(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機薄膜発光素子部を形成するステップと、
前記有機薄膜発光素子部の形成領域以外の基板表面に凹凸を設けて荒らすステップと、
該荒らされた基板表面上の所望の位置に外部電極用の線状導電部を形成するステップとを備えることを特徴とする有機薄膜発光素子パネルの製造方法。
【請求項２】
線状導電部を形成する前記ステップの後に、前記線状導電部と異方性導電テープを接続するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜発光素子パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板表面に凹凸を設けて荒らすステップが、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行なわれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機薄膜発光素子パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜発光素子パネルの製造方法に関し、より詳細には、高温・高湿環境下でも端子部分の接続抵抗の増大を抑制することが可能な有機薄膜発光素子パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、フラットパネルディスプレイとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）等が知られている。
【０００３】
これらのディスプレイは、透明な基板上の端部に複数の線状導電部を外部電極部として備え、この外部電極部が、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）やテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）等の駆動回路用の導電部と異方性導電テープ（ＡＣＦ）などを介して接続されている。
【０００４】
これらのディスプレイの殆どは、基板と駆動回路用導電部との接続部が１００μｍ以下のピッチに加工されており、外部電極部とＦＰＣやＴＣＰとの接続は、このピッチよりも狭い領域でなされる必要があるために極めて狭い面積での接続となる。また、近年の有機ＥＬディスプレイの線状導電部には表面粗さの小さな配線が求められる傾向があり、これに伴って、端部の外部電極部の表面粗さも小さくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような表面粗さの小さな外部電極部にＡＣＦによる端子接続を行なうと、高温・高湿環境下での保存試験やヒートサイクル試験などの環境試験において端子接続部の抵抗が増大してしまい、消費電力が増大したり、接続部分が破壊されてしまう危険性が増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、この問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高温・高湿環境下でも端子部分の接続抵抗の増大を抑制することが可能な有機薄膜発光素子パネルの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、この問題を解決するために、請求項１に記載の発明は、有機薄膜発光素子パネルの製造方法であって、基板上に有機薄膜発光素子部を形成するステップと、
前記有機薄膜発光素子部の形成領域以外の基板表面に凹凸を設けて荒らすステップと、
該荒らされた基板表面上の所望の位置に外部電極用の線状導電部を形成するステップとを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、線状導電部を形成する前記ステップの後に、前記線状導電部と異方性導電テープを接続するステップをさらに備えることを特徴とする。
さらに、請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の有機薄膜発光素子パネルの製造方法において、前記基板に凹凸を設けて荒らすステップが、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行なわれることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１３】
図１は、本発明の有機薄膜発光素子パネルの端部近傍の様子を説明するための図で、基板１上に形成された外部電極部３を介して有機ＥＬ発光素子２が設けられており、この外部電極部３が図示しない駆動回路と電気的に接続されて有機ＥＬ発光素子２を駆動する。
【００１４】
外部電極部３が形成される基板１の領域は予め適当な表面粗さを有するように加工され、この上に外部電極部３を形成することで、基板１の端部の表面状態を反映して外部電極部３の表面が適度に荒れることとなる。本発明者らの検討によれば、従来の有機薄膜発光素子パネルの上述した問題は、外部電極部表面が平滑であるために駆動回路との接続面積が小さくなることに起因するものと結論付けられる。このため、本発明の有機薄膜発光素子パネルにおいては、外部電極部表面に適度な荒れを設けることにより、ＡＣＦ中の導電性粒子との接触面積を増加させて接続抵抗の増大を抑制することを可能としている。
【００１５】
この外部電極部の表面荒れの程度は、この外部電極部を構成する任意の線状導電部の平均表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以上であることが好ましく、表面粗さの最大高低差（Ｒｍａｘ）が１０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
なお、上記説明においては、外部電極部３が形成されるべき基板１の領域を予め適当な表面粗さを有するように加工した後に外部電極部３を形成することとしたが、これに限定されるものではなく、基板１を加工することなく外部電極部３を形成し、その後に、少なくとも外部電極部３をエッチングやスパッタリング等の手法で荒らすこととしても同様の効果を得ることが可能である。
【００１７】
〔実施例１〕
図２は、図１で説明した本発明の有機薄膜発光素子パネルを製造するための手順を説明するための図で、この例では、ウエットエッチングで外部電極部を構成する線状導電部表面を荒らすこととしている。
【００１８】
先ず、有機薄膜発光素子を形成した基板２１を用意し（図２（ａ））、基板２１上の有機膜成膜部分を保護するためのレジスト２２を塗布する（図２（ｂ））。また、基板２１から発光光を取り出す場合、有機膜成膜部分の裏面もレジストを塗布し保護する。
【００１９】
レジスト乾燥後、基板２１をエッチング可能なエッチング液２３中に浸漬させてエッチングを行なう（図２（ｃ））。外部電極部が形成されるべき基板２１の領域にはレジスト２２は塗布されていないから、このエッチングによりこの領域の基板２１表面が荒されることとなる。
【００２０】
所望の表面粗さが得られた後に、基板２１をエッチング液２３から取り出して純水洗浄し、剥離液２４に浸漬させてレジスト２２を剥離する（図２（ｄ））。
【００２１】
最後に、ＩＰＡと純水で洗浄した後にスパッタ法で線状導電部２５および図示しない電極を形成する（図２（ｅ））。この線状導電部２５のうち、レジスト２２で被覆されていなかった基板２１上に形成された部分は基板２１表面の荒れを反映して適度な表面荒れを有し、この部分が外部電極部を構成することとなる。
【００２２】
この方法では、外部電極部の表面粗さはエッチング時間に依存するため、予め表面荒れのエッチング時間依存性を求めておく必要がある。
【００２３】
図３および図４は、各々、外部電極部の平均表面粗さ（Ｒａ）および最大高低差（Ｒｍａｘ）のエッチング時間依存性を求めた結果を説明するための図で、エッチング時間が長くなるにつれて徐々にＲａとＲｍａｘが増大している。なお、この場合には、Ｒａが１ｎｍ以上となるエッチング時間は約２５秒、Ｒｍａｘが１０ｎｍ以上となるエッチング時間は約３０秒である。
【００２４】
〔実施例２〕
図５は、図１で説明した本発明の有機薄膜発光素子パネルを製造するための他の手順を説明するための図で、この例では、ドライエッチングで外部電極部表面を荒らすこととしている。
【００２５】
先ず有機薄膜発光素子部を形成した基板５１を用意し（図５（ａ））、基板５１上の有機膜成膜部分を保護するためのレジスト５２を塗布する（図５（ｂ））。
【００２６】
レジスト５２乾燥後、基板５１をドライエッチング可能な真空容器５３中に載置させてエッチングを行なう（図５（ｃ））。外部電極部が形成されるべき基板５１の領域にはレジスト５２は塗布されていないから、このエッチングによりこの領域の基板５１表面が荒されることとなる。
【００２７】
所望の表面粗さが得られたら、基板５１を真空容器５３から取り出して純水洗浄した後に剥離液５４に浸漬させてレジスト５２を剥離する（図５（ｄ））。
【００２８】
最後に、ＩＰＡと純水で洗浄した後にスパッタ法で線状導電５５および図示しない電極を形成する（図５（ｅ））。この線状導電部５５のうち、レジスト５２で被覆されていなかった基板５１上に形成された部分は基板５１表面の荒れを反映して適度な表面荒れを有し、この部分が外部電極として用いられる。
【００２９】
なお、実施例１および２では、外部電極部の表面を荒らすための処理を線状導電部の成膜前に実施することとして説明したが、これに限定されるものではなく、基板の表面状態を荒らすことなく線状導電部を形成し、その後に外部電極部の表面を荒らす処理を施すこととしてもよい。
【００３０】
〔比較例〕
以下に、上述した方法で作製した有機薄膜発光素子パネルと従来の方法で作製した有機薄膜発光素子パネルの高温・高湿条件の下で接続抵抗の変化を比較した結果を説明する。
【００３１】
本発明の有機薄膜発光素子パネルは、有機薄膜発光層を形成した５０ｍｍ×５０ｍｍのガラス基板の端部をウエットエッチング処理して平均表面粗さ３ｎｍ、高低差３０ｎｍの表面状態とし、これにＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯを線状導電部の導電材料として２００ｎｍパターン成膜した。
【００３２】
一方、従来の構成の有機薄膜発光素子パネルは、有機薄膜発光層を形成した５０ｍｍ×５０ｍｍのガラス基板上にＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯを導電材料として２００ｎｍパターン成膜した。なお、このガラス基板の平均表面粗さは０．２ｎｍ、高低差は４ｎｍの表面状態であり、端部の外部電極部を構成する線状導電部であるＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯの表面粗さもこれと同等の粗さを有している。
【００３３】
このようにして作製した有機薄膜発光素子パネルの外部電極に、ＡＣＦにより試験用ＦＰＣを接続し、この状態で８５℃、８５％の高温・高湿条件下で接続抵抗の変化を調べた。
【００３４】
図６は、これらの有機薄膜発光素子パネルの接続抵抗変化の様子を説明するための図で、従来の構成の有機薄膜発光素子パネルは、初期値５Ωであった抵抗値が経過時間と共に急激に接続抵抗が上昇し、ほぼ１００時間後に約３０Ωで飽和しているのに対して、本発明の有機薄膜発光素子パネルは、５００時間経過後も初期値の５Ωを維持しており、安定した接続抵抗が得られている。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、外部電極部を構成する線状導電部表面に適度な荒れを設けることによりＡＣＦ中の導電性粒子との接触面積を増加させることとしたので、高温・高湿環境下でも端子部分の接続抵抗の増大を抑制することが可能な有機薄膜発光素子パネルの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機薄膜発光素子パネルの端部に設けられる外部電極部近傍の様子を説明するための図である。
【図２】ウエットエッチングで線状導電部表面を荒らすこととした場合の、本発明の有機薄膜発光素子パネルを製造するための手順を説明するための図である。
【図３】外部電極部を構成する線状導電部の平均表面粗さのエッチング時間依存性を求めた結果を説明するための図である。
【図４】最大高低差（Ｒｍａｘ）のエッチング時間依存性を求めた結果を説明するための図である。
【図５】ドライエッチングで線状導電部表面を荒らすこととした場合の、本発明の有機薄膜発光素子パネルを製造するための手順を説明するための図である。
【図６】本発明の有機薄膜発光素子パネルと従来の構成の有機薄膜発光素子パネルの、８５℃、８５％の高温・高湿条件下での接続抵抗変化の様子を説明するための図である。
【符号の説明】
１、２１、５１  基板
２  有機ＥＬ発光素子
３  外部電極部
２２、５２  レジスト
２３  エッチング液
２４、５４  剥離液
２５、５５  線状導電部
５３  真空容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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