(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、同基板に対して移動自在に設けられた導電性のマスと、同マスに接触するように配置されて、マスの移動範囲を規制するとともに、マスに対して電位を付与する第１電極と、前記マスの移動範囲の外方の複数箇所にそれぞれに配置され、同マスとの間で、静電容量が得られるように配置した複数の第２電極とを有し、
前記第１電極は複数個設けられ、
前記複数の第１電極と複数の第２電極とは、互いに同一平面において交互に配置され、第１電極のマス側端部を前記マスと接触可能に、かつ前記マスを第２電極とは接触しないように突出配置されていることを特徴とする静電容量型傾斜センサ。
【請求項２】
第１電極と第２電極は、マスの周囲３６０度の範囲に亘って交互に配置したことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型傾斜センサ。
【請求項３】
基板と、同基板に対して移動自在に設けられた導電性のマスと、同マスに接触するように配置されて、マスの移動範囲を規制するとともに、マスに対して電位を付与する第１電極と、前記マスの移動範囲の外方の複数箇所にそれぞれに配置され、同マスとの間で、静電容量が得られるように配置した複数の第２電極とを有し、
第１電極と第２電極とは、互いに平行である複数の仮想平面に沿ってそれぞれ配置されていることを特徴とする静電容量型傾斜センサ。
【請求項４】
前記第２電極は、同一仮想平面に沿って所定ピッチで配置されており、一方、前記第１電極は、前記第２電極の仮想平面とは異なる仮想平面に沿ってリング状に形成された単一の部材から形成されていることを特徴とする請求項３に記載の静電容量型傾斜センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は静電容量型傾斜センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、傾斜センサの原理は、傾斜に応じて移動する移動体の変位を検出することにより行われている。この移動体には、液体、球体、液体中の気泡等の浮遊体、及び光軸等がある。これらの移動体の変位を検出するために、移動体の変位に応じた受光量変化、磁気変化、又は静電容量変化を電気信号に変換することにより行われている。
【０００３】
前記原理の中で、従来の機械的機構にて傾斜センサを構成したものは、その体積が数立方センチメートルから百数十立方センチメートルと大きなものとなっている。
【０００４】
例えば、機械的機構を用いたものの例としては、振り子を利用したものがある。しかし、このような機械的機構を用いたものでは、機構が複雑となり、又、小型化しようとした場合、高い加工精度と組立て精度が要求されるため、容易に小型化ができない問題がある。
【０００５】
このような機械的機構を用いない例としては、特開平５−１７２５７１号公報及び特開２０００−２４１１６２号公報に記載のものがある。
特開平５−１７２５７１号公報の技術では、絶縁容器内に導電性液体を封入し、絶縁容器外面に設けた電極を設けて、導電性液体と電極との間の静電容量を得るようにしている。そして、絶縁容器が傾斜するに伴って、導電性液体が重力の方向に変位することにより、静電容量が変化するようにしている。
【０００６】
又、特開２０００−２４１１６２号公報に記載の技術では、密閉容器内に一対の電極と、共通電極とを対向配置するとともに誘電性液体を封入し、誘電性液体の液面レベルの変化を傾斜角度に応じた静電容量の変化として検出するようにしている。これらのように傾斜角度が変化した際の静電容量変化を検出するタイプの従来の傾斜センサでは、液体を容器内に封入することが行われている。
【０００７】
従来の液体を使用した静電容量型傾斜センサでは、機械的機構を使用しないため、機械的機構を使用した傾斜センサよりも、機構が複雑にならず、しかも小型化が容易である特徴がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の液体を使用した傾斜センサにおいて、さらに小型化を図る場合、液体の表面張力の影響が大きくなり、検出精度が落ちる問題があった。このため、液体を封入するタイプの静電容量型傾斜センサでは、小型化に限界がある問題があった。
【０００９】
本発明は上記の課題を解消するためになされたものであり、小型化が容易であり、小型化しても検出精度が落ちることがない静電容量型傾斜センサを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板と、同基板に対して移動自在に設けられた導電性のマスと、同マスに接触するように配置されて、マスの移動範囲を規制するとともに、マスに対して電位を付与する第１電極と、前記マスの移動範囲の外方の複数箇所にそれぞれに配置され、同マスとの間で、静電容量が得られるように配置した複数の第２電極とを有し、前記第１電極は複数個設けられ、前記複数の第１電極と複数の第２電極とは、互いに同一平面において交互に配置され、第１電極のマス側端部を前記マスと接触可能に、かつ前記マスを第２電極とは接触しないように突出配置されていることを特徴とする静電容量型傾斜センサを要旨としている。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１において、第１電極と第２電極は、マスの周囲３６０度の範囲に亘って交互に配置したことを特徴とする。
【００１２】
請求項３の発明は、基板と、同基板に対して移動自在に設けられた導電性のマスと、同マスに接触するように配置されて、マスの移動範囲を規制するとともに、マスに対して電位を付与する第１電極と、前記マスの移動範囲の外方の複数箇所にそれぞれに配置され、同マスとの間で、静電容量が得られるように配置した複数の第２電極とを有し、第１電極と第２電極とは、互いに平行である複数の仮想平面に沿ってそれぞれ配置されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３において、前記第２電極は、同一仮想平面に沿って所定ピッチで配置されており、一方、前記第１電極は、前記第２電極の仮想平面とは異なる仮想平面に沿ってリング状に形成された単一の部材から形成されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図５を参照して説明する。
【００１５】
図１は静電容量型傾斜センサ１０の概略斜視図、図２は電気回路図、図３及び図４は作用を示す説明図である。
静電容量型傾斜センサ１０（以下、単に傾斜センサという）は、基板１１、複数の静電容量検出電極１２（以下、単に検出電極という）、複数のストッパ１３、及びマス１４とを備えている。
【００１６】
基板１１はシリコン（Ｓｉ）にて側面が正方形をなすように形成されている。基板１１の表面全体は、酸化シリコン層からなる絶縁膜１１ａが形成されている。複数の検出電極１２ａ〜１２ｄは基板１１の表面（前記絶縁膜１１ａ）上に、互いに所定ピッチで配置されている。検出電極１２ａ〜１２ｄはシリコン（Ｓｉ）にて横断面が扇状となるように形成され、その内周面は基板１１の所定位置（以下、基準点Ｏという）を中心とする仮想円Ｃ１に沿うように、所定の曲率半径（前記仮想円Ｃ１の半径Ｒ１）で形成されている。本実施形態では、各検出電極１２ａ〜１２ｄは基準点Ｏを中心に４５度間隔となるように配置されている。
【００１７】
複数のストッパ１３ａ〜１３ｄはシリコン（Ｓｉ）にて横断面が扇状となるように形成され、その内周面は前記基準点Ｏを中心とする仮想円Ｃ２に沿うように、所定の曲率半径（前記仮想円Ｃ２の半径Ｒ２（＜Ｒ１））で形成されている。従って、ストッパ１３の内周面（内端面）は、検出電極１２の内周面よりも内方に突出された突出部１５が形成されている。又、本実施形態では、各ストッパ１３ａ〜１３ｄは基準点Ｏを中心に４５度間隔となるように配置されている。すなわち、マス１４の移動範囲（本実施形態では、基準点Ｏを中心とした３６０度範囲）に応じてストッパ１３ａ〜１３ｄが配置されている。又、ストッパ１３ａ〜１３ｄは検出電極１２ａ〜１２ｄと互いに同一平面内において交互に配置されている。前記仮想円Ｃ２内の空間は、マス１４の移動許容空間となる。
【００１８】
各検出電極１２ａ〜１２ｄは、隣接したストッパ１３ａ〜１３ｄに対しては、絶縁ギャップを介して離間されている。
マス１４は、導電性を有するようにシリコンにて前記仮想円Ｃ２の半径よりも小径を備えた円板状に形成されている。マス１４は、各ストッパ１３の突出部１５にて周面が当接されて、仮想円Ｃ２外へ移動できない周の大きさを備えている。すなわち、ストッパ１３ａ〜１３ｄにより、マス１４の移動範囲が規制されている。
【００１９】
本実施形態では、ストッパ１３ａ〜１３ｄは図２に示すように電源Ｂに対して、電気的に接続され、同じ電圧が印加される。又、検出電極１２は図示しない検出回路に電気的に接続される。
【００２０】
本実施形態での各部材の大きさ等は、下記の通りとされている。
前記マス１４の直径は２ｍｍ、厚さは１００μｍに形成されている。又、マス１４が、ストッパ１３ａ〜１３ｄのうち、互いに隣接するストッパの突出部１５に共に接触した状態では、同ストッパ間に位置する検出電極とマス１４とのギャップ距離は、１μｍとなるように設定されている。すなわち、マス１４が検出電極に最接近する距離が１μｍとされている。又、１μｍのギャップ距離を隔てて検出電極に対してマス１４が位置しているときに、最接近した検出電極１２ａ〜１２ｄには、１ｐＦの静電容量となるようにストッパ１３ａ〜１３ｄに印加される電圧（電源Ｂの電圧）が設定されている。
【００２１】
なお、基板１１、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、マス１４はマイクロマシニング技術（微細加工技術）にて加工形成されている。
本実施形態では、ストッパ１３ａ〜１３ｄは第１電極に相当する。検出電極１２ａ〜１２ｄは第２電極に相当する。又、仮想円Ｃ２はマス１４の移動範囲に相当する。突出部１５はマス側端部に相当する。
【００２２】
なお、基板１１の検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄが設けられた側面は、絶縁性のカバー１６にて覆われており、マス１４が抜け出ないようにされている。
【００２３】
傾斜センサ１０の製造方法、すなわち除去プロセスによった製造方法を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
図５（ａ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板１１、絶縁膜１１ａ、単結晶Ｓｉ層２０がこの順番で積層されたＳＯＩ基板を再結晶化法、エピタキシャル成長法、絶縁層埋込法、貼合せ法などにて形成する。
【００２４】
次に、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、マス１４となる部分をレジストパターンにて覆う。そして、同レジストパターンをマスクとしてリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングを行って、絶縁膜１１ａに達する前記絶縁ギャップＧや、マス１４が移動可能な空間Ｋを形成する。
【００２５】
続いて、前記レジストパターンを除去し（図５（ｂ）参照)、図５（ｃ）に示すように絶縁膜１１ａの一部を除去して、マス１４を絶縁膜１１ａから分離する。
【００２６】
さて、上記のように構成された傾斜センサ１０の作用について説明する。
傾斜センサ１０は図１に示すようにストッパ１３ａが最下部に位置した状態で使用される。このとき、図２に示すようにマス１４が、ストッパ１３ａの突出部１５のみに当接した状態となり、検出電極１２ａ〜１２ｄとのギャップ距離は１μｍを超えた値となる。
【００２７】
次に、図３に示すように基板１１を左に傾けると、マス１４は重力に従ってストッパ１３ａの左側に位置する検出電極１２ｄと対向するように転動する。この結果、検出電極１２ｃ，１２ｄとのギャップ距離は短くなるように変化する。又、反対側の検出電極１２ａ，１２ｂとはギャップ距離が長くなるように変化する。
【００２８】
この結果、検出電極１２ｄ、１２ｃの静電容量が増加するように変化し、一方、検出電極１２ａ，１２ｂの静電容量が減少するように変化する。検出電極１２ａ〜１２ｄのそれぞれの増減の変化量を図示しない検出回路にて求めることにより、左側へ何度傾いたかを検出することができる。
【００２９】
なお、静電容量Ｃは、下記の式で求めることができる。
Ｃ＝空気の誘電率×対向面積／電極間距離
ここで、対向面積は検出電極１２ａ〜１２ｄ及びマス１４における互いに相対する面積である。電極間距離は前記ギャップ距離である。
【００３０】
例えば、図３の場合、検出電極１２ａ〜１２ｄの静電容量の変化と、傾き角度（基板１１の水平線Ｌに対する傾斜角度）とを予め対応づけしておけば、左側に何度傾いたかを検出することができる。
【００３１】
次に、図４に示すように基板１１を右に傾けると、マス１４は重力に従ってストッパ１３ａの右側に位置する検出電極１２ａと対向するように転動する。この結果、検出電極１２ａ，１２ｂとのギャップ距離は短くなるように変化する。又、反対側の検出電極１２ｃ，１２ｄとはギャップ距離が長くなるように変化する。
【００３２】
この結果、検出電極１２ａ，１２ｂの静電容量が増加するように変化し、一方、検出電極１２ｃ，１２ｄの静電容量が減少するように変化する。従って、検出電極１２ａ〜１２ｄのそれぞれの増減の変化量を図示しない検出回路にて求めることにより、右側に何度傾いたかを検出することができる。
【００３３】
例えば、図４の場合、検出電極１２ａ〜１２ｄの静電容量の変化と、傾き角度（基板１１の水平線Ｌに対する傾斜角度）とを予め対応づけしておけば、右側に何度傾いたかを検出することができる。
【００３４】
第１実施形態によると、次のような作用効果を奏する。
（１）  第１実施形態の傾斜センサ１０は、基板１１と、同基板１１に対して重力に従って移動自在に設けられた導電性のマス１４を設けた。又、前記マス１４の移動範囲を規制するとともに、同マス１４の移動軌跡に応じた位置に、同マス１４に対して電位を付与する複数のストッパ１３ａ〜１３ｄ（第１電極）を設けた。又、複数の検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）を仮想円Ｃ２（マス１４の移動範囲）の外方の複数箇所において、マス１４との間で、静電容量が得られるように配置した。
【００３５】
この結果、従来技術と異なり、複雑な機械的機構を使用しないため、従来の傾斜センサよりも、簡単な構成とすることができ、小型化が容易にできる。
【００３６】
又、液体を使用しないため、小型化に伴う表面張力の問題が発生することはなく、検出精度が落ちる心配がない。又、部品点数が少ないため、制作が容易であり、低コストを図ることができる。
【００３７】
又、小型化することができるため、取付場所を選ばず設置でき、例えば、携帯電話や、ゲーム機といった小型携帯機器への応用が可能になる効果がある。
（２）  本実施形態では、複数のストッパ１３ａ〜１３ｄ（第１電極）と複数の検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）とは、互いに同一平面（基板１１の側面）において交互に配置した。又、ストッパ１３ａ〜１３ｄ（第１電極）の突出部１５（マス側端部）をマス１４と接触可能に、かつマス１４を検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）とは接触しないように突出配置した。
【００３８】
この結果、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、及び検出電極１２ａ〜１２ｄとが同一平面内に配置されているため、傾斜センサ１０において基板１１の厚み方向が小さくできる効果がある。
【００３９】
又、突出部１５にて、マス１４を検出電極１２ａ〜１２ｄに接触させることなく、マス１４に対して電位を印加することができる。
（３）  前記実施形態では、複数のストッパ１３ａ〜１３ｄ（第１電極）と検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）は、マス１４の周囲３６０度の範囲に亘って交互に配置した。
【００４０】
この結果、基板１１の３６０度の範囲の傾斜を検出することができる。
（４）  前記実施形態では、基板１１、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、マス１４はマイクロマシニング技術（微細加工技術）にて加工形成した。
【００４１】
従来技術では、傾斜センサを機械的機構を用いたものが多いが、その体積は数立方センチメートルから百数十立方センチメートルと大きい。
それに対して、本実施形態では、マイクロマシニング技術で制作できるため、従来の傾斜センサに比較すると、体積を数十分の１から数百分の１以下に小型化することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
次に第２実施形態を図６及び図７を参照して説明する。
なお、前記第１実施形態と同一構成については、同一符号を付し、異なるところを中心にして説明する。
【００４３】
本実施形態では、ストッパ１３ａ〜１３ｄを複数設ける代わりに、単一のストッパ１３を円形のリング形状とし、基板１１に埋め込まれている。
すなわち、ストッパ１３は、その厚み方向の反検出電極側端部が基板１１内を通過する１つの仮想平面Ｈ１に沿って配置されている。又、検出電極１２ａ〜１２ｄは基板１１の検出電極側の側面に沿った仮想平面Ｈ２に沿って所定ピッチ（、４５度間隔）で配置されている。なお、仮想平面Ｈ１と仮想平面Ｈ２とは互いに平行となっている。
【００４４】
ストッパ１３は、単結晶シリコンにて形成され、基板１１と接触する部位は、酸化シリコンからなる絶縁膜（図示しない）にて絶縁されている。そして、図６及び図７に示すように、ストッパ１３の内周面は、仮想円Ｃ２と一致し、ストッパ１３の外周は、仮想円Ｃ１と一致するように配置されている。従って、基板１１からは、検出電極１２ａ〜１２ｄのみが突出されている。
【００４５】
なお、図６においては、説明の便宜上、マス１４のストッパ１３からの突出量は、ストッパ１３内に位置する長さよりも長くして、図示しているが、実際はストッパ１３にて安定して常時支持されるように、基板１１に対しては傾かない程度の長さで突出されている。
【００４６】
基板１１、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３、マス１４はマイクロマシニング技術（微細加工技術）にて加工形成されている。
本実施形態では、電源Ｂにて、単一のストッパ１３に所定電圧が印加されている。
【００４７】
さて、上記のように構成された第２実施形態においても、最初は、第１実施形態と同様に検出電極１２ａと、検出電極１２ｄとが下方に位置しているものとする。
【００４８】
この状態では、検出電極１２ａ〜１２ｄとのギャップ距離は１μｍを超えた値となる。基板１１が第１実施形態の図３と同様に左に傾くと、マス１４は重力に従って検出電極１２ｄと対向するように転動する。この結果、検出電極１２ｃ，１２ｄとのギャップ距離は短くなるように変化する。又、反対側の検出電極１２ａ，１２ｂとはギャップ距離が長くなるように変化する。
【００４９】
この結果、検出電極１２ｄ、１２ｃの静電容量が増加するように変化し、一方、検出電極１２ａ，１２ｂの静電容量が減少するように変化する。検出電極１２ａ〜１２ｄのそれぞれの増減の変化量を図示しない検出回路にて求めることにより、左側へ何度傾いたかを検出することができる。
【００５０】
次に、第１実施形態と同様に図４に示すように基板１１を右に傾けると、マス１４は重力に従って検出電極１２ａと対向するように転動する。この結果、検出電極１２ａ，１２ｂとのギャップ距離は短くなるように変化する。又、反対側の検出電極１２ｃ，１２ｄとはギャップ距離が長くなるように変化する。
【００５１】
この結果、検出電極１２ａ，１２ｂの静電容量が増加するように変化し、一方、検出電極１２ｃ，１２ｄの静電容量が減少するように変化する。従って、検出電極１２ａ〜１２ｄのそれぞれの増減の変化量を図示しない検出回路にて求めることにより、右側に何度傾いたかを検出することができる。
【００５２】
第２実施形態によると、次のような作用効果を奏する。
（１）  第２実施形態の傾斜センサ１０は、重力に従って移動自在に設けられた導電性のマス１４と、前記マス１４の移動範囲を規制するとともに、同マス１４の移動軌跡に応じた位置に、同マス１４に対して電位を付与する単一のストッパ１３（第１電極）を設けた。又、複数の検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）を仮想円Ｃ２（マス１４の移動範囲）の外方の複数箇所において、マス１４との間で、静電容量が得られるように配置した。
【００５３】
そして、単一のストッパ１３（第１電極）と複数の検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）とは、互いに平行である一対の仮想平面Ｈ１，Ｈ２に沿ってそれぞれ配置した。
【００５４】
その結果、本実施形態においても、第１実施形態の（１）と同様の効果を奏する。
（２）  第２実施形態では、検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）は、同一仮想平面Ｈ２に沿って、所定ピッチで配置した。又、ストッパ１３（第１電極）は、検出電極１２ａ〜１２ｄの仮想平面Ｈ２とは異なる仮想平面Ｈ１に沿ってリング状に形成された単一の部材にて形成した。
【００５５】
この結果、傾斜センサ１０を簡単な構成で構成することができる。
（３）  第２実施形態においても、前記実施形態では、基板１１、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３、マス１４はマイクロマシニング技術（微細加工技術）にて加工形成した。
【００５６】
この結果、第２実施形態においても、第１実施形態の（４）と同様の効果を奏することができる。
（第３実施形態）
次に第３実施形態を図８及び図９を参照して説明する。
【００５７】
なお、第２実施形態とは、ストッパ１３とマス１４の形状及び配置構成のみが異なっているため、異なるところを中心に説明し、同一又は相当する構成は同一符号を付す。
【００５８】
第２実施形態では、単一のストッパ１３を円形のリング形状とし、基板１１に埋め込みしたが、第３実施形態のストッパ１３は、基準点Ｏを中心とした円柱状に形成され、基板１１から検出電極１２ａ〜１２ｄの突出方向と同方向に突出されている。
【００５９】
ストッパ１３は、単結晶シリコンにて形成され、基板１１と接触する部位は、酸化シリコンからなる絶縁膜（図示しない）にて絶縁されている。そして、
マス１４は、導電性を有するようにシリコンにて円筒状に形成され、図８及び図９に示すようにストッパ１３にて挿通状態で配置されている。そして、マス１４はストッパ１３に対して内周面が当接され自重により吊り下げされている。マス１４の内径は、ストッパ１３の外径よりも長くされており、図９に示すように、ストッパ１３に吊り下げされた状態では、その下部外周面は、検出電極１２ａ〜１２ｄに対してはギャップを介して対向する。
【００６０】
すなわち、第３実施形態では、マス１４の移動範囲は、図９において、マス１４の外周面の移動軌跡範囲Ｃ３となる。
そして、傾斜センサ１０が傾いた際には、マス１４の下部外周面と、検出電極１２ａ〜１２ｄとのギャップが変化する。
【００６１】
第３実施形態においては、第２実施形態の（３）と同様の効果を奏する他、下記の特徴を有する。
（１）  第３実施形態の傾斜センサ１０は、重力に従って移動自在に設けられた導電性のマス１４と、マス１４の外周面の移動軌跡範囲Ｃ３（マス１４の移動範囲）を規制するとともに、同マス１４の移動軌跡に応じた位置に、同マス１４に対して電位を付与する単一のストッパ１３（第１電極）を設けた。又、複数の検出電極１２ａ〜１２ｄ（第２電極）を移動軌跡範囲Ｃ３（マス１４の移動範囲）の外方の複数箇所において、マス１４との間で、静電容量が得られるように配置した。
【００６２】
その結果、本実施形態においても、第１実施形態の（１）と同様の効果を奏する。
なお、本発明の実施形態は、前記各実施形態に限定するものではなく、下記のように具体化してもよい。
【００６３】
（１）  第１実施形態では、検出電極１２ａ〜１２ｄとストッパ１３とは絶縁ギャップを介して離間したが、絶縁ギャップ内に絶縁物質を入れて、両者を絶縁してもよい。
【００６４】
（２）  第１実施形態では、絶縁膜として酸化シリコン層としたが、窒化シリコン層にて形成してもよい。
（３）  第１実施形態では、基板１１を表面に絶縁膜としての酸化シリコン層を備えたシリコンにて形成したが、絶縁材であるセラミック、ガラス等にて形成してもよい。
【００６５】
（４）  第１実施形態では、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄを４５度間隔毎に配置するように４個としたが、ストッパの数及び検出電極の数を多くすれば、より高精度の傾斜角度の検出ができる。
【００６６】
（５）  第１実施形態では、マス１４の移動範囲を３６０度としたが、例えば、傾斜角度を３６０度検出する必要がない場合には、その検出角度範囲を狭い範囲にしてもよい。例えば２７０度、或いは１８０度（マスの周囲の略半分の範囲）まで、検出できるように、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、及び検出電極１２ａ〜１２ｄの断面扇形状を小さくして配置してもよい。
【００６７】
（６）  前記第１実施形態では、マス１４は、円板状としたが、球状でもよい。
（７）  前記第１実施形態及び第２実施形態では、マイクロマシニング技術（微細加工技術）で各部材を形成したが、各部材を厚膜技術で構成したりすることも可能である。
【００６８】
（８）  前記第１実施形態での傾斜センサ１０の製造方法は、除去プロセスによった製造方法で説明した。これに代えて下記の製造方法にて製造してもよい。
図１０（ａ）〜（ｄ）は、付加プロセスによる傾斜センサ１０の製造方法である。
【００６９】
まず、単結晶Ｓｉ基板１１上に絶縁膜１１ａが積層された基板を形成し、蒸着にてメタル蒸着膜２５を絶縁膜１１ａ上に成膜する（図１０（ａ）参照）。
次に、フォトリソグラフィにてフォトレジスト構造体２６を所定パターンにて形成する（図１０（ｂ）参照）。フォトレジスト構造体２６部分は、後に絶縁ギャップＧ７や、空間Ｋとなる部分である。
【００７０】
続いて、フォトレジスト構造体２６にて囲まれた空間に、ニッケルや、金等のメタルを電気メッキにて充填形成する（図１０（ｃ）参照）。この充填されて形成された構造体は、検出電極１２ａ〜１２ｄ、ストッパ１３ａ〜１３ｄ、マス１４となる部分である。
【００７１】
次に、フォトレジスト構造体２６を除去し、次に、メタル蒸着膜２５の一部を除去して、マス１４をメタル蒸着膜２５から分離する（図１０（ｄ）参照）。
前記実施形態から把握される技術的思想について以下に記載する。
【００７２】
（１）  前記第１電極と第２電極は、マスの周囲の略半分の範囲に亘って交互に配置した。
（２）  前記第１電極と第２電極とは、絶縁手段にて互いに非接触状態である。第１実施形態の検出電極１２のストッパ１３と接する面の酸化シリコン層（絶縁膜）は、絶縁手段に相当する。又、上記他の実施形態（２）の絶縁ギャップは絶縁手段に相当する。
【００７３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明は小型化が容易であり、小型化しても検出精度が落ちることがない。又、部品点数が少ないため、制作が容易であり、低コストを図ることができる。
【００７４】
又、小型化することができるため、取付場所を選ばず設置でき、例えば、携帯電話や、ゲーム機といった小型携帯機器への応用が可能になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施形態の静電容量型傾斜センサの概略斜視図。
【図２】  静電容量型傾斜センサのストッパに電圧を印加するための電気回路図。
【図３】  作用を示す説明図。
【図４】  作用を示す説明図。
【図５】  （ａ）〜（ｃ）は傾斜センサ１０の製造工程の説明図。
【図６】  第２実施形態の静電容量型傾斜センサの概略斜視図。
【図７】  同じく静電容量型傾斜センサの要部正面図。
【図８】  第３実施形態の静電容量型傾斜センサの概略斜視図。
【図９】  同じく静電容量型傾斜センサの要部正面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は傾斜センサ１０の製造工程の説明図。
【符号の説明】
１０…静電容量型傾斜センサ
１１…基板
１２ａ〜１２ｄ…静電容量検出電極（第２電極）
１３，１３ａ〜１３ｄ…ストッパ（第１電極）
１４…マス
１５…突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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