(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のいずれかが下層の第１の導電層と上層の第２の導電層との積層構造を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成分とし、前記第２の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成分とし、前記Ｚｒの含有量が、２.６ 重量％以上で２３重量％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のいずれかが下層の第１の導電層と上層の第２の導電層との積層構造を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成分とし、前記第２の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成分とし、前記Ｚｒの含有量が、４.０ 重量％以上で１４重量％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２の導電層は、ＺｒとＨｆを含有するＭｏを主成分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１の導電層と第２の導電層からなる積層構造を有するのは、前記走査信号線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶表示装置は、前記複数の走査信号線及び映像信号線で囲まれる領域に形成された複数の画素内に、前記一対の基板の一方に形成される少なくとも一対の画素電極と対向電極を有し、該画素電極は、前記走査信号線からの走査信号の供給に基づいて駆動される薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給され、該対向電極は、前記複数の画素に渡って形成される対向電圧信号線を介して基準電圧が供給され、前記第１の導電層と第２の導電層からなる積層構造を有するのは、前記対向電圧信号線又は前記対向電極であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記Ａｌを主成分とする第１の導電層は陽極化成されていることを特徴とする請求項１又は５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のいずれかが下層の第３の導電層，第１の導電層，上層の第２の導電層を連続成膜した３層構造を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成分とし、前記第３の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成分とし、前記第２の導電層はＭｏを主成分とし、前記Ｚｒの含有量が、４.０ 重量％以上で１４重量％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２の導電層は、ＺｒとＨｆを含有するＭｏを主成分とすることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層からなる積層構造を有するのは、前記走査信号線であることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶表示装置は、前記複数の走査信号線及び映像信号線で囲まれる領域に形成された複数の画素内に、前記一対の基板の一方に形成される少なくとも一対の画素電極と対向電極を有し、該画素電極は、前記走査信号線からの走査信号の供給に基づいて駆動される薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給され、該対向電極は、前記複数の画素に渡って形成される対向電圧信号線を介して基準電圧が供給され、前記第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層からなる３層構造を有するのは、前記対向電圧信号線又は前記対向電極であることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）、及びその配線形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄型化・軽量化・高精細化が図れる画像表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トランジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡大している。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ガラス基板上に形成された、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ配線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜トランジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，保護膜と、対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層などから構成される。近年、ＴＦＴ−ＬＣＤの画面の大型化，高精細化が進行するにつれ、配線の低抵抗化や生産歩留り等に関する要求仕様は厳しくなりつつある。配線の低抵抗化の目的では、アルミニウムまたはアルミニウム合金が従来から広く採用されている。
【０００３】
しかしながら、アルミニウムまたはアルミニウム合金を単層で配線に適用すると多くの場合その表面にヒロックが生成し、ひいては配線を覆う絶縁膜のカバレッジ不良の原因となる。また、画素電極材料であるインジウムを含有した酸化物、例えばインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）やインジウムジンクオキサイド(ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）とアルミニウムまたはアルミニウム合金とのコンタクト抵抗は高く、両者を電気的に直接接続することは実用的ではない。
【０００４】
そこで、例えば逆スタガ型のＴＦＴ−ＬＣＤのゲート配線では、アルミニウムまたはアルミニウム合金の配線パタンを高融点金属で覆うようなクラッド構造による対策が講じられている。そこで、アルミニウムまたはアルミニウム合金の配線パタンを第２の導電層で覆ったクラッド構造とし、画素電極材料とのコンタクト特性は第２の導電層が担い、配線としての導電性はアルミニウムまたはアルミニウム合金で担っている。このような例は、例えば、特開平５−３４１２９９号公報，特開平７−６４１０９号公報，特開平９−２６６０２号公報，特開平９−１２７５５５号公報，特開平１０−２１３８０９号公報に記載されている。
【０００５】
上述したクラッド構造を形成するためには、ホトリソグラフィーを、アルミニウムまたはアルミニウム合金に対して１回、さらに第２の導電層に対して１回、の計２回実施する必要がありプロセスが煩雑になる。
【０００６】
そこでプロセスの簡略化を計る目的で、アルミニウムまたはアルミニウム合金と第２の導電層を連続的に積層成膜し、１回のホトリソグラフィーと積層膜の一括エッチングにより配線パタンを形成する方法が採られている。この場合、第２の導電層としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金との一括エッチングが可能な高融点金属材料であるモリブデンまたはモリブデン合金が用いられる。
【０００７】
特に、特開平４−２０９３０号公報では、第２の導電層としてクロムを０.５〜１０重量％含有するモリブデン合金を採用した配線構造について記載されている。リン酸，硝酸，酢酸を混合した溶液で積層膜を一括湿式エッチングしており、配線断面のテーパ角を５０°に加工している。この場合、モリブデン−クロム合金にはＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性がある。このため、配線の上層にあるＳｉＮ絶縁膜にコンタクトホール等の接続手段をＳＦ6 ガスによるドライエッチングで加工しても第２の導電層がコンタクトホール底部で消失することがなく、第２の導電層と画素電極とが接続されることにより良好なコンタクト特性が得られる。モリブデンとアルミニウムとの積層配線をリン酸，硝酸を混合した溶液で一括エッチングしたときの配線断面形状を、ディップ方式とシャワー方式の両エッチング方式について検討した例として、Digestof Technical Papers of 1994 INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX LIQUID-CRYSTAL DISPLAYS, November 30 - December 1, 1994, KOGAKUIN UNIVERSITY, Shinjuku, Tokyo, Japan, p188. がある。これによると、ディップ方式の場合には配線断面が順テーパ加工がなされるが、シャワー方式の場合にはアルミニウム層に対してモリブデン層が庇状に迫り出す断面形状になることが報告されている。特開平９−３３１０６６号公報では、第２の導電層としてチタン，モリブデン，タンタル，タングステン，ジルコニウム、またはこれらの複合材料を用いている。この発明では遮光膜と配線とが同時に同一プロセスで形成されるが、第２の導電層は遮光膜の反射率を抑える役割を担っている。第２の導電層を複合材料とした場合の元素の組み合わせやその合金組成については言及されていない。
【０００８】
特開平１１−２５８６３３号公報では、第２の導電層がクロム，モリブデン，タングステン，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタルから選ばれた金属またはそれらの合金である表示装置用アレイ基板の製造方法について記載されている。これにより、アルミニウム合金膜のヒロックを防止し、さらに画素電極のドライエッチング時のアルミニウム合金膜の腐食を防止している。第２の導電層を合金とした場合の元素の組み合わせや、合金組成については言及されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示装置用アレイ基板の生産性を高めるための方策として、マザーガラスの基板寸法の大型化が進んでいる。例えば、フラットパネル・ディスプレイ2000、日経ＢＰ社、ｐ５６（１９９９）によれば、１９９８年には基板寸法が５９０×６７０mm2，６００×７２０mm2，６５０×８３０mm2 の製造ラインが稼動しており、２０００年には６８０×８８０mm2、７３０×９２０mm2の製造ラインが稼動する予定である。
【００１０】
各製造装置もマザーガラスの基板寸法の大型化に対応している。湿式エッチング装置の場合、ディップ方式では液の攪拌が不充分となることに起因し大面積基板で均一にエッチングすることが不可能に近く、大面積で均一性の高い湿式エッチングにはシャワー方式が不可欠である。しかしながら、上述したように、モリブデンとアルミニウムとの積層配線をリン酸，硝酸を混合した溶液でシャワー方式で一括エッチングしたときは、モリブデン層が庇状に迫り出した配線断面形状に加工されてしまう。発明者らが、モリブデン合金とアルミニウム合金との積層膜に対してリン酸，硝酸，酢酸を混合した溶液でシャワー方式で一括エッチングを試みた実験でも同様の配線断面形状が再現された。このような配線形状の上層に絶縁膜を形成した場合、カバレッジ不良の問題が生じ、延いては生産歩留まりの低下に繋がる。
【００１１】
そこで、シャワー方式の湿式エッチングを用いて、モリブデン合金とアルミニウム合金との積層配線の断面をテーパ状に加工し、その上層の絶縁膜のカバレッジを良好にすることが本発明が解決しようとする第１の課題である。
【００１２】
上記第１の課題を解決する際には、第２の導電層に対してＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性を確保し、配線上層のＳｉＮ絶縁膜にコンタクトホール等の接続手段を加工しても第２の導電層がコンタクトホール底部で消失することがなく、第２の導電層と画素電極とが接続されることを両立することが本発明が解決しようとする第２の課題である。
【００１３】
上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線を一括エッチング加工した場合、下層の側面部はアルミニウム合金が露出した状態になるためこの部分からのヒロックの発生が懸念される。そこで、アルミニウム合金のヒロックを抑制することが本発明が解決しようとする第３の課題である。
【００１４】
また、上記の課題を解決する際には、高い生産効率やプロセスマージンをできる限り確保することも本発明が解決しようとする課題のひとつである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上述の第１の課題と第２の課題を同時解決するための第１の手段は、第２の導電層として、モリブデン−クロム合金と同等以上のＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性を有し、かつアルミニウム合金との一括エッチング液に対するウェットエッチングレートがモリブデン−クロム合金よりも充分に大きい材料を採用することである。
【００１６】
発明者らは、このような材料を発見するために、モリブデンに対しクロム，チタン，タンタル，ジルコニウム，ハフニウムの各合金添加元素を種々の濃度添加した合金を調整し、それらモリブデン合金のＳＦ6ガスによるドライエッチングレートと、燐酸−酢酸−硝酸溶液に対するウェットエッチングレートを測定した。横軸をウェットエッチングレート、縦軸をドライエッチングレートとした図２０に結果を示す。各合金添加元素に対して、合金添加濃度とともにウェットエッチングレートとドライエッチングレートが低下するような線図が得られる。なお、ドライエッチングレートの検出下限値は０.０２ｎｍ／ｓ であった。モリブデン−タンタル合金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ドライエッチングレートが低下しない割にウェットエッチングレートが大きく低下するため、本発明の目的には適合しない。モリブデン−タングステン合金やモリブデン−ニオブ合金の場合も同様である。それに対し、モリブデン−ジルコニウム及びモリブデン−ハフニウム合金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ウェットエッチングレートが低下しない割にドライエッチングレートが大きく低下するため、本発明の目的に適合する。
【００１７】
ここには、記載しないがバナジウム添加でもドライエッチレートを大きく低下させる効果がある。第２の導電層を走査信号線に適用する場合には、第２の導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとのエッチング選択比７以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ6 ガスによるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓであるため、第２の導電層のドライエッチングレートは２.７８ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチング耐性を満たす。このために必要なジルコニウム添加量は２.６重量％以上、ハフニウム添加量は４.９重量％以上である。第２の導電層を映像信号線に適用する場合には、第２の導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとのエッチング選択比１４以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ6ガスによるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓ であるため、第２の導電層のドライエッチングレートは１.３９ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチング耐性を満たす。このために必要なジルコニウム添加量は４.０ 重量％以上、ハフニウム添加量は７.３ 重量％以上である。アルミニウム合金と第２の導電層との一括湿式エッチングにより配線断面形状をテーパ状に加工するためには、少なくてもアルミニウム合金と同等以上のウェットエッチングレートが必要である。これを満たすジルコニウム添加量は２３重量％以下、ハフニウム添加量は３６重量％以下である。
【００１８】
また、シャワー方式を用いて充分なテーパ制御性のマージンを確保するためには、アルミニウム合金の２.４ 倍のウェットエッチングレートが必要である。これを満たすジルコニウム添加量は１４重量％以下、ハフニウム添加量は２２重量％以下である。なお、アルミニウム合金はＡｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ とし、そのウェットエッチングレートは５.１ｎｍ／ｓ であった。なお、上記のようなモリブデン−ジルコニウム及びモリブデン−ハフニウム合金の効果は、モリブデン−ジルコニウム−ハフニウム三元合金の場合でも同様に得ることができる。
【００１９】
また、ウェットエッチング条件や積層膜の構成によっては、ウェットエッチングレートが適度に遅い方がテーパ制御しやすい場合がある。この場合はモリブデン−ジルコニウムやモリブデン−ハフニウム合金にクロムを適当量添加することによってウェットエッチングレートを制御することが可能である。モリブデン−チタン合金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ウェットエッチングレートの低下の割にドライエッチングレートが少し大きく低下する。モリブデン−ジルコニウム及びモリブデン−ハフニウム合金ほど大きな効果は無いが、本発明の目的に適合する。走査信号線に適用するために必要なチタン添加量は２.３ 重量％以上、映像信号線に適用するために必要なチタン添加量は３.４ 重量％以上である。また、アルミニウム合金と同等以上のウェットエッチングレートを得るためのチタン添加量は６.７ 重量％以下、シャワー方式を用いて充分なテーパ制御性のマージンを確保するためのチタン添加量は４.０ 重量％以下である。また、モリブデン−チタン合金には、大気中生成酸化膜に覆われたアルミニウム合金の上層に成膜した場合にでも、アルミニウム合金との電気的コンタクトが良好に確保できる効果もある。これは、チタンにアルミニウム酸化物の酸素を奪う能力があるためである。すなわち、アルミニウム合金とモリブデン−チタン合金との積層の場合は、真空を破ることの無い連続成膜が必ずしも必要ではないため、生産上の制約が少なくなる。なお、モリブデン−クロム合金の場合、映像信号線へ適用するためのドライエッチング耐性確保と、シャワー方式を用いて充分なテーパ制御性のマージンを確保することとを両立することはできない。
【００２０】
上述の第１の課題と第２の課題を同時解決するための第２の手段は、アルミニウム合金と第２の導電層を一括エッチングするためのエッチング液組成を調整することにより配線を形成する方法である。すなわち、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物で、硝酸（ＨＮＯ3）を７モル％以上１２モル％以下含み、フッ化アンモニウム(ＮＨ4Ｆ)とフッ化水素（ＨＦ）の少なくともどちらか一方を０.０１から０.１モル％程度の微量含む組成のエッチング液組成とする。上述のような硝酸濃度にすることにより、レジストパタンの断面端部が捲り上がるため、レジストと接する第２の導電層のサイドエッチング速度が大きくなり、シャワー方式でもテーパ形状のエッチング加工が可能になる。また、フッ化アンモニウムまたはフッ化水素を微量添加することにより、アルミニウム合金表面のエッチング残さ物の生成を抑制できる。また、エッチング装置のシャワーノズルを揺働することによって、テーパ形状の面内均一性が向上する。この組成のエッチング液を用いたシャワーエッチングの場合は、モリブデン合金のウェットエッチングレートがアルミニウム合金のそれよりも少し低い３.８ｎｍ／ｓ でもテーパ加工が可能である。すなわち、この場合のモリブデンへの合金添加量の上限値は、クロムの場合３.０ 重量％、ジルコニウムの場合２６重量％、ハフニウムの場合４１重量％、チタンの場合7.6重量％である。上述の第３の課題は、配線下層を０.２ ａｔ％以上望ましくは２ａｔ％以上のネオジムを含むアルミニウム合金にすることにより解決できる。また、走査信号線の場合、画素電極との接続のために第２の導電層を必要とする領域は走査信号線の端子部だけであり、画素部では不要である。そこで画素部分のみアルミニウム合金を陽極化成することによって、ヒロック等に起因した絶縁膜のカバレッジ不良を充分に低減することができる。本発明のＭｏ−８ｗｔ％Ｚr合金とＡｌ−Ｎｄ合金の積層膜をゲート配線に適用する場合、上層のＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ膜を電気化学的に除去した後、Ａｌ−Ｎｄ合金を陽極化成し、ゲート配線の上層部に選択的に酸化アルミニウム膜を形成し、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧の信頼性を大幅に向上できる。アルミニウム合金配線を画像信号線に適用する場合には、アルミニウム合金層の下層に第３の導電層を設けることにより半導体層とのコンタクトを確保できる。この場合は、画素電極のエッチングの際にアルミニウム合金がダメージを受けないように、弱酸のエッチング液が使用可能なアモルファスインジウムティンオキサイド（ａ−ＩＴＯ）とインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）を画素電極とすることが望ましい。走査信号線のアルミニウム合金及び第２の導電層と、画像信号線のアルミニウム合金及び第２の導電層とを共通化すれば、液晶表示装置のアレイ基板の生産に必要なスパッタターゲットの種類を少なくすることができ、スパッタ装置運用の自由度が向上するため生産上有利である。さらに画像信号線の第３の導電層をも共通化することにより、その効果はより大きくなる。一方、画像信号線をモリブデン合金単層で構成することも可能である。アルミニウム合金を用いないため、画素電極エッチングの際の配線ダメージを考慮する必要は無く、画素電極として信頼性の高い多結晶インジウムティンオキサイド（poly−ＩＴＯ）を採用することができる。この用途に用いるモリブデン合金は、ドライエッチング耐性としてＳｉＮとのエッチング選択比３.５以上が求められ、これを満たすために必要なクロム添加量は０.３５ｗｔ％以上、チタン添加量は１.３ｗｔ％以上、ジルコニウム添加量は１.４ｗｔ％以上、ハフニウム添加量は２.６ ｗｔ％以上である。これらのモリブデン合金の中でも、ドライエッチング耐性と低抵抗率とを両立できるモリブデン−クロム合金が適している。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する要部の模式断面図である。この液晶表示装置は、ガラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴなどを形成したアクティブマトリクス基板と、同じくガラス基板１２の内面にカラーフィルタ１４などを形成したカラーフィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる液晶層１８を挟持して構成される。
【００２２】
また、図２は本発明による液晶表示装置の一実施例であり、ゲート配線の積層構造を説明する要部模式断面図、図３は本発明による液晶表示装置の一実施例であり、ソースおよびドレイン配線の積層構造の一例を説明する要部模式断面図である。なお、図４は薄膜トランジスタＴＦＴから離れた場所におけるゲート配線で、その端部で配線端子を構成する構造を示す。
【００２３】
すなわち、図１に示したように、アクティブマトリクス基板は、ガラス基板１の内面にアルミニウム配線２としてアルミニウム−９.８ｗｔ％ネオジム合金（Ａｌ−９.８ ｗｔ％Ｎｄ）を成膜する。次いでモリブデン層３として、モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ）をスパッタリング法を用い成膜温度１２０°Ｃで連続成膜する。ゲート配線のレジストパターンをホトリソグラフィ法で形成した後、リン酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウムを添加した水溶水からなるエッチング液でシャワーエッチング法を用い、一括ウェットエッチングする。このエッチング液では、Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金のエッチングレートはアルミニウム合金より約４倍速い。このことにより、大面積の基板でもエッチング寸法精度良く、図２に示したように配線の端面形状を順テーパ形状に加工することができる。ゲート配線として図３に示すように、モリブデン−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層２′，アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）層２，モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層３を連続成膜して３層構造を作成して良い。Ｍｏ／Ａｌの２層構造に比較すると積層構造は複雑になるが、下層のＭｏ層が存在する場合、積層構造の順テーパ形状が安定して形成されるすることが、実験で確認されている。これは、ＡｌとＭｏとのエッチング状態が大きく異なることに起因する現象であり、下層Ｍｏ層が存在することで、上層Ｍｏ層のエッチングの進行が安定するためである。
【００２４】
ゲート配線のエッチング後、レジストを剥離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４，ｉ−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そして、ａ−Ｓｉ層の島を加工するためにゲート配線の加工と同様にレジストを塗布し、ドライエッチング法でｉ−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工する。
【００２５】
ａ−Ｓｉ層の島の加工用レジストを剥離後、図３に示したように、ソースおよびドレイン配線のため、前述のモリブデン−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層７，アルミニウム−９.８ｗｔ％ネオジム合金（Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ合金）層８，モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層９を連続成膜して３層構造層を作製する。次に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイン電極用のレジストを形成する。
【００２６】
そして、ゲート配線のエッチング加工と同様に、リン酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウムを添加した水溶液からなるエッチング液で上記の多層構造層を一括でエッチング加工する。この場合、純モリブデン（Ｍｏ）のエッチングレートはアルミニウム（Ａｌ）のエッチングレートの１０倍以上とはるかに速いため、モリブデン層のみが速くエッチングされ、良好な形状にならない。そのため、モリブデン（Ｍｏ）にジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）等を添加して合金のエッチングレートを低下させ、アルミニウムのエッチングレートの１倍〜４倍となるように添加する。好ましくは２倍となるように添加する。
【００２７】
図５は金属配線のウェットエッチングレートの合金添加量依存性の説明図である。なお、図５にはアルミニウム−ネオジウム合金のウェットエッチングレートも示してある。
【００２８】
すなわち、クロム（Ｃｒ）では２ｗｔ％の添加、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）では５〜２０ｗｔ％の添加で、モリブデン合金のエッチングレートをアルミニウム（Ａｌ）のそれより速く設定できる。また、上記の混酸の組成を調整することで、３層の積層構造層の配線の端面形状を順テーパ形状に加工することが可能となる。
【００２９】
積層構造層の連続エッチングではエッチング時間が長くなるが、チタンを添加することでモリブデン合金とレジストの密着性を大幅に向上できる。純モリブデンでは表面酸化膜が現像液に溶解し易く、その結果としてレジストと積層構造層の間の界面に微小な空洞が形成され、そこにエッチング液が滲み込んで配線が局部的に細くなったり、断線したりする。
【００３０】
しかし、添加したチタンが酸化して酸化チタンとなることで、表面の汚染物が分解され、表面の親水性を増すことができる。その結果、局部的な水しみを防止でき、レジストの密着不良に起因する断線を防止することができる。ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），クロム（Ｃｒ）でも同様に、酸化物を安定化させることで、同様の効果が確認できた。
【００３１】
次に、ソースおよびドレイン配線をマスクとしてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチングして除去し、チャネル部を形成する。
【００３２】
その後、ＣＶＤ法を用いてパッシベーション層１０としての窒化シリコン層（ＳｉＮ）を２３０℃で成膜する。
【００３３】
ゲート配線とドレイン配線のそれぞれの端子において、各端子上にスルーホールを形成する。ドレイン配線のスルーホールは図１に符号１９で示し、ゲート配線端子部のスルーホールは図４の符号２０で示してある。
【００３４】
図４に示したように、ゲート配線端子を形成する場合は、パッシベーション層１０およびゲート絶縁層４の両方の層に穴を開ける。本実施例では、同一のホトマスクでスルーホールパターンを形成し、ドライエッチング法で両層を同時に加工する。
【００３５】
パッシベーション層１０の最上部にエッチングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイドエッチングされるようにすることで、パッシベーション層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工する。
【００３６】
ゲート配線端子部分のパッシベーション層１０およびゲート絶縁層４の膜厚は図１に示した薄膜トランジスタＴＦＴ部分よりも厚いため、ゲート配線端子用に加工するスルーホール２０は、ドレイン電極またはソース電極のスルーホール１９より深い。したがって、当該スルーホールの加工中に、ドレインおよびソース配線のスルーホール１９が先に加工され、その下層の電極、すなわち図１のアルミニウム合金層８とモリブデン合金層９の積層構造の電極は長時間ドライエッチング雰囲気に曝されることになる。
【００３７】
このとき、上記ソース電極の上層の金属が純モリブデンの場合、ドライエッチングレートが速く、当該純モリブデン層の下層のアルミニウム層表面が表面に現れてしまう。この上層の純モリブデン層のドライエッチング耐性を増すために、種々の元素を添加した場合のドライエッチングレートを図６に示した。すなわち、図６は金属配線のドライエッチングレートの合金添加量依存性の説明図である。図６に示したように、検討した全ての元素においてドライエッチングレートを遅くする効果がある。これは、合金化することで各元素の結合エネルギーが増加するためと考えられる。ソース，ドレイン配線の場合、最上層のＭｏ合金膜がドライエッチで消失しないようにするためには、パッシベーション膜との選択比で１４，ドライエッチレートで１.４ ｎｍ／ｓ以下であることが必要である。これらの中で、特にタンタル（Ｔａ）とタングステン（Ｗ）では添加量を増加させてもドライエッチレートを１.４ ｎｍ／ｓ以下にすることは出来ない。一方、クロム（Ｃｒ）では約２.５ ｗｔ％、ジルコニウム（Ｚｒ）では４ｗｔ％、ハフニウムでは７.３ ｗｔ％、チタン（Ｔｉ）では７ｗｔ％以上添加することが必要である。すなわち、上記の元素を添加したモリブデン合金をアルミニウム層の上層に積層することによってドレインおよびソース配線端子用のスルーホールの電極表面にアルミニウムが現れることを防止することができる。このスルーホールの形成後、ドレインおよびソース電極では画素電極となるインジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）膜を形成する。また、ゲート、及びドレイン配線端子ではその上部に形成するＩＴＯ膜１１とのコンタクトを良好に保つことができ、配線の端子部での接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶表示装置を提供することができる。ＩＴＯ膜としては、スパッタリング中に少量の水を添加し、室温成膜によりアモルファスＩＴＯ膜を形成する。アモルファスＩＴＯ膜を採用することで、そのエッチングは弱酸である３％蓚酸を用いることができる。弱酸を用いることで、ＩＴＯ膜のエッチング時にパッシベーション膜の下層に形成した積層配線のＡｌ膜との選択性を確保することができる。弱酸のかわりに、Ａｌの表面酸化膜を形成できる酸化性エッチング液である塩酸，硝酸，水の混酸を用いても良い。アモルファス透明導電膜として、アモルファスＩＴＯ膜のかわりにアモルファス状のインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）を用いても良い。この場合、スパッタガスにはアルゴン＋酸素混合ガスを用い、成膜温度を室温から２００℃の範囲内でスパッタリング法にて成膜する。次に、本発明を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の要部構成について説明する。
【００３８】
図７は本発明を適用した液晶表示装置のアクティブマトリクス基板上に形成した一画素部分の模式平面図である。１はアクティブマトリクス基板、２Ａはゲート配線（電極）、３Ａはドレイン配線、３Ｂはドレイン電極、３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、５は半導体層、１９はコンタクトホール、ＴＦＴは薄膜トランジスタを示す。なお、上記ドレイン配線３Ａとドレイン電極、３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の積層構造であるため、図１ではドレインおよびソース配線（電極）として一括で表示してある。また、ドレイン配線（電極）３Ａとソース配線（電極）３Ｂは、動作中入れ替わるものであるため、説明の都合上、図１においてはドレインまたはソース配線（電極）として説明してある。
【００３９】
そして、ドレイン配線３Ａ，ドレイン電極３Ｂ，ソース電極３Ｃは図１におけるアルミニウム合金層８とモリブデン合金層７及び９の積層構造からなり、ゲート配線（電極）２Ａは図１におけるアルミニウム合金層２とモリブデン合金層３の積層構造からなる。
【００４０】
ゲート配線（電極）２Ａを形成した基板１の表面の全域には、ゲート配線（電極）２Ａと、ドレイン配線３Ａとドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃとの層間絶縁を図るためのゲート絶縁層４として窒化シリコン（ＳｉＮ）層が形成される（図１）。
【００４１】
そして、ゲート電極２Ａとドレイン配線３Ａで囲まれる画素領域の一角におけるゲート絶縁層４の上部には薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。この薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においては、ゲート絶縁膜として機能するパッシベーション層４の上層で前記ゲート電極３Ｂの上部に位置するゲート絶縁層４の表面にはゲート電極２Ａに跨がるようにしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層５が形成されている。
【００４２】
そして、この半導体層５は、ドレイン電極３Ｂとソース電極３Ｃの形成領域の下層となるように形成されている。ドレイン電極３Ｂとソース電極４を半導体層５との積層構造とするのは、段切れ防止と交差するゲート電極３Ａとの間の容量を低減させるためである。
【００４３】
薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域における半導体層５の表面にはドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃが形成され、これら各電極３Ｂ，３Ｃはそれを平面的に見た場合に前記ゲート電極２Ａを間にして互いに対向して配置される。
【００４４】
なお、半導体層５の表面のドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃとの界面には当該半導体層５に高濃度の不純物がドープされたコンタクト層が形成されているが図示は省略してある。この高濃度の不純物層は、半導体層５を形成した時点でその全面に形成されており、その後に形成するドレイン電極やソース電極をマスクとして当該各電極から露出している不純物層をエッチングすることによって形成される。そして、ドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の工程で、かつ同一の材料で形成される。
【００４５】
また、図７に示したように、ソース電極３Ｃは画素電極１１Ａの形成領域にまで延在して形成され、この延在部において前記画素電極１１Ａとのコンタクトをとるように構成されている。図１ではこの画素電極１１ＡをＩＴＯ１１として示してある。
【００４６】
このように加工された基板１の表面の全域には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接接触を回避するために、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなるパッシベーション層１０が形成される（図１）。このパッシベーション層１０には前記ソース電極３Ｃの延在部の一部を露出させるコンタクトホール１９が形成されている。
【００４７】
そして、このパッシベーション層１０の上面における画素領域内には、ＩＴＯ膜等の透明導電層からなる画素電極１１Ａが形成される。この画素電極１１Ａはコンタクトホール１９を通してソース電極３Ｃと電気的に接続される。
【００４８】
この場合、画素電極１１Ａの一部は、薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するためのゲート電極２Ａとは異なる他の隣接ゲート電極２Ａ′上まで延在するように形成され、これによって画素電極１１と隣接ゲート電極２Ａ′との間に介在されるゲート絶縁層４およびパッシベーション層１０の積層体を誘電体膜とする付加容量Ｃａｄｄが構成される。
【００４９】
なお、図１に示したように、上記のように各種の成膜がなされたアクティブマトリクス基板１は液晶層１８を挟んで他方の基板（カラーフィルタ基板）１２と貼り合わせられる。このカラーフィルタ基板１２の液晶層ＬＣ側にはブラックマトリクス１３で区画された複数のカラーフィルタ１４と、このカラーフィルタ１４とブラックマトリクス１３を覆う平滑層１５を介して各画素領域に共通な共通電極１６が例えばＩＴＯで形成されている。なお、共通電極１６の上層には保護膜１７が成膜され、さらにこの保護膜１７と液晶層１８の界面、およびアクティブマトリクス基板１の液晶層１８との界面には液晶層１８を構成する液晶組成物の配向方向を規制する配向膜がそれぞれ成膜されているが、図示は省略してある。
【００５０】
以上説明した構成とすることによって、各種配線（電極）を良好に形成するとともに、その端子部での接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶表示装置を得ることができる。
【００５１】
図８は本発明を適用した液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の一画素付近の配線構造を説明する模式平面図であって、１は基板、２Ａはゲート配線、２Ａ′は隣接ゲート配線、３Ａはドレイン配線、３Ａ′は隣接ドレイン配線、３Ｂはドレイン電極、３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、ＴＦＴは薄膜トランジスタ、Ｃａｄｄは付加容量素子を示す。
【００５２】
アクティブマトリクス基板１の周辺を除く中央部は表示領域となっており、前記したように、この表示領域には他方の基板であるカラーフィルタ基板と貼り合わせ間隙に液晶層が封止されている。
【００５３】
そして、この表示領域には図中Ｘ方向に延在するゲート配線２Ａ，２Ａ′とＹ方向に併設されるドレイン配線３Ａが形成されている。また、このゲート配線２Ａ，２Ａ′と絶縁されてＹ方向に延在し、かつＸ方向に併設されるドレイン電極３Ｂとソース電極３Ｃが形成されている。
【００５４】
これらゲート配線２Ａ，２Ａ′およびドレイン配線３Ａ，３Ａ′で囲まれた領域がそれぞれ１画素の領域を構成している。すなわち、上記表示領域はマトリクス状に配置された多数の画素領域の集合体で形成されることになる。
【００５５】
各画素領域は、ゲート配線２Ａからの走査信号の供給によってオンとされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンとされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン配線３Ａからの映像信号が供給される画素電極１１Ａとが形成されている。
【００５６】
また、これらの薄膜トランジスタＴＦＴおよび画素電極１１Ａの他に、薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート配線２Ａとは異なる他の隣接走査信号線2A′と画素電極１１Ａとの間に付加容量素子Ｃａｄｄが形成されている。
【００５７】
この付加容量素子Ｃａｄｄは、薄膜トランジスタＴＦＴがオフとされても画素電極５に映像信号を長く蓄積させておくために設けられている。
【００５８】
この種の液晶表示装置においては、画素を選択するための上記した各種配線が基板１上に各種の成膜手段とパターニング手段を用いて前記実施例で説明したように形成されている。
【００５９】
図９は本発明を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の全体構成を説明する展開斜視図である。同図は本発明による液晶表示装置（以下、液晶表示パネル，回路基板，バックライト、その他の構成部材を一体化したモジュール：ＭＤＬと称する）の具体的構造を説明するものである。
【００６０】
ＳＨＤは金属板からなるシールドケース（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１はドレイン側回路基板：映像信号配線駆動用回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板：走査信号配線駆動用回路基板、ＰＣＢ３はインターフェース回路基板）、ＪＮ１〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に接続するジョイナ、ＴＣＰ１，TCP2はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬは液晶パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは一体化成形により形成された下側ケース（モールドフレーム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光板等からなるバックライトを示し、図示の配置関係で拡散板部材を積み重ねて液晶表示モジュールＭＤＬが組立てられる。
【００６１】
液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケースＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシールドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ，導光板ＧＬＢ，プリズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納した下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
【００６２】
ドレイン側回路基板ＰＣＢ１には液晶表示パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路チップが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣＢ３には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミング信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およびタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミングコンバータＴＣＯＮ等が搭載される。上記タイミングコンバータで生成されたクロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロック信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。
【００６３】
インターフェース回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であり、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１の内層配線として形成される。
【００６４】
なお、液晶表示パネルＰＮＬはＴＦＴおよび各種の配線／電極を形成したTFT基板と、カラーフィルタを形成したフィルタ基板の２枚の基板を貼り合わせ、その間隙に液晶を封止してなり、ＴＦＴを駆動するためのドレイン側回路基板PCB1，ゲート側回路基板ＰＣＢ２およびインターフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各回路基板間はジョイナｊＮ１，２，３で接続されている。
【００６５】
上記の液晶表示装置によれば、その液晶パネルの各種配線や電極の製造工程を短縮できると共に、断線等の発生を低減した信頼性の高い液晶表示装置を提供できる。なお、本発明は上記の薄膜トランジスタ型の液晶表示装置に限らず、他の型式の液晶表示装置、その他の半導体素子の配線あるいは電極のパターニング加工にも同様に適用できる。
(実施例２)
図１０は本発明による液晶表示装置の別実施例を説明する要部の模式断面図である。この液晶表示装置は、ガラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴなどを形成したアクティブマトリクス基板と、同じくガラス基板１２の内面にカラーフィルタ１４などを形成したカラーフィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる液晶層１８を挟持して構成される。本発明では、実施例１と同様にゲート配線をＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で形成する。更に同様に、ゲート配線のエッチング後、レジストを剥離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４、ｉ−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そして、ａ−Ｓｉ層の島を加工するためにゲート配線の加工と同様にレジストを塗布し、ドライエッチング法でｉ−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工する。
【００６６】
ａ−Ｓｉ層の島の加工用レジストを剥離後、図１０に示したように、ソースおよびドレイン配線のため、Ｃｒ膜２１とＣｒ−Ｍｏ合金としてＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜２２とを連続成膜して２層構造層を作製する。次に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイン電極用のレジストを形成する。そして、エッチング加工には硝酸第２セリウムアンモニウム，硝酸，水からなるエッチング液を用い、シャワーエッチング法にてウェットエッチングする。硝酸の代替品として過塩素酸を添加しても良い。このエッチング液を用い、このＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線をエッチングすると、Ｃｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜とＣｒ膜との腐食電位の違いにより、上層膜であるＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜がＣｒ膜よりエッチングレートが速くなり、その結果、配線端面をテーパ角約５０°に順テーパ形状に形状制御することが可能となる。
【００６７】
次に、ソースおよびドレイン配線をマスクとしてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチングして除去し、チャネル部を形成する。その後、ＣＶＤ法を用いてパッシベーション層１０としての窒化シリコン層（ＳｉＮ）を２３０℃で成膜する。
【００６８】
ゲート配線とドレイン配線のそれぞれの端子において、各端子上にスルーホールを形成する。図４に示したように、ゲート配線端子を形成する場合は、パッシベーション層１０およびゲート絶縁層４の両方の層に穴を開ける。本実施例では、同一のホトマスクでスルーホールパターンを形成し、ドライエッチング法で両層を同時に加工する。
【００６９】
パッシベーション層１０の最上部にエッチングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイドエッチングされるようにすることで、パッシベーション層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工する。この際，ソース端子部，ドレイン端子部のＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線はＳＦ6 ガスを用いたドライエッチにおいて、ＳｉＮに対して１００以上の大きな選択比を有している。したがって、図４に示すようにゲート端子部のパッシベーション膜／ゲートＳｉＮ膜の２層膜のスルーホール２０の加工時において、図１０に示したソース端子部のスルーホール１９下部のＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層膜が減少することはない。一方、Ｃｒ合金と同様にドライエッチング耐性が充分高く、しかも比抵抗を低く抑えることができる場合、Ｍｏ合金として、Ｍｏ−Ｔｉ，Ｍｏ−Ｚｒ，Ｍｏ−Ｈｆ，Ｍｏ−Ｃｒ、Ｍｏ−Ｗ，Ｍｏ−Ｖの単相でも配線として適用できる。この場合、エッチングには実施例１と同様に、リン酸，硝酸，酢酸、そして水からなるウェットエッチング液を用いて、エッチング加工すれば良い。このスルーホールの形成後、画素電極として、及びゲート端子，ソース，ドレイン電極端子保護膜として、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）膜スパッタリング法で形成する。その際、成膜温度は２３０℃でスパッタガスにはアルゴン＋酸素混合ガスを用い、多結晶ＩＴＯ膜（poly−ＩＴＯ膜）を形成する。この膜はアモルファスＩＴＯ膜と異なり、弱酸でのウェットエッチングが困難であり、塩酸濃度の高い王水、又は臭化水素酸（ＨＢｒ）等の強酸を用いることになる。特にＨＢｒを用い、４０℃でウェットエッチングすることにより、レジストからのサイドエッチ量も小さく、寸法精度良くエッチング加工できる。強酸を用いることから、パッシベーション膜をはさんで存在するソース，ドレイン配線には、Ａｌ膜を用いることは困難になる。実施例１のようにＡｌ配線をソース，ドレイン配線に適用する場合には、ＩＴＯエッチング液に対するパッシベーション膜の耐性を向上させるため、有機膜からなるパッシベーション膜を図１０に付け加えれば良い。poly−ＩＴＯ膜を用いることにより、その下部の金属膜層とのコンタクトを良好に保つことができ、配線の端子部での接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶表示装置を提供することができる。例えば、図１０で示したスルーホール１９でのＩＴＯ／Ｃｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜のコンタクト抵抗は、2000Ωμｍ2と低抵抗に設定できる。Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ とＭｏ添加量を増加させることにより、コンタクト抵抗は８００Ωμｍ2 と更に低抵抗に設定できる。さらに、図４に示したスルーホール２０におけるpoly−ＩＴＯ／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ膜のコンタクト抵抗は４００μｍ2とより低く抑えることができる。また、poly−ＩＴＯ膜を用いることにより、異方性導電フィルムを用いたドライバＩＣのバンプとのコンタクト抵抗も低く、かつアモルファスＩＴＯ膜に比較してコンタクト抵抗値の経時変化をなくし、その安定性を大幅に向上することができる。このようなＩＴＯ／メタル配線間，異方性導電フィルム／ＩＴＯ間での低コンタクト抵抗値が実現できるため、ＩＣの実装を従来より簡便かつ信頼性高く改善することができる。図��１及び図１２には、ゲート及びドレインドライバＩＣチップ間のデータ信号を転送させることにより、フレキシブルプリント基板(ＦＰＣ)の接続方法を簡略化するとともに、接続信頼性を向上させた例を示す。図１１は、ガラス基板１上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）２３を介してチップオングラス（ＣＯＧ）方式で実装した場合の断面図を示す。ＩＣ間のデータ転送方式の実現には、まずバスラインには低抵抗化が実現できるようにＡｌ配線を用いる。更に、ドライバＩＣとの低コンタクト抵抗を実現するためＡｌの上層膜としてＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ，ＩＣチップのはんだボール下の接続膜にはpoly−ＩＴＯ膜を採用する。このような配線、及び端子膜材料を選択することにより、バスラインのシート抵抗値は０.３Ω／□，ＩＴＯ／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ 膜とのコンタクト抵抗値は４００Ωμｍ2と低減し、ＩＴＯ 膜と異方性導電粒子とのコンタクト抵抗も低く安定している。このような低い配線抵抗とコンタクト抵抗の実現により、ドライバＩＣ２４間を、ＴＦＴ基板上に形成した薄膜配線によるバスライン２５で接続し、従来ＦＰＣから個々のドライバＩＣに供給されていたパワーと信号とを、このバスラインを介して、順次次段のドライバＩＣに転送することが可能となる。図１２は、データ転送方式をゲート側，ドレイン側の両方に適用した場合のバスライン，ＦＰＣ，ドライバＩＣのレイアウト例を示す。図１２において、ゲートドライバ用ＦＰＣ２６から供給された走査信号とゲートドライバ用電源電圧は、ゲートパワーバスライン及び走査信号用バスライン２７を介して、ゲートドライバＩＣ２８に供給される。ＩＣチップ間でそのデータを転送しつつ、各々次のＩＣチップに信号を書き込む。信号線側では、負荷が大きいため、駆動電源電圧はパワー供給用ＦＰＣ２９からパワーバスライン３０を介して供給される。データ信号は、データ信号用ＦＰＣ３１からデータ転送バスライン３２を介してドレイン用ドライバＩＣ３３間を転送されながら、順次ドライバを駆動する。本方式を採用することで、ゲート側ＦＰＣはなくし、ドレイン側のＦＰＣ幅を最小限にすることで、接続の信頼性を大幅に向上するとともに、ディスプレイの狭額縁化を図る事が出来る。さらにＦＰＣを小さくすることで、その製造コストの削減が可能となる。
（実施例３）
図１３、及び図１４には本発明をイン・プレイン・スイッチング型（ＩＰＳ）の液晶モードに適用した例を示す。図１３は図１４の液晶セルの断面図であり、図１４は平面図を示す。図１４において、ゲート配線２Ａ及び対向電極配線２Ｂ、及び対向電極２ＣをＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で同時に形成する。半導体層を形成後、ソース電極３Ｃ，ドレイン配線３Ａ，ドレイン電極３ＢとしてＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線を用いる。Ｃｒ以外でも耐ドライエッチ性を有するＭｏ合金膜でも良い。パッシベーション層１０としてＣＶＤ法にてＳｉＮ膜を形成後、ドライエッチ法にてスルーホール１９をソース電極上に形成する。その上に画素電極としてpoly−ＩＴＯ膜で透明櫛歯電極１１を形成する。加工は臭化水素酸（ＨＢｒ）を用いてウェットエッチング法して実施する。これでＴＦＴ基板が完成する。ガラス基板上１２上にブラックマトリックス層１３と、カラーフィルタ層１４、及び表面平坦化膜１５を形成し、カラーフィルタ基板を作製する。これを前記ＴＦＴ基板と重ね合せ、ＩＰＳ用の液晶１８を注入する。本実施例においては、Ｍｏ／Ａｌ積層配線を用いることで、ゲート電極と同時に形成する対向電極の配線抵抗値がシート抵抗値で０.３Ω／□と小さいため、その時定数を小さく設定でき、視野角１６０°の大面積のIPS型液晶表示装置が実現できる。本実施例では、ソース，ドレイン配線としてＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線、または耐ドライエッチ性を有するＭｏ合金単層配線を用いたが、実施例１と同様にＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ３層積層配線を用いても良い。この場合、透明画素電極としてアモルファス状インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）膜又はインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）膜を用い、これを弱酸または硝酸濃度の高い王水でウェットエッチングすることで、ソース，ドレイン配線に対するエッチング耐性を確保することができる。またはＨＢｒガスを用いてドライエッチしても同様な結果が得られる。図１４に示すように対向電極２Ｂがゲート配線２Ａと同層に存在する場合、ドレイン配線３Ａとの交差部数が２倍となり、その結果、図１３におけるゲート絶縁膜４の欠陥によりゲート・ドレイン間、又はゲート・対向電極間ショート確率が増加する。その際には、図１３において、ゲート配線及び対向電極表面のＭｏ合金膜を電気化学的に除去した後、Ａｌ合金表面を陽極化成し、上記配線上に選択的に酸化アルミニウム膜を形成する。その結果、ゲート絶縁膜がプラズマＳｉＮ膜と酸化アルミニウム膜の２層となり、上記層間ショート確率を大幅に低減することができる。
（実施例４）
ゲート配線材料として、Ｍｏ−７ｗｔ％Ｚｒ−０.４％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層膜を用いた。図２０に示したように、モリブデンへの添加元素として、クロムはジルコニウム又はハフニウムと同様、ウェットエッチングレートとドライエッチレートを低下させる作用を示す。本発明では、ウェットエッチングレートに対する添加効果が比較的緩やかで積層配線を制御しやすいＺｒ及びＨｆを主に添加元素として用いたが、クロムを用いても良い。特にクロムは微量でも効果が大であるため、例えばジルコニウムの代替として０.４ ｗｔ％程度添加する。クロムの添加効果としては、上記のエッチレート制御性以外にスパッタリングターゲットの製造効率を大幅に向上できるという利点がある。他の元素に比較して融点が低いため、モリブデン合金のホットアイソスタティックプレス法(HIP法）による焼結性が向上する。その結果、スパッタリングターゲット中の焼結密度が向上する。微小空孔が低減するため、スパッタ時の異常放電や、空孔の存在に起因するスプラッシュの発生を大幅に低減することができた。また、積層配線のＭｏ合金部を電解エッチングなどで除去する際には、電解エッチングしやすいクロムを適量添加すると良い。この場合も添加によるエッチング特性への影響が大きいため、１ｗｔ％以下，０.４ｗｔ％程度添加するのが良い。
（実施例５）
エッチング特性を制御するための添加元素として、チタンはジルコニウム，ハフニウムとクロムとの中間的な効果を有する。したがって、ゲート配線として、Ｍｏ−５％Ｔｉ−０.４ｗｔ％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ、またはＭｏ−６％Ｔｉ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ も同様の効果がある。さらに、大気中や水溶液中で不安定なモリブデン表面の酸化物をチタン酸化物（ＴｉＯ2）により安定化することで、レジスト密着性を向上することができる。結果として、局部的なレジストとモリブデンとの密着性不足に起因する、エッチング液の染みこみ断線不良を防止することができる。
（実施例６）
図１５は、下層がＡｌ合金であり上層がＭｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチングで形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７０】
まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有するＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチングを実施する。本実施例では、エッチャントは、硝酸濃度が１２モル％であるリン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水(Ｈ2Ｏ）とを含む混合物である。図１５（ａ）はエッチャントにフッ化アンモニウムまたはフッ化水素を添加しない場合であり、図１５（ｂ）は、エッチャントにフッ化アンモニウムを０.０１ モル％添加した場合の配線断面形状である。
【００７１】
エッチャントにフッ化アンモニウムまたはフッ化水素を添加しない場合は、下層のＡｌ合金２の側面に髭状の生成物７が観察された。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。一方、エッチャントにフッ化アンモニウムを０.０１モル％添加した場合は、フッ化アンモニウムを0.1モル％添加した場合と同様に、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。フッ化アンモニウムの代替として、フッ化水素を０.０１ モル％または０.１ モル％添加したエッチャントの場合も同様に、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。
【００７２】
図１６は、下層がＡｌ合金であり上層がＭｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチングで形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７３】
まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有するＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチングを実施する。本実施例では、エッチャントは、フッ化アンモニウムを０.１ モル％添加したリン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物である。
【００７４】
図１６の（ａ）はエッチャントの硝酸濃度が５.０モル％の場合であり、配線の断面は上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形状になった。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。図１６の（ｂ）はエッチャントの硝酸濃度が７.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね４５°〜４９°の順テーパ状に加工された。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１６の（ｃ）はエッチャントの硝酸濃度が９.５ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５°〜４０°の順テーパ状に加工された。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１６の（ｄ）はエッチャントの硝酸濃度が１２.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１６の（ｅ）はエッチャントの硝酸濃度が１４.５ モル％の場合である。この場合は、エッチングにより上層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線パタンに虫食い状の欠陥が観察された。
【００７５】
図１７は、下層がＡｌ合金であり上層がＭｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチングで形成したときの配線の断面形状を示している。まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０ｎｍと、Ｍｏ合金３としてＭｏにＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを種々のＣｒ含有量添加したのもの２０ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチングを実施した。本実施例では実施例１と同じく、エッチャント６として、硝酸濃度は１２モル％でありフッ化アンモニウムを０.１モル％添加したリン酸(Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水(Ｈ2Ｏ）とを含む混合物を採用した。図１７の(ａ)はＭｏ合金３がＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを含有しない純Ｍｏの場合である。この場合は、エッチングにより上層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線パタンに虫食い状の欠陥が観察された。図１７の(ｂ)はＭｏ合金３のＣｒ含有量が０.４ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が１２wt％、およびＺｒ含有量が８ｗｔ％、およびＴｉ含有量が２ｗｔ％の場合も同様に配線の断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１７の（ｃ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が１.５ｗｔ％ の場合であり、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が３０ｗｔ％、およびＺｒ含有量が２０ｗｔ％、およびＴｉ含有量が６ｗｔ％の場合も同様に配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１７の（ｄ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が３.０ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５°〜４０°の順テーパ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が４１ｗｔ％、およびＺｒ含有量が２６ｗｔ％、およびＴｉ含有量が7.6ｗｔ％の場合も同様に配線の断面形状は概ね３５°〜４０°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１７の（ｅ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が４.０ｗｔ％の場合であり、配線の断面は上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形状になった。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が４８ｗｔ％、およびＺｒ含有量が３２ｗｔ％、およびＴｉ含有量が９ｗｔ％の場合も同様に上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形状になった。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。
【００７６】
図１８は、下層がＡｌ合金であり上層がＭｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチングで形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７７】
まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に成膜した。本実施例では、Ａｌ合金２として種々のＮｄ含有量のもの２４０ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.５ｗｔ％のＣｒを含有するＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチングを実施した。本実施例ではエッチャントとして、硝酸濃度は１２モル％でありフッ化アンモニウムを０.１ モル％添加したリン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸(ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水(Ｈ2Ｏ)とを含む混合物を採用した。湿式エッチングの後、真空中にて３００℃で配線パタンを熱処理した。
【００７８】
図１８の（ａ）はＡｌ合金２のＮｄ含有量が９.８ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１８の（ｂ）は、Ａｌ合金２のＮｄ含有量が０.４９ ｗｔ％の場合であり、配線のＡｌ合金層の側面部にヒロックと思われる突起状生成物が生成した。この配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。Ａｌ合金２のＮｄ含有量が０.９８ ｗｔ％の場合は、図１８の(ａ)と同様に、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工された。しかしながら、湿式エッチングの後の真空中熱処理温度を３５０℃にすると、図１８の（ｂ）と同様にＡｌ合金層の側面部にヒロックと思われる突起状生成物が生成した。
（実施例７）
図１９には、シャワーエッチングによるウェットエッチング方法の模式図を示す。ガラス基板をコロ搬送にて水平に搬送しつつ、その上からシャワー状にエッチング液を供給する。図では基板は紙面に対し垂直方向に進行している。エッチングノズルは各点源から放射状にエッチング液を照射する。その際、エッチングの均一性を高めるため、それぞれのエッチングシャワーが一部重複するようにノズルを配置することによって、供給むらなく、均一なエッチングが可能となる。しかし、本発明の配線材料であるＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線のエッチングでは、わずかなシャワー流量分布のばらつきによってエッチングレートが変化することが問題である。特にＡｌ膜は流量が多いほどエッチレートが低下するという特徴がある。その結果、図１９に示すように、ノズル直下でシャワー流量の多い領域では、エッチレートが低くなり、その結果、サイドエッチ量が低下する。ノズルオーバーラップ領域では逆の現象が発生し、その結果、ノズル分布に起因してサイドエッチ量のばらつきが発生する。その結果、配線の寸法精度の面内分布が悪化し、液晶ディスプレイの画質にばらつきが発生する。本発明では、Ｍｏ合金／Ａｌ合金の積層配線のエッチングにおいて、基板の水平搬送方向に対して垂直方向にエッチングノズルを揺動させる。最適揺動角度は、ノズルからの広がり角に依存するが、４０°〜１００°が望ましい。ノズルを揺動させることによって、シャワー流量が時間的に平均化され，その結果として、サイドエッチ量、すなわち配線寸法のばらつきを大幅に低減できた。エッチング液組成によってはエッチング後の水によるリンスでもＭｏ膜のエッチングが進行することがある。この場合、リンス時の水置換速度を基板面内で均一化する必要があるが、その際にもシャワーノズル揺動処理は有効であることも確認した。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、ゲート配線（電極），ソースおよびドレイン配線(電極)をモリブデンを主成分とし、モリブデンを固溶するクロム，チタン，タンタル，ニオブのうちの少なくとも１つ以上を添加元素として含む合金層と、アルミニウム合金層との積層配線で構成したことにより、画面の大面積化のための配線の低抵抗化が容易となり、かつ当該配線や電極のホトエッチング工程を簡略化して、低コストかつ表示不良のない高信頼性の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する要部の模式断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例の２層積層構造を説明する要部模式断面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の一実施例の３層積層構造の一例を説明する要部模式断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の一実施例のゲート配線の端部での配線端子の構造の一例を説明する要部模式断面図である。
【図５】金属配線のウェットエッチングレートの合金添加量依存性の説明図である。
【図６】金属配線のドライエッチングレートの合金添加量依存性の説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶表示装置のアクティブマトリクス基板上に形成した一画素部分の模式平面図である。
【図８】本発明を適用した液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の一画素付近の配線構造を説明する模式平面図である。
【図９】本発明を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の全体構成を説明する展開斜視図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する要部の模式断面図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置の一実施例のドライバＩＣ実装部の模式断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置の一実施例のドライバＩＣ実装部の平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する要部の模式断面図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する液晶表示装置画素部の平面図である。
【図１５】本発明による配線の断面形状を示す一実施例である。
【図１６】本発明による配線の断面形状を示す一実施例である。
【図１７】本発明による配線の断面形状を示す一実施例である。
【図１８】本発明による配線の断面形状を示す一実施例である。
【図１９】本発明の液晶表示装置の製造方法の内，エッチング方法の一実施例である。
【図２０】本発明のウェットエッチレートとドライエッチレートの合金元素添加量依存性を示す。
【符号の説明】
１…アクティブマトリクス基板、２…アルミニウム合金層、２Ａ…ゲートバスライン、２Ｂ…対抗電極配線、２Ｃ…対抗櫛歯電極、３…モリブデン合金層、３Ａ…ドレイン配線、３Ｂ…ドレイン電極、３Ｃ…ソース電極、４…ゲート絶縁層、５…半導体層（ｉ−ａ−Ｓｉ層）、６…コンタクト層（ｎ＋ａ−Ｓｉ層）、７，９…モリブデン合金層、８…アルミニウム合金層、１０…パッシベーション層、１１…透明導電層（ＩＴＯ）、１１Ａ…画素電極、１２…カラーフィルタ基板、１８…液晶層、１９，２０…スルーホール、２１…Ｃｒ膜、２２…Ｃｒ−Ｍｏ合金膜、２３…異方性導電フィルム、２４…ドライバチップ、２５…バスライン、２６…ゲートライン用ＦＰＣ、２７…パワーバスライン及び走査信号用バスライン、２８…ゲートドライバＩＣ、２９…パワー供給用ＦＰＣ、３０…パワーバスライン、３１…データ信号用ＦＰＣ、３２…データ転送バスライン、３３…ドレイン用ドレインドライバ、３４…エッチングシャワーノズル、３５…エッチング液シャワー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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