(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状において四角形の絶縁性基板の表面に電子回路素子が配置され、且つ前記基板を支持体に対してろう材で固着する時に使用される導体層が前記基板の裏面に形成された電子部品において、
前記基板の裏面の４つの角部及び中央部に導体層が形成され、前記基板の前記４つの角部の相互間の少なくとも一部における縁及びこの縁に隣接する領域に導体層が形成されていないことを特徴とする基板を有する電子部品。
【請求項２】
平面形状において四角形の絶縁性基板の表面に電子回路素子が配置され、且つ前記基板を支持体に対してろう材で固着する時に使用される導体層が前記基板の裏面に形成された電子部品の製造方法であって、
複数の電子部品を得ることができる面積を有する絶縁性基板を用意する工程と、
前記基板の表面上の複数の電子部品対応領域に電子回路素子をそれぞれ配置し且つ前記基板の裏面を前記複数の電子部品に対応させて区画するブレーキング予定線によって囲まれた四角形領域の中央部及び各角部に導体層を形成し、前記角部の相互間の少なくとも一部には導体層を形成しない工程と、
複数の電子部品を得るように前記基板を前記ブレーキング予定線に沿ってブレーキングする工程と
を備えていることを特徴とする基板を有する電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は平面形状四角形の基板の表面上にトランジスタ、ダイオード、ＩＣ等の電子回路素子が配置された電子部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２に示すようにセラミック等の絶縁性基板１の表面（一方の主面）にトランジスタ、ダイオード、ＩＣ、抵抗、コンデンサ等の電子回路素子２を配置し、基板１の裏面（他方の主面）に導体層３を設けた電子部品が知られている。この種の電子部品は、放熱性の良い金属支持板４に半田５で固着される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、小形電子部品は、量産性を高めるために、多数個の電子部品を同時に形成する。即ち、大面積の基板の上に多数の電子部品のための電子回路素子を配置し、その後に大面積の基板をブレーキング（破断）して個々の電子部品に分離する。上述のような製造方法において、基板の裏面全体に導体層があると、ブレーキングを良好に行うことができない。この問題を解決するために図１に示すように導体層３を大面積のセラミック等の基板１ａの裏面全体に設けないで、点線で示すブレーキング予定線６で囲まれた四角形の中央領域のみに設けることが考えられる。図１ではブレーキング予定線６に沿って導体層３が配置されていないので、導体層３に妨害されずにブレーキングを良好に達成することができる。
【０００４】
しかし、基板１の裏面の周辺領域に導体層３が設けられていないと、電子部品を支持板４の予定領域に正確に半田付けで固着することが困難になる。この問題点を更に詳しく説明すると、金属支持板４の表面に電子部品の基板１を囲むように溝７を形成することがある。この溝７は、電子部品を覆うように設ける絶縁性樹脂封止体（図示せず）と金属支持板４との密着性を向上させるためのものである。溝７を有する金属支持板４の上に基板１の裏面の導体層３をろう材としての半田５で固着する工程における半田５の流動によって導体層３の一方の側の縁が図２に示すように溝７の縁に位置するように基板１が移動することがある。この場合には基板１が溝７の上に突出し、樹脂封止体と溝７との噛み合効果即ちロック効果が低下し、樹脂封止体と金属支持板４との密着性が低下する。また、樹脂封止体をトランスファモールド法等で形成する時に、基板１の溝７の上に突出した部分に押圧力が作用し、電子部品の特性不良が生じるおそれもある。
【０００５】
そこで、本発明は、支持体の所定位置に正確且つ容易に配置することができる電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、平面形状において四角形の絶縁性基板の表面に電子回路素子が配置され、且つ前記基板を支持体に対してろう材で固着する時に使用される導体層が前記基板の裏面に形成された電子部品において、前記基板の裏面の４つの角部及び中央部に導体層が形成され、前記基板の前記４つの角部の相互間の少なくとも一部における縁及びこの縁に隣接する領域に導体層が形成されていないことを特徴とする基板を有する電子部品に係わるものである。
また、方法の発明は、平面形状において四角形の絶縁性基板の表面に電子回路素子が配置され、且つ前記基板を支持体に対してろう材で固着する時に使用される導体層が前記基板の裏面に形成された電子部品の製造方法であって、複数の電子部品を得ることができる面積を有する絶縁性基板を用意する工程と、前記基板の表面上の複数の電子部品対応領域に電子回路素子をそれぞれ配置し且つ前記基板の裏面を前記複数の電子部品に対応させて区画するブレーキング予定線によって囲まれた四角形領域の中央部及び各角部に導体層を形成し、前記角部の相互間の少なくとも一部には導体層を形成しない工程と、複数の電子部品を得るように前記基板を前記ブレーキング予定線に沿ってブレーキングする工程とを備えていることを特徴とする基板を有する電子部品の製造方法に係わるものである。
【０００７】
【発明の作用及び効果】
各請求項の発明によれば、次の作用効果が得られる。
（イ）  基板の裏面の角部には導体層が形成されているので、支持体に対してろう材によって基板を固着する時に、基板の裏面全体に導体層を形成した従来の電子部品と同様に正確に固着することができる。
（ロ）角部には導体層が形成されているが、角部の相互間には導体層が形成されないので、基板のブレーキングを容易に達成することができる。
【０００８】
【実施例】
次に、図３〜図６を参照して本発明の実施例に係わる混成集積回路から成る電子部品及びその製造方法を説明する。
電子部品を製造する時には、まず、図３に示すように比較的大面積のセラミック板から成る絶縁性基板１ａを用意する。この基板１ａは図３で点線で示すブレーキング予定線６で区画された多数の電子部品領域を有する。各電子部品領域の表面側には図６に示すようにトランジスタ、ダイオード、ＩＣ等の半導体素子、抵抗、及びコンデンサ等の電子回路素子２を従来と同様に配設する。この場合、基板１ａの同一平面上の複数の領域に同一の電子回路素子２をそれぞれ配置する。従って、電子回路素子２の配置又は形成を能率的に進めることができる。
【０００９】
基板１ａの裏面には、図３に示すようにブレーキング予定線６で区画された各単位領域の中央部分及び４つの角部に導体層３を形成し、ブレーキング予定線６の角部を除いた部分の下には導体層３を形成しない導体層非形成領域８を設ける。導体層３は、基板１ａの裏面に金属を選択的に蒸着又はメッキする方法、又は全面に導体層３を形成した後にエッチングによって不要部分を除去する方法、又は導体ペーストを塗布して焼成する方法で形成される。
【００１０】
次に、基板１ａを図３のブレーキング予定線６に沿ってブレーキング（破断）する。ブレーキングは周知のように基板１ａの例えば表面に直接的にひっかき傷をつけて機械的に割る即ち折ることによって達成される。基板１ａのブレーキングはブレーキング予定線６に導体層非形成領域８が設けられているので、良好に進めることができる。図４は分割された電子部品の底面図であって、導体層３は四角形の基板１の裏面の全体には形成されておらず、中央部分３ａと４つの角部分３ｂとから成る。なお、角部分３ｂの相互間には導体層非形成領域８が図３の１／２の幅で生じている。
【００１１】
図５は電子部品を装着するための放熱性の良い金属支持体としての支持板４であって、電子部品の基板１を環状に囲むように形成された溝７を有する。
【００１２】
電子部品は図６に示すように支持板４の溝７で囲まれた領域にろう材としての半田５によって固着される。この半田付け時に、基板１の４つの角部に導体層３が形成されているので、支持板４の溝７で囲まれた領域と導体層３との位置ずれの少ない状態即ち電子部品の不要な移動の少ない状態で導体層３が支持板４に半田５で固着される。これにより、基板１が溝７の上に突出しない。従って、図６で点線で示すように絶縁性樹脂封止体９を設けた場合に、この樹脂封止体９と溝７との良好な噛み合即ち係合状態が生じ、樹脂封止体９が支持板４に良好に密着する。また、基板１は支持板４に安定的に支持されるので、樹脂モールド時に樹脂による異常な押圧力を受けることがなく、これによる特性劣化が生じない。
【００１３】
【変形例】
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１）  基板１は長方形であってもよい。
（２）  １枚の基板１の角部の相互間に導体層非形成領域８を点在させてもよい。
（３）  ブレ−キングのためのひつかき傷を基板１ａの裏面側に設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の電子部品の製造時における基板の裏面側を示す底面図である。
【図２】従来の電子部品を支持板に装着した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例の基板の裏面側を示す底面図である。
【図４】本発明の実施例の１個の電子部品の基板の裏面を示す底面図である。
【図５】支持板を示す平面図である。
【図６】支持板に本実施例の電子部品を固着した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  電子回路素子
３  導体層
４  金属支持板
５  半田
６  ブレーキング予定線
８  導体層非形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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