(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置における書き込み及び／又は消去方法であって、
書き込み時の前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み用スライスレベルを前記書き込みパワーに応じて設定、及び／又は、消去時の前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための消去用スライスレベルを前記消去パワーに応じて設定する設定ステップを含み、
該設定ステップは、前記書き込みパワーの増加に応じて前記書き込み用スライスレベルを減少させると共に前記書き込みパワーの減少に応じて前記書き込み用スライスレベルを増加、及び／又は、前記消去パワーの増加に応じて前記消去用スライスレベルを減少させると共に前記消去パワーの減少に応じて前記消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【請求項２】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置における書き込み及び／又は消去方法であって、
書き込み時の前記記憶装置に対する外部振動及び衝撃を検出するための書き込み用スライスレベルを前記書き込みパワーに応じて設定、及び／又は、消去時の前記記憶装置に対する外部振動及び衝撃を検出するための消去用スライスレベルを前記消去パワーに応じて設定する設定ステップを含み、
該設定ステップは、前記書き込みパワーの増加に応じて前記書き込み用スライスレベルを減少させると共に前記書き込みパワーの減少に応じて前記書き込み用スライスレベルを増加、及び／又は、前記消去パワーの増加に応じて前記消去用スライスレベルを減少させると共に前記消去パワーの減少に応じて前記消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【請求項３】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置における書き込み及び／又は消去方法であって、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【請求項４】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み時の前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み用スライスレベルを前記書き込みパワーに応じて設定、及び／又は、消去時の前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための消去用スライスレベルを前記消去パワーに応じて設定する設定手段を備え、
該設定手段は、前記書き込みパワーの増加に応じて前記書き込み用スライスレベルを減少させると共に前記書き込みパワーの減少に応じて前記書き込み用スライスレベルを増加、及び／又は、前記消去パワーの増加に応じて前記消去用スライスレベルを減少させると共に前記消去パワーの減少に応じて前記消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、記憶装置。
【請求項５】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み時の前記記憶装置に対する外部振動及び衝撃を検出するための書き込み用スライスレベルを前記書き込みパワーに応じて設定、及び／又は、消去時の前記記憶装置に対する外部振動及び衝撃を検出するための消去用スライスレベルを前記消去パワーに応じて設定する設定手段を備え、
該設定手段は、前記書き込みパワーの増加に応じて前記書き込み用スライスレベルを減少させると共に前記書き込みパワーの減少に応じて前記書き込み用スライスレベルを増加、及び／又は、前記消去パワーの増加に応じて前記消去用スライスレベルを減少させると共に前記消去パワーの減少に応じて前記消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、記憶装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数も設定することを特徴とする、請求項４又は請求項５記載の記憶装置。
【請求項７】
記録媒体に対する光ビームの書き込みパワー及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は書き込み及び／又は消去方法（以下、書き込み／消去方法と言う）及び記憶装置に係り、特に記録媒体に対する書き込み／消去時に用いるパラメータを書き込み／消去パワーに応じて設定する書き込み／消去方法及び記憶装置に関する。
【０００２】
光磁気ディスク装置では、光磁気ディスクのランドに対して情報を記録及び／又は再生（記録／再生）する構成のものに加え、光磁気ディスクのランド及びグルーブの両方に情報を記録／再生する構成のものが提案されている。光磁気ディスクのランド及びグルーブの両方に情報を記録／再生する、所謂ランド・グルーブ記録方式を採用することにより、記録密度を増大することができる。
【０００３】
【従来の技術】
光磁気ディスクに代表される、ランド・グルーブ記録方式を採用する狭トラックピッチを有する光記録媒体では、隣接トラックに書き込まれている信号による信号干渉により、目的トラックの信号再生性能が劣化してしまう可能性がある。この信号干渉は、隣接トラックに信号が書き込まれた時の光ビームの書き込みパワーと、トラックと光ビームの位置ずれに依存することが知られている。又、書き込みパワーが大きいとトラックと光ビームの位置ずれ許容量が減少し、書き込みパワーが小さいとトラックと光ビームの位置ずれ許容量が増加することも知られている。
【０００４】
つまり、書き込みパワーが大きいと、狭トラックピッチを有する光記録媒体であるため、書き込みを行う目的トラックに隣接する隣接トラックに対して熱伝導が起こりやすくなり、隣接トラックの信号を消去したり、目的トラックに書き込む信号が隣接トラックに漏れ込んでしまう。このため、書き込みパワーが大きいと、隣接トラックの書き込み信号レベルを劣化させてしまう。そこで、書き込みパワーを調整することで、隣接トラックの書き込み信号レベルの劣化を抑制する方法が、例えば特願平１１−１６２５１号公報にて提案されている。
【０００５】
更に、書き込みパワーが大きいと、狭トラックピッチを有する光記録媒体であるため、目的トラックからの読み出し時に隣接トラックからの信号が漏れ込んでしまう。特に、隣接トラックの書き込みパワーが大きい程、隣接トラックから読み出し信号が目的トラックの読み出し信号に漏れ込みやすい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の記憶装置では、光ビームが記録媒体上のトラックの中心を走査しているものとして、書き込みパワーの限界を求めている。このため、記憶装置に外部振動や衝撃が加わると、実際には光ビームがトラックの中心からずれた位置を走査してしまうので、上記の如く隣接トラックの信号を劣化させてしまう可能性があった。
【０００７】
他方、例えば特開２０００−１８２２９２号公報では、書き込みリトライ処理において書き込みパワーを変化させて、書き込みパワーに対する統計的な書き込み成功率を求め、この書き込み成功率に基いて書き込みパワーを最適な値に制御する方法が提案されている。この場合、意図して書き込みパワー／消去パワーを設定することになるが、光ビームのトラック外れを検出する際に用いるトラック外れ検出スライスレベルを、予め高い書き込み／消去パワーの場合を想定して設定する必要があるため、トラック外れを厳しく監視することとなり、トラック外れを過敏に検出してしまう可能性があった。
【０００８】
そこで、本発明は、光ビームが記録媒体上のトラックの中心からずれた位置を走査したり、書き込み／消去パワーのある程度のずれが発生したりしても、隣接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き込み／消去方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする書き込み及び／又は消去方法によって達成できる。
【００１０】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする書き込み及び／又は消去方法によっても達成できる。
【００１１】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする書き込み及び／又は消去方法によっても達成できる。
【００１２】
前記書き込み用パラメータの前記書き込みパワーに対する依存度は、前記消去用パラメータの前記消去パワーに対する依存度とは異なるようにしても良い。
【００１３】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【００１４】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【００１５】
上記の課題は、記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【００１６】
本発明によれば、光ビームが記録媒体上のトラックの中心からずれた位置を走査したり、書き込み／消去パワーのある程度のずれが発生したりしても、隣接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き込み／消去方法及び記憶装置を実現することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明になる書き込み／消去方法及び本発明になる記憶装置の各実施例を、以下図面と共に説明する。
【００１８】
【実施例】
図１は、記憶装置の第１実施例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１１０とエンクロージャ１１１とからなる。コントロールユニット１１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１１６及びメモリ１１８を有する。メモリ１１８は、ＭＰＵ１１２、ＯＤＣ１１４及びインタフェース１１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）や、制御プログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を含む。水晶振動子３０１は、ＭＰＵ１１２と接続されている。
【００１９】
ＯＤＣ１１４には、フォーマッタ１１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００２０】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
【００２１】
ＯＤＣ１１４に対しては、リード／ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）１２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ１２０は、ライト変調部１２１、レーザダイオード制御回路１２２、リード復調部１２５及び周波数シンセサイザ１２６を有する。レーザダイオード制御回路１２２の制御出力は、エンクロージャ１１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット１３０に供給される。レーザダイオードユニット１３０は、レーザダイオード１３０−１とモニタ用ディテクタ１３０−２とを一体的に有する。ライト変調部１２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００２２】
レーザダイオードユニット１３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では、光ディスク上のマークエッジの有無に対応してデータを記録するＰＷＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、超解像技術（ＭＳＲ）を使用した２.３ＧＢフォーマットであり、ＺＣＡＶ方式を採用している。光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１１２で光ディスクの種別（３．５インチサイズ、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０／６４０ＭＢ，１．３ＧＢ，２．３ＧＢ，...といった記憶容量、種別等）を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知し、種別に応じた各種パラメータの設定がなされる。
【００２３】
ＯＤＣ１１４に対するリード系統としては、リード／ライトＬＳＩ１２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ１２０には上記の如くリード復調部１２５と周波数シンセサイザ１２６とが内蔵される。リード／ライトＬＳＩ１２０に対しては、エンクロージャ１１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１３２によるレーザダイオード１３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ１３４を介してＩＤ信号（エンボスピット信号）及びＭＯ信号として入力されている。
【００２４】
リード／ライトＬＳＩ１２０のリード復調部１２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部１２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１１２からリード／ライトＬＳＩ１２０に内蔵された周波数シンセサイザ１２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００２５】
周波数シンセサイザ１２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ１２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、通常モードでは、ＭＰＵ１１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの記録/再生用基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００２６】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ１２６の外部で発生した記録/再生用基準クロックの周波数を示す。
【００２７】
リード／ライトＬＳＩ１２０で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、メモリ１１８を経由してインタフェース１１７からホスト装置に転送される。
【００２８】
ＭＰＵ１１２に対しては、ＤＳＰ１１６を経由してエンクロージャ１１１側に設けた温度センサ１３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１１２は、温度センサ１３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路１２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
【００２９】
ＭＰＵ１１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ１３８によりエンクロージャ１１１側に設けたスピンドルモータ１４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマットがＺＣＡＶ方式であるため、スピンドルモータ１４０は例えば３６３７ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００３０】
又、ＭＰＵ１１２は、ＤＳＰ１１６を経由してドライバ１４２を介してエンクロージャ１１１側に設けた電磁石１４４を制御する。電磁石１４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。ＭＳＲを用いた１.３ＧＢ又は２．３ＧＢフォーマットのＭＳＲ光ディスクでは、再生を行う際にも外部磁界を供給する。
【００３１】
ＤＳＰ１１６は、光ディスクに対してレーザダイオード１３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００３２】
ＤＳＰ１１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ１４５を設けている。ＦＥＳ検出回路１４６は、ＦＥＳ用ディテクタ１４５の受光出力からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１１６に入力する。
【００３３】
エンクロージャ１１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ１４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路１４８は、ＴＥＳ用ディテクタ１４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路１５０にも入力され、ＴＺＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１１６に入力される。
【００３４】
エンクロージャ１１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ１５４が設けられており、レンズ位置センサ１５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４はＤＳＰ１１６に入力される。ＤＳＰ１１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ１５８，１６２，１６６を介してフォーカスアクチュエータ１６０、レンズアクチュエータ１６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６８を制御して駆動する。
【００３５】
図２は、エンクロージャ１１１の概略構成を示す断面図である。図２に示すように、ハウジング１６７内にはスピンドルモータ１４０が設けられ、インレットドア１６９側からＭＯカートリッジ１７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ１７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）１７２のハブがスピンドルモータ１４０のターンテーブルに装着されて光ディスク１７２が光ディスク装置にロードされる。
【００３６】
ロードされたＭＯカートリッジ１７０内の光ディスク１７２の下側には、ＶＣＭ１６８により光ディスク１７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ１７６が設けられている。キャリッジ１７６上には対物レンズ１８０が搭載され、固定光学系１７８に設けられているレーザダイオード１３０−１からのビームを立ち上げミラー１８２を介して入射して光ディスク１７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００３７】
対物レンズ１８０は、図１に示すエンクロージャ１１１のフォーカスアクチュエータ１６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ１６４により光ディスク１７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ１７６に搭載されている対物レンズ１８０の位置が、図１のレンズ位置センサ１５４により検出される。レンズ位置センサ１５４は、対物レンズ１８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク１７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
【００３８】
図３は、本発明になる記憶装置の第１実施例の要部を示すブロック図である。記憶装置の第１実施例では、本発明が特に特開平１１−１６２５１号公報にて提案されているような、書き込みパワーを増減させて書き込みが成功するまでリトライを行うリトライ処理を行う機能を備えた光磁気ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第１実施例は、本発明になる書き込み／消去方法の第１実施例を採用する。図３中、図１及び図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３９】
図３において、光磁気ディスク装置は、大略ＭＰＵ１１２、ディジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１１６、光学ヘッド３、フォトディテクタ部４、アンプ・フィルタ・オフセット加算回路５、ドライバ（駆動回路）１６２、アクチュエータ１６４及びメモリ１１８からなる。
【００４０】
ＭＰＵ１１２は、ノイズフィルタ１０１、割り込み制御部１０２及びリード／ライト制御部１０３の機能を含む。メモリ１１８は、ＭＰＵ１１２が実行するプログラムやテーブル等の各種データを格納するＲＯＭ領域と、ＭＰＵ１１２が実行する計算の中間結果等を格納するＲＡＭ領域を含む。
ＤＳＰ１１６は、大略読み出し（以下、リードと言う）用スライス設定部２１、書き込み／消去（以下、ライト／イレーズと言う）用設定部２２、スイッチ回路２３、ディジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）２４、アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）２５、アンプ２６、比較器２７、位相補償フィルタ機能を含むトラッキング制御部２８、ＤＡＣ２９及びトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）振幅・オフセット検出回路３０からなる。光磁気ディスク１７２は、装着脱可能であっても良い。尚、図３では、説明の便宜上、ＤＳＰ１１６のハードウェア及びファームウェアのうち、光ビームのトラック外れを検出するのに用いるスライスレベルの設定に関わる部分のみを示す。
【００４１】
尚、フォーカス制御系、光磁気ディスク駆動系、リード／ライト信号処理系等は、本発明の要旨と直接関係がないので、図３ではこれらの図示は省略する。又、光磁気ディスク装置の基本構成は、図３に示す基本構成に限定されず、ＤＳＰ１１６等のプロセッサが後述する動作を行える構成であれば、種々の周知の基本構成を用いることができる。
【００４２】
図３において、光学ヘッド３により光磁気ディスク１７２上に光ビームを照射して、光磁気ディスク１７２から反射された光ビームのうち、トラッキング制御に用いられる成分は、フォトディテクタ部４により検出され、ＴＥＳがアンプ・フィルタ・オフセット加算回路５を介して、ＤＳＰ１１６内のＡＤＣ２５に供給される。光学ヘッド３及びフォトディテクタ部４は、図１に示すレーザダイオードユニット１３０、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１３２、ヘッドアンプ１３４、ＦＥＳ用ディテクタ１４５及びＴＥＳ用ディテクタ１４７に対応する。アンプ・フィルタ・オフセット加算回路５は、アンプ（増幅）機能と、フィルタ機能と、オフセット加算機能とを備えている。ＡＤＣ２５は、ディジタル信号に変換されたＴＥＳをアンプ２６及びＴＥＳ振幅・オフセット検出回路３０に供給する。ＴＥＳ振幅・オフセット検出回路３０は、ＴＥＳの正側のピーク値及び負側のピーク値を検出して、ＭＰＵ１１２に供給する。
【００４３】
ＭＰＵ１１２は、ＴＥＳ振幅・オフセット検出回路３０から得られるＴＥＳの正側のピーク値及び負側のピーク値に基いて、ＴＥＳのゼロ付近でトラッキング制御が行われるようにＤＳＰ１１６内のＤＡＣ２４を介してオフセット量をアンプ・フィルタ・オフセット加算回路５に供給して、ＴＥＳのオフセットを補正すると共に、ＴＥＳの振幅が規定振幅となるように、ＤＳＰ１１６内のアンプ２６のゲインを制御する。これにより、アンプ２６からは、ＴＥＳのレベルに対する変位量が正規化された、正規化ＴＥＳが得られて比較器２７に供給される。
【００４４】
アンプ２６からの正規化ＴＥＳは、トラッキング制御部２８にも供給される。トラッキング制御部２８は、正規化ＴＥＳの位相補償等を行い、トラッキング目標に対する位置誤差を出力してＤＡＣ２９及び駆動回路１６２を介してアクチュエータ１６４を周知の方法で制御することにより、光学ヘッド３、即ち、光ビームのトラッキング制御を行う。
【００４５】
ＭＰＵ１１２は、リード時には、リード時のトラック外れを検出するのに用いる適切なリード用スライスレベルをリード用スライス設定部２１に設定する。又、ＭＰＵＰ１は、ライト／イレーズ時には、ライト／イレーズ時のトラック外れを検出するのに用いるライト／イレーズ用スライスレベルを計算してライト／イレーズ用スライス設定部２２に設定する。更に、ＭＰＵ１１２は、リード又はライト／イレーズであることを示す識別信号を、スイッチ回路２３に供給する。これにより、スイッチ回路２３は識別信号に基いて、リード時にはリード用スライス設定部２１からのリード用スライスレベルを比較器２７に供給し、ライト／イレーズ時にはライト／イレーズ用スライス設定部２２からのライト／イレーズ用スライスレベルを比較器２７に供給する。
【００４６】
尚、後述するテストトラック用のリード用スライスレベルもリード用スライス設定部２１に設定し、テストトラック用のライト／イレーズ用スライスレベルもライト／イレーズ用スライス設定部２２に設定可能であるため、テストトラック用のリード／ライト／イレーズ用スライス設定部の図示は省略する。光磁気ディスク１７２上のテストトラックは、例えば特開平１１−１６２５１号公報等で提案されているテストライト及びテストリードにより光ビームのパワーを調整するために設けられた領域であり、ユーザデータが書き込まれることはない。このような、記録媒体の媒体種別毎に決められた少なくとも１以上のエリア毎にテストライト領域がある。
【００４７】
比較器２７は、リード時には、アンプ２６からの正規化ＴＥＳが、スイッチ２３を介して得られるリード用スライスレベルを超えているか否かを比較して比較結果報告をＭＰＵ１１２に対して行う。同様にして、比較器２７は、ライト／イレーズ時には、アンプ２６からの正規化ＴＥＳが、スイッチ２３を介して得られるライト／イレーズ用スライスレベルを超えているか否かを比較して比較結果報告をＭＰＵ１１２に対して行う。リード時に、正規化ＴＥＳがリード用スライスレベルを超えていることを示す比較結果報告（トラック外れ報告）が比較器２７から得られると、ＭＰＵ１１２はトラック外れを認識すると共に、トラック外れ報告に応答してエラー通知等をＭＰＵ１１２のリード／ライト制御部１０３に行う。又、ライト／イレーズ時に、正規化ＴＥＳがライト／イレーズ用スライスレベルを超えていることを示す比較結果報告（トラック外れ報告）が比較器２７から得られると、ＭＰＵ１１２はトラック外れを認識すると共に、トラック外れ報告によりライト／イレーズ処理に割り込みが発生して割り込み制御部１０２によりライト／イレーズ処理を直ちに中断することで、光磁気ディスク１７２上のデータ破壊を防止する。
【００４８】
図４は、記憶装置の第１実施例におけるＭＰＵ１１２の動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、ホスト装置から例えばシークコマンドが発行されると起動される。
【００４９】
図４において、ステップＳ１は、シークコマンドに伴うジャンプ命令が発行されたか否かを判定し、判定結果がＹＥＳになると、ステップＳ２は、光磁気ディスク１７２上のセクタ番号、トラック番号等の識別情報（ＩＤ）部分のリードを実行する。ステップＳ３は、ＩＤ部分のリードが成功したか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ２へ戻る。他方、ステップＳ３の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４は、シークコマンドに含まれる目的トラックに到達しているか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、処理は後述するステップＳ９へ進む。
【００５０】
ステップＳ４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５は、目的トラックへ到達するためにジャンプするべきトラック本数を計算し、ステップＳ６は、計算されたトラック本数のジャンプを実行する。ステップＳ７は、ジャンプが成功したか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、処理はステップＳ２へ戻る。ステップＳ７の判定結果がＮＯであると、ステップＳ８は、トラックへの再引き込みを実行し、処理はステップＳ２へ戻る。
【００５１】
ステップＳ９は、シークコマンドがテストトラックへのシークを指示しているか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、ステップＳ１０は、シークコマンドがリード処理を指示しているか否かを判定する。ステップＳ１０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１１は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたリードパワーに設定し、処理は終了することで動作は周知のリード処理へと進む。リード処理の場合、リード時のトラック外れを検出するのに用いる適切なリード用スライスレベルが予め求められており、上記の如くリード用スライス設定部２１に設定されているものとする。リード時に多少オフトラックしても隣接トラックに影響を与えないレベルのリードパワー制御を行っているため、図４では、リードパワーに応じてリード用スライスレベルを変更していない。
【００５２】
他方、ステップＳ１０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１２は、シークコマンドがライト処理を指示しているか否かを判定する。ステップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１３は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたライトパワーに設定する。又、ステップＳ１４は、トラック外れを検出するためのライト用スライスレベルを計算し、処理は後述するステップＳ１９へ進む。ステップＳ１２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１５は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたイレーズパワーに設定する。又、ステップＳ１６は、トラック外れを検出するためのイレーズ用スライスレベルを計算し、処理は後述するステップＳ１９へ進む。
【００５３】
ライト用スライスレベルは、ライト用スライスレベルをＲＳＬ、ライト用スライスレベルのデフォルト値をＲＳＬＤ、負の値を有する係数をＡ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの中心を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることができる。
【００５４】
ＲＳＬ＝ＲＳＬＤ+Ａ×Ｘ
このようにして、ライトパワーを増加させた場合には、トラック外れを検出するためのライト用スライスレベルを減少させて、トラック外れを厳しい条件で監視することができる。他方、ライトパワーを減少させた場合には、トラック外れを検出するためのライト用スライスレベルを増加させて、トラック外れを緩やかな条件で監視することができる。
【００５５】
同様に、イレーズ用スライスレベルは、イレーズ用スライスレベルをＥＳＬ、イレーズ用スライスレベルのデフォルト値をＥＳＬＤ、負の値を有する係数をＢ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの中心を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることができる。通常、Ｂ＜Ａであり、イレーズ用スライスレベルとライト用スライスレベルのパワー依存度は異なる。
【００５６】
ＥＳＬ＝ＥＳＬＤ+Ｂ×Ｘ
このようにして、イレーズパワーを増加させた場合には、トラック外れを検出するためのイレーズ用スライスレベルを減少させて、トラック外れを厳しい条件で監視することができる。他方、イレーズパワーを減少させた場合には、トラック外れを検出するためのイレーズ用スライスレベルを増加させて、トラック外れを緩やかな条件で監視することができる。
【００５７】
ステップＳ９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１７は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、テストトラックに応じたリード／ライト／イレーズパワーに設定する。又、ステップＳ１８は、光磁気ディスク１７２上のテストトラック用の、トラック外れを検出するためのリード／ライト／イレーズ用スライスレベルを計算し、処理はステップＳ１９へ進む。テストトラック用のトラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルは、通常のライト／イレーズ処理時のトラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルより大きい値（例えば２倍）が設定されており、トラック外れの監視を緩和された条件で行うように設定されている。
【００５８】
ステップＳ１９は、ステップＳ１４、Ｓ１６又はＳ１８で計算されたスライスレベルを対応するスライス設定部２１又は２２に設定し、処理は終了することで、動作は周知のライト／イレーズ処理又はテストトラックリード／ライト／イレーズ処理へと進む。
【００５９】
尚、リード／ライト／イレーズパワーの設定自体は、例えば特開平１１−１６２５１号公報等から周知であるため、本明細書ではその説明は省略する。
【００６０】
本実施例では、トラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルを設定しているが、トラック外れを検出するための時定数（以下、トラック外れ検出時定数と言う）を同様にして設定しても良い。この場合、図４に示すステップＳ１３，Ｓ１４又はＳ１５，Ｓ１６では、ライト／イレーズ用スライスレベルの計算及び設定に代えて、或いは、これらに加えて、ライト／イレーズ時のトラック外れ検出時定数を設定する。トラック外れ検出時定数は、比較器２７からの比較結果通知に基いて、ＭＰＵ１１２内のノイズフィルタ１０１の時定数を設定すれば良い。
【００６１】
従って、最適ライト／イレーズパワーの変動に応じて、トラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベル及び／又はトラック外れ検出時定数を変更して設定することができる。尚、最適ライト／イレーズパワーは、テストライト／イレーズによりその都度更新されるが、更新前と更新後の通常のライト／イレーズでは、ライト／イレーズ用スライスレベル及び／又はトラック外れ検出時定数は変更しない。
【００６２】
図５は、本発明になる記憶装置の第２実施例の要部を示すブロック図である。記憶装置の第２実施例では、本発明が特に特開平１１−１６２５１号公報にて提案されているような、ライトパワーを増減させてライトが成功するまでリトライを行うリトライ処理を行う機能を備えた光磁気ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第２実施例は、本発明になる書き込み／消去方法の第２実施例を採用する。図５では、主要部分のみを示すと共に、図３と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６３】
図５において、衝撃センサ４１は、光磁気ディスク装置に加えられる外部振動や衝撃を検出して、衝撃信号を出力する。衝撃信号は、アンプ機能及びフィルタ機能を有するアンプ・フィルタ回路４２を介して、比較器４４に供給される。具体的には、衝撃信号は、アンプ・フィルタ回路４２により、必要とされる感度が得られる振幅に増幅されると共に、ノイズを除去されてから比較器４４に供給される。他方、ＭＰＵ１１２は、ＤＡＣ４３を介して基準衝撃信号を比較器４４に供給する。従って、比較器４４は、アンプ・フィルタ回路４２からの衝撃信号が、基準衝撃信号を超えるレベルを有するか否かを比較して比較結果報告をＭＰＵ１１２に対して行う。ライト／イレーズ時に、アンプ・フィルタ回路４２からの衝撃信号が、基準衝撃信号を超えるレベルを有することを示す比較結果報告（衝撃検出報告）が比較器４４から得られると、ＭＰＵ１１２は衝撃検出を認識すると共に、衝撃検出報告によりライト／イレーズ処理に割り込みが発生して割り込み制御部１０２によりライト／イレーズ処理を直ちに中断することで、光磁気ディスク１７２上のデータ破壊を防止する。
【００６４】
尚、衝撃センサ４１は、外部から衝撃を受けた時の素子内部の歪みに応じた電流や電圧を出力する周知の素子からなる。つまり、衝撃センサ４１は、外部から加えられる加速度に比例した電流や電圧を出力するので、この出力をある規定スライスレベルでスライスして、スライスレベルを超えた場合にはライト／イレーズ処理を中断するといった動作が可能となる。
【００６５】
図６は、記憶装置の第２実施例におけるＭＰＵ１１２の動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、ホスト装置から例えばシークコマンドが発行されると起動される。図６中、図４と同一ステップには同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６６】
図６において、ステップＳ１０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１１は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたリードパワーに設定し、処理はステップＳ２１へ進む。リード時には、光磁気ディスク１７２上のデータを破壊する可能性はないので、ステップＳ２１は、比較器４４からの衝撃検出報告によるライト／イレーズ処理への割り込みを無効化し、処理は終了することで動作は周知のリード処理へと進む。
【００６７】
ステップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１３は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたライトパワーに設定する。又、ステップＳ１４−１は、衝撃を検出するためのライト用スライスレベルを計算し、処理は後述するステップＳ１９−１へ進む。ステップＳ１２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１５は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたイレーズパワーに設定する。又、ステップＳ１６−１は、衝撃を検出するためのイレーズ用スライスレベルを計算し、処理は後述するステップＳ１９−１へ進む。
【００６８】
ライト用スライスレベルは、ライト用スライスレベルをＳＲＳＬ、ライト用スライスレベルのデフォルト値をＳＲＳＬＤ、負の値を有する係数をＣ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの中心を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることができる。
【００６９】
ＳＲＳＬ＝ＳＲＳＬＤ+Ｃ×Ｘ
このようにして、ライトパワーを増加させた場合には、衝撃を検出するためのライト用スライスレベルを減少させて、衝撃を厳しい条件で監視することができる。他方、ライトパワーを減少させた場合には、衝撃を検出するためのライト用スライスレベルを増加させて、衝撃を緩やかな条件で監視することができる。
【００７０】
同様に、イレーズ用スライスレベルは、イレーズ用スライスレベルをＳＥＳＬ、イレーズ用スライスレベルのデフォルト値をＳＥＳＬＤ、負の値を有する係数をＤ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの中心を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることができる。通常、Ｄ＜Ｃであり、イレーズ用スライスレベルとライト用スライスレベルのパワー依存度は異なる。
【００７１】
ＳＥＳＬ＝ＳＥＳＬＤ+Ｄ×Ｘ
このようにして、イレーズパワーを増加させた場合には、衝撃を検出するためのイレーズ用スライスレベルを減少させて、衝撃を厳しい条件で監視することができる。他方、イレーズパワーを減少させた場合には、衝撃を検出するためのイレーズ用スライスレベルを増加させて、衝撃を緩やかな条件で監視することができる。
【００７２】
ステップＳ９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１７は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、テストトラックに応じたリード／ライト／イレーズパワーに設定する。又、ステップＳ１８−１は、光磁気ディスク１７２上のテストトラック用の、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルを計算し、処理はステップＳ１９−１へ進む。テストトラック用の衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルは、通常のライト／イレーズ処理時の衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルより大きい値が設定されており、衝撃の監視を緩和された条件で行うように設定されている。
【００７３】
ステップＳ１９−１は、ステップＳ１４−１、Ｓ１６−１又はＳ１８−１で計算されたスライスレベルを対応するスライス設定部２１又は２２に設定し、処理はステップＳ２２へ進む。ライトイレーズ時には、光磁気ディスク１７２上のデータを破壊する可能性があるので、ステップＳ２２は、比較器４４からの衝撃検出報告によるライト／イレーズ処理への割り込みを有効化し、処理は終了することで、動作は周知のライト／イレーズ処理又はテストトラックリード／ライト／イレーズ処理へと進む。
【００７４】
本実施例では、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルを設定しているが、衝撃を検出するための時定数（以下、衝撃検出時定数と言う）を同様にして設定しても良い。この場合、図６に示すステップＳ１３，Ｓ１４−１又はＳ１５，Ｓ１６−１では、ライト／イレーズ用スライスレベルの計算及び設定に代えて、或いは、これらに加えて、ライト／イレーズ時の衝撃検出時定数を設定する。衝撃検出時定数は、比較器４４からの比較結果通知に基いて、ＭＰＵ１１２内のノイズフィルタ１０１の時定数を設定すれば良い。
【００７５】
従って、最適ライト／イレーズパワーの変動に応じて、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベル及び／又はライト／イレーズ時の衝撃検出時定数を変更して設定することができる。尚、最適ライト／イレーズパワーは、テストライト／イレーズによりその都度更新されるが、更新前と更新後の通常のライト／イレーズでは、ライト／イレーズ用スライスレベル及び／又は衝撃検出時定数は変更しない。
【００７６】
尚、本実施例では、図５において比較器４４に供給される基準衝撃信号、即ち、衝撃を検出するためのスライスレベルは、ＭＰＵ１１２からＤＡＣ４３を介して供給されているが、図３に示す上記第１実施例の場合と同様に、スライス設定部２１，２２及びスイッチ回路２３を用いて比較器４４に供給するようにしても良い。この場合、ＤＡＣ４３は省略可能である。
【００７７】
上記第１実施例の如きトラック外れ検出機能は、光磁気ディスク１７２の媒体ノイズを除去するためのノイズフィルタ１０１のフィルタ機能を備えており、又、ＤＳＰ１１６のファームウェアによるトラック外れの検出には時間的な遅れが避けられないため、光磁気ディスク装置に加わる外部の振動や衝撃により光学ヘッド３が高速で移動してしまうと、トラック外れが検出された時点では既に光ビームが隣接トラックに近づいてしまっている可能性がある。そこで、トラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベルを減少させ、ノイズフィルタ１０１のフィルタ時定数を減少させることで、トラック外れを厳しい条件で監視することができ、より高速にトラック外れの小さな変位量も検出可能となる。しかし、トラック外れを厳しい条件で監視すると、媒体ノイズも厳しい条件で監視することとなり、光磁気ディスク１７２の生産性の向上が難しくなる。そこで、上記第２実施例では、外部の振動や衝撃を監視し、基準値を超える場合にはライト／イレーズ処理を中断させることで、光磁気ディスク１７２上のデータ破壊を防止することができる。
【００７８】
図７は、ＭＰＵ１１２の割り込み処理を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、上記第１及び第２実施例においてＭＰＵ１１２により実行される。同図中、ステップＳ３１は、比較器２７又は４４からの比較結果通知がＭＰＵ１１２への割り込みを指示しているか否かを判定する。ステップＳ３１の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３２は、ライト／イレーズ処理を中断して光磁気ディスク１７２上のデータ破壊を防止し、処理は終了する。他方、ステップＳ３１の判定結果がＮＯであると、ステップＳ３３は、ライト／イレーズ処理が終了したか否かを判定する。ステップＳ３３の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ３１へ戻り、ＹＥＳであると処理は終了する。
【００７９】
次に、ホスト装置からライトコマンドが発行された場合のＭＰＵ１１２、ＯＤＣ１１４及びＤＳＰ１１６の処理を、図９及び図１０と共に説明する。
【００８０】
図９は、ホスト装置からライトコマンドが発行された場合のＭＰＵ１１２及びＯＤＣ１１４のファームウェア処理を説明するフローチャートである。ホスト装置からライトコマンドが発行されて図９に示す処理が開始されると、ステップＳ５１は、ＭＰＵ１１２内のリトライカウンタの値を初期化する。ステップＳ５２は、リトライカウンタの値が規定値以下であるか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理は異常終了する。他方、ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５３は、ライトコマンドを発行すると共に、リトライ回数をＭＰＵ１１２へ通知することで、図１０と共に後述するＭＰＵ１１２及びＤＳＰ１１６の処理が開始される。ステップＳ５４は、図１０に示す処理の終了に伴うフォーマッタ１１４−１からのコマンド終了を待ち、ステップＳ５５は、正常終了であるか否かを判定する。ステップＳ５５の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５６は、リトライカウンタの値を１だけインクリメントし、処理はステップＳ５２へ戻る。他方、ステップＳ５５の判定結果がＹＥＳであると、処理は正常終了する。
【００８１】
図１０は、ホスト装置からライトコマンドが発行された場合のＭＰＵ１１２及びＤＳＰ１１６のファームウェア処理を説明するフローチャートである。図９に示すステップＳ５３によりライトコマンドが発行されて図１０に示す処理が開始されると、ステップＳ６１は、ライトモードフラグをメモリ１１８にセットする。ステップＳ６２は、図４と共に説明した上記第１実施例のシーク時の処理又は図６と共に説明した上記第２実施例のシーク時の処理を行うと共に、リトライ回数をＭＰＵ１１２へ通知する。ステップＳ６３は、正常終了であるか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処理は異常終了する。他方、ステップＳ６３の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６４は、ライトパラメータ及びコマンドをフォーマッタ１１４−１にセットし、処理は正常終了する。
【００８２】
図９及び図１０に示す如きファームウェア処理は、ホスト装置から発行されたコマンドがリード／イレーズコマンドの場合も同様である。
【００８３】
尚、上記第１及び第２実施例は、適切に組み合わせることが可能である。つまり、光ビームのライト／イレーズパワーに応じて計算して設定するパラメータは、トラック外れを検出するためのライト／イレーズ用スライスレベル、トラック外れ検出時定数、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライスレベル及び衝撃検出時定数のうち、２以上の任意のパラメータを組み合わせて使用しても良い。
【００８４】
又、これらのパラメータは、予め計算してメモリ１１８内のテーブルに格納しておき読み出して設定することもできる。図８は、このようなテーブル内の、ライトパワーと各パラメータとの関係を説明する図である。同図に示す如く、テーブル内には、リトライカウンタの値、最適ライトパワー、各種ライトパワーに対するトラック外れを検出するためのライト用スライスレベル、トラック外れ検出時定数、衝撃を検出するためのライト用スライスレベル及び衝撃検出時定数が格納されている。同図では、説明の便宜上、ライトパワーに対するパラメータのみを示す。イレーズパワーに対しても、パラメータを計算して同様なテーブルに格納しておけば良い。
【００８５】
上記実施例では、従来装置との互換性を考慮して、例えば２.３ＧＢ未満の低密度記録媒体に対しては、本発明の機能を動作させないようにしているが、従来装置との互換性を考慮しない場合には、本発明の機能を低密度記録媒体に対して動作させても良い。この際、記録媒体の種別を判別する方法は、上記の如きＩＤ部のピットから種別を判別する方法の他に、制御情報領域の媒体情報をリードする方法を採用することも可能である。
【００８６】
更に、本発明は、光磁気ディスク装置への適用に限定されるものではなく、他の方式の光磁気や相変化型等の各種光記録媒体を用いる記憶装置や光ビームを利用して光磁気的性質の変化で情報を記録する磁気記録媒体を用いる記憶装置等にも適用可能であることは、言うまでもない。
【００８７】
本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
【００８８】
（付記１）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【００８９】
（付記２）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、
書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【００９０】
（付記３）  前記設定ステップは、前記書き込み及び／又は消去パワーの増加に応じて前記書き込み及び／又は消去用スライスレベルを減少させることを特徴とする、（付記１）又は（付記２）記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９１】
（付記４）  前記設定ステップは、前記書き込み及び／又は消去パワーの減少に応じて前記書き込み及び／又は消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９２】
（付記５）  前記設定ステップは、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じてトラック外れ検出時定数も設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記４）のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９３】
（付記６）  前記設定ステップは、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数も設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９４】
（付記７）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置において、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【００９５】
（付記８）  前記書き込み用パラメータの前記書き込みパワーに対する依存度は、前記消去用パラメータの前記消去パワーに対する依存度とは異なることを特徴とする、（付記７）記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９６】
（付記９）  前記記録媒体の種別を判別する判別ステップを更に含み、前記設定ステップは、前記判別ステップにおいて前記記録媒体が高密度記録媒体であると判別された場合に実行されることを特徴とする、（付記１）〜（付記８）のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９７】
（付記１０）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【００９８】
（付記１１）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【００９９】
（付記１２）  前記設定手段は、前記書き込み及び／又は消去パワーの増加に応じて前記書き込み及び／又は消去用スライスレベルを減少させることを特徴とする、（付記１０）又は（付記１１）記載の記憶装置。
【０１００】
（付記１３）  前記設定手段は、前記書き込み及び／又は消去パワーの減少に応じて前記書き込み及び／又は消去用スライスレベルを増加させることを特徴とする、（付記１０）〜（付記１２）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０１】
（付記１４）  前記設定手段は、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じてトラック外れ検出時定数も設定することを特徴とする、（付記１０）〜（付記１３）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０２】
（付記１５）  前記設定手段は、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数も設定することを特徴とする、（付記１０）〜（付記１４）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０３】
（付記１６）  記録媒体に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置であって、
書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【０１０４】
（付記１７）  前記書き込み用パラメータの前記書き込みパワーに対する依存度は、前記消去用パラメータの前記消去パワーに対する依存度とは異なることを特徴とする、（付記１６）記載の記憶装置。
【０１０５】
（付記１８）  前記記録媒体の種別を判別する判別手段を更に備え、前記設定手段は、前記判別手段において前記記録媒体が高密度記録媒体であると判別された場合に前記設定を行うことを特徴とする、（付記１０）〜（付記１７）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０６】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、光ビームが光記録媒体上のトラックの中心からずれた位置を走査したり、書き込み／消去パワーのある程度のずれが発生したりしても、隣接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き込み／消去方法及び記憶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる記憶装置第１実施例を示すブロック図である。
【図２】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明になる記憶装置の第１実施例の要部を示すブロック図である。
【図４】記憶装置の第１実施例におけるＭＰＵの動作を説明するフローチャートである。
【図５】本発明になる記憶装置の第２実施例の要部を示すブロック図である。
【図６】記憶装置の第２実施例におけるＭＰＵの動作を説明するフローチャートである。
【図７】ＭＰＵの割り込み処理を説明するフローチャートである。
【図８】ライトパワーと各パラメータとの関係を説明する図である。
【図９】ホスト装置からライトコマンドが発行された場合のＭＰＵ及びＯＤＣの処理を説明するフローチャートである。
【図１０】ホスト装置からライトコマンドが発行された場合のＭＰＵ及びＤＳＰの処理を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
３      光学ヘッド
２１      リード用スライス設定部
２２      ライト／イレーズ用スライス設定部
２３      スイッチ回路
２７，４４      比較器
４１      衝撃センサ
１０１      ノイズフィルタ
１０２      割り込み処理部
１０３      リード／ライト制御部
１１２      ＭＰＵ
１１６      ＤＳＰ
１７２      光磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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