(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項２】
荷電粒子線を透過させるメンブレン上で、ターゲットに転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記多数の小領域のそれぞれに荷電粒子線の散乱体または吸収体が形成され、また前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項３】
前記散乱体は、原子番号１４〜４７の金属元素により構成されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項４】
ターゲットに転写すべき開口パターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記開口パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項５】
前記支柱は、（１１０）シリコン単結晶面に対する異方性エッチングにより形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項６】
ターゲットに転写すべきパターンを有する前記メンブレンは（１１０）シリコン単結晶面上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項７】
前記支柱の長さを半導体チップの短辺の２倍または１倍とし、或いは２倍または１倍よりもやや大きい値とし、かつ前記支柱の配列間隔を２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項８】
前記境界領域は、前記メンブレン上の形成された前記支柱と同一方向にのみ形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項９】
ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上に有するマスクであり、該パターンが複数列の主視野領域に分割され、さらに各主視野領域が複数の小領域を備えている荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
互いに隣り合う２つの主視野領域の間にのみにパターンが存在しない境界領域が設けられ、
前記境界領域に対応する部分にシリコン単結晶製の支柱が前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に設けられることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１０】
前記支柱は、（１１０）シリコン単結晶面に対する異方性エッチングにより形成されてなることを特徴とする請求項９記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１１】
ターゲットに転写すべきパターンを有する前記メンブレンは（１１０）シリコン単結晶面上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることを特徴とする請求項１０記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１２】
前記支柱は各列内の配置間隔を２ｍｍ以上として、前記主視野領域と同じ長さに、或いは略同じ長さに設けられていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１３】
前記主視野領域内の各小領域の間にパターンが存在しない境界領域を設けたことを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１４】
前記支柱の高さを２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線に対して感応するターゲット（例えば、感応基板）に所定のパターンを転写するためのマスク（マスク及びレチクルを含む広義のマスク）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路技術の進展は目ざましく、半導体素子の微細化、高集積化の傾向も著しい。半導体ウェハに集積回路パターンを焼き付けるためのリソグラフィー装置としては、これまで光を用いた所謂光ステッパー装置が一般的であった。
【０００３】
しかし、回路パターンの微細化が進むにつれて光の解像限界が懸念され、電子線、イオンビーム、Ｘ線等を用いたリソグラフィー装置の研究、開発が近年盛んに行われている。
これらの中でも、特に電子線が最も現実的であると考えられ、種々の方式が提案、開発されている。従来から電子線露光装置はパターン創生能力を有する唯一の装置であり、マスクやレチクルのパターン描画に用いられてきた。
【０００４】
しかし、従来の電子線露光装置は、前記光ステッパーのようなマスクによる転写方式ではなく、パターンの一つ々を感応基板に描画する方式であるため、露光時間が長く、デバイス生産コストの観点から量産用ウェハの露光には用いられなかった。
そこで、所定パターンを有するマスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパターンを一対の投影レンズによりウェハに縮小転写する荷電粒子線縮小転写装置が提案されている。
【０００５】
また、所定パターンを有する前記マスクとしては、例えば図７（ａ）、（ｂ）に示すものが提案されている。
図７（ａ）のマスク２１は、シリコン製のマスク基板２２に透過孔（開口）２３が設けられたものであり、マスク基板２２は電子線を吸収するのに十分な厚さ（例えば５０μｍ）にて形成される。
【０００６】
マスク２１に照射された電子線は透過孔２３のみを透過し、その透過した電子線ＥＢを一対の投影レンズ２４ａ、２４ｂにて感応基板（例えば、レジストを塗布したシリコンウェハ）２５のレジスト面に集束させると、感応基板２５に透過孔２３の形状に対応したパターンが転写される。
また、図７（ｂ）のマスク１００は、シリコン製のマスク基板２０の表面に散乱体３０のパターンを形成したものであり、マスク基板２０は電子線が透過しやすい厚さまで薄膜化されている（薄膜化された基板はメンブレンとよばれる）。
【０００７】
このマスク１００に電子線を照射すると、メンブレン２０のみを通過した電子線ＥＢ１（図に実線で示す）よりも散乱体３０を通過した電子線ＥＢ２（図に一点鎖線で示す）の方が前方散乱の程度が大きくなる。
従って、投影レンズ５による電子線のクロスオーバ像ＣＯの近傍にアパーチャ７を設置すれば、感応基板１１０上で電子線ＥＢ１、ＥＢ２の散乱の程度に応じたコントラストが得られる。
【０００８】
図７（ａ）のように基板に透過孔（開口）パターンが形成されたものをステンシルマスクと呼び、図７（ｂ）のように透過孔（開口）が存在せす、メンブレン上に散乱体パターンが形成されたものを散乱透過マスクと呼ぶ。
ステンシルマスクは、▲１▼透過孔（開口）を環状につなげたドーナッツ状パターンの形成が不可能である、▲２▼電子線の殆どを厚いマスク基板２２で吸収するため、大量の熱がマスクに発生してマスクの大きな熱変形（パターン歪み）を引き起こす、等の問題点を有する。
【０００９】
これに対して散乱透過マスクは、かかるステンシルマスクが有する間題点を解決するものと期侍されている。
即ち、散乱透過マスクでは、メンブレン２０により散乱体３０、３０ａを支持できるので、図５（ａ）のＡ部に示すように、散乱体３０ａが島状に孤立するドーナッツ状パターンの形成が可能である。
【００１０】
また、散乱体３０、３０ａで完全に電子線を遮る必要がなく、従って散乱透過マスク部分で阻止される電子線の量が少ないため、散乱透過マスクにおける電子線照射による発熱がステンシルマスクと比較すると抑制される。
なお、前述したように、前記ステンシルマスクは、電子線の殆どを基板２２の非透過孔（非開口）部分により吸収すべく、基板２２の厚さを大きくしているので、大量の熱がマスクに発生してマスクの大きな熱変形（パターン歪み）を引き起こす。
【００１１】
そこで、ステンシルマスクにおいても、電子線が照射される基板部分の厚さを薄くしてメンブレンとし、かかるメンブレンに開孔（開口）パターンを形成した散乱ステンシルマスクとすれば、前記間題点▲２▼を解決することができる。
各マスクに用いるメンブレンの材料としては、例えばＳｉ3Ｎ4、Ｂｅ、Ｃ（ダイアモンド）、ＳｉＣ、Ａｌ2０3、Ａｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ2等が、また散乱透過マスクに用いる散乱体の材料としては、例えばタングステン、Ａｕ等が検討されている。
【００１２】
しかしながら、Ｂｅはその酸化物が毒性を有するという欠点があり、またＳｉ3Ｎ4、Ｃ（ダイアモンド）、ＳｉＣ、Ａ１2０3、Ａｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ2等では、電子線の平均自由行程が比較的短いため、電子線に対する透過率が低いという欠点がある。
散乱透過マスクの上述した転写原理から明らかなように、感応基板１１０に投影されるパターン像のコントラストを高めて高精度の露光を行うためには、散乱体３０、３０ａにおける荷電粒子線の吸収や散乱を増大し、またメンブレン２０における荷電粒子線の吸収や散乱を低減することが好ましい。
【００１３】
また、散乱ステンシルマスクにおいては、パターン歪みを引き起こすメンブレンにおける荷電粒子線の吸収を低減することが好ましい。
ところが、上述したメンブレンの材料は、いずれもアモルファス材料や金属であるため、相当に薄くしないと荷電粒子線の吸収や散乱を十分に抑えられない。
そこで、例えば散乱透過マスクでは、メンブレン２０の厚さを１０ｎｍ程度に薄く設定することが検討されたが、散乱体３０、３０ａで吸収されるエネルギーによりメンブレンの温度が上昇してマスクに歪み（パターン歪み）が発生し、転写精度が劣化するおそれがあった。
【００１４】
特に、図５（ａ）のＡ部に示すように、散乱体３０ａが島状に孤立する部分では、散乱体３０ａの熱が逃げにくく温度上昇が激しいと考えられる。また、メンブレン２０を薄くしすぎると強度が大きく低下するので、メンブレン２０による散乱体３０、３０ａの支持ができなくなる。
即ち、メンブレンにおける荷電粒子線の吸収や散乱を抑えて、しかもメンブレンの温度上昇に伴うパターン歪みによる転写精度の劣化を防止するためには、メンブレンの厚さを薄くすると共に、この薄くしたメンブレンを熱的及び強度的に保持する構造が必要となる。
【００１５】
そこで、散乱透過マスクまたは散乱ステンシルマスクとしては、「感応基板に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に格子状の支柱が設けられたマスク（メンブレンを熱的及び強度的に保持する構造を有するマスク）」が使用されている。
【００１６】
例えば、図５，６に示すように、電子線縮小転写装置用の散乱透過マスク１００としては、ウェハに転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の小領域１００ａが境界領域（パターンが存在しない領域）１００ｂにより格子状に区分され、境界領域に対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられたものが使用されている。
【００１７】
図５、６のマスク１００は、電子線を透過させるメンブレン２０の上面のうち、前記多数の小領域１００ａのそれぞれに電子線の散乱体３０ａが形成され、またメンブレン２０の下面のうち、前記格子状の境界領域１００ｂに対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられている。
マスクの小領域１００ａに形成されたパターン（一例）の平面図を図５（ａ）に、マスクの小領域１００ａ〜ウェハ１１０問における配置図を図５（ｂ）に、マスクの格子状の支柱Ｘを示す部分斜視図（一部断面）を図５（ｃ）に、それぞれ示す。
【００１８】
マスクの小領域１００ａに一括して電子線を照射すると、図５（ｂ）に示すように、メンブレン２０のみを通過した電子線ＥＢ１（図に実線で示す）よりも、散乱体３０ａを通過した電子線ＥＢ２（図に一点鎖線で示す）の前方散乱の程度が大きくなる。
電子線縮小転写装置（一例）には、マスク１００の原図パターンを感応基板（ウェハ）１１０に縮小投影するための一対の投影レンズ５、６と、投影レンズ５によるクロスオーバーＣＯの近傍を通る電子線のみを通過させる開口７ａを備えた散乱アパーチャー７とが設けられている。
【００１９】
上述したメンブレン２０及び散乱体３０ａにおける電子線散乱の相違により、メンブレン２０のみを通過した電子線ＥＢ１よりも散乱体３０ａを通過した電子線ＥＢ２の方が散乱アパーチャー７により遮られる割合が大きい。そのため、感応基板１１０上のレジストが散乱体３０ａ同士の隙間である電子線透過領域２０ａ（図５（ａ）の白抜き部分）に応じたパターンにて露光される。
【００２０】
図６は、「感応基板に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に格子状の支柱が設けられたマスク（メンブレンを熱的及び強度的に保持する構造を有するマスク）」の一例である散乱透過マスク１００を用いて各小領域１００ａのパターンをウェハ１１０に転写する様子を模式的に示したものである（散乱ステンシルマスクを用いた場合も同様に転写が行われる）。
【００２１】
各小領域１００ａは、ウェハ１１０の１チップ（１チップの半導体）分の領域１１０ａに転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞれ備えている。ウェハ１１０の外観形状は、図６（ｂ）に示した通りであり、図６（ｂ）ではウェハ１１０の一部（図６（ｂ）のＶａ部）を拡大して示している。
図６において、電子線光学系の光軸ＡＸと平行にｚ軸をとり、小領域１００ａの並び方向と平行にｘ軸、ｙ軸をとる。そして、矢印Ｆｍ，Ｆｗで示すようにマスク１００及びウェハ１１０をｘ軸方向へ互いに逆向きに連続移動させながら、電子線をｙ軸方向にステップ的に走査して一列の小領域１００ａのパターンを順次転写し、その列のパターン転写が終了した後はｘ軸方向に隣接する次の小領域１００ａの列を電子線で走査し、以降同様にして小領域１００ａ毎に転写を繰り返す。
【００２２】
このときの小領域１００ａの走査順序及びウェハ１１０への転写順序は、それぞれ矢印Ａm、Ａwで示すとおりである。
なお、マスク１００とウェハ１１０の連続移動方向が逆なのは、一対の投影レンズによりマスク１００とウェハ１１０とでｘ軸、ｙ軸方向がそれぞれ反転するためである。
【００２３】
マスク１００からウェハ１１０へのパターン縮小率が１／Ｍの場合には、マスク１００とウェハ１１０の連続移動速度の比は略Ｍ：１とする。例えば、パターン縮小率が１／４のときは、マスク１００の移動速度をウェハ１１０の移動速度の略４倍に設定する。
このような設定により、マスク１００とウェハ１１０とのｘ軸方向の位置関係が一定に保たれる。ＣＯは光学系によるクロスオーバである。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
「感応基板に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に格子状の支柱が設けられたマスク（２次元格子マスク）」を荷電粒子線縮小転写装置用のマスクとして使用する場合には、連続スキャン露光ができない（即ち、露光の制御が煩雑となる）という間題点があった。
【００２６】
また、前記格子状の支柱を設けたマスクは、ウェハに転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の小領域が境界領域により格子状に区分された構造であるため、マスク上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合が大きいという問題点があった。
【００２７】
即ち、マスク上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合が大きいマスク（散乱透過マスクまたは散乱ステンシルマスク）の場合、例えば、長さ１ｍｍの小領域（パターンを備えた領域）１００ａと、長さ０．３ｍｍの境界領域（パタ一ンのない領域）１００ｂを設けたマスクの場合には、４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクが８インチウェハで作製できないという問題点があった。
【００２８】
また、マスク（散乱透過マスクまたは散乱ステンシルマスク）を構成する従来のメンブレン材料（アモルファス材料や金属）は、電子線透過率が低いため、厚さをかなりうすくしないと所定の透過率が得られないという間題点があった。
そして、前記アモルファス材料（例えば、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2０3、ＳｉＯ2）では、熱伝導率が悪く、メンブレンが熱変形しやすい（特に、厚さがうすい場合）という間題点があった。
【００２９】
さらに、前記散乱透過マスクを構成する従来の散乱体材料（例えば、金、タングステン）は、高精度な加工（パターン形成）が可能な程度に厚さを小さくすると、電子線のエネルギー損失による温度上昇が大きくなり、メンブレンの熱変形（パターン歪み）の原因となるという問題点があった。
【００３０】
また、２次元状の格子をメンブレン面に対してほぼ垂直に形成するのが困難であるという問題点があった。さらに、２次元状に格子を設けるとマスク上の各主視野の面積が必要以上に大きくなるため、特にマスク位置における主視野の長手方向寸法が大きくなり、収差を小さくすることが困難であるという問題点があった。
【００３１】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、
▲１▼連続スキャン露光可能、▲２▼メンブレンが熱的、強度的に十分保持される、▲３▼マスク上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスクとすることができる、▲４▼８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、▲５▼メンブレンの荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、▲６▼散乱体における荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、▲７▼マスク上の主視野上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減するとともに、主視野の長手方向の寸法が小さくなるために電子光学系の収差を低減することができる、▲８▼メンブレン面に対してほぼ垂直な支柱を形成できる、
という効果のいずれか、或いはすべてを奏する荷電粒子線転写用のマスクを提供することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明は第一に「ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク（請求項１）」を提供する。
【００３３】
また、本発明は第二に「荷電粒子線を透過させるメンブレン上で、ターゲットに転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記多数の小領域のそれぞれに荷電粒子線の散乱体または吸収体が形成され、また前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク（請求項２）」を提供する。
【００３４】
また、本発明は第三に「前記散乱体は、原子番号１４〜４７の金属元素により構成されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項３）」を提供する。
【００３５】
また、本発明は第四に「ターゲットに転写すべき開口パターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記開口パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
前記支柱のうちシリコン単結晶により前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に形成されてなる支柱は一方向のみに配列されることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク（請求項４）」を提供する。
【００３６】
また、本発明は第五に「前記支柱は、（１１０）シリコン単結晶面に対する異方性エッチングにより形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項５）」を提供する。
【００３７】
また、本発明は第六に「ターゲットに転写すべきパターンを有する前記メンブレンは、（１１０）シリコン単結晶面上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項６）」を提供する。
【００３８】
また、本発明は第七に、「前記支柱の長さを半導体チップの短辺の２倍または１倍とし、或いは２倍または１倍よりもやや大きい値とし、かつ前記支柱の配列間隔を２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項７）」を提供する。
【００３９】
また、本発明は第八に「前記境界領域は、前記メンブレン上の形成された前記支柱と同一方向にのみ形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク。（請求項８）」を提供する。
【００４０】
また、本発明は第九に「ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上に有するマスクであり、該パターンが複数列の主視野領域に分割され、さらに各主視野領域が複数の小領域を備えている荷電粒子線転写用のマスクにおいて、
互いに隣り合う２つの主視野領域の間にはパターンが存在しない境界領域が設けられ、前記境界領域に対応する部分にはシリコン単結晶製の支柱が前記メンブレンの面に対して垂直または略垂直に設けらることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク（請求項９）」を提供する。
【００４１】
また、本発明は第十に「前記支柱は、（１１０）シリコン単結晶面に対する異方性エッチングにより形成されてなることを特徴とする請求項９記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項１０）」を提供する。
また、本発明は第十一に「ターゲットに転写すべきパターンを有する前記メンブレンは（１１０）シリコン単結晶面上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることを特徴とする請求項１０記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項１１）」を提供する。
【００４２】
また、本発明は第十二に「前記支柱は各列内の配置間隔を２ｍｍ以上として、前記主視野領域と同じ長さに、或いは略同じ長さに設けられていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項１２）」を提供する。
【００４３】
また、本発明は第十三に「前記主視野領域内の各小領域の間にパターンが存在しない境界領域を設けたことを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項１３）」を提供する。
【００４４】
また、本発明は第十四に「前記支柱の高さを２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の荷電粒子線転写用マスク（請求項１４）」を提供する。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜４を参照して本発明による実施の形態について説明する。本発明（請求項１〜７）にかかる荷電粒子線縮小転写用マスクは、ターゲット（例えば、感応基板）１１０に転写すべきパターンをメンブレン２上にそれぞれ備えた多数の小領域１０ａが前記パターンが存在しない境界領域１０ｂにより区分されたマスク１０であり、前記境界領域１０ｂに対応する部分に１次元配列の支柱Ｈが設けられている。したがって、
▲１▼  支柱Ｈが一方向（例えば、図２のｘ方向）のみに配列されているので、支柱が配列されていない方向（例えば、図２のｙ方向）に対しては、支柱が設けられないために境界領域の幅を従来より小さく、例えば、約１／３に低減することができる。その結果、マスク上のパターンが存在しない領域を小さくすることができることにより、主視野の長手方向（図２のｙ方向）の寸法を小さくすることができて収差を小さく抑えることができる。また、小領域１０ａをさらに小さな領域毎にパターン転写を行う場合には、連続スキャン露光が可能となる。
▲２▼  前記支柱Ｈがシリコン単結晶により形成されるので、マスクの小領域１０ａが熱的、強度的に十分に保持される。
▲３▼  前記支柱Ｈが前記メンブレン２の面に対して垂直または略垂直に形成されてなるので、マスク１０上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂが占める割合を低滅して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０とすることができる。
【００４６】
なお、両端固定の梁（本願発明の支柱Ｈに相当）構造における梁の撓み量δmaxは、次式により表すことができる。
【数１】
δmax＝５Ｗ×Ｌ4／（３８４Ｅ×Ｉ）
ここで、Ｗ＝2330×0.807×ｈ×ｂ
【数２】
Ｉ＝ｂ×ｈ3／１２
Ｅ＝6.39×1010Ｎ／ｍ2（梁材料（Si単結晶）のヤング率）
Ｌ：梁の長さ（長辺）
ｂ：梁の長さ（短辺、幅）
ｈ：梁の高さ
【数３】
δmax＝9.2×10-12×Ｌ4×ｈ3となる
ここで、ｈ＝２ｍｍ（2×10-3ｍ）とすると、
【数４】
δmax＝1.15×10-3×Ｌ4となる
従って、Ｌ＝73ｍｍ（7.3×10-2ｍ、４ＧＤＲＡＭ半導体チップの短辺の略４倍の長さ）のときには
【数５】
δmax＝0.084μｍ
となり、投影光学系の焦点深度が０．１μｍ程度であっても問題とならない。さらに、ＬがＬ＝100ｍｍ（1×10-1ｍ）という大きな値のときでも
【数６】
δmax＝1.15×10-7ｍ＝0.115μｍ
という小さな撓み量となる。また、Ｌが４０ｍｍ以下の場合や、投影光学系の焦点深度が０．１μｍ以上ある場合には、支柱の高さは２ｍｍより小さくても良い。
【００４７】
なお、上述した式で梁の高さｈが増大すると、δmaxさらに減少する。従って、請求項１７にかかる荷電粒子線縮小転写用マスクのように、支柱（梁）Ｈの高さを２ｍｍ以上にすると、支柱Ｈ（梁）の撓み量が小さくなる（0.1μｍ程度以下）ので、該支柱Ｈによりメンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される。
【００４８】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスク（請求項２に対応する）は、荷電粒子線を透過させるメンブレン上で、ターゲットに転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記多数の小領域のそれぞれに荷電粒子線の散乱体または吸収体が形成された荷電粒子線転写用のマスクである。
【００４９】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクの前記散乱体３ａは原子番号１４〜４７の金属元素により構成されることが好ましい（請求項３）。
かかる構成にすることにより、前記散乱体３ａの厚さを２００ｎｍ（原子番号４７のＡｇの場合）〜１μｍ（原子番号１４のＴｉの場合）程度という、温度上昇が問題となるほど薄くはなく（荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい）、かつ高精度な加工が困難となるほど厚くはない散乱体とすることができる。
【００５０】
また、本発明にかかる荷電粒子線転写用マスク（請求項４に対応する）は、ターゲットに転写すべき開口パターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記開口パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクである。
【００５１】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクの前記支柱Ｈは、前記メンブレン２の面に対して垂直または略垂直に高さ方向を有するようにするために、（１１０）シリコン単結晶面Ｆに対する異方性エッチングにより形成されてなることが好ましい（請求項５）。
本発明にかかる荷電粒子線縮小転写用マスクの前記メンブレン２は、（１１０）シリコン単結晶面Ｆ上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることが好ましい（請求項６）。
【００５２】
かかる構成にすることにより、本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクを製造する際のエッチングによるメンブレン２形成時のエッチングストッパーとすることができる。
また、メンブレン２の荷電粒子線透過率や熱伝導率が前記従来のメンブレン材料を用いた場合よりもよくなる。メンブレン２の厚さを例えば５０ｎｍ程度の比較的大きな値としても所望の透過率が得られるので、厚さを従来のメンブレン材料（例えば、１０ｎｍ程度）よりも大きくして、耐熱変形性及び強度を増大することができる。
【００５３】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクの前記支柱Ｈの長さＬ（例えば、図２のｙ方向）を半導体チップの短辺Ｌd’の２倍または１倍、或いは２倍または１倍よりもやや大きい長さとし、かつ前記支柱Ｈの配列間隔ｐを２ｍｍ以上とすることが好ましい（請求項７）。
かかる構成にすることにより、例えば８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる。
【００５４】
例えば、支柱の幅ｂを0.3ｍｍとした場合、１８×３６ｍｍ2の４ＧＤＲＡＭパターンの４倍マスクパターンは、短辺＝18×4＋1＝73ｍｍ、長辺＝36×4(2＋0.3)／2＝165.6ｍｍとなり、８インチウェハにおさまるので、８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップの４倍拡大マスクとして作製できる。
ここで、短辺の「＋１」の項は、ターゲット（感応基板）１１０に転写すべきパターンを備えた前記小領域（メンブレン２上）１０ａの両端部が実際には、図２（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である図２（ｂ）に示すような角度５５゜を有する形状に形成（エッチング）されるため、この両端部分の長さ（1mm）を追加したものである。
【００５５】
また、長辺の「(2＋0.3)／2」の項は、前記小領域１０ａの幅（前記支柱Ｈの配列間隔ｐの２ｍｍに等しい）に対する、前記小領域１０ａの幅（２ｍｍ）及び前記支柱Ｈの幅ｂ（0.3ｍｍ、境界領域の幅に相当）の和の比率を示す。
【００５６】
以上説明した本発明（請求項１〜７）の荷電粒子線転写用マスクは、
▲１▼メンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される、▲２▼マスク１０上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂが占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０とすることができる、▲３▼８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、▲４▼メンブレン２の荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、▲５▼散乱体３ａにおける荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、▲６▼マスク上の主視野上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減するとともに、主視野の長手方向の寸法が小さくなるために電子光学系の収差を低減することができる、
という効果のいずれか、或いはすべてを奏する。
【００５７】
特に、請求項８にかかる荷電粒子線縮小転写用マスクのように、境界領域１０ｂおよび支柱Ｈが一方向（例えば、図２のｘ方向）のみに配列されているので、マスク１０上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂが占める割合がより低減されるとともに、境界領域、支柱が配列されていない方向（例えば、図２のｙ方向）に対しては、連続スキャン露光（Ｂm、Ｂw）が可能である（図２参照）。
【００５８】
次に、請求項９〜１３にかかる荷電粒子線転写用マスクは、ターゲット（例えば、感応基板）１１０に転写すべきパターンをメンブレン２上に有するマスク１０’であり、該パターンがパターンが存在しない境界領域１０ｂ’により複数列の主視野領域１０ａ’に分割され、各主視野領域が複数の小領域を備え、各主視野領域１０ａ’の間の境界領域１０ｂ’に対応する部分に支柱Ｈが設けられている。従って、
(1)  支柱Ｈsがシリコン単結晶により形成されるので、主視野領域１０ａ’が熱的、強度的に十分に保持され、
(2)  前記支柱Ｈsが境界領域１０ｂ’に対応する部分のみにメンブレン２の面に対して垂直または略垂直に形成されてなるので、マスク１０’上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂ’が占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０’とすることができる、
という効果を奏する。
【００５９】
本発明（請求項９）にかかる荷電粒子線転写用マスクは、ターゲットに転写すべきパターンを荷電粒子線を透過させるメンブレン上に有するマスクであり、該パターンが複数列の主視野領域に分割され、さらに各主視野領域が複数の小領域を備えており、該小領域のそれぞれに荷電粒子線の散乱体または吸収体が形成されている荷電粒子線転写用のマスクに適用される。
【００６０】
また、本発明（請求項９）にかかる荷電粒子線転写用マスクは、ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上に有するマスクであり、該パターンが複数列の主視野領域に分割され、さらに各主視野領域が複数の小領域を備えており、該小領域のそれぞれに開口パターンが形成されている荷電粒子線転写用のマスクに適用される。
【００６１】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクの前記散乱体３ａは原子番号１４〜４７の金属元素により構成されることが好ましい。
かかる構成にすることにより、前記散乱体３ａの厚さを２００ｎｍ（原子番号４７のＡｇの場合）〜１μｍ（原子番号１４のＴｉの場合）程度という、温度上昇が問題となるほど薄くはなく（荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい）、かつ高精度な加工が困難となるほど厚くはない散乱体とすることができる。
【００６２】
本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクの前記支柱Ｈsは、前記メンブレン２の面に対して垂直または略垂直に高さ方向を有するようにするために、（１１０）シリコン単結晶面Ｆに対する異方性エッチングにより形成されてなることが好ましい（請求項１０）。
本発明にかかる荷電粒子線縮小転写用マスクの前記メンブレン２は、（１１０）シリコン単結晶面Ｆ上にエピタキシャルに、或いは熱拡散により形成されてなるＢドープのシリコン単結晶により構成されることが好ましい（請求項１１）。
【００６３】
かかる構成にすることにより、本発明にかかる荷電粒子線転写用マスクを製造する際のエッチングによるメンブレン２形成時のエッチングストッパーとすることができる。
また、メンブレン２の荷電粒子線透過率や熱伝導率が前記従来のメンブレン材料を用いた場合よりもよくなる。メンブレン２の厚さを例えば５０ｎｍ程度の比較的大きな値としても所望の透過率が得られるので、厚さを従来のメンブレン材料（例えば、１０ｎｍ程度）よりも大きくして、耐熱変形性及び強度を増大することができる。
【００６４】
本発明（請求項１２）にかかる荷電粒子線転写用マスクの支柱は各列内の配置間隔を２ｍｍ以上として、主視野領域と同じ長さに、或いは略同じ長さに設けられていることが好ましい。
かかる構成にすることにより、例えば８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる。
【００６５】
以上説明した本発明（請求項９〜１３）の荷電粒子線転写用マスクは、
(1)メンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される、(2)マスク１０’上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂ’が占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０’とすることができる、(3)８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、(4)メンブレン２の荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、(5)荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、(6)マスク上の主視野上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減するとともに、主視野の長手方向の寸法が小さくなるために電子光学系の収差を低減することができる、(7)一つの主視野領域内では連続スキャンが可能、
という効果のいずれか、或いはすべてを奏する。
【００６６】
また、請求項１３にかかる荷電粒子線縮小転写用マスク（図４参照）では、上記(1)〜(6)の効果に加え、主視野領域４０ａ内の各小領域４０１は境界領域４０ｂにより分離されているので、ステップスキャン露光を行うことができる。
【００６７】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこの例に限定されるものではない。
【００６８】
【実施例】
−第１実施例−
図２に第１実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクの斜視図を示す。
以下、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクを製造する工程を示す（図１参照）。
１．二表面ＦにＳｉ単結晶の（１１０）面を、オリエンテーション  フラットＯＦにｎタイプの（１１１）面を有するＳｉウェハ１を用意する。
【００６９】
２．前記Ｓｉウェハ１の一表面にＢ（ボロン）ドープのＳｉ単結晶層２’をエピタキシャル層として、或いは熱拡散層として５０ｎｍ形成する。
３．前記Ｓｉウェハの裏面（別表面）にＳｉ3Ｎ4層３０１とＳｉＯ2層３０２をそれぞれ１μｍの厚さに形成して積層し、その上にフォトレジストを塗布する。
４．前記フォトレジストに、オリエンテーション  フラットＯＦに平行な２ｍｍ×７３ｍｍの長方形パターンをピッチｐ＝2.3ｍｍにて７２本形成してフォトレジストパターン３０３とする。（図１（ａ）参照）
【００７０】
５．フォトレジストパターン３０３をエッチングマスクにして前記ＳｉＯ2層３０２をエッチングし、さらにエッチングしたＳｉＯ2層３０２をエッチングマスクにしてＳｉ3Ｎ4層３０１をエッチングする。
６．エッチングしたＳｉ3Ｎ4層ＥをエッチングマスクにしてＫＯＨ溶液中でＳｉ単結晶の（１１０）面Ｆを異方性エッチングすることにより、メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶のエピタキシャル層または熱拡散層からなる）２及び支柱（Ｓｉ単結晶製）Ｈを形成する（図１（ｂ），１（ｃ）参照）。
【００７１】
・異方性エッチングは、Ｓｉウェハの（１１０）面Ｆに＋電圧を印加し、Ｔｉ電極に−電圧を印加して電流を流しながら行う。
・Ｓｉ単結晶の（１１０）面Ｆの異方性エッチングが進行して、Ｐタイプのエピタキシャル層または熱拡散層（ＢドープのＳｉ単結晶層）２’に到達するとこの層２’には電圧が印加されないのでエッチングが進行しない。このとき、電流が流れなくなるのでエッチングが終了したことがわかる。
【００７２】
・支柱Ｈの壁面Ｈ’はＳｉ単結晶の（１１１）面となる。
７．このようにして形成された前記メンブレン２上に厚さ２００ｎｍのＣｒ層（散乱層または吸収層）３をスパッタリングにより形成して、その上にレジストを塗布した後、ＥＢ描画によりレジストパターンを形成する。
・ここで、Ｃｒ層３を前記メンブレン２上の全面にコーティングすると、大きな応力が発生してメンブレン２を破壊するおそれがあるので、支柱Ｈに対向するメンブレン上やマスク周辺のメンブレン上等の不要な部分Ｎにはマスキングを施して、Ｃｒがスパッタリングされないようにする。
【００７３】
８．前記レジストパターンをエッチングマスクにして、ＲＩＥエッチングによりＣｒ層３のパターニングを行ってパターン化されたＣｒ層３ａ及び荷電粒子線透過領域２ａ（図１（ｄ）参照）を形成する（小領域１０ａ及び境界領域１０ｂの形成）。なお、ＲＩＥエッチングにより、メンブレン２に対して垂直なＣｒ層３ａ及び荷電粒子線透過領域２ａのパターンが形成される。
【００７４】
以上の工程により、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクが製造される。
図１（ｄ）は、以上の工程により製造された本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクの主要部分における断面図である。
支柱Ｈは幅（短辺、図２のｘ方向）ｂが３００μｍ、長さ（長辺、図２のｙ方向）Ｌが７３ｍｍ、高さｈ（図２のｚ方向）が２ｍｍ、支柱の配列ピッチｐが２．３ｍｍである。支柱Ｈの壁面Ｈ’はＳｉ単結晶の（１１１）面であり、メンブレン２に対して垂直な壁になっている。
【００７５】
本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクでは、メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶層）２の荷電粒子線透過率や熱伝導率が前記従来のメンブレン材料を用いた場合よりもよくなり、メンブレン２の厚さを５０ｎｍという比較的大きな値としても所望の透過率が得られる。
そして、その結果、メンブレン２の厚さを従来のメンブレン材料（１０ｎｍ程度）よりも大きくして、耐熱変形性及び強度を増大することができる。
【００７６】
また、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクでは、散乱体３ａが原子番号１４〜４７の金属元素に合まれる原子番号２４のＣｒにより構成されている。
そのため、散乱体３ａの厚さを２００ｎｍ（原子番号４７のＡｇの場合）〜１μｍ（原子蕃号１４のＴｉの場合）程度の範囲に合まれる２００ｎｍという、温度上昇が間題となるほど薄くはなく（荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい）、かつ高精度な加工が困難となるほど厚くはない散乱体とすることができる。
【００７７】
従って、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクは、
▲１▼１次元配列された支柱Ｈの長さＬ方向への連続スキャン露光（Ｂm、Ｂw）が可能である（図２参照）、
▲２▼メンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される（支往Ｈの撓み量δmaxは０．０８４μｍと計算される、前記計算参照）、
▲３▼マスク１０上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂが占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０とすることができる、
▲４▼８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる（前記計算参照）、
▲５▼メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶層）２の荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、
▲６▼散乱体３ａにおける荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、
▲７▼主視野の長手方向（図２のｙ方向）の寸法が小さくなるために電子光学系の収差が小さくなる、
という効果のすべてを奏する。
【００７８】
−第２実施例−
図３に第２実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクの斜視図を示す。
本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクは、第１実施例と同様の工程により製造される。なお、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクの主要部分における断面図は、第１実施例の図１（ｄ）と同様である。
【００７９】
支柱Ｈsは幅（短辺、図３のｘ方向）ｂが３００μｍ、長さ（長辺、図３のｙ方向）Ｌsが１１ｍｍ、高さｈ（図３のｚ方向）が２ｍｍ、支柱の配列ピッチｐが２．３ｍｍである。支柱Ｈsの壁面Ｈs’はＳｉ単結晶の（１１１）面であり、メンブレン２に対して垂直な壁になっている。
本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクでは、メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶層）２の荷電粒子線透過率や熱伝導率が前記従来のメンブレン材料を用いた場合よりもよくなり、メンブレン２の厚さを５０ｎｍという比較的大きな値としても所望の透過率が得られる。
【００８０】
そして、その結果、メンブレン２の厚さを従来のメンブレン材料（１０ｎｍ程度）よりも大きくして、耐熱変形性及び強度を増大することができる。
また、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクでは、散乱体３ａが原子番号１４〜４７の金属元素に含まれる原子番号２４のＣｒにより構成されている。
【００８１】
そのため、散乱体３ａの厚さを２００ｎｍ（原子番号４７のＡｇの場合）〜１μｍ（原子番号１４のＴｉの場合）程度の範囲に含まれる２００ｎｍという、温度上昇が間題となるほど薄くはなく（荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい）、かつ高精度な加工が困難となるほど厚くはない散乱体とすることができる。
【００８２】
従って、本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクは、
▲１▼主視野領域１０ａ’内において、支柱Ｈｓの長さＬs方向への連続スキャン露光（Ｂm’、Ｂw’）が可能である（図３参照）、
▲２▼メンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される、
▲３▼マスク１０’上をパターン形成に関与しない境界領域１０ｂ’が占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスク１０’とすることができる、
▲４▼８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、
▲５▼メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶層）２の荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、
▲６▼散乱体３ａにおける荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、
▲７▼主視野の長手方向（図３のｙ方向）の寸法が小さくなるために電子光学系の収差が小さくなる、
という効果のすべてを奏する。
【００８３】
−第３実施例−
図４は本発明による荷電粒子線転写用マスクの実施例３を示す図であり、（ａ）は荷電粒子線縮小転写用マスクの一部分を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。矩形の領域４０１はパターンが形成された小領域を示しており、ｙ方向に並んだ複数の小領域４０１から成る主視野領域４０ａは図３の主視野領域１０ａ’に対応している。図４に示したマスクでは、パターンが形成されない境界領域４０ｂは各小領域４０１を分離するように格子状に形成され、各主視野領域４０ａ間の境界領域４０ｂ上にｙ方向に延びる支柱Ｈが形成される。なお、マスク製造手順は図１と同様である。
【００８４】
図４のマスクを用いて露光を行う場合には、荷電粒子線により主視野領域４０ａの小領域４０１を順に（ｙ方向に）ステップ的に露光する。図４に示したマスクの場合には、境界領域４０ｂ上のｙ方向にのみ支柱Ｈが設けられるため、主視野領域４０ａの小領域４０１間の境界領域の幅寸法（ｙ方向寸法）を支柱を格子状に形成する従来のマスクより小さくすることができる。
【００８５】
本実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクは、
▲１▼メンブレン２が熱的、強度的に十分に保持される、
▲２▼マスク上をパターン形成に関与しない境界領域４０ｂが占める割合を低減して、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスクとすることができる、
▲３▼８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、
▲４▼メンブレン（ＢドープのＳｉ単結晶層）２の荷電粒子線透過率や熱伝導率がよい、
▲５▼メンブレン２上に散乱体３ａにおける荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、
▲６▼主視野の長手方向（図４のｙ方向）の寸法が従来より小さくなるために電子光学系の収差が小さくなる、
という効果のすべてを奏する。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の荷電粒子線縮小転写用マスクは、
(1)メンブレンが熱的、強度的に十分に保持される、(2)マスク上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減して、その結果、ウェハ上へより集積度が高いチップパターンを転写するためのマスクとすることができる、(3)８インチウェハに４ＧＤＲＡＭチップ（サイズ予想：18mm×36mm）の４倍拡大マスクとして作製できる、(4)メンブレンの電子線透過率や熱伝導率がよい、(5)荷電粒子線のエネルギー損失による温度上昇が小さい、(6)主視野の長手方向（図４のｙ方向）の寸法が従来より小さくなるために電子光学系の収差が小さくなる、という効果のいずれか、或いはすべてを奏する。
特に、請求項８の発明では連続スキャン露光可能となり、請求項１３の発明ではステップスキャン露光ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１および第２実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクの製造工程を説明する図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程を説明する図。
【図２】第１実施例の荷電粒子線縮小転写用マスク概略を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’断面図、（ｃ）は該マスクを用いた連続スキャン露光の様子を模式的に示す図である。
【図３】第２実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクを示す概略斜視図（ａ）と、該マスクを用いた連続スキャン露光の様子を模式的に示す図（ｂ）である。
【図４】第３実施例の荷電粒子線縮小転写用マスクを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図。
【図５】格子状の支柱Ｘを設けた従来の散乱透過マスク１００と、該マスクの小領域１００ａ〜ウェハ１１０間における配置を示す図であり、（ａ）が該マスクの小領域１００ａを示す平面図、（ｂ）が前記配置を示す図、（ｃ）が該マスクの部分斜視図（一部断面図）である。
【図６】格子状の支柱Ｘを設けた従来の散乱透過マスク１００を用いて各小領域１００ａのパターンをウェハ１１０に転写する様子を模式的に示す図である。
【図７】一般的な電子線縮小転写用マスク（ステンシルマスク２１及び散乱透過マスク１００）と、これを用いた転写原理の概略を示す図である。
【符号の説明】
１・・・  Ｓｉウェハ
２・・・  メンブレン
２ａ・・  荷電粒子線透過領域
２’・・  ＢドープのＳｉ単結晶層
３・・・  散乱体
３ａ・・  パターン化された散乱体
５・・・  投影レンズ
６・・・  投影レンズ
７・・・  アパーチャー
７ａ・・  開口
１０・・  荷電粒子線縮小転写用マスク（実施例１）
１０’・・  荷電粒子線縮小転写用マスク（実施例２）
１０ａ・・・感応基板１１０に転写すぺきパターンを備えた小領域（例えば、実施例１の一列に配置された各主視野領域）
１０ａ’・・複数列に配置された各主視野領域（実施例２）
１０ａ’’・・主視野領域内の小領域（副視野領域）
１０ｂ・・・境界領域（実施例１）
１０ｂ’・・・境界領域（実施例２）
２０・・  マスク基板（メンブレン）
２０ａ・・・電子線透過領域
２１・・  ステンシルマスク（電子線縮小転写用マスク）
２２・・  マスク基板
２３・・  透過孔（開口孔）
２４・・  投影レンズ（２４ａ．２４ｂ）
２５・・  感応基板
３０・・  散乱体
３０ａ・・パターン化された散乱体
４０ａ・・主視野領域
４０ｂ・・境界領域
１００・・散乱透過マスク（電子線縮小転写用マスク）
１００ａ・・感応基板に転写すべきパターンを備えた小領域
１００ｂ・・境界領域
１１０・・・感応基板
１１０ａ・・感応基板１１０の１チップ（１個の半導体）分の領域
１１０ｂ・・小領域１００ａに対応した感応基板（ウェハ）１１０の被転写領域
Ａ・・・島状の散乱体
Ｅ・・・パターニングしたＳｉ3Ｎ4層（エッチングマスク）
Ｆ・・・Ｓｉ単結品の（１１１）結晶面
Ｈ・・・１次元配列された支柱（実施例１）
Ｈs ・・・支柱（実施例２）
Ｈ’・・Ｓｉ単結晶の（１１１）結晶面（実施例１）
Ｈs’ ・・Ｓｉ単結晶の（１１１）結晶面（実施例２）
Ｎ・・・Ｃｒがスパソタリングされない部分（マスキング部分）
ＯＦ・・オリエンテーション  フラット
Ｘ・・・格子状の（２次元配列された）支柱
ＡＸ・・電子線光学系の光軸
ｂ・・・支柱Ｈ，Ｈsの幅
ｈ・・・支柱Ｈ，Ｈsの高さ
ｐ・・・支柱Ｈ，Ｈsの配列ピッチ
Ｌ・・・支柱Ｈの長さ
Ｌd’・・半導体チップの短辺の長さ
Ｌs・・・支柱Ｈsの長さ
Ｌf’・・マスクの主視野領域が半導体チップ上に投影される長さ
ＣＯ・・クロスオーバ像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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