(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えるハイブリッドＩＣを半田リフローによって回路基板へ実装したハイブリッドＩＣ実装体において、
前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極と前記電子部品の端子電極との間が、前記半田リフロー時に用いる半田の融点よりも高い融点を有する導電性樹脂によって導電接続されている
ことを特徴とするハイブリッドＩＣ実装体。
【請求項２】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極の厚みが少なくとも前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きい所定値に設定され、該電極上に前記電子部品が実装されていることを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項３】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極上に前記電子部品の端子電極が載置されていると共に、前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極と前記電子部品の端子電極との間に半田層を有し、該半田層の厚みと前記ランド電極の厚みの合計が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きな値に設定されていることを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項４】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記間隙内の前記印刷配線板の主面上に設けられた厚さＬ２のレジスト層と、前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極とを有し、該ランド電極の厚さＬ１と前記レジスト層の厚さＬ２との差Ｌ３（＝Ｌ１−Ｌ２）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記レジスト層の厚さＬ２及び前記ランド電極の厚さＬ１が設定されている
ことを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項５】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記間隙内の前記印刷配線板の主面上に設けられた厚さＬ２のレジスト層と、前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極と、該ランド電極の表面に設けられた厚さＬ４の半田層とを有し、前記間隙の厚さＬ５（＝Ｌ１＋Ｌ４−Ｌ２）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記ランド電極の厚さＬ１と前記レジスト層の厚さＬ２及び前記半田層の厚さＬ４が設定されている
ことを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項６】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極と、前記間隙内の前記印刷配線板の主面上に設けられ、シルク印刷とレジスト層のうちの少なくとも１つを含む厚さＬ６の補助層とを有し、前記ランド電極の厚さＬ１と前記補助層の厚さＬ６との差Ｌ７（＝Ｌ１−Ｌ６）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記ランド電極の厚さＬ１と前記補助層の厚さＬ６が設定されている
ことを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項７】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最大粒径よりも大きな値を有することを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項８】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの平均粒径よりも大きな値を有することを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項９】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きな値を有することを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項１０】
印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、
前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、
前記樹脂はフィラーを含み、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙内に存在する前記フィラーの粒径の平均値が、前記間隙の外部に存在するフィラーの粒径の平均値よりも小さい値であることを特徴とするハイブリッドＩＣ。
【請求項１１】
前記電子部品はチップ状電子部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣ。
【請求項１２】
前記電子部品は、前記印刷配線板の主面に形成されたランド電極に対して端子電極を半田付けして実装する半田付け電子部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣ。
【請求項１３】
前記電子部品は表面実装型の電子部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣ。
【請求項１４】
前記電子部品はリードレス電子部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハイブリッドＩＣに関し、特に印刷配線板上に実装された電子部品を樹脂封止してパッケージングしたハイブリッドＩＣに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、印刷配線板上に複数の電子部品を搭載してなる小型のハイブリッドＩＣが急速に普及してきた。この種のハイブリッドＩＣのように樹脂によって封止或いはモールドされたもの又は金属ケースで部品を覆ったものや金属ケースに収納されたものが存在する。
【０００３】
このようなハイブリッドＩＣの製造においては、個々のハイブリッドＩＣ毎に印刷配線板を作成し、この印刷配線板上に電子部品を実装した後に、樹脂を用いた封止又はモールド或いは金属ケースの装着を行っている。
【０００４】
例えば、この種のハイブリッドＩＣは、図２に示すように、所定のプリント配線パターンが形成されている印刷配線板２１を備え、この印刷配線板２１上にＩＣやＦＥＴ、抵抗器、コンデンサ等の電子部品２２が実装されている。これらの電子部品２２は、印刷配線板２１の配線パターンに接続された部品実装用ランド電極２３に電子部品２２の端子電極２２ａを部品実装用半田２４を用いて半田付けされている。また、実装した電子部品２２の保護及び固定のために、電子部品２２はシリコン樹脂等からなる封止樹脂２５によって覆われている。さらに、これら全体を覆うように金属製のケーシング２６が被せられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図２に示すように、印刷配線板２１と電子部品２２との間に封止樹脂２５が充填されないことが多々ある。このように印刷配線板２１と電子部品２２との間に封止樹脂２５が充填されないと、電子部品２２の端子電極２２ａ間に空間２７が形成されるため、完成したハイブリッドＩＣ２０を半田リフローしたときに、図３に示すように、印刷配線板２１上のランド電極２３と電子部品２２の端子電極２２ａとを導電接続している半田２４が溶融して空間２７に流れ出し、端子電極２２ａ間が短絡してしまうことがあった。
【０００６】
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、半田リフロー時に電子部品の端子電極間が短絡しないハイブリッドＩＣを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために請求項１では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えるハイブリッドＩＣを半田リフローによって回路基板へ実装したハイブリッドＩＣ実装体において、前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極と前記電子部品の端子電極との間が、前記半田リフロー時に用いる半田の融点よりも高い融点を有する導電性樹脂によって導電接続されているハイブリッドＩＣ実装体を提案する。
【０００８】
該ハイブリッドＩＣ実装体によれば、電子部品実装用のランド電極と前記電子部品の端子電極との間が半田リフロー時に用いる半田の融点よりも高い融点を有する導電性樹脂によって導電接続されているため、ハイブリッドＩＣを親印刷配線板へ実装するときに半田リフロー処理が行われ前記電子部品や印刷配線板に熱が加えられても前記導電性樹脂が溶融することがない。このため、前記電子部品の端子電極間に空間（空気層）が形成されていても該端子電極間が短絡することがない。
【００１５】
また、請求項２では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極の厚みが少なくとも前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きい所定値に設定され、該電極上に前記電子部品が実装されているハイブリッドＩＣを提案する。
【００１６】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、前記電子部品実装用のランド電極の厚みが少なくとも前記樹脂に含まれるフィラーの最小粒径よりも大きい所定値に設定されているため、製造時において前記樹脂部を形成するときに前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に少なくとも最小粒径の樹脂粒子が入り込んで前記隔離壁が形成される。
【００２３】
また、請求項３では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極上に前記電子部品の端子電極が載置されていると共に、前記印刷配線板上に形成されている電子部品実装用のランド電極と前記電子部品の端子電極との間に半田層を有し、該半田層の厚みと前記ランド電極の厚みの合計が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きな値に設定されているハイブリッドＩＣを提案する。
【００２４】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、前記半田層の厚みと前記ランド電極の厚みの合計が前記樹脂に含まれるフィラーの最小粒径よりも大きな値に設定されているため、製造時において樹脂封止する際に前記主面と前記電子部品との間の間隙に少なくとも最小粒径の樹脂粒子を流入させることができ、該樹脂粒子によって前記隔離壁が形成される。
【００２５】
また、請求項４では印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記印刷配線板の主面上に設けられた厚さＬ２のレジスト層と前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極とを有し、該ランド電極の厚さＬ１と前記レジスト層の厚さＬ２の差Ｌ３（＝Ｌ１−Ｌ２）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記レジスト層の厚さＬ２及び前記ランド電極の厚さＬ１が設定されているハイブリッドＩＣを提案する。
【００２６】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、前記差Ｌ３の値が前記樹脂部を構成する樹脂に含まれるフィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記レジストの厚さＬ２と前記ランド電極の厚さＬ１が設定されているので、製造時において前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に少なくとも前記最小粒径の樹脂粒子が流入して前記隔離壁が形成される。
【００２７】
また、請求項５では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記間隙内の前記印刷配線板の主面上に設けられた厚さＬ２のレジスト層と、前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極と、該ランド電極の表面に設けられた厚さＬ４の半田層とを有し、前記間隙の厚さＬ５（＝Ｌ１＋Ｌ４−Ｌ２）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記ランド電極の厚さと前記レジスト層の厚さＬ２及び前記半田層の厚さＬ４が設定されているハイブリッドＩＣを提案する。
【００２８】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、製造時において前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に少なくとも最小粒径の樹脂粒子が流入して前記隔離壁が形成される。
【００２９】
また、請求項６では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記電子部品実装用の厚さＬ１のランド電極と、前記間隙内の前記印刷配線板の主面上に設けられ、シルク印刷とレジスト層のうちの少なくとも１つを含む厚さＬ６の補助層とを有し、前記ランド電極の厚さＬ１と前記補助層の厚さＬ６との差Ｌ７（＝Ｌ１−Ｌ６）の値が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記ランド電極の厚さＬ１と前記補助層の厚さＬ６が設定されているハイブリッドＩＣを提案する。
【００３０】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、前記厚さＬ７の値が前記樹脂部を構成する樹脂に含まれるフィラーの最小粒径よりも大きくなるように前記ランド電極の厚さＬ１と前記補助層の厚さＬ６が設定されているので、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に少なくとも前記最小粒径の樹脂粒子が流入して前記隔離壁が形成される。
【００３３】
また、請求項７では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最大粒径よりも大きな値を有するハイブリッドＩＣを提案する。
【００３４】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、製造時において任意の樹脂粒径の樹脂粒子が前記間隙に流入して前記隔離壁が形成される。
【００３５】
また、請求項８では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの平均粒径よりも大きな値を有するハイブリッドＩＣを提案する。
【００３６】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、製造時において平均粒径以下の樹脂粒子が前記間隙に流入して前記隔離壁が形成される。
【００３７】
また、請求項９では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記隔離壁の前記印刷配線板側から前記電子部品側までの高さ寸法が前記樹脂部を構成しフィラーを含む樹脂における該フィラーの最小粒径よりも大きな値を有するハイブリッドＩＣを提案する。
【００３８】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、製造時において少なくとも最小粒径の樹脂粒子が前記間隙に流入して前記隔離壁が形成される。
【００３９】
また、請求項１０では、印刷配線板と、該印刷配線板の主面に実装された電子部品と、該電子部品を封止するように前記印刷配線板の主面に形成された樹脂部と、外部に露出した端子電極とを備えたハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品の端子電極を隔離する隔離壁が前記樹脂部を構成する樹脂によって形成され、前記印刷配線板と前記樹脂部の熱膨張率がほぼ等しく、前記樹脂はフィラーを含み、前記印刷配線板の主面と前記電子部品との間の間隙内に存在する前記フィラーの粒径の平均値が、前記間隙の外部に存在するフィラーの粒径の平均値よりも小さい値であるハイブリッドＩＣを提案する。
【００４０】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記電子部品の異なる端子電極間に前記隔離壁が設けられ前記隔離壁によって各端子電極が隔離されているため、外部から熱が加えられて前記電子部品の端子電極に付着している半田が溶融しても、前記隔離壁によって異なる端子電極間の短絡が阻止される。また、前記樹脂部を構成する樹脂粒子のうちの粒子径が小さい樹脂粒子のみが前記間隙内に存在しているため、前記間隙内に存在する前記樹脂の樹脂粒子径の平均値が前記間隙の外部に存在する樹脂の樹脂粒子径の平均値よりも小さい値になっている。
【００４１】
また、請求項１１では、請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品はチップ状電子部品であるハイブリッドＩＣを提案する。
【００４２】
該ハイブリッドＩＣによれば、部品実装高さが低いチップ状電子部品と前記印刷配線板の主面との間の間隙内に前記隔離壁が形成されている。
【００４３】
また、請求項１２では、請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品は、前記印刷配線板の主面に形成されたランド電極に対して端子電極を半田付けして実装する半田付け電子部品であるハイブリッドＩＣを提案する。
【００４４】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記半田付け電子部品と前記印刷配線板の主面との間の間隙内に前記隔離壁が形成されている。
【００４５】
また、請求項１３では、請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品は表面実装型の電子部品であるハイブリッドＩＣを提案する。
【００４６】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記表面実装型電子部品と前記印刷配線板の主面との間の間隙内に前記隔離壁が形成されている。
【００４７】
また、請求項１４では、請求項２乃至請求項１０の何れかに記載のハイブリッドＩＣにおいて、前記電子部品はリードレス電子部品であるハイブリッドＩＣを提案する。
【００４８】
該ハイブリッドＩＣによれば、前記リードレス電子部品と前記印刷配線板の主面との間の間隙内に前記隔離壁が形成されている。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
【００５２】
図１は、本発明の第１実施形態におけるハイブリッドＩＣを示す外観斜視図、図４は図１におけるＡ−Ａ線矢視方向断面図である。図において、１０はハイブリッドＩＣで、所定の大きさ、例えば厚さ１．３ｍｍ、幅４．０ｍｍ、長さ２０．０ｍｍの直方体形状を成し、基板上にプリント配線パターンが形成された印刷配線板１１と、印刷配線板１１の部品実装面（一方の主面：上面）に実装された複数の電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）と、電子部品１２を覆うように印刷配線板１１の上面に形成された樹脂層（樹脂部）１３とから構成されている。
【００５３】
印刷配線板１１は、例えば上面が長方形を成す厚さ０．４ｍｍのセラミック基板からなり、その主面（図における上面）に電子部品実装用のランド電極１５が形成され、下面には５つの端子電極１６が形成されている。さらに、印刷配線板１１の上面には、ランド電極１５以外の部分にレジスト層１７が形成されている。
【００５４】
電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）は、リード端子電極を有する電子部品或いはリード端子電極を持たないリードレス電子部品及びチップ状電子部品、ＩＣを含む表面実装型電子部品、２つの端子電極を有する電子部品、３つ以上の端子電極を有する電子部品など各種形態の電子部品を含み、何れの形態の電子部品であっても良い。
【００５５】
樹脂層１３は、例えば、絶縁性、防水性又は耐熱性を有する熱硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂からなる。耐薬品性を有する樹脂、例えば、電池に使用する電解液漏れによる化学変化を防止するような樹脂等、耐アルカリ性、耐酸性、耐食性のある樹脂を用いても良い。また、例えばフェライトのフィラーを含む樹脂でも良い。また、印刷配線板１１はセラミック基板に限らず、ガラスエポキシ基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板、フレキシブル基板等でも良い。
【００５６】
また、図４に示すように、各電子部品１２はその端子電極１２１が紫外線硬化性の導電性樹脂１８によってランド電極１５に導電接続されると共に固定されている。
【００５７】
前述したハイブリッドＩＣ１０によれば、製造時において樹脂層１３を形成する際に電子部品１２と印刷配線板２１の表面との間に空間（空気層）１９が形成された場合においても、このハイブリッドＩＣ１０を親回路基板へ実装する際などの半田リフロー時に導電性樹脂１８が溶融することがないので、電子部品１２の端子電極１２１間が短絡することがない。
【００５８】
また、樹脂層１３を設けてハイブリッドＩＣ１０の形状を直方体に形成したので、トレイやテーピング或いはバルクフィーダ等の各種の部品供給方法に対応した梱包形態に容易に対応することができる。さらに、印刷配線板１１が樹脂層１３によって補強されているので、検査時において印刷配線板１１が撓むことが無い。
【００５９】
尚、導電性樹脂１８は、紫外線硬化性樹脂以外のもの、例えば熱硬化性樹脂などであってもよく、樹脂１３の充填時及び半田リフロー時の熱などによって再溶融しない導電性樹脂であればよい。
【００６０】
次に、前述したハイブリッドＩＣ１０の製造方法を図５に示す工程説明図を参照して説明する。
【００６１】
まず、複数のハイブリッドＩＣ１０の印刷配線板１１がマトリクス状に連設された集合基板３１を形成する（集合基板製造工程）。ここでは１２個の印刷配線板１１を２×６のマトリクス状に配置した集合基板３１を形成した。この集合基板３１は、その周縁部にマーカー領域３１ａを有し、マーカー領域に３１ａには切断位置を示すマーク３１ｂが付けられている。尚、表示によるマーク３１に代えて切り込みや凹部等によるマークを付けても良い。
【００６２】
次いで、この集合基板３１の上面に電子部品１２を実装した後（電子部品実装工程）、集合基板３１の上面側に樹脂層１３を形成する（樹脂層形成工程）。
【００６３】
樹脂層１３の形成は、図６に示すように、電子部品１２が実装された集合基板３１を水平状態で載置することが可能な基台４１の上に集合基板３１を載置し、マーク３１ｂを隠すようにマーカー領域３１ａの周縁部に重ねて枠部材４２を固定する。次いで、集合基板３１の上面側に前述した樹脂４３を流し込む。次いで、樹脂４３を硬化させてから、枠部材４２を取り外した後、基台４１から集合基板３１を取り外して、樹脂層形成工程を終了する。
【００６４】
次に、樹脂層１３を形成した集合基板３１をダイシング装置を用いて切断する。このとき、図７に示すように、集合基板３１のマーカー領域３１ａに付けられたマーク３１ｂを目印として切断位置を決定してダイシング装置４４を位置決めする。これにより、集合基板３１が個々の印刷配線板１１間の境界線に沿ってマトリクス状に切断され、ハイブリッドＩＣ１０が得られる（分離工程）。このようにダイシング装置を用いて切断すると切断面が非常に滑らかな面になり、バリ取り等の整形を同時に行うことができる。さらに、樹脂層１３が防水性を有しているので、湿式の切断方法を用いることも可能である。
【００６５】
前述した第１実施形態の製造方法によれば、集合基板３１の状態で樹脂層１３を形成すると共に集合基板３１の分離と共にバリ取り等の整形を同時に行うことができるので、集合基板を用いずに個々の印刷配線板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減される。さらに、ダイシング装置によって切断すると、ハイブリッドＩＣ１０の表面が滑らかであるので、表示インクが染み込みにくくなり、かすれのない文字表示をハイブリッドＩＣ１０の表面に形成することができる。
【００６６】
また、従来例のように金属製のケーシングを必要としないので形状を小型化できると共にコストを低減できる。
【００６７】
尚、本実施形態では透明の樹脂を用いて樹脂層１３を形成したが、封止樹脂内の電子部品１２及びその配置を外部から視認できなくても良い場合は、着色された樹脂を用いても良い。
【００６８】
また、樹脂層１３の上面に金属フィラーを分散させた樹脂を塗布して硬化させることにより金属層を形成することにより、電磁界シールド効果を持たせることができ、ＥＭＣ(Electro-Magnetic Compatibility)対策に効果を発揮することができる。
【００６９】
また、比較的高い温度条件下で使用する場合には、印刷配線板１１と樹脂層１３の樹脂として熱膨張率のほぼ等しい材質のものを用いることが好ましい。また、電子部品１２からの放熱性を高めるには熱伝導率の高い樹脂、例えばエポキシ樹脂を用いて樹脂層１３を形成することが好ましい。
【００７０】
また、本実施形態ではハイブリッドＩＣ１０の機能を特に限定していないが、本発明は種々のハイブリッドＩＣに適用可能である。例えば、高周波パワーアンプ、電子ボリューム、ＤＣ／ＤＣコンバータ、ＦＥＴスイッチ、小電力テレメータ、キーレス送信機、インバータ、電池保護回路等のハイブリッドＩＣに適用可能である。
【００７１】
また、集合基板３１の切断に、ダイシング装置を用いたが、これに限らず、レーザ、ウォーター、ワイヤー等で集合基板を各印刷配線板に切断しても良い。この場合、基板形状を丸形、三角形、その他の多角形など柔軟に整形することができる。さらに、集合基板３１における各印刷配線板１１の配置及び樹脂層１３の形成方法を変えることにより樹脂層１３の形状を変えることもできる。この一例を以下に第２実施形態として図８乃至図１４を参照しながら説明する。
【００７２】
図８は第２実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｂを示す外観斜視図、図９は第２実施形態における集合基板３２を示す外観斜視図、図１０は第２実施形態における樹脂層形成工程を説明する図、図１１は図１０におけるＢ−Ｂ線矢視方向断面図、図１２は第２実施形態における分離工程を説明する図、図１３及び図１４は第２実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｂの使用例を説明する図である。図において、第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。
【００７３】
第２実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｂは、樹脂層１３の形状以外の構成は第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０と同様である。また、第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂは、図８に示すように樹脂層１３が蒲鉾型をなしている。このように樹脂層１３を蒲鉾型に形成するときは、例えば、図９に示すように周縁部にマーカー領域３２ａを有し、マーカー領域に３２ａには切断位置を示すマーク３２ｂが付けられており、さらに各印刷配線板１１の幅方向に緩衝領域３２ｃを設けた集合基板３２を用いる。さらに、製造時においては図１０乃至図１２に示すように、電子部品１２を実装した集合基板３２を基台４１上に載置した後、各マーカー領域３２ａと緩衝領域３２ｃに枠部材４２を固定して樹脂４３を所定量流し込む。次いで、樹脂４３を硬化させてから、枠部材４２を取り外した後、基台４１から集合基板３１を取り外して、樹脂層１３を形成した集合基板３２をダイシング装置４４を用いて切断する。上記樹脂４３を流し込んだときに樹脂４３の表面張力によって図１１に示すように流し込まれた樹脂４３の断面が蒲鉾型になる。また、分離工程においてダイシング装置４４で切断するときに印刷配線板１１の長手方向両端部も切断されるので蒲鉾形状のハイブリッドＩＣ１０Ｂが得られる。
【００７４】
このような蒲鉾形状のハイブリッドＩＣ１０Ｂは、例えば、図１３及び図１４に示すようにコネクタ５０に容易に嵌入させて使用することができる。
【００７５】
コネクタ５０はハイブリッドＩＣ１０Ｂの幅方向に嵌入する開口部５１を有するもので、ハイブリッドＩＣ１０Ｂが嵌入されたときに樹脂層１３が当接する内側面には脱落防止用の突部５２が設けられ、端子電極１６に対向する内側面には各端子電極１６に対応してバネ弾性を有する折り曲げ電極５３が設けられている。
【００７６】
このように樹脂層１３の形状を変えることによってハイブリッドＩＣ１０Ｂの形状を変えることができるので、コネクタ５０への着脱を容易に行うことができる。
【００７７】
次に、本願発明の第３実施形態を説明する。
【００７８】
図１５は第３実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｃの要部を示す側断面図、図１６は図１５における要部を示す拡大図である。第３実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｃの外観図は図１に示す第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０または図８に示す第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂと同様である。図において、第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第３実施形態と第１または第２実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面に形成されるランド電極１５の厚みＬ１を第１実施形態よりも大きくして電子部品１２と印刷配線板１１（レジスト層１７の表面）との間の間隙６１の厚みを樹脂層１３を形成する樹脂粒子の最小粒径よりも大きな値に設定したことと、電子部品１２の端子電極１２１とランド電極１５の導電接続に従来例と同様の半田６２を用いたこと、真空印刷法を用いて樹脂層１３を形成したことである。
【００７９】
即ち、第３実施形態では、樹脂層１３を形成する樹脂として平均粒径が２５μｍの樹脂を使用し、さらに図１５に示すように、ランド電極１５の厚みＬ１と、レジスト層１７の厚みＬ２、電子部品１２と印刷配線板１１（レジスト層１７の表面）との間の間隙６１の厚みＬ３の関係をＬ３＝Ｌ１−Ｌ２とし、さらに間隙６１の厚みＬ３を樹脂層１３を形成する樹脂粒子の最小粒径よりも大きく設定した。尚、ランド電極１５の間隔は前記樹脂粒子の最小粒径よりも大きく設定されていることは言うまでもない。
【００８０】
これにより、製造時の樹脂層形成工程において電子部品１２と印刷配線板１１との間の間隙６１に少なくとも最小粒径の樹脂粒子を流入させることができ、完成したハイブリッドＩＣ１０Ｃにおいては電子部品１２と印刷配線板１１との間に樹脂層１３を構成する樹脂によって電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）の異なる端子電極１２１間に前記最小粒径よりも大きく且つ間隙６１の厚みＬ３に等しい高さ寸法を有する隔離壁１３ａを形成することができる。この隔離壁１３ａは間隙６１内で電子部品１２とレジスト層１７に密着しているので、隔離壁１３ａによって各端子電極１２１が隔離される。
【００８１】
また、電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）の端子電極に付着している半田には樹脂が密着して半田はこの樹脂によって包囲され、さらに電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）の側面及び上面には樹脂層１３を構成する樹脂が密着している。
【００８２】
従って、第３実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｃは、半田リフロー時において半田６２が再溶融しても、電子部品１２の隣り合う端子電極１２１間に充填された樹脂によって隔離壁１３ａが形成されているので、電子部品１２の端子電極１２１間の短絡を防止することができる。
【００８３】
また、上記のハイブリッドＩＣ１０Ｃにおいては、間隙６１内に存在する樹脂粒子の平均粒径は、間隙６１の外部に存在する樹脂粒子の平均粒径よりも小さくなる。
【００８４】
尚、間隙６１の厚みＬ３を樹脂層１３を構成する樹脂粒子の平均粒径よりも大きく設定しても良い。このように、間隙６１の厚みＬ３を樹脂粒子の平均粒径よりも大きく設定することにより、樹脂層形成時において平均粒径以下の樹脂粒子が間隙６１内に流入して高さ寸法が前記平均粒径よりも大きい隔離壁１３ａが形成される。また、間隙の厚みを樹脂粒子の最大粒径よりも大きく設定すれば、樹脂層形成時において任意の樹脂粒子が間隙６１内に流入して高さ寸法が前記最大粒径よりも大きい隔離壁１３ａが形成される。
【００８５】
また、間隙６１内にレジスト層やシルク印刷等を含む補助層を形成するときはランド電極の厚さＬ１と補助層の厚さＬ６との差Ｌ７が樹脂粒子の最小粒径よりも大きくなるようにランド電極の厚さＬ１と補助層の厚さＬ６を設定することにより同様の効果を得ることができる。
【００８６】
次に、前述したハイブリッドＩＣ１０Ｃの製造方法を図１７に示す工程説明図を参照して説明する。
【００８７】
まず、複数のハイブリッドＩＣ１０Ｃの印刷配線板１１がマトリクス状に連設された集合基板３３を形成する（集合基板製造工程）。ここでは１２個の印刷配線板１１を２×６のマトリクス状に配置した集合基板３３を形成した。また、本実施形態の集合基板３３は第１実施形態における集合基板３１からマーカー領域３１ａを除去した構成である。
【００８８】
次いで、この集合基板３３の上面に電子部品１２を実装した後（電子部品実装工程）、集合基板３３の上面側に真空印刷法を用いて樹脂層１３を形成する（樹脂層形成工程）。集合基板３３に電子部品１２を実装する際にこれらに対してベーキング処理を施して水分（湿気）を取り除くことが好ましい。水分を取り除かないで半田付けを行うと思わぬ短絡事故が発生する。即ち、吸湿した状態で半田付けを行うと、半田付けの際の熱によって膨張した水分による力の逃げ場が無くなり、一般にポップコーン現象と称される現象が生じて基板にクラックが発生する。このクラックに半田が流れ込んで回路を短絡することが多々ある。
【００８９】
真空印刷法による樹脂層１３の形成は、図１８に示すように、集合基板３３が水平状態で嵌入することが可能な枠部材４２に集合基板３３を装着して基台４１に載置し、２Ｔｏｒｒ（＝２６６．６４４Ｐａ）の真空にして脱泡を行う（準備工程）。次いで、集合基板３３の上面側に前述した樹脂４３を印刷して樹脂を供給する（第１回目の印刷工程）。この状態では集合基板３３上の電子部品１２の周囲には気泡状の空間が形成されていることが多い。
【００９０】
この後、真空度を例えば１５０Ｔｏｒｒ程度まで上げて差圧を発生させ、上記電子部品１２の周囲空間に樹脂４３を充填させる（樹脂充填工程）。これにより、樹脂４３の表面には陥没が生じるので、この陥没内に樹脂４３を充填するために、真空度を解除した非真空状態で再度樹脂４３を印刷する（第２回目印刷工程）。
【００９１】
次いで、樹脂４３を硬化させてから、基台４１及び枠部材４２から集合基板３３を取り外して、樹脂層形成工程を終了する。
【００９２】
尚、樹脂層１３を形成する前に集合基板３３の表面及び電子部品１２の表面などに付着しているフラックスを洗浄するなどして十分に除去することが好ましい。集合基板３１の表面及び電子部品１２の表面などにフラックスが付着したまま樹脂層１３を形成すると、集合基板３３の表面及び電子部品１２の表面などへの樹脂の接着強度が低下する。
【００９３】
次に、樹脂層１３を形成した集合基板３３をダイシング装置を用いて切断する。このとき、個々の印刷配線板１１間の境界線に沿ってマトリクス状に切断することによりハイブリッドＩＣ１０Ｃが得られる（分離工程）。
【００９４】
前述した第３実施形態の製造方法によれば、複数の印刷配線板がマトリクス状に連設されマーカー領域を持たない集合基板３３を用いているので、第１及び第２実施形態のような基板材料の無駄を大幅に低減することができる。
【００９５】
さらに、集合基板３３の状態で樹脂層１３を形成すると共に集合基板３３の分離と共にバリ取り等の整形を同時に行うことができるので、集合基板を用いずに個々の印刷配線板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減される。また、樹脂封止技術として周知であるトランスファー成型技術を用いて樹脂層１３を形成した場合、金型が必要、プレス機が必要、封止したものにバリがでる、空気の巻き込みがあり封止した中にボイド（気泡）が入りやすい、といった欠点があったが、真空印刷法を用いることによりこれら全てを解消することができる。
【００９６】
さらにまた、樹脂層１３を真空印刷法によって形成しているので、電子部品１２の周囲に間隙を形成すること無く樹脂層１３を形成することができ、ハイブリッドＩＣ１０Ｃの耐久性を高めることができる。
【００９７】
また、上記ハイブリッドＩＣ１０Ｃは、樹脂層１３が真空印刷法によって形成されるため、樹脂層１３の表面を平面に形成できるので自動装着機による吸着が容易であると共に高密度実装が容易に可能である。
【００９８】
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
【００９９】
図１９は第４実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｄの要部を示す側断面図、図２０は第４実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｄの印刷配線板の要部を示す平面図、図２１は図１９における要部を示す拡大図である。第４実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｄの外観及び主要構成は図１に示す第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０または図８に示す第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂと同様であるため、図において同一構成部分は同一符号をもって表す。
【００１００】
また、第４実施形態と第１実施形態または第２実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面と電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）との間の間隙から電子部品１２の周辺にかけて印刷配線板１１の主面にレジスト層１７を形成しないレジスト無形性領域６３を設けると共にランド電極１５の厚みＬ１を樹脂層１３を形成する樹脂の粒径の最小粒径よりも大きく設定したことと、さらに電子部品１２の端子電極１２１とランド電極１５の導電接続に従来例と同様の半田６２を用いたことである。また、この場合は、レジスト層１７の厚みＬ２を任意に設定して良い。ここで、ランド電極１５間の間隔は樹脂粒子の最小粒径よりも大きく設定されていることは言うまでもない。
【００１０１】
上記構成により、製造時の樹脂層形成工程において電子部品１２と印刷配線板１１との間の間隙６４に少なくとも最小粒径の樹脂粒子を流入させることができ、完成したハイブリッドＩＣ１０Ｄにおいては電子部品１２と印刷配線板１１との間に前記樹脂によって隔離壁１３ａを形成することができる。
【００１０２】
従って、第４実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｄは、半田リフロー時において半田６２が再溶融しても、電子部品１２の隣り合う端子電極１２１間に流入した樹脂によって隔離壁１３ａが形成されているので、電子部品１２の端子電極１２１間の短絡を防止することができる。
【００１０３】
また、第４実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｄでは、前述した第３実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｃによれば、印刷配線板１１に実装した電子部品１２の高さをレジスト層１７の厚み分だけ低減することができる。
【００１０４】
尚、樹脂層１３の形成方法は第１実施形態または第２実施形態における形成方法のどちらを用いても良い。
【００１０５】
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
【００１０６】
図２２は第５実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｅの要部を示す側断面図、図２３は第５実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｅの印刷配線板の要部を示す平面図である。第５実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｅの外観及び主要構成は図１に示す第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０または図８に示す第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂと同様であるため、図において同一構成部分は同一符号をもって表す。
【０１０７】
また、第５実施形態と第１実施形態または第２実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面と電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）との間の間隙から電子部品１２の周辺にかけて印刷配線板１１の主面にレジスト層１７を形成しないレジスト無形性領域６３を設けると共にランド電極１５の厚みＬ１を樹脂層１３を形成する樹脂の粒径の２倍以上の値に設定したことと、さらに電子部品１２の端子電極１２１とランド電極１５の導電接続に従来例と同様の半田６２を用いたことである。
【００１０８】
さらに、第５実施形態と前述した第４実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面と電子部品１２との間の間隙においてランド電極１５の周囲の所定領域にのみレジスト層１７を設けたことである。ここで、ランド電極１５間におけるレジスト無形成領域６３の幅は樹脂粒子の最小粒径よりも大きい値に設定されていることは言うまでもない。
【００１０９】
上記構成により、電子部品１２と印刷配線板１１との間のレジスト無形成領域６３における間隙６４の厚みはランド電極１５の厚みＬ１と同じになる。これにより、製造時の樹脂層形成工程において電子部品１２と印刷配線板１１との間のレジスト無形成領域６３における間隙６４に少なくとも最小粒径の樹脂粒子を流入させることができ、完成したハイブリッドＩＣ１０Ｅにおいては電子部品１２と印刷配線板１１との間に少なくとも最小粒径の樹脂粒子によって隔離壁１３ａが形成されている。
【００１１０】
従って、第５実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｅは、半田リフロー時において半田６２が再溶融しても、電子部品１２の隣り合う端子電極１２１間にランド電極の厚みＬ１に等しい高さ寸法を有する隔離壁１３ａが形成されているので、電子部品１２の端子電極１２１間の短絡を防止することができる。
【００１１１】
尚、樹脂層１３の形成方法は第１実施形態または第２実施形態における形成方法のどちらを用いても良い。
【００１１２】
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
【００１１３】
図２４は第６実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｆの要部を示す側断面図、図２５は第６実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｆの印刷配線板の要部を示す平面図である。第６実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｆの外観及び主要構成は図１に示す第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０または図８に示す第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂと同様であるため、図において同一構成部分は同一符号をもって表す。
【００１１４】
また、第６実施形態と第１実施形態または第２実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面と電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）との間の間隙から電子部品１２の周辺にかけて印刷配線板１１の主面にレジスト層１７を形成しないレジスト無形性領域６３を設けると共にランド電極１５の厚みＬ１を樹脂層１３を形成する樹脂粒子の少なくとも最小粒径よりも大きい値に設定したことと、さらに電子部品１２の端子電極１２１とランド電極１５の導電接続に従来例と同様の半田６２を用いたことである。
【００１１５】
さらに、第６実施形態と前述した第４実施形態との相違点は、印刷配線板１１の主面と電子部品１２との間において互いに対向するランド電極１５の間の中央部のみにレジスト層１７を設けたことである。ここでは、対向するランド電極１５間に２つのレジスト無形成領域６３が形成されている。また、各レジスト無形成領域６３の幅は樹脂粒子の最小粒径よりも大きい値に設定されていることは言うまでもない。
【００１１６】
上記構成により、電子部品１２と印刷配線板１１との間のレジスト無形成領域６３における間隙６４の厚みはランド電極１５の厚みＬ１と同じになる。これにより、製造時の樹脂層形成工程において電子部品１２と印刷配線板１１との間のレジスト無形成領域６３における間隙６４に最小粒径の樹脂粒子を充填することができ、完成したハイブリッドＩＣ１０Ｅにおいては電子部品１２と印刷配線板１１との間のレジスト無形成領域６３にランド電極１５の厚みＬ１に等しい高さ寸法を有する隔離壁１３ａが形成されている。
【００１１７】
従って、第５実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｅは、半田リフロー時において半田６２が再溶融しても、電子部品１２の隣り合う端子電極１２１間に隔離壁１３ａが形成されているので、電子部品１２の端子電極１２１間の短絡を防止することができる。
【００１１８】
尚、樹脂層１３の形成方法は第１実施形態または第２実施形態における形成方法のどちらを用いても良い。
【００１１９】
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
【００１２０】
図２６は第７実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｇの要部を示す側断面図、図２７は図２６における要部を示す拡大図である。第７実施形態におけるハイブリッドＩＣ１０Ｇの外観図は図１に示す第１実施形態のハイブリッドＩＣ１０または図８に示す第２実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｂと同様であるため、図において同一構成部分は同一符号をもって表す。
【０１２１】
また、第７実施形態と第１実施形態及び第２実施形態との相違点は、ランド電極１５の上に厚さＬ４の半田層６５を設け、該半田層６５の上に電子部品１２の端子電極１２１を半田付けしたことである。これにより、電子部品１２と印刷配線板１１（レジスト層１７の表面）との間の間隙の厚みＬ５を樹脂層１３を形成する樹脂粒子の最小粒径よりも大きい値に設定した。
【００１２２】
上記構成により、電子部品１２と印刷配線板１１との間の間隙６４の厚みＬ５が樹脂層１３を形成する樹脂粒子の最小粒径よりも大きい値に設定されているので、製造時の樹脂層形成工程において電子部品１２と印刷配線板１１との間の間隙６４に少なくとも最小粒径の樹脂粒子を充填することができ、完成したハイブリッドＩＣ１０Ｇにおいては電子部品１２と印刷配線板１１との間にレジスト層１７と電子部品１２（１２ａ〜１２ｊ）に密着した隔離壁１３ａが形成されている。従って、第７実施形態のハイブリッドＩＣ１０Ｇは、半田リフロー時において半田６２が再溶融しても、電子部品１２の隣り合う端子電極１２１間に隔離壁１３ａが形成されているので、電子部品１２の端子電極１２１間の短絡を防止することができる。樹脂層１３の形成方法は第１実施形態または第２実施形態における形成方法のどちらを用いても良い。
【００１２３】
尚、上記第１乃至第７実施形態は本願発明の一具体例であって、本願発明がこれらの構成のみに限定されることはない。例えば、真空印刷法を用いた樹脂層形成工程において、枠部材４２に代えて図２８及び図２９に示すようなマスク７１を用いても良い。図に示すマスク７１はトレイ形状を成し、底面の中央部に集合基板３１に対応した面積の開口部７１ａを有すると共に開口部７１ａの周囲に樹脂４３の保持領域７１ｂが設けられている。さらに、開口部７１ａの下側には開口部７１ａを囲むように遮蔽壁７１ｃが下方に突出して設けられている。集合基板３１上に樹脂層を形成するときは、図２９に示すように、基台４１上に電子部品を実装した集合基板３１を載置した後、集合基板３１上でマスク７１の底面を形成対象となる樹脂層の高さに合わせて固定し、スキージ７２によって樹脂４３を開口部７１ａの全面を移動して開口部７１ａ内に流し込む。上記のマスク７１を用いることに、遮蔽壁７１ｃの高さを変更するだけで樹脂層１３の高さを容易に変更することができる。
【００１２４】
また、第１及び第２実施形態に対して第３乃至第７実施形態と同様にランド電極の高さやレジスト層の高さ及び位置を設定することにより、製造時において印刷配線板と電子部品との間の間隙内に樹脂を充填する或いは樹脂を流入させて間隙内の少なくとも一部分に隔離壁を形成することができる。
【００１２５】
また、第３乃至第７実施形態では、印刷配線板と電子部品との間の間隙内の全てに樹脂を流入させて隔離壁を形成したが、間隙内の一部分に隔離壁を形成しても同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【０１２６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の請求項１に記載のハイブリッドＩＣ実装体によれば、電子部品実装用ランド電極と電子部品の端子電極との間が親回路基板に実装する際の半田リフロー時に用いる半田の融点よりも高い融点を有する導電性樹脂によって導電接続されているため、ハイブリッドＩＣを親印刷配線板へ実装するとき等半田リフロー処理が行われ前記電子部品や印刷配線板に熱が加えられても前記導電性樹脂が溶融することがないので、前記電子部品の端子電極間が短絡することがない。
【０１２７】
また、請求項２乃至請求項１４に記載のハイブリッドＩＣによれば、製造時において印刷配線板の主面と電子部品との間の間隙に、樹脂部を形成する樹脂粒子の中の少なくとも最小粒径の樹脂粒子を流入させることができるため、樹脂封止する際に前記主面と前記電子部品との間の間隙に電子部品の端子電極間を隔離する隔離壁を容易に形成することができ、端子電極間の短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態におけるハイブリッドＩＣを示す外観斜視図
【図２】従来例のハイブリッドＩＣの構成を示す側断面図
【図３】従来例のハイブリッドＩＣにおける問題点を説明する図
【図４】図１におけるＡ−Ａ線矢視方向断面図
【図５】本発明の第１実施形態におけるハイブリッドＩＣの製造方法を説明する工程説明図
【図６】本発明の第１の実施形態における樹脂層形成工程を説明する図
【図７】本発明の第１の実施形態における分離工程を説明する図
【図８】本発明の第２実施形態におけるハイブリッドＩＣを示す外観斜視図
【図９】本発明の第２実施形態における集合基板を示す外観斜視図
【図１０】本発明の第２の実施形態における樹脂層形成工程を説明する図
【図１１】図１０におけるＢ−Ｂ線矢視方向断面図
【図１２】本発明の第２実施形態における分離工程を説明する図
【図１３】本発明の第２実施形態におけるハイブリッドＩＣの使用例を説明する図
【図１４】本発明の第２実施形態におけるハイブリッドＩＣの使用例を説明する図
【図１５】本発明の第３実施形態におけるハイブリッドＩＣの要部を示す側断面図
【図１６】図１５における要部を示す拡大図
【図１７】本発明の第３実施形態におけるハイブリッドＩＣの製造方法を説明する工程説明図
【図１８】本発明の第３の実施形態における樹脂層形成工程を説明する図
【図１９】本発明の第４実施形態におけるハイブリッドＩＣの要部を示す側断面図
【図２０】本発明の第４実施形態におけるハイブリッドＩＣの印刷配線板の要部を示す平面図
【図２１】図１９における要部を示す拡大図
【図２２】本発明の第５実施形態におけるハイブリッドＩＣの要部を示す側断面図
【図２３】本発明の第５実施形態におけるハイブリッドＩＣの印刷配線板の要部を示す平面図
【図２４】本発明の第６実施形態におけるハイブリッドＩＣの要部を示す側断面図
【図２５】本発明の第６実施形態におけるハイブリッドＩＣの印刷配線板の要部を示す平面図
【図２６】本発明の第７実施形態におけるハイブリッドＩＣの要部を示す側断面図
【図２７】図２６における要部を示す拡大図
【図２８】本発明に係る他の樹脂層形成方法を説明する図
【図２９】本発明に係る他の樹脂層形成方法を説明する図
【符号の説明】
１０，１０Ｂ〜１０Ｇ…ハイブリッドＩＣ、１１…印刷配線板、１２，１２ａ〜１２ｊ…電子部品、１２１…端子電極、１３…樹脂層、１５…ランド電極、１６…端子電極、１７…レジスト層、１８…導電性樹脂、１９…空間（空気層）、３１，３２，３３…集合基板、３１ａ，３２ａ…マーカー領域、３１ｂ，３２ｂ…マーク、３２ｃ…緩衝領域、４１…基台、４２…枠部材、４３…樹脂、４４…ダイシング装置、５０…コネクタ、５１…開口部、５２…突部、５３…折り曲げ電極、６１，６４…間隙、６２…半田、６３…レジスト無形性領域、６５…半田層、７１…マスク、７１ａ…開口部、７１ｂ…保持領域、７２…スキージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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