(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室と、
前記真空処理室内に設けられた両面型の製膜ユニットと、
前記製膜ユニットの両側にそれぞれ平板状のヒータカバーを介して配置されたヒータユニットと、
前記ヒータカバーを前記ヒータユニットから前記製膜ユニットまでの間で移動させるヒータカバー移動手段と、
前記真空処理室に基板を搬送する搬送台車と、
を具備し、
前記搬送台車は、前記搬送台車上で基板を製膜面が上を向くように斜めに立て掛け支持し、前記ヒータカバーに基板を製膜面が斜め上を向いた状態で受け渡す基板保持機構を備え、
前記ヒータカバーは、前記搬送台車から受け取った基板を製膜面が上を向くように鉛直軸に対して傾けて保持し、
前記ヒータカバーは、基板が滑り落ちるのを防ぐように設けられた支持突起を備える
トレイレス斜め基板搬送装置。
【請求項２】
前記製膜ユニットが備える電極により、前記電極と前記ヒータカバーに保持された基板との間にプラズマ放電が可能な
請求項１のトレイレス斜め基板搬送装置。
【請求項３】
前記製膜ユニットはポジショナーを備え、
前記ヒータカバー移動手段は、前記ヒータカバーに保持された基板の周縁部を前記ポジショナーに押しつける
請求項１又は２のトレイレス斜め基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の搬送台車を用いて真空処理室に基板をそれぞれ搬送して処理するトレイレス斜め基板搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、ドライエッチング等のプラズマ処理を施すための真空処理システム内において、ガラス基板を真空処理室に対して出し入れする際に基板をトレイ（ホルダ）に固定し、トレイとともに基板を搬送する方法としてトレイ斜め搬送方式が採用されている。しかし、トレイ搬送方式は基板をトレイに固定したり取り外したりするのに時間と労力を要したり、トレイに不純物が吸着し易いという問題点があるので、これに代わるものとしてトレイレス斜め搬送台車方式が開発されている。
【０００３】
トレイレス斜め搬送台車方式は、例えば特開平７−１２６８４８号公報（特願平５−２７９４９７号の明細書図面）および特願平１０−３５１３５４号の明細書図面にそれぞれ開示されているように、複数（通常は２枚）のガラス基板を支持する支持機構を備えた搬送台車で支持し、製膜室のヒータまで搬送し、ポジショナーにより基板をヒータ面（実際はヒータ表面に取り付けたヒータカバー面）に押付け、搬送台車は製膜室から退出させる。
【０００４】
図９に示すように、従来の装置では、自走式の搬送台車１０６がレール１０８に沿って製膜室１００に向けて基板Ｇを搬送するようになっている。搬送台車１０６は本体１６１上に基板Ｇを斜めに支持するための支持アーム１６２を備えている。この支持アーム１６２に基板Ｇを持たせ掛け、搬送中の基板Ｇが安定するので、特に大型の基板Ｇを搬送するのに有利である。製膜室１００の中央には基板Ｇを加熱するためのヒータユニット１７２が設けられ、このヒータユニット１７２の両面とそれぞれ対面するように製膜ユニット１７０が配置されている。ヒータユニット１７２は両面発熱型のヒータエレメエント（図示せず）とこれに固定されたヒータカバー１７３とを備えている。基板Ｇはポジショナー１３７により周縁部がヒータカバー１７３に押し付けられる。また、各製膜ユニット１７０は直進導入器１３５により基板Ｇに近接されるようになっている。
【０００５】
図１０に示すように、製膜ユニット１７０の内部にはプラズマＣＶＤ製膜を実行するための要素として電極１７３、ガス供給機構１７４、防着板１７５が順次設けられている。これらの各要素１７３，１７４，１７５は製膜ユニット枠１７１にそれぞれ固定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の装置においては、さらに基板が大型化すると、基板の周縁部のみをポジショナー１３７でヒータユニット１７２に押し付けただけでは基板Ｇの中央部とヒータカバー１７３との相互接触が不十分になり、基板Ｇの温度分布およびバイアス分布を生じて、膜厚および膜質の均一性が損なわれやすい。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであって、温度分布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製膜処理をすることができるトレイレス斜め基板搬送装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るトレイレス斜め基板搬送装置は、基板を減圧下で処理する真空処理室と、この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送台車と、この搬送台車上で基板を斜めに立て掛け支持する基板保持機構と、前記真空処理室に設けられた両面型の製膜ユニットと、この製膜ユニットの両側にそれぞれ配置され、それぞれが前記製膜ユニットに対して可動である該ヒータ発熱面を覆うヒータカバーを有する一対のヒータユニットと、前記ヒータ発熱面と平面での平行関係を保ちながら前記ヒータカバーを前記ヒータ発熱面に実質的に直交する方向に移動させ、前記ヒータカバーを基板に密着させるヒータカバー移動手段と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
さらに、上記製膜ユニットは、基板に押し付けられるポジショナーを有することが好ましい。
【００１０】
上記ヒータカバーは、垂直軸に対して７〜１２°傾けて基板に密着することが好ましい。
【００１１】
上記ヒータカバーが密着した基板は製膜予定面が上向きであってもよいし、下向きであってもよい。
【００１２】
なお、基板保持機構は、垂直軸に対して７°〜１２°傾けて基板を支持することが好ましく、基板を約１０°傾けて支持することが最も好ましい。基板の傾斜角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板が不安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角θ１の下限値は７°とする。一方、基板の傾斜角θ１が１２°を上回ると、ゲート弁開口幅が広くなったり、搬送スペースや製膜ユニット内の無駄スペースが大きくなり処理室内のデッドスペースが増加して真空ポンプに過大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の上限値は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大や真空ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、傾斜角θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とすることも可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
【００１４】
図１に示すように、トレイレス斜め基板搬送装置１は、真空処理室１０と、この真空処理室１０の前後に設けられた搬送部４，２４と、この搬送部４，２４の両側に設けられたローラテーブル２，２２とを備えている。一般には搬送部４と真空処理室１０との間にロードロック室（図示せず）を、また真空処理室１０の後流側にはアンロード室（図示せず）を設けて、真空処理室１０を大気圧に戻すことなく、基板Ｇを基板搬送台車６Ａ，６Ｂとともに搬入するシステムとすることがあるが、ここでは簡便のためにロードロック室とアンロード室を除いた構成にて実施形態を説明する。
【００１５】
第１の搬送部４は、真空処理室１０の上流側（前方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０に基板Ｇを１枚ずつ搬送する２台の搬送台車６Ａ，６Ｂを備えている。この搬送部４には真空処理室１０に向けてＹ軸方向に延び出す２本のリニアガイドレール８Ａ，８Ｂが敷設されている。一方のレール８Ａ上には第１の搬送台車６Ａが走行可能に設けられ、他方のレール８Ｂ上には第２の搬送台車６Ｂが走行可能に設けられている。各レール８Ａ，８Ｂの延長線上に真空処理室１０内の各レール１８Ａ，１８Ｂがそれぞれ設けられている。
【００１６】
左右一対のローラテーブル２が第１の搬送部４を間に挟むように設けられている。各ローラテーブル２上には複数の送りローラ３がそれぞれ並べられ、この上に水平に載置されたガラス基板Ｇがレール８Ａ，８Ｂと平行に送られるようになって、本実施形態では基板搬入器として機能する。
【００１７】
第２の搬送部２４は、真空処理室１０の下流側（後方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０から基板Ｇを１枚ずつ搬出する２台の搬送台車６Ｃ，６Ｄを備えている。この第２の搬送部２４は、実質的に第１の搬送部４と同じであり、Ｙ軸方向に延び出す２本のリニアガイドレール２８Ａ，２８Ｂと第３及び第４の搬送台車６Ｃ，６Ｄとを備えている。一方のレール２８Ａ上には第３の搬送台車６Ｃが走行可能に設けられ、他方のレール２８Ｂ上には第４の搬送台車６Ｄが走行可能に設けられている。各レール２８Ａ，２８Ｂは真空処理室１０内の各レール１８Ａ，１８Ｂの延長線上にそれぞれ設けられている。
【００１８】
左右一対のローラテーブル２２が第２の搬送部２４を間に挟むように設けられている。これらのローラテーブル２２は実質的に上記のローラテーブル２と同じであり、本実施形態では基板搬入器として機能する。
【００１９】
真空処理室１０の前面には左右一対の搬入出口１２Ａ，１２Ｂが形成され、右方の搬入出口１２Ａはシリンダ１４Ａ及びゲート１６Ａを備えたゲート弁機構により開閉され、左方の搬入出口１２Ｂはシリンダ１４Ｂ及びゲート１６Ｂを備えたゲート弁機構により開閉されるようになっている。同様に、真空処理室１０の後面にも左右一対の搬入出口１２Ｃ，１２Ｄが形成され、右方の搬入出口１２Ｃはシリンダ１４Ｃ及びゲート１６Ｃを備えたゲート弁機構により開閉され、左方の搬入出口１２Ｄはシリンダ１４Ｄ及びゲート１６Ｄを備えたゲート弁機構により開閉されるようになっている。
【００２０】
各搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは縦長の平行四辺形状をなし、各ゲート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄよりも若干大きい縦長の平行四辺形状をなしている。各ゲート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは各シリンダ１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄのピストンロッド１４ａにそれぞれ連結され、基台１１上に形成されたガイド溝に沿ってそれぞれが水平にスライドするようになっている。搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、搬送台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄに支持された基板Ｇがそれぞれ通過できるぎりぎりの大きさに開口形成されている。
【００２１】
図２に示すように、搬送部の各レール８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの回転機構の例を示す。すなわち、レール回動機構９により長手軸まわりに回動自在に支持されている。レール回動機構の回転軸９ａは、一端が各レール８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの端部にそれぞれ連結固定され、他端が軸受９ａにより支持されている。回転軸９の適所に回り止め付きの固定リング９ｃが取り付けられている。固定リング９ｃの外周にはレバー９ｄが連結されており、レバー９ｄを回すと、これに伴い固定リング９ｃ及び回転軸９ａと共にレール８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂが回動するようになっている。
【００２２】
レバー９ｄは図示しない油圧駆動装置により駆動される揺動機構（図示せず）に連結され、そのストローク角はおよそ８０°である。レバー９ｄが定位置にあるときは、図１に示す第２及び第４の搬送台車６Ｂ，６Ｄのように台車上の基板Ｇはほぼ直立する。このとき基板Ｇは垂直軸に対して７°〜１２°傾斜した状態で搬送台車６Ｂ，６Ｄにそれぞれ保持され、搬送可能な状態となる。一方、レバー９ｄが定位置から約８０°回された位置にあるときは、図１に示す第１及び第３の搬送台車６Ａ，６Ｃのように台車上の基板Ｇはほぼ水平になる。このとき基板Ｇはローラテーブル２から搬送台車６Ａ上に積み込み可能な状態となるか、又は搬送台車６Ｃからローラテーブル２２上に積み下ろし可能な状態となる。なお、ガラス基板Ｇの大きさは例えば１ｍ角である。例えば板厚４ｍｍで１ｍ角サイズのガラス基板Ｇは、重量が１０ｋｇｆを上回り、かなりな重量物となるため、基板搬送台車へ基板Ｇをセットするにあたり、従来の如く吸着パッド基板保持機構のあるハンドを持つ多軸ロボットにより対応は難しく、本発明に係る使用が望ましい。
【００２３】
次に、図３及び図４を参照しながら搬送台車の基板保持機構について説明する。なお、４つの搬送台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄの構成は実質的に同じであるので、これらを代表して第１の搬送台車６Ａについて述べる。
【００２４】
搬送台車６Ａは、台車本体６１と、２本のアーム６２と、一対の支持カム６３と、間欠回転駆動機構６５と、一対の保持部材６６と、一対のストッパ６８とを備えている。台車本体６１は図示しない進退駆動機構によりレール８Ａに噛み込み連結されており、保持した基板Ｇが水平姿勢となる約８０°回動した場合であっても台車本体６１はレール８Ａから外れないようになっている。
【００２５】
２本のアーム６２は台車本体６１の長手直交軸に対して約１０°傾斜するように台車本体６１の上に直立して設けられている。アーム６２の相互間隔は基板Ｇの長辺より少し大きく、これら２本のアーム６２の間に基板Ｇがもたせ掛けられるようになっている。アーム６２は基板Ｇの重量に耐えられるように台車本体６１に強固に締結されている。アーム６２と台車本体６１は例えばステンレス鋼のような高強度で強靭な金属材料でつくられている。
【００２６】
各アーム６２の上部には保持部材６６および揺動軸６７が取り付けられ、各アーム６２の下部には支持カム６３および間欠回転駆動機構６５が取り付けられている。上部保持部材６６は揺動軸６７まわりに揺動可能に支持され、基板Ｇ
支持カム６３は基板Ｇの下部を支持し、回転軸６４により間欠回転駆動機構６５に連結されている。支持カム６３は上面に凹所６３ａを有する厚みのある板カムである。
【００２７】
間欠回転駆動機構６５は、例えばゼネバストップのような機構からなり、支持カム６３を軸６４まわりに所望角度だけ間欠的に回転させうるようになっている。支持カム６３は、基板Ｇを保持搬送するときは図４の（ａ）に示すように凹所６３ａで基板Ｇの下端に接触しているが、基板Ｇを真空処理室内のヒータカバー７３に受け渡すときは図４の（ｂ）に示すように凹所６３ａから基板Ｇの下端が外れるように軸６４まわりに回転される。基板Ｇは受け渡し前後で落差ｈを生じるので、ヒータカバー７３は支持突起７３ａが基板Ｇの下端より少し下方に位置するように台車６Ａに接近するようになっている。
【００２８】
なお、ストッパ６８は基板Ｇの側端部に当接するようにアーム６２の適所に取り付けられ、これにより搬送中の基板Ｇが進行方向（Ｙ軸方向）に位置ずれするのを防止するようになっている。
【００２９】
次に、図５及び図６を参照しながら真空処理室１０について説明する。
【００３０】
真空処理室１０の中央には製膜ユニット７１が設置されている。製膜ユニット７１はプラズマＣＶＤ製膜に必要な機器要素７１ａ〜７１ｄを２組ずつ備えるものであり、このユニット７１の両面にヒータカバー７３を介してヒータユニット７２が対面配置されている。
【００３１】
ヒータユニット７２は片面発熱型の面状ヒータエレメントからなり、図示しない上部または背面支持機構により吊り下げられている。ヒータカバー７３はヒータユニット７２の発熱面を保護するためのものであり、４つのボールスクリュウ機構によりヒータユニット７２に対して可動に支持されている。ボールスクリュウ機構は、ナット７４、ステッピングモータ７５、スクリュウ７６を具備し、ヒータユニット７２（固定）から製膜ユニット７１（固定）までの間でヒータカバー７３を移動させるための機構である。ナット７４はヒータカバー７３の四隅近傍にそれぞれ取り付けられ、モータ７５で回転駆動されるスクリュウ７６に螺合されている。本実施形態ではボールスクリュウ機構によるヒータカバー７３の移動量は最大７０ｍｍである。ちなみに、基板Ｇと電極７１ｂとの相互間距離は例えば３５〜５０ｍｍに設定されている。プラズマは基板Ｇと電極７１ｂとで挟まれた狭い領域に生成されるようになっている。
【００３２】
製膜ユニット７１は、図６及び図７に示すように、ポジショナー７１ａと、ガス供給機能付きラダー電極７１ｂと、製膜ユニットカバー７１ｃと、製膜ユニット温度制御ヒータ７１ｄと、排気通路７１ｅとを備えている。ポジショナー７１ａは製膜ユニット７１を取り囲む周囲枠の一部を利用したものである。電極７１ｂには図示しない高周波電源およびガス供給源がそれぞれ接続されている。高周波電源は所定周波数の高周波を電極７１ｂに印可し、電極７１ａと基板Ｇとの間にプラズマを生じさせるようになっている。ガス供給源（図示せず）には反応性ガスとして例えばシランを主成分とするプロセスガスが収容されている。製膜ユニットカバー７１ｃは電極７１ｂの背後を覆うように配置されている。
【００３３】
製膜ユニット温度制御ヒータ７１ｂは製膜ユニット７１の中央に設けられている。ヒータ７１ｄの電源は図示しないコントローラに接続され、製膜ユニット７１をＣＶＤ製膜に適した温度にするように給電制御される。排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の中央上部に連通し、製膜ユニット７１の内部を排気するようになっている。
【００３４】
図７に示すように、左右のヒータユニット７２は製膜室扉開閉移動機構８０によってＸ軸方向に移動可能にそれぞれ支持されている。製膜室扉開閉移動機構８０にてレール８１に沿って走行させ、ヒータユニット７２を真空処理室１０に押し付け、外装扉８６で真空処理室１０の側面開口を塞ぐと、処理室１０の内部は半分が気密になる。この気密な空間を排気通路７１ｅを介して真空ポンプ（図示せず）で排気し、製膜ガスを供給し、電極７１ｂに高周波を印可すると電極７１ｂと基板Ｇとの間にプラズマが生成されるようになっている。
【００３５】
基板保持機構としてのヒータカバー７３は支持突起７３ａを備えており、搬送台車６Ａ，６Ｂから受け渡された基板Ｇが支持突起７３ａによりヒータカバー７３から滑り落ちるのを防ぐようになっている。このようなヒータカバー７３は垂直軸に対して７°〜１２°傾けて基板Ｇを支持することが好ましく、基板Ｇを約１０°傾けて支持することが最も好ましい。基板Ｇの傾斜角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板Ｇが不安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角θ１の下限値は７°とする。一方、基板Ｇの傾斜角θ１が１２°を上回ると、搬送スペースやヒータスペースが大きくなり処理室内のデッドスペースが増加して真空ポンプに過大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の上限値は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大や真空ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、傾斜角θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とすることも可能である。
【００３６】
次に、上記のトレイレス斜め基板搬送装置を用いて基板Ｇを真空処理室に搬送し、製膜処理する場合について概略説明する。
【００３７】
製膜予定面を上向きにしてガラス基板Ｇがローダ部としてのローラテーブル２上を搬送されてくると、図示しないセンサが基板Ｇを検知し、この検知信号に基づき送りローラ３が停止され、基板Ｇが所定の受け渡し位置で停止する。シリンダ１４Ａが駆動してゲート１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを開けて、この受け渡し位置には搬送台車６Ａが待機しており、基板Ｇは２本のアーム６１の真上に位置することになる。
【００３８】
次いで、支持カム６３および保持部材６６により基板Ｇをアーム６１に保持する。基板Ｇの保持動作が完了すると、レール回動機構９により搬送台車６Ａとともに基板Ｇを直立させる。そして、真空処理室１０に向けて搬送台車６Ａを走行させる。
【００３９】
次いで、ボールスクリュウ機構によりヒータカバー７３を台車６Ａ上の基板Ｇに前進近接させるとともに、支持カム６３および保持部材６６のそれぞれを揺動回転させ、台車のアーム６１から基板Ｇを解放し、ヒータカバー７３の支持突起７３ａの上に基板Ｇを移載する。
【００４０】
基板Ｇの受け渡し動作が完了すると、搬送台車６Ａは移動してレール８Ａからレール１８Ａの上に乗り移り、この台車の乗り移りが完了したことをセンサ（図示せず）で検知すると、シリンダ１４Ａが駆動してゲート１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを閉じる。次に、ヒータカバー７３を製膜ユニット７１に向けて前進させ、基板Ｇの周縁部を全周にわたりポジショナー７１ａに押し付ける。これにより基板Ｇとヒータカバー７３との密着度が良好になり、基板Ｇの温度分布が改善されるとともにバイアス電圧分布も改善され、膜厚および膜質の均一性が向上する。
【００４１】
製膜ユニット７１の内部を排気しながらプロセスガスを供給するとともに、電極７１ｂに高周波を印可して電極７１ｂと基板Ｇとの間に高周波プラズマを生成する。これにより基板Ｇの表面に所望の膜が製膜される。
【００４２】
製膜処理が完了すると、シリンダ１４Ｃによりゲート１６Ｃを移動させ搬入出口１２Ｃを開け、搬送台車６Ｃを真空処理室内に搬入し、上記と逆の動作をすることにより基板Ｇをヒータカバー７３から搬送台車６Ｃに受け渡す。搬送台車６Ｃは真空処理室１０を退出し、上記と逆の動作をすることによって基板Ｇをローラテーブル２２に移載する。そして、基板Ｇはアンローダ部としてのローラテーブル２２により次工程へ搬出される。
【００４３】
次に、図８を参照しながら本発明に包含されない参考例に係る装置について説明する。なお、本参考例が上記の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００４４】
本参考例に係る装置では製膜室中央の両面型製膜ユニット７１を上下逆転させた形状としている。すなわち、製膜ユニット７１は上部よりも下部が大きくなっており、排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の最下部に設けられている。このような製膜ユニット７１の形状に応じてヒータユニット７２の形状も変えてある。すなわち、ヒータユニット７２は上部が前傾するような姿勢で扉開閉移動機構８０に支持されている。なお、製膜ユニット７１およびヒータユニット７２の傾斜角θ１は７〜１２°に設定されている。
【００４５】
本参考例に係る装置では搬送台車６Ｅとの基板Ｇの受け渡しは製膜ユニット７２との間でなされる。すなわち、製膜ユニット７２のポジショナー７１ａの下部に支持突起７１ｆが設けられ、この支持突起７１ｆにより基板Ｇの滑り落ちが防止されるようになっている。このようにポジショナー７１ａにより保持された基板Ｇにヒータカバー７３を押し付け、両者の密着性を向上させて基板温度分布およびバイアス電圧分布を低減している。
【００４６】
本参考例に係る装置によれば、基板Ｇの製膜面が下向きとなるため、製膜中に製膜ユニット内で生成された粉や剥離膜が製膜面上に滑り落ちることを抑制でき、製膜品質が向上する。特に、板厚の厚い基板や小型の基板に適している。
【００４７】
なお、上記実施形態では１ｍ角サイズの基板を支持し搬送する場合について説明したが、本発明はこれのみに限られることなく更に大型の基板、例えば１．２ｍ角〜１．５ｍ角サイズの大型基板を保持し搬送することも可能である。
【００４８】
また、図８の参考例では製膜予定面を下向きにして基板をローダ／アンローダ部に搬入搬出することになる。
【００４９】
上記実施形態として説明した搬送形態をもち、真空処理室を複数個並列に構成した実施形態によれば、基板を各処理室に対して次々に搬送し、複数の基板を同時並行処理することができるので、ある１つの処理室にトラブルが生じた場合であっても他の処理室には直接の影響が及ばず、システム全体を停止する必要がない。また、ある１つの処理室をメンテナンスする必要が生じた場合であっても他の処理室には直接の影響が及ばず、システム全体を停止する必要がない。このため、設備稼働率が従来に比べて格段に高まる。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、基板とヒータカバーとの密着性が良好になるので、温度分布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製膜処理をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るトレイレス斜め基板搬送装置を示す全体斜視図。
【図２】搬送台車用レールの回動機構を示す斜視図。
【図３】基板を保持した搬送台車を示す斜視図。
【図４】（ａ）は搬送時の基板の支持状態を説明するために搬送台車の一部を拡大して示す部分拡大図、（ｂ）は移載時の基板の支持状態を説明するために搬送台車およびヒータカバーの一部を拡大して示す部分拡大図。
【図５】製膜室の内部を透視して示す分解斜視図。
【図６】製膜室内の製膜ユニットおよびヒータユニットの一部を切り欠いて内部を示す分解斜視図。
【図７】製膜室の内部を示す縦断面図。
【図８】本発明に包含されない参考例に係る装置における製膜室の内部を示す縦断面図。
【図９】従来の基板搬送装置の概要を示す斜視図。
【図１０】従来の製膜ユニットおよびヒータを示す内部透視斜視図。
【符号の説明】
１…トレイレス斜め基板搬送装置、
２，２２…ローラテーブル（ローダ／アンローダ部）、
４，４４…搬送部、
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ…搬送台車、
６１…台車本体、
６２…アーム、
６３…支持カム、
６４…回転軸、
６５…間欠回転駆動機構、
６６…保持部材、
６７…揺動軸、
６８…ストッパ、
８Ａ，８Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂ…リニアガイドレール、
９…レール回動機構、
１０…真空処理室（製膜室）、
１２Ａ，１２Ｂ…基板搬入出口、
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ…ゲート弁駆動用シリンダ、
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ…ゲート、
７１…製膜ユニット、
７１ａ…ポジショナー（周囲外枠）、
７１ｂ…ガス供給機能付ラダー電極、
７１ｃ…製膜ユニットカバー、
７１ｄ…製膜ユニット温度制御ヒータ、
７１ｅ…排気通路、
７１ｆ…支持突起、
７２…ヒータユニット、７３…ヒータカバー、７３ａ…支持突起、
７４…ナット、７５…モータ、７６…スクリュウ、
８０…製膜室扉開閉移動機構、
Ｇ…基板。
【図１】
0003842935.tif 000002
【図２】
0003842935.tif 000003
【図３】
0003842935.tif 000004
【図４】
0003842935.tif 000005
【図５】
0003842935.tif 000006
【図６】
0003842935.tif 000007
【図７】
0003842935.tif 000008
【図８】
0003842935.tif 000009
【図９】
0003842935.tif 000010
【図１０】
0003842935.tif 000011