(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光結合器用パッケージ・リードフレーム（１０）であって、
所定フットプリント内に構成された複数のリード（１４，１６，１８，２２、３４，３６，３８，４４）と、
半導体ダイ（５０，４５及び５２，５４）を各々のフラグに取り付けるための、第１フラグ（２０）および第２フラグ（１２）の第１の対（４８）と、第１フラグ（３０）および第２フラグ（３２）の第２の対（５８）であって、前記第１フラグおよび第２フラグの対（４８，５８）は共通の中央線（２６，４０）を有し且つ前記リードフレーム内で向かい合って配置され、前記第１の対（４８）の前記第１フラグ（２０）は前記複数のリードの第１リード（１８）に結合され、前記第１の対（４８）の前記第２フラグ（１２）は前記複数のリードの第２リード（１４）に結合され、前記第２の対（５８）の前記第１フラグ（３０）は前記複数のリードの第３リード（３８）に結合され、前記第２の対（５８）の前記第２フラグ（３２）は前記複数のリードの第４リード（３４）に結合され、前記共通中央線（２６，４０）は前記リードフレームを二分する長手方向軸（２４）と９０度より小さい所定角度（２８，４２）を形成し、前記所定角度（２８，４２）は、前記リードフレームのクリティカルパス長対前記リードフレームの幅の比（リードフレームのクリティカルパス長／リードフレームの幅）のアークサインから決定される、第１フラグ（２０，３０）および第２フラグ（１２，３２）の対（４８，５８）と、
前記半導体ダイの各々を被覆するが、前記複数のリードの内のいくつか（１６，２２，３６，４４）のいかなる部分とも接触していない、それぞれのキャップ（４８，５８）とを備える、ことを特徴とする光結合器用パッケージ・リードフレーム。
【請求項２】
請求項１に記載された光結合器用パッケージ・リードフレーム（１０）において、
前記光結合器用パッケージ・リードフレームは、さらに、
複数のワイヤボンド（４６，６２，５６，６４）であって、それぞれのワイヤボンドは所定のダイを前記複数のリードのうちの所定の１つに連結し、それぞれのワイヤボンドの一部は前記それぞれのキャップで被覆されていない、複数のワイヤボンドを備える、ことを特徴とする光結合器用パッケージ・リードフレーム。
【請求項３】
光結合器用パッケージ・リードフレームの製造方法であって、
複数のリード（１４，１６，１８，２２，３４，３６，３８，４４）を有するリードフレーム・フットプリントを選択する段階と、
前記リードフレームを二分する前記リードフレーム・フットプリントの長手方向軸（２４）を決定する段階と、
第１の共通中央線（２６）に沿って、第１ダイ取り付けフラグ（２０）および第２ダイ取り付けフラグ（１２）を配置する段階と、
第２の共通中央線（４０）に沿って、第３ダイ取り付けフラグ（３０）および第４ダイ取り付けフラグ（３２）を配置する段階と、
前記リードフレームのクリティカルパス長対前記リードフレームの幅の比（リードフレームのクリティカルパス長／リードフレームの幅）のアークサインを算出することにより、９０度より小さい所定角度（２８，４２）を算出する段階と、
前記第１の中央線と前記長手方向線との間と、前記第２の中央線と前記長手方向線との間とに、９０度より小さい前記所定角（２８，４２）を形成する段階と、
前記第１ダイ取り付けフラグ（２０）および第２ダイ取り付けフラグ（１２）を、前記リードフレーム内に９０度より小さい前記所定角度（２８）で配置する段階と、
前記第３ダイ取り付けフラグ（３０）および第４ダイ取り付けフラグ（３２）を、前記リードフレーム内に９０度より小さい前記所定角度（４２）で配置する段階と、
前記第１ダイ取り付けフラグ（２０）を前記複数のリードの第１リード（１８）に結合する段階と、
前記第２ダイ取り付けフラグ（１２）を前記複数のリードの第２リード（１４）に結合する段階と、
前記第３ダイ取り付けフラグ（３０）を前記複数のリードの第３リード（３８）に結合する段階と、
前記第４ダイ取り付けフラグ（３２）を前記複数のリードの第４リード（３４）に結合する段階と、
複数のワイヤボンド・フラグ（２３，１７，４７，３７）を用意する段階であって、前記複数のワイヤボンド・フラグの第１ワイヤボンド・フラグ（２３）を前記複数のリードの第５リード（２２）に結合し、前記複数のワイヤボンド・フラグの第２ワイヤボンドフラグ（１７）を前記複数のリードの第６リード（１６）に結合し、前記複数のワイヤボンド・フラグの第３ワイヤボンド・フラグ（４７）を前記複数のリードの第７リード（４４）に結合し、前記複数のワイヤボンド・フラグの第４ワイヤボンドフラグ（３７）を前記複数のリードの第８リード（３６）に結合する段階と、
前記複数のワイヤボンド・フラグ（２３，１７，４７，３７）を覆うことなしに、前記第１ダイ及び前記第２ダイを第１成形キャップで被覆し、前記第３ダイ及び前記第４ダイを第２成形キャップで被覆する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般的に半導体光結合素子(semiconductor optocoupler device)のパッケージに関し、更に特定すれば表面実装パッケージ用単一面リードフレームのアーキテクチャに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体光結合器は、低電圧回路と高電圧回路との間で電子信号を結合するために広く用いられている。光結合器は、２つの回路間に電気的絶縁を与えるので、当技術で一般的に知られているインターフェースの問題を低減することができる。かかる用途の一例は、電気モータとこのモータを制御するために用いられるマイクロコンピュータとの間のインターフェースである。マイクロプロセッサでモータを制御することが便利なだけでなく、モータの動作状態についてマイクロコンピュータにフィードバックすることも有益である。この種の用途でインターフェース機能を首尾良く果たすには、少なくとも一対の光結合器が必要となる。
【０００３】
過去においては、光結合器は、ＴＯ−５、ＴＯ−１８、および８本リード・デュアル・インライン・パッケージ(8-lead dual in-line package)に封入されていた。ＪＥＤＥＣ標準によるケース外形サイズおよびフットプリントの制限、ならびにＵＬ１５７７およびＶＤＥ８８４標準による制約という業界の理由により、所与のパッケージに収容し得るのは事実上一対の光結合器だけである。したがって、所望のモータ制御を容易に行うには、パッケージが２つ必要となる。更に、ＴＯ−５、ＴＯ−１８、およびデュアル・インライン・パッケージは元々高価である。また、一対以上の光結合器をＪＥＤＥＣによって外形が限定された空間に容易に取り付けられるようにするにはリード・フレームが２つ必要となるので、光結合器のデュアル・インライン構造には余分な経費もかかることになる。この技術を用いると、光結合器対の各素子は、他方の素子とは反対側のリード・フレームに取り付けられる。この構成では、光結合器を構成する素子の整合のような、製造上の別の問題が生じる。フットプリントの制約のために、このパッケージの実施形態は、２対の光結合器を１つのパッケージに取り付けるという要件を容易に満たすことができない。したがって、光絶縁を実際に応用するための費用効率のよい解決案が達成されていない。
【０００４】
光結合器系のコストを更に低減させるためには、表面実装素子技術に移行することによって、光結合器系の微細化を図ることも望ましい。表面実装技術は製造および構成物の観点からも費用効率性が高いことは、当技術では一般的に公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、多数の光結合素子ダイ対を収容可能な、単一面リードフレーム・アーキテクチャを有する、小型表面実装パッケージが必要とされている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子素子用パッケージのリードフレーム・アーキテクチャ、および最少の単一標準外形パッケージに多数の光結合器ダイ対から成る素子を配置する方法に関するものである。複数対の光結合器ダイは、標準的な取り付け技法を用いて、単一面リードフレーム上に対向して取り付けられる。対をなす光結合器ダイが共通中央線を維持するように、検出器取り付けフラグ（パッド）および発光ダイオード（ＬＥＤ）フラグが構成される。共通中央線は、パッケージの長手方向軸との間で所定内角を形成する。共通中央線は、ＬＥＤフラグおよび対応する検出器フラグを二分する。所定角を選択する方法は、所与のパッケージ・フットプリントに対してリードフレームを最適化し、光結合素子の規制および製造要件に適応しつつ、一対以上の光結合器ダイをリードフレーム上に取り付け可能にする。
【０００７】
光結合器は、少なくとも１つのエミッタを含む半導体素子であり、ある種の絶縁媒体を介して光検出器に光学的に結合される。エミッタはＬＥＤとすることができ、一方検出器はフォトトランジスタである。かかる構成によって、エミッタを含む入力回路から検出器を含む出力回路までの、電気的情報の光学的経路が形成される。２つの独立した光結合器を含む二重チャンネル光結合器は、素子の高密度化、プリント回路基板設計の簡素化、または同一制御およびフィードバック信号経路を必要とする用途のインターフェースに用いられる。
【０００８】
【実施例】
図１を参照すると、ＳＯ−８標準スモール・アウトライン・プラスチック・パッケージに準拠した二重チャンネル８ピン光結合器が、モールド本体内に示されている。リードフレーム１０は、光結合器の１対のエミッタ−検出器ダイを取り付けるための、ＬＥＤフラグ１２とフォトトランジスタ検出器フラグ２０とを含む。同様に、光結合器の第２対のエミッタ−検出器ダイの取り付けができるように、ＬＥＤフラグ３２およびフォトトランジスタ検出器フラグ３０も備えられている。エミッタ・フラグ２３，４７は、フォトトランジスタ検出器フラグ２０，３０に取り付けられるフォトトランジスタ検出器ダイに、ワイヤ・ボンド用領域を提供する。アノード・フラグ１７，３７は、それぞれＬＥＤフラグ１２，３２に取り付けられるＬＥＤエミッタ・ダイに、ワイヤ・ボンド用領域を提供する。エミッタ・フラグ２３，４７は、それぞれエミッタ・リード２２，４４の一端に結合されている。フォトトランジスタ検出器フラグ２０，３０はそれぞれコレクタ・リード１８，３８の一端に結合されている。エミッタ・リード２２、コレクタ・リード１８、エミッタ・リード４４、およびコレクタ・リード３８の反対側の端部は、ダム・バー(dam bar)１１に共通に結合されている。ＬＥＤフラグ１２，３２は、それぞれカソード・リード１４，３４の一端に結合されている。アノード・リード１６，３６の一端は、それぞれアノード・フラグ１７，３７に結合されている。カソード・リード１４、アノード・リード１６、カソード・リード３４、およびアノード・リード３６の反対側の端部は、ダム・バー２１に共通に結合されている。ダム・バー１１，２１は、連続的にサイドレール(siderail)６６，６８に結合されている。ダム・バー１１，２１のサイドレール６６，６８に対する関係は、当業界では一般的に公知である。長手方向軸２４は、リードフレーム１０の中央線を規定し、ダム・バー１１およびダム・バー２１の間を等しく分割(displace)する。ＬＥＤフラグ１２は、検出器フラグ２０と共通の中央線２６に沿って、リードフレーム１０の内側に突出する形状となっている。共通中央線は、ＬＥＤフラグ１２および対応する検出器フラグ２０を二分する。同様に、ＬＥＤフラグ３２は、検出器フラグ３０と共通の中央線４０に沿って、リードフレーム１０の内側に突出する形状となっている。中央線２６は中央線４０と平行である。
【０００９】
リードフレーム１０の最適アーキテクチャ構成(optimum architecture configuration)を決定する際、エミッタ・リード２２，４４、コレクタ・リード１８，３８、カソード・リード１４，３４、およびアノード・リード１６，３６の位置は、所与のパッケージ・フットプリントによって決められる。中央線２６，４０と長手方向軸２４との交点に形成される角度２８，４２は、リードフレーム１０のアーキテクチャ設計において考慮しなければならない。角度２８，４２の決定に影響を与える数個の要因がある。かかる要因の１つは、ＳＯ−８パッケージ全体のサイズである。別の要因は、ＳＯ−８パッケージ・フットプリントに対して制定されたＪＥＤＥＣ標準によって組み込まれ、業界で受け入れられたパッケージ寸法規定(package dimensioning)に関係がある。標準ＳＯ−８、ＣＡＳＥ８４６−０１の寸法に対する制約は、パッケージ本体サイズでは０．１８２ないし０．２０２インチｘ０．１４４ないし０．１６４インチであり、リード間隔（リード間）は０．０５０インチとなっている。側面リード対側面の間隔は、０．２２４ないし０．２４４インチとなっている。
【００１０】
ＪＥＤＥＣ標準は、単一のダイをパッケージ内の中央に位置付けられたダイ・ボンド・パッド(die bond pad)上に取り付けるという構想の下で開発された。また、ＳＯ−８の応用に対する政府機関の規制要件(regulatory agency requirements)によって、光結合器のリードフレーム１０には他の要件も賦課されている。かかる要件の１つは、出力絶縁電圧(output isolation voltage)を１秒間に６０Ｈｚで２５００．０ボルトＲＭＳにするというものである。２５００．０ボルトの電圧を絶縁するには、放出導体と検出導体との間に少なくとも１７．５ミルの間隔がなければならない。１７．５ミルは、検出器フラグ２０とＬＥＤフラグ１２との間の距離であり、検出器フラグ３０とＬＥＤフラグ３２との間の距離でもある。更に、検出器フラグ２０，３０のようなダイ・ボンド・フラグ、およびエミッタ・フラグ２３，４７のようなワイヤ・ボンド・フラグ間にそれぞれ必要とされる電気的絶縁のためにも、別の制約が賦課される。同様に、ＬＥＤフラグ１２，３２、およびアノード・フラグ１７，３７間の電気的絶縁もそれぞれ設けなければならない。このような制約を受ける光電素子として用いる場合、最小１５ミルの間隔がなければならない。リードフレーム１０のアーキテクチャに影響を及ぼす二次的な要因は、図３に示すように、ダイ・キャップ４８，５８の位置付けである。図３に示すように、ＬＥＤダイ４５とフォトトランジスタ・ダイ５０との間、およびＬＥＤダイ５４とフォトトランジスタ・ダイ５２との間で最適な光透過が達成されるように、楕円形のダイ・キャップ４８，５８のための適当な空間をリードフレーム１０内に確保しなければならない。
【００１１】
以下に、図１の最適リードフレーム構造をどのように決定したかの一例を記載する。エミッタ・リード２２，４４、コレクタ・リード１８，３８、カソード・リード１４，３４，およびアノード・リード１６，３６は、ＪＥＤＥＣ標準仕様の要求通りの寸法に作られている。エミッタ・フラグ２３，４７およびアノード・フラグ１７，３７の幅は、０．０５４インチに選択されている。この幅は、ワイヤ・ボンディングを容易にするのに適した値である。検出器フラグ２０，３０は、０．０２５インチｘ０．０２５インチに設計されている。ＬＥＤフラグ１２，３２は、０．０１５インチｘ０．０１５インチに選択されている。フラグの寸法は、当該フラグ上に半導体ダイを取り付け易くなるように選択される。規制標準(regulatory standards)は、ＬＥＤフラグ１２と検出器フラグ２０との間の空間を最少０．０１７５インチとすることを間接的に要求している。同様に、ＬＥＤフラグ３２と検出器フラグ３０との間の空間も、最少０．０１７５インチにしなくてはならない。ダイ・キャップ４８およびダイ・キャップ５８の余裕(clearance)は、最少０．００５インチと指定されている。本例の目的は、１つのＳＯ−８パッケージ・フットプリントに、２対の光結合器ダイの配置を可能とする角度２８，４２の大きさを決定することである。角度２８の計算は、一対の光結合器ダイに対する関係を用いて行われる。同じ大きさの角度を角度４２にも適用し、リードフレーム１０に必要なアーキテクチャを完成する。最適な角度２８，４２を決定する最初の段階は、検出器フラグ２０の長さＤＬ、ＬＥＤフラグ１２の長さＬＬ、エミッタ・リード２２の長さＥＬ、アノード・リード１６の長さＡＬ、絶縁余裕ＩＣ、およびダイ・キャップの余裕ＤＣによって決定される、クリティカル・パス（ＣＰ）寸法を計算することである。検出器フラグ２０の長さＤＬ、ＬＥＤフラグ１２の長さＬＬ、エミッタ・リード２２の長さＥＬ、アノード・リード１６の長さＡＬ、および絶縁余裕ＩＣは図１に示されている。ダイ・キャップ余裕ＤＣは、ダイ・キャップ４８とエミッタ・フラグ２３またはアノード・フラグ１７との間の最短距離である。本発明によれば、クリティカル・パス長の計算式は、以下の式（１）で与えられる。
【００１２】
【数１】
ＣＰ＝ＤＬ＋ＬＬ＋ＥＬ＋ＡＬ＋ＩＣ＋ＤＣ （ｌ）
本例ではＣＰは０．１７０５インチである。クリティカル・パス長がリードフレーム１０の幅Ｗ以下である場合、最適化ではないが、角度２８が９０度に等しくなるようにリードフレームを設計することができる。０．１７０５インチというクリティカル・パス長はリードフレーム１０の幅よりも大きいので、中央線２６は長手方向軸２４と９０度の角度を作ることはできない。したがって、必要な角度２８を決定するためには、別の段階を実行しなければならない。本発明では、最適な角度２８を決定するための次の段階は、クリティカル・パスの寸法をリードフレーム１０の最少幅で除算することによって完了する。得られた数値の逆サイン関数、即ち、アーク・サイン関数を取ると、対応する角度の大きさが角度２８となる。以下の式（２）から、角度２８には５７．６３度という大きさが得られる。
【００１３】
【数２】
角度２８＝ｓｉｎ-1ＣＰ／Ｗ                                  （２）
これを角度４２にも適用する。このように、得られた角度２８，４２は、所与の対の光結合器ダイがパッケージのフットプリントおよびリードフレーム１０による制約の範囲内に納まるように、最適化されている。
【００１４】
検出器フラグ２０，３０は、ＬＥＤフラグ１２，３２と共に、先に示した寸法上の制約にしたがって、リードフレーム・フットプリント内に位置付けられ、各中央線２６，４０は、角度２８，４２にしたがって、整合されかつ位置付けられる。上述の例は、所与のＳＯ−８ＪＥＤＥＣによるフットプリントに対する要件として規定された、１組の寸法を反映させたものであることに注意されたい。工具の許容度および製造者のリードフレームの許容度に対する最終調節を行った後、角度２８，４２は６２．８度に調節された。角度２８の決定およびこれに対応する角度４２の決定は、製造およびプロセス許容度が変われば、変更することができる。したがって、本発明の原理は、他の矩形および正方形のパッケージ・フットプリントにも拡大することができる。本方法を正方形のフットプリントに用いる場合、長手方向軸２４はフットプリントの中央線として規定され、この長手方向軸２４の両対向側にリードがあるパッケージを二分する。
【００１５】
リードフレーム１０は、当技術では公知の打ち抜き技法(stamping techniques)を用い、打ち抜き工具(stamping tools)によってストリップ状に作成される。工具の設定は、寸法決めされたリードフレーム・ストリップの図面にしたがって行われる。リードフレーム１０に選択される材料は合金４２であるが、代わりに銅を用いることもできる。
【００１６】
図２に移ると、リードフレーム１０を多数(multiple arrangement)含んだリードフレーム・ストリップ７０の一部が示されている。リードフレーム・ストリップ７０は、本発明にしたがって作成されるリードフレーム１０のアーキテクチャを組み込むような寸法に作られる。また、リードフレーム・ストリップ７０の寸法は、最終的にパッケージに封入される光結合器素子のモールド、トリム・シンギュレート(trim singulate)、および形成に用いられる製造工具との互換性を保つように決められる。これら製造作業の詳細は、当業者にはよく知られているものである。図１の例では、１つのパターンに２４個のリードフレーム１０が２列共存して、リードフレーム・ストリップ７０を規定している。しかしながら、実際には、リードフレーム・ストリップは、本例に用いられた個々のリードフレーム１０の数や配列に限定される訳ではない。
【００１７】
図３を参照すると、本発明を利用した光結合器の応用例が、更に詳細に示されている。リードフレーム１０は、図１で説明したものである。図１に示した素子に加えて、図３は、検出器フラグ２０，３０上にそれぞれ取り付けられているフォトトランジスタ・ダイ５０，５２を含む。ＬＥＤダイ４５，５４は、それぞれＬＥＤフラグ１２，３２上に取り付けられている。ボンドワイヤ４６，５６，６２，６４が、フォトトランジスタ５０をエミッタ・フラグ２３に、フォトトランジスタ５２をエミッタ・フラグ４７に、ＬＥＤダイ４５をアノード・フラグ１７に、そしてＬＥＤダイ５４をアノード・フラグに、それぞれ結合する。ダイ・キャップ４８はフォトトランジスタ・ダイ５０およびＬＥＤダイ４５を被覆し、一方ダイ・キャップ５８はフォトトランジスタ・ダイ５２およびＬＥＤダイ５４を被覆する。
【００１８】
リードフレーム１０のアーキテクチャは、本発明にしたがって明示されている。リードフレーム１０は合金材料４２で作られる。ＬＥＤダイ４５は、砒化ガリウムで作られ、従来の金共晶ダイ接着技法(gold eutectic die attach techniques)を用いてＬＥＤフラグ１２に接着される。ＬＥＤダイ４５の背面側は、ＬＥＤのカソード接点となっており、カソード・リード１４を介して結合される。ＬＥＤダイ４５のアノード接点は、第１の上側に現れ、ワイヤボンド６２を介してアノード・フラグ１７に結合される。フォトトランジスタ・ダイ５０は、シリコンで作られ、金共晶ダイ接着技法を用いて、検出器フラグ２０に取り付けられる。フォトトランジスタ・ダイ５０の背面側はコレクタ接点となっており、コレクタ・リード１８を介して結合される。フォトトランジスタ・ダイ５０のエミッタ接点は、ダイの上表面上に位置する。エミッタ接点はボンド・ワイヤ４６を介してエミッタ・フラグ２３に結合されている。ＬＥＤダイ４５とフォトトランジスタ・ダイ５０は一対の光結合器ダイを形成する。ＬＥＤによって発生される光信号は、光媒体、この場合はダイ・キャップ４８を通じて、フォトトランジスタ５０のベースに伝送される。同様に、フォトトランジスタ・ダイ５２およびＬＥＤダイ５４は、それぞれ検出器フラグ３０およびＬＥＤフラグ３２に取り付けられ、それぞれコレクタ・リード３８およびカソード・リード３４に結合されている。ワイヤボンド５６は、フォトトランジスタ・ダイ５２のエミッタ接点をエミッタ・フラグ４７に結合し、ワイヤボンド６４はＬＥＤダイ５４のアノード接点をアノード・フラグ３７に結合する。フォトトランジスタ・ダイ５２およびＬＥＤダイ５４は第２の光結合器ダイ対を形成し、この一対のダイ間に光媒体を形成する、ダイ・キャップ５８によって被覆される。フォトトランジスタ・ダイ５０，５２は、これら自体の検出器フラグ２０，３０の外周内にそれぞれ収まっている。同様に、ＬＥＤダイ４５，５４も、これら自体のＬＥＤフラグ１２，３２の外周にそれぞれ収まっている。
【００１９】
上述の例では金共晶ダイ接着が用いられたが、導電性エポキシ・ダイ接着も同様に用いることができる。ワイヤボンド４６，５６，６２，６４は金化合物で作られ、熱音波法(thermosonic methods)を用いて取り付けられる。或いは、これらをアルミニウム化合物材料で作ることもできる。当技術では公知であるが、フォトトランジスタ・ダイ５０，５２は、光検出ダイオード(photo detector diode)で等価に置き換えることができる。ダイ・キャップ４８，５８は、光透過性および誘電体絶縁特性を表わすシリコン材料で作られる。シリコン材料は液体状でニードルを通じて、一対の光結合器ダイに射出される。この液体は周囲環境で硬化し、硬化プロセスの間、５０．０ないし７０．０パーセントの相対湿度を必要とする。
【００２０】
一旦リードフレーム１０のアセンブリが完成したなら、リードフレーム・ストリップ７０を成形プロセスに送り、ＬＥＤフラグ、半導体ダイ、検出器フラグ、パッケージ・リード、およびワイヤボンドを被覆する成形体(molded body)を形成する。成形プロセスは、トランスファー・エポキシ成形(transfer epoxy molding)であり、当業者にはよく知られているものである。一旦成形作業が完了したなら、成形リードフレーム・ストリップ７０にシンギュレーション処理(singulation operation)を施す。シンギュレーション処理の間、ダム・バー１１，２１およびサイドレール６８，６６は、リードフレーム・ストリップ７０から除去される。シンギュレーション処理は当技術では公知である。次にリードを必要な長さに調整(trim)し、形成してＳＯ−８光結合器・パッケージ構造体を完成する。
【００２１】
以上の説明から、本発明は、光結合器のような電子部品に応用するのに最適な、最少サイズのパッケージに収容可能なリードフレーム・アーキテクチャを提供することが認められよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】リードフレーム・ストリップの一部を示す上面図。
【図２】図１のリードフレーム部分を含むリードフレーム・ストリップの一部を示す図。
【図３】２対の光結合器ダイの構造を示す図１のリードフレームの応用を示す図。
【符号の説明】
１０  リードフレーム
１１，２１  ダム・バー
１２，３２  ＬＥＤフラグ
１４，１６，１８，２２  リード
１７，３７  アノード・フラグ
２０，３０  フォトトランジスタ検出器フラグ
２３，４７  エミッタ・フラグ
２４  長手方向軸
２６，４０  中央線
２８  角度
４５，５４  ＬＥＤダイ
４６，５６，６２，６４  ボンドワイヤ
４８，５８  ダイ・キャップ
５０，５２  フォトトランジスタ・ダイ
６６，６８  サイドレール
７０  リードフレーム・ストリップ
【図１】
0003754471.tif 000002
【図２】
0003754471.tif 000003
【図３】
0003754471.tif 000004