を参照しながら説明する。第１，第２の実施の形態では、それぞれリードフレームについて説明する。また、第３の実施の形態では、第１の実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。第４の実施の形態では、第２の実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００４５】
〔第１の実施の形態〕
図１は本発明の第１の実施の形態のリードフレームの一部分を示す平面図であり、図２（ａ）は図１における領域Ａ部分の拡大詳細平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ’箇所の断面図である。
【００４６】
図１，図２に示すように、本実施の形態のリードフレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とより構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続して設けられている。
【００４７】
また、フレーム枠１の半導体装置間には幅広部１−３が適宜配され、ランナーといわれる封止樹脂の充填通路を確保している。
【００４８】
図２（ａ）において、破線で囲まれた領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また、一点鎖線は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）を回転ブレードで切断する切断ライン５を示し、５ａはリード部４の切断箇所を示している。
【００４９】
また、図１に示すように、フレーム枠１の切断部分には、樹脂充填部として切断幅より広いスリット状の開口部１５−１及び溝状の凹部１５−２を設けている。この開口部１５−１及び凹部１５−２は、エッチングやプレス加工により形成されており、樹脂封止工程において樹脂が充填され、半導体装置を回転ブレードで切断する際の生産性の向上に重要な働きをする。ここでは、凹部１５−２は、半導体素子が搭載される反対の面（リードフレームの裏面）に設けている。
【００５０】
また、本実施の形態のリードフレームは、図２（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部３によって支持されているが、その吊りリード部３に設けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４（４ａ）上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。
【００５１】
図２（ａ）に示す吊りリード３のフレーム枠１との接続部は、半導体装置の回転ブレードの切断交点になっている部分で、フレーム枠１にスリット状の樹脂充填部となる開口部１５−１を配している。この部分は図３に詳細を示すように、開口部１５−１が、１点鎖線で示す切断ライン５をセンターとしてフレーム枠１内に配置され、その幅は回転ブレードの切断幅より広く、その先は凹部１５−２につながっており、開口部１５−１及び凹部１５−２ともに樹脂が充填される。
【００５２】
開口部１５−１の役割は切断時に回転ブレードに付着したＣｕカットくず（リードフレームがＣｕ材の場合）が半導体装置の樹脂切断面に付着して品質不良を発生するのを防止する。周辺の開口部１５−１は回転ブレードでの切断時の切り込み位置であり、幅を広くして樹脂充填部を形成し、Ｃｕ材と回転ブレードが接しない構造をしている。
【００５３】
また、図１に示すようにランナー部用の幅の広いフレーム枠１には凹部１５−２の先に開口部１５−１を設けた例を示している。
【００５４】
この構成によれば、強度を保ちながらＣｕ材の多いフレーム枠１部分により多くの樹脂を充填する。また、金型に搭載して封止を行う工程において、金型内の空気を排出するエヤーベンドの働きもあり封止品質の向上が図れるため、従来のように吊りリード部上にエヤーベンド部を配する必要がなく、半導体装置の品位の向上、金型簡素化が可能になる。
【００５５】
また、本実施の形態では、ダイパッド部２をアップセットしているリードフレームについて説明したが、ダイパッド部２をアップセットしていなくてもよく、この場合、図２（ｂ）において、ダイパッド部２とリード部４とが同一面上となる。
【００５６】
また、本実施の形態では、凹部１５−２を半導体素子が搭載される反対側のリードフレームの裏面に設けたが、半導体素子が搭載される側の面に凹部１５−２を設けてもよく、この場合、後述する第３の実施の形態で使用する封止シート１１（図１０〜図１３参照）の働きによりリードフレームが金型に押しつけられ、樹脂バリの発生が少ない。
【００５７】
〔第２の実施の形態〕
図４（ａ）は本発明の第２の実施の形態のリードフレームを示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の一部分の拡大詳細平面図であり、図５は図４（ｂ）のＤ−Ｄ’箇所の断面図である。なお、第１の実施の形態における構成と対応する部分には、同一符号を付している。
【００５８】
本実施の形態のリードフレームは、金型に設けた大型キャビテーで封止する一括封止といわれる封止方法に使用するリードフレームで、搭載される半導体装置間にはランナーといわれる封止樹脂の充填通路を必要とせず、端面部のフレーム枠１の長辺部の片面にのみランナー部がある。この場合、フレーム枠１は図４（ａ）に示されたリードフレームの周囲の部分であり、隣合う半導体装置（隣合うユニット）のリード部４とリード部４は連結部１−１により接続され、連結部１−１によりフレーム枠１と接続している。この連結部１−１は回転ブレード幅より狭く設計されており、切断工程においてリードフレームのＣｕ材は開口部１５−１及び凹部１５−２に充填された樹脂とともに切削される。ダイパッド部２、リード部４は第１の実施の形態と同様の構成になっており説明は省略する。
【００５９】
本実施の形態では、各半導体装置を構成する各ユニットのコーナー部に凹部１５−２が設けられ、リードフレーム周辺には凹部１５−２につながって開口部１５−１が設けられている。凹部１５−２は、半導体素子が搭載される反対の面（リードフレームの裏面）に設けている。また、開口部１５−１及び凹部１５−２の回転ブレードの切断方向に対する幅は、回転ブレード幅（切断幅）よりも大きく設定している。
【００６０】
また、図５に示すように、半導体素子が搭載される反対の面に樹脂フイルム１３を張り付けている。ダイパッド部２をアップセットせずに、接着剤を有した樹脂フイルム１３によりリード部４，連結部１−１及びフレーム枠１とともに張り付けられており、封止後に樹脂フイルム１３を除去してダイパッド部２及びリード部４の裏面を露出するようにしている。
【００６１】
樹脂フイルム１３は、リードフレームの裏面に設けられた凹部１５−２部分にも張り付けられ、その部分がトンネル状になるため、封止金型にリードフレームとともに締め付け樹脂を充填する工程で、樹脂が金型の面に接しない構造をとることができ、樹脂バリの発生を防止して樹脂を充填することができ、安定した生産が可能である。なお、樹脂フィルム１３は、ここでは、リードフレームの裏面の全面に張り付けているが、封止する領域にのみ張り付けるようにしてもよい。
【００６２】
また、周辺のフレーム枠１に設けられた開口部１５−１が回転ブレードによる切断のスタート点になる。大きさの違う半導体装置の生産はリードフレームを交換するのみで可能であるが、大型封止の欠点であるランナー位置が固定されるために起こるボイド等の成形不良は、この開口部１５−１の働きにより大幅に改善できる。
【００６３】
また、開口部１５−１間を、凹部によって接続したり、あるいは開口部を延長して接続することにより、より多くの樹脂を充填することも可能である。より効果を高めるために開口部１５−１の位置の金型に窪みを設け、樹脂の充填量を増やすことも可能である。
【００６４】
また、本実施の形態では、凹部１５−２を半導体素子が搭載される反対側のリードフレームの裏面に設けたが、半導体素子が搭載される側の面すなわち樹脂フイルム１３と逆の面に凹部１５−２を設けてもよく、この場合、樹脂フイルム１３の働きによりリードフレームが金型に押しつけられ、樹脂バリの発生が少ない。また、後で説明する封止シート１１を使用する製造方法も同様の効果がある。
【００６５】
また、本実施の形態では、ダイパッド部２をアップセットしていない場合について説明したが、ダイパッド部２をアップセットしてあってもよく、この場合、図５において、ダイパッド部２が樹脂フイルム１３から浮いた状態となる。
【００６６】
なお、第１及び第２の実施の形態のリードフレームは、図１，図４等に示した構成のようにパターン（ユニット）が１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されるものである。
【００６７】
また図示していないが、第１及び第２の実施の形態のリードフレームの表面には、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキが施されているものである。またメッキ層は、リード部４（４ａ）の上面のみ、すなわち金属細線で接続する箇所に銀（Ａｇ）メッキを形成してもよい。
【００６８】
また、第１及び第２の実施の形態のリードフレームには、樹脂充填部として開口部と凹部１５−２とを設けているが、どちらか一方のみを設けてあってもそれによる効果は得られる。
【００６９】
〔第３の実施の形態〕
次に本実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。図６は、第１の実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ’箇所の断面図である。
【００７０】
図６に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面（裏面）部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面と同一面である。例えば、隣合うリード部４の間では、封止樹脂８の側面がリード端面部１０と同じ位置まで形成されている。
【００７１】
すなわち、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６と、そのダイパッド部２に先端部が対向して配置され、外囲にメッキ層を有した複数のリード部４と、半導体素子６の電極とリード部４とを電気的に接続した金属細線７と、ダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の底面及び一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂８とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、リード部４の封止樹脂８から露出したリード端面部１０は回転ブレードで切断したＣｕ材の破断面を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００７２】
なお、アウターリード部４ｂを設けず、インナーリード部４ａの外囲の封止樹脂８の部分より切断し、半導体装置の一層の小型化を図ることも可能である。
【００７３】
この本実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００７４】
まず、図７に示すように、第１の工程で、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とを各ユニットとして有し、切断ライン上に開口部及び凹部を有するリードフレーム（すなわち第１の実施の形態のリードフレーム）を用意する。
【００７５】
そして図８に示すように、第２の工程で、リードフレームの各ユニットのダイパッド部２上に、銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載しボンディングする。
【００７６】
次に図９に示すように、第３の工程で、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線７により電気的に接続する。
【００７７】
次に図１０に示すように、第４の工程で、半導体素子６が搭載された状態のリードフレームの裏面に封止シート１１を密着させる。この封止シート１１はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部４の底面をスタンドオフを有して露出させ、またリードフレームの開口部及び凹部に樹脂を充填するための機能部材である。開口部及び凹部に樹脂が充填されるが、封止シート１１の働きで樹脂バリが発生するのを少なくする働きもある。
【００７８】
なお、封止シート１１は、この工程前に予めリードフレームの裏面部分に付設しておいてもよい。
【００７９】
次に図１１に示すように、第５の工程で、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部４の端部（切断部付近）を封止シート１１に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユニットごとに個別に封止する（図１２）。
【００８０】
次に図１３に示すように、第６の工程で、リードフレームのリード部４の底面に密着させていた封止シート１１をピールオフ等により除去する。この工程は切断後に行ってもよい。この状態では、封止樹脂８の底面からリード部４が３０［μｍ］程度、突出（スタンドオフ）して露出しているものである。
【００８１】
そしてリードフレームに対する樹脂封止後（封止シート１１除去後）の状態は、図１４に示すように各ユニットごとに樹脂封止されているものである。
【００８２】
次に図１５に示すように、第７の工程で、樹脂封止後のリードフレームのリード部４の切断箇所５ａに対して、リードフレーム裏面側から回転ブレード１２でカットを行い、個々の半導体装置に分離する（図１６）。このリードカットは、リードフレームの縦横に連続して行い、封止工程で開口部１５−１及び凹部１５−２に樹脂が充填されたカットラインを、樹脂とともにＣｕ材を切断するもので、柔らかいＣｕ材の切断された切り子が回転ブレードにつき摩耗するのを少なくする効果がある。
【００８３】
本工程は、ダイヤモンド粒子等が接着された高速で回転する薄厚の回転ブレード１２を冷却しながら切り込み、樹脂封止されたリードフレームを移動させ、樹脂とＣｕ材のリードフレームを切削して切削くずを排出しながら切断する。
【００８４】
ここで、比較的柔らいＣｕ材の切削は、回転ブレード１２のダイヤモンド粒子等に切削されたＣｕが付着し切削性が悪くなり発熱も多くなる。結果として回転ブレード１２の摩耗が早くなり、回転ブレード１２の寿命が短くなるとともに生産性も悪くなるため、その工法の採用が困難とされていた。
【００８５】
しかし、本実施の形態のリードフレームを用いた方法では、切断ライン上に開口部及び凹部が適宜配され樹脂が充填されているため、従来の課題を解決する数々の特徴がある。まず開口部及び凹部を長くするほど生産性の効果が大きいが、リードフレームの変形がしやすくなる。しかし充填された樹脂が封止樹脂の重さにも耐え、変形を少なくする。言い方を変えれば強度を持たせることができるため、Ｃｕ材を少なくする事ができ、切削性の向上が可能になる。
【００８６】
また、回転ブレード１２は樹脂のみを切削する位置では高速で切削を行い、樹脂とＣｕ材を切削する位置では低速にする、最後の切断位置ではＣｕ材の返りを少なくする条件にするなど、切削品質と生産性を考慮して回転速度、送り速度等の条件を設定することにより、回転ブレード１２の目詰まりの発生を抑えることができる。
【００８７】
樹脂は切削され排出されるときにＣｕ材が回転ブレード１２に付着するのを防ぐクリーニング効果がある。適宜樹脂とＣｕ材をバランスよく配し切断する条件を整えることにより、この効果を得ることができるのが開口部及び凹部に樹脂を充填した最大の特徴である。
【００８８】
また、図１５のように裏面から切断するのは、切断方向にＣｕ材のバリが発生しやすいためで品質が確保できれば逆方向でもよい。また、半導体素子の搭載面とは逆の裏面に凹部１５−２を多く設けたリードフレームを用いることにより、実装面のＣｕ材のバリの発生が少なくなり品質が向上する。
【００８９】
また、樹脂を充填する開口部１５−１及び凹部１５−２の幅を回転ブレード幅（切断幅）より広くすることにより、回転ブレードの摩耗を少なくする効果がある。
【００９０】
図３はカットラインの交点であるリードフレームの部分拡大図であるが、図示するように交点のリードフレーム部をスリット状（開口部１５−１）にすることにより、カットされたＣｕ材が半導体装置のコーナー部に付着して品質を落とすのを防止する効果がある。これは、半導体装置のコーナー部に配置された開口部１５−１の幅が切断幅より広くなっており、Ｃｕ材の切削した切りくずを開口部１５−１の樹脂を切削する間に排出できるためである。
【００９１】
また、封止の樹脂が開口部１５−１に充填されるため、従来よくリードフレーム上に設けられていたエヤーベンドは不要になり、金型にフラッシュバリも少なく切断時の悪影響も少ない。また、ボイド等の発生も非常に少なくできる。
【００９２】
そして図１６に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から３０［μｍ］以上のスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成し、露出したリード部４のリード端面部１０の切断面寸法が安定してかえりが少なく、また、封止樹脂８の切断面は樹脂かけ、くずのすくない品質のよい樹脂封止型半導体装置を得るものである。
【００９３】
以上、本実施の形態のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレード１２で切削し、その切断過程において、あらかじめ封止工程においてリードフレームのカットラインに樹脂を適宜充填することにより、切断されたリード部４のリード端面部１０及び樹脂断面のかえり、バリが少なく、困難であったＣｕ材の回転ブレード１２での切削による生産性のよい生産を可能にした。
【００９４】
図１６に示した円内の拡大図が図１７である。例えば隣接するリード部４のリード端面部１０間には樹脂が充填されており、リード部４と樹脂とは同一面で切断される。したがって、後工程である電気検査工程において樹脂くずによる検査不良を少なくし、また外観検査費用を削減する事ができる。また、供給形態であるエンボステープ内で輸送等の工程で樹脂くずがとれ、樹脂くずによる実装基板（プリント基板等）への搭載不良（半田付け不良）が発生することも皆無にでき、実装信頼性を向上できるものである。
【００９５】
〔第４の実施の形態〕
次に本実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。図１８は、第２の実施の形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１８（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＦ−Ｆ’箇所の断面図である。なお、本実施の形態では、図４に示された第２の実施の形態のリードフレームにおいて、ダイパッド部２をアップセットしたものを用いている。
【００９６】
図１８に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナーリード部４ａは大型のキャビテーで一括封止の金型で封止樹脂８により封止される。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出せず、また、側面の封止樹脂８もリード部４とともに切断される構造で、実質的に封止樹脂８の側面と同一面である。
【００９７】
すなわち、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６と、そのダイパッド部２に先端部が対向して配置され、切断面を除く外囲にメッキ層を有した複数のリード部４と、半導体素子６の電極とリード部４とを電気的に接続した金属細線７と、ダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の底面及び一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂８とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、リード部４の封止樹脂８から露出したリード端面部１０は、封止樹脂８の側面とともに回転ブレードで切断され、Ｃｕ材の破断面を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００９８】
この第４の実施の形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームの各ユニットごとに樹脂封止するものではなく、いわばリードフレームの上面領域を全体封止するものである。この大型のキャビテーに多数の半導体素子を搭載して封止を行う一括封止においては、Ｃｕ材の少ないリードフレームの裏面に樹脂フイルムを張り付けた第２の実施の形態のリードフレームを使用する。ここでは、図４に示されたリードフレームにおいて、ダイパッド部２をアップセットしたものを用いており、リードフレームには、既にその裏面に樹脂フィルム１３が張り付けられているため、第３の実施の形態で説明した封止シート１１及びそれを密着する第４の工程は必要なく、封止シート１１の代わりに樹脂フィルム１３が同様の作用をする。
【００９９】
本実施の形態の製造方法は、第１の工程で上記のリードフレームを用意し、第２，第３の工程は第３の実施の形態と同様に行う。そして、第５の工程で、リードフレームをトランスファーモールド用の封止金型内に載置し、金型によりフレーム枠１とリード部４の末端部（切断部付近、すなわちフレーム枠１と各リード部４との境界部近傍および連結部１−１と各リード部４との境界部近傍）を樹脂フィルム１３に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユニットを包括するように全体封止する（図１９）。
【０１００】
この一括封止には従来より半導体装置の大きさに関わらず金型は共用可能な特徴があるが、ランナー位置が固定されるため樹脂が充填されるときボイドが残る樹脂の成型不良が発生しやすい課題があった。しかし、第２の実施の形態のリードフレームを使用することにより、開口部１５−１及び凹部１５−２に樹脂が充填されるため、ボイドの発生の少ない成形が可能となる。また、金型に窪みを設けて開口部１５−１及び凹部１５−２よりの樹脂を充填することができるため、一括封止には特に成型品質向上に効果的である。
【０１０１】
封止後は、第３の実施の形態と同様に、第６の工程で、樹脂フイルム１３をピールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂８の底面からリード部４が３０［μｍ］程度、突出（スタンドオフ）して露出しているものである。
【０１０２】
そして次に第７の工程で、リードフレームの裏面側から回転ブレード１２（図１５参照）により切断する。リードフレームの連結部１−１は回転ブレード幅より狭いため、樹脂とＣｕフレームを同時に切断でき、樹脂の働きで回転ブレード１２のＣｕ材の切りくずがとれやすく回転ブレード１２の寿命も向上し、半導体装置間を一列の切断で分離が可能になり、生産性、品質が、第３の実施の形態のような個別の封止方式に比して大幅に向上する。
【０１０３】
なお、樹脂フイルム１３は回転ブレード１２による切断後分離してもよい。このときには樹脂フイルム１３を切断しない切り込み量を設定する。
【０１０４】
また、第３の実施の形態同様、回転ブレード１２は樹脂部を切断する回転速度、送り速度と、Ｃｕ材と樹脂部を切断する回転速度、送り速度とを任意にそれぞれ適した条件に設定する。このことにより回転ブレードにＣｕ材の目詰まりが少なく、材質に適した生産性のよい条件を設定する事ができ、柔らかいＣｕ材の切断で発生しやすいバリの発生を抑える条件を設定可能で生産性も確保できる。
【０１０５】
また、フレーム枠１はすべて切断しなくてもよく、Ｃｕ材の多いフレーム枠１はより少なく切断できる位置に切り込み、切り上げ部を設定し、そこに開口部１５−１を設け樹脂を充填することにより、回転ブレード１２の目詰まりを少なくし、生産性のよい切断方法を実現することができた。
【０１０６】
以上のように、第３及び第４の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法により得られた樹脂封止型半導体装置は、それをプリント基板等の実装基板にハンダ等の接合剤により接合した際、実装信頼性を向上できるものである。
【０１０７】
なお、上記第３及び第４の実施の形態では、ダイパッド部２をアップセットしたリードフレームを用いたが、ダイパッド部２をアップセットせず、ダイパッド部２とリード部４とが同一面上に配置されたリードフレームを用いることにより、ダイパッド部２の底面が封止樹脂８の底面より露出した構造の半導体装置を製造できる。
【０１０８】
また、本発明の要旨を越えない限り種々の変形実施が可能であることはいうまでもない。たとえば、リード部をアレー状に配したリードフレーム及びそれを用いた半導体装置にも有効である。また、Ｃｕ材のリードフレームより効果は少ないが、鉄系のリードフレームにおいても効果があり、生産性が向上する。
【０１０９】
【発明の効果】
以上、本発明のリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リードフレームは、回転ブレードの切断ライン上に樹脂充填部として開口部や凹部を有し封止樹脂を充填することにより回転ブレードの摩耗を防止して、切削の生産性を向上し品質のよい樹脂封止型半導体装置の生産を可能にするものであり、樹脂封止型半導体装置の生産工程のコストの削減と効率化を可能にするとともに、半導体装置を実装基板にハンダ等の接合剤により接合した際、実装不良を少なくし実装信頼性を向上できるものである。
【０１１０】
また樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対して、リードフレームの半導体素子部を封止するとともにカットライン部に配した開口部や凹部に樹脂を充填することにより、回転ブレードにより切断する工程において回転ブレードの目詰まりをなくすることができる。
【０１１１】
また、リードフレーム底面に樹脂フイルムを張り付け、樹脂封止を行うことにより大型の一括封止とそれに適した回転ブレードによる切断を可能にして効率のよい生産を実現する。
【０１１２】
さらに、回転ブレードの切断に適したリードフレームの開口部形状を実現し、開口部に充填した樹脂の目詰まり防止の働きを高め、樹脂と切断しにくいＣｕ材等からなるリードフレームの良好な切断を可能にし、適した切削条件を実現することにより生産性のよい製造方法を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のリードフレームを示す平面図。
【図２】図１のリードフレームの要部の詳細な平面図及び断面図。
【図３】図１のリードフレームの一部分の詳細な平面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態のリードフレームを示す平面図。
【図５】図４のリードフレームの要部断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態における樹脂封止型半導体装置の平面図及び断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図８】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図９】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１２】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１３】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１４】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１５】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１６】本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１７】図１６の要部拡大図。
【図１８】本発明の第４の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１９】本発明の第４の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２０】第１の従来のリードフレームを示す平面図。
【図２１】第１の従来のリードフレームを示す詳細な平面図及び断面図。
【図２２】第２の従来のリードフレームを示す平面図及びその拡大図。
【図２３】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の平面図及び断面図。
【図２４】第２の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図２５】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２６】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２７】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２８】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２９】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３０】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３１】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３２】第１の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３３】第２の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３４】第２の従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す斜視図。
【符号の説明】
１  フレーム枠
１−１  連結部
１−３  幅広部
２  ダイパッド部
３  吊りリード部
４  リード部
５  切断ライン
６  半導体素子
７  金属細線
８  封止樹脂
９  外部端子
１０  リード端面部
１１  封止シート
１２  回転ブレード
１３  樹脂フイルム
１５−１  開口部
１５−２  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
0003751496.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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