(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持する一対の基板のうちの一方の基板には、下層側配線上に該下層側配線の陽極酸化膜を介して上層側配線が積層された複数の信号線、該信号線に対して各々２端子型非線形素子を介して接続する画素電極を有し、前記２端子型非線形素子は、島状の下層側電極、該下層側電極の陽極酸化膜、該陽極酸化膜の表面から前記画素電極の下層まで延設されて当該画素電極に導電接続する第１の上層側電極、および前記上層側配線から前記陽極酸化膜の表面上まで延設された第２の上層側電極を備え、前記上層側配線上に形成された配線被覆層、前記第１の上層側電極上に形成された第１の電極被覆層、および前記第２の上層側電極上に形成された第２の電極被覆層をさらに備えた液晶表示装置の製造方法であって、
金属膜を形成した後、該金属膜表面に第１のマスクを形成してエッチングを行い、前記下層側配線、前記下層側電極、および該下層側電極と前記下層側配線との連結部を形成する第１の工程と、
前記下層側配線から前記連結部を介して前記下層側電極に給電して該下層側電極表面および前記下層側配線を陽極酸化することにより、前記下層側電極の陽極酸化膜および前記下層側配線の陽極酸化膜を形成する第２の工程と、
第１の導電膜を形成した後、該第１の導電膜表面に第２のマスクを形成して該第１の導電膜のエッチングを行い、前記連結部の形成領域を除く領域のうち、少なくとも前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成すべき領域に加えて、当該第２の上層側電極と前記第１の上層側電極との間に相当する領域に前記第１の導電膜を残すことにより、該第１の導電膜からなる前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成した後に、当該第１の導電膜または前記第２のマスクをマスクとして前記金属膜のエッチングを行うことにより前記連結部を除去し、前記下層側電極と前記下層側配線とを分離する第３の工程と、
第２の導電膜を形成した後、該第２の導電膜表面に第３のマスクを形成して該第２の導電膜のエッチングを行い、前記画素電極、前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成すべき領域に前記第２の導電膜を残すことにより、該第２の導電膜からなる前記画素電極、前記配線被覆層、前記第１の電極被覆層、および前記第２の電極被覆層を形成した後に、当該第２の導電膜または前記第３のマスクをマスクとして前記第１の導電膜のエッチングを行うことにより少なくとも前記第２の上層側電極と前記第１の上層側電極との間に相当する領域の前記第１の導電膜を除去する第４の工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第４の工程で行う前記第２の導電膜へのエッチングと前記第１の導電膜へのエッチングとを１回のエッチングとして連続して行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第３の工程で行う前記第１の導電膜へのエッチングと前記金属膜へのエッチングとを１回のエッチングとして連続して行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。更に詳しくは、共通の下層側電極に対して陽極酸化膜を介して２つの上層側電極が対向する２端子型非線形素子を画素スイッチング素子として用いた液晶表示装置の製造技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＭＩＭ素子のような２端子型非線形素子を用いた液晶表示装置では、液晶を挟持する２枚の透明な第１および第２の絶縁基板のうち、一方の絶縁基板に、図８に示すように、多数の走査線１１（信号線）が列方向に形成されている。また、走査線１１にはＭＩＭ素子１２′（画素スイッチング素子）を介して画素電極１３が接続している。また、図示を省略するが、他方の絶縁基板には、カラーフィルタ（ＣＦ）、およびデータ線としての対向電極（ＩＴＯ膜／Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が形成され、これらの走査線１１とデータ線との交点に対応して画素が構成される。
【０００３】
このＭＩＭ素子１２の製造方法では、図８から明らかなように、
第１の工程：タンタル膜を形成した後、このタンタル膜表面に第１のマスクを形成して第１回目のエッチング行ない、走査線１１の下層側配線１１１（タンタル配線）および下層側電極１２１を形成する工程
第２の工程：下層側配線１１１を介して下層側電極１２１に給電して陽極酸化を行い、陽極酸化膜１２２を形成する工程
第３の工程：クロム膜を形成した後、クロム膜表面に第２のマスクを形成して第２回目のエッチングを行い、上層側配線１１２（クロム配線）および上層側電極１２３を形成する工程
第４の工程：ＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜の表面に第３のマスクを形成して第３回目のエッチングを行い、画素電極１３を形成する工程
とを行う。
【０００４】
すなわち、３回のフォトリソグラフィ工程と３回のエッチング工程とによってＭＩＭ素子１２′を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＭＩＭ素子１２′では、図９に示すように、走査線１１から画素電極１３に向けて、タンタル膜からなる下層側電極１１１、タンタル酸化膜からなる陽極酸化膜１２２、クロム膜からなる上層側電極１２３がこの順に接続している状態にあるので、走査線１１から画素電極１３に向かう第１の電流経路（矢印Ａで示す方向）と、それとは逆に画素電極１３から走査線１１に向かう第２の電流経路（矢印Ｂで示す方向）との間では、電極構成が異なっている。このため、第１の電流経路と第２の電流経路との間では電流−電圧特性が相違するので、交流反転駆動を行った場合、表示に差が生じるという問題点がある。
【０００６】
そこで、図１０に示すように、島状のタンタル膜からなる下層側電極１２１、この下層側電極１２１の陽極酸化膜１２２、この陽極酸化膜１２２の表面から画素電極１３の下層まで延設されてこの画素電極１３に導電接続するクロム膜からなる第１の上層側電極１２４、およびこの走査線１１の上層側配線１１２（クロム配線）から陽極酸化膜１２２の表面上まで延設された第２の上層側電極１２５を備えるＭＩＭ素子１２、いわゆるｂａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ構造のＭＩＭ素子１２（以下、Ｂ／Ｂ構造のＭＩＭ素子という。）が採用されつつある。
【０００７】
このＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２では、図１１に示すように、走査線１１から画素電極１３に向けて、クロム膜からなる第２の上層側電極１２５、タンタル酸化膜からなる陽極酸化膜１２２、タンタル膜からなる下層側電極１２１、タンタル酸化膜からなる陽極酸化膜１２２、クロム膜からなる第１の上層側電極１２４がこの順に接続している状態にある。このため、走査線１１から画素電極１３に向かう第１の電流経路（矢印Ａで示す方向）と、それとは逆に画素電極１３から走査線１１に向かう第２の電流経路（矢印Ｂで示す方向）との間では、電極構成が等価である。従って、第１の電流経路と第２の電流経路との間では電流−電圧特性が一致するので、交流反転駆動においても、表示品質が安定する。
【０００８】
Ｂ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２の製造方法では、図１０からわかるように、
第１の工程：タンタル膜を形成した後、このタンタル膜表面に第１のマスクを形成して第１回目のエッチング行ない、走査線１１の下層側配線層１１１（タンタル配線）、下層側電極１２１、およびこの下層側電極１２１と下層側配線１１１との連結部１２６を形成する工程
第２の工程：下層側配線１１１から連結部１２６を介して下層側電極１２１に給電して陽極酸化膜１２２を形成する工程
第３の工程：クロム膜を形成した後、このクロム膜表面に第２のマスクを形成して第２回目のエッチングを行い、上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５を形成する工程
第４の工程：第３のマスクを形成して第３回目のエッチングを行い、下層側電極１２１と下層側配線１１１との連結部１２６を除去して下層側配線１１１から下層側電極１２１を分離させる工程
第５の工程：ＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜の表面に第４のマスクを形成して第４回目のエッチングを行い、画素電極１３を形成する工程
とを行う。
【０００９】
しかしながら、従来のＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２の製造方法では、第１ないし第４のマスクを形成する計４回のフォトリソグラフィ工程が必要であり、このようなフォトリソグラフィ工程の増加は、液晶表示装置の製造コストを著しく増大させるという問題点がある。
【００１０】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、３回のフォトリソグラフィ工程でＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子を形成することのできる液晶表示装置、およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、液晶を挟持する一対の基板のうちの一方の基板には、下層側配線上に該下層側配線の陽極酸化膜を介して上層側配線が積層された複数の信号線、該信号線に対して各々２端子型非線形素子を介して接続する画素電極を有する液晶表示装置において、前記２端子型非線形素子として、島状の下層側電極、該下層側電極の陽極酸化膜、該陽極酸化膜の表面から前記画素電極の下層まで延設されて当該画素電極に導電接続する第１の上層側電極、および前記上層側配線から前記陽極酸化膜の表面上まで延設された第２の上層側電極を備えるＢ／Ｂ構造の２端子型非線形素子を用いる。さらに、前記上層側配線上に形成された配線被覆層、前記第１の上層側電極上に形成された第１の電極被覆層、および前記第２の上層側電極上に形成された第２の電極被覆層を備えたものを用いる。また、本発明では、このようなＢ／Ｂ構造の２端子型非線形素子を以下の製造方法にて形成する。
【００１２】
まず、金属膜を形成した後、該金属膜表面に第１のマスクを形成してエッチングを行い、前記下層側配線、前記下層側電極、および該下層側電極と前記下層側配線との連結部を形成する（第１の工程）。
【００１３】
次に、前記下層側配線から前記連結部を介して前記下層側電極に給電して該下層側電極表面および前記下層側配線を陽極酸化することにより、前記下層側電極の陽極酸化膜および前記下層側配線の陽極酸化膜を形成する（第２の工程）。
【００１４】
次に、第１の導電膜を形成した後、該第１の導電膜表面に第２のマスクを形成して該第１の導電膜のエッチングを行い、前記連結部の形成領域を除く領域のうち、少なくとも前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成すべき領域に加えて、当該第２の上層側電極と前記第１の上層側電極との間に相当する領域に前記第１の導電膜を残し、該第１の導電膜からなる前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成した後に、当該第１の導電膜または前記第２のマスクをマスクとして前記金属膜のエッチングを行うことにより前記連結部を除去し、前記下層側電極と前記下層側配線とを分離する（第３の工程）。
【００１５】
次に、ＩＴＯ膜などの第２の導電膜を形成した後、該第２の導電膜表面に第３のマスクを形成して該第２の導電膜のエッチングを行い、前記画素電極、前記上層側配線、前記第１の上層側電極、および前記第２の上層側電極を形成すべき領域に前記第２の導電膜を残し、該第２の導電膜からなる前記画素電極、前記配線被覆層、前記第１の電極被覆層、および前記第２の電極被覆層を形成した後に、当該第２の導電膜または前記第３のマスクをマスクとして前記第１の導電膜のエッチングを行うことにより少なくとも前記第２の上層側電極と前記第１の上層側電極との間に相当する領域の前記第１の導電膜を除去する（第４の工程）。
【００１６】
このようにして製造したＢ／Ｂ構造の２端子型非線形素子では、走査線から画素電極に向かう第１の電流経路と、それとは逆に画素電極から走査線に向かう第２の電流経路との間では、電極構成が等価である。従って、第１の電流経路と第２の電流経路との間では電流−電圧特性が一致するので、交流反転駆動においても表示品質を安定させることができる。
【００１７】
また、本発明では、下層側電極を陽極酸化するために下層側配線と下層側電極を連結部で連結しておき、陽極酸化後には、上層側配線、第１の上層側電極、および第２の上層側電極が形成される領域よりも広めに残した第１の導電膜、またはそれのエッチングに用いた第２のマスクをマスクとして下層側配線と下層側電極の連結部をエッチング、除去し、しかる後に、第１の導電膜の余分な部分を、その上層側に画素電極形成用に形成した第２の導電膜、あるいはそれのエッチングに用いた第３のマスクをマスクとしてエッチング、除去する。すなわち、第１の導電膜または第２のマスクをマスクとして連結部をエッチング、除去し、下層側配線と下層側電極を分離するので、連結部を除去するためのマスクを別途形成する必要がない。また、画素電極形成用の第２の導電膜を上層側配線、第１の上層側電極、および第２の上層側電極の形成領域にも残して配線被覆層、第１の電極被覆層、第２の電極被覆層とするとともに、第２の導電膜または第３のマスクをマスクとして第１の導電膜をエッチングし、上層側配線、第１の上層側電極、および第２の上層側電極を形成するため、第１の導電膜を最終的なパターンにエッチングするためのマスクを別途形成する必要がない。このため、３回のフォトリソグラフィ工程でＢ／Ｂ構造の２端子型非線形素子を形成できるので、製造コストの増大を抑えることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
［全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した液晶表示装置の一例としてのＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の概略構成図、およびその構成を模式的に示す断面図である。
【００２０】
図１において、ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置１では、透明な第１および第２の絶縁基板１０、２０（ガラス基板）を数μｍの隙間を介して対向するように貼り合わせ、その隙間に液晶３０を封入した構造になっている。第１および第２の絶縁基板１０、２０の端部は、それぞれ他方の基板の端部からはみ出した状態にあり、このはみ出し部分を利用して第１の絶縁基板１０の端部には、駆動用ＩＣ８０を実装し、かつ、フレキシブルプリント配線基板（図示せず。）を配線接続する実装領域８１が形成されている。図示を省略するが、第２の絶縁基板２０の第１の絶縁基板１０の端部からのはみ出し部分を利用して駆動用ＩＣを実装し、フレキシブルプリント配線基板（図示せず。）を配線接続する。
【００２１】
第１の絶縁基板１０には多数の走査線１１（信号線）が平行に形成され、これら走査線１１に対しては、一定のピッチで接続するＭＩＭ素子１２（画素スイッチング素子）と、この素子１２を介して走査線１１に接続する画素電極１３とがマトリクス状に構成されている。これらのＭＩＭ素子１２や画素電極１３が形成されている領域は、表示画面となるべき表示領域１０１であり、この表示領域１０１の周りを囲んでいる領域が非表示領域１０２である。
【００２２】
第２の絶縁基板２０には、ＩＴＯ膜からなる透明なデータ線が短冊状の対向電極２２として構成されている。カラーフィルター２１と対向電極２２との位置関係については、いずれが上層または下層であってもよい。なお、第１の絶縁基板１０にデータ線（信号線）が形成され、カラーフィルター２１が構成されている側の絶縁基板２０に走査線１１が形成される場合もある。
【００２３】
このように構成した液晶表示装置１では、走査線１１と対向電極２２（信号線）とが互いに対向して、実質的に交差する方向に配置された状態にあり、これらの交差部分に対応する各画素毎に、画素電極１３と対向電極２２との間に液晶３０を介在させた液晶セル３１が構成された状態にある。
【００２４】
なお、第１および第２の絶縁基板１０、２０の外側には偏光板１９、２９が光学的に直交配置され、そのうち、偏光板２９は検光子として機能する。偏光板１９の下側には直下方式またはエッジライト方式のバックライトユニットが配置され、図示のとおり、エッジライト方式のバックライトユニット７０であれば、絶縁基板１０の辺に相当する位置に配置される蛍光ランプ７１と、この蛍光ランプ７１からの光を絶縁基板１０の方に導く導光板７２と、この導光板７２に対する拡散板７３とが構成されている。なお、エッジライト方式のバックライトユニット７０では、絶縁基板１０の対向する２辺に相当するそれぞれの位置に蛍光ランプ７１が配置されることもある。
【００２５】
図２に示すように、液晶表示装置１では、第１および第２の絶縁基板１０、２０の間にプラスチックス製ビーズからなるギャップ材４１が介在し、ギャップ材４１は２枚の絶縁基板１０、２０によって押し潰されながらも、２枚の絶縁基板１０、２０間のセルギャップを面内で均一になるように規定している。なお、カラーフィルタについては図示を省略してある。このような状態は、硬化されたシール材５０によって保持されている。また、シール材５０の内側には液晶３０が封入され、画素電極１３と対向電極２２との間に配向膜６０を挟んで液晶セル３１が形成されている。液晶３０は、配向膜６０やラビング処理により所定のツイスト角およびプレチルト角をもって配向するＴＮ型の液晶などである。
【００２６】
［ＭＩＭ素子の構成］
図３および図４はそれぞれ、各画素に形成してあるＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２の構成を示す説明図および平面図である。なお、図３における切断面は、図４のIII−III′線における切断面に相当する。
【００２７】
図３および図４に示すように、ＭＩＭ素子１２は、島状のタンタル膜からなる下層側電極１２１、この下層側電極１２１の陽極酸化膜１２２、この陽極酸化膜１２２の表面から画素電極１３の下層まで延設されてこの画素電極１３に導電接続するクロム膜からなる第１の上層側電極１２４、および走査線１１の上層側配線１１２（クロム配線）から陽極酸化膜１２２の表面上まで延設されたクロム膜からなる第２の上層側電極１２５を備え、Ｂ／Ｂ構造を有している。
【００２８】
また、本形態では、走査線１１の上層側配線１１２の表面、第１の上層側電極１２４の表面、および第２の上層側電極１２５の表面にも、画素電極１３と同時形成されたＩＴＯ膜からなる配線被覆層１３１、第１の電極被覆層１３２、および第２の電極被覆層１３３がそれぞれ残されている。
【００２９】
第１の上層側電極１２４および第１の電極被覆層１３２は、下層側電極１２１の一方の端部を囲むような矩形のパターン形状を構成しており、その内側部分に下層側電極１２１の端部が位置している。また、第２の上層側電極１２５および第２の電極被覆層１３３は、走査線１１の下層側配線１１１と下層側電極１２１との途切れ部分１２６を囲むような矩形のパターン形状を構成しており、その内側部分に走査線１１の下層側配線１１１と下層側電極１２１との途切れ部分１２６が位置している。
【００３０】
このように構成したＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２では、図１１を参照して説明したように、走査線１１から画素電極１３に向けて、クロム膜からなる第２の上層側電極１２５、タンタル酸化膜からなる陽極酸化膜１２２、タンタル膜からなる下層側電極１２１、タンタル酸化膜からなる陽極酸化膜１２２、クロム膜からなる第１の上層側電極１２４がこの順に接続している状態にある。このため、走査線１１から画素電極１３に向かう第１の電流経路（矢印Ａで示す方向）、およびそれとは逆に画素電極１３から走査線１１に向かう第２の電流経路（矢印Ｂで示す方向）はいずれも、クロム膜／タンタル酸化膜／タンタル膜／タンタル酸化膜／クロム膜の層構造を有し、これらの電流経路の間では電極構成が等価である。従って、第１の電流経路と第２の電流経路との間では電流−電圧特性が一致するので、交流反転駆動においても、表示品質が安定したものとなる。
【００３１】
［液晶表示装置の製造方法］
このような構成のＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２では、第１および第２の上層側電極１２４、１２５を独立して形成する必要がある。また、下層側電極１２１を陽極酸化する際には下層側電極１２１が下層側配線１１１に導電接続している必要があるにもかかわらず、最終的には、下層側電極１２１と下層側配線１１１とが分離している必要がある。このような制約がありながらも、本形態では、以下に説明するように、最少回数のフォトリソグラフィ工程でＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子を製造する。
【００３２】
図５、図６および図７はそれぞれ、本形態に係る液晶表示装置１の製造方法において、Ｂ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２を製造する工程を示す平面図である。
【００３３】
（第１の工程）
図５（Ａ）に示すように、まず、厚さが１５００オングストローム程度のタンタル膜１１０（金属膜）をスパッタ法により形成した後、図５（Ｂ）に示すように、このタンタル膜１１０の表面に、フォトリソグラフィ技術を用いて第１のレジストマスクＲＭ１を形成する。
【００３４】
この状態で、Ｏ2 ガスを含むＣＦ4 ガスあるいはＳＦ6 ガスなどを主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチング（第１回目のエッチング）を行ない、図３および図５（Ｃ）に示すように、走査線１１の下層側配線層１１１、下層側電極１２１、およびこの下層側電極１２１と下層側配線１１１との連結部１２７（図３で説明した走査線１１の下層側配線１１１と下層側電極１２１との途切れ部分１２６に相当する部分）を形成する。このとき、タンタル膜は、たとえば、絶縁基板の上辺に沿って給電部（図示せず。）としても残し、この給電部は各走査線１１と電気的接続している状態にある。しかる後には、第１のレジストマスクＲＭ１を除去する。
【００３５】
（第２の工程）
次に、絶縁基板をリン酸などを含む陽極酸化のための電解液（化成液）に浸漬し、この化成液中で下層側配線１１１から連結部１２７を介して下層側電極１２１に給電し、この下層側電極１２１の表面に陽極酸化を行う。その結果、下層側電極１２１の表面だけでなく、下層側配線１１１および連結部１２７の表面も陽極酸化され、それらの表面には厚さが３００オングストローム程度の陽極酸化膜１２２（タンタル酸化膜）が形成される。
【００３６】
この陽極酸化膜１２２に対しては３００℃〜４００℃の温度条件でアニール処理を行う。
【００３７】
（第３の工程）
次に、図６（Ａ）に示すように、厚さが１０００オングストローム程度のクロム膜１２０（第１の導電膜）をスパッタ法により形成した後、このクロム膜１２０の表面に、図６（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第２のレジストマスクＲＭ２を形成する。この状態で、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液を用いてウェットエッチング（第２回目のエッチング）を行ない、図３および図６（Ｃ）に示すように、連結部１２７の形成領域を除く領域のうち、少なくとも上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、第２の上層側電極１２５を形成すべき領域に加えて、第２の上層側電極１２４と第１の上層側電極１２５との間に相当する領域にクロム膜１２０を残す。
【００３８】
本形態では、上層側配線１１２を形成すべき領域よりも広めにクロム膜１２０を残し、かつ、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５を形成すべき領域、および第２の上層側電極１２４と第１の上層側電極１２５との間に相当する領域を全て含むようにクロム膜１２０を矩形に残す。但し、クロム膜１２０には、下層側から下層側電極１２１と下層側配線１１１との連結部１２７が露出するように窓部分１２９を形成しておく。しかる後に、レジストマスクＲＭ２を除去する。
【００３９】
次に、新たなレジストマスクを形成せずに、図６（Ｃ）に示すようにパターニングした後のクロム膜１２０をマスクとして、Ｏ2 ガスを含むＣＦ4 ガスあるいはＳＦ6 ガスなどを主成分とするエッチングガスを用い、下層側のタンタル膜１１０にドライエッチング（第３回目のエッチング）を行なう。その結果、図６（Ｄ）に示すように、クロム膜１２０の窓部分１２９から露出していた下層側電極１２１と下層側配線１１１との連結部１２７が除去され、この部分は下層側配線１１１と下層側電極１２１との途切れ部分１２６になる。
【００４０】
（第４の工程）
次に、図７（Ａ）に示すように、ＩＴＯ膜１３０（第２の導電膜）を形成した後、このＩＴＯ膜１３０の表面に、図７（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第３のレジストマスクＲＭ３を形成する。
【００４１】
この状態で、王水系のエッチング液、あるいは塩化第二鉄を含むエッチング液を用いてＩＴＯ膜１３０に対してウェットエッチング（第４回目のエッチング）を行ない、図３および図７（Ｃ）に示すように、画素電極１３を形成するとともに、走査線１１の上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５を形成すべき領域にも、配線被覆層１３１、第１の電極被覆層１３２、および第２の電極被覆層１３３としてＩＴＯ膜１３０を残す。
【００４２】
さらに、本形態では、王水系のエッチング液、あるいは塩化第二鉄を含むエッチング液によるＩＴＯ膜１３０へのエッチングが終了した後も、そのままエッチングを続け、第３のレジストマスクＲＭ３およびＩＴＯ膜１３０をマスクとして、その下層側に余分に残してあったクロム膜１２０を除去する。すなわち、画素電極形成用のＩＴＯ膜１３０を上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５の形成領域にも残してクロム膜１２０をエッチングする。その結果、図３および図４に示すように、今回の王水系のエッチング液、あるいは塩化第二鉄を含むエッチング液によるエッチングで残ったＩＴＯ膜１３０の下層側にあったクロム膜１２０のみが残り、上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５が形成される。しかる後に、レジストマスクＲＭ３を除去する。
【００４３】
（本製造方法の効果）
このように、本形態では、下層側電極１２１を陽極酸化するために下層側配線１１１と下層側電極１２１を連結部１２７で連結しておき、下層側電極１２１に対する陽極酸化後には、上層側配線１１２、第１の上層側電極１２４、および第２の上層側電極１２５が形成される領域よりも広めに残した第１の導電膜１２０をマスクとして下層側配線１１１と下層側電極１２１の連結部１２７をエッチングし、下層側配線１１１と下層側電極１２１を分離するので、連結部１２７を除去するためのレジストマスクを別途形成する必要がない。また、このように連結部１２７をエッチングするために、余分な部分に残した第１の導電膜１２０については、その上層側に形成した画素電極形成用の第３のマスクＲＭ３をそのままマスクとして用い、クロム膜１２０を最終パターンにエッチングするためのレジストマスクを別途形成する必要がない。従って、３回のフォトリソグラフィ工程でＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子１２を形成できるので、製造コストの増大を抑えることができる。
【００４４】
さらに、本形態において、下層側配線１１１は、第１の工程での第１のレジストマスクＢＭ１を介してのエッチングと、第３の工程でのクロム膜１２０をマスクとするエッチングとに晒されることになるので、隣接する下層側配線１１１間でのショートを確実に防止できるという利点がある。また、上層側配線は、第３の工程での第２のレジストマスクＲＭ２を介してのエッチングと、第４の工程でのＩＴＯ膜１３０をマスクとするエッチングとに晒されることになるので、隣接する上層側配線１１２間でのショートを確実に防止できるという利点がある。
【００４５】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、第４の工程で行なうＩＴＯ膜１３０へのエッチングとクロム膜１２０へのエッチングとを、同じエッチング液による１回のエッチングとして連続して行なったが、第４の工程においては、ＩＴＯ膜１３０へのエッチングを終了した後、そのままエッチング液を変えて、第３のマスクＲＭ３をマスクとしてクロム膜１２０をエッチングしてもよい。あるいは、ＩＴＯ膜１３０へのエッチングを終了した後、第３のマスクＲＭ３を除去し、ＩＴＯ膜１３０をマスクとしてクロム膜１２０をエッチングしてもよい。
【００４６】
また、上記形態では、第３の工程で行なうクロム膜１２０へのエッチングとタンタル膜１１０へのエッチングとを別々のエッチングとして行なったが、本形態の第４の工程と同様、同じエッチングガスあるいは同じエッチング液による１回のエッチングとして連続して行なってもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液晶表示装置において、画素スイッチング用のＭＩＭ素子では、走査線から画素電極に向けて、第１の導電膜からなる第２の上層側電極、陽極酸化膜、金属膜からなる下層側電極、陽極酸化膜、第１の導電膜からなる第１の上層側電極がこの順に接続しているＢ／Ｂ構造のものを採用している。このため、走査線から画素電極に向かう方向と、それとは逆に画素電極から走査線に向かう方向との間では、電極配置が等価であるため、いずれの方向でも電流−電圧特性が同等である。それ故、交流反転駆動においても表示品質を安定したものとすることができる。
【００４８】
また、本発明では、下層側電極を陽極酸化するために下層側配線と下層側電極を連結部で連結しておき、陽極酸化後は、広めに形成した第１の導電膜、またはそれのエッチングに用いた第２のマスクをマスクとして当該連結部をエッチングて下層側配線と下層側電極と分離させ、しかる後に、クロム膜の余分な部分をその上層側に形成したＩＴＯ膜、あるいはそれのエッチングに用いた第３のマスクをマスクとしてエッチング、除去する。このため、３回のフォトリソグラフィ工程でＢ／Ｂ構造の２端子型非線形素子を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の概略構成図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の断面図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置において、画素スイッチング用素子として構成したＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の構成を示す説明図である。
【図４】図１に示す液晶表示装置において、画素スイッチング用素子として構成したＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の構成を示す平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、図３および図４に示すＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の製造工程のうち、第１の工程を示す平面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、図３および図４に示すＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の製造工程のうち、第３の工程を示す平面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、図３および図４に示すＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の製造工程のうち、第４の工程を示す平面図である。
【図８】従来の液晶表示装置において、画素スイッチング用素子として構成したＭＩＭ素子の構成を示す説明図である。
【図９】図８に示すＭＩＭ素子の電極配置を示す説明図である。
【図１０】従来の液晶表示装置において、画素スイッチング用素子として構成したＢ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の構成を示す説明図である。
【図１１】Ｂ／Ｂ構造のＭＩＭ素子の電極配置を示す説明図である。
【符号の説明】
１      ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置
１０    第１の絶縁基板
１１    走査線
１２    Ｂ／Ｂ構造のＭＩＭ素子
１３    画素電極
２０    第２の絶縁基板
２２    対向電極
３０    液晶
３１    液晶セル
４１    ギャップ材
１１０  タンタル膜（金属膜）
１１１  走査線の下層側配線
１１２  走査線の上層側配線
１２０  クロム膜（第１の導電膜）
１２１  下層側電極
１２２  陽極酸化膜
１２４  第１の上層側電極
１２５  第２の上層側電極
１３０  ＩＴＯ膜（第２の導電膜）
１３１  配線被覆層
１３２  第１の電極被覆層
１３３  第２の電極被覆層
１２６  下層側配線と下層側電極との途切れ部分
１２７  下層側電極と下層側配線との連結部
１２９  クロム膜の窓部分
ＲＭ１  第１のレジストマスク
ＲＭ２  第２のレジストマスク
ＲＭ３  第３のレジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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