(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が下記一般式［１］
【化１】
0003856202.tif 000064
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ1〜Ｒ6は、それらのうちの２つで環を形成していても良い。またＬ1は置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数であり、Ｍは（ｎ＋ｍ）価の金属イオンを表す。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［２］
【化２】
0003856202.tif 000065
（式中、Ｒ7〜Ｒ18は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ7〜Ｒ18は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。また、Ｌ2は置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアルケニレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のアラルキレン基を表す。ｌ（エル）は０又は１の値を取る数である。ｓは１〜２の整数であり、Ｍは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［３］
【化３】
0003856202.tif 000066
（式中、Ｒ19〜Ｒ40は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ19〜Ｒ40は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。またＡｒ1〜Ａｒ3は置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素を表す。ｔは０〜３の値を取る整数である。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［４］
【化４】
0003856202.tif 000067
（式中、Ｒ41〜Ｒ56は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ41〜Ｒ56は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項５】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［５］
【化５】
0003856202.tif 000068
（式中、Ｒ57〜Ｒ62は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ57〜Ｒ62は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項６】
有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［６］
【化６】
0003856202.tif 000069
（式中、Ｒ63〜Ｒ80は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ63〜Ｒ80は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタに関し、特に、高速動作する有機TFT(Thin Film Transistor）を得ることが可能な有機薄膜トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタは、液晶表示装置等の表示用のスイッチング素子として広く用いられている。従来、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも呼ぶ）は、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されていた。しかし、このようなシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ装置は、非常に高額であり、ＴＦＴを用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増加を伴うという問題点があった。また、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるので、基板として使用可能な材料の種類が限られ、従って、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。
【０００３】
上記問題を解決するために、アモルファスや多結晶のシリコンに代えて有機物を用いたＴＦＴが提案されている。有機物でＴＦＴを形成する際に用いる成膜方法として真空蒸着法や塗布法等が知られているが、これらの成膜方法によれば、コストアップを抑えつつ素子の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロセス温度を比較的低温にすることができる。このため、有機物を用いたＴＦＴでは、基板に用いる材料の選択時の制限が少ないといった利点が得られ、その実用化が期待される。
【０００４】
実際、近年、有機物を用いたＴＦＴは盛んに報告されるようになった。この報告例として、F. Ebisawaら，Journal of Applied Physics，５４巻，３２５５頁，１９８３年；A. Assadiら，Applied Physics Letter，５３巻，１９５頁，１９８８年；G. Guillaudら，Chemical Physics Letter，１６７巻，５０３頁，１９９０年；X. Pengら，Applied Physics Letter，５７巻，２０１３頁，１９９０年；G. Horowitzら, Synthetic Metals, ４１−４３巻，１１２７頁，１９９１年；S. Miyauchiら，Synthetic Metals，４１−４３巻，１９９１年； H. Fuchigamiら，Applied Physics Letter，６３巻，１３７２頁，１９９３年； H. Koezukaら，Applied Physics Letter，６２巻，１７９４頁，１９９３年； F. Garnierら，Science，２６５巻，１６８４頁，１９９４年；A. R. Brownら，Synthetic Metals，６８巻，６５頁，１９９４年； A. Dodabalapurら，Science，２６８巻，２７０頁，１９９５年； T. Sumimotoら，Synthetic Metals，８６巻，２２５９頁，１９９７年；K. Kudoら，Thin Solid Films，３３１巻，５１頁，１９９８年；K. Kudoら，Synthetic Metals，１０２巻，９００頁，１９９９年；K. Kudoら，Synthetic Metals，１１１−１１２巻，１１頁、２０００年などを挙げることができる。
【０００５】
ＴＦＴの有機化合物層に用いる有機物としては、共役系ポリマーやチオフェンなどの多量体（特開平8-228034号公報、特開平8-228035号公報、特開平9-232589号公報、特開平10-125924号公報、特開平10-190001号公報等）、或いは、金属フタロシアニン化合物（特開2000-174277等）、またペンタセンなどの縮合芳香族炭化水素（特開平5-55568号公報、特開2001-94107号公報等）などが、単体或いは他の化合物との混合物の状態で用いられている。
【０００６】
上記のように、有機ＴＦＴに関する研究が盛んに行われている。ここで、従来より多用される代表的な有機ＴＦＴの断面構造を図３に示す。この有機ＴＦＴ２０は、基板２１上に、ゲート電極（層）２４及び絶縁体層２６をこの順に有し、絶縁体層２６上に、所定の間隔をあけて形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３を有している。双方の電極２２、２３の一部表面を含み、電極２２、２３間に露出する絶縁体層２６上には、有機薄膜層２５が形成されている。このような構成を有する有機ＴＦＴ２０では、有機薄膜層２５がチャネル領域を成しており、ゲート電極２４に印加される電圧でソース電極２２とドレイン電極２３の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の有機ＴＦＴ２０では、有機薄膜層２５の面方向(図３の矢印Ａで示す）にキャリア（自由電子又は正孔）が移動するので、用いられている化合物の易動度（移動度）に対してチャネル長が長すぎることになる。このため、動作速度が遅く、より高速な動作を提供することはできなかった。また、従来の有機ＴＦＴでは、有機薄膜の膜厚方向にキャリアが流れるように構成しチャネル長を短くすることによって、応答速度を向上させる試みもなされている。しかし、このように構成した場合にも、用いる有機化合物の易動度が十分ではなく、このため、十分な駆動速度を実現することができなかった。
【０００８】
本発明は、上記に鑑み、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長を短縮し、高い易動度を有する化合物を用いることによって、応答速度（駆動速度）を高速化することができる有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述の課題を解決するために鋭意検討した結果、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が有機薄膜の膜厚方向と一致する構成の場合に、有機薄膜、つまり有機化合物層が特定の構造を有する化合物を単独若しくは混合物として含む際に有機薄膜トランジスタの応答速度（駆動速度）が大きく向上することを見出し、本発明を発明するに到った。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る第１視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が下記一般式［１］
【化１】
0003856202.tif 000002
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ1〜Ｒ6は、それらのうちの２つで環を形成していても良い。またＬ1は置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数であり、Ｍは（ｎ＋ｍ）価の金属イオンを表す。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第１視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が有機薄膜層の膜厚方向と一致するので、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長を短縮することができる。更に、有機薄膜層が一般式［１］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度を得ることができ、これにより、応答速度（駆動速度）を十分に高速化することができる。
【００１２】
また、本発明に係る第２視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［２］
【化２】
0003856202.tif 000003
（式中、Ｒ7〜Ｒ18は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ7〜Ｒ18は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。また、Ｌ2は置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアルケニレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のアラルキレン基を表す。ｌ（エル）は０又は１の値を取る数である。ｓは１〜２の整数であり、Ｍは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄膜層が一般式［２］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分に高速化される。
【００１４】
本発明に係る第３視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［３］
【化３】
0003856202.tif 000004
（式中、Ｒ19〜Ｒ40は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ19〜Ｒ40は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。またＡｒ1〜Ａｒ3は置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素を表す。ｔは０〜３の値を取る整数である。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明の第３視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄膜層が一般式［３］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分に高速化される。
【００１６】
本発明に係る第４視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［４］
【化４】
0003856202.tif 000005
（式中、Ｒ41〜Ｒ56は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ41〜Ｒ56は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の第４視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄膜層が一般式［４］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分に高速化される。
【００１８】
本発明に係る第５視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［５］
【化５】
0003856202.tif 000006
（式中、Ｒ57〜Ｒ62は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ57〜Ｒ62は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の第５視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄膜層が一般式［５］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分に高速化される。
【００２０】
本発明に係る第６視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、
前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式［６］
【化６】
0003856202.tif 000007
（式中、Ｒ63〜Ｒ80は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ63〜Ｒ80は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第６視点の有機薄膜トランジスタでは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄膜層が一般式［６］で表される化合物を単独若しくは混合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分に高速化される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明に係る実施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明に係る第１実施形態例の有機ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【００２５】
第１実施形態例
本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａは、図１に示すように、電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)構造を有している。有機ＴＦＴ１０Ａは、有機薄膜層（有機化合物層）１５と、夫々が有機薄膜層１５の異なる面１５ａ、１５ｂに接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極（第１の電極）１２及びドレイン電極（第２の電極）１３と、電極１３、１４から夫々所定の距離をあけて形成されたゲート電極（第３の電極）１４とを有し、ゲート電極１４に電圧を印加することによってソース／ドレイン電極１２、１３間に流れる電流を制御する構成を備える。
【００２６】
すなわち、本有機ＴＦＴ１０Ａは、基板１１上に、ゲート電極（層）１４及び絶縁体層１６をこの順に有し、絶縁体層１６上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１２を有し、一対のソース電極１２、１２を含む絶縁体層１６の露出面上に有機薄膜層１５が形成され、有機薄膜層１５上にドレイン電極（層）１３が形成される。このような構成の有機ＴＦＴ１０Ａでは、有機薄膜層１５がチャネル領域を成しており、ゲート電極１４に印加される電圧でソース電極１２とドレイン電極１３の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
【００２７】
ソース電極１２、ドレイン電極１３及びゲート電極１４に夫々用いることが可能な材料としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の金属や合金の他、導電性ポリマーなどの有機材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、ゲート絶縁層である絶縁体層１６に用いる材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、アルミナ等の無機絶縁体や絶縁性ポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａは、ソース電極１２とドレイン電極１３の間のキャリアの移動方向が有機薄膜層１５の膜厚方向（図１の矢印Ｂで示す）と一致する構造を有し、且つ、有機薄膜層１５が下記一般式で表される化合物を単独若しくは混合物として含んでいる。有機薄膜層１５に含まれる化合物として、下記一般式［１］〜［６］で表される構造を有する化合物を挙げることができる。
【００２９】
【化１】
0003856202.tif 000008
【００３０】
【化２】
0003856202.tif 000009
【００３１】
【化３】
0003856202.tif 000010
【００３２】
【化４】
0003856202.tif 000011
【００３３】
【化５】
0003856202.tif 000012
【００３４】
【化６】
0003856202.tif 000013
【００３５】
一般式［１］〜［６］において、Ｒ1〜Ｒ80は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またＲ1〜Ｒ80は、それらのうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。ｎは１〜３の整数であり、ｍは０〜２で表される整数である。ｌ（エル）は０又は１の値を取る数である。また、ｓは１〜２の整数である。ｔは０〜３の値を取る整数である。Ｍは（ｎ＋ｍ）価或いは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。
【００３６】
一般式［１］〜［６］において、Ａｒ1〜Ａｒ3は夫々独立に、炭素数６から２０の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基である。炭素数６から２０の無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスレニル基、ピレニル基、ペリレニル基等が挙げられる。前記の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基の有する置換基としてはハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。
【００３８】
これらの縮合芳香族炭化水素が有する置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。
【００３９】
前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。前記の置換若しくは無置換のアミノ基は−ＮＸ1Ｘ2と表され、Ｘ1、Ｘ2としては夫々独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、４−スチリルフェニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、3-メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニルイル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、��−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンス��リン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００４０】
前記の置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００４１】
前記の置換若しくは無置換のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、４−メチルフェニルビニル基、２，２−ジ−ｐ−トリルビニル基、シクロヘキシリデンメチン基等が挙げられる。
【００４２】
前記の置換若しくは無置換のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。前記の置換若しくは無置換のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００４３】
前記の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、3-メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニルイル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。
【００４４】
また、前記の置換若しくは無置換の芳香族複素環基としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００４５】
また、前記の置換若しくは無置換のアラルキル基としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、 ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、 ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、 ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、 ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、 ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、 ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００４６】
前記の置換若しくは無置換のアリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚとしてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、3-メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニルイル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００４７】
前記の置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹ2と表され、Ｙ2としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００４８】
Ｍで表される金属原子の例としてはアルミニウム、ベリリウム、ビスマス、カドミウム、セリウム、コバルト、銅、鉄、ガリウム、ゲルマニウム、水銀、インジウム、ランタン、マグネシウム、モリブデン、ニオブ、アンチモン、スカンジウム、スズ、タンタル、トリウム、チタニウム、ウラン、タングステン、ジルコニウム、バナジウム、亜鉛等が挙げられる。
【００４９】
以下に、本発明の化合物例を挙げるが、本発明はその要旨を越えない限りこれらに限定されるものではない。これらの化合物例は、下記化学式（１）〜（４８）（以下、化合物番号とも言う）で表される構造を有する。
【００５０】
【化７】
0003856202.tif 000014
【００５１】
【化８】
0003856202.tif 000015
【００５２】
【化９】
0003856202.tif 000016
【００５３】
【化１０】
0003856202.tif 000017
【００５４】
【化１１】
0003856202.tif 000018
【００５５】
【化１２】
0003856202.tif 000019
【００５６】
【化１３】
0003856202.tif 000020
【００５７】
【化１４】
0003856202.tif 000021
【００５８】
【化１５】
0003856202.tif 000022
【００５９】
【化１６】
0003856202.tif 000023
【００６０】
【化１７】
0003856202.tif 000024
【００６１】
【化１８】
0003856202.tif 000025
【００６２】
【化１９】
0003856202.tif 000026
【００６３】
【化２０】
0003856202.tif 000027
【００６４】
【化２１】
0003856202.tif 000028
【００６５】
【化２２】
0003856202.tif 000029
【００６６】
【化２３】
0003856202.tif 000030
【００６７】
【化２４】
0003856202.tif 000031
【００６８】
【化２５】
0003856202.tif 000032
【００６９】
【化２６】
0003856202.tif 000033
【００７０】
【化２７】
0003856202.tif 000034
【００７１】
【化２８】
0003856202.tif 000035
【００７２】
【化２９】
0003856202.tif 000036
【００７３】
【化３０】
0003856202.tif 000037
【００７４】
【化３１】
0003856202.tif 000038
【００７５】
【化３２】
0003856202.tif 000039
【００７６】
【化３３】
0003856202.tif 000040
【００７７】
【化３４】
0003856202.tif 000041
【００７８】
【化３５】
0003856202.tif 000042
【００７９】
【化３６】
0003856202.tif 000043
【００８０】
【化３７】
0003856202.tif 000044
【００８１】
【化３８】
0003856202.tif 000045
【００８２】
【化３９】
0003856202.tif 000046
【００８３】
【化４０】
0003856202.tif 000047
【００８４】
【化４１】
0003856202.tif 000048
【００８５】
【化４２】
0003856202.tif 000049
【００８６】
【化４３】
0003856202.tif 000050
【００８７】
【化４４】
0003856202.tif 000051
【００８８】
【化４５】
0003856202.tif 000052
【００８９】
【化４６】
0003856202.tif 000053
【００９０】
【化４７】
0003856202.tif 000054
【００９１】
【化４８】
0003856202.tif 000055
【００９２】
【化４９】
0003856202.tif 000056
【００９３】
【化５０】
0003856202.tif 000057
【００９４】
【化５１】
0003856202.tif 000058
【００９５】
【化５２】
0003856202.tif 000059
【００９６】
【化５３】
0003856202.tif 000060
【００９７】
【化５４】
0003856202.tif 000061
【００９８】
第２実施形態例
図２は、本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ｂの構造を示す断面図である。本有機ＴＦＴ１０Ｂは、静電誘導トランジスタ(SIT:Static Induction Transistor)構造を有している。有機ＴＦＴ１０Ｂは、有機薄膜層１５と、夫々が有機薄膜層１５の異なる面１５ａ、１５ｂに接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極１２及びドレイン電極１３と、電極１３、１４から夫々所定の距離をあけて形成されたゲート電極１４とを有し、ゲート電極１４に電圧を印加することによってソース／ドレイン電極１２、１３間に流れる電流を制御する構成を備える。
【００９９】
すなわち、本有機ＴＦＴ１０Ｂは、基板１１上に、ソース電極１２、有機薄膜層１５及びドレイン電極１３をこの順に有し、有機薄膜層１５内にゲート電極１４を有している。ゲート電極１４は、紙面の手前−奥方向に、ソース電極１２及びドレイン電極１３の双方と平行になるように相互に平行に延在している。このような構成の有機ＴＦＴ１０Ｂも、第１実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａと同様に、有機薄膜層１５がチャネル領域を構成し、ゲート電極１４に印加される電圧でソース電極１２とドレイン電極１３の間に流れる電流を制御する。
【０１００】
本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ｂにおいても、ソース電極１２、ドレイン電極１３及びゲート電極１４に夫々用いることが可能な材料、並びに、有機薄膜層１５に含まれる化合物は、第１実施形態例と同様である。
【０１０１】
第１及び第２実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａ、１０Ｂにおける各層の形成方法は、特に限定されることはなく、従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等、一般的な薄膜形成方法を用いることが可能である。本有機ＴＦＴ１０Ａ、１０Ｂに用いる、前記一般式［１］で示される化合物を含有する有機薄膜層１５は、溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法の他、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）等の方法で形成することができる。
【０１０２】
本有機ＴＦＴ１０Ａ、１０Ｂにおける有機薄膜層１５の膜厚は、特に制限されることはない。しかし、一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎるとチャネル長が長くなり、或いは高い印加電圧が必要となってＴＦＴの性能劣化の要因になるので、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【０１０３】
第１及び第２実施形態例で用いられる基板１１は、有機ＴＦＴの構造を支持する役目を担うものであり、ガラスの他、プラスチックや金属基板なども用いることが可能であるが、基板以外の構成要素により有機ＴＦＴの構造を十分に支持し得る場合には、使用しない事も可能である。
【０１０４】
【実施例】
以下、実施例をもとに本発明を詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
【０１０５】
実施例１
本実施例では、第１実施形態例で説明した図１の有機ＴＦＴ１０Ａを以下の手順で作製した。まず、基板１１上にクロミウムを真空蒸着法により100nmの膜厚で成膜してゲート電極１４とした。次いで、このゲート電極１４上に、スパッタリングによってＳｉＯ2を300nmの膜厚に成膜し、これを絶縁体層１６とした。更に、この絶縁体層１６上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、ソース電極１２を形成した。
【０１０６】
引き続き、真空蒸着法により、化合物（１）を300nmの膜厚で形成し、有機薄膜層１５とした。更に、この有機薄膜層１５の上に、真空蒸着法により、マグネシウム−銀合金を200ｎｍの膜厚で成膜してドレイン電極１３を形成し、有機ＴＦＴ１０Ａを得た。
【０１０７】
作製した有機ＴＦＴ１０Ａのゲート電極１４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直流電圧を夫々印加した。この状態で、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間（全変化量の１０％変化時から９０％の変化時までの時間）を測定したところ、1μｓ未満であった。
【０１０８】
実施例２
本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（３）の材料を用いた点を除いて実施例１と同様であり、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、実施例１と同じ1μｓ未満であった。
【０１０９】
実施例３
本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（５）の材料を用いた点を除いて実施例２と同様であり、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、実施例２と同じ1μｓ未満であった。
【０１１０】
実施例４〜２９
上記と同様の手法で測定した実施例４〜２９を表１に示す。表１では、実施例毎に化合物番号、ソース電極及びドレイン電極の材料（電極材料）、及び応答時間（μｓ）を夫々記載している。
【０１１１】
【表１】
0003856202.tif 000062
【０１１２】
表１から判るように、実施例４〜２９における何れの有機ＴＦＴ素子においても、実施例１〜３と同様に、応答時間が１μｓ未満と非常に短かった。
【０１１３】
実施例３０
本実施例では、第２実施形態例で説明した図２の有機ＴＦＴ１０Ｂを以下の手順で作製した。まず、基板１１上に、真空蒸着法により200nmの膜厚で金を成膜し、これをソース電極１２とした。次いで、このソース電極１２上に化合物番号（１）の化合物を100nmの膜厚で成膜して、有機薄膜層１５の一部を形成した。更に、この有機薄膜層１５上に、金属マスクを通してアルミニウムを真空蒸着し、幅100μｍ、間隔200μｍ、膜厚80nmのストライプ状のゲート電極１４を形成した。引き続き、ゲート電極１４上に、化合物（１）を真空蒸着法により150nmの膜厚で成膜して、有機薄膜層１５の全体を形成した。更に、有機薄膜層１５上に、真空蒸着法により200nmの膜厚で金を形成してドレイン電極１３とし、これにより、有機ＴＦＴ素子１０Ｂを得た。
【０１１４】
このようにして作製した有機ＴＦＴ素子１０Ｂのゲート電極１４に、周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン電極間に１０Ｖの直流電圧を印加し、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間を測定したところ、1μｓ未満であった。
【０１１５】
実施例３１
本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（３）の材料を用い、各電極材料にＭｇＡｇを用いた点を除いて実施例１と同様であり、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、実施例３０と同じ１μｓ未満であった。
【０１１６】
実施例３２
本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（５）の材料を用いた点を除いて実施例３１と同様であり、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、実施例３１と同じ１μｓ未満であった。
【０１１７】
実施例３３〜５８
上記と同様の手法で測定した実施例３３〜５８を表２に示す。表２においても、実施例毎に化合物番号、ソース電極及びドレイン電極の材料（電極材料）、及び応答時間（μｓ）を夫々記載している。
【０１１８】
【表２】
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【０１１９】
表２から判るように、実施例３３〜５４における何れの有機ＴＦＴ素子１０Ｂにおいても応答時間が１μｓ未満と比較的に短かく、実施例５５〜５８における何れの有機ＴＦＴ素子１０Ｂにおいても応答時間が１μｓ未満と極めて短かった。
【０１２０】
実施例５９
本実施例では、第１実施形態例で説明した図１の有機ＴＦＴ１０Ａを以下の手順で作製した。まず、基板１１上に、真空蒸着法によりクロミウムを100nmの膜厚で成膜し、ゲート電極１４を形成した。次いで、このゲート電極１４上に、スパッタリングによりＳｉＯ2を300nmの膜厚で成膜し、絶縁体層１６とした。更に、絶縁体層１６上に、金属マスクを通してマグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜することにより、ソース電極１２を形成した。引き続き、化合物（１）とセシウムとを重量比１０：１になるように20nm形成した後、真空蒸着法により化合物（１）を280nmの膜厚で形成し、有機薄膜層１５を得た。次いで、有機薄膜層１５上に、真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200ｎｍの膜厚で成膜してドレイン電極１３を形成し、これにより、有機ＴＦＴ素子１０Ａを得た。
【０１２１】
このようにして作製した有機ＴＦＴ素子１０Ａのゲート電極１４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直流電圧を夫々印加し、ソース−ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間（全変化量の１０％変化時から９０％変化時までの時間）を測定したところ、1μｓ未満であった。
【０１２２】
実施例６０
本実施例では、第２実施形態例で説明した図２の有機ＴＦＴ１０Ｂを以下の手順で作製した。まず、基板１１上に、真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200nmの膜厚で成膜し、ソース電極１２を形成した。次いで、このソース電極１２上に、化合物（１）とセシウムを重量比１０：１になるように20nm形成した後、化合物（１）を80nmの膜厚で成膜した。更に、この上に、金属マスクを通してアルミニウムを真空蒸着し、幅100μｍ、間隔200μｍのストライプ状に膜厚80nmで形成し、ゲート電極１４を得た。引き続き、ゲート電極１４上に、真空蒸着法により化合物（１）を150nmの膜厚で成膜し、有機薄膜層１５の全体を形成した。更に、有機薄膜層１５上に、真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200nmの膜厚で形成してドレイン電極１１３を形成し、これにより、有機ＴＦＴ素子１０Ｂを得た。
【０１２３】
このようにして作製した有機ＴＦＴ１０Ｂのゲート電極１４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直流電圧を夫々印加し、ソース−ドレイン電極間の電流のオン、オフ時の応答時間（全変化量の１０％変化時から９０％変化時までの時間）を測定したところ、1μｓ未満であった。
【０１２４】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明に係る有機薄膜トランジスタは、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した有機薄膜トランジスタも、本発明の範囲に含まれる。
【０１２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の有機薄膜トランジスタによると、チャネル長を短縮し、さらに高い移動度を有する化合物を用いることによって、応答速度（駆動速度）を高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態例の有機ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る第２実施形態例の有機ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図３】従来より多用される代表的な有機ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１０Ａ：有機ＴＦＴ
１０Ｂ：有機ＴＦＴ
１１：基板
１２：ソース電極
１３：ドレイン電極
１４：ゲート電極
１５：有機薄膜層
１６：絶縁体層
２０：有機ＴＦＴ
２１：基板
２２：ソース電極
２３：ドレイン電極
２４：ゲート電極
２５：有機薄膜層
２６：絶縁体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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