(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、
前記パッドが、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、
前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成された透明電極とから構成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンである請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなる請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、
前記パッドが、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、
前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜と、
前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成されるとともに、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電気的に接続した透明電極とから構成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンである請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなる請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２のコンタクト孔が、前記パッドの前記第２の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなる請求項４〜６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、
前記パッドが、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、
前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の金属層の上には形成されずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、又は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域を除いた、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成された透明電極とから構成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンである請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなる請求項８又は９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜の上に、第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、
前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、透明電極を形成して、前記パッドを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いる請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、
前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜を形成し、
前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように透明電極を形成するとともに、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電気的に接続して、前記パッドを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いる請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する請求項１４又は１５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２のコンタクト孔を、前記パッドの前記第２の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する請求項１４〜１６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、
前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の金属層の上には形成せずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第３の層間絶縁膜を形成し、
前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、又は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域を除いた、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、透明電極を形成して、前記パッドを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】
前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いる請求項１８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する請求項１８又は１９に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部からの信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が改善された電気光学装置及びその効率的かつ低コストな製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学装置は、液晶やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子のような電気光学物質を保持する基板と、この電気光学物質に対して電圧を印加するための電極とを備えた構成が一般的である。さらに、この種の電気光学装置として、上記基板上の周縁に複数のパッド（端子部）が形成されたものが知られている。このような構成の下、上記電極への印加電圧を指示する信号（すなわち、表示画像に対応した信号）は、外部装置から上記パッドを介して入力されるようになっている。
【０００３】
図１９は、従来の電気光学装置の一例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。なお、図１９においては、上記電極に与えられるべき駆動信号を生成して出力する駆動回路（走査線駆動回路及びデータ線駆動回路）が、基板の表面に直接形成された液晶表示装置が示されている。図１９に示すように、液晶表示装置１００は、アクティブマトリックス基板２０と対向基板３０とがシール材４０を介して貼り合わされ、この一対の基板間に液晶が封止された構成となっている。すなわち、シール材４０に設けられた液晶注入口４１から液晶が注入された後、この液晶注入口４１が封止材４２によって封止される。対向基板３０には、その全面にわたって対向電極が形成されるとともに、表示に寄与し得る領域以外の領域を遮光する遮光層３１が形成されている。一方、アクティブマトリックス基板２０の面上には、複数の走査線及びデータ線と、これらの各交差に対応して設けられた画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とが設けられている。また、アクティブマトリックス基板２０は、対向基板３０から張り出した領域を有しており、この領域には、上記走査線に対して走査信号を出力する走査線駆動回路２１１と、データ線に対してデータ信号を出力するためのデータ線駆動回路２１２とが形成されている。これらの駆動回路は、複数の引廻し配線２１３を介して、アクティブマトリックス基板２０の縁辺に沿って列をなす複数のパッド２１４の各々に接続されている。そして、アクティブマトリックス基板２０のパッド２１４には、通常、異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて、フレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ；以下、「ＦＰＣ」と略称することがある）の一方の縁端部が接合されるようになっている。このような構成の下、走査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２は、外部装置からＦＰＣを介してパッドに入力された信号に対応して走査信号又はデータ信号をそれぞれ生成する。
【０００４】
このような液晶表示装置に用いられるパッドの一例として、図２０に示すように、ガラス基板１０１の上に、第１の金属層１０２が形成され、層間絶縁膜１０３を介して、層間絶縁膜１０３の上に第２の金属層１０４が形成され、第１の金属層１０２と第２の金属層１０４とは、コンタクト孔１０５によって電気的に接続されている。また、最上層には透明電極１０６が形成されるとともに、液晶表示装置１００の内部への配線は第１の金属層１０２を用いて行われているものが提案されている（特許第０２５５５９８７号公報）。
【０００５】
ここで、コンタクト孔１０５の形成位置に関しては、例えば、図２１に示すように、通常、コンタクト孔１０５は、第１の金属層１０２及び第２の金属層１０４が平面的に重なった領域における短辺側及び長辺側のいずれにおいてもその周辺に沿って形成されている。
【０００６】
一方、パッドに接続されるＦＰＣは、図２２（ａ）に示すように、略平行に配列された複数の金属導線９１の周囲を絶縁性の合成樹脂層９２によって被覆したものであり、可撓性を有する平板状の実装部品である。ここで、図２２（ｂ）は、このＦＰＣ９のうちアクティブマトリックス基板と接合されるべき部分の近傍の構成を示す断面図である。図２２（ｂ）に示すように、ＦＰＣ９の縁端部においては、金属導線９１に対して一方の側の合成樹脂層９２が剥離されるとともに、この合成樹脂層９２に代えて異方性導電膜９３が貼着されている。この異方性導電膜９３は、多数の導通粒子９３１が分散された接着剤９３２からなる。この導通粒子９３１としては、金属のメッキが施された樹脂製の粒子、又はニッケル等の金属や導電性樹脂材料等からなる粒子が用いられる。
【０００７】
また、図２３は、従来の電気光学装置の他の例として液晶表示装置１１０の構成を示す平面図である。図２３に示すように、この液晶表示装置１１０は、走査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２がアクティブマトリックス基板２０上に形成されておらず、これらの駆動回路が外部に設けられている点で、図２０に示した液晶表示装置１００とは異なっている。このような液晶表示装置１１０のアクティブマトリックス基板２０上には、走査線及びデータ線の本数と同数以上のパッド２１５が設けられている。なお、図２３に示した液晶表示装置１１０は、図１９に示した液晶表示装置１００と比較してパッド２１５の数が多いため、パッド２１５同士の間隔が狭くなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図２０に示すように、上述した液晶表示装置１００のパッド部においては（液晶表示装置１１０においても同様である）、第１の金属層１０２で液晶表示装置１００の内部の表示部（例えば、スイッチング素子）に配線する場合、第１の金属層１０２と第２の金属層１０４とは、コンタクトホール１０５を介して電気的に接続しているため、コンタクトホール１０５の部分における抵抗が大きくなり、信号の乱れを生じ、適切な表示をすることができないという問題があった。
【０００９】
この場合、コンタクトホール１０５を形成せずに、第２の金属層１０４を用いて、第２の金属層１０４と液晶表示装置１００の内部の表示部（例えば、スイッチング素子）とを金属配線で電気的に接続する方法もあるが、接続の際に発生する熱及び圧力による応力によって、金属配線や第２の金属層１０４にクラックが生じ、断線を引起すという問題があった。
【００１０】
また、近年における表示の高精細化及び高解像度化の要請に伴い、特に、ＣＯＧ（チップ  オン  グラス）実装する端子の場合、コンタクトホール１０５の形成位置によっては、接続不良を生じるという問題があった。この問題は、特に、ＣＯＧ実装する端子の場合に顕著である。すなわち、コンタクトホールの形成位置が、例えば、図２４に示すような、コンタクトホール１０５が、第１の金属層１０２及び第２の金属層１０４が平面的に重なった領域における短辺側及び長辺側のいずれにおいてもその周辺に沿って形成されているような場合、接続されるバンプ７０の下面の形状がその作製過程における影響から、中央部が窪んだ形状を有するため、中央部においては異方性導電膜の導通粒子９３１に圧力が掛かりにくくなる。また、外周部においては、コンタクトホールに導通粒子９３１が入り込み、同様に圧力がかかりにくくなるために、導通粒子９３１がつぶれ難く、導通粒子９３１による確実な接続が困難であるという問題があった。
【００１１】
また、現在、主流となってきている、基板の上に反射膜を形成する反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置の場合、透明電極の上層側に第２の層間絶縁膜を形成して、この第２の層間絶縁膜の上に、さらに透明電極を形成する必要があり、透明電極のパターニング工程が増加するという問題があった。
【００１２】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部からの信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が改善された電気光学装置及びその効率的かつ低コストな製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成された透明電極とから構成されてなることを特徴とする。
【００１４】
このように第２の金属層によってパッドと表示部とが金属配線によって電気的に接続されているため、第１の金属層によってパッドと表示部とが金属配線によって電気的に接続される場合に比べ、第１のコンタクト孔部分が介在することがないので、回路における電気抵抗を低減することができる。また、第１の金属層及び第２の金属層の二層により形成されているため、ＣＯＧ実装時における圧力を緩和することができる。さらに、第２の金属層が断線した場合であっても、第１の金属層と第１のコンタクト孔を介して電気的に接続しているので、ショートカットにより、接続不良を生じることがない。従って、装置の動作及び接続の安定性を向上することができる。
【００１５】
また、このような電気光学装置は、前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ましい。
【００１６】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマトリックス基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
また、このような電気光学装置は、前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなるものであることが好ましい。
【００１８】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置は、基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成されるとともに、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電気的に接続した透明電極とから構成されてなることを特徴とするものであってもよい。
【００２０】
このように構成することによって、液晶表示装置の、特に、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置の動作及び接続の安定性を向上することができるとともに、安価な反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置を提供することができる。
【００２１】
また、このような電気光学装置は、前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ましい。
【００２２】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマトリックス基板を備えた半反射・半透過型の電気光学装置を提供することができる。
【００２３】
また、このような電気光学装置は、前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなるものであることが好ましい。
【００２４】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。
【００２５】
また、このような電気光学装置は、前記第２のコンタクト孔が、前記パッドの前記第２の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなるものであることが好ましい。
【００２６】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。
【００２７】
また、本発明の電気光学装置は、  基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、他の金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層と、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上には形成されずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、又は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域を除いた、前記パッドの形成領域の全体を覆うように形成された透明電極とから構成されてなることを特徴とするものであってもよい。
【００２８】
このように構成することによって、液晶表示装置の、特に、装置の厚さが全体として薄い、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置の動作及び接続の安定性を向上することができるとともに、安価な反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置を提供することができる。また、第２の金属層が、透明電極のエッチング時に侵食され易いため、その上に第２の層間絶縁膜を形成することによって第２の金属層を保護することができる。また、アクリル樹脂等の感光性樹脂から構成する第３の層間絶縁膜を第２の金属層の上に形成しないことによって、第２の層間絶縁膜の表面の表示部側の端部を含む領域上のみに形成することになるため（第３の層間絶縁膜の形成領域が限定されたものとなるため）、その上に形成する透明電極のパターニング条件を変えて複数回行う必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２９】
また、このような電気光学装置は、前記基板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ましい。
【００３０】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマトリックス基板を備えた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を提供することができる。
【００３１】
また、このような電気光学装置は、前記第１のコンタクト孔が、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてなるものであることが好ましい。
【００３２】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に、第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、
前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、透明電極を形成して、前記パッドを形成することを特徴とする。
【００３４】
このように構成することによって、装置の動作及び接続の安定性に優れた電気光学装置を効率的かつ低コストで製造することができる。
【００３５】
この場合、前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いることが好ましい。
【００３６】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板を備えた電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００３７】
また、前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成することが好ましい。
【００３８】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続を可能とし、動作及び接続の安定性に優れた電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００３９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように透明電極を形成するとともに、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電気的に接続して、前記パッドを形成することを特徴とするものであってもよい。
【００４０】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れた、特に、反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで製造することができる。
【００４１】
この場合、前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いるものであることが好ましい。
【００４２】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板を備えた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００４３】
このような電気光学装置の製造方法は、前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成するものであることが好ましい。
【００４４】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安定性に優れた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００４５】
このような電気光学装置の製造方法は、前記第２のコンタクト孔を、前記パッドの前記第２の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成するものであることが好ましい。
【００４６】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安定性に優れた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００４７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上の周縁に形成されたパッドを介して入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッドの形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上には形成せずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、又は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域を除いた、前記パッドの形成領域の全体を覆うように、透明電極を形成して、前記パッドを形成することを特徴とするものであってもよい。
【００４８】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れた、装置の厚さが全体として薄い、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置を効率的かつ低コストで製造することができる。
【００４９】
この場合、前記基板として、アクティブマトリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリックス配線パターンを用いるものであることが好ましい。
【００５０】
このように構成することによって、動作及び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板を備えた、装置の厚さが全体として薄い、反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００５１】
また、前記第１のコンタクト孔を、前記パッドの前記第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成するものであることが好ましい。
【００５２】
このように構成することによって、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安定性に優れた、装置の厚さが全体として薄い、反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで提供することができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電気光学装置及びその製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的に説明する。
【００５４】
まず、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置に本発明を適用した実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。図１に示す液晶装置１００は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置である。さらに、液晶装置１００は、透明電極（画素電極）にデータ信号を書き込むか否かを制御するＴＦＴに加え、駆動回路（走査線駆動回路及びデータ線駆動回路）を構成するＴＦＴについても基板上に形成された構成となっている。
【００５５】
図１に示すように、液晶装置１００は、相互に対向するアクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とが略長方形状のシール材４０を介して貼り合わされるとともに、両基板とシール材４０とによって囲まれた領域に、電気光学物質として、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型等の液晶が封入された構成となっている。アクティブマトリクス基板１０及び対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックといった光透過性を有する絶縁性の板状部材である。このうち対向基板２０におけるアクティブマトリクス基板１０との対向面上には、その全面にわたってＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる対向電極が形成されるとともに、表示に寄与し得る領域以外の領域を遮光するための遮光層３１等が形成されている。一方、アクティブマトリクス基板１０の面上には、画素電極やＴＦＴ等が形成されている。なお、実際には、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板２０の外側表面には、入射光を反射させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が貼着されるが、本発明とは直接の関係がないため、その図示及び説明を省略する。
【００５６】
ここで、アクティブマトリクス基板１０は、対向基板２０の縁辺から張り出した部分（以下、「張出領域」ということがある）２０１を有する。そして、この張出領域２０１には、図示しない外部回路からの各種信号が入力される複数のパッド２２１と、引廻し配線２１３を介してこの各パッド２２１に接続された走査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２とが形成されている。この走査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２は、アクティブマトリクス基板２０上に直接形成されたＴＦＴを含む回路であり、各パッド２２１から入力された信号に応じて走査信号及びデータ信号をそれぞれ生成して出力する。
【００５７】
また、アクティブマトリクス基板１０のうちシール材４０の内側に対応する領域（部分）（以下、「表示部」ということがある）には、所定の方向に延在する複数の走査線と、この走査線に交差する方向に延在する複数のデータ線とが設けられている（ともに図示略）。さらに、表示部には、走査線及びデータ線の各交差に対応して、ＴＦＴと、このＴＦＴを介して走査線及びデータ線に接続された画素電極とが設けられている。複数の画素電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料によって形成されてマトリクス状に配列するとともに、対向基板２０上の対向電極に液晶を挟んで対向するようになっている。このような構成の下、画素電極と対向電極との間に挟まれた液晶は、両電極の間に印加された電圧に応じてその配向方向が変化する。
【００５８】
図２は、表示部内において各画素に対応して設けられたＴＦＴの近傍の構成を示す断面図である。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明な基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成されている。
【００５９】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる表面保護膜５（表面保護膜）が形成されている。層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。
【００６０】
表面保護膜５の上層には、後述するように、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成され、この凹凸層７の表面には、アルミニウム膜等からなる反射電極８が形成されている。
【００６１】
反射電極８は、凹凸層７及び表面保護膜５を貫通してドレイン電極６ｂに達するように形成されたスリ鉢状のコンタクト孔１５を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００６２】
反射電極８の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２には、ラビング処理が施されている。
【００６３】
また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００６４】
図３は、本発明の一の実施の形態に用いたパッド（端子部）の平面図及びそのＡ−Ａ線とＢ−Ｂ線における断面図である。
【００６５】
図３に示すように、パッド２００は、基板２０１上のパッド（端子部）の形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金属層２０２と、第１の金属層２０２の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔２０５を備えた第１の層間絶縁膜２０３と、第１の層間絶縁膜２０３の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔２０５を介して第１の金属層２０２と電気的に接続し、かつ表示部と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層２０４と、第２の金属層２０４の上に、パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように形成された透明電極２０６から構成されている。
【００６６】
このように第２の金属層２０４（例えば、ソース電極（信号線）として機能する）によって表示部とパッド２００とが金属配線によって電気的に接続されているため、第１の金属層２０２（ゲート電極（走査線）として機能する）によって表示部とパッド２００とが金属配線によって電気的に接続される場合に比べ、第１のコンタクト孔２０５部分が介在することがないので、回路における電気抵抗を低減することができる。また、第１の金属層２０２及び第２の金属層２０４にの二層により形成されているため、ＣＯＧ実装時における圧力を緩和することができる。さらに、第２の金属層２０４が断線した場合であっても、第１の金属層２０２と第１のコンタクト孔２０５を介して電気的に接続しているので、ショートカットにより、接続不良を生じることがない。従って、装置の動作及び接続の安定性を向上することができる。なお、前記第１の金属層は、同一信号が入出力されるパッドとは、電気的に接続されてもよい。このような構成によれば、電気的接続の信頼性が向上する。
【００６７】
図４は、本発明の他の実施の形態に用いたパッド（端子部）の平面図及びそのＣ−Ｃ線における断面図であり、図５は、図４に示すパッド（端子部）にバンプを接続した状態を示す平面図及びそのＤ−Ｄ線における断面図である。
【００６８】
図４に示すように、この実施の形態に用いたパッド（端子部）は、図３に示す場合と異なり、第１のコンタクト孔２０５が、パッド（端子部）の第１の金属層２０２及び第２の金属層２０４が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されている。従って、異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。
【００６９】
例えば、図５に示すように、バンプ２０７の下面の形状がその作製過程における影響から、中央部が窪んだ形状を有するものであっても、周辺部においては異方性導電膜の導通粒子２０８に圧力が掛かり易く、導通粒子２０８による確実な接続が可能になる。
【００７０】
図６は、本発明の他の実施の形態に用いたパッド（端子部）の平面図及びそのＥ−Ｅ線における断面図である。
【００７１】
図７に示すように、この実施の形態におけるパッド３００は、基板３０１上のパッド（端子部）の形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、他の金属配線と電気的に接続しない第１の金属層３０２と、第１の金属層３０２の表面全体を覆うように形成された、第１のコンタクト孔３０５を備えた第１の層間絶縁膜３０３と、第１の層間絶縁膜３０３の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔３０５を介して第１の金属層３０２と電気的に接続し、かつ表示部（図示せず）と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層３０４と、第２の金属層３０４の表面の表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜３０７と、第２の金属層３０４の上及び第２の層間絶縁膜３０７の表示部側の端部を含む領域上に形成された第３の層間絶縁膜３０８と、第３の層間絶縁膜３０８の上に、パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように形成されるとともに、第２のコンタクト孔３０９を介して第２の金属層３０４と電気的に接続した透明電極３０６とから構成されている。
【００７２】
このように、第２の層間絶縁膜３０７は、その上層側に形成される透明電極３０６の平坦性を確保して、その断線を防止することができる。また、第３の層間絶縁膜３０８は、アクリル樹脂等の感光性樹脂から構成され、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置に用いられる反射電極の表面に適度な散乱を可能にする凹凸を形成する凹凸層としての機能を併有するので、その動作及び接続の安定性に優れた反射型又は半反射・半透過型を安価に提供することができることになる。
【００７３】
この場合、第１のコンタクト孔３０５及び第２のコンタクト孔３０９の形成位置は、図６に示すものに限らず、図７及び図８に示すものであってもよい。
【００７４】
図９は、本発明の他の実施の形態に用いたパッド（端子部）の平面図及びそのＦ−Ｆ線、Ｇ−Ｇ線及びＩ−Ｉ線における断面図である。
【００７５】
図９に示すように、この実施の形態におけるパッド４００は、基板４０１上のパッド（端子部）の形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、他の金属配線と電気的に接続しない第１の金属層４０２と、第１の金属層４０２の表面全体を覆うように形成された第１のコンタクト孔４０５を備えた第１の層間絶縁膜４０３と、第１の層間絶縁膜４０３の上に形成されるとともに、第１のコンタクト孔４０５を介して第１の金属層４０２と電気的に接続し、かつ表示部（図示せず）と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層４０４と、第２の金属層４０４の表面の表示部側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜４０７と、第２の金属層４０４の上には形成されずに、第２の層間絶縁膜４０７の表面の形成された第３の層間絶縁膜４０８と、第３の層間絶縁膜４０８及び第２の金属層４０４の上に、パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように形成された透明電極４０６とから構成されている。
【００７６】
図９（ｂ）に示すように、第３の層間絶縁膜４０８の形成領域を第２の金属層４０４の上には形成せずに、第２の層間絶縁膜４０３の表面の表示部側の端部を含む領域上のみに形成しているため、その上に形成する透明電極４０６を条件を変えて複数回行う必要がなく同一条件で形成することができる。このため、工程の簡略化を図り、低コスト化を図ることができる。
【００７７】
また、図９（ｄ）に示すように、第２の金属層４０４の上には第２の層間絶縁膜４０３が第２の金属層４０４を覆うようにして形成され、透明電極４０６のエッチング時に第２の金属層４０４の両端部が侵食されるのを防止することができる。
【００７８】
この場合、図１０（ｂ）に示すように、透明電極４０６は、第３の層間絶縁膜４０９の表示部側端部を含む領域には形成しない構成としてもよい。この場合も、図１０（ｄ）に示すように、第２の金属層４０４の上には第２の層間絶縁膜４０３が第２の金属層４０４を覆うようにして形成され、透明電極４０６のエッチング時に第２の金属層４０４の両端部が侵食されるのを防止することができる。
【００７９】
以下、本発明の電気光学装置の製造方法（図６に示すパッド部を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法）を、図１１〜図１５を参照しつつ、具体的に説明する。
【００８０】
まず、図１１（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したガラス製等の基板１０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素、又はジシランとアンモニアを用いることができる。
【００８１】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、ジシランやモノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それゆえ、基板１０’としてガラス基板等を用いても熱による変形や割れ等が生じない。
【００８２】
次に、表示部において、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチングすることにより、図１１（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜１（能動層）、及び容量部を形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。
【００８３】
次に、表示部において、３５０℃以下の温度条件下で、基板１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００８４】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、所定のレジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂ（図１１（Ｄ）参照）との間に蓄積容量を構成するための下電極を形成する。
【００８５】
また、パッド部において、スパッタ法等により、基板１０’の全面に、後述するパッド部における第１の金属層３０２、表示部における走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等からなる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。
【００８６】
次に、レジストマスクを介して導電膜３をドライエッチングし、図１１（Ｄ）に示すように、パッド部における第１の金属層３０２、表示部における走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００８７】
次に、表示部において、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル領域１ａ’となる。
【００８８】
次に、図１２（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ（表示）部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ａ及びドレイン領域１ｄを形成する。
【００８９】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。
【００９０】
なお、図示を省略するが、このような工程によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。
【００９１】
この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化（相補型化：Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能になる。
【００９２】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、パッド部における第１の金属層３０２、また表示部における走査線３ａ等の表面側に、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる、パッド部における第１の層間絶縁膜３０３、また表示部における層間絶縁膜４ａを３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００９３】
層間絶縁膜４ａにドライエッチングを行い、パッド部における第１の層間絶縁膜３０３、また表示部における第１の層間絶縁膜４を形成するとともに、図１２（Ｃ）に示すように、パッド部において第１のコンタクト孔３０５を形成するとともに、また表示部における第１の層間絶縁膜４においてソース領域及びドレイン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそれぞれ形成する。
【００９４】
次に、図１２（Ｄ）に示すように、パッド部において、第１の層間絶縁膜３０３の表面側に第２の金属層３０４を、また表示部において、第１の層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッタ法等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後（なお、パッド部においては第１の金属層３０２と第２の金属層３０４とは第１のコンタクト孔３０５を介して電気的に接続する）、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００９５】
次に、レジストマスク５５５を介して導電膜６にドライエッチングを行い、図１３（Ａ）に示すように、パッド部における第２の金属層３０４、また表示部におけるデータ線（ソース電極）６ａ、及びドレイン電極６ｂを形成する。
【００９６】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、パッド部における第２の金属層３０４、また表示部におけるデータ線６ａ、及びドレイン電極６ｂの表面側に、ＣＶＤ法等により、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜の単膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の二つの膜等からなる、パッド部における第２の層間絶縁膜３０７、また表示部における第２の層間絶縁膜（表面保護膜）５を１００ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚に形成する（なお、表面保護膜５は形成しなくてもよい）。
【００９７】
次に、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パッド部における第２の金属層３０４及び第２の層間絶縁膜３０７の上に、また表示部における表面保護膜５の表面に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、パッド部において第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜３０８を、また表示部において、後述する反射電極８の下層側に、厚さが１μｍ〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、凹凸形成層１３の角をとるためベーク工程を行ってもよい。
【００９８】
このようなフォトリソグラフィ技術を利用して、第３の層間絶縁膜３０８及び凹凸形成層１３を形成する際、感光性樹脂１３ａとしてはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよいが、図１４（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去したい部分に対して、所定の露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００９９】
次に、図１４（Ｃ）に示すように、表示部において、表面保護膜５及び凹凸形成層１３の表面側に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピンコートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。
【０１００】
次に、図１４（Ｄ）に示すように、表示部において、」フォトリソグラフィ技術を利用して、表面保護膜５の表面に達するまで貫通、開口させた厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。
【０１０１】
ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面には、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。
【０１０２】
なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形状の凹凸パターンを形成する場合には、図１４（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を滑らかな形状にしてもよい。
【０１０３】
次に、図１４（Ｅ）に示すように、表示部において、表面保護膜５をドレイン電極６ｂの表面まで達するようにをドライエッチングして、ドレイン電極６ｂとの電気的な接続を可能にするとともに、コンタクト孔１５を形成する。
【０１０４】
次に、図１５（Ａ）に示すように、表示部において、スパッタ法等によって、凹凸層７及び一部侵食されたドレイン電極６ｂの表面に、５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さの、前述のアルミニウム膜等のような反射性を備えた金属膜８ａを形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７を形成する。
【０１０５】
次に、レジストマスク５５７を介して金属膜８ａにエッチングを行い、図１５（Ｂ）に示すように、所定領域に金属膜８ａを残して所定パターンの反射電極８を形成する。このようにして形成した反射電極８の表面には、凹凸形成層１３からなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、凹凸層７によって、エッジのない、滑らかな形状になっている。
【０１０６】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、パッド部に、スパッタリングでＩＴＯからなる厚さが５０〜２００ｎｍの透明電極３０６を形成する。
【０１０７】
その後、パッド部及び表示部に、配向膜（ポリイミド膜）１２を形成する（図１５（Ｃ）参照）。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【０１０８】
なお、図１５（Ｃ）に、ＴＦＴアレイ基板１０の反射領域に形成された凹凸形成層１３、凹凸層７、反射電極８及び配向膜１２の積層状態を模式的に示す。図１５（Ｃ）に示すように、反射電極８の表面には、凹凸パターン８ｇが形成されている。
【０１０９】
以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板が完成する。
【０１１０】
上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さらには液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１１１】
このように構成した反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１６〜図１８を参照しつつ具体的に説明する。
【０１１２】
図１６は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１１３】
図１７において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有する。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【０１１４】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【０１１５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１１６】
図１７は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１１７】
図１８は、他の電子機器である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１１８】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によって、動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部からの信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が改善された電気光学装置及びその効率的かつ低コストな製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態の液晶表示装置の外観構成を模式的に示す平面図である。
【図２】  図１に示す液晶表示装置おいて、表示部に形成されたＴＦＴ近傍の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の一の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図４】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図５】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図６】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図７】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部のコンタクト孔の配置の他の例を模式的に示す平面図である。
【図８】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部のコンタクト孔の配置の他の例を模式的に示す平面図である。
【図９】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図１０】  本発明の電気光学装置の一の実施の形態における、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図１１】  本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】  図１１に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１３】  図１２に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１４】  図１３に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１５】  図１４に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１６】  本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１７】  本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１８】  本発明の電気光学装置を用いた電子機器の他の例としての携帯電話機の説明図である。
【図１９】  従来の電気光学装置の一例の外観構成を模式的に示す平面図である。
【図２０】  従来の電気光学装置に用いられるパッドの一例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図２１】  従来の電気光学装置に用いられるパッドの他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図２２】  電気光学装置に用いられるＦＰＣの外観構成を模式的に示す斜視図及び断面図である。
【図２３】  従来の電気光学装置の他の例の外観構成を模式的に示す平面図である。
【図２４】  従来の電気光学装置に用いられるパッドの他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１  半導体膜
１ａ  高濃度ソース領域
１ａ’    チャネル形成用領域
１ｂ  低濃度ソース領域
１ｃ  低濃度ドレイン領域
１ｄ  高濃度ドレイン領域
１ｆ  高濃度ドレイン領域からの延設部分
２  ゲート絶縁膜
３ａ  走査線
３ｂ  容量線
４  第１の層間絶縁膜
４ａ  層間絶縁膜
５  第２の層間絶縁膜（表面保護膜）
６  導電膜
６ａ  データ線
６ｂ  ドレイン電極
７  凹凸層
７ａ  凹凸層を形成するための感光性樹脂
８ａ  金属膜
８  反射電極
８ｇ  凹凸パターン（表面凹凸形状）
１０  ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）
１０’  基板
１１  下地保護膜
１２  配向膜
１３  凹凸形成層
１３ａ  凹凸形成層を形成するための感光性樹脂
１５  コンタクト孔
２０  対向基板
２０’  基板
２１  対向電極
２２  配向膜
３０  画素スイッチング用のＴＦＴ
５０  液晶
６０  蓄積容量
７０  バンプ
９９  ＦＰＣ
１００  電気光学装置
１０１  （ガラス）基板
１０２  第１の金属層
１０３  層間絶縁膜
１０４  第２の金属層
１０５  コンタクト孔
１０６  透明電極
１００  電気光学装置
１００ａ  画素
２００  パッド
２０１  基板
２０２  第１の金属層
２０３  第１の層間絶縁膜
２０４  第２の金属層
２０５  第１のコンタクト孔
２０６  透明電極
２０７  バンプ
２０８  導電粒子
３０１  基板
３０２  第１の金属層
３０３  第１の層間絶縁膜
３０４  第２の金属層
３０５  第１のコンタクト孔
３０６  透明電極
３０７  第２の層間絶縁膜
３０８  第３の層間絶縁膜
３０９  第２のコンタクト孔
４０１  基板
４０２  第１の金属層
４０３  第１の層間絶縁膜
４０４  第２の金属層
４０５  第１のコンタクト孔
４０６  透明電極
４０７  第２の層間絶縁膜
４０８  第３の層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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