(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式がＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3で表される単結晶からなり、
遅延時間温度係数の絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする圧電材料。
【請求項２】
請求項１記載の圧電材料で形成されていることを特徴とする圧電デバイス用基板。
【請求項３】
請求項２記載の圧電デバイス用基板に、表面弾性波を励振するための電極が設けられていることを特徴とする表面弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表面弾性波フィルター、バルク波フィルター、共振子、振動子等に好適に用いられる圧電材料、圧電デバイス用基板及び表面弾性波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表面弾性波フィルター等の圧電デバイスに用いられる圧電デバイス用基板は、単結晶圧電材料を所定のカット方位で切断加工することにより、製作されており、そして、この基板に、表面弾性波を励振するための櫛歯型等の電極を形成することにより、表面弾性波装置が製作されている。
【０００３】
この単結晶圧電材料において、要求される特性として、電気機械結合係数ｋ2が大きいこと、遅延時間温度係数ＴＣＤがゼロに近いこと、単結晶の育成や作成過程が容易であること、等が挙げられる。
【０００４】
従来より単結晶圧電材料として広く用いられていた水晶やランタン・ガリウム・ニオブ系酸化物単結晶であるランガナイト等は、ＴＣＤがゼロであるという優れた特性（即ち零温度特性）を持つ。
【０００５】
また、ｋ2の大きい圧電材料として、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）やタンタル酸リチウム（ＬＴ）等が開発されている（例えば特開平１１−１０６２９４号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現在使用されている上述のような圧電材料において、水晶やランガナイト等では、ＴＣＤがゼロであるという優れた特性を有する反面、ｋ2が小さいという欠点があり、ＬＮやＬＴ等では、ｋ2が大きいという特性を有する反面、ＴＣＤも大きいという欠点があった。このようにｋ2が小さい圧電材料は、表面弾性波装置の広帯域化への対応が困難になる。また、ＴＣＤが大きい圧電材料は、温度変化に対する特性変化（帯域周波数の変化）が大きいという欠点を有している。
【０００７】
この発明は、このような技術背景に鑑みてなされたもので、その目的は、電気機械結合係数ｋ2が大きく且つ遅延時間温度係数ＴＣＤがゼロに近いという特性を有する単結晶圧電材料、圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明に係る圧電材料は、組成式がＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3で表される単結晶からなり、遅延時間温度係数の絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴としている。
【０００９】
請求項２の発明に係る圧電デバイス用基板は、上記請求項１記載の圧電材料で形成されていることを特徴としている。
【００１０】
請求項３の発明に係る表面弾性波装置は、上記請求項２記載の圧電デバイス用基板に、表面弾性波を励振するための電極が設けられていることを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この発明に係る圧電材料は、潮解性がなく安定である上、電気機械結合係数ｋ2が大きく、且つ遅延時間温度係数ＴＣＤがゼロに近い（つまりＴＣＤの絶対値が小さい）という優れた特性を有している。したがって、この発明に係る圧電材料は、圧電デバイス用基板を製作するための材料として特に好適に用いることができる。
【００１２】
この圧電材料は、組成式がＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3で表される単結晶からなるものである。この圧電材料を構成するＮｄ（ネオジム）及びＣａ（カルシウム）において、Ｎｄは希土類元素に属するものであり、Ｃａはアルカリ土類金属元素に属するものであるから、この圧電材料は、希土類・アルカリ土類金属・オキシボレート系単結晶からなる圧電材料の一種であると言える。
【００１３】
この発明に係る圧電材料は、ＮｄとＣａが化学量論数比で１：４に厳密に設定されているＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなるものをはじめ、Ｎｄ以外の希土類元素（即ち、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）から選択された１種又は２種以上の元素を不純物として含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなるものであっても良い。この場合において、選択された元素は、固溶元素として含有されていても良く、例えば、Ｎｄと置換される置換型固溶元素として、あるいは侵入型固溶元素として含有されていても良い。
【００１４】
また同じく、この発明に係る圧電材料は、Ｃａ以外のアルカリ土類金属元素（即ち、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）から選択された１種又は２種以上の元素を不純物として含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなるものであっても良い。この場合において、選択された元素は、固溶元素として含有されていても良く、例えば、Ｃａと置換される置換型固溶元素として、あるいは侵入型固溶元素として含有されていても良い。
【００１５】
また同じく、この発明に係る圧電材料は、希土類元素及びアルカリ土類金属元素以外の元素を不純物として含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなるものであっても良い。
【００１６】
もとより、この発明に係る圧電材料は、製造上不可避の不純物を含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなるものであっても良いことは言うまでもない。
【００１７】
而して、この発明に係る圧電材料は、ＴＣＤの絶対値を３０ｐｐｍ／℃以下（即ち、ＴＣＤを＋３０〜−３０ｐｐｍ／℃の範囲内）にすることができる。
【００１８】
この圧電材料において、ＴＣＤの上限値は２０ｐｐｍ／℃であることが望ましく、特に１５ｐｐｍ／℃であることが望ましく、更に１０ｐｐｍ／℃であることが望ましく、５ｐｐｍ／℃であることがより一層望ましい。
【００１９】
一方、ＴＣＤの下限値は、−２０ｐｐｍ／℃であることが望ましく、特に−１５ｐｐｍ／℃であることが望ましく、更に−１０ｐｐｍ／℃であることが望ましく、−５ｐｐｍ／℃であることがより一層望ましい。
【００２０】
このＴＣＤ（単位：ｐｐｍ／℃）の値は、２５℃における値であり、次式(i)で算出される。
【００２１】
ＴＣＤ＝α−(１/ＶS)(∂ＶS/∂Ｔ)…(i)
【００２２】
上記(i)式において、ＶSは表面弾性波の伝搬速度、Ｔは温度であり、右辺の第１項であるαは伝搬方向の熱膨張係数である。また、同右辺の第２項をβをすると、βは次式（ii）で算出される。
【００２３】
β＝(１／ＶS(25℃))[(ＶS(35℃)−ＶS(15℃))／20]…(ii)
【００２４】
上記(ii)式において、ＶS(25℃)、ＶS(35℃)及びＶS(15℃)は、それぞれ２５℃、３５℃及び１５℃における表面弾性波の伝搬速度である。
【００２５】
ところで、ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶は単斜晶系に属するものである。一般的に、単斜晶系に属する結晶の結晶軸（ａ軸、ｂ軸及びｃ軸）と、表面弾性波特性の評価に用いる直交座標軸（Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸）との関係は、ｂ軸をＹ軸に、ｃ軸をＺ軸にとり、右手直交になるようにＸ軸をとると決められている。
【００２６】
この発明では、圧電材料は、例えばＹ軸に直交するか又はこれに近い面でカットされた場合、表面弾性波の伝搬方向を適切に選択することによって、ＴＣＤの絶対値を所定値以下に確実に設定することができる。但し、この発明では、圧電材料はこのようなカット方位でカットされているものに限定されるものではない。例えば、Ｘ軸に直交するか又はこれに近い面でカットされていても良いし、Ｚ軸に直交するか又はこれに近い面でカットされていても良く、要するにＴＣＤの絶対値が所定値以下になる伝搬方向が得られるようにカットされていれば良い。
【００２７】
なお、この明細書では、Ｘ軸に直交する面でカットすることを「Ｘカット」と呼び、Ｙ軸に直交する面でカットすることを「Ｙカット」と呼び、Ｚ軸に直交する面でカットすることを「Ｚカット」と呼ぶ。
【００２８】
この圧電材料は、これがバルク状である場合には圧電デバイス用基板として用いることができる。このバルク状圧電材料の単結晶育成方法については、特に限定されるものではなく、各種チョクラルスキー（Ｃｚ）法をはじめ、ブリッジマン法、フローティング・ゾーン法（浮遊帯域溶融法）等の様々な育成方法を適用することができるが、特にＣｚ法により育成することが望ましい。すなわち、Ｃｚ法によれば、大口径で且つ高品質の単結晶を育成することができる上、当該単結晶の育成を高速に且つ容易に行うことができるからである。
【００２９】
また、特に、この圧電材料は、Ｙ軸方向に育成された単結晶からなることが、当該単結晶のカット方位決定作業（いわゆる方位出し作業）を容易に行えるようになる点等で、望ましい。なお、圧電材料がＣｚ法により育成された単結晶からなるものである場合には、当該単結晶の引き上げ方向がその育成方向となる。
【００３０】
また、この圧電材料は、任意の基板上に形成される単結晶薄膜として用いることができる。この場合においてその成膜方法は、特に限定されるものではなく様々な成膜方法を適用することができる。
【００３１】
この発明に係る圧電デバイス用基板は、上述したバルク状圧電材料を所定のカット方位でカットしてそのカット面を研磨加工することにより、製作することができる。
【００３２】
また、圧電デバイス用基板は、任意の基板上に上述した圧電材料が薄膜として形成されていても良い。
【００３３】
この発明に係る表面弾性波装置は、圧電デバイス用基板上に表面弾性波を励振するための電極を設けることにより、製作することができる。
【００３４】
この表面弾性波装置としては、例えば、図１に示した共振器型表面弾性波装置や図２に示したトランスバーサル型表面弾性波装置が挙示される。
【００３５】
図１に示した共振器型表面弾性波装置では、表面弾性波を励振するための電極として、複数個の平行な電極指を有する一対の櫛歯型の励振電極（Inter  Digital  Transducer）（２）が、電極指を相互に噛み合わせた態様にして圧電デバイス用基板（１）の一主面に設けられている。この一対の櫛歯型励振電極（２）は導電性材料から形成されている。この導電性材料としては、例えば、アルミニウム（その合金を含む。）、チタン、ニッケル、金、プラチナ等の金属やこれらの合金が好適に用いられる。また、同図の鎖線に示すように、前記櫛歯型励振電極（２）の表面弾性波伝搬路の両端に、表面弾性波を反射するための反射器（３）が設けられていても良い。
【００３６】
図２に示したトランスバーサル型表面弾性波装置では、表面弾性波（５）を励振するための電極として、図１と同じく、一対の櫛歯型励振電極（２）が電極指を相互に噛み合わせた態様にして圧電デバイス用基板（１）の一主面に設けられている。さらに、この一対の櫛歯型励振電極（２）に隣接して、表面弾性波（５）を受信するための一対の櫛歯型受信電極（２’）が設けられている。
【００３７】
なお、図１及び図２において、（４）は前記櫛歯型励振電極（２）に印加するための高周波信号源である。
【００３８】
この発明において、櫛歯型励振電極（２）、受信電極（２’）及び反射器（３）の形成方法としては、特に限定されるものではなく、様々な公知の形成方法を適用することができる。例えば、基板（１）の主面上に電極となる金属を真空蒸着法により被着形成したのち、リフトオフ法及び／又はエッチング法により電極を形成することができる。
【００３９】
【実施例】
次に、この発明の具体的実施例について説明する。
【００４０】
＜第１単結晶の育成＞
ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶を高周波誘導加熱型Ｃｚ法により育成した。この単結晶を、説明の便宜上「第１単結晶」という。用いたるつぼはイリジウム（Ｉｒ）製の円筒形のものである。用いた原料は純度９９．９９％の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、純度９９．９５％の酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）であり、これらを８：１：３のモル比で混合し、１１００℃で２４時間焼結したものを前記るつぼに充填した。イリジウム製のるつぼは約８００℃以上の高温では酸素と反応し、揮発するため、アルゴンガス雰囲気中で育成を行った。以下にその育成条件を示す。
【００４１】
・シード結晶…ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3結晶
・引き上げ方向…Ｙ軸
・育成温度…約１４８０℃
・結晶回転速度…２０ｒｐｍ
・引き上げ速度…２．０ｍｍ／ｈ
【００４２】
こうして育成されたロッド状の第１単結晶は、クラックが生じておらず高品質なものであった。また、この第１単結晶は、その組成式においてＮｄとＣａを化学量論数比（Ｎｄ：Ｃａ）で１：４の割合で含有しているものである。
【００４３】
＜第２単結晶の育成＞
不純物としてＧｄを含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶を高周波誘導加熱型Ｃｚ法により育成した。この単結晶を、説明の便宜上「第２単結晶」という。用いたるつぼはイリジウム（Ｉｒ）製の円筒形のものである。用いた原料は純度９９．９９％の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、純度９９．９５％の酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）であり、これらを８：０．１：０．９：３のモル比で混合し、１１００℃で２４時間焼結したものを前記るつぼに充填した。イリジウム製のるつぼは約８００℃以上の高温では酸素と反応し、揮発するため、アルゴンガス雰囲気中で育成を行った。以下にその育成条件を示す。
【００４４】
・シード結晶…ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3結晶
・引き上げ方向…Ｙ軸
・育成温度…約１４８０℃
・結晶回転速度…２０ｒｐｍ
・引き上げ速度…２．０ｍｍ／ｈ
【００４５】
こうして育成されたロッド状の第２単結晶は、クラックが生じておらず高品質なものであった。また、この第２単結晶は、その組成式においてＮｄ及びＧｄとＣａを化学量論数比［（Ｎｄ＋Ｇｄ）：Ｃａ］で１：４の割合で含有しているものである。この第２単結晶において、不純物であるＧｄは、Ｎｄと置換された置換型固溶元素として単結晶中に含まれていると推察される。
【００４６】
＜第３単結晶の育成＞
不純物としてＭｇを含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶を高周波誘導加熱型Ｃｚ法により育成した。この単結晶を、説明の便宜上「第３単結晶」という。用いたるつぼはイリジウム（Ｉｒ）製の円筒形のものである。用いた原料は純度９９．９９％の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、純度９９．９９％の炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、純度９９．９５％の酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）であり、これらを７．７６：０．２４：１：３のモル比で混合し、１１００℃で２４時間焼結したものを前記るつぼに充填した。イリジウム製のるつぼは約８００℃以上の高温では酸素と反応し、揮発するため、アルゴンガス雰囲気中で育成を行った。以下にその育成条件を示す。
【００４７】
・シード結晶…ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3結晶
・引き上げ方向…Ｙ軸
・育成温度…約１４８０℃
・結晶回転速度…２０ｒｐｍ
・引き上げ速度…２．０ｍｍ／ｈ
【００４８】
こうして育成されたロッド状の第３単結晶（すなわち、不純物としてＭｇを含有したＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶）は、クラックが生じておらず高品質なものであった。また、この第３単結晶は、その組成式においてＮｄとＣａ及びＭｇを化学量論数比［Ｎｄ：（Ｃａ＋Ｍｇ）］で１：４の割合で含有しているものである。この第３単結晶において、不純物であるＭｇは、Ｃａと置換された置換型固溶元素として単結晶中に含まれていると推察される。
【００４９】
＜ＶS、ｋ2及びＴＣＤの測定＞
［実施例１］  上記の第１単結晶をＺ軸に直交する面でカットして該カット面を鏡面加工することにより、圧電デバイス用基板を製作した。そして、図１に示した共振器型表面弾性波装置を製作すべく、この基板の主面（即ちカット面）に一対の櫛歯型励振電極を形成した。なお、この櫛歯型励振電極において、電極指間隔は９μｍ、電極指幅は９μｍ、電極指対数は２０である。
【００５０】
次いで、この表面弾性波装置に対して、ＺカットＹ伝搬の表面弾性波の伝搬速度ＶS、電気機械結合係数ｋ2及び遅延時間温度係数ＴＣＤを測定した。
【００５１】
なお、ＴＣＤの値は上記(i)及び(ii)により算出した。ＴＣＤの測定に用いた中心周波数は約１０５ＭＨｚである。一方、ＶS及びｋ2の測定は、インピーダンスアナライザを用い、アドミタンスの実部（コンダクタンス）Ｇとその虚部（サセプタンス）Ｂの周波数特性（放射アドミタンス特性）を測定することにより、行った。ここで、ＶSの値は次式(iii)により算出し、ｋ2は次式(iv)により算出した。
【００５２】
ＶS＝ｆ0×λ…(iii)
ｋ2＝π／(４Ｎ)×(Ｇ／Ｂ)f=f0…(iv)
【００５３】
上記(iii)式において、ｆ0は中心周波数であり、λは波長（電極指幅の４倍）である。上記(iv)式において、Ｎは電極指対数である。
【００５４】
以上の測定により得られたＶS、ｋ2及びＴＣＤを以下に示す。
【００５５】
・ＶS…３９００ｍ／ｓ
・ｋ2…１．１％
・ＴＣＤ…１５ｐｐｍ／℃（但し、25℃における。）
【００５６】
［実施例２］  上記の第１単結晶をＹ軸に直交する面でカットして該カット面を鏡面加工することにより、圧電デバイス用基板を製作した。そして、図１に示した共振器型表面弾性波装置を製作すべく、この基板の主面（即ちカット面）に一対の櫛歯型励振電極を形成し、ＹカットＸ伝搬のＶS、ｋ2及びＴＣＤを測定した。ＴＣＤの測定に用いた中心周波数は約９２ＭＨｚである。その結果を以下に示す。なお、この櫛歯型励振電極において、電極指間隔、電極指幅及び電極指対数は、上記実施例１と同じである。また、ＴＣＤ、ＶS及びｋ2の測定方法についても上記実施例１と同じである。
【００５７】
・ＶS…３４５０ｍ／ｓ
・ｋ2…０．５％
・ＴＣＤ…５ｐｐｍ／℃（但し、25℃における。）
【００５８】
［実施例３］  上記の第１単結晶をＸ軸に直交する面でカットして該カット面を鏡面加工することにより、圧電デバイス用基板を製作した。そして、図１に示した共振器型表面弾性波装置を製作すべく、この基板の主面（即ちカット面）に一対の櫛歯型励振電極を形成し、ＸカットＹ伝搬のＶS、ｋ2及びＴＣＤを測定した。ＴＣＤの測定に用いた中心周波数は約９５ＭＨｚである。その結果を以下に示す。なお、この櫛歯型励振電極において、電極指間隔、電極指幅及び電極指対数は、上記実施例１と同じである。また、ＴＣＤ、ＶS及びｋ2の測定方法についても上記実施例１と同じである。
【００５９】
・ＶS…３５５０ｍ／ｓ
・ｋ2…０．５％
・ＴＣＤ…１３ｐｐｍ／℃（但し、25℃における。）
【００６０】
［実施例４］  上記の第２単結晶をＹ軸に直交する面でカットして該カット面を鏡面加工することにより、圧電デバイス用基板を製作した。そして、図１に示した共振器型表面弾性波装置を製作すべく、この基板の主面（即ちカット面）に一対の櫛歯型励振電極を形成し、ＹカットＸ伝搬のＶS、ｋ2及びＴＣＤを測定した。ＴＣＤの測定に用いた中心周波数は約９２ＭＨｚである。その結果を以下に示す。なお、この櫛歯型励振電極において、電極指間隔、電極指幅及び電極指対数は、上記実施例１と同じである。また、ＴＣＤ、ＶS及びｋ2の測定方法についても上記実施例１と同じである。
【００６１】
・ＶS…３４５０ｍ／ｓ
・ｋ2…０．４％
・ＴＣＤ…３０ｐｐｍ／℃（但し、25℃における。）
【００６２】
［実施例５］  上記の第３単結晶をＹ軸に直交する面でカットして該カット面を鏡面加工することにより、圧電デバイス用基板を製作した。そして、図１に示した共振器型表面弾性波装置を製作すべく、この基板の主面（即ちカット面）に一対の櫛歯型励振電極を形成し、ＹカットＸ伝搬のＶS、ｋ2及びＴＣＤを測定した。ＴＣＤの測定に用いた中心周波数は約９２ＭＨｚである。その結果を以下に示す。なお、この櫛歯型励振電極において、電極指間隔、電極指幅及び電極指対数は、上記実施例１と同じである。また、ＴＣＤ、ＶS及びｋ2の測定方法についても上記実施例１と同じである。
【００６３】
・ＶS…３４５０ｍ／ｓ
・ｋ2…０．５％
・ＴＣＤ…２０ｐｐｍ／℃（但し、25℃における。）
【００６４】
＜櫛歯型励振電極の製作＞
櫛歯型励振電極は、公知の形成方法によって形成されたものである。すなわち、基板の主面上に電極となるアルミニウムを真空蒸着法により被着形成したのち、エッチング法によって前記の櫛歯型励振電極を形成した。
【００６５】
＜本発明品と従来品との対比＞
ここで、上記実施例１〜５で得られた単結晶圧電材料であるＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶と、従来の単結晶圧電材料である水晶（これを「比較例１」とする。）及びＬＮ（これを「比較例２」とする。）とを、ＶS、ｋ2及びＴＣＤについて対比すると、表１のようになる。
【００６６】
【表１】
0003835286.tif 000002
【００６７】
同表から明らかなように、ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶は、不純物を含んでいるか否かにかかわらず、ｋ2が大きく且つＴＣＤがゼロに近い（つまりＴＣＤの絶対値が小さい）という優れた特性を有するものであることが分かる。特に、ＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶は、上記第１単結晶のように、製造上不可避の不純物だけを含有したものである場合が、ＴＣＤをより一層ゼロに近づけることができできる点で、望ましいが、Ｎｄ以外の希土類元素から選択された１種又は２種以上の元素を不純物として、上記第２単結晶におけるＧｄの含有量以下で含有したものであっても、あるいはＣａ以外のアルカリ土類金属元素から選択された１種又は２種以上の元素を不純物として、上記第３単結晶におけるＭｇの含有量以下で含有したものであっても、ＴＣＤを所定の値以下に設定できることが分かる。したがって、このようなＮｄＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3単結晶からなる圧電材料は、圧電デバイス用基板を製作するための材料として好適に用いることができることを確認し得た。
【００６８】
【発明の効果】
上述の次第で、この発明に係る圧電材料は、電気機械結合係数ｋ2が大きく且つ遅延時間温度係数ＴＣＤの絶対値が所定の値以下であるから、圧電デバイス用基板を製作するための材料として好適に用いることができる。
【００６９】
さらに、この圧電材料で形成された圧電デバイス用基板に、表面弾性波を励振するための電極を形成することにより、優れた性能を有する表面弾性波装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る表面弾性波装置の一つである共振器型表面弾性波装置を説明するための平面図である。
【図２】この発明に係る表面弾性波装置の一つであるトランスバーサル型表面弾性波装置を説明するための平面図である。
【符号の説明】
１…圧電デバイス用基板
２…櫛歯型励振電極
２’…櫛歯型受信電極
３…反射器
４…高周波信号源
【図１】
0003835286.tif 000003
【図２】
0003835286.tif 000004