(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
間に絶縁性の多層膜ミラーを挟んで配置された光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層側から光パターンが光学的に入力されることにより該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記多層膜ミラーで反射する読出し光が照射されることにより前記書き込まれた光パターンが読み出される１つの空間光変調器と、
この空間光変調器にＢ（ブルー）、Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターンを入力する光パターン入力手段と、
該入力に同期してＢ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射する光源、および該空間光変調器から読み出された光パターンをカラー感光材料に照射する光学系からなる光パターン読出手段とを有して、
前記感光材料に前記光パターンにより表されるカラー画像を記録する画像記録装置において、
前記空間光変調器の多層膜ミラーとして、前記カラー感光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射率がより低い分光反射率特性を有するものが用いられていることを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
前記カラー感光材料として、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR が、ＳB ＞ＳG ＞ＳR なる関係にあるものが用いられるとともに、
前記多層膜ミラーとして、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する各反射率ＲB 、ＲG およびＲR が、ＲB ＜ＲG ＜ＲR なる関係にあるものが用いられていることを特徴とする請求項１記載の画像記録装置。
【請求項３】
前記Ｂ、ＧおよびＲの読出し光がそれぞれ４６０〜５００ｎｍ、５４０〜５８０ｎｍ、６３０〜７５０ｎｍの波長域にあり、
Ｒの読出し光に対する平均の前記反射率ＲR を１００としたとき、Ｂの読出し光に対する平均の前記反射率ＲB が５≦ＲB ＜３０であり、Ｇの読出し光に対する平均の前記反射率ＲG が３０≦ＲG ≦７０であることを特徴とする請求項２記載の画像記録装置。
【請求項４】
前記多層膜ミラーが電気絶縁性の誘電体単体、もしくは複数の誘電体の多層膜から形成されていることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の画像記録装置。
【請求項５】
前記多層膜ミラーが、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、硫化亜鉛の単体、混合物、あるいは、単体もしくは混合物の複数の組合わせからなる多層膜から形成されていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の画像記録装置。
【請求項６】
前記多層膜ミラーの膜厚が３μｍ以下であることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、印画紙等の感光材料に光パターンを照射して、この光パターンを感光材料に記録する画像記録装置、特に詳細には、空間光変調器を用いてカラー画像を記録する画像記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、印画紙や熱現像感光材料等の感光材料に光を照射して感光材料を感光させ、この感光した感光材料を現像することによりに光パターンを可視像として得ることが行なわれている。この光パターンを感光材料に照射するための方法としては、ネガフイルムを透過した光を印画紙に投影する通常の引伸機やプリンタによる方法の他に、ネガフィルムを光電的に読み取って得られた画像信号をＣＲＴに入力し、このＣＲＴから出射される光を感光材料に直接照射する方法や、あるいはレーザビームを画像信号に基づいて変調し、この変調されたレーザビームを感光材料上に走査させる方法等も知られている。
【０００３】
ところで、感光材料の感度は通常それほど高くはないので、上述のＣＲＴを用いる方法ではＣＲＴの輝度を高くする必要がある。しかしながら、ＣＲＴの輝度を高くするとＣＲＴのスポット径が大きくなるため、感光材料に記録された画像の解像度が低下する。また、解像度を維持しつつ画像を感光材料に記録するにはＣＲＴからの光パターンの照射を長時間とする必要がある。
【０００４】
他方、上述したレーザビームにより感光材料に光を照射する方法では、レーザビームは高速で感光材料上を走査されるため感光材料上のある一点においては、光は非常に短い時間しか照射されないこととなり、特定の濃度を生ずるに必要な露光量が光の照度と照射時間の条件によって変化する相反則不軌の問題が生ずる。したがって、相反則不軌が生じない特殊な感光材料を使用する必要があり、汎用の感光材料を使用することができなかった。
【０００５】
このような事情に鑑み本出願人は、汎用の感光材料を用いて高速で高解像度の画像を記録することができる画像記録装置およびその使用方法を先に提案した（特開平７−２７０７４６号公報参照）。
【０００６】
この特開平７−２７０７４６号公報に示されている１つの画像記録装置は、本質的に、
間に光反射層を挟んで配置された光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層側から光パターンが光学的に入力されることにより該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記光反射層で反射する読出し光が照射されることにより前記書き込まれた光パターンが読み出される１つの空間光変調器と、
この空間光変調器にＢ（ブルー）、Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターンを入力する光パターン入力手段と、
該入力に同期してＢ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射する光源、および該空間光変調器から読み出された光パターンをカラー感光材料に照射する光学系からなる光パターン読出手段とを有して、
前記感光材料に前記光パターンにより表されるカラー画像を記録するものである。
【０００７】
なお上記の空間光変調器を構成する電気光学材料層としては、ＥＣＢ（electrically  controlled  birefringence ）モード等の動作モードを有する液晶層が多く用いられている。
【０００８】
一方Applied Physics Letters （アプライド・フィジックス・レターズ）Vol.22,No.3,(1973) pp.90〜92には、上述のような空間光変調器において光導電層と電気光学材料層との間に配される光反射層として、ＺｎＳとＭｇＦ2 とからなる15層の誘電体多層膜ミラーを用いることが開示されている。
【０００９】
また特開平３−１０７８１８号公報には、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ交互多層膜ミラーやＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互多層膜ミラーの代わりにＳｉ−Ｇｅ／ＳｉＯ2 交互多層膜によって上記光反射層を構成し、それにより光反射層の面内方向の抵抗を大きくし、解像度を高めた空間光変調器が開示されている。
【００１０】
さらに特開平３−２１７８２５号公報には、ＳｉＯ2 膜と、ＳｉまたはＧｅからなる光吸収性膜との交互多層膜ミラーによって上記光反射層を構成し、それによりミラー層に遮光層としての機能も併せ持たせ、ミラー層と遮光層とでの電圧損を少なくし、かつ電気力線の広がりも小さくして、コントラスト比や解像度を高めた空間光変調器が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上述のような空間光変調器においては、特開平３−１０７８１８号公報にも開示されている通り、光反射層やそれと合わせて配される遮光層の面内方向の導電性が高いと、良好な画像を得ることができない。そこで、金属のように導電性の高い材料から光反射層や遮光層を形成する場合は、各画素毎に該光反射層および／または遮光層をパターニングして絶縁したり、上記特開平３−１０７８１８号公報にも示されているように導電性をできるだけ小さくする方策が取られる。
【００１２】
このような事情があるため上記光反射層は、電気絶縁性の誘電体多層膜ミラーから構成されることが多い。光反射層を絶縁性材料から形成した場合、一般的に、電気光学材料層に作用して画像を形成する電場は、光反射層、遮光層、電気光学材料層等の絶縁性層を通過するのに従って横方向に広がるので、これらの絶縁性層の厚みが大きいほど解像度は低下する。
【００１３】
また、特に光パターンを光学的に入力する形式の空間光変調器においては、上記絶縁性層による電圧損失があるので、その電気容量が小さくなる（膜厚が大きくなる）のにつれて電気光学材料層に印加される電場の変調量が小さくなり、感度が劣化する。
【００１４】
以上のような事情から、空間光変調器の光反射層については、その膜厚をできるだけ小さくすることが求められている。
【００１５】
他方、上記空間光変調器を前述のようなカラーの画像記録装置やカラーのビデオプロジェクター等に適用する場合、光利用効率を高めるために光反射層の絶対反射率は高い方が望ましく、また可視波長全域に対して色味が付かないように、光反射層の分光反射率はできるだけフラットであることが望ましい。
【００１６】
光反射層を構成する誘電体多層膜ミラーとしては、単一中心波長に対する１／４波長層の繰返し多層膜からなるものが広く知られているが、そのような誘電体多層膜ミラーは一般に、可視波長全域をカバーするだけの帯域を備えていない。そこで、２以上のいくつかの中心波長に対する誘電体多層膜ミラーをさらに多層化して用いざるを得ないが、そのようにすると当然にミラーの膜厚が増大して、解像度および感度の劣化につながる。
【００１７】
そこで本発明は、空間光変調器の光反射層を構成する多層膜ミラーの膜厚をより小さくして、解像度および感度の高い画像記録装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明による画像記録装置は、
前述したように、間に絶縁性の多層膜ミラーを挟んで配置された光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層側から光パターンが光学的に入力されることにより該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記多層膜ミラーで反射する読出し光が照射されることにより前記書き込まれた光パターンが読み出される１つの空間光変調器と、
この空間光変調器にＢ（ブルー）、Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターンを入力する光パターン入力手段と、
該入力に同期してＢ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射する光源、および該空間光変調器から読み出された光パターンをカラー感光材料に照射する光学系からなる光パターン読出手段とを有して、
前記感光材料に前記光パターンにより表されるカラー画像を記録する画像記録装置において、
空間光変調器の多層膜ミラーとして、使用するカラー感光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射率がより低い分光反射率特性を有するものが用いられたことを特徴とするものである。
【００１９】
なお上記構成の画像記録装置において、より具体的に、
カラー感光材料として、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR が、ＳB ＞ＳG ＞ＳR なる関係にあるものが用いられる場合、
前記多層膜ミラーとして、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する各反射率ＲB 、ＲG およびＲR が、ＲB ＜ＲG ＜ＲR なる関係にあるものが用いられる。
【００２０】
また、特にＢ、ＧおよびＲの読出し光がそれぞれ４６０〜５００ｎｍ、５４０〜５８０ｎｍ、６３０〜７５０ｎｍの波長域にある場合、
Ｒの読出し光に対する平均の反射率ＲR を１００としたとき、Ｂの読出し光に対する平均の反射率ＲB は５≦ＲB ＜３０、Ｇの読出し光に対する平均の反射率ＲG は３０≦ＲG ≦７０であることが望ましい。
【００２１】
一方上記多層膜ミラーは、電気絶縁性の誘電体単体、もしくは複数の誘電体の多層膜から形成されるのが望ましい。さらに具体的に、この多層膜ミラーとしては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、硫化亜鉛の単体、混合物、あるいは、単体もしくは混合物の複数の組合わせからなるものが挙げられる。
【００２２】
また上記多層膜ミラーの膜厚は、３μｍ以下であることが望ましい。
【００２３】
【発明の効果】
一般に知られているように誘電体多層膜ミラー等の多層膜ミラーは、フラットな分光反射率特性を持たせようとすると、必然的に層数を多くせざるを得ず、そのために膜厚が増大してしまう。
【００２４】
それに対して、カラー感光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射率がより低いような、フラットではない分光反射率特性を持つ多層膜ミラーは、層数をさほど多くすることなく形成可能である。このような多層膜ミラーは当然、層数が多いものよりも膜厚を小さくできる。そのように膜厚が小さい多層膜ミラーを光反射層として備える空間光変調器においては、電気力線の広がりが小さくなって解像度が高くなり、また電圧損が小さくなって、液晶層等の電気光学材料層に印加される電圧の変調度が大きくなる。そこで、このような空間光変調器を有する本発明の画像記録装置は、解像度および感度が高いものとなり得る。
【００２５】
また、上記のような分光反射率特性の多層膜ミラーを用いることにより、この分光反射率特性によってカラー感光材料の分光感度特性が補償されるので、白色光をカラーフィルタに通して記録光として使用する場合には、その光利用効率を高めることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態による画像記録装置を示すものである。この画像記録装置１は、光パターンを投影するためのＣＲＴ２と、ＣＲＴ２により投影された光パターンが一方の面から書き込まれ、他方の面から光が照射されることにより、上記書き込まれた光パターンが読み出される空間光変調器３と、この空間光変調器３に読出し光を照射するハロゲンランプ４と、ハロゲンランプ４が発した光の中からＢ（ブルー），Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光を選択的に透過させるフィルタ５と、このフィルタ５を透過した光を空間光変調器３に入射させるための偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）６と、ＣＲＴ２から出射した光パターンを空間光変調器３に入射させる書込みレンズ７と、空間光変調器３から読み出された光パターンを感光材料９に投影させる投影レンズ８とを有している。
【００２７】
ここで上記空間光変調器３について、図２を参照して説明する。同図に示されるように空間光変調器３は、光照射を受けてインピーダンスが変化する光導電層10と、この光導電層10と平行にして近接配置された液晶層11と、この液晶層11と光導電層10との間に層状に形成されて、液晶層11を通過して来た読出し光21を反射させる誘電体ミラー12とを備えている。液晶層11の両側には、それぞれ配向膜13、14が配されている。
【００２８】
また、光導電層10と誘電体ミラー12との間には、読出し光21を遮断する光吸収層（遮光膜）16が配されている。一方、光導電層10の外側には透明電極17が、配向膜14の外側には透明電極18がそれぞれ配されている。
【００２９】
以上の要素10〜18は、低い熱膨張係数を有する１対のガラス基板40、41の間に挟持されている。そして透明電極17、18には、光導電層10と液晶層11との間に交流バイアス電圧を印加する電源42が接続されている。
【００３０】
一例として光導電層10はａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）からなり、厚さは１０μｍとされている。液晶層11は、誘電異方性Δεが負の液晶を使用するティルテッドホメオトロピック配向が適用されたもので、その厚さは例えば６μｍ、また動作モードはＥＣＢモードである。誘電体ミラー12は、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 とが交互に製膜、積層されてなる多層膜ミラーで、厚さは１．２μｍである。
【００３１】
一方配向膜13および14はＳｉＯの蒸着膜からなり、厚さはそれぞれ４０ｎｍである。光吸収層16はカーボンを分散した紫外線硬化型樹脂からなり、厚さは２μｍである。透明電極17および18はＩＴＯベタ電極であり、厚さはそれぞれ０．１μｍである。
【００３２】
次に、この空間光変調器３の製造方法について説明する。まずガラス基板40、41の各一表面上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極17、18を形成する。次に一方のガラス基板40の透明電極17の上に、ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜を製膜して、光導電層10を形成する。さらにその上に、カーボンを分散した紫外線硬化型の樹脂を塗布し、それを紫外線照射により硬化させて光吸収層16を形成する。
【００３３】
この光吸収層16の上に、真空蒸着法により、１０ｎｍから１４０ｎｍの範囲で各々最適化された厚みを持つＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ2 膜を交互に合計１５層製膜、積層して、誘電体ミラー12を形成する。
【００３４】
この誘電体ミラー12の分光透過率特性を、図５に示す。ここでは測定上の都合から透過率Ｔ（％）を示してあるが、反射率Ｒ（％）は本質的にほぼＲ＝１００−Ｔとなる。この図５から分かるように本例における誘電体ミラー12は、波長域が４６０〜５００ｎｍのＢ（ブルー）の光、５４０〜５８０ｎｍのＧ（グリーン）の光、６３０〜７５０ｎｍのＲ（レッド）の光に対する各平均の反射率をそれぞれＲB 、ＲG 、ＲR としたとき、ＲB ＝約２０％、ＲG ＝約６０％、ＲR ＝約９０％となっている。つまりＲB ＜ＲG ＜ＲR であって、ＲR ＝１００とすると、ＲB ＝約１８、ＲG ＝約５４である。
【００３５】
なお誘電体ミラー12は、分光反射率特性をフラットなものとする必要がないために、上述の通り厚さ１．２μｍと極めて薄く形成できるものである。
【００３６】
次にガラス基板40の誘電体ミラー12の上にＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜13を形成する。なおこの蒸着は、誘電体ミラー12の蒸着方向と直角な方向で行なう。また、一表面上に透明電極18が形成されたガラス基板41にも、上記と同様にＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜14を形成する。
【００３７】
上記のガラス基板40および41を、配向膜13、14の蒸着方向が反平行になるように対面させ、またスペーサとして６μｍ径のシリカビーズが混練されたエポキシ系接着剤を用いて、光学的な有効領域の外側のみを糊代として貼り合わせる。このとき両ガラス基板40および41は、間にほぼ６μｍの間隔を置いて対面する状態となる。このようにして形成されたセル内に、チッソ株式会社製のＥＣＢ動作モードの液晶（製品名：Ｎ−35）を真空注入後、注入口をエポキシ系接着剤により封止する。以上により、図２の空間光変調器３が得られる。
【００３８】
上記構成の空間光変調器３において、光パターン20を光導電層10に照射すると、光導電層10の光照射部分のインピーダンスが低下し、その部分に対応する箇所において液晶層11の電圧が上昇し、液晶の分子配列が変化する。そこで、直線偏光である読出し光21を液晶層11を通して誘電体ミラー12で反射させるようにしておくと、反射する読出し光21は液晶の分子配列変化に基づいて変調されるので、この読出し光21を検光して、上記光パターン20を表示させることができる。
【００３９】
なお、このような空間光変調器３としては、例えば日本ビクター株式会社製の液晶プロジェクターＩＬＡ−Ｍ３１５Ｇに用いられているＩＬＡ用デバイスが好適に用いられる。また、このような空間光変調器３についての詳細は、三好の文献に開示されている（進歩が著しい液晶プロジェクター、ＩＬＡTM，三好忠義，Ｏ plus Ｅ  No.165，p71 〜76，1993年８月）。
【００４０】
次いで、この画像記録装置１の動作について説明する。まず、図１に示されるようにＣＲＴ２に画像信号Ｑが入力され、この画像信号Ｑにより表される画像の光パターン20がＣＲＴ２から投影される。ここで、本実施形態ではカラー印刷をするため、まずＢの画像を表す信号がＣＲＴ２に入力されてＢの画像を表す光パターン20が投影される。この際、ＣＲＴ２の輝度を低くすることによりＣＲＴ２のビーム径が小さくなり、これにより空間光変調器３に書き込まれる光パターン20の解像度が高くなる。ＣＲＴ２に投影された光パターン20は書込みレンズ７を介して空間光変調器３の書込み側（光導電層10側）の面に照射される。空間光変調器３に照射された光パターン20は、この空間光変調器３に書き込まれる。
【００４１】
このようにして光パターン20が空間光変調器３に書き込まれた後、ハロゲンランプ４から読出し光21が射出される。この読出し光21はＢのフィルタ５を透過してＰＢＳ６に入射し、このＰＢＳ６で反射して空間光変調器３の読み出し側（液晶層11側）の面に入射する。空間光変調器３に入射した読出し光21は前述したように空間光変調器３により変調されて反射し、記録光22として再度ＰＢＳ６に入射し、これを透過して投影レンズ８を介して感光材料９に照射される。そこで感光材料９はこの記録光22に感光し、該感光材料９にＢの画像が記録される。
【００４２】
次いで、Ｇの光パターンを担持する画像信号ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢの場合と同様にＧの光パターンが空間光変調器３に書き込まれる。またこのＧの光パターンが書き込まれると、フィルタ５がＧに切り換えられ、Ｇの読出し光21によりＧの光パターンが読み出されて感光材料９に記録される。
【００４３】
次に、Ｒの光パターンを担持する画像信号ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢおよびＧの場合と同様にＲの光パターンが空間光変調器３に書き込まれる。またこのＲの光パターンが書き込まれると、フィルタ５がＲに切り換えられ、Ｒの読出し光21によりＲの光パターンが読み出されて感光材料９に記録される。
【００４４】
このようにしてＢ，ＧおよびＲの画像信号Ｑを順次ＣＲＴ２に入力するとともに、書き込まれた各光パターンをＢ，ＧおよびＲの読出し光21により読み出して感光材料９に記録することにより、この感光材料９にカラーの画像（写真潜像）が記録される。
【００４５】
ここで、空間光変調器３からの光パターンの読出しについて詳細に説明する。図３および図４は、空間光変調器３からの光パターンの読出しの詳細を説明するための図である。図３に示すように、ハロゲンランプ４から射出される読出し光21は偏りがない自然光であり、ＰＢＳ６によりＰ波（電気ベクトルが図面に平行な光）とＳ波（電気ベクトルが図面に垂直な光）の直線偏光に分離される。Ｐ波はＰＢＳ６を直進し、Ｓ波のみがＰＢＳ６の膜面で反射して空間光変調器３に到達する。
【００４６】
図４は空間光変調器３の液晶層11における垂直配向液晶分子の長軸方向と、光の変調特性との関係を表す図であり、その（ａ）は光導電層10に光パターンが書き込まれていない状態を表し、（ｂ）は光導電層10に光パターンが書き込まれている状態を表している。
【００４７】
図４（ａ）に示すように、光導電層10に光パターンが書き込まれないで高インピーダンスとなっている場合は、前述の電源42から交流バイアス電圧が印加されている状態下で、液晶層両端間の電圧は所定のしきい値以下となり、液晶分子の長軸と通過光軸とが合致して複屈折効果を示さない。したがって、Ｓ波で入射した光は液晶層11、誘電体ミラー12、液晶層11という経路を通過した後もＳ波のまま空間光変調器３から出射し、図３における入射時と同様の経路を通って光源に戻るため、記録光としては反射されない。このような液晶分子の垂直配向による無変調状態は波長依存性がないため、高いコントラスト比が得られる。
【００４８】
一方、図４（ｂ）に示すように光導電層10に光パターンが書き込まれて、低インピーダンスとなっている場合は、交流バイアス電圧が印加されている状態下で、液晶層11の両端間に数ボルトの電圧が印加される。液晶分子は印加電圧が発生した電界と直交する方向に傾き、通過光軸と液晶分子の長軸とが交わり複屈折性が示される。よってＳ波で入射した光は液晶層11を進む間に偏光形態に変調を受け、図４（ｂ）に示すように楕円偏光や円偏光に変換された後、空間光変調器３から出射する。
【００４９】
読出し光21は、空間光変調器３に書き込まれた光パターンに応じて変調度が変化し、最大変調のときにＰ波に変調され、ＰＢＳ６に入射した光束はそこを透過して記録光22として感光材料９に照射される。このようにして、空間光変調器３に書き込まれた光パターンに応じて読出し光21が変調され、感光材料９に照射される。
【００５０】
以上のようにしてカラー画像が記録された感光材料９は、図示しない現像機において現像処理され、これによりカラー画像が可視像として再生される。
【００５１】
上記カラー感光材料９のＢ、ＧおよびＲの読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR の比は、一般的なものと同様に概ね１００：２０：１となっている。それに対して、前述したように、誘電体ミラー12のＢ、ＧおよびＲの読出し光に対する反射率の比を概ね１８：５４：１００としておくと、ハロゲンランプ４の発光スペクトル特性等と相乗された上で、感光材料９の分光感度特性が補償され得る。
【００５２】
カラー感光材料９に再生されたカラー画像の解像度を、ＵＳＡＦチャートを用いて評価したところ、４０（ｌｐ／ｍｍ）であった。また図６に概念を示してある、書込み光パワーに対する読出し光変調度の応答を調べ、変調度が飽和値の９０％になる書込み光パワーで感度を定義すると、本実施形態の場合は１０（μＷ／ｃｍ2 ）であった。
【００５３】
＜比較例＞
上に述べた誘電体ミラー12以外の構成は全て上記実施形態のものと同じにして、比較例としての画像記録装置を形成し、それを用いて同様にカラー感光材料９にカラー画像を記録した。この場合の、誘電体ミラー12に代わる誘電体ミラーは、前述と同様のＢ、Ｇ、Ｒの光に対する各平均の反射率ＲB 、ＲG 、ＲR が全て約９０％であって、それらの光に対する分光反射率特性はフラットである。
【００５４】
その誘電体ミラーは、上記実施形態におけるのと同様に真空蒸着法によるＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ2 膜からなり、中心波長４３０ｎｍ、５６０ｎｍ、６９０ｎｍ、８３０ｎｍの各々に対して９層の１／４波長交互交互多層膜とＳｉＯ2 中間層を順次積層し、合計３９層形成して得られたものである。この誘電体ミラーの総膜厚は３．５μｍである。また、その分光反射率特性を図７に示す。
【００５５】
この比較例としての画像記録装置を用いて、前述のものと同じ感光材料９にカラー画像を記録した。この場合のカラー画像の解像度および装置感度を、上記実施形態と同様にして評価したところ、解像度は３５（ｌｐ／ｍｍ）、感度は１５（μＷ／ｃｍ2 ）であった。
【００５６】
以上の通り、比較例のものと比べて総膜厚が１．２μｍと１／３程度である誘電体ミラー12を用いる本発明の実施形態においては、解像度および感度とも明らかに高くなっていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による画像記録装置を示す概略側面図
【図２】図１の画像記録装置に用いられた空間光変調器を表す概略側面図
【図３】読出し光が変調される状態を説明するための図
【図４】液晶分子の長軸方向と光の変調特性との関係を表す図
【図５】図２の空間光変調器における誘電体ミラーの分光透過率特性を示すグラフ
【図６】画像記録装置の感度を説明するための説明図
【図７】比較例の空間光変調器における誘電体ミラーの分光反射率特性を示すグラフ
【図面の簡単な説明】
【符号の説明】
１    画像記録装置
２    ＣＲＴ
３    空間光変調器
４    ハロゲンランプ
５    フィルタ
６    偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
７    書込みレンズ
８    投影レンズ
９    感光材料
10    光導電層
11    液晶層
12    誘電体ミラー
13、14    配向膜
16    光吸収層
17、18    透明電極
20    光パターン
21    読出し光
22    記録光
【図１】
0003783117.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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