(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板中に深いトレンチを形成するステップと、
（ｂ）スピンコーティングにより前記トレンチの下部領域のみを非感光性のスピン・オン・ガラスのアンダーフィル材料で充填するステップと、
（ｃ）前記トレンチの上部領域にカラーを形成するステップと、
（ｄ）前記アンダーフィルを除去するステップと、
（ｅ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと
を含む、トレンチの上部領域のカラーと下部領域の埋め込みプレートとを備えた、深いトレンチ・キャパシタの製造方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）の前に、前記基板の上にパッド・フィルムを作成するステップを含み、かつステップ（ａ）において、前記パッド・フィルムを通して、前記基板中に前記トレンチを形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｄ）が、フッ化水素を含有する化学溶液によるウエット・ストリップにより前記アンダーフィルを除去するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｅ）が、ＡＳＧドライブ・イン、プラズマ・ドーピング、プラズマ・イオン・インプランテーション、および気相拡散からなる群から選択された方法を使用して前記埋め込みプレートを形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｃ）が、
（ｉ）前記基板、前記トレンチ側壁、および前記アンダーフィルの上方に誘電材料を共形に付着するステップと、
（ｉｉ）前記基板および前記アンダーフィルの上方の前記誘電材料をエッチングして、前記トレンチ側壁に誘電カラーを残すステップと
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｃ）（ｉ）が、化学的気相付着によって前記誘電材料を付着するステップを含み、前記誘電材料が、酸化物と酸窒化物のいずれかである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）（ｉｉ）が、前記基板および前記アンダーフィルの上方の前記誘電材料を異方性ドライ・エッチングによってエッチングするステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｃ）（ｉｉ）が、前記基板および前記アンダーフィルの上方の前記誘電材料を反応性イオン・エッチングによってエッチングすることを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）基板中に深いトレンチを形成するステップと、
（ｂ）前記基板、前記トレンチの側壁および底部の上方に、バリア・フィルムを形成するステップと、
（ｃ）スピンコーティングにより前記トレンチの下部領域のみを非感光性のスピン・オン・ガラスのアンダーフィル材料で充填するステップと、
（ｄ）前記トレンチの上部領域のバリア・フィルムを除去するステップと、
（ｅ）前記下部領域のアンダーフィルを除去するステップと、
（ｆ）前記上部領域にカラーを形成するステップと、
（ｇ）前記下部領域のバリア・フィルムを除去するステップと、
（ｈ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと
を含む、トレンチの上部領域のカラーと下部領域の埋め込みプレートとを備えた、深いトレンチ・キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
パッド・フィルムが、前記基板の上方に存在しており、バリア・フィルムを形成する前記ステップが、前記パッド・フィルムの上方に前記バリア・フィルムを形成するステップを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
化学エッチングにより前記バリア・フィルムを除去するステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学エッチング・ステップが、リン酸を含有するウエット溶液でエッチングするステップを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記カラーを形成するステップが、熱酸化により前記カラーを成長させるステップを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）基板の上方にパッド・フィルム層を形成するステップと、
（ｂ）前記パッド・フィルム層を通して前記基板中に、側壁、底部、上部領域、および下部領域を有する深いトレンチを形成するステップと、
（ｃ）スピンコーティングにより前記トレンチの下部領域のみを非感光性のスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、
（ｄ）前記パッド・フィルム、前記トレンチ側壁、および前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上方に誘電材料を共形に付着するステップと、
（ｅ）前記パッド・フィルムおよび前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上方の前記誘電材料をエッチングして、誘電材料のカラーを前記トレンチの上部領域の前記トレンチ側壁上に残すステップと、
（ｆ）前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、
（ｇ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと、
を含む、深いトレンチ・キャパシタの製造方法。
【請求項１５】
（ａ）基板の上方にパッド・フィルム層を形成するステップと、
（ｂ）前記パッド・フィルム層を通して、前記基板中に、側壁、底部、上部、および下部領域を有する深いトレンチを形成するステップと、
（ｃ）前記基板、前記トレンチの側壁、および前記トレンチの底部の上方にバリア・フィルムを形成するステップと、
（ｄ）スピンコーティングにより前記トレンチの下部領域のみを非感光性のスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、
（ｅ）前記上部領域の前記トレンチ側壁からバリア・フィルムをエッチングするステップと、
（ｆ）前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、
（ｇ）カラーを成長させるため前記上部領域における前記トレンチ側壁を熱酸化するステップと、
（ｈ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと
を含む、深いトレンチ・キャパシタの製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、一般に半導体回路に関し、詳細には、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）の深いトレンチ記憶キャパシタおよびこのようなキャパシタ中の埋め込みプレートの製作に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路内のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルは、通常深いトレンチ記憶キャパシタを組み込んでいる。このように深いトレンチ記憶キャパシタをパターン化するのに使用されるリソグラフィ・グラウンド・ルールが、ＤＲＡＭ技術の各世代ごとに縮小し続けているので、プロセスの複雑さを減らし、製作許容差を増大させることが望ましい。埋め込みプレートの拡散領域が、深いトレンチ記憶キャパシタ・アレイのプレート領域を接続するために一般に使用されている。しかし、このような埋め込みプレート拡散領域を作成する現在の方法は、コストに敏感なＤＲＡＭ製作プロセスのプロセス・ステップとプロセスの複雑さを増大させる。
【０００３】
例えば、ＤＲＡＭトレンチ・キャパシタ埋め込みプレートを製作する標準の方法は、
（ａ）基板の表面にトレンチをエッチングするステップと、
（ｂ）トレンチ側壁にバリア層を形成するステップと、
（ｃ）トレンチをフォトレジストで充填するステップと、
（ｄ）フォトレジストを所定の深さまでエッチングし、エッチング時間によってこの深さを制御し、この深さによって、充填した下部領域と露出した上部領域が画定されるステップと、
（ｅ）前記上部領域の前記バリア層を除去して、下にある側壁を露出するステップと、
（ｆ）前記フォトレジストをストリップするステップと、
（ｇ）バリア層を下部領域のマスクとして使用して、側壁の上部にカラーを形成するステップと、
（ｈ）カラーを上部用マスクとして使用して、トレンチの下部領域に埋め込みプレートの拡散領域を形成するステップとを含むことができる。
【０００４】
フォトレジスト充填ステップおよびエッチング・ステップを使用した前記プロセスを一般に、フォトレジスト・リセス技術と呼ぶ。フォトレジストで充填するステップおよび、エッチング・ステップはプロセスの複雑さを増大させるので、フォトレジスト充填ステップおよびエッチング・ステップを省略して、深いトレンチ記憶キャパシタ内に埋め込みプレート拡散領域を形成する方法を簡単にし短縮することが望ましい。
【０００５】
ＤＲＡＭの深いトレンチ記憶キャパシタとこのようなキャパシタ中の埋め込みプレートを製作するのに使用される従来方法の欠点は、改善された方法がなお求められていることを示す。従来方法の欠点を克服するため、新しい方法が提供される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、深いトレンチ記憶キャパシタ中に埋め込みプレート拡散領域を形成する方法を簡単にし短縮することである。関連する目的は、従来方法で通常使用されるフォトレジスト充填ステップおよびエッチング・ステップをなくすことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記その他の目的を達成するため、その目的に鑑みて、本発明は、トレンチ内に深いトレンチ・キャパシタを製作する方法を提供する。キャパシタは、前記トレンチの上部領域にカラーを、前記トレンチの下部領域に埋め込みプレートを備えている。改良点は、トレンチの上部領域にカラーを形成する前に、トレンチの下部領域に非感光性アンダーフィル材料で充填することである。この方法は、（ａ）基板中に側壁、底部、上部領域、および下部領域を有する深いトレンチを形成するステップと、（ｂ）スピン・オン・ガラスなどの非感光性アンダーフィル材料でトレンチの下部領域を充填するステップと、（ｃ）トレンチの上部領域にカラーを形成するステップと、（ｄ）アンダーフィルを除去するステップと、（ｅ）トレンチの下部領域に埋め込みプレートを形成するステップとを含む。
【０００８】
本発明の方法は、第１の順序（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）または第２の順序（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｃ）、（ｅ）で順次実行することができる。この方法を第１の順序で実行するときは、ステップ（ｃ）は、（ｉ）基板（または、基板の上のパッド・フィルム）、トレンチ側壁およびアンダーフィルの上に化学的気相付着（ＣＶＤ）によって酸化物や酸窒化物などの誘電材料を共形に付着するステップと、次いで（ｉｉ）パッド・フィルムおよびアンダーフィルの上の誘電体をエッチングして、トレンチ側壁上に誘電カラーを残すステップを含むこともできる。
【０００９】
この方法を前述の第２の順序で実行するときは、この方法は、ステップ（ａ）と（ｂ）の間に基板（または、基板の上のパッド・フィルム）、トレンチ側壁、およびトレンチ底部の上にバリア・フィルムを形成するステップをさらに含むことができる。このような方法は、次にステップ（ｂ）と（ｄ）の間に、上部領域のトレンチ側壁からバリア・フィルムを除去するステップをさらに含むことができる。次に、ステップ（ｃ）は、熱酸化によりカラーを成長させるステップを含むことができる。
【００１０】
したがって、本発明は、（ａ）基板の上にパッド・フィルム層を形成するステップと、（ｂ）パッド・フィルム層を通して、基板中に深いトレンチを形成するステップと、（ｃ）トレンチの下部領域をスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、（ｄ）パッド・フィルム、トレンチ側壁、およびスピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上に材料を共形に付着するステップと、（ｅ）パッド・フィルムおよびスピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上の誘電材料をエッチングして、トレンチ上部領域のトレンチ側壁に誘電材料のカラーを残すステップと、（ｆ）スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、（ｇ）下部領域に埋め込みプレートを形成するステップとを順次実行する方法を含むことができる。
【００１１】
本発明はまた、（ａ）基板の上にパッド・フィルム層を形成するステップと、（ｂ）パッド・フィルム層を通して、基板中に深いトレンチを形成するステップと、（ｃ）基板、トレンチ側壁、およびトレンチ底部の上にバリア・フィルムを形成するステップと、（ｄ）トレンチの下部領域をスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、（ｅ）上部領域のトレンチ側壁からバリア・フィルムをエッチングするステップと、（ｆ）スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、（ｇ）上部領域のトレンチ側壁を熱酸化して、カラーを成長させるステップと、（ｈ）下部領域に埋め込みプレートを形成するステップとを順次実行する方法も含むことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
ここで図面を参照すると、同じ参照符号は全体を通して同じ要素を指すが、図１ないし図５は、本発明の例示的実施形態による製作プロセスにおける深いトレンチを示す。まず、図１に示すように、当分野の技術者に周知の通常の技術、例えばフォトリソグラフィと、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）などのドライ・エッチングを使用して、基板１２中に深いトレンチ１０を形成する。基板１２には、通常基板１２の上に、厚さ約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）フィルムなどのパッド層１４が配設されている。パッド層１４が存在する場合、トレンチ１０は、図１に示すように、パッド層１４と基板１２の両方を貫通しており、トレンチ１０は、基板１２中で約３μｍ〜約１０μｍの深さを有する。
【００１３】
トレンチ・エッチング・ステップの後、アンダーフィル１６を形成する非感光性材料を、図２に示すように付着する。アンダーフィルは、例えば、スピン・オン・ガラス（ＳОＧ）フィルムでよい。このステップは、通常１つまたは複数のコーティング・ステーション、すなわち当技術で周知の一連のベーキング・プレートおよびヒーティング・プレートならびにハンドラ・ロボットを組み合せるクリーン・トラック（図示せず）上で実行される。
【００１４】
ＳОＧ付着プロセスは、通常コーティング・ステーション（図示せず）のチャック（図示せず）上にウェハ（図示せず）を付着し、ノズル（図示せず）を通して一定量のＳОＧの液状前駆体（図示せず）を塗布し、あるスピン・コーティング速度で前記ウェハを円形運動に加速することを含んでいる。均一性を高めるため、ＳОＧ液状前駆体を塗布する前に、中程度の動的供給（dispense）速度でスピニングを開始するのが有利である。最終的なＳОＧ前駆体フィルムの厚さは、付着された前駆体の量ではなく、円形加速度、および典型的には約１０００〜５０００ｒｐｍ程度である最終スピン速度で決定される。米国ミシガン州  Ｍｉｄｌａｎｄのダウ・コーニング（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ）社製のＦｌｏｗａｂｌｅ  Оｘｉｄｅ  ＦОｘ(R)材料など通常の市販ＳОＧ材料は、このような処理で平坦な基板上に通常は０．５％σの均一度で約２５０オングストローム〜約１００００オングストロームの厚さを有するフィルムが得られる。使用する材料および付着ターゲットによっては、複数のコーティングを付着する必要のあることもある。
【００１５】
スピン・コータを離れた後、ウェハを一連のホットプレート（図示せず）上などでベークする。ホットプレートは、通常約７０℃〜約３５０℃の温度で動作する。ホットプレートの中には、約４５０℃の温度に達するものもある。ベーキング・ステップは、制御された雰囲気中で実行して、ＳОＧ前駆体内の溶媒を追い出し、最適の均一性およびギャップ・フィルが得られるようにＳОＧフィルムをリフローし、非晶質ＳОＧメッシュへの前駆体の架橋を開始させる。使用される材料および付着ターゲットによっては、複数のコーティングおよびベーキング・シークエンスを適用する必要のあることもある。
【００１６】
このようにして、付着した酸化物フィルムは、圧力強化化学的気相付着（ＰＥＣＶＤ）酸化物よりも密度が低く、したがって、ウエット・エッチング速度がより高い。追加の熱処理でＳОＧ酸化物の密度を高めることもできるが、ＳОＧは通常、本発明で存在するトレンチなどの限定された形状で増大したウエット・エッチング速度を、依然として維持する。
【００１７】
液状ＳОＧ前駆体の使用に固有の平面化およびギャップ充填能力は、望ましい高さまでトレンチを充填するのに有利である。ＦОｘ(R)材料は特に自己平面化性であり、高くなった構造が約２０μｍという材料固有の「フロー長さ」よりも横方向に小さくない限り、高くなった構造の間を充填するように流れる傾向がある。したがって、この適用例では、ＳОＧフィルムは、ウェハの未パターン化領域でも平坦なウェハ上で同じ高さまで蓄積するが、パターン化領域ではトレンチの間または上方に材料が蓄積する前にまずトレンチを充填する。したがって、前記トレンチにおける充填レベルは、所与の面積のトレンチの体積を決定し、そのトレンチの体積を同じ面積を有する平坦な基板に付着されるフィルムの体積と比較して想定することができる。全てのアクティブ・トレンチにおける充填の良好な均一性を確保するため、トレンチ・パターン化領域の縁部に通常はダミー構造を形成する。
【００１８】
したがって、ＳОＧプロセスを使用すると、充填高さは、フォトレジスト・リセス・ステップにおけるようにエッチング・プロセスではなく、付着パラメータにより、またトレンチおよび前記トレンチ・パターン化領域の幾何形状によって決まる。接着効果により、ＳОＧ材料の小さいフィルムをトレンチの側壁に貼り付けることができる。このフィルムは、非常に薄いフッ化水素酸（ＨＦ）に短時間浸漬するなど、例えば、４０：１〜５００：１（脱イオン水：フッ化水素）溶液に３０秒〜３分浸漬するなどの等方性エッチング・プロセスによって簡単に除去できる。
【００１９】
図３に示すように、本発明の好ましい実施形態においては、カラー１８の側壁スペーサはトレンチ１０の前記上部領域２２（トレンチ１０のアンダーフィル１６で充填されていない部分）の側壁２０に形成される。カラー１８は、基板１２の上（または、基板１２のパッド層１４の上）、トレンチ側壁２０の上、およびアンダーフィル１６の上のＣＶＤ酸化物や含窒素酸化物（酸窒化物）などの誘電体の共形付着によって形成できる。次に、ＲＩＥなどの異方性ドライ・エッチングを使用して、水平表面（基板１２または、パッド層１４およびアンダーフィル１６の上）から誘電材料を除去し、側壁２０上のカラー１８だけを残す。したがって、カラー１８の深さは、アンダーフィル材料１６の上部範囲によって決まる。ＲＩＥエッチャントは、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＮＦ3、О2、Ｎ2またはＡｒのうちの１つあるいは複数を含むが、それだけには限定されないフィード・ガスの組合せを含むことができる。
【００２０】
図４に示すように、次いで例えば、ＨＦ含有溶液を使用してトレンチ１０の前記下部領域２４からアンダーフィル材料１６をウエット・ストリップすることができる。したがって、カラー１８の材料は、アンダーフィル１６に対するウエット・エッチングの選択性をもたらすものを選ぶ。酸窒化物は、カラー１８に適した材料である。したがって、カラー１８は、下部領域２４に埋め込みプレートを形成するための以降のステップ中で上部領域２２のマスクとして働く。
【００２１】
次に、図５に示すように、基板１２中に埋め込みプレート２６を外方拡散として形成する。埋め込みプレート２６を形成する外方拡散は、アルセノシリコン・ガラス（ＡＳＧ）のドライブ・イン、プラズマ・ドーピング（ＰＬＡＤ）、プラズマ・イオン・インプランテーション（ＰＩＩＩ）、気相拡散または当技術分野で公知の他の技術を使用して形成することができる。
【００２２】
ここで図６と図７を参照すると、代替実施形態においては、図１のトレンチ１０をまず薄いバリア・フィルム３０で覆うことができる。バリア・フィルム３０は、通常ＣＶＤによって約３ｎｍ〜約２０ｎｍの厚さに付着されたＳｉＮフィルムとすることができる。次に、アンダーフィル１６を、前述のようにトレンチ１０内に付着することができる。次いで、普通はリン酸またはＨＦを含有するウエット溶液などによる化学エッチングによって、バリア・フィルム３０をトレンチ１０の上部領域２２から除去することができる。アンダーフィル１６は、上部領域２２におけるバリア・フィルム３０の除去中に下部領域２４をマスクする。
【００２３】
次に、図７に示すように、ＨＦ含有化学薬品によるストリッピングなどによって下部領域２４からアンダーフィル１６を除去し、局部酸化プロセス（ＬОＣОＳ）による熱酸化成長などによって上部領域２２にカラー３２を形成する。このような局部酸化ステップは、約８００℃〜約１１００℃の温度で酸素（О2）または水（Ｈ2О）にさらすことを含むことができる。バリア・フィルム３０は、酸化物成長プロセスから下部領域２４をマスクする。次いでバリア・フィルム３０を除去し、次いで上部領域２２のカラー３２は、前述のように、後で外方拡散によって埋め込みプレート２６を形成するためのマスクとして働くことができる。言い換えれば、カラー３２は、絶縁カラーとして働くことができる。
【００２４】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２５】
（１）深いトレンチに深いトレンチ・キャパシタを製作する方法であって、前記キャパシタが、前記トレンチの上部領域にカラーを、前記トレンチの下部領域に埋め込みプレートを備えており、前記トレンチの上部領域に前記カラーを形成する前に、前記トレンチの下部領域を非感光性アンダーフィル材料で充填する点で改良された方法。
（２）前記アンダーフィル材料が、スピン・オン・ガラスである上記（１）に記載の方法。
（３）（ａ）基板中に前記深いトレンチを形成するステップと、
（ｂ）前記トレンチの下部領域を前記非感光性アンダーフィル材料で充填するステップと、
（ｃ）前記カラーを前記トレンチの上部領域に形成するステップと、
（ｄ）前記アンダーフィルを除去するステップと、
（ｅ）前記埋め込みプレートを前記下部領域に形成するステップと
をさらに含む上記（１）に記載の方法。
（４）記載のステップが（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の順序で順次実行される上記（３）に記載の方法。
（５）ステップ（ａ）の前に、前記基板の上にパッド・フィルムを作成するステップを含み、かつステップ（ａ）において、前記パッド・フィルムを通して、前記基板中に前記トレンチを形成するステップをさらに含む上記（４）に記載の方法。
（６）ステップ（ｄ）が、フッ化水素を含有する化学溶液によるウエット・ストリップにより前記アンダーフィルを除去するステップを含む上記（４）に記載の方法。
（７）ステップ（ｅ）が、ＡＳＧドライブ・イン、プラズマ・ドーピング、プラズマ・イオン・インプランテーション、および気相拡散からなる群から選択された方法を使用して前記埋め込みプレートを形成するステップを含む上記（４）に記載の方法。
（８）ステップ（ｃ）が、
（ｉ）前記基板、前記トレンチ側壁、および前記アンダーフィルの上に誘電材料を共形に付着するステップと、
（ｉｉ）前記基板および前記アンダーフィルの上の前記誘電材料をエッチングして、前記トレンチ側壁に誘電カラーを残すステップと
を含む上記（４）に記載の方法。
（９）ステップ（ｃ）（ｉ）が、化学的気相付着によって前記誘電材料を付着するステップを含み、前記誘電材料が、酸化物と酸窒化物のいずれかである上記（８）に記載の方法。
（１０）ステップ（ｃ）（ｉｉ）が、前記基板および前記アンダーフィル上の前記誘電材料を異方性ドライ・エッチングによってエッチングするステップを含む上記（９）に記載の方法。
（１１）ステップ（ｃ）（ｉｉ）が、前記基板および前記アンダーフィル上の前記誘電材料反応性イオン・エッチングによってエッチングすることを含む上記（１０）に記載の方法。
（１２）前記トレンチの下部領域を非感光性アンダーフィルで充填するステップ（ｂ）が、スピン・オン・ガラス・フィルムを付着するステップを含む上記（４）に記載の方法。
（１３）記載のステップが、（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｃ）、（ｅ）の順序で順次実行される上記（３）に記載の方法。
（１４）前記トレンチがさらに、側壁と底部を備えており、ステップ（ａ）と（ｂ）の間に、前記基板、前記トレンチの側壁、および前記トレンチの底部の上にバリア・フィルムを形成するステップをさらに含む上記（１３）に記載の方法。（１５）パッド・フィルムが、前記基板の上に存在しており、バリア・フィルムを形成する前記ステップが、前記パッド・フィルムの上に前記バリア・フィルムを形成するステップを含む上記（１４）に記載の方法。
（１６）ステップ（ｂ）と（ｄ）の間に、前記上部領域の前記トレンチ側壁からバリア・フィルムを除去するステップをさらに含む上記（１４）に記載の方法。（１７）化学エッチングにより前記バリア・フィルムを除去するステップをさらに含む上記（１６）に記載の方法。
（１８）化学エッチング・ステップが、リン酸を含有するウエット溶液でエッチングするステップを含む上記（１７）に記載の方法。
（１９）ステップ（ｃ）が、熱酸化により前記カラーを成長させるステップを含む上記（１７）に記載の方法。
（２０）前記トレンチの下部領域を、非感光性アンダーフィルで充填するステップ（ｂ）が、スピン・オン・ガラス・フィルムを付着するステップを含む上記（１３）に記載の方法。
（２１）（ａ）基板の上にパッド・フィルム層を形成するステップと、
（ｂ）前記パッド・フィルム層を通して前記基板中に、側壁、底部、上部領域、および下部領域を有する深いトレンチを形成するステップと、
（ｃ）前記トレンチの下部領域をスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、
（ｄ）前記パッド・フィルム、前記トレンチ側壁、および前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上に誘電材料を共形に付着するステップと、
（ｅ）前記パッド・フィルムおよび前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルの上の前記誘電材料をエッチングして、誘電材料のカラーを前記トレンチの上部領域の前記トレンチ側壁上に残すステップと、
（ｆ）前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、
（ｇ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと、
を順次実行することを含む深いトレンチ・キャパシタを製作する方法。
（２２）（ａ）基板の上にパッド・フィルム層を形成するステップと、
（ｂ）前記パッド・フィルム層を通して、前記基板中に、側壁、底部、上部、および下部領域を有する深いトレンチを形成するステップと、
（ｃ）前記基板、前記トレンチの側壁、および前記トレンチの底部の上にバリア・フィルムを形成するステップと、
（ｄ）前記トレンチの下部領域をスピン・オン・ガラス・アンダーフィルで充填するステップと、
（ｅ）前記上部領域の前記トレンチ側壁からバリア・フィルムをエッチングするステップと、
（ｆ）前記スピン・オン・ガラス・アンダーフィルを除去するステップと、
（ｇ）カラーを成長させるため前記上部領域における前記トレンチ側壁を熱酸化するステップと、
（ｈ）前記下部領域に埋め込みプレートを形成するステップと
を順次実行することを含む深いトレンチ・キャパシタを製作する方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の例示的実施形態による製作プロセスの第１ステップとして、基板および基板の上に配置されたパッド層内に形成された深いトレンチを示す略断面図である。
【図２】本発明の例示的実施形態による製作プロセスの第２ステップとして、図１に示した前記深いトレンチ内に付着されたアンダーフィルを示す略断面図である。
【図３】本発明の例示的実施形態による製作プロセスの第３ステップとして、アンダーフィルで充填されていないトレンチの上部領域の側壁に形成されたカラーを示す略断面図である。
【図４】本発明の例示的実施形態による製作プロセスの第４ステップとして、トレンチの下部領域からアンダーフィルを除去する過程を示す略断面図である。
【図５】本発明の例示的実施形態の製作プロセスの最終ステップとして、前記基板内に埋め込みプレートを形成する過程を示す略断面図である。
【図６】アンダーフィルをトレンチ内に付着する前に、トレンチをまず、薄いバリア・フィルムで被覆する、本発明の別の例示的実施形態を示す略断面図である。
【図７】アンダーフィルを下部領域から除去し、カラーをトレンチの上部領域に形成する本発明の別の例示的実施形態の次のステップを示す略断面図である。
【符号の説明】
１０  深いトレンチ
１２  基板
１４  パッド層
１６  アンダーフィル
１８  カラー
２０  側壁
２２  上部領域
２４  下部領域
２６  埋め込みプレート
３０  バリア・フィルム
３２  カラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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