(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターンテーブル上にガラス基盤を載置して、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成方法であって、
前記ターンテーブルに温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着させ、当該温度制御板とガラス基盤に接触した温度センサーにより前記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、前記温度制御板と温度センサーを前記ターンテーブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させつつ前記塗布材料の塗布を行うことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
前記塗布膜形成方法は、前記塗布動作中に前記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を前記目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御することを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
前記塗布膜形成方法は、前記塗布材料を前記目標温度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下させることを特徴とする請求項１または請求項２記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
前記塗布膜形成方法は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下させることを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
ターンテーブル上にガラス基盤を載置して、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成装置であって、
前記ターンテーブルに離接可能に密着される温度制御板と、前記温度制御板を温度制御し前記ガラス基盤に接触した温度センサーにより前記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段により前記ガラス基盤を前記目標温度に均一に温度制御した後、前記温度制御板と前記温度センサーを前記ターンテーブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させつつ前記塗布材料を前記ガラス基板上に滴下させて、前記塗布材料を前記ガラス基盤表面に塗布することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項６】
前記温度制御手段は、前記塗布動作中に前記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御することを特徴とする請求項５記載の塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記塗布材料温度調整手段は、前記塗布材料を前記目標温度に調整することを特徴とする請求項５または請求項６記載の塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記温度制御手段は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度として前記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料温度調整手段は、前記塗布材料を当該目標温度より所定温度だけ低い温度に温度調整することを特徴とする請求項５記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置に関し、詳細には、光ディスクを作製するための光ディスク原盤用レジスト膜を形成する等のようにスピンコート法により塗布膜を形成する塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近時、光学的に情報の再生を行ったり、光学的に情報の再生と記録を行う光ディスクが出現しており、このような光ディスクとしては、例えば、ＣＤ（コンパクトディスク：Compact Disc）、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory ）及び光磁気ディスク等がある。
【０００３】
このような光ディスクは、一般的に、直径１２０ｍｍあるいは８０ｍｍで、盤厚が１．２ｍｍの円盤状に形成されており、音楽情報だけでなく、コンピュータソフトの情報等の記録媒体として広く利用されている。
【０００４】
従来、光ディスク原盤の作製は、まず、ガラス基盤にフォトレジストを均一に塗布し、レジスト膜の塗布されたガラス基盤を、所定のフォーマットにしたがって光変調されたレーザー集光ビームで露光することにより、案内溝や情報を記録していく。この露光された原盤を現像処理することにより、凹凸を作り、それを元に、この表面に導電性金属スパッタ処理とメッキ作業を行って、スタンパと呼ばれる金型を作成し、このスタンパがディスク基板のレプリカ用の型となる。
【０００５】
上記光ディスク原盤の作製工程において、ガラス基盤にフォトレジストを均一に塗布する工程では、スピンコート法が一般に使用されている。
【０００６】
このフォトレジストを塗布するスピンコート装置は、一般に、図８に示すようになっており、ターンテーブル１上に表面を精密に研磨して洗浄したガラス基盤２を載せ、ガラス基盤２をターンテーブル１に真空吸着させる。このターンテーブル１の主軸３に接続されたモータを回転駆動して、ターンテーブル１を主軸３を中心として回転するとともに、ターンテーブル１に吸着されたガラス基盤２を回転させ、アーム４をガラス基盤２の端部から中心部まで移動させつつ、アーム４の先端からレジストをガラス基盤２上に滴下させる。
【０００７】
ガラス基盤２上に滴下されたレジストは、回転するガラス基盤２の遠心力により、その膜厚が均一にされつつ、乾燥される。
【０００８】
そして、レジストは、その膜厚がディスク基盤のピットやグループの溝深さとなって現れるため、膜厚にムラが無く均一であることが要求される。
【０００９】
この膜厚の変動要因としては、種々考えられるが、重要な要因の一つとして、ガラス基盤２の温度変動があり、このガラス基盤２の温度変動は、ターンテーブル１を回転駆動するモータからの熱流入が大きな要因と考えられる。
【００１０】
そこで、従来、ターンテーブルを熱伝導率の低い材質で形成して、モータからの熱流入を小さくしたスピンコート装置が提案されている（特開昭５８−８２５２１号公報、特開平２−２９１１０８号公報参照）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のスピンコート装置にあっては、単に、ターンテーブルを熱伝導率の低い材質で形成して、モータからの熱流入を減少させているだけであるため、レジスト膜を均一にする上で充分な解決とはなっていなかった。
【００１２】
すなわち、ガラス基盤に塗布されるレジスト膜は、ターンテーブルからガラス基盤に伝達される温度によりその膜厚が変化するが、ターンテーブルの材質を熱伝導率の低いものとするだけでは、ターンテーブルを回転駆動するモータからの熱流入を完全には、無くすことができず、また、ターンテーブルに吸着されるガラス基盤自身が温度差を有しており、さらに、室温の変化も影響して、レジスト膜の膜厚が不均一になる。また、同じガラス基盤であっても、使用中に徐々にターンテーブルの温度分布差がガラス基盤に温度分布差を引き起こして、例えば、内周部分と外周部分で膜厚が変化するという問題があった。
【００１３】
そこで、請求項１記載の発明は、ターンテーブルに温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着させ、当該温度制御板と前記ガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と前記温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴下させて、ガラス基盤表面に塗布することにより、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持するとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止し、塗布材料を均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
【００１４】
請求項２記載の発明は、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御することにより、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくし、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持して、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
【００１５】
請求項３記載の発明は、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持し、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
【００１６】
請求項４記載の発明は、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持し、均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
【００１７】
請求項５記載の発明は、ターンテーブルに離接可能に密着される温度制御板と、温度制御板を温度制御しガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温度制御手段と、を備え、温度制御手段によりガラス基盤を目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と前記温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴下させて、塗布材料をガラス基盤表面に塗布することにより、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持するとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止し、塗布材料を均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成装置を提供することを目的としている。
【００１８】
請求項６記載の発明は、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御することにより、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくし、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持して、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成装置を提供することを目的としている。
【００１９】
請求項７記載の発明は、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持して、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成装置を提供することを目的としている。
【００２０】
請求項８記載の発明は、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持し、塗布材料を均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成装置を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明の塗布膜形成方法は、ターンテーブル上にガラス基盤を載置して、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成方法であって、前記ターンテーブルに温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着させ、当該温度制御板と前記ガラス基盤に接触した温度センサーにより前記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、前記温度制御板と前記温度センサーを前記ターンテーブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させつつ前記塗布材料の塗布を行うことにより、上記目的を達成している。
【００２２】
上記構成によれば、ターンテーブルに温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着させ、温度制御板とガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基盤上に滴下させて、ガラス基盤表面に塗布しているので、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持することができるとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止ことができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【００２３】
この場合、例えば、請求項２に記載するように、前記塗布膜形成方法は、前記塗布動作中に前記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を前記目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御してもよい。
【００２４】
上記構成によれば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００２５】
また、例えば、請求項３に記載するように、前記塗布膜形成方法は、前記塗布材料を前記目標温度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下させてもよい。
【００２６】
上記構成によれば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００２７】
さらに、例えば、請求項４に記載するように、前記塗布膜形成方法は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下させてもよい。
【００２８】
上記構成によれば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、均一な膜厚に塗布することができる。
【００２９】
請求項５記載の発明の塗布膜形成装置は、ターンテーブル上にガラス基盤を載置して、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成装置であって、前記ターンテーブルに離接可能に密着される温度制御板と、前記温度制御板を温度制御し前記ガラス基盤に接触した温度センサーにより前記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段により前記ガラス基盤を前記目標温度に均一に温度制御した後、前記温度制御板と前記温度センサーを前記ターンテーブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させつつ前記塗布材料を前記ガラス基板上に滴下させて、前記塗布材料を前記ガラス基盤表面に塗布することにより、上記目的を達成している。
【００３０】
上記構成によれば、ターンテーブルに離接可能に密着される温度制御板と、温度制御板を温度制御しガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温度制御手段と、を備え、温度制御手段によりガラス基盤を目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴下させて、塗布材料をガラス基盤表面に塗布しているので、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持することができるとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【００３１】
この場合、例えば、請求項６に記載するように、前記温度制御手段は、前記塗布動作中に前記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御するものであってもよい。
【００３２】
上記構成によれば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００３３】
また、例えば、請求項７に記載するように、前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記塗布材料温度調整手段は、前記塗布材料を前記目標温度に調整するものであってもよい。
【００３４】
上記構成によれば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００３５】
さらに、例えば、請求項８に記載するように、前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記温度制御手段は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度として前記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料温度調整手段は、前記塗布材料を当該目標温度より所定温度だけ低い温度に温度調整するものであってもよい。
【００３６】
上記構成によれば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００３８】
図１〜図５は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第１の実施の形態を示す図であり、図１は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第１の実施の形態を適用した塗布膜形成装置１０の要部斜視図である。
【００３９】
図１において、塗布膜形成装置１０は、主軸１１の上端部に所定の半径を有した円盤状のターンテーブル１２が固定されており、主軸１１には、ターンテーブル１２と略同じ半径を有した温度制御板１３が主軸１１に沿って上下方向に移動可能に配設されている。ターンテーブル１２は、主軸１１が図示しないモータにより回転駆動されることにより、主軸１１を中心として回転駆動され、ターンテーブル１２の近傍には、レジスト（塗布材料）を塗布する塗布機構１４が配設されている。上記ターンテーブル１２上面には、レジストの塗布対象であるガラス基盤１５が載置される。
【００４０】
ターンテーブル１２は、熱の流入と流出を少なくするために、比較的熱伝導率の低い材料により形成されており、図２に示すように、ターンテーブル１２上に載置されたガラス基盤１５を吸着するための複数の吸引口１２ａがターンテーブル１２表面に開口する状態で形成されている。上記主軸１１には、上記ターンテーブル１２に連通する吸引通路１１ａが形成されており、主軸１１の吸引通路１１ａには、図示しない真空ポンプに接続されている。この真空ポンプにより吸引通路１１ａ及び吸引口１２ａを通して真空引きを行うことにより、ガラス基盤１５をターンテーブル１２上に真空吸着させる。
【００４１】
温度制御板１３は、熱伝導率の良好な部材、例えば、銅（Ｃｕ）等により形成されており、主軸１１に沿って安定して上下方向に移動するとともに主軸１１の滑らかな回転を可能とするために、その中心部に主軸１１の貫通する貫通孔１３ａが形成されているとともに、主軸１１の外周面に摺接する円筒状のガイド部１３ｂを備えている。温度制御板１３の上面には、複数の温度センサ１６が配設されており、温度センサ１６は、図２に示すように、その表面が温度制御板１３の表面と一致する状態で温度制御板１３の表面に埋設されている。温度センサ１６は、図３に示すように、貫通孔１３ａを中心として相直交する４方向に並んで、温度制御板１３の内周側と外周側とに２個ずつ配設されており、温度制御板１３及びターンテーブル１２を介してガラス基盤１５の温度を各位置で検出する。この温度センサ１６としては、例えば、金属温度計（例えば、Ｐｔ温度計）あるいはサーミスタ等の抵抗温度計を利用することができ、これらの抵抗温度計は、比較的良好な感度で、長期間にわたって安定した温度測定を精度良く行うことができる。また、温度センサ１６としては、熱電対を用いることもできるが、熱電対は、抵抗温度計に比較すると、多少精度は落ち、また、検出電圧が小さいという欠点はあるが、測定部の構造が簡単であるため、非常に小型で、薄くすることができるというメリットがある。なお、温度制御板１３に取り付ける温度センサ１６ではなく、赤外線センサを利用して、直接ガラス基盤１５の温度を直接検出してもよい。
【００４２】
また、温度制御板１３の裏面には、図３に破線で示すように、中央の貫通孔１３ａ部分から外周に向かって螺旋状にヒーター線１７が配設されており、ヒーター線１７は、図示しない制御部により通電のオン／オフが制御されるとともに、通電電流が調整されて、温度制御板１３がターンテーブル１２に密着した状態で温度制御板１３を加熱することにより、ターンテーブル１２を介してガラス基盤１５を均一に所定の目標温度に加熱する。塗布膜形成装置１０は、この温度制御を、例えば、温度センサ１６の検出温度を目標温度と比較して、ヒーター線１７への通電電流をフィードバック制御することにより行う。上記ヒーター線１７及び制御部は、温度制御手段として機能する。
【００４３】
このように、温度制御板１３がターンテーブル１２に密着してターンテーブル１２を介してガラス基盤１５を均一な所定の目標温度に加熱するため、ターンテーブル１２の吸引口１２ａは、比較的小さく形成されており、ターンテーブル１２とガラス基盤１５との接触面積が大きく設定されている。
【００４４】
上記塗布機構１４は、アーム１８の先端に電磁弁１９が取り付けられており、電磁弁１９には、テフロンチューブ２０が接続されているとともに、吐出口２１が取り付けられている。アーム１８は、アーム支柱２２に回転可能に取り付けられており、図４に両矢印で示すように、アーム支柱２２を中心として、図示しない駆動機構により回転駆動される。電磁弁１９、特に、吐出口２１は、アーム１８がアーム支柱２２を中心として回転されることにより、、ガラス基盤１５の外周位置から内周位置まで移動される。また、アーム支柱２２は、図示しない駆動機構により上下方向に所定量移動可能となっており、吐出口２１とガラス基盤１５との高さ調整が可能となっている。なお、図４にガラス基盤１５の外周に沿って記されている矢印は、ガラス基盤１５の回転方向を示している。
【００４５】
そして、電磁弁１９には、レジストを貯留する図示しないタンクから加圧圧送方式によりテフロンチューブ２０を介して塗布材料であるレジストが供給され、電磁弁１９がオンされてその通路が開かれると、吐出口２１からレジストをガラス基盤１５上に滴下し、電磁弁１９がオフされてその通路が閉じられると、レジストの滴下を停止する。なお、塗布機構１４は、図示しないが、電磁弁１９に供給されるレジストを後述するターンテーブル１２の設定温度と同じ温度に加熱する加熱機構（塗布材料温度調整手段）、例えば、上記レジストを貯留するタンクを加熱するヒーター等を備えている。
【００４６】
塗布膜形成装置１０は、図示しないが、上記主軸１１を介してターンテーブル１２を所定の回転数で回転させるモータの回転制御、ガラス基盤１５を吸着するための真空ポンプの駆動制御、温度センサ１６の検出温度に基づくヒーター線１７への通電のオン／オフ制御と通電電流の調整による温度制御板１３及びガラス基盤１５の温度制御、温度制御板１３の上下移動制御及び上記駆動機構によるアーム１８の回転と電磁弁１９のオン／オフ制御等を行う制御部を備えている。
【００４７】
次に、本実施の形態の作用を説明する。塗布膜形成装置１０は、温度制御板１３により塗布対象のガラス基盤１５を室温よりも高い所定の温度に均一に加熱した後、レジストの塗布を行って、レジストを均一に塗布するところにその特徴がある。
【００４８】
すなわち、塗布膜形成装置１０は、通常の待機時、温度制御板１３をターンテーブル１２を主軸１１に沿って上方に移動させて、ターンテーブル１２に密着させた状態とし、温度制御板１３のヒーター線１７に通電するとともに、通電電流を制御して、所定の設定温度に温度制御する。なお、この温度調整においては、上述のように、ターンテーブル１２を、熱の流入と流出を少なくするために、熱伝導率の比較的小さい材質で形成していると、ターンテーブル１２を所定温度に均一に加熱するのに多少の時間を要する。
【００４９】
塗布膜形成装置１０は、この温度調整を行っている待機状態に、ターンテーブル１２上に塗布対象のガラス基盤１５を載置させ、真空ポンプを駆動させて、吸引口１２ａによりガラス基盤１５をターンテーブル１２に吸着させる。
【００５０】
塗布膜形成装置１０は、ターンテーブル１２にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ１６の検出結果をモニターして、ターンテーブル１２の温度が均一に目標温度になっているかチェックして、温度センサ１６の検出結果によりターンテーブル１２が目標温度に均一に加熱されていると、温度制御板１３を主軸１１に沿って引き下げ、ターンテーブル１２から引き離す。
【００５１】
その後、塗布膜形成装置１０は、モータにより主軸１１を介してターンテーブル１２を所定の低速回転により回転を開始し、塗布機構１４のアーム１４を回転させて、吐出口２１をガラス基盤１５の外周位置まで移動させる。
【００５２】
塗布膜形成装置１０は、吐出口２１をガラス基盤１５の外周位置まで移動させると、アーム１４を下方、すなわち、ガラス基盤１５方向に移動させて、吐出口２１とガラス基盤１５との距離が適切な塗布距離となる位置まで移動させ、電磁弁１９をオンして電磁弁１９の通路を開いて、レジストのガラス基盤１５上への滴下を開始する。
【００５３】
このとき、レジストは、塗布機構１４の備えている上記加熱機構によりガラス基盤１５の設定温度（目標温度）と同じ温度に加熱されており、塗布膜形成装置１０は、電磁弁１９を開いてレジストの滴下を開始すると、アーム１８をガラス基盤１５の内周方向に移動させつつ、レジストの滴下を行う。すなわち、塗布膜形成装置１０は、図４に示すように、ガラス基盤１５の外周から内周に向かってアーム１８を回動させて吐出口２１をガラス基盤１５の外周から内周に向かって移動させつつ、吐出口２１からガラス基盤１５上にレジストを滴下する。
【００５４】
そして、塗布膜形成装置１０は、吐出口２１をガラス基盤１５の中心部まで移動させて、レジストをガラス基盤１５の外周から中心まで滴下させると、電磁弁１９を閉じて、レジストの滴下を終了し、アーム１８を回転させて、ガラス基盤１５上から外れた初期位置に戻す。この状態で、レジストは、ガラス基盤１５上全体にわたって塗布された状態となる。
【００５５】
次に、塗布膜形成装置１０は、ターンテーブル１２を所定の高速で回転させ、ガラス基盤１５上に滴下されたレジストを振り切って、膜厚を均一にするとともに、レジストを乾燥させる。このとき、塗布膜形成装置１０は、ターンテーブル１２の回転速度、すなわち、回転数を制御することにより、レジスト膜の膜厚を所望の膜厚に調整する。
【００５６】
塗布膜形成装置１０は、上記ターンテーブル１２を高速回転させて、レジストの乾燥が完了すると、ターンテーブル１２の回転を停止させ、再度、温度制御板１３を主軸１１に沿って上昇させて、ターンテーブル１２に密着させる。塗布膜形成装置１０は、温度制御板１３をターンテーブル１２から離して上記レジストの塗布処理を行っている間も、温度制御板１３の温度を上記目標温度に温度制御しており、この温度制御している温度制御板１３によりターンテーブル１２を目標温度に温度制御する。
【００５７】
このように、本実施の形態においては、ガラス基盤１５を載置するターンテーブル１２の下面に熱伝導率の良好な材料で形成され温度制御可能な温度制御板１３を離接可能に密着させ、当該温度制御板１３によりターンテーブル１２を介してガラス基盤１５を目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板１３をターンテーブル１２から引き離して、ターンテーブル１２を回転させつつ塗布材料であるレジストをガラス基板１５上に滴下させて、ガラス基盤１５表面に塗布している。
【００５８】
したがって、簡単な構成で、ガラス基盤１５全体を温度勾配が無く、均一な温度に保持することができるとともに、常時、ガラス基盤１５を目標温度に保持して、ガラス基盤１５の温度変化によって生じるレジストの膜厚変化を防止ことができ、レジストを均一な膜厚に塗布することができる。
【００５９】
そして、上記温度制御板１３によるターンテーブル１２を温度制御する目標温度は、ターンテーブル１２が主軸１１を介してモータにより回転駆動される際に、当該モータの熱により加熱されて上昇する最高温度Ｔｍよりも少しだけ高い温度、例えば、Ｔｍ＋０．５±０．２５℃に設定する。
【００６０】
すなわち、ターンテーブル１２は、温度制御板１３により温度制御せずに回転させると、図５に●の線で示すように、温度変化する。なお、図５中、▲の線は、室温を示している。図５から分かるように、ターンテーブル１２は、回転時に温度上昇するが、この温度上昇は、主軸１１を介してターンテーブル１２を回転駆動するモータからの熱流入によるものである。
【００６１】
ところが、目標温度Ｔｏを最高温度Ｔｍよりも大きく離れた高い温度に設定すると、ターンテーブル１２からの熱の流出が発生するとともに、室温との温度差も大きくなって、ターンテーブル１２から熱が放出され、温度管理が困難になる。
【００６２】
そこで、ターンテーブル１２の回転に伴う温度上昇の最高温度Ｔｍを予め測定し、目標温度（Ｔｏ）を、上述のように、この最高温度Ｔｍより少しだけ高い温度（Ｔｏ＝Ｔｍ＋０．５±０．２５℃）に設定する。
【００６３】
このように、温度制御しない場合のターンテーブル１２の最高温度Ｔｍより少しだけ高い温度に目標温度Ｔｏを設定して、温度制御板１３によりガラス基盤１５を当該目標温度Ｔｏに加熱すると、ターンテーブル１２の回転に伴う熱流入によるターンテーブル１２及びガラス基盤１５の温度上昇を抑制することができるとともに、主軸１１も温度制御板１３により目標温度Ｔｏ近くに加熱されているため、主軸１１を伝達したモータからのターンテーブル１２及びガラス基盤１５への熱流入を抑制することができる。
【００６４】
したがって、レジストを塗布している間、ターンテーブル１２、すなわち、ガラス基盤１５を全面にわたって均一な温度に維持させることができ、レジストを均一な膜厚で塗布することができる。
【００６５】
また、レジストを予め目標温度Ｔｏと同じ温度に制御しているため、レジストの滴下によるガラス基盤１５の温度変化を防止することができ、ガラス基盤１５を全面にわたってより一層均一な温度に維持させることができる。その結果、レジストをより一層均一な膜厚で塗布することができる。
【００６６】
なお、上記実施の形態においては、目標温度Ｔｏを、ターンテーブル１２の回転に伴う温度上昇の最高温度Ｔｍより少し高い温度に設定し、レジストをこの目標温度Ｔｏと同じ温度に調整しているが、目標温度Ｔｏとしては、上記ターンテーブル１２の回転に伴う温度上昇の最高温度Ｔｍより少し高い温度に限るものではなく、例えば、雰囲気温度（室温）近くに設定してもよい。この場合は、レジストを当該目標温度Ｔｏよりも少し低い温度に調整して、滴下させる。このようにすると、ターンテーブル１２を回転駆動するモータからの熱流入による温度上昇をレジストの温度により緩和することができ、ターンテーブル１２の温度変化を抑制することができる。したがって、この場合にも、レジストを均一な膜厚で塗布することができる。
【００６７】
図６は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第２の実施の形態を示す図であり、図６は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第２の実施の形態を適用した塗布膜形成装置３０の正面断面図である。
【００６８】
なお、本実施の形態は、上記第１の実施の形態と同様の塗布膜形成装置に適用したものであり、本実施の形態の説明においては、第１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様の構成部分には、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６９】
図６において、塗布膜形成装置３０は、第１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様に、主軸１１の先端にターンテーブル３１が固定され、主軸１１に沿って移動可能に温度制御板３２が配設されているとともに、図示しないが、アーム１８、電磁弁１９、テフロンチューブ２０、吐出口２１及びアーム支柱２２等を有した塗布機構１４を備えている。
【００７０】
ターンテーブル３１は、主軸１１に形成された吸引通路１１ａに連通する吸引口３１ａにより、その上面に載置されたガラス基盤１５を吸着するが、このガラス基盤１５の載置される上面近くに複数の温度センサ３３が埋設されている。
【００７１】
温度センサ３３は、ターンテーブル３１を介してターンテーブル３１の上面に載置されるガラス基盤１５の温度を均一に測定するために、例えば、図３に示した温度制御板１３に配設された温度センサ１６と同様に、ターンテーブル３１の中心位置を中心として相直交する４方向に並んで、ターンテーブル３１の内周側と外周側とに２個ずつ配設されており、ターンテーブル３１を介してガラス基盤１５の温度を各位置で検出する。この温度センサ３３としては、例えば、金属温度計（例えば、Ｐｔ温度計）あるいはサーミスタ等の抵抗温度計を利用することができ、これらの抵抗温度計は、比較的良好な感度で、長期間にわたって安定した温度測定を精度良く行うことができる。また、温度センサ３３としては、熱電対を用いることもできるが、熱電対は、抵抗温度計に比較すると、多少精度は落ち、また、検出電圧が小さいという欠点はあるが、測定部の構造が簡単であるため、非常に小型で、薄くすることができるというメリットがある。
【００７２】
ターンテーブル３１には、上記温度センサ３３に接続された埋め込み導線３４が接続されており、埋め込み導線３４は、ターンテーブル３１の裏面に形成された図示しない接続端子に接続されている。なお、埋め込み導線３４は、図６において破線で示されているが、これは、ターンテーブル３１に形成されている吸引口３１ａと干渉しない位置に温度センサ３３及び埋め込み導線３４を配設していることを示している。
【００７３】
温度制御板３２は、図示しないが第１の実施の形態の温度制御板１３と同様に、熱伝導率の良好な部材により形成されており、主軸１１に沿って安定して上下方向に移動するために、その中心部に主軸１１の貫通する貫通孔３２ａが形成されているとともに、主軸１１の外周面に摺接する円筒状のガイド部３２ｂを備えている。また、温度制御板３２は、その裏面に螺旋状にヒーター線１７（図示略）が配設されており、ヒーター線１７は、図示しない制御部により通電のオン／オフが制御されるとともに、通電電流が調整されて、温度制御板３２がターンテーブル３１に密着した状態で温度制御板３２を加熱することにより、ターンテーブル３１を均一に所定の目標温度に加熱する。この温度制御板３２には、埋め込み導線３５が配設されており、埋め込み導線３５は、温度制御板３２の下面から上面にわたって埋め込まれているとともに、上面側には、当該上面から突出した接続端子３５ａが形成されている。埋め込み導線３５は、温度制御板３２の下端から塗布形成装置３０の制御部に接続されている。
【００７４】
この温度制御板３２の埋め込み導線３５の接続端子３５は、温度制御板３２がターンテーブル３１に密着されたとき、ターンテーブル３１の埋め込み導線３４の接続端子に接触して、温度センサ３３の検出信号を制御部に出力する。したがって、温度制御板３２の接続端子３５とターンテーブル３１の接続端子は、少なくともいずれか一方がリング状に形成されていると、ターンテーブル３１の回転停止位置の如何に関わらず、ターンテーブル３１の接続端子と温度制御板３２の接続端子との位置調整を行うことなく、簡単に接続させることができる。例えば、ターンテーブル３１の接続端子をターンテーブル３１の裏面から多少窪んだ状態のリング形状に形成し、温度制御板３２の接続端子３５を温度制御板３２から単に上方に突出させて形成することにより、ターンテーブル３１の回転停止位置に関わらず、簡単に温度制御板３２の接続端子３５とターンテーブル３１の接続端子を接続させることができる。
【００７５】
本実施の形態の塗布膜形成装置３０は、塗布に先だって、上記第１の実施の形態と同様に、温度制御板３２を主軸１１に沿って上方に移動させて、ターンテーブル３１に密着させた状態とし、温度制御板３２のヒーター線１７に通電を開始する。
【００７６】
この待機状態に、ターンテーブル３１上に塗布対象のガラス基盤１５を載置させ、真空ポンプを駆動させて、吸引口３１ａによりガラス基盤１５をターンテーブル３１に真空吸着させる。上記温度制御板３２がターンテーブル３１に密着されると、温度制御板３２の埋め込み導線３５の接続端子３５ａとターンテーブル３１の埋め込み導線３４の接続端子が接続され、温度センサ３３の検出信号が制御部に出力される。
【００７７】
塗布膜形成装置２０は、ターンテーブル３１にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ３３の検出結果をモニターして、ターンテーブル３１の温度、すなわち、ガラス基盤１５の温度が均一に目標温度になっているかチェックして、温度センサ３３の検出結果によりターンテーブル３１が目標温度に均一に加熱されていると、温度制御板３２を主軸１１に沿って引き下げ、ターンテーブル３１から引き離す。
【００７８】
その後、塗布膜形成装置２０は、モータにより主軸１１を介してターンテーブル３１を所定の低速回転により回転を開始し、塗布機構１４によりレジストをガラス基盤１５上に滴下さて、上記第１の実施の形態と同様にレジストを塗布する。
【００７９】
そして、塗布膜形成装置２０は、温度センサ３３がターンテーブル３１の上面近傍に配設されているため、ターンテーブル３１上に載置されるガラス基盤１５の温度をより正確に検出することができ、レジストをより一層均一な膜厚で塗布することができる。
【００８０】
図７は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第３の実施の形態を示す図であり、図７は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第３の実施の形態を適用した塗布膜形成装置４０の正面断面図である。
【００８１】
なお、本実施の形態は、上記第１の実施の形態と同様の塗布膜形成装置に適用したものであり、本実施の形態の説明においては、第１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様の構成部分には、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００８２】
図７において、塗布膜形成装置４０は、第１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様に、主軸１１の先端にターンテーブル４１が固定され、主軸１１に沿って移動可能に温度制御板４２が配設されているとともに、図示しないが、アーム１８、電磁弁１９、テフロンチューブ２０、吐出口２１及びアーム支柱２２等を有した塗布機構１４を備えている。
【００８３】
ターンテーブル４１は、主軸１１に形成された吸引通路１１ａに連通する吸引口４１ａにより、その上面に載置されたガラス基盤１５を吸着するが、このガラス基盤１５の載置される上面と下面を貫通する複数の貫通孔４３が形成されている。
【００８４】
貫通孔４３は、例えば、図３に示した温度制御板１３に配設された温度センサ１６と同様に、ターンテーブル４１の中心位置を中心として相直交する４方向に並んで、ターンテーブル４１の内周側と外周側とに２個ずつ形成されている。なお、貫通孔４３は、図７において破線で示されているが、これは、ターンテーブル４１に形成されている吸引口４１ａと干渉しない位置に貫通孔４３を形成していることを示している。
【００８５】
温度制御板４２は、図示しないが第１の実施の形態の温度制御板１３と同様に、熱伝導率の良好な部材により形成されており、主軸１１に沿って安定して上下方向に移動するために、その中心部に主軸１１の貫通する貫通孔４２ａが形成されているとともに、主軸１１の外周面に摺接する円筒状のガイド部４２ｂを備えている。また、温度制御板４２は、図示しないが、第１の実施の形態の温度制御板１３と同様に、その裏面に螺旋状にヒーター線１７が配設されており、ヒーター線１７は、図示しない制御部により通電のオン／オフが制御されるとともに、通電電流が調整されて、温度制御板４２がターンテーブル４１に密着した状態で温度制御板４２を加熱することにより、ターンテーブル４１を均一に所定の目標温度に加熱する。この温度制御板４１の上面には、ターンテーブル４１の貫通孔４３に対向する位置に、弾性部材４４を介して温度センサ４５が取り付けられており、弾性部材４４は、例えば、バネあるいはゴム等で形成されて、温度センサ４５をターンテーブル４１方向に付勢する。
【００８６】
温度センサ４５としては、例えば、金属温度計（例えば、Ｐｔ温度計）あるいはサーミスタ等の抵抗温度計を利用することができ、これらの抵抗温度計は、比較的良好な感度で、長期間にわたって安定した温度測定を精度良く行うことができる。また、温度センサ４５としては、熱電対を用いることもできるが、熱電対は、抵抗温度計に比較すると、多少精度は落ち、また、検出電圧が小さいという欠点はあるが、測定部の構造が簡単であるため、非常に小型で、薄くすることができるというメリットがある。
【００８７】
温度センサ４５は、温度制御板４２がターンテーブル４１に密着されたとき、ターンテーブル４１の貫通孔４３を貫通するとともに、弾性部材４４に付勢されて、ターンテーブル４１上に載置されたガラス基盤１５に当接し、ガラス基盤１５の温度を検出して、検出信号を制御部に出力する。
【００８８】
本実施の形態の塗布膜形成装置４０は、塗布に先だって、上記第１の実施の形態と同様に、温度制御板４２を主軸１１に沿って上方に移動させて、ターンテーブル４１に密着させた状態とし、温度制御板４２のヒーター線１７に通電を開始する。
【００８９】
この温度調整を行っている待機状態に、ターンテーブル４１上に塗布対象のガラス基盤１５を載置させ、真空ポンプを駆動させて、吸引口４１ａによりガラス基盤１５をターンテーブル４１に真空吸着させる。上記温度制御板４２がターンテーブル４１に密着されると、温度制御板４２の弾性部材４４の先端に取り付けられた温度センサ４５が、ターンテーブル４１の貫通孔４３に挿入されるとともに、弾性部材４４に付勢されて貫通孔４３を貫通して、ターンテーブル４１上のガラス基盤１５の裏面に当接し、温度センサ４５がガラス基盤１５の温度を直接検出して、検出信号を制御部に出力する。
【００９０】
塗布膜形成装置２０は、ターンテーブル４１にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ４５の検出結果をモニターして、ガラス基盤１５の温度が均一に目標温度になっているかチェックして、温度センサ４５の検出結果によりガラス基盤１５が目標温度に均一に加熱されていると、温度制御板４２を主軸１１に沿って引き下げ、ターンテーブル４１から引き離す。
【００９１】
その後、塗布膜形成装置４０は、モータにより主軸１１を介してターンテーブル４１を所定の低速回転により回転を開始し、塗布機構１４によりレジストをガラス基盤１５上に滴下さて、上記第１の実施の形態と同様にレジストを塗布する。
【００９２】
そして、塗布膜形成装置４０は、温度センサ４５がターンテーブル４１の貫通穴４３を貫通して、ガラス基盤１５に接触してガラス基盤１５の温度を直接検出しているため、ターンテーブル４１上に載置されるガラス基盤１５の温度を直接検出することができ、ガラス基盤１５の温度をより一層均一に目標温度に制御して、レジストをより一層均一な膜厚で塗布することができる。
【００９３】
以上、本発明者によってなされた発明を好適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９４】
【発明の効果】
請求項１記載の発明の塗布膜形成方法によれば、ターンテーブルに温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着させ、温度制御板とガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基盤上に滴下させて、ガラス基盤表面に塗布しているので、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持することができるとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止ことができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【００９５】
請求項２記載の発明の塗布膜形成方法によれば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００９６】
請求項３記載の発明の塗布膜形成方法によれば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【００９７】
請求項４記載の発明の塗布膜形成方法によれば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、均一な膜厚に塗布することができる。
【００９８】
請求項５記載の発明の塗布膜形成装置によれば、ターンテーブルに離接可能に密着される温度制御板と、温度制御板を温度制御しガラス基盤に接触した温度センサーによりガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温度制御手段と、を備え、温度制御手段によりガラス基盤を目標温度に均一に温度制御した後、温度制御板と温度センサーをターンテーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴下させて、塗布材料をガラス基盤表面に塗布しているので、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持することができるとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【００９９】
請求項６記載の発明の塗布膜形成装置によれば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【０１００】
請求項７記載の発明の塗布膜形成装置によれば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することができる。
【０１０１】
請求項８記載の発明の塗布膜形成装置によれば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第１の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の概略斜視図。
【図２】図１の塗布膜形成装置の正面部分断面図。
【図３】図１の温度制御板の上面図。
【図４】図１の塗布機構のアームの動きを示す上面図。
【図５】図１の塗布膜形成装置の温度制御板により温度制御しない場合のターンテーブルの温度変化を室温とともに示す図。
【図６】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第２の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の要部正面断面図。
【図７】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第３の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の要部正面断面図。
【図８】従来の塗布膜形成装置の斜視図。
【符号の説明】
１０  塗布膜形成装置
１１  主軸
１１ａ  吸引通路
１２  ターンテーブル
１２ａ  吸引口
１３  温度制御板
１３ａ  貫通孔
１３ｂ  ガイド部
１４  塗布機構
１５  ガラス基盤
１６  温度センサ
１７  ヒーター線
１８  アーム
１９  電磁弁
２０  テフロンチューブ
２１  吐出口
３０  塗布膜形成装置
３１  ターンテーブル
３１ａ  吸引口
３２  温度制御板
３２ａ  貫通孔
３２ｂ  ガイド部
３３  温度センサ
３４  埋め込み導線
３５  埋め込み導線
３５ａ  接続端子
４０  塗布膜形成装置
４１  ターンテーブル
４１ａ  吸引口
４２  温度制御板
４２ａ  貫通孔
４２ｂ  ガイド部
４３  貫通孔
４４  弾性部材
４５  温度センサ
【図１】
0003831096.tif 000002
【図２】
0003831096.tif 000003
【図３】
0003831096.tif 000004
【図４】
0003831096.tif 000005
【図５】
0003831096.tif 000006
【図６】
0003831096.tif 000007
【図７】
0003831096.tif 000008
【図８】
0003831096.tif 000009