(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、
上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、
上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、
上記面内磁化層がＨｏ、Ｆｅ、並びにＣｏからなる希土類・３ｄ遷移金属合金材料からなる層であって、
上記希土類・３ｄ遷移金属合金材料に占めるＨｏの割合が７質量％以上２０質量％以下の範囲内であり、かつ、３ｄ遷移金属に占めるＣｏの割合が０質量％以上１９質量％以下の範囲内であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、
上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、
上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、
上記面内磁化層が、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成され、
上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、
上記再生層を挟んで記録層と反対側に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】
上記再生層が、室温以上で遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、希土類金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなるとともに、
上記面内磁化層が、室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、
上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、
上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、複数の面内磁化層が積層されてなる面内磁化部とを有してなる光磁気記録媒体において、
上記面内磁化部は、組成の異なる少なくとも２種類の上記面内磁化層を含んでなるとともに、上記複数の面内磁化層のうち上記再生層に隣接する面内磁化層は、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する性質を有しており、
さらに、上記複数の面内磁化層の少なくとも１つが、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成されることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】
上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層はいずれも、少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなり、
上記面内磁化部はさらに、
室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなる面内磁化層と、
室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、希土類金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなる面内磁化層とを積層することにより構成されていることを特徴とする請求項４に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】
上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層のキュリー温度が、上記再生層に近づくに従って順に低くなるとともに、上記再生層に隣接する面内磁化層のキュリー温度Ｔｃ２が上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度であることを特徴とする請求項４または５に記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】
上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層において、キュリー温度の最大値と最小値との差が８０℃以下であることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】
上記面内磁化層が、上記再生層と記録層との間に少なくとも１層設けられるとともに、
上記再生層と記録層との間に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１，４，５，６，７のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】
上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、
上記再生層を挟んで記録層と反対側に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１，４，５，６，７のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録再生装置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード、等をなす光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、書き換え可能な光記録媒体として、光磁気記録媒体が実用化されている。このような光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対して、記録用磁区（情報、記録磁区）である記録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなるにつれて、再生特性が劣化するという欠点がある。
【０００３】
これは、目的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径内に、隣接する記録ビットが入るため、個々の記録ビットを分離して再生することができなくなることが原因である。
【０００４】
この問題を解決する手段として、磁性多層膜を用いたさまざまな磁気的超解像再生技術が開発されている。これらの磁気的超解像再生技術は、磁気的なマスク領域を形成することにより、ビームスポットよりも小さな磁気的アパーチャを形成し、再生時の符号間干渉を減少させて、光の回折限界以下の周期の信号（情報）を再生可能とするものである。
【０００５】
これらの磁気的超解像再生技術のうち、特開平９−３２０１３４号公報には、室温において面内磁化状態であり所定の温度以上で垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層とを有してなり、さらに、上記再生層と記録層との間に、該再生層に隣接して、上記所定の温度近傍で磁化が減少する面内磁化層が設けられてなる光磁気記録媒体が開示されている。この光磁気記録媒体は、再生層における面内磁化によるマスクを強調することができ、記録ビット径及び記録ビット間隔が小さい場合においても、高い再生信号品質が得られるものである。
【０００６】
ここで、図１３を用いて、特開平９−３２０１３４号公報に開示された光磁気記録媒体の再生原理について説明する。図１３は、該光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を説明する断面模式図である。この光磁気記録媒体は、再生層２０１、面内磁化層２０２、非磁性中間層２０３、並びに記録層２０４が、この順に積層されて構成されている。なお、図中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属元素の磁気モーメント（以下、単にＴＭモーメントと称する場合がある）の向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表している。また、以下、単に遷移金属（元素）といえば、「３ｄ遷移金属（元素）」、すなわち、ｄ（電子）殻が満たされていく主遷移元素の内、３ｄ電子殻が満たされる21Ｓｃ〜29Ｃｕのみを指し希土類金属元素（場合によっては、単に希土類、または、希土類金属と称する）と区別するものとする。
【０００７】
上記再生層２０１は、室温において面内磁化状態であり遷移温度（所定の温度）Ｔｐ201 以上の温度で垂直磁化状態となる希土類・遷移金属合金材料からなる。例えば、希土類金属の磁気モーメント（以下、単にＲＥモーメントと称する場合がある）の大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＲＥモーメントをより多く含むＲＥ rich 組成の希土類・遷移金属合金材料を用いれば、室温においてトータル磁化が大きいため、反磁界によって磁化方向は膜面に平行（面内磁化方向）となる。一方、遷移温度Ｔｐ201 近傍（またはそれ以上）においては、希土類金属副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが打ち消し合うことによりトータル磁化が減少し、反磁界よりも垂直方向の異方性が大きくなることにより垂直磁化に移行する特性を実現できる。
【０００８】
上記面内磁化層２０２は、定性的には膜面に平行（水平）な方向に磁化を有し、加えて、遷移温度Ｔｐ201 近傍の温度をそのキュリー温度とするか、あるいは、遷移温度Ｔｐ201 近傍以上の条件下となると温度上昇につれて磁化の大きさが減少するように構成されている。
【０００９】
上記光磁気記録媒体において再生層２０１と面内磁化層２０２とは隣接している故、遷移温度Ｔｐ201 未満の温度では、面内磁化層２０２の面内磁化と、再生層２０１の面内磁化とが交換結合する。すなわち、再生層２０１の磁化は面内方向を向いたままとなる。面内磁化層２０２の材料としては、Ｇｄ・Ｆｅ（ＧｄとＦｅとの合金を表す）を主成分とする希土類・遷移金属合金が用いられる。
【００１０】
上記非磁性中間層２０３は、非磁性材料からなり、面内磁化層２０２と記録層２０４との間に形成されて、両者間の交換結合を遮断する。上記記録層２０４は希土類・遷移金属合金材料からなる垂直磁化膜である。
【００１１】
一方、再生時には、再生層２０１側から上記光磁気記録媒体に対し、再生対象である記録層２０４の記録磁区２０６を中心とするように光ビーム２０５が集光照射される。この光ビーム２０５の集中照射によって生じる光磁気記録媒体の温度分布に応じて、上記面内磁化層２０２のうち記録磁区２０６と対向する領域（図中、斜線で示す）のみで磁化の大きさが減少し、該面内磁化層２０２を貫くように記録磁区２０６からの漏洩磁束が発生する。そして、この漏洩磁束と再生層２０１のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録磁区２０６の磁化情報が再生層２０１の垂直磁化状態となった領域へ転写され、磁区２０７が形成される。このとき、再生層２０１における磁区２０７のトータル磁化向きは、記録層２０４の記録磁区２０６の向きと同じとなる。
【００１２】
このように、上記の光磁気記録媒体においては、光ビーム２０５が集光照射されて遷移温度Ｔｐ201 以上の温度に昇温された領域のみが垂直磁化状態となって再生に寄与することとなり、超解像再生動作が実現する。これにより、再生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を再生することが可能となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の光磁気記録媒体では、さらなる高密度記録を実現するために狭トラックピッチ化をはかれば、面内磁化層２０２によるマスク強度が不十分となり、隣接トラックからの信号の漏れ込みすなわちクロストークが増大して、良好な再生信号品質が得られなくなるという問題点がある。
【００１４】
図１３を用いて、上記の光磁気記録媒体の再生時における問題点を説明する。再生時には、完全に垂直磁化状態となる再生層２０１の領域、すなわち遷移温度Ｔｐ201 以上となる領域、に対応する情報（記録磁区２０６）のみが再生されることが理想的である。しかし、実際には、該図に示すように、遷移温度Ｔｐ201 未満でかつ該遷移温度近傍の温度となる領域、すなわち、光ビーム２０５の中心周辺部に対応する領域も、記録層２０４から発生する漏洩磁界の影響を受ける。そのため、該図に示すように、再生層２０１および面内磁化層２０２において、光ビーム２０５の中心周辺部に対応する領域の磁化は、完全な面内磁化ではなく膜面に対して傾いた磁化状態となる。
【００１５】
これは、１）面内磁化層２０２は、そのキュリー温度近傍（換言すれば遷移温度Ｔｐ201 近傍）の温度で磁化が小さくなり再生層２０１の磁化を面内方向に維持できなくなること、および、２）Ｇｄ・Ｆｅは垂直磁気異方性が比較的大きな材料であり、特にＧｄ量の多い組成では面内磁化層２０２の磁化自体が垂直磁化に近づいてしまうこと、等に起因する。
【００１６】
このため、再生層２０１に形成された磁区２０７の周辺領域では、面内磁化層２０２による磁気マスクが十分に機能せず、再生分解能が低下してしまう。加えて、狭トラックピッチで記録を行った場合には、クロストークが増大してしまうという問題があった。
【００１７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、小さな記録ビット径および小さな記録ビット間隔で記録再生を行う場合においてもクロストークの発生が少なく、良好な再生信号が得られる光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化層がＨｏ、Ｆｅ、並びにＣｏからなる希土類・３ｄ遷移金属合金材料からなる層であって、上記希土類・３ｄ遷移金属合金材料に占めるＨｏの割合が７質量％以上２０質量％以下の範囲内であり、かつ、３ｄ遷移金属に占めるＣｏの割合が０質量％以上１９質量％以下の範囲内であることを特徴としている。
【００１９】
上記の構成によれば、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度では再生層とそれに隣接する面内磁化層とが交換結合するため、再生層において面内磁化によるマスクが強調されてその面内磁化状態が維持される。一方、上記遷移温度Ｔｐ１以上かつ上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度以上の温度では、面内磁化層の磁化が減少するとともに再生層が垂直磁化状態に移行し、記録層から再生層への情報の転写（再生）が行われる。
【００２０】
さらに、上記面内磁化層は、Ｈｏ、Ｆｅ、並びにＣｏからなる希土類・３ｄ遷移金属合金材料からなる層であって、上記希土類・３ｄ遷移金属合金材料に占めるＨｏの割合が７質量％以上２０質量％以下の範囲内であり、かつ、３ｄ遷移金属に占めるＣｏの割合が０質量％以上１９質量％以下の範囲内であるため、上記再生層を面内磁化状態から垂直磁化状態に急峻に移行させることが可能となる。これにより、再生分解能を高めることができ、例えば、トラックピッチが狭い場合にもクロストークが小さく、良好な再生信号品質で再生可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００２１】
本発明にかかる光磁気記録媒体はまた、上記の課題を解決するために、室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化層が、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成され、上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、上記再生層を挟んで記録層と反対側に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
【００２２】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記再生層が、室温以上で遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、希土類金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなるとともに、上記面内磁化層が、室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなることを特徴としている。
【００２３】
上記の構成によれば、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、再生層および面内磁化層は漏洩磁界の影響を受け、それぞれのトータル磁化が同じ方向となるように磁化方向を揃える。このため、両者の希土類金属副格子モーメント、並びに、遷移金属副格子モーメントがそれぞれ反平行に揃うことになり、両者の界面での磁壁エネルギーが大きくなる。この結果、再生層の磁化は強く面内方向に引きつけられることとなり、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、その面内磁化状態をより安定化させることが可能となる。
【００２４】
本発明にかかる光磁気記録媒体はまた、上記の課題を解決するために、室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、複数の面内磁化層が積層されてなる面内磁化部とを有してなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化部は、組成の異なる少なくとも２種類の上記面内磁化層を含んでなるとともに、上記複数の面内磁化層のうち上記再生層に隣接する面内磁化層は、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する性質を有しており、さらに、上記複数の面内磁化層の少なくとも１つが、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成されることを特徴としている。
【００２５】
上記の構成によれば、面内磁化層を従来のようにＧｄ・Ｆｅを用いて形成した場合と比較して、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層の面内磁化状態をより安定化させることが可能となる。
【００２６】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層はいずれも、少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなり、上記面内磁化部はさらに、室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなる面内磁化層（すなわち、ＴＭ rich 組成の面内磁化層）と、室温以上の温度において、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、希土類金属元素の磁気モーメントをより多く含んでなる面内磁化層（すなわち、ＲＥ rich 組成の面内磁化層）とを積層することにより構成されていることを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によれば、面内磁化部は、ＲＥ rich 組成の面内磁化層とＴＭ rich 組成の面内磁化層とが積層されてなるので、隣接する面内磁化層間で希土類副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが反平行に揃う。この結果、各層の界面での磁壁エネルギーが大きくなり、面内磁化状態の安定性がさらに高まるので、高い面内マスク効果を得ることが可能となる。
【００２８】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層のキュリー温度が、再生層に近づくに従って順に低くなるとともに、上記再生層に隣接する面内磁化層のキュリー温度Ｔｃ２が上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度であることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、再生層から遠位に位置する面内磁化層ほど高いトータル磁化を有し、該再生層に対しより近位に位置する面内磁化層と交換結合する。その結果、上記面内磁化部の膜厚が比較的薄い場合でも、遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層の面内磁化状態を安定化させることができ、かつ、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において記録層と再生層とを強く静磁結合させることができるので、再生マージンを拡大可能となる。
【００３０】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層において、キュリー温度の最大値と最小値との差が８０℃以下であることを特徴としている。
【００３１】
上記の構成によれば、クロストークが小さく、良好な再生信号品質で再生可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００３２】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化層が、上記再生層と記録層との間に少なくとも１層設けられるとともに、上記再生層と記録層との間に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
【００３３】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、上記再生層を挟んで記録層と反対側に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
【００３４】
上記いずれかの構成によれば、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度においては、面内磁化によるマスクが強調されて、再生層の面内磁化状態がより確実に維持されるとともに、上記遷移温度Ｔｐ１以上の温度においては、再生層をより確実に垂直磁化状態に移行させることが可能となる。
【００３５】
なお、形成される面内磁化層が１層のみの場合、上記「面内磁化層の膜厚の合計」とは、１層の面内磁化層の膜厚そのものを指すものとする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。はじめに、図１を用いて、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１の再生原理について説明する。該図は、上記光磁気記録媒体１１の再生時の磁化状態を説明する断面模式図である。
【００３７】
図１に示すように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１は、再生層１、面内磁化層２、非磁性中間層（中間層）３、並びに記録層４が、順次積層されて構成されている。なお、図１中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属元素の磁気モーメント（以下、単にＴＭモーメントと称する場合がある）の向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表している。また、以下、単に遷移金属（元素）といえば、「３ｄ遷移金属（元素）」、すなわち、ｄ（電子）殻が満たされていく主遷移元素の内、３ｄ電子殻が満たされる21Ｓｃ〜29Ｃｕのみを指し希土類金属元素（場合によっては、単に希土類、または、希土類金属と称する）と区別するものとする。
【００３８】
上記再生層１は、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１以上の温度で垂直磁化状態に移行する希土類・遷移金属合金材料からなる。なお、「室温」とは一般に定義されるように、５℃〜３５℃の間の温度を指す。
【００３９】
上記面内磁化層２は、より具体的には、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属とを含んでなり、定性的には膜面に平行（水平）な方向に磁化を有する面内磁化膜である。この面内磁化層２は、例えば、再生層１が垂直磁化状態に移行（遷移）する遷移温度Ｔｐ１近傍をそのキュリー温度Ｔｃ２とするべく構成されている。上記非磁性中間層３は、非磁性材料からなり、上記面内磁化層２と記録層４との間に形成されて、両者（面内磁化層２および記録層４）の交換結合を遮断する。上記記録層４は希土類・遷移金属合金材料からなり、情報が光磁気記録される垂直磁化膜である。
【００４０】
このような光磁気記録媒体１１では、再生層１と面内磁化層２とが隣接しているゆえ、遷移温度Ｔｐ１未満の温度では、面内磁化層２の面内磁化と、再生層１の面内磁化とが交換結合する。すなわち、再生層１の磁化は面内方向を向いたままとなる。
【００４１】
一方、再生時には、再生層１側から上記光磁気記録媒体１１に対し、再生対象である記録層４の記録磁区（情報）６を中心とするように光ビーム５が集光照射される。この光ビーム５の集中照射によって生じる光磁気記録媒体の温度分布に応じて、上記面内磁化層２のうち記録磁区６と対向する領域（図中、斜線で表す領域）のみで磁化の大きさが減少し、該面内磁化層２を貫くように記録磁区６からの漏洩磁束が発生する。そして、この漏洩磁束と再生層１のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録磁区６の磁化情報が再生層１の垂直磁化状態となった領域へと転写され、再生層１において磁区７が形成される。このとき、再生層１における磁区７のトータル磁化向きは、記録層４の記録磁区６の向きと同じとなる。以上のように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体においては、光ビーム５が集光照射された再生層１の領域のうち、遷移温度Ｔｐ１以上の温度に昇温された領域のみが垂直磁化状態となって再生に寄与することとなり、超解像再生動作が実現される。
【００４２】
ここで、再生層１は、室温において面内磁化状態であり、かつ、温度上昇とともに（より具体的には、遷移温度Ｔｐ１以上の温度で）垂直磁化状態に移行する、という磁気特性を実現するため、例えば、希土類金属元素の磁気モーメント（以下、ＲＥモーメントと称する場合がある）の大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＲＥモーメントをより多く含むＲＥ rich 組成となっている。したがって、再生層１において、ＴＭモーメントの向きとトータル磁化の向きとは反平行となる。
【００４３】
一方、記録層４は、温度上昇した領域において、大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されていることが望ましい。したがって、記録層４には例えば、１）室温近傍の温度をその補償温度とし、かつ、２）室温以上の温度においてＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含むＴＭ rich 組成の垂直磁化膜が用いられる。この場合、記録層４のＴＭモーメントの向きとトータル磁化の向きとは平行となる。なお、記録層４と再生層１とが静磁結合する際、両層のトータル磁化が平行となるべく磁区が転写される。したがって、記録層４のＴＭモーメントの向きと再生層１のＴＭモーメントの向きとは反平行となる。
【００４４】
また、上記面内磁化層２は、室温において、ＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含むＴＭ rich 組成の磁性膜が用いられることがより望ましい。これにより、遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、ＲＥ rich 組成の再生層１およびＴＭ rich 組成の面内磁化層２は、記録層４から発生する漏洩磁界の影響を受け、それぞれのトータル磁化が同じ方向となるように磁化方向を揃える。このため、再生層１および面内磁化層２の希土類金属副格子モーメント、並びに、再生層１および面内磁化層２の遷移金属副格子モーメントがそれぞれ反平行に揃うことになり、再生層１と面内磁化層２との界面での磁壁エネルギーが大きくなる。したがって、再生層１の磁化は強く面内方向に引きつけられることとなり、その面内磁化状態が安定する。尚、上記面内磁化層２は、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素を含んでなるが、上記ＲＥモーメントの形成に寄与する希土類金属元素は特に上記Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍのみに限定されるものではない。
【００４５】
また、面内磁化層２は、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度で磁化が減少し漏洩磁束をマスクする機能が低下する構成であればよく、上記説明のように遷移温度Ｔｐ１近傍をそのキュリー温度Ｔｃ２とするものの他、遷移温度Ｔｐ１近傍以上の温度条件下となると温度上昇につれて磁化の大きさが減少するもの、等であってもよい。
【００４６】
つづいて、上記の光磁気記録媒体１１を適用した光磁気ディスクについて説明する。上記光磁気ディスクは、図２に示すように、基板８上に、透明誘電体保護層９、再生層１、面内磁化層２、非磁性中間層３、記録層４、並びに保護層１０がこの順に積層されて構成されている。尚、再生層１、面内磁化層２、非磁性中間層３、並びに記録層４、よりなる積層構造が光磁気記録媒体１１に相当する。
【００４７】
上記光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられる。すなわち、光源である半導体レーザより出射した光ビーム５（図１参照）を、基板８及び透明誘電体保護層９を通して再生層１へ絞りこみ、記録層４をそのキュリー温度Ｔｃ４以上に昇温する。そして、これと同時に外部磁界を加えて記録層４の磁化状態を制御することで、上記光磁気記録媒体１１への情報の光磁気記録を行う。
【００４８】
また、上記光磁気記録媒体１１の再生は、記録時よりも弱いパワーに設定された光ビーム５（図１参照）を集中照射することにより、極カー効果として知られる光磁気効果を利用して行われる。なお、上記の極カー効果とは、光入射表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向となる現象である。
【００４９】
基板８は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成されるとともに、膜形成表面には光ビーム５を導く案内溝等が形成されている。なお、本実施の形態では、上記案内溝は、１）ランド部分のみ、または案内溝部分のみに記録を行なうための案内溝であってもよく、さらには、２）ランド部分及び案内溝部分の双方に記録を行なうための案内溝であってもよい。
【００５０】
透明誘電体保護層９は、例えば、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2 Ｏ3 等の透明誘電体を用いることが望ましい。また、透明誘電体保護層９の膜厚は、入射する光ビーム５に対し、良好な干渉効果を実現して、媒体の極カー回転角を増大するように設定される。すなわち、透明誘電体保護層９は、光ビーム５の波長λと、透明誘電体保護層９の屈折率ｎとに基づいて、膜厚が（λ／（４ｎ））程度に設定される。透明誘電体保護層９の屈折率ｎは通常１．７〜２．５程度であるため、例えば、光ビーム５の波長λが６８０ｎｍである場合には、その膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲内となるように設定すればよい。
【００５１】
上記再生層１は、１）室温において面内磁化状態であり、２）室温より高いある遷移温度Ｔｐ１で垂直磁化状態に移行し、かつ、３）遷移温度Ｔｐ１〜そのキュリー温度Ｔｃ１の範囲内の温度において垂直磁化状態である希土類・遷移金属合金材料からなる磁性膜である。
【００５２】
上記再生層１のキュリー温度Ｔｃ１は特に限定されるものではないが、１６０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ１＜１６０℃とした場合、該キュリー温度Ｔｃ１の低下にともなうカー回転角の低下が顕著となり、再生信号強度が低下して良好な再生特性が得られなくなる。なお、キュリー温度Ｔｃ１が高いほど遷移温度Ｔｐ１近傍での再生層１のトータル磁化が大きくなるため、記録層４と再生層１とのより強い静磁結合が実現できるが、キュリー温度Ｔｃ１の上限は使用する材料によって限定される。
【００５３】
また、上記再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１はキュリー温度Ｔｃ１未満であれば特に限定されるものではないが、６０℃以上２５０℃以下の範囲内であることがより望ましい。遷移温度Ｔｐ１を６０℃未満とした場合、室温における面内磁化状態を安定に維持することが困難となる。また、光ピックアップからの漏れ磁界等の外乱の影響を受け易くなり、安定した超解像再生ができなくなる。一方、遷移温度Ｔｐ１を２５０℃を超える温度とした場合、遷移温度Ｔｐ１と記録層４のキュリー温度Ｔｃ４とが近づくことになる。その結果、わずかな再生パワーの変動によっても記録層４がそのキュリー温度Ｔｃ４以上に昇温されるため、記録された情報が消去されることになり、実用可能な再生パワーマージンが得られない。
【００５４】
また、上記再生層１の膜厚は１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内に設定されていることがより望ましい。再生層１の膜厚が１０ｎｍより薄い場合、光ビームが再生層１を透過して面内磁化層２において反射される。すなわち、実際に再生層１から反射される光量が減少して再生信号強度が低下し、再生信号品質が劣化する。また、記録層４から発生する漏洩磁束と再生層１との静磁結合が弱くなるため、記録層４から再生層１への記録磁区の転写が安定して実現しない。一方、再生層１の膜厚が８０ｎｍより厚い場合には、膜厚増加による記録感度の劣化が顕著となる。
【００５５】
上述した磁気特性を満足する再生層１としては、例えば、Ｇｄ・Ｆｅ（ＧｄとＦｅとの合金を表す），Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｇｄ・Ｄｙ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｇｄ・Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｇｄ・Ｎｄ・Ｆｅ・Ｃｏ等からなる希土類・遷移金属合金材料の薄膜を採用することが可能である。また、上記材料の耐湿性や耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の金属元素や、Ｓｉ等を添加してもよい。
【００５６】
上記の面内磁化層２は、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，より選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなり、かつ、上記説明のように、遷移温度Ｔｐ１（再生層１が垂直磁化状態に移行する温度）近傍の温度で、その磁化が減少する磁性膜より構成された面内磁化膜である。また、上記面内磁化層２には、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，より選択される少なくとも一つの希土類金属元素に加えて、Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，等の他の希土類金属元素を含ませることもできる。
【００５７】
上記非磁性中間層３は、面内磁化層２と記録層４との交換結合を遮断するために形成される非磁性膜である。非磁性中間層３としては、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属；Ｓｉ；これらの非磁性金属やＳｉを２種類以上含んでなる非磁性金属複合体；等を用いることが可能である。また、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘電体を用いることも可能である。
【００５８】
上記非磁性中間層３の膜厚は、０．５ｎｍ以上に設定されていることがより望ましい。非磁性中間層３の膜厚が０．５ｎｍより薄いと、非磁性中間層３を均一に形成することが困難となる場合があり、面内磁化層２と記録層４との交換結合を遮断することができなくなる虞が生じる。
【００５９】
さらに、面内磁化層２および非磁性中間層３の膜厚の合計が６０ｎｍ以下となるように設定されることがより望ましい。これら膜厚の合計が６０ｎｍより厚い、すなわち記録層４と再生層１との間隔が大きくなり過ぎると、記録層４と再生層１との間の静磁結合力が弱くなる。その結果、記録層４から再生層１への安定した磁区の転写が困難となり再生信号の品質が劣化する虞が生じる。
【００６０】
記録層４は、希土類・遷移金属合金（少なくとも希土類金属元素と遷移金属元素とを含んでなる合金）材料からなる垂直磁化膜であり、その補償温度Ｔcomp４が−７０℃以上８０℃以下に設定されることがより望ましい。Ｔcomp４＜−７０℃とした場合、再生層１が垂直磁化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ１に達する前の段階であっても記録層４が比較的大きな磁化を持ち、再生層１に記録層４からの漏洩磁界が加わる虞がある。その結果、この漏洩磁界の影響を受けて、遷移温度Ｔｐ１に達する前の段階で再生層１が垂直磁化方向に遷移しようとし、これがノイズの発生につながり再生信号品質を劣化させる。また、Ｔcomp４＞８０℃とした場合、再生層１が遷移温度Ｔｐ１近傍に達した段階であっても記録層４の有する磁化が小さく、記録層４と再生層１との静磁結合が弱くなる虞がある。その結果、遷移温度Ｔｐ１近傍の温度において、記録層４から再生層１への記録磁区の転写が不安定となり再生信号品質が劣化する虞が生じる。
【００６１】
また、上記記録層４のキュリー温度Ｔｃ４は、少なくとも再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１よりも高く設定されている。加えて、キュリー温度Ｔｃ４は、１８０℃以上３００℃以下の範囲内であることがより望ましい。
【００６２】
Ｔｃ４＜１８０℃とすると、場合によってはキュリー温度Ｔｃ４が低過ぎる虞がある。すなわち、光磁気記録媒体１１の再生時、より具体的には再生層１を遷移温度Ｔｐ１以上に加熱して記録磁区６を再生層１へと転写する際に、わずかな温度上昇によっても記録層４がキュリー温度Ｔｃ４以上に昇温される虞がある。その結果、記録された情報が消去されるという問題が生じる場合がある。すなわち、再生パワーマージンが狭くなる。さらに、記録層４のキュリー温度Ｔｃ４の低下に伴って、記録層４から発生する漏洩磁束が小さくなるため、再生層１と記録層４との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号品質が劣化する。
【００６３】
また、Ｔｃ４＞３００℃とした場合、記録を行なうためには記録層４を３００℃を超える温度まで加熱する必要がある。この結果、記録感度の劣化が顕著となる。加えて、記録時には、再生層１、面内磁化層２、及び記録層４が３００℃以上に加熱されるため、各磁性層の磁気特性の劣化とともに、記録消去にともなう再生信号品質の劣化が生じる虞がある。
【００６４】
上記記録層４の膜厚は、３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲内に設定されることがより望ましい。記録層４の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層４から発生する漏洩磁束が小さくなる。その結果、再生層１と記録層４との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号品質が劣化する虞がある。また、記録層４の膜厚が１２０ｎｍより厚い場合、膜厚増加による記録感度の劣化が顕著となる虞がある。
【００６５】
上記のような磁気特性を満足する記録層４としては、Ｔｂ・Ｆｅ，Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｄｙ・Ｆｅ，Ｄｙ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｔｂ・Ｄｙ・Ｆｅ，Ｔｂ・Ｄｙ・Ｆｅ・Ｃｏ等の材料からなる垂直磁化膜を採用することが可能である。また、材料の耐湿性や耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の金属元素、または、Ｓｉを添加してもよい。
【００６６】
保護層１０は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2 Ｏ3 等の材料よりなる透明誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｉ等の非磁性金属を少なくとも一種類含んでなる非磁性金属合金材料からなり、再生層１、面内磁化層２、並びに記録層４に用いられる合金材料（通常、希土類・遷移金属合金材料）の酸化を防止する目的で形成される。そして、保護層１０の膜厚は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内に設定されることがより好ましい。
【００６７】
さらに、図示しないが上記保護層１０上に、Ａｌ，Ａｌ・Ｔａ，Ａｌ・Ｔｉ，Ａｌ・Ｃｒ，Ａｌ・Ｎｉ，Ａｌ・Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ等からなる熱拡散金属層を付加することもでき、これにより光磁気記録媒体１１の熱的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１０上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもできる。
【００６８】
また、低磁界記録を目的として、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、かつ、記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度を有する垂直磁化膜、例えば、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｇｄ・Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ，Ｇｄ・Ｄｙ・Ｆｅ・Ｃｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助層（図示せず）を、記録層４に隣接するように積層形成してもよい。
【００６９】
つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成方法および記録再生方法の具体例について説明を行う。
【００７０】
（１）光磁気ディスクの形成方法
図２に示す上記光磁気ディスクの形成方法は以下のとおりである。なお、ここでは面内磁化層２としてＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いた光磁気ディスクの形成方法について示す。
【００７１】
第一工程として、ＡｌＳｉターゲットと、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、ランド部分及び案内溝部分の両方に記録を行うための案内溝を有し、かつ、ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．３３×１０-4Ｐａ）まで真空ポンプで排気した後、該スパッタ装置内にアルゴンと窒素との混合ガスを導入し、続いて、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下でＡｌＳｉターゲットに電力を供給して、上記基板８上にＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層９を膜厚８０ｎｍで形成する。
【００７２】
第二工程として、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．３３×１０-4Ｐａ）まで真空ポンプで排気した後、該スパッタ装置内にアルゴンガスを導入し、続いて、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下でＧｄ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給して、上記透明誘電体保護層９上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69の組成からなる再生層１を膜厚２５ｎｍで形成する。なお、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69とはすなわち、ＦｅとＣｏとが重量比０．７８：０．２２で含まれてなるＦｅＣｏと、Ｇｄとが、重量比０．６９：０．３１で含まれてなるＧｄ・Ｆｅ・Ｃｏ合金材料を指す。また、形成された再生層１は、室温において面内磁化状態であって１６０℃（遷移温度Ｔｐ１に相当）で垂直磁化状態に移行し、そのキュリー温度Ｔｃ１が３００℃であった。
【００７３】
引き続いて第三工程として、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記再生層１上にＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87の組成からなる面内磁化層２を膜厚２０ｎｍで形成する。なお、形成された面内磁化層２は、そのキュリー温度Ｔｃ２が１６０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ２まで、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
【００７４】
引き続いて第四工程として、ＡｌＳｉターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記面内磁化層２上に、ＡｌＳｉからなる非磁性中間層３を膜厚２ｎｍで形成する。
【００７５】
引き続いて第五工程として、Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75の組成からなる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。なお、形成された記録層４は、その補償温度が２５℃、キュリー温度Ｔｃ４が２７０℃であり、室温からそのキュリー温度Ｔｃ４までの温度範囲内において、常に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。
【００７６】
第六工程として、アルゴンと窒素との混合ガスをスパッタ装置内に導入し、ＡｌＳｉターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記記録層４上にＡｌＳｉＮからなる保護層１０を膜厚２０ｎｍで形成する。
【００７７】
ここで、図３を用いて、本実施の形態で面内磁化層２として用いたＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ材料、および、従来技術（図１３参照）で面内磁化層２０２として用いられているＧｄ・Ｆｅ材料の磁化方向の組成依存性について説明する。
【００７８】
図３は、ＧｄX Ｆｅ(1-X) およびＨｏx （Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）(1-X) が室温において有する膜面に垂直方向な残留磁化の値（Ｍｒ）を、飽和磁化の値（Ｍｓ）で規格化した規格化残留磁化（Ｍｒ／Ｍｓ）の値と、それぞれの材料中に占める希土類金属元素の割合（Ｘ）との関係を示したグラフである。なお、ＨｏはＧｄに比べてキュリー温度が低いため、Ｘ＝０．１３のときに、Ｇｄ・Ｆｅのキュリー温度とＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏのキュリー温度が等しくなるべく、ＦｅおよびＣｏの含有量を調節した。具体的には、Ｈｏ・Ｆｅ材料においてＦｅの一部をＣｏで置換し、３ｄ遷移金属成分（すなわち、ＦｅおよびＣｏ）中に占めるＣｏの割合を１２％とした。Ｘ＝０．１３のとき、ＧｄX Ｆｅ(1-X) およびＨｏx （Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）(1-X) のいずれも、キュリー温度が１６０℃であった。
【００７９】
まず、ＧｄX Ｆｅ(1-X) については、Ｘが０．１５以下の組成では規格化残留磁化の値が極めて小さく、膜面方向に磁化容易軸を有する面内磁化膜であることがわかる。しかしながら、Ｘが０．１６以上の組成となると、Ｘの増加に伴い、急激に規格化残留磁化の値が増加し、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜に変化していることがわかる。これに対し、Ｈｏx （Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）(1-X) は、Ｘが０．２０以下の組成であれば規格化残留磁化の値が極めて小さく、膜面方向に磁化容易軸を持つた面内磁化膜である。そして、さらにＨｏの含有良を増やしていく（すなわち、Ｘの値を０．２０を超えて大きくしていく）と急激に規格化残留磁化の値が増加し、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜に変化することがわかる。
【００８０】
これらのことは、Ｇｄ・Ｆｅと比較して、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏの方がより安定な面内磁化状態を実現できる材料であり、漏洩磁束のマスク層として機能する面内磁化層２に特に好適な材料であることを示している。さらに、図３に示したような、面内磁化を示すＴＭ rich 組成のＧｄ・Ｆｅでは、Ｇｄ含有量の増加に伴ってキュリー温度が上昇するのに対し、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏでは、キュリー温度が比較的低いＨｏ含有量の減少に伴ってキュリー温度が上昇する。
【００８１】
したがって、ピックアップからの漏洩磁界等の外乱の影響を防止すべく再生層１の遷移温度Ｔｐ１が比較的高く設定された光磁気記録媒体において、面内磁化層２のキュリー温度Ｔｃ２を上記遷移温度Ｔｐ１近傍に設定するためには、従来のように面内磁化層としてＧｄ・Ｆｅを用いる場合、Ｇｄ含有量を増やしてそのキュリー温度を上昇させる必要がある。しかしながら、Ｇｄ含有量を増やせば（すなわち、図３においてＸを増加させれば）、面内磁化状態の安定性が著しく低下して面内磁化マスクが弱くなり、クロストークが増大するなど再生信号品質の劣化を招来する。一方、本実施の形態のように面内磁化層２にＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いた場合には、Ｈｏを減らせば（すなわち、図３においてＸを減少させれば）キュリー温度Ｔｃ２を上昇させることができ、加えて、面内磁化状態をより安定化することができる。
【００８２】
このように、面内磁化層２としてＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いれば、そのキュリー温度Ｔｃ２の上昇、並びに、その面内磁化状態の安定化を容易に実現することができるので、記録層４からの漏洩磁界の影響が低減されてなる光磁気記録媒体１１を作製することが可能となる。これにより、再生層１の遷移温度Ｔｐ１未満の温度での面内磁化マスク効果が高まり、再生分解能が向上するとともに、クロストークの低減が図られる。
【００８３】
（２）クロストーク特性
上記説明の光磁気ディスク（サンプル＃１とする）のクロストーク特性は以下のとおりである。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップを使用して、線速２．５ｍ／ｓの条件で上記光磁気ディスクにおけるクロストークを評価した結果について説明する。
【００８４】
まず、図４（ａ）及び図４（ｂ）等を参照してクロストークの測定方法を説明する。測定に当たっては、ランド部分及び案内溝部分の両方に記録を行うための案内溝を有する光磁気ディスクの、測定トラック１１（図４（ａ）では記録層４のランド部分を指すが、案内溝部分であってもよい）、および、該測定トラック１１両側の隣接トラック１２・１２’（図４（ａ）では案内溝部分を指すが、ランド部分であってもよい）に対し、記録用レーザーを４．０ｍＷで連続照射しながら−４０ｋＡ／ｍの消去磁界を印加し、記録層４の磁化を一方向に揃える。
【００８５】
そして、測定トラック１１に対し、記録再生用レーザーを５．８ｍＷで連続照射しながら記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを０．３μｍのマーク長で記録する（図４（ａ））。ここで、マーク長０．３μｍとは、それぞれの記録磁区６ａを０．３μｍの長さ（直径）で形成することをいう。また、記録磁区６ａ・６ａ間の間隔（ピッチ）は、マーク長の２倍（すなわち０．６μｍ）に設定されている。そして、測定トラック１１上に記録再生用レーザを２．０ｍＷで連続照射し、キャリアレベル（Ｃ１１と称する）を測定する。
【００８６】
次に、測定トラック１１に対し、記録用レーザーを４．０ｍＷで照射しながら−４０ｋＡ／ｍの消去磁界を印加し、記録層４の磁化を再び一方向に揃えた。そして、隣接トラック１２・１２’に対し、記録再生用レーザーを５．８ｍＷで連続照射しながら記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを０．３μｍのマーク長で記録する（図４（ｂ））。ここで、記録磁区６ｂ・６ｂ間の間隔は、０．６μｍに設定されている。そして、測定トラック１１上に記録再生用レーザを２．０ｍＷで連続照射し、キャリアレベル（Ｃ１２と称する）を測定する。上記方法により測定したＣ１２とＣ１１の差（Ｃ１２−Ｃ１１の値）をクロストークとした。
【００８７】
図５は、上記手法により測定したサンプル＃１のクロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。ここで、トラックピッチとは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す測定トラック１１の幅方向の中心位置と、隣接トラック１２・１２’の幅方向の中心位置との距離を指す。なお、ランド部分の幅と案内溝部分の幅とは等しく、それぞれ前記トラックピッチと同一とした。
【００８８】
図５には、比較のため、面内磁化層の材料としてＧｄ・Ｆｅを用いた従来型の光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ１とする）のクロストークの変動値もあわせて示した。該比較サンプル＃ｒ１は、図１４に示すように、ポリカーボネート製の基板２０８；膜厚８０ｎｍのＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層２０９；Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69の組成からなる再生層２０１；膜厚２０ｎｍのＧｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層２０２；膜厚２ｎｍのＡｌＳｉからなる非磁性中間層２０３；膜厚６０ｎｍのＴｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75からなる記録層２０４；膜厚２０ｎｍのＡｌＳｉＮからなる保護層２１０；をこの順に積層して構成された光磁気ディスクである。なお、比較サンプル＃ｒ１においても、再生層２０１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ201 と面内磁化層２０２のキュリー温度Ｔｃ202 とは、ともに１６０℃であった。
【００８９】
また、上記比較サンプル＃ｒ１の記録層２０４には、上記サンプル＃１と同一のランド部分および案内溝部分が設けられた。この比較サンプル＃ｒ１のクロストーク測定は、記録レーザパワーを５．８ｍＷ、再生レーザパワーを２．０ｍＷとしてサンプル＃１と同様の測定方式で行った。なお、図５には、ランド部分を測定トラック（図４（ａ）における測定トラック１１相当）とし、案内溝部分を隣接トラック（図４（ａ）における隣接トラック１２・１２’相当）としたときのクロストーク測定結果についてのみ示している。
【００９０】
サンプル＃１と比較サンプル＃ｒ１とを比較すると、何れのトラックピッチにおいても、サンプル＃１のクロストークが低くなっており、特に０．６μｍ以下のトラックピッチにおいてその差が顕著となることがわかる。これは、サンプル＃１において、面内磁化層２としてＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いたことにより、その面内磁化状態が安定化するとともに面内磁化マスクが強化され、再生層１の面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が、比較サンプル＃ｒ１より急激（急峻）に起こることにより再生分解能が向上したことによるものである。
【００９１】
このように、本実施の形態に係るサンプル＃１は、いずれのトラックピッチにおいても従来型の比較サンプル＃ｒ１より良好な再生信号品質と記録再生感度とを備えた光磁気ディスクであることがわかる。さらに、図５にも示すように、比較サンプル＃ｒ１と比べて、狭トラックピッチ条件下でのクロストークの増加が少なく、高密度記録に適した光磁気ディスクであることがわかる。
【００９２】
また、面内磁化層２の材料としてＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87に代え、Ｅｒ0.13（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.87、または、Ｔｍ0.13（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.87を用いた以外は上記サンプル＃１と同様の構成を有する２種類のサンプル（本発明にかかる光磁気記録媒体を含んでなる光磁気ディスク）についても、上記サンプル＃１と同様の測定方法を用いてクロストークを測定した。なお、Ｅｒ0.13（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.87、および、Ｔｍ0.13（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.87の何れについても、そのキュリー温度Ｔｃ２が１６０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ２の温度範囲内で膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
【００９３】
図１１は、面内磁化層２の材料としてＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87に代え、Ｅｒ0.13（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.87を用いたサンプル＃１（ａ）、Ｔｍ0.13（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.87を用いたサンプル＃１（ｂ）、および上記比較用サンプル＃ｒ１のクロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。該図からも明らかなように、上記サンプル＃１（ａ）、および、サンプル＃１（ｂ）の何れについても、比較サンプル＃ｒ１よりもクロストークが小さくなっていた。すなわち、面内磁化層２の面内磁化状態が安定化したことにより、再生信号品質が向上することが確認された。
【００９４】
以上説明したように、面内磁化層２として、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含む面内磁化膜を用いることにより、従来よりも小さなビット径および狭いトラックピッチで記録された情報の再生を行う場合においても、１）良好な再生信号が得られ、２）クロストークの発生が少ない光磁気記録媒体１１を提供することが可能となる。
【００９５】
（３）面内磁化層の層厚とクロストーク特性との関係
次に、本実施例で用いた光磁気ディスク（上記サンプル＃１）の構成において面内磁化層２の膜厚を種々変更し、上記測定方法によりクロストークを測定した結果を表１に示す。ここで、トラックピッチは０．６μｍとし、マーク長は０．３μｍ、記録磁区間の距離は０．６μｍとした。記録および再生時の記録再生用レーザ照射強度は、各ディスク毎にキャリアレベルＣ１１が最大となるように設定した。尚、表１中、上記サンプル＃１と同一のディスクは、面内磁化層２の膜厚が２０ｎｍであるディスクＮｏ．１４である。
【００９６】
【表１】
0003737329.tif 000002
【００９７】
表１において、比較用ディスクＮｏ．１０とは、面内磁化層２が形成されていない（膜厚＝０）、比較用の光磁気ディスクである。表１に示すように、比較用ディスクＮｏ．１０は面内磁化層２を有しないため、再生層１の遷移温度Ｔｐ１以下での面内磁化マスクが弱く、遷移温度Ｔｐ１に満たない低温の領域においても記録層４からの漏洩磁界の影響を受け、再生層１が垂直磁化状態に遷移しようとする。このため、再生分解能が低くクロストークが大きい。
【００９８】
これに対し、ディスクＮｏ．１１からディスクＮｏ．１６で表される６つの光磁気ディスク（本発明にかかる光磁気記録媒体を含んでなる光磁気ディスク）、すなわち、面内磁化層２の膜厚が順に２、４、１０、２０、４０、並びに６０ｎｍの光磁気ディスクにおいては、比較用ディスクＮｏ．１０に比べてクロストークが小さく抑えられており、面内磁化マスクが強化されていることがわかる。
【００９９】
また、面内磁化層２の膜厚が６０ｎｍを超えると、該面内磁化層２が厚くなりすぎることにより記録層４と再生層１との静磁結合が弱くなり、記録磁区６が再生層１に正確に転写されなくなる虞がある。この結果、場合によってはキャリアレベルＣ１１が低下する。このため、面内磁化層２の膜厚は６０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０１００】
以上のことから、面内磁化層２の膜厚を２ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内とすることにより、再生層１が垂直磁化状態に遷移（移行）する遷移温度Ｔｐ１近傍の温度において、面内磁化層２の面内磁化状態をより確実に安定化可能となることが判る。
【０１０１】
なお、本実施の形態においては、面内磁化層２と記録層４との間に非磁性中間層３が形成された構成の光磁気記録媒体について示したが、非磁性中間層３を有しない構成の光磁気記録媒体においても、面内磁化層２としてＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１つの希土類金属元素と少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含む面内磁化膜を用いることにより、再生分解能の向上およびクロストークの改善が可能である。この場合、再生層１と記録層４との間には面内磁化層２の層厚に相当する間隔（所定の間隔）が介在することとなる。
【０１０２】
（４）面内磁化層の組成とクロストーク特性との関係
次に、本実施例で用いた光磁気ディスク（上記サンプル＃１）の構成において面内磁化層２の材料であるＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏの組成を種々変更し、上記説明の方法および測定条件に従ってクロストークの測定を行った。
【０１０３】
より具体的には、以下の表２に示すように、３ｄ遷移金属成分であるＦｅとＣｏとの重量比を一定（０．８８：０．１２）とし、ＦｅＣｏとＨｏとの重量比を種々変更してなる光磁気ディスクにおいて、クロストークの測定を行った。なお、トラックピッチは０．６μｍとし、マーク長は０．３μｍ、記録磁区間の距離は０．６μｍとした。また、記録および再生時の記録再生用レーザ照射強度は、各ディスク毎にキャリアレベルＣ１１が最大となるように設定した。尚、表２中、上記サンプル＃１と同一のディスクは、ディスクＮｏ．２４である。
【０１０４】
【表２】
0003737329.tif 000003
【０１０５】
表２に示すように、比較用ディスクＮｏ．２１では、面内磁化層２としてのＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ中に占めるＨｏの割合が５重量（質量）％と低いため、そのキュリー温度が２５０℃と極めて高くなる。このため、再生層１が遷移温度Ｔｐ１に達する１６０℃の温度においても面内磁化層２の面内磁気異方性が極めて大きく、記録層４の漏洩磁束をマスクした状態を維持する。すなわち、比較用ディスクＮｏ．２１に含まれる光磁気記録媒体は、面内磁化層２の磁化が、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度で減少しないという点で、本発明にかかる光磁気記録媒体とは異なる。その結果、再生層１の垂直磁化状態への遷移を妨げてしまう。これによって、十分な再生信号強度が得られず、キャリアレベルＣ１１が低下するのでクロストークの値が大きくなる。
【０１０６】
なお、比較用ディスクＮｏ．２１は、上記説明のように、面内磁化層２による上記漏洩磁束のマスク効果には優れている。したがって、例えば、再生層１として、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69の組成からなるものに代え、その遷移温度Ｔｐ１が２５０℃近傍となるものを使用することで、好適な特性を有する光磁気ディスクとして使用することも可能である。
【０１０７】
一方、ディスクＮｏ．２２からディスクＮｏ．２６で表された光磁気ディスク、すなわち、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏ中に占めるＨｏの割合が、順に７、１０、１３、１７、２０重量（質量）％の光磁気ディスクにおいては、上記比較用ディスクＮｏ．２１と比較してクロストークが小さく抑えられていることがわかる。これは、面内磁化層２のキュリー温度Ｔｃ２（９５℃〜２００℃）が再生層１の遷移温度Ｔｐ１（１６０℃）の近傍にあるため、磁区選択的な面内磁化マスク効果が強化され、再生分解能が向上したことによる。
【０１０８】
また、比較用ディスクＮｏ．２７で表された光磁気ディスクにおいては、ディスクＮｏ．２２からディスクＮｏ．２６と比較してクロストークが増大している。これは、Ｈｏの割合が２３重量％と高いために、１）面内磁化層２のキュリー温度Ｔｃ２（７０℃）が低くなり、上記遷移温度Ｔｐ１（１６０℃）近傍で十分な面内マスク効果が得られないこと、および、２）面内磁化層２が補償組成に近いためトータル磁化が小さく、面内磁化状態を安定に保てないこと、による。
【０１０９】
なお、比較用ディスクＮｏ．２７において、例えば、再生層１としてその遷移温度Ｔｐ１が７０℃近傍となる組成のものを使用し、かつ、面内磁化層２においてＦｅＣｏよりＴＭモーメントの大きな遷移金属材料を使用すること等で、好適な特性を有する光磁気ディスクとして使用することも可能である。
【０１１０】
また、表３は、上記表２に示した測定結果で最も小さなクロストークを示したディスクＮｏ．２４（サンプル＃１）の構成において、面内磁化層２におけるＨｏとＦｅＣｏ（３ｄ遷移金属成分）との重量比を１３．０：８７．０で固定したまま、ＦｅとＣｏとの比率を種々変化させて作成した光磁気ディスク（Ｎｏ．３１〜Ｎｏ．３７）の測定結果を示す表である。尚、表３中、上記サンプル＃１と同一のディスクは、ディスクＮｏ．３４である。
【０１１１】
【表３】
0003737329.tif 000004
【０１１２】
表３に示すように、ディスクＮｏ．３１からディスクＮｏ．３６で表された６種の光磁気ディスク、すなわち、３ｄ遷移金属成分であるＦｅとＣｏとの総重量に占めるＣｏの割合が、順に、０、５、８、１２、１６、並びに１９重量％である光磁気ディスクでは、クロストークが−２５ｄＢ以下に抑えられていることがわかる。これは、１）Ｈｏを添加したことにより、面内磁化層２の面内磁化状態が安定化し、再生分解能が向上したこと、並びに、２）キュリー温度を上昇させる調節材料としても機能するＣｏの含有量が好適な範囲内にあること、によるものである。
【０１１３】
これに対し、３ｄ遷移金属成分の総重量に占めるＣｏの割合が２３重量％である比較用ディスクＮｏ．３７においてはクロストークが増大している。これは、遷移金属成分に占めるＣｏの重量割合が高すぎることにより、面内磁化層２のキュリー温度Ｔｃ２が高くなり（２２０℃）、再生層１の面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が妨げられたことによる。これにより、キャリアレベルＣ１１が低下しクロストークの値が大きくなっている。なお、比較用ディスクＮｏ．３７の構成において、例えば、再生層１としてその遷移温度Ｔｐ１が２２０℃近傍となる組成のものを使用すること等で、好適な特性を有する光磁気ディスクとして使用することも可能である。
【０１１４】
上記表２および表３に示した結果から、面内磁化層２の材料としてＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを使用する場合、Ｈｏの占める割合が７重量（質量）％以上２０％重量以下の範囲内であり、かつ、遷移金属成分の総重量に占めるＣｏの割合が０重量％以上１９重量％以下の範囲内になるように設計することで、クロストークが小さく再生信号品質が良好な光磁気ディスクを提供可能であることがわかる。
【０１１５】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について、図面に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、これによって、本発明が限定されるものではない。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１において示した部材と同一の機能・構造を有する部材には、同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１１６】
本実施の形態では、光磁気記録媒体を適用してなる光磁気ディスクを例に挙げて説明を行う。
【０１１７】
図１２に示すのは、光磁気記録媒体１１ａを含んでなる光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。該図に示すように、本実施の形態にかかる光磁気ディスクは、基板８上に、透明誘電体保護層９、面内磁化層２、再生層１、非磁性中間層３、記録層４、並びに保護層１０がこの順に積層されて構成されている。尚、面内磁化層２、再生層１、非磁性中間層３、並びに記録層４、よりなる積層構造が光磁気記録媒体１１ａに相当する。
【０１１８】
すなわち、上記光磁気記録媒体１１ａは、上記面内磁化層２が、上記再生層１を挟んで記録層４と反対側に設けられた構成、換言すれば、該光磁気記録媒体１１ａの再生を行う光ビームの入射側を基準として、上記面内磁化層２と上記再生層１とがこの順に形成されている構成である。
【０１１９】
上記非磁性中間層３の膜厚は特に限定されるものではないが、０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内に設定されていることがより好ましい。０．５ｎｍより薄い膜厚では、該非磁性中間層３を均一に形成することが困難となり、再生層１と記録層４との不所望な交換結合を遮断できなくなる虞が生じる場合がある。また、６０ｎｍを超える膜厚では、記録層４と非磁性中間層３との間隔が大きくなり過ぎ、両者の静磁結合力が弱くなる。その結果、記録層４から再生層１への記録磁区６の安定した転写が困難となり、再生信号品質が劣化する虞が生じる場合がある。
【０１２０】
次に、この光磁気ディスクの形成方法、クロストーク測定方法について説明を行う。
【０１２１】
（１）光磁気ディスクの形成方法
本実施の形態にかかる光磁気ディスクは、例えば、上記実施の形態１に記載の光磁気ディスクの形成方法において、再生層１と面内磁化層２との形成順序を逆にすることにより形成可能である。本実施の形態では、上記実施の形態１と同様の方法で、基板８、透明誘電体保護層９、面内磁化層２、再生層１、非磁性中間層３、記録層４、並びに保護層１０からなる光磁気ディスクを形成した。
【０１２２】
（２）クロストーク特性
図１２に示す光磁気ディスクの構成において面内磁化層２の膜厚を種々変更し、上記実施の形態１の測定と同一の方法および測定条件に従ってクロストークを測定した結果を表４に示す。ここで、トラックピッチは０．６μｍとし、マーク長は０．３μｍ、記録磁区間の距離は０．６μｍとした。記録および再生時の記録再生用レーザ照射強度は、各ディスク毎にキャリアレベルＣ１１が最大となるように設定した。
【０１２３】
【表４】
0003737329.tif 000005
【０１２４】
表４において、比較用ディスクＮｏ．４０とは、面内磁化層２が形成されていない（膜厚＝０）、比較用の光磁気ディスクであり、実施の形態１に示した比較用ディスクＮｏ．１０（表１参照）と同一の光磁気ディスクである。該比較用ディスクＮｏ．４０は面内磁化層２を有しないため、再生層１の遷移温度Ｔｐ１未満の温度における面内磁化マスクが弱くなり、遷移温度Ｔｐ１に満たない低温の領域においても記録層４からの漏洩磁界の影響を受け、再生層１が垂直磁化状態に遷移しようとする。このため、表４に示すように、再生分解能が低くクロストークが大きくなる。
【０１２５】
これに対し、ディスクＮｏ．４１〜Ｎｏ．４５で表される５つの光磁気ディスク、すなわち面内磁化層２の膜厚が順に、２、４、６、８、並びに１０ｎｍの光磁気ディスクにおいては、比較用ディスクＮｏ．４０と比較してクロストークが小さく抑えられており、面内磁化マスクが強化されていることがわかる。
【０１２６】
以上のことから、上記面内磁化層２が、再生層１を挟んで記録層４と反対側に設けられた構成の場合には、該面内磁化層２の膜厚を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とすることにより、１）遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、面内磁化によるマスクが強調されて、再生層１の面内磁化状態がより確実に維持されるとともに、２）上記遷移温度Ｔｐ１以上の温度においては、再生層１をより確実に垂直磁化状態に移行させることが可能となる。
【０１２７】
なお、本実施の形態においては、再生層１と記録層４との間に非磁性中間層３が形成された構成の光磁気記録媒体１１ａについて示したが、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度で磁化が減少する面内磁化膜を上記非磁性中間層３に代えて形成する、または、上記面内磁化膜を再生層１と非磁性中間層３との間に形成することによっても、再生分解能の向上、並びにクロストークの改善が可能である。また上記いずれの場合であっても、再生層１と記録層４との間には所定の間隔が介在することとなる。
【０１２８】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について、図面に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、これによって、本発明が限定されるものではない。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１において示した部材と同一の機能・構造を有する部材には、同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１２９】
図６に示すように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１’と、上記の実施の形態１に係る光磁気記録媒体１１（図１参照）との相違は、第１の面内磁化層２’と非磁性中間層３との間に、第１の面内磁化層２’よりも高いキュリー温度を有する第２の面内磁化層１３を形成し、第１の面内磁化層２’と第２の面内磁化層１３との積層構造により面内磁化部２２を構成している点にある。なお、上記「第１の面内磁化層２’」とは第２の面内磁化層１３と区別するための名称であり、上記実施の形態１における面内磁化層２と実質同一の構成を有するものである。
【０１３０】
まず、図６を用いて、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１’の再生原理について説明する。図６は、上記光磁気記録媒体１１’の再生時の磁化状態を説明する断面模式図である。該図に示すように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１’は、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１３、非磁性中間層３、並びに記録層４が、順次積層されて構成されている。なお、図６中の各矢印は、黒い矢印が３ｄ遷移金属元素の磁気モーメント（ＴＭモーメント）の向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表している。また、以下、単に遷移金属（元素）といえば、「３ｄ遷移金属（元素）」、すなわち、ｄ（電子）殻が満たされていく主遷移元素の内、３ｄ電子殻が満たされる21Ｓｃ〜29Ｃｕのみを指し希土類金属（場合によっては、単に希土類と称する）と区別するものとする。
【０１３１】
再生層１に隣接する上記第１の面内磁化層２’は、室温において希土類金属元素の磁気モーメント（ＲＥモーメント）の大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含むＴＭ rich 組成の面内磁化膜からなり、そのキュリー温度Ｔｃ２は、再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１近傍に設定されている。また、上記第２の面内磁化層１３は、室温においてＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含むＴＭ rich 組成の面内磁化膜からなるとともに、そのキュリー温度Ｔｃ１３が第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２よりも高く設定されている。
【０１３２】
換言すればすなわち、面内磁化部２２をなす複数の面内磁化層のキュリー温度が、再生層に近づくに従って順に低くなるとともに、上記再生層に隣接する面内磁化層のキュリー温度Ｔｃ２が上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度となるように設計されている。
【０１３３】
また、上記第１の面内磁化層２’または上記第２の面内磁化層１３の少なくとも一方は、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んで構成されている。すなわち、本実施の形態では、上記第１の面内磁化層２’と面内磁化層２（図１参照）とは同一の構成である故、該第１の面内磁化層２’にはＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１つの元素および３ｄ遷移金属元素が必然的に含まれることとなるが、場合によっては、これらの元素が上記第２の面内磁化層１３にのみ含まれていてもよい。
【０１３４】
図６に示すように、上記の光磁気記録媒体は、記録層４に形成された記録磁区６が、光ビーム５により加熱されて垂直磁化状態となった再生層１の領域へと転写され、磁区７が形成され再生される。この再生の原理は、基本的に上記の実施の形態１と同じである。
【０１３５】
ただし、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’と非磁性中間層３との間に、第１の面内磁化層２’よりもキュリー温度が高くトータル磁化の大きい第２の面内磁化層１３が形成されている。そのため、再生層１が垂直磁化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ１未満の温度において第１の面内磁化層２’と第２の面内磁化層１３とが交換結合し、面内磁化部２２の面内磁化状態の安定性が高まる。この結果、面内磁化部２２の膜厚が比較的薄い場合でも、遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層１の面内磁化状態を安定化させることができ、かつ、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において記録層４と再生層１とを強く静磁結合させることができるので、再生マージンを拡大可能となる。
【０１３６】
つづいて、上記の光磁気記録媒体１１’を適用した光磁気ディスクについて説明する。上記光磁気ディスクは、図７に示すように、基板８上に、透明誘電体保護層９、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１３、非磁性中間層３、記録層４、並びに保護層１０がこの順に積層されて構成されている。なお、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１３、非磁性中間層３、並びに記録層４、よりなる積層構造が光磁気記録媒体１１’に相当する。また、上記の基板８、透明誘電体保護層９、再生層１、非磁性中間層３、記録層４、保護層１０は、上記の実施の形態１と同一の材料および方法により形成することができ、その詳細な説明を省略する。
【０１３７】
上記第２の面内磁化層１３は、第１の面内磁化層２’の面内磁気異方性をそのキュリー温度Ｔｃ２未満の温度において高めるために形成されるものである。該第２の面内磁化層１３は、希土類・遷移金属合金材料、希土類金属のみからなる材料（希土類金属同士の合金含む）、遷移金属のみからなる材料（遷移金属同士の合金含む）、または、遷移金属を主成分とする材料からなる磁性膜であり、そのキュリー温度Ｔｃ１３が第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２よりも高く設定された面内磁化膜である。
【０１３８】
第２の面内磁化層１３の膜厚は特に限定されるものではないが、２ｎｍ以上に設定されていることがより望ましい。第２の面内磁化層１３の膜厚が２ｎｍより薄い場合、第２の面内磁化層１３のトータル磁化が小さくなり、第１の面内磁化層２’の面内磁化マスクを強化する効果が得られない場合がある。また、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３の膜厚の合計、すなわち、面内磁化部２２の厚さは６０ｎｍ以下であることがより望ましい。第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３の膜厚の合計が６０ｎｍより厚い場合、記録層４と再生層１との間隔が大きくなり、記録層４と再生層１との間の静磁結合力が弱くなる場合がある。これにより、記録層４から再生層１への記録磁区６の安定した転写が困難となり、再生信号品質が劣化する虞がある。
【０１３９】
つぎに、第２の面内磁化層１３を有してなる、上記光磁気ディスクの形成方法および記録再生方法の具体例について説明を行う。
【０１４０】
（１）光磁気ディスクの形成方法
図７に示す上記光磁気ディスクの形成方法は以下のとおりである。なお、ここでは第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３の双方に、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金材料を用いてなる光磁気ディスクの形成方法について示す。
【０１４１】
第一工程として、ＡｌＳｉターゲットと、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、第１および第２のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、ランド部分及び案内溝部分の両方に記録を行うための案内溝を有し、かつ、ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を配置する。
【０１４２】
そして、上記実施の形態１にて説明した光磁気ディスク（図２参照）と同様の方法に従い、上記基板８上にＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層９を膜厚８０ｎｍで形成する。続けて、上記透明誘電体保護層９上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69の組成からなる再生層１を膜厚２５ｎｍで形成する。
【０１４３】
引き続いて第二工程として、第１のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記再生層１上にＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87の組成からなる第１の面内磁化層２’を膜厚１０ｎｍで形成する。そして、第１のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットとはＦｅおよびＣｏの含有比が異なる、第２のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記第１の面内磁化層２’上に第２の面内磁化層１３を膜厚１０ｎｍで形成する。
【０１４４】
なお、上記第２の面内磁化層１３は、Ｈｏを１３重量％含んでいる点では第１の面内磁化層２’と同様であるが、ＦｅおよびＣｏの含有比が異なっている。したがって、第１の面内磁化層２’とは異なるキュリー温度Ｔｃ１３を有する。また、第２の面内磁化層１３は、室温からそのキュリー温度Ｔｃ１３までの範囲内の温度条件下で、ＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含むＴＭ rich 組成の面内磁化膜であった。
【０１４５】
引き続いて第三工程として、ＡｌＳｉターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記第２の面内磁化層１３上に、ＡｌＳｉからなる非磁性中間層３を膜厚２ｎｍで形成する。
【０１４６】
引き続いて第四工程として、上記実施の形態１にかかる光磁気ディスク（図２参照）と同様の方法に従い、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75の組成からなる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。そして、上記記録層４上にＡｌＳｉＮからなる保護層１０を膜厚２０ｎｍで形成することで、図７に示す光磁気ディスクが製造される。
【０１４７】
（２）クロストーク特性
図７に示す上記光磁気ディスクの記録再生特性は以下のとおりである。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップを使用して、線速２．５ｍ／ｓの条件で上記光磁気ディスクにおけるクロストークを評価した結果について説明する。
【０１４８】
クロストークの測定には、上記実施の形態１に示したものと同様の測定方法および測定条件を用い、トラックピッチを０．６μｍ、マーク長を０．３μｍとした際のクロストークを測定した。ここで、トラックピッチとは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す測定トラック１１の幅方向の中心位置と、隣接トラック１２・１２’の幅方向の中心位置との距離を指す。なお、ランド部幅と案内溝部幅とは等しく、それぞれ前記トラックピッチと同一とした。また、マーク長０．３μｍとは、それぞれの記録磁区６ａを０．３μｍの長さ（直径）で形成することをいい、記録磁区６ａ・６ａ間の間隔（ピッチ）は、マーク長の２倍（すなわち０．６μｍ）に設定されている。
【０１４９】
【表５】
0003737329.tif 000006
【０１５０】
【表６】
0003737329.tif 000007
【０１５１】
表５に示すのは、第２の面内磁化層１３に含まれるＨｏ量を１３．０重量％に、ＦｅＣｏ（３ｄ遷移金属成分）量を８７．０重量％にそれぞれ固定した上で、ＦｅＣｏに占めるＦｅ（またはＣｏ）量を変化させて、異なるキュリー温度を示すように設計された７種類の光磁気ディスク（ディスクＮｏ．５１〜５７）における、トラックピッチ０．６μｍでの上記クロストークの測定結果である。
【０１５２】
なお、上記表６には比較のため、図７に示した光磁気ディスクの構成において、第１の面内磁化層２’として用いたＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87に代えて、従来技術にて示したＧｄとＦｅとからなり、Ｈｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87と等しいキュリー温度（１６０℃）を有するＧｄ0.13Ｆｅ0.87を用い、さらに第２の面内磁化層１３に代えて、上記表６に示す組成からなる第２の面内磁化層を用いてなる７種類の比較用光磁気ディスク（比較用ディスクＮｏ．６１〜６７）における、トラックピッチ０．６μｍでの上記トラックピッチの測定結果についても併せて示す。ここで、比較用ディスクＮｏ．６１〜６７の第２の面内磁化層のキュリー温度は、それぞれ順に、表５に示すディスクＮｏ．５１〜５７の第２の面内磁化層１３のキュリー温度と等しくなるように設計されている。
【０１５３】
表５に示すように、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３より構成される、厚さ２０ｎｍの面内磁化部２２を備えてなる光磁気ディスク（ディスクＮｏ．５１〜ディスクＮｏ．５７）はそれぞれ、該第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３と等しいキュリー温度を示す第１・第２の面内磁化層を有してなる、対応する比較用ディスクＮｏ．６１〜６７（従来の光磁気ディスク）と比べてクロストークの値が低く、優れた特性を有することが判る。
【０１５４】
特にディスクＮｏ．５２からディスクＮｏ．５６で示した５つの光磁気ディスク、すなわち、第２の面内磁化層１３のキュリー温度が、順に、１６０℃、１７５℃、１９０℃、２２０℃、２４０℃、である光磁気ディスクにおいては、クロストークがいずれも−３２．０ｄＢ以下に抑えられていることがわかる。
【０１５５】
上記実施の形態１でも説明したように、膜厚２０ｎｍの面内磁化層２単独で面内磁化部を形成してなるディスクＮｏ．１４（サンプル＃１）において、クロストークの値は−３２．０ｄＢ（表１参照）であった。したがって、ディスクＮｏ．５２からディスクＮｏ．５６においては、層厚１０ｎｍの第２の面内磁化層１３を設けることで層厚１０ｎｍの第１の面内磁化層２’の面内磁化マスク効果が強化され、上記ディスクＮｏ．１４と同等かそれ以上の再生分解能を示すことがうかがえる。
【０１５６】
尚、ディスクＮｏ．５１では、上記ディスクＮｏ．１４のクロストークの値（−３２．０ｄＢ）と比較すれば、その値が大きくなっている。これは、第２の面内磁化層１３に用いたＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏのキュリー温度Ｔｃ１３（１２５℃）が第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２（１６０℃）より低く、上記キュリー温度Ｔｃ２近傍において第１の面内磁化層２’の面内磁気異方性を高める効果が得られないためである。この結果、再生層１の遷移温度Ｔｐ１近傍の温度（すなわち、キュリー温度Ｔｃ２近傍の温度でもある）で面内磁化マスクが弱まり、クロストークの値が大きくなる。
【０１５７】
また、ディスクＮｏ．５７では、上記ディスクＮｏ．１４のクロストークの値（−３２．０ｄＢ）と比較すれば、その値が大きくなっている。これは、第２の面内磁化層１３のキュリー温度が２８０℃と高いため、そのトータル磁化が大きくなりすぎるためである。この結果、記録層４と再生層１との静磁結合が妨げられて再生信号品質が劣化すると考えられる。
【０１５８】
以上のことから、第２の面内磁化層１３のキュリー温度Ｔｃ１３と第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２とは、
Ｔｃ２≦Ｔｃ１３≦Ｔｃ２十８０℃
の関係を満たすように設定されていることがより望ましいことがわかる。第２の面内磁化層１３のキュリー温度Ｔｃ１３を上記範囲に設定することにより、クロストークが小さく再生信号品質が良好な光磁気ディスクを得ることができる。
【０１５９】
このような複数の面内磁化層のキュリー温度同士の関係は、面内磁化部が組成の異なる２種類の面内磁化層からなる場合のみにあてはまるものではない。すなわち、面内磁化部が組成の異なる少なくとも２種類以上の面内磁化層から構成される場合において、異なる面内磁化層間のキュリー温度の差が８０℃以下となるように設定すれば上記説明の効果が得られる。
【０１６０】
なお、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１３の両方にＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いた例を示したが、第１の面内磁化層２’または第２の面内磁化層１３の少なくとも一方にＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１つの希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含む面内磁化層を用い、加えて、第２の面内磁化層１３のキュリー温度Ｔｃ１３を上記の温度範囲に設定することにより強い面内磁化マスク効果を実現することが可能となる。
【０１６１】
また、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’上に、該第１の面内磁化層２’よりも高いキュリー温度Ｔｃ１３を有する第２の面内磁化層１３を１層のみ積層して面内磁化部２２を構成する例を示したが、特にこの構造に限定されるものではない。例えば、第１の面内磁化層２’上に第２の面内磁化層１３を複数層積層して面内磁化部を構成し、該面内磁化部において再生層１から離れた層（すなわち第２の面内磁化層１３）のキュリー温度をより高く設計することによっても、強い面内磁化マスク効果が得られる。また、上記面内磁化部に代え、再生層１から離れるにしたがってキュリー温度が高くなるように組成を変化させた面内磁化層を、再生層１に隣接して積層することによっても同様の効果が得られる。
【０１６２】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について、図面に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、これによって、本発明が限定されるものではない。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１または３において示した部材と同一の機能・構造を有する部材には、同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１６３】
図８に示すように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１”と、上記の実施の形態３に係る光磁気記録媒体１１’（図６参照）との相違は、第２の面内磁化層１３に代えて、第１の面内磁化層２’と非磁性中間層３との間に、希土類金属元素の磁気モーメントの大きさと３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較してＲＥモーメントをより多く含むＲＥ rich 組成の面内磁化膜からなる第２の面内磁化層１４を形成し、第１の面内磁化層２’と第２の面内磁化層１４との積層構造により面内磁化部２３を構成している点にある。なお、説明の便宜上、希土類金属元素の磁気モーメントをＲＥモーメントと、３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントをＴＭモーメントと称する場合がある。
【０１６４】
まず、図８を用いて、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１”の再生原理について説明する。図８は、上記光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を説明する断面模式図である。該図に示すように、本実施の形態に係る光磁気記録媒体１１”は、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１４、非磁性中間層３、並びに記録層４が、順次積層されて構成されている。なお、図８中の各矢印は、黒い矢印が３ｄ遷移金属元素の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表している。また、以下、単に遷移金属（元素）といえば、「３ｄ遷移金属（元素）」、すなわち、ｄ（電子）殻が満たされていく主遷移元素の内、３ｄ電子殻が満たされる21Ｓｃ〜29Ｃｕのみを指し希土類金属（場合によっては、単に希土類と称する）と区別するものとする。
【０１６５】
上記第１の面内磁化層２’は、ＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＴＭモーメントをより多く含んでなるＴＭ rich 組成の面内磁化膜からなり、そのキュリー温度Ｔｃ２は、上記再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１近傍に設定されている。また、上記第２の面内磁化層１４は、ＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＲＥモーメントをより多く含んでなるＲＥ rich 組成の面内磁化膜である。
【０１６６】
また、上記第１の面内磁化層２’または上記第２の面内磁化層１４の少なくとも一方は、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなる材料より構成されている。
【０１６７】
図８に示すように、上記の光磁気記録媒体１１”は、記録層４に形成された記録磁区６が、光ビーム５により加熱されて垂直磁化状態となった再生層１の領域へと転写され、磁区７が形成され再生される。この再生の原理は、基本的に上記の実施の形態１ないし３と同じである。
【０１６８】
ただし、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’と非磁性中間層３との間に、ＲＥ rich 組成の面内磁化膜からなる第２の面内磁化層１４が形成されている。そのため、再生層１が垂直磁化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、ＲＥ rich 組成の再生層１、ＴＭ rich 組成の第１の面内磁化層２’、並びにＲＥ rich 組成の第２の面内磁化層１４は、記録層４から発生する漏洩磁界の影響を受け、それぞれのトータル磁化が同方向となるように磁化方向を揃える。
【０１６９】
この結果、上記再生層１および第１の面内磁化層２’の希土類副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが反平行に揃うとともに、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の希土類副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが反平行に揃うことになる。これにより、各層界面での磁壁エネルギーが大きくなり、面内磁化状態の安定性が高まる。よって、第１の面内磁化層２’の膜厚および第２の面内磁化層１４の膜厚の合計、すなわち、面内磁化部２３の膜厚が比較的薄い場合にも、高い面内マスク効果が得られる。
【０１７０】
すなわち、上記光磁気記録媒体１１”では、ＲＥ rich 組成の第２の面内磁化層１４を設けることにより、上記面内磁化部２３の膜厚がより薄い場合でも、遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層１の面内磁化状態を安定化させることができ、かつ、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において記録層４と再生層１とを強く静磁結合させることができるので、再生マージンを拡大可能となる。
【０１７１】
つづいて、上記の光磁気記録媒体１１”を適用した光磁気ディスクについて説明する。上記光磁気ディスクは、図９に示すように、基板８上に、透明誘電体保護層９、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１４、非磁性中間層３、記録層４、並びに保護層１０がこの順に積層されて構成されている。なお、再生層１、第１の面内磁化層２’、第２の面内磁化層１４、非磁性中間層３、並びに記録層４、よりなる積層構造が光磁気記録媒体１１”に相当する。また、上記の基板８、透明誘電体保護層９、再生層１、非磁性中間層３、記録層４、保護層１０は、上記の実施の形態１と同一の材料および方法により形成することができ、その詳細な説明を省略する。
【０１７２】
上記第２の面内磁化層１４は、第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２未満の温度において、磁壁エネルギーを利用して該第１の面内磁化層２’の面内磁気異方性を高めるべく形成されるものである。該第２の面内磁化層１４は、例えば、希土類・遷移金属合金材料、希土類金属のみからなる材料（希土類金属同士の合金含む）、又は、希土類金属を主成分とする材料からなる磁性膜である。
【０１７３】
第２の面内磁化層１４の膜厚は特に限定されるものではないが、２ｎｍ以上に設定されていることがより望ましい。第２の面内磁化層１４の膜厚が２ｎｍより薄い場合、第２の面内磁化層１４のトータル磁化が小さくなり、第１の面内磁化層２’の面内磁化マスクを強化する効果が得られない場合がある。また、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の膜厚の合計、すなわち、面内磁化部２３の厚さは６０ｎｍ以下であることがより望ましい。第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の膜厚の合計が６０ｎｍより厚い場合、記録層４と再生層１との間隔が大きくなり、記録層４と再生層１との間の静磁結合力が弱くなる場合がある。これにより、記録層４から再生層１への記録磁区６の安定した転写が困難となり、再生信号品質が劣化する虞がある。
【０１７４】
つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成方法および記録再生方法の具体例を説明する。
【０１７５】
（１）光磁気ディスクの形成方法
図９に示す上記光磁気ディスクの形成方法は以下のとおりである。なお、ここでは第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の双方に、Ｈｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金材料を用いてなる光磁気ディスクの形成方法について示す。
【０１７６】
第一工程として、ＡｌＳｉターゲットと、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、第１および第２のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットと、Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、ランド部分及び案内溝部分の両方に記録を行うための案内溝を有し、かつ、ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を配置する。
【０１７７】
そして、上記実施の形態１にかかる光磁気ディスク（図２参照）と同様の方法に従い、上記基板８上にＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層９を膜厚８０ｎｍで形成する。続けて、上記透明誘電体保護層９上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69の組成からなる再生層１を膜厚２５ｎｍで形成する。
【０１７８】
引き続いて第二工程として、第１のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記再生層１上にＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87の組成からなる第１の面内磁化層２’を膜厚７ｎｍで形成する。そして、第１のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットとは各元素の含有比が異なる、第２のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記第１の面内磁化層２’上に第２の面内磁化層１４を膜厚７ｎｍで形成する。すなわち、この光磁気ディスクにおいて面内磁化部２３の厚さは１４ｎｍである。
【０１７９】
上記第２の面内磁化層１４の組成は、Ｈｏ0.36（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.64であり、そのキュリー温度Ｔｃ１４は１６０℃であった。また、第２の面内磁化層１４は、室温からそのキュリー温度Ｔｃ１４までの範囲内の温度条件下で、ＲＥモーメントの大きさとＴＭモーメントの大きさとが釣り合う補償組成と比較して、ＲＥモーメントをより多く含むＲＥ rich 組成の面内磁化膜であった。
【０１８０】
引き続いて第三工程として、ＡｌＳｉターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒ（約０．５３２Ｐａ）の条件下で、上記第２の面内磁化層１４上に、ＡｌＳｉからなる非磁性中間層３を膜厚２ｎｍで形成する。
【０１８１】
引き続いて第四工程として、上記実施の形態１にかかる光磁気ディスク（図２参照）と同様の方法に従い、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75の組成からなる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。そして、上記記録層４上にＡｌＳｉＮからなる保護層１０を膜厚２０ｎｍで形成することで、図９に示す光磁気ディスクが製造される。
【０１８２】
（２）クロストーク特性
図９に示す上記光磁気ディスク（以下、サンプル＃２と称する）の記録再生特性は以下のとおりである。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップを使用して、線速２．５ｍ／ｓの条件で上記光磁気ディスクにおけるクロストークを評価した結果について説明する。
【０１８３】
クロストークの測定には、上記実施の形態１に示したものと同様の測定方法および測定条件を用いた。なお、記録に当たっては、記録再生用レーザを５．６ｍＷで連続照射しながら記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを０．３μｍのマーク長で形成した。ここで、マーク長０．３μｍとは、それぞれの記録磁区を０．３μｍの長さ（直径）で形成することをいい、記録磁区間の間隔（ピッチ）は、マーク長の２倍（すなわち０．６μｍ）に設定される。
【０１８４】
図１０は、記録再生用レーザを１．８ｍＷで連続照射して測定したサンプル＃２のクロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。ここで、トラックピッチとは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す測定トラック１１の幅方向の中心位置と、隣接トラック１２・１２’の幅方向の中心位置との距離を指す。なお、ランド部幅と案内溝部幅とは等しく、それぞれ前記トラックピッチと同一とした。また、比較のため、上記実施の形態１にて説明した光磁気ディスク（サンプル＃１）、すなわちサンプル＃２の構成において第２の面内磁化層１４を省略し、第１の面内磁化層２’（面内磁化層２と同一）の膜厚を２０ｎｍとした光磁気ディスク（図２参照）のクロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフもあわせて記載している。
【０１８５】
サンプル＃２とサンプル＃１とを比較すると、図１０に示すように、いずれのトラックピッチにおいてもほぼ同等のクロストークの値が得られた。さらに、サンプル＃１の面内磁化層２の膜厚が２０ｎｍであるのに対し、サンプル＃２の面内磁化部２３の厚さが１４ｎｍであるため、面内磁化部２３を用いれば、より薄い膜厚でも十分に高い面内磁化マスク効果が得られることがわかる。さらに、サンプル＃１とサンプル＃２について、再生時に外部磁界を印加し記録層４と再生層１との静磁結合力を調べた。その結果、サンプル＃２はサンプル＃１と比較して外部磁界の印加に対し、より安定であることが確認された。
【０１８６】
このように、本発明にかかる光磁気記録媒体１１”を含んでなる光磁気ディスク（サンプル＃２）は、第２の面内磁化層１４を設けることにより、面内磁化部２３の膜厚がより薄い場合においても高い面内磁化マスク効果が得られ、良好な再生信号品質を実現することのできる光磁気ディスクである。
【０１８７】
以上説明したように、ＲＥ rich 組成の第２の面内磁化層１４をさらに設けることにより、面内磁化部２３の薄膜化が可能となり、記録パワーおよび再生パワーを低減することができるとともに、記録層４と再生層１との静磁結合力が強まり、再生マージンが拡大する、等の効果が得られる。
【０１８８】
なお、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の双方にＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ材料を用いた例を示したが、特にこの構造に限定されるものではない。例えば、第１の面内磁化層２’または第２の面内磁化層１４の少なくとも一方として、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含む面内磁化層を用い、さらに、第１の面内磁化層２’をＴＭ rich 組成、第２の面内磁化層１４をＲＥ rich 組成とすることで強い面内磁化マスク効果が得られる。
【０１８９】
また、本実施の形態では、ＲＥ rich 組成の面内磁化層（第２の面内磁化層１４に相当）とＴＭ rich 組成の面内磁化層（第１の面内磁化層２’に相当）とを１層づつ積層して面内磁化部２３を形成する例を示したが、特にこの構造に限定されるものではない。例えば、ＴＭ rich 組成の面内磁化層と、ＲＥ rich 組成の面内磁化層とを交互に繰り返し積層することで３層以上の面内磁化層を含んでなる面内磁化部とし、より強い面内磁化マスク効果を実現できる構成としてもよい。
【０１９０】
なお、ＴＭ rich 組成の面内磁化層と、ＲＥ rich 組成の面内磁化層とを交互に繰り返し積層して面内磁化部を構成する場合、該面内磁化部をなすＴＭ rich 組成の面内磁化層同士（または、ＲＥ rich 組成の面内磁化層同士）は完全同一の組成である必要はない。
【０１９１】
さらに、本実施の形態とは異なり再生層がＴＭ rich 組成の材料からなる場合には、該再生層に隣接する第１の面内磁化層をＲＥ rich 組成の材料から、第１の面内磁化層上に積層される第２の面内磁化層をＴＭ rich 組成の材料から、それぞれ構成すればよい。
【０１９２】
（３）面内磁化層の組成とクロストーク特性との関係
次に、本実施例で用いた光磁気ディスク（上記サンプル＃２）の構成において第２の面内磁化層１４の材料であるＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏの組成を種々変更し、上記「（２）クロストーク特性」の測定と同一の方法および測定条件に従ってクロストークの測定を行った。換言すれば、第２の面内磁化層１４、すなわち、ＲＥ rich のＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ層のキュリー温度が種々変化されてなる光磁気ディスクについて、クロストークの測定を行った。
【０１９３】
より具体的には、以下の表７に示すように、希土類金属元素であるＨｏと３ｄ遷移金属成分であるＦｅＣｏとの重量比を、０．３６：０．６４で一定とし、上記ＦｅＣｏに占めるＦｅ（またはＣｏ）の含有量を種々変更してなる６つの光磁気ディスクにおいて、上記の測定が行われた。なお、トラックピッチは０．６μｍとし、マーク長は０．３μｍ、記録磁区間の距離は０．６μｍとした。ここで、トラックピッチとは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す測定トラック１１の幅方向の中心位置と、隣接トラック１２・１２’の幅方向の中心位置との距離を指す。なお、ランド部幅と案内溝部幅とは等しく、それぞれ前記トラックピッチと同一とした。
【０１９４】
また、以下に示す表８には比較のため、図９に示した光磁気ディスクの構成において、第１の面内磁化層２’として用いたＨｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87に代えて、従来技術にて示したＧｄとＦｅとからなり、Ｈｏ0.13（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.87と等しいキュリー温度（１６０℃）を有するＧｄ0.13Ｆｅ0.87を用い、さらに第２の面内磁化層１４に代えて、該表８に示す組成からなる第２の面内磁化層を用いてなる６種類の比較用光磁気ディスク（比較用ディスクＮｏ．８１〜８６）における、トラックピッチ０．６μｍでの上記トラックピッチの測定結果についても併せて示す。
【０１９５】
なお、上記比較用ディスクＮｏ．８１〜８６に含まれる第２の面内磁化層はそれぞれ、Ｇｄ量を３６．０重量％に、ＦｅＣｏ量を６４．０重量％に固定した上で、ＦｅＣｏに占めるＦｅ（またはＣｏ）量を変化させて、異なるキュリー温度を示すように設計されている。より具体的には、比較用ディスクＮｏ．８１〜８６の第２の面内磁化層のキュリー温度は、それぞれ順に、表７に示すディスクＮｏ．７１〜７６の第２の面内磁化層１４のキュリー温度と等しくなるように設計されている。
【０１９６】
【表７】
0003737329.tif 000008
【０１９７】
【表８】
0003737329.tif 000009
【０１９８】
表７に示すように、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４より構成される、厚さ１４ｎｍの面内磁化部２３を備えてなる光磁気ディスク（ディスクＮｏ．７１〜ディスクＮｏ．７６）はいずれも、該第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４と等しいキュリー温度を示す第１・第２の面内磁化層を有してなる、対応する比較用ディスクＮｏ．８１〜８６と比べてクロストークの値が低く、優れた特性を有することが判る。
【０１９９】
特にディスクＮｏ．７２からディスクＮｏ．７５で示した５つの光磁気ディスク、すなわち、第２の面内磁化層１４のキュリー温度が、順に、１６０℃、１９５℃、２２５℃、２４０℃、である光磁気ディスクにおいては、クロストークがいずれも−３２．３ｄＢ以下に抑えられていることがわかる。
【０２００】
上記実施の形態１でも説明したように、膜厚２０ｎｍの面内磁化層２単独で面内磁化部を形成してなるディスクＮｏ．１４（サンプル＃１）において、クロストークの値は−３２．０ｄＢ（表１参照）であった。したがって、ディスクＮｏ．７２からディスクＮｏ．７５においては、第２の面内磁化層１４を設けることで第１の面内磁化層２’の面内磁化マスク効果が強化され、より薄い面内磁化膜（面内磁化部２３の厚さ１４ｎｍ）で上記ディスクＮｏ．１４以上の再生分解能を示すことがうかがえる。
【０２０１】
尚、ディスクＮｏ．７１では、上記ディスクＮｏ．１４のクロストークの値（−３２．０ｄＢ）と比較すれば、その値が大きくなっている。これは、第２の面内磁化層１４に用いたＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏのキュリー温度（１３０℃）が第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２（１６０℃）より低く、上記キュリー温度Ｔｃ２近傍において第１の面内磁化層２’の面内磁気異方性を高める効果が得られないためである。この結果、再生層１の遷移温度Ｔｐ１近傍の温度（すなわち、キュリー温度Ｔｃ２近傍の温度でもある）で面内磁化マスクが弱まり、クロストークの値が大きくなる。
【０２０２】
また、ディスクＮｏ．７６では、上記ディスクＮｏ．１４のクロストークの値（−３２．０ｄＢ）と比較すれば、その値が大きくなっている。これは、第２の面内磁化層１４のキュリー温度が２７０℃と高いため、そのトータル磁化が大きくなりすぎるためである。この結果、記録層４と再生層１との静磁結合が妨げられて再生信号品質が劣化すると考えられる。
【０２０３】
以上のことから、第２の面内磁化層１４のキュリー温度Ｔｃ１４と第１の面内磁化層２’のキュリー温度Ｔｃ２とは、
Ｔｃ２≦Ｔｃ１４≦Ｔｃ２十８０℃
の関係を満たすように設定されていることがより望ましいことがわかる。第２の面内磁化層１４のキュリー温度Ｔｃ１４を上記範囲に設定することにより、クロストークが小さく再生信号品質が良好な光磁気ディスクを得ることができる。
【０２０４】
なお、本実施の形態では、第１の面内磁化層２’および第２の面内磁化層１４の両方にＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏを用いた例を示したが、第１の面内磁化層２’または第３の面内磁化層１４の少なくとも一方に、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含む面内磁化膜を用い、加えて、第２の面内磁化層１４のキュリー温度Ｔｃ１４を上記の温度範囲に設定することで強い面内磁化マスク効果が得られる。
【０２０５】
また、本実施の形態では第１の面内磁化層２’上にＲＥ rich 組成の面内磁化層（第２の面内磁化層１４）を１層のみ積層する例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、ＴＭ rich 組成の面内磁化層とＲＥ rich 組成の面内磁化層とを交互に繰り返し積層して３層以上の面内磁化層からなる面内磁化部を構成し、さらに、再生層１から離れた面内磁化層ほどキュリー温度を高くすることによっても、強い面内磁化マスク効果が得られる。
【０２０６】
本発明にかかる光磁気記録媒体はまた、室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、非磁性材料からなり上記再生層と記録層との間に配された中間層とを有してなる光磁気記録媒体において、上記再生層の少なくとも一方面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層をさらに有し、上記面内磁化層が、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなる構成であってもよい。
【０２０７】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、例えば、光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード、等における光記録媒体として、好適に使用することができる。
【０２０８】
【発明の効果】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、以上のように、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において面内磁化状態から垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直磁化膜からなる記録層と、上記再生層に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化層がＨｏ、Ｆｅ、並びにＣｏからなる希土類・３ｄ遷移金属合金材料からなる層であって、上記希土類・３ｄ遷移金属合金材料に占めるＨｏの割合が７質量％以上２０質量％以下の範囲内であり、かつ、３ｄ遷移金属に占めるＣｏの割合が０質量％以上１９質量％以下の範囲内である構成である。
【０２０９】
上記の構成によれば、上記面内磁化層が、Ｈｏ、Ｆｅ、並びにＣｏからなる希土類・３ｄ遷移金属合金材料からなり、上記希土類・３ｄ遷移金属合金材料に占めるＨｏの割合が７質量％以上２０質量％以下の範囲内であり、かつ、３ｄ遷移金属に占めるＣｏの割合が０質量％以上１９質量％以下の範囲内であるため、上記再生層の垂直磁化状態への移行を急峻に行うことが可能となる。これにより、クロストークが小さく、良好な再生信号品質で再生可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となるという効果を奏する。
【０２１０】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、室温において面内磁化状態であり、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において垂直磁化状態に移行する再生層と、上記再生層と所定の間隔をおいて配され、垂直磁化膜からなり情報が光磁気記録される記録層と、上記再生層の何れか一方の面側に隣接して設けられ、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する面内磁化層とを含んでなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化層が、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成され、上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、上記再生層を挟んで記録層と反対側に設けられた面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内である構成である。
【０２１１】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記再生層が、室温以上の温度において、ＲＭ rich 組成であるとともに、上記面内磁化層が、室温以上の温度において、ＴＭ rich 組成である構成である。
【０２１２】
上記の構成によれば、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、再生層および面内磁化層は漏洩磁界の影響を受け、それぞれのトータル磁化が同じ方向となるように磁化方向を揃える。この結果、再生層の磁化は強く面内方向に引きつけられることとなり、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において、その面内磁化状態をより安定化させることが可能となるという効果を併せて奏する。
【０２１３】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において面内磁化状態から垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直磁化膜からなる記録層と、上記再生層に隣接して設けられ、複数の面内磁化層が積層されてなる面内磁化部とを有してなる光磁気記録媒体において、上記面内磁化部は、組成の異なる少なくとも２種類の上記面内磁化層を含んでなるとともに、上記再生層に隣接する面内磁化層は、上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度でその磁化が減少する性質を有しており、さらに、上記複数の面内磁化層の少なくとも１つが、ＨｏＦｅＣｏ、ＥｒＦｅＣｏ、ＴｍＦｅＣｏの何れかによって構成される構成である。
【０２１４】
上記の構成によれば、面内磁化層をＧｄ・Ｆｅを用いて形成した場合と比較して、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層の面内磁化状態をより安定化させることが可能となるという効果を併せて奏する。
【０２１５】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層はいずれも、少なくとも１種類の希土類金属元素と、少なくとも１種類の３ｄ遷移金属元素とを含んでなり、上記面内磁化部はさらに、ＴＭ rich 組成の面内磁化層と、ＲＥ rich 組成の面内磁化層とが積層されてなる構成である。
【０２１６】
上記の構成によれば、面内磁化層間の界面での磁壁エネルギーが大きくなり、面内磁化状態の安定性がさらに高まるので、高い面内マスク効果を得ることが可能となるという効果を併せて奏する。
【０２１７】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記複数の面内磁化層のキュリー温度が、再生層に近づくに従って順に低くなり、かつ再生層に隣接する面内磁化層のキュリー温度Ｔｃ２が上記遷移温度Ｔｐ１近傍の温度である構成である。
【０２１８】
上記の構成によれば、再生層から遠位に位置する面内磁化層ほど高いトータル磁化を有し、該再生層に対しより近位に位置する面内磁化層と交換結合するので、遷移温度Ｔｐ１未満の温度において再生層の面内磁化状態をより安定化させることができ、かつ、遷移温度Ｔｐ１以上の温度において記録層と再生層とを強く静磁結合させることができるので、再生マージンを拡大可能となるという効果を併せて奏する。
【０２１９】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化部をなす複数の面内磁化層において、キュリー温度の最大値と最小値との差が８０℃以下である構成である。
【０２２０】
上記の構成によれば、クロストークが小さく、良好な再生信号品質で再生可能な光磁気記録媒体を提供することが可能となるという効果を併せて奏する。
【０２２１】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化層が、上記再生層と記録層との間に少なくとも１層設けられるとともに、この面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内である構成である。
【０２２２】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、上記の構成に加えて、上記面内磁化層が、上記再生層を挟んで記録層と反対側に少なくとも１層設けられるとともに、この面内磁化層の膜厚の合計が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内である構成である。
【０２２３】
上記いずれかの構成によれば、上記遷移温度Ｔｐ１未満の温度においては、再生層の面内磁化状態がより確実に維持されるとともに、上記遷移温度Ｔｐ１以上の温度においては、再生層をより確実に垂直磁化状態に移行させることが可能となるという効果を併せて奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の一形態にかかる光磁気記録媒体の、再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図２】  図１に示す光磁気記録媒体が適用された光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。
【図３】  Ｇｄ・Ｆｅ材料およびＨｏ・Ｆｅ・Ｃｏ材料における、磁化容易軸方向の組成依存性を示すグラフである。
【図４】  （ａ）・（ｂ）は、光磁気ディスクにおけるクロストークの測定方法を説明する概略図である。
【図５】  図２に示す光磁気ディスク、および、図１４に示す従来の光磁気ディスクにおける、クロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。
【図６】  本発明の他の実施の形態にかかる光磁気記録媒体の、再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図７】  図６に示す光磁気記録媒体が適用された光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。
【図８】  本発明のさらに他の実施の形態にかかる光磁気記録媒体の、再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図９】  図８に示す光磁気記録媒体が適用された光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。
【図１０】  図２および図９に示す光磁気ディスクにおける、クロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。
【図１１】  面内磁化層の材料としてＥｒ・Ｆｅ・Ｃｏを用いたサンプル＃１（ａ）、Ｔｍ・Ｆｅ・Ｃｏを用いたサンプル＃１（ｂ）、および比較用サンプル＃ｒ１のクロストークのトラックピッチ依存性を示すグラフである。
【図１２】  本発明のさらに他の実施の形態にかかる光磁気記録媒体が適用された光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。
【図１３】  従来の光磁気記録媒体の、再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１４】  図１３に示す光磁気記録媒体が適用された光磁気ディスクの概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１        再生層
２        面内磁化層
２’      第１の面内磁化層（面内磁化層）
４        記録層
６        記録磁区（情報）
１１      光磁気記録媒体
１１’    光磁気記録媒体
１１”    光磁気記録媒体
１３      第２の面内磁化層（面内磁化層）
１４      第２の面内磁化層（面内磁化層）
２２      面内磁化部
２３      面内磁化部
Ｔｃ２    面内磁化層のキュリー温度
Ｔｐ１    再生層の遷移温度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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