(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層した第１の窒化物半導体層の上面に、エッチングによって直径が０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であるピットを形成する第１の工程と、前記ピットの内部に、保護膜を成膜する第２の工程と、前記第１の窒化物半導体層を核とし、この上に、第２の窒化物半導体層を成長させる第３の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【請求項２】
前記窒化物半導体の成長方法において、第１の工程後、第１の窒化物半導体層上にピットを埋めることなく第３の窒化物半導体層を成長させる第４の工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項３】
前記第３の窒化物半導体層は、ＩＩＩ族原料に対するＶ族原料のモル比（Ｖ／ＩＩＩ比）を５００以上３０００以下で成長させることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項４】
前記エッチングは５０Å／ｓｅｃ以上２００Å／ｓｅｃ以下で行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項５】
前記保護膜はＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｗ、Ｍｏの少なくとも１つ以上からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項６】
前記保護膜は、２層以上からなる多層膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項７】
前記第２の窒化物半導体層は、ＩＩＩ族原料に対するＶ族原料のモル比(Ｖ／ＩＩＩ比)を６０００以上で成長させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項８】
基板と、前記基板上に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを順に有する窒化物半導体であって、
前記第１の窒化物半導体層の上面には、直径が０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であるピットが形成されており、
前記ピットの内部には保護膜を有し、
前記第１の窒化物半導体層及び保護膜上には、第２の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子を有する窒化物半導体、およびその成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、窒化物半導体基板を用いた青色から紫外領域にかけての短波長、また発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）が注目されている。レーザダイオードは、ＤＶＤなど、大容量・高密度の情報記録・再生が可能なディスクシステムへの利用に対する要求が高まりを見せている。そのため、必須条件と考えられている結晶性の良い窒化物半導体基板を得る様々な方法が検討されている。
【０００３】
一般に、半導体を基板上に成長させる際、成長させる半導体と格子整合した基板を用いると半導体中の転位が少なくなり結晶性が向上することが知られているが、窒化物半導体は格子整合する基板が現在世の中に存在しないことから、一般にサファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と格子整合しない異種基板の上に成長されている。
【０００４】
一方、窒化物半導体と格子整合するＧａＮバルク単結晶を作製する試みは、様々な研究機関において成されているが、未だに数ミリ程度のものを得られたという報告しかされておらず、実用化にはほど遠い状態である。
【０００５】
ＧａＮ基板を作製する技術として、例えば特開平７−２０２２６５号公報、特開平７−１６５４９８号にサファイア基板の上にＺｎＯよりなるバッファ層を形成して、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成長させた後、バッファ層を溶解除去する技術が記載されている。しかしながらサファイア基板の上に成長されるＺｎＯバッファ層の結晶性は悪く、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成長させても良質の窒化物半導体結晶を得ることは難しい。さらに、薄膜のＺｎＯよりなるバッファ層の上に、基板となるような厚膜の窒化物半導体を連続して成長させることも難しい。
【０００６】
ＬＥＤ素子、ＬＤ素子、受光素子等の数々の光・電子デバイスに使用される窒化物半導体素子を作製する際、転位の少ない窒化物半導体よりなる基板を作製することができれば、その基板上に新たな窒化物半導体を成長させて、格子欠陥が少ない窒化物半導体が成長できるため、素子の結晶性が飛躍的に良くなり、従来実現されていなかった素子が実現できるようになる。
【０００７】
しかし一般に、異種基板上に形成された窒化物半導体には、異種基板との格子不整合や熱膨張係数差のために両者の界面に貫通転位が発生する。この貫通転位は、窒化物半導体に連続的に伝播を続け、窒化物半導体の成長の段階で消滅することがない。
【０００８】
そこで、窒化物半導体の成長方向を制御し、転位の伝播を抑制する方法が、幾つか報告されている。例えば、異種基板上に、窒化物半導体層を成長させた後、窒化物半導体の縦方向の成長を抑制するために、窒化物半導体が縦の方向に成長可能な平面（例えば窒化物半導体の平面や異種基板面）に開口部を有する保護膜を形成し、窒化物半導体の成長方向を制御した後、再び保護膜の開口部より窒化物半導体層を形成させることにより、窒化物半導体層に伝播する転位を低減させた結晶性の良好な窒化物半導体を得ることができる。
【０００９】
この理由として、窒化物半導体が保護膜上に成長しにくいため、窒化物半導体が選択的に保護膜の開口部から成長し、さらに保護膜上で横方向成長を始める。このとき保護膜の下部に存在する転位は保護膜によって上へ伝播するのが阻止され、保護膜上部で転位が減少するものである。また、窒化物半導体が保護膜上部で横方向成長する際に開口部の転位の一部は横方向に曲げられ、転位同士がループをつくる等により、上への伝播が阻止される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法により保護膜を形成すると、保護膜が形成されていない部分においての転位は伝播し続け、保護膜上で横方向成長して隣接する窒化物半導体同士が合体し、平坦な層となる際においても、接合面がある部分の窒化物半導体層の上面に転位が残存する。そのため全体的に均等な転位の減少は望めず、保護膜の開口部上には転位が多く残るため基板全面を利用することは困難であり、全面発光である高出力ＬＥＤ用基板等への利用は期待できない。
【００１１】
そこで本発明は、上記の問題点を解決し、窒化物半導体層に生じる転位を効率的にストップさせ、また成長面全体に均等に転位を低減させるものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上に積層した第１の窒化物半導体層の上面に、エッチングによって直径が０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であるピットを形成する第１の工程と、前記ピットの内部に、保護膜を成膜する第２の工程と、前記第１の窒化物半導体層を核とし、この上に、第２の窒化物半導体層を成長させる第３の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法である。
【００１３】
前記窒化物半導体の成長方法において、第１の工程後、第１の窒化物半導体層上にピットを埋めることなく第３の窒化物半導体層を成長させる第４の工程を備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法である。
【００１４】
前記窒化物半導体の成長方法は、第３の窒化物半導体層がＩＩＩ族原料に対するＶ族原料のモル比（Ｖ／ＩＩＩ比）を５００以上３０００以下とすることを特徴とする。
【００１５】
前記窒化物半導体の成長方法は、前記エッチングが５０Å／ｓｅｃ以上２００Å／ｓｅｃ以下で行われることを特徴とする。
【００１６】
前記窒化物半導体の成長方法は、前記保護膜がＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｗ、Ｍｏの少なくとも１つ以上が含まれることを特徴とする。
【００１７】
前記窒化物半導体の成長方法は、前記保護膜が２層以上からなる多層膜であることを特徴とする。
【００１８】
前記第２の窒化物半導体層は、ＩＩＩ族原料に対するＶ族原料のモル比（Ｖ／ＩＩＩ比）を６０００以上とすることを特徴とする。
【００１９】
本発明は、基板と、前記基板上に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを順に有する窒化物半導体であって、前記第１の窒化物半導体層の上面には、直径が０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であるピットが形成されており、前記ピットの内部には保護膜を有し、前記第１の窒化物半導体層及び保護膜上には、第２の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体である。
【００２０】
以上に示したように本発明は、エッチングを行うことによって基板上に積層した第１の窒化物半導体層上に生じる転位部にエッチピットを形成し、あるいはエッチピットが小さい場合は前記エッチピットを大きくし、エッチピット内部に前記に示す保護膜を形成することにより、転位部や転位集中部上に選択的に保護膜を形成することが可能となる。
【００２１】
これは、第１の窒化物半導体層上まで伝播した、転位が複数集中した部分の結晶性が悪いため、選択的にエッチングによってエッチピットとなるため、前記エッチピット内部に保護膜を形成することで、第２の窒化物半導体層を第１の窒化物半導体層上に積層する際、第１の窒化物半導体層中に存在していた複数の転位が第２の窒化物半導体層へ伝播するのを防ぐことが可能となり、第２の窒化物半導体層の転位を低減し、より効果的に且つ均一に結晶性の良い窒化物半導体層が得られるものである。
【００２２】
本発明の成長方法により得られる、結晶性の良好な第２の窒化物半導体層を基板として用いて窒化物半導体素子を作製すると、この上に積層成長させた窒化物半導体素子も同様に、転位が著しく低減された、結晶性の良好な素子となり、転位が原因となる窒化物半導体の劣化を著しく防止できる。また、ＬＥＤでは静電耐圧が著しく上昇し、寿命特性の良好な窒化物半導体を提供することが可能となり、ＬＤにおいても応用できる。
【００２３】
また、サファイア基板上にＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）等により窒化物半導体を厚く積層した後、本発明を用いることで、厚膜基板とすることができる他、サファイア基板上に成長させる層に本発明を用い、その後ＨＶＰＥ等により厚く積層することも可能であり、得られた窒化物半導体層を、サファイア基板を剥離して取り除くことで、単体の窒化物半導体にすることで、光・電子デバイスの分野においても応用できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の窒化物半導体の成長方法において、実施の形態１は、第１の窒化物半導体層上をエッチング後、エッチピット内部にＳｉＯ２膜を形成し第２の窒化物半導体層を成長させるものである。また実施の形態２は、第１の窒化物半導体層上をエッチング後、ここで生じたエッチピットをさらに大きくするため、第１の窒化物半導体層上に第３の窒化物半導体層を成長させた後、エッチピット内部にＳｉＯ２膜を形成し、第３の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を成長させる方法であり、実施の形態１および２は、第３の窒化物半導体層を設けるか否かという点において異なる。以下に本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２５】
［実施の形態１］図１に示すように、基板１上に成長させたバッファ層上に第１の窒化物半導体層２を成長させる。本発明では、基板１にＣ面、Ｒ面、およびＡ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ等の基板材料を用いることができる。
【００２６】
またバッファ層（図面には図示されていない）としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層は、３００℃以上９００℃以下の温度で、膜厚を１０Å以上０．５μｍ以下で成長させる。このように基板１上にバッファ層を９００℃以下の温度で形成すると、基板１と第１の窒化物半導体層２との格子不整合を緩和し、第１の窒化物半導体層２の転位が少なくなる。
【００２７】
第１の窒化物半導体層２は、キャリアガスとして水素や窒素を用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、アンモニア（ＮＨ３）等を原料とし、ＭＯＣＶＤ（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の装置を用いて成長させる。第１の窒化物半導体層２を成長させる際、ＩＩＩ族原料であるＴＭＧに対するＶ族原料であるＮＨ３のモル比（Ｖ／ＩＩＩ比）を５００以上６０００未満の低Ｖ／ＩＩＩ比の条件で行う。以上に示す条件下で成長させると、転位の低減された窒化物半導体層を得ることができ、好ましくは、転位密度５×１０８個ｃｍ−２以下を有する第１の窒化物半導体層２を形成する。
【００２８】
次に図２に示すように、第１の窒化物半導体層２の上面をエッチングすることによって、第１の窒化物半導体層上にまで伝播した転位部にエッチピットを形成する。第１の窒化物半導体層２をエッチングする方法には、ドライエッチング、ウエットエッチング、研磨、研削、ブラスト加工、エキシマレーザの照射等がある。ドライエッチングには、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、プラズマエッチング等があり、好ましくは、ＲＩＥを用いてエッチング速度が５０Å／ｓｅｃ〜２００Å／ｓｅｃの高速で行うものである。高速でエッチングを行うことで、表面に凹凸を形成することができる。これがエッチピットであり、転位集中領域に形成される。これは転位領域の結晶性が悪いためと考えられる。エッチピットの大きさとしては直径が約０．５μｍ〜１０μｍのものであり、深さも直径と同じ程度である。以上が第１の工程である。
【００２９】
図３に示す第２の工程において、第１の窒化物半導体層２上全域に保護膜を形成し、平坦部の保護膜を取り除くため、ＲＩＥなどを用いて第１の窒化物半導体層２の表面までエッチングを行い、エッチピットの内部のみに保護膜３を形成する。保護膜３はＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｗ、Ｍｏ等からなり、ＷやＭｏなどの金属からなる保護膜であると、電流が窒化物半導体を流れる際、発熱や抵抗が低くなるため好ましい。また、保護膜３は前記材質からなる多層膜であってもよく、多層膜とすることで、ピット内での保護膜の剥がれ等を抑えられる。
【００３０】
成膜方法としては、ＣＶＤやスパッタ、蒸着法等を用いる。平坦部の保護膜を取り除くエッチングの方法としては、ＲＩＥなどのドライエッチング、ウエットエッチング、研磨、研削、ブラスト加工、エキシマレーザの照射等を用いる。
【００３１】
図４に示す第３の工程において、第１の窒化物半導体層２上に第２の窒化物半導体層４を成長させる。第２の窒化物半導体層４の成長条件は、保護膜３を埋め込むため、横方向成長を促進させるための条件を用いることが好ましく、そのための条件として、Ｖ／ＩＩＩ比を６０００以上とするなど、第１の窒化物半導体層２を成長させる際と比較し、ＮＨ３の割合を高くして成長させる、等が挙げられ、この条件下で行うことで、保護膜３を埋め込むように第２の窒化物半導体層４を形成することができる。他の横方向成長を促進させる条件としては、キャリアガスを窒素にする。その他に、成長圧力を減圧する。また、ＭｇとＳｉのいずれか又は両方をドープする、などが挙げられる。
【００３２】
前記第１の窒化物半導体および第２の窒化物半導体は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表すことができる。さらには、ノンドープの他にＳｉやＧｅ等のｎ型不純物やＭｇやＺｎ等のｐ型不純物をドープした物を用いてもよい。例えば、第２の窒化物半導体層はｎ型不純物をドープすることで、ＬＥＤにおいてｎ型コンタクト層とすることができる。また、本発明で得た転位密度の低い良質な窒化物半導体層をＬＥＤのｎコンタクト層として用いることで、静電耐圧特性を著しく向上させ、リーク電流を著しく減少させることができる。さらに、特に紫外域で発光するＬＥＤについては、出力を大幅に増加させることができる。
【００３３】
［実施の形態２］ 実施の形態１と同様に、サファイアなどからなる基板１上に第１の窒化物半導体層２を積層し、エッチング等によるエッチピットの形成を実施の形態１と同様の工程および条件で行う。
【００３４】
次に第１の工程により、図５に示すように第１の窒化物半導体層上に直径が０．５μｍ未満のエッチピットが形成された場合、図６の第４の工程として、前記エッチピットを直径０．５μｍ以上１０μｍ以下の大きさにするため、第3の窒化物半導体層５を第１の窒化物半導体層上に形成し、エッチピットを大きくする。
【００３５】
形成されたエッチピットが、直径０．５μｍ未満の大きさのものであると、ＳｉＯ2などの保護膜をエッチピットの内部に形成することができない、あるいは困難であるため、エッチング等により形成されたエッチピットの大きさが不十分である場合に行う。
【００３６】
第３の窒化物半導体層５の形成は、窒化物半導体の縦方向成長を促進させる条件、あるいはエッチピットを埋めないように成長させる条件の下で行う。条件としては、例えば第１の窒化物半導体層２の成長条件と同様に、Ｖ／ＩＩＩ比を５００以上３０００以下とする、などが挙げられる。
【００３７】
次に、第４の工程において、実施例１の第１の工程と同様に、直径０．５μｍ以上１０μｍ以下となったエッチピットの内部に保護膜３を形成し、前記保護膜３を埋め込むように、第２の窒化物半導体層４を、最初に保護膜３上に横方向成長させた後、縦方向成長させることで積層する工程を、実施例１と同様の条件において行ない、第２の窒化物半導体層４中の転位が著しく低減された窒化物半導体を得る。
【００３８】
以上、第１の工程後、第４の工程によってエッチピットを上記したように十分な大きさとした後、第２の工程および第３の工程を行うものを実施の形態２とする。
【００３９】
［実施例］ 基板１としてＣ面を主面、Ａ面をオリフラ面とするサファイア基板を用い、ＭＯＣＶＤ装置にセットし、温度１０５０℃で１０分間サーマルクリーニングを行い水分や表面の付着物を除去した。
【００４０】
次に、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにＮＨ３とＴＭＧ、ＴＭＡを用い、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるバッファ層を２００Åの膜厚で成長させた。
【００４１】
次に、ＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層２を、温度を１１５０℃、キャリアガスに水素、原料ガスにＮＨ３とＴＭＧをＶ／ＩＩＩ比＝５０７０とし、成長速度を２．６７μｍ／ｈの条件下で膜厚４μｍまで成長させた。
【００４２】
第１の窒化物半導体層２の成長後、ＲＩＥを用い、エッチング速度を１２５Å／ｓｅｃとして、前記第１の窒化物半導体層２を２μｍ、表面からエッチングを行った。ＲＩＥを行った後、図７に示すように試料の表面を光学顕微鏡で観察すると、ＲＩＥによって形成された直径が約２μｍであり、密度が約６×１０６個ｃｍ−２のエッチピットが観察された。
【００４３】
次に、前記エッチピット内部にＳｉＯ２保護膜３を埋め込むため、まず０．６μｍのＯＣＤ（液状ＳｉＯ２）成膜を回転数５０００ｒｐｍで行った。その後１６０℃で２０分と３００℃で３０分の２度、アニールを行い、その上に３６０℃で１０分間ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２を０．５μｍ成膜した。
【００４４】
次に第１の窒化物半導体層２の表面側からＲＩＥを行い、エッチピット内部以外の平坦部上のＳｉＯ２を除去することにより、エッチピット部のみにＳｉＯ２膜３を残存させた。
【００４５】
次に第１の窒化物半導体層２上にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層４を、温度を１１５０℃、キャリアガスに窒素、原料ガスにＮＨ３とＴＭＧをＶ／ＩＩＩ比＝６６３７とし、成長速度を２．６７μｍ／ｈの条件下で、膜厚６μｍまで成長させた。前記第２の窒化物半導体層４の成長条件は、後に示す比較例において、第２の窒化物半導体成長時にエッチピット上のＳｉＯ２膜を埋め込むことができなかったため、ＳｉＯ２膜を埋め込むために好ましいと考えられる、横方向成長を促進するための条件である。
【００４６】
第２の窒化物半導体層４の成長後、窒化物半導体の表面は平坦となり、エッチピット内のＳｉＯ２膜３はほとんど埋め込まれたことが、図８のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）および図９の光学顕微鏡像より観測でき、第２の窒化物半導体層４表面のピット密度は約１×１０６個ｃｍ−２であった。第１の窒化物半導体層２表面のエッチピット密度が約６×１０６ｃｍ−２であったことから、成長条件の最適化によって、エッチピット上に形成されたＳｉＯ２膜上に横方向成長し、ＳｉＯ２膜を埋め込むことにより、ピット数が約６分の１まで減少したことになる。また、同じ試料でＣＬ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定を行った際、エッチピットの上部で発光強度の強い傾向が見られ、図１０の断面ＴＥＭ（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像では、第２の窒化物半導体によって埋め込まれたエッチピット上部に低転位領域が形成されており、最も少ないところでは、断面ＴＥＭ観察視野２μｍにおいて無転位の領域が確認された。前記低転位領域での転位密度は、１×１０８個ｃｍ−２以下であり、第１の窒化物半導体の転位密度が９×１０８個ｃｍ−２であったことから、本発明が転位の低減に有効であることが確認された。
【００４７】
また、エッチピットの上部が低転位領域となることから、結晶中の深さ方向に１つでもエッチピットが存在すれば、その上部は転位密度が低い結晶を得ることができるため、本発明の方法を複数回繰り返すことにより、全面において、１×１０８ｃｍ−２以下の転位密度を実現することも可能であるため、さらに転位密度を均等に低減させることもできる。さらに、１回の工程で、エッチピットを埋めるために必要な膜厚は４〜６μｍ程度であることから、従来の窒化物半導体の横方向成長による転位の低減の方法と比較して、薄膜で目的を達成できる点においても有効である。
【００４８】
〔比較例〕 サファイア基板１上に第１の窒化物半導体層２を積層し、ＲＩＥによるエッチングとその後エッチピット内部のみにＳｉＯ２膜３を成膜する工程までは、実施例１と同様の方法および条件で行った。
【００４９】
次に第１の窒化物半導体層２上に第２の窒化物半導体層４を、温度を１１５０℃、キャリアガスに水素、原料ガスにＮＨ３とＴＭＧをＶ／ＩＩＩ比＝５０７０とし、成長速度を２．６７μｍ／ｈの条件下で、膜厚２μｍまで成長させ、エッチピット部上のＳｉＯ２膜の埋め込みを行った。
【００５０】
前記の工程により得られた窒化物半導体層の断面ＴＥＭ像を観察した結果、エッチピットの上部でＧａＮが横（水平）方向に屈折しており、エッチピット上部が低転位領域となっていることが確認できたが、図１１に示すようにエッチピットを完全に埋め込むことはできず、第２の窒化物半導体層表面には５×１０６個ｃｍ−２の密度でピットが観察された。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の窒化物半導体の成長方法により、窒化物半導体層に生じた転位を窒化物半導体層の全面において、均等に低減させ、結晶性の良好な窒化物半導体を提供することができる。また、本発明により、寿命特性等の良好なＬＥＤやＬＤが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図７】本発明の実施例および比較例における第１の窒化物半導体層の光学顕微鏡写真である。
【図８】本発明の実施例における第２の窒化物半導体層のＳＥＭ写真である。
【図９】本発明の実施例における第２の窒化物半導体層の光学顕微鏡写真である。
【図１０】本発明の実施例における第１および第２の窒化物半導体層の断面ＴＥＭ写真である。
【図１１】本発明の比較例における第１および第２の窒化物半導体層の断面ＴＥＭ写真である。
【符号の簡単な説明】
１・・・基板
２・・・第１の窒化物半導体層
３・・・保護膜
４・・・第２の窒化物半導体層
５・・・第３の窒化物半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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