(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体をエピタキシャル成長させる３−５族化合物半導体の製造方法であって、
Ｓｉ基板上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体を前記Ｓｉ基板の表面を部分的に覆うようにして設ける第１の工程と、
前記第１の工程によって生じた前記Ｓｉ基板の部分的露出表面を窒化処理し前記窒化物系３−５族化合物半導体からの成長を行わせないマスクとして働く窒化処理部分を形成した後、第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長させる第２の工程と
を含むことを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長する領域が１辺の長さが１ｍｍの矩形形状か１辺の長さが１ｍｍの矩形より小さい形状であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長する領域が、１辺の長さが１００μｍ〜３００μｍの矩形形状であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法により製造したことを特徴とする３−５族化合物半導体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法及び３−５族化合物半導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系３−５族化合物半導体は、３族元素の組成を変えることにより直接型のバンドギャップエネルギーを調整して、紫外から赤色の波長の光エネルギーに対応させることができるため、紫外から可視領域にわたる高効率の発光素子用材料として利用可能である。また、これまで一般に用いられているＳｉあるいはＧａＡｓなどの半導体に比べて大きなバンドギャップを持つために、従来の半導体では動作できないような高温においても半導体としての特性を有することを利用して、耐環境性に優れた電子素子の作製が原理的に可能である。
【０００３】
しかし、上述した窒化物系３−５族化合物半導体は、融点付近での蒸気圧が非常に高いため、大きな結晶を成長することが非常に難しく、半導体素子作製のための基板として用いることができるような実用的な大きさの結晶が得られていない。このため、該化合物半導体の作製には、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、サファイア等、該化合物半導体と類似の結晶構造を有していて大きな結晶が作製可能な材料を基板として、この上に所要の化合物半導体の単結晶薄膜層をヘテロエピタキシャル成長させるのが一般的である。現在、このような方法を用いることによって、比較的良質な該化合物半導体の結晶が得られるようになっている。しかし、この場合でも、基板材料と該化合物半導体の格子定数、あるいは熱膨張係数の差に由来する結晶欠陥を低減することが難しく、１０8 ｃｍ-2程度、あるいはそれ以上の欠陥密度を有するのが一般的である。このため、窒化物系３−５族化合物半導体を用いた高性能な半導体デバイスを作製するには、転位密度の低い該化合物半導体結晶が強く求められている。
【０００４】
そこで、ヘテロエピタキシャル成長により得られた該化合物半導体の結晶表面上に一旦マスクパターンを形成した後、さらに窒化物系３−５族化合物半導体を再成長することで転位の密度を減少させる方法が試みられている。本方法はマスク上に横方向成長させる点に特徴があり、エピタキシャルラテラルオーバーグロース（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ、以下、ＥＬＯと記すことがある。）法と呼ばれている。すなわち、欠陥密度が高い該化合物半導体（以下、下地結晶と称することがある）上を、微細な開口部を残してＳｉＯ2 などのパターンで覆い、この上にさらに２回目の結晶成長を行なうことにより結晶欠陥の少ない所要の化合物半導体を成長させる方法である。以下の説明において、この２回目以降の結晶成長を再成長と称することがある。
【０００５】
この方法によると、再成長の初期には、パターン上には結晶成長が起こらず、開口部のみに結晶成長が生じるいわゆる選択成長が起きる。この段階からさらに結晶成長を続けると、開口部に成長した結晶がパターン上にも広がり、やがてパターンを埋め込んだ構造ができあがる。パターンの埋め込みが生じた直後は、再成長による結晶表面には凹凸が残るものの、さらに結晶成長を進めることで、やがて再成長表面の凹凸が小さくなり、最終的には平坦な結晶表面を得ることができる。上述のような埋め込み構造の形成により、再成長層での転位密度が下地結晶より大幅に低減できることが確認されている。
【０００６】
ところで、Ｓｉを窒化物系３−５族化合物半導体の選択成長用の基板として用いると、Ｓｉ基板は熱伝導率が高い、また高品質かつ大面積の単結晶基板が得られるという利点を有している。さらに、Ｓｉ基板上にはＳｉトランジスタの技術を利用して多様な電子素子が作製できるため、Ｓｉ基板上に窒化物系半導体を成長することで、窒化物系半導体による素子とＳｉ半導体による素子との混成が可能であるという利点も有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、Ｓｉと窒化物系３−５族化合物半導体との間には格子定数で２０％程度の不整合がある上に、Ｓｉの熱膨張係数は窒化物系３−５族化合物半導体のそれよりも小さい。このため、Ｓｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体を成長させた場合、窒化物系３−５族化合物半導体を所定の成長温度で成長させた後、その出来上がった窒化物系３−５族化合物半導体をその成長温度から室温へと降温する過程で、窒化物系３−５族化合物半導体に引張り応力が発生する。したがって、Ｓｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体膜を例えば１μｍ以上の厚みに成長させた場合には、成長後その成長温度から室温への冷却過程で該化合物半導体膜内に生じる引張り応力による歪のためにクラックが発生し、得られた窒化物系３−５族化合物半導体の品質を著しく損ない、実用上大きな障害となっている。
【０００８】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができるようにした、窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法及び３−５族化合物半導体を提供することにある。
【０００９】
本発明の目的は、また、Ｓｉ基板上に結晶性の改善されたクラックの少ない窒化物系３−５族化合物半導体を製造することができる３−５族化合物半導体の製造方法及び３−５族化合物半導体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、Ｓｉ基板上に部分的に形成された窒化物系３−５族化合物半導体上に窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長させる場合にＳｉ基板の露出した部分の表面を窒化して選択成長用のマスクとした後、窒化物系３−５族化合物半導体を選択横方向成長によりエピタキシャル成長させることで上記の課題を解決できることを見い出し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、請求項１の発明によれば、Ｓｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体をエピタキシャル成長させる３−５族化合物半導体の製造方法であって、Ｓｉ基板上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体を前記Ｓｉ基板の表面を部分的に覆うようにして設ける第１の工程と、前記第１の工程によって生じた前記Ｓｉ基板の部分的露出表面を窒化処理し前記窒化物系３−５族化合物半導体からの成長を行わせないマスクとして働く窒化処理部分を形成した後、第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長させる第２の工程とを含むことを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法が提案される。
【００１２】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明において、前記第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長する領域が１辺の長さが１ｍｍの矩形形状か１辺の長さが１ｍｍの矩形より小さい形状であることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法が提案される。
【００１３】
請求項３の発明によれば、請求項１の発明において、前記第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長する領域が、１辺の長さが１００μｍ〜３００μｍの矩形形状であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体の製造方法が提案される。                                                       また、請求項４の発明によれば、請求項１〜３のいずれかに記載の方法により製造したことを特徴とする３−５族化合物半導体が提案される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１５】
Ｓｉ基板上に結晶性の改善された窒化物系３−５族化合物半導体をエピタキシャル成長させて３−５族化合物半導体を製造するため、先ず、Ｓｉ基板上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体をＳｉ基板の表面を部分的に覆うようにして設け、これによって生じたＳｉ基板の部分的露出表面を窒化処理する。この窒化処理された部分はマスクとして働き、ここに多結晶ＧａＮが析出するのを防ぐので窒化処理された部分には該化合物半導体が成長しない。しかる後、第２の窒化物系３−５族化合物半導体を選択成長させると、Ｓｉ基板上に部分的に設けられることによって生じている凸部分である第１の窒化物系３−５族化合物半導体をシードに連続ＧａＮ膜の作製が可能になる。すなわち、第１の窒化物系３−５族化合物半導体の上に所望の窒化物系３−５族化合物半導体を選択横方向エピタキシャル成長させて、第２の窒化物系３−５族化合物半導体として形成することができる。
【００１６】
Ｓｉ基板上に部分的に第１の窒化物系３−５族化合物半導体を形成する方法の具体例としては、まずＳｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体を中間層として一様に形成した後、その表面に部分的に開口部を持つマスクを形成し、該開口部においてＳｉ基板が露出するまでエッチングする方法が挙げられる。Ｓｉ基板上に窒化物系３−５族化合物半導体を中間層として一様に成長する場合、Ａｌを含む該化合物半導体をまずバッファ層として形成した後、所望の該化合物半導体を成長することで、結晶性の優れた窒化物系３−５族化合物半導体を成長でき、好ましい。この場合、窒化物系３−５族化合物半導体の全体としての膜厚は１μｍ以下が好ましい。その膜厚が１μｍより厚くなるとクラックの発生が多くなり好ましくない。
【００１７】
Ｓｉ基板の露出部分の表面を窒化する方法の具体例としては、高温のアンモニア雰囲気中で該露出部分を処理する方法が挙げられる。選択横方向成長を行わせるために用いる気相成長法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが、好適である。
【００１８】
Ｓｉ基板の露出部分の形状としては、ストライプ状のものが好適に用いることができる。Ｓｉ基板をストライプ状に露出させる場合、１μｍ以上２０μｍ以下の幅を持ち、ストライプ間の距離を１μｍ以上２０μｍ以下のものとするのが好ましいが、ストライプの寸法はこれに限定されるものではない。また、Ｓｉ基板を部分的に露出させるためのパターンとしては、ストライプ状に限定されず、格子状パターンやその他の適宜の種々の形状、形態とすることができる。
【００１９】
Ｓｉ基板の使用面は（１１１）面、およびその近傍のものを好適に用いることができる。ストライプ方向は中間層として一様に成長した窒化物系３−５族化合物半導体の＜１１−２０＞方向、＜１−１００＞方向等とすることができる。特に、ストライプの方向を＜１−１００＞方向およびその近傍の方向とした場合には、成長条件により、選択成長の際に形成されるファセットの制御ができるため好適に用いることができる。
【００２０】
本発明はさらに、選択成長する範囲を特定の領域に制限し、これにより、選択成長により形成した窒化物系３−５族化合物半導体の膜厚を厚くしてもクラックの発生を抑えることができるようにした点に特徴を有している。選択成長する範囲は例えば１辺１ｍｍ程度の矩形とすれば充分である。しかし、１辺１ｍｍの矩形より小さい例えば一辺１００μｍ〜３００μｍの矩形とすることが好ましい。
【００２１】
図１及び図２は、本発明による窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法の実施の形態の一例を模式的に示す製造工程説明図であり、図１にはＳｉ基板上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体を部分的に設け、これにより部分的に露出したＳｉ基板の表面を窒化処理するまでの工程が示されており、図２には図１に示した工程により得られたＳｉ基板上に部分的に設けられた第１の窒化物系３−５族化合物半導体上に第２の窒化物系３−５族化合物半導体を横方向選択エピタキシャル成長させ、これにより結晶性の改善された窒化物系３−５族化合物半導体を得るまでの工程が示されている。
【００２２】
以下、図１及び図２を参照して本発明の実施の形態の一例につきより具体的に説明する。
【００２３】
先ず、Ｓｉ基板１を用意し、油分、水分の除去のための洗浄を行う（図１（Ａ））。次に、Ｓｉ基板１の（１１１）面１ａ上にＭＯＶＰＥ法によりＡｌＧａＮ層を５０ｎｍの厚さにバッファ層２として形成する（図１（Ｂ））。そして、同じくＭＯＶＰＥ法によりバッファ層２上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３を形成する（図１（Ｃ））。ここでは、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３としてＧａＮ層を３００ｎｍの厚さに形成する。３００ｎｍの厚さに第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３を形成するのはクラックの発生を良好に抑えるようにするためである。
【００２４】
第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の成長は例えば次のようにして行う。成長圧力８０Ｔｏｒｒ、Ｈ2 雰囲気で、サセプタを５ｒｐｍで回転させる。まず１１００℃まで昇温して１０分クリーニングを行い、クリーニング終了と同時にＴＭＡを導入して、３秒後にＴＭＧとＮＨ3 を導入する。これはＳｉがＧａと反応してＳｉＧａ合金を生成すること、または、ＮＨ3 によって窒化しＳｉＮx 生成を防ぐためである。そしてＡｌＧａＮを２．５分間成長させバッファ層２を形成する。次にＴＭＡを停止して、ＧａＮを５分間成長させ、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３を形成する。第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の成長終了後ＴＭＧを停止して降温して、ＧａＮから窒素の脱離を抑制するために５００℃までＮＨ3 を供給する。以上説明した条件等は一例であり、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【００２５】
次に、図１の（Ｃ）の工程で得られた基板を使ってストライプ段差を設けたＳｉ基板を作製する。先ず、図１（Ｄ）に示したように、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の上にＯＡＰ（ヘキサメチルジシラサン）４を塗布した後、ＯＡＰ４の上にポジ型のレジスト５を塗布する。そして所定のストライプパターンのＣｒマスク（図示せず）を用いてパターニングを行い、マスク材料であるＳｉＯ2 から成るマスク層６を第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の上に形成する（図１（Ｅ））。
【００２６】
第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３上にストライプ状のマスク層６を形成する方法それ自体は公知であり、パターン作製方法それ自体は本発明の本質ではないので、ストライプパターンマスクの形成についての詳細な説明は省略する。
【００２７】
以上のようにして第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３上にマスク層６が形成されたならば、マスク層６を用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、Ｓｉ基板１を段差Ｇを付した状態で露出させる。この段差は、例えば１μｍ程度の高さのものとすることができる。しかる後、フッ酸洗浄によりマスク層６を除し、図１の（Ｇ）に示したストライプ段差Ｓｉ基板が得られる。この結果、Ｓｉ基板１の上に第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３が部分的に設けられることになる。
【００２８】
次のステップ（図１（Ｈ））では、Ｓｉ基板１の段差Ｇの凹部分のＳｉ、すなわち、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３が設けられていない部分のＳｉ基板１の表面のＳｉを窒化させてＳｉＮx としマスク７を形成する。マスク７の形成は以下のようにして行うことができる。試料をＭＯＶＰＥ装置にセットし圧力８０〜３００Ｔｏｒｒ、Ｈ2 雰囲気中で、室温からＮＨ3 を導入する。そして、８００℃まで昇温して１０分間で凹部分のＳｉを窒化させ、これによりマスク７を形成する。ここで述べた例はあくまでも一例であり、窒化処理に要する、窒化温度、時間、アンモニア供給量、雰囲気の圧力等を適宜変更してよい。
【００２９】
このようにして段差Ｇの凹部分にマスク７を形成することにより、凹部分において多結晶ＧａＮの析出を防いでＧａＮを成長させず、Ｓｉ基板１上に部分的に設けられることによって生じている凸部分である第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３をシードに連続ＧａＮ膜の作製が可能になる。すなわち、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の上に所望の窒化物系３−５族化合物半導体を選択横方向エピタキシャル成長により第２の窒化物系３−５族化合物半導体として形成することができるのであるが、これについては、以下、図２を参照して詳しく説明する。
【００３０】
図１（Ｈ）のマスク７の形成工程において、マスク７の形成終了と同時に、成長温度を１０００℃又は１１００℃まで昇温して、ＴＭＧを導入し、４５〜１５０分間ＭＯＶＰＥ法によりＧａＮを成長させる。上述したＧａＮの成長は、既に説明したように、図２（Ａ）に示すよう第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３の表面上において生じる。これによりＳｉ基板１上に所望の窒化物系３−５族化合物半導体として第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８が形成されていく。
【００３１】
上記の例は、ＭＯＶＰＥ反応炉内で窒化処理を行った後、試料であるＳｉ基板１を反応炉から取り出すことなく、直接第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の成長を行なった例である。窒化処理を、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の成長に用いるＭＯＶＰＥ反応炉とは異なる装置で行ない、Ｓｉ基板１を窒化処理したのち一旦窒化処理装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ反応炉にセットして第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の成長を行なってもよい。ただし、窒化処理とそれに続く成長を一貫してＭＯＶＰＥ反応炉で行う方法は、試料を窒化処理の装置から一旦取り出す必要がなく、より簡単な工程となる点で好適な方法である。
【００３２】
第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の堆積量が多くなると、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８はやがて横方向に広がり、隣同士でつながるようになり、段差Ｇによる溝部分の上にも第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８が形成されるようになる（図２（Ｂ））。第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の厚みが増すにつれてその表面の平坦性が増し、遂には図２（Ｃ）に示されるように、表面が平坦な第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８がＳｉ基板１上に形成される。この方法によれば、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８を連続膜として作製できる。なお、第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３と第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８とは、組成が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００３３】
図２に示した第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の成長プロセスは、選択横方向成長であり、下地結晶である第１の窒化物系３−５族化合物半導体層３に生じていた多数の転位のうちの多くは横方向に延び、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の表面においては転位密度は小さく、結晶性の高い状態となっている。
【００３４】
なお、マスク７上には窒化物系３−５族化合物半導体が成長しないので、段差Ｇの凹部内に空間が生じることがあるが、全く問題はない。また、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の厚みは、成長温度から室温にまでＳｉ基板１の温度を低下させたときに第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８に生じる引っ張り応力歪によるクラック発生を避けるため、１μｍ程度にするのが好ましい。
【００３５】
ＭＯＶＰＥ法においては、原料のキャリアガスとして、水素、窒素、あるいは、ヘリウム、アルゴン等の稀ガスを用いることができる。これらは単独または混合して用いることができる。本実施の形態では、水素ガスと窒素ガスとを混合して成る混合ガスをキャリアガスとして用いている。
【００３６】
第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８を成長させる場合にファセットを形成し、このファセットの形成形態により第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８中での貫通転位の伝搬形態、すなわち選択横方向成長を制御し、これにより第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８における転位密度の改善を図るため、再成長時におけるファセットを制御することが重要である。ファセットを制御する因子としては、各原料の供給量、成長温度、成長圧力、混合キャリアガスの分圧比（混入比）、不純物等が挙げられる。
【００３７】
以上説明したように、図１及び図２に示したようにして所望の窒化物系３−５族化合物半導体をＳｉ基板上に十分結晶性の高い状態で第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８として成長させることができる。しかし、この第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の膜厚をさらに厚くしようとすると、第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８中に発生したクラック又は段差Ｇ中に発生したクラックによって第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８の一部が剥離してしまうことがわかった。
【００３８】
図３には、Ｓｉ基板上に形成する３〜５μｍ巾のストライプパターンに加えて１００〜３００μｍ程度の寸法の比較的粗い格子パターンをＳｉ基板上に形成した状態のＳｉ基板の例が一部断面して示されている。図３に示したＳｉ基板の状態は、図１の（Ｈ）の工程が終了した場合のＳｉ基板１の状態に相当している。
【００３９】
図３において符号Ｐで示されるのは、粗い格子パターンによって作られる上面形状が矩形のアイランドであり、各アイランドＰにおいては、図１、図２に基づいて説明したストライプパターンが形成されている。図３では、アイランドＰは簡単化のため４つだけ示されているが、アイランドＰの一辺の寸法は例えば１ｍｍ程度であり、実際にはアイランドＰはＳｉ基板１上に縦横に整列して多数設けられている。
【００４０】
したがって、図３に示した状態のＳｉ基板（図１（Ｈ）に相当する）上に第２の窒化物系３−５族化合物半導体層８を上述の如くして形成すると、各アイランドＰにおいて一辺が１００〜３００μｍの矩形の表面形状の窒化物系３−５族化合物半導体層が独立して成長することになる。このため、Ｓｉ基板の温度を成長温度から室温に戻したときに各アイランドＰ上に形成された窒化物系３−５族化合物半導体層に生じる引張り歪の力は、各窒化物系３−５族化合物半導体層の縦横の寸法が１００〜３００μｍと小さいために、小さいものとなり、各アイランドＰに形成される窒化物系３−５族化合物半導体層の厚みを５μｍ以上としても各窒化物系３−５族化合物半導体層内に生じるクラックは少なくて済み、窒化物系３−５族化合物半導体層の剥離も有効に防止できる。これにより、１０μｍ以上のクラックのない比較的平坦な連続膜作製に成功した。このようにして得られるＧａＮ成長領域は、発光ダイオードやレーザを作製する上で十分大きいものである。ＧａＮの結晶性は、同じパターンのＳｉＯ2 マスクを用いてＳｉ上に成長したものよりも良いことがわかった。
【００４１】
以上、本発明による窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法を、一実施の形態に基づき説明した。ここで、製造のための具体的な条件を提示して説明したが、これらの具体的条件は一例であり、本発明はこれらの具体的条件以外の適宜の条件を用いて同様に製造することができることは勿論である。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
平滑で高品質なＧａＮ膜をＳｉ基板上に得るため、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉに段差加工を行い、その後窒化することによりマスクを形成してＥＬＯを行った。すなわち、下地基板として、ＭＯＶＰＥ法でＳｉ（１１１）上にＡｌＧａＮバッファ層を約５０ｎｍ成長後、ＧａＮを約０．４μｍ成長させた。その上にＳｉＯ2 を堆積させ、フォトリソグラフィにより窓部とマスク部がそれぞれ５μｍのＳｉＯ2 のストライプパターンを形成し、ＲＩＥを用いて窓部のＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉを深さ約１μｍエッチングした。マスク部のＳｉＯ2 を除去した後、ＭＯＶＰＥ法で凹部分を窒化させてマスクを形成し、凸部分のＧａＮ上にＥＬＯを行った。
【００４３】
段差ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉ基板に、３００Ｔｏｒｒ、７００〜８００℃で窒化膜を形成し、その後１０００℃で４５分間成長させたＥＬＯ−ＧａＮの断面ＳＥＭ像を調べたところ、凹部分には全くＧａＮが成長せず、凸部分でＧａＮのＥＬＯが観察できた。
【００４４】
（実施例２）
平坦で高品質なＧａＮ膜をＳｉ基板上に得るため、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉにライン＆スペースと１００μｍ×１００μｍの格子パターンを形成して、成長する領域を制限したＥＬＯを行った。下地基板として、ＭＯＶＰＥ法でＳｉ（１１１）上にＡｌＧａＮバッファ層を約５０ｎｍ成長後、ＧａＮを約０．３μｍ成長させた。その上にスパッタリング法によりＳｉＯ2 を堆積させ、フォトリソグラフィにより窓部とマスク部がそれぞれ３μｍのＳｉＯ2 のストライプパターンを形成し、ＲＩＥを用いて窓部のＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉを深さ約１μｍエッチングした。ＳｉＯ2 を除去した後、凹部分を窒化させてマスクを形成し、ＭＯＶＰＥ法で凸部分のＧａＮ上にＥＬＯを行った。
【００４５】
段差ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／Ｓｉ基板に、３００Ｔｏｒｒ、８００℃で窒化膜を形成し、その後１０００℃で６０分間成長させ、さらに１１００℃で６０分成長させた二段階ＥＬＯ−ＧａＮの断面ＳＥＭ像を調べたところ、凹部分には全くＧａＮが成長せず、凸部分をシードに平坦な連続ＧａＮ膜が作製でき、剥離も抑制された。またＸＲＣの（０００４）回折ＦＷＨＭは４５２ａｒｃｓｅｃでｃ軸の揺らぎは大幅に改善された。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、上述の如く、Ｓｉ基板上に結晶性の改善されたクラックの少ない窒化物系半導体を製造することができる。また、該化合物半導体の形成される領域を制限することにより、Ｓｉ基板上に結晶性の改善されたクラックの少ない膜厚の厚い窒化物系半導体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法の実施の形態の一例を説明するため模式的に示す製造工程図。
【図２】本発明による窒化物系３−５族化合物半導体の製造方法の実施の形態の一例を説明するため模式的に示す製造工程図。
【図３】本発明の他の実施の形態を説明するためのＳｉ基板の一部断面して示す要部拡大斜視図。
【符号の説明】
１  Ｓｉ基板
２  バッファ層
３  第１の窒化物系３−５族化合物半導体層
４  ＯＡＰ
５  レジスト
６  マスク層
７  マスク
８  第２の窒化物系３−５族化合物半導体層
Ｇ  段差
Ｐ  アイランド
【図１】
0003805703.tif 000002
【図２】
0003805703.tif 000003
【図３】
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