(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア層と前記上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び前記上部コア層よりも短く規制された磁極部とを有し、
前記磁極部を、前記下部コア層と連続する下部磁極層、前記上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで形成し、あるいは前記磁極部を、前記上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と前記下部コア層との間に位置するギャップ層とで形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁極部のトラック幅方向への幅寸法を０．１μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成し、前記磁極部の高さ寸法を、前記幅寸法の２倍から５倍の大きさで形成し、前記磁極部の奥行き寸法を、０．１μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成し、
このとき前記上部磁極層、前記下部磁極層、又は前記上部磁極層及び前記下部磁極層を、下記の製造方法によりメッキ形成されたＦｅＮｉＰｄ合金で形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法、
メッキ浴中のＦｅイオン濃度を、１．０ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｎｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｐｄイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．０５ｇ／ｌ以下とし、パルス電流を用いた電気メッキ法により、
組成式がＦｅXＮｉYＰｄZで示され、Ｆｅの組成比Ｘは６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙは２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚは、１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％であるＦｅＮｉＰｄ合金をメッキ形成する。
【請求項２】
前記メッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記メッキ浴中に２−ブチン−１、４ジオールを混入する請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記メッキ浴中に２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを混入する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記上部磁極層、前記下部磁極層、又は前記上部磁極層及び前記下部磁極層を２層以上の磁性層で形成し、このとき前記磁性層のうち前記ギャップ層に接する磁性層を、前記ＦｅＮｉＰｄ合金によりメッキ形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦｅＮｉ系合金からなる軟磁性膜に係わり、特に、高い飽和磁束密度Ｂｓと高耐食性とを両立する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の軟磁性膜は、Ｆｅの組成比が約５５質量％、Ｎｉの組成比が約４５質量％であるＦｅＮｉ系合金であり、飽和磁束密度Ｂｓは、１．６Ｔ程度であった。
【０００３】
このような軟磁性膜は、薄膜磁気ヘッドに用いられ、図１に示すように、薄膜磁気ヘッドの記録用ヘッド部ｈ２は、下部コア層７および上部コア層１０が軟磁性膜からなり、下部コア層７と上部コア層１０は、コイル層９を介して対向している。
【０００４】
記録用ヘッド部ｈ２において、コイル電流により上部コア層１０、下部コア層７に記録磁界が誘導され、上部コア層１０と下部コア層７間の洩れ磁界により磁気ディスクに記録信号が付与される。高記録密度化のためには、上部コア層１０、下部コア層７とする軟磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓを高めることが望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＦｅＮｉ系合金からなる軟磁性膜は、Ｆｅの組成比を上げて、高飽和磁束密度とすることができるが、Ｆｅの組成比が高いと、耐食性が劣化するといった問題が発生した。
【０００６】
特に今後の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの狭トラック化が進むと、非常に狭い領域に、高飽和磁束密度を有し且つ耐食性に優れた磁極層を形成しなければならなくなる。
【０００７】
したがって、従来一般的に使用されてきたＮｉＦｅ系合金では、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが困難となっていた。
【０００８】
本発明は、高飽和磁束密度を有し且つ耐食性に優れた軟磁性膜を容易に且つ再現性良く形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア層と前記上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び前記上部コア層よりも短く規制された磁極部とを有し、
前記磁極部を、前記下部コア層と連続する下部磁極層、前記上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで形成し、あるいは前記磁極部を、前記上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と前記下部コア層との間に位置するギャップ層とで形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁極部のトラック幅方向への幅寸法を０．１μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成し、前記磁極部の高さ寸法を、前記幅寸法の２倍から５倍の大きさで形成し、前記磁極部の奥行き寸法を、０．１μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成し、
このとき前記上部磁極層、前記下部磁極層、又は前記上部磁極層及び前記下部磁極層を、下記の製造方法によりメッキ形成されたＦｅＮｉＰｄ合金で形成することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明では、メッキ浴中のＦｅイオン濃度を、１．０ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｎｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｐｄイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．０５ｇ／ｌ以下とし、パルス電流を用いた電気メッキ法により、
組成式がＦｅXＮｉYＰｄZで示され、Ｆｅの組成比Ｘは６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙは２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚは、１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％であるＦｅＮｉＰｄ合金をメッキ形成する。
【００１１】
また本発明では、ＦｅＮｉＰｄ合金のメッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入することが好ましい。サッカリンナトリウム（Ｃ6Ｈ4ＣＯＮＮａＳＯ2）は応力緩和剤としての役割を有しており、したがって前記サッカリンナトリウムを混入することでＦｅＮｉＰｄ合金の膜応力を低減させることが可能である。
【００１２】
また本発明では、前記メッキ浴中に、２−ブチン−１、４ジオールを混入することが好ましい。これによってメッキ形成されたＦｅＮｉＰｄ合金の結晶粒径の粗大化は抑制され、前記結晶粒径が小さくなることで結晶間に空隙が生じ難くなり、膜面の面粗れが抑制される。面粗れを抑制できることで保磁力Ｈｃを小さくすることも可能になる。
【００１３】
また本発明では、前記メッキ浴中に２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを混入することが好ましい。これによってメッキ浴中に生じる水素は、界面活性剤である２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムによって除去され、前記水素がメッキ膜に付着することによる面粗れを抑制できる。
【００１４】
また本発明では、前記上部磁極層、前記下部磁極層、又は前記上部磁極層及び前記下部磁極層を２層以上の磁性層で形成し、このとき前記磁性層のうち前記ギャップ層に接する磁性層を、前記ＦｅＮｉＰｄ合金によりメッキ形成することが好ましい。
【００１５】
前記薄膜磁気ヘッドを構成する磁極層を上記した製造方法で製造された軟磁性膜を用いてメッキ形成することで、飽和磁束密度Ｂｓが高い磁極層を形成でき、よって高記録密度化を図ることができ、また耐食性にも優れた薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く製造することが可能になっている。
【００１６】
またメッキ浴中のＮｉイオン濃度を下げることで攪拌効果を向上させることができ、これは磁極層のように極めて狭い領域内に軟磁性膜をメッキ形成するときにメッキ形成面へのＦｅイオンや元素αイオンの出入り（置換）を高めることができ、従って従来に比べて高い飽和磁束密度を有し且つ平滑性にも優れた軟磁性膜を極めて狭い領域内に容易にしかも再現性良くメッキ形成することが可能になっている。
【００１７】
パルス電流を用いた電気メッキ法では、例えば電流制御素子のＯＮ／ＯＦＦを繰返し、メッキ形成時に、電流を流す時間と、電流を流さない空白な時間を設ける。このように電流を流さない時間を設けることで、ＦｅＮｉＰｄ合金膜を、少しずつメッキ形成し、直流電流を用いた電気メッキ法に比べメッキ形成時における電流密度の分布の偏りを緩和することが可能になっている。パルス電流による電気メッキ法によれば直流電流による電気メッキ法に比べて軟磁性膜中に含まれるＦｅ含有量の調整が容易になり、前記Ｆｅ含有量を膜中に多く取り込むことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
第１の軟磁性膜（参考例）は、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上の元素αを含有するＦｅＮｉ系合金であり、前記元素αの組成比が１質量％を越え、１０質量％未満である軟磁性膜である。
【００１９】
このようにＰｄなどの貴金属である元素αをＮｉＦｅ合金膜に添加することで溶剤などに曝されてもイオン化し難い膜を形成することができ耐食性の向上を図ることができる。ただし元素α量が多すぎると、Ｆｅ量の低下に基く飽和磁束密度Ｂｓの低下や膜面の面粗れがひどくなり効果的に耐食性の向上を図ることができなくなる。
【００２０】
そこで後述する実験の結果、前記元素αの組成比を１質量％よりも大きく１０質量％よりも小さい範囲と設定した。
【００２１】
なお上記第１の軟磁性膜における前記元素αの組成比は、１．５８質量％以上で４．９０質量％以下であることが好ましい。
【００２２】
またＦｅ量は主として飽和磁束密度Ｂｓに寄与し、前記Ｆｅ量が多いほど飽和磁束密度Ｂｓを高めることができるが、あまり多くなりすぎると膜面の面粗れがひどくなり耐食性が低下し、また飽和磁束密度Ｂｓも低下しやすくなって好ましくない。
【００２３】
上記第１の軟磁性膜におけるＦｅの組成比は５５質量％以上で９０質量％以下であることが好ましく、より好ましくはＦｅの組成比が７２質量％以上である。あるいはＦｅの組成比が６８質量％以上である。
【００２４】
これにより飽和磁束密度Ｂｓを１．５Ｔ以上確保でき、また好ましくは１．８Ｔ以上にすることができる。
【００２５】
上記第１の軟磁性膜の具体的な組成比は、例えば以下の組成比に設定される。
Ｆｅの組成比が約５１〜７４質量％、Ｎｉの組成比が約２４〜４６質量％、Ｐｄの組成比が１．１〜４．９質量％であり、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの組成比を足した組成比は１００質量％である。
【００２６】
なお上記した組成範囲内で形成されたＦｅＮｉＰｄ合金を用い、Ｐｄを含まないＦｅＮｉ合金と特性を比較してみたところ、以下のような結果が得られた。なお以下の結果は、ＦｅＮｉＰｄ合金、ＮｉＦｅ合金の膜厚を約２μｍとして比較したときのものである。
【００２７】
まずＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bは、Ｆｅの組成比（＝ａ）が５１〜５３質量％であるとき、Ｐｄの組成比（＝１００−ａ−ｂ）の増加に伴って耐食性が向上し、特に、Ｐｄの組成比が４．０質量％以上であるとき、Ｆｅの組成比が約５５質量％であり、Ｐｄを含まない従来の軟磁性膜（Ｆｅ55Ｎｉ45）と比べて、耐食性が著しく向上することがわかった。
【００２８】
上記ＦｅaＮｉbＰｄ100-a-b（ａ＝５１〜５３）の飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力、異方性磁界、及び比抵抗、応力等の膜特性は、Ｐｄの組成比（１００−ａ−ｂ）による大きな影響を受けず、Ｆｅの組成比が同等（＝ａ）でありＰｄを含まない軟磁性膜（ＦｅaＮｉ100-a）とほぼ同等に保持される。
【００２９】
またＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bは、Ｆｅの組成比（＝ａ）が約７２質量％であり、Ｐｄの組成比（＝１００−ａ−ｂ）が約３．５質量％であるとき、Ｆｅの組成比が約７２質量％でありＰｄを含まない軟磁性膜（Ｆｅ72Ｎｉ28）と比べて、耐食性が著しく向上して、Ｆｅの組成比が約５５質量％であり、Ｐｄを含まない従来の軟磁性膜（Ｆｅ55Ｎｉ45）よりも高い耐食性を示す。
【００３０】
ＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bは、Ｆｅの組成比（＝ａ）が約７２質量％を越えるとき、Ｐｄの組成比（＝１００−ａ−ｂ）が約２質量％程度であれば、Ｆｅの組成比が約７２質量％でありＰｄを含まない軟磁性膜（Ｆｅ72Ｎｉ28）と比べて耐食性が著しく向上し、Ｆｅの組成比が約５５質量％であり、Ｐｄを含まない従来の軟磁性膜（Ｆｅ55Ｎｉ45）の耐食性とほぼ同等になる。
【００３１】
上記ＦｅaＮｉbＰｄ100-a-b（ａ≧７２）の飽和磁束密度Ｂｓと比抵抗は、Ｐｄの組成比（１００−ａ−ｂ）による大きな影響を受けず、飽和磁束密度Ｂｓは、Ｆｅの組成比が同等（＝ａ）でありＰｄを含まない軟磁性膜（ＦｅaＮｉ１00-a）とほぼ同等に保持されて、約１．９Ｔと高い値となる。
【００３２】
上記のように、ＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bは、Ｆｅの組成比が同等（＝ａ）であり、Ｐｄを含まないＦｅaＮｉ100-aに比べて耐食性が向上する。
【００３３】
また、Ｆｅ組成比が高いＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bのＰｄの組成比と、Ｆｅの組成比が低いＦｅa′Ｎｉb′Ｐｄ100-a′-b′（ａ＞ａ′）のＰｄの組成比が同等であるとき（１００−ａ−ｂ＝１００−ａ′−ｂ′）、Ｆｅ組成比が高いＦｅaＮｉbＰｄ100-a-bのほうが、Ｐｄを含有することによる耐食性の向上が顕著に現れる。
【００３４】
次に、上記第１の軟磁性膜の他の具体的な形態について説明する。
前記第１の軟磁性膜は、膜厚が約２μｍのＦｅＮｉ系合金であり、Ｆｅの組成比が約７５質量％、Ｎｉの組成比が約１６質量％、Ｒｈの組成比が約９質量％であり、Ｆｅ75Ｎｉ16Ｒｈ9なる組成式を以て表される。
【００３５】
前記Ｆｅ75Ｎｉ16Ｒｈ9の耐食性は、Ｆｅの組成比が約７２質量％でありＲｈを含まない軟磁性膜（Ｆｅ72Ｎｉ28）と比べて向上し、Ｆｅの組成比が約７２質量％、Ｐｄの組成比が約３．５質量％であるＦｅＮｉＰｄの耐食性と同等となる。
【００３６】
次に第２の軟磁性膜（参考例）の組成比について説明する。
前記第２の軟磁性膜は、組成式がＦｅdＮｉeαf（ただし元素αは、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上）で示され、Ｆｅの組成比ｄは５８質量％以上で７７質量％以下、Ｎｉの組成比ｅは１８質量％以上で３７質量％以下、元素αの組成比ｆは、１質量％以上で１２質量％以下であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００質量％であることを特徴とするものである。
【００３７】
この第２の軟磁性膜においても、Ｐｄなどの貴金属で構成される元素αがＮｉＦｅ合金中に含有されており、前記ＦｅＮｉα合金の耐食性は、前記元素αを含まないＮｉＦｅ合金に比べて優れている。
【００３８】
第１の軟磁性膜では、前記元素αの組成比は１質量％を越え、１０質量％未満である組成範囲に設定されていたが、この第２の軟磁性膜での元素αの組成比は１質量％以上で１２質量％以下となっている。
【００３９】
すなわち第２の軟磁性膜の方が第１の軟磁性膜に比べて元素αの組成範囲を広げることが可能になっている。このように元素αの組成範囲を広げることができる理由は製造方法にあり、メッキ浴中に含まれるＮｉイオン濃度を低濃度にし攪拌効果を上げたことが一つの大きな原因となっている。なお製造方法については後で詳しく説明することとする。
【００４０】
なお元素αの上限値を１２質量％としたのは、これ以上前記元素αが混入されると膜面の面粗れがひどくなり、耐食性の低下を伴うとともに、Ｆｅ量の低下によって飽和磁束密度Ｂｓが低下しやすくなるからである。
【００４１】
次に、第２の軟磁性膜のＦｅ組成比及びＮｉ組成比は、第１の軟磁性膜のそれよりも限定された範囲となっている。飽和磁束密度Ｂｓの向上のためにはＦｅ量が重要であり、Ｆｅ量を多くすることで前記飽和磁束密度Ｂｓを高めることができるが、前記Ｆｅ量を７７質量％よりも大きくすると膜面の面粗れがひどくなり耐食性の低下とともに飽和磁束密度Ｂｓも低下しやすくなる。一方、前記Ｆｅ量が５８質量％よりも小さいと耐食性は良好であるが、飽和磁束密度Ｂｓが低下しやすくなる。
【００４２】
上記した組成範囲内で形成された第２の軟磁性膜では、飽和磁束密度Ｂｓを１．８Ｔ以上確保することができる。また耐食性に優れ、膜面の面粗れを小さくでき、具体的には膜面の中心線平均粗さＲａを１０ｎｍ以下に抑えることができる。
【００４３】
また上記の第２の軟磁性膜であると、保磁力Ｈｃを小さくでき、具体的には、５００（Ａ／ｍ）以下にできる。また３０（μΩ／ｃｍ）以上の比抵抗を得ることができ、さらに異方性磁界Ｈｋに関しては、ＮｉＦｅ合金と同程度の異方性磁界Ｈｋを得ることができる。
【００４４】
次に本発明の第３の軟磁性膜（実施形態）の組成比について説明する。
前記第３の軟磁性膜は、組成式がＦｅXＮｉYＰｄZで示され、Ｆｅの組成比Ｘは６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙは２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚは、１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％であることを特徴とするものである。
【００４５】
この第３の軟磁性膜の組成比は、上記した第２の軟磁性膜の組成比をさらに限定・適正化したものである。
【００４６】
前記第３の軟磁性膜では、前記第１及び第２の軟磁性膜に比べて、さらに高い飽和磁束密度Ｂｓ、具体的には１．９Ｔ以上、組成によっては２．０Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂｓを得ることができる。また膜面の面粗れも第２の軟磁性膜に比べて小さくすることができ、具体的には、膜面の中心線平均粗さＲａを５ｎｍ以下に抑えることができる。
【００４７】
上記した第１、第２及び第３の軟磁性膜は、いずれも以下に説明する薄膜磁気ヘッドのコア材として使用することができる。
【００４８】
ハード磁気ディスク装置等に搭載される薄膜磁気ヘッドは、例えば図１（参考例）に示すように再生用ヘッド部ｈ１と記録用ヘッド部ｈ２（インダクティブヘッド）とから構成された複合型薄膜磁気ヘッドであり、再生用ヘッド部ｈ１は、スライダ１の一端面１ａにアルミナ等の下地層１５を介して形成されており、ＦｅＮｉ系合金からなる下部シールド層２と、アルミナ等からなり下部シールド層２を覆う下部ギャップ層３と、下部ギャップ層３上に形成された、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ効果）、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）、あるいはトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用した磁気抵抗効果素子４と、磁気抵抗効果素子４に電気的に接続された電極層５と、アルミナ等からなり磁気抵抗効果素子４と電極層５を覆う上部ギャップ層６と、上部ギャップ層６上に形成された上部シールド層７とから構成されている。
【００４９】
再生用ヘッド部ｈ１上の記録用ヘッド部ｈ２は、下部コア層７が再生用ヘッド部ｈ１の上部シールド層７と兼用されて、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上の元素αを含有するＦｅＮｉ系合金からなる軟磁性膜であり、アルミナやＳｉＯ2等の非磁性材料からなり下部コア層７上に形成されたギャップ層８と、Ｃｕ等の良導電材からなりギャップ層８上にパターン形成されたコイル層９と、コイル層９上に塗布されたレジスト等の絶縁層１１を介して形成された上部コア層１０とを有し、上部コア層１０は、下部コア層７と同様、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上の元素αを含有するＦｅＮｉ系合金からなる軟磁性膜である。上部コア層１０の基端部１０ａは、上部シールド層７と兼用される下部コア層と磁気的に接続された状態となっており、磁気ディスク対向面１ｂ側において、下部コア層７と上部コア層１０がギャップ層８を挟持する間隔は、書き込みギャップＧとなる。
【００５０】
このような薄膜磁気ヘッドの磁気ディスク対向面１ｂ側には、カーボンからなる保護膜１６が形成されて、上部コア層１０と下部コア層７は、保護膜１６により覆われている。
【００５１】
次に、薄膜磁気ヘッドの駆動を説明する。
薄膜磁気ヘッドの駆動時には、コイル層９に記録電流が印加されて、記録電流により、上部コア層１０及び下部コア層７に記録磁界が誘導される。このとき、記録磁界は、上部コア層１０と下部コア層７を磁化困難軸方向に貫くので、上部コア層１０と下部コア層７は、軟磁性膜の磁化困難軸方向における磁気特性を有する。
【００５２】
上部コア層１０と下部コア層７に誘導された記録磁界は、書き込みギャップＧ間で洩れ磁界となり、洩れ磁界により記録媒体に磁気記録が付与される。
【００５３】
このような薄膜磁気ヘッドは、上部コア層１０と下部コア層７が高い飽和磁束密度Ｂｓを有するので、高記録密度化に対応することができる。また、高記録周波数に対応するためには、上部コア層１０と下部コア層７の比抵抗が高く、渦電流損失を抑えることが必要であるが、上部コア層１０と下部コア層７の比抵抗は、従来と変わらず、高記録周波数特性を保持することができる。
【００５４】
前記上部コア層１０及び下部コア層７は、既に説明した第１の軟磁性膜、第２の軟磁性膜、および第３の軟磁性膜のいずれかで形成される。
【００５５】
このうち特に第２の軟磁性膜か第３の軟磁性膜で、前記上部コア層１０及び下部コア層７を形成することが好ましい。第２の軟磁性膜を使用すれば飽和磁束密度Ｂｓを１．８Ｔ以上にでき、また膜面の中心線平均粗さＲａを１０ｎｍ以下に抑えることができるコア層を得ることができる。
【００５６】
また第３の軟磁性膜であれば、飽和磁束密度Ｂｓを１．９Ｔ以上にでき、また膜面の中心線平均粗さＲａを５ｎｍ以下に抑えることができるコア層を得ることができる。
【００５７】
これによって前記コア層のギャップ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが可能になり、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。また前記薄膜磁気ヘッドは耐食性にも優れ、薄膜磁気ヘッドが製造工程中で使用される様々な溶剤に曝されても、前記薄膜磁気ヘッドの腐食を適切に抑制することが可能である。
【００５８】
また上部コア層１０及び下部コア層７の耐食性は高いので、上部、下部コア層を覆う保護膜１６は薄くてもよく、上部、下部コア層を磁気ディスク面に近づけた状態で、磁気ディスクに記録磁界を付与することができる。
【００５９】
なお上記の説明において、薄膜磁気ヘッドを複合型薄膜磁気ヘッドとして説明したが、記録用ヘッド部だけの記録専用薄膜磁気ヘッドでも良い。また、上記の形態では、上部コア層と下部コア層の両方を、第１、第２あるいは第３の軟磁性膜としたが、上部コア層と下部コア層のどちらかが、第１、第２あるいは第３の軟磁性膜であれば良い。
【００６０】
本発明では、図１に示す構造以外の薄膜磁気ヘッドにも、上記した第１、第２及び第３の軟磁性膜を使用することができる。以下に本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。
【００６１】
図２は本発明における他の薄膜磁気ヘッド（実施形態）の部分正面図、図３は、図２に示す薄膜磁気ヘッドを一点鎖線から切断し矢印方向から見た部分縦断面図である。
【００６２】
再生用ヘッド部ｈ１の構造は図１と同じである。また図２及び図３に示す実施形態では、図１と同様に前記上部シールド層７が記録用ヘッド部ｈ２の下部コア層としても兼用されており、前記下部コア層７上には、Ｇｄ決め層１７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層１７の先端部までの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。前記Ｇｄ決め層１７は例えば有機絶縁材料で形成される。
【００６３】
また前記下部コア層７の上面７ａは図２に示すように、磁極部１８の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって下面方向に傾く傾斜面で形成されており、これによりサイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００６４】
また図３に示すように、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層１７上にかけて磁極部１８が形成されている。
【００６５】
前記磁極部１８は下から下部磁極層１９、非磁性のギャップ層２０、及び上部磁極層２１が積層されている。
【００６６】
前記下部磁極層１９は、下部コア層７上に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層１９の上に形成されたギャップ層２０は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
【００６７】
なお本発明における具体的な実施形態として前記ギャップ層２０にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰで前記ギャップ層２０を形成することで前記ギャップ層２０を適切に非磁性状態にできるからである。
【００６８】
さらに前記ギャップ層２０の上に形成された上部磁極層２１は、その上に形成される上部コア層２２と磁気的に接続される。
【００６９】
上記のようにギャップ層２０がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を連続メッキ形成することが可能である。
【００７０】
なお前記磁極部１８は、ギャップ層２０及び上部磁極層２１の２層で構成されていてもよい。
【００７１】
図２に示すように、前記磁極部１８はトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。
【００７２】
図２及び図３に示すように、前記磁極部１８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方向後方（図示Ｙ方向）には例えば無機絶縁材料からなる絶縁層２３が形成されている。前記絶縁層２３の上面は前記磁極部１８の上面と同一平面とされる。
【００７３】
図３に示すように、前記絶縁層２３上にはコイル層２４が螺旋状にパターン形成されている。また前記コイル層２４上は有機絶縁材料製の絶縁層２５によって覆われている。なお前記コイル層２４は絶縁層を挟んで２層以上積層された構成であっても良い。
【００７４】
図３に示すように、磁極部１８上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。図２に示すように、前記上部コア層２２の先端部２２ａは、記録媒体との対向面でのトラック幅方向における幅寸法がＴ１で形成され、かかる幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【００７５】
また図３に示すように、前記上部コア層２２の基端部２２ｂは、下部コア層７上に形成された磁性材料製の接続層（バックギャップ層）２６上に直接接続されている。
【００７６】
本発明では、前記上部磁極層２１、前記下部磁極層１９、又は、前記上部磁極層２１及び下部磁極層１９が、上記した第３の軟磁性膜で形成される。
【００７７】
前記軟磁性膜は、Ｐｄを含み、Ｐｄを含まないＮｉＦｅ合金に比べて耐食性に優れる。また飽和磁束密度Ｂｓなどの膜特性にも優れ、本発明のＦｅＮｉＰｄ合金を磁極層として使用することで前記磁極層のギャップ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが可能になっている。
【００７８】
ところで今後の高記録密度化が進むにつれて狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドの構造が要望される。
【００７９】
図２及び図３に示す薄膜磁気ヘッドは、下部コア層７と上部コア層２２との間にトラック幅Ｔｗで形成された磁極部１８が設けられており、前記磁極部１８は前記コア層とは別工程で形成される。図２及び図３に示す薄膜磁気ヘッドの構造は、図１に示すような下部コア層７上にギャップ層８を介して上部コア層１０を対向させる構造よりも、より適切に狭トラック化に対応可能なものとなっている。
【００８０】
前記磁極部１８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、約０．１μｍ〜０．５μｍ程度であることが好ましく、また奥行き（図示Ｙ方向）の寸法もその程度であり、高さ寸法（図示Ｚ方向）は、前記幅寸法の２倍から５倍程度である。
【００８１】
このような極めて狭い空間に形成される磁極部１８を構成する下部磁極層１９及び上部磁極層２１は、非常に高い飽和磁束密度Ｂｓが要求されると共に膜面の面粗れもより小さいことが好ましい。図１に示す薄膜磁気ヘッドのように比較的広い領域に形成される上部コア層１０や下部コア層７の形成時には、さほど問題とならない面粗れでも図２の構造の薄膜磁気ヘッドでは、極めて狭い空間の中に耐食性に優れる所定形状の磁極層１９、２１を形成できなくなる。
【００８２】
従って図２及び図３のように、下部コア層７と上部コア層２２間にトラック幅Ｔｗで形成された磁極部１８を有する薄膜磁気ヘッドでは、前記上部磁極層２１、前記下部磁極層１９、前記上部磁極層２１及び前記下部磁極層１９を、上記した第３の軟磁性膜で形成する。
【００８３】
すなわち前記上部磁極層２１、前記下部磁極層１９、又は前記上部磁極層２１及び前記下部磁極層１９を、組成式がＦｅXＮｉYＰｄZで示され、Ｆｅの組成比Ｘは６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙは２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚは、１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％である軟磁性膜で形成する。
【００８４】
この第３の軟磁性膜は飽和磁束密度Ｂｓが１．９Ｔ以上であり、また膜面の中心線平均粗さＲａは５ｎｍ以下である。したがってこの第３の軟磁性膜を図２及び図３に示す下部磁極層１９や上部磁極層２１に使用することで、狭トラック化にしたことの優位性をより効果的に確保でき、高記録密度化に適切に対応でき耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８５】
図４は、本発明における他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図５は図４に示す一点鎖線から薄膜磁気ヘッドを切断し矢印方向から見た縦断面図である。
この実施形態では、再生用ヘッド部ｈ１の構造は図１ないし図３と同じである。
【００８６】
図４に示すように下部コア層７上には、例えば無機絶縁材料で形成された絶縁層３１が形成されている。前記絶縁層３１には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に所定の長さ寸法で形成されたトラック幅形成溝３１ａが形成されている。前記トラック幅形成溝３１ａは記録媒体との対向面においてトラック幅Ｔｗで形成されている（図４を参照のこと）。
【００８７】
前記トラック幅形成溝３１ａには、下から下部磁極層３２、非磁性のギャップ層３３、及び上部磁極層３４が積層された磁極部３０が形成されている。
【００８８】
前記下部磁極層３２は、下部コア層７上に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層３２の上に形成されたギャップ層３３は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
【００８９】
なお本発明における具体的な実施形態として前記ギャップ層３３にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰで前記ギャップ層３３を形成することで前記ギャップ層３３を適切に非磁性状態にできるからである。
【００９０】
なお前記磁極部３０は、ギャップ層３３及び上部磁極層３４の２層で構成されていてもよい。
【００９１】
前記ギャップ層３３の上には、記録媒体との対向面からギャップデプス（Ｇｄ）だけ離れた位置から絶縁層３１上にかけてＧｄ決め層３７が形成されている。前記Ｇｄ決め層３７は例えば有機絶縁材料で形成される。
【００９２】
さらに前記ギャップ層３３の上に形成された上部磁極層３４は、その上に形成される上部コア層４０と磁気的に接続される。
【００９３】
上記のようにギャップ層３３がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３２、ギャップ層３３及び上部磁極層３４を連続メッキ形成することが可能である。
【００９４】
図５に示すように前記絶縁層３１の上にはコイル層３８が螺旋状にパターン形成されている。前記コイル層３８は有機絶縁材料などで形成された絶縁層３９によって覆われている。
【００９５】
図４に示すように、トラック幅規制溝３１ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面には、前記上部磁極層３４の上面から前記絶縁層３１の上面３１ｂにかけて下部コア層７から離れる方向にしたがって徐々に幅寸法が広がる傾斜面３１ｃ，３１ｃが形成されている。
【００９６】
そして図４に示すように上部コア層４０の先端部４０ａは、前記上部磁極層３４上面から前記傾斜面３１ｃ，３１ｃ上にかけて下部コア層７から離れる方向に形成されている。
【００９７】
図５に示すように前記上部コア層４０は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて絶縁層３９上に形成され、前記上部コア層４０の基端部４０ｂは下部コア層７上に直接形成されている。
【００９８】
図４及び図５に示す実施形態では、下部磁極層３２、上部磁極層３４、又は下部磁極層３２及び上部磁極層３４が、上記した第３の軟磁性膜で形成される。
【００９９】
前記軟磁性膜は、Ｐｄを含み、Ｐｄを含まないＮｉＦｅ合金に比べて耐食性に優れる。また飽和磁束密度Ｂｓなどの膜特性にも優れ、前記磁極層として使用しても前記磁極層のギャップ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが可能になっている。
【０１００】
また極めて狭い空間に形成される磁極部３０を構成する下部磁極層３２及び上部磁極層３４は、非常に高い飽和磁束密度Ｂｓが要求されると共に膜面の面粗れもより小さいことが好ましい。従って図４及び図５のように、下部コア層７と上部コア層２２間にトラック幅Ｔｗで形成された磁極部３０を有する薄膜磁気ヘッドでは、前記上部磁極層３２、前記下部磁極層３４、又は前記上部磁極層３２及び前記下部磁極層３４を、上記した第３の軟磁性膜で形成する。
【０１０１】
すなわち前記上部磁極層３２、前記下部磁極層３４、、又は前記上部磁極層３２及び前記下部磁極層３４を、組成式がＦｅXＮｉYＰｄZで示され、Ｆｅの組成比Ｘは６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙは２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚは、１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％である軟磁性膜で形成する。
【０１０２】
この第３の軟磁性膜は飽和磁束密度Ｂｓが１．９Ｔ以上であり、また膜面の中心線平均粗さＲａは５ｎｍ以下である。従って、前記第３の軟磁性膜を前記上部磁極層３２、前記下部磁極層３４、、又は前記上部磁極層３２及び前記下部磁極層３４に使用することで狭トラック化にしたことの優位性をより効果的に確保でき、高記録密度化に適切に対応でき耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１０３】
また本発明では、図２ないし図５に示す前記下部磁極層１９，３２、前記上部磁極層２１，３４、又は前記下部磁極層１９，３２及び前記上部磁極層２１，３４は２層以上の磁性層が積層されて構成されていてもよい。かかる構成の場合、ギャップ層２０，３３に接する側の磁性層を本発明におけるＦｅＮｉＰｄ合金で形成することが好ましい。また特に前記ギャップ層２０，３３に接する側の磁性層を上記した第３の軟磁性膜で形成することが好ましい。これによってギャップ近傍に磁束をより集中させることができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１０４】
また前記ギャップ層２０，３３に接する磁性層以外の他の磁性層は、如何なる材質、組成比の磁性材料で形成されても良いが、前記ギャップ層２０，３３に接する側の磁性層よりも飽和磁束密度Ｂｓが小さくなることが好ましい。これにより前記他の磁性層からギャップ層２０，３３に接する側の磁性層に適切に記録磁界が導かれ高記録密度化を図ることが可能になる。
【０１０５】
また下部磁極層１９，３２の飽和磁束密度Ｂｓは高いことが好ましいが、上部磁極層２１，３４の飽和磁束密度Ｂｓよりも低くすることにより、下部磁極層と上部磁極層との間における洩れ磁界を磁化反転しやすくすると、より記録媒体への信号の書込み密度を高くできる。
【０１０６】
図６は他の形態の薄膜磁気ヘッド（参考例）の縦断面図である。
図１の薄膜磁気ヘッドの構造とよく似ているが、違いは、上部コア層１０が２層の磁性層で積層されて構成されていることである。
【０１０７】
前記上部コア層１０は、高い飽和磁束密度Ｂｓを有する高Ｂｓ層４７とその上に積層された上層４８とで構成されている。
【０１０８】
前記高Ｂｓ層４７、前記下部コア層７、又は前記高Ｂｓ層４７及び下部コア層７は、上記した第１の軟磁性膜、第２の軟磁性膜および第３の軟磁性膜のいずれかで形成される。
【０１０９】
これら軟磁性膜は、いずれもＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上の元素αを含み、前記元素αを含まないＮｉＦｅ合金に比べて耐食性に優れる。また飽和磁束密度Ｂｓなどの膜特性にも優れ、前記磁極層として使用しても前記磁極層のギャップ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが可能になっている。
【０１１０】
前記上部コア層１０を構成する上層４８は、高Ｂｓ層４７に比べて飽和磁束密度Ｂｓが小さくなっているものの、前記高Ｂｓ層４７よりも比抵抗が高くされている。前記上層４８は例えばＮｉ80Ｆｅ20合金で形成される。
【０１１１】
これによって前記高Ｂｓ層４７が前記上層４８よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、ギャップ近傍に磁束を集中させて、記録分解能を向上させることが可能になる。
【０１１２】
また前記上部コア層４６に比抵抗の高い上層４８が設けられたことで、記録周波数が上昇することにより発生する渦電流による損失を低減させることができ、今後の高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１１３】
また図６に示すように、高Ｂｓ層４７が、ギャップ層４１と対向する下層側に形成されていることが好ましい。また前記高Ｂｓ層４７はギャップ層４１上に直接接する上部コア層４６の先端部４６ａのみに形成されていてもよい。
【０１１４】
また下部コア層７も、高Ｂｓ層と高比抵抗層の２層で構成されていてもよい。かかる構成の場合、高比抵抗層の上に高Ｂｓ層が積層され、前記高Ｂｓ層がギャップ層４１を介して上部コア層１０と対向する。
【０１１５】
また図６に示す形態では、上部コア層１０が２層の積層構造となっているが、３層以上であってもよい。かかる構成の場合、高Ｂｓ層４７は、磁気ギャップ層４１に接する側に形成されることが好ましい。
【０１１６】
図７は他の形態の薄膜磁気ヘッド（参考例）の縦断面図である。
図７の形態では再生用ヘッド部ｈ１の構成は図１と同じである。図７に示すように下部コア層７の上に下部磁極層５０が記録媒体との対向面から隆起形成されている。前記下部磁極層５０のハイト方向後方（図示Ｙ方向）には絶縁層５１が形成されている。前記絶縁層５１の上面は、凹形状となり、コイル形成面５１ａが形成されている。
【０１１７】
前記下部磁極層５０上から前記絶縁層５１上にかけてギャップ層５２が形成されている。さらに前記絶縁層５１のコイル形成面５１ａ上にはギャップ層５２を介してコイル層５３が形成されている。前記コイル層５３上は有機絶縁製の絶縁層５４によって覆われている。
【０１１８】
図７に示すように上部コア層５５は、前記ギャップ層５２上から絶縁層５４上にかけて例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。
【０１１９】
前記上部コア層５５の先端部５５ａは前記ギャップ層５２上に下部磁極層５０と対向して形成される。前記上部コア層５５の基端部５５ｂは、下部コア層７上に形成された持上げ層５６を介して前記下部コア層７に磁気的に接続される。
【０１２０】
この形態においては、上部コア層５５、下部磁極層５０、又は上部コア層５５及び下部磁極層５０が、上記した第１の軟磁性膜、第２の軟磁性膜および第３の軟磁性膜のいずれかで形成される。
【０１２１】
これら軟磁性膜は、いずれもＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上の元素αを含み、前記元素αを含まないＮｉＦｅ合金に比べて耐食性に優れる。また図７では下部磁極層５０が形成され、前記下部磁極層５０が下部コア層７よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを有するＦｅＮｉα合金で形成されると、ギャップ近傍に磁束を集中させることができ記録密度の向上を図ることが可能である。
【０１２２】
また上部コア層５５は、その全体が前記ＦｅＮｉα合金で形成されていてもよいが、図６と同様に前記上部コア層５５が２層以上の磁性層の積層構造であり、そのギャップ層５２と対向する側が高Ｂｓ層として前記ＦｅＮｉα合金膜で形成されていてもよい。またかかる場合、前記上部コア層５５の先端部５５ａのみが２層以上の磁性層の積層構造で形成され、前記ギャップ層５２上に接して高Ｂｓ層が形成されていることが、ギャップ近傍に磁束を集中させ、記録密度を向上させる点からして好ましい。
【０１２３】
なお、図１ないし図７に示す各形態においてＦｅＮｉα合金膜（図２ないし図５に示す実施形態では、ＦｅＮｉＰｄ合金膜）はメッキ形成されている。前記ＦｅＮｉα合金をパルス電流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成することができる。また前記ＦｅＮｉα合金をメッキ形成することで任意の膜厚で形成でき、スパッタで形成するよりも厚い膜厚で形成することが可能になる。
【０１２４】
また各形態において、符号７の層は、下部コア層と上部シールド層の兼用層となっているが、前記下部コア層と上部シールド層とが別々に形成されていてもよい。かかる場合、前記下部コア層と上部シールド層間には絶縁層を介在させる。
【０１２５】
次に図１ないし図７に示す薄膜磁気ヘッドの一般的な製造方法について以下に説明する。
【０１２６】
図１に示す薄膜磁気ヘッド（参考例）は、まず下部コア層７上にギャップ層８を形成し、前記ギャップ層８の上にコイル層９をパターン形成する。前記コイル層９上に絶縁層１１を形成した後、ギャップ層８から前記絶縁層１１上にかけて上部コア層１０をフレームメッキ法によりパターン形成する。
【０１２７】
図２及び図３に示す薄膜磁気ヘッド（実施形態）は、下部コア層７上にＧｄ決め層１７を形成した後、レジストを用いて記録媒体との対向面からハイト方向に下部磁極層１９、非磁性のギャップ層２０及び上部磁極層２１から成る磁極部１８を連続メッキによって形成する。次に前記磁極部１８のハイト方向後方に絶縁層２３を形成した後、例えばＣＭＰ技術を用いて前記磁極部１８の上面と前記絶縁層２３の上面とを同一平面に平坦化する。前記絶縁層２３の上にコイル層２４を螺旋状にパターン形成した後、前記コイル層２４の上に絶縁層２５を形成する。そして前記磁極部１８上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２を例えばフレームメッキ法により形成する。
【０１２８】
図４及び図５に示す薄膜磁気ヘッド（実施形態）は、下部コア層７上に絶縁層３１を形成した後、レジストを用いて前記絶縁層３１の記録媒体との対向面からハイト方向後方に向けてトラック幅形成溝３１ａを形成する。さらに前記トラック幅形成溝３１ａに図４に示す傾斜面３１ｃ，３１ｃを形成する。
【０１２９】
前記トラック幅形成溝３１ａ内に、下部磁極層３２、非磁性のギャップ層３３を形成する。前記ギャップ層３３上から絶縁層３１上にＧｄ決め層３７を形成した後、前記ギャップ層３３上に上部磁極層３４をメッキ形成する。次に前記絶縁層３１上にコイル層３８を螺旋状にパターン形成した後、前記コイル層３８上に絶縁層３９を形成する。そして前記上部磁極層３４上から絶縁層３９上にかけて上部コア層４０を例えばフレームメッキ法にて形成する。
【０１３０】
図６に示す薄膜磁気ヘッド（参考例）は、まず下部コア層７上にギャップ層４１を形成し、さらに絶縁層４３を形成した後、前記絶縁層４３の上にコイル層４４をパターン形成する。前記コイル層４４上に絶縁層４５を形成した後、ギャップ層４１から前記絶縁層４５上にかけて高Ｂｓ層４７と上層４８からなる上部コア層１０をフレームメッキ法によりパターン形成する。
【０１３１】
図７に示す薄膜磁気ヘッド（参考例）は、まず下部コア層７上にレジストを用いて下部磁極層５０を形成し、さらに前記下部磁極層５０のハイト方向後方に絶縁層５１を形成する。前記下部磁極層５０と前記絶縁層５１の上面はＣＭＰ技術によって一旦平坦化された後、前記絶縁層５１の上面に凹形状となるコイル形成面５１ａを形成する。次に前記下部磁極層５０上から前記絶縁層５１上にギャップ層５２を形成した後、前記ギャップ層５２上にコイル層５３を螺旋状にパターン形成し、さらに前記コイル層５３上に絶縁層５４を形成する。そして、前記ギャップ層５２上から絶縁層５４上にかけて上部コア層５５を例えばフレームメッキ法によりパターン形成する。
【０１３２】
次に、軟磁性膜の製造方法について説明する。第１の軟磁性膜（参考例）は電解メッキ法により形成されたものである。
【０１３３】
まず第１の軟磁性膜（ＦｅＮｉＰｄ）について製造方法を説明する。電解メッキ工程において、ＦｅイオンとＮｉイオンを含有するメッキ浴を用い、前記メッキ浴は、ＰｄＣｌ2が添加されたものであり、前記メッキ浴全体に対するＰｄＣｌ2の添加量が、０．０１ｇ／ｌ以上で０．１ｇ／ｌ以下であるとする。
【０１３４】
これによりＦｅＮｉＰｄ合金中に含まれるＰｄの組成比を１質量％よりも大きく、１０質量％よりも小さい第１の軟磁性膜をメッキ形成することができる。
【０１３５】
次に第１の軟磁性膜（ＦｅＮｉＲｈ）についての製造方法について説明する。電解メッキ工程において、ＦｅイオンとＮｉイオンを含有するメッキ浴を用い、前記メッキ浴にはＲｈの含有率が１００ｇ／ｌである強酸性Ｒｈ添加液を添加して、前記メッキ浴全体に対するＲｈ添加液の添加量が、０．１ｇ／ｌ以上で０．２ｇ／ｌ以下であるとする。
【０１３６】
これによりＦｅＮｉＲｈ合金中に含まれるＲｈの組成比を１質量％よりも大きく、１０質量％よりも小さい第１の軟磁性膜をメッキ形成することができる。
【０１３７】
次に上記で説明したＦｅの組成比が約５１〜７４質量％、Ｎｉの組成比が約２４〜４６質量％、Ｐｄの組成比が１．１〜４．９質量％であり、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの組成比を足した組成比が１００質量％となる第１の軟磁性膜では、電解メッキ工程において用いるメッキ浴の組成は、ＮｉＣｌ2六水和物（１１７ｇ／ｌ）、ＮｉＳＯ4六水和物（５０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌ（２５ｇ／ｌ）、ホウ酸（２５ｇ／ｌ）、応力緩衝剤であるサッカリンＮａ（２ｇ／ｌ）、界面活性剤のラウリル硫酸Ｎａ（０．０２ｇ／ｌ）からなる従来のＷａｔｔ浴の組成に、ＦｅＳＯ4七水和物と、ＰｄＣｌ2を添加したものであり、ＰｄＣｌ2のメッキ浴全体に対する添加量は、０．０５〜０．１ｇ／ｌである。
【０１３８】
電解メッキ工程において、ＦｅＮｉ合金スパッタ膜を陰極として、メッキ浴にパルス電流を印加する。そして、陰極上にＦｅＮｉＰｄ合金メッキ膜を所望の膜厚に形成して、電解メッキ工程を終了する。
【０１３９】
次に、上記で説明したＦｅの組成比が約７５質量％、Ｎｉの組成比が約１６質量％、Ｒｈの組成比が約９質量％であり、Ｆｅ75Ｎｉ16Ｒｈ9なる第１の軟磁性膜では、電解メッキ工程において用いるメッキ浴の組成は、従来のＷａｔｔ浴の組成に、ＦｅＳＯ4七水和物と、Ｒｈの含有率が１００ｇ／ｌである硫酸系Ｒｈ添加液（エヌ・イーケムキャット（株）製Ｒｈメッキ液「ＲＨ−＃２２１」）を添加したものであり、Ｒｈ添加液のメッキ浴全体に対する添加量は、０．１１ｇ／ｌである。
【０１４０】
電解メッキ工程において、ＦｅＮｉＰｄ合金の形態と同様、ＦｅＮｉ合金スパッタ膜を陰極として、メッキ浴にパルス電流を印加する。そして、陰極上にＦｅＮｉＲｈ合金メッキ膜を所望の膜厚に形成して、電解メッキ工程を終了する。
【０１４１】
このように製造された軟磁性膜（ＦｅＮｉＰｄ）のＰｄ組成比は、概ね、ＰｄＣｌ2添加量の増加に伴って高くなる。しかし、ＰｄＣｌ2添加量が０．０５ｇ／ｌ〜０．１０ｇ／ｌの範囲において、ＰｄＣｌ2添加量が同等であっても軟磁性膜のＰｄ組成比が異なる場合があり、Ｎｉの組成比が同等である場合、Ｆｅの組成比が高くなるほど減少する傾向がある。
【０１４２】
なお上記の第１の軟磁性膜をパルス電流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成しているが、これによってメッキ形成時に、電流を流す時間と、電流を流さない空白な時間を設けることができる。このように電流を流さない時間を設けることで、ＦｅＮｉα合金膜を、少しずつメッキ形成し、そしてメッキ浴に占めるＦｅイオンの濃度を増やしても、直流電流を用いた場合に比べメッキ形成時における電流密度の分布の偏りを緩和することが可能になっている。
【０１４３】
なおパルス電流は、例えば数秒サイクルでＯＮ／ＯＦＦを繰返し、デューティ比を０．１〜０．５程度にすることが好ましい。パルス電流の条件は、ＦｅＮｉα合金の平均結晶粒径及び膜面の中心線平均粗さＲａに影響を与える。
【０１４４】
上記のようにパルス電流による電気メッキ法では、メッキ形成時における電流密度の分布の偏りを緩和することができるから、直流電流による電気メッキ法に比べてＦｅＮｉα合金に含まれるＦｅ含有量を増やすことが可能になる。
【０１４５】
前記パルス電流による電気メッキ法により、直流電流を用いた電気メッキ法に比べて、組成比の調整の自由度が増し、ＦｅＮｉα合金のＦｅの組成比を５５質量％以上で９０質量％以下に容易に調整することができ、また好ましくは７２質量以上あるいは６８質量％以上に容易に調整することができる。
【０１４６】
次に第２の軟磁性膜（参考例）、および第３の軟磁性膜（実施形態）の製造方法について以下に説明する。
【０１４７】
メッキ浴中のＦｅイオン濃度を、１．０ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｎｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で４０ｇ／ｌ以下とし、元素α（ただし元素αは、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種または２種以上）のイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．２ｇ／ｌ以下とし、パルス電流を用いた電気メッキ法によりＦｅＮｉα合金をメッキ形成する。
【０１４８】
これにより、Ｆｅの組成比ｄが５８質量％以上で７７質量％以下、Ｎｉの組成比ｅが１８質量％以上で３７質量％以下、元素αの組成比ｆが、１質量％以上で１２質量％以下であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００質量％となるＦｅdＮｉeαf合金（第２の軟磁性膜）を容易にしかも再現性良くメッキ形成することができる。
【０１４９】
この製造方法では主として２つの特徴点がある。一つは電気メッキ法としてパルス電流を用いたことである。二つ目は、Ｎｉイオン濃度を低くしたことである。従来では一般的にメッキ浴中でのＮｉイオン濃度は４０ｇ／ｌ程度であった。これに対し上記では前記Ｎｉイオン濃度を従来よりも低濃度にしたのである。これによりメッキ形成時における攪拌効果を上げることができ、メッキ形成面にメッキ液に含まれるＦｅイオン及び元素αイオンの出入り（置換）を良くし、上記した組成を有するＦｅＮｉα合金を容易にしかも再現性良くメッキ形成できるのである。
【０１５０】
また上記したイオン濃度を有するメッキ浴であれば元素αの組成を上げることができ、前記元素αの組成比を最大で１２質量％まで大きくできる。
【０１５１】
次に本発明では前記Ｎｉイオン濃度を１０ｇ／ｌ以下にする。
また本発明では、Ｐｄのイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．０５ｇ／ｌ以下にする。
【０１５２】
上記のようにＮｉイオン濃度やＰｄのイオン濃度が設定されたメッキ浴では、本発明における第３の軟磁性膜を容易にしかも再現性良くメッキ形成することができる。
【０１５３】
すなわち本発明では、上記のメッキ浴を用いて、Ｆｅの組成比Ｘが６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙが２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚが１質量％以上で７質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％となるＦｅXＮｉYＰｄZ合金（第３の軟磁性膜）をメッキ形成することができる。
【０１５４】
上記のメッキ浴ではＮｉイオン濃度がさらに低濃度にされているから、攪拌効果をさらに高めることができ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの組成比の調整の自由度を増すことができる。そして上記イオン濃度を有するメッキ浴組成であれば、第３の軟磁性膜を容易にしかも再現性良くメッキ形成することが可能になる。
【０１５５】
ところでこれら上記した軟磁性膜の製造方法は、図１に示す下部コア層７、上部コア層１０、又は下部コア層７及び上部コア層１０の形成時、図６に示す下部コア層７、高Ｂｓ層４７、又は下部コア層７及び高Ｂｓ層４７の形成時、図７に示す下部磁極層５０、上部コア層５５、又は下部磁極層５０及び上部コア層５５の形成時にそれぞれ適用される。
【０１５６】
そして上記軟磁性膜の製造方法を用いることで、図１ないし図７に示す構造の薄膜磁気ヘッドのコア層あるいは磁極層を容易にしかも再現性良くメッキ形成することが可能になる。
【０１５７】
図２ないし図５に示す実施形態では、第３の軟磁性膜の製造方法を用いて、下部磁極層１９、３２、上部磁極層２１、３４、又は下部磁極層１９、３２及び上部磁極層２１、３４をメッキ形成する。
【０１５８】
図２、３に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層７上にレジスト層を形成し、このレジスト層に露光現像によって溝を形成する。そしてこの溝内に前記磁極部１８がメッキ形成されるのであるが、前記溝のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法は狭トラック化に適切に対応するためには、０．１μｍから０．５μｍ程度であることが好ましく、また奥行き（図示Ｙ方向）の寸法もその程度であり、また高さ寸法（図示Ｚ方向）は、幅寸法の２倍から５倍程度である。
【０１５９】
このような極めて狭い空間内に下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を適切にメッキ形成するには、この空間内でメッキ液に含まれるＦｅイオンやＰｄイオンの出入り（置換）を良好にしなければ、磁極層に含まれるＦｅ組成は急激に低下しやすく高い飽和磁束密度Ｂｓを有する磁極をメッキ形成できない一方、Ｆｅ量やＰｄ量が多すぎると膜面の面粗れが問題となる。このように極めて狭い空間内に形成される磁極層は、面粗れができる限り小さくされないと腐食しやすいため膜面の中心線平均粗さＲａが小さくなる組成で前記磁極層を形成する必要がある。
【０１６０】
そのため、メッキ浴のＮｉイオン濃度を低濃度にし攪拌効果を高めることが必要であり、そのためにはメッキ浴中におけるＮｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下に設定し、またＰｄのイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．０５ｇ／ｌ以下に設定する。
【０１６１】
Ｎｉイオン濃度を低濃度にしたことで攪拌効果が向上しＦｅＮｉＰｄ合金中に含まれるＦｅ量を増やすことができ、本発明によれば、前記Ｆｅ組成比を６５質量％以上で７４質量％以下に設定できる。さらにＰｄの組成比を１質量％以上で７質量％以下に設定できる。またＮｉの組成比を２５質量％以上で３４質量％以下に設定できる。
【０１６２】
そして上記の組成比を有する第３の軟磁性膜であれば、１．９Ｔ以上の高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることができると共に、膜面の中心線平均粗さＲａを５ｎｍ以下に抑えることができ、したがって極めて小さい空間内に飽和磁束密度Ｂｓが高く耐食性にも優れた磁極層を容易にしかも再現性良くメッキ形成することが可能になるのである。
【０１６３】
なおＦｅＮｉα合金の用途として図１ないし図７に示す薄膜磁気ヘッドを提示したが、この用途に限定されるものではない。例えば前記ＦｅＮｉα合金は、薄膜インダクタ等の平面型磁気素子等にも使用可能である。
【０１６４】
【実施例】
次に、本発明の軟磁性膜の実施例について説明する。
実験では、表１に示すメッキ浴を用い、パルス電流を用いてＦｅＮｉＰｄ合金、あるいはＦｅＮｉＲｈ合金をメッキ形成した。また比較例として表１に示すメッキ浴を用い、パルス電流を用いてＦｅＮｉ合金をメッキ形成した。
【０１６５】
なおこの実験では、基板上にベタ膜で上記したＦｅＮｉＰｄ合金、ＦｅＮｉＲｈ合金及びＦeＮｉ合金をメッキ形成した。メッキ浴温度は３０℃程度であり、電極のｐＨは約３．３、電流密度は約２１（ｍＡ／ｃｍ2）であった。
【０１６６】
【表１】
0003756778.tif 000002
【０１６７】
そして実施例１、参考例１〜１２、及び比較例１（従来の軟磁性膜）、比較例２の軟磁性膜についてＦｅ、Ｎｉ、Ｐｄの組成比、応力、保磁力（磁化困難軸・磁化容易軸）、異方性磁界、飽和磁束密度Ｂｓ、比抵抗を測定しその実験結果を表２に示した。
【０１６８】
【表２】
0003756778.tif 000003
【０１６９】
まず参考例１ないし８の実験結果について説明する。
これら軟磁性膜の耐食性は、耐湿試験により評価して、耐湿試験は、温度８０℃、湿度９０％の条件下に９６時間曝すものである。
【０１７０】
耐湿試験後、軟磁性膜表面の腐食状態を、顕微鏡（×６０）により観察して、耐食性を、腐食状態が比較例１（従来の軟磁性膜）とほぼ同様である場合○、比較例１よりも劣る場合×、比較例よりも大きく向上した場合◎として示している。
【０１７１】
参考例１〜４は、Ｆｅの組成比が約５１〜５３質量％とほぼ等しく、Ｎｉの組成比が４２〜４６質量％であり、Ｐｄの組成比が１．１〜４．９質量％である。参考例１、２は、Ｆｅの組成比がほぼ同等でありＰｄを含まない比較例１よりも、僅かながら耐食性が向上した。また、参考例３、４は、従来の軟磁性膜である比較例１から耐食性が大きく向上して、特に、参考例４では、耐食試験後の表面に腐食部が認められなかった。
【０１７２】
参考例５は、Ｆｅの組成比が７２．５質量％であり、Ｐｄ組成比は、参考例３とほぼ等しく３．５質量％であるが、Ｆｅの組成比が同等でありＰｄを含まない比較例２よりも、耐食性が大きく向上して、従来の軟磁性膜である比較例１よりも若干高い耐食性を示した。
【０１７３】
参考例６、７は、Ｆｅの組成比がほぼ等しく、Ｐｄの組成比がそれぞれ、１．７、２．２質量％である。参考例６、７では、Ｐｄの組成比が２質量％程度と低いにも関わらず、Ｆｅの組成比がほぼ同等でありＰｄを含まない比較例２よりも、耐食性が大きく向上して、従来の軟磁性膜である比較例１よりも若干高い耐食性を示した。
【０１７４】
参考例８は、Ｆｅの組成比が７５質量％であり、Ｒｈの組成比が９質量％である。参考例８は、Ｆｅの組成比が同等な実施例５同様、Ｆｅの組成比がほぼ同等でありＲｈを含まない比較例２よりも耐食性が大きく向上して、従来の軟磁性膜である比較例１よりも若干高い耐食性を示した。
【０１７５】
参考例１〜４の応力、保磁力、異方性磁界及び飽和磁束密度Ｂｓ、比抵抗は、Ｆｅの組成比がほぼ同等でありＰｄを含まない比較例１から大きな変化は認められなかった。
【０１７６】
また、参考例５〜７の飽和磁束密度Ｂｓ、比抵抗は、Ｆｅの組成比がほぼ同等でありＰｄを含まない比較例２から大きく変化しておらず、飽和磁束密度Ｂｓは、約１．９Ｔである。
【０１７７】
以上のことから、ＦｅＮｉ合金にＰｄやＲｈを含有させることで、軟磁性膜の耐食性を向上させることができ、しかもＦｅ量が同等であり、Ｐｄ等の貴金属を含まないＦｅＮｉ合金と比較しても、飽和磁束密度Ｂｓなどの膜特性はさほど変わらないことがわかった。
【０１７８】
次に参考例９ないし１２、及び実施例１について説明する。参考例９ないし１２、及び実施例１は、参考例１ないし８と比較するとメッキ浴中のＮｉイオン濃度が低くされている（表１を参照のこと）。参考例１ないし８では、概ね前記Ｎｉイオン濃度は４０ｇ／ｌである。これは従来一般的にメッキ浴中に含まれるＮｉイオン濃度に等しいが、参考例９ないし１２、及び実施例１では、Ｎｉイオン濃度を４０ｇ／ｌの１／４に相当する１０ｇ／ｌ程度にまで低くした。
【０１７９】
これによって攪拌効果を向上させることができ、メッキ形成面でのメッキ液の置換が適切に行なわれる。このため表１に示すように、参考例９ないし１２、及び実施例１でのメッキ浴中におけるＦｅイオン濃度は、参考例１ないし８でのＦｅイオン濃度より低いにも関わらず、表２に示すように参考例９ないし１２、及び実施例１でのＦｅＮｉＰｄ合金中に含まれるＦｅ量を、参考例１ないし８のそれよりも大きくできあるいは同程度にすることができる。
【０１８０】
また表２に示すように参考例９ないし１２、及び実施例１のＦｅＮｉＰｄ合金中に含まれるＰｄ量を、参考例１ないし８のＦｅＮｉＰｄ合金のＰｄ量よりも同等以上にでき、最大で１２質量％にまで大きくできたことがわかる。
【０１８１】
また参考例９ないし１２、及び実施例１の飽和磁束密度Ｂｓは、組成比によっては１．９Ｔを越えるものがあり、かなり高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能であることがわかる。
【０１８２】
また耐食性については上記した方法と同じ方法で測定した結果、参考例９ないし１２、及び実施例１いずれにおいても優れた耐食性を示した。
【０１８３】
上記した実験結果に基づいて、飽和磁束密度Ｂｓを１．８Ｔ以上確保でき、また耐食性に優れるＦｅＮｉＰｄ合金の組成範囲を設定した。
【０１８４】
図８は、ＦｅＮｉＰｄ合金の三元図である。この三元図上でＦｅ組成比を５８質量％以上で７７質量％以下、Ｎｉ組成比を１８質量％以上で３７質量％以下、Ｐｄの組成比を１質量％以上で１２質量％以下で、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの組成比を足した総合の組成比が１００質量％となる組成範囲（１）を、ベタ膜時における好ましい組成範囲と設定した。
【０１８５】
この組成範囲には参考例５ないし１２、及び実施例１のいずれもが当てはまる。参考例５ないし１２、及び実施例１のいずれでも飽和磁束密度Ｂｓは１．８Ｔを越え、また膜面の中心線平均粗さＲａは１０ｎｍ以下であることがわかった。このように図８の組成範囲（１）で形成されたＦｅＮｉＰｄ合金は高い飽和磁束密度Ｂｓを有すると共に耐食性にも優れた軟磁性膜としてメッキ形成できることがわかった。
【０１８６】
なおこの組成範囲（１）のＦｅＮｉＰｄ合金を得るには、表１から、メッキ浴中のＦｅイオン濃度を、１．０ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｎｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で４０ｇ／ｌ以下とし、Ｐｄのイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．２ｇ／ｌ以下とすることが好ましいと設定した。なおＮｉイオン濃度の下限値を５ｇ／ｌとしたのは、これよりも小さくなると濃度が薄すぎてメッキ浴の安定性が低下して所望の組成比を有するＦｅＮｉＰｄをメッキ形成できないからである。
【０１８７】
なおこのとき電気メッキ法には、パルス電流を用いた電気メッキ法を使用する。またＰｄ以外の貴金属、具体的にはＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの場合も同様に上記したメッキ浴組成を使用すれば、高い飽和磁束密度Ｂｓを有すると共に耐食性にも優れた軟磁性膜を得ることができると考えられる。
【０１８８】
次に本発明では、図２、３に示す形態の薄膜磁気ヘッドの磁極部１８の部分のように極めて狭い空間内に軟磁性膜をメッキ形成し、そのときの膜特性を調べた。
【０１８９】
実験では、基板上にレジスト層を塗布し、このレジスト層に露光現像によって溝を形成した。この溝の大きさは幅が概ね０．４μｍ、長さが概ね０．５μｍ、高さが概ね２．５μｍであった。
【０１９０】
そして前記レジスト層に形成された溝内にＦｅＮｉＰｄからなる軟磁性膜をパルス電流を用いた電気メッキ法を用いてメッキ形成した。そのときのメッキ浴組成は表３に示されている。なお実験時のメッキ浴温度は３０℃程度であり、電極のｐＨは約３．３、電流密度は約８５（ｍＡ／ｃｍ2）であった。
【０１９１】
【表３】
0003756778.tif 000004
【０１９２】
比較例３及び参考例１３では、いずれもメッキ浴中におけるＮｉイオン濃度を約４０ｇ／ｌとしている。これを基準としてＮｉイオン濃度を１／３とした参考例が、参考例１４と参考例１５であり、Ｎｉイオン濃度を１／４とした実施例、及び参考例が、実施例２ないし５、参考例１６である。
【０１９３】
表３に示されたメッキ浴で形成された軟磁性膜の組成比等を測定し、その実験結果が表４に示されている。
【０１９４】
【表４】
0003756778.tif 000005
【０１９５】
表４に示すように参考例１３ないし１６、実施例２ないし５におけるＦｅＮｉＰｄ合金は、比較例３のＦｅＮｉ合金よりも耐食性に優れることがわかった。なお軟磁性膜の耐食性は、耐湿試験により評価して、耐湿試験は、温度８０℃、湿度９０％の条件下に９６時間曝して行った結果である。
【０１９６】
図９は、表４に示す実施例４のＦｅＮｉＰｄ合金と比較例３のＦｅＮｉ合金との耐食性を調べた実験結果である。実験は上記と同様に耐湿試験により評価して、耐湿試験は、温度８０℃、湿度９０％の条件下に９６時間曝して行った。
【０１９７】
また実験では、実施例４のＦｅＮｉＰｄ合金膜で形成された磁極層が数千個形成された基板（ウエハー）を３つ用意し、同様に比較例３のＦｅＮｉ合金膜で形成された磁極層が数千個形成された基板（ウエハー）を３つ用意した。各基板において１００個のＮｉＦｅＰｄ合金膜及びＦｅＮｉ合金膜を選択し、その選択された各合金膜で形成された磁極層の腐食具合を調べた。そして腐食されていなかった磁極層の割合をパーセンテージで示した。それが図９の実験結果である。
【０１９８】
図９に示すように、ＦｅＮｉＰｄ合金膜で形成された磁極層は３つの基板ともにほぼ１００％近く腐食されていないことがわかった。一方、ＦｅＮｉ合金膜で形成された磁極層の腐食のない割合はＦｅＮｉＰｄ合金膜に比べて極めて低いことがわかる。
【０１９９】
このようにＦｅＮｉＰｄ合金膜はＦｅＮｉ合金膜に比べて極めて耐食性に優れていることがわかり、従って極めて狭い空間内に磁極層を形成するには、ＦｅＮｉ合金よりもＦｅＮｉＰｄ合金を使用することが効果的に耐食性の向上を図ることができるとわかる。しかも表４に示される参考例１３ないし１６、実施例２ないし５のいずれのＦｅＮｉＰｄ合金においても膜面の中心線平均粗さＲａは５ｎｍ以下であって各実施例とも非常に良好な耐食性を示した。
【０２００】
参考例１４ないし１６、実施例２ないし５は、いずれも表３に示すように、Ｎｉイオン濃度が４０ｇ／ｌよりも小さく、したがってこれら実施例ではメッキ液の攪拌効果を上げることができ、従って極めて狭い空間内にでも、メッキ形成面上にＦｅイオン及びＰｄイオンの出入り（置換）を良好にし、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの各元素の組成比を適正な範囲内に収めることができる。
【０２０１】
そして実験の結果、表４に示されたいずれの実施例のＦｅＮｉＰｄ合金でも飽和磁束密度Ｂｓが１．９Ｔ以上と非常に高く、また上記したように表２のものと比べてさらに膜面の面粗れを小さくでき、従って表４に示されたＦｅＮｉＰｄ合金を、図２ないし図５のように狭トラック化に伴い極めて小さい領域内の磁極部１８の下部磁極層や上部磁極層として使用することに非常に効果的であることがわかった。
【０２０２】
そこで表４に示す各実施例の組成比がすべて当てはまる組成範囲、すなわち図８に示す三元図上でＦｅ組成比を６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉ組成比を２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比を１質量％以上で７質量％以下で、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰｄの組成比を足した総合の組成比が１００質量％となる組成範囲（２）を、磁極層を形成するときの好ましい組成範囲と設定した。
【０２０３】
なおこの組成範囲（２）のＦｅＮｉＰｄ合金を得るには、表３から、メッキ浴中のＦｅイオン濃度を、１．０ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｎｉイオン濃度を５ｇ／ｌ以上で１０ｇ／ｌ以下とし、Ｐｄイオン濃度を０．０１ｇ／ｌ以上で０．０５ｇ／ｌ以下とすることが好ましいと設定した。
【０２０４】
またＰｄ以外の貴金属、具体的にはＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの場合も同様に上記したメッキ浴組成を使用すれば、高い飽和磁束密度Ｂｓを有すると共に耐食性にも優れた軟磁性膜を磁極層として形成することができると考えられる。
【０２０５】
【発明の効果】
Ｆｅの組成比Ｘを６５質量％以上で７４質量％以下、Ｎｉの組成比Ｙを２５質量％以上で３４質量％以下、Ｐｄの組成比Ｚを、１質量％以上で７質量％以下とし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％である軟磁性膜（第３の軟磁性膜）では、高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることができると共に耐食性に非常に優れている。
【０２０６】
また前記軟磁性膜（第３の軟磁性膜）の製造方法では、パルス電流を用いた電気メッキ法を使用するとともに、メッキ浴中に占めるＮｉイオン濃度を低くすることで、攪拌効果を上げることができ、前記軟磁性膜の組成比を有する膜を容易にしかも再現性良く形成することが可能である。
【０２０７】
また本発明では、下部コア層と上部コア層との間にトラック幅を有する磁極部を有する構成の薄膜磁気ヘッドである場合、前記磁極部を構成する下部磁極層、上部磁極層、又は下部磁極層および上部磁極層として上記した軟磁性膜を使用することで、適切に高記録密度化に対応できると共に耐食性にも優れた薄膜磁気ヘッドを容易にしかも再現性良く形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜磁気ヘッドの縦断面図（参考例）、
【図２】本発明の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、
【図３】図２の縦断面図、
【図４】本発明の他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、
【図５】図４の縦断面図、
【図６】他の形態の薄膜磁気ヘッドの縦断面図（参考例）、
【図７】他の形態の薄膜磁気ヘッドの縦断面図（参考例）、
【図８】ＦｅNｉＰｄ合金の好ましい組成範囲を示すための三元図、
【図９】実施例４及び比較例３の軟磁性膜を使用して耐食性の実験を行った結果、腐食されていない軟磁性膜の割合を示すためのグラフ、
【符号の説明】
ｈ２  記録用ヘッド部
Ｇ  書き込みギャップ
７  下部コア層
８  ギャップ層
９  コイル層
１０  上部コア層
１１  絶縁層
１８、３０  磁極部
１９、３２、５０  下部磁極層
２１、３４  上部磁極層
４７  高Ｂｓ層
４８  上層
【図１】
0003756778.tif 000006
【図２】
0003756778.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003756778.tif 000012
【図８】
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【図９】
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