(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、
上記連結壁の内側に、半導体ウェーハの表面の静電気を消散させる三角柱状部が露出した静電気消散用異形片を埋め込んだウェーハカセット。
【請求項２】
半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、
上記連結壁の内側に、半導体ウェーハの表面の静電気を消散させ、かつ下向きコの字形状に屈曲した屈曲部分を上記連結壁の上端部に引っかけた状態で静電気消散用治具を付設したウェーハカセット。
【請求項３】
半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、
上記各側壁の挿填溝の形成部のうち、上記半導体ウェーハの表面側には異形部が設けられ、この異形部に半導体ウェーハの表面の静電気を消散させる静電気消散片を埋め込んだウェーハカセット。
【請求項４】
半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、
上記各側壁の挿填溝の形成部のうち、上記半導体ウェーハの表面側に、上記静電気消散片を埋め込んだウェーハカセット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はウェーハカセット、詳しくは半導体ウェーハを輸送、保管するウェーハカセットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウェーハを収納する容器として、シリコンウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、これらの側壁を対向状態で連結する１対の連結壁（Ｕ形の平板であるＵ壁と、Ｈ形の枠板であるＨ壁）とを有する合成樹脂製のウェーハカセットが知られている。
このウェーハカセットによる輸送時には、輸送中の震動によって、ウェーハカセットに収納された半導体ウェーハがガタつきやすい。その際、シリコンウェーハとウェーハカセットの挿填溝の壁面とが擦れて、微細なごみ類が発生する場合がある。このごみ類がシリコンウェーハの表面に付着して、この面を汚染するという問題点があった。
また、ウェーハカセットにウェーハを保管している間にも、周辺の微細粒子がウェーハ表面に付着するという問題点もあった。
ウェーハカセットに保管されたウェーハ表面に付着する微粒子の数は、Ｕ形の連結壁の内側と向かい合う最前列のウェーハの表面が最も多い。次にＨ形の連結壁と向かい合う最後例のウェーハの表面、続いて中間に存在するウェーハの表面の順と減少する傾向が知られている。
これらのウェーハ表面に微粒子が付着する原因は、ウェーハ表面に発生して帯電する静電気と考えられる。
【０００３】
そこで、これを解消する従来技術として、例えば特開平８−８８２６６号公報のように、ウェーハカセットの射出成形材料中に、静電気を消散させる各種の静電気消散剤（フィラー）を添加したものなどが知られている。この静電気消散剤としては、例えば周知のカーボン粉末，カーボン繊維，金属被覆無機系材料，金属粉末，金属繊維または種々の有機系帯電防止剤などが挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のウェーハカセットによれば、半導体ウェーハの面に発生した静電気は、ウェーハカセットの挿填溝の形成面と接触するウェーハ裏面からは容易に消散するものの、この溝形成面とは接触しにくい、例えば２個のウェーハカセット間でウェーハを移載する場合、ウェーハカセットは横置きされるので、ウェーハ表面は溝形成面にはまったく接触せず、ウェーハ表面に発生した静電気は消散がうまく進行しないことがある。
このような傾向は、ウェーハ表面が鏡面仕上げされたバージンウェーハの場合でも、リソグラフィ用の樹脂材料が塗布されたウェーハの場合でも同じである。なお、ウェーハの表面には、のちのデバイス工程で、所定のデバイスが形成される。
従来のウェーハカセットを形成する帯電防止型樹脂は高価であり、しかも静電気消散剤を添加して混練するという２次加工が必要になることが多いので、ウェーハカセットに成形した場合、非帯電防止型材料からなるウェーハカセットに比べて、ウェーハ面を汚染する有機性揮発物がきわめて多くなる傾向がある。
【０００５】
そこで、発明者は、ウェーハカセットの挿填溝および上記連結壁の内側の構造に着目した。すなわち、このウェーハが挿填される挿填溝およびまたは連結壁の内側を、静電気が消散しやすい構造にすれば、低コストで、かつ良好な静電気消散性が得られることを見出し、この発明を完成させた。
【０００６】
【発明の目的】
この発明は、低コストで、かつウェーハ表面からの良好な静電気消散性が得られるウェーハカセットを提供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載した発明は、半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、上記連結壁の内側に、半導体ウェーハの表面の静電気を消散させる三角柱状部が露出した静電気消散用異形片を埋め込んだウェーハカセットである。
半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ，ガリウム砒素ウェーハなどを対象とする。
【０００８】
ウェーハカセットの素材としては、例えばポリカーボネート（ＰＣ），ポリエチレン（ＰＥ），ポリプロピレン（ＰＰ），ポリスチレン（ＰＳ），ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの各種の合成樹脂材料が挙げられる。
ここでいう静電気消散用異形片とは、挿填溝を有する１対の側壁を連結する連結壁の内側に埋め込まれて、半導体ウェーハの表面の静電気が消散されやすい稜線部を含む異形片を意味する。具体的には、例えばこの連結壁の内側に埋め込まれて、三角柱状部が露出した異形片などがこれに該当する。
半導体ウェーハの表面の静電気は、静電気消散用異形片のウェーハに近い稜線部から、ウェーハカセットに形成された所定のアース経路を通じて外部に消散される。
ここでいう静電気消散用異形片の素材は限定されない。例えば、ウェーハ表面の帯電に影響を与える金属原子が生じる可能性の少ないステンレススチール，チタンなどの金属、そのほか静電気消散剤を高濃度に添加した上記樹脂素材などが挙げられる。なお、静電気消散用異形片の具体的な形状、大きさ、個数は限定されない。また、この静電気消散用異形片の埋め込み位置も、ウェーハカセットに収納された半導体ウェーハの表面と正対する連結壁の内側であれば限定されない。
【０００９】
このウェーハカセットは、そのまま半導体ウェーハの輸送用として使用してもよいし、ウェーハケースに収納される中子として使用してもよい。ウェーハカセットの種類は限定されない。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、上記連結壁の内側に、半導体ウェーハの表面の静電気を消散させ、かつ下向きコの字形状に屈曲した屈曲部分を上記連結壁の上端部に引っかけた状態で静電気消散用治具を付設したウェーハカセットである。
ここでいう静電気消散用治具とは、連結壁の内側に付設された、半導体ウェーハの表面の静電気が消散されやすい突起部を含む薄板を意味する。具体的には、この連結壁の内側に付設されて、かつ稜線部を有する金属製薄板がこれにあたる。半導体ウェーハの表面の静電気は、静電気消散用治具のウェーハに近い突起部から、ウェーハカセットに形成された所定のアース経路を通じて外部に消散される。ここでいう静電気消散用治具の素材は限定されない。例えばステンレススチール，チタンなどのウェーハ表面に影響を与える金属原子を発生する可能性が小さな金属、そのほか静電気消散剤を高濃度に添加した上記樹脂素材などが挙げられる。なお、治具および治具に設けられる突起部の具体的な形状、大きさ、個数は限定されない。その付設位置も、半導体ウェーハの表面と正対する連結壁の内側であれば限定されない。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、上記各側壁の挿填溝の形成部のうち、上記半導体ウェーハの表面側には異形部が設けられ、この異形部に半導体ウェーハの表面の静電気を消散させる静電気消散片を埋め込んだウェーハカセットである。
静電気消散片が埋め込まれるのは、凹部形状の異形部でもよいし、凸部形状の異形部でもよい。
ここでいう静電気消散片の素材は限定されない。例えばステンレススチール，チタンなどのウェーハ表面に影響を与える金属原子を発生する可能性が少ない金属、または静電気消散剤を高濃度に添加した上記樹脂素材などが挙げられる。
また、この静電気消散片の形状、大きさ、埋め込み個数、埋め込み位置などは限定されない。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、半導体ウェーハを挿填する挿填溝が各対向面に形成された１対の側壁と、該各側壁を対向状態で連結する連結壁とを有し、上記半導体ウェーハは、デバイスが形成される半導体ウェーハの表面を挿填溝の形成部との非接触面としてこの挿填溝に挿填されるウェーハカセットにおいて、上記各側壁の挿填溝の形成部のうち、上記半導体ウェーハの表面側に、上記静電気消散片を埋め込んだウェーハカセットである。
静電気消散片の素材は限定されない。例えばステンレススチール，チタンなどのウェーハ表面に影響を与える金属原子を発生する可能性が少ない金属、または静電気消散剤を高濃度に添加した上記樹脂素材が挙げられる。
また、この静電気消散片の形状、大きさ、埋め込み個数、埋め込み位置などは限定されない。
【００１３】
【作用】
請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、半導体ウェーハの表面に帯電した静電気は、挿填溝に半導体ウェーハを挿填した際に、いずれも低コストで作製することができる静電気消散用異形片（請求項１）、静電気消散用治具（請求項２）、静電気消散片（請求項３および請求項４）を介して、ウェーハカセットの所定のアース経路を通じて外部に確実に消散される（放電される）。
その結果、例えばウェーハ輸送時の振動を原因として、互いに接触している半導体ウェーハとウェーハカセットの挿填溝の壁面とが擦れたりして微細なごみ類が発生したときでも、このごみ類は半導体ウェーハの表面に付着しにくい。これにより、半導体ウェーハの表面が汚染されるのを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例に係るウェーハカセットについて説明する。なお、ここでは、ウェーハカセットを縦置きにして、シリコンウェーハを垂直に保持した状態を例にとる。  図１（ａ）は、この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。図１（ｂ）は、この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。図２は、この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの使用状態の斜視図である。
図１および図２に示すように、１０はこの発明の第１の実施例に係るウェーハカセットである。このウェーハカセット１０は、例えば８インチのシリコンウェーハ１１を最大で２５枚挿填できるポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）製のケースである。なお、その素材中には、静電気を消散させる静電気消散性添加剤は添加されていない。
【００１５】
ウェーハカセット１０の両側壁１５の各内面には、それぞれシリコンウェーハ１１が挿填される２５本の挿填溝１０ａが一定ピッチで対向配置されている。各挿填溝１０ａの奥部分は平坦であるが全体としてＶ字形状となっている。これらの側壁１５は、Ｕ形の平板である連結壁（Ｕ壁）１５ａおよびＨ形の枠形状の連結壁（Ｈ壁）１５ｂによって連結されている。
図１（ａ）に示すように、この第１の実施例では、連結壁１５ａの内側にシリコンウェーハ１１の表面の静電気を消散させる３本の縦長な静電気消散用異形片１３ａが埋め込まれている。
この静電気消散用異形片１３ａは、幅４ｍｍ，高さ２ｍｍ，長さ１００ｍｍの三角柱形状の部分が、連結壁１５ａの表面から突出している。静電気消散用異形片１３ａの素材はステンレススチールである。このステンレススチールの静電気消散用異形片１３ａの長さは、連結壁１５ａ，１５ｂの高さに対応している方が、ウェーハ表面との重なり度合いが最大となるので好都合である。例えば、連結壁１５ａの高さの６０％以上の長さがあれば良い。各シリコンウェーハ１１を挿填溝１０ａにそれぞれ挿填すると、連結壁１５ａに対して最前列のシリコンウェーハ１１の表面に帯電した静電気は、これらの静電気消散用異形片１３ａの稜線部から所定のアース経路を経て外部に消散される。
【００１６】
次に、この第１の実施例に係るウェーハカセット１０の使用方法を説明する。
図１および図２に示すように、ウェーハカセット１０の各対向配置された挿填溝１０ａ間に多数枚のシリコンウェーハ１１をそれぞれ挿填する。このとき、各挿填溝１０ａのＶ字形状の奥部分に、各シリコンウェーハ１１の外周部が収納される。
その後、例えばトラックによる陸路運送を行うと、その振動が荷台に積まれたウェーハカセット１０に伝達される。これにより、シリコンウェーハ１１とウェーハカセット１０の挿填溝１０ａの接触面との間で、擦れを原因とした微細なごみを発生することがある。  しかしながら、あらかじめシリコンウェーハ１１の表面の静電気は、静電気消散用異形片１３ａによって消散されている。そのため、ウェーハカセット１０の内部で発生した微細なごみ類は、シリコンウェーハ１１の表面に付着しにくい。その結果、ウェーハ表面が汚染されるのを低コストで防ぐことができる。
【００１７】
次に、図３に基づいて、この発明の第２の実施例に係るウェーハカセットを説明する。  図３（ａ）は、この発明の第２の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。図３（ｂ）は、この発明の第２の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
図３（ａ）に示すように、第２の実施例では、連結壁１５ａの内側にシリコンウェーハ１１の表面の静電気を消散させる静電気消散用治具１３を付設した例である。
【００１８】
静電気消散用治具１３は、厚さ０．２ｍｍ，幅１００ｍｍのステンレススチール製の薄板１３ｂを本体としている。この薄板１３ｂの上端部は下向きコの字形に屈曲されている。静電気消散用治具１３は、この屈曲部分を連結壁１５ａの上端部に引っかけることで、カセットに取り付けられる。
薄板１３ｂの表面には、幅１ｍｍ，高さ２ｍｍの断面三角形状の５本の突起１３ｃが、各稜線部分を薄板１３ｂの表面から突出させて、互いに平行な状態で配設されている。各突起１３ｃも、ステンレススチール製である。
この静電気消散用治具１３の長さは連結壁１５ａの高さに対応している。また、静電気消散用治具１３の幅は、ウェーハ表面との重なりの度合いが最大になれば好都合である。具体的には、連結壁１５ａの幅の６０％以上の幅があればよい。また、各突起１３ｃの形状、個数に制限はない。そして、突起１３ｃの長さは、連結壁１５ａの高さの６０％以上が好ましい。
各シリコンウェーハ１１を対応する挿填溝１０ａにそれぞれ挿填すると、連結壁１５ａに対して最も近いシリコンウェーハ１１の表面に帯電した静電気が、静電気消散用治具１３の突起１３ｃから所定のアース経路を通じて外部に消散される。
その他の構成、作用、効果は第１の実施例と同様であるので説明を省略する。
【００１９】
次に、図４および図５に基づいて、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットを説明する。
図４（ａ）は、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。図４（ｂ）は、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。図５は、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
図４および図５に示すように、この第３の実施例では、各挿填溝１０ａの形成部に凹部１０ｂを設け、しかも各凹部１０ｂの奥面に、静電気消散片１２が埋め込まれている。
【００２０】
これらの凹部１０ｂは、縦１ｍｍ，横２ｍｍの正面視して矩形状のくぼみである。また、各凹部１０ｂの長さは、挿填溝１０ａの全長にわたってもよいし、そこまでなくてもよい。ただし、少なくとも装填溝１０ａに挿填されたウェーハ外周部と凹部１０ｂとが重なり合う程度の長さを有していた方が好ましい。
その場合、シリコンウェーハ１１の表面の静電気は、シリコンウェーハ１１にもっとも近い凹部１０ｂの外縁部分に埋め込まれた静電気消散片１２の角部を介して、溝形成部１０ｄを含む所定のアース経路を経て外部に消散される。なお、この凹部１０ｂに代えて、正面視して矩形状の凸部を形成して、その外面に静電気消散片１２を埋め込んでもよい。この場合、シリコンウェーハ１１の表面に帯電した静電気は、シリコンウェーハ１１にもっとも近接した凸部に埋め込まれた静電気消散片１２の角部を介して、所定のアース経路を経て外部に消散される。
このような凹部１０ｂまたは凸部の長さは、挿填溝１０ａの長手方向の直線部分の長さに対応している。
その他の構成、作用、効果は第１の実施例と同様であるので説明を省略する。
【００２１】
次に、図６に基づいて、この発明の第４の実施例に係るウェーハカセットを説明する。  図６（ａ）は、この発明の第４の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。図６（ｂ）は、この発明の第４の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。
図６（ａ），図６（ｂ）に示すように、この発明の第４の実施例では、静電気消散用の溝構造として、各挿填溝１０ａの溝形成部１０ｄに、シリコンウェーハ１１の表面に帯電した静電気を消散させる断面矩形状の静電気消散片１２がそれぞれ埋め込まれた例である。
静電気消散片１２の素材はステンレススチールである。その寸法は幅２ｍｍ，厚さ１ｍｍであり、長さは挿填溝１０ａの長手方向の直線部分の長さに対応して１５０ｍｍである（図５も参照）。
ウェーハ挿填時、シリコンウェーハ１１の表面の静電気は、この静電気消散片１２を介して、所定のアース経路を経て外部に消散される。
その他の構成、作用、効果は第３の実施例と同様であるので説明を省略する。なお、上述した実施例以外に、各実施例を適当に組み合わせて使用してもよい。
【００２２】
以下、この発明のウェーハカセットを使用した場合の清浄効果を図７のグラフを参照して説明する。
図７は、この発明品および従来品からなるウェーハカセットの振動試験において、ウェーハ表面上に付着した０．１μｍ以上のパーティクル数のグラフを示している。
すなわち、各々直径２００ｍｍのシリコンウェーハが挿填された５種類（１種類が従来品、他の４種類は本発明品）のウェーハカセットに、それぞれ毎秒１２０ｒｐｍの振動を５時間与える。その後、各ウェーハ表面に付着した０．１μｍ以上のパーティクル数を、レーザーパーティクルカウンタを用いて測定した。
【００２３】
このグラフから明らかなように、従来品では、２００個を越える多数のパーティクルが検出された。これに対して、第１〜第４の本発明品にあってはわずかに数個が検出されたのに過ぎなかった。この結果から、挿填溝および連結壁の内側を静電気が消散しやすい構造にすれば、振動で発生した微細なごみ類は、ウェーハ表面に付着しにくいことが実証された。
【００２４】
なお、従来品および各本発明品はＰＢＴ製である。また、第１の本発明品にあっては、挿填溝が形成された両側壁を連結する連結壁（Ｕ壁）の内側にステンレススチール製の静電気消散用異形片が埋め込んである。静電気消散用異形片は幅４ｍｍ，高さ２ｍｍ，長さ１００ｍｍの三角柱形状の部分が、壁表面から１０本突き出ている（第１の実施例に対応）。第２の本発明品の場合は、連結壁（Ｕ壁）の内側にステンレススチール製の静電気消散用治具が付設されている。静電気消散用治具は、厚さ０．２ｍｍ，幅１００ｍｍのステンレススチールの薄板に幅１ｍｍ，高さ２ｍｍの断面三角形状の突起が１０本、それぞれの稜線部分を薄板の表面から突き出すように配設されている（第２の実施例に対応）。また、第３の本発明品の場合には、挿填溝の形成部に凹部を設け、この凹部の奥面に静電気消散片を埋め込んである。この凹部は縦１ｍｍ，横２ｍｍ，長さは挿填溝の長手方向の直線部分の長さに対応して、１５０ｍｍである（第３の実施例に対応）。第４の本発明品では、静電気消散用の溝構造として、各挿填溝の形成部に、矩形状の静電気消散片をそれぞれ埋め込んである。静電気消散片の素材はステンレススチールであり、その寸法は幅２ｍｍ，厚さ１ｍｍであり、長さは挿填溝の長手方向の直線部分の長さに対応して、１５０ｍｍである（第４の実施例に対応）。従来品および本発明品には静電気消散剤は添加されていない。
【００２５】
【発明の効果】
この発明では、半導体ウェーハの表面の静電気は、それぞれ安価に作製することができる静電気消散用異形片（請求項１）、静電気消散用治具（請求項２）、静電気消散片（請求項３および請求項４）を経て、ウェーハカセットから外部に確実に消散されるので、例えばウェーハカセット内で発生した微細なごみ類などが半導体ウェーハの表面に付着しにくくなる。その結果、このウェーハの表面が汚染されるのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は、この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。
（ｂ）は、この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
【図２】  この発明の第１の実施例に係るウェーハカセットの使用状態の斜視図である。
【図３】  （ａ）は、この発明の第２の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。
（ｂ）は、この発明の第２の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
【図４】  （ａ）は、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
（ｂ）は、この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。
【図５】  この発明の第３の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
【図６】  （ａ）は、この発明の第４の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大断面図である。
（ｂ）は、この発明の第４の実施例に係るウェーハカセットの要部拡大斜視図である。
【図７】  この発明および従来手段に係るウェーハカセットの振動試験におけるパーティクル数を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  ウェーハカセット、
１０ａ  挿填溝、
１０ｂ  凹部（異形部）、
１０ｄ  溝形成部、
１１  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）、
１２  静電気消散片、
１３  静電気消散用治具、
１３ａ  静電気消散用異形片、
１３ｂ  薄板、
１３ｃ  突起、
１５  側壁、
１５ａ  連結壁（Ｕ壁）
１５ｂ  連結壁（Ｈ壁）。
【図１】
0003805177.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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