(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ基板の基準表面内のｘ軸に対して５°〜５０°の角度、およびｙ軸に対して５°〜５０°の角度をつけてロジウム（Ｒｈ）を前記ウェハ基板上にイオンビームスパッタ付着させることにより、前記ウェハ基板上にロジウム（Ｒｈ）リードを形成する工程と、
前記ロジウム（Ｒｈ）リードを１４０℃〜３００℃の温度範囲で３０分〜１０時間アニールする工程と、
を含む電気リードの製造方法。
【請求項２】
前記角度が、前記基板および前記ロジウム（Ｒｈ）のターゲットのいずれか一方を、その各基準表面内のｘ軸およびｙ軸のいずれか一方あるいは両方に対して回転させることにより形成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ロジウム（Ｒｈ）リードが、２３２℃で７時間アニールされる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｘ軸に対する回転の角度αが４０°であり、ｙ軸に対する回転の角度βが２０°である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１および第２のロジウム（Ｒｈ）電気リードを有する磁気読み取りヘッドの製造方法であって、
基準表面を有するウェハ基板上に強磁性の第１のシールド層を形成する工程と、
前記第１のシールド層の上に非磁性かつ非導電性の第１の読み取りギャップ層を形成する工程と、
前記第１の読み取りギャップ層の上に読み取りセンサを形成する工程と、
基準表面を有するロジウム（Ｒｈ）ターゲットおよび前記ウェハ基板をイオンビーム銃を有するチャンバに設置し、前記ターゲットの基準表面内のｘ軸およびｙ軸が前記ウェハ基板の基準表面内のｘ軸に対して５°〜５０°の角度、およびｙ軸に対して５°〜５０°の角度を形成するように配置し、イオンを前記イオンビーム銃から前記ターゲットへ向け出射し、ロジウム（Ｒｈ）原子を前記ターゲットから前記ウェハ基板上にスパッタすることにより、前記第１の読み取りギャップ層上に夫々対応する読み取りセンサに接続された第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードを形成する工程と、
前記第１の読み取りギャップ層と、前記センサと、前記第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードとの上に非磁性かつ非導電性の第２の読み取りギャップ層を形成する工程と、
前記第２の読み取りギャップ層の上に強磁性の第２のシールド層を形成する工程と、
前記第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードを形成後、前記ロジウム（Ｒｈ）リードを１４０℃〜３００℃の温度範囲で３０分〜１０時間アニールし、磁気読み取りヘッドに接続された第１および第２のロジウム（Ｒｈ）電気リードを形成する工程と、
を含む磁気読み取りヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記角度が、前記基板およびターゲットのいずれか一方を、その各基準表面内のｘ軸およびｙ軸のいずれか一方あるいは両方に対して回転させて形成され、
ｘ軸に対する回転により前記基準表面の間に角度αが形成され、ｙ軸に対する回転により前記基準表面の間に角度βが形成され、
前記角度αおよびβがいずれも前記５°〜５０°の範囲である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ロジウム（Ｒｈ）リードが、２３２℃で７時間アニールされる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記角度αが４０°であり、前記角度βが２０°である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
書き込みヘッドと、第１および第２のロジウム（Ｒｈ）電気リードが接続された読み取りヘッドとを、基準表面を有するウェハ基板上に形成する方法であって、
前記ウェハ基板上に強磁性の第１のシールド層を形成する工程と、
前記第１のシールド層の上に非磁性かつ非導電性の第１の読み取りギャップ層を形成する工程と、
前記第１の読み取りギャップ層の上に読み取りセンサを形成する工程と、
基準表面を有するロジウム（Ｒｈ）ターゲットおよび前記ウェハ基板をイオンビーム銃を有するチャンバに設置し、前記ターゲットの基準表面内のｘ軸およびｙ軸が前記ウェハ基板の基準表面内のｘ軸に対して５°〜５０°の角度、およびｙ軸に対して５°〜５０°の角度を形成するように配置し、イオンを前記イオンビーム銃から前記ターゲットへ向け出射し、ロジウム（Ｒｈ）原子を前記ターゲットから前記ウェハ基板上にスパッタすることにより、前記第１の読み取りギャップ層の上に夫々対応する読み取りセンサに接続された第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードを形成する工程と、
前記第１の読み取りギャップ層と、前記センサと、前記第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードとの上に非磁性かつ非導電性の第２の読み取りギャップ層を形成する工程と、
前記第２の読み取りギャップ層の上に、各々が極端領域とバックギャップ領域との間にヨーク領域を有する強磁性の第１の極片層を形成する工程と、
前記極片層の極端領域の間に書き込みギャップ層を形成する工程と、
前記極片層のヨーク領域の間に、各々が１つ以上の書き込みコイル層を有する絶縁スタックを形成する工程と、
前記第１および第２の極片層を各々のバックギャップ領域で接続する工程と、前記第１および第２のロジウム（Ｒｈ）リードを形成後、前記ロジウム（Ｒｈ）リードを１４０℃〜３００℃の温度範囲で３０分〜１０時間アニールし、読み取りヘッドに接続された第１および第２のロジウム（Ｒｈ）電気リードを形成する工程と、
を含む、磁気読み取りヘッドおよび磁気書き込みヘッドをウェハ基板上に形成する方法。
【請求項１０】
前記第２の読み取りギャップ層と前記第１の極片層との間に強磁性の第２のシールド層を形成する工程と、
前記第２のシールド層と前記第１の極片層との間に分離層を形成する工程とをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記角度が、前記基板およびターゲットのいずれか一方を、その各基準表面内のｘ軸およびｙ軸のいずれか一方あるいは両方に対して回転させて形成され、
ｘ軸に対する回転により前記基準表面の間に角度αが形成され、ｙ軸に対する回転により前記基準表面の間に角度βが形成され、
前記角度αおよびβがいずれも前記５°〜５０°の範囲である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ロジウム（Ｒｈ）リードの行列が、２３２℃で７時間アニールされる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記角度αが４０°であり、前記角度βが２０°である請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低応力かつ低抵抗のロジウムリードの製造方法に関し、より詳しくは斜めイオンビームスパッタリング後にアニーリングを行う上記リードの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの心臓部は磁気ディスクドライブと呼ばれるアセンブリである。磁気ディスクドライブは、回転磁気ディスク、読み取りヘッドおよび書き込みヘッドを有するスライダ、回転ディスクの上方に設けられたサスペンションアーム、サスペンションアームを移動させ読み取りヘッドおよび書き込みヘッドを回転ディスクの選択された円形トラック上に位置づけするアクチュエータから構成される。ディスクが回転していない場合、サスペンションアームがスライダを傾かせディスク表面に接触させているが、ディスクが回転している場合は、スライダの空気軸受面（ＡＢＳ）に隣接する回転ディスクにより空気が回転し、スライダは回転ディスクの表面から僅かに距離をおいた空気軸受に乗る。スライダが空気軸受に乗ると、読み取りヘッドおよび書き込みヘッドにより磁気信号フィールドの回転ディスクに対する書き込みおよび読み出しが行われる。読み取りヘッドおよび書き込みヘッドは、コンピュータプログラムにより書き込み・読み出し機能を実行する処理回路に接続されている。
【０００３】
書き込みヘッドは、第１、第２、および第３の絶縁層（絶縁スタック）に埋設されたコイル層を有しており、該絶縁スタックは第１および第２の極片層に挟まれている。書き込みヘッドの空気軸受面（ＡＢＳ）側の非磁性のギャップ層により、第１および第２の極片層間にギャップが生じる。極片層はバックギャップで接続されている。コイル層に流す電流により極片内にＡＢＳ側の極片間のギャップを取り囲むように磁界が発生する。該磁界により、回転ディスク上の円形トラック等の、移動媒体上のトラックへ上記信号フィールドが書き込まれる。
【０００４】
読み取りヘッドは、非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読み取りギャップ層の間に設置されるセンサを有し、第１および第２の読み取りギャップ層は、強磁性の第１および第２のシールド層の間に設けられている。最近の読み取りヘッドには、回転磁気ディスクから磁界を感知するスピンバルブセンサが設けられている。該センサは、第１および第２の強磁性層（以下それぞれ固定層および自由層と称する）に挟まれた非磁性の導電体層（以下、スペーサ層と称する）を有する。第１および第２のリードをスピンバルブセンサに接続してセンサに感知電流を流す。固定層の磁化はヘッドの空気軸受面（ＡＢＳ）に対し垂直に固定されており、自由層の磁気モーメントはＡＢＳに対し平行かつ上記信号フィールドに対し回転可能である。固定層の磁化は、通常反強磁性層との交換結合により固定される。スピンバルブセンサの抵抗は固定層に対する自由層の磁気モーメントの回転により変化する。感知電流Ｉｓをセンサに流し、プレイバック信号として処理される電位変化を該抵抗変化から上記処理回路で発生させる。スピンバルブセンサの特徴は、磁気抵抗（ＭＲ）係数ｄｒ／Ｒ（ｄｒはスピンバルブセンサの抵抗変化、Ｒは変化前のスピンバルブセンサの抵抗）である。
【０００５】
読み取りセンサに接続される前述の第１および第２のリード材料としては、導電性の高さ（低抵抗）および耐腐食性から金（Ａｕ）が望ましい。しかしながら、純金（Ａｕ）をコンダクタリードとして使用した場合、ＡＢＳで金のノジュール（小塊）が形成されるという問題がある。これは磁気ディスクドライブ内で読み取りヘッドが作動する時のヘッドの圧力および高温が原因である。作動温度の範囲は８０℃〜１２０℃である。リードに掛かる圧力は、リードに隣接する第１および第２の読み取りギャップ層や、読み取りギャップ層に隣接する第１および第２のシールド層等の膨張による温度上昇に伴い増加する。金（Ａｕ）は軟らかいので、上記温度に伴う圧力により読み取りヘッドのＡＢＳでリードから搾出され、前述のノジュールを形成してしまう。該ノジュールによりリードと第１および第２のシールド層や、読み取りセンサの高感度要素の端部同士がショートしてしまい、読み取りヘッドの作動に支障をきたす。
【０００６】
金（Ａｕ）には上記の問題があるので、従来よりリードの製造にはノジュール形成の心配がないタンタル（Ｔａ）が用いられている。しかしながら、金（Ａｕ）と比較するとタンタル（Ｔａ）の抵抗は非常に高く、タンタル（Ｔａ）のリード層は厚みを加えなければ読み取りヘッドのノイズが増加してしまう。ところがリード層を厚くすると、読み取りセンサに隣接して段差が生じ、該段差が書き込みギャップに至るまで繰り返し生じ、書き込みヘッドの書き込みギャップが湾曲してしまう。この現象は書き込みギャップ湾曲として公知であり、該現象により書き込みヘッドは湾曲した磁気を回転磁気ディスクのトラックに刷り込むが、センサは磁気を直線的に読み出す。その結果、読み出し信号が減少し、その分磁気ディスクドライブの記憶容量が減少してしまう。
【０００７】
リード材料としての非磁性金属としては、他に銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）が挙げられる。リードは全て空気軸受面側で端部の表面が露出されるので、銅（Ｃｕ）とタングステン（Ｗ）には腐食の問題が生じる。ルテニウム（Ｒｕ）は、従来のスパッタ付着の間に形成される粒子による汚染が著しい。ここで従来のスパッタリングとは、イオンビーム銃を用いないスパッタリングを意味する。モリブデン（Ｍｏ）はＡＢＳでの腐食が激しい。ロジウム（Ｒｈ）はノジュール形成、空気軸受面での腐食、汚染の問題はないが、従来のスパッタリングによる付着時の状態での応力および抵抗が比較的高く、アニーリングによっても改善されない。欧州特許出願番号９３３００２３９．６（公開番号０５５２８９０Ａ２、発行日１９９３年７月２８日）において、ロジウム（Ｒｈ）リードを２５０℃で７時間までアニールしても抵抗は付着時から低下しない事が教示されている。つまり、ロジウム（Ｒｈ）リードのミクロ構造に変化が無いので、応力も付着時から変化しないという事である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ロジウム（Ｒｈ）を低応力かつ低抵抗でリードに使用出来れば非常に望ましい。抵抗が低くなれば、抵抗により生じるノイズが少ないリード、および書き込みギャップ湾曲の少ない薄いリードが使用可能となる。応力が高いと、ロジウム（Ｒｈ）リード層がセンサから剥離し、開回路が形成され読み取りヘッドが破壊されてしまう。
【０００９】
従って本発明の目的は、斜めイオンビームスパッタリングとアニーリングにより、読み取りセンサ用の改善されたリード層を提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、従来の方法で形成されたロジウム（Ｒｈ）リード層と比較して低応力かつ低抵抗の読み取りセンサ用のロジウム（Ｒｈ）リード層を提供することである。
【００１１】
本発明のさらなる目的は、低応力かつ低抵抗の装置用電気リードの製造方法を提供することである。
【００１２】
本発明のさらなる目的は、低応力かつ低抵抗の読み取りヘッド用のロジウム（Ｒｈ）リードの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
読み取りセンサ用の低応力かつ低抵抗のロジウム（Ｒｈ）コンダクタリードの製造方法を提供する。本方法において、スパッタリング装置はスパッタリングチャンバを有し、該スパッタリングチャンバはスパッタされる材料、つまりロジウム（Ｒｈ）のターゲットと、ロジウム（Ｒｈ）リードがその上に形成されるウェハを支持する基板と、イオンビームをターゲットへ出射してターゲットからロジウム（Ｒｈ）原子をウェハ上にスパッタするイオンビーム銃とを有する。通常スパッタリングチャンバにはチャンバ内を真空化する排気口と、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスをチャンバ内へ導入する吸気口とが設けられている。本発明では、ターゲットと基板の表平面は、以下斜めイオンビームスパッタリングと称するスパッタリングが可能となる角度を互いに形成するように配置されている。斜めイオンビームスパッタリングによりロジウム（Ｒｈ）リードを形成後、該リードを所定時間高温でアニールする。読み取りヘッドおよび書き込みヘッドの製造では、該アニーリングは、書き込みヘッドの絶縁スタック用絶縁層を形成する際のフォトレジスト層のアニーリングと同時に行っても良い。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（磁気ディスクドライブ）
図面について説明する。図中同一要素には、同一の符号を付し、図１〜３は磁気ディスクドライブ３０を示す。ドライブ３０は、磁気ディスク３４を支持かつ回転させるスピンドル３２を有する。スピンドル３２は、モータコントローラ３８に制御されるスピンドルモータ３６により回転する。スライダ４２は複合読み取り・書き込み磁気ヘッド４０を有し、サスペンション４４およびアクチュエータ４７により回転可能に位置づけされるアクチュエータアーム４６により支持される。複数のディスク、スライダ、サスペンションを、図３に示す大容量直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）に用いても良い。サスペンション４４およびアクチュエータアーム４６がアクチュエータ４７により移動して、磁気ヘッド４０が磁気ディスク３４の表面に対し変換関係となるようにスライダ４２の位置づけを行う。ディスク３４がスピンドルモータ３６により回転すると、スライダはディスク３４の表面と空気軸受面（ＡＢＳ）４８との間の薄い（通常０．０５μｍ）エア（空気軸受）クッションにより支持される。この状態で磁気ヘッド４０を用いてディスク３４の表面に設けられた複数の円形トラックに対して、情報の書き込みおよび読み出しを行う。処理回路５０はそのような情報としての信号をヘッド４０と交換し、スピンドルモータドライブ信号を供給して磁気ディスク３４を回転させ、アクチュエータに制御信号を供給してスライダをトラック間で移動させる。図４では、スライダ４２はサスペンション４４に搭載されている。上述の構成要素は、図３に示すようにハウジングのフレーム５４に搭載しても良い。
【００１５】
図５は、スライダ４２および磁気ヘッド４０のＡＢＳを示す図である。スライダは、磁気ヘッド４０を支持するセンターレール５６とサイドレール５８、６０とを有する。該レール５６、５８、６０は、クロスレール６２から延長されている。磁気ディスク３４の回転に対し、クロスレール６２はスライダの前端６４に、磁気ヘッド４０はスライダの後端６６に位置する。
【００１６】
図６はピギーバッグ磁気ヘッド４０の側断面図である。ピギーバッグ磁気ヘッド４０は、書き込みヘッド部７０と読み取りヘッド部７２とを有し、読み取りヘッド部に本発明のスピンバルブセンサ７４が用いられている。図８は図６のＡＢＳを示す図である。スピンバルブセンサ７４は非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読み取りギャップ層７６、７８に挟まれており、該読み取りギャップ層は強磁性の第１および第２のシールド層８０、８２に挟まれている。スピンバルブセンサ７４の抵抗は外部磁界に応じて変化する。センサ内を流れる感知電流Ｉｓにより、センサはこれらの抵抗変化を電位変化として測定する。電位変化は図３の処理回路５０により読み取り信号として処理される。
【００１７】
磁気ヘッド４０の書き込みヘッド部７０は、第１および第２の絶縁層８６、８８に挟まれたコイル層８４を有する。第３の絶縁層９０を用いてヘッドを平面化し、コイル層８４により生じる第２の絶縁層のリプルを取り除いても良い。該第１、第２、および第３の絶縁層は、「絶縁スタック」として公知である。コイル層８４と第１、第２、および第３の絶縁層８６、８８、９０は、第１および第２の極片層９２、９４に挟まれている。該第１および第２の極片層９２、９４は、バックギャップ９６で磁気結合しており、ＡＢＳ側の書き込みギャップ層１０２により分離される第１および第２の極端９８、１００を有している。第２のシールド層８２と第１の極片層９２との間に絶縁層１０３が設けられている。第２のシールド層８２と第１の極片層９２とは個別の層であるので、このヘッドはピギーバッグヘッドと称される。図２および図４に示すように、第１および第２のソルダ接続１０４、１０６により、スピンバルブセンサ７４からのリードとサスペンション４４上のリード１１２、１１４とが接続される。また、第３および第４のソルダ接続１１６、１１８により、コイル８４（図８参照）からのリード１２０、１２２とサスペンション上のリード１２４、１２６とが接続される。
【００１８】
図７および図９は、第２のシールド層８２と第１の極片層９２が共通層である以外は図６および図８と同じである。この種のヘッドは合併磁気ヘッドと称される。ここでは図６および図８のピギーバックヘッドの絶縁層１０３は省かれる。
【００１９】
図１１は、図６または図８に示す読み取りヘッド７２のＡＢＳを例示した斜視図である。読み取りヘッド７２は、反強磁性（ＡＦＭ）の固定化層１３２上に設けられる本発明のスピンバルブ（ＳＶ）センサ１３０を有している。後述するように、スピンバルブセンサ１３０の強磁性の固定層は、固定化層１３２の磁気回転により固定される。ＡＦＭ固定化層としては、厚さ４２５Åの酸化ニッケル（ＮｉＯ）が好ましい。第１および第２のハードバイアス（ＨＢ）／リード層１３４、１３６は、スピンバルブセンサの第１および第２の側端１３８、１４０に接続されている。該接続は、接触接合（ｃｏｎｔｉｇｕｏｕｓ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）として公知であり、米国特許第５０１８０３７号明細書に詳細に記載されている。第１のハードバイアス／リード層１３４は、第１のハードバイアス層１４０と第１のリード層１４２とを有し、第２のハードバイアス／リード層１３６は、第２のハードバイアス層１４４と第２のリード層１４６とを有する。ハードバイアス層１４０、１４４は、スピンバルブセンサ１３０内で磁界を長手方向に延長しセンサ内の磁区を安定させている。ＡＦＭ固定化層１３２と、スピンバルブセンサ１３０と、第１および第２のハードバイアス／リード層１３４、１３６は、非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読み取りギャップ層１４８、１５０の間に設けられている。また、第１および第２の読み取りギャップ層１４８、１５０は強磁性の第１および第２のシールド層１５２、１５４の間に設けられている。
【００２０】
図１２に読み取りヘッドの層を形成するスパッタリング装置２００を示す。該スパッタリング装置２００は、バルブ制御排気口２０４とバルブ制御吸気口２０６とが設けられたチャンバ２０２を有する。排気口２０４はチャンバを真空化し、吸気口２０６はアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスをチャンバ内に導入する目的で設けられている。チャンバ内にはウェハ２１０を支持する基板２０８が搭載されており、ウェハ２１０上に読み取りヘッドの層が形成される。ウェハ２１０上にスパッタ付着される材料から構成されるターゲット２１２が、ウェハおよび基板に対向して設けられる。イオンビーム銃２１４がチャンバ２０２の一端に設けられ、ここからイオンビームがターゲット２１２に向けて出射される。イオンビーム銃内では、高エネルギーの電子がアルゴン（Ａｒ）やキセノン（Ｘｅ）等の原子と衝突し、各原子から電子を一つ放出させ、原子を陽イオン化する。原子から放出された電子は高エネルギーを有し、他の原子からさらに電子を放出させるので、イオンビーム銃２１４内にプラズマが発生する。イオンビーム銃からのイオン化された原子がターゲット２１２に当たり、ターゲットを構成する材料がウェハ２１０上にスパッタされ付着する。スパッタリング装置２００では、基板２０８およびターゲット２１２の基準平面は、互いに略平行である。基準平面同士が平行であると、原子は基板上に斜めにスパッタされない。
【００２１】
図１３に、図１１に示す改良されたロジウム（Ｒｈ）リード１４２、１４６を製造するスパッタリング装置３００を示す。スパッタリング装置３００は、基板２０８とウェハ２１０との角度以外はスパッタリング装置２００と同じである。ここでは、基板２０８とターゲット２１２の基準表面は、図１２に示す平行状態ではなく、互いに（基板／ターゲット）角度θを形成するように配置されている。この構成により、ターゲット２１２からスパッタされた材料の原子は、基板２０８の基準表面の法線に対し、（基板／ターゲット）角度θと等しいスパッタリング角度θでウェハ２１０上に付着する。図１３では、（基板／ターゲット）角度すなわちスパッタリング角度θは紙面と平行な面上にあるが、この角度θは紙面に対して３６０°以内の任意の角度を持った面上に設定可能である。この点について以下に詳細に説明する。スパッタリング角度θとして望ましいのは５°〜６０°である。チャンバ内圧力は１０-4tｏｒｒ、作用ガスはアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のいずれでも良い。ターゲットの材料はロジウム（Ｒｈ）である。
【００２２】
図１４および図１５は、イオンビーム銃４００、金属ターゲット４０２、および基板４０４の概略図であり、ターゲット４０２および基板４０４のいずれか一方あるいは両方を、各基準表面４０６、４０８内のｘ軸およびｙ軸のいずれか一方あるいは両方に対して回転させて、図１３におけるスパッタリング角度θが形成される様子を示している。角度αまたはβ、あるいはその組み合わせにより、ターゲットの中心から基板の中心に向けて、斜めイオンビームスパッタリング（非法線磁束流）が実現される。ターゲット４０２および基板４０４のいずれか一方を固定し、他方を角度αおよび角度βだけ回転させて図１３に示す角度θの非平行な関係を実現しても良い。例として、図１４に基板４０４をｘ軸の回りに角度αだけ回転させた場合を、図１５に基板をｙ軸の回りに角度βだけ回転させた場合を示す。図１３の例の場合、スパッタリング角度θは角度αおよびβから構成される。上記に代えて、または上記に加えて、ターゲット４０２を基準表面４０６上のｘ軸およびｙ軸のいずれか一方あるいは両方に対して回転させてスパッタリング角度θを形成しても良い。角度αおよびβはいずれも５°〜５０°の範囲が好ましい。図１４および図１５は、新規なロジウム（Ｒｈ）リードを有し、基板４０４上に形成される磁気ヘッド４１０の行および列を示す。図１１に読み取りヘッドの各種の層を、図６〜図１０に書き込みヘッドの各種の層を示す。
【００２３】
例１
図１６および図１７に本発明の第１実施例５００を示す。図１６では、斜めイオンビームスパッタリングにより、タンタル（Ｔａ）の第１層５０２が基板５０４上にスパッタ付着され、ロジウム（Ｒｈ）層５０６がタンタル層５０２上にスパッタ付着されている。タンタル（Ｔａ）層５０２の厚みは３５Å、ロジウム（Ｒｈ）層５０６の厚みは７５０Åであった。スパッタリング角度θは角度α＝４０°および角度β＝２０°から構成されている。基板を除く層全体の厚みは７５２Åであった。ロジウム（Ｒｈ）層５０６の付着時の応力は２．６６×１０10ダイン／ｃｍ2であり、スパッタ付着後の層５０２、５０６の抵抗は１．６２オーム／平方であった。図１７に示すように、層５０２、５０６をスパッタ付着後アニールした。アニーリングの第１工程は、２３２℃で７時間行われた。アニーリングの第１工程後、ロジウム（Ｒｈ）層５０６の応力は４．１×１０9ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．３７オーム／平方であった。つまり、応力は１／６．５になり、抵抗は０．２５オーム／平方低下した。図１７では、アニーリングの第２工程が２７０℃で７時間行われた。アニーリングの第２工程後、抵抗は１．２９オーム／平方となり、付着時の状態での抵抗と比較すると２０．４％低下している。例１の結果を表２に示す。
【００２４】
例２
図１８および図１９に本発明の第２実施例６００を示す。第２実施例６００は、まずクロム（Ｃｒ）層６０２が基板５０４上にスパッタ付着され、コバルト・プラチナ・クロム（ＣｏＰｔＣｒ）層３０４がクロム（Ｃｒ）層６０２にスパッタ付着される以外は、第１実施例５００と同じである。クロム（Ｃｒ）層６０２の厚みは３５Å、コバルト・プラチナ・クロム（ＣｏＰｔＣｒ）層６０４の厚みは２５０Åであった。基板を除いた層全体の厚みは９９５Åであった。これらの層は上記角度α＝４０°および角度β＝２０°で斜めイオンビームスパッタにより形成されている。斜めイオンビームスパッタ付着後、ロジウム（Ｒｈ）層５０６の応力は１．９４×１０10ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．４４オーム／平方であった。次に図１９に示すように、実施例６００をアニールした。実施例６００のアニーリングの第１工程は２３２℃で７時間行われた。アニーリングの第１工程後、ロジウム層５０６の応力は４．１×１０9ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．２３オーム／平方であった。つまり、応力は１／４．７になり、抵抗は０．１９オーム／平方低下した。図１９では、実施例６００のアニーリングの第２工程が２７０℃で７時間行われた。これらの層の抵抗は１．１６オーム／平方となり、付着時の状態での抵抗と比較すると１９．４％低下している。例２の結果を表２に示す。
【００２５】
例３
図２０および図２１に本発明の第３実施例７００を示す。第３実施例７００は、タンタル（Ｔａ）層５０２が省かれた以外は、実施例６００と同じである。図２０では、層６０２、６０４、５０６はいずれも上記角度α＝４０°および角度β＝２０°で斜めイオンビームスパッタにより形成されている。スパッタ付着後、ロジウム（Ｒｈ）層５０６の応力は１．２８×１０10ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．２７オーム／平方であった。次に図２１に示すように、スパッタ付着後、実施例７００をアニールした。アニーリングの第１工程は、２３２℃で７時間行われた。アニーリングの第１工程後、ロジウム層５０６の応力は３．６×１０9ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．１８オーム／平方であった。つまり、応力は１／３．５になり、抵抗は０．１９オーム／平方低下した。図２１では、実施例７００のアニーリングの第２工程が２７０℃で７時間行われた。アニーリングの第２工程後、抵抗は１．１４オーム／平方となり、付着時の状態での抵抗と比較すると１０．２％低下している。例３の結果を表２に示す。
【００２６】
表１に、図２１に示すアニーリング工程後の飽和モーメントＭｓ、残留磁化Ｍｒ、矩形比Ｍｒ／Ｍｓ、およびハード軸保磁度Ｈｃを示す。表から明らかなように、アニーリング工程後のＭｓ、矩形比Ｍｒ／Ｍｓ、およびＨｃには殆ど変化がなく、ハードバイアス層６０４とロジウム（Ｒｈ）リード５０６との間にシード層が必要ないので、例３は磁気ヘッドの製造に非常に適していると言える。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
例４
図２２および図２３に本発明の第４実施例８００を示す。第４実施例８００は、タンタル（Ｔａ）層５０２がクロム（Ｃｒ）層８０２と置換された以外は、図１８および図１９に示す実施例６００と同じである。クロム（Ｃｒ）層８０２の厚みは３５Åであった。基板を除く層全体の厚みは９７６Åであった。斜めイオンビームスパッタ付着後、ロジウム（Ｒｈ）層５０６の応力は２．２×１０10ダイン／ｃｍ2であり、これらの層の抵抗は１．２４オーム／平方であった。次に図２３に示すように、実施例８００をアニールした。本実施例のアニーリングの第１工程は、２３２℃で７時間行われた。アニーリングの第１工程後、ロジウム層５０６の応力は３．８×１０9ダイン／ｃｍ2であり、抵抗は１．２０オーム／平方であった。つまり、応力は１／５．８になり、抵抗は０．０４オーム／平方低下した。次に実施例８００のアニーリングの第２工程が２７０℃で７時間行われた。アニーリングの第２工程後、これらの層の抵抗は１．１オーム／平方となり、付着時の状態での抵抗と比較すると１１．３％低下している。例４の結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
結果検討
例２、３、および４のコバルト・プラチナ・クロム（ＣｏＰｔＣｒ）層６０４は、図１１のハードバイアス層１４０、１４４に通常用いられる材料である。その下部に設けられたクロム（Ｃｒ）層６０２は、ハードバイアス層の典型的なシード層である。図２２および図２３のクロム（Ｃｒ）層８０２は、典型的な分離およびシード層である。図１６および図１７のタンタル（Ｔａ）層５０２は、単にロジウム（Ｒｈ）層５０６のシード層である。図１６および図１７のロジウム（Ｒｈ）リード層は、一対の構成要素を相互接続する各種の電気機械装置に使用可能なリード層の一例である。例２、３、および４は図１１に示す読み取りセンサ用のハードバイアス／リード層１３４、１３６の典型例である。図２０および図２１の例３では、シード層や分離層をハードバイアス層６０４とロジウム（Ｒｈ）層５０６との間に使用しなくても、表２に示す通り、シード層や分離層を用いた例２や４と同程度に応力および抵抗が低下するので望ましい。表１に示す通り、例３ではアニーリング後に上述したような様々な好ましい特性が得られる。斜めイオンビームスパッタリングの好ましい角度αおよびβは上記例で記載したが、角度αおよびβは、いずれも５°〜５０°の範囲が好ましい。表２で示した層の厚みは一例であり、層の厚みは自由に設定できる。好ましいアニーリングは２３２℃で７時間であるが、アニーリングを１４０℃〜３００℃で３０分〜１０時間行えば層の応力および抵抗は著しく低下する。
【００３１】
本発明はロジウム（Ｒｈ）以外の金属にも使用可能である。さらに、すでに説明したようにセンサはスピンバルブセンサ、ＡＭＲセンサのいずれでもよい。また、第１および第２のリードを、リード間にセンサの活動領域を限定する隙間を設け、センサの各層上部と重なるように構成しても良い。これは、連続接合（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）センサとして公知であり、本発明で説明した接触接合センサとは対照的のものである。またさらに、本発明は、磁気ヘッドアセンブリの書き込みヘッドに接続されるリードや、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）ヘッドの上部および底部に接続されるリード、あるいは集積回路装置のリード等、各種の薄膜リードにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気ディスクドライブの一例を示す平面図である。
【図２】ディスクドライブの磁気ヘッドを有するスライダの面２−２における端面図である。
【図３】複数のディスクおよび磁気ヘッドを用いた場合の磁気ディスクドライブの立面図である。
【図４】スライダおよび磁気ヘッドを支持するサスペンション装置の一例を示す斜視図である。
【図５】図２の面５−５についての磁気ヘッドのＡＢＳを示す図である。
【図６】図２の面６−６におけるスライダおよびピギーバッグ磁気ヘッドの部分図である。
【図７】図２の面７−７におけるスライダおよび合併磁気ヘッドの部分図である。
【図８】ピギーバッグ磁気ヘッドの読み取り・書き込み要素を示す図６の面８−８についてのスライダのＡＢＳの部分図である。
【図９】合併磁気ヘッドの読み取り・書き込み要素を示す図７の面９−９についてのスライダのＡＢＳの部分図である。
【図１０】コイル層およびリードの上方にある材料を全て取り除いた場合の図６あるいは７の面１０−１０についての図である。
【図１１】ＡＰ固定スピンバルブ（ＳＶ）センサを使用した読み取りヘッドのＡＢＳの斜視図である。
【図１２】基板とターゲットの表平面が互いに平行な場合のイオンビームスパッタリング装置の概略図である。
【図１３】基板とターゲットの表平面が互いに角度を形成する以外は図１２と同様のイオンビームスパッタリング装置を示す図である。
【図１４】イオンビーム銃、ターゲット、および基板の概略図である。
【図１５】図１４の面１５−１５についての図である。
【図１６】第１工程であるスパッタリング後の第１実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図１７】第２工程であるアニーリング後の第１実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図１８】第１工程であるスパッタリング後の第２実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図１９】第２工程であるアニーリング後の第２実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図２０】第１工程であるスパッタリング後の第３実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図２１】第２工程であるアニーリング後の第３実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図２２】第１工程であるスパッタリング後の第４実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【図２３】第２工程であるアニーリング後の第４実施例のロジウム（Ｒｈ）リードの端部を示す図である。
【符号の説明】
３０  磁気ディスクドライブ
３２  スピンドル
３４  磁気ディスク
３６  スピンドルモータ
４０  複合読み取り・書き込み磁気ヘッド
４２  スライダ
４４  サスペンション
４６  アクチュエータアーム
４７  アクチュエータ
７４  スピンバルブセンサ
７６、７８  読み取りギャップ層
８０、８２  シールド層
８４  コイル層
８６、８８、９０、１０３  絶縁層
９２、９４  極片層
９６  バックギャップ
９８、１００  極端
１０２  書き込みギャップ層
１３２  スピンバルブセンサ
１４２、１４６  リード層
１４８、１５０  読み取りギャップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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