(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電話交換局と加入者線（Ｔ，Ｒ）に接続されたリレー（Ｉ１，Ｉ２）との間のインターフェイス（１）を過負荷に対して保護する装置であって、該加入者線の各導線（Ｔ，Ｒ）に対し閾値を越える過電圧の場合該導線（Ｔ，Ｒ）を接地するための少なくとも１つのスイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）を含み、前記リレー（Ｉ１，Ｉ２）を制御するための信号に基づいて閾値を自動的に設定する少なくとも１つの設定手段（Ｋ１，Ｋ２）を含み、
前記スイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）が導体（Ｔ，Ｒ）と接地との間に取り付けられたサイリスタ（Ｔｈ１；Ｔｈ２）を含み、該サイリスタのゲートがアバランシェダイオード（Ｚ１；Ｚ２）を介して接地され、
前記設定手段（Ｋ１，Ｋ２）は、前記スイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）の動作モードを、閾値がダイオード（Ｚ１；Ｚ２）のアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、閾値が所定の電位（０；−Ｖｂａｔ）に対応している二番目の動作モードの間で切り替えるように構成されることを特徴とする保護装置。
【請求項２】
閾値を設定するための手段がスイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）の電圧制御端子と所定の電位（０，−Ｖｂａｔ）の間に取り付けられたスイッチ（Ｋ１；Ｋ２）を含み、該スイッチ（Ｋ１；Ｋ２）がインターフェイス（１）により発生されリレー（Ｉ１，Ｉ２）を制御するための信号の状態に基づき制御されることを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項３】
スイッチ（Ｋ１；Ｋ２）がリレー（Ｉ１，Ｉ２）を制御するための信号の状態に基づき制御されるトランジスタ（Ｔ１；Ｔ２）を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の保護装置。
【請求項４】
各導体（Ｔ，Ｒ）に対し、正の過電圧に対し保護する一番目のユニット（１１，１１’）と負の過電圧に対し保護する二番目のユニット（１２，１２’）とを含み、それぞれのユニット（１１，１１’；１２，１２’）がスイッチ手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）に関連したスイッチ（Ｋ１；Ｋ２）を含むことを特徴とする請求項２から３のいずれか１つに記載の保護装置。
【請求項５】
一番目のユニット（１１，１１’）のスイッチ（Ｋ１）に関連した所定の電位が接地電圧であり、二番目のユニット（１２，１２’）のスイッチ（Ｋ２）に関連した所定の電位がインターフェイス（１）のバッテリー電位（−Ｖｂａｔ）に対応していることを特徴とする請求項４に記載の保護装置。
【請求項６】
電話交換局と加入者線（Ｔ，Ｒ）に接続されたリレー（Ｉ１，Ｉ２）との間のインターフェイス（１）を過負荷に対し保護するシステムであって、該加入者線（Ｔ，Ｒ）とリレー（Ｉ１，Ｉ２）の間に請求項１から５のいずれか１つに記載の単独の保護装置を含むことを特徴とする保護システム。
【請求項７】
少なくとも一つのリレー（Ｉ１，Ｉ２）を通り少なくとも一つの導体（Ｔ，Ｒ）に接続された２つの回路（１，３）を過負荷に対し保護するシステムであって、
該回路（１，３）の一つに関連した動作範囲を定める２つの閾値の一つを越える過電圧の場合、導体（Ｔ，Ｒ）を基準電位（０）に接続する２つの電圧制御スイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）と；
リレー（Ｉ１，Ｉ２）を制御するための信号に基づく閾値のそれぞれを自動的に設定する２つの設定手段（Ｋ１，Ｋ２）とを含み、
前記スイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）が導体（Ｔ，Ｒ）と接地との間に取り付けられたサイリスタ（Ｔｈ１；Ｔｈ２）を含み、該サイリスタのゲートがアバランシェダイオード（Ｚ１；Ｚ２）を通り接地され、
前記設定手段（Ｋ１，Ｋ２）は、前記スイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）の動作モードを、閾値がダイオード（Ｚ１；Ｚ２）のアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、閾値が所定の電位（０；−Ｖｂａｔ）に対応している二番目の動作モードの間で切り替えるように構成される保護装置を導体（Ｔ，Ｒ）とリレー（Ｉ１，Ｉ２）の間に含むことを特徴とする保護システム。
【請求項８】
閾値を設定するためのそれぞれの手段が関連のあるスイッチング手段（Ｔｈ１−Ｚ１；Ｔｈ２−Ｚ２）の制御端子を所定の電位（０，−Ｖｂａｔ）に接続するスイッチ（Ｋ１，Ｋ２）を含み、該制御端子が更にアバランシェダイオード（Ｚ１，Ｚ２）を通り接地されていることを特徴とする請求項７に記載の過負荷に対する保護システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電話交換局、より詳細には電話線と交換局の間のインターフェイスの過電圧に対する保護に関する。現在、当業者には加入者線インターフェイス回路（ＳＬＩＣ）と呼ばれているこの種のインターフェイスは一般に例えば８本の電話線を受ける基板から構成されている。
【０００２】
本発明は以下ではこれを応用した枠組みの中で記載するが、本発明は他の電気または電子回路に接続される一つまたは幾つかの電気的導体の保護にも適用できる保護システムを提供することに注目しなければならない。
【０００３】
【従来の技術】
図１はＳＬＩＣの従来の実施態様を示している。加入者電話線の導体Ｔ及びＲ（チップ及びリング）とＳＬＩＣインターフェイス１の間に、リンギングリレーと呼ばれる反転用リレーの回路２が置かれている。リンギングリレーは二つの動作モードの間で電話線を切り替える役目をする。一番目の所謂“リンギング”動作モードにより導体Ｔ及びＲはそれぞれリレーＩ１及びＩ２を通し電話線３ａ及び３ｂを経由してリンギング発生器３に接続される。（図１に示している）二番目の所謂“音声”動作モードでは、導体Ｔ及びＲはリレーＩ１及びＩ２を通り、電話線Ｅ1 及びＥ2 を経由して回路１に接続されている。
【０００４】
ＳＬＩＣ回路１は該２つの動作モードの間でトランジスタを制御している。回路１はリレーＩ１及びＩ２を動作させるブロック５を制御するための二つの状態の信号を発生する制御出力４を有している。ブロック５の制御は一般にトランジスタＴｃを通して行われ、該トランジスタのトランスミッタは接地され、コレクタはブロック５の制御入力に接続され、ベースは抵抗Ｒｃを通して端子４に接続されている。ブロック５は正電圧Ｖ（一般的には約５ボルト）が供給されている。他の方法として、トランジスタＴｃと抵抗Ｒｃからなる構成部品はＳＬＩＣ回路１内に集約することができる。
【０００５】
ＳＬＩＣ回路とリンギング発生器３の通常の保護は線路とリレー回路２の間に保護装置６を置き、更にＳＬＩＣ回路１と回路２の間に保護装置７を置くことにより行われる。
【０００６】
装置６は線路電圧が所定の閾値、例えば±２００ボルトの電圧を越えるとすぐ、導体Ｔ及びＲの一方または他方を接地することにより、リレーＩ１及びＩ２が線路に接続される時（リンギングモード）リンギング発生器３を保護する。電圧の閾値の選択はリンギング発生器の動作モードにより決定される。該リンギングモードでは、リンギング信号と呼ばれる交流電圧は線路に加えられ、一般に実効値が５０ボルトから１００ボルトの間のピーク値を有している。装置６の機能は該リンギングピーク電圧より高いあらゆる電圧を押えることである。
【０００７】
保護装置７はリレー回路２の接点が線路に接続される時（図１に示す位置で、通話モード）ＳＬＩＣ回路１を保護する機能を有している。装置７は線路上の電圧が線路上の通常の電圧レベルに対応した所定の閾値を越えるとすぐ接続子ＴまたはＲの一方または他方を接地する働きをする。通話モードでは、回路１には基準として接地を使用した一般に直流−３０ボルトと−７０ボルトの間に入る負電圧（例えば−４８ボルト）が供給されている。この電圧は“バッテリー電圧”と呼ばれている。線路側にある回路１のそれぞれＥ1 及びＥ2 の入力は該バッテリー電圧より負であるあらゆる電圧と共に、あらゆる正の電圧から保護される。
【０００８】
保護装置６及び７は一般に所謂クローバー装置である。典型的な保護装置の実施例及び該保護装置の例の電流−電圧特性をそれぞれ図２Ａ及び図２Ｂに示している。
【０００９】
図２Ａは導体Ｔ又はＲの一方に対するクローバータイプの片側保護回路の従来の実施態様を示している。図２Ａにおいて、導体Ｔ及びＲのそれぞれと接地の間の構造は同じなので保護装置６の半分のみ示している。
【００１０】
図２Ａに示す保護として（導体Ｔの保護）、装置６は導体Ｔと接地の間に取り付けられた１番目のアノード−ゲートサイリスタＴｈ1 を含んでおり、該サイリスタのカソードは接地されている。サイリスタＴｈ1 のゲートはアバランシェダイオードＺ1 のカソードに接続され、そのアノードは接地されている。ダイオードＺ1 のアバランシェ電圧を越える正の過電圧が導体Ｔに生ずると、ダイオードＺ1 はアバランシェを開始し、サイリスタＴｈ1 をオンにする。装置６は導体Ｔと接地の間に取り付けられた二番目のカソード−ゲートサイリスタＴｈ2 を含んでおり、そのアノードは接地されている。サイリスタＴｈ2 のゲートはサイリスタＴｈ1 に関連したアバランシェダイオードＺ1 のバイアスと反対にバイアスされ取り付けられた二番目のアバランシェダイオードＺ2 を通して接地されている。ダイオードＺ2 はアバランシェ電圧を越える負の過電圧が導体Ｔに生ずる時アバランシェを開始し、サイリスタＴｈ2 がオンとなる。
【００１１】
ダイオードＺ1 及びＺ2 のアバランシェ電圧は例えば±２００ボルトである回路保護閾値電圧に対応して設定される。
【００１２】
図２Ｂは図２Ａに示すような保護回路の電流−電圧特性を示している。この図はサイリスタＴｈ1 及びＴｈ2 の電圧Ｖt に基づき導通するサイリスタＴｈ1 及びＴｈ2 を通る電流Ｉt の形を示している。曲線の右側部分はサイリスタＴｈ1 及びダイオードＺ1 の動作に対応しており、曲線の左側部分はサイリスタＴｈ2 及びダイオードＺ2 の動作に対応している。
【００１３】
ＳＬＩＣと回路２の間にある保護装置７は装置６の保護装置と同じ構造を有しているが、例えば０ボルトと−５０ボルトのように異なる非対称のトリガ用閾値を有している。音声モードでは、装置６は装置７が最初にトリガされるので必要ないことに注意する必要がある。
【００１４】
図１に示すようなシステンムの欠点は、離れて電源が供給され取り付けられる少なくとも二つの保護装置が必要であるので、保護の費用が高いことである。
【００１５】
この種のシステムの他の欠点は、リレーＩ１とＩ２により線路がＳＬＩＣ回路１に接続される時過電圧を生ずるならば保護装置７は動作を開始する。しかし、過負荷の期間、強い電流がリレーＩ１及びＩ２の接点を通して流れ、これにより該接点に損傷を与える危険が生じ、静止リレーを使用することができない。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は過負荷の場合リンギングリレー内に過度な電流の発生を避けることができる加入者のインターフェイスを保護する新規なシステムを提示することにより周知の保護システムの欠点を解決している。
【００１７】
より一般的には、本発明は少なくとも一つのリレーを通し少なくとも一つの導体に接続された回路を保護し、異なる保護の閾値を有することが求められているシステムを提示している。
【００１８】
これらの目的を達成するため、本発明は電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間の過負荷に対し保護を行うための方法を提示している。本方法は加入者線とリレーとの間に、単独の保護装置を接続する段階を含んでおり、該保護装置の動作のパラメータは該リレーを制御するため加入者インターフェイスが発生する信号に基づき決定される。
【００１９】
言い換えれば、本発明は電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間のインターフェイス内の過負荷に対し保護するための装置を提示しており、該保護装置は線路の各導体に対し、過電圧が閾値を越える場合該導体を接地する少なくとも一つのスイッチング手段と、該リレーを制御するための信号に基づく閾値を自動的に設定するための少なくとも一つの手段とを含んでいる。
【００２０】
本発明の一つの実施態様によれば、該閾値を設定するための手段は該スイッチング手段の電圧制御端子と所定の電位との間に取り付けられたスイッチを含み、該スイッチはインターフェイスが発生し該リレーを制御するための信号の状態に基づき制御される。
【００２１】
本発明の他の実施態様によれば、該スイッチング手段は導体と接地との間に取り付けられたサイリスタを含み、該サイリスタのゲートはアバランシェダイオードを介して接地されており、前記スイッチング手段の動作モードを、閾値がダイオードのアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、該閾値が所定の電位に対応している二番目の動作モードとの間に設定する設定手段がもうけられる。
【００２２】
本発明の更に他の実施態様によれば、該スイッチは該リレーを制御する信号の状態に応じて制御されるトランジスタを含んでいる。
【００２３】
本発明の更に他の実施態様によれば、該装置は各導体に対し正の過電圧に対し保護する一番目のユニットと、負の過電圧に対し保護する二番目のユニットを含んでおり、それぞれのユニットはスイッチング手段に関連したスイッチを含んでいる。
【００２４】
本発明の更に他の実施態様によれば、一番目のユニットのスイッチに関連した所定の電位は接地電圧であり、二番目のユニットのスイッチに関連した所定の電位はインターフェイスのバッテリー電位に対応している。
【００２５】
本発明の他の様相によれば、電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間の過負荷に対する保護のシステムは線路とリレーとの間に結合された単独の保護装置を含んでいる。
【００２６】
本発明の更に他の様相によれば、少なくとも一つのリレーを通り少なくとも一つの導体に接続される二つの回路を過負荷に対し保護するシステムは、導体と二つの電圧制御スイッチング手段を含むリレーとの間に結合された保護装置を含んでおり、過電圧が二つの閾値の間の一つを越えた時該導体を基準電位に接続し、該閾値により該回路の一つに関連した動作範囲が定められる。保護装置は更に該リレーを制御する信号に基づき閾値のそれぞれを自動的に設定する二つの手段を含んでいる。
【００２７】
本発明の更に他の実施態様によれば、閾値を設定するそれぞれの手段は関連したスイッチング手段の制御端子を所定の電位に接続するスイッチを含んでおり、該制御端子は更にアバランシェダイオードを通り接地されている。
【００２８】
本発明のこれらの目的、特徴及び利点は他のものと同様に添付の図面に関連して述べる本発明の実施態様の以下の詳細な記載から明らかになる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
明確にするため、同じ構成部品は異なる図面でも同じ参照番号により記載している。
【００３０】
図３は本発明に基づく保護システムの一番目の実施態様を示している。
【００３１】
本発明の特徴はＳＬＩＣ回路１とリンギング発生器３の両方に対し単独の保護装置１０を与えることである。図３は図１と同じタイプの図であるが、従来の保護装置６と７は（図１）本発明に基づくただ１つの保護装置１０で置き換えられている。
【００３２】
前述のように、コイルで制御されたリンギングリレーＩ１及びＩ２又は他の検出及び制御回路を含む回路２は一方では加入者線（導体Ｔ及びＲ）に、他方ではＳＬＩＣインターフェイス１及びリンギング発生器３に接続されている。
【００３３】
本発明の特徴は保護装置１０がリレーＩ１及びＩ２の位置に基づく二つの動作モードを有していることである。装置１０の動作モードの選択は一番目の出力端子４を通して回路１が発生し回路２を制御する信号により行われる。
【００３４】
装置１０は回路２と線路の間に置かれ、過負荷がリレーＩ１及びＩ２に届く前に電話線から過負荷を押える。本発明に基づく保護装置は更にリレー回路２も保護し、静止リレーの使用を可能にする。
【００３５】
図４は装置１０の一番目の部分的な実施態様の一部の概略を示している。図４では、装置１０の半分のみ示している（導体Ｔ又はＲの一方の過負荷に対する保護を行う）。全体の保護装置１０は図４に示すような二つの構成部品を含んでおり、それぞれ導体Ｔ及びＲに関連している。
【００３６】
本発明によれば、保護装置１０はそれぞれの導体Ｒ又はＴに対し、正の過電圧に対するユニット１１と負の過電圧に対するユニット１２を含んでいる。
【００３７】
ユニット１１は導体Ｔ又はＲと接地の間に取り付けられたアノード−ゲートサイリスタＴｈ1 を含んでいる。サイリスタＴｈ1 のゲートも一番目のアバランシェダイオードＺ1 を通して接地されている。
【００３８】
本発明の特徴は一番目のスイッチＫ１がダイオードＺ１と並列に取り付けられており、リレー回路２を制御するための信号４により制御されていることである。
【００３９】
スイッチＫ１の機能はリレーＩ１及びＩ２（図３）が線路とインターフェイス１の間の接触を行う時（音声モード）アバランシェダイオードＺ1 の回路を短絡することにより保護にトリガーをかける所定の電位を設定し正の電圧が導体Ｔ又はＲに現れるとすぐにサイリスタＴｈ1 をオンにすることである。
【００４０】
リンギングモードでは、即ち導体Ｔ及びＲとリンギング発生器３との間の接触が行われる時、スイッチＫ１はオープンでありアバランシェダイオードＺ1 に関連したサイリスタＴｈ1 は図２Ａに示す従来の装置のように動作する。
【００４１】
ユニット１２は導体Ｔ又はＲと接地との間に取り付けられたカソード−ゲートサイリスタＴｈ2 を含んでいる。サイリスタＴｈ2 のゲートもアバランシェダイオードＺ2 を通して接地されている。
【００４２】
本発明の特徴はユニット１２がサイリスタＴｈ2 のゲートと負の電位−Ｖｂａｔとの間に二番目のスイッチＫ２を含んでいることであり、該負の電位はインターフェイス１を保護するための負の電位の閾値、即ちバッテリー電圧−Ｖｂａｔに対応して決定される。
【００４３】
スイッチＫ２はリレーＩ１及びＩ２が線路とＳＬＩＣインターフェイス１の間の接触を行うように置かれている時（音声モード）サイリスタＴｈ2 のゲートの電位を電位−Ｖｂａｔにする機能を有している。電位−ＶｂａｔはスイッチＫ２の端子を加入者基板、例えばＳＬＩＣインターフェイス１の二番目の出力端子１３に存在するバッテリー電圧に接続することにより得られる。このように、音声モードでは、線路Ｔ又はＲの上の電位が−Ｖｂａｔより更に負になるとすぐ保護が働く。本発明によれば、スイッチＫ２はスイッチＫ１のように信号４により制御される。
【００４４】
リンギングモードでは、スイッチＫ２はオフであり、ユニット１２は図２Ａに関連して述べた従来の回路と同じく動作する。
【００４５】
このように各スイッチＫ１又はＫ２はユニットのトリガー用電位をリレーＩ１及びＩ２の制御用信号の状態に基づく所望の値に自動的に設定する手段１１、  １２を構成している。Ｚ1 又はＺ2 であるダイオードのアバランシェ電圧に対応したトリガー用電位の一番目の値と、０又は−Ｖｂａｔである所定の電位に対応した二番目の値にそれぞれＫ１又はＫ２のスイッチが接続される。
【００４６】
このように、本発明に基づく保護装置１０のパラメータは二つの動作モード（音声及びリンギング）の間で決定される。更に、該動作モードの選択は本発明に基づきＳＬＩＣインターフェイスで利用される制御信号により自動的に行われ、従来の回路のようにリレー回路２を制御することを意味している。
【００４７】
本発明の利点は、単独の保護装置がＳＬＩＣインターフェイス１、リンギング発生器３更にリレー回路２も線路からの過電圧に対し保護している。
【００４８】
図５及び図６はそれぞれ本発明に基づく保護装置に部品が追加された二つの詳細な実施態様を示している。図５に示す最初の実施態様は図３に示すようなシステムに対する保護装置の実際的な実施例に対応しており、リレー回路２の制御トランジスタＴｃ及び制御抵抗ＲｃはＳＬＩＣインターフェイス１の外側にある。図６に示す二番目の実施態様は、ＳＬＩＣ回路が制御トランジスタＴｃと抵抗Ｒｃを集約しており、出力４に一番目の実施態様に対し反転された制御信号を発生するシステムに使用されている。
【００４９】
図５に示す一番目の実施態様では、スイッチＫ１はＮＰＮ両極性トランジスタＴ１からなり、該トランジスタのトランスミッタは接地され、コレクタはサイリスタＴｈ1 のゲートに接続されている。トランジスタＴ１のベースは保護抵抗Ｒｐを通り導体Ｔ又はＲに接続されていると共にＮＰＮトランジスタＴ３のコレクタに接続されている。トランジスタＴ３はそのベースに抵抗Ｒ１を通り、ＳＬＩＣインターフェイス１の端子４が発生する制御信号を受ける。トランジスタＴ３のトランスミッタは接地されていると共に、抵抗Ｒ２を通りベースに接続されている。抵抗Ｒ１及びＲ２の機能はトランジスタＴ３にバイアスを与えることである。
【００５０】
図５に示す実施態様では、端子４が発生する制御信号は音声モードではローの状態（０ボルト）にあり、リンギングモードではハイの状態（５ボルト）にあると仮定している。
【００５１】
リンギングモードではトランジスタＴ３は抵抗Ｒ１を通りベース電流を受けこのように飽和する。トランジスタＴ１はそのベースがゼロボルトのレベルにあるのでこのように動作を停止する。これはスイッチＫ１のオフ状態に対応している。
【００５２】
音声モードでは、トランジスタＴ３は動作を停止し、導体Ｔ又はＲの電圧が正の時トランジスタＴ１のベースはこの様に電流を受ける。この様に、導体Ｔ又はＲの電圧が正になるとすぐにトランジスタＴ１は飽和し、更にこの様にあらゆる正の過電圧を押える。トランジスタＴ１の保護抵抗Ｒｐはこのトランジスタが飽和する様に選択されている。
【００５３】
例えば、特別な実施態様では、１ｋΩの値が抵抗Ｒ１及びＲ２用に選択でき、１０ｋΩの値が抵抗Ｒ３用に選択できる。
【００５４】
ユニット１２のスイッチＫ２はＮＰＮタイプの両極性トランジスタＴ２からなり、該トランジスタのトランスミッタはサイリスタＴｈ2 のゲートに接続され、コレクタは電圧−Ｖｂａｔを発生する端子１３に接続されている。トランジスタＴ２のベースは抵抗Ｒ７を通りＰＮＰ両極性トランジスタＴ４のコレクタに接続され、そのトランスミッタは接地され、更にベースは抵抗Ｒ４を通して端子４に接続されている。トランジスタＴ２のベースも抵抗Ｒ５を通りそのトランスミッタに接続され、トランジスタＴ４のベースは抵抗Ｒ６を通りトランジスタＴ２のコレクタに接続されている。
【００５５】
リンギングモードでは、トランジスタＴ４のベース−トランスミッタ接合は端子４が正の電位にあるので逆バイアスされている。トランジスタＴ４はこの様に動作が停止され、トランジスタＴ２も抵抗Ｒ５により動作が停止されている。これはスイッチＫ２のオフ状態に対応している。
【００５６】
音声モードでは、トランジスタＴ４は抵抗Ｒ４及びＲ６によりバイアスされ、この様に飽和している。この様に、電流は飽和するトランジスタＴ２のベースを通して流れる。これはスイッチＫ２のオン状態に対応している。
【００５７】
抵抗Ｒ５の値はトランジスタＴ２の動作の停止がリンギングモードになる様に選択されている。トランジスタＴ４のバイアス電圧を分割するブリッジを構成する抵抗Ｒ４とＲ６は、端子４がゼロ電位である時それらの中間点（トランジスタＴ４のベース）が−０．６ボルト未満の電位である様に選択され、更に端子４が他の状態に対応した電位（例えば５ボルト）である時トランジスタＴ４のベースが−０．６ボルトを越える電位である様に選択される。
【００５８】
例えば、特別な実施態様では、抵抗Ｒ４は１００Ωの値を、抵抗Ｒ５は１ＭΩの値を、更に抵抗Ｒ６は４．７ｋΩの値を有している。
【００５９】
トランジスタＴ１（ユニット１１）及びＴ２（ユニット１２）はダイオードＺ1 及びＺ2 のアバランシェ電圧に少なくとも等しい電圧を生ずる様に選択されている。この状態はトランジスタＴ３のみが端子４の制御電圧を見ているのでトランジスタＴ３（ユニット１１）には必要でない。
【００６０】
前述の記載では、過電圧が無視できる場合、サイリスタＴｈ1 及びＴｈ2 のスイッチングにベース−エミッタ間の電圧、及び抵抗による電圧の影響がある。
【００６１】
図６は制御トランジスタＴｃと制御抵抗ＲｃがＳＬＩＣインターフェイス回路１に集約され、更に端子４がリンギング状態ではロー状態にあり音声モードではハイ状態にある制御信号を発生する場合の保護装置１０の二番目の詳細な実施態様を示している。
【００６２】
この場合、図５のユニット１１のトランジスタＴ３はもはや必要ではなく、ユニット１１’の抵抗Ｒ２（図６）は直接トランジスタＴ１に取り付けられる。ユニット１２’に対し、インターフェイス１の端子４から発生する信号は反転される必要がある。これを行うため、抵抗Ｒ３とＮＰＮ両極性トランジスタＴ５は端子４とトランジスタＴ４のベースの間に挿入されている。トランジスタＴ５のコレクタはトランジスタＴ４のベースに接続されているが、そのトランスミッタは接地されている。トランジスタＴ５のベースは抵抗Ｒ３を通り端子４に接続されている。
【００６３】
図６に示す実施態様の動作は図５に関連して述べた動作から推論できる。
【００６４】
本発明は当業者が容易に考えられる種々の変更、修正及び改善を有していることは勿論である。特に、抵抗の値の選択は保護装置の動作電圧により左右される。同様に、種々の両極性トランジスタは必要な場合ＭＯＳトランジスタと置き換えられる。
【００６５】
更に、本発明も回路がリレーを通して１つ又は幾つかの導体に接続され、保護の閾値が各回路に対し異なるあらゆるシステムに適用できる。この種の応用においては、基準電圧は接地でなく正又は負の電位であることに注意する必要がある。更に、あらゆるユニット１１又は１２は二つの導体の間で対称的に又は非対称的に動作する様に与えることができる。更に、保護される導体の数は必ずしも二つでなく多くの数とすることができる。
【００６６】
この種の変更、修正及び改善はこの開示の一部であり、本発明の精神及び範囲の中である。従って、前述の記載は一例であり、これにより制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図２Ａ】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図２Ｂ】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図３】本発明による保護システムの実施態様のブロック図である。
【図４】図３のシステムに適用でき本発明に基づく保護装置の一番目の実施態様の部分的及び概略的な図である。
【図５】本発明に基づく保護装置の一部の一番目の実施態様の詳細な電気回路図である。
【図６】本発明に基づく保護装置の一部の二番目の実施態様の詳細な電気回路図である。
【符号の説明】
１  ＳＬＩＣ回路
２  反転リレーの回路
３  リンギング発生器
４  制御出力
５  リレーＩ１及びＩ２を動作させるブロック
６  保護装置
７  保護装置
１０  単独の保護装置
１１  正の過電圧に対するユニット
１２  負の過電圧に対するユニット
１３  ＳＬＩＣインターフェイスの二番目の出力端子
【図１】
0003829400.tif 000002
【図２Ａ】
0003829400.tif 000003
【図２Ｂ】
0003829400.tif 000004
【図３】
0003829400.tif 000005
【図４】
0003829400.tif 000006
【図５】
0003829400.tif 000007
【図６】
0003829400.tif 000008