(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の左右両端部に，当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，前記両端子電極を，少なくとも，絶縁基板の上面に抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，前記絶縁基板の端面に前記主上面電極に導通するように形成した側面電極とで構成する一方，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，少なくとも，下層のアンダーコートと上層のオーバーコートとで構成し，更に，前記補助上面電極を，前記オーバーコートの端部に重なるように構成して成るチップ型抵抗器において，
前記両端子電極における主上面電極の上面の一部に，前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成する一方，前記補助上面電極を，前記飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がるように形成することにより，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記飛び地部を，前記主上面電極の上面における左右両側に設けることを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
【請求項３】
絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に導通する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を覆うアンダーコートを，当該アンダーコートによる飛び地部を前記両主上面電極の上面における一部に設けるようにして形成する工程と，
このアンダーコートを覆うオーバーコートを形成する工程と，
補助上面電極を前記両主上面電極の上面と前記飛び地部の上面との両方に跨がり且つ前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程とを備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくする工程であり，
更に，前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を前記主上面電極に導通するように形成する工程を，
備えていることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
【請求項４】
前記請求項３の記載において，前記飛び地部を形成する工程が，当該飛び地部を前記主上面電極の上面における左右両側に設ける工程であることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，チップ型の絶縁基板に，抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において，その構造と，その製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は，例えば，特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように，チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが，前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面より可成り突出し，カバーコートの表面と両端子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であったから，このチップ型抵抗器を，プリント基板に対して，当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき，片側が浮き上がってしまって，確実に半田付けできないと言う問題があった。
【０００３】
そこで，先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は，図２８及び図２９に示すように，チップ型絶縁基板１の左右両端部に，抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して，この両端子電極３を，前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと，この主上面電極３ａの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと，前記絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと，前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより，この両端子電極３の表面と，前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面との間における段差を小さくするか，段差を無くすることを提案している。
【０００４】
なお，前記カバーコート４は，抵抗膜２の直接覆うアンダーコート４ａと，このアンダーコート４ａを覆うミドルコート４ｂと，このミドルコート４ｂを覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっているか，或いは，前記ミドルコート４ｂを省略した二層構造になっている。
【０００５】
また，前記先行技術のチップ型抵抗器は，前記公報に記載されているように，
i ．先づ，絶縁基板の上面に，両主上面電極３ａを形成したのち抵抗膜２を形成するか，或いは，抵抗膜２を形成したのち両主上面電極３ａを形成する。
ii．次いで，前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダーコート４ａを形成したのち，前記両主上面電極３ａに通電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより，前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
iii ．次いで，前記アンダーコート４ａの表面に対して，前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート４ｂを形成したのち，これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。
iv．そして，前記両主上面電極３ａの表面に，導電ペーストを厚く盛り上げることにより，補助上面電極３ｂを形成し，絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施すことにより，金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，先行技術は，両主上面電極３ａの上面に，導電ペーストを厚く盛り上げて補助電極３ｂを形成することにより，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか，小さくするように構成したものであり，換言すると，前記補助上面電極３ｂを，導電ペーストを厚く盛り上げることによってのみ形成するように構成したものであるから，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか小さくするためには，導電ペーストの使用量が多くなって，材料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に，チップ型抵抗器の重量もアップするのである。
【０００７】
特に，プリント基板への半田付けに際して片側が浮き上がることを完全に防止するために，両端子電極３の表面をカバーコート４の表面より突出するように構成する場合には，材料費がより嵩むばかりか，前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を多くしなければならないから，コストが更にアップするのである。
【０００８】
本発明は，この問題を解消できる構造と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明のチップ型抵抗器は，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の左右両端部に，当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，前記両端子電極を，少なくとも，絶縁基板の上面に抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，前記絶縁基板の端面に前記主上面電極に導通するように形成した側面電極とで構成する一方，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，少なくとも，下層のアンダーコートと上層のオーバーコートとで構成し，更に，前記補助上面電極を，前記オーバーコートの端部に重なるように構成して成るチップ型抵抗器において，
前記両端子電極における主上面電極の上面の一部に，前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成する一方，前記補助上面電極を，前記飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がるように形成することにより，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。」
と言う構成にした。
【００１０】
また，本発明のチップ型抵抗器は，請求項２に記載したように，
「前記請求項１の記載において，前記飛び地部を，前記主上面電極の上面における左右両側に設ける。」
と言う構成にした。
【００１１】
次に，本発明の製造方法は，請求項３に記載したように，
「絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に導通する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を覆うアンダーコートを，当該アンダーコートによる飛び地部を前記両主上面電極の上面における一部に設けるようにして形成する工程と，
このアンダーコートを覆うオーバーコートを形成する工程と，
補助上面電極を前記両主上面電極の上面と前記飛び地部の上面との両方に跨がり且つ前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程とを備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくする工程であり，
更に，前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を前記主上面電極に導通するように形成する工程を，
備えていることを特徴とする。」
ものである。
【００１２】
また，本発明の製造方法は，請求項４に記載したように，
「前記請求項３の記載において，前記飛び地部を形成する工程が，当該飛び地部を前記主上面電極の上面における左右両側に設ける工程であることを特徴とする。」
ものである。
【００１３】
【発明の効果】
このように，両端子電極における主上面電極の上面に，カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成して，このアンダーコートによる飛び地部の上面に補助上面電極を形成したことで，主上面電極と，アンダーコートによる飛び地部と，補助上面電極との三層構造になっていることにより，前記絶縁基板の上面から補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法には，前記主上面電極の厚さと，補助上面電極の厚さとに，アンダーコートによる飛び地部における厚さ寸法が加算することになるから，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって，その間における段差を小さくするか，無くする場合に，前記補助上面電極の厚さ寸法を，前記アンダーコートによる飛び地部における厚さ寸法だけ薄くすることができるのである。
【００１４】
従って，補助上面電極用導電ペーストの使用量が少なくできて，材料費を節減できる一方，前記アンダーコートによる飛び地部は，アンダーコートと同時に形成できて別の工程を追加する必要がないから，製造コストを低減できると共に，軽量化できるのであり，また，両端子電極の上面をカバーコートの上面より突出するように構成する場合においては，前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数が多くなることを回避できると言う効果を有する。
【００１５】
しかも，主上面電極の上面に，前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を部分的に形成する一方，前記補助上面電極を，前記アンダーコートによる飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がって形成することにより，前記の効果を奏するものでありながら，抵抗膜に対するトリミング調整に際して，両主上面電極に対して通電用プローブを接触することを確保できると共に，補助上面電極と主上面電極とを互いに電気的に導通するように，確実，且つ，強固に一体化できるのである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００１７】
図面のうち図１〜図１２は，本発明に至る以前の第１参考例のチップ型抵抗器を製造する場合である。
【００１８】
この第１参考例の製造方法は，
i ．先づ，図１に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の主上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
ii．次いで，図２に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する（なお，先にこの抵抗膜１２を形成し，次いで，前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い）。
iii ．次いで，前記絶縁基板１１の上面に抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成するに際して，図３〜図５に示すように，前記両主上面電極１３ａの上面のうち左右両側の部分に，前記アンダーコート１４ａから一体的に延びる延長部１４ａ′を，同時に形成する。
iv．次いで，図６に示すように，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
v ．次いで，図７及び図８に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面に対して，前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
vi．次いで，前記ミドルコート１４ｂの上面のうち前記アンダーコート１４ａの延長部１４ａ′を除く部分に，図９及び図１０に示すように，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成することにより，カバーコート１４を構成する。
vii ．次いで，前記両主上面電極３ａの上面に，図１１〜図１３に示すように，補助上面電極１３ｂを，主上面電極３ａの上面と前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′の上面との両方に跨がり，且つ，当該補助上面電極１３ｂが前記オーバーコート１４ｃの端部に重なるように，導電ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
【００１９】
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に形成するようにしても良い。
viii．そして，図１４及び図１５に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗布及び焼成にて，当該側面電極１３ｃが前記主上面電極３ａに導通するように形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００２０】
このようにして製造された第１参考例のチップ型抵抗器は，図１４及び図１５に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面には，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′が形成され，このアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′の上面に，補助上面電極１３ｂが形成されると言うように三層構造の形態になっていることにより，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）には，前記主上面電極１３ａの厚さＴａと，補助上面電極１３ｂの厚さＴｂとに，前記アンダーコート１４ａの延長部１４ａ′における厚さ寸法Ｔ１が加算することになる。
【００２１】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，前記先行技術と同じにした場合には，前記補助上面電極１３ｂの厚さ寸法Ｔｂを，先行技術の場合よりも，前記アンダーコート１４ａの延長部１４ａ′における厚さ寸法Ｔ１だけ薄くすることができるから，補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量が少なくできて材料費を節減できると共に，軽量化できるのである。
【００２２】
また，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０よりも高くして，両端子電極１３の上面をオーバーコート１４ｃの上面より突出するように構成する場合においては，前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数が多くなることを回避できるのである。
【００２３】
一方，前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′は，主上面電極１３ａにおける上面の一部に形成され，補助上面電極１３ｂは，前記アンダーコート１４ａの延長部１４ａ′の上面と前記主上面電極１３ａの上面との両方に跨がって形成されていることにより，抵抗膜１２に対するトリミング調整に際して，両主上面電極１３ａのうちアンダーコート１４ａの延長部１４ａ′が形成されていない部分に対して通電用プローブを接触することを確保できると共に，補助上面電極１３ｂと主上面電極１３ａとを互いに電気的に導通するように，確実，且つ，強固に一体化できるのである。
【００２４】
そして，この第１参考例をもとにして，本発明における第１の実施形態を，図１６について説明する。
【００２５】
この第１の実施形態は，前記した第１参考例においてアンダーコート１４ａを形成するに際し，このアンダーコート１４ａと一体の延長部１４ａ′を前記主上面電極１３ａにおける上面の一部に形成することに代えて，前記両主上面電極１３ａの上面のうち左右両側の部分に，前記アンダーコート１４ａによる島状の飛び地部１４ａ″を同時に形成し，前記補助上面電極１３ｂを，この飛び地部１４ａ″の上面と主上面電極１３ａの上面との両方に跨がって形成することにより，前記絶縁基板１１の上面からこの補助上面電極１３ｂの上面のうち前記飛び地部１４ａ″のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成したものであり，その他は，前記第１参考例と同様である。
【００２６】
この第１の実施形態によるチップ型抵抗器は，前記参考例によるチップ型抵抗器と同様に，両端子電極１４における主上面電極１３ａの上面には，前記アンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″が形成され，このアンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″の上面に，前記補助上面電極１３ｂが形成されると言うように，三層構造であるから，前記参考例と同様の効果を有する。
すなわち，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面に，カバーコート１４のうちアンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″を形成して，このアンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″の上面に補助上面電極１３ｂを形成したことで，主上面電極１３ａと，アンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″と，補助上面電極１３ｂとの三層構造になっていることにより，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面のうち前記飛び地部１４ａ″のために最も高くなる部分までの高さ寸法には，前記主上面電極１３ａの厚さと，補助上面電極１３ｂの厚さとに，アンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″における厚さ寸法が加算することになるから，前記絶縁基板１１の上面から前記補助上面電極１３ｂの上面のうち前記飛び地部１４ａ″のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって，その間における段差を小さくするか，無くする場合に，前記補助上面電極１３ｂの厚さ寸法を，前記アンダーコート１４ａによる飛び地部１４ａ″における厚さ寸法だけ薄くすることができる。
しかも，前記アンダーコート１４ａにおける飛び地部１４ａ″は，主上面電極１３ａにおける上面の一部に形成され，補助上面電極１３ｂは，前記アンダーコート１４ａの飛び地部１４ａ″の上面と前記主上面電極１３ａの上面との両方に跨がって形成されていることにより，補助上面電極１３ｂと主上面電極１３ａとを互いに電気的に導通するように確実，且つ，強固に一体化できる。
【００２７】
この本発明における第２の実施形態においては，図１７に示すように，両主上面電極１３ａのうち一方に一つの飛び地部１４ａ″を，他方の左右両側に二つの飛び地部１４ａ″を設けた形態にしても良いのである。
【００２８】
次に，図１８〜図２７は，本発明に対する第２参考例を示す。
【００２９】
この第２参考例は，絶縁基板１１に対して両上面電極１３ａ及び抵抗膜１２を形成したのち，アンダーコート１４ａを形成するに際して，図１８及び図１９に示すように，このアンダーコート１４ａから前記両主上面電極１３ａにおける幅方向の全体を覆うように一体に延びる延長部１４ｂ′を，当該延長部１４ｂ′の先端と前記絶縁基板１１の端面との間に適宜寸法Ｓだけ前記主上面電極１３ａにおける上面の一部を露出するようにして形成するという構成にしたものであり，以後は，前記第１参考例及び第１の実施形態と同様に，図１８に二点鎖線で示すようにトリミング溝１２ａを刻設すると言うトリミング調整を行ったのち，図２０及び図２１に示すようにミドルコート１４ｂを形成し，更に，図２２及び図２３に示すようにオーバーコート１４ｃを形成し，次いで，図２４及び図２５に示すように，補助上面電極１３ｂを形成し，更に，図２６及び図２７に示すように，側面電極１３ｃを形成したのち，金属メッキ層１３ｄを形成することによって，両端子電極１３を構成したものである。
【００３０】
この場合においても，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の一部には，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′が，前記主上面電極１３ａにおける幅方向の全体を覆うように形成される一方，このアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′の上面と主上面電極１３ａの上面との両方に跨がって補助上面電極１３ｂが形成されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に対する第１参考例において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】  前記第１参考例において絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】  前記第１参考例において絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図４】  図３のIV−IV視断面図である。
【図５】  図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】  前記第１参考例において絶縁基板の抵抗膜にトリミング溝を刻設した状態を示す平面図である。
【図７】  前記第１参考例において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図８】  図７のVIII−VIII視断面図である。
【図９】  前記第１参考例において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】前記第１参考例において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】図１１のXIII−XIII視断面図である。
【図１４】前記第１参考例によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図１５】図１４のXV−XV視断面図である。
【図１６】本発明における第１の実施形態においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１７】本発明における第２の実施形態においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１８】本発明に対する第２参考例においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１９】図１８のXXII−XXII視断面図である。
【図２０】前記第２参考例においてミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXIV−XXIV視断面図である。
【図２２】前記第２参考例においてオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２３】図２２のXXVI−XXVI視断面図である。
【図２４】前記第２参考例において補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２５】図２４のXXVIII−XXVIII視断面図である。
【図２６】前記第２参考例によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２７】図２６のXXX −XXX 視断面図である。
【図２８】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図２９】図２８のXXXII −XXXII 視拡大断面図である。
【符号の説明】
１１                  絶縁基板
１２                  抵抗膜
１３                  端子電極
１３ａ                主上面電極
１３ｂ                補助上面電極
１３ｃ                側面電極
１３ｄ                金属メッキ層
１４                  カバーコート
１４ａ                アンダーコート
１４ｂ                ミドルコート
１４ｃ                オーバーコート
１４ａ″              アンダーコートの飛び地部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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