(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル状に形成した加熱硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスによりパージするキュア装置において、前記パージガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成したことを特徴とするキュア装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キュア装置に関し、詳しくは、例えばＬＳＩ等の半導体デバイスを製造する工程でダイボンダによりチップをリードフレームに接着（ダイボンド処理）した後、接着剤を熱硬化させてチップをリードフレームに固着するために用いられるキュア装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する工程で用いられるキュア装置は、ダイボンダでダイボンド処理したリードフレームを所定温度に加熱し、ダイボンド処理に用いた接着剤を熱硬化させるものであって、例えば、特開平４−１３５８１１号公報や特開平７−１０６３４８号公報等に記載されているように、所定温度に加熱保持した複数のヒートブロック上に順次リードフレームを載置するようにして搬送しながら加熱する構造を有している。また、このようなキュア装置では、加熱時に接着剤から発生するガスをパージするため、不活性ガス、通常は窒素ガスからなるパージガスを使用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のキュア装置は、上記パージガスをヒートブロックの上方からリードフレームに向けて吹き付けるように供給し、ヒートブロック間から下方に排出するようにしているため、ヒートブロックにより所定温度に加熱されているリードフレームの表面に急激な熱変動を与えることがあった。すなわち、キュア装置では、前記複数のヒートブロックを、接着剤の熱硬化に適した所定の昇温パターンで加熱するようにしているため、各ヒートブロックは、前記昇温パターンに応じた異なる温度に保持されているが、パージガスは、適宜な加熱手段で一括して適当な温度に加熱された状態で供給されるため、あるヒートブロックの部分ではパージガスの方が温度が高く、他のヒートブロックの部分ではヒートブロック（リードフレーム）の方が温度が高いという現象が生じる。
【０００４】
したがって、加熱されるリードフレームは、ヒートブロック上に載置されている状態では所定の温度に加熱保持されているが、パージガスの方が温度が高い部分では、ヒートブロックから離れたリードフレームが一時的に加熱されることになり、他の部分では一時的にリードフレームが冷却されることになる。このように、所定の昇温パターンで加熱すべきキュア処理中に、一時的な加熱や冷却が行われることは好ましいことではなく、加熱・冷却の程度が大きい場合には、製品の品質に影響を与えるおそれもある。
【０００５】
そこで本発明は、キュア装置内に供給するパージガスの温度を、パージガス供給位置のヒートブロックの温度に対応した温度に加熱することができ、安定した状態でキュア処理を行うことができるキュア装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のキュア装置は、トンネル状に形成した加熱硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスによりパージするキュア装置において、前記パージガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成したことを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図、図２は同じく断面平面図、図３及び図４は、キュア装置の内部構造を説明するために一部のヒートブロック等を取外した状態を示すもので、図３は正面図、図４は平面図である。図５はキュア装置におけるリードフレームの搬送手段を説明するための斜視図である。
【０００８】
まず、図３及び図４に示すように、キュア装置は、箱型のトンネル状に形成した加熱硬化室１１の一端にキュア処理を行うリードフレームを受け取る受入部１２を、他端にキュア処理後のリードフレームを送り出す送出部１３を設け、加熱硬化室１１の内部に複数のヒートブロック１４，１４を設けるとともに、リードフレームを受入部１２からヒートブロック１４，１４上を経て送出部１３に搬送するための搬送手段１５（図５参照）を設けたものである。
【０００９】
前記ヒートブロック１４は、加熱硬化室１１の底板上に設けられる支持台１６の上に着脱可能に装着されるもので、その内部にヒーターを挿入するためのヒーター挿入孔１７が設けられている。このヒートブロック１４は、リードフレームの最大幅寸法等によって決まる搬送ステップに対応した位置に配設されるもので、隣接するヒートブロック１４，１４間には、数ｍｍの間隔がスリット状に設けられている。また、ヒートブロック１４の上面には、搬送手段１５の搬送部材１５ａが通るスリット１８ａを形成するためのヒート駒１８が取付けられている。
【００１０】
さらに、前記ヒートブロック１４の上方には、各ヒートブロック１４の中心線上に対応した位置に排気スリット１９を形成するようにして複数の隔壁板２０，２０が設けられており、該隔壁板２０の上方に、加熱硬化室１１の天板２１が設けられている。この天板２１と前記隔壁板２０とは、加熱硬化室１１内の状態を確認できるようにガラス等の透明部材で形成されており、また、メンテナンス等を行うために着脱可能あるいは開閉可能に形成されている。
【００１１】
そして、加熱硬化室１１の底板部分には、パージガスを加熱硬化室１１内に供給するためのパージガス供給管２２が設けられ、前記天板２１と隔壁板２０との間の側壁には、パージガスを加熱硬化室１１から排出するための排気口２３（図１及び図２参照）が設けられている。
【００１２】
前記搬送手段１５は、図５に示すように、前記ヒート駒１８間のスリット１８ａを通る複数本の搬送部材１５ａと、この搬送部材１５ａの両端部を保持する一対の駆動部材１５ｂとからなるもので、両駆動部材１５ｂが、図示しない駆動装置により、上昇して前進、下降して後退するという、いわゆるボックス運動を行ってリードフレームＰを順次搬送するように形成されている。したがって、リードフレームＰは、搬送部材１５ａの上昇前進時にはヒート駒１８の上面から僅かに浮き上がり、搬送部材１５ａの下降後退時にはヒート駒１８の上面に載置された状態になる。
【００１３】
このように形成したキュア装置において、前記パージガス供給管２２から加熱硬化室１１内に供給されるパージガス、例えば窒素ガスは、図１及び図２に示すように、前記ヒートブロック１４の下方の支持台１６部分の空間（流路Ａ）を通り、隣接するヒートブロック１４同士の間の空間（流路Ｂ）を上昇してヒートブロック１４の両側から上方に流出する。このとき、パージガスは、所定温度に加熱保持されているヒートブロック１４の周囲の流路Ａ及び流路Ｂを流れる間に、ヒートブロック１４の温度近くまで加熱された状態になる。
【００１４】
したがって、パージガスは、各ヒートブロック１４に応じた温度に加熱された状態、すなわち、各ヒートブロック１４上のリードフレームＰと略同じ温度で加熱硬化室１１内に供給されるので、搬送手段１５により搬送されるリードフレームＰの表面に急激な熱変動を与えることがなくなる。これにより、所定の温度条件に近い状態でキュア処理を行うことが可能となり、キュア特性を向上させることができる。
【００１５】
上述のようにしてヒートブロック１４の上方に流出したパージガスは、接着剤から発生したガスを同伴して隔壁板２０間の排気スリット１９を通り、天板２１と隔壁板２０との間の空間に流入し、排気口２３から排気通路２４を経て加熱硬化室１１の外部に排出される。
【００１６】
また、本形態例に示すように、パージガスの加熱をヒートブロック１４で行うことができるので、パージガス加熱用に別のヒーターを設ける必要がなくなり、装置の簡略化も図れる。さらに、保守作業等でヒートブロック１４を冷却する場合には、ヒートブロック１４に直接冷風を当てることができるので、ヒートブロック１４の冷却に要する時間も短縮することができる。
【００１７】
図６乃至図８は、本発明の他の形態例を示すもので、図６は要部の断面正面図、図７は同じく断面側面図、図８は同じく断面平面図である。このキュア装置は、供給するパージガスの均一化を図るため、ヒートブロック１４の下方にチャンバ３１を形成し、このチャンバ３１の幅方向中央部に、装置長手方向に延びるチャンネル３２を設けるとともに、該チャンネル３２の側面のヒートブロック１４の中心部に対応した位置にノズル３３を設けたものである。
【００１８】
パージガス供給管２２から供給されるパージガスは、該パージガス供給管２２の先端部側面に設けられた噴出口３４から前記チャンネル３２内に流入し、前記ノズル３３から各ヒートブロック１４の真下に幅方向に向かって噴出する。したがって、チャンネル３２の形状やノズル３３の大きさ、チャンバ３１の形状や容積等を適当に設定することにより、各ヒートブロック部分に均等にパージガスを供給することができる。
【００１９】
また、本形態例では、加熱硬化室１１の一側面に排気マニホールド３５を設けるとともに、天板２１と隔壁板２０との間に、前記排気マニホールド３５に接続した排気パイプ３６を設けている。この排気パイプ３６は、隣り合う排気スリット１９，１９の中間部に設けられており、その上面中央部には、複数の排気孔３７が設けられている。
【００２０】
したがって、隣接するヒートブロック１４同士の間の空間を上昇してヒートブロック１４の両側から上方に流出したパージガスは、ヒートブロック１４の上面と隔壁板２０との間を排気スリット１９方向に流れ、ここでリードフレームＰのチップ接着用に使用した接着剤から発生する各種ガスを同伴して排気スリット１９から天板２１と隔壁板２０との間に流出する。そして、排気孔３７から排気パイプ３６内に流入し、排気マニホールド３５から装置外に排出される。
【００２１】
この場合も、排気パイプ３６の径、排気孔３７の大きさや位置を適当に設定することにより、パージガスを均一に排出することができ、ガス溜まりを生じることがなく、接着剤から発生するガスを速やかにパージすることができる。
【００２２】
なお、本形態例では、図７に示すように、加熱硬化室１１の上半部を構成する前記隔壁板２０，天板２１及び排気マニホールド３５を上部側枠３８で支持し、この上部側枠３８をヒンジ３９により下部側枠４０に取付け、隔壁板２０，天板２１を開閉可能な構造としている。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のキュア装置によれば、リードフレームの表面に温度差を有するパージガスが吹付けられることがないので、所定の昇温パターンでキュア処理することができ、品質の向上や安定化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図である。
【図２】  同じく断面平面図である。
【図３】  キュア装置の内部構造を説明するための正面図である。
【図４】  同じく平面図である。
【図５】  搬送手段を説明するための斜視図である。
【図６】  本発明の他の形態例を示す要部の断面正面図である。
【図７】  同じく断面側面図である。
【図８】  同じく断面平面図である。
【符号の説明】
１１…加熱硬化室、１２…受入部、１３…送出部、１４…ヒートブロック、１５…搬送手段、１６…支持台、１７…ヒーター挿入孔、１８…ヒート駒、１９…排気スリット、２０…隔壁板、２１…天板、２２…パージガス供給管、２３…排気口、３１…チャンバ、３２…チャンネル、３３…ノズル、３４…噴出口、３５…排気マニホールド、３６…排気パイプ、３７…排気孔、３８…上部側枠、３９…ヒンジ、４０…下部側枠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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