(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 一対の透明電極を備えた液晶セルの該透明電極間に充填された状態で、(b1)前記液晶セルの両側に一対の偏光方向制御手段をクロスニコル位に配置するとともに、(b2)前記偏光方向制御手段の一方、前記液晶セル、前記偏光方向制御手段の他方を、光がこの順序で透過し、かつ、(c) 前記一対の透明電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさＶに応じて前記順序で透過した光の透過率Ｔｒが増加するように配置して、(d) 電圧Ｖ−光透過率Ｔｒ特性を測定すると、前記電圧Ｖと前記光透過率Ｔｒとの間にヒステリシス曲線が形成され、前記電圧Ｖを増加させた際に前記光透過率Ｔｒが急峻に増加する領域の該ヒステリシス曲線の接線ＩR と、前記領域と隣接する高電圧側の該ヒステリシス曲線の接線ＩF との交点をＰとした時、式：Ｌ＝ＳH ／ＳO
（式中、
ＳO は、縦軸（Ｖ＝０）とヒステリシス曲線との交点Ｑと交点Ｐとを両端とする直線ＰＱを斜辺とする直角三角形の面積を表し、
ＳH は、前記直線ＰＱと、前記急峻に光透過率Ｔｒが増加する領域のヒステリシス曲線と、交点Ｐを通る電圧一定の直線とで囲まれる領域の面積を表す。）
で表される電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であることを特徴とするスメクチック液晶組成物であって、
次式（Ｉb ）：
【化１】
0003844371.tif 000076
（上記式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基（ただし、該アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、該アルキル基中のメチレン基および／またはハロメチレン基の一部は-O- 基で置換されていてもよいが、該アルキル基中のメチレン基および／またはハロメチレン基の一部が複数の-O- 基で置換されている場合、これら複数の-O- 基が互いに隣接することはない。）であり、ｎは、４、６および８から選ばれる数であり、Ｘは、-CH3基または-CF3基であり、ｍは、０または１の整数である。）
で表される反強誘電性液晶化合物と、
次式（IIb ）：
【化２】
0003844371.tif 000077
（上記式中、Ｒ2 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基（ただし、アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、アルキル基中のメチレン基および／またはハロアルキル基中のハロメチレン基の一部は-O- 基で置換されていてもよいが、アルキル基中のメチレン基および／またはハロアルキル基中のハロメチレン基の一部が複数の-O- 基で置換されている場合、これら複数の-O- 基が互いに隣接することはない。）であり、ｎ'は、３、５，７および９から選ばれる整数であり、Ｘ'は、-CH3基または-CF3基であり、ｍ'は、０または１の整数である。）
で表される液晶化合物とを含有することを特徴とするスメクチック液晶組成物。
【請求項２】
(a) 一対の透明電極を備えた液晶セルの該透明電極間に充填された状態で、(b1)前記液晶セルの両側に一対の偏光方向制御手段をクロスニコル位に配置するとともに、(b2)前記偏光方向制御手段の一方、前記液晶セル、前記偏光方向制御手段の他方を、光がこの順序で透過し、かつ、(c) 前記一対の透明電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさＶに応じて前記順序で透過した光の透過率Ｔｒが増加するように配置して、(d) 電圧Ｖ−光透過率Ｔｒ特性を測定すると、前記電圧Ｖと前記光透過率Ｔｒとの間にヒステリシス曲線が形成され、前記電圧Ｖを増加させた際に前記光透過率Ｔｒが急峻に増加する領域の該ヒステリシス曲線の接線ＩR と、前記領域と隣接する高電圧側の該ヒステリシス曲線の接線ＩF との交点をＰとした時、式：Ｌ＝ＳH ／ＳO
（式中、
ＳO は、縦軸（Ｖ＝０）とヒステリシス曲線との交点Ｑと交点Ｐとを両端とする直線ＰＱを斜辺とする直角三角形の面積を表し、
ＳH は、前記直線ＰＱと、前記急峻に光透過率Ｔｒが増加する領域のヒステリシス曲線と、交点Ｐを通る電圧一定の直線とで囲まれる領域の面積を表す。）
で表される電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であることを特徴とするスメクチック液晶組成物であって、
次式（Ｉd ）：
【化３】
0003844371.tif 000078
（上記式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基（ただし、該アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、該アルキル基中のメチレン基および／またはハロメチレン基の一部は-O- 基で置換されていてもよいが、該アルキル基中のメチレン基および／またはハロメチレン基の一部が複数の-O- 基で置換されている場合、これら複数の-O- 基が互いに隣接することはない。）であり、Ｙは、-COO- 、-CH2O-、-CH2CH2-および-OCH2-から選ばれる１種の基であり、ｍは、０または１の整数であり、Ｘは、-CH3基または-CF3基であり、ｎは、４、６および８から選ばれる整数である。）
で表される反強誘電性液晶化合物と、
次式（IId ）：
【化４】
0003844371.tif 000079
（上記式中、
【化５】
0003844371.tif 000080
から選ばれる１種の基，または単結合であり、
【化６】
0003844371.tif 000081
から選ばれる１種の基であり、Ｒ2 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基（ただし、アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、アルキル基中のメチレン基および／またはハロアルキル基中のハロメチレン基の一部は-O- 基で置換されていてもよいが、アルキル基中のメチレン基および／またはハロアルキル基中のハロメチレン基の一部が複数の-O- 基で置換されている場合、これら複数の-O- 基が互いに隣接することはない。）であり、ｍ'は、０または１の整数であり、Ｒ3 は、炭素原子数５または７の直鎖状炭化水素基（ただし、基中の水素原子は沃素原子を除くハロゲン原子で置換されていてもよい。）であり、Ｘ'は、-CH3基または-CF3基である。）
で表される液晶化合物とを含有することを特徴とするスメクチック液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、スメクチック液晶組成物に関し、さらに詳しくは、液晶素子に電圧階調性を付与するスメクチック液晶組成物に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
従来より、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶相の電気光学効果を利用した液晶素子（以下、ＴＮ液晶素子という。）を動画表示装置の表示素子として用いる試みがなされていた。
【０００３】
しかしながら、ＴＮ液晶素子を動画表示装置の表示素子として用いた場合、この表示素子をアクティブマトリックス方式で駆動すれば、画像表示の際のフレーム周波数を例えば６０Ｈｚ以上に設定できるが、ＴＮ液晶素子の電気光学的スイッチング時間は、最短で数十ｍ秒であり、条件によっては２００ｍ秒となる。このため、ＴＮ液晶素子を動画表示装置の表示素子として用いた場合には、この表示装置でスムーズな動画を表示するは困難であるという問題点があった。
【０００４】
さらに、ＴＮ液晶素子を表示素子として用いた場合には、この表示素子で表示できる画像の視野角が狭いという問題点もあった。
これに対し、従来、反強誘電性相の電気光学効果を利用した液晶素子（以下、反強誘電性液晶素子という。）は、城野らが Jpn. J. Appl. Phys., Vol.29, L107 (1990) に記載しているように、電気光学的に出力透過光の明暗を制御することができ、電気光学的スイッチング時間が数十〜数百μ秒であり、ＴＮ液晶素子に比較して高速で電気光学的スイッチングが行えることで知られている。
【０００５】
この性質を利用して、日本電装およびシチズンは、１９９３年の国際強誘電性液晶会議（東京）で単純マトリックス方式で駆動する反強誘電性液晶表示素子の試作品を展示した。この試作品により、反強誘電性液晶のヒステリシスを利用すると、多走査線で表示を行う表示素子が単純マトリクス方式で駆動できることが示された。
【０００６】
さらに、反強誘電性液晶素子を表示素子として用いた場合には、ＴＮ液晶素子を表示素子として用いた場合に比較して、表示素子で表示される画像の視野角を広くすることができるという特長もある。
【０００７】
しかしながら、従来、反強誘電性液晶素子を表示素子として用いた場合には、電気光学的応答速度が不十分なため、画像表示の際のフレーム周波数を６０Ｈｚ以上にすることはできず、自然な動画が表示できるレベルに達していないという問題点があった。
【０００８】
また、従来の反強誘電性液晶素子をアクティブ方式で駆動した場合、液晶セルの電極間に電圧を印加すると、この液晶セルを備えた液晶素子の出力光量、例えば所定偏光方向の偏光量が所定の大きさの電圧（しきい値電圧）を境として急峻に変化する。
【０００９】
このため、従来、反強誘電性液晶素子では、基本的に電気光学的に出力光の明暗が区別できるだけであり、この明暗に対応する２値の光量を有する光しか出力することはできないと考えられていた。
【００１０】
本発明者らは、以上のような情況下でスメクチック液晶組成物について鋭意検討を重ねた結果、驚くべきことに、特定のスメクチック液晶組成物を液晶セルの電極間に充填した後、この液晶セルを用いて液晶素子を構成して液晶セルの電極間に電圧を印加すると、広い電圧区間にわたって液晶素子から出力される所定偏光方向の偏光量が連続的に変化することが見出され、このような性質を有する液晶素子を表示素子として用いると液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさを制御するだけで階調性に優れた表示画像が得られ、該液晶素子は動画表示用としても好適であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
【発明の目的】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、液晶素子に電圧階調性を付与できるスメクチック液晶組成物を提供することを目的としている。
【００１２】
【発明の概要】
本発明に係るスメクチック液晶組成物は、(a) 一対の透明電極を備えた液晶セルの該透明電極間に充填された状態で、(b1)前記液晶セルの両側に一対の偏光方向制御手段をクロスニコル位に配置するとともに、(b2)前記偏光方向制御手段の一方、前記液晶セル、前記偏光方向制御手段の他方を、光がこの順序で透過し、かつ、(c) 前記一対の透明電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさＶに応じて前記順序で透過した光の透過率Ｔｒが増加するように配置して、(d) 電圧Ｖ−光透過率Ｔｒ特性を測定すると、前記電圧Ｖと前記光透過率Ｔｒとの間にヒステリシス曲線が形成され、前記電圧Ｖを増加させた際に前記光透過率Ｔｒが急峻に増加する領域の該ヒステリシス曲線の接線ＩR と、前記領域と隣接する高電圧側の該ヒステリシス曲線の接線ＩF との交点をＰとした時、
式：Ｌ＝ＳH ／ＳO 
（式中、
ＳO は、縦軸（Ｖ＝０）とヒステリシス曲線との交点Ｑと交点Ｐとを両端とする直線ＰＱを斜辺とする直角三角形の面積を表し、
ＳH は、前記直線ＰＱと、前記急峻に光透過率Ｔｒが増加する領域のヒステリシス曲線と、交点Ｐを通る電圧一定の直線とで囲まれる領域の面積を表す。）
で表される電圧階調性パラメーターＬが、０．６未満であることを特徴としている。
【００１３】
【発明の具体的な説明】
スメクチック液晶組成物
まず、本発明に係るスメクチック液晶組成物について具体的に説明すると、下記の通りである。なお、本明細書でスメクチック液晶組成物とは、スメクチック液晶相を示す組成物を意味する。
【００１４】
本発明に係るスメクチック液晶組成物は、電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であることを特徴としている。
本明細書では、電圧階調性パラメーターＬは、次のようにして測定、算出された値を意味する。
(a) まず、一対の透明電極を備えた液晶セルの該透明電極間にスメクチック液晶組成物を充填する。
(b1)このようにしてスメクチック液晶組成物が充填された液晶セルの両側に一対の偏光方向制御手段をクロスニコル位に配置する。
前記液晶セルと、前記一対の偏光方向制御手段とを、
(b2)一方の偏光方向制御手段、液晶セルおよび他方の偏光方向制御手段に光がこの順序で透過し、
(c) 前記一対の透明電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさＶに応じて前記順序で透過した光の透過率Ｔｒが増加する
ように配置する。
(d) この状態で電圧Ｖ−光透過率Ｔｒ特性を測定すると、前記電圧Ｖと前記光透過率Ｔｒとの間にヒステリシス曲線が形成される。すなわち、電圧Ｖを増加させた場合と減少させた場合とでは同じ電圧Ｖでも光透過率Ｔｒが異なる場合が生じる。スメクチック液晶組成物が反強誘電性を示す場合、たとえば図５に示すようなヒステリシス曲線が得られる。
【００１５】
この電圧Ｖを増加させた際に光透過率Ｔｒが増加する領域のヒステリシス曲線の接線ＩR と、前記領域と隣接する高電圧側のヒステリシス曲線の接線ＩF との交点Ｐと、縦軸（Ｖ＝０）とヒステリシス曲線との交点Ｑとを両端とする直線ＰＱを斜辺とし、この直線ＰＱと、交点Ｐを通る縦軸に平行な直線（電圧Ｖが一定の直線）と、交点Ｑを通る横軸に平行な直線（光透過率Ｔｒが一定の直線）とによって形成された直角三角形の面積ＳO を測定する。
【００１６】
前記直線ＰＱ、前記急峻に光透過率Ｔｒが増加する領域のヒステリシス曲線および交点Ｐを通る電圧一定の直線とによって囲まれる領域の面積（たとえば、図５の斜線部）ＳH を測定する。
【００１７】
電圧階調性Ｌを式：Ｌ＝ＳH ／ＳO で算出する。
面積ＳH がゼロの場合、ヒステリシス曲線は、交点Ｐと交点Ｑとを両端とする直線ＰＱと一致し、また、面積ＳO の値、すなわち、交点Ｐの電圧値Ｖの絶対値｜Ｖ｜と、光透過率値Ｔｒとが、大きければ大きい程、スメクチック液晶組成物が充填された液晶セルの電極間に印加する電圧Ｖの大きさに応じて、該液晶セルを備えた液晶素子から出力される特定偏光量を大きく変化させることができる。
【００１８】
したがって、スメクチック液晶材料の電圧階調性パラメーターＬが小さければ小さい程、スメクチック液晶材料が充填された液晶セルを備えた液晶素子に優れた電圧階調性を付与することができる。
【００１９】
ところで、従来の反強誘電性液晶相を示す材料（以下、反強誘電性液晶材料という。）では、反強誘電性液晶材料が反強誘電性液晶化合物である場合は勿論のこと、反強誘電性液晶組成物である場合でも、電圧階調性パラメーターＬが０．９を越えており、反強誘電性液晶材料が充填された液晶セルを備えた液晶素子に優れた電圧階調性を付与することが困難であった。
【００２０】
これに対し、本発明に係るスメクチック液晶組成物は、電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であり、従来の反強誘電性液晶材料からは予想できないような優れた電圧階調性を液晶素子に付与することができる。なお、本発明に係るスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬと、従来の反強誘電性液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬとの差異については、後述する実施例で具体的に示す。
【００２１】
本発明に係るスメクチック液晶組成物は、上述した電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であれば特に制限はなく、各種のスメクチック液晶相、好ましくは反強誘電性液晶相を示す化合物を含んで構成されうる。
【００２２】
また、本発明に係るスメクチック液晶組成物では、通常、分子中にキラル部位（不斉炭素原子）を有するスメクチック液晶化合物が用いられるが、必要に応じて分子中にキラル部位を有していないスメクチック液晶化合物を用いることもできる。
【００２３】
とりわけ、反強誘電性液晶化合物を含み、しかも電圧階調性パラメーターＬが０．６未満であるようなスメクチック液晶組成物としては、次式（Ｉ）：
Ｒ1 （Ｏ）m −Ｚ−Ｙ−Ｅ−ＣＯＯ−Ｃ* ＨＸ−Ｒ4           …（Ｉ）
で表される反強誘電性液晶化合物を含有する反強誘電性液晶組成物などが挙げられる。
【００２４】
上記式（Ｉ）中、Ｚは、
【００２５】
【化１８】
0003844371.tif 000002
【００２６】
から選ばれる１種の基であり、
Ｅは、
【００２７】
【化１９】
0003844371.tif 000003
【００２８】
から選ばれる１種の基であり、室温または室温付近で反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を提供する上で、好ましくは
【００２９】
【化２０】
0003844371.tif 000004
【００３０】
【化２１】
0003844371.tif 000005
【００３１】
なお、スメクチック液晶組成物が、室温または室温付近でスメクチック液晶相を示す場合、電極間にスメクチック液晶組成物が充填された液晶セルをほとんどあるいは全く加熱しなくてもスメクチック液晶素子を駆動することができる。
【００３２】
上記式（Ｉ）中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基であるが、このアルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、また、このアルキル基中のメチレン基および／またはこのアルキル基をハロゲン原子で置換することにより得られたハロアルキル基中のハロメチレン基の一部は-O- 基で置換されていてもよい。なお、ハロメチレン基は、メチレン基中の１個の水素原子のみがハロゲン原子で置換されているハロメチレン基であってもよく、また、メチレン基中の２個の水素原子がハロゲン原子で置換されているハロメチレン基であってもよい。ただし、アルキル基中のメチレン基および／またはハロアルキル基中のハロメチレン基の一部が複数の-O- 基で置換されている場合、これら複数の-O- 基が互いに隣接することはない。
【００３３】
すなわち、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基、炭素原子数６〜１６のハロアルキル基、炭素原子数５〜１５のアルコキシ基、炭素原子数５〜１５のハロアルコキシ基、炭素原子数１５以下のアルキルオキシアルキレン基、炭素原子数１５以下のハロアルキルオキシアルキレン基、炭素原子数１５以下のアルキルオキシハロアルキレン基および炭素原子数１５以下のハロアルキルオキシハロアルキレン基から選ばれる１種の基でありうる。
【００３４】
ここで、Ｒ1 が炭素原子数６〜１６のアルキル基または炭素原子数６〜１６のハロアルキル基である場合、これらの基は光学活性を有していてもよい。
特に、広い温度範囲で反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を提供する点からは、Ｒ1 としては直鎖状アルキル基、またはアルキル基中の１個のメチレン基を-O-基で置換した基が好ましい。とりわけ、Ｒ1 がアルキル基中の１個のメチレン基を-O-基で置換した基である場合、-O-基が分子中央に配置しているフェニレン基に近接すると、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物が反強誘電性液晶相を示さなくなるおそれがあるので、アルキル基の末端炭素から数えて２番目または３番目のメチレン基が-O-基で置換されていることが好ましい。
【００３５】
上記式（Ｉ）中、Ｒ4 は、４、６および８から選ばれる偶数個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基または該基中のメチレン基の一つが-O- 基で置換された基である。広い温度範囲で反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を提供する点からはＲ4 が直鎖状のアルキル基であることが好ましいが、液晶素子の電気光学的応答速度を高速化するという点からはアルキル基中のメチレン基の一つが-O- 基で置換されていることが好ましい。したがって、Ｒ4 として直鎖状アルキル基を選択するか、直鎖状アルキル基中のメチレン基の一つが-O- 基で置換された基を選択するかは、最終的に上記どちらの特性が目的とする液晶素子にとって重要であるかによって決められる。
【００３６】
上記式（Ｉ）中、Ｘは、-CH3基、-CH2F 基、-CHF2 基および-CF3基から選ばれる１種の基である。特に、広い温度範囲で反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を提供する点からは、Ｘとしては-CH3基または-CF3基が好ましく、特に-CF3基が好ましい。
【００３７】
上記式（Ｉ）中、Ｙは、-COO- 、-CH2O-、-CH2CH2-および-OCH2-から選ばれる１種の基である。
ｍは、０または１の整数である。広い温度範囲で反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を提供する点からはｍが１であることが好ましいが、キラルスメクチック素子の電気光学的応答速度を高速化するという点からはｍが０であることが好ましい。したがって、ｍを０とするか１とするかは、最終的に上記どちらの特性が目的とする液晶素子にとって重要であるかによって決められる。
【００３８】
上記式（Ｉ）中のＥが２価のテトラリン環である場合には、ｍが０であっても後述する実施例８および参考例１〜７、９〜１２に示されているように本発明に係るスメクチック液晶組成物は充分な温度範囲で反強誘電性液晶相を示しており、ｍが０である場合の方が液晶素子の電気光学的応答速度を高速化する点から好ましい。
【００３９】
上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物のうち、Ｚが
【００４０】
【化２２】
0003844371.tif 000006
【００４１】
次式（Ｉa ）：
【００４２】
【化２３】
0003844371.tif 000007
【００４３】
（上記式中、
Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６の直鎖アルキル基であり、
ｎは、４、６および８から選ばれる整数であり、
Ｘは、-CH3基または-CF3基であり、
ｍは、０または１の整数である。）
で表される反強誘電性液晶化合物、
次式（Ｉb ）：
【００４４】
【化２４】
0003844371.tif 000008
【００４５】
（上記式中、
Ｒ1 は、前記式（Ｉ）中のＲ1 と同様の基であり、
ｎは、４、６および８から選ばれる数であり、
Ｘは、-CH3基または-CF3基であり、
ｍは、０または１の整数である。）
で表される反強誘電性液晶化合物、
次式（Ｉc ）：
【００４６】
【化２５】
0003844371.tif 000009
【００４７】
（上記式中、
Ｒ1 、Ｙ、Ｒ4 およびｍは、それぞれ前記式（Ｉ）中の対応する符号と同様の意味を表し、好ましくはＲ4 は、４〜８の範囲内で偶数の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｙは、-COO- 、-CH2O-および-CH2CH2-から選ばれる１種の基であり、
Ｘは、-CH3基または-CF3基である。）
で表される反強誘電性液晶化合物、および次式（Ｉd ）：
【００４８】
【化２６】
0003844371.tif 000010
【００４９】
（上記式中、
Ｒ1 、Ｙおよびｍは、それぞれ前記式（Ｉ）中の対応する符号と同様の意味を表し、
Ｘは、-CH3基または-CF3基であり、
ｎは、４、６および８から選ばれる整数である。）
で表される反強誘電性液晶化合物などが挙げられる。
【００５０】
上記式（Ｉ) で表される反強誘電性液晶化合物を含む液晶組成物は、反強誘電性液晶化合物の量が少な過ぎると反強誘電性液晶相を示さなくなることがある。このような点から、本発明で上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物を含む液晶組成物を用いる場合、この液晶組成物は、上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物を１０重量％以上含んでいることが好ましい。
【００５１】
本発明に係るスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬが０．６未満となるのは、液晶組成物中に含まれている主成分のスメクチック液晶化合物、たとえば、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と、その他の成分との相互作用によるものである。
【００５２】
上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物とこのような相互作用を示すその他の成分としては、たとえば上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と構造的に類似した化合物が用いられる。ここで、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と構造的に類似したとは、互いに同一であっても異なっていてもよい２個の２価環状基、たとえばフェニレン基、モノフルオレフェニレン基、シクロヘキシレン基、テトラヒドロナフチレン基などが原子数２の２価の直鎖基、たとえば-COO- 、-CH2O-、-CH2CH2-、-COCH2- などで結合されていて、２価環状基の一方が原子数２の２価直鎖基、たとえば-COO- 基と結合して分子骨格を形成しており、この分子骨格中の２価環状基と直接結合している末端基が原子数１６以下の直鎖基であり、他方の末端基が光学活性基である点で上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と共通しているが、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物とは、上述した２個の２価環状基および光学活性基のうちの少なくとも１種が構造的に異なる化合物を意味している。
【００５３】
後記参考例および実施例に示されているように、上記式（Ｉ）で表される複数の化合物を含む液晶組成物では、単に式中のＲ1 が互いに異なるだけでは電圧階調性パラメーターＬが０．６未満とはならない（参考例Ｂ）が、式中のＺ、ＥおよびＲ4 の少なくとも１つが互いに異なる場合には電圧階調性パラメーターＬが０．６未満となる（参考例１３〜１６、１８、１９、２１、２２、２４〜３６）。
【００５４】
また、上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物と、式：-C* HX'-R3（式中、Ｘ'
は-CH3基、-CH2F 基、-CHF2 基および-CF3基から選ばれる１種の基であり、Ｒ3 は３、５、７および９から選ばれる奇数個の原子数を有する直鎖基である。）で表される光学活性基を有する以外は上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物と構造的に類似した化合物とを含む液晶組成物は、電圧階調性パラメーターＬが０．６未満となる（実施例８、参考例１〜７、９〜１２）。この場合、この光学活性基は、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物の光学活性基：-C* HX-R4 と、Ｒ3 とＲ4 との原子数が異なる点で構造的に区別される。
【００５５】
このような光学活性基を有し、このため上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と構造的に区別される化合物としては、次式（II）：
Ｒ2 （Ｏ）m'−Ｚ’−Ａ−Ｙ’−Ｂ−ＣＯＯ−Ｃ* ＨＸ’−Ｒ3     …（II）
で表される液晶化合物が挙げられる。
【００５６】
上記式（II）中、  Ｚ’は、
【００５７】
【化２７】
0003844371.tif 000011
【００５８】
【化２８】
0003844371.tif 000012
【００５９】
から選ばれる１種の基であり、
Ａは、
【００６０】
【化２９】
0003844371.tif 000013
【００６１】
から選ばれる１種の基，または単結合であり、好ましくは
【００６２】
【化３０】
0003844371.tif 000014
【００６３】
後述する実施例および参考例で示すように、本発明に係るスメクチック液晶組成物が上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物を含み、反強誘電性を示す場合、本発明に係る液晶素子の電圧−光透過率特性は特異なダブルヒステリシス曲線を描く。また、この液晶素子をアクティブ方式で駆動する場合、この電圧−光透過率特性のうち、電圧の絶対値を増加させて反強誘電状態から強誘電状態へ移行させ、この際に観測される遷移曲線に沿って光透過率を変化させる場合と、次いで電圧の絶対値を減少させて強誘電状態から反強誘電状態へ移行させ、この際に観測される遷移曲線に沿って光透過率を変化させる場合とがある。上記両方の場合を利用する場合には、上記２遷移曲線によって形成されるヒステリシス幅はできるだけ小さく、理想的にはゼロであることが望ましい。
【００６４】
ここで、上記式（II）中、Ａが
【００６５】
【化３１】
0003844371.tif 000015
【００６６】
である場合には、それ以外の場合に比較して、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（II）で表される液晶化合物とを含む液晶組成物がセルギャップに充填されている液晶セルを用いた液晶素子では、上記ヒステリシス幅が小さくなるという特長がある。
【００６７】
上記式（II）中、Ｂは、上記式（Ｉ）中のＥと同様の基である。
特に、上記式（II）中、Ａが
【００６８】
【化３２】
0003844371.tif 000016
【００６９】
である場合、Ｂとしては
【００７０】
【化３３】
0003844371.tif 000017
【００７１】
が好ましい。
上記式（II）中、Ｒ2 は、上記式（Ｉ）中のＲ1 と同様の基である。また、このＲ2 としては、上記式（Ｉ）の場合と同様の理由から、Ｒ1 と同様、直鎖状アルキル基、またはアルキル基の末端炭素から数えて２番目または３番目のメチレン基が-O-基で置換された基が好ましい。
【００７２】
上記式（II）中、Ｒ3 は、炭素原子数３、５、７および９から選ばれる奇数個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基であるが、このアルキル基中のC-C 結合の一つは-COO- 基で中断されていてもよく、アルキル基中の水素原子は沃素原子を除くハロゲン原子で置換されていてもよく、アルキル基中のエチレン基の一部は
【００７３】
【化３４】
0003844371.tif 000018
【００７４】
であってもよい。このうち、Ｒ3 としては、上記直鎖状アルキル基のC-C 結合の一つが-COO- 基で中断された基、特に-CH2-COO-C2H5基であることが好ましい。上記式（II）中、Ｘ’は、-CH3基、-CH2F 基、-CHF2 基および-CF3基から選ばれる１種の基であり、好ましくは-CH3基または-CF3基である。
【００７５】
上記式（II）中、Ｙ’は、-COO- 、-CH2O-、-CH2CH2-および-OCH2-から選ばれる１種の基である。
また、ｍ’は、０または１の整数であり、ｍ’として１が好ましい。
【００７６】
上記式（II）で表される液晶化合物のうち、Ｚ’が
【００７７】
【化３５】
0003844371.tif 000019
【００７８】
次式（IIa ）：
【００７９】
【化３６】
0003844371.tif 000020
【００８０】
（上記式中、
【００８１】
【化３７】
0003844371.tif 000021
【００８２】
から選ばれる１種の基であり、
Ｒ2 は、炭素原子数６〜１６の直鎖アルキル基であり、
Ｘ’は、-CH3基または-CF3基であり、
ｍ’は、０または１の整数である。）
で表される液晶化合物、
次式（IIb ）：
【００８３】
【化３８】
0003844371.tif 000022
【００８４】
（上記式中、
Ｒ2 は、前記式（Ｉ）中のＲ1 と同様の基であり、
ｎ’は、３、５，７および９から選ばれる整数であり、
Ｘ’は、-CH3基または-CF3基であり、
ｍ’は、０または１の整数である。）
で表される液晶化合物、
次式（IIc ）：
【００８５】
【化３９】
0003844371.tif 000023
【００８６】
（上記式中、
Ａ、Ｂ、Ｒ2 およびｍ’は、それぞれ前記式（II）中の対応する符号と同様の意味を表し、
Ｘ’は、-CH3基または-CF3基である。）
で表される液晶化合物、および
次式（IId ）：
【００８７】
【化４０】
0003844371.tif 000024
【００８８】
（上記式中、
Ａ、Ｂ、Ｒ2 およびｍ’は、それぞれ前記式〔II〕中の対応する符号と同様の意味を表し、
Ｒ3 は、炭素原子数４〜８の直鎖状炭化水素基（ただし、基中の水素原子は沃素原子を除くハロゲン原子で置換されていてもよい。）であり、
Ｘ’は、-CH3基または-CF3基である。）
で表される液晶化合物などが挙げられる。
【００８９】
上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物を含むスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬを０．６未満とするためには、上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と相互作用をしてこのような変化を生じさせるその他の成分が１５重量％以上の量で反強誘電性液晶組成物に含まれていることが好ましく、また、組成物が反強誘電性を損なわないためには、後述する実施例および参考例で示すように、液晶組成物中に含まれる上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物とその他の化合物との組合せにもよるが、５５重量％以下の量で含まれていることが好ましい。
【００９０】
本発明に係るスメクチック液晶組成物が上記式（Ｉ）で表され、式中のＺが
【００９１】
【化４１】
0003844371.tif 000025
【００９２】
式中のＺ’が
【００９３】
【化４２】
0003844371.tif 000026
【００９４】
場合、これらの化合物の好ましい組合せを例示すると下記の通りである：
１）上記式（Ｉa ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（IIa ）で表される液晶化合物、
２）上記式（Ｉb ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（IIb ）で表される液晶化合物、
３）上記式（Ｉc ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（IIc ）で表される液晶化合物、および
４）上記式（Ｉd ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（IId ）で表される液晶化合物。
【００９５】
勿論、液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬが０．６未満となるような上記式（Ｉ）で表される反強誘電性液晶化合物と上記式（II）で表される化合物との組合せは、上記組合せに限定されるものではなく、例えば、後記参考例１７、２０には、上記以外の組合せでも液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬが０．６未満となることが示されている。
【００９６】
本発明に係るスメクチック液晶組成物には、必要に応じて、液晶セルの電極間距離を一定に保つために粒径の揃った球状シリカ粒子などのような球状粒子、あるいは径の揃った短繊維、たとえばガラス短繊維などが配合されていてもよく、また、スメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬが０．６未満に維持される範囲の量で電導性賦与剤、寿命向上剤などのような公知の添加剤が配合されていてもよい。
【００９７】
さらに、後述する実施例および参考例で示すように、本発明に係るスメクチック液晶組成物には、主成分として複数種のスメクチック液晶化合物、たとえば、２種類以上の上記式〔Ｉ〕で表される反強誘電性液晶化合物を混合して用いてもよく、また、主成分と混合してスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬを０．６未満に変化させる成分として、複数種の化合物、たとえば、２種類以上の上記式〔II〕で表される液晶化合物を混合して用いてもよい。
【００９８】
上記のようなスメクチック液晶組成物が充填された液晶セルを備えた液晶素子は次のようにして駆動すると、液晶素子から出力される階調性が連続的または段階的に制御される。
【００９９】
以下、このようにして、１対の電極間にスメクチック液晶組成物が充填された液晶セルを備えた液晶素子を駆動するに際し、前記液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさを変えて、液晶素子から出力される階調性を連続的または段階的に制御する方法を、本発明に係る液晶素子の駆動方法という。
【０１００】
たとえば、本発明に係る液晶素子の駆動方法で用いられる液晶素子（以下、本発明に係る液晶素子という。）が、１対の電極間に上述したような本発明に係るスメクチック液晶組成物を充填した液晶セルを備えている場合、この液晶素子の電圧−光透過率（Ｖ−Ｔｒ）特性は、たとえば図６に示すような特異なダブルヒステリシス曲線を描く。この曲線のヒステリシス幅は、この曲線における最大光透過率ＴｒMAX と最小光透過率ＴｒMIN との１／２に相当する光透過率ＴｒHALF〔＝１／２（ＴｒMAX ＋ＴｒMIN ）〕を示す２正電圧値ＶH1およびＶH2の差分ΔＶ（＝ＶH1−ＶH2）で評価することができるが、できるだけ小さく、理想的にはゼロであることが望ましい。
【０１０１】
本発明では、上記電圧階調性パラメーターＬが０．６未満、好ましくは０．４未満であるスメクチック液晶組成物をスメクチック液晶材料として用いることにより、液晶セルの電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさに応じて液晶素子が階調性を示すようになる。
【０１０２】
このような電圧階調性パラメーターＬの低いスメクチック液晶組成物が電極間に充填された液晶セルを備えた液晶素子を表示素子として用いた場合には、液晶セルに印加する電圧の大きさを変えるだけで表示画像の階調性が簡単に制御できるようになる。
【０１０３】
本発明に係る液晶素子は、液晶セルの電極間に上述したような電圧階調性パラメーターＬの低いスメクチック液晶組成物が液晶セルの電極間に充填されている以外は、公知の液晶素子と同様にして構成されうる。
【０１０４】
以下、図面を用いて本発明に係る液晶素子を具体的に説明する。
図１および図２には、それぞれ本発明に係る液晶素子で用いられる液晶セルの一例が示されている。
【０１０５】
図１および図２に示す液晶セル１０は、電極１２ａ付基板１１ａと電極１２ｂ付基板１１ｂとを備え、電極１２ａと電極１２ｂとの間にスメクチック液晶材料１３が充填されている。
【０１０６】
電極１２ａ付基板１１ａ、電極１２ｂ付基板１１ｂのうち、一方は透明であって、他方は透明であっても不透明であってもよい。この電極付基板の一方が不透明である場合、この液晶セル１０を備えた液晶素子は、反射型液晶素子として液晶表示素子などに用いられうる。これに対し、両電極付基板が透明である場合、この液晶セルを備えた液晶素子は、透過型液晶素子として光スイッチング素子、光変調素子などに用いられうる。
【０１０７】
また、上記一対の電極付基板の少なくとも一方の電極面には、配向膜（図示せず）が設けられていてもよい。なお、配向膜とは、液晶セル中でこれと接する本発明に係る液晶化合物または液晶組成物を所定の方向に配向させる層を意味し、例えば電極付基板の電極上にポリイミド膜を形成し、このポリイミド膜の表明を所定の方向にラビングするなどして得られる。
【０１０８】
さらに、上記液晶セル１０には、液晶セル内部の電極間距離を一定に保つため、この電極間にスペーサ１５が介設されている。
図１に示す液晶セル１０ではスペーサ１５として一定膜厚のフィルムが用いられており、図２に示す液晶セル１０ではスペーサ１５として粒径の揃った球状粒子が用いられているが、液晶セル１０のスペーサ１５として太さの揃った繊維片などを用いてもよい。スペーサとして一定膜厚のフィルムを用いる場合、このスペーサは、通常、液晶セル内部の電極間周縁部に介設される、また、スペーサとして粒径の揃った球状粒子または太さの揃った繊維片を用いる場合、これらのスペーサは、スメクチック液晶材料１３と混合して用いられる。
【０１０９】
また、液晶セルの基板が、アルカリ金属などの不純物を含んでいる場合、これらの不純物が電極付基板の電極あるいは電極などを通してスメクチック液晶材料１３を劣化させることがないように、電極付基板の基板と電極との間にアルカリパッシベーション膜（図示せず）などが設けられていてもよい。
【０１１０】
本発明に係る液晶素子では、液晶セル内部に充填されているスメクチック液晶材料１３を所定の液晶相、たとえば、反強誘電性液晶相に維持しながら液晶セルの電極間に電圧を印加すると、電圧の極性および大きさに応じて液晶相の配向状態が変化し、この配向状態の変化に伴って液晶セル中で液晶セルに入射した光の偏光方向が変化するが、最終的に液晶素子から出力される所定偏光方向の偏光量が液晶セル１の電極１２ａ、１２ｂ間に印加した電圧の大きさに応じて図７に示すように連続的に変化する。
【０１１１】
本発明に係る液晶素子では、このような所定偏光方向の偏光量の変化を利用して表示、光スイッチングあるいは光変調がなされる。
図３にはこのような本発明に係る液晶素子の一例が示されている。
【０１１２】
図３に示す液晶素子１は、透過型液晶素子であって、液晶セル１０と一対の偏向手段２０、２０、たとえば偏光板、偏光ビームスプリッター、１／４波長板などを備えている。そして、この液晶素子１では、偏向手段２０、液晶セル１０および偏向手段２０をこの順序で光が透過するように液晶セル１０と一対の偏向手段２０、２０とが配置されている。このうち、一対の偏向手段２０、２０は、パラニコル位またはクロスニコル位に配置され、図６に示す最小光透過率ＴｒMIN と最大光透過率ＴｒMAX との差ΔＴｒ（＝ＴｒMAX −ＴｒMIN ）が最大となるように一対の偏向手段２０、２０と液晶セル１０との位置決めがなされている。ただし、入射光が特定偏光成分、たとえば垂直偏光成分または水平偏向成分のみを有する場合、光入射側（図３の左側）に配置された偏光制御手段２０を省略することができ、観察者が偏光眼鏡をかけて液晶素子の出力光を観察する場合、偏光眼鏡以外の光出射側（図３の右側）の偏光制御手段を省略することができる。
【０１１３】
本発明に係る液晶素子が反射型液晶素子である場合には、偏光制御手段２０が観察者と液晶セル１０との間に設けられるが、入射光が特定偏光成分、たとえば垂直偏光成分または水平偏向成分のみを有する場合、この偏光制御手段２０を省略することができる。
【０１１４】
以上のように、本発明に係る液晶素子は、１対の電極と、該電極間に充填されたスメクチック液晶材料とを有する液晶セルを備え、前記電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさに応じて階調性を示せばよく、液晶素子の用途などに応じて様々な変形が可能である。
【０１１５】
本発明に係る液晶素子の駆動方法は、上述したような本発明に係る液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさを変えて、液晶素子から出力される階調性を連続的または段階的に制御することを特徴としている。
【０１１６】
このように液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさに応じて液晶素子から出力される階調性を連続的または段階的に制御した場合、階調性がスメクチック液晶相の電気光学的性質に従って制御されるので、従来のネマチック液晶素子で同様の制御を行った場合に比較して階調性の連続的または段階的な制御を高速で行うことができる。
【０１１７】
また、液晶セルの電極間に電圧を印加すると出力光量がしきい値電圧を境として急峻に変化する従来の反強誘電性液晶素子では、画素数密度を変えて表示画像の階調性を表現する必要があり、このため階調性に優れた画像を表示するためには画素数を増加しなければならず、画素数を増加した場合には画像表示の際のフレーム周波数を低下させなければならない。
【０１１８】
これに対し、本発明に係る液晶素子の駆動方法によれば、液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさに応じて液晶素子から出力される所定偏光方向の偏光量が連続的または段階的に変化するので、階調性に優れた画像を表示するために画素数を増加する必要はなく、画素数の増加に伴う画像表示の際のフレーム周波数の低下もない。
【０１１９】
したがって、本発明に係る液晶素子の駆動方法は、高階調性を必要とする写真画像などを表示する際の液晶素子の駆動方法として、あるいは自然な動画を表示するための液晶素子の駆動方法として好適である。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明によれば、スメクチック液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加する電圧の大きさを変化させるだけで、この電圧の大きさに応じてスメクチック液晶素子から出力される光量が連続的あるいは段階的に変化するので、アクティブマトリクス駆動で高速で階調性に優れた画像を表示することができる。
【０１２１】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０１２２】
以下の実施例において、各液晶材料の相転移温度の測定および相の同定はＤＳＣ法、および液晶材料を含むセルを備えた液晶素子を液晶材料ごとに作製して電気光学的に変化させた後のそれぞれの液晶材料の配向状態を偏光顕微鏡で測定する方法で行った。
【０１２３】
下記表中に示す相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO は、それぞれ昇温過程で、反強誘電性液晶相から強誘電性液晶相への相転移温度（ＴAF-F）、強誘電性液晶相からＳｍＡ相への相転移温度（ＴAC）、ＳｍＡ相から等方性液体への相転移温度（ＴISO)を示している。
【０１２４】
[参考例１〜６、参考例Ａ、Ｂ]
透明基板１１ａ、１１ｂとしてガラス板を用い、それぞれの透明基板１１ａ，１１ｂ上にＩＴＯ(Indium tin oxide)で透明電極１２ａ、１２ｂ上にそれぞれポリイミドで配向膜を形成した。それぞれの配向膜に、これと接する液晶化合物分子が所定の方向に配向するようにラビング処理を施した後、それぞれの配向膜の前記配向制御方向が互いに逆方向で、かつ略平行となるように図１に示す液晶セル１０を組み付けた。なおスペーサー１５でセルギャップ１４を２μｍに調整した。
【０１２５】
次いで、このセルギャップ１４中に、スメクチック液晶材料１３として上記式（Ｉ）で表される下記化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）および上記式（II）で表される下記化合物（II−１）：
【０１２６】
【化４３】
0003844371.tif 000027
【０１２７】
を下記表１に示す組成比で含む液晶組成物をそれぞれ等方性液相状態で注入した後、シール材１６でセル１０をシールし、１℃／分の冷却速度で液晶セル１０を室温まで徐々に冷却した。
【０１２８】
この液晶セル１０を用いて図３に示す液晶素子１を作製した。なお、偏向制御手段２０としては偏光板を用い、それぞれの偏光板の偏光方向が互いに直交するように配置した。また、透明電極１２ａ、１２ｂ間に電圧が印加されていない時に一方の偏向制御手段２０、液晶セル１０および他方の偏向制御手段２０を順次透過した光の光量（以下、液晶素子１の透過光量という）が最暗状態（Ｔｒ0)となるように、液晶セル１０を偏向制御手段２０、２０間に配置した。
【０１２９】
室温でこの図３に示す液晶素子１に含まれる液晶セル１０の透明電極１２ａ、１２ｂ間に三角波電圧(周波数；０．０１Ｈｚ，ピーク電圧；３０Ｖ／μｍ）を印加し、液晶素子１の透過光量（光透過率；Ｔｒ）をモニターした。
【０１３０】
この結果、得られたＶ−Ｔｒ曲線を図７〜１３に示す。なお、下記表１に示す参考例１〜６の組成物が用いられている液晶素子１で示されたＶ−Ｔｒ曲線が 図７〜１２にこの順序で示されており、参考例Ｂの組成物が用いられている液晶素子１で示されたＶ−Ｔｒ曲線を図１３に示す。
【０１３１】
また、本発明において、しきい値電圧、ヒステリシス幅および階調性は次のようにして評価した。
ａ）しきい値電圧
液晶セル１０の透明電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧Ｖをゼロから正方向に増加させていくと反強誘電状態から強誘電状態へ移行し、液晶素子１の光透過率Ｔｒが増加するようになり、たとえば図４に示すＶ−Ｔｒ曲線を描く。たとえば図４の場合には、このＶ−Ｔｒ曲線の曲線の接線ＩR と強誘電状態領域のＶ−Ｔｒ曲線との接線ＩF との交点Ｐを求め、この交点Ｐの電圧値ＶP をしきい値電圧として評価した。
ｂ）ヒステリシス幅
図６に示す最大光透過率ＴｒMAX と最小光透過率ＴｒMIN とから、次式で示される両者の平均値ＴｒHALF：
ＴｒHALF＝（ＴｒMAX ＋ＴｒMIN ）／２
を求める。
【０１３２】
ＴｒHALFを与える電圧値ＶH1とＶH2との差ＶW （＝ＶH1−ＶH2）をヒステリシス幅として評価した。
ｃ）階調性
図５において、ヒステリシス曲線と縦軸との交点Ｑと、上記ａ）の評価方法で図４を用いて説明した接線ＩR と接線ＩF との交点Ｐとを両端とする直線ＰＱを斜辺とする直角三角形の面積Ｓo を求める。直線ＰＱと、反強誘電状態から強誘電状態へ移行する際に液晶素子１が示すＶ−Ｔｒ曲線とによって囲まれる斜線部の面積ＳH を求める。
【０１３３】
式ＳH ／ＳO の値を電圧階調性パラメーターＬとする。
基本的には電圧階調性パラメーターＬが小さい方が階調性に優れている。しかしながら、Ｌ＜０．３の範囲では階調性に有意差はない。
【０１３４】
以上の評価結果を下記表１に併記する。
【０１３５】
【表１】
0003844371.tif 000028
【０１３６】
上記表１から明らかなように、参考例１〜６では、いずれも上記式（１）で表される化合物を含む組成物が反強誘電性液晶相を示している。また、これら反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を用いた場合、電圧階調性パラメーターＬは０．３以下である。これに対し、２種以上の上記式（１）で表される化合物の反強誘電性液晶混合物を用いた参考例Ｂでは、電圧階調性パラメーターＬは０．９６である。
【０１３７】
以上の結果から、上記式（１）で表される化合物と式（II−１）で表される化合物とを含み、反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を用いると、これら化合物の相互作用により液晶素子の階調性が改善されることが分かる。
【０１３８】
また、以上の結果から、上記式（１）で表される化合物と式（II−１）で表される化合物とを含み、反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物を用いると、これら化合物の相互作用によって液晶素子が示すＶ−Ｔｒ曲線におけるヒステリシス幅、しきい値電圧も改善されていることが分かる。
【０１３９】
さらに参考例１〜６のスメクチック液晶組成物では、組成物中に式（II−１）で表される化合物が２７．９〜５０重量％の量で存在しているが、式（II−１）で表される化合物の量が多くなるにつれて上記ヒステリシス幅およびしきい値電圧が小さくなり、改善されることが分かる。
【０１４０】
しかしながら、組成物中の式（II−１）で表される化合物を６０重量％含む参考例Ａの液晶組成物は反強誘電性液晶相を示していない。
【０１４１】
[参考例７]
スメクチック液晶材料１３として、上記式（Ｉ）で表される下記化合物（Ｉ−５）および（Ｉ−６）：
【０１４２】
【化４４】
0003844371.tif 000029
【０１４３】
と、上記式（II）で表される上記化合物（II−１）とを、下記表２に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１４４】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図１４に示し、それ以外の結果を下記表２に併記する。
【０１４５】
【表２】
0003844371.tif 000030
【０１４６】
上記表２から明らかなように、参考例７の組成物は反強誘電性液晶相を示し、この反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬは、０．３以下であり、該スメクチック液晶組成物が充填された液晶セル１０を備えた液晶素子１が、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさを変えることで階調性に優れた表示が容易に行えることを示している。
【０１４７】
加えて、この液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線はヒステリシス幅が狭く、しかもしきい値電圧が低いことから、この液晶素子１がアクティブ方式で駆動するのに適していることが分かる。
【０１４８】
【実施例８】
スメクチック液晶材料１３として、上記式（Ｉ）で表される下記化合物（Ｉ−７）および（Ｉ−８）と、上記式（II）で表される下記化合物（II−２）：
【０１４９】
【化４５】
0003844371.tif 000031
【０１５０】
とを、下記表３に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１５１】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図１５に示し、それ以外の結果を下記表３に併記する。
【０１５２】
【表３】
0003844371.tif 000032
【０１５３】
上記表３から明らかなように、実施例８の組成物は反強誘電性液晶相を示し、この反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬは、０．３以下であり、該スメクチック液晶組成物が充填された液晶セル１０を備えた液晶素子１が、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさを変えることで階調性に優れた表示が容易に行えることを示している。
【０１５４】
加えて、この液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線はヒステリシス幅が狭く、しかもしきい値電圧が低いことから、この液晶素子１がアクティブ方式で駆動するのに適していることが分かる。
【０１５５】
さらに、実施例８の組成物では、上記式（II−２）で表される化合物が、キラル部が炭素原子数が奇数のアルキル基である以外は上記（Ｉ−７）および（Ｉ−８）と共通していることから、上記式（Ｉ）で表される化合物と、この化合物とキラル部が炭素原子数が奇数のアルキル基である以外は共通した構造を有する化合物とを混合して含むスメクチック液晶組成物を用いると、階調性に優れた液晶素子が得られることが示唆される。
【０１５６】
[参考例９]
スメクチック液晶材料１３として上記化合物（Ｉ−１）、（Ｉ−８）および上記化合物（II−１）を下記表４に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１５７】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図１６に示し、それ以外の結果を下記表４に併記する。
【０１５８】
【表４】
0003844371.tif 000033
【０１５９】
上記表４から明らかなように、参考例９の組成物は反強誘電性液晶相を示し、この反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬは、０．５以下であり、該スメクチック液晶組成物が充填された液晶セル１０を備えた液晶素子１が、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさを変えることで階調性に優れた表示が容易に行えることを示している。
【０１６０】
加えて、この液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線はヒステリシス幅が狭く、しかもしきい値電圧が低いことから、この液晶素子１がアクティブ方式で駆動するのに適していることが分かる。
【０１６１】
[参考例１０〜１２]
スメクチック液晶材料１３として、上記式（Ｉ）で表される上記化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）および下記化合物（Ｉ−９）、（Ｉ−10）：
【０１６２】
【化４６】
0003844371.tif 000034
【０１６３】
と上記式（II）で表される上記化合物（II−１）および下記化合物（II−３）：
【０１６４】
【化４７】
0003844371.tif 000035
【０１６５】
とを下記表５に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１６６】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図１７〜図１９に示し、それ以外の結果を下記表５に併記する。なお、下記表５に示す参考例１０〜１２の組成物が用いられている液晶素子１で示されたＶ−Ｔｒ曲線が図１７〜１９にこの順序で示されている。
【０１６７】
【表５】
0003844371.tif 000036
【０１６８】
上記表５から明らかなように、参考例１０〜１２の組成物は、いずれも反強誘電性液晶相を示し、この反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬは、０．３以下であり、該スメクチック液晶組成物が充填された液晶セル１０を備えた液晶素子１が、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさを変えることで階調性に優れた表示が容易に行えることを示している。
【０１６９】
加えて、これら液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線はいずれもヒステリシス幅が狭く、しかもしきい値電圧が低いことから、これらの液晶素子１がいずれもアクティブ方式で駆動するのに適していることが分かる。
【０１７０】
また、参考例１０によれば、骨格部分にメチレンオキシ結合(-CH2O-)を有する上記式（Ｉ−10）で表される化合物も、骨格部分にカルボニルオキシ結合(-COO-) を有する上記式（１−１）〜（１−９）で表される化合物と同様、本発明に係るスメクチック液晶組成物を調製する上で有用な化合物であることが分かる。
【０１７１】
さらに、参考例１１および１２によれば、上記式（II−３）で表される化合物も、上記式（II−１）および（II−２）で表される化合物と同様、上記式（１）で表される化合物と混合することにより、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に充填して、この電極１２ａ、１２ｂ間に電圧を印加すると、幅広い電圧区間で液晶セル１０を備えた液晶素子１の出力光の光量が変化し、これにより液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさで階調性が容易に制御できるような液晶素子が得られることが分かる。
【０１７２】
[参考例１３]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−２）および（Ｉ−６）を下記表６に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１７３】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２０に示し、それ以外の結果を下記表６に併記する。
【０１７４】
【表６】
0003844371.tif 000037
【０１７５】
[参考例１４]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−２）と、上記式（Ｉ）で表される下記化合物（Ｉ−11）：
【０１７６】
【化４８】
0003844371.tif 000038
【０１７７】
とを、下記表７に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１７８】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２１に示し、それ以外の結果を下記表７に併記する。
【０１７９】
【表７】
0003844371.tif 000039
【０１８０】
[参考例１５]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−６）と、上記式（Ｉ）で表される下記化合物（Ｉ−12）：
【０１８１】
【化４９】
0003844371.tif 000040
【０１８２】
とを、下記表８に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１８３】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２２に示し、それ以外の結果を下記表８に併記する。
【０１８４】
【表８】
0003844371.tif 000041
【０１８５】
[参考例１６]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）と、下記化合物（Ｉ−13）：
【０１８６】
【化５０】
0003844371.tif 000042
【０１８７】
とを、下記表９に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１８８】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２３に示し、それ以外の結果を下記表９に併記する。
【０１８９】
【表９】
0003844371.tif 000043
【０１９０】
[参考例１７]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）と、下記化合物（II−４）：
【０１９１】
【化５１】
0003844371.tif 000044
【０１９２】
とを、下記表１０に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１９３】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２４に示し、それ以外の結果を下記表１０に併記する。
【０１９４】
【表１０】
0003844371.tif 000045
【０１９５】
[参考例１８]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）と、下記化合物（Ｉ−14）：
【０１９６】
【化５２】
0003844371.tif 000046
【０１９７】
とを、下記表１１に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０１９８】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図２５に示し、それ以外の結果を下記表１１に併記する。
【０１９９】
【表１１】
0003844371.tif 000047
【０２００】
[参考例１９、２０]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）および（II−４）と、下記化合物（Ｉ−15）、（Ｉ−16）および（II−５）：
【０２０１】
【化５３】
0003844371.tif 000048
【０２０２】
とを、下記表１２および表１３に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２０３】
この結果得られた参考例１９のＶ−Ｔｒ曲線を図２６に示し、参考例２０のＶ−Ｔｒ曲線を図２７に示すとともにそれ以外の結果を下記表１２および表１３に併記する。
【０２０４】
【表１２】
0003844371.tif 000049
【０２０５】
【表１３】
0003844371.tif 000050
【０２０６】
[参考例２１、２２]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）および（Ｉ−14）と、下記化合物（Ｉ−17）：
【０２０７】
【化５４】
0003844371.tif 000051
【０２０８】
とを、下記表１４に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２０９】
この結果得られた参考例２１のＶ−Ｔｒ曲線を図２８に示し、参考例２２のＶ−Ｔｒ曲線を図２９に示すとともにそれ以外の結果を下記表１４に併記する。
【０２１０】
【表１４】
0003844371.tif 000052
【０２１１】
[参考例２３]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−12）、（Ｉ−14）、（Ｉ−15）および（II−５）を下記表１５に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２１２】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３０に示し、それ以外の結果を下記表１５に併記する。
【０２１３】
【表１５】
0003844371.tif 000053
【０２１４】
[参考例２４]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−７）と、下記化合物（Ｉ−18）：
【０２１５】
【化５５】
0003844371.tif 000054
【０２１６】
とを、下記表１６に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２１７】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３１に示し、それ以外の結果を下記表１６に併記する。
【０２１８】
【表１６】
0003844371.tif 000055
【０２１９】
[参考例２５]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−11）と、下記化合物（Ｉ−19）：
【０２２０】
【化５６】
0003844371.tif 000056
【０２２１】
とを、下記表１７に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２２２】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３２に示し、それ以外の結果を下記表１７に併記する。
【０２２３】
【表１７】
0003844371.tif 000057
【０２２４】
[参考例２６]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−19）と、下記化合物（Ｉ−20）：
【０２２５】
【化５７】
0003844371.tif 000058
【０２２６】
とを、下記表１８に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２２７】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３３に示し、それ以外の結果を下記表１８に併記する。
【０２２８】
【表１８】
0003844371.tif 000059
【０２２９】
[参考例２７]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−20）と、下記化合物（Ｉ−21）：
【０２３０】
【化５８】
0003844371.tif 000060
【０２３１】
とを、下記表１９に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２３２】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３４に示し、それ以外の結果を下記表１９に併記する。
【０２３３】
【表１９】
0003844371.tif 000061
【０２３４】
[参考例２８]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−19）および（Ｉ−21）を下記表２０に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２３５】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３５に示し、それ以外の結果を下記表２０に併記する。
【０２３６】
【表２０】
0003844371.tif 000062
【０２３７】
[参考例２９]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−３）および（Ｉ−21）を下記表２１に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２３８】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３６に示し、それ以外の結果を下記表２１に併記する。
【０２３９】
【表２１】
0003844371.tif 000063
【０２４０】
[参考例３０]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−18）および（Ｉ−21）を下記表２２に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２４１】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３７に示し、それ以外の結果を下記表２２に併記する。
【０２４２】
【表２２】
0003844371.tif 000064
【０２４３】
[参考例３１]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−21）と、下記化合物（Ｉ−22）：
【０２４４】
【化５９】
0003844371.tif 000065
【０２４５】
とを、下記表２３に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２４６】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３８に示し、それ以外の結果を下記表２３に併記する。
【０２４７】
【表２３】
0003844371.tif 000066
【０２４８】
[参考例３２]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−６）および（Ｉ−21）を下記表２４に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２４９】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図３９に示し、それ以外の結果を下記表２４に併記する。
【０２５０】
【表２４】
0003844371.tif 000067
【０２５１】
[参考例３３]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−21）と、下記化合物（Ｉ−23）：
【０２５２】
【化６０】
0003844371.tif 000068
【０２５３】
とを、下記表２５に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２５４】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図４０に示し、それ以外の結果を下記表２５に併記する。
【０２５５】
【表２５】
0003844371.tif 000069
【０２５６】
[参考例３４]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−21）と、下記化合物（Ｉ−24）：
【０２５７】
【化６１】
0003844371.tif 000070
【０２５８】
とを、下記表２６に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２５９】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図４１に示し、それ以外の結果を下記表２６に併記する。
【０２６０】
【表２６】
0003844371.tif 000071
【０２６１】
[参考例３５]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−23）と、下記化合物（Ｉ−25）：
【０２６２】
【化６２】
0003844371.tif 000072
【０２６３】
とを、下記表２７に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２６４】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図４２に示し、それ以外の結果を下記表２７に併記する。
【０２６５】
【表２７】
0003844371.tif 000073
【０２６６】
[参考例３６]
スメクチック液晶材料１３として、上記化合物（Ｉ−23）と、下記化合物（Ｉ−26）：
【０２６７】
【化６３】
0003844371.tif 000074
【０２６８】
とを、下記表２８に示す組成比で含む液晶組成物を用いた以外は、参考例１と同様にして液晶素子１を作製し、液晶組成物の相転移温度ＴAF-F、ＴAC、ＴISO および液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線を測定し、階調性（電圧階調性パラメーターＬ）、ヒステリシス幅、しきい値電圧を評価した。
【０２６９】
この結果得られたＶ−Ｔｒ曲線を図４３に示し、それ以外の結果を下記表２８に併記する。
【０２７０】
【表２８】
0003844371.tif 000075
【０２７１】
上記結果から明らかなように、参考例１３〜３６の組成物は、いずれも反強誘電性液晶相を示し、この反強誘電性液晶相を示すスメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターＬは、０．６未満であり、該スメクチック液晶組成物が充填された液晶セル１０を備えた液晶素子１が、液晶セル１０の電極１２ａ、１２ｂ間に印加する電圧の大きさを変えることで階調性に優れた表示が容易に行えることを示している。
【０２７２】
加えて、これら液晶素子１のＶ−Ｔｒ曲線はヒステリシス幅が狭く、しかもしきい値電圧が低いことから、これらの液晶素子１がアクティブ方式で駆動するのに適していることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明に係る液晶素子で用いられる液晶セルの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】  図２は、本発明に係る液晶素子で用いられる液晶セルの他の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】  図３は、本発明に係る液晶素子の基本的な構成を示す模式図である。
【図４】  図４は、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加して、この電極間に充填された反強誘電性を示すスメクチック液晶材料を反強誘電状態から強誘電状態に移行させるのに必要なしきい値電圧の評価方法を説明するための図面である。
【図５】  図５は、液晶素子の階調性の評価方法を説明するための図面である。
【図６】  図６は、液晶素子に備えられた反強誘電性を示すスメクチック液晶材料を含む液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されるヒステリシス曲線のヒステリシス幅の評価方法を説明するための図面である。
【図７】  図７は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図８】  図８は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図９】  図９は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１０】  図１０は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１１】  図１１は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１２】  図１２は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１３】  図１３は、参考のために調製した反強誘電性液晶組成物を液晶セルの電極間充填した場合の反強誘電性液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と反強誘電性液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１４】  図１４は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１５】  図１５は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１６】  図１６は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１７】  図１７は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１８】  図１８は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図１９】  図１９は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２０】  図２０は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２１】  図２１は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２２】  図２２は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２３】  図２３は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２４】  図２４は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２５】  図２５は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２６】  図２６は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２７】  図２７は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２８】  図２８は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図２９】  図２９は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３０】  図３０は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３１】  図３１は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３２】  図３２は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３３】  図３３は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３４】  図３４は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３５】  図３５は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３６】  図３６は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３７】  図３７は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３８】  図３８は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図３９】  図３９は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図４０】  図４０は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図４１】  図４１は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図４２】  図４２は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図４３】  図４３は、本発明に係るスメクチック液晶組成物の一例を液晶セルの電極間充填した場合、液晶素子に備えられた液晶セルの電極間に印加した電圧と液晶素子の光透過率とによって形成されたヒステリシス曲線を示すグラフである。
【符号の説明】
１        …  液晶素子
10        …  液晶セル
11a 、11b …  透明基板
12a 、12b …  透明電極
13        …  スメクチック液晶材料
14        …  セルギャップ
15        …  スペーサ
16        …  シール材
20        …  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003844371.tif 000089
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
0003844371.tif 000124