(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、
前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、
前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出し、前記比較手段に、この読み出した信号を複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させ、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された電荷蓄積動作を終了する信号レベルによって、各々の前記光電変換手段毎の電荷蓄積動作の終了を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、
前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、
前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出し、前記比較手段に、この読み出した信号を複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させ、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された増幅率によって、各々の前記光電変換手段毎の前記増幅率を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換手段は、前記複数画素における最大蓄積電荷量に基づいた情報をモニタ出力するモニタ手段を有し、
前記比較手段は、前記複数の光電変換手段から順次出力される信号として、前記モニタ手段の出力信号と順次比較を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記光電変換手段は、前記複数画素及び記憶手段が同一の基板上に形成されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、を備えた光電変換装置を制御する方法であって、
前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出す読み出しステップと、
前記比較手段に、前記読み出しステップにおいて読み出した信号のレベルを、複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させる比較ステップと、
各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された電荷蓄積動作を終了する信号レベルによって、各々の前記光電変換手段毎の電荷蓄積動作の終了を制御する制御ステップと、
を有することを特徴とする光電変換装置の制御方法。
【請求項６】
各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、を備えた光電変換装置を制御する方法であって、
前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出す読み出しステップと、
前記比較手段に、前記読み出しステップにおいて読み出した信号のレベルを、複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させる比較ステップと、
各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された増幅率によって、各々の前記光電変換手段毎の前記増幅率を制御する制御ステップと、
を有することを特徴とする光電変換装置の制御方法。
【請求項７】
前記読み出しステップは、前記複数画素における最大蓄積電荷量に基づいた情報をモニタ出力するモニタ出力ステップを有し、
前記比較ステップにおいて、前記比較手段に、前記読み出しステップにおいて読み出した信号として前記モニタ出力ステップにおいて出力した信号を用いた比較を行わせることを特徴とする請求項５又は６に記載の光電変換装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、カメラやビデオ等の撮影機器や、種々の観察装置等に適用される光電変換装置及びその制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、被写体の焦点状態を検出し、それに応じて撮影レンズの距離を変化させることで自動的に焦点を合わせるようになされた所謂オートフォーカス（ＡＦ）カメラ等が種々提案されている。
このようなＡＦカメラ等では、焦点状態を検出する方法として、例えば、被写体像を、複数の光電変換画素（以下、単に画素と言う）より構成された光電変換素子（以下、センサと言う）上に結像させ、そのセンサから出力される複数の画素信号に所定の演算処理を行うことで、焦点状態を検出する方法が採用されている。
この方法では、高輝度の被写体から低輝度の被写体までというように、様々な輝度レベルを有する被写体に対しても精度の良い焦点状態の検出を行うために、センサでの信号読み出しの増幅率（以下、ゲインと言う）と電荷蓄積時間を適切に制御することが不可欠となる。
この理由としては、複数の画素信号から構成される被写体の像信号（以下、映像信号と言う）のレベルが大きすぎると、装置で処理できる画素信号のダイナミックレンジを超えてしまい、結果的に映像信号が実際のものと異なり、かえって精度が悪くなる場合がある。また、逆に映像像信号のレベルが小さすぎると、相対的にノイズが増えてしまい、これもまたかえって精度が悪くなる場合があるからである。
【０００３】
そこで、図８に、センサ５４での画素信号の読み出しのゲイン及び電荷蓄積時間を制御するようになされた光電変換器５００を示す。
【０００４】
この光電変換器５００は、複数の画素より構成されたセンサ５４と、センサ５４での電荷蓄積中にその最大蓄積電荷量を検知してそれを出力するピーク検知回路５３と、センサ５４での電荷蓄積終了後にその画素信号が転送され保持されるメモリ５２と、カウンタ５５と、カウンタ５５のカウント値に従って複数のレベル値から選択したレベル値を出力するレベル出力回路５６と、レベル出力回路５６とピーク検知回路５３の各出力を比較してその結果を出力するコンパレータ５７と、メモリ５２に保持された画素信号をカウンタ５５のカウント値に従ったゲインで出力する読出アンプ５８とを備えている。
【０００５】
ここで、光電変換器５００が備える各部は、コントローラ５１により制御され、特に、このコントローラ５１は、センサ５４での電荷蓄積動作を制御するようになされている。
【０００６】
具体的には、図９に示すように、先ず、コントローラ５１は、リセット信号rst をセンサ５４及びカウンタ５５に対して出力する（ステップＳ５０１）。
これにより、センサ５４は、各画素の電荷が全て初期化され、カウンタ５５は、初期値”０”（count ＝０）にリセットされる。
この後、センサ５４での電荷蓄積動作が実際に開始される。
【０００７】
次に、コントローラ５１は、内部タイマ（図示せず）を初期値”０”（timer ＝０）にセットすることで、電荷蓄積動作の時間計測を開始する（ステップＳ５０２）。
【０００８】
次に、コントローラ５１は、内部タイマのタイマ値timer が最大蓄積時間Etime を超えたか否かを判別する（ステップＳ５０３）。
この判別の結果、”timer ≧Etime ”であった場合、電荷蓄積動作終了とし、これを示す信号trans をセンサ５４に対して出力する。これにより、センサ５４の各画素に蓄積された電荷は各々、画素信号としてメモリ５２に転送され、センサ５４での電荷蓄積動作が終了する（ステップＳ５０８）。
【０００９】
一方、ステップＳ５０３の判別の結果、”timer ≧Etime ”でなかった場合、コントローラ５１は、コンパレータ５７の出力信号compが”１”であるか否か、すなわちレベル出力回路５６の出力信号c ＿level がピーク検知回路５３の出力信号p ＿out よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ５０４）。
この判別の結果、”comp＝１”でなかった場合には、上述したステップＳ５０３に戻り、以降の処理ステップを繰り返し行う。
【００１０】
尚、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level についての詳細は後述する。
【００１１】
ステップＳ５０４の判別の結果、”comp＝１”であった場合、コントローラ５１は、内部タイマのタイマ値timer が中間蓄積時間Htime を超えたか否かを判別する（ステップＳ５０５）。
この判別の結果、”timer ≧Htime ”であった場合には、上述したステップＳ５０８に進み、センサ５４での電荷蓄積動作終了となる。
【００１２】
ステップＳ５０５の判別の結果、”timer ≧Htime ”でなかった場合、コンパレータ５１は、カウンタ５５のカウント値count が”３”であるか否かを判別する（ステップＳ５０６）。
この判別の結果、”count ＝３”であった場合には、上述したステップＳ５０８に進み、センサ５４での電荷蓄積動作終了となる。
【００１３】
ステップＳ５０６の判別の結果、”count ＝３”でなかった場合、コントローラ５１は、信号up＿c をカウンタ５５に対して出力する。これにより、カウンタ５５のカウント値count がカウントアップされる（ステップＳ５０７）。
その後、上述したステップＳ５０３に戻り、以降の処理ステップを繰り返し行う。
【００１４】
上述のようにして、センサ５４での電荷蓄積動作制御が行われ、電荷蓄積動作終了後に画素信号が保持されたメモリ５２は、コントローラ５１が出力する信号shift により、その画素信号の読出動作が制御される。
この制御によりメモリ５２から読み出された画素信号s ＿out は、読出アンプ５８によりゲインがかけられて出力端子Voutから出力される。
このとき、読出アンプ５８は、カウンタ５５のカウント値count に従って、メモリ５２からの画素信号s ＿out をゲインをかけるようにする。
【００１５】
また、センサ５４での電荷蓄積動作の時間については、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level が切り換わることにより制御される。
以下、電荷蓄積動作時間とレベル出力回路５６の出力信号c ＿level について、図１０（Ａ）及び（Ｂ）を用いて模式的に説明する。
【００１６】
尚、以下の説明では、レベル出力回路５６は、４段階のレベル値”level1.0”〜”level1.3”を有し、カウンタ５５のカウント値count に従って、それらのレベル値を切り換えて出力するものとする。
また、上記図１０（Ａ）及び（Ｂ）では、横軸は電荷蓄積時間を示し、縦軸はレベル出力回路５６の出力信号c ＿level 及びピーク検知回路５３の出力信号p ＿out の値を示すものとする。
また、上記図１０（Ａ）は、比較的被写体が明るく、各画素信号のピーク出力、すなわちピーク検知回路５３の出力信号p ＿out が速く上昇する場合を示しており、上記図１０（Ｂ）は、これとは逆に比較的被写体が暗く、各画素信号のピーク出力が遅く上昇する場合を示している。
【００１７】
（図１０（Ａ）の場合）
電荷蓄積動作が開始されると、先ず、カウンタ５５のカウント値count が初期化されることにより（ステップＳ５０１）、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level は”level1.0”となる。
そして、電荷蓄積動作時間（内部タイマのタイマ値timer ）が”Ａ−１”となった時、ピーク検知回路５３の出力信号p ＿out がレベル出力回路５６の出力信号c ＿level を上回り、この結果、コンパレータ５７の出力信号compが”１”となると、カウンタ５５のカウント値count がカウントアップされる（ステップＳ５０３〜ステップＳ５０７）。このカウントアップされたカウント値count がレベル出力回路５６に与えられることで、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level は”level1.1”となる。
次に、電荷蓄積動作時間が”Ａ−２”となった時も同様に、カウンタ５５のカウント値count がカウントアップされ、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level は”level1.2”となる。
次に、電荷蓄積動作時間が”Ａ−３”となった時も同様に、カウンタ５５のカウント値count がカウントアップされ、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level は”level1.3”となる。
そして、電荷蓄積動作時間が”Ａ−４”となった時、この時にはカウンタ５５のカウント値count が”３”であるため、センサ５４での電荷蓄積動作が終了となる（ステップＳ５０６の判別の結果ステップＳ５０８へと進む）。
【００１８】
（図１０（Ｂ）の場合）
電荷蓄積動作時間が”Ｂ−１”となった時、及び電荷蓄積動作時間が”Ｂ−２”となった時については、上述した”Ａ−１”〜”Ａ−３”時と同様に、カウンタ５５のカウント値count がカウントアップされ、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level は、”level1.0”から”level1.1”へと、”level1.1”から”level1.2”へとなる。
そこで、電荷蓄積動作時間が”Ａ−３”となった時、ピーク検知回路５３の出力信号p ＿out が遅く上昇することにより、電荷蓄積動作時間が中間蓄積時間Htime を超えたとすると、センサ５４での電荷蓄積動作が終了となる（ステップＳ５０５の判別の結果ステップＳ５０８へと進む）。
【００１９】
上述のようにして、レベル出力回路５６の出力信号c ＿level を４段階で切り換えることで、被写体が明るい場合には電荷蓄積動作時間を十分長くとり、被写体が暗い場合には電荷蓄積動作時間が長くなりすぎないようにする、というように被写体の状況にあわせて電荷蓄積動作時間を制御している。
【００２０】
また、読出アンプ５８でのゲインは、カウンタ５５のカウント値count に従って制御されており、これは、画素信号のピーク出力（p ＿out ）に従って読出アンプ５８でのゲインを制御することになるため、この結果、装置で処理できる画素信号のダイナミックレンジを、常に有効に活用した画素信号の読出が可能となっている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の光電変換器５００を、例えば、複数の測距点に対してＡＦ機能することが可能な多点ＡＦカメラに使用した場合、全ての測距点に対して、上記図８に示したようなコンパレータ５７等を含む全ての各構成部を設ける必要があったため、その回路規模が膨大なものとなり、ＩＣチップの面積増大を招く、という問題があった。
【００２２】
これを解決するために、１つのセンサを測距点毎の領域に分割し、各領域を順次走査しながら、１つのコントローラで電荷蓄積動作時間を制御する方法が考えられる。
この方法によれば、ＩＣチップの面積の増大を抑えて、リーズナブルなチップサイズで、多点ＡＦを実現することができる。
【００２３】
しかしながら、この方法において、各測距点の領域（センサ）での電荷蓄積時間を制御するために、各領域から画素信号を読み出しては比較するという手段で走査する場合、ある一つの領域に着目すると、電荷蓄積動作中、間欠的に電荷蓄積動作を終了するか否かの判別を行うことになる。
このような方法を上記図８に示した光電変換器５００に採用した場合、電荷蓄積動作開始直後はレベル出力回路５６の出力信号c ＿level が”level1.0”であるため、ピーク検知回路５３の出力信号p ＿out が急速に上昇する高輝度な被写体に対しては、カウンタ５５のカウント値count が”３”となって電荷蓄積動作が終了することになる。このため、非常に時間がかかり、適切な電荷蓄積動作時間の制御ができず、被写体の映像信号のレベルがダイナミックレンジを超えてしまい、像の歪みの問題等が生じることが十分に考えられる。
【００２４】
そこで、本発明は、上記の欠点を除去するために成されたもので、如何なる被写体に対しても、常に適切な電荷蓄積動作制御が可能であり、ダイナミックレンジを有効に活用した画素信号の読み出しが可能であり、また、高精度なオートフォーカスも可能であり、さらには、回路規模も膨大にならず安価にこれを実現する光電変換装置及びその制御方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の光電変換装置は、各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出し、前記比較手段に、この読み出した信号を複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させ、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された電荷蓄積動作を終了する信号レベルによって、各々の前記光電変換手段毎の電荷蓄積動作の終了を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る第２の光電変換装置は、各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出し、前記比較手段に、この読み出した信号を複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させ、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された増幅率によって、各々の前記光電変換手段毎の前記増幅率を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る第１の光電変換装置の制御方法は、各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、を備えた光電変換装置を制御する方法であって、前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出す読み出しステップと、前記比較手段に、前記読み出しステップにおいて読み出した信号のレベルを、複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させる比較ステップと、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された電荷蓄積動作を終了する信号レベルによって、各々の前記光電変換手段毎の電荷蓄積動作の終了を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする。
【００２８】
本発明に係る第２の光電変換装置の制御方法は、各々が、複数画素と記憶手段とを含む複数の光電変換手段と、前記複数の光電変換手段に共通に設けられた比較手段と、を備えた光電変換装置を制御する方法であって、前記複数の光電変換手段から順次信号を読み出す読み出しステップと、前記比較手段に、前記読み出しステップにおいて読み出した信号のレベルを、複数の信号レベルのうち選択された信号レベルと順次比較させる比較ステップと、各々の前記記憶手段に比較結果を記録するとともに、各々の前記記憶手段に記憶されている前記比較結果に基づいた各々の前記光電変換手段毎に設定された増幅率によって、各々の前記光電変換手段毎の前記増幅率を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００４６】
（１）第１の実施の形態
【００４７】
本発明に係る光電変換装置は、例えば、図１に示すような光電変換装置１００により適用される。
【００４８】
この光電変換装置１００は、多点ＡＦが可能に構成されており、上記図１に示すように、コントローラ１と、複数のセンサ列ブロック２1 〜２n と、レベル出力回路３と、選択信号付きバッファ４と、コンパレータ５と、読出アンプ６とを備えている。
【００４９】
また、複数のセンサ列ブロック２1 〜２n は、複数の測距点（以下、領域１〜ｎとする）に対応して設けられており、各々同様の構成をしている。
例えば、領域１〜領域ｎのうち領域１に対応したセンサ列ブロック２1 は、アナログスイッチ１１1 及び１２1 と、選択信号付きバッファ１３1 と、メモリ１４1 と、ピーク検知回路１５1 と、センサ１６1 と、ＲＡＭ１７1 とを備えている。
【００５０】
まず、上述のような光電変換装置１００の各構成部について説明する。
【００５１】
（コントローラ１）
コントローラ（controler ）１は、制御手段に相当し、装置全体の動作制御、特に、各センサ列ブロック２1 〜２n での電荷蓄積動作制御等を行う。
尚、詳細は後述するが、コントローラ１には、種々の動作制御を行うための処理プログラムが予め格納されたプログラムメモリ１８が設けられており、このプログラムメモリ１８に格納された処理プログラムが、コントローラ１により読み出され実行されることで、電荷蓄積動作制御等を含む装置全体の動作制御が実施される。
【００５２】
（センサ列ブロック２1 〜２n ）
センサ列ブロック２1 〜２n は、光電変換手段に相当する。
そこで、例えば、センサ列ブロック２1 において、センサ１６1 は、位相差検出方式のため１対のセンサアレイからなり、約３０〜８０画素で１像、同じ画素数で２像を形成するようになされている。
【００５３】
ピーク検知回路１５1 は、モニタ手段に相当し、センサ１６1 での電荷蓄積動作中に、その最大蓄積電荷量（複数画素中、一番高い出力を示している画素の出力値）を検知し、それをアナログスイッチ１２1 に対して出力する。
この時、アナログスイッチ１２1 がコントローラ１からの信号psel＿1 によりＯＮ状態であれば、ピーク検知回路１５1 の出力信号p ＿out は、アナログスイッチ１２1 を介して、コンパレータ５1 の１つの入力端子（”＋”端子）に対して出力される。
【００５４】
メモリ１４1 は、センサ１６1 での電荷蓄積動作終了と同時に、センサ１６1 に蓄積された電荷を画素信号として一時的に保持する。
この時、アナログスイッチ１１1 がコントローラ１からの信号sel ＿1 によりＯＮ状態であれば、コントローラ１が出力する信号shift がメモリ１４に与えられることで、メモリ１４1 に保持された画素信号s ＿out は、アナログスイッチ１１1 を介して、読出アンプ６の入力端子に対して順次出力される。
【００５５】
ＲＡＭ１７1 は、記憶手段に相当し、センサ１６での電荷蓄積動作に関する情報（制御情報）を記憶するメモリであり、コントローラ１からの信号ltcR＿1 が与えられると、後述するレベル出力回路３からの信号Rin の値が書き込まれる。
また、コントローラ１から選択信号付きバッファ１３1 に信号rsel＿1 が与えられると、ＲＡＭ１７1 の出力信号Roは、信号r ＿out として、選択信号付きバッファ１３1 を介して出力される。この出力された信号r ＿out は、読出アンプ６及びレベル出力回路３に与えられる。ここで、信号r ＿out は、２ビットのデータである。
【００５６】
尚、他のセンサ列ブロック２2 〜２n については、上述のセンサ列ブロック２1 と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００５７】
（レベル出力回路３）
レベル出力回路３は、選択手段又は決定手段に相当し、例えば、図２に示すように、３つの抵抗器r ＿1 ，r ＿2 ，r ＿3 と、４つのアナログスイッチ２１〜２４と、アンプ２５と、デコーダ２６と、セレクタ２７と、カウンタ２８とを備えており、セレクタ２７には、センサ列ブロック２1 〜２n から選択的に出力される信号r ＿out （例えば、センサ列ブロック２1 では、ＲＡＭ１７1 から選択信号付きバッファ１３1 を介して出力される信号r ＿out ）が与えられ、アンプ２５の出力信号c ＿level 及びカウンタ２８の出力信号c ＿out がレベル出力回路３の出力とされる。ここで、出力信号c ＿out は、２ビットのデータである。
【００５８】
このようなレベル出力回路３において、３つの抵抗器r ＿1 ，r ＿2 ，r ＿3 は、２つの参照電位vref1 ，vref2 間に設けられており、これにより、２つの参照電位vref1 ，vref2 は４つに分圧され、その４つの電圧値（状態情報としてのレベル値）level1.3，level1.2，level1.1，level1.0は、アナログスイッチ２１〜２４に対応して出力される。
この時、デコーダ２６の出力により、アナログスイッチ２１〜２４の何れか１つがＯＮ状態となり、そのＯＮ状態となったアナログスイッチの出力のみがアンプ２５の入力端子に対して出力される。これにより、４つのレベル値level1.3，level1.2，level1.1，level1.0の何れか１つのレベル値が選択され、その選択されたレベル値が信号c ＿level として、アンプ２５から出力されることになる。
【００５９】
デコーダ２６は、セレクタ２７の出力信号sel ＿out に従って、４つのアナログスイッチ２１〜２４の何れか１つを選択して、その選択したアナログスイッチをＯＮ状態とする信号を出力する。ここで、出力信号sel ＿out は、２ビットのデータである。
【００６０】
セレクタ２７は、コントローラ１からの信号sel ＿level が与えられることで、カウンタ２８の出力信号c ＿out と、センサ列ブロック２1 〜２n から選択的に出力される信号r ＿out との何れかを選択し、その選択した信号を信号sel ＿out として、デコーダ２６に対して出力する。
【００６１】
カウンタ２８は、コントローラ１からの信号rst ＿level が与えられることで、そのカウント値が”０”に初期化され、コントローラ１からの信号G ＿upが与えられることで、そのカウント値がインクリメントされる。このカウンタ２８のカウント値が信号c ＿out となる。
尚、カウンタ２８に与えられるコントローラ１からの信号max ＿level については後述する。
【００６２】
（選択信号付きバッファ４）
選択信号付きバッファ４には、レベル出力回路３からの信号c ＿out （カウンタ２８のカウント値）が与えられており、選択信号付きバッファ４は、コントローラ１から信号W ＿ram が与えられることで、その信号c ＿out を、センサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n に書き込む信号Rin として出力する。
【００６３】
（コンパレータ５）
コンパレータ５は、比較手段に相当し、レベル出力回路３からの信号c ＿level （アンプ２５の出力）と、センサ列ブロック２1 〜２n から選択的に出力される信号p ＿out （例えば、センサ列ブロック２1 では、ピーク検知回路１５1 からアナログスイッチ１２1 を介して出力される信号p ＿out ）が与えられる。そして、コンパレータ５は、これらの信号c ＿level と信号p ＿out を比較し、この比較結果を信号compとしてコントローラ１に対して出力する。
尚、コンパレータ５の出力信号compは、信号p ＿out が信号c ＿level より大きい場合に”１”となる。
【００６４】
読出アンプ６は、読出手段に相当し、センサ列ブロック２1 〜２n から選択的に出力される信号r ＿out （例えば、センサ列ブロック２1 では、ＲＡＭ１７1 から選択信号付きバッファ１３1 を介して出力される信号r ＿out ）、及びセンサ列ブロック２1 〜２n から選択的に出力される画素信号s ＿out （例えば、センサ列ブロック２1 では、メモリ１４1 からアナログスイッチ１２1 を介して出力される画素信号s ＿out ）が与えられる。そして、読出アンプ６は、画素信号s ＿out に、信号r ＿out に従ったゲインをかけて、信号Voutとして出力する。
【００６５】
以上、光電変換装置１００の各構成部について説明した。
つぎに、光電変換装置１００全体の動作制御、特に、センサ列ブロック２1 〜２n での電荷蓄積動作制御を行うコントローラ１について具体的に説明する。
尚、本発明に係る制御方法は、このコントローラ１により実施される。
【００６６】
そこで、例えば、コントローラ１のプログラムメモリ１８には、図３〜図５に示すようなフローチャートに従った処理プログラムが予め格納されており、これらの処理プログラムがコントローラ１により読み出され実行されることで、以下のような電荷蓄積動作制御が行われる。
【００６７】
（メイン処理：図３）
先ず、コントローラ１は、次のようなリセット処理を行う（ステップＳ１０１）。
【００６８】
（メイン処理−リセット処理：図４）
先ず、コントローラ１は、リセット信号rst を各センサ列ブロック２1 〜２n のセンサ１６1 〜１６n に対して出力する（ステップＳ２０１）。
これにより、各センサ列ブロック２1 〜２n のセンサ１６1 〜１６n は、電荷がクリアされ、ここより実際の電荷蓄積動作が開始する。
【００６９】
次に、コントローラ１は、センサ列ブロック選択（領域選択）のための内部レジスタ（図示せず）のレジスタ値r ＿sel を初期値”１”にセットする（ステップＳ２０２）。
【００７０】
次に、コントローラ１は、信号max ＿level をレベル出力回路３に対して出力する（ステップＳ２０３）。
これにより、レベル出力回路３のカウンタ２８のカウント値（信号c ＿out ）が”３”となる。
【００７１】
次に、コントローラ１は、信号W ＿ram を選択信号付きバッファ４に対して出力すると共に、レジスタ値r ＿sel に従って選択したセンサ列ブロック２x のＲＡＭ１７x に対して、信号ltcR＿x （x=1 〜n ）を出力する（ステップＳ２０４）。
ここで、レジスタ値r ＿sel は、選択するセンサ列ブロック（領域）を示すものであるため、”x=r ＿sel ”の関係となる。
これにより、レジスタ値r ＿sel に対応したセンサ列ブロック２x （x=r ＿sel=1 〜n ）のＲＡＭ１７x には、レベル出力回路３の出力信号c ＿out （カウント値＝”３”）が書き込まれる。
【００７２】
そして、コントローラ１は、レジスタ値r ＿sel が”ｎ”であるか否か、すなわち全ての領域１〜領域ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n に”３”が書き込まれたか否かを判別する（ステップＳ２０５）。
【００７３】
ステップＳ２０５の判別の結果、書き込み終了でない場合、コントローラ１は、レジスタ値r ＿sel をインクリメントして（ステップＳ２０６）ステップＳ２０４に戻り、以降の処理を繰り返し行う。
これにより、全ての領域１〜領域ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n には”３”が書き込まれる。
この後、上記図３のメイン処理にリターンする（ステップＳ２０７）。
【００７４】
（メイン処理：図３）
上述のステップＳ１０１のリセット処理が終了すると、次に、コントローラ１は、内部タイマ（図示せず）を初期値”０”（timer ＝０）にセットすることで、電荷蓄積動作の時間計測を開始する（ステップＳ１０２）。
【００７５】
次に、コントローラ１は、上述のリセット処理で用いた内部レジスタのレジスタ値r ＿sel を初期値”１”にセットする（ステップＳ１０３）。
【００７６】
次に、コントローラ１は、内部タイマのタイマ値timer が最大蓄積時間Etime を超えたか否かを判別する（ステップＳ１０４）。
この判別の結果、”timer ≧Etime ”であった場合、後述するステップＳ１０９に進む。
【００７７】
ステップＳ１０４の判別の結果、”timer ≧Etime ”でなかった場合、コントローラ１は、レジスタ値r ＿sel に従って選択したセンサ列ブロック２x のアナログスイッチ１２x に対して、信号psel＿x を出力する。
また、コントローラ１は、信号rsel＿x をセンサ列ブロック２x の選択信号付きバッファ１３x に対して出力すると共に、信号sel ＿level をレベル出力回路３に対して出力する（ステップＳ１０４）。
これにより、センサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号（最大蓄積電荷量）は、アナログスイッチ１２x を介して、信号p ＿out として、コンパレータ５の１つの入力端子（”＋”端子）に対して出力される。
また、センサ列ブロック２x のＲＡＭ１７x の出力は、選択信号付きバッファ１３x を介して、信号r ＿out として、読出アンプ６及びレベル出力回路３に与えられる。そして、レベル出力回路３では、セレクタ２７により信号r ＿out が選択され、その選択信号はそのまま信号sel ＿out としてデコーダ２６に与えらる。デコーダ２６は、信号sel ＿out に従って、４つのレベル値level1.3，level1.2，level1.1，level1.0の何れか１つのレベル値を選択する。その選択されたレベル値は、アンプ２５を介して、信号c ＿level として出力される。
【００７８】
次に、コントローラ１は、コンパレータ５の出力信号compが”１”であるか否か、すなわちレベル出力回路３の出力信号（レベル値）c ＿level がセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ１０６）。
この判別の結果、”comp＝１”であった場合には、後述するステップＳ１０９の処理に進む。
【００７９】
ステップＳ１０６の判別の結果、”comp＝１”でなかった場合、コントローラ１は、内部タイマのタイマ値timer が中間蓄積時間Htime であるか否かを判別する（ステップＳ１０７）。
この判別の結果、”timer ＝Htime ”でなかった場合には、後述するステップＳ１１０の処理に進む。
ここで、この”timer ＝Htime ”の意味は、内部タイマのタイマ値timer が中間蓄積時間Htime におおよそ等しいかという判別を意味し、後述するゲイン判別動作を全領域で終了できる時間は、充分”timer ＝Htime ”と判別できる。
【００８０】
ステップＳ１０７の判別の結果、”timer ＝Htime ”であった場合、コントローラ１は、次のようなゲイン判別処理を行う（ステップＳ１０８）。
【００８１】
（メイン処理−ゲイン判別処理：図５）
先ず、コントローラ１は、信号rst ＿level をレベル出力回路３に対して出力する（ステップＳ３０１）。
これにより、レベル出力回路３では、カウンタ２８のカウント値が”０”にクリアされ、その出力信号c ＿out は、”０”として出力される。
【００８２】
次に、コントローラ１は、コンパレータ５の出力信号compが”１”であるか否か、すなわちレベル出力回路３の出力信号c ＿level がセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ３０２）。
この判別の結果、”comp＝１”でなかった場合には、後述するステップＳ３０５の処理に進む。
【００８３】
ステップＳ３０２の判別の結果、”comp＝１”であった場合、コントローラ１は、レベル出力回路３の出力信号c ＿out が”３”であるか否かを判別する（ステップＳ３０３）。
この判別の結果、”c ＿out ＝３”であった場合には、後述するステップＳ３０５の処理に進む。
【００８４】
ステップＳ３０３の判別の結果、”c ＿out ＝３”でなかった場合、コントローラ１は、信号G ＿upをレベル出力回路３に対して出力する（ステップＳ３０４）。
これにより、レベル出力回路３では、カウンタ２８のカウント値（c ＿out ）がインクリメントされる。
その後、上述したステップＳ３０２に戻り、以降の処理を繰り返し行う。
【００８５】
上述したステップＳ３０２にて”comp＝１”でないと判別された場合、又は、ステップＳ３０３にて”c ＿out ＝３”であると判別された場合、コントローラ１は、信号W ＿ram を選択信号付きバッファ４に対して出力すると共に、センサ列ブロック２x のＲＡＭx に対して信号ltcR＿x を出力する（ステップＳ３０５）。
これにより、センサ列ブロック２x のＲＡＭ１７x には、レベル出力回路３の出力信号c ＿out が書き込まれる。
この処理の後、上記図３のメイン処理に戻る（ステップＳ３０６）。
【００８６】
ここで、上述のように、このゲイン判別処理では、センサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out を基に、読出アンプ６でのゲインの判別、すなわち電荷蓄積動作を終了させるレベル（レベル出力回路３の出力信号c ＿level ）の決定を行って、そのレベルに対応したカウント値（c ＿out ）をセンサ列ブロック２x のＲＡＭ１７x に書き込む。
このカウント値（c ＿out ）、すなわちレベル出力回路３のカウンタ２８のカウント値は、初期値”０”から１つずつカウントアップしていくため、それに伴ってレベル出力回路３の出力信号c ＿level も、”level1.0”から”level1.1”へ、”level1.1”から”level1.2”へというように、徐々にレベルが上がる。
【００８７】
したがって、先ず、”level1.0”で”comp＝１”とならない時は、ピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が”level1.0”よりも低いということになるため、電荷蓄積動作終了するレベルが”level1.0”と決定され、ＲＡＭ１７x には、そのレベルに対応したカウント値（c ＿out ＝０）が書き込まれる。
そして、”level1.0”で”comp＝１”となった後、”level1.1”で”comp＝１”とならない時は、ピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が”level1.0”と”level1.1”の間にあるということになるため、電荷蓄積動作終了するレベルが”level1.1”と決定され、ＲＡＭ１７x には、そのレベルに対応したカウント値（c ＿out ＝１）が書き込まれる。
以降同様にして、出力信号p ＿out が”level1.1”と”level1.2”の間にある時には”level1.2”に決定され、出力信号p ＿out が”level1.2”と”level1.3”の間にある時には”level1.3”に決定され、各々対応したカウント値（c ＿out ＝２、３）の書き込みが行われる。
【００８８】
（メイン処理：図３）
一方、ステップＳ１０４の判別の結果”timer ≧Etime ”であった場合（内部タイマのタイマ値timer が最大蓄積時間Etime を超えたとき）、又は、ステップＳ１０６の判別の結果”comp＝１”であった場合（レベル出力回路３の出力信号（レベル値）c ＿level が、センサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out を上回ったとき）、コントローラ１は、電荷蓄積動作終了とし、これを示す信号trans をセンサ列ブロック２x のセンサ１６x に対して出力する（ステップＳ１０９）。
これにより、領域ｘに対応したセンサ列ブロック２x では、センサ１６x の各画素に蓄積された電荷が各々画素信号としてメモリ１４x に転送され、センサ１６x での電荷蓄積動作が終了する。
【００８９】
このステップＳ１０９の処理後、又は、上述したゲイン判別処理（ステップＳ１０８）後、又は、”timer ＝Htime ”でなかった場合（内部タイマのタイマ値timer が中間蓄積時間Htime を超えていないとき）、コントローラ１は、内部レジスタのレジスタ値r ＿sel が”ｎ”であるか否か、すなわち全ての領域１〜領域ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n に対して、ステップＳ１０４〜Ｓ１０９の各処理を行ったか否かを判別する（ステップＳ１１０）。
【００９０】
このステップＳ１１０の判別の結果、”r ＿sel ＝ｎ”であった場合、コントローラ１は、初期領域１のセンサ列ブロック２1 を対象とするために、内部レジスタのレジスタ値r ＿sel を”１”に戻し、ステップＳ１０４からの各処理を繰り返し行う。
また、”r ＿sel ＝ｎ”でなかった場合には、コントローラ１は、次の領域（ｘ＋１）のセンサ列ブロック２x+1 を対象とするために、内部レジスタのレジスタ値r ＿sel をインクリメントして、ステップＳ１０４からの各処理を繰り返し行う。
【００９１】
以上、コントロール１によるセンサ列ブロック２1 〜２n での電荷蓄積動作制御を説明した。
そこで、図６（Ａ）及び（Ｂ）を用いて、上述の電荷蓄積動作制御によるセンサ列ブロック２1 〜２n の動作を模式的に以下説明する。
【００９２】
尚、上記図６（Ａ）及び（Ｂ）では、横軸は電荷蓄積動作時間を示し、縦軸はレベル出力回路３の出力信号c ＿level 及びセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out の値を示すものとする。
また、上記図６（Ａ）は、比較的被写体が明るく、各画素信号のピーク出力、すなわちセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が速く上昇する場合を示しており、上記図６（Ｂ）は、これとは逆に比較的被写体が暗く、各画素信号のピーク出力が遅く上昇する場合を示している。
【００９３】
（図６（Ａ）の場合）
先ず、電荷蓄積動作が開始されると、全ての領域１〜領域ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n に”３”が書き込まれるため、レベル出力回路３の出力信号c ＿level は、”level1.3”となる。
そして、ある領域ｘのセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が、この”level1.3”に達したとき（Ｐ＿Ａ点）には、そのセンサ列ブロック２x での電荷蓄積動作は終了する。
尚、他の領域に対応するセンサ列ブロックについも同様である。
【００９４】
（図６（Ｂ）の場合）
先ず、電荷蓄積動作が開始されると、全ての領域１〜領域ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n に”３”が書き込まれるため、レベル出力回路３の出力信号c ＿level は、”level1.3”となる。
ここで、この場合には、各画素信号のピーク出力（p ＿out ）が遅く上昇する場合であることにより、電荷蓄積動作時間（内部タイマのタイマ値timer ）が中間蓄積時間Htime となったとき（Ｐ＿Ｂ１点）、上記図５のゲイン判別処理（ステップＳ１０８）が行われ、各領域１〜ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n に対して電荷蓄積動作終了のレベル（c ＿level ）が決定される。
この図６（Ｂ）では、ある領域ｘのセンサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が、”level1.1”と”level1.2”の間にあるため、このセンサ列ブロック２x に対しては、c ＿level が”level1.2”と決定され、この情報（この場合には、”c ＿out ＝２”）がＲＡＭ１７x に書き込まれる。そして、ピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out が”level1.2”に達したとき（Ｐ＿Ｂ２点）に、そのセンサ列ブロック２x での電荷蓄積動作は終了する。
尚、この領域ｘ以外の領域にに対応するセンサ列ブロックについも同様に、各々電荷蓄積動作終了のレベルが決定され、その情報がＲＡＭに書き込まれ、決定された電荷蓄積動作終了のレベルにピーク出力が達したときに、そのセンサ列ブロックでの電荷蓄積動作は終了する。
【００９５】
以上説明したように、本実施の形態では、全ての領域１〜ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n に、各々での電荷蓄積動作に関する情報（ここでは、電荷蓄積動作終了のレベル（c ＿level ）に対応した値（c ＿out ））を書き込むようにしたので、各領域１〜ｎに対応したセンサ列ブロック２1 〜２n を各々独立して電荷蓄積動作制御することができる。
しかも、高輝度な被写体に対しても、従来のように、電荷蓄積動作開始直後にカウントアップ等の動作が行われないために、被写体の像信号がダイナミックレンジを超えてしまい、像の歪みの問題が生じる、ということはない。
したがって、多点ＡＦの測距点が増えたとしても、常に適切な電荷蓄積動作制御が可能であり、高精度な、且つ回路規模が膨大とならない安価な光電変換装置１００を提供することができる。
【００９６】
（２）第２の実施の形態
本実施の形態では、例えば、上述した第１の実施の形態における光電変換装置１００において、読出アンプ６での画素信号の読出動作制御を以下のようにする。
【００９７】
そこで、コントローラ１のプログラムメモリ１８には、図７に示すようなフローチャートに従った処理プログラムが予め格納されており、この処理プログラムがコントローラ１により読み出され実行されることで、以下のような読出制御が行われる。
【００９８】
先ず、コントローラ１は、画素信号の読み出しを行う領域を選択し（ここでは、領域ｘ（ｘ＝１〜ｎ）とする）、その領域ｘに対応した値（＝ｘ）を内部レジスタに格納する。そして、コントローラ１は、信号sel ＿x をセンサ列ブロック２x のアナログスイッチ１１x に対して出力する。
これにより、センサ列ブロック２x において、メモリ１４x に保持された画素信号s ＿out をアナログスイッチ１１x を介して読出アンプ６の入力端子に対して順次出力する準備が整う。
また、コントローラ１は、信号psel＿x をセンサ列ブロック２x のアナログスイッチ１２x に対して出力する。
これにより、センサ列ブロック２x において、ピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out は、アナログスイッチ１２x を介してコンパレータ５の１つの入力端子（”＋”端子）に対して出力される（ステップＳ４０１）。
【００９９】
次に、コントローラ１は、上記図５のゲイン判別処理を行う。
これにより、センサ列ブロック２x のピーク検知回路１５x の出力信号p ＿out を基に、レベル（レベル出力回路３の出力信号c ＿level ）の決定が行われ、そのレベルに対応したカウント値（c ＿out ）がセンサ列ブロック２x のＲＡＭ１７x に書き込まれる（ステップＳ４０２）。
【０１００】
そして、コントローラ１は、信号shift をセンサ列ブロック２x のメモリ１４x に対して出力する。
これにより、メモリ１４x に保持された画素信号s ＿out は、アナログスイッチ１１x を介して読出アンプ６の入力端子に対して順次出力される。
また、コントローラ１は、信号rsel＿x をセンサ列ブロック２x の選択信号付きバッファ１３x に対して出力する。
これにより、ＲＡＭ１７x に書き込まれた値（c ＿out ）は、信号Roとして読み出され、選択信号付きバッファ１３x を介して、信号r ＿out として、読出アンプ６に対して出力される。
したがって、読出アンプ６は、メモリ１４x からの画素信号s ＿out に、信号r ＿out に基づいたゲイン、例えば、予め設定されている複数のゲインから信号r ＿out に従って選択したゲインをかけて出力端子Voutから出力する（ステップＳ４０３）。
【０１０１】
以上説明したように、本実施の形態では、画素信号の読出直前に、上記図５のようなゲイン判別処理（電荷蓄積動作終了時のレベル決定）を行うようにしたので、例えば、動体予測ＡＦ等において、電荷蓄積動作時間を一定時間に設定することにより、電荷蓄積動作中にゲイン判別処理が行えなかったとしても、画素信号の読出直前にそのゲイン判別処理が行われ、その処理結果のゲインで画素信号の読み出しが行われる。したがって、常に適切な画素信号の読み出しを行う、さらに高精度な光電変換装置１００を提供することができる。
【０１０２】
尚、本発明は、上述したＡＦカメラ等への適用に限らず、例えば、焦点検出機能を有する種々の装置に適用することができる。
【０１０３】
また、上述した第１及び第２の実施の形態では、ゲイン判別処理にピーク検出回路の出力を用いるようにしたが、これに限らず、例えば、ピークと共にボトムを検知し、それらの各出力の差分をとって得た所謂ピークボトム信号を用いるようにしてもよい。
【０１０４】
また、第２の実施の形態においては、第１の実施の形態では何等かの理由によりゲイン判別ができない場合に、読出直前にゲイン判別動作を行うといった応用が考えられる。
ここでの”何等かの理由”とは、例えば、
・最大蓄積時間Etime が短い
・ピーク検出回路の代わりに、ピークとボトムの差分出力の回路を用いてゲイン判別を行う場合に、ピーク出力が所定レベルを超えたので、蓄積を終了させる動作を行った
とき等である。
【０１０５】
また、センサ列ブロック２1 〜２n のセンサ１６1 〜１６n としては、例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等、如何なるセンサでもよい。
【０１０６】
また、センサ列ブロック２1 〜２n のＲＡＭ１７1 〜１７n としては、例えば、ディジタル的なメモリでもよく、アナログ的なメモリでもよい。
【０１０７】
また、本発明の目的は、上述した第１及び第２の実施の形態のホスト及び端末の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読みだして実行することによっても、達成されることは言うまでもない。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が前述した各実施の形態の機能を実現することとなり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することとなる。
【０１０８】
プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、ＲＯＭ、フロッピーディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード等を用いることができる。
【０１０９】
また、コンピュータが読みだしたプログラムコードを実行することにより、上述した第１〜第２の実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって実施の形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【０１１０】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された拡張機能ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した第１及び第２の実施の形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数画素に対応した記憶手段（情報の書き込む及び読み出しが可能なメモリ等）を複数の光電変換手段の各々に設け、複数の光電変換手段に共通に比較手段を設け、その記憶手段から読み出された比較結果に基づいて、光電変換素子での電荷蓄積動作（電荷蓄積動作の開始、終了等）やその画素信号の読み出し時の増幅率（ゲイン）を制御するようにしたので、如何なる輝度レベルを有する被写体でも、常に適切な電荷蓄積動作が可能となり、常に適切なゲインで画素信号の読み出しが可能となる。
特に、多点オートフォーカスカメラ等で測距点が多い場合でも、常に適切な電荷蓄積動作が可能となり、常に適切なゲインでの画素信号の読み出しが可能となる上に、その読み出しもダイナミックレンジを損なうことなく有効に活用した画素信号の読み出しが可能となり、高精度なオートフォーカスが可能となり、しかも回路規模が膨大にならず、安価にこれを提供可能となる。
また、光電変換素子及びそれに対応した記憶手段を一体で同一基板に形成することで、制御の効率化も図ることができ、測距点が多くても、さらに回路規模が膨大となることはなく、さらに安価で且つ操作性をも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態において、本発明に係る光電変換装置を適用した光電変換装置の構成を示すブロック図である。
【図２】上記光電変換装置のレベル出力回路の構成を示すブロック図である。
【図３】上記光電変換装置のコントローラにより実行される電荷蓄積動作制御処理プログラム（メイン処理）を説明するためのフローチャートである。
【図４】上記電荷蓄積動作制御処理プログラムのリセット処理プログラムを説明するためのフローチャートである。
【図５】上記電荷蓄積動作制御処理プログラムのゲイン判別処理プログラムを説明するためのフローチャートである。
【図６】上記光電変換装置での電荷蓄積動作を模式的に説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態において、上記光電変換装置のコントローラにより実行される画素信号の読出動作制御処理プログラムを説明するためのフローチャートである。
【図８】従来の光電変換装置の構成を示すブロック図である。
【図９】従来の電荷蓄積動作制御処理を説明するためのフローチャートである。
【図１０】従来の光電変換装置での電荷蓄積動作を模式的に説明するための図である。
【符号の説明】
１００  光電変換装置
１      コントローラ
２1 〜２n   センサ列ブロック
３      レベル出力回路
４      選択信号付きバッファ
５      コンパレータ
６      読出アンプ
１１1   アナログスイッチ
１２1   アナログスイッチ
１３1   選択信号付きバッファ
１４1   メモリ
１５1   ピーク検知回路
１６1   センサ
１７1   ＲＡＭ
１８    プログラムメモリ
【図１】
0003854704.tif 000002
【図２】
0003854704.tif 000003
【図３】
0003854704.tif 000004
【図４】
0003854704.tif 000005
【図５】
0003854704.tif 000006
【図６】
0003854704.tif 000007
【図７】
0003854704.tif 000008
【図８】
0003854704.tif 000009
【図９】
0003854704.tif 000010
【図１０】
0003854704.tif 000011