(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を受信するための対象を選択するための特定周波数を有する信号を選択信号ラインに出力し、前記周波数に応答して情報伝送ラインを通じて伝送される情報を受信する中央モニタリング装置と、
前記選択信号ラインと前記情報伝送ラインに並列で連結され、応答のための特定周波数があらかじめ割当てられ前記選択信号ラインを通じて入力される前記信号が該当周波数を持つと判断されると工程中得た所定情報を前記情報伝送ラインに出力する複数個の半導体工程設備と
を備えることを特徴とする半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項２】
前記中央モニタリング装置は、前記選択信号ラインに出力する信号の前記周波数を時間別に順次に変えて出力して前記情報伝送ラインを通じて応答する半導体工程設備を選択するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項３】
前記中央モニタリング装置は、
順次に異なる発生周波数を指定する出力決定手段と、
異なる周波数を発生する複数個の周波数発生部を備えて、前記出力決定手段の制御の下、異なる周波数を有する信号を前記周波数発生部で順次選択的に発生させて出力する周波数発生手段と、
この周波数発生手段の出力信号を前記選択信号ラインを通じて出力する出力手段と、
前記情報伝送ラインを通じて所定情報を入力する入力手段と、
この入力手段の出力によって応答状態を表示する駆動手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項４】
前記出力決定手段は、
第１パルス信号を発生させる第１発振部と、
前記第１パルス信号によりバイナリカウントを行うカウンタと、
このカウンタのカウント結果にともなう所定順序で前記周波数発生部で選択的な信号出力を行うエンコーダと
を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項５】
前記出力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応する複数の第１  ３−状態バッファで構成され、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられることを特徴とする請求項３に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項６】
前記入力手段は、
前記周波数発生部に一対一で対応して複数個設けられ、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられる第２  ３−状態バッファと、
第２パルス信号を発生させる第２発振部と、
前記第２パルス信号に応じて前記第２  ３−状態バッファから入力される信号を所定時間遅延しながら出力するラッチと
を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項７】
前記駆動手段は、前記第２  ３−状態バッファと一対一に対応される複数のランプを備えて前記ラッチから出力される信号によって前記ランプが駆動されることを特徴とする請求項６に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項８】
前記中央モニタリング装置は、前記選択信号ラインに出力する信号の周波数をランダムに変化させて出力して前記情報伝送ラインを通じて応答する半導体工程設備を選択するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項９】
前記中央モニタリング装置は、
ランダムに異なる発生周波数を指定する出力決定手段と、
異なる周波数を発生する複数個の周波数発生部を備えて、前記出力決定手段の制御の下、異なる周波数を有する信号を前記周波数発生部でランダムに発生させて出力する周波数発生手段と、
この周波数発生手段の出力信号を前記選択信号ラインを通じて出力する出力手段と、
前記情報伝送ラインを通じて所定情報を入力する入力手段と、
この入力手段の出力に応じて応答状態を表示する駆動手段と
を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１０】
前記出力決定手段は、
前記周波数発生部中何れか一つをランダムに指定する信号を提供する指定信号入力手段と、
この指定信号入力手段の入力信号によって前記周波数発生部中何れか一つで信号出力を行うエンコーダと
を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１１】
前記指定信号入力手段は、キー信号を入力する入力部で構成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１２】
前記指定信号入力手段は、ホストコンピュータで構成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１３】
前記出力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応する複数の第１  ３−状態バッファで構成され、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられることを特徴とする請求項９に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１４】
前記入力手段は、
前記周波数発生部に一対一で対応して複数個設けられ、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられる第２  ３−状態バッファと、
第２パルス信号を発生させる第２発振部と、
前記第２パルス信号によって前記第２  ３−状態バッファから入力される信号を所定時間遅延しながら出力するラッチと
を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１５】
前記駆動手段は、前記第２  ３−状態バッファと一対一に対応される複数のランプを備えて前記ラッチから出力される信号によって前記ランプが駆動されることを特徴とする請求項９に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１６】
前記半導体工程設備は、
所定センサからセンシング信号が入力され動作するスイッチング手段と、
前記中央モニタリング装置から前記選択信号ラインを通じて与えられる選択信号の周波数があらかじめ設定された周波数と一致すれば前記スイッチング手段から出力される信号を前記情報伝送ラインに出力するフィルタリング手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【請求項１７】
前記フィルタリング手段は、
前記選択信号の周波数があらかじめ設定された周波数と一致するかを判断する周波数フィルタと、
この周波数フィルタの判断結果から与えられる信号に応じてスイッチングされ前記スイッチング手段から与えられる信号を前記情報伝送ラインに選択的に出力するスイッチと
を備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体工程設備モニタリングシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造設備モニタリングシステムに係り、さらに詳しくは半導体デバイスの加工または測定などの工程を遂行する半導体工程設備別に所定周波数を割り当て、一本の情報伝送ラインと選択信号ラインで各半導体工程設備とモニタリングシステムを連結させて配線をシンプルに改善させた半導体製造設備モニタリングシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体ウェハは酸化、拡散、エッチング、蒸着またはイオン注入のような単位工程をたどって所定パターンを形成し、その後アッセンブリ工程をたどって半導体デバイスに加工される。そして、前述した各単位工程を遂行する最中または遂行した後にウェハ水準またはチップ水準の多様な評価及び計測がなされる。
【０００３】
半導体工場での前述した各工程または評価及び計測は該当半導体工程設備でなされ、半導体工場には数多く多様な種類の半導体工程設備が配置されている。
良好な状態の半導体デバイスを製造するためには、各半導体工程設備でなされる作業状態または設備の状態がリアルタイムで点検されるべきであり、工程異常または設備異常が発生される場合リアルタイムでの措置が取られるべきである。このためのシステムの例として、アメリカ合衆国特許第５５６８０４２号に「パワーネットワーク内のフィルタモニタリング及び制御（Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  Ａｎｄ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｉｎ  Ａ  Ｐｏｗｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）」に対する技術が開示されたことがある。
【０００４】
一方、工程異状または設備異状は該当半導体工程設備別に多様な種類のセンサを構成することによってチェックされ、センサは工程異状または設備異状が発生される場合これをセンシングしてそれに対したセンシング信号を出力する。
センシング信号は現場の作業者に知らせるための警報装置駆動に利用されたり、遠距離で現場の状況を総合的に判断する中央モニタリング装置に伝送される。中央モニタリング装置にセンシング信号が伝送されるためには中央モニタリング装置と半導体工程設備がインタフェースされるべきである。
【０００５】
遠距離でのモニタリングのため、図１のように中央モニタリング装置１０は各半導体工程設備１２〜１８からセンシング信号を入力されうるように連結される。
従来の中央モニタリング装置１０はインタフェースのための各半導体工程設備１２〜１８と独立的な配線を持つ。
中央モニタリング装置１０と各半導体工程設備１２〜１８間のインタフェースのためには電気的なループ形成のための一対の内線でなされたラインが求められる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前述した通り、一対の内線を有するラインの数は中央モニタリング装置１０に接続される半導体工程設備の数と同一である。したがって、中央モニタリング装置１０に接続されてモニタリングしなければならない半導体工程設備の数が多くなる場合、配線で両者間が一対一で連結されるべきであるから、配線の総延長長さが長くなって設置コストが上昇し、限られた半導体工場内部でのレイアウトによる配線が難しく、配線の管理が複雑になって面倒になる問題点があった。
【０００７】
本発明の目的は、中央モニタリング装置と複数台の半導体工程設備間のモニタリングのための配線をシンプルにし維持及び管理が容易な半導体工程設備モニタリングシステムを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体工程設備モニタリングシステムは、情報を受信するための対象を選択するための特定周波数を有する信号を選択信号ラインに出力し、前記周波数に応答して情報伝送ラインを通じて伝送される情報を受信する中央モニタリング装置と、前記選択信号ラインと前記情報伝送ラインに並列で連結され、応答のための特定周波数があらかじめ割当てられ前記選択信号ラインを通じて入力される前記信号が該当周波数を持つと判断されると、工程中得た所定情報を前記情報伝送ラインに出力する複数個の半導体工程設備とを備えることを特徴とする。
【０００９】
前記中央モニタリング装置は、前記選択信号ラインに出力する信号の前記周波数を時間別に順次に変えて出力して前記情報伝送ラインを通じて応答する半導体工程設備を選択するように構成され、順次に異なる発生周波数を指定する出力決定手段と、異なる周波数を発生する複数個の周波数発生部を備えて、前記出力決定手段の制御の下、異なる周波数を有する信号を前記周波数発生部で順次選択的に発生させて出力する周波数発生手段と、この周波数発生手段の出力信号を前記選択信号ラインを通じて出力する出力手段と、前記情報伝送ラインを通じて所定情報を入力する入力手段と、この入力手段の出力によって応答状態を表示する駆動手段とを備えて構成されるのが望ましい。
【００１０】
この具体的構成において、前記出力決定手段は、第１パルス信号を発生させる第１発振部と、前記第１パルス信号によりバイナリカウントを行うカウンタと、このカウンタのカウント結果にともなう所定順序で前記周波数発生部で選択的な信号出力を行うエンコーダとを備えて構成されるのが望ましい。
【００１１】
また、前記出力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応する複数の第１  ３−状態バッファで構成され、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられるように構成されるのが望ましい。
【００１２】
また、前記入力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応して複数個設けられ、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられる第２  ３−状態バッファと、第２パルス信号を発生させる第２発振部と、前記第２パルス信号に応じて前記第２  ３−状態バッファから入力される信号を所定時間遅延しながら出力するラッチとを備えて構成されるのが望ましい。
【００１３】
また、前記駆動手段は、前記第２  ３−状態バッファと一対一に対応される複数のランプを備えて前記ラッチから出力される信号によって前記ランプが駆動されるように構成されるのが望ましい。
【００１４】
一方、前記中央モニタリング装置は、前記選択信号ラインに出力する信号の周波数をランダムに変化させて出力して前記情報伝送ラインを通じて応答する半導体工程設備を選択するように構成することもできる。
ここで、この中央モニタリング装置は、具体的には、ランダムに異なる発生周波数を指定する出力決定手段と、異なる周波数を発生する複数個の周波数発生部を備えて、前記出力決定手段の制御の下、異なる周波数を有する信号を前記周波数発生部でランダムに発生させて出力する周波数発生手段と、この周波数発生手段の出力信号を前記選択信号ラインを通じて出力する出力手段と、前記情報伝送ラインを通じて所定情報を入力する入力手段と、この入力手段の出力に応じて応答状態を表示する駆動手段とを備えることが望ましい。
【００１５】
そして、この具体的構成において、前記出力決定手段は、前記周波数発生部中何れか一つをランダムに指定する信号を提供する指定信号入力手段と、この指定信号入力手段の入力信号によって前記周波数発生部中何れか一つで信号出力を行うエンコーダとを備えることが望ましい。
【００１６】
また、前記指定信号入力手段は、キー信号を入力する入力部またはホストコンピュータで構成できる。
【００１７】
また、前記出力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応する複数の第１  ３−状態バッファで構成され、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられるように構成されるのが望ましい。
【００１８】
また、前記入力手段は、前記周波数発生部に一対一で対応して複数個設けられ、前記出力決定手段の出力がイネーブル信号として与えられる第２  ３−状態バッファと、第２パルス信号を発生させる第２発振部と、前記第２パルス信号によって前記第２  ３−状態バッファから入力される信号を所定時間遅延しながら出力するラッチとを備えるのが望ましい。
【００１９】
また、前記駆動手段は、前記第２  ３−状態バッファと一対一に対応される複数のランプを備えて前記ラッチから出力される信号によって前記ランプが駆動されるように構成されるのが望ましい。
【００２０】
一方、前記半導体工程設備は、所定センサからセンシング信号が入力され動作するスイッチング手段と、前記中央モニタリング装置から前記選択信号ラインを通じて与えられる選択信号の周波数があらかじめ設定された周波数と一致すれば、前記スイッチング手段から出力される信号を前記情報伝送ラインに出力するフィルタリング手段とを備えて構成されることができる。
【００２１】
ここで、前記フィルタリング手段は、前記選択信号の周波数があらかじめ設定された周波数と一致するかを判断する周波数フィルタと、この周波数フィルタの判断結果から与えられる信号に応じてスイッチングされ前記スイッチング手段から与えられる信号を前記情報伝送ラインに選択的に出力するスイッチとを備えて構成されることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施の形態を詳述する。
ただし、本発明は下記の実施の形態に限定されず、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能なのは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【００２３】
図２を参照すれば、本発明による実施の形態は、第１内線ｗと第２内線ｘからなる主選択信号ラインＬ１と、第３内線ｙと第４内線ｚからなる主情報伝送ラインＬ２が中央モニタリング装置２０に連結されており、主選択信号ラインＬ１と主情報伝送ラインＬ２はモニタリングのための半導体工程設備２２〜２８が配置された場所に近接して設置される。
各半導体工程設備２２〜２８は、主選択信号ラインＬ１と主情報伝送ラインＬ２に並列で連結する副選択信号ラインＬ３と副情報伝送ラインＬ４に連結され、この副選択信号ラインＬ３と副情報伝送ラインＬ４は各々一対で第５、第６内線ｗｓ、ｘｓと第７、第８内線ｙｓ、ｚｓを持つ。
【００２４】
中央モニタリング装置２０は図３に示すようにカウンタを利用するスキャン方式で構成され、あるいは図５に示すように、直接モニタリング対象を指定して接続する直接指定方式で構成することもできる。
【００２５】
まず、スキャン方式を適用すれば、中央モニタリング装置２０は図３に示すように主選択信号ラインＬ１の第１内線ｗと第２内線ｘに各々連結する端子ｗ１と端子ｘ１を有し、また主情報伝送ラインＬ２の第３内線ｙと第４内線ｚに各々連結する端子ｙ１と端子ｚ１を持つ。
また、中央モニタリング装置２０には所定周波数を発振する発振器３０が構成されており、この発振器３０はカウンタ３２に所定周波数を有するパルスを入力するように構成されている。カウンタ３２は所定周波数のパルスをカウントした結果に対する情報を１６×４エンコーダ３４に入力するように構成されており、エンコーダ３４は１６個の出力端子を持ち、各出力端子別に周波数発生器３６ａ〜３６ｐが一対一で連結している。周波数発生器３６ａ〜３６ｐの出力にはバッファ部３８をなす３−状態バッファ３８ａ〜３８ｐが一対一で連結されており、エンコーダ３４は各出力端子の信号を該当３−状態バッファ３８ａ〜３８ｐにイネーブル信号として与えるように構成されている。さらに、各３−状態バッファ３８ａ〜３８ｐの出力側は並列で端子ｗ１に連結される。
【００２６】
前述した周波数発生器３６ａ〜３６ｐは各々固有の発振周波数を持ち、半導体工程設備を区分するために１６ＫＨｚの周波数帯域を使用して、それに応じて各周波数発生器３６ａ〜３６ｐは相互間の周波数差が１ＫＨｚになるように構成されている。即ち、周波数発生器３６ａは１ＫＨｚの発振周波数を持ち、この１ＫＨｚから１ＫＨｚずつ順次に増加する周波数に各周波数発生器３６ｂ〜３６ｏの発振周波数を設定して、最終的に周波数発生器３６ｐは１６ＫＨｚの発振周波数を持つ。しかし、これに限らず、周波数干渉及び半導体工程設備の追加的な連結を考慮すれば、使用する周波数帯域を拡張でき、各周波数発生器３６ａ〜３６ｐ間の周波数差をより大きくして構成できることは明らかである。
【００２７】
一方、中央モニタリング装置２０の端子ｙ１はバッファ部４０をなす３−状態バッファ４０ａ〜４０ｐの入力側に連結して主情報伝送ラインＬ２を通じて入力される信号がバッファ部４０に与えられるように構成されており、各３−状態バッファ４０ａ〜４０ｐの出力はラッチ４２の該当入力端子に連結されている。ラッチ４２は入力端子と同数の出力端子を持ち、このラッチ４２の各出力端子には一対一でランプ４４ａ〜４４ｐが連結されて発光または消光がなされるように構成されている。そして、ラッチ４２は発振器４６から提供されるクロック信号に応じて動作するように構成されている。
一方、エンコーダ３４の各出力端子は３−状態バッファ４０ａ〜４０ｐのイネーブル端子に一対一で連結されイネーブル信号を提供するように構成されており、ラッチ４２の各出力端子はホストコンピュータ（図示せず）または警報装置（図示せず）に接続されて、これらに現在の中央モニタリング装置２０と各半導体工程設備２２〜２８との通信状態を判断するための信号ＯＵＴを出力するように構成されている。
【００２８】
このような中央モニタリング装置２０の構成に対して、各半導体工程設備２２〜２８は前記中央モニタリング装置２０とのインタフェースのために図４の構成を持つ。
半導体工程設備２２〜２８は、各々副選択信号ラインＬ３に連結される端子ｗ２，ｘ２と、副情報伝送ラインＬ４に連結される端子ｙ２，ｚ２とを有し、工程状況、設備状況または計測状況を判断するためのセンサ（図示せず）が設置されている。
センサの出力が端子ｓ１と端子ｓ２を通じてリレー５０の二つの駆動端子間に与えられるように構成されている。リレー５０の出力端子中第１出力端子は接地されており、第２出力端子はインタフェース部５２に含まれたスイッチ５４の共通端子ｃに連結している。スイッチ５４は二つの選択端子ａとｂを持ち、選択端子ａは副情報伝送ラインＬ４の第７内線ｙｓに接続される端子ｙ２に連結されている。
さらに、スイッチ５４はインタフェース部５２に含まれた周波数フィルタ５６の出力信号に応じてスイッチング状態が制御されるように構成されている。周波数フィルタ５６は端子ｗ２と端子ｚ２を通じて与えられる周波数信号を判断した結果半導体工程設備別区分のためにあらかじめ割当てられた周波数と一致するかの判断結果によってハイまたはローレベルの出力信号をスイッチ５４に与えるように構成されている。
【００２９】
以上のように構成された本発明の実施の形態の動作について説明する。
まず、中央モニタリング装置２０の発振器３０が動作するに従ってカウンタ３２でカウンティング動作が行われる。カウンタ３２は公知のバイナリカウント動作を行って（００００）2 から（１１１１）2 までのカウントを繰り返して遂行する。
エンコーダ３４でハイレバルの信号を出力する出力端子の選択はカウンタ３２のカウント結果によって決まり、カウンタ３２のカウント結果が（００００）2 で入力されれば、エンコーダ３４は周波数発生器３６ａの入力信号と３−状態バッファ３８ａ及び３−状態バッファ４０ａの各イネーブル信号にハイレベルの信号を出力する。カウンタ３２のカウンティング結果が（０００１）2 で入力されれば、エンコーダ３４は周波数発生器３６ｂの入力信号と３−状態バッファ３８ｂ及び３−状態バッファ４０ｂの各イネーブル信号にハイレベルの信号を出力する。このようにカウンティング結果が増加するに従ってエンコーダ３４は順次に出力端子を変更して最終的にカウンティング結果が（１１１１）2 で入力されれば、周波数発生器３６ｐの入力信号と３−状態バッファ３８ｐ及び３−状態バッファ４０ｐの各イネーブル信号への出力を行った後前述した動作を繰り返す。
【００３０】
すると、まず、周波数発生器３６ａで例えば１ＫＨｚの周波数を有する信号が発生され３−状態バッファ３８ａに与えられると、３−状態バッファ３８ａはエンコーダ３４からイネーブル信号が与えられる状態であるから、入力された１ＫＨｚの周波数を有する信号を端子ｗ１及びｘ１に連結された主選択信号ラインＬ１を通じて出力する。
この時、他の周波数発生器３６ｂ〜３６ｐは入力がローレベルで設定されているため周波数発生動作を行わない。対応する３−状態バッファ３８ｂ〜３８ｐもディスエーブル状態に設定され出力が発生せず、同時に３−状態バッファ３８ａの出力が周波数発生器３６ｂ〜３６ｐに逆に入力されることを遮断する。
前述した１ＫＨｚの周波数を有する信号は主及び副選択信号ラインＬ１、Ｌ３を通じて各半導体工程設備２２〜２８に出力され、該当半導体工程設備２２はそれに応答してセンシング信号を副及び主情報伝送ラインＬ４、Ｌ２に出力する。
【００３１】
半導体工程設備２２〜２８における具体的な動作を説明する。
中央モニタリング装置２０と接続される各半導体工程設備２２〜２８のインタフェース部５２に含まれた周波数フィルタ５６には各々特定周波数１ＫＨｚ、２ＫＨｚ、３ＫＨｚ、…、１６ＫＨｚがフィルタリングされるように設定されている。
これにより中央モニタリング装置２０から主及び副選択信号ラインＬ１、Ｌ３を通じて特定周波数を有する信号が出力されれば、各半導体工程設備２２〜２８の周波数フィルタ５６に特定周波数を有する信号が入力され、周波数フィルタ５６は入力された信号を周波数に対しフィルタリングする。
【００３２】
例えば、半導体工程設備２２の周波数フィルタ５６はフィルタリングする周波数が１ＫＨｚに設定されており、中央モニタリング装置２０から選択信号ラインＬ１を通じて出力される信号の周波数が前述した通り１ＫＨｚならば、周波数フィルタ５６はハイレバルの信号をスイッチ５４に出力する。すると、スイッチ５４は内部的に共通端子ｃと選択端子ａを連結させ、それによりセンサ信号の状態に連動するリレー５０の出力、すなわちハイレバルの定電圧Ｖｃｃまたはローレベルの電圧を有する信号がスイッチ５４を通じて副及び主情報伝送ラインＬ４、Ｌ２に出力される。主情報伝送ラインＬ２を通じて出力された信号は中央モニタリング装置２０の端子ｙ１と端子ｚ１との間に与えられる。
【００３３】
勿論、中央モニタリング装置２０から選択信号ラインＬ１を通じて出力される信号の周波数が前述した１ＫＨｚでなければ周波数フィルタ５６はローレベルの信号をスイッチ５４に出力する。すると、スイッチ５４は内部的に共通端子ｃと選択端子ｂを連結させ、それによりセンサ信号の状態に連動するリレー５０の出力がスイッチ５４によって副情報伝送ラインＬ４に出力されることが遮断される。
【００３４】
副及び主情報伝送ラインＬ４、Ｌ２を順次に通過して伝送されたセンシング信号は図３の中央モニタリング装置２０の端子ｙ１及び端子ｚ１を通じて各３−状態バッファ４０ａ〜４０ｐの入力側に与えられる。
３−状態バッファ４０ａ〜４０ｐ中３−状態バッファ４０ａはエンコーダ３４から与えられるイネーブル信号によってイネーブル状態であるから、入力側に与えられた信号をラッチ４２に与え、ラッチ４２は発振器４６から与えられる所定周波数を有するパルス信号に応じて入力信号を所定時間遅延した後ランプ４４ａに与える。するとランプ４４ａは与える信号に応じて駆動され発光する。
【００３５】
エンコーダ３４が出力端子を順次に変えてハイレべル信号を出力することによって１ＫＨｚから１ＫＨｚずつ増加した周波数を有する信号が端子ｗ１と端子ｘ１に連結された選択信号ラインＬ１を通じて順次に伝送される。その結果、該当周波数に応答する特定半導体工程設備２２〜２８から順次に信号が出力されて副及び主情報伝送ラインＬ４、Ｌ２を通じて中央モニタリング装置２０に入力され、それにより該当ランプ４４ａ〜４４ｐが発光される。結局ランプ４４ａ〜４４ｐは順次に動作し、それに対応する半導体工程設備２２〜２８の工程状態、設備状態または計測状態に対しモニタリング可能に順次に発光または消光される。
また、ラッチ４２の出力（ＯＵＴ）は接続されるホストコンピュータや警報装置に与えられることによってモニタリング対象の半導体工程設備に対する状況情報として利用されたり、警報情報として利用される。
【００３６】
中央モニタリング装置２０を前述した直接指定方式で行わせるための第２の具体例の構成は図５に示す通りである。
図５において、中央モニタリング装置２０は図３の発振器３０とカウンタ３２の代わりにエンコーダ６０が出力端子を選択するための入力が選択信号入力部６２から提供されるように構成されている。中央モニタリング装置２０のその他の各構成部分は図３と同一に構成されており、同一部分は図３と同一符号で示されている。
前述の選択信号入力部６２は任意のバイナリ値を入力させるためのキーボードで構成でき、あるいはホストコンピュータ（図示せず）で選択信号入力部６２を構成してバイナリ値を有する選択信号ＳＥＬがエンコーダ６０に入力されるように構成できる。
即ち、第２の具体例においてモニタリング対象は選択信号入力部６２から入力される選択信号ＳＥＬに該当する半導体工程設備であって、直接的かつ持続的なモニタリング対象の選定が可能である。
【００３７】
以上の実施の形態はモニタリングされる半導体工程設備と中央モニタリング装置との接続のための配線がシンプルになる。これは周波数別の割り当てという手法を使用することにより、中央モニタリング装置に連結された一つの主選択信号ラインと一つの主情報伝送ラインとを所定レイアウトで工場内に分散配置された半導体工程設備位置に近接設置し、ここに半導体工程設備別に副選択信号ラインと副情報伝送ラインを接続させることによってこれら間のモニタリングのためのネットワーク構成が完成するためである。
したがって、配線のための設置費が軽減され、半導体工程設備が追加構成されても配線問題が簡単に解決され、配線がシンプルに構成されることによって管理及び維持が簡単になる。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、中央モニタリング装置とモニタリングのための半導体工程設備間の配線が簡単であり、配線の管理及び維持が容易になって全般的なモニタリングのためのシステムの管理が容易になり、システム構成において費用が節減される効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体工程設備モニタリングシステムを示すブロック図。
【図２】本発明に係る半導体工程設備モニタリングシステムの実施の形態を示すブロック図。
【図３】図２の中央モニタリング装置の第１具体例を示す詳細ブロック図。
【図４】図２の半導体工程設備の具体例を示す詳細ブロック図。
【図５】図２の中央モニタリング装置の第２具体例を示す詳細ブロック図。
【符号の説明】
２０    中央モニタリング装置
２２〜２８    半導体工程設備
Ｌ１    主選択信号ライン
Ｌ２    主情報伝達ライン
Ｌ３    副選択信号ライン
Ｌ４    副情報伝送ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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