(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、
前記コア材が、導電性金属からなり、該導電性金属からなるコア材に形成された前記凹部内に前記電子部品が埋め込まれていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、
前記コア材が、絶縁材料からなり、
前記凹部の内壁面および底面が、導電性金属からなるめっき被膜によって覆われ、
該凹部内に絶縁樹脂が充填されて前記電子部品が埋め込まれていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記電子部品が、半導体チップであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記電子部品が、表裏両面に電極が形成されたコンデンサ、インダクタ又は抵抗であり、裏面側が導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して前記凹部の底面に接合され、裏面側の電極が、該導電層と前記凹部の内壁面および底面の導電性金属とを介して前記配線層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、
前記凹部の内壁面および底面が、導電性金属であり、
前記電子部品が、表裏両面に電極が形成されたコンデンサ、インダクタ又は抵抗であり、裏面側が導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して前記凹部の底面に接合され、裏面側の電極が、該導電層と前記凹部の内壁面および底面の導電性金属とを介して前記配線層に電気的に接続されていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項６】
前記コンデンサが、ｐ型シリコンからなる薄板と、該薄板の一方の面に形成された白金からなる金属層と、前記薄板の他方の面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極とを具備することを特徴とする請求項４または５記載の電子部品パッケージ。
【請求項７】
前記コンデンサが、ｎ型シリコンからなる薄板と、該薄板の一方の面に形成されたチタンもしくは鉛からなる金属層と、前記薄板の他方の面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極とを具備することを特徴とする請求項４または５記載の電子部品パッケージ。
【請求項８】
前記コンデンサが、金属箔の表面に陽極化成法により酸化被膜が形成され、該酸化被膜上に電極が形成されたコンデンサであることを特徴とする請求項４または５記載の電子部品パッケージ。
【請求項９】
前記コンデンサが、チタン金属箔の表面に水熱合成法により誘電体層が形成され、該誘電体層上に電極が形成されたコンデンサであることを特徴とする請求項４または５記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品パッケージに関し、さらに詳細には半導体チップ、コンデンサ、インダクタ等の電子部品をコア材中に埋め込んで搭載した電子部品パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コア材に形成された凹部内に電子部品（半導体チップやコンデンサや抵抗やインダクタ）を埋め込み、その後、凹部の開口側のコア材の表裏両面に凹部を覆うように絶縁層と配線層を積層して電子部品パッケージを形成するものとして、特許第2842378号（特開平9-321408号）に開示されたものが公知である。この構造を採用することによって、電子部品パッケージへの電子部品の実装を高密度化できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで近年では、電子部品パッケージに実装される電子部品の動作周波数や電子部品に流れる電気信号の周波数が高周波化し、それに伴ない電子部品パッケージ上において発生する電磁ノイズが増加してきている。このため、ノイズによる誤動作等を防止できるように、ノイズから電子部品をシールドできる構造の電子部品パッケージが望まれている。
しかしながら、従来例で説明した特許第2842378号の構造では、電子部品は樹脂材料からなるコア材としてのプリント基板に埋め込まれているだけであるから、埋め込まれた電子部品が導電体で囲まれておらず、ノイズからの電磁シールド構造といったものは全く無い。よって、回路基板に実装された電子部品がノイズを拾って誤動作したり、また電子部品が拾ったノイズが電子部品に流れる電気信号に重畳するといった課題がある。
【０００４】
従って、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、電子部品を高密度に実装できると共に、電子部品に対する電磁ノイズからのシールド効果も有する電子部品パッケージを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る電子部品パッケージは、コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、前記コア材が、導電性金属からなり、該導電性金属からなるコア材に形成された前記凹部内に前記電子部品が埋め込まれていることを特徴とする。
また本発明に係る電子部品パッケージは、コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、前記コア材が、絶縁材料からなり、前記凹部の内壁面および底面が、導電性金属からなるめっき被膜によって覆われ、該凹部内に絶縁樹脂が充填されて前記電子部品が埋め込まれていることを特徴とする。
これらの構成によれば、高密度で電子部品を実装できると共に、凹部内に埋め込まれた電子部品は、凹部開口部分を除き、導電性金属で覆われるから、ノイズに対して電磁シールドされて、凹部内の電子部品へのノイズの影響が軽減されるという効果がある。
【０００６】
また、前記電子部品が、半導体チップである構成も採用できる。
また、前記電子部品が、表裏両面に電極が形成されたコンデンサ、インダクタ又は抵抗であり、裏面側が導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して前記凹部の底面に接合され、裏面側の電極が、該導電層と前記凹部の内壁面および底面の導電性金属とを介して前記配線層に電気的に接続されている構成とすることも可能である。
【０００７】
また本発明に係る電子部品パッケージは、コア材に形成された凹部と、該凹部内に埋め込まれた電子部品と、前記凹部の開口側の前記コア材の表面に該凹部を覆うように形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された配線層と、前記絶縁層に形成され、該配線層と前記電子部品の凹部開口側の表面に形成された電極とを電気的に接続するビアとを具備する電子部品パッケージにおいて、前記凹部の内壁面および底面が、導電性金属であり、前記電子部品が、表裏両面に電極が形成されたコンデンサ、インダクタ又は抵抗であり、裏面側が導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して前記凹部の底面に接合され、裏面側の電極が、該導電層と前記凹部の内壁面および底面の導電性金属とを介して前記配線層に電気的に接続されていることを特徴とする。
前記コンデンサに、ｐ型シリコンからなる薄板と、該薄板の一方の面に形成された白金からなる金属層と、前記薄板の他方の面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極とを具備するコンデンサを用いることができる。
あるいは、前記コンデンサに、ｎ型シリコンからなる薄板と、該薄板の一方の面に形成されたチタンもしくは鉛からなる金属層と、前記薄板の他方の面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極とを具備するコンデンサを用いることができる。
【０００８】
また、前記コンデンサに、金属箔の表面に陽極化成法により酸化被膜が形成され、該酸化被膜上に電極が形成されたコンデンサを用いることができる。
また、前記コンデンサに、チタン金属箔の表面に水熱合成法により誘電体層が形成され、該誘電体層上に電極が形成されたコンデンサを用いることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子部品パッケージの好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
電子部品パッケージ１０の構造について説明する。
コア材１２には凹部１４が形成されている。本実施の形態では、コア材１２は、銅等の導電性金属を板状に形成したものである。そしてこの凹部１４はルーター等の機器を使用してコア材１２の表面を削って形成したり、またエッチングで形成する。
また、凹部１４の平面形状は、凹部１４に埋め込まれる電子部品の大きさを考慮して、電子部品が収容可能な形状に設定されている。電子部品パッケージ１０に搭載される電子部品の平面形状は通常四角形であるため、凹部１４の平面形状もこれに合わせて四角形とするのが一般的であるが、これに限定されることは無く、円形や四角形以外の多角形とすることも可能である。
【００１０】
また、凹部１４の深さは、ノイズに対するシールド効果を高めるために、電子部品が完全に収容され、電子部品が凹部１４から突出しない程度の深さが望ましいが、これに限定されるものではない。
また、コア材１２には凹部１４のほか、コア材１２の表面および裏面に配置された配線層１６同士を電気的に接続するビア１８を通すための貫通孔２０が、凹部１４と同様の手段によって形成されている。
【００１１】
そして、凹部１４内には電子部品の一例として半導体チップ２２が埋め込まれている。
半導体チップ２２の埋め込み構造は、半導体チップ２２をその電極（電極端子とも言う）２４が形成された面（以下、電極端子形成面とも言う）を凹部１４の開口側にむけて、逆側の面（背面）を凹部１４の底面に接着剤２６を用いて接着して凹部１４に収容・固定する。
【００１２】
そしてコア材１２の表裏両面には、電気的絶縁層（以下、単に絶縁層とも言う）２８と配線層１６とが、この順番で、凹部１４の開口側のコア材１２の表面に、凹部１４を覆うように多層に積層されて形成されている。そして、各配線層１６は、絶縁層２８やコア材１２を貫通するビア１８によって電気的に接続されている。本実施の形態では、コア材１２の表裏両面に、絶縁層２８と配線層１６とがそれぞれ一例として２層ずつ積層されて形成されているが、３層以上の場合も考え方は同じである。
絶縁層２８は、第１絶縁層２８ａとその上層の第２絶縁層２８ｂとから成る。また、配線層１６は、第１絶縁層２８ａの表面に形成された第１配線層１６ａと、第２絶縁層２８ｂの表面に形成された第２配線層１６ｂとから成る。
また、ビア１８は、コア材１２の一方の面側に配置された絶縁層２８を貫通し、この一方の面側に配置された配線層１６同士、または配線層１６とコア材１２、または配線層１６と半導体チップ２２の電極端子２４を電気的に接続する第１ビア１８ａと、コア材１２の貫通孔２０を貫通してコア材１２の表裏に形成された配線層１６同士を電気的に接続する第２ビア１８ｂとから構成されている。
【００１３】
そして、第２絶縁層２８ｂや第２配線層１６ｂの表面には、電子部品パッケージ１０に搭載される半導体チップ３０のバンプ３２や電子部品パッケージ１０の外部接続端子３４が取り付けられるランド部となる第２配線層１６ｂの所定の部位のみが露出するように、ソルダーレジストによる被覆層３６が形成されている。
以上が、電子部品パッケージ１０の構成である。なお、第２配線層１６ｂのランド部に外部接続端子３４を取り付けた状態で電子部品パッケージ１０とすることもある。
また、コア材１２に形成する凹部１４の数は２つ以上形成し、複数の電子部品をコア材１２中に埋め込む構成としても良いし、コア材１２の一方の表面だけでなく、両面に凹部１４を形成して電子部品を埋め込む構造とすることも可能であり、さらなる高密度化が図れる。
【００１４】
そして、この電子部品パッケージ１０の表面（図１中の上面）に、他の半導体チップ３０をバンプ３２を介して搭載し、また電子部品パッケージ１０の裏面（図１中の下面）に、はんだボール等の外部接続端子３４が接続されて半導体装置３８となる。
このような電子部品パッケージ１０や半導体装置３８では、凹部１４の内壁面１４ａ及び底面１４ｂが導電性金属であるから、コア材１２の凹部１４の内壁面１４ａや底面１４ｂが電磁シールド壁となって電子部品パッケージ１０に搭載された他の電子部品や配線層で発生したノイズが凹部１４内の半導体チップ２２に直接悪影響を及ぼす程度を軽減できる。さらに、配線層１６と比較して厚く、電気的な抵抗値が低いために安定した電位となるコア材１２を通常、グランド層として使用するが、このように安定した電位となる導電性金属でコア材１２の凹部１４内に埋め込まれた半導体チップ２２が取り囲まれることもノイズ軽減に非常に効果がある。
【００１５】
またさらに、凹部１４内の半導体チップ２２はその背面がコア材１２に接着されているため、半導体チップ２２で発生する熱がコア材１２に効率良く逃げ、半導体チップ２２が効率良く冷却されるという効果もあり、埋め込まれた半導体チップ２２の寿命が延び、結果として電子部品パッケージ１０や半導体装置３８の安定性が高まると考えられる。
また、さらには半導体チップ２２が非常に薄いものであっても、樹脂材に比べて剛性のある金属製のコア材１２に形成された凹部１４内に収容されているため、外力が加わっても半導体チップ２２にクラックが生じにくいという効果もある。
【００１６】
次に、電子部品パッケージ１０の製造方法を、図４〜図１３を用いて説明する。
まず、導電性金属の一例として銅基板をコア材１２として用意する（図４参照）。
そして、コア材１２の表面に、エッチングやルータ加工によって、凹部１４を形成する（図５参照）。
次に、コア材１２の、第２ビア１８ｂを貫通させる位置に、貫通孔２０を形成する（図６参照）。
次に、コア材１２の、凹部１４内に電子部品としての半導体チップ２２を接着する（図７参照）。
【００１７】
次に、コア材１２の表裏両面に、凹部１４を覆うように第１絶縁層２８ａを形成すると共に、第１絶縁層２８ａを形成する樹脂材料（ＰＰＥ樹脂等）をコア材１２の貫通孔２０や凹部１４内に充填する（図８参照）。
次に、第１絶縁層２８ａに、レーザ光を照射して第１ビア孔５２と第２ビア孔５４を形成する。第１ビア孔５２は、半導体チップ２２の電極端子２４やコア材１２の表面が底面に露出する露出孔として形成される。また、第２ビア孔５４は、コア材１２の貫通孔２０に充填された樹脂とコア材１２の表裏両面に形成された第１絶縁層２８ａを貫通する構成に形成される。ここで、第２ビア孔５４を形成する際には、貫通孔２０の内壁面が露出しないようにする（図９参照）。
なお、絶縁層にビア孔を形成する手法としては、レーザ光照射に代えて化学的にエッチングして形成する手法も考えられる。
【００１８】
次に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して、第１絶縁層２８ａの表面に金属めっき被膜を形成すると共に、第１ビア孔５２と第２ビア孔５４内を導体で充填する。そして、第１絶縁層２８ａの表面の金属めっき被膜を所定のパターンに従ってエッチングして第１配線層１６ａを形成する。金属めっき被膜の表面に感光性レジストを塗布し、感光性レジストを露光・現像してレジストパターンを形成し、レジストパターンによって被覆されていない部位の金属めっき被膜の露出部分を除去することによって、所定のパターンの配線層を形成することができる（図１０参照）。
ここで、第１ビア孔５２内に導体が充填されて第１ビア１８ａとなり、また第２ビア孔５４内に導体が充填されて第２ビア１８ｂとなる。
【００１９】
次に、コア材１２の表裏両面の第１絶縁層２８ａ及び第１配線層１６ａの表面を覆うように第２絶縁層２８ｂを形成する。そして、第２絶縁層２８ｂに、レーザ光を照射して第１ビア孔５２を形成する（図１１参照）。この第１ビア孔５２は底面に第１配線層１６ａの所定の部位が露出する露出孔として形成する。
次に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して、第２絶縁層２８ｂの表面に金属めっき被膜を形成すると共に、第１ビア孔５２内を導体で充填する。そして、第２絶縁層２８ｂの表面の金属めっき被膜を、第１配線層２８ａの場合と同様に、所定のパターンに従ってエッチングして第２配線層１６ｂを形成する（図１２参照）。第１ビア孔５２内を導体で充填することで、第１ビア１８ａが形成される。
【００２０】
最後に、第２絶縁層２８ｂ及び第２配線層１６ｂの表面に、電子部品パッケージ１０に搭載される半導体チップ３０のバンプ３２や電子部品パッケージ１０の外部接続端子３４が取り付けられるランド部となる第２配線層１６ｂの所定の部位のみが露出するように、ソルダーレジストによる被覆層３６を形成する（図１３参照）。
以上が、電子部品パッケージ１０の製造方法である。
【００２１】
（第２の実施の形態）
電子部品パッケージ４０の構造について説明する。
まず、第１の実施の形態との相違点についてその概要を説明すると、本実施の形態のコア材１２は、ガラス・エポキシ基板やＢＴ（ビスマレイミド  トリアジン）基板等の電気的な絶縁性を有する材料（絶縁材料）で形成された板体で構成されている点にある。このためコア材１２の凹部１４内に埋め込まれる電子部品をシールドするため、コア材１２の表面に配線層４２を形成する際に、凹部１４の内壁面１４ａおよび底面１４ｂもこの配線層４２を形成する導電性を有する金属めっき被膜４４で覆い、この金属めっき被膜４４で凹部１４内に収容される電子部品を電磁シールドする構成としている。
【００２２】
コア材１２に関する部分の構造が相違するのみで、コア材１２に積層する絶縁層２８や配線層１６や被覆層３６の構造は第１の実施の形態と同じであるから、同じ構成については同じ符号を付して説明は省略し、相違する構成のみを説明する。
コア材１２には凹部１４が形成されている。本実施の形態では、コア材１２は、前述のような絶縁材料を板状に形成したものである。
コア材１２の表面と裏面には配線層４２が形成されている。また、凹部１４の内壁面１４ａと底面１４ｂは、この配線層４２を形成する導電性を有する金属めっき被膜４４で覆われている。
【００２３】
コア材１２を貫通する第２ビア１８は、コア材１２の表面に形成された配線層４２同士、またはコア材１２の表面に形成された配線層４２と絶縁層２８の表面に形成された第１配線層１６ａとを電気的に接続する。なお、第２ビア１８の内、コア材１２の表面に形成された配線層４２同士を接続するものの構造は、一例としてコア材１２に形成された貫通孔２０の内周面に金属めっき被膜４６を形成した後に樹脂４８を充填してなるものであるが、他の構造でも良い。
また、凹部１４の内壁面１４ａや底面１４ｂに形成された金属めっき被膜４４は、第１ビア１８ａおよび／または第２ビア１８ｂによって電子部品パッケージ４０に搭載される半導体チップ３０のグランド用バンプおよび／または外部接続端子３４と電気的に接続されている。本実施の形態では、凹部１４内の金属めっき被膜４４は、コア材１２の表面に形成された配線層４２と第１ビア１８ａと第１配線層１６ａと第２配線層１６ｂを介して半導体チップ３０のグランド用バンプと接続されると共に、第１絶縁層２８ａとコア材１２を貫通して凹部１４の底面１４ｂに達する第２ビア１８ｂにより外部接続端子３４とも電気的に接続されている。
【００２４】
このように、コア材１２が絶縁材料で形成されていても、コア材１２中に埋め込まれる半導体チップ２２が収容される凹部１４の内壁面１４ａや底面１４ｂが、導電性を有して所定の電位（例えばグランド電位）になっている金属めっき被膜４４で覆われているため、第１の実施の形態と同様に、半導体チップ２２が金属めっき被膜４４で電磁シールドされてノイズが直接半導体チップ２２に飛び込むことを低減することが可能となる。
【００２５】
（第３の実施の形態）
前述した各実施の形態において、コア材１２の凹部１４内に収容されて埋め込まれる電子部品として半導体チップ２２を例に挙げて説明してきたが、半導体チップ２２以外にも抵抗やコンデンサといった他の電子部品を凹部１４内に収容してコア材１２中に埋め込むことができる。
そして、コンデンサや抵抗やインダクタといった電子部品５０は、図３に示すように下部電極となるシリコン基板５０ａの表面に誘電材料や抵抗材料の被膜５０ｂを形成し、この被膜５０ｂの表面に上部電極となる導電性被膜５０ｃを形成することで構成することが可能である。
【００２６】
この構造の電子部品５０においては、下部電極であるシリコン基板５０ａを凹部１４内に接着する際の接着剤２６に導電性ペーストまたは導電性接着シート等の導電性を有する接着剤（導電層）を使用することによって、電子部品５０の下部電極５０ａを電気的に凹部１４の底面１４ｂに形成された金属めっき被膜４４と接続することが可能となるから、第２の実施の形態の構造の電子部品パッケージ４０を利用することによって、凹部１４の底面１４ｂおよび内壁面１４ａを覆う金属めっき被膜４４を配線層として使用し、電子部品パッケージ１０に搭載された半導体チップ３０や他の電子部品や外部接続端子３４と電気的に接続することが可能となる。
なお、図３においては、一例として第２の実施の形態の電子部品パッケージ４０を用いて説明したが、第１の実施の形態の電子部品パッケージ１０にも同様にコンデンサや抵抗やインダクタといった電子部品５０を搭載できる。
【００２７】
図１４にコンデンサ５０の一例を示す。
下部電極５０ａにシリコン基板を用いるときは、ｐ型もしくはｎ型シリコンからなる薄板を用いると好適である（以下薄板５０ａとして説明する）。この薄板５０ａは、シリコンウェーハをポリッシングして厚さ３０〜５０μｍ程度に薄化し、所要サイズに切断して形成される。ウェーハをポリッシングすることで、表面は鏡面となり、平坦度の高いものとなる。
【００２８】
この薄板５０ａの一方の面上に金属層５０ｄを形成する。金属層５０ｄは、薄板５０ａがｐ型シリコンであるときは白金の層とし、薄板５０ａがｎ型シリコンであるときはチタンまたは鉛の層とする。
これら金属層５０ｄは、薄板５０ａの一方の面にスパッタリングや蒸着によって形成できる。金属層５０ｄの厚さは特に限定されないが、数μｍ〜数十μｍのものとすることができる。
【００２９】
薄板５０ａがｐ型シリコンで金属層５０ｄが白金のとき、また薄板５０ａがｎ型シリコンで金属層５０ｄがチタンまたは鉛のとき、薄板５０ａと金属層５０ｄとの間は、仕事関数の差から明らかなようにオーミック接続となり、いずれの方向の電流をも通す。薄板５０ａと金属層５０ｄの組み合わせが上記以外のときはショットキー接続となり、整流作用が生じ、ある一方向の電流しか流れなくなる。
【００３０】
薄板５０ａの他方の面にスパッタリング等によって誘電材料からなる被膜５０ｂを形成する。
被膜５０ｂの厚さは薄い程、高容量のキャパシタが得られる。薄い被膜５０ｂを得るには、薄板５０ａの平坦度が重要であるが、上記のように薄板５０ａはウェーハをポリッシングして得ることができるので、その平坦度は大きく、したがって、ピンホールの無い薄い被膜５０ｂの形成が可能となる。
【００３１】
被膜５０ｂには、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒx  Ｔｉ1-xＯ3）、もしくはチタン酸ストロンチウムバリウム（Ｂａx  Ｓｒ1-xＴｉＯ3）などの誘電材料を用いると好適である。
【００３２】
被膜５０ｂの上に上部電極である導電性被膜５０ｃを形成するのである。
導電性被膜５０ｃは、被膜５０ｂとの密着性を向上させるために、被膜５０ｂ上にまずクロム層（図示せず）をスパッタリングにより形成し、このクロム層上にスパッタリング等により銅層を形成するようにするとよい。
シリコンウェーハ上に上記構成のコンデンサ５０を多数作り込み、これを切断して個片のコンデンサ５０に分離するようにすると好適である。
上記のコンデンサ５０を、金属層５０ｄを凹部１４の底面側に向けて導電性接着剤２６により金属めっき被膜４４上に固定するようにする。
【００３３】
図１５はコンデンサ５０のさらに他の実施の形態を示す。
１３はアルミニウム、チタン、タンタル等のバルブ金属箔である。
このバルブ金属箔１３に公知の陽極化成法（陽極酸化）により、表面に酸化被膜１５を形成する。バルブ金属箔１３は５μｍ〜３０μｍ程度の薄い肉厚のものを用いることができ、このバルブ金属箔１３の表面に０．３μｍ程度の極めて薄い酸化被膜１５を形成することができる。
バルブ金属箔１３は、ロール状に巻回したもの、あるいは広い面積を有するシート状のものを用いることができ、効率よく陽極化成処理を施すことができる。
【００３４】
バルブ金属箔１３の両面の酸化被膜１５上に、スパッタリングあるいは蒸着により銅層を形成して電極膜１７、１７を形成する。
このバルブ金属箔１３を所望の大きさに裁断して、コンデンサ５０に形成する。
酸化被膜１５は硬くて脆いが、芯にフレキシブルなバルブ金属箔１３が存在するので、全体として、脆さは低減され、取り扱いやすい。
なお、上記では、バルブ金属箔１３の両面に、酸化被膜１５、電極膜１７を形成したが、バルブ金属箔１３の片面にのみ酸化被膜１５、電極膜１７を形成するようにしてもよい。
【００３５】
また上記実施の形態では、バルブ金属箔１３上に、誘電体層としての酸化被膜１５を陽極化成処理により形成したが、水熱合成法によってチタン金属箔上に強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウムの結晶膜を形成して誘電体層としてもよい（図示せず）。
水熱合成法でチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）結晶膜を生成させるには、鉛化合物、ジルコン化合物、チタン化合物を溶解させた強アルカリ溶液にチタン金属箔を浸漬し、２００℃以下、２〜３ａｔｍ（１ａｔｍ＝１．０１３２５ｂａｒ）程度に設定されたオートクレーブ中に入れ、水熱合成反応を起させ、ＰＺＴ結晶膜を生成させるようにする。他の誘電体層も所要の水熱合成法によって形成することができる。
このように誘電体層を形成したチタン金属箔を裁断してコンデンサにすることができる。
【００３６】
図１６はコンデンサ５０のさらに他の実施の形態を示す。
このコンデンサ５０は、電極が多極化されてマトリクス状に配置されたマルチ電極コンデンサである。このマルチ電極コンデンサは、コンデンサ自身がもつ寄生インダクタンスを低減でき、これを組み込む電子部品パッケージ全体のインダクタンスを低減できる利点がある。
このコンデンサ５０も上記と同様にして凹部１４内に組み込むことができる。なお、多極の各電極にビアを通じて電気的に接続をとることは言うまでもない。
【００３７】
次に、電子部品パッケージ４０の製造方法を、図１７〜図２６を用いて説明する。なお、第１の実施の形態の電子部品パッケージ１０と同様の処理については同じ符号を付し、説明は省略する。
まず、板状の樹脂基材１２ａの両面に導体層１２ｂが形成された樹脂基板、一例として両面銅貼り基板をコア材１２として用意する（図１７参照）。
そして、コア材１２の表面に、エッチングやルータ加工によって、底面１４ｂと内壁面１４ａが樹脂基材１２ａを形成する樹脂で形成された凹部１４と、内面に樹脂基材１２ａを形成する樹脂が露出する貫通孔２０を形成する（図１８参照）。
次に、図１０と同様の手法で、コア材１２の表面、凹部１４の底面１４ｂと内壁面１４ａに電解めっき被膜を形成すると共に、貫通孔２０内を導体（めっき）で充填する。そして、コア材１２の表面の電解めっき被膜をパターンニングして、コア材１２の表裏両面に配線層４２を形成する（図１９参照）。凹部１４の底面１４ｂと内壁面１４ａの電解めっき被膜はエッチングせずに残し、一部の配線層４２と接続した状態とする。貫通孔２０内を導体（めっき）で充填することで、第２ビア１８ｂが形成される。
【００３８】
次に、凹部１４内に、電子部品５０を搭載する。電子部品５０は一例として、表裏両面に電極（下部電極はシリコン基板５０ａ、上部電極は導電性被膜５０ｃ）が形成されたコンデンサであるが、他の電子部品の場合も同様である（図２０参照）。電子部品５０の下部電極は、接着剤に導電性材料を使用して凹部１４の底面１４ｂに形成された電解めっき被膜４４と導通させる。
次に、コア材１２の表裏両面に、凹部１４や電子部品５０を覆うように第１絶縁層２８ａを形成する（図２１参照）。
次に、第１絶縁層２８ａに、レーザ光を照射して、底面に配線層４２の表面や電子部品５０の上部電極５０ｃが露出する第１ビア孔５２を形成する。また、さらにコア材１２の裏面側からレーザ光を照射して、第１絶縁層２８ａとコア材１２を貫通して凹部１４の底面１４ｂに形成された金属めっき被膜４４を底面に露出させる第２ビア孔５４を形成する（図２２参照）。
【００３９】
次に、図１０と同様にして、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して、第１絶縁層２８ａの表面に金属めっき被膜を形成する。また、第１ビア孔５２と第２ビア孔５４内を導体で充填して第１ビア１８ａと第２ビア１８ｂを形成する。そして、第１絶縁層２８ａの表面の金属めっき被膜を所定のパターンに従ってエッチングして第１配線層１６ａを形成する（図２３参照）。
次に、コア材１２の表裏両面の第１絶縁層２８ａ及び第１配線層１６ａの表面を覆うように第２絶縁層２８ｂを形成する（図２４参照）。
次に、第２絶縁層２８ｂに、レーザ光を照射して第１ビア孔５２を形成すると共に、図１２と同様にして第２配線層１６ｂと第１ビア１８ａを形成する（図２５参照）。
そして最後に、図１３と同様にして、第２絶縁層２８ｂ及び第２配線層１６ｂの表面に、ソルダーレジストによる被覆層３６を形成する（図２６参照）。
以上が、電子部品パッケージ４０の製造方法である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明に係る電子部品パッケージによれば、高密度で電子部品を実装できると共に、凹部内に埋め込まれた電子部品は、凹部開口部分を除き、導電性金属材で覆われるから、ノイズに対して電磁シールドされて、凹部内の電子部品へのノイズの影響が軽減されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品パッケージの第１の実施の形態の構成を説明するための説明図である。
【図２】本発明に係る電子部品パッケージの第２の実施の形態の構成を説明するための説明図である。
【図３】本発明に係る電子部品パッケージの第３の実施の形態の構成を説明するための説明図である。
【図４】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図８】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図９】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１２】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１３】図１の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１４】コンデンサの一例を示す断面図である。
【図１５】コンデンサの他の例を示す断面図である。
【図１６】マルチ電極コンデンサの説明図である。
【図１７】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１８】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図１９】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２０】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２１】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２２】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２３】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２４】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２５】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図２６】図３の電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１０  電子部品パッケージ
１２  コア材
１４  凹部
１４ａ  凹部の内壁面
１４ｂ  凹部の底面
１６  配線層
１８  ビア
２２  電子部品としての半導体チップ
２４  半導体チップの電極（電極端子）
２８  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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