(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体融液を貯留する石英ルツボを支持するための単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、
前記黒鉛ルツボが、半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割部材と該分割部材の半径方向外方への変位を規制する変位規制部材とを備え、
前記黒鉛ルツボが底部と側部とから構成され、該側部は前記複数の分割部材からなり、前記底部は前記変位規制部材であり、前記複数の分割部材の下端部に周方向に沿う係合部が形成され、前記変位規制部材の周縁部に周方向に沿い、前記係合部に係合する係合受け部が形成され、
前記係合部は平坦な面で形成された段部であり、前記係合受け部は該段部に上方から当接する平坦な面で形成されたつば部であり、
前記段部または前記つば部のいずれか一方に溝部が形成され、他方に該溝部に係合する凸部が形成されていることを特徴とする単結晶引上装置用黒鉛ルツボ。
【請求項２】
請求項１に記載の単結晶引上装置用黒鉛ルツボを備えたことを特徴とする単結晶引上装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体融液を貯留する石英ルツボを支持するための単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムひ素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長する方法の一つとして、ＣＺ法が知られている。
このＣＺ法は、大口径、高純度の単結晶が無転位あるいは格子欠陥の極めて少ない状態で容易に得られること等の特徴を有することから、様々な半導体結晶の成長に用いられている方法である。
【０００３】
近年、単結晶の大口径化、高純度化、酸素濃度および不純物濃度等の均一化の要求に伴いこのＣＺ法も様々に改良され実用に供されている。
上記ＣＺ法の改良型の一つにいわゆる二重ルツボを用いた連続チャージ型磁界印加ＣＺ法（以下、ＣＭＣＺ法と省略する）が提案されている。この方法は、外部からルツボ内の半導体融液に磁界を印加することにより、前記半導体融液内の対流を抑制し極めて酸素濃度の制御性がよく単結晶化率がよい単結晶を成長させることができ、外側のルツボと内側のルツボとの間に原料を連続供給し長尺の半導体単結晶を容易に得ることができる等の特徴を有する。したがって、大口径かつ長尺の半導体単結晶を得るには最も優れた方法の一つと言われている。
【０００４】
図５は、特開平４−３０５０９１号公報に記載されている、上記のＣＭＣＺ法を用いたシリコンの単結晶引上装置の一例である。この単結晶引上装置１は、中空の気密容器であるチャンバ２内に二重ルツボ（石英ルツボ）３、ヒーター４、原料供給管５がそれぞれ配置され、前記チャンバ２の外部にマグネット６が配置されている。
なお、後述する本発明は、ＣＭＣＺ法による単結晶引上装置に適用されるに限らず、例えば、磁界印加を行わない連続チャージ型ＣＺ法（ＣＣＺ法）による単結晶引上装置や、二重ルツボではなく１つのルツボを備えた単結晶引上装置にも適用できる。
【０００５】
二重ルツボ３は、略半球状の石英（ＳｉＯ2）製の外ルツボ（後述する石英ル ツボ）１１と、該外ルツボ１１内に設けられた円筒状の仕切り体である石英（ＳｉＯ2）製の内ルツボ１２とから構成され、該内ルツボ１２の側壁には、内ルツ ボ１２と外ルツボ１１との間（原料融解領域）と内ルツボ１２の内側（結晶成長領域）とを連通する連通孔１３が複数個形成されている。
【０００６】
この二重ルツボ３は、チャンバ２の中央下部に垂直に立設されたシャフト１４上の黒鉛ルツボ（サセプタ）１５に収容されて載置されており、前記シャフト１４の軸線を中心として水平面上で所定の角速度で回転する構成になっている。そして、この二重ルツボ３内には半導体融液（加熱融解された半導体単結晶の原料）２１が貯留されている。
図６に示すように、黒鉛ルツボ１５はその半径方向の分割線に沿って分割された３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃからなり、各分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃの底面には、前記シャフト１４（図５参照）のフランジ部１４ａが嵌め込まれる凹部２０ａ、２０ｂ（分割部材１５ｃに形成された凹部は不図示）がそれぞれ形成されている。黒鉛ルツボ１５をその半径方向に分割した理由は、それに及ぼされる熱応力を逃がして、割れを防止するためである。
【０００７】
ほぼ円筒状のヒーター４は、半導体の原料をルツボ内で加熱・融解するとともに生じた半導体融液２１を保温するもので、通常、抵抗加熱ヒーターが用いられる。原料供給手段としての原料供給管５は、その下端開口より、所定量の半導体の原料１０を外ルツボ１１と内ルツボ１２との間の半導体融液２１面上に連続的に投入するものである。
【０００８】
上記の原料供給管５から供給される原料１０としては、例えば、多結晶シリコンのインゴットを破砕機等で破砕してフレーク状にしたもの、あるいは、気体原料から熱分解法により粒状に析出させた多結晶シリコンの顆粒が好適に用いられ、必要に応じてホウ素（Ｂ）（ｐ型シリコン単結晶を作る場合）やリン（Ｐ）（ｎ型シリコン単結晶を作る場合）等のドーパントと呼ばれる添加元素がさらに供給される。
また、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の場合も同様で、この場合、添加元素は亜鉛（Ｚｎ）もしくはシリコン（Ｓｉ）等となる。
【０００９】
上記の単結晶引上装置１により、内ルツボ１２の上方かつ軸線上に配された引上軸２４にチャック（不図示）を介して種結晶２５を吊下げ、引上軸２４をその軸線回りに回転させつつ引上げることにより、半導体融液２１上部において種結晶２５を核として半導体単結晶２６を成長させる。
【００１０】
ところで、上記の単結晶引上装置では、特開昭６３−３０３８９４号公報に記載されているように、単結晶を成長する前工程において、外ルツボ１１に予め多結晶シリコン塊等の多結晶原料を融解させて半導体融液２１を貯留し、外ルツボ１１の上方に配された内ルツボ１２を、外ルツボ１１内に載置して、二重ルツボ３を形成している。
【００１１】
このように多結晶原料を融解後に二重ルツボ３を形成するのは、多結晶原料を完全に融解して半導体融液２１を得るために、ヒーター４によって外ルツボ１１内の原料を単結晶成長温度以上の温度まで高温加熱する必要があり、この際に、予め内ルツボ１２を外ルツボ１１内に形成させていると、内ルツボ１２に大きな熱変形が生じてしまうからである。
【００１２】
したがって、原料を完全に融解した後、ヒーター４による加熱をある程度弱めてから内ルツボ１２を外ルツボ１１に形成させることによって、初期原料融解保持時の高温加熱を避け、内ルツボ１２の変形を抑制している。
【００１３】
また、内ルツボ１２に形成された連通孔１３は、原料供給時に、半導体融液２１を外ルツボ１１側から内ルツボ１２内にのみ流入させるように一定の開口面積以下に設定されている。この理由は、結晶成長領域から半導体融液２１が対流により原料融解領域に戻る現象が生じると、単結晶成長における不純物濃度および融液温度等の制御が困難になってしまうためである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ルツボ構造は、図６に示すように、分割構造の黒鉛ルツボ１５内に石英ルツボ１１を単に収容した構造なので、単結晶製造の進行に伴って、石英ルツボ１１から発生したガス（種類はＳｉＯ）と、黒鉛ルツボ１５の分割線近傍（以下、分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃという。）の特に湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ（図６中で１点鎖線で囲まれた部分）との反応により、この部分は欠損して薄肉化する。この薄肉化によりその欠損部の肉厚が規定値以下になったら、黒鉛ルツボ１５全体を新品のものに交換しなければならない。これにより、黒鉛ルツボ１５の寿命が短くなって、交換頻度が多くなり、結果的に、ランニングコストが高くつくという問題点がある。
【００１５】
ここで、黒鉛ルツボ１５の分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃが欠損しやすい原因は、以下のとおりに推測される。
すなわち、先ず、石英ルツボ１１から発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボ１５とが反応して、ＣがＣＯガスとして黒鉛ルツボ１５から離脱するような反応が起こると推測される（以下の反応式参照）。
ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ↑
そして、半導体単結晶成長工程中において、石英ルツボ１１が高温雰囲気に晒されることに起因して、石英ルツボ１１が変形して黒鉛ルツボ１５に密着し、ＳｉＯガスの通り道が分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃに集中する。この分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ付近では、生成されたＣＯガスがこの分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃを通って黒鉛ルツボ１５外へ移動しやすいため、ＣＯガス濃度が上昇しにくく、その結果、上記の反応が促進される。
また、分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの中でも、特に湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃが欠損しやすいのは、以下のような理由による。炉内において単結晶成長軸方向の温度分布は、下部側ほど、また、半径方向外側ほど高温になって前記反応が進行しやすい。一方、黒鉛ルツボ１５はフランジ１４ａに載置されているので、黒鉛ルツボ１５の底面からはＣＯガスが逃げにくいので、反応が進行しにくい。こうして、底面に近い下部に位置する湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、最も欠損しやすい部位となる。
石英ルツボ１１が黒鉛ルツボ１５に密着した状態でさらに変形して拡径すると、分割部材１５ａ、１５ｂ、１５は半径方向外方に変位して、ＣＯガスの通り道である分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの隙間が大きくなり、上記反応はさらに促進されることになる。
【００１６】
さらに、このような黒鉛ルツボ１５の分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの欠損促進を放置しておくと、黒鉛ルツボ１５の薄肉化による形状の変化に伴って、石英ルツボ１１も変形して薄くなるので、石英ルツボ１１内の半導体融液が流出する可能性が高くなるという問題点もある。
また、石英ルツボ１１の変形した部分の曲率が小さいことから、石英ルツボ１１内の半導体融液に流れ（乱流）が生じやすく、結果的に、半導体の単結晶化率が低下するという問題点もある。
【００１７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、石英ルツボから発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボとの反応が抑制されることにより黒鉛ルツボの寿命が延びてランニングコストが低減する上に、単結晶化率も向上する単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、以下の構成を採用した。
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボは、半導体融液を貯留する石英ルツボを支持するための単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、前記黒鉛ルツボが、半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割部材と該分割部材の半径方向外方への変位を規制する変位規制部材とを備えていることを特徴とする。この単結晶引上装置用黒鉛ルツボは、変位規制部材を備えることにより、分割部材の半径方向外方への変位を規制され、分割部の隙間が大きくなることが防止される。また、変位規制部材を備えているので、分割部材の位置ずれを防止できる。
【００１９】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボは、上記の単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、前記黒鉛ルツボが底部と側部とから構成され、該側部は前記複数の分割部材からなり、前記底部は前記変位規制部材であり、前記複数の分割部材の下端部に周方向に沿う係合部が形成され、前記変位規制部材の周縁部に周方向に沿い、前記係合部に係合する係合受け部が形成されていることを特徴とする。この単結晶引上装置用黒鉛ルツボでは、分割部材に設けられた係合部に底部をなす変位規制部材に設けられた係合受け部を係合させるという簡単な構成により、分割部材の半径方向外方への変位を防止でき、分割部の隙間が大きくなることが防止される。
【００２０】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボは、上記の単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、前記係合部は平坦な面で形成された段部であり、前記係合受け部は該段部に上方から当接する平坦な面で形成されたつば部であることを特徴とする。この単結晶引上装置用黒鉛ルツボでは、石英ルツボの変形に伴って黒鉛ルツボの開口部近傍を拡径する力が作用するとき、底部のつば部が分割部材の段部を押さえることにより、分割部材の変位を規制することができる。従って、分割部の隙間が大きくなることを防止できる。
【００２１】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボは、上記の単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、前記段部または前記つば部のいずれか一方に溝部が形成され、他方に該溝部に係合する凸部が形成されていることを特徴とする。この単結晶引上装置用黒鉛ルツボでは、底部と分割部材が係合が溝部と凸部とによりなされているので、鉛直方向を除く広範囲の方向の分割部材の変位を規制することができる。従って、分割部の隙間が大きくなることを防止できる。
【００２２】
本発明の単結晶引上装置は、上記のいずれかに記載の単結晶引上装置用黒鉛ルツボを備えたことを特徴とする。この単結晶引上装置は、変位規制部材を有する黒鉛ルツボが設けられているので、分割部材の半径方向外方への変位を規制し、ＣＯガスの通り道である分割部の隙間が大きくなることが防止され、石英ルツボから発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボの分割部の特に湾曲部との反応を抑制でき、黒鉛ルツボの湾曲部の薄肉化を防止できるので、黒鉛ルツボの寿命を延ばし、ランニングコストの削減可能である。また、黒鉛ルツボの薄肉化による形状の変化に伴う石英ルツボの変形が抑制できるので、石英ルツボ内の半導体融液が流出する可能性が低減されている。さらに、石英ルツボが変形した部分は半導体融液に流れ（乱流）が生じて半導体の単結晶化率が低下するが、そのような変形が抑制されるので、単結晶化率が高いインゴットの製造が可能である。
【００２３】
本発明の単結晶引上装置は、半導体融液を貯留する石英ルツボを支持するための黒鉛ルツボと該黒鉛ルツボを下方より支持する黒鉛ルツボ支持台を備えた単結晶引上装置において、前記黒鉛ルツボが半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割部材からなり、該複数の分割部材の外側の下部周縁部には周方向に沿うテ−パ部が設けられ、前記黒鉛ルツボ支持台の上面周縁部には周方向に沿い、前記テ−パ部に着接して前記複数の分割部材を支持するテ−パ受け部が形成されていることを特徴とする。この単結晶引上装置は、従来の黒鉛ルツボと黒鉛ルツボ支持台にそれぞれテ−パ部およびテ−パ受け部を設けることにより、分割部材の半径方向外方への変位を規制して、ＣＯガスの通り道である分割部の隙間が大きくなることを防止し、石英ルツボから発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボとの反応を抑制する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置の好適な実施の形態を図面を参照して説明する。
尚、図５および図６において既に説明した同等な構成要素に対しては、同符号を付してその説明を省略する。
【００２５】
まず、第一の実施形態を図１および図２を参照して説明する。
本実施形態の単結晶引上装置用黒鉛ルツボ３１（以下、単に黒鉛ルツボ３１という。）は、底部３２と側部３３とから構成され、その側部３３は３つの分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃからなり、底部３２は変位規制部材３２であり、３つの分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃのそれぞれの下端部に周方向に沿う平坦な面で形成された段部（係合部）３４、３４、３４が形成され、一方、変位規制部材３２の周縁部に周方向に沿い、前記段部３４、３４、３４に上方から当接する平坦な面で形成されたつば部（係合受け部）３５、３５、３５が形成されている。
【００２６】
この黒鉛ルツボ３１では、石英ルツボ１１の特に開口部が変形して拡径することにより、分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃの上部が半径方向外方に力を受け、その段部３４、３４、３４が図２の矢印に示すように力を受けた場合、変位規制部材３２のつば部３５、３５、３５により上方から押さえられる。そのため、分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃは半径方向外方に変位できないので、ＣＯガスの通り道である分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの隙間が大きくなることが防止され、石英ルツボ１１から発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボ３１の分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの特に湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃとの反応が抑制される。
【００２７】
また、変位規制部材３２により、分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃの位置ずれが防止できるので、位置ずれによる分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの隙間の増大も防止できる。
【００２８】
そのため、この反応に伴う分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの特に湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの薄肉化が抑制されるので、黒鉛ルツボ３１の寿命が延び、ランニングコストの削減が可能になる。
また、そのような黒鉛ルツボ３１の分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの特に湾曲部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの薄肉化による形状の変化に伴って、石英ルツボ１１が変形して薄くなることも抑制されるので、石英ルツボ１１内の半導体融液が流出する可能性を低減できる。
さらには、石英ルツボ１１が変形した部分は半導体融液に流れ（乱流）が生じて半導体の単結晶化率が低下するが、そのような変形が抑制されるので、単結晶化率が向上する。
【００２９】
次に、第二の実施形態について、図３を参照して説明する。
上述の第一の実施形態と同等な構成要素に対しては、同符号を付してその説明を省略する。
この実施形態では、図３に示すように、第一の実施形態における分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃの段部３４、３４、３４に溝部３６、３６、３６が形成され、また、変位規制部材３２のつば部３５、３５、３５にその溝部３６、３６、３６に係合する凸部３７、３７、３７が形成されている点が第一の実施形態との相違である。
【００３０】
この場合、分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃが図３の矢印に示すような力を受けても、分割部材３３ａ、３３ｂ、３３ｃの溝部３６、３６、３６が変位規制部材３２の凸部３７、３７、３７に係合されているので、変位できない。したがって、ＣＯガスの通り道である分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの隙間が大きくなることが防止されるので、石英ルツボ１１から発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボ３１との反応が抑制される。
【００３１】
次に、第三の実施形態について、図４を参照して説明する。
上述の第一および第二の実施形態と同等な構成要素に対しては、同符号を付してその説明を省略する。
この単結晶引上装置では、半径方向の分割線に沿って分割された３つの分割部材１５ａ、１５ｂ（分割部材１５ｃは不図示）からなる黒鉛ルツボ１５と該黒鉛ルツボ１５を下方より支持する黒鉛ルツボ支持台（図６中のフランジ部と同等の構成要素）１４ａを備えた単結晶引上装置において、３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃの外側の下部周縁部には周方向に沿うテ−パ部４０ａ、４０ｂ、４０ｃ（テ−パ部４０ｃは不図示）が設けられ、黒鉛ルツボ支持台１４ａの上面周縁部には周方向に沿い、テ−パ部４０ａ、４０ｂ、４０ｃに着接して３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃを支持するテ−パ受け部４１が形成されている。ここで、３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃの外側底面部４２ａ、４２ｂ、４２ｃ（外側底面部４２ｃは不図示）は、黒鉛ルツボ支持台１４ａの上面部１４ｂに接しない構成としているので、３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、黒鉛ルツボ支持台１４ａのテ−パ受け部４１だけで支持している。
【００３２】
この実施形態では、テ−パ部４０ａ、４０ｂ、４０ｃは、分割部材自身の重量のテ−パ部４０ａ、４０ｂ、４０ｃに垂直な方向の成分の力を受けているので、３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃは半径方向外方に変位することができない。この場合、３つの分割部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃを黒鉛ルツボ支持台１４ａのテ−パ受け部４１だけで支持する構成にすることで、その変位を効果的に規制している。そのため、ＣＯガスの通り道である分割部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ（図４不図示）の隙間が大きくなることが防止されるので、石英ルツボ１１から発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボ１５との反応が抑制される。
【００３３】
尚、上記実施形態において説明した黒鉛ルツボ１５、あるいは黒鉛ルツボ３１は、３分割のものに限らず、その他の数に分割されていてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏する。
【００３５】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボによれば、変位規制部材を備えているので、分割部材の半径方向外方への変位を規制することにより、分割部の隙間が大きくなることが防止できるので、石英ルツボから発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボとの反応を抑制でき、黒鉛ルツボの薄肉化を防止できるので、黒鉛ルツボの寿命を延ばし、ランニングコストの削減できるという効果を得ることができる。また、黒鉛ルツボの薄肉化による形状の変化に伴石英ルツボの変形が抑制できるので、石英ルツボ内の半導体融液が流出する可能性を低減できるという効果を得ることができる。さらに、石英ルツボが変形した部分は半導体融液に流れ（乱流）が生じて半導体の単結晶化率が低下するが、そのような変形が抑制されるので、単結晶化率が向上させることができるという効果が得られる。また、分割部材の位置ずれによる分割部の隙間が大きくなることが防止できるという効果が得られる。
【００３６】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボによれば、分割部材に設けられた係合部に底部をなす変位規制部材に設けられた係合受け部を係合させるという簡単な構成により、上記の効果と同様な効果を得られる。
【００３７】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボによれば、石英ルツボの変形に伴って黒鉛ルツボの開口部近傍を拡径する力が作用するとき、底部のつば部が分割部材の段部を押さえることにより、分割部材の変位を規制することができる。従って、分割部の隙間が大きくなることを防止できるという効果が得られる。
【００３８】
本発明の単結晶引上装置用黒鉛ルツボによれば、底部と分割部材が係合が溝部と凸部とによりなされているので、鉛直方向を除く広範囲の方向の分割部材の変位を規制することができる。従って、分割部の隙間が大きくなることを防止できるという効果が得られる。
【００３９】
本発明の単結晶引上装置によれば、変位規制部材を有する黒鉛ルツボが設けられているので、分割部材の半径方向外方への変位を規制し、ＣＯガスの通り道である分割部の隙間が大きくなることを防止され、石英ルツボから発生したＳｉＯガスと黒鉛ルツボの分割部の特に湾曲部との反応を抑制でき、黒鉛ルツボの湾曲部の薄肉化を防止できるので、黒鉛ルツボの寿命を延ばし、ランニングコストの削減可能であるという効果が得られる。また、黒鉛ルツボの薄肉化による形状の変化に伴石英ルツボの変形が抑制できるので、石英ルツボ内の半導体融液が流出する可能性が低減されているという効果が得られる。さらに、石英ルツボが変形した部分は半導体融液に流れ（乱流）が生じて半導体の単結晶化率が低下するが、そのような変形が抑制されるので、単結晶化率が高いインゴットの製造が可能であるという効果が得られる。
【００４０】
本発明の単結晶引上装置によれば、従来の黒鉛ルツボと黒鉛ルツボ支持台にそれぞれテ−パ部およびテ−パ受け部を設けて分割部材の半径方向外方への変位を規制しているので、上記の単結晶引上装置と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は本発明に係る第一の実施形態の単結晶引上装置用黒鉛ルツボの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】  図１（ｂ）におけるＰの拡大図である。
【図３】  本発明に係る第二の実施形態の単結晶引上装置用黒鉛ルツボの図１（ｂ）におけるＰと同等な部位の拡大図である。
【図４】  本発明に係る第三の実施形態の単結晶引上装置における黒鉛ルツボ近傍の該黒鉛ルツボの中心を通る垂直面から視た断面図である。
【図５】  ＣＭＣＺ法を用いたシリコンの単結晶引上装置の一例を示す断面図である。
【図６】  （ａ）は従来の単結晶引上装置のルツボ構造の平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【符号の説明】
１  単結晶引上装置
１１  石英ルツボ
１４ａ  フランジ部（黒鉛ルツボ支持台）
１５  単結晶引上装置用黒鉛ルツボ（黒鉛ルツボ）
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ  分割部
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  湾曲部
２１  半導体融液
３１  単結晶引上装置用黒鉛ルツボ（黒鉛ルツボ）
３２  底部（変位規制部材）
３３  側部
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ  分割部材
３４  段部（係合部）
３５  つば部（係合受け部）
３６  溝部
３７  凸部
４０ａ、４０ｂ  テ−パ部
４１  テ−パ受け部
【図１】
0003799865.tif 000002
【図２】
0003799865.tif 000003
【図３】
0003799865.tif 000004
【図４】
0003799865.tif 000005
【図５】
0003799865.tif 000006
【図６】
0003799865.tif 000007