(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置が内部に配置される処理チャンバ内に、気体状態のカルボン酸を導入し、前記金属酸化物を金属に還元するとともに気体状態の二酸化炭素と水とを生成する気相清浄化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元は、前記金属酸化物に紫外線を照射しながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属は銅であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記カルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸および酪酸のうちいずれか１種であるであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記カルボン酸は、その組成に、塩素原子またはフッ素原子を１または２以上含んでいることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記カルボン酸は、不活性ガスと混合して、気体状態で前記金属酸化物に接触させるようにしたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元に続いて、還元後の表面に絶縁物を被覆することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元に続いて、還元後の表面に導体を被覆することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造装置において、
前記半導体装置が載置される処理台と、前記処理台の下部に配置されて前記半導体装置を加熱するヒータと、を有する処理チャンバと、
前記金属酸化物を還元するカルボン酸が貯蔵される貯蔵槽と、
前記処理チャンバと前記貯蔵槽との間に設けられた処理ガス供給用配管と、
前記処理ガス供給用配管の途中に設けられ、前記貯蔵槽から前記処理チャンバへ前記処理ガス供給用配管を流れるカルボン酸を気化する気化器と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記処理チャンバには、金属酸化物に紫外線を照射するための紫外線ランプが、前記処理台に対向配置されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関し、特に半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の電極材料、配線材料としては、アルミニウムが広く実用されてきた。しかし、近年の半導体装置の微細化や処理の高速化の要求に伴い、電極や配線の形成をアルミニウムで対応することは困難になってきている。そのため、アルミニウムの次世代材料として、エレクトロマイグレーションに強く、比抵抗の小さな銅を利用する試みが進められている。
【０００３】
電極材料や配線材料に銅を用いる場合、銅がエッチングの困難な材料であることから、電極や配線はダマシン法により形成される。この場合は、形成される電極や配線のアスペクト比を高くし、半導体装置の微細化、高速化を実現することが可能になる。
【０００４】
ところで、このような電極材料や配線材料として用いられる銅は、酸化されやすい性質を有しており、半導体装置の製造過程においては、電極や配線として形成した銅の表面に、酸化銅（ＣｕＯ）や亜酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）といった銅酸化物が生成する場合がある。この銅酸化物は、電気抵抗の上昇など、半導体装置の特性低下を招く。そのため、電極形成後あるいは配線形成後に、生成してしまった銅酸化物を除去するための清浄化処理が施される。
【０００５】
電極や配線の清浄化処理としては、気相または液相で行う方法が検討あるいは実用化されてきている。半導体装置の製造工程において、このような清浄化処理は、銅からなる下層配線を形成した後の化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing，ＣＭＰ）工程の後処理として行われる。あるいは下層配線まで通じるように絶縁層に形成した埋め込み電極用のビアホールや、その絶縁層に形成した配線用の溝を銅で埋め込んだ後のＣＭＰ工程の後処理としても行われる。また、ビアホールや溝に対する物理気相成長（Physical Vapor Deposition，ＰＶＤ）工程または化学気相成長（Chemical Vapor Deposition，ＣＶＤ）工程の前処理として行われる場合もある。
【０００６】
清浄化処理がＣＭＰ工程の後処理として行われる場合、通常、ブラシスクラバーによるパーティクル除去と、絶縁層上に生成した銅酸化物およびビアホールや溝に埋め込まれた銅に生成した銅酸化物の薬液による除去とが行われる。その際用いられる薬液としては、銅酸化物は除去するが金属銅に対してはエッチング作用の少ないものが選択される。例えば、クエン酸（Ｃ3Ｈ4(ＯＨ)(ＣＯＯＨ)3）やシュウ酸（(ＣＯＯＨ)2）などのカルボン酸、あるいはフッ化水素（ＨＦ）などがこのような薬液として用いられる。
【０００７】
また、清浄化処理がＰＶＤ工程の前処理として行われる場合には、下層配線に通じるビアホールに、ＰＶＤによってバリアメタルを堆積する前に行われる。そして、このバリアメタルが堆積されたビアホールに、ＰＶＤにより銅シードを堆積し、さらにその上にメッキにより銅を埋め込み、下層配線に接続した埋め込み電極が形成される。すなわち、この段階での清浄化処理により、バリアメタルを介する下層配線と埋め込み電極内の銅との間の電気的信頼性が高められることになる。
【０００８】
一方、清浄化処理がＣＶＤ工程の前処理として行なわれる場合には、埋め込み電極用のビアホールに銅を埋め込んだ後のＣＭＰ工程の終了後に、膜厚数百ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜などをＣＶＤによって形成する前に行われる。この窒化シリコン膜の形成により、下層配線や埋め込み電極からの絶縁層への銅の拡散とその銅の酸化が防止される。
【０００９】
このように清浄化処理がＰＶＤ工程またはＣＶＤ工程の前処理として行われる場合、その清浄化処理は、アルゴンのスパッタによって行われることが多い。
また、特開平２００１−２７１１９２号公報では、銅酸化物に水蒸気あるいは酢酸を作用させることにより、その銅酸化物を除去する方法が提案されている。また、特開平２００１−２５４１７８号公報では、ＣＶＤ装置などの処理チャンバに付着した金属薄膜に、カルボン酸またはその誘導体を含むクリーニングガスを作用させることにより、金属を錯体化して除去する方法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の清浄化処理には、以下に示すような問題点があった。
まず、ＣＭＰ工程の後処理として行われる清浄化処理では、パーティクル除去および薬液による除去が行われ、その後、付着している薬液除去のため、純水洗浄が行われる。しかし、この純水洗浄において、薬液が次第に除去されることによって洗浄水が酸性から中性に変化してｐＨ値が高くなっていくと、埋め込み電極や配線を形成している銅の浸食が起こるという問題点があった。
【００１１】
このとき、薬液濃度が高くｐＨ値が低い場合には、電極や配線の露出面における浸食が若干進行する程度である。しかし、薬液濃度が低くｐＨ値が高い場合には、電極や配線を形成している銅に局所的な浸食が起こって表面に凹凸が生じ、電極や配線の露出面の平坦性を保つことが困難であった。
【００１２】
また、ＰＶＤ工程の前処理として行われる清浄化処理では、アルゴンのスパッタによる物理的な除去方法であるため、薬液を用いることなく気相で処理することができる。しかし、下層配線に通じるように形成されたビアホールの底に露出している下層配線に、一旦除去した汚染物質が再付着する場合がある。また、ビアホールのエッジ部分がスパッタによって削られてしまい、微細な埋め込み電極形成ができなくなるという問題点があった。
【００１３】
一方、ＣＶＤ工程の前処理として行われる清浄化処理では、ＣＭＰ工程からＣＶＤ工程への移行の際に、各処理装置間での移動が必要になるため、配線を形成している銅が大気中にさらされ、銅が酸化されてしまう可能性が高くなる。
【００１４】
そのため、この場合には、ＣＶＤによる窒化シリコン膜の形成前に、ＣＶＤ装置内で、前処理として水素（Ｈ2）やアンモニア（ＮＨ3）などの還元性ガスによるプラズマ処理が行なわれる。しかし、このプラズマ処理は、温度４００℃程度という高温環境下での処理が必要となるため、露出している銅が熱によって再結晶化され、銅表面に凹凸が生じることがある。この場合、その後に窒化シリコンなどの絶縁材料を堆積する際に、局所的に絶縁材料の被覆が悪化するという問題が起きる。
【００１５】
また、気体状態の酢酸を用いた従来の清浄化処理では、薬液を使用せず、気相反応で銅酸化物を除去することは可能である。しかし、処理後に銅表面に残留する炭素質などの不純物を除去するために、さらに水蒸気で処理を行う必要があり、処理工程が複雑になる。
【００１６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の電極や配線を形成している金属に生成した金属酸化物を均一かつ効率的に還元して清浄化するための半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示す構成で実現可能な半導体装置の製造方法が提供される。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造方法において、前記半導体装置が内部に配置される処理チャンバ内に、気体状態のカルボン酸を導入し、前記金属酸化物を金属に還元するとともに気体状態の二酸化炭素と水とを生成する気相清浄化処理を行うことを特徴とする。
【００１８】
このような半導体装置の製造方法によれば、電極や配線を形成している、例えば銅などの金属に、金属酸化物が生成した被処理物２を、処理チャンバ３内に配置し、ヒータ８によって所定の温度に加熱した後、この処理チャンバ３内に、貯蔵槽１５に貯蔵されているカルボン酸を、処理ガス供給用配管１６を介して導入することで、被処理物２に生成している金属酸化物を金属に還元する。その際、処理チャンバ３に導入されるカルボン酸は、処理チャンバ３への導入前に、気化器１８によって気化され、加熱されている被処理物２の金属酸化物は、完全に気体状態となったカルボン酸によって還元される。このとき用いるカルボン酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸などが用いられる。この気相清浄化処理では、金属酸化物が金属に還元されるとともに、副生成物として、二酸化炭素および水が共に気体状態で生成するので、金属表面への不純物の残留が回避される。
【００１９】
また、本発明では、紫外線を照射しながら金属酸化物を還元する。この紫外線照射により、金属酸化物のカルボン酸による還元が促進され、気相清浄化処理における還元温度を低くすることができるようになる。また、カルボン酸として、その組成に、塩素原子またはフッ素原子を１または２以上含んでいるものを用いることによっても、還元温度を低くすることが可能になる。これにより、被処理物２が、その金属表面に凹凸が生じてしまうような高温下にさらされるといった状況が回避されるようになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
まず、本発明の半導体装置の製造方法における気相清浄化処理について説明する。本発明では、半導体装置の製造過程において、電極や配線を形成している銅に生成した酸化銅あるいは亜酸化銅といった銅酸化物を、気体状態のカルボン酸（ＲＣＯＯＨ，Ｒ＝Ｈ，ＣnＨ2n+1，ＣnＨmＸ2n-m+1（ｎ，ｍは自然数、Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ））を用いて還元する。
【００２１】
カルボン酸は、銅酸化物に対して還元剤として作用し、銅酸化物を金属銅（Ｃｕ）に還元し、二酸化炭素（ＣＯ2）および水（Ｈ2Ｏ）を生成する。例えば、カルボン酸としてギ酸（ＨＣＯＯＨ，（メタン酸（methanoic acid））を用いた場合、酸化銅は反応式ＨＣＯＯＨ＋ＣｕＯ→Ｃｕ＋ＣＯ2＋Ｈ2Ｏに基づいて、亜酸化銅は反応式ＨＣＯＯＨ＋Ｃｕ2Ｏ→２Ｃｕ＋ＣＯ2＋Ｈ2Ｏに基づいて、それぞれ金属銅に還元される。
【００２２】
ここで、ギ酸による酸化銅または亜酸化銅の還元反応における標準ギブズエネルギーは、上記反応式に基づいて生成するＨ2Ｏが気体状態の場合には、それぞれ約−１３２ｋＪ／ｍｏｌ、約−１１２ｋＪ／ｍｏｌとなる。すなわち、この還元反応は、金属銅を生成する方向に進行し易く、この方向に反応が進行する還元温度で処理を行うことにより、半導体装置の製造過程で電極や配線に生成した酸化銅あるいは亜酸化銅を還元することができるようになる。
【００２３】
また、電極や配線が形成される半導体基板である二酸化シリコン（ＳｉＯ2）については、反応式ＨＣＯＯＨ＋ＳｉＯ2→Ｓｉ＋ＣＯ2＋Ｈ2＋Ｏ2の標準ギブズエネルギーが、約＋８２５ｋＪ／ｍｏｌであるため、ギ酸による二酸化シリコンの還元が進行することはほとんどないものと考えられる。したがって、酸化銅あるいは亜酸化銅が選択的に還元される。
【００２４】
還元剤として用いるカルボン酸は、上記のギ酸のほか、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ，エタン酸（ethanoic acid））、プロピオン酸（Ｃ2Ｈ5ＣＯＯＨ，（プロパン酸（propanoic acid））、酪酸（Ｃ3Ｈ7ＣＯＯＨ，ブタン酸（butanoic acid））などの比較的沸点の低いものを用いるのが好ましい。これにより、後述する還元反応条件における還元温度を下げることが可能となるので、高温下にさらされることによる銅表面の凹凸の発生を防止することができる。また、カルボン酸に含まれる炭素量が多くなると、反応で生成する二酸化炭素も増加するため、その分、銅表面や二酸化シリコン表面に炭素質が残留する可能性もあり、カルボン酸が含有する炭素量は少ない方が好ましい。なお、還元剤として用いるカルボン酸としては、ギ酸を用いる場合が、最も反応が速やかに進行する。
【００２５】
また、還元温度を下げる目的で、構成元素にフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を少なくとも１元素含有するカルボン酸のうちの１種を用いることもできる。このような元素を含有するカルボン酸もまた、それが含有されていない場合のカルボン酸に比べて沸点が低いため、同様の効果を得ることができるようになる。例えば、前述したギ酸は、常温常圧条件下では液体状態であって、沸点は１００．８℃であるが、塩素またはフッ素を含有する場合には、その沸点が１００．８℃より低下する。このようにカルボン酸がフッ素または塩素をその成分に含んでいる場合には、フッ素または塩素は、還元反応でフッ化水素または塩化水素（ＨＣｌ）として生成されることになる。
【００２６】
次に、本実施の形態で用いる気相清浄化処理装置について説明する。図１は気相清浄化処理装置の概略図、図２は被処理物温度と処理ガス導入時期との関係を示す図である。
【００２７】
気相清浄化処理装置１は、被処理物２に対して気相清浄化処理を行うための処理チャンバ３と、この処理チャンバ３に隣接する予備チャンバ４を有しており、両者は開閉可能なゲートバルブ５で隔てられている。この予備チャンバ４内には、被処理物２を搬送するためのアーム６が設けられており、予備チャンバ４から処理チャンバ３へ、あるいは処理チャンバ３から予備チャンバ４へと、被処理物２を搬送できるようになっている。気相清浄化処理を行う被処理物２は、はじめに予備チャンバ４に導入される。
【００２８】
予備チャンバ４から処理チャンバ３内に搬入された被処理物２は、内部に設けられた石英ガラスからなる処理台７上に載置される。この処理台７の下部には、ヒータ８が設けられており、処理台７上に載置された被処理物２を加熱できるようになっている。
【００２９】
また、処理チャンバ３には、カルボン酸を含む処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口９、処理チャンバ３内に不活性な窒素（Ｎ2）ガスを導入するための処理チャンバガス導入口１０、および処理チャンバ３内のガスを排出するための処理チャンバガス排出口１１が設けられている。これら処理ガス導入口９、処理チャンバガス導入口１０および処理チャンバガス排出口１１は、それぞれバルブ９ａ，１０ａ，１１ａを備えている。ゲートバルブ５と共に、これらのバルブ９ａ，１０ａ，１１ａがすべて閉じられたときは、処理チャンバ３は、密閉状態となる。
【００３０】
予備チャンバ４には、被処理物２を外部から予備チャンバ４内に導入するための被処理物導入口１２、予備チャンバ４内に窒素ガスを導入するための予備チャンバガス導入口１３、および予備チャンバ４内のガスを排出するための予備チャンバガス排出口１４が設けられている。これらのうち、予備チャンバガス導入口１３および予備チャンバガス排出口１４には、それぞれバルブ１３ａ，１４ａが設けられている。ゲートバルブ５および被処理物導入口１２と共に、これらのバルブ１３ａ，１４ａが閉じられたときは、予備チャンバ４は、密閉状態となる。
【００３１】
被処理物２に対する気相清浄化処理を行うための処理ガスに含有されるカルボン酸は、液体状態で貯蔵槽１５に貯蔵される。この貯蔵槽１５には、アルゴン（Ａｒ）またはヘリウム（Ｈｅ）を導入することができるようになっている。この導入されるガスによって、貯蔵槽１５内の液体状態のカルボン酸が、貯蔵槽１５から処理チャンバ３へと通じる処理ガス供給用配管１６へと排出される。
【００３２】
カルボン酸は、貯蔵槽１５から処理ガス供給用配管１６へと排出されると、この処理ガス供給用配管１６の途中に設けられているマスフローコントローラ１７で流量調節されるようになっている。このマスフローコントローラ１７の下流側には、不活性ガスが導入されるキャリアガス導入口１８ａおよびヒータを備える気化器１８が設けられている。処理ガス供給用配管１６を流れるカルボン酸は、この気化器１８で完全に気化される。気化されたカルボン酸は、気化器１８内で、キャリアガス導入口１８ａから導入されるキャリアガスと混合され、処理チャンバ３へと導入される。
【００３３】
気化器１８と処理チャンバ３との間の処理ガス供給用配管１６は、その周囲を、リボンヒータや筒状ヒータなどのヒータによって加熱する。気化器１８で完全に気化されたカルボン酸が、処理チャンバ３への導入前に処理ガス供給用配管１６内で凝縮してしまうのを防ぐためである。
【００３４】
上記構成の気相清浄化処理装置１は、清浄化処理前の初期状態では、処理チャンバ３については、バルブ９ａ，１０ａおよびゲートバルブ５が閉じられ、ターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump，ＴＭＰ）などの排気ポンプによって、処理チャンバ３内の圧力が１０-6Ｐａ以下となるよう、排気されている。
【００３５】
一方、予備チャンバ４については、常圧の状態で、被処理物導入口１２およびバルブ１３ａ，１４ａが閉じられた状態になっている。これより前に、この予備チャンバ４が、負圧の状態になっている場合には、バルブ１３ａを開け、予備チャンバガス導入口１３から窒素を導入し、予備チャンバ４内を常圧の状態とする。
【００３６】
このような気相清浄化処理装置１において、被処理物２の気相清浄化処理を行う場合には、まず、被処理物２を、被処理物導入口１２から予備チャンバ４内に導入する。そして、被処理物導入口１２を閉じ、バルブ１４ａを開けて、予備チャンバ４内を、圧力１０-6Ｐａ以下となるまで排気する。
【００３７】
そして、ゲートバルブ５を開け、アーム６で被処理物２を処理チャンバ３へと搬送し、この被処理物２を処理台７に載置する。その後、ゲートバルブ５およびバルブ１１ａを閉じて、処理チャンバ３を密閉し、被処理物２をヒータ８によって加熱する。このとき、被処理物２の温度は、図２（ａ）に示すように、設定温度まで上昇していく。そして、図２（ｂ）に示すように、被処理物２が設定温度に到達した時点で、バルブ９ａを開け、気化器１８で気化されたカルボン酸を、キャリアガスと共に、処理ガス導入口９から処理チャンバ３内に導入する。処理ガスを処理チャンバ３内に導入し、処理チャンバ３内が設定圧力に到達した時点で、バルブ９ａを閉じ、図２（ｂ）に示したように、処理ガスの導入を停止する。被処理物２が設定温度に到達した時点から所定時間加熱を続け、この間、被処理物２の気相清浄化処理を行い、所定時間経過後は、図２（ａ）に示したように、加熱を終了し、被処理物２を放冷する。
【００３８】
気相清浄化処理終了後は、バルブ１１ａを開けて、処理チャンバ３内を、再び圧力１０-6Ｐａ以下まで排気する。次いで、ゲートバルブ５を開け、処理台７上に載置されている被処理物２を、アーム６によって予備チャンバ４へと搬送する。ここで、他の被処理物を続けて処理する場合には、これをアーム６によって処理チャンバ３内に搬送し、上記の処理を繰り返す。
【００３９】
気相清浄化処理後の被処理物２を予備チャンバ４から取り出す場合には、予備チャンバ４内に、予備チャンバガス導入口１３から窒素ガスを導入して復圧した後、被処理物導入口１２を開けて、被処理物２を取り出す。
【００４０】
なお、処理ガス供給用配管１６に設けられているバルブ１６ａを閉じ、かつ、バルブ１６ｂを開けた状態で、不活性ガスのみを流通し、ドレイン１９ａから排出すれば、マスフローコントローラ１７内をクリーニングすることができる。
【００４１】
また、バルブ９ａ，１６ｂを閉じておき、バルブ１６ａ，１６ｃを開けた状態で、不活性ガスのみを流通し、ドレイン１９ｂから排出すれば、気化器１８内をクリーニングすることもできる。さらに、バルブ９ａを閉じ、処理ガスを、処理チャンバ３に導入する前に、ドレイン１９ｂから排出すれば、カルボン酸が完全に気化された状態の処理ガスの流量およびカルボン酸の含有量を定常状態にしておくことも可能になる。この場合は、気相清浄化処理を行うときには、バルブ９ａを開けるとともに、バルブ１６ｃを閉じる。これにより、より安定した気相清浄化処理を行うことができるようになる。
【００４２】
処理チャンバ３に導入する処理ガスは、処理ガス導入後の気相清浄化処理時におけるカルボン酸の分圧が、カルボン酸の爆発限界濃度を考慮して、５０Ｐａから１００００Ｐａの範囲となるように設定する。また、導入する処理ガスは、水または酸素（Ｏ2）の含有量が１体積％以下としておく。この含有量が１体積％を超える場合には、競争反応によって、カルボン酸と銅酸化物の反応が進行しない可能性があるためである。
【００４３】
次に、気相清浄化処理装置１による気相清浄化処理を実施した例について説明する。本実施例では、図１に示した被処理物２として、気相清浄化処理の効果の確認を容易とするため、シリコン基板上に成膜した銅の表面を酸化することによって銅酸化膜を形成した処理基板に対して、気相清浄化処理を行った場合について述べる。
【００４４】
図３は処理基板の断面の模式図であって、（ａ）は初期状態、（ｂ）は酸化後の状態をそれぞれ示している。
処理基板２０ａは、酸化前の初期状態にあっては、図３（ａ）に示すように、シリコン基板２１に形成された二酸化シリコン膜２２上に、電界メッキによって銅薄膜２３が成膜された構造を有している。
【００４５】
処理基板２０ａを構成する各層の厚みは、シリコン基板２１と二酸化シリコン膜２２とは、合わせて略０．５ｍｍから略１ｍｍ程度であり、また、銅薄膜２３は、略１３５０ｎｍの膜厚で、二酸化シリコン膜２２上に成膜されている。
【００４６】
この処理基板２０ａを、温度２００℃に設定されたオーブンで６０分間、大気中で加熱する。これにより、図３（ｂ）に示すように、処理基板２０ａに成膜されている銅薄膜２３が酸化され、その表面に銅酸化膜２４が形成された処理基板２０ｂを得る。この大気酸化により、処理基板２０ｂの銅薄膜２３に、膜厚が略２７０ｎｍの銅酸化膜２４が形成される。
【００４７】
図４は処理基板の高周波グロー放電発光分析装置による測定結果であって、（ａ）は初期状態、（ｂ）は酸化後の状態の処理基板の測定結果をそれぞれ示している。
【００４８】
分析には、高周波グロー放電発光分析装置（Glow Discharge Spectrometer，ＧＤＳ、株式会社リガクＳＹＳＴＥＭ３８６０）を使用し、分析モードを高周波定電力モード、測定ターゲットをＣｕ成分、Ｏ成分およびＳｉ成分の３種とし、アノード径４ｍｍφ、電力４０Ｗ、アルゴン流量２００ｃｃ／ｍｉｎ、サンプリング間隔５０ｍｓｅｃ、測定時間３０ｓｅｃで測定を行った。ここでは、得られた測定結果に対しては、スムージング処理（１１点）を施している。
【００４９】
図３に示した処理基板２０ａ，２０ｂについて、その分析時間に対する発光強度の変化を測定する。図４の測定結果において、横軸は分析時間（ｓｅｃ）を示し、縦軸は各分析時間に対する各成分元素の発光強度（Ｖ）を示している。ここで、ＧＤＳ分析における分析時間は、測定している処理基板２０ａ，２０ｂの深さに変換可能であり、また、各成分元素の発光強度は、各成分元素の元素濃度に変換可能である。すなわち、このＧＤＳ分析により、処理基板２０ａ，２０ｂの深さ方向の元素濃度変化についての情報を得ることができる。
【００５０】
初期状態の処理基板２０ａでは、図４（ａ）に示したように、その分析初期からＣｕ成分が検出されはじめ、Ｏ成分およびＳｉ成分は、Ｃｕ成分の発光強度の低下に伴い検出されている。さらに分析時間が経過し、Ｃｕ成分およびＯ成分が共に検出されなくなると、Ｓｉ成分のみが検出されるようになる。これにより、分析初期には、図３（ａ）に示した銅薄膜２３が検出され、その後、銅薄膜２３の下にある二酸化シリコン膜２２が検出され、最後にシリコン基板２１が検出されていることがわかる。
【００５１】
一方、大気酸化後の処理基板２０ｂについてＧＤＳ分析を行ったところ、図４（ｂ）に示したように、分析初期からＣｕ成分と共にＯ成分が検出されている。その後、Ｃｕ成分については、その発光強度が増加し、以後、発光強度は、図４（ａ）に示した場合と同様に変化する。また、Ｏ成分については、分析初期に検出された後、一旦検出されなくなり、以後、その発光強度は、図４（ａ）に示した場合と同様に変化する。Ｓｉ成分についても、図４（ａ）に示した場合と同様に変化している。これにより、大気酸化によって処理基板２０ｂの銅薄膜２３の表面に、銅酸化膜２４が形成されていることがわかる。
【００５２】
この銅酸化膜２４が形成された処理基板２０ｂを用いて、図１に示した気相清浄化処理装置１により、ギ酸による銅酸化膜２４の気相清浄化処理を、還元温度（処理基板温度）、処理チャンバ３内の圧力および還元時間をそれぞれ変化させて行った。
【００５３】
図５は還元温度２００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【００５４】
還元温度を２００℃にし、図１に示した処理チャンバ３内部の圧力を１００Ｔｏｒｒにした状態で気相清浄化処理を行った場合には、図５（ａ）に示すように、分析初期からＯ成分が検出されており、処理基板２０ｂの表面には銅酸化膜２４がまだ残っている。すなわち、図４（ｂ）に示したＧＤＳ測定結果からほとんど変化が認められていない。
【００５５】
また、処理チャンバ３内部の圧力を２００Ｔｏｒｒ、３００Ｔｏｒｒにして処理チャンバ３内に含まれるギ酸の量を増加させた場合も、図５（ｂ）および図５（ｃ）にそれぞれ示すように、ＧＤＳ測定結果にはほとんど変化は認められなかった。したがって、気相清浄化処理の還元温度が２００℃の場合には、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４を還元することはできない。
【００５６】
図６は還元温度３００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【００５７】
還元温度を３００℃にし、図１に示した処理チャンバ３内部の圧力を１００Ｔｏｒｒにした状態で気相清浄化処理を行った場合には、図６（ａ）に示すように、分析初期からＣｕ成分が検出され、Ｏ成分の検出は認められず、Ｏ成分は、Ｃｕ成分の発光強度の低下に伴い検出されている。これは、図４（ａ）に示した初期状態の処理基板２０ａのＧＤＳ測定結果にほぼ一致している。
【００５８】
また、処理チャンバ３内部の圧力を２００Ｔｏｒｒ、３００Ｔｏｒｒにして処理チャンバ３内に含まれるギ酸の量を増加させた場合も同様に、図６（ｂ）および図６（ｃ）にそれぞれ示すように、分析初期にＯ成分は検出されていない。したがって、気相清浄化処理の還元温度を３００℃とすることにより、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４を還元することができる。
【００５９】
図７は還元温度４００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【００６０】
還元温度を４００℃にし、図１に示した処理チャンバ３内部の圧力を１００Ｔｏｒｒにした状態で気相清浄化処理を行った場合も、図７（ａ）に示すように、分析初期からＣｕ成分が検出され、Ｏ成分の検出は認められず、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４が還元されていることがわかる。
【００６１】
また、圧力を２００Ｔｏｒｒ、３００Ｔｏｒｒにした場合も同様に、図７（ｂ）および図７（ｃ）にそれぞれ示すように、分析初期にＯ成分は検出されていない。このことから、気相清浄化処理の還元温度を４００℃とすることにより、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４を還元することができる。
【００６２】
図８は還元温度４００℃で１分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒ、（ｄ）は圧力４００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【００６３】
還元温度は４００℃で、図１に示した処理チャンバ３内部の圧力を１００Ｔｏｒｒにし、その還元時間を３分間から１分間に短縮した場合であっても、図８（ａ）に示すように、分析初期からＣｕ成分が検出され、Ｏ成分の検出は認められず、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４が還元されていることがわかる。
【００６４】
また、圧力を２００Ｔｏｒｒ、３００Ｔｏｒｒおよび４００Ｔｏｒｒにした場合も同様に、図８（ｂ）、図８（ｃ）および図８（ｄ）にそれぞれ示すように、分析初期にＯ成分は検出されず、このことから、気相清浄化処理の還元温度が４００℃であれば、還元時間を短縮しても、図３（ｂ）に示した処理基板２０ｂの銅酸化膜２４を還元することが可能である。
【００６５】
ここで、還元温度が２５０℃よりも低い場合には、気相清浄化処理における還元反応で充分な反応速度を得ることができない。また、還元温度が４００℃を超える場合には、銅結晶粒の成長が促進され、銅表面に凹凸が生じることがあり、実用上は、この４００℃が気相清浄化処理の上限温度と考えられる。
【００６６】
このように、還元温度が２５０℃から４００℃の範囲の場合には、充分な反応速度を得ることができ、還元時間を３分間または１分間という短時間に設定して還元反応を行うことができる。これにより、気相清浄化処理を効率的に行うことができるとともに、処理基板２０ａ，２０ｂが高温下にさらされる時間も短くなるので、気相清浄化処理における銅表面の凹凸の発生を防止することができる。
【００６７】
以上説明したように、半導体装置製造工程において、気体状態のカルボン酸を用いて、電極や配線を形成している銅に生成した銅酸化物を還元する気相清浄化処理を、処理チャンバ内のカルボン酸の分圧を５０Ｐａから１００００Ｐａの範囲とし、還元温度２５０℃から４００℃、全圧１００Ｔｏｒｒから３００Ｔｏｒｒで還元時間３分、特に還元温度４００℃の場合には、圧力１００Ｔｏｒｒから４００Ｔｏｒｒで還元時間１分の反応条件で処理することにより、電極や配線の表面に凹凸を生じさせることなく、均一に銅酸化物を還元することができる。また、短い還元時間で気相清浄化処理を行うことができる。
【００６８】
さらに、本発明に係る気相清浄化処理において生成する二酸化炭素および水は、上記の反応条件においては気体状態であるため、気相清浄化処理後に、これらが不純物として残留することがない。したがって、従来のような水蒸気による処理を必要とせず、気相清浄化処理後の工程に影響を及ぼすことなく、安定した特性を有する半導体装置を製造することが可能になる。
【００６９】
なお、上記の説明において、図１に示した気相清浄化処理装置１は、その被処理物２の加熱機構として、処理チャンバ３に設けられたヒータ８のみを有している構成としたが、被処理物２に紫外線（Ultraviolet，ＵＶ）を照射しながら気相清浄化処理を行えるように構成することもできる。
【００７０】
図９はＵＶ照射可能な気相清浄化処理装置における処理チャンバおよび予備チャンバの概略の断面図、図１０はＵＶ照射可能な気相清浄化処理装置における処理チャンバおよび予備チャンバの概略の斜視図である。ただし、図１に示した気相清浄化処理装置１と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【００７１】
気相清浄化処理を行う被処理物２にＵＶ照射が可能な気相清浄化処理装置１ａには、図９および図１０に示すように、処理チャンバ３０および予備チャンバ４を有しており、両者は、ゲートバルブ５で隔てられている。この処理チャンバ３０には、被処理物２を載置する処理台７およびヒータ８のほか、バルブ９ａ，１０ａ，１１ａをそれぞれ備えた処理ガス導入口９、処理チャンバガス導入口１０および処理チャンバガス排出口１１が設けられている。処理ガス供給用配管１６を流通する処理ガスは、処理ガス導入口９から処理チャンバ３０内に導入される。
【００７２】
処理チャンバ３０は、処理台７に対向する位置に、処理ガス導入口９に対応する部分が開口された円盤状のＵＶランプ３１を備え、気相清浄化処理の際、処理台７に載置されている被処理物２の全面に対して、ＵＶ照射ができるようになっている。
【００７３】
このように、被処理物２にＵＶ照射することにより、カルボン酸による銅酸化物の還元反応を促進して、その反応速度を大きくすることができ、気相清浄化処理をより効率的に行うことができるようになる。
【００７４】
また、ＣＶＤ工程またはＰＶＤ工程における各装置を、上記の気相清浄化処理装置１，１ａと組み合わせ、気相清浄化処理を、ＣＶＤ処理またはＰＶＤ処理と連続して行うことも可能である。
【００７５】
図１１は製造過程における半導体装置の断面図である。半導体装置４０には、二酸化シリコンからなる第１の絶縁層４１に、ダマシン法で形成された銅からなる下層配線４２が形成されている。この下層配線４２の形成後に、窒化シリコンあるいは炭化シリコン（ＳｉＣ）などがＣＶＤによって堆積されてエッチストッパ４３が形成され、さらにその上層に第２の絶縁層４４が形成されている。この第２の絶縁層４４およびその下層に形成されているエッチストッパ４３のうち、下層配線４２に通じるビアホール４５が形成される部分は、エッチングによって除去されている。
【００７６】
このエッチングにより露出した下層配線４２の表面には、下層配線４２を形成している銅の酸化を防止するため、窒化チタン（ＴｉＮ）などの導体４６が、ＰＶＤによって堆積される。
【００７７】
その際、気相清浄化処理とＰＶＤ処理とを連続して処理することのできる構成としている場合には、まず、エッチングによって下層配線４２を露出させた後、気相清浄化処理によって露出表面を清浄化し、次いで、導体４６の堆積を行う。その後に、ビアホール４５に電極材料である銅を埋め込むことにより、下層配線４２とビアホール４５内に埋め込まれる銅との間の電気的信頼性が損なわれることがなくなり、安定した特性の半導体装置を効率的に製造することが可能となる。
【００７８】
図１２は製造過程における半導体装置の断面図であって、（ａ）はエッチング後、（ｂ）は電極および配線への銅の埋め込み後の状態をそれぞれ示している。半導体装置５０には、図１２（ａ）に示すように、シリコンウェハ５１上に形成された二酸化シリコンからなる第１の絶縁層５２に、ダマシン法で形成された銅からなる下層配線５３が形成されている。この下層配線５３の形成後に、窒化シリコンあるいは炭化シリコンなどが、ＣＶＤによって堆積されて第１のエッチストッパ５４が形成され、さらにその上層に第２の絶縁層５５が形成されている。
【００７９】
この第２の絶縁層５５には、下層配線５３に通じるビアホール５６および配線用の溝５７が形成される。第２の絶縁層５５およびその下層に形成されている第１のエッチストッパ５４のうち、ビアホール５６が形成される部分は、エッチングによって除去されている。このエッチングによって下層配線５３を露出させた後、ビアホール５６および溝５７に、電極材料である銅を埋め込み、図１２（ｂ）に示すように、配線５８および埋め込み電極５９を形成する。次いで、ＣＭＰ処理によって表面を平坦化し、埋め込まれた銅の酸化防止と拡散防止のため、ＣＶＤにより、第２のエッチストッパ６０を形成し、全面を被覆する。
【００８０】
その際、気相清浄化処理とＣＶＤ処理とを連続して処理することのできる構成としている場合には、ビアホール５６および溝５７に銅を埋め込んでＣＭＰ処理を行った後、第２のエッチストッパ６０の被覆前に、気相清浄化処理によって銅表面を清浄化し、その後に、第２のエッチストッパ６０で被覆するようにする。これにより、電極や配線の銅表面に凹凸を生じさせることなく、平坦な銅表面上に第２のエッチストッパ６０を被覆することができるので、第２のエッチストッパ６０の被覆が局所的に悪化するといった状況を回避することができる。
【００８１】
なお、以上の説明では、半導体装置の電極材料、配線材料に銅を使用している場合の気相清浄化処理について述べたが、本発明に係る気相清浄化処理は、現在広く用いられているアルミニウムや銀といった銅以外の金属、あるいは銅を主材料とする金属材料を使用している半導体装置の製造にも適用することが可能である。
【００８２】
（付記１）  半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置が内部に配置される処理チャンバ内に、気体状態のカルボン酸を導入し、前記金属酸化物を金属に還元するとともに気体状態の二酸化炭素と水とを生成する気相清浄化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８３】
（付記２）  前記気相清浄化処理における前記カルボン酸の分圧は、５０Ｐａないし１００００Ｐａの範囲とすることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００８４】
（付記３）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元温度は、略２５０℃ないし略４００℃であることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００８５】
（付記４）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元時間は、略３分間であることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元温度が、略４００℃である場合には、前記還元時間は、略１分間であることを特徴とする付記４記載の半導体装置の製造方法。
【００８６】
（付記６）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元は、前記金属酸化物に紫外線を照射しながら行うことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００８７】
（付記７）  前記金属は銅であることを特徴とする付記１または６記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）  前記カルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸および酪酸のうちいずれか１種であるであることを特徴とする付記１、付記６または７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【００８８】
（付記９）  前記カルボン酸は、その組成に、塩素原子またはフッ素原子を１または２以上含んでいることを特徴とする付記８記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）  前記カルボン酸は、不活性ガスと混合して、気体状態で前記金属酸化物に接触させるようにしたことを特徴とする付記１、付記６から９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【００８９】
（付記１１）  気体状態で前記金属酸化物に接触させる前記カルボン酸と前記不活性ガスとの混合物における水の含有量は、１体積％以下であることを特徴とする付記１０記載の半導体装置の製造方法。
【００９０】
（付記１２）  気体状態で前記金属酸化物に接触させる前記カルボン酸と前記不活性ガスとの混合物の酸素の含有量は、１体積％以下であることを特徴とする付記１０記載の半導体装置の製造方法。
【００９１】
（付記１３）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元に続いて、還元後の表面に絶縁物を被覆することを特徴とする付記１、付記６から１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【００９２】
（付記１４）  前記気相清浄化処理における前記金属酸化物の還元に続いて、還元後の表面に導体を被覆することを特徴とする付記１、付記６から１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【００９３】
（付記１５）  半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を還元する清浄化処理を行う半導体装置の製造装置において、
前記半導体装置が載置される処理台と、前記処理台の下部に配置されて前記半導体装置を加熱するヒータと、を有する処理チャンバと、
前記金属酸化物を還元するカルボン酸が貯蔵される貯蔵槽と、
前記処理チャンバと前記貯蔵槽との間に設けられた処理ガス供給用配管と、
前記処理ガス供給用配管の途中に設けられ、前記貯蔵槽から前記処理チャンバへ前記処理ガス供給用配管を流れるカルボン酸を気化する気化器と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【００９４】
（付記１６）  前記処理チャンバには、金属酸化物に紫外線を照射するための紫外線ランプが、前記処理台に対向配置されていることを特徴とする付記１５記載の半導体装置の製造装置。
【００９５】
（付記１７）  前記処理チャンバと前記気化器との間の前記処理ガス供給用配管の周囲に、前記処理ガス供給用配管を流れるカルボン酸を凝縮させないための加熱機構を備えることを特徴とする付記１５記載の半導体装置の製造装置。
【００９６】
（付記１８）  前記処理ガス供給用配管は、前記気化器の下流側に、前記処理ガス供給用配管を流れる流体を排出するためのドレインを有していることを特徴とする付記１５記載の半導体装置の製造装置。
【００９７】
（付記１９）  前記処理ガス供給用配管は、前記気化器の上流側に、前記処理ガス供給用配管を流れる流体を排出するためのドレインを有していることを特徴とする付記１５記載の半導体装置の製造装置。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を、気体状態のカルボン酸によって金属に還元する気相清浄化処理を行うようにした。これにより、電極や配線の表面に凹凸を生じさせることなく、均一に金属酸化物を還元することができる。
【００９９】
さらに、本発明の気相清浄化処理では、還元反応の副生成物である二酸化炭素と水とが共に気体状態で生成するようにしたことで、銅表面への不純物の残留を回避することができる。
【０１００】
また、気相清浄化処理を、金属酸化物に対して紫外線を照射しながら行うことにより、還元温度を低下させることができ、金属表面に凹凸が生じてしまうような高温下にさらされるといった状況を回避することができる。さらに、気相清浄化処理に用いるカルボン酸の種類を適当に選択することによっても、還元温度を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】気相清浄化処理装置の概略図である。
【図２】被処理物温度と処理ガス導入時期との関係を示す図である。
【図３】処理基板の断面の模式図であって、（ａ）は初期状態、（ｂ）は酸化後の状態をそれぞれ示している。
【図４】処理基板の高周波グロー放電発光分析装置による測定結果であって、（ａ）は初期状態、（ｂ）は酸化後の状態の処理基板の測定結果をそれぞれ示している。
【図５】還元温度２００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【図６】還元温度３００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【図７】還元温度４００℃で３分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【図８】還元温度４００℃で１分間の気相清浄化処理を行ったときのＧＤＳ測定結果であって、（ａ）は圧力１００Ｔｏｒｒ、（ｂ）は圧力２００Ｔｏｒｒ、（ｃ）は圧力３００Ｔｏｒｒ、（ｄ）は圧力４００Ｔｏｒｒでそれぞれ還元した場合のＧＤＳ測定結果を示している。
【図９】ＵＶ照射可能な気相清浄化処理装置における処理チャンバおよび予備チャンバの概略の断面図である。
【図１０】ＵＶ照射可能な気相清浄化処理装置における処理チャンバおよび予備チャンバの概略の斜視図である。
【図１１】製造過程における半導体装置の断面図である。
【図１２】製造過程における半導体装置の断面図であって、（ａ）はエッチング後、（ｂ）は電極および配線への銅の埋め込み後の状態をそれぞれ示している。
【符号の説明】
１，１ａ  気相清浄化処理装置
２  被処理物
３  処理チャンバ
４  予備チャンバ
５  ゲートバルブ
６  アーム
７  処理台
８  ヒータ
９  処理ガス導入口
１０  処理チャンバガス導入口
１１  処理チャンバガス排出口
１２  被処理物導入口
１３  予備チャンバガス導入口
１４  予備チャンバガス排出口
１５  貯蔵槽
１６  処理ガス供給用配管
１７  マスフローコントローラ
１８  気化器
１９ａ，１９ｂ  ドレイン
９ａ，１０ａ，１１ａ，１３ａ，１４ａ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ  バルブ
２０ａ，２０ｂ  処理基板
２１  シリコン基板
２２  二酸化シリコン膜
２３  銅薄膜
２４  銅酸化膜
３０  処理チャンバ
３１  ランプ
４０，５０  半導体装置
４１，５２  第１の絶縁層
４２，５３  下層配線
４３  エッチストッパ
４４，５５  第２の絶縁層
４５，５６  ビアホール
４６  導体
５１  シリコンウェハ
５４  第１のエッチストッパ
５７  溝
５８  配線
５９  埋め込み電極
６０  第２のエッチストッパ
【図１】
0003734447.tif 000002
【図２】
0003734447.tif 000003
【図３】
0003734447.tif 000004
【図４】
0003734447.tif 000005
【図５】
0003734447.tif 000006
【図６】
0003734447.tif 000007
【図７】
0003734447.tif 000008
【図８】
0003734447.tif 000009
【図９】
0003734447.tif 000010
【図１０】
0003734447.tif 000011
【図１１】
0003734447.tif 000012
【図１２】
0003734447.tif 000013