(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を第１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層とで挟んだ発光用積層部と、前記第２導電型クラッド層の上に形成された第２導電型コンタクト層とを有し、前記第２導電型クラッド層と前記コンタクト層との間に、第２導電型中間バンドギャップ層を有する半導体レーザ素子において、
前記コンタクト層は、前記中間バンドギャップ層に近い側から、第１の不純物濃度を有する第１コンタクト層、第２の不純物濃度を有する第２コンタクト層、及び第３の不純物濃度を有する第３コンタクト層を有し、
前記第１コンタクト層の不純物濃度＞前記第２コンタクト層の不純物濃度、かつ、前記第３コンタクト層の不純物濃度＞前記第２コンタクト層の不純物濃度、なる関係を有するとともに、前記第２導電型クラッド層、前記中間バンドギャップ層及び前記第１コンタクト層は、前記第２導電型クラッド層の不純物濃度＜前記中間バンドギャップ層の不純物濃度≦前記第１コンタクト層の不純物濃度、なる関係を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記活性層へ電流を注入するストライプ状の電流注入領域を除いて、第１導電型電流ブロック層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１導電型クラッド層、前記活性層、前記第２導電型クラッド層及び前記中間バンドギャップ層が（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記コンタクト層はＧａＡｓであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第２導電型クラッド層、前記中間バンドギャップ層、前記コンタクト層の不純物がＢｅであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記中間バンドギャップ層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第２コンタクト層の不純物濃度が５×１０17ｃｍ-3以上５×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第３コンタクト層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の半導体レーザ素子において、前記第２導電型クラッド層、前記中間バンドギャップ層及び前記コンタクト層と、前記第１導電型電流ブロック層とが、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法によって形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体レーザ素子に関し、特に低電圧動作が可能なＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＡｓ基板と格子定数がほぼ等しいＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料は高品質な結晶成長が可能である。また、窒化物を除くＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の中で最も大きなバンドギャップを有する直接遷移型半導体であるため、可視領域の発光素子材料として開発が進められている。特に、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は光ディスク用光源としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子より発振波長が短く、高密度記録が可能となるため広く用いられている。
【０００３】
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、ｙ＝０.５）のバンドギャップはＡｌ混晶比ｘを０から１まで変えることにより、１．９１ｅＶ（ＧａＩｎＰ）〜２．３５ｅＶ（ＡｌＩｎＰ）の間で変化させることができる。ところで、ＧａＡｓのバンドギャップは約１．４２ｅＶであり、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料とは大きなバンドギャップ差がある。ＡｌＧａＩｎＰとＧａＡｓを積層して成長した場合、そのヘテロ界面には上記大きなバンドギャップ差に起因するバンド不連続が発生する。特に、価電子帯において大きなバンド不連続が生じ、注入された正孔に対する障壁として作用するため、レーザ素子の動作電圧が増加してしまう。
【０００４】
このような問題を解決するために、例えば特開平５−７０４９号公報に開示されているように、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＩｎＰ層の間に、バンドギャップが２つの層の中間の値にあるような層を設ければ良いことが知られている。図８はこの半導体レーザ素子を端面から見た図であり、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層１０３、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１０４、ＧａＩｎＰ活性層１０５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１０６、ＧａＩｎＰエッチストップ層１０７、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１０８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０をＭＢＥ法を用いて形成した後、ストライプ状のリッジ領域１２０以外の部分のｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１０８をエッチング除去する。次いで、ストライプ状のリッジ領域１２０以外の部分にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１１１を形成し、ウエハと呼ばれる結晶積層構造を得る。その後、ｎ型電極１１２、ｐ型電極１１３を蒸着し、ウエハをバー状に分割し、端面に保護膜を形成し、次いでチップに分割して半導体レーザ素子とされる。
【０００５】
ここで、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０８には不純物としてＢｅを４×１０17ｃｍ-3の濃度にドーピングしている。同様に、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９には不純物としてＢｅを１×１０19ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０には不純物としてＢｅを５×１０18ｃｍ-3の濃度にドーピングしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、バンドギャップが大きいｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１０８とバンドギャップが小さいｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０の間に、両者の中間的なバンドギャップを有するｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９を設けたことにより、界面におけるバンド不連続が低減される。加えて、中間的なバンドギャップを有するｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９の不純物濃度が高いほどバンド不連続は一層緩和される。
【０００７】
しかし、不純物濃度があるレベル（例えば、ＧａＩｎＰ結晶では７×１０19ｃｍ-3）を超えると、不純物原子は適切な格子位置に入らず、格子間原子等の格子欠陥となり結晶品質の低下をもたらすので、バンド不連続を緩和するためにドーピング可能な不純物濃度には上限がある。
【０００８】
さらに、上記従来例では動作電圧を低減させるためｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９には結晶品質が低下しない範囲である１×１０19ｃｍ-3のＢｅが不純物としてドーピングされているにもかかわらず、得られたレーザ素子の中には動作電圧が高いものも発生していた。そして、例えば動作電圧が２．３Ｖより高くなると実用的な信頼性が得られない。
【０００９】
この理由として、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９を形成した後その上へｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０成長する時や、ストライプ状のリッジ領域１２０を形成した後ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１１１を成長する時には、高濃度に不純物がドーピングされたｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０が形成されたウエハは高温状態に保持されるため、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９のＢｅ不純物がｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０へ拡散することが考えられる。このような不純物の拡散は温度に敏感であり、ウエハの面内温度分布への依存性が強く不安定な現象である。そのため、レーザ素子として動作させる時点では、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０９のＢｅ不純物濃度が低下していたり、あるいはばらついており、界面のバンド不連続が十分に低減されていためと考えられる。そして、レーザ素子の抵抗が大きくなり発熱量が増えることになる。
【００１０】
したがって、ウエハが結晶成長時のような高温状態に保持された後でも、中間的なバンドギャップを有する層のドーピング濃度を保ち、低い電圧で動作でき、かつ、動作電圧分布の小さな半導体レーザ素子の実現が望まれていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、コンタクト層や中間バンドギャップ層からの不純物の拡散を抑え、中間バンドギャップ層の不純物濃度を十分高く保ち、動作電圧が低いリッジストライプ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を提供することにある。
【００１２】
本発明では、活性層を第１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層とで挟んだ発光用積層部と、前記第２導電型クラッド層の上に形成された第２導電型コンタクト層とを有し、前記第２導電型クラッド層と前記コンタクト層との間に、第２導電型中間バンドギャップ層を有する半導体レーザ素子において、前記コンタクト層は少なくとも不純物濃度が互いに異なる３つの層からなることを特徴としている。そうすることにより、不純物の拡散を抑制できるため中間バンドギャプ層によるバンド不連続の低減効果が十分に発揮できる。
【００１３】
さらに、本発明では前記コンタクト層は、前記中間バンドギャップ層に近い側から、第１の不純物濃度を有する第１コンタクト層、第２の不純物濃度を有する第２コンタクト層、及び第３の不純物濃度を有する第３コンタクト層の３層を有し、前記第１コンタクト層の不純物濃度＞前記第２コンタクト層の不純物濃度、かつ、前記第３コンタクト層の不純物濃度＞前記第２コンタクト層の不純物濃度、なる関係を有することを特徴としている。そうすることにより、不純物が活性層へ拡散することをより防ぐことが可能になり、発振しきい値電流の増加を抑え良好な半導体レーザ素子特性が得られる。
【００１４】
さらに、本発明では前記第２導電型クラッド層、中間バンドギャップ層及び第１コンタクト層は、前記第２導電型クラッド層の不純物濃度＜前記中間バンドギャップ層の不純物濃度≦前記第１コンタクト層の不純物濃度、なる関係を有することを特徴としている。そうすることにより、ウエハが高温状態に保持された場合でも不純物の拡散を抑制し、中間バンドギャップ層の不純物濃度を確保できるので、界面におけるバンド不連続を低減し動作電圧を低くすることが可能となり、半導体レーザ素子の歩留を向上できる。
【００１５】
さらに、本発明では前記活性層へ電流を注入するストライプ状の電流注入領域を除いて、第１導電型電流ブロック層が設けられたことを特徴としている。そうすることにより、光放射特性の制御が可能になり半導体レーザ素子の性能が向上する。
【００１６】
さらに、本発明では前記第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層及び中間バンドギャップ層が（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）からなることを特徴としている。そうすることにより、ＤＶＤやＤＶＤ−ＲＷ等のシステムに適応した６００ｎｍ帯の半導体レーザ素子を実現できる。
【００１７】
さらに、本発明では前記コンタクト層はＧａＡｓであることを特徴としている。そうすることにより、電極金属とのオーミックコンタクト形成が容易になり、半導体レーザ素子の動作電圧低減に効果がある。
【００１８】
さらに、本発明では前記第２導電型クラッド層、中間バンドギャップ層及びコンタクト層の不純物がＢｅであることを特徴としている。ＢｅはＡｌＧａＩｎＰ系材料において高濃度までドーピングが可能なｐ型不純物で、また、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法においてｐ型不純物として用いられるＺｎに比べ結晶中での拡散が少ない。そのため、設計通りの不純物プロファイルが実現でき、また、再現性にも優れているので半導体レーザ素子の特性向上や歩留向上に大きく寄与できる。
【００１９】
さらに、本発明では前記中間バンドギャップ層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴としている。そうすることにより、半導体レーザ素子の動作電圧を低く抑えることが可能になる。
【００２０】
さらに、本発明では前記第２コンタクト層の不純物濃度が５×１０17ｃｍ-3以上５×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴としている。そうすることにより、半導体レーザ素子の動作電圧を低くするとともに、発振しきい値電流の増加を抑えることが可能となる。
【００２１】
さらに、本発明では前記第３コンタクト層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴としている。そうすることにより、電極金属との良好なオーミックコンタクトが実現でき、動作電圧を低くすることができる。
【００２２】
また、本発明ではこれらの半導体レーザ素子において、前記第２導電型クラッド層、中間バンドギャップ層及びコンタクト層と、前記第１導電型電流ブロック層とが、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法によって形成することを特徴としている。半導体積層構造の結晶成長にＭＢＥ法を用いればｐ型不純物にＢｅを使用することが可能となる。さらに、ＭＢＥ法ではリッジ形状を有するウエハに電流ブロック層を形成した時、リッジ近傍での突起状成長等の異常成長を抑え凹凸の小さな結晶表面を実現できる。そのため、後工程での処理が容易であり工程の簡略化が図れ、また、レーザチップをジャンクションダウンで放熱体に実装した時、接着性に優れているのでレーザ素子の温度特性が良くなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面をもとに詳細に説明する。
【００２４】
（第一の実施形態）
図１はＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の断面構造であり、以下の工程によって作製されている。まず、１回目のエピタキシャル成長として、ＭＢＥ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１２（層厚０．５μｍ）、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１３（層厚０．５μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４（層厚１．２μｍ）、ＧａＩｎＰ活性層１５（層厚２００Å）、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１６（層厚０．２μｍ）、ＧａＩｎＰエッチングストップ層１７（層厚８０Å）、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８（層厚１．０μｍ）、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９（層厚０．１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０（層厚０．５μｍ）を成長する。
【００２５】
次ぎに、例えばＡｌ2Ｏ3膜（図示せず）をマスクとして、通常のフォトリソグラフィーとウエットエッチング技術を用いてｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８を部分的に除去し、ストライプ状のリッジを形成する。
【００２６】
このストライプ状リッジの両側に２回目のエピタキシャル成長として、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２１（層厚１．５μｍ）を成長し、その時、Ａｌ2Ｏ3膜（図示せず）上に成長した不要なｎ型ＧａＡｓ結晶（図示せず）を除去し、続いて、該Ａｌ2Ｏ3膜（図示せず）を除去する。最後に、３回目のエピタキシャル成長により、ウエハ全面にｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２（層厚２．０μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層２３（層厚２．０μｍ）を成膜する。そして、ｎ型電極２４、ｐ型電極２５を形成し半導体レーザ素子を得る。
【００２７】
ここで、不純物濃度が以下のようになるように設定した。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８は１×１０18ｃｍ-3、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９は１×１０19ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０は１×１０19ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２は３×１０18ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層２３は７×１０18ｃｍ-3である。即ち、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２の不純物濃度は、ｐ型中間バンドギャップ層１９、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０、ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層２３の不純物濃度より低く設定している。また、ｐ型不純物にはいずれもＢｅを用いている。
【００２８】
図１に示した半導体レーザ素子構造において、各層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係について詳細に検討を行った。ここで、動作電圧はいずれも光出力７ｍＷにおける値である。図２はｐ型中間バンドギャップ層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示したものである。この図からｐ型中間バンドギャップ層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3以上になると動作電圧が２．３Ｖ以下になることが分かる。これは、高い不純物濃度によって価電子帯のバンド不連続の影響が低減されていることにほかならない。したがって、ｐ型中間バンドギャップ層の不純物濃度は５×１０18ｃｍ-3以上が必要であり、好ましくは１×１０19ｃｍ-3以上あればさらに低い２．２Ｖ以下の動作電圧を実現できた。
【００２９】
また、図３はｐ型第２コンタクト層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示している。ｐ型第２コンタクト層はｐ型中間バンドギャップ層に直接接していないため動作電圧への影響は小さい。しかしながら、不純物濃度が５×１０17ｃｍ-3より小さくなるとｐ型第２コンタクト層自身の抵抗が大きくなるため動作電圧の上昇が生じる。したがって、ｐ型第２コンタクト層の不純物濃度は５×１０17ｃｍ-3が必要である。
【００３０】
図４はｐ型第２コンタクト層の不純物濃度と発振しきい値電流の関係を示すものであるが、不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3より大きくなると発振しきい値電流が増加していることが分かる。これはｐ型第２コンタクト層から活性層への不純物拡散が大きくなるためである。このことから、ｐ型第２コンタクト層の不純物濃度は５×１０18ｃｍ-3以下が望ましい。
【００３１】
さらに、図５はｐ型第３コンタクト層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示したものである。ｐ型第３コンタクト層はｐ型電極とオーミック接触をとるため動作電圧を低減するためには５×１０18ｃｍ-3以上の不純物濃度が望ましいことが分かる。さらに、好ましくは１×１０19ｃｍ-3以上であれば２．２Ｖ以下の動作電圧を実現できる。
【００３２】
図６は従来例と第一の実施形態における半導体レーザ素子の室温における動作電圧（光出力７ｍＷ）の分布を示したものである。従来例では、２．２〜２．７Ｖ（平均２．４３Ｖ）と大きなばらつきがあったが、第一の実施形態では、２．１〜２．３Ｖ（平均２．２０Ｖ）とばらつきが抑えられ、平均動作電圧も０．２３Ｖ低減されていることが分かる。
【００３３】
即ち、中間バンドギャップ層からの不純物拡散が抑制された結果と考えられる。ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９とｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０との界面での不純物濃度が設定値通り保たれ、界面のバンド不連続を十分に低減できた。
【００３４】
同時に、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２の不純物濃度をｐ型第１コンタクト層より低く設定しているため、Ｂｅ原子がＧａＩｎＰ活性層１５まで拡散することを抑制でき、発振しきい値電流の上昇も抑えられた。
【００３５】
（第二の実施形態）
図７は第二の実施形態に基づくＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の断面構造図であり、図１と同様の機能を有する部分には同じ番号を付している。また、製造工程も第一の実施形態と同様である。
【００３６】
第二の実施形態では、不純物濃度をｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８は１×１０18ｃｍ-3、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９は７×１０18ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０は１×１０19ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２は３.５×１０18ｃｍ-3、ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層２３は７×１０18ｃｍ-3とした。
【００３７】
即ち、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層２２の不純物濃度は、ｐ型中間バンドギャップ層１９、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０、ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層２３の不純物濃度より低く設定している。また、ｐ型中間バンドギャップ層１９よりｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０の不純物濃度を高く設定している。また、ｐ型不純物にはいずれもＢｅを用いている。
【００３８】
この場合、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９をエピタキシャル成長した後、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０のエピタキシャル成長中にｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層２０のＢｅ原子がｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１９側へ拡散するため、界面での不純物濃度が成長時の設定値以上になり、界面での価電子帯のバンド不連続はさらに低減される。第二の実施形態での半導体レーザ素子の室温における動作電圧（光出力７ｍＷ）は平均２．１９Ｖ以下になり、第一の実施形態からさらに低減できた。
【００３９】
以上、実施の形態の説明ではＧａＩｎＰ活性層の例を示したが、歪量子井戸活性層構造などでも同様の効果が得られることは言うまでもない。また、中間バンドギャップ層は実施形態で示したＧａＩｎＰ以外にも、コンタクト層とクラッド層の間のバンドギャップを有する結晶であれば本発明の効果を発揮できる。さらに、不純物濃度を実施形態のようにステップ状に変化させる他に、連続的にに変化させても良い。また、１回目のエピタキシャル成長時にｐ型第２コンタクト層まで成長し、その後ｐ型第２コンタクト層を含めてリッジを形成することもできる。また、本発明はＡｌＧａＩｎＰ系材料に限定されるわけではなく、ＧａＮ系材料等クラッド層とコンタクト層とのバンド不連続が大きい他の材料にも適用できる。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、クラッド層とコンタクト層のヘテロ界面におけるバンド不連続を緩和するために、両者の間のバンドギャップを有する中間層を挿入した構造において、結晶成長時の熱履歴等による不純物拡散を抑制し所望の不純物濃度を確保できるため、レーザ素子の動作電圧低減が図れる。また、動作電圧分布を小さくでき、良品歩留を改善できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態における半導体レーザ素子の断面構造図である。
【図２】ｐ型中間バンドギャップ層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示す図である。
【図３】ｐ型第２コンタクト層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示す図である。
【図４】ｐ型第２コンタクト層の不純物濃度と半導体レーザ素子の発振しきい値電流の関係を示す図である。
【図５】ｐ型第３コンタクト層の不純物濃度と半導体レーザ素子の動作電圧の関係を示す図である。
【図６】従来例と第一の実施形態における半導体レーザ素子の室温における動作電圧の分布図である
【図７】本発明の第二の実施形態における半導体レーザ素子の断面構造図である。
【図８】従来例における半導体レーザ素子の断面構造図である。
【符号の説明】
１１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１３  ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層
１４  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１５  ＧａＩｎＰ活性層
１６  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１７  ＧａＩｎＰエッチングストップ層
１８  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
１９  ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層
２０  ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層
２１  ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
２２  ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層
２３  ｐ型ＧａＡｓ第３コンタクト層
２４  ｎ型電極
２５  ｐ型電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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