(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４つの外側側壁を具備する筐体と；
複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と；
上記ダイオード回路を蛇行させて搭載し、上記ダイオード回路の蛇行に応じて蛇行しているダイオード回路蛇行搭載基板と；
を有し、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板の１枚づつが、４つの上記外側側壁のそれぞれと向き合い、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板が、上記筐体内にロ字状に設けられ、
４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板で囲まれている部位に、上記ブリッジ回路の出力電圧を分割する電圧分割回路が設けられ、
上記電圧分割回路を構成する抵抗直列回路を蛇行させて搭載し、上記抵抗直列回路の蛇行に応じて蛇行している抵抗蛇行搭載基板を有し、
上記抵抗は、板状の抵抗であることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項２】
４つの外側側壁を具備する筐体と；
複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と；
上記ダイオード回路を蛇行させて搭載し、上記ダイオード回路の蛇行に応じて蛇行しているダイオード回路蛇行搭載基板と；
を有し、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板の１枚づつが、４つの上記外側側壁のそれぞれと向き合い、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板が、上記筐体内にロ字状に設けられ、
４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板で囲まれている部位に、上記ブリッジ回路の出力電圧を分割する電圧分割回路が設けられ、
上記電圧分割回路を構成するコンデンサは、上記筐体に設けられた複数の円柱状の突起に載置されていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項３】
４つの外側側壁を具備する筐体と；
複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と；
上記ダイオード回路を蛇行させて搭載し、上記ダイオード回路の蛇行に応じて蛇行しているダイオード回路蛇行搭載基板と；
上記筐体の底壁面であって、上記筐体の外側の面に設けられている突起と；
上記筐体の底壁に設けられ、上記ダイオード回路蛇行搭載基板が設けられている空間に通じている貫通孔と；
を有し、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板の１枚づつが、４つの上記外側側壁のそれぞれと向き合い、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板が、上記筐体内にロ字状に設けられていることを特徴とする高電圧整流器。」です。
【請求項４】
請求項３において、
上記ロ字状を構成する第１の辺のほぼ中央に設けられ、上記ブリッジ回路の第１の入力端子と接続されている上記高電圧整流器用第１入力端子と；
上記ロ字状の一辺を構成し、上記第１の辺の隣に位置する第２の辺のほぼ中央に設けられ、上記ブリッジ回路の第１の出力端子と接続されている上記高電圧整流器用第１出力端子と；
上記ロ字状の一辺を構成し、上記第２の辺の隣に位置し、上記第１の辺と対向する第３の辺のほぼ中央に設けられ、上記ブリッジ回路の第２の入力端子と接続されている上記高電圧整流器用第２入力端子と；
上記ロ字状の一辺を構成し、上記第３の辺の隣に位置し、上記第２の辺と対向する第４の辺のほぼ中央に設けられ、上記ブリッジ回路の第２の出力端子と接続されている上記高電圧整流器用第２出力端子と；
を有することを特徴とする高電圧整流器。
【請求項５】
請求項３において、
４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板と、上記電圧分割回路との間に、内側側壁が設けられていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項６】
請求項３において、
上記ダイオード回路蛇行搭載基板が蛇行していることよって形成されている凹部に、隔壁が挿入されていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項７】
請求項３において、
上記隔壁が上記凹部に挿入されるときに上記隔壁をガイドする隔壁ガイドが、上記外側側壁と、上記内側側壁とに設けられていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項８】
請求項３において、
４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板で囲まれている部位に、上記ブリッジ回路の出力電圧を分割する電圧分割回路が設けられていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項９】
請求項８において、
上記電圧分割回路を構成するコンデンサがモールドされていることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項１０】
請求項８において、
上記電圧分割回路を構成する抵抗蛇行搭載基板が蛇行していることによって形成されている凹部に、隔壁が挿入されていることを特徴とする高電圧整流器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高電圧整流器に係り、特に多数のダイオードをブリッジ接続してなる高電圧整流器の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１７は、従来の高電圧整流器２００の構成を示す斜視図である。
【０００３】
従来の高電圧整流器２００は、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０と筐体２３０とを有する。なお、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０とが筐体２３０の中に設けられている。
【０００４】
ブリッジ回路２１０は、複数のダイオードが直列接続されている４つのダイオード回路２４０をリング状に接続することによって構成されている。
【０００５】
ダイオード回路２４０として用いられている半導体装置が、昭５８−３３７１９号実用新案公報に開示されている。
【０００６】
図１８は、ダイオード回路２４０の構成を示す斜視図である。
【０００７】
ダイオード回路２４０は、直列接続されている複数のダイオード２４１が搭載されている基板２４３を複数個積み重ね、上記直列接続されている複数のダイオード２４１をさらに直列接続することによって構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高電圧整流器２００では、ダイオード回路２４０を筐体２３０の中に設けた場合、ダイオード回路２４０が円柱形状であり、十分な絶縁距離を確保しなければならないので、図１７に示すように、筐体２３０の中にデッドスペース２５０が発生する。
【０００９】
したがって、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０とを有する従来の高電圧整流器２００では、高電圧整流器２００の中に存在するデッドスペース２５０によって、高電圧整流器２００の体積が大きくなるという問題がある。
【００１０】
なお、上記問題は、電圧分割回路２２０の代わりに、電圧分割回路２２０以外の回路を設ける場合にも発生する問題である。
【００１１】
本発明は、ブリッジ回路と、電圧分割回路または電圧分割回路以外の回路とを有する高電圧整流器において、この高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用することにより、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる高電圧整流器を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、４つの外側側壁を具備する筐体と、複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と、上記ダイオード回路を蛇行させて搭載し、上記ダイオード回路の蛇行に応じて蛇行しているダイオード回路蛇行搭載基板とを有し、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板の１枚づつが、４つの上記外側側壁のそれぞれと向き合い、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板が、上記筐体内にロ字状に設けられ、４枚の上記ダイオード回路蛇行搭載基板で囲まれている部位に、上記ブリッジ回路の出力電圧を分割する電圧分割回路が設けられ、上記電圧分割回路を構成する抵抗直列回路を蛇行させて搭載し、上記抵抗直列回路の蛇行に応じて蛇行している抵抗蛇行搭載基板を有し、上記抵抗は、板状の抵抗であることを特徴とする高電圧整流器である。
【００１３】
【発明の実施の形態および実施例】
図１は、本発明の第１の実施例である高電圧整流器１００の構成を示す斜視図である。
【００１４】
高電圧整流器１００は、ブリッジ回路１０と、長さと幅とが互いに同じであるダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄと、電圧分割回路３０と、筐体４０とを有する。
【００１５】
図２は、高電圧整流器１００の回路構成を示す図である。
【００１６】
ブリッジ回路１０は、複数のダイオード１２が直列接続されているダイオード回路１１が８つ、ブリッジ回路を形成するように接続されている。なお、高電圧整流器１００では、１２個のダイオード１２が直列接続され、ダイオード回路１１を構成している。
【００１７】
各ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄには、端子を挟んで接続された２つのダイオード回路１１が設けられている。ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａに設けられている２つのダイオード回路１１は、入力端子Ｔｉ１を介して直列に接続され、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃに設けられている２つのダイオード回路１１は、入力端子Ｔｉ２を介して直列に接続されている。また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂに設けられている２つのダイオード回路１１は、出力端子Ｔｏ１を介してカソード側が向き合うように接続され、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄに設けられている２つのダイオード回路１１は、出力端子Ｔｏ２を介してアノード側が向き合うように接続されている。
【００１８】
また、ダイオード回路１１では、複数のダイオード１２のそれぞれに、コンデンサ１３が並列接続されているが、コンデンサ１３を削除してもよい。
【００１９】
電圧分割回路３０は、複数の抵抗３３が直列接続されている抵抗直列回路３１と、コンデンサ３５とによって構成されている。なお、電圧分割回路３０は、直流出力電圧を分割して小さくされた出力電圧検出電圧を得る回路である。
【００２０】
図３は、ブリッジ回路１０と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄとの構成を示す斜視図である。
【００２１】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが、ブリッジ回路１０を構成するダイオード回路１１を蛇行させて搭載している。また、ダイオード回路１１の蛇行に応じて、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが蛇行している。つまり、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａは、基板の対向する両側から切り込んで凹部２１、２２を交互に形成することにより、蛇行するダイオード回路１１において隣り合って配置されているダイオード１２間の沿面距離を、凹部２１または凹部２２が大幅に長くするので、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａを小型化しても必要な電気絶縁を確保することができる。
【００２２】
なお、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄも、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａと同様に構成されている。
【００２３】
また、導線２３Ａが、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄが搭載しているダイオード回路１１の一方と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、導線２３Ｂが、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、導線２３Ｃが、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、導線２３Ｄが、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄが搭載しているダイオード回路１１の他方とを接続している。
【００２４】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａには、ブリッジ回路１０の第１の入力端子と接続されている高電圧整流器１００用第１入力端子Ｔｉ１が設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂには、ブリッジ回路１０の第１の出力端子と接続されている高電圧整流器１００用第１出力端子Ｔｏ１が設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃには、ブリッジ回路１０の第２の入力端子と接続されている高電圧整流器１００用第２入力端子Ｔｉ２が設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄには、ブリッジ回路１０の第２の出力端子と接続されている高電圧整流器１００用第２出力端子Ｔｏ２が設けられている。
【００２５】
なお、ダイオード１２とコンデンサ１３とが設けられている面の裏側に位置する面の配線パターンを、図３に示すダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｄでは省略してある。
【００２６】
図４は、抵抗直列回路３１の構成を示す斜視図である。
【００２７】
抵抗直列回路３１は、抵抗蛇行搭載基板３２と抵抗３３とを有する。
【００２８】
抵抗蛇行搭載基板３２が、直列接続されている複数の抵抗３３を蛇行させて搭載している。また、複数の抵抗３３の蛇行に応じて、凹部３４を形成することにより、抵抗蛇行搭載基板３２が蛇行する。
【００２９】
なお、抵抗３３は、板状の抵抗であり、抵抗蛇行搭載基板３２には、端子Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃが設けられている。
【００３０】
図５は、抵抗３３の構成を示す斜視図である。
【００３１】
抵抗３３は、セラミックプレート３３ａと、抵抗体３３ｂと、リード線３３ｃ、３３ｄと、外装部３３ｅとによって構成されている。
【００３２】
ここで、板状のセラミックプレート３３ａの面に、蛇行している抵抗体３３ｂが設けられている。また、抵抗体３３ｂの端部に、リード線３３ｃ、３３ｄが設けられ、さらに、セラミックプレート３３ａが、外装部３３ｅで覆われている。
【００３３】
図６、図７は、図１におけるＶＩ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す平面図である。
【００３４】
図８は、図６におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【００３５】
高電圧整流器１００を構成する筐体４０は、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄを具備する。
【００３６】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが、外側側壁４１Ａと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂが、外側側壁４１Ｂと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃが、外側側壁４１Ｃと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄが、外側側壁４１Ｄと向き合わされて筐体４０内に設けられている。
【００３７】
すなわち、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの１枚ずつが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄのそれぞれと向き合い、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが、筐体４０内にロ字状に設けられている。
【００３８】
上記ロ字状の一辺を構成する第１の辺６１のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第１入力端子Ｔｉ１が設けられている。また、筐体４０の外側側壁４１Ａに貫通孔Ｈｉ１が設けられている。そして、貫通孔Ｈｉ１を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ａに設けられている入力端子Ｔｉ１に配線することができるようになっている。
【００３９】
また、上記ロ字状の一辺を構成し、第１の辺６１の隣に位置する第２の辺６２のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第１出力端子Ｔｏ１が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｂに貫通孔Ｈｏ１が設けられている。そして、貫通孔Ｈｏ１を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｂに設けられている出力端子Ｔｏ１に配線することができるようになっている。
【００４０】
また、上記ロ字状の一辺を構成し、第２の辺６２の隣に位置し、第１の辺６１とは対向する第３の辺６３のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第２入力端子Ｔｉ２が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｃに貫通孔Ｈｉ２が設けられている。そして、貫通孔Ｈｉ２を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｃに設けられている入力端子Ｔｉ２に配線することができるようになっている。
【００４１】
また、上記ロ字状の一辺を構成し、第３の辺６３の隣に位置し、第２の辺６２とは対向する第４の辺６４のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第２出力端子Ｔｏ２が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｄに貫通孔Ｈｏ２が設けられている。そして、貫通孔Ｈｏ２を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｄに設けられている出力端子Ｔｏ２に配線することができるようになっている。
【００４２】
なお、筐体４０は、エポキシ樹脂、ポリカーボネイト等、絶縁材料で構成されている。
【００４３】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａが、筐体４０に設けられているガイドＧ１によってガイドされて、筐体４０内に挿入され、ボルトＢＴ１によって筐体４０に固定されている。
【００４４】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａと同様に、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが、ガイドＧ１によってガイドされて、筐体４０内に挿入され、ボルトＢＴ１によって固定されている。
【００４５】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａは、筐体４０の外側側壁４１Ａに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂは、筐体４０の外側側壁４１Ｂに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃは、筐体４０の外側側壁４１Ｃに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄは、筐体４０の外側側壁４１Ｄに対してほぼ平行に設けられている。
【００４６】
ダイオード回路蛇行搭載基板４２Ｂに設けられているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａの端面２０Ａｂと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃａとが、ぼぼ同一平面上に位置している。
【００４７】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄに設けられているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａの端面２０Ａａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃｂとがぼぼ同一平面上に位置している。
【００４８】
４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、電圧分割回路３０が設けられている。
【００４９】
また、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄと、電圧分割回路３０との間に、内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄが設けられている。なお、内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄは、筐体４０に固定されている。
【００５０】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが蛇行していることによって形成されている凹部２１、２２に、隔壁５０、５１が挿入されている。隔壁５０が挿入されるときに隔壁５０をガイドする隔壁ガイド４５が、外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄと、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄとに設けられている。
【００５１】
なお、隔壁５０、５１は、筐体４０と同様に、エポキシ樹脂、ポリカーボネイト等、絶縁材料で構成されており、蛇行するダイオード回路１１の隣り合うダイオード１２間の電気絶縁性を更に高めている。
【００５２】
抵抗蛇行搭載基板３２が蛇行していることによって形成されている凹部３４には、隔壁４８が挿入されている。なお、隔壁４８は、筐体４０に設けられている。また、隔壁４８は、筐体４０と同様に、エポキシ樹脂、ポリカーボネイト等、絶縁材料で構成されており、隣り合う抵抗３３間の電気絶縁距離を大きくして、電気絶縁性を高めている。
【００５３】
図９は、図６におけるＩＸ−ＩＸ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【００５４】
図１０は、図１におけるＸ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す底面図である。
【００５５】
図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ’断面図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【００５６】
図１２は、図１０におけるＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【００５７】
筐体４０の底壁４３の面であって、筐体４０の外側の面に突起４６が設けられている。さらに、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている空間に通じている貫通孔４７が、筐体４０の底壁４３に設けられている。
【００５８】
コンデンサ３５は、筐体４０に設けられている複数の円柱状の突起５２に載置され、筐体４０に設けられている円柱状の突起５３によって位置決めされて位置を固定された後、モールドされている。
【００５９】
なお、上記のように載置され、位置決めされ、固定されたときに、コンデンサ３５のリード線３６が、切り欠き部５４ａに挿入される。ここで、切り欠き部５４ａは、リード線保持部５４に設けられている。また、切り欠き部５４ａの切り欠き幅は、リード線３５の外径よりもやや小さくなっており、リード線３５を保持することができる。
【００６０】
次に、高電圧整流器１００を組み立てる動作について説明する。
【００６１】
筐体４０に設けられている突起５２と突起５３とを用いて、コンデンサ３５を載置し位置決めする。リード線３６を切り欠き部５４ａに挟み込み、さらに、リード線３６をハンダ等で端子Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃに接続する。この後、コンデンサ３５をモールドして、モールド部４９を形成する。
【００６２】
続いて、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａを、ガイドＧ１でガイドして筐体４０内に挿入し、ボルトＢＴ１で筐体４０に固定する。また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａと同様に、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを、ガイドＧ１でガイドして筐体４０内に挿入し、ボルトＢＴ１で筐体４０に固定する。
【００６３】
ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂとを導線２３Ｂで接続し、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃとを導線２３Ｃで接続し、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄとを導線２３Ｄで接続し、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａとを導線２３Ａで接続する。
【００６４】
続いて、ガイド４５でガイドして、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａに設けられている凹部２１に隔壁５０を挿入する。また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに設けられている凹部２１に、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａの場合と同様に、隔壁５０を挿入する。
【００６５】
続いて、抵抗３３が蛇行して搭載されている抵抗蛇行搭載基板３２を、ボルトＢＴ２で筐体４０に固定する。
【００６６】
高電圧整流器１００によれば、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの１枚づつが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄのそれぞれと向き合い、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが筐体４０内でロ字状に設けられ、さらに、４枚のダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、電圧分圧回路３０が設けられているので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用でき、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。
【００６７】
高電圧整流器１００によれば、入力端子Ｔｉ１、入力端子Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、出力端子Ｔｏ２が設けられている位置が互いに離れているので、入力端子Ｔｉ１、入力端子Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、出力端子Ｔｏ２の間で、放電が発生しにくくなる。
【００６８】
また、高電圧整流器１００によれば、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが蛇行していることによって形成されている凹部２１に、絶縁材料で構成されている隔壁５０が挿入され、凹部２２に、絶縁材料で構成されている隔壁５１が挿入されているので、凹部２１に隔壁５０を挿入せず、凹部２２に隔壁５１を挿入しない場合よりも、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに搭載されているダイオード１２同士の間における沿面放電が発生しにくくなる。
【００６９】
また、高電圧整流器１００によれば、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを筐体４０内に挿入して固定した後、ガイド４５によって、隔壁５０をガイドして、凹部２１に挿入することができるので、隔壁５０を設置する作業が容易である。
【００７０】
また、高電圧整流器１００によれば、筐体４０の底壁４３の面であって、筐体４０の外側の面に突起４６が設けられ、しかも、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている空間に通じている貫通孔４７が、底壁４３に設けられているので、油が入っている容器に、底壁４３を下にして高電圧整流器１００を浸した場合、突起４６によって上記容器と底壁４３との間に隙間が生じ、この隙間と、貫通孔４７とを油が通過し、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている空間で、油が対流しやすくなる。
【００７１】
したがって、高電圧整流器１００によれば、底壁４３を下にして、油が入っている容器に、高電圧整流器１００を浸した場合、突起４６と貫通孔４７とを設けない場合よりも、油中でのダイオード１２の冷却効率を高めることができる。
【００７２】
また、高電圧整流器１００によれば、電圧分割回路３０を構成するコンデンサ３５とリード線３６とが、モールドされ固定されているので、運搬時等に発生する振動によって生じるリード線３６の断線、コンデンサ３５の位置ずれを防止することができる。
【００７３】
また、高電圧整流器１００によれば、リード線３６がリード線保持部５４の切り欠き部５４ａに挟まれ固定されているので、これによってコンデンサ３５が突起５２から離れにくくなる。したがって、底壁４３を上にして、コンデンサ３５よりも比重の大きい材料でコンデンサ３５をモールドする場合、コンデンサ３５の浮き上がりを防止することができる。
【００７４】
また、高電圧整流器１００によれば、コンデンサ３５を載置する突起５２の形状と、コンデンサ３５を位置決めする突起５３の形状とが、円柱形状であるので、筐体４０の金型の製作で、突起５２、５３に相当する部分を加工する場合、穴あけ加工をすればよく、上記金型の製作コストを、突起５２、５３を円柱形状以外の形状にした場合よりも、低減することができる。
【００７５】
また、高電圧整流器１００によれば、凹部３４を形成することにより、抵抗蛇行搭載基板３２を蛇行させているので、電圧分割回路３０を構成する抵抗３３を蛇行させて抵抗蛇行搭載基板３２に搭載しても、抵抗３３同士の間の沿面放電が発生しにくくなる。
【００７６】
また、高電圧整流器１００によれば、抵抗蛇行搭載基板３２が蛇行していることによって形成されている凹部３４に、絶縁材料で構成されている隔壁４８が挿入されているので、隔壁４８を設けない場合よりも、抵抗３３同士の間の沿面放電が発生しにくくなる。
【００７７】
また、高電圧整流器１００によれば、抵抗３３が板状の抵抗であるので、円筒状の抵抗よりも、抵抗３３の設置スペースを小さくすることができる。
【００７８】
さらに、高電圧整流器１００によれば、ブリッジ回路１０と電圧分割回路３０との間に、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄが設けられているので、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄが設けられていない場合よりも、ブリッジ回路１０と電圧分割回路３０との間の沿面放電が発生しにくくなる。
【００７９】
［第２の実施例］
図１３は、本発明の第２の実施例である高電圧整流器１００ａの構成を示す底面図である。
【００８０】
図１４は、図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００ａの構成を示す断面図である。
【００８１】
高電圧整流器１００ａでは、電圧分割回路３０を構成するコンデンサ３５を載置し位置決めする突起５２ａが、高電圧整流器１００の突起５２と異なる。高電圧整流器１００ａのその他の部分は、高電圧整流器１００と同様に構成されている。
【００８２】
高電圧整流器１００ａでは、突起５２ａがＵ字状の面を具備し、このＵ字状の面によって、コンデンサ３５が載置され位置決めされている。
【００８３】
高電圧整流器１００ａによれば、突起５２ａの形状が突起５２と異なることを除いて、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる
［第３実施例］
図１５は、本発明の第３の実施例である高電圧整流器１００ｂの構成を示す平面図である。
【００８４】
高電圧整流器１００ｂでは、長さと幅とが互いに等しいダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が、高電圧整流器１００と異なる。
【００８５】
すなわち、高電圧整流器１００ｂでは、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂの端面２０Ｂａとがほぼ同一平面上に位置している。
【００８６】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃａとがほぼ同一平面上に位置している。
【００８７】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄの端面２０Ｄａとがほぼ同一平面上に位置している。
【００８８】
さらに、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａの端面２０Ａａとがほぼ同一平面上に位置している。
【００８９】
このようにダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が異なっていることに応じて、筐体４０ｂの形状が筐体４０と異なっている。なお、高電圧整流器１００ｂのその他の部分は、高電圧整流器１００とほぼ同様に構成されている。
【００９０】
また、図１５では、筐体４０ｂの外側側壁、内側側壁、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのみを示し、その他の部分を省略してある。
【００９１】
高電圧整流器１００ｂによれば、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。
【００９２】
［第４実施例］
図１６は、本発明の第４の実施例である高電圧整流器１００ｃの構成を示す平面図である。
【００９３】
高電圧整流器１００ｃでは、長さと幅とが互いに等しいダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が、高電圧整流器１００と異なる。
【００９４】
すなわち、高電圧整流器１００ｃでは、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。
【００９５】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｂとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。
【００９６】
また、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｃとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。
【００９７】
さらに、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ｄとダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。
【００９８】
また、このようにダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が異なることに応じて、筐体４０ｃの形状が筐体４０と異なっている。なお、高電圧整流器１００ｃのその他の部分は、高電圧整流器１００とほぼ同様に構成されている。
【００９９】
また、図１６では、筐体４０ｃの外側側壁、内側側壁、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのみを示し、その他の部分を省略してある。
【０１００】
高電圧整流器１００ｃによれば、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。
【０１０１】
なお、上記各実施例において、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄに対して必ずしも平行に設けられていなくてもよい。
【０１０２】
また、上記各実施例において、板状の抵抗３２の代わりに、円筒状の抵抗等、板状の以外の形状の抵抗を採用してもよい。
【０１０３】
さらに、上記各実施例では、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、電圧分割回路３０が設けられているが、電圧分割回路３０の代わりに、フィルタ回路など、電圧分割回路３０以外の回路を設けてもよい。
【０１０４】
【発明の効果】
本発明によれば、ブリッジ回路と、電圧分割回路または電圧分割回路以外の回路とを有する高電圧整流器において、この高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用することにより、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例である高電圧整流器１００の構成を示す斜視図である。
【図２】高電圧整流器１００の回路構成を示す図である。
【図３】ブリッジ回路１０と、ダイオード回路蛇行搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄとの構成を示す斜視図である。
【図４】抵抗直列回路３１の構成を示す斜視図である。
【図５】抵抗３３の構成を示す斜視図である。
【図６】図１におけるＶＩ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す平面図である。
【図７】図１におけるＶＩ視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す平面図である。
【図８】図６におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図９】図６におけるＩＸ−ＩＸ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１０】図１におけるＸ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す底面図である。
【図１１】図１０におけるＸＩ−ＸＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１２】図１０におけるＸＩＩ−ＸＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例である高電圧整流器１００ａの構成を示す底面図である。
【図１４】図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００ａの構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施例である高電圧整流器１００ｂの構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の第４の実施例である高電圧整流器１００ｃの構成を示す平面図である。
【図１７】従来の高電圧整流器２００の構成を示す斜視図である。
【図１８】ダイオード回路２４０の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ…高電圧整流器、
１０…ブリッジ回路、
１１…ダイオード回路、
１２…ダイオード、
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ…ダイオード回路蛇行搭載基板、
２１、２２、３４…凹部、
３０…電圧分割回路、
３１…抵抗直列回路、
３２…抵抗蛇行搭載基板、
３３…抵抗、
３５…コンデンサ、
４０…筐体、
４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ…外側側壁、
４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ…内側側壁、
４３…底壁、
４５…ガイド、
４６…突起、
４７…貫通孔、
４８、５０、５１…隔壁、
４９…モールド部、
５２、５２ａ、５３…突起、
Ｔｉ１、Ｔｉ２…入力端子、
Ｔｏ１、Ｔｏ２…出力端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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