(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源と、
前記高周波電源に接続された整合器と、
前記整合器と反応室内の高周波印加電極との間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段を備え、
前記検出手段は、ウェハが設置される高周波印加電極に接続され、
前記検出手段は、主線路と、前記主線路とカップリングした副線路とを有し、
前記副線路に誘起した誘導電流を測定することで前記主線路に流れる電流を測定することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記検出手段からの信号を解析する第１の制御手段を備えたことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
反応室内のプラズマ発生を制御する第２の制御手段と前記第１の制御手段とを接続し、前記プラズマ発生と同期して経時的に電流および電圧およびその位相差を検出することを特徴とする請求項２記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記第１の制御手段では、フーリエ変換を用いて電流および電圧および位相差の高調波成分を計算することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記第１の制御手段では、フーリエ変換を用いてインピーダンスおよびその高調波成分を計算することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記検出手段で検出した電流および電圧から電子密度を算出する演算手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
反応室内の下部電極上に被エッチング対象の半導体基板を載置する工程と、
前記反応室の圧力を制御し、上部電極と前記下部電極からなる高周波印加電極の間に高周波電源によりプラズマを発生させる工程と、
前記半導体基板を載置した前記下部電極に印加される電流および電圧およびその位相差を前記下部電極に接続した検出手段で検出する工程とを備え、
前記検出手段は、ウェハが設置される高周波印加電極に接続され、
前記検出手段は、主線路と、前記主線路とカップリングした副線路とを有し、
前記副線路に誘起した誘導電流を測定することで前記主線路に流れる電流を測定すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波電源を有するプラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの集積度の向上には目覚しいものがある。しかしながら、集積度の向上に伴って半導体デバイスの製造におけるプロセスマージンは狭くなっている。半導体デバイスは、非常に多くの製造工程と製造装置によって作られる。そのため、製造装置間の差および製造装置の機器差によって半導体デバイスの歩留りが変動することが大きな課題となっている。
【０００３】
図１３は、従来のプラズマエッチング装置を示す概略図である。図１３において、反応室１の内部に上部電極２および下部電極３を備え、下部電極３上に半導体基板であるウェーハ４が載置されている。プロセスガスは流量計（図示せず）を介して反応室１の内部に導入される。反応室１の内部のガス圧力を圧力ゲージ５で測定し、排気ポンプ６と反応室１の間に取り付けられた圧力調整バルブ７により、反応室１が所定圧力になるように制御装置８で制御する。
【０００４】
その後に高周波電源９から上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を印加し、プラズマを生成する。高周波電力は整合器１０によってマッチングをとって上部電極２と下部電極３からなる高周波印加電極に供給するが、ウェーハ４に到達するプラズマの反射波をできるだけ少なくする、言い換えれば最大の電力を供給できるように整合器１０のインピーダンスを変化させる。これら一連の作業は制御装置８によって行われる。
【０００５】
高周波電力は整合器１０と高周波電源９の間にパワーセンサー１１を挿入して測定され、パワーメータ１２で確認できるが、整合器１０と高周波電源９の間で測定されるため、高周波電力の整合器１０における損失分は考慮されない。従って、下部電極３から入った正味の電力量は測定できない。また、このような電力測定は立ち上げ時のみの非定期的な測定であり、プロセス変動、パーツ交換やメンテナンスにより生じる設備変動に伴う高周波電力の変動を検出できるものではない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマエッチング装置では、反応室１のインピーダンスが変化してもその変化に追従するように整合器１０のインピーダンスを制御装置８が供給高周波電力が最大になるように自動的に調整するため、プロセスの変動や装置間差を検出できず、半導体デバイスの製造歩留りが変動するという問題があった。
【０００７】
本発明は、この課題を解決し、反応室１のインピーダンスが変化した場合にも半導体デバイスにかかるインピーダンスを直接測定、解析し、調整することにより半導体デバイスの製造歩留りが変動しないようにするプラズマエッチング装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法、さらにプラズマエッチング装置のモニター方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマエッチング装置は、高周波電源と、前記高周波電源に接続された整合器と、前記整合器と反応室内の高周波印加電極との間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段を備えたことを特徴とする。
【０００９】
整合器と反応室内の高周波印加電極との間に検出手段を備えることにより、反応室１のインピーダンスの変化に伴う高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を検出できる。
【００１０】
また、本発明のプラズマエッチング装置は、さらに検出手段からの信号を解析する第１の制御手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
第１の制御手段で検出手段からの信号を解析することにより、高周波印加電極に印加されるインピーダンスの調整が可能となる。
【００１２】
また、本発明のプラズマエッチング装置は、反応室内のプラズマ発生を制御する第２の制御手段と第１の制御手段とを接続し、前記プラズマ発生と同期して経時的に電流および電圧およびその位相差を検出することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のプラズマエッチング装置は、フーリエ変換を用いてインピーダンスおよびその高調波成分を計算することを特徴とする。
【００１４】
これらにより、高調波成分の影響を除き、供給高周波電力が最大になるように自動的に調整することができる。
【００１５】
また、本発明のプラズマエッチング装置は、検出手段で検出した電流および電圧から電子密度を算出する演算手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
これにより、プラズマエッチング装置の電子密度が管理可能になり、調整が可能となる。
【００１７】
本発明のプラズマエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法は、反応室内の下部電極上に被エッチング対象の半導体基板を載置する工程と、前記反応室の圧力を制御し、上部電極と前記下部電極からなる高周波印加電極の間に高周波電源によりプラズマを発生させる工程と、前記半導体基板を載置した前記下部電極に印加される電流および電圧およびその位相差を前記下部電極に接続した検出手段で検出する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
上記製造方法によれば、直接半導体基板を載置した下部電極での供給高周波電力を見ているので、プロセスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を最大に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造歩留りの変動を防止できる。
【００１９】
また、本発明のプラズマエッチング装置のモニター方法は、反応室内のプラズマ発生と同期して、高周波電源に接続された整合器と反応室内の高周波印加電極との間に接続された検出手段により前記高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を経時的に検出し、エッチング特性の変化を調べることを特徴とする。
【００２０】
この構成により、プラズマ発生と同期して、直接高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニターできるため、反応室内のプラズマ状態および供給高周波電力を調整できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図である。図１３に示すプラズマエッチング装置の概略図と同一構成については、同じ番号で示し、詳細の構成は省略する。本発明のプラズマエッチング装置においては、反応室１内の上部電極２と下部電極３からなる高周波印加電極における下部電極３と高周波電力の整合器２０との間に電流電圧位相差センサー２１を取り付けることで、整合器２０でのロスを含むことなく、実際にプラズマエッチング装置に投入した電流および電圧およびその位相差を検出手段である電流電圧位相差センサー２１により直接測定でき、電流電圧位相差メーター２２で確認できる。これにより、プラズマエッチング装置に投入した電力量を検出できる。
【００２２】
さらに、この電流電圧位相差センサー２１は、主線路とカップリングした副線路を有しており（図示せず）、この副線路に誘起した誘導電流を測定することで主線路に流れる電流を測定するものである。つまり、主線路に流れる電流を直接測定せず、副線路に誘起した誘導電流を測定する構成であるため、電流電圧位相差センサー２１での損失を考えなくてもよい。さらに、測定した電流および電圧からその位相差を測定求めることができる。従って、下部電極３ひいては、下部電極３の上に設置した被エッチング対象の半導体基板であるウェーハ４に流入する電流および印加電圧を測定できるし、プラズマインピーダンスを測定することができる。
【００２３】
（第二の実施形態）
図２は、本発明の第二の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図である。第一の実施の形態であるプラズマエッチング装置に対して、制御装置２３が電流電圧位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２に接続付加されている。この制御装置２３を付加することで、電流電圧位相差センサー２１により測定された電力量の測定データーをフーリエ変換することにより電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分を定量的に抽出できる。また、実際の電流電圧位相差センサー２１からの信号からは数値データーだけでなく、時間に対する信号波形も観察できるようにしている。なお、この部分に制御装置２３を取り付けることによる反応室１のインピーダンスの変動にはほとんど影響を与えない。
【００２４】
電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分はプロセス変動に敏感であると考えられる。これは、電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分がウェーハ４上に形成されたシースの状態を反映するからであり、このシースによってウェーハ４に入射するイオンのエネルギーが変化するからである。従って、制御装置２３で抽出された電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分によって、プロセス変動を感知することができ、結果的にインピーダンスの変動に対する調整が可能となる。また、反応室１のプラズマ状態も調整が可能となる。
【００２５】
等価回路で考えた場合、プラズマは抵抗で、上部電極２および下部電極３におけるシースは容量で表すことができる。さらに、これらの容量と並列にダイオードを付加したものが考えられる。しかし、抵抗と容量の線形素子だけでは、高調波成分などの非線形効果が現れない。つまり、非線形効果はシースの状態を反映しているということになる。
【００２６】
（第三の実施形態）
図３は、本発明の第三の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図である。第二の実施の形態であるプラズマエッチング装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２を制御する制御装置２３と、プラズマエッチング装置の反応室１の圧力および高周波印加電極に高周波電力を印加する高周波電源９および整合器２０を制御する制御装置８とを信号線で接続することによりプラズマエッチング装置の稼動および非稼動のオン信号およびオフ信号を取り込むことができる。それにより、プラズマエッチング装置本体と同期を取って、電流電圧位相差センサー２１によりプラズマエッチング装置に投入した電流および電圧およびその位相差を自動的に測定が可能となる。
【００２７】
電流電圧位相差センサー２１による測定結果に応じて、制御装置８で解析することによりプロセス変動を感知して、制御装置２３にフィードバックし、高周波電源９による印加電力の調整および反応室１内の圧力調整により、反応室１内のプラズマ状態を制御できる。
【００２８】
（第四の実施形態）
図４は、本発明の第四の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図である。第三の実施の形態であるプラズマエッチング装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２の制御装置２３にさらに演算装置２４を接続付加する。これにより、使用者が設定したプログラムなどで演算することができる。
【００２９】
ここでは、プラズマインピーダンス値から電子密度を導出する場合について説明する。バルクプラズマ中の電流密度Ｊは以下の式で表される。
【００３０】
J=[nee2/{me(νe+iω)}+iωε0]E  …………（１）
=[{nee2(νe-iω)}/{me(νe2+ω2)}+iωε0]E …………（２）
ここで、ｎeは電子密度、ｍeは電子の静止質量、νeは電子と中性粒子との衝突周波数、ωは角周波数、ε0は真空の誘電率、Ｅは電界強度、ｉは虚数単位である。ここで、νe≫ωなので、
J =[(nee2/meνe2 )(νe-iω)+iωε0]E …………（３）
となる。さらに電極面積をＡ、電極間距離をＬとすると、電流値Ｉ＝ＪＡ、電圧Ｖ＝ＥＬであるので、バルクインピーダンスＺは、Ｚ＝Ｖ／Ｉとなり、以下のようになる。
【００３１】
Z=L/[A{(nee2/meνe2)(νe-iω)+iωε0}]…………（４）
=(L/A){Bνe /C+iωB/C-iωε0/C}…………（５）
ここで、B= nee2/meνe2、C=(Bνe)2+ω2(ε0-B)2とおいた。
【００３２】
上記の式（５）の第一項目の実数部はバルク抵抗値を示し、第二項目の虚数部は電子の慣性によるインダクタンスを示し、第三項目はバルク容量を示す。したがって、バルク抵抗値Ｒbは、式（６）のようになる。
【００３３】
Rb=LBνe/AC …………（６）
さらに、式（６）は1≫ω2(ε0-B)2/(Bνe)2なので、バルク抵抗値Ｒbは式（７）で表され、電子密度ｎeに反比例することがわかる。
【００３４】
Rb≒L meνe/A nee2 …………（７）
従って、式（７）からバルク抵抗値Ｒbを測定することで、電子密度ｎeが得られる。以上の計算を演算装置２４で実行することで、プラズマエッチング装置の電子密度変化を管理することが可能である。これは、電流電圧位相差センサー２１で測定した電流・電圧・位相差からバルク抵抗値を算出し、それからプログラミングされた演算装置２４により電子密度ｎeを経時的に演算し、結果として電子密度ｎeの変化をプラズマエッチング装置のプラズマ状態の変化として認識できるようになる。これにより、演算装置２４は制御装置２３を介して製造装置の制御装置８に接続しており、経時的なモニタリングが可能となり、かつプラズマ状態の変化に対し、フィードバックされた情報を基に制御装置８で最適なプラズマ状態になるように制御が行われる。
【００３５】
従来は、電子密度ｎeは反応室で生成されたプラズマにラングミューアープローブなどを挿入することによって測定していたが、この場合、プローブ表面に堆積膜が付着することによって正確に測定できないことや、プローブによるタングステンなどの金属汚染や、取り付けるためには真空を破らないといけないなどの問題点が多く、実際の量産現場で使用することが困難であった。本発明の実施の形態でのモニター方法によれば、これらの課題は全て解決できる。
【００３６】
次に実際の事例、特に反応室の表面に堆積膜が形成されてプラズマが変化する事例について説明する。従来、半導体デバイスはシリコンを主原料として、酸素、燐、砒素、ボロン、窒素、アルミニュウムといった元素で製造されていたが、集積度および消費電力の低減など種々の技術課題を克服する過程において新規技術を開発し、これらの技術の中には、従来の元素以外の元素を用いるものがある。例えば、配線材料としてアルミニュウム以外に銅を用いる技術がある。
【００３７】
図５は、第四の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す図４を用いて、具体的に反応室１の壁面に堆積物が付着した事例について説明するためのプラズマエッチング装置の状態を示す概略図である。下部電極３の上に設置したウェーハ４をプラズマエッチングすると反応生成物ができ、蒸気圧の低いものが反応室１の壁面に付着物２５として堆積する。
【００３８】
反応生成物のうち、アルミニュウムや銅などの金属上のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をエッチングするとオーバーエッチング時に金属の一部がイオン衝撃によってエッチングスパッタされる。パターンのアスペクト比によるが、アスペクト比が小さいと金属が反応室１に飛散する。この飛散した金属が反応室１の壁面に堆積するとプラズマに影響を与え、ウェーハ４の上のエッチング特性を変化させる。
【００３９】
ここでは、銅配線上のシリコン窒化膜について説明する。
【００４０】
図６は、図５において被エッチング対象となる半導体基板であり、銅配線上のシリコン窒化膜を除去する工程でのウェーハ４の断面構造を示すものである。図６において、半導体基板であるシリコン基板３０の表面にシリコン窒化膜３１が形成され、シリコン窒化膜３１の上に銅配線３２が形成され、その上にまたシリコン窒化膜３３が厚さ２００ｎｍで形成されている。シリコン窒化膜３３をエッチングするためにシリコン窒化膜３３の上にレジスト膜３４が厚さ１２００ｎｍで選択的に形成されている。
【００４１】
図６で示した銅付きのウェーハ４をエッチングしてエッチング特性の変化を調べた結果について説明する。図７は、ウェーハ４上に形成された銅配線３２にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜およびそれらの膜上のレジスト膜等の各種絶縁膜のエッチング特性を示す特性図である。横軸は銅付きウェーハのエッチング時間、縦軸は各絶縁膜のエッチング速度を表している。
【００４２】
銅を３００秒程度エッチングすると反応室壁面には、ウェーハ上の表面濃度が１０10／ｃｍ2から１０11／ｃｍ2となるような銅を含む堆積物が付着することがわかっている。このレベルの銅によって、シリコン窒化膜のエッチング速度（ＳｉＮ  ｒａｔｅ）は、銅のエッチング時間が１００秒程度過ぎると、エッチング開始時の１０００ｎｍ／ｍｉｎと比べると４００ｎｍ／ｍｉｎと半分以下に低下する。一方、シリコン酸化膜のエッチング速度（ＳｉＯ2  ｒａｔｅ）は、逆に約２倍になる。それらに対し、シリコン窒化膜上のレジスト膜のエッチング速度（ＰＲ１  ｒａｔｅ）およびシリコン酸化膜上のレジスト膜のエッチング速度（ＰＲ２  ｒａｔｅ）は銅のエッチング時間にかかわらずほとんど変化がない。
【００４３】
これは銅の触媒効果によって、ＣＦ2ラジカルが分解し、ＣＦラジカルとフッ素ラジカルになるためである。ＣＦラジカルが支配的になるとシリコン窒化膜表面では酸素がないためにフルオロカーボン層が形成されやすくなる。しかし、酸素がないためにフルオロカーボン層が分解しない。これによってエッチング速度が遅くなる。一方、シリコン酸化膜では膜に酸素が含まれるため、表面に形成されたフルオロカーボン層は分解され、ＳｉＯ2およびＣＯ2といった揮発生成物に転化することが可能となる。これにより、フルオロカーボン層が円滑に生成・分解できるため、エッチング速度が速くなる。つまり、シリコン窒化膜の場合は反応律速状態であって、よけいにフルオロカーボン層が形成することでエッチング速度が遅くなり、シリコン酸化膜は供給律速状態であって、よけいにフルオロカーボン層が形成することでエッチング速度は速くなると考えられる。
【００４４】
銅の触媒効果について、フッ素、アルゴンおよび酸素の発光強度の変化により説明する。図８は、ウェーハ４の上における銅上のシリコン窒化膜３３のエッチング時間に対する各元素の発光強度の変化を示す特性図である。図８（ａ）はフッ素の発光強度の変化を示し、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度の変化を示し、図８（ｃ）は酸素の発光強度の変化を示す。図８（ａ）は銅のエッチング時間が長くなる、すなわち反応室壁面に銅が付着するとフッ素の濃度は大きくなることを示している。
【００４５】
これは、銅の触媒効果によるＣＦ2ラジカルの分解の結果としてフッ素が生成されることを示すものである。また、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度も銅の放出と共に大きくなることを示している。これは銅によって電子が捕獲され、電子密度を維持するためにアルゴンの解離が進んだためである。図８（ｃ）に示した酸素の発光強度増加もアルゴンの場合と同様である。
【００４６】
このような反応室壁面に銅が付着する現象において、エッチング特性が前述のように変化するが、同時に電流電圧位相差測定を実施した結果について以下に述べる。
【００４７】
図９はウェーハ上における銅上のシリコン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに流入する電流値の特性図である。図９（ａ）は電流値の基本波を示し、図９（ｂ）は１次高調波、図９（ｃ）は２次高調波、図９（ｄ）は３次高調波、図９（ｅ）は４次高調波を示す。電流値は基本波および１次高調波から３次高調波までは全て銅の放出と共に大きくなっている。これはプラズマ密度の上昇を反映していると考えられる。４次高調波はほとんど変化が無く、反応室状態の検出感度が小さい。
【００４８】
図１０はウェーハ上における銅上のシリコン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに印加される電圧値の特性図である。図１０（ａ）は電圧の基本波を示し、図１０（ｂ）は１次高調波、図１０（ｃ）は２次高調波、図１０（ｄ）は３次高調波、図１０（ｅ）は４次高調波を示す。電圧の基本波は銅が反応室内に飛散すると小さくなる。これはプラズマ密度の上昇を反映している。
【００４９】
図１１はウェーハ上における銅上のシリコン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハでのインピーダンス値の特性図である。図１１（ａ）はインピーダンス値の基本波を示し、図１１（ｂ）は１次高調波を示し、図１１（ｃ）は２次高調波、図１１（ｄ）は３次高調波、図１１（ｅ）は４次高調波を示す。インピーダンス値も銅が反応室内に飛散すると小さくなる傾向に有り、プラズマ密度の上昇を反映している。
【００５０】
インピーダンス値をスミスチャート上に表すと基本波のインピーダンスの動きは抵抗値の低下と容量成分が追加されているということがわかる。
【００５１】
図９、図１０、図１１からもわかるように本発明に示したモニタリング方法により随時電流、電圧を測定し、またはインピーダンスを測定することにより、プラズマ状態におけるエッチング状況をモニタリングでき、従ってプラズマ状態の最適制御が可能となる。
【００５２】
また、図１２にシリコンのダミーウェーハにおいて、ダミー放電を実施することによるエッチング時間に対し、反応室表面に付着した銅の濃度が減少していく過程においてのエッチング速度変動を示している。
【００５３】
上記の説明では、銅に対する開口面積が大きい場合について述べたが、ダマシンエッチングの場合のように開口面積が少ない場合でも、銅が反応室に放出する場合は同様のことが言えることはいうまでもない。
【００５４】
また、モニタリング結果を基に制御装置で自動的にプラズマエッチング装置のプラズマ状態を制御するものとして説明したが、手動でもよいことはもちろんである。
【００５５】
【発明の効果】
本発明のプラズマエッチング装置においては、半導体基板にエッチング処理を実施する反応室内の高周波印加電極と高周波電源に接続された整合器の間に電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段を挿入するので、整合器での損失分を含まず、高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を直接測定することで反応室の変化に基づく半導体基板上でのプロセス変動を検出することができる。また、反応室内のプラズマ発生を制御する制御手段と連動させることにより、高周波印加電極での電流および電圧およびその位相差をプラズマ発生と同期して検出することが可能となり、またその検出結果を基にプラズマ状態の最適化に向け制御が可能となる。
【００５６】
これらのプラズマエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法によれば、直接半導体基板を載置した下部電極での供給高周波電力を見ているので、プロセスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を最大に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造歩留りの変動を防止できる。
【００５７】
また、本発明のプラズマエッチング装置のモニター方法によれば、プラズマ発生と同期して、直接高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニターできるため、反応室内のプラズマ状態および供給高周波電力を調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図
【図２】第二の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図
【図３】第三の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図
【図４】第四の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略図
【図５】反応室の壁面に堆積物が付着した場合のプラズマエッチング装置の模式図
【図６】銅配線上のシリコン窒化膜を除去する工程でのウェーハの断面構造を示す図
【図７】銅の増加に伴う各種絶縁膜のエッチング特性を示す特性図
【図８】シリコン窒化膜のエッチング時間に対する各元素の発光強度の特性図
【図９】シリコン窒化膜のエッチング時間に対するウェーハに流入する電流値の特性図
【図１０】シリコン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに印加される電圧値の特性図
【図１１】シリコン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハでのインピーダンス値の特性図
【図１２】銅の減少に伴うエッチング速度の特性図
【図１３】従来のプラズマエッチング装置を示す概略図
【符号の説明】
１  反応室
２  上部電極
３  下部電極
４  ウェーハ
５  圧力ゲージ
６  排気ポンプ
７  圧力調整バルブ
８  制御装置
９  高周波電源
２０  整合器
２１  電流電圧位相差センサー
２２  電流電圧位相差メーター
２３  制御装置
２４  演算装置
３０  シリコン基板
３１  シリコン窒化膜
３２  銅配線
３３  シリコン窒化膜
３４  レジスト膜
【図１】
0003785996.tif 000002
【図２】
0003785996.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003785996.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003785996.tif 000008
【図８】
0003785996.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003785996.tif 000011
【図１１】
0003785996.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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