(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とその表面に積層された透明な高分子材料被膜とからなり、該高分子材料被膜が、
（１）レーザアブレーション加工で所望の形状に選択除去されて形成された加工面を有し、その加工面においてある波長域の光を透過、屈折、回折、反射のいずれかが行われ、
（２）該基板上に直接塗布−硬化又は蒸着されたもの、あるいは溶融押出又は他の基板上で被膜形成後単離されたそのままの形状のフィルムを基板上に接着固定したものであり、
（３）構成材料の主鎖にπ結合構造を有し、主鎖がレーザアブレーション加工に用いるレーザの光子エネルギーよりも小さい結合エネルギーの原子間結合を含むポリパラキシリレン又は未延伸ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする光学部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部品に関する。更に詳しくは、本発明は、基板上に直接一体形成された高分子材料被膜からなる微小な光学部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、さまざまな携帯用電子機器やネットワーク機器が実用化されるのに伴い、更に小型、軽量、高性能の光デバイスの開発が望まれている。従来、光デバイスとして主要なものとしては、ミラーやプリズムのような、種々の光学部品を組み合わせたバルク型の光ディスク用デバイスや通信用光デバイス等がある。
【０００３】
これらの光デバイスでは、予めガラスや結晶材料を成型、切削、研磨処理することで作製されたｍｍオーダーサイズの光学部品が、基板の所定の位置に接着固定されている。ところが、こういった通常の光学部品は、その製法からこれ以上の小型化が困難であり、また、組立てにおける位置調整の工程が複雑になり、量産性を悪化させていた。
【０００４】
このような問題を解決する方法として、特開２００１−３３６０４号公報に記載された方法が提案されている。これは基板上に形成された高分子材料からなる光学厚膜を反応性イオンエッチングやレーザアブレーションで加工することで、直接微小な光学部品を形成する方法であり、ガラスや結晶材料に比べると加工が容易であり、また個々の部品の位置合わせが不要という特徴がある。
【０００５】
図５を用いて上記方法の概要を説明する。光デバイス１９がシリコン基板１５上に形成されており、光デバイス１９は、第一及び第二の光路変換ミラー（１２、１３）、偏光分離プリズム１１と、受光素子としてのフォトダイオード（１４ａ、１４ｂ）とを備えている。偏光分離プリズム１１は、第一及び第二の光路変換ミラー１２と１３との間に配置され、第二の光路変換ミラー１３はフォトダイオード（１４ａ、１４ｂ）上に配置されている。
【０００６】
光デバイス１９の基板面法線方向から入射する入射光１６は、第一の光路変換ミラー１２で光路を曲げられ、基板面と平行に進行する光に変換され、偏光分離プリズム１１に導かれる。偏光分離プリズム１１は、基板に平行な振動面をもつ偏光（ＴＥ光）１７と、垂直な振動面をもつ偏光（ＴＭ光）１８とで、屈折率が異なるという複屈折性を示す材料で構成されている。このプリズム１１に大きな入射角で光を入射すると、各偏光で屈折角が異なるため、入射光１６はプリズム１１内で２つの偏光に分かれる。分離された各偏光１７、１８は、第二の光路変換ミラー１３で光路を曲げられ、それぞれフォトダイオード１４ａ、１４ｂに導かれ、各偏光の強度に応じた電気信号が検出される。よって、この光デバイス１９は、光磁気ディスク装置用ピックアップにおける偏光検出素子として機能させることができる。
【０００７】
この偏光分離プリズム１１には、例えば、被膜を形成（塗布後に加熱焼成）するだけで、面法線方向に光学軸をもった光学異方性を示す、ある種のポリイミドが利用できる。ポリイミド被膜は、反応性イオンエッチングやレーザアブレーションにより、所望の形状に加工することができる。前者は、大面積の加工には適するが、加工速度が毎分１μｍ程度と遅い。これに比べて光分解を利用するレーザアブレーションは、深さ方向に毎秒１００μｍ程度の加工速度が得られるという特徴がある。レーザアブレーション加工について図６を用いて説明する。
【０００８】
図６は、光透過性のプラスチック層２１へ傾斜面をレーザアブレーション形成する方法について示している。透過領域が矩形形状となっているレーザアブレーションマスク２２を透過したエキシマレーザビーム２３は、レンズ２４で縮小され、加工物２５に照射される。エキシマレーザビーム２３を照射したまま加工物２５をＸ方向に矢印の方向に移動させると、加工物２５の右の方から加工が進む（加工された領域は破線で示している）。加工物を移動させた状態でエキシマレーザビーム２３の照射を停止すると、照射領域の右と左とでレーザビームのトータル照射量が異なるため、加工量に差が生じ、傾斜面が形成される。エキシマレーザビーム強度と加工物の移動速度を調整することにより、任意の斜度の傾斜面に加工できる。
【０００９】
また、図を用いた説明は省略するが、加工物を移動させずにエキシマレーザビームを照射すると、レーザアブレーションマスク２２の矩形形状が縮小投影され、基板面に垂直な加工面を形成することができる。
【００１０】
一方、加工面の面精度は、生じた面荒れを埋め込むよう、表面に新たに膜を積層することで向上が可能である。処理を目的とする面が大きい場合は、例えば液状の光硬化樹脂をスピンコートした後、光照射により硬化させる方法が可能である。処理を目的とする面が小さかったり、基板にμｍオーダーの精度の立体形状が形成されている場合は、そのような埋め込みでは目的の形状が歪んでしまうので、ＣＶＤによる成膜が適している。中でもポリパラキシリレン膜のＣＶＤ形成は、基板に高温での加熱を施す必要がない（室温で可能）ので、耐熱性が劣る樹脂材料へも等方的コーティングが可能である（比較として石英のＣＶＤ成膜の場合は、膜を形成する部分を４００℃程度の高温に保つ必要がある）。
【００１１】
ポリパラキシリレンは、１９６５年にアメリカのＵｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ社によって開発された樹脂であり、結晶性で、極めて優れた耐食性、耐熱性ならびに電気的性質を有している。融点は３００〜４００℃で、常温ではほとんどの酸、アルカリ、溶剤に不溶である。
【００１２】
ポリパラキシリレンの成膜方法について図を用いて説明する。
【００１３】
図７に示すように、成膜装置は気化室２６、熱分解室２７、蒸着室２８が順に連結されており、ポンプ３０によって内部を減圧したり、矢印で示した方向へ不活性ガスによる置換を行ったりすることができるようになっている。トラップ２９は、反応生成物や未反応の残さ等をトラップするために設置されている。気化室２６で減圧下（数Ｐａ）のもと気化された原料のパラキシリレン二量体は、熱分解室２７に導かれてパラキシリレンモノマーに熱分解され、蒸着室２８内部の基板上に凝縮して瞬間的に重合し、ポリパラキシリレン被膜を形成する。蒸着室２８の内部に配置される基板は、必要に応じて加熱することも可能である。この方法により、ポリパラキシリレン被膜を例えば数μｍ／時間で成膜できる。
【００１４】
上述の方法は、一般的な樹脂コーティングと違って均一にモノマーが拡散し、基板上の鋭角部、複雑な形状のもの、深くて細い穴等にも均一に付着させることができ、ピンホールのない数百μｍ厚のコーティングが可能である。
【００１５】
また、ポリパラキシリレン被膜は、上記の方法により直接基板上に形成することが可能であるが、一旦支持基板上に形成した被膜を剥がすことにより、単離されたフィルムを製造することも可能である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ある種の高分子材料では、上述の反応性イオンエッチングやレーザアブレーション加工を施すことにより、加工面に襞状の面荒れが生じ、得られる光学部品の面精度（平滑性）を悪化させることがあった。
また、特にレーザアブレーション加工においては、エキシマレーザビームの照射によって加工領域に熱反応が影響した変形が起こり、平滑な加工面が得られないという問題があった。
【００１７】
また、平滑な面を得るには、面荒れの生じた表面にポリパラキシリレンをＣＶＤ成膜するのが適しているが、ポリパラキシリレンの屈折率は１．６以上あり、一般的な高分子材料の屈折率（１．５程度）との差で、境界面での光の散乱を生じ、形成される光学部品の特性（光透過率）を劣化させるという問題があった。
【００１８】
そこで本発明は、透明な高分子材料被膜で形成された、加工面の平滑な光学部品を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、基板とその表面に積層された透明な高分子材料被膜とからなり、該高分子材料被膜が、
（１）レーザアブレーション加工で所望の形状に選択除去されて形成された加工面を有し、その加工面においてある波長域の光を透過、屈折、回折、反射のいずれかが行われ、
（２）該基板上に直接塗布−硬化又は蒸着されたもの、あるいは溶融押出又は他の基板上で被膜形成後単離されたそのままの形状のフィルムを基板上に接着固定したものであり、
（３）構成材料の主鎖にπ結合構造を有し、主鎖がレーザアブレーション加工に用いるレーザの光子エネルギーよりも小さい結合エネルギーの原子間結合を含むポリパラキシリレン又は未延伸ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする光学部品が提供される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて本発明の光学部品について説明する。
【００２１】
図１（ａ）は基板１を示している。基板１の材質はガラスでも半導体でもよい。半導体基板とした場合には、図示されていない光検出器や信号処理回路を形成することができる。本実施の形態では、シリコン基板を用いた。
【００２２】
この基板１上に、図１（ｂ）に示すように接着層２を介して透明樹脂（高分子材料被膜）３を積層固定することができる。接着層２としては、光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤等の接着剤を用いることが可能である。接着層２としては、液状接着剤とフィルム状接着剤のどちらでもよい。本実施の形態ではスリーボンド社製熱硬化型フィルム状接着剤１５９２を用いた。
【００２３】
ここで透明樹脂３は、光学部品として使用する場合の透過光に対して透明でなければならない。更に重要なのは、後述の図１（ｄ）の工程での加工性が良好な材料を選定する必要がある。材料選定のポイントについては、後で詳細に説明する。本実施の形態では、三菱エンジニアリングプラスチックス社製の厚さ０．２ｍｍのポリカーボネートシートを使用した。このポリカーボネートシートは溶融押出により形成されており、延伸処理は施されていない。また、ポリカーボネートは０．２ｍｍの透過光路長さで波長４００ｎｍの光の透過率が８０％以上と、透光性に優れた材料であり、ガラス転移点が１００℃以上と耐熱性にも優れている。
【００２４】
続いて図１（ｃ）に示すように、基板１の外形に合わせて透明樹脂３をカットする。
【００２５】
最後に図１（ｄ）に示すように、レーザアブレーション加工により所望の形状を形成することで、微小な光学部品４が得られる。具体的には、アブレーションマスクを透過させたビームパターンを照射することにより光学部品を形成することができる。
【００２６】
透明樹脂の材料の選定には、透明性や耐熱性のほかに、加工性を考慮する必要がある。第１に、平滑な加工面を形成するためには、延伸された材料を使用することは好ましくない。第２に、レーザアブレーション加工を施す場合、加工に用いる光を十分吸収すること（つまり構造の主鎖にπ結合構造を有すること）に加えて、アブレーション加工に用いるレーザの光子エネルギーよりも小さい結合エネルギーの原子間結合を主鎖に含んでいる必要がある。これらの理由について以下に説明する。
【００２７】
熱可塑性の樹脂は、一般に溶融押出によってフィルムが形成される。ところが、ある種の樹脂材料では、溶融押出後に延伸処理を施し、引っ張り強さや弾性率、硬さ等の力学的性質を向上したり、透明性を向上したりしてあることが多く、中でも繊維やテープ状のものを除くと、二軸延伸されたものがほとんどである。二軸延伸されたフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリスチレン等が普及している。
【００２８】
このような延伸フィルムの場合、フィルム内部には延伸処理による分子鎖の配列が起こっており、図２に示すようにエッチング加工面に襞状の面荒れが生じるので相応しくない。この面荒れは、分子鎖の配列が良好でエッチングレートの小さい結晶ゾーンが丘状に、分子鎖の配列が悪くエッチングレートの大きい非晶ゾーンが谷状になって現れたものと考えられている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６４，Ｎｏ．１，１  Ｊｕｌｙ  １９８８  Ｐ．３６５）。更にこの結晶ゾーン内部では、特にポリエチレンテレフタレートの場合は、フィルム面にほぼ平行にフェニル基が配向しており、ポリビニルアルコールやナイロンでは水素結合面が配向するといわれている。
【００２９】
表１には、代表的な結晶性の熱可塑性樹脂であるポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略す）について、二軸延伸品とアモルファス（未延伸）品のレーザアブレーション加工性についてまとめた。表１では、帝人（株）製の厚さ１８８μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルム（商品名テトロン）とアモルファスＰＥＴシートをテストに用いている。ポリエチレンテレフタレートは紫外光を透過せず、主鎖にベンゼン環を含んでいるので、レーザアブレーション加工自体は進行するが、延伸フィルムでは図２に示したような襞状の面荒れが生じる（断面形状は図４（ｄ）のようになる）。未延伸のアモルファス品では加工面に襞状の面荒れが現れないので、加工面は平滑で、Ｐ−Ｖ値、ＲＭＳ値ともに二軸延伸品のほぼ半分の値が得られている。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
なお、こういった二軸延伸フィルムの襞状の面荒れは、反応性イオンエッチングの場合でも生じる。厚さ１μｍのチタン薄膜をマスクにして、二軸延伸ＰＥＴフィルムを酸素ガス雰囲気で反応性エッチング処理すると、図３に示したような面荒れが見られた。
【００３２】
図３（ｂ）は反応性エッチング処理したサンプルの概略図を表しており、矢印の方向から見た破線部の拡大像を図３（ａ）に示している。図３（ｂ）に示すように、基板１上には厚さ５０μｍの接着層２を介して厚さ１８８μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルム８が貼り付けられ、チタンマスク６をエッチングマスクとしてドライエッチングが施されている。ドライエッチングは、ＰＥＴフィルムの厚みのほぼ中間で中断してあるので、加工途中の加工面９と加工側壁７を観察することができる。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、加工面９には１０μｍ前後の周期で襞状の面荒れが生じており、その延長で、加工側壁７にも縦筋状の面荒れが現れていることがわかる。
【００３４】
また、ＰＥＴの成型性を改善したフィルムとして、帝人社製テフレックス（厚さ１８８μｍ）でも同様の加工テストを行ったところ、やはり図２に示したような襞状の面荒れが現れた。この製品はＰＥＴの共重合体で、分子配向を抑制して成型時の強度劣化を小さくしたものであるが、結果としてフィルム内部にはまだエッチングレートの不均一が生じてしまう。このことから、延伸により製造されたフィルム材は、マイクロオプティクスの形成には適さないといえる。つまり塗布−硬化あるいは溶融押出後そのままの形状が維持されて作製されたフィルムを基板上に接着固定して利用するのがふさわしい。
【００３５】
ところでレーザアブレーション加工は、加工速度が大きく、大気圧下で加工できるという利点がある。ただし、この加工法の利点を有効に活用するためには、材料の選定が重要である。
【００３６】
第一に、材料がエキシマレーザ光を吸収することが前提とされている。そして、吸収された光のエネルギーよりも、結合エネルギーが小さいことが必要である。この場合、照射された光のエネルギーよりも結合エネルギーの小さい部分で原子間の結合が切れ、アブレーションを進行させることができる（２光子反応も起こるが、確率は低い）。また、本発明者は、この原子間の結合の切れる部分は、材料の化学構造で主鎖に含まれている必要があることも見出している。
【００３７】
表２に樹脂材料のレーザアブレーションに関連する原子間結合のエネルギーをまとめた。光子エネルギーはアインシュタインの式（Ｅ＝ｈν  ｈ：プランク定数６．６２６×１０-34Ｊ・ｓ、ν：光の振動数）から求められるものである。例えばＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）の場合、振動数（＝光の速度／光の波長：２．９９８×１０8［ｍ／ｓ］／２．４８×１０-7［ｍ］）は１．２１×１０15［ｓ-1］であり、光子エネルギーは８．０１×１０-19Ｊとなる。よって光子１ｍｏｌ（６．０２×１０23個）あたりでは約４８０ｋＪとなる。
【００３８】
ＫｒＦエキシマレーザ光の照射により、エネルギー的にはＣ−Ｃ単結合が切れることになるが、実際にはＣ−Ｃ単結合で形成された材料はエキシマレーザに光の吸収が小さいため、アブレーションは進行しずらいと予想される（実際、ポリエチレンの短波長域の透光性は比較的良好である）。このことは、表３（後述）に示した結果にも表われており、主鎖がＣ−Ｃ単結合で形成された材料（表３の下から４種類）のレーザアブレーション加工性は悪い。つまり主鎖にエキシマレーザ光を吸収し、かつ、分解される結合が含まれている必要があることになる。
【００３９】
一般に、紫外域の光吸収は、π電子の遷移で起こるとされている。よって主鎖にπ結合を含む構造が含まれている。高分子材料を重合する際は、Ｃ〜Ｃ間の電子が新たな結合に関与するため、生成した高分子での結合次数は小さくなる。このため、三重結合や二重結合が主鎖に残る高分子材料（ポリジアセチレン等の一部の材料に限定される）はまれであり、最も一般的なπ電子結合を有する構造としては、ベンゼン環を含む構造が挙げられる。もともと炭素原子の電子軌道（ＳＰ2混成軌道）の方向から、構造的には６員環が最も安定している。そして、高分子材料を構成するモノマー中の環状構造は、共鳴安定化しており直接重合には関与せず、重合後もそのまま保たれる。
【００４０】
表３の上から７種類のように、上述の条件を満たすもの（ベンゼン環を主鎖に含むもの）では、エキシマレーザ光のエネルギーによりベンゼン環のＣ−Ｈ結合や主鎖の炭素とのＣ−Ｃ単結合が切り離され、ベンゼン環の構造が分解されるため、高分子の主鎖が分断されてアブレーションが進行すると考えられる。なお、アブレーションが良好に進行する場合は、実際にカーボン残さの発生が激しかった。
【００４１】
従来ディスク材料に用いられてきたポリカーボネートよりも、更に複屈折を抑制した等方性の透明樹脂（表３中ビニルエステル樹脂〜脂環式アクリル樹脂）が近年多数開発されているが、これらの主鎖はＣ−Ｃ単結合で形成されているため、カーボン残さの発生が少なく、熱反応が優勢で、レーザアブレーション加工は進行しずらかった（これらの材料に紫外線吸収材を染色処理したものでも、紫外線吸収材が選択的に分解するだけで、樹脂材料自体をアブレーション加工するのは困難であった）。また、ポリスチレンのようにベンゼン環が側鎖にあるものは、エキシマレーザ光を吸収しても分解は側鎖で起こるため、樹脂材料のアブレーション加工は進行しずらかった。
【００４２】
【表２】
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【００４３】
表３に代表的な透明樹脂材料のレーザアブレーション加工性についてまとめた。加工性の判断は、平坦な加工側壁が形成可能かどうかという観点で行っている。図４（ａ）に示したような断面形状が得られる場合は加工性が良好（○印）、図４（ｂ）に示したようにエッジ部分Ｅでやや変形が見られるか、加工面に面荒れの現れるものは加工性不良（△印）、図４（ｃ）のように気泡がはじけたような加工面が形成され、エッジに大きな変形を生じるものは加工性が悪い（×印）と判定した。図４（ｄ）は、延伸フィルムを加工した場合に生じる襞状の面荒れを表している。このような断面形状が得られる場合にも、加工性不良（△印）とした。
【００４４】
光透過率については、島津製作所社製の分光器（ＵＶ−３６５）を用いて測定した結果を、厚さ２００μｍでの値に換算してある（材料の吸収損失を比較できるように、表面での反射損失は含んでいない）。
【００４５】
【表３】
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【００４６】
表３にまとめた結果から、これらの透明樹脂材料の中では、上から４種類の加工性が優れていることがわかる。加工テストとは別になるが、ポリエーテルサルフォンでは紫外線照射による劣化（褐色に変化、耐溶剤性が低下）が見られた。紫外線硬化型接着剤の使用は避けた方が好ましく、また、短波長域の光の長時間に及ぶ照射でも影響が懸念されるので、光学部品への応用には注意が必要である。フッ素化ポリイミドの場合は長波長域での用途に限定されるものの、その熱安定性から非常に魅力的な材料である。ビニルエステル樹脂は、その製法と化学構造の点で条件を満たしてはいるが、熱反応による変形が見られた。これは、ガラス転移点が比較的低いことが原因と考えている。本発明の実施の態様で用いたポリカーボネートは、シートが延伸形成されておらず、ベンゼン環構造を主鎖に含んでおり、耐熱性も良好なので、光学部品の形成には適している。
【００４７】
更に、光学部品を形成する高分子材料としてポリパラキシリレンを用いることにより、同じ材料のＣＶＤ被膜を積層しても境界面に屈折率差がないので光の散乱が起こらず、得られる光学部品の光学特性（光透過率）が劣化しない。ポリパラキシリレン膜は、基板表面に室温で直接気相成膜することが可能なので、膜は延伸形成されず、またベンゼン環構造を主鎖に含んでいるのでレーザアブレーション加工性も良好で、光学部品の形成には適している。
【００４８】
なお、本実施の形態では、フィルム状の透明樹脂を接着剤で基板に接着しているが、直接基板上に透明樹脂層を塗布形成してもよい。例えば前駆体のポリアミック酸ワニスを塗布した後これを加熱焼成することで得られるポリイミド等が利用できる。一般にポリイミドはやや褐色を呈しているが、赤色光に対しては透明材料である。逆に青色から短波長の光に対しては不透明である（すなわち、光を吸収する）。また、その構造上、主鎖にベンゼン環構造を含んでいるので、レーザアブレーションの加工性は良好である。更に、基板上に直接塗布形成しているので、塗布−硬化後のそのままの形状が維持されているため、延伸フィルムの場合のような襞状の面荒れが生じることがない。
【００４９】
【発明の効果】
高分子材料被膜として、塗布−硬化あるいは溶融押出又は被膜形成後単離されたそのままの形状が維持されて作製されたフィルムを基板上に接着固定し、これにエッチング加工を施すことで、加工面に襞状の面荒れが生じない、面精度の良好な（表面の平滑な）光学部品を形成することができる。
【００５０】
また、該高分子材料被膜を、その構成材料の主鎖にπ結合構造を有し、かつ、エキシマレーザビームのエネルギーよりも小さい結合エネルギーの結合を主鎖に含む高分子材料とする。望ましくは該高分子材料を、主鎖にベンゼン環を有する構造のものとすることで、レーザアブレーション加工により面精度の良好な光学部品を形成することができる。
【００５１】
更に、該高分子材料を、主鎖にベンゼン環を有する構造のものとすることで、汎用性の高い材料を用いて、レーザアブレーション加工により面精度の良好な光学部品を形成することができる。
【００５２】
また、該高分子材料を、ポリカーボネートとすることで、透光性に優れた面精度の良好な光学部品を形成することができる。
【００５３】
更に、該高分子材料を、ポリパラキシリレンとすることで、ポリパラキシリレンのＣＶＤ積層を施しても、境界面での光の散乱が起こらず、得られる光学部品の光学特性（光透過率）の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略工程図である。
【図２】従来例を示す平面図である。
【図３】従来例を示す図である。
【図４】レーザアブレーション加工性を示す概略断面図である。
【図５】従来例を示す斜視図である。
【図６】本発明の加工例を示す概略斜視図である。
【図７】従来例を示す概念図である。
【符号の説明】
１  基板
２  接着層
３  透明樹脂
４  光学部品
６  チタンマスク
７  加工側壁
８  二軸延伸ＰＥＴフィルム
９  加工面
１１  偏光分離プリズム
１２  第一の光路変換ミラー
１３  第二の光路変換ミラー
１４ａ、１４ｂ  フォトダイオード
１５  シリコン基板
１６  入射光
１７  ＴＥ光
１８  ＴＭ光
１９  光デバイス
２１  プラスチック層
２２  レーザアブレーションマスク
２３  エキシマレーザビーム
２４  レンズ
２５  加工物
２６  気化室
２７  熱分解室
２８  蒸着室
２９  トラップ
３０  ポンプ
Ｅ  エッジ部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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