(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が外部からの電圧が供給される供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、各々が前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する第１及び第２の可変抵抗素子と、前記第２の可変抵抗素子に直列に接続され、実質的な明状態と暗状態とが周期的に変化する光によるクロック信号が外部から供給される第３の可変抵抗素子と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、
前記第１の回路の前記第１の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第１の回路の前記第２の前記可変抵抗素子は、外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、
前記第２の回路の前記第１の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の前記第２の前記可変抵抗素子は、外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、
前記第１の回路と前記第２の回路のそれぞれにおいて、前記第１及び第２の可変抵抗素子がともに高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
前記第１の光と前記第２の光は、それぞれ対応する前記第２の前記可変抵抗素子に同時に入射されない、ことを特徴とする請求項１に記載の記憶素子。
【請求項３】
一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、を有する第３の回路をさらに備え、
前記第２の回路の前記第２の可変抵抗素子に入射される前記第２の光は、前記第３の回路の前記可変抵抗素子に外部から入射される光と実質的に同一であり、
前記第１の回路の前記第２の可変抵抗素子に入射される前記第１の光は、前記第３の回路の発光素子が発した光である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の記憶素子。
【請求項４】
一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、外部から入射される所定の波長域の光の有無によって抵抗値が変化する２つの可変抵抗素子が互いに直列に接続された可変抵抗素子の直列回路と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、
前記第１の回路の一方の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第１の回路の他方の前記可変抵抗素子は、外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、
前記第２の回路の一方の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の他方の前記可変抵抗素子は、外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、
前記第１の回路と前記第２の回路のそれぞれにおいて、前記一方又は他方の可変抵抗素子のいずれかが高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光する、
ことを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
前記第１の光と前記第２の光のうち、少なくともいずれか一方は、それぞれ対応する前記可変抵抗素子に選択的に入射されている、ことを特徴とする請求項４に記載の記憶素子。
【請求項６】
外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、外部から入射される所定の波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、
前記第１の回路の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光又は外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光又は外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、
第１の回路と第２の回路のそれぞれにおいて、
前記可変抵抗素子が高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光し、
前記第１、第２の回路はそれぞれ、前記可変抵抗素子に直列に接続され、明状態と暗状態とが周期的に変化する光によるクロック信号が外部から供給される可変抵抗素子をさらに備える、ことを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
前記第１の光と前記第２の光は、それぞれ対応する前記可変抵抗素子に同時に入射されない、ことを特徴とする請求項６に記載の記憶素子。
【請求項８】
一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、を備える第３の回路をさらに備え、前記第２の回路の可変抵抗素子の一方に入射される前記第２の光は、前記第３の回路の可変抵抗素子に外部から入射される光と実質的に同一であり、前記第１の可変抵抗素子に一方に入射される前記第１の光は、前記第３の回路の発光素子が発した光である、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の記憶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶素子に関し、特に、光信号により情報を記憶する記憶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、記憶素子には、単結晶シリコン基板上に形成されたＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ等を複数組み合わせることにより構成されるもの、ガラス基板上に形成されたＴＦＴ等を複数組み合わせることにより構成されるもの等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらの記憶素子は、信号の入出力を電気的に行うことにより動作するため、状態の切り替わりの速度が遅い場合があるという欠点があった。また、出力信号が電気的な信号のため、その信号の伝達路が長距離になった場合、信号が減衰してＳ／Ｎ比が小さくなってしまう場合があるという欠点があった。
【０００４】
この発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、光信号により動作する記憶素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる記憶素子は、一端が外部からの電圧が供給される供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、各々が前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する第１及び第２の可変抵抗素子と、前記第２の可変抵抗素子に直列に接続され、実質的な明状態と暗状態とが周期的に変化する光によるクロック信号が外部から供給される第３の可変抵抗素子と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、前記第１の回路の前記第１の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第１の回路の前記第２の前記可変抵抗素子は、外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の前記第１の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の前記第２の前記可変抵抗素子は、外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、前記第１の回路と前記第２の回路のそれぞれにおいて、前記第１及び第２の可変抵抗素子がともに高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光することを特徴とする。
【０００６】
この記憶素子では、第１の回路の第２の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射され、第１の回路の第３の可変抵抗素子に、光によるクロック信号が外部から供給され、第２の回路の第２の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射されていないときは、それまでの状態（発光又は非発光）に関わりなく、第１の回路の発光素子は発光させず、第２の回路の発光素子を発光させることができる。又、第１の回路の第２の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射されず、第２の回路の第２の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射され、第２の回路の第３の可変抵抗素子に、光によるクロック信号が外部から供給されているときは、それまでの状態に関わりなく、第１の回路の発光素子は発光し、第２の回路の発光素子は発光させないようにすることができる。
【０００７】
一方、第１、第２の回路のいずれも第２の可変抵抗素子に外部から第１、第２の光が入射されていないときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子は、その状態（発光又は非発光）を維持することができる。即ち、第１、第２の回路のいずれも第２の可変抵抗素子にも外部から第１、第２の光が入射されていないときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子はその状態を維持することができ、第１、第２の回路の第２の可変抵抗素子について、外部からの光の入射と非入射とを組み合わせることにより、第１、第２の発光素子を所望の状態に設定することができる。このため、従来は電気的に実現されていた記憶素子としての機能を実現することができる。
【０００８】
なお、前記第１の光と前記第２の光がそれぞれ対応する可変抵抗素子に同時に入射された場合、状態の切替が不安定になる。このため、前記第１の光と前記第２の光は、それぞれ対応する前記可変抵抗素子に同時に入射されないことが望ましい。
【００１０】
この場合、クロック信号が「暗」状態である時は、第１、第２の回路とも第３の可変抵抗素子が高抵抗となる。このため、上記の第２の可変抵抗素子と第３の可変抵抗素子との合成抵抗は高抵抗となり、第１、第２の回路の第２の可変抵抗素子にいずれも「暗」が入力されている状態と実質的に同一となる。また、クロック信号が「明」状態であるときは、第３の可変抵抗素子は低抵抗化するが、第３の可変抵抗素子と第２の可変抵抗素子との合成抵抗は、実質的に第２の可変抵抗の状態と同じになる。このため、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子の状態（発光又は非発光）をクロック信号が「明」となったときの第１、第２の光の状態によって設定することが可能となる。
【００１１】
また、一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、を有する第３の回路をさらに備えてもよい。なお、この場合、前記第２の回路の第２の可変抵抗素子に入射される前記第２の光は、前記第３の回路の可変抵抗素子に外部から入射される光と実質的に同一であり、前記第１の回路の前記第２の可変抵抗素子に入射される前記第１の光は、前記第３の回路の発光素子が発した光である。
【００１２】
この構成によれば、第３の回路の可変抵抗素子に外部から光が入射されている（明状態）ときは、第１，第２の回路の第２の可変抵抗素子に入射される光は、それぞれ、暗状態（光が入射されていない状態）、明状態とすることができる。一方、第３の回路の可変抵抗素子に外部から光が入射されていない（暗状態）ときは、第１，第２の回路の第２の可変抵抗素子に入射される光を、それぞれ、明状態、暗状態とすることができる。従って、第３の可変抵抗素子に入射される光の状態が明状態で第２の回路の第３の可変抵抗素子に、光によるクロック信号が外部から供給されている時は、第１，第２の回路の発光素子が発する光の状態を、それぞれ、明状態、暗状態とすることができる。これにより、第３の回路を付加した場合には、Ｄフリップフロップとしての機能を有する記憶素子を実現することができる。
【００１３】
本発明の第２の観点にかかる記憶素子は、
一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、外部から入射される所定の波長域の光の有無によって抵抗値が変化する２つの可変抵抗素子が互いに直列に接続された可変抵抗素子の直列回路と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、
前記第１の回路の一方の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第１の回路の他方の前記可変抵抗素子は、外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、
前記第２の回路の一方の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の他方の前記可変抵抗素子は、外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、
前記第１の回路と前記第２の回路のそれぞれにおいて、
前記一方又は他方の可変抵抗素子のいずれかが高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光する、
ことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、第１の回路の他方の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射され、第２の回路の他方の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射されていないときは、それまでの状態（発光又は非発光）に関わりなく、第１の回路の発光素子を発光させないようにすることができ、第２の回路の発光素子を発光させることができる。又、第１の回路の他方の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射されず、第２の回路の他方の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射されているときは、それまでの状態に関わりなく、第１の回路の発光素子を発光させ、第２の回路の発光素子を発光させることができる。
【００１５】
一方、第１、第２の回路のいずれも他方の可変抵抗素子に外部から第１、第２の光が入射されているときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子は、その状態（発光又は非発光）を維持することができる。
即ち、第１、第２の回路のいずれも他方の可変抵抗素子にも外部から第１、第２の光が入射されているときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子はその状態を維持することができ、第１、第２の回路の他方の可変抵抗素子について、外部からの光の入射と非入射とを組み合わせることにより、第１、第２の発光素子を所望の状態に設定することができる。このため、従来は電気的に実現されていた記憶素子としての機能を実現することができる。
【００１６】
なお、前記第１と第２の光のうち、どちらも対応する可変抵抗素子に入射されていない場合、状態の切替が不安定になる。このため、前記第１の光と前記第２の光のうち、少なくともいずれか一方は、それぞれ対応する前記可変抵抗素子に入射されていることが望ましい。
【００１７】
本発明の第３の観点にかかる記憶素子は、外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、外部から入射される所定の波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、からそれぞれ構成される第１、第２の回路を備え、前記第１の回路の前記可変抵抗素子は、前記第２の回路の前記発光素子が発した光又は外部から第１の光が入射されると低抵抗化し、前記第２の回路の前記可変抵抗素子は、前記第１の回路の前記発光素子が発した光又は外部から第２の光が入射されると低抵抗化し、第１の回路と第２の回路のそれぞれにおいて、前記可変抵抗素子が高抵抗化すると、それら可変抵抗素子に並列に接続された前記発光素子が前記外部からの電圧に基づいて発光し、
前記第１、第２の回路はそれぞれ、前記可変抵抗素子に直列に接続され、明状態と暗状態とが周期的に変化する光によるクロック信号が外部から供給される可変抵抗素子をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、第１の回路の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射され、第２の回路の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射されていないときは、それまでの状態（発光又は非発光）に関わりなく、第１の回路の発光素子を発光させないようにすることができ、第２の回路の発光素子を発光させるようにすることができる。又、第１の回路の可変抵抗素子に外部から第１の光が入射されず、第２の回路の可変抵抗素子に外部から第２の光が入射されているときは、それまでの状態に関わりなく、第１の回路の発光素子を発光させ、第２の回路の発光素子を発光させないようにすることができる。
【００１９】
一方、第１、第２の回路のいずれの可変抵抗素子に外部から第１、第２の光が入射されていないときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子は、その状態（発光又は非発光）を維持することができる。
即ち、第１、第２の回路のいずれの可変抵抗素子にも外部から第１、第２の光が入射されていないときは、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子はその状態を維持することができ、第１、第２の回路の可変抵抗素子について、外部からの光の入射と非入射とを組み合わせることにより、第１、第２の発光素子を所望の状態に設定することができる。このため、従来は電気的に実現されていた記憶素子としての機能を実現することができる。
【００２０】
なお、第１と第２の光がそれぞれ対応する可変抵抗素子に同時に入射された場合、状態の切替が不安定になる。このため、前記第１の光と前記第２の光は、それぞれ対応する前記可変抵抗素子に同時に入射されないことが望ましい。
【００２１】
また、前記第１、第２の回路はそれぞれ、前記可変抵抗素子に直列に接続され、実質的な明状態と暗状態とが周期的に変化する光によるクロック信号が外部から供給される可変抵抗素子（以降、付加可変抵抗素子とする）をさらに備えている。
【００２２】
この場合、クロック信号が「暗」状態である時は、第１、第２の回路とも付加可変抵抗素子が高抵抗となる。このため、上記の可変抵抗素子と付加可変抵抗素子との合成抵抗は高抵抗となり、第１、第２の回路の可変抵抗素子にいずれも「暗」が入力されている状態と実質的に同一となる。また、クロック信号が「明」状態であるときは、付加可変抵抗素子は低抵抗化するが、付加可変抵抗素子と可変抵抗素子との合成抵抗は、実質的に可変抵抗素子の状態と同じになる。このため、第１、第２の回路のそれぞれの発光素子の状態（発光又は非発光）をクロック信号が「明」となったときの第１、第２の光の状態によって設定することが可能となる。
【００２３】
また、一端が外部からの電圧を供給する供給線に接続され、所定値以上の電圧が印加されると発光する発光素子と、前記発光素子と並列に接続され、入射される所定波長域の光の有無によって抵抗値が変化する可変抵抗素子と、を備える第３の回路をさらに備えてもよい。
なお、この場合、前記第２の回路の可変抵抗素子の一方に入射される前記第２の光は、前記第３の回路の可変抵抗素子に外部から入射される光と実質的に同一であり、
前記第１の可変抵抗素子の一方に入射される前記第１の光は、前記第３の回路の発光素子が発した光である。
【００２４】
この構成によれば、第３の回路の可変抵抗素子に外部から光が入射されている（明状態）ときは、第１，第２の回路の可変抵抗素子の一方に入射される光を、それぞれ、暗状態（光が入射されていない状態）、明状態とすることができる。一方、第３の回路の可変抵抗素子に外部から光が入射されていない（暗状態）ときは、第１，第２の回路の可変抵抗素子の一方に入射される光を、それぞれ、明状態、暗状態とすることができる。
従って、第３の可変抵抗素子に入射される光の状態が明状態の時は、第１，第２の回路の発光素子が発する光の状態を、それぞれ、明状態、暗状態とすることができる。これにより、第３の回路を付加した場合には、Ｄフリップフロップとしての機能を有する記憶素子を実現することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明の第１の実施の形態にかかる記憶素子について図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
まず、記憶素子の構造について図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１（ａ）は第１の実施の形態にかかる記憶素子の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線での断面図である。
【００２７】
記憶素子は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１１を備え、基板上部及び基板下部に形成される論理素子から構成される。基板１１は、複数のファイバーを該基板面に対して垂直方向に向けて束ねた構造で、一方の基板面から入力された光信号を面方向での拡散を抑えながら該基板１１に対して垂直方向に導き、他方の面に出力する機能を有している。
【００２８】
図１（ａ）と（ｂ）に示すように、基板１１の上部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の、後述する有機ＥＬ層が発光する波長域のうち、後述する光導電層を導電させる波長域の光に対し透過性を示す透明導電材料から構成される電極１−１２ｃが形成される。電極１−１２ｃ上に所定の抵抗値の抵抗層１−１３が形成され、抵抗層１−１３上に電極１−１２ａが形成されている。電極１−１２ａには外部から正値の電源電圧ＶDDが印加される。
【００２９】
また、図１（ａ）と（ｃ）に示すように、基板１１の上部の電極１−１２ｃ上において、抵抗層１−１３が形成されていない部分には、光導電層１−１４ａ、１−１４ｂと、有機ＥＬ層１−１５が形成され、光導電層１−１４ａ、１−１４ｂと有機ＥＬ層１−１５の上には電極１−１２ｂが共通に形成される。
【００３０】
基板１１の上部の論理素子は、これらの、電極１−１２ａ，１−１２ｂ，１−１２ｃと、抵抗１−１３層と、光導電層１−１４ａ，１−１４ｂと、有機ＥＬ層１−１５から構成され、基板１１の下部から入力された第１の光信号を外部及び後述する基板下部の論理素子の後述する光導電層に出力する。
【００３１】
一方、基板下部には、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、電極２−１２ａ，２−１２ｂ，２−１２ｃと、抵抗層２−１３と、光導電層２−１４ａ，２−１４ｂと、有機ＥＬ層２−１５と、から構成され、基板１１の上部に形成されている論理素子と同様の論理素子が形成されている。なお、基板１１の下部の光導電層２−１４ｂは基板１１の上部の有機ＥＬ素子１−１５に対向して形成され、基板１１の下部の有機ＥＬ層２−１５は基板１１の上部の光導電層１−１４ｂに対向して形成される。そして、基板１１の上部から入力された第２の光信号を外部及び基板１１の上部の光導電層１−１４ｂに出力する。
【００３２】
電極１２ｂ（１−１２ｂ、２−１２ｂ）は、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｇ、Ａｌ−Ｌｉ等のシート抵抗が低く、光導電層１４（１−１４ａ，１−１４ｂ，２−１４ａ，２−１４ｂ）を導電させる波長域の光に対して反射性を有する金属又は合金から構成され、接地電位ＶGDが印加される。なお、光導電層１４と有機ＥＬ層１５（１−１５，２−１５）については後述する。
【００３３】
光導電層１４は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化カドミウム等の材料かまたはこれら材料に顔料が分散されて構成され、可視光線（波長：約４００ｎｍ〜８００ｎｍ）に分光特性を有する光導電物質によって構成される。光導電層１４は、可視光線（以下、単に「光」という）を吸収することによって、光が照射された箇所の内部にキャリア、即ち正孔と電子が生成され、光導電性を生じてその層厚方向で低抵抗化する。光導電層１４の光を吸収していない箇所は、抵抗値が高く、その層厚方向で絶縁状態になっている。
【００３４】
有機ＥＬ層１５は、基板１１側に形成された正孔輸送層１５ａと基板１１の反対側に形成された電子輸送性発光層１５ｂとから構成される。
正孔輸送層１５ａは、化１に示すα−ＮＰＤからなる。
【００３５】
【化１】
0003764970.tif 000002
【００３６】
電子輸送性発光層１５ｂは、化２に示すＢｅｂｑ２からなる。
【００３７】
【化２】
0003764970.tif 000003
【００３８】
有機ＥＬ層１５は、電極１２ｃと電極１２ｂとの間にしきい値以上の電圧（例えば、５Ｖ）が印加された場合、電極間を電流が流れて正孔と電子とが再結合することによって励起されたエネルギーを電子輸送性発光層１５ｂが吸収することによって発光する。なお、この有機ＥＬ層１５は、電子輸送性発光層１５ｂとしてＢｅｂｑ２を用いていることにより、緑色の光を発する。
【００３９】
上記構成の記憶素子は、図１の基板１１の上部の論理素子からなる第１の回路と、基板１１の下部の論理素子からなる第２の回路から構成され、図２に示すような等価回路を形成する。
【００４０】
第１の回路は、図２に示すように、供給される電源電圧ＶDDを分圧する抵抗１−１３１と、抵抗１−１３１と接地電位との間にそれぞれ並列に接続された有機ＥＬ素子１−１５１と、可変抵抗素子１−１４１と、可変抵抗素子１−１４２と、から構成される。
第２の回路は、第１の回路と同様に、図２に示すように、供給される電源電圧ＶDDを分圧する抵抗２−１３１と、抵抗２−１３１と接地電位との間にそれぞれ並列に接続された有機ＥＬ素子２−１５１と、可変抵抗素子２−１４１と、可変抵抗素子２−１４２と、から構成される。
【００４１】
なお、図２の第１の回路において、抵抗１−１３１は、図１に示す抵抗層１−１３と、その上下の電極１−１２ａ、１−１２ｃによって構成されている。可変抵抗１−１４１は、光導電層１−１４ａと、その上下の電極１−１２ｂ、１−１２ｃによって構成されており、可変抵抗１−１４２は、光導電層１−１４ｂと、その上下の電極１−１２ｂ、１−１２ｃによって構成されている。また、有機ＥＬ素子１−１５１は、有機ＥＬ層１−１５と、その上下の電極１−１２ｂ、１−１２ｃによって構成されている。
【００４２】
一方、図２の第２の回路において、抵抗２−１３１は、図１に示す抵抗層２−１３と、その上下の電極２−１２ａ、２−１２ｃによって構成されている。可変抵抗２−１４１は、光導電層２−１４ａと、その上下の電極２−１２ｂ、２−１２ｃによって構成されており、可変抵抗２−１４２は、光導電層２−１４ｂと、その上下の電極２−１２ｂ、２−１２ｃによって構成されている。また、有機ＥＬ素子２−１５１は、有機ＥＬ層２−１５と、その上下の電極２−１２ｂ、２−１２ｃによって構成されている。
【００４３】
また、抵抗１−１３１、２−１３１は、その抵抗値が常温で約１００Ωとなるように設計されている。また、可変抵抗１−１４１、２−１４１、可変抵抗１−１４２、２−１４２は、外部から光が入射された場合、抵抗値が常温で約１０Ωとなり、外部からの光の入射がない場合、抵抗値が常温で約１００ＫΩとなるように設計されている。さらに、有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１は、その抵抗値が約１ＫΩ、そのしきい値電圧（発光するために必要な電極間の電位差）が５Ｖとなるように設計されている。即ち、図１の抵抗層１−１３、２−１３、光導電層１−１４ａ、１−１４ｂ、２−１４ａ、２−１４ｂ、有機ＥＬ層１−１５、２−１５の面積、層厚等は、このような条件を満たすように設定されている。
【００４４】
なお、図２に示すように、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から出力される光信号は、第２の回路の可変抵抗２−１４２に入力されると共に、外部に出力される。一方、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１から出力される光信号は、第１の回路の可変抵抗１−１４２に入力されると共に、外部に出力される。
【００４５】
次に、第１の回路及び第２の回路の動作について説明する。
まず、第１の回路の動作について説明する。
第１の回路には１０Ｖの電源電圧ＶDDが供給される。
可変抵抗１−１４１と可変抵抗１−１４２の少なくとも一方に「明」の光信号が入力されると、「明」の光信号が入力された可変抵抗１−１４１、１−１４２は、この光を吸収することによりキャリアを発生し、光導電性を生じてその層厚方向で低抵抗化する。これにより、可変抵抗１−１４１と可変抵抗１−１４２と有機ＥＬ素子１−１５１との並列回路の合成抵抗の値は約５Ω〜１０Ωとなる。
【００４６】
従って、有機ＥＬ素子１−１５１の電極間の電位差は約０．５Ｖ〜１．０Ｖになる。この電位差は有機ＥＬ素子１−１５１の有機ＥＬ層１−１５が発光するためのしきい値電圧（５Ｖ）より十分低いため、有機ＥＬ層１−１５は発光しない。このため、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から「暗」の光信号が出力される。
【００４７】
一方、可変抵抗１−１４１及び可変抵抗１−１４２に「暗」の光信号が入力されると、可変抵抗１−１４１を構成している光導電層１−１４ａと可変抵抗１−１４２を構成している光導電層１−１４ｂはその層厚方向で高抵抗化する。これにより、光導電層１−１４ａを含む可変抵抗１−１４１と光導電層１−１４ｂを含む可変抵抗１−１４２の抵抗値は１００ＫΩとなり、可変抵抗１−１４１と可変抵抗１−１４２と有機ＥＬ素子１−１５１との並列回路の合成抵抗の値は約１ＫΩとなる。
【００４８】
従って、有機ＥＬ素子１−１５１の電極間の電位差は約９．０Ｖになる。この電位差は有機ＥＬ素子１−１５１の有機ＥＬ層１−１５が発光するためのしきい値電圧（５Ｖ）より十分高いため、有機ＥＬ層１−１５は発光する。このため、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から「明」の光信号が出力される。
【００４９】
また、第２の回路は第１の回路と同様に動作する。即ち、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、可変抵抗２−１４１と可変抵抗２−１４２のうち少なくともいずれか一方に「明」の光信号が入力された場合、「暗」の光信号を出力し、可変抵抗２−１４１と可変抵抗２−１４２に共に「暗」の光信号が入力された場合、「明」の光信号を出力する。
【００５０】
つまり、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１と第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、同一回路内に入力される信号が全て「暗」の場合、「明」を出力し、同一回路内に入力される信号のなかに１つでも「明」がある場合、「暗」を出力するものである。
【００５１】
次に、第１と第２の回路から構成される記憶素子の動作について説明する。
まず、第１の回路の可変抵抗１−１４１に入力される第１の光信号が「明」であり、第２の回路の可変抵抗２−１４１に入力される第２の光信号が「暗」である場合の記憶素子の動作について説明する。
【００５２】
この場合、第１の回路において、可変抵抗１−１４１に第１の光信号「明」が入力されることにより、可変抵抗１−１４１を構成する光導電層１−１４ａは低抵抗化する。このため、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１から可変抵抗１−１４２に出力された光信号の「明」・「暗」に関わらず、有機ＥＬ素子１−１５１の電極間にはしきい値より十分小さな電圧が印加される。これにより、有機ＥＬ素子１−１５１を構成している有機ＥＬ層１−１５は発光せず、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は光信号「暗」を出力する。
【００５３】
一方、第２の回路において、可変抵抗２−１４２には第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から光信号「暗」が入力され、可変抵抗２−１４１には第２の光信号「暗」が入力される。これにより、可変抵抗２−１４１を構成している光導電層２−１４ａと、可変抵抗２−１４２を構成している光導電層２−１４ｂは、共に高抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子２−１５１の電極間にはしきい値より十分大きな電圧が印加され、有機ＥＬ素子２−１５１を構成している有機ＥＬ層２−１５は発光し、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は光信号「明」を出力する。
【００５４】
即ち、第１と第２の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１から可変抵抗１−１４２に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。こうして、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から可変抵抗２−１４２に入力された光信号「暗」と、可変抵抗２−１４１に入力された第２の光信号「暗」により、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は「明」を出力する。
【００５５】
次に、第１と第２の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合の記憶素子の動作について説明する。この場合、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、第１と第２の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１と同様にして、光信号「暗」を外部及び第１の回路の可変抵抗１−１４２に出力する。一方、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は、第１と第２の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１と同様にして、光信号「明」を外部及び第２の回路の可変抵抗２−１４２に出力する。
【００５６】
即ち、第１と第２の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から可変抵抗２−１４２に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。そして、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１から可変抵抗１−１４２に入力された光信号「暗」と、可変抵抗１−１４１に入力された第１の光信号「暗」により、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は光信号「明」を出力する。
【００５７】
次に、第１と第２の光信号が共に「暗」である場合の記憶素子の動作について説明する。
まず、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１が光信号「明」を出力し、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わった場合の記憶素子の動作について説明する。
【００５８】
この場合、第１の回路において、可変抵抗１−１４１には第１の光信号「暗」が入力され、可変抵抗１−１４２には第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１から光信号「暗」が入力される。このため、可変抵抗１−１４１を構成している光導電層１−１４ａと、可変抵抗１−１４２を構成している光導電層１−１４ｂは、共に高抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子１−１５１の電極間にしきい値より十分大きな電圧が印加され、有機ＥＬ素子１−１５１を構成している有機ＥＬ層１−１５は発光する。これにより、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は、光信号「明」を出力する。
【００５９】
一方、第２の回路において、可変抵抗２−１４１には第２の光信号「暗」が入力され、可変抵抗２−１４２には第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から光信号「明」が入力される。このため、可変抵抗２−１４１を構成している光導電層２−１４ａは高抵抗化し、可変抵抗２−１４２を構成している光導電層２−１４ｂは低抵抗化する。このため、有機ＥＬ素子２−１５１の電極間の電位差はしきい値より十分小さくなり、有機ＥＬ素子２−１５１を構成している有機ＥＬ層２−１５は発光しない。これにより、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、光信号「暗」を出力する。
【００６０】
このようにして、第１と第２の光信号が共に「暗」となった場合、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「明」の出力を維持する。一方、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を維持する。
【００６１】
次に、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１が光信号「暗」を出力し、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１が光信号「明」を出力していた後、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わった場合の記憶素子の動作について説明する。
【００６２】
この場合、第１の回路は、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１が光信号「明」を出力し、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第１と第２の光信号が共に「暗」になった場合の第２の回路と同様に動作する。一方、第２の回路は、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１が光信号「明」を出力し、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第１と第２の光信号が共に「暗」になった場合の第１の回路と同様に動作する。
【００６３】
つまり、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１は、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わった後も維持する。一方、第２の回路の有機ＥＬ素子２−１５１は、第１と第２の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「明」の出力を、第１と第２の光信号が共に「暗」に切替わった後も維持する。
【００６４】
なお、第１の光信号と第２の光信号が共に「明」である場合、第１の回路の有機ＥＬ素子１−１５１から出力される光信号と、第２の回路から出力される光信号が定まらない。このため、第１の光信号と第２の光信号とが共に「明」である信号の出力は、禁止される。
【００６５】
従って、第１、第２の回路の有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１が出力する光信号の状態、すなわち保持されている光信号の状態をそれぞれＱ１n、Ｑ２nとする。そして、外部から入力される第１、第２の光信号の状態をＳ、Ｒとし、第１、第２の光信号の入力による第１と第２の回路の有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１のそれぞれが出力する光信号の変化後の状態をＱ１(n+1)、Ｑ２(n+1)とする。この場合、表１に示す真理値表が得られる。（但し、Ｑ２＝¬Ｑ１（¬：論理否定を示す））
【００６６】
【表１】
0003764970.tif 000004
【００６７】
ここで、上記の記憶素子は、例えば、「明」を「１」、「暗」を「０」に対応させることにより、従来の電気的に駆動されていたＲＳフリップフロップ回路を構成する素子と同様な記憶素子としての機能を得ることができる。
そして、これらの光信号は、光電変換素子により電気信号に変換されて外部回路に送信させることができる。
なお、光により動作する記憶素子が得られるならば、素子構造は任意に変更することができる。
【００６８】
（第２の実施の形態）
以下、この発明の第２の実施の形態にかかる記憶素子について図面を参照しつつ説明する。
【００６９】
まず、第２の実施の形態にかかる記憶素子の構造について図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）はこの実施の形態にかかる記憶素子の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線での断面図である。
【００７０】
記憶素子は、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、複数の光ファイバから構成される基板１１の上部と下部に形成される論理素子から構成される。
【００７１】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１１の上部には、コの字状の電極３−１２ｃが形成され、電極３−１２ｃ上には、中央に抵抗層３−１３と、一端部に光導電層３−１４ａと、他端部に有機ＥＬ層３−１５がそれぞれ形成される。光導電層３−１４ａの上にはＩＴＯ等の透明導電材料から構成される電極３−１２ｄが、その一端部が重なるように形成されている。電極３−１２ｄの他端部上には光導電層３−１４ｂが形成され、光導電層３−１４ｂ及び有機ＥＬ層３−１５上には電極３−１２ｂが共通に形成される。
また、抵抗層３−１３上には電極３−１２ａが形成される。
【００７２】
一方、基板１１の下部には、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、電極４−１２ａ，４−１２ｂ，４−１２ｃ，４−１２ｄと、抵抗層４−１３と、光導電層４−１４ａ，４−１４ｂと、有機ＥＬ層４−１５と、から構成された、基板上部と同様な論理素子が形成されている。なお、基板１１の下部の光導電層４−１４ｂは基板上部の有機ＥＬ層４−１５に対向して形成され、基板１１の下部の有機ＥＬ層４−１５は基板上部の光導電層４−１４ｂに対向して形成されている。
【００７３】
なお、この記憶素子の図３（ａ）のＡ−Ａ線での断面構成は、図１（ｂ）に示すＡ−Ａ線での記憶素子の断面構成と同一である。
また、電極３−１２ａ、４−１２ａ、３−１２ｂ、４−１２ｂ、３−１２ｃ、４−１２ｃと、抵抗層３−１３、４−１３と、有機ＥＬ層３−１５、４−１５は第１の実施の形態で説明したものと同様の構成及び機能を有す。また、光導電層３−１４ａ、３−１４ｂ、４−１４ａ、４−１４ｂは第１の実施の形態で説明した光導電層１４と同様の構成及び機能を有する。
【００７４】
上記構成の記憶素子は、基板１１の上部の論理素子からなる第３の回路と、基板１１の下部の論理素子からなる第４の回路から構成され、図４に示すような等価回路を形成する。
【００７５】
図４に示すように、第３の回路は、一端に電源電圧ＶDDが供給される抵抗３−１３１と、抵抗３−１３１の他端に一端が接続され他端が接地されている有機ＥＬ素子３−１５１と、抵抗３−１３１と有機ＥＬ素子３−１５１との間に一端が接続された可変抵抗３−１４１と、一端が可変抵抗３−１４１の他端に接続され他端が接地された可変抵抗３−１４２と、から構成される。
【００７６】
一方、第４の回路は、図４に示すように、一端に電源電圧ＶDDが供給される抵抗４−１３１と、抵抗４−１３１の他端に一端が接続され他端が接地されている有機ＥＬ素子４−１５１と、抵抗４−１３１と有機ＥＬ素子４−１５１との間に一端が接続された可変抵抗４−１４１と、一端が可変抵抗４−１４１の他端に接続され他端が接地された可変抵抗４−１４２と、から構成される。
【００７７】
なお、図４の等価回路における抵抗３−１３１は、図３に示す抵抗層３−１３と、その上下の電極３−１２ａ、３−１２ｃによって構成されている。可変抵抗３−１４１は、図３に示す光導電層３−１４ａと、その上下の電極３−１２ｃ、３−１２ｄによって構成されている。可変抵抗３−１４２は、図３に示す光導電層３−１４ｂと、その上下の電極３−１２ｂ、３−１２ｄによって構成されている。また、有機ＥＬ素子３−１５１は、図３に示す有機ＥＬ層３−１５と、その上下の電極３−１２ｂ、３−１２ｃによって構成されている。
【００７８】
一方、図４の等価回路における抵抗４−１３１は、図３に示す抵抗層４−１３と、その上下の電極４−１２ａ、４−１２ｃによって構成されている。可変抵抗４−１４１は、図３に示す光導電層４−１４ａと、その上下の電極４−１２ｃ、４−１２ｄによって構成されている。可変抵抗４−１４２は、図３に示す光導電層４−１４ｂと、その上下の電極４−１２ｂ、４−１２ｄによって構成されている。また、有機ＥＬ素子４−１５１は、図３に示す有機ＥＬ層４−１５と、その上下の電極４−１２ｂ、４−１２ｃによって構成されている。
【００７９】
なお、図３（ａ）は平面的な配置理解が考慮されているため、図３（ｃ）と比べて構成がずれているところがある。
また、抵抗３−１３１、４−１３１と、可変抵抗３−１４１、４−１４２、３−１４１、４−１４２と、有機ＥＬ素子３−１５１、４−１５１は、第１の実施の形態において説明した条件を満たすように設計されている。
【００８０】
次に、第３の回路及び第４の回路の動作について説明する。
まず、第３の回路の動作について説明する。
第３の回路には１０Ｖの電源電圧ＶDDが供給される。
可変抵抗３−１４１と可変抵抗３−１４２の少なくとも一方に光信号「暗」が入力されると、光信号「暗」が入力された可変抵抗３−１４１、３−１４２を構成している光導電層３−１４ａ、３−１４ｂの少なくとも一方はその層厚方向で高抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子３−１５１の電極間の電位差は、有機ＥＬ素子３−１５１を構成している有機ＥＬ層３−１５が発光するためのしきい値より十分大きくなる。このため、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１の有機ＥＬ層３−１５は発光し、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は光信号「明」を出力する。
【００８１】
一方、可変抵抗３−１４１と可変抵抗３−１４２との両方に光信号「明」が入力されると、可変抵抗３−１４１を構成している光導電層３−１４ａと、可変抵抗３−１４２を構成している光導電層３−１４ｂは、共に光導電性を生じ、その層厚方向で低抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子３−１５１の電極間の電位差は、有機ＥＬ素子３−１５１を構成している有機ＥＬ層３−１５が発光するためのしきい値より十分小さくなる。このため、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１の有機ＥＬ層３−１５は発光せず、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は光信号「暗」を出力する。
【００８２】
また、第４の回路は第３の回路と同様に動作する。即ち、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、可変抵抗４−１４１、４−１４２の少なくともいずれか一方に光信号「暗」が入力されると光信号「明」を出力し、可変抵抗４−１４１、４−１４２の両方に光信号「明」が入力されると光信号「暗」を出力する。
【００８３】
つまり、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１と第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、同一回路内に入力される信号が全て「明」の場合、「暗」を出力し、同一回路内に入力される信号のなかに１つでも「暗」がある場合、「明」を出力するものである。
【００８４】
次に、第３と第４の回路から構成される記憶素子の動作について説明する。
まず、第３の回路の可変抵抗３−１４１に入力される第３の光信号が「明」であり、第４の回路の可変抵抗４−１４１に入力される第４の光信号が「暗」である場合の記憶素子の動作について説明する。
【００８５】
この場合、第４の回路において、可変抵抗４−１４１に第４の光信号「暗」が入力されることにより、可変抵抗４−１４１を構成する光導電層４−１４ａは高抵抗化する。このため、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１から可変抵抗４−１４２に入力された光信号の「明」・「暗」に関わらず、有機ＥＬ素子４−１５１の電極間にはしきい値より十分大きな電圧が印加される。これにより、有機ＥＬ素子４−１５１を構成している有機ＥＬ層４−１５は発光し、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は光信号「明」を出力する。
【００８６】
一方、第３の回路において、可変抵抗３−１４２には第４の回路の有機ＥＬ素子３−１５１から光信号「明」が入力され、可変抵抗３−１４１には第３の光信号「明」が入力される。可変抵抗３−１４１と可変抵抗３−１４２に共に光信号「明」が入力されたことにより、可変抵抗３−１４１を構成する光導電層３−１４ａと、可変抵抗３−１４２を構成する光導電層３−１４ｂは、共に低抵抗化する。このため、有機ＥＬ素子３−１５１の電極間にはしきい値より十分小さな電圧が印加され、有機ＥＬ素子３−１５１は発光しない。このため、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、光信号「暗」を出力する。
【００８７】
即ち、第３と第４の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１から可変抵抗３−１４２に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。そして、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１から可変抵抗４−１４２に入力された光信号「暗」と、可変抵抗４−１４１に入力された第４の光信号「暗」により、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は「明」を出力する。
【００８８】
次に、第３と第４の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合の記憶素子の動作について説明する。この場合、第３の回路は第３と第４の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第４の回路と同様に動作し、第４の回路は第３と第４の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第３の回路と同様に動作する。
つまり、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、光信号「明」を外部及び第４の回路の可変抵抗４−１４２に出力する。一方、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、光信号「暗」を外部及び第３の回路の可変抵抗３−１４２に出力する。
【００８９】
即ち、第３と第４の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１から可変抵抗４−１４２に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。こうして、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１から可変抵抗３−１４２に入力されていた光信号「暗」と、可変抵抗３−１４１に入力された第３の光信号「暗」により、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は光信号「明」を出力する。
【００９０】
次に、第３と第４の光信号が共に「明」である場合の記憶素子の動作について説明する。
まず、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１が光信号「明」を出力し、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第３と第４の光信号が共に「明」になった場合の記憶素子の動作について説明する。
【００９１】
この場合、第３の回路において、可変抵抗３−１４１には第３の光信号「明」が入力され、可変抵抗３−１４２には第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１から光信号「暗」が入力される。このため、可変抵抗３−１４１を構成している光導電層３−１４ａは低抵抗化し、可変抵抗３−１４２を構成している光導電層３−１４ｂは高抵抗化する。このため、有機ＥＬ素子３−１５１の電極間の電位差はしきい値より十分大きくなり、有機ＥＬ素子３−１５１を構成している有機ＥＬ層３−１５は発光する。これにより、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、光信号「明」を出力する。
【００９２】
一方、第４の回路において、可変抵抗４−１４１には第４の光信号「明」が入力され、可変抵抗４−１４２には第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１から光信号「明」が入力される。このため、可変抵抗４−１４１を構成している光導電層４−１４ａと、可変抵抗４−１４４を構成している光導電層２−１４ｂは共に抵抗化する。このため、有機ＥＬ素子４−１５１の電極間の電位差はしきい値より十分小さくなり、有機ＥＬ素子４−１５１を構成している有機ＥＬ層４−１５は発光する。これにより、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、光信号「暗」を出力する。
【００９３】
このようにして、第３と第４の光信号が共に「明」となった場合、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わる前に出力していた光信号「明」の出力を維持する。一方、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を維持する。
【００９４】
次に、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１が光信号「暗」を出力し、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１が光信号「明」を出力していた後、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わった場合の記憶素子の動作について説明する。
【００９５】
この場合、第３の回路は、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１が光信号「明」を出力し、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第３と第４の光信号が共に「明」になった場合の第４の回路と同様に動作する。一方、第４の回路は、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１が光信号「明」を出力し、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第３と第４の光信号が共に「明」になった場合の第３の回路と同様に動作する。
【００９６】
つまり、第３の回路の有機ＥＬ素子３−１５１は、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わった後も維持する。一方、第４の回路の有機ＥＬ素子４−１５１は、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を、第３と第４の光信号が共に「明」に切り替わった後も維持する。
【００９７】
なお、第３の光信号と第４の光信号とが共に「暗」である場合、第３の回路から出力される信号と、第４の回路から出力される信号が定まらない。このため、第３の光信号と第４の光信号とが共に「暗」である信号の出力は、禁止される。
【００９８】
従って、第３、第４の回路の有機ＥＬ素子３−１５１、４−１５１が出力する光信号の状態、すなわち保持されている光信号の状態をそれぞれＱ３n、Ｑ４nとする。そして、外部から入力される第３、第４の光信号の状態をＳ、Ｒとし、第３，第４の光信号の入力による第３と第４の回路の有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１のそれぞれが出力する光信号の変化後の状態をＱ３(n+1)、Ｑ４(n+1)とする。この場合、表２に示す真理値表が得られる。（但し、Ｑ４＝¬Ｑ３（¬：論理否定を示す））
【００９９】
【表２】
0003764970.tif 000005
【０１００】
ここで、上記の記憶素子は、例えば、「明」を「１」、「暗」を「０」に対応させることにより、従来の電気的に駆動されていたＲＳフリップフロップ回路を構成する素子と同様な記憶素子としての機能を得ることができる。
そして、これらの光信号は、光電変換素子により電気信号に変換されて外部回路に送信させることができる。
なお、光により動作する記憶素子が得られるならば、素子構造は任意に変更することができる。
【０１０１】
（第３の実施の形態）
以下、この発明の第３の実施の形態にかかる記憶素子について図面を参照しつつ説明する。
【０１０２】
まず、第３の実施の形態にかかる記憶素子の構造について図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）はこの実施の形態にかかる記憶素子の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【０１０３】
記憶素子は、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のファイバから構成される基板１１の上部と下部に形成される論理素子から構成される。
【０１０４】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１１の上部には、コの字状の電極５−１２ｃが形成され、電極５−１２ｃ上の一端部または他端部上にそれぞれ光導電層５−１４及び有機ＥＬ層５−１５が形成されている。電極５−１２ｃは、少なくとも光導電層５−１４を励起させて低抵抗化させる波長域に対して高い透過率を示す材料からなる。なお、図５（ａ）のＡ−Ａ線での断面構成は、図１（ｂ）に示すＡ−Ａ線での記憶素子の断面構成とほとんど同一である。これらの電極５−１２ａ、５−１２ｂ、５−１２ｃと、抵抗層５−１３と、光導電層５−１４と、有機ＥＬ層５−１５と、から基板上部の論理素子が構成される。
【０１０５】
一方、基板１１の下部には、基板１１の上部の論理素子と構成がほとんど同一の論理素子が形成されている。基板１１の下部の論理素子の光導電層６−１４は基板１１の上部の有機ＥＬ層５−１５に対向して形成され、基板１１の下部の有機ＥＬ層６−１５は基板１１の上部の光導電層５−１４に対向して形成されている。そして、図５（ａ）に示すような抵抗層５−１３と、抵抗層５−１３を挟む電極５−１２ａ、５−１２ｃと、同様の構造の抵抗層６−１３（図示せず）と、抵抗層６−１３を挟む電極６−１２ａ、６−１２ｃと、が形成されている。
【０１０６】
なお、電極６−１２ａ、６−１２ｂ、６−１２ｃと、抵抗層６−１３と、光導電層６−１４と、有機ＥＬ層６−１５とは、第１と第２の実施の形態で説明したものと同様の構成及び機能を有する。
【０１０７】
上記構成の記憶素子は、基板上部の論理素子から構成される第５の回路と、基板下部の論理素子から構成される第６の回路と、からなり、図６に示すような等価回路を形成する。
【０１０８】
図６に示すように、第５の回路は、供給される電源電圧ＶDDを分圧する抵抗５−１３１と、抵抗５−１３１と接地電位との間に接続された有機ＥＬ素子５−１５１と、抵抗５−１３１と有機ＥＬ素子５−１５１との接続点と接地電位との間に接続された可変抵抗５−１４１と、から構成される。
【０１０９】
一方、第６の回路は、図６に示すように、供給される電源電圧ＶDDを分圧する抵抗６−１３１と、抵抗６−１３１と接地電位との間に接続された有機ＥＬ素子６−１５１と、抵抗６−１３１と有機ＥＬ素子６−１５１との接続点と接地電位との間に接続された可変抵抗６−１４１と、から構成される。
【０１１０】
なお、第５の回路において、抵抗５−１３１は、図５に示す基板１１の上部の抵抗層５−１３と、その上下の電極５−１２ａ、５−１２ｃによって構成されている。可変抵抗５−１４１は、図５に示す基板上部の光導電層５−１４と、その上下の電極５−１２ｂ、５−１２ｃによって構成されている。また、有機ＥＬ素子５−１５１は、図５に示す基板１１の上部の有機ＥＬ層５−１５と、その上下の電極５−１２ｂ、５−１２ｃによって構成されている。
【０１１１】
一方、第６の回路において、抵抗６−１３１は、図５に示す抵抗層６−１３と、その上下の電極６−１２ａ、６−１２ｃによって構成されている。可変抵抗６−１４１は、図５に示す光導電層６−１４と、その上下の電極６−１２ｂ、６−１２ｃによって構成されている。また、有機ＥＬ素子６−１５１は、図５に示す有機ＥＬ層６−１５と、その上下の電極６−１２ｂ、６−１２ｃによって構成されている。
【０１１２】
なお、抵抗５−１３１，６−１３１と、可変抵抗５−１４１，６−１４１と、有機ＥＬ素子５−１５１，６−１５１は、第１の形態において説明した条件を満たすように設計されている。
【０１１３】
また、第５の回路において、可変抵抗５−１４１には、第５の光信号が外部から入力されると共に、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１から光信号が入力される。また、第６の回路において、可変抵抗６−１４１には、第６の光信号が外部から入力されると共に、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１から光信号が入力される。
【０１１４】
次に、第５の回路及び第６の回路の動作について説明する。
まず、第５の回路の動作について説明する。
第５の回路には１０Ｖの電源電圧ＶDDが供給される。
可変抵抗５−１４１に光信号「明」が実質的に入力されると、可変抵抗５−１４１を構成している光導電層５−１４は、その層厚方向で低抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子５−１５１の電極間の電位差は、有機ＥＬ素子５−１５１を構成している有機ＥＬ層５−１５が発光するためのしきい値より十分小さくなる。このため、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１の有機ＥＬ層５−１５は発光せず、第５の回路は光信号「暗」を出力する。
【０１１５】
一方、可変抵抗５−１４１に光信号「暗」のみが実質的に入力されると、可変抵抗５−１４１を構成している光導電層５−１４は、その層厚方向で高抵抗化する。これにより、有機ＥＬ素子５−１５１の電極間の電位差は、有機ＥＬ素子５−１５１を構成している有機ＥＬ層５−１５が発光するためのしきい値電圧より十分大きくなる。このため、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１の有機ＥＬ層５−１５は発光し、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は光信号「明」を出力する。
【０１１６】
また、第６の回路は第５の回路と同様に動作する。即ち、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、可変抵抗６−１４１に光信号「明」が実質的に入力されると、光信号「暗」を出力し、可変抵抗６−１４１に光信号「暗」のみが実質的に入力されると光信号「明」を出力する。
【０１１７】
つまり、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１と第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、同一回路内の可変抵抗５−１４１，６−１４１に光信号「明」が実質的に入力されると、「暗」を出力し、光信号「暗」のみが実質的に入力されると、「明」を出力するものである。
【０１１８】
次に、第５と第６の回路から構成される記憶素子の動作について説明する。
まず、第５の回路の可変抵抗５−１４１に入力される第５の光信号が「明」であり、第６の回路の可変抵抗６−１４１に入力される第６の光信号が「暗」である場合の記憶素子の動作について説明する。
【０１１９】
この場合、第５の回路において、可変抵抗５−１４１には、第５の光信号「明」が入力されることにより、可変抵抗５−１４１を構成する光導電層５−１４は低抵抗化する。このため、第５の回路の有機ＥＬ素子６−１５１から可変抵抗５−１４１に入力された光信号の「明」・「暗」に関わらず、有機ＥＬ素子５−１５１の電極間にはしきい値より十分小さな電圧が印加される。これにより、有機ＥＬ素子５−１５１を構成している有機ＥＬ層５−１５は発光せず、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は光信号「暗」を出力する。
【０１２０】
こうして、第６の回路において、可変抵抗６−１４１には、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１から光信号「暗」が入力されると共に、第６の光信号「暗」が入力される。これにより、可変抵抗６−１４１には実質的に光信号「暗」のみが入力される。このため、可変抵抗６−１４１を構成する光導電層６−１４は高抵抗化し、有機ＥＬ素子６−１５１の電極間にはしきい値より十分大きな電圧が印加される。これにより、有機ＥＬ素子６−１５１を構成している有機ＥＬ層６−１５は発光する。従って、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、光信号「明」を出力する。
【０１２１】
即ち、第５と第６の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１から可変抵抗５−１４１に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。そして、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１から可変抵抗６−１４１に入力された光信号「暗」と、第６の光信号「暗」により、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は光信号「明」を出力する。
【０１２２】
次に、第５と第６の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合の記憶素子の動作について説明する。この場合、第５の回路は第５と第６の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第６の回路と同様に動作し、第６の回路は第５と第６の光信号がそれぞれ「明」・「暗」である場合の第５の回路と同様に動作する。
つまり、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、光信号「明」を外部及び第６の回路の可変抵抗６−１４１に出力する。一方、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、光信号「暗」を外部及び第５の回路の可変抵抗５−１４１に出力する。
【０１２３】
即ち、第５と第６の光信号がそれぞれ「暗」・「明」である場合、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１から可変抵抗６−１４１に入力されていた光信号に関わらず、光信号「暗」を出力する。こうして、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１から可変抵抗５−１４１に入力された光信号「暗」と、第５の光信号「暗」により、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は光信号「明」を出力する。
【０１２４】
次に、第５と第６の光信号が共に「暗」である場合の記憶素子の動作について説明する。
まず、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１が光信号「明」を出力し、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第５と第６の光信号が共に「暗」になった場合の記憶素子の動作について説明する。
【０１２５】
この場合、第５の回路において、可変抵抗５−１４１には、第５の光信号「暗」と第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１からの光信号「暗」が入力されることにより、実質的に光信号「暗」が入力される。このため、可変抵抗５−１４１を構成している光導電層５−１４は高抵抗化し、有機ＥＬ素子５−１５１の電極間の電位差はしきい値より十分大きくなり、有機ＥＬ素子５−１５１を構成している有機ＥＬ層５−１５は発光する。これにより、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、光信号「明」を第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、光信号「明」を出力する。
【０１２６】
一方、第６の回路において、可変抵抗６−１４１には、第６の光信号「暗」と、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１からの光信号「明」が入力される。このため、可変抵抗６−１４１を構成している光導電層６−１４は低抵抗化し、有機ＥＬ素子６−１５１の電極間の電位差はしきい値より十分小さくなり、有機ＥＬ素子６−１５１を構成している有機ＥＬ層６−１５は発光しない。これにより、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、光信号「暗」を出力する。
【０１２７】
このようにして、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった場合、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた「明」の出力を維持する。一方、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を維持する。
【０１２８】
次に、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１が光信号「暗」を出力し、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１が光信号「明」を出力していた後、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった場合の記憶素子の動作について説明する。
【０１２９】
この場合、第５の回路は、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１が光信号「明」を出力し、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった場合の第６の回路と同様に動作する。一方、第６の回路は、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１が光信号「明」を出力し、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１が光信号「暗」を出力していた後、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった場合の第５の回路と同様に動作する。
【０１３０】
つまり、第５の回路の有機ＥＬ素子５−１５１は、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「暗」の出力を、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった後も維持する。一方、第６の回路の有機ＥＬ素子６−１５１は、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わる前に出力していた光信号「明」の出力を、第５と第６の光信号が共に「暗」に切り替わった後も維持する。
【０１３１】
なお、第５の光信号と第６の光信号とが共に「明」である場合、第５の回路から出力される信号と、第６の回路から出力される信号が定まらない。このため、第５の光信号と第６の光信号とが共に「明」である信号の出力は、禁止される。
【０１３２】
従って、第５、第６の回路の有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１が出力する光信号の状態、すなわち保持されている光信号の状態をそれぞれＱ５n、Ｑ６nとする。そして、外部から入力される第５、第６の光信号の状態をＳ、Ｒとし、第５、第６の光信号の入力による第５と第６の回路の有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１のそれぞれが出力する光信号の変化後の状態をＱ５(n+1)、Ｑ６(n+1)とする。この場合、表１に示す真理値表が得られる。（但し、Ｑ６＝¬Ｑ５（¬：論理否定を示す））
【０１３３】
【表３】
0003764970.tif 000006
【０１３４】
ここで、上記の記憶素子は、例えば、「明」を「１」、「暗」を「０」に対応させることにより、従来の電気的に駆動されていたＲＳフリップフロップ回路を構成する素子と同様な記憶素子としての機能を得ることができる。
そして、これらの光信号は、光電変換素子により電気信号に変換されて外部回路に送信させることができる。
なお、光により動作する記憶素子が得られるならば、素子構造は任意に変更することができる。
【０１３５】
（実施の形態の変形例）
第１〜第３の実施の形態において説明した各記憶素子は、上記実施の形態に限定されず、任意に変更可能である。
例えば、第１の実施の形態において説明した記憶素子（図２）において、図７に示すように、可変抵抗１−１４１、２−１４１にそれぞれ可変抵抗１−１６１、２−１６１を直列に接続し、可変抵抗１−１６１、２−１６１に外部から光クロックを供給するようにしても良い。可変抵抗１−１６１、２−１６１は、可変抵抗１−１４１、１−１４２、２−１４１、２−１４２と同様に、光導電層を用いることによって構成できる。また、この光クロックは、周期的に明状態と暗状態とが繰り返されるものであり、電気的なクロックに従って有機ＥＬ素子を駆動することなどによって得ることができる。
【０１３６】
図７に示す記憶素子において、光クロックが暗状態であるときは、可変抵抗１−１６１、２−１６１とも高抵抗となる。このため、可変抵抗１−１６１と可変抵抗１−１４１との合成抵抗、可変抵抗２−１６１と２−１４１との合成抵抗は、いずれも高抵抗となり、図２の回路において可変抵抗１−１４１、２−１４１に入力されている光が「暗」である時と実質的に同じ状態になる。
【０１３７】
一方、光クロックが明状態であるときは、可変抵抗１−１６１、２−１６１は低抵抗化し、可変抵抗１−１６１と可変抵抗１−１４１との合成抵抗、並びに可変抵抗２−１６１と可変抵抗２−１４１との合成抵抗は、それぞれ可変抵抗１−１４１、２−１４１の抵抗と実質的に同じ（高抵抗であるか低抵抗であるかの別）となる。
従って、有機ＥＬ素子１−１５１、２−１５１の状態（発光又は非発光）は、光クロックが明状態となったときに外部から供給されている第１、第２の光の状態によって決まることとなる。このように、従来電気的な回路で実現されていたクロック入力付きのＲＳフリップフロップと同様の機能を得ることができる。
【０１３８】
また、図８に示すように、第３の実施の形態で説明した記憶素子（図６）の可変抵抗５−１４１、６−１４１に、それぞれ光クロックが供給される可変抵抗５−１６１、６−１６１を直列に接続することによっても、クロック入力付きのＲＳフリップフロップの機能を実現することができる。
【０１３９】
また、図８に示す記憶素子は、可変抵抗５−１４１に入力される第５の光信号と、可変抵抗６−１４１に入力される第６の光信号との２つの光信号によって駆動されるクロック入力付きのＲＳフリップフロップの機能を実現していた。これに対し、図９に示すように、さらに第７の回路を付加することによってＤフリップフロップの機能を実現することができる。第７の回路は、一端から電源電圧ＶDDが供給される抵抗７−１３１と、一端が抵抗７−１３１の他端に接続され、他端が接地されている有機ＥＬ素子７−１５１と、抵抗７−１３１と有機ＥＬ素子７−１５１との間に一端が接続され、他端が接地される可変抵抗７−１４１と、から構成され、可変抵抗７−１４１に光信号「明」が入力されると「暗」を表示し、可変抵抗７−１４１に光信号「暗」が入力されると「明」を表示するインバータの機能を備えるものである。そして、外部からの光信号は第６の回路の可変抵抗６−１４１と第７の回路の可変抵抗７−１４１に入力され、第７の回路の有機ＥＬ素子からの光信号は第５の回路の可変抵抗５−１４１に入力される。
【０１４０】
これにより、図９に示す記憶回路では、光クロックが入力される前における第５、第６の回路の有機ＥＬ素子５−１５１、６−１５１が出力する光信号の状態をそれぞれＱ７n、Ｑ８nとする。光クロックが入力されたときの外部からの光信号の状態をＤnとし、光クロック入力後の第５と第６の回路の有機ＥＬ素子５−１５１、６−１５１のそれぞれが出力する光信号の状態をＱ７(n+1)、Ｑ８(n+1)とする。この場合、表１に示す真理値表が得られる。
【０１４１】
【表４】
0003764970.tif 000007
【０１４２】
なお、図７に示す回路に、同様に第７の回路を付加することでも、クロック入力付きＤフリップフロップが得られる。また、図２，図４，図６に示す回路に、同様に第７の回路を付加することにより、クロック入力なしのＤフリップフロップが得られる。
【０１４３】
また、上記説明では、光信号を出力するための素子として有機ＥＬ素子１５１を使用したが、光信号を出力するための素子としては自発光型の素子であればよく、任意に変更可能である。
【０１４４】
なお、上記説明では、可変抵抗素子は、可視光線を吸収して抵抗値が変化するものを使用したが、可視光線以外の紫外線、赤外線等を吸収して抵抗値が変化するものを使用してもよい。また、その材料は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化カドミウム等に限られず、例えば、ＣｄＳ、増感剤等でもよい。そして、有機ＥＬ層は、所定の電圧が印加されると可変抵抗素子の抵抗を変える波長域を含む光を発する材料であればよい。
【０１４５】
また、上記説明では記憶素子を形成するための基板として光ファイバーを使用した基板１１を用いたが、基板はガラス等から構成されても良い。
そして、上記説明では、各回路の抵抗素子、可変抵抗素子、及び有機ＥＬ素子を、同一基板上に形成したが、抵抗素子は別基板に形成してもよく、また、可変抵抗素子及び有機ＥＬ素子のみで各回路を構成してもよい。
【０１４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の記憶素子によれば、信号として光を使用する。このため、信号として電気的な信号を使用する従来の記憶素子と同様の記憶素子としての機能を得ることができる。さらに、出力信号が光のため、その信号の伝達路が長距離になってもあまり信号の減衰が生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる記憶素子の構成を説明するための図である。
【図２】図１に示す記憶素子の等価回路図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる記憶素子の構成を示す図である。
【図４】図３に示す記憶素子の等価回路図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態にかかる記憶素子の構成を示す図である。
【図６】図５に示す記憶素子の等価回路図である。
【図７】図２に示す記憶素子をクロック入力付きのＲＳフリップフロップとして機能させる場合の記憶素子の等価回路図である。
【図８】図６に示す記憶素子をクロック入力付きのＲＳフリップフロップとして機能させる場合の記憶素子の等価回路図である。
【図９】図８に示す記憶素子をＤフリップフロップとして機能させる場合の記憶素子の変形例である。
【符号の説明】
１１・・・基板、１−１２ａ、２−１２ａ、３−１２ａ、４−１２ａ、５−１２ａ、６−１２ａ、１−１２ｂ、２−１２ｂ、３−１２ｂ、４−１２ｂ、５−１２ｂ、６−１２ｂ、１−１２ｃ、２−１２ｃ、３−１２ｃ、４−１２ｃ、５−１２ｃ、６−１２ｃ、３−１２ｄ、４−１２ｄ・・・電極、１−１３、２−１３、３−１３、４−１３、５−１３、６−１３・・・抵抗、１−１４ａ、２−１４ａ、３−１４ａ、４−１４ａ、５−１４ａ、６−１４ａ、１−１４ｂ、２−１４ｂ、３−１４ｂ、４−１４ｂ、５−１４ｂ、６−１４ｂ・・・光導電層、１−１５、２−１５、３−１５、４−１５、５−１５、６−１５・・・有機ＥＬ層、１５ａ・・・正孔輸送層、１５ｂ・・・電子輸送性発光層、１−１３１，２−１３１，３−１３１，４−１３１，５−１３１，６−１３１・・・抵抗、１−１４１，２−１４１，３−１４１，４−１４１，５−１４１，６−１４１、１−１４２，２−１４２、３−１４２、４−１４２・・・可変抵抗、１−１５１，２−１５１，３−１５１，４−１５１，５−１５１，６−１５１・・・有機ＥＬ素子、１−１６１、２−１６１、５−１６１，６−１６１・・・付加可変抵抗
【図１】
0003764970.tif 000008
【図２】
0003764970.tif 000009
【図３】
0003764970.tif 000010
【図４】
0003764970.tif 000011
【図５】
0003764970.tif 000012
【図６】
0003764970.tif 000013
【図７】
0003764970.tif 000014
【図８】
0003764970.tif 000015
【図９】
0003764970.tif 000016