(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録及び／または再生用の薄膜素子を有するスライダと、弾性変形可能な舌片を有するフレキシャとが接合されるとともに、前記スライダと前記フレキシャとが導電性樹脂膜により導通されてなる磁気ヘッドにおいて、
前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下に設定され、前記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち前記導電フィラーの重量百分率が７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、前記磁気ヘッドは、前記スライダと前記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加されたものであることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
記録及び／または再生用の薄膜素子をトレーリング側端面に有し、セラミック材料からなるスライダと、弾性変形可能な舌片を有する板バネ材料からなるフレキシャとが、前記舌片の下面にスライダの上面を当接させて樹脂系接着剤により接着固定されるとともに、前記スライダのリーディング側端面と前記フレキシャの舌片にかけて設けられた導電性樹脂膜により前記舌片とスライダとが導通され、前記スライダの薄膜素子の電極端子部が前記舌片に形成された導電パターンに接合体を介して剛体接合されてなる磁気ヘッドであって、
前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下に設定され、前記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち前記導電フィラーの重量百分率が７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、前記磁気ヘッドは、前記スライダと前記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加されたものであることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が１．０Ｖ以下に設定されてなることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以上に設定されてなることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満に設定されることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−２０未満に設定されることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記スライダと前記フレキシャ間に０．５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記スライダと前記フレキシャ間に０．１Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置などに装備される浮上式の磁気ヘッド装置に係り、特にスライダと前記スライダを支持するフレキシャとが導電性樹脂膜により導通されている磁気ヘッドに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４はハードディスク装置に使用される磁気ヘッド装置の従来の構造を示す部分側面図である。この磁気ヘッド装置は、スライダ１とこれを支持する支持部材２とから構成されている。
【０００３】
前記スライダ１は、セラミック材料などにより形成されている。また前記スライダ１のトレーリング側Ｂ端面には、薄膜素子４が設けられており、前記薄膜素子４は、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し磁気信号を読み取るＭＲヘッド（読み出しヘッド）と、コイルなどがパターン形成されたインダクティブヘッド（書き込みヘッド）とを有している。
【０００４】
支持部材２は、ロードビーム５とフレキシャ６とから構成されている。ロードビーム５はステンレスなどの板ばね材料により形成され、先端側には両側部に折り曲げ部５ａが形成され、この部分が剛性を有する構造となっており、前記折り曲げ部５ａが形成されていないロードビーム５の基端部にて所定の弾性押圧力を発揮できるものとなっている。
また前記ロードビーム５の先端部付近には、図示下方向に突き出した球面状のピボット７が形成されており、このピボット７に後述するフレキシャ６を介して前記スライダ１が当接される。フレキシャ６はステンレスなどの薄い板ばねにより形成されたものである。前記フレキシャ６は、固定部６ａと舌片６ｂとで構成されており、前記固定部６ａと舌片６ｂとが段差部６ｃによって連結されている。
【０００５】
図４に示すように、前記舌片６ｂの下面には、スライダ１が樹脂系接着剤２０により接着固定されている。この樹脂系接着剤２０は、例えば熱硬化型エポキシ系樹脂である。また、舌片６ｂの裏側には、導電パターン（図示しない）が設けられ、さらにスライダ１のトレーリング側Ｂ端面には、薄膜素子４から引き出された薄膜による電極端子部（図示しない）が設けられており、この導電パターンと電極端子部との接合部分に金（Ａｕ）のボールボンディングなどのよる接合体９が形成される。さらに前記接合体９は、補強樹脂膜１０によって覆われ保護されている。
【０００６】
また、スライダ１のリーディング側Ａ端面から、舌片６ｂにかけて、フィレット状の導電性樹脂膜２１が形成されている。この導電性樹脂膜２１は、スライダ１とフレキシャ６間の導通を確保し、スライダ１の静電気を支持部材２側に逃がす目的で設けられたものである。前記舌片６ｂの上面はロードビーム５に形成されたピボット７に突き当てられ、前記舌片６ｂの下面に接着固定されたスライダ１が前記舌片６ｂの弾性により、前記ピボット７の頂点を支点として姿勢を自由に変えることができるようになっている。
【０００７】
磁気ヘッド装置のスライダ１は、ロードビーム５の基端部の弾性力によりディスクＤに付勢されている。この磁気ヘッド装置は、いわゆるＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式のハードディスク装置などに使用され、ディスクＤが停止しているときは、前記弾性力によりスライダ１のＡＢＳ面（浮上面）１ａがディスクＤの記録面に接触する。ディスクＤが始動すると、ディスクの移動方向に沿ってスライダ１とディスクＤ表面の間に空気流が導かれ、スライダ１のＡＢＳ面１ａが空気流による浮上力を受けて、スライダ１がディスクＤ表面から短い距離δ2（スペーシング）だけ浮上する。
浮上姿勢では、図４に示すように、スライダ１のリーディング側Ａがトレーリング側ＢよりもディスクＤ上に高く持ち上がる傾斜した浮上姿勢となる。この浮上姿勢にて、薄膜素子４のＭＲヘッドによりディスクからの磁気信号が検出され、あるいはインダクティブヘッドにより前記磁気信号が書き込まれる。
【０００８】
上記の磁気ヘッド装置は、製造工程において、スライダ１の上面とフレキシャ６の舌片６ｂの下面とを樹脂系接着剤２０で接着し、次にフレキシャ６側の電極をスライダ１のパッド部に金ボール等の接合体９を介して電気的に接続し、さらに磁気ヘッド装置の電気特性を検査して良品のみを選別する、といった工程を経て製造されるのが一般的である。
このとき、電気特性の検査として、スライダ１のＡＢＳ面（浮上面）１ａをディスクＤの記録面に接触させて、ディスクＤを始動させ、スライダ１がディスクＤ表面から短い距離δ2（スペーシング）だけ浮上させる等、ほぼ使用状態と同様にしているため、ディスクＤとの摩擦等によりスライダ１が帯電して、スライダ１とディスクＤ間に電位差が生じる可能性があった。
又、ＣＳＳ方式のハードディスク装置以外でも、例えば、ｌｏａｄ／ｕｎｌｏａｄ方式のヘッドでは、理想的には媒体とスライダが接触しないが、実際には時々接触（走行中の接触）しており、ＣＳＳ方式と同様にスライダと媒体間に電位差が生じる可能性があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような磁気ヘッドにおいては、導電性樹脂膜２１は、一般的に、樹脂中に練り込まれている導電性フィラー間の間隙で生じる絶縁破壊によって導通が確保されていると考えられている。このため、一定の閾値を超えた電圧が印加されるまでは導電性が発現しないことになり、電圧が閾値を越えるまで、スライダ１とフレキシャ６間の導通が確保されないことになる。
したがって、前記閾値が、ＭＲ素子等において静電破壊（ＥＳＤ）の発生する静電破壊限界値よりも大きかった場合には、スライダ１とフレキシャ６間の導通が確保できず、スライダ１が帯電した場合に導電性樹脂膜２１から電荷を支持部材２側に逃がすことができないため、この帯電した状態のスライダ１が金属等に接触した際にＭＲヘッド等薄膜素子４が静電破壊する可能性があるという問題があった。
【００１０】
さらに、図４に示すように、スライダ１のトレーリング側Ｂ端面は、ボールボンディングによる接合体９によってフレキシャ６の舌片６ｂに剛体接合されている。また、図４に示すように、スライダ１のリーディング側Ａ端面は、フレキシャ６の舌片６ｂにかけて導電性樹脂膜２１が設けられている。
【００１１】
しかし、従来の磁気ヘッド装置では、スライダ１のＡＢＳ面（浮上面）１ａの平坦度が変化しやすく、またはクラウン量が変化しやすく、スペーシングδ2を一定量に設定することが非常に困難であった。ここで、スライダ１のＡＢＳ面１ａの平坦度またはクラウン量が変化しやすくなる要因としては、スライダ１とフレキシャ６の舌片６ｂの下面との間で接合されている導電性樹脂膜２１として、従来では、熱硬化性エポキシ樹脂などの剛直な樹脂を接着剤（バインダー）として使用していたことが考えられる。
【００１２】
しかも、スライダ１とフレキシャ６とでは熱膨張係数は異なっているために、スライダ１の上面と舌片６ｂの下面との間で接合される導電性樹脂膜２１が剛直であると、前記舌片６ｂとスライダ１との熱膨張係数の相違による熱応力がスライダ１に作用するとともに、前記導電性樹脂２１を介して前記スライダ１は接着位置変形を引き起こすことになる。
【００１３】
通常、熱膨張係数は、スライダ１よりもフレキシャ６の方が大きいため、例えば低温領域では、スライダ１のＡＢＳ面１ａが、ディスクＤ方向に突形状に変形し、スペーシングロスが大きくなることにより、出力低下の原因となる。また高温領域では、スライダ１のＡＢＳ面１ａがディスクＤ方向に凹形状に変形することにより、スライダ１のトレーリング側Ｂ端面がディスクＤ表面に衝突する可能性が高くなり、最低浮上量（スペーシング量）を保証できないといった問題も発生する。
【００１４】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
【００１５】
▲１▼ 磁気ヘッド装置において静電破壊発生の防止を図ること。
▲２▼ 導電性樹脂膜における導通開始電圧の低下を図ること。
▲３▼ 導電性樹脂膜における導電特性の向上を図ること。
▲４▼ 同時に、導電性樹脂膜形成に起因するスライダの浮上特性低下の防止を図ること。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ヘッドは、記録及び／または再生用の薄膜素子を有するスライダと、弾性変形可能な舌片を有するフレキシャとが接合されるとともに、前記スライダと前記フレキシャとが導電性樹脂膜により導通されてなる磁気ヘッドにおいて、前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下に設定され、前記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち前記導電フィラーの重量百分率が７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、前記磁気ヘッドは、前記スライダと前記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加されたものであることを特徴とする。
本発明において、記録及び／または再生用の薄膜素子をトレーリング側端面に有し、セラミック材料からなるスライダと、弾性変形可能な舌片を有する板バネ材料からなるフレキシャとが、前記舌片の下面にスライダの上面を当接させて樹脂系接着剤により接着固定されるとともに、前記スライダのリーディング側端面と前記フレキシャの舌片にかけて設けられた導電性樹脂膜により前記舌片とスライダとが導通され、前記スライダの薄膜素子の電極端子部が前記舌片に形成された導電パターンに接合体を介して剛体接合されてなる磁気ヘッドであって、前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下に設定され、前記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち前記導電フィラーの重量百分率が７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、前記磁気ヘッドは、前記スライダと前記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加された構成を採用しても良い。
本発明は、上記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち上記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以上に設定されてなる手段を採用することもできる。また、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満に設定されることができる。本発明においては、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−２０未満に設定されることが望ましい。また、本発明においては、上記スライダと上記フレキシャ間に０．５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下であることがより好ましい。また、本発明においては、上記スライダと上記フレキシャ間に０．１Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下であることがさらに好ましい。予め印加される電圧は、２Ｖ〜５Ｖ程度、好ましくは３Ｖ〜４Ｖ程度とされる。
【００１７】
本発明の磁気ヘッドは、上記スライダと上記フレキシャとを導通する導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下、より好ましくは１．０Ｖ以下に設定されてなることにより、スライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ速やかに電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によって記録及び／または再生用の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止できる。
ここで、本発明において、導通開始電圧とは、熱可塑性エラストマーに導電フィラーが混練されてなる上記導電性樹脂膜に電圧を印加した際、その電圧が一定の閾値を超えて、初めて、樹脂中に練り込まれている導電フィラー間の間隙で絶縁破壊が生じ、これにより導電性樹脂膜における導通が確保されるが、この際の閾値電圧のことを意味するものである。
本発明において、熱可塑性エラストマーとしては、アクリル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、またはナイロン系等の熱可塑性樹脂を主成分とするものが適用される。
また、導電フィラーとしては、銀を含有する銀系フィラー、銅を含有する銅系フィラー、金を含有する金系フィラー等を適用することができる。
【００１８】
本発明において、上記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖより大きい値に設定された場合には、スライダとメディアとの摩擦によって、スライダとメディアとの間に２Ｖ以上の電位差が生じることになり、スページングδ１が十数ｎｍでは、スライダとメディアとの間に局部的な放電が生じてメディアの記録エリアを損傷させる、あるいは、スライダの薄膜素子の静電破壊を引き起こしやすくなるため、好ましくない。
また、上記導電性樹脂膜の導通開始電圧が１．０Ｖより大きい値に設定された場合には、更なる技術開発により、スペーシングδ１が１０ｎｍ以下となること、あるいは、スライダの薄膜素子の静電気に対する耐性が低くなることが予想されており、上記の静電破壊のリスクを余裕を持って回避できないため好ましくない。
【００１９】
また、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満に設定されることが好ましく、より好ましくは、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度がＤ−２０未満に設定されることにより、スライダ−フレキシャ間における導電性樹脂膜１１形成時におけるＡＢＳ面の平坦度変化量つまり接着変形量を低減することが可能である。
ここで、ジュロメータ硬度とは、ＪＩＳ−７２１５等に定める測定方法により、求めることができる数値で、樹脂・塗膜の固さを測る指標として一般的に用いられている。ジュロメータ硬度は、樹脂・塗膜に専用の測定器の圧子を押しつけ、圧子が樹脂塗膜に入り込んだ量に応じて求められ、数値が大きいほど硬く、鋼直な樹脂塗膜と言うことができる。
ここで、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０以上に設定された場合には、樹脂の加熱硬化後、室温に冷却する際にスライダとフレキシャ間の熱膨張差により、生じる歪みを導電性樹脂膜の変形・伸張により吸収することができず、結果、熱応力としてスライダに作用して、ＡＢＳ面の平坦度を変化させてしまうため、好ましくない。
また、上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−２０以上に設定された場合には、今後予想される更なるスライダ形状の縮小（０．３ｍｍ→０．２ｍｍ）により、スライダそのものの剛性が下がり、上記の熱応力がスライダに作用しやすくなってＡＢＳ面の平坦度を変化させ易くなるため好ましくない。
【００２０】
上記のように上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度を設定することにより、スライダとフレキシャ間の熱膨張係数差により生じる歪みを吸収でき、且つ、硬化収縮に伴う内部応力を小さくする柔軟性に富んだ導電性樹脂膜を使用することが可能となる。このため、スライダの片側（トレーリング側）がフレキシャに剛体接合されるため、上記スライダとフレキシャとの熱膨張係数の差によって生じる熱応力等によって、スライダのＡＢＳ面（浮上面）の平坦度またはクラウン量の変化が発生することを防止できる。
【００２１】
本発明は、上記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーに導電フィラーが練り込まれてなり、そのうち上記導電フィラーの重量百分率が、７０パーセント以上に設定されてなることが好ましく、さらに、上記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以上に設定されてなることがより好ましく、これにより、上記の閾値である導電開始電圧および上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度をそれぞれ適性な値の範囲にすることが可能となる。
ここで、上記導電フィラーの重量百分率が、７０パーセント以下に設定された場合には、測定電圧２．０Ｖで抵抗値が１ＭΩ以上あるいは、無限大となってしまい、スライダとメディアとの摩擦によってスライダに生じる電荷をフレキシャに速やかに逃がすことができなくなり、局部放電によるメディア記録エリアの損傷、あるいはスライダの薄膜素子の静電破壊を引き起こしやすくなるため好ましくない。
また、上記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以下に設定された場合には、今後の更なる技術開発により、スライダとメディアとの間のスペーシングが小さくなり、かつ、スライダの薄膜素子の静電気に対する耐性が低くなることが予想されており、上記の静電破壊のリスクを余裕を持って回避できないため好ましくない。
【００２２】
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、上記スライダと上記フレキシャ間に０．５Ｖの測定電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下に設定されたものにあっては、上記スライダとメディアとの摩擦によってスライダが帯電し、該スライダとメディアとの間に０．５Ｖ以上の電位差が生じても、上記スライダと上記フレキシャ間の抵抗が上記のように小さくされているため、スライダから導電性樹脂膜を経てフレキシャに速やかに電荷を逃がすことが可能となり、スライダの帯電によって記録及び／または再生用の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止できる。
【００２３】
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、上記スライダと上記フレキシャ間に０．１Ｖの測定電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下に設定されたものにあっては、上記スライダとメディアとの摩擦によってスライダが帯電し、スライダとメディアとの間に０．１Ｖ以上の電位差が生じても、上記スライダと上記フレキシャ間の抵抗が上記のように小さくされているために、スライダから導電性樹脂膜を経てフレキシャに速やかに電荷を逃がすことが可能となり、スライダの帯電によって記録及び／または再生用の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止できる。
【００２４】
上記のようなスライダとフレキシャ間に０．１Ｖ〜０．５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ｋΩ以下に設定された磁気ヘッドは、記録及び／または再生用の薄膜素子を有するスライダと、弾性変形可能な舌片を有するフレキシャとが接合されるとともに、上記スライダと上記フレキシャとが導電性樹脂膜により導通されてなる磁気ヘッドの使用前に上記スライダと上記フレキシャ間に閾電圧以上の電圧として２Ｖ〜５Ｖ程度、好ましくは３Ｖ〜４Ｖ程度の電圧が予め印加することによって上記のような特性を備えることが可能である。
かかる磁気ヘッドは、将来的に、磁気記録密度の上昇によりＭＲヘッド等の薄膜素子がさらに小型化、高性能化して、薄膜素子において静電破壊の発生する閾値電圧がさらに低下した場合でも、充分に適応して、薄膜素子に静電破壊が起こることをよりいっそう防止可能とすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る磁気ヘッドの一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における実施の形態としてハードディスク装置などに装備される浮上式の磁気ヘッド装置を示す部分側面図、図２は、図１に示す磁気ヘッド装置の先端領域を裏側から見た場合の部分平面図である。
この磁気ヘッド装置はスライダ１とこれを支持する支持部材２とから構成されている。
【００２６】
上記スライダ１は、図１に示すように、Ａｉ2Ｏ3-ＴｉＣ等の非磁性体からなるセラミック材料により形成されており、上記スライダ１のトレーリング側Ｂ端面には、再生ヘッド部と書込ヘッド部とを積層して構成された薄膜素子４が設けられている。また上記スライダ１のディスクＤとの対向部側には、ＡＢＳ面（浮上面）１ａが形成されている。また、上記薄膜素子４は、磁性材料のパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系合金）や絶縁材料のアルミナなどが積層されたものであり、ディスクＤに記録された磁気記録信号を再生する磁気検出部（再生ヘッド部）、またはディスクＤに磁気信号を記録する磁気記録部（書込ヘッド部）とあるいは磁気検出部との双方を含むものである。磁気検出部は例えば磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）により構成されたＭＲヘッドである。また磁気記録部は、コイルとコアがパターン形成されたインダクティブヘッドにより構成される。
【００２７】
上記支持部材２は、ロードビーム５とフレキシャ６とから構成されている。ロードビーム５はステンレス（ＳＵＳ３０４）などの板ばね材料により形成されている。ロードビーム５には図１の右上側から先部付近にかけて両側に折り曲げ部５ａが形成され、この部分が剛性を有する構造となっている。この折り曲げ部５ａはロードビーム５のほぼ中間位置まで設けられており、上記折り曲げ部５ａの後方の終端から基端部にかけて、上記折り曲げ部５ａを有しない板ばね機能部（図示しない）が形成されている。
【００２８】
ロードビーム５の上記折り曲げ部５ａに挟まれた平坦部には、図示下方向に突き出した球面状のピボット７が形成されている。このピボット７の頂点は、後述するフレキシャ６の舌片６ｂを介して、スライダ１の上面に当接するようになっている。
【００２９】
フレキシャ６はステンレス（ＳＵＳ３０４）などの薄い板ばねにより形成されているものである。このフレキシャ６は、固定部６ａと舌片６ｂとで構成され、上記固定部６ａと舌片６ｂとが段差部６ｃによって連結されている。図１に示すように、舌片６ｂの下面にはスライダ１が樹脂系接着剤８により接着固定されている。この樹脂系接着剤８の特性は、導電特性以外は後述する導電性樹脂膜１１と同様の特性を有していることが好ましい。
【００３０】
また、図２に示すようにフレキシャ６の先端領域では、導電パターン１４が、フレキシャ６の固定部６ａから舌片６ｂにかけて形成されている。また上記舌片６ｂに形成されている導電パターン１４の幅は、フレキシャ６の基端部方向に向けて徐々に大きくなっており、この部分がスライダ１との接続部１４ａとなっている。またスライダ１のトレーリング側Ｂ端面には、薄膜素子４から引き出された薄膜による電極端子部４ａが、導電パターン１４の接続部１４ａと同じ間隔にて形成されている。
【００３１】
本実施形態では、スライダ１のトレーリング側Ｂ端面に設けられた電極端子部４ａと、フレキシャ６に設けられた接続部１４ａとが、金（Ａｕ）のボールボンディングなどの接合体９によって剛体接合されている。さらに上記接合体９は図１に示すように、上記接合体９を保護するための補強樹脂膜１０によって覆われている。なお図２においてはこの補強樹脂膜１０はその記載を省略してある。
【００３２】
また図１および図２に示すように、スライダ１のリーディング側Ａ端面から、フレキシャ６の舌片６ｂにかけて、フィレット状の導電性樹脂膜１１が形成されている。この導電性樹脂膜１１を設ける理由は、スライダ１―フレキシャ６間の導通を確保するためである。
【００３３】
ここで、上記のように、スライダ１のトレーリング側Ｂ端面が、フレキシャ６の舌片６ｂに、ボールボンディングによるＡｕなどの接合体９によって剛体接合されている場合、スライダ１とフレキシャ６との熱膨張係数が異なることから、スライダ１と上記舌片６ｂとの接合部分では、上記スライダ１―フレキシャ６間の熱膨張係数差により生じる歪み（ε）を吸収（緩衝）できる機能を持ち、且つ硬化収縮に伴う内部応力を小さくできる、柔軟性に富んだ材質を選択する必要がある。
【００３４】
このため、本実施形態では、柔軟性を有する導電性樹脂膜１１として、例えば、アクリル系や、ポリウレタン系、ポリエステル系、ナイロン系等を主成分とする熱可塑性エラストマーに導電フィラーが混入されてなるものを選択することができる。
また、導電フィラーとしては、銀を含有する銀系フィラー、銅を含有する銅系フィラー、金を含有する金系フィラー等を適用することができる。
【００３５】
本実施形態において、導電性樹脂膜１１のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満に設定されることが好ましく、より好ましくは、ジュロメータ硬度がＤ−２０未満に設定されることができる。
ここで、上記導電性樹脂膜１１のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０以上に設定された場合には、樹脂の加熱硬化後、室温に冷却する際にスライダ１とフレキシャ６間の熱膨張差により、生じる歪みを導電性樹脂膜１１の変形・伸張により吸収することができず、結果、熱応力としてスライダ１に作用して、ＡＢＳ面１ａの平坦度を変化させてしまうため、好ましくない。
また、上記導電性樹脂膜１１のジュロメータ硬度が、Ｄ−２０以上に設定された場合には、今後予想される更なるスライダ１形状の縮小（０．３ｍｍ→０．２ｍｍ）により、スライダ１そのものの剛性が下がり、上記の熱応力がスライダ１に作用しやすくなってＡＢＳ面１ａの平坦度を変化させ易くなるため好ましくない。
【００３６】
ここで、上記導電性樹脂樹脂膜１１のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満の範囲内であれば、スライダ１における導電性樹脂膜１１形成時の接着変形量を小さくできる。具体的には、導電性樹脂膜１１の形成時において、スライダ１のＡＢＳ面１ａがディスクＤ方向に突変形した場合、その頂点から、変形する前の平坦またはクラウン形状のＡＢＳ面１ａまでの距離をクラウン量（接着変形量）としたとき、上記クラウン量を例えば２ｎｍ以下にでき、さらに、ジュロメータ硬度が、Ｄ−２０以下のとき、上記クラウン量を例えば２ｎｍ以下にできる。
従って、温度変化における浮上量δ1（図１参照）の変動値を絶対値で２ｎｍ程度以下に抑えることができ、従来のように、スライダ１のトレーリング側Ｂ端部が、ディスクＤに衝突したり、あるいは、浮上量δ1が大きくなって（スペーシングロス）、出力が低下するといった問題も起こらなくなる。
【００３７】
本実施形態では、上記導電性樹脂膜１１は熱可塑性エラストマーに導電フィラーが混合されてなり、そのうち上記導電フィラーの重量百分率が、７０パーセント以上に設定されてなることが好ましく、さらに、上記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以上に設定されてなることがより好ましく、これにより、上記のように、上記導電性樹脂膜１１のジュロメータ硬度を適性な値の範囲にすることが可能となる。
ここで、上記導電フィラーの重量百分率が、７０パーセント以下に設定された場合には、測定電圧２．０Ｖで抵抗値が１ＭΩ以上あるいは、無限大となってしまい、スライダ１とメディアＤとの摩擦によってスライダ１に生じる電荷をフレキシャ６に速やかに逃がすことができなくなり、局部放電によるメディアＤ記録エリアの損傷、あるいはスライダ１の薄膜素子４の静電破壊を引き起こしやすくなるため好ましくない。
また、上記導電フィラーの重量百分率が、８０パーセント以下に設定された場合には、今後の更なる技術開発により、スライダ１とメディアＤとの間のスペーシングδ１が小さくなり、かつ、スライダ１の薄膜素子４の静電気に対する耐性が低くなることが予想されており、前述の静電破壊のリスクを余裕を持って回避できないため好ましくない。
【００３８】
また、上記のように、上記導電性樹脂膜１１における上記導電フィラーの重量百分率を設定することにより、導電性樹脂膜１１において樹脂中（熱可塑性エラストマー中）に練り込まれている導電フィラー間の間隙で絶縁破壊が生じて導電性樹脂膜１１としての導通が確保される導通開始電圧を２．０Ｖ以下、より好ましくは１．０Ｖ以下に設定することができる。
これにより、導通開始電圧を、ＭＲ素子等の薄膜素子４において静電破壊（ＥＳＤ）の発生する静電破壊限界値よりも小さくすることが可能となり、スライダ１とフレキシャ６間との導通を確保して、スライダ１が帯電した場合に導電性樹脂膜１１から電荷を支持部材２側に逃がすことができるため、この帯電した状態のスライダ１が金属等に接触した際にＭＲヘッド等からなる薄膜素子４が静電破壊されることを防止することが可能となる。
【００３９】
以下、導通開始電圧について説明する。
図３は、本実施形態の導通開始電圧に関して抵抗値を測定するための模式図である。
本実施形態の導通開始電圧においては、図３に示すように、磁気ヘッド装置におけるスライダ１と支持部材２との間の導通特性を計測するものとする。
【００４０】
ここで、スライダ１においてはＡｉ2Ｏ3-ＴｉＣからなるスライダ１の表面にプローブを接触させるとともに、支持部材２においては、ロードビーム５またはこのロードビーム５の接続されるマウントプレートにプローブを接触させて、この間の抵抗値を測定する。なお、スライダ１表面にカーボンコーティング等がなされている場合には、このようなコーティングを除去してＡｉ2Ｏ3-ＴｉＣ表面にプローブを接触させることが望ましい。
そして、測定電圧を徐々に増加させてそのときの抵抗値を測定し、この抵抗値が１ＭΩ（１０6 Ω）を下回った際の電圧を導通可能電圧（閾値電圧）と定義する。
【００４１】
このとき、抵抗値の基準を１ＭΩに設定したのは、一般の抵抗計によって安定に抵抗値が測定できるのが１０ＭΩ程度であり、また、摩擦によって生じた電荷を速やかに逃がすことのできる導体として機能する抵抗値も１ＭΩ程度と考えていることから、導通が開始したと判断する基準を１ＭΩに設定した。
【００４２】
以上のように詳述した本実施形態における磁気ヘッドは、例えば、ＣＳＳ方式のハードディスク装置（磁気記録再生装置）に使用される。ディスクが停止しているときには、スライダ１がロードビーム５の基端部の板ばね機能部の弾性力によりディスクＤ上面に弾圧され、スライダ１のＡＢＳ面１ａがディスクＤ表面に接触する。ディスクＤが回転し始めると、スライダ１とディスクＤとの間に導かれる空気流により、図１に示すように、スライダ１全体がディスクＤ表面から短い距離δ１だけ浮上し、リーディング側Ａがトレーリング側ＢよりもディスクＤ上に高く持ち上がる浮上姿勢となるか、あるいはリーディング側Ａのみがディスク表面から浮上し、トレーリング側Ｂ端部がディスクＤ表面に連続または不連続に接触して摺動する浮上姿勢となる。
また、磁気ヘッドの製造工程等においては、テスト用のディスクＤを用いた動作確認としての電気特性等の検査をおこなう。この検査工程では、スライダ１のＡＢＳ面（浮上面）１ａをディスクＤの記録面に接触させて、ディスクＤを始動させ、スライダ１がディスクＤ表面から短い距離δ１（スペーシング）だけ浮上させる等、ほぼ使用状態と同様にする。
【００４３】
前述したように、本実施形態では、スライダ１とフレキシャ６の舌片６ｂとの導通接合部分として、柔軟性を有する導電性樹脂膜１１を使用するため、スライダ１―舌片６ｂ間の歪み（ε）の一部を吸収（緩衝）でき、スライダ１に作用する熱応力（δ）を小さくできることから、上記スライダ１の接着位置変形量を低減させることが可能である。具体的には、上記導電性樹脂膜１１における上記導電フィラーの重量百分率が、７０パーセント以上、より好ましくは、８０パーセント以上であれば、導電性樹脂膜１１のジュロメータ硬度を、Ｄ−４０未満、より好ましくはＤ−２０に設定するとともに、導電性樹脂膜１１の導通開始電圧を２．０Ｖ以下、より好ましくは１．０Ｖ以下に抑えることが可能である。
これにより、導電性樹脂膜１１の形成に起因するスライダ１−フレキシャ６間の歪みを低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダ１が帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャ６へ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダ１が帯電しその電荷がフレキシャ６に逃げないことによってＭＲヘッド等の薄膜素子４に静電破壊が起こることを防止できる。
【００４４】
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
【００４５】
（実施例１）
まず、実施例１として、上記の構造の磁気ヘッドにおいて導電性樹脂膜１１として、ポリエステル系の熱可塑性樹脂中に銀系の導電フィラーを練り込んだものを用意した。このとき、樹脂中の導電フィラーの重量百分率（フィラー含有率）は８４パーセントに設定した。
（比較例１）
比較例１として、実施例１と同様の構造の磁気ヘッドにおいて導電性樹脂膜の樹脂をエポキシ系の熱硬化性樹脂としたものを用意した。このとき、樹脂中の導電フィラーの重量百分率は７０パーセントに設定した。
（比較例２）
比較例２として、比較例１と同様の構造の磁気ヘッドにおいて樹脂中の導電フィラーの重量百分率は８２パーセントに設定した。
【００４６】
上記の実施例１、比較例１，２において、それぞれの導電性樹脂膜における樹脂硬度を測定した。
また、上記の実施例１、比較例１，２において、磁気ヘッドにおけるスライダとフレキシャとを接着した後に、導電性樹脂膜１１の形成前後（硬化前後）でスライダのＡＢＳ面（浮上面）のクラウン量の変化（接着変形量）を測定した。
クラウン量とは、スライダ１のリーディング、トレーディング両端を結ぶ直線を基準とし、ＡＢＳ面１ａを仮に球体とした場合、その基準線からＡＢＳ面１ａの頂点までの距離をＡＢＳ面１ａ全面に対して求め、平均した値である。（凸形状の場合はプラスとする。）
ここで、導電性樹脂膜１１の形成前後で、スライダ１のＡＢＳ面１ａがディスクＤ方向に突変形した場合、その頂点から、変形する前のクラウン形状のＡＢＳ面１ａまでの距離をクラウン変化量とする。
これらの結果を表１に示す。ここで、樹脂硬度はジュロメータ硬度である。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
表１の結果から、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなる導電性樹脂膜よりも、ポリエステル系の熱可塑性樹脂からなる導電性樹脂膜１１のほうが硬度が低いことがわかる。また、同じエポキシ系の樹脂でも、銀フィラーの含有率が高い方が樹脂硬度は高くなることがわかる。そして、樹脂硬度のジェロメータ硬度が低い導電性樹脂膜のほうがクラウン量の変化（接着変形量）が少ないことがわかる。
【００４９】
次に、上記の実施例１、比較例１，２において、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間の抵抗値を測定した。
スライダ１においては、Ａｉ2Ｏ3-ＴｉＣからなるスライダ１の表面にプローブを接触させるとともに、支持部材２においては、ロードビーム５またはこのロードビーム５の接続されるマウントプレートにプローブを接触させて、測定電圧を０．５Ｖから７．０Ｖまで変化させてこの間の抵抗値を測定した。
その結果を表２に示す。ここで、それぞれの抵抗値は測定された最大値を示すものである。また、ＯＬはオーバ−レンジつまり５０ＭΩ以上で測定不能を意味する。
【００５０】
【表２】
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【００５１】
表２の結果から、測定電圧の上昇にしたがって、実施例１では、測定電圧が１．０Ｖで抵抗値が１．０ＭΩを下回っているが、比較例１，２ではともに、測定電圧が３．０Ｖにならないと１．０ＭΩを下回らないことがわかる。
つまり実施例１における導電性樹脂膜の導通開始電圧は少なくとも１．０Ｖ以下であるということができ、また、比較例１における導電性樹脂膜の導通開始電圧は少なくとも２．０Ｖよりも高い値であるということができる。
【００５２】
次に、上記の実施例１において、導電性樹脂膜中の導電フィラーの重量百分率（フィラー含有率）を７８、７１パーセントに設定したものを、実施例２，３として用意するとともに、上記の実施例１において、導電性樹脂膜中の導電フィラーの重量百分率（フィラー含有率）をそれぞれ６７，６３，５８，５１，４５，３１パーセントに設定したものを、比較例３〜８として用意した。
上記の実施例２，３、比較例３〜８において、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間の抵抗値を、測定電圧を２．０Ｖおよび５．０Ｖとして測定した。
その結果を表３に示す。ここで、５０ＭΩは実質抵抗無限大を示している。
【００５３】
【表３】
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【００５４】
表３の結果から、フィラー含有率が低下すると抵抗値が増加し、測定電圧が５．０Ｖであればフィラー含有率５１パーセントまで１ＭΩ以下であるが、測定電圧２．０Ｖの場合には、フィラー含有率６７パーセントで１ＭΩを越えてしまうことがわかる。
つまり、実施例１〜３において、フィラー含有率が７１パーセント以上であれば、導電性樹脂膜の導通開始電圧は２．０Ｖ以下であるということがわかる。
【００５５】
上記の結果から、導電性樹脂膜は、ポリエステル系等の熱可塑性エラストマーと銀フィラーとからなりこの銀フィラーの重量百分率を７０パーセント以上に設定することにより、導電性樹脂膜の導通開始電圧を２．０Ｖ以下に設定するとともに、導電性樹脂膜のジュロメータ硬度を、Ｄ−４０未満に設定することができる。これにより、導電性樹脂膜の形成に起因するスライダ−フレキシャ間の歪みを低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によってＭＲヘッド等の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止できる。
【００５６】
さらに、ポリエステル系等の熱可塑性エラストマーからなる導電性樹脂膜の銀フィラーの重量百分率を８０パーセント以上に設定することにより、導電性樹脂膜の導通開始電圧を１．０Ｖ以下に設定するとともに、導電性樹脂膜のジュロメータ硬度を、Ｄ−２０以下に設定することができる。これにより、導電性樹脂膜の形成に起因するスライダ−フレキシャ間の歪みをさらに低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によってＭＲヘッド等の薄膜素子に静電破壊が起こることをより一層防止でき、将来的に、磁気記録密度の上昇によりＭＲヘッド等の薄膜素子が小型化、高性能化して、薄膜素子において静電破壊の発生する閾値電圧が低下した場合でも、充分に適応して、薄膜素子に静電破壊が起こることをより一層防止可能とすることができる。
【００５７】
（実験例１）
次に、上記の実施例１において、導電性樹脂膜中の導電フィラーとしての銀系フィラーの重量百分率（フィラー含有率）を３０．９％〜８４．０％の範囲で変更したものを、試料として用意した。
上記用意した各種の試料において、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間に測定電圧を０．５Ｖ〜７．０Ｖの範囲で印加したときの抵抗値を測定した。その結果を表４と表５並びに図５と図６に示す。表４と図５は、平均値であり、表５と図６は最大値である。ここで、５０００００００Ω（５０ＭΩ）は実質抵抗無限大を示している。
【００５８】
【表４】
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【００５９】
【表５】
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【００６０】
表４及び表５の結果から、フィラー含有率が増えると抵抗値が減少し、測定電圧が２．０Ｖの場合にはフィラー含有率７１．３〜８４％のとき１ＭΩ以下であるが、フィラー含有率６６．７％以下で１ＭΩを越えてしまうことがわかる。また、測定電圧が１．５Ｖの場合にはフィラー含有率８４％のとき１ＭΩ以下であるが、フィラー含有率７７．９％以下で１ＭΩを越えてしまうことがわかる。
測定電圧が０．５〜１．０Ｖの場合にはフィラー含有率が多くても１ＭΩを越えてしまうことがわかる。
つまり、フィラー含有率が７１．３パーセント以上であれば、導電性樹脂膜の導通開始電圧は１．５Ｖ〜２．０Ｖであるということがわかる。
【００６１】
（実験例２）
上記の構造の磁気ヘッドにおいて導電性樹脂膜１１として、ポリエステル系の熱可塑性樹脂中に銀系の導電フィラーを練り込んだものを試料として用意した。このとき、樹脂中の導電フィラーの重量百分率（フィラー含有率）は８４パーセントに設定した。さらに、この試料において、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間に予め閾電圧以上の電圧を４．０Ｖ印加した。
次に、上記のように予め閾電圧以上の電圧を印加した後（ブレークダウン後）の試料に、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間に測定電圧を１００ｍＶ（０．１Ｖ）印加したときの抵抗値を測定した。この閾電圧は導電性樹脂の導電特性を変化させ、上記導通開始電圧を低下させる最低電圧である。その結果を表６に示す。
また、上記のように予め閾電圧以上の電圧を印加試料を雰囲気温度−４０℃中に３０分、８５℃中に３０分配置するのを１サイクルとし、これを５０サイクル繰り返す冷熱衝撃を加えた後、図３に示すように、スライダ１と支持部材２との間に測定電圧を１００ｍＶ（０．１Ｖ）〜５００ｍＶ（０．５Ｖ）印加したときの抵抗値を測定した。その結果を表７、表８に示す。
【００６２】
【表６】
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【００６３】
【表７】
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【００６４】
【表８】
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【００６５】
表６の結果から予め閾電圧以上の電圧を印加した後の試料では、スライダ１と支持部材２間（スライダとフレキシャ間）に０．１Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が４４４Ω以下であることがわかる。
また、表７と表８の結果から予め閾電圧以上の電圧を印加した後の試料では、上記の冷熱衝撃を印加しても、スライダ１と支持部材２間（スライダとフレキシャ間）に０．１Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が７６３Ω以下であり、また、０．５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が５４５Ω以下であることがわかる。
従って、上記スライダと上記フレキシャとが導電性樹脂膜により導通されてなる磁気ヘッドにおいては、この磁気ヘッドの使用前にあるいは製造工程中に上記スライダと上記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧を印加しておくことによって、この磁気ヘッドの使用時に上記スライダとメディアとの摩擦によってスライダが帯電し、スライダとメディア（記録媒体）との間に０．１Ｖ以上の電位差が生じても、上記スライダと上記フレキシャ間の抵抗が上記のようにさらに小さくされているために、スライダから導電性樹脂膜を経てフレキシャに速やかに電荷を逃がすことが可能となり、スライダの帯電によって記録及び／または再生用の薄膜素子に静電破壊が起こることの防止が可能であることがわかる。上記したように閾電圧以上の電圧を予め印加することによって導電フィラー間に絶縁破壊が生じ、導電性樹脂膜における導通が確保されると考えられる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の磁気ヘッドによれば、以下の効果を奏することができる。
（１） 上記スライダと上記フレキシャとを導通する導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下、より好ましくは１．０Ｖに設定されてなることにより、スライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によって記録及び／または再生用の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止できる。
上記導電性樹脂膜の導電フィラーの重量百分率が、７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、スライダとフレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加されたものであることにより、導電性樹脂膜における導電開始電圧を小さい値とすること、および上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度を適正な値の範囲にすることが可能となる。これにより、導電性樹脂膜の形成に起因するスライダ−フレキシャ間の歪みを低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によってＭＲヘッド等の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止でき、将来的に、磁気記録密度の上昇によりＭＲヘッド等の薄膜素子が小型化、高性能化して、薄膜素子における静電破壊が発生する閾値電圧が低下した場合でも、充分に適応可能とすることができる。
（２）  記録及び／または再生用の薄膜素子をトレーリング側端面に有し、セラミック材料からなるスライダと、弾性変形可能な舌片を有する板バネ材料からなるフレキシャとが、前記舌片の下面にスライダの上面を当接させて樹脂系接着剤により接着固定されるとともに、前記スライダのリーディング側端面と前記フレキシャの舌片にかけて設けられた導電性樹脂膜により前記舌片とスライダとが導通され、前記スライダの薄膜素子の電極端子部が前記舌片に形成された導電パターンに接合体を介して剛体接合されてなる磁気ヘッドであって、前記導電性樹脂膜の導通開始電圧が２．０Ｖ以下に設定され、前記導電性樹脂膜は熱可塑性エラストマーと導電フィラーとからなり、そのうち前記導電フィラーの重量百分率が７１．３パーセント以上、８４パーセント以下に設定されてなり、前記磁気ヘッドは、前記スライダと前記フレキシャ間に予め閾電圧以上の電圧が印加された構成であるならば、導電性樹脂膜における導電開始電圧を小さい値とすること、および上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度を適性な値の範囲にすることが可能となる。これにより、導電性樹脂膜の形成に起因するスライダ−フレキシャ間の歪みを低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によってＭＲヘッド等の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止でき、将来的に、磁気記録密度の上昇によりＭＲヘッド等の薄膜素子が小型化、高性能化して、薄膜素子における静電破壊が発生する閾値電圧が低下した場合でも、充分に適応可能とすることができる。
（３） 上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度が、Ｄ−４０未満、より好ましくは、Ｄ−２０未満に設定されることにより、スライダ−フレキシャ間における導電性樹脂膜形成時の変化量つまり接着変形量を低減することができる。これにより、スライダの片側（トレーリング側）がフレキシャに剛体接合されるため、上記スライダとフレキシャとの熱膨張係数の差によって生じる熱応力によって、スライダのＡＢＳ面（浮上面）の平坦度またはクラウン量の変化が発生することを防止してスライダの浮上特性低下の防止を図ることができる。
（４） 上記導電性樹脂膜の導電フィラーの重量百分率が、好ましくは、８０パーセント以上に設定されてなることにより、導電性樹脂膜における導電開始電圧および上記導電性樹脂膜のジュロメータ硬度をそれぞれ上述の適性な値の範囲にすることが可能となる。これにより、導電性樹脂膜の形成に起因するスライダ−フレキシャ間の歪みを低減することができるとともに、動作確認検査等においてスライダが帯電した場合でも、上記の導通開始電圧でフレキシャへ電荷を逃がすことが可能なため、このスライダの帯電によってＭＲヘッド等の薄膜素子に静電破壊が起こることを防止でき、将来的に、磁気記録密度の上昇によりＭＲヘッド等の薄膜素子が小型化、高性能化して、薄膜素子における静電破壊が発生する閾値電圧が低下した場合でも、充分に適応可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本発明に係る磁気ヘッド装置の一実施形態を示す部分側面図である。
【図２】   図１に示す磁気ヘッド装置の先端領域を裏側から見た場合の部分平面図である。
【図３】   本発明に係る一実施形態の導通開始電圧に関して抵抗値を測定するための模式図である。
【図４】   従来の磁気ヘッド装置を示す側面図である。
【図５】   導電性樹脂膜中の導電フィラー含有率を変更したときの測定電圧と抵抗値（平均値）の関係を示す図である。
【図６】   導電性樹脂膜中の導電フィラー含有率を変更したときの測定電圧と抵抗値（最大値）の関係を示す図である。
【符号の説明】
１…スライダ
１ａ…ＡＢＳ面
４…薄膜素子
５…ロードビーム
６…フレキシャ
６ｂ…舌片
７…ピボット
８…樹脂系接着剤
９…接合体
１０…補強樹脂膜
１１…導電性樹脂膜
１４…導電パターン
１４ａ…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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