(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内磁化記録層を互いにキュリー点の異なる２層以上の強磁性層によって構成するとともに、前記各強磁性層の層間に、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの内の少なくとも１つ以上からなる非磁性金属層を設け、前記非磁性金属層の層厚を制御することによって、隣り合う強磁性層の磁化を互いに逆向きに磁気交換結合し、前記相対的に低いキュリー点を越えた温度における保磁力及び残留磁化がキュリー点が相対的に高い強磁性層の保磁力及び残留磁化のみを反映することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記各強磁性層の内、キュリー点が相対的に高い強磁性層をＣｏを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ、Ｓｍ、Ｎｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記各強磁性層の内、キュリー点が相対的に低い強磁性層をＮｉを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｇｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、特に、磁気ヘッドの書込み能力以上の保磁力を有する磁気記録媒体の記録部を加熱し、保磁力を低下させて書込みを行う場合の記録層の構成に特徴のある磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のハードディスク装置の小型化，大容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能なハードディスク装置の研究開発が急速に進められており、そのために、記録ビットの幅も記録密度の上昇に応じて狭くなってきている。
【０００３】
より小さな記録ビットを磁気ディスク記録媒体に形成するためには、記録ヘッドの高性能化もさることながら、磁気ディスク記録媒体自体の高保磁力化及び低ノイズ化が重要となる。
この様な磁気ディスク記録媒体の記録層としては、面内磁化、即ち、磁性層の平面に対して垂直方向の磁化ではなく、平面に平行な方向の磁化を利用したＣｏＣｒＰｔ等のＣｏＣｒ系合金が使用されている。
【０００４】
一方、磁気記録装置においては、通常、浮上型磁気ヘッドが用いられており、書き込みを行う場合には、誘導型薄膜磁気ヘッドを用い、再生を行う場合には、ＭＲ（磁気抵抗）型或いはＧＭＲ（巨大磁気抵抗）型の再生磁気ヘッドを用いており、再生磁気ヘッドにおいては、年々感度が向上しており、より微小な漏れ磁界の検出が可能になっている。
【０００５】
しかし、書き込み用の誘導型磁気ヘッドにおいても記録性能は年々向上しているものの、磁気記録媒体のＳＮ比の向上に不可欠な保磁力の増加に対してその記録能力の向上スピードは必ずしも十分ではないという問題がある。
【０００６】
上述の様に高磁気記録密度化を達成するためには磁気記録媒体の高保磁力化が必要であるが、誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力以上には保磁力を上げられないため、この様な問題を解決するために、誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力以上の保磁力を有する磁気記録媒体に磁気記録を行うための技術として、書き込み時に、記録部を加熱し、保磁力を低下させて書き込みを行う加熱磁気記録方式が提案（必要ならば、特公平２−３７５０１号公報参照）されている。
また、それに伴って、この様な加熱磁気記録方式により適した磁気記録媒体の構造、或いは、材料の検討が始まっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ハードディスクにおいて一般に用いられている面内磁化膜であるＣｏＣｒ系合金を用いた場合、キュリー点Ｔc が６００℃以上と高く、残留磁束密度Ｂr や保磁力Ｈc の温度変化が比較的小さいという問題がある。
【０００８】
一方、加熱記録方式を採用している光磁気ディスク（ＭＯ）において用いられているＴｂＦｅＣｏ等のアモルファスフェリ磁性体はキュリー点Ｔc が低いので残留磁束密度Ｂr や保磁力Ｈc の温度変化が大きいものの、垂直磁化膜であり、ハードディスクにおいて一般に用いられている面内磁化膜にするのが困難であるので、このままでは現状のハードディスクシステムには転用できないという問題がある。
【０００９】
また、磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、強磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒径を微細化する必要があるが、結晶粒径を微細化することによって、熱揺らぎが生じて記録磁化が不安定になる問題があり、この様な問題を解決するためには記録保持温度における保磁力を高める必要がある。
【００１０】
なお、熱揺らぎとは、熱によって磁性粒子を構成する原子の振動による磁化方向の振動に起因するものであり、この熱揺らぎの影響は、Ｋu を記録層の磁気異方性定数、Ｖを記録層の単位磁化の体積、ｋをボルツマン定数、絶対温度をＴとすると、Ｋu ・Ｖ／ｋＴで表され、この値が大きいほど熱的に安定である。
したがって、この熱揺らぎは温度の上昇とともに顕著になるとともに、Ｓ／Ｎ比の改善のために磁気クラスターを小さくするとＶが小さくなり、熱揺らぎの影響が増加し、磁化方向が反転して記録したデータが破壊されやすくなり、熱的に非常に不安定になる
【００１１】
したがって、本発明は、面内磁化膜で構成される記録層の残留磁束密度Ｂr や保磁力Ｈc の温度変化を大きくするとともに、記録保持温度での保磁力を高めることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図において、符号１はＡｌ基板或いはガラス基板等の基板であり、また、符号５はダイヤモンドライクカーボン膜或いはグラファイト膜からなる保護膜である。
図１参照
（１）本発明は、磁気記録媒体において、面内磁化記録層を互いにキュリー点の異なる２層以上の強磁性層２，４によって構成するとともに、各強磁性層２，４の層間に、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの内の少なくとも１つ以上からなる非磁性金属層３を設け、この非磁性金属層３の層厚を制御することによって、隣り合う強磁性層の磁化を互いに逆向きに磁気交換結合し、前記相対的に低いキュリー点を越えた温度における保磁力及び残留磁化がキュリー点が相対的に高い強磁性層４の保磁力及び残留磁化のみを反映することを特徴とする。
【００１３】
この様に、面内磁化記録層を非磁性金属層３によって分離された互いにキュリー点の異なる２層以上の強磁性層２，４によって構成し、非磁性金属層３の層厚を制御することによって、非磁性金属層３を挟んで対向する強磁性層２，４の磁化方向を互いに逆向き、即ち、反平行にしてフェリ的な磁気構造を構成することができ、それによって、残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくすることができる。
即ち、面内磁化記録層全体としての残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化は、各強磁性層２，４の残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化の差となるが、各強磁性層２，４の残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化が異なることによって、面内磁化記録層全体としての残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を単層の強磁性層２，４を用いた場合に比べて大きくすることができる。
【００１４】
また、面内磁化記録層を非磁性金属層３によって分離された２層以上の強磁性層２，４を互いにキュリー点Ｔc の異なる強磁性層によって構成することによって、記録保持温度、例えば、室温近傍における保磁力を大きくすることができるので、熱揺らぎに対して記録磁化を安定化することができる。
【００１５】
（２）また、本発明は、上記（１）において、各強磁性層２，４の内、キュリー点が相対的に高い強磁性層４をＣｏを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ、Ｓｍ、Ｎｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする。
【００１６】
この様に、残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくするためには、各強磁性層２，４の内、キュリー点が相対的に高い強磁性層４を、Ｃｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 或いはＣｏ69Ｃｒ21Ｐｔ8 Ｔａ2 等のＣｏを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ、Ｓｍ、Ｎｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することが望ましい。
【００１７】
（３）また、本発明は、上記（１）において、各強磁性層２，４の内、キュリー点が相対的に低い強磁性層２をＮｉを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｇｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする。
【００１８】
この様に、残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくするためには、各強磁性層２，４の内、キュリー点が相対的に低い強磁性層２を、Ｃｏ55Ｃｒ45等のＣｏを主成分とする合金で構成しても良いが、両者の差を大きくするためには、Ｎｉ82Ｆｅ18等のＮｉを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｇｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金によって構成することが望ましい。
【００１９】
上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体に磁気情報を書き込むとともに書き込んだ磁気情報を再生する場合には、加熱式磁気記録装置に半導体レーザを光源として用いた加熱機構を設けることが好適である。
【００２０】
即ち、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体の特性を最大限に生かすためには、加熱機構を備えた加熱式磁気記録装置を用いることが必要であり、この場合、磁気ヘッド自体に光源となる半導体レーザを搭載した加熱機構或いは光モジュール上に光源となる半導体レーザを搭載した加熱機構を用いることによって光を精確に照射することができるとともに、加熱式磁気記録装置全体の小型化が可能になる。
【００２１】
また、この様な加熱式磁気記録装置において、書き込んだ磁気情報を再生する際の加熱機構による加熱温度を、２層以上の強磁性層２，４の内の最も低いキュリー点以上且つ最も高いキュリー点以下の温度とすることが望ましい。
【００２２】
即ち、書き込んだ磁気情報を再生する際の加熱機構による加熱温度Ｔを、
ＴcMIN≦Ｔ≦ＴcMAX
とすることによって、キュリー点の低い強磁性体層の残留磁化ＭrMINを加熱により消失させることができ、それによって、キュリー点の高い強磁性体層の残留磁化ＭrMAXを、ＭrMINによって減ずることなくそのまま出力することができるので、高出力化が可能になる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。
図２（ａ）参照
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図であり、Ａｒガスをプロセスガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、例えば、５ｍＴｏｒｒの真空度において、まず、例えば、３．５インチ（≒８．９ｃｍ）のガラス基板１１上に、厚さ５〜５０ｎｍ、例えば、２０ｎｍのＮｉＦｅ強磁性層１２、厚さ０．１〜５．０ｎｍ、例えば、１ｎｍのＲｕ中間層１３、厚さ５〜５０ｎｍ、例えば、４０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ強磁性層１４、及び、厚さ１〜２０ｎｍ、例えば、５ｎｍのグラファイト層からなるカーボン保護層１５を順次堆積させる。
なお、この場合の各層の堆積速度は、堆積順に、例えば、２．５ｎｍ／秒、０．７ｎｍ／秒、２．５ｎｍ／秒、及び、０．３ｎｍ／秒とする。
また、ＮｉＦｅ強磁性層１２としては、キュリー点Ｔc が約２００℃のＮｉ35Ｆｅ65を用い、また、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層１４としては、キュリー点Ｔc が約８００℃のＣｏ75Ｃｒ13Ｐｔ12を用いた。
【００２４】
この場合のＮｉＦｅ強磁性層１２の磁化方向とＣｏＣｒＰｔ強磁性層１４の磁化方向が、互いに逆向き、即ち、反平行になるようにＲｕ中間層１３の厚さを制御するものであり、それによってフェリ的な磁気構造を構成する。
【００２５】
即ち、ハードディスク用磁気ヘッド技術として開発された積層フェリ型スピンバルブ素子は、ＴｂＦｅＣｏと同じようなフェリ的な磁気構造をＣｏ等の２層の面内磁化強磁性層の層間にＲｕ等の非磁性金属層を挟んだサンドイッチ構造とすることによって実現しており、本発明者はこの様な技術事項に着目し、この技術事項を磁気記録媒体に応用し、それによって、ＴｂＦｅＣｏと同様に残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくしようとするものである。
【００２６】
図２（ｂ）参照
図２（ｂ）は、この様にして作製した磁気記録媒体１０の面内方向の保磁力Ｈc 及び残留磁化Ｍr の温度依存性を示した図であり、比較のために、単層の面内磁化記録層を設けた従来の磁気記録媒体の面内方向の保磁力Ｈc 及び残留磁化Ｍr の温度依存性も合わせて示している。
なお、この場合の従来の磁気記録媒体は、上記の第１の実施の形態と同じ堆積条件において、ガラス基板上に、Ｃｒ下地層、厚さ４０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ強磁性層、厚さ５ｎｍのグラファイト層を順次堆積して作製した。
【００２７】
図２（ｂ）から明らかな様に、面内磁化記録層を多層化することによって、保磁力Ｈc は加熱温度の上昇とともに大きく低下し、室温近傍からの温度変化は、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体に比べて大幅に変化しており、大きな温度変化が得られる。
また、室温近傍における保磁力Ｈｃは、約７ｋＯｅであり、従来の磁気記録媒体の約３ｋＯｅに比べて２倍以上の値になっており、高保磁力となっているので、高密度磁気記録が可能になるとともに、熱揺らぎ耐性が向上する。
【００２８】
この磁気記録媒体１０に磁気情報を書き込む場合、記録位置をレーザ光の照射により加熱することによって、保磁力Ｈc を大幅に低下させることができるので、書き込み用誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力が磁気記録媒体１０の保磁力Ｈc を下回っていても、書き込みが可能になる。
【００２９】
また、図２（ｂ）から明らかな様に、面内磁化記録層を多層化することによって、残留磁化Ｍr は加熱温度の上昇とともに大きく増加し、１７５℃近傍から再び低減するのに対して、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体の場合には、単調減少傾向が見られる。
したがって、多層化することによって、室温近傍における面内磁化記録層全体としての残留磁化Ｍr は非常に小さな値となるが、再生時にＮｉＦｅ強磁性層１２のキュリー点以上の温度に加熱することによって、ＮｉＦｅ強磁性層１２側の残留磁化を消すことができ、それによって、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層１４の残留磁化のみを読み出すことができるので、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体と同様の再生強度を得ることができる。
【００３０】
次に、図３及び図４を参照して、本発明の第２の実施の形態を説明する。
図３参照
図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図であり、上記の第１の実施の形態と同様に、Ａｒガスをプロセスガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、例えば、５ｍＴｏｒｒの真空度において、まず、例えば、３．５インチ（≒８．９ｃｍ）のＳｉ基板２１上に、厚さ５〜５０ｎｍ、例えば、２０ｎｍのＮｉＣｒ強磁性層２２、厚さ０．１〜５．０ｎｍ、例えば、１ｎｍのＣｕ中間層２３、厚さ５〜５０ｎｍ、例えば、４０ｎｍのＣｏＳｍ強磁性層２４、及び、厚さ１〜２０ｎｍ、例えば、５ｎｍのグラファイト層からなるカーボン保護層２５を順次堆積させる。
なお、この場合の各層の堆積速度は、堆積順に、例えば、２．５ｎｍ／秒、０．７ｎｍ／秒、２．５ｎｍ／秒、及び、０．３ｎｍ／秒とする。
また、ＮｉＣｒ強磁性層１２としては、キュリー点Ｔc が約２００℃のＮｉ95Ｃｒ5 を用い、また、ＣｏＳｍ強磁性層２４としては、キュリー点Ｔc が約１０００℃のＣｏ80Ｓｍ20を用いた。
【００３１】
この場合も、ＮｉＣｒ強磁性層２２の磁化方向とＣｏＳｍ強磁性層２４の磁化方向が反平行になるようにＣｕ中間層２３の厚さを制御してフェリ的な磁気構造を構成するものであり、それによって、上記の第１の実施の形態と同様に、単層の面内磁化記録層を用いた場合よりも、残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくすることができる。
【００３２】
図４参照
図４は、本発明の第２の実施の形態に用いる加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、光ピックアップ３０を設け、光ピックアップ３０からのレーザ光３１を記録位置にスポット集光して、記録位置を加熱しながら磁気情報を書き込んだり或いは書き込んだ磁気情報を再生する以外は、従来のＨＤＤ装置の構成と実質的に同様である。
この場合、レーザ光３１は、対物レンズによって約１μｍのスポットに集光されるものであり、また、磁気ヘッド２７は光ピックアップ３０と反対側に浮上することになる。
【００３３】
即ち、Ｃｕ中間層で分離されたＣｏＳｍ強磁性層及びＮｉＣｒ強磁性層とからなる記録層２６を設けた磁気記録媒体２０をスピンドル２９によって回転させるとともに、サスペンション２８によって支持された磁気ヘッド２７を走査しながら所定の位置にレーザ光３１を照射しながら磁気情報を書き込んだり、或いは、所定の位置にレーザ光３１を照射しながら書き込んだ磁気情報を読み出して再生するものである。
【００３４】
この場合のレーザ光３１の照射による加熱温度は、例えば、４００℃であり、ＮｉＣｒ強磁性層２２のキュリー点とＣｏＳｍ強磁性層２４のキュリー点の中間の値とする。
特に、再生の際に、ＮｉＣｒ強磁性層２２のキュリー点とＣｏＳｍ強磁性層２４のキュリー点の中間の温度で加熱することによって、ＮｉＣｒ強磁性層２２の残留磁化Ｍr を消失させ、ＣｏＳｍ強磁性層２４の残留磁化Ｍr のみを読み出すことが可能になる。
なお、この第２の実施の形態の加熱式磁気記録装置の場合には、光ピックアップ３０と磁気ヘッド２７の位置関係から、両面記録タイプの磁気記録媒体には適用できないものである。
【００３５】
次に、図５を参照して、本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置を説明するが、磁気記録媒体２０の回転機構等は図４の場合と同様であるので、磁気ヘッド近傍の構成のみを図示する。
図５参照
図５は、本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、レーザ光３１の光源となる半導体レーザ３３を対物レンズ等の光学系３４とともに、スライダー３２に装着したものである。
【００３６】
即ち、磁気ヘッド２７の基板を兼ねるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるスライダーの一方の面に、スピンバルブ素子等からなる再生用ＭＲ素子と、その上に積層させた誘導型の薄膜磁気ヘッドからなる複合型薄膜磁気ヘッドを設け、その上に、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜等を介して半導体レーザ３３及び光学系３４をハイブリッド的に装着したものである。
この場合、半導体レーザ３３からのレーザ光３１は、光学系３４によって整形されるとともに、１μｍ程度のスポット径で記録位置に集光されて記録位置を加熱することになる。
【００３７】
次に、図６を参照して、本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置を説明するが、磁気記録媒体２０の回転機構等は図４の場合と同様であるので、磁気ヘッド近傍の構成のみを図示する。
図６参照
図６は、本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、対物レンズ等の光学系３４をスライダー３２の側面に装着するとともに、別の位置に設けた光モジュール（図示せず）からのレーザ光３１を導く光ファイバ３５を装着したものである。
【００３８】
即ち、磁気ヘッド２７の基板を兼ねるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるスライダーの一方の面に、スピンバルブ素子等からなる再生用ＭＲ素子と、その上に積層させた誘導型の薄膜磁気ヘッドからなる複合型薄膜磁気ヘッドを設け、サスペンション２８の背面に装着した光ファイバ３５の先端部を、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜等を介して薄膜磁気ヘッド２７の上に光学系３４とともに装着したものである。
この場合、光ファイバ３５を伝送されてきたレーザ光３１は、光学系３４によって整形されるとともに、１μｍ程度のスポット径で記録位置に集光されて記録位置を加熱することになる。
【００３９】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、面内磁化記録層を構成するキュリー点の高い強磁性層として、Ｃｏ75Ｃｒ13Ｐｔ12強磁性層或いはＣｏ80Ｓｍ20強磁性層を用いているが、この様な組成比のＣｏＣｒＰｔ強磁性層或いはＣｏＳｍ強磁性層に限られるものではなく、他の組成比のＣｏＣｒＰｔ強磁性層或いはＣｏＳｍ強磁性層を用いても良いものである。
【００４０】
さらには、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層或いはＣｏＳｍ強磁性層に限られるものではなく、Ｃｏを主成分とするとともに、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂ、Ｓｍ、Ｎｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金、例えば、ＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層を用いても良いものであり、或いは、二元のＣｏＣｒ強磁性層でも良いものである。
【００４１】
また、上記の各実施の形態においては、面内磁化記録層を構成するキュリー点の低い強磁性層として、Ｎｉ35Ｆｅ65強磁性層或いはＮｉ95Ｃｒ5 強磁性層を用いているが、この様な組成比のＮｉＦｅ強磁性層或いはＮｉＣｒ強磁性層に限られるものではなく、他の組成比のＮｉＦｅ強磁性層或いはＮｉＣｒ強磁性層を用いても良いものである。
【００４２】
さらには、キュリー点が相対的に低いものであれば、Ｃｏ75Ｃｒ25等のＣｏを主成分とする強磁性体を用いても良いが、加熱温度のマージンをより広くするためには、Ｎｉを主成分とする強磁性層がより望ましく、ＮｉにＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｇｄの内の少なくとも１つ以上の元素を含む合金からなる強磁性層を用いることが望ましい。
【００４３】
また、上記の各実施の形態においては、強磁性層を分離する非磁性金属層として、Ｒｕ中間層或いはＣｕ中間層を用いているが、Ｒｕ或いはＣｕに限られるものではなく、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、或いは、Ａｕを用いても良いものであり、さらには、Ｒｕ及びＣｕを含めてこれらの合金を用いても良いものである。
【００４４】
また、上記の各実施の形態においては、強磁性層を２層構造にしているが、３層以上の多層構造としても良いものであり、いずれにしても、隣接する強磁性層間に設ける非磁性金属層の層厚を制御して、隣り合う強磁性層の磁化の方向が互いに逆向きになるようにすれば良い。
【００４５】
また、上記の各実施の形態の説明においては、表面保護層をグラファイト層によって構成しているが、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層を用いても良いものであり、その場合には、ＤＬＣ層はプラズマＣＶＤ法を用いて堆積させれば良い。
【００４６】
また、上記の各実施の形態においては、基板としてガラス基板或いはＳｉ基板を用いているが、基板はガラス基板或いはＳｉ基板に限られるものではなく、Ａｌ基板、カーボン基板、或いは、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック基板等を用いても良いものである。
【００４７】
また、上記の各実施の形態においては、キュリー点が相対的に高い強磁性層が磁気ヘッド側に位置するように積層しているが、必ずしも、必須ではなく、キュリー点が相対的に高い強磁性層を基板に最初に堆積させる様にしても良い。
但し、ＣｏＣｒＰｔ等の強磁性膜は、ガラス等に基板に直接堆積させた場合には、強磁性を示さないので、ガラス基板上に、Ｃｒ層或いはＣｒ90Ｍｏ10層等の下地層を設けてから堆積を行う必要がある。
【００４８】
また、上記の各実施の形態の説明においては、ハードディスクシステムを前提としているが、必ずしも、ハードディスクに限られるものではなく、フロッピーディスク等の他の磁気記録媒体にも適用されるものである。
【００４９】
また、薄膜磁気ヘッドを構成する再生素子としては、特段の制限を受けるものではなく、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子、或いは、磁気抵抗（ＭＲ）素子等の磁気抵抗センサを用いれば良いものである。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、面内磁化記録層を互いに異なったキュリー点を有する強磁性層により多層構造とし、その層間に設ける非磁性金属層の層厚を制御してフェリ的な磁気構造を形成しているので、残留磁束密度Ｂr 及び保磁力Ｈc の温度変化を大きくすることができ、それによって、磁気ヘッドの書き込み能力が磁気記録媒体の保磁力より下回った場合にも書き込みが可能になるので、高磁気記録密度化が可能になり、また、室温近傍での保磁力を大きくすることができるので記録保持能力が高まり、熱揺らぎ耐性が大きくなるので記録磁化を安定にすることができ、ひいては、ハードディスク装置等の磁気記録装置の大容量化及び高密度磁気記録化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に用いる加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【符号の説明】
１  基板
２  強磁性層
３  非磁性金属層
４  強磁性層
５  保護層
１０  磁気記録媒体
１１  ガラス基板
１２  ＮｉＦｅ強磁性層
１３  Ｒｕ中間層
１４  ＣｏＣｒＰｔ強磁性層
１５  カーボン保護層
２０  磁気記録媒体
２１  Ｓｉ基板
２２  ＮｉＣｒ強磁性層
２３  Ｃｕ中間層
２４  ＣｏＳｍ強磁性層
２５  カーボン保護層
２６  記録層
２７  磁気ヘッド
２８  サスペンション
２９  スピンドル
３０  光ピックアップ
３１  レーザ光
３２  スライダー
３３  半導体レーザ
３４  光学系
３５  光ファイバ
【図１】
0003811880.tif 000002
【図２】
0003811880.tif 000003
【図３】
0003811880.tif 000004
【図４】
0003811880.tif 000005
【図５】
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【図６】
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