(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置において、
前記基板の裏面側には、前記ランドを前記端面電極に接続された主ランドと前記端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設け、
前記主ランドと補助ランドとは同一平面上に位置し、
前記仕切りには、前記主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を少なくとも１個以上形成し、
前記主ランドと補助ランドとのうち主ランドには半田を取付け、
前記先細り部は、前記基板をマザーボードに実装するときに前記主ランドに取付けた半田を補助ランドに向けて流出させる構成としたことを特徴とする回路基板装置。
【請求項２】
前記補助ランドには前記仕切りと離間した角隅に面取りを施す面取り部を形成し、
前記補助ランドは、前記基板をマザーボードに実装するときに前記先細り部から流出した半田によって全面が覆われる構成としてなる請求項１に記載の回路基板装置。
【請求項３】
前記主ランドは円形状または楕円形状に形成してなる請求項１または２に記載の回路基板装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品を予めサブアッセンブリ化してマザーボードに実装するのに好適に用いられる回路基板装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、回路基板装置としては、例えば複数の電子部品をモジュール基板上で予めサブアッセンブリ化する構成としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１２７１８８号公報
【０００４】
この種の従来技術による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に間隔をもって設けられ電子部品が接続される複数の端面電極と、該各端面電極と接続して基板の裏面側に設けられ該各端面電極と一緒にマザーボード側に半田付けされる複数のランドとにより構成されている。
【０００５】
ここで、端面電極は、例えば基板の板厚方向に延びた帯状の金属膜等により形成され、その一端側は基板の表面側に設けられた配線パターン等を介して電子部品と接続されている。また、端面電極の他端側は基板の裏面側に向けて延び、金属膜等からなるランドと一体に形成されている。この場合、ランドは、マザーボード側に安定的に半田付けできるように、十分な面積をもって形成されている。
【０００６】
このように構成される基板をマザーボードに実装するときには、まず基板の実装前に各端面電極やランドに対して半田をそれぞれ取付ける取付作業を行う。そして、この取付作業では、基板の各端面電極やランド等に一定量の半田を付着させて溶融し、これらの半田を表面張力及び自重によってランドから垂れ下がるように下向きに突出した状態で固化させる。
【０００７】
次に、この基板をマザーボードに載置し、各半田の突出端をマザーボード側に当接した状態で基板等を加熱すると、基板の各ランドとマザーボード側との間で半田が溶融して潰れ、これらが半田付けされる。このとき、例えば基板が反り等によって変形している場合でも、各半田が順次溶融して潰れることにより全ての半田がマザーボード側に接触するようになるので、基板の実装時には、突形状の半田によって基板の反り等を吸収する構成となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、基板の各ランドを十分な大きさに形成し、これらをマザーボード側に半田付けすることにより、基板をマザーボードに安定した状態で実装する構成としている。
【０００９】
しかし、ランドが大きく形成されていると、半田の取付作業時には、マザーボード側に突出すべき半田がランドに沿って薄く広がるようなるため、多量の半田をランドに付着させない限り、半田の突出寸法が不足して基板の反り等を吸収できないことがあり、ランドの接続不良等が生じ易くなるという問題がある。
【００１０】
これに対し、多量の半田をランドに付着させた場合には、半田の消費量が無駄に増えるだけでなく、基板を実装するときにランドとマザーボードとの間で溶融して潰れた半田が隣接するランド間を短絡することがあるため、半田の付着量を増やすには限界がある。
【００１１】
このため、従来技術では、ランドの面積と半田の突出寸法とをそれぞれ適切な大きさとして両立させるのが難しいため、基板をマザーボードに十分な取付強度で実装できなかったり、各ランド等の接続状態が不安定となることがあり、信頼性が低下するという問題がある。
【００１２】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、ランドの面積を大きくした場合でも、基板を実装するときにランド上で半田の突出寸法を十分に確保でき、基板の取付強度を高めてランドを安定的に接続できると共に、信頼性を向上できるようにした回路基板装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために本発明は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置に適用される。
【００１４】
そして、請求項１の発明が採用する構成の特徴は、基板の裏面側には、ランドを端面電極に接続された主ランドと端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設け、前記主ランドと補助ランドとは同一平面上に位置し、前記仕切りには、前記主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を少なくとも１個以上形成し、前記主ランドと補助ランドとのうち主ランドには半田を取付け、前記先細り部は、前記基板をマザーボードに実装するときに前記主ランドに取付けた半田を補助ランドに向けて流出させる構成としたことにある。
【００１５】
このように構成することにより、基板をマザーボードに実装する前には、例えば端面電極から主ランドにわたって半田を取付けることができ、このときに溶融した半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制することができる。これにより、主ランドに溜まる半田を表面張力及び自重によって下向きに突出した状態で固化できるから、基板の実装時には、この半田の突出部位をマザーボードに当接した状態で溶融でき、基板の反り等を吸収することができる。また、主ランドとマザーボードとの間から押出された半田が仕切りを乗越えて補助ランドに付着するので、主ランドと補助ランドの両方をマザーボード側に広い面積で半田付けすることができる。
【００１６】
また、仕切りには主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成したから、基板の実装時には、先細り部に半田を集中させて主ランドから補助ランドに向う半田の流出を促進することができ、半田が仕切りを乗越えるのを確実にすることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、基板に複数の主ランドを近付けて配設した場合であっても、これらの主ランド間に半田が流出することがなく、複数の主ランド間の短絡を防ぐことができる。
【００１７】
請求項２の発明によると、補助ランドには仕切りと離間した角隅に面取りを施す面取り部を形成し、前記補助ランドは、前記基板をマザーボードに実装するときに前記先細り部から流出した半田によって全面が覆われる構成としている。これにより、基板の実装時に、補助ランドの角隅に半田の塗り残しが生じるのを防ぐことができ、補助ランドの全面にわたって確実に半田で覆うことができる。
【００１８】
また、請求項３の発明によると、主ランドは円形状または楕円形状に形成する構成としている。これにより、例えば一定量の半田を主ランドに付着した状態で下向きに突出させる場合に、他の形状のランドと比較して半田の突出寸法を最も大きくすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による回路基板装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
ここで、図１ないし図９は本発明による第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、回路基板装置をモジュール基板に適用した場合を例に挙げて述べる。
【００２１】
１は回路基板装置の本体部分を構成する基板としてのモジュール基板で、該モジュール基板１は、図１ないし図４に示す如く、例えば絶縁性の樹脂材料等により四角形の平板状に形成され、表面１Ａ、裏面１Ｂ及び４辺の端面１Ｃを有している。また、基板１の各端面１Ｃには、例えば半円弧状をなす複数の凹溝１Ｄが間隔をもって設けられ、該各凹溝１Ｄは、基板１の板厚方向に延びて表面１Ａと裏面１Ｂとに開口している。
【００２２】
２はモジュール基板１の各端面１Ｃにそれぞれ間隔をもって設けられた複数の端面電極で、該各端面電極２は、例えば基板１の各凹溝１Ｄに金属膜等をめっき処理することにより凹円弧状に形成され、基板１の板厚方向に延びている。そして、端面電極２は、長さ方向の一端側が後述の配線パターン３に接続され、他端側が後述の主ランド８に接続されている。
【００２３】
３はモジュール基板１の表面１Ａに設けられた複数の配線パターンで、該各配線パターン３は、例えば細長い金属膜等により形成され、その端部側には、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続された半円弧状の接続部３Ａが設けられている。
【００２４】
４はモジュール基板１の表面１Ａに搭載された電子部品で、該電子部品４は、例えば半導体ＩＣ、トランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ、コイル等の受動素子からなる複数の素子により構成され、これらの素子は各配線パターン３等を介して端面電極２に接続されている。
【００２５】
そして、モジュール基板１は、電子部品４を基板１上で予めサブアッセンブリ化し、この状態で後述のマザーボード１１に実装される。また、電子部品４は、モジュール基板１の端面電極２等を介してマザーボード１１の配線パターン１２に接続されるものである。
【００２６】
５は後述のランド８，９を形成するためモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数の金属膜で、該各金属膜５は、図４ないし図６に示す如く、例えば細長い四角形状の薄膜として形成され、各端面電極２に対応する位置で基板１の外縁側から内側に向けて延びると共に、互いに間隔をもって配置されている。また、金属膜５は、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続されている。
【００２７】
６はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられたレジスト膜で、該レジスト膜６は、例えば絶縁性のレジスト材料等により形成され、金属膜５の一部を含めて基板１の裏面１Ｂを覆っている。また、レジスト膜６には、例えばエッチング処理等の手段により金属膜５上で開口する四角形状の開口６Ａ，６Ｂが各金属膜５毎に設けられ、該開口６Ａ，６Ｂは金属膜５の長さ方向に離間している。
【００２８】
７はレジスト膜６のうち開口６Ａ，６Ｂ間を仕切る部位により構成されたレジスト部材としての仕切りで、該仕切り７は、金属膜５を長さ方向の途中部位で横断する細長い隔壁として形成され、金属膜５からマザーボード１１に向けて下向きに突出している。
【００２９】
そして、仕切り７は、金属膜５を後述の主ランド８と補助ランド９とに区画している。これにより、図７に示す半田取付工程では、主ランド８の半田１３が補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制し、図８、図９に示す半田付け工程では、主ランド８とマザーボード１１との間から押出された半田１３が仕切り７を乗越えて補助ランド９に付着する構成となっている。
【００３０】
８はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数の主ランドで、該各主ランド８は、金属膜５のうちレジスト膜６の開口６Ａの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、基板１の外縁側で端面電極２と連続するように接続されている。そして、主ランド８は、半田取付工程において、端面電極２側から流下してくる半田１３を下向きに大きく突出させた状態で溜めるものである。
【００３１】
９はモジュール基板１の裏面１Ｂで各主ランド８の近傍に設けられた複数の補助ランドで、該各補助ランド９は、金属膜５のうちレジスト膜６の開口６Ｂの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、仕切り７によって主ランド８との間を仕切られている。また、補助ランド９は、主ランド８よりも基板１の内側で端面電極２から離れた位置に配設されている。
【００３２】
そして、補助ランド９は、半田１３を用いて端面電極２と主ランド８と一緒にマザーボード１１の配線パターン１２に接続される。これにより、ランド８，９は、これらの面積を合わせた広い接合面積をもって配線パターン１２に接合されるものである。この場合、主ランド８と各補助ランド９とは、レジスト膜６の開口６Ａ，６Ｂ内に配置され、その膜厚分だけレジスト膜６の裏面から窪んだ状態となっているため、モジュール基板１は、ランド８，９内に流れ込んだ半田１３が外側に食み出すのを防止でき、半田１３をランド８，９上に安定的に配置できる構成となっている。
【００３３】
１０は仕切り７に設けられた先細り部で、該先細り部１０は、金属膜５を横断して延びる仕切り７のうち例えば長さ方向のほぼ中央部に配置され、主ランド８から補助ランド９に向けて先細る（徐々に縮小する）略三角形状の切欠き１０Ａによって形成されている。そして、先細り部１０は、金属膜５のうち切欠き１０Ａの位置で露出した三角形状の露出部位により構成され、主ランド８と連続するように接続されている。
【００３４】
一方、１１はモジュール基板１が実装されるマザーボードで、該マザーボード１１には、図８、図９に示す如く、複数の配線パターン１２（１個のみ図示）と他の電子回路（図示せず）等とが設けられている。そして、これらの配線パターン１２には、基板１の各端面電極２とランド８，９とが半田１３を用いて接続されるものである。
【００３５】
本実施の形態による回路基板装置は上述の如き構成を有するもので、次に図７ないし図９を参照しつつ、モジュール基板１の実装方法について説明する。
【００３６】
まず、図７に示す半田取付工程では、基板１に対して、例えば各配線パターン３の接続部３Ａの位置に粒状の半田材料１３′を配置し、この半田材料１３′を溶融させる。これにより、半田材料１３′が溶融した半田１３は、図７中に実線で示す如く、接続部３Ａから端面電極２を介して主ランド８に流下し、これら濡れ性のよい部位にわたって延びた状態となる。
【００３７】
ここで、半田１３は、主ランド８から補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制されているため、半田１３のうち主ランド８に達した部位は、主ランド８に溜まるようになる。そして、この部位は表面張力及び自重によって主ランド８から垂れ下がり、下向きに大きく突出した突部１３Ａとなるので、この状態で半田１３を固化させる。この場合、突部１３Ａの突出寸法は、例えば接続部３Ａと主ランド８との面積比や半田材料１３′の量、粘度等に応じて調整することができる。
【００３８】
次に、図８、図９に示す基板実装工程では、まずモジュール基板１をマザーボード１１に載置し、各半田１３の突部１３Ａを配線パターン１２に対面させて、当接させる。
【００３９】
そして、この状態で各半田１３を加熱すると、図８に示すように、主ランド８と配線パターン１２との間で半田１３の突部１３Ａが溶融して潰れ、端面電極２と主ランド８とは、半田１３により配線パターン１２と接続される。この場合、例えば基板１やマザーボード１１の反り等により配線パターン１２に接触していない突部１３Ａがあったとしても、各半田１３が順次溶融して潰れることにより全ての半田１３が主ランド８と配線パターン１２とに接触するようになる。これにより、基板１の反り等を半田１３の突部１３Ａによって吸収でき、基板１の全ての端面電極２をマザーボード１１側に確実に接続することができる。
【００４０】
また、主ランド８と配線パターン１２との間で半田１３が溶融すると、半田１３には、モジュール基板１及び電子部品４の重さによって押し潰されて主ランド８からの流出を促す力が作用する共に、濡れ性のよい配線パターン１２に沿って拡張を促す力が作用する。これにより、半田１３は、これらの間から押出されることにより先細り部１０を介して仕切り７を乗越えて補助ランド９側に流動し、補助ランド９と配線パターン１２との間を接続する。
【００４１】
これにより、モジュール基板１を実装した状態では、図９に示す如く、各端面電極２を配線パターン１２に接続できるだけでなく、これらの位置で主ランド８と補助ランド９の両方を広い接合面積をもって配線パターン１２に接合することができる。
【００４２】
かくして、本実施の形態によれば、モジュール基板１の裏面１Ｂ側には、金属膜５を主ランド８と補助ランド９とに区画する仕切り７を設ける構成としたので、例えば基板１の実装前に半田１３を取付けるときには、半田１３が主ランド８から補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制でき、主ランド８に十分な量の半田１３を溜めることができると共に、これによって半田１３の突部１３Ａ等を下向きに大きく突出した状態で固化させることができる。
【００４３】
これにより、基板１をマザーボード１１に実装するときには、これらが反り等により変形していた場合でも、突形状の半田１３によって端面電極２と主ランド８とをマザーボード１１側の配線パターン１２に安定的に接続でき、これらの接続不良を確実に防止することができる。
【００４４】
また、基板１の実装時には、半田１３が仕切り７を乗越えることにより主ランド８と補助ランド９の両方を配線パターン１２に半田付けすることができ、これらの間に半田付けによる広い接合面積を確保できるから、基板１をマザーボード１１に高い強度で実装することができる。しかも、端面電極２と主ランド８とにわたって適量の半田１３を残すことができるから、基板１とマザーボード１１との間には、例えば略三角形状の適切な断面形状をもつ半田１３のフィレットを安定的に形成でき、これらの接合強度を高めることができると共に、両者が振動、衝撃等により剥がれるのを防止することができる。
【００４５】
従って、例えば半田１３の突部１３Ａが主ランド８から大きく突出するように主ランド８の面積を抑える構成としても、２個のランド８，９により基板１の接合強度を十分に確保でき、半田１３の突出寸法とランド８，９の接合面積とを容易に両立できると共に、信頼性を向上させることができる。
【００４６】
また、仕切り７をレジスト部材により形成したので、例えば金属膜５上に設けたレジスト膜６にエッチング処理等を施すだけで、仕切り７を正確な形状で容易に形成することができる。
【００４７】
ここで、本実施の形態と比較する比較例として、例えば仕切り７、補助ランド９等を形成していない場合について述べる。この場合、例えばマザーボード１１の反り等に対応するために主ランド８に多量の半田材料１３′を付着させると、例えば図９中に仮想線で示すように、半田１３″が主ランド８から外側に食み出して球状に盛上ることがある。この状態では、僅かな衝撃等でも半田１３″に亀裂が生じ易いため、基板１とマザーボード１１との接合強度が低下する。しかし、本実施の形態では、端面電極２と主ランド８に適量の半田１３を配置できるから、適切な形状の半田１３のフィレットを形成できるものである。
【００４８】
また、本実施の形態では、仕切り７に先細り部１０を設けたから、基板１の実装時には、図６中に矢示したように先細り部１０に半田１３を集中させて主ランド８から補助ランド９に向う半田１３の流出を促進することができる。このため、モジュール基板１や電子部品４が軽量で半田１３を押出す力が弱いときであっても、半田１３を確実に仕切り７を乗越えさせることができる。
【００４９】
また、半田１３の流出部位を先細り部１０に限定することができるから、基板１に複数の主ランド８を近付けて配設した場合であっても、隣合う主ランド８に向けて半田１３が流出することがなくなる。このため、複数の主ランド８間の短絡を防いでアイソレーションを向上でき、信頼性を高めることができる。
【００５０】
次に、図１０は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りをシルク部材により構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００５１】
２１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた仕切りで、該仕切り２１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、金属膜５を主ランド８と補助ランド９とに区画している。しかし、仕切り２１は、レジスト膜６′の一部ではなく、例えばインク、塗料等のシルク部材をシルク印刷等の手段によって金属膜５に印刷することにより形成されている。また、仕切り２１には主ランド８から補助ランド９に向けて先細る先細り部２２が形成されている。
【００５２】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、例えばシルク印刷等の手段を用いて仕切り２１を容易に形成でき、その形状や寸法等をより簡単に変更することができる。
【００５３】
次に、図１１は本発明による第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、主ランドと補助ランドとを別個の金属膜により形成し、仕切りを該各金属膜間の間隙によって構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００５４】
３１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド３１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、例えば略四角形状の金属膜等により形成され、基板１の外縁側で端面電極２と連続するように接続されている。
【００５５】
３２は例えば主ランド３１と別体の金属膜等を用いてモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた補助ランドで、該補助ランド３２は、第１の実施の形態とほぼ同様に、主ランド３１から基板１の内側に一定の間隔分だけ離間している。
【００５６】
３３は主ランド３１と補助ランド３２との間を仕切る仕切りで、該仕切り３３は、ランド３１，３２間の間隙（隙間空間）によって構成されている。また、仕切り３３には主ランド３１から補助ランド３２に向けて先細る先細り部３４が形成され、該先細り部３４は主ランド３１に連続するように接続されている。
【００５７】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、仕切り３３をランド３１，３２間の間隙により構成したので、仕切り３３の構造をより簡略化でき、これを容易に形成することができる。
【００５８】
次に、図１２は本発明による第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、主ランドを半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００５９】
４１はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた四角形状の金属膜で、該金属膜４１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続されている。
【００６０】
４２はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられたレジスト膜で、該レジスト膜４２は、金属膜４１の周縁部位等を含めて基板１の裏面１Ｂ側を覆っている。また、レジスト膜４２には、金属膜４１上に開口する円形状または楕円形状（以下、略円形状という）の開口４２Ａと、該開口４２Ａを取囲む位置で金属膜４１上に開口する他の開口４２Ｂ，４２Ｃとが設けられ、これらの開口４２Ａ〜４２Ｃを合わせた開口全体の形状は、金属板４１よりも僅かに小さな略四角形状となっている。
【００６１】
４３はレジスト膜４２のうち開口４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ間を仕切る部位により構成された仕切りで、該仕切り４３は、金属膜４１上を略円弧状に延びる細長い隔壁として形成され、レジスト膜４２の開口４２Ａの周壁を構成すると共に、金属膜４１からマザーボード側に向けて下向きに突出している。そして、仕切り４３は、第１の実施の形態とほぼ同様に、金属膜４１を後述の主ランド４４と補助ランド４５，４６とに区画しているものである。
【００６２】
４４はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド４４は、金属膜４１のうちレジスト膜４２の開口４２Ａ内に露出した部位からなり、基板１の端面電極２を取囲むように配置されると共に、端面電極２と接続されている。
【００６３】
ここで、主ランド４４は、仕切り４３に取囲まれることによって略円形状に形成されている。これにより、半田取付工程では、例えば一定量の半田１３を主ランド４４に付着した状態で下向きに突出させる場合に、他の形状のランドと比較して半田１３の突出寸法を最も大きくすることができる。即ち、例えば四角形状のランドに半田を付着させる場合には、半田がランドの中央部と角隅部とにわたって薄肉に広がるため、半田の突出寸法は主ランド４４の場合と比較的して小さくなる。これに対し、本実施の形態では、例えば半田付けに必要最低限の量の半田１３を主ランド４４に付着させることにより、その突出寸法を可能な限り大きく形成できるものである。
【００６４】
また、主ランド４４は、例えば半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成され、その輪郭をなす円弧状縁部４４Ａは１８０°よりも大きな中心角をもって延びると共に、該円弧状縁部４４Ａの中心Ｏは基板１の端面１Ｃから内側に離れた位置に配置されている。そして、主ランド４４の幅寸法（基板１の端面１Ｃと平行な方向に対する寸法）は、端面１Ｃから離れた位置で直径Ｄと等しい最大の幅寸法となっている。これにより、半田取付工程では、主ランド４４の面積を十分に大きくして必要な量の半田１３を確実に付着させることができ、また半田１３の突出寸法を主ランド４４の直径Ｄに応じて所望の大きさに設定できるものである。
【００６５】
４５は主ランド４４の近傍に設けられた補助ランドで、該補助ランド４５は、金属膜４１のうちレジスト膜４２の開口４２Ｂ内に露出した部位からなり、端面電極２から離れた位置に配置されている。また、補助ランド４５のうち主ランド４４と隣接する周縁側の部位には、主ランド４４と一定の間隔をもって略円弧状に延びる円弧状縁部４５Ａが形成されている。また、主ランド４４の両側には、基板１の端面１Ｃ側に位置してレジスト膜４２の開口４２Ｃ内に露出した他の補助ランド４６が設けられている。また、主ランド４４と補助ランド４５との間の仕切り４３には、主ランド４４から補助ランド４５に向けて先細る先細り部４７が形成されている。
【００６６】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、主ランド４４を半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成したので、モジュール基板１に半田１３を取付けるときには、例えば必要最低限の量の半田１３を主ランド４４に付着させるだけで、基板１から下向きに突出する半田１３の突出寸法を十分に大きくすることができ、しかも主ランド４４の直径Ｄに応じて突出寸法を所望の大きさに調整することができる。従って、主ランド４４に付着させる半田１３を適切な量に抑えつつ、モジュール基板１やマザーボード１０の反り等を半田１３によって確実に吸収することができる。
【００６７】
次に、図１３は本発明による第５の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、略円形状の主ランドと周囲の補助ランドとを別個の金属膜により形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００６８】
５１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド５１は、第４の実施の形態とほぼ同様に、例えば略円形状の金属膜等によって形成され、１８０°よりも大きく延びた円弧状縁部５１Ａを有し、基板１の端面電極２と接続されている。
【００６９】
５２，５３は主ランド５１の近傍に設けられた補助ランドで、該補助ランド５２，５３は、第４の実施の形態とほぼ同様に、端面電極２から離れた位置で主ランド５１と一定の間隔をもって配置されている。そして、これらのランド５１，５２，５３は互いに別個の金属膜等を形成されている。
【００７０】
５４は主ランド５１と補助ランド５２，５３との間を仕切る略円弧状の仕切りで、該仕切り５４は、主ランド５１と補助ランド５２，５３との間の間隙によって構成されている。また、仕切り５４には主ランド５１から補助ランド５２に向けて先細る先細り部５５が形成され、該先細り部５５は主ランド５１に連続するように接続されている。
【００７１】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１，第３，第４の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【００７２】
次に、図１４乃至図１６は本発明による第６の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りに先細り部を形成すると共に、補助ランドのうち仕切りと離間した位置に面取り部を形成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００７３】
６１は仕切り７に設けられた先細り部で、該先細り部６１は、第１の実施の形態による先細り部１０とほぼ同様に、仕切り７のうち長さ方向の中央位置（途中位置）に配置され、主ランド８から補助ランド９に向けて先細る略三角形状の切欠き６１Ａによって形成されている。そして、先細り部６１は、金属膜５のうち切欠き６１Ａの位置で露出した三角形状の露出部位により構成され、主ランド８と連続するように接続されている。
【００７４】
６２は補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置に面取りを施す面取り部で、該面取り部６２は、略四角形状をなす補助ランド９のうち先細り部６１からの距離が長い２つの角隅側に配置され、レジスト膜６の開口６Ｂのうち角隅に対応した位置を例えば円弧状をなして開口させることによって形成されている。
【００７５】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置に面取り部６２を形成したから、基板１の実装時に、補助ランド９の角隅側に半田１３の塗り残しが生じるのを防ぐことができ、補助ランド９を全面にわたって確実に半田１３で覆うことができる。
【００７６】
即ち、図１７に示す比較例のように、面取り部を省いた場合には、基板１の実装時に矢示の如く先細り部６１を中心に半田１３が広がるから、補助ランド９のうち仕切り７と離間した２つの角隅では半田１３が行き渡らず、塗り残しが生じる傾向がある。このように半田１３の塗り残しが生じた場合、補助ランド９の角隅や配線パターン１２の一部が外気中に露出するから、これらの補助ランド９等に酸化等の腐食が生じるという問題がある。
【００７７】
また、半田１３が拡散途中で停止した場合には、その表面張力によって断面形状が円弧状となるから、図１８中のａ部のように半田１３と補助ランド９、配線パターン１２との間に鋭角状の溝が形成される傾向がある。この場合、ａ部には応力が集中し易いから、半田１３、補助ランド９、配線パターン１２に剥離が生じ易いという問題もある。
【００７８】
これに対し、本実施の形態では、補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置には面取り部６２を形成したから、補助ランド９を全面にわたって半田１３で覆うことができ、補助ランド９の腐食や剥離を防いで、信頼性、耐久性を向上させることができる。
【００７９】
なお、本実施の形態では、補助ランド９に円弧状の面取りを施す面取り部６２を形成したが、直線状の面取りを施す面取り部を形成してもよい。
【００８０】
また、第１，第２の実施の形態では、レジスト膜６により金属膜５の外縁側を覆う構成としたが、本発明はこれに限らず、例えば図１９、図２０に示す第１の変形例のように、レジスト膜６″を金属膜５から離間させる構成としてもよい。
【００８１】
また、第３の実施の形態では、仕切り３３をランド３１，３２間の隙間空間によって構成したが、本発明はこれに限らず、例えばレジスト材料、シルク材料等、半田の濡れ性が良くない各種の材料を用いてランド３１，３２間を埋める構成としてもよい。
【００８２】
また、第４、第５の実施の形態では、ランド４４，５１等を略円形状に形成する構成とした。この場合、本発明は、円形状のランドに限るものではなく、楕円形状のランドを含むものである。
【００８３】
また、第４、第５の実施の形態では、主要な補助ランド４５，５２と別に、基板１の端面１Ｃ側等に位置する他の補助ランド４６，５３を設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、他の補助ランド４６，５３を廃止する構成としてもよい。
【００８４】
また、第１、第６の実施の形態では、仕切り７に切欠き１０Ａ，６１Ａを形成することによって先細り部１０，６１を形成するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図２１に示す第２の変形例のように、仕切り７′の一部を折り曲げることによって先細り部７１を形成してもよい。
【００８５】
また、第１乃至第６の実施の形態では、略三角形状の先細り部１０，２２，３４，４７，５５，６１を形成したが、例えば図２２に示す第３の変形例のように、略半円形状の先細り部７２を形成してもよい。
【００８６】
また、第１、第２、第３、第６の実施の形態では、直線状に延びる仕切り７の一部に先細り部１０，２２，３４，６１を形成したが、例えば図２３に示す第４の変形例のように、仕切り７″の全長にわたって先細り部７３を形成してもよい。
【００８７】
また、第１乃至第６の実施の形態では、仕切り７の長さ方向の中央位置に先細り部１０，２２，３４，４７，５５，６１を設けるものとしたが、仕切り７の長さ方向の中央位置から変位した位置に設けてもよい。
【００８８】
また、第１乃至第６の実施の形態では、仕切り７に単一の先細り部１０，２２，３４，４７，５５，６１を設けるものとしたが、例えば図２４に示す第５の変形例のように、仕切り７に２個の先細り部７４を形成してもよく、３個以上の先細り部を設けてもよい。
【００８９】
さらに、実施の形態では、モジュール基板１を例に挙げて述べたが、本発明はこれに限らず、マザーボード１１に実装される各種の基板に適用できるのは勿論である。
【００９０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１の発明によれば、基板の裏面側には、主ランドと補助ランドとを区画する仕切りを設ける構成としたので、例えば基板の実装前に半田を取付けるときには、半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制でき、主ランドに溜めた十分な量の半田を突形状で固化させることができる。これにより、基板をマザーボードに実装するときには、これらの反り等を突形状の半田によって吸収でき、基板とマザーボードとを安定的に接続することができる。また、基板の実装時には、半田が仕切りを乗越えることにより主ランドと補助ランドの両方をマザーボードに広い面積で半田付けすることができ、基板をマザーボードに高い強度で実装できるから、半田の突出寸法とランドの接合面積とを容易に両立でき、信頼性を向上させることができる。
【００９１】
また、仕切りには先細り部を形成したから、基板の実装時に先細り部に半田を集中させることができ、基板等が軽量なときであっても、半田を確実に仕切りを乗越えさせることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、隣合う主ランドに向けて半田が流出するのを防止でき、複数の主ランド間の短絡を防いで信頼性を高めることができる。
【００９２】
また、請求項２の発明によれば、補助ランドのうち仕切りと離間した角隅には面取り部を形成したから、補助ランドの全面にわたって半田を行き渡らせることができ、補助ランド等の腐食、剥離を防止することができる。
【００９３】
また、請求項３の発明によれば、主ランドは円形状または楕円形状に形成する構成としたので、例えば他の形状のランドと比較して一定量の半田を主ランドから下向きに最も大きく突出させることができ、その突出寸法を主ランドの直径等に応じて容易に設定することができる。従って、主ランドに付着させる半田を適切な量に抑えつつ、その突出寸法に応じて基板やマザーボードの反り等を確実に吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図２】  図１中の矢示II-II方向からみた回路基板装置の縦断面図である。
【図３】  図１中の端面電極等を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図４】  図３中の矢示IV-IV方向からみた部分拡大断面図である。
【図５】  モジュール基板の裏面側を示す部分拡大斜視図である。
【図６】  モジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図７】  半田取付工程により端面電極、主ランド等に半田を取付ける状態を示す部分拡大断面図である。
【図８】  基板実装工程によりモジュール基板の半田をマザーボード上で溶融させる状態を示す部分拡大断面図である。
【図９】  モジュール基板をマザーボードに実装した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１０】  本発明の第２の実施の形態による回路基板装置を図４と同様位置からみた部分拡大断面図である。
【図１１】  本発明の第３の実施の形態による回路基板装置を図５と同様位置からみた部分拡大斜視図である。
【図１２】  本発明の第４の実施の形態による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図１３】  本発明の第５の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図１４】  本発明の第６の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図１５】  モジュール基板の主ランド等に半田を取付けた状態を図１４中の矢示XV−XV方向からみた部分拡大断面図である。
【図１６】  図１５中のモジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図１７】  比較例によるモジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図１８】  比較例によるモジュール基板をマザーボードに実装した状態で図１７中の矢示XVIII−XVIII方向からみた部分拡大断面図である。
【図１９】  本発明の第１の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２０】  図１９中の矢示XX−XX方向からみた部分拡大断面図である。
【図２１】  本発明の第２の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２２】  本発明の第３の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２３】  本発明の第４の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２４】  本発明の第５の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【符号の説明】
１  モジュール基板（基板）
１Ａ  表面
１Ｂ  裏面
１Ｃ  端面
１Ｄ  凹溝
２  端面電極
３  配線パターン
３Ａ  接続部
４  電子部品
５，４１  金属膜
６，４２  レジスト膜
６Ａ，６Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ  開口
７，７′，７″，４３  仕切り（レジスト部材）
２１  仕切り（シルク部材）
３３，５４  仕切り（間隙）
８，３１，４４，５１  主ランド
４４Ａ，５１Ａ  円弧状縁部（円弧部分）
９，３２，４５，４６，５２，５３  補助ランド
１１  マザーボード
１２  配線パターン
１３  半田
１３Ａ  突部
１３′  半田材料
１０，２２，３４，４７，５５，６１，７１，７２，７３，７４  先細り部
６２  面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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