(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルを動作させるために接続される回路であって、
前記ボイスコイル内に流れる第１の電流経路における第１の電流と第２の電流経路における第２の電流経路とを制御するドライバ回路と、
前記第１の電流経路の前記第１の電流と前記第２の電流経路の前記第２の電流とを検知すると共に制御する複数のセンス電流回路と、
前記センス電流回路の少なくとも１つを調整するために接続されるプログラム可能な回路であって、前記ヘッドを所望位置へ位置決めするために前記ボイスコイル内に流れる電流を制御する前記プログラム可能な回路と、
を含み、
前記センス電流回路は複数のＦＥＴデバイスを含み、
前記ＦＥＴデバイスのそれぞれは並列に接続されており、
前記プログラム可能な回路は、前記ＦＥＴデバイスをプログラムで選択して、前記ＦＥＴデバイスによって与えられた実効チャネル幅を制御する、
前記ボイスコイルを動作させるために接続される回路。
【請求項２】
ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルを動作させるために接続される回路であって、
前記ボイスコイル内に流れる第１の電流経路における第１の電流と第２の電流経路における第２の電流経路とを制御するドライバ回路と、
前記第１の電流経路の前記第１の電流と前記第２の電流経路の前記第２の電流とを検知すると共に制御する複数のセンス電流回路と、
前記センス電流回路の少なくとも１つを調整するために接続されるプログラム可能な回路であって、前記ヘッドを所望位置へ位置決めするために前記ボイスコイル内に流れる電流を制御する前記プログラム可能な回路と、
を含み、
前記センス電流回路は複数のＦＥＴデバイスを含み、
前記ＦＥＴデバイスのそれぞれは並列に接続されており、
前記プログラム可能な回路は、第１のチャネル幅対長さ比を有するトリムＦＥＴを第２のチャネル幅対長さ比を有するＦＥＴに並列に選択的に接続することによって、前記ＦＥＴデバイスをプログラムで選択して、前記ＦＥＴデバイスによって与えられた実効チャネル幅を制御する、
前記ボイスコイルを動作させるために接続される回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータシステムなどに用いるタイプのディスクドライブにおける読書きヘッドの移動に用いるタイプのボイスコイルのためのドライバ回路および方法の改善に関し、特に、ディスクドライブシステムにおけるボイスコイルのためのパワードライバトランジスタにおける電流を検知する回路および方法の改善に関し、さらに特に、ディスクドライブシステムにおけるボイスコイルのための、またそれにより制御されるヘッドの位置決めのための、電流センシングの正確度（精度）改善用の回路および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータなどに使用されるフロッピーディスク、ハードディスク、およびＣＤ−ＲＯＭディスクに用いられるような、典型的なディスクドライブは、１つまたはそれ以上の回転形ディスクを有し、そのディスク上ではデータが選択的に記録され、また読取られうる。典型的には、ＣＤ−ＲＯＭは１つまたはそれ以上の回転形ディスクを有し、そのディスク上にはデータが光学的に事前記録されていて、それは読取られうるのみである。しかし最近、データを光ディスクに書込みうるＣＤ−ＲＯＭシステムが導入され、それにもかかわらずそれは、「ＣＤ−ＲＯＭ」と呼ばれている。しかし、全てのそのようなディスクドライブにおいて、磁気ディスクの場合にはデータを記録し且つ読取り、ＣＤ−ＲＯＭドライブの場合には単にデータを検出する、１つまたはそれ以上のヘッドが備えられる。いずれの場合においても、それらのヘッドは典型的に、ディスクを担持するスピンドルからのディスクの異なる半径位置に配置された、多数の円形データ経路の１つへ選択的に位置決めされうるアーム構体により搬送される。
【０００３】
ヘッドを搬送するアーム、従ってヘッド自体は、いわゆる「ボイスコイル」により、ディスク半径を横切って延長する線に沿って移動せしめられる。既知の大きさおよび極性の電流をボイスコイルへ供給することにより、ヘッドはディスクに対し、その線上のどこへでも選択的に位置決めされうる。
【０００４】
典型的なシステムにおいては、ボイスコイルへの電流は、４つのドライバトランジスタを含む電流ドライバ回路により制御される。これらのドライバトランジスタは、例えば、供給電圧すなわちＶCCと、接地との間に、「Ｈ」ブリッジを形成するように接続されたＦＥＴデバイスであり、ボイスコイルが「Ｈ」の両脚間に接続され、それぞれのドライバトランジスタが「Ｈ」のそれぞれの直立部に接続されたものであればよい。供給電圧と、ボイスコイルのそれぞれの側と、に接続されたＦＥＴデバイスは、一般に「高側ドライバ」と呼ばれ、ボイスコイルのそれぞれの側と、接地と、の間に接続されたＦＥＴデバイスは、一般に「低側ドライバ」と呼ばれる。ドライバのそれぞれの脚のそれぞれの高側ドライバおよび低側ドライバは、一般に２つの逆方向へ駆動される電力増幅器により制御される。
【０００５】
ヘッドの移動を制御する最も普通のアプローチは、ボイスコイルと直列にセンス抵抗を用い、ボイスコイルを流れる電流を検知する。検知された電流は、前記ドライバ増幅器へ帰還され、ボイスコイルの電流が正確に制御されうるようにする。コイルの電流を検知するためのセンスＦＥＴの使用は、ボイスコイルにおける抵抗性ドロップを減少させ、これは、利用者がコイルにもっと多くの電流を供給しうるようにする。
【０００６】
すなわち、モータの電流経路内のパワートランジスタを流れる電流を検知するために、ＦＥＴデバイスが、電流ミラーとしてパワートランジスタの電流を鏡映するように接続されうる。これらのミラートランジスタは、典型的には、パワートランジスタのサイズに比較して小さく作られ、その比は１５／１が代表的である。しかし、ミラートランジスタを、パワートランジスタに比し極めて小さく作ることは望ましいが、サイズ比が増加するのに伴い、さまざまなミラートランジスタの間で設計公差が不正確になる。
【０００７】
それにもかかわらず、そのようなＦＥＴミラーデバイスの使用は、パワーデバイスとミラーデバイスとの間の大きいサイズ差のために、しばしは正確さを劣化させる。通常は、１つのトランジスタを流れる電流は、もしデバイスが同様のサイズのものならば、比較的に良い正確度でもう１つのトランジスタへ鏡映されうる。しかし、ボイスコイルへの応用においては、パワーＦＥＴデバイスにおいて何アンペアかの電流が１次デバイスを流れ、パワーＦＥＴとミラーデバイスとの間には、（例えば、１５００：１の程度の）大きい比を用いることが望ましい。もし小さい比が用いられたとすれば、ミラーデバイスにおける大きい電流により、制御回路内において大量の電力が浪費される。しかし、１５００：１の程度のミラー比を用いると、ミラーの正確度は極めて良くはならず、大きく且つデバイスにより変化することが予想できる。
【０００８】
さらに、ボイスコイル駆動回路は、特定のシステムに依存して、多重利得範囲、例えば、３つまたはそれ以上の範囲を必要としうる。これらの利得範囲は、ボイスコイルループを制御するＤＡＣが、コイル電流のいくつかの範囲において等しい正確度で動作することを可能にする。すなわち、もしセンスＦＥＴ技術が用いられると、コイル電流が０に近づくのに伴って帰還電流が小さくなり、かつもしかすると不正確になるので、多くのボイスコイルは帰還電流の利得を増加させる。このようにして、帰還ブロック内の電流ミラーは、数マイクロアンペアから数百マイクロアンペアまでの電流を扱うように強制はされない。これは、電流ミラーの整合に役立ち、従って、電流制御の正確さのために役立つ。すなわち、過去においては、駆動トランジスタの電流ミラー動作は、特に可変利得ボイスコイル駆動回路において経験される低電流レベルにおいて不正確であった。
【０００９】
従って、必要とされるのは、もし所望ならば帰還回路が動作する多重利得範囲を与える回路と共に用いられうる、比較的小さいサイズのミラートランジスタによりセンシング電流の正確さを提供する回路および方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は上述の観点から、比較的小さいサイズのミラートランジスタにより、ボイスコイル駆動回路におけるセンシング電流の正確さを実現する回路および方法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明のもう１つの目的は、もし所望ならば帰還回路が動作する多重利得範囲を与える回路と共に用いられうる、上述のタイプの回路および方法を提供することである。
【００１２】
これらの、およびその他の、本発明の目的、特徴、および利点は、当業者にとっては、添付図面および添付された特許請求の範囲と併読する時、以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一般的特徴は、ディスクドライブのヘッドを位置決めするボイスコイルへ駆動電流を供給する方法を提供していることである。この方法は、ボイスコイルへ供給される第１電流を測定するステップと、該第１電流をミラー動作させて、該第１電流に比例するセンス電流を供給するステップと、を含む。この方法はまた、前記センス電流を用いて帰還回路における前記第１電流の大きさを修正し前記ヘッドを所望位置の近くへ位置決めするステップと、前記センス電流を所望の大きさにさらに厳密に等しくなるように調節し前記ヘッドを前記所望位置へさらに接近させて位置決めするステップと、を含む。前記電流は、例えば、前記ヘッドが前記所望位置に配置された時、前記ボイスコイルコイルの電流を強制的にできるだけ０に近づけるように調節されうる。
【００１４】
前記センス電流を調節するステップは、パワートランジスタの電流をミラー動作するように接続された能動デバイスに並列な電流経路を有する、少なくとも１つの能動デバイスを選択的に接続することにより行われうる。これは、例えば、第１チャネル幅対長さ比を有するトリムＦＥＴを、第２チャネル幅対長さ比を有する電流ミラーＦＥＴに並列に、選択的に接続することにより行われうる。前記センス電流を調節するステップは、もし所望ならば、プログラム可能な手段により、電流を強制的に所望電流にできるだけ近づけるようにトリムＦＥＴを選択し、または選択から外すことにより行われうる。この方法は、ドライバ回路の利得が可変である環境で用いられうる。
【００１５】
本発明のもう１つの一般的特徴は、ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルを動作させるように接続されうる回路を提供していることである。この回路は、ボイスコイルを流れる電流を制御するドライバ回路と、該ドライバ回路のそれぞれの電流経路の電流を検知して制御するためのＦＥＴデバイスを含みうる少なくとも１つのセンス電流回路と、を含む。プログラム可能な回路が、該センス電流回路の少なくとも１つを調節するために接続され、前記ヘッドを所望位置へ位置決めする前記ボイスコイルを流れる電流を制御する。
【００１６】
トリム能力は、例えば、ドライバ回路の電流経路の１つの電流を鏡映するために接続されたＦＥＴでありうる電流センシングＦＥＴに、選択的に並列に接続されうる１つまたはそれ以上のトリムＦＥＴを備えることにより実現される。そのような選択的接続により、ＦＥＴデバイスが生じる実効チャネル幅が選択的に得られるので、ボイスコイルの電流、従って、ボイスコイルにより制御されるヘッドの位置は調節可能となる。
【００１７】
本発明のさらにもう１つの一般的特徴は、ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルへ駆動信号を供給するドライバ回路を提供していることである。このドライバ回路は、それぞれが供給電圧と基準電位との間に接続されている第１および第２電流経路を含む。それぞれの該電流経路は、２つのドライバトランジスタを有し、ボイスコイルは、それぞれの電流経路内のこれらのドライバトランジスタの間に接続可能である。少なくとも１つのセンシングトランジスタが、関連したドライバトランジスタの電流とミラー動作するミラー電流を発生するように接続されている。センシングトランジスタのミラー電流に応答する回路が備えられ、それぞれの電流経路内の関連したドライバトランジスタの電流の振幅を制御する。少なくとも１つのトリムトランジスタがセンシングトランジスタのそれぞれの１つに並列に接続され、また少なくとも１つのトリムトランジスタを選択的に起動するために接続されたプログラム可能な回路が備えられていて、少なくとも１つのトリムトランジスタが関連しているセンシングトランジスタが関連した電流経路のミラー動作する電流の振幅を調節する。
【００１８】
本発明のもう１つの一般的特徴は、ディスクドライブシステムを提供していることである。このディスクドライブシステムは、磁気フロッピーディスク、磁気ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭなどでありうる回転形データ媒体を含む。少なくとも１つのヘッドが、該回転形データ媒体から少なくともデータを読取るために選択的に位置決め可能であり、ボイスコイルが、該ヘッドをボイスコイルの電流に応答して位置決めするために配置されている。第１および第２電流経路がそれぞれ、供給電圧と基準電位との間に接続されている。それぞれの該電流経路は、２つのドライバトランジスタを含み、それぞれの前記電流経路内のこれらのドライバトランジスタのそれぞれの間のノードは、ボイスコイルのそれぞれの端部に接続されている。複数のセンシングトランジスタが、それぞれミラー電流を生じるように接続されており、該ミラー電流は、それぞれの電流経路内の関連したドライバトランジスタのミラー動作する電流とミラー動作し、センシングトランジスタのミラー電流に応答する回路が、それぞれの電流経路内の関連したドライバトランジスタの電流の振幅を制御する。少なくとも１つのトリムトランジスタがセンシングトランジスタのそれぞれの１つに並列に接続され、また少なくとも１つのトリムトランジスタを選択的に起動するためにプログラム可能な回路が接続されていて、少なくとも１つのトリムトランジスタが関連しているセンシングトランジスタが関連した電流経路のミラー動作する電流の振幅を調節する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明は添付図面に示され、図面のさまざまな図において、同じ参照番号は、同じ、または類似した部品を示すために用いられている。
ここで図１を参照すると、ディスクドライブシステム１４の読書きヘッド１３を位置決めするボイスコイルドライバ回路１２の部分の電気的概略図１０が示されている。図示されているディスクドライブシステム１４は、ハードディスクドライブに関連して典型的に用いられているタイプのものであるが、本発明は、フロッピーディスクドライブシステム、ＣＤ−ＲＯＭシステムなどのような、他のタイプのディスクドライブシステムに関連しても同様に適用可能であることを理解すべきである。
【００２０】
図示されているディスクドライブシステム１４は、回転形媒体１６を含み、これは例えば上に磁気媒体が形成された回転形プラッタでありうる。回転形媒体１６は、ディスク制御回路１８により制御される、図示されていない３相、多相、直流モータシステムにより、回転せしめられうる。
【００２１】
ヘッド１３は、制御アーム１８により回転形媒体１６の半径に沿って選択位置へ移動せしめられ、それはボイスコイル２０へ供給される電流により、横方向へも同様に移動せしめられる。ヘッド１３により回転形媒体１６へ書込まれ、または媒体１６から読取られるデータは、図示されていない関連したコンピュータの制御を受けるデータ回路２２により制御される。ディスクドライブアセンブリ、特にボイスコイル２０は、それが接続されているドライバ回路１２から離して具備されうる。
【００２２】
図示されているドライバ回路１２は、「Ｈ」ブリッジとして一般に公知のタイプのものであり、サイド「Ａ」およびサイド「Ｂ」として示されている「Ｈ」ブリッジのそれぞれの側に２つの電流経路を含む。図示の実施例においては、それぞれの側は、ＶCCと接地との間に接続された、それぞれの高側ドライバトランジスタ３０および３２と、それぞれの低側ドライバトランジスタ３４および３６と、を有する。ドライバトランジスタ３０ないし３６のゲートはドライブ増幅器４０および４２に接続され、ボイスコイル制御信号源４４からの信号により制御される。ボイスコイル制御信号源４４からのボイスコイル制御信号は、増幅器４０および４２に対して逆に接続されているので、それぞれのドライバトランジスタ３０ないし３６は、逆に駆動される。このようにして、ボイスコイル２０が接続されているノード４６および４８が存在する反対側の電流経路２６および２８のそれぞれの電流の差は、ヘッド１３を位置決めするボイスコイル２０へ供給される電流を表す。
【００２３】
トリム可能帰還制御回路５０は、電流経路２６と、ボイスコイル制御信号源４４と、の間に接続され、ドライバ増幅器４０および４２へ供給される信号を制御する。トリム可能帰還制御回路５０は、ドライバ回路１２の側Ａの電流経路２６の駆動電流に比例する帰還電流を発生する働きをする。トリム可能帰還制御回路５０が発生する帰還電流は、ヘッド１３が所望位置にある時、ボイスコイル制御信号をキャンセルする働きを有し、理想的には、ボイスコイル２０の電流を０（または他の所望の休止電流値）へ駆動する。
【００２４】
ここでさらに図２を参照すると、上述のトリム可能帰還制御回路５０を利用した典型的な回路６０が示されている。回路６０は、この回路の入力におけるディジタル駆動信号６２に従って、駆動信号をボイスコイル２０へ供給する。
【００２５】
さらに詳述すると、ディジタル入力信号６２はディジタルアナログ変換器６４によりアナログ信号へ変換され、このアナログ信号はノッチフィルタ６６によりフィルタされる。ノッチフィルタ６６からの出力は、帰還制御回路５０（図示されている一般回路から離れているその部分は、箱５０の点線部分内に含まれている）からの出力により修正され、ドライバ増幅器４０および４２の入力へ供給される。ドライバ増幅器４０および４２の出力はそれぞれ、上述の図１に示されているように、「Ｈ」ブリッジドライバ回路の側ＡおよびＢのそれぞれのドライバトランジスタ回路６８および７０へ供給される。
【００２６】
ドライバトランジスタ回路６８からの出力は、後述のミラー回路から得られて、トリム可能帰還制御回路５０へ供給され、帰還制御回路５０が発生する出力は、ノッチフィルタ６６の出力である制御信号から減算される。上述のように、前記帰還回路の目的は、休止状態におけるボイスコイルの電流を強制的に０にする信号を発生することである。
【００２７】
図２の回路６０内にはまた、オプションのディジタルオフセット制御入力信号７４と、オプションの利得範囲制御入力信号７６と、が示されている。ディジタルオフセット制御入力信号７４は、ディジタルアナログ変換器７５によりアナログ信号に変換され、ボイスコイル２０へ供給される駆動信号に対して制御可能電圧オフセット値を与え、利得範囲制御回路は、以下に詳述するように帰還制御回路５０の利得範囲を変化させる。もしディジタルオフセット制御入力信号７４と、利得範囲制御入力信号７６と、が用いられるならば、ＤＡＣ７５からの出力は、範囲制御信号７６により指定された範囲に従い、減衰器８０により適切に減衰されうる。適切に減衰されたオフセット信号は、加算器８２においてディジタルＶＣＭ制御ＤＡＣ６４からの出力に加算され、その後ノッチフィルタ６６へ入力される。
【００２８】
電流センシング回路の詳細は、ここで図３の電流センシング回路９０をさらに参照することにより示される。図３に示されているドライバ回路の部分は、図１における側Ａの部分に対応し、ノード４６の上下の電流経路２６の電流を鏡映する電流鏡映（ミラー）回路９２を示す。さらに詳述すると、ミラー回路９２は、高側および低側ドライバトランジスタ３０および３４のそれぞれのドレインおよびゲートに接続されたドレインおよびゲートを有するミラートランジスタ９６および９８を含む。高側ドライバトランジスタ３０のソースは、増幅器１００によりミラートランジスタ９６のソースに接続されている。同様にして、低側ドライバトランジスタ３４のソースは、増幅器１０２によりミラートランジスタ９８のソースに接続されている。ドライバトランジスタ３０および３４の幅対長さ比は、約２０，０００：０．８であり、ミラートランジスタ９６および９８の幅対長さ比は、約１０：０．８である。
【００２９】
図示されているように、オプションの利得範囲制御回路１０４および１０８は、高側および低側ドライバトランジスタ３０および３４のゲートと、それらそれぞれの電流ミラートランジスタ９６および９８のゲートと、の間に接続されている。利得範囲制御回路１０４および１０８は、上述の利得範囲制御信号７６を受け、例えば、利得範囲制御信号７６の値に従って、それぞれのミラートランジスタ９６および９８に並列に選択的に接続可能である一連のＦＥＴデバイス（図示せず）を含みうる。
【００３０】
高側および低側ミラートランジスタ９６および９８をそれぞれ流れる、ｉHSSAおよびｉLSSAで表されている電流は、ミラー回路１１０内へさらに鏡映される。さらに詳述すると、２つのトランジスタ１１２および１１４が、ＶCCと低側ミラートランジスタ９８との間に直列に接続され、これらを通って同じ電流ｉLSSAが流れる。トランジスタ１１２および１１４のドレインとゲートとはそれぞれ相互接続されている。同様にして、２つのトランジスタ１１６および１１８が、接地と高側ミラートランジスタ９６との間に直列に接続され、これらを通って同じ電流ｉHSSAが流れる。トランジスタ１１６および１１８のドレインとゲートとは、やはりそれぞれ相互接続されている。
【００３１】
ミラートランジスタ１２０および１２２は、それぞれのトランジスタ１１２および１１４の電流を鏡映するように接続され、また同様にして、ミラートランジスタ１２４および１２６は、それぞれのトランジスタ１１６および１１８の電流とミラー動作するように接続されている。トランジスタ１２０、１２２、１２４、および１２６を含む電流経路１３０を流れる電流は、ボイスコイル２０に接続されているノード４６のそれぞれの側の電流差に近い比例値であることがわかる。電流経路１３０の電流値は、適切なトランジスタのサイジングを用いるとき、ボイスコイルを流れる電流ｉCOIL／２０００にほぼ等しくすることができる。出力線１３４上の電流は、図２に関連して上述したように、ボイスコイル２０の電流を制御するために帰還される帰還電流を与える。
【００３２】
ミラートランジスタとドライバトランジスタとの間の大きいサイズ差、製造公差、および他の因子のために、さらに制御しないと変動する帰還電流の値をさらに制御するために、トリム回路網１４０および１４２を備え、それぞれのミラートランジスタ１２０および１２６を流れる電流を制御可能にして変化させる。トリム回路網１４０および１４２は、図４に詳細に示されており、次にこれを参照する。
【００３３】
詳述すると、本発明の実施例によるトリム回路網１４０および１４２は、それぞれの低側ミラートランジスタ１２０および高側ミラートランジスタ１２６に選択的に並列に接続可能であるいくつかのＦＥＴトランジスタを含む。トリム回路網１４０は、例えば、４つのトランジスタ１４５ないし１４８を含み、これらはそれぞれ、ソースをミラートランジスタ１２０のソースに接続され、ドレインをミラートランジスタ１２０のドレインに接続された状態で接続されている。トランジスタ１４５ないし１４８のゲートは、図示されているＥＥＰＲＯＭ１７０のような、プログラム可能デバイスにより制御される、それぞれのスイッチ１５０ないし１５３により、ミラートランジスタ１２０のゲートに選択的に接続されうる。
【００３４】
トリム回路網１４２は、４つのトランジスタ１５５ないし１５８を含み、これらはそれぞれ、ソースをミラートランジスタ１２６のソースに接続され、ドレインをミラートランジスタ１２６のドレインに接続された状態で接続されている。トランジスタ１５５ないし１５８のゲートは、やはりＥＥＰＲＯＭ１７０により制御される、それぞれのスイッチ１６０ないし１６３により、ミラートランジスタ１２６のゲートに選択的に接続されうる。
【００３５】
上述のように、ＦＥＴデバイス１２０および１２２は、ＥＥＰＲＯＭ回路１７０のプログラムされた出力により制御される。ミラーデバイス１２０および１２６の実効チャネル幅は、このようにしてＥＥＰＲＯＭ１７０により制御され、ＥＥＰＲＯＭ１７０は、センスおよびトリム回路の残部と同じチップ上に構成されうる。通常は、ＥＥＰＲＯＭ１７０は、工場すなわち製造所において構成される。しかしそれは、もし所望ならば、ユーザによりプログラム可能でありうる。ＥＥＰＲＯＭ１７０により行われる機能はまた、プログラム可能ヒューズ装置、プログラム可能ゲートデバイスなどのような、他のプログラム可能回路により行われうることが認識されよう。
【００３６】
調節可能なＦＥＴデバイス１２０および１２６は、個々に選択的に、並列に接続されうる複数の異なるサイズに作られたＦＥＴデバイスを有することができる。必要とされ、または所望されるセンス電流の調節のアプリケーションおよび分解能に依存して、任意の数のデバイスを用いうることに注意すべきである。本発明は、ボイスコイル２０の電流を強制的に０または他の所定の値にすることを意図するものであるが、１つまたはそれ以上のトランジスタの並列回路１４０および１４２への選択的スイッチングによる不連続的トリミングは、回路のトリミングにおいて必然的に量子化された段階を与えることにも注意すべきである。従って、スイッチングにより接続可能なトランジスタの数は、電流を等しくしうるための分解能を制御する。図示されている実施例においては、例えば、ＦＥＴデバイス１４５ないし１４８、および１５５ないし１５８は、それぞれのサイズ１／１、１／２、１／４、および１／８を有しうる。（示された比は、ＦＥＴデバイスの幅対長さの比を表す。）これは、±１％の段階サイズを有する±１０％のトリム範囲を与える。
【００３７】
このようにして、ＥＥＰＲＯＭ１７０の出力端子上に現れるプログラム可能状態に依存して、ＦＥＴデバイス１４５ないし１４８、および１５５ないし１５８の選択されたものは、ＥＥＰＲＯＭ１７０により選択的に制御されないＦＥＴデバイス１２０および１２６と共にターンオンされる。正常状態またはデフォルト状態においては、通常、ＦＥＴデバイス１４５ないし１４８、および１５５ないし１５８の１つまたはそれ以上がターンオンされ、正常状態から減少した電流搬送能力を得る柔軟性を可能としていることに注意すべきである。このようにして、例えば、ＦＥＴデバイス１４８および１５８は、通常はミラートランジスタ１２０および１２６と本質的に並列をなすデフォルトまたは初期オン状態にありうる。このようにして、もしもっと小さい帰還電流１３４が望ましければ、ＦＥＴ１４８および１５８をターンオフし、ＦＥＴミラートランジスタ１２０および１２６のみをターンオンしたままとすればよい。あるいは、もしもっと大きい帰還電流１３４が望ましければ、残りのＦＥＴトランジスタ１４５ないし１４７、および１５５ないし１５７の１つまたはそれ以上を必要に応じてターンオンすればよい。
【００３８】
本発明を、ある程度詳細に説明し、かつ図示したが、本開示は例に関してのみ行われたものであること、および当業者によれば、特許請求の範囲により定められる本発明の精神および範囲から逸脱することなく、部品の組合せおよび配置においてさまざまな変更が行われうること、を理解すべきである。
【００３９】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）ディスクドライブのヘッドを位置決めするボイスコイルへ駆動電流を供給する方法であって、
前記ボイスコイルへ供給される第１電流を測定するステップと、
該第１電流を鏡映し、該第１電流に比例するセンス電流を供給するステップと、
前記センス電流を用いて帰還回路における前記第１電流の大きさを修正し前記ヘッドを所望位置の近くへ位置決めするステップと、
前記センス電流を所望の大きさにさらに厳密に等しくなるように調節し前記ヘッドを前記所望位置へさらに接近させて位置決めするステップと、
を含む、前記方法。
【００４０】
（２）前記センス電流を調節する前記ステップが、パワートランジスタの電流を鏡映するように接続された能動デバイスに並列な電流経路を有する、少なくとも１つの能動デバイスを選択的に接続するステップを含む、第１項記載の方法。
【００４１】
（３）パワートランジスタの電流を鏡映するように接続された能動デバイスに並列な電流経路を有する、少なくとも１つの能動デバイスを選択的に接続する前記ステップが、第１チャネル幅対長さ比を有するトリムＦＥＴを、第２チャネル幅対長さ比を有する電流ミラーＦＥＴに並列に、選択的に接続するステップを含む、第２項記載の方法。
【００４２】
（４）前記センス電流を調節する前記ステップが、パワートランジスタの電流を鏡映するように接続された能動デバイスに並列な電流経路を有する、少なくとも１つの能動デバイスをプログラム可能に接続するステップを含む、第１項記載の方法。
【００４３】
（５）パワートランジスタの電流を鏡映するように接続された能動デバイスに並列な電流経路を有する、少なくとも１つの能動デバイスをプログラム可能に接続する前記ステップが、第１チャネル幅対長さ比を有する少なくとも１つのトリムＦＥＴを、第２チャネル幅対長さ比を有する電流ミラーＦＥＴに並列に、プログラム可能に接続するステップを含む、第４項記載の方法。
（６）前記帰還回路の利得を変化させるステップをさらに含む、第１項記載の方法。
【００４４】
（７）ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルを動作させるように接続されうる回路であって、
前記ボイスコイルを流れる電流を制御するドライバ回路と、
前記電流の経路のそれぞれにおける電流を検知して制御するための複数のセンス電流回路と、
該センス電流回路の少なくとも１つを調節するために接続され、前記ヘッドを所望位置へ位置決めする前記ボイスコイルを流れる電流を制御する、プログラム可能な回路と、
を含む、前記回路。
【００４５】
（８）前記センス電流回路がＦＥＴデバイスを含む、第７項記載の回路。
（９）前記ＦＥＴデバイスが並列に接続され、前記プログラム可能な回路が前記ＦＥＴデバイスをプログラム可能に選択して該ＦＥＴデバイスにより与えられる実効チャネル幅を制御する、第８項記載の回路。
【００４６】
（１０）第１チャネル幅対長さ比を有するトリムＦＥＴを、第２チャネル幅対長さ比を有する電流ミラーＦＥＴに並列に、選択的に接続することにより、前記ＦＥＴデバイスが並列に接続され、前記プログラム可能な回路が前記ＦＥＴデバイスをプログラム可能に選択して該ＦＥＴデバイスにより与えられる実効チャネル幅を制御する、第８項記載の回路。
【００４７】
（１１）ディスクドライブシステムのヘッドを位置決めするボイスコイルへ駆動信号を供給するドライバ回路において、
それぞれが供給電圧と基準電位との間に接続されている第１および第２電流経路であって、それぞれの該電流経路が２つのドライバトランジスタを含み、前記ボイスコイルが、それぞれの電流経路内の前記ドライバトランジスタの間に接続可能である、前記第１および第２電流経路と、
複数のセンシングトランジスタであって、それぞれの該センシングトランジスタが、それぞれの電流経路内の関連したドライバトランジスタの鏡映される電流を鏡映するミラー電流を発生するように接続されている、前記複数のセンシングトランジスタと、
前記センシングトランジスタの前記ミラー電流に応答して、それぞれの電流経路内の前記関連したドライバトランジスタの前記電流の振幅を制御する回路と、少なくとも１つのトリムトランジスタのそれぞれが、前記センシングトランジスタのそれぞれの１つに並列に接続された、前記少なくとも１つのトリムトランジスタと、
前記少なくとも１つのトリムトランジスタを選択的に起動して、該少なくとも１つのトリムトランジスタが関連している前記センシングトランジスタが関連した前記電流経路の前記鏡映される電流の振幅を調節するように接続された、プログラム可能な回路と、
を含む、前記ドライバ回路。
【００４８】
（１２）前記センシングトランジスタおよび前記トリムトランジスタがＦＥＴデバイスである、第１１項記載のドライバ回路。
（１３）前記第１および第２電流経路が、「Ｈ」ブリッジ構成をなして前記ボイスコイルと接続されている、第１１項記載のドライバ回路。
【００４９】
（１４）回転形データ媒体と、
該回転形データ媒体から少なくともデータを読取るために選択的に位置決め可能である、少なくとも１つのヘッドと、
該ヘッドをボイスコイルの電流に応答して位置決めする該ボイスコイルと、
それぞれが供給電圧と基準電位との間に接続されている第１および第２電流経路であって、それぞれの該電流経路が２つのドライバトランジスタを含み、それぞれの前記電流経路内の該ドライバトランジスタのそれぞれの間のノードが、前記ボイスコイルのそれぞれの端部に接続されている、前記第１および第２電流経路と、
複数のセンシングトランジスタのそれぞれが、ミラー電流を生じるように接続されており、該ミラー電流が、それぞれの電流経路内の関連したドライバトランジスタの鏡映される電流を鏡映する、前記複数のセンシングトランジスタと、
前記センシングトランジスタの前記ミラー電流に応答して、それぞれの電流経路内の前記関連したドライバトランジスタの前記電流の振幅を制御する回路と、
前記センシングトランジスタのそれぞれの１つに並列に接続された少なくとも１つのトリムトランジスタと、
該少なくとも１つのトリムトランジスタを選択的に起動するために接続され、該少なくとも１つのトリムトランジスタが関連している前記センシングトランジスタが関連した電流経路の鏡映される電流の振幅を調節する、プログラム可能な回路と、
を含む、ハードディスクドライブシステム。
【００５０】
（１５）前記センシングトランジスタおよび前記トリムトランジスタがＦＥＴデバイスである、第１４項記載のハードディスクドライブシステム。
（１６）前記複数の電流経路が、「Ｈ」構成をなして前記ボイスコイルと接続されている、第１４項記載のハードディスクドライブシステム。
【００５１】
（１７）ディスクドライブ１４のヘッド１３を位置決めするボイスコイル２０へ駆動電流を供給する回路１２および方法は、ボイスコイル２０を流れる電流を制御するドライバ回路６８、７０と、ドライバ回路１２の電流経路２６の電流を検知して制御するための、ＦＥＴデバイス１１２、１１４、１１６、１１８を含みうる少なくとも１つのセンス電流回路９２と、を含む。プログラム可能な回路１７０が、センス電流回路１１２、１１４、または１１６、１１８の少なくとも１つを調節するように接続され、ヘッド１３を所望位置へ位置決めするボイスコイル２０を流れる電流を制御する。トリム能力が、例えば、ドライバ回路１２の電流経路の１つ２６の電流を鏡映するために接続されたＦＥＴでありうる電流鏡映ＦＥＴ１２０、１２６に、選択的に並列に接続されうる１つまたはそれ以上のトリムＦＥＴ１４５ないし１４８、１５５ないし１５８を備えることにより実現される。そのような選択的接続により、ＦＥＴデバイス１２０、１４５ないし１４８、または１２６、１５５ないし１５８が生じる実効チャネル幅が選択的に得られるので、ボイスコイル２０の電流、従って、ボイスコイル２０により制御されるヘッド１３の位置は調節可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による、ディスクドライブシステムにおけるボイスコイルのヘッド位置決め電流を制御するための、トリム可能な電流センシング回路を組み込んだディスクドライブシステムの部分の電気的概略図。
【図２】本発明の実施例による、図１のディスクドライブシステムにおいて用いられるタイプのトリム回路の典型的構成の電気的概略図。
【図３】本発明の実施例による、図２のディスクドライブシステムにおいて用いられるタイプのトリム回路および典型的なＦＥＴミラー回路の構成の電気的概略図。
【図４】本発明の実施例による、図３のＦＥＴミラー回路と共用されるトリム回路の電気的概略図。
【符号の説明】
１２  ボイスコイルドライバ回路
１３  読書きヘッド
１４  ディスクドライブシステム
２０  ボイスコイル
２６  電流経路
６８  ドライバトランジスタ回路
７０  ドライバトランジスタ回路
９２  電流鏡映回路
１１２  トランジスタ
１１４  トランジスタ
１１６  トランジスタ
１１８  トランジスタ
１７０  ＥＥＰＲＯＭ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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