(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子に受けた高周波信号を増幅して出力するトランジスタと、
外部から電源供給を受ける電源供給端子と、
前記電源供給端子と接地との間に配置され、複数の抵抗器を有して抵抗分圧により前記トランジスタの入力端子にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路は、
一端が前記トランジスタの入力端子にマイクロストリップ線路を介して接続された第１の抵抗器と、
一端が前記第１の抵抗器の他端に接続された第２の抵抗器と、
一端が前記トランジスタの入力端子に接続された第３の抵抗器とを備え、
前記バイアス電圧は、前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器との合成抵抗と、前記第３の抵抗器とから、前記電源供給端子からの電圧値が抵抗分圧されて得られた電圧であり、
前記第１の抵抗器は、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも２倍以上の大きな抵抗値を有し、
前記第２の抵抗器は、前記第１の抵抗器の抵抗値よりも小さい抵抗値を有し、前記トランジスタの特性ばらつきに応じて抵抗値が調整される抵抗器である
ことを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は接地され、
前記第３の抵抗器は、前記電源供給端子と前記トランジスタの入力端子との間に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【請求項３】
前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は前記電源供給端子に接続され、
前記第３の抵抗器は、前記トランジスタの入力端子と接地との間に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【請求項４】
前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は接地され、
前記第３の抵抗器は、一端が前記トランジスタの入力端子に他のマイクロストリップ線路を介して接続され、
一端が前記第３の抵抗器の他端に接続され、他端が前記電源供給端子に接続された第４の抵抗器を更に備え、
前記第３の抵抗器は、前記他のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも２倍以上の大きな抵抗値を有し、
前記第４の抵抗器は、前記第３の抵抗器の抵抗値よりも小さい抵抗値を有し、
前記第２の抵抗器と前記第４の抵抗器とは、前記トランジスタの特性ばらつきに応じて抵抗値が調整される抵抗器である
ことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【請求項５】
前記トランジスタは、電界効果型トランジスタである
ことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信等に用いられる送信用の電力増幅器に関し、特に、電力増幅用半導体素子とチップ部品とを用いた高周波電力増幅回路から構成される電力増幅モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、移動体通信システムの送信部に多く用いられている電力増幅モジュールは、マイクロストリップ線路等の配線パターンが形成されたプリント基板上に、例えばＧａＡｓ電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴと記す）等の電力増幅用半導体素子と、抵抗や容量等のチップ部品とが実装された電力増幅器である。この電力増幅器は、送信部に必要とされる送信出力を得るために、複数のＦＥＴが多段に接続されて構成されるが、小型化や調整の簡略化のためにはＦＥＴを２〜３段接続した構成のモジュール化への需要が高い。電力増幅モジュールとしての特性ばらつきを抑えるためには、ＦＥＴのバイアス調整を精度良く行うことが重要である。
【０００３】
一般に、ＦＥＴには部品ばらつきとして、ある一定の電流を流すために必要なバイアス電圧にばらつきがあり、このため、個々のＦＥＴに対して動作点が一定になるようにバイアスを調整していく必要がある。尚、通常は、ＲＦ信号未入力時のドレイン電流を「アイドル電流」として規定する。また、アイドル電流を所望の電流値に設定するためのゲートバイアス電圧を以下の説明ではＶｏｐと記して説明する。
【０００４】
従来の電力増幅器のバイアス回路の例を図８及び図９に示す。図８は特開２０００−３１７５３号公報に開示された従来の電力増幅器の一例を示す。同図において、ＦＥＴ２０のゲートバイアス回路２５は抵抗器３０、３１から構成されており、抵抗器３０、３１の抵抗値を調整することにより、電源供給端子Ｖｇｇ１に供給された電圧を分圧して、ＦＥＴ１に所望のゲートバイアス電圧を供給する。同様に、ＦＥＴ２１のゲートバイアス回路２６は、抵抗器３２、３３から構成されており、抵抗器３２、３３の抵抗値を調整することにより、電源供給端子Ｖｇｇ２に供給された電圧を分圧して、ＦＥＴ２１に所望のゲートバイアス電圧を供給する。
【０００５】
図９は、特開平８−１２５４６５号に開示された従来の携帯電話の端末に使用される電力増幅器を示す。同図において、ＦＥＴ２２のゲートバイアス回路２７には、４個の抵抗４１、４２、４３、４４が直列に接続されている。この抵抗中、抵抗４４は、レギュレーターを介して供給される外部バイアス−Ｖｇの電圧ばらつきを調整するための抵抗である。また、抵抗４２はダンピング用の抵抗であり、その抵抗値は１００Ω程度と小さい。従って、このバイアス回路２７では、個々のＦＥＴのバイアス電圧Ｖｏｐのばらつきに対して、ＦＥＴ２２に印加されるゲートバイアス電圧Ｖｇｓを調整する抵抗は、２個の抵抗４１、４３となっており、バイアス調整のための基本的な構成は、図８の従来例と同一である。
【０００６】
電力増幅モジュールでの抵抗値の調整方法としては、第１の方法として、予めＦＥＴのゲートバイアスに応じてランク分類を行う方法がある。この方法では、ＦＥＴを実装前の検査段階において、所望のアイドル電流が得られるゲート電圧Ｖｏｐを測定する。例えば、ドレイン電流が１．０Ａとなる時のゲート電圧をＶｏｐとして測定する。このＶｏｐにより、−１．００Ｖ ≧ Ｖｏｐ＞−１．０５Ｖの場合をＡランク、−１．０５Ｖ ≧ Ｖｏｐ＞−１．１０Ｖの場合をＢランクというように、Ｖｏｐの値に応じてＦＥＴをランク分類しておく。モジュールの組み立て時に前記ランクに従ってＡランクは１．０ｋΩと１．０ｋΩ、Ｂランクは１．０ｋΩと１．１ｋΩというように、抵抗値の組合せを変更して実装し、所望の電流値になるように電流調整する。
【０００７】
また、第２の方法として、トリミング抵抗による調整方法がある。この方法では、レーザートリミング等を用いた抵抗器のパターンカットにより抵抗値の調整が可能なトリマブルチップ抵抗器を用いて、予めバイアス回路を構成しておく。そして、ＦＥＴの実装後、バイアス電圧を印加して、実際にＦＥＴを動作させ、ドレイン電流をモニターしながら、所望の電流値が得られるようにレーザートリミングにより抵抗値を調整して、ゲート電圧を制御する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の回路構成では、何れの抵抗調整方法においても、バイアス調整の精度が低いという問題があった。即ち、第１の方法として例に挙げたランク分けによる調整方法の場合では、バイアス調整の精度を良くするためには、ランクを細分化するしかなく、細分化されたランクに対してバイアス電圧を実現するためには、抵抗値の種類を増やすことが必要になる。しかし、実際の抵抗器は抵抗値の種類に限りがあるため、ランクの細分化も限度がある。また、第２の方法であるトリミング抵抗による調整においても、トリミング量と抵抗値の変化量との関係は一定ではなく、抵抗値が大きくなるに従い同一のトリミング量に対して抵抗値の変化量は大きくなるため、バイアス調整精度は低下する。
【０００９】
また、前記従来の回路構成では、個々のＦＥＴのゲートバイアス電圧の調整に起因して、電力増幅モジュールの特性ばらつきが大きくなってしまうという問題が生じる。この問題は、近年急速に拡大しつつある移動体通信システムにおいては、重大な問題である。すなわち、移動体通信システムでは、高速化及び大容量化の要望が今後も強くなって行き、これに伴いシステムのキーデバイスの一つである電力増幅器に対しても性能の向上が求められ、特に、基地局装置に使用されるデバイスに対しては益々高出力化、低歪み化が要求される。将来サービス開始が予定されているＷ−ＣＤＭＡ基地局のような装置においては、送信系の増幅器として極めて直線性の高い増幅器が必要であり、これ等の装置においてはデバイス単独で特性を満足することはできず、何らかの歪み補償が不可欠である。図１０はフィードフォワード方式といわれる歪み補償回路を示し、主信号を増幅する主増幅系と、歪み成分を検出して増幅する補助増幅系との２種の増幅系を備えており、歪み成分を再び主増幅系の出力に注入して歪みを相殺することにより、歪み補償を行う回路である。この方式の歪み補償量は、２つの増幅系の利得偏差、位相偏差により支配されており、実用的な２０ｄＢ程度以上の歪み改善を行うには、例えば１００ＭＨｚの帯域内において利得偏差、位相偏差とも各々±０．２ｄＢ、±２°以内というレベルの性能が要求される。従って、図１０のような増幅器において、主増幅系及び副増幅系の一部の回路１２、１２をモジュール化しようとする場合、これ等のモジュールに対して、±０．１ｄＢ、±１°という非常に厳しい特性偏差が要求される。このような用途においては、図８及び図９に示した従来の回路構成では、バイアス回路での各抵抗値を調整した際の電力増幅器の特性変動が大きな問題となってくる。尚、図１０において、１３は遅延回路、１４は方向性結合器である。
【００１０】
更に、バイアス回路の各抵抗値を大きく設定した場合には、ＦＥＴのゲート電流が変動した際に、バイアス抵抗での電圧降下によるバイアス変動が大きくなってしまうため、ＦＥＴの熱暴走を引き起こし易くなる。従って、温度特性も考慮した場合、抵抗値を大きく設定することは、熱暴走に対する安定性の低下を引き起こすことになる。基地局のように増幅器の出力が大きいほどこの問題は顕著になる。
【００１１】
本発明の目的は、前記問題点に鑑み、電力増幅器において、内部トランジスタのバイアス調整の精度を上げ、更に電力増幅器の特性ばらつきを有効に抑え、且つ温度特性の安定した電力増幅器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するため、本発明では、電力増幅器に内蔵するトランジスタのバイアス回路において、電力増幅器の特性ばらつきを抑制するための抵抗器と、バイアス調整用の抵抗器との２つの作用の異なる抵抗器を設ける。
【００１３】
具体的に、請求項１記載の発明の電力増幅器は、入力端子に受けた高周波信号を増幅して出力するトランジスタと、外部から電源供給を受ける電源供給端子と、前記電源供給端子と接地との間に配置され、複数の抵抗器を有して抵抗分圧により前記トランジスタの入力端子にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、前記バイアス回路は、一端が前記トランジスタの入力端子にマイクロストリップ線路を介して接続された第１の抵抗器と、一端が前記第１の抵抗器の他端に接続された第２の抵抗器と、一端が前記トランジスタの入力端子に接続された第３の抵抗器とを備え、前記バイアス電圧は、前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器との合成抵抗と、前記第３の抵抗器とから、前記電源供給端子からの電圧値が抵抗分圧されて得られた電圧であり、前記第１の抵抗器は、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも２倍以上の大きな抵抗値を有し、前記第２の抵抗器は、前記第１の抵抗器の抵抗値よりも小さい抵抗値を有し、前記トランジスタの特性ばらつきに応じて抵抗値が調整される抵抗器であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、前記請求項１記載の電力増幅器において、前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は接地され、前記第３の抵抗器は、前記電源供給端子と前記トランジスタの入力端子との間に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
更に、請求項３記載の発明は、前記請求項１記載の電力増幅器において、前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は前記電源供給端子に接続され、前記第３の抵抗器は、前記トランジスタの入力端子と接地との間に接続されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４記載の発明は、前記請求項１記載の電力増幅器において、前記バイアス回路において、前記第２の抵抗器の他端は接地され、前記第３の抵抗器は、一端が前記トランジスタの入力端子に他のマイクロストリップ線路を介して接続され、一端が前記第３の抵抗器の他端に接続され、他端が前記電源供給端子に接続された第４の抵抗器を更に備え、前記第３の抵抗器は、前記他のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも２倍以上の大きな抵抗値を有し、前記第４の抵抗器は、前記第３の抵抗器の抵抗値よりも小さい抵抗値を有し、前記第２の抵抗器と前記第４の抵抗器とは、前記トランジスタの特性ばらつきに応じて抵抗値が調整される抵抗器であることを特徴とする。
【００１７】
加えて、請求項５記載の発明は、前記請求項１記載の電力増幅器において、前記トランジスタは、電界効果型トランジスタであることを特徴とする。
【００１８】
以上により、請求項１−５記載の発明では、トランジスタの入力端子にマイクロストリップ線路を介して接続された抵抗器と、この抵抗器に接続された抵抗器との２つの抵抗器を持ち、前者の抵抗器の抵抗値が前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも大きな値に設定されており、この設定により、前記トランジスタのバイアス調整の際に、後者の抵抗器の抵抗値を変化させても、この抵抗値の変化は、前記トランジスタの入力端子から高周波信号の入力側を見た低周波領域及び高周波領域でのインピーダンスに影響を与えない。従って、電力増幅器の特性ばらつきを有効に抑えながら、前記トランジスタのバイアス調整を行うことが可能である。この場合、後者の抵抗器の抵抗値を小さく設定できるので、その抵抗値の微細調整により前記トランジスタのバイアス調整の精度を上げることが可能である。しかも、この両抵抗器の合成抵抗値を低く抑えることができるので、バイアス回路において抵抗分圧を行う全抵抗器の抵抗値を低く設定でき、従って温度特性が安定してトランジスタの熱暴走を有効に防止できる電力増幅器が得られる。
【００１９】
また、請求項１及び４記載の発明では、マイクロストリップ線路に接続された抵抗器の抵抗値が、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも２倍以上の大きな値であるので、トランジスタのバイアス調整を行っても、電力増幅器の特性ばらつきを一層有効に抑えながら、トランジスタのバイアス調整を行うことが可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態の電力増幅モジュールの要部構成を示す。同図において、６は電力増幅用半導体素子であるＦＥＴ（トランジスタ）であって、ゲート端子７と、出力端子であるドレイン端子８と、接地されたソース端子９とを備える。前記ゲート端子７は高周波信号を受ける入力端子であり、ＦＥＴ６は前記ゲート端子７に受けた高周波信号を増幅してドレイン端子８から出力する。１０は外部から電圧Ｖｇｇの電源供給を受ける電源供給端子、１１はバイアス回路であって、前記電源供給端子１０と接地との間に配置されると共に３個の抵抗器１、２、３を持つ。
【００２１】
前記ＦＥＴ６は図示しないプリント基板に形成される。また、前記バイアス回路１１の抵抗器１〜３はチップ部品であって、前記基板に実装される。前記基板には、前記ＦＥＴ６と基板に実装されたチップ部品とを接続するマイクロストリップ線路５が形成される。
【００２２】
前記バイアス回路１１において、第１の抵抗器１は、一端が前記基板上のマイクロストリップ線路５を介してＦＥＴ６のゲート端子７に接続され、他端が第２の抵抗器２の一端に接続され、第２の抵抗器２の他端は接地される。。
【００２３】
本実施の形態の特徴的な構成は、ゲート端子と接地との間に第１及び第２の抵抗器１、２を直列接続し、この両抵抗器１、２のうち、ＦＥＴ６のゲート端子７にマイクロストリップ線路５を介して接続された第１の抵抗器１の抵抗値を、前記マイクロストリップ線路５の特性インピーダンスに応じた特殊の抵抗値に設定し、ＦＥＴ６の特性ばらつきに対しては第２の抵抗器２を用いてバイアス調整を行うように構成する点にある。以下、この構成を詳述する。
【００２４】
ＦＥＴ６のゲート端子７に与えられる電圧は、第１〜第３の抵抗器１〜３の抵抗値Ｒ１〜Ｒ３の組合せにより、
Ｖｇｇ×（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）
で決定される。例えば、Ｖｇｇ＝−２Ｖのとき、ゲート端子７に−１Ｖ程度のゲートバイアスを設定したい場合には、Ｒ３＝１ｋΩで固定すると、第１及び第２の抵抗器１、２の抵抗値Ｒ１、Ｒ２の合成抵抗値として１ｋΩが必要となる。実際のＦＥＴにおいてゲートバイアスの設定精度が電流ばらつきにどの程度影響を与えるかを図２に示す。図２は、出力１０ＷクラスのＦＥＴのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性を示す。Ｉｄｓ＝１Ａに設定したとき、Ｖｇｓの精度が０．０５Ｖ程度ばらつくと、電流Ｉｄｓは０．５Ａ程度ばらつく。電流ばらつきを０．１Ａ以下に抑えるには、０.０１Ｖ以下の精度でバイアス設定を行う必要がある。第１〜第３の抵抗器１〜３として下記表に示すような抵抗シリーズを用いた場合、調整可能な電圧設定を図３に示す。
【００２５】
【表１】
0003841623.tif 000002
【００２６】
ここで、第３の抵抗器３の抵抗値Ｒ３は１ｋΩで固定とし、第１及び第２の抵抗器１、２の抵抗値Ｒ１又はＲ２のみで調整を行うとする。ＦＥＴ６のゲート端子７と接地との間の抵抗器が１個の抵抗器のみで構成される場合には、約０．０５Ｖ間隔でしか調整できないのに対し、第１及び第２の抵抗器１、２の合成抵抗とすることにより、０．０１Ｖ以下での調整が可能となる。
【００２７】
本実施の形態の特徴点は、第１及び第２の抵抗器１、２の直列抵抗の組合せにおいて、ＦＥＴ６のゲート端子７から高周波信号の入力側を見たインピーダンスが全周波数域で変動しないように、ゲート端子７に接続される第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１を十分大きな抵抗値とすると共に、接地側の第２の抵抗器２を用いてＦＥＴ６のバイアス調整を微細に行う点にある。このように第１及び第２の抵抗器１、２の抵抗値Ｒ１、Ｒ２を限定した理由を図４を用いて以下に詳細に説明する。
【００２８】
図４は、３段構成の電力増幅モジュールを例に挙げ、バイアス回路１１内の抵抗器の抵抗値の組合せに応じた高周波特性の変化の相違を示す。ここでは最終段のＦＥＴのバイアス回路でのみ各抵抗器の抵抗値の組合せを変化させて、利得の周波数特性の変動を比較した。ゲートバイアス回路としては図１に示すバイアス回路１１の構成を用いた。電源供給端子１０にはＶｇｇ＝−２．１Ｖが供給され、第３の抵抗器３の抵抗値Ｒ３を１．３ｋΩで固定にし、第１及び第２の抵抗器１、２の合成抵抗値が１．５５ｋΩで一定になるようにその各抵抗値Ｒ１、Ｒ２の値の組合せを変化させた。このような条件において、ＦＥＴ６のゲート端子７には常に約１．０９Ｖが印加されており、バイアス状態は一定に保たれているにも拘わらず、高周波特性は図４に示すように各抵抗値Ｒ１、Ｒ２の組合せにより差が見られた。第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１が小さい場合には、その抵抗値Ｒ１を１５０Ωから５１Ωへ変化させただけで、２２００ＭＨｚ付近で利得の盛り上りが見られ、利得の変化量も大きい。一方、第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１を１．４〜１．５ｋΩと大きく設定し、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２を５１Ωから１５０Ωへ変化させた場合には、周波数特性にほとんど変化は見られず、利得の平坦性は維持されたままであった。そこで、更に詳細に抵抗値依存性を検討した結果を図５に示す。
【００２９】
図５は、横軸が第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１を示しており、縦軸が２１００ＭＨｚ及び２２００ＭＨｚでの利得を示している。第１及び第２の抵抗器１、２の合成抵抗値は、１．５５ｋΩで一定になるようにして、その抵抗値Ｒ１、Ｒ２の組合せを変更しているが、第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１が２００Ω以下では、利得の変化が大きく、抵抗値Ｒ１がある程度大きくなるに従って利得の変化はなくなり、一定となる。これは、直流的にみた場合には、ＦＥＴのゲート端子と接地との間には１．５５ｋΩが接続されており、バイアス条件は一定に保持されているが、２ＧＨｚ帯での高周波的なインピーダンスを考えた場合には、第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１が小さいと、ＦＥＴのゲート端子から高周波信号の入力側を見たインピーダンスが変動することを示している。実際のモジュールでのバイアス回路は、図１に示した基板上のマイクロストリップ線路５によって、ＦＥＴ６と第１の抵抗器（チップ部品）１とが接続されており、第１及び第２の抵抗器１、２の合成抵抗値として同一値であっても、各抵抗値Ｒ１、Ｒ２の組合せにより、ＦＥＴ６のゲート端子７から高周波信号の入力側を見たインピーダンスは各抵抗値Ｒ１、Ｒ２の変化の影響を受けてしまう。図４及び図５の検討に用いたモジュールでは、マイクロストリップ線路５の線路幅を０．１ｍｍ、その特性インピーダンスを１４０Ωとした。このマイクロストリップ線路５の特性インピーダンスと比較して第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１を見た場合、抵抗値Ｒ１が１４０Ω未満では利得の変化が大きく、１４０Ω以上大きくなると、徐々に抵抗値Ｒ１の変化の影響は無くなってくる。抵抗値Ｒ１の変化の影響を完全に無視し得るためには、３００Ω程度より大きな抵抗値Ｒ１が必要となる。
【００３０】
従って、第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１としては、マイクロストリップ線路５の特性インピーダンス以上の値、好ましくは特性インピーダンスの２倍以上の抵抗値を有することが良い。このように第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１をマイクロストリップ線路５の特性インピーダンス以上の大きな値とすることにより、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２は特性インピーダンスよりも小さい抵抗値であっても利得の変化はみられず、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２の抵抗値の変化は無視できる。従って、ＦＥＴ６の特性ばらつきに対しては、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２を調整してバイアス調整することにより、ＦＥＴ６の信号入力側を見た高周波域でのインピーダンスに影響を与えずにバイアス調整が可能となる。このとき、第２の抵抗器２はＦＥＴ６の信号入力側を見たインピーダンスに影響を与えないので、その抵抗値Ｒ２を第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１よりも小さく設定できる。従って、ＦＥＴ６のバイアス調整の精度を上げることが可能である。しかも、第１及び第２の抵抗器１、２の合成抵抗値も低く抑えられる。従って、第３の抵抗器３の抵抗値Ｒ３も数ｋΩ以下で設定が可能であり、ＦＥＴ６の熱暴走に対する安定性を損なうこともない。
【００３１】
尚、第１及び第２の抵抗器１、２を固定抵抗器として検討した結果を例に説明したが、第２の抵抗器２にトリマブル抵抗器を用いれば、更にバイアス調整の簡略化と調整精度の向上を図ることができる。
【００３２】
以上のように、本実施の形態によれば、抵抗分圧を用いたバイアス回路において、ＦＥＴのゲート端子と接地間に第１及び第２の抵抗器を直列に設け、ＦＥＴに接続された第１の抵抗器を、接続されるマイクロストリップ線路の特性インピーダンス以上の大きな抵抗値とすることにより、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２を調整しても、ＦＥＴ６の信号入力側を見たインピーダンスに影響を与えない。従って、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２を小さく設定して、ＦＥＴ６のバイアス調整を精度良く行うことが可能であり、また各抵抗値Ｒ１〜Ｒ３を小さく設定できるので、熱暴走し難く、高出力動作でも安定性を損なうことはない。
【００３３】
（第２の実施の形態）
図６は本発明の第２の実施の形態の電力増幅器の構成を示す。同図の電力増幅器のバイアス回路１１’では、ＦＥＴ６のゲート端子７と電源供給端子１０との間に第１及び第２の抵抗器１、２を直列に接続し、第１の抵抗器１をマイクロストリップ線路５を介してＦＥＴ６のゲート端子７に接続し、第２の抵抗器２を電源供給端子１０に接続している。また、第３の抵抗器３はＦＥＴ６のゲート端子７と接地との間に配置している。
【００３４】
本実施の形態においても、第１の抵抗器１の抵抗値は、前記第１の実施の形態と同様に、マイクロストリップ線路５の特性インピーダンス以上の大きな値、好ましくは特性インピーダンスの２倍以上の大きな抵抗値に設定される。また、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２は第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１よりも小さく設定される。
【００３５】
従って、本実施の形態も、前記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【００３６】
（第３の実施の形態）
図７は本発明の第３の実施の形態の電力増幅器の構成を示す。同図の電力増幅器のバイアス回路１１''は、第１及び第２の実施の形態のバイアス回路１１、１１’を組み合わせた構成を持つ。即ち、ＦＥＴ６のゲート端子７と接地との間に第１及び第２の抵抗器１、２を直列に接続し、第１の抵抗器１をマイクロストリップ線路５を介してＦＥＴ６のゲート端子７に接続し、第２の抵抗器２を接地している。また、ＦＥＴ６のゲート端子７と電源供給端子１０との間に第３及び第４の抵抗器３、４を直列に接続し、第３の抵抗器３を他のマイクロストリップ線路５を介してＦＥＴ６のゲート端子７に接続し、第４の抵抗器４を電源供給端子１０に接続している。
【００３７】
本実施の形態においても、第１の抵抗器１の抵抗値はマイクロストリップ線路５の特性インピーダンス以上の大きな値、好ましくは特性インピーダンスの２倍以上の大きな抵抗値に設定され、第３の抵抗器３の抵抗値は他のマイクロストリップ線路５の特性インピーダンス以上の大きな値、好ましくは特性インピーダンスの２倍以上の大きな抵抗値に設定される。また、第２の抵抗器２の抵抗値Ｒ２は第１の抵抗器１の抵抗値Ｒ１よりも小さく設定され、第４の抵抗器４の抵抗値Ｒ４は第３の抵抗器３の抵抗値Ｒ３よりも小さく設定される。
【００３８】
尚、以上の説明では、１個のＦＥＴ６を持つ電力増幅器を説明したが、本発明は電力増幅用トランジスタを複数個備えて電力を複数段増幅する電力増幅器に対しても適用できるのは勿論である。この場合には、各電力増幅用トランジスタのバイアス回路に対して図１、図６又は図７の構成を採用すればよい。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１−５記載の発明の電力増幅器によれば、電力増幅器の特性ばらつきを有効に抑えながら、しかもトランジスタの熱暴走を招かずに温度特性が安定した電力増幅器としつつ、内蔵トランジスタのバイアス調整を精度良く行うことが可能である。
【００４０】
また、請求項１及び４記載の発明の電力増幅器によれば、電力増幅器の特性ばらつきを一層有効に抑えながら、トランジスタのバイアス調整を精度良く行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態の電力増幅モジュールの構成を示す図である。
【図２】  同電力増幅モジュールに備えるＦＥＴのゲートバイアス電圧Ｖｇｓとドレイン電流Ｉｄｓとの関係を示す図である。
【図３】  複数の抵抗器の抵抗値の組合せにより実現可能なゲートバイアス電圧Ｖｇｓとその設定間隔ΔＶｇｓとの関係を示す図である。
【図４】  第１の実施の形態において複数の抵抗器の抵抗値の組合せをパラメータとする電力増幅モジュールの周波数特性を示す図である。
【図５】  同電力増幅モジュールの利得の抵抗値依存性を示す図である。
【図６】  本発明の第２の実施の形態の電力増幅モジュールの構成を示す図である。
【図７】  本発明の第３の実施の形態の電力増幅モジュールの構成を示す図である。
【図８】  従来の電力増幅モジュールの構成を示す図である。
【図９】  従来の他の電力増幅モジュールの構成を示す図である。
【図１０】  歪補償回路と本発明の電力増幅器との位置関係を示す図である。
【符号の説明】
１                    第１の抵抗器
２                    第２の抵抗器
３                    第３の抵抗器
４                    第４の抵抗器
５                    マイクロストリップ線路
６                    ＦＥＴ（トランジスタ）
７                    ＦＥＴのゲート端子
８                    ＦＥＴのドレイン端子
９                    ＦＥＴのソース端子
１０                    電源供給供給端子
１１、１１’、１１''      バイアス回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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