(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理面を含む基板を保持する保持部材を内部に有する処理液槽と、
前記基板の被処理面上にほぼ一定の方向に流れるように、前記基板の被処理面上に処理液を供給する処理液供給路部材とを備え、
前記保持部材は前記処理液槽の内部において前記処理液に浸漬させた状態で前記基板を保持し、
前記処理液槽の内部において、前記処理液供給路部材は前記基板の被処理面上に位置する前記処理液に接触する端部を含む、半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記処理液は前記処理液供給路部材の表面を流れる液流として前記基板の被処理面上に供給される、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記処理液供給路部材は、前記基板の被処理面に対してほぼ平行な方向に延在し、かつ、前記処理液が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に複数個並んで配置されている、請求項１または２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記処理液供給路部材は処理液を供給するための供給管を含む、請求項３に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記処理液供給路部材は、前記処理液を流す導液面を有する導液プレートを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記導液プレートは、前記処理液が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に一定の幅を有する、請求項５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記導液プレートの前記導液面は前記基板の被処理面に対して傾斜している、請求項５または６に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記導液プレートは、前記基板の被処理面に対する傾斜方向が前記導液面の傾斜方向とは異なる他の導液面を有する、請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記導液プレートの前記導液面は凹凸形状部分を含む、請求項５〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記処理液が現像液である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置を備える、液晶表示装置の製造装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法を用いた液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造装置、液晶表示装置の製造装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法に関し、より特定的には、現像液やエッチング液などの処理液を用いる工程において使用する半導体装置の製造装置、液晶表示装置の製造装置、およびこれらを用いた半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置や半導体記憶装置などの半導体装置の製造工程において、写真製版加工技術を応用してレジスト膜によりパターンを形成し、このパターンをマスクとしてエッチング加工を行なう工程が知られている。たとえば、薄膜電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置において、ステッパ露光装置を用いてパターンを形成し、その後エッチング加工を行なう場合について考える。このようなパターン形成−エッチング加工工程のプロセスフロー図を図１０に示す。図１０は、従来の液晶表示装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。図１０を参照して、まず成膜工程（Ｓ１）では、ガラス基板上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やスパッタリング装置を用いて、金属膜や絶縁膜などの薄膜を成膜する。次に、レジスト塗布工程（Ｓ２）では、この成膜された薄膜上にポジレジストなどの感光性樹脂を塗布する。次に、露光工程（Ｓ３）では、この感光性樹脂が塗布された基板に対して、たとえばステッパ露光装置を用いて露光処理を行なう。この露光処理においては、ステッパ露光装置のシャッタの開放時間を、感光性樹脂（レジスト）の感光に適正な露光量が得られるように調整する。このようにして、マスクパターンを基板上に形成された感光性樹脂にレジスト感光像として転写する。
【０００３】
次に、現像工程（Ｓ４）では、露光処理が終わった基板を現像液に浸漬する、あるいは現像液を基板に吹き付けるなどの現像処理を行なう。この現像処理により、露光工程で転写されたレジスト感光像をレジストパターンとして現像する。次に、エッチング工程（Ｓ５）では、このレジストパターンをマスクとして、成膜された薄膜に対してエッチング処理を行なう。その後、レジスト剥離工程（Ｓ６）において、マスクとして使用したレジストパターンが形成された感光性樹脂を薄膜上から剥離する。なお、上記のような工程は、たとえば特開平４−３０５６５１号公報に記載されている。
【０００４】
上記のような工程を複数回繰返すことにより、液晶表示装置の配線パターン、絶縁膜パターン、半導体層パターンなどを形成、積層する。このようにして、液晶表示装置の表示素子を形成する。
【０００５】
図１０に示した現像工程（Ｓ４）において従来利用されている現像方法としては、２種類の現像方法が挙げられる。１つは、基板上に現像液の表面張力を利用して現像液を液盛りし、基板を静止させたまま現像処理を行なういわゆるパドル現像方式である。そして、もう１つは、処理液槽の内部に保持された現像液に基板を浸漬させた状態で現像処理を行なういわゆる浸漬現像方式である。
【０００６】
上述のパドル現像方式は、比較的小さな面積の基板などに適用されるが、以下のような問題がある。すなわち、まず第１に、現像処理装置において、現像液を液盛りする機構が浸漬現像方式を採用する場合よりも複雑になることが挙げられる。また、このようなパドル現像方式では、現像処理後のリンス処理も連続して行なわれる。このため、現像液の再利用が困難であり、実質的に現像液が使い捨てになるということも欠点として挙げられる。
【０００７】
浸漬現像方式は、上述のような問題を有さず、現像処理装置の構造が比較的単純であり、かつ現像液の再利用も可能である。しかし、基板上の被処理面である現像処理面に対する現像液の供給方法や、現像処理面上における現像液の流れ方などによって、現像処理面において現像レート（現像速度）が不均一になるという欠点がある。このような現像処理面における現像処理の不均一性を無くすため、従来、たとえば基板の上面にシャワーノズルを設置して、このシャワーノズルから現像液を基板の現像処理面へシャワー状に供給する現像処理装置や、現像液中に浸漬させた基板を揺動させることが可能な現像処理装置などが提案されている。このような従来の現像処理装置を図１１を参照して説明する。図１１は、従来の現像処理装置の側面模式図である。
【０００８】
図１１を参照して、現像処理装置は、処理液槽１０１と上部現像液供給管１０７とを備える。処理液槽１０１には現像液供給管１０５が接続されている。この現像液供給管１０５から現像液１０２が処理液槽１０１の内部へと供給される。処理液槽１０１の内部には、基板１０４を保持するための搬送・揺動ローラ１０３が設置されている。基板１０４は搬送・揺動ローラ１０３上に配置されている。そして、基板１０４は、現像液１０２の液面１０６よりも下に位置し、現像液１０２に浸漬された状態となっている。そして、この搬送・揺動ローラ１０３が回転することにより、基板１０４は矢印１１１の方向に揺動可能となっている。処理液槽１０１上に配置された上部現像液供給管１０７には、現像液１１０を基板１０４へスプレー（噴霧）するためのノズル１０８が設置されている。このように、図１１に示した現像処理装置では、基板１０４を現像液１０２に浸漬させると同時に、基板１０４上から現像液１１０をスプレーすることが可能となっている。
【０００９】
そして、図１１に示した現像処理装置では、基板１０４を矢印１１１の方向に揺動させながら、処理液１１０をノズル１０８からスプレーした状態で現像処理を行なう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１１に示した現像処理装置では、以下に示すような問題があった。すなわち、ノズル１０８から現像液１１０を噴霧することにより基板１０４へ現像液１１０を供給する場合、ノズル１０８から噴霧された現像液１１０は細かい粒子状となっている。そして、このような細かい粒子状となった現像液１１０と空気との接触面積は、噴霧される前の液体状である現像液と空気との接触面積より大幅に増加する。現像液１１０はアルカリ性であり、空気中の二酸化炭素などの影響によりその性質が劣化する。そして、ノズル１０８から細かい粒子状となった現像液１１０を基板１０４へ供給する場合、上述のように空気と現像液１１０との接触面積が増大することから、現像液１１０の劣化が促進されるという問題が発生していた。
【００１１】
また、現像レートの均一性を向上させるため、現像液１１０には界面活性剤が添加される場合がある。このような界面活性剤が添加された現像液１１０が、ノズル１０８から細かい粒子として処理液槽１０１内部の基板１０４上へと供給された場合、この処理液１１０の泡が発生していた。そして、処理液槽１０１の上面が処理液１１０の泡で充満し、ついにはこの泡が処理液槽１０１の外部へ溢れ出すなどの問題が発生していた。このような問題があるため、ノズル１０８を利用した上記のようなシャワー方式の現像方法は実際にはほとんど用いられていない。
【００１２】
また、図１１に示したような基板１０４を矢印１１１の方向に揺動させる場合、基板１０４の移動速度（揺動速度）に限界があり、基板１０４の被処理面上における現像液１０２の流速を速くすることは難しい。そのため、基板１０４の被処理面上における現像液１０２の流速が不十分であることにより、基板１０４の被処理面全面にわたって現像レートを十分に均一化させることは困難であった。
【００１３】
ここで従来の液晶表示装置の製造工程では、その大画面化が進み、液晶表示装置を製造するために用いられる基板１０４も大面積化が進んできている。たとえば、基板１０４として、近年では９３０ｍｍ×７２０ｍｍというような大変大きなサイズのものが検討されている。このような大面積の基板１０４に対しては、上述の現像処理工程における現像処理の不均一性という問題がさらに顕著になる。この現像処理の不均一性は、基板１０４上に形成される薄膜電界効果トランジスタなどの半導体素子の形状のばらつきの原因となり、結果的に液晶表示装置の歩留りの低下、あるいは表示特性の劣化の原因となる。
【００１４】
また、半導体装置の製造工程では、その微細化、高集積化が進むと同時にシリコンウェハのさらなる大口径化が検討されており、先述のような問題をかかえている。
【００１５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、基板の被処理面内における処理の均一性を向上させることが可能な半導体装置の製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１６】
この発明のもう１つの目的は、液晶表示装置の表示特性を向上させることが可能な液晶表示装置の製造装置およびそれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明の一の局面における半導体装置の製造装置は、処理液槽と処理液供給路部材とを備える。処理液槽は被処理面を含む基板を保持する保持部材を内部に有する。処理液供給路部材は、基板の被処理面上にほぼ一定の方向に流れるように、基板の被処理面上に処理液を供給する。保持部材は処理液槽の内部において処理液に浸漬させた状態で基板を保持する。処理液供給路部材は処理液槽の内部において、基板の被処理面上に位置する処理液に接触する端部を含む。
【００１８】
このようにすれば、処理液供給路部材から新しく供給された処理液を基板の被処理面上においてほぼ一定の方向に流すことができるので、被処理面における処理液による現像処理やエッチング処理などの処理の均一性を向上させることができる。
【００２０】
また、ここで、従来のように処理液槽上にスプレーなどを設置し、このスプレーから処理液を噴霧することによって基板の被処理面上に処理液を供給する場合を考える。この場合、飛散した処理液が処理液槽中の処理液の液面に到達する際に処理液の液面において泡が発生する。一方、本発明によれば、処理液供給路部材の端部が処理液に接触しているので、処理液の液面において泡立ちが発生しないように、この端部を介して処理液供給路部材から基板の被処理面上に処理液を供給することができる。この結果、処理液の泡立ちを防止できる。
【００２１】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、処理液が処理液供給路部材の表面を流れる液流として基板の被処理面上に供給されることが好ましい。
【００２２】
この場合、処理液を液流として基板の被処理面上に供給できるので、スプレー現像方式のように処理液を噴霧することによって供給する場合に比べて、処理液と空気との接触面積を大幅に低減することができる。この結果、空気中の成分により劣化するような処理液を用いる場合、空気による処理液の劣化の程度を軽減することができる。これにより、処理液の再利用を促進することができるので、半導体装置の製造コストをより低減することができる。
【００２３】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、処理液供給路部材が、基板の被処理面に対してほぼ平行な方向に延在し、かつ、処理液が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に複数個並んで配置されていることが好ましい。
【００２４】
この場合、大面積の基板について、複数個の処理液供給路部材により基板の被処理面の全面に処理液を均一に供給できる。この結果、大面積の基板の被処理面における処理液を用いた処理の均一性をより確実に向上させることができる。
【００２５】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、処理液供給路部材が処理液を供給するための供給管を含むことが好ましい。
【００２６】
この場合、処理液供給路部材の供給管を、従来の処理液の移送管などと接続することにより、容易に本発明による半導体装置の製造装置を実現できる。
【００２７】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、処理液供給路部材が処理液を流す導液面を有する導液プレートを含むことが好ましい。
【００２８】
この場合、従来の処理液槽上に設置されている処理液供給用ノズルなどに、本発明による導液プレートを取付けることにより、容易に本発明による処理液供給路部材を実現することができる。このため、本発明による半導体装置の製造装置を得るために必要な投資額を低減することができる。この結果、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００２９】
また、この導液プレートの導液面の表面上を処理液が流れて被処理面上に供給されれば、スプレーノズルなどを用いて処理液を噴霧することにより被処理面上に処理液を供給する場合に比べて、上述のように処理液と空気との接触面積を低減できる。そのため、空気中の成分により特性が劣化するような処理液を用いる場合、空気による処理液の特性劣化を軽減することができる。この結果、処理液の再利用を促進できるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３０】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、導液プレートが処理液の供給される方向に対してほぼ垂直な方向に一定の幅を有することが好ましい。
【００３１】
この場合、処理液が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に一定の幅を有するように、処理液の液流を形成することができる。このため、基板の被処理面に対してより均一に処理液を供給することが可能となる。この結果、大面積の基板の被処理面における処理液を用いた処理の均一性をより確実に向上させることができる。
【００３２】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、導液プレートの導液面が基板の被処理面に対して傾斜していることが好ましい。
【００３３】
この場合、この導液面を伝わって基板の被処理面上に供給される処理液は、被処理面に対して傾斜した方向から被処理面上に供給される。このため、基板の被処理面上における処理液の一定方向の流れを容易に形成することができる。
【００３４】
また、被処理面に対する導液面の傾斜角を変更することにより、処理液が基板の被処理面上へと供給される際の処理液の流速や処理液の被処理面に対する供給角度（傾斜角）を容易に変更することができる。このため、導液面の傾斜角や処理液の供給量などを変更することにより、被処理面における処理の条件を容易に変更できる。
【００３５】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、導液プレートが、被処理面に対する傾斜方向が上記導液面の傾斜方向とは異なる他の導液面を有することが好ましい。
【００３６】
被処理面に対する傾斜方向が一方向である一つの導液面のみを導液プレートが有している場合、この一方向に導液プレートの導液面が延在することになる。そして、導液プレートの導液面と被処理面とのなす角度（傾斜角）が小さくなるほど、被処理面とほぼ平行な平面上における導液プレートの占有面積は大きくなる。このため、結果的に半導体装置の製造装置のサイズが大きくなる。一方、本発明のように、導液プレートが傾斜方向の異なる２つ以上の導液面（上記導液面と他の導液面）を有していれば、導液プレートの上部から下部へと処理液が被処理面に対する傾斜方向を変えて（蛇行して）流れるように、導液プレートにおいて傾斜方向の異なる複数の導液面を配置することができる。このようにすれば、導液プレートが１つの導液面のみを有している場合より、導液プレートの上記占有面積を削減することができる。このため、半導体装置の製造装置を小型化することができる。そのため、半導体装置の製造装置を設置するクリーンルームのサイズを小さくできるので、半導体装置の製造装置に関する投資額を低減できる。この結果、半導体装置の製造コストを低減することが可能になる。
【００３７】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、導液プレートの導液面が凹凸形状部分を含むことが好ましい。
【００３８】
この場合、導液面上を流れる処理液の液流に対して、この凹凸形状部分が抵抗として作用する。そして、このような凹凸形状部分を、基板の被処理面に対してほぼ平行な方向に複数設置しておけば、導液面上を流れる処理液が被処理面上に供給される際の、処理液の流速や供給量の均一性をより向上させることができる。この結果、基板の被処理面における処理液による処理の均一性をより向上させることができる。
【００３９】
上記一の局面における半導体装置の製造装置では、処理液が現像液であることが好ましい。
【００４０】
この場合、本発明による半導体装置の製造装置を、基板の被処理面上における現像処理を行なう現像処理装置として利用できる。そして、本発明による現像処理装置を用いれば、基板の被処理面上での現像処理の均一性を向上させることができる。この結果、現像処理により形成されたレジストパターンのサイズや形状などの被処理面における均一性を向上させることができる。そして、このレジストパターンを用いたエッチングにより形成される導電体膜などのパターンの均一性も向上するため、結果的に基板上に形成される半導体素子の寸法などの均一性を向上させることができるという顕著な効果を奏する。
【００４１】
この発明の別の局面における液晶表示装置の製造装置は、上記一の局面における半導体装置の製造装置を備える。
【００４２】
このようにすれば、液晶表示装置のための大型基板に対する現像処理やウエットエッチング処理などに、本発明による液晶表示装置の製造装置を適用することにより、大型基板の被処理面における現像処理などの均一性をより向上させることができる。このため、液晶表示装置の表示画素領域に形成される薄膜電界効果トランジスタなどの半導体素子の寸法や構造の均一性を向上させることができる。このため、液晶表示装置の表示特性をより均一化することができる。この結果、表示特性の優れた、信頼性の高い液晶表示装置を得ることができると同時に、表示特性が不均一になるなどの不良の発生を防止することにより液晶表示装置の歩留りを向上させることができる。
【００４３】
この発明の他の局面における半導体装置の製造方法では、上記一の局面における半導体装置の製造装置を用いる。
【００４４】
この場合、半導体装置の基板に対する現像処理やウエットエッチング処理などの処理について、被処理面における均一性を容易に向上させることができる。この結果、被処理面における処理が不均一になることに起因する半導体装置の不良の発生を防止することができる。
【００４５】
この発明のもう１つの局面における液晶表示装置の製造方法は、上記他の局面における半導体装置の製造方法を用いる。
【００４６】
この場合、液晶表示装置の大面積基板における被処理面において、ウエットエッチングや現像液などの処理の均一性を容易に向上させることができる。この結果、液晶表示装置の表示画素領域に形成される薄膜電界効果トランジスタなどの半導体素子のサイズや構造の均一性をより向上させることができる。このため、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００４８】
（実施の形態１）
図１は本発明による液晶表示装置の製造装置である現像処理装置の実施の形態１を示す側面模式図である。図２は、図１に示した現像処理装置の正面模式図である。図１および２を参照して、現像処理装置を説明する。
【００４９】
図１を参照して、現像処理装置は、処理液槽１と処理液槽１の上部から現像液１０を供給するための上部現像液供給管７と処理液供給路部材としての導液プレート９とを備える。処理液槽１には現像液供給管５が接続されている。処理液槽１の内部には、この現像液供給管５から現像液２が供給される。処理液槽１には、液晶表示装置の基板４（ガラス基板）を保持するための保持部材である搬送・揺動ローラ３が設置されている。搬送・揺動ローラ３上に基板４が配置されている。この基板４は、図１に示すように処理液槽１の内部において処理液としての現像液２に浸漬された状態になっている。
【００５０】
処理液槽１上には、処理液を供給するための供給管としての上部現像液供給管７が設置されている。上部現像液供給管７には、複数のノズル８が設置されている。それぞれのノズル８には導液プレート９が取付けられている。この導液プレート９の一方端部は現像液２の液面６に接触するように配置されている。そして、図１の紙面に垂直方向には、所定の間隔を隔てて、処理液槽１上に複数の上部現像液供給管７が配置されている。この複数の上部現像液供給管７は、図１に示すように、それぞれ紙面にほぼ平行な方向に延在するように配置されている。つまり、上部現像液供給管７は、基板４の被処理面に対してほぼ平行な方向に延在し、かつ、処理液としての現像液１０が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に複数個並んで配置されている。そして、図２に示すように、複数の上部現像液供給管７に設置されたノズル８について、図１の紙面に垂直な方向延在する導液プレート９が設置されている。導液プレート９は基板４の被処理面に対して傾斜するように配置されている。
【００５１】
また、図２を参照して、搬送・揺動ローラ３の端部には、ローラガイド２１が取付けられている。このローラガイド２１にはＯリング２２が設置されている。ローラガイド２１の間の間隔は、基板４の幅と搬送時の基板位置の精度余裕との合計とほぼ同一となるように設定されている。
【００５２】
次に、図１および２に示した現像処理装置を用いた液晶表示装置の製造方法をを説明する。まず、基板の表面上に被加工膜としての導電体膜を形成する。次に、この導電体膜上にレジスト膜を形成する。そして、この基板４に露光処理を行なうことにより、レジスト膜に所定のパターンを転写する。次に、本発明による現像処理装置を用いて現像処理を行なう。具体的には、処理液槽１の内部において、揺動・搬送ローラ３上に露光処理済の基板４を設置する。そして、現像液供給管５から処理液槽１の内部へと現像液２を供給することにより、基板４を現像液２に浸漬させる。このとき、現像液２の液面６と導液プレート９の端部とが接触するように液面６の高さを決定する。そして、上部現像液供給管７からノズル８および導液プレート９を介して、基板４の表面上へと現像液１０を供給する。この際、搬送・揺動ローラ３を回転させることにより、基板４を矢印１１に示した方向に揺動させてもよい。このようにして、現像処理を行なう。
【００５３】
図２に示すように、複数のノズル８から導液プレート９の上部へと供給された現像液１０の液流は、導液プレートを伝わって流れる間に導液プレート９の幅方向において流速および流量が均一化される。このため、導液プレート９の下部において現像液１０の流速および流量はほぼ均一になっている。そして、複数の導液プレート９は基板４の被処理面としての上部表面に対してほぼ同一の角度だけ傾斜して配置されているので、基板４の上部表面の全面に対してほぼ同一の傾斜角を有する方向から現像液１０は供給される。このようにして、基板４の上部表面上に現像液１０を一定の方向に流れるように供給することができる。
【００５４】
図３を参照して、上述のように、上記現像処理に先立ち、基板４の被処理面である上部表面上には露光処理されたレジスト膜１２が形成されている。図３は、図１に示した現像処理装置の部分拡大模式図である。本発明によれば、レジスト膜１２に対して一定方向の流れを形成するように現像液１０を常時基板４上に供給することができる。この結果、現像液２においてレジスト膜１２が溶解した樹脂濃度が高い部分（高樹脂濃度部１３）が基板４の上部表面上に局所的に滞留することを防止できる。
【００５５】
このような高樹脂濃度部１３がレジスト膜１２と接触した部分では、レジスト膜１２の溶解速度が大きくなるなどの影響が出る。このため、高樹脂濃度部１３が局所的に滞留した場合、現像処理後のレジスト膜１２において形成されたレジストパターンの形状が不均一になる場合があった。しかし、上述のように本発明による現像処理装置を用いた場合には、一定方向の流れを形成するように基板４上に現像液１０を供給することができるので、基板４上における現像処理の被処理面における均一性（面内均一性）をより向上させることができる。
【００５６】
また、導液プレート９の端部が現像液２の液面６より下に位置する部分にまで延在し、現像液２と導液プレート９とが接触しているので、現像液１０を基板４上に供給する際に、スプレーなどを用いて現像液１０を噴霧する場合とは異なり、現像液１０の泡立ちを防止できる。
【００５７】
また、導液プレート９の表面を流れるようにして現像液１０を基板４の表面へ供給しているので、現像液１０を噴霧してミスト状の現像液を基板４上に供給する場合に比べて、現像液１０と空気との接触面積を大幅に低減できる。この結果、現像液１０が空気と接触することによる現像液１０の特性の劣化を防止できる。
【００５８】
また、導液プレート９は、図１および３の紙面に垂直な方向、つまり現像液１０が供給される方向に対してほぼ垂直な方向において、基板４の被処理面である上部表面に対してほぼ平行な方向に延在している。つまり、図２に示すように、導液プレート９は、現像液１０の供給される方向に対してほぼ垂直な方向に一定の幅を有している。このため、現像液１０が供給される方向に対してほぼ垂直な方向に一定の幅を有するように、現像液１０の液流を形成することができる。この結果、基板４の上部表面の全面においてより均一な現像液１０の流れを形成することができる。この結果、基板４における現像処理の均一性をより向上させることができる。
【００５９】
また、図１〜３に示すように、平板状の簡単な構造の導液プレート９を処理液供給路部材として用いているので、本発明による現像処理装置の構造を簡略化することができる。この結果、現像処理装置の製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、導液面を有する導液プレート９は、基板４の被処理面である上部表面に対して傾斜して配置されているので、図３に示すように現像液１０を基板４の上部表面に対して斜め方向に確実に供給することができる。また、この導液プレート９と基板４とのなす角度（傾斜角）を変更すれば、基板４の被処理面に対する現像液１０の入射角および流速を容易に変更することができる。この結果、基板４の上部表面上における現像液１０の供給状態を容易に変更することができるので、最適な現像処理条件を設定することが可能となる。
【００６１】
また、図１〜３に示した現像処理では、特に基板４の被処理面での処理の面内均一性が重要であり、このような現像処理に本発明による現像処理装置を適用すれば、特に顕著な効果を得ることができる。
【００６２】
また、供給する処理液として、現像液１０に代えてウエットエッチングを行なうためのエッチング液を用い、このエッチング液を基板４の被エッチング面上に供給するようにすれば、本発明によるエッチング処理装置を容易に実現できる。そして、このエッチング処理装置においても、上述の現像処理装置において得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また、ここでは、液晶表示装置の製造装置について説明しているが、基板４が半導体基板とした、半導体装置の製造装置について本発明を適用しても、同様の効果を得ることができる。
【００６４】
このように、本発明による現像処理装置を用いて現像処理を行なった後、形成されたレジストパターンをマスクとして、レジスト膜１２下に形成された導電体膜（図示せず）をエッチングにより部分的に除去することにより、所定の構造を得る。その後、レジスト膜１２を除去する。そして、このようなレジスト膜の塗布、露光、現像、エッチングなどの工程を繰返すことにより、液晶表示装置の基板上に薄膜電界効果トランジスタなどの半導体素子を形成する。
【００６５】
本発明による現像処理装置を用いた場合、被処理面におけるエッチング工程後の被エッチング膜による構造の寸法精度は、従来の寸法精度よりも格段に向上している。たとえば、設定寸法からのばらつきを評価した場合、そのばらつきは従来のばらつきの程度に比べて２分の１から３分の１となった。
【００６６】
また、図３に示した導液プレート９の基板４の上部表面に対する傾斜角は、６０°程度とすることが好ましい。このようにすれば、現像液１０の基板４上における流れが一様となり、反応の面内均一性も良好であった。
【００６７】
なお、本発明による現像処理装置は、液晶表示装置の製造にのみではなく、他の半導体記憶装置などの半導体装置の製造方法に適用してもよい。この場合にも、同様の効果を得ることができる。
【００６８】
（実施の形態２）
図４は、本発明による現像処理装置の実施の形態２を示す部分拡大模式図である。図４を参照して、現像処理装置は、基本的には図１〜３に示した現像処理装置と同様の構造を備える。しかし、図４に示した現像処理装置では、導液プレート９が第２の導液面を有する液流方向変更部材１４を備える。
【００６９】
このような構成により、図１〜３に示した現像処理装置によって得られる効果に加えて、導液プレート９が一方向に延在している場合に比べて、導液プレート９が占有する領域の面積を小さくすることができる。この結果、現像処理装置を小型化することが可能となる。これにより、現像処理装置の製造コストを低減することが可能になる。
【００７０】
（実施の形態３）
図５は本発明による現像処理装置の導液プレートの導液部分を示す部分斜視模式図である。図５を参照して、導液プレートの導液部分１５における導液面には、図５および６に示すように段差部１６が形成されている。図６は、図５に示した導液プレートの導液部分の断面模式図である。この段差部１６は、基板４の被処理面に対してほぼ平行な方向に延びるように形成されている。そして、このような段差部１６は、導液プレート９の導液面を流れる現像液１０の流れに対する抵抗として作用する。このため、図２を参照して、導液プレート９の上部において複数のノズル８から供給される現像液１０の流れが、この段差部１６による抵抗によって導液プレート９の下部に至った際には導液プレート９の幅方向においてほぼ均一になる。この結果、図５および６に示した構造を備える導液プレートを実施の形態１および２における現像処理装置に適用すれば、実施の形態１および２における現像処理装置により得られる効果に加えて、基板４上での現像処理の均一性をより向上させることができる。
【００７１】
また、導液プレート９の表面に形成される段差部１６の形状は図６に示すような形状に限定されない。たとえば、図７に示すように、導液プレート９の表面における段差部として、断面形状が円弧状の凸部１７を導液プレート９の導液部分１５の表面に形成してもよい。このような形状によっても、図５および６に示した導液プレートと同様の効果を得ることができる。ここで、図７は、図５に示した導液プレートの導液部分の変形例を示す断面模式図である。
【００７２】
（実施の形態４）
図８は、本発明による現像処理装置の実施の形態４を示す側面模式図である。また、図９は、図８に示した現像処理装置の正面模式図である。図８および９を参照して、現像処理装置を説明する。
【００７３】
図８および９を参照して、現像処理装置は基本的には図１〜３に示した現像処理装置と同様の構造を備える。ただし、図８および９に示した現像処理装置では、上部現像液供給管７に処理液供給路部材としての導管１８とバッファー部１９とが形成されている。上部現像液供給管７に接続された導管１８の端部には、現像液１０を一時的に蓄積するためのバッファー部１９が形成されている。このバッファー部１９の下部には、基板４の上部表面に対して傾斜した方向に現像液１０を吐出するためのノズル２０が形成されている。上部現像液供給管７から供給された現像液１０は、導管１８を介してバッファー部１９に一時的に蓄積される。そして、このバッファー部１９において現像液１０の圧力を均一化した後、スリット状のノズル２０から斜め方向に基板４の表面へと現像液１０を吹き付ける。
【００７４】
このような現像処理装置によっても、本発明の実施の形態１に示した現像処理装置と同様の効果を得ることができる。そして、図８および９に示した現像処理装置では、基板４の表面に供給される現像液１０の流量や供給方向は、ノズル２０のサイズや位置を変更することにより容易に調整可能である。
【００７５】
なお、実施の形態１〜４において現像処理装置を示したが、本発明は、ウエットエッチング処理装置など、処理液を用いる半導体装置および液晶表示装置の製造装置に適用可能である。
【００７６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によれば、処理液供給路部材を用いて、基板の被処理面において処理液の均一な流れをつくることができるので、基板の被処理面内における処理の均一性を向上させることが可能な半導体装置および液晶表示装置の製造装置を提供することができる。また、このような半導体装置および液晶表示装置の製造装置を用いて半導体装置もしくは液晶表示装置の製造工程を実施すれば、大型基板を用いる場合にも、基板の表面におけるエッチング処理や現像処理などの均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による現像処理装置の実施の形態１を示す側面模式図である。
【図２】  図１に示した現像処理装置の正面模式図である。
【図３】  図１に示した現像処理装置の部分拡大模式図である。
【図４】  本発明による現像処理装置の実施の形態２を示す部分拡大模式図である。
【図５】  本発明による現像処理装置の導液プレートの導液部分を示す部分斜視模式図である。
【図６】  図５に示した導液プレートの導液部分の断面模式図である。
【図７】  図５に示した導液プレートの導液部分の変形例を示す断面模式図である。
【図８】  本発明による現像処理装置の実施の形態４を示す側面模式図である。
【図９】  図８に示した現像処理装置の正面模式図である。
【図１０】  従来の液晶表示装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図１１】  従来の現像処理装置の側面模式図である。
【符号の説明】
１  処理液槽、２，１０  現像液、３  搬送・揺動ローラ、４  基板、５  現像液供給管、６  液面、７  上部現像液供給管、８  ノズル、９  導液プレート、１１  矢印、１２  レジスト膜、１３  高樹脂濃度部、１４  液流方向変更部材、１５  導液プレートの導液部分、１６  段差部、１７  凸部、１８  導管、１９  バッファー部、２０  ノズル、２１  ローラガイド、２２  Ｏリング。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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