(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜が振動膜支持部材に張設固定されてなる振動膜サブアッセンブリと、この振動膜サブアッセンブリを収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定のテンションで張られた熱可塑性樹脂フィルムを振動膜支持部材に固定することにより振動膜の張設固定を行い、これにより製造された振動膜サブアッセンブリに対して、上記振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度で加熱処理を施し、その後、この振動膜サブアッセンブリをケースに組み込む、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
【請求項２】
上記加熱処理を１時間以上行う、ことを特徴とする請求項１記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
【請求項３】
上記振動膜サブアッセンブリを上記ケースに組み込んだ後、これら振動膜サブアッセンブリおよびケースに対して、上記所定温度よりも低い温度で加熱処理を施す、ことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
【請求項４】
上記熱可塑性樹脂フィルムとしてＰＰＳフィルムを用いる、ことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
【請求項５】
熱可塑性樹脂製の振動膜が振動膜支持部材に張設固定されてなる振動膜サブアッセンブリと、この振動膜サブアッセンブリを収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記振動膜サブアッセンブリが、上記振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度での加熱処理が施されてから上記ケースに収容されている、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
上記振動膜を構成する熱可塑性樹脂がＰＰＳである、ことを特徴とする請求項５記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、エレクトレットコンデンサマイクロホンおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造工程においては、例えば特開２０００−３２５９６号公報に記載されているように、振動膜を振動膜支持リングに張設固定して振動膜サブアッセンブリを製造した後、この振動膜サブアッセンブリを、背極板等の他の部品と共にケース内に組み込むようになっている。
【０００３】
また、エレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、上記公報にも記載されているように、その振動膜としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の熱可塑性樹脂製の振動膜が多く採用されている。そして、この振動膜の張設固定は、所定のテンションで張られた熱可塑性樹脂フィルムを振動膜支持リングに接着することにより行われるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンおよびその製造方法においては、次のような問題がある。
【０００５】
すなわち、振動膜を振動膜支持リングに張設固定する際、熱可塑性樹脂フィルムにあまり大きなテンションをかけてしまうと、振動膜のスティフネスが高くなりすぎて、マイク感度を十分に高めることができなくなってしまう。特に、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、振動膜の径も小さくなるので、付与するテンションは同じであってもスティフネスは非常に高いものとなり、マイク感度を高めることがより困難になってしまう。
【０００６】
一方、張設固定時のテンションを小さい値に設定すれば、振動膜のスティフネスを下げることが可能となるが、あまりテンションを小さくすると振動膜にシワが発生しやすくなり、このためマイクの音響特性が不安定なものとなってしまう。特に、熱可塑性樹脂フィルムの供給は、一般にフィルムロールからの繰出しにより行われるので、テンションを少し小さくしただけでもシワが発生しやすくなってしまう。
【０００７】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高感度でかつ音響特性が安定したエレクトレットコンデンサマイクロホンを得ることができる、エレクトレットコンデンサマイクロホンおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、振動膜サブアッセンブリの段階で所定の加熱処理を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【０００９】
すなわち、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法は、
振動膜が振動膜支持部材に張設固定されてなる振動膜サブアッセンブリと、この振動膜サブアッセンブリを収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定のテンションで張られた熱可塑性樹脂フィルムを振動膜支持部材に固定することにより振動膜の張設固定を行い、これにより製造された振動膜サブアッセンブリに対して、上記振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度で加熱処理を施し、その後、この振動膜サブアッセンブリをケースに組み込む、ことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、
熱可塑性樹脂製の振動膜が振動膜支持部材に張設固定されてなる振動膜サブアッセンブリと、この振動膜サブアッセンブリを収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記振動膜サブアッセンブリが、上記振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度での加熱処理が施されてから上記ケースに収容されている、ことを特徴とするものである。
【００１１】
上記「張設固定」とは、ある部材を張った状態で他の部材に固定することを意味するものであるが、上記構成において「所定のテンションで張られた熱可塑性樹脂フィルムを振動膜支持部材に固定する」際の具体的な固定方法は特に限定されるものではなく、例えば、接着、溶着、圧着等が採用可能である。
【００１２】
上記「振動膜支持部材」は、振動膜を張設固定し得るように構成されたものであれば、その具体的形状等は特に限定されるものではない。
【００１３】
上記「所定温度」は、振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える温度であれば、その具体的な値は特に限定されるものではないが、熱可塑性樹脂の融点にある程度近い温度にまで加熱することが好ましい。
【００１４】
上記「振動膜を構成する熱可塑性樹脂」の種類は特に限定されるものではないが、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）等が採用可能である、
【発明の作用効果】
上記構成に示すように、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法においては、所定のテンションで張られた熱可塑性樹脂フィルムを振動膜支持部材に固定することにより振動膜の張設固定を行うようになっているが、この張設固定により製造された振動膜サブアッセンブリに対して、その振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度で加熱処理を施すと、振動膜のスティフネスが低下することが、本願発明者らが行った実験の結果から明らかになった。
【００１５】
そこで本願発明のように、振動膜サブアッセンブリをケースに組み込む前に、振動膜サブアッセンブリに対して上記所定温度で加熱処理を施すようにすれば、振動膜のスティフネスを低下させることができ、これによりマイク感度を高めることができる。しかも、このように張設固定後の加熱処理により振動膜のスティフネスを低下させることができることから、張設固定時のテンションを大きい値に設定することが可能となり、これにより振動膜にシワが発生してしまうのを未然に防止することができる。
【００１６】
また、仮に、エレクトレットコンデンサマイクロホンの組付完了後に上記加熱処理を行ったとすると、その加熱処理時間がある程度長くなるとエレクトレットに着電されていた電荷が消失または減少してしまうが、本願発明においては、振動膜サブアッセンブリをケースに組み込む前に上記加熱処理を行うようになっているので、その加熱時間をたとえ長く設定しても、エレクトレットコンデンサマイクロホンを構成する他の部品に悪影響を及ぼしてしまうおそれはない。
【００１７】
したがって本願発明によれば、高感度でかつ音響特性が安定したエレクトレットコンデンサマイクロホンを得ることができる。
【００１８】
上記構成において、振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理時間は、特に限定されるものではないが、加熱処理を１時間以上行うようにすれば、振動膜のスティフネスを十分に低下させることができる。また、振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理温度については、熱可塑性樹脂の融点にある程度近い温度に設定することが、振動膜のスティフネスを十分に低下させる観点から好ましい。
【００１９】
上記構成において、振動膜サブアッセンブリをケースに組み込んだ後、これら振動膜サブアッセンブリおよびケースに対して、上記所定温度よりも低い温度で加熱処理を施すようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホンの構成部品の内部歪みを除去することができ、これにより音響特性を一層安定化させることができる。この場合における加熱処理温度は、上記所定温度よりも低い温度であれば、特に限定されるものではなく、加熱処理時間との関係で適宜設定することが可能であるが、６０〜８０℃程度で１時間程度加熱処理を施すようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホンの構成部品の機能に影響を及ぼすことなく、その内部歪みを除去することができる。
【００２０】
本願発明者らが行った実験の結果、振動膜の材質をＰＰＳにした場合には、上記所定温度で加熱処理を施した後に再び上記所定温度で加熱処理を施しても、振動膜のスティフネスを最初の加熱処理によって低下したときの値と略同じ値に維持できることが明らかになった。そこで、上記「熱可塑性樹脂フィルム」としてＰＰＳフィルムを用いるようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホンが後にリフロー炉等に投入されて高温短時間の加熱処理が施されるようなことがあっても、マイク感度が変化してしまうのを防止することができる。
【００２１】
また、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、熱可塑性樹脂製の振動膜が振動膜支持部材に張設固定されてなる振動膜サブアッセンブリを備えているが、この振動膜サブアッセンブリは、その振動膜を構成する熱可塑性樹脂の二次転移点を超える所定温度での加熱処理が施されてから上記ケースに収容されているので、該振動膜のスティフネスを低下させることができ、これによりマイク感度を高めることができる。
【００２２】
その際、上記「振動膜」を構成する熱可塑性樹脂としてＰＰＳを採用すれば、エレクトレットコンデンサマイクロホンが後にリフロー炉等に投入されて高温短時間の加熱処理が施されるようなことがあっても、マイク感度が変化してしまうのを防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００２４】
図１は、本願発明の一実施形態に係る製造方法の適用対象となるエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図である。
【００２５】
図示のように、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、外径が３ｍｍ程度の小型マイクであって、円筒状のケース１２内に、振動膜サブアッセンブリ１４、スペーサ１６、背極板１８、コイルスプリング２０、絶縁性ブッシュ２２およびＦＥＴボード２４が収容されてなっている。
【００２６】
ケース１２は、その上端壁に音孔１２ａが形成されており、その開放下端部１２ｂがＦＥＴボード２４にカシメ固定されている。
【００２７】
振動膜サブアッセンブリ１４は、図２（ｂ）に単品でも示すように、振動膜２６が振動膜支持リング２８（振動膜支持部材）に張設固定されてなっている。振動膜２６は、厚みが１．５μｍ程度の円形ＰＥＴフィルムの上面にニッケル等の金属蒸着膜が形成されてなり、その外径はケース１２の内径と略同一の値に設定されている。一方、振動膜支持リング２８は、金属製であって振動膜２６と略同じ外径を有している。
【００２８】
そして、この振動膜２６の振動膜支持リング２８への張設固定は、図２（ａ）に示すように、下面に金属蒸着膜が形成されたＰＥＴフィルム２（熱可塑性樹脂フィルム）を、図示しない治具の重量により所定のテンションで張った状態で、上面に接着剤３０が塗布された振動膜支持リング２８に押し当てて接着するとともに、ＰＥＴフィルム２の不要部分を除去することにより行われるようになっている。
【００２９】
スペーサ１６は、ケース１２の内径と略同じ外径を有するステンレス鋼製の薄板リングで構成されている。
【００３０】
背極板１８は、背極板本体１８Ａと、この背極板本体１８Ａの上面に熱融着（ラミネート）されたエレクトレット１８Ｂとからなり、複数の貫通孔１８ａが形成されている。
【００３１】
背極板本体１８Ａは、板厚が０．１５ｍｍ程度のステンレス鋼板からなり、エレクトレット１８Ｂは、厚みが２５μｍ程度のＦＥＰフィルムからなっている。このエレクトレット１８Ｂには、所定の表面電位（例えば−２６０Ｖ程度）が得られるよう分極処理が施されている。
【００３２】
ケース１２内においては、エレクトレット１８Ｂと振動膜２６とがスペーサ１６を介して所定の微小間隔をおいて対向しており、これによりコンデンサ部を構成するようになっている。
【００３３】
絶縁性ブッシュ２２は、ケース１２の内径と略同じ外径を有する円筒状部材であって、その内周側に背極板１８およびコイルスプリング２０が配置されるようになっている。その際、背極板１８は、コイルスプリング２０によりスペーサ１６へ向けて弾性的に押圧されるようになっている。
【００３４】
ＦＥＴボード２４は、上下両面に導電パターン３２ａ、３２ｂが形成された円形のボード本体３２の上面に、ＦＥＴチップ３４およびコンデンサチップ３６が実装されてなっている。ボード本体３２は、ケース１２の内径と略同じ外径を有しており、その外周縁部において絶縁性ブッシュ２２に当接している。
【００３５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００３６】
本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、カシメ固定が行われる前のケース１２（図１において２点鎖線で示す）内に、振動膜サブアッセンブリ１４、スペーサ１６、絶縁性ブッシュ２２、背極板１８、コイルスプリング２０およびＦＥＴボード２４をこの順序で組み込んだ後、ケース１２の開放下端部１２ｂをＦＥＴボード２４にカシメ固定することにより、その組付けが行われるようになっている。
【００３７】
そして、本実施形態においては、振動膜サブアッセンブリ１４を他の部品と共にケース１２内に組み込む前の段階で、振動膜サブアッセンブリ１４に対して、その振動膜２６を構成するＰＥＴの二次転移点（６９℃）を超える所定温度（例えば、ＰＥＴの融点（２６５℃）にある程度近い温度である２００℃）で所定時間（例えば１時間）加熱処理を施し、これにより振動膜２６のスティフネスを低下させるようになっている。
【００３８】
これは、振動膜サブアッセンブリ１４に対して、その振動膜２６を構成するＰＥＴの二次転移点を超える所定温度で加熱処理を施すと、振動膜２６のスティフネスが低下することが、本願発明者らが行った一連の実験の結果から明らかになったことに依拠するものである。
【００３９】
図３は、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理時間と振動膜２６のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフである。
【００４０】
実験に用いた振動膜サブアッセンブリ１４のサンプルは、治具重量２ｋｇｆのテンションで張られたＰＥＴフィルム２（厚みが１．５μｍのＰＥＴフィルムにニッケル蒸着膜が形成されたもの）を、φ３ｍｍの振動膜支持リング２８に接着することにより、振動膜２６の張設固定を行ったものである。また、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度は２００℃である。この加熱処理は、サンプルをオーブンに投入して放置することにより行った。なお、図３のグラフの縦軸のスティフネス（Ｖ）は、剛体の場合を基準の値（１（Ｖ））とする相対的な値である。
【００４１】
同図に示すように、振動膜サブアッセンブリ１４に対して加熱処理を施すことにより、振動膜２６のスティフネスは急激に低下し、１時間以上経過するとスティフネスは大きく（５％以上）低下した状態で安定することが明らかである。
【００４２】
図４は、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度と振動膜２６のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフである。
【００４３】
実験に用いた振動膜サブアッセンブリ１４のサンプルは、いずれも同じテンションで張られたＰＥＴフィルム２（厚みが１．５μｍのＰＥＴフィルムにニッケル蒸着膜が形成されたもの）を、φ９ｍｍの振動膜支持リング２８に接着することにより、振動膜２６の張設固定を行ったものである。また、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理時間は１時間である。
【００４４】
同図に示すように、振動膜サブアッセンブリ１４に対して１００℃を超える温度で加熱処理を施した場合には、加熱処理温度の上昇に応じて振動膜２６のスティフネスが徐々に低下し、２００℃になるとスティフネスがかなり低下することが明らかである。なお、同図のグラフにおいて、スティフネスの値が図３に示すグラフに比して小さい値になっているのは、振動膜２６の径が大きいサンプルを用いたことによるものである。
【００４５】
図５は、張設固定時の治具重量と、この張設固定により製造された振動膜サブアッセンブリ１４の振動膜２６のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフである。
【００４６】
実験に用いた振動膜サブアッセンブリ１４のサンプルは、ＰＥＴフィルム２（厚みが１．５μｍのＰＥＴフィルムにニッケル蒸着膜が形成されたもの）を、φ３ｍｍの振動膜支持リング２８に接着することにより、振動膜２６の張設固定を行ったものである。
【００４７】
同図に示すように、治具重量が２５０ｇｆ以上の領域（すなわち比較的大きなテンションが付与される領域）では、振動膜２６のスティフネスは比較的高い値で安定しているが、治具重量が２５０ｇｆ以下になると振動膜２６のスティフネスが急激に低下することが明らかである。
【００４８】
この実験結果によれば、治具重量をある程度小さい値に設定すれば、振動膜２６のスティフネスを低下させることが可能であるとも考えられる。しかしながら、このようにした場合には、張設固定時のテンションが小さくなってしまうので、振動膜２６にシワが発生しやすくなり、マイクの音響特性が不安定なものとなってしまう。
【００４９】
これに対し、本実施形態のように、振動膜サブアッセンブリ１４をケース１２に組み込む前に、振動膜サブアッセンブリ１４に対して上記所定温度で加熱処理を施すようにすれば、振動膜２６のスティフネスを低下させることができ、これによりマイク感度を高めることができる。しかも、張設固定後の加熱処理により振動膜２６のスティフネスを低下させることができることから、張設固定時のテンションを大きい値に設定することが可能となり、これにより振動膜２６にシワが発生してしまうのを未然に防止することができる。
【００５０】
また、仮に、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の組付完了後に上記加熱処理を行ったとすると、その加熱処理時間がある程度長くなると（具体的には、例えば２００℃で３０分以上になると）エレクトレット１８Ｂに着電されていた電荷が消失または減少してしまうが、本実施形態においては、振動膜サブアッセンブリ１４をケース１２に組み込む前に上記加熱処理を行うようになっているので、その加熱時間をたとえ長く設定しても、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０を構成する他の部品に悪影響を及ぼしてしまうおそれはない。
【００５１】
したがって本実施形態によれば、高感度でかつ音響特性が安定したエレクトレットコンデンサマイクロホン１０を得ることができる。
【００５２】
なお、図４に示す実験結果からも明らかなように、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度は、１００℃を超える温度に設定すれば、振動膜２６のスティフネスを低下させることが可能であるが、ＰＥＴの融点（２６５℃）にある程度近い２００℃程度の温度で行うようにすれば、振動膜２６のスティフネスを確実に低下させることができる。
【００５３】
本実施形態に係る製造方法において、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の組付けが完了した後に、このエレクトレットコンデンサマイクロホン１０に対して、上記所定温度よりも低い温度で加熱処理を施すようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の構成部品の内部歪みを除去することができ、これにより音響特性を一層安定化させることができる。具体的には、例えば、６０〜８０℃程度で１時間程度加熱処理を施すようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の構成部品の機能に影響を及ぼすことなく、その内部歪みを除去することができる。
【００５４】
ところで、本実施形態においては、振動膜サブアッセンブリ１４を製造する際、ＰＥＴフィルムを用いて振動膜２６の張設固定を行うものとして説明したが、ＰＥＴフィルム以外の熱可塑性樹脂フィルム（例えばＰＰＳフィルム）を用いることも可能である。
【００５５】
図６は、ＰＰＳフィルムを用いて振動膜２６の張設固定を行った場合において、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度と振動膜２６のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフである。
【００５６】
実験に用いた振動膜サブアッセンブリ１４のサンプルは、いずれも同じテンションで張られたＰＰＳフィルム（厚みが１．５μｍのＰＰＳフィルムにニッケル蒸着膜が形成されたもの）を、φ９ｍｍの振動膜支持リング２８に接着することにより、振動膜２６の張設固定を行ったものである。また、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理時間は１時間である。
【００５７】
同図に示すように、振動膜サブアッセンブリ１４に対して１２５℃を超える温度で加熱処理を施した場合には、加熱処理温度の上昇に応じて振動膜２６のスティフネスが徐々に低下することが明らかである。
【００５８】
ＰＰＳフィルムを用いた場合、２００℃でのスティフネスの低下量は、ＰＥＴフィルムを用いた場合に比して小さいものとなるが、一旦２００℃で加熱処理が施された後は、再度２００℃で加熱してもスティフネスがほとんど変化しないことが確認された。すなわち、図４および６において「再投入品」としてグラフに示すように、ＰＥＴフィルムを用いた場合には、２００℃で一旦加熱処理を施した後に、再度２００℃のオーブンに投入して１時間加熱処理を施すと、振動膜２６のスティフネスが多少低下したが、ＰＰＳフィルムを用いた場合には、振動膜２６のスティフネスがほとんど変化しなかった。
【００５９】
図７は、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理時間と振動膜２６の共振周波数との関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフである。
【００６０】
実験に用いた振動膜サブアッセンブリ１４のサンプルは、治具重量２ｋｇｆのテンションで張られたＰＰＳフィルム（厚みが２μｍのＰＰＳフィルムにニッケル蒸着膜が形成されたもの）を、φ９ｍｍの振動膜支持リング２８に接着することにより、振動膜２６の張設固定を行ったものである。また、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度は２００℃である。
【００６１】
同図に示すように、振動膜サブアッセンブリ１４に対して加熱処理を施すと、振動膜２６のスティフネスの低下により、その共振周波数は急激に低域側へ移行するが、１５分以上経過するとかなり安定する。そして、２時間経過した時点では、サンプル（ｎ＝２０）間における共振周波数のバラツキが、加熱処理開始時点に比して約半分程度になることが明らかである。
【００６２】
このように、ＰＰＳフィルムを用いた場合においても、振動膜サブアッセンブリ１４をケース１２に組み込む前に、振動膜サブアッセンブリ１４に対して、その振動膜２６を構成するＰＰＳの二次転移点（９２℃）を超える所定温度（例えば２００℃）で加熱処理を施すようにすれば、振動膜２６のスティフネスを低下させることができ、これによりマイク感度を高めることができる。しかも、張設固定後の加熱処理により振動膜２６のスティフネスを低下させることができることから、張設固定時のテンションを大きい値に設定することが可能となり、これにより振動膜２６にシワが発生してしまうのを未然に防止することができる。
【００６３】
さらに、ＰＰＳフィルムを用いた場合には、一旦上記所定温度で加熱処理を施しておけば、その後再び同じ温度で加熱しても。振動膜２６のスティフネスは最初の加熱処理によって低下したときの値と略同じ値に維持されるので、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の組付けが完了した後に、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０がリフロー炉等に投入されて高温短時間（例えば２００℃で５分）の加熱処理が施されるようなことがあっても、マイク感度が変化してしまうのを防止することができる。
【００６４】
なお、図６に示す実験結果からも明らかなように、振動膜サブアッセンブリ１４に対する加熱処理温度は、１２５℃を超える温度に設定すれば、振動膜２６のスティフネスを低下させることが可能であるが、ＰＰＳの融点（２８５℃）にある程度近い２００℃程度の温度で行うようにすれば、振動膜２６のスティフネスを確実に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態に係る製造方法の適用対象となるエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図
【図２】上記製造方法における振動膜の振動膜支持リングへの張設固定の様子を示す斜視図（ａ）および該張設固定により製造された振動膜サブアッセンブリを単品で示す斜視図（ｂ）
【図３】振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理時間と振動膜（ＰＥＴ製）のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフ
【図４】振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理温度と振動膜（ＰＥＴ製）のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフ
【図５】張設固定時の治具重量と振動膜（ＰＥＴ製）のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフ
【図６】振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理温度と振動膜（ＰＰＳ製）のスティフネスとの関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフ
【図７】振動膜サブアッセンブリに対する加熱処理時間と振動膜（ＰＰＳ製）の共振周波数との関係を調べるために行った実験の結果を示すグラフ
【符号の説明】
２  ＰＥＴフィルム（熱可塑性樹脂フィルム）
１０  コンデンサマイクロホン
１２  ケース
１２ａ  音孔
１２ｂ  開放下端部
１４  振動膜サブアッセンブリ
１６  スペーサ
１８  背極板
１８Ａ  背極板本体
１８Ｂ  エレクトレット
１８ａ  貫通孔
２０  コイルスプリング
２２  絶縁性ブッシュ
２４  ＦＥＴボード
２６  振動膜
２８  振動膜支持リング（振動膜支持部材）
３０  接着剤
３２  ボード本体
３２ａ、３２ｂ  導電パターン
３４  ＦＥＴチップ
３６  コンデンサチップ
【図１】
0003844690.tif 000002
【図２】
0003844690.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003844690.tif 000008