(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【化１】
0003741341.tif 000024
（式中、Ｖ、Ｗ、ＸおよびＹは、それぞれＬ1−ＮＲ1Ｒ2（Ｒ1およびＲ2は、それぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1およびＲ2は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ1はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。）を表す。）
【請求項２】
下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【化２】
0003741341.tif 000025
（式中、Ａｒ21およびＡｒ22はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ21およびＡｒ22は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ2はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。）
【請求項３】
下記一般式（III)で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【化３】
0003741341.tif 000026
（式中、Ａｒ31およびＡｒ32はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ31およびＡｒ32は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ3はアリーレン基を表す。）
【請求項４】
下記一般式（IV）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【化４】
0003741341.tif 000027
（式中、Ａｒ41およびＡｒ42はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ41およびＡｒ42は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。ｎは１ないし４の整数を表す。Ｒは置換基を表す。ｍは０ないし４の整数を表す。）
【請求項５】
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、少なくとも一層が請求項１〜４記載の有機発光素子材料を含有する層であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、少なくとも一層が請求項１〜４記載の有機発光素子材料をポリマー中に分散した層であることを特徴とする有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子（有機発光素子）用材料および発光素子に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適に使用できる発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
バンスライクおよびタンらは例えば米国特許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香第三級アミンを内部接合有機電界発光（ＥＬ）素子の電荷（正孔）注入・輸送帯域に使用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作寿命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力の安定性を計るためにこの電荷（正孔）注入輸送帯域に用いる芳香族第三級アミンの改良は多くの研究者により試みられ、多くの特許出願および学術文献への報告がなされている。その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関してJapanese Journal of Applied Physics, 27, L269(1988)、特開昭５９−１９４３９３号、Appl. Phys. Lett., 66, 2679(1995)、特開平５−２３４６８１号、同７−３３１２３８号、同８−４８６５６号、およびＷＯ９５／０９１４７号など、スターバースト系の三級アミンに関して、Appl. Phys. Lett., 65, 807(1994)、特公平７−１１０９４０号などがある。しかしながら、これまで開示された化合物は、その性能（特に保存安定性）が未だ十分とはいえず、更なる改良が望まれている。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子において高輝度発光を実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層している素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣っており、高輝度、高効率発光化が大きな課題となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能で、繰り返し使用時での安定性に優れた有機発光素子用材料および有機発光素子の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【０００６】
【化５】
0003741341.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｖ、Ｗ、ＸおよびＹは、それぞれＬ1−ＮＲ1Ｒ2（Ｒ1およびＲ2は、それぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1およびＲ2は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ1はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。）を表す。）
（２）下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【０００８】
【化６】
0003741341.tif 000003
【０００９】
（式中、Ａｒ21およびＡｒ22はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ21およびＡｒ22は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ2はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。）
（３）下記一般式（III)で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【００１０】
【化７】
0003741341.tif 000004
【００１１】
（式中、Ａｒ31およびＡｒ32はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ31およびＡｒ32は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ3はアリーレン基を表す。）
（４）下記一般式（IV）で表される化合物であることを特徴とする有機発光素子材料。
【００１２】
【化８】
0003741341.tif 000005
【００１３】
（式中、Ａｒ41およびＡｒ42はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ41およびＡｒ42は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。ｎは１ないし４の整数を表す。Ｒは置換基を表す。ｍは０ないし４の整数を表す。）
（５）一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、少なくとも一層が（１）〜（４）記載の有機発光素子材料を含有する層であることを特徴とする有機発光素子。
（６）一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、少なくとも一層が（１）〜（４）記載の有機発光素子材料をポリマー中に分散した層であることを特徴とする有機発光素子。
【００１４】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｖ、Ｗ、ＸおよびＹは同一または互いに異なってもよく、それぞれＬ1−ＮＲ1Ｒ2を表す。ここでＲ1およびＲ2は、それぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表し、Ｒ1およびＲ2は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ｌ1はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。
Ｒ1、Ｒ2で表される脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐または環状であっても良く、好ましくは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基であり、更に好ましくはアルキル基である。
【００１５】
Ｒ1、Ｒ2で表されるアリール基は単環または縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニルなどが挙げられ、好ましくはフェニル、ナフチルである。
【００１６】
Ｒ1、Ｒ2で表されるヘテロ環基は、単環または縮環のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０のヘテロ環基）であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族ヘテロ環基である。Ｒ1、Ｒ2で表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾリン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、チアゾリジン、チアゾール、ベンズチアゾール、ナフトチアゾール、イソチアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、イソオキサゾール、セレナゾール、ベンズセレナゾール、ナフトセレナゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、インドール、インドレニン、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インダゾール、プリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、フェナントリジン、プテリジン、フェナントロリン、テトラザインデン、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられ、好ましくはピロール、チオフェン、ピリジン、キノリンであり、より好ましくはチオフェン、ピリジン、キノリンである。
【００１７】
Ｒ1、Ｒ2で表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基は置換基を有してもよく、置換基としては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜４０、より好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜５０、より好ましくは炭素数２〜４８、特に好ましくは炭素数２〜２８であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１８であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１���であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、スルファモイルアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばスルファモイルアミノ、３−メチルスルファモイルアミノなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数1〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。
【００１８】
置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子であり、特に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基（例えばメチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシルなど）、炭素数６〜２０のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ビフェニルイルなど）、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、シクロヘキシルオキシなど）、炭素数６〜１８のアリールオキシ（例えばフェノキシ、ナフトキシなど）、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基（例えばジメチルアミノ、ジエチルアミノなど）、炭素数７〜１５のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基（例えばＮ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ナフチルアミノなど）、炭素数１２〜２８のジアリールアミノ基（例えばジフェニルアミノ、Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノなど）、塩素原子である。
【００１９】
また、Ｒ1とＲ2が直接もしくは間接に結合して環を形成しない場合、好ましいＲ1およびＲ2は置換もしくは無置換のフェニル基またはナフチル基であり、より好ましくは無置換もしくはアルキル置換フェニル基またはナフチル基である。
Ｒ1とＲ2が直接もしくは間接に結合して環を形成する場合、好ましい環員数は５ないし７である。間接に連結する場合、すなわち６員環以上の環を形成する場合、連結基の例を示せば下記に示されるような２価の基である。
【００２０】
【化９】
0003741341.tif 000006
【００２１】
Ｒ’はアルキルまたはアリール基を表す。これらの基は置換基を有してもよく、その置換基は上記Ｒ1およびＲ2が有してもよい置換基として挙げたものが適用できる。
Ｌ1で表される２価の連結基は少なくとも一つアリール基または芳香族ヘテロ環基を含むものであり、例えばアリーレン基、２価の芳香族ヘテロ環基またはこれらの基とアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒａ）−（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）の組合せからなる基である。
Ｌ1で表される２価の連結基として好ましくはアリーレン基、２価の芳香族ヘテロ環基、またはこれらの基と−Ｎ（Ｒａ）−との組合せからなる基であり、例えば下記の２価の連結基などが挙げられる。
【００２２】
【化１０】
0003741341.tif 000007
【００２３】
【化１１】
0003741341.tif 000008
【００２４】
Ｌ1で表される２価の連結基としてより好ましくはアリーレン基であり、更に好ましくはフェニレン、ビフェニレン、トリフェニレン、テトラフェニレンであり、特に好ましくはフェニレン、ビフェニレンである。
Ｌ1で表される２価の連結基は置換基を有してもよく、例えばＲ1、Ｒ2の置換基として挙げたものが適用できる。Ｌ1の置換基として好ましくはハロゲン原子（例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり、好ましくはフッ素原子、塩素原子であり、より好ましくは塩素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ドデシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３６であり、例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセニル、ペンタフェニルなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０であり、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、、ドデシルオキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３６であり、例えばフェノキシ、ナフトキシ、アントラセノキシ、ペンタセノキシなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基（例えばＮ−エチル−Ｎ−ブチルアミノなど）、炭素数７〜４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基（例えばＮ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ、Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）アミノなど）又は炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基（例えばジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニル）アミノ、Ｎ−（１−アントラセニル）−Ｎ−（１−フェナントレニル）アミノ）など）である。
【００２５】
Ｌ1の置換基は更に置換されてもよく、その置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、シリル基又はアゾリル基が挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はジアリールアミノ基であり、特に好ましくは、アルキル基又はジアリールアミノ基である。
一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、好ましくは一般式（II）で表される化合物である。
【００２６】
【化１２】
0003741341.tif 000009
【００２７】
式中、Ａｒ21およびＡｒ22はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ21およびＡｒ22は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ａｒ21、Ａｒ22で表されるアリール基は一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2で表されるアリール基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ2はアリール基および／または芳香族ヘテロ環基を含む２価の連結基を表す。Ｌ2で表される２価の連結基は一般式（Ｉ）におけるＬ1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００２８】
一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、より好ましくは一般式（III)で表される化合物である。
【００２９】
【化１３】
0003741341.tif 000010
【００３０】
式中、Ａｒ31およびＡｒ32はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ31およびＡｒ32は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ａｒ31、Ａｒ32で表されるアリール基は一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2で表されるアリール基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ3はアリーレン基を表す。Ｌ3で表されるアリーレン基は一般式（Ｉ）におけるＬ1で表される２価の連結基で説明したアリーレン基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、更に好ましくは一般式（IV）で表される化合物である。
【００３１】
【化１４】
0003741341.tif 000011
【００３２】
式中、Ａｒ41およびＡｒ42はそれぞれアリール基を表す。Ａｒ41およびＡｒ42は互いに、直接もしくは間接に結合して環を形成してもよい。Ａｒ41、Ａｒ42で表されるアリール基は一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2で表されるアリール基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ｎは１ないし４の整数を表し、好ましくは１または２である。
Ｒは置換基を表す。Ｒで表される置換基は一般式（Ｉ）におけるＬ1の置換基として挙げたものが適用でき、また好ましい範囲も同様である。
ｍは０ないし４の整数を表し、好ましくは０または１である。ｍが２ないし４の整数の場合、Ｒは同一または互いに異なってもよい。
【００３３】
また、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物は低分子量化合物であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）もしくは、本発明の化合物を主鎖にもつ高分子量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であってもよい。高分子量化合物の場合は、ホモポリマーであっても良いし、他のモノマーとの共重合体であっても良い。
なお、一般式（Ｉ）は便宜的に極限構造式で表しているが、その互変異性体であってもよい。
【００３４】
以下に本発明の化合物の具体例を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
【化１５】
0003741341.tif 000012
【００３６】
【化１６】
0003741341.tif 000013
【００３７】
【化１７】
0003741341.tif 000014
【００３８】
【化１８】
0003741341.tif 000015
【００３９】
【化１９】
0003741341.tif 000016
【００４０】
【化２０】
0003741341.tif 000017
【００４１】
【化２１】
0003741341.tif 000018
【００４２】
【化２２】
0003741341.tif 000019
【００４３】
【化２３】
0003741341.tif 000020
【００４４】
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば金属銅触媒と塩基を用いるウルマン型反応（米国特許第４，７６４，６２５号等参照）やホウ素化合物とハロゲン化合物をパラジウム触媒でカップリングする鈴木反応（Synth. Commun., 11,513(1981)等参照）などにより合成できる。
以下に本発明化合物の具体的合成例を示す。
【００４５】
合成例１（例示化合物（２）の合成）
テトラキス（４−ヨードフェニル）メタン（J. Am. Chem. Soc., 113, 4696(1991)記載の方法により合成 ) 2.0g(2.43mmol)、３−メチルジフェニルアミン3.6g(19.4mmol)、水酸化カリウム1.4g(24.3mmol)および銅粉0.62g(9.74mmol)とデカリン５０ｍｌを混合し、窒素気流下外温２００℃で約２４時間加熱撹拌した。室温近くに冷却した後クロロホルムを加え、不溶物を除くためセライトろ過を行った。ろ液に水を加え、抽出操作を行い、得られた反応濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製することにより原料の３−メチルジフェニルアミンが少量混じった結晶性のテトラキス〔（３−メチルジフェニルアミノ）フェニル〕メタン（例示化合物（２））を得た。エタノールを加え、撹拌・濾過することによりほぼ純粋な例示化合物（２）を淡黄色結晶として1.4g(55.1%)得、更にテトラヒドロフランとエタノールの混合溶媒から再結晶することにより、純粋な例示化合物（２）を0.9g(35.4%)得ることが出来た。融点264〜266℃。
mass(FAB-posi) ; 1045(M+)
1H-NMR(CDCl3) ;  d(ppm)  2.23(12H,s), 6.80〜7.25(52H,m)
【００４６】
合成例２（例示化合物（１６）の合成）
合成例１に示した方法において、３−メチルジフェニルアミンの代わりに５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼピンを用いる以外は同様にして、例示化合物（１６）を合成した。収率１５％。
【００４７】
合成例３（例示化合物（３２）の合成）
合成例１に示した方法において、３−メチルジフェニルアミンの代わりに９Ｈ−トリベンズ〔ｂ，ｄ，ｆ〕アゼピン（J. Org. Chem., 56, 3906(1991)に記載の方法で合成）を用いる以外は同様にして、例示化合物（３２）を合成した。収率１２％。
【００４８】
合成例４（例示化合物（８）の合成）
テトラキス（４−ヨードフェニル）メタン 2.0g(2.43mmol)、４−（３−メチルジフェニルアミノ）フェニルボロン酸2.43g(8.02mmol)、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.1g(0.087mmol)、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液6.0ml(12.0mmol)のトルエン／ジメチルホルムアミド溶液（30ml/20ml）を窒素気流下約１０時間加熱環流した。反応液をクロロホルム抽出し、常法による後処理後、無水硫酸マグネシウムで乾燥・減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、テトラヒドロフラン／エタノール混合溶媒から再結晶することにより、例示化合物（８）を４５％の収率で得ることができた。
【００４９】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００５０】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００５１】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理などが効果的である。
【００５２】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）またはそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００５３】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよい。好ましくは発光層に本発明の化合物を含有するものであるが、本発明の化合物の他の発光材料を用いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００５４】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００５５】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００５６】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等の金属酸化物、ＭｇＦ2 、ＬｉＦ、ＡｌＦ3 、ＣａＦ2 等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法を適用できる。
【００５７】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
実施例１
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス基板上に、表１記載の化合物を膜厚５０ｎｍ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III)（Ａｌｑ）を膜厚６０ｎｍとなるように、この順に真空蒸着（８×１０-6〜１×１０-5ｔｏｒｒ）した。この上にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、Ａｌ−Ｌｉ（Ｌｉ濃度１５％のＡｌ−Ｌｉ合金使用）を１５０ｎｍ、更にＡｌを２００ｎｍ蒸着した（８×１０-6〜１×１０-5Ｔｏｒｒ）。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、ＩＴＯを陽極、Ａｌ−Ｌｉを陰極として直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。また、作製した素子を乾燥窒素雰囲気下４０℃で１０時間放置後発光させた相対輝度（素子作製直後の輝度を１００とした場合の経時後の輝度を相対値で表した値（駆動電圧１３Ｖ））および発光面のダークスポットの有無を評価した。結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】
0003741341.tif 000021
【００５９】
【化２４】
0003741341.tif 000022
【００６０】
表１の結果より、本発明の化合物を用いると最低駆動電圧が低く、かつ高輝度発光が可能であることがわかる。また、高温保存後の輝度低下、ダークスポットの発生も少なく耐久性に優れていることがわかる。
【００６１】
実施例２．
実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、表２記載の化合物５ｍｇ、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）１２ｍｇ、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン０．５ｍｇを１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコートした。生成した有機薄膜の膜厚は、約１２０ｎｍであった。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を２５０ｎｍ共蒸着した後、銀３００ｎｍを蒸着した。
評価は実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００６２】
【表２】
0003741341.tif 000023
【００６３】
表２の結果から明らかなように、本発明の化合物を用いた素子では、比較化合物に比べ、通常発光輝度が低い塗布方式においても低電圧駆動、高輝度発光が可能であることが判る。また比較化合物（ＴＰＤ）を用いた素子ではダークスポットの発生が顕著に見られるのに対し、本発明の素子では良好な面状を示した。
【００６４】
【発明の効果】
本発明により、低電圧駆動、高輝度発光が可能な有機発光素子が得られる。また、通常輝度の低い塗布方式でも良好な発光特性が得られ、製造コスト面等で有利な素子作製が可能となる。また、従来の化合物に対して耐久性面でも良好な素子作製が可能となる。