(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲ磁気ヘッド素子を有するスライダがロードビームの先端に取り付けられ、該ロードビームの他端側に回路基板が取り付けられると共に、前記ＭＲ磁気ヘッド素子から導出された一対の配線が前記回路基板に接続されてなり、
該回路基板は、前記一対の配線に各々接続されてこれらの配線と共に前記ＭＲ磁気ヘッド素子の回路を構成するリード線と、このリード線にそれぞれ接続されたランド部と、該ランド部を電気的に接続する半田ブリッジとを少なくとも備えてなり、
前記半田ブリッジは、前記ランド部上に各々形成された半田バンプが押し潰され、押し潰し部分の周縁部が重ね合わされて構成されたものであることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
ＭＲ磁気ヘッド素子を有するスライダがロードビームの先端に取り付けられ、該ロードビームの他端側に回路基板が取り付けられてなる磁気ヘッドの製造方法であり、
前記回路基板は、前記ＭＲ磁気ヘッド素子に接続された一対のリード線と、この一対のリード線にそれぞれ接続されたランド部と、各ランド部上に形成されて隣接する半田バンプとを少なくとも備えてなり、
一方の半田バンプを押し潰して、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして他方の半田バンプに接近させ、
他方の半田バンプを押し潰して、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして前記一方の半田バンプの周縁部上に重ねて接触させることにより、前記一対のリード線をショートさせることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記の各半田バンプを加熱しつつ押し潰すことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記の一対の半田バンプを同時に加熱しつつ押し潰すことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記の各半田バンプを擦りつつ押し潰すことを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッドに関するものであり、特に、静電破壊から磁気ヘッドのＭＲ磁気ヘッド素子を守ることが可能な磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来一般にコンピュータのハードディスク用の磁気ヘッド２０１は、例えば図１７に示すように、スライダ２０３とロードビーム２０２と回路基板２０４とを具備してなり、スライダ２０３がロードビーム２０２の先端２０２ａにフレキシャを介して取り付けられると共に、ロードビーム２０２の他端２０２ｂ側にベースプレート２０９が取り付けられ、このベースプレート２０９に回路基板２０４が取り付けられて構成されている。
【０００３】
スライダ２０３は、磁気記録を再生するＭＲ磁気ヘッド素子２０８と、磁気記録を記録するインダクティブヘッド素子とを備えている。これらの素子からは、再生信号及び記録信号を磁気ヘッドの外部に送受するための配線が各々２本ずつ導出され、これらの配線２０５ａ、２０５ｂ、２０６ａ、２０６ｂはロードビーム２０２の他端２０２ｂ側のベースプレート２０９において回路基板２０４に接続されている。
回路基板２０４は、フレキシブルプリント基板からなるもので、前記の各ヘッド素子の配線に各々接続される４本のリード線２１５ａ、２１５ｂ、２１６ａ、２１６ｂと、これらリード線の途中に設けられた実装用端子２１５ｃ、２１５ｄ、２１６ｃ、２１６ｄと、更にこれらのリード線の先端に設けられた検査用端子２１５ｅ、２１５ｆ、２１６ｅ、２１６ｆとが備えられている。
また、ＭＲ磁気ヘッド素子８の配線２０５ａ、２０５ｂに接続された一対のリード線２１５ａ、２１５ｂには、実装用端子２１５ｃ、２１５ｄと検査用端子２１５ｅ、２１５ｆとの間にランド部２２３、２２４がそれぞれ形成されている。
【０００４】
この従来の磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッドが製造されてからハードディスク装置に組み込まれるまでの間に、ＭＲ磁気ヘッド素子２０８が静電破壊されることを防ぐために、例えばランド部２２３、２２４の間に短絡用のクリップを取り付けるか、あるいはランド部２２３、２２４間にワイヤボンディングを形成することによって、ランド部２２３、２２４同士をショートさせてＭＲ磁気ヘッド素子２０８を含む回路を閉回路としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、単にクリップでランド部２２３、２２４をショートさせたときは、磁気ヘッドの輸送中に振動が加わってクリップが外れてしまうおそれがあり、ＭＲ磁気ヘッド素子８が静電破壊されてしまうおそれがあった。
【０００６】
また、ワイヤボンディングによりランド部２２３、２２４をショートさせるには、磁気ヘッドの製造工程中にワイヤボンディング工程が必要となり、磁気ヘッドの製造コストが高くなってしまうという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を確実に防止することが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の磁気ヘッドは、ＭＲ磁気ヘッド素子を有するスライダがロードビームの先端に取り付けられ、該ロードビームの他端側に回路基板が取り付けられると共に、前記ＭＲ磁気ヘッド素子から導出された一対の配線が前記回路基板に接続されてなり、該回路基板は、前記一対の配線に各々接続されてこれらの配線と共に前記ＭＲ磁気ヘッド素子の回路を構成するリード線と、このリード線にそれぞれ接続されたランド部と、該ランド部を電気的に接続する半田ブリッジとを少なくとも備えてなり、前記半田ブリッジは、前記ランド部上に各々形成された半田バンプが押し潰され、押し潰し部分の周縁部が重ね合わされて構成されたものであることを特徴とする。
【００２３】
係る磁気ヘッドによれば、ＭＲ磁気ヘッド素子と、この素子から導出された配線と、この配線に接続された一対のリード線とにより回路が構成されており、一対の半田バンプを押し潰してリード線をショートさせることによりこの回路を容易に閉回路とすることができ、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を防止することが可能となる。
【００２４】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、ＭＲ磁気ヘッド素子を有するスライダがロードビームの先端に取り付けられ、該ロードビームの他端側に回路基板が取り付けられてなる磁気ヘッドの製造方法であり、前記回路基板は、前記ＭＲ磁気ヘッド素子に接続された一対のリード線と、この一対のリード線にそれぞれ接続されたランド部と、各ランド部上に形成されて隣接する半田バンプとを少なくとも備えてなり、一方の半田バンプを押し潰して、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして他方の半田バンプに接近させ、他方の半田バンプを押し潰して、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして前記一方の半田バンプの周縁部上に重ねて接触させることにより、前記一対のリード線をショートさせることを特徴とする。
【００２５】
係る磁気ヘッドの製造方法によれば、ＭＲ磁気ヘッド素子と、この素子から導出された配線と、この配線に接続された一対のリード線とにより回路を構成し、一対の半田バンプを押し潰すことによりリード線をショートさせてこの回路を閉回路とするので、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を防止することが可能となる。
【００２７】
また、一対の半田バンプを相互に重ねるように接触させるので、半田バンプ同士の接触面積が大きくなって一対のリード線をより確実にショートさせることができ、ＭＲ磁気ヘッド素子を含む回路を閉回路とすることが可能となる。
【００２８】
先に記載の磁気ヘッドの製造方法においては、前記の各半田バンプを加熱しつつ押し潰すことが好ましい。
【００２９】
係る磁気ヘッドの製造方法によれば、加熱して半田バンプを軟化させるので、半田バンプを押し潰すために要する荷重が小さくて済み、回路基板自体を損傷させずに半田バンプを押し潰すことが可能となる。
【００３０】
また、先に記載の磁気ヘッドの製造方法においては、前記の一対の半田バンプを同時に加熱しつつ押し潰してもよい。
【００３１】
係る磁気ヘッドの製造方法によれば、各半田バンプを加熱して軟化させつつ同時に押し潰すので、半田バンプを押し潰すために要する荷重が小さくて済み、一対の半田バンプを同時に押し潰しても確実にこれら半田バンプ同士を接触させることが可能になると共に、回路基板自体を損傷することがない。
【００３２】
更に、先に記載の磁気ヘッドの製造方法においては、前記の各半田バンプを擦りつつ押し潰すことがより好ましい。
【００３３】
係る磁気ヘッドの製造方法によれば、半田バンプを擦りつつ押し潰すので、各半田バンプが基板の板面内方向に押し延ばされつつ潰されることになり、半田バンプ同士をより確実に接触させることが可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１に本発明に係る磁気ヘッドを示す。この磁気ヘッド１は、ロードビーム２と、このロードビーム２の先端２ａに取り付けられたスライダ３と、ロードビーム２の基端（他端）２ｂ側のベースプレート９に取り付けられた本発明の回路基板４とを主体として構成されている。
【００３５】
スライダ３には、再生ヘッドであるＭＲ磁気ヘッド素子８と記録ヘッドである図示しないインダクティブヘッド素子とが、スライダ３の一端面上に設けられている。
また、ＭＲ磁気ヘッド素子８からは一対の配線５ａ、５ｂが導出され、インダクティブヘッド素子からは別の配線６ａ、６ｂが導出されている。
これらの配線５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、ロードビーム２上でフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ板）７として纏められ、このＦＰＣ板７はロードビーム２の他端２ｂ側のベースプレート９まで延在している。
【００３６】
回路基板４は、４つの接続用端子１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂを介してＦＰＣ板７に接続されている。この回路基板４は、ＦＰＣ板７の端部上に重ね合わされてベースプレート９に接続されている。
本発明の回路基板４は、図１〜３に示すように、基板２１とこの基板２１上に積層された絶縁層２２とからなり、基板２１上には４本のリード線１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂが設けられ、これらのリード線１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂは絶縁層２２により被覆されている。また、図１に示すように、これらのリード線１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂは、接続端子７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂにそれぞれ接続されている。
また、図１に示すように、各リード線１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂには、実装用端子１５ｃ、１５ｄ、１６ｃ、１６ｄ及び検査用端子１５ｅ、１５ｆ、１６ｅ、１６ｆが設けられている。
【００３７】
この回路基板４とＦＰＣ板２の接続部分においては、回路基板４側の接続端子１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂとＦＰＣ板７側の図示しない４つの接続端子とが接続されている。
これにより、リード線１５ａは接続端子１７ａを介して配線５ａに接続され、リード線１５ｂは接続端子１７ｂを介して配線５ｂに接続されることになる。
また、リード線１６ａは接続端子１８ａを介して配線６ａに接続され、リード線１６ｂは接続端子１８ｂを介して配線６ｂに接続されることになる。
このようにして、ＭＲ磁気ヘッド素子と配線５ａ、５ｂとリード線１５ａ、１５ｂとにより回路が構成される。
【００３８】
そして、ＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路を構成するリード線１５ａ、１５ｂには、その実装用端子１５ｃ、１５ｄと検査用端子１５ｅ、１５ｆとの間に、図２及び図３に示すようなランド部２３、２４が形成され、各ランド部２３、２４上に平面視略円形の半田バンプ２５、２６がそれぞれ形成されている。ランド部２３、２４は、リード線１５ａ、１５ｂ上に形成されて絶縁層２２を突き抜けた突起状の導体とされている。そして、半田バンプ２５、２６はこの突起状のランド部２３、２４の上に形成されて、リード線１５ａ、１５ｂにそれぞれ電気的に接続されている。
半田バンプ２５、２６を構成する半田は、例えばＳｎＰｂ合金等からなるものであり、その融点が１８０℃〜１８５℃程度のものが、容易に押し潰すことができるため好ましい。
【００３９】
これらの半田バンプ２５、２６は、それぞれが押し潰されたときに、その周縁部２５ａ、２６ａがその外周方向に押し延ばされて、半田バンプ２５、２６同士が相互に接触することが可能な距離をおいて配置されていることが好ましい。
より具体的には、半田バンプ２５、２６の直径を０．２９〜０．３４ｍｍとしたときに、各半田バンプ２５、２６の中心間の間隔を０．３９〜０．４１ｍｍとすることが好ましい。
中心間の距離が０．３９ｍｍ未満では、半田バンプ２５、２６を形成したときに半田バンプ２５、２６同士が接触するおそれがあるため好ましくなく、中心間の距離が０．４１ｍｍを越えると、半田バンプ２５、２６を押し潰しても半田バンプ２５、２６同士が接触しないおそれがあるため好ましくない。
【００４０】
図４及び図５には、本発明に係る回路基板４の半田バンプ２５、２６が押し潰された状態を示す。半田バンプ２５、２６がそれぞれ押し潰されることにより、各半田バンプ２５、２６の各々の周縁部２５ａ、２６ａが押し延ばされて相互に重ね合わされて一体化されて、半田ブリッジ１２５が形成される。
この半田ブリッジ１２５は、ランド部２３、２４を電気的に接続することにより、リード線１５ａ、１５ｂをショートさせ、ＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路を閉回路としている。
【００４１】
次に、この磁気ヘッドの製造方法を図面を参照して説明する。
まず、ロードビーム２の先端２ａにＭＲ磁気ヘッド素子８及びインダクティブヘッド素子を備えたスライダ３を取付け、ＭＲ磁気ヘッド素子８及びインダクティブヘッド素子からそれぞれ導出された配線５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂを、ＦＰＣ板７を介してロードビーム２の基端２ｂ側まで延長させる。
次に、ロードビームの基端２ｂに回路基板４を取り付ける。
このとき、各配線５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂを、接続端子１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂを介して回路基板４のリード線１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂにそれぞれ接続する。
これにより、ＭＲ磁気ヘッド素子８と配線５ａ、５ｂとリード線１５ａ、１５ｂとが各々接続されて回路が構成される。
【００４２】
次に、図６に示すように、プレス用チップ３０を用意し、このプレス用チップ３０を一方の半田バンプ２５に押し当てて、図７に示すように半田バンプ２５を押し潰す。このとき、半田バンプ２５の周縁部２５ａは、その外周方向に押し延ばされて他方の半田バンプ２６に接近される。
【００４３】
次に図８に示すように、プレス用チップ３０を他方の半田バンプ２６に押し当ててこの半田バンプ２６を押し潰す。これにより、半田バンプ２６の周縁部２６ａがその外周方向に押し延ばされ、一方の半田バンプ２５の周縁部２５ａの上に重なるまで押し延ばされる。
このようにして、半田バンプ２５、２６同士が接触することによりリード線１５ａ、１５ｂがショートし、ＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路が閉回路となる。
このようにして本発明に係る磁気ヘッドが製造される。
【００４４】
また、半田バンプ２５、２６を押し潰す場合には、図９に示すように、プレス用チップ３０に代えて、耐熱樹脂フィルム３１にヒータ３２を取り付けてなるヒータチップ３３を用意し、このヒータチップ３３を一方の半田バンプ２５に押し当てて半田バンプ２５を加熱しつつ、図１０に示すように半田バンプ２５を押し潰す。これにより、半田バンプ２５の周縁部２５ａが半田バンプ２５の外周方向に押し延ばされて他方の半田バンプ２６に接近される。
【００４５】
次に図１１に示すように、ヒータチップ３３を他方の半田バンプ２６に押し当てて加熱しつつこの半田バンプ２６を押し潰す。これにより、半田バンプ２６の周縁部２６ａが半田バンプ２６の外周方向に押し延ばされて、一方の半田バンプ２５の周縁部２５ａの上に重なるまで押し延ばされる。
このようにして、半田バンプ２５、２６同士が接触することによりリード線１５ａ、１５ｂがショートし、ＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路が閉回路となる。
【００４６】
なお、ヒータチップ３３により半田バンプ２５、２６を押し潰す際には、半田バンプ２５、２６の加熱温度を１７０〜２１０℃、好ましくは１７５〜１８５℃の範囲とし、加熱時間を１．５〜２．５秒、好ましくは１．５〜２．０秒の範囲とすると良い。
加熱温度が１７０℃未満では半田が十分に軟化せず、半田バンプ２５、２６同士が接触しないか、若しくは半田バンプ２５、２６を押し潰すために大きな荷重を印加することが必要となって、回路基板４を損傷させるおそれがあるので好ましくなく、加熱温度が２１０℃を越えると、半田バンプ２５、２６が完全に溶融して液状となり、押し潰したときに半田バンプの形が崩れ、半田の一部が半田バンプ２５、２６の周囲に飛散してしまうおそれがあるので好ましくない。
また、加熱時間が１．５秒未満では、半田が十分に溶融せず、半田バンプ２５、２６同士が接触しないおそれがあるので好ましくなく、加熱時間が２．５秒を越えると、半田バンプ２５、２６が完全に溶融して液状となり、押し潰したときに半田バンプの形が崩れ、半田の一部が半田バンプ２５、２６の周囲に飛散してしまうおそれがあるので好ましくない。
【００４７】
更に、半田バンプ２５、２６を押し潰す場合には、図１２に示すように、先のプレス用チップ３０よりも大型なプレス用チップ３５とヒータ３４とを用意し、ヒータ３４を回路基板の下面に接触させて半田バンプ２５、２６を加熱すると共にプレス用チップ３５を回路基板４の上方に配置し、次に図１３に示すように、ヒータ３４で加熱しつつプレス用チップ３５により半田バンプ２５、２６を押し潰しても良い。
この場合は、一方の半田バンプ２５の周縁部２５ａと他方の半田バンプ２６の周縁部２６ａとが、同時に押し延ばされて相互に接近されて接触する。
このようにして、半田バンプ２５、２６同士が接触することによりリード線１５ａ、１５ｂ同士がショートし、ＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路が閉回路となる。
なお、この大型のプレス用チップ３５及びヒータ３４によって半田バンプ２５、２６を押し潰す際には、上記と同様の加熱温度及び加熱時間で押し潰すことが好ましい。
【００４８】
また、上記の図６〜図１３において、プレス用チップ３０若しくはヒータチップ３３若しくはプレス用チップ３５及びヒータ３４により半田バンプ２５、２６を押し潰す際に、これらのチップ等３０、３３、３５を回路基板４の板面内方向に擦りつつ押し潰すことが、各半田バンプ２５、２６を回路基板４の板面内方向に押し延ばしつつ潰して半田バンプ２５、２６同士をより確実に接触させることが可能となるので好ましい。
【００４９】
上記の磁気ヘッド１によれば、ＭＲ磁気ヘッド素子８と配線５ａ、５ｂとリード線１５ａ、１５ｂとにより回路が構成され、リード線１５ａ、１５ｂに接続された一対の半田バンプ２５、２５を順に押し潰して接触させることによりリード線１５ａ、１５ｂをショートさせてこの回路を閉回路とするので、ＭＲ磁気ヘッド素子８の静電破壊を防止することができる。
【００５０】
また、この磁気ヘッド１の製造方法によれば、半田バンプ２５、２６を押し潰すだけでＭＲ磁気ヘッド素子８を含む回路を容易に閉回路にすることができる。
【００５１】
また、上記の磁気ヘッド１の製造方法によれば、半田バンプ２５、２６を押し潰す際に加熱して半田を軟化させるので、半田バンプ２５、２６を押し潰すために要する荷重が小さくて済み、回路基板４自体を損傷させずに半田バンプ２５、２６を確実に押し潰すことができる。
【００５２】
また、半田バンプ２５、２６を押し潰す際に、他方の半田バンプ２６の周縁部２６ａの一部が一方の半田バンプ２５の周縁部２５ａ上に重なるまで押し潰すので、半田バンプ２５、２６同士の接触面積が大きくなって、一対のリード線をより確実にショートさせることができ、ＭＲ磁気ヘッド素子を含む回路を閉回路とすることができる。
また、周縁部２５ａ、２６ａ同士が重ね合わされているので、例えば回路基板４が折り曲げられても、半田バンプ２５、２６同士が分離することがない。
【００５３】
更に、上記の磁気ヘッド１の製造方法においては、一対の半田バンプ２５、２６を同時に加熱しつつ押し潰すので、半田バンプ２５、２６を押し潰すために要する荷重が小さくて済み、一対の半田バンプ２５、２６を同時に押し潰しても確実にこれら半田バンプ２５、２６同士を接触させることができ、また半田バンプ２５、２６を押し潰す際に回路基板４自体を損傷させることがない。
【００５４】
更にまた、上記の磁気ヘッドの製造方法においては、半田バンプ２５、２６を擦りつつ押し潰すので、半田バンプ２５、２６が回路基板４の板面内方向に押し延ばされつつ押し潰されることになり、半田バンプ２５、２６同士をより確実に接触させることができる。
【００５５】
【実施例】
（実験例１）
回路基板にランド部を形成し、このランド部上に、直径０．３２ｍｍ（３２０μｍ）、最大高さ２８μｍの略半球状の半田バンプを形成した。
また、別の回路基板上に、上記と同様にして直径０．２６ｍｍ（２６０μｍ）、最大高さ２５μｍの略半球状の半田バンプを形成した。なお、半田はＳｎＰｂ合金からなるもので、融点が１８３℃のものを用いた。
これらの半田バンプに５〜１５ｋｇｆの荷重を加えることにより半田バンプを押し潰し、その直径の変化を測定した。結果を図１４及び図１５に示す。
【００５６】
図１４から明らかなように、直径３２０μｍの半田バンプは、押し潰されることによりその直径が４５０〜４９０μｍになることがわかる。
また、図１５から明らかなように、直径２６０μｍの半田バンプは、押し潰されることによりその直径が３７０〜４３０μｍになることがわかる。
このように、半田バンプを押し潰すことによりその直径が増加し、半田バンプの周縁部がその外周方向に押し延ばされることがわかる。
【００５７】
（実験例２）
次に、図１〜図３に示すような一対の半田バンプを備えた回路基板を作製した。各半田バンプの直径は０．３２ｍｍ、半田バンプの中心間の距離は０．４ｍｍとした。なお、半田はＳｎＰｂ合金からなるもので、融点が１８３℃のものを用いた。
まず、一方の半田バンプに、ヒータチップにより８ｋｇｆの荷重を加えつつ、２２０〜２６０℃で１．０〜２．５秒間加熱すると共に、ヒータチップを回路基板の面内方向に擦ることにより、一方の半田バンプを押し潰した。
次に、上記と同様な条件で他方の半田バンプを押し潰した。
そして、双方の半田バンプ間の導通状態を調査した。結果を表１及び図１６に示す。尚、図１６は温度２５０℃で加熱したときの半田バンプの形態を示す。
【００５８】
表１及び図１６に示すように、加熱温度が１７０〜２５０℃の範囲で加熱時間が１．０秒では、半田バンプの押し潰しが不十分なため、半田バンプ同士を接触させることができず、半田バンプ間が電気的に接続されていないことがわかる。
また、加熱温度が２１０℃を越え、かつ加熱時間が２．５秒以上の条件では、図１６に示すように、半田が過度に溶融して半田の一部が半田バンプの周囲に飛散してしまうことがわかる。
以上のことから、直径０．３２ｍｍとし、中心間の距離を０．４ｍｍとした一対の半田バンプを押し潰して接触させるには、１７０〜２１０℃で１．５〜２．０秒加熱しつつ押し潰すことが良いことがわかる。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気ヘッドを構成する回路基板は、一対のリード線と、一対の半田バンプとを少なくとも備えてなり、前記半田バンプが各半田バンプの押し潰し時に押し潰した周縁部を重ね合わせ自在に隣接配置されてなるので、半田バンプを押し潰して回路を構成するリード線を容易にショートさせることが可能となり、回路を閉回路とすることができる。
【００６１】
また、本発明の磁気ヘッドを構成する回路基板は、リード線に接続されたランド部を電気的に接続する半田ブリッジとを備えてなり、該半田ブリッジは、前記ランド部上に各々形成された半田バンプの各々の周縁部を重ね合わせて構成されたものであるので、半田バンプ同士の接触面積が大きくなり、リード線を確実にショートさせることができる。また、周縁部が重ね合わされているので、例え回路基板が曲げられた場合でも、半田バンプ同士が分離してしまうことがなく半田ブリッジによるリード線のショート状態が維持されて、回路基板の信頼性を高めることができる。
【００６２】
また本発明においては、一方の半田バンプを押し潰し、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして他方の半田バンプに接近させ、他方の半田バンプを押し潰し、該半田バンプの周縁部をその外周方向に押し延ばして前記一方の半田バンプの周縁部に接触させて、一対のリード線をショートさせるので、各半田バンプを確実に押し潰してリード線をショートさせることができ、回路を確実に閉回路とすることができる。
【００６３】
また、本発明においては、前記の他方の半田バンプを押し潰す際に、他方の半田バンプの周縁部の一部が一方の半田バンプの周縁部上に重なるまで押し潰すので、半田バンプ同士の接触面積が大きくなってリード線同士をより確実にショートさせることができる。
【００６４】
更に、本発明においては、前記の各半田バンプを加熱しつつ押し潰すことにより半田バンプを軟化させるので、半田バンプを押し潰すために要する荷重が小さくて済み、回路基板自体を損傷させずに半田バンプを確実に押し潰すことができる。
【００６５】
更にまた、本発明においては、各半田バンプを加熱して軟化させつつ同時に押し潰すので、半田バンプを押し潰すために要する荷重が小さくて済み、一対の半田バンプを同時に押し潰しても確実にこれら半田バンプ同士を接触させることができ、また半田バンプを押し潰す際に回路基板自体を損傷させることがない。
【００６６】
また本発明においては、前記の各半田バンプを擦りつつ押し潰すので、各半田バンプが基板の板面内方向に押し延ばされつつ潰されることになり、半田バンプ同士をより確実に接触させることができる。
【００６７】
本発明の磁気ヘッドは、ＭＲ磁気ヘッド素子を有するスライダがロードビームの先端に取り付けられ、該ロードビームの他端側に上記の回路基板が取り付けられ、前記ＭＲ磁気ヘッド素子から導出された一対の配線が前記回路基板に接続されてなり、ＭＲ磁気ヘッド素子と配線とリード線とにより回路が構成されていて、リード線に接続された一対の半田バンプを順に押し潰して接触させることによりリード線をショートさせてこの回路を閉回路とするので、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を防止することができる。
【００６８】
また、本発明の磁気ヘッドは、ランド部を電気的に接続する半田ブリッジとを少なくとも備えてなる回路基板を具備してなり、該半田ブリッジは、前記ランド部上に各々形成された半田バンプの各々の周縁部を重ね合わせて構成されたものであるので、半田バンプ同士の接触面積が大きくなり、リード線を確実にショートさせてＭＲ磁気ヘッド素子を含む回路を閉回路とすることができる。
また、周縁部が重ね合わされているので、例え回路基板が曲げられた場合でも、半田バンプ同士が分離してしまうことがなく半田ブリッジにより閉回路の状態が維持されて、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を防いで磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。
【００６９】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、半田バンプを押し潰すだけでＭＲ磁気ヘッド素子を含む回路を容易に閉回路とすることができ、ＭＲ磁気ヘッド素子の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】  図１に示す磁気ヘッドに備えられた回路基板の要部を示す平面図である。
【図３】  図２における回路基板の要部の断面図である。
【図４】  図１に示す磁気ヘッドに備えられた回路基板の要部を示す平面図である。
【図５】  図４における回路基板の要部の断面図である。
【図６】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
【図７】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
【図８】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
【図９】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの他の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの他の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】  本発明の実施形態である磁気ヘッドの他の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】  本発明の実施形態である磁気ヘッドのその他の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】  本発明の実施形態である磁気ヘッドのその他の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】  半田バンプを押し潰したときの半田バンプの直径の変化を示すグラフである。
【図１５】  半田バンプを押し潰したときの半田バンプの直径の変化を示すグラフである。
【図１６】  一対の半田バンプを押し潰した時の模式図である。
【図１７】  従来の磁気ヘッドの斜視図である。
【符号の説明】
１  磁気ヘッド
２  ロードビーム
２ａ  先端
２ｂ  基端（他端）
３  スライダ
４  回路基板
５ａ、５ｂ  配線
８  ＭＲ磁気ヘッド素子
１５ａ、１５ｂ  リード線
２３、２４  ランド部
２５、２６  半田バンプ
２５ａ、２６ａ  周縁部
１２５  半田ブリッジ
【図１】
0003759344.tif 000003
【図２】
0003759344.tif 000004
【図３】
0003759344.tif 000005
【図４】
0003759344.tif 000006
【図５】
0003759344.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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