(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面側に、増幅層Ａ1、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の３層の磁性層をこの順で含む磁性積層体を有し、光磁気記録により記録層Ｒ3に磁区が形成されている光磁気記録媒体を再生する方法であって、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2は、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、室温において垂直異方性を有しており、
一方向の磁界である再生磁界を磁性積層体に印加しながら、レーザービームを照射し、レーザービーム照射による温度上昇によって記録層Ｒ3の磁区を制御層Ｃ2から増幅層Ａ1へと順次転写して転写磁区を形成し、再生磁界により増幅層Ａ1の転写磁区を拡大し、次いで、増幅層Ａ1の拡大された転写磁区を読み出した後、レーザービームの照射を停止又はパワーを減少させることにより、増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2の転写磁区を消滅させる過程を有する光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２】
基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の３層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射および記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区が制御層Ｃ2及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1、制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3としたとき、ＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃR3であり、
増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2とし、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3とし、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1とし、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2としたとき、室温より高くＴｃA1及びＴｃC2より低い温度域にＨｗA1C2＝ＨｗC2R3となる温度Ｔ1が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ1より低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ1よりも高温側に存在する光磁気記録媒体。
【請求項３】
基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、スイッチング層Ｓ12、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の４層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射及び記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区が制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ12及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、スイッチング層Ｓ12のキュリー温度をＴｃS12、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1、制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2としたとき、ＴｃS12が室温より高く、
ＴｃS12＜ＴｃA1かつＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃR3であり、
増幅層Ａ1のスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1S12とし、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3としたとき、室温より高くＴｃS12より低い温度域に
ＨｗA1S12＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ2が存在し、ＨｗA1S12が最大となる温度がＴ2よりも低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ2よりも高温側に存在する光磁気記録媒体。
【請求項４】
制御層Ｃ2が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体である請求項２又は３の光磁気記録媒体。
【請求項５】
磁性積層体が、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間に磁性層である交換力制御層Ｃ23を有し、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2、交換力制御層Ｃ23のキュリー温度をＴｃC23としたとき、ＴｃC2＜ＴｃC23である請求項２又は３の光磁気記録媒体。
【請求項６】
基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ23及び記録層Ｒ3の４層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射及び記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区がスイッチング層Ｓ23、制御層Ｃ2及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
スイッチング層Ｓ23のキュリー温度をＴｃS23、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1及び制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2としたとき、
ＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃS12、ＴｃR3であり、
スイッチング層Ｓ23が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体から構成され、室温から補償温度付近までは面内方向の磁化をもち、補償温度付近より高い温度では垂直方向の磁化をもつものであり、
増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2とし、制御層Ｃ2のスイッチング層Ｓ23との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2Ｓ23とし、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1とし、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2としたとき、室温より高くＴｃA1及びＴｃC2より低い温度域に、
ＨｗA1C2＝ＨｗC2S23
となる温度Ｔ3が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ3より低温側に存在し、ＨｗC2S23が最大となる温度がＴ3より高温側に存在する光磁気記録媒体。
【請求項７】
増幅層Ａ1の保磁力をＨｃA1、ブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗA1としたとき、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大する温度において、ＨｃA1＞ＨｗA1である請求項２〜６のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項８】
磁性積層体が、増幅層Ａ1と基体との間に、カー効果を増強するための磁性層であるエンハンス層Ｅ01を有し、エンハンス層Ｅ01のキュリー温度をＴｃE01、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1としたとき、ＴｃA1＜ＴｃE01である請求項２〜６のいずれかの光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生時に記録磁区を拡大することにより再生信号を増幅できる光磁気記録媒体と、その再生方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、磁性薄膜をレーザービーム等により局所的に昇温させて保磁力を減少させ、この部分の磁化方向を外部磁界によって反転させることにより、あるいは初期磁化方向に維持することにより磁区（記録マーク）を形成し、この磁区の磁化の向きをカー効果、ファラデー効果によって読み出す記録媒体である。
【０００３】
通常の光磁気記録媒体では、再生可能な磁区の存在密度は、再生に用いるレーザービームのスポット径により制限され、スポット径の半分以下の径の磁区を再生することは不可能である。
【０００４】
レーザービームのスポット径の半分を下回る径の磁区を再生可能な光磁気記録媒体として、例えば特開平８−７３５０号公報には、記録磁区を拡大できる光磁気記録媒体が記載されている。この光磁気記録媒体は、基体側から第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の順に積層された３層磁性膜を記録膜として有し、この３層磁性膜は、交換結合されているものである。再生時には、基体側からレーザービームを照射し、一方、記録膜側からは再生磁界を印加する。記録磁区を保持しているのは第３磁性層であり、この記録磁区がレーザービームの照射により第１磁性層および第２磁性層に転写される。転写された磁区は、再生磁界の印加により磁性層の面内方向に拡大する。この拡大された転写磁区を、従来の光磁気記録媒体と同様にして読み出す。拡大された転写磁区の再生が完了すると、隣接する記録磁区の再生に備えて、再生磁界と逆方向の消去磁界を印加することにより転写磁区を消去する。このような過程を繰り返すことにより、従来不可能であった微小な磁区の再生が可能となっている。しかも、この方法は単に再生時の高分解能化を達成しただけでなく、磁区を実際に拡大するので、再生信号強度の本質的な増強が可能である。
【０００５】
しかし、この再生方法では、再生磁界と消去磁界とを、すなわち交番磁界を、磁区の記録密度に応じて印加する必要がある。例えば、磁界強度変調により記録された磁区を上記方法により再生する場合には、再生時の交番磁界の周波数は記録時の交番磁界の周波数の少なくとも２倍となってしまう。高周波の交番磁界を印加するためには、磁気ヘッドを記録膜にできるだけ近づける必要があるので、媒体表面を摺動する磁気ヘッドを用いる必要がある。このため、記録膜やその表面に設ける保護膜等の摺動耐久性が要求される。また、このため、貼り合わせ基体を利用する両面記録型の媒体とすることができず単板型の媒体とせざるを得ず、媒体一枚あたりの記録容量が少なくなってしまう。また、単板型の媒体では、剛性を確保するために基体を薄くすることができない。このため、複屈折の大きな樹脂基体を用いた場合、レーザービームを絞ることが難しくなり、記録密度を高くすることができなくなる。さらに、磁界発生手段の高周波化には技術的あるいはコスト的な限界が存在するため、再生可能な記録密度に限界が生じるほか、高速再生による転送レートの向上にも限界が生じる。
【０００６】
なお、上記した特開平８−７３５０号公報の特許請求の範囲には、再生時に磁界および／または再生光を変調して再生する旨が記載されている。すなわち、再生光を変調するだけで記録磁区を拡大して再生することが可能である旨の記載がある。しかし、同公報の「発明の詳細な説明」の欄には、再生磁界と逆方向の磁界を印加することにより磁区を消去する方法しか記載されておらず、再生光をパルス変調するのはＳ／Ｎ改善のためである旨の記載しかない。同公報の実施例では、変調周波数２．５MHzで記録した磁区を、サンプルクロックでタイミングをとって光パルスと磁界とを５MHzで変調することにより再生を行っているが、磁区の消去のために−１００Oeの再生磁界、すなわち、再生磁界と逆方向に１００Oeの磁界を印加しており、光パルスだけでの消去はできていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、複層構造の磁性層を有し、記録磁区を転写拡大して再生する構成の光磁気記録媒体において、交番磁界を印加することなしに再生を可能とすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記（１）〜（８）のいずれかの構成により達成される。
（１）基体表面側に、増幅層Ａ1、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の３層の磁性層をこの順で含む磁性積層体を有し、光磁気記録により記録層Ｒ3に磁区が形成されている光磁気記録媒体を再生する方法であって、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2は、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、室温において垂直異方性を有しており、
一方向の磁界である再生磁界を磁性積層体に印加しながら、レーザービームを照射し、レーザービーム照射による温度上昇によって記録層Ｒ3の磁区を制御層Ｃ2から増幅層Ａ1へと順次転写して転写磁区を形成し、再生磁界により増幅層Ａ1の転写磁区を拡大し、次いで、増幅層Ａ1の拡大された転写磁区を読み出した後、レーザービームの照射を停止又はパワーを減少させることにより、増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2の転写磁区を消滅させる過程を有する光磁気記録媒体の再生方法。
（２）基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の３層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射および記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区が制御層Ｃ2及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1、制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3としたとき、ＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃR3であり、
増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2とし、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3とし、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1とし、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2としたとき、室温より高くＴｃA1及びＴｃC2より低い温度域にＨｗA1C2＝ＨｗC2R3となる温度Ｔ1が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ1より低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ1よりも高温側に存在する光磁気記録媒体。
（３）基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、スイッチング層Ｓ12、制御層Ｃ2及び記録層Ｒ3の４層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射及び記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区が制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ12及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
増幅層Ａ1及び制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体であり、スイッチング層Ｓ12のキュリー温度をＴｃS12、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1、制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2としたとき、ＴｃS12が室温より高く、
ＴｃS12＜ＴｃA1かつＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃR3であり、
増幅層Ａ1のスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1S12とし、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3としたとき、室温より高くＴｃS12より低い温度域に
ＨｗA1S12＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ2が存在し、ＨｗA1S12が最大となる温度がＴ2よりも低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ2よりも高温側に存在する光磁気記録媒体。
（４）制御層Ｃ2が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体である上記（２）又は（３）の光磁気記録媒体。
（５）磁性積層体が、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間に磁性層である交換力制御層Ｃ23を有し、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2、交換力制御層Ｃ23のキュリー温度をＴｃC23としたとき、ＴｃC2＜ＴｃC23である上記（２）又は（３）の光磁気記録媒体。
（６）基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層体が、少なくとも増幅層Ａ1、制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ23及び記録層Ｒ3の４層の磁性層をこの順で含み、
記録時に、レーザービーム照射及び記録磁界印加により記録層Ｒ3に磁区が形成され、
再生時に、レーザービーム照射及び再生磁界印加によって記録層Ｒ3の磁区がスイッチング層Ｓ23、制御層Ｃ2及び増幅層Ａ1に順次転写されてそれぞれ転写磁区が形成されると共に、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大される光磁気記録媒体であり、
スイッチング層Ｓ23のキュリー温度をＴｃS23、記録層Ｒ３のキュリー温度をＴｃR3、増幅層Ａ1の補償温度をＴcompA1及び制御層Ｃ2の補償温度をＴcompC2としたとき、
ＴcompA1＜ＴcompC2＜ＴｃS12、ＴｃR3であり、
スイッチング層Ｓ23が、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体から構成され、室温から補償温度付近までは面内方向の磁化をもち、補償温度付近より高い温度では垂直方向の磁化をもつものであり、
増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2とし、制御層Ｃ2のスイッチング層Ｓ23との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2Ｓ23とし、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1とし、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2としたとき、室温より高くＴｃA1及びＴｃC2より低い温度域に、
ＨｗA1C2＝ＨｗC2S23
となる温度Ｔ3が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ3より低温側に存在し、ＨｗC2S23が最大となる温度がＴ3より高温側に存在する光磁気記録媒体。
（７）増幅層Ａ1の保磁力をＨｃA1、ブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗA1としたとき、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大する温度において、ＨｃA1＞ＨｗA1である上記（２）又は（６）のいずれかの光磁気記録媒体。
（８）磁性積層体が、増幅層Ａ1と基体との間に、カー効果を増強するための磁性層であるエンハンス層Ｅ01を有し、エンハンス層Ｅ01のキュリー温度をＴｃE01、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1としたとき、ＴｃA1＜ＴｃE01である上記（２）又は（６）のいずれかの光磁気記録媒体。
【０００９】
【作用および効果】
本発明では、磁区の転写、拡大および消滅を利用して高密度記録の再生を行う光磁気記録媒体を再生するに際し、直流の再生磁界の印加およびパルス変調したレーザービームの照射を行うことにより連続再生が可能である。レーザービームの高周波パルス変調は容易であるため、パルス磁界印加により再生する従来の方法に比べ、記録密度を著しく高くすることができる。また、転送レートの著しい向上が可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、以下に説明する構成Ｉ、構成IIおよび構成IIIからなる。以下、各構成の実施の形態について説明する。
【００１１】
構成Ｉ
構成Ｉでは、基体表面側に、少なくとも増幅層Ａ1、制御層Ｃ2および記録層Ｒ3の３層の磁性層からなる磁性積層体を有し、光磁気記録により記録層Ｒ3に磁区が形成されている光磁気記録媒体を用いる。この光磁気記録媒体の再生に際しては、まず、磁性積層体に垂直な方向の初期化磁界を、必要に応じて印加する。次いで、レーザービームを照射して記録層Ｒ3の磁区を制御層Ｃ2から増幅層Ａ1へと順次転写して転写磁区を形成し、同時に、再生磁界を印加することにより増幅層Ａ1の転写磁区を拡大する。再生磁界の向きは磁性積層体の構造によって異なり、初期化磁界とは逆向きまたは同じ向きである。次いで、増幅層Ａ1の拡大された磁区を読み出す。次いで、レーザービームの照射を停止するか、そのパワーを減少させることにより、増幅層Ａ1および制御層Ｃ2にそれぞれ転写された磁区を消滅させる。続いて、再生が終了した磁区に隣接する磁区の再生を行う。すなわち、この再生方法では、交番磁界を印加する必要がなく、一方向の再生磁界を印加すると共に、パルス変調したレーザービームを照射することにより、磁区の転写、転写磁区の拡大、その再生、その消滅が連続して行える。
【００１２】
構成Ｉは、以下に説明する構成Ｉ−１〜Ｉ−３を包含する。
【００１３】
構成Ｉ−１
以下、構成Ｉの基本構成である構成Ｉ−１における再生過程および再生に必要な条件の詳細を、図１および図８により説明する。
【００１４】
再生過程（構成Ｉ−１）
磁区の磁化が再生磁界と同じ向きの場合
図１は、磁性積層体中の各磁性層の磁化の向きを表す模式図である。同図では、白抜き矢印は磁性層全体の磁化の向きを表し、黒矢印は磁性層中の遷移金属元素のスピンの向きを表し、図２以降の磁性積層体模式図においても同様である。磁性層が、室温より高い補償温度をもたない場合には、両矢印の向きが一致することになる。図１に示す構成では、すべての磁性層が室温以上の補償温度をもたない。
【００１５】
まず、記録層Ｒ3に記録された磁区のうち、再生磁界と同じ向きの磁化をもつ磁区、すなわち図１中において上向き磁化をもつ磁区の再生について説明する。
【００１６】
図１（ａ）：記録後の状態
図１（ａ）に示すように、記録層Ｒ3には光磁気記録により磁区が形成されている。増幅層Ａ1および制御層Ｃ2には、界面磁壁交換力により、記録層Ｒ3と同方向の磁化を有する磁区が形成されている。
【００１７】
図１（ｂ）：初期化
この状態の光磁気記録媒体に対し、図１（ｂ）に示すように、初期化磁界ＨIを印加する。初期化磁界は、初期化磁気ヘッドにより印加する。初期化磁気ヘッドは、後述する再生磁気ヘッドとは離れた位置に配置する。初期化磁界ＨIの印加により、増幅層Ａ1および制御層Ｃ2の磁化の向きは、初期化磁界の向きと同じとなる。なお、構成Ｉ−１における初期化磁界は、再生磁界とは逆向きとする。
【００１８】
図１（ｃ）：磁区の転写
初期化磁界印加後、再生磁界ＨRを印加しながら、媒体にレーザービームを照射する。再生磁界を印加する再生磁気ヘッドと、レーザービームを照射する光ピックアップとは、通常、媒体を挟んで対向して配置される。レーザービームは、基体側から照射される。再生磁界ＨRは、初期化磁界ＨIとは向きが逆の直流磁界であり、再生時には連続して印加されている。一方、レーザービームは、再生対象の磁区（記録マーク）一つあたり１サイクルとなるようにパルス変調されており、図１（ｃ）において照射されているレーザービームは、光ピックアップが再生対象の磁区付近に移動したときにオン状態となったものである。
【００１９】
レーザービーム照射により各磁性層の温度は上昇し、記録層Ｒ3と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力および制御層Ｃ2と増幅層Ａ1との間の界面磁壁交換力が強まる。これにより、記録層Ｒ3の記録磁区は、制御層Ｃ2へと転写され、さらに制御層Ｃ2から増幅層Ａ1に転写される。制御層Ｃ2および増幅層Ａ1にそれぞれ転写された磁区の磁化は、初期化磁界に対し逆向きである。
【００２０】
図１（ｄ）：転写磁区の拡大
レーザービームの照射により磁区の転写が生じたとき、各磁性層には転写磁区の磁化と同じ向きの再生磁界ＨRが印加されているので、各磁性層の磁区は層の面内方向に拡大しようとする。このとき、記録層Ｒ3および制御層Ｃ2では磁区を拡大させず、増幅層Ａ3では磁区を拡大させる。このため、例えば記録層Ｒ3では、レーザービーム照射時の温度においても高い保磁力を示すように設定することにより磁区を拡大させない。また、例えば制御層Ｃ2では、記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力とブロッホ磁壁交換力磁界とによる拘束が十分となるように設定して、磁区を拡大させない。また、例えば増幅層Ａ1では、ブロッホ磁壁交換力磁界と保磁力とに打ち勝って磁区が拡大できる程度に、制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が弱くなるように設定する。
【００２１】
増幅層Ａ1の転写磁区を拡大した後、これを磁気カー効果により読み出す。
【００２２】
図１（ｅ）：転写磁区の消滅
磁気カー効果を利用して増幅層Ａ1の転写磁区を読み出した後、レーザービーム照射を停止するか、レーザービームのパワーを減少させる。照射停止またはパワー減少により、増幅層Ａ1、制御層Ｃ2および記録層Ｒ3の温度が低下する。記録層Ｒ3と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が温度低下により減少するものであれば、制御層Ｃ2の転写磁区はブロッホ磁壁交換力により縮小して消滅し、制御層Ｃ2の転写磁区だった領域の磁化は、周囲と同じ向き、すなわち初期化磁界ＨIの向きに戻る。
【００２３】
一方、増幅層Ａ1と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が、温度低下により増大するものであれば、増幅層Ａ1の拡大された転写磁区は、制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力により縮小して消滅し、増幅層Ａ1の磁化は、制御層Ｃ2と同様に周囲と同じ向き、すなわち初期化磁界の向きに戻る。
【００２４】
この結果、レーザービームの照射停止またはパワー減少により、図１（ｂ）の状態に復帰することになる。
【００２５】
磁区の磁化が再生磁界と逆向きの場合
次に、記録層Ｒ3に記録された磁区のうち、再生磁界と逆向きの磁化をもつ磁区、すなわち、図１中において下向き矢印で示される磁化をもつ磁区の再生について説明する。
【００２６】
この場合も、記録層Ｒ3の磁区は制御層Ｃ2および増幅層Ａ1に転写されるが、転写磁区は初期化磁界と同じ向きの磁化をもつので、制御層Ｃ2および増幅層Ａ1の磁化状態は変化せず、再生過程を通じて同一の磁化状態を維持する。この状態において、増幅層Ａ1の磁化の向きを磁気カー効果により読み出す。この磁区の再生過程では、全過程を通じて両層の転写磁区の磁化が反転しないことが必要である。
【００２７】
再生条件（構成Ｉ）
上述した過程で再生を行うためには、再生の際にレーザービームを照射したときの磁性積層体の温度において、記録層Ｒ3が影響を受けずに制御層Ｃ2および増幅層Ａ1に磁区が転写されることが必要である。このためには、増幅層Ａ1のキュリー温度ＴｃA1および制御層Ｃ2のキュリー温度ＴｃC2が、記録層Ｒ3のキュリー温度ＴｃR3よりも低いことが好ましい。また、ＴｃA1およびＴｃC2は、室温より高い必要がある。このことは、後述する構成IIおよび構成IIIにおいても同様である。
【００２８】
構成Ｉ−１では、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3とし、増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2としたとき、室温より高くＴｃA1およびＴｃC2より低い温度域に、図８に示すように
ＨｗA1C2＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ1が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ1より低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ1よりも高温側に存在する必要がある。この条件は、構成Ｉ−１に限らず、構成Ｉに包含される各構成に共通の条件である。すなわち、後述する構成Ｉ−２および構成Ｉ−３（対応する図は、図９〜図１２）においても、同様に満足される必要がある。以下、この条件を、再生条件Ｉという。
【００２９】
次に、図８に示す条件が再生過程に与える影響について説明する。なお、図８には、増幅層Ａ1の飽和磁化ＭｓA1およびそのキュリー温度ＴｃA1と、制御層Ｃ2の飽和磁化ＭｓC2およびそのキュリー温度ＴｃC2とを示してある。
【００３０】
制御層Ｃ2の転写磁区が拡大しないためには、前述したように記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力が大きい必要があるが、図８に示すように、レーザービーム照射時の磁性層温度において両層の間の界面磁壁交換力磁界ＨｗC2R3は大きいため、制御層Ｃ2の転写磁区は拡大しない。
【００３１】
一方、増幅層Ａ1の転写磁区を拡大するためには、前述したように制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が弱くなっている必要があるが、転写磁区が拡大する温度、すなわちレーザービーム照射時の最高到達温度付近では、図８に示すように両層の間の界面磁壁交換力磁界ＨｗA1C2は小さいため、増幅層Ａ1の転写磁区は拡大する。
【００３２】
上述したように、制御層Ｃ2の転写磁区が縮小して消滅するのはブロッホ磁壁交換力の作用である。具体的には、制御層Ｃ2におけるブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗC2、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3、制御層Ｃ2の反磁界をＨｄC2とし、再生磁界の強度をＨｒとしたとき、後述するように
ＨｗC2＞ＨｗC2R3−ＨｄC2＋Ｈｒ
を満足すれば、制御層Ｃ2の転写磁区は縮小して消滅する。したがって、図８に示すように、レーザービームの照射停止またはそのパワー減少により磁性積層体の温度が低下したときにＨｗC2R3が小さくなれば、制御層Ｃ2の転写磁区を縮小・消滅させることができる。なお、ＨｗC2は、
式（ａ）  ＨｗC2＝σｗC2／（２ＭｓC2・ｒC2）
で表される。式（ａ）において、σｗC2、ＭｓC2およびｒC2は、それぞれ制御層Ｃ2の磁壁エネルギー、飽和磁化および転写磁区の半径である。
【００３３】
一方、増幅層Ａ1の転写磁区を縮小して消滅させるためには、前述したようにレーザービーム照射の停止またはパワー減少により磁性層温度が低下したときに、増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力ＨｗA1C2が増大する必要があるが、図８に示すように、照射停止後、磁性層温度が下がるとＨｗA1C2が大きくなるため、増幅層Ａ1の転写磁区は縮小して消滅する。
【００３４】
構成Ｉ−１では、さらに、以下の各条件が満足されることが好ましい。なお、以下に示す各条件も、構成Ｉに包含される各構成に共通の条件である。
【００３５】
転写条件Ｉ
増幅層Ａ1において保磁力をＨｃA1、反磁界をＨｄA1とし、制御層Ｃ2において保磁力をＨｃC2、反磁界をＨｄC2とし、制御層Ｃ2の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3とし、増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2とし、再生磁界の強度をＨｒとしたとき、記録層Ｒ3から制御層Ｃ2への磁区の転写が十分に行われるためには、
式（Ｉ−１−１）  ＨｗC2R3＋Ｈｒ＞ＨｃC2−ＨｄC2
が満足される必要があり、制御層Ｃ2から増幅層Ａ1への磁区の転写が十分に行われるためには、
式（Ｉ−１−２）  ＨｗA1C2＋Ｈｒ＞ＨｃA1−ＨｄA1
が満足される必要がある。
【００３６】
なお、
ＨｗA1C2＝σｗA1C2／２ＭｓA1ｔA1
である。σｗA1C2は、増幅層Ａ1とこれに隣接する制御層Ｃ2との間の界面磁壁エネルギーであり、σｗC2A1と表示してある場合でも同義である。また、ＭｓA1は増幅層Ａ1の飽和磁化であり、ｔｓA1は増幅層Ａ1の厚さである。ただし、界面磁壁交換力磁界は、後述するようにカー効果測定装置でのマイナーループ測定により実験的に求めることができる。
【００３７】
上記式（Ｉ−１−１）および式（Ｉ−１−２）で表される条件は、磁区の磁化の向きが再生磁界と同じであっても逆であっても同様に満足される必要がある。
【００３８】
非反転条件Ｉ
転写磁区の磁化が再生磁界と逆向きである場合、再生磁界を印加しても転写磁区の磁化が反転しない必要がある。このための条件（非反転条件）は、制御層Ｃ2については
式（Ｉ−２−１）  Ｈｒ＜ＨｗC2R3＋ＨｃC2−ＨｄC2
で表され、増幅層Ａ1については
式（Ｉ−２−２）  Ｈｒ＜ＨｗA1C2＋ＨｃA1−ＨｄA1
で表される。
【００３９】
非拡大条件Ｉおよび拡大条件Ｉ
転写磁区の磁化が再生磁界と同じ向きである場合、再生磁界の印加により、制御層Ｃ2の転写磁区を拡大せずに増幅層Ａ1の転写磁区だけを拡大する必要がある。制御層Ｃ2の転写磁区を拡大しないための条件（非拡大条件）は、制御層Ｃ2のブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗC2として
式（Ｉ−３）     Ｈｒ＜ＨｗC2R3−ＨｗC2A1−ＨｄC2＋ＨｗC2
で表される。増幅層Ａ1の転写磁区を拡大するための条件（拡大条件）は、増幅層Ａ1のブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗA1として
式（Ｉ−４）      Ｈｒ＞ＨｗA1C2−ＨｄA1＋ＨｗA1
で表される。
【００４０】
なお、制御層Ｃ2の転写磁区を拡大させない理由は、転写磁区が拡大してしまうと、前記式（ａ）から明らかなようにブロッホ磁壁交換力が小さくなるので、記録層Ｒ3との間の交換力が小さくなったときに転写磁区が消滅しなくなってしまうからである。
【００４１】
上記拡大条件と前記非反転条件とを同じ温度で満足するためには、
式（Ｉ−２−２）  Ｈｒ＜ＨｗA1C2＋ＨｃA1−ＨｄA1
と、
式（Ｉ−４）      Ｈｒ＞ＨｗA1C2−ＨｄA1＋ＨｗA1
とを同時に満足すること、すなわち、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大する温度において
ＨｃA1＞ＨｗA1
を満足することが必要である。
【００４２】
消滅条件Ｉ
増幅層Ａ1および制御層Ｃ2の転写磁区は、隣接する磁区の再生の際には消滅していなければならない。したがって、転写磁区の消滅は再生磁界存在下で可能でなければならない。転写磁区の磁化が再生磁界と同じ向きである場合、再生磁界存在下で各磁性層の転写磁区が同時に消滅するための条件（消滅条件）は、制御層Ｃ2については
式（Ｉ−５−１）  ＨｗC2＞ＨｗC2R3−ＨｄC2＋Ｈｒ
で表され、増幅層Ａ1については
式（Ｉ−５−２）  ＨｗA1C2＞Ｈｒ−ＨｗA1−ＨｄA1
で表される。これらの消滅条件は、レーザービームの照射停止またはパワー減少の後の温度において満たされる必要がある。
【００４３】
構成Ｉ−２
この構成では、制御層Ｃ2、または制御層Ｃ2および増幅層Ａ1が、室温より高い温度域に補償温度をもつフェリ磁性体から構成される。このように構成することにより、前記再生条件Ｉを満足することが容易となる。
【００４４】
構成Ｉ−２における再生過程および再生条件について、図９を用いて説明する。なお、図９では、制御層Ｃ2だけが補償温度を有する構成となっている。
【００４５】
制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもたない組成であると、図８に示すように、温度変化に伴うＨｗA1C2およびＨｗC2R3の変化量が小さくなってしまい、場合によっては飽和磁化曲線と同様に、昇温にともなって単調減少を示すこともあり、この場合には前記再生条件Ｉを満足することが困難となり、あるいは不可能となってしまうこともある。しかし、制御層Ｃ2が補償温度をもつ場合、
ＨｗC2R3＝σｗC2R3／２ＭｓC2ｔC2
なので、ＭｓC2がゼロとなる補償温度ＴcompC2ではＨｗC2R3が極大値を示すことになる。したがって、ＴcompC2付近ではＨｗC2R3が必ず大きくなって、ＨｗA1C2とＨｗC2R3との関係が例えば図９に示すものとなるので、前記再生条件Ｉを容易に満足することができる。
【００４６】
また、制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体である場合、初期化磁界は、再生磁界と同じ向きになるので、再生磁界印加前に独立して初期化磁界を印加する必要がないという利点もある。ただし、再生磁界と同じ向きの初期化磁界を印加しても問題はない。さらに、この場合、制御層Ｃ2の転写磁区を消滅させる際に、再生磁界が転写磁区の消滅を助長するように働くので、この点でも好ましい。
【００４７】
構成Ｉ−２の他の例を、図１０を用いて説明する。図１０では、増幅層Ａ1と制御層Ｃ2の両層が室温より高い補償温度を有する構成となっている。この例では、増幅層Ａ1の補償温度ＴcompA1と、制御層Ｃ2の補償温度ＴcompC2との関係が、
ＴcompA1＜ＴcompC2
であれば、ＭｓA1およびＭｓC2がそれぞれゼロとなるＴcompA1およびＴcompC2においてＨｗA1C2およびＨｗC2R3がそれぞれ極大値を示し、その結果、前記再生条件Ｉを容易に満足することが可能となる。
【００４８】
構成Ｉ−２における再生過程を示す図２（図９に対応）および図３（図１０に対応）は、交換力およびカー効果を決定する遷移金属元素のスピンの向きに注目すれば、構成Ｉ−１の再生過程を示す図１と同様にして理解できる。ただし、本発明では、再生時、増幅層Ａ1の転写磁区以外の領域において、遷移金属元素のスピンが再生磁界とは逆向きである必要がある。したがって、構成Ｉ−２において増幅層Ａ1が室温より高い補償温度をもたない場合には、図２（ｂ）に示すように、初期化磁界または再生磁界を印加したとき、増幅層Ａ1が印加磁界の方向に磁化されずに、交換力によって制御層Ｃ2とスピンの向きが一致する必要がある。このためには、図９に示すように、室温付近でＨｗA1C2が十分に大きい必要がある。これにより、増幅層Ａ1のスピンの向きが、交換力により制御層Ｃ2におけるスピンの向きと揃う。その結果、増幅層Ａ1の全体磁化の向きは、図２（ｂ）に示すように、初期化磁界または再生磁界とは逆向きとなる。
【００４９】
構成Ｉ−３
この構成では、磁性積層体が、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間に、磁性層である交換力制御層Ｃ23を有する。
【００５０】
この構成における再生過程および再生条件について、図１１を用いて説明する。
【００５１】
この構成では、制御層Ｃ2のキュリー温度をＴｃC2、交換力制御層Ｃ23のキュリー温度をＴｃC23とすると、
ＴｃC2＜ＴｃC23
である必要がある。
【００５２】
前述したように、制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもたない組成であると、例えば図８に示すように、温度変化に伴うＨｗC2R3の変化量が小さくなってしまい、前記再生条件Ｉを満足することが困難ないし不可能となってしまう。しかし、制御層Ｃ2よりもキュリー温度の高い交換力制御層Ｃ23を設けることにより、図１１に示すように、高温域におけるＨｗC2R3の低下を抑えることができ、前記再生条件Ｉを容易に満足することが可能となる。ただし、このためには、交換力制御層Ｃ23が磁壁として働く必要がある。
【００５３】
なお、図１１におけるＨｗA1C2は、室温域において最大であり、昇温にともなって単調減少しているが、このようなパターンに限らず、構成Ｉ−３ではＨｗC23R3が最大となる温度よりも低い温度域に、上述した作用により転写磁区の消滅が可能な程度にＨｗA1C2が十分に大きくなる温度が存在すればよい。例えば図１２に示すように、室温とＨｗC2R3が最大となる温度との間に、ＨｗA1C2が最大となる温度が存在するものであってもよい。図１２は、増幅層Ａ1が補償温度をもつフェリ磁性体である場合のものである。
【００５４】
構成Ｉ−３における再生過程を示す図４（図１１に対応）は、構成Ｉ−１の再生過程を示す図１と同様にして理解でき、また、図５（図１２に対応）も、交換力およびカー効果を決定する遷移金属元素のスピンの向きに注目すれば、図１と同様にして理解できる。
【００５５】
構成II
構成IIでは、増幅層Ａ1と制御層Ｃ2との間に、スイッチング層Ｓ12を設けたほかは構成Ｉと同様な構成の光磁気記録媒体を用いる。スイッチング層Ｓ12は、そのキュリー温度ＴｃS12が、室温よりも高く増幅層Ａ1のキュリー温度ＴｃA1よりも低い磁性層である。
【００５６】
構成IIは、以下に説明する構成II−１〜II−３を包含する。
【００５７】
構成II−１
以下、構成IIの基本構成である構成II−１における再生過程および再生に必要な条件の詳細を、図６および図１３により説明する。
【００５８】
再生過程（構成II−１）
磁区の磁化が再生磁界と同じ向きの場合
まず、記録層Ｒ3に記録された磁区のうち、再生磁界と同じ向きの磁化をもつ磁区、すなわち図中において上向きの白抜き矢印で示される磁化をもつ磁区の再生について説明する。
【００５９】
図６（ａ）：記録後の状態
スイッチング層Ｓ12に、界面磁壁交換力により記録層Ｒ3と同方向の磁化を有する磁区が形成されているほかは、図１（ａ）と同様である。
【００６０】
図６（ｂ）：初期化
初期化磁界ＨIの印加により、スイッチング層Ｓ12の磁化の向きも初期化磁界の方向と同じとなるほかは、図１（ｂ）と同様である。
【００６１】
図６（ｃ）：磁区の転写
図１（ｃ）と同様に、初期化磁界印加後、再生磁界ＨRを印加しながら、媒体にレーザービームを照射する。
【００６２】
レーザービーム照射により各磁性層の温度は上昇し、記録層Ｒ3と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力、制御層Ｃ2とスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力およびスイッチング層Ｓ12と増幅層Ａ1との間の界面磁壁交換力が強まる。これにより、記録層Ｒ3の記録磁区は、制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ12、増幅層Ａ1へと順次転写され、各層には転写磁区が形成される。各層の転写磁区の磁化は、初期化磁界に対し逆向きである。
【００６３】
図６（ｄ）：転写磁区の拡大
記録層Ｒ3および制御層Ｃ2において磁区を拡大させず、かつ、増幅層Ａ1において磁区を拡大させるということでは、図１（ｄ）と同様である。
【００６４】
スイッチング層Ｓ12のキュリー温度は、磁区転写時の温度よりは高く、かつ増幅層Ａ1において磁区拡大の力が働くときの温度未満であることが好ましい。レーザービーム照射による昇温過程において磁区転写が生じ、磁区転写後もスイッチング層Ｓ12の温度は上がるので、スイッチング層Ｓ12のキュリー温度を他の磁性層よりも低く設定することにより、転写磁区拡大時にスイッチング層Ｓ12だけをそのキュリー温度以上の温度とすることが可能である。増幅層Ａ1の転写磁区拡大時にスイッチング層Ｓ12の磁化が消失していれば、図１３に示されるように増幅層Ａ1とスイッチング層Ｓ12との間の交換力ＨｗA1S12がゼロとなるので、増幅層Ａ1の転写磁区拡大が容易となる。
【００６５】
増幅層Ａ1の転写磁区を拡大した後、これを磁気カー効果により読み出す。
【００６６】
図６（ｅ）：転写磁区の消滅
磁気カー効果を利用して増幅層Ａ1の転写磁区を読み出した後、レーザービーム照射を停止することにより、転写磁区を消滅させる。レーザービームの照射停止またはパワー減少により、各磁性層の温度が低下する。記録層Ｒ3と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が温度低下により減少するものであれば、制御層Ｃ2の転写磁区はブロッホ磁壁交換力により縮小して消滅し、制御層Ｃ2の転写磁区だった領域の磁化は、周囲と同じ向き、すなわち初期化磁界ＨIの方向に戻る。そして、温度がスイッチング層Ｓ12のキュリー温度未満まで下がり、さらに低下する際に、スイッチング層Ｓ12の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力が増大するものであれば、スイッチング層Ｓ12の磁化は、制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力により制御層Ｃ2と同様に初期化磁界ＨIの方向となる。
【００６７】
一方、増幅層Ａ1のスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力が、温度低下により増大するものであれば、増幅層Ａ1の拡大された転写磁区は、スイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力により縮小して消滅し、増幅層Ａ1の磁化は、スイッチング層Ｓ12と同様に初期化磁界方向に戻る。
【００６８】
この結果、レーザービームの照射停止またはパワー減少の後、図６（ｂ）の状態に復帰することになる。
【００６９】
磁区の磁化が再生磁界と逆向きの場合
次に、記録層Ｒ3に記録された磁区のうち、再生磁界と逆向きの磁化をもつ磁区、すなわち、図６中において下向き矢印で示される磁化をもつ磁区の再生について説明する。
【００７０】
この場合も、記録層Ｒ3の磁区は制御層Ｃ2、スイッチング層Ｓ12および増幅層Ａ1に転写されるが、転写磁区は初期化磁界と同じ向きの磁化をもつので、制御層Ｃ2および増幅層Ａ1の磁化状態は変化せず、再生過程を通じて同一の磁化状態を維持する。この状態において、増幅層Ａ1の磁化の向きを磁気カー効果により読み出す。この磁区の再生過程では、全過程を通じて制御層Ｃ2および増幅層Ａ1の転写磁区の磁化が反転しないことが必要である。
【００７１】
再生条件（構成II）
構成II−１では、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3、増幅層Ａ1とスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1S12としたとき、室温より高くＴｃS12より低い温度域に、図１３に示すように
ＨｗA1S12＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ2が存在し、ＨｗA1S12が最大となる温度がＴ2よりも低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ2よりも高温側に存在する必要がある。この条件は、構成II−１に限らず、構成IIに包含される各構成に共通の条件である。すなわち、後述する構成II−２およびII−３においても、同様に満足される必要がある。以下、この条件を、再生条件IIという。
【００７２】
次に、図１３に示す条件が再生過程に与える影響について説明する。なお、図１３には、増幅層Ａ1の飽和磁化ＭｓA1およびそのキュリー温度ＴｃA1と、制御層Ｃ2の飽和磁化ＭｓC2およびそのキュリー温度ＴｃC2と、スイッチング層Ｓ12の飽和磁化ＭｓS12およびそのキュリー温度ＴｃS12とを示してある。
【００７３】
制御層Ｃ2の転写磁区が拡大しないためには、前述したように記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力が大きい必要があるが、図１３に示すように、レーザービーム照射時の磁性層温度において両層の間の界面磁壁交換力磁界ＨｗC2R3は大きいため、制御層Ｃ2の転写磁区は拡大しない。
【００７４】
一方、増幅層Ａ1の転写磁区を拡大するためには、スイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力が弱くなっている必要があるが、増幅層Ａ1の転写磁区に拡大する力が働くときの温度がスイッチング層Ｓ12のキュリー温度以上であれば、界面磁壁交換力はゼロになる。図１３において、温度上昇に伴うＨｗA1S12の急激な減少は、スイッチング層Ｓ12がキュリー温度ＴｃS12に到達したためであり、このようにＨｗA1S12が減少すれば、増幅層Ａ1の転写磁区の拡大は極めて容易となる。
【００７５】
上述したように、制御層Ｃ2の転写磁区が縮小して消滅するのはブロッホ磁壁交換力の作用である。具体的には、制御層Ｃ2においてブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗC2、記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3、反磁界をＨｄC2とし、再生磁界の強度をＨｒとしたとき、前述したように
ＨｗC2＞ＨｗC2R3−ＨｄC2＋Ｈｒ
を満足すれば、制御層Ｃ2の転写磁区は縮小して消滅する。したがって、図１３に示すように、レーザービームの照射停止またはパワー減少により磁性温度が低下したときにＨｗC2R3が小さくなれば、制御層Ｃ2の転写磁区を縮小・消滅させることができる。
【００７６】
一方、増幅層Ａ1の転写磁区を縮小して消滅させるためには、前述したようにレーザービームの照射停止またはパワー減少により磁性層温度が低下したときに増幅層Ａ1とスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力が増大する必要があるが、図１３に示すように、照射停止またはパワー減少により磁性層温度が下がると、両層の間の界面磁壁交換力磁界ＨｗA1S12が大きくなるため、増幅層Ａ1の転写磁区は縮小して消滅する。
【００７７】
構成II−１では、さらに、以下の各条件が満足されることが好ましい。なお、以下に示す各条件も、構成IIに包含される各構成に共通の条件である。
【００７８】
転写条件II
増幅層Ａ1において保磁力をＨｃA1、反磁界をＨｄA1とし、スイッチング層Ｓ12において保磁力をＨｃS12、反磁界をＨｄS12とし、制御層Ｃ2において保磁力をＨｃC2、反磁界をＨｄC2とし、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗC2R3、スイッチング層Ｓ12と制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗS12C2、増幅層Ａ1とスイッチング層Ｓ12との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1S12とし、再生磁界の強度をＨｒとしたとき、記録層Ｒ3から制御層Ｃ2への磁区の転写が十分に行われるためには、
式（II−１−１）  ＨｗC2R3＋Ｈｒ＞ＨｃC2−ＨｄC2
が満足される必要があり、制御層Ｃ2からスイッチング層Ｓ12への磁区の転写が十分に行われるためには、
式（II−１−２）  ＨｗS12C2＋Ｈｒ＞ＨｃS12−ＨｄS12
が満足される必要があり、スイッチング層Ｓ12から増幅層Ａ1への磁区の転写が十分に行われるためには、
式（II−１−３）  ＨｗA1S12＋Ｈｒ＞ＨｃA1−ＨｄA1
が満足される必要がある。
【００７９】
なお、式（II−１−１）、式（II−１−２）および式（II−１−３）で表される条件は、磁区の磁化の向きが再生磁界と同じであっても逆であっても同様に満足される必要がある。
【００８０】
非反転条件II
転写磁区の磁化が再生磁界と逆向きである場合、再生磁界の印加によって転写磁区の磁化が反転しない必要がある。このための条件（非反転条件）は、制御層Ｃ2については
式（II−２−１）  Ｈｒ＜ＨｗC2R3＋ＨｃC2−ＨｄC2
で表され、スイッチング層Ｓ12については
式（II−２−２）  Ｈｒ＜ＨｗS12C2＋ＨｃS12−ＨｄS12
で表され、増幅層Ａ1については
式（II−２−３）  Ｈｒ＜ＨｗA1S12＋ＨｃA1−ＨｄA1
で表される。ただし、転写磁区を拡大する際には、磁性層温度がスイッチング層Ｓ12のキュリー温度以上となってＨｗS12C2およびＨｗA1S12がゼロになるので、上記式（II−２−１）は
式（II−２−１′）  Ｈｒ＜ＨｗC2R3＋ＨｃC2−ＨｄC2
となり、式（II−２−３）は
式（II−２−３′）  Ｈｒ＜ＨｃA1−ＨｄA1
となる。
【００８１】
非拡大条件IIおよび拡大条件II
転写磁区の磁化が再生磁界と同じ向きである場合、再生磁界の印加により、制御層Ｃ2の転写磁区を拡大せずに増幅層Ａ1の転写磁区だけを拡大する必要がある。制御層Ｃ2の転写磁区を拡大しないための条件（非拡大条件）は、スイッチング層Ｓ12がキュリー温度以上の温度となっていることを考慮すると、制御層Ｃ2のブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗC2として
式（II−３）     Ｈｒ＜ＨｗC2R3−ＨｄC2＋ＨｗC2
で表される。増幅層Ａ1の転写磁区を拡大するための条件（拡大条件）は、スイッチング層Ｓ12がキュリー温度以上の温度となっていることを考慮すると、増幅層Ａ1のブロッホ磁壁交換力磁界をＨｗA1として
式（II−４）      Ｈｒ＞ＨｗA1−ＨｄA1
で表される。
【００８２】
なお、制御層Ｃ2の転写磁区を拡大させない理由は、構成Ｉにおける理由と同様である。
【００８３】
上記拡大条件と前記非反転条件とを同じ温度で満足するためには、
式（II−２−３′）  Ｈｒ＜ＨｃA1−ＨｄA1
と
式（II−４）      Ｈｒ＞ＨｗA1−ＨｄA1
とを同時に満足すること、すなわち、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大する温度において
ＨｃA1＞ＨｗA1
を満足することが必要である。
【００８４】
消滅条件II
増幅層Ａ1および制御層Ｃ2の転写磁区は、隣接する磁区の再生の際には消滅していなければならない。したがって、転写磁区の消滅は再生磁界存在下で可能でなければならない。転写磁区の磁化が再生磁界と同じ向きである場合、再生磁界存在下で各磁性層の転写磁区が同時に消滅するための条件（消滅条件）は、制御層Ｃ2については
式（II−５−１）  ＨｗC2＞ＨｗC2R3−ＨｄC2＋Ｈｒ
で表され、増幅層Ａ1については
式（II−５−２）  ＨｗA1S12＞Ｈｒ−ＨｗA1−ＨｄA1
で表される。これらの消滅条件は、レーザービームの照射停止後またはパワー減少後の温度において満たされる必要がある。
【００８５】
構成II−２
この構成では、構成Ｉ−２と同様に、制御層Ｃ2、または制御層Ｃ2および増幅層Ａ1が、室温より高い温度域に補償温度をもつフェリ磁性体から構成される。このように構成することにより、前述した構成Ｉ−２と同様な作用により、前記再生条件IIを満足することが容易となる。構成II−２において、増幅層Ａ1と制御層Ｃ2の両層が室温より高い補償温度をもつ場合のＨｗA1S12とＨｗC2R3との関係を、図１４に示す。構成II−２では、
ＴｃS12＜ＴcompC2
である必要があり、図１４の場合には、さらに、
ＴcompA1＜ＴｃS12、
ＴcompA1＜ＴcompC2
である必要がある。
【００８６】
同じく両層が室温より高い補償温度をもつ例を示す図１０では、ＭｓA1がゼロとなるＴｃA1までＨｗA1C2が漸減しているが、図１４では、ＴｃA1よりも低温であるスイッチング層のキュリー温度ＴｃS12においてゼロとなるようにＨｗA1S12が急激に減少している。このため、図１４では図１０に比べ転写磁区が拡大できる温度が低温側まで広がると共に、ＭｓS12以上の温度域では転写磁区の拡大が極めて容易となる。
【００８７】
なお、制御層Ｃ12だけが室温より高い補償温度をもつ場合も、図１３および図１４と同様にＴｃS12でＨｗA1S12がゼロとなるので、同様な効果が実現する。
【００８８】
構成II−２における再生過程を示す図７（図１４に対応）は、交換力およびカー効果を決定する遷移金属元素のスピンの向きに注目すれば、図６と同様にして理解できる。
【００８９】
構成II−３
この構成では、磁性積層体が、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間に、磁性層である交換力制御層Ｃ23を有するほかは、構成II−１と同様である。この交換力制御層Ｃ23は、構成Ｉ−３における交換力制御層Ｃ23と同じものであり、その作用効果も同一である。
【００９０】
構成III
構成IIIでは、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間に、スイッチング層Ｓ23を設けたほかは構成Ｉまたは構成IIと同様な構成の光磁気記録媒体を用いる。スイッチング層Ｓ23は、室温より高い補償温度ＴcompS23を有するフェリ磁性体から構成され、室温からＴcompS23付近までは面内方向の磁化をもち、ＴcompS23付近より高い温度では垂直方向の磁化をもつ磁性層である。なお、スイッチング層Ｓ23のキュリー温度は、ＴｃC2と同程度であることが好ましい。
【００９１】
構成IIIでは、スイッチング層Ｓ23の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗS23R3とし、増幅層Ａ1の制御層Ｃ2との間の界面磁壁交換力磁界をＨｗA1C2としたとき、図１５に示すように、室温より高くＴｃA1およびＴｃC2より低い温度域に、
ＨｗA1C2＝ＨｗS23R3
となる温度Ｔ3が存在し、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ3より低温側に存在し、ＨｗS23R3が最大となる温度がＴ3より高温側に存在する必要がある。以下、この条件を、再生条件IIIという。
【００９２】
次に、再生条件IIIが再生過程に与える影響について説明する。
【００９３】
スイッチング層Ｓ23は、室温からＴcompS23付近までは面内方向の磁化をもつため、記録層Ｒ3との間および制御層Ｃ2との間に交換力はほとんど働かない。そして、温度がＴcompS23付近を越えると、スイッチング層Ｓ23は垂直方向の磁化をもつようになるため、ＨｗC2S23が増大し、同時に、スイッチング層Ｓ23の記録層Ｒ3との間の界面磁壁交換力磁界ＨｗS23R3も増大するため、磁区の転写が始まる。
【００９４】
磁区の転写および転写磁区の拡大の際の作用は、前述した構成Ｉおよび構成IIの場合と同様である。構成Ｉ−２と同様に、制御層Ｃ2、またはこれと増幅層Ａ1とが、室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体から構成されていてもよい。ただし、制御層Ｃ2と記録層Ｒ3との間には、交換力制御層Ｃ23を設ける必要はない。
【００９５】
転写磁区の消滅の際には、レーザービームの照射停止またはそのパワー減少により磁性積層体の温度が下がってＴcompS23に近づくにつれてＨｗC2S23が減少するため、構成Ｉおよび構成IIと同様な作用により制御層Ｃ2の転写磁区は消滅する。そして、ＨｗA1C2は増大するため、増幅層A1の転写磁区も消滅することになる。
【００９６】
前述したように、構成Ｉにおいて制御層Ｃ2が室温より高い補償温度をもつフェリ磁性体でない場合、ＨｗC2R3が低温側で小さくならずに転写磁区の消滅が困難ないし不可能となることがあるが、構成IIIにおいてスイッチング層Ｓ23を設けることにより、低温側においてＨｗC2S23を小さくすることができるので、転写磁区を確実に消滅させることが可能となる。
【００９７】
なお、構成IIIにおいても、構成Ｉおよび構成IIと同様に、転写条件、非反転条件、非拡大条件、拡大条件および消滅条件が存在し、増幅層Ａ1の転写磁区が拡大する温度において拡大条件と非反転条件とを満足するためには、
ＨｃA1＞ＨｗA1
である必要がある。
【００９８】
各磁性層の構成
各磁性層の構成の詳細について説明する。各磁性層の組成や厚さ等の各種構成は、上記した各条件を満足するように適宜決定すればよく、限定されるものではないが、好ましくは以下のように設定する。
【００９９】
増幅層Ａ1
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄおよび／またはＤｙが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよび／またはＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、１０〜１００nmであることが好ましい。薄すぎると、再生時に増幅層を通して他の磁性層の情報も読みとってしまい、Ｃ／Ｎが低くなってしまう。一方、厚すぎると、増幅層に関する界面磁壁交換力磁界を大きくすることができなくなり、磁区の転写が不十分となってしまう。キュリー温度は８０〜３００℃であることが好ましい。室温より高い補償温度をもつ場合、補償温度は２０〜３００℃であることが好ましい。
【０１００】
制御層Ｃ2
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄおよび／またはＤｙが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよび／またはＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、５〜５０nmであることが好ましい。薄すぎると、制御層に関する界面磁壁交換力磁界が大きくなりすぎ、転写磁区の消滅が不可能となってしまう。一方、厚すぎると、制御層に関する界面磁壁交換力磁界が小さくなりすぎ、磁区の転写が不可能となってしまう。キュリー温度は８０〜３００℃であることが好ましい。室温より高い補償温度をもつ場合、補償温度は５０〜３００℃であることが好ましい。
【０１０１】
記録層Ｒ3
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては少なくともＴｂが含まれることが好ましく、遷移金属元素としては少なくともＦｅおよびＣｏが含まれることが好ましい。厚さは、１０nm以上であることが好ましい。薄すぎると、記録磁区が不安定となるため実質的に記録が不可能となる。厚さの上限は特にないが、コストアップを招くため、１００nmを超える厚さとする必要はない。キュリー温度は８０〜４００℃であることが好ましい。なお、記録層は、補償温度をもっていてもよい。
【０１０２】
交換力制御層Ｃ23
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄおよび／またはＤｙが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよび／またはＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、５〜５０nmであることが好ましい。薄すぎると、前述した交換力制御効果が不十分となる。一方、厚すぎると、交換力制御層Ｃ23全体を磁壁とすることができなくなるので、前述した交換力制御効果が実現しなくなる。キュリー温度は８０℃以上であることが好ましい。
【０１０３】
スイッチング層Ｓ12
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄおよび／またはＤｙが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよび／またはＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、５〜５０nmであることが好ましい。薄すぎると、交換力を遮断することが困難となる。一方、厚すぎると、界面磁壁交換力磁界が小さくなるため、磁区の転写が不十分となる。キュリー温度は８０〜３００℃であることが好ましい。
【０１０４】
スイッチング層Ｓ23
希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄおよび／またはＤｙが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよび／またはＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、５〜５０nmであることが好ましい。薄すぎると、交換力の遮断が不十分となる。一方、厚すぎると、界面磁壁交換力磁界が小さくなるため、磁区の転写が不十分となる。補償温度は８０〜３００℃であることが好ましい。キュリー温度は１００〜４００℃であることが好ましい。
【０１０５】
エンハンス層Ｅ01
エンハンス層は、磁性積層体の最も基体に近い側、すなわち、増幅層Ａ1と基体との間に、必要に応じて設けられる磁性層である。エンハンス層は、カー効果を増強する効果をもつ。エンハンス層Ｅ01のキュリー温度をＴｃE01、増幅層Ａ1のキュリー温度をＴｃA1としたとき、
ＴｃA1＜ＴｃE01
である必要がある。この関係を満足しないと、カー効果を増強することができなくなる。キュリー温度は３００℃以上であることが好ましい。
【０１０６】
エンハンス層は、希土類金属元素および遷移金属元素を主成分とする。希土類金属元素としては、Ｇｄが少なくとも含まれることが好ましく、遷移金属元素としてはＦｅおよびＣｏが少なくとも含まれることが好ましい。厚さは、５〜５０nmであることが好ましい。薄すぎると、エンハンス効果が小さくなってしまう。一方、厚すぎると、増幅層の特性に影響を及ぼし、前述した過程に沿った再生が困難となる。
【０１０７】
誘電体層
本発明の光磁気記録媒体では、通常、基体と磁性積層体との間、すなわち磁性積層体の裏面側に第１誘電体層が、磁性積層体の表面側に第２誘電体層が設けられる。これらの誘電体層は、磁性積層体を保護する働きと、カー効果やファラデー効果を増強する働きとを示す。各誘電体層は、通常の光磁気記録媒体と同様に、各種金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、これら金属化合物の混合物などから構成すればよい。第１誘電体層の厚さは、通常、３０〜３００nm程度、第２誘電体層の厚さは、通常、１０〜１００nm程度とする。
【０１０８】
反射層
第２誘電体層の表面側には、必要に応じて反射層が設けられる。反射層は、放熱層としての働きも示す。反射層の厚さは、通常、１０〜２００nm程度とする。
【０１０９】
保護層
媒体の最上層として、通常、樹脂製の保護層が設けられる。保護層の厚さは、通常、１〜１００μm程度とする。
【０１１０】
基体
本発明の光磁気記録媒体では、基体裏面側から再生光が入射するため、基体は再生光に対して実質的に透明である必要がある。このため、基体は、樹脂やガラスなどから構成することが好ましい。
【０１１１】
【実施例】
実施例１（構成Ｉ−２）
基体として、外径１２０mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカーボネート（トラックピッチ１．１μm）を用い、以下の手順で光磁気記録ディスクサンプルＩ−２−１を作製した。
【０１１２】
第１誘電体層
Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中において、Ｓｉをターゲットとしてスパッタ法により窒化ケイ素膜を形成し、第１誘電体層とした。厚さは６０nmとした。
【０１１３】
磁性積層体の各磁性層
Ａｒ雰囲気中において、スパッタ法により形成した。
【０１１４】
第２誘電体層
第１誘電体層と同様にして形成した。厚さは４０nmとした。
【０１１５】
保護層
紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外線照射により硬化して形成した。厚さは約５μmとした。
【０１１６】
各磁性層の組成、厚さおよびキュリー温度（Ｔｃ）を、表１に示す。また、磁性層が補償温度をもつ場合には、補償温度（Ｔcomp）も併記してある。磁性層の組成は、後述する特性評価後にオージェ分析装置により測定した。また、磁性層の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間とから算出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の条件と同じ条件で長時間スパッタを行って厚い膜を形成し、実測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出した。各磁性層のキュリー温度および補償温度は、ガラス基板上に、両側を誘電体層で挟んだ各磁性層の単層膜を形成して測定用サンプルを作製し、この測定用サンプルについて、室温からキュリー温度が確認される温度までの範囲でヒステリシスループを測定することにより求めた。
【０１１７】
【表１】
0003763930.tif 000002
【０１１８】
特性評価
このサンプルについて、光ディスク評価装置を用いて特性評価を行った。測定条件は以下のとおりとした。
【０１１９】
記録条件
レーザー波長：６８０nm、
開口率ＮＡ：０．５５、
記録パワー：８mW、
記録磁界：３００Oe、
相対線速度：８m/s、
光変調記録：周波数８MHz
【０１２０】
再生条件
レーザー波長：６８０nm、
開口率ＮＡ：０．５５、
再生パワー：２．５mW、
再生磁界：２００Oe、
相対線速度：８m/s、
光変調再生：周波数１６MHz
【０１２１】
上記条件による記録・再生の結果、４５dBのＣ／Ｎが得られた。
【０１２２】
ガラス基板上に、上記サンプルと同様にして、第１誘電体層、増幅層Ａ1、制御層Ｃ2、記録層Ｒ3および第２誘電体層を形成し、測定用サンプルを作製した。この測定用サンプルについて、カー効果測定装置によりヒステリシスループの温度依存性を測定した。測定に際しては、室温において初期化磁石により各磁性層の磁化方向を揃えておき、記録層Ｒ3が磁化反転しない範囲で磁界を印加して増幅層Ａ1のマイナーループを測定することにより、ＨｗA1C2の温度依存性を求めた。また、同じくガラス基板上に、増幅層Ａ1を除いたほかは上記と同様にして誘電体層および各磁性層を形成して測定用サンプルを作製し、これについてもカー効果測定装置によりＨｗC2R3の温度依存性を求めた。この結果、
ＨｗA1C2＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ1が１７０℃であり、ＨｗA1C2が最大となる温度がＴ1より低温側に、ＨｗC2R3が最大となる温度がＴ1より高温側に存在することが確認された。すなわち、このサンプルは、前記再生条件Ｉを満足するものであった。
【０１２３】
実施例２（構成Ｉ−２）
磁性積層体の構成を表２に示すものとしたほかは実施例１と同様にして光磁気記録ディスクサンプルＩ−２−２を作製した。
【０１２４】
【表２】
0003763930.tif 000003
【０１２５】
このサンプルのＣ／Ｎを実施例１と同様にして測定したところ、４４dBであった。
【０１２６】
また、実施例１と同様にして測定用サンプルを作製し、実施例１と同様な測定を行った。この結果、前記再生条件Ｉを満足することが確認され、
ＨｗA1C2＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ1は１７０℃であった。
【０１２７】
実施例３（構成Ｉ−３）
磁性積層体の構成を表３に示すものとしたほかは実施例１と同様にして光磁気記録ディスクサンプルＩ−３を作製した。
【０１２８】
【表３】
0003763930.tif 000004
【０１２９】
このサンプルのＣ／Ｎを、２０００Oeの初期化磁界を印加したほかは実施例１と同様にして測定したところ、４３dBであった。
【０１３０】
また、実施例１と同様にして測定用サンプルを作製し、実施例１と同様な測定を行った。この結果、前記再生条件Ｉを満足することが確認され、
ＨｗA1C2＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ1は１８０℃であった。
【０１３１】
実施例４（構成II−２）
磁性積層体の構成を表４に示すものとしたほかは実施例１と同様にして光磁気記録ディスクサンプルII−２を作製した。
【０１３２】
【表４】
0003763930.tif 000005
【０１３３】
このサンプルのＣ／Ｎを実施例１と同様にして測定したところ、４６dBであった。
【０１３４】
また、実施例１と同様にして測定用サンプルを作製し、実施例１と同様な測定を行った。この結果、前記再生条件IIを満足することが確認され、
ＨｗA1S12＝ＨｗC2R3
となる温度Ｔ2は１６０℃であった。
【０１３５】
実施例５（構成III）
磁性積層体の構成を表５に示すものとしたほかは実施例１と同様にして光磁気記録ディスクサンプルIIIを作製した。
【０１３６】
【表５】
0003763930.tif 000006
【０１３７】
このサンプルのＣ／Ｎを、２０００Oeの初期化磁界を印加したほかは実施例１と同様にして測定したところ、４５dBであった。
【０１３８】
また、実施例１と同様にして測定用サンプルを作製し、実施例１と同様な測定を行った。この結果、前記再生条件IIIを満足することが確認され、
ＨｗA1C2＝ＨｗS23R3
となる温度Ｔ3は１７０℃であった。
【０１３９】
実施例６（構成Ｉ−２）
表６に示すように、実施例１の磁性積層体の基体側にエンハンス層Ｅ01を設けたほかは実施例１と同様にして、光磁気記録ディスクサンプルＩ−２−３を作製した。
【０１４０】
【表６】
0003763930.tif 000007
【０１４１】
このサンプルのＣ／Ｎを実施例１と同様にして測定したところ、４８dBであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図７】本発明の光磁気記録媒体における再生過程を説明するための模式図である。
【図８】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図９】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１０】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１１】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１２】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１３】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１４】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１５】本発明の光磁気記録媒体における各磁性層の磁気特性と、磁性層間の界面磁壁交換力磁界とを示す模式図である。
【図１】
0003763930.tif 000008
【図２】
0003763930.tif 000009
【図３】
0003763930.tif 000010
【図４】
0003763930.tif 000011
【図５】
0003763930.tif 000012
【図６】
0003763930.tif 000013
【図７】
0003763930.tif 000014
【図８】
0003763930.tif 000015
【図９】
0003763930.tif 000016
【図１０】
0003763930.tif 000017
【図１１】
0003763930.tif 000018
【図１２】
0003763930.tif 000019
【図１３】
0003763930.tif 000020
【図１４】
0003763930.tif 000021
【図１５】
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