(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、
磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１の磁性層は、前記再生ヘッド側に配置されており、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分と、高飽和磁束密度材料からなり、少なくとも前記第１の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層とを有し、
前記第２の部分は、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、前記中央部分よりも大きい側方部分とを有し、
前記第２の磁性層が記録トラック幅を規定し、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第２の磁性層は、磁極部分を形成する磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、前記第２の磁性層の磁極部分層の側方に配置された第２層部分とを有することを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２の磁性層の磁極部分層の長さは、前記第１の磁性層の第２の部分の長さ以上であることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第２の磁性層のヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記補助層は、前記第１の磁性層の第１の部分と第２の部分を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１の磁性層の第２の部分は、高飽和磁束密度材料によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
更に、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記記録ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の磁性層の第２の部分は、前記薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第１の磁性層は、前記第２のシールド層を兼ねていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、
磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層のうちの第１の磁性層が前記再生ヘッド側に配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記再生ヘッドを形成する工程と、
前記第１の磁性層を形成する工程と、
前記第１の磁性層の上に、前記記録ギャップ層を形成する工程と、
前記記録ギャップ層の上に、前記第２の磁性層を形成する工程と、
前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設されるように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分と、高飽和磁束密度材料からなり、少なくとも前記第１の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層とを形成し、
前記第２の部分は、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、前記中央部分よりも大きい側方部分とを有し、
前記第２の磁性層を形成する工程は、前記第２の磁性層が記録トラック幅を規定するように、第２の磁性層を形成し、
前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置されるように、前記補助層の上に形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の磁性層を形成する工程は、磁極部分を形成する磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを形成することを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜コイルを形成する工程は、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、前記第２の磁性層の磁極部分層の側方に配置された第２層部分とを形成することを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の磁性層の磁極部分層の長さを、前記第１の磁性層の第２の部分の長さ以上とすることを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の磁性層のヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置することを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第１の磁性層を形成する工程は、前記第１の磁性層の第１の部分と第２の部分を覆うように、前記補助層を形成することを特徴とする請求項１１ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第１の磁性層を形成する工程は、前記第２の部分を、高飽和磁束密度材料によって形成することを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
更に、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記記録ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１ないし１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の磁性層を形成する工程は、前記第２の部分を、前記薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うように形成することを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の磁性層は、前記第２のシールド層を兼ねていることを特徴とする請求項１１ないし１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた複合型の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic  Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant  Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれる。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Throat  Height：TH）がある。スロートハイトは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００７】
ここで、図１４ないし図２０を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１４ないし図１９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００８】
この製造方法では、まず、図１４に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００９】
次に、図１５に示したように、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。
【００１０】
次に、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【００１１】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。次に、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。
【００１２】
次に、図１６に示したように、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材料のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１３】
次に、図１７に示したように、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１７（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１４】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面が露出する。
【００１５】
次に、図１８に示したように、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。
【００１６】
次に、図１９に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図２０は、この薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７を省略している。
【００１７】
図１９において、ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。また、Ｐ２Ｗは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図１９においてθで示したようなエイペックスアングル（Apex  Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面とのなす角度をいう。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、図１９に示したようなスロートハイトＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθおよび記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重要である。
【００１９】
特に、近年は、高面密度記録を可能とするため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成するために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴って、磁極にはより高い飽和磁束密度を持った磁性材料の使用が望まれている。
【００２０】
例えば、特開平７−２６２５１９号公報や、米国特許第５，６０６，４７８号には、上部磁極層や下部磁極層の一部を高飽和磁束密度材料で形成した例が示されている。
【００２１】
ここで、問題となるのは、エイペックス部の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困難なことである。
【００２２】
ところで、上部磁極層を形成する方法としては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エイペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層を形成する。
【００２３】
ところが、エイペックス部と他の部分とでは、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜が形成される。
【００２４】
上述のようにサブミクロン寸法の記録トラック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要がある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン寸法の微細なパターンを形成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難であった。
【００２５】
しかも、フォトリソグラフィの露光時に、露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォトレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２６】
このように、従来は、磁極幅がサブミクロン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが困難になるという問題点があった。
【００２７】
このようなことから、上述の従来例の図１６ないし図１９の工程でも示したように、記録ヘッドの狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によって、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６とに分割することにより、トラック幅を決定する上部磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦な面の上に、サブミクロン幅で微細に形成することが可能になる。
【００２８】
しかしながら、このような薄膜磁気ヘッドにおいても、依然として、以下のような問題点があった。
【００２９】
（１）まず、図１９に示した従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極チップ１１０によって記録ヘッドのトラック幅が規定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それでも、記録ヘッドのトラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペックス部の上に形成されることから、前述の理由により、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であった。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることから、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要があった。これらの理由から、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成される。そのため、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６側で書き込みが行われ、記録媒体に対して、本来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトが発生するという不具合があった。このような不具合は、記録ヘッドの性能を向上させるためにコイルを２層や３層に形成した場合に、コイルを１層に形成する場合に比べてエイペックス部の高さが高くなり、より顕著になる。
【００３０】
（２）また、従来の磁気ヘッドでは、上部磁極チップ１１０のエアベアリング面１１８から遠い側の端部においてスロートハイトを決定している。しかし、この上部磁極チップ１１０の幅が狭くなると、フォトリソグラフィーにおいて、パターンエッジが丸みを帯びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不均一となり、エアベアリング面１１８の加工、研磨工程において、ＭＲ素子のトラック幅との間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、トラック幅として、０．５〜０．６μｍ必要なときに、上部磁極チップ１１０のエアベアリング面１１８から遠い側の端部がスロートハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置）からエアベアリング面１１８側にずれ、大きく記録ギャップが開き、記録データの書き込みができなくなるという問題がしばしば発生していた。
【００３１】
上記（１）、（２）の問題点から、従来は、記録ヘッドのトラック幅の縮小が難しかった。
【００３２】
（３）更に、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長（Yoke  Length）を短くすることが困難であるという問題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロートハイトゼロ位置からコイルの外周端までの距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショートするため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。
【００３３】
従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペックスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長としては、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である４〜５μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層とのコンタクト部からコイル内周端までの距離も４〜５μｍ必要。）の８〜１０μｍが必要である。このコイルに対応する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。
【００３４】
ここで、例えば、コイルの線幅が１．０μｍ、スペースが１．０μｍの１１巻コイルを２層で形成する場合を考える。この場合、図１９に示したように、１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部までの距離として、合計８〜１０μｍの長さが必要になる。なお、本出願では、磁路長を、図１９において符号Ｌ0で示したように、磁極層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
【００３５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、記録ヘッドのトラック幅の縮小および磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、
磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
第１の磁性層は、再生ヘッド側に配置されており、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分と、高飽和磁束密度材料からなり、少なくとも第１の部分と薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層とを有し、
第２の部分は、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、中央部分よりも大きい側方部分とを有し、
第２の磁性層が記録トラック幅を規定し、
薄膜コイルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置されているものである。
【００３７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、
磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、
第１の磁性層と第２の磁性層のうちの第１の磁性層が再生ヘッド側に配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
再生ヘッドを形成する工程と、
第１の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層の上に、記録ギャップ層を形成する工程と、
記録ギャップ層の上に、第２の磁性層を形成する工程と、
第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設されるように薄膜コイルを形成する工程とを含み、
第１の磁性層を形成する工程は、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置される第１の部分と、第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分と、高飽和磁束密度材料からなり、少なくとも第１の部分と薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層とを形成し、
第２の部分は、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、中央部分よりも大きい側方部分とを有し、
第２の磁性層を形成する工程は、第２の磁性層が記録トラック幅を規定するように、第２の磁性層を形成し、
薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイルの少なくとも一部を、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置されるように、補助層の上に形成するものである。
【００３８】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有する第１の磁性層が設けられ、薄膜コイルの少なくとも一部が、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置される。これにより、記録ヘッドの第２の磁性層を平坦な面の上に形成することが可能となり、その結果、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能になる。更に、本発明では、高飽和磁束密度材料からなり、磁路の一部を形成する補助層が、少なくとも第１の磁性層の第１の部分と薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置される。これにより、第１の磁性層の第１の部分と補助層とを合わせた厚みを小さくすることが可能となり、その分、薄膜コイルの厚みを大きくすることが可能となる。その結果、薄膜コイルの線幅を小さくすることができ、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００３９】
なお、本出願において、高飽和磁束密度材料とは、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の磁性材料を言う。
【００４０】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第１の磁性層の第２の部分がスロートハイトを規定し、第２の磁性層が記録トラック幅を規定する。
【００４１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第２の磁性層が、磁極部分を形成する磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを有していてもよい。この場合、薄膜コイルが、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、第２の磁性層の磁極部分層の側方に配置された第２層部分とを有するようにしてもよい。この場合、第２の磁性層の磁極部分層の長さを、第１の磁性層の第２の部分の長さ以上としてもよい。また、第２の磁性層のヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置してもよい。
【００４２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、補助層を、第１の磁性層の第１の部分と第２の部分を覆うように形成してもよい。
【００４３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第１の磁性層の第２の部分を、高飽和磁束密度材料によって形成してもよい。
【００４４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、更に、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、記録ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を設けてもよい。この場合、第１の磁性層の第２の部分を、薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うように形成してもよい。
【００４５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、例えば、第１の磁性層は、第２のシールド層を兼ねている。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４８】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウムをスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。
【００４９】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）の第１の部分８ａを、約０．５〜１．０μｍの厚みで、選択的に形成する。下部磁極層の第１の部分８ａは、下部磁極層のうち、後述する薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置される部分である。
【００５０】
次に、図３に示したように、下部磁極層の第１の部分８ａの上に、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．０μｍの厚みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層の磁極部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイル側の面に接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと上部磁極層とを接続するための部分である。本実施の形態において、第２の部分８ｂのエアベアリング面とは反対側（図において右側）の端部の位置は、スロートハイトを規定する。なお、後で説明するが、スロートハイトゼロ位置は、第２の部分８ｂのエアベアリング面とは反対側の端部に形成される補助層の端部の位置となる。
【００５１】
下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５２】
次に、例えばスパッタにより、下部磁極層の第１の部分８ａ、第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃを覆うように、高飽和磁束密度材料からなる補助層８ｄを、約０．５〜１．５μｍの厚みに形成する。補助層８ｄに用いる高飽和磁束密度材料としては、ＦｅＮXまたはＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ，ＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等がある。補助層８ｄは、第１の磁性層の第１の部分８ａと後述する薄膜コイルの第１層部分との間に配置され、下部磁極層の一部となり、磁路の一部を形成する。また、図３に示したように、補助層８ｄは、ＭＲ素子５の上方において、第１の磁性層の第２の部分８ｂの側部に形成される部分のエアベアリング面３０とは反対側（図において右側）の端部８Ｄの位置が、ＭＲ素子５のエアベアリング面３０から遠い側の端部の近傍に配置されるように形成される。また、補助層８ｄの端部８Ｄの位置が、スロートハイトゼロ位置となる。
【００５３】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００５４】
次に、図４に示したように、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイルの第１層部分１０を、後述する薄膜コイルの第２層部分と接続するための接続部を示している。
【００５５】
次に、図５に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、補助層８ｄのうち下部磁極層の第２の部分８ｂの上および第３の部分８ｃの上に位置する部分が露出するまで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図５では、薄膜コイルの第１層部分１０は露出していないが、第１層部分１０が露出するようにしてもよい。第１層部分１０が露出するようにした場合には、第１層部分１０および絶縁層１１の上に他の絶縁層を形成する。
【００５６】
次に、図６に示したように、露出した補助層８ｄおよび絶縁層１１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
【００５７】
次に、磁路形成のために、補助層８ｄのうち下部磁極層の第３の部分８ｃの上に位置する部分の上において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。また、薄膜コイルの第１層部分１０における接続部１０ａと薄膜コイルの第２層部分とを接続するために、接続部１０ａの上の部分において、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５８】
次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極部分層１３ａを１．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、補助層８ｄのうち下部磁極層の第３の部分８ｃの上に位置する部分の上に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層１３ｂを１．０〜３．０μｍの厚みに形成する。磁性層１３ｂは、後述する上部磁極層のヨーク部分層と下部磁極層とを接続するための部分である。なお、磁性層１３ｂは、下部磁極層の第３の部分８ｃよりも大きくなっている。本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層１３ａの長さは、下部磁極層の第２の部分８ｂの長さ以上に形成される。
【００５９】
上部磁極層の磁極部分層１３ａおよび磁性層１３ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００６０】
次に、上部磁極層の磁極部分層１３ａをマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００６１】
次に、記録ギャップ層１２の上のコイル形成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００６２】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１５ａは、薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａと接続される接続部を示している。
【００６３】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層１３ａおよび磁性層１３ｂが露出するまで、絶縁層１６を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００６４】
次に、図７に示したように、平坦化された上部磁極層の磁極部分層１３ａおよび磁性層１３ｂ、絶縁層１６の上に、記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層１３ｃを、例えば約２〜４μｍの厚みに形成する。このヨーク部分層１３ｃは、磁性層１３ｂを介して、補助層８ｄのうち下部磁極層の第３の部分８ｃの上に位置する部分と接触し、磁気的に連結している。上部磁極層のヨーク部分層１３ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層のヨーク部分層１３ｃを、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００６５】
本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層１３ｃの記録媒体に対向する側（エアベアリング面３０側）の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置（図において右側）に配置されている。
【００６６】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６７】
本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２の部分８ｂ、第３の部分８ｃおよび補助層８ｄよりなる下部磁極層が、本発明における第１の磁性層に対応し、磁極部分層１３ａ、磁性層１３ｂおよびヨーク部分層１３ｃよりなる上部磁極層が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、下部磁極層は、上部シールド層を兼ねているので、本発明における第２のシールド層にも対応する。
【００６８】
図８は、上述のようにして製造された本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層１７は省略している。なお、図８において、図中、符号８Ｂは、トリム構造とするために下部磁極層の第２の部分８ｂがエッチングされている部分を表している。
【００６９】
図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を説明するための平面図である。この変形例では、下部磁極層の第１の部分８ａおよび第３の部分８ｃの上には、補助層８ｄが形成されていない。
【００７０】
図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの他の変形例を説明するための平面図である。この変形例では、下部磁極層の第１の部分８ａの上および側壁と、第３の部分８ｃの上および側壁には、補助層８ｄが形成されていない。
【００７１】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層）とを有している。記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極層および上部磁極層と、この下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。
【００７２】
本実施の形態では、下部磁極層は、薄膜コイルの第１層部分１０に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜コイルの第１層部分１０側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイルの第１層部分１０は、下部磁極層の第２の部分８ｂの側方に配置されている。本実施の形態では、下部磁極層は、更に、高飽和磁束密度材料からなり、少なくとも下部磁極層の第１の部分８ａと薄膜コイルの第１層部分１０との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層８ｄを有している。
【００７３】
本実施の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分１０を、下部磁極層の第１の部分８ａの上であって、第２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コイルの第１層部分１０を覆う絶縁層１１の上面を平坦化したので、記録ヘッドのトラック幅を規定する上部磁極層の磁極部分層１３ａを平坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施の形態によれば、磁極部分層１３ａを、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００７４】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第２層部分１５を、上部磁極層の磁極部分層１３ａの側方に配置したので、記録ヘッドのヨーク部分層１３ｃも、平坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１３ｃも微細に形成可能となり、その結果、いわゆるサイドライトの発生を防止することが可能となる。
【００７５】
また、本実施の形態では、記録ヘッドのトラック幅を規定する上部磁極層の磁極部分層１３ａがスロートハイトを規定するのではなく、下部磁極層の第２の部分８ｂがスロートハイトを規定する。従って、本実施の形態によれば、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能となる。
【００７６】
ところで、ハードディスク装置に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドの場合、再生ヘッドと記録ヘッドとの間は、装置の仕様から、ある範囲内に制限される。従って、下部磁極層の厚みもある範囲内、例えば３．０〜３．５μｍに制限される。そのため、本実施の形態のように、狭トラックを実現するために、薄膜コイル１０を、下部磁極層の第１の部分８ａの上であって、第２の部分８ｂの側方に配置する場合には、下部磁極層の第１の部分８ａの厚みと薄膜コイル１０の厚みを十分に確保することができない場合が生じる。下部磁極層の第１の部分８ａの厚みが小さすぎると、下部磁極層における磁束密度を十分に確保できなくなるという不具合がある。一方、薄膜コイル１０の厚みが小さすぎると、薄膜コイル１０の抵抗が大きくなってしまうという不具合がある。
【００７７】
そこで、本実施の形態では、下部磁極層の第１の部分８ａの上に、高飽和磁束密度材料からなる補助層８ｄを設けている。そのため、本実施の形態によれば、下部磁極層において十分な磁束密度を確保しながら、下部磁極層の第１の部分８ａの厚みと補助層８ｄの厚みとを合わせた厚みを、ある程度小さくすることができる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１０の厚みを十分確保できるので、薄膜コイル１０の抵抗をあまり大きくすることなく、薄膜コイル１０の線幅を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００７８】
更に、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分１０と第２層部分１５の双方を、平坦な面の上に形成することができる。これにより、薄膜コイル１０，１５を微細に形成することが可能になると共に、エイペックス部の傾斜部の存在による余分な長さが不要となる。このことからも、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００７９】
本実施の形態によれば、例えば従来に比べて５０％以下程度に、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。そのため、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジションシフト（Non-linear  Transition  Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【００８０】
また、本実施の形態によれば、高飽和磁束密度材料よりなる補助層８ｄを設けることにより、オーバーライト特性を向上させることができる。また、下部磁極層の第２の部分８ｂや上部磁極層の磁極部分層１３ａを高飽和磁束密度材料によって形成すれば、更にオーバーライト特性を向上させることができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、高飽和磁束密度材料よりなる補助層８ｄを設けることにより、ＮＬＴＳを劣化させることなく下部磁極層の第１の部分８ａを高飽和磁束密度材料ではない磁性材料で形成することができ、例えば、下部磁極層の第１の部分８ａを、ノーマルパーマロイ、すなわちＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）で形成するような場合に効果的である。
【００８２】
また、本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層１３ｃのエアベアリング面側の端面を、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面から離れた位置に配置している。そのため、スロートハイトが小さい場合でも、上部磁極層のヨーク部分層１３ｃがエアベアリング面に露出することがなく、その結果、いわゆるサイドライトの発生を防止することができる。
【００８３】
また、本実施の形態では、下部磁極層の第２の部分８ｂの側方に配置された薄膜コイルの第１層部分１０を覆う絶縁層１１を設け、この絶縁層１１の上面を平坦化したので、その後に形成される記録ギャップ層１２、上部磁極層、薄膜コイルの第２層部分１５等の形成が容易になる。
【００８４】
また、本実施の形態では、下部磁極層と、薄膜コイルの第１層部分１０の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁膜９が設けられるので、下部磁極層と第１層部分１０との間に大きな絶縁耐圧を得ることができる。また、薄膜コイルの第１層部分１０と第２層部分１５との間には、記録ギャップ層１２の他に、無機材料よりなる絶縁膜１４が設けられるので、薄膜コイルの第１層部分１０と第２層部分１５との間に大きな絶縁耐圧を得ることができると共に、薄膜コイル１０，１５からの磁束の漏れを低減することができる。
【００８５】
また、本実施の形態では、図８に示したように、上部磁極層の磁極部分層１３ａは、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置よりもエアベアリング面とは反対側の部分では、例えば３μｍ以上の一定の幅を有し、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置よりもエアベアリング面側の部分では、ハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法の一定の幅を有している。そのため、上部磁極層を通過する磁束は、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置よりもエアベアリング面とは反対側の部分では飽和せず、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置よりもエアベアリング面側の部分で飽和する。これにより、非線形トランジションシフトやオーバーライト特性を向上させることができる。
【００８６】
［第２の実施の形態］
次に、図１１および図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１１において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１２は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００８７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄膜コイルとして、１層の薄膜コイル１０のみを設けたものである。また、この薄膜磁気ヘッドでは、記録ギャップ層１２の上に、１層の上部磁極層１３が形成されている。この上部磁極層１３は、下部磁極層の第３の部分８ｃの上に形成されたコンタクトホールを介して、下部磁極層の第３の部分８ｃの上に位置する補助層８ｄに接続されている。また、本実施の形態では、薄膜コイル１０の接続部１０ａには、この接続部１０ａと電極用パッドとを接続するための電極層２１が接続されている。
【００８８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層１２を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。その後、本実施の形態では、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層１３および電極層２１を、例えば約２〜４μｍの厚みに形成する。図１２に示したように、上部磁極層１３を上から見た形状は、第１の実施の形態における上部磁極層の磁極部分層１３ａとヨーク部分層１３ｃとを合わせた部分を上から見た形状と同様である。
【００８９】
上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００９０】
次に、上部磁極層１３をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１１（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００９１】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９２】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９３】
［第３の実施の形態］
次に、図１３を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１３は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００９４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層の第２の部分８ｂを、薄膜コイルの第１層部分１０の周囲を囲うように形成したものである。下部磁極層の第２の部分８ｂをこのような形状とすることにより、絶縁層１１の平坦化処理が容易になる。
【００９５】
また、本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層１３ａとヨーク部分層１３ｃの形状が、第１の実施の形態とは異なっている。すなわち、磁極部分層１３ａのうち、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置よりもエアベアリング面とは反対側の部分は、エアベアリング面から遠ざかるにつれて幅が大きくなっている。また、ヨーク部分層１３ｃのうち、磁極部分層１３ａと重なる部分は、磁極部分層１３ａに対応した形状になっている。
【００９６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、第２の実施の形態における下部磁極層の第２の部分８ｂを、本実施の形態のような形状に形成してもよい。
【００９７】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、下部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしたが、上部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしてもよい。
【００９８】
また、上記各実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００９９】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させることが好ましい。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１１ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有する第１の磁性層を設け、薄膜コイルの少なくとも一部を、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置したので、記録ヘッドの第２の磁性層を平坦な面の上に形成することが可能となり、その結果、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１０１】
更に、この薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法によれば、高飽和磁束密度材料からなり、磁路の一部を形成する補助層を、少なくとも第１の磁性層の第１の部分と薄膜コイルの少なくとも一部との間に配置したので、第１の磁性層の第１の部分と補助層とを合わせた厚みを小さくすることが可能となり、その分、薄膜コイルの厚みを大きくすることが可能となり、その結果、薄膜コイルの線幅を小さくすることができ、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１０２】
また、本発明によれば、第１の磁性層の第２の部分がスロートハイトを規定し、第２の磁性層が記録トラック幅を規定するようにしたので、更に、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能になるという効果を奏する。
【０１０３】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層が、磁極部分を形成する磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを有し、第２の磁性層のヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配置したので、更に、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んでしまうことを防止することができるという効果を奏する。
【０１０４】
また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層の第２の部分を高飽和磁束密度材料によって形成するようにしたので、更に、記録ヘッドの特性を向上させることができるという効果を奏する。
【０１０５】
また、請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドもしくは請求項１８または１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、記録ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を設けたので、更に、記録ギャップ層や第２の磁性層等の形成が容易になるという効果を奏する。
【０１０６】
また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層の第２の部分を、薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うように形成したので、更に、薄膜コイルの少なくとも一部を覆う絶縁層の平坦化処理が容易になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を説明するための平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの他の変形例を説明するための平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８ａ…下部磁極層の第１の部分、８ｂ…下部磁極層の第２の部分、８ｄ…補助層、９…絶縁膜、１０…薄膜コイルの第１層部分、１１…絶縁層、１２…記録ギャップ層、１３ａ…上部磁極層の磁極部分層、１３ｃ…上部磁極層のヨーク部分層、１４…絶縁膜、１５…薄膜コイルの第２層部分、１７…オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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