(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極を埋設したアルミナ質焼結体又は窒化アルミニウム質焼結体からなる板状セラミック体の一方の主面をウエハを載せる載置面とし、他方の主面側に備える凹部に、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とする給電端子の一部を銀銅ロウ材層を介してロウ付け固定してなり、上記内部電極と上記給電端子とを電気的に接続したウエハ支持部材において、上記給電端子の少なくとも突出部に、銀銅ロウ材からなる導体層を被着してなり、該導体層と上記銀銅ロウ材層と上記内部電極とを接続したことを特徴とするウエハ支持部材。
【請求項２】
上記導体層の層厚みを１０〜２００μｍとしたことを特徴とする請求項１に記載のウエハ支持部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体や液晶基板などの製造工程において、半導体ウエハや液晶用ガラス基板などのウエハを保持し、かつ高周波を印加してプラズマを発生させる機能を有するセラミック製サセプタ、セラミック製静電チャック、セラミック製ヒーター等の如きウエハ支持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体や液晶基板などの製造工程のうち、半導体ウエハや液晶用ガラス基板などのウエハ上へ薄膜を形成するＣＶＤ等の成膜工程や、上記ウエハに微細加工を施すドライエッチング工程ではプラズマ発生機構を備えた装置が用いられており、プラズマを発生させる一対の電極のうち、一方の電極を板状セラミック体中に埋設し、板状セラミック体の表面をウエハを載せる載置面としたウエハ支持部材が用いられている。
【０００３】
図３にプラズマを発生させる一方の電極としてウエハ支持部材を用いたプラズマ発生機構を備える装置の概略断面図を示すように、真空処理室３９内に、筒状支持体３７を介して設置されたウエハ支持部材３１と、このウエハ支持部材３１に対向配置されたプラズマ発生用電極３８とを備えている。
【０００４】
ウエハ支持部材３１は、一対の内部電極３３を有する板状セラミック体３２の一方の主面をウエハＷを載せる載置面３４とするとともに、他方の主面側に上記内部電極３３と電気的に接続される給電端子３５を備えたもので、給電端子３５に接続されたリード線３６を筒状支持体３７内より真空処理室３９外へ取り出すようになっている。
【０００５】
そして、ウエハ支持部材３１の載置面３４上にウエハＷを載せた状態で、ウエハ支持部材３１中の一対の内部電極３３とプラズマ発生用電極３８との間に高周波電力を供給して両者間にプラズマを発生させるとともに、真空処理室３９内に成膜ガスやエッチングガスを供給することにより、ウエハＷに対して成膜加工やエッチング加工を施すようになっていた。
【０００６】
また、ウエハ支持部材３１の板状セラミック体３２中に静電吸着用電極やヒータ電極を埋設することにより、静電吸着機能や加熱機能を持たせたものもあった。
【０００７】
ところで、ウエハ支持部材３１中の内部電極３３は、板状セラミック体３２中に埋設してあることから、内部電極３３へ通電するための給電端子３５は、図４（ａ）に示すように、板状セラミック体３２の他方の主面に内部電極３３を貫通する凹部４１を形成して凹部内壁面４１ａに内部電極３３を露出させ、給電端子３５の一部を凹部４１中に挿入し、ロウ材層４２を介して接合するか、あるいは図４（ｂ）に示すように、板状セラミック体３２の他方の主面側の凹部４１中に給電端子３５の一部を埋設することにより接合するようにしたものが提案されている。
【０００８】
また、図４（ａ）（ｂ）に示す手段にて給電端子３５を板状セラミック体３２に接合する場合、ロウ付け時の熱や使用時の熱サイクルによる板状セラミック体３２の破損を防止するため、給電端子３５には板状セラミック体３２の熱膨張係数に近似したタングステンやモリブデンあるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金により形成したものが用いられていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、プラズマを発生させるためにウエハ支持部材３１の給電端子３５に高周波電力を印加すると、給電端子３５が発熱するといった課題があった。
【００１０】
即ち、高周波は給電端子３５の表面を流れ易いのであるが、板状セラミック体３２との熱膨張差を近似させるために使用したタングステンやモリブデンあるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の給電端子３５は高周波に対する抵抗が大きいために発熱し易いものであった。
【００１１】
そして、給電端子３５の発熱が発生すると、給電端子３５の上方に位置する載置面３４の温度が部分的に高くなるホットスポットが発生するため、載置面３４上に載せたウエハＷの温度も載置面３４の温度分布に倣って部分的に高くなり、ウエハＷの温度分布を均一にすることができず、その結果、成膜精度やエッチング精度に悪影響を与えるといった課題があった。
【００１２】
また、給電端子３５は筒状支持体３７を介して大気に曝されているため、発熱すると酸化して抵抗値が大きくなり、所望のプラズマを発生させることができなくなることにより、均一でかつ均質な成膜加工やエッチング加工を施すことができなくなるといった恐れもあった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、内部電極を埋設したアルミナ質焼結体又は窒化アルミニウム質焼結体からなる板状セラミック体の一方の主面をウエハを載せる載置面とし、他方の主面側に備える凹部に、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とする給電端子の一部を銀銅ロウ材層を介してロウ付け固定するとともに、上記内部電極と上記給電端子とを電気的に接続してなるウエハ支持部材において、上記給電端子の少なくとも突出部に、銀銅ロウ材からなる導体層を被着してなり、該導体層と上記銀銅ロウ材層と上記内部電極とを接続したことを特徴とする。
【００１４】
特に、上記導体層の層厚みは１０〜２００μｍとすることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
図１は本発明のウエハ支持部材の一例を示す図で、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。また図２（ａ）は図１に示すウエハ支持部材の給電構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【００１７】
このウエハ支持部材１は、円盤状をした板状セラミック体２の一方の主面を、ウエハＷを載せる載置面４とし、板状セラミック体２中に高周波電力が印加される一対の内部電極３を埋設するとともに、板状セラミック体２の他方の主面側に上記各内部電極３と電気的に接続される給電端子５を備えたものである。
【００１８】
板状セラミック体２を形成する材質としては、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化硼素質焼結体、チタン酸バリウム質焼結体、チタン酸カルシウム質焼結体、イットリウム−アルミニウム−ガーネット質焼結体、イットリア質焼結体等のセラミック焼結体を用いることができ、これらの中でもハロゲン系の腐食性ガスに対する耐食性の点でアルミナ質焼結体又は窒化アルミニウム質焼結体を用いることが好ましく、さらに載置面４に保持したウエハＷがプラズマガスから受ける熱を速やかに外部に逃がし、ウエハＷの温度分布を均一にする観点から高熱伝導率を有する窒化アルミニウム質焼結体を用いることが望ましい。
【００１９】
また、板状セラミック体２中に埋設する内部電極３としては、熱膨張差により発生する応力によって板状セラミック体２にクラックが発生したり、破損することを防止するため、板状セラミック体２との熱膨張差ができるだけ近似した材料を用いることが良く、例えば、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はこれらの合金を用いることが好ましい。
【００２０】
また、給電端子５は、図２（ａ）に示すように、板状セラミック体２の他方の主面に、各内部電極３を貫通するように穿孔した凹部１４内にロウ材層１５を介してロウ付けすることにより接合してあり、凹部内壁面１４ａに露出する内部電極３と給電端子５とをロウ材層１５を介して電気的に接続してある。
【００２１】
具体的には、板状セラミック体２の他方の主面に内部電極３を貫通して凹部１４を穿設し、凹部内壁面１４ａに内部電極３を露出させるとともに、この内部電極３を含む凹部内壁面１４ａにメタライズ層１６を形成する。メタライズ層１６の厚みは数十μｍ程度あれば良い。
【００２２】
そして、上記凹部内壁面１４ａにロウ材を塗布しつつ給電端子５を挿入し、所定の高温雰囲気で加熱することでロウ付け固定してある。
【００２３】
ただし、ロウ付け固定等のように給電端子５に熱が作用する場合、板状セラミック体２との間に大きな熱膨張差があると、その間に発生する熱応力によって板状セラミック体２にクラックが発生したり、破損する。また、大気中で加熱されると、酸化し易い材料であると抵抗値が大きくなり、高周波電力が流れ難くなる。
その為、給電端子５は、前述した板状セラミック体２との熱膨張差が近似し、かつ高い耐熱性を有する材質、特に５００℃程度の高温下でも耐熱性に優れる材質により形成することが好ましく、例えば、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を用いることができる。
【００２４】
これらの金属又は合金は熱膨張係数が３〜７×１０-6／℃と、前述した板状セラミック体２を形成するセラミック焼結体の熱膨張係数（３〜７．８×１０-6／℃）と近似させることができるため、板状セラミック体２の破損を効果的に防止することができる。
【００２５】
さらに、給電端子５を形成する材質として、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とし、板状セラミック体２との熱膨張差が２×１０-7／℃以下である焼結合金を用いることもでき、このような焼結合金を用いる場合、副成分として耐酸化性を増強させる作用を有するＣｒやＣｏを含有したものを用いることが好ましい。
【００２６】
さらに、本発明のウエハ支持部材１は、給電端子５の少なくとも突出部５ａに、銀銅ロウ材からなる導体層６を被着してある。
【００２７】
その為、本発明のウエハ支持部材１を図３に示すプラズマ発生機構を有する装置の一方の電極として組み込み、プラズマ発生用電極３８との間に例えば１３．５６ＭHｚ、１ｋＷの高周波電力を印加すれば、給電端子５の発熱を抑えることができるため、給電端子５の酸化を防いで抵抗値が大きくなることを防止し、均一なプラズマを長期間にわたって発生させることができる。
【００２８】
また、給電端子５の発熱を抑えることができるため、給電端子５の上方に位置する載置面４の温度が部分的に高くなるホットスポットの発生を防ぐことができるため、載置面４の温度分布を±５℃以下に抑えることができ、ウエハＷの温度分布を載置面４の温度分布に倣って均一にすることができる。
【００２９】
その結果、本発明のウエハ支持部材１を用いれば、ウエハＷへ均質でかつ均一な薄膜を被着したり、微細加工を施すことができ、成膜精度やエッチング精度を向上させることができる。
【００３０】
即ち、均質な導体に高周波電流を流すと、導体表面の電流密度（δ）が大きくなり、その大きさ（δ）は数１で示される。
（数１）  導体表面の電流密度δ＝（２／ωσμ）１／２但し、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
そして、高周波をスムーズに流すためには導体の導電率ができるだけ小さい方が良いのであるが、例えば、給電端子５を形成するタングステン、モリブデン、タンタル、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｆｅ：５５重量％、Ｎｉ：２８重量％、Ｃｏ：１６重量％、Ｃｒ：１重量％）は、その体積固有抵抗値が銀の体積固有抵抗値のそれぞれ３．４倍、３．６倍、８．５倍、３０倍、３１倍と大きく、給電端子５の抵抗が大きくなるため、高周波電流を流すと給電端子５が発熱するのであるが、本発明のウエハ支持部材１は、給電端子５の突出部５ａの表面に、給電端子５を形成する材質よりも抵抗値が小さく、かつ高周波に対する抵抗の小さな、銀、銅のいずれか一種の金属又はこれらの合金あるいはこれらの金属を主体とするロウ材からなる導体層６を被着してあることから、給電端子５に高周波電力を印加すれば、給電端子５表面に被着した導体層６に高周波電流が流れ易くなり、また導体層６は上述したように抵抗値が小さく電流密度（δ）を大きくすることができるため、高周波電流をスムーズに流すことができる。
【００３１】
ただし、銀銅ロウ材を用いる場合、上述した効果を奏するためには、電気抵抗が０．５ｍΩ・ｍ以下であるものを用いることが好ましい。なお、主成分以外の副成分としてはＺｎ、Ｃｄ、Ｓｉを用いることができる。
【００３２】
そして、図２（ａ）に示す給電構造によれば、板状セラミック体２の凹部１４に挿入する給電端子５の挿入部５ｂ周囲には、板状セラミック体２と接合するための電気抵抗の小さなロウ材層１５を設けてあることから、導体層６を流れた高周波はロウ材層１５を流れ、内部電極３に供給することができる。
【００３３】
その結果、給電端子５に供給された高周波電流は内部電極へ大きな抵抗を受けることなくスムーズに流すことができるため、給電端子５の発熱を大幅に低減することができる。
【００３４】
ただし、給電端子５の発熱をできるだけ抑えるためには高周波電流が導体層６中を流れ易くすることが重要であり、そのためには導体層６の層厚みＴを１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上、望ましくは１０μｍ以上とすることが良く、実用的な範囲である２００μｍ以下の範囲で形成すれば良い。
【００３５】
なお、導体層６の形成手段としては、銀銅ロウ材を塗布し焼き付けしたものを用いることができ、できるだけ緻密なものを用いることが好ましい。
【００３６】
次に、本発明の他の実施形態を図２（ｂ）を基に説明する。
【００３７】
図２（ｂ）に示す給電構造は、ホットプレス等によって板状セラミック体２を製作する際に、板状セラミック体２の他方の主面側の凹部１４内に給電端子５の一部を埋設したもので、給電端子５の埋設部５ｃの表面積を、給電端子５の突出部５ａの表面積より大きくしてある。なお、内部電極３と給電端子５とは導線を介して電気的に接続してある。
【００３８】
さらに、給電端子５の突出部５ａの表面に、銀銅ロウ材からなる導体層６を１μｍ以上の層厚みＴで被着したものである。
【００３９】
この給電構造においても、給電端子５に高周波電力を印加すれば、給電端子５表面に被着した導体層６に高周波電流が流れ易くなり、また導体層６は上述したように抵抗値が小さく電流密度（δ）を大きくすることができるため、高周波電流をスムーズに流すことができる。
【００４０】
さらに、給電端子５の埋設部５ｃは、その表面積を突出部５ａの表面積より大きくして突出部５ａより抵抗値を小さくして高周波が流れ易くしてあることから、導体層６を流れた高周波は給電端子５の埋設部５ｃをスムーズに流れて内部電極３へ供給することができる。
【００４１】
即ち、図２（ｂ）に示す給電構造においても給電端子５に供給された高周波電流を内部電極３へ大きな抵抗を受けることなくスムーズに流すことができるため、給電端子５の発熱を大幅に低減することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について示したが、本発明はこれらの実施形態だけに限定されるものではなく、例えば、図２（ａ）（ｂ）では、給電端子５の突出部５ａの表面にのみ導体層６を設けた例を示したが、給電端子５の全体を導体層６で被覆したものでも構わない。
【００４３】
また、図１では高周波電力を印加する内部電極３のみを備えたウエハ支持部材１を示したが、板状セラミック体２中に静電吸着用電極を埋設し、この静電吸着用電極とウエハＷとの間に通電して静電吸着力を発生させることによりウエハＷを載置面３に強制的に吸着させるようにしたり、あるいは板状セラミック体２中に加熱用電極を埋設し、この加熱用電極を発熱させてウエハ支持部材１を加熱することにより、載置面４上のウエハＷを各種加工温度に加熱するようにしても構わない。
【００４４】
さらには、板状セラミック体２中の内部電極３に高周波電力とともに、直流電圧を印加し、プラズマ発生用としての内部電極３に静電吸着用電極として機能を持たせるようにしたものでも構わない。
【００４５】
このように、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で改良や変更したものにも適用できることは言う迄もない。
【００４６】
【実施例】
（実施例１）
ここで、図２（ａ）に示す給電構造を有する本発明のウエハ支持部材１と、図４（ａ）に示す給電構造を有する従来のウエハ支持部材３１をそれぞれ試作し、各ウエハ支持部材１，３１の内部電極３，３３に高周波電力を印加した時の給電端子５，３５の発熱具合について調べる実験を行った。
【００４７】
本実験で使用するウエハ支持部材１，３１は、まず、平均粒子径が１．２μｍ程度である純度９９．０％のＡｌＮ粉末にバインダーと溶媒のみを添加混合して泥漿を製作し、ドクターブレード法により厚さ０．４ｍｍ程度のグリーンシートを複数枚成形した。このうち２枚のグリーンシートにＡｌＮ粉末を混ぜたタングステン（Ｗ）のペーストをスクリーン印刷機でもって敷設して電極をなす金属ペースト膜を印刷した。そして、各金属ペースト膜を敷設したグリーンシートと残りのグリーンシートを積層して８０℃、４．９ＭＰａの圧力で熱圧着してグリーンシート積層体を形成した後、切削加工を施して円板状とし、円板状のグリーンシート積層体を真空脱脂し、しかる後、真空雰囲気にて２０００℃程度の温度で５時間焼成して、外径２００ｍｍ、板厚１０ｍｍで、かつ内部に膜厚１５μｍ程度の内部電極３，３３を埋設したセラミック体２，３２を製作し、内部電極３，３３が埋設されている側の板状セラミック体２，３２の表面に研磨加工を施してウエハＷを載せる載置面４，３４を形成した。
【００４８】
また、板状セラミック体２，３２の載置面４，３４と反対側の表面に、内部電極３，３３を貫通する凹部１４，４１を穿設し、凹部内壁面１４ａ，４１ａにメタライズ層１６を形成した後、モリブデンからなる給電端子５，３５をロウ付け固定することによりウエハ支持部材１，３１を製作した。
【００４９】
また、本発明のウエハ支持部材１においては、給電端子５の突出部５ａの表面に別途銀銅ロウ材を塗布した後、焼き付けることにより層厚みＴが２０μｍの導体層６を被着した。
【００５０】
なお、給電端子５，３５の寸法はいずれも外径８ｍｍの円柱状をしたものを使用した。また、メタライズ層１６を構成する金属には、銀、銅、チタンの合金を、ロウ材には銅と銀を重量比で８：２の割合で含有してなる銀銅ロウを使用し、それぞれ９００℃の温度でロウ付け固定した。
【００５１】
そして、これらのウエハ支持部材１，３１を図３に示すプラズマ発生機構を有する装置の真空処理室３９内に設置し、載置面４，３４にウエハＷを載せて給電端子５，３５間に５００Ｖの直流電圧を加えることにより静電吸着力を発生させてウエハＷを載置面４，３４に吸着させるとともに、真空処理室３９に備えるプラズマ発生用電極３８とウエハ支持部材１，３１の給電端子５，３５との間に、１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を３分間印加した後のウエハＷの温度分布を測定し、ウエハの温度分布が±５℃未満であるものについては大きなホットスポットはないとし良好と判断した。
【００５２】
この結果、従来のウエハ支持部材３１は給電端子３５が発熱し、また、この発熱によって給電端子３５の上方に位置するウエハＷの温度が部分的に高くなり、ウエハＷの温度分布が±８℃と、±５℃を越え悪かったのに対し、本発明のウエハ支持部材１は、給電端子５の発熱が殆どないため、載置面４上にウエハＷの温度に悪影響を与えるようなことがなく、その結果、ウエハＷの温度分布を±５℃以内とほぼ均一に保つことができ優れていた。
【００５３】
（実施例２）
次に、本発明のウエハ支持部材１における導体層６の層厚みＴを異ならせ、実施例１と同様にウエハＷの温度分布を測定する実験を行った。
【００５４】
結果は表１に示す通りである。なお、ウエハＷの面内の温度分布が±５℃以上のものをウエハの温度分布が悪いとし、「×」として示し、±５℃未満であるものを良好とし、そのうち±５℃未満、±３℃以上であるものを△、±３℃未満、±１℃以上であるものを○、±１℃未満であるものを◎で表示した。
【００５５】
それぞれの結果は表１に示す通りである。
【００５６】
【表１】
0003854145.tif 000002
【００５７】
この結果、導体層６の層厚みＴを１μｍ以上とすることにより給電端子５の発熱を抑え、ウエハＷの温度バラツキを±５℃未満とすることができた。
【００５８】
この結果、給電端子５の発熱を抑えるためには、導体層６の層厚みＴを１μｍ以上とすれば良いことが判る。特に、導体層６の層厚みＴを３μｍ以上とすれば、給電端子５の発熱をさらに抑え、ウエハＷの温度バラツキを±３℃未満とすることができ、さらに導体層６の層厚みＴを１０μｍ以上とすることにより、給電端子５の発熱をさらに抑え、ウエハＷの温度バラツキを±１℃未満とすることができ、優れていた。
【００５９】
（実施例３）
次に、給電端子５の導体層６の層厚みＴを２μｍに固定し、導体層６の材質を異ならせてウエハ支持部材１を製作し、このウエハ支持部材１の給電端子５と高周波印加用電極３８との間に、１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を印加し、この高周波電力の供給と停止をそれぞれ５分単位で行う通電サイクル試験を実施した。そして、この通電サイクル試験を１万回繰り返した後のウェハＷの温度分布を測定し、ウェハＷの面内の温度分布が±５℃以上であるものはウェハＷの温度分布が悪いため不良とし、±５℃未満のものを良好として評価した。
【００６０】
それぞれの結果は表２に示す通りである。
【００６１】
【表２】
0003854145.tif 000003
【００６２】
この結果、導体層６に、銀、銅の金属又はこれらの金属を主成分とするロウ材を用いれば、１万回の通電後でも給電端子５の発熱を生じることがなく、ウエハＷの温度分布も均一であり、長期間にわたってウエハ支持部材１を安定して使用できた。
【００６３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、内部電極を埋設したアルミナ質焼結体又は窒化アルミニウム質焼結体からなる板状セラミック体の一方の主面をウエハを載せる載置面とし、他方の主面側に備える凹部に、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とする給電端子の一部を銀銅ロウ材層を介してロウ付け固定するとともに、上記内部電極と上記給電端子とを電気的に接続してなるウエハ支持部材において、上記給電端子の少なくとも突出部に、銀銅ロウ材からなる導体層を被着して、該導体層と上記銀銅ロウ材層と上記内部電極とを接続したことによって、給電端子に高周波電力を印加しても給電端子の発熱を抑えることができ、酸化を防止して抵抗値の増大を防止することができるとともに、給電端子の上方に位置する載置面にホットスポットを発生させることがないため、載置面の温度分布を±５℃以下に均熱化することができる。
【００６４】
特に、上記導体層の層厚みを１μｍとすることで給電端子の発熱をより効果的に防止することができる。
【００６５】
その為、本発明のウエハ支持部材を用いれば、他方のプラズマ発生用電極との間で均一なプラズマを発生させることができるとともに、ウエハの温度分布を均一に保つことができるため、成膜ガスやエッチングガスを供給すればウエハに対して精度の高い成膜加工やエッチング加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハ支持部材の一例を示す図で、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】（ａ）は図１に示すウエハ支持部材の給電構造の一例を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は図１に示すウエハ支持部材の給電構造の他の例を示す部分拡大断面図である。
【図３】一般的なプラズマ発生機構を有する装置を示す概略断面図である。
【図４】（ａ）は従来のウエハ支持部材の給電構造の一例を示す部分拡大断面図であり、
（ｂ）は従来のウエハ支持部材の給電構造の他の例を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１，３１…ウエハ支持部材
２，３２…板状セラミック体
３，３３…内部電極
４，３４…載置面
５，３５…給電端子
５ａ…給電端子の突出部
５ｂ…給電端子の挿入部
５ｃ…給電端子の埋設部
６…導体層
１４，４１…凹部
１４ａ，４２…凹部内壁面
１５，４３…ロウ材層
１６…メタライズ層
３６…リード線
３７…筒状支持体
３８…プラズマ発生用電極
３９…真空処理室
Ｗ…半導体ウエハ
【図１】
0003854145.tif 000004
【図２】
0003854145.tif 000005
【図３】
0003854145.tif 000006
【図４】
0003854145.tif 000007