(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された上部クラッド層と、該上部クラッド層の内に電流制限層を備えた半導体レーザ素子において、
前記電流制限層は複数層からなり、少なくともそのうちの一番下側の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する層は発光端面付近以外に形成された第一ストライプ溝を有しており、かつ、少なくともそのうちの一番上側の活性層より小さいかまたは同等の禁制帯幅を有する層は発光端面に達するまで形成された第二ストライプ溝および前記第二ストライプ溝を横切る方向にスリットが形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
半導体基板上に下部クラッド層、活性層、上部第一クラッド層、活性層よりも大きな禁制帯幅を有する第一電流制限層、活性層より小さいかまたは同等の禁制帯幅を有する第二電流制限層を順次成長させて積層する工程と、
前記第二電流制限層をエッチングして発光端面に達するまで形成された第二ストライプ溝を形成すると共に該第二ストライプ溝を横切る方向にスリットを形成する工程と、
前記第一電流制限層をエッチングして発光端面付近以外に形成された前記第一ストライプ溝を形成する工程と、
上部第二クラッド層及びコンタクト層を順次積層する工程とを備えた半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
第一導電型のＧａＡｓ基板上に第一導電型のＡｌXＧａ1-XＡｓからなる下部クラッド層、ＡｌYＧａ1-YＡｓ（Y＜X）からなる活性層、第二導電型のＡｌXＧａ1-XＡｓからなる上部第一クラッド層、ＧａＡｓからなるエッチングストップ層、第一導電型のＡｌZＧａ1-ZＡｓ（X≦Z）からなる第一電流制限層、第一導電型のＧａＡｓからなる第二電流制限層を順次エピタキシャル成長させて積層する工程と、
前記第二電流制限層をエッチングして発光端面に達するまで形成された前記第二ストライプ溝を形成すると共に該ストライプ溝を横切る方向にスリットを形成する工程と、
前記第一電流制限層をエッチングストップ層が露出するまでエッチングして発光端面付近以外に形成された前記第一ストライプ溝を形成する工程と、
上部第二クラッド層及びコンタクト層を順次積層する工程とを備えた半導体レーザ素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高出力半導体レーザ素子に関し、特にミニディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−Ｒなどの記録可能光ディスクのピックアップ用光源等に使われる低ノイズの高出力半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ミニディスクや光磁気ディスク、ＣＤ−Ｒにおける書き込み用光源として光出力３０ｍＷ以上（ＣＤ−Ｒでは４０ｍＷ以上）の光出力をもつ高出力半導体レーザが実用化されている。この場合、データ書き込みには３０ｍＷ以上（ＣＤ−Ｒでは４０ｍＷ以上）の高光出力が、データ読み込みには２ｍＷ程度の低光出力が用いられる。
【０００３】
このような高出力半導体レーザ素子を得るためには、特性上（１）高出力動作までの単一横モード発振、（２）低非点隔差、（３）低ノイズ、であることが求められている。
上述の特性のうち、（１）の高出力動作までの単一横モード発振、及び（２）の低非点隔差を得るために、活性層と平行な方向（以下、横方向と呼ぶ）に光を閉じ込めて導波させる屈折率導波型構造が高出力半導体レーザに採用されている。屈折率導波型構造として、複素屈折率導波型構造と実屈折率導波型構造とが知られている。（伊藤良一／他著「半導体レーザ」，培風館（１９８９））。
【０００４】
図５に、従来広く採用されている複素屈折率導波構造の半導体レーザ素子の構造の一例を示す。複素屈折率導波構造の半導体レーザ素子は、ｎ型（以下、ｎ−という）ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ下部クラッド層２２、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層２３、ｐ型（以下、ｐ−という）ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第一クラッド層２４、ｎ−ＧａＡｓ電流制限層２５、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第二クラッド層２６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７が順次形成されており、ｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７の上面には、それぞれ電極２８、２９が形成されている。この構造の場合、ｎ−ＧａＡｓ電流制限層２５は注入電流を幅Ｗのストライプ状活性領域に制限すると同時に、活性層２３にて発生した光を吸収する働きをなす。この光吸収の働きによりストライプ状活性領域とその外側領域では見かけ上の屈折率差（複素屈折率差）が生じて、活性層２３にて発生した光が横方向に閉じ込められる。この結果、幅Ｗのストライプ状活性領域を安定して導波させることができ、（１）高出力動作までの単一横モード発振、（２）低非点隔差、を可能にしている。
【０００５】
ところで、複素屈折率導波型構造では、単一縦モード発振しやすく可干渉性が高いので、ディスク板から反射して戻ってきたレーザ光（戻り光）が、再び半導体レーザ素子内に入射し、レーザ発振が不安定になってノイズが発生してデータ読み取りエラーを引き起こしやすい。
そこで、複素屈折率導波型構造では、縦モードを多重化することで可干渉性を下げて、もう一つの特性である（３）の低ノイズ化する方法として、▲１▼数百ＭＨｚの高周波電流をレーザ駆動電流に重畳する方法と、▲２▼横方向屈折率差を小さくして、ストライプ状活性領域の外側の活性層を可飽和吸収領域として働かせて素子だけで発振と停止を繰り返す（自励発振）させる方法とが提案されている（伊藤良一／他著「半導体レーザ」，培風館（１９８９））。
【０００６】
しかし、▲１▼の方法では、通常の半導体レーザ駆動回路に加えて高周波重畳回路が必要な為に、大型パッケージ化、高消費電力、高コスト化、といった問題がある。更に、高周波電磁ノイズを発生するので、コンピュータなどの電子機器取り扱い上重大な問題を引き起こすという問題があった。
また、▲２▼の方法では、横方向屈折率差を小さくするためにｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ第一クラッド層の膜厚を厚くする必要があるが、そうすると電流を効率よくＷの幅で活性層に注入することができなくなるため、発振閾値の増加など、特性の悪化を招く。さらに、ストライプ状活性領域の外側にしみだした光はｎ−ＧａＡｓ電流制限層２５の吸収を強く受けるため、逆に自励発振が起こりにくくなり、、複素屈折率導波型構造では、高出力動作可能な自励発振のレーザ素子を得ることが困難で、また得ることができても極めて歩留りが悪く、事実上量産できないという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで近年、自励発振が可能な屈折率導波型構造のレーザ素子として、電流制限層の材料をＧａＡｓとする吸収損失型の複素屈折率導波構造ではなく、その材料をＡｌＧａＡｓとする実屈折率導波型構造が提案されている（平成４年秋季応用物理学会１７ａ−Ｖ−１など）。
【０００８】
実屈折率導波構造の半導体レーザ素子は、構造的には図５と同一であるが、ｎ−ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ下部クラッド層２２、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層２３、ｐ型（以下、ｐ−という）ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第一クラッド層２４、ｎ−ＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流制限層２５（但しＺ＞Ｘ）、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第二クラッド層２６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７が順次形成されており、ｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７の上面には、それぞれ電極２８、２９が形成されている。この構造の場合、ｎ−ＡｌZＧａ1-ZＡｓ電流制限層２５のＡｌ混晶比Ｚを上部第一クラッド層２４及び上部第二クラッド層２６のＡｌ混晶比Ｘよりも高くとることにより、ストライプ溝よりも屈折率を低くできるので、光は実屈折率差によりストライプ内部に閉じ込められて導波する。このような構造では、電流制限層２５による吸収損失がないので、効率よくレーザ発振させることができ、高出力動作に適しているという大きな利点があるばかりでなく、Ａｌ組成混晶比Ｚを上部第一クラッド層２４及び上部第二クラッド層２６のＡｌ混晶比Ｘに近ずければ横方向屈折率差が小さくなるので、容易に光をストライプ外部にしみださせることができ、自励発振が起こりやすくなる。自励発振を起こすことができれば、縦モードを多重化することでき、可干渉性を下げて戻り光ノイズの低い半導体レーザ素子を得ることができるとされている（特開平5-160503）。
【０００９】
しかしながら、このような実屈折率導波構造では、横方向の屈折率差を小さくすると、非点隔差が特に低出力動作時において増大する。また、横方向の発光パターンが、光出力によって変化するという問題も生ずる。
さらに、効率よく発振するがためにスロープ効率（光出力と注入電流値との比）が非常に大きくなり、動作電流が小さくなるという長所がある反面、駆動電源のノイズの影響が光出力の大きなゆらぎとなり、新たなノイズの原因になったり場合によっては大きな光出力による破壊に至ることにもなる。
【００１０】
本発明の目的は、高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザ素子を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された上部クラッド層と、該上部クラッド層の内に電流制限層を備えた半導体レーザ素子において、前記電流制限層は複数層からなり、少なくともそのうちの一番下側の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する層は発光端面付近以外に形成された第一ストライプ溝を有しており、かつ、少なくともそのうちの一番上側の活性層より小さいかまたは同等の禁制帯幅を有する層は発光端面に達するまで形成された第二ストライプ溝および前記第二ストライプ溝を横切る方向にスリットが形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半導体レーザ素子によれば、活性層内のストライプ状活性領域にて発生した光に対して、第二電流制限層のない部分では、横方向に屈折率をもたない利得導波型構造若しくは弱い横方向屈折率をもつ実屈折率導波型構造となり、第二電流制限層の存在する部分では、この吸収損失による複素屈折率差が支配的となる光の閉じこめ構造となる。すなわち、容易に自励発振が起き、吸収損失が少ない高出力動作に有利な縦マルチモード発振のための構造と、横方向屈折率差が十分大きくとれて安定な横モード発振と小さい非点隔差を実現する構造とが一つの装置内に共存されることにより、これらの長所を合わせもつ半導体レーザ素子を実現できる。さらに、本発明では、第一電流制限層のうちの発光端面付近以外に第一ストライプ溝が形成されているので、電流は発光端面付近には流れず、第一ストライプ溝に集中することになる。その結果、発光端面付近には発熱が生じず、端面発熱による劣化を防止でき、より高出力動作が可能になる。
【００１３】
また、本発明の半導体レーザ素子は、前記第二ストライプ溝および前記スリットが活性層より小さいかまたは同等の禁制帯幅を有する層に形成され、前記第一ストライプ溝が活性層よりも大きな禁制帯幅を有する層に形成されていることを特徴としているので、レーザ光の吸収特性の調整を行う上できわめて有利な構造が得られる。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板上に下部クラッド層、活性層、上部第一クラッド層、活性層よりも大きな禁制帯幅を有する第一電流制限層、活性層より小さいかまたは同等の禁制帯幅を有する第二電流制限層を順次成長させて積層する工程と、前記第二電流制限層をエッチングして発光端面に達するまで形成された第二ストライプ溝を形成すると共に該第二ストライプ溝を横切る方向にスリットを形成する工程と、前記第一電流制限層をエッチングして発光端面付近以外に形成された前記第一ストライプ溝を形成する工程と、上部第二クラッド層及びコンタクト層を順次積層する工程とを備えており、この方法によれば、第一および第二ストライプ溝とスリットを形成した後に、上部第二クラッド層を形成しているので、簡単な方法で本発明の半導体レーザ素子を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の半導体レーザ素子の製造方法では、第一導電型のＧａＡｓ基板上に第一導電型のＡｌXＧａ1-XＡｓからなる下部クラッド層、ＡｌYＧａ1-YＡｓ（Y＜X）からなる活性層、第二導電型のＡｌXＧａ1-XＡｓからなる上部第一クラッド層、ＧａＡｓからなるエッチングストップ層、第一導電型のＡｌZＧａ1-ZＡｓ（X≦Z）からなる第一電流制限層、第一導電型のＧａＡｓからなる第二電流制限層を順次エピタキシャル成長させて積層する工程と、前記第二電流制限層をエッチングして発光端面に達するまで形成された前記第二ストライプ溝を形成すると共に該ストライプ溝を横切る方向にスリットを形成する工程と、前記第一電流制限層をエッチングストップ層が露出するまでエッチングして発光端面付近以外に形成された前記第一ストライプ溝を形成する工程とを有しおり、上部第一クラッド層上に、第一電流制限予備層及び第二電流制限予備層をエッチングする際に使用する溶液に対し、エッチングされにくいエッチングストップ層を設けることで、エッチング深さをうまく制御することができ、電流路となる第一および第二ストライプ溝を精度良く形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の構造の一例である図１を紹介しながら、本発明を説明する。
図１はチップ全体の斜視図及び本発明の構造を理解しやすいようにチップの一部を省略した斜視図を表している。
図１（ａ）に示すように本発明の半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＡｓからなる基板１上に、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＡｓからなる下部クラッド層２、ＡｌYＧａ1-YＡｓからなる活性層３、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓからなる上部第一クラッド層４及び上部第二クラッド層６、ｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層７が形成されている。そして、上部第一クラッド層４と上部第二クラッド層６とからなる上部クラッド層内には、電流路となるストライプ溝を有する電流制限層が設けられており、電流制限層はｎ−ＡｌZＧａ1-ZＡｓ（Ｚ≧Ｘ）からなる第一電流制限層５とｎ−ＧａＡｓからなる第二電流制限層１０の２層から構成されている。
【００１７】
ｎ−ＧａＡｓ半導体基板１の下面及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の上面に、それぞれ電極８、９が形成されている。また、Ｌは共振器長であり、Ｍはこの共振器長Ｌ中の一部に設けられた第二電流制限層１０の除去されたスリット部分の長さである。この構成でＡｌこの混晶比が大きくなる禁制帯幅が大きくなり、Ａｌの混晶比が小さくなると禁制帯幅が小さくなる。電流制限層の禁制帯幅が活性層３の禁制帯幅より大きいと活性層３の光を吸収しない非吸収層となり、電流制限層の禁制帯幅が活性層３の禁制帯幅より小さいか同等であれば活性層３の光を吸収する吸収層となる。すなわち、前記構成で第一電流制限層５は非吸収層で、第二電流制限層１０は吸収層となり、本発明ではこの吸収層と非吸収層の少なくとも２層を電流制限層に有しており、吸収層である第二電流制限層１０にＭ部がスリットとして設けられている。
【００１８】
図１（ｂ）では、本発明の構造を理解しやすいように、上部第二クラッド層６、コンタクト層７及び電極８を除去した斜視図を示している。図に示すように、発光端面付近では含まれていたｎ−ＧａＡｓからなる第二電流制限層１０が、素子の略中央のＭ部では除去された構造となっている。
従って、第二電流制限層１０による吸収損失がなく、Ｚ＝Ｘならば横方向に屈折率差をもたない利得導波型構造となり、またＺをＸより少し大きくすれば弱い横方向屈折率差をもった実屈折率導波構造となる。このような実屈折率導波構造では、前記のように容易に自励発振を起こさせることができる。すなわち、スリットＭ部では吸収損失がないので、高出力動作に有利である。
【００１９】
これに対して、スリット部以外の部分では、Ａｌ混晶比ＺがＸと同等もしくはＸよりも少し大きい場合、横方向の屈折率差はｎ−ＧａＡｓかならる第二電流制限層１０の吸収損失による複素屈折率差が支配的となる。従って、この部分においては、横方向屈折率差を充分大きくとることができ、安定な横モード発振と小さい非点隔差を実現することができる。
【００２０】
また、第一電流制限層５には発光端面付近を除き、上部第一クラッド層４に貫通するよう除去されておりストライプとなる溝部Ｎを形成している。従って、発光端面付近では、第二電流制限層１０のストライプ溝のみが形成されおり、第一電流制限層５が残存している。この結果、素子を発光させるために印可された電流はストライプ溝Ｎのみに集中し、発光端面には流れないので、発熱が防止できて劣化が生じにくく、より高出力動作を実現することができる。
【００２１】
以上の効果により、本発明の構造は、電流制限層による吸収損失のない実屈折率導波型構造と、吸収損失のある複素屈折率導波型構造との長所を併せ持つと共に、発光端面での発熱を防止することができる。
なお、この構造では、設計パラメータを臨機応変に変えることによって、縦マルチモード発振、低非点隔差、高出力動作の異なる３つの特性のどれに重点を置くか簡単に変更することができる。例えば、縦マルチモード特性に重点を置くときは、長さＭと共振器長Ｌとの比を大きくとればよく、さらに非点隔差に重点を置くときは、Ａｌ混晶比Ｚを大きめに設計すればよい。
【００２２】
また、第一電流制限層５に設けられるストライプ溝Ｎの長さは、電流注入による発振ができる最低限の長さと、発光端面からの発熱量とのバランスから決定される。以上の説明では、ｎ型基板上にｎ型層とｐ型層を積層する例で説明したが、ｎ型とｐ型を逆にしてもよい。
次に、図２、図３を参照しながら、本発明の製造方法について説明する。
【００２３】
まず、ＭＢＥ装置またはＭＯＣＶＤ装置等の結晶成長装置内にｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１を入れ、図２（ａ）に示すように、半導体基板基板１上に、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５）からなり厚さが約２０００Åの下部クラッド層２、ＡｌYＧａ1-YＡｓからなり厚さが約５００Åの活性層３、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓからなり厚さが約２０００Åの上部第一クラッド層４、ｎ−ＧａＡｓからなり厚さが２００Å以下となるエッチングストップ層１１、ｎ−ＡｌZＧａ1-ZＡｓ（Ｚ＝０．５５）からなり厚さが約１４００Åの第一電流制限層５（Ｚ≧Ｘ）、ｎ−ＧａＡｓからなり厚さが約４５００Åの第二電流制限層１０を順次積層する。
【００２４】
次に図２（ｂ）に示すように、上述の半導体基板１をＭＢＥ装置またはＭＯＣＶＤ装置内から取り出し、フォトレジスト工程により第二電流制限層１０に互いに直交する長さＭのスリット及び、長さＬ・幅Ｗのストライプ溝を形成する。この場合、アンモニア系エッチング液のように、ＧａＡｓのみ選択エッチングできる溶液で行えば、ＡｌZＧａ1-ZＡｓからなる第一電流制限層５はほとんどエッチングされない。なお、硫酸溶液のような選択制のないエッチング溶液でも時間をコントロールすることで第一電流制限層５がエッチングされないようにするこたができる。
【００２５】
次に図２（ｃ）に示すように、６０℃の塩酸でＡｌZＧａ1-ZＡｓからなる第一電流制限層５をエッチングし、長さＮのストライプ溝を形成する。この場合、塩酸はＧａＡｓをほとんどエッチングしないので、エッチングはｎ−ＧａＡｓからなるエッチングストップ層１１がストライプ溝のそこに露出した時点で進行しなくなり、エッチング深さを精度良く制御することができる。すなわち、エッチングストップ層１１はエッチングをストップさせる層として作用する。
【００２６】
次に、結晶成長装置内に再び入れ、図３（ｄ）に示すように、前工程で形成した第一電流制限層５のストライプ溝にＡｓ分子線を照射しながら７４０℃程度まで昇温し、ストライプ溝の底に露出しているｎ−ＧａＡｓからなるエッチングストップ層１１を蒸発させて、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓからなる上部第一クラッド層４を露出させる。
【００２７】
この場合、基板温度上昇に伴って、ＧａＡｓは蒸発し始めるが、ＧａＡｌＡｓ系の材料はほとんど蒸発しない。すなわち、サーマルエッチングにおいて選択的にＧａＡｓのみをエッチングすることができる。なお、このようなサーマルエッチングは、ＭＢＥ装置においては可能であるが、ＭＯＣＶＤ装置では可能ではないが、ｎ−ＧａＡｓからなるエッチングストップ層１１は非常に薄い層なので、必ずしも除去する必要はない。
【００２８】
最後に、結晶成長装置内で図３（ｅ）に示すように、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓからなり厚さが１５０００Åの上部第二クラッド層６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を順次積層する。
以上のようにして素子が形成された半導体基板の裏面をラッピングし、所定の厚さまで加工したのち、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板１の下面およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の上面にそれぞれ電極８，９を形成した後、ダイシングすることにより、半導体レーザ素子が完成する。
【００２９】
ここで、本発明による半導体レーザ素子の特性について説明する。まず、上述の製造法による各層の膜厚は、ｎ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ下部クラッド層２が２００００Å、ＡｌYＧａ1-YＡｓ活性層３が５００Å、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第一クラッド層４が２０００Å、ｎ−ＧａＡｓエッチングストップ層１１が１００Å、ｎ−ＡｌZＧａ1-ZＡｓ第一電流制限層５が１４００Å、ｎ−ＧａＡｓ第二電流制限層１０が４５００Å、ｐ−ＡｌXＧａ1-XＡｓ上部第二クラッド層６が１５０００Å、Ｘ＝０．５，Ｚ＝０．５５、Ｌ＝４００μｍ、Ｍ＝６０μｍ、Ｎ＝３６０μｍで各種測定を行った。
【００３０】
図４（ａ）は、上記条件でのＩ−Ｌ特性を示している。このグラフからも明らかなように、本発明の半導体レーザ素子は、電流を大きくして十分に高出力にしてもキンクが生じにくくなる。
また、図（ｂ）は、第二電流制限層１０のスリット幅Ｍを変化させたときのビジビリティ（γ）の状態を示めしている。このグラフから明らかなように、γ＜０．９ならば戻り光ノイズの発生が抑制されるが、Ｍを大きくするに従ってγも小さくなり、さらに低ノイズになることが判る。このように、本発明では、キンクレベルを高く、かつ非点隔差を低く保ちながら、縦マルチモ−ド発振する半導体レーザ素子が得られた。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、（１）高出力動作まで横モ−ドの安定でかつ非点隔差も小さく抑えた低ノイズ半導体レ−ザ−を安定して提供することができる。
（２）設計パラメ−タを簡単に変更でき、あらゆる用途に対する半導体レ−ザ−を提供できる。
（３）本発明の半導体レ−ザ−を用いて、高周波重畳回路の不要な、記録書き込み兼読み取り用ピックアップを作製することができる。
（４）さらに、本発明では、発光端面からの発熱を抑制でき、高出力に伴う素子劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ素子の構造を示す説明図。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の一部を示す説明図
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の一部を示す説明図
【図４】本発明の半導体レーザ素子の特性を示す図。
【図５】従来の半導体レーザ素子の構造を示す説明図。
【符号の説明】
１  半導体基板
２  下部クラッド層
３  活性層
４  上部第一クラッド層
５  第一電流制限層
６  上部第二クラッド層
７  コンタクト層
８，９  電極
１０  第二電流制限層
１１  エッチングストップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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