(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶装置において、
前記基板の少なくとも一方に光反射材料によって形成された電極が設けられ、
該電極と、該電極が備えられた前記基板との間には、静電散布によって前記基板上に分散されて不規則に配列された複数の粒状部材が位置し、
前記電極は前記粒状部材を包み込むようにして形成されており、前記電極の表面には、前記粒状部材による凹凸が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の基板は、アクティブ素子を備える素子側基板と、それに対向する対向基板とによって構成され、
前記複数の粒状部材は前記素子側基板の表面に分散されることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記粒状部材は熱硬化型樹脂によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板のいずれか一方の表面に粒状部材を静電散布によって不規則に分散する粒状部材分散工程と、
前記粒状部材が分散されて不規則に配列された前記基板の表面に光反射材料によって電極を、前記粒状部材を包み込むように形成する電極形成工程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記一対の基板のいずれか一方に素子側電極を含むアクティブ素子を形成するアクティブ素子形成工程を有し、
前記電極形成工程は、前記素子側電極に接続するように画素電極を形成する工程であり、
前記粒状部材分散工程は、前記アクティブ素子形成工程の後であって前記電極形成工程の前に行われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記粒状部材は熱硬化型樹脂によって形成されており、
前記粒状部材分散工程と前記電極形成工程との間に粒状部材加熱工程を設け、該粒状部材加熱工程において、基板上に分散された前記粒状部材の表面部分を一時的に溶かして前記基板に固着することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記粒状部材加熱工程は、加熱されたプレートを前記粒状部材に近づけることによって行われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置と、該液晶装置を収容する筐体とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する液晶装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等といった電子機器の像表示部に液晶装置が広く用いられるようになっている。この液晶装置は、一般に、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する。
【０００３】
この液晶装置には、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子を用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置がある。このようなアクティブマトリクス方式の液晶装置としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子やＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子等をアクティブ素子として用いる構造の液晶装置が知られている。
【０００４】
上記の単純マトリクス方式及びアクティブマトリクス方式の液晶装置を照明系によって分類すると、液晶パネルの外側表面に反射板を付設して太陽光その他の外部光をその反射板によって反射してその反射光を照明光として用いる形式の反射型液晶装置と、液晶パネルにバックライト等といった照明装置を付設してその照明装置からの光を照明光として用いる形式の透過型液晶装置とがあることが知られている。
【０００５】
今、反射型液晶装置について考えると、多くの場合は、液晶装置を構成する一対の基板の一方の外側表面に反射板を貼着し、他方の基板の外側から入射する外部光をその反射板によって反射して、その反射光を液晶に供給する。また、最近では、一方の基板の外側表面に反射板を貼着するのに代えて、その基板の内側表面に形成する電極をアルミニウム等といった光反射材料によって形成し、その電極に反射板としての機能を持たせるようにした液晶装置も知られている。
【０００６】
このように、一方の基板に設けられる電極自身を反射板として用いる構造の液晶装置に関しては、専用の反射板を用いる必要がなくなるので、部品コストが安くなり、しかも製造工程が簡略化されることから製造コストも安くなるという利点を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電極自身を反射板として用いる構造の従来の液晶装置では、その電極の表面が平滑面であることが多く、その結果、その電極からの反射光の進行方向が狭い角度に限定されてしまい、よって、広い視野角度において明るい表示を得ることが難しかった。
【０００８】
また、特開昭５８−１２５０８４号公報によれば、滑らかな凹凸を有する樹脂層の表面に被着した金属膜を電極及び反射膜の両方として用いる構造の液晶装置が開示されている。この液晶装置では、金属膜を反射膜として用いるときに上記の凹凸によって散乱状態の反射光を形成でき、もって、広い視野角度範囲内で明るくコントラストの高い反射光を得ることができると考えられている。
【０００９】
しかしながらこの従来の液晶装置では、樹脂層の凹凸が写真蝕刻法を用いて形成されており、よって、凹凸の表面はかなり平滑であり、さらに凹凸の模様もかなり規則的な配列となっている。その結果、その金属膜では広い視野角度範囲内で明るい表示を得ることに関して限界があった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板の内側表面に形成される電極を反射板として用いる構造を利用して、非常に広い視野角度範囲内で明るい表示を得ることができる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。また、そのような液晶装置を確実に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶装置において、前記基板の少なくとも一方に光反射材料によって形成された電極が設けられ、該電極と、該電極が備えられた前記基板との間には、静電散布によって前記基板上に分散されて不規則に配列された複数の粒状部材が位置し、前記電極は前記粒状部材を包み込むようにして形成されており、前記電極の表面には、前記粒状部材による凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本液晶装置は、ＴＦＴ素子やＴＦＤ素子等といったアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置とすることができる。また、粒状部材によって表面に凹凸を作る電極は、一対の基板のうちのいずれに形成される電極であっても良い。例えば、アクティブマトリクス方式の液晶装置の場合を考えれば、その液晶装置を構成する素子側基板及びそれに対向する対向基板のいずれに形成される電極に対して粒状部材を設けることができる。
【００１３】
上記構成において、「光反射材料」としては、例えばアルミニウムを用いることができる。また、「粒状部材」としては、弾性を有する樹脂製のボールを用いることができる。この粒状部材としては、電極表面に形成される凹凸の谷から山までの高さを１μｍ程度にするような粒径を有するものが用いられる。
【００１４】
上記構成の液晶装置によれば、光反射部材として機能する電極の表面に凹凸が設けられるので、この電極で反射する光が散乱し、その結果、この反射光を利用して表示される像は広い視野角度範囲内で明るくなる。
【００１５】
特に、電極表面に形成される凹凸は基板の表面に分散された粒状部材によってもたらされるものであり、それらの粒状部材は基板平面内に不規則に分散される。このため、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て不規則に配列し、よって、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡る。その結果、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００１６】
（２）  上記構成の液晶装置に関して、前記一対の基板は、アクティブ素子を備える素子側基板と、それに対向する対向基板とによって構成されるアクティブマトリクス方式の液晶装置とすることができ、その場合には、前記粒状部材は前記素子側基板の表面に分散することができる。この液晶装置によれば、アクティブマトリクス方式の液晶装置に関して、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００１７】
（３）  また、上記構成の液晶装置において、前記粒状部材は静電散布によって基板上に分散することができる。ここで、「静電散布」とは、粒状部材に電荷を付与した状態でその粒状部材を分散することである。このような静電散布によって分散された粒状部材は、それらが互いに静電的に反発し合いながら分散されるので、複数の粒状部材による塊が発生することがなくなり、よって、基板上の電極に過大な凹凸が形成されることを防止できる。
【００１８】
（４）  上記構成の液晶装置において、前記粒状部材は熱硬化型樹脂によって形成できる。ここにいう熱硬化型樹脂は、所定以上の温度を受けたときに一時的に溶融し、その後に固化し、さらに固化した後には上記所定以上の温度を受けても溶融しないという性質を有する樹脂のことである。
【００１９】
粒状部材としては、上記のような熱硬化型樹脂以外に、熱によって溶ける性質を有する樹脂を広く用いることができるが、上記のような熱硬化型樹脂を用いれば、より望ましいと考えられる。その理由は、粒状部材を基板上に分散した後にその基板に対して種々の熱処理が行われる場合でも、粒状部材がその熱処理によって影響を受けること、例えば溶けて変形すること等を防止できるからである。
【００２０】
（５）次に、本発明に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法において、前記一対の基板のいずれか一方の表面に粒状部材を静電散布によって不規則に分散する粒状部材分散工程と、前記粒状部材が分散されて不規則に配列された前記基板の表面に光反射材料によって電極を、前記粒状部材を包み込むように形成する電極形成工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
この液晶装置の製造方法によれば、液晶装置の内部において反射部材として機能する電極の表面に凹凸を形成することができるので、製造された液晶装置において表示を行う際、この電極で反射する光を散乱させることができ、その結果、広い視野角度範囲内で明るい表示を行うことができる。
【００２２】
特に、電極表面に形成される凹凸は基板の表面に分散された粒状部材によってもたらされるものであり、それらの粒状部材は基板平面内に不規則に分散され、よって、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て不規則に配列する。このため、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡り、よって、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００２３】
（６）  上記構成の製造方法は、前記一対の基板のいずれか一方に素子側電極を含むアクティブ素子を形成するアクティブ素子形成工程を含むことができる。つまり、本発明は、アクティブマトリクス方式の液晶装置を製造するための製造方法に適用できる。そしてこの場合には、前記電極形成工程は、前記素子側電極に接続するように画素電極を形成する工程ということになり、さらに、前記粒状部材分散工程は、前記アクティブ素子形成工程の後であって前記電極形成工程の前に行われる。
【００２４】
この構成によれば、粒状部材はアクティブ素子が基板上に形成された後にその基板の表面に分散されるので、アクティブ素子を形成するときには基板表面は滑らかな平面であり、よって、アクティブ素子の特性に欠陥やバラツキが生じることを確実に防止できる。
【００２５】
（７）  上記構成の製造方法に関しては、前記粒状部材分散工程と前記電極形成工程との間に粒状部材加熱工程を設けることができ、その粒状部材加熱工程において、基板上に分散された粒状部材の表面部分を一時的に溶かすようにすることができる。この構成によれば、粒状部材を基板表面に強固に固着できるので、液晶装置の表示特性を安定化できる。
【００２６】
（８）  なお、上記のように粒状部材を加熱する場合には、その具体的な方法として、加熱されたプレート、いわゆるホットプレートを粒状部材に近づけることによってその加熱を行うという方法を採用できる。
【００２７】
粒状部材を加熱するための方法としては、上記のような加熱されたプレートを用いる方法以外に、熱風を吹きかける方法その他種々の方法が考えられる。しかしながら、熱風を用いる方法では、基板上に分散した粒状部材が基板から吹き飛ばされるという不都合が考えられる。これに対し、ホットプレートを用いる方法によれば、そのような粒状部材の飛散を防止できる。
【００２８】
（９）  上記構成の製造方法において、粒状部材分散工程は、前記粒状部材を静電散布によって基板上に分散する処理を含んで実施できる。このような静電散布によって分散された粒状部材は、それらが互いに静電的に反発し合いながら分散されるので、複数の粒状部材による塊が発生することがなくなり、よって、基板上の電極に過大な凹凸が形成されることを防止できる
（１０）  上記構成の製造方法において、前記粒状部材は熱硬化型樹脂によって形成できる。この構成によれば、粒状部材を基板上に分散した後にその基板に対して種々の熱処理が行われる場合でも、粒状部材がその熱処理に影響されること、例えば溶けて変形すること等を防止できる。
【００２９】
（１１）  次に、本発明に係る電子機器は、上記構成の液晶装置と、該液晶装置を収容する筐体とを有することを特徴とする。このような電子機器としては、具体的には、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等が考えられる。多くの場合は、それらの像表示部に液晶装置が適用される。
【００３０】
この電子機器によれば、その内部に含まれる液晶装置において、電極表面に形成される凹凸が基板の表面に分散された粒状部材によってもたらされるので、それらの粒状部材は基板平面内に不規則に分散され、よって、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て不規則に配列する。そのため、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡り、よって、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して平面的に示している。ここに示す液晶装置１は、シール材２によって互いに接合された一対の透光性基板３ａ及び３ｂを有する。これらの透光性基板は、例えばガラス、プラスチック等によって形成される。これらの透光性基板の間には間隙、いわゆるセルギャップが形成され、シール材２によって囲まれる部分のセルギャップ内に液晶が封入される。
【００３２】
図の奥側の透光性基板３ａは素子側基板であり、その内側表面には、互いに平行に並べられた複数の直線状の配線、すなわちストライプ状の配線４が形成され、さらにそれらの配線４の間に複数の画素電極６がドットマトリクス状に形成され、さらに各画素電極６と各配線４とがアクティブ素子としてのＴＦＤ素子７を介して接続される。素子側基板３ａの外側表面には偏光板１２が貼着される。本実施形態では、各画素電極６は光反射材料、例えばアルミニウムによって形成される。
【００３３】
一方、図１の手前側の透光性基板３ｂは対向基板であり、その内側表面にはストライプ状の対向電極８が形成される。これらの対向電極８と素子側基板３ａ上の画素電極６との対向する部分にドットマトリクス状に配列される複数の画素が形成される。対向基板３ｂの内側表面には、必要に応じて、さらにカラーフィルタが形成される。また、対向基板３ｂの外側表面には偏光板１２が貼着される。
【００３４】
なお、素子側基板３ａにおいて、各配線４は実際には極めて狭い間隔寸法で多数本が基板３ａ上に形成されるが、図１では、構造を分かり易く示すために各配線４の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの配線４のうち数本を示し他の部分を省略してある。また、画素電極６は、実際には非常に面積が小さく、しかも微細な間隔でドットマトリクス状に配列されるが、図１では構造を分かり易く示すために各画素電極６を拡大して模式的に示すと共にそれらの間隔も拡大して示してある。
【００３５】
また、対向基板３ｂにおいて、対向電極８は実際には素子側基板３ａ上の画素電極６に対向するように極めて狭い間隔で多数本形成されるものであるが、図１では、構造を分かり易く示すために各対向電極８の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの対向電極８の一部分を省略してある。
【００３６】
画素電極６等が形成された素子側基板３ａの内側表面には、さらに、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対して一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。また、対向電極８が形成された対向基板３ｂの内側表面にも、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対しても一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。
【００３７】
本実施形態の液晶装置１はＣＯＧ（ Chip On Glass）方式の液晶装置であり、よって、素子側基板３ａの表面に液晶駆動用ＩＣ９ａが直接に実装され、また、対向基板３ｂの表面にも液晶駆動用ＩＣ９ｂが直接に実装される。そして、素子側基板３ａ上に形成された配線４が液晶駆動用ＩＣ９ａの出力端子に接続され、一方、対向基板３ｂ上に形成された対向電極８が液晶駆動用ＩＣ９ｂの出力端子に接続される。符号１１は、液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂを外部回路に接続するための外部接続用端子を示す。
【００３８】
液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂが作動すると、選択された画素に相当する画素電極６と対向電極８との間に所定の大きさのＯＮ電圧及びＯＦＦ電圧が印加され、この電圧制御によって液晶の配向状態を制御する。そして、この配向制御に基づいて光を変調することにより、文字、数字、絵柄等といった像を外部に表示する。このとき、液晶に供給される光は、対向基板３ｂ側から液晶装置の内部に取り込まれた後、アルミニウム合金によって形成された画素電極６で反射した外部光、例えば太陽光である。なお、配線４は、データ線として用いられることもあるし、走査線として用いられることもある。
【００３９】
図９は、素子側基板３ａの内側表面における１個の画素領域の近傍を拡大して示している。また、図１０は、図９のＡ−Ａ線に従った断面構造を示している。これらの図において、配線４は、Ｔａ（タンタル）等といった導電材によって形成された第１層４ａと、その第１層４ａの上に積層された陽極酸化膜によって形成された第２層４ｂと、その第２層４ｂの上にＣｒ（クロム）等の導電材によって形成された第３層４ｃとによって構成される。
【００４０】
また、ＴＦＤ素子７は、一対のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂを電気的に逆向きに直列接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造の素子として形成されている。このバック・ツー・バック構造により、１個のＭＩＭ素子を用いる場合に比べて安定したスイッチング特性を得ることができる。もちろん、１個のＭＩＭ素子を用いて非線形素子を構成することもできる。
【００４１】
個々のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂは、配線４の第１層４ａと同時にＴａ等によって形成された第１電極１６と、その第１電極１６の上に形成された陽極酸化膜１７と、配線４の第３層４ｃと同時にＣｒ等によって形成された第２電極１８とによって構成される。図では、配線４に近い側の第２電極を１８ａで示し、配線４から遠い側すなわち画素電極６に近い側の第２電極を１８ｂで示している。この第２電極１８ｂの先端部分に重ねて画素電極６が形成される。この画素電極６は、図９に示すように概ね長方形状に形成され、これに接続する第２電極１８ｂの先端部分は画素電極６よりもわずかに大きい長方形状に形成される。
【００４２】
図９に示すように、素子側基板３ａの上には複数の粒状部材１０が不規則な配列状態で設けられている。画素電極６が形成された部分を見ると、図１０に示すように、粒状部材１０はその画素電極６とＭＩＭ素子１４ｂの第２電極１８ｂとの間に位置している。これらの粒状部材１０が在るため、画素電極６の表面には凹凸が形成される。
【００４３】
複数の粒状部材１０は、例えば静電散布の方法によって基板３ａ上に分散されたものであり、よって、粒状部材１０の平面的な配列状態は図９に示すように不規則な状態である。なお、図９では、構造を分かり易くするために粒状部材１０の密度を比較的小さく示してあるが、実際には、より高密度に粒状部材１０を分散する方が望ましい。
【００４４】
ここで、静電散布とは、粒状部材に電荷を付与した状態でその粒状部材を分散することであり、こうして分散された複数の粒状部材は互いに離散するので塊を形成することがない。よって、画素電極６の表面に過大な凹凸が形成されることはない。
【００４５】
本実施形態では、以上の通りに、画素電極６の表面に粒状部材１０に起因して凹凸ができるので、その画素電極６で反射する光は広い角度範囲に散乱する。特に、粒状部材１０の平面的な配列状態は不規則であるので、光の拡散角度は非常に広くなり、よって、液晶装置の表示は非常に広い視野角度の範囲内で明るくなる。
【００４６】
以下、上記構成の液晶装置１を製造するための製造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。図２の工程（ａ）において、まず、ガラス基板母材３ａ’を用意する。このガラス基板母材３ａ’は、図１に示す液晶装置１の１個分の大きさの素子側基板３ａを複数個形成できる程度の面積を有する大面積のガラス基板によって形成される。この素子側基板母材３ａ’の表面にタンタル酸化物、例えばＴａ２Ｏ５ を一様な厚さに成膜して下地層１９を形成する。この下地層１９は、これ以降に基板母材３ａ’上に形成される膜の基板母材３ａ’に対する密着性を高める等のために形成されるものである。
【００４７】
次に、工程（ｂ）において、タンタル（Ｔａ）をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ−処理等を実施して、配線４の第１層４ａ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６を形成する。この状態を平面的に見ると図４に示す通りである。この状態では、配線用の第１層４ａとＭＩＭ素子用の第１電極１６は一体につながっている。
【００４８】
次に、工程（ｃ）において、配線の第１層４ａを陽極端子として陽極酸化処理を実行し、その第１層４ａ及びＭＩＭ素子用の第１電極１６の上に、絶縁膜として作用する陽極酸化膜を一様な厚さに形成する。これにより、配線４の第２層４ｂ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの絶縁層１７が形成される。この状態を平面的に見ると図５に示す通りである。
【００４９】
次に、工程（ｄ）において素子部フォトエッチング（図ではＰＥと略記）工程を実行する。この工程は、図５において、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂと、ＭＩＭ素子の第１電極１６及び絶縁膜１７とを繋ぐ部分Ｂをエッチングによって部分的に除去するための工程である。この工程により、ＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６並びに絶縁層１７が、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂから島状に分断されて、図６に示す状態になる。
【００５０】
次に、図３の工程（ｅ）において、クロムをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ−処理を実施して、配線４の第３層４ｃ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第２電極１８ａ及び１８ｂを形成する。この状態を平面的に見ると図７に示す通りである。このとき、配線４から遠い側に形成される第２電極１８ｂの先端部分は、１個の画素と略同じ形状に形成される。
【００５１】
次に、工程（ｆ）において、複数の粒状部材、例えば熱硬化型樹脂によって形成された弾性を有するボールを静電散布法を用いて基板母材３ａ’の上に分散する。静電散布法によれば、分散される個々の粒状部材に同電位の電荷が付与されるので、それらの粒状部材が結合して塊になることを防止できる。また、散布された粒状部材１０は、図８に示すように、平面的に見て不規則な状態で配列される。なお、図３及び図８において、複数の粒状部材１０の分布密度は構造を分かり易く示すために実際の場合よりも粗く示してある。
【００５２】
その後、工程（ｇ）において、基板母材３ａ’を所定温度に加熱したホットプレートの上に載せるか、あるいはそれに近接させることにより、粒状部材１０を加熱する。本実施形態では、粒状部材１０が熱硬化型樹脂によって形成されているので、その粒状部材１０は所定温度に加熱されることにより、一時的に溶けると共にその後に固化し、その固化後は所定温度以上に加熱されても溶融しない状態に保持される。この加熱工程により、各粒状部材１０は、基板母材３ａ’の上にしっかりと又はその母材上に形成された各種要素の上にしっかりと固着する。
【００５３】
その後、工程（ｈ）において、画素電極６を形成するための処理を実行する。具体的には、画素電極６の材料であるアルミニウム合金をスパッタリング等によって一様な厚さに成膜し、さらに、エッチング処理を含むフォトリソグラフィ−処理を実施して、図９に符合６で示すような１画素の大きさに相当する所定形状の画素電極を第２電極１８ｂの先端部分の上、すなわちクロムパターン上に形成する。このとき、画素電極６と第２電極１８ｂのクロムパターンとの間には不規則に並んだ複数の粒状部材１０が在るので、その画素電極６の表面にはそれらの粒状部材１０に対応して不規則な凹凸パターンが形成される。液晶装置において表示を行う際には、この不規則な凹凸パターンの働きにより、画素電極６で反射する光は広い角度に散乱し、その結果、広い視野角度範囲内で明るい表示を行うことができる。
【００５４】
以上の作業により、図１に示す素子側基板３ａを複数個含む素子側基板母材３ａ’が完成する。そしてその一方で、対向基板３ｂを複数個含む対向基板母材が別途行われる作業によって作製される。こうして形成される素子側基板母材３ａ’及び対向基板母材のいずれか一方の表面には各液晶装置部分に対応させてシール材２がスクリーン印刷等によって形成される。
【００５５】
その後、上記の素子側基板母材３ａ’と対向基板母材とをシール材２を挟んで互いに貼り合わせて大面積のパネル構造体を作製し、さらにそのパネル構造の各液晶装置部分の内部に液晶を封入し、さらに各基板母材の所定位置に切断用溝、いわゆるスクライブ溝を形成し、さらにその切断用溝に従って各基板母材を切断、いわゆるブレイクすることにより個々の液晶パネルが切り出される。こうして切り出される個々の液晶パネルに図１の偏光板１２、液晶駆動用ＩＣ９ａ，９ｂを装着することにより、図１に示す液晶装置１が完成する。
【００５６】
（第２実施形態）
図１１は、図１に示す液晶装置１を用いて構成される本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯型コンピュータを示している。この携帯型コンピュータ３１は、複数のキー３２を備えたキーボード部３３と、そのキーボード部３３に対して矢印Ｄのように開閉回転動作する筐体としてのカバー３４と、そのカバー３４に埋め込まれた液晶装置３０とを含んで構成される。液晶装置３０は、図１の液晶装置１に制御回路等といった付帯機器を装着することによって作製される。
【００５７】
キーボード部３３の内部には、携帯型コンピュータとしての機能を果たすための各種の演算を実行するためのＣＰＵ（中央処理装置）を含む制御部が格納される。そしてその制御部は、液晶装置３０に所定の映像を表示するための演算処理を実行する。
【００５８】
本実施形態の携帯型コンピュータにおいては、その中で用いる液晶装置に関して、図１０に示すように、画素電極６の表面に粒状部材１０に起因して凹凸ができるので、その画素電極６で反射する光は広い角度範囲に分散する。特に、粒状部材１０の平面的な配列状態は不規則であるので、光の拡散角度は非常に広くなり、よって、液晶装置の表示は非常に広い視野角度の範囲内で明るくなる。
【００５９】
（その他の実施形態）
図１に示す液晶装置はＣＯＧ方式の液晶装置であるが、本発明はそれ以外の構造を有する任意の液晶装置に対して適用できる。例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding：テープ自動化実装）の技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップをボンディングして形成されるＴＣＰ（Tape Carrier Package）を用いる構造の、いわゆるＴＡＢ方式の液晶装置に対して本発明を適用できる。また、エポキシ基板等といったガラス以外の基板上にＩＣチップを実装する構造の、いわゆるＣＯＢ（Chip On Board）方式の液晶装置に対して本発明を適用することもできる。
【００６０】
上記の実施形態では一対のＭＩＭ素子を逆極性で直列に接続した構造のバック・ツー・バック方式のＴＦＤ素子を非線形素子として用いる場合を例示したが、１個のＭＩＭ素子を用いる構造のＴＦＤ素子を用いることもでき、あるいは、ＴＦＤ素子に代えてＴＦＴ素子を用いることもできる。
【００６１】
図１２に、ＴＦＴ素子を用いた液晶装置の部分平面図を示し、図１３に、図１２のＢ−Ｂ線に沿った部分断面図を示す。
【００６２】
図１２及び図１３に示すように、ＴＦＴ素子部１０４は図５に斜線にて示す領域に延在し、ソース１０４１はデータ線１０３に対して開口部１０４１ａにて導電接続され、ゲート１０４２は走査線１０１と交差して図示しない薄い絶縁膜を介して対向して形成されている。ドレイン１０４３は開口部１０４３ａを介して画素電極１０６と導電接続されている。これらの構造から延在した下電極１０４０は容量線１０２と絶縁層を介して平面的に重なり、蓄積容量１０５が構成されている。蓄積容量１０５は、公知のように電荷のリークに対して画素電極１０６の電位を長時間保持するためのものである。
【００６３】
このＴＦＴ素子を用いた液晶装置においては、データ線１０３上に絶縁層１０５が形成されている。この絶縁層１０５を形成した後、第１実施形態と同様に、例えば熱硬化型樹脂によって形成された弾性を有するボール等の粒状部材１０を、静電散布法を用いて基板１００の上に分散する。このとき、後に画素電極１０６とドレイン１０４３とを接続するスルーホール１０４３ａとなる領域には、粒状部材１０が配置される可能性があるが、その領域の粒状部材は、スルーホールを形成する工程において、絶縁層１０５及びその下層の膜と共に除去されるので問題はない。なお、図１２及び図１３において、複数の粒状部材１０の大きさ及び分布密度は構造を分かり易く示すために実際の場合よりも大きく、粗く示してある。
【００６４】
次に、この基板１００を所定温度に加熱したホットプレートの上に載せるか、あるいはそれに近接させることにより、粒状部材１０を加熱し、一時的に溶かしその後固化させる。
【００６５】
次に、ドレイン１０４３に達するスルーホール１０４３ａを形成し、しかる後、粒状部材１０によって凹凸が形成された絶縁層上に、例えばアルミ合金により画素電極１０６を形成する。
【００６６】
この後、公知の配向膜形成、ラビング処理工程を経て図示しない対向基板とシール部材を介して接着し、いわゆる多数個取りであれば、スクライブ・ブレイク工程を経て、個々の液晶パネルの基板間に液晶を封入する。そして、必要な制御回路や配線等を実装して液晶装置を構成する。
【００６７】
このようにして構成されたＴＦＴ素子を用いた液晶装置は、画素電極１０６の表面に粒状部材１０に起因して凹凸ができるので、その画素電極１０６で反射する光は広い角度範囲に散乱する。特に、粒状部材１０の平面的な配列状態は不規則であるので、光の拡散角度は非常に広くなり、よって、液晶装置の表示は非常に広い視野角度の範囲内で明るくなる。
【００６８】
以上の各実施形態では、ＴＦＤ及びＴＦＴ素子といったアクティブ素子を用いたいわゆるアクティブマトリクス方式の液晶装置について説明したが、本発明は、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置に対して適用することもできる。
【００６９】
また、図１１では、電子機器として携帯型コンピュータを例示したが、本発明に係る液晶装置はその他の任意の電子機器、例えば、携帯電話機等にも適用できる。
【００７０】
【発明の効果】
本発明に係る液晶装置、その製造方法及び電子機器によれば、反射部材として機能する電極の表面に凹凸が設けられるので、この電極で反射する光が散乱し、その結果、この反射光を利用して表示される像は広い視野角度範囲内で明るくなる。また特に、電極表面に形成される凹凸は基板の表面に分散された粒状部材によってもたらされるものであり、それらの粒状部材は基板平面内に不規則に分散される。このため、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て不規則に配列し、よって、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡る。その結果、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して示す平面図である。
【図２】本発明に係る液晶装置の製造方法を模式的に示す工程図である。
【図３】図２に引き続く工程図である。
【図４】液晶装置の製造過程の一例を示す平面図である。
【図５】液晶装置の製造過程の他の一例を示す平面図である。
【図６】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図７】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図８】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図である。
【図９】液晶装置の製造過程のさらに他の一例を示す平面図であって、画素電極が形成された状態を示す図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に従った断面構造を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る他の液晶装置の一実施形態を示す部分平面である。
【図１３】本発明に係る他の液晶装置の一実施形態を示す部分断面である。
【符号の説明】
１            液晶装置
２            シール材
３ａ          素子側基板
３ａ’        素子側基板母材
３ｂ          対向基板
４            配線
４ａ          第１層
４ｂ          第２層
４ｃ          第３層
６            画素電極
７            ＴＦＤ素子
８            対向電極
１０            粒状部材
１４ａ，１４ｂ  ＭＩＭ素子
１６            第１電極
１７            絶縁層
１８ａ          第２電極
１８ｂ          第２電極
１９            下地層
１００          素子側基板
１０１          走査線
１０２          容量線
１０３          データ線
１０４          ＴＦＴ素子部
１０４３        ドレイン
１０４３ａ      スルーホール
１０５          絶縁層
１０６          画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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