(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素スイッチング用の薄膜トランジスタのチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極、前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたデータ線、及び前記薄膜トランジスタのドレイン領域に電気的に接続された画素電極が絶縁膜を介して形成された電気光学装置において、
前記ドレイン領域と前記画素電極との層間には、前記ドレイン領域と前記画素電極との層間に介在する絶縁膜の第１のコンタクトホールを介して前記ドレイン領域に接する中継用導電膜を有するとともに、前記中継用導電膜は、前記画素電極と前記中継用導電膜との層間に介在する絶縁膜の第２のコンタクトホールを介して前記画素電極に接し、
前記第２のコンタクトホールは、少なくとも一部が前記第１のコンタクトホールに対して前記基板上の重なる領域に形成され、
前記中継用導電膜は、前記データ線と前記ゲート電極との間の層に形成され、
前記ゲート電極と同一層である容量電極と、前記中継用導電膜から同一層で延長された導電膜との間に誘電体膜が設けられた蓄積容量が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記基板上には、前記中継用導電膜と同一層の導電膜によって、蓄積容量を構成するための蓄積容量電極が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記中継用導電膜及び前記蓄積容量電極を形成する導電膜は、導電性ポリシリコン膜から形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記中継用導電膜は、遮光性導電膜から形成されているとともに、前記基板上には、前記中継用導電膜と同一層の遮光性導電膜によって、画素の開口領域の少なくとも一部を規定する遮光膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、前記中継用導電膜及び前記遮光膜を形成する遮光性導電膜は、高融点金属のシリサイド膜からなる層を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４において、前記中継用導電膜及び前記遮光膜を形成する遮光性導電膜は、高融点金属のシリサイド膜と導電性ポリシリコン膜との積層構造を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項５または６において、前記高融点金属は、タングステン、タンタル、モリブデン、チタン及びバナジウムのうちのいずれかの金属であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記第１のコンタクトホールおよび前記第２のコンタクトホールのうちの少なくとも一方は、開口径が上層側で大きいテーパ構造を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、相隣接する前記データ線に挟まれた領域の略中央位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに規定する電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源から出射された光を前記電気光学装置によって光変調する光変調手段と、該光変調手段で光変調された光を投射する投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びこの電気光学装置を用いた投射型表示装置に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置において、画素電極と画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下適宜、ＴＦＴと称す）とを電気的に接続するための構造技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の電気光学装置のうち、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、図１に示すように、縦横に夫々配列された多数の走査線３ａ１及びデータ線６ａと、これらの信号線の各交点に対応する多数の画素スイッチング用のＴＦＴ３０とがＴＦＴアレイ基板上に設けられている。ここで、走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されている。また、データ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続され、画素電極９ａはＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【０００３】
このＴＦＴ３０においては、図１４に示すように、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ、及びこれらの間に位置するチャネル領域１ａ′は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された半導体層１ａから構成される。画素電極９ａは、多層構造をなす走査線３ａ、容量線３ｂ、データ線３ａ等の配線を電気的絶縁するための複数の層間絶縁膜４、７に開孔されたコンタクトホール８９を介して半導体層１ａのドレイン領域１ｅに接続されている。
【０００４】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された半導体層１ａの上にゲート電極（走査線３ａ）が設けられるトップゲート構造を有する正スタガ型またはコプラナー型のポリシリコンＴＦＴの場合では特に、積層構造における半導体層１ａから画素電極９ａまでの層間距離が例えば１０００ｎｍ程度、またはそれ以上と長いため、両者を電気的接続するためのコンタクトホール８９を理想的な形態で開孔するのが困難となる。例えば、コンタクトホール８９をエッチング形成する際に、エッチングが進行するにつれてエッチング精度が低下し、目標とする半導体層１ａを突き抜けて開孔してしまう可能性がある。このため、ドライエッチングのみでこのような深いコンタクトホール８９を開孔することが極めて困難である。従って、ドライエッチングにウエットエッチングを組み合わせることがあるが、このようなエッチング方法では、ウエットエッチングによりコンタクトホール８９の径が大きくなってしまい、限られた領域内に配線や電極を必要なだけレイアウトするのが困難となる。
【０００５】
そこで最近では、図１５に示すように、走査線３ａ上に形成された層間絶縁膜４に対して、ソース領域１ｄに至るコンタクトホール５を開孔してデータ線６ａとソース領域１ｄとの電気的な接続を図る際に、層間絶縁膜４に対してドレイン領域１ｅに至る第１のコンタクトホール８８ａを開孔すると共に、データ線６ａと同一層からなるアルミニウム膜などといったバリア層と称される中継用導電膜８７を形成しておき、その後、データ線６ａ及びこの中継用導電膜８７上に形成された層間絶縁膜７に対して、画素電極９ａから中継用導電膜８７に至る第２のコンタクトホール８８ｂを第１のコンタクトホール８８ａに対して平面的に重ならない位置に開孔することにより、画素電極９ａとドレイン領域１ｅとを電気的に接続する技術が開発されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この種の液晶装置（電気光学装置）においては、表示画像の高品位化という要請が強く、このためには、画像表示領域の高精細化、画素ピッチの微細化及び高画素開口率化が極めて重要となる。本願明細書において、画素開口率とは、各画素において、表示光が透過しない非画素開口領域に対する、表示光が透過する画素開口領域の比率のことをいい、高画素開口率化とは、各画素において、表示光が透過しない非画素開口領域に対する、表示光が透過する画素開口領域の比率を高めることをいう。
【０００７】
但し、画素ピッチの微細化を進めようにも電極サイズ、配線幅、更にコンタクトホール径などには製造技術面で微細化に限界があるため、画素ピッチの微細化を進めると、相対的にこれらの配線や電極等、表示に直接関与しない部分が画像表示領域において占有する面積比率が高まる結果、画素開口率が低くなる。このため、従来と同一の構造のままで、画素ピッチの微細化を進めると、表示の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００８】
例えば図１５に示したように、各画素において中継用導電膜８７を用いてドレイン領域１ｅから画素電極９ａへの電気的接続をとるには、少なくとも２個のコンタクトホール８８ａ、８８ｂを開孔する必要があるが、これらの２個のコンタクトホール８８ａ、８８ｂを形成するのに十分な領域を非開口領域に確保するとなると、その分、画素開口率が低下することになる。
【０００９】
また、コンタクトホール８８ａ、８８ｂを形成した位置では、その凹凸が画素電極９ａの表面に段差や凹凸として反映されやすく、その結果、画素電極９ａの表面側に形成した配向膜１６にラビング処理を行なった際、コンタクトホール８８ａ、８８ｂによって凹凸が生じた領域周辺は配向不良領域となりやすい。しかるに従来の構成では、２つのコンタクトホール８８ａ、８８ｂを位置をずらして形成しているため、配向不良領域が少なくとも２箇所発生することになり、このような配向不良領域の周りの全てを対向基板２０上の遮光膜２３等により覆い隠すと、今度は各画素における開口領域が非常に小さくなってしまうという問題点が生じる。
【００１０】
一方、液晶装置を３枚用意して夫々をＲ（赤）用、Ｇ（緑）用、Ｂ（青）用のライトバルブとして用いた複板方式のカラープロジェクタが開発され、このカラープロジェクタにおいても表示品位の向上が望まれている。この複板方式を採用すると、例えば図１６に示すように、３枚の液晶装置５００Ｒ、５００Ｇ、５００Ｂにより別々に光変調された３色光は、プリズム５０２により一つの投射光に合成された後、スクリーン上に投射される。このように、プリズム５０２で合成すると、プリズム５０２で反射するＲ光及びＢ光と比べて、Ｇ光は、プリズム５０２で反射されないので、光の反転回数が一回だけＧ光について少なくなる。この現象は、もちろんＧ光の代わりに、Ｒ光またはＢ光がプリズムで反射されないように光学系を構成しても同じであり、更に、プリズム５０２に代えてダイクロイックミラー等を用いて３色光を合成した場合にも同様に起こる。従って、このような場合、Ｇ用の液晶装置５００Ｇは、画像信号が何等かの形で左右に反転され、液晶装置５００Ｒ、５００Ｂと比べて走査方向が逆転した駆動形式で使用され、逆転した画像が表示される。しかるに、本願発明者による実験及び研究によれば、ＴＮ液晶を用いた液晶装置を製造する際に、ラビング処理を走査線及びデータ線に沿って行なうと、対向基板側から見て右回りに回転するＴＮ液晶の場合では、画素電極表面の凹凸形状に応じて各画素の開口領域内において右隅で配向不良の度合いが大きくなり、逆に左回りのＴＮ液晶を用いた場合に、画素電極表面の凹凸形状に応じて各画素の開口領域内において左隅で配向不良の度合いが大きくなるなど、各画素単位における画素電極表面の凹凸形状に応じて指向性のある配向不良が発生してしまう。特にこのような指向性のある配向不良は、単一の液晶装置の場合には視認できないような程度であっても、前述のように３個の液晶装置を用いて複板方式のカラープロジェクタを構成した場合に、視認されてしまい、３個の液晶装置全てを欠陥品として扱わねばならないことがある。
【００１１】
より具体的には、各画素における配向不良の傾向が同じである２枚の電気光学装置（図１６における液晶装置５００Ｒ、５００Ｂ）と、各画素における配向不良の傾向が逆転している１枚の電気光学装置（図１６における液晶装置５００Ｇ）とで夫々変調された３色の光を一つに合成すると、各画素における配向不良が局所的に相互に増長されて、視覚上非常に目立つという現象が生じる。特に画素ピッチを微細化した３枚の液晶装置を用いて複板方式のカラープロジェクタを構成する場合には、液晶装置における装置欠陥率が非常に高くなってしまうという問題がある。しかも、特に画素ピッチを微細化した３枚の液晶装置を用いて複板方式のカラープロジェクタを構成する場合には、画素電極表面の凹凸に起因した配向不良による画像劣化が激しく、高品位の画像表示を行うのが極めて困難であるという問題がある。
【００１２】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、半導体層と画素電極とを中継用導電膜を介して電気的に接続する構成を採用しても、コンタクトホールの存在に起因する画素電極表面における凹凸による弊害を抑えることにより、画素開口率が高い電気光学装置及び投射型表示装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、基板上に、画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙する走査線、前記ＴＦＴのソース領域に電気的に接続されたデータ線、及び前記ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続された画素電極が絶縁膜を介して多層に形成された電気光学装置において、前記ドレイン領域と前記画素電極との層間には、前記ドレイン領域との層間に介在する絶縁膜の第１のコンタクトホールを介して当該ドレイン領域に接する中継用導電膜を有するとともに、該中継用導電膜は、前記画素電極との層間に介在する絶縁膜の第２のコンタクトホールを介して当該画素電極に接し、当該第２のコンタクトホールは、少なくとも一部が前記第１のコンタクトホールに対して平面的に重なる位置に形成されていることを特徴とする。
また、本発明は上記課題を解決するために、基板上に、画素スイッチング用の薄膜トランジスタのチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極、前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたデータ線、及び前記薄膜トランジスタのドレイン領域に電気的に接続された画素電極が絶縁膜を介して形成された電気光学装置において、
前記ドレイン領域と前記画素電極との層間には、前記ドレイン領域と前記画素電極との層間に介在する絶縁膜の第１のコンタクトホールを介して前記ドレイン領域に接する中継用導電膜を有するとともに、前記中継用導電膜は、前記画素電極と前記中継用導電膜との層間に介在する絶縁膜の第２のコンタクトホールを介して前記画素電極に接し、
前記第２のコンタクトホールは、少なくとも一部が前記第１のコンタクトホールに対して前記基板上の重なる領域に形成され、
前記中継用導電膜は、前記データ線と前記ゲート電極との間の層に形成され、
前記ゲート電極と同一層である容量電極と、前記中継用導電膜から同一層で延長された導電膜との間に誘電体膜が設けられた蓄積容量が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明では、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを中継用導電膜を介して電気的に接続したため、この電気的な接続に少なくとも２個のコンタクトホールを開孔する必要があるが、これら２個のコンタクトホールは、少なくとも一部が平面的に重なった位置に形成されている。このため、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールとしては、平面的には、非開口領域に実質１個分を形成すればよい。それ故、中継用導電膜を用いて画素電極をＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続する構成であっても、非開口領域を拡張する必要がないので、画素開口率が低下することはない。また、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールに起因する画素電極表面の凹凸は、実質１箇所に形成されるだけであるため、このような凹凸に起因して配向不良領域が発生したとしても、配向不良領域が発生するのは実質１箇所だけである。それ故、配向不良領域周辺を対向基板上の遮光膜等により覆い隠したとしても、画素開口領域が低下することはない。
【００１５】
本発明において、前記基板上には、前記中継用導電膜と同一層の導電膜によって、蓄積容量を構成するための蓄積容量電極が形成されていることが好ましい。すなわち、電気光学装置においては、画素電極に対して蓄積容量を形成する場合があり、この蓄積容量を構成する電極については中継用導電膜の一部を用いることが好ましい。このような形態であれば、前記中継用導電膜及び前記蓄積容量電極を形成する導電膜としては、例えば、導電性ポリシリコン膜を用いることができる。
【００１６】
本発明において、前記中継用導電膜は、遮光性導電膜から形成されているとともに、前記基板上には、前記中継用導電膜と同一層の遮光性導電膜によって、画素の開口領域の少なくとも一部を規定する遮光膜が形成されている構成であってもよい。すなわち、電気光学装置においては、非開口領域を遮光するための膜をＴＦＴのドレイン領域と画素電極との層間に形成する場合があり、このような遮光膜については中継用導電膜の一部を利用することが好ましい。このような形態であれば、前記中継用導電膜及び前記遮光膜を形成する遮光性導電膜としては、例えば、高融点金属のシリサイド膜からなる層を用いることができる。
【００１７】
また、前記中継用導電膜及び前記遮光膜を形成する遮光性導電膜としては、タングステン、タンタル、モリブデン、チタン、バナジウムなどといった高融点金属のシリサイド膜と導電性ポリシリコン膜との積層構造を備えていることが好ましい。このような多層構造の導電膜であれば、電気抵抗の小さな導電性ポリシリコン膜が、シリサイド膜の電気抵抗が大きいという欠点を補ってくれるとともに、導電性ポリシリコン膜単独では遮光性が著しく低いという欠点をシリサイド膜が補ってくれる。それ故、遮光性が大きくて電気抵抗の小さい導電膜によって、中継用導電膜及び遮光膜を形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記第１のコンタクトホールまたは前記第２のコンタクトホールは、開口径が上層側で大きいテーパ構造を備えていることが好ましい。このようなテーパ構造のコンタクトホールは、ドライエッチング後にウエットエッチングを施すことによって形成できる。また、絶縁膜として、シリコンの熱酸化膜（シリコン酸化膜）と、この熱酸化膜の上層にＣＶＤ法などによって形成したシリコン酸化膜とが積層されている場合にウエットエッチングを行なえば、熱酸化膜はＣＶＤ膜などに比較してエッチング速度が遅いので、開口径が上層側で大きいテーパ構造をもつコンタクトホールを形成できる。
【００１９】
本発明において、前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、相隣接する前記データ線に挟まれた領域の略中央位置に形成されていることが好ましい。コンタクトホールに起因して画素電極に表面に凹凸が生じた個所は、例えば、画素電極上に形成された配向膜に対してラビング処理等を行った後の電気光学物質の配向不良などの原因となるが、本形態では、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続する第１のコントタクトホール及び第２のコンタクトホールは、相隣接するデータ線に挟まれた領域の略中央位置、すなわち相隣接する２本のデータ線に対して対称な位置に形成されているため、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールに対応する画素電極表面の窪みや凹凸は、各画素毎に相隣接する２本のデータ線に対して対称な位置に発生する。従って、例えば、画素電極上に形成された配向膜に対してラビング処理を右回り方向のＴＮ液晶用に行った場合と左回りのＴＮ液晶用に行った場合とを考えると、このような画素電極表面の窪みや凹凸に起因した電気光学物質の不良は、どちらの場合にも各画素に同様の傾向で発生することになる。この結果、明視方向が異なる複数の電気光学装置を組み合わせて複板方式のカラープロジェクタ等用に使用した場合に、特定個所における不良が、これらの電気光学装置を複数、組み合わせたことに起因して増長されるという事態を防ぐことができる。また、本発明を適用した電気光学装置を直視型の表示装置として用いた場合には、各画素単位で第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールに起因する画素電極表面の凹凸が走査線に沿ったどちらの方向にも偏っていないため、画像表示領域全体では、走査線に沿って指向性を持つ表示むらが生じないで済む。
【００２０】
本発明を適用した電気光学装置は、画素開口率が高いので、品位の高い画像を表示できる。従って、本発明を適用した電気光学装置は、画像が拡大投射されるという性質上、特に品位が高いことが要求される投射型表示装置の光変調手段として用いることが好ましい。この投射型表示装置では、光源と、該光源から出射された光を前記電気光学装置によって光変調する光変調手段と、該光変調手段で光変調された光を投射する投射光学系とが設けられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図面に基いて、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、代表的な電気光学装置である液晶装置に本発明を適用した例を説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
（全体構成）
図１は、液晶装置の画像表示領域において、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に形成された各種素子、配線等の等価回路である。図２及び図３はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置において、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図、及び図２のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。なお、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
図１において、液晶装置１００（電気光学装置）の画像表示領域において、マトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２４】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置１００を実現できる。
【００２５】
（画素の構成）
図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ′により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述するソース領域に電気的に接続されている。
【００２６】
画素電極９ａは、詳しくは後述するが、図中右下がりの斜線で示した領域に島状に形成された中継用導電膜８０を中継して半導体層１ａのうち、後述するドレイン領域に電気的接続されている。
【００２７】
また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ′に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ３０が設けられている。
【００２８】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部とを有する。
【００２９】
このように構成したＴＦＴアレイ基板１０は、図３に示すように、透明な対向基板２０と対向した状態に配置される。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、その表面に下地保護膜１２が形成されている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラスまたは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性薄膜からなる。配向膜１６は、例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００３１】
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００３３】
対向基板２０には、更に、各画素の非開口領域にブラックマスク或いはブラックマトリクスと称される遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ′やソース側ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域１ｂ及びドレイン側ＬＤＤ領域１ｃに侵入することはない。更に、遮光膜２３は、コントラストの向上、カラーフィルタを形成した場合における色材の混色防止などの機能を有する。
【００３４】
このようにして、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入されている。
【００３５】
本実施形態では、半導体層１ａを高濃度ドレイン領域１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、これに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とし、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持された第１誘電体膜とすることにより、第１蓄積容量７０ａが構成されている。
【００３６】
更に、容量線３ｂの一部（第２蓄積容量電極）と対向する中継用導電膜８０の一部を第３蓄積容量電極８０ａとし、これらの電極間に絶縁膜８１を誘電体膜として設けることにより、第２蓄積容量７０ｂが形成されている。そして、第１蓄積容量７０ａ及び第２蓄積容量７０ｂが並列接続されて蓄積容量７０が構成されている。
【００３７】
ここで、第１蓄積容量７０ａの誘電体膜は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２であるので、薄くて、且つ、高耐圧の絶縁膜とすることができ、第１蓄積容量７０ａは比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。また、第２蓄積容量７０ｂの絶縁膜８１（誘電体膜）も、ゲート絶縁膜２と同様、或いはゲート絶縁膜２よりも薄く形成することができるので、第２蓄積容量７０ｂを大容量に構成できる。このようにして、第１蓄積容量７０ａ及び第２蓄積容量７０ｂから形成される蓄積容量７０は、データ線６ａ下の領域及び走査線３ａに沿って液晶のディスクリネーションが発生する領域（即ち、容量線３ｂが形成された領域）という画素開口領域を外れたスペースを有効に利用して、小面積で大容量の蓄積容量を形成することができる。
【００３８】
このような第２蓄積容量７０ｂを構成する絶縁膜８１（誘電体膜）は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等でもよいし、多層膜から構成してもよい。一般にゲート絶縁膜２を形成するのに用いられる各種の公知技術（減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法、常圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＥＣＲプラズマ法、リモートプラズマ法等）により、絶縁膜８１を形成可能である。
【００３９】
本形態において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ′、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００４０】
低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、後述のように、半導体層１ａに対し、ｎ型またはｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用またはｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施形態では特に、データ線６ａは、アルミニウム等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性、かつ、導電性を有する薄膜から構成されている。
【００４１】
尚、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４２】
また本実施形態では、走査線３ａの一部からなるゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００４３】
（電気的な接続構造）
本形態において、走査線３ａの上には第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７が形成されている。これらの層間絶縁膜４、７のうち、第１層間絶縁膜４には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５が形成され、第１層間絶縁膜４の表面に形成されたデータ線６ａは、コンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。
【００４４】
これに対して、ＴＦＴ３０のドレイン側では、高濃度ドレイン領域１ｅに対して、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが島状の中継用導電膜８０を中継して接続されている。この中継用導電膜８０は、導電性の遮光膜からなる。例えば、中継用導電膜８０は、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）等の高融点金属のシリサイド膜から構成される。
【００４５】
このような接続を行なうにあたって、本形態では、ゲート絶縁膜２及び絶縁膜８１に対して、高濃度ドレイン領域１ｅに通じる第１のコンタクトホール８ａが形成され、絶縁膜８１の表面に形成された中継用導電膜８０は、第１のコンタクトホール８ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７には、これらの層間絶縁膜を貫通して中継用導電膜８０へ通じるコンタクトホール８ｂが形成され、第２層間絶縁膜７の表面に形成された画素電極９ａは、第２のコンタクトホール８ｂを介して中継用導電膜８０に電気的に接続している。
【００４６】
ここで、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂは、図２からわかるように、走査線３ａと容量線３ｂとの間に相当する位置において、互いに完全に重なるように形成されている。また、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂは、隣接するデータ線６ａの間の略中央に形成されている。
【００４７】
（本形態の効果）
このように、本形態の液晶装置１００では、高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを第１のコンタクトホール８ａ、第２のコンタクトホール８ｂ及び中継用導電膜８０を利用して電気的接続するので、画素電極９ａから高濃度ドレイン領域１ｅまで一つのコンタクトホールを開孔する場合と比較して、径の小さな第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂによって高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続することができる。即ち、一つのコンタクトホールを開孔する場合には、コンタクトホールを深く開孔する程、エッチング精度が落ちるため、例えば５０ｎｍ程度の非常に薄い半導体層１ａにおける突き抜けを防止するためには、コンタクトホールの径を小さくできるドライエッチングを途中で停止して、最終的にウエットエッチングで半導体層１ａまで開孔するように工程を組まねばならないが、本実施形態では、画素電極９ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅを２つの直列な第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂにより接続すればよいので、これら第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂを夫々、ドライエッチングにより開孔することが可能である。また、エッチングの最終時点でウエットエッチングを行なうときでも、このウエットエッチングにより開孔する距離を短くすることができる。それ故、径の小さなコンタクトホール（第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂ）によって、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続することができる。
【００４８】
また、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂをそれぞれずれた位置に形成した構成と違って、本実施形態では、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂを平面的に重なる位置に形成したので、これらのコンタクトホールが非開口領域で占める面積が小さくて済む。それ故、中継用導電膜８０を用いて画素電極９ａをＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続する構成であっても、画素開口率が低下することはない。
【００４９】
また、本実施形態によれば、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂの径を夫々小さくできるので、画素電極９ａの表面において第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂと重なる位置に形成される凹凸が小さくて済む。また、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂに起因する画素電極９ａ表面の凹凸は、実質１箇所に形成されるだけであるため、このような凹凸に起因して配向不良領域が発生したとしても、配向不良領域が発生するのは実質１箇所だけである。それ故、配向不良領域周辺を対向基板２０上の遮光膜２３等により覆い隠したとしても、画素開口領域が低下することはない。
【００５０】
更に、中継用導電膜８０は、高融点金属のシリサイド膜から形成されているので、遮光性を有する。従って、中継用導電膜８０により、各画素開口領域を少なくとも部分的に規定することが可能となる。すなわち、本形態では、画素開口領域については、データ線６ａ及び中継用導電膜８０により周囲を規定することが可能である。その結果、対向基板２０に対して遮光膜２３を省略することができるため、工程を削減することが可能である。また、対向基板２０から遮光膜２３を省略した場合には、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とのアライメントずれによる画素開口率の低下やばらつきを防ぐことができる。すなわち、対向基板２０に遮光膜２３を設けた場合は、ＴＦＴアレイ基板１０とのアライメントずれを考慮して遮光膜２３を太めに形成するが、ＴＦＴアレイ基板１０に形成したデータ線６ａ及び中継用導電膜８０を遮光膜として利用するのであれば、画素開口部を精度よく規定することができるので、対向基板２０の遮光膜２３によって画素開口部を規定する場合に比べて開口率を向上させることができる。
【００５１】
しかも、高融点金属のシリサイド膜は、アルミニウム膜などと比較して、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗は低いため、中継用導電膜８０と画素電極９ａとの間で良好なコンタクトがとれる。
【００５２】
更にまた、本実施形態では、半導体層１ａから延設されてなる第１蓄積容量電極１ｆと容量線３ｂとの間にゲート絶縁膜２を介在させて第１蓄積容量７０ａを形成したのに加えて、中継用導電膜８０を容量線３ｂに重なる領域まで延設し、かつ、この中継用導電膜８０と容量線３ｂとの間に絶縁膜８１を形成して第２蓄積容量７０ｂを形成しているため、狭い領域内に容量の大きな蓄積容量７０を形成することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂは、相隣接する２本のデータ線６ａの間の略中央位置に形成されている。すなわち、データ線６ａを挟んで相隣接する画素において、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂは、データ線６ａに対してほぼ対称な位置に開孔されている。ここで、第２のコンタクトホール８ｂは、画素電極９ａに至るが故に、画素電極９ａの表面に凹凸を形成し、このような凹凸が生じた個所は、画素電極９ａ上に形成された配向膜１６に対してラビング処理等を行った後の液晶の配向不良を引き起こす。しかるに本実施形態では、第２のコンタクトホール８ｂは、データ線６ａに対してほぼ対称な位置に開孔されているので、第２のコンタクトホール８ｂに対応する画素電極９ａの表面の凹凸は、データ線６ａを挟んで相隣接する画素においてほぼ対称な位置に発生する。従って、配向膜１６に対するラビング処理を、対向基板２０側から見て右回りに回転するＴＮ液晶用に行った場合と、逆に左回りに回転するＴＮ液晶用に行った場合とを考えると、このような画素電極９ａの表面の凹凸に起因した液晶の配向不良は、どちらの場合にも各画素に同様の傾向で発生する。この結果、明視方向の異なる複数の液晶装置を複数枚、組み合わせて複板方式のカラープロジェクタ等を構成した場合でも、図１６を参照して説明したような不具合が発生しない。
【００５４】
また、本実施形態では中継用導電膜８０についても、非開口領域内において相隣接する２本のデータ線６ａに対してほぼ対称な平面形状を有しているため、中継用導電膜８０の膜厚に起因した画素電極９ａにおける凹凸も、相隣接する２本のデータ線６ａに対して対称となる。従って、どちらの方向からラビング処理を施しても、その悪影響が各画素毎に非対称となることはない。また、中継用導電膜８０は各画素単位毎に島状に形成されているため、中継用導電膜８０を形成する膜の応力の影響を受けることがない。
【００５５】
また、図２に示すように、走査線３ａと容量線３ｂは、非開口領域のうち走査線３ａに沿った領域内において、平面的に見て一本ずつ対をなしてほぼ横並びに配置されており、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂは、非開口領域のうち走査線３ａに沿った領域内において、走査線３ａ及び容量線３ｂの間に開孔されている。従って、走査線３ａや容量線３ｂと高濃度ドレイン領域１ｅとがショートすることがない。
【００５６】
しかも、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂの存在に起因して画素電極９ａの表面に生じる凹凸を、非開口領域のうち走査線３ａと容量線３ｂとの間にある中央寄りの領域に位置させることが可能となる。すなわち、第１のコンタクトホール８ａ及び第２のコンタクトホール８ｂの存在に起因して画素電極９ａの表面に生じた凹凸は、画素開口領域からみると、走査線３ａや容量線３ｂの幅に応じた分だけ離れた位置に形成されるので、画素電極９ａ表面の凹凸による悪影響が、開口領域に及びにくい。
【００５７】
また、図２に示すように、第１のコンタクトホール８ａの存在により走査線３ａや容量線３ｂの線幅が全体的に細くならないように、走査線３ａ及び容量線３ｂの平面形状については第１のコンタクトホール８ａの形成領域の周りで、第１のコンタクトホール８ａを避けるように部分的にくびれさせ、かつ、この領域のみにおいて、走査線３ａを開口領域に向けて少しだけ張り出させてある。それ故、画素開口率を高くできるという利点がある。
【００５８】
更に、中継用導電膜８０は第１層間絶縁膜４の下層側に形成され、データ線６ａは第１層間絶縁膜４よりも上層側に形成されているので、中継用導電膜８０とデータ線６ａがショートするおそれがない。それ故、中継用導電膜８０については、遮光膜として機能させるのに十分な領域に形成することができる。
【００５９】
（製造方法）
図２及び図３を参照して説明した液晶装置の製造方法を、図４から図７を参照して説明する。尚、図４から図７はいずれも、各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を、図３と同様、図２のＡ−Ａ′断面に対応させて示す工程図である。
【００６０】
まず、図４（ａ）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ2（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。
【００６１】
次に、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとする。
【００６２】
次に図４（ｂ）に示すように、下地絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal)を使ったアニール処理でも良いし、エキシマレーザー等を用いたレーザーアニールでも良い。
【００６３】
この際、図３に示した画素スイッチング用のＴＦＴ３０として、ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。
【００６４】
次に図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き第１蓄積容量電極１ｆを含む所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００６５】
次に図４（ｄ）に示すように、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１蓄積容量電極１ｆを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜２ａを形成する。
【００６６】
次に図４（ｅ）に示すように、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ｂを約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、熱酸化シリコン膜２ａ及び絶縁膜２ｂを含む多層構造を有するゲート絶縁膜２を形成するともに、蓄積容量形成用の誘電体膜を形成する。この結果、第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、ゲート絶縁膜２及び誘電体膜の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリコン膜１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。
【００６７】
次に図４（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等によりレジスト層５００を第１蓄積容量電極１ｆとなる部分を除く半導体層１ａ上に形成した後、、例えばＰイオンをドーズ量約３×１０12／ｃｍ2でドープして、第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化する。
【００６８】
次に図４（ｇ）に示すように、レジスト層５００を除去した後、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。または、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。ポリシリコン膜３の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに体積する。
【００６９】
次に図５（ａ）に示すように、レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に、容量線３ｂを形成する。走査線３ａ及び容量線３ｂは、高融点金属や金属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポリシリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。
【００７０】
次に図５（ｂ）に示すように、図３に示した画素スイッチング用のＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０13／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ′となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。
【００７１】
次に図５（ｃ）に示すように、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層６００を走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０15／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのＩＩＩ族元素のドーパントを用いてドープする。
【００７２】
尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【００７３】
尚、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成してもよい。このように、本実施形態において画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａをポリシリコン膜で形成すれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成することができ、製造上有利である。
【００７４】
次に図５（ｄ）に示すように、レジスト層６００を除去した後、容量線３ｂ及び走査線３ａ並びにゲート絶縁膜２上に、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁膜８１を約２００ｎｍ以下の比較的薄い厚さに堆積する。但し、前述のように、絶縁膜８１は、多層膜から構成してもよく、一般にＴＦＴのゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により形成可能である。
【００７５】
次に図５（ｅ）に示すように、後で形成する中継用導電膜８０と高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するための第１のコンタクトホール８ａを、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。このようなドライエッチングは、指向性が高いため、小さな径の第１のコンタクトホール８ａを開孔可能である。或いは、第１のコンタクトホール８ａが半導体層１ａを突き抜けるのを防止するのに有利なウエットエッチングを併用してもよい。このウエットエッチングは、第１のコンタクトホール８ａに対し、より良好なコンタクトをとるためのテーパを付与する観点からも有効である。
【００７６】
次に図５（ｆ）に示すように、絶縁膜８１及び第１のコンタクトホール８ａを介して覗く高濃度ドレイン領域１ｅの全面に、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ等の高融点金属のシリサイド膜をスパッタ処理により堆積して、５０〜５００ｎｍ程度の膜厚の導電膜８０′を形成する。この導電膜８０′は、５０ｎｍ程度の厚みがあれば、後に第２のコンタクトホール８ｂを開孔する時に突き抜ける可能性は殆どない。尚、この導電膜８０′上には、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成しても良い。
【００７７】
次に図６（ａ）に示すように、導電膜８０′上にフォトリソグラフィにより中継用導電膜８０のパターン（図２参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して導電膜８０′に対しエッチングを行うことにより、蓄積容量電極８０ａを含む中継用導電膜８０を形成する。
【００７８】
次に図６（ｂ）に示すように、絶縁膜８１及び中継用導電膜８０を覆うように、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４を形成する。第１層間絶縁膜４の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。第１層間絶縁膜４の膜厚が５００ｎｍ以上あれば、データ線６ａ及び走査線３ａ間における寄生容量は余りまたは殆ど問題とならない。
【００７９】
次に図６（ｃ）の段階で、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線６ａに対するコンタクトホール５を開孔する。また、走査線３ａや容量線３ｂを基板周辺領域において図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により第１層間絶縁膜４に開孔することができる。
【００８０】
次に図６（ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜４の上に、スパッタリング処理等により、遮光性のアルミニウム膜等を金属膜６として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。
【００８１】
次に図６（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６ａを形成する。
【００８２】
次に図７（ａ）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜７を形成する。第２層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【００８３】
次に図７（ｂ）に示すように、画素電極９ａと中継用導電膜８０とを電気的接続するための第２のコンタクトホール８ｂを、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。テーパー状にするためにウェットエッチングを追加しても良い。
【００８４】
次に図７（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜７の上に、スパッタリング処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積する。
【００８５】
次に図７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【００８６】
続いて、図３に示すように、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。
【００８７】
他方、図３に示した対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、遮光膜２３、及び後述する額縁としての遮光膜（図１３及び図１４参照して後述する）が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。尚、これらの遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上で、データ線６ａ及び中継用導電膜８０等で遮光領域を規定すれば、対向基板２０上の遮光膜２３等を省くことができる。
【００８８】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【００８９】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材（図１３及び図１４参照して後述する）により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【００９０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成について、図８を参照して説明する。図８は、本実施形態に係る液晶装置を、図２のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。尚、本形態の液晶装置は、その基本的な構成が、第１実施形態に係る液晶装置と共通するので、共通する構成要素については、同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明は省略する。
【００９１】
第１実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの間に形成された複数層の絶縁膜のうち、絶縁膜８１の表面に中継用導電膜８０が形成されていたので、中継用導電膜８０は、絶縁膜８１及びゲート絶縁膜２を貫通する第１のコンタクトホール８ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続していたが、本実施形態では、図８に示すように、絶縁膜８１が形成されておらず、中継用導電膜８０は、第１層間絶縁膜４の表面に形成されている。
【００９２】
このため、本実施形態では、第１層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２に第１のコンタクトホール８ａが形成され、この第１のコンタクトホール８ａを介して、中継用導電膜８０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、本実施形態では、第２の層間絶縁膜７に第２のコンタクトホール８ｂが形成され、この第２のコンタクトホール８ｂを介して、画素電極９ａは中継用導電膜８０に電気的に接続している。本実施形態でも、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂとは、第１実施形態と同様、平面的に完全に重なった位置に形成されている。
【００９３】
また、本形態でも、中継用導電膜８０は、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）などの高融点金属のシリサイド膜から構成され、遮光性を有している。
【００９４】
その他の構成は第１実施形態と略同様であるため、説明を省略する。
【００９５】
このように、本実施形態でも、第１実施形態と同様、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するにあたって、中継用導電膜８０を用いたため、２個のコンタクトホール８ａ、８ｂを開孔する必要があるが、これら２個のコンタクトホール８ａ、８ｂは、平面的に重なった位置に形成されている。従って、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８ａ、８ｂは、各画素の非開口領域において、実質１個分の面積を占有するだけである。それ故、中継用導電膜８０を用いて画素電極９ａをＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続する構成であっても、画素開口率が低下することはない。
【００９６】
また、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８ａ、８ｂに起因する画素電極９ａ表面の凹凸は、実質１箇所に形成されるだけであるため、このような凹凸に起因して配向不良領域が発生したとしても、配向不良領域が発生するのは実質１箇所だけである。それ故、配向不良領域周辺を対向基板２０上の遮光膜２３等により覆い隠したとしても、画素開口領域が低下することはない。
【００９７】
更に、中継用導電膜８０を構成する高融点金属のシリサイド膜は、アルミニウム膜などと比較して、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗は低いため、中継用導電膜８０と画素電極９ａとの間で良好なコンタクトがとれる。しかも、中継用導電膜８０を構成する高融点金属のシリサイド膜は、遮光性を有するので、この中継用導電膜８０を遮光膜として利用すれば、各画素開口領域を規定することが可能である。
【００９８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態に係る液晶装置の構成について、図９を参照して説明する。図９は、本実施形態に係る液晶装置を、図２のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。尚、本形態の液晶装置は、その基本的な構成が、第１実施形態に係る液晶装置と共通するので、共通する構成要素については、同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明は省略する。
【００９９】
第１実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの間に形成された複数層の絶縁膜のうち、絶縁膜８１の表面に中継用導電膜８０が形成されていたので、中継用導電膜８０は、絶縁膜８１及びゲート絶縁膜２を貫通する第１のコンタクトホール８ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続していたが、本実施形態では、図９に示すように、絶縁膜８１が形成されていない代わりに、データ線６ａの表面側に絶縁膜８２が形成され、中継用導電膜８０は、この絶縁膜８２の表面に形成されている。
【０１００】
このため、本実施形態では、絶縁膜８２、第１層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２に第１のコンタクトホール８ａが形成され、この第１のコンタクトホール８ａを介して、中継用導電膜８０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、第２の層間絶縁膜７に第２のコンタクトホール８ｂが形成され、この第２のコンタクトホール８ｂを介して、画素電極９ａは、中継用導電膜８０に電気的に接続している。
【０１０１】
本実施形態でも、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂとは、第１実施形態と同様、平面的に完全に重なった位置に形成されている。
【０１０２】
また、本形態でも、中継用導電膜８０は、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）などの高融点金属のシリサイド膜から構成され、遮光性を有している。
【０１０３】
その他の構成は第１実施形態と略同様であるため、説明を省略する。
【０１０４】
このように、本実施形態でも、第１実施形態と同様、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するにあたって、中継用導電膜８０を用いたため、２個のコンタクトホール８ａ、８ｂを開孔する必要があるが、これら２個のコンタクトホール８ａ、８ｂは、平面的に重なった位置に形成されている。従って、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８ａ、８ｂは、各画素の非開口領域において、実質１個分の面積を占有するだけである。それ故、中継用導電膜８０を用いて画素電極９ａをＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続する構成であっても、画素開口率が低下することはない。
【０１０５】
また、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８ａ、８ｂに起因する画素電極９ａ表面の凹凸は、実質１箇所に形成されるだけであるため、このような凹凸に起因して配向不良領域が発生したとしても、配向不良領域が発生するのは実質１箇所だけである。それ故、配向不良領域周辺を対向基板２０上の遮光膜２３等により覆い隠したとしても、画素開口領域が低下することはない。
【０１０６】
更に、中継用導電膜８０を構成する高融点金属のシリサイド膜は、アルミニウム膜などと比較して、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗は低いため、中継用導電膜８０と画素電極９ａとの間で良好なコンタクトがとれる。しかも、中継用導電膜８０を構成する高融点金属のシリサイド膜は、遮光性を有するので、この中継用導電膜８０を遮光膜として利用すれば、各画素開口領域を規定することが可能である。
【０１０７】
更にまた、中継用導電膜８０は絶縁膜８２の上層側に形成され、データ線６ａは絶縁膜８２の下層側に形成されているので、中継用導電膜８０とデータ線６ａがショートするおそれがない。それ故、中継用導電膜８０については、遮光膜として機能させるのに十分な領域に形成することができる。
【０１０８】
［その他の実施形態］
上記の実施形態では、中継用導電膜８０が導電性の遮光膜からなるため、様々な利点が得られるが、中継用導電膜８０を遮光膜として利用しないのであれば、中継用導電膜８０については、高融点金属のシリサイド膜ではなく、例えば、リン等をドープした低抵抗ドープドポリシリコンなどの導電性のポリシリコン膜から構成してもよい。このような導電膜を用いた場合に、中継用導電膜８０は、遮光膜としての機能は発揮しないが、蓄積容量７０を増加させる機能、及びバリア層本来の中継機能は十分に発揮し得る。
【０１０９】
また、中継用導電膜８０としては、タングステン、タンタル、モリブデン、チタン、バナジウムなどといった高融点金属のシリサイド膜と導電性ポリシリコン膜との積層構造を備えていることが好ましい。このような多層構造の導電膜であれば、電気抵抗の小さな導電性ポリシリコン膜が、シリサイド膜の電気抵抗が大きいという欠点を補ってくれるとともに、導電性ポリシリコン膜単独では遮光性が著しく低いという欠点をシリサイド膜が補ってくれる。それ故、遮光性が大きくて電気抵抗の小さい導電膜によって、中継用導電膜８０を形成することができる。
【０１１０】
更に、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂとの重なり具合に関して、上記実施形態では、図１０（ａ）に示すように、第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂとが完全に重なっている構成であったが、図１０（ｂ）に示すように、同じ大きさの第１のコンタクトホール８ａと第２のコンタクトホール８ｂとが多少ずれて一部のみが重なっている構成であってもよい。また、図１０（ｃ）に示すように、大きな第１のコンタクトホール８ａが形成されている領域内に小さな第２のコンタクトホール８ｂの形成領域が完全に含まれている構成でもよく、その逆に、図１０（ｄ）に示すように、大きな第２のコンタクトホール８ｂが形成されている領域内に小さな第１のコンタクトホール８ａの形成領域が完全に含まれている構成でもよい。
【０１１１】
また、各コンタクトホールの平面形状は、円形や四角形、或いはその他の多角形状等でもよいが、円形は特にコンタクトホールの周囲の層間絶縁膜等におけるクラック防止に役立つ。そして、良好なコンタクトを得るためにドライエッチング後にウエットエッチングを行って、これらのコンタクトホールに夫々若干のテーパをつけることが好ましい。また、絶縁膜として、シリコンの熱酸化膜（シリコン酸化膜）と、この熱酸化膜の上層にＣＶＤ法などによって形成したシリコン酸化膜とが積層されている場合にウエットエッチングを行なえば、熱酸化膜はＣＶＤ膜などに比較してエッチング速度が遅いので、開口径が上層側で大きいテーパ構造をもつコンタクトホールを形成できる。
【０１１２】
［電気光学装置の全体構成］
以上のように構成された各実施形態における液晶装置の全体構成を図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１２は、図１１のＨ−Ｈ′断面図である。
【０１１３】
図１１に示す液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、対向基板２０の側には、遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【０１１４】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。
【０１１５】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１２に示すように、図１１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１１６】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。尚、本実施形態によれば、対向基板２０上の遮光膜２３については、液晶装置の用途により省略することができる。
【０１１７】
また、液晶装置１００では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。更に、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１１８】
尚、以上説明した各実施形態における液晶装置は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、遮光膜２３の形成されていない領域のうち、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することにより、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【０１１９】
以上説明した各実施形態における液晶装置１００では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。このような構成の場合には、ＴＦＴアレイ基板１０の側には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ′及びソース側ＬＤＤ領域１ｂやドレイン側ＬＤＤ領域１ｃの下層側に遮光膜を形成することにより、これらの領域に光が入射することを防止すればよい。また、従来であれば、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Ａｎｔｉ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があったが、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ′及びソース側ＬＤＤ領域１ｂやドレイン側ＬＤＤ領域１ｃとの間に遮光膜を形成しておくのであれば、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。
【０１２０】
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型またはコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効である。
【０１２１】
［透過型投射型表示装置への適用例］
図１３は、本発明を適用した透過型の電気光学装置１を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【０１２２】
図１３に示す投射型表示装置１１００は、カラー画像を拡大投射するもので、透過型の電気光学装置１、偏光板及び位相差板などを含む液晶モジュールを３個準備し、各電気光学装置１をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用の透過型のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（光変調手段）として用いる。従って、このタイプの表示装置に用いる電気光学装置１には、カラーフィルタが形成されていない。この投射型表示装置１１００において、メタルハライドランプなどの白色光源のランプユニット１１２０から光が出射されると、この光は、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ、Ｇ、Ｂの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分離された後、対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに各々導かれる。この際に、青色光成分Ｂは、光路が長いので、光損失を防ぐために入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって各々変調された３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックプリズム１１１２（光合成手段）に３方向から入射され、再度合成された後、投射レンズ１１１４（投射光学系）を介してスクリーン１１２０などにカラー画像として投射される。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、中継用導電膜を用いたため、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続するにあたっては２個のコンタクトホールを開孔する必要があるが、これら２個のコンタクトホールは、少なくとも一部が平面的に重なった位置に形成されている。このため、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、非開口領域において、実質１個分の面積を占有するだけである。それ故、中継用導電膜を用いて画素電極をＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続する構成であっても、画素開口率が低下することはない。また、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールに起因する画素電極表面の凹凸は、実質１箇所に形成されるだけであるため、このような凹凸に起因して配向不良領域が発生したとしても、配向不良領域が発生するのは実質１箇所だけである。それ故、配向不良領域周辺を対向基板上の遮光膜等により覆い隠したとしても、画素開口領域が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス型の液晶装置（電気光学装置）の画像表示領域において、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】図２に示す液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図２に示す液晶装置の製造方法において、図４に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図６】図２に示す液晶装置の製造方法において、図５に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図７】図２に示す液晶装置の製造方法において、図６に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置における第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールとの平面的な位置関係を示す説明図である。
【図１１】液晶装置に用いたＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ′断面図である。
【図１３】透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の光学系の構成を示す模式的に示す説明図である。
【図１４】従来の液晶装置の断面図である。
【図１５】別の従来の液晶装置の断面図である。
【図１６】複板方式のカラープロジェクタにおける光合成の原理を示す概念図である。
【符号の説明】
１ａ  半導体層
１ａ′  チャネル領域
１ｂ  低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）
１ｃ  低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）
１ｄ  高濃度ソース領域
１ｅ  高濃度ドレイン領域
１ｆ  第１蓄積容量電極
２  ゲート絶縁膜
３ａ  走査線
３ｂ  容量線（第２蓄積容量電極）
４  第１層間絶縁膜
５  コンタクトホール
６ａ  データ線
７  第２層間絶縁膜
８ａ  第１のコンタクトホール
８ｂ  第２のコンタクトホール
９ａ  画素電極
１０  ＴＦＴアレイ基板
１２  下地絶縁膜
１６、２２  配向膜
２０  対向基板
２１  対向電極
２２  配向膜
２３  遮光膜
３０  画素スイッチング用ＴＦＴ
５０  液晶層
７０  蓄積容量
７０ａ  第１蓄積容量
７０ｂ  第２蓄積容量
８０  中継用導電膜
８１、８２  絶縁膜
【図１】
0003783500.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003783500.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0003783500.tif 000013
【図１３】
0003783500.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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