(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを工程が行われる特定位置に移送するローディング装置と、
前記ローディング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置と、
前記ラミネーティング装置によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング装置と、
前記プリカッティング装置によって切断され残った残余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去するワイヤカット装置と、
前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射する紫外線照射装置と、
前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置と、
を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項２】
前記ワイヤカット装置は、スイングアームによって張力が維持され、熱発生部によって加熱され、前記スイングアームに設置されたプーリによって連動するワイヤによって、回転する残余ＵＶテープの周りをウェーハと接触して切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項３】
前記プリカッティング装置は、ローラーによって密着されたウェーハ上のＵＶテープを、ウェーハの直径より大きい所定の直径にウェーハがローディングされたテーブルの下端で切断するナイフと、前記ナイフによるＵＶテープの切断時にＵＶテープを固定させるために接触してパージするバスケットとを備えてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項４】
前記紫外線照射装置は、紫外線を発生する紫外線発生部と、
前記紫外線発生部から発生した紫外線を必要な照度及び光量に合わせる紫外線調整部と、
前記紫外線調整部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部と、
を備えてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項５】
前記紫外線発生部は、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電極ランプまたは非活性気体ランプでなるグループで選択してなることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項６】
前記ＵＶテープは、ポリオレピン系のベースフィルムに光硬化性開始剤が含まれるアクリルレート系の接着剤を塗布してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項７】
前記光硬化性開始剤はカルボニールグループに隣接しているC-Cシグマ結合を分裂させるノリシタイプのラディカル反応の反応物であることを特徴とする請求項６に記載の前記半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項８】
前記紫外線照射部は350mJ/cm２以上の照射量で紫外線を照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項９】
前記残余ＵＶテープの周りの紫外線照射はウェーハの直径より１mmを超過して余裕空間を残し、残った領域に照射することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１０】
前記紫外線調整部は、必要な照度と光量を電気的に除去する除去部を備えてなることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１１】
前記紫外線照射部は、照射位置の変更が自由で光伝達が容易である光繊維を含めてなることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１２】
前記紫外線照射部は、前記ワイヤの前に設置され、残余ＵＶテープの周りがワイヤカッティングされる前に紫外線で事前照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１３】
前記紫外線照射部は、前記ワイヤの後に設置され、残余ＵＶテープの周りがワイヤカッティングされた後に紫外線で後照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１４】
前記紫外線照射部は、前記プリカッティング装置内部に設置され、残余ＵＶテープの周りを紫外線で照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１５】
前記紫外線照射部は、前記プリカッティング装置内部のテーブルの下面でナイフが回転する内径に連接して設置され、ナイフによるフリーカッティングと同時に上面に近接する残余ＵＶテープの周りを紫外線で照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１６】
前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテープの周りに近接位置して固定され、回転チャックによって回転する前記残余ＵＶテープの周りを集中照射することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１７】
前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテープの周りに近接位置して回転され、固定された前記残余ＵＶテープの周りを集中照射することを特徴とする請求項１４又は１５又は１６に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１８】
前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテープの周りに近接位置して固定され、やはり固定された前記残余ＵＶテープの周りを前面照射する残余ＵＶテープの周りの形態の円形リング型紫外線照射部であることを特徴とする請求項１４又は１５又は１６に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項１９】
前記紫外線照射部は、多数個の分離型紫外線照射部材が組立てられ円形リングの形態に構成されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。
【請求項２０】
ウェーハまたはカセットを工程が行われる特定位置に移送するローディング段階と、
前記ローディング段階によって移送されたウェーハの全面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、
前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着されるＵＶテープを除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング段階と、
前記プリカッティング段階によって切断され残った残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階と、
前記紫外線照射段階を終えた残余ＵＶテープの周りをワイヤに２次精密除去するワイヤカット段階と、
残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング段階と、
を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーティング方法。
【請求項２１】
ウェーハまたはカセットを工程が行われる特定の位置に移送するローディング段階と、
前記ローディング段階によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、
前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング段階と、
前記プリカッティング段階によって切断され、残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット段階と、
前記ワイヤカット段階を終えた残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階と、
残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング段階と、
を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーティング方法。
【請求項２２】
ウェーハまたはカセットを工程が行われる特定位置に移送するローディング段階と、
前記ローディング段階によって移送されたウェーハの全面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、
前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフで１次切断すると同時に残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させるプリカッティング及び紫外線走査段階と、
前記プリカッティング及び紫外線照射段階によって切断され接着力を喪失した残った残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット段階と、
残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング段階と、
を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーティング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法に関するもので、より詳細には、紫外線を照射して半導体ウェーハテープラミネーティング工程時に発生する残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させることで、残余ＵＶテープの周りによる不良を防止する半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に半導体ウェーハテープラミネーティング工程はウェーハの使用しない後面を研削する後面研磨工程の前処理工程で、ウェーハの後面研磨工程時に使用される研削水または研削の後発生するウェーハの粉等からウェーハの前面を保護するためにウェーハの前面にテープを接着する工程である。
【０００３】
この際、使用される特殊接着テープであるＵＶテープは特定な照度と光量の条件が適合である光（例えば、紫外線）を照射すると、テープの接着成分中感光成分（例えば、光硬化性開始剤）が硬化してテープの接着力を喪失するようになる特性を有する。
【０００４】
従って、後面研磨工程が終った後ウェーハの前面に接着されていたＵＶテープの除去が容易である。
【０００５】
前記半導体ウェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハラミネーティング工程を行うためのシステムであり、前記ＵＶテープの周りに残った残余ＵＶテープを切断してウェーハを後続工程である後面研磨工程に送る役割をするシステムである。
【０００６】
このような従来の半導体ウェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハを、工程が行われる特定位置に移送するローディング装置と、前記ローディング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング（Laminating）装置と、前記ラミネーティング装置によって接着された後、残った残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング（Pre-Cutting）装置と、前記プリカッティング装置によって切断された残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット（Wire cut）装置と、前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置とを備える。
【０００７】
従って、ローディング装置によってラミネーティング装置に移送されたウェーハは前面にＵＶテープが被せられ、ローラーが密着してＵＶテープが接着される。
【０００８】
前記ナイフは、接着され残った残余ＵＶテープを、ウェーハと分離させるようにウェーハの輪郭に沿って適当に1次プリカッティングする。
【０００９】
前記1次プリカッティングの後、ウェーハにまだ残っている残余ＵＶテープの周りは、ワイヤカット装置によって加熱されたワイヤの2次溶融切削で完全に除去される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記2次ワイヤカッティングによって除去される残余ＵＶテープの周りのかけらが再びウェーハに接着するので、ウェーハの後面研磨時に段差を誘発してウェーハの亀裂及び壊れることを誘発し、ローディング及びアンローディング時、残余ＵＶテープの周りのかけらが他のウェーハまたは設備に接着して作動不良を起こすなどの設備のエラーを発生させる場合が頻発した。
【００１１】
また、前記周りのかけらがワイヤの熱線に融着する場合、ワイヤカッティング不良を引き起こし、チャックやキャリアーに固着されると異物質の吸着を誘導する汚染源になるなど多くの問題点があった。
【００１２】
本発明の目的は、2次ワイヤカッティングによって除去される残余ＵＶテープの周りのかけらが、ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着力を喪失させることで設備のエラーを防止し、ウェーハの不良を減少させる半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明は、ウェーハを工程が行われる特定位置に移送するローディング装置と、前記ローディング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置と、前記ラミネーティング装置によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング装置と、前記プリカッティング装置によって切断され残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット装置と、前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射する紫外線照射装置と、前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置とを備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーティングシステムと、これを利用してウェーハを工程が行われる特定位置に移送するローディング段階と、前記ローディング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、前記ラミネーティング装置によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング段階と、残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階と、残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット段階と、残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング段階とを備えてなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態例を添付した図面を参照しながら詳しく説明する。
【００１５】
図1は、本発明の第１の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示したブロック図である。
【００１６】
まず、図１を参照して説明すると半導体ウェーハテープラミネーティングシステムはウェーハを、工程が行われる特定位置に移送するローディング装置10と、前記ローディング装置10によって移送されるウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外し、残った残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング装置14と、残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射装置16と、前記紫外線照射装置16によって接着力を喪失した残余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤカット装置18及び残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置20とを備える。
【００１７】
また、前記ワイヤカット装置18は図２に示すように、スイングアーム19によって張力が維持され、熱発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設置されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、回転する残余ＵＶテープの周りをウェーハ２２と接着し摩擦して切断する。
【００１８】
また、前記プリカッティング装置14は図６および図７に示すように、ローラー34によって密着されたウェーハ２２上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径より大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングされたテーブル29の下端で回転しながら切断するナイフ31と、前記ナイフ31によるＵＶテープ24の切断時に、ＵＶテープ24を固定させるために接触してパージするバスケット27を備える。
【００１９】
また、前記紫外線照射装置16は図示しなかったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線発生部で発生した紫外線を必要とする照度及び光量に合わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
【００２０】
このような紫外線照射装置16の紫外線発生部としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電極ランプまたは非活性気体ランプ等を適用することが可能である。
【００２１】
また、前記紫外線調整部は必要な照度と光量を電気的に除去する制御部（図面の単純化のため図示しない）を備える。
【００２２】
紫外線照射装置16の紫外線照射部30は、図2に示すように、前記ワイヤ21の前に設置して残余ＵＶテープの周り28をワイヤカッティングされる前に紫外線で事前照射し、照射された前記残余ＵＶテープの周り28をワイヤカット装置18が除去できるようにする。
【００２３】
また、前記残余ＵＶテープの周り28を、ウェーハ22の後面をパージする回転チャック32を回転させることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテープの周り28に近接して設置し、回転する残余ＵＶテープの周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪失に必要な充分な照度及び光量で紫外線を集中して照射するようにする。
【００２４】
これとは反対に、紫外線照射部３０を残余ＵＶテープの周り28に回転させながら照射することも可能である。
【００２５】
前記ＵＶテープは、紫外線が照射されるとＵＶテープの接着力が喪失されるようにポリオレピン系のベースフィルムの一面に光硬化性開始剤が含まれるアクリルレート系の接着剤を塗布して成り、前記光硬化性開始剤はカルボニルグループに隣接しているC-Cシグマ結合を分裂させるノリシタイプ（Norrish type）のラディカル反応物であるものが使用される。
【００２６】
前記C-Cシグマ結合のエネルギーは90kcal/moleであり、250nmのラディエーションエネルギーは114kcal/moleである。
【００２７】
このような、前記ＵＶテープは図９に示すように温度23℃、相対湿度50%である場合、紫外線照射量を増加させると30mJ/cm2から130mJ/cm2までの領域で接着強度が急降下して最終的には25g/inchに到達する特徴を有する。
【００２８】
従って、前記紫外線照射部は温度23℃、相対湿度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が60g/inch以下に要求される場合、70mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照射し、前記ＵＶテープの接着強度が50g/inch以下に要求される場合に、100mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照射して、前記ＵＶテープの接着強度が40g/inch以下に要求される場合には、130mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照射することが望ましい。
【００２９】
従って、紫外線の単純照射によって前記光硬化性開始剤の作用によるラディカル反応によって接着剤が接着力を喪失するようになり、このような接着力喪失のメカニズムは当該技術分野で通常の知識を有するものには容易に理解される位公知である。
【００３０】
しかし、一般的な場合紫外線の照射効率を考慮して前記紫外線照射部３０は350mJ/cm2の照射量で紫外線を照射することが一般的である。
【００３１】
従って、適正照度が合わない場合、光量が多くてもＵＶテープ内の接着成分が反応しないか又は遅い点を利用して選択された照度に照射されない領域は接着性質を保護することができる。
【００３２】
また、図８に示すように前記残余ＵＶテープの周りの紫外線照射はウェーハの直径より1mmを超過して余裕空間を残し、残りの領域に照射することが望ましい。
【００３３】
このような紫外線照射領域がウェーハ22内に侵犯して照射されると、以後の後面研磨工程で照射される周りの部分がウェーハ22と離隔されて開かれながら、異物質がウェーハのパターンに流入される可能性が高いので、このような紫外線照射許容範囲はウェーハ内に紫外線の侵犯が行われないように1mmの厚さの円形帯形態の余裕空間を有するようにする。
【００３４】
一方、前記紫外線照射部３０は、照射位置の変更が自由で光伝達が容易である光繊維を含めて製作することが望ましい。
【００３５】
従って、前記ローディング装置10によって移送されたウェーハ22の前面に図6に示すようにローラー34でＵＶテープ24が接着され、ウェーハ22に接着されたＵＶテープ24を除外した後残った残余ＵＶテープを1cm位残し、ナイフが1次切断するようになる。
【００３６】
切断して残った1cm位の残余ＵＶテープの周り28の接着力を喪失させるためには、残余ＵＶテープの周り28を前記回転チャック32の回転により回転させ、設備に固定された前記紫外線照射装置16が前記回転する残余ＵＶテープの周り28に紫外線を近接に照射する。
【００３７】
紫外線照射の効果を高くするために、前記照射は、ＵＶテープに接着剤が塗布されている接着面を選択して照射することが望ましい。
【００３８】
紫外線照射が終わると、残余ＵＶテープの周り28を、加熱されたワイヤ21で2次精密除去し、後続工程である後面研磨設備に移送する。
【００３９】
図3は本発明の第２の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示したブロック図である。
【００４０】
まず、図３を参照して説明すると半導体ウェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハを工程が行われる特定位置に移送するローディング装置10と、前記ローディング装置10によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残りの残余ＵＶテープをナイフで１次切断するプリカッティング装置14と、前記プリカッティング装置14によって切断された残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤ21により２次精密除去するワイヤカット装置18と、前記ワイヤカット装置18によって除去された前記残余ＵＶテープの周り28の接着力を喪失させる紫外線照射装置16及び残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置20を備える。
【００４１】
また、図4に示すように前記ワイヤカット装置18はスイングアーム19によって張力が維持され、熱発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設置されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、回転する残余ＵＶテープの周り28をウェーハ22と接触し摩擦して切断する。
【００４２】
また、前記プリカッティング装置14は、図６及び図７に示すように、ローラー34によって密着されたウェーハ22上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径より大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングされたテーブル29の下端で回転するナイフ31と、前記ナイフ31によるＵＶテープ24の切断時にＵＶテープ２４を固定させるためにＵＶテープに接触してパージするバスケット27を備える。
【００４３】
また、前記紫外線照射装置16は図示しなかったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線発生部で発生した紫外線を必要な照度及び光量に合わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
【００４４】
このような紫外線照射装置16の紫外線照射部30は、図4に示すように、前記ワイヤ21の後に設置され、ワイヤカット装置18が除去した残余ＵＶテープの周り28がウェーハ22や設備に接着されるという2次的な不良原因を防止するように、紫外線を照射して接着力を喪失する。
【００４５】
このような紫外線照射装置16の紫外線発生部（図示しない）としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電極ランプまたは非活性気体ランプ等を適用することが可能である。
【００４６】
前記紫外線調整部は必要な照度と光量を電気的に除去する制御部（図示省略）を備える。
【００４７】
また、前記残余ＵＶテープの周り28を、ウェーハ２２の後面をパージする回転チャック32を回転させることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテープの周り28に近接して固定設置し、回転する残余ＵＶテープの周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪失に必要な十分な照度及び光量で紫外線を集中して照射するようにする。
【００４８】
これとは反対に紫外線照射部３０を残余ＵＶテープの周り２８に回転させながら照射することも可能である。
【００４９】
従って、前記ローディング装置10によって移送されたウェーハ22の前面にＵＶテープが接着され、ウェーハ22に接着されたＵＶテープを除外して残りの残余ＵＶテープを1cm余り残し、ナイフで1次切断するようになり、切断されて残った1cm余りの残余ＵＶテープの周り28をウェーハに接触パージするチャック３２で回転させ、加熱されたワイヤ21で2次精密除去する。
【００５０】
除去された前記残余ＵＶテープの周りの28の接着力を喪失させるためには、設備に固定設置された前記紫外線照射装置16が除去される残余ＵＶテープの周り28に近接して紫外線を照射する。
【００５１】
従って、ワイヤカットの後に照射が行われるので紫外線照射領域の精密性が要求されなく、残余ＵＶテープの周り28の完全な接着力除去が可能であるが、ワイヤカット時にＵＶテープがワイヤ21に融着して発生する不良は防止し難い。
【００５２】
紫外線照射の効果を高くするためには、ＵＶテープの接着成分が塗布されている接着面に照射することが望ましい。
【００５３】
図5は本発明の第３の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブロック図である。
【００５４】
図5を参照して説明すると半導体ウェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハまたはカセットを工程が行われる特定位置に移送するローディング装置10と、前記ローディング装置10によって移送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12によってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残りの残余ＵＶテープをナイフで1次切断すると同時に残余ＵＶテープの周り28の接着力を喪失させるプリカッティング及び紫外線照射装置17と、前記プリカッティング及び紫外線照射装置17によって接着力を喪失した残余ＵＶテープの周りをワイヤ21で2次精密除去するワイヤカット装置18及び残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディング装置20とを備える。
【００５５】
また、前記プリカッティング及び紫外線照射装置17は、紫外線照射装置を既存のプリカッティング装置14と一体化して設置し、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線発生部で発生した紫外線を必要な照度及び光量に合わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
【００５６】
このようなプリカッティング及び紫外線照射装置17の紫外線照射部30は、図6及び図7に示すように、残余ＵＶテープの周り28のような形状の円形リング形態に、設備内部に設置されプリカッティングが進行されると同時に、図7のように底面で紫外線を前面照射するようになっているので、速く精密な照射が可能になる。
【００５７】
前記紫外線照射部30は、前記プリカッティング装置内部に設置されて残余ＵＶテープの周り28を紫外線で照射するものであり、前記プリカッティング装置内部のテーブル29の下面で回転するナイフの回転内径に連接して設置され、ナイフ31によるプリカッティングと同時に上面に近接する残余ＵＶテープの周り28を紫外線に照射する。
【００５８】
また、前記紫外線照射部30は、前記残余ＵＶテープの周り28に近接配設して固定し、やはり固定した前記残余ＵＶテープの周り28を前面照射する残余ＵＶテープの周りの形態の円形リング形状に、多数個の分離型紫外線照射部材を組立て、円形リングの形態に密集して製作することも可能である。
【００５９】
このような円形リング形態の紫外線照射部は紫外線照射の効率を高くするために回転させることも可能である。
【００６０】
従って、前記ローディング装置１０によって移送されたウェーハ22の前面にローラー34にＵＶテープ24が接着され、ウェーハ22に接着されたＵＶテープ24を除外して残りの残余ＵＶテープ26を1cm余り残し、ナイフで1次切断し、切断と同時に残りの1cm余りの残余ＵＶテープの周り28を、設備の底面に設置した紫外線照射装置により接着力を喪失させ、以後加熱されたワイヤ21を備えたワイヤカット装置１８によって残余ＵＶテープの周り28が2次精密除去される。
【００６１】
以上で本発明は記載された具体例に対してのみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が、添付された特許請求範囲に属することは当然なことである。
【００６２】
【発明の効果】
以上のように本発明による半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法によると、2次ワイヤカッティングによって除去される残余ＵＶテープの周りのかけらが、ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着力を喪失させているので、設備のエラーを防止してウェーハ不良を減少させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブロック図である。
【図２】図1の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図３】本発明の第２の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブロック図である。
【図４】図3の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図５】本発明の第３の実施形態例による半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブロック図である。
【図６】図5の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図７】図5の紫外線照射装置の照射状態を示した概略図である。
【図８】ＵＶテープの紫外線照射領域を示す正面図である。
【図９】ＵＶテープの紫外線照射による接着強度の変化特性を示すグラフである。
【符号の説明】
10 …ローディング装置、12…ラミネーティング装置、14…プリカッティング装置、16…紫外線照射装置、17…プリカッティング及び紫外線照射装置、18…ワイヤカット装置、19…スイングアーム、20…アンローディング装置、21…ワイヤ、22…ウェーハ、23…プーリ、24…ＵＶテープ、26…残余ＵＶテープ、27…バスケット、28…残余ＵＶテープの周り、29…テーブル、30…紫外線照射部、31…ナイフ、32…回転チャック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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