(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に伝送線路を形成し、前記基板にＩ／Ｏ，ＩＣチップを接続し、前記Ｉ／Ｏ，伝送線路，ＩＣチップの順またはその逆に信号が伝送されるように構成した高周波モジュールにおいて、前記基板としてグランドヴィアを有する基板を用い、伝送線路における信号伝送の方向とＩＣチップの端部の方向とを所定の角度に傾けて配置することにより、多重反射した信号が前記グランドヴィアに流れるように構成したことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波モジュールを構成する伝送線路とＩＣチップの接続に起因する多重反射の改善を図った高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、マルチメディア通信の普及から、高速大容量の伝送網の布設が強く望まれている。これら超高速伝送網向け電気回路は、複数の集積回路を基板に実装して構成される。或いは、これら複数の集積回路と受動素子等の部品をモジュール用基板上にまとめて高周波モジュールとして超高速伝送網向け電気回路が構成され実装基板に実装される。
【０００３】
図３はこのような高速モジュールの従来の配置例を示す平面図である。図３において、Ａ'は例えば長方形のセラミックからなる厚さ０．５ｍｍ程度の基板であり、両辺の中央付近にそれぞれ入出力端子であるＩ／Ｏ（１，７）が形成されている。
【０００４】
３，５は基板Ａ'上のほぼ中央に所定の距離を隔てて配置されたＩＣチップであり、対向する長辺が基板Ａ'の長辺に平行に配置されている。一点鎖線で囲った部分は３本の伝送線路（マイクロストリップラインやコプレーナライン）２０であり、これらの伝送線路も所定の距離を隔てて基板Ａ'の長辺に平行に配置されている。
【０００５】
図に示すように、ＩＣチップ３，５はパッド９およびワイヤボンディング１０を介して接続されており、これらＩＣチップ３，５や伝送線路２０はほぼ直列状に配置されている。なお、ワイヤボンディング１０の替わりにリボンボンディングが用いられる場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このように配置されたＩＣチップ３，５や伝送線路２０は直列状になっているため、ＩＣチップ３，５と基板Ａ'との接続に必須なワイヤとパッドパターンの寄生素子によってインピーダンス不連続点が発生し、信号が後段の電気回路に十分に伝達できないという問題点があった（図３において一点鎖線のＢで囲った部分は各接続点で多重反射が発生している状態を示している）。
【０００７】
このような問題は、実装基板上に設けた高周波モジュールと実装基板との間の接続だけでなく、集積回路と基板との接続でも発生する。
【０００８】
本発明はこのような多重反射の発生を低減した高周波モジュールを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような問題点を解決するために、請求項１においては、
基板に伝送線路を形成し、前記基板にＩ／Ｏ，ＩＣチップを接続し、前記Ｉ／Ｏ，伝送線路，ＩＣチップの順またはその逆に信号が伝送されるように構成した高周波モジュールにおいて、前記基板としてグランドヴィアを有する基板を用い、伝送線路における信号伝送の方向とＩＣチップの端部の方向とを所定の角度に傾けて配置することにより、多重反射した信号が前記グランドヴィアに流れるように構成したことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態の一例を示す平面図である。なお、図３と同一要素には同一符号を付して重複する説明は省略する。
【００１３】
本発明では基板Ａとして図３に示す基板と同様の寸法のグランドヴィアを有する基板（基板の裏側がグランドとなる）を用いている。そして所定の距離を隔てて配置されたＩＣチップ３，５は所定の角度θ（図ではＩＣチップ３の角度θ１を基板の長辺に対して時計回りに約４０度，ＩＣチップ５の角度θ２を基板の長辺に対してを反時計回りに約３０度）傾けている。
【００１４】
３列に形成された伝送線路２，４，６において中心の線路を伝送線として用い（この線路が位置する部分にはグランドヴィア８が形成されていない）、両側の線路はグランドヴィア８に接するように配置されている。
【００１５】
上述の構成において、Ｉ／Ｏ（１）から入った信号は伝送線路２を通り、ＩＣチップ３との接続点でインピーダンスが不連続となり、反射を起こす。この反射はＩ／Ｏ側に戻らずにグランドヴィア８を通してグランドに流れる。その結果、多重反射は起きない。
【００１６】
また、接合点で異常な伝送モードが発生してもＩＣチップ３には伝送せずグランドヴィアを通してグランドに流れる。その結果、多重反射は起きない。
ＩＣチップ３に入った信号は伝送線路４との接続点で不連続となり反射を起こす。その反射は伝送線路２に戻らずグランドヴィアを通してグランドに流れるため多重反射は起きない。また、接合点で異常な伝送モードが発生しても伝送線路４には伝送せずグランドヴィアを通してグランドに流れるため多重反射は起きない。
【００１７】
伝送線路４に入った信号はＩＣチップ５との接続点でインピーダンスが不連続となり、反射を起こす。この反射は伝送線路４に戻らずにグランドヴィアを通してグランドに流れため多重反射は起きない。
【００１８】
また、接合点で異常な伝送モードが発生してもＩＣチップ５には伝送せずグランドヴィアを通してグランドに流れるため多重反射は起きない。
同様にＩＣチップ５に入った信号は伝送線路６との接続点でインピーダンスが不連続となり、反射を起こす。この反射はＩＣチップ５に戻らずにグランドヴィアを通してグランドに流れため多重反射は起きない。
【００１９】
更に、接合点で異常な伝送モードが発生しても伝送線路６には伝送せずグランドヴィアを通してグランドに流れるため多重反射は起きない。
【００２０】
上述によればＩ／Ｏから入った信号の反射成分はグランドに流れるので多重反射を低減することができる。これに伴い共振周波数が高くなるので、高周波モジュールの群遅延特性や周波数特の劣化を低減することができる。
【００２１】
次に本発明の他の実施例について図２を用いて説明する。
この実施例はＩＣチップの回転角度を同方向にしたものであり、この実施例においても基板Ａとして図３に示す基板と同様の寸法のグランドヴィアを有する基板を用いている。所定の距離を隔てて配置されたＩＣチップ３，５は所定の角度θ（図ではＩＣチップ３の角度θ１を基板の長辺に対して時計回りに約４０度，ＩＣチップ５の角度θ２を基板の長辺に対してを時計回りに約４０度）傾けている。
【００２２】
また、この実施例においても３列に形成された伝送線路２，４，６において中心の線路を伝送線として用い（この線路が位置する部分にはグランドヴィア８が形成されていない）、両側の線路はグランドヴィア８に接するように配置されている。
従ってこの実施例においても伝送線路２とＩＣチップ３，５との接続点でインピーダンスが不連続となったり接合点で異常な伝送モードが発生してもその反射はグランドヴィアを通してグランドに流れる。
【００２３】
本発明の以上の説明は、説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。本実施例では基板およびＩＣチップの形状を矩形としたがこの形状に限るものではない。
【００２４】
また、ＩＣチップの回転角度を数値をあげて説明したが、これらの数値に限ることなく要は多重反射が最小限になるような角度であればよい。また信号線を含む伝送線路も実施例に限るものではない。特許請求の範囲の欄の記載により定義される本発明の範囲は、その範囲内の変更、変形を包含するものとする。
【００２５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板に伝送線路を形成し、前記基板にＩ／Ｏ，ＩＣチップを接続し、前記Ｉ／Ｏ，伝送線路，ＩＣチップの順またはその逆に信号が伝送されるように構成した高周波モジュールにおいて、前記基板としてグランドヴィアを有する基板を用い、伝送線路における信号伝送の方向とＩＣチップの端部の方向とを所定の角度に傾けて配置することにより、多重反射した信号が前記グランドヴィアに流れるように構成したので、多重反射を低減することができる。その結果、共振周波数が高くなるので、高周波モジュールの群遅延特性や周波数特の劣化を低減することができる。
【００２６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波モジュールの実施形態の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の高周波モジュールの他の実施形態を示す平面図である。
【図３】従来の高周波モジュールの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
Ａ，Ａ'    基板
１，７    Ｉ／Ｏ
２，４，６  伝送線路
３，５    Ｉ／Ｃチップ
８        グランドヴィア
９        パッド
１０      ワイヤーボンディング
【図１】
0003783857.tif 000002
【図２】
0003783857.tif 000003
【図３】
0003783857.tif 000004