(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規制部とを有し、
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層と、非磁性金属材料からなるギャップ層と、上部コア層と連続する上部磁極層が下から順に連続メッキ形成されたものであって、前記トラック幅規制部のトラック幅方向端部は直線状に形成され、
前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層が、前記トラック幅規制部のハイト方向の後方に位置し、
前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間が、有機絶縁層の上に無機絶縁層が重ねられた下部コイル絶縁層によって埋められ、
前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平面としたときに、この基準平面と、前記コイル層の上面と、前記無機絶縁層の上面とが同一面上に位置し、さらに前記コイル層上には上部コイル絶縁層が形成され、
前記上部コイル絶縁層上には、第２のコイル層が形成され、前記コイル層の巻き中心部の上面は前記基準平面と同一面上に位置し、前記巻き中心部上に、前記第２のコイル層の巻き中心部が電気的に接続されており、
前記上部コア層は、トラック幅規制部上から前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上にかけて形成され、さらに前記上部コア層の基端部が下部コア層上に磁気的に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ギャップ層を形成する前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものである請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記コイル層は、導電性材料層とその上に積層された導電性保護層とで構成され、前記保護層が、前記基準平面と同一面上に現れている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記導電性材料層は、Ｃｕからなる非磁性導電層であり、前記導電性保護層は、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層である請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
（ａ）前記下部コア層の上に、下部磁極層と非磁性金属材料からなるギャップ層と上部磁極層を下から順に連続メッキ形成することによって、トラック幅規制部を所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向へ向けて所定の長さに形成し、前記トラック幅規制部のトラック幅方向端部を直線状にする工程と、
（ｂ）前記トラック幅規制部のハイト側後方で、前記下部コア層上に、絶縁下地層を形成し、この絶縁下地層の上にコイル層を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間に有機絶縁層を充填した後、前記トラック幅規制部、前記コイル層および前記有機絶縁層を覆うようにして無機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層と前記無機絶縁層とからなる下部コイル絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記無機絶縁層の上面を平坦化するとともに、トラック幅規制部の上面、前記コイル層の上面、前記コイル層の巻き中心部の上面とを互いに同一面とし、且つトラック幅規制部の上面と前記コイル層の上面と前記コイル層の巻き中心部の上面とを、前記下部コイル絶縁層の表面に露出させる工程と、
（ｅ）前記露出したコイル層上に、上部コイル絶縁層を形成する工程と、
（ｆ）前記上部コイル絶縁層の上に、第２のコイル層を形成し、このとき、前記コイル層の前記巻き中心部上に、第２のコイル層の巻き中心部を積層する工程と、
（ｇ）前記トラック幅規制部の上から前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上に、上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記ギャップ層を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択する請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記コイル層を導電性材料層とその上に積層された導電性保護層とで構成し、
前記（ｄ）工程で、前記導電性保護層を下部コイル絶縁層の表面に露出させる請求項５または６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記導電性材料層を、Ｃｕで形成し、前記導電性保護層を、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特にインダクタンスの低減を図り、高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１８は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図１９は、図１８に示す１９−１９線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【０００３】
図１８及び図１９に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。
【０００４】
前記絶縁層９には、記録媒体との対向面（以下、ＡＢＳ面と呼ぶ）からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された溝部９ａが形成されている。
【０００５】
この溝部９ａ内には、下から順に、下部コア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５がメッキ形成されている。
【０００６】
また図１９に示すように、絶縁層９に形成された溝部９ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）における前記絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成されたコイル層７が設けられている。
【０００７】
そして前記コイル層７は、レジストなどのコイル絶縁層８により覆われており、前記コイル絶縁層８の上に、上部コア層６が形成されている。前記上部コア層６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基端部６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００８】
図１８および図１９に示すインダクティブヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００９】
図１８および図１９に示すインダクティブヘッドでは、ＡＢＳ面（記録媒体との対向面）付近に、局部的にトラック幅Ｔｗで形成された下部磁極層３、ギャップ層４、および上部磁極層５を形成しており、このタイプのインダクティブヘッドは、狭トラック化に対応可能となっている。
【００１０】
図１８および図１９に示すインダクティブヘッドの製造方法について説明すると、まず下部コア層１上に絶縁層９を形成し、前記絶縁層９に、トラック幅Ｔｗの溝部９ａをＡＢＳ面からハイト方向に所定の長さで形成する。
【００１１】
次に前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁極層５を連続メッキして形成し、その後、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも後方（ハイト方向）の絶縁層９上に、コイル層７をパターン形成する。
【００１２】
さらに前記コイル層７上を、コイル絶縁層８によって覆い、上部磁極層５上から前記コイル絶縁層８上にかけて上部コア層６を、フレームメッキ法で形成すると、図１８および図１９に示すインダクティブヘッドが完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、今後の高記録密度化・高記録周波数化に伴い、狭トラック化とともに、インダクティブヘッドのインダクタンスを低減させる必要性がある。
【００１４】
インダクタンスの低減を図るためには、下部コア層１から上部コア層６を経て形成される磁路長を短くしなければならず、そのために、上部コア層６の先端部６ａから基端部６ｂまでの間に形成されるコイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくする必要性がある。コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくすれば、上部コア層６の長さを短くでき、短磁路化を実現できる。
【００１５】
前記コイル層７のターン数を変えずに、前記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくするには、前記コイル層７を２層の積層構造にする方法が考えられる。
【００１６】
しかしながら、図１８および図１９に示す薄膜磁気ヘッドの構造では、コイル層７を単純に２層の積層構造にしても、磁路長を今後の高記録周波数化に対応できるほど、磁路長を短くできず、インダクタンスのより適切な低減を図ることは難しい。
【００１７】
その理由は、前記コイル層７が、膜厚の厚い絶縁層９の上に形成されるからである。図１８に示すように、前記絶縁層９はその膜厚がＨ５で形成され、前記膜厚Ｈ５は下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁極層５の総合膜厚であるＨ６よりも大きい。このため図１９に示すように、前記絶縁層９上に形成されるコイル層７は、上部磁極層５と上部コア層６との接合面を基準平面としたときに、この基準平面よりも上部コア層６側に形成されることになる。
【００１８】
従って単純にコイル層７を２層の積層構造にすると、前記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくできても、下部コア層１上からコイル層７を覆うコイル絶縁層８上までの高さは非常に大きくなってしまい、結局磁路長をそれほど短くすることはできず、インダクタンスの適切な低減を図ることはできない。
【００１９】
また図１９に示す構造のインダクティブヘッドにて、単純にコイル層７を２層の積層構造にしたのでは、前記コイル層７を覆うコイル絶縁層８の厚さ寸法Ｈ１は大きくなり、上部磁極層５の表面を基準平面とした場合における前記コイル絶縁層８の盛り上がりは非常に大きくなってしまう。
【００２０】
このため、前記上部磁極層５上からコイル絶縁層８上にかけて形成される上部コア層６をフレームメッキ法でパターン形成しずらくなり、前記上部コア層６の、特に先端部６ａ付近の形状を所定形状に形成できないといった問題が発生する。
【００２１】
またコイル層７の各導体部の幅寸法Ｔ２を小さくして、各導体部の高さ寸法Ｈ２を厚くすれば、コイル層の体積に変化がないことから、コイル抵抗値の増大を招くことはなく、しかもこの場合、前記各導体部の幅寸法Ｔ２を小さくできるから、コイル層７全体の幅寸法Ｔ１を小さくでき、さらなる短磁路化によりインダクタンスの低減を図ることが可能になる。
【００２２】
しかしながら、各導体部の高さＨ２は高くなるので、益々前記コイル層７を覆うコイル絶縁層８の盛り上がりは大きくなってしまい、上記したパターン精度良く上部コア層６を形成できないという問題が顕著に表れる。
【００２３】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に狭トラック化と共に、磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明における薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規制部とを有し、
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層と、非磁性金属材料からなるギャップ層と、上部コア層と連続する上部磁極層が下から順に連続メッキ形成されたものであって、前記トラック幅規制部のトラック幅方向端部は直線状に形成され、
前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層が、前記トラック幅規制部のハイト方向の後方に位置し、
前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間が、有機絶縁層の上に無機絶縁層が重ねられた下部コイル絶縁層によって埋められ、
前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平面としたときに、この基準平面と、前記コイル層の上面と、前記無機絶縁層の上面とが同一面上に位置し、さらに前記コイル層上には上部コイル絶縁層が形成され、
前記上部コイル絶縁層上には、第２のコイル層が形成され、前記コイル層の巻き中心部の上面は前記基準平面と同一面上に位置し、前記巻き中心部上に、前記第２のコイル層の巻き中心部が電気的に接続されており、
前記上部コア層は、トラック幅規制部上から前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上にかけて形成され、さらに前記上部コア層の基端部が下部コア層上に磁気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明では、今後の高記録密度化・高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すべく、特にコイル層の形成位置を従来と異ならしめ、短磁路化を実現できインダクタンスの低減を図ることを本発明の目的としている。
【００２６】
上記のように本発明におけるコイル層は、下部コア層および上部コア層間に形成されたトラック幅規制部のハイト側後方であって、前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平面としたときに前記基準平面と同一平面上に、前記コイル層の表面が表れるように形成されている。
【００２７】
すなわち本発明では図１９に示す薄膜磁気ヘッドに比べ、コイル層の形成位置を、より下部コア層側に位置せしめ、よって本発明では、図１９の薄膜磁気ヘッドに比べて、下部コア層上から前記コイル層を覆う絶縁層（上部コイル絶縁層）上までの高さ寸法を小さくできるから、従来に比べ上部コア層の長さを小さくでき、よって、より適切な短磁路化を実現でき、インダクタンスの低減を図ることが可能になっている。
【００２８】
特に本発明では前記コイル層をその上面が、前記基準平面と同一面上となるように形成することで、前記コイル層の厚さ寸法を最大限に大きく形成することができる。従って前記コイル層の各導体部の幅寸法を小さくしても、断面積に比例するコイル抵抗値の増大を招くことはなく、従って上部コア層の先端部から基端部までの前記コイル層全体の幅寸法を小さくすることができ、さらなる短磁路長化を実現できてインダクタンスの低下を図ることが可能である。
【００２９】
前記ギャップ層を形成する前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
また、本発明では前記コイル層は、導電性材料層とその上に積層された導電性保護層とで構成され、前記保護層が、前記基準平面と同一面上に現れていることが好ましい。
【００３０】
これにより、前記コイル層を構成する導電性材料層を酸化から保護でき、しかも前記コイル層のコイル抵抗値を所定数値内に設定することが可能になる。
【００３１】
また、本発明では、前記導電性材料層は、Ｃｕからなる非磁性導電層であり、前記導電性保護層は、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であることが好ましい。
【００３６】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）前記下部コア層の上に、下部磁極層と非磁性金属材料からなるギャップ層と上部磁極層を下から順に連続メッキ形成することによって、トラック幅規制部を所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向へ向けて所定の長さに形成し、前記トラック幅規制部のトラック幅方向端部を直線状にする工程と、
（ｂ）前記トラック幅規制部のハイト側後方で、前記下部コア層上に、絶縁下地層を形成し、この絶縁下地層の上にコイル層を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間に有機絶縁層を充填した後、前記トラック幅規制部、前記コイル層および前記有機絶縁層を覆うようにして無機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層と前記無機絶縁層とからなる下部コイル絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記無機絶縁層の上面を平坦化するとともに、トラック幅規制部の上面、前記コイル層の上面、前記コイル層の巻き中心部の上面とを互いに同一面とし、且つトラック幅規制部の上面と前記コイル層の上面と前記コイル層の巻き中心部の上面とを、前記下部コイル絶縁層の表面に露出させる工程と、
（ｅ）前記露出したコイル層上に、上部コイル絶縁層を形成する工程と、
（ｆ）前記上部コイル絶縁層の上に、第２のコイル層を形成し、このとき、前記コイル層の前記巻き中心部上に、第２のコイル層の巻き中心部を積層する工程と、
（ｇ）前記トラック幅規制部の上から前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上に、上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００３７】
このように本発明では、まず最初に下部コア層上に、磁極層およびギャップ層から成るトラック幅規制部を、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法にて形成しているので、前記トラック幅規制部の後方には、図１８および図１９に示す絶縁層９は存在せず、従ってコイル層を、前記トラック幅規制部の後方の下部コア層上に、膜厚の薄い絶縁下地層を介して形成することができる。
【００３８】
よって本発明では、下部コア層上から前記コイル層上を覆う上部コイル絶縁層上までの高さ寸法を小さくすることができ、短磁路化の実現によりインダクタンスの低減を図ることが可能である。
【００３９】
また本発明における製造方法では、（ｄ）工程後における前記トラック幅規制部の上面よりも高い位置まで、コイル層を絶縁下地層上にパターン形成し、その後前記トラック幅規制部上からコイル層上にかけて形成された下部コイル絶縁層を、ＣＭＰ技術などを用いて削り、この際前記トラック幅規制部と前記コイル層の上面を露出させている。
【００４０】
すなわち本発明の製造方法のように、下部コア層上に絶縁下地層を介してコイル層を形成する工程と、ＣＭＰ技術などにより前記コイル層を覆う下部コイル絶縁層を研磨して、前記下部コイル絶縁層の上面を、トラック幅規制部の上面と同一面上に位置せしめる工程と、を含む場合に、本発明によれば、下部コア層上に絶縁下地層を介して形成されるコイル層の膜厚を最大限に大きくして形成することが可能である。このようにコイル層の膜厚を大きくできれば、コイル層の各導体部の幅寸法を小さくしても、コイル抵抗値の増大を招かないから、前記コイル層の幅寸法を小さくしてさらなる短磁路化を図ることが可能である。
【００４１】
本発明では、前記ギャップ層を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましい。
また本発明では、前記コイル層を導電性材料層とその上に積層された導電性保護層とで構成し、
前記（ｄ）工程で、前記導電性保護層を下部コイル絶縁層の表面に露出させることが好ましい。
【００４２】
また前記導電性材料層を、Ｃｕで形成し、前記導電性保護層を、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成することが好ましい。
【００４７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【００４８】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００４９】
図１及び図２に示す符号１０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００５０】
また図１に示すように、後述する下部磁極層１１の基端から延びる下部コア層１０の上面１０ａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層１６から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されていてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されることで、よりいっそうライトフリンジングを適切に防止することができる。
【００５１】
図１に示すように、下部コア層１０の上には、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。これにより狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００５２】
図１および図２に示す実施例では、前記トラック幅規制部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層１３の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層１１、１３およびギャップ層１２について説明する。
【００５３】
図１および図２に示すように、前記下部コア層１０上には、トラック幅規制部１４の最下層となる下部磁極層１１がメッキ形成されている。前記下部磁極層１１は、下部コア層１０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００５４】
また図１及び図２に示すように、前記下部磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１２が積層されている。
【００５５】
本発明では、前記ギャップ層１２は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００５６】
次に前記ギャップ層１２上には、後述する上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１３がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層１３は、上部コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００５７】
上記したようにギャップ層１２が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャップ層１２および上部磁極層１３を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００５９】
また上記したように、トラック幅規制部１４を構成する下部磁極層１１および上部磁極層１３は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層１２に対向する下部磁極層１１および上部磁極層１３は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層１１および上部磁極層１３が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００６０】
また図１に示すように、前記トラック幅規制部１４の厚さ寸法はＨ４で形成されている。例えば一例として、下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層１２の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１３の膜厚は２μｍ程度である。
【００６１】
また前記トラック幅規制部１４は、図２に示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されている。
【００６２】
前記長さ寸法Ｌ１は、ギャップデプスＧｄとして規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００６３】
ところで本発明では、図１に示すように下部コア層１０上であって、トラック幅規制部１４の両側には、下部コイル絶縁層１５が記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）に露出している。この下部コイル絶縁層１５は、トラック幅規制部１４のハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成されたコイル層１７を構成する各導体部のピッチ間を埋めるために用いられるものであり、図１８に示す薄膜磁気ヘッドの絶縁層９とは、異なる役割（機能）を有していることに留意すべきである。
【００６４】
すなわち図１８に示す記録媒体との対向面に露出する絶縁層９は、狭トラック化に対応するために用いられるものであり、前記絶縁層９には、記録媒体との対向面に、内幅寸法をトラック幅Ｔｗとして規定する溝部９ａが形成されている。そして前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁極層５がメッキ形成され、さらに図１９に示すように、前記絶縁層９上にコイル層７がパターン形成されている。
【００６５】
本発明では、図２に示すように前記コイル層１７は、トラック幅規制部１４のハイト側後方（図示Ｙ方向）であって、前記トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記基準平面Ａと同一面上に前記コイル層１７の上面１７ｂが位置している。
【００６６】
本発明では図２に示すように、前記下部コア層１０とコイル層１７との間には、下部コア層・コイル層間の絶縁確保のための絶縁下地層１８が形成されており、この絶縁下地層１８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００６７】
そして図２に示すように、前記下地絶縁層１８上には、巻き中心部１７ａを中心として螺旋状にパターン形成された、例えばＣｕなどのコイル層１７が形成されている。また図２に示すように前記コイル層１７の各導体部のピッチ間は、下部コイル絶縁層１５によって埋められ、この下部コイル絶縁層１５は、前述したように記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）にまで露出して形成されている（図１参照）。
【００６８】
また前記下部コイル絶縁層１５の上面もまた、前記コイル層１７の上面１７ｂと同様に、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面（基準平面Ａ）と同一面上で形成されており、前記下部コイル絶縁層１５上面とコイル層１７の上面１７ｂとが連続した平坦化面となっている。
【００６９】
また図１および図２に示す実施例の前記下部コイル絶縁層１５は、無機材料で形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮから１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００７０】
また他の形態としては、前記コイル層１７の各導体部のピッチ間に、下部コア層１０上から所定の高さまで有機材料で形成された有機絶縁層（図示しない）が充填され、前記有機絶縁層の上から、コイル層１７の上面１７ｂと同一面上まで無機材料製の下部コイル絶縁層１５が形成されていてもよい。
【００７１】
前記のように有機絶縁層を充填する理由は、図２に示すように、前記無機材料製の下部コイル絶縁層１５のみで前記コイル層１７の各導体部のピッチ間を埋めようとしても、スパッタの際にシャドー効果等により、前記コイル層１７のピッチ間を下部コイル絶縁層１５で適切に埋めることができず、前記下部コイル絶縁層１５に空洞部が形成されやすいからである。
【００７２】
このように前記下部コイル絶縁層１５に空洞部が形成されると、前記空洞部に溜まったガスが、磁気ヘッド駆動の際の発熱により膨張するなどして、薄膜磁気ヘッドの形状を変形させるなどの悪影響を及ぼす可能性がある。
【００７３】
よって、まずレジストなどの有機材料によってコイル層１７の各導体部のピッチ間をある程度埋めてから、前記有機絶縁層上にスパッタ等により下部コイル絶縁層１５を形成することが好ましい。
【００７４】
図２に示すように、前記コイル層１７上には、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された上部コイル絶縁層２２が形成されており、前記上部コイル絶縁層２２上に第２のコイル層２３が螺旋状にパターン形成されている。前記第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａは、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接磁気的に接続された状態になっている。
【００７５】
図２に示すように、前記第２のコイル層２３は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された第２コイル絶縁層２４によって覆われ、前記第２コイル絶縁層２４上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１６がフレームメッキ法などにより形成されている。
【００７６】
図２に示すように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａが、トラック幅規制部１４上に接して形成されており、また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２５上に磁気的に接続された状態となっている。なお前記持ち上げ層２５は形成されていなくてもよく、この場合、前記上部コア層１６の基端部１６ｂが、下部コア層１０上にまで延びて、下部コア層１０上に直接磁気的に接続された状態となる。また図１に示すように前記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法Ｔ３は、トラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。
【００７７】
ところで本発明におけるインダクティブヘッドでは、コイルが２層の積層構造となっているが、コイルを２層の積層構造とした理由は、コイル層１７の幅寸法Ｔ４を小さくして、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さを短くすることで、下部コア層１０から上部コア層１６を経て形成される磁路長を短くし、インダクタンスの低減を図り、今後のさらなる高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することにある。例えば図２に示すように第１層目となるコイル層１７を５ターンで形成し、第２のコイル層２３を４ターンで形成した場合、前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４を２０μｍ程度にまで小さくできることが確認されている。
【００７８】
さらに本発明では図２に示すように、第１層目となるコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハイト側後方であって、前記トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記コイル層１７の上面１７ｂを、前記基準平面Ａと同一面上に位置せしめているので、下部コア層１０上から第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高さを、従来の薄膜磁気ヘッド（図１９参照）のコイル層を２層の積層構造にした場合に比べて小さくすることができる。
【００７９】
従って本発明では、コイル層の幅寸法を小さくできると同時に、下部コア層１０上から図示Ｚ方向における高さ寸法をも小さくできるから、前記上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さを適切に小さくできて、さらなる短磁路化を実現でき、インダクタンスは低減され、今後の高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８０】
しかも本発明では、上記のようにコイル層１７の上面１７ｂが、前記基準平面Ａと同一面上に位置するようにしているが、これにより前記コイル層１７を構成する各導体部の厚さ寸法Ｈ５を大きくすることができる。
【００８１】
図２に示す構造の薄膜磁気ヘッドであれば、前記コイル層１７の上面１７ｂを、前記基準平面Ａよりも下部コア層１０側に位置せしめることも可能であるが、本発明では、あえて前記上部コア層１７の上面１７ｂを、前記基準平面Ａと同一面上にまで延ばして形成し、前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を大きくしているのである。
【００８２】
コイル抵抗値の増大を防止するには、前記コイル層の断面積をある一定値に保つことが必要であるが、本発明では上記のようにコイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を大きくできるから、その分だけ前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくすることができ、前記上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂ間の前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４をさらに小さくすることができ、さらなる短磁路化によりインダクタンスの低減をより適切に図ることが可能である。
【００８３】
しかも本発明における薄膜磁気ヘッドは、狭トラック化に対応することもできる。トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗの調整方法については、後の製造方法で詳述することとするが、本発明では、前述したように前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下に形成することができ、この寸法は、レジストを露光現像した際の分解能の限界値以下の数値である。
【００８４】
また本発明では、コイル層１７の上面１７ｂが、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に位置し、しかも前記コイル層１７を構成する各導体部のピッチ間を埋める下部コイル絶縁層１５の上面もまた前記基準平面Ａと同一面上に形成されるので、前記基準平面Ａからハイト方向にかけては、平坦化面が広がっており、従って前記平坦化面上に上部コイル絶縁層２２を平坦化して形成しやすい。
【００８５】
よって平坦化された前記上部コイル絶縁層２２上に第２のコイル層２３をパターン精度良く形成することが可能である。
【００８６】
しかも図２に示すように基準平面Ａからコイル層を覆う絶縁層の盛り上がりは、上部コイル絶縁層２２と前記第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４の厚み分しかないので、基準平面Ａと第２コイル絶縁層２４との間の段差は小さく、よってトラック幅規制部１４上から第２コイル絶縁層２４上にかけて形成される上部コア層１６を、パターン精度良く形成することが可能である。
【００８７】
なお図２に示す実施例では、コイルを２層構造で形成しているが前記コイルを１層構造で形成してもよい。すなわち図２では、第１層目となるコイル層１７のターン数と第２層目となる第２のコイル層２３のターン数を合わせたターン数は９であるが、このターン数をコイル層１７の１層で形成してもよい。
【００８８】
なお１層のコイル層１７のみとする場合には、前記コイル層１７を覆う上部コイル絶縁層２２上に上部コア層１６がパターン形成されることになる。
【００８９】
１層のコイル層１７のみが形成される場合、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂ間に形成されるコイル層１７の幅寸法Ｔ４は長くなるので、コイルを２層の積層構造にした場合に比べて、磁路長が長くなり従ってインダクタンスは増大するが、図１９に示すコイル層が１層で形成されたインダクティブヘッドの場合に比べれば、インダクタンスは低減される。
【００９０】
すなわち本発明では前述したように、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａよりも上部コア層１６の先端部１６ａが前記基準平面Ａと同一面上に位置するようにしているのに対し、図１９に示すインダクティブヘッドの場合では、コイル層７が、絶縁層９の上に形成され、上部磁極層５と上部コア層６との接合面を基準平面としたときに前記基準平面よりも前記コイル層７は上部コア層６側に形成されている。
【００９１】
従って本発明の方が、図１９に示すインダクティブヘッドの場合よりも下部コア層１０上からコイル層１７を覆う上部コイル絶縁層２２上までの高さを小さくでき、よって上部コア層１６の長さを短くできて短磁路化を実現でき、インダクタンスをより適切に低減させることが可能である。
【００９２】
ところで本発明では、図２に示すように、コイル層１７は、Ｃｕなどから成る導電性材料層２６と、その上に積層されたＮｉなどから成る導電性保護層２７とで構成されることが好ましい。
【００９３】
前記導電性材料層２６がＣｕで形成されれば、コイル抵抗値を低くでき、また許容電流を大きくすることができる。
【００９４】
また前記導電性保護層２７は、Ｎｉに限らず、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の耐酸化性に優れた導電層であることが好ましい。
【００９５】
そして本発明では図２に示すように、コイル層１７を構成する導電性材料層２６の上面を、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面（基準平面Ａ）の高さ位置よりも若干低く形成し、前記基準平面Ａと同一面上に、導電性保護層２７を露出させている。その理由は、前記導電性材料層２６を酸化から未然に防止することと、コイル層１７の許容電流やコイル抵抗値を一定にすることにある。
【００９６】
図２に示すように、前記コイル層１７上には上部コイル絶縁層２２が形成されるが、この上部コイル絶縁層２２が形成されるまでの間に、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面と同一面上に形成されたコイル層１７の上面１７ｂは大気中に曝されることがあり、この際、前記コイル層１７がＣｕなどの導電性材料層２６単層で形成されていると、前記導電性材料層２６の表面は酸化され、例えば図２に示す上部コイル絶縁層２２との密着性や、あるいはコイル層１７の巻き中心部１７ａと第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａとの密着性が悪化し、膜剥れなどが生じる。
【００９７】
また上記した酸化層の形成は、インダクティブヘッドのコイル抵抗値を不安定化させ、記録特性を低下させる原因となる。
【００９８】
このため本発明では、Ｃｕなどで形成された導電性材料層２６の上に、前記導電性材料層２６を酸化から防止する例えばＮｉから成る導電性保護層２７を設け、上部コイル絶縁層２２を形成する際に露出するコイル層１７を、前記導電性保護層２７とすることで、前記導電性材料層２６の酸化を適切に防止することが可能になっている。
【００９９】
なお前記導電性保護層２７の膜厚は０．１〜０．５μｍ程度であることが好ましい。なおＮｉなどで形成された導電性保護層２７も大気に曝されると、酸化する虞があるが、前記導電性保護層２７が、例えばＮｉで形成されている場合、前記導電性保護層２７に形成される酸化層は、３．０ｎｍ程度であるので、上記のように導電性保護層２７を０．１〜０．５μｍ程度の膜厚で形成すれば、前記酸化層をイオンミリング等で除去しても、直接前記イオンミリングの影響を導電性材料層２６が受けることはなく、よって前記導電性材料層２６の断面積の変化を防ぐことが可能である。
【０１００】
なおコイル層が、導電性材料層と導電性保護層との積層構造となる構成は、第２のコイル層２３にも適用可能である。
【０１０１】
また前記導電性材料層２６と導電性保護層２７は、連続してメッキ形成されることが好ましい。
【０１０２】
次に図３に示す薄膜磁気ヘッドは他の実施形態を示す部分断面図であり、図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、Ｇｄ決め絶縁層２８を設けている点で、図１に示す薄膜磁気ヘッドと異なるだけで、その他の構成は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じである。
【０１０３】
図３に示す薄膜磁気ヘッドにおいても、下部コア層１０上の記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法にて、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成されている。
【０１０４】
前記トラック幅規制部１４には、下部コア層１０と連続する下部磁極層１１と上部コア層１６と連続する上部磁極層１３との少なくとも一方と、前記各磁性層の間を絶縁しまたはいずれか一方の前記コア層と前記いずれかの磁極層とを絶縁するギャップ層１２とを有していれば、どのような膜構成であってもかまわない。また各磁極層１１，１３及びギャップ層１２は、単層で形成されていてもよいし、多層で形成されていてもよい。なお図３に示す実施例では、上部磁極層１３が２層構造で形成されている。
【０１０５】
図３に示すように、トラック幅規制部１４の後方には絶縁材料製のＧｄ決め絶縁層２８が形成されている。
【０１０６】
この実施例では前記Ｇｄ決め絶縁層２８の前端面から記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）までのギャップ層１２の長さ寸法Ｌ２で、ギャップデプスＧｄが規制される。
【０１０７】
図３に示すようにＧｄ決め絶縁層２８は、その上面が丸みを帯びて形成され、下部コア層１０から図示Ｚ方向に向かうにつれて、前記Ｇｄ決め絶縁層２８の前端面はハイト方向（図示Ｙ方向）に傾いて形成されている。すなわち図示Ｚ方向に向かうほど、前記Ｇｄ決め絶縁層２８の前端面からＡＢＳ面までの長さは長くなっている。
【０１０８】
本発明では図３に示すように、上部磁極層１３が、ちょうど前記Ｇｄ決め絶縁層２８の中腹付近から上面にかけて形成されており前記上部磁極層１３の長さ寸法は、ギャップ層１２や下部磁極層１１に比べて長く形成されている。
【０１０９】
このように縦断面における上部磁極層１３の長さを長く形成することで、前記上部磁極層１３の体積をかせぐことができ磁気飽和を防止でき、磁気効率の向上を図ることが可能になる。
【０１１０】
また図３に示すように、前記トラック幅規制部１４のハイト側後方（図示Ｙ方向）であって、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に、コイル層１７の上面１７ｂが位置している。
【０１１１】
前記コイル層１７は、下部コア層１０上に、下部コア層・コイル層間の絶縁確保のための絶縁下地層１８を介して形成されており、前記コイル層１７を構成する各導体部のピッチ間は、下部コイル絶縁層１５で埋められている。前記絶縁層１５は、無機材料で形成されることが好ましく、前記無機材料には、前述したように、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮから１種または２種以上が選択される。
【０１１２】
なお下部コイル絶縁層１５を構成する各導体部のピッチ間は、まずレジストなどの有機材料からなる絶縁層によってある程度埋められ、その上に無機材料からなる下部コイル絶縁層１５が埋められていてもかまわない。
【０１１３】
図３に示す実施例においても前記下部コイル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁層２２を介して第２のコイル層２３が螺旋状にパターン形成されている。なおトラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記基準平面Ａと同一面上に、コイル層１７および下部コイル絶縁層１５の上面が位置し、前記基準平面Ａからハイト方向（図示Ｙ方向）には、平坦化面が広がっているので、前記平坦化面上に、上部コイル絶縁層２２を介して第２のコイル層２３をパターン精度良く形成することができる。
【０１１４】
図３に示すように前記第２のコイル層２３は、レジストやポリイミドなどの有機材料製の第２コイル絶縁層２４で覆われ、前記第２コイル絶縁層２４上には、上部コア層１６がパターン形成されている。前記上部コア層１６の先端部１６ａは、トラック幅規制部１４上に接して形成され、さらに基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層２５上に接して形成されている。
【０１１５】
また前記コイル層１７の巻き中心部１７ａの上面もまた、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に位置し、前記巻き中心部１７ａ上に、第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａが電気的に接続された状態になっている。
【０１１６】
この実施例においても、コイルが２層の積層構造で形成され、しかも前記２層のうち第１層目となるコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハイト側後方であって、前記トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一平面上にコイル層１７の上面１７ｂが位置するようになっている。
【０１１７】
このため前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４を小さくできると同時に、下部コア層１０上から第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高さを小さくできる。従って、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さ寸法を小さくでき、短磁路化によってインダクタンスの低減を図ることができる。
【０１１８】
特にコイル層１７の上面１７ｂを、基準平面Ａと同一面上で形成することで、前記コイル層１７の厚さ寸法を最大限に大きくすることができるから、その分だけ前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法を小さくでき、よって前記コイル層１７の全体の幅寸法Ｔ４を小さくすることができる。
【０１１９】
このためさらに、下部コア層１０から上部コア層１６を経て形成される磁路長を短くすることができ、より適切にインダクタンスの低減を図ることができる。
【０１２０】
またこの実施例においても図２に示す薄膜磁気ヘッドと同様に狭トラック化に対応可能なものとなっている。
【０１２１】
さらに、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記基準平面Ａから突出するコイル層を覆う絶縁層は、上部コイル絶縁層２２と第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４の厚さ分しかないので、前記基準平面Ａと第２コイル絶縁層２４上面との間の段差を小さくでき、よって上部コア層１６をパターン精度良く形成することができる。
【０１２２】
また前記コイル層１７をＣｕなどからなる導電性材料層２６とその上に積層された導電性保護層２７とで構成し、前記導電性保護層２７を、前記基準平面Ａと同一面上で形成することで、前記導電性材料層２６を酸化から防止し、前記コイル層の許容電流やコイル抵抗値を一定値に保つことが可能である。
【０１２３】
図４から図１１は、図２に示す本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一連の製造工程図である。なおこの製造工程は、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの製造方法を示し、前記基端部１６ｂよりもハイト側における部分の製造方法を示していない。それについては次の図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法の際に説明することとする。
【０１２４】
まず図４では、下部コア層１０上に、パーマロイなどの磁性材料からなる磁性下地膜３０を形成し、その上にレジスト層３１を塗布形成している。前記レジスト層３１の厚さ寸法Ｈ７は、少なくとも図１に示す完成した薄膜磁気ヘッドにおけるトラック幅規制部１４の厚さ寸法Ｈ４よりも厚く形成されていなければならない。
【０１２５】
次に前記レジスト層３１に露光現像によって、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝３１ａを形成し、前記溝３１ａ内に、トラック幅規制部１４を形成する。
【０１２６】
図４に示すように前記トラック幅規制部１４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層１３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成されている。
【０１２７】
また各磁極層１１，１３およびギャップ層１２は単層で形成されていてもよいし、多層で形成されていてもよい。
【０１２８】
また前記ギャップ層１２を、前記磁極層１１，１３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギャップ層１２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１２９】
また前記レジスト層３１のハイト方向（図示Ｙ方向）後端には、露光現像によって穴部３１ｂを形成し、この穴部３１ｂ内に、磁性材料製の持ち上げ層２５をメッキ形成する。
【０１３０】
図５に示す工程では前記レジスト層３１を除去した状態を示しており、前記下部コア層１０上には、ＡＢＳ面付近にトラック幅規制部１４が形成され、前記トラック幅規制部１４からハイト方向に離れた位置に持ち上げ層２５が形成されている。
【０１３１】
なお図５に示すトラック幅規制部１４の両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラック幅規制部１４の幅寸法を小さくすることも可能である。このイオンミリングによって削られたトラック幅規制部１４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。
【０１３２】
なお前記イオンミリングによって、下部磁極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示すような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面に形成される。
【０１３３】
次に図６に示す工程では、トラック幅規制部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上げ層２５上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された絶縁下地層１８をスパッタ形成する。
【０１３４】
そして図６に示すように、前記絶縁下地層１８上にコイル層１７を螺旋状にパターン形成する。
【０１３５】
なおこのパターン形成の際、予め前記コイル層１７の上面１７ｂが、後の図８に示す工程の際におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置に形成しておく必要性がある。
【０１３６】
また本発明では図６に示すように、前記コイル層１７を、Ｃｕで形成された導電性材料層２６と前記導電性材料層２６の上に積層されたＮｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成される導電性保護層２７とで構成することが好ましい。
【０１３７】
この場合本発明では、前記導電性材料層２６を絶縁下地層１８上に形成する際に前記導電性材料層２６の上面が、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置となるように形成し、さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に形成する際に、前記導電性保護層２７の上面（上面１７ｂ）が、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置となるように形成することが好ましい。
【０１３８】
次に図７に示す工程では、コイル層１７上を下部コイル絶縁層１５により覆う。なおこの際、トラック幅規制部１４上および持ち上げ層２５上も前記下部コイル絶縁層１５によって覆われる。
【０１３９】
なお本発明では前記下部コイル絶縁層１５を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮのうちから１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１４０】
そして図７に示すように、前記下部コイル絶縁層１５の上面をＣＭＰ技術などを利用してＢ−Ｂ線上まで削っていく。その状態を示すのが図８である。
【０１４１】
前記下部コイル絶縁層１５がＢ−Ｂ線まで削られることにより、図８に示すように、トラック幅規制部１４の上面１４ａが露出し、しかもこの上面１４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７ｂまでもが露出した状態になる。
【０１４２】
このようにトラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７ｂが露出する理由は、図６に示す工程で、コイル層１７の上面１７ｂを、図８工程後のトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置で形成しているからである。
【０１４３】
従って図７に示す工程で、下部コイル絶縁層１５の上面を削っていくと、コイル層１７の上面１７ｂも削れていき、研磨工程を終了すると、前記トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７ｂを位置させることができる。
【０１４４】
ところで図６に示す工程で、コイル層１７の高さ位置を、図８工程後のトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置で形成すれば、研磨工程後における図８では、前記コイル層１７の上面１７ｂは外部に露出せず、前記コイル層１７は、下部コイル絶縁層１５の内部に完全に埋められた状態になる。このようにコイル層１７を下部コイル絶縁層１５内に完全に埋めてしまえば、例えば次工程で第２のコイル層２３を形成する際に、前記下部コイル絶縁層１５上に直接、前記第２のコイル２３を形成でき、図９に示すように、コイル層１７と第２のコイル層２３との電気的な絶縁を確保するために必要な上部コイル絶縁層２２の形成が不必要になるという利点がある。
【０１４５】
しかしながら本発明ではあえて、前記コイル層１７の高さを延ばしてコイル層１７の上面１７ｂを、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置せしめるように形成した理由は、前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を最大限に大きくしようとしたからである。
【０１４６】
すなわち前記コイル層１７の上面１７ｂを、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上まで延ばして厚さ寸法Ｈ５を大きくできれば、その分だけ前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくしても、前記コイル層１７の断面積は大きくならないから前記コイル層の断面積に比例するコイル抵抗値が増大することはない。
【０１４７】
そして本発明では上記のように、前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくできることで、トラック幅規制部１４から持ち上げ層２５間におけるコイル層１７全体の幅寸法をより小さくすることが可能になる。コイル層１７の幅寸法を小さくできれば、短磁路化を適切に実現することができる。
【０１４８】
また本発明では前述したように、コイル層１７を、導電性材料層２６とその上に積層された導電性保護層２７とで構成し、図６に示す工程では、前記導電性材料層２６を、図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置まで形成し、さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に、図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置まで形成している。
【０１４９】
このためＣＭＰ法などにより下部コイル絶縁層１５を削った状態における図８では、前記コイル層１７のうち導電性保護層２７が露出した状態になっている。なお図８の状態における前記導電性保護層２７の膜厚は、０．１〜０．５μｍ程度であることが好ましい。
【０１５０】
このように前記導電性保護層２７を露出させる理由は、前記コイル層１７を構成する導電性材料層２６を酸化から防止するためである。なお露出した前記導電性保護層２７は、大気に曝されることによりその表面は酸化されるが、前記酸化層は３．０ｎｍ程度と非常に薄い。このためイオンミリング法などにより前記導電性保護層２７の酸化層を削っても、前記導電性保護層２７の膜厚は０．１〜０．５μｍ程度であることから、前記イオンミリングの影響を導電性材料層２６が受けることはなく、前記導電性材料層２６の体積を変化させることがない。従って前記コイル層１７のコイル抵抗値や許容電流を一定値に保つことが可能である。
【０１５１】
次に図９に示すように、前記コイル層１７上および下部コイル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁層２２を形成する。この上部コイル絶縁層２２は、例えばレジストやポリイミドなどの有機材料で形成される。
【０１５２】
本発明では、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に、コイル層１７の上面１７ｂおよび下部コイル絶縁層１５の上面が位置し、前記トラック幅規制部１４の上面１４ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、平坦化された面が広がっており、前記平坦化面上に上部コイル絶縁層２２を形成することができるので、前記上部コイル絶縁層２２の上面を平坦化して形成することができ、さらに前記上部コイル絶縁層２２上に形成される第２のコイル層２３をパターン精度良く形成することができる。
【０１５３】
なお前記第２のコイル層２３をパターン精度良く形成できることで、前記第２のコイル層２３を構成する各導体部のピッチ間の距離を小さくすることができるから、実質的に前記第２のコイル層２３の幅寸法を小さくすることができる。
【０１５４】
なお前記第２のコイル層２３を、コイル層１７と同様に、Ｃｕで形成された導電性材料層２６と、前記導電性材料層２６上に積層される、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成された導電性保護層２７とで構成してもよい。
【０１５５】
さらに図１１に示す工程では、前記第２コイル絶縁層２４上に上部コア層１６を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。図１０に示すように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成され、また基端部１６ｂにて下部コア層１０上に形成された持ち上げ層２５上に磁気的に接して形成される。
【０１５６】
次に図１２ないし図１７に示す一連の工程図を用いて、図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下に説明する。
【０１５７】
まず図１２では、下部コア層１０上に、パーマロイなどの磁性材料で形成された磁性下地層３０を形成し、さらに前記磁性下地層３０上の所定部分に、レジストなどで形成されるＧｄ決め絶縁層２８を形成する。
【０１５８】
例えば前記Ｇｄ決め絶縁層２８は、レジスト層を矩形上に形成した後、ポストベーク（熱処理）することで、前記レジスト層にだれを生じさせ、図１２に示すように、前記レジスト層で形成されたＧｄ決め絶縁層２８の前端面２８ａに下部コア層１０から図示Ｚ方向に向かうに従って徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に傾斜する面を形成する。なお前記Ｇｄ決め絶縁層２８の前端面２８ａから記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）までのギャップ層１２が形成されるべき部分の長さ寸法Ｌ２で、ギャップデプスＧｄが決定される。
【０１５９】
次に図４に示す工程と同様に、前記下部コア層１０上にレジスト層３１を塗布形成し、さらに前記レジスト層３１に、露光現像によって、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝３１ａを形成し、前記溝３１ａ内に、トラック幅規制部１４を形成する。
【０１６０】
前記トラック幅規制部１４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層１３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成されている。
【０１６１】
なお前記溝３１ａ内に形成されるトラック幅規制部１４の膜構成は、上記３層の構成に限られない。すなわち、前記トラック幅規制部１４は、下部コア層１０と連続する下部磁極層１１及び／または上部コア層と連続する上部磁極層１３、ならびに前記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層または両磁極層の間に位置するギャップ層１２で構成されれば、どのような膜構成であってもかまわない。
【０１６２】
その状態を示すのが図１３である。図１３では下部コア層１０上には、ＡＢＳ面付近にトラック幅規制部１４が形成され、前記トラック幅規制部１４からハイト方向に離れた位置に持ち上げ層２５が形成されている。
【０１６３】
なお図１２に示すトラック幅規制部１４の両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラック幅規制部１４の幅寸法を小さくすることも可能である。このイオンミリングによって削られたトラック幅規制部１４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。
【０１６４】
なお前記イオンミリングによって、下部磁極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示すような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面に形成される。
【０１６５】
次に図１４に示す工程では、まずトラック幅規制部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上げ層２５上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された絶縁下地層１８をスパッタ形成する。
【０１６６】
そして図１４に示すように、コイル層１７の巻き中心部１７ａを形成し、前記巻き中心部１７ａを中心として、コイル層１７を螺旋状にパターン形成する。
【０１６７】
なお本発明では、前記コイル層１７をパターン形成する際、前記コイル層１７をその上面１７ｂが、後の図１５に示す工程の際におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高く位置するように形成する。
【０１６８】
また本発明では図１４に示すように、前記コイル層１７を、Ｃｕで形成された導電性材料層２６と前記導電性材料層２６の上に積層されたＮｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成される導電性保護層２７とで構成することが好ましい。
【０１６９】
この場合本発明では、前記導電性材料層２６を絶縁下地層１８上に、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置まで形成し、さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置まで形成することが好ましい。
【０１７０】
次にコイル層１７上を下部コイル絶縁層１５により覆う。なおこの際、トラック幅規制部１４上および持ち上げ層２５上も前記下部コイル絶縁層１５によって覆われる。
【０１７１】
なお本発明では前記下部コイル絶縁層１５を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮのうちから１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１７２】
そして図１４に示すように、前記下部コイル絶縁層１５の上面をＣＭＰ技術などを利用してＢ−Ｂ線上まで削っていく。その状態を示すのが図１５である。
【０１７３】
前記下部コイル絶縁層１５がＢ−Ｂ線まで削られることにより（図１４参照）、図１５に示すように、トラック幅規制部１４の上面１４ａが露出し、しかもこの上面１４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７ｂまでもが露出した状態になる。
【０１７４】
また前記コイル層１７の上面１７ｂを、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置するように形成したことで、前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を最大限に大きくすることができる。
【０１７５】
また前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を大きくできることで、その分前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくしても、コイル抵抗値の増大を招く虞はなく、よって本発明ではトラック幅規制部１４から持ち上げ層２５間に形成される前記コイル層１７全体の幅寸法を小さくすることが可能である。
【０１７６】
また本発明では前述したように、コイル層１７を、導電性材料層２６とその上に積層された導電性保護層２７とで構成し、図１４に示す工程では、前記導電性材料層２６を、図１５工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置まで形成し、さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に、図１５工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置まで形成している。
【０１７７】
このためＣＭＰ法などにより下部コイル絶縁層１５を削った状態における図１５では、前記コイル層１７のうち導電性保護層２７が露出した状態になっている。なお図１５の状態における前記導電性保護層２７の膜厚は、０．１〜０．５μｍ程度であることが好ましい。
【０１７８】
このように前記導電性保護層２７を露出させる理由は、前記コイル層１７を構成する導電性材料層２６を酸化から防止するためである。なお露出した前記導電性保護層２７は、大気に曝されることによりその表面は、酸化されるが前記酸化層は３．０ｎｍ程度と非常に薄い。このためイオンミリング法などにより前記導電性保護層２７の酸化層を削っても、前記導電性保護層２７の膜厚は０．１〜０．５μｍ程度であることから、前記イオンミリングの影響を導電性材料層２６が受けることはなく、前記導電性材料層２６の体積を変化させることがない。従って前記コイル層１７のコイル抵抗値や許容電流を一定値に保つことが可能である。
【０１７９】
また図１５に示すように、コイル層１７の巻き中心部１７ａの上面１７ｂも、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置し、前記巻き中心部１７ａの上面１７ｂは外部に露出した状態にされる。
【０１８０】
次に図１６に示すように、前記コイル層１７上および下部コイル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁層２２を形成する。この上部コイル絶縁層２２は、例えばレジストやポリイミドなどの有機材料で形成される。
【０１８１】
本発明では、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に、コイル層１７の上面１７ｂおよび下部コイル絶縁層１５の上面が位置し、前記トラック幅規制部１４の上面１４ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、平坦化された面が広がっており、前記平坦化面上に上部コイル絶縁層２２を形成することができるので、前記上部コイル絶縁層２２の上面を平坦化して形成することができ、さらに前記上部コイル絶縁層２２上に形成される第２のコイル層２３をパターン精度良く形成することができる。
【０１８２】
なお前記第２のコイル層２３をパターン精度良く形成できることで、前記第２のコイル層２３を構成する各導体部のピッチ間の距離を小さくすることができるから、実質的に前記第２のコイル層２３の幅寸法を小さくすることができる。
【０１８３】
なお前記第２のコイル層２３を、コイル層１７と同様に、Ｃｕで形成された導電性材料層２６と、前記導電性材料層２６上に積層される、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造で形成された導電性保護層２７とで構成してもよい。
【０１８４】
また本発明では、第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａを、コイル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接、電気的に接続させることが可能である。
【０１８５】
仮に前記巻き中心部１７ａが、下部コイル絶縁層１５の内部に埋められて形成され、前記巻き中心部１７ａが外部に露出しない場合には、前記巻き中心部１７ａ上を覆う下部コイル絶縁層１５をエッチング等により削って穴部を形成する必要性がある。
【０１８６】
しかしながら本発明では、前述したようにコイル層１７の巻き中心部１７ａは、その上面１７ｂがトラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置し、前記巻き中心部１７ａは外部に露出した状態にされるから、前記第２のコイル層２３をパターン形成する際に、前記第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａを、コイル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接積層することができ、製造工程を簡略化することが可能になる。
【０１８７】
次に図１７に示す工程では、前記第２のコイル層２３を、例えばレジストやポリイミドなどの有機絶縁材料から形成された第２コイル絶縁層２４で覆い、さらに前記第２コイル絶縁層２４上に上部コア層１６を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。図１７に示すように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成され、また基端部１６ｂにて下部コア層１０上に形成された持ち上げ層２５上に磁気的に接して形成される。
【０１８８】
以上、図２および図３に示す本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明では、上記のようにまず下部コア層１０上にレジスト層３１を用いてトラック幅規制部１４を形成しているので、後の工程でコイル層１７を形成する際に、前記コイル層１７を形成すべき下部コア層１０上には何も形成されていない状態になっている。
【０１８９】
このため本発明では、前記コイル層１７を下部コア層１０上に、薄い膜厚の絶縁下地層１８を介して形成することができ、前記コイル層１７の上面１７ｂを、トラック幅規制部１４よりもハイト側後方であって、前記トラック幅規制部１４の上面１４ａを基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に位置せしめることができる。
【０１９０】
従って本発明のようにコイルを２層の積層構造で形成すれば、前記コイル層の幅寸法を小さくできると同時に、下部コア層１０上から第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高さを小さくでき、適切に短磁路化を図ることができる。
【０１９１】
特に本発明では、コイル層１７の上面１７ｂを、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一の高さ位置まで形成している。すなわち、図４ないし図１１および図１２ないし１７に示す製造方法を用いた場合に、本発明では、第１層目となるコイル層１７の高さを最大限に大きく形成し、前記コイル層１７の高さをかせぐ代わりに前記コイル層１７の幅寸法を小さくしているのである。
【０１９２】
このようにコイル層１７の幅寸法をより小さく形成することで、さらに短磁路化を実現でき、より適切にインダクタンスの低減を図ることができる。
【０１９３】
また本発明では、コイル層１７の巻き中心部１７ａをも、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一の高さ位置まで形成し、前記巻き中心部１７ａを外部に露出させているから、第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａを、前記コイル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接積層することができ、製造工程を簡略化することができる。
【０１９４】
またトラック幅規制部１４の上面１４ａを基準平面Ａとしたときの、前記コイル層の盛り上がりはそれほど大きくは成らず、従って本発明では、磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ると同時に、上部コア層１６をパターン精度良く形成することができる。
【０１９５】
なお本発明では、コイルを１層構造で形成してもよい。この場合、コイル層１７を所定のターン数で形成した後、図９または図１７に示す上部コイル絶縁層２２を形成した次に、上部コア層１６を形成すれば、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１９６】
また本発明では、図５および図１３に示す工程で、下部コア層１０上に形成されたトラック幅規制部１４のトラック幅方向の両側端面を、イオンミリング法によって削ることも可能である。従って本発明では、前記トラック幅規制部１４の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を小さく形成して、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。なお前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを、具体的には０．７μｍ以下で形成することが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【０１９７】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、コイル層を、トラック幅規制部よりもハイト方向後方であって、前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル層の上面を形成しているので、下部コア層上から前記コイル層を覆う絶縁層上までの高さ寸法を小さくでき、磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ると同時に、上部コア層をパターン精度良く形成することが可能になる。
【０１９８】
また本発明では前記コイル層の上面を前記基準平面と同一面上にまで形成することにより、前記コイル層の厚さを大きくできるので、前記コイル層を構成する各導体部の幅寸法を小さくすることができ、よって前記コイル層全体の幅寸法を小さくできる。従って本発明によれば、より単磁路化を実現でき、さらなるインダクタンスの低減を図ることができる。
【０１９９】
また本発明では、前記コイル層を２層の積層構造とすることが好ましく、２層の積層構造とすることで、さらにコイル層の幅寸法を小さくでき、より磁路長を短くできてインダクタンスを低減させることができる。
【０２００】
また２層の積層構造にした場合であっても、１層目のコイル層の上面は、前記のように前記トラック幅規制部の表面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に形成されるので、下部コア層上から第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上までの高さ寸法を小さくでき、より磁路長を短くできると同時に、前記基準平面からコイル層を覆う絶縁層の盛り上がりはそれほど大きくはならず、上部コア層をパターン精度良く形成することができる。
【０２０１】
さらに本発明における薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅規制部のトラック幅Ｔｗを狭トラック化に対応可能に形成でき、このように本発明では、高記録密度化と同時に、インダクタンスの低減によって高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分断面図、
【図４】本発明の図２に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１１】図１０に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１２】本発明の図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図１９】図１８に示す１９−１９線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【符号の説明】
１０  下部コア層
１１  下部磁極層
１２  ギャップ層
１３  上部磁極層
１４  トラック幅規制部
１５  下部コイル絶縁層
１６  上部コア層
１７  コイル層
１８  絶縁下地層
２３  第２のコイル層
２４  第２コイル絶縁層
２６  導電性材料層
２７  導電性保護層
３１  レジスト層
Ａ  基準平面（トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面）
【図１】
0003747135.tif 000002
【図２】
0003747135.tif 000003
【図３】
0003747135.tif 000004
【図４】
0003747135.tif 000005
【図５】
0003747135.tif 000006
【図６】
0003747135.tif 000007
【図７】
0003747135.tif 000008
【図８】
0003747135.tif 000009
【図９】
0003747135.tif 000010
【図１０】
0003747135.tif 000011
【図１１】
0003747135.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0003747135.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0003747135.tif 000016
【図１６】
0003747135.tif 000017
【図１７】
0003747135.tif 000018
【図１８】
0003747135.tif 000019
【図１９】
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