(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして載置される載置台と、  前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、
前記基板が前記載置台に搬送され載置された後に、前記基板の一端部における前記ラビングローラーの回転トルクを検出するトルク検出機構と、
前記検出結果に基づき、前記回転トルクが所定の範囲となるように、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、
前記載置台を前記載置台の平面内で所定角度回転させて前記基板に対するラビング方向を設定することにより、前記回転トルクの前記検出の後に前記所定角度回転を行う回転機構と、
前記移動機構及び前記回転機構を動作させる制御手段と、
を具備するラビング装置であって、
前記制御手段は、前記トルク検出機構による検出結果に基づいて前記移動機構により前記載置台を移動させた後に、前記回転機構を回転させることを特徴とするラビング装置。
【請求項２】
（ａ）配向膜を上にして載置台上に載置された配向膜を有する液晶装置用基板の一端部に接して配置されるラビングローラの回転トルク値を検出する工程と、
（ｂ）前記回転トルク値により、前記基板と前記ラビングローラーとの距離を制御する工程と、
（ｃ）前記回転トルク値を検出する工程及び前記距離を制御する工程の後に、前記載置台を前記載置台の平面内で所定角度回転させて前記基板に対するラビング方向を設定する工程と、
（ｄ）前記回転トルク値が所定の範囲になったときの前記距離を保持して、前記基板の一端部から他端部へ向かって、ラビングローラーが相対的に移動する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｄ）工程において、
前記回転トルク値が所定の範囲になったときの前記距離が記録され、
前記基板に対する前記ラビング方向が設定された後、
前記距離を保持して、前記ラビングローラーが相対的に移動することを特徴とする請求請２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記液晶装置用基板は、アクティブ領域と、前記回転トルクを検出するための検出領域とを有することを特徴とする請求項３記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記アクティブ領域は、表示画素領域と該表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とを有することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記検出領域は、前記液晶装置用基板端部に形成されてなることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）〜（ｄ）工程は、異なる液晶装置用基板毎に行われることを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２から請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法により製造されることを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の技術分野に属し、特に配向膜のラビング処理の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、対向基板とアクティブマトリクス基板との間に液晶層を挟持して構成され、液晶層に電圧を印加し液晶分子の光学特性を変化させることにより表示を行う。対向基板及びアクティブマトリクス基板の液晶層に接する面上には配向膜が配置され、配向膜により液晶分子の配列が決定される。配向膜は、ポリイミドといった有機膜の表面を、布などで所定の方向に擦するラビング方法を施すことにより形成される。
【０００３】
具体的なラビング方法は次の通りである。まず、ラビング装置の載置台にポリイミド膜を有する基板をポリイミド膜を上にして配置する。次に、ローラーのまわりにラビング布が取りつけられたラビングローラーをポリイミド膜と接するように配置し、ラビングローラーを所定の方向に移動させて、ポリイミド膜を擦ることにより、ラビング処理された配向膜を形成する。そして、このようなラビング装置においては、ある一枚の基板を基準にしてラビングローラーと基板の位置関係を所定の値に設定し、常にこの値を固定させた状態で他の基板のラビング処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板間で厚みが異なるため、ラビングローラーと基板の位置関係を所定の値に設定してラビング処理を行うと、基板間でラビング強度のばらつきが発生していた。
【０００５】
例えば、厚さが薄い基板と厚い基板とを比較すると、薄い基板では、厚い基板と比較してラビング布と配向膜との接触長の値が小さくなるため、ラビング強度が小さくなる。このため、液晶分子の配向が弱くなり、液晶分子のチルトむら、及びリバースツイストドメインが発生する原因となる。一方、厚い基板では、ラビング強度が大きくなるため、液晶の配向が強くなりすぎて、配向膜の削れによる微小な異物の発生、及び液晶分子のチルト低下要因になる。液晶駆動デバイスにＴＦＴを用い画素間、あるいはライン間で極性反転駆動した場合、横電界の発生によりディスクリネーションが発生する。このようなチルトむら、リバースツイスト、ディスクリネーションは、液晶装置の表示品位を著しく劣化させてしまう。特に、このような液晶装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いた場合、投射型表示装置では拡大投影されるため、液晶の配向むらは致命的な表示不良となってしまう。
【０００６】
このように、従来のラビング装置によるラビング方法では、常に一定した表示特性を有する液晶装置を得ることができず、生産効率が悪いという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、常に一定の表示特性を有する液晶装置を得ることができるラビング装置及びラビング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を採用している。
【０００９】
本発明のラビング装置は、一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして載置される載置台と、前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、前記基板の一端部における前記ラビングローラーの回転トルクを検出するトルク検出機構と、前記検出結果に基づき、前記回転トルクが所定の範囲となるように、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構とを具備する。
本発明のラビング装置は、一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして載置される載置台と、
前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって移動することにより前記配向
膜をラビング処理するラビングローラーと、
前記基板が前記載置台に搬送され載置された後に、前記基板の一端部における前記ラビングローラーの回転トルクを検出するトルク検出機構と、
前記検出結果に基づき、前記回転トルクが所定の範囲となるように、前記ラビングロー
ラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、
前記載置台を前記載置台の平面内で所定角度回転させて前記基板に対するラビング方向を設定することにより、前記回転トルクの前記検出の後に前記所定角度回転を行う回転機構と、前記移動機構及び前記回転機構を動作させる制御手段と、を具備するラビング装置であって、前記制御手段は、前記トルク検出機構による検出結果に基づいて前記移動機構により前記載置台を移動させた後に、前記回転機構を回転させることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、
（ａ）配向膜を上にして載置台上に載置された配向膜を有する液晶装置用基板の一端部に接して配置されるラビングローラの回転トルク値を検出する工程と、
（ｂ）前記回転トルク値により、前記基板と前記ラビングローラーとの距離を制御する工程と、
（ｃ）前記回転トルク値を検出する工程及び前記距離を制御する工程の後に、前記載置台を前記載置台の平面内で所定角度回転させて前記基板に対するラビング方向を設定する工程と、
（ｄ）前記回転トルク値が所定の範囲になったときの前記距離を保持して、前記基板の一端部から他端部へ向かって、ラビングローラーが相対的に移動する工程と、
を有することを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、基板毎にラビングローラーと載置台の位置調整を実施し、回転トルクを所定の範囲に設定する、すなわちラビング圧力を所定の範囲にすることが可能となる。例えば厚さばらつきのある複数の基板を処理しても、常に一定のラビング圧力にてそれぞれの基板にラビング処理を行うことがでる。その結果、基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に安定した製品特性の液晶装置を提供できるという効果を有する。更に、トルク値の検出を、基板の一端部で行うため、液晶装置用基板のラビング処理が必要とされない表示領域外でこの検出が行われることになる。そして、この検出結果をもとに基板とラビングローラとの距離が制御され、更にトルク値が検出されて、所定の範囲内のトルク値となった時点で、ラビングローラが移動してラビング処理が施される。したがって、ラビングローラが基板の一端部に接し、他端部に向かって配向膜上を移動するという動作の流れの中で、トルク値の検出工程、ラビングローラーと基板の距離制御工程、及びラビング処理工程を行うことができるので、効率良くかつ適正なラビング強度にてラビング処理を施すことができる。
【００１１】
本発明の液晶装置用基板のラビング方法は、（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板の一端部に接して配置されるラビングローラの回転トルク値を検出する工程と、（ｂ）前記回転トルク値により、前記基板と前記ラビングローラーとの距離を制御する工程と、（ｃ）前記回転トルク値が所定の範囲となるまで、前記（ａ）工程、（ｂ）工程を繰り返す工程と、（ｄ）前記回転トルク値が所定の範囲になったときの前記距離を保持して、前記基板の一端部から他端部へ向かって、ラビングローラーが相対的に移動する工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、基板毎に回転トルクを検出し、基板とラビングローラーとの距離を制御することにより、ラビング圧力を所定の範囲に設定することができる。例えば厚さばらつきのある複数の基板を処理しても、常に一定の回転トルク値、すなわち一定のラビング圧力にてそれぞれの基板にラビング処理を行うことが可能となる。その結果、基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に製品特性が安定した液晶装置を得ることができるという効果を有する。
また、本発明の液晶装置用基板のラビング方法は、一連の前記（ａ）〜（ｄ）の工程は、同一の前記基板毎に行われることを特徴とする。
かかる構成によれば、例えば厚さばらつきのある複数の基板を処理しても基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に表示品質が安定した液晶装置を得ることができる。
【００１３】
更に、前記（ｄ）工程において、前記回転トルク値が所定の範囲になったときの前記距離が記録され、前記基板に対する前記ラビングローラーの移動方向が設定された後、前記距離を保持して、前記ラビングローラーが相対的に移動することを特徴とする。本構成によれば、あらゆるラビング方向、及びバイアスラビングへの対応が可能となる。
【００１４】
また、前記液晶装置用基板は、アクティブ領域と、前記回転トルクを検出するための検出領域とを有することを特徴とする。本構成によれば、ラビングトルク測定用の検出領域を形成したことにより、検出領域でラビングローラーと基板の位置関係が調整される為、表示部を含むアクティブ領域には一定強度のラビング処理が可能となる効果を有する。
【００１５】
また、前記アクティブ領域は、表示画素領域と該表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とを有することを特徴とする。このような構成によれば、駆動回路一体型液晶装置にも適用できる。
【００１６】
また、前記検出領域は、前記液晶装置用基板端部に形成されてなることを特徴とする。このような構成によれば、検出領域は基板端部に位置するため、このような領域で回転トルク値を検出することにより、ラビングローラーが他端部に向かって配向膜上を移動するという動作の流れの中で、回転トルク値の検出工程、ラビングローラーと基板の位置調整工程、及びラビング処理工程を行うことができるので、効率良くかつ適正なラビング強度にてラビング処理を施すことができる。
【００１７】
また、前記（ａ）〜（ｄ）工程は、異なる液晶装置用基板毎に行われることを特徴とする。このような構成によれば、厚みの異なる基板を処理する場合であっても、基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に製品特性が安定した液晶装置を得ることができるという効果を有する。
【００１８】
本発明の液晶装置用基板は、上述の液晶装置用基板のラビング方法により製造されることを特徴とする。このような構成とすることにより、異なる基板間におけるラビング強度のばらつきがないので、常に製品特性が安定した液晶装置用基板を得ることができる。
【００１９】
本発明の液晶装置は、上述の液晶装置用基板を用いることを特徴とする。このような液晶装置は、良好で安定した表示品質を得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。また本発明の一実施形態として、液晶装置用基板にＴＦＴアレイ基板を使用した場合について説明する。
【００２１】
まず、本発明のラビング装置を用いてラビング処理された基板が組み込まれた液晶装置の構造について図４〜図６を用いて簡単に説明する。図６はラビング処理時における本発明の液晶装置用基板の斜視図である。アクテイブ領域１００には複数のＴＦＴアレイ、及び周辺駆動ドライバが形成されている。また、基板端部にはラビングローラーの回転トルクを検出する為の検出領域１０１が形成されている。ラビング処理後のＴＦＴアレイ基板は、液晶装置組立時などに必要に応じてラビングロ−ラーの回転トルク検出部１０１の一部が切断される場合がある。図４は、液晶装置の画像形成領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図４は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図、図５は液晶装置の表示領域中の縦断面図である。尚、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を適宜設定している。
【００２２】
図５に示すように、液晶装置３１は、液晶装置用基板としてのＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備え、両基板間に液晶層５０が挟持されて構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、それぞれ液晶層５０と接する側に配向膜１６及び２２を有している。配向膜１６及び２２は、それぞれ互いに交差する方向にラビング処理が施されており、液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態を採る。
【００２３】
図６に示すように、本発明の液晶装置用基板はアクテイブ領域１００、基板端部にはラビングローラーの回転トルクを検出する為の検出領域１０１が形成されている。
【００２４】
図４に示すように、液晶装置用基板１０のアクティブ領域１００は、表示画素領域とこの表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とからなる。表示画素領域には、互いに交差する複数の走査線３と複数のデータ線６とが配置され、各交差部毎に画素電極９ａが配置され、この画素電極９ａを制御するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０が配置され、更に走査線３とほぼ平行に容量線３ｂが配置されている。そして、周辺駆動回路領域には、走査線３に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇｎを供給する走査線駆動回路１０４、データ線６に画像信号Ｓ１、Ｓ２…、Ｓｎを供給するデータ線駆動回路１０５が配置されている。図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０では、石英基板６０上にＴＦＴ３０に対応して配置される遮光膜１１ａと、遮光膜１１ａ上に配置される下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に配置されるＴＦＴ３０の一部を構成する半導体層１と、半導体層１を覆うゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に配置される走査線３の一部をなすゲート電極３ａ及び容量線３ｂと、ゲート電極３ａ及び容量線３ｂとを覆う絶縁膜４とが形成されている。更に、絶縁膜４上にはデータ線６が配置され、データ線６は絶縁膜４に形成されるコンタクトホール５を介して半導体層１のソース領域１ｄと電気的に接続されている。更に、データ線６上には層間絶縁膜７が配置され、層間絶縁膜７上に配置される画素電極９ａは絶縁膜４及び層間絶縁膜７に形成されるコンタクトホール８により半導体層１のドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。そして、画素電極９ａ上には、基板前面にポリイミド膜からなる配向膜１６が配置されている。この配向膜１６は、走査線３に沿った方向でラビング処理が施されており、詳細な処理方法については後述する。半導体層１は、チャネル領域１ａを挟むように両側に低濃度不純物領域１ｂ、１ｃ、更にこれらを挟んで高濃度不純物領域１ｄ、１ｅが配置されたＬＤＤ構造となっている。また、半導体層１の一部は容量用電極１ｆとして機能し、容量線３ｂとゲート絶縁膜２を介して蓄積容量７０を形成している。一方、検出領域１１０には、表示用スイッチング素子領域に形成される下地絶縁膜１２、絶縁膜４、層間絶縁膜７、配向膜１６が延在して配置され、各膜はベタ膜状に形成されている。
【００２５】
一方、対向基板２０は、例えばガラス基板８０上に、格子状に設けられた遮光層２３と、これを覆うように配置された対向電極２１と、更に対向電極２１上に配置されたポリイミド膜からなる配向膜２２とから構成される。配向膜２２は、ＴＦＴアレイ基板側に配置される配向膜１６に施されるラビング処理方向とほぼ直交した方向にラビング処理が施されている。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０それぞれに形成される配向膜１６、２２は、次に示すラビング装置を用いてラビング処理が施され、以下、ＴＦＴアレイ基板１０をラビング処理する場合を例に挙げて説明する。
【００２７】
本発明のラビング装置４８は、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０を載置し、上下方向（図中、Ａで示す矢印方向）及び基板平面と平行な直線方向（図中、Ｂで示す矢印方向）に移動可能な移動機構を有する載置台としてのステージ４０と、ＴＦＴアレイ基板１０と接するように配置されたラビング布がローラに巻きついたラビングローラー４１と、ラビングローラーを回転させる回転用モーター（図示せず）とを具備する。更に、ラビング装置４８には、回転用モーターのトルクを検出するトルク検出機構としてのトルク検出回路４２と、ステージの位置を検出する位置検出回路４３と、トルク検出回路４２及び位置検出回路４３により検出されたデータが入力され、これらのデータを処理するコンピュータ４４と、コンピュータ４４により処理されたデータに基づきステージの動作を制御す制御回路４５と、制御回路４５により指示されてステージを上下方向に移動させる移動機構としての上下移動モーター４６と、制御回路４５により指示されたステージを基板平面と平行な直線方向に移動させる移動機構としての基板面方向移動モーター４７とを具備する。トルク検出回路４２では、基板１０のラビング処理開始側の一端部におけるトルクを検出し、このトルクを検出する箇所は、図６に示したアクティブ領域１００と別領域に形成された検出領域１０１である。
【００２８】
次に、図１及び図２を用いて、ラビング装置の動作について説明する。
【００２９】
まず、配向膜１６となるポリイミド膜が基板全面に形成された図６に示すＴＦＴアレイ基板１０を用意する。工程フロー図２について説明する。図２の（１）工程に示すように、このＴＦＴアレイ基板１０を配向膜１６を上面にして、図１に示すラビング装置４８のステージ４０上に、ＴＦＴアレイ基板１０が搬送され、載置される。この際、ステージ４０とラビングローラー４１とは十分に離間されている。
【００３０】
次に（２）工程に示すように、基板１０とラビングローラー４１とが接する程度にステージ４０を所定位置まで上昇させる。この際、ラビングローラー４１は基板１０の検出領域１０１に位置し、この一端部側がラビング処理の開始側となる。
【００３１】
次に、（３）工程に示すように、検出領域１０１におけるラビングローラの回転モーターのトルク値がトルク検出回路４２により測定される。また、ステージ位置は位置検出回路４３によって検出される。
【００３２】
次に、（４）工程、（５）工程に示すように、検出領域１０１におけるトルク値とステージ位置のデータがコンピュータ４４に入力され、トルク値が所定トルク値範囲に適合されるかどうか判断される。
【００３３】
ここで、コンピュータ４４により所定トルク値範囲に適合すると判断されると、制御回路４５により基板面方向移動モーター４７が作動し、（６）工程に示すように、ステージは、所定速度で基板面と平行な方向（図１中、矢印Ｂで示される方向）に移動される。移動は、図６の矢印に示すように、基板の一端部から他端部に向かって一方向に行われ、これにより配向膜にラビング処理が施される。
【００３４】
次に、ラビング処理が終了すると、（７）工程に示すように、ステージが下降され、（８）工程に示すようにラビング処理された基板がステージ４０から搬出される。
【００３５】
一方、（５）工程において、所定トルク値範囲に適合されないと判断されると、測定されたトルク値とステージ位置のデータを基に、制御回路４５により上下移動モーター４６が作動し、（９）工程に示すようにステージが上昇または下降される。そして、再び（３）工程に戻って、トルク値が測定される。このようにトルク値が所定トルク値範囲内になるまで（３）工程、（４）工程、（５）工程、（９）工程は順に繰り返される。
【００３６】
ここで、上述の構成に加え、ステージが回転する機構を設けることもできる。ステージを回転することにより、基板に対して所望のラビング方向を提供することができ、この場合の工程について図３を用いて説明する。尚、図３に示す工程（１）〜（５）は上述の工程フロー図２に示す工程（１）〜（５）と同様であるため、ここでは説明を省略し、工程（６）以降から説明する。
【００３７】
工程（６）にて所定トルク値範囲に適合した場合におけるステージ位置ｄがコンピュータ４４に記録される。ここで、ステージ位置ｄが記録されることにより、基板とラビングローラとの距離が間接的に記録されることになる。次に、工程（７）にて一旦ステージがラビングローラーと基板が接触しなくなる所定の位置まで下降する。
【００３８】
次に、工程（８）にてステージが、ステージ平面内で所定角度回転する。これにより、基板に対するラビングローラーの移動方向が設定される。
【００３９】
次に、工程（９）にてステージが記録された位置ｄまで上昇する。
【００４０】
次に、工程（１０）に示すように、ステージは、所定速度で基板面と平行な方向（図１中、矢印Ｂで示される方向）に移動される。これにより配向膜にラビング処理が施される。
【００４１】
次に、ラビング処理が終了すると、（１１）工程に示すように、ステージが下降され、（１２）工程に示すようにラビング処理された基板がステージ４０から搬出される。一方、（５）工程において、所定トルク値範囲に適合されないと判断されると、図２と同様な工程フローが繰り返される。
【００４２】
これらのラビングに関する一連の動作は、基板毎に行われる。本実施形態においては、異なる基板毎に回転トルクを所定の範囲に設定することができるため、例えば厚さばらつきのある複数の液晶装置用基板を処理しても、常に一定の回転トルク値、すなわちラビング圧力にてそれぞれの基板のラビング処理を行うことが可能である。その結果、基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に表示品質が安定した液晶装置を得ることができる。また、トルク値の検出を、製品構成上ラビング処理が必要ない基板の一端部で行い、このトルク値の検出に基づいて所望のトルク値で表示領域中のラビング処理を行うため、トルク検出とラビング処理を連続した動作で行うことができ、製造効率が良い。
【００４３】
また、ラビング時のラビング処理を施す基板は、１枚の基板から複数個の液晶装置用基板を形成できる多面取り基板であっても良いし、1枚の基板から1枚の液晶装置用基板がとれる単個取りであっても良い。
【００４４】
以上説明したラビング方法を施した液晶装置は、適正なラビング処理が施されるため表示特性が良く、液晶配向むらが表示特性に大きく影響する投射型表示装置に適用するのに特に効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態におけるラビング装置を示す模式図である。
【図２】実施形態におけるラビング方法を示すフローチャート図である。
【図３】他の実施形態におけるラビング方法を示すフローチャート図である。
【図４】液晶装置の表示用スイッチング素子領域中の等価回路図である。
【図５】液晶装置の縦断面図である。
【図６】ＴＦＴアレイ基板の概略斜視図である。
【符号の説明】
１６、２２…配向膜
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
３１…液晶装置
４０…ステージ
４１…ラビングローラー
４２…トルク検出回路
４３…位置検出回路
４４…コンピュータ
４５…制御回路
４６…上下移動モーター
４７…基板面方向移動モーター
４８…ラビング装置
１００…アクティブ領域
１０１…検出領域
１０４、１０５…周辺駆動回路領域
【図１】
0003835087.tif 000002
【図２】
0003835087.tif 000003
【図３】
0003835087.tif 000004
【図４】
0003835087.tif 000005
【図５】
0003835087.tif 000006
【図６】
0003835087.tif 000007