(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装部材と、
前記実装部材の平面に実装された光素子と、
前記実装部材に実装されて前記光素子の位置決めをする位置決め部材と、
前記実装部材に実装された半導体チップと、
前記実装部材の前記平面に実装され、前記光素子から出射された光又は前記光素子へ入射される光を導波する光導波路と、
を備え、
前記位置決め部材は、電極として用いられる材料で形成され、絶縁材料を介して前記半導体チップの側面に取り付けられており、
前記光素子は、前記位置決め部材を介して、前記半導体チップと電気的に接続され、
前記光素子から出射された光又は前記光素子へ入射する光の進行方向が、前記実装部材の前記平面に沿う方向となるように、前記光素子が実装され、かつ、前記実装部材の前記平面に沿う方向に前記光導波路が実装され、
前記光素子は、半導体基板上に形成され、かつ、前記半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する、又は、前記半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子である光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記光素子は、光が出射又は入射される光入出口を有し、
前記光入出口は、前記実装部材の前記平面に沿う方向を向いている光モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記半導体チップは、半導体素子形成面が上になるように前記実装部材に実装され、
前記位置決め部材は、前記半導体チップの前記半導体素子形成面より下に位置している光モジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記実装部材は、第１の配線を備え、
前記位置決め部材が、前記第１の配線と接触している光モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の光モジュールにおいて、
前記実装部材は、第２の配線を備え、
前記光素子の電極が、前記第２の配線と電気的に接続されている光モジュール。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記光モジュールは、遮光性の樹脂で封止してパッケージ化された光モジュールであり、
前記光素子と前記光導波路との間の光路に充填された光透過性の樹脂を備えた光モジュール。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記位置決め部材は、前記光素子からの熱を放熱する機能を有する光モジュール。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、光素子、光導波路等がハイブリッド集積される光モジュール及びその製造方法に関する。
背景技術
光モジュールは、電気から光、又は光から電気への変換を行う装置のことである。光モジュールは、光素子、光導波路、電子回路等がハイブリッド集積された構造をしている。光モジュールは、例えば、光ファイバ通信システムにおいて使われる。従来の光モジュールとして、例えば、特開平６−２３７０１６号公報に開示された光モジュールがある。
この光モジュールは、発光素子として面発光レーザを用いている。面発光レーザは、半導体基板上に形成されている。そして、光は、この半導体基板の平面に垂直な方向に出射される。したがって、この光モジュールにおいて、面発光レーザを実装基板に実装すると、光は上方向へ出射される。このため、光ファイバは、上方向を向くように実装基板に取り付けざるをえない。したがって、光モジュールは、光ファイバが上方向を向いている分だけ、厚みが大きくなる。
電子機器には、薄型化の要請がある。よって、光モジュールにも当然薄型化の要請がある。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、薄型化が可能な光モジュール及びその製造方法を提供することである。
発明の開示
この発明は、実装部材と、実装部材の平面に実装された光素子と、を備え、光素子は、半導体基板上に形成され、かつ半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する又半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子であり、さらに、実装部材の平面に実装され、光素子から出射された光又は光素子へ入射される光を導波する光導波路を備えた光モジュールにおいて、光素子から出射された光又は光素子へ入射する光の進行方向が、実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子が実装され、かつ実装部材の平面に沿う方向に光導波路が実装された光モジュールである。
この発明に係る光モジュールは、光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子を配置している。このため、光導波路を実装部材の平面に沿う方向となるように、配置することができる。よって、光導波路が上方向を向いていた従来の光モジュールに比べ、この発明によれば、光モジュールを薄型化することができる。
この発明に係る光モジュールにおいて、光素子は、光が出射又は入射される光入出口を有し、光入出口は、実装部材の平面に沿う方向を向いていてもよい。このように光素子を配置すると、光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるからである。
この発明に係る光モジュールは、光素子の位置決めをする位置決め部材が、実装部材の平面に実装されていてもよい。光素子と光導波路とを結合させるときに、位置決め部材がないと、光素子と光導波路との位置が合うように、光素子の寸法を設計しなければならない。位置決め部材があると、光素子を実装部材の平面に載置させる必要がない。よって、光素子の寸法の設計の自由度が大きくなる。
なお、位置決め部材の材料は、熱伝導度が大きい材料であってもよい。光素子の熱を放熱、すなわちヒートシンクすることができるからである。また、位置決め部材の材料は、電気導電性を有する材料であってもよい。電極として用いることができるからである。この場合、位置決め部材の具体的材料としては、例えば、銅等が好ましい。
この発明に係る光モジュールは、実装部材の平面に実装され、かつ光素子と電気的に接続された半導体チップを備え、位置決め部材が半導体チップの側面に取り付けられていてもよい。
この発明に係る光モジュールにおいて、位置決め部材は、半導体チップの半導体素子形成面より下に位置していてもよい。
位置決め部材を半導体チップの側面に取り付ける方法としては、接着剤を用いる方法がある。この場合、位置決め部材と半導体チップの側面との間から、接着剤がはみ出すことがある。このとき、位置決め部材が半導体チップの半導体素子形成面と同じか、又は上に位置していると、接着剤が半導体チップの半導体素子形成面に付着する可能性がある。半導体素子形成面には、半導体素子から構成される電子回路が形成されている。よって、例えば、接着剤が電気導電性を有すると、電子回路が短絡することになる。
なお、位置決め部材と半導体チップの側面との間に、必要以上の接着剤があると、位置決め部材が傾くおそれがある。このような状態だと、位置決め部材を精度よく半導体チップの側面に接着できない。よって、余分な接着剤を吸収するための空間を、位置決め部材と半導体チップの側面との間に設けてもよい。空間を形成する手段としては、位置決め部材の面のうち、半導体チップの側面と接触する面に、足部を設けることや凹部を形成することが挙げられる。
また、接着剤の材質は、接着剤に要求される特性に応じて、電気導電性、電気絶縁性、熱伝導性又は熱不伝導性を選択する。
この発明に係る光モジュールにおいて、実装部材は第１の配線を備え、位置決め部材が、第１の配線と接触していてもよい。上記したように、位置決め部材は、電極として機能したり、ヒートシンクとして機能したりすることができる。位置決め部材が、第１の配線と接触していることにより、位置決め部材を電極として機能させることができる。また、位置決め部材がヒートシンクとして機能している場合、熱を、位置決め部材から、さらに、第１の配線に流すことができる。よって、放熱効果がさらに高まる。
この発明に係る光モジュールにおいて、実装部材は第２の配線を備え、光素子の上部電極が第２の配線まで延びており、かつ第２の配線と電気的に接続されていてもよい。
上部電極と第２の配線とを電気的に接続する手段としては、ワイヤボンディングが考えられる。上部電極が上方向を向いていないと、ワイヤボンディングに高度な技術が要求される。光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子を配置した結果、上部電極を上方向に向かすことができなくなる場合がある。この場合、上部電極を第２の配線まで延びている構造にすると、上部電極と第２の配線との電気的接続が容易となる。
この発明に係る光モジュールにおいて、光モジュールは、遮光性の樹脂で封止してパッケージ化された光モジュールであり、光素子と光導波路との間の光路に充填された光透過性の樹脂を備えていてもよい。光モジュールを樹脂でパッケージ化することにより、光モジュールの汎用性及び取り扱い性が向上する。遮光性の樹脂としたのは、実装部材に実装される電子回路に自然光や光素子からの光があたると、電子回路が誤動作するおそれがあるからである。ただし、光路となる場所には、光透過性の樹脂を充填することにより、光路を確保している。
この発明に係る光モジュールにおいて、光モジュールは他の実装部材に実装される実装面を有し、光導波路は、実装面に沿って延びていてもよい。
この発明は、実装部材と、実装部材の平面に実装された光素子と、を備え、光素子は、半導体基板上に形成され、かつ半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する又半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子であり、さらに、実装部材の平面に実装され、光素子から出射された光又は光素子へ入射される光を導波する光導波路を備えた光モジュールの製造方法であって、半導体基板の側面が実装部材の平面と面するように、光素子を配置する工程と、光素子の上部電極を、他の電極と電気的に接続する工程と、実装部材の平面に沿う方向に光導波路を配置する工程と、を含む。
光素子の上部電極は、光素子の半導体基板の平面上に位置している。したがって、光素子の半導体基板の側面が実装部材の平面と面するように、光素子を配置すると、上部電極が横方向を向く。光素子の上部電極を、例えば、ワイヤボンディングによって、他の電極と電気的に接続する場合、光導波路が既に実装されていると、接続の障害となる。この発明のように、上部電極を、他の電極と電気的に接続した後、光導波路を実装部材の平面に配置すると、このような問題が生じない。
【図面の簡単な説明】
図１は、この発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図２は、この発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの平面の模式図であり、図３は、この発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図４は、この発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図５は、この発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図６は、この発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図７は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図８は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図９は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図１０は、この発明に係る光モジュールの第６の実施の形態の断面の模式図であり、図１１は、この発明に係る光モジュールの第６の実施の形態の平面の模式図であり、図１２は、この発明に係る光モジュールの第７の実施の形態の部分断面の模式図であり、図１３は、この発明に係る光モジュールの第８の実施の形態の部分断面の模式図であり、図１４は、この発明に係る光モジュールの第９の実施の形態の部分断面の模式図である。
発明を実施するための最良の形態
（第１の実施の形態）
（構造の説明）
図１は、この発明に係る光モジュールの第１の実施の形態の断面の模式図である。図２は、これの平面の模式図である。
図１及び図２を用いて、第１の実施の形態の構造を説明する。光モジュール１０は、ＳＯＰ、ＱＦＰ型の実装形態をしている。光モジュール１０は、実装基板１２の平面１３上に、面発光レーザ１４、半導体チップ３０及び光ファイバ１６を実装した構造をしている。実装基板１２の平面１３は、実装基板１２のいずれか一方の面である。実装基板１２の平面１３は、パッケージの内側を向く面である。実装基板１２は、リードフレームの一部、例えばダイパッド部であってもよい。実装基板１２は、熱膨張率の低い材料、例えばセラミックや金属から構成されていることが好ましい。そうすることで、実装基板１２の膨張収縮が少ないため、面発光レーザ１４と光ファイバ１６の位置ずれが生じにくくなる。特に、実装基板１２が熱伝導性の高い材料、例えば金属から構成されていれば放熱性も向上する。面発光レーザ１４及び光ファイバ１６は、それぞれ三個ある。本実施の形態では、複数の光素子の例として、複数の面発光レーザ１４が設けられているが、本発明はこれに限定されない。例えば、１つの光素子を設け、この光素子が複数の光の入射口又は出射口を有していてもよい。また、１つの光の入射口又は出射口を有している１つの光素子を設けてもよく、この点は適宜決めればよい。
面発光レーザ１４の側面１５すなわち光の出射口又は入射口のある面とほぼ垂直に形成された面が、実装基板１２の平面１３と面する（相対向する）ように、面発光レーザ１４は配置されている。これにより、面発光レーザ１４の光出射口１７から出射された光４４の進行方向は、実装基板１２の平面１３に沿う方向となる。
本実施の形態では、１つの半導体チップ３０が取り付けられているが、複数の半導体チップ３０を取り付けてもよい。例えば、複数の光素子の個々に対応するように、複数の半導体チップ３０を取り付けてもよい。
半導体チップ３０には、ＣＭＯＳ回路が形成されている。このＣＭＯＳ回路から面発光レーザ１４に駆動信号が送られる。半導体チップ３０は、光素子の一例となる面発光レーザ１４を駆動するものである。また、半導体チップ３０は、光素子の駆動のための信号又は情報を制御する機能を有してもよい。なお、光素子（特に受光素子の場合）に、駆動回路が内蔵されていれば、半導体チップ３０を省略してもよい。
３個の面発光レーザー１４は、位置決め板２０に固定されている。位置決め板２０は、その文言の如く、面発光レーザー１４の位置を決めるための部材である。位置を決める部材であるから、材料自体にはある程度の硬さが要求される。位置決め板２０の材料としては、例えば金属やプラスチック等を用いることができる。また、位置決め板２０は、熱硬化性の樹脂で封止される場合には、熱硬化のために封止材に加えられる温度以上の耐熱性を有する部材であることが好ましい。また、この位置決め板２０に、例えば電極の機能及びヒートシンク（放熱部材）の機能のうち少なくとも一方を持たせても良い。この位置決め板２０に例えば電極の機能を持たせるとすれば、位置決め板２０の材料としては、通常電極として用いられる材料が適用できる。例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等のいずれかである。一方、ヒートシンクの機能を位置決め板２０に持たせるとすれば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルやセラミック等のいずれかの放熱材料が考えられる。位置決め板２０に電極の機能及びヒートシンク（放熱材）の機能を持たせたければ、金・銀・銅・ニッケルのいずれかが都合が良い。位置決め板２０は、実装基板１２の平面１３上に実装されている。また、位置決め板２０は接着剤２４によって、半導体チップ３０の側面に接着されている。位置決め板２０と半導体チップ３０との間で電気的に絶縁状態を保ちたい場合には、接着剤２４として絶縁材料、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂を用いれば良い。また、位置決め板２０がヒートシンクの機能を有している場合、接着剤２４に熱伝導の良い材料を混合させることも可能である。例えば、エポキシ樹脂にシリカまたはアルミナ等のフィラーを混ぜることで、接着剤２４としての機能に加えて熱伝導の対策もうつことができる。更に熱伝導をよくしたい場合には、銀ペーストを用いることも考えられる。なお、銀ペーストは、導電性を有することから、電気的に導通をとりたい場合には積極的に使用することが好ましい。
面発光レーザ１４が光ファイバ１６と結合するように、位置決め板２０は配置されている。光ファイバ１６の端面と面発光レーザ１４とは、図１に示すようにして位置決めがされる。また、位置決め板２０は、半導体チップ３０の半導体素子形成面３７より下に位置している。こうすることで、半導体チップ３０の電極と位置決め板２０との接触を防止できる。面発光レーザ１４と光ファイバ１６との結合部は、透明樹脂１８によって、覆われている。これにより、面発光レーザ１４と光ファイバ１６との間の光路に透明樹脂１８が充填されることになる。
面発光レーザ１４は上部電極３２及び下部電極３４を備えている。下部電極３４は、位置決め板２０と接触している。位置決め板２０は、ワイヤ４８によって、半導体チップ３０と電気的に接続されている。よって、下部電極３４は、位置決め板２０及びワイヤ４８を介して、半導体チップ３０と電気的に接続されている。また、上部電極３２は、ワイヤ４６によって、半導体チップ３０と電気的に接続されている。光ファイバ１６を実装基板１２の平面１３に配置した後、ワイヤボンディングをする。
実装基板１２の両側には、外部端子２６が配置されている。実装基板１２、外部端子２６の一部及び光ファイバ２６の一部が、遮光性の樹脂２８によって封止されている。但し、図２においては、樹脂２８の図示を省略している。
（効果の説明）
（ａ）第１の実施の形態は、光４４の進行方向が実装基板１２の平面に沿う方向となるように、面発光レーザ１４を配置している。このため、光ファイバ１６内の光４４の進行方向が実装基板１２の平面１３に沿う方向となるように、光ファイバ１６を配置することができる。よって、光モジュール１０を薄型化することができる。
（ｂ）第１の実施の形態は、面発光レーザ１４の位置決めをする位置決め板２０を備え、位置決め板２０が、実装基板１２の平面上に取り付けられている。このため、面発光レーザ１４を固定するために、面発光レーザ１４を実装基板１２の平面に載置させる必要がなくなる。よって、面発光レーザ１４の寸法の設計の自由度が大きくなる。
（ｃ）第１の実施の形態において、位置決め板２０の材料は、熱伝導度が大きい。よって、位置決め板２０は、面発光レーザ１４の熱をヒートシンクすることができる。
（ｄ）第１の実施の形態において、位置決め板２０の材料は、電気導電性を有する。よって、位置決め板２０を電極として用いることができる。この実施の形態では、三個の面発光レーザ１４の共通電極として機能している。
（ｅ）第１の実施の形態において、位置決め板２０は、半導体チップ３０の側面に接着されている。そして、位置決め板２０は、半導体素子形成面３７より下に位置している。位置決め板２０と半導体チップ３０の側面との間から、接着剤２４がはみ出すことがある。接着剤２４が半導体素子形成面３７に付着すると、半導体チップ３０の回路が短絡する。このような構造だと、たとえ接着剤２４がはみ出しても、接着剤２４が半導体素子形成面３７に付着する可能性を小さくすることができる。
（ｆ）第１の実施の形態において、位置決め板２０は、実装基板１２の平面上に載置されている。上記したように、位置決め板２０は、電極及びヒートシンクとして機能する。よって、位置決め板２０を電源と接続又は接地することができる。また、熱を、位置決め板２０から、さらに、実装基板１２に流すことができる。よって、放熱効果をさらに高めることができる。
（ｇ）上部電極３２は、面発光レーザ１４の半導体基板の平面上に位置している。面発光レーザ１４の半導体基板の側面１５が、実装基板１２の平面１３と面するように、面発光レーザ１４は配置されている。このため、上部電極３２は、横方向を向いている。したがって、ワイヤ４６によって、上部電極３２と半導体チップ３０とを電気的に接続するとき、光ファイバ１６が既に配置されていると、接続の障害となる。第１の実施の形態では、ワイヤボンディングをした後、光ファイバ１６を実装基板１２の平面１３に配置しているので、このような問題を生じない。
（ｈ）第１の実施の形態において、光モジュール１０は、遮光性の樹脂２８で封止してパッケージ化されており、面発光レーザ１４と光ファイバ１６との間の光路に光透過性樹脂である透明樹脂１８を充填している。光モジュール１０を遮光性の樹脂２８でパッケージ化することにより、光モジュール１０の汎用性及び取り扱い性が向上する。また、遮光性の樹脂２８により、半導体チップ３０の電子回路に自然光や光素子からの光があたるのを防ぐことができる。これにより、電子回路が誤動作するのを防止できる。ただし、光路となる場所には、透明樹脂１８を充填することにより、光路を確保している。
（第２の実施の形態）
（構造の説明）
図３は、この発明に係る光モジュールの第２の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ１４の配置場所を示している。第２の実施の形態においては、面発光レーザ１４の上部電極３２が、リードフレームである実装基板１２の平面と、ワイヤ５２によって電気的に接続されている。よって、下部電極３４と上部電極３２との短絡を避けるため、実装基板１２の平面上に絶縁部４２が形成されている。そして、位置決め板２０は、絶縁部４２上に載置されている。絶縁部４２は、実装基板１２の平面の一部を酸化することにより形成される。また、絶縁部４２は、実装基板１２の平面の一部に絶縁性テープを貼り付けることにより形成される。第２の実施の形態と第１の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第１の実施の形態と同じである。よって、第１の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。なお、本実施の形態では、面発光レーザ１４と光ファイバ１６とは、図３に示すようにして位置決めされる。
（効果の説明）
第２の実施の形態は、第１の実施の形態と同じ効果を有する。但し、（ｆ）の効果のうち、絶縁部４２があるため、位置決め板２０は、実装基板１２と電気的に接続することができない。
（第３の実施の形態）
（構造の説明）
図４は、この発明に係る光モジュールの第３の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ１４の配置場所を示している。第３の実施の形態においては、面発光レーザ１４の上部電極３８が、リードフレームである実装基板１２まで延びており、かつ実装基板１２と電気的に接続されている。第３の実施の形態と第２の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第２の実施の形態と同じである。よって、第２の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。なお、本実施の形態では、面発光レーザ１４と光ファイバ１６とは、図４に示すようにして位置決めされる。
（効果の説明）
第３の実施の形態は、第２の実施の形態と同じ効果を有する。この他、以下の特有の効果を有する。上部電極３８は、横方向を向いている。ワイヤボンディングを用いて、上部電極３８と実装基板１２との電気的接続をする場合、このような構造だと、ワイヤボンディングには高度な技術が要求される。第３の実施の形態のように、上部電極３８が実装基板１２まで延びている構造にすると、上部電極３８と実装基板１２との電気的接続が容易となる。
（第４の実施の形態）
（構造の説明）
図５は、この発明に係る光モジュールの第４の実施の形態の部分断面の模式図である。光モジュール６０は、ＢＧＡ、ＣＳＰ型の実装形態をしている。実装基板６２の平面６３上に、面発光レーザ６４、半導体チップ８０及び光ファイバ６６を実装した構造をしている。図示はしていないが、第１の実施の形態と同様に、面発光レーザ６４、半導体チップ８０及び光ファイバ６６は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ６４の半導体基板の側面６９が、実装基板６２の平面６３と面するように、面発光レーザ６４は配置されている。これにより、面発光レーザ６４の光出射口６７から出射された光８６の進行方向は、実装基板６２の平面６３に沿う方向となる。半導体チップ８０には、ＣＭＯＳ回路が形成されている。このＣＭＯＳ回路から面発光レーザ６４に駆動信号が送られる。
実装基板６２の平面６３には、配線部８８、９０、９２が形成され、裏面６５には、配線部９４、９６、９８が形成されている。裏面６５は、他の実装基板に実装される実装面となる。配線部８８は配線部９４と、配線部９０は配線部９６と、配線部９２は配線部９８と電気的に接続されている。配線部９４、９６、９８には、バンプ電極８９が形成されている。なお、バンプ電極８９を省略したランドグリッドアレイの形態を採用してもよい。
面発光レーザ６４は、例えば銅からなる位置決め板７０に固定されている。位置決め板７０は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板７０は、配線部９０上に載置されている。また、位置決め板７０は、例えば、銀ペースト７４によって、半導体チップ８０の側面に接着されている。
面発光レーザ６４が光ファイバ６６と結合するように、位置決め板７０は配置されている。また、位置決め板７０は、半導体チップ８０の半導体素子形成面８１より下に位置している。面発光レーザ６４と光ファイバ６６との結合部は、透明樹脂６８によって、覆われている。
面発光レーザ６４は上部電極８２及び下部電極８４を備えている。下部電極８４は、位置決め板７０と接触している。位置決め板７０は、配線部９０、９６を介して、電源と接続又は接地されている。上部電極８２は、ワイヤ９９によって、配線部８８、９４と電気的に接続されている。駆動信号は、配線部９４を通って上部電極８２に送られる。なお、ワイヤ９９の代わりに、第３の実施の形態のように、上部電極８２が配線部８８まで延びている構造としてもよい。
半導体チップ８０には、バンプ電極９５、９７が形成されている。バンプ電極９５は、配線部９０と、バンプ電極９７は、配線部９２と電気的に接続されている。光ファイバ６６の一部、半導体チップ８０及び面発光レーザ６４は、遮光性の樹脂２８によって封止されている。なお、本実施の形態では、面発光レーザ６４と光ファイバ６６とは、図５に示すようにして位置決めされる。
（効果の説明）
第４の実施の形態は、第１の実施の形態と同じ効果を有する。また、ワイヤ９９の代わりに、第３の実施の形態のように、上部電極８２が配線部８８まで延びている構造にすると、第３の実施の形態と同じ効果を有する。
なお、第１〜４の実施の形態において、光ファイバ１６、６６を用いた。しかしながら、ガラス基板、プラスチックフィルム等を用いた光導波路にも、この発明を適用できる。
また、第１〜４の実施の形態において、面発光レーザ１４、６４を用いた。しかしながら、ＬＤ等の発光素子やＰＤ等の受光素子にも、この発明を適用できる。
（第５の実施の形態）
図６は、第５の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。同図に示す光モジュールは、図２に示す光モジュールと比べて外部端子２６の位置が異なる。すなわち、図２に示す例では、光ファイバ１６が導き出される方向と、外部端子２６が導き出される方向が同じである。これに対して、図６に示す例では、光ファイバ１６が導き出される方向と、外部端子１００が導き出される方向が異なる。例えば、光素子の例である面発光レーザ１４等がパッケージされた本体が、平面的にみて矩形をなす場合に、図２に示す例では、光ファイバ１６と外部端子２６とが同じ辺から導き出される。これに対して、図６に示す例では、光ファイバ１６と外部端子１００とが異なる辺から導き出される。具体的には、図６に示す例では、１つの辺から光ファイバ１６が導き出され、この辺と直角に接続される隣の２辺から外部端子１００が導き出されている。こうすることで、多数の光ファイバ１６及び外部端子１００を設けることができる。なお、光ファイバ１６は、平行な２辺から導き出してもよい。なお、本実施の形態では、面発光レーザ６４と光ファイバ６６とは、図６に示すようにして位置決めされる。
（光伝達装置）
上述した光モジュールは、光伝達装置を構成するために使用することができる。例えば、図７に示す光伝達装置は、光モジュール１１０と、ケーブル１１２と、コネクタ１１４と、を含む。ケーブル１１２は、光モジュール１１０から導き出された少なくとも１本（多くの場合複数本）の光ファイバ（図示せず）が束ねられてなる。
図８に示す光伝達装置は、少なくとも１つの光モジュール１２０と、少なくとも１つの光モジュール１３０とが、ケーブル１２２の両端部に取り付けられてなる。ケーブル１２２は、少なくとも１本（多くの場合複数本）の光ファイバ（図示せず）が束ねられてなる。
図９は、本発明を適用した実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。光伝達装置１４０は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器１４２を相互に接続するものである。電子機器１４２は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置１４０は、ケーブル１４４の両端にプラグ１４６が設けられたものであってもよい。ケーブル１４４は、１つ又は複数（少なくとも一つ）の光ファイバ１６（図１参照）を含む。光ファイバ１６の両端部には、光素子が設けられている。プラグ１４６は、光素子を内蔵し、半導体チップ３０を内蔵してもよい。
光ファイバ１６の一方の端部に光学的に接続される光素子は、発光素子である。一方の電子機器１４２から出力された電気信号は、発光素子によって光信号に変換される。光信号は光ファイバを伝わり、光ファイバ１６の他方の端部に光学的に接続される光素子に入力される。この光素子は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。電気信号は、他方の電子機器１４２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置１４０によれば、光信号によって、電子機器１４２の情報伝達を行うことができる。
（第６の実施の形態）
（構造の説明）
図１０は、この発明に係る光モジュールの第６の実施の形態の断面の模式図である。図１１は、これの平面の模式図である。
図１０及び図１１を用いて、第６の実施の形態の構造を説明する。光モジュール２１０は、ＳＯＰ、ＱＦＰ型の実装形態をしている。光モジュール２１０は、実装基板２１２の平面２１３上に、面発光レーザ２１４、半導体チップ２３０及び光ファイバ２１６を実装した構造をしている。実装基板２１２は、リードフレームである。面発光レーザ２１４、半導体チップ２３０及び光ファイバ２１６は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ２１４の半導体基板の側面２１５が、実装基板２１２の平面２１３と面するように、面発光レーザ２１４は配置されている。これにより、面発光レーザ２１４の光出射口２１７から出射された光２４４の進行方向は、実装基板２１２の平面２１３に沿う方向となる。半導体チップ２３０には、ＣＭＯＳ回路が形成されている。このＣＭＯＳ回路から面発光レーザ２１４に駆動信号が送られる。
三個の面発光レーザ２１４は、例えば、銅からなる位置決め板２２０に固定されている。位置決め板２２０は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板２２０は、実装基板２１２の平面２１３上に実装されている。また、位置決め板２２０は、例えば、接着剤２２４によって、半導体チップ２３０の側面に接着されている。
面発光レーザ２１４が光ファイバ２１６と結合するように、位置決め板２２０は配置されている。また、位置決め板２２０は、半導体チップ２３０の半導体素子形成面２３７より下に位置している。面発光レーザ２１４と光ファイバ２１６との結合部は、透明樹脂２１８によって、覆われている。これにより、面発光レーザ２１４と光ファイバ２１６との間の光路に透明樹脂２１８が充填されることになる。
面発光レーザ２１４は上部電極２３２及び下部電極２３４を備えている。下部電極２３４は、位置決め板２２０と接触している。位置決め板２２０は、ワイヤ２４８によって、半導体チップ２３０と電気的に接続されている。よって、下部電極２３４は、位置決め板２２０及びワイヤ２４８を介して、半導体チップ２３０と電気的に接続されている。また、上部電極２３２は、ワイヤ２４６によって、半導体チップ２３０と電気的に接続されている。光ファイバ２１６を実装基板２１２の平面に配置した後、ワイヤボンディングをする。
実装基板２１２の両側には、外部端子２２６が配置されている。実装基板２１２、外部端子２２６の一部及び光ファイバ２２６の一部が、遮光性の樹脂２２８によって封止されている。但し、図１１においては、樹脂２２８の図示を省略している。
本実施の形態の効果は、第１の実施の形態の効果と同様である。なお、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第７の実施の形態）
（構造の説明）
図１２は、この発明に係る光モジュールの第７の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ２１４の配置場所を示している。第７の実施の形態においては、面発光レーザ２１４の上部電極２３２が、リードフレームである実装基板２１２の平面と、ワイヤ２５２によって電気的に接続されている。よって、下部電極２３４と上部電極２３２との短絡を避けるため、実装基板２１２の平面上に絶縁部２４２が形成されている。そして、位置決め板２２０は、絶縁部２４２上に載置されている。絶縁部２４２は、実装基板２１２の平面の一部を酸化することにより形成される。また、絶縁部２４２は、実装基板２１２の平面の一部に絶縁性テープを貼り付けることにより形成される。第７の実施の形態と第６の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第６の実施の形態と同じである。よって、第６の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。
（効果の説明）
第７の実施の形態は、第１の実施の形態と同じ効果を有する。なお、本実施の形態には、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第８の実施の形態）
（構造の説明）
図１３は、この発明に係る光モジュールの第８の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ２１４の配置場所を示している。第８の実施の形態においては、面発光レーザ２１４の上部電極２３８が、リードフレームである実装基板２１２まで延びており、かつ実装基板２１２と電気的に接続されている。第８の実施の形態と第７の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第７の実施の形態と同じである。よって、第７の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。
（効果の説明）
第８の実施の形態は、第７の実施の形態と同じ効果を有する。この他、以下の特有の効果を有する。上部電極２３８は、横方向を向いている。ワイヤボンディングを用いて、上部電極２３８と実装基板２１２との電気的接続をする場合、このような構造だと、ワイヤボンディングに高度な技術が要求される。第８の実施の形態のように、上部電極２３８が実装基板２１２まで延びている構造にすると、上部電極２３８と実装基板２１２との電気的接続が容易となる。
なお、本実施の形態には、第３の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
（第９の実施の形態）
（構造の説明）
図１４は、この発明に係る光モジュールの第９の実施の形態の部分断面の模式図である。光モジュール２６０は、ＢＧＡ、ＣＳＰ型の実装形態をしている。実装基板２６２の平面２６３上に、面発光レーザ２６４、半導体チップ２８０及び光ファイバ２６６を実装した構造をしている。図示はしていないが、第６の実施の形態と同様に、面発光レーザ２６４、半導体チップ２８０及び光ファイバ２６６は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ２６４の半導体基板の側面２６９が、実装基板２６２の平面２６３と面するように、面発光レーザ２６４は配置されている。これにより、面発光レーザ２６４の光出射口２６７から出射された光２８６の進行方向は、実装基板２６２の平面２６３に沿う方向となる。半導体チップ２８０には、ＣＭＯＳ回路が形成されている。このＣＭＯＳ回路から面発光レーザ２６４に駆動信号が送られる。
実装基板２６２の平面２６３には、配線部２８８、２９０、２９２が形成され、裏面２６５には、配線部２９４、２９６、２９８が形成されている。裏面２６５は、他の実装基板に実装される実装面となる。配線部２８８は配線部２９４と、配線部２９０は配線部２９６と、配線部２９２は配線部２９８と電気的に接続されている。配線部２９４、２９６、２９８には、バンプ電極２８９が形成されている。
面発光レーザ２６４は、例えば銅からなる位置決め板２７０に固定されている。位置決め板２７０は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板２７０は、配線部２９０上に載置されている。また、位置決め板２７０は、例えば、銀ペースト２７４によって、半導体チップ２８０の側面に接着されている。
面発光レーザ２６４が光ファイバ２６６と結合するように、位置決め板２７０は配置されている。また、位置決め板２７０は、半導体チップ２８０の半導体素子形成面２８１より下に位置している。面発光レーザ２６４と光ファイバ２６６との結合部は、透明樹脂２６８によって、覆われている。
面発光レーザ２６４は上部電極２８２及び下部電極２８４を備えている。下部電極２８４は、位置決め板２７０と接触している。位置決め板２７０は、配線部２９０、２９６を介して、電源と接続又は接地されている。上部電極２８２は、ワイヤ２９９によって、配線部２８８、２９４と電気的に接続されている。駆動信号は、配線部２９４を通って上部電極２８２に送られる。なお、ワイヤ２９９の代わりに、第８の実施の形態のように、上部電極２８２が配線部２８８まで延びている構造としてもよい。
半導体チップ２８０には、バンプ電極２９５、２９７が形成されている。バンプ電極２９５は、配線部２９０と、バンプ電極２９７は、配線部２９２と電気的に接続されている。光ファイバ２６６の一部、半導体チップ２８０及び面発光レーザ２６４は、遮光性の樹脂２２８によって封止されている。
（効果の説明）
第９の実施の形態は、第６の実施の形態と同じ効果を有する。また、ワイヤ２９９の代わりに、第８の実施の形態のように、上部電極２８２が配線部２８８まで延びている構造にすると、第８の実施の形態と同じ効果を有する。
なお、第６〜９の実施の形態において、光ファイバ２１６、２６６を用いた。しかしながら、ガラス基板、プラスチックフィルム等を用いた光導波路にも、この発明を適用できる。
また、第６〜９の実施の形態において、面発光レーザ２１４、２６４を用いた。しかしながら、ＬＤ等の発光素子やＰＤ等の受光素子にも、この発明を適用できる。
なお、本実施の形態には、第４の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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