(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積発光装置が収納され、上面に光学窓を有するとともに、側面に電極が設けられた半導体集積発光装置のパッケージであって、上記電極の一端が上記上面まで延在しているものと、
上記半導体集積発光装置のパッケージが実装される所定の実装部を有する基体であって、表面に配線が設けられているとともに、上記実装部における上記配線のパターンが、上記半導体集積発光装置のパッケージの上記上面における上記電極のパターンに対応しているものとを有する光学ピックアップであって、
上記半導体集積発光装置のパッケージの上記上面における上記電極と上記基体の上記実装部における上記配線とが互いに接合された状態で、上記半導体集積発光装置のパッケージが上記基体の上記実装部に実装されている
ことを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項２】
上記半導体集積発光装置のパッケージの上記上面における上記電極と上記基体の上記実装部における上記配線とが、はんだで接合されていることを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項３】
上記半導体集積発光装置のパッケージは上記電極の上記一端が上記上面に設けられた凹部に延在したものであることを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項４】
上記半導体集積発光装置のパッケージは上記電極の他端が上記上面と反対側の下面まで延在したものであることを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項５】
上記基体は印刷技術により形成された上記配線を有することを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は光学ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光ディスク記録／再生装置においては、光ディスクに記録された情報を光学的に読み出す光学ピックアップと呼ばれる部品が必ず内蔵されている。図９は、この光学ピックアップの構成例を示す略線図である。
【０００３】
図９に示すように、この光学ピックアップは、光源として半導体レーザ１０１を備え、この半導体レーザ１０１の出射光Ｌを光ディスクＤに導くとともに、この光ディスクＤによる反射光（信号光）Ｌ´を再生するための公知の光学系、すなわち、ビームスプリッタ１０２、対物レンズＯＬおよび信号光検出用のフォトダイオード１０３を備えている。
【０００４】
一方、上述の光学ピックアップにおいて対物レンズ以外の要素（半導体レーザ１０１、ビームスプリッタ１０２およびフォトダイオード１０３）を一体化した、レーザカプラと呼ばれる半導体集積発光装置（複合光学装置ともいう）が知られており、近年では、装置の小型化を図るために、このレーザカプラが光学ピックアップに用いられるようになっている。
【０００５】
図１０は、従来のレーザカプラの斜視図である。この従来のレーザカプラは、レーザカプラチップが従来のフラットパッケージにパッケージングされたものである。
【０００６】
図１０に示すように、この従来のレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ２０１上に、マイクロプリズム２０２と、フォトダイオード２０３上に半導体レーザ２０４を載せた、いわゆるＬＯＰ (Laser on Photodiode)チップとが互いに隣接してマウントされ、これによってレーザカプラチップが構成されている。ここで、フォトダイオードＩＣ２０１は、光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２用の信号処理回路や半導体レーザー２０４の駆動回路などがＩＣ化されたものである。また、フォトダイオード２０３は、半導体レーザ２０４のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターするためのものである。
【０００７】
符号２０５は、上述のように構成されたレーザカプラチップのパッケージングに用いられる従来のフラットパッケージを示す。このフラットパッケージ２０５は、例えばセラミックスからなり、その上部にレーザカプラチップを収納するための所定の開口が設けられた箱型の形状を有する。上述のように構成されたレーザカプラチップは、このフラットパッケージ２０５に収納され、半導体レーザ２０４のレーザ光を透過する透明板ガラスのようなウィンドウキャップ２０６によって封止される。このレーザカプラにおいて、半導体レーザ２０４からのレーザ光の出射およびフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２への反射光の入射は、それぞれウィンドウキャップ２０６を通して行われる。したがって、フラットパッケージ２０５において、ウィンドウキャップ２０６を有する上面は、発光面または受光面となる。
【０００８】
符号２０７は、例えば金めっき電極のようなめっき電極を示す。これらのめっき電極２０６は、フラットパッケージ２０５の外周部の互いに向かい合う一対の側面に設けられ、フラットパッケージ２０５の内部に設けられたリード電極（図示せず）を通じて、レーザカプラの対応するパッド電極と接続される。従来のフラットパッケージ２０５は、側面に設けられたこれらのめっき電極２０７が、側面のほぼ中央部から下面（ウィンドウキャップ２０６が設けられた上面と反対側の面）にかけて延在している。
【０００９】
図１１は、レーザカプラを用いた光学ピックアップの構成例を示す略線図である。図１１に示すように、この光学ピックアップは、上述のように構成されたレーザカプラと対物レンズＯＬとを備えている。
【００１０】
この光学ピックアップにおいて、半導体レーザ２０４のフロント側の端面からの出射光Ｌは、マイクロプリズム２０２の斜面２０２ａ上のハーフミラー（図示せず）で反射され後、対物レンズＯＬにより集光され、光ディスクＤに入射する。この光ディスクＤからの反射光Ｌ´は、マイクロプリズム２０２の斜面２０２ａ上のハーフミラー（図示せず）を通ってこのマイクロプリズム２０２の内部に入る。このマイクロプリズム２０２の内部に入った光のうち半分（５０％）はフォトダイオードＰＤ１に入射し、残りの半分（５０％）の光はフォトダイオードＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマイクロプリズム２０２の上面２０２ｂとで順次反射されてフォトダイオードＰＤ２に入射し、電気信号に変換される。
【００１１】
次に、図１２〜図１４を参照して、図１０に示した従来のレーザカプラが実装された、従来の光学ピックアップの実装構造について説明する。ここで、図１２は、この従来の光学ピックアップの斜視図、図１３は、この従来の光学ピックアップにおけるレーザカプラのフラットパッケージとフレキシブル配線基板との接続部分を示す斜視図、図１４は、この従来の光学ピックアップにおけるレーザカプラのフラットパッケージの実装部の側面図である。なお、図１２〜図１４において、符号２１１で示されるレーザカプラは、図１０に示した従来のレーザカプラと同一のものであり、レーザカプラチップが、従来のフラットパッケージ２０５によってパッケージングされたものである。
【００１２】
図１２〜図１４に示すように、この従来の光学ピックアップにおいては、従来のレーザカプラ２１１がフレキシブル配線基板２１２によってコネクタ２１３と接続され、このレーザカプラ２１１が、例えば金属製の本体２１４の所定の実装部２１４ａに実装されている。フレキシブル配線基板２１２は、本体２１４の外周部に沿って延在し、コネクタ２１３は本体２１４の所定部分に装着されている。この場合、レーザカプラ２１１のフラットパッケージ２０５は、例えばエポキシ系樹脂接着剤のような接着剤（図示せず）によって本体２１４に固定されている。また、フラットパッケージ２０５の裏面側においては、めっき電極２０７とフレキシブル配線基板２１２とが、はんだ２１５を用いて接続されている（図１３参照）。
【００１３】
本体２１４の内部には、実装部２１４ａから通じる所定の光路２１４ｂが設けられている（図１４参照）。この光路２１４ｂは実装部２１４ａにおいて開口を形成し、この開口は、レーザカプラ２１１のフラットパッケージ２０５を実装したときに、ウィンドウキャップ２０６を納めるのに十分な大きさを有する。本体２１４の図示されない裏面側には、所定の二軸アクチュエータによって可動な状態で保持された対物レンズ（いずれも図示せず）が設けられている。フラットパッケージ２０５は、その上面を実装部２１４ａに密着させた状態で実装されており、レーザカプラ２１１の内部の半導体レーザ（図示せず）から出射されるレーザ光は、本体２１４の内部に設けられた光路２１４ｂを通り、対物レンズ（図示せず）の下側に設けられた三角プリズム（図示せず）によってその進行方向が直角に曲げられた後、対物レンズによって集光されるようになっている。
【００１４】
次に、上述の従来の光学ピックアップの実装方法について説明する。
【００１５】
すなわち、従来の光学ピックアップの実装方法においては、予め、図１３に示すように、レーザカプラ２１１側において、フラットパッケージ２０５の裏面に設けられためっき電極２０７を、フレキシブル配線基板２１２と、はんだ付けしておく。そして、このようにフレキシブル配線基板２１２と接続されたフラットパッケージ２０５を、本体２１４の実装部２１４ａに実装する。このとき、図１４に示すように、レーザカプラ２１１のフラットパッケージ２０５を本体２１４の実装部２１４ａ上に仮固定し、この状態でレーザカプラ２１１に通電することにより内部の半導体レーザを発振させる。そして、この半導体レーザからのレーザ光の強度分布をモニターしながら、実装部２１４ａ上で本体２１４に対してフラットパッケージ２０５を相対的に移動させて光軸調整を行い、その光軸が最適となる位置において、フラットパッケージ２０５を、接着剤（図示せず）を用いて本体２１４に固定する。以上のようにしてレーザカプラ２１１が実装される。
【００１６】
このレーザカプラを用いて光学ピックアップを構成することにより、光学ピックアップの小型化および実装構造の簡略化を図ることができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来技術は、次のような問題を有していた。
【００１８】
すなわち、図１２に示した従来の光学ピックアップにおいては、レーザカプラ２１１を実装する際に、フラットパッケージ２０５への配線用にフレキシブル配線基板２１２が必要となるため、部品点数の増加によるコストの上昇が避けられないという問題があった。また、フラットパッケージ２０５とフレキシブル配線基板２１２とのはんだ付け、および、本体２１４の実装部２１４ａへのフラットパッケージ２０５の実装は、それぞれ、別工程で行う必要があるため、工程数が増加するという問題もあった。また、レーザカプラ２１１のフラットパッケージ２０５の下面側において、はんだ２１５が盛り上がっているために、その後部に金属製のカバーなどを設置することは困難であった。
【００１９】
さらに、レーザカプラ２１１のフラットパッケージ２０５はフレキシブル配線基板２１２と接続された状態で実装することになる上に、フレキシブル配線基板２１２は曲率の小さい折り曲げをすることができないため、その取り扱いが困難であった。また、この光学ピックアップを光ディスク記録／再生装置などに組み込んだ場合、使用中にフレキシブル配線基板２１２に断線が生じるという問題もあった。また、本体２１４の外周部にフレキシブル配線基板２１２が設けられているため、装置の小型化や、省スペース化を図る際に不都合が生じていた。
【００２０】
したがって、この発明の目的は、半導体集積発光装置を収納した半導体集積発光装置のパッケージを基体に実装し、半導体集積発光装置のパッケージに配線を接続する場合に、部品点数の削減、実装工程数の削減および工程の簡便化を図ることができ、これによって、コストの低減および装置のさらなる小型化を図ることができる光学ピックアップを提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は、
半導体集積発光装置が収納され、上面に光学窓を有するとともに、側面に電極が設けられた半導体集積発光装置のパッケージであって、電極の一端が上面まで延在しているものと、
半導体集積発光装置のパッケージが実装される所定の実装部を有する基体であって、表面に配線が設けられているとともに、実装部における配線のパターンが、半導体集積発光装置のパッケージの上面における電極のパターンに対応しているものとを有する光学ピックアップであって、
半導体集積発光装置のパッケージの上面における電極と基体の実装部における配線とが互いに接合された状態で、半導体集積発光装置のパッケージが基体の実装部に実装されている
ことを特徴とするものである。
【００２５】
上述のように構成されたこの発明による光学ピックアップによれば、半導体集積発光装置の収納に、この発明による半導体集積発光装置のパッケージが用いられ、さらに、この半導体集積発光装置のパッケージが実装される基体として、表面に配線が設けられているとともに、実装部における配線のパターンが、半導体集積発光装置のパッケージの上面における電極のパターンに対応しているものが用いられる。このため、半導体集積発光装置のパッケージを基体に実装する際に、半導体集積発光装置のパッケージの上面における電極と基体の実装部における配線とを互いに接合させることによって、半導体集積発光装置のパッケージを基体の実装部上に固定することができるとともに、同時に、半導体集積発光装置のパッケージ側の電極と基体側の配線とを接続することができ、従来、半導体集積発光装置のパッケージへの配線接続に用いられていたフレキシブル配線基板などの他の部品が不要となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００２７】
まず、この発明の第１の実施形態について説明する。図１は、この第１の実施形態によるレーザカプラの斜視図である。このレーザカプラは、レーザカプラチップがフラットパッケージにパッケージングされたものであり、そのフラットパッケージにこの発明によるパッケージの技術が適用されている。
【００２８】
図１に示すように、このレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１上に、マイクロプリズム２と、フォトダイオード３上に半導体レーザ４を載せた、いわゆるＬＯＰ (Laser on Photodiode)チップとが互いに隣接してマウントされ、これらによってチップ状のレーザカプラが構成されている。この構造は、図１０に示した従来のレーザカプラにおけると同様であり、フォトダイオードＩＣ１は、光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２用の信号処理回路や半導体レーザー４の駆動回路などがＩＣ化されたものである。また、フォトダイオード３は、半導体レーザ４のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターするためのものである。
【００２９】
符号５は、上述のように構成されたレーザカプラチップのパッケージングに用いられるフラットパッケージを示す。このフラットパッケージ５は、例えばセラミックスを母材として構成され、その上部にレーザカプラチップを収納するための所定の開口が設けられた箱型の形状を有する。そして、上述のように構成されたレーザカプラチップは、このフラットパッケージ５に収納され、半導体レーザ４のレーザ光を透過する透明板ガラスのようなウィンドウキャップ６によって封止される。このレーザカプラにおいて、半導体レーザ４からのレーザ光の出射およびフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２への反射光の入射は、それぞれ、ウィンドウキャップ６を通して行われる。したがって、このフラットパッケージ５において、ウィンドウキャップ６を有する上面は、発光面または受光面となる。
【００３０】
符号７は、例えば金めっき電極のようなめっき電極を示す。これらのめっき電極７は、フラットパッケージ５の外周部の互いに向かい合う一対の側面に設けられ、フラットパッケージ５の内部に設けられたリード電極（図示せず）を通じて、レーザカプラチップの対応するパッド電極と接続される。このフラットパッケージ５においては、側面に設けられたこれらのめっき電極７の一端が、上面まで延在しているのが特徴である。この場合、これらのめっき電極７の他端は、下面（ウィンドウキャップ６を有する上面と反対側の面）まで延在している。このように、このレーザカプラにおいては、フラットパッケージ５のめっき電極７の一端を、上面に延在させることによって、この上面側、すなわち、発光面（あるいは受光面）に配線を接続することができる。
【００３１】
次に、図２および図３を参照して、上述のレーザカプラが実装された光学ピックアップの実装構造について説明する。ここで、図２は、上述のレーザカプラが実装された光学ピックアップの斜視図、図３は、この光学ピックアップにおけるレーザカプラのフラットパッケージの実装部の側面図である。図２および図３において、符号１１で示されるレーザカプラは、図１に示したレーザカプラと同一のものである。
【００３２】
図２および図３に示すように、この光学ピックアップにおいては、レーザカプラ１１が、例えば耐熱性のエポキシ系樹脂からなる本体１２の所定の実装部１２ａに実装されている。本体１２の所定部分にはコネクタ１３が装着されている。本体１２の表面上には、例えば銅配線のような配線１４が設けられ、さらに、これらの配線１４を覆うように例えばレジスト（図示せず）がコーティングされている。この配線１４は、例えば印刷技術を用いて形成されている。この配線１４の一端は実装部１２ａまで延在し、他端はコネクタ１３の装着部まで延在している。レーザカプラ１１とコネクタ１３とは、この配線１４を用いて互いに接続されている。なお、本体１２の実装部１２ａにおける配線１４のパターンは、レーザカプラ１１のフラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７のパターン（図１参照）と対応しており、レーザカプラ１１は、フラットパッケージ５の上面を実装部１２ａに密着させた状態で実装されている。この場合、フラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７と、本体１２の実装部１２ａにおける配線１４とは、はんだ接合されており、これによって、めっき電極７と配線１４とが電気的に接続されるとともに、フラットパッケージ５が本体１２の実装部１２ａに固定されている。
【００３３】
本体１２の内部には、実装部１２ａから通じる所定の光路１２ｂが設けられている（図３参照）。この光路１２ｂは実装部１２ａにおいて開口となっており、この開口は、フラットパッケージ５を実装したときに、ウィンドウキャップ６を納めるのに十分な大きさを有する。本体１２の図示されない裏面側には、所定の二軸アクチュエータによって可動な状態で保持された対物レンズ（いずれも図示せず）が設けられている。レーザカプラ１１の内部の半導体レーザ（図示せず）から出射されるレーザ光は、本体１２の内部の光路１２ｂを通り、対物レンズ（図示せず）の下側に設けられた三角プリズム（図示せず）によってその進行方向が直角に曲げられた後、対物レンズによって集光されるようになっている。
【００３４】
次に、上述のように構成された光学ピックアップの実装方法について説明する。
【００３５】
すなわち、この光学ピックアップの実装方法においては、図４に示すように、予め、レーザカプラ１１側において、フラットパッケージ５の上面に延在しためっき電極７の上に、はんだボールバンプ１５を形成しておく。この場合、予め、パッケージ５の上面のうちめっき電極７の延在する部分の一部に凹部（図示せず）を設けておき、この凹部の上にはんだボールバンプ１５を形成するようにする。はんだボールバンプ１５は、はんだ量の制御が容易であり、これによって、安定したはんだ接合が可能となる。一方、このレーザカプラ１１のフラットパッケージ５が実装される本体１２側においては、予め、例えば印刷技術を用いて表面に配線１４を形成しておき、この際、実装部１２ａにおける配線１４のパターンを、レーザカプラ１１のフラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７のパターンに対応させておく。
【００３６】
そして、上面にはんだボールバンプ１５が形成されたフラットパッケージ５を、本体１２の実装部１２ａに実装する。このとき、図３に示すように、フラットパッケージ５を本体１２の実装部１２ａ上に仮固定し、この状態でフラットパッケージ５の下面側において、めっき電極７にニードル電極（図示せず）をたてて通電することにより、内部の半導体レーザを発振させる。そして、この半導体レーザからのレーザ光の強度分布をモニターしながら、実装部１２ａ上で本体１２に対してフラットパッケージ５を相対的に移動させて光軸調整を行い、その光軸が最適となる位置において、例えば２００℃程度の温度ではんだボールバンプ１５を溶融させるとともに、フラットパッケージ５を本体１２側に押しつけ、熱圧着することにより、フラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７と、本体１２の実装部１２ａにおける配線１４とをはんだ付けする。これによって、フラットパッケージ５側のめっき電極７と、本体１２側の配線１４とが互いに接続されるとともに、フラットパッケージ５が、本体１２の実装部１２ａ上に固定される。以上のようにして、レーザカプラ１１が実装される。
【００３７】
以上のように、この第１の実施形態によれば、レーザカプラ１１側において、フラットパッケージ５の上面にめっき電極７が設けられ、さらに、このフラットパッケージ５が実装される実装部１２ａを有する本体１２側において、表面に配線１４が設けられているとともに、実装部１２ａにおける配線１４のパターンが、フラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７のパターンと対応していることにより、フラットパッケージ５を本体１２の実装部１２ａ上に実装する際に、フラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７と、本体１２の実装部１２ａにおける配線１４とをはんだ接合することによって、フラットパッケージ５を本体１２の実装部１２ａ上に固定することができるとともに、同時に、フラットパッケージ５側のめっき電極７と本体１２側の配線１４とを接続することができる。
【００３８】
これによって、レーザカプラ１１のフラットパッケージ５への配線接続にフレキシブル配線基板が不要となるため、部品点数の削減および実装工程数の削減をともに図ることができ、その結果、光学ピックアップにおける実装コストを低減することができる上に、実装時の取り扱いの制限が緩和されるため、その実装を容易に行うことができる。加えて、光学ピックアップにおいては、フレキシブル配線基板を用いていたことによって従来生じていた問題点が解消される。具体的には、フレキシブル配線基板が不要となることに伴って、光学ピックアップの小型化を図ることができ、この光学ピックアップを光ディスク記録／再生装置に組み込む際に省スペース化が図られるという点でも有利となる上に、従来のように使用中にフレキシブル配線基板に断線が生じるという問題もなくなるので、高い信頼性を実現することができる。また、レーザカプラ全体を金属製のカバーなどを用いて覆うことも可能になる。
【００３９】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。図５は、この第２の実施形態によるレーザカプラの側面図である。
【００４０】
図５に示すように、このレーザカプラにおいては、フラットパッケージ５の上面に凹部５ａが設けられ、めっき電極７の一端がこの凹部５ａに延在している。したがって、このフラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７の表面は、その周囲の表面より低くされている。レーザカプラのその他の構成は、第１の実施形態において図１に示したレーザカプラと同様であるので、説明を省略する。また、このレーザカプラが実装された光学ピックアップの構成およびその実装方法も、第１の実施形態におけると同様であるので説明を省略する。
【００４１】
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点に加えて、レーザカプラのフラットパッケージ５の上面に凹部５ａが設けられていることによって、次のような利点を得ることができる。すなわち、このレーザカプラを光学ピックアップに実装する場合は、図６に示すように、予め、レーザカプラ側においてフラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７上に、はんだボールバンプ１５が形成しておくわけであるが、このとき、はんだボールバンプ１５は、凹部５ａの内部に形成されることになる。その結果、図７に示すように、実装時において、はんだボールバンプ１５を溶融させ、フラットパッケージ５を本体１２に押しつけたときに、はんだボールバンプ１５が溶融することによって形成されたはんだ１６は、凹部５ａの内部に溜められることになる。これによって、フラットパッケージ５の上面と本体１２の実装部１２ａとの間に、不要なはんだが挟まれることがなくなるため、隣接するめっき電極７同士が短絡されることが防止される。さらに、光学ピックアップにおいて、フラットパッケージ５の上面と本体１２の実装部１２ａとの間の密着性が高まるため、レーザカプラの光軸の精度が向上し、レーザカプラに内蔵された半導体レーザから出射されるレーザ光を対物レンズ（図示せず）によって光ディスク（図示せず）上に精度よく集光することができるとともに、光ディスク（図示せず）からの反射光をレーザカプラに内蔵されたフォトダイオードによって精度良く受光することができる。
【００４２】
以上この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数値、材料、構造などはあくまで例にすぎず、これに限定されるものではない。具体的には、例えば、上述の第１および第２の実施形態においては、本体１２の材料として耐熱性のエポキシ系樹脂が用いられているが、この本体１２の材料としては、例えば耐熱性のプラスチックを用いてもよい。なお、この本体１２の材料としては、絶縁体材料以外に、表面に絶縁処理を施すことによってアルミニウムなどの金属材料を用いることも可能である。また、本体１２の表面に設けられる配線１４の材料として銅が用いられているが、この配線１４の材料としては、アルミニウム、銀、金またはこれらの合金などを用いることも可能である。
【００４３】
また、例えば、上述の第１および第２の実施形態においては、レーザカプラ１１のフラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７と、本体１２の実装部１２ａにおける配線１４とをはんだ接合するために、予め、レーザカプラ１１側において、フラットパッケージ５の上面におけるめっき電極７上にはんだボールバンプ１５を形成しておくようにしているが、これは、図８に示すように、はんだボールバンプ１５に代えて、はんだペースト（クリームはんだ）１７を形成しておくようにしてもよい。
【００４４】
なお、本発明と同様の技術思想は、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）などの受光素子のパッケージに適用することも可能である。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、半導体集積光学装置のパッケージにおいて、側面に設けられた電極を光学窓を有する上面まで延在させ、かつ、この半導体集積発光装置のパッケージが実装される所定の実装部を有する基体において、表面に配線を設けるとともに、実装部における配線のパターンを、半導体集積光学装置のパッケージの上面における電極のパターンに対応させ、さらに、半導体集積光学装置のパッケージの上面における電極と、基体の実装部における配線とを互いに接合させることによって、半導体集積発光装置のパッケージを基体の実装部上に固定することができるとともに、同時に、半導体集積発光装置のパッケージ側の電極と基体側の配線とを接続することができ、その結果、半導体集積発光装置のパッケージへの配線接続のために従来用いられていたフレキシブル配線基板が不要となる。
【００４６】
このため、半導体集積発光装置を収納した半導体集積発光装置のパッケージを基体に実装し、半導体集積発光装置のパッケージに配線を接続する場合に、部品点数の削減、実装工程数の削減および工程の簡便化を図ることができ、これによって、コストの低減および装置の小型化を図ることができる光学ピックアップおよびその実装方法を得ることができ、あわせて、そのような光学ピックアップおよびその実装方法に用いて好適な半導体集積発光装置のパッケージを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態によるレーザカプラの斜視図である。
【図２】  この発明の第１の実施形態によるレーザカプラが実装された光学ピックアップの斜視図である。
【図３】  この発明の第１の実施形態によるレーザカプラが実装された光学ピックアップにおけるレーザカプラの実装部の側面図である。
【図４】  この発明の第１の実施形態において、フラットパッケージの上面のめっき電極上にはんだボールバンプが形成された状態を示す側面図である。
【図５】  この発明の第２の実施形態によるレーザカプラの側面図である。
【図６】  この発明の第２の実施形態において、フラットパッケージの上面のめっき電極上にはんだボールバンプが形成された状態を示す側面図である。
【図７】  この発明の第２の実施形態によるレーザカプラが実装された光学ピックアップにおけるレーザカプラの実装部の側面図である。
【図８】  この発明の変形例において、フラットパッケージの上面のめっき電極上にはんだボールバンプが形成された状態を示す側面図である。
【図９】  光学ピックアップの構成例を示す略線図である。
【図１０】  従来のレーザカプラの斜視図である。
【図１１】  レーザカプラを用いた光学ピックアップの構成例を示す略線図である。
【図１２】  図９に示す従来のレーザカプラが実装された従来の光学ピックアップの斜視図である。
【図１３】  従来の光学ピックアップにおけるレーザカプラのフラットパッケージとフレキシブル配線基板との接続部分を示す斜視図である。
【図１４】  従来の光学ピックアップにおけるレーザカプラのフラットパッケージの実装部の側面図である。
【符号の説明】
５・・・フラットパッケージ、５ａ・・・凹部、６・・・ウィンドウキャップ、７・・・めっき電極、１１・・・レーザカプラ、１２・・・本体、１２ａ・・・実装部、１３・・・コネクタ、１４・・・配線
【図１】
0003837871.tif 000002
【図２】
0003837871.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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