(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコンデンサに蓄積された電気エネルギーを光に変換して発光を行う発光手段と、前記発光を行わせるために前記発光手段にトリガ信号を印加するための第２コンデンサとコイルを含むトリガ発生手段とを有する閃光発光装置において、
前記第１コンデンサの電圧を判別する電圧判別手段と、第３コンデンサを用いて前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する電圧加算手段と、前記電圧判別手段の判別結果に基づき前記電圧加算手段の動作を制御する印加電圧制御手段とを有し、
前記印加電圧制御手段は、前記電圧判別手段が前記第１コンデンサの電圧が所定値よりも低いと判別した場合には、前記電圧加算手段により前記第２コンデンサに前記第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせ、前記電圧判別手段が前記第１コンデンサの電圧が前記所定値よりも低くないと判別した場合には、前記電圧加算手段により前記第２コンデンサに前記第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせないことを特徴とする閃光発光装置。
【請求項２】
前記電圧加算手段は、前記第３コンデンサと前記第２コンデンサを直列に接続することによって、前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の閃光発光装置。
【請求項３】
前記電圧加算手段は、前記第３コンデンサの一方の極を前記第１コンデンサと同電位に接続する接続手段を有し、前記第３コンデンサの他方の極を前記第２コンデンサに接続することによって、前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する動作を行うことを特徴とする請求項２記載の閃光発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、閃光発光装置の発光制御回路に関し、特に、高速繰り返し発光を可能にする発光制御回路の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、カメラ等で使用する閃光発光装置は、メインコンデンサに充電された数百ボルトの電圧を発光手段のＸｅ管に印加し、同時にＸｅ管のトリガ電極に千数百ボルトのトリガ電圧を印加してＸｅ管を励起し発光を行っている。しかしメインコンデンサの電圧が低く、トリガ電圧を印加しても発光開始電圧と呼んでいる所定の電圧以下の場合は発光が不可能になってしまう。この発光開始電圧は、Ｘｅ管の管径やガス圧等の条件により決定されるものであり、小型カメラ用に用いる一般的なＸｅ管では約２００Ｖ程度の電圧である。この発光開始電圧の値が高めだとメインコンデンサの電圧が十分高くなるまではストロボが発光できないことになり、メインコンデンサの充電に時間がかかって撮影時の速写性が劣ることにつながる。
【０００３】
これの改善策として、発光開始時にＸｅ管の負電極をグランドレベル以下に引き下げる電圧印加用のコンデンサを付加した回路は従来より公知であり、この倍圧コンデンサと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＩＧＢＴと略す）を用いた回路例が、特開昭６４−１７０３３号に開示されている。
【０００４】
その閃光装置は図６にブロック図を示すように、高圧電源（図示していない）によりチャージされるメインコンデンサ１００、電源より抵抗１０１を介してチャージされるトリガコンデンサ１０２、発光時に高電圧をＸｅ管１１０に印加するためのトリガトランス１０７、トリガ制御用のサイリスタ１０４、発光制御するためのＩＧＢＴ１１２、発光時にＸｅ管１１０の両端にメインコンデンサ１００の２倍の電圧を印加するための倍圧コンデンサ１１３等によって構成されている。
【０００５】
先ず、高圧電源（図示していないＤＣ−ＤＣ等）よりメインコンデンサ１００が充電されると共に、トリガコンデンサ１０２は抵抗１０１を介して図示の極性でメインコンデンサ１００と同じ電圧に充電される。同時に倍圧コンデンサ１１３も抵抗１０１、ダイオード１０３、抵抗１１５を介してメインコンデンサ１００と同じ電圧に充電される。
【０００６】
発光時はサイリスタ１０４のゲートにＨｉレベルの信号を印加すると、サイリスタ１０４がターンオンしトリガコンデンサ１０２の電荷はサイリスタ１０４、トリガトランス１０７を介して流れ、トリガトランス１０７の二次側には高電圧が発生してＸｅ管１１０を励起する。同時にＩＧＢＴ１１２のゲートにＨｉレベルの信号を印加し、ＩＧＢＴ１１２をオンさせるとＸｅ管１１０は発光を開始する。
【０００７】
また、発光時は倍圧コンデンサ１１３の正極はサイリスタ１０４を介してグランドに接地されるので、正極の電位は０となり負極の電位は負の電位となる。従って、メインコンデンサ１００の電圧をＶｍｃとすると、Ｘｅ管１１０のカソード電位は−Ｖｍｃであり、アノードの電位はＶｍｃなので、丁度メインコンデンサ１００の２倍の電圧が印加されることになり、メインコンデンサ１００の電圧が低い場合でもＸｅ管１１０が発光しやすくするものである。発光を停止する時は、ＩＧＢＴ１１２のゲートをＬｏレベルに設定してＩＧＢＴ１１２をオフし、Ｘｅ管１１０は発光を停止する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では、発光開始時にＸｅ管１１０の両端にメインコンデンサ１００の２倍の電圧を印加するが、実際にＸｅ管１１０を励起させるトリガ回路の電圧はメインコンデンサ１００の電圧と同じであり、メインコンデンサ１００の電圧が低い場合にはトリガトランス１０７の二次側に発生する電圧も低下してしまい、いわゆるトリガ抜けと称してＸｅ管１１０が発光できない状況になるという問題がある。
【００１０】
依って、請求項１乃至３に記載の発明の目的は、メインコンデンサの電圧に応じたトリガ電圧加算手段の制御を行って、メインコンデンサの電圧が低い場合はＸｅ管の発光が可能となる十分なトリガ電圧を供給すると共に、メインコンデンサ電圧が高い場合はトリガ電圧加算手段の動作を制限して、必要以上の高圧が発生することを防ぎ、安全且つ安定したＸｅ管の発光を実現する閃光発光装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本出願に係る発明の目的を実現する構成は、請求項１に記載のように、第１のコンデンサに蓄積された電気エネルギーを光に変換して発光を行う発光手段と、前記発光を行わせるために前記発光手段にトリガ信号を印加するための第２コンデンサとコイルを含むトリガ発生手段とを有する閃光発光装置において、前記第１コンデンサの電圧を判別する電圧判別手段と、第３コンデンサを用いて前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する電圧加算手段と、前記電圧判別手段の判別結果に基づき前記電圧加算手段の動作を制御する印加電圧制御手段とを有し、前記印加電圧制御手段は、前記電圧判別手段が前記第１コンデンサの電圧が所定値よりも低いと判別した場合には、前記電圧加算手段により前記第２コンデンサに前記第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせ、前記電圧判別手段が前記第１コンデンサの電圧が前記所定値よりも低くないと判別した場合には、前記電圧加算手段により前記第２コンデンサに前記第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせないことを特徴とする閃光発光装置にある。
【００１９】
この構成によれば、第１コンデンサの電圧が所定値より低い場合は、電圧加算手段を動作して第２コンデンサを第１コンデンサ電圧よりも高い電圧で充電し、第１コンデンサの電圧が所定値よりも低くない場合は不必要な高圧の発生を避けるために、電圧加算手段を動作しないで第２コンデンサを直接第１コンデンサの電圧により充電する動作とすることができる。
【００２２】
本出願に係る発明の目的を実現する他の具体的な構成は、請求項２に記載のように、前記電圧加算手段は、前記第３コンデンサと前記第２コンデンサを直列に接続することによって、前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の閃光発光装置にある。
【００２３】
この構成によれば、第１コンデンサ電圧が低い時は、第３コンデンサと第２コンデンサを直列に接続し、第２コンデンサに第１コンデンサよりも高い電圧を印加することができる。
【００２４】
本出願に係る発明の目的を実現する他の構成は、請求項３に記載のように、前記電圧加算手段は、前記第３コンデンサの一方の極を前記第１コンデンサと同電位に接続する接続手段を有し、前記第３コンデンサの他方の極を前記第２コンデンサに接続することによって、前記第２コンデンサに前記第１コンデンサよりも高い電圧を印加する動作を行うことを特徴とする請求項２記載の閃光発光装置にある。
【００２５】
この構成によれば、第２コンデンサの充電電圧は、負極側が第１コンデンサの電位と同電位になる向きに接続した第３コンデンサの充電電圧によって押し上げられ、結果的に第１コンデンサの電圧よりも高い電圧に充電することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について図を参照して説明する。
図１〜図３は本発明の第１の実施の形態に係る図である。
図１は本発明の第１の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
図２は図１に示す閃光発光装置のタイミングチャートである。
図３は図１に示す閃光発光装置の動作のフローチャートである。
【００３１】
図１において、１は公知のＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＣＮＴ端子により充電の制御が可能であり、電源電池を数百ボルトに昇圧しメインコンデンサ２を充電する。メインコンデンサ２の電圧は抵抗３と抵抗４で分圧して、閃光装置全体の動作を制御するマイクロコンピュータ５０によって検出され、発光に適したメインコンデンサ電圧となるように充電制御が行われる。
【００３２】
５はＰＮＰトランジスタ、６，７は抵抗、８はＮＰＮトランジスタ、９，１０は抵抗、１１はトリガ電圧加算コンデンサであり、この５〜１１の各素子でトリガ電圧加算回路を形成する。
【００３３】
１２，１３は抵抗、１４はＮＰＮトランジスタ、１５，１６は抵抗であり、１２〜１６の各素子でトリガ電圧加算コンデンサ１１と、Ｘｅ管２６の倍圧印加コンデンサ３３の急速充電回路を形成する。
【００３４】
１７は抵抗、１８はダイオード、１９はトリガコンデンサ、２０は抵抗、２１はダイオード、２２はトリガトランスで、１７〜２２の各素子でトリガ回路を形成する。２３は発光電流を制限するコイル、２４は発光停止時にコイル２３に発生する電圧を吸収するフライホイールダイオード、２５はトリガコンデンサ１９と電源回路の電圧レベル差を保持するためのダイオード、２６は発光手段であるＸｅ管である。２８は発光制御手段であるＩＧＢＴ、２９，３０は抵抗、３１はカメラ側との接続接点端子である。
【００３５】
３２は抵抗、３３は倍圧印加用の倍圧コンデンサ、３４はダイオードで、トランジスタ５と３２〜３４の各素子でＸｅ管への倍圧印加回路を構成する。
【００３６】
マイクロコンピュータ５０の各端子は、ＣＮＴがＤＣ−ＤＣコンバータ１の充電動作の制御出力端子、ＨＶはメインコンデンサ２の電圧をモニタするためのアナログ・デジタル変換（以下、Ａ／Ｄ変換と呼ぶ）の入力端子、ＤＶは倍圧動作制御出力端子、ＱＣはトリガ電圧加算コンデンサ１１の急速充電の制御出力端子、ＧＡＴＥはＩＧＢＴ２８のゲート制御出力端子である。Ｘはカメラからの発光指令信号の入力端子、ＣＬＫはシリアル通信用のシリアルクロック入力端子、ＤＩはシリアルデータ入力端子、ＤＯはシリアルデータ出力端子、ＣＨＧはストロボの発光の可否をカメラ側に伝達するための電流出力端子である。
【００３７】
つぎに図２のタイミングチャートを参照して発光動作を説明する。
以上のような構成の閃光発光装置における各時刻ｔ０〜ｔ２の動作について、各時刻毎に説明する。
【００３８】
時刻：ｔ０  先ず時刻ｔ０で電源スイッチ（図示していない）の投入によりマイクロコンピュータ５０が動作を開始して、ＨＶ端子よりメインコンデンサ２の電圧をモニタし、充電所定電圧より低い場合はＣＮＴ端子を介してＤＣ−ＤＣコンバータ１に充電動作を指示する。ＤＣ−ＤＣコンバータ１が昇圧動作を開始して、メインコンデンサ２の電圧は図２（ａ）に示すように上昇する。一方、トリガ電圧加算コンデンサ１１は抵抗１７、ダイオード２５、抵抗１２と抵抗１３を介して充電され、その正極の電位はメインコンデンサ２の電位と等しく充電される。
【００３９】
時刻：ｔ１  次に時刻ｔ１でメインコンデンサ２の電圧が発光可能所定電圧に到達した場合は、ＣＨＧ端子電流によりカメラ側に発光可能であることを伝達する。
【００４０】
時刻：ｔ２  次に時刻ｔ２にてメインコンデンサ２の電圧が充電上限電圧に達した場合は、ＣＮＴ端子を介しＤＣ−ＤＣコンバータ１に充電停止を指示する。なお、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の充電を停止しても、メインコンデンサ２の電圧は、電圧モニタ用の抵抗３，４等を通して電流が流れることによって低下するので、所定電圧以下にメインコンデンサ電圧が低下したら、再度ＣＮＴ端子よりＤＣ−ＤＣコンバータ１を起動して所定電圧を維持するように制御する。
【００４１】
こうして時刻ｔ２にて充電完了によりカメラのシャッタボタンが押されて、Ｘ端子がＬｏレベルに引き落とされると、マイクロコンピュータ５０がそれを検知して発光動作を開始し、フラッシュ撮影が行われる。
【００４２】
つぎに図３のフローチャートを参照して動作について説明する。
先ず、マイクロコンピュータ５０（以下、マイコンと略す）のＡ／Ｄ入力端子ＨＶでメインコンデンサ電圧を検出する（Ｓ１０１）。メインコンデンサ電圧が所定電圧以上であればトリガ電圧加算回路は不作動とするために、Ｓ１０４へ分岐し、所定電圧以下の場合はトリガ電圧加算回路を作動状態とするためにＳ１０３へ分岐する（Ｓ１０２）。これは、メインコンデンサ電圧が低い場合には、Ｘｅ管２６を確実に発光させるためにトリガ電圧加算回路を作動させるが、メインコンデンサ電圧が充分高い場合は不要な高圧の発生により、トリガ電圧がグランド間でスパークして、Ｘｅ管２６にトリガ電圧が印加されなくなるトリガ飛び等の発生を防ぐためである。
【００４３】
トリガ電圧加算回路を作動させるために、図２（ｇ）で示すようにＤＶ出力端子をＨｉレベルに設定すると、トランジスタ８が導通状態となり抵抗７を介してトランジスタ５のベース電流を引き込み、トランジスタ５が導通状態になる（Ｓ１０３）。この時、トランジスタ５のエミッタ側はメインコンデンサ２の＋側の電位であり、コレクタ側もほぼ同電位に持ち上げられるので、トリガ電圧加算コンデンサ１１の−極はメインコンデンサ２と同電位に持ち上げられ、＋極電位およびトリガコンデンサ１９の＋極電位は図２（ｅ）の矢印に示すように、メインコンデンサ電位ＶＭＣより１．ｎ倍高い電位となる。なお、この電圧は以下の式により求めることができる。
【００４４】
Ｖｔｒｉｇ＝Ｖｍｅ＋（Ｃ１１／Ｃ１１＋Ｃ１９）・Ｖｍｅ
但し、Ｖｔｒｉｇ：トリガコンデンサＣ１９の＋極電圧
Ｖｍｅ    ：メインコンデンサ２の電圧
一方Ｘｅ管に対する倍圧印加コンデンサ３３の負極は同様にメインコンデンサ２の陽極電位に持ち上げられるので、倍圧印加コンデンサ３３の陽極はメインコンデンサ電圧の２倍の電位となり、Ｘｅ管２６のアノードはメインコンデンサ電圧の２倍の電位となる。
【００４５】
次に、図２（ｈ）に示すようにＧＡＴＥ出力をＨｉに設定すると、ＩＧＢＴ２８が導通状態となり、トリガコンデンサ１９の電荷はダイオード１８、ＩＧＢＴ２８、トリガトランス２２を通って流れ、トリガトランス２２の二次側に千数百ボルトのトリガ電圧が発生して、Ｘｅ管２６を励起し発光が開始される（Ｓ１０４）。
【００４６】
発光を開始すると、図２（ｂ）に示すようにＣＨＧ端子電流をオフすることにより、カメラ側がストロボの発光開始を検知しカメラ内部の積分回路（図示していない）により被写体からの反射光を積分して、所定の発光量すなわち所定の積分量に達すると、カメラ側は図２（ｉ）に示すようにＣＬＫ端子をＨｉレベルに設定して、ストロボに発光停止を指示する。この発光停止信号を確認し、Ｈｉレベルならば発光停止するためにＳ１０７へ、ＬｏレベルならばＳ１０６へ分岐する（Ｓ１０５）。
【００４７】
カメラからの発光停止信号が供給されない状態、すなわちＣＬＫ端子がＬｏレベルの場合でも発光所定時間後には発光停止処理をする必要があるので、発光開始からの時間をカウントし、所定時間経過した場合はＳ１０７へ進み、所定時間内の場合はＳ１０５へ戻り処理を繰り返す（Ｓ１０６）。
【００４８】
カメラからの発光停止信号（ＣＬＫ端子Ｈｉレベル）が検出された後、又はタイムアウトした場合は発光停止処理として、図２（ｈ）に示すＧＡＴＥ出力をＬｏレベルに設定してＩＧＢＴ２８をオフにして発光を停止する（Ｓ１０７）。
【００４９】
ＤＶ端子をＨｉに設定した状態、すなわちトリガ電圧加算動作の場合はＳ１０９へ進み、Ｌｏに設定したすなわちトリガ電圧加算動作を行わない場合はＳ１１１に分岐する（Ｓ１０８）。
【００５０】
図２（ｇ）に示すＤＶ端子の状態をＬｏに設定し、トリガ倍圧制御用トランジスタ５を非導通状態に設定し、電圧加算回路の動作を禁止する（Ｓ１０９）。
【００５１】
続いて、図２（ｊ）に示すように、ＱＣ出力を所定時間Ｈｉレベルに設定してトランジスタ１４を導通状態にする（Ｓ１１０）。これはトリガ電圧加算コンデンサ１１を急速に充電して次回の発光に備えるためである。図２（ｅ）はトリガ電圧加算コンデンサ１１の充電状態を示す図であり、発光終了後トランジスタ１４をオンしない状態では同図に点線で示すように、トリガ電圧加算コンデンサ１１の負極電圧はコンデンサ容量と充電抵抗１２，１３の時定数で決まる時間で充電されるが、トランジスタ１４をオンすると同図に実線で示すように、コンデンサ容量と充電抵抗１２で決まる急速な時定数で充電することが可能であり、高速な繰り返し発光時においてもトリガ用コンデンサは十分に充電されて、発光抜けを生じることなく安定した発光動作を行うことができる。同時に、倍圧コンデンサ３３も同様に急速に充電することができる。以上で、発光動作を終了する（Ｓ１１１）。
【００５２】
このように、本実施の形態によれば、従来例ではメインコンデンサ２と同電位にしかチャージされないトリガ回路に対して、メインコンデンサ電圧より高電位となる電圧加算コンデンサによるトリガ電圧加算手段を付加することによって、安定したトリガ電圧をＸｅ管２６に印加することが可能となり、Ｘｅ管に対する倍圧印加回路と併用することによって、メインコンデンサの電圧が低い場合でも発光抜けを防止して、安定した発光を行うことができる。
【００５３】
また、発光終了後にトリガ用コンデンサ、倍圧コンデンサを急速に充電する急速充電手段を設けたので、高速の繰り返し発光の場合も安定してＸｅ管を発光させることができる。
【００５４】
更に、トリガ電圧加算手段をメインコンデンサ電圧に応じて動作制御することによって、メインコンデンサ電圧が低い場合も安定した発光を維持すると共に、メインコンデンサ電圧が高い場合はトリガ電圧加算手段の動作を制限して、不要な高圧を発生しない安全且つ確実な発光制御を行うことができる。
【００５５】
なお、ここではメインコンデンサ２の電圧に応じてトリガ電圧加算手段の動作を制御していたが、メインコンデンサの電圧が高い場合でもトリガ飛び等の問題が発生しなければ、常時トリガ電圧加算手段の動作を行ってもよいことは言うまでもない。それによって制御の簡略化を図ることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について図を参照して説明する。
図４は本発明の第２の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
【００５７】
図４に示す第２の実施の形態は、第１の実施の形態がトリガ電圧加算コンデンサによる簡単な回路付加によって、メインコンデンサの電圧以上の電位でトリガ回路を作動させるものであったが、電圧加算効果はメインコンデンサ電圧の２倍までは及ばないのに対し、トリガ回路にメインコンデンサ電圧の２倍の電圧を印加できる構成に改良したものである。
【００５８】
図４において、３５はトリガ倍圧制御時の逆流阻止ダイオード、３６はトリガ倍圧印加用ＰＮＰトランジスタ、３７はトランジスタ３６のベース・エミッタ間抵抗、３８はトランジスタ３６のベース電流制限抵抗、３９は第２のトリガコンデンサ４０の充電抵抗、４０は第２のトリガコンデンサである。
【００５９】
４１は倍圧トリガ制御時のトリガ制御手段であるＩＧＢＴ、４２はＩＧＢＴのゲート電流制限抵抗、４３はトランジスタ４５のベース電流制限抵抗、４４はトランジスタ４５のベース・エミッタ間抵抗、４５はトランジスタ３６を制御するＮＰＮトランジスタ、４６はトリガ倍圧非動作時のトリガ制御手段であるＩＧＢＴ、４７はＩＧＢＴ４６のゲート電流制限抵抗である。また、マイコン５０のＩＴ１はＩＧＢＴ４６の制御端子、ＩＴ２はＩＧＢＴ４１の制御端子である。なお、その他の図１と同一構成には同一符号を付し重複する説明は省略する。
【００６０】
つぎに動作について説明する。
第２のトリガコンデンサ４０は、電源１より抵抗１７，３９、トリガトランス２２の一次側を介して図示の極性に充電される。第１のトリガコンデンサ１９も同様に抵抗１７、ダイオード３５、トリガトランス２２を介して図示の極性に充電される。
【００６１】
以後の動作については、メインコンデンサ２の電圧が低い場合と、高い場合に分けて説明する。
【００６２】
（メインコンデンサ電圧が低い場合）
メインコンデンサ電圧が低い場合はトリガ電圧加算手段を作動させるためにＩＴ２端子にＨｉレベルを出力し、ＩＴ１端子はＬｏレベルを出力する。これによってトランジスタ４５がオンしてトランジスタ３６もオンし、同時にＩＧＢＴ４１がオンするので、図中点線で示した経路に従って、第１のトリガコンデンサ１９−トランジスタ３６−第２のトリガトランス４０−ＩＧＢＴ４１−トリガトランス２２を介して電流が流れ、トリガトランス２２の二次側に高圧が発生する。この時トリガトランス２２の一次側の電圧は、第１のトリガコンデンサ１９と第２のトリガコンデンサ４０が電位的には直列に加算された電圧が印加されて、結果的にメインコンデンサ２の電圧の完全に２倍の電圧が印加されることになる。
【００６３】
これらのトリガ電圧加算動作と同時に、ＩＴ２端子によりトランジスタ８とトランジスタ５もオンして倍圧コンデンサ３３の電位を押し上げ、第１の実施の形態で説明したようにＸｅ管２６のアノード・カソード間には、メインコンデンサ２の２倍の電圧が印加される。更に、マイコン５０のＧＡＴＥ端子をＨｉレベルに設定するので、ＩＧＢＴ２８がオンになり倍圧トリガ回路による強力なトリガ電圧と共に、メインコンデンサ電圧が低い場合でも安定した発光が行われる。
【００６４】
続いて発光を停止する時は、マイコン５０のＧＡＴＥ出力をＬｏレベルに設定することにより、ＩＧＢＴ２８がオフになるのでＸｅ管２６に流れる電流が遮断され発光は停止するが、発光停止直後のＸｅ管２６のインピーダンスは数オーム程度と極めて低いので、Ｘｅ管２６のカソード電位はアノード電位とほぼ等しくなる。従って、抵抗１６を介してトランジスタ１４がオンとなり、第１の実施の形態でも説明したように、急速充電回路が作動して倍圧コンデンサ３３が抵抗３２、抵抗１２、トランジスタ１４を介して急速に充電されると共に、ダイオード２１と抵抗２０を介して第２のトリガコンデンサ４０が、またダイオード３５を介して第１のトリガコンデンサ１９が急速充電されて、高速繰り返し発光の際にも安定してトリガ、発光回路を動作させることが可能になる。
【００６５】
（メインコンデンサ電圧が高い場合）
次にメインコンデンサの電圧が高い場合には、倍圧トリガ回路を不作動とするので、ＩＴ２端子にはＬｏレベルを出力し、ＩＴ１端子にはＨｉレベルを出力する。
【００６６】
ＩＴ１端子にＨｉレベルを出力すると、ＩＧＢＴ４６がオンしてトランジスタ４５，３６はオフとなるので、図中一点鎖線で示したように第１のトリガコンデンサ１９、ＩＧＢＴ４６、トリガトランス２２を介して電流が流れ、トリガトランス２２の二次側には高圧が発生する。この時トリガトランス一次側の電圧は第１のトリガコンデンサ１９の電圧のみが印加されるので、結果的にメインコンデンサ２と同じ電圧が印加されることになる。そして同時にマイコン５０のＧＡＴＥ端子をＨｉレベルに設定するので、ＩＧＢＴ２８がオンして発光が行われる。なお、発光停止時の動作は先述のメインコンデンサ電圧が低い場合と同じなので説明は省略する。
【００６７】
このような、第２の実施の形態によれば、メインコンデンサの２倍の電圧を印加できるトリガ電圧加算手段を付加することで、メインコンデンサ電圧の２倍の電圧を用いてトリガ回路を動作させることが可能になり、Ｘｅ管に対する倍圧印加回路と併用することによってメインコンデンサの電圧が低い場合でも、発光抜けを防止して安定した発光を行うことができる。
【００６８】
また、発光終了後に急速充電が可能な手段を備えたので高速の繰り返し発光に際しても、安定してＸｅ管を発光させることができる。
【００６９】
更に、トリガ電圧加算手段をメインコンデンサ電圧に対応して制御することにより、メインコンデンサ電圧の高低に関わらず安定した安全確実な発光を行うことができる。
【００７０】
更に、トリガ発生に際して遅延が無く応答性の高い発光制御を行うことができる。
【００７１】
なお、第２の実施の形態でも、メインコンデンサの電圧に応じてトリガ電圧加算手段の動作を制御しているが、メインコンデンサの電圧が高い場合でもトリガ飛び等の心配がなければ、常時トリガ電圧加算手段の動作を行ってもよいことは言うまでもない。
【００７２】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について図を参照して説明する。
図５は本発明の第３の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。図５に示す第３の実施の形態は、第２の実施の形態の発展型であって、トリガ回路にメインコンデンサの３倍の電圧を加算印加できる構成としたものである。
【００７３】
図５において、５１はトリガ３倍圧制御時の逆流阻止ダイオード、５２は第３のトリガコンデンサ、５３はトリガ３倍圧印加用ＰＮＰトランジスタ、５４はトランジスタ５３のベース・エミッタ間抵抗、５５はトランジスタ５３のベース電流制限抵抗、５６は第３のトリガコンデンサ５２の充電抵抗である。なお、その他の図４と同一構成には同一符号を付し重複する説明は省略する。
【００７４】
つぎに動作について説明する。
先ず、第３のトリガコンデンサ５２は、電源１より抵抗１７、抵抗５６、抵抗３９、トリガトランス２２の一次側を介して、第２のトリガコンデンサ４０は抵抗１７、ダイオード５１、抵抗３９、トリガトランス２２の一次側を介して、第１のトリガコンデンサ１９は抵抗１７、ダイオード５１，３５、トリガトランス２２を介して、それぞれ図示の極性に充電される。
【００７５】
（メインコンデンサ電圧が低い場合）
ＨＶ端子入力からのメインコンデンサの電圧が低い場合は、３倍圧のトリガ電圧加算手段を作動させるために、ＩＴ２端子にＨｉレベルを出力しＩＴ１端子にはＬｏレベルを出力する。それによってトランジスタ４５がオンし、続いてトランジスタ３６，５３が共にオンして、同時にＩＧＢＴ４１がオンするので、図中点線で示したように、第１のトリガコンデンサ１９−トランジスタ３６−第２のトリガコンデンサ４０−トランジスタ５３−第３のトリガコンデンサ５２−ＩＧＢＴ４１−トリガトランス２２、を介して電流が流れトリガトランス２２の二次側に高圧が発生する。
【００７６】
この場合のトリガトランス２２の一次側の電圧は第１のトリガコンデンサ１９と、第２のトリガコンデンサ４０と、第３のトリガコンデンサ５２の電圧が加算された電圧が印加されるので、結果的にメインコンデンサ２の電圧の３倍の電圧が印加されることになる。
【００７７】
この時ＩＴ２端子より、トランジスタ８、トランジスタ５もオンして、前実施の形態と同様に倍圧動作によりＸｅ管２６のアノード・カソード間には、メインコンデンサ２の２倍の電圧が印加される。同時にマイコン５０のＧＡＴＥ端子をＨｉレベルに設定するので、ＩＧＢＴ２８がオンして３倍圧トリガ回路による強力なトリガと共に、メインコンデンサ電圧が低い場合でも安定した発光が可能になる。
【００７８】
発光を停止する時は、マイコン５０のＧＡＴＥ出力をＬｏレベルにしてＩＧＢＴ２８をオフするので、Ｘｅ管２６に流れる電流が遮断され発光は停止するが、発光停止直後のＸｅ管２６のインピーダンスは数オーム程度と極めて低いので、Ｘｅ管２６のカソード電位はアノード電位とほぼ等しく、従って、抵抗１６を介して急速充電回路のトランジスタ１４がオンして、前実施の形態と同様に倍圧コンデンサ３３は抵抗３２、抵抗１２、トランジスタ１４を介して急速に充電される。同時に、ダイオード２１、抵抗２０を介して第３トリガコンデンサ５２が、更にダイオード５１を介して第２のトリガコンデンサ４０が、更にダイオード３５を介して第１のトリガコンデンサ１９が急速に充電され、高速繰り返し発光の際にも安定して各倍圧回路を動作させることができる。
【００７９】
（メインコンデンサ電圧が高い場合）
次にメインコンデンサ電圧が高い場合は、倍圧トリガ回路を不作動とするので、ＩＴ２端子はＬｏレベルを出力しＩＴ１端子はＨｉレベルを出力する。
【００８０】
従って、トランジスタ４５，３６，５３はオフとなるので、図中一点鎖線で示したように、第１のトリガコンデンサ１９−ＩＧＢＴ４６−トリガトランス２２を介して電流が流れ、トリガトランス２２の二次側に高圧を発生する。この時トリガトランス２２の一次側の電圧は第１のトリガコンデンサ１９の電圧のみが印加されるので、結果的にはメインコンデンサ２と同じ電圧が印加されることになる。と同時にマイコン５０のＧＡＴＥ端子をＨｉレベルに設定するので、ＩＧＢＴ２８がオンして発光が行われる。なお、発光停止時の動作は先述のメインコンデンサ電圧が低い場合と同様なので説明は省略する。
【００８１】
このように、第３の実施の形態によれば、メインコンデンサの３倍の電圧を印加できるトリガ電圧加算手段を付加することにより、メインコンデンサの３倍の電圧を用いてトリガ回路を作動させることが可能になり、Ｘｅ管２６に対する倍圧印加回路と併用することにより、メインコンデンサ電圧が低い場合でも、発光抜けを防止して安定した発光を行うことができる。
【００８２】
また、発光終了後に急速に充電できる充電手段を備えたので、高速の繰り返し発光の場合も安定してＸｅ管を発光させることができる。
【００８３】
更に、トリガ電圧加算手段をメインコンデンサ電圧に応じて制御することによって、メインコンデンサ電圧の高低に関わり無く安定した、安全で確実な発光を行うことができる。
【００８４】
なお、第３の実施の形態でもメインコンデンサの電圧に応じてトリガ電圧加算手段の動作を制御しているが、メインコンデンサの電圧が高い場合でもトリガ飛び等の問題が発生しなければ、常時トリガ電圧加算手段の動作を行っても良いことは言うまでもない。
【００８５】
（請求項と実施の形態の対応）
本発明のトリガ電圧加算コンデンサはコンデンサ１１を指し、電圧加算手段はトリガ電圧加算コンデンサ１１と、トランジスタ５，８によるトリガコンデンサ１９への印加電圧加算回路、又は第１のトリガコンデンサ１９と、第２のトリガコンデンサ４０と、トランジスタ３６，４５で構成する２倍圧トリガ加算回路、又は第１〜第３のトリガコンデンサ１９，４０，５２とトランジスタ５３，３６，４５による３倍圧トリガ加算回路がこれに相当する。トリガ発生手段は上の電圧加算手段とトリガトランスを含みＸｅ管のトリガ電圧を発生する構成を指す。
【００８６】
本発明の印加電圧制御手段は、メインコンデンサ電圧の高低によってＤＶ出力制御を行うもので、トランジスタ５，８によるトリガ電圧加算回路をオン／オフ制御する構成、あるいはＩＴ１端子、又はＩＴ２端子出力により第１〜３のトリガコンデンサ電圧の加算印加をオン／オフ制御する構成がそれに相当する。
【００８７】
本発明の急速充電手段は、ＱＣ出力によりトランジスタ１４をオンして充電抵抗を短絡する構成、又は発光後のＸｅ管カソード電位によりトランジスタ１４をオンして充電抵抗を短絡する構成がそれに相当する。
【００８８】
（他の実施の形態）
ここまでは各実施の形態において、トリガ電圧加算回路、急速充電回路等は、ＰＮＰトランジスタ、ＮＰＮトランジスタの組み合わせにより構成したが、ＦＥＴ等の他のスイッチング素子を使用しても良く、同等な動作が保証されるものであれば如何なる構成でも使用できることは勿論である。
【００８９】
なお、発光量制御までは詳細にふれていないが、フラット発光制御、フル発光の閃光発光制御、又は両者の組み合わせ等により発光量制御を行う閃光装置にも適用可能なことは勿論である。
【００９１】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１乃至３に記載の発明によれば、印加電圧制御手段が、電圧判別手段が第１コンデンサの電圧が所定値よりも低いと判別した場合には、電圧加算手段により第２コンデンサに第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせ、電圧判別手段が第１コンデンサの電圧が所定値よりも低くないと判別した場合には、電圧加算手段により第２コンデンサに第１コンデンサの電圧よりも高い電圧を印加する動作を行わせないので、第１コンデンサの電圧が低い場合はＸｅ管の発光が可能となる充分高いトリガ電圧を供給すると共に、第１コンデンサ電圧が高い場合は電圧加算手段の動作を制限して、必要以上の高圧の発生を防ぎ安全且つ安定したＸｅ管の発光を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
【図２】図１に示す閃光発光装置のタイミングチャートである。
【図３】図１に示す閃光発光装置の動作のフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
【図６】従来の閃光発光装置の電気回路ブロック図である。
【符号の説明】
１  ＤＣ−ＤＣコンバータ
２  メインコンデンサ
３，４  分圧抵抗
５，３６，５３  ＰＮＰトランジスタ
６〜９，１０，１５〜１７，２０，２９〜３２，３７，３８，４２〜４４，４７，５４，５５  抵抗
８，１４，４５  ＮＰＮトランジスタ
１１  トリガ電圧加算コンデンサ
１２，１３，３９，５６  充電抵抗
１８，２１  ２５  ３４，３５，５１    ダイオード
１９  第１トリガコンデンサ
２２  トリガトランス
２３  塞流コイル
２４  フライホイールダイオード
２６  Ｘｅ管
２８，４１，４６  ＩＧＢＴ
３１  接続接点端子
３３  倍圧コンデンサ
４０  第２トリガコンデンサ
５０  マイクロコンピュータ
５２  第３トリガコンデンサ
【図１】
0003740236.tif 000002
【図２】
0003740236.tif 000003
【図３】
0003740236.tif 000004
【図４】
0003740236.tif 000005
【図５】
0003740236.tif 000006
【図６】
0003740236.tif 000007