(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、
該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、
該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置のデータ書き込み速度制御方法において、
該データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達しても、データ書き込み速度を前データ書き込み領域におけるデータ書き込み速度に維持させるように制御することを特徴とする光ディスクのデータ書き込み速度制御方法。
【請求項２】
光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、
該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、
該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置のデータ書き込み速度制御方法において、
前記データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達した際に、データ書き込み速度を前データ記録領域におけるデータ書き込み速度よりも低速側に変更するように制御することを特徴とする光ディスクのデータ書き込み速度制御方法。
【請求項３】
光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、
該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、
該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置において、
該データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達しても、データ書き込み速度を前データ書き込み領域におけるデータ書き込み速度に維持させるように制御することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、
該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、
該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置において、
前記データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達した際に、データ書き込み速度を前データ記録領域におけるデータ書き込み速度よりも低速側に変更するように制御することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ等の光ディスクにデータを記録することができる光ディスク装置のデータ書き込み速度の制御方法、およびこれを用いた光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク１０にデータを書き込むための光ディスク記録再生装置２０（以下、単に光ディスク装置２０という）として、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＣＤ−ＲＷ（Compact Disc-ReWritable）装置が知られている。
【０００３】
光ディスク１０へデータを記録する際においては、書き込んだビットの密度が一定となるように書き込み線速度を一定に保ついわゆるＣＬＶ(Constant Linear Velocity)方式により光ディスク１０の回転数が制御されて書き込みが行われていた。ＣＬＶ方式は、線速度を一定に維持するため、光ディスク１０にデータを書き込む際において、光ディスク１０を回転させるスピンドル２８の回転数を光ディスク１０の内周側から外周側へと徐々に下げる制御を行うものである。
この場合、光ディスク１０へのデータ書き込み時間を短縮させるために、単純にディスク装置２０の記録倍速を高めると、ＣＬＶ方式では内周側における光ディスク１０の回転数が高くなりすぎ、スピンドル２８に過度の負担がかかり、データの書き込みに対する信頼性が低下してしまうという課題があった。
【０００４】
そこで、光ディスク１０の内周側記録領域におけるスピンドル２８の回転数を極端に上げることなく、しかも光ディスク装置２０全体としてのデータ書き込み時間を短縮させる方法として、ゾーンＣＬＶ方式を採用した光ディスク装置２０が開発されている。
ゾーンＣＬＶ方式は、光ディスク１０のデータ書き込みエリアを光ディスク１０の径方向にわたって適宜ゾーニングし、それぞれのゾーンにおいてＣＬＶ方式を適用するものである。つまり、光ディスク１０の内周側記録領域はスピンドル２８に過度の負担がかからない線速度でデータの書き込みを行い、外周側記録領域にいくにつれ段階的にデータの書き込み倍速度を上げていく制御方式である。これにより、光ディスク１０の内周側記録領域におけるスピンドル２８の回転速度を基準にして光ディスク１０の書き込み線速度を設計することができるため、光ディスク１０の内周側記録領域におけるデータの書き込みに関する信頼性が向上した。
【０００５】
ゾーンＣＬＶ方式による光ディスク１０へのデータ書き込み速度の制御方法の一例を図５および図６に示す。
図５はゾーンＣＬＶ方式による光ディスク装置２０でのデータ記録方法を示した説明グラフである。図５のグラフは横軸にデータの書き込み時間をとり、縦軸にデータの書き込み倍速度をとったものである。光ディスク装置２０においては、データを記録する光ディスク１０にあらかじめ刻設されているウォブル３０からアドレス情報を読み取る。ゾーンＣＬＶ方式を採用している光ディスク装置２０は、ウォブル３０から読み取ったアドレス情報により、図６に示すようにファームウェアによりあらかじめ分割された光ディスク１０の記録領域において、それぞれの記録領域毎にデータの書き込み速度を制御する。データの書き込み速度は、通常光ディスク１０の内周側記録領域から外周側記録領域へと移行するのに伴ない段階的に高くなっている。
【０００６】
図４は、従来のゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置２０の制御フローを示したものである。従来のゾーンＣＬＶ方式は、最も内周側の記録領域であるゾーン１１の書き込みは１６倍速で行い（Ｓ４０１）、書き込みゾーンが外周側の記録領域であるゾーン１２、１３へと移行するとともに、書き込みを２０倍速（Ｓ４０２）、２４倍速（Ｓ４０３）へと段階的に移行させる制御方式である。このようにゾーンＣＬＶ方式を採用することによって、光ディスク１０の最も内周側に位置するゾーン１１のデータ書き込み速度がスピンドル２８に過度な負担を与えない速度に設定することができ、光ディスク１０の内周側記録領域であるゾーン１１におけるデータ書き込みに関する信頼性が向上するとともに、全体としてのデータ書き込み時間を短縮させることができた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ装置が普及するにつれ、これらに用いる光ディスク１０も大量に供給されるようになった。これらの光ディスク１０の中には安価な光ディスク１０も多数含まれる。安価な光ディスク１０は、プレスがきちんとされておらず、ウォブル３０が正確に形成されていないものが見うけられる。また、ウォブル３０が正確に刻設された光ディスク１０においても、反射面にほこりがついていたり、反射面に傷がついていることにより、ウォブル信号をうまく読み取れない場合がある。
【０００８】
ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ装置は、光ディスク１０に刻設されているウォブル３０にレーザー光を照射し、ウォブル３０からの反射光をウォブル信号として光ピックアップ２２によって読み取り、解析手段で解析することにより光ディスク１０のアドレス情報の管理を行なっている。したがって、ウォブル３０がきちんと形成されていない光ディスク１０にデータを書き込む際においては、ウォブル信号によるアドレス情報の管理が不確実なものになってしまう。ウォブル信号による回転制御信号が断片的に途切れる場合において、それが軽微な場合には、サーボプロセッサ２６等のデータ書き込み速度制御手段によってスピンドル２８の回転数を制御して適宜同期させることが可能であるが、ウォブル信号によるアドレス情報の途切れ（ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー）が多くなると、ウォブル信号による回転制御信号と、データを記録する際の基準クロック信号との差が大きくなり、スピンドル２８の回転数を急激に変化させなければならないため、スピンドル２８に大きな負担がかかり、データの書き込み精度が低下してしまうという課題があった。
このように物理的理由により、記録したデータの信頼性に不安がある光ディスク１０であっても、従来のゾーンＣＬＶ方式によるＣＤ−Ｒ、ＣＤ―ＲＷ装置においては、データ書き込み領域が外周側の記録領域に移るにつれ自動的にデータの書き込み速度を速くするため、さらにデータの書き込み精度が低下してしまうといった課題があった。
【０００９】
本発明は、ゾーンＣＬＶ方式に代表される、光ディスク１０内におけるデータ記録速度可変式のＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ装置において、ウォブル信号によるアドレス情報の読み出しエラーが所定の範囲を超える低品質の光ディスク１０にデータの書き込みを行う場合には、データ書き込み速度を移行させるデータ記録領域に到達しても、書き込み速度を前領域における書き込み速度に維持若しくは前領域の速度より下げる制御をすることによって、低品質の光ディスクであっても書き込んだデータの信頼性を確保することができるＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するべく、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置のデータ書き込み速度制御方法において、該データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達しても、データ書き込み速度を前データ書き込み領域におけるデータ書き込み速度に維持させるように制御することを特徴とする光ディスクのデータ書き込み速度制御方法である。
これにより、例えばゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置に用いる光ディスクの品質または状態が好ましくない場合においても、記録時間の延長を最小限にとどめながらも、記録したデータの信頼性を確保することができる。
【００１１】
また、光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置のデータ書き込み速度制御方法において、前記データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達した際に、データ書き込み速度を前データ記録領域におけるデータ書き込み速度よりも低速側に変更するように制御することを特徴とする光ディスクのデータ書き込み速度制御方法である。
これにより、例えばゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置に用いる光ディスクの品質または状態が好ましくない場合においても、記録したデータの信頼性を損ねるおそれがさらに少なくなる。
【００１２】
さらに、光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置において、該データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達しても、データ書き込み速度を前データ書き込み領域におけるデータ書き込み速度に維持させるように制御することを特徴とする光ディスク装置である。
これにより、例えばゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置に用いる光ディスクの品質または状態が好ましくない場合においても、記録時間の延長を最小限にとどめながらも、記録したデータの信頼性を確保可能な光ディスク装置とすることができる。
【００１３】
さらにまた、光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクからの反射光を読み取る光ピックアップと、該光ピックアップで読み取られた反射光に含まれるウォブル信号から、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスを解析する解析手段と、該解析手段により解析された、光ピックアップがレーザー光を照射している光ディスク上のアドレスが所定のアドレスに到達した場合には、データ書き込み速度を変更可能に制御するデータ書き込み速度制御手段とを具備する、光ディスク装置において、前記データ書き込み速度制御手段は、前記解析手段が、一定期間におけるウォブル信号の読み取りエラー数が規定数以上となったことを検出した場合には、光ディスク上のアドレスがデータ書き込み速度を増加すべき所定のアドレスに到達した際に、データ書き込み速度を前データ記録領域におけるデータ書き込み速度よりも低速側に変更するように制御することを特徴とする光ディスク装置である。
これにより、例えばゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置に用いる光ディスクの品質または状態が好ましくない場合においても、記録したデータの信頼性を損ねるおそれをさらに少なくした光ディスク装置とすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
ゾーンＣＬＶ方式を採用した光ディスク装置２０の基本制御動作については、図４、図５及び図６で説明したとおりであるので、ここでは詳細な説明は省略する。
なお、本明細書中において、データ書き込み速度とはデータ書き込み倍速度のことをいう。
本実施の形態においてはゾーンＣＬＶ方式を用いたＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ装置にデータ書き込み速度の制御手段を付加させたものである。本実施の形態における光ディスク装置２０は、光ディスク１０のウォブル信号によるアドレス情報を読み取ることにより記録領域を３分割し、それぞれのデータの書き込み速度が１６倍速、２０倍速、２４倍速となるようにデフォルト設定されている。
【００１５】
このように、同一の光ディスク１０内において、データ書き込み速度が異なるのは、次のような理由による。すなわち、光ディスク１０へのデータの書き込みをする際において、内周側の記録領域と外周側の記録領域とを同じ書き込み倍速度にするためには、内周側の記録領域における光ディスク１０の回転数を高くしなければならず、スピンドル２８に過度な負担がかかってしまうためである。またデータ書き込みエラーの発生率とスピンドル２８の回転数は、相関関係にあることや、光ディスク装置２０全体としての書き込み倍速度を高く設定させるためである。
【００１６】
光ディスク装置２０は、ウォブル信号によるアドレス情報を光ピックアップ２２が検出した反射光により読み取っているが、ウォブル３０の形成が不確実であったり、光ディスク１０の表面に傷がついているなどの理由によりウォブル信号によるアドレス情報のエラー（ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー）が検出されることがある。ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーの発生が断片的である場合には、光ディスク装置２０のサーボプロセッサ２６がスピンドル２８の回転数を合わせることにより回転制御信号を同期させてデータを記録させる制御ができるが、ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーの発生が頻繁になると、回転制御信号を同期させるためにスピンドル２８の回転数を急激に変更しなければならないため、円滑に同期させる制御が難しくなり、データの書き込みエラーが発生し易くなる。また、場合によっては光ディスク１０が使用不可能になってしまうおそれがある。
【００１７】
そこで光ディスク１０の状態に応じて書き込み速度を制御させるために、ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーの数をカウントすることによりデータの書き込み速度を制御することが好適である。以下にその手順について説明する。
図１は本実施の形態における光ディスク装置の命令系統の概略を示した説明図である。光ディスク装置の命令系統は、光ディスク１０にレーザー光を照射し、反射光を読み取る光ピックアップ２２と、光ピックアップ２２により読み込まれたＡＴＩＰ  ＣＲＣを解析する解析手段と、解析手段により解析された結果により、光ピックアップ２２の移動速度と光ディスクの回転を制御するデータ書き込み速度制御手段とにより概略が構成されている。なお、解析手段には光ディスク装置２０に装着されているＣＰＵ２４が該当し、データ書き込み速度制御手段には、サーボプロセッサ２６が該当する。
【００１８】
ＣＰＵ２４は、光ピックアップ２２によりレーザー光を光ディスク１０に照射し、光ディスク１０からの反射光（ＡＴＩＰ  ＣＲＣ）を読み込む。光ピックアップ２２に読み込まれたＡＴＩＰ  ＣＲＣはＣＰＵ２４に送られる。ＣＰＵ２４は、ＡＴＩＰ  ＣＲＣを１秒間あたり７５ブロック解析する。データ書き込み時においては、ＡＴＩＰ  ＣＲＣの解析を継続して行っているのであるが、本実施の形態においては、４５００ブロック（１分間に相当する）あたりのＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーが１５０ブロック（２秒間に相当する）以上になった場合、光ディスク装置２０は、この光ディスク１０を良好な状態の光ディスク１０とみなさず、データの記録領域が速度を変更すべきデータの記録領域に入っても、それまでの書き込み速度を維持するようにサーボプロセッサ２６がスピンドル２８の回転を制御する。
【００１９】
これにより、たとえゾーンＣＬＶ方式を採用している光ディスク装置２０において、データの記録領域がデータ書き込み速度を高めるべき次の記録領域に入った場合でも、光ディスク１０の状態が良好でなけれは、データの書き込み速度を維持する制御がなされることにより、書き込んだデータの信頼性を向上させることができる。もちろん、光ディスク１０の状態が良好である場合には、従来と同様にゾーンＣＬＶ方式が採用されるため、次のデータ記録領域に入ればデータの書き込み速度を上げる制御がなされるため短時間によるデータの書き込みが可能となる。
【００２０】
図２は本実施の形態における光ディスク装置のデータ書き込み速度の制御方法を示すフローチャートである。図２における光ディスク１０はデータの記録領域を３つのゾーン１１、１２、１３に分割している。光ディスク装置２０は、ゾーン１１において、光ディスク装置２０の最低記録速度である１６倍速でデータを書き込む（Ｓ２０１）。光ピックアップ２２は光ディスク１０にレーザー光を照射し、ＡＴＩＰ  ＣＲＣを読み取る。光ピックアップ２２はＣＰＵ２４へＡＴＩＰ  ＣＲＣを送り、ＣＰＵ２４はＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数をカウントする（Ｓ２０２）。ゾーン１１において、規定数（１５０個）以上のＡＴＩＰ  ＣＲＣエラーが検出されない場合には、データの記録領域がゾーン１２に入ると、サーボプロセッサ２６は、データの書き込み速度が２０倍速になるように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ２０３）。また、ゾーン１２においても、ゾーン１１と同様にＣＰＵ２４がＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数をカウントする（Ｓ２０４）。ゾーン１２においても規定数（１５０個）以上のＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーが検出されない場合には、データの記録領域がゾーン１３に入ると、サーボプロセッサ２６は、データの書き込み速度が２４倍速になるように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ２０５）のである。以上が光ディスク１０の状態が良好な場合のデータ記録方法である。つまり、見かけ上は、従来のゾーンＣＬＶ方式を用いた光ディスク装置２０と同様の制御がなされている場合である。
【００２１】
もし、ゾーン１３において規定数以上のＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーが検出されても、同一データ記録領域内であるため、２４倍速を維持しながらデータの書き込みをつづける。
すなわち、光ディスク１０の最終記録領域においては、ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラーのカウントは停止させてもかまわないのである。
【００２２】
ここで、Ｓ２０２において、ゾーン１１におけるＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロック以上検出された場合には、データの記録領域がゾーン１２、１３においても書き込み速度が１６倍速を維持するようにサーボプロセッサ２６が光ピックアップ２２およびスピンドル２８の回転数を制御する（Ｓ２０６）。
また、ゾーン１２においてＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロック以上検出された場合（Ｓ２０４）、光ディスク装置２０のサーボプロセッサ２６は、データ書き込み速度を２０倍速に維持させたまま、ゾーン１３のデータ書き込みを行うように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ２０７）。
【００２３】
以上により、光ディスク１０の状態に応じてデータの書き込み速度を制御することにより、データの書き込み時間の延伸を最小限に留めながらも書き込んだデータの信頼性を向上させることができるため、データの書き込みに要する時間及び光ディスクのメディア資源の有効利用が可能となり好適である。
【００２４】
図３は本発明に係る光ディスク装置における他の実施形態の一例を示すフローチャートである。Ｓ３０１からＳ３０５までのフローは、図２におけるＳ２０１からＳ２０５までと同様であるので、ここでは説明を省略する。
本実施の形態において、光ディスク１０へのデータ書き込み時間短縮に重点をおく場合には、ゾーン１１でＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロック以上検出されてゾーン１２のデータ書き込みを１６倍速で行うように制御され（Ｓ３０６）ても、ゾーン１２全域においてＡＴＩＰ  ＣＲＣエラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロックより少ない場合（Ｓ３０７）には、サーボプロセッサ２６がゾーン１３における書き込み速度を２０倍速もしくは２４倍速に加速させることができるように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ３０８）。
もちろん、ゾーン１２全域においてＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロック以上検出された場合には、サーボプロセッサ２６はゾーン１３の書き込み速度を１６倍速に維持するように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ３０９）。
【００２５】
反面、書き込んだデータの信頼性を重視する場合においては、例えば、２０倍速でデータ書き込みを実行中のゾーン１２において、ＡＴＩＰ  ＣＲＣ  エラー数が４５００ブロックあたり１５０ブロック以上あった場合、サーボプロセッサ２６はゾーン１３におけるデータ書き込み速度を１６倍速に減速させるように光ピックアップ２２およびスピンドル２８を制御する（Ｓ３１０）。
【００２６】
以上のようにユーザーが要求する条件に応じてサーボプロセッサ２６が複数種類の指令を出すことができるようにプログラミングすることによって、1台の光ディスク装置２０を記録時間重視型の光ディスク装置２０やデータの信頼性重視型の光ディスク装置２０に切り替えて使用することができるため好適である。
【００２７】
また、本実施の形態においては、光ディスク１０内のデータ書き込み速度は３段階に分割しているが、これに限定されるものではない。光ディスク１０内のデータ書き込み速度は、４段階以上に分割する方式としてもよく、また２段階に分割する方式としてもよいのはもちろんである。
【００２８】
【発明の効果】
ゾーンＣＬＶ方式を採用する光ディスク装置において、データの書き込み速度を内周側記録領域から外周側記録領域にかけて単純に増加させず、光ディスクの状態によって、各ゾーン毎に書き込み速度を制御することによって、光ディスクが良好な状態である場合には、光ディスク装置がもつ最高速度でのデータ書き込みができる。一方、光ディスクの状態が悪い場合には、データの書き込み速度変更領域に入っても、データの書き込み速度を上げることなく前のゾーンにおけるデータの書き込み速度に制御することにより、書き込んだデータの信頼性を高めることができ、データ書き込みにかかる時間の延長を最小限に抑えることができる。
さらに、光ディスクの状態が悪い場合において、データの書き込み速度変更領域に入った際、さらに書き込み速度を低速に制御することにより、書き込んだデータの信頼性を高めることができる等といった著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】光ディスク装置の命令系統の概略を示す説明図である。
【図２】本実施の形態における光ディスク装置の作動手順を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係る光ディスク装置における実施形態の他の一例を示すフローチャートである。
【図４】従来のゾーンＣＬＶ方式の光ディスク装置の動きを示すフローチャートである。
【図５】ゾーンＣＬＶ方式による光ディスク装置でのデータ記録方法を示した説明グラフである。
【図６】ゾーンＣＬＶ方式を採用した光ディスク装置における光ディスクのゾーン分割を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  光ディスク
２０  光ディスク装置
２２  光ピックアップ
２４  ＣＰＵ
２６  サーボプロセッサ
２８  スピンドル
３０  ウォブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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