(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）キナルジン酸、（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤、および（Ｃ）酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、上記（Ａ）キナルジン酸と上記（Ｂ）界面活性剤との質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：１０〜１：０．０３であることを特徴とする銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
上記質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：３〜１：０．０５である請求項１記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
更に（Ｄ）砥粒を含有する請求項１又は２記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
上記（Ｄ）砥粒として少なくとも有機無機複合粒子を含む請求項３記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
上記（Ａ）キナルジン酸の含有量が０．０１〜１質量％である請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項６】
上記スルホン酸塩がドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムである請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項７】
上記（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤の含有量が０．００１〜０．１質量％である請求項１ないし６のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項８】
上記（Ｃ）酸化剤が過硫酸アンモニウム、及び過硫酸カリウムのうちの少なくとも１種である請求項１ないし７のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項９】
上記（Ｃ）酸化剤の含有量が０．０１〜１５質量％である請求項１ないし８のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１０】
上記（Ｄ）砥粒がシリカである請求項３に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１１】
上記シリカがコロイダルシリカであり、該コロイダルシリカに含有される不純物金属イオンが１０ｐｐｍ以下である請求項１０に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１２】
上記コロイダルシリカの平均粒子径が１００ｎｍ以下である請求項１１に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅を研磨することを特徴とする化学機械研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造において銅の研磨に有用な化学機械研磨用水系分散体（以下、単に「水系分散体」ともいう。）及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法に関する。さらに詳しくは、ＤＲＡＭおよび高速ロジックＬＳＩ等の０．１μｍ程度の微細な配線から１００μｍ程度の広い配線までの混載を必要とする半導体装置の配線形成工程において好適に使用できる化学機械研磨用水系分散体及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高密度化に伴い、形成される配線の微細化が進んでいる。この配線のさらなる微細化を達成することができる技術として注目されている方法にダマシン法と称されるものがある。この方法は、絶縁材中に形成された溝等に配線材料を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰な配線材料を除去することによって所望の配線を形成するものである。この方法においては、研磨工程の歩留まり向上の観点から、研磨の高速化が望まれている。
【０００３】
また、溝等に配線材料を埋め込んだときの初期の余剰膜［厚さＸ（Å）］を研磨速度Ｖ（Å／分）で研磨する際、本来Ｘ／Ｖ（分）の時間だけ研磨すると目的が達成できるはずであるが、実際の半導体装置製造工程では、溝以外の部分に残る配線材料を除去するため、Ｘ／Ｖ（分）を越えて過剰研磨（オーバーポリッシュ）を実施している。このとき、配線部分が過剰に研磨されることにより、凹状の形状となる場合がある。このような凹状の配線形状は、「エロージョン」と呼ばれ、半導体装置の歩留まりを低下させてしまう点から好ましくない。
【０００４】
上記のような事情から、化学機械研磨工程において配線材料を高速で研磨でき、しかもオーバーポリッシュを行った場合でもエロージョンの発生を起こさない化学機械研磨用水系分散体が求められている。しかし、かかる性能を具備する化学機械研磨用水系分散体は未だ提案されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記課題を解決するものであり、化学機械研磨工程において、高い研磨速度を実現し、かつ、オーバーポリッシュ実施時のエロージョンおよびエロージョン速度を低く抑制することができる銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記目的は、（Ａ）キナルジン酸、（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤（以下、単に「（Ｂ）界面活性剤」という。）、および（Ｃ）酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、上記（Ａ）キナルジン酸と上記（Ｂ）界面活性剤との質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：１０〜１：０．０３である銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体によって達成される。
以下に本発明について、詳細に説明する。
【０００７】
上記（Ａ）成分としては、キナルジン酸を用いる。
【０００８】
（Ａ）キナルジン酸の含有量は、水系分散体の総量に対して０．０１〜１質量％が好ましく、さらに０．０１〜０．８質量％が好ましく、特に０．０５〜０．６質量％が好ましい。（Ａ）キナルジン酸の含有量が０．０１質量％未満であるとエロージョンを十分に抑制することが困難な場合がある。一方、（Ａ）キナルジン酸の含有量は１質量％であれば十分であり、さらに０．５質量％であっても所期の効果は十分に得られる。
【０００９】
上記（Ｂ）スルホン酸塩である界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤の、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩を挙げることができる。特に、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム等のスルホン酸塩が好ましい。
【００１０】
（Ｂ）界面活性剤の含有量は、水系分散体の総量に対して０．００１〜０．１質量％が好ましく、さらに０．００５〜０．０７５質量％が好ましい。界面活性剤の含有量が０．００１質量％未満であるとエロージョンを十分に抑制することが困難である場合があり、また、界面活性剤の含有量は０．１質量％であれば十分である。
また、（Ａ）キナルジン酸と（Ｂ）界面活性剤の含有割合は、質量比で（Ａ）：（Ｂ）が１：１０〜１：０．０３の範囲であり、好ましくは、１：３〜１：０．０５の範囲である。界面活性剤の質量比が１０を越えると、研磨速度を著しく低下させる場合があり、０．０３未満であると、エロージョンおよびエロージョン速度を十分に抑制することが困難である。
このように所定量の（Ａ）キナルジン酸および（Ｂ）界面活性剤を含有し、かつ、（Ａ）と（Ｂ）との質量比が特定の範囲内にある水系分散体によれば、エロージョンの深さ、およびエロージョン速度が十分に抑えられる。
【００１１】
上記（Ｃ）酸化剤としては、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物、ヨウ素酸カリウム等のハロゲン酸化合物、硝酸および硝酸鉄等の硝酸化合物、過塩素酸等の過ハロゲン酸化合物、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩、ならびにへテロポリ酸等が拳げられる。これらの酸化剤のうちでは、分解生成物が無害である過酸化水素および有機過酸化物の他、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩が特に好ましい。これらの酸化剤を含有させることにより、研磨速度をより大きく向上させることができる。
【００１２】
（Ｃ）酸化剤の含有量は、水系分散体の総量に対して０．０１〜１５質量％が好ましく、さらに０．１〜１０質量％が好ましく、特に０．３〜８質量％が好ましい。（Ｃ）酸化剤の含有量が０．０１質量％未満である場合には、化学的エッチングの効果が十分得られず、研磨速度に問題を生ずる場合があり、一方、（Ｃ）酸化剤は、１５質量％含有させれば十分に研磨速度を向上させることができ、１５質量％を越えて多量に含有させる必要はない。
【００１３】
本発明の水系分散体には、さらに（Ｄ）砥粒を含有させることができる。
この（Ｄ）砥粒としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリア等の無機粒子；
ポリ塩化ビニル、ポリスチレンおよびスチレン系共重合体、ポリアセタール、飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−４−メチル−１−ペンテン等のポリオレフィンおよびオレフィン系共重合体、フェノキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート等の（メタ）アクリル樹脂およびアクリル系共重合体などからなる有機粒子；
上記の有機粒子および無機粒子からなる有機無機複合粒子；
のうちの少なくとも１種を使用することができる。
【００１４】
本発明に用いる（Ｄ）砥粒としては、シリカ、または有機無機複合粒子が好ましい。このシリカとしては、具体的には、
気相中で塩化ケイ素、塩化アルミニウム、塩化チタン等を、酸素および水素と反応させるヒュームド法により合成されたヒュームド法シリカ；
金属アルコキシドから加水分解縮合して合成するゾルゲル法により合成されたシリカ；
精製により不純物を除去した無機コロイド法等により合成されたコロイダルシリカ等が挙げられる。
上記のうちでも、精製により不純物を除去した無機コロイド法等により合成されたコロイダルシリカが好ましい。
【００１５】
本発明に用いる（Ｄ）砥粒としてのシリカとしては、平均粒子径１００ｎｍ以下のコロイダルシリカを用いることがエロージョン抑制、および研磨面へのスクラッチ抑制という観点から好ましい。また、コロイダルシリカは鉄、ニッケル、亜鉛などの金属イオンが化学機械研磨処理後の半導体装置に残留すると歩留まり低下を引き起こす可能性が高いため、使用するコロイダルシリカはこれら不純物金属含有量を１０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ以下、さらに３ｐｐｍ以下、特に１ｐｐｍ以下に抑えたものであることが望ましい。
【００１６】
上記（Ｄ）砥粒として使用する有機無機複合粒子としては、有機粒子と無機粒子が、研磨時、容易に分離しない程度に一体に形成されておればよく、その種類、構成等は特に限定されない。この複合粒子としては、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等の重合体粒子の存在下、アルコキシシラン、アルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシド等を重縮合させ、重合体粒子の少なくとも表面に、ポリシロキサン等が結合されてなるものを使用することができる。なお、生成する重縮合体は、重合体粒子が有する官能基に直接結合されていてもよいし、シランカップリング剤等を介して結合されていてもよい。
またアルコキシシラン等に代えてシリカ粒子、アルミナ粒子等を用いることもできる。これらはポリシロキサン等と絡み合って保持されていてもよいし、それらが有するヒドロキシル基等の官能基により重合体粒子に化学的に結合されていてもよい。
【００１７】
また、上記の複合粒子としては、符号の異なるゼータ電位を有する有機粒子と無機粒子とを含む水分散体において、これら粒子が静電力により結合されてなるものを使用することもできる。
有機粒子のゼータ電位は、全ｐＨ域、或いは低ｐＨ域を除く広範な領域に渡って負であることが多いが、カルボキシル基、スルホン酸基等を有する有機粒子とすることによって、より確実に負のゼータ電位を有する有機粒子とすることができる。また、アミノ基等を有する有機粒子とすることにより、特定のｐＨ域において正のゼータ電位を有する有機粒子とすることもできる。
一方、無機粒子のゼータ電位はｐＨ依存性が高く、この電位が０となる等電点を有し、その前後でゼータ電位の符号が逆転する。
【００１８】
従って、特定の有機粒子と無機粒子とを組み合わせ、それらのゼータ電位が逆符号となるｐＨ域で混合することによって、静電力により有機粒子と無機粒子とを一体に複合化することができる。また、混合時、ゼータ電位が同符号であっても、その後、ｐＨを変化させ、ゼータ電位を逆符号とすることによって、有機粒子と無機粒子とを一体とすることもできる。
【００１９】
さらに、この有機無機複合粒子としては、このように静電力により一体に複合化された粒子の存在下、前記のようにアルコキシシラン、アルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシド等を重縮合させ、この粒子の少なくとも表面に、さらにポリシロキサン等が結合されて複合化されてなるものを使用することもできる。
このような有機無機複合粒子の平均粒子径としては５０〜５００ｎｍが好ましい。複合粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以下であると十分な研磨速度が発現しないことがある。また、５００ｎｍを越える場合は、粒子の凝集・沈降が生じやすくなる。
なお、（Ｄ）砥粒の平均粒子径はレーザー散乱回折型測定機により測定することができ、または透過型電子顕微鏡によって個々の粒子を観察し、累積粒子径と個数とから算出することができる。
【００２０】
また、本発明の化学機械研磨用水系分散体には、上記の他、必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。それによって分散状態の安定性をさらに向上させたり、研磨速度を高めたり、２種以上の被加工膜等、硬度の異なる被研磨膜の研磨に用いた場合の研磨速度の差異を調整したりすることができる。具体的には、有機酸もしくは無機酸を配合することによって、より安定性の高い水系分散体とすることができる。有機酸としてはギ酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸および安息香酸等を使用することができる。無機酸としては硝酸、硫酸およびリン酸等を用いることができる。この安定性を高めるために使用する酸としては、特に、有機酸が好ましい。なお、これらの酸は研磨速度を高める作用をも併せ有する。
【００２１】
さらに、この水系分散体は上述の酸、あるいはアルカリを添加することにより研磨速度向上とエロージョン低減に対して好ましいｐＨに調整することができる。好ましいｐＨ範囲は５〜１２であり、さらに好ましいｐＨ範囲は７〜１１である。
【００２２】
ｐＨ調整を行うために添加するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、および水酸化セシウム等、アルカリ金属の水酸化物、またはアンモニアを使用することができる。水系分散体のｐＨを調整することにより、研磨速度を高めることもでき、被加工面の電気化学的性質、重合体粒子の分散性、安定性、ならびに研磨速度を勘案しつつ、砥粒が安定して存在し得る範囲内で適宜ｐＨを設定することが好ましい。
本発明では、このように水系分散体の組成成分およびｐＨ調整によってエッチング速度を調整することにより、所要の研磨性能を有する化学機械研磨用水系分散体とすることができる。
【００２３】
本発明の化学機械研磨方法は、本発明の化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅を研磨することを特徴とする。本発明の化学機械研磨方法のように、本発明の化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅の化学機械研磨を実施する際には、市販の化学機械研磨装置（株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−１１２」、「ＥＰＯ−２２２」、ラップマスターＳＦＴ社製、型式「ＬＧＰ−５１０」、「ＬＧＰ−５５２」、アプライドマテリアル社製、商品名「Ｍｉｒｒａ」等）を用いて所定の研磨条件で研磨することができる。
研磨後、被研磨面に残留する砥粒は除去することが好ましい。この砥粒の除去は通常の洗浄方法によって行うことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、実施例によって本発明を詳しく説明する。
［１］エロージョン速度の評価に用いた基板の作製
▲１▼銅配線が形成された被研磨用基板（ａ）
シリコンからなる基板表面に、深さ１μｍの溝により形成されたパターンを備える絶縁層を積層した。次いで、絶縁層の表面に３００Åの厚さのＴｉＮ膜を形成し、その後、ＣｕをＴｉＮ膜で覆われた溝内にスパッタリングにより２μｍの厚さに堆積した。
【００２５】
▲２▼銅配線が形成された被研磨用基板（ｂ）
シリコンからなる基板表面に、深さ１μｍの溝により形成されたパターンを備える絶縁層を積層した。次いで、絶縁層の表面に３００Åの厚さのＴａＮ膜を形成し、その後、ＣｕをＴａＮ膜で覆われた溝内にスパッタリングおよびめっきにより１．３μｍの厚さに堆積した。
【００２６】
［２］無機砥粒または複合粒子からなる砥粒を含む水分散体の調製
（１）無機砥粒を含む水分散体の調製
（ａ）ヒュームド法シリカ粒子を含む水分散体の調製
ヒュームド法シリカ粒子（日本アエロジル株式会社製、商品名「アエロジル＃９０」）２ｋｇを、イオン交換水６．７ｋｇに超音波分散機によって分散させ、孔径５μｍのフィルタによって濾過し、ヒュームド法シリカを含有する水分散体を調製した。
【００２７】
（ｂ）コロイダルシリカを含む水分散体の調製
容量２リットルのフラスコに、２５質量％濃度のアンモニア水７０ｇ、イオン交換水４０ｇ、エタノール１７５ｇおよびテトラエトキシシラン２１ｇを投入し、１８０ｒｐｍで攪拌しながら６０℃に昇温し、この温度のまま２時間攪拌を継続した後、冷却し、平均粒子径が９７ｎｍのコロイダルシリカ／アルコール分散体を得た。次いで、エバポレータにより、この分散体に８０℃の温度でイオン交換水を添加しながらアルコール分を除去する操作を数回繰り返し、分散体中のアルコール分を除き、固形分濃度が８質量％の水分散体を調製した。
【００２８】
また、エタノールとテトラエトキシシラン量を変量する以外は略同様にして、平均粒子径が２６ｎｍまたは１３ｎｍのコロイダルシリカを８質量％含むコロイダルシリカの水分散体を調製した。
【００２９】
（２）複合粒子からなる砥粒を含む水分散体の調製
▲１▼重合体粒子を含む水分散体
メチルメタクリレ−ト９０部、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＮＫエステルＭ−９０Ｇ」、＃４００）５部、４−ビニルピリジン５部、アゾ系重合開始剤（和光純薬株式会社製、商品名「Ｖ５０」）２部、およびイオン交換水４００部を、容量２リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下、攪拌しながら７０℃に昇温し、６時間重合させた。これによりアミノ基の陽イオンおよびポリエチレングリコール鎖を有する官能基を備え、平均粒子径１５０ｎｍのポリメチルメタクリレート系粒子を含む水分散体を得た。なお、重合収率は９５％であった。
【００３０】
▲２▼複合粒子を含む水分散体
▲１▼において得られたポリメチルメタクリレート系粒子を１０質量％含む水分散体１００部を、容量２リットルのフラスコに投入し、メチルトリメトキシシラン１部を添加し、４０℃で２時間攪拌した。その後、硝酸によりｐＨを２に調整して水分散体（ａ）を得た。また、コロイダルシリカ（日産化学株式会社製、商品名「スノーテックスＯ」）を１０質量％含む水分散体のｐＨを水酸化カリウムにより８に調整し、水分散体（ｂ）を得た。水分散体（ａ）に含まれるポリメチルメタクリレート系粒子のゼータ電位は＋１７ｍＶ、水分散体（ｂ）に含まれるシリカ粒子のゼータ電位は−４０ｍＶであった。
【００３１】
その後、水分散体（ａ）１００部に水分散体（ｂ）５０部を２時間かけて徐々に添加、混合し、２時間攪拌して、ポリメチルメタクリレート系粒子にシリカ粒子が付着した粒子を含む水分散体を得た。次いで、この水分散体に、ビニルトリエトキシシラン２部を添加し、１時間攪拌した後、テトラエトキシシラン１部を添加し、６０℃に昇温し、３時間攪拌を継続した後、冷却することにより、複合粒子を含む水分散体を得た。この複合粒子の平均粒子径は１８０ｎｍであり、ポリメチルメタクリレート系粒子の表面の８０％にシリカ粒子が付着していた。
【００３２】
［３］化学機械研磨用水系分散体の調製
［２］、（１）および（２）において調製された水分散体の所定量を容量１リットルのポリエチレン製の瓶に投入し、これに、表１および表２に記載の複素環を有する化合物の各々が表１および表２に記載の含有量となるように添加し、十分に攪拌した。その後、攪拌をしながら表１および表２に記載の界面活性剤及び酸化剤の水溶液を、界面活性剤、酸化剤の各々が表１および表２に記載の含有量となるように添加した。次いで、砥粒を各々が表１および表２に記載の含有量となるようにさらに添加し、十分に攪拌した後、水酸化カリウム水溶液またはアンモニアによりｐＨを表１および表２のように調整した後、イオン交換水を加え、孔径５μｍのフィルタで濾過し、実施例１〜５および比較例１の化学機械研磨用水系分散体を得た。
【００３３】
【表１】
0003837277.tif 000002
【００３４】
【表２】
0003837277.tif 000003
【００３５】
［４］銅膜付きウェハの研磨
実施例１〜５および比較例１の水系分散体を用いて銅膜付きウェハを以下の条件で研磨した。
研磨装置  ：  ラップマスターＳＦＴ社製、型式「ＬＧＰ５１０」
研磨パッド  ：  Ｒｏｄｅｌ（米国）社製、商品名「ＩＣ１０００−０５０−（６０３）−（Ｐ）−Ｓ４００Ｊ」
キャリア荷重  ：  ３００ｇ／ｃｍ2
キャリア回転数  ：  ８０ｒｐｍ
定盤回転数  ：  １００ｒｐｍ
研磨剤供給量  ：  ２００ミリリットル／分
研磨時間  ：  ３分。
【００３６】
研磨速度は以下の式より算出した。結果を表１および表２に併記する。
研磨速度（Å／分）＝（研磨前の各膜の厚さ−研磨後の各膜の厚さ）／研磨時間
なお、各膜の厚さは、抵抗率測定器（ＮＰＳ社製、型式「Ｚ−５」）を使用して、直流４針法によりシート抵抗を測定し、この抵抗率と銅の抵抗率から次式に従い算出した。
各膜の厚さ（Å）＝シート抵抗値（Ω／ｃｍ2）×銅の抵抗率（Ω／ｃｍ）×１０-8
【００３７】
［５］エロージョンおよびエロージョン速度の評価
エロージョンの評価を、表面粗さ計（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、型式「Ｐ−１０」）を使用し、基板（ａ）および基板（ｂ）の１００μｍ配線を用いて行った。また、このエロージョンの評価における研磨時間は、初期の余剰銅膜［厚さＸ（Å）］を［４］で得られた研磨速度Ｖ（Å／分）で除した値（Ｘ／Ｖ）（分）に１．５を乗じた時間（分）とした。そして、以下の式によりエロージョン速度を算出した。これらエロージョンおよびエロージョン速度の評価結果を表１および表２に併記する。
エロージョン速度（Å／分）＝１００μｍ配線を用いて（Ｘ／Ｖ）×１．５分間研磨した時のエロージョン（Å）／（Ｘ／Ｖ）×０．５（分）
尚、ここで「エロージョン」とは、絶縁膜またはバリアメタルにより形成される平面と、配線部分の最低部位との距離（高低差）である。
【００３８】
表１および表２の結果によれば、実施例１〜５の化学機械研磨用水系分散体では、研磨速度は４１２０Å／分以上と十分に高く、１００μｍ配線のエロージョンは４４１Å以下と小さく、このエロージョンから算出されたエロージョン速度も３２９Å／分と小さく、良好なオーバーポリッシュマージンを有していることが分かる。一方、複素環を有する化合物に対する界面活性剤の質量比が０．０１と小さい比較例１では、研磨速度は十分であるものの、エロージョンおよびエロージョン速度が大きく、劣っていることが分かる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、銅の研磨速度が高く、かつ、オーバーポリッシュマージンの少ない化学機械研磨用水系分散体を得ることができ、半導体装置の製造において多層配線化における銅の研磨に有用である。