(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜を介して２つのシールドの間に設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、
前記再生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一つと前記シールドとの間に電気的に導通するヒューズを形成するとき、前記ヒューズを、レーザーを照射することで溶断できる材質で形成し、さらに前記レーザーの照射域に、前記ヒューズと前記再生素子とが重ならないように、前記再生素子が設けられたＭＲ領域の側方を溶断領域として、前記溶断領域にまで前記ヒューズを延出形成する工程と、
前記ＭＲ領域上及び溶断領域上を保護膜で被覆する工程と、
前記レーザーをパルス発振させて、前記保護膜を通して前記溶断領域に延出形成された前記ヒューズに照射し、これにより、前記ヒューズを溶断する工程と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ヒューズを、マンガン、インジウム、銀、ガリウム、アルミニウム、錫、銅、金、鉄、パラジウム、コバルト、クロム、ニッケル、チタン、シリコン、ニオブ、モリブデンから選ばれる少なくとも一つの材料で形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記録ヘッドと再生ヘッドを具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関し、特に静電気による再生素子の破壊を防止する構造を設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置の記録密度は年々高くなっており、使われる磁気ヘッドは誘導型ヘッドから記録再生分離型ヘッドに急速に置き換わっている。記録再生分離型ヘッドは再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドを有する。この再生ヘッドには、磁気抵抗効果を有する再生素子が用いられている。この特徴から記録再生分離型ヘッドは、磁気抵抗効果型磁気ヘッドと呼ばれている。以下、磁気抵抗効果を有する再生素子をＭＲ素子と呼称し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをＭＲヘッドと呼称する。図１０に従来のＭＲヘッドの一例を断面図で示す。また、図１１に従来のＭＲヘッドの一例を斜視図で説明する。
【０００３】
図１１では、アルミナ・チタンカーバイドなどで作られた非磁性基板９５の上に、アルミナの絶縁膜９６、下部シールド９４、絶縁膜、ＭＲ素子１０２、絶縁膜、下部磁極としての機能を有する中間シールド９３、記録ギャップとなる絶縁膜、上部磁極１０４を持つ。下部シールド９４、ＭＲ素子１０２、中間シールド９３の各々の間を絶縁する絶縁膜は図示を省略しているが、実際には各々の膜の間に充填されるものである。中間シールド９３と上部磁極１０４の間には、絶縁膜（記録ギャップ）を有しており、誘導型記録ヘッドの磁気的なギャップとして機能する。さらに、中間シールドと上部磁極の間には絶縁膜を介して薄膜コイル１００が取り巻くように配置されている。また、中間シールド９３と下部シールド９４は磁気シールドとして用いられる薄膜であり、両者の間には、ＭＲ素子１０２と電極膜１０３とバイアス膜１０１を包む絶縁膜からなる再生ギャップが設けられ、再生ヘッドの磁気的なギャップとしても機能する。図１０は、図１１のような従来のＭＲヘッドを媒体対向面からみたときの一部断面図に相当する。媒体対向面は図中の矢印ｘに垂直な面（ｙ−ｚ平面）に相当する。以下、磁気シールドとして機能する薄膜をシールドと呼称する。
【０００４】
図１１で説明したようなＭＲヘッドは、ウェファと呼ばれる基板上に薄膜を積層することで、数千個以上の数で形成される。このウェファを１個のＭＲヘッドを付けた基板に切り分ける。基板においてＭＲヘッドの媒体対向面と同一平面上に一致するように浮上面を加工してスライダーを構成する。従って、ＭＲヘッドの製造工程は、薄膜を積層するウェファ工程と、このウェファを切断し、浮上面を形成するスライダー工程とに大別できる。さらに、スライダーはジンバルというサスペンションに支持されて、ハードディスク装置に備えられる。ハードディスク装置において、支持されたスライダーは回転する磁気ディスクの上を浮上して、ＭＲヘッドによって磁気的な情報の記録と再生を行う用途に用いられている。
【０００５】
ＭＲヘッドの分野では、帯電防止に係る技術として次のものが挙げられる。特開平９−９１６２３号公報には、ＭＲ素子を介さずに一対の電極間を短絡する短絡回路を設けたＭＲヘッドが開示されている。この公報の図面には、変形させたシールドの凸部を直接に電極膜に接合させる構造が記載されている。また、特開平８−１６７１２３号公報には、複数のヘッド素子を電極膜や上部シールドや下部シールドと電気的に接続して基板上に形成し、形成された素子を１個づつ切り離す磁気ヘッドの製造方法が開示されている。特開平１０−２４７３０７号公報には、リードとシールドを電気的に接続する抵抗素子を有する磁気ヘッドが開示されている。この抵抗素子の電気抵抗値は１００［ｋΩ］〜数［ＭΩ］という範囲内の高い値に設定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＲヘッドは磁性材料や金属材料で構成した薄膜を用いている。これらの薄膜は製造工程において帯電し易い。ＭＲヘッドの小型化に伴って、薄膜の厚さがより薄くなると、静電破壊が起こりやすくなる。特に再生素子とシールドの間で静電破壊が起きて、ＭＲヘッドにダメージを与えるおそれがある。静電破壊とは、帯電した薄膜と他の薄膜の間の電位差が大きくなると、薄膜間に配置した薄い絶縁膜や薄膜自体に過剰な電流が流れ、破壊される現象をいう。静電破壊は絶縁破壊とも呼称される。従来のＭＲヘッドには、再生素子とシールド間の静電破壊を防止すべく、短絡などを行っているものもある。しかし、ＭＲヘッドの製造工程にわたって効果的な静電破壊防止を図るには至っていない。
【０００７】
従来技術の特開平９−９１６２３号公報や特開平８−１６７１２３号公報は、再生素子の電極とシールド間を短絡している。しかしながら、この短絡の回路を機械加工で切断しなくてはならず、切断のタイミングはウェファを切断する工程に制限されてしまう。また、従来技術の特開平１０−２４７３０７号公報は、短絡回路の機械的な切断を行わないが、電気抵抗値の高い抵抗素子を残留させている。この残留させた抵抗素子が再生素子にノイズをもたらす並列回路となってしまう。そこで、本発明の目的は、短絡回路の開放をウェファやスライダーの切断工程に依存することなく、静電破壊を防止するＭＲヘッドを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜を介して２つのシールドの間に設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、
前記再生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一つと前記シールドとの間に電気的に導通するヒューズを形成するとき、前記ヒューズを、レーザーを照射することで溶断できる材質で形成し、さらに前記レーザーの照射域に、前記ヒューズと前記再生素子とが重ならないように、前記再生素子が設けられたＭＲ領域の側方を溶断領域として、前記溶断領域にまで前記ヒューズを延出形成する工程と、
前記ＭＲ領域上及び溶断領域上を保護膜で被覆する工程と、
前記レーザーをパルス発振させて、前記保護膜を通して前記溶断領域に延出形成された前記ヒューズに照射し、これにより、前記ヒューズを溶断する工程と、
を備えることを特徴とする製造方法である。この構成では、溶断可能なヒューズを設けたＭＲヘッドを製造した後、任意の工程あるいは製造工程終了後においてレーザーを用いて前記ヒューズを溶断することができる。ここで、任意の工程とは、ＭＲヘッドを設けたウェファからローバーやスライダーを切り出す工程や、ローバーからスライダーを切り出す工程などが挙げられる。製造工程終了後とは、スライダーを完成した状態以降を指す。本発明により、これらの工程において外形あるいは外観を変えることなく、ヒューズを溶断することが可能となる。
【００１４】
また、本発明のＭＲヘッドの製造方法において、前記レーザーは、赤外線のレーザーとする。このレーザーの波長λは、０．８［μｍ］以上、かつ７［μｍ］以下であることが望ましい。アルミナでの透過率が高くて、かつヒューズでの吸収率が高いλを選択すると、アルミナのダメージを抑制して、ヒューズを溶断することができる。アルミナがダメージを受けず、透明な状態であると、ヒューズが溶断しているか否かを可視的に確認することが可能となる。
本発明では、前記ヒューズを、マンガン、インジウム、銀、ガリウム、アルミニウム、錫、銅、金、鉄、パラジウム、コバルト、クロム、ニッケル、チタン、シリコン、ニオブ、モリブデンから選ばれる少なくとも一つの材料で形成することが好ましい。
【００１５】
本発明の他の製造方法は、上記本発明の製造方法において、ヒューズとアルミナと共に溶断することを特徴とする。レーザーの波長λを７［μｍ］より大きくすると、アルミナとともにヒューズを溶断することが可能になる。この場合、アルミナとヒューズを溶断する方法、アルミナとヒューズを基板ごと切断する方法、アルミナを穿孔しつつヒューズを溶断する方法などが挙げられる。
【００１６】
アルミナにおけるレーザーの透過率は７０％以上であることが望ましい。アルミナの組織は成膜条件などによって異なる。レーザーの透過率の波長依存性も組織や製法に依存する。従って、λ＝０．８〜７［μｍ］の範囲内であっても、透過率が低いとヒューズ溶断後にレーザーを照射した部分のアルミナの色が白濁することも有りうる。しかしながら、ヒューズの溶断の確認を妨げない程度の白濁であれば、実用上障害とはならない。
【００１７】
上記本発明の製造方法において、前記レーザーにパルス発振させたレーザーを用いることが好ましい。前記レーザーのスポットの直径の大きさは数μｍから数十μｍ程度とする。レーザーによる加熱・溶断処理は、スポットの直径が小さい局所的な範囲に対して有効である。レーザーのタイプは、溶断処理の範囲に応じて、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー、ルビーレーザー、半導体レーザーから選択することができる。ヒューズのみ溶断する場合にはＹＡＧレーザーが好ましい。レーザーのエネルギーは、発振モード（連続発振、パルス発振）、照射出力（パワー）、照射時間等をパラメータとして変更することができる。
【００１８】
（作用）
ヒューズの機能を説明する。本発明ではＭＲヘッドを製造するにあたって、再生素子の両側に配置された電極膜から導電性部材（ヒューズ）を介してシールドに接地を行う。接地とは、電気的に導通させることをいう。後でこの導電性部材を切断する必要があるため、導電性部材がヒューズとして機能するように形状や電気抵抗を設計する。再生素子（ＭＲ素子）のシールドに対する電気的な接続は、再生素子とシールド間に電位差が生じることを防止し、再生素子とシールドの間の静電破壊に起因して再生素子に電流が流れる現象を抑制するものである。この技術は、特に再生素子の静電破壊に対して有効な防止手段となり、ＭＲヘッドの製造工程の途中工程における帯電の影響を排除することができる。
【００１９】
しかし、ＭＲヘッドをＨＤＤ装置で使用するときに、再生素子とシールドの間に導通があると、再生素子とシールド間に微弱な電流が流れ、再生信号に対するノイズの原因となる。よって、再生素子とシールド間の導通は、製造工程途中では接地（接続）されており、製造工程を経た後では絶縁されていることが望ましい。加えて、再生素子とシールドが絶縁された状態では、装置を取り扱うときに発生する静電破壊を防止するために、所望の絶縁耐圧を保証する必要がある。よって、製造工程の最終段階で再生素子とシールドを絶縁する必要がある。ここに挙げた再生素子の接地は公知の技術であるが、製造工程の途中から製造工程が終了するまでの間にヒューズでＭＲ素子の接地を行い、外観を変形させることなくレーザーを用いて接地を開放して絶縁状態とする方法は、新しい技術である。
【００２０】
上記の本発明において、ＭＲ素子と同時に薄膜で構成したヒューズを形成することが可能である。すなわち、製造工程を増やさなくとも、レチクルを交換するだけでヒューズとなる薄膜あるいは多層膜を形成できる。レチクルとは、薄膜の形成に用いるフォトリソグラフィーという工程で使用するフォトマスクのことである。
【００２１】
本発明に係るヒューズの切断原理は一般の電気ヒューズと異なり、レーザーを照射することでヒューズを溶断するものである。ヒューズのみを溶断する場合には、レーザーをパルス発振で用いることが重要である。パルス発振を適切なパルス幅と強度で行ってヒューズを溶断した直後には、その他の部材が加熱されることがほとんどない。一方、ヒューズとともに他の部位を溶断する場合には、連続発振のレーザーを用いる。ここで他の部位とは、アルミナチタンカーバイド等で構成した基板、アルミナの保護膜等を指す。連続発振のレーザーはパルス発振に比べてパワーが大きいため、ヒューズを設ける領域とＭＲ素子を設ける領域を基板上において別々に設けることが必要である。
【００２２】
上記の本発明において、ＭＲヘッドは磁気抵抗効果型磁気ヘッドを指す呼称であり、磁気抵抗効果を利用した再生素子を含む磁気ヘッドを包含する。従って、前記再生素子に併せて光を利用した記録あるいは再生を行う素子を備えるヘッドに置換することも可能である。また、「ヒューズ」という用語は、電気回路として切断される部材、あるいは溶断することが可能な部材を含むものとする。また、シールドは、磁気的なシールドとして機能するものだけでなく、シールド以外の機能を備えるものも含む。「磁気抵抗効果を有する再生素子」とは、磁界を印加されると電気抵抗値が変化することを利用した再生素子を含む用語として用いる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明に係るＭＲヘッドを示す。図１は、ＭＲ素子に設けたヒューズをレーザーで溶断する様子を示した断面図である。図２は、図１のヒューズを保護膜の表面からみた上面図である。図３は、ヒューズをシールドから離隔して設けたＭＲ素子の概略図である。図４は、ヒューズをレーザーで溶断する様子を示したスライダーの斜視図である。図５〜６は、ヒューズをレーザーで溶断する様子を示したスライダーの上面図である。図７は、アルミナ保護膜ごとヒューズを溶断したスライダーの斜視図である。図８は、ウェファ上に形成したＭＲ素子のヒューズを溶断する様子を示す概略図である。図９は、本発明に係るＭＲ素子の構成を示す断面図である。
【００２４】
（実施例１）
図１と図２の構成により本発明に係るヒューズを設けたＭＲヘッドを示す。まず、図１の構成を積層する工程を説明する。アルミナの絶縁層２を被覆したアルミナチタンカーバイトの基板１の上に、下部シールド３を形成した。この下部シールドは磁性材料であるパーマロイの薄膜をスパッタリングで絶縁層２上に積層した後、これを所望の形状にパターニングしたものである。下部シールド３の上に、アルミナ絶縁層を介してＭＲ素子と、ヒューズ５及び５ｃを形成した。次にＭＲ素子とヒューズを接続するように電極膜４ａ及び４ｂを形成した。本図ではＭＲ素子は見えないが、詳細は図２にて説明する。これらの上にアルミナの絶縁層を介してミッドシールド６（下部磁極）を形成した。さらに、記録ギャップとなる絶縁膜を介して上部磁極７等を形成した。さらにアルミナの保護膜８で全体を被覆した。上部磁極とミッドシールドの間にコイルを設ける構成などは従来のＭＲヘッドと同様とした。また、電極膜やコイルに接続するリードやスタッド電極やパッドを形成する工程は、従来技術と同様の方法を用いたため、説明を省略した。
【００２５】
上記の如く、保護膜８に被覆された積層構造を得た後に、保護膜の表面８ａを通してヒューズにレーザーを照射した。レーザー装置から光ファイバー９で導いたレーザー１１を集光レンズ系１０によってヒューズの溶断部５ｂに照射させた。溶断部５ｂから漏れたレーザーは基板１に照査され、照射部１ｂとなった。レーザーは、パルス発振させた波長λ＝１．０６［μｍ］のＹＡＧレーザーを用いた。短時間のパルス発振でヒューズを溶断したところ、レーザーの光路としたアルミナ保護膜８はダメージを受けず、変形・溶解することもなかった。照射部１ｂは、レーザーから得る熱量が基板全体に拡散するために、実質的に変形・溶解することがなかった。また、ＭＲ素子の領域１５とヒューズを溶断する領域１６は重ならないように配置した。
【００２６】
次に図２において、図１における途中の構成を示して、ＭＲ素子とヒューズの関係を説明する。基板１上に設けられた下部シールド３上に、アルミナ絶縁膜を介してＭＲ素子２２とヒューズ５及び５ｃを一括して形成した。続けてＭＲ素子２２の端とヒューズ５の端に重なるように電極膜４ａを形成して、両者を電気的に接続した。同時にＭＲ素子２２の端とヒューズ５ｃの端に重なるように電極膜４ｂを形成した。ヒューズ５は導電膜２５を介して下部シールド３に接続した。次に、ヒューズ５ｃとミッドシールドを接続するための導電膜を形成した後、ＭＲ素子の上に絶縁膜を被覆した。さらにこの導電膜と接続するようにミッドシールドを形成した（図示を省略した）。このようにして、ＭＲ素子の一方の端を電極膜４ａ／ヒューズ５／導電膜２５を介して下部シールドに接続し、ＭＲ素子の他方の端を電極膜４ｂ／ヒューズ５ｃ／導電膜を介してミッドシールドに接続した。ヒューズ５ｃと下部シールドを接続する導電膜は、下部シールド形成後に、絶縁膜に開けたビアホールを通じて形成するものとした。ＭＲ素子２２と電極膜４ａ及び４ｂと下部シールド３と基板１は浮上面２１に露出させた。図１は、この図２の構成をＡ−Ａ線でみた断面図に相当する。
【００２７】
図２のヒューズにおいて、溶断部５ｂはレーザースポットの直径ｒ１に相当する長さで切断した。ｒ１＝１［μｍ］とした。ヒューズの溶断部の幅をｒ１と同程度以上とすることで、照射部１ｂに漏れるレーザーを無くして、効率よく溶断を行うことができた。このレーザーのスポットの中心から電極膜４ａまでの距離ｄ１は１．５［μｍ］とした。電極膜の近傍に溶断部を設けると、レーザーによる熱量が電極膜に奪われて溶断に要する時間が長くなるおそれがある。従って、溶断時間を短縮するためにｄ１＞ｒ１として、溶断部と電極膜の間に距離を置いた。
【００２８】
（実施例２）
図３に他の実施例を示す。このＭＲヘッドの再生素子では、下部シールド３（実線で表示）とミッドシールド６（点線で表示）の間にＭＲ素子２２や電極膜３９及び３９ｂを配置し、シールドにヒューズ３５及び３６を接続した。ヒューズ３５の先端３７はミッドシールド６に導電膜を介して接続し、ヒューズ３６の先端３８は導電膜を介して下部シールド３に接続した。この構成において、ウェファ工程以降の適切な工程においてヒューズにレーザーを照射して溶断した。本実施例のようにヒューズを電極膜やシールド等と離隔すると、レーザーからヒューズに与えられた熱量が電極膜やシールド膜に奪われることなく、ヒューズのみを効率的に加熱・溶断することができた。
【００２９】
（実施例３）
図４に、ヒューズを設けたＭＲヘッドのスライダーについて、ヒューズを溶断する工程を説明する。まず、スライダーを作製する工程を説明する。実施例１と同様の方法で、基板（ウェファ）上にヒューズを設けたＭＲヘッドを形成した。この基板を切り分けて、浮上面を形成してスライダー４０を得た。ヒューズ４５は円状の溶断部と線状のリード部からなる。リード部は電極膜とシールドに導通する部位とし、溶断部はレーザーを照射して溶断する部位とした。ＭＲヘッドはヒューズ４５及び４５ａと、ＭＲ素子を含む記録再生素子４１と、記録再生素子に電流を供給する電極パッド４７及び４７ｂと、記録再生素子の出力を取り出す電極パッド４７ｃ及び４７ｄを有する。スライダーはＭＲヘッドを包むアルミナ保護膜４０ａの部分とアルミナチタンカーバイドの基板４０と、浮上面４０ｃ及び４０ｂとＭＲ素子４１を被覆するダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）を備えた。
【００３０】
このようにして形成したスライダー４０を、その背面がステージ４９ｂ側となるように治具４９に固定した。背面で固定するのは、浮上面４０ｂ及び４０ｃを傷つけないためである。レーザー装置から導かれた光ファイバー９と、治具４９を載せるＸ−Ｙテーブルと、画像認識装置を組み合わせた溶断装置（図示省略）によって、アルミナ保護膜４０ａを通してヒューズ４５にレーザーを照射して溶断させた。治具４９は、レーザー照射でアルミナ保護膜が得た熱量を放熱するためのヒートシンクとしての機能を兼ねる。この方法は、スライダーを作製した後にヒューズを溶断するものであり、ウェファの製造工程からスライダーを作製するまでの間、ヒューズによって静電破壊を防止することができた。
【００３１】
（実施例４）
なお、図４に示した構造のスライダーについて、ジンバルやサスペンション等を設けて、ＨＧＡ（ヘッド  ジンバル  アッセンブリー）とした後に、ヒューズを溶断することも検討した。その結果、ヒューズを溶断する際には、ＨＧＡのサスペンションを固定した状態で、スライダーに設けたヒューズを溶断することができた。スライダーのアルミナ保護膜中に透過して見えるヒューズやＭＲ素子の形状を、ＣＣＤ等の画像取り込み装置で確認し、コンピューター処理によってヒューズの位置を画像認識した後、ヒューズの所望の部位にレーザーを照射させた。ＨＧＡが弾性をもっていて、スライダーが揺れたりしても、画像認識とレーザー照射の位置制御を連続して行っていれば、ヒューズから外れることなくレーザーを照射できた。なお、複数のＨＧＡを組み立てたＨＳＡ（ヘッド  スタック  アッシー）に対しても、実施例４と同様のヒューズ溶断方法を適用することは可能である。
【００３２】
（実施例５）
図５に、他の実施例に係るスライダーを示す。同図は、スライダーに設けたヒューズ付きＭＲ素子について、アルミナ保護膜を通してヒューズにレーザーを照射して、ヒューズを溶断する様子を示した。同図（ａ）の左側のスライダー５０は、ＭＲ素子とヒューズを設けたスライダーの側面図である。ＭＲ素子を含む記録再生素子５１は電極となるパッド５４やヒューズ５５を有し、これらはスライダー５０の側面にある保護膜５３中に形成した。ヒューズは矢印ｙの向きを長手方向として、その先端を記録再生素子５１やパッド５４から離隔して形成した。このスライダー５０において、光ファイバー９からレーザー１１をヒューズ５５に照射した。すると同図（ａ）の右側のスライダーに示すように、ヒューズは溶断部５６において切断された。アルミナ保護膜中において、ヒューズを他の部品より離隔して長手方向に伸ばして形成したため、ヒューズに当たったレーザーはそのままアルミナ保護膜５３を通過してスライダーの浮上面５２から外に放出された。
【００３３】
同様に、図５（ｂ）の左側のスライダー５０ｂは、同図（ａ）の構成において、ヒューズ５５ｂの先端部を矢印ｙとｚの方向に傾けて曲げた形状とした。このようにしてヒューズ５５ｂの先端部にレーザーを照射して、図５（ｂ）右側のスライダーに示すようにヒューズは溶断部５６ｂで溶断された。レーザーはアルミナ保護膜５３ｂの反浮上面側から入射して、ヒューズ５５ｂに当たり、そのままアルミナ保護膜５３ｂを通過して、スライダーの側面から放出された。この構成では記録再生素子５１ｂ、パッド５４ｂ、浮上面５２ｂにレーザーは照射されない。従って、レーザーのエネルギー（照射時間、パワー）を高くして、ヒューズを溶断させるような工程を行っても、浮上面５２ｂの変形を招くことがない。このような場合、アルミナを変色、変質、膨張させることがある。また、ヒューズを溶断すると共にアルミナをレーザー切削する方法を用いる場合にも、図５（ｂ）の構成であれば、浮上面２ｂを変形を招くことはない。
【００３４】
図５の（ａ）と（ｂ）に係る構成では、レーザーがアルミナ保護膜から入射され、ヒューズを加熱・溶断し、アルミナ保護膜からスライダーの外へ放出された。スライダーを構成する他の部材、すなわちアルミナ保護膜とヒューズ以外にはレーザーが照射されない。従って、他の部材を加熱あるいは溶断・溶解するおそれがない。さらに、図１に係る方法に比べてレーザーのエネルギーを高くすることができる。
【００３５】
（実施例６）
図６に、他の実施例に係るスライダーを示す。図６（ａ）は、スライダーの側面にヒューズ６５を有する記録再生素子６１を設け、アルミナ保護膜６３で被覆したものである。ヒューズの形状は図５の（ａ）と同様とした。さらに、アルミナ保護膜６３を通してヒューズ６５にレーザーを照射して、ヒューズを溶断した。レーザーのエネルギーを高くしたために、レーザーの光路となったアルミナ保護膜は、薄い白色の変質領域６６となった。一方、図６（ｂ）は、スライダーの側面にヒューズ６５ｂを有する記録再生素子６１ｂを設け、アルミナ保護膜６３ｂで被覆したものである。ヒューズの形状は図５の（ｂ）と同様とした。さらに、アルミナ保護膜６３ｂを通してヒューズ６５ｂにレーザーを照射して、ヒューズを溶断した。レーザーのエネルギーを高くしたために、レーザーの光路となったアルミナ保護膜は、薄い白色の変質領域６６ｂとなった。但し、この白色はヒューズの溶断を目視で確認することに差し支えない程度であった。
【００３６】
（実施例７）
図７に、他の実施例に係るスライダーの斜視図を示す。図７（ａ）は、ヒューズ７５を有する記録再生素子７１を設け、アルミナ保護膜７３で被覆したスライダーについて、ヒューズの先端部ごとスライダーの側面を切断したものである。スライダーとアルミナ保護膜とヒューズを一度に切断するため、レーザーのエネルギー（波長、照射時間、パワー）を高くして、レーザーをスライダーの長手方向（図４に例えると矢印ｘの向き）のスキャンした。切断によって生じた側面７０のうち、アルミナ保護膜７３の部分には、溶断されたヒューズ端７６が露出された。このヒューズの先端７６における腐食を防止するため、ヒューズの材料にはＡｕを用いた。溶断前のヒューズの形状は図５（ａ）と同様とした。
【００３７】
図７（ｂ）は、ヒューズ７５ｂを有する記録再生素子７１ｂを設け、アルミナ保護膜７３ｂで被覆したスライダー７０ｂについて、ヒューズの先端部ごとアルミナ保護膜の一部を溶断したものである。アルミナ保護膜の一部は蒸発して溝部７７となった。この溝部７７の内壁には溶断したヒューズ端７６ｂが露出された。露出部を生じる都合上、ヒューズの材料にはＡｕを用いた。このように切断する領域を拡大する場合、次に挙げる方法のいずれかを用いて保護膜等の歪みを抑制した。第１の方法は、アルミナ保護膜の表面を冷却用のガスにさらして、熱を逃がす方法である。第２の方法は、スライダーの基板に伝搬した熱を冷却ガスまたはヒートシンクで吸収する方法である。第３の方法は、ヒューズの近傍に予備的なレーザー照射で溶断しないレベルに加熱した後に、再度レーザー照射を行って溶断する方法である。第４の方法は、パルス発振のパルス幅が短く、ピークのレーザー強度が高いレーザー照射を行って、加工部の近傍が加熱されることを抑制する方法である。
【００３８】
（実施例８）
図８に本発明のヒューズに係るウェファを示す。同図（ａ）は、ＭＲ素子を含む記録再生素子を多数形成したウェファ８４である。配列したＭＲ素子にはヒューズを設けた。このウェファを切断してローあるいはスライダーを得る工程に移る前に、各々のヒューズに対してレーザーを照射して溶断する工程を行った。図８（ｂ）の平面図は、ウェファ上に形成した素子並びを拡大したものであり、ヒューズを溶断する様子を示した。ＭＲ素子を含む記録再生素子８１に設けたヒューズ８５に対してレーザーを照射し、これを溶断した。溶断部８６は、電気抵抗が大きくなり実質的に絶縁状態となった。マーク８８はウェファの位置合わせを行うものである。
【００３９】
図８（ａ）の画像認識装置８４ｃは、ウェファ上のマーク８８から次に溶断すべきヒューズを認識し、位置データをＸ−Ｙテーブル８４ｂに送信した。このデータを基にＸ−Ｙテーブル８４ｂは、その上に配置したウェファ８４を移動させ、次のヒューズがレーザの焦点に合致するようにした。移動後にレーザー装置８９から光ファイバー８７を通じて得たレーザーをヒューズに照射させ、これを溶断した。この移動と照射・溶断の繰り返しによって、複数のヒューズに順にレーザー照射を行うことができた。本実施例は、例えば、ヒューズを電流パルスによって溶断する方法に比べて格段に溶断工程の時間を短縮することができる。このようにして、ウェファ上にＭＲ素子を形成する工程からスライダーを作製する工程までの間、ヒューズによってＭＲ素子とシールドの静電破壊を防止できた。
【００４０】
幅ｄ＝１［μｍ］のヒューズパターン素子に対して、レーザーを照射して、ヒューズパターン素子の溶断に必要なエネルギーを調べた。ここで、ヒューズパターン素子とは、ＭＲ素子と同様の多層膜で構成したヒューズをいう。溶断に必要なエネルギーは、０．８〜３．５［μＷｓ］以上の値を消費した。
【００４１】
図９に本発明の一実施形態に用いたスピンバルブ型ＭＲ素子を示す。このスピンバルブ型ＭＲ素子は、Ｔａの下地膜上に形成したＰｔＭｎの反強磁性膜８２ａと、ＮｉＦｅＣｏの磁性膜８２ｂと、Ｃｕの非磁性金属膜８２ｃと、ＮｉＦｅの磁性膜８２ｄを順に積層した４層膜８２を有し、この４層膜８２の両端部をエッチングで削ることで形成した斜面と、この斜面に接合させたバイアス印加用の永久磁石膜８１を有する。永久磁石膜８１の各々には電極膜８３を設けた。スピンバルブ型ＭＲ素子として、図１０の構成を改良したものを用いることが可能である。具体的には、磁性膜を金属材料あるいは磁性材料からなる多層膜とした素子、あるいは反強磁性膜８２ａあるいは磁性膜８２ｄを共有させて二つのスピンバルブ型ＭＲ素子を対に積層させたデュアルスピンバルブ素子等を用いることができる。
【００４２】
ヒューズの構成の一例を説明する。ヒューズをＭＲ素子と同時に一括形成した。ストライプ状のヒューズの長さＬ［μｍ］と幅Ｗ［μｍ］について、その比率を変えたＭＲヘッドを作製した。Ｌ／Ｗ＝10/1、5/1、2.5/1の３パターンについて検討したところ、いずれも本発明のヒューズとして機能させることができた。ストライプ状としたとき、多層膜のヒューズは、Ｔａ(５ｎｍ)／ＮｉＦｅ(５ｎｍ)／ＣｏＦｅ(１ｎｍ)／Ｃｕ(２．５ｎｍ)／ＣｏＦｅ(２ｎｍ)／ＰｔＭｎ(２２．５ｎｍ)／Ｔａ(３ｎｍ)を順に積層したものを用いた。これはスピンバルブ型ＭＲヘッドにおけるヒューズの構成である。
【００４３】
上記の本発明のＭＲヘッドの再生素子において、ＳＡＬバイアス型ＭＲ素子に代えて、スピンバルブ型ＭＲ素子、２つの軟磁性膜で絶縁膜を挟む構成のトンネル接合型ＭＲ素子、非磁性膜と磁性膜を交互に積層させたＧＭＲ素子等を用いることができる。これらのＭＲ素子は、記録密度が１０［Ｇｂ／ｉｎ２］程度以上の記録媒体に対応すべく、小型化・薄膜化する必要があり、トラック幅Ｔｗは数［μｍ］以下に規定されている。従って、上記のヒューズを適用したところ、より効果的に静電破壊を防止するができた。さらに、このヒューズをレーザーで溶断することにより、ウェファ工程以降の任意の工程、特にスライダーを形成した後の工程において、溶断工程を短時間で行うことができた。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の構成を用いることにより、ＭＲヘッドの製造工程において、任意の工程で短絡回路の開放を行うことができ、静電破壊を防止したＭＲヘッドを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＭＲ素子に設けたヒューズをレーザーで溶断する様子を示した断面図である。
【図２】図１のヒューズを保護膜の表面からみた上面図である。
【図３】ヒューズをシールドから離隔して設けたＭＲ素子の概略図である。
【図４】ヒューズをレーザーで溶断する様子を示したスライダーの斜視図である。
【図５】ヒューズをレーザーで溶断する様子を示したスライダーの上面図である。
【図６】ヒューズをレーザーで溶断する様子を示したスライダーの上面図である。
【図７】アルミナ保護膜ごとヒューズを溶断したスライダーの斜視図である。
【図８】ウェファ上に形成したＭＲ素子のヒューズを溶断する様子を示す概略図である。
【図９】本発明に係るＭＲ素子の構成を示す断面図である。
【図１０】従来のＭＲヘッドの断面図である。
【図１１】従来のＭＲヘッドの斜視図である。
【符号の説明】
１  基板、                        １ｂ  照射部、
２  絶縁層、                      ３  下部シールド、
４ａ  ４ｂ  電極膜、
５  ５ｃ  ヒューズ、              ５ｂ  溶断部、
６  ミッドシールド、              ７  上部磁極、
８  アルミナ保護膜、              ８ａ  保護膜表面、
９  光ファイバー、                １０  集光レンズ系、
１１  レーザー、                  １５  ＭＲ素子の領域、
１６  ヒューズを溶断する領域、    ２１  浮上面、
２２  ＭＲ素子、                  ２５  導電膜、
３５  ３６  ヒューズ、            ３７  ３８  導電膜、
３９  ３９ｂ  電極膜、            ４０  スライダー、
４０ａ  アルミナ保護膜、          ４０ｂ  ４０ｃ  浮上面、
４１  記録再生素子、              ４１ａ  ＭＲ素子、
４５  ４５ａ  ヒューズ、
４７  ４７ｂ  ４７ｃ  ４７ｄ  電極パッド、
４９  治具、                      ４９ｂ  ステージ、
５０  ５０ｂ  ７０  ７０ｂ  スライダー、
５１  ５１ｂ  ６１  ６１ｂ  ７１  ７１ｂ  記録再生素子、
５２  ５２ｂ  浮上面、
５３  ５３ｂ  ６３  ６３ｂ  ７３  ７３ｂ  保護膜、
５４  ５４ｂ  パッド、
５５  ５５ｂ  ６５  ６５ｂ  ７５  ７５ｂ  ヒューズ、
５６  ５６ｂ  溶断部、            ６６  ６６ｂ  変質領域、
７６  ７６ｂ  ヒューズ端、        ８１  永久磁石膜、
８２  ４層膜、                    ８３  電極膜、
８２ａ  反強磁性膜、              ８２ｂ  ８２ｄ  磁性膜、
８２ｃ  非違磁性金属膜、          ８４  ウェファ、
８４ｂ  Ｘ−Ｙテーブル、          ８４ｃ  画像認識装置、
８５  ヒューズ、                  ８５ａ  記録再生素子、
８６  溶断部、                    ８７  光ファイバー、
８８  マーク、                    ８９  レーザー装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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