(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２０）と、前記基板の一面上にバンプ（１３）を介して搭載された電子部品（１０）とを備え、前記基板のうち前記電子部品の外周部に樹脂（３０）を塗布し、毛細管現象を利用して前記電子部品と前記基板の一面との間に前記樹脂を充填してなる電子部品の実装構造において、
前記基板の一面は、前記基板を構成する材質よりも前記樹脂の接触角の小さい材質からなる被覆膜（２３）にて被覆されており、
この被覆膜と前記電子部品との間に前記樹脂が充填されており、
前記被覆膜における前記樹脂の接触角に対する前記電子部品における前記樹脂の接触角の比が１よりも大きいことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記基板（２０）を構成する材質はセラミックであり、前記被覆膜（２３）はポリイミド系樹脂からなるものであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。
【請求項３】
基板（２０）と、前記基板の一面上にバンプ（１３）を介して搭載された電子部品（１０）とを備え、前記基板のうち前記電子部品の外周部に樹脂（３０）を塗布し、毛細管現象を利用して前記電子部品と前記基板の一面との間に前記樹脂を充填してなる電子部品の実装構造において、
前記電子部品における前記基板の一面に対向する面に、前記バンプの高さよりも小さい凹凸部を形成して、前記基板の一面とそれに対向する前記電子部品の面との前記樹脂の流れ速度の差を小さくしたことを特徴とする電子部品の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の一面上にバンプを介して電子部品を搭載し、電子部品と基板の一面との間に樹脂を充填してなる電子部品の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等の電子部品を基板上にフリップチップ実装するものにおいて、その実装時に、接合部であるバンプが熱疲労により破断するのを防止するために、電子部品下にアンダーフィルとしての樹脂（つまり、アンダーフィル樹脂）を充填することにより応力を緩和し接続寿命を向上させた実装構造がある。
【０００３】
図１４は、従来のこの種の一般的な実装構造を形成するための実装方法について、電子部品としてのウェハレベルＣＳＰ１０と基板としてのセラミック積層基板（セラミック配線基板）２０とをフリップチップ実装する例として示したものである。
【０００４】
図１４（ａ）に示す様に、セラミック積層基板２０の一面上にウェハレベルＣＳＰ１０が、はんだ等からなるバンプ１３を介して電気的に接続されている。この構造は、例えばウェハレベルＣＳＰ１０の一面に形成された各電極１２に接続用のバンプ１３を形成した後、このバンプ１３と、セラミック積層基板２０の一面に形成された表面電極２２とを、はんだリフロー処理する等によって電気的に接続することで形成される。
【０００５】
次に、図１４（ｂ）に示す様に、セラミック積層基板２０のうちウェハレベルＣＳＰ１０の外周部に熱硬化性のアンダーフィル樹脂（アンダーフィル材）３０を塗布して配置する。
【０００６】
続いて、図１４（ｃ）に示す様に、セラミック積層基板２０及びウェハレベルＣＳＰ１０全体を加熱することにより、毛細管現象を利用してウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０との間にアンダーフィル樹脂３０を注入して充填する。その後、アンダーフィル樹脂３０を硬化させる。
【０００７】
このようにして形成された実装構造においては、ウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０との間にアンダーフィル樹脂３０を充填しているため、冷熱サイクルによってバンプ１３の接合部に加わる熱応力を緩和でき、当該接合部の接続寿命を向上させることができる。
【０００８】
しかしながら、このような実装構造においては、アンダーフィル樹脂３０が、電子部品１０と基板２０との間に均一に充填されずに、アンダーフィル樹脂３０中にボイドが発生し、接続寿命やバンプ１３間の絶縁性が低下するという問題点がある。
【０００９】
その対策として、従来より、アンダーフィル樹脂３０の注入時の流れ性の向上および平面方向のアンダーフィル樹脂３０の流れの均一化を図るため、以下のような種々の方法が提案されている。
【００１０】
まず、特開昭５４−５７７号公報には、基板の電子部品に対向する部分に貫通孔を設け、注入時に発生したアンダーフィル樹脂中のボイドの空気を容易に取り除く方法が提案されている。
【００１１】
また、特開２００１−１１０８２５号公報には、はんだバンプを接続した後、完全に洗浄しきれずに残ったフラックス残渣がアンダーフィル樹脂の流れ性を悪化させるため、電子部品と基板とをはんだバンプを介して接続した後に、これをプラズマ処理して樹脂の注入部分を清浄化するプラズマ工程をとる方法が提案されている。
【００１２】
さらに、特開２０００−２７７５６５号公報には、電子部品と基板との接続部の中心部分に接続用電極（バンプ）を有さない場合において、アンダーフィル樹脂の流れ性を均一にするために当該中心部分に接続用電極とほぼ同一形状の擬似電極を設ける方法が提案されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者等の検討によれば、電子部品１０と基板２０の表面材質の組合せによっては、アンダーフィル樹脂３０中にボイドが発生し、対策が十分でないことがわかった。このことは、アンダーフィル樹脂３０の注入時に、電子部品１０側と基板２０側とでアンダーフィル樹脂３０の流れ性が異なるために、ボイドが発生すると考えられる。
【００１４】
本発明者等の考えるボイド発生のメカニズムを図１５に示す。図１５は、上記図１４において、電子部品としてのウェハレベルＣＳＰ１０と基板としてのセラミック積層基板２０との間の部分を拡大して模式的に示す図である。
【００１５】
ウェハレベルＣＳＰ１０等の電子部品の場合、当該電子部品におけるアンダーフィル樹脂３０が充填される面には、ポリイミド等の樹脂からなる樹脂層が形成されている。図１５では、この層はポリイミド層１１として示されている。このポリイミド層１１を絶縁層として電子部品１０から電極１２（図１４参照）が引き出され、バンプ１３を介してセラミック積層基板２０の表面電極（図１４参照）と接続される。
【００１６】
ここで、図１５に示すように、ウェハレベルＣＳＰ１０が基板２０よりも上側に位置する状態で、アンダーフィル材となる樹脂３０が注入される。このとき、アンダーフィル樹脂３０に対する濡れ性は、上面側となるウェハレベルＣＳＰ１０におけるポリイミド層１１の方が、下面側となるセラミック積層基板２０のセラミックよりも大きい。
【００１７】
そのため、図１５（ａ）に示すように、注入されたアンダーフィル樹脂３０はポリイミド層１１側にて速く流れ、基板２０側にて遅く流れる。このようなポリイミド層１１とセラミックとの濡れ性の相違に加えて、さらに、セラミック積層基板２０の方が表面の凹凸が大きいことや、重力によって該基板２０側におけるアンダーフィル樹脂３０の摩擦が大きいといったことも、上記流れ性の相違の要因となる。
【００１８】
また、アンダーフィル樹脂３０にフィラー３０ａが混合されている場合、重力によるフィラー３０ａの沈降によって、基板２０側のアンダーフィル樹脂３０におけるフィラー３０ａの密度が高くなり、それによって粘度の増大を招くことも上記流れ性の相違の要因となる。
【００１９】
そして、上記濡れ性の相違に加えて上記したようなその他の要因も加わることで、下面である基板２０側のアンダーフィル樹脂３０の流れ性と、上面であるポリイミド層１１側のアンダーフィル樹脂３０の流れ性とで大きな差が生じる。
【００２０】
すると、図１５（ｂ）に示すように、先に進行するポリイミド層１１側のアンダーフィル樹脂３０は、バンプ１３と衝突し、空気を巻き込んで微細なボイドを発生させる。
【００２１】
このように、基板２０とこれにフリップチップ実装された電子部品１０との間にアンダーフィル樹脂３０を注入するにあたっては、基板２０側の方のアンダーフィル樹脂３０の流れ性が、電子部品１０側の方のアンダーフィル樹脂３０の流れ性よりも悪いことから、ボイドが発生しやすい。
【００２２】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、基板の一面上にバンプを介して電子部品を搭載し、電子部品と基板の一面との間に樹脂を充填してなる電子部品の実装構造において、基板の方が電子部品よりも樹脂の流れ性が悪い場合であっても、樹脂の注入時にボイドが発生するのを抑制できるようにすることを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（２０）と、基板の一面上にバンプ（１３）を介して搭載された電子部品（１０）とを備え、基板のうち電子部品の外周部に樹脂（３０）を塗布し、毛細管現象を利用して電子部品と基板の一面との間に前記樹脂を充填してなる電子部品の実装構造において、基板の一面は、基板を構成する材質よりも樹脂の接触角の小さい材質からなる被覆膜（２３）にて被覆されており、この被覆膜と電子部品との間に樹脂が充填されており、被覆膜における樹脂の接触角に対する電子部品における樹脂の接触角の比が１よりも大きいことを特徴とする。
【００２４】
それによれば、基板の方が電子部品よりも樹脂の流れ性が悪い場合であっても、樹脂の注入時において下面となる基板の一面の樹脂流れ性を良くすることができ、上面となる電子部品の面に対して樹脂流れ性を同等レベルに近づけるか、同等またはそれ以上にすることができる。
【００２５】
その結果、上下面の樹脂の流れ速度の差を小さくすることができるため、樹脂の注入時にボイドが発生するのを大幅に低減し抑制することができる。
【００２６】
また、請求項２に記載の発明では、基板（２０）を構成する材質はセラミックであり、被覆膜（２３）はポリイミド系樹脂からなるものであることを特徴とする。
【００２７】
請求項１に記載の電子部品の実装構造において、基板や被覆膜はこのようなものにできる。
【００２８】
また、請求項３に記載の発明では、基板（２０）と、基板の一面上にバンプ（１３）を介して搭載された電子部品（１０）とを備え、基板のうち電子部品の外周部に樹脂（３０）を塗布し、毛細管現象を利用して電子部品と基板の一面との間に前記樹脂を充填してなる電子部品の実装構造において、電子部品における基板の一面に対向する面に、バンプの高さよりも小さい凹凸部を形成して、基板の一面とそれに対向する電子部品の面との前記樹脂の流れ速度の差を小さくしたことを特徴とする。
【００２９】
それによれば、基板の方が電子部品よりも樹脂の流れ性が悪い場合であっても、樹脂の注入時において上面となる電子部品の面を凹凸形状とすることでその樹脂流れ性を低下させることができる。その結果、上下面の樹脂の流れ速度の差を小さくすることができるため、樹脂の注入時においてボイドが発生するのを大幅に低減し抑制することができる。
【００３０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態相互において、同一部分には図中、同一符号を付してある。
【００３２】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の実装構造を示す概略断面図である。
【００３３】
図１においては、電子部品としてのウェハレベルＣＳＰ（チップサイズパッケージ）１０を、基板としてのセラミック積層基板２０の一面上にフリップチップ実装し、ウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０の一面との間にアンダーフィル樹脂３０が充填された状態を示している。また、図２は、図１中のウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０との接続部を接続前の状態にて拡大して示す図である。
【００３４】
図１に示すように、ウェハレベルＣＳＰ１０におけるセラミック積層基板２０の一面と対向する一面には、ポリイミド系樹脂等からなる樹脂層１１が形成されている。この樹脂層１１を絶縁層としてアルミ等からなる複数個の電極１２が引き出されて形成されており、各電極１２にははんだ等からなるバンプ１３が接続されている。
【００３５】
詳しくは、図２に示すように、ウェハレベルＣＳＰ１０の一面において、各電極１２の周囲には、シリコン窒化膜等からなる保護膜１４が形成され、この保護膜１４を覆うように樹脂層１１が形成されている。樹脂層１１は保護膜１４側から第１の樹脂層１１ａ、第２の樹脂層１１ｂの積層構造となっている。本例では、各樹脂層１１ａ、１１ｂはともにポリイミドを塗布して硬化させた膜からなる。
【００３６】
そして、各電極１２は第１の樹脂層１１ａに形成された開口部から引き出され、引き出された各電極１２は、銅等からなる再配線層１５に電気的に接続されている。
【００３７】
この再配線層１５は第１の樹脂層１１ａと第２の樹脂層１１ｂとの間に形成され、ウェハレベルＣＳＰ１０の一面の適所にまで引き回されている。そして、引き回された再配線層１５は、第２の樹脂層１１ｂに形成された開口部を介してバンプ１３に電気的に接続されている。
【００３８】
例えば、各電極１２はウェハレベルＣＳＰ１０の周辺部に配置されており、一方、バンプ１３は、ウェハレベルＣＳＰ１０の一面全域にマトリクス状に配置されており（図４参照）、各電極１２とこれ対応するバンプ１３との間が再配線層１５によって接続されている。
【００３９】
このような図２に示す構造は、フォトリソグラフ技術やエッチング技術を用いて形成することができる。例えば、電極１２および保護膜１４が形成されたウェハレベルＣＳＰ１０の一面に、第１の樹脂層１１ａを全面形成し、このうち電極１２に対応した部位をエッチング除去し開口させる。
【００４０】
次に、第１の樹脂層１１ａの上に再配線層１５となる導体膜を全面形成し、これを再配線層１５のパターンにエッチングする。その後、第１の樹脂層１１ａおよび再配線層１５の上に、第２の樹脂層１１ｂを形成し、このうちの所望部位をエッチング除去して開口させる。そして、再配線層１５とはんだボール等からなるバンプ１３とを接続することで、図２に示す構造が形成される。
【００４１】
一方、図１に示すように、セラミック積層基板２０は、アルミナ等のセラミックよりなる複数の層２０ａが積層されてなる通常のセラミック積層基板を採用することができる。
【００４２】
該積層基板２０の内部には、各層２０ａ間に位置する配線２１ａおよびスルーホール２１ｂ等により内部配線層２１が形成され、ウェハレベルＣＳＰ１０と対向する一面には、スルーホール２１ｂを介して内部配線層２１と電気的に接続された表面電極２２が形成されている。そして、この表面電極２２とバンプ１３とが接続される。
【００４３】
本例では、積層基板２０は、アルミナよりなる複数の層（図示例では３層）が積層されてなり、内部配線層２１には、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等が採用されており、表面電極２２は、Ｃｕ（銅）からなる膜や、下地がＮｉ（ニッケル）で表面がＡｕ（金）であるＡｕ／Ｎｉ膜等である。
【００４４】
また、図１および図２に示すように、セラミック積層基板２０の一面において、表面電極２２の形成されている部位以外の部位は、被覆膜２３にて被覆されている。この被覆膜２３は、ポリイミド系樹脂等の樹脂を塗布、硬化する等により形成されたもので、それゆえ、セラミック積層基板２０を構成するセラミックよりもアンダーフィル樹脂３０の接触角が小さく該樹脂３０の流れ性の良いものである。
【００４５】
また、ウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０の一面との間のうちバンプ１３以外の部位に充填されたアンダーフィル樹脂３０は、熱硬化性の樹脂材料等よりなる。
【００４６】
このアンダーフィル樹脂３０は、冷熱サイクルによってバンプ１３の接合部に加わる熱応力を緩和し、当該接合部の接続寿命を向上させるものであり、線膨張係数がバンプ１３（例えばはんだ）に近い樹脂より構成されている。例えば、エポキシ樹脂にシリカよりなる線膨張係数を調整するためのフィラーが含有されたものを採用することができる。
【００４７】
このような実装構造は、例えば、次のようにして作ることができる。バンプ１３を有するウェハレベルＣＳＰ１０をセラミック積層基板２０の一面上に搭載し、はんだリフローを行い、続いて、ウェハレベルＣＳＰ１０の外周に、アンダーフィル樹脂３０を、ディスペンサや印刷法にて塗布する。
【００４８】
そして、加熱してアンダーフィル樹脂３０の粘性を下げることにより、毛細管現象を利用してウェハレベルＣＳＰ１０とセラミック積層基板２０との間にアンダーフィル樹脂３０を注入して充填する。その後、充填されたアンダーフィル樹脂３０を加熱処理等にて硬化させることにより、上記図１、図２に示した実装構造が完成する。
【００４９】
ところで、本実施形態では、ウェハレベルＣＳＰ１０と対向するセラミック積層基板２０の一面が、該基板２０を構成する材質（セラミック）よりもアンダーフィル樹脂３０の接触角の小さい材質からなる被覆膜２３にて被覆されており、この被覆膜２３とウェハレベルＣＳＰ１０との間にアンダーフィル樹脂３０が充填されており、さらに被覆膜２３におけるアンダーフィル樹脂３０の接触角に対するウェハレベルＣＳＰ１０におけるアンダーフィル樹脂３０の接触角の比が１よりも大きいという独自の構成を採用している。
【００５０】
本実施形態では、セラミック積層基板２０の方が、元来、ウェハレベルＣＳＰ１０における樹脂層１１よりもアンダーフィル樹脂３０の接触角が大きくアンダーフィル樹脂３０の流れ性が悪いのであるが、アンダーフィル樹脂３０の注入時において下面となるセラミック積層基板２０の一面をセラミックよりもアンダーフィル樹脂３０の接触角の小さい材質からなる被覆膜２３とすることで、アンダーフィル樹脂３０の流れ性を向上させている。
【００５１】
具体的には、被覆膜２３をポリイミド系樹脂等の樹脂から構成することにより、上面となる電子部品の面すなわちウェハレベルＣＳＰ１０の樹脂層１１に対して、下面の樹脂流れ性を、同等レベルに近づけるか、同等またはそれ以上にすることができる。
【００５２】
本例では、被覆膜２３および樹脂層１１をともにポリイミド層としているが、下面である被覆膜２３のポリイミド層の材質や重合度を調整することにより、樹脂層１１のポリイミド層よりもアンダーフィル樹脂３０の接触角の小さいものとしている。
【００５３】
そのようにすることで、被覆膜２３におけるアンダーフィル樹脂３０の接触角θａに対するウェハレベルＣＳＰ１０におけるアンダーフィル樹脂３０の接触角θｂの比θｂ／θａを１よりも大きいものにしている。ここで、接触角は、注入時におけるアンダーフィル樹脂３０の対象面における接触角として求めることができる。
【００５４】
その結果、アンダーフィル樹脂３０の注入時に上下面のアンダーフィル樹脂３０の流れ速度の差を小さくすることができるため、アンダーフィル樹脂３０の注入時においてボイドが発生するのを大幅に低減し抑制することができる。
【００５５】
このように、樹脂注入時に下面となる基板２０の面に被覆膜２３を設け、アンダーフィル樹脂３０の流れ性を改善することは、次に述べるような本発明者等の行った検討結果を根拠とするものである。
【００５６】
一般に、基材表面と樹脂との接触角が小さいとき、該基材表面における樹脂の流れ性が良くなり、基材表面が樹脂の場合は接触角が比較的小さく、セラミックの場合は比較的大きい。
【００５７】
そこで、本発明者等は、この樹脂の流れ性の指標として新たに樹脂の接触角に着目し、電子部品と基板との間にアンダーフィル樹脂を注入する構造において、樹脂注入部の上面および下面の材質の組合せを変える等により、上面と下面とでアンダーフィル樹脂の接触角の比（接触角比）を測定した。
【００５８】
また、種々の接触角比に対して、アンダーフィル樹脂を注入した際に発生するボイドを超音波探査装置（ＳＡＴ）によって測定し、樹脂注入領域の全面積に対するボイドの面積の割合をボイド面積率（％）として求めた。種々の樹脂材料について、接触角比とボイド面積率との関係を図３に示す。
【００５９】
図３では、注入されるアンダーフィル樹脂として２種類の樹脂材料すなわちＡ材、Ｂ材を用いた。また、各樹脂材料Ａ、Ｂにおける括弧内の数字は、アンダーフィル樹脂に添加されているフィラーの含有量（重量％）を示す。
【００６０】
この結果から、接触角比が大きくなるほど、ボイド面積率が低減できていることがわかる。つまり、図３に示す範囲内では、樹脂注入部の下面の方が上面に比べて、接触角が小さく樹脂流れ性が良いほどボイドは発生しにくくなる。そして、接触角比（上面／下面）すなわち接触角比θｂ／θａが１よりを超えると、ボイド面積率は急激に小さくなり、ボイド発生を大幅に抑制できるという効果が現れてくる。
【００６１】
例えば、図３中に示すＢ材（７０ｗｔ％）において、プロットＹは、樹脂注入部の上面がポリイミド、下面がアルミナという従来の場合であり、接触角比（上／下）：０．９、ボイド面積率：２．１％である。また、プロットＸは上面、下面ともにポリイミドとした場合の例を示しており、接触角比（上／下）：１、ボイド面積率：０．７５％である。
【００６２】
それに対して、プロットＺは上面がアルミナ、下面がポリイミドの本実施形態の場合であり、検討例においては、従来の電子部品の基板への実装構造において、基板を上面、電子部品を下面として樹脂を注入したもので代用した。このとき、接触角比（上／下）：１．１、ボイド面積率：０．３５％である。
【００６３】
図４は、実際に、各プロットＸ、Ｙ、Ｚにおいて超音波探査装置（ＳＡＴ）により測定した結果に基づいて、ボイド発生の様子を模式的に書き表した図である。図４にて（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ上記プロットＹ、プロットＸ、プロットＺの場合に相当し、黒丸がボイドを示し、白丸がバンプ１３を示す。バンプ１３は、ウェハレベルＣＳＰ１０の一面全域にマトリクス状に配置されている。
【００６４】
特に、図４（ａ）に示す従来（プロットＹ）の場合では、アンダーフィル樹脂の注入側よりも終端側の方にてボイドの発生が顕著である。これは、終端側に行くほど、上下面のアンダーフィル樹脂の流れ速度の差が大きくなるためと考えられる。
【００６５】
なお、図３、図４に示す結果から、本実施形態においては、樹脂注入時に下面となる基板２０の面が、ポリイミド等の樹脂からなる被覆膜２３として構成されていれば、上面となる電子部品１０の面がアルミナ等のセラミックであっても良い。そして、上述したように、この場合には、ボイド抑制の効果がより大きくなる。
【００６６】
（第２実施形態）
図５〜図１０は、本発明の第２実施形態に係る実装構造の種々の例について要部を示す概略断面図である。これら各例は、電子部品としてのウェハレベルＣＳＰ１０におけるセラミック積層基板２０の一面に対向する面、すなわち樹脂層１１の表面に対して、バンプ１３の高さよりも小さい凹凸部を形成したものである。
【００６７】
図５に示す第１の例では、第１の樹脂層１１ａと第２の樹脂層１１ｂとの間にダミー配線１６を設け、このダミー配線１６の厚み分の段差を形成したものである。このようなダミー配線１６は、再配線層１５と同様にパターニング形成することができる。
【００６８】
ここで、図６に示すように、ダミー配線１６は第２の樹脂層１１ｂに被覆されていなくとも良く、ダミー配線１６上の第２の樹脂層１１ｂをエッチング除去することにより、ダミー配線１６を露出させても良い。実際に、ダミー配線の露出を数箇所設けたところ、その効果が見られた。
【００６９】
図７に示す第２の例では、第２の樹脂層１１ｂを、シリカやアルミナ等からなる絶縁性フィラー１１ｃが添加されたものとし、そのフィラー１１ｃの量を多くしたり、サイズを大きくしたりすることにより、樹脂層１１に凹凸形状を形成したものである。なお、第１の樹脂層１１ａに絶縁性フィラー１１ｃを添加しても同様である。
【００７０】
図８に示す第３の例では、樹脂層１１を形成した後、その表面をレーザー加工することにより、溝１１ｄを形成し、凹凸形状を実現するものである。
【００７１】
図９に示す第４の例では、樹脂層１１を形成した後、高温熱処理することでその表面に、しわや亀裂を発生させ、凹凸形状を実現するものである。例えば、はんだフラックスは、その種類によっては、ポリイミドを腐食させる。そのような薬液を樹脂層１１の表面に塗布して高温熱処理を行うことにより、上記のしわや亀裂を生じさせることができる。
【００７２】
図１０に示す第５の例では、バンプ１３の高さよりも小さいダミーバンプ１７を形成することにより、樹脂層１１の表面に凹凸形状を形成している。このダミーバンプ１７は、上記のダミー配線１６に接合された形として形成することができる。
【００７３】
（他の実施形態）
なお、基板２０の一面上にバンプを介して搭載される電子部品としては、上記実施形態に示したウェハレベルＣＳＰ１０以外にも、例えば、次の図１１〜図１３に変形例として示すようなＣＳＰであっても良い。
【００７４】
図１１に示す第１の変形例としてのＣＳＰでは、積層タイプの樹脂基板４０の一面上に、フリップチップソルダー４１を介してダイ（チップ）４２を搭載し、このダイ４２を銅板４３、４４で挟み込むとともにエポキシ樹脂４５で封止した形としている。そして、この樹脂基板４０の他面にはソルダーバンプ４６が形成され、この樹脂基板４０はバンプ４６を介して基板上に搭載可能となっている。
【００７５】
図１２に示す第２の変形例としてのＣＳＰでは、内部配線層５１が形成されたテープ基板５０の一面上に接着剤５２を介して複数のチップ５３が積層され、テープ基板５０の周辺部の電極５４と各チップ５３とが金ワイヤ５５にて接続され、全体が樹脂５６にて封止されている。そして、このテープ基板５０の他面にはバンプ５７が形成され、このテープ基板５０はバンプ５７を介して基板上に搭載可能となっている。
【００７６】
図１３に示す第３の変形例としてのＣＳＰでは、内部配線層６１が形成されたポリイミドテープ基板６０の一面上に弾性体としてのインターポーザ６２を介してチップ６３が搭載され、チップ６３とテープ基板６０とはワイヤ６４にて接続され、全体が樹脂６５にて封止されている。そして、このテープ基板６０の他面にはバンプ６６が形成され、このテープ基板６０はバンプ６６を介して基板上に搭載可能となっている。
【００７７】
これら図１１〜図１３に示すＣＳＰを搭載する基板の一面にも上記第１実施形態に示した被覆膜を設け、該被覆膜とＣＳＰとの間にアンダーフィル樹脂を充填すれば良い。
【００７８】
また、図１１〜図１３に示すＣＳＰにおける各基板４０、５０、６０の他面（バンプ形成面）に、上記第２実施形態と同様にして、バンプの高さよりも小さい凹凸部を形成して良い。
【００７９】
なお、アンダーフィル樹脂３０としては、上記したエポキシ樹脂にフィラーとしてのシリカを含有させたもの以外にも、主剤として、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等を用い、主剤に混ぜるフィラーとして、シリカやアルミナ等を用いることができ、これら主剤およびフィラーを適宜選択すればよい。
【００８０】
また、電子部品としては、ＣＳＰ以外にも、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等でも良い。また、バンプとしては、はんだボール以外にも、フリップチップバンプやワイヤボンディングにより形成されたスタッドバンプでも良い。
【００８１】
要するに、本発明は、基板と、基板の一面上にバンプを介して搭載された電子部品と、電子部品と基板の一面との間に充填された樹脂とを備える電子部品の実装構造において、基板の一面を、基板を構成する材質よりも樹脂の接触角の小さい良い材質からなる被覆膜にて被覆し、さらに上記接触角比を１よりも大としたことを要部としたものであり、他の部分は適宜設計変更等可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子部品の実装構造を示す概略断面図である。
【図２】図１中のウェハレベルＣＳＰとセラミック積層基板との接続部を接続前の状態にて拡大して示す図である。
【図３】接触角比とボイド面積率との関係を示す図である。
【図４】超音波探査装置の測定結果に基づいてボイド発生の様子を模式的に書き表した図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る電子部品の実装構造の第１の例を示す概略断面図である。
【図６】図５の変形例を示す概略断面図である。
【図７】第２実施形態に係る電子部品の実装構造の第２の例を示す概略断面図である。
【図８】第２実施形態に係る電子部品の実装構造の第３の例を示す概略断面図である。
【図９】第２実施形態に係る電子部品の実装構造の第４の例を示す概略断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る電子部品の実装構造の第５の例を示す概略断面図である。
【図１１】電子部品としてのＣＳＰの第１の変形例を示す概略断面図である。
【図１２】電子部品としてのＣＳＰの第２の変形例を示す概略断面図である。
【図１３】電子部品としてのＣＳＰの第３の変形例を示す概略断面図である。
【図１４】従来の一般的な実装構造を形成するための実装方法を示す図である。
【図１５】アンダーフィル樹脂中でのボイド発生メカニズムを示す図である。
【符号の説明】
１０…ウェハレベルＣＳＰ、１３…バンプ、２０…セラミック積層基板、
２３…被覆膜、３０…アンダーフィル樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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