(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小な対象物（Ｗ）をハンドリングするためのハンドリング部を備えたマイクロマニピュレータであって、
前記対象物（Ｗ）を把持する一対の指部材（１４，１５）と、
前記一対の指部材（１４，１５）のうちの少なくとも一方に形成され、前記対象物（Ｗ）を把持する力を検知するための拡散歪みゲージ（１８）と、
前記拡散歪みゲージ（１８）と指部材（１４，１５）のハンドリング部（１６）との間に形成された熱絶縁部（２９）とを一体に備え、前記拡散歪みゲージ（１８）を熱絶縁化したマイクロマニピュレータ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロマニピュレータにおいて、
指部材（１４，１５）は、熱絶縁部（２９）にて区画されていることを特徴とするマイクロマニピュレータ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のマイクロマニピュレータにおいて、ハンドリング部（１６）よりも基端側には薄肉部（２１）を形成し、同薄肉部（２１）に熱絶縁部（２９）を形成したことを特徴とするマイクロマニピュレータ。
【請求項４】
請求項１乃至４のうちいずれかに記載のマイクロマニピュレータにおいて、
前記指部材（１４，１５）は、単結晶シリコン基板により形成され、熱絶縁部（２９）は、二酸化シリコンにて形成されていることを特徴とするマイクロマニピュレータ。
【請求項５】
指部材（１４，１５）となる単結晶シリコン基板（３１）の表面に窒化膜（３０）を形成する工程と、
前記窒化膜（３０）に窓（３０ａ）を形成し、熱酸化を行い、単結晶シリコン基板（３１）に酸化シリコンからなる熱絶縁部（２９）を形成する工程と、
前記指部材（１４，１５）となる単結晶シリコン基板（３１）の表面側に酸化膜（３２）を形成する工程と、
前記熱絶縁部（２９）を境に指部材の先端部側となる部位とは反対側において前記酸化膜（３２）の所定領域に窓（３２ａ）を形成し、その窓（３２ａ）から不純物を添加することによって拡散歪みゲージ（１８）を形成する工程と
からなるマイクロマニピュレータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は微小な対象物のハンドリングが可能なマイクロマニピュレータ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１６に示すように、マイクロマシンの組み立て等に使用されるマイクロマニピュレータ５１は、微小な対象物Ｗを挟持し、目的の場所にハンドリングするようになっている。また、マイクロマニピュレータ５１には、その力を検知するためにバルクの歪みゲージ５２が取着されている。歪みゲージ５２は、マイクロマニピュレータ５１の一方（又は両方）に固着され、そのマニピュレータ５１の撓みに応じた電気信号を検出信号として出力する。この歪みゲージから出力される検出信号に基づいて、マニピュレータ５１の力（挟持力）を検知することができるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、バルクの歪みゲージ５２は、固着する位置によっては検出感度が異なる（検出信号の電圧が異なる）ので、先端から固着する場所までの位置精度が必要となる。しかしながら、歪みゲージ５２を精度良く固着することは難しく、マニピュレータ５１毎に検出感度のばらつきが生じるので、マニピュレータ５１毎に検出感度を補正する必要があり面倒である。
【０００４】
また、微小な対象物Ｗを挟持しようとする場合等においては、マニピュレータ５１の先端部分における撓みを検出する必要がある。しかしながら、歪みゲージ５２を小型化するには限界があるので、先端部に固着することができないという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明者は、上記の問題を解決するために図１５に示すように拡散歪みゲージ５５をマイクロマニピュレータ５４に作りこみすることを提案している。
【０００６】
しかしながら、マニピュレータ５４の先端部のハンドリング部５６と、前記拡散歪みゲージ５５を設けたセンサ部５７とが互いに異なった環境に配置された場合、例えば、図１４に示すようにハンドリング部５６を水５８の中に、センサ部５７を大気中に配置するような場合、次のような問題が生じた。すなわち、水と、空気との温度がそれぞれ異なっている場合、それぞれの部位の熱伝導率の違いから、センサ部５７である拡散歪みゲージ５５からの出力が温度ドリフトする問題が合った。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、拡散歪みゲージがある部分と、ハンドリング部の温度変化の影響を歪みゲージに伝わりにくくし、センサ出力の変動が起きないようにしたマイクロマニピュレータ及びそのマイクロマニピュレータの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１に記載の発明は、微小な対象物をハンドリングするためのハンドリング部を備えたマイクロマニピュレータであって、前記対象物を把持する一対の指部材と、前記一対の指部材のうちの少なくとも一方に形成され、前記対象物を把持する力を検知するための拡散歪みゲージと、前記拡散歪みゲージと指部材のハンドリング部との間に形成された熱絶縁部とを一体に備え、前記拡散歪みゲージを熱絶縁化したマイクロマニピュレータをその要旨としている。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のマイクロマニピュレータにおいて、指部材は、熱絶縁部にて区画されていることをその要旨としている。
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載のマイクロマニピュレータにおいて、ハンドリング部よりも基端側には薄肉部を形成し、同薄肉部に熱絶縁部を形成したことをその要旨としている。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のうちいずれかに記載のマイクロマニピュレータにおいて、前記指部材は、単結晶シリコン基板により形成され、熱絶縁部は、酸化シリコンにて形成されていることをその要旨としている。
【００１１】
請求項５の発明は、指部材となる単結晶シリコン基板の表面に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜の所定領域に窓を形成し、熱酸化を行い、単結晶シリコン基板に酸化シリコンからなる熱絶縁部を形成する工程と、前記指部材となる単結晶シリコン基板の表面側に酸化膜を形成する工程と、前記熱絶縁部を境に指部材の先端部側となる部位とは反対側において前記酸化膜の所定領域に窓を形成し、その窓から不純物を添加することによって拡散歪みゲージを形成する工程とからなるマイクロマニピュレータの製造方法をその要旨としている。
（作用）
請求項１に記載の発明によれば、微小な対象物をハンドリングするためのハンドリング部を備えたマイクロマニピュレータは、拡散歪みゲージと指部材のハンドリング部との間に一体に設けた熱絶縁部により、ハンドリング部からの熱の伝達が遮断される。この結果、ハンドリング部からの熱影響を受けるのが回避され、拡散歪みゲージからなるセンサ部の出力の温度ドリフトが防止される。
【００１２】
請求項２の発明によれば、請求項１の作用に加えて、指部材は、熱絶縁部にて区画されていることから、ハンドリング部から拡散歪みゲージへの熱伝達を確実に阻止する。
【００１３】
請求項３の発明によれば、請求項１又は２の作用に加えて、薄肉部に熱絶縁部を形成したことにより、熱伝達を薄肉部にて阻止できる。
請求項４の発明によれば、請求項１乃至４のうちいずれかの作用に加えて、前記指部材は、単結晶シリコン基板により形成され、熱絶縁部は、酸化シリコンにて形成される。
【００１４】
請求項５の発明によれば、指部材となる単結晶シリコン基板の表面に窒化膜を形成され、窒化膜の所定領域に窓が形成され、その窓を介して熱酸化が行われることにより、単結晶シリコン基板に酸化シリコンからなる熱絶縁部が形成される。又、指部材となる単結晶シリコン基板の表面側に酸化膜が形成され、熱絶縁部を境に指部材の先端部側となる部位とは反対側において前記酸化膜の所定領域に窓が形成され、その窓から不純物を添加することによって拡散歪みゲージが形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図１〜図１５に従って説明する。
図２に示すように、マイクロマニピュレータ（以下、単にマニピュレータという）１１には、一対のアームＡ１，Ａ２が設けられている。アームＡ１，Ａ２にはそれぞれ支持部材１２，１３が設けられている。支持部材１２，１３は、図示しないアクチュエータによって微小（数ミクロン〜数十ミクロン程度）な対象物Ｗを挟む方向（図２の矢印方向）に駆動操作されるようになっている。支持部材１２，１３の先端には、対象物Ｗを把持する指部材１４，１５がそれぞれ取着されている。
【００１６】
指部材１４，１５は、面方位（１００）の単結晶シリコンよりなり、それぞれ同一で対象物Ｗに対して対称の薄板状に形成されている。指部材１４は支持部材１２を構成する部材１２ａ，１２ｂ間に挟み込まれて取着固定され、指部材１５は支持部材１３を構成する部材１３ａ，１３ｂ間に挟み込まれて取着固定されている。
【００１７】
両指部材１４，１５は、例えば機械的加工（ダイシング）によって短冊状でその先端が斜めにカットされてそれぞれハンドリング部１６，１７が形成されている。ハンドリング部１６，１７は、平面上に置かれた対象物Ｗを挟持するハンドリング領域を拡大するために形成されている。即ち、マニピュレータ１１は、ハンドリング部１６，１７の傾きに対応して斜めに支持され、対象物Ｗを挟持するようになっている。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、一方の指部材１４の側面１４ａには、その先端から所定位置に拡散歪みゲージ１８が形成されている。拡散歪みゲージ１８は、配線パターン１９を介してパッド２０に接続され、そのパッド２０は、図示しない配線を介してマイクロマニピュレータ１１を駆動制御する駆動装置に接続されている。
【００１９】
また、図１（ｂ）に示すように、一方の指部材１４には、その外側面１４ｂ側から異方性エッチング等の方法によって、面方位（１００）に対応する角度で凹設（エッチング）されて薄肉部２１が形成されている。薄肉部２１は、マニピュレータ１１を駆動操作して対象物Ｗを挟んだ場合に指部材１４が薄肉部２１から撓んで、マニピュレータ１１の力を検知し易くするために形成されている。
【００２０】
前記薄肉部２１には指部材１４の全幅及び全厚みに亘って熱絶縁部２９が形成されている。この熱絶縁部２９は二酸化シリコンにより、形成されている。二酸化シリコンの熱伝導率は、０．０１４ｗ（ｃｍ・Ｋ）-1であり、単結晶シリコンの熱伝導率の１．４１２ｗ（ｃｍ・Ｋ）-1よりも２桁程低いものとなっている。
【００２１】
拡散歪みゲージ１８は、マニピュレータ１１の力によって指部材１４と共に撓み、その撓みの応力に応じた電気信号を検出信号として出力する。そして、指部材１４、拡散歪みゲージ１８、及び、薄肉部２１によって、マニピュレータ１１の力を検知する力センサ（センサ部）が構成されている。図３は、各拡散歪みゲージ１８にて結線して構成された等価回路を示しており、図に示すようにブリッジ回路が構成されている。なお、図中、Ｒ0 は各拡散ブリッジ１８の抵抗である。即ち、指部材１４，１５は、対象物Ｗを把持するとともに、力センサによって対象物Ｗを把持する力を検知することが可能な構成となっている。
【００２２】
拡散歪みゲージ１８は、指部材１４がマニピュレータ１１の操作によって撓む場合に、その撓みの最も大きい位置に形成されている。従って、拡散歪みゲージ１８は、マニピュレータ１１の力を最も良く検出し、その力に応じた電気信号を検出信号として出力する。また、拡散歪みゲージ１８は方位＜１１０＞に形成されている。この方位＜１１０＞に形成された拡散歪みゲージ１８は、出力する電気信号がの電圧が最も大きくなる。従って、拡散歪みゲージ１８は、指部材１４の撓みの応力、即ち、マニピュレータ１１の力の検出感度が最も大きくなる。
【００２３】
指部材１４を製造する場合、先ず、面方位（１００）のシリコンウェハ（図示せず）を用意する。そのシリコンウェハの表面側には拡散歪みゲージ１８を形成し、裏面側からエッチングによって薄肉部２１を形成する。次に、拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成したシリコンウェハを短冊状に機械的加工（ダイシング）して指部材１４が形成される。
【００２４】
従って、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２と異なり指部材１４に取着する必要がない。また、拡散歪みゲージ１８の位置は、指部材１４の先端から一定の位置となり、精度良く形成することができる。従って、拡散歪みゲージ１８から出力される検出信号は、各指部材１４毎のばらつきがなくなる。
【００２５】
また、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２に比べて小さく形成することができるので、指部材１４の先端付近に形成することができる。また、指部材１４には、薄肉部２１を形成し、その指部材１４の撓みによって拡散歪みゲージ１８が撓むようにした。その結果、従来のバルクの歪みゲージ５２を用いたマニピュレータ５１に比べて、その力の検出感度が高くなる。
【００２６】
平面上に置かれた対象物Ｗをハンドリングする場合、ハンドリング部１６，１７を平面と略平行となるようにマニピュレータ１１を斜めに支持することによって、ハンドリング部２４，２５のどの部分でも対象物Ｗをハンドリングすることができる。従って、本実施の形態のマニピュレータ１１は、対象物Ｗをハンドリングする領域、所謂ハンドリング面積が広くなる。
【００２７】
次に、上記の指部材１４の製造工程を図４〜図１３に従って説明する。尚、図４〜図１３は、製造工程を判りやすくするために、指部材１４の寸法を適宜変更してある。
【００２８】
先ず、図４に示すように、Ｎ型単結晶シリコンよりなるシリコン基板３１の上面に窒化膜（ＳｉＮ2 膜）３０を形成する。次に、図５に示すように、窒化膜３０の所定領域にフォトリソグラフィによって所定の大きさの窓３０ａを形成する。そして、酸素雰囲気下でその窓３０ａを通して高温にして基板３１表面を酸素と反応させて、熱酸化を起こさせ、肉薄部２１と同じ厚さ下面まで二酸化シリコンを成長させることにより、熱絶縁部２９が形成される（図６参照）。その後、窒化膜ＳｉＮ2 を除去する。
【００２９】
次に、シリコン基板３１の上面に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）３２を形成する。そして、図７に示すように、酸化膜３２の所定領域にフォトリソグラフィによって拡散歪みゲージ１８に対応する大きさの窓３２ａを形成する。その窓３２ａからイオン注入等によってシリコン基板３１にほう素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散させる。この結果、図８に示すように、後に指部材１４の側面１４ａとなる面に拡散歪みゲージ１８が形成される。
【００３０】
次に、図９に示すように、シリコン基板３１を酸化させて拡散歪みゲージ１８の上面に酸化膜３３を形成する。
次に、図１０に示すように、拡散歪みゲージ１８上の酸化膜３３にコンタクトのための窓３３ａを所定位置に形成する。
【００３１】
次に、図１１に示すように、シリコン基板３１の上面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリングや真空蒸着等により堆積させた後、フォトリソグラフィを行うことで、拡散歪みゲージ１８に接続された配線パターン１９及びパッド２０（図１１では図示せず）を形成する。次いで、図１２に示すように、ＣＶＤ等によってＳｉＮやＳi3Ｎ4 等を堆積させることにより、シリコン基板３１の上面にパッシベーション膜３５を形成し、配線パターン１９等を被覆する。
【００３２】
次に、図１３に示すように、シリコン基板３１の裏面に酸化膜３７を形成し、フォトリソグラフィによって酸化膜３７に窓３７ａを形成する。その窓３７ａから異方性エッチングによってシリコン基板３１を裏面からエッチングすることによって、薄肉部２１を形成する。
【００３３】
上記したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）  マニピュレータ１１を構成する支持部材１２の肉薄部２１に熱絶縁部２９を二酸化シリコンにて形成した。そして、この実施の形態では、薄肉部２１に対して、指部材１４の全幅及び全厚みに亘って熱絶縁部２９を形成した。
【００３４】
この結果、熱絶縁部２９により、指部材１４はハンドリング部１６側の部分と、拡散歪みゲージ１８側の部分とにより区画され、同熱絶縁部２９にて熱の伝導が極力遮断される。
【００３５】
すなわち、二酸化シリコンの熱伝導率は、０．０１４ｗ（ｃｍ・Ｋ）-1であり、単結晶シリコンの熱伝導率の１．４１２ｗ（ｃｍ・Ｋ）-1よりも２桁程低いものとなっているため、このマニピュレータ１１を例えば図１４のように水の温度が高く、大気温度が低い場合、図１４に示すようにハンドリング部１６を熱的に絶縁しているため、ハンドリング部１６からの熱の悪影響を拡散歪みゲージ１８が受けることはない。このため、拡散歪みゲージ１８が熱により温度ドリフトすることはなく、安定した出力を得ることができる。
【００３６】
なお、センサ部の等価回路は図３に示すようにブリッジ回路を構成しており、この出力ΔＶ（ｔ）は、下式にしめすように温度の関数である。
ΔＶ（ｔ）＝Ｒ0 ・Ｋ0 ｛１＋（α＋β）ｔ｝εＩ
なお、Ｒ0 は、拡散歪みゲージの抵抗値、Ｋ0 はゲージ率、αは抵抗温度係数、βはゲージ率温度係数、ｔは温度、εはひずみ量、Ｉは電流値である。
【００３７】
従って、上記のように熱絶縁部２によって、熱影響がなくなると、センサ部は安定した出力をえることができる。
（２）  マニピュレータ１１を構成する支持部材１２，１３の先端に、拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成した単結晶シリコンよりなる指部材１４を取着した。マニピュレータ１１によって対象物Ｗを挟んだ時に、指部材１４は、薄肉部２１の部分で撓み、その撓みによる応力を拡散歪みゲージ１８が検知して撓みに応じた電気信号を検出信号として出力するようにした。
【００３８】
その結果、拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２のように指部材１４に取着する必要がない。また、拡散歪みゲージ１８の位置は、指部材１４の先端から一定の位置となり、精度良く形成することができ、各指部材１４毎の検出信号のばらつきを防ぐことができる。
【００３９】
（３）  拡散歪みゲージ１８は、従来のバルクの歪みゲージ５２に比べて小さく形成することができるので、指部材１４の先端付近に形成することができる。また、指部材１４には、薄肉部２１を形成し、その指部材１４の撓みによって拡散歪みゲージ１８が撓むようにした。その結果、従来のバルクの歪みゲージ５２を用いたマニピュレータ５１に比べて、その力の検出感度を高めることができる。
【００４０】
（４）  指部材１４，１５の先端を斜めに成形してハンドリング部１６，１７を形成した。その結果、マニピュレータ１１のハンドリング面積が広くなり、平面上に置かれた対象物Ｗをハンドリング部１６，１７のどの場所でも挟み込むことができるので、微小な対象物Ｗを容易にハンドリングすることができる。
【００４１】
尚、本発明は以下のように変更してもよく、その場合にも同様の作用及び効果が得られる。
（１）  前記実施の形態の製造方法以外にも、例えば、熱絶縁部２９となる単結晶シリコン基板の部位に対してポーラス化しておいてから、酸化して熱絶縁部を形成したり、或いは、二酸化シリコン領域を持ったウェハを基板に張り付けて形成する等の方法がある。
【００４２】
（２）  前記実施の形態では肉薄部２１に熱絶縁部２９を形成したが、ハンドリング部１６と拡散歪みゲージとの間であれば、他の部位に形成してもよい。
（３）  前記実施の形態では、肉薄部２１を形成したが、肉薄部２１を形成しないマニピューレータに具体化してもよい。
【００４３】
（４）  上記実施の形態では、ダイシングにより指部材１４，１５の外形形状を成形したが、異方性エッチング又は等方性エッチングにより外形形状を成形するようにしてもよい。
【００４４】
（５）  上記実施の形態において、面方位（１００）のシリコン基板を用いて指部材１４を形成したが、面方位（１１０）のシリコン基板を用いることにより、薄肉部２１を形成する際に、側面から垂直にエッチングすることができる。尚、面方位（１１０）のシリコン基板を用いた場合、歪みゲージ１８を方位＜１１１＞に沿って形成した場合に、同じ歪み量に対する出力電圧が最も大きくなる。
【００４５】
（６）  上記実施の形態では、指部材１４，１５を単結晶シリコンにより形成し、一方の指部材１４に拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成してマニピュレータ１１の力を検知するようにしたが、他方の指部材１５にも同様に拡散歪みゲージ１８及び薄肉部２１を形成し、一対の指部材１４，１５の双方でマニピュレータ１１の力を検知するようにしてもよい。そして、この場合にも、他方の指部材１５においても、前記実施の形態と同様に熱絶縁部２９を形成する。
【００４６】
（７）  上記実施の形態では、一対の指部材１４，１５の双方を単結晶シリコンにより形成したが、薄肉部２１及び拡散歪みゲージ１８を形成しない側の指部材１５をステンレス等の金属により形成してもよい。
【００４７】
（８）  前記実施の形態では、二酸化シリコンにて熱絶縁部２９を形成したが、基板よりも低い熱伝導率であれば、他のものに変えてもよい。なお、この実施の形態と同様に２桁程度の熱伝導率の違いがあるとより好ましい。
【００４８】
以上、この発明の各実施の形態について説明したが、各実施の形態から把握できる請求項以外の技術思想について、以下にそれらの効果とともに記載する。
（イ）  請求項１乃至４に記載のいずれかのマイクロマニピュレータにおいて、前記指部材（１４）には薄肉部（２１）が形成され、拡散歪みゲージ（１８）はその薄肉部（２１）の表面に形成されたマイクロマニピュレータ。この構成によれば、薄肉部によって指部材が撓みやすく、把持する力の検出感度を高めることが可能となる。
【００４９】
（ロ）  請求項５に記載のマイクロマニピュレータの製造方法に加えて、更に、単結晶シリコン基板（３１）の裏面からエッチングして薄肉部（２１）を形成する工程を備えたマイクロマニピュレータの製造方法。この構成よれば、薄肉部によって指部材が撓みやすく、把持する力の検出感度を高めることができるマイクロマニピュレータを容易に製造することが可能となる。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、微小な対象物をハンドリングするためのハンドリング部を備えたマイクロマニピュレータは、拡散歪みゲージと指部材のハンドリング部との間に一体に設けた熱絶縁部により、ハンドリング部からの熱の伝達を遮断できる。この結果、拡散歪みゲージがある部分と、ハンドリング部の温度変化の影響を歪みゲージに伝わりにくくし、センサ出力の変動が起きないようにすることができる。
又、拡散歪みゲージは、指部材に対して一体に形成されているため、指部材に取着する必要がないとともに、その設けられた位置は指部材の先端の位置から一定の位置となって、精度良く形成することができ、拡散歪みゲージの検出信号のばらつきを防ぐことができる。
【００５１】
請求項２の発明によれば、請求項１の効果に加えて、指部材は、熱絶縁部にて区画されていることから、ハンドリング部から拡散歪みゲージへの熱伝達を確実に阻止することができる。
【００５２】
請求項３の発明によれば、請求項１又は２の効果に加えて、薄肉部に熱絶縁部を形成したことにより、熱伝達を薄肉部にて阻止できる。
請求項４の発明によれば、請求項１乃至３のうちいずれかの効果に加えて、指部材は、単結晶シリコン基板により形成され、熱絶縁部は、酸化シリコンにて形成できる。
【００５３】
請求項５の発明によれば、指部材となる単結晶シリコン基板の表面に窒化膜を形成され、窒化膜の所定領域に窓が形成され、その窓を介して熱酸化が行われることにより、単結晶シリコン基板に酸化シリコンからなる熱絶縁部が形成される。又、指部材となる単結晶シリコン基板の表面側に酸化膜が形成され、熱絶縁部を境に指部材の先端部側となる部位とは反対側において前記酸化膜の所定領域に窓が形成され、その窓から不純物を添加することによって拡散歪みゲージが形成できる。この結果、請求項１の効果を奏するマイクロマニピュレータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    (a) は一実施の形態のマニピュレータの平面図、(b) は側面図。
【図２】    一実施の形態のマニピュレータを示す斜視図。
【図３】    センサ部の電気回路図。
【図４】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図５】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図６】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図７】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図８】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図９】    マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１０】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１１】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１２】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１３】  マニピュレータの製造工程を示す断面図。
【図１４】  マイクロマニピュレータの使用状態の説明図。
【図１５】  （ａ）はマイクマニュピレータの側面図、（ｂ）は平面図。
【図１６】  従来のマイクロマニピュレータを示す斜視図。
【符号の説明】
１４，１５…指部材、１８…拡散歪みゲージ、１６，１７…ハンドリング部、２９…熱絶縁部、Ｗ…対象物。
【図１】
0003831042.tif 000002
【図２】
0003831042.tif 000003
【図３】
0003831042.tif 000004
【図４】
0003831042.tif 000005
【図５】
0003831042.tif 000006
【図６】
0003831042.tif 000007
【図７】
0003831042.tif 000008
【図８】
0003831042.tif 000009
【図９】
0003831042.tif 000010
【図１０】
0003831042.tif 000011
【図１１】
0003831042.tif 000012
【図１２】
0003831042.tif 000013
【図１３】
0003831042.tif 000014
【図１４】
0003831042.tif 000015
【図１５】
0003831042.tif 000016
【図１６】
0003831042.tif 000017