(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状をなす樹脂基板の一方の面に、半導体チップ搭載部が樹脂基板の幅方向に複数個並んだ半導体チップ搭載部列が樹脂基板の長手方向に多列に設けられ、
搭載される半導体チップによって覆われる大きさの貫通孔が前記半導体チップ搭載部列上の各半導体チップ搭載部に形成された貫通孔列が前記樹脂基板の長手方向に多列に設けられ、
前記樹脂基板の他方の面に、前記半導体チップ搭載部に搭載される半導体チップの端子部と、前記貫通孔を挿通するボンディングワイヤを介して電気的に接続される配線パターンが設けられた配線基板であって、
前記各半導体チップ搭載部列に対応して、前記貫通孔列の延長線上となる、前記樹脂基板の一方の側縁部にのみ、前記樹脂基板の表裏に樹脂を流通させる樹脂流通孔が設けられたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の各半導体チップ搭載部に前記貫通孔を覆うようにして半導体チップを搭載する工程と、
搭載した半導体チップの端子部と前記配線パターンとを前記貫通孔を挿通するボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
該半導体チップを搭載した配線基板を金型内に組み込む工程と、
金型内に、封止用樹脂を注入して、前記各列の半導体チップを樹脂で封止した後、前記樹脂流通孔から樹脂を配線基板の配線パターン形成面側に流入して、前記貫通孔および前記ボンディングワイヤを樹脂で封止する樹脂封止工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂流通孔とは反対側となる前記樹脂基板の他方の側縁部側から金型内に封止用樹脂を注入することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線パターンに外部接続用のボール端子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂封止工程後、個片の半導体装置に切断する工程を含むことを特徴とする請求項２、３または４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板とこの配線基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ボード・オン・チップ（ＢＯＣ）型の半導体装置は、図８に示すように、樹脂基板１０の一方の面に形成された半導体チップ搭載部に接着剤１１によって半導体チップ１２を固着し、樹脂基板１０の他方の面に形成された配線パターン１３と半導体チップ１２の端子部とを、樹脂基板１０に設けた貫通孔（スリット）１４を挿通するボンディングワイヤ１５によって電気的に接続してなる。１６は外部接続用のボール端子であり、配線パターン１３上に設けてある。
ボンディングワイヤ１５および貫通孔１４をポッティング樹脂で封止しただけの簡易なＢＯＣ型半導体装置も知られているが、昨今ではより信頼性を高めるため、トランスファモールドによって、半導体チップ１２およびボンディングワイヤ１５の双方を封止樹脂１７によって封止したものが要望されている。
【０００３】
図９は、上記半導体装置の製造方法の一例を示す。
この製造方法では、所要の幅を有する配線基板上に多数個の半導体チップを搭載し、一時にモールドした後、個片の半導体装置に切断、分離するようにしている。
配線基板１８は、帯状をなす樹脂基板１０の一方の面に、樹脂基板１０の幅方向に複数個（図示の例では３個）並ぶ半導体チップ搭載部が樹脂基板の長手方向に多列に設けられ、樹脂基板１０の幅方向に、半導体チップ搭載部の各列毎に１本の貫通孔１４を設け、樹脂基板１０の他方の面に、前記半導体チップ搭載部に搭載される半導体チップ１２の端子部と、貫通孔１４を挿通するボンディングワイヤを介して電気的に接続される配線パターン１３（図９では不図示）が設けられてなる。
【０００４】
配線基板１８の各半導体チップ搭載部に接着剤により半導体チップ１２を固着し、半導体チップの端子部と配線パターンとをボンディングワイヤにて接続した後、配線基板１８を金型内に組み込むのである（図１１）。
各列の半導体チップ搭載部には１本の共通する貫通孔（スリット）１４が設けられているから、各半導体チップ搭載部に半導体チップ１２を搭載すると、半導体チップ１２に覆われない貫通孔部分１４ａが存在することになる。
金型内に、図のＡ方向から封止樹脂を注入すると、貫通孔部分１４ａから樹脂基板１０の反対側（配線パターン形成面側）にも樹脂が回り込み（図１１）、半導体チップ１２、ボンディングワイヤ１５の双方を封止樹脂により一時にモールドすることができる。なお、図１１は図９のａ―ａ断面図、図１２は図１０のｂ−ｂ断面図である。
【０００５】
図１０は他の製造方法を示す。この製造方法では、各半導体チップ搭載部ごとに独立した貫通孔（スリット）１４を設け、この貫通孔１４の長さを、搭載する半導体チップ１２によっては覆われない部分１４ａが生じる長さに設定してある。
配線基板１８を金型内に組み込み（図１２）、図のＡ方向から封止樹脂を注入すると、貫通孔部分１４ａからやはり樹脂が樹脂基板１０の反対側にも回り込み（図１２）、半導体チップ１２、ボンディングワイヤ１５を同時に樹脂封止することが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法には次のような課題が生じた。
すなわち、図１１および図１２に示すように、上記いずれの製造方法にあっても、貫通孔部分１４ａを通じて、封止樹脂が樹脂基板１０の反対側にも同時に流れ込み、貫通孔部分１４ａを通じて樹脂基板１０の配線パターン形成面側に回り込んだ樹脂の樹脂圧により樹脂基板１０が押し上げられる不具合が生じる。
これにより、封止樹脂が樹脂基板１０と金型パーティング面との間に流れ出す樹脂漏れや樹脂バリが生じるという課題がある。
また、封止樹脂中には溶剤が混入していることから、樹脂基板１０の僅かな浮き上がりであっても、溶剤が配線パターン１３上に染み出し（ブリード）、ボール端子１６形成面上に付着したりして、ボール端子１６の固着性を阻害するという課題もある。
【０００７】
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、樹脂漏れや樹脂バリの発生、溶剤のブリード等を防止できる半導体装置の製造方法およびこれに用いて好適な配線基板を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために次の構成を有する。
すなわち、本発明に係る配線基板では、帯状をなす樹脂基板の一方の面に、半導体チップ搭載部が樹脂基板の幅方向に複数個並んだ半導体チップ搭載部列が樹脂基板の長手方向に多列に設けられ、搭載される半導体チップによって覆われる大きさの貫通孔が前記半導体チップ搭載部列上の各半導体チップ搭載部に形成された貫通孔列が前記樹脂基板の長手方向に多列に設けられ、前記樹脂基板の他方の面に、前記半導体チップ搭載部に搭載される半導体チップの端子部と、前記貫通孔を挿通するボンディングワイヤを介して電気的に接続される配線パターンが設けられた配線基板であって、前記各半導体チップ搭載部列に対応して、前記貫通孔列の延長線上となる、前記樹脂基板の一方の側縁部にのみ、前記樹脂基板の表裏に樹脂を流通させる樹脂流通孔が設けられたことを特徴としている。
【０００９】
また本発明に係る半導体装置の製造方法では、上記配線基板の各半導体チップ搭載部に前記貫通孔を覆うようにして半導体チップを搭載する工程と、搭載した半導体チップの端子部と前記配線パターンとを前記貫通孔を挿通するボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、該半導体チップを搭載した配線基板を金型内に組み込む工程と、金型内に、封止用樹脂を注入して、前記各列の半導体チップを樹脂で封止した後、前記樹脂流通孔から樹脂を配線基板の配線パターン形成面側に流入して、前記貫通孔および前記ボンディングワイヤを樹脂で封止する樹脂封止工程とを具備することを特徴としている。
【００１０】
樹脂を注入する際に、前記樹脂流通孔とは反対側となる前記樹脂基板の他方の側縁部側から金型内に封止用樹脂を注入すると好適である。
前記配線パターンに外部接続用のボール端子を形成するようにする。
また、前記樹脂封止工程後、個片の半導体装置に切断するようにする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
まず、配線基板２０について説明する。
図１は配線基板２０の表面図、図２はその裏面図である。
配線基板２０には、帯状をなす樹脂基板２１の一方の面に、該樹脂基板２１の幅方向に複数個（図示の例では３個）の半導体チップ搭載部２２が並ぶ半導体チップ搭載部列が樹脂基板２１の長手方向に多列に設けられている。
【００１２】
各半導体チップ搭載部２２には、搭載される半導体チップによって覆われる大きさのスリット状の貫通孔２３が設けられている。図示の例では、３個の半導体チップ搭載部２２が並ぶ各半導体チップ搭載部列に、各３個ずつの貫通孔２３が並ぶ貫通孔列が形成されることになる。すなわち、貫通孔列上の各スリット状の貫通孔２３は同一方向（樹脂基板２１の幅方向）に伸びている。そして、各貫通孔２３の長さは、搭載される半導体チップよりも小さくなるように設定されているのである。
【００１３】
また、樹脂基板２１の他方の面には、半導体チップ搭載部２２に搭載される半導体チップの端子部と、貫通孔２３を挿通するボンディングワイヤを介して電気的に接続される配線パターン２４が設けられている。
そして、各半導体チップ搭載部列毎に、貫通孔列の延長線上となる、樹脂基板２１の一方の側縁部に、樹脂基板２１の表裏に樹脂を流通させる樹脂流通孔２５が設けられている。
【００１４】
すなわち、樹脂流通孔２５は、帯状をなす樹脂基板２１の一方の側縁部にのみ設けられ、他方の側縁部には設けられない。また樹脂流通孔２５は、各半導体チップ搭載部列に対して少なくとも１個宛設けられ、その位置は、貫通孔列の延長線上であって、半導体チップ搭載部２２とは外れた位置に位置しているのである。
なお、各半導体チップ搭載部２２には、あらかじめ接着剤を塗布しておいてもよい。
【００１５】
次いで半導体装置の製造方法について、図３〜図７により説明する。
まず、上記配線基板２０の各半導体チップ搭載部２２に貫通孔２３を覆うようにして半導体チップ２６を、半導体チップの端子部が形成された面側を搭載部側に向けて接着剤により接着して搭載する。端子部は貫通孔２３の部位に露出する。そして搭載した半導体チップ２６の端子部と配線パターン２４とを、貫通孔２３を挿通するボンディングワイヤ２９（図７）で電気的に接続する。
このように半導体チップ２６を搭載した配線基板２０を金型２７内に組み込む（図３、図７）。金型２７は、上型２７ａと下型２７ｂを有し、上型２７ａには各列の半導体チップ２６を封止するためのキャビティ２７ｃが形成され、下型２７ｂには、各列の貫通孔とボンディングワイヤ２９を封止するためのキャビティ２７ｄが形成されている。したがって、キャビティ２７ｃとキャビティ２７ｄとは樹脂流通孔２５のみを通じて連通する。
【００１６】
次いで、金型２７内に封止用の樹脂２８を注入する。その際封止用の樹脂２８は、図３における矢印Ａ側、すなわち、樹脂流通孔２５とは反対側となる配線基板２０の他方の側縁部側から金型２７内に注入される。
すると、貫通孔２３は、半導体チップ２６によって閉塞されているから、樹脂２８は、半導体チップ２６の存在する側のキャビティ２７ｃを満たしてのち（図４）、樹脂流通孔２５から、配線基板２０の配線パターン２４形成面側となるキャビティ２７ｄ内に流れ込む（図５）。そして、貫通孔２３、配線パターン２４の一部およびボンディングワイヤ２９を封止するのである（図６）。
【００１７】
このように、樹脂２８は、半導体チップ２６の存在する側のキャビティ２７ｃをまず満たす。その際、樹脂圧により配線基板２０は金型のパーティング面方向（下型２７ｂ方向）に押圧されることとなるから、樹脂基板２１の浮き上がりがなく、樹脂漏れ、樹脂バリ、溶剤のブリードの発生を極力防止できることになるのである。
【００１８】
上記のように、半導体チップ２６、ボンディングワイヤ２９を封止樹脂２８により封止してから、配線基板２０を金型内から取り出し、配線パターン２４のランド部を除く部位にソルダーレジスト層を塗布して形成し（図示せず）、露出しているランド部に外部接続用のボール端子１７を取りつけ、次いで個片に切断、分離することによって半導体装置に完成できる。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、樹脂漏れや樹脂バリの発生、溶剤のブリード等を防止できる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】配線基板の表面図、
【図２】配線基板の裏面図、
【図３】封止樹脂の注入を開始した状態の説明図、
【図４】半導体チップが存在する側が樹脂により満たされた状態の説明図、
【図５】樹脂が樹脂流通孔から樹脂基板の裏面側に流入した状態の説明図、
【図６】樹脂基板の裏面側を樹脂が満たした状態の説明図、
【図７】樹脂圧の方向を示す説明断面図、
【図８】ＢＯＣ型半導体装置の断面図、
【図９】従来の製造方法の一例を示す説明図、
【図１０】従来の製造方法の他の一例を示す説明図、
【図１１】図９のａ−ａ線断面図、
【図１２】図１０のｂ−ｂ線断面図である。
【符号の説明】
２０  配線基板
２１  樹脂基板
２２  半導体チップ搭載部
２３  貫通孔
２４  配線パターン
２５  樹脂流通孔
２６  半導体チップ
２７  金型
２８  樹脂
２９  ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003790705.tif 000009
【図９】
0003790705.tif 000010
【図１０】
0003790705.tif 000011
【図１１】
0003790705.tif 000012
【図１２】
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