(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室中に配置された材料蒸発源に酸化シリコンを主成分として含む膜材料を収容する工程と、
前記材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給しつつ当該材料蒸発源から前記膜材料を蒸発させるとともに前記プラズマビームで活性化させる工程と、
前記成膜室中において前記材料蒸発源に対向して配置されている基板の表面に前記膜材料の蒸発粒子を付着させる工程と、
前記蒸発粒子を前記基板に付着させる際に、前記成膜室に窒素ガスを含む雰囲気ガスを導入する工程と
を備えることを特徴とする酸化窒化シリコンの成膜方法。
【請求項２】
前記雰囲気ガスは、酸素ガスを含むことを特徴とする請求項１記載の酸化窒化シリコンの成膜方法。
【請求項３】
前記雰囲気ガス中の窒素ガスの成分比を調節することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか記載の酸化窒化シリコンの成膜方法。
【請求項４】
少なくとも前記膜材料が蒸発を開始する前の段階において、前記材料蒸発源の周囲に所定の不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか記載の酸化窒化シリコンの成膜方法。
【請求項５】
前記材料蒸発源は、柱状のタブレットに形成されており、前記膜材料の蒸発に際しては、当該タブレットを前記基板の方向に繰り出すことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか記載の酸化窒化シリコンの成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、プラズマビームを用いて基板上に酸化窒化シリコン膜を形成するための成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
酸化窒化シリコン膜は、水蒸気や酸素の透過を阻止するとともに高い透明性を有するので、プラスチックディスプレイのバリア膜等として、今後広い用途が期待されている。このような酸化窒化シリコン膜の成膜方法として、例えば反応性スパッタリング法を用いたものが存在する。この反応性スパッタリング法では、アルゴン及び酸素雰囲気下で、窒化シリコンからなるターゲットにスパッタ用のアルゴンを入射させるとともに、ターゲットから出射した窒化シリコン等のスパッタ粒子を高周波でプラズマ化する。このようにして活性化したスパッタ粒子を基板上に堆積しつつ酸化反応を生じさせることで、基板上に酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の反応性スパッタリング法は、窒化シリコンのような絶縁物をターゲットとする場合、ターゲットへのエネルギの投入量に一定の限界がある。このため、反応性スパッタリング法を用いた酸化窒化シリコンの成膜では、成膜レートに一定の上限があり、スループットを向上させることが困難である。
【０００４】
また、反応性スパッタリング法は、スパッタ粒子のプラズマ化の効率を高くすることができず、スパッタ粒子の反応性が低い。このため、反応性スパッタリング法は、低温の基板上に高い品質の酸化窒化シリコンを成膜することができず、有機材料等の比較的耐熱性の低い材料上への酸化窒化シリコン膜の形成に適さない。
【０００５】
そこで、本発明は、高い成膜レートで、低温でも成膜が可能な酸化窒化シリコンの成膜方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る酸化窒化シリコンの成膜方法は、成膜室中に配置された材料蒸発源に酸化シリコンを主成分として含む膜材料を収容する工程と、前記材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給しつつ当該材料蒸発源から前記膜材料を蒸発させるとともにプラズマビームで活性化させる工程と、前記成膜室中において前記材料蒸発源に対向して配置されている基板の表面に前記膜材料の蒸発粒子を付着させる工程と、前記蒸発粒子を前記基板に付着させる際に、前記成膜室に窒素ガスを含む雰囲気ガスを導入する工程とを備える。ここで、膜材料は、ＳｉＯやＳｉＯ２である酸化シリコンに、ＳｉＮを含めたものとすることもできる。
【０００７】
上記成膜方法では、酸化シリコンを主成分として含む膜材料の蒸発粒子を基板に付着させる際に、成膜室に窒素ガスを含む雰囲気ガスを導入するので、基板上に酸化シリコンを窒化した酸化窒化シリコン膜を形成することができる。この際、材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給するので、材料蒸発源を効率的に加熱して膜材料を効率的に蒸発させることができる。また、前記材料蒸発源から蒸発した膜材料は、プラズマビームを経て十分に活性化された状態で基板に入射するので、基板上に緻密で均一な酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【０００８】
上記方法の具体的な態様では、前記雰囲気ガスが酸素ガスを含む。この場合、酸素の組成比の大きな酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【０００９】
上記方法の具体的な態様では、前記雰囲気ガス中の窒素ガスの成分比を調節する。この場合、得られた酸化窒化シリコン膜における酸素と窒素の組成比を所望の値に調整することができる。
【００１０】
上記方法の具体的な態様では、少なくとも前記膜材料が蒸発を開始する前の段階において、前記材料蒸発源の周囲に所定の不活性ガスを供給する。この場合、前記材料蒸発源の周囲にプラズマを効果的に導くことができるので、材料蒸発源を迅速かつ確実に加熱して迅速な成膜を達成することができる。
【００１１】
上記方法の具体的な態様では、前記材料蒸発源が、柱状のタブレットに形成されており、前記膜材料の蒸発に際して、当該タブレットを前記基板の方向に繰り出す。この場合、材料蒸発源であるタブレットの突出量を一定に保ちながら成膜できるので、安定した状態で長時間の連続成膜が可能になる。
【００１２】
なお、成膜に際しては、プラズマビームを導くため、陽極であるハースに材料蒸発源を保持する。このハースの周囲には、磁石、又は磁石及びコイルからなりハースの近接した上方の磁界を制御する磁場制御部材を環状に配置することができる。また、プラズマ源は、アーク放電を利用した圧力勾配型のプラズマガンとすることができる。この場合、磁場制御部材によってハースに入射するプラズマビームをカスプ状磁場で修正してより均一な厚みの膜を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の全体構造を概略的に説明する図である。
【００１４】
この成膜装置は、成膜室である真空容器１０と、真空容器１０中にプラズマビームＰＢを供給するプラズマ源であるプラズマガン３０と、真空容器１０内の底部に配置されてプラズマビームＰＢが入射する陽極部材５０と、成膜の対象である基板Ｗを保持する基板保持部材ＷＨを陽極部材５０の上方で適宜移動させる搬送機構６０とを備える。
【００１５】
プラズマガン３０は、特開平９−１９４２３２号公報等に開示の圧力勾配型のプラズマガンであり、その本体部分は、真空容器１０の側壁に設けられた筒状部１２に装着されている。この本体部分は、陰極３１によって一端が閉塞されたガラス管３２からなる。ガラス管３２内には、モリブデンＭｏで形成された円筒３３が陰極３１に固定されて同心に配置されており、この円筒３３内には、ＬａＢ６で形成された円盤３４とタンタルＴａで形成されたパイプ３５とが内蔵されている。ガラス管３２の両端部のうち陰極３１とは反対側の端部と、真空容器１０に設けた筒状部１２の端部との間には、第１及び第２中間電極４１、４２が同軸で直列に配置されている。一方の第１中間電極４１内には、プラズマビームＰＢを収束するための環状永久磁石４４が内蔵されている。第２中間電極４２内にも、プラズマビームＰＢを収束するための電磁石コイル４５が内蔵されている。なお、筒状部１２の周囲には、陰極３１側で発生して第１及び第２中間電極４１、４２まで引き出されたプラズマビームＰＢを真空容器１０内に導くステアリングコイル４７が設けられている。
【００１６】
プラズマガン３０の動作は、図示を省略するガン駆動装置によって制御されている。これにより、陰極３１への給電をオン・オフしたりこれへの供給電圧等を調整することができ、さらに第１及び第２中間電極４１、４２、電磁石コイル４５、及びステアリングコイル４７への給電を調整することができる。つまり、真空容器１０中に供給されるプラズマビームＰＢの強度や分布状態を制御することができるようになる。
【００１７】
なお、プラズマガン３０の最も内心側に配置されるパイプ３５は、プラズマビームＰＢのもととなる、Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスをプラズマガン３０ひいては真空容器１０中に導入するためのものであり、流量計９３及び流量調節弁９４を介して不活性ガス源９０に接続されている。
【００１８】
真空容器１０中の下部に配置された陽極部材５０は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース５１と、その周囲に配置された環状の補助陽極５２とからなる。
【００１９】
前者のハース５１は、導電材料で形成されるとともに、接地された真空容器１０に図示を省略する絶縁物を介して支持されている。このハース５１は、陽極電源装置８０によって適当な正電位に制御されており、プラズマガン３０から出射したプラズマビームＰＢを下方に吸引する。なお、ハース５１は、プラズマガン３０からのプラズマビームＰＢが入射する中央部に、材料蒸発源である柱状若しくは棒状の材料ロッド５３が装填される貫通孔ＴＨを有している。この材料ロッド５３は、膜材料として、ＳｉＯ若しくはＳｉＯ２を所定の形状に成形したタブレットであり、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて昇華し、基板上に酸化窒化シリコン膜を形成するための材料粒子を発生する。真空容器１０下部に設けた材料供給装置５８は、材料ロッド５３を次々にハース５１の貫通孔ＴＨに装填するとともに、装填した材料ロッド５３を徐々に上昇させる構造を有しており、材料ロッド５３の上端が蒸発して消耗しても、この上端をハース５１の凹部から常に一定量だけ突出させることができる。
【００２０】
後者の補助陽極５２は、ハース５１の周囲にこれと同心に配置された環状の容器により構成されている。この環状容器内には、フェライト等で形成された環状の永久磁石５５と、これと同心に積層されたコイル５６とが収納されている。これら永久磁石５５及びコイル５６は、磁場制御部材であり、ハース５１の直上方にカスプ状磁場を形成する。これにより、ハース５１に入射するプラズマビームＰＢの向き等を修正することができる。
【００２１】
補助陽極５２内のコイル５６は電磁石を構成し、陽極電源装置８０から給電されて、永久磁石５５により発生する中心側の磁界と同じ向きになるような付加的磁界を形成する。つまり、コイル５６に供給する電流を変化させることで、ハース５１に入射するプラズマビームＰＢの向きの微調整が可能になる。
【００２２】
補助陽極５２の容器も、ハース５１と同様に導電性材料で形成される。この補助陽極５２は、ハース５１に対して図示を省略する絶縁物を介して取り付けられている。陽極電源装置８０から補助陽極５２に印加する電圧変化させることによってハース５１の上方の電界を補的に制御できる。すなわち、補助陽極５２の電位をハース５１と同じにすると、プラズマビームＰＢもこれに引き寄せられてハース５１へのプラズマビームＰＢの供給が減少する。一方、補助陽極５２の電位を真空容器１０と同じ程度に下げると、プラズマビームＰＢがハース５１に引き寄せられて材料ロッド５３が加熱される。
【００２３】
搬送機構６０は、基板保持手段として機能し、搬送路６１内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材ＷＨの縁部を複数箇所で安定に支持する多数のコロ６２と、これらのコロ６２を適当な速度で回転させて基板保持部材ＷＨを一定速度で水平方向に移動させる駆動装置（図示を省略）とを備える。
【００２４】
酸素ガス供給装置７１は、真空容器１０に適当なタイミングで適当な量の酸素ガスを雰囲気ガスとして供給するためのガス供給手段である。酸素ガスを収容する酸素ガス源７１ａからの供給ラインは、流量調節弁７１ｂ及び流量計７１ｃを介して真空容器１０に接続されている。
【００２５】
窒素ガス供給装置７２は、真空容器１０に適当なタイミングで適当な量の窒素ガスを雰囲気ガスとして供給するためのガス供給手段である。窒素ガスを収容する窒素ガス源７２ａからの供給ラインは、流量調節弁７２ｂ及び流量計７２ｃを介して真空容器１０に接続されている。
【００２６】
ハース用ガス供給装置７３は、Ａｒ等の不活性ガスをハース５１に適当なタイミングで適当量供給するためのものである。不活性ガス源９０から分岐された不活性ガスは、ハース用ガス供給装置７３の流量調節弁７３ｂ及び流量計７３ｃを介してハース５１に設けたガス導入ポート（図示を省略に）導かれ、材料ロッド５３の周囲に吐出される。
【００２７】
排気装置７６は、排気ポンプ７６ｂにより、真空ゲート７６ａを介して真空容器１０内のガスを適宜排気する。
【００２８】
真空圧測定器７７は、真空容器１０内の酸素ガス、窒素ガス等の分圧を計測することができ、この計測結果は、雰囲気制御装置７８によって監視されている。
【００２９】
雰囲気制御装置７８は、酸素ガス供給装置７１、窒素ガス供給装置７２、及びハース用ガス供給装置７３等を介して、酸素ガス、窒素ガス、及びＡｒガスの真空容器１０内への供給量をそれぞれ調整することができる。また、雰囲気制御装置７８は、真空圧測定器７７の計測結果に基づいて、酸素ガス供給装置７１、窒素ガス供給装置７２、ハース用ガス供給装置７３、排気装置７６等の動作を制御して、真空容器１０内の酸素ガス、窒素ガス、及びＡｒガスの分圧を目標値に制御することもできる。
【００３０】
図２は、図１に示す装置を構成するハース５１等のより詳細な構造を説明する側方断面図である。このハース５１は、冷却用のキャビティＣＡを備える第１ベース部材５１ａと、第１ベース部材５１ａ上に固定される円筒状の第２ベース部材５１ｂと、第２ベース部材５１ｂ上に固定されるコーン状のガイド部材５１ｃとを備える。これら第１ベース部材５１ａ、第２ベース部材５１ｂ及びガイド部材５１ｃは、それぞれに設けた開口ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃの中心を一致させて固定されている。これにより、ハース５１の中心にＳｉＯ２若しくはＳｉＯからなる材料ロッド５３を上方に繰り出すための円筒状の貫通孔ＴＨが形成される。
【００３１】
両ベース部材５１ａ、５１ｂは、銅製で、高い熱伝導度と導電性を有し、第１ベース部材５１ａに設けたキャビティＣＡに供給される冷却水によって適宜冷却される。
【００３２】
ガイド部材５１ｃは、カーボン製で、高い導電性と耐熱性を有し、プラズマビームＰＢ（図１参照）を引き寄せる。このガイド部材５１ｃは、他の好適な材料として高融点金属で形成することもできる。
【００３３】
なお、第１及び第２ベース部材５１ａ、５１ｂには、ハース用ガス供給装置７３から延びる配管が接続されるガス導入管５１ｆが形成されている。このガス導入管５１ｆの先端は、貫通孔ＴＨの内面に連通している。つまり、不活性ガス源９０から供給されたＡｒガスは、ガス導入管５１ｆを介して材料ロッド５３の側面に吐出される。これにより、ガイド部材５１ｃ上方におけるＡｒガスの密度が高くなり、プラズマビームがガイド部材５１ｃに引き寄せられる。つまり、材料ロッド５３にプラズマを効率的に供給することができ、成膜の効率を高めることができる。
【００３４】
以下、図１に示す成膜装置の動作について説明する。成膜に際しては、予め真空容器１０に窒素ガス等の雰囲気ガスを導入する。次に、プラズマガン３０の陰極３１と真空容器１０内のハース５１との間で放電を生じさせ、これによりプラズマビームＰＢを生成する。このプラズマビームＰＢは、ステアリングコイル４７と補助陽極５２内の永久磁石５５等とにより決定される磁界に案内されてハース５１に到達する。この際、ハース５１に収容された材料ロッド５３の周囲にＡｒガスが供給されるので、酸化シリコンからなり導電性の低い材料ロッド５３であっても、これにプラズマビームＰＢが引き寄せられる。このようにしてプラズマにさらされた材料ロッド５３は、徐々であるが確実に加熱される。プラズマビームＰＢによって材料ロッド５３が十分に加熱されると、材料ロッド５３が昇華し、ここから酸化シリコン、シリコン等の蒸発粒子が出射する。この蒸発粒子は、プラズマビームＰＢによりイオン化され、活性度の高い状態となって基板Ｗに入射する。基板Ｗ上に堆積した酸化シリコンやシリコンは、雰囲気ガス中の窒素ガスや酸素ガスと反応して基板Ｗ上にＳｉＯｘＮｙ膜が形成される。この際、雰囲気ガス中の窒素ガスや酸素ガスの成分比率を調節することにより、ＳｉＯｘＮｙの組成比を広範囲に調節することができる。ここで、ハース５１から蒸発した酸化シリコン等は、プラズマビームＰＢを経て十分に活性化された状態で基板Ｗに入射するので、基板Ｗを高温に保持するまでもなく、基板Ｗ上に形成されるＳｉＯｘＮｙ膜を緻密で均一なものとすることができる。
【００３５】
なお、材料ロッド５３が一旦加熱されて酸化シリコン等が蒸発し始めると、材料ロッド５３が導電性を持ち、材料ロッド５３にプラズマビームＰＢが直接入射し始めるので、材料ロッド５３の周囲へのＡｒガスの供給を停止或いは減量することができる。
【００３６】
具体的な動作例では、成膜中における真空容器１０内の雰囲気圧を１０−２Ｐａ〜１Ｐａ程度とした。この際、窒素ガスの割合を２０％〜８０％の範囲で変化させつつ基板Ｗ上にＳｉＯｘＮｙ膜を形成した。また、酸素ガスの割合を０％〜５０％の範囲で変化させつつ基板Ｗ上にＳｉＯｘＮｙ膜を形成した。以上の具体的動作例において、プラズマガン３０からの放電電流は、５０Ａ〜５００Ａの範囲で変化させた。得られたＳｉＯｘＮｙ膜は、可視光に対する透過率が高く、成膜レートが５０〜１５０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎであった。なお、従来の反応性スパッタの成膜レートは、５〜１０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎであるから、本実施形態の成膜方法では、成膜レートが一桁以上大きくなることがわかる。また、基板Ｗの温度が１００℃以下の低温であっても、良好なＳｉＯｘＮｙ膜が形成された。すなわち、プラスチック基板上にも、良好なＳｉＯｘＮｙ膜を形成することができた。以上の説明から明らかなように、実施形態の成膜方法によって得られたＳｉＯｘＮｙ膜は、プラスチック液晶やプラスチック有機ＥＬを構成するプラスチック基板のバリア膜として利用することができる。また、実施形態のＳｉＯｘＮｙ膜は、医療用若しくは飲料用の包装材のバリア膜として利用することができる。また、実施形態のＳｉＯｘＮｙ膜は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのガラス基板へのアルカリバリア膜として利用することができる。また、実施形態のＳｉＯｘＮｙ膜は、液晶ディスプレイのカラーフィルタの保護膜として利用することができる。以下、具体的なさらに実施例について一部説明する。
【００３７】
〔実施例１〕
この場合、成膜の条件は以下のようなものであった。材料ロッド５３として、ＳｉＯ２の丸棒（φ３０ｍｍ×８０ｍｍ）を用いた。材料ロッド５３を案内するガイド部材５１ｃとして、内径３１ｍｍのカーボンを用いた。成膜に際しては、材料ロッド５３の昇華によって上端位置が変化しないように、材料ロッド５３を徐々に上昇させた。また、成膜に際しては、真空容器１０に６０ｓｃｃｍのＡｒガスを導入した。このうち２０ｓｃｃｍのＡｒガスは、ハース５１側すなわちガス導入管５１ｆから導入した。これと並行して、真空容器１０に１００ｓｃｃｍの窒素ガスを導入した。そして、成膜中における真空容器１０内の雰囲気圧を０．３３Ｐａ（２．５mtorr）とした。また、成膜中におけるプラズマガン３０からの放電電流は、１５０Ａとした。一方、成膜の対象である基板Ｗとして厚さ０．７ｍｍのガラス板を用い、基板Ｗの温度を５０℃に保持した。成膜中、基板Ｗは、搬送機構６０によりハース５１上方で１５ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動させた。
【００３８】
なお、成膜の開始直前において、プラズマガン３０からハース５１にプラズマビームＰＢを入射させるが、ハース５１が加熱された後、ＳｉＯ２の材料ロッド５３が安定に蒸発し始めるまでは、１００ｓｃｃｍのＡｒガスをハース５１のガス導入管５１ｆに供給し、安定な蒸発開始後は、上述のように２０ｓｃｃｍのＡｒガスをハース５１に供給した。
【００３９】
以上のようにして得られたＳｉＯｘＮｙ膜は、膜厚が７０ｎｍで、可視光透過率が９０％（波長５５０ｎｍ）であった。ＸＰＳ（X-ray photoelectron spectroscopy）によると、得られたＳｉＯｘＮｙ膜の組成比は、Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝３６：５９：５であった。
【００４０】
〔実施例２〕
この場合、成膜の条件は以下のようなものであった。材料ロッド５３として、ＳｉＯの丸棒（φ３０ｍｍ×１０ｍｍ）を用いた。材料ロッド５３を案内するガイド部材５１ｃとして、内径３１ｍｍのカーボンを用いた。成膜に際しては、材料ロッド５３の昇華によって上端位置が変化しないように、材料ロッド５３を徐々に上昇させた。また、成膜に際しては、真空容器１０に６０ｓｃｃｍのＡｒガスを導入した。このうち２０ｓｃｃｍのＡｒガスは、ハース５１側すなわちガス導入管５１ｆから導入した。これと並行して、真空容器１０に１００ｓｃｃｍの窒素ガスを導入した。そして、成膜中における真空容器１０内の雰囲気圧を０．２Ｐａ（１．５mtorr）とした。また、成膜中におけるプラズマガン３０からの放電電流は、７０Ａとした。一方、成膜の対象である基板Ｗとして厚さ０．７ｍｍのガラス板を用い、基板Ｗの温度を５０℃に保持した。成膜中、基板Ｗは、ハース５１上方で９ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動させた。
【００４１】
なお、成膜の開始直前において、プラズマガン３０からハース５１にプラズマビームＰＢを入射させるが、ハース５１が加熱された後、ＳｉＯの材料ロッド５３が安定に蒸発し始めるまでは、１００ｓｃｃｍのＡｒガスをハース５１に供給し、安定な蒸発開始後は、上述のように２０ｓｃｃｍのＡｒガスをハース５１に供給した。
【００４２】
以上のようにして得られたＳｉＯｘＮｙ膜は、膜厚が９０ｎｍで、可視光透過率が８０％（波長５５０ｎｍ）であった。ＸＰＳによると、得られたＳｉＯｘＮｙ膜の組成比は、Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝４３：４３：１４であった。
【００４３】
以上、実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば材料ロッド５３は、ＳｉＯ２やＳｉＯに限らず、これらの中間組成のものを含むものとでき、さらにＳｉＮを含むものとすることもでき、特性に影響を与えない範囲で微量元素を含むものとすることができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る酸化窒化シリコンの成膜方法によれば、酸化シリコンを主成分として含む膜材料の蒸発粒子を基板に付着させる際に、成膜室に窒素ガスを含む雰囲気ガスを導入するので、基板上に酸化シリコンを窒化した酸化窒化シリコン膜を形成することができる。この際、材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給するので、材料蒸発源を効率的に加熱して膜材料を効率的に蒸発させることができる。また、前記材料蒸発源から蒸発した膜材料は、プラズマビームを経て十分に活性化された状態で基板に入射するので、基板が比較的低温であっても、この基板上に緻密で均一な酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の成膜装置の全体構造を説明する図である。
【図２】ハースの構造を説明する側方断面図である。
【符号の説明】
１０      真空容器
３０      プラズマガン
５０      陽極部材
５１      ハース
５１ｃ    ガイド部材
５１ｆ    ガス導入管
５２      補助陽極
５３      材料ロッド
５５      永久磁石
５６      コイル
５８      材料供給装置
６０      搬送機構
７１      酸素ガス供給装置
７２      窒素ガス供給装置
７３      ハース用ガス供給装置
７６      排気装置
７８      雰囲気制御装置
９０      不活性ガス源
ＰＢ      プラズマビーム
ＴＨ      貫通孔
Ｗ      基板
【図１】
0003806834.tif 000002
【図２】
0003806834.tif 000003