(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持手段により支持された基板に対して洗浄液を供給して基板を洗浄する方法であって，
前記支持手段により支持された基板下面から離れた退避位置に下面移動部材を相対的に移動させる工程と，
前記支持手段に基板を渡して支持させる工程と，
前記支持手段により支持された基板下面に近接した処理位置に前記下面移動手段を相対的に移動させ，前記処理位置に移動した下面移動部材と前記支持手段により支持された基板下面の間に洗浄液を液盛りさせ，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止して前記支持手段により支持された基板下面に洗浄液を接触させ，一方，前記支持手段により支持された基板上面に洗浄液を液盛りさせて基板上面に洗浄液を供給し，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止し，基板上下面に洗浄液を液盛した状態で洗浄処理する工程と，
前記基板をリンス処理する工程と，
前記基板を乾燥処理する工程と，
前記退避位置に，前記下面移動部材を相対的に移動させる工程と，
前記支持手段から基板を搬出する工程を有することを特徴とする，基板洗浄方法。
【請求項２】
前記基板下面に洗浄液を液盛するに際し，前記下面移動部材に対して相対的に基板を回転させることを特徴とする，請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記基板上面に洗浄液を供給して洗浄するに際し，前記支持手段により支持された基板上面に供給された洗浄液に接触しない位置であって，基板上面に対して近接した位置に前記上面移動部材を相対的に移動させることを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記基板を乾燥処理するに際し，処理位置の前記下面移動手段からガスを基板下面に供給し，その後に前記下面移動部材を退避位置に下降させ，退避位置からガスを基板下面に供給しながらスピン乾燥することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を洗浄処理する基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハに付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物のコンタミネーションを除去する洗浄システムが使用されている。その中でも，ウェハを回転させて洗浄処理を行うスピン型の基板洗浄装置を備えた枚葉式の洗浄システムが知られている。
【０００３】
一般的に洗浄システムには，ウェハの搬送を行う搬送装置が設けられ，この搬送装置により基板洗浄装置に対してウェハが搬入出される。一方，基板洗浄装置には，ウェハを回転自在に保持するスピンチャックが設けられ，ウェハの搬入出の場合，装置内に進入した搬送装置のアームとスピンチャックの間でウェハの受け渡しが行われる。基板洗浄装置では，一般的に半導体デバイスが形成されるウェハ面（ウェハ表面）を上面にしてウェハをスピンチャックにより支持し，スピンチャックにより回転させられたウェハ上面に，洗浄液を供給して洗浄処理を施す。
【０００４】
このような基板洗浄装置では，回転しているウェハに洗浄液を連続して供給するので，液消費量が嵩むと共に，スピンチャックにより支持されているウェハ下面（半導体デバイスが形成されないウェハ面すなわちウェハ裏面）には洗浄液を供給できなかったので，ウェハの片面しか洗浄できなかった。そこで，例えば特開平８−７８３６８号公報等において開示された基板洗浄装置によれば，スピンチャック上に設置された複数の支持ピンによりウェハを支持し，ウェハ上面と，ウェハ下面とスピンチャックの隙間とに洗浄液をそれぞれ供給して洗浄することにより，液消費量の節約を図ると共に，ウェハの両面を同時に洗浄する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，この特開平８−７８３６８号公報号の基板洗浄装置によれば，ウェハ下面とスピンチャックの隙間全体に洗浄液を供給できるように，この隙間を狭くする必要がある。このため，支持ピンの高さが低く抑えられ，例えば前記搬送装置のアームが支持ピンに対してウェハの授受する場合に，スピンチャックに衝突するおそれがあり，ウェハの搬入出が困難となっている。さらに基板洗浄装置には，ウェハ上面に対して移動する上面移動部材が設けられており，ウェハ上面の洗浄液を上面移動部材とウェハ上面の間で挟むことにより，洗浄していた。しかしながら，前述したように半導体デバイスが形成されるウェハ面を上面にしてウェハをスピンチャックに支持させているので，このようなウェハ上面には比較的高い洗浄能力が要求され，上面移動部材を洗浄液に直接接触させてしまうと，上面移動部材にパーティクル等が付着している場合には，このパーティクルによって洗浄液が汚染されてしまうおそれがある。
【０００６】
従って本発明の目的は，基板の搬入出を円滑に行うことができ，洗浄効率をより向上させることができる基板洗浄方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，処理液を供給して基板を処理する装置であって，基板を支持する支持手段と，前記支持手段により支持された基板下面に近接した処理位置と前記支持手段により支持された基板下面から離れた退避位置との間で相対的に移動する下面移動部材とを備え，前記処理位置に移動した下面移動部材と前記支持手段により支持された基板下面の間に処理液が供給されて基板下面が処理されることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明において，基板とは，半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板などが例示され，その他，ＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などでも良い。また基板表面は，半導体デバイス等が形成可能なように鏡面となっており，基板裏面は，粗面となっている。また処理液には，例えば各種薬液や純水等の洗浄液があり，本発明の基板処理装置は，例えばウェハ等に洗浄液を供給して洗浄処理する基板洗浄装置として具体化される。
【０００９】
基板処理装置にあっては，例えば基板を搬送する搬送装置が，基板を基板処理装置に搬入し，例えば基板表面を上面にして支持手段に基板を渡して支持させる（基板裏面は下面になる）。この場合，下面移動部材は，予め退避位置に相対的に移動しているので，搬送装置は下面移動部材と接触することはなく，搬入が円滑に行われる。その後，下面移動部材は処理位置に相対的に移動し，下面移動部材と基板下面（基板裏面）の間に処理液が供給されて基板下面が処理される。一方，処理後に基板を基板処理装置から搬出する場合は，下面移動部材は退避位置に相対的に移動し，前記搬送装置は，下面移動部材と接触することはなく，支持手段から基板を搬出させることができる。こうして，搬出も円滑に行われる。
【００１０】
この基板処理装置にあっては，前記支持手段は，回転自在に構成されていることが好ましい。例えば支持手段は，支持した基板を回転させる。この基板の回転により，下面移動部材と基板下面の間に供給された処理液内に流れが発生し，この液流により，処理液内の淀みを防止すると共に，処理効率を向上させる。例えば下面移動部材と基板下面の間に処理液を液盛りさせる場合，支持手段は，この液盛りが崩れない程度の比較的低速の回転速度（例えば３０〜５０ｒｐｍ以下）で基板を回転させたり，また間欠的に基板を回転させ，下面移動部材と基板下面の間に満遍なく処理液を供給した後で新しい処理液を供給する必要を無くす。液盛りが崩れない限り，基板下面全体を，既に下面移動部材と基板下面の間に供給された処理液により処理できるからである。一方，液盛りが崩れた場合には，新液を供給して液盛りを適宜修復する。こうして処理液の消費量を節約する。また，基板の回転により処理液を下面移動部材と基板下面の間から流出させる一方で，下面移動部材と基板下面の間に新たな処理液を供給することにより，下面移動部材と基板下面の間の処理液を常に新しい処理液に置換して好適な処理を実施しても良い。この場合，新液を静かに供給して処理液の省液化を図ると良い。なお，下面移動部材上に処理液を供給して液盛りした後に，下面移動部材を処理位置に相対的に移動させ，基板下面全体に処理液を接触させて処理することも可能である。
【００１１】
また，この基板処理装置にあっては，前記下面移動部材に，処理液を所定温度にさせる下面温度調整機構が設けられていることが好ましい。この場合，下面温度調整機構は，処理液を所定温度に調整して例えば反応を促進させる。
【００１２】
基板両面を洗浄できるように，前記支持手段により支持された基板上面にも処理液が供給されて基板上面が処理される構成としても良い。また，前記支持手段により支持された基板上面に対して相対的に近接自在な上面移動部材を備えていても良い。更に，基板上面に供給される処理液を所定温度にさせる液温度調整機構を備えていても良い。また，前記上面移動部材に，基板上面に供給された処理液を所定温度にさせる上面温度調整機構が設けられていても良い。
【００１３】
本発明によれば，支持手段により支持された基板に対して洗浄液を供給して基板を洗浄する方法であって，前記支持手段により支持された基板下面から離れた退避位置に下面移動部材を相対的に移動させる工程と，前記支持手段に基板を渡して支持させる工程と，前記支持手段により支持された基板下面に近接した処理位置に前記下面移動手段を相対的に移動させ，前記処理位置に移動した下面移動部材と前記支持手段により支持された基板下面の間に洗浄液を液盛りさせ，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止して前記支持手段により支持された基板下面に洗浄液を接触させ，一方，前記支持手段により支持された基板上面に洗浄液を液盛りさせて基板上面に洗浄液を供給し，，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止し，基板上下面に洗浄液を液盛した状態で洗浄処理する工程と，前記基板をリンス処理する工程と，前記基板を乾燥処理する工程と，前記退避位置に，前記下面移動部材を相対的に移動させる工程と，前記支持手段から基板を搬出する工程を有することを特徴とする，基板洗浄方法が提供される。
【００１４】
この基板洗浄方法にあっては，支持手段に基板を渡して支持させる場合や，支持手段から基板を離して受け取る場合には，退避位置に下面移動部材を相対的に移動させるので，支持手段に対する基板の授受が円滑に行われる。
【００１５】
この基板洗浄方法において，前記基板下面に洗浄液を接触させて処理するに際し，前記処理位置に移動した下面移動部材と前記支持手段により支持された基板下面の間に洗浄液を液盛りさせた状態で処理する。即ち，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止してなるべく既存の洗浄液のみで基板下面を処理し，洗浄液の節約を図る。また，前記基板下面に洗浄液を接触させて処理するに際し，前記下面移動部材に対して相対的に基板を回転させても良い。基板の回転により洗浄液内に液流が発生し，この液流により，洗浄液内の淀みを防止すると共に，処理効率を向上させる。また，前記基板下面に洗浄液を接触させて処理するに際し，洗浄液を所定温度にさせても良い。例えば洗浄液を所定温度に調整して反応を促進させる。
【００１６】
また，この基板洗浄方法において，基板上面に洗浄液を供給して処理する工程を有している。そうすれば，基板両面を洗浄できるようになる。この場合，基板上面に洗浄液を液盛りさせた状態で処理すると良い。即ち，液盛り後は新しい洗浄液の供給を停止してなるべく既存の洗浄液のみで基板上面を処理し，洗浄液の節約を図る。また前記支持手段により支持された前記基板上面に対して上面移動部材を相対的に移動させても良い。この場合，例えば前記上面移動部材は，基板上面に供給された洗浄液に接触しない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてウェハ両面を洗浄するように構成された基板処理装置としての基板洗浄装置に基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板洗浄装置８，９，１０，１１を組み込んだ洗浄システム１の斜視図である。洗浄システム１は，キャリアＣ単位でウェハＷを搬入し，ウェハＷを一枚ずつ洗浄，乾燥し，キャリア単位でウェハＷを搬出するように構成されている。
【００１８】
この洗浄システム１には，ウェハＷを収納したキャリアＣを４個分載置できる載置部２が設けられている。洗浄システム１の中央には，載置部２に載置されたキャリアＣから洗浄前のウェハＷを一枚ずつ取り出し，また，洗浄後のウェハＷをキャリアＣに収納する取出収納アーム３が配置されている。この取出収納アーム３の背部には，取出収納アーム３との間でウェハＷの授受を行う搬送アーム４が待機している。搬送アーム４は，洗浄システム１の中央に設けられた搬送路６に沿って移動可能に設けられている。搬送アーム４は，３本のアーム４ａ，４ｂ，４ｃを備え，これらアーム４ａ〜４ｃを用いて搬送路６の両側に配置された各種処理装置に対してウェハＷを搬入出する。各種処理装置の例を挙げると，例えば搬送路６の一方の側方には，本実施の形態にかかる基板洗浄装置８，９が上下に２段に配置され，これら基板洗浄装置８，９と並んで基板洗浄装置１０，１１が上下に２段に配置されている。また，搬送路６の他方の側方には，ウェハＷを加熱して乾燥させる加熱装置１２が４基積み重ねて設けられている。これら加熱装置１２に隣接し，プリント回路板等が組み込まれて洗浄システム１の電気制御系統を司るコントロールエリア１３が配置されている。なお，ウェハＷでは，ウェハＷ表面は例えば半導体デバイスなどが形成可能なように鏡面となっており，ウェハＷ裏面は粗面となっている。
【００１９】
基板洗浄装置８〜１１は，ウェハＷの表裏面に洗浄液を液盛りして洗浄する，いわゆるパドル洗浄を実施するように何れも同様に構成されているので，基板洗浄装置８を例にとって説明する。図２は，基板洗浄装置８の平面図であり，図３は，基板洗浄装置８の縦断面図である。図２及び図３に示すように，基板洗浄装置８のケース２０内に，ウェハＷを収納するカップ２１と，このカップ２１内で例えばウェハＷ表面を上面にしてウェハＷを回転自在に支持する支持手段としてのスピンチャック２２とを備えている。そして，ケース２０の一方側には，スピンチャック２２により支持されたウェハＷ上面（ウェハＷ表面）に洗浄液を供給する上面供給手段としての上面供給ノズル２３が配置され，ケース２０の他方側には，モータ等の移動機構２４によってスピンチャック２２により支持されたウェハＷ上面に対して相対的に移動する上面移動部材２５が配置されている。なお，ケース２０の前面側（図１に示す洗浄システム１において，搬送路６に臨む側面）には，開閉自在なシャッタ２６が設けられており，前述の搬送アーム４によって基板洗浄装置８に対して搬入出される際には，このシャッタ２６が開くようになっている。
【００２０】
カップ２１の側面には，ブラケット３０が固着され，このブラケット３０は，モータ３１により回転するボールネジ軸３２に螺合されたナット３３に連結されている。従って，カップ２１は，モータ３１の正逆回転により，図３中において二点鎖線２１’で示した位置に下降して，スピンチャック２２をカップ２１の上方に突出させてウェハＷを授受させる状態と，図３中において実線２１で示した位置に上昇して，スピンチャック２２及びウェハＷを包囲し，ウェハＷ両面に供給した洗浄液等が周囲に飛び散ることを防止する状態とに上下に移動自在である。
【００２１】
カップ２１の底部には，カップ２１内の液滴を排液する排液管３４と，カップ２１内の雰囲気を排気する排気管３５とが接続されている。排液管３４には，気液分離ボックス３６が設けられ，この気液分離ボックス３６により排液された液滴中から気泡等を除去するようになっている。除去された気泡は，気液分離ボックス３６に接続された排気管３７により外部に排気される。また，カップ２１の底部には，環状の仕切り壁３８が起立して設けられ，仕切り壁３８の上端には，外側に向かって下方に傾斜する整流板３９が配設されている。
【００２２】
図４に示すように，スピンチャック２２は，ウェハＷを支持するチャック本体４０と，このチャック本体４０の底部に接続された回転筒体４１とを備え，このチャック本体４０内には，スピンチャック２２により支持されたウェハＷ下面（ウェハＷ裏面）に対して相対的に移動する下面移動部材４２が配置されている。回転筒体４１の外周面にはベルト４３が巻回されており，このベルト４３をモータ４４によって周動させることにより，スピンチャック２２全体が回転するようになっている。
【００２３】
チャック本体４０の上部には，ウェハＷの周縁部を複数箇所において保持するための保持部材４５が装着されている。保持部材４５の下部には，チャック本体４０の周縁から中心に向かって次第に低くなる傾斜面４５ａが形成されており，この傾斜面４５ａにより保持部材４５はウェハＷを保持するようになっている。なお，各保持部材４５内に例えば重錘を設けることにより，スピンチャック２２が回転したときの遠心力によって各保持部材４５の上部側が内側に移動し，ウェハＷの周縁部を外側から保持するように構成しても良い。また，チャック本体４０の底部には周方向の適宜位置に排出口４６を設け，この排出口４６によりチャック本体４０内の液滴の排液及び雰囲気の排気を行うようになっている。
【００２４】
下面移動部材４２は，チャック本体４０内及び回転筒体４１内を貫挿するシャフト４７上に接続されている。シャフト４７は，水平板４８の上面に固着されており，この水平板４８は，シリンダ等からなる昇降機構４９により鉛直方向に昇降する。従って，下面移動部材４２は，図４中において二点鎖線４２’で示したようにチャック本体４０内の上方に上昇して，スピンチャック２２により支持されたウェハＷ下面に対して洗浄処理を施している状態（処理位置Ａ）と，図４中において実線４２で示したようにチャック本体４０内の下方に下降して，スピンチャック２２により支持されたウェハＷ下面から離れて待機している状態（退避位置Ｂ）とに上下に移動自在である。前述したようにカップ２１を二点鎖線２１’に示した位置に下降させてスピンチャック２２を対してウェハＷを授受させる場合，下面移動部材４２を退避位置Ｂに位置させておく。そうすれば，下面移動部材４２とスピンチャック２２により支持されるウェハＷの位置（高さ）との間には，十分な隙間が形成されることになり，スピンチャック２２に対するウェハＷの授受が円滑に行われるようになっている。なお，下面移動部材４２を所定高さに固定する一方で，前記回転筒体４１に図示しない昇降機構を接続させてスピンチャック２２全体を鉛直方向に昇降させることにより，下面移動部材４２を処理位置Ａと退避位置Ｂに上下に移動自在にしても良い。
【００２５】
下面移動部材４２に例えば薬液や純水等の洗浄液や乾燥ガスを供給する下面供給路５０が，シャフト４７内を貫通して設けられている。この下面供給路５０には，三方弁５１を介して薬液供給路５２，純水供給路５３，ガス供給路５４がそれぞれ接続され，三方弁５１の切換操作により下面移動部材４２に供給される流体が切り換えられる。薬液供給路５２には，ウェハＷ上面に供給される薬液の温度を調整する例えばヒータからなる温度調整器５５が設けられている。下面供給路５０は，下面供給手段として機能し，例えば三方弁５１が薬液供給路５２側に切り換えられると，薬液供給路５２から所定温度に温調された薬液を供給することになる。例えば下面移動部材４２は処理位置Ａに上昇して，処理位置Ａに移動した下面移動部材４２とスピンチャック２２により支持されたウェハＷ下面の間に例えば０．５〜３ｍｍ程度の隙間Ｌ１を形成する。そして下面供給路５０は，薬液供給路５２を通して下面移動部材４２とウェハＷ下面の間に薬液を供給する。このように狭い隙間Ｌ１に薬液を供給すると，薬液は隙間Ｌ１全体に拡がって液盛りされ，ウェハＷ下面全体に均一に接触可能な薬液の液膜を形成して好適な洗浄処理を施すようになっている。しかも液膜形成後も，隙間Ｌ１で薬液の液膜を挟むので，表面張力によって薬液の液膜の形状崩れを防止して引き続き好適な洗浄処理を施すことが可能である。また，同様に純水供給路５３を通して純水を供給し，下面移動部材４２上に純水を供給する。ガス供給路５４からは例えば常温のＮ２ガス（加熱されたホットＮ２ガスでも良い）を供給し，洗浄後にウェハＷ下面を乾燥させる。
【００２６】
一方，下面移動部材４２に供給された洗浄液や乾燥ガスを排出する下面排出路５６が，シャフト４７内を貫通して設けられている。この下面排出路５６には，三方弁５７を介して薬液排液路５８，純水排液路５９，ガス排気路６０がそれぞれ接続されている。下面移動部材４２に形成された薬液の液膜や純水の液膜は，薬液排液路５８，純水排液路５９により外部にそれぞれ排液される。チャック本体４０内に充満したＮ２ガスは，ガス排気路６０により外部に排気される。なお，薬液には，例えばアンモニア成分を主体としたＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液），塩酸成分を主体としたＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液），フッ酸成分を主体としたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏの混合液）等がある。
【００２７】
下面移動部材４２の内部には，給電により発熱するヒータ６１が埋設されている。このヒータ６１は，下面温度調整機構として機能して，例えば前述したように下面移動部材４２とウェハＷ下面の間に供給された薬液を所定温度に調整する。
【００２８】
図５，６に示すように上面供給ノズル２３は，細長の形状を有しており，その長さは，例えばウェハＷの直径よりも大きくなっている。上面供給ノズル２３の下部には，複数の供給口６５は長手方向に一列に設けられ，上面供給ノズル２３の上部には，例えば薬液及び純水やＮ２ガスを供給する上面供給路６６が接続されている。この上面供給路６６には，三方弁６７を介して薬液供給路６８，純水供給路６９，ガス供給路７０がそれぞれ接続され，三方弁６７の切換操作により上面供給ノズル２３内に供給される流体が切り換えられる。薬液供給路６８や純水供給路６９から供給される薬液や純水は，上面供給ノズル２３内に設けられた液溜め部７１に一旦貯留される。この液溜め部７１は，長手方向に長い空間を形成しており，全ての供給口６５に連通している。そして液溜め部７１に貯留された洗浄液は，各供給口６５を通してウェハＷ上面に供給される。従って，複数の供給口６５から一度に所定量の洗浄液を吐出することにより，ウェハＷの直径よりも長い直線状に洗浄液を吐出するようになっている。
【００２９】
また図６に示すように，液溜め部７１内には，液溜め部７１内の洗浄液の温度を調整する液温度調整機構としての温度調整路Ｓが前記長手方向に沿って設けられている。この温度調整路Ｓは，所定温度に調整された流体，例えば水等が内部に流れるようにチューブ等で構成されている。また，温度調整路Ｓは，温度調整路Ｓの内部と外部との間で熱交換可能である。温度調整路Ｓは，上面供給ノズル２３の一端近上方から液溜め部７１内に入り，前記長手方向に形成された液溜め部７１内を通って，上面供給ノズル２３の他端付近上方から上面供給ノズル２３外に出るように形成されている。従って，温調された水が温度調整路Ｓ内を通ることにより，液溜め部７１内の洗浄液が温調される。特に薬液を所定温度に温調してウェハＷ上面に供給すると高い洗浄能力を得られるので，このように温度調整路Ｓを設けることは有効である。
【００３０】
前記上面供給ノズル２３は，先の図２に示すように，支持アーム７２により支持されており，この支持アーム７２は，モータ等の図示しない駆動機構により，例えば基板洗浄装置８の長手方向（図２中のＸ方向）に水平に伸びたレール７３に沿って移動自在に構成されている。また，上面供給ノズル２３とウェハＷの距離を調節するために支持アーム７２は，鉛直方向にも移動自在に構成されている。従って，例えば図７に示すようにウェハＷの上方の所定位置に，上面供給ノズル２３を平行移動させる。そして，スピンチャック２２により少なくともゆっくりと半回転させられたウェハＷに対して，直線状に薬液を供給して液盛りすることにより，ウェハＷ上面に薬液の液膜を均一に形成するようになっている。
【００３１】
前記上面移動部材２５は，前記移動機構２４により水平及び鉛直方向に移動自在である。前述したように上面供給ノズル２３によりウェハＷ上面に薬液の液膜が形成されると，図４に示すように上面移動部材２５は，水平移動しながらスピンチャック２２の上方に移動し，図４中において二点鎖線２５’で示したようにウェハＷの距離を図りながら鉛直方向に下降して，前記ウェハＷ上面に形成された薬液の液膜に接触しない位置であって，このウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動する。また，このようにウェハＷ上面に対して近接した状態からスピンチャック２２の上方に鉛直方向に上昇して，カップ２１から離れた位置に水平移動して待機するようにもなっている。このように上面移動部材２５は，スピンチャック２２により支持されたウェハＷ上面に対して進退移動可能である。
【００３２】
上面移動部材２５の上部には，薬液供給路７５が接続されている。従って，上面移動部材２５は，薬液をウェハＷ上面に供給するように構成されている。
【００３３】
上面移動部材２５の内部には，下面移動部材４２と同様に給電により発熱するヒータ７６が埋設されている。このヒータ７６は，上面温度調整機構として機能し，図４の二点鎖線２５’で示したように，上面移動部材２５がウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動した場合には，ヒータ７６は発熱してウェハＷ上面に形成された薬液の液膜を所定温度に調整するようになっている。またこのように上面移動部材２５はウェハＷの上方を覆うことにより，薬液の液膜から薬液が蒸発することを防ぐようになっている。この場合，ウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動した上面移動部材２５とスピンチャック２２により支持されたウェハＷ上面に形成された薬液の液膜の間には，隙間Ｌ２が形成され，上面移動部材２５は，この薬液の液膜と直接接触するようなことがない。そうすることによって，例えば上面移動部材２５に付着したパーティクル等が薬液の液膜に転写して，薬液の洗浄能力が低下する事態を防止するようになっている。
【００３４】
なお，洗浄システム１に備えられた他の基板洗浄装置９，１０，１１も，基板洗浄装置８と同様の構成を有し，洗浄液の液膜によりウェハＷ両面を同時にパドル洗浄することができる。
【００３５】
さて，この洗浄システム１において，先ず図示しない搬送ロボットにより未だ洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣが載置部２に載置される。そして，この載置部２に載置されたキャリアＣから取出収納アーム３によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム３から搬送アーム４にウェハＷが受け渡される。そして，搬送アーム４によってウェハＷは各基板洗浄装置８〜１１に適宜搬入され，ウェハＷに付着しているパーティクルなどの汚染物質が洗浄，除去される。こうして所定の洗浄処理が終了したウェハＷは，再び搬送アーム４によって各基板洗浄装置８〜１１から適宜搬出され，取出収納アーム３に受け渡されて，再びキャリアＣに収納される。
【００３６】
ここで，代表して基板洗浄装置８での洗浄について図８〜図１５に基づいて説明する。先ず基板洗浄装置８のシャッタ２６が開き，搬送アーム４は，例えばウェハＷを保持したアーム４ｃを装置内に進入させる。カップ２１は下降してチャック本体４０を上方に相対的に突出させる。図８に示すように，下面移動部材４２は予め下降してチャック本体４０内の退避位置Ｂに位置している。
【００３７】
図９に示すように，搬送アーム４は，アーム４ｃを降ろして保持部材４５にウェハＷを渡し，スピンチャック２２では半導体デバイスが形成されるウェハＷ表面を上面にしてウェハＷを支持する。この場合，下面移動部材４２を退避位置Ｂに位置させ，スピンチャック２２により支持されるウェハＷの位置（高さ）から十分に離すので，搬送アーム４は，余裕をもってウェハＷをスピンチャック２２に渡すことができる。
【００３８】
次いで図１０に示すように，下面移動部材４２は，チャック本体４０内の処理位置Ａに上昇する。処理位置Ａに移動した下面移動部材４２とスピンチャック２２により支持されたウェハＷ下面（ウェハＷ裏面）の間には，例えば０．５〜３ｍｍ程度の隙間Ｌ１が形成される。一方，下面供給路５０により薬液を下面移動部材４２とウェハＷ下面の間に供給する。即ち，三方弁５１を薬液供給路５２側に切り換えて温度調整器５５により所定温度に温調された薬液を流す。下面移動部材４２上では，下面供給路５０から薬液を例えば静かに染み出させて隙間Ｌ１に薬液を供給する。狭い隙間Ｌ１では，薬液を全体に押し広げて液盛し，ウェハＷ下面全体に均一に接触する薬液の液膜を形成する。隙間Ｌ１全体に薬液の液膜を形成すると，薬液の供給を停止してウェハＷ下面を洗浄処理する。隙間Ｌ１に薬液を液盛りして液膜を形成すると表面張力により薬液の液膜の形状崩れを防ぐことができる。例えば薬液の液膜の形状が崩れてしまうと，ウェハＷ下面において薬液の液膜に非接触の部分が発生したり，又は液膜中に気泡が混合してしまい洗浄不良を起こしてしまうが，このように下面移動部材４２とウェハＷ下面の間で薬液を液盛りすることにより，薬液の液膜の形状を保って洗浄不良を防止することができる。
【００３９】
この場合，スピンチャック２２は，薬液の液膜の形状が崩れない程度の比較的低速の回転速度（例えば３０〜５０ｒｐｍ以下）でウェハＷを回転させる。ウェハＷの回転により薬液の液膜内に液流が発生し，この液流により，薬液の液膜内の淀みを防止すると共に洗浄効率が向上する。また，ウェハＷの回転を間欠的に行っても良い。例えば所定時間若しくは所定回転数，ウェハＷを回転させた後，スピンチャック２２の回転稼働を所定時間停止させてウェハＷを静止させ，その後に再びウェハＷを回転させる。このようにウェハＷの回転と回転停止を繰り返すと，薬液をウェハＷ下面全体に容易に拡散させることができる。もちろん，ウェハＷを全く回転させずに静止した状態に保って洗浄処理を施すことも可能である。また，液膜を形成した後では新しい薬液を供給する必要が無くなる。薬液の液膜の形状が崩れない限り，ウェハＷ下面全体を，既に下面移動部材４２とウェハＷ下面の間に供給された薬液により洗浄できるからである。一方，薬液の液膜の形状が崩れそうになった場合等には，新液を供給して薬液の液膜の形状を適宜修復する。このように薬液の消費量を節約する。なお，ウェハＷの回転により薬液の液膜の液滴を下面移動部材４２の周縁から滴り落とす一方で，下面供給路５０により薬液を継続的に供給することにより，薬液の液膜内を常に真新しい薬液に置換して好適な薬液処理を実施することも可能である。この場合も，新液をなるべく静かに供給して薬液の省液化を図ると良い。
【００４０】
下面移動部材４２内のヒータ６１が発熱して，下面移動部材４２上の薬液の液膜を所定温度に温調する。このように薬液供給から液膜形成に渡って継続的に薬液を温調するので，液膜内で薬液反応を促進させて洗浄効率を向上させることができる。例えばウェハＷ下面に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物の除去を短時間で行えると共に，これらの除去率を向上させる。
【００４１】
一方，上面供給ノズル２３が，ウェハＷの上方の所定位置に平行移動する。上面供給ノズル２３は直線状に薬液を供給する。即ち，三方弁６７を薬液供給路６８側に切り換えて薬液を上面供給路６６に流し，液溜め部７１で温度調整路Ｓにより薬液を所定温度に温調して吐出口６５から吐出させる。また，ウェハＷをスピンチャック２２により少なくとも半回転させ，ウェハＷ上面に薬液を液盛りして薬液の液膜を均一に形成する。
【００４２】
ウェハＷ上面にも薬液の液膜が形成されると，図１１に示すように，上面移動部材２５は，ウェハＷ上面に形成された薬液の液膜に接触しない位置であって，このウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動する。例えばウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動した上面移動部材２５とスピンチャック２２により支持されたウェハＷ上面に形成された薬液の液膜の間には，隙間Ｌ２が形成される。上面移動部材２５は，ウェハＷ上面の薬液の液膜の形状が崩れそうになった場合等に限り，新液を供給して薬液の液膜の形状を適宜修復し，ウェハＷ上面の薬液処理は，上面供給ノズル２３から既に供給された薬液により行い，液膜形成後は新液の供給を控えて薬液の消費量を節約する。なお，ウェハＷを回転させて薬液の液膜の液滴をウェハＷ上面の周縁から滴り落とす一方で，上面移動部材２５から薬液を継続的に供給することにより，ウェハＷ上面で薬液の液膜内を常に真新しい薬液に置換して好適な薬液処理を実施しても良い。
【００４３】
上面移動部材２５内のヒータ７６が発熱して，ウェハＷ上面に形成された薬液の液膜を所定温度に調整する。このように薬液の液膜の上方を上面移動部材２５で覆うので液膜から薬液が蒸発して液膜の液量が減少することを防止できると共に，薬液を温調することにより所定温度に保って洗浄能力の低下を防止することができる。さらに薬液供給から液膜形成に渡って継続的に薬液を温調するので，ウェハＷ上面でも，液膜内で薬液反応を促進させて洗浄効率を向上させることができる。また上面移動部材２５は，隙間Ｌ２をおいてウェハＷ上面に形成された薬液の液膜に接触することがないので，この上面移動部材２５にパーティクル等が付着している場合があっても，このパーティクル等によって薬液の液膜が汚染されることを防止することができる。特にウェハＷは例えば半導体デバイス等が形成されるウェハＷ表面を上面にしてスピンチャック２２に支持されるので，このように薬液の液膜の清浄度を維持することは重要である。
【００４４】
ウェハＷ両面の薬液処理が終了すると，図１２に示すように，三方弁５１を純水供給路５３側に切り換えて純水を下面供給路５０に流し，純水をウェハＷ下面に供給する。また，ウェハＷを薬液処理するときよりも高速（例えば５００〜１０００ｒｐｍ程度）に回転させると共に，処理位置Ａに位置した状態に下面移動部材４２を保つ。このように高速回転しているウェハＷに，隙間Ｌ１を通して純水を供給することにより，供給した純水をウェハＷ下面全体に均一に拡散させることができる。さらに下面移動部材４２自体も洗浄することができる。一方，上面移動部材２５は，ウェハＷ上面から退避してカップ２１外で待機する。また，上面供給ノズル２３は，ウェハＷの上方の所定位置に再び平行移動する。上面供給ノズル２３は，ウェハＷ上面に直線状に純水を供給する。即ち，三方弁６７を純水供給路６９側に切り換えて純水を上面供給路６６に流す。高速回転しているウェハＷに純水を供給することにより，供給した純水をウェハＷ上面全体に均一に拡散させることができる。こうして，ウェハＷ両面をリンス処理し，ウェハＷから薬液を洗い流す。
【００４５】
リンス処理後，ウェハＷをリンス処理するときよりも高速（例えば２０００〜３０００ｒｐｍ程度）に回転させてウェハＷをスピン乾燥させる。また，三方弁５１をガス供給路５４側に切り換えてＮ２ガス（又は加熱されたホットＮ２ガス）を下面供給路５０に流し，Ｎ２ガスをウェハＷ下面に供給しても良い。このとき，下面移動部材４２の乾燥も同時に行う。図１３に示すように，スピン乾燥の途中で下面移動部材４２を退避位置Ｂに下降させ，退避位置Ｂの位置からＮ２ガスをウェハＷ下面に供給する。例えば前半の１０秒間では処理位置Ａの位置からＮ２ガスを供給し，その後に下面移動部材４２は下降して後半の１０秒間では退避位置Ｂの位置からＮ２ガスを供給する。もちろん，下面移動部材４２は，スピン乾燥が終了するまで処理位置Ａの位置でＮ２ガスを供給し続けても良い。一方，上面供給ノズル２３は，ウェハＷ上面にＮ２ガスを供給する。即ち，三方弁６７をガス供給路７０側に切り換えてＮ２ガスを上面供給路６６に流す。こうして，ウェハＷ両面をリンス処理し，ウェハＷから純水の液滴を除去する。
【００４６】
乾燥処理後，基板処理装置８内からウェハＷを搬出する。即ち，図１４に示すように，搬送アーム４は，例えばアーム４ｂを装置内に進入させてウェハＷ下面を支持させる。次いで，図１５に示すようにアーム４ｂを上昇させてスピンチャック２２からウェハＷを離して受け取り，装置内から退出させる。この場合，下面移動部材４２は退避位置Ｂに位置しているので，搬入するときと同様に下面移動部材４２とスピンチャック２２により支持されるウェハＷの位置（高さ）との間には，十分な隙間が形成されることになり，搬送アーム４は，余裕をもってスピンチャック２２からウェハＷを受け取ることができる。
【００４７】
かかる基板処理装置８によれば，ウェハＷを搬入出する際には，下面移動部材４２を予め退避位置Ｂに下降させているので，搬送装置４は，下面移動部材４２と接触することはなく，ウェハＷの搬入出を円滑に行うことができる。また，上面移動部材２５は，ウェハＷ上面に液盛りされた薬液に接触することがないので，この薬液の汚染を防止して高い洗浄能力を維持させることができる。更にウェハＷ両面に液盛りされた薬液をヒータ６１，７６により所定温度にそれぞれ温調するので，洗浄効率を向上させることができる。
【００４８】
基板処理装置８では，ウェハＷ両面を同時に洗浄することができるので，例えばウェハＷの片面のみを洗浄するように構成された基板洗浄装置を，ウェハＷ表面専用の装置とウェハＷ裏面専用の装置とに分けて設け，ウェハＷの表裏面を順次洗浄するような場合に比べて，洗浄システム１の小型化を図ると共に，スループットを向上させることができる。
【００４９】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば先の本実施形態では，下面移動部材４２は処理位置Ａに上昇した後に隙間Ｌ１に薬液を供給してウェハＷ下面を処理していたが，例えば図１６に示すように，処理位置Ａに上昇する前に（退避位置Ｂに位置している時点で）下面移動部材４２上に薬液を液盛りして液膜を形成し，液膜形成後に下面移動部材４２は処理位置Ａに上昇して，先の図１１に示したように薬液をウェハＷ下面に接触させて処理しても良い。この場合も，狭い隙間Ｌ１で薬液を挟むことにより，薬液の液盛りが崩れるのを防止しつつウェハＷ下面全体に薬液を均一に接触させ，好適な洗浄処理を実施することができる。
【００５０】
例えば図１７及び図１８に上面供給ノズルの変形例を示す。図１７，１８に示す上面供給ノズル８０の上部には，薬液が供給される薬液供給路８１と，純水及びＮ２ガスを供給する純水・ガス供給路８２がそれぞれ接続されている。また，上面供給ノズル８０内には，薬液が一旦貯留される薬液溜め部８３と，純水が一旦貯留される純水溜め部８４が設けられている。薬液供給路８１から供給された薬液は，薬液溜め部８３に溜められた後に，薬液溜め部８３に連通した複数の薬液供給口８５によりウェハＷ上面に供給され，純水・ガス供給路８２から供給された純水は，純水溜め部８４に溜められた後に，純水溜め部８４に連通した複数の純水供給口８６によりウェハＷ上面に供給される。また，薬液溜め部８３内と純水溜め部８４内には，温度調整路Ｓがそれぞれ設けられ，薬液と純水を個別に温調できるようになっている。
【００５１】
また上面供給ノズルからは薬液のみを供給し，ウェハＷ上面に純水に供給する純水ノズルと，ウェハＷ上面に乾燥ガスを供給する乾燥ノズルを個別に設けて，各種処理のときには各々対応するノズルを用いるようにしても良い。さらに薬液を供給するノズルを，複数の供給口が長手方向に一列に設けられた前記上面供給ノズル２３に代えて，供給口が１つしかない一般的な供給ノズルにしても良い。
【００５２】
また上面移動部材により，薬液処理から乾燥処理を連続して行っても良い。即ち図１９に示すように，上面移動部材８５の供給路８６に，三方弁８７を介して薬液供給路８８，純水供給路８９，ガス供給路９０が接続され，薬液供給路８８には温度調整器９１が設けられている。こうして三方弁８７を順次切り換えることにより，ウェハＷ上面に薬液，純水，Ｎ２ガスを供給して上面移動部材８５で各種処理を全て行い，さらにスピン乾燥後には前記ヒータ７６の発熱により，ウェハＷ上に残存した液滴を乾燥させても良い。
【００５３】
図２０に，本発明の別の実施の形態にかかる基板洗浄装置９５を示す。この基板洗浄装置９５は，前記スピンチャック２２により支持されたウェハＷの周囲を包囲可能な円形筒状の上面移動部材９６（カバー体）を備えている。この上面移動部材９６内には，前記ヒータ７６が埋設され，さらに上面移動部材９６の上面には，前記薬液供給路７５が接続されている。なお，上面移動部材９６を設けた点を除けば，この基板洗浄装置９５は先に説明した基板洗浄装置８と概ね同一の構成を有するため，図２０において，先に説明した図３と共通の構成要素については同じ符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００５４】
この基板洗浄装置９５にあっては，洗浄に際し，上面移動部材９６は，ウェハＷ上面に形成された薬液の液膜に接触しない位置であって，このウェハＷ上面に対して近接した位置まで移動し，ウェハＷの周囲ひいてはチャック本体４０の周囲を覆う。上面移動部材９６により覆われている状態では薬液の蒸発をより防ぐことができる。またヒータ７６が発熱すれば，ヒータ７６の熱は周囲に逃げなくなるので，ウェハＷ上面に形成された薬液の液膜を所定温度に短時間で温調することができる。さらにチャック本体４０内の雰囲気も周囲に逃げなくなるので，カップ２１の排気量も減少させることができ，例えばランニングコストを抑えることができる。
【００５５】
また，本発明は，洗浄液が供給される基板洗浄装置に限定されず，その他の種々の処理液などを用いて洗浄以外の他の処理を基板に対して施すものであっても良い。また，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００５６】
【実施例】
次に，本発明の実施例を行った。ウェハＷに洗浄液を液盛りして洗浄するパドル洗浄の除去量（エッチング量）について評価する。
【００５７】
先ず図２１に示すように，ウェハＷ上に膜厚が１０ｎｍ±０．３ｎｍ程度の熱酸化膜（Ｔｈ―Ｏｘｉｄｅ）を形成し，このようなウェハＷを，ヒータ１００が埋設された載置台１０１に載置する。そして，熱酸化膜に対して所定温度（例えば６０℃）に加温された洗浄液，例えばＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液）を液盛りし，室温の状態でウェハＷに対してＳＣ１パドル洗浄を実施する。ＡＰＭ成分の混合容量比，即ちアンモニア水溶液（ＮＨ４ＯＨ）：過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）：純水（Ｈ２Ｏ）を例えば１：１：５，１：１：１０，１：２：５，１：２：１０，１：５：５，１：５：１０，１：５：２０，１：５：５０と順次変化させ，熱酸化膜の除去量がどのように変化するか調べる。膜厚の測定には，エリプソメータ等の光学系の膜厚測定装置が使用される。処理時間は，５分間（ｍｉｎ）とし，測定結果には，ウェハＷ面内の９個の測定ポイントの測定値を平均したものを採用する。この測定結果をまとめた表を図２２に示し，この図２２に基づいて作成したグラフを図２３に示す。
【００５８】
次いで，図２４に示すように，載置台１０１に載置されたウェハＷの上方に蓋１０２を配置し，この蓋１０２とウェハＷに間に形成される隙間Ｌ３を，６０ｍｍ，３０ｍｍ，１５ｍｍと順次狭め，熱酸化膜の除去量がどのように変化するか調べる。また，隙間Ｌ３を６０ｍｍとしたときには，ＡＰＭの液膜の形状が崩れない程度に載置台１０１を回転させてＡＰＭの液膜内を攪拌させ，その場合の熱酸化膜の除去量も調べる。ＡＰＭ成分の混合容量比は，１：１：５（アンモニア水溶液：過酸化水素水：純水）に固定される。なお，ＡＰＭの所定温度，膜厚測定装置，処理時間，測定ポイント等の条件は，先に説明した評価方法と同様である。この測定結果をまとめた表を図２５に示し，この図２５に基づいて作成したグラフを図２６に示す。
【００５９】
次いで，ウェハＷの上方に蓋を配置すると共に，前記ヒータ１００を発熱させてウェハＷを所定温度（例えば６０℃）に温調することにより，熱酸化膜の除去量がどのように変化するか調べる。この場合，ＡＰＭ成分の混合容量比を，１：１：５，１：２：１０，１：５：１０，１：５：５０と順次変化させる。また，ウェハＷと蓋の距離Ｌ３は，５ｍｍに固定され，処理時間は５分間（ｍｉｎ）とする。なお，ＡＰＭの所定温度，膜厚測定装置，測定ポイント等の条件は，先に説明した評価方法と同様である。この測定結果をまとめた表を図２７に示し，この図２７に基づいて作成したグラフを図２８に示す。
【００６０】
これらの表及びグラフから理解できるように，単にウェハＷを載置台に載置する場合に熱酸化膜の除去量が最も少なく，蓋と温調を組み合わせた場合に熱酸化膜の除去量が最も多い。また，図２５及び図２６に示すように，ウェハＷの上方に蓋を配置する際には，蓋とウェハＷに間に形成される隙間Ｌ３が狭い方が，除去量が向上する。さらにウェハＷを回転させて薬液の液膜を攪拌させた方が，液膜内に液流が生じて除去量が向上するものと考えられる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば，基板を搬入出する際には，下面移動部材を予め退避位置に下降させているので，例えば基板を搬入出する搬送装置は，下面移動部材と接触することはなく，基板の搬入出を円滑に行うことができる。また，上面移動部材は，基板上面に液盛りされた洗浄液に接触することがないので，この洗浄液の汚染を防止して高い洗浄能力を維持させることができる。更に基板両面に液盛りされた薬液を，上面温度調整機構，下面温度調整機構により所定温度にそれぞれ温調するので，洗浄液の蒸発を防いで洗浄効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる基板洗浄装置を備えた洗浄システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板洗浄装置の平面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板洗浄装置の縦断面図である。
【図４】スピンチャックを拡大して示した縦断面図である。
【図５】上面供給ノズルの斜視図である。
【図６】上面供給ノズルの縦断面図である。
【図７】上面供給ノズルからウェハに洗浄液が供給される様子を示す斜視図である。
【図８】ウェハを基板洗浄装置に搬入する工程の説明図である。
【図９】ウェハをスピンチャックに渡す工程の説明図である。
【図１０】下面移動部材とウェハ下面の間に薬液を液盛りし，ウェハ上面に薬液を液盛りする工程の説明図である。
【図１１】ウェハ両面をパドル洗浄する工程の説明図である。
【図１２】ウェハ両面をリンス処理する工程の説明図である。
【図１３】ウェハ両面を乾燥処理する工程の説明図である。
【図１４】ウェハをスピンチャックから受け取る工程の説明図である。
【図１５】ウェハを基板洗浄装置から搬出する工程の説明図である。
【図１６】処理位置に上昇する前に下面移動部材上に薬液を液盛りする工程の説明図である。
【図１７】上面供給ノズルの変形例を示す斜視図である。
【図１８】図１７の上面供給ノズルの縦断面図である。
【図１９】上面移動部材の変形例を示す縦断面図である。
【図２０】別の実施の形態にかかる基板洗浄装置の縦断面図である。
【図２１】本実施例の構成を示す説明図である。
【図２２】本実施例において，熱酸化膜をＳＣ１パドル洗浄した場合のＡＰＭ成分の混合容量比と熱酸化膜の除去量の関係を示す表である。
【図２３】図２２に基づいて作成されたグラフである。
【図２４】本実施例の構成において，ウェハの上方に蓋を配置した場合の説明図である。
【図２５】本実施例において，ウェハの上方に蓋を配置してＳＣ１パドル洗浄した場合の，蓋とウェハに間に形成される隙間と熱酸化膜の除去量の関係を示す表である。
【図２６】図２５に基づいて作成されたグラフである。
【図２７】本実施例において，温調をしながらウェハの上方に蓋を配置してＳＣ１パドル洗浄した場合の，ＡＰＭ成分の混合容量比と熱酸化膜の除去量の関係を示す表である。
【図２８】図２７に基づいて作成されたグラフである。
【符号の説明】
Ａ    処理位置
Ｂ    退避位置
Ｃ    キャリア
Ｗ    ウェハ
１    洗浄システム
８，９，１０，１１  基板洗浄装置
２２  スピンチャック
２３  上面供給ノズル
２５  上面移動部材
４２  下面移動部材
５０  下面供給路
６１，７２  ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003837026.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
0003837026.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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