(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープキャリアパッケージ型半導体装置の複数個を着脱可能に収容するトレーであって、
前記半導体装置のそれぞれは、絶縁性のキャリアテープと、該テープの一方の表面に露出し前記テープによって支持されて配置された一群の外部電極端子を構成する部分と該端子構成部のそれぞれと半導体チップ取り付け部の間を延長する一群のリード部とを含む導電性のリードパターンと、複数のガイド孔と、前記半導体チップ取り付け部に固定された半導体チップと、前記一群のリード部のそれぞれと前記半導体チップに形成された対応する電極とを電気的に接続する手段と、前記半導体チップを含む部分を覆う絶縁性の樹脂体とを有し、
前記トレーは、前記テープキャリアパッケージ型半導体装置のそれぞれを着脱可能に収容する複数の収容部分を備え、該収容部分のそれぞれは、前記ガイド孔の少なくとも幾つかにそれぞれ挿入され、挿入によって前記半導体装置をトレーに固定することができる複数のガイドピンと、前記トレーが電気特性試験装置に収容されたとき前記一群の外部電極端子構成部分を支持するテープ部分が前記一群の外部電極端子構成部分が上側になるように載置される支持部分を備え、該支持部分は、前記電気特性試験装置の測定端子が上部から対応する前記外部電極端子構成部分に当接されたとき該当接箇所のリード部分を密着状態で支持するように構成されてなることを特徴とするテープキャリアパッケージ型半導体装置用トレー。
【請求項２】
前記トレーの収容部分のそれぞれは、前記半導体装置が収容されたとき、前記樹脂体が収容される部分がトレーに接触しないように逃げ窪みが設けられてなることを特徴とする請求項１に記載のトレー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、収容トレーおよび電気特性試験用のトレーをも兼ねるトレーに係わり、特に絶縁性テープに半導体装置を組み込んだテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置の収容保管技術および電気特性検査技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
トランジスタ等の能動素子や回路を組み込んだ半導体チップや半導体装置は、一般にトレーと呼称される容器に収容されて搬送される。例えば、工業調査会発行「電子材料」1993年３月号、資料請求番号8022には上面にパッケージ品を収容する窪んだ窪みを縦横に整列配置したマトリックストレーが開示されている。また、特願平9-2560号公報には同様のトレーが開示されている。
【０００３】
一方、半導体装置のパッケージ形態の一つとして、絶縁性テープに半導体装置を組み込んだＴＣＰ型半導体装置が知られている。このＴＣＰ型半導体装置（テープキャリアパッケージＩＣ）は、表面にリードパターンを有する絶縁性のテープ（フィルム）に半導体チップを固定するとともに、前記リードと半導体チップの各電極を電気的に接続し、さらに前記半導体チップを含む部分を絶縁性の樹脂で覆った構造になっている。テープはその両側に沿って所定間隔に設けられたガイド孔（スプロケットホール等）を有し、半導体装置の組み立て等におけるテープの移送時使用される。半導体装置の組み立て後、テープは半導体装置毎に切断されて単品化されて出荷、またはリールにテープ毎巻かれて出荷される。
【０００４】
単品化されたＴＣＰ型半導体装置は、柔軟なフィルムを基に製造されたものであることから、そのままの状態では扱い難いため専用のキャリアに収容されて取り扱われる。例えば、特開平5-335786号公報には、テープキャリアパッケージＩＣ用キャリア等の専用キャリアについて記載されている。単品化されたＴＣＰ型半導体装置は、例えば、エージング処理,試験,測定を行った後に切断,成形を行うが、前記テープキャリアパッケージＩＣ用キャリアを用いることによってＴＣＰ型半導体装置を安定した状態で保持できるため、前記各種の作業を効率良く安定して行うことができる。また、ＴＣＰ型半導体装置の着脱も容易である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＴＣＰ型半導体装置は、その製造においてテープ状態での組立の後、テープを各半導体装置毎に切断して単品化し、さらに個片になった製品（ＴＣＰ型半導体装置）を専用キャリアに収容する。製品はキャリアに保護された状態でさらに搬送用のトレーに収容される。ＴＣＰ型半導体装置のトレーへの着脱、または例えば選別工程の各設備（例えば、電気特性試験用装置）へのＴＣＰ型半導体装置のローディング・アンローディングは前記キャリアの状態で行われる。
【０００６】
このようなキャリアを使用するＴＣＰ型半導体装置の取扱いは、ＴＣＰ型半導体装置の外形寸法よりもキャリアの外形寸法が大きいため、トレーにおけるＴＣＰ型半導体装置の収容効率が低下する。
【０００７】
図１３は従来のトレー２０の斜視図である。トレー２０の表面（上面）には縦横に矩形状の収容窪み２１が整列配置形成されている。この収容窪み２１には、図１４に示すように、キャリア（専用キャリア）１５が収容される。このキャリア１５は特開平5-335786号公報に開示されるキャリアであり、ＴＣＰ型半導体装置１０を載置収容する。ＴＣＰ型半導体装置１０は、可撓性の絶縁性フィルムからなるテープ５と、この絶縁性のテープ５の表面に形成されたリードパターン（複数のリード４）と、前記リード４に電極部分が電気的に接続された図示しない半導体チップと、前記半導体チップを含む部分を覆う樹脂体７とを有する構造となっている。前記樹脂体７の周囲からリード４の外端部分が突出延在し、外部電極端子を構成している。前記テープ５の両側には、縁に沿って一定間隔でガイド孔５Ａが設けられている。このガイド孔５Ａはスプロケットホールまたはパーフォレーション孔と呼称される孔である。
【０００８】
従来のキャリア１５を用いてＴＣＰ型半導体装置１０をトレー２０に収容する形態は、図１４からも分かるように、ＴＣＰ型半導体装置１０の両側からキャリア１５の両端がそれぞれ突出するため、ＴＣＰ型半導体装置１０の収容効率が低下する。
【０００９】
また、キャリア１５はＴＣＰ型半導体装置の電気特性試験の際、そのまま使用されるため、ＴＣＰ型半導体装置１０のリード部分の保護ができ難くコンタクトプローブ（測定端子）の接触によってリードが変形するおそれがある。
【００１０】
本発明の目的は、ＴＣＰ型半導体装置の収容効率の高いトレーを提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、ＴＣＰ型半導体装置のリードを損傷させることなく電気特性試験が行えるトレーを提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１４】
（１）表面に導電性のリードパターンを有するとともに複数のガイド孔を有する絶縁性のテープと、前記テープに固定される半導体チップと、前記テープに設けた所定のリードと前記半導体チップの所定の電極を電気的に接続する手段と、前記半導体チップを含む部分を覆う絶縁性の樹脂体とを有するテープキャリアパッケージ型半導体装置を収容するトレーであるとともに電気特性試験用のトレーをも兼ねるトレーであって、前記ガイド孔の少なくとも幾つかにそれぞれ挿入され、挿入によって前記半導体装置をトレーに固定することができる複数のガイドピンと、前記電気特性試験用の測定端子が当接される箇所のリード部分を支持するテープ部分を密着状態で支持する支持部分を有する。
【００１５】
前記（１）の手段によれば、（ａ）トレーに設けたガイドピンにＴＣＰ型半導体装置のテープに設けたガイド孔を挿入するようにしてＴＣＰ型半導体装置をトレーに収容する構造であることから、従来のように専用キャリアを使用しないため、収容のための面積が小さくなり、収容効率が向上する。
【００１６】
（ｂ）従って、一つのトレーより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容することができるので、搬送効率や保管効率が向上する。
【００１７】
（ｃ）また、電気特性試験装置のローディング箇所により多くのＴＣＰ型半導体装置を設定することができるとともに、アンローディング箇所ではより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容できるトレーを設定することができる。
【００１８】
（ｄ）トレーには、電気特性試験用の測定端子が当接される箇所のリード部分を支持するテープ部分を密着状態で支持する支持部分を有することから、測定端子をリードに当接した際、リードはテープを介して支持部分に支持されるため、変形することもなく損傷を免れることになり、品質低下を起こさなくなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２０】
（実施形態１）
図１乃至図８は本発明の一実施形態（実施形態１）であるトレーとそのトレーに収容されるＴＣＰ型半導体装置等に係わる図である。図１はトレーとトレーに収容されるＴＣＰ型半導体装置を示す模式的平面図、図２はトレーの斜視図、図３は一部にＴＣＰ型半導体装置を収容したトレーの模式的平面図、図４はトレーにＴＣＰ型半導体装置を載置収容する状態を示す断面図である。
【００２１】
本実施形態１のトレー２０は、図２に示すように、表面（上面）の周縁に突出するガイド突条２５を有するとともに、その内側のトレー内底面２６に２列に亘ってテーパ構造のガイドピン２７が設けられている。この２列のガイドピン２７によって構成されるガイドピン列は複数列設けられている。
【００２２】
前記ガイドピン列によってそれぞれＴＣＰ型半導体装置１０が並列に複数並んで支持収容されるようになっている。図１ではガイドピン列は３列設けられ、１列のガイドピン列は１２個のＴＣＰ型半導体装置１０を支持（ガイド）する。即ち、２列の隣り合う２本のガイドピン２７（合計４本のガイドピン２７）に、ＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５のガイド孔５Ａ（図５参照）が入るように挿入させることによって、ガイドピン２７がテーパ構造であることもあって、ＴＣＰ型半導体装置１０はその位置をふらつかせることなく確実にトレー２０に収容されることになる。
【００２３】
また、ガイドピン列の間には、逃げ窪み２８が設けられている。この逃げ窪み２８は、後述するＴＣＰ型半導体装置１０の突出した樹脂体７（図６参照）が接触しないように設けられる逃げ用の窪みである。
【００２４】
トレー２０は、例えば、ポリフェニレンエーテル（ＰＦＥ）やポリカーボネート（ＰＣ）等の絶縁性樹脂で形成されている。特性的には表面抵抗値は１０6Ω以下であり、１２５℃の耐熱性を備えるものである。
【００２５】
本実施形態１のトレー２０では図１４に示す従来のトレー２０の場合に比べてより多くのＴＣＰ型半導体装置１０を収容することができる。これは収容するＴＣＰ型半導体装置の寸法の違いによっては変わるものであるが、例えば、トレーの外形寸法を従来と同じにした場合、図１４のトレー２０では２０個のＴＣＰ型半導体装置１０が収容できるとした場合、本実施形態１のトレー２０では３６個のＴＣＰ型半導体装置１０を収容することができ収容効率が格段に向上する。
【００２６】
ここでＴＣＰ型半導体装置１０について、図５乃至図７を参照しながら説明する。図５はＴＣＰ型半導体装置１０の模式的平面図、図６は模式的断面図、図７は図６の一部を拡大した模式的断面図である。
【００２７】
図５及び図６に示すように、ＴＣＰ型半導体装置１０は、可撓性の絶縁性フィルムからなるテープ５と、このテープ５の表面に形成されたリードパターン（複数のリード４）と、前記リード４に電極部分が電気的に接続された半導体チップ１と、前記半導体チップ１を含む部分を覆い半導体チップ１の回路形成面１Ｘを保護する樹脂体７とを有する構造となっている。前記樹脂体７の周囲からリード４の外端部分が突出延在し、外部電極端子を構成している。前記テープ５の両側には、縁に沿って一定間隔でガイド孔５Ａが設けられている。このガイド孔５Ａはスプロケットホールまたはパーフォレーション孔と呼称される孔である。
【００２８】
また、ＴＣＰ型半導体装置１０の製造に用いられるテープとしては、テープに張り付けた銅箔等の金属箔をエッチングしてリードを形成したものが使用されるが、テープ５にリード４を形成したテープはテープキャリア６とも呼称されている。なお、図５は単一のＴＣＰ型半導体装置１０を示すものである。従って、リードパターンは単位リードパターンになっている。テープ５としては、例えば厚さ３５μｍのポリイミド系樹脂フィルムが用いられ、金属箔としては、例えば厚さ３５μｍの銅箔が用いられている。
【００２９】
前記絶縁性テープ５の両側には、テープキャリア６を移動操作するために使用されるガイド孔５Ａが一定間隔に設けられている。また、絶縁性テープ５の両側には、製造工程において絶縁性テープ５を位置決めするために使用される位置決め孔５Ｂが設けられている。
【００３０】
前記半導体チップ１の平面形状は方形状で形成され、例えば８．４ｍｍ×１３．４ｍｍの長方形で形成されている。半導体チップ１には、記憶回路システムとして、例えば６４メガビットのＤＲＡＭ（ＤynamicＲandom Ａccess Ｍemory）が内蔵されている。
【００３１】
前記複数本のリード４のそれぞれは二つのリード群に分割されている。一方のリード群のリード４は半導体チップ１の互いに対向する二つの長辺のうちの一方の長辺に沿って配列され、他方のリード群のリード４は半導体チップ１の互いに対向する二つの長辺のうちの一方の長辺に沿って配列されている。複数本のリード４のそれぞれの一端側は絶縁性テープ５を介して半導体チップ１の回路形成面１Ｘ上を延在し、複数本のリード４のそれぞれの他端側は半導体チップ１の外周囲の外側に引き出されている。複数本のリード４のそれぞれの他端側は半導体チップ１の外側において絶縁性テープ５に設けられた長孔５Ｃを横切るようにして延在し、それぞれの他端側の先端部分は絶縁性テープ５に支持されている。
【００３２】
前記半導体チップ１の回路形成面１Ｘの中央部には電極１Ｃ（図６・図７参照）が形成されている。この電極１Ｃは、半導体チップ１の長辺方向に沿って複数個配列されている。
【００３３】
複数本のリード４のそれぞれの一端側の先端部分は、半導体チップ１の各電極１Ｃにバンプ３を介して電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ３としては、これに限定されないが、例えば半導体チップ１の電極１Ｃ上にボールボンディング法で形成したＡｕバンプが用いられている。複数本のリード４のそれぞれの一端側の先端部分と各電極１Ｃとの接続は熱圧着にて行なわれている。
【００３４】
前記半導体チップ１は、図７に示すように例えば単結晶シリコンから成る半導体基板１Ａと、この半導体基板１Ａの回路形成面上において絶縁層、配線層のそれぞれを複数段積み重ねた多層配線層１Ｂと、この多層配線層１Ｂを覆うようにして形成された表面保護膜１Ｄを主体とする構成になっている。表面保護膜１Ｄは、例えば、メモリにおける耐α線強度の向上を図ることができ、また、樹脂７との接着性の向上を図ることができるポリイミド系の樹脂で形成されている。
【００３５】
前記電極１Ｃは、半導体チップ１の多層配線層１Ｂのうちの最上層の配線層に形成され、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜又はアルミニウム合金膜等の金属膜で形成されている。前記バンプ３は、表面保護膜１Ｄに形成されたボンディング開口を通して電極１Ｃに接続されている。
【００３６】
前記樹脂体７は、例えばエポキシ系樹脂に有機溶剤が添加された熱硬化性樹脂を半導体チップ１の回路形成面１Ｘにポッテング法で塗布し、その後、熱処理を施して熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成される。即ち、樹脂体７はエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。樹脂体７の厚さは、半導体チップ１の電極１Ｃ上において例えば０．１〜０．２５ｍｍ程度になっている。
【００３７】
前記半導体チップ１の回路形成面１Ｘと対向する裏面１Ｙには、その裏面１Ｙを覆うようにして樹脂フィルム２が接着されている。このように、半導体チップ１の裏面１Ｙに、その裏面１Ｙを覆うようにして樹脂フィルム２を接着することにより、半導体チップ１の裏面１Ｙは樹脂フィルム２によって保護されるので、半導体チップ１の裏面１Ｙに傷が付くことはない。この結果、半導体チップ１の回路形成面１Ｘを覆う樹脂体７の硬化収縮によって半導体チップ１の回路形成面１Ｘに収縮力が作用し、半導体チップ１に反りが生じていても、傷を起点にして発生する半導体チップ１の亀裂を防止することができる。特に、ＴＣＰ型半導体装置１０の薄型化を図るために半導体基板１Ａの厚さを薄くした場合や、半導体チップ１の平面形状を長方形で形成した場合や、樹脂体７との接着性の向上を図るために表面保護膜１Ｄをポリイミド系の樹脂で形成した場合や、メモリの耐α線強度の向上を図るために表面保護膜１Ｄの厚さを厚くした場合においては半導体チップ１に反りが更に生じ易くなるので、半導体チップ１の裏面１Ｙに傷が付かないようにすることは重要である。前記樹脂フィルム２は例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。樹脂フィルム２をエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成することにより、エポキシ系の熱硬化性樹脂はシリコンとの接着性が高いので、樹脂フィルム２が剥がれ難くなる。
【００３８】
個片にされたＴＣＰ型半導体装置１０は、図１，図３及び図４に示すように、ＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５の所定のガイド孔５Ａがトレー２０のガイドピン２７に挿入されるようにしてトレー内底面２６上に載置される。ＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５に設けられた２列のガイド孔（スプロケットホール）５Ａのピッチや隣りの列との間の間隔に対して、所定の位置関係になるようにガイドピン２７が配置され、かつガイドピン２７は先端に向かうに従って徐々に細くなるテーパ構造になっていることから、このＴＣＰ型半導体装置１０のトレー内底面２６への載置操作によって、ＴＣＰ型半導体装置１０は所定の位置に確実に保持収容されることになる。
【００３９】
本実施形態１のトレー２０は、ＴＣＰ型半導体装置１０を直接トレー２０のガイドピン２７を利用して位置決め収容する構造であり、従来のように専用キャリアを使用しないため、収容のための面積が小さくなり、収容効率が向上する。即ち前述のように、ＴＣＰ型半導体装置１０の寸法の違いによっては変わるものであるが、例えば、従来とトレー２０の外形寸法を同じにした場合、図１４のトレー２０では２０個のＴＣＰ型半導体装置１０が収容できるとした場合、本実施形態１のトレー２０では３６個のＴＣＰ型半導体装置１０を収容することができ、収容効率が格段に向上する。
【００４０】
本実施形態１のトレー２０はＴＣＰ型半導体装置１０の下方に突出する樹脂体７部分が接触しないようにトレー内底面２６の所定箇所には逃げ窪み２８が設けられている。そして、ＴＣＰ型半導体装置１０のリード４の一部はテープ５を介してトレー内底面２６に支持される構造になっている。即ち、逃げ窪み２８の周囲のトレー内底面２６部分は、電気特性試験用の測定端子を当接させるリード部分をテープ部分を介して支持する部分（支持部分２９：図８参照）になる。この支持部分はテープ５に密着しリード４部分を支持することになる。また、トレー２０は前述のように、表面抵抗値は１０6Ω以下であり電気絶縁性が高い。さらに耐熱性も１２５℃と高い、従って図８に示すように、前記リード４に電気特性試験用の測定端子３０、例えばプローブを当接（接触）させてＴＣＰ型半導体装置１０の電気特性を測定することができる。従って、本実施形態１のトレー２０はバーンインテスト等の電気特性試験において使用することができる。
【００４１】
本実施形態１のトレー２０によれば以下の効果を奏する。
【００４２】
（１）トレー２０に設けたガイドピン２７にＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５に設けたガイド孔５Ａを挿入するようにしてＴＣＰ型半導体装置１０をトレー２０に収容する構造であることから、従来のように専用キャリアを使用しないため、収容のための面積が小さくなり、収容効率が向上する。
【００４３】
（２）本実施形態１のトレー２０は、従来品に比較してより多くのＴＣＰ型半導体装置１０を収容することができるので、搬送効率や保管効率が向上する。
【００４４】
（３）本実施形態１のトレー２０は、電気特性試験装置のローディング箇所により多くのＴＣＰ型半導体装置を設定することができるとともに、アンローディング箇所ではより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容できるトレーを設定することができる。
【００４５】
（４）本実施形態１のトレー２０においては、電気特性試験用の測定端子が当接される箇所のリード４部分を支持するテープ５部分を密着状態で支持する支持部分２９を有することから、測定端子３０をリード４に当接した際、リード４はテープ５を介して支持部分２９に支持されるため、変形することもなく損傷を免れることになり、品質低下を起こさなくなる。
【００４６】
（実施形態２）
図９は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるトレーの模式的斜視図、図１０は一部にＴＣＰ型半導体装置を収容したトレーの平面図、図１１はＴＣＰ型半導体装置の特性検査状態を示す一部の模式的断面図である。
【００４７】
本実施形態２のトレー２０は前記実施形態１のトレー２０において、逃げ窪み２８を設けない構造である。即ち、本実施形態２のトレー２０は図１１に示すように、ＴＣＰ型半導体装置１０がテープ５の一面側にしか突出しない構造であり、ＴＣＰ型半導体装置１０の他の面は平坦になっている。このようなＴＣＰ型半導体装置１０を収容するトレー２０は、図９及び図１１に示すように、トレー２０のトレー内底面２６は平坦のままでよく、製造コストが安価になる特長がある。本実施形態２のトレー２０においても、図１１に示すように、トレーの状態で収容したＴＣＰ型半導体装置１０の電気特性試験が行える。リード４はテープ５を介して支持部分２９に支持されることになり、測定端子３０のリード４への当接によってリード４が折れたりすることなくリード４の損傷を防止できる。
【００４８】
（実施形態３）
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるトレーの模式的斜視図である。本実施形態３のトレー２０は、ガイドピン列の中央に沿って逃げ窪み２８を設けた構造である。この構造ではリード４の延在方向はガイドピン列と直交する方向になり、電気特性試験装における測定端子のリードに対する当接時、当接箇所のリードはテープを介して逃げ窪み２８の外側のトレー内底面２６に支持されることから、リードの損傷がなく電気特性試験が行えることになる。
【００４９】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００５１】
（１）従来のように専用キャリアを使用せず、トレーに設けたガイドピンでＴＣＰ型半導体装置を直接支持収容する構造であることから収容効率が高くなる。
（２）従って、搬送効率や保管効率が向上する。
【００５２】
（３）また、１台のトレーにより、電気特性試験装置のローディング箇所により多くのＴＣＰ型半導体装置を設定することができるとともに、アンローディング箇所ではより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容できることができる。
【００５３】
（４）トレーに収容したＴＣＰ型半導体装置に対してリードを損傷させることなく電気特性試験用の測定端子を当接することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）であるトレーとトレーに収容されるＴＣＰ型半導体装置を示す模式的平面図である。
【図２】本実施形態１のトレーの斜視図である。
【図３】一部にＴＣＰ型半導体装置を収容した本実施形態１のトレーを示す模式的平面図である。
【図４】本実施形態１のトレーにＴＣＰ型半導体装置を載置収容する状態を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図５】本実施形態１のトレーに収容するＴＣＰ型半導体装置の拡大平面図である。
【図６】前記ＴＣＰ型半導体装置の一部を示す断面図である。
【図７】前記断面図の一部の拡大断面図である。
【図８】本実施形態１のトレーにおいてＴＣＰ型半導体装置の特性検査状態を示す一部の模式的断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態（実施形態２）であるトレーの模式的斜視図である。
【図１０】一部にＴＣＰ型半導体装置を収容した本実施形態２のトレーの平面図である。
【図１１】本実施形態２のトレーにおいてＴＣＰ型半導体装置の特性検査状態を示す一部の模式的断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態（実施形態３）であるトレーの模式的斜視図である。
【図１３】従来のトレーを示す斜視図である。
【図１４】従来のトレーにＴＣＰ型半導体装置を収容する状態を示す模式図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、１Ａ…半導体基板、１Ｃ…電極、２…樹脂フィルム、３…バンプ、４…リード、５…テープ、５Ａ…ガイド孔（スプロケットホール）、６…テープキャリア、７…樹脂体、１０…ＴＣＰ型半導体装置、１５…キャリア（専用キャリア）、２０…トレー、２１…収容窪み、２５…ガイド突条、２６…トレー内底面、２７…ガイドピン、２８…逃げ窪み、２９…支持部分、３０…測定端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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