(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布であるベース基材の両面に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ２であるフィルム状の緩和層と更にそれら緩和層の両方の外側にＣｕ箔を配し、両側より加圧および加温して積層成形板を得る工程と、該積層成形板を貫通するスルーホールを形成する工程と、該スルーホールを含め前記Ｃｕ箔に配線を形成する工程と、半導体チップの電極との電気的接続を行うための電極と外部の配線基板との電気的接続を行うためのパッド電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体チップを搭載する配線基板の製造方法。
【請求項２】
ＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布であるベース基材の、一方の面にＣｕ箔を配し、他方の面に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ２であるフィルム状の緩和層と更にその上にＣｕ箔とを配し、両側より加圧および加温して積層成形板を得る工程と、該積層成形板を貫通するスルーホールを形成する工程と、該スルーホールを含め前記Ｃｕ箔に配線を形成する工程と、前記一方の面に半導体チップの電極との電気的接続を行うための電極と前記他方の面に外部の配線基板との電気的接続を行うためのパッド電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体チップを搭載する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを配線基板に搭載し半導体チップと配線基板とを電気的な接続を行い、その接続部を覆うように樹脂で封止し、配線基板上に外部の配線基板と接続を行うためのハンダ突起端子を設けた半導体装置に使用する、半導体チップを搭載する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高機能化にともない、半導体装置の外部端子の数は増大する傾向にあり、側面に外部端子を設けているＱＦＰのような半導体装置は外部端子の端子ピッチを狭くしたとしても、外形サイズが大きくなってしまう傾向にある。
これにたいして、ＢＧＡあるいはＣＳＰのような電極端子をアレイ上に配置できる半導体装置は、外部端子の増加ができ、且つＱＦＰよりも外形サイズを小さくすることが可能である。このような半導体装置の例としては配線基板を使用した半導体装置として、たとえば特開平６−３４９９７３号公報や、配線基板を使用しない半導体装置として特開平２−４９４６０号公報があげられる。
【０００３】
配線基板を使用した電極端子をアレイ上に形成した半導体装置の構造について図２３を用いて説明する。
図２３は、前述の特開平６−３４９９７３号公報に開示された半導体装置を示す断面図である。
【０００４】
半導体チップ１２０上には合金系の突起電極１２２が形成されている。配線基板１２６には半導体チップ１２０の突起電極１２２の配置に対応するように形成された電極１２３が形成され、他面には外部の配線基板との接続するようにパッド電極１２４が形成されている。
半導体チップ１２０と配線基板１２６とは、半導体チップ１２０に形成した突起電極１２２で電気的接続を行い、半導体チップ１２０を覆うように樹脂１２１で封止されている。配線基板１２６の他面のパッド電極上には合金系の突起端子１２５が形成されている。
【０００５】
配線基板を使用しない電極端子をアレイ上に形成した半導体装置の構造について、図２４を用いて説明する。
図２４は前述の特開平２−４９４６０号公報に開示された半導体装置を示す断面図である。
【０００６】
半導体チップ１３０の主表面上には電極１３１が形成されていて、この電極は外部の配線基板との接続するための突起端子１３５の一部として機能している。電極１３１の一部表面の露出させるように、半導体チップ１３０の表面にパッシベーション膜が形成されている。電極１３１の一部表面上に外部の配線基板との接続するための突起端子１３５が形成されている。この突起端子１３５の一部を露出させ、かつ半導体チップ全体を覆うように樹脂１３２で封止されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体チップの出力端子が増加すると、アレイ状に形成している突起端子の間隔を狭めなければならなくなり、これによって突起端子の体積が小さくなってしまう。
これによって配線基板あるいは半導体装置に直接突起端子に形成した前述のような半導体装置では、外部の配線基板と接続したとき、外部の配線基板と半導体装置との間隔が狭くなり、さらに温度サイクル試験等の環境試験に投入することによって発生する接続部への応力が増大し、半導体装置の熱疲労寿命が低下してしまう。接続不良になった半導体装置は突起端子の根本で破断を起こしている。
【０００８】
また、図２３にしめすような半導体チップを配線基板にフェイスダウンで搭載する半導体装置の構造においては、半導体チップと配線基板に電気的な接続を半導体チップに形成した合金系の突起電極で行うので、前述のように半導体チップの出力端子が増加すると、突起電極の間隔も狭めなければならなくなり、よって突起電極の体積が小さくなってしまう。
これによって半導体チップを配線基板に搭載したとき、半導体チップと配線基板との間隔が狭くなり、半導体装置を単体で温度サイクル試験等の環境試験に投入することによって発生する接続した突起電極への応力が増大し、半導体チップの接続した突起電極の熱疲労寿命が低下してしまう。
【０００９】
〔発明の目的〕
本発明の第１の目的は、前述の課題を解決して、半導体チップの出力端子の増加に伴い突起端子の体積が小さくなっても、外部の配線基板と接続したことによって発生する接続部への応力を緩和して接続信頼性を損なわない半導体装置を実現することができる、半導体チップを搭載する配線基板の製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明のもう１つの目的は、半導体チップを配線基板にフェイスダウンで搭載する半導体装置の構造において、前述の目的に加えて半導体チップの出力端子の増加に伴い突起電極の体積が小さくなっても、配線基板と接続したことによって発生する突起電極への応力を緩和して接続信頼性を損なわない半導体装置に使用する半導体チップを搭載する配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明の半導体チップを搭載する配線基板の製造方法は、下記記載の手段を採用する。
【００１２】
本発明の半導体チップを搭載する配線基板の製造方法は、ＢＴレジンガラス布やエポキ
シ樹脂ガラス布であるベース基材の両面に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ２であるフィルム状の緩和層と更にそれら緩和層の両方の外側にＣｕ箔を配し、両側より加圧および加温して積層成形板を得る工程と、該積層成形板を貫通するスルーホールを形成する工程と、該スルーホールを含め前記Ｃｕ箔に配線を形成する工程と、半導体チップの電極との電気的接続を行うための電極と外部の配線基板との電気的接続を行うためのパッド電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体チップを搭載する配線基板の製造方法は、ＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布であるベース基材の、一方の面にＣｕ箔を配し、他方の面に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ２であるフィルム状の緩和層と更にその上にＣｕ箔とを配し、両側より加圧および加温して積層成形板を得る工程と、該積層成形板を貫通するスルーホールを形成する工程と、該スルーホールを含め前記Ｃｕ箔に配線を形成する工程と、前記一方の面に半導体チップの電極との電気的接続を行うための電極と前記他方の面に外部の配線基板との電気的接続を行うためのパッド電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の半導体チップを搭載する配線基板の製造方法における最適な実施形態の説明を行う。
まずはじめに本発明の配線基板を用いた半導体装置の構造を説明する。
【００１６】
〔第１の参考例である半導体装置の構造説明：図１〜図５〕
本発明の配線基板を用いた第１の参考例である半導体装置の構造の実施形態について、図１〜図５を用いて説明する。図１は半導体装置の断面図であり、図２は半導体チップ１の電極１６側から見た平面図であり、図３は半導体チップ１の断面図であり、図４は配線基板１７の半導体チップ１搭載側から似た平面図であり、図５は配線基板１７の断面図である。
【００１７】
半導体チップ１は図２、図３を用いて説明する。シリコン基板１４上に電子回路を形成し、その回路の外部端子としてＡｌまたはＡｕなどで電極１６が形成されている。電極１６の材料あるいは表面処理については配線基板１７とをワイヤー８で結線する際のワイヤー８の材料やボンダビリティーを考慮して選択する。半導体チップ１の電極１６以外の部分は窒化シリコン膜等の無機膜か前述の無機膜にさらにその上にポリイミド等の有機膜による保護膜１５で覆われ、外部とは電気的に絶縁されている。
【００１８】
配線基板１７については図４、図５を用いて説明する。配線基板１７の半導体チップ１の裏面を搭載するエリア１８にはダイアタッチパターン１２が形成されていて、半導体チップ１を搭載した際の電源グランドおよび半導体チップ１から発生する熱を放熱する役割を兼ねている。
ダイアタッチパターン１２内には複数のサーマルビアホール２１を形成している。サーマルビアホール２１は半導体チップ１より発生した熱を配線基板１７のハンダボール面に逃がす役割とダイアタッチパターン１２と配線基板１７のパッド電極１０とを電気的に接続することを兼ねている。
またサーマルビアホール２１や他のスルーホール１３内にはエポキシ樹脂９が埋められており、配線基板１７のハンダボール１１搭載側から半導体チップ１搭載側への水分の侵入を抑えることができる。
【００１９】
電極１９は、半導体チップ１の電極１６とをワイヤー８で結線するための電極で、Ｃｕ上にＡｕ／Ｎｉメッキを施している。ワイヤー８のボンダビリティーを考慮し、Ｎｉ層の厚さが３μｍ〜１５μｍ、Ａｕ層の厚さが０．３μｍ〜１μｍで形成している。
【００２０】
配線基板１７の半導体チップ１を搭載する側は、前述のダイアタッチパターン１２、電極１９以外部分はソルダーレジスト４で覆われている。
【００２１】
配線基板１７のハンダボール搭載側はＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布等の基材６上に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ2 の緩和層７を形成し、その上に配線やハンダボール１１を搭載するパッド電極１０を形成している。
【００２２】
パッド電極１０はハンダボール１１を搭載する際にハンダボール１１がパッド電極１０に対してハンダが充分に濡れ、かつ充分な密着強度を確保するために、Ｃｕ上にＡｕ／Ｎｉメッキを施している。それぞれ金属層の厚さは、Ｎｉ層の厚さが３μｍ〜５μｍ、Ａｕ層の厚さを０．０２μｍ〜０．０５μｍで形成している。
【００２３】
配線基板１７のハンダボール１１を搭載する側は前述のパッド電極１０以外部分はソルダーレジスト５で覆われている。
【００２４】
半導体装置については前述の半導体チップ１、配線基板１７を含め図１を用いて説明する。半導体チップ１は配線基板１７上のダイアタッチパターン１２上に接着剤３を用いて固定している。接着剤３はエポキシ樹脂にＡｇのフィラーを含有しているので、半導体チップ１をダイアタッチパターン１２上に搭載した際の電源グランドへの電気的接続および半導体チップ１から発生する熱をダイアタッチパターン１２へ放熱することができる。
【００２５】
半導体チップ１上の各電極１６と配線基板１７上の電極１９との電気的接続はＡｕのワイヤー８で行われている。Ａｕのワイヤー径は０．０３ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度のワイヤーを使用している。電極１９とパッド電極１０とはスルーホールを介して電気的に接続している。
【００２６】
半導体チップ１、ワイヤー８および配線基板１７の電極１９は、遮蔽と保護のために封止樹脂２で封止している。封止樹脂２には熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用している。
【００２７】
さらに、配線基板１７のパッド電極１０には、ハンダボール１１を形成している。このハンダボール１１には、ＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダを用いている。
このハンダボール１１を介してこの半導体装置と外部の配線基板との電気的接続を行っている。
【００２８】
〔第２の参考例である半導体装置の構造説明：図６〜図１０〕
つぎに、本発明の配線基板を用いた第２の参考例である半導体装置の構成の説明を行う。
本発明の配線基板を用いた第２の参考例である半導体装置の構造の実施形態について、図６から図１０を用いて説明する。図６は半導体装置の断面図であり、図７は半導体チップ３０の突起電極３３側から見た平面図であり、図８は半導体チップ３０の断面図であり、図９は配線基板３９の半導体チップ３０搭載側から似た平面図であり、図１０は配線基板３９の断面図である。
【００２９】
半導体チップ３０は図７と図８とを用いて説明する。
シリコン基板４５上に電子回路を形成し、その回路の外部端子としてＡｌなどで電極４６が形成されている。電極４６の上に配線基板３９の電極４７との電気的接続を行うためにＣｕあるいはＡｕの突起電極３３を形成している。
【００３０】
Ａｌの電極４６上にＣｕあるいはＡｕの突起電極３３形成するためにバリアメタル層４３を蒸着法やスパッタリング法を用いて形成したのちに、その上にＣｕあるいはＡｕの突起電極３３をメッキによって形成する。バリアメタル層４３は電極４６と突起電極３３のそれぞれの金属の相互拡散を防止するために形成している。
【００３１】
半導体チップ３０の電極４６以外の部分は、窒化シリコン膜等の無機膜か前述の無機膜にさらにその上にポリイミド等の有機膜による保護膜４４で覆われ、外部とは電気的に絶縁されている。
【００３２】
配線基板３９については図９と図１０とを用いて説明する。
配線基板３９の半導体チップ３０搭載側およびハンダボール４１搭載側の両側には、ＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布などの基材３７上に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ2 の緩和層３５を形成し、その上に配線、電極４７およびハンダボール４１を搭載するパッド電極５２を形成している。
突起電極３３に使用する金属の弾性率はＣｕが１３０×１０5 ｋｇｆ／ｍｍ2 で、Ａｕが７８×１０4 ｋｇｆ／ｍｍ2 とハンダが３２×１０4 ｋｇｆ／ｍｍ2に比べて堅い材料であることから、半導体チップ３０と配線基板の線膨張係数の違いにより発生する応力が突起電極３３の根本に集中するのでこれを緩和するために、配線基板３９の半導体チップ３０搭載側にも緩和層３５を形成している。
【００３３】
配線基板３９の電極４７は半導体チップ３０に形成している突起電極３３の配置に対応するように形成している。スルーホール内４０にはエポキシ樹脂４２が埋められており、配線基板３９のハンダボール４１搭載側から半導体チップ３０搭載側への水分の侵入を抑えることができる。
【００３４】
電極４７は半導体チップ３０の突起電極３３とを電気的に接続をするために、電極４７のＣｕ上にハンダ層４８を施している。このハンダ層４８には、ＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダを用いている。
このハンダ層４８を溶融して、半導体チップ３０の突起電極３３と接続を行っている。ハンダ層の厚さは２００μｍ〜５００μｍ程度で形成している。
【００３５】
配線基板３９の半導体チップ３０を搭載する側は、前述の電極４７以外部分はソルダーレジスト３４で覆われている。
【００３６】
ハンダボール４１搭載側のパッド電極５２はハンダボール４１を搭載する際にハンダボール４１がパッド電極５２に対してハンダが充分に濡れ、かつ充分な密着強度を確保するために、Ｃｕ上にＡｕ／Ｎｉメッキを施している。各金属層の厚さはＮｉ層の厚さが３〜５μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０２μｍ〜０．０５μｍで形成している。
【００３７】
配線基板３９のハンダボール４１を搭載する側は、前述のパッド電極５２以外部分はソルダーレジスト３４で覆われている。
【００３８】
半導体装置については前述の半導体チップ３０、配線基板３９を含め図６を用いて説明する。半導体チップ１上の各突起電極３３と配線基板３９上の電極４７との電気的接続は電極４７上に形成したハンダ層４８を溶融し、突起電極３３と電極４７との接続する。電極４７とパッド電極５２とはスルーホールを介して電気的に接続している。
【００３９】
半導体チップ３０と配線基板３９とのあいだには、接続部の信頼性向上および半導体チップ３０および配線基板３９に形成されている回路の保護のために封止樹脂３２で封止している。封止樹脂３２には熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用している。
【００４０】
さらに、配線基板３９のパッド電極５２には、ハンダボール４１を形成している。このハンダボール４１には、ＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダを用いている。
このハンダボール４１を介してこの半導体装置と外部の配線基板との電気的接続を行っている。
【００４１】
〔第３の参考例である半導体装置の構造説明：図１１〜図１５〕
つぎに、本発明の配線基板を用いた第３の参考例である半導体装置の構成の説明を行う。
本発明の第３の参考例については、図１１〜図１５を用いて構造を説明する。図１１は半導体装置の断面図であり、図１２は半導体チップ７０の突起電極７１側から見た平面図であり、図１３は半導体チップ７０の断面図であり、図１４は配線基板８０の半導体チップ７０搭載側から似た平面図であり、図１５は配線基板８０の断面図である。
【００４２】
半導体チップ７０は図１２と図１３とを用いて説明する。
シリコン基板８４上に電子回路を形成し、その回路の外部端子としてＡｌなどで電極８６が形成されている。電極８６の上に配線基板８０の電極８７との電気的接続を行うためにＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダで突起電極７１を形成している。
【００４３】
Ａｌの電極８６上に、ハンダの突起電極７１を形成するためにバリアメタル層８５を蒸着法やスパッタリング法を用いて形成したのちに、その上にハンダの突起電極７１をメッキによって形成する。
バリアメタル層８５は電極８６と突起電極７１のそれぞれの金属の相互拡散を防止するために形成している。
【００４４】
半導体チップ７０の電極８６以外の部分は窒化シリコン膜等の無機膜か前述の無機膜にさらにその上にポリイミド等の有機膜による保護膜７３で覆われ、外部とは電気的に絶縁されている。
【００４５】
配線基板８０については図１１と図１５とを用いて説明する。
配線基板８０のハンダボール８２搭載側にはＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布等の基材７６上に弾性率が０．５〜５ｋｇｆ／ｍｍ２の緩和層７７を形成し、その上に配線やハンダボール８２を搭載するパッド電極８１を形成している。
【００４６】
配線基板８０の電極８７は半導体チップ７０に形成している突起電極７１の配置に対応するように形成している。スルーホール７９内にはエポキシ樹脂８３が埋められており、配線基板８０のハンダボール８２搭載側から半導体チップ７０搭載側への水分の侵入を抑えることができる。
【００４７】
電極８７は半導体チップ７０のハンダで形成した突起電極７１が充分に濡れ、しかも充分な密着強度を確保するために、Ｃｕ上にＡｕ／Ｎｉメッキを施している。
それぞれの金属層の厚さは、Ｎｉ層の厚さが３μｍ〜５μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０２μｍ〜０．０５μｍで形成している。
【００４８】
配線基板８０の半導体チップ７０を搭載する側は、前述の電極８７以外部分はソルダーレジスト７４で覆われている。
【００４９】
ハンダボール８２搭載側のパッド電極８１はハンダボール８２を搭載する際にハンダボール８２がパッド電極８１に対してハンダが充分に濡れ、かつ充分な密着強度を確保するために、Ｃｕ上にＡｕ／Ｎｉメッキを施している。
それぞれの金属層の厚さは、Ｎｉ層の厚さが３μｍ〜５μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０２μｍ〜０．０５μｍで形成している。
【００５０】
配線基板８０のハンダボール８２を搭載する側は前述のパッド電極８１以外部分はソルダーレジスト７４で覆われている。
【００５１】
半導体装置については前述の半導体チップ７０、配線基板８０を含め図１１を用いて説明する。
半導体チップ７０上の各突起電極７１と配線基板８０上のハンダを溶融し、突起電極７１と電極８７とを接続する。電極８７とパッド電極８１とはスルーホールを介して電気的に接続している。
【００５２】
半導体チップ７０と配線基板８０とのあいだには、接続部の信頼性向上および半導体チップ７０および配線基板８０に形成されている回路の保護のために封止樹脂７２で封止している。
封止樹脂７２には熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用している。
【００５３】
さらに、配線基板７０のパッド電極８１には、ハンダボール８２を形成している。このハンダボール８２には、ＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダを用いている。
このハンダボール８２を介してこの半導体装置と外部の配線基板との電気的接続を行っている。
【００５４】
〔本発明の配線基板の製造方法：図１６〜図２２〕
つぎに、さきに説明した本発明の第２の参考例に用いた配線基板の製造方法について説明する。図１６〜図２２は本発明の配線基板の製造工程を示す断面図であり、以下これらの図面を用いて説明する。
【００５５】
図１６は配線基板のベースになる基材１００である。この基材１００は厚さが０．２〜０．６ｍｍ程度のＢＴレジンガラス布やエポキシ樹脂ガラス布等を使用する。
基材１００の両面は、その基材１００上に形成する緩和層１０１を密着をよくするために、粗化処理、触媒活性化処理を行う。
【００５６】
両面を粗化処理、触媒活性化処理をおこなった基材１００上にフィルム状の厚さ３０μｍ〜５０μｍの緩和層１０１および緩和層１０１との密着をよくするために表面処理を施した厚さ１８μｍのＣｕ箔１０２を配し、両側より加圧および温度をかけて積層成形する。
これによって基材１００の両面に緩和層１０１を形成した図１７に示す両面板ができる。
【００５７】
両面板に複数のスルーホール１０３をドリル加工あるいはレーザー加工のよって形成する。スルーホール１０３内にＣｕメッキを施すために触媒活性化処理を行い、Ｃｕメッキを行う。これによって図１８に示すようなスルーホール１０３が形成できる。
【００５８】
つぎに図１９に示すようなスルーホール１０３内にエポキシ樹脂１０４充填する。このエポキシ樹脂１０４の充填方法は、スクリーン印刷法を用いて、基板の上面に液状のエポキシ樹脂１０４を供給し、スキージによるスルーホール１０３内への塗り込み行う。塗り込み後エポキシ樹脂１０４を熱硬化し、硬化後基板表面を研磨する。この方法でスルーホール１０３内にエポキシ樹脂１０４を完全に充填できる。
【００５９】
つぎに配線を形成するために、基板両面に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを介し露光、現像を行い、配線に必要な部分のみエッチングレジスト膜を形成する。その後Ｃｕのエッチングを行い不要なＣｕ層を除去し、さらにエッチングレジストを除去する。これによって図２０に示すような配線が形成できる。
【００６０】
つぎに電極１０６、パッド電極１０７を形成するために、両面にソルダーレジスト１０８となる感光性樹脂を塗布し、所定のマスクを介し露光、現像を行い、電極１０６、パッド電極１０７のみが露出するようにソルダーレジスト１０８を形成する。
その後、ハンダの濡れ性と密着強度を確保するためにソルダーレジスト１０８をマスクにして、電極１０６、パッド電極１０７上にＡｕ／Ｎｉメッキを行う。各金属層の厚さはＮｉ層の厚さが３μｍ〜５μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０２μｍ〜０．０５μｍで形成している。これによって図２１に示すような電極、パッド電極が形成できる。
【００６１】
さらに、電極１０６は、半導体チップの突起電極と電気的に接続をするために、電極１０６上にハンダ層１０９を施している。このハンダ層１０９はスクリーン印刷法を用いて形成する。電極１０６部分のみ開口している所定のメタルマスクを使い、そのマスク上にソルダーペーストを供給し、スキージングすることでマスクの開口部のみソルダーペーストがマスクを通過し、電極１０６部分にソルダーペーストが供給できる。
その後、ハンダの融点よりも高い温度に基板を通過させることによりハンダ層１０９が形成できる。ハンダ層１０９には、ＳｎとＰｂとの比率が６：４の組成のハンダを用い、ハンダ層１０９の厚さは２０μｍから５０μｍ程度で形成している。これで図２２に示すように、第２の参考例に用いた本発明の配線基板が完成する。
他の参考例に用いた配線基板についても前述に示した製造方法の工程あるいは材料を一部削除することで作成できる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によって、半導体チップを配線基板上に搭載し、ハンダボールを介して外部の配線基板と電気的に接続を行う半導体装置において、配線基板内に半導体チップおよび外部の配線基板との接続により発生する応力を緩和する緩和層を形成した配線基板を製造できる。
このことによって、半導体装置単体の信頼性および外部の配線基板を接続した際の接続信頼性を向上することができる。今後半導体チップの出力端子の増加に伴い、半導体装置の突起端子の体積が小さくなっても半導体装置の接続信頼性を損なうことはない。
【００６３】
また、配線基板の製造においては、既存の製造装置を使用することが可能なので、生産上有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の参考例である半導体装置を示す断面図である。
【図２】  本発明の第１の参考例における半導体チップを示す平面図である。
【図３】  本発明の第１の参考例における半導体チップを示す断面図である。
【図４】  本発明の第１の参考例における配線基板を示す平面図である。
【図５】  本発明の第１の参考例における配線基板を示す断面図である。
【図６】  本発明の第２の参考例である半導体装置を示す断面図である。
【図７】  本発明の第２の参考例における半導体チップを示す平面図である。
【図８】  本発明の第２の参考例における半導体チップを示す断面図である。
【図９】  本発明の第２の参考例における配線基板を示す平面図である。
【図１０】  本発明の第２の参考例における配線基板を示す断面図である。
【図１１】  本発明の第３の参考例である半導体装置を示す断面図である。
【図１２】  本発明の第３の参考例における半導体チップを示す平面図である。
【図１３】  本発明の第３の参考例における半導体チップを示す断面図である。
【図１４】  本発明の第３の参考例における配線基板を示す平面図である。
【図１５】  本発明の第３の参考例における配線基板を示す断面図である。
【図１６】  本発明の配線基板の製造方法における配線基板の基材を示す断面図である。
【図１７】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法において緩和層を形成した状態を示す断面図である。
【図１８】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法においてスルーホールを形成した状態を示す断面図である。
【図１９】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法においてスルーホール内にエポキシ樹脂を充填した状態を示す断面図である。
【図２０】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法において配線を形成した状態を示す断面図である。
【図２１】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法において電極、パッド電極を形成した状態を示す断面図である。
【図２２】  第２の参考例における本発明の配線基板の製造方法においてハンダ層を形成した状態を示す断面図である。
【図２３】  従来技術における半導体装置を示す断面図である。
【図２４】  従来技術における半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  封止樹脂
７  緩和層
１０  パッド電極
１１  ハンダボール
１６  電極
１７  配線基板
１９  電極
３３  突起電極
４８  ハンダ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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