(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化しており、光エネルギーによってその固定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッターミラー膜を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはゲッター材料粉末と添加金属との混合粉末をプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
樹脂製密封容器の内面に光エネルギーによって固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定することを特徴とするリングレスゲッターの固定方法。
【請求項８】
請求項７に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とするリングレスゲッターの固定方法。
【請求項９】
電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化することを特徴とするリングレスゲッターの活性化方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のリングレスゲッターの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とするリングレスゲッターの活性化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、蛍光表示管、ＣＲＴ、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等の電子管やＥＬＤ（エレクトロルミネセントディスプレイ）等のリングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子管やＥＬＤ等の電子デバイスは、密封容器内にゲッターを取付け、外部から電磁波やレーザー光等によってそのゲッターを加熱し活性化して、密封容器内のガスや水を吸収したり、所定のガスを放出させたりしている。例えば、電子管が真空管系の場合には、密封容器内のガスを吸収して真空度を高め、電子管が放電管系の場合には、密封容器内に封入したキセノン、ネオン等を主成分とする放電ガス以外の不要又は有害なガスを吸収し、ＥＬＤの場合には、密封容器内の水を吸収して長寿命化を図るために、夫々密封容器内にゲッターを取付けている。
図７、図８により、従来のゲッターを備えた電子デバイスの内、蛍光表示管について説明する。なお図７、図８に共通する部分は、同じ符号を使用している。
【０００３】
図７は、従来のリングゲッターを取付けた蛍光表示管の断面図である。
図７（ａ）は、図７（ｂ）のＹ２−Ｙ２部分の矢印方向の断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＹ１−Ｙ１部分の断面図である。ガラスのアノード基板５１１に、蛍光体を塗布したアノード電極５５を形成し、陰極用フィラメント５３２の保持部材（アンカー又はサポート）５３１の取付け部材５２を形成してある。取付け部材５２には、リングゲッター５４の保持部材５４３を取付けてある。ゲッター保持部材５４３には、ゲッター材料５４２を充填したリング状容器５４１を溶接等により固定してある。アノード電極５５とフィラメント５３２の間には、グリッド５６を配置してある。なお５１２は、ガラスのフロント基板、５１３〜５１５は、ガラスの側面板である。またアノード配線等の配線、フロント基板のネサ膜等は省略してある。
【０００４】
リング状容器５４１は、鉄製容器にニッケルメッキしたものからなり、Ｂａ，Ｍｇ等又はそれらの合金に、Ａｌ，Ｎｉ等の添加金属を添加してなるゲッター材料５４２を充填してある。
リングゲッター５４は、蛍光表示管の外側から高周波誘導加熱によりリング状容器５４１を加熱して、ゲッター材５４２をフラッシュ（蒸発）させて、活性化している。蒸発したゲッター材５４２の粒子は、フロント基板５１２の内面にゲッターミラー膜を形成する。
【０００５】
リングゲッター５４は、特殊なリング状容器５４１や保持部材５４３等を使用するため、小型化が難しく、取付けスペースが大きくなってしまう。かつリング状容器５４１は、アノード基板５１１と１ｍｍ以上離さないと、加熱の際アノード基板５１１にクラックが生じてしまう。そのため、蛍光表示管の小型化、薄型化の障害になっている。またリング状容器５４１や保持部材５４３は、加工費が高く、かつそれらの取付け作業が簡単でないため、蛍光表示管の製造コストが高くなってしまう。
またリングゲッター５４の取付け場所は、取付け部材５２等金属部品に限られてしまうため、リングゲッター５４の配置に自由度がない。
【０００６】
図７のリングゲッターの欠点を改善するため、特殊なリング状容器や保持部材等を使用しない、図８のリングレスゲッターが提案されている。
図８（ａ）は、フロント基板５１２の内面にポケット部（凹状部）を形成し、そのポケット部にゲッター材料を充填してリングレスゲッター５４を形成してある（特開平５−１１４３７３号公報参照）。この場合には、フロント基板５１２にポケット部を形成しなければならないため、加工費が高くなり、かつポケット部はあまり深くできないため充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料を充填することができない。
【０００７】
図８（ｂ）は、スクリーン印刷や真空蒸着によりフロント基板５１２の内面にゲッター材料の厚膜又は薄膜状のリングレスゲッター５４を形成してある（ＷＯ９３／１６４８４号公報参照）。この場合には、リングレスゲッター５４は、厚膜又は薄膜状であるから充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料を固定することができない。
【０００８】
図８（ａ）、図８（ｂ）のリングレスゲッターに代えて、図８（ｃ）のリングレスゲッター５４も考えられる。図８（ｃ）のリングレスゲッター５４は、ゲッター材料を直径２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板状に焼結したものからなり、そのリングレスゲッター５４をフロント基板５１２の内面に、フリットガラス５７により取付けてある。この場合には、リングレスゲッター５４は、その厚みを厚くすることにより充分な量のゲッター材料を取付けることができるが、接着強度、特にリングレスゲッターとフリットガラスの接着強度が弱いため（シェア−強度は１Ｎ以下）、蛍光表示管の製造過程で脱落する恐れがある。
【０００９】
加えて接着用フリットガラスを大気中で焼成する際、ゲッター材料は、焼成温度が高いと劣化するため（例えば成分のＢａＡｌ4が酸化する）、焼成温度を低くするが（大気焼成の場合４５０℃以下）、焼成温度が低いとフリットガラスペーストの有機成分（例えばエチルセルロース）が残ってしまい、蛍光表示管の信頼性を損なう原因になる。またリングレスゲッター５４をレーザー光でフラッシュする際、レーザー光がフリットガラス５７に達すると、大量のガスが放出され、フィラメント５３２のエミッションが著しく低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、前記した従来のリングゲッター及びリングレスゲッターの問題点に鑑み、構造が簡単で、取付けが容易で、配置に自由度があり、取付け時やフラッシュ時の加熱によるガラスの基板のクラックがなく、電子管やＥＬＤ等の電子デバイスの小型化や薄型化に適し、かつ電子デバイスの機能を損なうガスの発生がない、リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
請求項２に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化しており、光エネルギーによってその固定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッターミラー膜を備えていることを特徴とする。
請求項３に記載の電子デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
請求項４に記載の電子デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成していることを特徴とする。
請求項５に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはゲッター材料粉末と添加金属との混合粉末をプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
請求項６に記載の電子デバイスは、樹脂製密封容器の内面に光エネルギーによって固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
【００１２】
請求項７に記載のリングレスゲッターの固定方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定することを特徴とする。
請求項８に記載のリングレスゲッターの固定方法は、請求項７に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
請求項９に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化することを特徴とする。
請求項１０に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、請求項９に記載のリングレスゲッターの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１〜図６により本願発明の実施の形態に係る電子デバイスの一つである蛍光表示管、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法について説明する。なお各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
【００１４】
図１は、本願発明の第１実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＸ２−Ｘ２部分の矢印方向の断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ１−Ｘ１部分の矢印方向の断面図である。
図１において、１１１は、ガラスのアノード基板、１１２は、ガラスのフロント基板、１１３〜１１５は、ガラスの側面板、１２は、金属板等からなるフィラメントの保持部材（アンカー又はサポート）の取付け部材、１３１は、４２６合金（Ｎｉ４２％、Ｃｒ６％、残りＦｅ）等の金属部材からなるフィラメントの保持部材、１３２は、ＷやＲｅ−Ｗ等の芯線に三元炭酸塩等の電子放出物質を被着した陰極用のフィラメント、１５は、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体を塗布したアルミニウム等の金属膜からなるアノード電極、１６は、フィラメント１３２とアノード電極１５との間に配置したステンレスや４２６合金等からなるグリッド、Ｇ１１〜Ｇ１３は、リングレスゲッターである。
【００１５】
リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、ＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ等の粉末、又はＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ等とＮｉ，Ｔｉ，Ｆｅ等の添加金属との混合粉末を、プレス成形により形成する。
アノード基板１１１、フロント基板１１２及び側面板１１３〜１１５は、蛍光表示管の外囲器、即ち密封容器を構成している。ここで側面板をアノード基板１１１又はフロント基板１１２と一体的に箱状に形成した場合には、側面板は必要ない。
【００１６】
リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、後述するように、アノード基板１１１の外側からレーザー光を照射してアノード基板１１１の内面に接着剤等の固着部材を使用せずに直接固定してある。リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、それらの大きさにより一個でよい場合もあり、複数個使用する方がよい場合もある。リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３の個数は、蛍光表示管内に発生するガスの吸収に必要なゲッター材料の総量で決まるから、そのガス量に応じて選定する。
リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、プレス成形により任意の形状に形成できるから、アノード基板１１１の空きスペースの形状に対応した形状のものを複数個用意することにより、その空きスペースをリングレスゲッターの固定場所として有効に利用することができる。
【００１７】
図２は、本願発明の第２実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図２（ａ）は、リングレスゲッターＧ１４，Ｇ１５をフロント基板１１２の面に固定した例であり、図２（ｂ）は、リングレスゲッターＧ１６を側面板１１４の内面に固定した例である。図２は、図２（ａ）、図２（ｂ）の配置を組合せて、１個の蛍光表示管のフロント基板１１２及び側面板１１４に、リングレスゲッターＧ１４，Ｇ１５，Ｇ１６を固定することもできる。
【００１８】
図３は、本願発明の第３実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図３は、フィラメント１３２をフロント基板１１２に取付け、リングレスゲッターＧ１７をガラスの中間基板１１６に固定してある。
中間基板１１６は、グリッド１６を保持する部材で、フィラメント１３２から放出された電子がアノード電極１５に向かって通過できる開口部１１７を形成してある。中間基板１１６は、蛍光表示管の外囲器（密封容器）の中仕切り部材として使用することもできる。
【００１９】
フィラメント１３２の端部は、フロント基板１１２に形成したカソード取付け電極となるアルミニウム等の金属層（膜）１３３に超音波溶接により取付けてある。即ちフィラメント１３２の端部を、金属層１３３と金属片１３４の間に挟持し、金属片１３４を金属層１３３に超音波溶接（拡散溶接、摩擦圧接、固相接合等を含む）してある。フィラメント１３２は、アルミニウム細線やガラスファイバー等からなるスペーサー１３５により所定の高さに保持されている。
図３のリングレスゲッターＧ１７は、中間基板１１６の一方の面に固定してあるが、両面に固定することもできる。その場合は、両面のリングレスゲッターが重ならないように配置する。
【００２０】
図４は、本願発明の第４実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図４は、アノード基板１１１に形成したアルミニウム等の金属膜からなるアノード配線１５１の上に、リングレスゲッターＧ１８を直接（ＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁層を介することなく）固定してある。ここでアノード配線とは、アノード電極に接続され、蛍光表示管の外部に引き出されて給電点となる配線である（後述のカソード配線とグリッド配線も同様である）。この場合、リングレスゲッターＧ１８を固定するときに、仮にアノード配線１５１が溶融してもリングレスゲッターＧ１８は金属であるから、リングレスゲッターＧ１８の部分でアノード配線１５１が断線することはない。なおリングレスゲッターＧ１８は、後述するように蛍光表示管の封止後レーザー光を照射してフラッシュするが、フラッシュによりリングレスゲッターＧ１８全部が蒸発してしまうことはないから、そのフラッシュによりアノード配線１５１が断線することはない。
本実施形態の場合には、リングレスゲッターをアノード配線上にも固定できるから、リングレスゲッターの配置の自由度は一層が大きくなる。
これは、カソード基板（フロント基板）に形成したカソード電極に接続されたカソード配線やグリッドに接続されたグリッド配線にも同様に適用可能である。
【００２１】
図５は、本願発明の実施の形態に係るリングレスゲッターの平面図と断面図である。
図５（ａ）、（ｂ）のリングレスゲッターＧ２１は、４角形にプレス成形してある。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ３−Ｘ３部分の断面図である。
図５（ｃ）のリングレスゲッターＧ２２は、円板状にプレス成形してあり、図５（ｄ）のリングレスゲッターＧ２３は、ドーナツ状にプレス成形してある。
【００２２】
図５（ｅ）、（ｆ）のリングレスゲッターＧ２４は、４角形にプレス成形してある。図５（ｆ）は、図５（ｅ）のＸ４−Ｘ４部分の断面図である。リングレスゲッター２４は、ゲッター材料層Ｇ２４１とＡｌ等の金属板又は金属材料層の金属層Ｇ２４２からなり、ゲッター材料と金属板とを一体的にプレス成形してある。リングレスゲッター２４は、金属層Ｇ２４２をアノード基板等の固定面に向けて固定する。金属層Ｇ２４２は、インジウム、錫又はその合金、４２６合金、アルミニウム等を使用できる。
リングレスゲッター２４は、金属層Ｇ２４２を有するから、ゲッター材料層Ｇ２４１のみの場合よりも壊れ難く、したがってリングレスゲッターＧ２４の固定作業等が容易になる。
【００２３】
図５のリングレスゲッターの形状は、一例であって他の形状のものであってもよい。蛍光表示管に取付けるリングレスゲッターは、一個に限らず、リングレスゲッターを取付ける場所の形状に対応した形状のものを複数個用い、蛍光表示管内の空きスペースを有効に利用することができる。
【００２４】
図６は、本願発明の実施の形態に係るリングレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュによる活性化方法を説明するための図である。
まず図６（ａ）のように、アノード基板１１１の内面上に仮止めしたリングレスゲッターＧ１１に、アノード基板１１１の外側からレーザー光Ｌ１を照射する。その仮止めは、アクリル等の低温分解性の接着剤により固定する方法、或いは機械的にリングレスゲッターをクランプしてアノード基板へ押し付けて固定する方法等がある。リレーザー光Ｌ１は、アノード基板１１１にほとんど吸収されずに透過してリングレスゲッターＧ１１に到達する。リングレスゲッターＧ１１は、レーザー光Ｌ１により加熱されて溶融する。この際レーザー光Ｌ１は、アノード基板１１１を透過してしまうから、アノード基板１１１を加熱することはないが、リングレスゲッターＧ１１の加熱によりアノード基板１１１も加熱され、アノード基板１１１のリングレスゲッターＧ１１が接触している部分が溶融する。この状態でリングレスゲッターＧ１１とアノード基板１１１を冷やすと、双方の溶融した部分が固化するため、リングレスゲッターＧ１１はアノード基板１１１に強固に固定される。
【００２５】
ここでリングレスゲッターＧ１１の材料は、従来ゲッター材料として使用されているものを使用できるが、例えばＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ等とＮｉ，Ｔｉ，Ｆｅ等との混合物を使用した場合には、ＡｌとＮｉ等とが反応して反応熱を発生する。その反応熱により、リングレスゲッターＧ１１の温度は、１０５０℃程度まで上昇するため、アノード基板１１１の内表面（リングレスゲッターＧ１１に接触している部分）は、急速に溶融する。リングレスゲッターの材料は、光エネルギーであるレーザー光の透過率が低いもの（全透過以外のもの）を適宜選択する。
【００２６】
このように本願の発明者は、レーザー光Ｌ１がガラスのアノード基板１１１を透過してリングレスゲッターＧ１１を加熱し、そのリングレスゲッターＧ１１の加熱によりアノード基板１１１も加熱されて溶融する点に着目し、レーザー光Ｌ１の照射によりリングレスゲッターＧ１１をアノード基板１１１に固定する方法を発明した。
【００２７】
レーザー光Ｌ１の照射は、レーザーマーカー方式、ドットスポット方式のいずれであってもよい。またレーザーは、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー等を使用する。
ガラスの基材は、可視光からＹＡＧレーザーで使用される１．０６μｍまでを透過する。特に１．０６μｍの透過率は高いため、ＹＡＧレーザーを用いると有効である。
【００２８】
本実施形態は、直径２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板状のリングレスゲッターと、２×１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの平板状リングレスゲッターを用い、それらのリングレスゲッターを、厚さ１．１ｍｍのソーダ−ガラスの基板に固定した。なお基板に用いるガラスは、無アルカリガラス等他のガラスでもよい。
レーザーは、ＹＡＧレーザーを使用し、レーザー光の照射条件を、１７Ｗ，１０ｋＨ，２０ｍｍ／秒に設定して、レーザーマーカー方式により実施した。
【００２９】
この方法によるリングレスゲッターの接着強度（シェア−強度）は、円板状のものは２０Ｎ、平板状のものは６０Ｎ以上となり、同じ大きさ同じ条件のリングレスゲッターをフリットガラスにより接着した場合の接着強度に比べて、２０倍以上になった。ここでシェア−強度は、アノード基板上に固定したリングレスゲッターに、その側面からアノード基板と平行する方向の力を加えて、リングレスゲッターをアノード基板から剥がすときの力、即ちリングレスゲッターを剥がすのに要する力の最大値のことである。
【００３０】
アノード基板１１１にリングレスゲッターＧ１１を固定した後、従来の組み立工程を経て、図６（ｂ）のように蛍光表示管を組み立て、封着排気する。
排気後図６（ｃ）のように、フロント基板１１２の外側、即ち蛍光表示管の外囲器（密封容器）の外側からレーザー光Ｌ２をリングレスゲッターＧ１１に照射すると、リングレスゲッターＧ１１は活性化（フラッシュ）して、蒸発した（フラッシュした）ゲッター材料の粒子が矢印Ｆ方向へ飛散してフロント基板１１２の内面、即ち蛍光表示管の外囲器の内面にゲッターミラー膜（図示せず）を形成する。なおレーザー光Ｌ２を、側面板１１４の外側からリングレスゲッターＧ１１の側面に照射して、Ｂａ等からなるゲッターミラー膜を側面板１１４の内面に形成することもできる。
レーザーの照射は、照射条件を８Ｗ，５ｋＨ，１００ｍｍ／秒に設定して、レーザーマーカー方式により実施した。
【００３１】
前記各実施形態は、リングレスゲッターをアノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド保持用の中間基板に固定する例について説明したが、リングレスゲッターを固定する部材は、これらに限らない。例えば、ガラスの支柱（支持部材或いはスペーサー）、蒸発したゲッター材料が表示領域、電極等へ飛散するのを防止するガラス板等、蛍光表示管の外囲器内に配置するガラスの部材であればリングレスゲッターを固定することができる。本願発明は、これらのリングレスゲッターを固定するガラスの部材をガラス基材と呼ぶ。
【００３２】
前記各実施形態は、個々のガラスの基材にリングレスゲッターを固定する例について説明したが、複数のガラス基板にリングレスゲッターを固定することもできる。リングレスゲッターを固定するガラスの基材と場所は、蛍光表示管の構造により適宜選定する。
【００３３】
前記各実施形態は、レーザー光によりリングレスゲッターを取付け、レーザー光によりフラッシュする例について説明したが、レーザー光に限らず、レーザー光以外の光エネルギーを使用することができる。
前記各実施形態は、蒸発型ゲッターについて説明したが、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ等を主成分とする非蒸発型ゲッターであってもよい。なお非蒸発型ゲッターの場合には、フラッシュさせずに活性化温度に加熱してガス吸着機能を発現させるが、その加熱に光エネルギーを利用することが可能である。
【００３４】
前記各実施形態は、蛍光表示管について説明したが、蛍光表示管に限らず、電界電子放出型蛍光表示管、大画面表示装置用発光管、蛍光プリントヘッド用発光管、ＣＲＴ等の真空管系電子管、ＰＤＰ等の放電管系電子管、ＥＬＤ等の電子デバイスであってもよい。電子デバイスが放電管系電子管やＥＬＤの場合には、リングレスゲッターは、非蒸発型のものを使用し、ＰＤＰは、窒素、酸素等を吸収するゲッター材料を、ＥＬＤ、特に第１電極と、第１電極の上に形成された発光層を含む有機層と、有機層の上に形成された第２電極からなる有機発光素子が密封容器内に収められている有機ＥＬＤは、水を吸収するゲッター材料を使用する。またＥＬＤは、密封容器にプラスチック、ポリマーフィルム等の樹脂も使用されているが、樹脂が透明の場合、即ち光エネルギーが透過する場合には、光エネルギーは樹脂を加熱することなく透過するから、光エネルギーによってリングレスゲッターを密封容器の内面に固定することができる。
【００３５】
前記各実施形態は、アノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド保持用中間基板の全ての基材がガラスからなる場合について説明したが、必ずしも全ての基材をガラスにする必要はなく、少なくともリングレスゲッターを固定する基材がガラスであればよく、また基材は、少なくともリングレスゲッターを固定する箇所がガラスであればよい。
また同様にリングレスゲッターを活性化する場合には、リングレスゲッターに対向する基板（リングレスゲッターに光エネルギーを照射する際、光エネルギーを透過する基板）の全部又は一部がガラスであればよい。
【００３６】
【発明の効果】
本願発明のリングレスゲッターは、構造が簡単であり、レーザー光等をリングレスゲッターに照射するのみで、ガラスの基板に固定することができるから、取付け作業が簡単になり、取付けの自動化が容易になる。
本願発明は、ガラスの基板にリングレスゲッターを固定することができるから、リングレスゲッターの配置の自由度が大きく、例えばアノード配線等の金属の配線（電極配線）の上にも固定することができる。
【００３７】
本願発明のリングレスゲッターとガラスの基材は、一旦溶融して固化するから、リングレスゲッターは、ガラスの基材に強固に固定される。即ち本願発明のリングレスゲッターとガラスの基材は、リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化して固定するから、リングレスゲッターは、ガラスの基材に強固に固定される。
本願発明は、リングレスゲッターの固定にフリットガラスを使用しないから、リングレスゲッターのフラッシュの際、フリットガラスからガスが発生してフィラメント等の電子源の電子放出を妨げることがない。
【００３８】
本願発明のリングレスゲッターは、レーザー光等によってガラスの基材に固定し、レーザー光等によってフラッシュするから、レーザー光等の照射条件を変えるのみで、同じレーザー光等の照射装置を、リングレスゲッターの取付けとフラッシュに共用することができる。
【００３９】
本願発明のリングレスゲッターは、ゲッター材料の粉末をプレス成形するのみで形成できるから、構造が簡単になり、かつ安価に容易に製造することができる。また本願発明のリングレスゲッターは、任意の形状に成形できるから、電子デバイス内の空きスペースに対応した形状のものを製造することができる。したがって形状の異なるリングレスゲッターを組合せて使用することにより、電子デバイス内の空きスペースを有効に利用することができる。
本願発明のリングレスゲッターは、ゲッター材料の粉末と添加金属の混合粉末をプレス成形して形成するから、リングレスゲッターとガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方を溶融し固化して固定するとき、リングレスゲッターにレーザー光等を照射するとリングレスゲッターは、発熱するためその溶融が容易になる。
【００４０】
本願発明のリングレスゲッターは、プレス成形により形成するから、リングレスゲッターの厚さを任意に設定できる。したがって本願発明は、電子デバイス内のガスの吸収に必要な充分の量のゲッター材料からなるリングレスゲッターを電子デバイス内に取付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図２】本願発明の第２実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図３】本願発明の第３実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図４】本願発明の第４実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図５】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッターの平面図と断面図である。
【図６】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュ方法を説明するための図である。
【図７】従来のリングゲッターを備えた蛍光表示管の断面図である。
【図８】従来のリングレスゲッターを備えた蛍光表示管の断面図である。
【符号の説明】
１１１    アノード基板
１１２    フロント基板
１１３，１１４，１１５    側面板
１１６    中間基板
１２    フィラメントの保持部材の取付け部材
１３１    フィラメントの保持部材（アンカー又はサポート）
１３２    陰極用のフィラメント
１３３    金属層（膜）
１３４    金属片
１３５    スペーサー
１５    蛍光体を塗布したアノード電極
１６    グリッド
Ｇ１１〜Ｇ１８、Ｇ２１〜Ｇ２４    リングレスゲッター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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