(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方法で標準試料である多結晶半導体膜を形成する工程と、
この標準試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を光学的に測定し算出するとともに、粒径を測定する工程と、
前記所定方法で検査対象となる評価試料である多結晶半導体膜を形成する工程と、
この評価試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を光学的に測定し算出する工程と、
前記標準試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性と前記評価試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性とを比較して、前記評価試料の粒径を算出する工程と
を備えたことを特徴とする多結晶半導体膜の検査方法。
【請求項２】
多結晶半導体膜は、多結晶シリコン薄膜であり、
この多結晶シリコン薄膜の形成には、エネルギービームアニール法を用い、
屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性の測定には、分光エリプソメータを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の多結晶半導体膜の検査方法。
【請求項３】
互いに粒径の異なる複数の標準試料を用いる
ことを特徴とする請求項１または２記載の多結晶半導体膜の検査方法。
【請求項４】
平均粒径が約０．３〔μｍ〕の標準試料を用いる
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の多結晶半導体膜の検査方法。
【請求項５】
平均粒径が約０．３〔μｍ〕の標準試料および平均粒径が約０．５〔μｍ〕の標準試料を用いる
ことを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の多結晶半導体膜の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多結晶半導体膜の粒径を測定する多結晶半導体膜の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）（以下、ｐ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（以下、ｐ−ＳｉＴＦＴ）は、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ（以下、ａ−ＳｉＴＦＴ）よりも移動度が１０から１００倍程度高い利点を有している。そこで、液晶表示装置（ＬＣＤ）などについて、ｐ−ＳｉＴＦＴを画素スイッチング素子として用いるだけでなく、周辺駆動回路にも用いて、画素ＴＦＴと駆動回路ＴＦＴとを同一基板上に同時に形成した駆動回路一体型ＴＦＴ−ＬＣＤの研究開発が盛んに行われている。この際、図６に示すように、ｐ−ＳｉＴＦＴの結晶の粒径と移動度とは、粒径が大きい程、移動度が高い、という相関があるため、粒径の大きさを測定することが、大きな課題となっている。
【０００３】
従来、結晶の粒径の大きさについては、セコエッチングなどのエッチングにより結晶粒界を選択的に除去した後、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）などを用いて粒径を測定し、あるいは、基板厚さ方向に沿って切断した断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察を行っていたが、これらの方法では、粒径の観察まで少なくとも２時間以上かかるという問題を有している。また、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によっても粒径の観察は可能であるが、１点の観察・粒径解析に３０分程度の時間がかかるという問題を有している。
【０００４】
この点、非破壊・非接触で短時間での測定が可能であり、測定時間が１点当たり５秒程度と短い分光エリプソメータを用いた粒径解析が考えられるが、ｐ−Ｓｉの解析のための解析モデルの構築が難しく、すなわち、粒径、移動度などの定量化が困難である問題を有している。特に、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）法により作製したｐ−Ｓｉは、作成条件によっては、例えば５０〔ｎｍ〕程度の膜厚オーダの凹凸が表面に出現するため、定量化が困難である問題を有している。
【０００５】
例えば、駆動回路一体型ＴＦＴ−ＬＣＤを作成する場合、ｐ−Ｓｉの平均粒径は０．２５〜０．４５〔μｍ〕付近が適当である。これは、０．２５〔μｍ〕未満の粒径では、移動度がｎチャンネル低濃度不純物層薄膜トランジスタ（ｎ−ｃｈＬＤＤ一ＴＦＴ）で移動度が６０〔ｃｍ2 ／Ｖｓ〕未満となり、１２インチクラス以上のＬＣＤの駆動が困難となり、反対に、粒径が０．５〔μｍ〕以上の大結晶になると、ＴＦＴの移動度が高く、電流値がとれすぎるため、ＴＦＴが経時的に劣化するためである。そこで、駆動回路一体型ＴＦＴ−ＬＣＤのｐ−Ｓｉは、０．２５〜０．４５〔μｍ〕付近の粒径に作製することが望ましいが、この範囲のｐ−Ｓｉ膜を高精度かつ短時間で測定することはできなかった。例えば、従来からある技術で、図７に示すように、ｐ−Ｓｉをａ−Ｓｉとｃ−Ｓｉ（結晶シリコン）との混合物として現した場合のｐ−Ｓｉの平均粒径とｐ−Ｓｉの組成比率との関係を利用する方法や、図８に示すように、ｐ−Ｓｉを、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉおよびｃ−Ｓｉの混合物として現した場合のｐ−Ｓｉの平均粒径とｐ−Ｓｉの組成比率との関係を利用する方法では、いずれも、膜厚がプラスマイナス５％異なっているサンプルでは再現性がなく、粒径の測定に利用できる精度を実現できない問題を有している。これは、解析時に膜厚・膜質の両方を同時にパラメータとして計算するためである。すなわち、膜厚だけを決めると膜質が実試料のものと異なり、さらに、今求めた膜厚を用いて膜質を計算すると、もう一度膜厚を計算する必要が生じるといった問題を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の方法では、分光エリプソメータを用いた粒径解析においては、粒径、移動度などの定量化が困難で、粒径を短時間に高精度で測定することは困難な問題を有している。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、多結晶半導体膜の粒径を短時間に高精度で測定できる多結晶半導体膜の検査方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の多結晶半導体膜の検査方法は、所定方法で標準試料である多結晶半導体膜を形成し、この標準試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を光学的に測定し算出するとともに、粒径を測定し、前記所定方法で検査対象となる評価試料である多結晶半導体膜を形成し、この評価試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を光学的に測定し算出し、標準試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性と前記評価試料の屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性とを比較して、前記評価試料の粒径を算出するものである。そして、この構成では、標準試料を形成、測定し、次いで、検査対象となる評価試料を形成、測定することにより、光学的な測定結果の定量化が可能になり、非破壊かつ非接触で、短時間に高精度の粒径の測定が可能になる。
【０００９】
さらに、多結晶シリコン薄膜をエネルギービームアニール法を用いて形成し、分光エリプソメータを用いて屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を測定することにより、短時間に高精度の粒径の測定が可能になり、例えば、薄膜トランジスタ、液晶表示装置などの品質管理が短時間に高精度で可能になる。
【００１０】
また、互いに粒径の異なる複数の標準試料を用いることにより、高精度の粒径の測定が可能になる。
【００１１】
さらに、平均粒径が約０．３〔μｍ〕の標準試料を用い、あるいは、約０．３〔μｍ〕と約０．５〔μｍ〕との標準試料を用いることにより、平均結晶粒径が０．２５〜０．４５〔μｍ〕の多結晶シリコン薄膜が精度良く選定され、製造効率が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多結晶半導体膜の検査方法の一実施の形態としての多結晶シリコン薄膜の検査方法を図面を参照して説明する。
【００１３】
まず、第１の実施の形態を、図１ないし図３のグラフを参照して説明する。
【００１４】
この第１の実施の形態の評価対象すなわち測定の対象となる検査試料は、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した構造のｐ−Ｓｉの検査方法である。また、このｐ−Ｓｉは、ＥＬＡ法により形成された膜である。
【００１５】
まず、この時点で、ｐ−Ｓｉ膜の平均粒径、表面凹凸が異なる２種類の標準試料を作製する。また、これら標準試料は、検査試料と同じ構造であることが望ましい。そして、本実施の形態では、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のａ−Ｓｉを積層した構造の試料に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いたＥＬＡ法により形成したｐ−Ｓｉを用いる。この際、例えば、照射エネルギーはそれぞれ約３４０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕、３７０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として２６回照射し、ｐ−Ｓｉの平均粒径をそれぞれ約０．５１〔μｍ〕、約０．０８〔μｍ〕、表面凹凸をそれぞれ約２１〔ｎｍ〕、約１２〔ｎｍ〕とする。ここで、高い照射エネルギーで形成したｐ−Ｓｉの方が粒径が小さくなるのは、Ｐ−Ｓｉ／ＳｉＯｘ界面に形成された結晶核が完全溶融してしまうためである。また、これら平均粒径および表面凹凸は、走査型電子顕微鏡などにより確認する。
【００１６】
次に、これら標準試料について、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。そして、この偏光特性の解析により、それぞれのｐ−Ｓｉのｎ（屈折率）、ｋ（減衰係数）の波長依存性を算出する。その結果、得られた各標準試料のｎ（屈折率）の波長依存性をｎ１（λ）、ｎ２（λ）、ｋ（減衰係数）の波長依存性をｋ１（λ）、ｋ２（λ）という関数で表す。
【００１７】
次に、粒径を測定したいｐ−Ｓｉ、すなわち、ガラス基板上に約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した検査試料をＥＬＡ法により製造し、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。
【００１８】
なお、この測定の際の測定エネルギー範囲は、２．０〜５．０〔ｅＶ〕が望ましい。なぜなら、通常、市販されている装置では、１・５〜５．０〔ｅＶ〕の範囲が測定できる装置が多いが１．５〜２．０〔ｅＶ〕の範囲は、図２のグラフおよび図３のグラフに示すように、Ｐ−Ｓｉの下地となるＳｉＯｘ、ＳｉＮｘの膜厚のばらつきにより影響を受けることが判明したためである。
【００１９】
そして、この偏光特性から算出した屈折率の波長依存性、滅衰係数の波長依存性を、それぞれｋ（λ）、ｎ（λ）という関数で表すことにする。そして、このｋ（λ）、ｎ（λ）を標準試料のｎ１（λ）、ｎ２（λ）、ｋ１（λ）、ｋ２（λ）で表し、
ｋ（λ）＝ａ＊ｋ１（λ）＋ｂ＊ｋ２（λ）
ｎ（λ）＝ａ＊ｎ１（λ）＋ｂ＊ｎ２（λ）
ａ＋ｂ＝１
を同時に満たすａ、ｂを決定する。
【００２０】
図１に、ａ、すなわち膜厚約０．５〔μｍ〕のｐ−Ｓｉの光学特性関数の係数の値と粒径の関係を示す。そして、この図１のグラフから、ａの値が０．４未満であれば、照射エネルギーが高すぎるために生じる、約０．０８〔μｍ〕の微小結晶領域であることがわかる。そして、ＴＦＴ用のｐ−Ｓｉとしては、このような小粒径のｐ−Ｓｉは移動度が低いため不適である。このようにして、良品と不良品を短時間に高精度に見分けることができる。
【００２１】
なお、ｐ−Ｓｉのｋ（λ）、ｎ（λ）を表現する際に、第３の関数として、ａ−Ｓｉの屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を示す関数として、ｋa-Si（λ）、ｎa-Si（λ）を用いて、
ｋ（λ）＝ａ＊ｋ１（λ）＋ｂ＊ｋ２（λ）＋ｃ＊ｋa-Si（λ）
ｎ（λ）＝ａ＊ｎ１（λ）＋ｂ＊ｎ２（λ）＋ｃ＊ｎa-Si（λ）
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
とする方法も、ＥＬＡ法により２種類の照射エネルギーで形成したｐ−Ｓｉの関数を使う点で効果は同等である。
【００２２】
次に、第２の実施の形態を、図４のグラフを参照して説明する。
【００２３】
この第２の実施の形態の評価対象すなわち測定の対象となる検査試料は、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５０〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した構造のｐ−Ｓｉの検査方法である。また、このｐ−Ｓｉは、ＥＬＡ法により形成された膜である。
【００２４】
まず、この時点で、ｐ−Ｓｉ膜の平均粒径、表面凹凸が異なる２種類の標準試料を作製する。また、これら標準試料は、検査試料と同じ構造であることが望ましい。そして、本実施の形態では、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５０〔ｎｍ〕のａ−Ｓｉを積層した構造の試料に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いたＥＬＡ法により形成したｐ−Ｓｉを用いる。この際、例えば、照射エネルギーはそれぞれ約２８０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕、３１０〔ｍＪ／ｃｍ2 〕として２６回照射し、ｐ−Ｓｉの平均粒径をそれぞれ約０．１９〔μｍ〕、約０．３４〔μｍ〕、表面凹凸をそれぞれ約２９〔ｎｍ〕、約５２〔ｎｍ〕とする。また、これら平均粒径および表面凹凸は、走査型電子顕微鏡などにより確認する。
【００２５】
次に、これら標準試料について、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。そして、この偏光特性の解析により、それぞれのｐ−Ｓｉのｎ（屈折率）、ｋ（減衰係数）の波長依存性を算出する。その結果、得られた各標準試料のｎ（屈折率）の波長依存性をｎ３（λ）、ｎ４（λ）、ｋ（減衰係数）の波長依存性をｋ３（λ）、ｋ４（λ）という関数で表す。
【００２６】
次に、粒径を測定したいｐ−Ｓｉ、すなわち、ガラス基板上に約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５０〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した検査試料をＥＬＡ法により製造し、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。
【００２７】
そして、この偏光特性から算出した屈折率の波長依存性、滅衰係数の波長依存性を、それぞれｋ（λ）、ｎ（λ）という関数で表すことにする。そして、このｋ（λ）、ｎ（λ）を標準試料のｎ３（λ）、ｎ４（λ）、ｋ３（λ）、ｋ４（λ）で表し、
ｋ（λ）＝ｄ＊ｋ３（λ）＋ｅ＊ｋ４（λ）
ｎ（λ）＝ｄ＊ｎ３（λ）＋ｅ＊ｎ４（λ）
ｄ＋ｅ＝１
を同時に満たすｄ、ｅを決定する。
【００２８】
図４に、ｄ、すなわち膜厚約０．３〔μｍ〕のｐ−Ｓｉの光学特性関数の係数の値と粒径の関係を示す。そして、この図４のグラフから、ｅの値が０．３５未満であれば、平均粒径が０．１０〜０．２４〔μｍ〕であることが示される。そして、ＴＦＴ用のｐ−Ｓｉとしては、このような小粒径のｐ−Ｓｉは移動度が低いため不適である。このようにして、良品と不良品を短時間に高精度に見分けることができる。
【００２９】
なお、ｐ−Ｓｉのｋ（λ）、ｎ（λ）を表現する際に、第３の関数として、ａ−Ｓｉの屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を示す関数として、ｋa-Si（λ）、ｎa-Si（λ）を用いて、
ｋ（λ）＝ｄ＊ｋ１（λ）＋ｅ＊ｋ２（λ）＋ｆ＊ｋa-Si（λ）
ｎ（λ）＝ｄ＊ｎ１（λ）＋ｄ＊ｎ２（λ）＋ｆ＊ｎa-Si（λ）
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１
とする方法も、ＥＬＡ法により２種類の照射エネルギーで形成し、少なくとも膜厚約０．３〔μｍ〕のｐ−Ｓｉの関数を使う点で効果は同等である。
【００３０】
次に、第３の実施の形態を、図５のグラフを参照して説明する。
【００３１】
この第３の実施の形態の評価対象すなわち測定の対象となる検査試料は、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した構造のｐ−Ｓｉの検査方法である。また、このｐ−Ｓｉは、ＥＬＡ法により形成された膜である。
【００３２】
まず、この時点で、ｐ−Ｓｉ膜の平均粒径、表面凹凸が異なる２種類の標準試料の標準試料およびａ−Ｓｉの試料を作製する。また、これら標準試料は、検査試料と同じ構造であることが望ましい。そして、本実施の形態では、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５０〔ｎｍ〕のａ−Ｓｉを積層した構造の試料に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いたＥＬＡ法により形成したｐ−Ｓｉを用いる。この際、例えば、照射エネルギーはそれぞれ約３４２〔ｍＪ／ｃｍ２  〕、３０５〔ｍＪ／ｃｍ２  〕として２６回照射し、ｐ−Ｓｉの平均粒径をそれぞれ約０．５２〔μｍ〕、約０．３１〔μｍ〕、表面凹凸をそれぞれ約２２〔ｎｍ〕、約５３〔ｎｍ〕とする。また、これら平均粒径および表面凹凸は、走査型電子顕微鏡などにより確認する。さらに、この実施の形態では、ガラス基板上に、約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のａ−Ｓｉを積層した構造の試料を準備する。
【００３３】
次に、これら標準試料について、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。そして、この偏光特性の解析により、ａ−Ｓｉおよびそれぞれのｐ−Ｓｉのｎ（屈折率）、ｋ（減衰係数）の波長依存性を算出する。その結果、得られた各標準試料のｎ（屈折率）の波長依存性をｎａ−Ｓｉ（λ）、ｎ５（λ）、ｎ６（λ）、ｋ（減衰係数）の波長依存性をｋａ−Ｓｉ（λ）、ｋ５（λ）、ｋ６（λ）という関数で表す。
【００３４】
次に、粒径を測定したいｐ−Ｓｉ、すなわち、ガラス基板上に約５０〔ｎｍ〕のＳｉＮｘ、約１００〔ｎｍ〕のＳｉＯｘ、約５５〔ｎｍ〕のｐ−Ｓｉを積層した検査試料をＥＬＡ法により製造し、分光エリプソメータを用いて偏光特性を測定する。
【００３５】
そして、この偏光特性から算出した屈折率の波長依存性、滅衰係数の波長依存性を、それぞれｋ（λ）、ｎ（λ）という関数で表すことにする。そして、このｋ（λ）、ｎ（λ）を標準試料のｎa-Si（λ）、ｎ５（λ）、ｎ６（λ）、ｋa-Si（λ）、ｋ５（λ）、ｋ６（λ）という関数で表し、
ｋ（λ）＝ｇ＊ｋ３（λ）＋ｈ＊ｋ４（λ）＋ｉ＊ｋa-Si（λ）
ｎ（λ）＝ｇ＊ｎ３（λ）＋ｈ＊ｎ４（λ）＋ｉ＊ｎa-Si（λ）
ｇ＋ｈ＋ｉ＝１
を同時に満たすｇ、ｈ、ｉを決定する。
【００３６】
図５に、ｈ、すなわち膜厚約０．３〔μｍ〕のｐ−Ｓｉの光学特性関数の係数の値と粒径の関係を示す。そして、この図５のグラフから、ｈの値が０．３未満であれば、平均粒径が０．２５〜０．４５〔μｍ〕であることが示される。そして、このような粒径のｐ−Ｓｉは移動度が適度に高く、ＴＦＴ用のｐ−Ｓｉとして非常に適している。このようにして、良品と不良品を短時間に高精度に見分けることができる。
【００３７】
なお、ｐ−Ｓｉのｋ（λ）、ｎ（λ）を表現する際に、第３の関数として、ａ−Ｓｉの屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を示す関数として、ｋa-Si（λ）、ｎa-Si（λ）を導入したが、この関数を用いなくとも充分な検査が可能である。また、第４の関数、第５の関数を導入し、平均が０．２５〜０．４５〔μｍ〕の粒径を判別するという効果を得ることもできる。
【００３８】
このように、各実施の形態の多結晶シリコン薄膜の検査方法によれば、分光エリプソメータによる屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性の測定を用い、評価試料とは平均粒径・表面凹凸が異なる標準試料の作成、測定の後に、検査対象となる評価試料を作成、測定することにより、光学的な測定結果の定量化が可能になり、評価試料について、５秒程度の短時間の測定で、非破壊、非接触、高精度で、ｐ−Ｓｉの平均粒径を測定し、移動度などを算出して、良品と不良品を短時間に高精度に見分けることができる。そこで、例えば、薄膜トランジスタ、液晶表示装置などの品質管理を短時間に高精度にでき、製造効率を向上できる。
【００３９】
また、互いに粒径の異なる複数の標準試料を用いることにより、高精度に粒径を測定できる。さらに、平均粒径が約０．３〔μｍ〕の標準試料を用い、あるいは、約０．３〔μｍ〕と約０．５〔μｍ〕との標準試料を用いることにより、ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤで用いられている平均結晶粒径が０．２５〜０．４５〔μｍ〕のｐ−Ｓｉを精度良く選定でき、ｐ−Ｓｉの製造工程の品質管理に適用することにより、タイムタクトを改善し、製造コストを低減できる。
【００４０】
なお、上記の各実施の形態では、標準試料について、多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンの屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を比較したが、結晶質シリコンの屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性をあわせて測定することもできる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の多結晶半導体膜の検査方法によれば、標準試料を形成、測定し、次いで、検査対象となる評価試料を形成、測定することにより、光学的な測定結果の定量化が可能になり、非破壊かつ非接触で、短時間に高精度で粒径を測定できる。さらに、多結晶シリコン薄膜をエネルギービームアニール法を用いて形成し、分光エリプソメータを用いて屈折率の波長依存性および減衰係数の波長依存性を測定することにより、短時間に高精度の粒径の測定が可能になり、例えば、薄膜トランジスタ、液晶表示装置などの品質管理を短時間に高精度にでき、製造効率を向上できる。また、互いに粒径の異なる複数の標準試料を用いることにより、高精度に粒径を測定できる。さらに、平均粒径が約０．３〔μｍ〕の標準試料を用い、あるいは、約０．３〔μｍ〕と約０．５〔μｍ〕との標準試料を用いることにより、平均結晶粒径が０．２５〜０．４５〔μｍ〕の多結晶シリコン薄膜を精度良く選定でき、製造効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多結晶半導体膜の検査方法の第１の実施の形態を示す、ｐ−Ｓｉ（多結晶シリコン）を、０．５１，０．０８〔μｍ〕ｐ−Ｓｉで表現したときの０．５〔μｍ〕ｐ−Ｓｉ成分比率とｐ−Ｓｉ平均粒径との関係のグラフである。
【図２】ガラス、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ｐ−Ｓｉを積層した構造の屈折率の波長依存性であるｋ値のＳｉＮｘ膜厚依存性を示すグラフである。
【図３】ガラス、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ｐ−Ｓｉを積層した構造の屈折率の波長依存性であるｋ値のＳｉＯｘ膜厚依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の多結晶半導体膜の検査方法の第２の実施の形態を示すｐ−Ｓｉを０．３４，０．１９〔μｍ〕ｐ−Ｓｉで表現したときの０．３〔μｍ〕ｐ−Ｓｉ成分比率とｐ−Ｓｉ平均粒径との関係のグラフである。
【図５】本発明の多結晶半導体膜の検査方法の第３の実施の形態を示すｐ−Ｓｉを０．３４，０．５２〔μｍ〕ｐ−Ｓｉおよびａ−Ｓｉで表現したときの０．３〔μｍ〕ｐ−Ｓｉ成分比率とｐ−Ｓｉ平均粒径との関係のグラフである。
【図６】ｐ−ＳｉＴＦＴの移動度とｐ−Ｓｉの平均粒径との関係を示すグラフである。
【図７】ｐ−Ｓｉをａ−Ｓｉとｃ−Ｓｉとの混合物として現した場合のｐ−Ｓｉの平均粒径とｐ−Ｓｉの組成比率との関係を示すグラフである。
【図８】ｐ−Ｓｉを、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉおよびｃ−Ｓｉの混合物として現した場合のｐ−Ｓｉの平均粒径とｐ−Ｓｉの組成比率との関係をを示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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