(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した特性部と、前記特性部の上下面を外装する外装部とからなる積層体と、前記積層体の両側面に形成された外部電極とからなる積層バリスタであって、
前記外装部を構成する外装セラミック層の絶縁抵抗値Ｒ1と、前記バリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2との比Ｒ1／Ｒ2が１．２４〜４．５４の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
【請求項２】
前記外装セラミック層には、ＳｉＯ2が０．３〜４０．０重量％添加されていることを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
【請求項３】
前記外装セラミック層には、少なくともＳｉＯ2を成分とするガラスが添加されており、前記外装セラミック層に対して前記ＳｉＯ2の含有量は、０．３〜４０．０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は積層バリスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化が進んでおり、それに伴って使用される電子部品も小型化が要求されている。とりわけ、回路上に表面実装できるチップ型の電子部品は、回路自体の小型化に有用であり、使用される割合が増加している。
【０００３】
従来より、過電圧、過電流から回路素子を保護するために用いられているバリスタは、吸収できるサージ電流を大きくするために素子の電極面積を広くとってサージ耐量を大きくしたものが好ましい。そこで、素子の小型化が図れ、かつ、サージ耐量を大きくできるバリスタとして、バリスタ材料中に内部電極を複数枚内蔵し、実質的に電極の面積を大きくしてサージ耐量を大きくした積層型のバリスタ（以下、積層バリスタとする）が用いられている。
【０００４】
このような積層バリスタとしては、例えば、図３に示すようなものがある。すなわち、この積層バリスタ２０は、半導体セラミックからなるバリスタ層２４とバリスタ層２４上に形成された内部電極層２５とからなる特性部２２と、バリスタ層２４を積層した外装部２３とを有し、この特性部２２と外装部２３とからなる積層体２１と、その外側に設けられた外部電極２７とからなる。
【０００５】
また、一般的な従来の積層バリスタ２０の製造方法としては、以下のようなものがある。すなわち、バリスタ層２４となるセラミックグリーンシートの上に一方端面が導出するように内部電極層２５となる内部電極ペースト層を形成し、内部電極ペースト層が導出される方向が交互となるように所定枚数積層し、特性部２２とする。次に、特性部２２の上下にバリスタ材料と同じ材質のセラミック層２４からなる外装部２３を積層して積層体２１とする。さらに、積層体２１を焼成、再酸化処理した後、積層体２１の内部電極層２５が導出されている側面に外部電極２７を形成する。
【０００６】
しかしながら、従来の積層バリスタは、内部電極の面積と電極の面積が同じである単板バリスタに比べ、サージ耐量が３０〜７０％となっていた。これは、積層バリスタの構造であると、バリスタ機構を働かせる内部電極を形成したバリスタ層を積層し、特性部とした以外の部分（例えば、外部電極と、外部電極と接続していない内部電極との間）でバリスタ機構が働き、表面放電が生じていたためである。この原因としては、特性部の外側に設けられた外装部の厚みｔ1と、特性部を構成するバリスタ層の厚みｔ2との比が関係している。一般に、外装部の厚みｔ1とバリスタ層の厚みｔ2とがｔ1≦ｔ2となっている場合には、ｔ1へと流れる電流が生じて表面放電となる。また、ｔ1＞ｔ2であっても、外装部とバリスタ層とを構成する材質が同一であるもの、すなわち、外装部の絶縁抵抗値Ｒ1／バリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2＝１である場合には、表面放電が生じないようにするには、ｔ1＞２．５ｔ2である必要がある。従来の積層バリスタは、外装部の厚みｔ1がバリスタ層の厚みｔ2に比べて、十分に大きくなかったため、表面放電が生じやすい状態であった。
【０００７】
そこで、これらの積層バリスタの問題点を解決するものとして、特性部の厚みに対して外装部の厚みを十分に取った積層バリスタや、表面をガラスや樹脂でコーティングして絶縁化した積層バリスタなどが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の積層バリスタ２０には、以下のような問題点があった。
【０００９】
１．高電圧対応とするために、バリスタ層２４の厚みを大きくし、バリスタ電圧を上昇させたものは、大きくしたバリスタ層２４の厚みに対して外装部２３の厚み十分に取った場合、その外形寸法が大きくなるため、積層バリスタの特長である小型化が図れなくなる。
【００１０】
２．高電流域のＩ−Ｖ特性は、粒界特性による影響より、材質に用いている粒子の抵抗値による影響が大きいため、積層バリスタのバリスタ電圧が変化しても、Ｉ−Ｖ曲線の傾きはほぼ変化しない。したがって、高電圧対応とするために、バリスタ層２４の厚みを大きくし、バリスタ電圧を上昇させたものは、そのＩ−Ｖ特性を示すＩ−Ｖ曲線が上昇したバリスタ電圧の分、上方向へシフトする。一方、バリスタ層２４と外装部２３の材質が同じであるため、バリスタがサージ破壊するときの電圧（サージ耐量の制限電圧）は一定の値をとる。よって、Ｉ−Ｖ曲線が上方向へシフトした分サージ耐量が低下してしまう。
【００１１】
３．表面をガラスや樹脂でコーティングして絶縁化した積層バリスタは、ガラスや樹脂をコーティングするために、余分な設備や工程が必要であり、製造コストが高くなる。また、積層バリスタのさらなる小型化を図ることができない。
【００１２】
本発明の目的は、小型化を図ることができ、かつ、表面にコーティングをせずにサージ耐量を向上させた積層バリスタを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的に鑑みてなされたものである。
第１の発明の積層バリスタは、バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した特性部と、前記特性部の上下面を外装する外装部とからなる積層体と、前記積層体の両側面に形成された外部電極とからなる積層バリスタであって、前記外装部を構成する外装セラミック層の絶縁抵抗値Ｒ1と、前記バリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2との比Ｒ1／Ｒ2が１．２４〜４．５４の範囲であることを特徴とする。
【００１４】
このような構成にすることによって、サージ電流を外装部に流入しにくくし、特性部にスムーズに流入させて、表面放電を抑制することができる。すなわち、サージ耐量の制限電圧を上昇させ、サージ耐量を２０００Ａ以上に向上させることができる。また、外装部自体の絶縁抵抗値を上げるので、従来の積層バリスタに比べ、外装部の厚みをより薄くすることができる。したがって、バリスタ層の厚みが従来のものと同じであれば、積層バリスタの低背化が可能となる。
【００１５】
また、第２の発明の積層バリスタにおいては、前記外装セラミック層には、ＳｉＯ2が０．５〜４０．０重量％添加されていることを特徴とする。
【００１６】
また、第３の発明の積層バリスタにおいては、前記外装セラミック層には、少なくともＳｉＯ2を成分とするガラスが添加されており、前記外装セラミック層に対して前記ＳｉＯ2の含有量は、０．５〜４０．０重量％であることを特徴とする。
【００１７】
このような範囲でＳｉＯ2を含有することによって、積層バリスタのサージ耐量の制限電圧を向上させて、サージ耐量を向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の積層バリスタの製造工程について説明する。図１は本発明の積層バリスタの概略断面図、図２は本発明の積層バリスタの分解斜視図を示す。
まず、出発原料としていずれも純度９９％以上のＺｎＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＣｏＣＯ3，ＭｎＣＯ3およびＳｂ2Ｏ3を所定量調合して混合し、混合物とした。次に、得られた混合物をボールミルを用いて粉砕し、その後、８００℃で仮焼して仮焼物を得た。さらに、得られた仮焼物を再度ボールミルを用いて粉砕した後、篩いにかけて造粒し、バリスタ材料とした。次に、得られたバリスタ材料に、Ｂ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ2を主成分とするガラスを混合して外装セラミック材料とした。さらに、バリスタ材料および外装セラミック材料にバインダー、分散剤、可塑剤を加えて有機溶剤中で攪拌してスラリーとし、これをドクターブレード法によってシート状に成形して、それぞれバリスタ用セラミックグリーンシート、外装用セラミックグリーンシートとした。
【００１９】
次に、図２に示すように、所定枚数積層したバリスタ用セラミックグリーンシート７上にＡｇ−Ｐｄ合金からなる電極ペーストをスクリーン印刷によって塗布し、内部電極用ペースト層９を形成した。そして、内部電極用ペースト層９を形成したバリスタ用セラミックグリーンシート７を所定枚数積層して特性部３とした後、さらに、その外側に外装用セラミックグリーンシート１１を所定枚数積層して外装部５を形成し、圧着して積層体２とした。
【００２０】
次に、得られた積層体２を所定の大きさに加工した後、脱バインダー処理を行い、焼成炉によって９００℃で２時間焼成し、バリスタ用セラミックグリーンシート７、外装用セラミックグリーンシート１１、内部電極ペースト９を焼結させてそれぞれ、バリスタ層、外装セラミック層、内部電極層とした。しかるのち、図１のように、バリスタ層８と、内部電極層１０と、外装セラミック層１２とからなる積層体２の面上のうち、内部電極層１０が露出している相対する面上にＡｇペーストを塗布して外部電極１３を形成して積層バリスタ１とした。
【００２１】
【実施例】
上記のようにして作製した積層バリスタのガラスの添加量を変動させて、外装セラミック材料の抵抗比とサージ耐量を測定した。その結果を表１に示す。なお、表中の※印は本発明の請求項２から請求項４における範囲外を示す。また、比較例は、バリスタ材料と外装セラミック材料とにＢ−Ｚｎ−Ｓｉ系ガラスを同量ずつ添加して焼成し、どちらも同じ絶縁抵抗値としたものである。
【００２２】
【表１】
0003832071.tif 000002
【００２３】
表１に示すように、外装用セラミック層の絶縁抵抗値Ｒ1をバリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2より大きくすると、サージ耐量が大幅に向上することがわかる。
【００２４】
また、請求項１において、外装セラミック層の絶縁抵抗値Ｒ1とバリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2との抵抗比Ｒ1／Ｒ2を１．２４〜４．５４としたのは、試料番号１のように、抵抗比Ｒ1／Ｒ2が１．２４より小さい場合には、サージ耐量が低くなり、好ましくないからである。一方、試料番号１０のように、抵抗比Ｒ1／Ｒ2が４．５４より大きい場合にも、サージ耐量が低くなり、好ましくないからである。
【００２５】
また、請求項３または請求項４において、外装セラミック層中のＳｉＯ2の添加量を０．３〜４０重量％に限定したのは、試料番号１のように、ＳｉＯ2の添加量が０．３より小さい場合には、サージ耐量が低くなり、好ましくないからである。一方、試料番号１０のように、ＳｉＯ2の添加量が４０より大きい場合にも、サージ耐量が低くなり、好ましくないからである。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の積層バリスタは、バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した特性部と、この特性部の上下面を外装する外装部とからなる積層体と、この積層体の両側面に形成された外部電極とからなる積層バリスタであって、この外装部を構成する外装セラミック層の絶縁抵抗値Ｒ1と、前記バリスタ層の絶縁抵抗値Ｒ2との比Ｒ1／Ｒ2が１．２４〜４．５４の範囲であることを特徴とする。外装セラミック層で構成されている外装部が薄くても表面放電を生じないようにすることができる。また、サージ耐量の制限電圧を向上させることができる。よって、小型化を図ることができ、かつ、サージ耐量を向上させた積層バリスタとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層バリスタを示す概略断面図。
【図２】本発明の積層バリスタの積層体を示す分解斜視図。
【図３】従来の積層バリスタを示す概略断面図。
【符号の説明】
１                積層バリスタ
２                積層体
３                特性部
５                外装部
７                バリスタ用セラミックグリーンシート
８                バリスタ層
９                内部電極用ペースト層
１０                内部電極層
１１                外装用セラミックグリーンシート
１２                外装セラミック層
１３                外部電極
【図１】
0003832071.tif 000003
【図２】
0003832071.tif 000004
【図３】
0003832071.tif 000005