(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けたツェナーザップダイオードを少なくとも層間絶縁膜とパッシベーション膜とで覆うとともに、前記層間絶縁膜と前記パッシベーション膜との間にアルミニウム系配線を形成したツェナーザップダイオードの設置構造において、
少なくとも前記ツェナーザップダイオードの接合部上方を前記アルミニウム系配線で覆い、接合部上方の前記アルミニウム系配線を前記ツェナーザップダイオードのアノード部またはカソード部と短絡した状態に設けたことを特徴とするツェナーザップダイオードの設置構造。
【請求項２】
基板に設けたツェナーザップダイオードを少なくとも層間絶縁膜とパッシベーション膜とで覆うとともに、前記層間絶縁膜と前記パッシベーション膜との間にアルミニウム系配線を形成したツェナーザップダイオードの設置構造において、
少なくとも前記ツェナーザップダイオードの接合部上方を前記アルミニウム系配線で覆い、接合部上方の前記アルミニウム系配線を前記ツェナーザップダイオードのアノード部またはカソード部と短絡した状態に設け、かつアルミニウム系配線上の前記パッシベーション膜にボンディングパッドになる開口部を設けたことを特徴とするツェナーザップダイオードの設置構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、トリミングに用いられるツェナーザップダイオードの設置構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置に搭載されているツェナーザップトリミング装置では、トリミングを行いたい箇所にツェナーザップダイオードが配置されている。半導体装置の通常動作中は、ツェナーザップダイオードに逆バイアスが印加され、電流がほとんど流れない状態、すなわちオープン状態になっている。そしてトリミングを行う必要が生じた場合には、ツェナーザップダイオードの逆方向に高電流または高電圧を印加して、当該ツェナーザップダイオードを破壊することにより、短絡状態にしてトリミングを行う。
【０００３】
ここで上記破壊（ツェナーザップ）の発生について説明する。ツェナーザップダイオードに逆方向の過剰な電流が流れると接合部の温度が上昇する。このため、接合部およびその近傍における熱放散が不均一になり、局部的な温度上昇領域（いわゆる、ホットスポット）が発生する。このホットスポットには電流が集中する。そしてこの領域の温度がキャリアの急激な増大を生じる真性温度に達すると、ツェナーザップダイオードは瞬時に低抵抗になってその接合が破壊される。そして、大電流を印加した際に生じる熱応力や大電流によってアルミニウムが移動し、アノード・カソード電極間のシリコン界面に、移動したアルミニウムよりなる溶融フィラメントを生成する。その際に、層間絶縁膜やパッシベーション膜に物理的応力が発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記ツェナーザップダイオードを破壊するには、３０ｍＡ程度以上の電流、または２０Ｖ程度以上の電圧を印加することが必要になる。
このように、大電流または大電圧を印加する必要があるため、ツェナーザップ時の熱応力、アルミニウムの溶融フィラメント生成時の物理的応力の発生等によって、層間絶縁膜やパッシベーション膜にはクラックが発生し進転する。
すなわち、図３に示すように、ツェナーザップ時に、ツェナーザップダイオード５１のＰＮ接合部５２の温度が上昇するとともに、その近傍のシリコン界面にアルミニウムの溶融フィラメント５３が生成される。このときに発生する熱応力や物理的応力によって、第１の層間絶縁膜５４より第２の層間絶縁膜５５を経てパッシベーション膜５６に達するクラック５７が発生する。
【０００５】
層間絶縁膜とパッシベーション膜に、またはパッシベーション膜に、クラックを生じた状態でプラスチック封止を行った半導体装置を高湿度環境下に放置した場合には、クラックを通して水分が侵入し、アルミニウムの溶解フィラメントを腐食させる。このため、アルミニウムのフィラメントが破壊され、ツェナーザップダイオードは、再び、いわゆるオープン状態になって、元の状態に戻るという不都合が生じる。またクラックを通じて侵入した水分によって、その他のアルミニウム系配線も腐食されので、半導体装置の信頼性は非常に低下する。
【０００６】
本発明は、ツェナーザップ発生時において、層間絶縁膜やパッシベーション膜へのクラックの進転を抑えることにより、半導体装置の信頼性を高めるツェナーザップダイオードの設置構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたツェナーザップダイオードの設置構造である。
すなわち、基板に設けたツェナーザップダイオードを少なくとも層間絶縁膜とパッシベーション膜とで覆うとともに、前記層間絶縁膜と前記パッシベーション膜との間にアルミニウム系配線を形成したツェナーザップダイオードの設置構造において、少なくとも前記ツェナーザップダイオードの接合部上方を前記アルミニウム系配線で覆い、接合部上方の前記アルミニウム系配線を前記ツェナーザップダイオードのアノード部またはカソード部と短絡した状態に設けたものである。
【０００８】
または、基板に設けたツェナーザップダイオードを少なくとも層間絶縁膜とパッシベーション膜とで覆うとともに、前記層間絶縁膜と前記パッシベーション膜との間にアルミニウム系配線を形成したツェナーザップダイオードの設置構造において、少なくとも前記ツェナーザップダイオードの接合部上方を前記アルミニウム系配線で覆い、接合部上方の前記アルミニウム系配線を前記ツェナーザップダイオードのアノード部またはカソード部と短絡した状態に設け、かつアルミニウム系配線上の前記パッシベーション膜にボンディングパッドになる開口部を設けたものである。
【０００９】
【作用】
上記構成のツェナーザップダイオードの設置構造では、少なくともツェナーザップダイオードの接合部上方をアルミニウム系配線で覆ったことにより、ツェナーザップダイオードが破壊した際に生じる熱応力によって発生するクラックの進転は、アルミニウム系配線によって抑制される。このため、クラックはパッシベーション膜に達しない。
したがって、パッシベーション膜には、ツェナーザップダイオードを破壊したことによるクラックは発生しない。
【００１０】
【実施例】
第１の発明の実施例を図１の概略構成断面図により説明する。
図に示すように、基板１１には、ツェナーザップダイオード２１が設けられている。このツェナーザップダイオード２１は、例えばＮＰＮトランジスタのエミッタ２２とベース２３との接合を用いたもので、コレクタ２４はアルミニウム系配線１４ｂによってエミッタ２２に短絡させてある。なおコレクタ２４の端子は、いわゆるオープン状態であっても電源電位であってもよい。
【００１１】
上記ツェナーザップダイオード２１は、例えば酸化シリコンよりなる第１の層間絶縁膜１２によって覆われている。この第１の層間絶縁膜１２には、複数のコンタクトホール１３ａ〜１３ｃが設けられていて、各コンタクトホール１３ａ〜１３ｃにはアルミニウム系配線１４ａ，１４ｂが配設されている。このアルミニウム系配線１４ａ，１４ｂは、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる。
また上記アルミニウム系配線１４ａまたはアルミニウム系配線１４ｂのうちの少なくとも一方は、少なくとも上記ツェナーザップダイオード２１の接合部２５の上方領域に延長して形成されている。
【００１２】
さらに上記アルミニウム系配線１４ａ，１４ｂを覆う状態に第２の層間絶縁膜１５とパッシベーション膜１６が形成されている。
上記の如くに、ツェナーザップダイオード２１は設置される。
【００１３】
上記第１の発明の実施例におけるツェナーザップダイオード２１の設置構造では、アルミニウム系配線１４が少なくとも上記ツェナーザップダイオード２１の接合部２５の上方の領域に延長した状態に形成されていることにより、ツェナーザップダイオード２１を破壊した際に生じる熱応力によって発生するクラック４２の進転は、アルミニウム系配線１４によって抑制される。このため、クラック４２はパッシベーション膜１６に達しない。
【００１４】
次に第２の発明の実施例として、クラック発生防止のアノード系配線をボンディングパッドとして利用したツェナーザップダイオードの設置構造を、図２の概略構成断面図により説明する。なお、前記図１で説明したと同様の構成部品には、同一符号を付す。
【００１５】
図に示すように、基板１１にはツェナーザップダイオード２１が設けられている。このツェナーザップダイオード２１は、上記第１の実施例で説明したと同様の構成を成すので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００１６】
上記ツェナーザップダイオード２１は、例えば酸化シリコンよりなる第１の層間絶縁膜１２によって覆われている。この第１の層間絶縁膜１２には、複数のコンタクトホール１３ａ〜１３ｃが設けられていて、各コンタクトホール１３ａ〜１３ｃにはアルミニウム系配線１４ａ，１４ｂが配設されている。このアルミニウム系配線１４ａ，１４ｂは、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる。
上記アルミニウム系配線１４ａ，１４ｂを覆う状態に第２の層間絶縁膜１５が成膜されている。また上記アルミニウム系配線１４ａ上の第２の層間絶縁膜１５にはコンタクトホール１７が形成されている。
【００１７】
上記ツェナーザップダイオード２１の少なくとも接合部２５の上方における第２の層間絶縁膜１５の上面には、コンタクトホール１７を通してアルミニウム系配線１４ａに接続するボンディングパッド１８が形成されている。
さらに上記２層目のアルミニウム系配線１８を覆う状態にパッシベーション膜１６が形成されている。上記２層目のアルミニウム系配線１８上のパッシベーション膜１６には開口部１９が形成されていて、これをボンディングパッシベーションとして用いる。
【００１８】
上記第２の発明の実施例におけるツェナーザップダイオード２１の設置構造では、ツェナーザップダイオード２１の上方でかつ第２の層間絶縁膜１５とパッシベーション膜１６との間に、２層目のアルミニウム系配線１８を形成したので、ツェナーザップダイオード２１を破壊した際に生じる熱応力によって発生するクラック４３の進転は、２層目のアルミニウム系配線１８によって抑制される。このため、クラック４３はパッシベーション膜１６に達しない。
また上記２層目のアルミニウム系配線１８は逆バイアスを印加する際に用いられるものであって、ツェナーザップダイオード２１には必要なものである。このため、ツェナーザップダイオード２１と２層目のアルミニウム系配線１８とが積層する状態に形成されることにより、形成面積の縮小化が図れる。
【００１９】
上記各実施例で説明したように、ツェナーザップダイオード２１を破壊したことにより発生したクラック４１，４２または４３はパッシベーション膜１６に進転しない。このため、ツェナーザップダイオード２１を搭載した半導体装置（図示せず）をプラスチック封止した後、当該ツェナーザップダイオード２１を破壊してトリミングを行った場合に、封止した半導体装置の耐湿性は劣化しない。
【００２０】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、少なくともツェナーザップダイオードの接合部上方をアルミニウム系配線で覆ったもの、あるいは少なくともツェナーザップダイオードの接合部上方にアルミニウム系配線のボンディングパッドを形成したものでも、ツェナーザップ時に発生したクラックをアルミニウム系配線によって抑制することができる。したがって、パッシベーション膜にクラックは達しない。
よって、本発明のツェナーザップダイオードの設置構造を有する半導体装置は耐湿性の向上を図ることができる。この結果、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の発明における実施例の概略構成断面図である。
【図２】  第２の発明における実施例の概略構成断面図である。
【図３】  課題の説明図である。
【符号の説明】
１１  基板
１２  第１の層間絶縁膜
１４ａ  アルミニウム系配線
１４ｂ  アルミニウム系配線
１５  第２の層間絶縁膜
１６  パッシベーション膜
１８  ２層目のアルミニウム系配線
２１  ツェナーザップダイオード
２５  接合部
【図１】
0003758194.tif 000002
【図２】
0003758194.tif 000003
【図３】
0003758194.tif 000004