(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗電流測定時において、複数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流と前記特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分を遮光画素の出力で除した値を暗電流測定時の暗電流補正値として予め記憶する記憶手段と、
使用時において、前記遮光画素の出力と前記暗電流測定時の暗電流補正値とに基づいて使用時の暗電流補正値を求め、前記光電変換器の前記特定の画素の出力電流から前記使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正する補正手段とを備えることを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換器の暗電流補正装置において、
前記記憶手段は暗電流測定時の温度情報を記憶し、
前記補正手段は、前記記憶手段に記憶されている暗電流測定時の温度情報と、使用時の温度情報とに基づいて前記使用時の暗電流補正値の温度補正を行ない、前記光電変換器の前記特定の画素の出力電流から前記温度補正後の使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正することを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光電変換器の暗電流補正装置において、
前記補正手段は、前記光電変換器の使用頻度の高い領域に含まれる画素に対して優先的に暗電流の補正を行なうことを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの項に記載の光電変換器の暗電流補正装置において、
前記特定の画素は、前記光電変換器の複数の画素の内の暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽出した画素であることを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換器の出力に含まれる暗電流を補正する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カメラなどの焦点検出装置にはイメージセンサーが用いられている。このイメージセンサーは、複数の電荷蓄積型光電変換画素が一次元状に配列されたものである。このイメージセンサーの出力は被写体の光輝度分布を反映しており、焦点検出装置はこのイメージセンサーの出力に基づいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する。
【０００３】
ところで、被写体が低輝度の場合には、所定レベル以上のイメージセンサー出力を得るために蓄積時間を長くするが、これにより暗電流も増えてしまい、Ｓ／Ｎ比が低下する。暗電流の大きさは光電変換画素ごとにばらつきがあり、ある画素の暗電流がその周辺の画素の暗電流よりも際立って大きい場合には、あたかも被写体に高いコントラストがあるかのように見えてしまう（図４（ａ）参照）。特に、低輝度時にはすべての光電変換画素の出力レベルが低く、相対的に暗電流成分が大きくなって焦点検出性能に大きな悪影響を与える。また、暗電流の大きさは蓄積時間だけでなく温度にも依存するので、高温下では暗電流が増加してＳ／Ｎ比が低下する。
【０００４】
このような問題を解決するために、イメージセンサーの出力に含まれる暗電流を補正する方法が提案されている。例えば特開平３−１０４７３号公報には、開口画素部の他に暗電流モニター用の遮光画素部を設けたイメージセンサーが開示されており、この装置では、予め開口画素と遮光画素の暗時出力を記憶しておき、焦点検出動作時の遮光画素出力と記憶しておいた遮光画素出力との比から暗電流の増減率を求め、記憶しておいた開口画素出力に比を掛けることによって、各画素ごとの暗電流を求めている。ここで、開口画素とは、焦点検出光学系によって被写体からの光束が照射されるイメージセンサー上の画素である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光電変換器の暗電流補正装置では、全画素の暗電流を記憶する必要があり、多点測距方式の焦点検出装置のように多くの光電変換器を用いる場合には大容量のメモリが必要となり、また補正時間も長くなるという問題がある。
また、暗電流モニター用の遮光画素出力はイメージセンサーの構成によっては必ずしも温度を反映していない場合もある。例えば周辺回路の熱の影響を受けてイメージセンサーの環境温度が約５０℃以下では温度に対して遮光画素出力がほぼ一定になる。このため、温度に依存する暗電流成分を含む開口画素の出力に対して最適な補正ができないという問題もある。
【０００６】
本発明の目的は、大容量のメモリを必要とせず、短時間に正確に暗電流を補正する光電変換器の暗電流補正装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１）  請求項１の発明は、暗電流測定時において、複数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分を遮光画素の出力で除した値を暗電流測定時の暗電流補正値として予め記憶しておき、使用時において、遮光画素の出力と暗電流測定時の暗電流補正値とに基づいて使用時の暗電流補正値を求め、光電変換器の特定の画素の出力電流から上記使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正するものである。
（２）  請求項２の光電変換器の暗電流補正装置は、暗電流測定時の温度情報を記憶しておき、暗電流測定時の温度情報と使用時の温度情報とに基づいて上記使用時の暗電流補正値の温度補正を行ない、光電変換器の上記特定の画素の出力電流から温度補正後の使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正するようにしたものである。
（３）  請求項３の光電変換器の暗電流補正装置は、光電変換器の使用頻度の高い領域に含まれる画素に対して優先的に暗電流の補正を行なうようにしたものである。
（４）  請求項４の光電変換器の暗電流補正装置は、光電変換器の複数の画素の内の暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽出し、暗電流補正を行う特定の画素としたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
−発明の第１の実施の形態−
図１は本発明の第１の実施形態の構成を示す。
対物レンズ１を通過した被写体からの光束は、焦点検出光学系２によりイメージセンサー３へ導かれ、結像される。イメージセンサー３は、被写体像の光強度分布に応じて光電変換し、被写体像信号を出力する。この被写体像信号は、Ａ／Ｄ変換回路４へ送られてディジタル信号に変換され、暗電流補正回路５へ出力される。補正データ記憶部６には暗電流補正に関するデータが記憶されており、その補正データは暗電流補正回路５へ送られる。温度モニター部１０はイメージセンサー３の温度を測定し、温度データを暗電流補正回路５へ出力する。なお、温度モニター１０でイメージセンサー３の周囲温度を測定するようにしてもよい。
暗電流補正回路５は、暗電流補正データおよび温度データに基づいてイメージセンサー３の被写体像信号に含まれる暗電流を補正し、演算部７へ送る。演算部７は、暗電流が補正された被写体像信号に基づいて焦点検出演算を行い、対物レンズ１のデフォーカス量を算出する。駆動制御部８は、算出されたデフォーカス量にしたがってモーター９を駆動制御し、対物レンズ１を移動させる。
【０００９】
図２は、装置の製造過程における暗電流補正データの測定と記憶処理を示すフローチャートである。また、図３は、この実施形態の暗電流補正装置をカメラに応用した場合の暗電流補正処理を示すフローチャートである。
この実施形態では、１００個の光電変換画素（光電変換素子）が一次元状に配列されたイメージセンサーを例に上げて説明する。そして、光電変換画素列の内の暗電流の大きい方からα個の画素を抽出し、暗電流の補正を行う。
【００１０】
図４は画素ごとの暗電流を示す。
ここで、（ａ）に示すように、（ｉ＋１）番目の画素の暗電流が、ｉ番目や（ｉ＋２）番目などの周辺画素の暗電流に対して大きい場合を考える。暗電流が大きい（ｉ＋１）番目の画素に対して、単純にその暗電流分を補正すると、（ｂ）に示すように、（ｉ＋１）番目の画素の暗電流だけがほぼ０になり、周辺画素の暗電流との差が大きくなる。この状態は、あたかも（ｉ＋１）番目の画素の部分で被写体のコントラストが大きいかのように誤認されてしまい、焦点検出精度を低下させるおそれがある。
そこで、この実施形態では、（ｃ）に示すように、暗電流が大きな（ｉ＋１）番目の画素に対して、その暗電流を周辺画素の平均的な暗電流レベル（図中に破線で示す）まで補正する。このようにすれば、暗電流補正後の全画素の暗電流レベルが平均化され、高い焦点検出精度を維持できる。
【００１１】
まず、図２により装置の製造過程における暗電流補正データの測定と記憶処理を説明する。
暗電流補正データの測定と記憶処理に先だって、暗黒、常温の環境下にカメラを設置する。ステップ１００において、イメージセンサー３の蓄積時間およびゲインなどのパラメータを、暗電流データ測定用の所定値に設定する。この時、画素間の暗電流差がある程度はっきりと現れるようにするために、蓄積時間を長く、ゲインを高くするとよい。ステップ１０１で、暗電流データ測定用のパラメータによりイメージセンサー３の電荷蓄積動作を行い、イメージセンサー３の出力をＡ／Ｄ変換回路４でＡ／Ｄ変換し、外部コンピュータへ出力する。
【００１２】
外部コンピュータにおける補正値算出動作は、まずステップ１０２で、補正画素番号ｘを初期化する。次にステップ１０３で、１００個の画素の内、暗電流が最大である画素を検出し、その暗電流値をＤ（ｘ）に、画素番号をＰ（ｘ）にそれぞれ記憶する。なお、ｉ番目の画素出力をＹ（ｉ）、１００個の画素出力中の最大値をＭａｘ（Ｙ（ｉ））と表記する。また、暗電流が最大であるとして暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）が記憶された画素がふたたび検出されないようにするため、出力Ｙ（ｉ）を０に書き換える。ステップ１０４および１０５では、補正画素番号ｘがα個になるまでステップ１０３の処理を繰り返し、１００個の画素の内の暗電流が大きいものから順にα個の画素の暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を記憶する。
【００１３】
暗電流が大きいα個の画素の暗電流データを測定したらステップ１０６へ進み、α個以外の画素の暗電流の平均値Ａｖを演算する。ステップ１０７でふたたびｘを初期化する。続くステップ１０８で、ｘ番目の暗電流Ｄ（ｘ）と平均暗電流Ａｖとの差を取り、その差を遮光画素出力ＯＰＢで除して暗電流補正値Ｈ（ｘ）を演算する。ステップ１０９および１１０では、補正画素番号ｘがα個になるまでステップ１０８の処理を繰り返し、１００個の画素の内の暗電流が大きいものから順にα個の画素の暗電流補正値Ｈ（ｘ）を演算する。ステップ１１１で、α個の画素の暗電流補正値Ｈ（ｘ）、画素番号Ｐ（ｘ）および補正データ測定時の温度Ｔを補正データ記憶部６に記憶する。
【００１４】
ここで、ステップ１０１における電荷蓄積動作はランダムノイズの影響を避けるために複数回行い、その平均データを取得してステップ１０２以降の処理を行うようにしてもよい。
【００１５】
次に、温度補正データを求める。
温度ｔを変えながら例えば画素番号１の画素の暗電流Ｄ（１）を測定すると、図６に示すような暗電流の温度特性が得られる。この温度特性の関数を求めて温度補正データｆ（ｔ）とする。記憶容量が大きくなったり、演算時間が長くなるのを避けるために、温度補正データｆ（ｔ）を二次関数や一次関数に近似してもよい。この温度補正データｆ（ｔ）を補正データ記憶部６に記憶する。
なお、温度補正データｆ（ｔ）は、１個のイメージセンサーに含まれるα個の画素の暗電流Ｄ（１）〜Ｄ（α）の温度特性を測定して平均をとったり、数個の画素の暗電流の温度特性を測定して平均をとってもよい。いずれにしても個々のイメージセンサーに対して求める必要はない。
【００１６】
図３により、この実施形態の暗電流補正装置をカメラに応用した場合の暗電流補正処理を説明をする。
ステップ２００において、イメージセンサー３の電荷蓄積動作を行い、その出力をＡ／Ｄ変換回路４でＡ／Ｄ変換し、暗電流補正回路５へ出力する。暗電流補正回路５では、まずステップ２０１で補正画素番号ｘを初期化する。続くステップ２０２で、補正データ記憶部６から暗電流補正値Ｈ（ｘ）、補正画素番号Ｐ（ｘ）、補正データ測定時の温度Ｔおよび温度補正データｆ（ｔ）を読み出すとともに、温度モニター部１０から使用時の温度ｔを入力し、これらのデータと使用時の遮光画素出力ＯＰＢとに基づいて使用環境下における暗電流補正値ＤＫ（ｘ）を算出する。ここで、補正データ測定時の温度Ｔ℃の時に温度補正係数が１になるためには、温度補正係数はｆ（ｔ）／ｆ（Ｔ）になる。ステップ２０３で、出力Ｙ（Ｐ（ｘ））から暗電流補正値ＤＫ（ｘ）を差し引いて補正処理を行ない、暗電流補正画素出力ＹＨ（Ｐ（ｘ））を求める。ステップ２０４と２０５で、画素番号ｘがα個になるまでステップ２０２と２０３の処理を繰り返し行ない、α個の画素の暗電流補正処理を行なう。
【００１７】
−発明の第２の実施の形態−
焦点検出に際しては、イメージセンサー上の全光電変換画素の出力を用いず、一部の光電変換画素の出力に基づいて焦点検出を行なう場合がある。対物レンズ、焦点検出光学系およびイメージセンサーの相対的な配置によっては、イメージセンサーの端にある光電変換画素には光束が届かない場合があり、そのような光束の届かない画素に対しては暗電流が大きくても補正の必要はない。
また、１個のイメージセンサーの中で焦点検出を行なう領域を切り換えて使用する場合に、狭い焦点検出領域に含まれる光電変換画素は使用頻度が高い。例えば、図５（ａ）に示すように撮影画面内に狭い焦点検出領域Ｎと広い焦点検出領域Ｗを設定した場合に、狭い焦点検出領域Ｎは図５（ｂ）に示すイメージセンサー上の狭い領域Ｎ’に対応し、広い焦点検出領域Ｗは図５（ｂ）に示すイメージセンサー上の広い領域Ｗ’に対応する。この場合、イメージセンサー上の狭い領域Ｎ’に含まれる光電変換画素は、焦点検出領域が狭い場合でも広い場合でも焦点検出に用いられることになる。
このような場合に、使用頻度の高い光電変換画素から優先的に暗電流補正を行うようにした第２の実施形態を説明する。なお、この第２の実施形態の構成は図１に示す第１の実施形態の構成と同様であり、説明を省略する。
【００１８】
図７〜図９は、装置の製造過程における暗電流補正データの測定と記憶処理を示すフローチャートである。
概要を説明すると、まずステップ３００〜３０４で、イメージセンサー３上の狭い領域Ｎ’において、第１の実施形態と同様に暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を求める。続くステップ３０５〜３０７で、イメージセンサー３上の狭い領域Ｎ’を除く広い領域Ｗ’において、暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を求める。次にステップ３０８〜３１１で、狭い領域Ｎ’において暗電流Ｄ（ｘ）が所定値β以上である画素に対する暗電流補正値Ｈ（ｘ）を求める。この時、暗電流補正値Ｄ（ｘ）がβ以上である補正対象の画素が所定のα個に満たない場合には、ステップ３１３〜３１４でα個に満たない不足分を狭い領域Ｎ’を除く広い領域Ｗ’の中から求める。
【００１９】
図７〜図９を参照しながら詳しく説明する。
ステップ３００、３０１において、図２に示す第１の実施形態と同様に電荷蓄積動作を行い、暗電流データを得る。ステップ３０２でイメージセンサー３上の狭い領域Ｎ’を所定範囲に設定し、続くステップ３０３で図８に示すサブルーチンＡを実行する。
【００２０】
図８のサブルーチンＡでは、ステップ４００〜４０３において、所定範囲Ｎ’に含まれる画素に対して第１の実施形態と同様に出力の大きい順にα個の暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）を求める。ステップ４０４で所定範囲Ｎ’内の残りの画素についての平均暗電流Ａｖを求め、ステップ４０５〜４０８でα個の暗電流Ｄ（ｘ）と平均暗電流Ａｖとの差分ＤＬ（ｘ）を求める。
【００２１】
図７のステップ３０４へ戻り、差分ＤＬ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）をそれぞれＤＮ（ｘ）とＰＮ（ｘ）に退避する。次に、ステップ３０５〜３０７で、（Ｗ’−Ｎ’）を所定範囲に設定し、同様に差分ＤＬ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）を得てそれぞれＤＷ（ｘ）とＰＷ（Ｘ）に退避させる。ステップ３０８でα個の補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を０にリセットし、続くステップ３０９で補正対象画素のカウント数ｊを０にした後、ステップ３１０で先に退避させたＤＮ（ｘ）とＰＮ（ｘ）の値をふたたびＤＬ（ｘ）とＰＬ（ｘ）に戻す。そして、ステップ３１１で図９に示すサブルーチンＢを実行する。
【００２２】
図９のサブルーチンＢにおいて、まずステップ５００で補正画素番号ｘを初期化する。ステップ５０１で、周辺画素に対して突出した差分ＤＬ（ｘ）が所定値βより大きい場合は、この画素は補正の対象になるとしてステップ５０２でｊをインクリメントした後、ステップ５０３で暗電流補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を求める。なお、差分ＤＬ（ｘ）が所定値β以下の場合はステップ５０２と５０３の処理を行わない。α個の差分ＤＬ（ｘ）に対してステップ５０１の判定を行ってから、図７へ戻る。
【００２３】
サブルーチンＢで補正の対象であると判定された画素がα個に満たない場合は、ｊ＜αとなるので図７のステップ３１３〜３１４へ進み、今度は（Ｗ’−Ｎ’）の範囲で補正対象画素の判定を行う。退避させてあるＤＷ（ｘ）とＰＷ（ｘ）の値をそれぞれ差分ＤＬ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）に戻してから、ふたたびサブルーチンＢを実行し、上述した判定を行う。α個の差分ＤＬ（ｘ）全てを判定する前に、補正対象の画素がα個に達すればｊ＝αとなり、ステップ５０５から図７へ戻る。また、α個の差分ＤＬ（ｘ）全てを判定すればｘ＝αとなり、補正対象の画素がα個に達しなくてもステップ５０４から図７へ戻る。こうしてα個またはそれ以下の補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）をＮ’の範囲から優先的に得ることができ、ステップ３１５で補正データ測定時の温度Ｔとともに補正データ記憶部６に記憶する。
【００２４】
このように、イメージセンサー中の画素範囲や焦点検出領域に優先度を設定し、優先度が高く周辺画素よりも暗電流が突出した画素から順に補正することにより、光電変換器の端にある光束が届かない画素に対する不要な暗電流補正が避けられ、限られた記憶容量で適切な補正処理がなされる。
【００２５】
なお、上述した実施形態では、補正対象画素がα個に満たない場合でも、差分ＤＬ（ｘ）が所定値β以下であるような画素に対しては補正を行わないようにしたが、この方法に限定されるものではない。α個に満たない分は、所定値βを前回よりも小さく設定して再びステップ３０２へ戻り、補正対象画素がα個に達するまで補正データの測定動作を繰り返してもよい。
また、複数の焦点検出エリアを有する場合、各々のエリアの使用頻度などによって補正対象画素数αをエリアごとに変えるようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
（１）  請求項１の発明によれば、暗電流測定時において、複数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分を遮光画素の出力で除した値を暗電流測定時の暗電流補正値として予め記憶しておき、使用時において、遮光画素の出力と暗電流測定時の暗電流補正値とに基づいて使用時の暗電流補正値を求め、光電変換器の特定の画素の出力電流から上記使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正するようにしたので、暗電流補正データを記憶するためのメモリの記憶容量を低減でき、補正処理時間を短縮できる。また、暗電流が大きな特定の画素の暗電流を周辺画素の平均的な暗電流レベルまで低減するので、暗電流補正後の全画素の暗電流レベルが平均化され、この暗電流補正装置を焦点検出装置の光電変換器に用いれば焦点検出における精度と信頼性を向上させることができる。さらに、従来のように暗電流モニター用の遮光画素出力により暗電流補正を行なわないので、いかなる温度でも最適な補正を行なうことができる。
（２）  請求項２の発明によれば、暗電流測定時の温度情報を記憶しておき、暗電流測定時の温度情報と使用時の温度情報とに基づいて上記使用時の暗電流補正値の温度補正を行ない、光電変換器の上記特定の画素の出力電流から温度補正後の使用時の暗電流補正値を減算して暗電流を補正するようにしたので、請求項１の効果に加え、温度変化による暗電流の変動を除去することができる。
（３）  請求項３の発明によれば、光電変換器の使用頻度の高い領域に含まれる画素に対して優先的に暗電流の補正を行なうようにしたので、光電変換器の端にある光束が届かない画素に対する不要な暗電流補正が避けられ、適切な補正処理がなされる。
（４）  請求項４の発明によれば、光電変換器の複数の画素の内の暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽出し、暗電流補正を行なう特定の画素としたので、暗電流の補正精度を向上させることができる。
【００２７】
【発明の効果】
（１）  請求項１の発明によれば、複数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分を記憶しておき、光電変換器の特定の画素の出力電流から上記差分を減算して暗電流を補正するようにしたので、暗電流補正データを記憶するためのメモリの記憶容量を低減でき、補正処理時間を短縮できる。また、暗電流が大きな特定の画素の暗電流を周辺画素の平均的な暗電流レベルまで低減するので、暗電流補正後の全画素の暗電流レベルが平均化され、この暗電流補正装置を焦点検出装置の光電変換器に用いれば焦点検出における精度と信頼性を向上させることができる。さらに、従来のように暗電流モニター用の遮光画素出力により暗電流補正を行なわないので、いかなる温度でも最適な補正を行なうことができる。
（２）  請求項２の発明によれば、複数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分と、暗電流測定時の温度情報とを記憶しておき、暗電流測定時の温度情報と暗電流補正時の温度情報とに基づいて上記差分の温度補正を行ない、光電変換器の上記特定の画素の出力電流から温度補正後の差分を減算して暗電流を補正するようにしたので、請求項１の効果に加え、温度変化による暗電流の変動を除去することができる。
（３）  請求項３の発明によれば、光電変換器の使用頻度の高い領域に含まれる画素に対して優先的に暗電流の補正を行なうようにしたので、光電変換器の端にある光束が届かない画素に対する不要な暗電流補正が避けられ、適切な補正処理がなされる。
（４）  請求項４の発明によれば、光電変換器の複数の画素の内の暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽出し、暗電流補正を行なう特定の画素としたので、暗電流の補正精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施形態の構成を示す図。
【図２】  第１の実施形態の補正データの測定と記憶処理を示すフローチャート。
【図３】  カメラに応用した光電変換器の暗電流補正装置の暗電流補正処理を示すフローチャート。
【図４】  補正前後の暗電流を示す図。
【図５】  狭い焦点検出領域と広い焦点検出領域を示す図。
【図６】  温度による暗電流変化を示す図。
【図７】  第２の実施例の補正データの測定と記憶処理を示すフローチャート。
【図８】  図７に続く、第２の実施例の補正データの測定と記憶処理を示すフローチャート。
【図９】  図８に続く、第２の実施例の補正データの測定と記憶処理を示すフローチャート。
【符号の説明】
１  対物レンズ
２  焦点検出光学系
３  イメージセンサー
４  Ａ／Ｄ変換回路
５  暗電流補正回路
６  補正データ記憶部
７  演算部
８  駆動制御部
９  モーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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