(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
0003785474.tif 000007
（式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｍは０又は１の整数を示し、ｎは０又は１の整数を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄは各々０〜４の整数であり、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＞０である。）で表される構造単位を有することを特徴とするホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホン。
【請求項２】
一般式（１）において、ｍが１で、ｎが１であり、さらにＲ1及びＲ2がメチル基であることを特徴とする請求項１に記載のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホン。
【請求項３】
一般式（１）において、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホン。
【請求項４】
下記一般式（２）
【化２】
0003785474.tif 000008
（式中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｉは０又は１の整数を示し、ｊは０又は１の整数を示し、ｅ、ｆ、ｇ、ｈは各々０〜４の整数であり、かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＞０である。）で表される構造単位を有するホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンを酸化剤の存下で酸化させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの製造方法。
【請求項５】
酸化剤として過安息香酸類を用いることを特徴とする請求項４に記載のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの製造方法。
【請求項６】
酸化剤が、ｍ−クロロ過安息香酸であることを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規なポリアリーレンエーテルスルホン及びその製造方法に関する。本発明のポリアリーレンエーテルスルホンは、反応性の高いホルミルオキシ基を持つことから様々な官能基に変換することができ、耐熱性と電気特性を併せ持つ高分子材料の前駆体として有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ポリアリーレンエーテルスルホンは高耐熱性かつ高耐薬品性のエンジニアリングプラスチックとして、様々な分野で用いられている。しかし、該ポリアリーレンエーテルスルホンは耐熱性や耐薬品性に優れるが、電気的には絶縁性物質であり、電気を通すことはできない。近年、高耐熱性かつ高耐薬品性を持ち、さらに導電性を持つような高機能の高分子材料が求められ、その導電性を持たせる方法として、イオン交換が可能な官能基の導入が試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は耐熱性と電気特性を併せ持つ高分子材料の前駆体として有用なホルミルオキシ基を持つ新規なポリアリーレンエーテルスルホン及びその製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討を行った結果、新規なポリアリーレンエーテルスルホンを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
即ち、本発明は、下記一般式（１）
【０００６】
【化３】
0003785474.tif 000002
（式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｍは０又は１の整数を示し、ｎは０又は１の整数を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄは各々０〜４の整数であり、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＞０である。）で表される構造単位を有するホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホン及びその製造方法に関するものである。
【０００７】
本発明のポリアリーレンエーテルスルホンは、その構造単位において、上記一般式（１）で示される構造単位を有することを特徴とする。
【０００８】
一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。炭素数１〜６のアルキル基としては特に限定されるものではないが、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。また、Ｒ1とＲ2が連結したテトラメチレン基、ペンタメチレン基も挙げられる。
【０００９】
本発明のポリアリーレンエーテルスルホンのうち、下記一般式（３）
【００１０】
【化４】
0003785474.tif 000003
（式中、ｏ、ｐ、ｑ、ｒは各々０〜４の整数であり、かつｏ＋ｐ＋ｑ＋ｒ＞０である。）で表される構造単位を有するポリアリーレンエーテルスルホン、また下記一般式（４）
【００１１】
【化５】
0003785474.tif 000004
（式中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖは各々０〜４の整数であり、かつｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＞０である。）で表される構造単位を有するポリアリーレンエーテルスルホン、さらに下記一般式（５）
【００１２】
【化６】
0003785474.tif 000005
（式中、ｘ、ｙ、ｚは各々０〜４の整数であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＞０である。）で表される構造単位を有するポリアリーレンエーテルスルホンが取り扱い易く好ましい。これらのうち、一般式（３）で示されるポリアリーレンエーテルスルホンが特に好ましい。
【００１３】
本発明のポリアリーレンエーテルスルホンは、耐熱性に優れ、溶媒に対する溶解性が高く取り扱い性に優れることから、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１，０００〜５００，０００であることが好ましく、特に５，０００〜３００，０００であることが好ましい。ここでいう重量平均分子量とは、例えば本発明のポリアリーレンエーテルスルホンを臭化リチウムが混合されたＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、ポリマー溶液の濃度を１ｇ／ｌに調整後、この溶液を室温下でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィに注入し得られるクロマトグラムより標準ポリスチレン換算値として測定することができる。また、本発明のポリアリーレンエーテルスルホンは、上記一般式（１）で示される構造単位を有していれば、単独重合体又は共重合体であってもよい。
【００１４】
本発明のポリアリーレンエーテルスルホンは、いかなる方法により製造されても差し支えないが、例えば、下記一般式（２）
【００１５】
【化７】
0003785474.tif 000006
（式中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｉは０又は１の整数を示し、ｊは０又は１の整数を示し、ｅ、ｆ、ｇ、ｈは各々０〜４の整数であり、かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＞０である。）で表される構造単位を有するホルミル基を持ったポリアリーレンエーテルスルホンを酸化剤の存在下で酸化させることにより、効率的に製造することができる。
【００１６】
上記一般式（２）において、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。炭素数１〜６のアルキル基としては特に限定されるものではないが、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。また、Ｒ3とＲ4が連結したテトラメチレン基、ペンタメチレン基も挙げられる。
【００１７】
本発明の方法で使用される上記一般式（２）で示されるポリアリーレンエーテルスルホンの製造方法としては、例えば市販されているポリスルホン、ポリエーテルスルホン等のポリアリーレンエーテルスルホンをＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：  Ｐａｒｔ  Ａ；  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００１，ＶＯＬ．３９，６７５−６８２で報告された方法等によりホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンを合成することができる。
【００１８】
本発明の方法で使用される酸化剤としては、ホルミル基を持ったポリアリーレンエーテルスルホンを酸化することが可能であれば、特に限定されるものではないが、例えば過ギ酸、過酢酸、トリフルオロ過酢酸、モノペルオキシマレイン酸等の過酸類；過安息香酸、ｍ−クロロ過安息香酸、３，５−ジニトロ過安息香酸、ｐ−ニトロ過安息香酸、モノペルオキシフタル酸等の過安息香酸類；過安息香酸ブチル、過安息香酸ヘキシル、過ネオデカン酸クミル、過ネオデカン酸テトラメチルブチル、過ネオデカン酸ヘキシル、過ネオデカン酸ブチル、過ピバリン酸ヘキシル、過ピバリン酸ブチル、過−２−エチルヘキサン酸テトラメチルブチル、過−２−エチルヘキサン酸ブチル、過イソブチル酸ブチル、過イソプロピオン酸ヘキシル、過トリメチルヘキサン酸ブチル、過ラウリン酸ブチル、過酢酸ブチル、過イソフタル酸ジブチル等の過酸エステル類；クミルパーオキサイド、ブチルパーオキサイド、テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ヘキシルパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類；ジクミルパーオキサイド、ブチルクミルパーオキサイド、ジブチルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイド類；イソブチリルパーオキサイド、トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類；ビス（トリメチルシリル）パーオキサイド、ベンゼンセレニン酸、過硫酸、過酸化水素等が挙げられる。これらの酸化剤は単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用いることも可能である。
【００１９】
また、上記の酸化剤をｉｎ−ｓｉｔｕ法で合成して、反応場で生成した酸化剤をそのまま用いてもよい。例えばアセトアルデヒドと酸素を反応させ、その場で生成した過酢酸を酸化剤として用いることができる。
【００２０】
これらのうち、反応性に優れ、入手が容易であることから、過安息香酸類が好ましく用いられ、さらに好ましくはｍ−クロロ過安息香酸が用いられる。
【００２１】
酸化剤の使用量は、ホルミルオキシ基への転化が効率的に行なえることから、原料のポリアリーレンエーテルスルホンに含まれるホルミル基１モルに対して０．１〜１０００当量であり、好ましくは０．５〜１００当量、より好ましくは１〜２０当量である。
【００２２】
ホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンと酸化剤との反応においては、さらに第３成分を添加しても差し支えない。第３成分としては特に限定されないが、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ塩；リン酸水素ナトリウム等の緩衝剤；酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩；塩化アルミニウム、塩化亜鉛、トリフルオロボロン等のルイス酸等が挙げられる。これらの第３成分の添加は、反応速度の促進に効果がある。
【００２３】
上記一般式（２）のホルミル基を持ったポリアリーレンエーテルスルホンと酸化剤の反応は、通常、不活性溶媒下で行なうことが好ましい。そのような不活性溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；水等が挙げられる。これらの溶媒は単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用いることも可能である。これらのうち、酸化反応を効率的に行なうことが可能となることから、ハロゲン化炭化水素類が好ましく用いられ、さらに好ましくは塩化メチレンが用いられる。
【００２４】
上記一般式（２）のホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの該溶媒中の濃度は、酸化反応を効率的に行なうことが可能となることから、好ましくは０．０００１〜５ｍｏｌ／ｌであり、さらに好ましくは０．００１〜１ｍｏｌ／ｌである。
【００２５】
本発明におけるホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンと酸化剤との反応における温度は、特に制限されないが、例えば−１００〜１５０℃、好ましくは０〜８０℃である。また、反応圧力は特に制限されないが、通常、絶対圧で０．０１〜３０ｋｇ／ｃｍ2であり、好ましくは０．１〜３ｋｇ／ｃｍ2である。反応時間は温度やポリマー濃度に左右され、一概に決めることはできないが、通常、５分〜５００時間である。反応中の雰囲気は、特に限定されないが、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム等が好ましく用いられる。本反応は、回分式、半回分式、連続式のいずれでも実施できる。
【００２６】
そして、酸化反応終了後、反応液に、例えば炭酸水素ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、二亜硫酸ナトリウム等の還元剤を添加して、未反応の酸化剤を分解させることができる。生成したホルミルオキシ基を持ったポリアリーレンエーテルスルホンは、公知の再沈法により反応液より分離することができる。
【００２７】
本発明のホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンは、単独でも高分子材料として使用できるが、例えばガラス繊維、炭素繊維、タルク、炭酸カルシウム、マイカ等の充填剤；各種顔料；酸化防止剤、光安定剤等の各種安定剤と混合して使用することができる。また、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等の汎用樹脂；ポリプロピレン、変性ポリフェニレンエーテル等のエンジニアリングプラスチック；ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンスルフィドケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー等のスーパーエンジニアリングプラスチック等とアロイブレンドして使用することもできる。
【００２８】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２９】
実施例により得られた試料は以下の方法により評価を行った。
【００３０】
（1Ｈ−核磁気共鳴吸収（以下、ＮＭＲと記す）および13Ｃ−ＮＭＲ測定）
核磁気共鳴装置（日本電子製、商品名ＪＮＭＧＸ４００）用いて測定を行った。
【００３１】
（赤外線吸収スペクトル（以後、ＩＲと記す）測定）
フーリエ変換赤外分光光度計（島津製作所製、商品名ＦＴ−ＩＲ８１００Ｍ）を用いて測定を行った。
【００３２】
（分子量測定）
ＧＰＣ測定は高速ＧＰＣ装置（東ソー（株）製、商品名ＨＬＣ８２２０ＧＰＣ）を用い、下記条件で測定した。即ち得られた試料を臭化リチウムのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液（１０ｍｍｏｌ／ｌ）に溶解し、ポリマー溶液の濃度を１ｇ／ｌに調整後、ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ−ＡＷＭＨカラム（商品名）が備わった該高速ＧＰＣ装置にポリマー溶液を２０μｌ注入し、標準試料として標準ポリスチレンを用い、標準ポリスチレン換算値として重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
【００３３】
なお、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は重量平均分子量（Ｍｗ）を数平均分子量（Ｍｎ）で除した値で表した。
【００３４】
合成例１（臭素基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの合成）
ポリスルホン［（−４−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−４−Ｃ（ＣＨ3）2Ｃ6Ｈ4−４−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−４−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−）n］（Ｍｎ；ｃａ．２６，０００、Ｔｇ；１９０℃、Ａｌｄｒｉｃｈ社製）１１０ｇを１０００ｍｌのセパラブルフラスコに入れ、これを６００ｍｌのクロロホルムに溶解させた。次いで、臭素１１０ｇを滴下した後、２４時間攪拌させた。この溶液を大量のメタノール中に加えてポリマーを析出させた。析出したポリマーを濾別し、メタノールで十分に洗浄した後、真空下、４０℃で１日かけて乾燥させて、臭素基を持つポリスルホンを１３７ｇ得た。
【００３５】
得られた臭素基を持つポリスルホンの1Ｈ−ＮＭＲ測定（クロロホルム−ｄ溶媒）を行った結果、構成繰返し単位当たり１．９個の臭素基を有するものであった。
【００３６】
合成例２（ホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの合成）
合成例１で得られた臭素基を持つポリスルホン３６ｇを１０ｌのセパラブルフラスコに入れ、これを６ｌのテトラヒドロフランに溶解させた。−７８℃に冷却後、２．６６ｍｏｌ／ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液５０ｍｌをゆっくりと滴下して−７８℃で３０分攪拌した。この溶液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３８ｍｌをゆっくり滴下し、−７８℃で１時間、さらに室温で１時間攪拌させた。反応終了後、この反応溶液を大量の塩酸とメタノール混合溶液に注ぎ、ポリマーを析出させた。このポリマーを濾別後、メタノールで十分に洗浄し、次いで、窒素気流下に一晩おき、さらに室温真空下で６時間かけて乾燥させて、ホルミル基を持つポリスルホンを２２ｇ得た。
【００３７】
得られたホルミル基を持つポリスルホンの1Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲ測定の結果を図１および図２に示す。
【００３８】
1Ｈ−ＮＭＲ(クロロホルム−ｄ溶媒）の測定の結果、δ１．７ｐｐｍ（ｓ）にイソプロピリデン基に基づくピーク、δ６．９〜８．０ｐｐｍ（ｍ）に芳香環に基づくピーク、δ１０．２〜１０．８ｐｐｍ（ｍ）にホルミル基に基づくピークが見られ、1Ｈ−ＮＭＲ測定結果から求めたホルミル基数は、ポリスルホンの構成繰返し単位当たり１．４個であった。
【００３９】
ＩＲ（ＫＢｒ法）の測定結果、１６９７ｃｍ-1にＣ＝Ｏの伸縮振動に基づく吸収が見られた。
【００４０】
実施例１
合成例２で得られたホルミル基を持つポリスルホン１．１ｇを１００ｍｌの三口フラスコに入れ、これを塩化メチレン４１ｍｌに溶解させた。該溶液にｍ−クロロ過安息香酸１．４ｇを加え、室温下で一晩攪拌させた。反応終了後、４％の二亜硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えてよく攪拌させて未反応ｍ−クロロ過安息香酸を分解させた。塩化メチレン相をｎ−ヘキサン２００ｍｌ中に注いで沈殿物を生成させた。この沈殿物を濾別し、メタノールで十分に洗浄した後、９０℃で２時間真空乾燥させることによって１．０ｇのポリマーを得た（収率９０％）。
【００４１】
得られたポリマーの1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲおよびＩＲ測定を行なった。
【００４２】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯと略する）−ｄ６溶媒）測定の結果、δ１．７ｐｐｍ（ｓ）にイソプロピリデン基に基づくピーク、δ６．８〜８．０ｐｐｍ（ｍ）に芳香環に基づくピーク、δ８．４ｐｐｍ（ｓ）にホルミルオキシ基に基づくピークが観察された。
【００４３】
また、13Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６溶媒）測定の結果、δ３０．３、４２．３ｐｐｍにイソプロピリデン基に基づくピーク、δ１１７．３、１２１．９、１２６．０、１２９．８、１３５．４、１４０．８、１４８．０、１６０．６ｐｐｍに芳香環に基づくピーク、δ１６０．０ｐｐｍにホルミルオキシ基に基づくピークが観察された。
【００４４】
ＩＲ（ＫＢｒ法）測定の結果、１７５２ｃｍ-1にＣ＝Ｏの伸縮振動に基づく吸収が観察された。
【００４５】
また、ＧＰＣ測定（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒）から求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は６４，０００、分子量分布は４．８であった。
【００４６】
1Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲのスペクトルを図３および図４に示す。図３から、原料のホルミル基に由来する１０．２〜１０．８ｐｐｍのピークは認められず、８．４ｐｐｍにホルミルオキシ基に由来するピークが確認された。また、図４から、原料のホルミル基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６９７ｃｍ-1のピークが消失し、その一方で、１７５２ｃｍ-1にホルミルオキシ基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来するピークが認められた。これらの結果から、得られたポリマーはホルミルオキシ基を有するポリスルホンであることが確認された。なお、1Ｈ−ＮＭＲ測定から構成繰返し単位当りのホルミルオキシ基数は１．４個であった。
【００４７】
実施例２
５００ｍｌのセパラブルフラスコに合成例２により合成されたホルミル基を有するポリスルホン４．５ｇを入れ、これを塩化メチレン１５６ｍｌに溶解させた。該溶液にｍ−クロロ過安息香酸５．４ｇを加え、室温下で一晩攪拌させた。反応終了後、二亜硫酸ナトリウム飽和水溶液８０ｍｌを加えて懸濁させ、未反応ｍ−クロロ過安息香酸を分解させた。ｎ−ヘキサン５００ｍｌ中にこの懸濁液を注いで沈殿物を生成させた。この沈殿物を濾別し、水およびメタノールで十分に洗浄させた後、９０℃で６時間真空乾燥させることによって４．７ｇのポリマーを得た（収率１００％）。
【００４８】
得られたポリマーは、実施例１と同様にして1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ測定及びＩＲ測定を行い、ホルミルオキシ基を有するポリスルホンであると同定した。なお、1Ｈ−ＮＭＲより構成繰返し単位当りのホルミルオキシ基数は１．３個であった。
【００４９】
実施例３
５００ｍｌのセパラブルフラスコに合成例２により合成されたホルミル基を有するポリスルホン９．５ｇを入れ、これを塩化メチレン３５６ｍｌに溶解させて、黄色の溶液とした。該溶液にｍ−クロロ過安息香酸１２．５ｇを加え、室温下で３昼夜攪拌させた。反応終了後、１７％の二亜硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて懸濁させ、未反応ｍ−クロロ過安息香酸を分解させた。ｎ−ヘキサン１０００ｍｌ中にこの懸濁液を注いで沈殿物を生成させた。この沈殿物を濾別し、水およびメタノールで十分に洗浄させた後、７０℃で６時間真空乾燥させることによって９．７ｇのポリマーを得た（収率９９％）。
【００５０】
得られたポリマーは、実施例１と同様にして1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ測定、ＩＲ測定を行い、ホルミルオキシ基を有するポリスルホンであると同定した。なお、1Ｈ−ＮＭＲより構成繰返し単位当りのホルミルオキシ基数は１．４個であった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、耐熱性と電気特性を併せ持つ高分子材料の前駆体として有用な新規なポリアリーレンエーテルスルホン及びその製造に効率的な新規製造方法を提供するものであり、工業的にも非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】：合成例２により得られたホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの1Ｈ−ＮＭＲの測定結果である。
【図２】：合成例２により得られたホルミル基を持つポリアリーレンエーテルスルホンのＩＲの測定結果である。
【図３】：実施例１により得られたホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンの1Ｈ−ＮＭＲの測定結果である。
【図４】：実施例１により得られたホルミルオキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホンのＩＲの測定結果である。
【図１】
0003785474.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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