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(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルデヒドを含有する不純なC3-C10アルコールを蒸留して精製する方法において、該アルコールを１５０〜２００℃で１０〜２００ppmのアルカリ金属水酸化物の存在下で蒸留し、その際に抽出蒸留を除くことを特徴とする上記方法。
【請求項２】
C3-C10アルコールとしてｎ−ブタノールまたは２−エチルヘキサノールを使用する請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
脂肪族C３-C１０アルコール、例えばｎ−ブタノールおよび特に２−エチルヘキサノールは経済的に重要性が高い。これらアルコールは、オレフィンのヒドロホルミル化、それによって中間体として生成したアルデヒドの水素化（例えばプロピレン→ｎ／ｉブチルアルデヒド→ｎ／ｉブタノール）、または直鎖状の脂肪族アルデヒドから相応する不飽和アルデヒドへのアルドール化および続いての水素化によって（例えばｎ−ブチルアルデヒド→２−エチルヘキセナール→２−エチルヘキサノール）製造するのが好ましい。これに関する概説は、例えば“Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry: “Alcohols, Aliphatic”（Vol. Al），“2-Ethylhexanol”（Vol. A10），“Butanols”（Vol.A4）”に記載されている。
ｎ−ブタノールは溶剤としてだけでなく、主に塗料や被覆剤の部門で使用され、そしてカルボン酸エステル、特にｎ−ブチルアクリレートおよびジ−ｎ−ブチルフタレート（DBP）の製造に使用される。
２−エチルヘキサノールは、ジ−２−エチルヘキシルフタレート（DEHP）および２−エチルヘキシルアクリレートを製造するためのアルコール成分として主に必要とされる。
これらの適用分野（特にアクリル酸エステルの製造）については、高純度のアルコールの使用が余儀なく必要となる。アルコールの工業的製造の際、精製は主に多段階の分留によって行う。この場合アルコールは数時間にわたって熱負荷にさらされ、その際一般に１５０〜２００℃の底部温度が使用される。これらの結果として、脂肪族C３-C１０アルコール、例えばブタノールおよび２−エチルヘキサノールの蒸留において、相応するアルデヒドの生成が起こり、これは慣用の技術的に用いられる条件下では、高費用をかけてのみ分離することができる。
故に本発明の課題は、これらの欠点を有していないC３-C１０アルコールの簡単な蒸留法を見い出すことである。
驚くべきことに本発明者らは、少量のアルカリ金属水酸化物の添加によって蒸留処理の際の相応するアルデヒドの生成が抑制され、しかも既に存在するアルデヒドでさえも除去されることを見いだした。
従って本発明はC３-C１０アルコールの精製法において、アルコールを１５０〜２００℃で１０〜２００ppmのアルカリ金属水酸化物の存在下で蒸留することを特徴とする上記方法に関する。
C３-C１０アルコールは直鎖状でも枝分かれしたものでもよい。本発明による方法で用いられるC３-C１０アルコールで特に重要なのは、ｎ−ブタノールおよび２−エチルヘキサノールである。
アルカリ金属水酸化物としてKOHまたはNaOHを使用するのが好ましい。アルカリ金属水酸化物の量は一般に、使用するアルコールの量をそれぞれ基準として１０〜２００ppmである。アルカリ金属水酸化物は水溶液の形態で添加するのが有利である。
蒸留に塔を使用する場合には、これらは一般に２０〜８０のトレーを有する。
以下の実施例に示されるように、他の望ましくない副反応またはアルコール含量の著しい低下なしに、アルコールの蒸留の際にアルカリ金属水酸化物の添加によってアルデヒドの生成が著しく抑制されるかまたは完全に阻止される。しばしばすでに使用されるアルコール中に存在するアルデヒドの量さえ除去される。
実施例において、“低沸点成分”という用語は２−エチルヘキサナールを含まず、そして２−エチルヘキサノールよりも沸点がかなり低く（少なくとも２０〜４０℃低い）、故に蒸留によって容易に分離される成分を意味する。同様に、“高沸点成分”という用語は２−エチルヘキサナールを含まず、そして２−エチルヘキサノールよりも沸点がかなり高く（少なくとも２０〜４０℃高い）、故に同様に蒸留によって容易に分離されう成分を意味する。
比較例１
６０ppm（0.006重量％）の２−エチルヘキサナールを含有する２−エチルヘキサノールを、アルカリ金属水酸化物を添加せずに１８０℃で１時間加熱する。１０、３０および６０分後に、それぞれ試料を取り出しそして分析する。結果を表１に示す。６０分後の２−エチルヘキサナール含量は１４０ppm（0.014重量％）であった。
実施例１
加熱を始める前に２−エチルヘキサノールに５０ppmのKOHを添加する点を除いて、比較例１の手順で実施する。結果を再び表１に示す。３０分後の２−エチルヘキサナール含量はすでに0.001重量％の検出限界を下まわっている。
0003806146.tif 000002
比較例２
以下の組成（重量％）の６６３ｇの２−エチルヘキサノールを、３mmＶＡの鋼鉄製スパイラルを１ｍの高さに充填した実験室用充填塔における２１の蒸留フラスコ中で使用する。
低沸点成分                ０．０９９
２−エチルヘキサナール    ０．００１
２−エチルヘキサノール  ９９．７７０
高沸点成分                ０．１３０
塔の圧力が１００mbarでありそして還流比が３：１の場合、それぞれ１３０ｇの４つの蒸留留分および６５ｇの第５留分を１１８℃の温度で塔の頂部から取り出す。個々の留分をガスクロマトグラフィーで分析する：
0003806146.tif 000003
蒸留残留物（７８ｇ）中の２−エチルヘキサナール含量は検出限界を下まわった。
実施例２
蒸留を始める前に２−エチルヘキサノールに６６mgの５０％濃度KOH水溶液を添加する点を除いて、比較例２の手順を繰り返す。個々の留分を再びガスクロマトグラフィーで分析する。
0003806146.tif 000004
蒸留残留物（７８ｇ）中の２−エチルヘキサナール含量は検出限界を下まわった。
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューナと、分配器及び変調器を有する分配−変調装置とを具え、前記分配器が、ＲＦ入力信号を発生するＲＦ信号入力部と、ＲＦ出力信号を発生するＲＦ信号出力部と、前記ＲＦ入力信号を前記チューナに供給する第１ラインと、前記ＲＦ出力信号を前記変調器に供給する第２ラインとを有し、前記チューナを、前記ＲＦ信号を復調するように適合させ、ベースバンド信号を、前記変調器から供給されるＲＦ出力信号に変換するように、前記変調器を適合させ、前記チューナ及び前記分配−変調装置に対する基準発振を発生する装置を更に具え、その装置が、前記チューナ及び前記分配−変調装置に共通の少なくとも１個の水晶を有し、
前記基準発振を発生する装置が、前記チューナ及び前記分配−変調装置に共通の位相同期ループを有することを特徴とするチューナ及び分配−変調装置を具える回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チューナ及び分配−変調装置を具え、その分配−変調装置が分配器及び変調器を有する回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
通常のチューナ及び分配−変調装置は、周波数基準として水晶発振器を必要とする。チューナと分配−変調装置の両方を具える回路は、ビデオデコーダのＲＦ処理段における場合に好適なように、２個の水晶を具える必要あり、これによって、素子の個数を増大する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、チューナと分配−変調装置の両方を具える回路の素子の個数を減少することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、この目的は、チューナと、分配器及び変調器を有する分配−変調装置とを具え、前記分配器が、ＲＦ入力信号を発生するＲＦ信号入力部と、ＲＦ出力信号を発生するＲＦ信号出力部と、前記ＲＦ入力信号を前記チューナに供給する第１ラインと、前記ＲＦ出力信号を前記変調器に供給する第２ラインとを有し、前記チューナを、前記ＲＦ信号を復調するように適合させ、ベースバンド信号を、前記変調器から供給されるＲＦ出力信号に変換するように、前記変調器を適合させ、前記チューナ及び前記分配−変調装置に対する基準発振を発生する装置を更に具え、その装置が、前記チューナ及び前記分配−変調装置に共通の少なくとも１個の水晶を有することを特徴とするチューナ及び分配−変調装置を具える回路によって解決される。
【０００５】
素子の個数を減少させるために、本発明によれば、チューナ及び分配−変調装置に対する周波数基準を単一の水晶すなわち水晶発振器から取得することができる。この場合、１個の水晶発振器を省略することができる。唯一の水晶発振器によって、チューナ及び分配−変調装置にシンセサイザを提供することができる。特に、チューナの水晶すなわち水晶発振器は、分配−変調装置によっても利用される。好適には、個別の水晶発振器の代わりに、トランジスタ結合段、例えば位相同期ループを、分配−結合装置においてチューナの水晶と分配−変調装置のシンセサイザとの間に挿入することができる。基準発振及び分配−変調装置のシンセサイザへの低オーミック結合は、このトランジスタ結合段によって増幅される。
【０００６】
前記基準発振を発生する装置が、前記チューナ及び前記分配−変調装置に共通の位相同期ループを有する。本例では、素子の個数が更に減少され、単一の共通のシンセサイザのみが、一群に結合されたチューナ及び分配−変調装置に対して使用される。このために、１個の水晶、１個の位相同期ループ及び１個の発振段しか必要としない。
【０００７】
【発明の実施の形態】
対応する素子には同一符号を付す。
図１は、チューナ１、変調器２及び分配器３の組合せを示し、この場合、変調器２及び分配器３を組み合わせて、分配−変調器を形成する。ＲＦ入力信号、例えばテレビジョン信号は、アンテナからＲＦ信号入力部４を通じて分配器３に供給される。この信号は、第１プリアンプ５を通じて第１信号分配器６に供給され、この分配器から第１ライン７に供給され、第２プリアンプ８を通じて第２信号分配器９に供給される。この信号は、この分配器からＲＦ信号出力部１０を通じて出力される。
【０００８】
ＲＦ入力信号は、第１ライン７を通じてチューナ７に供給され、周波数選択１１、振幅制御１２及び周波数逓降変換１３は、このために通常使用される段によって実行される。ＩＦ信号は、出力増幅器１４を通じて発生する。チューナ１に関連するとともに位相同期ループ１５及び発振段１６を具えるシンセサイザからの基準発振(reference oscillation)は、通常の方法で周波数選択段１１及び周波数逓降変換段１３に供給される。位相同期ループ１５は、チューナ１をチューニングするために、制御ライン１７好適にはＩ２Ｃはすを通じて制御可能である。
【０００９】
変調器２は、既知のオーディオ信号変調器１８を具え、そのオーディオ信号入力部１９は、音声信号搬送波発振(sound carrier oscillation)に変調されたオーディオベースバンド信号を受信する。変調されたオーディオ信号は、重畳段２０において、ビデオ信号入力部２１を通じて供給されたビデオベースバンド信号に重畳される。このようにして取得された結合ベースバンド信号は、ベースバンド信号変調段２２でＲＦ搬送波発振(RF carrier oscillation)に変調され、その発振は、変調器２のシンセサイザで発生し、そのシンセサイザは、第２位相同期ループ２３及び第２発振段２４を具える。原理的には、変調器２のシンセサイザ２３，２４は、チューナ１のものと同一構造を有する。特に、シンセサイザ１５，１６及び２３，２４は単一の水晶によって制御され、発振を増幅するとともに低オーミック結合を行うトランジスタ結合段２６を、水晶２５と第２位双同期ループ２３との間に配置する。
【００１０】
第２ライン２７は、ベースバンド信号変調段２２からの変調器２のＲＦ出力信号を、分配器３の第２信号分配器９に供給し、その後、その信号はＲＦ信号出力部１０に到達する。
【００１１】
図２の実施の形態は、第２位相同期ループ２３及び第２発振段２４、すなわち、変調器２の個別のシンセサイザを省略した点を除いて、図１と同一である。変調器２のベースバンド信号変調段２２には、チューナ１のシンセサイザの発振段１６からの信号が直接供給される。
これらの回路は、好適にはビデオレコーダのＲＦ処理段で用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  共通の水晶を有するチューナと分配―変調装置との組合せの第１の実施の形態を示す。
【図２】  共通の水晶及び共通のシンセサイザを有する組合せを示す。
【図１】
0003806160.tif 000002
【図２】
0003806160.tif 000003
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを、濃度８５〜１１０％の硫酸のみを溶媒として、Ｎ−ブロムイミド型ブロム化剤で０〜７０℃で臭素化することを特徴とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼンの製造法。
【請求項２】
Ｎ−ブロムイミド型ブロム化剤が、Ｎ−ブロムサクシイミド、Ｎ−ブロムグルタルイミド、１，３−ジブロム−５，５−ジメチルヒダントイン又はＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリブロムイソシアヌール酸であることを特徴とする請求項１記載の３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼンの製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、以下の反応式で示される１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（以下、ＢＴＦＢと略記する。）をＮ−ブロムイミド型ブロム化剤を用いて３，５ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼン（以下、ＢＴＦＢＢと略記する。）の製造法に関する。
【０００２】
【化１】
0003806962.tif 000002
【０００３】
ＢＴＦＢＢは、近年医薬・農薬等に代表される有機化学品の中間体として重要になって来ている。
【０００４】
【従来の技術】
これまで、ＢＴＦＢＢを得た例は、次の２例がある。
▲１▼ブルティン・オブ・ケミカル・ソサイヤティ・ジャパン１９８８年６１巻５号１６２５−３１頁（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．（１９８８），６１（５），１６２５−３１）；原料ＢＴＦＢをリチオ化した後に臭素によってブロム化する方法。この方法では、１−ブロム−２，４−，−２，６−，−３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンが、それぞれ３５，３１，８％の収率で得られた。即ち、目的とするＢＴＦＢＢの収率は、わずかでありかつ高価なリチオ化を経ている。
【０００５】
▲２▼ゼェ・プリクル・キィム１９７３年４６巻９号２０１２−１６頁（Ｚｈ．Ｐｒｉｋｌ．Ｋｈｉｍ．（１９７３），４６（９），２０１２−１６）ＢＴＦＢを５塩化アンチモンの存在下オートクレーブ中高温高圧の臭化塩素によって反応させ、（転化率不明）選択率で７４．１％のＢＴＦＢＢと２４．６％の３，５−ビス（トリフルオロメチル）クロルベンゼンを得ている。この方法では、高価な耐酸性用オートクレーブが必要であり、また５塩化アンチモンの廃棄処理の問題、さらに、副生するクロル化物の分離精製の問題も抱え実用的方法とはなり得ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
高価な反応装置を用いず、かつ温和な反応条件で反応を行うことができ、また多量の廃金属がなく、高収率でＢＴＦＢＢを生成する製造法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、簡便でかつ温和な反応条件で、ＢＴＦＢＢを高収率で得られる条件を鋭意検討した結果、濃度８１％以上の硫酸の存在下にＮ−ブロムイミド型ブロム化剤を用いてブロム化することにより高収率で目的とするＢＴＦＢＢを得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
即ち、本発明は、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを濃度８５％以上の硫酸の存在下に、Ｎ−ブロムイミド型ブロム化剤を用いることを特徴とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼンの製造法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
まず原料の１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンは、通常入手できる純度のものをそのまま使用できる。
本発明の第１の特徴は、ブロム化剤である。下記構造式で表されるＮ−ブロムイミド型ブロム化剤を用いるところにある。
【００１０】
【化２】
0003806962.tif 000003
【００１１】
具体的には、Ｎ−ブロムサクシイミド、Ｎ−ブロムグルタルイミド、１，３−ジブロム−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリブロムイソシアヌール酸、Ｎ，Ｎ′−ジブロムイソヌール酸ナトリウム及びＮ，Ｎ′−ジブロムイソシアヌール酸カリウムを挙げることができる。これらの中で、入手容易なＮ−ブロムサクシイミドが特に好ましい。
【００１２】
その使用量は、原料ＢＴＦＢに対し、ブロム原子で当量以上あれば充分であり、通常１．０〜１．５当量使用するのが好ましい。
次に本発明の第２の特徴は、溶媒にある。即ち濃度８５％以上の硫酸から１１０％硫酸（三酸化硫黄濃度が１０％までの発煙硫酸）を用いることことができる。発煙硫酸を用いると副生物が生成する場合もあり、好ましくは硫酸濃度９０％より１００％で迅速にかつ選択的に目的とするＢＴＦＢＢが得られる。より好ましい硫酸濃度は９５％から１００％である。硫酸濃度８５％未満では、反応速度が遅くなり好ましくない。
【００１３】
その使用量は、原料ＢＴＦＢに対し１〜５０重量部が好ましい。使用量が多い方が原料ＢＴＦＢ及びブロム化剤が溶解するところから反応が速くなるが、経済的には、通常３〜１０重量倍の範囲で行うのが好ましい。
本反応の反応温度は、−１０〜１００℃間で行うのが好ましいが、特には０〜７０℃間がＢＴＦＢＢの選択性と転化率との兼合いから好ましい。
【００１４】
反応時間は、ガスクロマトグラフィー又は液体クロマトガラフィー等で反応進跡することにより決定することができる。
反応終了後は、反応液の有機分を有機溶媒で抽出した後、水洗、濃縮してから蒸留することにより目的生成物ＢＴＦＢＢを得ることができる。
以下、実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明は、これらによって限定されるものではない。
【００１５】
実施例１
１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（ＢＴＦＢ）１０．７ｇ（５０ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロムサクシイミド９．８ｇ（５５ｍｍｏｌ）及び９７％硫酸５３．５ｇを反応フラスコに仕込み４０℃で６時間３０分攪拌した。
反応終了後、室温に戻してから１，２−ジクロロエタン（ＥＤＣ）で抽出した。このＥＤＣ層を水洗、１０％ＮａＯＨ水溶液洗さらに水洗を行った後、芒硝で脱水した。その後この含水芒硝をろ別後ＥＤＣ溶液を蒸留に供した。常圧で１５１〜１５２℃の主留分９．８ｇが得られた。
【００１６】
この主留分を、ＭＡＳＳ及び 1Ｈ−ＮＭＲから分析の結果、目的とする１，３−ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼン（ＢＴＦＢＢ）であることを確認した。
なお、反応直後のＥＤＣ抽出液をガスクロマトグラフィー内標法で定量した結果、ＢＴＦＢＢ収率は９２．１％であった。
【００１７】
実施例２〜６及び比較例１〜３
実施例１に於て、Ｎ−ブロムサクシイミド（ＮＢＳ）、溶媒、温度及び時間等を変えて、反応を行い、得られた反応液からＥＤＣ抽出し、ＥＤＣ溶液を内標法で定量した結果を、次表に示す。尚、原料のＢＴＦＢは、2.14ｇ(10mmol)を用いた。
【００１８】
【表１】
0003806962.tif 000004
【００１９】
実施例７
ＢＴＦＢ２．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリブロムイソシアヌール酸１．８ｇ（５ｍｍｏｌ）及び９７％硫酸１２ｇを４０℃で５時間攪拌した。
この反応液を室温に戻してからＥＤＣ抽出し、得られたＥＤＣ溶液を定量した。未反応ＢＴＦＢ３２．０％、生成ＢＴＦＢＢ収率５１．１％であった。
【００２０】
【発明の効果】
濃度８１％以上の硫酸の存在下にＮ−ブロムイミド型ブロム化剤を用いて、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンをブロム化することにより高収率で、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロムベンゼンを得ることができる。
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属又は硬質プラスチック材から成る剛性向上用の形状保持材Ｂを、吸水・保水繊維材Ａに、縫製Ｘにより重ね合わせて形成したことを特徴とする加湿フィルター。
【請求項２】
形状保持材Ｂを、吸水・保水繊維材Ａ，Ａにてサンドイッチ状に積層して重ね合わせた請求項１記載の加湿フィルター。
【請求項３】
形状保持材Ｂを、吸水・保水繊維材Ａの一面側に積層して重ね合わせた請求項１記載の加湿フィルター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加湿フィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の加湿器の大半は、水をヒータで沸騰させて水蒸気に変えて排出するものであり、ヒータの消費電力が大きいという問題があった。
そこで、キャビネット内にて、ファンと加湿フィルターとを設け、受け皿に溜めた水を加湿フィルターに吸わせ、又は上方のタンクから滴下させ、ファンによるエアー流によって水蒸気として排出する加湿器も実用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、加湿フィルターが、繊維材のみから成っていたので、吸水によって、柔らかくなって、局部的に歪みと変形を生じ、吸上げが不均一・不十分となり、かびが発生したり、においの原因となったりしていた。
【０００４】
そこで、本発明は、吸水によって歪みと変形を生ずる虞れがなく、均一に水を吸い上げることができ、防かび効果があり衛生的に優れた加湿フィルターを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る加湿フィルターは、金属又は硬質プラスチック材から成る剛性向上用の形状保持材を、吸水・保水繊維材に、縫製により重ね合わせて形成したものである。
【０００６】
また、形状保持材を、吸水・保水繊維材にてサンドイッチ状に積層して重ね合わせたものである。また、形状保持材を、吸水・保水繊維材の一面側に積層して重ね合わせたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態を示す図面に基づき、本発明を詳説する。
【０００８】
図１は、本発明の使用状態の一例を示す。すなわち、この加湿フィルターＫは、石油又はガス燃料のヒータＨの吹出口Ｆに付設されている。Ｔは、水を溜めるタンクであって、このタンクＴから、加湿フィルターＫの下部に設けられる受け皿Ｓに水が供給される。Ｗは、燃焼部であって、この燃焼部Ｗで発生した温風は、矢印Ｙのように流れる。加湿フィルターＫは、受け皿Ｓから水を吸上げて吸収する。その水が蒸発して水蒸気となり、上述の温風とともに、ファンＧによって、吹出口Ｆから矢印Ｚ方向に吹出される。
【０００９】
図２は、他の使用状態を示す。すなわち、この加湿フィルターＫは、（燃焼部を有さない）加湿器Ｍの吹出口Ｅに付設されている。
【００１０】
図３及び図４は、比較例を示す。この加湿フィルターＫは、全体形状が屏風状（ジグザグ折曲形状）であって、外気との接触面積が大きい。加湿フィルターＫは、剛性向上用の形状保持材Ｂが、吸水・保水繊維材Ａに、重ね合わせて形成される。
【００１１】
具体的には、形状保持材Ｂは、吸水・保水繊維材Ａの一面側に積層して接着により重ね合わせられている。吸水・保水繊維材Ａは、レーヨン又はコットン等から成る不織布を網状又は小格子状に形成したものや、織布を網状又は小格子状に編んだものとする。形状保持材Ｂは、金属ネットから成り、耐熱タイプとして、上述の図１の場合に好適である。
吸水・保水繊維材Ａが形状保持材Ｂと重ね合わせられているので、吸水時にも、加湿フィルターＫの形状が（局部的に）歪むことなく保持されて、均一に吸水することができ、防かび効果がある。
【００１２】
図５は、本発明の実施の一形態を示し、形状保持材Ｂが網状の硬質プラスチック材から成る。形状保持材Ｂと、吸水・保水繊維材Ａとは、縫製Ｘにより重ね合わせられて一体状となっている。
【００１３】
図６は、他の比較例を示し、網状の硬質プラスチック材から成る形状保持材Ｂが、吸水・保水繊維材Ａ，Ａにてサンドイッチ状に積層して重ね合わせられている。形状保持材Ｂと、吸水・保水繊維材Ａとは、接着剤により重ね合わせられている。
【００１４】
なお、本発明は設計変更自在であって、例えば、金属ネットから成る形状保持材Ｂが、吸水・保水繊維材Ａ，Ａにてサンドイッチ状に積層して重ね合わせられるも良い。
【００１５】
【発明の効果】
本発明は、上述の如く構成されるので、次に記載する効果を奏する。
【００１６】
（請求項１，２，３によれば）吸水によって歪みや変形を生ずる虞れがなく、均一に水を吸い上げることができ常に加湿作用に優れ、かつ、防かび効果があり衛生的に優れる。
【００１７】
（請求項２によれば）形状保持材Ｂと吸水・保水繊維材Ａとを一体化しやすく、吸水・保水繊維材Ａ，Ａの補強を確実に行ない得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の使用状態の一例を示す側面図である。
【図２】  使用状態の他例を示す側面図である。
【図３】  比較例を示す断面平面図である。
【図４】  断面側面図である。
【図５】  本発明の実施の一形態を示す断面側面図である。
【図６】  比較例を示す断面側面図である。
【符号の説明】
Ａ  吸水・保水繊維材
Ｂ  形状保持材
【図１】
0003806315.tif 000002
【図２】
0003806315.tif 000003
【図３】
0003806315.tif 000004
【図４】
0003806315.tif 000005
【図５】
0003806315.tif 000006
【図６】
0003806315.tif 000007
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高強度拘束筒の内側へ、大小異なる直径を混合使用した高強度球を複数段に積み上げて充填し、基礎コンクリート上に、前記高強度球を充填した高強度拘束筒を設置し、前記高強度拘束筒上にコンクリート柱を設置したことを特徴とする免震構造体。
【請求項２】
高強度拘束筒は、円周方向の耐圧力を向上させる為に、筒外壁に環状リブを並列設置し、又は筒外壁に螺旋筋を設置し、或いは筒外壁に高強度補強線を周繞設置したことを特徴とする請求項１記載の免震構造体。
【請求項３】
高強度球は、直径５mm〜１０mmの特殊鋼とし、炭素鋼にニッケル、タングステン、モリブデン、バナジウム、コバルト、アルミニウム、チタンなどを単独又は複合して２〜３％添加した合金製の鋼球としたことを特徴とする請求項１、又は２記載の免震構造体。
【請求項４】
コンクリート基礎上に設置した高強度拘束筒の底部に底板を設け、前記高強度拘束筒内へ高強度球を大小混合して複数段に積み上げて充填し、前記高強度拘束筒上にコンクリート柱を設置したことを特徴とする免震構造体の製造方法。
【請求項５】
高強度拘束筒は、「鋼管の外側壁に、鉄筋、又は金属網、或いは合成樹脂網を周繞設置した」或いは「前記鋼管の外側壁へ鋼リングを並列固定した」ことを特徴とする請求項４記載の免震構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、振動エネルギーの吸収能を大きくすると共に、耐圧力を大きくすることを目的とした免震構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来建物躯体の下部と、基礎との間に鋼球を介在させて、地盤振動を躯体に与えないようにした発明（特公平７−１３３７１号）が知られている。また基礎コンクリート上にコ型鋼板の中に潤滑油及び鋼球を入れて、その上に鋼板を乗せ、その上に建物側床板を乗せて吸震基礎とした建築吸震基礎の考案が提案されている（実開昭５６−１３００４５号）。
【０００３】
【発明により解決すべき課題】
前記公知の発明は、鋼球を水平移動のベアリングとして使用したものであって地震などの際、基礎と、建造物との間に振動エネルギーを吸収させることができない問題点があった。
【０００４】
また前記公知の考案は、潤滑油介在のもとに吸震するので、振動エネルギーの吸収についてはまだ不十分であった。例えば水平振動を生じた際の耐圧と、変形容易性を求めたものと思料される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
然るにこの発明は、高強度拘束筒の内側に高強度球を複数段に積み上げ、外周側を拘束するので、耐圧性と横方向可変性を備え、地盤等の振動エネルギーを有効に吸収できるようにしたのである。
【０００６】
即ち物の発明は、高強度拘束筒の内側へ、大小異なる直径を混合使用した高強度球を複数段に積み上げて充填し、基礎コンクリート上に、前記高強度球を充填した高強度拘束筒を設置し、前記高強度拘束筒上にコンクリート柱を設置したことを特徴とする免震構造体である。また高強度拘束筒は、円周方向の耐圧力を向上させる為に、筒外壁に環状リブを並列設置し、又は筒外壁に螺旋筋を設置し、或いは筒外壁に高強度補強線を周繞設置したことを特徴とするものであり、高強度球は、直径５mm〜１０mmの特殊鋼とし、炭素鋼にニッケル、タングステン、モリブデン、バナジウム、コバルト、アルミニウム、チタンなどを単独又は複合して２〜３％添加した合金製の鋼球としたことを特徴とするものである。
【０００７】
次に方法の発明は、コンクリート基礎上に設置した高強度拘束筒の底部に底板を設け、前記高強度拘束筒内へ高強度球を大小混合して複数段に積み上げて充填し、前記高強度拘束筒上にコンクリート柱を設置したことを特徴とする免震構造体の製造方法である。ここで、高強度拘束筒は、鋼管の外側壁に、鉄筋、又は金属網、或いは合成樹脂網を周繞設置したことを特徴とするものであり、高強度拘束筒は、鋼管の外側壁へ鋼リングを並列固定したことを特徴とするものである。
【０００８】
前記拘束筒の材質は、前記鋼管の外に繊維強化プラスチック管も考えられる。
【０００９】
この発明における鋼球の直径は、比較的大径の拘束筒（例えば５０cm〜１００cm）には大径の鋼球（例えば５０mm〜１００mm）が使用される。直径５mm〜５０mmと、５０mm〜１００mmとを混合使用（５０％位）する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
この発明は、高強度拘束筒の内側へ高強度球を複数段に充填し、地震などの振動に際し、高強度拘束筒の変形により、高強度球は相互に滑り、転動などを生じる。従って振動エネルギーを吸収するようにした免震構造体及びその製造方法に関する発明である。
【００１１】
前記高強度拘束筒としては、補強鋼管、又は繊維強化プラスチックス管などがある。
【００１２】
【実施例１】
鋼管１の外壁に環状リブ２を並設して拘束筒１１を構成し、該拘束筒１１の内側に、直径３０mm前後の鋼球３を５０％（重量）、直径８０mmの鋼球４を５０％（重量）を充填したもので、図中５は基礎コンクリート、６はコンクリート柱、７は底板である。
【００１３】
前記実施例において、矢示８の方向から強い力で加圧されると、拘束筒１１も同一方向へ傾斜するので、各鋼球３、４は夫々矢示９、１０などの方向へ転動し（又は滑る）、接触面における摩擦によってエネルギーを消費する。従って基礎から与えられた振動エネルギーは急速に減衰して柱６へ伝えられ、振幅、強度共に減滅して建造物に伝達される。
【００１４】
前記における拘束筒１１の変形によって鋼球３、４の見かけ嵩はほぼ一定であり、かつ各鋼球３、４の当接面は弾性変形するにすぎないから、振動等の外力がなくなれば、外形は復旧することになる。
【００１５】
前記における拘束筒１１の内筒壁に表面硬化層（特殊鋼板の層着、焼入れなどにより設ける）を設けることも考えられる。
【００１６】
【実施例２】
図２は、繊維強化拘束筒の実施例である。即ち鋼管１２の上端外側に環状鍔１３を設けると共に、環状鍔１３の下部より、鋼管１２の全外周へ、カーボン繊維を密に巻きつけて、カーボン繊維層１４を設けたものである。
【００１７】
前記実施例によれば、鋼管１２は比較的肉厚を薄くしても十分の強度を有する。
【００１８】
図３は、前記カーボン繊維に代えてグラスファイバー１６又はグラスファイバー網を筒状に成形し、これにポリエステル系樹脂１７を含浸させ拘束筒１５としたものである。この拘束筒は耐水、耐薬品性、耐腐蝕性がある。
【００１９】
【発明の効果】
この発明によれば、拘束筒内に充填した高強度球が振動エネルギーを吸収すると共に、十分な耐圧性を有するので、免震構造体として信頼度が高く、広く基礎及び基礎と建造物との間に介装して特性を発揮し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の構造体の実施例の使用状態における断面図。
【図２】同じく高強度拘束筒の実施例の断面図。
【図３】同じく繊維強化合成樹脂よりなる高強度拘束筒の実施例の断面図。
【符号の説明】
１ 鋼管
２ 環状リブ
３、４ 鋼球
５ 基礎コンクリート
６ コンクリート柱
７ 底板
１１、１５ 拘束筒
１２ 鋼管
１３ 環状鍔
１４ カーボン繊維層
１６ グラスファイバー
１７ ポリエステル系樹脂
【図１】
0003806825.tif 000002
【図２】
0003806825.tif 000003
【図３】
0003806825.tif 000004
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
器具を壁面等にビス止めした後、該ビスの頭部を隠すために取り付けられるビスキャップであって、該ビスキャップは前記器具に面一状をなして取り付け可能に構成され、前記器具側には、前記ビスを通すビス孔の近傍に、ビスキャップを止めるための孔が形成され、前記ビス孔とビスキャップを止めるための孔が連通した孔形状に形成され、前記孔内に挿入係止されるフックがビスキャップに設けられていることを特徴とするビスキャップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ビスの頭部を隠すためのビスキャップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】
従来、例えばユニットバス内に手摺り等の器具を取り付ける際に、図４の斜視図で、また図５の断面図で示すように、壁パネル５４に取り付けられる器具５１にはビス孔５２と、その前面側に円形凹部５３が形成されており、ビス５５をビス孔５２内に通し、ビス５５を壁パネル５４にネジ込んで、器具５１を壁パネル５４に固定した後に、ビス５５の頭部を隠すために、円形状に樹脂等で形成したビスキャップ５６が前面側より円形凹部５３内に嵌め込まれていた。
しかし、器具５１の形状によっては、円形凹部５３が形成しにくい型形状となる場合があり、円形状のビスキャップ５６が使用できなかったり、また、確実に固定できない場面が生じるという問題点があった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記従来の問題点に鑑み案出したものであって、確実に器具に取り付けて、ビスの頭部を隠すことのできるビスキャップを提供せんことを目的とし、その要旨は、器具を壁面等にビス止めした後、該ビスの頭部を隠すために取り付けられるビスキャップであって、該ビスキャップは前記器具に面一状をなして取り付け可能に構成され、前記器具側には、前記ビスを通すビス孔の近傍に、ビスキャップを止めるための孔が形成され、前記ビス孔とビスキャップを止めるための孔が連通した孔形状に形成され、前記孔内に挿入係止されるフックがビスキャップに設けられていることである。
【０００４】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１は、器具と、ビスと、ビスキャップの分解斜視図であり、また図２は、器具側の断面図であり、図３は、ビスキャップの取付状態の断面構成図である。
【０００５】
図において、器具本体１は、例えばユニットバス内に設置されるカウンターであり、器具本体１の立ち上がり壁部には、方形状の正面凹部２ａと、上面側の上面凹部２ｂが形成されており、正面凹部２ａには、裏側に貫通したビスを通すためのビス孔３が形成されており、このビス孔３の下部には、裏側に貫通してキャップ止め用孔４が形成されたものとなっており、ビス孔３とキャップ止め用孔４は縦孔５により連通されて、孔形状に形成されている。
【０００６】
また、正面凹部２ａ及び上面凹部２ｂの外側には、一段高く内周段部６が形成されており、また上面凹部２ｂの裏側には、下方へ切り欠いて裏溝部７が形成されている。
また、図２に示すように、キャップ止め用孔４の裏側には、上方へ切り欠いて引っ掛け溝部８が形成されたものとなっている。なお、この引っ掛け溝部８は、キャップ止め用孔４の裏側の下部８ａに形成されたものであっても良い。
【０００７】
前記ビス孔３内にビス９を通して、図３のようにビス９を壁パネル１４にネジ込んで、壁パネル１４に器具本体１を固定することができ、この状態で、正面凹部２ａ及び上面凹部２ｂを覆蓋するように、ビスキャップ１０を室内側より取り付けて、ビス９の頭部を隠蔽させてスッキリとした取付状態が得られるように構成されており、ビスキャップ１０は樹脂で形成されて、正面凹部２ａの前面を覆蓋する垂直片１１と、上面凹部２ｂの上面を覆蓋する上面片１２がＬ字状に一体形成され、上面片１２の先端には、裏溝部７に係止される爪１２ａが形成され、また、上面片１２と平行状に垂直片１１から突出してフック１３が一体形成されており、フック１３はキャップ止め用孔４内に挿入できるような形状に形成され、フック１３の先端側には、引っ掛け溝部８に係止される引っ掛け爪１３ａが形成されたものとなっている。
【０００８】
このような形状のビスキャップ１０の左右両端側を内周段部６に当接させて、爪１２ａを裏溝部７に係止させ、フック１３をキャップ止め用孔４内に挿入して、引っ掛け爪１３ａを引っ掛け溝部８に係止させて、確実にビスキャップ１０を器具本体１に取り付けることができ、この状態で、完全にビス９の頭部は隠蔽された状態となり、ビスキャップ１０は器具本体１と面一状をなして、スッキリとした設置状態が得られるものである。
【０００９】
なお、図２に示す器具本体１は、従来のような円形凹部５３を形成させようとすると、型を抜くことができず、製品の成形が困難であるため、このような形状の正面凹部２ａ及び上面凹部２ｂを形成させ、フック１３を有するビスキャップ１０を取り付けて、ビス９の頭部を覆蓋するのである。
従って、円形凹部５３を形成することができない型形状の器具に対して、このような形状の凹部２ａ，２ｂを形成させて、良好にビスキャップ１０を取り付けてスッキリとした設置状態を得ることができるものである。
【００１０】
【発明の効果】
本発明は、器具を壁面等にビス止めした後、該ビスの頭部を隠すために取り付けられるビスキャップであって、該ビスキャップは前記器具に面一状をなして取り付け可能に構成され、前記器具側には、前記ビスを通すビス孔の近傍に、ビスキャップを止めるための孔が形成され、前記ビス孔とビスキャップを止めるための孔が連通した孔形状に形成され、前記孔内に挿入係止されるフックがビスキャップに設けられていることにより、従来のような円形凹部を形成しにくい形状の器具に対し、確実にビスキャップを取り付けることができ、ビスキャップで良好にビス頭部を隠して、スッキリとした設置状態が得られる。
また、ビス孔とビスキャップを止める孔が、連通した孔形状に形成されていることにより、ビス孔とビスキャップを止める孔を一体形成させることができ、孔の形成が容易となる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  器具本体と、ビスと、ビスキャップの分解斜視図である。
【図２】  図１の器具本体の断面拡大構成図である。
【図３】  ビスキャップの取付状態の断面構成図である。
【図４】  従来の器具側の円形凹部と、ビスキャップの分解斜視図である。
【図５】  従来のビスキャップの取付状態の断面構成図である。
【符号の説明】
１  器具本体
２ａ  正面凹部
２ｂ  上面凹部
３  ビス孔
４  キャップ止め用孔
５  縦孔
６  内周段部
７  裏溝部
８，８ａ  引っ掛け溝部
９  ビス
１０  ビスキャップ
１１  垂直片
１２  上面片
１２ａ  爪
１３  フック
１３ａ  引っ掛け爪
１４  壁パネル
【図１】
0003806896.tif 000002
【図２】
0003806896.tif 000003
【図３】
0003806896.tif 000004
【図４】
0003806896.tif 000005
【図５】
0003806896.tif 000006
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、
ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とすることを特徴とする半導体ウエハーの選別方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハーは、ナイトライド系半導体ウエハーであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハーの選別方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＨＥＭＴに使用される半導体ウエハー，特にナイトライド系半導体ウエハーの非破壊選別を行なう半導体ウエハーの選別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ナイトライド系化合物半導体、主にＧａＮ、は一般に格子不整合の大きいサファイア基板上に結晶成長されるため、大きな転位密度（〜１０８ｃｍ−３）を有し、Ｓｉ，ＧａＡｓ等の従来半導体材料に比べ、結晶性は未熟な段階である。一般に、ＧａＮ系ＦＥＴの構造は厚いＧａＮ層（数μｍ厚）上に薄いＡｌＧａＮ層（数十ｎｍ）を形成した、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造を成している。
【０００３】
ドナー形不純物原子の添加、及びＡｌＧａＮ／ＧａＮのフィルムストレスに起因するピエゾ効果によりキャリアを発生させ、導電性を得ている。ＦＥＴ作製において、ウエハーの二次元情報で表現されるシート抵抗値は最も重要なパラメーターの一つである。
【０００４】
しかし、結晶品質の悪いウエハーにアニールを行うと、シート抵抗が初期の値より増加する場合がある。よって、プロセスを開始する前に、シート抵抗が変化しないエピウエハーを非破壊に選別する手法が必要である。
【０００５】
シート抵抗の評価にはホール測定法と渦電流法が使われている。ホール測定はウエハーの一部に電極を形成する必要があり、測定したウエハーはプロセスには導入できない。渦電流法は非破壊でシート抵抗を知ることが出来るが、熱処理によるシート抵抗の変化に関する情報は含まれておらず、試験的にウエハーに熱処理を行い再びシート抵抗の測定を行う必要がある。
【０００６】
結晶性の評価は透過型電子顕微鏡観察、およびＸ線回折法が用いられる。透過型電子顕微鏡観察は試料の加工が不可欠である。Ｘ線回折は薄膜試料から大きな信号が得づらいという欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来のＨＥＭＴに使用される半導体ウエハーの非破壊選別方法で使用されるシート抵抗の評価および結晶性の評価には下記のような課題がある。
すなわち、シート抵抗の評価におけるホール測定はウエハーの一部に電極を形成する必要があるので、試料に加工を施す必要があり測定したウエハーはプロセスには導入できない。また、渦電流法は試験的にウエハーに熱処理を行い再びシート抵抗の測定を行う必要がある。
結晶性の評価における透過型電子顕微鏡観察は試料の加工が不可欠であり、Ｘ線回折は薄膜試料から大きな信号が得づらいという欠点がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、熱処理を行ってもシート抵抗が変化しない半導体ウエハー、特にナイトライド系半導体ウエハーを成長直後のまま非破壊的に選別する半導体ウエハーの選別方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体ウエハーの選別方法は、半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とすることに特徴を有している。
【００１０】
また、本発明の半導体ウエハーの選別方法は、半導体ウエハーは、ナイトライド系半導体ウエハーであることに特徴を有している。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、熱処理後もシート抵抗の変化しないナイトライド系半導体ウエハーと熱処理後にシート抵抗が変化するナイトライド系半導体ウエハーを非破壊で選別する方法を実現するものである。ナイトライド系半導体の反射率測定を行い、ウエハーの選別を実現できるようにしたものである。すなわち、白色光照射の反射率スペクトルにおけるピークの有無を判定基準にする点が特徴である。
【００１２】
１）表面に白色光を照射し、反射光の分光測定を行う。
２）反射スペクトルの形状解析し、ヘテロ界面に起因するピークの大きさを観察する。
３）明瞭なピークが観察された半導体ウエハーは、熱処理によるシート抵抗の変動が少なく、明瞭なピークが観察されない半導体ウエハーは、熱処理によるシート抵抗の変動が大きい。明瞭なピークの有無は、反射光の分光測定を行なった後のアニール処理によるシート抵抗の増加に関する情報を含んでいることになる。
４）すなわち、アニールを行うとシート抵抗が初期の値より増加する場合がある結晶品質の悪い半導体ウエハーを、プロセスを開始する前に取り除くことができる。
【００１３】
【実施例】
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施例における反射率のスペクトルを示す図であり、（ａ）はサンプルＡの反射率のスペクトルであり、（ｂ）はサンプルＢの反射率のスペクトルである。
（ａ）と（ｂ）は、同一の条件で成長した２枚のエピウエハー（ＡｌＧａＮ（１８ｎｍ）／ＧａＮ（２μｍ）／サファイア基板）の成長後試料の反射率スペクトルを示している。横軸は波長［ｎｍ］を示し、縦軸は反射率［％］を示している。（ａ）のサンプルＡでは波長３１１ｎｍ付近にＡｌＧａＮの吸収ピークがみられる。（ｂ）のサンプルＢではこのようなピークはみられない。同一条件で成長したウエハーでもＡｌＧａＮ吸収ピークの高さに違いがある。
【００１４】
図２は、本発明の実施例におけるシート抵抗のアニール温度依存性を示す図である。図は、前述の図１におけるサンプルＡとサンプルＢとを３０秒の等時間アニールを行い、渦電流法によりチャネルのシート抵抗を測定した結果を示している。横軸はアニール温度［℃］を示し、縦軸はシート抵抗［ｏｈｍ／□］を示している。図１（ａ）で大きなＡｌＧａＮ吸収ピークを示したサンプルＡはほぼ一定のシート抵抗を示したが、ピークの小さい図１（ｂ）のサンプルＢは６００℃以上の温度領域で顕著なシート抵抗の増加がみられた。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体ウエハーの選別方法は、半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とするので、
また、半導体ウエハーは、ナイトライド系半導体ウエハーであるので、
アニール処理を行ってもシート抵抗が変化しないナイトライド系半導体ウエハーを成長直後のまま非破壊的に選別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における反射率のスペクトルを示す図であり、（ａ）はサンプルＡの反射率のスペクトルであり、（ｂ）はサンプルＢの反射率のスペクトルである。
【図２】本発明の実施例におけるシート抵抗のアニール温度依存性を示す図である。
【図１】
0003783851.tif 000002
【図２】
0003783851.tif 000003
(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーティションにより間仕切りする場合において、このパーティションの真上の天井裏に、ロックウール又はグラスウールの両面に遮音シートを貼着してなる仕切板を前記パーティションとほぼ連続状態に立設し、前記仕切板の下端は天井材に、上端は階上のスラブにそれぞれ密着させて前記天井裏を仕切ると共に、前記仕切板の底部に沿ってその両側に１ｍ〜３ｍの幅でロックウール又はグラスウールからなる防音材を前記天井材の裏面側にそれぞれ敷設したことを特徴とする天井裏遮音構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、天井裏遮音構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
オフィスビル等において、パーティションにより間仕切りすることがあるが、パーティションを増設した場合には、そのパーティションに対応する天井裏は遮音対策が施されないため、隣室の話し声、騒音等が天井裏を通って聞こえて来るという問題がある。
通常、オフィスビルの天井材としては薄板が用いられているため、遮音性能が劣り隣室からの音の伝播が大きくなってしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題を解消するためになされ、パーティションにより間仕切りする場合に、隣室の話し声や騒音等を遮音できるようにした天井裏遮音構造を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を技術的に解決するための手段として、本発明は、パーティションにより間仕切りする場合において、このパーティションの真上の天井裏に、ロックウール又はグラスウールの両面に遮音シートを貼着してなる仕切板を前記パーティションとほぼ連続状態に立設し、前記仕切板の下端は天井材に、上端は階上のスラブにそれぞれ密着させて前記天井裏を仕切ると共に、前記仕切板の底部に沿ってその両側に１ｍ〜３ｍの幅でロックウール又はグラスウールからなる防音材を前記天井材の裏面側にそれぞれ敷設したことを特徴とする天井裏遮音構造を要旨とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図１において、１はオフィス等の間仕切り用に立設されたパーティションであり、その下端は床材に、上端は天井材２にそれぞれ密着している。このパーティション１は、材質は限定されないが遮音機能を備えたものとする。
【０００６】
３は遮音機能を備えた仕切板であり、例えば厚さ約５０ｍｍ、密度１５０ｋｇ／ｃｍ３程度のロックウール又はグラスウール３ａの両面に、塩化ビニール等の樹脂材に金属粉を充填して成る遮音シート３ｂ等を貼着したもので、前記パーティション１の真上の天井裏に、パーティション１とほぼ連続状態に立設する。この時、仕切板３の下端は前記天井材２に、上端は階上のスラブ４にそれぞれ密着させて天井裏を仕切る。天井裏にダクトや配管等が配設されていても、仕切板３は切り欠き等の加工がし易いので簡単に施工することができる。
【０００７】
５は防音材（防音とは遮音と吸音の両機能を備える）であり、例えば厚さ約５０ｍｍ、密度１５０ｋｇ／ｃｍ３程度のロックウール又はグラスウールで形成され、前記仕切板３の底部に沿ってその両側にほぼ１ｍ〜３ｍの幅で前記天井材２の裏面側にそれぞれ敷設する。
【０００８】
このように構成された本発明の天井裏遮音構造によれば、前記パーティション１により仕切られたＡ室とＢ室の天井裏は、仕切板３によって完全に仕切られ、しかも仕切板３の両側の天井裏部分に防音材５が敷設されているため充分な遮音性能が得られ、隣接するＡ室とＢ室では天井裏を通って相互に話し声や騒音等が伝播するのを防止することができる。
【０００９】
図２は天井裏遮音構造の有無による室内平均音圧レベル差（遮音性能）を測定した結果を示すグラフ図であり、これによると天井裏遮音構造が無い場合（Ｄ−３０）と、有る場合（Ｄ−３５）とでは著しい差異が認められ、斜線で示すように大きな遮音効果が得られることが判明した。
【００１０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、パーティションにより間仕切りする場合において、そのパーティションの真上の天井裏に、ロックウール又はグラスウールの両面に遮音シートを貼着してなる仕切板をパーティションとほぼ連続状態に立設し、仕切板の下端は天井材に、上端は階上のスラブにそれぞれ密着させて天井裏を仕切ると共に、仕切板の底部に沿ってその両側に１ｍ〜３ｍの幅でロックウール又はグラスウールからなる防音材を天井材の裏面側にそれぞれ敷設したので、パーティションで仕切られた隣接部屋の話し声や騒音等が天井裏を通って伝播することはなく、完全に遮音することにより静かな室内環境を保持できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る天井裏遮音構造の実施の態様を示す概略断面図である。
【図２】  天井裏遮音構造の有無による室内平均音圧レベル差を測定した結果を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１…パーティション
２…天井材
３…仕切板
３ａ…ロックウール又はグラスウール
３ｂ…遮音シート
４…スラブ
５…防音材
【図１】
0003783172.tif 000002
【図２】
0003783172.tif 000003