(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とプレート状の封止部材との間に発光素子部が配置され、該発光素子部の周囲部分において、該基板と封止部材が光硬化性樹脂を含むシール剤でシールされた有機電界発光素子において、
該基板と封止部材のシール面はＪＩＳ  Ｂ０６０１による１０点平均粗さＲｚが０．１〜２０μｍの規則的又は不規則な凹凸を有し、
該シール剤の厚みｔと幅ｗとの比が、1≧t/w≧0.0001であり、
該シール剤は、該シール剤によるシール部及びその近傍のみに集光した光を照射して硬化されていることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
基板とプレート状の封止部材との間に発光素子部が配置され、該発光素子部の周囲部分において、該基板と封止部材が光硬化性樹脂を含むシール剤でシールされた有機電界発光素子を製造する方法において、
該基板と封止部材との少なくとも一方に光硬化性樹脂を含むシール剤を付着させた後、該シール剤に光を照射して硬化させる工程を有する有機電界発光素子の製造方法において、
該基板と封止部材のシール面はＪＩＳ  Ｂ０６０１による１０点平均粗さＲｚが０．１〜２０μｍの規則的又は不規則な凹凸を有し、
該シール剤を、硬化後の厚みｔと幅ｗとの比が、1≧t/w≧0.0001となるように付着させ、該シール剤の付着部及びその近傍のみに集光した光を照射してシール剤を硬化させることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２の方法において、光ファイバーを用いて光を照射することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２の方法において、光レンズ及びミラーを用いて光を照射することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれか１項の方法において、該シール剤の付着及び光の照射を水分量10000ppm以下の乾燥雰囲気下で行うことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子及びその製造方法に関するものであり、詳しくは、水分や酸素の侵入による発光素子の劣化を防止して、発光素子性能を長期にわたり安定に維持することができる有機電界発光素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機電界発光素子は、自発光、薄型、高視野角などの優れた特長を備え、新しい平面型発光源、表示素子として注目されている。
【０００３】
従来、有機電界発光素子を製造するためには、ガラス基板上にＩＴＯ（イソジウム・スズ酸化物）などの透明導電膜をスパッタ等の方法で形成した後パターン加工して下部電極を形成し、この基板を真空蒸着槽に設置して加熱蒸着などの方法で有機発光層及び上部電極等を形成し、その後、発光部を外界から遮断する目的で封止部材等を基板に固着していた。この封止部材としては、一般にガラスが用いられるが、防湿機能を持った有機材料などを用いたり（特開平7-282975号公報、特開平8-222368号公報、特開平9-7763号公報）、複数の酸素/ 水分の吸着封止部材を用いたりしている（特開平7-169567号公報、特開平7-211455号公報）。また、封止部材と基板との間に吸着剤を入れたり（特開平9-35868 号公報）、不活性ガスで満たすこと（特開平7-320865号公報、特開平8-302340号公報）なども試みられている。これらの封止部材の固着方法としては、封止部材自身の接着機能を利用するか、或いはエポキシ系接着剤、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等のシール剤が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の封止方法では、水分や酸素の防止効果が十分でない；多数の封止部材を用いるためコストがかさむ；封止方法が複雑になり作業効率が悪い；などの問題点があった。また、特に、ガラスを封止部材として用いた場合には、熱硬化性樹脂で固着しようとすると硬化のための加熱により発光素子自体の特性に悪影響があり、光硬化性樹脂で固着する場合は硬化のための照射光により発光素子の特性が変化するという問題があった。また、硬化樹脂の透湿度も十分に小さくないため、長期的には透湿水分による発光素子の劣化があるといった問題点もあった。
【０００５】
本発明は上記従来の問題点を解決し、発光素子に悪影響を及ぼすことなく、水分や酸素の侵入を長期にわたり確実に防止することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機電界発光素子は、基板とプレート状の封止部材との間に発光素子部が配置され、該発光素子部の周囲部分において、該基板と封止部材が光硬化性樹脂を含むシール剤でシールされた有機電界発光素子において、該基板と封止部材のシール面はＪＩＳ  Ｂ０６０１による１０点平均粗さＲｚが０．１〜２０μｍの規則的又は不規則な凹凸を有し、該シール剤の厚みｔと幅ｗとの比が、1≧t/w≧0.0001であり、該シール剤は、該シール剤によるシール部及びその近傍のみに集光した光を照射して硬化されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板とプレート状の封止部材との間に発光素子部が配置され、該発光素子部の周囲部分において、該基板と封止部材が光硬化性樹脂を含むシール剤でシールされた有機電界発光素子を製造する方法において、該基板と封止部材との少なくとも一方に光硬化性樹脂を含むシール剤を付着させた後、該シール剤に光を照射して硬化させる工程を有する有機電界発光素子の製造方法において、該基板と封止部材のシール面はＪＩＳ  Ｂ０６０１による１０点平均粗さＲｚが０．１〜２０μｍの規則的又は不規則な凹凸を有し、該シール剤を、硬化後の厚みｔと幅ｗとの比が、1≧t/w≧0.0001となるように付着させ、該シール剤の付着部及びその近傍のみに集光した光を照射してシール剤を硬化させることを特徴とする。
【０００８】
シール剤の厚みｔと幅ｗとの比を、1 ≧t/w ≧0.0001とすることにより、水分や酸素の侵入を効果的に防止することができる。
【０００９】
また、シール剤の硬化に当り、シール剤の付着部分及びその近傍のみに集光した光を照射することにより、光の照射による発光素子部の性能劣化を防止することができる。
【００１０】
この光の集光には、光ファイバーを用いるか、光レンズとミラーを組み合わせて用いるのが有利である。
【００１１】
また、シール剤の付着及び光の照射による一連のシール作業は水分量10000ppm以下の乾燥雰囲気下で行うことが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の有機電界発光素子及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
まず、本発明の有機電界発光素子の発光素子部について説明する。尚、以下の説明で用いる一般的な材料に関する説明は特開平８−２３６２７１号公報に詳しい。
【００１４】
図１〜３は本発明に用いられる一般的な有機電界素子の発光素子部の構造例を模式的に示す断面図であり、１１は基板、１２は陽極、１３は有機発光層、１３ａは正孔輸送層、１３ｂは電子輸送層、１３ｃは正孔注入層、１４は陰極、１５は発光素子部を各々表わす。
【００１５】
基板１１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックのフィルムやシートなどが用いられる。
【００１６】
基板１１上に設けられる陽極１２は、有機発光層１３への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極１２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（3-メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極１２は一般にスパッタリング法、真空蒸着法などにより形成される。
【００１７】
陽極１２上に設けられる有機発光層１３は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子を効率よく輸送して再結合させ、かつ、再結合により効率よく発光する材料から形成される。通常、この有機発光層１３は発光効率の向上のために、図２に示すように、正孔輸送層１３ａと電子輸送層１３ｂに分割して機能分離型にすることが行われる（Appl. Phys. Lett., 51 巻，913 頁，1987年）。
【００１８】
上記の機能分離型素子において、正孔輸送層１３ａの材料に要求される条件としては、陽極１２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができることが挙げられる。
【００１９】
正孔輸送層１３ａは上記の正孔輸送材料を塗布法或いは真空蒸着法により前記陽極１２上に積層することにより形成される。正孔輸送層１３ａの膜厚は、通常、10〜300nm 、好ましくは30〜100nm である。このように薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００２０】
陽極１２と正孔輸送層１３ａのコンタクトを向上させるために、図３に示すように、陽極１２と正孔輸送層１３ａとの間に正孔注入層１３ｃを設けることが考えられる。正孔注入層１３ｃに用いられる材料には、陽極１２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即ち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要求される。
【００２１】
正孔注入層１３ｃも、正孔輸送層１３ａと同様にして薄膜形成可能であるが、正孔注入層１３ｃの形成材料が無機物の場合には、更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。正孔注入層１３ｃの膜厚は、通常、3 〜100nm 、好ましくは10〜50nmである。
【００２２】
正孔輸送層１３ａの上には電子輸送層１３ｂが設けられる。電子輸送層１３ｂは、電界を与えられた電極間において陰極１４からの電子を効率よく正孔輸送層１３ａの方向に輸送することができる化合物より形成される。
【００２３】
このように電子輸送層１３ｂに用いられる電子輸送性化合物としては、陰極１４からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、更に安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【００２４】
電子輸送層１３ｂも正孔輸送層１３ａと同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。電子輸送層１３ｂの膜厚は、通常、10〜200 nm、好ましくは30〜100 nmである。
【００２５】
陰極１４は、有機発光層１３に電子を注入する役割を果たす。陰極形成材料としては、前記陽極１２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。陰極１４の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す上で有効である。この目的のために、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【００２６】
なお、図１〜３は本発明に係る発光素子部の一例を示すものであって、本発明は何ら図示のものに制限されるものではない。例えば、図１とは逆の構造、即ち、基板１１上に陰極１４、有機発光層１３、陽極１２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間にこのような発光素子部を設けることも可能である。同様に、図２及び図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【００２７】
次に、本発明に係るシール方法について図４〜１０を参照して説明する。
【００２８】
図４は発光素子部が形成された基板にシール剤を塗布した状態を示す斜視図、図５は、この基板に封止部材を固着した状態を示す断面図である。
【００２９】
まず、図４に示す如く、陽極、有機発光層及び陰極よりなる発光素子部１５が形成された基板１１の発光素子部１５の周囲にシール剤１６を塗布し、その後、図５に示す如く、封止部材１７を重ね合わせた後、シール剤１６を硬化させて基板１１と封止部材１７とを固着する。
【００３０】
シール剤１６に要求される性能としては、酸素及び水分の透過性が小さいこと、基板１１及び封止部材１７との密着性が高いこと、塗布しやすいことなどがある。
【００３１】
本発明においては、シール剤１６として、エポキシ系、アクリル系等の光硬化性樹脂、好ましくは、エポキシ系の光硬化性樹脂を用いる。なお、本発明において、光硬化性樹脂とは、硬化に際し少なくとも光照射を必要とするものであり、光照射のみで硬化させるものに限らず、光照射により反応を開始させた後、加熱処理を行って反応を促進するものも包含する。
【００３２】
また、封止部材１７としては、ガラス板、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのアクリル系基板又はフィルム、ポリカーボネート基板又はフィルム、ポリオレフィン基板又はフィルムなどの透明或いは半透明の樹脂基板又はフィルム、好ましくはガラス板を用いることができ、その厚さは通常の場合、０．１〜２．０mm程度である。この封止部材は、酸素や水などに対するガスバリア性を付加された樹脂基板又はフィルムであっても良く、この場合、ガスバリア性の付加は、酸化珪素（ＳｉＯx ）などを蒸着成膜して実現できる。なお、封止部材は、必ずしも透明又は半透明である必要はなく、有機電界発光素子の基板及び封止部材の少なくとも一方が透明又は半透明であれば良い。
【００３３】
シール剤１６は一般に加圧されたシリンジから押し出されたものを順次塗布したり、マスクを介したスクリーン印刷法で塗布したりすることにより、基板１１の発光素子部１５の周囲部分に付着される。
【００３４】
本発明においては、硬化後のシール剤１６の厚みｔと幅ｗとの比が、1≧t/w≧0.0001、好ましくは0.1≧t/w≧0.001となるようにシール剤を塗布する。幅ｗが大きすぎると基板全体に占めるシール領域が大きくなり実用的でなく、幅ｗが小さすぎると酸素や水分の透過を防ぐ性能が十分には得られない。また、厚みｔが大きすぎると酸素や水分の透過する断面積が大きくなり防水、防酸素の性能が十分には得られず、また厚みｔは発光素子部の厚み以下に小さくすることは困難である。なお、発光素子部１５とシール剤１６の塗布部との間隔ｓはシール剤の幅ｗに対して０．５〜２０倍程度とするのが好ましい。この間隔ｓが大きすぎると基板全体に占める余剰領域が大きくなり実用的でなく、間隔ｓが小さすぎると、シール剤と発光素子部とが近くなりすぎ、シール剤の硬化処理時に発光素子部に悪影響を及ぼし易い。なお、基板及び封止部材のシール面には、規則的又は不規則な凹凸がある。
【００３５】
図６は、規則的な凹凸を持ったシール部の一例を示す断面図であり、基板１１及び封止部材１７のシール面には規則的な矩形の凹凸１１Ａ，１７Ａが設けられ、これらの凹凸１１Ａ，１７Ａがかみ合ってシール剤１６を挟んでシールしている。このような形状では、基板全体に占めるシール領域を大きくすることなく実質的なシール面積を大きくすることができシール強度の向上に効果的である。
【００３６】
また、図７は、不規則的な凹凸を持ったシール部の一例を示す基板のシール部の平面図、図８はこの基板を用いたシール部を示す断面図である。基板１１及び封止部材１７のシール面には略球面形の凸部１１Ｂ，１７Ｂがそれぞれ不規則的に設けられており、これらが互いにかみ合ってシール剤１６を挟んでシールしている。このような形状でも図６の場合と同様に良好なシール効果が得られる。
【００３７】
なお、シール面にこのような凹凸を設ける場合、そのＪＩＳ  Ｂ０６０１による１０点平均粗さＲｚが０．１〜２０μｍとする。この表面粗さが０．１μｍ未満では、凹凸を形成したことによるシール効果の向上効果は十分ではなく、１００μｍを超えると表面が粗くなりすぎ、シール性が低下する場合がある。このようにシール面に凹凸を設けた場合においても、この表面粗さを加味したシール剤の厚さｔと幅ｗとの比t/wが前記範囲となるようにする。
【００３８】
次に、シール剤として光硬化性樹脂を用い封止部材としてガラス板を用いて、本発明方法によりシールを行う方法について説明する。
【００３９】
図９は光ファイバーを用いるシール方法を示す模式的断面図であり、図１０は光レンズとミラーを用いるシール方法を示す模式的断面図である。図９，１０において、２０は光源、２１は光ファイバー、２２はレンズ系、２３は光路、２４はレンズ、２５はミラーを表す。
【００４０】
図９に示す方法では、光源２０から発せられた光は導波用の光ファイバー２１を通って集光用のレンズ系２２を通過する。レンズ系２２から出た光は、光硬化性樹脂よりなるシール剤１６の部分で、シール剤１６の幅と同程度に集光され照射される。光ファイバー２１の先端部分は基板１１に対して水平方向に移動可能になっており、シール剤１６の塗布領域のみを正確に光照射していくことができる。また、照射光量や移動スピードは任意に設定でき、シール剤の光硬化性樹脂の硬化条件に合った制御が可能である。
【００４１】
図１０に示す方法では、光源２０から発せられた光はレンズ２４で集光されミラー２５に反射してシール剤１６に達する。ここで光源２０から出た光は、レンズ２４によりシール剤１６の幅と同程度に集光される。ミラー２５は光の反射角度を自由に変えられるように設計されており、これによりシール剤の塗布領域のみを正確に光照射することができる。また、照射光量やミラーの移動スピードは任意に設定でき、光硬化性樹脂の硬化条件に合わせて制御可能である。
【００４２】
なお、シール部に照射する光は、照射位置において、そのスポットの直径がシール剤の幅ｗに対して１〜１０倍の大きさに集光されていることが好ましい。
【００４３】
また、シール剤としての光硬化性樹脂を前記t/w 比となるような塗布量で容易に塗付する観点から、このシール剤の硬化前の粘度は1 〜10000 Pa・sであることが好ましい。
【００４４】
本発明においては、シール作業中の発光素子の水分や酸素による劣化を防止するために、シール剤の塗布から硬化までの一連のシール作業を水分量10000ppm以下、特に１ppm 以下の乾燥雰囲気下で行うのが好ましく、実用的には、窒素、アルゴン等の不活性ガスで満たされたドライボックス内でシール作業を行うのが好ましい。
【００４５】
なお、図１〜１０に示す有機電界発光素子及びそのシール方法は本発明の一例であって、何ら本発明を制限するものではない。シール部の形状や硬化に用いる装置としても他の様々な態様を採用することができる。
【００４６】
【実施例】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００４７】
比較例１
まず、図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【００４８】
ガラス基板１１として厚さ1.1mm のコーニング社製1737ガラスを用い、その上に陽極１２としてＩＴＯ透明導電膜を120nm 堆積（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗20Ω）し、ＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。この際、ガラス基板の表面はシール部も含めて平坦なもの（Rz＜10nm; Rz:10 点平均粗さ(JIS B0601) ）を採用した。
【００４９】
ガラス基板１１上に堆積されたＩＴＯ透明導電膜を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて線幅が２ｍｍのストライプを形成し陽極１２とした。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、紫外線／オゾン洗浄を１０分間行った後、真空蒸着槽内に設置し、クライオポンプを用いて1.1 ×10-6Torr（約1.5 ×10-4Pa）まで真空引きした。
【００５０】
次に、真空蒸着槽内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン（Ｈ１）（結晶形はβ型）を加熱して蒸着を行った。真空度1.1 ×10-6Torr（約1.5 ×10-4Pa）、蒸着時間１分で蒸着を行ない、膜厚20nmの正孔注入層１３ｃを得た。
【００５１】
【化１】
0003755252.tif 000002
【００５２】
次に、同じく真空蒸着槽内に配置されたセラミックるつぼに入れた、以下に示す、4,4'- ビス［N-(1- ナフチル)-N-フェニルアミノ］ビフェニル（Ｈ２）をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して正孔注入層１３ｃの上に積層した。この時のるつぼの温度は、230 〜240 ℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度8 ×10-7Torr（約1.1 ×10-4Pa）、蒸着時間1 分50秒で膜厚60nmの正孔輸送層１３ａを得た。
【００５３】
【化２】
0003755252.tif 000003
【００５４】
次に、発光機能を有する電子輸送層１３ｂの材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体Ａｌ（Ｃ9 Ｈ6 ＮＯ）3 （Ｅ１）を上記正孔輸送層１３ａの上に同様にして蒸着を行った。この時のるつぼの温度は３１０〜３２０℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は9 ×10-7Torr（約1.2 ×10-4Pa）、蒸着時間は2 分40秒で、蒸着された電子輸送層１３ｂの膜厚は75nmであった。
【００５５】
【化３】
0003755252.tif 000004
【００５６】
上記の正孔注入層１３ｃ、正孔輸送層１３ａ及び電子輸送層１３ｂを真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【００５７】
次に、真空槽内で、幅2mm のストライプ状の孔を持つシャドウマスクを、その孔の長手方向がパターン加工された陽極１２の線と直交するように有機層が蒸着された基板の前に配置した。その後、陰極１４として、マグネシウムと銀の合金電極を２元同時蒸着法によって膜厚100nm となるように蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度1 ×10-5Torr（約1.3 ×10-3Pa）、蒸着時間3 分10秒で行った。また、マグネシウムと銀の原子比は10:1.2とした。更に続いて、真空蒸着槽内において、アルミニウムをモリブデンボートを用いて100nm の膜厚でマグネシウム・銀合金膜の上に積層して陰極１４を完成させた。アルミニウム蒸着時の真空度は2.3 ×10-5Torr（約3.1 ×10-3Paａ）、蒸着時間は1 分40秒であった。以上のマグネシウム・銀合金とアルミニウムの２層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【００５８】
次に、陰極まで形成し終えた基板を窒素ガスで満たされたドライボックス（水分量１ppm ）内に移動し、シール作業を行った。まず、図４に示す如く、素子の発光素子部１５の周囲にエポキシ系の光硬化性樹脂（粘度：45Pa・s 、硬化条件：4000mJ/cm2）を２mmの間隔（図５においてｓ＝２mm）をあけて幅1mm （図５においてｗ＝1mm ）で塗布した。ここで陽極及び陰極の電極取り出し部分はシールの外側となるようにした。次に、図５に示す如く、封止部材として厚さ0.7mm のガラス板を載せ、その後図９に示す如く、出力200Wの高圧水銀ランプからガラスファイバーにより導かれた紫外光を直径5mm のスポットに集光して封止部材越しに光硬化性樹脂のシール剤に照射し、毎秒2cm の速度でシール部を一周した。この照射により光硬化性樹脂は完全に硬化した。
【００５９】
その後、ドライボックスから素子を取り出し、2mm ×2mm サイズの有機電界発光素子を得た。このときのシール部の厚みは20μm であり、シール部の厚みt と幅W の比t/w は0.02であった。
【００６０】
この素子に陽極１２にプラス、陰極１４にマイナスを接続し、15mA/cm2の直流電流を通電したところ、電圧は8.5V、発光輝度は1250cd/m2 であった。また、同条件で素子を駆動し続けたところ輝度が半分になるのに2780時間かかった。
【００６１】
実施例１
基板１１及び封止部材１７のシール部分を事前に粗くしておき、その他は比較例１と同様の方法で素子を作製した。基板１１及び封止部材１７のシール部分の平坦性は共にRz値で1.2μmであった。
【００６２】
この素子のシール部の見かけの幅は1mm、見かけの厚みは20μmであり比較例１と同様あった。しかしながらシール部の微細な凹凸の影響から、実質的なシール部の厚みと幅の比t/wは0.02より小さいと推察される。表面粗さRzの値から見積もった実効的なt/w比は0.005であった。
【００６３】
この素子に比較例１と同様の方法で15mA/cm2の直流電流を通電したところ、電圧は8.4V、発光輝度は1230cd/m2と比較例１とほぼ同様の結果であった。次に、同条件で素子を駆動し続けたところ輝度が半分になる時間は3360時間と比較例１より長時間にであった。
【００６４】
比較例２
陰極１４までは比較例１と同様の方法で作製し、その後以下の方法でシールを行った。
【００６５】
まず、陰極まで形成し終えた基板を窒素ガスで満たされたドライボックス（水分量１ppm）内に移動し、発光素子部の周囲に比較例１と同様のエポキシ系の光硬化性樹脂を２mmの間隔をあけて幅0.2mmで塗布した。塗布時には厚みを増すために塗布速度を比較例１に比較し遅くして行った。その後は比較例１と同様に封止部材を載せ、光硬化性樹脂のシール剤部分のみに光照射してシール剤を完全に硬化させた。
【００６６】
その後、ドライボックスから素子を取り出し、2mm ×2mm サイズの有機電界発光素子を得た。このときのシール部の厚みと幅の比t/w は0.2 あった。
【００６７】
この素子に比較例１と同様の方法で15mA/cm2の直流電流を通電したところ、電圧は8.4V、発光輝度は1220cd/m2と比較例１とほぼ同様の良好な結果が得られた。次に、同条件で素子を駆動し続けたところ輝度が半分になる時間は2540時間であった。
【００６８】
比較例３
シール部の厚みと幅の比t/wが2.0となるようにしたこと以外は比較例２と同様にして有機電界発光素子を製造した。
【００６９】
この素子に比較例１と同様の方法で15mA/cm2の直流電流を通電したところ、電圧は8.6V、発光輝度は1190cd/m2と比較例１とほぼ同様の良好な結果が得られたが、同条件で素子を駆動し続けたところ輝度が半分になる時間は1140時間と著しく劣るものであった。
【００７０】
比較例４，５
比較のため、陰極１４までは比較例１と同様の方法で作製し、その後以下の方法でシールを行った。
【００７１】
まず、陰極まで形成し終えた基板を窒素ガスで満たされたドライボックス内に移動し、発光素子部の周囲に比較例１と同様のエポキシ系の光硬化性樹脂を2mmの間隔をあけて幅0.2mmで塗布した。次に比較例１と同様の封止部材を固着した後、コンベア式の紫外光照射機を用い、封止部材側より光硬化性樹脂部を含む素子全面に光照射してシール剤を完全に硬化させた。このときの照射光量は比較例１と同様とした。
【００７２】
その後、ドライボックスから素子を取り出し、2mm×2mmサイズの有機電界発光素子が得られた。このときのシール部の厚みと幅の比t/wは0.02（比較例４）又は2.0（比較例５）あった。
【００７３】
この素子に比較例１と同様の方法で15mA/cm2の直流電流を通電したところ、電圧は12.3Vと高電圧化し、発光輝度は580又は565cd/m2と低かった。次に、同条件で素子を駆動し続けたところ輝度が半分になる時間は1870又は730時間と短かった。
【００７４】
表１に実施例１及び比較例１〜５の発光発光特性の結果をまとめて示す。なお、上記比較例３及び比較例５では、t/w＝2.0とするために、光硬化性樹脂の塗布時には塗布速度を比較例１の場合よりも遅くして、塗布厚みを400μmと厚くした。
【００７５】
【表１】
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【００７６】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、有機電界発光素子のシール剤の厚みと幅との比t/Wを1〜0.0001とすることにより、素子の性能劣化の原因の１つである水分と酸素の侵入を効率的に抑制することができる。更に、シール剤に光硬化性樹脂を用いシール部のみに光照射してシール剤を硬化させることにより、紫外光照射による素子の性能劣化も防ぐことができる。
【００７７】
従って、本発明による有機電界発光素子は高性能のフラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用、携帯型端末用、薄型テレビなど）としての応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の層構成の一例を示した模式的断面図である。
【図２】有機電界発光素子の別の層構成の例を示した模式的断面図である。
【図３】有機電界発光素子の更に別の層構成の例を示した模式的断面図である。
【図４】発光素子部の周囲のシール剤の塗布方法を示す模式的斜視図である。
【図５】基板と封止部材に挟まれたシール部を示した模式的断面図である。
【図６】シール部の他の例を示す模式的断面図である。
【図７】基板のシール面を示す模式的平面図である。
【図８】シール部の別の例を示す模式的断面図である。
【図９】光照射方法の一例を示す模式的断面図である。
【図１０】光照射方法の別の例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１１  基板
１２  陽極
１３  有機発光層
１３ａ  正孔輸送層
１３ｂ  電子輸送層
１３ｃ  正孔注入層
１４  陰極
１５  発光素子部
１６  シール剤
１７  封止部材
２０  光源
２１  光ファイバー
２２  レンズ系
２３  光路
２４  レンズ
２５  ミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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