(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  センサー基板の表面にプローブを付着させる段階と、
（ｂ）  前記センサー基板の表面と平行に対向する試料基板にターゲットを含む試料を投入する段階と、
（ｃ）  前記センサー基板と前記試料基板との間隔をプローブとターゲットとの結合体の大きさに合わせて調節する段階と、
（ｄ）  前記センサー基板に付着しているプローブを前記試料に含まれるターゲットと反応させる段階と、
（ｅ）  前記反応前後における前記センサー基板の表面のせん断応力の変化を測定する段階と、を含み、
前記せん断応力の変化は、振動運動の相変化と力変化とを測定することによって得ることを特徴とする相補分子間の結合検出方法。
【請求項２】
前記センサー基板と前記試料基板との間隔は、当該間隔を狭めたときの前記センサー基板と前記試料基板との間の反発力の変化を測定することによって決定され、前記結合体の大きさに合わせて調節されることを特徴とする請求項１に記載の相補分子間の結合検出方法。
【請求項３】
前記プローブは、核酸、蛋白質、補助因子、オリゴ糖類または細胞であることを特徴とする請求項１に記載の相補分子間の結合検出方法。
【請求項４】
請求項１に係る相補分子間の結合検出方法に使用されるせん断応力センサであって、
（ａ）振動を発生する信号入力部と、
（ｂ）  前記信号入力部からの振動を遅延する信号出力部と、
（ｃ）  前記信号入力部と前記信号出力部とを接続するセンサー基板と、
（ｄ）  前記センサー基板の表面と平行に対向する試料基板と、
（ｅ）  前記センサー基板と前記試料基板との間隔を調節する間隔調節部と、
（ｆ）  前記信号入力部と前記信号出力部との間の振動運動の相変化と力変化とを測定する信号検出部とを含むことを特徴とするせん断応力測定センサー。
【請求項５】
前記信号入力部と前記信号出力部との間の振動運動は、圧電効果（電圧）、静電誘導（容量）、電磁誘導（電流）または熱膨張現象（体積）により誘発されることを特徴とする請求項４に記載のせん断応力測定センサー。
【請求項６】
前記信号入力部、前記信号出力部及びこれらを接続するセンサー基板は、これらを一単位として複数単位配列されていることを特徴とする請求項４に記載のせん断応力測定センサー。
【請求項７】
前記間隔調節部は、前記センサー基板と前記試料基板との間の静電容量を測定する静電容量測定装置を含むことを特徴とする請求項４に記載のせん断応力測定センサー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相補分子間の結合検出方法およびその方法に利用されるせん断応力測定センサーに係り、特にバイオチップにおいてプローブとターゲットとの結合を検出する方法およびセンサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
バイオチップとは、分析しようとするＤＮＡ、蛋白質などのプローブを基板上に高密度で付着させたチップであって、試料内のターゲットである遺伝子の発現パターンや欠陥、蛋白質の分布や反応パターンなどを分析しうる。バイオチップは、プローブの付着形態によって、固体基板上に付着させたマイクロアレイチップと、微細チャンネル上に付着させたラブ・オン・チップ（ｌａｂ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ）とに分けられる。また、プローブの種類によって、ＤＮＡチップまたは蛋白質チップなどに分けられる。このようなバイオチップでは、試料内にプローブと結合可能なターゲットが存在するか否かを判断するために、基板上に固定されたプローブとターゲットとの結合を検出できるシステムが必要である。
【０００３】
プローブとターゲットとの結合を検出する方法としては、遺伝子分析用のＤＮＡチップで試料ＤＮＡに蛍光物質をラベル付けし、チップ上のプローブと反応させた後、共焦点顕微鏡やＣＣＤカメラを使用してチップ表面に残った蛍光物質を検出する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。しかし、このような光学的な検出方法は、システムの小型化が難しく、直接デジタル化された出力が得られないために、電気信号をデジタル化する変換装置が必要になる。
【０００４】
また、他の方法としては、ＤＮＡの混成化（ｈｙｂｒｉｄｉｚａｔｉｏｎ）を酸化／還元が容易な金属化合物を用いて電気化学的に検出する方法がある（例えば、特許文献２、３参照。）。この方法は、ＤＮＡが混成化された時、酸化／還元が容易な金属を含む他の化合物が共に錯体を構成することに着目し、これを電気化学的に検出するものである（例えば、非特許文献１〜４参照。）。しかし、この電気化学的な方法も別途のラベル付けが必要である。
【０００５】
その他、以下のような、蛍光物質や他のいかなるラベルも使用せずにプローブとターゲットとの結合を検出する方法についての研究が活発に進行しつつある。そのうちの１つには、水晶ミクロバランス（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ）を用いて結合前後の質量差を測定する方法（例えば、非特許文献５参照。）、その他には、マトリックス補助レーザー吸着イオン化（ＭＡＬＤＩ）質量分光測定法を用いて分析する方法（例えば、非特許文献６、特許文献４参照。）があり、さらに、その他には、ＤＮＡプローブとターゲットとの結合前後における分子間の結合力を微細組立された機械的センサータイプのカンチレバーを用いて１塩基差まで測定する方法もある（例えば、非特許文献７、８参照。）。しかし、この場合には、カンチレバービームの屈折を非常に精密に測定しなければならないため、レーザーなどの別途の高価な装備が必要になる。
【０００６】
したがって、従来、別途のラベル付けが不要で、検出結果を電気的信号として直接得ることができ、レーザーのような別途の高価な装備が不要な、敏感で効率的なプローブの新たな結合検出方法の開発が求められている。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第６，１４１，０９６号明細書
【特許文献２】
米国特許第６，０９６，２７３号明細書
【特許文献３】
米国特許第６，０９０，９３３号明細書
【特許文献４】
米国特許第６，０４３，０３１号明細書
【非特許文献１】
Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ，Ｖｏｌ．７０，ｐｐ．４６７０−４６７７，１９９８
【非特許文献２】
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，Ｖｏｌ．１１９，ｐｐ．９８６１−９８７０，１９９７
【非特許文献３】
Ａｎａｌｙｔｉｃａ  Ｃｈｉｍｉｃａ  Ａｃｔａ，Ｖｏｌ．２８６，ｐｐ．２１９−２２４，１９９４
【非特許文献４】
Ｂｉｏｃｏｎｊｕｇａｔｅ  Ｃｈｅｍ，Ｖｏｌ．８，ｐｐ．９０６−９１３，１９９７
【非特許文献５】
Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ，Ｖｏｌ．７０，ｐｐ．１２８８−１２９６，１９９８
【非特許文献６】
Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ，Ｖｏｌ．６９，ｐｐ．４５４０−４５４６，１９９７
【非特許文献７】
Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．２８８，ｐｐ．３１６−３１８，２０００
【非特許文献８】
Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．ＵＳＡ，９８，１５６０，２００１
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、蛍光物質のような別途のラベル付けが不要で、検出結果を電気的信号として得られる新たなプローブとターゲットの結合検出方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、プローブとターゲットの結合検出方法に利用できる新たなせん断応力測定センサーを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために本発明は、（ａ）  センサー基板の表面にプローブを付着させる段階と、（ｂ）  前記センサー基板の表面と平行に対向する試料基板にターゲットを含む試料を投入する段階と、（ｃ）  前記センサー基板と前記試料基板との間隔をプローブとターゲットとの結合体の大きさに合わせて調節する段階と、（ｄ）  前記センサー基板に付着しているプローブを前記試料に含まれるターゲットと反応させる段階と、（ｅ）  前記反応前後における前記センサー基板の表面のせん断応力の変化を測定する段階と、を含み、前記せん断応力の変化は、振動運動の相変化と力変化とを測定することによって得ることを特徴とする相補分子間の結合検出方法。
【００１１】
本発明の方法において、せん断応力の測定は、公知のいかなるせん断応力測定方法も使用できるが、本発明の方法では、振動運動の相変化と力変化を測定する方法を使用している。
【００１２】
本発明の方法において、せん断応力を測定する方法は、既によく知られている（Ｊ．Ｖａｎ  Ａｌｓｔｅｎ，ａｎｄ  Ｓ．Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ，６２，４６３，１９９１）。この方法を要約すれば、信号入力部をサイン曲線で振動させ、信号出力部で振動運動の相変化と力変化とを測定する。これらの変化はセンサー表面に固定されている物質の粘度や構造などにより大きく影響を受ける。物質が弾性固体である場合、せん断応力はフックの法則によってひずみに比例し、液体である場合、せん断応力はニュートンの法則によってせん断率に比例する。しかし、粘弾性液体である場合には２つの法則が併せて適用される。弾性せん断係数はせん断応力の弾性成分であって、変形と同相の成分である。一方、粘性せん断係数はせん断応力の粘性成分であって、せん断率、すなわちフィルムの変形率に比例する成分である。
【００１３】
局所粘度は表面における距離の関数で表されるため粘度を決めにくい。しかし、フローに抵抗を与えるという意味での有効粘度は前記せん断応力の粘性成分から分かるので、粘性応力／有効せん断率と定義して使用する。ここで、有効せん断率とは、最大せん断振幅／フィルム厚さである。
【００１４】
本発明の方法において、センサー基板と試料基板との間隔は予想されるプローブとターゲットとの結合体（プローブターゲット複合体）の大きさに合わせて調節できるが、望ましくは間隔を狭めながらプローブが付着されたセンサー基板の反発力の変化を測定することによって決定されたプローブターゲット複合体の大きさに調節する。
【００１５】
本発明の方法において、プローブまたはターゲットは選択的に結合可能ないかなるプローブも使用できるが、望ましくはＤＮＡオリゴマー、ｃ−ＤＮＡのような核酸、抗原、抗体のような蛋白質、補助因子、オリゴ糖類及び細胞などを含む。
【００１６】
本発明の他の目的を達成するために、本発明は、請求項１に係る相補分子間の結合検出方法に使用されるせん断応力センサであって、（ａ）振動を発生する信号入力部と、（ｂ）前記信号入力部からの振動を遅延する信号出力部と、（ｃ）前記信号入力部と前記信号出力部とを接続するセンサー基板と、（ｄ）前記センサー基板の表面と平行に対向する試料基板と、（ｅ）前記センサー基板と前記試料基板との間隔を調節する間隔調節部と、（ｆ）前記信号入力部と前記信号出力部との間の振動運動の相変化と力変化とを測定する信号検出部とを含むせん断応力測定センサーを提供する。
【００１７】
本発明のセンサーにおいて、振動（信号）を入力／出力する信号入力部／信号出力部は周期的な振動で動かし、振動の程度を測定可能なメカニズムであれば、いかなるメカニズムも使用できる。振動運動は、圧電効果（電圧）、静電誘導（容量）、電磁誘導（電流）または熱膨張現象（体積）により誘発されることが望ましい。
【００１８】
本発明のせん断応力測定センサーにおいては、信号入力部、信号出力部及びこれらを接続するセンサー基板が１つの単位となって多数配列されているセンサーの形態を有することが望ましい。このようなセンサーは多数のプローブを高密度で固定させるバイオチップに効率よく使用されうる。
【００１９】
本発明のせん断応力測定センサーにおいて、前記センサー基板の表面とそれと平行に対向する試料基板との間隔を調節する間隔調節部は、センサー基板と試料基板との間隔を調節できるものであればいかなる機械的装置でも使用できるが、静電容量を用いてセンサー基板と試料基板との間隔を測定することが望ましい。この間隔調節部は前記基板両面間の間隔によってせん断応力が変わるため、プローブターゲット複合体の大きさに合わせてせん断応力を測定することが最も重要である。
【００２０】
本発明のセンサーにおいて、信号検出部は信号入力部と信号出力部との間における振動運動の相変化と力変化とを測定できるものであれば、いかなる装置も利用できるが、望ましくは、弾性せん断係数及び粘性せん断係数を測定する装置、さらに望ましくはロックイン増幅器を使用する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の望ましい一実施形態の説明に供する図であって、圧電タイプの振動板を用いてせん断応力を測定するセンサーの模式図を示すものである。せん断応力測定センサー１は次のように構成される。支持基板２には振動板３，３’対峙して取り付けられ、その振動板３，３’の端部には支持基板２に対してその面が平行になるように、センサー基板４が取り付けられる。センサー基板４は、図に示すように、支持基板２に複数取り付けられる。センサー基板４を支える一方の振動板３は信号入力部として使用され、他方の振動板３’は信号出力部として使用される。前記振動板３、３’（例えば圧電バイモルフ）は圧電効果により振動し、その振動運動の相変化と力変化とが信号検出部５により検出される。センサー基板４の表面にはターゲットに選択的に結合するＤＮＡまたはプロテインなどのプローブが付着される。センサー基板４と試料基板６とは、両基板の表面が平行になるよう対向して配置されており、機械的装置（図示せず）により支持基板２または試料基板６を垂直方向に進退移動させてセンサー基板４と試料基板６との間隔を調節でき、この間隔は電気容量測定装置７を用いて測定することができる。
【００２３】
図２は、本発明に係るせん断応力測定センサーに相異なるプローブを付着する方法を示す模式図（図２Ａ）と、分析しようとする試料との混成化反応を示す模式図（図２Ｂ）である。まず、振動板が取り付けられたせん断応力測定センサー１を、相異なる種類のプローブ８を入れたマルチウェル容器９に浸しプローブを付着させる。次に、ターゲットを入れた単一ウェル容器１０にセンサー１を浸して混成化反応を起こさせる。なお、試料基板６は前記単一ウェル容器１０の底部に位置する。次に、洗浄段階を経た後、バッファ溶液が入れられている容器内でせん断応力測定を行う。
【００２４】
図３は、図１のセンサーを複数配列したことを示す模式図である。ここで、対向して見える１対の棒は信号入力部、信号出力部及びこれらを接続する基板より構成された１つのセンサー素子を示す。
【００２５】
図４は、本発明の望ましい一実施形態の説明に供する図であって、静電タイプの振動板を用いてせん断応力を測定するセンサーの模式図である。ここで、せん断応力測定センサー１１は２つの振動板１３，１３’、それぞれの振動板に隣接した固定面１２，１２’と、前記振動板の両末端部分を連結するセンサー基板１４を含む。この振動板１３，１３’の内、一方の振動板１３は信号入力部として使用され、他方の振動板１３’は信号出力部として使用される。図４では、せん断応力測定センサー１１の振動板１３，１３’は、図１に示したような圧電タイプではなく静電力によって振動するものであり、この振動は、横に固定されている面１２，１２’との静電容量差を測定することによって信号検出部（図示せず）で検出する。
【００２６】
【実施例】
以下、実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。これら実施例は単に本発明の理解を容易にするために例示するものであり、本発明の範囲はこれらの実施例により制限されるものではない。
【００２７】
［実施例１］
チオール変形したＤＮＡオリゴマープローブの固定
本実験は、せん断応力差によって混成化反応前後の変化が測定できるか否かをテストするために、せん断力測定ができるように改変した表面力装置（ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｏｒｃｅｓ  ａｐｐａｒａｔｕｓ；ＳＦＡ）を使用した（Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｓ．Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９１，２５３，１３７４参照）。一般のＳＦＡ実験方法にしたがい、白雲母を段差のない平滑なシート状に形成し（以下、雲母シートと称する）、その片面に６６０ÅのＡｇをスパッタリングしてＡｇ面を形成し、その雲母シートを曲率半径Ｒが２ｃｍ以下のレンズに接着剤で接着した。
【００２８】
雲母シートのＡｇ面にＤＮＡを固定するためチオール変形したＤＮＡを使用した。２つの雲母シート表面間の距離は既知の方法にしたがい多重ビーム干渉測定方法を用いて測定した（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｏｌｌｏｉｄ  ａｎｄ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９７３，４４，２，２５９，１９７３，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ．２０００，１０４，７６５２参照）。一般のＳＦＡ実験では、Ａｇスパッタリングされた上下の雲母シート表面を、Ａｇ層表面を外側に向けて雲母表面間にある液体に対して実験する。本実験では組み合わせられたＤＮＡプローブフィルムを使用するために、一方はＡｇ層、他方は雲母表面が相互に対向するように配置した。
【００２９】
Ａｇ層表面と雲母表面との間隔が３００Åになると、強いファンデルワールス力によりフラット接触でジャンプしたが、これは雲母及びＡｇ層の表面が非常に清潔であることを意味する。Ａｇ層と雲母の接触点の複数箇所を測定すると、構造的妨害の波長は２〜４Å内外で一定した。Ａｇ層表面の粗さは、１５〜２０Åｒｍｓ内外と推定されたが、両面の相対的な間隔は比較的正確に測れた。厚さ算出時に必要なＤＮＡ溶液の屈折率は１．４６と仮定した（Ｊｏｒｄａｎ，Ｃ．Ｅ．；Ｆｒｕｔｏｓ，Ａ．Ｇ．；Ｔｈｉｅｌ，Ａ．Ｔ．；Ｃｏｒｎ，Ｒ．Ｍ．Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．１９９７，６９，４９３９参照）。
【００３０】
プローブには、ハンターシンドローム病の原因と考えられる、Ｉｄｕｒｏｎａｔｅ−２−ｓｕｌｐｈａｔｅ（ＩＤＳ）エキソン遺伝子の一部の下記配列番号１のオリゴヌクレオチドを用いた。
【００３１】
配列番号：１
（ＳＨ−Ｃ6−５’−ＧＴＴ  ＣＴＴ  ＣＴＣ  ＡＴＣ  ＡＴＣ−３’）
【００３２】
該オリゴマーをＲｅｓｅａｒｃｈ  Ｇｅｎｅｔｉｃｓ（Ｈｕｎｔｓｖｉｌｌｅ，ＡＬ）で購買し、５’末端をアルカンチオールスペーサにて変形させた。分子量はＭ＝４６５１ｇ／ｍｏｌであった。チオール変性したｓｓ−ＤＮＡ  １ｍＭ溶液（１ＭＮ  ａＨ2ＰＯ4、ｐＨ４．０）にＡｇ層表面を接触させ、３時間吸着させた後、バッファ溶液及び脱イオン水で順次洗浄してＮ2ガスで乾燥した。物理的に吸着したＤＮＡを除去し、ｓｓ−ＤＮＡプローブのを表面から延びた構造にするために１ｍＭメルカプトヘキサノール、（ＨＳ−（ＣＨ2）6ＯＨ）に１０分間接触させ、次いで脱イオン水で洗浄しＮ2ガスで乾燥した。
【００３３】
［実施例２］
プローブと相補的な序列の混成化
混成化反応実験を行うために、プローブに相補的な下記配列番号２（３’−ＣＡＡ  ＧＡＡ  ＧＡＧ  ＴＡＧ  ＴＡＧ−５’）を有する１．５ｍＭｓｓ−ＤＮＡ溶液（ＴＥ−１Ｍ  ＮａＣｌ  ｂｕｆｆｅｒ（１０ｍＭ  Ｔｒｉｓ−ＨＣｌ，１ｍＭ  ＥＤＴＡ，１Ｍ  ＮａＣｌ  ｐＨ７．６）と３８℃で２時間反応させ、次いで、３８℃  ＴＥ−１Ｍ  ＮａＣｌバッファと脱イオン水で順次に洗浄してＮ2ガスで乾燥させた。
【００３４】
配列番号：２
（３’−ＣＡＡ  ＧＡＡ  ＧＡＧ  ＴＡＧ  ＴＡＧ−５’）
【００３５】
［実施例３］
反発力の測定
反発力の測定は、図１に示したセンサーの原理を使用した改変された表面力装置（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｏｒｃｅｓ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ，Ｓ．Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２５３，１３７４，１９９１，Ｊ．Ｐｅａｃｈｅｙ，Ｊ．ＶａｎＡｌｓｔｅｎ，ａｎｄ  Ｓ．Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ，６２，４６３，１９９１参照）を使用して測定した。Ａｇ層表面にチオール変性したオリゴマーを吸着させた後、混成化反応前後のＤＮＡ薄膜の反発力を測定した。
【００３６】
ｓｓ−ＤＮＡプローブの固定または混成化反応後の表面間にＮａＣｌ  １Ｍ溶液を１滴落として実験を行った。この際、下面は純粋雲母となり、上面はＡｇ層表面チオール変性されたＤＮＡを固定させた面となるか、あるいはこの面にターゲットで混成化された表面となった。
【００３７】
対照実験において、ＤＮＡは水中で負電荷を帯びる非処理の雲母には吸着しなかった。したがって、チオール変性されたＤＮＡオリゴマーは、オリゴマーの末端部分が付着し末端拘束された（ｅｎｄ−ｔｅｔｈｅｒｅｄ）形状を有し、反対側の雲母表面には非特異的な吸着は少ない。
【００３８】
両面間の間隔が１ｍｍ以上離れている時、マイクロピペットを用いてＮａＣｌ１Ｍ  溶液を１滴落とし、下の雲母表面が固定されているスプリングに一定の力を加えて両面の間隔を徐々に狭めつつ、両面の間隔を、多重ビーム干渉測定方法を用いて測定した。与えられた力とストリング定数によって移動する距離と実際移動した距離とを比較して、図５の上図のような力距離曲線を求めた。
【００３９】
図５は、図１に示したセンサーの原理を使用した改変された表面力装置（Ｓ．Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２５３，１３７４，１９９１，Ｊ．Ｐｅａｃｈｅｙ，Ｊ．ＶａｎＡｌｓｔｅｎ，ａｎｄ  Ｓ．Ｇｒａｎｉｃｋ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ，６２，４６３，１９９１参照）を用いて測定したデータを示すグラフである。ここで、Ａｇ層表面にチオール変性したローブを組み合わせ単層方法で吸着させて相補的な塩基対と混成化反応前後のＤＮＡ薄膜の反発力（上図）及びせん断応力（下図）を求めた。四角形（■）：１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中のｓｓ−ＤＮＡ；三角形（△）：過量のメルカプトヘキサノール添加後の１．０ＭＮａＣｌ溶液中のｓｓ−ＤＮＡ；円形（●）：混成化反応後の１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中のｄｓ−ＤＮＡ。上図には曲率半径Ｒで標準化した反発力（Ｆ／Ｒ）をＹ軸、両面間の間隔をＸ軸で示し、下図にはせん断応力、すなわち弾性せん断係数Ｇ’を左側Ｙ軸とし、有効接触面積で標準化していない弾性せん断力定数ｇ’を右側Ｙ軸とし、両面間の間隔をＸ軸とし、半対数スケールで示した。図５にはせん断応力Ｇ’：垂直圧力ＰNの比率を示した。なお、せん断応力は１．３Ｈｚで測定し、有効接触面積はラングバイン近似式（Ａeff〜２πＲＤ）を用いて計算した。
【００４０】
参考に、実験に使用したｓｓ−ＤＮＡ  １５ｍｅｒの長さは７７Å、ｄｓ−ＤＮＡの長さは６３Åと予測される。図５の上図に四角形記号で示したように、メルカプトヘキサノールで処理する前のチオール末端を有するｓｓ−ＤＮＡプローブが１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中に含まれる場合、反発力は約４３±２Åから始まり、２６±２Åではそれ以上圧縮されない硬壁厚さが測定できた。
【００４１】
ｓｓ−プローブを吸着させた表面に、メルカプトヘキサノールで処理した場合（三角形）には、ＤＮＡプローブがより延びた構造となり、反発力が始まる膜厚がｓｓ−ＤＮＡプローブのみ存在する場合よりも厚い約８０±２Åから始まってそれ以上圧縮されない硬壁厚さは、２８±２Åであった。
【００４２】
混成化反応以後には反発力が約７２±２Åから始まって４１±２Åまでは単調に増加し、４１±２Åで突然３０±２Åにジャンプした。これは比較的硬いｄｓ−ＤＮＡが過重な垂直圧力に耐えられず、チルト角を変えたものと考えられる。したがって、ｄｓ−ＤＮＡの大きさは４１±２Åないし３０±２Å、望ましくは約３１±２Åである。
【００４３】
以上の結果から分かるように、ＤＮＡプローブが固定された表面に他の表面を近づけつつ反発力を測定すれば、その力の差だけでも混成化反応の発生有無が分かる。すなわち、反発力だけを正確に測定しても単一及び二重筋の厚さや力の差が確認できる。しかし、反発力は正確に測定しにくく、単一と二重筋との差がせん断応力に比べて小さいという短所がある。
【００４４】
［実施例４］
せん断応力の測定
次に、せん断応力を用いてＤＮＡ混成化反応を検出する例を説明する。図１の模式図に示すせん断応力測定装置を用いて、ＤＮＡのせん断応力の変化を測定してＤＮＡの混成化反応の有無を検出する。実験時、せん断振幅は２Åより小さくして、できるだけシステムを妨害しない線形様式で実験した。
【００４５】
信号入力部として機能する振動板３を種々の周波数でサイン曲線型励起を行い、信号出力部として機能する反対側の振動板３’の運動を検出し、弾性及び粘性応答を区別して試料の弾性力または粘性力を測定し、その中の弾性力を図５の下図に示した。混成化反応後の弾性力が粘性力より顕著に大きいことが分かる。これは混成化されたＤＮＡの強度がｓｓ−ＤＮＡよりはるかに大きいためと考えられる。
【００４６】
また、図５の挿入図から分かるように、せん断応力をＧ’として垂直圧力ＰNで標準化を行えば、せん断応力がはるかに大きいことが分かる。したがって、反発力よりせん断応力は混成化反応検出において感度が高いことが分かる。
【００４７】
図５の実験は、せん断振幅とせん断周波数とを一定にしてギャップ厚さを薄くしつつ実験した結果であって、図６は両面間の間隔を図５の実験結果から得た二分子大きさレベルの３１±２Åに固定させておき、ｓｓ−ＤＮＡ，ｄｓ−ＤＮＡフィルムに種々の周波数のせん断を与え、弾性せん断係数（上図）と粘性せん断係数（下図）を比較したデータである。ここで、データ記号は図５と同一である。左側Ｙ軸の有効弾性せん断係数Ｇ’（上図）と有効粘性せん断係数Ｇ”（下図）とはラングバイン近似式を使用して標準化した力であり、右側Ｙ軸は有効接触面積で標準化していない弾性（上図）及び粘性（下図）せん断力定数ｇ’，ｇ”であり、Ｘ軸はラジアンせん断周波数である。図示したように混成化反応以後の試料の弾性及び粘性係数が混成化反応前のｓｓ−ＤＮＡよりオーダーが大きいことが分かり、これを用いてＤＮＡの混成化反応の有無を検出できる。
【００４８】
図７は、センサー基板４と試料基板６との間隔が３１±２Åである時、ｓｓ−ＤＮＡ，ｄｓ−ＤＮＡフィルムのせん断振幅を広めた際、測定した弾性せん断係数（黒抜き記号）と粘性せん断係数（白抜き記号）を示すグラフである。データ記号は四角形（■，□）：１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中のｓｓ−ＤＮＡ；三角形（▲，△）：過量のメルカプトヘキサノール添加後の１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中のｓｓ−ＤＮＡ；円形（●，○）：混成化反応後の１．０Ｍ  ＮａＣｌ溶液中のｄｓ−ＤＮＡであり、標準化方法は図６と同一である。せん断振幅を広めると、ある限界せん断振幅で係数が減少する。しかし、せん断振幅が１０ｎｍ程度となって試料が非線形条件にあってもｓｓ−ＤＮＡプローブと混成化反応以後のせん断係数の差は１０倍以上であった。
【００４９】
以上では配列が完全一致したターゲット試料を使用して実験したが、単一塩基突然変異などの突然変異性のある試料を使用してもｓｓ−プローブと大差ないと予想される。
【００５０】
【発明の効果】
前述したように、本発明の検出方法によればＤＮＡまたはプロテインなどの生物質を分析する時、センサー表面のプローブがターゲットと結合する前後のセンサー表面の振動運動の相変化と力変化とを測定することによって得られるせん断応力差を測定することによって、既存の蛍光物質を用いた検出方法と違って別途のラベル付けが不要で、電気的信号にて検出でき、かつカンチレバーの屈折程度を測定する方法に比べてさらに敏感でレーザーのような高価の装備が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】圧電タイプの振動板を用いてせん断応力を測定するせん断応力測定センサーの模式図である。
【図２】Ａは、本発明に係るせん断応力測定センサーに相異なるプローブを付着する方法を、Ｂは、分析しようとする試料との混成化反応を示す模式図である。
【図３】図１のセンサーを複数配列したことを示す模式図である。
【図４】静電タイプの振動板を用いてせん断応力を測定するセンサーの模式図である。
【図５】せん断力測定ができるように改変した表面力装置を使用してＤＮＡの混成化反応前後のＤＮＡ薄膜フィルムの反発力（上図）及びせん断応力（下図）を測定したデータを示すグラフである。
【図６】センサー基板と試料基板との間隔が３１±２Åである時、ｓｓ−ＤＮＡ，ｄｓ−ＤＮＡフィルムの種々の周波数で測定した弾性せん断係数（上図）と粘性せん断係数（下図）とを示すグラフである。
【図７】センサー基板と試料基板との間隔が３１±２Åである時、ｓｓ−ＤＮＡ，ｄｓ−ＤＮＡフィルムのせん断振幅を広めた際、測定した弾性せん断係数（黒抜き記号）と粘性せん断係数（白抜き記号）とを示すグラフである。
【符号の説明】
１…せん断応力測定センサー
２…支持基板
３，３’…振動板
４…センサー基板
５…信号検出部
６…試料基板
７…電気容量測定装置
８…相異なる種類のプローブ
９…プローブを入れたマルチウェル容器，
１０…ターゲットを入れた単一ウェル容器
１１…せん断応力測定センサー
１３，１３’…振動板
１４…センサー基板
【配列表】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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