(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとクラッドよりなり、前記コアの端部に拡径部を備え、少なくとも前記拡径部内に特定の波長の光のみを反射する回折格子を備え、かつ、前記回折格子が導光方向に沿って周期的に設けられた高屈折率領域を備えた光ファイバと、
活性領域を挟んで相対向する光反射面と光射出面が形成された半導体発光素子と、
を備え、
前記光射出面と前記光ファイバの前記拡径部を備える端部が光結合され、前記光反射面と前記回折格子とにより実質的に共振器が形成されていること、
を特徴とする発光素子モジュール。
【請求項２】
前記回折格子の高屈折率領域は、導光方向に沿って等光路長で周期的に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項３】
前記拡径部を備えた端部が先球加工されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子モジュール。
【請求項４】
前記拡径部を備えた端面に反射低減膜を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の発光素子モジュールとして、図１１に示すように、発光源となる半導体発光素子Ａと導光路となる光ファイバＢを備えて構成されたものが知られている。発光素子モジュールの半導体発光素子Ａは、ｐ型半導体とｎ型半導体を接合したもので構成され、その半導体発光素子Ａの相対向する各側面に高反射率の光反射面Ｃと低反射率の光射出面Ｄが設けられている。一方、光ファイバＢはコアＥに複数の高屈折率の領域を所定のピッチで形成してなる回折格子Ｆが設けられており、この回折格子Ｆと光反射面Ｃとが共振器を構成している。このような発光素子モジュールによれば、半導体発光素子Ａへの電流注入によりその内部で光を生じ、その光が光反射面Ｃと光ファイバＢの回折格子Ｆの間で反射往復し増幅されることにより、回折格子Ｆのピッチで決まる単一波長のレーザ光Ｈを光ファイバＢを通じて出力することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の発光素子モジュールにあっては、次のような問題点がある。半導体発光素子Ａと光ファイバＢが効率良く光結合されず、レーザ光Ｈを効率良く出力することができない。すなわち、半導体発光素子Ａで発生させた光を効率良く増幅してレーザ光Ｈとして出力するには、半導体発光素子Ａと光ファイバＢとの光結合効率が重要であるが、半導体発光素子Ａ及び光ファイバＢはともに微小なものであり、互いの光軸を合わせて正確に配置するのは非常に困難である。このため、半導体発光素子Ａに対し光ファイバＢが軸ズレしたりすると、半導体発光素子Ａの光反射面Ｃと光ファイバＢの回折格子Ｆとの間で往復する光のエネルギー損失が大きく、効率良く光を増幅できない。従って、レーザ光Ｈを効率良く出力できず、それに起因して量産した際の発光素子モジュールの出力特性にばらつきを生ずることとなる。このような問題に対処すべく、半導体発光素子Ａと光ファイバＢの光結合効率の向上するための技術開発が切望されている。
【０００４】
そこで本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたものであって、レーザ光を効率良く出力する発光素子モジュールを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、コアとクラッドよりなり、前記コアの端部に拡径部を備え、少なくとも前記拡径部内に特定の波長の光のみを反射する回折格子を備え、かつ、前記回折格子が導光方向に沿って周期的に設けられた高屈折率領域を備えた光ファイバと、活性領域を挟んで相対向する光反射面と光射出面が形成された半導体発光素子とを備え、前記光射出面と前記光ファイバの前記拡径部を備える端部が光結合され、前記光反射面と前記回折格子とにより実質的に共振器が形成されていることを特徴とする発光素子モジュールである。
【０００６】
この発明によれば、光を入射するコアに拡径部が形成されているから、光結合対象に対しコアが軸ズレ等を生じた場合であっても、光の入射及び出射が確実に行われ光結合効率の低下が防止される。
【０００７】
また本発明は、前述の回折格子が導光方向に沿って等光路長で周期的に設けられた高屈折率領域を備えていることを特徴とする発光素子モジュールである。このような発明によれば、回折格子が導光方向に沿って屈折率の異なる拡径部に形成されている場合であっても、その回折格子を形成する高屈折率領域の間隔が等しい光路長となっているから、単一の波長の光のみが反射されることとなる。
【０００８】
また本発明は、前述の拡径部を備えた端部が先球加工されていることを特徴とする発光素子モジュールである。このような発明によれば、光ファイバへ入射する光がコアへ向けて集められるから、光結合効率の向上が図れる。
【０００９】
また本発明は、前述の拡径部を備えた端面に反射低減膜を備えていることを特徴とする発光素子モジュールである。このような発明によれば、光ファイバへ入射する光がその光ファイバの端面で反射することなく導光されるから、その反射による特性悪化が回避され光結合効率が向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明に係る実施形態の一例について説明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付して説明を省略する。また、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致していない。
【００１８】
図１は光ファイバ１の概要図である。図１において、光ファイバ１は、石英（ＳＯ2 ）等からなるクラッド２の内部にゲルマニア（ＧｅＯ2 ）等の屈折率上昇材を添加してなるコア３が軸方向に沿って形成された細径の線材であって、高屈折率のコア３に沿って光を導光する構造となっている。この光ファイバ１は、その端部におけるコア３に拡径部３１が形成されている。拡径部３１は、光ファイバ１の端面１１のモードフィールド径が拡大された部位であり、図１に示すように、光ファイバ１のコア３の径を広げることにより形成され、例えば、そのモードフィールド径が端面１１へ向けて徐々に拡大するような形状とされる。このような拡径部３１がコア３の端部に形成されることにより、光ファイバ１の端面１１へ向けて照射される光が軸ズレ等ていても、コア３内へ確実に導光されることとなり、外部との光結合効率の向上が図れる。
【００１９】
一方、コア３の途中には、所定の波長の光のみを反射する回折格子３２が形成されている。回折格子３２は、図１のように、光ファイバ１の軸方向、すなわちコア３の導光方向に沿って形成された複数の高屈折率領域３３により構成され、これらの高屈折率領域３３の間が等しい光路長とされることにより、次式（１）のλの波長を有する光のみを選択的に反射するようになっている。
【００２０】
λ ＝２・ｎ・Λ      ……  （１）
ｎ：コア３内における実効屈折率
Λ：高屈折率領域３３の間隔（周期）
図１において、回折格子３２は拡径部３１内に形成されており、この拡径部３１内では端面１１へ向けて徐々に屈折率が小さくなる傾向があるため、高屈折率領域３３の周期Λを端面１１へ向けて徐々に広い距離で形成されている。この高屈折率領域３３の形成は、紫外線照射による干渉露光法を用いて行えばよい。すなわち、光ファイバ１の外部から紫外線を照射し、その照射によりゲルマニウムが添加されているコア３の屈折率を上昇させることにより、高屈折率領域３３が形成される。紫外線はコア３へ周期Λに相当する干渉縞を形成した状態で照射されることにより、所定周期Λで高屈折率領域３３が形成されることとなる。このような回折格子３２がコア３に形成されることにより、光ファイバ１の端面１１から入射する光のうち所定波長のもののみが端面１１側へ反射されることとなる。
【００２１】
また、前述の回折格子３２は、コア３の拡径部３１以外に形成されていてもよい。すなわち、図２のように回折格子３２が拡径部３１とそれ以外の部分に跨がって形成されている場合、また、図３のように回折格子３２が拡径部３１以外のコア３に形成されている場合であっても、高屈折率領域３３の周期Λが等しい光路長で形成されていれば、所定波長の光のみを反射可能である。
【００２２】
また、光ファイバ１の端部は、先球加工される場合もある。例えば、図４に示すように、光ファイバ１ａは、その端面１１ａが外側へ向けて凸面鏡状又は半球状に突出した構造とされ、このような構造を有することにより、その端面１１ａへ照射される光が軸心のコア３へ集光されるから、外部との光結合効率が良好なものとなる。その先球加工は、例えば、端面１１ａにおけるモードフィールド径が３５μｍである場合、曲率半径２０μｍに突出して形成される。
【００２３】
更に、光ファイバの端面に光反射率を低減する反射低減膜が付設される場合もある。すなわち、図５に示すように、光ファイバ１ｂは、その端面１１に反射低減膜である誘電体多層膜１２が付設されることにより、端面１１へ照射される光がその端面１１で反射せずにコア３内へ確実に入射されることとなる。この誘電体多層膜１２は、シリカ（ＳｉＯ2 ）やチタニア（ＴｉＯ2 ）などの薄い膜を数層に積層して構成した膜体であり、その膜の材質の屈折率、厚さ及び層数を適宜変えることにより、特定波長における光反射率を任意に設定することが可能となる。
【００２４】
次に前述の光ファイバ１又は１ａ、１ｂを用いた発光素子モジュール６について説明する。
【００２５】
図６のように、発光素子モジュール６は、前述の光ファイバ１又は１ａ、１ｂ（以下、光ファイバ１という。）と半導体発光素子４を備えて構成されている。半導体発光素子４は、光の発生及び増幅を行う活性領域４１を有し、その活性領域４１を挟んで相対向する光反射率の高い光反射面４２と光反射率の低い光射出面４３が設けられた構造とされており、その活性領域４１へ電流を注入することで光を発生し、その光を光反射面４２で反射して光射出面４３から射出するようになっている。この半導体発光素子４としては、例えば、一般のファブリペロー型の半導体レーザと同様にＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのダブルヘテロ構造体が採用され、ＩｎＰからなるクラッド層４４、４４の間にＩｎＧａＡｓＰからなる活性領域４１が配設される。この活性領域４１は混晶が用いられることによりその屈折率がクラッド層４４のものより大きくなり、活性領域４１に沿って光が導光されるようになっている。
【００２６】
半導体発光素子４における電流の注入手段としては、例えば、半導体発光素子４に電流注入用の駆動回路（図示なし）を接続したものが採用され、クラッド層４４、４４を通じて活性領域４１へ電流を流せるように構成しておけばよい。このような駆動回路から半導体発光素子４に所定の作動電流が流されることで活性領域４１が励起されて自然放出光が発生し、この自然放出光が誘導放出を引き起こしながら活性領域を進行し、誘導放出光とともに光射出面４３から射出されることとなる。なお、半導体発光素子４は、前述のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのダブルヘテロ構造体のものに限られるものでなく、光を発生し増幅し、かつ、前述の光反射面４２及び光射出面４３を有するものであれば、その他の半導体等により形成されたものであってもよい。
【００２７】
一方、図６のように、その半導体発光素子４の光射出面４３側には、その光射出面４３と相互に光の入射及び出射を可能に光結合された状態で、前述の光ファイバ１が配置されている。例えば、光ファイバ１は、その端面１１が半導体発光素子４の光射出面４３と相対向するように配置され、光射出面４３から射出された光を入射可能とされ、またその端面１１から光射出面４３へ向けて光を出射できるようになっている。また、光ファイバ１は、コア３に形成した回折格子３２が半導体発光素子４の光反射面４２と共にレーザ共振器を構成している。すなわち、半導体発光素子４内で発生した光を光反射面４２と回折格子３２の間で反射往復させながら増幅させ、光ファイバ１を通じてレーザ光５として出力するようになっている。更に、回折格子３２が光ファイバ１の端部付近、すなわちコア３の拡径部３１に形成されていれば、その回折格子３２が半導体発光素子４を収容するパッケージ内に位置し、回折格子３２への外部からの影響（光ファイバ１に加わる外力や熱等）が低減するので、発光素子モジュール６のレーザ光出力特性が安定化される。
【００２８】
図示されていないが、半導体発光素子４と光ファイバ１の間には、それらの間で進行する光の結合を行うレンズ系が設けられていてもよい。例えば、半導体発光素子４及び光ファイバ１と別個のロッドレンズ又は円柱レンズなどを配設して、半導体発光素子４の光射出面４３又は光ファイバ１のコア３から出射される光の広がりを集束して、コア３と光射出面４３とを光結合させる。このレンズ系の配設により、半導体発光素子４の光反射面４２と光ファイバ１の回折格子３２との間で光が往復する際に、半導体発光素子４と光ファイバ１の間での光結合効率を向上させることが可能となる。
【００２９】
次に、発光素子モジュール６の作動について説明する。
【００３０】
図６において、半導体発光素子４のクラッド層４４、４４間に所定の電圧を印加して、各クラッド層４４及び活性領域４１へ電流を注入する。すると、活性領域４１が励起されて自然放出光を発する。この自然放出光は、活性領域４１内で誘導放出を引き起こして誘導放出光とともに進行して、反射率の高い光反射面４２で反射されて反射率の低い光射出面４３から射出されていく。光射出面４３から光ファイバ１側へ射出された光は、光ファイバ１の端面１１へ向けて進行するが、半導体発光素子４及び光ファイバ１はマイクロオーダーの微小なものであるから、半導体発光素子４から射出される光の光軸と光ファイバ１のコア３の光軸が微妙に軸ズレして配設されるおそれがある。しかし、仮にそのような場合であっても、光ファイバ１のモードフィールド径はその端部で拡径部３１の形成により拡大されているから、半導体発光素子４から射出された光は確実に光ファイバ１のコア３内へ入射されることとなる。その際、光ファイバ１の端面１１が光ファイバ１ａの端面１１ａのように先球加工されていれば、コア３へ入射した光をコア３の中心へ集光させることができる。また、光ファイバ１の端面１１が光ファイバ１ｂのように反射低減膜である誘電体多層膜１２を付設していれば、端面１１へ照射された光を反射させずに確実にコア３内へ入射させることが可能となる。
【００３１】
そして、その光は、コア３の途中に配設された回折格子３２により所定波長のもののみが反射される。すなわち、等しい光路長Λに隔てられた複数の高屈折率領域３３に光が到達すると、そのΛに対応する波長λ（前述の式（１）を満たす波長λ）のみが選択的に光ファイバ１の端部１１側へ反射されることとなる。その特定波長の光は光ファイバ１の端面１１から射出され、半導体発光素子４の活性領域４１内へ入射されて、活性領域４１内を進行し、再び増幅されながら光反射面４２で反射される。このように、光は光反射面４２と光ファイバ１の回折格子３２との間での往復を繰り返し増幅された後、回折格子３２を透過して所望のレーザ光５として光ファイバ１を通じて出力されていく。
【００３２】
このような発光素子モジュール６によれば、光ファイバ１に回折格子３２が形成されているから単一波長のレーザ光を出力できると共に、光ファイバ１に拡径部３１が形成されているから、半導体発光素子４と光ファイバ１との光結合が効率良く行われ、レーザ光を効率良く出力することができる。
【００３３】
次に、前述の光ファイバ１の製造方法について説明する。
【００３４】
図７において、コア３の途中部分に拡径部３０を形成したファイバ原線１０を用意し、そのファイバ原線１０の一端側から基準光７を入射し、他端側に透過してくる透過光８の波長−光強度特性を測定できるように、ファイバ原線１０をセットする。このファイバ原線１０は製造すべき光ファイバ１の母体となるものであり、そのコア３の拡径部３０は、ファイバ原線１０の途中をバーナなどにより加熱し、コア３に添加されたゲルマニウムなどの屈折率上昇材を周囲に拡散させることにより形成される。基準光７の入射手段としては公知の発光源装置等を用い、透過光８の受光手段としては公知の受光装置等を用いればよい。ファイバ原線１０の拡径部３０は、前述の拡径部３１と同様にモードフィールド径を拡大したものである。また、基準光７としては、所定の波長帯において各波長成分をほぼ均等に有する光を用いるのが好ましく、例えば、白色光が採用される。
【００３５】
そして、基準光７をファイバ原線１０の一端側から入射し、他端側へ透過してくる透過光８の特性を計測しながら、ファイバ原線１０に紫外線９１を照射する。紫外線９１の照射は、ファイバ原線１０へ向けて二方向から行い、コア３の軸方向へ紫外線９１により所定間隔で干渉縞ができるようにする。干渉縞の間隔は、前述した所望の高屈折率領域３３の周期Λとなるように設定しておく。その紫外線９１の照射により、ファイバ原線１０のコア３では、紫外線の強度に応じて屈折率が上昇し、複数の高屈折率領域３３、すなわち回折格子３２が形成されていく。その際、図７のように、透過光８の波長−光強度特性を計測しながら回折格子３２を形成できるので、その回折格子３２の光反射特性を微妙に調整しながら所定波長のみを反射するものとすることができる。
【００３６】
そして、拡径部３０の両側に、前述の如く回折格子３２、３２をそれぞれ設ける。その際、二つ目の回折格子３２は、初めの回折格子３２の反射特性による部分を差し引いて、透過光８の波長−光強度特性を計測しながら形成すればよい。また、拡径部３０の両側に形成する回折格子３２、３２の光反射特性は、同等なものでよいし、紫外線の照射状態を変えることにより異なる特性とすることも可能である。また、回折格子３２の一部又は全部を拡径部３０に形成する場合もある。この場合、ファイバ原線１０から図１又は図２に示すような光ファイバ１が得られることとなる。
【００３７】
回折格子３２を形成後、図８のように、ファイバ原線１０を拡径部３０のほぼ中心位置で切断する。その切断はへき開により行えばよい。その切断により、ファイバ原線１０から二本の光ファイバ１が得られることとなる。更に、得られた光ファイバ１の拡径部３０側の端面を先球加工し、また反射低減膜である誘電体多層膜１２を付設する場合もある。
【００３８】
このような光ファイバ１の製造方法によれば、予め拡径部３０を有するファイバ原線１０に回折格子３２を形成するので、拡径部３０の形成時の熱により回折格子３２の特性が劣化するなどの問題を生じない。また、回折格子３２の光反射特性を計測しながら回折格子３２を形成するから、その回折格子３２の光反射特性を所望のものとして確実に形成できる。更に、回折格子３２を形成したファイバ原線１０を切断して光ファイバ１とするので、最端部に回折格子３２を有する光ファイバ１を容易に、かつ、確実に製造できる。
【００３９】
ところで、光ファイバ１、１ａ又は１ｂは、前述の製造方法と異なる方法により製造してもよい。すなわち、ファイバ原線１０の端部にコア３の拡径部３１が形成されているときは、拡径部３１側の端部を受光装置等と効率良く光結合するのが困難である。このため、図９に示すように、波長−光強度特性を計測しながら基準光７をファイバ原線１０の一端から入射し、ファイバ原線１０のコア３に所望の回折格子３２を形成すると同時に、その内部（形成される回折格子３２）で反射する反射光７１の波長−光強度特性を計測することで、所望の回折格子３２を有する光ファイバ１（１ａ又は１ｂを含む）が製造できる。
【００４０】
その光ファイバ１の具体的な製造方法は、まず、ファイバ原線１０における拡径部３１と反対側の端部に導光体９２、光分岐器９３を介して基準光７の光源を接続して、ファイバ原線１０の端部へ基準となる光を入射できるようにしておく。例えば、光分岐器９３として、４つの端子Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4を有し、端子Ｐ1へ入射された光が所定の割合で分岐されて端子Ｐ3、Ｐ4から出射され、端子Ｐ3へ入射された光が所定の割合で端子Ｐ1、Ｐ2から出射される構造のものを用い、その端子Ｐ1と基準光７の光源を接続し、端子Ｐ3とファイバ原線１０を接続すると共に、端子Ｐ4に分光器９４を接続することにより、端子Ｐ1へ入射した基準光７を光分岐器９３内で基準光７ａと基準光７ｂに分岐させ、基準光７ａを端子Ｐ3から出射してファイバ原線１０へ入射させ、基準光７ｂを端子Ｐ4から出射して分光器９４へ入射させ基準光７ａの波長−光強度特性を計測できるようにしておく。また、光分岐器９３の端子Ｐ2にも分光器９５を接続することにより、ファイバ原線１０で反射される基準光７ａの反射光７１を端子Ｐ3へ入射させ光分岐器９３内で分岐させて反射光７１ａとして、その反射光７１ａを端子Ｐ2を通じて分光器９５へ入射させて反射光７１の波長−光強度特性を計測できるようにしておく。
【００４１】
このように、ファイバ原線１０へ入射される基準光７ａとその反射光７１の波長−光強度特性を計測可能な状態とし、ファイバ原線１０への基準光７の入射を行う。その基準光７としては、前述同様に白色光を用いればよい。一方、前述同様に、ファイバ原線１０へ紫外線を照射し、コア３に回折格子３２を形成する。回折格子３２が形成されていくと、それに伴って、ファイバ原線１０へ入射された基準光７が光分岐器９３側へ反射されていく。その反射光７１の特性は、図１０に示すように、分光器９５により随時計測することが可能である。例えば、分光器９４における基準光７の光強度が波長１３００ｎｍにおいて０ｄＢmであり、光分岐器９３の端子Ｐ3から端子Ｐ2、端子Ｐ1への分岐比が１：１であり、分光器９５に示される光強度が波長１３００ｎｍで−６ｄＢで示される場合、回折格子３２の波長１３００ｎｍにおける反射率が５０％になっていることが容易に確認できる。従って、分光器９５の反射光７１の光強度を計測しながら、ファイバ原線１０へ紫外線を照射することにより、回折格子３２の光の反射特性を容易に所望のものとすることができる。
【００４２】
その際、ファイバ原線１０の拡径部３１側の端面に予め反射低減膜である誘電体多層膜１２を付設しておけば、その端面での反射が防止されるから、回折格子３２の反射特性のみを分光器９５により計測でき、回折格子３２における所望の反射特性が確実に得られる。また、その拡径部３１側の端面に先球加工を予め施しておけば、同様に、その端面での反射が防止され、回折格子３２の反射特性のみを分光器９５により計測でき、回折格子３２における所望の反射特性が確実に得られることとなる。そして、ファイバ原線１０に所望の回折格子３２を形成し終えたら製造を完了する。
【００４３】
このような光ファイバ１の製造方法によれば、コア３の拡径部３１がファイバ原線１０の端部に形成されていた場合であっても、そのコア３に所望特性の回折格子３２を確実に形成することが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような効果を得ることができる。すなわち、本発明に係る発光素子モジュールは、光を入射するコアに拡径部が形成されることにより、光結合対象に対しコアが軸ズレ等を生じた場合であっても、光の入射及び出射が確実に行われるから、光結合効率の低下を防止することができ、光結合性に優れている。また、回折格子がコアの導光方向に向けて複数設けられた高屈折率領域からなり、それらの高屈折率領域の間隔が等しい光路長とされることにより、回折格子が導光方向に沿って屈折率の異なる拡径部に形成されている場合であっても、単一の波長の光のみを反射することができる。また、光ファイバの端部が先球加工されることにより、光ファイバへ入射する光がコアへ向けて集められるから、光結合効率の向上を図ることができる。また、光ファイバの端面に反射低減膜が付設されることにより、光ファイバへ入射する光がその光ファイバの端面で反射することなく導光されるから、光結合効率の向上を図ることができる。
【００４５】
また本発明に係る発光素子モジュールにあっては、半導体発光素子と光ファイバとの光結合が効率良く行われるので、単一波長のレーザ光を効率良く出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る光ファイバの模式図である。
【図２】実施形態に係る光ファイバの模式図である。
【図３】実施形態に係る光ファイバの模式図である。
【図４】実施形態に係る光ファイバの模式図である。
【図５】実施形態に係る光ファイバの模式図である。
【図６】実施形態に係る発光素子モジュールの概略図である。
【図７】実施形態に係る光ファイバの製造方法の説明図である。
【図８】実施形態に係る光ファイバの製造方法の説明図である。
【図９】実施形態に係る光ファイバの製造方法の説明図である。
【図１０】実施形態に係る光ファイバの製造方法の説明図である。
【図１１】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
１…光ファイバ、２…クラッド、３…コア、３１…拡径部、３２…回折格子
３３…高屈折率領域
【図１】
0003755176.tif 000002
【図２】
0003755176.tif 000003
【図３】
0003755176.tif 000004
【図４】
0003755176.tif 000005
【図５】
0003755176.tif 000006
【図６】
0003755176.tif 000007
【図７】
0003755176.tif 000008
【図８】
0003755176.tif 000009
【図９】
0003755176.tif 000010
【図１０】
0003755176.tif 000011
【図１１】
0003755176.tif 000012