(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体の絶縁基台の上面および側面に配線パターンが形成されているとともに前記側面の前記配線パターンに受光素子搭載部が形成されている受光素子キャリアにおいて、前記絶縁基台の上面の前記配線パターン以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターンの表面に、レーザ光によって形成された、底が前記Ｎｉメッキ層に達し、底面に前記Ｎｉメッキ層のみが露出している溝から成る画像認識用マークが表面Ａｕメッキ層から成る前記導体パターンに形成されていることを特徴とする受光素子キャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光素子キャリアに関し、特にフォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子を搭載するサブマウントとして好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＰＤ等を搭載するための受光素子キャリアは、光ファイバや半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子から出射した光と受光素子を光学的に直接結合させるときに、受光素子の受光面を発光素子の方向に向き合わせるために用いられている。
【０００３】
図２に示すように、絶縁基台１０１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス等から成り、略直方体の一側面を傾斜面とし、台形状の他の側面を有するものである。即ち、傾斜面は受光素子搭載面１０３である一側面であり、上面１０５よりも底面１０６の面積が大きくなっている。従って、受光素子搭載面１０３は上向きの傾斜面とされており、受光素子搭載面１０３とそれに対向する面１０４は非平行となっている。このような構成の受光素子キャリアはすでに知られている（特開平５−１８８２４８号公報参照）。
【０００４】
また、絶縁基台１０１の傾斜面と上面には、傾斜面から上面に連続した配線パターンが形成されており、上面のものを第１の第１の配線パターン１０２、傾斜面のものを第２の配線パターン１０７としている。
【０００５】
そして、第２の配線パターン１０７は、上面１０５と受光素子搭載面１０３との間の稜部で第１の配線パターン１０２の端部に接続されており、受光素子搭載面１０３の略中央部には受光素子搭載部１０７ａが形成されている。傾斜した受光素子搭載面１０３の受光素子搭載部１０７ａにＰＤ等の受光素子が搭載されることにより、光ファイバや発光素子から出射した光は受光されるとともに一部の反射光は上方へ反射され、光ファイバや発光素子へ戻ることはない。これにより、光ファイバを伝送する光信号にノイズを発生させたり、発光素子の発信周波数を不安定にするといったことが防止される。
【０００６】
第１の配線パターン１０２および第２の配線パターン１０７は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）等の金属ペーストを印刷塗布し焼成して成るメタライズ層により形成されるか、フォトリソグラフィ法および蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成される。また、底面１０６の全面には、受光素子キャリアを外部の回路基板やパッケージ内に半田で固定するためのメタライズ層が形成されている。
【０００７】
また、第１の配線パターン１０２は受光素子により光電変換された電気信号を取り出すためのボンディングワイヤを接続するためのものである。
【０００８】
上記の受光素子キャリアでは、発光素子を動作、発光させて受光素子に入射される光の光強度をモニタしながら位置を調整し、光出力が最大となる位置で実装するアクティブアライメント方式を採用していた。
【０００９】
また、他の方法により位置調整を行なうタイプのものを図３に示す。絶縁基台１０１の上面１０５と受光素子搭載面１０３との間の稜部をＣ面として面取り加工することにより、受光素子搭載面１０３に対して所定の角度をなして光ファイバと受光素子の位置合わせを行うための傾斜認識面１１０を形成し、傾斜認識面１１０上に認識用パターン１１１を設ける。この構成により、光ファイバと受光素子との位置調整において光ファイバから出射される光を受光素子で受光し、受光量をモニタしながら最適位置を探す方法と異なり、予め決まった位置に受光素子を実装することにより受光素子と光ファイバの位置関係を最適位置にすることができる。このように、人手を介して光ファイバへ光を入射することなく、画像認識のみで全ての位置合わせを行うことができるものが提案されている（特開平１０−２２３９２３号公報参照）。
【００１０】
傾斜認識面１１０に形成した認識用パターン１１１は、サブキャリア（絶縁基台１０１）に受光素子を実装する際の位置合わせ基準として作用するとともに、受光素子を実装したサブキャリアと光ファイバとの位置合わせを行う際のサブキャリアの位置合わせ基準として作用する。受光素子の実装位置基準とサブキャリアの実装位置基準に同じ認識用パターン１１１を用いるため、光ファイバと受光素子の位置合わせ精度を向上させ得る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平５−１８８２４８号公報に開示された受光素子キャリアでは、アクティブアライメント方式のため、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸の位置調整を行う必要があり、光軸調整に時間がかかるという問題点を有していた。また、光軸調整に手間と時間がかかるうえモニター装置等の調整装置が必要になるため高コスト化するという問題点を有していた。
【００１２】
また、特開平１０−２２３９２３号公報に開示された受光素子キャリアでは、傾斜認識面１１０に認識用パターン１１１を印刷する際に、第１，第２の配線パターン１０２，１０７とは別々に印刷する必要があるため、第１，第２の配線パターン１０２，１０７と認識用パターン１１１とが、印刷精度により１００μｍ以上位置がずれて形成され易いものであった。そのため、精度良く受光素子を受光素子搭載部１０７ａに実装しても傾斜認識面１１０との位置ずれが必然的に発生し、傾斜認識面１１０を基準とする画像認識だけでは位置合わせをするのが困難になるという問題点があった。
【００１３】
また、印刷の代わりにスパッタリング法や蒸着法で認識用パターン１１１を形成する場合、第１，第２の配線パターン１０２，１０７と同時に形成すると配線パターンの膜厚が不均一になったり、傾斜認識面１１０が傾斜しているためにマスクを介して薄膜形成を行なうと設計値以上に配線パターンの幅が広がること等により認識用パターン１１１を精度良く形成することができないという問題点があった。また、第１，第２の配線パターン１０２，１０７と認識用パターン１１１を別々に形成する場合、位置ずれは２０〜３０μｍと印刷と比較して小さくなるが、製造工程が増えること等による高コスト化という問題点を有していた。
【００１４】
さらに、傾斜認識面１１０に認識用パターン１１１を設けているため、撮像装置等により認識用パターン１１１を横方向または上方から認識する際に焦点が合いにくくなる。また、受光素子の位置調整のための認識用パターン１１１を画像処理で読み取る時の誤差が増大する。結果として、光ファイバや発光素子と受光素子との位置合わせ精度が低下するという問題点を有していた。
【００１５】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、配線パターンを２面以上に印刷等をした場合に発生するそれらの位置ずれに関係なく、受光素子を搭載する受光素子搭載部と画像認識用マークとの位置ずれをなくし、光ファイバや発光素子と受光素子との位置関係を撮像装置等により画像認識で容易に位置合わせ可能なものとすることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の受光素子キャリアは、略直方体の絶縁基台の上面および側面に配線パターンが形成されているとともに前記側面の前記配線パターンに受光素子搭載部が形成されている受光素子キャリアにおいて、前記絶縁基台の上面の前記配線パターン以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターンの表面に、レーザ光によって形成された、底が前記Ｎｉメッキ層に達し、底面に前記Ｎｉメッキ層のみが露出している溝から成る画像認識用マークが表面Ａｕメッキ層から成る前記導体パターンに形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、絶縁基台の上面の配線パターン以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターンの表面に、レーザ光によって底がＮｉメッキ層に達する溝から成る画像認識用マークが形成されていることにより、画像認識用マークは、印刷で形成されたメタライズ層等から成る配線パターンの印刷精度に関わらず精度良く形成することができる。その結果、画像認識用マークを撮像装置等により画像認識することで、受光素子搭載部の位置を約１０μｍ以下の精度で認識可能となる。さらには、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めを行なう際に、光のモニタリング等は不要であり、光軸調整作業をほとんど行わなくて済むようになる。従って、光軸調整のコストを抑えることができ低コスト化につながる。さらに、組み立ての自動化を容易にすることができ、組み立てにかかる工数を大幅に低減することができる。
【００１８】
また、底がＮｉメッキ層に達する溝から成る画像認識用マークを形成することで、光反射率の高いＡｕメッキ層の表面と溝の底面となるＮｉメッキ層との間に高いコントラストが生じ、導体パターンと画像認識用マークとの間に画像処理に好適なコントラストが生じる。その結果、画像認識用マークの形状を画面上ではっきりと認識することができ、確実な画像認識を行うことができる。従って、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めにかかる時間がさらに短縮できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の受光素子キャリアについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の受光素子キャリアについての実施の形態の例を示し、（ａ）は受光素子キャリアの斜視図、（ｂ）は（ａ）の受光素子キャリアの上面図であり、受光素子キャリアの上面に画像認識用マーク（以下、マークともいう）８が形成されている。
【００２０】
図１に示すように、絶縁基台１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス，炭化珪素（ＳｉＣ）セラミックス，窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）セラミックス，石英，サファイア等から成るのが良く、これらの材料は放熱性に優れた絶縁（誘電体）材料である。特に、窒化アルミニウムセラミックス，炭化珪素セラミックス，窒化珪素セラミックス，石英，サファイアが好適であり、これらは熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫ以上と高いため、放熱性が特に良好である。
【００２１】
また、７は第２の配線パターンであり、この第２の配線パターン７は、上面５と受光素子搭載面３との間の稜部で第１の配線パターン２の端部に接続されており、受光素子搭載面３の略中央部には受光素子搭載部７ａが形成されている。傾斜した受光素子搭載面３の受光素子搭載部７ａにＰＤ等の受光素子が搭載されることにより、光ファイバやＬＤ等の発光素子から出射した光が受光されるとともに一部の反射光は上方へ反射され、光ファイバや発光素子へ戻ることはない。これにより、光ファイバを伝送する光信号にノイズを発生させたり、発光素子の発信周波数を不安定にするといったことが防止される。従って、受光素子搭載面３は傾斜している方が好ましい。その傾斜角度としては３〜１５°が好ましい。３°未満では、反射光を上方へそらすのが不充分となり、１５°を超えると、受光素子キャリア自体が大きくなり、大型化および重量化されて実用性が低下する。
【００２２】
第１の配線パターン２および第２の配線パターン７は、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等の金属ペーストを印刷塗布し焼成して成るメタライズ層により形成されるか、フォトリソグラフィ法および蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成される。また、底面６の全面には、受光素子キャリアを外部の回路基板やパッケージ内に半田で固定するためのメタライズ層が形成されている。第１の配線パターン２および第２の配線パターン７の形成方法は、コストの点を考慮するとＷ，Ｍｏ−Ｍｎ等の金属ペーストを印刷塗布し焼成して成るメタライズ層により形成する方法が好ましい。
【００２３】
ここで、第１の配線パターン２および第２の配線パターン７を形成する、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等のメタライズ層の厚さは８〜２５μｍがよく、８μｍ未満では、絶縁基台１との密着不良が起き剥がれが発生し易くなる。２５μｍを超えると、均一に塗布することが困難となり、第１，第２の配線パターン２，７の厚さにむらが生じ、この厚さむらによりボンディングワイヤの接続信頼性が低下する。
【００２４】
本発明では、図1に示すように、マーク８はメタライズ層から成る導体パターン９の表面に形成されるが、この導体パターン９は、第１の配線パターン２と同じメタライズ層から成り、第１の配線パターン２と同時に焼成して形成することができる。
【００２５】
Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等のメタライズ層から成る第１，第２の配線パターン２，７および導体パターン９上には、耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れるニッケル（Ｎｉ）メッキ層と、金（Ａｕ）メッキ層を順次被着しており、これにより酸化腐蝕するのを有効に防止できる。また、第２の配線パターン７においては、受光素子を受光素子搭載部７ａに強固に接着固定することができる。
【００２６】
導体パターン９に形成されたＮｉメッキ層の厚さは０．５〜９μｍがよく、０．５μｍ未満では耐食性および耐熱性が劣化し易くなり、９μｍを超えるとＮｉメッキ層の剥がれ、メタライズ層の剥がれ、Ｎｉメッキ層のクラック等が発生し易くなる。Ａｕメッキ層の厚さは０．５〜５μｍがよく、０．５μｍ未満では耐熱性が劣化し易くなり、５μｍを超えると高コスト化になり実用性が低下する。
【００２７】
導体パターン９は第１の配線パターン２と０．１ｍｍ以上離れて形成されているのがよい。導体パターン９と第１の配線パターン２との距離が０．１ｍｍ未満の場合、マーク８と第１の配線パターン２との境界の画像認識による区別が困難となり、また導体パターン９と第１の配線パターン２との短絡が生じ易くなる。導体パターン９の形状は、外形がマーク８よりも大きければよく任意であるが、マーク８の相似形や略四角形状が好ましい。
【００２８】
マーク８の端と導体パターン９の縁との間隔は、マーク８と導体パターン９とのコントラストによってマーク８を明確に画像認識するうえで、０．２ｍｍ以上あるのが好ましい。０．２ｍｍ未満の場合、マーク８と導体パターン９とのコントラストがはっきりしなくなり、光ファイバや発光素子と受光素子との位置合わせをするのに時間がかかり易くなる。
【００２９】
また、第１の配線パターン２は受光素子により光電変換された電気信号を取り出すためのボンディングワイヤを接続するためのものである。
【００３０】
絶縁基台１の上面５以外の面、例えば傾斜面や側面にマーク８を形成すると、撮像装置等により上方から画像認識する際にマーク８に焦点が合いにくくなり、また受光素子の位置調整をするためのマーク８を画像処理で読み取る時の誤差が増大する。結果として、光ファイバや発光素子と受光素子との位置合わせをするのに時間がかかり、マーク８を確認するために他の撮像装置を１台設ける必要がある。また、レーザ光以外の印刷法、スパッタリング法、蒸着法等でマーク８を形成する場合、受光素子搭載部７ａとの位置ずれが大きくなり、また形成に時間がかかるため高コスト化するという問題がある。
【００３１】
従って、本発明では、絶縁基台１の上面５に第１の配線パターン２以外の部位に形成された導体パターン９の表面に、レーザ光によって底がＮｉメッキ層に達する溝から成るマーク８を形成したことにより、マーク８は、第１，第２の配線パターン２，７用のメタライズ層の印刷精度に関わらず精度良く形成することができる。その結果、マーク８を撮像装置等により画像認識することで、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めを光軸のモニタリングをすることなく精度良く行なうことができ、光軸調整を殆ど行わなくて済む。従って、光軸調整のコストを抑えることができ低コスト化につながる。さらに、組み立ての自動化を容易にすることができ、組み立てにかかる工数を大幅に低減することができる。
【００３２】
また、光反射率の高いＡｕメッキ層の表面と溝の底面となるＮｉメッキ層との間に高いコントラストが生じ、導体パターン９とマーク８との間に画像処理に好適なコントラストが生じる。その結果、マーク８の形状を画面上ではっきりと認識することができ、確実な画像認識を行うことができる。従って、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めにかかる時間がさらに短縮できる。
【００３３】
導体パターン９の表面のＡｕメッキ層は光反射率が高いため白いパターンとして画像認識され、溝の底面となるＮｉメッキ層は灰色のパターンとして画像認識される。従って、導体パターン９とマーク８との間に高いコントラストが生じることとなる。
【００３４】
マーク８の形成方法について以下に説明する。まず、受光素子キャリアの傾斜面である受光素子搭載面３に形成された受光素子搭載部７ａを有する第２の配線パターン７を撮像装置等により画像認識する。そして、第２の配線パターン７が撮像装置の画面上の所定の位置にくるように位置合わせをする。位置合わせをした後、この所定の位置を基準としてＸ、Ｙ方向に所定距離離れた位置の絶縁基台１の上面５の導体パターン９に、マーク８をＹＡＧレーザ光等により形成する。
【００３５】
マーク８を形成するレーザ装置としては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が使用できるが、高出力の連続発振が可能で熱エネルギーによる除去加工が容易なＹＡＧレーザが好ましい。
【００３６】
マーク８の形状は任意とすることができるが、受光素子を受光素子搭載部７ａに搭載した後に発光素子に対して位置合わせするための補正が必要であり、その補正を容易にするうえで、＋型や−型が好ましい。また、マーク８を形成する部位は、絶縁基台１の上面５の第１の配線パターン２以外の部位であればよい。
【００３７】
本発明において、マーク８の幅は０．０１〜０．３ｍｍが好ましい。０．０１ｍｍ未満の場合、レーザ光による加工が困難になる。０．３ｍｍを超えると、受光素子を搭載する際に、受光素子とそれを搭載する受光素子搭載部７ａとの位置合わせの位置精度のばらつきが大きくなる。その結果、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めを精度よく行うことが困難となる。また、マーク８の長さは０．０１ｍｍ以上が好ましい。０．０１ｍｍ未満の場合、レーザ光による加工が困難になる。
【００３８】
溝から成るマーク８の深さは０．５〜１３μｍが好ましい。０．５μｍ未満の場合、撮像装置等により画像認識することが困難になる。１３μｍを超えると、溝の底がメタライズ層にまで達することとなり、メタライズ層はレーザ光の吸収が高いため溝の深さの制御が困難になる。また、過剰な熱によりマーク８の輪郭線が蛇行して輪郭形状が乱れ易くなり、マーク８を画像認識する際にマーク８の位置の誤差が大きくなる。
【００３９】
本発明では、図1に示すように、マーク８はメタライズ層から成る導体パターン９の表面に形成されており、マーク８が黒っぽく（やや暗く）なりその周囲の導体パターン９が白く（明るく）なることで、導体パターン９が無い場合に比べコントラストが増大し、撮像装置等でのマーク８の画像認識がきわめて容易になる。また、マーク８の深さは、底がＮｉメッキ層に達する深さであり、底面がＮｉメッキ層表面またはＮｉメッキ層中にあるようにする。この場合、表面にＡｕメッキ層が被着された導体パターン９において、マーク８の内部はＮｉメッキ層の表面または内部と同じになることから確実に黒色に近い（やや暗い）筋として画像認識されることとなる。従って、導体パターン９とマーク８とのコントラストが増大し、マーク８の画像認識がきわめて容易になる。
【００４０】
なお、導体パターン９の厚さは、第１，第２の配線パターン２，７と同様の理由で８〜２５μｍが好ましい。
【００４１】
本発明では、画像認識に用いられる撮像装置等としては、ＣＣＤ（電荷転送素子）を用いた光センサ、光電子増倍管等の撮像管等が適宜使用される。
【００４２】
上記実施の形態では、受光素子搭載面３とそれに対向する面４が非平行、つまり受光素子搭載面３が傾斜面となっている構成について説明したが、平行になっている場合、つまり受光素子搭載面３が垂直面になっていてもよい。その場合、絶縁基台１の上面にマーク８を形成する際に、受光素子搭載部７ａを撮像装置で画像認識する時に撮像装置の角度を変えることで認識できる。
【００４３】
ここで、本発明の受光素子キャリアを用いた、光ファイバや発光素子と受光素子との位置合わせについて説明する。まず、パッケージ内への光ファイバや発光素子の固定が完了したら、撮像装置等により上方から撮像して画面上で光ファイバや発光素子の位置を認識するとともに絶縁基台１上面のマーク８を認識する。マーク８から受光素子搭載部７ａまでの距離は一定になっていることから、絶縁基台１に受光素子を実装する際に、受光素子を受光素子搭載部７ａに正確に位置合わせして搭載するだけで、マーク８を基準として光ファイバや発光素子と受光素子の位置が正確に合うこととなる。そのため、光ファイバや発光素子と受光素子の位置を合わせる際には、受光素子と受光素子搭載部７ａとの位置合わせをすればよいことになる。そして、位置合わせが終わった後に受光素子を受光素子搭載部７ａに搭載した絶縁基台１をパッケージ内に半田で固定する。
【００４４】
かくして、本発明は、レーザ光により形成されたマークは、メタライズ層の印刷精度に関係なく精度良く形成することができる。その結果、マークを撮像装置等により画像認識することで、受光素子搭載部の位置を約１０μｍ以下の精度で認識可能となる。さらに、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めは、光軸のモニタリングを不要として精度良くすることができ、光軸調整を殆ど行なわなくて済むようになる。また、光軸調整のコストを抑えることができ、低コスト化につながる。さらに、組み立ての自動化を容易にすることができ、組み立てにかかる工数を大幅に低減することができる。また、画像処理に好適なコントラストが生じてマークの形状を画面上ではっきりと認識することができ、確実な画像認識を行うことができる。その結果、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めにかかる時間が短縮できる。
【００４５】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明は、絶縁基台の上面の配線パターン以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターンの表面に、レーザ光によって形成された、底がＮｉメッキ層に達し、底面に前記Ｎｉメッキ層のみが露出している溝から成る画像認識用マークが表面Ａｕメッキ層から成る前記導体パターンに形成されていることにより、画像認識用マークはメタライズ層の印刷精度に関係なく精度良く形成することができる。その結果、画像認識用マークを設けた絶縁基台上面を撮像装置等により画像認識することで、受光素子搭載部７ａの位置を約１０μｍ以下の精度で認識可能となる。さらに、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めは、光軸のモニタリングを不要として精度良くすることができ、光軸調整を殆ど行なわなくて済むようになる。また、光軸調整のコストを抑えることができ、低コスト化につながる。さらに、組み立ての自動化を容易にすることができ、組み立てにかかる工数を大幅に低減することができる。
【００４７】
また、画像認識用マークはレーザ光によって底がＮｉメッキ層に達している溝から成ることにより、画像認識用マークに画像処理に好適なコントラストが生じて画像認識用マークの形状を画面上ではっきりと認識することができ、確実な画像認識を行うことができる。その結果、光ファイバや発光素子と受光素子との位置決めにかかる時間を短縮できる。
【００４８】
また、レーザ光によってＮｉメッキ層を除去しようとすると、Ｎｉメッキ層はメタライズ層よりは光反射率が高いため、除去に時間がかかることとなり、その結果過剰な熱により画像認識用マークの輪郭形状も乱れ易くなる。従って、溝の底がＮｉメッキ層表面またはＮｉメッキ層中に位置するように構成することによって、画像認識用マークを効率的に形成できるとともに、画像認識用マークの輪郭形状の乱れが小さく、画像認識の誤差も小さいものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の受光素子キャリアについて実施の形態の例を示し、（ａ）は受光素子キャリアの斜視図、（ｂ）は（ａ）の受光素子キャリアの上面図である。
【図２】従来の受光素子キャリアの斜視図である。
【図３】従来の他の受光素子キャリアの斜視図である。
【符号の説明】
１：絶縁基台
２：第１の配線パターン
３：受光素子搭載面
５：上面
７ａ：受光素子搭載部
８：画像認識用マーク
９：導体パターン
【図１】
0003811368.tif 000002
【図２】
0003811368.tif 000003
【図３】
0003811368.tif 000004