(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔にレジスト層を形成し、前記レジスト層をマスクとして、前記金属箔を等方性エッチングによってパターニングする方法であって、
前記レジスト層を、第１及び第２の部分を有して前記第２の部分が複数の開口部を有するように形成し、
前記金属箔の前記レジスト層からの露出部は、前記複数の開口部からの複数の第２の露出部と、前記複数の第２の露出部を除く第1の露出部からなり、
前記等方性エッチングの性質によって隣同士の前記第２の露出部からサイドエッチングが進行して連通して前記レジスト層の前記第２の部分の下で前記金属箔の表面部がエッチングされて前記金属箔が薄くなるように前記複数の開口部の間隔を設定し、前記等方性エッチングの性質によって前記第１の露出部のエッチングが前記金属箔の裏面まで進行しても前記第２の露出部のエッチングは前記金属箔の裏面まで進行しない程度に前記第１の露出部よりもそれぞれの前記第２の露出部が小さくなるように前記複数の開口部の大きさをそれぞれ設定して、前記レジスト層を形成する金属箔のパターニング方法。
【請求項２】
請求項１記載の金属箔のパターニング方法によって、前記金属箔から配線を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記金属箔は、ベース基板に設けられてなり、
前記レジスト層を、前記第１の部分が前記配線の形状に対応して半導体チップの搭載領域の内側から外側に至るように形成し、前記第２の部分を前記半導体チップの前記搭載領域の内側に位置するように形成する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属箔のパターニング方法、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
金属箔をパターニングするときに、レジスト層を使用して行うことが知られている。詳しくは、基板に設けた金属箔上に、レジスト層を選択的に形成し、レジスト層からの露出部をエッチングして金属箔をパターニングする。従来、これによって形成された金属箔のパターンは、その厚さが一様に等しく形成されていた。
【０００３】
しかしながら、部分毎の厚さを自由に形成したい場合には、レジスト層を再び形成して行うこととなり工程が煩雑であった。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、簡単な工程で、部分的に異なる厚さを有するように形成することができる金属箔のパターニング方法、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る金属箔のパターニング方法は、
金属箔にレジスト層を形成し、前記金属箔の前記レジスト層からの第１及び第２の露出部をエッチングして、前記金属箔をパターニングする方法であって、
前記第１の露出部を、前記エッチングが前記金属箔の裏面まで進行するような大きさで形成し、
前記第２の露出部を、前記エッチングが前記金属箔の裏面まで進行することを妨げるような大きさで形成する。
【０００６】
本発明によれば、レジスト層からの露出部の大きさの異なる第１及び第２の露出部を形成することによって、部分的にエッチングの態様を変化させる。これによって、レジスト層を繰り返し形成することなく、既存のエッチングを一度行うことによって、部分的に異なる厚さを有するように金属箔をパターニングすることができる。
【０００７】
（２）この金属箔のパターニング方法において、前記レジスト層に、前記エッチングが前記金属箔の裏面まで進行することを妨げるような大きさの開口部が形成されることで、前記開口部内に前記第２の露出部を形成してもよい。
【０００８】
これによれば、レジスト層に所定の大きさの開口部を形成することによって、第２の露出部を形成することができる。
【０００９】
（３）この金属箔のパターニング方法において、前記レジスト層を細長い部分を有するように形成し、
前記開口部を、前記レジスト層の細長い部分を長さ方向において部分的に分離する形状で形成してもよい。
【００１０】
これによって、金属箔を細長い部分を有するように形成すると同時に、レジスト層を分離した箇所において金属箔の裏面まで進行させずにエッチングすることができる。
【００１１】
（４）この金属箔のパターニング方法において、前記レジスト層を細長い部分を有するように形成し、
前記開口部は、前記レジスト層の細長い部分の幅方向の両端部を残して中央部に形成された貫通穴であり、
サイドエッチングによって、前記レジスト層の細長い部分の幅方向の両端部の下において、前記金属箔の表面部を、さらにエッチングしてもよい。
【００１２】
これによって、金属箔を細長い部分を有するように形成すると同時に、レジスト層の貫通穴を形成した箇所において金属箔の裏面まで進行させずにエッチングすることができる。金属箔の貫通穴からの第２の露出部は表面部がエッチングされ、さらに、金属箔のレジスト層の幅方向の両端部の下はサイドエッチングによって表面部がエッチングされる。したがって、レジスト層に貫通穴を形成した場合でも、レジスト層の細長い部分の幅方向の両端部下に至るまで、金属箔の表面部をエッチングすることができる。
【００１３】
（５）この金属箔のパターニング方法において、前記レジスト層に、前記エッチングが前記金属箔の裏面まで進行することを妨げるような大きさの複数の開口部が形成されることで、前記開口部内に複数の前記第２の露出部を形成し、
サイドエッチングによって、隣同士の前記開口部の間で、前記金属箔の表面部をさらにエッチングしてもよい。
【００１４】
これによれば、レジスト層に所定の大きさの複数の開口部を形成して、第２の露出部を形成する。各開口部内の第２の露出部は、金属箔の裏面まで進行することを妨げる程度にエッチングされる。一方、隣同士の開口部の間は、サイドエッチングによって金属箔の表面部がエッチングされる。したがって、例えば、金属箔の一部を、全体として薄く形成することができる。
【００１５】
（６）本発明に係る配線基板の製造方法は、
上記金属箔のパターニング方法によって、前記金属箔から配線を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記金属箔は、ベース基板に設けられてなり、
前記レジスト層の前記細長い部分を、前記配線の形状に対応して、半導体チップの搭載領域の内側から外側に至るように形成し、
前記開口部を、前記半導体チップの前記搭載領域の端部に形成する。
【００１６】
本発明によれば、レジスト層の開口部を半導体チップの搭載領域の端部に形成する。これによって、半導体チップの搭載領域の端部において、金属箔の裏面まで進行させずに表面部をエッチングすることができる。したがって、例えば、配線基板に半導体チップを搭載したときに、半導体チップの端部と配線との接触を防ぐことができる。
【００１７】
（７）本発明に係る配線基板の製造方法は、
上記金属箔のパターニング方法によって、前記金属箔から配線を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記金属箔は、ベース基板に設けられてなり、
前記レジスト層を、前記配線の形状に対応して半導体チップの搭載領域の内側から外側に至る第１の部分と、前記半導体チップの前記搭載領域の内側に位置する第２の部分と、を有するように形成し、
前記複数の開口部を、前記レジスト層の前記第２の部分に形成する。
【００１８】
本発明によれば、第１の部分からの露出部をエッチングして配線を形成し、複数の開口部が形成された第２の部分からの露出部をエッチングして、金属箔の表面部がエッチングされてなる薄い膜を形成することができる。第２の部分は半導体チップの搭載領域の内側に形成する。これによって、例えば、半導体チップを配線基板に搭載したときに、薄い膜が半導体チップの能動面と重なることによって、半導体チップに入る光を遮断する性能を高めることができる。
【００１９】
（８）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板上に半導体チップの搭載領域の内側から外側に至るように形成され、前記半導体チップの前記搭載領域に凹部が形成されてなる配線と、を含む配線基板に、前記配線に形成された前記凹部の上方に前記半導体チップの端部を配置して、前記半導体チップを搭載する工程を含む。
【００２０】
本発明によれば、半導体チップを、配線に形成された凹部の上方に端部を配置して配線基板に搭載する。これによって、半導体チップをその端部下の配線の一部から離すことができる。したがって、例えば、半導体チップの端部が突出した場合に、配線との接触を防ぐことができる。
【００２１】
（９）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線と、前記ベース基板の半導体チップの搭載領域の内側に形成され、前記配線の少なくとも裏面と同じ材料で形成された前記配線より薄い膜と、を含む配線基板に、前記半導体チップを、前記電極の形成された面の一部を前記薄い膜に対向させて搭載する工程を含む。
【００２２】
本発明によれば、半導体チップを、電極の形成された面の一部を薄い膜に対向させて搭載する。これによって、薄い膜が半導体チップの面と重なり、半導体チップに入る光を遮断する性能を高めることができる。
【００２３】
（１０）本発明に係る配線基板は、
ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線と、を含み、
前記配線は、半導体チップの搭載領域の内側から外側に至るように形成され、前記半導体チップの前記搭載領域の端部に凹部が形成されてなる。
【００２４】
本発明によれば、例えば、半導体チップを、配線の凹部に半導体チップの端部を配置させて、配線基板に搭載することによって、半導体チップの端部が突出した場合に、配線との接触を防ぐことができる。
【００２５】
（１１）本発明に係る配線基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線と、
前記ベース基板の半導体チップの搭載領域の内側に形成され、前記配線の少なくとも裏面と同じ材料で形成された前記配線より薄い膜と、
を含む。
【００２６】
本発明によれば、例えば、半導体チップを配線基板に搭載したときに、薄い膜が半導体チップの能動面と重なることによって、半導体チップに入る光を遮断する性能を高めることができる。
【００２７】
（１２）本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、電極を有する半導体チップと、を含み、
前記半導体チップは、前記配線に形成された前記凹部の上方に端部を配置して、前記配線基板に搭載されてなる。
【００２８】
本発明によれば、半導体チップをその端部下の配線の一部から離すことができる。したがって、例えば、半導体チップの端部が突出した場合でも、配線との接触を防ぐことができる。
【００２９】
（１３）本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、電極を有する半導体チップと、を含み、
前記半導体チップは、前記電極の形成された面の一部を前記薄い膜に対向させて前記配線基板に搭載されてなる。
【００３０】
本発明によれば、薄い膜が半導体チップの能動面と重なることによって、半導体チップに入る光を遮断する性能を高めることができる。また、半導体チップの搭載領域に形成する膜は薄いので、半導体チップと配線基板との両者間を広く保って、樹脂を確実に充填することができる。
【００３１】
（１４）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
【００３２】
（１５）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。以下に示す配線基板の製造方法は、本発明を適用した金属箔のパターニング方法の一例であり、本発明に係る金属箔のパターニング方法は、これに限定されるものではない。
【００３４】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。図４は、本実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【００３５】
図１に示すように、ベース基板１０上に金属箔２０を設ける。ここで、ベース基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＴＡＢ技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。
【００３６】
ベース基板１０の全体形状は特に限定されず、矩形、多角形、あるいは複数の矩形を組み合わせた形状のいずれであってもよい。また、ベース基板１０の平面視の大きさは限定されない。例えば、ベース基板１０は、半導体チップの搭載領域が２次元的に（例えばマトリクス状に）複数並べられた基板（図示しない）であってもよい。
【００３７】
金属箔２０は、図１に示すように単一層であってもよく、あるいは複数層から形成されてもよい。金属箔２０は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によって形成されてもよい。
【００３８】
図１に示す例では、ベース基板１０の片面に金属箔２０を設けている。金属箔２０は、ベース基板１０の片面全体に設けてもよい。金属箔２０は、ベース基板１０に接着剤等で貼り付けてもよい。あるいは、スパッタリング等によって、ベース基板１０上に金属膜を被着させて、金属箔２０を形成してもよい。もしくは、ベース基板１０に無電解メッキ等で金属箔２０を設けてもよい。なお、図１に示す例とは別に、ベース基板１０の両面に金属箔２０を設けてもよい。この場合は、後述する工程をベース基板１０の両面において行えばよい。
【００３９】
図２及び図３に示すように、金属箔２０上にレジスト層３０を形成し、金属箔２０のレジスト層３０からの第１の露出部２１及び第２の露出部２３を形成する。本実施の形態では、図３に示すように、レジスト層３０を細長い部分３２を有するように形成し、細長い部分３２に開口部３４を形成することで第２の露出部２３を形成する。
【００４０】
レジスト層３０の細長い部分３２は、ベース基板１０上に形成する配線２２に対応させて形成する。細長い部分３２は、一定の幅で形成してもよい。あるいは、細長い部分３２は、配線２２の例えばランド部を形成するために、一部に異なる大きさの幅を有してもよい。また、細長い部分３２は、屈曲して形成されても構わない。
【００４１】
レジスト層３０のパターニング方法として、例えば、図２に示すように、レジスト層３０を金属箔２０の全体に設け、その後に、フォトリソグラフィ技術等を適用して、図３に示すように細長い部分３２を形成してもよい。すなわち、図示しないマスクを介して感光性のレジスト層３０にエネルギーを照射、現像して形成してもよい。このときに、レジスト層３０はポジ型及びネガ型レジストであることを問わない。あるいは、非感光性のレジスト層３０をエッチングして形成してもよい。
【００４２】
あるいは、インクジェット方式又は印刷方式を使用して、レジスト層３０を細長い部分３２を有するように形成してもよい。例えば、インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に充填することが可能である。インクジェットヘッド（図示しない）は、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェットタイプ等が使用可能であり、吐出面積及び吐出パターンは任意に設定することができる。
【００４３】
なお、これらの方法によって、レジスト層３０から、細長い部分３２を形成すると同時に、細長い部分３２に開口部３４を形成することができる。
【００４４】
第１の露出部２１は、エッチャントがエッチング中に金属箔２０の表側の面から裏面まで進行するような大きさでレジスト層３０から露出する。詳しく言うと、金属箔２０をエッチングするときに、エッチング溶液やガスなどのエッチング手段が、金属箔２０の裏面まで進行してエッチングされる程度の大きさで、第１の露出部２１を形成する。ここで、金属箔２０の表面部とは、レジスト層３０側の面及びその面に近い部分を示し、金属箔２０の裏面とは、金属箔２０のベース基板１０と接する面を示す。本実施の形態において、第１の露出部２１は、細長い部分３２の外側におけるレジスト層３０から露出する部分をいう。
【００４５】
一方、開口部３４の第２の露出部２３は、エッチャントがエッチング中に金属箔２０の裏面まで進行することを妨げる大きさで形成する。詳しく言うと、金属箔２０をエッチングするときに、エッチング溶液やガスなどのエッチング手段が、金属箔２０の裏面まで進行せず、表面部をエッチングする程度の大きさで、開口部３４を形成する。本実施の形態において、第２の露出部２３は、細長い部分３２に形成する開口部３４内の露出部をいう。
【００４６】
本実施の形態では、図３における拡大図に示すように、開口部３４は、レジスト層３０の細長い部分３２を長さ方向において部分的に分離することによって形成する。レジスト層３０の長さ方向において、エッチャントが金属箔２０の裏面まで進行することを妨げる大きさで、細長い部分３２を分離することで、開口部３４の第２の露出部２３では裏面まで進行させずに表面部のみをエッチングすることができる。なお、開口部３４の大きさは、金属箔２０の露出部２３の寸法や面積の大きさを指し、露出部２３の形状及び金属箔２０の厚みなどによって決定される。
【００４７】
上述のように露出部を形成することによって、金属箔２０をエッチングするときに、金属箔２０の第１の露出部２１では裏面まで進行させて全体的にエッチングし、金属箔２０の第２の露出部２３では裏面まで進行させずに表面部をエッチングすることができる。すなわち、金属箔２０に対して、部分的にエッチングの態様を変化させることができる。したがって、レジスト層３０を繰り返し形成する必要なく、既存のエッチングを一度行うことによって、部分的に異なる厚さを有するように金属箔２０をパターニングすることができる。
【００４８】
このようにして図４に示すように、ベース基板１０上に複数の配線２２を形成し、かつ、配線２２に凹部２４を形成する。詳しくは、第１の露出部２１をエッチングすることによってレジスト層３０の細長い部分３２から配線２２を形成し、開口部３４の第２の露出部２３をエッチングすることによって配線２２に凹部２４を形成する。
【００４９】
ここで、エッチングの手段は、化学的又は物理的性質を利用したもののいずれであっても構わない。また、エッチングの特性は、等方性又は異方性のいずれであってもよい。いずれの場合でも、金属箔２０の裏面まで進行することを妨げる大きさで形成した開口部３４の第２の露出部２３をエッチングして、凹部２４を形成することができる。
【００５０】
配線２２は、例えば図４における一点鎖線で囲まれた拡大図に示すように、上端部が下端部よりも絞られた形状に形成されてもよい。このような形状は、等方性のエッチングを行うことで形成することができる。等方性の特性を有するエッチング方式としてウェットエッチングを使用してもよい。
【００５１】
凹部２４は、配線２２の一部において裏面まで進行せずに表面部がエッチングされる。すなわち、凹部２４においては、配線２２が切断しない程度に薄く形成される。例えば、ウェットエッチングを使用した場合は、エッチャントであるエッチング液が開口部３４の第２の露出部２３に到達し、金属箔２０は第２の露出部２３において、裏面まで進行せずに表面部がエッチングされる。また、等方性のエッチングでは、エッチャントは、開口部３４からレジスト層３０の下にも到達して、金属箔２０の表面部のみをさらにエッチングする。このようにして、配線２２の凹部２４は、レジスト層３０の開口部３４よりも平面視において大きく開口して形成されてもよい。また、凹部２４の内面の形状は、曲面又は角部を有して形成されてもよく、特に限定されない。
【００５２】
図５に示すように、ベース基板１０に配線２２が形成されてなる配線基板１２は、半導体チップ４０を搭載するためのものであってもよい。この場合には、レジスト層３０の細長い部分３２を、配線２２の形状に対応して、半導体チップ４０の搭載領域の内側から外側に至るように形成する。こうすることで、半導体チップ４０の搭載領域の内側から外側に至る配線２２を形成することができる。すなわち、配線２２を半導体チップ４０の電極４２から引き出して、半導体チップ４０の搭載領域の外側に電気的接続部を形成することができる。また、レジスト層３０の細長い部分３２に形成する開口部３４は、半導体チップ４０の搭載領域の端部に形成する。これによって、配線基板１２に、半導体チップ４０を搭載したときに、配線２２の凹部２４を、半導体チップ４０の端部に位置するように形成することができる。なお、本実施の形態において、配線２２は、半導体チップ４０の搭載領域の内側から外側に至るように形成されるが、これに加えてさらに、ベース基板１０上に例えば半導体チップ４０の搭載領域の内側において、配線を形成してもよい。
【００５３】
本実施の形態によれば、レジスト層３０の細長い部分３２の開口部３４を半導体チップ４０の搭載領域の端部に形成する。これによって、半導体チップ４０の搭載領域の端部において、金属箔２０の裏面まで進行させずに表面部をエッチングすることができる。したがって、例えば、半導体ウェーハをダイシングして個片の半導体チップ４０を形成したときに、ダイシングによって半導体チップ４０の端部にＡｌ配線等がめくり上がった場合であっても、半導体チップ４０の端部と配線２２との接触を防ぐことができる。
【００５４】
次に、本実施の形態における配線基板１２を説明する。図４及び図５に示すように、配線基板１２は、ベース基板１０と、ベース基板１０に形成された配線２２と、を含む。
【００５５】
配線２２は、半導体チップ４０の搭載領域の内側から外側に至るように形成され、半導体チップ４０の搭載領域の端部に凹部２４が形成されている。また、配線２２は、電極４２（バンプ４４）との接合部と、外部端子５０との接合部（図示しない）とを有する。接合部は、接合部につながる部分よりも面積の広いランド部となっていてもよく、あるいは接合部につながる部分と同じ幅で形成されてもよい。なお、配線基板１２は、例えば半導体チップ４０の搭載領域の内側において形成された別の配線をさらに有してもよい。
【００５６】
以下に、半導体装置の製造方法を示す。本実施の形態における半導体装置の製造方法は、上述の例によって製造された配線基板１２を使用してもよい。あるいは、別の方法によって製造されてなる配線基板１２を使用してもよい。
【００５７】
図５に示すように、配線基板１２に、半導体チップ４０を搭載する。ここで、半導体チップ４０は複数の電極４２を有する。電極４２は、半導体チップ４０の内部に形成された集積回路の端子である。半導体チップ４０の電極４２の形成された側の面には、各電極４２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜（図示しない）が形成されている。また、電極４２上にバンプ４４が形成されていてもよい。
【００５８】
半導体チップ４０を、電極４２の形成された面側を対向させて配線基板１２に搭載する。この場合に、配線２２に形成された凹部２４の上方に半導体チップ４０の端部を配置して、半導体チップ４０を搭載する。凹部２４は、上述のように、配線２２の開口部３４の形成された箇所において、配線２２の中央部から側部に至るまで、その表面部がエッチングされている。したがって、半導体チップ４０を、配線２２に形成された凹部２４の上方に端部を配置して配線基板１２に搭載することによって、半導体チップ４０をその端部下の配線２２の一部から離すことができる。
【００５９】
以下に、本実施の形態に係る半導体装置を説明する。
【００６０】
図５に示すように半導体装置は、配線基板１２と、半導体チップ４０と、を含む。配線基板１２は上述の通りである。半導体チップ４０は、各電極４２上にバンプ４４が形成されてもよい。半導体チップ４０は、電極４２に形成された側の面が対向して、配線基板１２に搭載されている。すなわち、半導体チップ４０は、配線基板１２にフェースダウンボンディングされている。この場合に、配線基板１２に形成された配線２２と、バンプ４４と、は電気的に接続される。電気的接続には、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方性導電材料を使用して、導電粒子をバンプ４０と配線２２との間に介在させてもよい。あるいは、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合や、絶縁樹脂の収縮力によって、バンプ４０と配線２２とを電気的に接続されてもよい。
【００６１】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ４０が配線２２に形成された凹部２４の上方に端部を配置して配線基板１２に搭載されてなる。これによって、半導体チップ４０をその端部下の配線２２の一部から離すことができる。
【００６２】
図５に示す例では、半導体装置は、複数の外部端子５０をさらに含む。複数の外部端子５０は、ベース基板１０、詳しくは配線２２上に設けられている。外部端子５０は、図示しないスルーホールなどを介して配線２２に電気的に接続されている。各外部端子５０は、ハンダボールであってもよい。ハンダなどを印刷してリフロー工程を経て外部端子５０を形成してもよい。外部端子５０はハンダのほかに銅などによって形成してもよい。なお、本実施の形態に示す半導体装置は、外部端子５０が半導体チップ４０の搭載領域の外側に形成されたＦＡＮ−ＯＵＴ型であってもよく、内側及び外側に形成されたＦＡＮ−ＩＮ／ＯＵＴ型であってもよい。
【００６３】
また、積極的に外部端子５０を形成せずにマザーボード実装時にマザーボード側に塗布されるハンダクリームを利用し、その溶融時の表面張力で結果的に外部端子を形成してもよい。この半導体装置は、いわゆるランドグリッドアレイ型の半導体装置である。
【００６４】
半導体チップ４０と配線基板１２との間に樹脂４６が充填されていてもよい。樹脂４６は、アンダーフィル材であってもよい。アンダーフィル材として半導体装置の応力緩和の機能を果たすものであってもよい。これによって電極４２（バンプ４４）と配線２２との電気的接続部を保護することができる。
【００６５】
次に、図６〜図１０に示すように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を説明する。本変形例では、レジスト層７０の細長い部分７２に形成する開口部の形態が上述した例と異なる。以下に上述の例とは異なる点について説明する。
【００６６】
図６は、金属箔６０上に形成したレジスト層７０を示した平面図である。図６に示すように、本変形例での開口部は、レジスト層７０の細長い部分７２に形成する貫通穴７４である。本変形例において、第１の露出部７１は、細長い部分７２の外側におけるレジスト層７０から露出する部分をいい、第２の露出部７３は、貫通穴７４内の露出する部分をいう。
【００６７】
貫通穴７４は、レジスト層７０の細長い部分７２の幅方向の両端部を残して、中央部に形成する。貫通穴７４の形状は、平面視において矩形又は円形であってもよく、特に限定されない。貫通穴７４は、レジスト層７０の細長い部分７２を上下に一定の開口幅で貫通させて形成してもよい。
【００６８】
図７に示すように、貫通穴７４から金属箔２０をエッチングして、凹部６４を有する配線６２を形成する。図７は配線６２の形状を示す平面図である。図８〜図１０は、それぞれ、図７におけるVIII−VIII線、IX−IX線、及びX−X線断面での配線６２の形状を示す図である。
【００６９】
本実施の形態では、等方性のエッチングを使用する。等方性のエッチングを使用することで、第１の露出部７１からのエッチャントの到達によって、配線２２は、細長い部分７２の幅方向の両端部の下に至るまでエッチングされ、図７、図９及び図１０に示すように、上端部６６が下端部６８よりも平面視において面積が小さくなるように絞って形成される。
【００７０】
一方、細長い部分７２の幅方向の中央部に形成される貫通穴７４からエッチングすることで、金属箔６０は、貫通穴７４内の第２の露出部７３において、裏面まで進行せずに表面部がエッチングされる。さらに、等方性のエッチングによって、細長い部分７２の第２の露出部７３からサイドエッチングされ、細長い部分７２の幅方向の両端部の下に至るまで、金属箔６０の表面部がエッチングされる。
【００７１】
こうして、配線６２の凹部６４では、図８及び図１０に示すように配線６２に幅方向の端部においても、表面部がエッチングされる。すなわち、レジスト層７０に貫通穴７４を形成した場合でも、レジスト層７０の細長い部分７２の幅方向の両端部下に至るまで、金属箔６０の表面部をエッチングすることができる。なお、等方性のエッチングとして、例えばウェットエッチングを使用してもよい。
【００７２】
本変形例においても、上述の例と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
（第２の実施の形態）
図１１〜図１３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。図１４は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。なお、本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００７４】
まず、上述したベース基板１０上に、金属箔８０を設ける。金属箔８０は、上述した金属箔２０と同じ材料から形成されてもよい。金属箔８０は、ベース基板１０の面全体に設けてもよい。金属箔８０を設ける方法は上述した例と同様であってもよい。
【００７５】
図１１及び図１２に示すように、金属箔８０上にレジスト層９０を形成し、金属箔２０のレジスト層９０からの第１の露出部９１及び第２の露出部９３を形成する。本実施の形態では図１２に示すように、レジスト層９０を、配線８２の形状に対応して半導体チップ４０の搭載領域の内側から外側に至る第１の部分９２と、半導体チップ４０の搭載領域の内側に位置する第２の部分９４と、を有するように形成する。第１の部分９２は、上述の実施の形態に示すように、レジスト層９０を細長い部分を有するように形成する。また、第２の部分９４には、複数の開口部９６を形成して、開口部９６内に第２の露出部９３を形成する。開口部９６は、上述の例に示すように、エッチャントがエッチング中に金属箔８０の裏面まで進行することを妨げる大きさで形成する。また、開口部９６の形状は、特に限定されない。
【００７６】
第２の部分９４は、図１２に示すように、半導体チップ４０の搭載領域の内側に、平面状に形成する。あるいは、第２の部分９４は、半導体チップ４０の搭載領域の外側まではみ出して形成しても構わない。
【００７７】
図１３は、図１２におけるXIII−XIII線断面図である。図１３に示すように、レジスト層９０の第２の部分９４の複数の開口部９６からエッチングすることによって、金属箔８０は、レジスト層９０の第２の部分９４の下において薄く形成される。なお、本実施の形態では、等方性のエッチングを使用してもよい。等方性のエッチングとしてウェットエッチングを使用してもよい。
【００７８】
以下に、例として、ウェットエッチングを使用した配線基板の製造方法を説明する。エッチャントであるエッチング液は、開口部９６内の第２の露出部９３に到達し、金属箔８０の第２の露出部９３において、裏面まで進行せずに表面部をエッチングする。また、等方性エッチングでは、レジスト層９０下である隣同士の開口部９６の間において、さらに金属箔８０の表面部がエッチングされる。この場合に、隣同士の開口部９６の中間が、両方の開口部９６から到達するエッチャントによってエッチングされるように、各開口部９６を密集させて形成しておく。言い換えると、各開口部９６からのサイドエッチングによって、第２の部分９４で覆われた領域においても、金属箔８０の表面部のみがエッチングされるように、第２の部分９４に複数の開口部９６を密集させて形成する。こうして、金属箔８０は、第２の部分９４の下において、全体的に裏面まで進行せずにエッチングされ、金属箔８０の表面部がエッチングされてなる薄い膜８４を形成することができる。
【００７９】
図１３に示すように、上述の方法によって形成された薄い膜８４は、凹凸形状に形成される。詳しくは、金属箔８０は、平面視における開口部９６の中央部では裏面まで進行せずに表面部が深くエッチングされ、開口部９６の周端部では表面部が浅くエッチングされる。さらに、金属箔８０は、平面視において、開口部９６の間の領域においても、表面部がより浅くエッチングされる。こうして、薄い膜８４は、全体的に薄く、かつ、凹凸形状に形成される。
【００８０】
こうして形成した薄い膜８４を、ベース基板１０の半導体チップ搭載領域の内側に形成する。これによって、半導体チップ４０を配線基板１４に搭載したとき（図１４参照）に、金属箔８０の薄い膜８４が半導体チップ４０の能動面と重なることによって、半導体チップ４０の遮光性を高めることができる。したがって、例えば、ベース基板１０が遮光性の低い性質の基板であっても、半導体チップ４０の遮光性を高く保つことのできる配線基板１４を製造することができる。また、薄い膜８４は、ベース基板１０上に形成する配線８２と同時に形成することができるので、工程数を増やすことなく形成することができる。
【００８１】
図１２及び図１３に示すように、薄い膜８４は、配線８２と非接触となるように形成してもよい。あるいは、これとは別に薄い膜８４を複数の配線８２のいずれかと接触させて形成してもよい。後者の場合には、例えば、薄い膜８４をグランドに接続させてもよい。
【００８２】
本実施の形態に係る配線基板１４は、ベース基板１０と、ベース基板１０に形成された配線８２と、ベース基板１０の半導体チップ４０の搭載領域の内側に形成され、配線８２の少なくとも裏面と同じ材料で形成された配線８２より薄い膜８４と、を含む。薄い膜８４は、半導体チップ４０の搭載領域の内側に形成されてもよい。あるいは、半導体チップ４０の搭載領域から外側にはみ出して形成されてもよい。その他の構成は、上述の製造方法に記載の通りである。
【００８３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１４に示すように、配線基板１４に、半導体チップ４０を搭載する。本実施の形態において使用する配線基板１４は上述の例によって製造されてなるものであってもよく、これ以外の製造方法によって製造されてなるものであってもよい。
【００８４】
配線基板１４に、半導体チップ４０を、電極４２の形成された面の一部を薄い膜８４に対向させて搭載する。例えば、半導体チップ４０の端部に近い側の位置に電極４２が形成される場合は、半導体チップ４０を電極４２の面側の中央部（能動面）を薄い膜８４に対向させて搭載する。これによって、薄い膜８４が半導体チップ４０の面と重なり、半導体チップ４０の遮光性を高めることができる。
【００８５】
さらに、半導体チップ４０とベース基板１０に形成する膜は薄いので、これによって遮光性を高めつつも、半導体チップ４０と配線基板１４との間の空間を広くすることができる。したがって、例えば、半導体チップ４０と配線基板１４との間に、樹脂４６を広い空間に確実に充填することができる。また、薄い膜８４は、半導体チップ４０を向く側に凹凸形状を有してもよく、これによって、薄い膜８４の表面積を大きくして、樹脂４６と配線基板１４との密着性を高めることができる。
【００８６】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１４と、電極４２を有する半導体チップ４０と、を含む。半導体チップ４０は、電極４２の形成された面の一部を薄い膜８４に対向させて配線基板１４に搭載されてなる。その他の構成は、上述の製造方法に記載の通りである。
【００８７】
図１５には、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１００が示されている。回路基板１００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１００には例えば銅などからなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部端子５０とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【００８８】
そして、本発明を適用した半導体装置１を有する電子機器として、図１６にはノート型パーソナルコンピュータ２００、図１７には携帯電話３００が示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板及びその製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  ベース基板
１２  配線基板
１４  配線基板
２０  金属箔
２１  第１の露出部
２２  配線
２３  第２の露出部
２４  凹部
３０  レジスト層
３２  細長い部分
３４  開口部
４０  半導体チップ
４２  電極
４４  バンプ
４６  樹脂
５０  外部端子
６０  金属箔
６２  配線
６４  凹部
７０  レジスト層
７１  第１の露出部
７２  細長い部分
７３  第２の露出部
７４  貫通穴
８０  金属箔
８２  配線
８４  薄い膜
９０  レジスト層
９１  第１の露出部
９２  第１の部分
９３  第２の露出部
９４  第２の部分
９６  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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