(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムキャリアテープの製造方法において、
フィルムにリード孔を形成する工程と、
前記フィルムの前記リード孔を含む領域上に金属箔を設ける工程と、
前記金属箔から、パッド部、メッキリード、メッキ電極及び前記パッド部と前記メッキリードとを接続する複数の接続リードを含む導電パターンを形成する工程と、
前記メッキ電極を通じて、前記導電パターンにメッキ処理を施す工程と、
前記各接続リード毎に、前記接続リードを打ち抜く工程と、
を含んでなるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
各接続リードは、円形穴によって打ち抜かれるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記円形穴は楕円形状をなし、前記楕円形状の長径の方向は半導体装置の外周を形成する辺と略直交する方向に向けられるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記メッキ処理を施す工程の前に、前記導電パターンにおける前記メッキ処理の行われる領域を除く領域に保護膜が設けられるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記保護膜として樹脂が用いられるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記樹脂としてソルダレジストが用いられるフィルムキャリアテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルムキャリアテープの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
半導体装置の高密度実装を追求すると、ベアチップ実装が理想的である。しかしながら、ベアチップの状態では、品質の保証及び取り扱いが難しい。そこで、ベアチップをパッケージ化するもののパッケージサイズがベアチップのサイズに近いパッケージとしてＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）が開発されている。
【０００３】
そして各種形態にて開発されているＣＳＰ型の半導体装置の中で、１つの形態として、半導体チップの能動面側にフレキシブル基板が設けられており、このフレキシブル基板に複数の外部電極が形成されているものがある。このＣＳＰ型の半導体装置では、外部電極が半導体チップのエリア内に設けられる。従って、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）のように、パッケージ本体の側面からリードが張りだしたいわゆる「アウタリード」を有していない。
【０００４】
また、フレキシブル基板を用いたＣＳＰ型の半導体装置において、例えば、国際公開ＷＯ９５／０８８５６号公報に記載されるように、半導体チップの能動面とフレキシブル基板との間に樹脂を注入して、熱ストレスの吸収を図ることも知られている。この樹脂によって、半導体チップの電極との接合部を全て覆えば、電極の腐食を防止することができる。
【０００５】
さらに、半導体チップをフレキシブル基板に実装するときに、フィルムキャリアテープを使用すれば、取り扱いが一層容易になり、量産性にも優れる。フィルムキャリアテープを用いる方式においては、半導体チップの樹脂封止を行ってから、個々の半導体装置がフィルムキャリアから切断される。
【０００６】
ここで、フィルムキャリアテープに形成される配線には、金メッキが施されている。金メッキは、電気メッキ（「電解メッキ」ともいう）の方法により施される。電気メッキ法においては、配線の全てを導通させて、半導体チップとの実装領域の外側まで配線を引き出しておくことが一般的であった。引き出された配線は、電気メッキのための電極として用いられた。なお従来はアウターリードが存在し、そのアウタリードをそのまま引き出すことにより、電気メッキ用の配線としても利用していた。また、既存のフレキシブル基板を用いる場合には、電気メッキ用のメッキリードを必要とする。通常、接続リードと直結してメッキリードは設けられており、この構造は従来のＴＣＰに用いられるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板が知られている。
【０００７】
しかしながら、この従前から存在するＴＡＢ用基板をそのまま用いてＣＳＰ型の半導体装置に適用しようとした場合には、各接続リードがそのまま各メッキリードに直結していることから、通常アウタリードと呼ばれる箇所で切断すると各リード端面がパッケージ端面から突出してしまい、リード端面部は必ず露出してしまう。ＣＳＰ型の半導体装置においては、パッケージ外形をチップサイズに近くすることで、チップ外形とパッケージ外形との距離が非常に狭まる。従って、パッケージ化して半導体チップを保護するとはいっても、従来のパッケージに比して、より半導体チップを取り巻く環境を含めた信頼性の向上に勤める必要がある。特に前述の従来構造をそのままＣＳＰ型の半導体装置に用いた場合、リードの切断面から半導体チップの電極までの距離が非常に短いこと、更にはリード端部は何も覆われずに露出してしまう構造でもあることから、リードを介して電極の腐食が進み易い。また、隣設するリード間の間隔もますます狭ピッチ化が進むことで、露出した切断面に例えば導電性の異物が介在する等によりリードのショートが発生し、機能が損なわれることもあり得る。
【０００８】
一方、フィルムキャリアテープから個々の半導体装置を切断し、その後に樹脂を注入すれば、この問題を避けることができる。しかし、この場合には、バラバラになった半導体装置を個別に扱わねばならず、フィルムキャリアテープを用いた方式の長所を活かすことができない。
【０００９】
本発明は、上述したような課題を解決するものであり、その目的は、パッケージサイズがチップサイズに近い半導体装置を得るためのフィルムキャリアテープの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るフィルムキャリアテープの製造方法は、
封止される予定の領域内に形成されて半導体チップの電極及び外部電極に接合される複数の接続リードと、該接続リードに接続されて前記封止の領域外まで形成される少なくとも一つのメッキリードと、このメッキリードが接続されるメッキ電極と、を有して全てが導通した状態の導通パターンを、フィルムに形成する工程を含む。
【００１１】
あるいは、本発明に係るフィルムキャリアテープの製造方法は、
フィルムにリード孔を形成する工程と、
前記フィルムの前記リード孔を含む領域上に金属箔を設ける工程と、
前記金属箔からパッド部、接続リード、メッキリード、メッキ電極並びに接続部からなる導電パターンを形成する工程と、
前記メッキ電極を通じて、前記導電パターンにメッキ処理を施す工程と、
前記接続部を加工して配線パターンを形成する工程と、
を含む。
【００１２】
ここで、前記配線パターンを形成する工程は、前記接続部を打ち抜くことにより行ってもよい。
【００１３】
また、複数の前記接続部を一括して打ち抜くことで工程数を減らすことができる。
【００１４】
あるいは、前記打ち抜きは、各接続部毎に対応して行われてもよい。
【００１５】
各接続部は、円形穴によって打ち抜いてもよい。
【００１６】
あるいは、前記円形穴は楕円形状をなし、前記楕円形状の長径の方向は半導体装置の外周を形成する辺と略直交する方向に向けられてもよい。
【００１７】
また、前記メッキ処理を施す工程の前に、前記導電パターンにおける前記メッキ処理の行われる領域を除く領域に保護膜を設けてもよい。
【００１８】
前記保護膜として樹脂が用いられてもよい。
【００１９】
前記樹脂としてソルダレジストを用いてもよい。
【００２０】
本発明に係る樹脂封止型の半導体装置に用いられるフィルムキャリアテープは、
樹脂封止されるべき領域内で外部電極が形成されたパッド部と、
樹脂封止されるべき領域内に配置され、各々の前記外部電極と半導体チップの各電極とを接続する複数の接続リードと、
樹脂封止の領域外に形成される少なくとも一つのメッキリードと、
いずれかの前記接続リードと前記メッキリードとを電気的に接続する複数の接続部と、
前記接続部に形成され、前記接続リードと前記メッキリードとの電気的絶縁を図るための少なくとも一つの孔と、
前記メッキリードが接続されるメッキ電極と、
を有し、
前記パッド部、前記接続リード、前記メッキリード、前記接続部並びに前記メッキ電極には、電気メッキが施されている。
【００２１】
前記孔は矩形の穴からなり、複数の前記接続部に対して跨って形成されてもよい。
【００２２】
あるいは、複数の前記孔が形成され、
各孔は円形又は楕円形の穴からなり、各々の前記接続部に対応して形成されてもよい。
【００２３】
または、前記孔は楕円形状をなし、前記楕円形状のうちの長径の方向は半導体装置の外周を形成する辺と略直交する方向に向けられてもよい。
【００２４】
以上のような孔を形成することで、接続部の端面が孔から露出し、この露出した接続部の端面は、樹脂封止により被覆される。これにより、接続部から接続リードへの腐食を防止することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
図１〜図７は、本実施形態の前提となる参考例に係る半導体装置の製造方法をフィルムキャリアテープの製造段階から説明する図である。特に図１〜図５においては、フィルムキャリアテープの製造工程を説明するものであり、図６及び図７の工程は図１〜図５の工程にて製造されたフィルムキャリアテープと半導体チップとをボンディングする以降の工程であり、必ずしも図１〜図５の工程に引き続き直ぐに（連続的に）行わなくてもよい。
【００２７】
まず、図１に示すように、母材となるフィルム１０を用意する。フィルム１０は、ポリイミドやポリエステル等の樹脂で形成されたテープ状（長尺状）のもので、搭載される半導体チップ（図示せず）の大きさに応じて幅が決定される。このフィルム１０は、電気的に絶縁性を有するとともに可撓性を有する材料が適している。
【００２８】
このフィルム１０に、図２に示すように、スプロケット孔１２及びリード孔１４を例えば打ち抜き加工やレーザー加工やケミカルエッチング加工等周知の穴あけ技術を用いて形成する。リード孔１４は、図６に示すように、搭載される半導体チップ４０の電極４２に対応する領域に形成される。すなわち、リード孔１４は、接続リード２４と電極４２とのボンディングを行うために形成される。
【００２９】
次に、フィルム１０に接着剤を塗布しておき、電気的導通の図れる部材として金属箔、例えばその一例として銅箔１６を、図示しないが熱ローラ等の加熱及び加圧手段で圧接しながら貼り付ける。図３は、フィルム１０に銅箔１６を貼りつけた状態を示している。
【００３０】
そして、湿式のエッチングを行うことにより、箔状の銅箔１６から図４に示すように所望の導電パターン２０を形成する。
【００３１】
導電パターン２０は、パッド部２２、接続リード２４、メッキリード２６、メッキ電極２８及び接続部２９を含み、導電パターン２０の段階では、全てが電気的に導通した状態となっている。パッド部２２は、例えばハンダボール等のバンプを設けて外部電極を構成するためのものである。従って、パッド部２２は平面的にみればその表面は平坦状で、且つ所定の面積（通常、接続リード２４より幅広）を有している。なお、パッド部２２自体が凸状に形成されて、予めバンプとしての機能を有していてもよい。また、パッド部２２は半導体装置製造後においても図示された如く、ランドのままの状態であってもよい。但し、この場合には、実装される部材（実装基板）側に、ハンダ等の接合部材を設ける必要がある。パッド部２２は、半導体チップがフィルムキャリアテープに搭載されたとき（図７を参照）に、半導体チップ４０領域の内側で、かつ、モールド材３６による樹脂封止の領域内に配置される。
【００３２】
接続リード２４は、その一方の端部は外部電極を形成するためのパッド部２２に接続されており、パッド部２２と電気的導通が図られる。なお、パッド部２２に比べて接続リード２４は細く形成されている。接続リード２４は電気的導通が良好に図られる程度の幅が確保されていればよく、狭ピッチを考えると必然的にパッド部２２よりも細くなる。このことは接続リード２４のみならず、接続リード２４の延長上にある接続部２９においても同様である。また、接続リード２４の他方の端部は、図４に示されたようにリード孔１４を通過している（跨いでいる）。接続リード２４におけるこのリード孔１４内に位置する部位にて半導体チップ４０の電極４２と接続される。接続リード２４は、パッド部２２と同様に、後述するモールド材３６による樹脂封止の領域内（図７参照）に配置される。接続リード２４は、リード孔１４のメッキリード２６側の辺からメッキリード２６までの区間をつなぐ接続部２９を介してメッキリード２６と電気的に接続されている。ここで、メッキリード２６は、樹脂封止の領域外に位置するように形成されている。つまり、接続部２９は、樹脂封止の領域内の接続リード２４から、樹脂封止の領域外のメッキリード２６に至るまで形成されている。各々のメッキリード２６は、テープ状フィルム１０の短手方向に形成されるとともに、メッキ電極２８に接続されている。メッキ電極２８は、テープ状フィルム１０の長手方向に形成されている。なお、図４に示す導電パターン２０の両隣りには図示しないが、メッキ電極２８に接続された同様の導電パターンが連続して形成されている。
【００３３】
次に、メッキ電極２８を通じて、電気メッキ（電解メッキ）の方法によって、導電パターン２０全体に金メッキを施す。なお、メッキ処理としては金メッキの他にスズやハンダによるメッキ処理でも良い。接合等の状況に応じて周知の方法を用いればよい。そして、図５に示すように、接続リード２４とメッキリード２６との間（すなわち、リード孔１４のメッキリード側の辺とメッキリード２６との間）に位置する接続部２９の少なくとも一部を切削して、図４の導電パターン２０から配線パターン（回路パターン）３０を形成する。切削する方法は、機械的な方法でも化学的な方法でも問わず、周知の技術を用いることができる。また、切削される該当部は完全に打ち抜かなくても、例えば接続リード２４とメッキリード２６とが電気的に非導通状態、即ち接続リード２４のみその端部が自由端にできればよく、該当部分（該当する位置のパターン）のみをハーフエッチングする等でもよい。言い換えると、ベースであるフィルム１０は必ずしも完全に取り除かなくてもよい。こうして、所定の回路が形成された長尺状のフィルムキャリアテープ３４が得られる。また、配線パターン３０が形成された状態においては、接続部２９におけるパッド部２２と電気的に接続された側、即ちリード孔１４と孔３２との間に位置する配線も含めて接続リード２４という。なお、配線パターン３０が形成された工程以降において、単に接続リードといった場合には、リード孔１４と孔３２との間に位置する配線も含んでいる。
【００３４】
なお、接続部２９を打ち抜く工程は、メッキ処理工程後であって、半導体チップ４０の電極４２に対するボンディング工程（図６参照）前に行われる。また、本例では接続部２９を打ち抜くことで、孔３２が形成される。孔３２は、同図では細長い矩形の穴であるが、その形状はこれに限るものではない。孔３２を形成する一対の長手辺のうちの一方は、図７に示すように、樹脂封止の領域内に位置し、他方は樹脂封止の領域外に位置させる。そして、打ち抜かれた接続部２９の端面は、孔３２を形成する長手辺の位置と面一になっており、孔３２内側においてその端部は露出している。この露出した接続部２９の端面は、樹脂にて被覆される。要するに、孔３２は、所望の回路を形成するために加え、接続部２９の露出端面を被覆するために形成されるものでもある。
【００３５】
次に、図６に示すように、半導体チップ４０の上方にフィルムキャリアテープ３４を配置する。より詳しくは、フィルムキャリアテープのうちでもフレキシブル基板に相当する部位が半導体チップ４０の上方にて位置合わせされる。ここで、最終的にフィルムキャリアテープ３４から離されて半導体装置個片になった時に、基板として残る部位がフレキシブル基板に相当する。
【００３６】
半導体チップ４０の電極４２は、フィルムキャリアテープ３４のリード孔１４を臨むように配置される。用いられる半導体チップの適正なサイズは、同図のようにリード孔の内側を形成する辺を超えた位置に半導体チップ端部が位置するものから、孔３２におけるリード孔１４側の辺に至るまでのサイズのものならば、そのサイズは問わない。また、半導体チップ４０とフィルムキャリアテープ３４との間に所定ギャップが形成されるようにする。このとき、半導体チップ４０の電極４２の上に、接続リード２４が配置されるように位置決めを行う。そして、複数の電極４２と複数の接続リード２４とを一括または１箇所ずつボンディングする。ボンディングのために、電極４２又は接続リード２４のいずれか一方にバンプが形成されることが好ましい。
【００３７】
なお、本参考例における配線パターン３０の形成位置は、フィルムキャリアテープ３４に半導体チップ４０が配置されたときに、フィルムの半導体チップが相対向する面とは反対側の面に設けられている。したがって、配線パターン３０の表面にソルダレジストなどの樹脂を塗布して、絶縁及び保護を図ることが好ましい。なお電気メッキをしたい部分以外は、予め上記樹脂で覆うようにすることも可能である。ここで電気メッキをしたい部分とは具体的には接続リードやランド等を指す。このようにすれば不要部分にメッキは塗布されないので、メッキ処理に用いるメッキ材の無駄を省くことができる。あるいは、配線パターン３０を、半導体チップ４０側に向けてフィルムキャリアテープ３４を配置すれば、ソルダレジストなどの塗布を省略することができる。
【００３８】
次に、図７に示すように、モールド材によって半導体チップ４０を封止する。なお、符号３６がモールド材の位置する領域である。また、図８は、図７のVIII−VIII線断面図である。
【００３９】
詳しくは、モールド材３６は、リード孔１４から、半導体チップ４０とフィルムキャリアテープ３４との間のギャップに注入される。そして、モールド材３６は、半導体チップ４０の電極４２を覆う。
【００４０】
また、フィルムキャリアテープ３４の孔３２にて端部が露出する接続部２９の端面２９ａ（即ち、接続リードの端部）も覆うように、モールド材３６を充填する。こうすることで、半導体チップ４０の電極４２に接続される接続部２９の端面２９ａ（接続リードの端部）が樹脂により覆われて露出しないようになる。これによって、接続部２９側から接続リード２４、更には半導体チップ４０の電極４２への腐食が防止され絶縁も図られるので、半導体装置の信頼性が向上する。
【００４１】
こうして、モールド材３６による封止が終わると、モールド材３６の位置する領域の外側で母体となるフィルムキャリアテープ３４から切り離す。切り離す場合に、一括で型抜きを行って、フィルムキャリアテープ３４の母体から、パッケージに利用されたフィルムキャリアテープ３４部分（すなわち、フレキシブル基板部位）を打ち抜く。打ち抜く位置に関しては、例えば、切断位置を孔３２領域内で、且つ樹脂封止された領域よりも外側にすれば、配線パターンの引き廻し方向（フィルムの長手方向）に関しては既に加工されており、今回の打ち抜き工程時に外的付加がかからない。
【００４２】
一方、孔３２の更に外側で、孔にかからない位置にて打ち抜くことも可能である。このように、孔３２を切り欠かないように打ち抜くことで、最終的な半導体装置の外形が、直線性を有するようになる。この場合には、その後の工程において、半導体装置の外形認識が容易になるという利点がある。
【００４３】
次に、図９及び図１０は、本発明の実施形態（上記参考例の変形）を示す図であり、図７の部分拡大図に対応する。
【００４４】
図９に示すフィルムキャリアテープ５０において、個々の接続部５２が、円形穴５４によってそれぞれ打ち抜かれ、メッキリード５６から切断されている。すなわちこの円形穴は、接続部５２の幅よりも広い直径を有する。接続部５２を打ち抜く工程は、メッキ処理工程後であって、半導体チップの電極に対するボンディング工程前に行われる。円形を選択した理由は、樹脂の流れ込み性並びに密着性を考慮したものである。
【００４５】
そして、一点鎖線５８の位置まで樹脂封止して、円形穴５４から露出する接続部５２の端面を樹脂にて覆うようにする。その後、二点鎖線５９の位置で最終的な打ち抜きを行って、半導体装置を得る。半導体チップの電極と接続されている各接続リードの端部は、樹脂にて完全に覆われることになり、こうして得られた半導体装置も、上記参考例と同様の効果を奏する。
【００４６】
また、図１０に示すフィルムキャリアテープ６０においては、個々の接続部６２が、長穴６４によってそれぞれ打ち抜かれ、メッキリード６６から切断されている。長穴、すなわち、言い換えると楕円形状である。そして、一点鎖線６８の位置まで樹脂を封止して、長穴６４から露出する接続部６２の端面を覆うようにする。その後、最終的な打ち抜きを行う位置は、長穴６４の内側の二点鎖線６９の位置である。つまり、最終的な打ち抜きを行うと、長穴６４を切り欠いた形状となる。こうして、半導体装置を得ることができる。なお、第９図及び第１０図での最終的な打ち抜き位置５９、６９は、この限りではない。この点は後に説明する。
【００４７】
図１０では、同図に示すように長穴の長径の方向はパッケージの外周を形成する辺と略直交方向に設けてあり、このようにすれば接続部の界面は図９の例に比べて更にパッケージの外周から引き込まれたところに位置する。したがって、外気と接するまでの距離がより増すことで、リードの腐食防止効果をより高めることができる。また、長穴にすれば樹脂との接触領域を広げることも可能となり、樹脂と基板との接着強度が更に高められる。その際、長穴の長径の方向をパッケージの外周を形成する辺に対して略直交方向に設けたので、隣設する接続リードのピッチ間隔を狭ピッチに対応することができる。ただし、ある程度ピッチの制限が緩い場合には、長穴の長径の方向を気にする必要はなく、上記と同様にパッケージの外周を形成する辺と略直交方向に設けてもよいし、その直行方向（すなわち、パッケージの外周を形成する辺と略平行方向）に設けても差し支えはない。
【００４８】
また図９及び図１０においては、樹脂封止位置５８、６８と、最終的な型抜き（切断）位置５９、６９とをずらしたことで、更により詳しくいうと、パッケージとしてみたときに樹脂封止位置の更に外側に切断（打ち抜き）位置を設けたことで、最終的な半導体装置の外形が、直線性を有するようになる。そして、その後の工程において、半導体装置の外形認識が容易になる。また切断工程にて樹脂封止部に損傷を与える心配がないことによる。
【００４９】
一方、必ずしも樹脂封止位置と切断（打ち抜き）位置とはずらさなければならない訳はなく、同じにしても良い。また、穴内の樹脂の位置よりは外側で且つ穴内に納まる位置にて切断しても良い。なお、打ち抜き位置と樹脂封止位置とを同じにするとしても、穴内において樹脂の引き込んだ形に改めて打ち抜く必要はなく、樹脂封止部の最外形直線状に打ち抜けばよい。いずれにしても、各接続リードにつながる各接続部の端部は、穴（円形穴、長穴等）が形成されていて、基板（フィルムキャリアテープ）の端部からは引き込まれた位置に設けられるため、接続部端部は樹脂にて覆われた状態が保たれていることになる。
【００５０】
上記実施形態において、メッキ処理を行うときに、電解メッキの他に周知の無電解メッキ法を用いてもよい。またフィルムキャリアテープ自体も本例のように導電パターン、接着剤、フィルムの３層からなるテープに限られるものでなく、例えば前述の構成から接着剤の除かれた２層のテープを用いてもよい。
【００５１】
なお、上記各実施形態においては、電極が２辺に形成されたチップを用いたが、４辺に電極が設けられた場合も同様に適用可能であることはいうまでもない。その際にはテープの４方向に矩形穴が設けられることになる。
【００５２】
また、本例では、外部電極が半導体チップ領域の内側方向に引き込まれる、いわゆるファンインタイプを説明したが、ファンインタイプとその逆のファンアウトタイプを融合させての適用も可能である。この場合にはファンインタイプは本例を用いてファンアウトタイプは従前の技術を用いて行えば可能である。
【００５３】
そして、図１１は、上記実施形態を適用して製造された半導体装置１１０を実装した回路基板１００を示す。詳細図は示さないが、半導体装置１１０のパッド部２２と回路基板１００上に形成された接続部（例えば、ランド）とが電気的に接続されている。接続部材としては、例えば周知のハンダが用いられて、両者（半導体装置１１０のパッド部と回路基板１００の接続部）間に介在させて接続を図るというものである。接続部材としては、ハンダ以外にも、例えば異方性導電接着剤を用いる等、各種接続手段を用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】  図２は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】  図３は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】  図４は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】  図５は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】  図６は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】  図７は、参考例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】  図８は、図７のVIII−VIII線断面図である。
【図９】  図９は、本実施形態を示す図である。
【図１０】  図１０は、本実施形態を示す図である。
【図１１】  図１１は、本実施形態を適用して製造された半導体装置を実装した回路基板を示す図である。
【符号の説明】
２０  導電パターン
２４  接続リード
２６  メッキリード
２８  メッキ電極
２９  接続部
３０  配線パターン
３６  モールド材
４２  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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