(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子側電極を備えたアクティブ素子と、その素子側電極に電気的に接
続しアルミニウム合金によって形成される画素電極とを有する液晶装置において、
前記素子側電極と前記画素電極との間に設けられ、平面的に見て内部に開口が設けられ、前記素子側電極の外周縁及び前記画素電極の外周縁に重なる保護層を備え、
前記開口において前記素子側電極と前記画素電極が接続され、
前記開口は、前記画素電極の表面が光の散乱面となる凹凸形状を有するように、1つの画素電極について複数個設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
素子側電極を備えたアクティブ素子と、その素子側電極に電気的に接続しアルミニウム合金によって形成される画素電極とを有する液晶装置において、
前記素子側電極と前記画素電極との間に設けられ、前記素子側電極の外周縁及び前記画素電極の外周縁に環状に重なる保護層を備え、
前記保護層には、平面的に見て前記環状の領域を除く内側全体に開口が設けられ、
前記開口において前記素子側電極と前記画素電極が接続されることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか一項において、前記素子側電極はクロムであることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記保護層は絶縁膜であり、
その保護層は前記アクティブ素子に繋がる配線の上にも形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置と、
その液晶装置が収容される筐体とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する液晶装置に関する。また本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。また本発明は、その液晶装置を製造するための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等といった電子機器の像表示部に液晶装置が広く用いられるようになってきている。この液晶装置は、一般に、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する。
【０００３】
この液晶装置には、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子を用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置がある。そのようなアクティブマトリクス方式の液晶装置の１つとして、ＴＦＤ（ThinFilm Diode：薄膜ダイオード）素子をアクティブ素子として用いる構造の液晶装置が知られている。ＴＦＤ素子は、ガラス等といった基板上に薄膜状に形成された非線形な電流電圧特性を有する２端子型の能動素子のことであり、その代表的なものとしてＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子が知られている。
【０００４】
このＭＩＭ素子は、一対の金属膜に挟まれた絶縁膜の非線形導電性を利用した２端子型非線形素子であり、これが液晶装置のアクティブ素子として用いられるときには、走査電極又は信号電極として作用する配線に一方の金属膜が接続し、他方の金属膜がドット状の画素電極に接続する。
【０００５】
今、配線側の金属膜を第１金属膜とし、画素電極側の金属膜を第２金属膜とすれば、ＭＩＭ素子の層構造は、第１金属膜／絶縁膜／第２金属膜によって表すことができ、具体的には、Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５／Ｃｒという層構造が考えられる。但し、Ｔａはタンタル、Ｔａ２Ｏ５は酸化タンタル、Ｃｒはクロムである。
【０００６】
ＭＩＭ素子の第２金属膜に接続される画素電極は、例えば、透明材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）によって透明画素電極として形成されたり、光を反射する材料であるアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするアルミニウム合金によって反射型画素電極として形成されたりする。
【０００７】
画素電極を透明画素電極とすれば、基板の外側にバックライト等といった照明装置を装備することにより透過型の液晶装置を構成できる。また、照明装置の代わりに反射部材を設ければ、太陽光その他の外部光を利用する反射型の液晶装置を構成できる。しかしながら、いずれの場合でも、照明装置、反射部材等といった付加要素を基板の外側に設ける必要がある。
【０００８】
これに対し、画素電極を反射型画素電極とすれば、画素電極そのものを反射部材として用いて反射型の液晶装置を構成でき、基板の外側に反射部材を付設しなくて済むという利点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
今、画素電極を反射材料であるアルミニウム合金によって形成する場合を考えると、そのアルミニウム合金は、素子側電極例えばＣｒパターンの上においてエッチング等によって所定形状にパターニングされる。しかしながらこの場合には、反射部材である画素電極をエッチングによって所定形状に形成する際、その下地層であるＣｒパターンが同時に除去されてしまい、その結果、アクティブ素子に希望の特性が得られなくなるという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、アクティブ素子の素子側電極の上にアルミニウム合金によって画素電極を形成する構造の液晶装置に関して、画素電極の形成に起因してその下地層である素子側電極が損傷するのを防止できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）  上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、素子側電極を備えたアクティブ素子と、その素子側電極に接続しアルミニウム合金によって形成される画素電極とを有する液晶装置において、前記素子側電極と前記画素電極との間に保護層を設け、その保護層はその素子側電極を覆うと共にその素子側電極とその画素電極とを接続させるための開口を有することを特徴とする。
【００１２】
上記構成において、「アクティブ素子」は、画素電極に対応する画素にＯＮ電圧又はＯＦＦ電圧を印加するためにスイッチング動作を行う能動素子のことであり、具体的には、ＴＦＤ素子や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いて構成できる。ＴＦＤ素子としては、例えばＭＩＭ素子を用いることができる。
【００１３】
上記の「保護層」は、画素電極上に形成されたアルミニウム合金層をエッチングによってパターニングするときに、下地層すなわち素子側電極がそのエッチング処理によって除去されることを防止できる任意の材料によって形成できる。例えば、ＴａＯＸ、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸ等といった絶縁性材料を用いてその保護層を形成できる。
【００１４】
保護層に設ける上記の「開口」は、画素電極を素子側電極に接触させるための開口のことであり、その形状は必要に応じて任意の形状とすることができる。例えば、面積が画素電極よりもわずかに小さいような１つの大きな開口とすることもできるし、あるいは、面積の小さいスルーホールすなわち貫通穴を多数形成することによってその開口を形成することもできる。但し、画素電極と素子側電極との間の接触抵抗にバラツキが生じるのを避ける観点からすれば、大きな１つの開口を形成することが望ましい。
【００１５】
上記構成の液晶装置によれば、アルミニウム合金膜をエッチングによって所定形状の画素電極に形成する際に、その下地層である素子側電極がそのエッチングによって除去されることを保護層の働きによって阻止できる。そしてその結果、全てのアクティブ素子に関して常に安定した特性を得ることができる。
【００１６】
（２）  上記構成の液晶装置において、前記素子側電極はクロムによって形成できる。クロムはアルミニウム合金をエッチング処理、特にウエットエッチング処理する際に、そのエッチング液によって影響を受け易い金属であると考えられる。よって、アクティブ素子側の素子側電極をそのクロムによって形成したとき、その素子側電極を保護層によってエッチングから保護するという効果が非常に効果的に発揮される。
【００１７】
（３）  上記構成の液晶装置において、前記保護層を絶縁膜によって形成し、さらに、その保護層をアクティブ素子に繋がる配線の上にも形成することができる。一般に、アクティブマトリクス方式の液晶装置は、素子側基板と対向基板とをシール材によって貼り合わせ、さらにそれらの基板間に液晶が封入される。そして、素子側基板の表面には、アクティブ素子及び画素電極がマトリクス状に配列され、さらに、それらのアクティブ素子列の間に線状の配線が形成される。この配線は、アクティブ素子を形成する際に同時にパターニングされるのが通常である。
【００１８】
本発明においては、アクティブ素子の素子側電極の上に絶縁性の保護層を形成することにし、その保護層を素子側電極と同時に配線の上にも形成することができる。こうすれば、素子側基板と対向基板とを貼り合わせた場合、それらの間に導電性の介在物が混入するときでも、それらの基板が互いに導通することを絶縁性の保護層によって防止できる。
【００１９】
（４）  上記構成の液晶装置において、前記開口は一つの画素について複数個設けられ、前記画素電極は、複数個の前記開口を通じて前記素子側電極と接続され表面が凹凸形状を有してなる構成としてもよい。こうすれば、複数の開口により、画素電極の形状を凹凸にすることによって、散乱反射画素電極が形成できるため、広い視野角において明るい表示が得られる。
【００２０】
（５）  次に、本発明に係る電子機器は、上記（１）から（４）に記載の液晶装置と、その液晶装置が収容される筐体とを有することを特徴とする。このような電子機器としては、具体的には、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等が考えられ、多くの場合は、それらの像表示部に液晶装置が適用される。
【００２１】
この電子機器によれば、その内部に含まれる液晶装置において、アルミニウム合金膜をエッチングによって所定形状の画素電極に形成する際に、その下地層である素子側電極がそのエッチングによって除去されることを保護層の働きによって阻止できる。そしてその結果、全てのアクティブ素子に関して常に安定した特性を得ることができ、表示部の表示品質の高い電子機器を得ることができる。
【００２２】
（６）  次に、本発明に係る液晶装置の製造方法は、▲１▼アクティブ素子の素子側電極を形成する素子側電極形成工程と、▲２▼その素子側電極に対応する位置に開口を有する保護層をその素子側電極の上に形成する保護層形成工程と、▲３▼前記開口を通して前記素子側電極に接続するようにアルミニウム合金によって画素電極を前記保護層の上に形成する画素電極形成工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
この液晶装置の製造方法によれば、アルミニウム合金膜をエッチングによって所定形状の画素電極に形成する際に、その下地層である素子側電極がそのエッチングによって除去されることを保護層の働きによって阻止できる。そしてその結果、全てのアクティブ素子に関して常に安定した特性を得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して平面的に示している。ここに示す液晶装置１は、シール材２によって互いに接合された一対の透光性基板３ａ及び３ｂを有する。これらの透光性基板の間には間隙、いわゆるセルギャップが形成され、シール材２によって囲まれる部分のセルギャップ内に液晶が封入される。
【００２５】
図の奥側の透光性基板３ａは素子側基板であり、その内側表面には、互いに平行に並べられた複数の直線状の配線、すなわちストライプ状の配線４が形成され、さらにそれらの配線４の間に複数の画素電極６がドットマトリクス状に形成され、さらに各画素電極６と各配線４とがアクティブ素子としてのＴＦＤ素子７を介して接続される。素子側基板３ａの外側表面には偏光板１２が貼着される。
【００２６】
一方、図１の手前側の透光性基板３ｂは対向基板であり、その内側表面にはストライプ状の対向電極８が形成される。これらの対向電極８と素子側基板３ａ上の画素電極６との対向する部分にドットマトリクス状に配列される複数の画素が形成される。対向基板３ｂの内側表面には、必要に応じて、さらにカラーフィルタが形成される。また、対向基板３ｂの外側表面には偏光板１２が貼着される。
【００２７】
なお、素子側基板３ａにおいて、各配線４は実際には極めて狭い間隔寸法で多数本が基板３ａ上に形成されるが、図１では、構造を分かり易く示すために各配線４の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの配線４のうち数本を示し他の部分を省略してある。また、画素電極６は、実際には非常に面積が小さく、しかも微細な間隔でドットマトリクス状に配列されるが、図１では構造を分かり易く示すために各画素電極６を拡大して模式的に示すと共にそれらの間隔も拡大して示してある。
【００２８】
また、対向基板３ｂにおいて、対向電極８は実際には素子側基板３ａ上の画素電極６に対向するように極めて狭い間隔で多数本形成されるものであるが、図１では、構造を分かり易く示すために各対向電極８の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの対向電極８の一部分を省略してある。
【００２９】
画素電極６等が形成された素子側基板３ａの内側表面には、さらに、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対して一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。また、対向電極８が形成された対向基板３ｂの内側表面にも、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対しても一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。
【００３０】
本実施形態の液晶装置１はＣＯＧ（ Chip On Glass）方式の液晶装置であり、よって、素子側基板３ａの表面に液晶駆動用ＩＣ９ａが直接に実装され、また、対向基板３ｂの表面にも液晶駆動用ＩＣ９ｂが直接に実装される。そして、素子側基板３ａ上に形成された配線４が液晶駆動用ＩＣ９ａの出力端子に接続され、一方、対向基板３ｂ上に形成された対向電極８が液晶駆動用ＩＣ９ｂの出力端子に接続される。符号１１は、液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂを外部回路に接続するための外部接続用端子を示す。
【００３１】
液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂが作動すると、選択された画素に相当する画素電極６と対向電極８との間に所定の大きさのＯＮ電圧及びＯＦＦ電圧が印加され、この電圧制御によって液晶の配向状態を制御する。そして、この配向制御に基づいて光を変調することにより、文字、数字、絵柄等といった像を外部に表示する。配線４は、データ線として用いられることもあるし、走査線として用いられることもある。
【００３２】
図９は、素子側基板３ａの内側表面における１個の画素領域の近傍を拡大して示している。また、図１０は、図９のＡ−Ａ線に従った断面構造を示している。これらの図において、配線４は、Ｔａ（タンタル）等といった導電材によって形成された第１層４ａと、その第１層４ａの上に積層された陽極酸化膜によって形成された第２層４ｂと、その第２層４ｂの上にＣｒ（クロム）等の導電材によって形成された第３層４ｃとによって構成される。
【００３３】
また、ＴＦＤ素子７は、一対のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂを電気的に逆向きに直列接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造の素子として形成されている。このバック・ツー・バック構造により、１個のＭＩＭ素子を用いる場合に比べて安定したスイッチング特性を得ることができる。もちろん、１個のＭＩＭ素子を用いて非線形素子を構成することもできる。
【００３４】
個々のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂは、配線４の第１層４ａと同時にＴａ等によって形成された第１電極１６と、その第１電極１６の上に形成された陽極酸化膜１７と、配線４の第３層４ｃと同時にＣｒ等によって形成された第２電極１８とによって構成される。図では、配線４に近い側の第２電極を１８ａで示し、配線４から遠い側すなわち画素電極６に近い側の第２電極を１８ｂで示している。この第２電極１８ｂの先端部分に重ねて画素電極６が形成される。この画素電極６は、図９に示すように概ね長方形状に形成され、これに接続する第２電極１８ｂの先端部分は画素電極６よりもわずかに大きい長方形状に形成される。
【００３５】
図１０に示すように、第２電極１８ｂと画素電極６との間には、保護層１５が形成される。この保護層１５は、例えば、ＴａＯＸ 、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮＸ 等といった絶縁性材料によって形成される。また、この保護層１５は、図９に示すように、ＭＩＭ素子１４ｂを構成する部分の第２電極１８ｂの全面を覆うと共にその第２電極１８ｂの先端長方形部分の外周縁を環状に覆っている。保護層１５の環状部分の内側は開口１３となっており、この開口１３を通して画素電極６と第２電極１８ｂとのコンタクト、すなわち接触がとられている。
【００３６】
なお、図１０では、素子側基板３ａの内側表面（すなわち、図１０の上側表面）上に形成される配向膜及びその外側表面（すなわち、図１０の下側表面）に貼着される偏光板は省略してある。
【００３７】
本発明に係る液晶装置１は以上のように構成されているので、図１において液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂが作動すると、選択された画素に相当する画素電極６と対向電極８との間に所定の大きさのＯＮ電圧又はＯＦＦ電圧が印加され、この電圧制御によって液晶の配向状態を制御する。そして、この配向制御に基づいて光を変調することにより、文字、数字、絵柄等といった像を表示する。このとき、アルミニウム合金によって形成された画素電極６は、電極として作用すると共に反射要素としても作用して太陽光その他の外部光を反射する。なお、配線４は、データ線として用いられることもあるし、走査線として用いられることもある。
【００３８】
本実施形態に係る液晶装置１では、図９及び図１０に示すように、ＭＩＭ素子１４ｂの第２電極１８ｂの上に保護層１５を形成した上で、その第２電極１８ｂに画素電極６を重ねて形成した。一般に、画素電極６はエッチング処理、特にウエットエッチング処理を含むフォトリソグラフィ−処理によって所定形状に形成されることが多い。この場合、保護層１５を設けておかないと、アルミニウム合金をエッチングして画素電極６を形成する際に、そのアルミニウム合金に接触しているクロムの下地層、すなわち第２電極１８ｂがそのエッチングによって除去されてしまう。この問題が発生すると、ＭＩＭ素子１４ｂに関して希望の特性が得られなくなり、液晶装置の表示品質が低下することが考えられる。
【００３９】
これに対し、本実施形態のように第２電極１８ｂの上に保護層１５を形成した上でその上でアルミニウム合金に対するエッチング処理を行えば、下地層である第２電極１８ｂに損傷を与えることなく画素電極６を希望の形状にパターニングすることができる。
【００４０】
なお、本実施形態では、図８に示すように、保護層１５の内部に形成される開口１３として、画素電極６と同じ形状で面積がそれよりもわずかに小さい単一の開口を形成し、その開口１３によって第２電極１８ｂと画素電極６との間のコンタクトすなわち接触をとった。しかしながら、この単一の開口に代えて、保護層１５の内部に複数のスルーホールを形成し、それらのスルーホールによって第２電極１８ｂと画素電極６との間のコンタクトをとることもできる。
【００４１】
ここで、複数のスルーホールを設ける場合は、開口の数、大きさ、配置密度等を適切なものとすれば、その上に形成される画素電極６の表面を適度な凹凸を有する良好な散乱面とすることができ、広い視野角において明るい表示とすることができる。
【００４２】
但し、第２電極１８ｂと画素電極６との間のコンタクト抵抗にバラツキが発生することを防止する観点からすれば、できるだけ面積の大きな開口を通して第２電極１８ｂと画素電極６との間のコンタクトをとることが望ましい。
【００４３】
以下、上記構成の液晶装置１を製造するための製造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。図２の工程（ａ）において、まず、ガラス基板母材３ａ’を用意する。このガラス基板母材３ａ’は、図１に示す液晶装置１の１個分の大きさの素子側基板３ａを複数個形成できる程度の面積を有する大面積のガラス基板によって形成される。この素子側基板母材３ａ’の表面にタンタル酸化物、例えばＴａ２Ｏ５を一様な厚さに成膜して下地層１９を形成する。この下地層１９は、これ以降に基板母材３ａ’上に形成される膜の基板母材３ａ’に対する密着性を高める等のために形成されるものである。
【００４４】
次に、工程（ｂ）において、タンタル（Ｔａ）をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ−処理等を実施して、配線４の第１層４ａ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６を形成する。この状態を平面的に見ると図４に示す通りである。この状態では、配線用の第１層４ａとＭＩＭ素子用の第１電極１６は一体につながっている。
【００４５】
次に、工程（ｃ）において、配線の第１層４ａを陽極端子として陽極酸化処理を実行し、その第１層４ａ及びＭＩＭ素子用の第１電極１６の上に、絶縁膜として作用する陽極酸化膜を一様な厚さに形成する。これにより、配線４の第２層４ｂ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの絶縁層１７が形成される。この状態を平面的に見ると図５に示す通りである。
【００４６】
次に、工程（ｄ）において素子部フォトエッチング（図ではＰＥと略記）工程を実行する。この工程は、図５において、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂと、ＭＩＭ素子の第１電極１６及び絶縁膜１７とを繋ぐ部分Ｂをエッチングによって部分的に除去するための工程である。この工程により、ＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６並びに絶縁層１７が、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂから島状に分断されて、図６に示す状態になる。
【００４７】
次に、図３の工程（ｅ）において、クロムをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ−処理を実施して、配線４の第３層４ｃ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第２電極１８ａ及び１８ｂを形成する。この状態を平面的に見ると図７に示す通りである。このとき、配線４から遠い側に形成される第２電極１８ｂの先端部分は、１個の画素と略同じ形状に形成される。
【００４８】
次に、工程（ｆ）において、保護層を形成するための材料、例えばＴａＯＸ、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸ等をスパッタリング等によって一様な厚さに成膜し、さらに、フォトリソグラフィ−処理によって所定形状の保護層１５を形成する。この保護層１５は、図８に示すように、第２電極１８ｂのうちＭＩＭ素子１４ｂを構成する部分を覆うと共にその第２電極１８ｂの先端長方形状部分の外周縁に沿って環状に形成される。つまり、保護層１５の内部には環状部分によって囲まれる開口１３が形成される。
【００４９】
その後、工程（ｇ）において、画素電極６を形成するための処理を実行する。具体的には、画素電極６の材料であるアルミニウム合金をスパッタリング等によって一様な厚さに成膜し、さらに、エッチング処理を含むフォトリソグラフィ−処理を実施して、図９に符合６で示すような１画素の大きさに相当する所定形状の画素電極を第２電極１８ｂの先端部分の上、すなわちクロムパターン上に形成する。
【００５０】
ここで行われるエッチング処理がウエットエッチング処理である場合には、画素電極６に接触している第２電極１８ｂが電蝕によって部分的に溶けるおそれがある。しかしながら本実施形態では、第２電極１８ｂを覆うように保護層１５を形成してあるので、アルミニウム合金膜をエッチングして画素電極６を形成する際、その下地層である第２電極１８ｂがエッチングによって除去されることを確実に防止できる。そしてその結果、常にＭＩＭ素子１４ｂに関して希望の特性を得ることができる。
【００５１】
以上の作業により、図１に示す素子側基板３ａを複数個含む素子側基板母材３ａ’が完成する。そしてその一方で、対向基板３ｂを複数個含む対向基板母材が別途行われる作業によって作製される。こうして形成される素子側基板母材３ａ’及び対向基板母材のいずれか一方の表面には各液晶装置部分に対応させてシール材２がスクリーン印刷等によって形成される。
【００５２】
その後、上記の素子側基板母材３ａ’と対向基板母材とをシール材２を挟んで互いに貼り合わせて大面積のパネル構造体を作製し、さらにそのパネル構造の各液晶装置部分の内部に液晶を封入し、さらに各基板母材の所定位置に切断用溝、いわゆるスクライブ溝を形成し、さらにその切断用溝に従って各基板母材を切断、いわゆるブレイクすることにより個々の液晶パネルが切り出される。こうして切り出される個々の液晶パネルに図１の偏光板１２、液晶駆動用ＩＣ９ａ，９ｂを装着することにより、図１に示す液晶装置１が完成する。
【００５３】
（第２実施形態）
図１１は、本発明に係る液晶装置の他の実施形態で用いられる素子側基盤の１画素部分の断面構造を示している。この素子構造において図１０に示した要素と同じものは同じ符号を用いて示すことにして、それらの説明は省略する。図１１に示す構造が図１０に示した構造と異なる点は、保護層１５をＭＩＭ素子１４ｂの第２電極１８ｂの上に形成することに加え、その保護層１５をもう一方のＭＩＭ素子１４ａの第２電極１８ａの上及び配線４の上にも形成したことである。
【００５４】
保護層１５はＴａＯＸ 、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮＸ 等といった絶縁性材料によって形成されるので、上記のように第２電極１８ａ及び配線４の上にも保護層１５を形成すれば、素子側基板３ａとそれに対向する対向基板との間に何等かの導電材が介在する場合でも、それらの基板がショート、すなわち短絡することを確実に防止できる。
【００５５】
（第３実施形態）
図１２は、図１に示す液晶装置１を用いて構成される本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯型コンピュータを示している。この携帯型コンピュータ３１は、複数のキー３２を備えたキーボード部３３と、そのキーボード部３３に対して矢印Ｄのように開閉回転動作する筐体としてのカバー３４と、そのカバー３４に埋め込まれた液晶装置３０とを含んで構成される。液晶装置３０は、図１の液晶装置１に制御回路等といった付帯機器を装着することによって作製される。
【００５６】
キーボード部３３の内部には、携帯型コンピュータとしての機能を果たすための各種の演算を実行するためのＣＰＵ（中央処理装置）を含む制御部が格納される。そしてその制御部は、液晶装置３０に所定の映像を表示するための演算処理を実行する。
【００５７】
本実施形態の携帯型コンピュータにおいては、その中で用いる液晶装置に関して、図９及び図１０に示すように、ＭＩＭ素子の第２電極１８ｂの上に保護層１５を形成した上で、その保護層１５の上でアルミニウム合金に対するエッチング処理を行うようにした。その結果、下地層である第２電極１８ｂに損傷を与えることなく画素電極６を希望の形状にパターニングすることができる。
【００５８】
（その他の実施形態）
図１に示す液晶装置はＣＯＧ方式の液晶装置であるが、本発明はそれ以外の構造を有する任意の液晶装置に対して適用できる。例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding：テープ自動化実装）の技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップをボンディングして形成されるＴＣＰ（Tape Carrier Package）を用いる構造の、いわゆるＴＡＢ方式の液晶装置に対して本発明を適用できる。また、エポキシ基板等といったガラス以外の基板上にＩＣチップを実装する構造の、いわゆるＣＯＢ（Chip On Board）方式の液晶装置に対して本発明を適用することもできる。
【００５９】
上記の実施形態では一対のＭＩＭ素子を逆極性で直列に接続した構造のバック・ツー・バック方式のＴＦＤ素子を非線形素子として用いる場合を例示したが、１個のＭＩＭ素子を用いる構造のＴＦＤ素子を用いることもでき、あるいは、ＴＦＤ素子に代えてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いることもできる。
【００６０】
また、図１２では、電子機器として携帯型コンピュータを例示したが、本発明に係る液晶装置はその他の任意の電子機器、例えば、携帯電話機等にも適用できる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明に係る液晶装置、電子機器及び液晶装置の製造方法によれば、アルミニウム合金膜をエッチングによって所定形状の画素電極に形成する際に、その下地層である素子側電極がそのエッチングによって除去されることを保護層の働きによって阻止できる。そしてその結果、全てのアクティブ素子に関して安定した特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して示す平面図である。
【図２】本発明に係る液晶装置の製造方法を模式的に示す工程図である。
【図３】図２に引き続く工程図である。
【図４】液晶装置の製造過程の一例を示す平面図である。
【図５】液晶装置の製造過程の他の一例を示す平面図である。
【図６】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図７】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図８】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図９】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図であって、ＴＦＤ素子が完成した状態を示す図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に従った断面構造を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置の他の実施形態を構成する素子側基盤の断面構造を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１          液晶装置
２          シール材
３ａ        素子側基板
３ａ’      素子側基板母材
３ｂ        対向基板
４          配線
４ａ        第１層
４ｂ        第２層
４ｃ        第３層
６          画素電極
７          ＴＦＤ素子（アクティブ素子）
８          対向電極
１３          開口
１４ａ，１４ｂ  ＭＩＭ素子
１５          保護層
１６          第１電極
１７          絶縁層
１８ａ        第２電極
１８ｂ        第２電極（素子側電極）
１９          下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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