(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１および第２の基板と、
第１の基板の液晶側の面に形成された複数の第１の支柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に形成された複数の第２の支柱状スペーサとを備え、
該第１の支柱状のスペーサと該第２の支柱状のスペーサは互いに一部が当接する当接領域を有し、
第１のパターンの画素と第２のパターンの画素を含む複数の画素を有し、
前記第１のパターンの画素での前記当接領域は、第１の支柱状のスペーサの右側の領域かつ前記第２の支柱状のスペーサの左側の領域であり、
前記第２のパターンの画素での前記当接領域は、第１の支柱状のスペーサの左側の領域かつ前記第２の支柱状のスペーサの右側の領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１および第２の基板のうちの一方の基板の液晶側の面に一方向に延在するゲート信号線とこのゲート信号線と直交する方向に延在するドレイン信号線が形成され、前記右方向と左方向は該ゲート信号線と平行な方向であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
第１および第２の基板のうちの一方の基板の液晶側の面に一方向に延在するゲート信号線とこのゲート信号線と直交する方向に延在するドレイン信号線が形成され、前記右方向と左方向はゲート信号線と直交する方向であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記当接領域の面積は前記第１のパターンの画素と前記第２のパターンの画素で等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される第１および第２の基板と、
第１の基板の液晶側の面に形成された複数の第１の支柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に形成された複数の第２の支柱状スペーサとを備え、該第１の支柱状のスペーサと該第２の支柱状のスペーサは互いに一部が当接する当接領域を有し、
第１のパターンの画素と第２のパターンの画素を含む複数の画素を有し、
前記第１のパターンの画素と、前記第２のパターンの画素は、前記第１及び第２の基板にずれが生じた際、当接領域の面積の変化する方向が互いに逆であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置およびその製造方法に係り、液晶を介して対向配置される各基板の間のギャップを確保するためいわゆる支柱状のスペーサが設けられている液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各基板の間のギャップを確保するためのスペーサとして支柱状のそれを用いることは、所定の位置に形成でき、また、各スペーサの高さを均一にできるという効果を奏する。
【０００３】
すなわち、該スペーサは、各基板のうち一方の基板の液晶側の面に形成した膜厚の均一なたとえば樹脂層をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングすることによって形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような構成からなる液晶表示装置は、一方の基板側に形成された支柱状のスペーサの頂部は他方の基板側に当接されているのみであることから、種々の事情によりそれらの間が離間してしまうことがあることが指摘されるに至った。
【０００５】
このことは、液晶層の厚みの均一性が阻害されることになり、スペーサ本来の機能を達成しえなくなることを意味する。
【０００６】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は信頼性のある支柱状スペーサを備える液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される第１および第２の基板と、第１の基板の液晶側の面に形成された複数の第１の支柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に形成された複数の第２の支柱状スペーサとを備え、該第１の支柱状のスペーサと該第２の支柱状のスペーサは互いに一部が当接する当接領域を有し、第１のパターンの画素と第２のパターンの画素を含む複数の画素を有し、前記第１のパターンの画素での前記当接領域は、第１の支柱状のスペーサの右側の領域かつ前記第２の支柱状のスペーサの左側の領域であり、前記第２のパターンの画素での前記当接領域は、第１の支柱状のスペーサの左側の領域かつ前記第２の支柱状のスペーサの右側の領域であることを特徴とするものである。
【０００８】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される第１および第２の基板と、第１の基板の液晶側の面に形成された複数の第１の支柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に形成された複数の第２の支柱状スペーサとを備え、該第１の支柱状のスペーサと該第２の支柱状のスペーサは互いに一部が当接する当接領域を有し、第１のパターンの画素と第２のパターンの画素を含む複数の画素を有し、前記第１のパターンの画素と、前記第２のパターンの画素は、前記第１及び第２の基板にずれが生じた際、当接領域の面積の変化する方向が互いに逆であることを特徴とするものである。
【００２５】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置およびその製造方法の実施例を図面を用いて説明をする。
実施例１．
《全体の構成》
図２は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示しているが、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
【００２７】
同図において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２８】
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００２９】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００３０】
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
【００３１】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００３２】
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００３３】
なお、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ１と平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっていることから、この種の液晶表示装置はいわゆる横電界方式と称される場合がある。
【００３４】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子ＧＬＴを構成するようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００３５】
垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３６】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子ＤＬＴを構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００３７】
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３８】
また、ｘ方向に併設された各画素領域に共通な前記対向電圧信号線ＣＬはたとえば図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。
【００３９】
前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
【００４０】
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００４１】
また、図３は図２のIII−III線における断面を示した図である。シール材ＳＬによって囲まれた液晶表示部ＡＲ内において、たとえば透明基板ＳＵＢ２側に固定された支柱状のスペーサＳＰが散在されて配置され、このスペーサＳＰの頂部が透明基板ＳＵＢ１側に当接されることによって、各透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間のギャップを均一に確保せんとしている。
【００４２】
ここで、該スペーサＳＰは、たとえば透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成されたたとえば樹脂層をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングすることによって形成されるもので、任意の個所にそれぞれ高さを均一にして形成できる効果を奏する。
【００４３】
《製造方法》
図１（ａ）、（ｂ）は、上述した構成からなる液晶表示装置において、一方の透明基板側に形成された支柱状のスペーサＳＰを他方の透明基板側に密接させるための方法を示した図である。なお、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。
【００４４】
同図において、シール材ＳＬによって固着された各透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２からなる液晶セルがある。この液晶セルはシール材ＳＬの一部に形成される液晶封入口ＩＮＪを通して液晶を封入した段階を示し、いまだ該液晶封入口ＩＮＪは封止されていない状態となっている。
【００４５】
そして、このような液晶セルの各透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のうち一方の透明基板の表面にその端辺側からローラＲＬを当接させ、該端辺と対向する他の端辺側へ該ローラＲＬを回転させながら進行させるようにしている。
【００４６】
このローラＲＬの進行の際に、該ローラＲＬによって該一方の透明基板を加圧させ続け、これにより、いずれかの透明基板側に形成された支柱状のスペーサＳＰを他方の透明基板側に密接させるようにしている。
【００４７】
この場合、ローラＲＬを当接させる基板の端辺は液晶封入口ＩＮＪが設けられていない側であって、該端辺と対向する他の端辺を液晶封入口ＩＮＪが設けられている側とすることによって、シール材ＳＬ内の余剰液晶が該液晶封入口ＩＮＪから排出されやすくなる。
【００４８】
ローラＲＬとこれに当接される透明基板は線接触でなされ、該ローラＲＬからの加圧は線接触された小さな面積をとおしてなされることから、一方の透明基板に対する他方の透明基板の加圧力を大幅に大きくすることができるようになる。
【００４９】
そして、ローラＲＬの一定量の移動で加圧が完了するため、タクトタイムを大幅に低減できるとともに、１枚ごとの枚葉処理に適し、高速で高生産性のプロセスを達成することができるようになる。
【００５０】
さらに、圧力の変更のみで様々な基板サイズに容易に対応できるため、多品種の交流生産を実現することができるようになる。
なお、ローラＲＬによる加圧がなされた後には、シール材ＳＬの液晶封入口ＩＮＪをたとえば封止剤を用いて封止するようにする。
【００５１】
上述した実施例では、液晶セルに対してローラＲＬを進行させた場合を示したが、図４（ａ）に示すように、搬送用ローラ等を用いてローラＲＬに対して液晶セルを移動させるようにしてもよいことはいうまでもない。
【００５２】
また、液晶セルに対するローラＲＬの加圧は一方の基板側にのみ限定されることはなく、たとえば図４（ｂ）に示すように、双方の基板側から加圧するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００５３】
《考察》
従来、一方の透明基板に対する他方の透明基板の加圧は、該他方の透明基板の定められた一領域を加圧し、その圧力を液晶セルの全域に分散させるようにしていた。
【００５４】
このため、該加圧に制限が生じ、柱状のスペーサＳＰの存在にも拘わらず、該スペーサＳＰの頂部がそれに対向する側の透明基板から離間されてしまうことが確認される。
【００５５】
すなわち、通常温度にあってスペーサＳＰの頂部がそれに対向する側の透明基板に密着していても、温度が上昇することによって液晶が膨張し、それによって各透明基板のギャップが増大してしまうからである。
【００５６】
この場合、たとえば図５に示すように液晶パネルを立てた状態のまま配置させている場合、液晶がその重力によって下側に移動し、この部分においてたとえば黄変した表示がなされる程度にギャップが増大してしまう。
【００５７】
液晶材料の熱膨張率は約７×１０−４／℃であり、温度変化による液晶の膨張量は図６に示すように変化する。そして、液晶セル内はいわゆる閉鎖系であるため、液晶の膨張分は全てギャップの増大として顕れ、たとえば６０℃の場合、液晶セル全面で０．１μｍのギャップ増大が生じてしまう。
【００５８】
このとき、負圧（大気圧とスペーサＳＰからの応力により液晶に均一に圧力が加わる状態）が維持されていれば液晶の移動は起きない。それには、想定温度状態（たとえば６０℃）で、スペーサＳＰがその頂部と対向する基板から離間されないようにする必要がある。
【００５９】
これは、たとえば２５℃で、予めスペーサＳＰを０．１μｍつぶして弾性変形するように形成すれば、６０℃でも液晶の膨張にスペーサＳＰの弾性変形からの回復が追従するため、液晶の重力による移動を回避することができる。
【００６０】
このことから、上述した液晶表示装置の製造方法は、ローラＲＬとこれに当接される透明基板は線接触でなされ、該ローラＲＬからの加圧は線接触された小さな面積をとおしてなされることから、一方の透明基板に対する他方の透明基板の加圧力を大幅に大きくすることができるようになり、各スペーサＳＰの頂部は、それと対向する透明基板側と弾性変形を起して密着させることができる。
【００６１】
このため、たとえば６０℃でも液晶の膨張に該スペーサＳＰの弾性変形からの回復が追従するため、液晶の重力による移動を回避することができるようになる。
【００６２】
なお、上述した液晶表示装置は、いわゆる横電界方式と称されるものを対象として説明したものであるが、これに限定されることはなく、いわゆる縦電界方式と称される液晶表示装置にも適用できることはいうまでもない。
【００６３】
図７は、縦電界方式と称される液晶表示装置の一実施例を示す構成図で、図２と対応した図となっている。
【００６４】
図２の場合と比較して異なる構成は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴにある。すなわち、画素電極ＰＸは画素領域のほぼ全域を被って形成され、その材料はたとえばITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化スズ）、In2O3（酸化インジウム）等の透光性の導電層で形成されている。
【００６５】
また、対向電極ＣＴは透明基板ＳＵＢ１と対向して配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成され、その材料も上述した透光性の導電層で形成されている。
【００６６】
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の液晶は、該各電極の間を透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向に生じる電界によって挙動することから、縦電界方式と称される所以となっている。
【００６７】
このような構成からなる液晶表示装置においても、透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２とのギャップ確保に上述したような支柱状のスペーサＳＰを用い、上述した製造方法をそのまま適用できる。
【００６８】
参考例１．
図８は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一参考例を示す図である。
この参考例は、液晶が高温で膨張することによる負圧消失を防ぐ方法からなり、予め、高温状態すなわち液晶が膨張した状態で余剰液晶を排出するようにしている。
【００６９】
同図に示すように、液晶が封入された液晶セルを加熱用チャンバに入れ、この加熱チャンバ内で該液晶セルの透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の加圧を行なう。この場合の加圧は、機械的な圧力であってもガスによる圧力であってもよい。
【００７０】
このようにすれば、室温近傍の実使用状態では液晶は収縮した状態となり、高温の膨張した状態でも余剰液晶が生じない状態となる。
【００７１】
また、図９（ａ）ないし（ｃ）は、同様の技術思想を用いた他の参考例を示したものである。図９（ａ）に示すように、加熱用チャンバ内に液晶ボートと液晶セルを配置させ、該加熱用チャンバ内を加熱とともに真空にする。その後、液晶セルの液晶封入口ＩＮＪを液晶ボートに当接させた状態で、図９（ｂ）に示すように、加熱用チャンバ内を徐々に大気圧に戻すようにする。この場合、加熱ガスを供給するようにすることが望ましい。そして、図９（ｃ）に示すように、液晶セル内に液晶が封入された状態からたとえば１時間以内で該液晶セルを液晶ボートから離間させる。
【００７２】
このようにすることによって、液晶セル内の液晶は膨張し、かつ大気圧が加わった状態になる。その後、封止された液晶はその体積が実使用状態では低減され、負圧のかかった状態となっている。
【００７３】
参考例２．
図１０（ａ）は本発明による液晶表示装置の画素の一参考例を示す平面図である。また、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００７４】
図１０（ａ）に示す画素は図２の各画素領域の画素領域における構成を示し、いわゆる横電界方式のものとなっている。
【００７５】
まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００７６】
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
【００７７】
このようにゲート信号線ＧＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されている。
【００７８】
この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能等を有するようになっている。
【００７９】
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００８０】
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS（metal  insulator  semiconductor）型トランジスタを構成することができる。
【００８１】
ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００８２】
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００８３】
また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。
【００８４】
すなわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続が図れるようになっている。
【００８５】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００８６】
なお、この保護膜ＰＡＳは樹脂等の有機材料層、あるいはＳｉＮのような無機材料層と樹脂等の有機材料層の順次積層体から構成されている。このように保護膜ＰＡＳとして少なくとも有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を低減させることにある。
【００８７】
保護膜ＰＡＳの上面には対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸと同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸを間にして位置付けるようにして配置されている。
【００８８】
すなわち、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸは、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置されている。
【００８９】
ここで、画素領域の両側に位置づけられる対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
【００９０】
換言すれは、ドレイン信号線ＤＬ上には対向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
【００９１】
このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端することを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それがノイズとなってしまうからである。
【００９２】
電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からなる対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっている。
【００９３】
ここで、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬは金属等の非透光性の材料で形成してもよいが、たとえばITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc  Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化スズ）、In2O3（酸化インジウム）等の透光性の導電層で形成することにより、画素のいわゆる開口率を向上させることができる。
【００９４】
ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからはみ出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸの接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＡＳを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
【００９５】
この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。
【００９６】
また、前記対向電極ＣＴの上面であって、ゲート信号線ＧＬの一部に重畳する領域には支柱状のスペーサＳＰ１が形成されている。このスペーサＳＰはたとえば樹脂層から構成され、透明基板ＳＵＢ１の表面の全域に形成された樹脂層をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングをすることによって形成されている。
【００９７】
そして、該スペーサＳＰ１の高さは、透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２の設定されたギャップの約半分の高さに形成されている。これは、後述するように、透明基板ＳＵＢ２側に形成された別個の支柱状のスペーサＳＰ２とともに、前記ギャップを確保せんとしているためである。
【００９８】
そして、このようにスペーサＳＰ１が形成された透明基板ＳＵＢ１の上面には該スペーサＳＰ１をも被って配向膜ＡＬ１が形成されている。この配向膜ＡＬ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００９９】
このように形成された透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部ＡＲに形成されたブラックマトリクスＢＭは各画素領域の周辺部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これにより表示のコントラストの向上を図っている。
【０１００】
また、このブラックマトリクスＢＭは透明基板ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うようにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を回避するようになっている。
【０１０１】
ブラックマトリクスが形成された透明基板の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口を被ってカラーフィルタＣＦが形成されている。このカラーフィルタＣＦはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青(Ｂ)の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成され、該画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に緑（Ｇ）色、青(Ｂ)色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成されている。
【０１０２】
ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＣＦが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面にはこれらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＣＦをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦化膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＣＦの形成によって顕在化する段差をなくすために設けられる。
【０１０３】
そして、この平坦化膜ＯＣの上面であって、透明基板ＳＵＢ１側に形成したスペーサＳＰ１と互いに頂部が当接するように支柱状のスペーサＳＰ２が形成されている。このスペーサＳＰもたとえば樹脂層から構成され、透明基板ＳＵＢ２の表面の全域に形成された樹脂層にフォトリソグラフィ技術による選択エッチングをすることによって形成されている。
【０１０４】
そして、該スペーサＳＰ２の高さは、透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２の設定されたギャップの約半分の高さに形成されている。
【０１０５】
ここで、スペーサＳＰ１に対してスペーサＳＰ２は若干ずれた位置に形成され、これにより、それらの頂部においても若干ずれるようにして互いに当接されている。
【０１０６】
このことは、たとえばスペーサＳＰ１をゲート信号線ＧＬの走行方向における中心軸に対して−ｙ方向にずらすようにして配置させるのに対して、スペーサＳＰ２をｘ方向に走行するブラックマトリクスＢＭの中心軸に対して+ｙ方向にずらすようにして配置させることによって形成することができる。
【０１０７】
このようにした理由は、透明基板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２側から圧力が加えられた場合に、スペーサＳＰ１、ＳＰ２の各当接部の接触面積が低減されるため、単位面積あたりに発生する圧力を大幅に大きくし、これにより、各スペーサＳＰ１、ＳＰ２の該当接部において弾性変形を生じせしめることにある。
【０１０８】
さらに、このスペーサＳＰ２が形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には該スペーサＳＰ２をも被って配向膜ＡＬ２が形成され、この配向膜ＡＬ２は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【０１０９】
上述した参考例では、スペーサＳＰ１を対向電極ＣＴ上に形成したものであるが、これに限定されることはなく、たとえば図１１に示すように、保護膜ＰＡＳ上にスペーサＳＰ１を形成し、このスペーサＳＰ１を被うようにして対向電極ＣＴを形成するようにしても同様の効果を奏する。対向電極ＣＴが介在しても各スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部は弾性変形されるからである。
【０１１０】
参考例３．
図１２は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図１０に対応した図となっている。
図１２に示す画素は図７の各画素領域の画素領域における構成を示し、いわゆる縦電界方式のものとなっている。
【０１１１】
すなわち、透明基板ＳＵＢ１上の薄膜トランジスタＴＦＴを被って形成される保護膜ＰＡＳの上面の画素領域内の大部分を被うようにして透光性の導電層からなる画素電極ＰＸが形成され、この画素電極ＰＸは透明基板ＳＵＢ２側の各画素領域に共通に形成されたやはり透光性の導電層からなる対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめるようになっている。
【０１１２】
このような構成において、ゲート信号線ＧＬの上方であって画素電極ＰＸに一部重ねられるようにして支柱状のスペーサＳＰ１が形成され、また、透明基板ＳＵＢ２側にはスペーサＳＰ２が該スペーサＳＰ１に対して若干ずれた位置に形成され、これにより、スペーサＳＰ１、ＳＰ２の各頂部は若干ずれるようにして互いに当接されている。
【０１１３】
上述した参考例では、スペーサＳＰ１を画素電極ＰＸに一部重ねられるように形成したものであるが、これに限定されることはなく、たとえば図１３に示すように、画素電極ＰＸの外輪郭を画素領域側へ若干移動させるようにして形成し、該画素電極ＰＸの形成されていない保護膜ＰＡＳ上に該スペーサＳＰ１を形成するようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１１４】
実施例２．
図１４（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
同図は、透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２との間に散在されて形成される前記図１０（ｂ）等に示した一対のスペーサのうち、場所を異にして形成された２組のスペーサを示した図である。
【０１１５】
すなわち、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、一方の組の支柱状スペーサＳＰ１（Ａ）が形成され、他方の組の支柱状スペーサＳＰ１（Ｂ）が形成されている。
【０１１６】
この場合、前記支柱状スペーサＳＰ１（Ａ）は、ゲート信号線ＧＬと直交する仮想線Ｑに対して、図中左側へずれて形成され、支柱状スペーサＳＰ１（Ｂ）は図中右側へずれて形成されている。
【０１１７】
また、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に、一方の組の支柱状スペーサＳＰ２（Ａ）が形成され、他方の組の支柱状スペーサＳＰ２（Ｂ）が形成されている。
【０１１８】
この場合、前記支柱状スペーサＳＰ２（Ａ）は、前記仮想線Ｑに対して、図中右側へずれて形成され、支柱状スペーサＳＰ２（Ｂ）は図中左側へずれて形成されている。
【０１１９】
このように構成された液晶表示装置は、透明基板ＳＵＢ２が透明基板ＳＵＢ１に対してゲート信号線ＧＬの走行方向右側へずれて固定された場合に、各組の各支柱状スペーサの位置関係は図１４（ｂ）に示すようになり、また、左側へずれて固定された場合に、図１４（ｃ）に示すようになる。
【０１２０】
このことから、各組のうち一方の組のスペーサの当接領域が大きくなってしまうのに対して、他方の組のスペーサの当接領域が小さくなり、たとえ基板のずれが生じても、全体として各スペーサの当接領域の面積変化は少なくなることが明らかとなる。
【０１２１】
この場合、支柱状スペーサＳＰ１（Ａ）に対する支柱状スペーサＳＰ１（Ｂ）の前記ずれの量を支柱状スペーサＳＰ２（Ａ）に対する支柱状スペーサＳＰ２（Ｂ）の前記ずれの量とほぼ等しく設定することにより全体として各スペーサの当接領域の面積変化をほとんどなくすことができる。
【０１２２】
この実施例では、透明基板ＳＵＢ２が透明基板ＳＵＢ１に対してゲート信号線ＧＬの走行方向へずれることを予定して前記仮想線Ｑを想定したものである。しかし、透明基板ＳＵＢ２が透明基板ＳＵＢ１に対してゲート信号線ＧＬの走行方向と直交する方向へずれることを予定して前記仮想線Ｑをゲート信号線ＧＬの走行方向と平行になるように想定するようにしてもよいことはもちろんである。
【０１２３】
なお、前記仮想線Ｑは、必ずしもこの仮想線Ｑ上に対比される各組のスペーサを位置づけて配置させることを目的として設定される必要のないものである。たとえば図１４（ａ）の場合を例にして説明すれば、一方の組の一対のスペーサは他方の組の一対のスペーサに対してｘ方向に互いにずれて形成されていてもよい。この場合、一方の組のスペーサの仮想線Ｑは他方の組のスペーサの仮想線Ｑは前記ずれに応じたずれ量でずれたものとして設定されることになる。
【０１２４】
実施例３．
図１５（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
同図は、液晶表示部ＡＲ内において、実施例２に示した対比する各組のスペーサの配置状態を示している。
【０１２５】
すなわち、同図では、４組の各スペーサがほぼ等しい間隔で菱形の各角部に相当する位置に形成され、しかも、ずれの相殺がなされる２組の各スペーサが対称的に配置されている。画面全域の均一性化を図るためである。ここで、パターンＡは図１４（ａ）に示した各組の一方の一対のスペーサを、パターンＢは他方のスペーサを示している。
【０１２６】
この趣旨で、各スペーサを全画素領域に散在させた平面図を図１５（ｂ）および図１５（ｃ）に示している。
【０１２７】
ここで、図１５（ｂ）はゲート信号線ＧＬに沿って各画素領域毎にスペーサを配置させた場合を示し、図１５（ｃ）は一つおきの画素領域毎に、かつ隣接する側のゲート信号線ＧＬ側に形成されたスペーサとは交互に配置されるようにしたものである。
【０１２８】
参考例４．
図１６は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す説明図である。
同図は、液晶表示部ＡＲ内に散在される３種類のパターンのスペーサを示している。
【０１２９】
そのうちの一つは、一対の各スペーサをｘ方向にずれさせて配置させたもの、他の一つはｘ方向に対して−４５°方向にずれさせて配置させたもの、他の一つはｘ方向に対して＋４５°方向にずれさせて配置させたものである。
【０１３０】
このような各スペーサを有する液晶表示装置は、最小限の種類のスペーサによって透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２のあらゆる方向へのずれによっても、互いに当接する各スペーサの当接面積の不変を維持させることができるようになる。
【０１３１】
また、図１７（ａ）ないし図１７（ｃ）は、上述した各種類のスペーサを液晶表示部ＡＲ内に散在させて配置させた場合の平面図を示している。
【０１３２】
これらはいずれも、各種類のスペーサによって三角形を構成するようにして配置され、かつ、同種類のスペーサが隣接して配置されないようにしている。局所的な圧力変動にも対処するようにするためである。
【０１３３】
参考例５．
図１８は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す説明図である。
同図は、実施例５で示したｘ方向のずれを相殺する２組のスペーサとｙ方向のずれを相殺する２組のスペーサとを混在させて液晶表示部ＡＲに配置させることを示したものである。
【０１３４】
この場合にあって、たとえ透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２のあらゆる方向へのずれが発生しても、透明基板ＳＵＢ１側に形成された支柱状スペーサＳＰ１と透明基板ＳＵＢ２側に形成された支柱状スペーサＳＰ２の当接面積を不変に維持させることができる。
【０１３５】
また、図１９（ａ）ないし図１９（ｄ）は、それぞれ、上述した各種スペーサを液晶表示部ＡＲ内に配置させる場合の配置態様の参考例を示した図である。図１９（ａ）はずれの生じる方向に対になるように配置させ、図１９（ｂ）は平均化した配置をさせることにより局所的変動を防止し、図１９（ｃ）は各種のスペーサをｘ方向およびｙ方向に互いに違いになるように配置させ、図１９（ｄ）は複数画素単位で種々の配置をさせたものである。
【０１３６】
参考例６．
図２０は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図１０に対応した図となっている。
【０１３７】
図１０と比較して異なる構成は、支柱状のスペーサＳＰは、透明基板ＳＵＢ２側にのみ形成されており、その頂部はたとえば透明基板ＳＵＢ１側の対向電圧信号線ＣＬに対向するようにして配置されている。
【０１３８】
そして、該対向電圧信号線ＣＬには、該支柱状のスペーサＳＰの頂部の一部が対向し他の残りの部分が対向することのないようなたとえば矩形状の孔開け部が形成されている（凹陥部の形成）。
【０１３９】
該支柱状のスペーサＳＰの頂部が透明基板ＳＵＢ１側に当接する面積を小さくし、そこに作用する圧力を大幅に大きくせんがためである。
【０１４０】
なお、前記対向電極ＣＴの厚さとしては０．１μｍ以上に設定することが望ましい。６０℃で０．１μｍの液晶ギャップ膨張が生じるので、スペーサＳＰの伸縮はこれに追従できる必要があり、高温状態でも対向電極ＣＴにスペーサＳＰの一部が当接している状態を維持させるためである。
【０１４１】
また、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２のずれを考慮した場合、スペーサＳＰの頂部の幅は前記孔開け部の幅よりも大きくすることが望ましい。
【０１４２】
さらに、この場合ｙ方向に隣接する画素領域においてもほぼ同様な構成となっているが、一方の画素領域における支柱状のスペーサＳＰは、該孔開け部のｙ方向と直交する各辺のうち一方の側の辺の一部に対向するように配置されているのに対して、他方の画素領域における支柱状のスペーサＳＰは、該孔開け部のｙ方向と直交する各辺のうち他方の側の辺の一部に対向するように配置されている。
【０１４３】
このようにした場合、透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２がｙ方向にずれて配置されたとしても、一方の支柱状のスペーサＳＰの透明基板ＳＵＢ１側との当接領域の面積が大きくなるのに対して、他方の支柱状のスペーサＳＰの透明基板ＳＵＢ１側との当接領域の面積が小さくなり、全体として各スペーサＳＰの透明基板ＳＵＢ１との当接領域の面積を不変とすることができる効果を奏する。
【０１４４】
上述した参考例では、透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＢＵ２がｙ方向にずれて配置された場合の不都合を解消したものであるが、ｘ方向にずれて配置された場合の不都合を解消する構成としてもよいことはもちろんである。
【０１４５】
参考例７．
図２１は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図１２に対応した図となっている。
【０１４６】
この参考例の場合も参考例６と同様の趣旨に基づくもので、ｙ方向に互いに隣接する各画素領域に形成されている各画素電極ＰＸの間の領域に、前記対向電極ＣＴに形成された孔開け部の機能をもたせている。
【０１４７】
この場合において該画素電極ＰＸの厚みを０．１μｍ以上とすることが望ましいことは上述した通りである。
【０１４８】
参考例８．
図２２は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２０に対応した図となっている。
【０１４９】
図２０と比較して異なる構成は、透明基板ＳＵＢ２側に形成されたスペーサＳＰの頂部は透明基板ＳＵＢ１側のゲート信号線ＧＬに、すなわちｙ方向に互いに隣接する各画素領域のそれぞれの画素電極ＰＸの間の領域に対向するように位置づけられるが、該スペーサＳＰの頂部の幅は前記各画素電極ＰＸの間の幅よりも充分に大きく形成されていることにある。
【０１５０】
このようにした場合、透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２がｙ方向に位置ずれをおこしても、図２３に示すように、スペーサＳＰの頂部の透明基板ＳＵＢ１側への当接面積を不変とすることができる。
【０１５１】
また、透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２がｙ方向に位置ずれをおこした場合にもスペーサＳＰの頂部の透明基板ＳＵＢ１側への当接面積を不変とすることができる。
【０１５２】
参考例９．
図２４（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２２（ａ）に対応した図となっている。
【０１５３】
図２４（ａ）の構成は、参考例８に示した構成の趣旨に基づいてなされた他の参考例であり、
透明基板ＳＵＢ２側に形成されたスペーサＳＰの頂部は透明基板ＳＵＢ１側のドレイン信号線ＤＬに、すなわちｘ方向に互いに隣接する各画素領域のそれぞれの画素電極ＰＸの間の領域に対向するように位置づけられ、該スペーサＳＰの頂部の幅は前記各画素電極ＰＸの間の幅よりも充分に大きく形成されている。このような場合も参考例８と同様な効果を得る。
【０１５４】
さらに、図２４（ｂ）に示すように、スペーサＳＰをゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬの交差部に配置させても同様な効果を得ることができる。
【０１５５】
また、図２４（ｃ）は、横電界方式の画素を有する液晶表示装置に適用させた他の参考例であり、透明基板ＳＵＢ２側に形成したスペーサＳＰを、その頂部が対向電圧信号線ＣＬに形成した孔開け部に対向させるとともに、該孔開け部を充分に跨ぐように配置させたものである。
【０１５６】
参考例１０．
図２５（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２２に対応させた図である。
【０１５７】
図２２と比較して異なる構成は、画素電極ＰＸには、たとえばy方向に延在するとともにその両端のそれぞれに二股に分岐する孔開け部が形成されている。
【０１５８】
この孔開け部は、いわゆるマルチドメイン方式と称されるもので、液晶表示装置の表示面を観察する際に、その観察する方向によって色調が変換するのを回避する構成としたものである。
【０１５９】
そして、透明基板ＳＵＢ２側に形成されたスペーサＳＰを画素領域内に形成し、その頂部を前記孔開け部に対向するようにして配置させたものである。
【０１６０】
この場合、参考例１０に示した効果を奏するために、スペーサＳＰをその頂部が該孔開け部を充分に跨ぐように形成している。
【０１６１】
また、図２５（ｂ）に示すように、スペーサＳＰの頂部の一部が画素電極ＰＸに対向するように、残りの他の部分が孔開け部に対向するように構成してもよい。
【０１６２】
参考例１１．
図２６は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２４（ｃ）と対応した図となっている。
【０１６３】
図２４（ｃ）と比較して異なる構成は、まず、対向電極ＣＴに基準信号を供給するための対向電圧信号線ＣＬ１が、たとえばゲート信号線ＧＬと同層に形成されていることにある。
【０１６４】
対向電圧ＣＴを構成する材料によっては電気的抵抗の大きなものを使用しなければならない場合等において、前記対向電圧信号線ＣＬ１を電気的抵抗の小さな材料で構成することによって有効な構成となる。
【０１６５】
この場合、該対向電圧信号線ＣＬ１と対向電極ＣＬとの電気的接続は保護膜ＰＡＳ、絶縁膜ＧＩに形成するスルーホールＴＨを通してなされ、この場合、画素領域内に該スルーホールＴＨによる凹陥部が形成されることになる。
【０１６６】
そして、透明基板ＳＵＢ２側に形成した支柱状のスペーサＳＰは該スルーホールＴＨに対して一部ずらして対向させるようにして形成している。
【０１６７】
このように構成することによって、該支柱状のスペーサＳＰの頂部の透明基板ＳＵＢ１側への当接面積を小さくすることができる。
【０１６８】
また、対比する他の支柱状のスペーサＳＰとの関係において、実施例２等に示したような配置関係を持たせることによって、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の位置ずれによる不都合を解消することができる。
【０１６９】
参考例１２．
図２７は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２６と対応した図となっている。
【０１７０】
本参考例において、透明基板ＳＵＢ２側に形成した支柱状のスペーサＳＰはその頂部がスルーホールＴＨを充分被うようにして対向させるようにして配置している。
【０１７１】
このように構成した場合、透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２に位置づれが生じても、支柱状のスペーサＳＰの透明基板ＳＵＢ１側への当接面積を不変に維持させることができる効果を奏する。
【０１７２】
参考例１３．
図２８は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２０と対応した図となっている。
【０１７３】
図２０と比較して異なる構成は、透明基板ＳＵＢ２側に形成された支柱状のスペーサＳＰは、その頂部が透明基板ＳＵＢ１側のドレイン信号線ＤＬの一部に対向するようにして配置され、かつ、該ドレイン信号線ＤＬの幅を充分に被うようにして形成されている。
【０１７４】
上述した各参考例では、スペーサＳＰの頂部に対向する部分は凹陥部が形成されていることを示したものであるが、該凹陥部の代わりに突起部であっても同様の効果を奏する。
【０１７５】
参考例１４．
図２９は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、図２８と対応した図となっている。
【０１７６】
図２８と比較して異なる構成は、ゲート信号線ＧＬの上方の一部において、突起部を形成するための導電層を形成し、該突起部によってたとえば図２４（ｃ）に示したように対向電極ＣＴに形成した孔開け部と同様の機能をもたせている。
【０１７７】
参考例１５．
図３０は、本発明による液晶表示装置の他の参考例を示す構成図で、たとえば図２５（ａ）と対応した図となっている。
【０１７８】
図２５（ａ）と比較して異なる構成は、まず、マルチドメイン方式を画素領域内に設けた突起部によって行なうものであり、この突起部に対向して配置される支柱状のスペーサＳＰはその頂部が該突起部の幅を充分被うようにして形成されている。
【０１７９】
また、図３１（ａ）ないし図３１（ｃ）にそれぞれ示すように、支柱状のスペーサＳＰの頂部の一部が前記突起部に対向し、残りの他の部分が該突起部に対向しないように配置するようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１８０】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、信頼性のある支柱状スペーサを備えるものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す説明図である。
【図２】  本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。
【図３】  図２のIII−III線における断面図である。
【図４】  本発明による液晶表示装置の製造方法の他の実施例を示す説明図である。
【図５】  本発明を適用しない場合の不都合を示す断面図である。
【図６】  液晶の温度に対する膨張量を示すグラフである。
【図７】  本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。
【図８】  本発明による液晶表示装置の製造方法の参考例を示す説明図である。
【図９】  本発明による液晶表示装置の製造方法の参考例を示す説明図である。
【図１０】  本発明による液晶表示装置の画素の参考例を示す構成図である。
【図１１】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す断面図である。
【図１２】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図１３】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す断面図である。
【図１４】  本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す説明図である。
【図１５】  本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す説明図である。
【図１６】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す説明図である。
【図１７】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す説明図である。
【図１８】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す説明図である。
【図１９】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す説明図である。
【図２０】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２１】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２２】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２３】  図２２に示した構成による効果を示す説明図である。
【図２４】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す平面図である。
【図２５】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す平面図である。
【図２６】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２７】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２８】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図２９】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図３０】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す構成図である。
【図３１】  本発明による液晶表示装置の画素の他の参考例を示す平面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…透明基板、ＳＬ…シール剤、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ，Ｃａｄｄ…容量素子、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＰＡＳ…保護膜、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２…支柱状のスペーサ。
【図１】
0003842676.tif 000002
【図２】
0003842676.tif 000003
【図３】
0003842676.tif 000004
【図４】
0003842676.tif 000005
【図５】
0003842676.tif 000006
【図６】
0003842676.tif 000007
【図７】
0003842676.tif 000008
【図８】
0003842676.tif 000009
【図９】
0003842676.tif 000010
【図１０】
0003842676.tif 000011
【図１１】
0003842676.tif 000012
【図１２】
0003842676.tif 000013
【図１３】
0003842676.tif 000014
【図１４】
0003842676.tif 000015
【図１５】
0003842676.tif 000016
【図１６】
0003842676.tif 000017
【図１７】
0003842676.tif 000018
【図１８】
0003842676.tif 000019
【図１９】
0003842676.tif 000020
【図２０】
0003842676.tif 000021
【図２１】
0003842676.tif 000022
【図２２】
0003842676.tif 000023
【図２３】
0003842676.tif 000024
【図２４】
0003842676.tif 000025
【図２５】
0003842676.tif 000026
【図２６】
0003842676.tif 000027
【図２７】
0003842676.tif 000028
【図２８】
0003842676.tif 000029
【図２９】
0003842676.tif 000030
【図３０】
0003842676.tif 000031
【図３１】
0003842676.tif 000032