(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ状のフィルムにテープ状の樹脂層を接着したテープ状樹脂をその供給リールと巻取リールとに張設してこのテープ状樹脂を所定長さ分だけ供給移送する工程と、
前記テープ状樹脂の供給移送経路に供給セットされた基板に対して、前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を加熱粘着する加熱機構の外周囲に設けた前記テープ状樹脂のガイド部によって前記テープ状樹脂をガイドさせた状態で、前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を接合載置する工程と、
前記基板に接合載置した前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を前記基板に前記加熱機構により加熱して貼着する工程と、
前記基板に貼着されたテープ状の樹脂層側と前記テープ状樹脂側とを分離させる工程とを有することを特徴とする基板へのテープ状樹脂貼着方法。
【請求項２】
基板にテープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を加熱して貼着した後に、前記テープ状の樹脂層に対する加熱作用を停止すると共に、前記基板に貼着したテープ状の樹脂層に連続する前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層側を冷却する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の基板へのテープ状樹脂貼着方法。
【請求項３】
テープ状の保護用フィルムにテープ状の樹脂層を接着したテープ状樹脂の供給リールと、前記テープ状樹脂における保護用フィルムの巻取リールと、前記テープ状樹脂を基板の大きさに対応する所定長さ分だけ供給するテープ供給機構と、基板に対して、前記テープ状樹脂をガイドさせた状態で、前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を接合載置させるガイド部と、前記ガイド部を外周囲に設け、且つ、前記テープ供給機構及び前記ガイド部にて供給された前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を前記基板に加熱貼着する加熱機構とを備えていることを特徴とする基板へのテープ状樹脂貼着装置。
【請求項４】
基板に貼着したテープ状の樹脂層に連続するテープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層側を冷却する冷却用気体の供給機構を備えていることを特徴とする請求項３に記載の基板へのテープ状樹脂貼着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、フリップチップの組立てを自動的に行うための方法及び装置に関するものであり、特に、簡易な手段によって、基板と半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を充填することができる方法及び装置の改良に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ＬＳＩチップを回路基板に実装する手段の一つとして、所謂、フリップチップボンディング法が提案されている。
このフリップチップボンディング法は、例えば、前記チップ側の電極に予め半田バンプを装着し、そして、このチップをフェースダウンの状態で基板に重ね合わせてその半田バンプと前記基板側の電極とを合致させ、次に、この状態で所要の加熱及び加圧力を加えることによって前記半田バンプを溶融して半田付けするものであり、これによって高密度の実装が可能となっている。
また、前記基板と半導体ＬＳＩチップとは線膨張等が異なるため、これに基因して、例えば、加熱による抵抗の増加や電極の接合部が損傷される等の不具合が発生する。従って、このような弊害を解消する目的で、前記基板と半導体ＬＳＩチップとの間隙に樹脂材料を充填してこの充填樹脂にて両者を接着させることにより、線膨張等が異なることに基因する前記した影響を抑制して製品の信頼性を向上させるようにしている。
更に、基板と半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を充填する手段としては、例えば、前記基板に半導体ＬＳＩチップを装着した後にその両者間に液状樹脂材（アンダーフィル材）をディスペンスして毛細管現象により充填させ更にこの充填樹脂材のキュアを行う液状樹脂ディスペンス法や、予め前記基板に樹脂コート銀粒子入りフィルムを貼着してこの基板に半導体ＬＳＩチップを装着しその後に前記フィルムを加熱硬化させるＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film) 法や、予め前記基板に液状の熱硬化性樹脂材をディスペンスしてこの基板に半導体ＬＳＩチップを装着しその後に前記樹脂材を硬化させるＥＳＣ(Epoxy Encapsulated Solder Connection)法等が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
基板と半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を充填する前記した従来の手段、例えば、前記液状樹脂ディスペンス法においては、半導体ＬＳＩチップの装着時に用いられたフラックス等を除去するための洗浄工程が必要であること、樹脂充填に長時間を要すること、充填樹脂のキュアが必要であること等から生産効率が悪く、更に、専用のフラックス塗布装置・アンダーフィル装置・キュア装置等が必要となるため生産コストが高くなると云う問題点が指摘されている。
また、前記したＡＣＦ法においては、フラックス塗布工程やディスペンス工程が不要になると云った利点があるが、この方法に使用される樹脂コート銀粒子入りフィルムのコストが高価であることや、接続抵抗にバラツキが多く、更に、高温高湿下において抵抗増加が大きくなる等の問題点が指摘されている。
また、前記したＥＳＣ法においては、フラックス塗布工程が不要になる他、樹脂充填時間が短くなると云った利点があるが、高品質を備えた製品の高能率生産等を達成するためにはディスペンサの性能依存が大きいと云った問題点が指摘されている。
【０００４】
そこで、本発明は、前記したようなディスペンサを用いることなく、前記基板と半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を充填することができる簡易な方法及び装置を提供することを目的とする。
そして、これによって、高品質性及び高信頼性を備えた半導体製品を高能率生産することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記した技術的課題を解決するための本発明に係る基板へのテープ状樹脂貼着方法は、テープ状のフィルムにテープ状の樹脂層13を接着したテープ状樹脂４をその供給リール14と巻取リール15とに張設してこのテープ状樹脂４を所定長さ分だけ供給移送する工程と、前記テープ状樹脂４の供給移送経路に供給セットされた基板１に対して、前記テープ状樹脂におけるテープ状の樹脂層を加熱粘着する加熱機構19の外周囲に設けた前記テープ状樹脂４のガイド部18によって前記テープ状樹脂４をガイドさせた状態で、前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を接合載置する工程と、前記基板１に接合載置した前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を前記基板１に前記加熱機構19により加熱して貼着する工程と、前記基板１に貼着されたテープ状の樹脂層13ａ側と前記テープ状樹脂４側とを分離させる工程とを有することを特徴とするものである。
【０００６】
また、本発明に係る基板へのテープ状樹脂貼着方法は、前記基板１にテープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を加熱して貼着した後に、前記テープ状の樹脂層13に対する加熱作用を停止すると共に、前記基板１に貼着したテープ状の樹脂層13ａに連続する前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13側を冷却する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００７】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る基板へのテープ状樹脂貼着装置は、テープ状の保護用フィルムにテープ状の樹脂層13を接着したテープ状樹脂４の供給リール14と、前記テープ状樹脂４における保護用フィルム12の巻取リール15・16と、前記テープ状樹脂４を基板１の大きさに対応する所定長さ分だけ供給するテープ供給機構と、基板１に対して、前記テープ状樹脂４をガイドさせた状態で、前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を接合載置させるガイド部18と、前記ガイド部18を外周囲に設け、且つ、前記テープ供給機構及び前記ガイド部18にて供給された前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を前記基板に加熱貼着する加熱機構19とを備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明に係る基板へのテープ状樹脂貼着装置は、前記した基板１に貼着したテープ状の樹脂層13ａに連続する前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13側を冷却する冷却用気体の供給機構20を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】
本発明によれば、テープ供給機構を介して、所定長さ分だけ自動的に供給されてくるテープ状樹脂４のテープ状の樹脂層13を、ガイド部18及び加熱機構19を介して、基板１に加熱貼着すると云う簡易な手段によって、前記樹脂層13を貼着した前記基板１にフェースダウンの状態で圧着される半導体ＬＳＩチップ９との間に樹脂材料を充填することができる。
【００１０】
【実施例】
以下、本発明を実施例図に基づいて詳細に説明する。
図１は、フリップチップ組立装置の全体概略図であり、この装置の構成要部を機能別に分割した状態を示している。
図２は、前記組立装置の概略横断平面図であり、その各構成要部を連結して構成した状態を示している。
図３は、前記組立装置の一構成要部であるラミネートモジュールの概略縦断正面図である。
図４及び図５は、前記ラミネートモジュールにおける樹脂貼着機構の要部を示す拡大正面図である。
図６は、前記ラミネートモジュールにおける樹脂貼着機構の要部を示す拡大側面図である。
図７は、前記ラミネートモジュールにおいて用いられるテープ状樹脂の拡大端面図である。
図８は、前記テープ状樹脂の他の構造例を示す拡大端面図である。
図９は、前記テープ状樹脂の切断溝形成状態を示す拡大端面図である。
図10及び図11は、前記組立装置の一構成要部であるアライメントモジュールにおける半導体ＬＳＩチップ用トレイのストッカ装填部の要部を示す概略縦断正面図及び概略横断平面図である。
図12は、前記ストッカに収納される半導体ＬＳＩチップ用トレイを示す概略平面図である。
図13は、前記トレイの他の形状例を示す概略平面図である。
図14(1) は半導体ＬＳＩチップ用トレイアダプタを示す概略斜視図、図14(2) は前記トレイアダプタに移載される小トレイを示す概略斜視図である。
図15は、前記トレイアダプタに小チップトレイを収納させた状態を示す概略斜視図である。
【００１１】
前記フリップチップ組立装置は、図１及び図２に概略図示するように、この装置の構成要部を機能別に分割すると共に、それらを必要に応じて適宜に結合して或はこれらを適宜に取外すことによって、所望する諸機能を備えた装置の構成を採用することができるように設けられている。
即ち、前記したフリップチップ組立装置は、基板収容トレイからピックアップを介して多数枚（図例では、10枚）の基板１を搬送用のキャリア２に移載するための機能を備えた基板ストックモジュール３と、前記キャリア２上の各基板１に対して後述するテープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を各別に貼着するための機能を備えたラミネートモジュール５と、前記テープ状の樹脂層13を貼着した前記キャリア２上の各基板１ａを加熱乾燥するための機能を備えたベイキングモジュール６と、半導体ＬＳＩチップ用トレイ７からピックアップ８を介して取り出した半導体ＬＳＩチップ９をフェースダウンの状態で前記キャリア２上の各基板１ａの夫々に加圧して圧着するための機能を備えたアライメントモジュール10と、半導体ＬＳＩチップ９を圧着した前記キャリア２上の各基板１ｂを更に加熱加圧して樹脂のゲル化と半田の溶融及び樹脂の硬化を行うための機能を備えたキュアモジュール11とから構成されている。
また、前記したキャリア２は、前記各モジュール３・５・６・10・11を結合一体化して構成したフリップチップ組立装置内を循環するように装備されている。そして、このキャリア２上の各基板１・１ａ・１ｂは、前記各モジュール内の所定位置に移送されて夫々の処理位置に案内することができるように設けられている。更に、前記各モジュールにおける各処理を完了した処理済の各基板１ｃは、前記キャリア２を介して、元位置の前記基板ストックモジュール３に移送されると共に、これらの処理済各基板１ｃはピックアップを介して基板取出用トレイに移載するように設けられている。
【００１２】
また、前記したように、図２に示す組立装置は、基板ストックモジュール３、ラミネートモジュール５、ベイキングモジュール６、アライメントモジュール10及びキュアモジュール11の各モジュールを結合一体化することによって夫々の機能を備えたフリップチップ組立装置として構成されている。
しかしながら、この装置の構成は、前記したように、必要に応じて適宜に結合し或は取外すことにより所望する諸機能を備えることができるように設けられている。
従って、例えば、基板ストックモジュール３とラミネートモジュール５との２モジュールのみを結合一体化させた場合は、基板１に対するラミネート専用装置としての装置構成を採用することができる。また、例えば、前記テープ状樹脂４を貼着したキャリア２上の各基板１ａに対する再加熱・再乾燥処理が不要である場合においては、前記したベイキングモジュール６を省略した装置の構成を採用することができる。更に、例えば、各種検査モジュール等、この種生産工程に必要とされるその他の機能を備えたモジュールを追加して結合一体化することができる。
即ち、実際のフリップチップ組立作業の状態やその他の作業条件等に対応して適宜に各モジュールの増減組合わせを行うことができるため、作業の実状に適合させることができると云った利点があるのみならず、装置構成から不要な機能部分を省略することができるため全体的な設備コストの低減化が図れると云った利点がある。
【００１３】
また、前記基板ストックモジュール３について詳述すると、このモジュールには、前記基板１を収容した基板トレイをストックする基板トレイストッカ（図示なし）の装填部が設けられると共に、この基板トレイストッカ内の基板トレイを所定位置に送り出す基板トレイフィーダ（図示なし）が設けられている。
従って、前記したように、基板収容トレイからピックアップを介して多数枚の処理前各基板１を前記キャリア２上に移載すると共に、処理済各基板１ｃを前記キャリア２からピックアップを介して基板取出用トレイに移載することができるように設けられている。
【００１４】
また、前記したラミネートモジュール５には、後述するように、前記基板１へのテープ状樹脂４の貼着機構が設けられるが、この貼着機構に装填されるテープ状樹脂４は、図７に示すように、例えば、剥離容易性を有する素材から形成されたテープ状の保護用フィルム12とこのフィルム12上に接着したテープ状の樹脂層13とから成る２層タイプの構造を有している。
なお、この２層タイプのテープ状樹脂４は前記テープ状の樹脂層13の片面のみが前記保護用フィルム12にて保護されているが、図８に示すように、前記テープ状の樹脂層13の両面を保護用フィルム12・12ａにて夫々保護するようにした３層タイプの構造を有するテープ状樹脂４ａを用いても差し支えない。
【００１５】
また、前記したラミネートモジュール５に設けられる前記基板１へのテープ状樹脂４の貼着機構は、次のように構成されている。
前記テープ状樹脂貼着機構は、図３乃至図６に概略図示するように、テープ状樹脂４の供給リール14と、前記保護用フィルム12の巻取リール15・16と、この両リール14・15(16)間に配設したガイド用ロール17と、前記テープ状樹脂４を前記基板１の大きさに対応する所定長さ分だけ供給するためのテープ供給機構（図示なし）と、前記キャリア２上にセットされた基板１の上面に対して、前記テープ状樹脂４をガイドさせた状態で、前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を接合載置させるためのガイド部18と、前記ガイド部18を外周囲に設け、且つ、前記テープ供給機構及び前記ガイド部18にて供給された前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を前記キャリア２上の基板上面に押圧状に加熱して貼着する加熱機構19と、前記基板１に貼着した前記テープ状の樹脂層13と保護用フィルム12との分離作用を効率よく且つ確実に行うための冷却用気体の供給機構20とが備えられている。
更に、前記した２層タイプのテープ状樹脂４は前記供給リール14に装填されると共に、その送り出し側となる保護用フィルム12の端部は前記ガイド部18を経て前記巻取リール15に巻装されており、また、このとき、前記保護用フィルム12に接着された前記テープ状の樹脂層13は前記キャリア２上の基板１側に配置されるように張設されている。
なお、前記した３層タイプのテープ状樹脂４ａの場合は、前記した２層タイプのものと同様に、前記供給リール14に装填すると共に、その送り出し側となる一方側の保護用フィルム12の端部を前記ガイド部18を経て前記巻取リール15に巻装すればよいが、その送り出し側となる他方側の保護用フィルム12ａの端部は前記他方側の巻取リール16に巻装すればよい。従って、２層タイプ或は３層タイプのいずれのテープ状樹脂４・４ａを使用する場合においても、前記ガイド部18側へ供給されるテープ状樹脂は、実質的に、前記保護用フィルム12とこれに接着された前記テープ状の樹脂層13から成る２層タイプの状態となる。
また、図３中の符号21は、前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13の切断溝形成機構であって、前記基板１にテープ状の樹脂層13を貼着する前に、前記テープ供給機構により供給移送されるテープ状の樹脂層13の所定間隔位置に、カッター22を介して図９に示すような適宜な切断溝23を形成しておき、後述する基板上面に貼着したテープ状の樹脂層13ａとこれに連続する樹脂層13との間を前記切断溝23の部位で容易に分離するために設けられるものである。従って、この切断溝形成機構21はテープ状樹脂貼着機構としては必ずしも必須のものではないため、例えば、作業上の必要性等に対応して補助的に併設すればよい。
また、前記キャリア２上の前記基板１に対する確実な位置決めやそのセット状態をより確実に行う等の目的で、例えば、前記基板１に対する適宜な真空吸着機構（図示なし）を併設するようにしてもよい。
また、前記キャリア２上にセットされた基板１の上面に対して前記テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を接合載置させるための手段としては、前記したガイド部18を前記基板１側に移動（図例では、下動）させる手段、或は、これとは逆に、前記基板１を前記ガイド部18側に移動（図例では、上動）させる手段のいずれを採用しても差し支えない。
【００１６】
また、前記テープ状樹脂貼着機構における加熱機構19には、図３乃至図５に示すように、前記ガイド部18において前記キャリア２上の基板１に向かって進退自在（図例の場合は、下方位置にセットされている基板１に向かって上下動自在）に設けられると共に、前記ガイド部18を介して基板１の上面に接合載置された状態にあるテープ状樹脂４をその保護用フィルム12側から基板１に向かって所要の加圧力にて押圧しながら加熱してそのテープ状の樹脂層13を前記基板１の上面に貼着するための加熱ヘッド24が設けられている。
【００１７】
また、前記テープ状樹脂貼着機構における冷却用気体供給機構20は、図３乃至図６に示すように、前記ガイド部18の先端部側面（図例では、下端部側面）の位置に開設した気体吹出口25と、この気体吹出口25と気体供給源（図示なし）との間を連通させた気体通路26等から構成されており、この気体吹出口25から吹き出した気体が、前記ガイド部18に供給されたテープ状樹脂４の保護用フィルム12側に供給されるように設けられている。
なお、前記気体は前記テープ状の樹脂層13を冷却できるものであればよく、従って、例えば、常温の空気やこれよりも低温となる冷却空気、或は、その他の適当な冷却用の気体等を用いることができる。
【００１８】
また、前記ベイキングモジュール６には、前記したテープ状の樹脂層13を貼着した前記キャリア２上の各基板１ａを加熱乾燥するためのベイキング炉と、この加熱後の前記基板１を冷却する冷却ブロア（図示なし）等が備えられている。
【００１９】
また、前記アライメントモジュール10について詳述すると、このモジュールには、図10乃至図12に示すように、半導体ＬＳＩチップ９を収容したチップトレイ27をストックするチップトレイストッカ28の装填部（図例では、２個）が設けられると共に、このチップトレイストッカ28内のチップトレイ27を所定位置に送り出すチップトレイフィーダ29が設けられている。
更に、このモジュールにおいては、図示しないが、前記半導体ＬＳＩチップ９のバンプを前記基板１ａに圧着するための前工程を行うための反転（図例では、上下反転によるフェースダウン）機構と、前記半導体ＬＳＩチップ９を前記基板１に圧着するための圧着ヘッド等が設けられている。
従って、前記したように、所定位置にセットされたチップトレイ７からピックアップ８を介して取り出した半導体ＬＳＩチップ９を前記したフェースダウンの状態で前記キャリア２上の基板１ａの位置にまで移送すると共に、その半導体ＬＳＩチップ９を前記圧着ヘッドを介して前記基板１ａに加圧して圧着することができるように設けられている。
【００２０】
また、前記したチップトレイには、前処理工程との関係で、その形状が大小相違するものが用いられている。
即ち、図12に示すようなチップトレイ27を用いる場合は、このチップトレイ27の形状に対応した専用のチップトレイストッカ28やチップトレイフィーダ29及びピックアップ８等を装備する必要がある。従って、例えば、図13に示すような前記チップトレイ27よりも小さな形状のチップトレイ30を使用するときは、この小チップトレイ30専用のチップトレイストッカやチップトレイフィーダ及びピックアップ等を装備しなければならない。
しかしながら、このような問題は、図14(1) に示すような専用のチップトレイ用アダプタ31を用いることによって解消することができる。
即ち、前記チップトレイ用アダプタ31の大きさは前記チップトレイ27と同じ大きさに形成されており、また、その中央部には前記小チップトレイ30をそのまま嵌合させることができる嵌合凹所32が形成されている。
従って、例えば、図14(2) に示すような小チップトレイ30を、図15に示すように、前記チップトレイ用アダプタ31の嵌合凹所32内に嵌装させることにより、この小チップトレイ30を恰も前記チップトレイ27と同様にして用いることができるので、その結果、前記したチップトレイストッカ28やチップトレイフィーダ29及びピックアップ８を交換することなくこれらの機器をそのまま兼用することができる。
このため、前記したように、形状が大小相違するチップトレイを用いることが予定されているときは、その中で最大形状のチップトレイ用の機器類を装備すると共に、その最大形状のチップトレイと同形状のチップトレイ用アダプタを準備しておくことによって、それよりも小さな形状のチップトレイ用の機器として兼用することができると云った利点がある。
【００２１】
また、前記キュアモジュール11には、前記した樹脂のゲル化加圧機構と、半田溶融・樹脂硬化機構（図示なし）等が備えられている。
【００２２】
以下、前記したフリップチップ組立装置よる成形作用について説明する。
まず、基板ストックモジュール３に装填した基板トレイストッカ内の基板収容トレイを基板トレイフィーダを介して所定位置に送り出すと共に、その基板収容トレイからピックアップを介して多数枚の処理前各基板１を搬送用キャリア２上に移載する。
次に、前記キャリア２を介して、前記各基板１をラミネートモジュール５側に移送する。そして、前記キャリア２上にセットされた各基板１の上面に対して、加熱粘着する加熱機構19の外周囲に設けた前記テープ状樹脂４のガイド部18によって前記テープ状樹脂４をガイドさせた状態で、テープ状樹脂４におけるテープ状の樹脂層13を接合載置すると共に、この樹脂層13を、加熱機構19における加熱ヘッド24を介して、その保護用フィルム12側から前記基板１に向かって所要の加圧力にて押圧しながら加熱して前記基板１の上面に貼着する。
次に、前記加熱ヘッド24を前記保護用フィルム12面から後退させると共に、冷却用気体供給機構20を介して、その気体吹出口25から冷却用の気体を吹き出して前記基板１の上面に貼着されたテープ状の樹脂層13ａに連続する樹脂層13部分を冷却する。このとき、前記樹脂層13ａは前記加熱ヘッド24によって所要の加熱状態にあること、また、これに連続する樹脂層13は冷却された状態にあること、更に、前記基板１に対する樹脂層13ａの貼着後において前記基板１と前記ガイド部18との両者を再び離反させること等から、この両者間の温度差及び離反作用とによって、前記樹脂層13ａとこれに連続する樹脂層13との間はその境界線の部位で容易に切断分離されることになると共に、貼着された前記基板１上の樹脂層13ａと前記保護用フィルム12との間は容易に剥離されることになる。
次に、前記テープ状の樹脂層13ａを貼着した前記キャリア２上の各基板１ａをベイキングモジュール６におけるベイキング炉内に移送してこれを加熱乾燥すると共に、その加熱処理後において前記各基板１ａを冷却ブロアにて冷却する。
次に、前記加熱乾燥処理を受けた前記各基板１ａをアライメントモジュール10側に移送する。このアライメントモジュール10においては、予め、チップトレイ７がチップトレイフィーダ29を介してチップトレイストッカ28から送り出されて所定の位置にセットされている。従って、前記チップトレイ７からピックアップ８を介して取り出した半導体ＬＳＩチップ９を前記フェースダウンの状態で前記キャリア２上の各基板１ａの位置にまで夫々移送すると共に、その半導体ＬＳＩチップ９を圧着ヘッドを介して前記各基板１ａに加圧して圧着すればよい。
次に、前記半導体ＬＳＩチップ９を圧着したキャリア２上の前記各基板１ｂをキュアモジュール11側に移送する。そして、樹脂のゲル化加圧機構及び半田溶融・樹脂硬化機構を介して、前記各基板１ｂを更に加熱且つ加圧して樹脂のゲル化と半田の溶融及び樹脂の硬化を行う。
次に、前記キュア処理を受けて全ての処理が完了した処理済各基板１ｃを、前記キャリア２を介して、元位置の前記基板ストックモジュール３側に移送する。  次に、前記基板ストックモジュール３に移送された前記処理済各基板１ｃを、ピックアップを介して、前記キャリア２から基板取出用トレイに移載する。
なお、この処理済各基板１ｃは、前記基板取出用トレイを介して、装置外に取り出すことができる。
【００２３】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用できるものである。
【００２４】
【発明の効果】
本発明によれば、テープ供給機構を介して、所定長さ分だけ自動的に供給されてくるテープ状樹脂のテープ状の樹脂層を、ガイド部及び加熱機構を介して、基板に加熱貼着すると云う簡易な手段によって、前記樹脂層を貼着した前記基板にフェースダウンの状態で圧着される半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を充填することができる。
従って、このような本発明によれば、前述したようなディスペンサを用いることなく、基板と半導体ＬＳＩチップとの間に樹脂材料を効率よく且つ確実に充填することができる簡易な方法及び装置を提供することができと云った優れた実用的な効果を奏する。
更に、これによって、高品質性及び高信頼性を備えた半導体製品を高能率生産することができると云った優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るフリップチップ組立装置の全体を示す概略分解斜視図であり、この装置の構成要部を機能別に分割した状態を示している。
【図２】  図１に対応する組立装置の概略横断平面図であり、その各構成要部を連結して構成した状態を示している。
【図３】  図１に対応する組立装置の一構成要部であるラミネートモジュールの概略縦断正面図である。
【図４】  図３に対応するラミネートモジュールにおける樹脂貼着機構の要部を示す拡大正面図であり、基板へのテープ状樹脂貼着前の状態を示している。
【図５】  図４に対応するラミネートモジュールにおける樹脂貼着機構の要部を示す拡大正面図であり、基板に接合したテープ状樹脂の加熱状態を示している。
【図６】  図４に対応するラミネートモジュールにおける樹脂貼着機構の要部を示す側面図である。
【図７】  ラミネートモジュールにおいて用いられるテープ状樹脂の拡大端面図である。
【図８】  ラミネートモジュールにおいて用いられるテープ状樹脂の他の構造例を示す拡大端面図である。
【図９】  図７に対応するテープ状樹脂の切断溝形成状態を示す拡大端面図である。
【図１０】  図１に対応する組立装置の一構成要部であるアライメントモジュールにおけるチップトレイストッカの装填部の要部を示す概略縦断正面図である。
【図１１】  図10に対応するチップトレイストッカの装填部の要部を示す概略横断平面図である。
【図１２】  図10に対応するチップトレイストッカ内に収納されるチップトレイを示す概略拡大平面図である。
【図１３】  チップトレイの他の形状例を示す概略平面図である。
【図１４】  チップ用トレイアダプタの説明図であって、図14(1) は半導体ＬＳＩチップ用トレイアダプタを示す概略斜視図、図14(2) は前記トレイアダプタに収納される小チップトレイを示す概略斜視図である。
【図１５】  図14に対応するチップ用トレイアダプタに小チップトレイを収納させた状態を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１  基板
１ａ  基板
１ｂ  基板
１ｃ  基板
２  搬送用キャリア
３  基板ストックモジュール
４  テープ状樹脂
４ａ  テープ状樹脂
５  ラミネートモジュール
６  ベイキングモジュール
７  チップトレイ
８  ピックアップ
９  半導体ＬＳＩチップ
10  アライメントモジュール
11  キュアモジュール
12  保護用フィルム
12ａ  保護用フィルム
13  テープ状の樹脂層
13ａ  テープ状の樹脂層
14  供給リール
15  巻取リール
16  巻取リール
17  ガイド用ロール
18  ガイド部
19  加熱機構
20  冷却用気体供給機構
21  切断溝形成機構
22  カッター
23  切断溝
24  加熱ヘッド
25  気体吹出口
26  気体通路
27  チップトレイ
28  チップトレイストッカ
29  チップトレイフィーダ
30  小チップトレイ
31  チップトレイ用アダプタ
32  嵌合凹所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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