(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
光透過性を有し該第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板にマトリクス状に設けられ、夫々の画素を規定する複数の画素電極と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に挟持された電気光学素子と、
前記第１の基板上の前記複数の画素電極が形成された面と反対の面に実装された、前記電気光学素子を駆動する駆動用ＩＣと、
前記複数の画素電極に各々接続され、前記第１の基板を各々貫通して前記駆動用ＩＣと前記複数の画素電極とを接続する複数の接続手段と、
前記駆動用ＩＣと前記接続手段を接続する配線と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記駆動用ＩＣは、前記画素電極に印加する駆動電圧を選択するスイッチ、表示データを蓄積するデータ蓄積手段、前記データ蓄積手段の表示データとカウント値を比較して前記スイッチを制御するコンパレータ、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ蓄積手段は、スイッチング素子を用いて形成されたスタティックＲＡＭあるいはダイナミックＲＡＭであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２の基板の電極の駆動波形が直流波形であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２の基板の電極を駆動する駆動波形が、第１の基板の画素電極を駆動するＯＮ時の駆動波形との位相が逆相となっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の基板の内層に電界をシールドするためのシールド電極を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極を駆動する階調表示のための駆動波形の切り替わりタイミングを示すカウント値の間隔が、不均等であることを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記駆動用ＩＣが、複数のチップに分割していることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の基板の画素電極の表面が、ダミーのマイクロビアや、サンドブラスト製法によるものや、レジストのマスクによるエッチング処理などによって、凸凹となったことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１の基板はガラスエポキシで作られることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１の基板はセラミックで作られることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１の基板は樹脂で作られることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の電気光学装置を有し、前記第１の基板に電子機器を制御する回路を実装したことを特徴とする電子機器装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属し、特に反射電極を構成した電気光学装置の技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル・データ・アシスタント）あるいは液晶プロジェクタ等の電子機器に用いられる電気光学装置として、反射型液晶パネルを備えた液晶表示装置が注目されている。
【０００３】
この反射型液晶パネルは、例えば、データ線、走査線、トランジスタ等のスイッチング素子、電荷蓄積容量、及びアルミニウム等の反射型画素電極等を備えたガラスまたはシリコン（Ｓｉ）等の基板と、透明導電膜からなる対向電極等を備えたガラス等の基板との間に液晶層を挟持した構成となっている。画素電極が反射型であるため、画素電極の下側にトランジスタ等のスイッチング素子を設けることができ、解像度を高めた場合でもパネルの開口率が低下せず、高解像度と高輝度を両立させることができる。
【０００４】
しかしながら、このような構成の反射型液晶パネルを駆動する場合には、データ線の電位を画素に設けた電荷蓄積容量に一旦蓄えて、当該電位を反射型画素電極にも印加することで、各画素毎の液晶層へ画像信号電圧を印加する駆動方式を採用していたため、液晶容量及び電荷蓄積容量からの電流のリークが生じる場合がある。従って、液晶容量により保持される電位が低下し、明度やコントラストの低下等の表示状態の劣化を引き起こすことがあった。
【０００５】
このため、表示画像を高品位に保つには、データ線及び走査線に対する信号の供給を行い、周期的に各画素に電圧の書き込みを行ってその電位を保持しなければならず、低消費電力化を図ることが困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで、このような問題の解決するために、例えば特開平８−２８６１７０号公報等に開示されているように、各画素の反射型画素電極の下側に１ビットのメモリセルを配設した液晶パネルが提案された。
【０００７】
このようなメモリセルを各画素毎に備えた液晶パネルにおいては、メモリセルによりデータ線からの画像信号がラッチされ、その信号が各画素の液晶層に印加される。そして、メモリセルは、新たな信号が書き込まれるまで前の信号を保持しているので、一旦信号の書き込みを行ってしまえば、データ線及び走査線への信号の供給を停止しても、それまでに書き込まれた画像は静止画像として継続表示することができる。その結果、静止画像表示時に外部からの画像信号の入力を止めることができ、低消費電力化を図ることができる。
【０００８】
また、画素電圧をデジタル化することにより、クロストーク等による表示品質の劣化が起きにくいといった利点を備えている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明してきたように、従来の反射型の液晶表示装置は、各画素毎の液晶層へ画像信号電圧を印加する駆動方式を採用した液晶表示装置の場合には、液晶容量及び電荷蓄積容量からの電流のリークが生じる場合があり、液晶容量により保持される電位が低下し、明度やコントラストの低下、クロストークの発生等の表示状態の劣化を引き起こすことがあった。
【００１０】
また、特開平８−２８６１７０号公報等に開示されているように、各画素の反射型画素電極の下側に１ビットのメモリセルを配設した場合の液晶表示装置の場合には、メモリセルを内蔵するためにシリコン等の半導体を形成した基板を使用している。このため、図８に示すように画素電極８０３が直接シリコン（以降Ｓｉとする）の基板８０１上に作り込まれている。画面を大きくしたい場合には、Ｓｉ基板を大きくしなければならない。Ｓｉは高価な材料であるため、携帯電話などに用いられている大きさである対角1インチから2インチ程度の表示装置を実現しようとした場合でさえ、装置全体が高価なものになってしまう課題がある。
【００１１】
そこで、本発明は、前記問題点を解決し、明度やコントラストの低下、クロストークの発生等の表示状態の劣化がない反射型の電気光学装置を提供することを課題としている。また、高価なＳｉ基板の使用量を少なくし装置全体のコストを抑えることを課題としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、第１の基板と、
光透過性を有し該第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板にマトリクス状に設けられ、夫々の画素を規定する複数の画素電極と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に挟持された電気光学素子と、前記第１の基板上の前記複数の画素電極が形成された面と反対の面に実装された、前記電気光学素子を駆動する駆動用ＩＣと、前記複数の画素電極に各々接続され、前記第１の基板を各々貫通して前記駆動用ＩＣと前記複数の画素電極とを接続する複数の接続手段と、前記駆動用ＩＣと前記接続手段を接続する配線とを備えることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の前記駆動用ＩＣは、前記画素電極に印加する駆動電圧を選択するスイッチ、表示データを蓄積するデータ蓄積手段、前記データ蓄積手段の表示データとカウント値を比較して前記スイッチを制御するコンパレータ、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、液晶駆動回路がスイッチ、コンパレータ、データ保持手段によって構成できるので、駆動する回路を縮小化でき、装置全体を安価にすることを可能にしている。
【００１４】
さらに、前記データ蓄積手段は、スイッチング素子を用いて形成されたスタティックＲＡＭあるいはダイナミックＲＡＭであることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、電気光学装置の高解像度化等に伴い、画素電極の小型化が図られた場合でも容易に多ビット化することができる。
【００１６】
さらに、前記第２の基板の電極の駆動波形が直流波形であることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、第２の基板の電極の駆動波形が直流波形であるために、クロストーク等画質劣化のない表示をさせることができる。
【００１８】
さらに、前記第２の基板の電極を駆動する駆動波形が、第１の基板の画素電極を駆動するＯＮ時の駆動波形との位相が逆相となっていることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、第２の基板の電極を駆動する駆動波形が、第１の基板の画素電極を駆動するＯＮ時の駆動波形との位相が逆相となっているために、電気光学装置の耐圧電圧を半分にすることができる。
【００２０】
さらに、前記第１の基板の内層に電界をシールドするためのシールド電極を有することを特徴とする。
【００２１】
本発明よれば、前記第１の基板の内層に電界をシールドするためのシールド電極を有することで駆動波形による電界を駆動回路や他の回路からシールドすることができる。
【００２２】
さらに、前記画素電極を駆動する階調表示のための駆動波形の切り替わりタイミングを示すカウント値の間隔が、不均等であることを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、前記コントローラから出力される前記画素電極を駆動する階調表示のための駆動波形の切り替わりタイミングを示すカウントバスの間隔が不均等であることから、電気光学素子の特性を補正し、表示する階調をリニアにすることができる。
【００２４】
さらに、前記駆動用ＩＣが、複数のチップに分割していることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、駆動用ＩＣが、複数のチップに分割していることから、表示画素数が変わった場合でもチップの個数を増減することで容易に対応することができることを可能としている。
【００２６】
さらに、前記第１の基板の画素電極の表面が、ダミーのマイクロビアや、サンドブラスト製法によるものや、レジストのマスクによるエッチング処理などによって、凸凹となったことを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、第１の基板の画素電極の表面が、凸凹となったことから、入射された光が画素電極で散乱され明るい表示を可能とする。
【００２８】
さらに、前記第１の基板はガラスエポキシで作られることを特徴とする。
【００２９】
さらに、前記第１の基板はセラミックで作られることを特徴とする。
【００３０】
さらに、前記第１の基板は樹脂で作られることを特徴とする。
【００３１】
上記これらの発明によれば、通常の回路基板を作成する材料で第１の基板を作ることにより、容易に多層基板を作ることが出来る。
【００３２】
さらに、本願発明の電子機器は、上記電気光学装置を有し、前記第１の基板に電子機器を制御する回路を実装したことを特徴とする。
【００３３】
本発明によれば、電子機器の実装密度を高くし、機器全体を小型化することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００３５】
図１は本実施形態における電気光学装置である反射型の液晶表示装置の構成を説明するための図である。（ａ）は、上面図、（ｂ）は、断面図、（ｃ）は、下面図を示している。
【００３６】
本発明の液晶表示装置は、マトリックス状に画素電極を形成する第１の基板である下基板を多層基板とし、液晶を駆動するための液晶駆動手段である回路を備えたＩＣすなわちドライバを基板裏側へ実装することで、表示面積に対してＳｉの使用量を削減し装置全体を低コスト化することを特徴としている。第１の基板には、通常の回路基板と同じガラスエポキシ素材、セラミック、樹脂などを使用するのが望ましい。
【００３７】
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）を用いて本発明の第一の実施形態を説明する。図１においてガラス、プラスチックなど光透過性の材料で作られている第２の基板である上基板１０５には、上面に偏光板１０４、下面に画面全体をおおっているＹ電極がある。この第２の基板は、第1の基板に対向しているいるため対向基板とも呼ばれる。また、Ｙ電極は、画素電極１０２に対して対向しているため対向電極とも呼ばれる場合もある。Ｙ電極は、シール１０７の一部を導電異方性ゴムとし、下基板１１０のマイクロビア１０３を介して配線１０８に接続されている。さらに、Ｙ電極接続１１１によってＩＣ１０９ｂに接続されている。
【００３８】
第１の基板である下基板１１０には画素電極１０２がマトリックス状に形成されている。各画素電極１０２は、電気的接続手段であるマイクロビア１０３につながっている。マイクロビア１０３と画素電極１０２の接合部分は、穴が閉じられ、反射する光がもれないようになっている。画素電極１０２は、接続手段であるマイクロビア１０３と配線１０８によって、液晶を駆動するための液晶駆動手段であるＩＣ１０９ａ、ＩＣ１０９ｂに接続されている。ＩＣ１０９ａ、ｂは下基板１１０の裏面に設けられている。なお、基板をさらにもう１枚設けて、下基板とでＩＣを挟み込むように配置してもかまわない。また、感光性樹脂をＩＣ実装後にＩＣの搭載されている面に塗り、もう一層配線層を作ることもできる。
【００３９】
下基板１１０には、図示されていないが基板の内層にシールド電極が内蔵されており、画素電極１０２に印加する電圧波形が発生する電界が、ＩＣ１０９ａ、ＩＣ１０９ｂあるいは図示されていないほかのＩＣへと影響するのを防止している。
【００４０】
この上基板１０５と下基板１１０に挟持され、シール１０７によってシールされて液晶層１０６がある。
【００４１】
この液晶層１０６に入る液晶としては、ツイステッドネマチック（ＴＮ）型液晶、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）型液晶、双安定のメモリー性を有するＴＮ型液晶、スーパーホメオトロピック（ＳＨ）型の液晶、ゲスト・ホスト（ＧＨ）型液晶など種々の液晶を用いることができる。但し、ＧＨ型を除いて、上基板の外側に偏光板や偏光ビームスプリッタ等の偏光子が必要となる。
【００４２】
下基板１１０には、入射光を反射する画素電極１０２が画素ごと分割して作られている。各々の画素電極１０２は、ライトバルブに用いる場合は、鏡面であるが、直接見るタイプいわいる直視タイプの場合には、表面に凸凹を付ける。この凸凹は、電極材料であるＡｕ（銅）やＡｌ（アルミ）の表面にサンドブラスト製法などで作る場合や、レジストによるマスク処理によりエッチングを行い作る場合がある。また、下基板１１０を貫通して導通を取るマイクロビア１０３をダミーで複数画素内に設け、凹面形状を多数作り光の散乱面を作ることも可能である。この凸凹を作った後、メッキや蒸着などによってAｌなど高反射材料によって表面の反射膜をつくる。この凸凹によって入射された光が散乱され、表示装置を見ている観察者に届く光は、鏡面の正反射のみよりも多くなり明るい表示が可能になる。
【００４３】
この反射膜の上に低屈折率材料のSiO2と高屈折率材料のTiO2を多層に重ねることで選択反射膜を構成できる。これによりある特定の波長域の光を反射することでカラー表示も可能である。
【００４４】
ＩＣ１０９ａとＩＣ１０９ｂは、内部バス接続されており、どちらかにコントローラを内蔵する。ただし、このコントローラは、１表示パネルに１つ必要なだけであり、別のＩＣによって構成されてもよい。ＩＣが複数チップに分割されているのは、表示画素数が変化した場合でも、チップの個数を変更することで容易に対応できるためである。複数個に分割されていない場合には、ＩＣの内部回路を設計変更しなければならず多大なコストがかかることになる。
【００４５】
次に、この液晶を駆動するための駆動波形について説明する。本実施例ではＴＮ型液晶を用いた場合について説明する。
【００４６】
図２、図３は各々駆動波形の一実施例を示し、図４は、液晶駆動手段であるＩＣ１０９ａ，ｂの内部を説明するための回路ブロック図である。図５は、ＴＮ型液晶のノーマリホワイトモードの場合の印加電圧と反射率の関係を示したものである。
【００４７】
まず、図２と図４により駆動の第１の実施形態について説明する。この駆動の特徴は、上基板のＹ電極に波形の切り替わりのない一定電圧である直流波形を印加することにある。このため、Ｙ電極基板には波形のひずみが発生せずクロストーク等の無いクリアな画面を低消費電力で実現できる。図２（ａ）は、Ｙ電極駆動波形を示している。Ｖ２電位を選択している直流波形である。図２（ｂ）は、ノーマリホワイトモードの場合の画素電極の黒表示波形を示している。液晶には、Ｖ１−Ｖ２、Ｖ２−Ｖ３の電圧が常に印加されている。この電圧は、各々４．０Ｖ程度であり、Ｖ１からＶ３までの電圧が駆動回路全体の耐圧電圧となり、この電圧は８．０Ｖとなる。ここで波形は、１／６０秒ごと、つまり１６．６ｍ秒に正極性から負極性の電圧となり液晶に印加される。これは、同じ画像を液晶表示パネルに長時間表示した場合に、画像が変わっても表示パネルに薄く残ってしまう焼き付きと呼ばれる現象を防止するためである。図２（ｃ）は、グレーレベルを表示するための画素電極の波形を示したものであり、２５６階調中の８５階調の場合を示している。1フレーム期間としている１６．６ｍ秒を２５６分割し、このうち８５階調分の時間、すなわち５．５ｍ秒だけ、液晶層に電圧を印加し、残りの１１．１ｍ秒は電圧を印加しないことでグレーレベルを表現している。
【００４８】
この液晶駆動回路を実現するための回路ブロックを図４に示している。回路ブロックは、装置全体の制御手段であるコントローラ４０１と、波形選択手段であるスイッチ４０４とスイッチ４０４を制御するための波形制御手段であるコンパレータ４０７と、データ蓄積手段であるＲＡＭ４０８から構成されている。さらに、コントローラ４０１内部には、カウンタ４０２、メモリコントローラ４０３、図示していない波形発生手段によって構成されている。このように、液晶駆動回路が簡単なスイッチ、コンパレータ、ＲＡＭ、コントローラによって構成できるため液晶を駆動するためのＩＣを小さな回路によって構成できるため、装置全体を安価にすることを可能にしている。
【００４９】
ＲＡＭ４０８は、スイッチング素子を用いて形成されたスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）あるいはダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）である。液晶表示装置の表示する画素の高解像度化等に伴い、画素電極の小型化が図られた場合でも容易に多ビット化することができる。
【００５０】
ここでコントローラ４０１は、１つの液晶表示装置全体で１つあればよく、ほかに示したコンパレータ４０７、ＲＡＭ４０８、スイッチ４０４は、画素毎に独立にある。
【００５１】
コントローラ４０１内部で発生しているＯＮ波形は、図２（ｂ）に示した波形であり、ＯＦＦ波形は、図２（ａ）に示した波形である。コントローラ４０１内部にあるカウンタ４０２は、例えば２５６（８ｂｉｔ）カウントする。カウントバスは、８本となる。メモリコントローラ４０３は、外部から表示する画像を変更する場合にのみアクセスされ、各画素のＲＡＭ４０８の内容を書きかえる。ここで、例えばＲＡＭ４０８に階調データ８５が書き込まれていたとする。カウンタ４０２は、０から２５５まで順に１フレーム期間１６．６ｍ秒でカウントしていく。コンパレータ４０７は、カウンタ４０２からのカウントバスのカウント値とＲＡＭ４０８のメモリ値のデータを比較し、カウント値が８４まではＯＮ波形を選択するようにスイッチ４０４を制御し、８５以降になるとＯＦＦ波形を選択するようにスイッチ４０４を制御している。これによって液晶４０５にグレーレベル８５が表示される。
【００５２】
このように、１フレーム期間（１６．６ｍ秒）中に１回の波形の切り替わりによって２５６階調を表示することが出来る。従来では、Ｙ軸方向の走査線の本数によって時分割されていたため、この本数分、例えば４８０本走査線があれば４８０以上の時分割され、さらに階調表示分の時分割、もしくは電圧変調が必要であったが、本発明では、どんなに画素数が増加しようと２５６階調を表示するためには１フレームを２５６分割し、しかも波形の切り替わりは１回でよい。このため、液晶の充放電電流が抑制され低消費電力であり、さらに波形の切り替わりが少ないことで、Ｙ電極と画素電極の容量結合にる液晶電圧波形の歪みが防止され、表示画像を乱すクロストークやフリッカ等の現象が出ない高品質な表示が可能である。
【００５３】
次に、駆動の第２の実施形態について説明する。図３の場合は、対向電極であるＹ電極に印加する電圧波形と画素に印加する電圧波形（ＯＮ表示時）の波形の位相を逆相とすることで、画素電極に印加する電圧波形の振幅を半分にするものである。電圧振幅が半分になることで第一の実施形態に比べさらに低消費電力になる効果を有する。図３（ａ）は、Ｙ電極に印加する電圧波形、図３（ｂ）は、Ｙ電極に印加する電圧波形とは逆位相のＯＮ波形であり、ノーマリホワイトモードの場合の黒表示の波形を示している。液晶には、１６．６ｍ秒ごとにＶ１−Ｖ３、−（Ｖ１−Ｖ３）の電圧が順に印加される。このＶ１−Ｖ３の電圧値は、図２（ｂ）のＶ１−Ｖ２の電圧値と同じとなっており４．０Ｖである。波形の振幅幅は半分になっている。電気光学装置全体の耐圧は、４．０Ｖで済むことになる。図３（ｃ）は、２５６階調中の８５グレーレベルを表示した場合の実効電圧波形を示している。Ｖ１−Ｖ３の値が、図２（ｃ）のＶ１―Ｖ２の電圧値と等しく設定され、同じ実効電圧が液晶にかかることになる。
【００５４】
回路ブロックは図４に示したものであり、第一の実施形態と同じである。相違点はＯＮ波形を図３（ｂ）にし、ＯＦＦ波形を図３（ａ）にすることである。
【００５５】
ここまで、グレーレベル表示（階調表示）を均等時間割付で説明してきた。しかし、液晶の印加電圧と反射率の関係は、図５に示しているように、印加電圧と反射率は線形（リニア）な関係ではない。これを補正するため、図６に示すようにコントローラ４０１のカウンタ４０２に供給するクロックの間隔を等分ではなく非等分の時間に設定し、各カウントバスの変化を非均等にすることで、液晶の非線形性を補正し、階調を均等にすることが可能である。このように、非等分にしても２５６分割する分割数は変わらないため消費電力は増加しない。
【００５６】
ここで、１個のＩＣが表示する画素数が２５６個の場合、ＩＣ１０９ａとＩＣ１０９ｂの接続は、ＯＮ波形１本、ＯＦＦ波形１本、カウントバス８本、アドレスバス８本、データバス８本が共通に接続され、ＩＣチップ毎の選択信号１本が各々のＩＣに接続しいる。このバス接続のため、表示画素数を増加する場合は、実装するＩＣの数を増やせば良く、従来のようにＳｉ基板の設計を変更する必要がなく、表示画素数の増減に対応できるため装置全体を安価に構成できる。
【００５７】
また、従来のＳｉ基板上に作った直視タイプの液晶表示装置では、Ｓｉ基板面積を表示面積にあわせ大きくしなくてはならないが、本発明の液晶表示装置では、ＩＣチップ（ドライバ）の大きさは一定に設計しておき、ガラスエポキシなどシリコン基板に比べて安価な材料の基板に作り込まれた画素電極の大きさ、数によって表示画素数の変更、画面の大きさの変更を行うことができる。このため、表示の大きさを大きくしても装置全体を安価に構成できる。
【００５８】
さらに、従来のＳｉ基板上に作った直視タイプの液晶表示装置では、表示面積を光学的に拡大する場合には、レンズを前面に設置しなくてはならない。このレンズの厚みと焦点距離だけ第2の基板から離した位置にレンズを設置しなくてはならず表示装置全体が厚くなる課題を有している。しかし、本発明の液晶表示装置では、第1の基板にある画素電極の大きさ、ピッチによって解像度が決定されるため、この設計によって大きくも小さくも表示解像度を設定できる。このためレンズを用いる必要はなく装置全体を薄く、軽く、小型にすることが出来る。
【００５９】
本実施形態では、第１の基板である下基板をガラスエポキシ、セラミックなど通常の回路基板と同じ材質で構成したため、携帯電話など装置全体の回路基板と同一回路基板上に電気光学装置である液晶表示装置を搭載した電子機器を構成できる。この構成例を図７に示している。液晶表示部分７０１は、第一の基板である下基板を基板７０２として装置全体の基板としている。ここに、液晶を駆動するためのＩＣであるドライバ７０３や、携帯電話のスイッチ７０４や、音声や電波を制御するためのＩＣ７０５が実装されている。このため、従来のように表示装置を独立に持つ場合に比べ、コネクタが無くて良い、回路基板の面積が小さくなるなどのために装置全体を薄型化、軽量化できるメリットを持つ。
【００６０】
以上、主に白黒表示について説明してきたが、顔料などによって作られるカラーフィルタ層を画素電極上、あるいは透明な第2の基板に作り込むことでカラー表示ができることは言うまでもない。また、本実施形態の反射型液晶表示装置を用いて反射型プロジェクタにも応用できることも言うまでもない。
【００６１】
以上のように、本発明の電気光学装置および電子機器は、ノート型のパーソナルコンピュータ、小型ＶＴＲカメラ、頭部装着型のモニタ、反射型プロジェクタあるいはテレビ等の画像表示部だけでなく、携帯電話に用いた場合でも、低消費電力に、高解像度で良好な階調表示を行い、装置全体を薄型化、小型化し、しかも安価に提供することができる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明では、どんなに画素数が増加しようと、たとえば２５６階調を表示するためには１フレームを２５６分割し、しかも波形の切り替わりは１回でよい。このため、液晶の充放電電流が抑制され低消費電力であり、さらに波形の切り替わりが少ないことで、Ｙ電極と画素電極の容量結合にる液晶電圧波形の歪みが防止され、表示画像を乱すクロストークやフリッカ等の現象が出ない高品質な表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置の概略図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は、下面図である。
【図２】  本発明の第1の実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置の駆動波形図である。
【図３】  本発明の第2の実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置の駆動波形図である。
【図４】  本発明の一実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置の回路の概略を示す回路ブロック図である。
【図５】  本発明の一実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置におけるＴＮ型液晶のノーマリホワイトモードの場合の印加電圧と反射率の関係を示した図である。
【図６】  本発明の一実施形態に係る電気光学装置である液晶表示装置のコントローラ４０１のカウンタ４０２に供給するクロックの間隔を等分ではなく非等分の時間に設定し、各カウントバスの変化を非均等にすることで、液晶の非線形性を補正し、階調を均等にすることを説明する図である。
【図７】  本発明の一実施形態に係る電子機器における携帯電話など装置全体の回路基板と同一回路基板上に構成した例を示した図である。
【図８】  従来の反射型の液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１０１…Ｙ電極
１０２…画素電極
１０３…マイクロビア
１０４…偏光板
１０５…上基板
１０６…液晶層
１０７…シール
１０８…配線
１０９ａ，ｂ…ＩＣ
１１０…下基板
１１１…Ｙ電極接続
【図１】
0003785905.tif 000002
【図２】
0003785905.tif 000003
【図３】
0003785905.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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