(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面からＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って基板の一部をＺｎＳｅ系化合物半導体層に達する深さまで取り除きＺｎＳｅ系化合物半導体を露出する工程と、露出されたＺｎＳｅ系化合物半導体表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板の片面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板の片面にレジストによりドットを形成し、次いでスパッタ法により該面にＳｉＯ2を堆積させた後、該レジストを除去して該面に穴あきマスクを形成する工程と、該面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板上に緩衝層（バッファ層）として、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板の片面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内に緩衝層（バッファ層）としてＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板の片面にレジストによりドットを形成し、次いでスパッタ法により該面にＳｉＯ2を堆積させた後、該レジストを除去して該面に穴あきマスクを形成する工程と、該面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内に緩衝層（バッファ層）としてＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、青色からオレンジ色にいたる発光素子等に利用される半導体発光素子およびその製造方法に関するもので、特にＧａＡｓあるいはＩｎＰ基板を利用したＺｎＳｅ系化合物を発光材料とした発光素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＺｎＳｅ系発光素子は、従来ＧａＡｓ、ＩｎＰあるいはＺｎＳｅ基板上に結晶成長をさせることにより作成されており、その代表的な構造は図１に示すとおりである。
この図１を参照して説明すると、例えばＧａＡｓ基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体を用いた素子を成長させる場合に、ＧａＡｓとＺｎＳｅとでは格子定数がそれぞれ５．６６５４Åと５．６６９Åと異なっているため、ＺｎＳＳｅ等のＧａＡｓに格子整合するような化合物組成を選んで成長させる方法が一般的に採用されている。
エピタキシャル層の結晶性を向上させる手段として、基板とエピタキシャル成長部の界面にバッファ層と呼ばれる緩衝層を成長させることも行われている。
輝度を高める対策として、キャリアの再結合を効率よく行わせるために、活性層を単一層から複数層にした多重量子井戸を用いる手段をとる場合もある。
またＺｎＳｅ単結晶基板上に素子を成長させることにより、格子定数の差に起因する結晶欠陥を無くし、高輝度化と長寿命化を達成する試みも行われている。
【０００３】
しかしこのような従来技術にあっては、次のような欠点があった。
（１）ＧａＡｓ基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体を成長させると１０3 〜１０7 ｃｍ-2オーダの欠陥密度が発生する。こうした欠陥は活性層内にダークラインディフェクトと呼ばれる発光しない部分を形成し、素子の明るさを減少させることになる。またこの欠陥は時間が経過するとともに増殖して、ついには素子が発光しなくなるので、長期の信頼性を確保することが難しかった。
（２）本質的な問題として、ＧａＡｓおよびＩｎＰのバンドギャップがそれぞれ１．４６ｅＶ、１．２７ｅＶでありＺｎＳｅのバンドギャップ値約２．７ｅＶに比べて小さいため、ＧａＡｓあるいはＩｎＰ基板上に発光素子を形成した場合、基板に発光が吸収され、これが発光素子の高輝度化の障害となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＧａＡｓあるいはＩｎＰを基板としてＺｎＳｅ系化合物半導体を用いた発光素子は、上記（１）、（２）の欠点を有している。そこでこれらの問題点を克服するために、（１）については、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を生成させたり、また（２）については、基板を除去して活性層からの発光を基板に吸収させなくすることにより光量が減らなくなり、高輝度が達成できる。
本発明の目的は、上記（１）、（２）の問題を解決できるＺｎＳｅ系半導体発光素子とその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ＧａＡｓまたはＩｎＰを基板としてＺｎＳｅ系化合物半導体を用いた発光素子を成長させる場合、基板をエッチングによりキャビティー加工し、そのキャビティー内にＺｎＳｅ系の化合物半導体を成長させ、その後基板の裏面を研磨およびエッチングのどちらか、あるいはこれらの両方を用いて除去する。これにより活性層からの発光が基板に吸収されない高輝度発光素子を容易に作成することができる。
あるいは、ＧａＡｓまたはＩｎＰ基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体を成長させて発光素子を作成する場合、基板の裏面の一部を研磨およびエッチングのどちらか、あるいはこれらの両方を用いて除去して素子の底部を露出させる。これにより、素子の発光が基板に吸収されない高輝度発光素子を容易に作成することができる。
すなわち、本発明のＺｎＳｅ系化合物半導体用基板および発光素子は、単結晶基板上にｐｎ接合を形成して発光素子を作成し、その後基板の裏面を除去して基板底部にＺｎＳｅ素子層を露出させ、この露出部と上部ＺｎＳｅ層に正負の電極を形成することを特徴とした高輝度発光素子に関するものである。
【０００６】
すなわち、本発明は第１に、ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面からＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って基板の一部をＺｎＳｅ系化合物半導体層に達する深さまで取り除きＺｎＳｅ系化合物半導体を露出する工程と、露出されたＺｎＳｅ系化合物半導体表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第２に、ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第３に、ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板の片面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第４に、ＧａＡｓ単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、単結晶基板の片面にレジストによりドットを形成し、次いでスパッタ法により該面にＳｉＯ2を堆積させた後、該レジストを除去して該面に穴あきマスクを形成する工程と、該面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内にＺｎＳｅ系化合物半導体層を積層してｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第５に、単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板上に緩衝層（バッファ層）として、ＺｎＳ���、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第６に、単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板の片面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内に緩衝層（バッファ層）としてＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法；第７に、単結晶基板の片面にＺｎＳｅ系化合物半導体が積層されてそのＺｎＳｅ系化合物半導体層に正負一対の電極が形成されてなるＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子の製造方法において、ＺｎＳｅ系化合物半導体に格子整合するＧａＡｓ単結晶基板の片面にレジストによりドットを形成し、次いでスパッタ法により該面にＳｉＯ2を堆積させた後、該レジストを除去して該面に穴あきマスクを形成する工程と、該面にエッチングによるキャビティー加工を行う工程と、該キャビティー内に緩衝層（バッファ層）としてＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ超格子を成長させる工程と、該緩衝層の上にｐｎ接合を有する発光素子を形成する工程と、前記ＺｎＳｅ系化合物半導体層が積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまでＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射しながらＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とを含む水溶液でエッチングを行って除去する工程と、露出された素子表面に正負いずれかの電極を形成する工程とを含むＺｎＳｅ系化合物半導体素子の製造方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図２は本発明の実施例１に示した発光素子基板の断面構造を示す。
あらかじめＧａＡｓ基板には、エッチングによりキャビティーを形成する。キャビティー内にバッファ層を形成すると基板の平坦性が向上することで欠陥の生成が抑えられる。ＧａＡｓ基板を使用する場合、バッファ層としてはまずＧａＡｓバッファ層を形成した後、ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超格子バッファを形成すると良い。またＩｎＰ基板を使用する場合は、ＩｎＧａＡｓバッファ層とすることが望ましい。
次に、バッファ層上にＺｎＳｅ系化合物半導体を用いてｐｎ接合を形成して発光素子とする。次に、基板の裏面に研磨とエッチングを行って素子底部を除去し、ＺｎＳｅ層を露出させる。この露出部と上部ＺｎＳｅ層に正負の電極を形成して発光素子とする。素子断面図を図３から図５に示した。
【０００８】
図６から図９は、本発明の実施例２に示した発光素子の断面構造を示す。素子は単結晶上にバッファ層を成長させ、ＺｎＳｅ系化合物半導体を用いてｐｎ接合を形成し、発光素子とする。次に、素子底部の基板を除去し、ＺｎＳｅ素子層を露出させる。この露出部と上部ＺｎＳｅ層に正負の電極を形成して発光素子とする。
すなわち本発明のＺｎＳｅ系発光素子では、基板を除去したことにより基板へ発光が到達する際この基板での光の吸収がなくなる。すなわち活性層からの光が基板に吸収されるのを防止できるため、より高効率な発光素子を提供することができたのである。
【０００９】
【実施例１】
図２から図５は、実施例１において行った素子の作成手順を素子の断面図で示したものである。以下にこれらの図を用いて実施例１を説明する。
基板１としては高抵抗の面方位（１００）のＧａＡｓ基板を使用した。基板１には洗浄後レジストにより直径７００μｍのドットを形成した。これをマスクとして、スパッタ法により基板表面に約１００μｍのＳｉＯ2 を堆積させた。その後超音波を用いてレジストをリフトオフして、基板表面に直径７００μｍの穴あきマスクを形成した。次にＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ（混合比、１：２０：２０）を用いて約７分間エッチングを行い、直径７００μｍ、深さ２０μｍのキャビティー９を形成した。キャビティー形成後の基板は図２に示した。
【００１０】
素子の作成は分子線エピタキシ法により行った。以下その詳細を説明する。
基板１は約１００℃にて３時間のベーキングを行った後、１０-10 Ｔｏｒｒに真空排気された成長室に導入した。熱分解法により基板の酸化膜を除去した後、多重量子井戸バッファ層２としてＺｎＳｅとＺｎＳ0.13Ｓｅ0.87をそれぞれ約３ｎｍ交互に０．１μｍ成長させた。次にｎ型クラッド層３として、Ｍｇ0.1 Ｚｎ0.9 Ｓ0.15Ｓｅ0.85（塩素ドープ）を約１．５μｍ成長させた。活性層４はＺｎ0.9 Ｃｄ0.1 ＳｅとＭｇ0.1 Ｚｎ0.9 Ｓ0.15Ｓｅ0.85を交互に６層成長させた。成長膜厚はそれぞれ６．５ｎｍおよび８．５ｎｍとした。さらに、ｐ型クラッド層５としてＭｇ0.1 Ｚｎ0.9 Ｓ0.15Ｓｅ0.85（窒素ドープ）を約１．５μｍ成長させた。バッファ層６としてｐ型のＺｎ0.06Ｓｅ0.94とＺｎＳｅをそれぞれ０．１μｍ成長させ、コンタクト層８としてＺｎＳｅ、ＺｎＴｅの擬傾斜組成層７を５２ｎｍ成長させて、ＺｎＴｅにて５０ｎｍ膜厚でキャップした。ここでＳｉＯ2 によりマスクされた部分には付着係数の違いによりＺｎＳｅ膜は堆積しておらず、キャビティー９内のみに結晶が成長していた。これを図３に素子形成後の基板として示した。
成長が終了した基板１は、その成長面にレジストを塗布してガラス基板に固定した後、裏面をメカノケミカル研磨により素子界面の下部から約１００μｍまで除去した。これを図４に示した。
【００１１】
次に、基板１をガラス基板に固定した状態のままＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 （混合比２：１）水溶液中に入れ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長：６３２８．２Å）を照射しながらエッチングを行い、ＺｎＳｅ素子の下部層を露出させた。ここでＨｅーＮｅレーザ光を使用するホトアシストケミカルエッチングを用いたのは、ＧａＡｓとＺｎＳｅのバンドギャップの差によりＧａＡｓ基板のみがエッチングされ、ＺｎＳｅ層においてエッチングが停止する効果を利用して、ＺｎＳｅ素子層が破壊されるのを防止するためである。電極構造としては、下部のｎ層にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを各０．１μｍ、０．１μｍ、０．３μｍ厚さに、上部のｐ層には、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ層を各０．１μｍ、０．１μｍ、０．３μｍ厚さに電子線蒸着により成膜して発光素子とした。これを図５に示した。
得られた素子の特性を表１に示す。
【００１２】
【表１】
0003768302.tif 000002
【００１３】
【実施例２】
図６から図９は、実施例２で行った素子の作成手順を素子の断面図で示したものである。以下これらの図を用いて実施例２を説明する。
ｎ型面方位（１００）のＧａＡｓ基板上に実施例１と同様の構造の発光素子を形成した。これを図６に示した。
次に、基板裏面にレジストにより直径７００μｍのドットを形成し、これをマスクとしてスパッタ法により基板表面に約１０μｍのアモルフォスシリコン（ａーＳｉ）を堆積させた。これを図７に示した。
その後超音波を用いてレジストをリフトオフして、基板裏面に直径７００μｍの穴あきマスクを形成した。基板の成長表面をレジストにてガラス基板に固定し、次にガラス基板に固定した状態のまま基板をＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 （混合比２：１）水溶液中に入れ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長：６３２８．２Å）を照射しながらエッチングを行い、ＺｎＳｅ素子の下部層を露出させた。これを図８に示した。
電極構造は、実施例１と同様に作成した。これを図９に示した。
得られた素子の特性は、表１に示した実施例１と同じであった。
【００１４】
【比較例】
図１は比較例の作成手順を素子断面図で示したものである。以下この断面図を用いて比較例を説明する。
ｎ型面方位（１００）のＧａＡｓ基板上に実施例２と同様の構造の発光素子を形成した。基板裏面にｎ層電極としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを各０．１μｍ、０．１μｍ、０．３μｍの厚さに、上部のｐ層電極としてＰｄ／Ｐｔ／Ａｕを各０．１μｍ、０．１μｍ、０．３μｍの厚さに電子線蒸着法により成膜して発光素子とした。得られた素子の明るさは、基板を除去した場合（実施例１、２）の約半分であった。素子特性の詳細は、表１に他の実施例と共に示した。
【００１５】
【発明の効果】
本発明の製造方法では、単結晶基板上にｐｎ接合を形成して発光素子を作成し、その後基板の裏面を除去して基板底部にＺｎＳｅ素子層を露出させ、この露出部と上部ＺｎＳｅ層に正負の電極を形成しているので、素子の発光が基板に吸収されず、表１に示すように従来法に比べて高輝度の発光素子を容易に作成することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＺｎＳｅ素子の断面図である。
【図２】実施例１におけるキャビティー形成後の基板の断面図である。
【図３】実施例１における素子形成後の基板の断面図である。
【図４】実施例１における素子下部の基板を除去した後の基板の断面図である。
【図５】実施例１において製作した発光素子の断面図である。
【図６】実施例２における素子形成後の基板の断面図である。
【図７】実施例２におけるａーＳｉマスクを形成した基板の断面図である。
【図８】実施例２におけるエッチング後の基板の断面図である。
【図９】実施例２において製作した発光素子の断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  ｎ型バッファ層
３  ｎ型半導体層（クラッド層）
４  活性層
５  ｐ型半導体層（クラッド層）
６  ｐ型バッファ層
７  擬傾斜組成層
８  コンタクト層
９  キャビティー
【図１】
0003768302.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
0003768302.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003768302.tif 000009
【図８】
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【図９】
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