(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理容器内に回転可能に備えられ、基板が載置されるサセプタと、
前記熱処理容器内に設けられる支持手段に支持され、前記サセプタに近接して且つ非接触となるように、前記サセプタの周囲を囲む予熱リングと、
前記サセプタに載置される基板を加熱する加熱装置と、
が備えられている熱処理装置において、
前記予熱リングは、当該予熱リングの内周中心が当該予熱リングの外周に対して偏心するように形成されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記支持手段は、前記予熱リングを載置するための座ぐりが形成された台座であることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の熱処理装置における前記支持手段に支持される前記予熱リングを、前記サセプタの周りで移動させて、前記予熱リングの内周の中心と前記サセプタの中心との距離が最小となるように前記予熱リングを位置決めし、その後、前記サセプタに基板を載置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
請求項２に記載の熱処理装置における台座に載置された前記予熱リングを、前記座ぐり内で移動させて、前記予熱リングの内周の中心と前記サセプタの中心との距離が最小となるように前記予熱リングを位置決めし、その後、前記サセプタに基板を載置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
前記予熱リングを位置決めした後、前記サセプタに基板を載置して、当該基板に薄膜の気相成長を施すことを特徴とする請求項３または４に記載の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して熱処理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばシリコン単結晶ウェーハ（以下、ウェーハと記載する）等の半導体基板の主表面上に、シリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜を形成する処理やエッチングを施す処理などは、熱処理装置を用いて行われている。
熱処理装置には、例えば石英等によって形成された透光性の熱処理容器が備えられており、その内部にはウェーハを載置し回転させるためのサセプタが設けられている。また熱処理容器の周囲には、ハロゲンランプ等で構成された加熱装置が設けられ、熱処理容器外部からサセプタに載置されたウェーハを加熱できるようになっている。さらに熱処理容器の側部には、熱処理容器内に反応ガス等を供給するためのガス供給口と、ガス排出口とが形成されるとともに、熱処理装置にはガス供給装置等が備えられ、ガス供給口から様々な反応ガス等を、所定の組成および流量で、熱処理容器内に供給することができるようになっている。
【０００３】
また、熱処理容器内には、ウェーハＷの面内温度分布をより均一にして好適に熱処理を施すために、サセプタの側方周囲を囲む予熱リングが設けられている（例えば、特開平７−７８８６３号公報）。予熱リングは、例えば図５に示す予熱リング５３のように、サセプタ５２の外周を囲む所定の幅のリング状に形成され、熱処理容器内のサセプタ５２側方に備えられる台座５４に支持されて設けられる。尚、図５において、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図であって、予熱リング５３は台座５４の座ぐり５４ａに載置されている。
【０００４】
この予熱リング５３は、熱処理の際に、加熱装置によってサセプタ５２に載置されるウェーハＷとともに加熱される。それによって、例えばコールドウォール式の熱処理装置では、熱処理中に熱処理容器の内側にポリシリコン等が堆積することを防止するために、熱処理容器が冷却手段で冷却されるが、この予熱リング５３がサセプタ５２の周囲を囲むことで、冷却されている熱処理容器の影響でサセプタに配されるウェーハＷ周辺部の温度が低下することが防止される。また、熱処理容器内に供給されるガスがガス供給口からウェーハＷに達するまでの間に、予熱リング５３上を通過することにより、ガスが適度に温められて、好適に熱処理が行われるようになっている。
【０００５】
ところで予熱リング５３は、その目的上、サセプタ５２にできるだけ近接するように備えられることが望ましい一方で、熱処理中に内側でサセプタ５２が回転することから、サセプタ５２とは非接触とされる必要がある。そこで、サセプタ５２と予熱リング５３との間には、僅かな隙間Ａが設けられるようになっている。
また、予熱リング５３が熱膨張によって台座５４上で移動してサセプタ５２と接触することを防止するため、座ぐり５４ａの内周５４ａａと予熱リング５３との間には僅かな隙間Ｃが設けられるとともに、熱膨張による移動が所定の範囲内となるように隙間Ｃの幅が設定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、熱処理装置においては、図５のようにサセプタ５２と予熱リング５３とが同心円となるように設計されるものの、熱処理装置を構成する各部材の精度や、組み立て精度の誤差によって、図６に示すように、サセプタ５２の中心５２ｂと予熱リング５３の中心５３ａとが僅かにずれることがある。特に径の大きいウェーハを処理する熱処理装置の場合、1〜2mm程度もずれることがあり、サセプタ２と予熱リング５３とが接触してしまうことがある。
このような接触が起こると、熱処理中にサセプタ５２と予熱リング５３とが擦れて大量のパーティクルが発生し、ウェーハに付着して結晶欠陥を生じさせるなど、歩留まりを低下させてしまう。
【０００７】
このような接触を防止するために、予熱リング５３をサセプタ５２のずれに応じて台座５４の座ぐり５４ａ内で移動させようとしても、座ぐり５４ａの内周５４ａａと予熱リング５３との隙間Ｃは上記のように制限されることから限界がある。また、予熱リング５３の内径を大きくすると、予熱リング５３とサセプタ５２との距離が大きくなり、その機能を十分に発揮することができなくなるので不都合である。
従って、サセプタ５２と予熱リング５３との接触を避けるためには、サセプタの支持手段等を調整するなどの作業が必要となり、非常に煩雑で時間を要するものとなっている。特に熱処理容器の洗浄等のメンテナンス後、このサセプタ５２と予熱リング５３との調整に時間がかかるため、操業停止時間が長くなる原因にもなっている。
【０００８】
本発明の課題は、サセプタと予熱リングとの接触を容易に防止することができ、パーティクルの発生を低減して好適に熱処理を実施できる熱処理装置、および熱処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するための本発明による第１の手段は、熱処理容器（１）内に回転可能に備えられ、基板が載置されるサセプタ（２）と、前記熱処理容器内に設けられる支持手段（例えば台座４）に支持され、前記サセプタに近接して且つ非接触となるように、前記サセプタの周囲を囲む予熱リング（３）と、前記サセプタに載置される基板（ウェーハＷ）を加熱する加熱装置（８）と、が備えられている熱処理装置（１００）において、前記予熱リングは、当該予熱リングの内周中心（３１ａ）が当該予熱リングの外周（３２）に対して偏心するように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
第１の手段によれば、予熱リングの内周中心が、予熱リングの外周に対して偏心するように形成されているので、サセプタが、予熱リングの支持手段に対してずれている場合でも、サセプタの中心と予熱リングの内周中心との距離が最も小さくなるように予熱リングを位置決めして支持手段に支持させることにより、サセプタ周囲と予熱リングとの間に適切な隙間を形成することができ、サセプタと予熱リングとの接触を防止することができる。
従って、熱処理中にサセプタと予熱リングとの接触によってパーティクルが発生することを防止できるので、パーティクルの基板への付着を低減でき、歩留まりの低下を抑えることができる。また、予熱リングをサセプタと非接触に備えるための調整が容易であり、熱処理装置のメンテナンス後の調整等で要していた操業停止時間を短縮することができるので好ましい。
【００１１】
本発明の第２の手段は、第１の手段の熱処理装置において、前記支持手段は、前記予熱リングを載置するための座ぐり（４ａ）が形成された台座（４）であることを特徴とする。
【００１２】
第２の手段によれば、第１の手段の効果を奏することは無論のこと、予熱リングを座ぐりが形成された台座に支持させることにより、予熱リングは台座の座ぐりによって外周の位置決めを容易に行うことができ、且つサセプタの中心がずれていても、サセプタの中心と予熱リングの内周の中心との距離が最小となるように予熱リングを周方向に回転移動したり台座内で位置移動することによって、予熱リングとサセプタとが非接触となるように容易に調整することができる。
【００１３】
第３の手段は、第１の手段の熱処理装置における前記支持手段に支持される前記予熱リングを、前記サセプタの周りで移動させて、前記予熱リングの内周の中心と前記サセプタの中心との距離が最小となるように前記予熱リングを位置決めし、その後、前記サセプタに基板を載置して、当該基板に熱処理を施すことを特徴とする熱処理方法である。
【００１４】
第３の手段によれば、支持手段に支持された前記予熱リングをサセプタの周りで移動させて予熱リングを位置決めした後、基板に熱処理を施すことにより、予熱リングとサセプタとを非接触にしてパーティクルの発生を抑え、基板に好適に熱処理を施すことができる。
【００１５】
この第３の手段における予熱リングの支持手段は、第２の手段の熱処理装置の支持手段のように、座ぐりの形成された台座でもよい。この場合、台座に載置された予熱リングを、座ぐり内で周方向に回転移動したり、位置移動することにより、予熱リングの内周の中心とサセプタの中心との距離が最小となるように予熱リングを位置決めすることができ、その後、サセプタに基板を載置して熱処理を施せば、予熱リングとサセプタとを非接触にしてパーティクルの発生を抑え、基板に好適に熱処理を施すことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の一例としての枚葉式の熱処理装置１００を示す概略構成図、図２は熱処理装置１００に備えられるサセプタ２と、予熱リング３と、台座４とを示す上面図である。熱処理装置１００は、例えばシリコン単結晶ウェーハ（ウェーハＷ）などの基板の主表面に、気相エピタキシャル成長や、窒化珪素膜の形成などの、加熱を伴う処理を１枚ずつ行う装置である。
【００１７】
熱処理装置１００には、ウェーハＷに熱処理を施すための熱処理容器１が備えられている。熱処理容器１の頂壁１ａおよび底壁１ｂは、透光性の石英によって形成されている。熱処理容器１の一方の側には、熱処理容器１内に反応ガスを供給するためのガス供給口５が形成され、また他方の側には、熱処理容器１からガスを排出させるガス排出口６が形成されている。
【００１８】
熱処理容器１の内部には、グラファイトに炭化ケイ素（SiC）コーティングが施されて形成されたサセプタ２が備えられている。サセプタ２の主表面には、ウェーハＷを略水平方向に載置するための略円形の座ぐり２ａが形成されている。このサセプタ２の外周の中心（座ぐり２ａの中心と同一である）を２ｂで示す。
サセプタ２は、下方からサポート手段７によって支持されている。サポート手段７は、サセプタ２の下方において上下方向に延在する回転軸７ａと、回転軸７ａの上端部から放射状に分岐して、その先端部がサセプタ２下面を支えるスポーク７ｂと、により主に構成されている。回転軸７ａには、図示しない回転駆動手段が連結されており、サセプタ２はこのサポート手段７に支持されることによって、熱処理容器１内で２ｂを中心に回転可能となるように備えられている。
【００１９】
熱処理容器１の上方および下方には、ハロゲンランプ等で構成される加熱装置８が設けられ、サセプタ２に載置されるウェーハＷを加熱できるようになっている。また熱処理装置１００には、様々な反応ガス等を所定の組成および流量で熱処理容器１内に供給するためのガス供給装置（図示略）等が備えられており、ガス供給管９等を介して熱処理容器１にガスが供給されるようになっている。
【００２０】
台座４（支持手段）は、熱処理容器１内のサセプタ２側方において、サセプタ２の周囲を囲むように設けられており、上部には、予熱リング３を載置するための座ぐり４ａが形成されている。
【００２１】
予熱リング３は、グラファイトに炭化ケイ素（SiC）がコーティングされたリング状の部材であって、熱処理容器１内において台座４の座ぐり４ａ上に載置（支持）され、サセプタ２の側方周囲を囲むように設けられている。予熱リング３の内周を３１、外周を３２とする。
【００２２】
この予熱リング３は熱処理中に熱膨張するため、予熱リング３が載置された状態において、台座４の座ぐり内周４ａａと、予熱リング３の外周３２との間には所定の隙間Ｃができるように、予熱リング３の外径の大きさ（および台座４の座ぐり４ａの大きさ）が設定される。ここで、予熱リング３はサセプタ２の中心に合わせて座ぐり４ａ内に設置されるため、予熱リング３の周囲において隙間Ｃの幅に偏りが生じる場合がある。隙間Ｃの幅が小さく設定されていると、上記のように予熱リング３の周囲で隙間Ｃの幅に偏りが生じた場合、熱膨張した予熱リング３が隙間Ｃの幅の狭い部分で座ぐり内周４ａａと接触して、予熱リング３がずれて結局サセプタ２と接触してしまう。一方で、座ぐり内周４ａａと、予熱リング３との隙間Ｃの幅が大きすぎると、予熱リング３を台座４上で位置決めし難くなる。そこで、予熱リング３が熱処理中に1.5〜2.5mm程度熱膨張することを考慮して、この予熱リング３と座ぐり内周４ａａとの隙間Ｃの大きさとしては、約2.0mmとすると好ましく、予熱リング３の外径はこの隙間Ｃの範囲を鑑みて設定する。
【００２３】
また予熱リング３は、台座４に支持された状態で、サセプタ２の周囲との間に所定の隙間を設けて非接触となるようにするとともに、サセプタ２に近接して備えられるようにする。サセプタ２と予熱リング３との隙間Ａが大きすぎると、サセプタ２との距離が大きくなり、ウェーハＷ周囲の温度低下を防止するなどの予熱リング３の機能を十分発揮することができないからである。従って、隙間Ａの幅としては約1.0〜2.5mm程度となるようにすることが好ましく、予熱リング３の内径はこの隙間Ａを鑑みて設定する。
【００２４】
ところで、熱処理装置１００においては、サセプタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中心４ｂとが一致して、サセプタ２の外周と、台座４の座ぐり内周４ａａとが同心円となるように設計される。しかし、熱処理装置１００を構成する各部材の精度や、組み立て精度の誤差等によって、図２に示すように、サセプタ２の中心２ｂと、台座４の座ぐり４ａの内周中心４ｂとに僅かなずれが生じることがある。
そこで予熱リング３を、図３に示すように、内周中心３１ａと外周中心３２ａとがずれるように、即ち、外周３２に対して内周中心３１ａが偏心した形状となるように形成する。
【００２５】
予熱リング３の内周中心３１ａを外周３２に対して偏心させる程度については、個々の熱処理装置によってサセプタ２と台座４とのずれの程度が異なるため、適宜設定する。
一例として、直径300mmのウェーハＷを処理する枚葉式の熱処理装置のうち、サセプタ２の外周の直径が約373mm、台座４の座ぐり内周４ａａの直径が約447mm、予熱リングの内径が約377mm、外径が約443mmである熱処理装置の場合、サセプタ２の中心２ｂが、台座４の座ぐり４ａの内周中心４ｂに対して、1〜2mmずれることが多い。従って、このタイプの熱処理装置においては、内周中心と外周中心とが1〜2mmずれるように形成した予熱リングを用いればよい。
また、他の大きさのウェーハＷを処理する熱処理装置においても、サセプタが台座に対してずれる大きさの程度を適宜鑑みて、予熱リングを形成すればよい。
【００２６】
予熱リング３を台座４上に取り付ける際には、予熱リング３を台座４に載置した後、予熱リング３の全周囲に亘って座ぐり内周４ａａとの間に上記のような隙間Ｃができるように、予熱リング３の外周部分を台座４に対して位置決めする。予熱リング３の一部が座ぐり内周４ａａに接触して備えられた場合、熱処理中に予熱リング３が熱膨張してサセプタ２の方向にずれることがあるためである。
また、予熱リング３の内周中心３１ａと、サセプタ２の中心２ｂとの距離が最小となるように、予熱リング３の周方向の向きを位置決めする。このように周方向の位置決めをすることで、サセプタ２の外周と、予熱リング３の内周３１とを、より同心円に近い状態にすることができるため、サセプタ２と予熱リング３との隙間Ａをサセプタ２の全周囲に亘ってより均一に形成することができ、予熱リング３とサセプタ２とをより好適に非接触にすることができるからである。尚、予熱リング３の内周中心３１ａと、サセプタ２の中心２ｂとが一致すれば、最も好ましい。
【００２７】
この熱処理装置１００による熱処理方法を説明する。
まず、熱処理容器１内において、予熱リング３を台座４に載置して、上記のように、台座４の座ぐり内周４ａａと、サセプタ２とに対して、予熱リング３を位置決めする。
【００２８】
そして、熱処理容器１内のサセプタ２上にウェーハＷを載置して、熱処理を施す。熱処理は、ウェーハＷを載置したサセプタ２を周方向に回転させるとともに、加熱装置８によって、ウェーハＷと予熱リング３とを所定の温度に加熱する。そして、ウェーハＷ表面上にガスが流れるように、ガス供給口５側からガス排出口６方向に反応ガスを所定の流量および組成で流通させる。
例えば、シリコンエピタキシャル層形成の場合にはシリコン原料ガス（例えばジクロロシラン、トリクロロシラン等）やドーパントガス等を、また窒化珪素膜形成の場合にはモノシランとアンモニア等を、またエッチングでは三フッ化窒素（NF3）や三フッ化塩素（ClF3）等のエッチングガスを、水素ガスなどのキャリアガスとともに加熱したウェーハＷ上に供給する。この反応ガスとキャリアガスとの混合ガスによって、ウェーハＷ主表面にシリコンエピタキシャル層や窒化珪素膜等の薄膜形成、エッチングが行われる。尚、加熱温度、流通させるガスの組成および流量、流通時間等は、所望とする薄膜の特性や厚さ、あるいはエッチングであればエッチング厚さ等、処理毎に適宜設定する。
【００２９】
このように予熱リング３を位置決めして、サセプタ２および台座４の座ぐり４ａに対して、所定の隙間Ａおよび隙間Ｃを設けて、ウェーハＷに熱処理を行うことにより、熱処理中に予熱リング３が熱膨張したり、サセプタ２が回転しても、予熱リング３とサセプタ２とが接触することがなく、また予熱リング３がサセプタ２周囲を近接して囲み、好適に熱処理を実施することができる。
【００３０】
以上の熱処理装置１００によれば、予熱リング３は内周中心３１ａが外周３２に対して偏心した形状となるように形成されているので、サセプタ２の中心が台座４の座ぐり内周４ａａに対してずれている場合でも、予熱リング３を台座４に載置して、サセプタ２の中心と予熱リング３の内周３１の中心との距離が最小になるように、予熱リング３を位置決めすることにより、サセプタ２の全周囲に亘って予熱リング３との間に所定の隙間Ａを形成することができる。従って、サセプタ２と予熱リング３とが近接且つ非接触となるように容易に調整することができる。またそれによって、熱処理装置のメンテナンス後の調整等に要する時間も短縮できるので、生産性を向上させることも可能となり好ましい。
さらに、サセプタ２と予熱リング３とが近接且つ非接触にして熱処理を行うことができるので、熱処理サセプタ２と予熱リング３との接触によるパーティクルの発生を低減することができ、ウェーハＷに付着するパーティクルを減少させることができる。その結果歩留まり低下を抑えることが可能となり好適である。
【００３１】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、予熱リングを支持する支持手段は、台座のほか、アームなどで予熱リング下面の複数箇所を下方から支持するものでもよい。このような熱処理装置においても、サセプタが予熱リングの支持手段に対してずれている場合に、予熱リングを支持手段上で移動させれば、サセプタ全周囲に亘って予熱リングを非接触且つ近接するように備えることができる。
また、一度に複数枚のウェーハＷを処理するサセプタを備えた熱処理装置に本発明を適用してもよい。
さらに熱処理装置において、外周中心に対して内周中心を偏心させる程度を変えた予熱リングを複数用意して、サセプタ中心が予熱リングの支持手段に対してずれている程度を鑑みながら、予熱リングを適宜選択して使用するようにしてもよい。
【００３２】
〔実施例〕
本実施例においては、図１における熱処理装置１００を用いて、直径300mmのウェーハに気相エピタキシャル成長を施した。
使用した熱処理装置１００は、サセプタ外周の直径が約373mm、台座の座ぐり内周の直径が約447mmであって、台座の内周中心に対して、サセプタの中心が約1mmずれていた。また予熱リングは、内径が約377mm、外径が約443mmで、内周中心と外周中心とが1mmずれるように、内周中心を外周に対して偏心させて形成した。
【００３３】
上記実施の形態に従って、予熱リングを台座の座ぐりに載置した後、予熱リングを台座の座ぐり内周と、サセプタとに対して位置決めした。この状態において、予熱リングと、サセプタとは、サセプタ全周囲に亘って約1.5〜２.5mmの範囲の隙間が形成されていた。
その後、サセプタにウェーハを載置して、シリコン単結晶薄膜の気相成長を施した。気相成長は、加熱装置によりウェーハを約1110℃〜1190℃に加熱し、所定の時間熱処理容器内にシリコン原料ガス等を供給することにより、ウェーハ主表面上に約3μmのシリコンエピタキシャル層を形成させた。
【００３４】
このシリコンエピタキシャル層が形成されたウェーハについて、レーザー光を用いるパーティクルカウンターにより、ウェーハ主表面に付着したパーティクルの検出を行った。
その結果、ウェーハの主表面上で検出されたパーティクル数は、0.12〜10.0μmのパーティクルが6個、10μmより大きいパーティクルは検出されなかった。このウェーハ上で検出されたパーティクルを図４（ａ）に示す。
【００３５】
〔比較例〕
本比較例では、内周中心が外周中心と一致している予熱リングを備えた従来の熱処理装置を用いて、予熱リングとサセプタとが接触した状態で、上記実施例と同一条件でシリコン単結晶薄膜の気相成長を施した。
このシリコンエピタキシャル層が形成されたウェーハについて、上記実施例と同様にウェーハ主表面のパーティクルの検出を行ったところ、パーティクル数は0.12〜10.0μmのパーティクルが183個、10μmより大きいパーティクルは33個であった。このウェーハ上で検出されたパーティクルを図４（ｂ）に示す。
尚、図４（ｂ）において、ウェーハ周囲の矢印で示す箇所は、サセプタと予熱リングとが接触した位置に対応する。
【００３６】
実施例と比較例との比較より、サセプタと、予熱リングとが接触すると、非接触の状態に比べてパーティクル数が極端に増加している。また、サセプタと予熱リングとの接触箇所に近い箇所で多くのパーティクルが検出されていることから、サセプタと予熱リングとの接触がパーティクル発生に大きく関与していると考えられる。
従って、外周に対して内周中心が偏心した予熱リングを形成し、サセプタと非接触かつ近接するように位置決めして熱処理を施すことにより、パーティクルの発生を大幅に低減することができるので、ウェーハに対するパーティクルの付着を防止して、歩留まりの低下を抑えることができるので好適である。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の第１の手段によれば、サセプタの中心が、予熱リングの支持手段に対してずれている場合でも、サセプタの中心と予熱リングの内周中心との距離が最も小さくなるように予熱リングを移動して支持手段に支持させることで、サセプタと予熱リングとの間に適切な隙間を形成することができ、サセプタと予熱リングとが接触することを防止できる。
また第２の手段によれば、予熱リングを台座の座ぐり内で外周を位置決めできるとともに、サセプタが台座に対してずれている場合でも、予熱リングを台座内で移動することによって、予熱リングとサセプタとが非接触となるように容易に調整できる。
第３の手段によれば、予熱リングとサセプタとを非接触にしてパーティクルの発生を抑えた状態で、基板に好適に熱処理を施すことができる。
従って、サセプタと予熱リングとの接触を容易に防止することができ、パーティクルが発生して基板に付着することを防止できるので、熱処理における歩留まり低下を抑えることが可能となる。また、予熱リングとサセプタとの調整が容易となって熱処理装置のメンテナンス等における操業停止時間を短縮することができ好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した熱処理装置を一部断面で示す概略構成図である。
【図２】サセプタ中心と、台座の座ぐりの中心とがずれている熱処理装置において、予熱リングをサセプタ周囲に備えた様子を示す上面図である。
【図３】本発明の熱処理装置に備えられる予熱リングの上面図である。
【図４】（ａ）サセプタと予熱リングとが非接触の熱処理装置、（ｂ）サセプタと予熱リングとが接触した状態の熱処理装置、のそれぞれを用いてウェーハに薄膜の気相成長を施した場合の、ウェーハ主表面で検出されたパーティクルを示す上面図である。
【図５】従来の熱処理装置において、サセプタ中心と、予熱リングおよび台座の座ぐり中心とが一致している様子を示す上面図である。
【図６】従来の熱処理装置において、サセプタ中心と、予熱リングの台座の座ぐり中心とがずれ、サセプタと予熱リングとが接触している様子を示す上面図である。
【符号の説明】
１    熱処理容器
２    サセプタ
２ａ  座ぐり
２ｂ  サセプタ中心
３    予熱リング
３１  予熱リングの内周
３１ａ  内周中心
３２  予熱リングの外周
３２ａ  外周中心
４    台座（支持手段）
４ａ  座ぐり
４ａａ  座ぐりの内周
４ｂ  座ぐりの内周中心
８    加熱装置
１００    熱処理装置
Ｗ    ウェーハ（基板）
Ａ    隙間
【図１】
0003758579.tif 000002
【図２】
0003758579.tif 000003
【図３】
0003758579.tif 000004
【図４】
0003758579.tif 000005
【図５】
0003758579.tif 000006
【図６】
0003758579.tif 000007