(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に配置された導体パターンに対応させて半田を供給する半田供給方法において、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されているマスクを前記回路基板上に設置し、スリット状の開口を持つスリットノズルを先端に備えた半田ポットの内で半田を加熱溶融し、その後、前記スリットノズルを前記マスクの上面に押し当て、前記半田ポット内の溶融半田に圧力を加え、前記スリットノズルの開口から溶融半田を押し出しながら、前記スリットノズルを前記マスク上における水平方向に連続的に移動させ、前記マスクの各開口部内に溶融半田を順次充填させることにより、前記回路基板上における導体パターンに対して半田を供給することを特徴とする半田供給方法。
【請求項２】
回路基板上に配置された導体パターンに対応させて半田を供給する半田供給方法において、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されているマスクを前記回路基板上に設置し、微小開口を有する金網状あるいはパンチングメタルのメッシュによって底面を構成した半田ポットにより半田を加熱溶融し、その後、前記半田ポットの前記メッシュからなる底面を前記マスクに接触させた後、前記半田ポット内の溶融半田に圧力を加え、前記半田ポットのメッシュから溶融半田を射出させ、前記マスクの開口部内に溶融半田を充填させることにより、前記回路基板上における導体パターンに対して半田を供給することを特徴とする半田供給方法。
【請求項３】
前記回路基板上における導体パターンに対して溶融半田を供給する際、前記マスクと前記半田ポットにおける溶融半田供給部分との間に、不活性ガスあるいは還元ガスを供給することを特徴とする請求項１または２記載の半田供給方法。
【請求項４】
前記マスクに前記半田ポットにおける溶融半田供給部分を接触させたまま、前記マスクと前記半田ポットとを前記回路基板に対して位置決めして一体化させて、この一体化した状態で前記回路基板上における導体パターンに対して溶融半田を供給して塗布した後、前記半田ポットを前記マスクから離し、さらに前記マスクを回路基板から離すことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半田供給方法。
【請求項５】
前記回路基板上における導体パターンに対して溶融半田を供給する際、前記半田ポット内の溶融半田に対して超音波振動を加えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半田供給方法。
【請求項６】
請求項１記載の半田供給方法を用いて、回路基板上に配置された導体パターンに対応させて半田を供給する半田供給装置であって、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されているマスクを前記回路基板上に設置する手段と、内部において半田を加熱溶融するポット部および前記マスクの上面に押し当てられるスリット状の開口部を持つスリットノズルを有する半田ポットと、前記スリットノズルの開口部からマスクの開口部内に溶融半田を押し出すために前記半田ポット内の溶融半田に圧力を加える手段と、前記スリットノズルを前記マスク上における水平方向に移動させる手段とを備えたことを特徴とする半田供給装置。
【請求項７】
請求項２記載の半田供給方法を用いて、回路基板上に配置された導体パターンに対応させて半田を供給する半田供給装置であって、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されているマスクを前記回路基板上に密着させて設置する手段と、内部において半田を加熱溶融するポット部および微小開口を有する金網状あるいはパンチングメタルからなるメッシュ状の底面を有する半田ポットと、前記半田ポットのメッシュ状の底面からマスクの開口部内に溶融半田を射出させるために前記半田ポット内の溶融半田に圧力を加える手段とを備えたことを特徴とする半田供給装置。
【請求項８】
前記半田ポットの底面を、溶融半田が漏下しない大きさの微小な複数の孔を有するパンチングプレートにより構成したことを特徴とする請求項７記載の半田供給装置。
【請求項９】
前記半田ポットの溶融半田供給部における開口を、前記回路基板上における導体パターンに対応した前記マスクの開口部と同一位置のみに溶融半田を供給することができるように形成したことを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１０】
前記回路基板上における導体パターンに対して溶融半田を供給する際、前記マスクと前記半田ポットにおける溶融半田供給部分との間に、不活性ガスあるいは還元ガスを供給する手段を備えたことを特徴とする請求項６ないし請求項９のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１１】
前記マスクの開口部を段付きの貫通孔とし、その断面形状を、前記開口部における溶融半田側は外圧を加えなければ溶融半田が漏下しない微小径にし、かつ開口部における回路基板側は前記微小径の開口より大きな径にしたことを特徴とする請求項６ないし請求項10のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１２】
前記マスクの開口部をテーパー付きの貫通孔とし、その断面形状を、前記開口部における溶融半田側は外圧を加えなければ溶融半田が漏下しない微小径をなす三角形状としたことを特徴とする請求項６ないし請求項10のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１３】
前記マスクを熱膨張の少ない合金材によって形成したことを特徴とする請求項６ないし請求項12のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１４】
前記半田ポットに溶融半田を加圧するためのピストンを上下可能に設けたことを特徴とする請求項６ないし請求項1０のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１５】
前記半田ポット内の溶融半田に超音波振動を加えて、半田の導体パターンへの濡れ性を向上させるための加振部材を備えたことを特徴とする請求項６ないし請求項10のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【請求項１６】
前記マスクの開口部あるいは前記半田ポットの溶融半田供給部における開口に撥水性加工を施したことを特徴とする請求項６ないし請求項15のいずれか１項に記載の半田供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板への予備半田供給および電子部品の半田ボールならびにバンプを形成するために適用される半田供給方法および半田供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント基板への予備半田供給方法の第１の方法として、図31(a)〜(c)に示すように、まず、プリント基板１上に形成された導体パターン２にフラックス３を塗布し(図31(a))、その後に半田ゴテ20によって糸半田21を溶かして(図31(b))、プリント基板１上の導体パターン２上に半田23を供給する(図31(c))ような方法がある。
【０００３】
また第２の方法として、溶融した半田を噴流させ、電子部品とプリント基板とを半田接合する噴流半田装置にプリント基板のみを通し、プリント基板の導体パターン部に半田を濡れ付着させた後、スリットから圧縮エアーを吹き付けて不要な半田を飛ばすようにし、狭ピッチパターン部における半田ブリッジを解消する方法もある。
【０００４】
さらに第３の方法として、粉体状の半田粒子とフラックスなどを混練してペースト状にしたクリーム半田を用いて孔版印刷方法によって印刷する予備半田供給方法も一般的である。
【０００５】
すなわち、図32(a)〜(e)に示すように、まず、プリント基板上の導体パターンに対応した開口部５aが形成された厚み150μｍ程度のステンレスもしくはニッケル製のメタルマスク５(図32(a))を、プリント基板１上に開口部５aとプリント基板１の導体パターン２とを合わせるように密着させる(図32(b))。その後、前記のように粉体状の半田粒子とフラックスなどからなるクリーム半田22をスキージ25によってメタルマスク５の開口部５a内に押し込み、同時にメタルマスク５上の余分なクリーム半田22を掻き取る(図32(c))。この後、プリント基板１からメタルマスク５を版離させることにより、プリント基板１上の導体パターン２に対応してクリーム半田22が供給される(図32(d))。そして、このプリント基板１をリフロー炉などに入れて加熱し、クリーム半田22を溶融させることによって、金属半田12の予備半田供給が行われる(図32(e))。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半田供給方法においては、次のような問題がある。
【０００７】
すなわち、第１の方法では、個別の導体パターンごとに同様の作業を行う必要があるために作業能率が悪く、また導体パターンの１つ１つのパッドごとの半田にバラツキが生じてしまうという問題がある。
【０００８】
また、第２の方法のように、フロー半田付け装置による噴流半田を用いて基板に一括して溶融半田のコーティングをする方法では、生産効率は良いが、微小な導体パターンへの半田供給が難しいという問題がある。そして圧縮エアーによるエアーナイフ効果だけでは、特にピッチ0.5mm以下のパターンにおいて半田ブリッジ不良，半田量のバラツキが大きいなどの問題もあった。
【０００９】
さらに、第３の方法のように、クリーム半田をメタルマスクを使って所定の位置に半田を供給する場合、メタルマスクの開口部にクリーム半田を充填した後、メタルマスクを良好に版離れさせるためには、導体パターン幅に対してあまり厚いメタルマスクでは抜けが悪くなるため、クリーム半田層の厚みは導体パターンのパッド幅との比が0.8程度が限界となり、ピッチ0.2mm以下のファインパターン部の半田印刷、あるいは半田ボールの形成を目的とした場合のサイズの微小化に制限がある。
【００１０】
また、クリーム半田に含まれる半田粒子が完全に凝集し切れず、半田ボールとして基板の導体パターン付近に残ることがあり、これによって、回路上の電気的なショートを引き起こすおそれがあった。
【００１１】
また、微小なサイズの半田バンプ形成においても、クリーム半田に含まれる半田粒子の径が20〜40μmであるため、このままではピッチ200μm以下のパッドについてはメタルマスクの版離れが円滑に行えないか、あるいはメタルマスクの開口部に充填される半田量にバラツキが生じるという問題を有している。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、前記従来の問題を解決することにあって、生産能率が高く所定の導体パターン上に対する微小な予備半田供給、あるいは半田ボール，半田バンプの形成を安定して行うことを可能にした半田供給方法および半田供給装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、回路基板あるいは部品上の導体パターンに対応した開口部を形成したマスクを前記回路基板上に密着させ、その後、マスクの開口部内に溶融した半田を圧力を加えて、スリットノズルの開口から溶融半田を押し出しながら、スリットノズルをマスク上における水平方向に連続的に移動させ、前記マスクの各開口部内に溶融半田を順次充填させる半田供給方法、あるいは半田ポットのメッシュからなる底面をマスクに接触させ、前記と同様に圧力を加えてメッシュから溶融半田を射出させ、マスクの開口部内に溶融半田を充填させる半田供給方法、およびその方法を実施するための装置であって、溶融した半田を導体パターンに対応したマスクを介して半田を塗布することにより、所望量の半田を採取することが可能になり、半田量のバラツキの少ない半田供給が実現される。また使用する溶融半田は、クリーム半田に比べて粘度が低く、微小孔からの吐出が可能であって、ファインピッチパターンへの半田供給が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１〜図６は本発明の第１実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の工程の説明図である。回路基板１は表面に導体パターン２が形成されている構成である(図１)。次に半田供給工程であるが、回路基板１上にフラックス３をフラックスディスペンサー４により塗布する(図２)。その後、導体パターン２に対応した開口部６が形成されているマスク５を、マスク移動手段30によって回路基板１上に導電パターン２と開口部６との位置合わせをして密着させる(図３)。ただし、フラックス塗布はマスク５を回路基板１上に位置合わせし、密着させた後で行ってもよい。この場合、フラックスはマスク５の開口部６の部分にのみ供給されるようにする。
【００１６】
一方、半田ポット８には、半田をヒータ９によって加熱し、溶融半田７の状態として内部に蓄えておく、半田ポット８の下方には、溶融半田７を射出するスリット開口が形成された溶融半田供給部であるスリットノズル10が設けてある。この半田ポット８のスリットノズル10部を、回路基板１上に密着して設置されているマスク５に接触する。その後、半田ポット７の中へ圧縮ガス供給手段31から圧縮ガス15、例えばＮ2ガス，Ａrガスなどの不活性ガスあるいはＮ2ガスなどの還元ガスあるいは空気を注入する。Ｎ2ガスを用いれば半田の酸化を防止し、目詰まりなどを少なくすることができる。そして半田ポット８内の溶融半田７は、スリットノズル10から射出されてマスク５の開口部６の中へ注入される。
【００１７】
半田ポット８は、開口部６に射出された半田11が冷却凝固しないようにするため、ヒータ９によって加熱される。その加熱温度は、共晶半田で融点183℃、ポットからの射出時に250℃以上とする。射出された半田11はフラックスを介し、回路基板１の導体パターン２に濡れ付着する。次に、半田ポット８ならびにスリットノズル10を、Ｎ2ガス供給手段32からマスク５上にＮ2ガス24を吹き付けながら、ポット移動手段33によって水平に連続的に移動させる(図４)。
【００１８】
凝固していない半田11は表面張力のため、スリットノズル10側とマスク５の開口部６内に充填される側に分かれ、回路基板１上の導体パターン２のすべてに半田11が塗布されることになる。導体パターン２以外の部分は、マスク５の開口がなくて、マスク５によって覆われているため半田が付くことはない。
【００１９】
また導体パターン２に濡れ付着する半田11の量は、導体パターン２上に設置されたマスク５の開口部６の容量によって決まるため、安定した半田量の供給が行える。
【００２０】
この後、マスク移動手段30によって半田ポット８をマスク５から離す。すると回路基板１上に塗布された半田11は凝固して金属半田12となり、マスク５を基板より引き離すことによって(図５)、回路基板１の導体パターン２への半田供給が完了する(図６)。なお、ＢＧＡやＣＳＰパッケージの半田ボールのグリッド形成においては、さらにもう一度、リフロー炉に通してボール形状を整える処理を行う。
【００２１】
マスク５を介して、その開口部６へ溶融半田７を供給する方法に関しては、図１〜図６に基づいて説明したような、溶融半田を射出するスリットノズル10を水平方向に移動して、連続的に溶融半田を充填付着させる方法，構成でなく、後述するような半田塗布対象の面積以上の底面を有する半田ポット８´を使用して、一括して同時にすべてのマスク５の開口部６へ半田を供給する方法もある。
【００２２】
図７〜図15は、前記のように一括して同時にすべてのマスクの開口部へ半田を供給する、本発明の第２実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の工程の説明図である。なお、既に説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００２３】
まず、第１実施形態において説明したのと同様に、回路基板１上の導体パターン２へフラックス３を塗布し(図７，図８)、マスク５を開口部６が導体パターン２に対応するように密着させる(図９)。その後、半田ポット８´を垂直にマスク５上面に押し付ける。半田ポット８´内にはヒータ９によって半田が溶融半田７となって蓄えられている。半田ポット８´の底面はメッシュノズル13となっている(図10)。
【００２４】
半田ポット８´の底面は、図16(a)に示すように、微小な開口を持つメッシュノズル13であって、上方からの圧縮空気などによる圧力が加わらなければ、溶融半田７が表面張力により自重での落下(漏下)をしないような構成になっている。このメッシュノズル13に、化学メッキあるいは電気メッキによってテフロン(商品名)などの撥水メッキを施せば、メッシュノズル13に対する溶融半田の漏れが少なくなり、前記自重落下をより効果的に防止することができる。
【００２５】
次に図16(b)および図11に示すように、溶融半田７の上面から圧力Ｐを加えると溶融半田７はメッシュノズル13の各微小開口部から射出され、マスク５の開口部６内に充填される。開口部６への充填は導体パターン２のすべてに一括同時に行なわれる。充填された溶融半田７は導体パターン２に濡れ付着し、この後、圧力を無くすと(図16(c)，図12)、溶融半田７は、自身の表面張力によりメッシュノズル13の上面側と導体パターン２とに濡れて、マスク５の開口部６内において球面形状となって分離されることになり、半田11の一括塗布が行われる。
【００２６】
この後、図13〜図15に示すように、Ｎ2ガスをマスク５上に吹き付けながら半田ポット８´およびメッシュノズル13をマスク５から引き離し、次にマスク５を引き離すことによって、金属半田の回路基板１における導体パターン２上への供給が完了する。
【００２７】
なお、半田ポット８´の底面を構成するメッシュノズル13の構成としては、図17(a)に示す金網上のメッシュ、あるいは図17(b)に示す開口のあるパンチングメタルのようなものであってもよい。メッシュノズル13の材質としては、ステンレスあるいはインバーなどの熱膨張の少ない合金であり、かつ微小加工が可能な材質であり、しかも半田に漏れない表面処理を施すとよい。また250℃以上の高温環境においても耐熱性のあるポリイミド樹脂なども採用することができる。
【００２８】
この第２実施形態における方法，構成による半田塗布によれば、第１実施形態における方法，構成による半田塗布に比べて処理の速くなる一括塗布を行うことが可能であって、生産効率の高い半田供給を実現することができる。
【００２９】
図18〜図26は本発明の第３実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の工程の説明図である。
【００３０】
この第３実施形態は第２実施形態における半田ポットの構造とそれによる半田供給が異なっており、その他については第２実施形態と基本的には同様である。図18〜図20に示すように、回路基板１にフラックス３を塗布してマスク５を密着させた後、図21に示すように、回路基板１の導体パターン２およびマスク５の開口部６と同一箇所に溶融半田７が自重落下しない程度の微小なサイズの貫通孔14aを形成したマスクノズル14を底面に構成した半田ポット８´´により、一括して溶融半田７をマスク５の開口部６内に充填供給する(図22，図23)。
【００３１】
この後、図24〜図26に示すように、半田ポット８´´をマスク５から引き離し、次にマスク５を引き離すことによって、金属半田の回路基板１における導体パターン２上への供給が完了する。
【００３２】
この第３実施形態では、半田ポット８´´の汎用性は失われるが、必要部分にのみ溶融半田の流出用の開口が設けられるため、開口における半田の酸化を防ぐことができ、また精度よく半田の充填量を規制することができて、安定した半田供給が可能となる。
【００３３】
半田の酸化に関しては、既述したように、Ｎ2ガス24をマスク５と半田ポット８，８´，８´´の間に供給，充満させることにより、酸化を防止することができる。
【００３４】
なお、マスク５と半田ポット８，８´，８´´を同時に回路基板１に密着させ、溶融半田７の塗布処理の後、マスク５と半田ポット８，８´，８´´を同時に回路基板１から引き離すことも考えられる。
【００３５】
図27は本発明の第４実施形態を説明するための半田ポット８´´´の要部を示す断面図であり、この半田ポット８´´´は、マスク５にマスクノズル14を形成し、そのマスク５を半田ポット８´´´の底部に一体化したものである。図27の例におけるマスクノズル14は、マスク５の上側が小径であり、下側が大径になっている段付の複数の孔20から構成されている。図28は半田ポット８´´´の変形例を示し、図27の例とはマスクノズル14を構成する孔21の断面形状がテーパ状になっている点が異なっている。両例ともに半田ポット８´´´を、フラックスを塗布した後の回路基板１の導体パターン２に対して直接位置決めし、押し当てて溶融半田７を塗布する。
【００３６】
第４実施形態の半田ポット８´´´において、マスク５は常に高温であり、回路基板１を加熱してしまうため、回路基板１に熱膨張が生じて反りなどの不具合を発生しやすいので、あまり大きなサイズは難しい。しかし簡便な構造にて半田の供給を行うことが可能となる。
【００３７】
なお、溶融半田７をマスク５の開口部６に押し込むための圧力は、半田ポットポット内に圧縮ガスを加える他に、半田ポット８´´内において図29に示すようなシリンダ17によりピストン16を上下動させることによって、溶融半田７を押下するような構成によっても得ることができる。
【００３８】
さらに、図30に示すようにシリンダ17に超音波発振子18とＴ型のホーン19を付設し、半田ポット８´´内の溶融半田に超音波振動を加えてキャビテーションを発生させる構成にして、半田ポット８´´およびマスク５を回路基板１にセットした後、溶融半田７に圧力をかけてマスク５の開口部６内に半田11を充填させ、しかも、このとき溶融半田７が固まらないように、半田ポット８´´の温度をヒータ９によって加熱して上げておきながら、超音波26を溶融半田７に加えることにより、導体パターン２の表面の酸化膜が破壊され、半田が良好に濡れることになる。
【００３９】
このようにすることによって、事前のフラックスが全く必要なしに、あるいは非常に少量で済む半田供給を行うことが可能になる。
【００４０】
前記各実施形態によって説明したように、本半田供給方法とその装置は、回路基板上の所定の位置へ半田を所望量供給する方法において、基本的には、回路基板上の導体パターンに対応した開口部を形成したマスクを回路基板上に密着させ、マスクの開口部内に溶融した半田を充填し、回路基板の導体パターンへの溶融半田の濡れ力により、半田を導体パターンへ転写供給するものである。
【００４１】
このため、マスクの開口部に充填された溶融半田は導体パターンのパッドに漏れ広がり、ファンピッチな導体パターンに対してマスクの開口部がブリッジ不良を抑止する作用がある。次いで溶融半田に加えていた圧力をなくすと、導体パターンに濡れ付着した溶融半田とマスク上の溶融半田は、互いに表面張力により分裂して、導体パターン上に溶融半田が転写されることになる。
【００４２】
さらに、マスクの開口部から微小な孔を底面に有する半田ポットを通じて、マスクの開口部に溶融半田を射入する手段を採用することによって、溶融半田と導体パターンに漏れたマスクの開口部内の溶融半田は、半田ポットの底面の微小な孔において分離するため、供給される半田の量は、マスクの開口部における容積に比例して一層安定化することになる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半田供給方法および半田供給装置によれば、回路基板あるいは部品上の導体パターンに対応した開口部を形成したマスクを前記回路基板上に密着させ、その後、マスクの開口部内に溶融した半田を圧力を加えて、スリットノズルの開口から溶融半田を押し出しながら、スリットノズルをマスク上における水平方向に連続的に移動させ、前記マスクの各開口部内に溶融半田を順次充填させたり、あるいは半田ポットのメッシュからなる底面をマスクに接触させ、前記と同様に圧力を加えてメッシュから溶融半田を射出させ、マスクの開口部内に溶融半田を充填させたりして、溶融した半田を導体パターンに対応したマスクを介して半田を塗布することによって、所望量の半田を採取することができ、半田量のバラツキの少ない半田供給が実現される。また溶融半田はクリーム半田に比べて粘度も１／1000以上も低いため、微小孔からの吐出が可能であるため、ファインピッチパターンへの半田供給が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図４】本発明の第１実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図７】本発明の第２実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図である。
【図８】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図１０】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図１２】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図１３】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第７工程の説明図である。
【図１４】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第８工程の説明図である。
【図１５】本発明の第２実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第９工程の説明図である。
【図１６】本発明の第２実施形態における半田供給装置におけるメッシュノズル部分での溶融半田の動きを示す説明図である。
【図１７】メッシュノズルの構成例を示す斜視図である。
【図１８】本発明の第３実施形態を説明するための半田供給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図である。
【図１９】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図２０】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図２１】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図２２】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図２３】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図２４】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第７工程の説明図である。
【図２５】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第８工程の説明図である。
【図２６】本発明の第３実施形態における半田供給装置の構成および半田供給の第９工程の説明図である。
【図２７】本発明の第４実施形態を説明するための半田ポットの要部を示す断面図である。
【図２８】図27の半田ポットの変形例を示す断面図である。
【図２９】本実施形態における溶融半田への加圧構成の説明図である。
【図３０】本実施形態における溶融半田への加振構成の説明図である。
【図３１】従来のプリント基板への予備半田供給方法の説明図である。
【図３２】従来のプリント基板への予備半田供給方法の説明図である。
【符号の説明】
１…回路基板、  ２…導体パターン、  ３…フラックス、  ４…フラックスディスペンサー、  ５…マスク、  ６…マスクの開口部、  ７…溶融半田、  ８，８´，８´´，８´´´…半田ポット、  ９…ヒータ、  10…スリットノズル、  11…半田、  12…金属半田、  13…メッシュノズル、  14…マスクノズル、  16…ピストン、  17…シリンダ、  18…超音波発振子、  19…ホーン、  30…マスク移動手段、  31…圧縮ガス供給手段、  32…Ｎ2ガス供給手段、  33…ポット移動手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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