(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜型回折格子を有する分布帰還型半導体レーザの製造方法において、
前記分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々に前記マスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなる、鏡面対称形態の１対のマスクパターンを有する選択成長マスクを用いて、半導体結晶を選択成長して、共振器の長さ方向の端部での膜厚が該中央部での膜厚よりも厚くおよび前記端部から該中央部にむかって膜厚が徐々に減少した膜厚傾斜分布を有する傾斜型回折格子形成層を形成する工程
を含む分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記傾斜型回折格子形成層の膜厚傾斜分布において、前記共振器の長さ方向の端部と該中央部との膜厚比が少なくとも３：１であることを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記マスクパターンは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部から該中央部に向かって
(i)共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大でかつマスク開口幅が最小である領域、
(ii)前記マスクパターン幅は一定で、マスク開口幅が徐々に拡大する領域、および
(iii)異なるマスクパターン幅減少率ＡおよびＢが式：Ａ＞Ｂを満足する２つの部位を含み、かつマスク開口幅が一定の領域
の少なくとも３つの領域を有することを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記マスクパターンは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部の外側に、
(iv)前記マスクパターン幅およびマスク開口幅が前記領域(i)と同等である領域
をさらに有する請求項３記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記選択成長マスクは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の中央部にマスクパターンを有しない領域を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【用語の説明】
本発明において、「傾斜型回折格子形成層」は、分布帰還型半導体レーザ内の共振器の長さ方向の端部での膜厚が、その中央部での膜厚よりも厚く、および前記端部から中央部にむかってその膜厚が徐々に減少する膜厚傾斜分布を有する回折格子を形成するための層を意味し、「傾斜型回折格子」とは、上記傾斜型回折格子形成層を加工することにより得られた、上記のような膜厚分布を有する回折格子をいう。
また、本発明において、「選択成長マスク」とは、前記傾斜型回折格子形成層を所望の膜厚傾斜分布でＭＯＣＶＤ法等の結晶成長法により成膜する際にパターニングマスクとして使用されるものであって、傾斜型回折格子形成層を成膜する位置に、予めパターニングされた一種の絶縁膜である。この選択成長マスクにおいて、「マスクパターン幅」は、共振器の長さ方向に垂直な方向に被覆されたマスクのパターン幅をいい、「マスク開口幅」とは、マスクパターン間の共振器の長さ方向に垂直な方向の距離をいう。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光変調歪みの小さい分布帰還型半導体レーザ（以下、ＤＦＢレーザと呼ぶ。）の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
近年、光ファイバを用いた光通信分野において、光ファイバの最小損失波長帯域が1.5μｍ帯であることから、1.5μｍ帯の半導体レーザダーオードが主として使用されている。特に、アナログ変調方式を用いた光通信システムでは、光源として、光出力・電流特性（いわゆる、Ｌ−Ｉ特性）の線形性が高くかつ光変調歪みの小さなＤＦＢレーザが要求されている。
【０００４】
例えば、図１６および１７に示された従来既知のＤＦＢレーザ200の内部には、通常の結晶成長法等で形成された均一な膜厚の回折格子10が組み込まれている。上記構造を有する半導体レーザ内では、前記回折格子10を含む共振器内で生じた定在波によってレーザ媒質内の反転分布が空間的に変調され、かつ電界が半導体レーザ内の共振器の長さ方向に不均一に分布する（通常、共振器端部では電界が低く、中央部で著しく高くなる分布を有する）ことによって、次のモードの発振が促される現象が生じることがある。このような現象は、一般に軸方向ホールバーニング効果として知られており、この現象が原因となって、半導体レーザ内に波長変動が発生する。すなわち、レーザ内での光利得が不均一となって注入電流に対する光出力が非線形的に増大し、結果として、光変調歪みが増大するという問題が発生する。
【０００５】
我々は、上記問題を解決する手段として、分布帰還型半導体レーザの光結合強度に対応する結合定数を変化させることにより、前記の現象の発生を除去できることを見い出し、既に提案している（特願平9-19553号）。前記特許出願に記載の発明は、具体的には、分布帰還型半導体レーザ内に、上記現象で発生されるであろう不均一な電界分布を均一化するように、ガイド層（すなわち、回折格子形成層）を構成する半導体結晶の組成を変化させて傾斜型回折格子を形成するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許出願（特願平9-19553号）に記載の発明には、膜厚傾斜分布を有する回折格子については記載されているが、その回折格子を形成するための層の作製工程についての詳細が記載されていない。
したがって、本発明は、上記既出願の発明の効果をさらに向上させることを目的とし、傾斜型回折格子形成層を、特定のマスクパターンを有する選択成長マスクを用いて結晶成長法により成膜した後、この回折格子形成層をフォトリソグラフィーおよびエッチング技術等を用いた常法により加工することにより、膜厚分布を有する傾斜型回折格子の形成を達成したものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の形態は、光出力・電流特性の線形性が高くかつ光変調歪みの小さなＤＦＢレーザを作製する方法であって、特定のパターンを有する選択成長マスクを使用する工程を含む方法である。
詳しくは、本発明の第１形態は、ＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々に前記マスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなる、鏡面対称形態の１対のマスクパターンを有する選択成長マスクを用いて、半導体結晶を選択成長して、共振器の長さ方向の端部での膜厚がその中央部での膜厚よりも厚く、および前記端部から中央部にむかって膜厚が徐々に減少した膜厚傾斜分布を有する傾斜型回折格子形成層を形成する工程を含むＤＦＢレーザの作製方法に関する。
前記方法で得られる傾斜型回折格子形成層は、作製されるＤＦＢレーザ内の共振器の長さ方向に分布する電界を均一化するのに適した膜厚傾斜分布を有しており、具体的には、前記共振器の長さ方向の端部と中央部との膜厚比が少なくとも３：１であることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、上記方法で作製された傾斜型回折格子形成層を加工して得られる傾斜型回折格子を有するＤＦＢレーザも提供する。本発明のＤＦＢレーザは、軸方向ホールバーニング効果が生じないため、光出力・電流特性の線形性に優れ、光変調歪みが小さいことを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の形態は、上記方法に使用するための選択成長マスクであって、
前記分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々にマスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなる、鏡面対称形態の１対のマスクパターンを有することを特徴とする選択成長マスクである。
【００１０】
前記選択成長マスクのマスクパターンは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部から該中央部に向かって
(i)共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大でかつマスク開口幅が最小である領域、
(ii)前記マスクパターン幅は一定で、マスク開口幅が徐々に拡大する領域、および
(iii)異なるマスクパターン幅減少率ＡおよびＢが式：Ａ＞Ｂを満足する２つの部位を含み、かつマスク開口幅が一定の領域
の少なくとも３つの領域を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記マスクパターンは、ＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の端部の外側に、
(iv)前記マスクパターン幅およびマスク開口幅が前記領域(i)と同等である領域
をさらに有していてもよい。この場合、前記共振器の長さ方向の端部相当部で半導体基板をへき開し、端部よりも外側の部分を除去することにより、ＤＦＢレーザの端面を形成することができる。
前記領域(iv)の存在により、形成される傾斜型回折格子形成層における共振器の長さ方向の端部と中央部との膜厚比をより大きくできる。
【００１２】
本発明の選択成長マスクのマスクパターンは、一般的にＳｉＯ2絶縁膜から形成される。
【００１３】
本発明の選択成長マスクのレーザの共振器の長さ方向の中央部には、マスクパターンを有しない領域を含み得る。すなわち、本発明の選択成長マスクを用いて形成される傾斜型回折格子形成層は、その中央部に膜厚分布を有しない、平坦な部分を有し得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図１〜１５を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１５】
本発明の第１の形態は、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々に前記マスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなる、鏡面対称形態の１対のマスクパターンを有する選択成長マスクを用いて、半導体結晶を選択成長して、共振器の長さ方向の端部での膜厚が該中央部での膜厚よりも厚くおよび前記端部から該中央部にむかって膜厚が徐々に減少した膜厚傾斜分布を有する傾斜型回折格子形成層を形成する工程
を含む分布帰還型半導体レーザの作製方法である。
【００１６】
本発明の第１の形態の一態様を表す工程断面図を図１〜９に示す。
Ｉ）Ｐ型ＩｎＰ半導体基板21上に、先ず、Ｐ型ＩｎＰクラッド層22、ＩｎＧａＡｓＰ活性層23およびＮ型ＩｎＰクラッド層24を順に、ＭＯＣＶＤ法で結晶成長させて成膜する（図１）。
II）次に、前記クラッド層24上に、前述の本発明の第１の形態の選択成長マスクを用いて、傾斜型回折格子形成層12をＭＯＣＶＤ法により形成する（図２）。
【００１７】
III）形成された傾斜型回折格子形成層12上に、ＳｉＯ2絶縁膜34を形成した後、電子線露光を行って、図３に示すような絶縁膜パターン34を形成する。すなわち、本発明の方法では、常法により形成されるＳｉＯ2絶縁膜を選択成長マスクとして利用できる。
IＶ）この絶縁膜パターン34をマスクとして、前記傾斜型回折格子形成層12を公知の条件でドライエッチングすることにより、傾斜型回折格子11を形成する（図４）。本発明の方法で形成される傾斜型回折格子形成層の膜厚傾斜分布において、前記共振器の長さ方向の端部と中央部との膜厚比は、少なくとも３：１である。
Ｖ）さらに、傾斜型回折格子11を有するクラッド層24上に、前記回折格子の形状を保持したままで、ＩｎＰを埋め込み成長させて、Ｎ型ＩｎＰ層28を形成する（図５）。
【００１８】
ＶI）次いで、前記Ｎ型ＩｎＰ層28上に、ＳｉＯ2絶縁膜33を形成した後、パターニングする。
ＶII）この絶縁膜パターン33をマスクとして前述までの多層膜をドライエッチングすることにより、メサ幅１μｍ程度のメサ構造を形成する（図６）。
ＶIII）図７に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、下記の各層を順に形成する：
・Ｐ型ＩｎＰ層25；
・Ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層26；および
・Ｐ型ＩｎＰ層27。
【００１９】
IＸ）前記絶縁膜33を除去した後、Ｐ型ＩｎＰ層27およびＮ型ＩｎＰ層28上に、Ｎ型ＩｎＰ層28'およびＮ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層29をＭＯＣＶＤ法で結晶成長して成膜する（図８）。
【００２０】
Ｘ）最後に、ＳｉＯ2絶縁膜30並びにＮ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）31およびＰ型電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）32をぞれぞれ形成することにより、本発明の第２の形態である傾斜型回折格子を有するＤＦＢレーザが得られる（図９および１０）。
【００２１】
図１０は、前記方法で作製されたＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の断面図を示す。これより明らかなように、本発明の方法で作製されたＤＦＢレーザには、共振器方向において膜厚分布を有する傾斜型回折格子が形成されていることが特徴である。このような回折格子を保有することにより、従来からＤＦＢレーザに要求されている光出力・電流特性の高い線形性および低減された光変調歪が達成できる。
【００２２】
次に、本発明の第２の形態である特定のパターンを有する選択成長マスクについて説明する。図１１(1)は、本発明の第２の形態である特定のパターンを有する選択成長マスクのマスクパターン平面図を表す。また、図１１(2)は、その選択成長マスクを用いて選択成長させた傾斜型回折格子形成層12の共振器長さ方向の断面図、すなわち、前記選択成長マスクのｂ−ｂ'線での断面図を表す。
【００２３】
ここで、本発明の選択成長マスクは、当該分野において常用されるシリコンウェハー上に、フォトリソグラフィー、蒸着法およびエッチング法等の公知の手段の組み合わせにより、所望のパターン形態でＳｉＯ2絶縁膜を形成したものである。
【００２４】
図１１(1)において、水平方向の両端は、ＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の端部に相当する。選択成長マスクにおいて、左右のマスクパターン１は、鏡面対称形状を呈しており、いずれも、前記端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々に前記マスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなっている。
【００２５】
本発明の選択成長マスクの特徴は、図１１(1)より、マスクパターンが、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部から該中央部に向かって
(i)共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大でかつマスク開口幅が最小である領域、
(ii)前記マスクパターン幅は一定で、マスク開口幅が徐々に拡大する領域、および
(iii)異なるマスクパターン幅減少率ＡおよびＢが式：Ａ＞Ｂを満足する２つの部位を含み、かつマスク開口幅が一定の領域
の少なくとも３つの領域を有することである。ここで、選択成長マスクには、必要に応じて、前記中央部にマスクパターンを有しない領域を含んでいてもよい。
【００２６】
上記第２の形態の第１の態様の具体例としては、例えば、図１３(１)および(２)に示すようなマスクパターン（1'および1"）が挙げられる。これらはいずれも、ＤＦＢレーザの共振器端部に相当する領域ではマスクパターン幅が大きくかつマスク開口幅が狭く、および共振器中央部に相当する領域に向かって徐々にマスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなるマスクパターンを有している。
これらの選択成長マスクを用いて結晶成長させた傾斜型回折格子形成層の膜厚分布を図１４(1)および(2)にぞれぞれ示す。図１４において、実測した膜厚値はドットで、各マスクパターンによって得られるであろう膜厚値のコンピューターによるシミュレーション値は実線で、および上記図１３の各マスクパターン作成時に目標とした膜厚傾斜分布のプロファイルをそれぞれ点線で表す。
図１４(1)では、得られた傾斜型回折格子形成層の膜厚分布は、ほぼシミュレーション通りであることが分かる。さらに、共振部端部に相当する領域から中央部に相当する領域に向かって相対膜厚が線形状に減少していることも示されており、形成した傾斜型回折格子形成層において、共振器中央部と共振器端部の膜厚比は約３：１である。あるいは、図１４(2)では、共振部端部に相当する領域から中央部に相当する領域に向かって相対膜厚がパラボリックに減少していることが分かる。この場合も、前者と同様に、形成した傾斜型回折格子形成層での共振器中央部と共振器端部の膜厚比は約３：１である。
【００２７】
あるいは、本発明の選択成長マスクは、形成される傾斜型回折格子形成層における共振器の長さ方向の端部と中央部との膜厚比をより大きくするために、共振器の長さ方向の端部の外側に、
(iv)前記マスクパターン幅およびマスク開口幅が前記領域(i)と同等であるマスクパターン領域
をさらに有していてもよい（図１５(1)）。
【００２８】
ここで、前記傾斜型回折格子形成層の膜厚分布は、上記の如く、使用する選択成長マスクのマスクパターン幅およびマスク開口幅を任意に設定することによって調整できる。ここで、傾斜型回折格子形成層に膜厚分布が形成される現象を、図１２を参照して簡単に説明する。図１２は、図１１(1)の選択成長マスクを用いて結晶成長中における、前記マスクパターン１のａ−ａ'線に対応する断面図である。ＭＯＣＶＤ法等による傾斜型回折格子形成層用材料の結晶成長中、マスクパターン１上には前記材料は結晶成長しないため、マスクパターン１上部の材料ガス濃度は高くなる。それに対し、マスクパターン１の存在しない部位には、傾斜型回折格子形成層用材料が結晶成長するため、前記部位の上部の材料ガス濃度は、前記マスクパターン１上部に比べて低くなる。それにより、材料ガス濃度の高い部分から低い部分へ材料ガスの拡散が生じ、マスクパターン１で挟まれた部位の上部で材料ガス濃度が相対的に高くなる。その結果、選択成長マスクのマスクパターン幅が広い箇所に対応する傾斜型回折格子形成層の膜厚は、マスクパターン幅が狭い箇所に対応する前記層の膜厚に比べて厚くなる。
【００２９】
前記選択成長マスクのマスクパターンに対応して、形成された傾斜型回折格子形成層12では、その膜厚が共振器端部では厚くかつ共振器端部から中央部にむかって徐々に薄くなるような膜厚分布を有する（図１１(2)）。上記のような膜厚分布を有する傾斜型回折格子形成層に、その後、回折格子パターンをエッチングにより形成すると、例えば、図４に示すような傾斜型回折格子11が得られる。前記、傾斜型回折格子11を有するＤＦＢレーザ内では、共振器の長さ方向に分布する電界を均一化できることにより、軸方向空間的ホールバーニング効果が除去され、光変調歪みの低減が達成される。
【００３０】
上記のように、共振器端部相当領域から中央部相当領域まで膜厚を徐々に薄くした傾斜型回折格子は、例えば、導波路レンズ付きレーザに必要とされる。
【００３１】
このような選択成長マスクの別態様としては、図１５(1)に示すようなマスクが挙げられる。図１５(1)において、選択成長マスクの両末端から各150μｍの領域は、レーザ作製には使用しない部分であって、この部分では、マスクパターン幅およびマスク開口幅がいずれも一定である。
前記選択成長マスクを用いて形成された傾斜型回折格子形成層における、前記マスク末端部から中央部に亙る領域に相当する層の相対膜厚分布を、前記図１４と同様にして評価した結果を、図１５(2)に示す。図１５(2)では、得られた傾斜型回折格子形成層の膜厚分布は、ほぼシミュレーション通りであることが明白である。
図１５(2)中、破線から左の領域は、前述の如く、レーザ作製には使用しない部分である。図１５(2)からは、形成した傾斜型回折格子形成層の膜厚は、破線で示される共振器端部から中央部に亙って、下に凸の曲線状に減少していることが分かる。ここで、図中、破線で示される共振器端部と、グラフ右端の共振器端部との膜厚比は、約５：１である。
【００３２】
前記別態様の選択成長マスクを使用した場合、上記の如く形成された傾斜型回折格子形成層を、図１５(1)および(2)中の破線（すなわち、共振器端部相当部）でへき開することにより、レーザ端面が形成できる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、共振器の長さ方向において、端部が厚く中央部が薄く、かつ端部から中央部に亙って徐々に膜厚が変化する傾斜の付いた膜厚分布を有する傾斜型回折格子層が形成できる。このような傾斜型回折格子層を用いて作製された傾斜型回折格子を有する分布帰還型半導体レーザは、軸方向ホールバーニング効果の発生を防止して、光出力・電流特性の線形性が高くかつ光変調歪みが小さい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(I)を表す断面図である。
【図２】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(II)を表す断面図である。
【図３】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(III)を表す断面図である。
【図４】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(IV)を表す断面図である。
【図５】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(V)を表す断面図である。
【図６】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(VI〜VII)を表す断面図である。
【図７】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(VIII)を表す断面図である。
【図８】  本発明の第１の形態のＤＦＢレーザの作製方法の一工程(IX)を表す断面図である。
【図９】  本発明の方法により作製されるＤＦＢレーザの断面図である。
【図１０】  本発明の方法により作製されるＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の断面図である。
【図１１】  本発明の第２の形態を表す、選択成長マスクのマスクパターン平面図(1)、およびそれを用いて形成される傾斜型回折格子形成層の、共振器の長さ方向に対する膜厚分布(2)をそれぞれ表す。
【図１２】  本発明の第２の形態の選択成長マスクを用いて傾斜型回折格子形成層を成膜時の状態を表す断面図である。
【図１３】  本発明の第２の形態の第１態様の選択成長マスクのマスクパターンを表す平面図である。
【図１４】  本発明の第２の形態の第１態様の選択成長マスクを用いて成膜した傾斜型回折格子形成層の相対膜厚を表すグラフである。
【図１５】  本発明の第２の形態の別態様の選択成長マスクのマスクパターン平面図(1)、および前記選択成長マスクを用いて成膜した傾斜型回折格子形成層の相対膜厚を表すグラフ(2)である。
【図１６】  従来既知のＤＦＢレーザの断面図である。
【図１７】  従来既知のＤＦＢレーザの共振器の長さ方向の断面図である。
【符号の説明】
１、１'、１"、１'''…本発明の選択成長マスクのマスクパターン、２…マスクパターン幅、２'…テーパの付いたマスクパターン部、３…マスク開口部、５…傾斜型回折格子形成層用材料ガスの流れ、１０…従来の回折格子、１１…傾斜型回折格子、１２…傾斜型回折格子形成層、２１…Ｐ型ＩｎＰ半導体基板、２２…Ｐ型ＩｎＰクラッド層、２３…ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４…Ｎ型ＩｎＰクラッド層、２５…Ｐ型ＩｎＰ層、２６…Ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層、２７…Ｐ型ＩｎＰ層、２８…Ｎ型ＩｎＰ層、２９…Ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、３０、３３、３４…ＳｉＯ2絶縁膜、３１…Ｎ型電極、３２…Ｐ型電極、１００…本発明により作製されたＤＦＢレーザ、２００…従来のＤＦＢレーザ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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