(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドをディスクの半径方向に移動させるボイスコイルモータを駆動源とするヘッドアクチュエータと、前記ヘッドを前記ディスク上から退避させておくためのランプ機構とを備えたヘッドロード・アンロード方式のディスク記憶装置において、
前記ボイスコイルモータの逆起電圧を検出するためのボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路と、
ヘッドロードの開始時に、前記ボイスコイルモータに複数通りの異なる電流を順次流して、その都度前記逆起電圧モニタ回路による逆起電圧モニタ値を読み込むことで、前記逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値を取得する第１のキャリブレーション手段と、
前記第１のキャリブレーション手段により取得されたキャリブレーション値を用いてヘッドロード制御を行うヘッドロード制御手段と、
前記ディスク記憶装置内の温度を検知するための温度検知手段と、
前記温度検知手段を用いてヘッドロードの開始時の装置内温度と当該ヘッドロードによって前記ディスク上に移動されたヘッドをアンロードするヘッドアンロードの開始時の装置内温度とを測定する温度測定手段と、
温度変化と前記逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係に従い、前記温度測定手段により測定されたヘッドアンロードの開始時の温度とヘッドロードの開始時の温度との温度差をもとに、当該ヘッドロードの開始時に前記第１のキャリブレーション手段により取得されたキャリブレーション値を前記ヘッドアンロードの開始時の温度に対応する値に補正する第２のキャリブレーション手段と、
前記第２のキャリブレーション手段により温度補正されたキャリブレーション値を用いてヘッドアンロード制御を行うヘッドアンロード制御手段とを具備することを特徴とするボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路の温度補償機能を有するディスク記憶装置。
【請求項２】
前記温度変化に対する前記逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量の関係を表す温度補正係数が予め格納されている不揮発性記憶手段を更に具備し、
前記第２のキャリブレーション手段は、前記不揮発性記憶手段に格納されている前記温度補正係数と前記ヘッドアンロードの開始時の温度と前記ヘッドロードの開始時の温度との温度差とをもとに、前記第１のキャリブレーション手段により取得されたキャリブレーション値を前記ヘッドアンロードの開始時の温度に対応する値に補正することを特徴とするボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路の温度補償機能を有する請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記不揮発性記憶手段に格納されている温度補正係数が、当該不揮発性記憶手段を備えた前記ディスク記憶装置に固有の温度補正係数であることを特徴とする請求項２記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
ヘッドをディスクの半径方向に移動させるボイスコイルモータを駆動源とするヘッドアクチュエータと、前記ヘッドを前記ディスク上から退避させておくためのランプ機構と、前記ボイスコイルモータの逆起電圧を検出するためのボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路とを備えたヘッドロード・アンロード方式のディスク記憶装置におけるボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路温度補償方法であって、
ヘッドロードの開始時に、前記ボイスコイルモータに複数通りの異なる電流を順次流して、その都度前記逆起電圧モニタ回路による逆起電圧モニタ値を読み込むことで、前記逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値を取得する第１のステップと、
前記第１のステップで取得されたキャリブレーション値を用いてヘッドロード制御を行う第２のステップと、
前記ヘッドロードの開始時に前記ディスク記憶装置内の温度を測定する第３のステップと、
前記ヘッドロードによって前記ディスク上に移動されたヘッドをアンロードするヘッドアンロードの開始時に前記ディスク記憶装置内の温度を測定する第４のステップと、
温度変化と前記逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係に従い、前記第４のステップで測定されたヘッドアンロードの開始時の温度と前記第３のステップで測定されたヘッドロードの開始時の温度との温度差をもとに、当該ヘッドロードの開始時に前記第１のステップで取得されたキャリブレーション値を前記ヘッドアンロードの開始時の温度に対応する値に補正する第５のステップと、
前記第５のステップで温度補正されたキャリブレーション値を用いてヘッドアンロード制御を行う第６のステップとを具備することを特徴とするボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路温度補償方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘッドをディスク（ディスク媒体）の半径方向に移動させるヘッドアクチュエータの駆動源をなすボイスコイルモータ（ＶＣＭ）に生じる逆起電圧をボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路により検出し、この逆起電圧に基づいてヘッドのロード・アンロード制御を行うディスク記憶装置に係り、特にボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路の温度補償機能を有するディスク記憶装置及びボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路温度補償方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近時、ヘッドにより情報の記録再生を行うディスク装置、例えば小型磁気ディスク装置の中には、ヘッドのロード・アンロード方式を適用するものが出現している。ロード・アンロード方式の特徴は、ディスク（磁気ディスク媒体）の回転停止状態など、データのリード／ライト動作を行わない状態では、ヘッドをディスクの外周より更に外側に位置するランプ（ランプ機構）上に退避させておき、ディスクを回転停止状態から定常回転させた際には、ヘッドをランプ機構上の退避位置からディスク上に移動させて、ホストから指定されたリード／ライト動作を行うことにある。また、ディスクの回転を停止する際には、ヘッドをディスク上からランプ上に退避する。ここで、ヘッドをランプ上からディスク上に移動させることをヘッドロード、逆にディスク上からランプ上に移動させることをヘッドアンロードという。
【０００３】
従来、この種の磁気ディスク装置、即ち磁気ヘッドを磁気ディスク上にロードし、またはそこからランプ上にアンロードする、ヘッドロード・アンロード方式の磁気ディスク装置では、ヘッドを駆動するためのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）に生じる逆起電圧を逆起電圧モニタ回路により検出し、当該逆起電圧から算出されるＶＣＭの速度に基づいてロード・アンロード制御を実行するようになっている。
【０００４】
ところが、上記逆起電圧モニタ回路からは、ＶＣＭ速度が０であっても、ＶＣＭ抵抗の温度変化やアンプゲインのばらつきにより、電流に比例したモニタ出力が得られてしまう。
【０００５】
そこで、特開平１１−２５６２６号公報には、ヘッドロードの前に、ＶＣＭを固定した状態（ＶＣＭ速度が０の状態）で当該モータに複数通りの電流（ＶＣＭ電流）を流して逆起電圧モニタ回路のモニタ出力を測定し、その測定結果に基づいて逆起電圧モニタ回路のオフセットを補正するキャリブレーション技術（以下、先行技術と称する）が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように先行技術では、ヘッドロードの前にＶＣＭを固定した状態で当該モータに電流を流して逆起電圧モニタ回路の出力値のキャリブレーションを行うようにしている。したがって、このキャリブレーション値を利用することで、ヘッドロード制御において逆起電圧モニタ回路の出力値を正しく補正して正しいＶＣＭ速度を求めることが可能となり、安定したヘッドロードを実現できる。
【０００７】
ところが、ヘッドアンロード時の装置内温度（特にＶＣＭ温度）は、ヘッドロード時の温度と必ずしも同じではない。つまり、ヘッドロードからヘッドアンロードまでの間はＶＣＭに電流が流れているため、一般には温度が上昇する可能性が高い。また、環境温度の変化で装置内温度が下がることもあり得る。もし、ＶＣＭ温度が変化した場合、ＶＣＭ抵抗値が変化する。この場合、ヘッドロード時に取得したキャリブレーション値を用いて逆起電圧モニタ回路の出力値を補正したのでは、正しく補正できない。
【０００８】
そこで、ヘッドアンロード時にもヘッドロード時と同様のキャリブレーションを行うことが考えられる。しかし、ヘッドロードを行う際にはヘッドはディスク上に存在するため、（ヘッドロード時のようにヘッドがランプに退避されていてラッチに固定されている状態とは異なって）、ＶＣＭに電流を流すと当該ＶＣＭが駆動してヘッドが移動してしまうため、当該ＶＣＭに電流を流してキャリブレーションを行うことはできない。
【０００９】
よって上記先行技術では、ロード時からアンロード時までの間の温度変化によりＶＣＭ抵抗値が変化した場合、ヘッドアンロード制御において逆起電圧モニタ回路の出力値を正しく補正できなくなる。この場合、速度検出を誤って、アンロード制御が発振したり、或いは速度制御ができなくなる虞があった。
【００１０】
本発明は上記事情を考慮してなされたものでその目的は、温度変化と逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係を予め把握しておき、ヘッドアンロード時には、ヘッドロード時に取得したキャリブレーション値をロード時との温度差に応じて補正することにより正しいキャリブレーション値を取得できる、ボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路の温度補償機能を有するディスク記憶装置及びボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路温度補償方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のディスク記憶装置は、ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）の逆起電圧を検出するためのＶＣＭ逆起電圧モニタ回路と、ヘッドロード開始時に、ＶＣＭに複数通りの異なる電流を順次流して、その都度逆起電圧モニタ回路による逆起電圧モニタ値を読み込むことで、逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値を取得する第１のキャリブレーション手段と、ここで取得されたキャリブレーション値を用いてヘッドロード制御を行うヘッドロード制御手段と、上記ディスク記憶装置内の温度を検知するための温度検知手段と、この温度検知手段を用いてヘッドロード開始時の装置内温度とヘッドアンロード開始時の装置内温度とを測定する温度測定手段と、温度変化と逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係に従い、上記温度測定手段により測定されたヘッドアンロード開始時の温度とヘッドロード開始時の温度との温度差をもとに、上記第１のキャリブレーション手段により取得されたキャリブレーション値をヘッドアンロード開始時の温度に対応する値に補正する第２のキャリブレーション手段と、この温度補正されたキャリブレーション値を用いてヘッドアンロード制御を行うヘッドアンロード制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
上記の構成においては、ヘッドロードを開始するに際し、ＶＣＭに電流を流すことにより逆起電圧モニタ回路のキャリブレーションが行われて、そのキャリブレーション値が求められる。したがって、このキャリブレーション値を用いてヘッドロード制御を行うことで、つまり逆起電圧モニタ回路のモニタ出力値（逆起電圧モニタ値）を、このキャリブレーション値で補正してＶＣＭの速度を求め、ヘッドロードの速度制御を行うことで、安定したヘッドロードが実現できる。
【００１３】
また上記の構成においては、ヘッドロード開始時（ロード開始に際しての上記キャリブレーション時）の温度と、ヘッドアンロード開始時の温度とが、温度検知手段（温度センサ）を用いて測定され、ヘッドアンロード開始時の温度のヘッドロード開始時の温度に対する温度差をもとに、予め把握されている温度変化と逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係に従い、ヘッドロード開始時に求められたキャリブレーション値が、現在の温度に対応する正しい値に補正される。
【００１４】
これにより、ヘッドロード時からヘッドアンロード時までに温度変化があったとしても、ヘッドアンロード制御での温度変化に起因する速度検出の誤りを減少させ、安定したヘッドアンロードが実現できる。しかも、ＶＣＭ電流を流すとヘッドが意図しない位置へ移動する可能性のあるヘッドアンロード時に、ＶＣＭ電流を流すことなく、逆起電圧モニタ回路のキャリブレーションが実現できる。また、キャリブレーションのためにＶＣＭ電流を流さないことから、音を発生することがなく、更に物理的動作を伴わないキャリブレーションのため、処理時間を殆ど必要としない。
【００１５】
また本発明は、上記した温度変化に対する逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量の関係を表す温度補正係数が予め不揮発性記憶手段に格納されている構成を適用することで、この温度補正係数と、ヘッドアンロード開始時の温度とヘッドロード開始時の温度との温度差とから、ヘッドロード時に取得したキャリブレーション値をヘッドアンロード開始時の温度に対応する値に補正するようにしたことをも特徴とする。一般に、ＶＣＭ抵抗の抵抗値変化量は温度変化に比例することから、逆起電圧モニタ値の温度による変化量も温度変化に比例する。したがって上記温度補正係数は１次式の係数となり、簡単な計算でキャリブレーション値を補正できる。
【００１６】
ここで、温度変化に対する逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量の関係は、ＶＣＭ毎に異なる。つまりディスク記憶装置毎に異なる。そこで、各ディスク記憶装置毎に、例えば製造段階で、温度変化に対する当該ディスク記憶装置内の逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量の関係を把握しておき、その関係を表す温度補正係数を、当該ディスク記憶装置に固有の温度補正係数として当該ディスク記憶装置の不揮発性記憶手段にのみ格納しておくならば、各ディスク記憶装置でそれぞれ最適な温度補正係数によるキャリブレーションが実現できる。これにより、各ディスク記憶装置間のＶＣＭ抵抗のばらつきや、逆起電圧モニタ回路のばらつきを吸収し、ヘッドアンロード制御での温度変化に起因する速度検出の誤りを減少させ、安定したヘッドアンロードが実現できる。
【００１７】
また本発明は、逆起電圧モニタ回路の、ＶＣＭ抵抗（Ｖvcm）及びセンス抵抗（Ｒs）と組み合わせて当該モニタ回路を理想的な状態に設定するための２つの抵抗（第１及び第２の抵抗）を含む回路要素が集積回路化されていることも特徴とする。
【００１８】
このように、逆起電圧モニタ回路の少なくとも第１及び第２の抵抗（Ｒ1，Ｒ2）を含む回路要素を集積回路化することで、従来のように第２の抵抗（Ｒ2）にＶＣＭ抵抗の温度変化に追従する専用の感温素子を用いる構成に比べて、部品点数の削減が図れる。また、本発明では、先に述べたように、温度検知手段で検知された温度に基づく計算による温度補正を適用しており、専用の感温素子を用いてハードウェア的に温度補正を行うのではないため、部品ばらつきによる特性の悪化がない。ここで、第１及び第２の抵抗として、外部から抵抗値が可変設定可能な抵抗を用いるならば、少なくともヘッドロード時には、逆起電圧モニタ回路を理想的な状態に設定するための条件であるＲvcm＝Ｒs＊Ｒ2／Ｒ1に極力近づける設定が容易に実現可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
図１の磁気ディスク装置（ＨＤＤ）において、１１はデータが磁気記録される記録媒体としてのディスク（磁気ディスク）、１２はディスク１１へのデータ書き込み（データ記録）及びディスク１１からのデータ読み出し（データ再生）に用いられるヘッド（磁気ヘッド）である。ヘッド１２は、ディスク１１の各記録面に対応してそれぞれ設けられているものとする。なお、図１の構成では、ディスク１１が２枚積層配置されたＨＤＤを想定しているが、ディスク１１が３枚以上積層配置されたＨＤＤ、或いは単一枚のディスク１１を備えたＨＤＤであっても構わない。
【００２１】
ディスク１１の記録面には、同心円状の多数のトラック（図示せず）が形成されている。各トラックには、ヘッド１２のシーク・位置決め等に用いられるサーボ情報が記録されたサーボ領域（図示せず）が等間隔で配置されている。このサーボ領域間には複数の記録単位としてのセクタ（データセクタ）が配置されている。各サーボ領域は、ディスク１１上では中心から各トラックを渡って放射状に等間隔で配置されている。
【００２２】
ディスク１１はスピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１３により高速に回転する。ヘッド１２はヘッド移動機構としてのヘッドアクチュエータ（ロータリ型ヘッドアクチュエータ）１５に取り付けられており、当該アクチュエータ１５の回動（角度回転）に従ってディスク１１の半径方向に移動する。これにより、ヘッド１２は、目標トラック上にシーク・位置決めされるようになっている。ヘッドアクチュエータ１５は、当該アクチュエータ１５の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４を有しており、当該ＶＣＭ１４により駆動される。
【００２３】
ディスク１１の外周側には、図２に示すように、（ＳＰＭ１３の回転停止に伴う）当該ディスク１１の回転停止状態においてヘッド１２を退避（リトラクト）させておくためのランプ２００が配置されている。
【００２４】
ＳＰＭ１３は、ＳＰＭドライバ（ＳＰＭ駆動回路）１６から供給される操作電流（ＳＰＭ電流）により駆動される。ＶＣＭ１４を有するヘッドアクチュエータ１５は、ＶＣＭドライバ（ヘッドアクチュエータ駆動回路）１７から供給される操作電流（ＶＣＭ電流）により駆動される。本実施形態において、ＳＰＭドライバ１６及びＶＣＭドライバ１７は、１チップに集積回路化されたドライバＩＣ１８によって実現されている。ＳＰＭドライバ１６からＳＰＭ１３に、ＶＣＭドライバ１７からＶＣＭ１４に、それぞれ供給される操作電流を決定するための値（操作量）は、ＣＰＵ２５により決定される。
【００２５】
ＶＣＭドライバ１７は、ＶＣＭ１４に生じる逆起電圧をモニタするための逆起電圧モニタ回路１７０を内蔵している。この逆起電圧モニタ回路１７０は、図３に示すようにＶＣＭ１４に接続して用いられる周知の回路構成を有している。
【００２６】
ヘッド１２は、目標トラック上にシーク・位置決めされた後、ディスク１１の回転動作により、そのトラック上を走査する。またヘッド１２は、走査によりその上に等間隔を保って配置されたサーボ領域のサーボ情報を順に読み込む。またヘッド１２は、走査により目標セクタに対するデータの読み書きを行う。
【００２７】
ヘッド１２は例えばフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に実装されたヘッドアンプ回路（ヘッドＩＣ）１９と接続されている。ヘッドアンプ回路１９は、（ＣＰＵ２５からの制御に従う）ヘッド１２の切り替え、ヘッド１２との間のリード／ライト信号の入出力等を司る。ヘッドアンプ回路１９は、ヘッド１２で読み取られたアナログ出力（ヘッド１２のリード信号）を増幅すると共に、Ｒ／Ｗ回路（リード／ライトＩＣ）２０から送られるライトデータに所定の信号処理を施してこれをヘッド１２に送る。
【００２８】
Ｒ／Ｗ（リード／ライト）回路２０は、ヘッド１２によりディスク１１から読み出されてヘッドアンプ回路１９で増幅されたアナログ出力（ヘッド１２のリード信号）を一定の電圧に増幅するＡＧＣ（自動利得制御）機能と、このＡＧＣ機能により増幅されたリード信号から例えばＮＲＺコードのデータに復号するのに必要な信号処理を行うデコード機能（リードチャネル）と、ディスク１１へのデータ記録に必要な信号処理を行うエンコード機能（ライトチャネル）と、上記リード信号からのサーボ情報抽出を可能とするために当該リード信号をパルス化してパルス化リードデータとして出力するパルス化機能と、次に述べるサーボ処理回路２１からのタイミング信号（バーストタイミング信号）に応じてサーボ情報中のバーストデータを抽出する機能とを有している。このバーストデータはＣＰＵ２５に送られて、ヘッド１２を目標トラックの目標位置に位置決めするための位置決め制御に用いられる。
【００２９】
サーボ処理回路２１は、Ｒ／Ｗ回路２０から出力されるリードパルスからサーボ情報を取得するための、バーストタイミング信号を含む各種タイミング信号を生成する機能と、サーボ情報中のシリンダコードを抽出する機能とを有している。このシリンダコードは、ＣＰＵ２５に送られて、ヘッド１２を目標トラックに移動するシーク制御に用いられる。
【００３０】
ディスクコントローラ２２は、ＨＤＤを利用するホストシステム（以下、ホストと称する）と接続されている。ディスクコントローラ２２は、このホストとの間のコマンド（ライトコマンド、リードコマンド等）、データの通信を制御するインタフェース制御機能と、ディスク１ｌとの間のデータ転送を制御するディスク制御機能と、次に述べるバッファメモリ２３を制御するバッファ制御機能とを有する。
【００３１】
バッファメモリ２３は、主として、ホストから転送されてディスク１ｌに書き込むべきデータ（ライトデータ）を一時格納するためのライトキャッシュと、ディスク１ｌから読み出されてホストに転送されるデータ（リードデータ）を一時格納するためのリードキャッシュとして用いられる。バッファメモリ２３は例えばＲＡＭ（Random Access Memory）を用いて構成される。
【００３２】
温度センサ２４は、磁気ディスク装置内の温度を検知してＣＰＵ２５に通知する。ここでは、温度センサ２４は装置内の特にＶＣＭ１４の温度を検知するために、当該ＶＣＭ１４の近傍に配置されている。
【００３３】
ＣＰＵ２５は、制御プログラムに従うＨＤＤ全体の制御、例えばサーボ処理回路２１により抽出されたシリンダコード及びＲ／Ｗ回路２０により抽出されたバーストデータに基づくヘッド１２のシーク・位置決め制御、ホストからのリード／ライトコマンドに従うディスクコントローラ２２によるディスクアクセス制御（リード／ライトアクセス制御）等を実行する。
【００３４】
ＣＰＵ２５はまた、ヘッド１２のロード・アンロード制御を行う。ＣＰＵ２５はアナログ／ディジタルコンバータ（以下、ＡＤＣと称する）２５０を内蔵しており、ヘッドロード時には、逆起電圧モニタ回路１７０の逆起電圧モニタ出力をＡＤＣ２５０を介して入力する操作を、ＶＣＭ１４の電流を切り替えて行うことで、当該逆起電圧モニタ回路１７０の逆起電圧モニタ出力に対するキャリブレーション値を求めて、ＶＣＭ１４の速度検出に用いる。またＣＰＵ２５は、ヘッドアンロード時には、ロード時とアンロード時の装置内温度（温度センサ２４の温度検知結果）の差に応じて、ロード時に取得したキャリブレーション値を補正し、その補正後のキャリブレーション値を用いてＶＣＭ１４の速度検出を行う。
【００３５】
ＣＰＵ２５には、上記制御プログラムが予め格納されている書き換え可能な不揮発性メモリとしてのフラッシュＲＯＭ（Read Only Memory）２６と、当該ＣＰＵ２５のワーク領域等を提供するＲＡＭ（Random Access Memory）２７とが接続されている。フラッシュＲＯＭ（以下、ＦＲＯＭと称する）２６には、温度変化と上記キャリブレーション値の変化量との関係を示す情報が予め格納されている。
【００３６】
次に、図１の構成におけるヘッドのロード・アンロードの概略について説明する。
今、図１の磁気ディスク装置が電源オフ状態または省電力モードにあって、ＳＰＭ１３（ディスク１１）が回転停止状態にあるものとする。この状態では、ヘッド１２はランプ２００上に退避されている。
【００３７】
ＣＰＵ２５は、ホスト等からの指示により、ＳＰＭ１３（ディスク１１）の回転停止状態からヘッド１２によるリード／ライトが可能な通常状態に切り替える必要が発生した場合、ヘッド１２がランプ２００上に退避されている状態でＳＰＭ１３を起動する。ＳＰＭ１３が定常回転速度に達すると、つまりディスク１１が定常回転速度に達すると、ＣＰＵ２５はＶＣＭ１４を駆動してヘッド１２をディスク１１上に移動するためのロード制御を行う。
【００３８】
逆に、ＳＰＭ１３を回転を停止する際には、それに先立ってＶＣＭ１４を（ロード時とは逆方向に）駆動して、ヘッド１２をディスク１１上からランプ２００上に退避させるためのアンロード制御を行う。ヘッド１２がランプ２００上に退避されると、（当該ヘッド１２の駆動機構である）ヘッドアクチュエータ１５が図示せぬラッチにより固定され、ヘッド１２がランプ２００から飛び出すのが防止される。この段階で、ＣＰＵ２５はＳＰＭ１３の回転を停止する。
【００３９】
次に、ヘッドロード時のキャリブレーションを含む処理について、図３に示した逆起電圧モニタ回路１７０の構成と、図４のフローチャートとを参照して説明する。
まず、図３に示す逆起電圧モニタ回路１７０は、従来の磁気ディスク装置における逆起電圧モニタ回路と同様に、オペアンプ（差動アンプ）３０１，３０２、及び抵抗３０３〜３０９からなる。抵抗３０３はＶＣＭ１４に流れる電流（ＶＣＭ電流）を電圧に変換して検出するためのセンス抵抗であり、その抵抗値はＲsである。また、抵抗（第１、第２の抵抗）３０４，３０５、即ち初段のアンプ３０１の利得を決定する抵抗３０４，３０５の抵抗値はＲ1，Ｒ2であり、抵抗３０６〜３０９の抵抗はいずれもＲである。逆起電圧モニタ回路１７０が従来の逆起電圧モニタ回路と異なる点は、当該逆起電圧モニタ回路１７０の少なくとも抵抗３０４，３０５を含む回路要素がドライバＩＣ１８の一部として集積回路化されていることにある。ここで、抵抗３０４，３０５は、その抵抗値Ｒ1，Ｒ2がＣＰＵ２５から例えばシリアルインタフェースを介して可変設定可能なようになっており、抵抗３０５に感温素子を用いていない点も従来とは相違する。
【００４０】
図３の逆起電圧モニタ回路１７０において、ＶＣＭ１４の逆起電圧Ｖは、次式
Ｖ＝−（Ｖvcm−Ｉvcm＊Ｒs＊Ｒ2／Ｒ1）＋Vref   …（１）
Ｖvcm ：ＶＣＭ両端にかかる電圧（Ｉvcm＊Ｒvcm＋Ｖ）
Ｉvcm ：ＶＣＭに流れる電流
Ｒvcm ：ＶＣＭ抵抗
Ｒs ：センス抵抗
Vref：リファレンス電圧
により示される電圧として求められる。
【００４１】
ここで、ＶＣＭ１４と逆起電圧モニタ回路１７０とが
Ｒvcm＝Ｒs＊Ｒ2／Ｒ1                            …（２）
を満足する状態、即ち
Ｉvcm＊Ｒvcm＝Ｉvcm＊Ｒs＊Ｒ2／Ｒ1              …（３）
を満足する理想的な状態で、ＶＣＭ１４の速度が０であれば、ＶＣＭ１４にどのような電流（ＶＣＭ電流）Ｉvcmを流しても、逆起電圧モニタ回路１７０のモニタ出力である逆起電圧モニタ値（ＶＣＭ逆起電圧モニタ値）は変わらない。
【００４２】
そのため従来であれば、Ｒ2として、即ち抵抗３０５として、その抵抗値Ｒ2がＶＣＭ１４の抵抗値（ＶＣＭ抵抗値）Ｒvcmの温度変化に極力追従するような感温素子を用いていた。しかし実際には、このような感温素子を探し求めることは困難である。特に、Ｒvcmの温度変化特性は装置毎に異なることから、装置毎に最適な感温素子を用いることは一層困難である。
【００４３】
これに対して本実施形態では、Ｒ1及びＲ2（抵抗３０４及び３０５の抵抗値）を可変できることから、ヘッドロード開始時に、ＣＰＵ２５の制御によりＶＣＭ１４に所定のＶＣＭ電流を流しながら、Ｒ1及びＲ2の組み合わせを種々変えて逆起電圧モニタ値を観測し、当該モニタ値が最小となる組み合わせを、上記（３）式を満足するＲ1及びＲ2であるとして、その際のＲ1及びＲ2の設定を採用している。したがって、少なくともヘッドロード時には、上記（３）式を満足する理想的な状態に近づけることは可能である。
【００４４】
しかし、上記のように理想的な状態に近づけることは可能でも、温度によるＶＣＭ抵抗Ｒvcmの変化や、アンプ３０１，３０２のゲイン（アンプゲイン）のばらつきにより、理想的な状態そのものに設定することは容易ではない。この場合、図６に示すようにＶＣＭ電流に比例したモニタ出力が得られる。そこで、これを補正するために以下に述べるキャリブレーションが必要となる。
【００４５】
本実施形態におけるキャリブレーションでは、まずＣＰＵ２５は温度センサ２４の検知出力をＡＤＣ２５０を介して読み込むことで、温度センサ２４により検知された装置内温度（ＶＣＭ温度）ｔ0を測定し、その温度（ロード時の温度）ｔ0をＲＡＭ２７の所定領域に格納する（ステップＳ１）。
【００４６】
次にＣＰＵ２５は、ＶＣＭドライバ１７を介してＶＣＭ１４に複数の異なった値の電流（ＶＣＭ電流）、例えば電流値がＩL ，ＩS の電流（以下、ＶＣＭ電流ＩL ，ＩS と称する）をアンロード方向、つまりヘッドアクチュエータ１５をラッチに固定した状態を保つ方向に順次流し、ＶＣＭ１４の速度が０の状態で、逆起電圧モニタ回路１７０のモニタ出力をＡＤＣ２５０を介して読み込むことで、ＶＣＭ電流ＩL ，ＩS の場合の逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS をそれぞれ測定し、ロード時のキャリブレーション値としてＲＡＭ２７の所定領域に格納する（ステップＳ２，Ｓ３）。これにより、ＶＣＭ１４の速度が０の状態における、図６に示すようなＶＣＭ電流に対する逆起電圧モニタ値の関係が得られる。
【００４７】
したがって、実際にヘッドロードするときには、そのヘッドロード時に逆起電圧モニタ回路１７０から得られる逆起電圧モニタ値から、そのときのＶＣＭ電流値に対するＶＣＭ速度０の状態における逆起電圧モニタ値との差分をとることにより、正しい逆起電圧を算出することができる。
【００４８】
そこで本実施形態では、ＣＰＵ２５はヘッドロード制御処理（Ｓ４）の中で、ＶＣＭ１４に（ロード方向に）ＶＣＭ電流Ｉ（電流値ＩのＶＣＭ電流）を流すと、その際の逆起電圧モニタ回路１７０のモニタ出力を読み込んで、ＶＣＭ電流値Ｉの場合の逆起電圧モニタ値Ｖ0 を測定し、ＲＡＭ２７の所定領域に格納する（ステップＳ４１）。
【００４９】
そしてＣＰＵ２５は、先に求めておいた、キャリブレーションを２通りのＶＣＭ電流ＩL ，ＩS で行った場合の、（キャリブレーション値としての）逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS と、今回求めたヘッドロード時におけるＶＣＭ電流Ｉに対する逆起電圧モニタ値Ｖ0 とをもとに、補正された逆起電圧Ｖを、１次の近似により、次式
Ｖ＝Ｖ0−{(ＶL−ＶS)/(ＩL−ＩS)}＊(Ｉ−ＩS)＋ＶS  …（４）
により算出する（ステップＳ４２）。
【００５０】
ここで、（４）式中の{(ＶL−ＶS)/(ＩL−ＩS)}＊(Ｉ−ＩS)＋ＶSは、図３に示したＶＣＭ速度０の状態における１次近似のＶＣＭ電流−逆起電圧モニタ値特性から求められる、ＶＣＭ電流Ｉを流した場合の逆起電圧モニタ値を示す。
【００５１】
明らかなように、上記（４）式より補正された逆起電圧Ｖは逆起電圧モニタ回路１７０のオフセットも補正したものとなる。
【００５２】
ＣＰＵ２５は、補正された正しい逆起電圧Ｖを求めると、当該逆起電圧Ｖに所定の速度換算係数を乗じることで、現在のＶＣＭ１４の速度を算出する（ステップＳ４３）。これによりＣＰＵ２５は、求めたＶＣＭ速度に従うヘッドロード制御を行うことができる。
【００５３】
次に、ヘッドアンロード時のキャリブレーションを含む処理について、図５のフローチャートを参照して説明する。
まず、ヘッドロード時からヘッドアンロード時までの間に装置内温度（特にＶＣＭ１４の温度）は変化し得る。もし、ヘッドロード時の温度ｔ0とヘッドアンロード時の温度ｔとが異なる場合、つまりヘッドロード時とヘッドアンロード時とで温度が変化した場合、ヘッドロード制御で適用したような、温度ｔ0でキャリブレーションを２通りのＶＣＭ電流ＩL ，ＩS にて行った場合の、逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS を用いての、上記（４）式に従う逆起電圧補正は適用できない。
【００５４】
ところが、ＶＣＭ抵抗Ｒvcm の抵抗値変化量は温度変化に比例する。このためＶＣＭ電流ＩL ，ＩS を流した際の逆起電圧モニタ値の温度による変化量も温度変化に比例する。そこで本実施形態では、装置の製造段階で、ＶＣＭ電流ＩL ，ＩS を流した状態で、温度が一定温度変化した場合の逆起電圧モニタ値の変化量を表す係数を、それぞれ温度補正係数ＡL ，ＡS として予め計算或いは測定により求め、それをＦＲＯＭ２６の所定領域に保存しておくことで、以下に述べるアンロード時の温度補正に用いるようにしている。
【００５５】
なお、測定により温度補正係数ＡL ，ＡS を求める場合、その測定を装置毎に行い、求めた温度補正係数ＡL ，ＡS を該当する装置のＦＲＯＭ２６にのみ保存するならば、各装置で使用される温度補正係数ＡL ，ＡS は当該装置の状態を反映した極めて高精度のものとなる。一方、計算により温度補正係数ＡL ，ＡS を求める方式では、当該係数を各装置に共通に設定できるものの（ＲＯＭに予め設定可能）、測定により求める方式に比べて精度の点で落ちる。
【００５６】
さてＣＰＵ２５は、ヘッド１２をランプ２００上にアンロードする際には、まず温度センサ２４の検知出力をＡＤＣ２５０を介して読み込むことで、温度センサ２４により検知された装置内温度ｔを測定し、その温度（アンロード時の温度）ｔをＲＡＭ２７の所定領域に格納する（ステップＳ１１）。
【００５７】
次にＣＰＵ２５は、アンロード時の装置内温度ｔがロード時の装置内温度ｔ0から変化している場合、ＶＣＭ電流に対する逆起電圧モニタ値の特性は図６から図７のように変化することから、ＦＲＯＭ２６に予め保存されている温度補正係数ＡL ，ＡS を用いて、２通りのＶＣＭ電流ＩL ，ＩS について、次式
ＶL′＝ＡL（ｔ−ｔ0）＋ＶL            …（５）
ＶS′＝ＡS（ｔ−ｔ0）＋ＶS            …（６）
により再キャリブレーションを行う（ステップＳ１２）。
【００５８】
この再キャリブレーションにより、先のヘッドロード時の温度ｔ0でのキャリブレーションで得られた逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS を、温度ｔ0から現在の温度ｔへの温度変化分だけ補正した逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS に変換できる。この逆起電圧モニタ値ＶL ，ＶS はＲＡＭ２７の所定領域に格納される。
【００５９】
このように本実施形態においては、ヘッドアンロード時に、実際にＶＣＭ電流を流してキャリブレーション動作を行うことなく、つまりヘッド１２の移動を招いて（ＶＣＭ速度０を保てないために）正確なキャリブレーションが困難な方式を適用することなく、温度によるキャリブレーション値の変化を補正することができる。
【００６０】
したがって、実際にヘッドアンロードするときには、そのヘッドアンロード時に逆起電圧モニタ回路１７０から得られる逆起電圧モニタ値から、そのときのＶＣＭ電流値に対する上記ステップＳ１２で温度補正された（ＶＣＭ速度０の状態における）逆起電圧モニタ値との差分をとることにより、正しい逆起電圧を算出することができる。
【００６１】
そこで本実施形態では、ＣＰＵ２５はヘッドアンロード制御処理（ステップＳ１３）の中で、ＶＣＭ１４に（アンロード方向に）ＶＣＭ電流Ｉ（電流値ＩのＶＣＭ電流）を流すと、その際の逆起電圧モニタ回路１７０のモニタ出力を読み込んで、ＶＣＭ電流値Ｉの場合の逆起電圧モニタ値Ｖ0 を測定し、ＲＡＭ２７の所定領域に格納する（ステップＳ１３１）。
【００６２】
そしてＣＰＵ２５は、先にステップＳ１２で求めておいた、再キャリブレーションを２通りのＶＣＭ電流ＩL ，ＩS で行った場合の、現在の温度ｔ0 での（キャリブレーション値としての温度補正された）逆起電圧モニタ値ＶL′，ＶS′と、今回ステップＳ１３で求めたヘッドアンロード時におけるＶＣＭ電流Ｉに対する逆起電圧モニタ値Ｖ0 とをもとに、補正された逆起電圧Ｖを、次式
Ｖ＝Ｖ0−{(ＶL′−ＶS′)/(ＩL−ＩS)}＊(Ｉ−ＩS)＋ＶS  …（７）
により算出する（ステップＳ１３２）。
【００６３】
ＣＰＵ２５は、補正された正しい逆起電圧Ｖを求めると、当該逆起電圧Ｖに所定の速度換算係数を乗じることで、現在のＶＣＭ１４の速度を算出する（ステップＳ１３３）。これによりＣＰＵ２５は、求めたＶＣＭ速度に従うヘッドアンロード制御を行うことができる。
【００６４】
なお、上記温度補正係数ＡL ，ＡS が、ＦＲＯＭ２６以外の不揮発性記憶手段、例えばディスク１１の所定領域（好ましくは、各種システム管理情報を保存するための、ユーザからはアクセスできない領域、いわゆるシステム領域）に保存されるものであっても構わない。
【００６５】
以上は、本発明を磁気ディスク装置に適用した場合について説明したが、本発明は、ヘッドのロード・アンロード方式を適用するディスク記憶装置であれば、光磁気ディスク装置など磁気ディスク装置以外のディスク記憶装置にも同様に適用できる。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、温度変化と逆起電圧モニタ回路のキャリブレーション値の変化量との関係を予め把握しておき、ヘッドアンロード時には、ヘッドロード時に取得したキャリブレーション値をロード時との温度差に応じて補正するようにしたので、実際にボイスコイルモータに電流を流して改めてキャリブレーションを行うことなく、正しいキャリブレーション値を取得できる。したがって、このキャリブレーション値で補正してＶＣＭの速度を求め、ヘッドアンロードの速度制御を行うことで、ヘッドロード時からの温度変化に起因するヘッドアンロード制御での速度検出の誤りを減少させ、安定したヘッドアンロードが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態におけるヘッド１２の退避状態（アンロード状態）を説明するための図。
【図３】図１中の逆起電圧モニタ回路１７０の構成を示す図。
【図４】同実施形態におけるヘッドロード時のキャリブレーションを含む処理手順を説明するためのフローチャート。
【図５】同実施形態におけるヘッドアンロード時のキャリブレーションを含む処理手順を説明するためのフローチャート。
【図６】ＶＣＭ電流と逆起電圧モニタ出力値との関係例を示す図。
【図７】図６の状態より温度が高い場合のＶＣＭ電流と逆起電圧モニタ出力値との関係例を示す図。
【符号の説明】
１１…ディスク
１２…ヘッド
１３…ＳＰＭ（スピンドルモータ）
１４…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）
１５…ヘッドアクチュエータ
１７…ＶＣＭドライバ
１８…ドライバＩＣ
２４…温度センサ（温度検知手段）
２５…ＣＰＵ（第１のキャリブレーション手段、ヘッドロード制御手段、温度測定手段、第２のキャリブレーション手段、ヘッドアンロード制御手段）
２６…ＦＲＯＭ（不揮発性記憶手段）
２７…ＲＡＭ
１７０…逆起電圧モニタ回路（ボイスコイルモータ逆起電圧モニタ回路）
２００…ランプ（ランプ機構）
３０１，３０２…オペアンプ
３０３〜３０９…抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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