(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分とする導電性成分と、
Ｃｒを主成分とする耐弧成分と、
必要により添加されるＢｉ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ、Ｃｏのうちの少なくとも１種類からなる５重量％以下の補助成分とからなり、
前記耐弧成分に、微量元素の含有率が異なる２種類以上の耐弧原料を使用して製造されることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項２】
前記耐弧成分の２種類以上の耐弧原料中の微量元素の含有率は、５倍〜１０００倍異なることを特徴とする請求項１記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項３】
前記耐弧成分の原料中の含有率が異なる微量元素は、Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃの内、少なくとも１種類以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項４】
前記耐弧成分は、Ｃｒを主成分とし、前記耐弧成分の主成分であるＣｒの原料には、Ａｌを含有するＣｒ粒子とＡｌを含有しないＣｒ粒子の両方が存在することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項５】
前記耐弧成分は、Ｃｒを主成分とし、前記耐弧成分の主成分であるＣｒの原料には、Ｓｉを含有するＣｒ粒子とＳｉを含有しないＣｒ粒子の両方が存在することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項６】
前記耐弧成分の原料中の含有率が異なる微量成分は、Ａｌが１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍであり、Ｓｉが５０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項３乃至５いずれかに記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【請求項７】
前記接点材料の耐弧成分は、主耐弧成分のＣｒと、副耐弧成分としてのＷ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ及びこれらの炭化物の内の少なくとも１種類以上を含有することを特徴とする請求項４、５いずれかに記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空中で電流の遮断導通を行う真空遮断器等に使用される真空バルブに係り、特に前記電流を遮断導通する接点を形成する真空バルブ用接点材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から真空バルブの接点材料に要求される特性としては、遮断特性，耐溶着特性，耐電圧特性に対する各性能で示される基本三要件と、この他に電気抵抗（バルク抵抗と接触抵抗）と温度上昇が低く安定していることが重要な要件となっている。
【０００３】
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって全ての要件を満足させることは不可能である。このため、実用化されている多くの接点材料においては、不足する性能を相互に補えるような２種類以上の元素、例えば導電成分と耐弧成分を組合せて大電流用又は高電圧用等のように特定の用途に合った接点材料の開発が行われ、それなりに優れた特性を有するものが開発されている。開閉器という使用目的から、高確率で電流の開閉が可能であることは言うまでもない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような真空バルブの遮断特性を向上させるには、接点材料中のＡｌ等の微量成分を制御する必要があり、この接点材料中のＡｌ等の微量成分を規定することは公知の技術である。
【０００５】
しかし、接点材料中のＡｌ等の微量成分を規定するために、従来のようにＡｌ粉末の形態で添加すると、Ａｌ粉末表面が酸化し易いこと、また微量であるために偏析し易いこと等の理由によって、接点材料としての性能が安定しないという問題点があった。
【０００６】
更にＡｌの添加により、導電率が極端に低下してしまうという問題点があった。
【０００７】
このように、導電成分と耐弧成分（更に必要により補助成分）だけの組成を制御した接点材料及び微量元素をただ単に添加した従来の接点材料では、安定した遮断特性を得ることが困難であり、更に導電率を低下させずに遮断特性を向上することが困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上述の如き従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、真空遮断器等に使用される真空バルブの接点材料に要求される特性の内、遮断特性と導電率の両方を安定に向上させることができる真空バルブ用接点材料の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明の特徴は、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分とする導電性成分と、Ｃｒを主成分とする耐弧成分と、必要により添加されるＢｉ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ、Ｃｏのうちの少なくとも１種類からなる５重量％以下の補助成分とからなり、
前記耐弧成分に、微量元素の含有率が異なる２種類以上の耐弧原料を使用して製造されることにある。
【００１０】
請求項２の発明の前記耐弧成分の２種類以上の耐弧原料中の微量元素の含有率は、５倍〜１０００倍異なる。
【００１１】
請求項３の発明の前記耐弧成分の原料中の含有率が異なる微量元素は、Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃの内、少なくとも１種類以上である。
【００１２】
請求項４の発明の前記耐弧成分は、Ｃｒを主成分とし、前記耐弧成分の主成分であるＣｒの原料には、Ａｌを含有するＣｒ粒子とＡｌを含有しないＣｒ粒子の両方が存在する。
【００１３】
請求項５の発明の前記耐弧成分は、Ｃｒを主成分とし、前記耐弧成分の主成分であるＣｒの原料には、Ｓｉを含有するＣｒ粒子とＳｉを含有しないＣｒ粒子の両方が存在する。
【００１４】
請求項６の発明の前記耐弧成分の原料中の含有率が異なる微量成分は、Ａｌが１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍであり、Ｓｉが５０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍである。
【００１５】
請求項７の発明の前記接点材料の耐弧成分は、主耐弧成分のＣｒと、副耐弧成分としてのＷ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ及びこれらの炭化物の内の少なくとも１種類以上を含有する。
【００２４】
前述したように、真空バルブ用接点材料、例えばＣｕ−Ｃｒ接点の遮断特性を向上させるには、接点材料中のＡｌ等の微量元素を制御する必要がある。そこで、本例は導電率を極端に低下させずに遮断特性を向上させる為に、Ａｌ含有率が異なる２種類以上のＣｒを耐弧原料として使用している。
【００２５】
例えば、Ａｌをほとんど含有していない（５ｐｐｍ以下の）Ｃｒ粉末とＡｌを１０００ｐｐｍ程度含んだＣｒ粉末を、同量使用してＣｕ−５０ｗｔ％Ｃｒ接点を製造すると、接点中のＡｌ含有率は２５０ｐｐｍ程度になり、更に接点材料中の多数のＣｒ粒子は、Ａｌを含んでいないＣｒ粒子とＡｌを含んだＣｒ粒子が同重量ずつ存在する。
【００２６】
この場合、表面が酸化し易いＡｌ粉末という形態で添加していないので、接点中の酸素量が抑制でき、Ａｌを２５０ｐｐｍ含有していることで遮断特性は向上し、更に巨視的にはＡｌは均一に分布しているが、微視的にはＡｌは偏在しているので、導電率の低下を抑制出来る。また、上記のようなことは、Ｃｕ−Ｗ接点における微量元素Ｆｅの場合についても同様なことがいえる。
【００２７】
本発明により、接点材料中の微量元素の含有率と分布を制御することが出来、導電率を極端に低下させずに遮断特性を向上させることを可能とした。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の真空バルブ用接点材料を用いた真空バルブの一実施の形態を示した構成図である。
【００２９】
遮断室１は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封着金具３ａ，３ｂを介して設けた金属性の蓋体４ａ，４ｂとで真空気密に構成されている。更に、遮断室１内には、導電棒５，６の対向する端部に取り付けられた一対の電極７，８が配設され、上部の電極７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。また、この可動電極８の電極棒６には、ベローズ９が取り付けられて遮断室１内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可能にし、このベローズ９上部には金属性のアークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気で覆われることを防止している。アークシールド１１は、上記電極７，８を覆うようにして遮断室１内に設けられ、絶縁容器２がアーク蒸気で覆われることを防止している。更に、電極８は、図２に拡大して示すように、導電棒６にロウ付け部１２によって固定されるか、または、かしめによって圧着接続されている。接点１３ａは、電極８にロウ付け部１４で固着されている。尚、固定電極７には接点１３ｂが固定側接点として圧着接続されている。
【００３０】
次に本実施の形態の真空バルブで用いられる真空バルブ用接点１３ａ，１３ｂを構成する材料について図３の図表を参照して説明する。
【００３１】
実施例１〜２
実施例１では、微量成分Ａｌの含有率が異なる２種類のＣｒ粉末を使用して、焼結溶浸法でＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを３５０ｐｐｍ，１８００ｐｐｍ含んだ２種類のテルミットＣｒ粉末を同重量ずつ混合して使用し、Ｃｒを５０ｗｔ％，微量元素Ａｌを５３０ｐｐｍ含んだＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。この接点の導電率と最大遮断電流は、若干向上し、両方共後述する比較例１の１．１倍であった。
【００３２】
実施例２では、微量成分Ａｌの含有率が異なる３種類のＣｒ粉末を使用して焼結溶浸法でＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを３０ｐｐｍ含んだ電解Ｃｒ粉末，Ａｌを２５０ｐｐｍ含んだ電解Ｃｒ粉末，Ａｌを２０００ｐｐｍ含んだテルミットＣｒ粉末を、それぞれ１：２：７の重量比で使用し、Ｃｒを５０ｗｔ％，微量元素Ａｌを４８０ｐｐｍ含んだＣｕーＣｒ接点を製造した。この接点の導電率と最大遮断電流は、若干向上し、それぞれ後述する比較例１の１．１倍と１．２倍であった。
【００３３】
一方、比較例１では、焼結溶浸法でＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。微量成分Ａｌを１０００ｐｐｍ含んだテルミットＣｒ粉末を加圧成形した後、水素雰囲気中で、１１５０℃×１時間の条件で焼結して製造したＣｒスケルトンと溶浸材Ｃｕを坩堝内で上下に配置し、水素雰囲気中で１１５０℃で加熱し、導電成分であるＣｕを溶浸させることにより、Ｃｒを５０ｗｔ％，微量元素Ａｌを５００ｐｐｍ含んだＣｕ−Ｃｒ合金を製造した。このＣｕ−Ｃｒ合金を所定の接点形状（φ５０ｍｍ，ｔ５ｍｍ）に加工した後、渦電流測定法により導電率を測定し、更に真空バルブに組み込んで遮断試験を実施した。遮断試験は、５ＫＡから徐々に電流値を上げていく方法で最大遮断電流を測定した。この比較例１の測定結果を基準とし、その他の測定結果は相対値で示した。
【００３４】
比較例２では、焼結溶浸法でＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを１０ｐｐｍ含んだ電解Ｃｒ粉末にＡｌ粉末を微量添加し、微量成分Ａｌを１０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末によりＣｒスケルトンを製造し、比較例１と同一方法でＣｕ−Ｃｒ接点を製造した。この接点の導電率と遮断特性を評価した結果、導電率，最大遮断電流は、比較例１の結果のそれぞれ０．９５倍，０．９０倍と低下していた。これは表面が酸化し易いＡｌ粉末を使用したために、酸素含有率が増大（比較例１の２倍程度に増大）したことに起因する。
【００３５】
以上のように、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点材料中の微量成分Ａｌの含有量が５００ｐｐｍ程度の接点材料を比較した結果、実施例１、２のように微量元素が異なる２種類以上の原料粉末を使用することにより、導電率と遮断特性を向上させることができた。
【００３６】
実施例３〜５
実施例３〜５では、微量元素Ａｌの含有率が、それぞれ３０ｐｐｍと１６０ｐｐｍ（含有率の比は５．３），２０ｐｐｍと１２００ｐｐｍ（含有率の比は６０），１０ｐｐｍと８０００ｐｐｍ（含有率の比は８００）の２種類の原料Ｃｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と遮断特性を評価した結果、実施例３では比較例３の１．１倍と１．１倍、実施例４では比較例３の１．１倍と１．２倍、実施例５では比較例３の１．０倍と１．１倍であった。
【００３７】
一方、比較例３では、微量元素Ａｌを３０ｐｐｍと１００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末、即ち含有率比は３．３を使用し、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と最大遮断電流を測定した結果、両特性共比較例１と同等であった。
【００３８】
比較例４では、微量元素Ａｌを５ｐｐｍ以下と６０００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末、即ち含有率の比は１２００以上を使用し、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と最大遮断電流を測定した結果、それぞれ０．９５倍と１．０倍であった。これはＡｌの偏在が極端だった為に導電率が低下し、その結果，遮断特性が向上しなかったと思われる。
【００３９】
以上のように、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点材料中のＡｌの含有量が１０〜３０ｐｐｍ前後程度の接点材料を比較した結果、実施例３〜５のように微量元素が異なる２種類以上の原料粉末を使用することにより、導電率と遮断特性を向上させることができた。
【００４０】
実施例６〜１０
前記実施例１〜５及び前記比較例１〜４では、微量元素としてＡｌに着目した事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
【００４１】
実施例６〜９では、それぞれＦｅ，Ｓｉ，Ｃ，ＡｌとＳｉの微量元素が異なる２種類の原料Ｃｒ粉末を使用し、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と遮断特性を評価した。
【００４２】
実施例６では、微量元素Ｆｅを１５０ｐｐｍと２０００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末を使用したところ、導電率と最大遮断電流は比較例１のそれぞれ１．１倍と１．２倍になった。
【００４３】
実施例７では、微量元素Ｓｉを５０ｐｐｍと７００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末を使用したところ、導電率と最大遮断電流は、両特性共に比較例１の１．１倍となった。
【００４４】
実施例８では、微量元素Ｃを３０ｐｐｍと２００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末を使用したところ、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．１倍と１．２倍になった。
【００４５】
実施例９では、微量元素ＡｌとＳｉの含有率が、それぞれ２０ｐｐｍと５０ｐｐｍのＣｒ粉末と、微量元素ＡｌとＳｉの含有率が、それぞれ１００ｐｐｍと３００ｐｐｍのＣｒ粉末の２種類を使用したところ、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．１倍と１．３倍になった。
【００４６】
実施例１０では、微量成分Ｆｅの含有率が異なる２種類のＮｂ粉末を使用して、焼結溶浸法でＣｕ−Ｎｂ接点を製造した。Ｆｅを５０ｐｐｍ，３００ｐｐｍ含んだ２種類のＮｂ粉末を使用して、Ｃｕ−５０ｗｔ％Ｎｂ接点を製造した。この接点の導電率と最大遮断電流は、若干向上し、それぞれ比較例１の１．１倍と１．３倍であった。
【００４７】
実施例１１
実施例１１では、製造方法が異なり且つ微量成分Ａｌの含有率が異なる２種類のＣｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを３０ｐｐｍ含んだ電解Ｃｒ粉末（記号はＥ）とＡｌを５００ｐｐｍ含んだテルミットＣｒ粉末（記号はＴ）の２種類を使用した結果、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．１倍と１．２倍であった。
【００４８】
実施例１２では、微量成分Ａｌをほとんど含んでいない（１０ｐｐｍ以下の）Ｃｒ粉末と微量成分Ａｌを１０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、接点中のＡｌの分布をＥＤＸ付き電子顕微鏡で観察して分析した結果、Ａｌを含んだＣｒ粒子とＡｌを含まないＣｒ粒子の２種類のＣｒ粒子が存在していた。この接点材料の導電率と遮断特性を評価した結果、導電率と最大遮断電流値は両特性共、比較例１の１．２倍であった。
【００４９】
実施例１３では、微量成分Ｓｉをほとんど含んでいない（２０ｐｐｍ以下の）Ｃｒ粉末と微量成分Ｓｉを１０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造して評価した結果、Ｓｉを含んだＣｒ粒子とＳｉ含まないＣｒ粒子の２種類のＣｒ粒子が存在し、導電率と最大遮断電流値は両特性共、比較例１の１．２倍であった。
【００５０】
実施例１４〜１６
実施例１４〜１６では、微量成分ＡｌとＳｉの含有率が次の値を示す３種類の粉末Ａ〜Ｃの内の２種類を使用してＣｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と遮断特性を評価した。
【００５１】
粉末Ａ：Ａｌ  ３０ｐｐｍ，Ｓｉ１００ｐｐｍ
粉末Ｂ：Ａｌ  ２００ｐｐｍ，Ｓｉ１００ｐｐｍ
粉末Ｃ：Ａｌ  ２００ｐｐｍ，Ｓｉ５００ｐｐｍ
実施例１４では、原料Ｃｒ粉末として粉末Ａと粉末Ｂ（両粉末の微量成分の含有率の比はＡｌが６．７でＳｉが１．０）を使用した結果、導電率と最大遮断電流は、比較例１のそれぞれ１．１倍と１．２倍であった。
【００５２】
実施例１５では，原料Ｃｒ粉末として粉末Ｂと粉末Ｃ（両粉末の微量成分の含有率の比はＡｌが１．０でＳｉが５．０）を使用した結果、導電率と最大遮断電流は、両特性共に比較例１の１．１倍であった。
【００５３】
実施例１６では，原料Ｃｒ粉末として粉末Ａと粉末Ｃ（両粉末の微量成分の含有率の比はＡｌが６．７でＳｉが５．０）を使用した結果、導電率と最大遮断電流は、両特性共に比較例１の１．２倍であった。
【００５４】
実施例１７〜２１
実施例１７〜１９と比較例５〜６では、微量成分としてＡｌに着目して、Ａｌ含有量が異なる２種類のＣｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、接点中のＡｌ量を測定し、導電率と遮断特性を評価した。
【００５５】
実施例１７では、Ａｌを１０ｐｐｍと５０ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を同重量使用したところ、接点中のＡｌ量は１５ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．２倍と１．２倍であった。
【００５６】
実施例１８では、Ａｌを１００ｐｐｍと３００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を同重量使用したところ、接点中のＡｌ量は１００ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．１倍と１．３倍であった。
【００５７】
実施例１９では、Ａｌを２００ｐｐｍと２０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を２：８の重量比で使用したところ、接点中のＡｌ量は８２０ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．０倍と１．１倍であった。
【００５８】
一方、比較例５では、Ａｌを５ｐｐｍ以下と３０ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を同重量使用したところ、接点中のＡｌ量は１０ｐｐｍ以下で、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．２倍と０．９５倍で、遮断特性が若干低下した。
【００５９】
比較例６では、Ａｌを２００ｐｐｍと２５００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を１：９の重量比で使用したところ、接点中のＡｌ量は１２００ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の０．９５倍と０．９０倍であり、微量元素の過剰添加により、両特性共に低下した。
【００６０】
実施例２０、２１
実施例２０〜２１と比較例７〜８では、微量成分としてＳｉに着目して、Ｓｉ含有量が異なる２種類のＣｒ粉末を使用して、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、接点中のＳｉ量を測定し、導電率と遮断特性を評価した。
【００６１】
実施例２０では、Ｓｉを６０ｐｐｍと３５０ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を同重量使用したところ、接点中のＳｉ量は１００ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．２倍と１．１倍であった。
【００６２】
実施例２１では、Ｓｉを５００ｐｐｍと３０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を３：７の重量比で使用したところ、接点中のＳｉ量は１８００ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．０倍と１．１倍であった。
【００６３】
比較例８では、Ｓｉを５００ｐｐｍと４０００ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を１：９の重量比で使用したところ、接点中のＳｉ量は２１００ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流は、両特性共に比較例１の０．９５倍であり、微量元素の過剰添加により、両特性とも低下した。
【００６４】
比較例７では、Ｓｉを３０ｐｐｍ以下と１５０ｐｐｍ含んだＣｒ粉末を同重量使用したところ、接点中のＳｉ量は４０ｐｐｍで、導電率と最大遮断電流はそれぞれ比較例１の１．２倍と０．９５倍で遮断特性が低下した。
【００６５】
実施例２２、２３
実施例１〜２１と前記比較例１〜６では、接点材料を水素雰囲気中の焼結溶浸法で製造した事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
実施例２２では、真空雰囲気中の固相焼結法により、Ｃｕ−５０Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを３５０ｐｐｍと１８００ｐｐｍ含んだ２種類のＣｒ粉末を同重量ずつ混合して使用した。このＣｒ粉末にＣｕ粉末を重量比１：１となるように混合してφ６０ｍｍの坩堝に充填した後、１０−３Ｐａオーダの真空中で、１０３０℃×２時間の条件で焼結した。得られた焼結体をφ６０ｍｍの金型で１０ｔ／ｃｍ２ で成形した後、再度同一条件で焼結し、Ｃｕ−５０Ｃｒ合金を得た。
【００６６】
このＣｕ−５０Ｃｒ合金を所定の形状（φ５０ｍｍ，ｔ５ｍｍ）に加工し、接点材料とした。この接点材料の導電率と最大遮断電流値を測定した結果、両特性共に比較例１の１．１倍であった。更に固相焼結時の雰囲気を真空ではなく、水素雰囲気またはアルゴン雰囲気等の非酸化性雰囲気で実施しても、同様の効果が得られた。
【００６７】
実施例２３では、アルゴン雰囲気中のアーク溶解法によりＣｕ−５０Ｃｒ接点を製造した。Ａｌを３５０ｐｐｍと１８００ｐｐｍ含んだ２種類の同形状のＣｒ板（１０×５０×１０００）と、Ｃｒ板と同重量のＣｕ板（９．７×５０×１０００）２枚の合計４枚の金属板を重ねたものを電極とし、アルゴン雰囲気中でアーク溶解して得たＣｕ−５０Ｃｒ合金を所定の形状（φ５０ｍｍ，ｔ５ｍｍ）に加工して接点材料とした。この接点材料の導電率と最大遮断電流値を測定した結果、それぞれ比較例１の１．１倍と１．２倍であった。
【００６８】
実施例２３では溶解法の一例としてアーク溶解法を挙げたが、本発明の主旨はこれに限るものではなく、Ｃｕ−１０ｗｔ％Ｃｒ等のＣｒ含有率が低い接点では、誘導溶解法を用いても同様の効果が得られる。更に焼結法（焼結溶浸法，固相焼結法）で製造した接点の表面を溶融させる方法でも、同様の効果が得られる。
【００６９】
更に、前記実施例２２では、固相焼結の温度を１０３０℃、即ち導電成分Ｃｕの融点（１０８３℃）より５３℃低い温度で、実施している事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
【００７０】
実施例２４、２５
実施例２４〜２５と比較例９では、固相焼結の温度を、それぞれ１０８０℃，１０００℃，９２０℃でＣｕ−５０Ｃｒ接点を製造し、導電率と遮断特性を評価した。
【００７１】
その結果、実施例２４では、導電率と最大遮断電流はそれぞれ比較例１の１．１倍と１．３倍，実施例２５では比較例１の１．１倍と１．１倍，比較例９では比較例１の１．０倍と０．９５倍であった。尚、Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造には、微量元素Ａｌの含有率が３５０ｐｐｍと１８００ｐｐｍ２種類のＣｒ粉末を使用した。
【００７２】
前記実施例１〜２５と比較例１〜９では、Ｃｕ−Ｃｒ系またはＣｕ−Ｎｂ系の二元系の接点材料の事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
【００７３】
実施例２５では、主耐弧成分をＣｒ，副耐弧成分をＷとしたＣｕ−２０ｗｔ％Ｃｒー１０ｗｔ％Ｗ接点を、微量元素Ｆｅの含有量が５０ｐｐｍと３００ｐｐｍのＷ粉末を使用して、真空雰囲気中の焼結溶浸法で製造し、導電率と遮断特性を評価した結果、導電率と最大遮断電流は、両特性共に比較例１の１．１倍であった。
【００７４】
実施例２６、２７
実施例２６では、耐弧成分をＣｒ，補助成分をＢｉとしたＣｕ−２５ｗｔ％Ｃｒ−５ｗｔ％Ｗ接点を、微量元素Ａｌの含有量が３５０ｐｐｍと１８００ｐｐｍのＣｒ粉末を使用して、水素雰囲気中の固相焼結法で製造して導電率と遮断特性を評価した結果、導電率と最大遮断電流は、それぞれ比較例１の１．２倍と１．１倍であった。
【００７５】
以上の結果が示すように、本発明によって真空バルブ用接点材料の遮断特性と導電率を向上させることが可能となる。
【００７６】
尚、Ｃｒを主耐弧成分とした時の副耐弧成分については、本実施の形態では、Ｗでの記載しかないが、Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ及びこれらの炭化物の内の少なくとも１つを副耐弧成分として使用しても、同様の効果が得られる。
【００７７】
また導電成分については、本実施の形態では、Ｃｕでの記載しかないが、ＣｕまたはＡｇを主成分としても、同様の効果が得られる。
【００７８】
さらに補助成分については、本実施の形態では、Ｂｉでの記載しかないが、Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｃｏの内の少なくとも１つを補助成分としても、同様の効果が得られる。
【００７９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の真空バルブ用接点材料の製造方法によれば、微量元素含有率が異なる２種類以上のＣｒを耐弧原料として使用することにより、真空遮断器等に使用される真空バルブの接点材料に要求される特性の内、遮断特性と導電率の両方を安定に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空バルブ用接点材料を用いた真空バルブの一実施の形態を示した断面図である。
【図２】図１に示した接点部分の拡大断面図である。
【図３】図１に示した真空バルブ用接点の材料を構成する導電成分、耐孤成分、補助成分、製造方法及びこれら条件で製造した際の試験結果を実施例１〜２７、比較例１〜９について一覧として示した表図である。
【符号の説明】
１  遮断室
２  絶縁容器
３ａ、３ｂ  封着金具
４ａ、４ｂ  蓋体
５、６  導電棒
７  固定電極
８  可動電極
９  ベローズ
１０、１１  アークシールド
１２、１４  ロウ付け部
１３ａ  可動側接点
１３ｂ  固定側接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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