(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローダーとアンローダーとを備える液晶表示装置の工程ラインにおいて、
配向工程を行う第１ラインと、
ギャップ工程を行う第２ラインと、
多数の単位液晶パネルを含む大面積液晶パネルの切断、不良単位液晶パネルの選別及び保管、良品単位液晶パネルの切断面の研磨、及び単位液晶パネルの最終検査を連続的な製造工程で実行する第３ラインとを備え、
前記第３ラインは、
前記大面積液晶パネルを切断して多数の単位液晶パネルを形成する切断装置と、
前記切断された単位液晶パネルのうち不良単位液晶パネル領域の情報を有する単位液晶パネルを保管処理するバッファ用カセットと、
良品単位液晶パネル領域の情報を有する単位液晶パネルの断面を研磨する研磨装置と、
前記研磨された単位液晶パネルの外観及び電気不良検査を行う検査装置と、を単一ライン化した工程ラインであり、
前記第２ラインのギャップ工程は、液晶滴下により前記単位液晶パネルに液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の工程ライン。
【請求項２】
前記単位液晶パネルは、第１単位基板領域上に液晶が滴下され、シール剤を介して第２単位基板領域と合着された液晶パネルであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項３】
前記不良単位液晶パネル領域は、前記第１単位基板領域及び第２単位基板領域のうちいずれか一つの領域が不良となって合着された液晶パネルに含まれることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項４】
前記不良単位液晶パネル領域は、アレイ工程及びカラーフィルタ工程から不良が発生した第１単位基板領域又は第２単位基板領域からなることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項５】
前記大面積液晶パネルに含まれた多数の単位液晶パネルの情報を有する中央処理装置から伝送されたデータに基づいて、前記不良単位液晶パネル領域を含んでいる単位液晶パネルを前記バッファ用カセットに保管処理するように制御するローカル処理装置を更に含んでなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項６】
前記検査装置は、前記切断装置によって切断された単位液晶パネルの切断部位の突起を検査することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項７】
大面積液晶パネルから多数の単位液晶パネルを形成する液晶表示装置の工程ラインにおいて、
前記大面積液晶パネルをローディングするローディング部と、
前記大面積液晶パネルを切断して多数の単位液晶パネルを形成する切断部と、
前記多数の単位液晶パネルのうち不良単位液晶パネルの情報を有している単位液晶パネルを識別して保管積載するバッファ部と、
前記多数の単位液晶パネルのうち良品単位液晶パネルの情報を有している単位液晶パネルを識別して前記良品単位液晶パネルの切断された面を研磨する研磨部と、
前記良品単位液晶パネルの外観及び電気的な不良の検査を行う最終検査部と、
を連続的な製造工程で実行する単一ライン化された単一の製造工程ラインを含み、
前記単位液晶パネルは、液晶滴下により液晶層が形成されたことを特徴とする液晶表示装置の工程ライン。
【請求項８】
前記単一ライン化された単一の製造工程ラインは、前記大面積液晶パネルに含まれた多数の単位液晶パネルについての情報を有する中央処理装置から伝送されたデータに基づいて、前記多数の単位液晶パネルのうち不良単位液晶パネル領域を含んでいる単位液晶パネルを前記バッファ部に保管処理させるように制御するローカル処理装置を更に含んでなることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項９】
前記最終検査部は、前記切断部によって切断された単位液晶パネルの切断部位の突起を検査する検査部を更に含んでなることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項１０】
前記単位液晶パネルは、第１単位基板上に液晶が滴下され、シール剤を介して第２単位基板と合着された液晶パネルであることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項１１】
前記不良単位液晶パネルは、前記第１単位基板及び第２単位基板のうちいずれか一つの単位基板に不良が発生して合着された液晶パネルに含まれることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項１２】
前記不良単位液晶パネルは、アレイ工程及びカラーフィルタ工程から不良が発生した前記第１単位基板又は第２単位基板からなることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の工程ライン。
【請求項１３】
多数の単位液晶パネルを含む大面積液晶パネルにおける不良単位液晶パネル領域及び良品単位液晶パネル領域についての識別情報を提供する段階と、
前記大面積液晶パネルを切断して多数の単位液晶パネルを形成する段階と、
前記不良単位液晶パネル領域を含む単位液晶パネルをバッファ用カセットに保管処理する段階と、
前記良品単位液晶パネル領域からなる単位液晶パネルの切断された面を研磨する段階と、
前記良品単位液晶パネルの外観及び電気的な不良の検査を行う段階と、
を単一ライン化した連続的な製造工程で実行し、
前記単位液晶パネルは、液晶滴下により液晶層が形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記単位液晶パネルは、第１単位基板領域上に液晶が滴下され、シール剤を介して第２単位基板領域と合着された液晶パネルであることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記不良単位液晶パネル領域は、前記第１単位基板領域及び第２単位基板領域のうち、いずれか一つの領域に不良が発生して合着された液晶パネルに含まれることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記不良単位液晶パネル領域は、アレイ工程及びカラーフィルタ工程から不良が発生した第１単位基板領域又は第２単位基板領域からなることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記不良単位液晶パネル領域を含む単位液晶パネルをバッファ用カセットに保管処理する段階は、前記大面積液晶パネルに形成された多数の単位液晶パネル領域についての情報を有する中央処理装置から伝送されたデータに基づいて、前記不良単位液晶パネル領域を含む単位液晶パネルを前記バッファ用カセットに保管処理させるように制御するローカル処理装置によってなされることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記検査を行う段階は、前記単位液晶パネルの切断部位の突起を検査することを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の工程ライン及びこれを用いた製造方法に関するもので、特に、工程ラインを単純化することができる液晶表示装置の工程ライン及びこれを用いた製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
情報化社会の発展につれて表示装置に対する要求も多様な形態として漸増しており、これに応じて最近は液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電場発光表示装置（ＥＬＤ）及び真空蛍光表示装置（ＶＦＤ）など種々の表示装置が研究されており、一部は既に様々な装置の表示装置として活用されている。
【０００３】
そのうち、現在は、ＬＣＤが画質に優れ、軽量薄型、低消費電力等の特長によって、移動型画像表示装置の用途にブラウン管の代りに一番多く使用されており、ノートブックコンピュータのモニターのような移動型の用途以外にも、テレビジョンモニターなどとして多様に開発されている。
【０００４】
このようなＬＣＤは互いに向き合うように結合されている二つの基板と、その間に注入され、温度の変化や濃度の変化に従って相転移を発生する液晶物質からなっている。
【０００５】
上記液晶は液体の流動性と固体の秩序性を有する、液体と固体の中間性質を有する物質である。即ち、固体である結晶が溶けて液体になる前に、固体結晶とか液体ではない中間状態になることをいう。このような液晶に光を照射したり電界または磁界を付加すると光学的な異方性結晶に特有な複屈折性を表し、ある温度範囲内では液体と結晶の双方の性質を表す。
【０００６】
このようなＬＣＤは大きくアレイ工程、カラーフィルタ工程、液晶セル工程及びモジュール工程を遂行することにより製造される。
【０００７】
上記アレイ工程は第１基板上に蒸着、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を繰り返して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを形成する工程であり、カラーフィルタ工程は第２基板上に光遮断役割を遂行するブラックマトリックスと、染料とか顔料を使用して赤、緑、青のカラーフィルタと、共通電極用のインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）膜などを形成する工程である。
【０００８】
また、液晶セル工程はＴＦＴ配列が完了した第１基板（以下「ＴＦＴ基板」という）とカラーフィルタ工程が完了した第２基板（以下「カラーフィルタ基板」という）とを一定間隔隔てて合着して空液晶セルを作った後、その隙間の間に液晶を注入してＬＣＤセルを形成する工程であり、上記モジュール工程は信号処理のための回路部を製作し、ＴＦＴ液晶表示装置のパネルと信号処理回路部とを実装技術を通じて互いに連結したうえ何点かの機構物を取り付けてモジュールを製作する工程である。
【０００９】
ここで、関連技術における液晶セル工程をもっと詳しく説明すれば、次の通りである。
まず、複数個のＴＦＴ基板が積載されたカセットと複数個のカラーフィルタ基板が積載されたカセットとがそれぞれローダー（積載機）によって液晶セル工程ラインのそれぞれのポートに装着される。
【００１０】
上記ＴＦＴ基板にはアレイ工程により一定間隔を置いて一方向に配列された複数個のゲートラインと、上記各ゲートラインに垂直な方向に一定の間隔を置いて配列された複数個のデータラインと、上記ゲートライン及びデータラインによって定義されたマトリックス画素領域にそれぞれ形成された複数個のＴＦＴ及び画素電極などが形成されている。そして、カラーフィルタ基板には上記画素領域を除外した部分の光を遮断するためのブラックマトリックス層とカラーフィルタ層及び共通電極などが形成されている。
【００１１】
次に、複数個のＴＦＴ基板及び複数個のカラーフィルタ基板を各々一つずつ選択するようにプログラムされたロボットアームを用いて上記ＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板を選択する。
【００１２】
次いで、図１に示されたように、上記選択されたＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板上に配向物質を塗布した後、液晶分子が均一な方向性を有するようにする配向工程（１Ｓ）をそれぞれ遂行する。上記配向工程（１Ｓ）は配向膜塗布の前に洗浄、配向膜印刷、配向膜焼成、配向膜検査、ラビング工程の順に遂行する。
【００１３】
次に、配向工程（１Ｓ）後、ギャップ工程が進行される。上記ギャップ工程はＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板をそれぞれ洗浄（２Ｓ）した後、ＴＦＴ基板にセルギャップを一定に維持するためのスペーサを散布（３Ｓ）し、カラーフィルタ基板の外郭部にシール剤を塗布（４Ｓ）した後、上記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とに圧力を加えて合着（５Ｓ）する工程からなる。
【００１４】
かかるギャップ工程はＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板が各々異なるラインで進行するひと続きとなった並列ライン工程で遂行され、合着工程では単一ライン化された一つのラインで遂行される。即ち、前記ギャップ工程はひと続きとなった並列ラインで工程が進行される単一化された一つのラインで工程が遂行される複合ラインで構成される工程である。
ここで、上記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とは互いに対向する大面積のガラス基板上に複数個の領域で形成されている。言い換えれば、大面積のガラス基板に複数の単位基板などが形成されており、上記単位基板領域のうち下部の単位基板（ＴＦＴ基板）領域などの内側には別途の画素電極などがそれぞれ形成されている。そして、上部の単位基板（カラーフィルタ基板）領域などを含む大面積ガラス基板には上記画素電極と共に液晶を駆動させる共通電極が上記ガラス基板の前面に形成されている。このように構成されるそれぞれの大面積ガラス基板を上記のような合着工程を遂行することにより、それぞれの下部及び上部単位基板領域などからなった多数の単位パネル領域を備える大面積パネルを形成する。
【００１５】
次に、大面積パネルを多数の単位パネルに形成するための切断、加工工程を遂行する（６Ｓ）。上記切断工程は各単位パネルの画素電極に該当する電圧をそれぞれ印加して各単位パネル別に、それに該当する透過率に基づいてそれぞれの単位パネルを製作するために遂行される工程である。
【００１６】
以後、上記のように加工された個々の単位パネルに液晶注入口を介して液晶を注入し、上記液晶注入口を封止（７Ｓ）することにより単位液晶パネルを形成する。次に、各単位液晶パネルの切断された面を研磨したうえで、単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査（８Ｓ）を遂行することにより液晶表示素子を製作することになる。
【００１７】
ここで、上記液晶注入工程を更に具体的に説明すると、次の通りである。
図２に示されたように、まず、液晶物質を容器３に入れた後、チャンバ２中に容器を挿入する。次いで、チャンバ２の中の圧力を真空状態に維持して液晶１や容器の内壁に存在する水分及び液晶内の微細な気泡を除去する脱泡工程を遂行する。
【００１８】
次に、数枚の単位パネル４の液晶注入口を液晶物質に浸すか接触させた後、チャンバ２内に窒素（Ｎ２）ガスを外部から導入してチャンバ２内の圧力を真空状態から大気圧状態に形成する。そうすると、単位パネル４内の圧力とチャンバの圧力との間の差異によって液晶物質が液晶注入口を介して単位パネル４に注入される。
【００１９】
次いで、液晶１が各単位パネル４にすべて充填されると、注入口を密封する封止工程を遂行して単位液晶パネルを形成した後、それぞれの単位液晶パネルを洗浄する。
【００２０】
しかし、このような液晶注入方法は前記のように、単位パネルに切断したうえで、二つの基板の間を真空状態に維持して液晶注入口を液晶物質に浸すか接触させて液晶を注入するため、液晶注入に長時間を要し、生産性が低下するという問題があった。また、大面積の液晶表示装置を製造する場合、単位パネル内に液晶が完全に注入されず、不良の原因となることもあった。
【００２１】
これに対して最近、ＴＦＴ基板の画素領域上に規定量の液晶を滴下し、真空中でＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板を接合して液晶を充電させる液晶滴下注入法が注目されている。
前記液晶滴下注入法を用いた滴下方式を簡略に説明する。
【００２２】
前記液晶滴下注入法はパネル内部と外部との圧力差によって液晶を注入するものではなく液晶を直接大面積ガラス基板に滴下し基板の合着圧力によって滴下された液晶をパネル全体に亘って均一に分布させることによって液晶層を形成するものである。下記説明のＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板は前述したように、互いに対向する大面積ガラス基板に形成される複数の単位基板領域のうちいずれか一つの領域に定義される。
【００２３】
図３に示すように前記液晶滴下方式では駆動素子とカラーフィルタが各々形成されたＴＦＴ基板２０とカラーフィルタ基板３０を合着する前にＴＦＴ基板２０上に水玉形状に液晶２５を滴下する。また、これに限定せず前記液晶２５は前記カラーフィルタ基板上に滴下することもできる。言い換えれば液晶滴下方式で液晶滴下の対象になる基板はＴＦＴ基板２０とカラーフィルタ基板３０のうちいずれの基板も可能である。しかしながら、基板の合着時液晶が滴下された基板は下部に置かなければならない。
【００２４】
この場合、前記カラーフィルタ基板３０の外郭領域にはシール剤３５が塗布されており、前記カラーフィルタ基板３０とＴＦＴ基板２０に圧力を加えることによってＴＦＴ基板２０及びカラーフィルタ基板３０が合着される。これと同時に前記圧力によって液晶２５が外部に広がって前記カラーフィルタ基板３０とＴＦＴ基板２０の間に均一な厚さの液晶層が形成される。言い換えれば前記液晶滴下方式の大きい特徴は合着工程前にＴＦＴ基板上に予め液晶２５を滴下した後シール剤３５によって基板を合着するものである。
【００２５】
かかる液晶滴下方式は短時間の間に直接基板上に液晶を滴下するので、大面積の液晶表示素子の液晶層形成を非常に迅速に行うことができるのみならず、必要な量の液晶だけを直接基板上に滴下するので液晶の消耗を最小化できるので液晶表示素子の製造費用を格段に低減できるという長所を有している。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記関連技術における液晶表示装置の製造方法は次のような問題があった。
前記のように前記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板は互いに対向する大面積のガラス基板上に複数の領域に形成されている。即ち、大面積の第１、第２基板には多数のＴＦＴ単位基板領域及びカラーフィルタ単位基板領域が形成されている。
例えば、図４に示すように四つの単位基板領域が第１基板１００及び第２基板２００に形成されている。かかる第１、第２基板１００、２００は前記のようなアレイ工程及びカラーフィルタ工程で少なくとも一つ以上の不良単位基板領域を含むことができる。
【００２７】
かかる大面積の第１基板１００及び第２基板２００を合着した後、切断工程を経て多数の単位液晶パネルを形成すると、良品判定された単位基板領域から形成された単位液晶パネルは製品化され得るが、不良と判定された少なくとも一つの単位基板領域を含む単位液晶パネルは製品化することはできない。
【００２８】
また、最近、基板の大型化の傾向によって基板に備えられる単位基板領域などの個数が増加する傾向にあるので、不良が発生した単位液晶パネルの数が増加する確率も高い。かかる不良単位液晶パネルは良品単位液晶パネルと同様に研磨、洗浄、及び検査工程を遂行するので研磨工程装備の不要な稼動による摩耗と、手作業で遂行される検査工程における作業者の疲労及び時間の浪費などを来していた。
【００２９】
又、前記関連技術の真空注入法を適用した液晶表示装置の製造工程ラインにおいて、切断工程（６Ｓ）、注入封止工程（７Ｓ）及び検査工程（８Ｓ）は各々別の独立されたラインで進行される。言い換えれば切断工程（６Ｓ）、注入封止工程（７Ｓ）及び検査工程（８Ｓ）は工程ラインが三つの別々の製造工程ラインで遂行されるので、その分の物流装備と、各々の工程ラインを含んでいる空間の確保が必要であり、又各々の工程を経て製造される工程時間が長くなって生産費用も増加する。
【００３０】
従って、本発明は、上記関連技術における問題点を解決するためのもので、不良単位液晶パネルを効果的に保管処理して不要な工程の遂行を防止でき、工程ライン及び工程時間を最小化できる液晶表示装置の工程ライン及びこれを用いた製造方法を提供することが目的である。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置の工程ライン及びこれを用いた製造方法によると、ローダーとアンローダーとを備える液晶表示装置の工程ラインにおいて、配向工程を行う第１ラインと、ギャップ工程を成す単一ライン化された単一の製造工程ラインである第３ラインとを含んでなることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明によると、大面積液晶パネルを多数の単位液晶パネルに形成する製造工程ラインにおいて、前記大面積液晶パネルをローディングするローディング部と、前記大面積液晶パネルを切断して多数の単位液晶パネルに形成する切断部と、前記多数の単位液晶パネルのうち不良単位液晶パネルの情報を有している単位液晶パネルを識別して保管積載するバッファ部と、前記多数の単位液晶パネルのうち良品単位液晶パネルの情報を有している単位液晶パネルを識別して前記良品単位液晶パネルの切断された面を研磨する研磨部とを含んでいる単一ライン化された単一の製造工程ラインとからなることを特徴とする。
【００３３】
更に、多数の単位液晶パネル領域を含んでおり、前記単位液晶パネル領域のうち不良単位液晶パネル領域及び良品単位液晶パネル領域の識別された情報を有する大面積液晶パネルを提供する段階と、前記大面積液晶パネルを切断して多数の単位液晶パネルを形成する段階と、前記不良単位液晶パネル領域を含む単位液晶パネルをバッファ用カセットに保管処理する段階と、前記良品単位液晶パネル領域からなる単位液晶パネルの面を研磨する段階と、前記良品単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査を行う段階とからなることを特徴とする。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
図５は本発明の実施形態による配向工程を説明するための工程フローチャートであり、図６は本発明の実施形態によるギャップ工程の工程フローチャートであり、図７は本発明の実施形態による不良単位基板領域を説明するための例示図であり、図８は本発明の実施形態による第３ラインを説明するための工程配置図である。
【００３５】
まず、図示してはないが、アレイ工程及びカラーフィルタ工程が遂行された第１基板及び第２基板を提供する。前記第１基板及び第２基板は複数の第１基板領域（“ＴＦＴ単位基板領域”と称する）及び第２単位基板領域（“ＣＦ単位基板領域”と称する）を各々含んでおり、前記アレイ工程及びカラーフィルタ工程が完了されると第１カセット及び第２カセットに各々積載される。
【００３６】
かかる第１カセット及び第２カセットは移送装置によって液晶セル工程ラインのローダーに装着される。ここで、前記ＴＦＴ単位基板領域には前記アレイ工程によって一定間隔を置いて一方向に配列された複数のゲートラインと前記各ゲートラインに垂直な方向に一定の間隔を置いて配置された複数のデータラインと前記ゲートライン及びデータラインによって定義されたマトリックス画素領域に各々形成される複数のＴＦＴ及び画素電極などが備えられている。
【００３７】
また、前記ＣＦ単位基板領域にはカラーフィルタ工程によって画素領域を除外した部分の光を遮断するためのブラックマトリックス層と、赤、緑、青の三原色の組み合わせで一つの色を表現するカラーフィルタ層及び画素電極と共に液晶を駆動させる共通電極などが備えられている。
【００３８】
前記のような条件における液晶セル工程の製造工程を説明する。
液晶セル工程を進行するラインはローダーとアンローダーを各々備える３つの工程ラインによって行われる。即ち、配向工程、ギャップ工程、検査工程を各々遂行する第１ないし第３ラインからなる。
【００３９】
前記配向工程は配向膜塗布前洗浄、配向膜印刷、焼成、検査及びラビング工程からなり、前記ギャップ工程はラビング後洗浄、液晶滴下、シール剤塗布、真空合着及び硬化工程を含んでなり、検査工程はスクライブ／ブレーク工程、研磨工程及び単位液晶パネルの検査工程などからなる。
【００４０】
まず、第１基板と第２基板を各々積載する第１、第２カセットは液晶セル工程への進入時に、前記配向工程を遂行する第１ラインのローダーに置かれる。
次に、前記ローダーに装着された第１、第２カセットの情報を認識するロボットアームによって第１カセットに積載されている第１基板と前記第１基板と組み合わされる第２基板を選択して配向工程ラインにローディングする。
かかる配向工程は図４に示すように配向膜塗布前洗浄（２０Ｓ）工程と、配向膜塗布（２１Ｓ）、配向膜焼成（２２Ｓ）、検査（２３Ｓ）及びラビングの順に遂行する。
【００４１】
これを簡略に説明すると、第１基板及び第２基板に異物質及びパーティクルを除去するための洗浄工程を遂行した後、配向膜を塗布する。
前記配向膜塗布（２１Ｓ）の配向液はディスペンサーで回転しているドクターロール（Doctor  Roll）とアニロクスロール（Anilox  Roll）の間に滴下供給される。該塗布液は二つのロール間でアニロクスロール面に液体薄膜になって維持され、アニロクスロールから印刷ゴム板が付着された印刷ロールに転写される。また、塗布ステージ上に固定された基板が進行する時に該塗布液の薄膜が第１基板及び第２基板に転写塗布される。
【００４２】
次に、前記第１基板及び第２基板上に印刷された配向膜内の溶媒を蒸発させるための焼成工程（２２Ｓ）を行い、配向膜状態の検査（２３Ｓ）及びラビング工程（２４Ｓ）を経て配向膜工程を完了する。
【００４３】
このような配向工程が完了すると第１基板及び第２基板はアンローダーに備えられている第３、第４カセットに各々積載され、前記配向工程のうち不良が発生した基板、例えば、配向不良、ラビング不良及び他の原因として発生した不良基板はアンローダーの側部に備えられているバッファ用カセットに積載される。
【００４４】
次に前記第３、第４カセットはギャップ工程を行う第２ラインのローダーにローディングされる。前記第２ラインは第１基板を処理する第１ギャップ工程ラインと第２基板を処理する第２ギャップ工程ライン及び前記両基板を合着する合着ラインに分けられる。即ち、ＴＦＴ単位基板領域などを含む第１基板とＣＦ単位基板領域などを含む第２基板上に各々他のラインで進行する二つに分けられた二つのラインの工程を遂行した後、前記第１基板及び第２基板を合着する単一化された単一のラインのギャップ工程を遂行する。言い換えれば前記ギャップ工程は二つに分けられた二つのラインで工程が遂行されたうえ単一ライン化された単一のラインで遂行される複合ラインからなる工程である。
【００４５】
かかるギャップ工程の遂行順序は次のとおりである。
図６に示すように、第３、第４カセットに積載されている第１、第２基板のうち一つずつを選択して第２ラインにローディングする。
次に選択された第１基板及び第２基板を洗浄（２５Ｓ）し、次に第１基板は液晶ディスペンシング装置にローディングされ、第２基板は銀ディスペンシング装置とシール剤ディスペンシング装置に順次的にローディングされる。
【００４６】
これによって第２基板上には多数のＣＦ単位基板領域上の共通電極と電気的な連結のための銀ドットが塗布（２６Ｓ）され、各々ＣＦ単位基板領域の周辺部に液晶注入口のないシール剤が塗布される（２７Ｓ）。この時シール剤は光又は熱硬化性樹脂が用いられる。
【００４７】
尚、前記ＣＦ単位基板領域上のシール剤の内側領域と対応するＴＦＴ単位基板領域上に液晶を滴下（２８Ｓ）する工程が遂行される。
液晶の滴下（２８Ｓ）工程を簡略にみると次のように遂行される。
先ず、液晶を真空下で脱泡させた後、液晶滴下装置を組み立て及びセッティングして液晶ディスペンシング装置に取り付ける。その後、第１基板を液晶ディスペンシング装置にローディングして液晶滴下装置を用いて液晶を滴下する。前記液晶滴下はフレーム形状のシール剤が塗布された内側（画素領域）に一定のピッチで所定量の液晶を均一にドット状に滴下する工程である。
【００４８】
次に前記のような工程が遂行された各々の第１基板と第２基板は真空チャンバにローディングされて、前記滴下された液晶が均一に各パネルに満たされるように第１基板と第２基板とを合着した後、前記シール剤を硬化し大面積液晶パネルを形成する（３０Ｓ）。
ここで、前記合着工程をみると次のとおりである。
【００４９】
図示してないが、第１基板を水平方向に移動可能な真空容器内のテーブル上に搭載し、前記第１基板の下部表面の全面を第１吸着機構で真空吸着して固定する。次に第２基板の下部表面の全面を第２吸着機真空吸着して固定し、真空チャンバを閉じて真空にする。また、前記第２吸着機構を垂直方向に降下させて前記第１基板と第２基板の間を所定間隔に設定したうえ前記第１基板を搭載した前記テーブルを水平方向に移動させて第１基板と第２基板を位置合わせする。
【００５０】
その後、前記第２吸着機構を垂直方向に降下させて第２基板を前記シール剤を介して第１基板に接合し、前記滴下された液晶が第１基板及び第２基板に所定厚さで充填されるように加圧して多数の液晶単位液晶パネルを含んでいる大面積液晶パネルを形成する。次に前記真空チャンバから前記パネルを取り出した後前記シール剤に紫外線照射してギャップ工程を完了する。
【００５１】
ここで、前記ギャップ工程遂行のうち合着時に配向ミスによる不良とか、液晶量の不足及び過多による不良又はシール剤の断線による不良が発生したパネルはギャップ工程ラインのアンローダーに位置したバッファ用カセットに保管処理する。
【００５２】
前記大面積液晶パネルはＴＦＴ単位基板領域とＣＦ単位基板領域が各々合着された多数の単位液晶パネル領域を備える。例えば、図７に示すように、各々９個のＴＦＴ単位基板領域３００及びＣＦ単位基板領域４００などが第１基板５００及び第２基板６００に形成されている。かかる第１、第２基板５００，６００は良品判定を受けて液晶セル工程を遂行することになり、前記のようにアレイ工程及びカラーフィルタ工程で少なくとも一つ以上の不良が発生したＴＦＴ単位基板領域又はＣＦ単位基板領域を含む場合もある。
【００５３】
前記不良が発生した単位基板領域の情報は液晶表示装置の工程ラインの情報を総括する中央処理装置に貯蔵されており、かかる基板の情報データは以下説明される検査工程ライン上に配置されたローカル処理装置に伝送される。
なお、ギャップ工程が完了した大面積液晶パネルは第３ラインにローディングされる。前記第３ラインは大面積液晶パネルを多数の単位液晶パネルに切断する工程と、前記単位液晶パネルの切断された面を加工する研磨工程及び単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査を含めて遂行する単一ライン化された単一ラインから構成される。
【００５４】
即ち、図８に示すように、先ず複数のパネルが積載されたカセット（図示せず）が第３ライン（８００）のローダー８１０上に配置されるとロボットアームによって前記パネルを単位液晶パネルに切断する工程が行われる。
前記切断工程（３０Ｓ）は切断ホイルを介して一定した圧力でガラス材質のパネルと密着して一定の深さの溝を形成し、前記パネルに溝が形成された以後には外部の衝撃を介してクラックが下向きに伝波されるようにパネルを切削することで多数の単位液晶パネルを形成する。
【００５５】
次に単位液晶パネルの切断部位の状態を検査する工程が遂行される。前記検査工程（３１Ｓ）は切断された単位液晶パネルの切断部位に残余物が残留するかを検査する工程である。
次に切断された各単位液晶パネルは研磨装置で移送されて単位液晶パネルの面を研磨することになるが、この時本発明の実施形態では前記研磨（３２Ｓ）工程前、ローカル処理装置（９００）で前記中央処理装置から不良単位領域のデータが伝送されて前記単位液晶パネルの研磨装置への移送可否を判断する。
【００５６】
即ち、不良が発生した単位基板領域を含む単位液晶パネルは第３ライン８００の周辺部に位置するバッファ用カセット１０００に保管処理し、図７における良品判定を受けた単位基板領域からなる単位液晶パネルだけが研磨装置に移送されることになる。これによって、従来の研磨装備の不要な稼動による摩耗と、以後遂行される検査工程における作業者の疲労及び時間浪費などを効果的に減らすことができる。
【００５７】
次に単位液晶パネルの外観及び電気的な連結に対する最終検査（３３Ｓ）を進行して液晶セル工程を完了した後、アンローダーに備えられているカセットに積載される。
前記検査（３３Ｓ）は液晶配向状態を検査する外観検査及びＡ／Ｐ検査を遂行する工程でむら不良及び電気的な点灯状態、例えば、格子むら、黒色むら、カラーフィルタ突起、斜線むら、ラビング縞、ピンホール、ゲートライン及びデータラインの単線又はショートなどを検査する。
前記不良むらは肉眼又はＣＣＤなどの個体撮像素子による自動検出が可能である。
【００５８】
前記第３ラインは関連技術における真空注入法を適用した液晶表示装置の製造工程ラインにおいて、三つの独立したラインで各々遂行される切断工程、注入封止工程及び検査工程で遂行されるとは異なり、単一ライン化された単一ラインで液晶セル工程を完了できる。即ち、前記関連技術における多数の工程ラインによる非効率的な空間使用と、工程時間及び生産費用を減らすことができて、最小の工程ラインで最大の歩留まりを確保することができる。以後図示してないがドライバＩＣの装着とかバックライト装着などのモジュール工程が遂行される。
【００５９】
以上で説明した本発明は上述した実施例及び添付された図面に限定されるものでなく、本発明の技術的な思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということが、本発明の属する技術分野で通常の知識を持つ者において明白であるだろう。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置の工程ライン及びこれを用いた製造方法によると、次のような効果がある。
第一に、液晶セル工程ラインを第１ないし第３ラインの単純化された工程ラインで単位液晶パネルを形成することで、これまでの多数の工程ラインによる非効率的な空間活用を防止して空間節約が可能である。
第二に、単純化された工程ラインによる物流装備の節減及び時間を減らすことができて最小の工程ラインで最大の歩留まりを確保することができる。
第三に、第３ラインに別のバッファ用カセットを備えてローカル処理装置の情報によって不良単位基板領域を含む単位液晶パネルを保管処理することで、以後遂行される研磨工程における研磨装備の不要な可動による摩耗と最終検査工程における作業者の疲労及び時間の無駄遣いなどを効果的に減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】関連技術における真空注入法を適用した液晶表示装置の製造工程図である。
【図２】図１の真空注入法を説明するための斜視図である。
【図３】関連技術における滴下注入法を説明するための斜視図である。
【図４】関連技術における不良単位基板領域を説明するための例示図である。
【図５】本発明の実施形態による配向工程を説明するための工程フローチャートである。
【図６】本発明の実施形態によるギャップ工程の工程フローチャートである。
【図７】本発明の実施形態による不良単位基板領域を説明する例示図である。
【図８】本発明の実施形態による検査工程ラインを説明する工程配置図である。
【符号の説明】
３００  ＴＦＴ単位基板領域
４００  ＣＦ単位基板領域
５００  第１基板
６００  第２基板
８００  第３ライン
８１０  ローダー
９００  ローカル処理装置
９１０  アンローダー
１０００  バッファ用カセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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