(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記乾燥ガスを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを備えることを特徴とする清掃装置。
【請求項２】
前記蓋から垂下し前記ノズルと前記排気ダクトの排気口との間を遮蔽する板部材を備えることを特徴とする請求項１記載の清掃装置。
【請求項３】
前記排気ダクトの排気量を調節するダンパを備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の清掃装置。
【請求項４】
前記ノズルの角度を変える角度調節機構を備えることを特徴とする請求項１、２または３記載の清掃装置。
【請求項５】
前記乾燥ガスは窒素ガスであることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の清掃装置。
【請求項６】
前記蓋部材は透明な樹脂部材であることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の清掃装置。
【請求項７】
チャンバに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記乾燥ガスを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置において、前記蓋部材で前記開口を塞ぎ前記チャンバを密閉した後、前記チャンバを減圧し、減圧された前記チャンバ内に前記乾燥ガスを前記ノズルから噴射させ前記チャンバ内に残留する前記パ−ティクルを舞い上がらせ前記パ−ティクルカウンタによりパ−ティクル数を計数しながら前記パ−ティクルを前記排気ダクトにより排除することを特徴とする清掃方法。
【請求項８】
乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクルカウンタとを有する蓋部材であり、前記蓋部材は半導体基板を成膜あるいはエッチングするチャンバの本来の蓋に代わって開口部を塞ぎ、さらに前記蓋部材は複数の前記チャンバに共有して取付け可能であることを特徴とする清掃装置。
【請求項９】
チャンバの清掃後、前記チャンバ本来の蓋に代えて、請求項８の清掃装置を前記チャンバにとりつけ、前記乾燥ガスを噴出しながら、前記排気ダクトで吸引し、前記パーティクルカウンタでチャンバ内のパーティクル数をカウントすることを特徴とする真空装置内の清浄度診断方法。
【請求項１０】
本来の蓋の代わりに請求項８の清掃装置で開口部を塞いだ状態で、半導体基板を搬送、または半導体基板に成膜する時に動く部品を動かすプログラムを有することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板等の基板表面をエッチング処理や成膜処理する処理装置のチャンバ内のパ−ティクルを除去する可搬型の清掃装置および清掃方法、清掃後の清浄度が満足できるかどうか診断する清浄度診断方法および診断方法、ならびにこれら清掃装置と組み合わせて使えば効果的な半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体基板をエッチングするドライエッチング装置や半導体基板に薄膜を形成するＣＶＤ装置など使用頻度にもよるが、チャンバ内に反応生成物であるパ−ティクルが堆積する。このように堆積しチャンバ内に停留するパ−ティクルは、処理した後、チャンバの真空を大気に解放することにより、急激な圧力の上昇により舞い上がり、処理済み半導体基板に付着したりして処理不良を起こすという問題が起きていた。
【０００３】
この対策として、急激な圧力上昇を抑制するためにチャンバ内に大気を徐徐に導入したりしてパ−ティクルの舞い上がりを防止していた。しかしながら、この方法は確実な方法でなく、結局、定期的にチャンバ内からウェハステ−ジを取り出し、チャンバ内を機械的にパ−ティクルを人手で除去していた。しかし、狭いチャンバの搬出入口から奥の広いチャンバ内部を清掃することが煩わしく多大な時間を浪費するという問題があった。
【０００４】
このような問題を解消する真空処理方法及び装置が、特開平７−８６２４１号公報に開示されている。この真空処理装置の清掃手段は、真空処理室であるチャンバに清掃用ガス導入口とガス排気ダクトを可動式電氣集塵機とを設け、真空処理した後、大気圧レベルの乾燥ガスを導入しチャンバ内の異物を舞い上がらせ、ガス気流に載せて排気ダクトから装置外へ除去している。さらに、適切に配置された電氣集塵機に捕獲させている。
【０００５】
一方、チャンバ内壁に堆積した反応生成物に対しては、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、チャンバ内に清掃用のプラズマを立ててチャンバ壁面の反応生成物をプラズマで脱離させ塵埃となった反応生成物を再び、乾燥ガスの導入、排出により除去することを特徴としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した真空処理装置の清掃手段は、清掃すべき真空処理装置のそれぞれに設けなければならず、真空処理装置のコストが高くなるという欠点がある。さらに、この清掃手段は、舞い上がらせて排除されるパ−ティクルがチャンバ内に残っているか否かを確認手段がない。この確認手段がない限り、チャンバ内に残留するパ−ティクルが存在する恐れがある。従って、再び処理を行った後、チャンバの真空を大気にしたとき、残留したパ−ティクルが舞い上がり処理済みの半導体基板を汚染させるという懸念がある。
【０００７】
また、チャンバ内壁に堆積した反応生成物は、長期間に経過しない限り、自然に剥離することがない。言うならば、比較的短期間にチャンバ内に停留するパ−ティクルを除去するのと同時に清掃用のプラズマでチャンバ内壁に付着する反応生成物を離脱させることは極めて無駄な清掃工程である。
【０００８】
さらに、上述した真空処理装置のように、チャンバが透明な石英製であれば、反応生成物の堆積度は容易に確認できるが、しかし、この種の処理装置のチャンバは、必ずしも透明な材料でなく、例えば、アルミニュウムなど不透明な材料で製作されている。このような場合、堆積度を確認することが困難である。
【０００９】
また、チャンバ内壁に付着する反応生成物をプラズマ照射による反応生成物の離脱方法は、ある程度の厚さまで可能であるが、完全に離脱させるには、多くの時間を要し、必ずしも得策な方法ではない。
【００１０】
従って、本発明の目的は、処理終了した後にチャンバの真空解放時に舞い上がるパ−ティクルが発生しない程度に清掃し、種々の半導体処理装置に適用できる汎用性のあるとともに可搬型の清掃装置および清掃方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、チャンバに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記ガスを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置である。
【００１２】
また、前記蓋から垂下し前記ノズルと前記排気ダクトの排気口との間を遮蔽する板部材を備えることが望ましい。さらに、前記排気ダクトの排気量を調節するダンパを備えることが望ましい。そして、望ましくは、前記ノズルの角度を変える角度調節機構を備えることである。また、好ましくは、前記乾燥ガスは窒素ガスを使用し、前記蓋は透明な樹脂部材で製作することである。
【００１３】
一方、本発明の他の特徴は、チャンバに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記乾燥ガスを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置において、前記蓋部材で前記開口を塞ぎ前記チャンバを密閉した後、前記チャンバを減圧し、減圧された前記チャンバ内に前記乾燥ガスを前記ノズルから噴射させ前記チャンバ内に残留する前記パ−ティクルを舞い上がらせ前記パ−ティクルカウンタによりパ−ティクル数を計数しながら前記パ−ティクルを前記排気ダクトにより排除する清掃方法である。
【００１４】
さらに本発明の清掃装置の特徴は、乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクルカウンタとを有する蓋部材であり、前記蓋部材は半導体基板を成膜あるいはエッチングするチャンバの本来の蓋に代わって開口部を塞ぎ、さらに前記蓋部材は複数の前記チャンバに共有して取付け可能にしたことである。
【００１５】
また、本発明の診断方法の特徴は、チャンバの清掃後、前記チャンバ本来の蓋に代えて、本発明の清掃装置を前記チャンバにとりつけ、前記乾燥ガスを噴出しながら、前記排気ダクトで吸引し、前記パーティクルカウンタでチャンバ内のパーティクル数をカウントすることである。
【００１８】
さらに本発明の半導体製造装置の他の特徴は、本来の蓋の代わりに前記の診断装置で開口部を塞いだ状態で、半導体基板を搬送、または半導体基板に成膜する時に動く部品を動かすプログラムを有することである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１に示す本発明の一実施の形態における清掃装置は、チャンバ９に収納されウェハステ−ジ１２に対向する機構部（例えば、上部電極、ガス導入部をもつ上部電極）を取り除いた状態が開示されている。処理装置１１のチャンバ９の開口１０を塞ぐ蓋１には、チャンバ９内のウェハステ−ジ１２の外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズル５が取付けられている。さらに蓋１にはチャンバ９内の乾燥ガスを排気する排気ダクト７と、チャンバ９内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティクルカウンタ６と、チャンバ９内の圧力を測定する圧力計２と、チャンバ９内の圧力を調節する圧力調整弁３とが設けられている。
【００２２】
また、ガス供給管４と球状継手を介して接続されるノズル５は、蓋１上の回転軸（図示せず）のウオ−ムギヤとウオ−ムホイ−ルを具備する角度調節機構１３によって水平から垂直まで噴射角度を変えることができるように構成されている。望ましくは、ノズル５から噴射された乾燥ガスが背面側の排気ダクト７に直接流れ込まないように、ノズル５と排気ダクト７との間に、蓋１から垂下する遮蔽板１６を設ける。
【００２３】
この遮蔽板１６の高さは、ウェハステ−ジ１２の面に接触しないで近づく程度にする。また、ノズル５の角度は、ウェハステ−ジ１２の外周縁に向けて設定する。このことにより乾燥ガスは、矢印５１に示す方向に流れ、ウェハステ−ジ１２の下方に停留するパ−ティクルを舞い上げることができる。このため、ノズル５の先端は、図２に示すように、ウェハステ−ジ１２の外周縁と接線方向に曲げられていることが望ましい。
【００２４】
また、排気ダクト７は、遮蔽板１６を介してノズル５と反対側に位置することによって、ノズル５からの乾燥ガスを排気ダクト口７ａが直接吸引しないように構成されている。排気ダクト７の他端の接続継手は、既設の工場排気ダクトとフレキシブルホ−スにより接続することができる。なお、この排気ダクト７には、乾燥ガスの吸引力を調節するダンパ８を設けることが望ましい。
【００２５】
光散乱式粒子計数器であるパ−ティクルカウンタ６は、その吸引口１８を蓋１の中央部、すなわちチャンバ９のほぼ中央部に位置するようにチャンバ内部に差込まれる。吸引されたパ−ティクルに照射する照射機構およびパ−ティクルからの散乱光を検知する光電子倍増管を含む受光機構は、チャンバ９上に配置され、光電子倍増管からの信号を増幅する増幅器と波高分析部とを含む表示部６ａは、見やすい位置に配置されている。このパ−ティクルカウンタは市販のものでよい。
【００２６】
一方、乾燥ガスを導入する配管系統は、乾燥ガスボンベからガス圧を調節するレギュレ−タ１５と、微小なダストを捕獲するフィルタ１４と、ノズル５への乾燥ガスの供給遮断を行う開閉弁１７とで構成されている。また、圧力調整弁３は一種のバリアブルリ−ク弁であって、排気ダクト７から吸引された乾燥ガスでのチャンバ９内の圧力を調整するものである。そして、その時のチャンバ９の圧力は、圧力計２で読みとることができる。
【００２７】
蓋１は、人手で運べるように軽く、チャンバ９内を観察できるように、例えば、アクリル樹脂のような透明な樹脂材料で製作することが望ましい。そして、排気ダクト７も軽い塩化ビニ−ル樹脂で製作することが好ましい。
【００２８】
図３は図１の清掃装置を用いて処理装置のチャンバを清掃する方法を説明するための説明図である。次ぎに、前述した清掃装置を用いて処理装置によるチャンバの清掃方法を図１、図２および図３を参照して説明する。
【００２９】
まず、チャンバ内を清掃すべき処理装置の処理用上部機構を取り外す。次に、上部機構を取り外したとき、露呈する図１の開口１０を塞ぐように、蓋１を開口１０上に載せる。次に、排気ダクト７からチャンバ内部を排気する。この状態は、図３のガス吸引の状態である。図１のチャンバ９内圧力は排気に伴って低下する。
【００３０】
次に、チャンバ９内の圧力が予め圧力調整弁３により設定される一定の圧力になったら、図１の開閉弁１７を開け、ノズル５より乾燥ガスを噴射する。乾燥ガスは矢印５１に示すようにウェハステ−ジ１２に沿って流れ、ウェハステ−ジ１２の下方にあるパ−ティクルをも舞い上げる。チャンバ９内の圧力は上昇し大気圧レベルに到達する。この時、パ−ティクルカウンタ６は舞い上がったパ−ティクル数をカウントする。
【００３１】
パ−ティクルの計数が規定数以上であったら、開閉弁１７を閉じて乾燥ガスの噴射を停止する。その後、チャンバ内の乾燥ガスを排気ダクト７から排気する。そして、図３に示すように、チャンバ９内の圧力が、例えば、０．７気圧に到達し安定したら、開閉弁１７を開き、乾燥ガスをノズル５から再び噴射させ、残留するパ−テクル数を計数する。そして、計数されるパ−ティクル数がゼロまたは規定数以下になるまで、減圧および乾燥ガスの噴射のサイクルを繰り返して行い、チャンバ９の清掃を完了させる。
【００３２】
なお、パ−ティクルカウンタの測定レンジは、最小レンジに、例えば、０．３ミクロンメ−タに設定することが望ましい。何となれば、パ−ティクルは小さい程舞い上がり易く、小さいほど除去し難いからである。また、乾燥ガスとしては、反応生成物に対して安定である不活性ガスが望ましく、特に価格が安価な窒素ガスが適している。そして、この清掃サイクルは、シ−ケンス制御により自動的に行えることは言うまでもない。
【００３３】
図３では、本発明による処理装置をチャンバの清掃方法に適用する場合を示した。しかし、本発明は、単なる清掃方法に限らず、清浄度の診断用にも適用できる。例えば図８のフローチャートで示すようにチャンバ内の清掃は人間がマニュアルで行なってもよい。図８では、半導体製造装置による半導体製品の製造作業を終了するステップ（Ｓ１）の後、チャンバ内を大気圧に開放する（ステップＳ２）。その後、チャンバを開放し（ステップＳ３）、チャンバ内を手作業で清掃する（ステップＳ４）。マニュアル清掃後の清浄度の診断を目的として、本発明を実施すれば、清掃時間を短縮することができる利点がある。
【００３４】
図４は、図１に示す蓋１を別の半導体製造装置用チャンバに取付けた場合を示す第二の実施例である。この半導体製造装置用チャンバは、材料ガス供給管２３、反応ガス排気ダクト２５があり、ウェハーステージ１２の形が図１のものとは異なっている。材料ガス供給管２３には材料ガス供給開閉弁２４が設けられ、反応ガス排気ダクト２５には反応ガス排気ダンパ２６が設けられている。
【００３５】
このように他の種類の装置でも、蓋を共通にし、一つの清掃装置を他の同種の装置や異種の装置にも共有して使うことができるようにし、一つの清掃装置を複数の装置に共通に適用して、清掃および清掃診断ができるようにした。
【００３６】
図５は、図１の装置から圧力計、圧力調整弁を省いた第三の実施例である。排気ダクトの排気量と乾燥ガスの供給量とのバランスをうまく調整することができれば、このような装置でも清掃や清浄度の診断をすることができる。この場合、蓋１のスペースを小さくできるので、小さいチャンバに取付けることができ、適用範囲が広がるというメリットがある。
【００３７】
図６は、半導体製造装置の部品のための清掃や清浄度の診断を行うための第１の参考例である。清掃や清掃後の清浄度診断をする部品を格納するチャンバ９があり、その上部には部品を出し入れするための開口部があり、それを塞ぐ扉２８がある。扉２８には握り２９が設けられている。
【００３８】
チャンバの側壁には乾燥ガスを噴出するためのノズル５、開閉弁１７、フィルタ１４、レギュレーター１５を有するガス供給管４があり、その反対面の被清浄度検査部品２２を挟む位置に排気ダクト７を設けている。そして、排気ダクトの傍にパーティクルカウンタの吸引口を設けている。
【００３９】
チャンバ９の中には、部品固定部２１を持つ部品固定台２０があり、部品固定部２１は清掃又は清浄度診断する部品に合わせて固定できるようにしている。
【００４０】
これらの部品固定台２０、部品固定部２１は部品に合わせて、交換できるようになっている。さらに、図６では部品が一つの例だが、スペースが許す限り、複数の部品を固定できるようにしても良い。また、この例は側壁にガス供給管４、底面に部品固定台２０、上面に部品を出し入れする扉２８を設けたが、これらの配置はこれに限るものではなく、上面にガス供給管４等を設け、側面から部品を出し入れするようにしても良い。
【００４１】
その上、図６の装置は、これを使っても、部品の清掃ができるが、時間短縮のために、部品の清掃は他の装置、あるいは人間が行い、その清掃具合を見るための清浄度診断装置として、清掃後の部品をこの中に入れ、乾燥ガスを噴出しながら、パーティクルモニターで清浄度を診断し、清掃が効果的に行われたかどうかの診断装置として使っても良い。
【００４２】
さらに、図６の装置は図１の装置と同様、ノズルを可動にし、そのノズルをスキャンするようにすることもできる。その場合、部品の清掃効果があがり、さらに複数の部品に対しても均一に乾燥ガスを当てることができ、複数の部品を均一に清掃することができるという効果がある。
【００４３】
もちろん、乾燥ガスのスキャンは自動的にスキャンするようにした方が好ましい。
【００４４】
また、この装置では、半導体製造装置の交換部品をあらかじめ清掃し、高い清浄度にしておいて、半導体製造装置の清掃時に、部品を交換するだけにしておけば、半導体製造装置の停止時間を短くできるというメリットがある。
【００４５】
図７は、蓋１に取付けていた排気ダクトを半導体製造装置に取付けた第２の参考例である。このように蓋に取付けていた排気ダクト７、ガス供給管４、パーティクルカウンタ６のうちいずれかを半導体製造装置のチャンバに取付けた場合、
必要な蓋１のスペースが小さくなるので、小さい枚葉式のチャンバに適用しやすくなるというメリットがある。
【００４６】
さらに、乾燥ガスのノズル５または、排気ダクト７を半導体製造装置に取付けた場合、共通で使う蓋１の部分に必要な配管が少なくなるので、本発明の清掃装置の機動性が高くなるというメリットがある。
【００４７】
このような場合には、反応ガス排気ダクト２５と排気ダクト７とを一つの共通にすることもできる。しかし、半導体製造装置の機能である成膜、又は、エッチングで要求される真空度は、本発明の清掃、または診断で使う大気圧と近い状態とは大幅に排気に要求される能力が違うので、清掃、診断において必要以上の性能の排気を使うのでエネルギーが無駄になるという欠点がある。
【００４８】
図９を用いて、清掃又は清浄度診断の第二の方法を説明する。図９は第二の方法を説明するタイミングチャートである。
【００４９】
図９（ａ）は、ガス吸引であり、基本的に常時オンにし、流量は必要に応じて調整する。図９（ｂ）は、ガス噴出タイミングを示し、図１に示す本発明による蓋１でチャンバの開口部をふさいだ後にオンし、パーティクル計数後、オフする。図９（ｃ）はパーティクル計数読みのタイミングを示し、所定の時間後（この例ではｔ１、ｔ２）計数読みを行う。この例では２回行っているが、測定精度に応じて回数を変化させれば良い。
【００５０】
図３に示すような、清掃および清浄度診断の両方を行う第一の方法では、ガスの吸引とガスの噴出を交互に行った。図９に示す方法では、ガスの吸引中にガスの噴出を行い、所定のタイミング（ｔ１、ｔ２）でパーティクル計数読みを行い、パーティクルの個数が規格内に入れば、そこで終了する。パーティクル計数読みの回数は、必要に応じて設定する。
【００５１】
第一の方法と第二の方法との大きな違いは、ガスの吸引とガスの噴出とを別々のタイミングで行うか、同時に行うかである。第一の方法は、清掃も兼ねて行うときに向いており、第二の方法では、清掃は他の方法で行い清掃後の清浄度診断を行いたいときに向いている。
【００５２】
また、第二の方法を使えば、図５のように圧力計、圧力調整弁がないタイプでも、ガスの吸引と噴出との量的なバランスを調整することで十分実施することができる。
【００５３】
図１０は、第三の方法のタイミングチャートである。基本的には第二の方法と同じである。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は図９（ａ）、図９（ｂ）、図９（ｃ）にそれぞれ対応するので、説明は省略する。図１０（ｄ）に示す、可動部動作というのは、チャンバ内の可動部のことで、これをオン、オフする動作をするシーケンスを半導体製造装置に組み込んでおく。
【００５４】
そうすることで、その可動部に潜んでいるパーティクルも舞い上がらせることができ、その部分も清掃、または清掃後のパーティクルのチェックを行うことができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、エッチングや成膜の処理のための上部機構を取り外してチャンバの開口を露呈させ、その露呈したチャンバの開口を、軽量で可搬できる蓋部材で塞ぐとともに、この蓋部材に、乾燥ガス噴射ノズルと、チャンバ内の乾燥ガスを排気する排気ダクトを設けている。そして、減圧されたチャンバ内に乾燥ガスを噴射し、チャンバ内に残留するパ−ティクルを舞い上がらせパ−ティクル数を計数しながら排気ダクトで装置外に排出するというサイクルをパ−ティクルが無くなるまで繰り返して行う。これにより、チャンバ内に残留するパ−ティクルを完全に除去でき、再び処理したとき、チャンバを大気にしたとき、パ−ティクルの舞い上がりが無くなり、半導体基板への汚染が無く品質の向上が図れるという効果がある。
【００５６】
また、蓋部材およびそれに付随する排気ダクトおよびノズルを軽量化し、可搬できるようにすることができるため、種々の処理装置に取付けでき、汎用性が高まるという効果がある。その結果、設備コストの低下も図られる。
【００５７】
つまり、必要なときだけ、半導体製造装置用チャンバに取付けることで簡単に、効果的にチャンバの清掃あるいは清掃後の清浄度診断を行うことができる。
【００５９】
さらに、本発明の清掃または清浄度診断のシーケンスを使うことによって、効果的に清掃、清浄度診断をすることができるので、清掃時間を短縮し、半導体製造装置の稼働率を向上し、半導体製品の生産数量を向上することができるという利点がある。
【００６０】
また、本発明による清浄度診断をパスした半導体製造装置を使うことにより、半導体製品の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第一の実施の形態における清掃装置を説明するための構成を示す断面図である。
【図２】  図１の蓋の上面図である。
【図３】  図１の清掃装置を用いて処理装置のチャンバを清掃する方法を説明するための図である。
【図４】  本発明の第二の実施の形態を説明するための断面図である。
【図５】  本発明の第三の実施の形態の装置を説明するための断面図である。
【図６】  本発明の第１の参考例に関する装置を説明するための断面図である。
【図７】  本発明の第２の参考例に関する装置を説明するための断面図である。
【図８】  本発明の参考例の装置を診断装置として使う為のフローチャートの例である。
【図９】  本発明の第二の清掃、又は清浄度診断方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】  本発明の第三の清掃、又は清浄度診断方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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