(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路形成領域にエッチング溝が形成された基板を保持するための基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の表面に形成されたエッチング溝の深さを検出するエッチング溝深さ検出機構と、
上記基板保持機構に保持された基板上における上記エッチング溝深さ検出機構による検出位置を変更する検出位置変更機構と、
上記エッチング溝深さ検出機構による溝深さの検出結果をそれぞれの溝深さ検出位置と関連付けることによって、上記基板上に形成されたエッチング溝深さの基板面内分布を求めるエッチング溝深さ分布演算手段とを含み、
上記エッチング溝深さ検出機構は、
上記基板に赤外光を入射させる手段と、
上記基板の表面で反射された赤外波長域の光の強度分布を表すスペクトルを生成する赤外分光器と、
エッチング溝の深さＤをパラメータとして、種々の深さＤに対応した厚さの膜が基板上に形成された状態で上記赤外分光器が生成すべきスペクトルの理論値を深さＤ毎に求め、複数の深さＤについて求められた複数の理論値と未エッチング状態の基板について上記赤外分光器が生成するスペクトルとを、上記集積回路形成領域におけるエッチング溝の面積比に応じた混合比でそれぞれ混合して複数の混合スペクトルを作成し、その複数の混合スペクトルと上記赤外分光器が生成するスペクトルとを照合することにより、エッチング溝深さデータを求める溝深さ検出演算部とを含むものである
ことを特徴とするエッチング溝深さ分布測定装置。
【請求項２】
集積回路形成領域にエッチング溝が形成された基板の表面に形成されたエッチング溝の深さを検出するエッチング溝深さ検出ステップと、
このエッチング溝深さ検出ステップを、基板上における検出位置を変更して複数回繰り返すステップと、
上記エッチング溝深さ検出ステップによる溝深さの検出結果をそれぞれの溝深さ検出位置と関連付けることによって、上記基板上に形成されたエッチング溝深さの基板面内分布を求めるエッチング溝深さ分布演算ステップとを含み、
上記エッチング溝深さ検出ステップは、
上記基板に赤外光を入射させるステップと、
上記基板の表面で反射された赤外波長域の光の強度分布を表すスペクトルを赤外分光器によって生成するステップと、
エッチング溝の深さＤをパラメータとして、種々の深さＤに対応した厚さの膜が基板上に形成された状態で上記赤外分光器が生成すべきスペクトルの理論値を深さＤ毎に求め、複数の深さＤについて求められた複数の理論値と未エッチング状態の基板について上記赤外分光器が生成するスペクトルとを、上記集積回路形成領域におけるエッチング溝の面積比に応じた混合比でそれぞれ混合して複数の混合スペクトルを作成し、その複数の混合スペクトルと上記赤外分光器が生成するスペクトルとを照合することにより、エッチング溝深さデータを求める溝深さ演算ステップとを含む
ことを特徴とするエッチング溝深さ分布測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイバネル用ガラス基板などに代表される基板の表面（これらの基板自体の表面であってもよいし、基板表面に形成された薄膜の表面であってもよい。）に形成されたエッチング溝の基板面内分布を測定するための装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ上に微細配線を形成する技術にダマシン法がある。ダマシン法は、ウエハ上に形成された絶縁膜にエッチング溝を形成する工程と、このエッチング溝内に銅などの配線金属を埋め込む工程と、その後にＣＭＰ（化学的機械的研磨）法によって表面を研削して溝外の金属を除去する工程とを含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
エッチング工程には、微細エッチング加工が可能なドライエッチャーが用いられる。ところが、ドライエッチャーは、不安定なプラズマや磁界を扱う装置であり、ガス流の影響もあって、エッチング深さに関して、良好な面内分布を得にくいという特徴がある。しかも、エッチング深さの面内分布は一様ではなく、装置毎に顕著な差があり、さらに、無視できない経時変化を生じることが分かっている。
【０００４】
したがって、装置の立ち上げ時やメンテナンス時には、良好な処理の実現のために、エッチング深さの面内分布の測定を欠かすことができない。そこで、現在のところ、ウエハを破断し、破断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する、破壊検査によってエッチング深さの面内分布の測定が行われている。
しかし、破壊検査ではウエハを無駄にせざるを得ないうえ、検査のための労力も少なくない。しかも、破壊検査であるがゆえに、抜き取り検査とせざるをえず、多数の抜き取り検査はもちろんのこと、全数検査は不可能である。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、基板表面のエッチング深さの分布を非破壊で測定することができるエッチング深さ分布測定装置およびエッチング分布測定方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、集積回路形成領域（ＦＡ）にエッチング溝が形成された基板（Ｗ）を保持するための基板保持機構（２）と、この基板保持機構に保持された基板の表面に形成されたエッチング溝の深さを検出するエッチング溝深さ検出機構（４，５，１５，２２）と、上記基板保持機構に保持された基板上における上記エッチング溝深さ検出機構による検出位置を変更する検出位置変更機構（１６，２１）と、上記エッチング溝深さ検出機構による溝深さの検出結果をそれぞれの溝深さ検出位置と関連付けることによって、上記基板上に形成されたエッチング溝深さの基板面内分布を求めるエッチング溝深さ分布演算手段（２３）とを含み、上記エッチング溝深さ検出機構は、上記基板に赤外光を入射させる手段（４，５）と、上記基板の表面で反射された赤外波長域の光の強度分布を表すスペクトルを生成する赤外分光器（１５）と、エッチング溝の深さＤをパラメータとして、種々の深さＤに対応した厚さの膜が基板上に形成された状態で上記赤外分光器が生成すべきスペクトルの理論値を深さＤ毎に求め、複数の深さＤについて求められた複数の理論値と未エッチング状態の基板について上記赤外分光器が生成するスペクトルとを、上記集積回路形成領域におけるエッチング溝の面積比に応じた混合比でそれぞれ混合して複数の混合スペクトルを作成し、その複数の混合スペクトルと上記赤外分光器が生成するスペクトルとを照合することにより、エッチング溝深さデータを求める溝深さ検出演算部（２２）とを含むものであることを特徴とするエッチング溝深さ分布測定装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００７】
上記の構成によれば、基板上での位置を変更しながら基板表面に形成されたエッチング溝の深さが検出される。そして、検出されたエッチング溝深さとその検出位置とを対応付けることによって、エッチング深さの面内分布が求められる。こうして、基板を破壊することなく、エッチング溝深さの面内分布を求めることができる。しかも、従来の破壊検査では、エッチング溝深さの分布は、破断面に沿った一次元的な分布が求められるに過ぎないのに対して、この発明によれば、たとえば、基板面内全域における二次元分布を求めることもできる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、集積回路形成領域（ＦＡ）にエッチング溝が形成された基板（Ｗ）の表面に形成されたエッチング溝の深さを検出するエッチング溝深さ検出ステップと、このエッチング溝深さ検出ステップを、基板上における検出位置を変更して複数回繰り返すステップと、上記エッチング溝深さ検出ステップによる溝深さの検出結果をそれぞれの溝深さ検出位置と関連付けることによって、上記基板上に形成されたエッチング溝深さの基板面内分布を求めるエッチング溝深さ分布演算ステップとを含み、上記エッチング溝深さ検出ステップは、上記基板に赤外光を入射させるステップと、上記基板の表面で反射された赤外波長域の光の強度分布を表すスペクトルを赤外分光器（１５）によって生成するステップと、エッチング溝の深さＤをパラメータとして、種々の深さＤに対応した厚さの膜が基板上に形成された状態で上記赤外分光器が生成すべきスペクトルの理論値を深さＤ毎に求め、複数の深さＤについて求められた複数の理論値と未エッチング状態の基板について上記赤外分光器が生成するスペクトルとを、上記集積回路形成領域におけるエッチング溝の面積比に応じた混合比でそれぞれ混合して複数の混合スペクトルを作成し、その複数の混合スペクトルと上記赤外分光器が生成するスペクトルとを照合することにより、エッチング溝深さデータを求める溝深さ演算ステップとを含むことを特徴とするエッチング溝深さ分布測定方法である。
【０００９】
この方法により、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を達成できる。なお、上記検出位置変更機構は、基板保持機構とエッチング溝深さ検出機構との相対位置を変更する手段（２，１６）を含んでいてもよい。すなわち、たとえば、検出位置変更機構は、エッチング溝深さ検出機構の光学系（４）を上記基板保持機構に対して移動させる機構を含んでいてもよいし、エッチング溝深さ検出機構の光学系に対して上記基板保持機構を移動させる機構（２，１６）を含んでいてもよい。
【００１０】
また、上記エッチング溝は、ダマシン工程において形成される溝であってもよい。このようなエッチング溝は、配線用金属が埋め込まれる溝であってもよい。さらに、上記エッチング溝は、基板面内にほぼ一様に分布して形成されていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るエッチング溝深さ分布測定装置の構成を説明するためのブロック図である。この装置は、たとえば、半導体ウエハＷ（以下、「ウエハＷ」という。）の表面に形成された絶縁膜に金属配線を埋設するためのいわゆるダマシン工程において用いられ、絶縁膜に形成された配線金属埋め込み用のエッチング溝の深さに関して、ウエハＷの面内での分布を測定するための装置である。
【００１２】
配線材料埋め込みのためのエッチング溝は、ドライエッチャーによって、たとえばウエハＷの面内にほぼ一様に分布して形成される。このエッチング溝形成後のウエハＷは、測定室１内に配置されたＸＹステージ２上に水平に載置される。測定室１の天面には、ガラス等の透明部材からなる観察窓３が設けられている。この観察窓３に対向する位置に、ウエハＷの鏡面の観察のために用いられるレンズユニット４（光学系）が配置されている。
【００１３】
レンズユニット４には、ハロゲンランプなどを備えた赤外用ランプハウス５からの赤外光が、光ファイバ６およびピンホール部材７に形成されたピンホールを介して入射されるようになっている。レンズユニット４は、この赤外光をウエハＷの表面に集光させる。
一方、ピンホール部材７とレンズユニット４との間には、ピンホール７側から順に、２つのハーフミラー８，９が配置されている。ハーフミラー８には、画像処理用ランプハウス１０から、光ファイバ１１を介して、レンズユニット４の光軸の側方から可視光が導かれるようになっている。すなわち、画像処理用ランプハウス１０から光ファイバ１１を介して導かれた可視光は、ハーフミラー１２で反射されてハーフミラー８へと導かれ、このハーフミラー８によってさらに反射されて、レンズユニット４へと導かれ、ウエハＷの表面を照明する。
【００１４】
一方、ハーフミラー１２に対してハーフミラー８と反対側には、ＣＣＤカメラ等の撮像装置１３が配置されている。ウエハＷの表面において反射され、レンズユニット４およびハーフミラー９を通り、さらにハーフミラー８によって反射されてくる可視光は、撮像装置１３によって検出される。したがって、撮像装置１３は、レンズユニット４の光軸近傍の位置に相当するウエハＷの表面の映像を表わす映像信号を出力する。
【００１５】
ウエハＷの表面からレンズユニット４を通った光の一部は、ハーフミラー９によって反射され、光ファイバ１４を介して赤外分光器１５へと導かれるようになっている。この赤外分光器１５は、赤外波長域における強度分布スペクトル信号を生成して出力する。
ＸＹステージ２には、このＸＹステージ２を水平面に沿う２つの直交方向であるＸ方向およびＹ方向に沿って駆動するためのステージ駆動機構１６が結合されている。このステージ駆動機構１６を駆動することにより、レンズユニット４の光軸に対するウエハＷの相対位置を変化させることができるから、ウエハＷの表面上の複数の位置において、エッチング溝深さを検出することができる。
【００１６】
ステージ駆動機構１６は、コンピュータ処理システム２０によって制御されるようになっている。このコンピュータ処理システム２０には、撮像装置１３が出力する映像信号が入力されており、さらに赤外分光器１５が出力するスペクトル信号が入力されている。また、コンピュータ処理システム２０には、ＣＲＴや液晶表示装置等の表示装置３０や、プリンタ４０、およびキーボード等の操作部５０が接続されている。
【００１７】
図２は、コンピュータ処理システム２０の構成を説明するためのブロック図である。コンピュータ処理システム２０は、撮像装置１３からの映像信号に基づいてステージ駆動機構１６を制御することにより、ウエハＷ上のいずれの位置においてエッチング溝深さを検出すべきかを制御する検出位置制御部２１を備えている。また、コンピュータ処理システム２０は、赤外分光器１５からのスペクトル信号に基づいて、エッチング溝深さを演算する溝深さ検出演算部２２を備えている。
【００１８】
検出位置制御部２１は、検出位置データをマッピング処理部２３に与え、一方、溝深さ検出演算部２２は、演算された溝深さデータをマッピング処理部２３に与える。マッピング処理部２３は、検出位置データと溝深さデータとを関連づけることによって、ウエハ上に形成されたエッチング溝の深さのウエハ面内分布（マッピング）を表わす基礎データとしてのマッピングデータを生成する。このマッピングデータは、コンピュータ処理システム２０に備えられたハードディスク装置２４に格納される。
【００１９】
ハードディスク装置２４に蓄積されたマッピングデータに基づき、表示制御部２５の働きによって、ウエハＷ表面におけるエッチング溝深さ分布情報を表示させることができる。また、印刷制御部２６の働きによって、プリンタ４０から、ウエハＷ表面におけるエッチング溝深さ分布情報を、用紙上にプリント出力させることもできる。
検出位置制御部２１、溝深さ検出演算部２２およびマッピング処理部２３などの働きは、実際には、コンピュータ処理システム２０に備えられたハードウェアとしてのＣＰＵが実行するプログラム処理によって、ソフトウェア的に実現されることになる。
【００２０】
図３は、検出位置制御部２１の働きを説明するための図である。ウエハＷ上には、複数の集積回路形成領域ＦＡが設定されている。たとえば、複数の集積回路形成領域ＦＡには、同一設計の集積回路が作り込まれ、半導体装置の製造最終段階においては、ウエハＷをダイシングして個々の集積回路形成領域ＦＡ毎に分断することにより、集積回路素子の複数の個片（チップ）が得られることになる。検出位置制御部２１は、撮像装置１３からの映像信号に基づき、個々の集積回路形成領域ＦＡ内における所定の溝深さ検出点Ｐ（図３において記号「＋」で表す。）を見い出し、レンズユニット４の光軸を当該溝深さ検出点Ｐに一致させる。
【００２１】
より具体的には、赤外用ランプハウス５から発生される赤外光には可視光領域の光も含まれているので、この可視光領域の光がウエハＷの表面に形成する集光スポットＬＰと、溝深さ検出点Ｐとを一致させるように、ステージ駆動機構１６を制御する。これにより、赤外分光器１５には、１つの集積回路形成領域ＦＡ内における溝深さ検出点Ｐの付近からの反射光が光ファイバ１４を介して入射することになる。集光スポットＬＰと集積回路形成領域ＦＡ内の溝深さ検出点Ｐとが一致したとき、検出位置制御部２１は、マッピング処理部２３に向けて、当該溝深さ検出点Ｐの位置データを出力する。この位置データが、赤外分光器１５が出力するスペクトル信号に基づいて求められる溝深さ検出データと結びつけられることによって、マッピングデータが生成される。
【００２２】
このような処理が、複数の溝深さ検出点Ｐに対して繰り返し実行される。
図４は、マッピング処理部２３が生成するマッピングデータによって構成される溝深さ面内分布データ（ハードディスク装置２４に蓄積されるデータ）を表わす図である。ハードディスク装置２４に蓄積されるマッピングデータに基づいて、溝深さの等しい位置間を曲線または直線で結合することによって、ウエハＷに対応した円形領域ＷＡ内に、複数の等高線ＥＬが描かれる。こうして、ウエハＷの表面における溝深さの二次元分布を図示することができる。
【００２３】
隣接する等高線ＥＬ間または等高線ＥＬで囲まれた閉領域を色分けして表わせば、さらに見易い図形表示が可能になる。表示装置３０やプリンタ４０には、図４に示された態様で溝深さ面内分布が図示されてもよいし、ハードディスク装置２４に蓄積された溝深さ面内分布データが数値表示されてもよい。むろん、図４図示の態様の図形表示と数値表示とが併用されてもよい。
図５および図６は、溝深さ検出演算部２２による溝深さ検出原理を説明するための図である。
【００２４】
まず、図５は、ウエハＷの表面に形成された絶縁膜Ｉの膜厚Ｔを測定する原理を説明するための図である。この場合、図５(a)に示されているように、絶縁膜Ｉの外側の空気層から照射された赤外光Ｌは、絶縁膜ＩとウエハＷとの界面で反射される。この反射光の一部は絶縁膜Ｉから空気層へと出射するが、残りの部分は空気層と絶縁膜Ｉとの界面で反射されて再びウエハＷの表面へと向かう。
同様にして、ウエハＷと絶縁膜Ｉとの界面および絶縁膜Ｉと空気層との界面での多重反射が生じ、その結果、膜厚Ｔに対応した光路長の相違のために、特定波長の光は強め合い、別の特定波長の光は弱め合うことになる。
【００２５】
すなわち、赤外光Ｌの波長に対する強度分布を調べると、図５(b)に示すように、特定波長の光の強度が強く、別の特定波長の光の強度が弱くなる。こうして得られるスペクトル（波長対強度特性）は、膜厚Ｔに依存するから、このスペクトルに基づいて膜厚Ｔを特定することができる。
次に、図６は、ウエハＷ上の絶縁膜Ｉに深さＤのエッチング溝ＩＴが形成されている場合（図６(a)）に、深さＤを検出する方法を説明するための図である。集積回路形成領域ＦＡ（図３参照）内に深さＤのエッチング溝ＩＴが一定の面積比で形成されているとすれば、集積回路形成領域ＦＡの表面状態（図６(a)）は、巨視的に見れば、図６(b)の状態と図６(c)の状態との混合状態であると言える。すなわち、膜厚Ｔの絶縁膜Ｉが形成された状態（図６(b)）と、膜厚Ｔ−Ｄの絶縁膜Ｉが形成された状態（図６(c)）との混合状態であり、その混合比を集積回路形成領域ＦＡにおけるエッチング溝ＩＴの面積比に基づいて定めれば、図６(a)の状態が得られることになる。集積回路形成領域ＦＡにおけるエッチング溝ＩＴの面積比は、集積回路の設計に基づいて定めることができる。
【００２６】
ウエハＷの表面に膜厚Ｔの絶縁膜Ｉが形成されているとき（すなわち、未エッチング状態のとき）、赤外分光器１５が出力するスペクトル信号は、図６(e)に示すとおりであり、ウエハＷの表面に膜厚Ｔ−Ｄの絶縁膜Ｉが形成されているときに赤外分光器１５が出力するスペクトル信号が図６(f)に示すとおりであるとする。この場合、図６(a)の表面状態に対応した赤外分光器１５の出力は、図６(e)(f)のスペクトルを上記混合比で混合した結果である図６(d)のようになる。
【００２７】
したがって、溝深さ検出演算部２２は、赤外分光器１５が出力するスペクトル信号に基づき、エッチング溝ＩＴの深さＤを特定することができる。より具体的には、溝深さ検出演算部２２は、深さＤをパラメータとして種々に変化させ、各Ｄの値に対応したスペクトル（図６(c)の表面状態のときに赤外分光器１５が出力すべきスペクトル）の理論値を求める。こうして求められた複数の理論値と図６(e)のスペクトルとを上記混合比によって混合して、各Ｄの値に対応した混合スペクトル（図６(d)に示すようなスペクトル）を求める。そして、赤外分光器１５が出力するスペクトル信号と上記の演算によって求められた複数の混合スペクトルとを照合して、最も高い一致度が得られた混合スペクトルに対応したパラメータＤの値をエッチング溝深さデータとして出力する。
【００２８】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷの表面において個々の集積回路形成領域ＦＡ毎に設定されたエッチング溝深さ検出点Ｐでのエッチング深さが検出され、これに基づき、ウエハＷ表面における溝深さ面内分布データがハードディスク装置２４に蓄積される。したがって、ウエハＷを破壊することなくエッチング溝深さの面内分布を求めることができる。
また、ウエハＷを破断して行う破壊検査では、破断面内におけるエッチング溝深さの分布が検出できるにすぎないから、いわば一次元的な溝深さ分布の測定のみが可能である。これに対して、この実施形態によれば、図４に示すとおり、二次元的なエッチング溝深さ面内分布の測定が可能となる。
【００２９】
さらに、ウエハＷを破断する破壊検査に比較して、エッチング溝深さの面内分布の測定を速やかに行うことができる。
これらの効果から派生して、ドライエッチャー装置の立ち上げやメンテナンスを速やかに行うことができ、また複数のドライエッチャーの管理を効率的に行うという効果を得ることができる。
さらには、エッチング溝深さの面内分布を非破壊で測定することができるから、全てのウエハＷの検査を行う全数検査も可能であって、これにより、より信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００３０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、個々の集積回路形成領域ＦＡ毎にエッチング溝深さ検出点Ｐを設定しているが、必ずしもすべての集積回路形成領域ＦＡにエッチング溝深さ検出位置を設定する必要はない。すなわち、たとえば、ウエハＷの表面において４点〜５点のエッチング溝深さ検出位置を設定することによって、ウエハＷの面内における大まかなエッチング溝深さ面内分布を求めるようにしてもよい。また、個々の集積回路形成領域ＦＡ内に２点以上のエッチング溝深さ検出位置を設定して、より詳細な溝深さ面内分布を測定することとしてもよい。
【００３１】
また、上記の実施形態では、半導体ウエハＷ上に形成された絶縁膜のエッチング溝深さの面内分布を測定する例について説明したが、ウエハＷ上に複数層の配線が形成される場合には、各層の配線に対応した絶縁層のエッチング溝深さの面内分布を測定することができる。また、半導体ウエハ以外にも液晶表示装置用ガラス基板やプラズマディスプレイ用ガラス基板等の表面に絶縁膜等の膜を形成し、この薄膜上に形成された溝深さの面内分布を測定する場合にも、この発明を適用することができる。
【００３２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係るエッチング溝深さ分布測定装置の構成を説明するためのブロック図である。
【図２】コンピュータ処理システムの構成を説明するためのブロック図である。
【図３】検出位置制御部の働きを説明するための図である。
【図４】マッピング処理部が生成するマッピングデータによって構成される溝深さ面内分布データを表わす図である。
【図５】ウエハの表面に形成された絶縁膜の膜厚を測定する原理を説明するための図である。
【図６】ウエハ上の絶縁膜に形成されたエッチング溝の深さを検出する原理を説明するための図である。
【符号の説明】
１    測定室
２    ＸＹステージ
３    観察窓
４    レンズユニット
５    赤外用ランプハウス
６    光ファイバ
７    ピンホール部材
８    ハーフミラー
９    ハーフミラー
１０    画像処理用ランプハウス
１１    光ファイバ
１２    ハーフミラー
１３    撮像装置
１４    光ファイバ
１５    赤外分光器
１６    ステージ駆動機構
２０    コンピュータ処理システム
２１    検出位置制御部
２２    溝深さ検出演算部
２３    マッピング処理部
２４    ハードディスク装置
２５    表示制御部
２６    印刷制御部
３０    表示装置
４０    プリンタ
５０    操作部
Ｄ    深さ
ＥＬ    等高線
ＦＡ    集積回路形成領域
Ｉ    絶縁膜
ＩＴ    エッチング溝
Ｌ    赤外光
ＬＰ    集光スポット
Ｐ    溝深さ検出点
Ｐ    測定位置Ｐ
Ｔ    膜厚
Ｔ−Ｄ    膜厚
Ｗ    ウエハ
ＷＡ    円形領域
【図１】
0003740079.tif 000002
【図２】
0003740079.tif 000003
【図３】
0003740079.tif 000004
【図４】
0003740079.tif 000005
【図５】
0003740079.tif 000006
【図６】
0003740079.tif 000007