(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の上面に形成された高周波信号を伝送するための第１のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面に前記第１のコプレーナ線路と平行に形成された第２のコプレーナ線路とを、前記第１のコプレーナ線路との距離が前記第２のコプレーナ線路との距離よりも小さくなるように前記誘電体基板の内部に形成された内層接地導体を挟んで対向配置するとともに、両コプレーナ線路の線路導体の先端同士を前記内層接地導体と絶縁された貫通導体で電気的に接続し、かつ該貫通導体から前記両コプレーナ線路に直交する方向において、両コプレーナ線路の接地導体同士を前記内層接地導体と電気的に接続された接地貫通導体で電気的に接続し、前記第２のコプレーナ線路の線路導体の幅を前記第１のコプレーナ線路の線路導体の幅より広く形成して成る高周波入出力部を具備することを特徴とする高周波用配線基板。
【請求項２】
前記第１および第２のコプレーナ線路の前記接地導体をそれぞれの前記線路導体の先端を囲むように延設し、かつ該線路導体の先端の前記伝送方向の延長方向において、前記内層接地導体と前記延設した接地導体とをそれぞれ補助接地貫通導体で電気的に接続したことを特徴とする請求項１記載の高周波用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気的特性を向上させた高周波入出力部を具備する高周波用配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高周波回路用基板や高周波用半導体素子収納用パッケージ・高周波用半導体素子搭載用チップキャリア等に用いられる高周波用配線基板においては、その上面に搭載される高周波用半導体素子等の高周波用部品とその高周波用配線基板が実装される外部電気回路基板の高周波用回路とを電気的に接続するために、高周波信号を伝送するための高周波用伝送線路を上面と下面とに形成してそれらを貫通導体で電気的に接続して成る高周波入出力部が形成される。そして、その高周波用配線基板を外部電気回路基板に搭載するとともに下面の高周波用伝送線路を外部電気回路基板の接続用線路導体に電気的に接続することにより、高周波用配線基板が実装されて使用されることとなる。
【０００３】
そのような従来の高周波用配線基板を高周波用半導体装置を実装するパッケージに適用した例として、例えば特許第2605502 号公報に記載されたパッケージがある。このパッケージは、パッケージ基板と、このパッケージ基板に装着されたパッケージ側壁と、パッケージ側壁により囲まれて形成されたキャビティを封止するフタと、キャビティ内に設けられた半導体集積回路チップを実装するダイボンディング領域と、キャビティ内に設けられた誘電体基板の表面上に金属薄膜からなる内部高周波伝送線路を有し、パッケージ基板の底面部に金属薄膜により形成したリード端子をなす外部コプレーナ線路と、内部高周波伝送線路と外部コプレーナ線路を電気的に接続する金属からなるバイアホールとから構成されたパッケージにおいて、キャビティ内に形成される内部高周波伝送線路を、コプレーナ線路で構成し、内部高周波伝送線路と外部コプレーナ線路のそれぞれの接地金属間を金属からなる複数のバイアホールにより接続したことを特徴とするものである。
【０００４】
これによれば、内部高周波伝送線路をコプレーナ線路として構成したので、その信号線と接地金属との間隔を適切に選択することにより、信号線の線路幅をＩＣチップ上のマイクロストリップ線路の線路幅と適合させることが可能となり、損失を低く抑え、反射損失も低下させることができるというものである。
【０００５】
また、外部コプレーナ線路と内部高周波伝送線路を複数のバイアホールや同軸構造のバイアホールにより接続した場合には、高周波的な不整合も少なく、かつアイソレーションを高めることが可能であるというものである。
【０００６】
なお、このように高周波用伝送線路としてコプレーナ線路が用いられるのは、高周波用配線基板に高周波用部品が搭載される側（上面）の信号線路のパターン幅と下面の外部電気回路基板に実装される側（下面）の信号線路のパターン幅との不連続性を補償したり、信号線間のアイソレーションを向上させる目的からは、マイクロストリップ線路に比べてコプレーナ線路同士の接続が好ましいことによるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許第2605502 号公報に記載されたパッケージに適用された高周波用配線基板では、内部高周波伝送線路であるコプレーナ線路と貫通導体であるバイアホールとの接続部におけるグランドの位相と、外部コプレーナ線路とバイアホールとの接続部におけるグランドの位相との間にバイアホールを介して表面と裏面のグランドが導通され、グランド経路が長くなることからずれが発生していた。そのため、内部のコプレーナ線路と外部コプレーナ線路との接続部において、伝送される高周波信号の反射が発生し、反射損失が増大するという問題点があった。
【０００８】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、コプレーナ線路と貫通導体との接続部におけるグランドの位相のずれをなくし、高周波信号の反射損失を抑えることができる高周波入出力部を具備する高周波用配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用配線基板は、誘電体基板の上面に形成された高周波信号を伝送するための第１のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面に前記第１のコプレーナ線路と平行に形成された第２のコプレーナ線路とを、前記第１のコプレーナ線路との距離が前記第２のコプレーナ線路との距離よりも小さくなるように前記誘電体基板の内部に形成された内層接地導体を挟んで対向配置するとともに、両コプレーナ線路の線路導体の先端同士を前記内層接地導体と絶縁された貫通導体で電気的に接続し、かつこの貫通導体から前記両コプレーナ線路に直交する方向において、両コプレーナ線路の接地導体同士を前記内層接地導体と電気的に接続された接地貫通導体で電気的に接続し、前記第２のコプレーナ線路の線路導体の幅を前記第１のコプレーナ線路の線路導体の幅より広く形成して成る高周波入出力部を具備することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の高周波用配線基板によれば、高周波入出力部の構成を、誘電体基板内に形成した内層接地導体を挟んで第１および第２のコプレーナ線路を対向配置し、両コプレーナ線路の線路導体の先端同士を電気的に接続した貫通導体から上記所定の位置において内層接地導体と電気的に接続された接地貫通導体を介して両コプレーナ線路の接地導体同士を電気的に接続して成るものとしたことから、接続部を貫通導体と内層接地導体と接地貫通導体とにより貫通導体の周りに接地導体を配してインピーダンス整合を行なうため、同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、高周波的な不整合を少なくして反射損失を低減することができる。また、コプレーナ線路間に内層接地導体を形成し、この内層接地導体と両方のコプレーナ線路の接地導体とを接地貫通導体で電気的に接続したことから、接地導体が同一平面であるため、従来のようなバイアホールの長さに伴う信号線路が長くなることによるグランドの位相差がなくなるため、線路導体と貫通導体との接続部におけるグランドの位相を等しくしてそのずれをなくすことができ、高周波信号の反射の発生を抑制して反射損失を抑えることができる。
【００１１】
さらに、本発明の高周波用配線基板によれば、第２のコプレーナ線路の線路導体にリード端子を取着する場合に、リード端子の取着強度を増すためには線路導体のパターン幅とリード端子の幅とが関係するのに対して、第２のコプレーナ線路と内層接地導体との距離を離してインピーダンスマッチングを行なうことにより線路導体のパターン幅を広げることができ、リード端子の取着強度を増すことができる。
【００１２】
また、本発明の高周波用配線基板は、上記構成において、前記第１および第２のコプレーナ線路の前記接地導体をそれぞれの前記線路導体の先端を囲むように延設し、かつこの線路導体の先端の前記伝送方向の延長方向において、前記内層接地導体と前記延設した接地導体とをそれぞれ補助接地貫通導体で電気的に接続したことを特徴とするものである。
【００１３】
このように線路導体の先端の伝送方向の延長方向に接地導体を延設するとともに、その方向の所定位置で延設した接地導体と内層接地導体とを補助接地貫通導体で電気的に接続した場合には、信号伝送方向に接地貫通導体を設けることによって、接地導体の壁が形成されることとなるため、線路導体の先端から伝送方向の延長方向に向かう誘電体基板内への高周波信号の電磁界の漏れを効果的に抑制することができ、高周波入出力部における高周波信号の反射損失をさらに抑制することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波用配線基板を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明の高周波用配線基板の実施の形態の一例を示すものであり、それぞれ（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図である。いずれも高周波入出力部の近傍を示している。
【００１６】
これらの図において、１は高周波用配線基板である。２は誘電体基板、３は誘電体基板２の上面に形成された高周波信号を伝送するための第１の線路導体、４は第１の線路導体３の両側に配設された第１の接地導体であり、これら線路導体３と接地導体４とで第１のコプレーナ線路５が構成されている。６は誘電体基板２の下面にその先端が第１の線路導体３と対向するようにして第１の線路導体３と平行に形成された第２の線路導体、７は第２の線路導体６の両側に配設された第２の接地導体であり、これら線路導体６と接地導体７とで第２のコプレーナ線路８が構成されている。この例では、第１および第２のコプレーナ線路５・８をそれぞれ２本ずつ形成している。
【００１７】
また、９は誘電体基板２の内部に第１のコプレーナ線路５および第２のコプレーナ線路８と対向するように形成された内層接地導体、１０は第１のコプレーナ線路５の線路導体３の先端と第２のコプレーナ線路８の線路導体６の先端とを電気的に接続する貫通導体であり、貫通導体１０は内層接地導体９とは電気的に絶縁されている。
【００１８】
このようにして、誘電体基板２の上面に形成された第１のコプレーナ線路５と、誘電体基板２の下面に形成された第２のコプレーナ線路８とを、誘電体基板２の内部に形成された内層接地導体９を挟んで対向配置するとともに、両コプレーナ線路５・８の線路導体３・６の先端同士を貫通導体１０で電気的に接続し、高周波用配線基板１の高周波入出力部を構成している。このような高周波入出力部では、第２のコプレーナ線路８の線路導体７は外部電気回路基板との接続用の実装電極も兼ねるものとなっている。
【００１９】
そして、１１は接地貫通導体であり、内層接地導体９と電気的に接続されるとともに、貫通導体１０から第１および第２のコプレーナ線路５・８に直交する方向の両側で０．２〜５ｍｍの位置において、第１および第２のコプレーナ線路５・８の接地導体４・７同士を電気的に接続するものである。
【００２０】
なお、この例では、誘電体基板２の上面に形成された第１の接地導体４および下面に形成された第２の接地導体７はそれぞれの線路導体３・６の先端を囲むように延設しており、これにより、より良好な接地状態を得ることができるものとしている。
【００２１】
また、１２は誘電体基板２の上面に接合された枠体であり、Ｍは誘電体基板２の上面に形成された半導体素子等の電子部品の搭載部である。このように搭載部Ｍおよび枠体１２を備えることにより、この高周波用配線基板１を高周波用電子部品を収容する電子部品収納用パッケージとして使用することができる。このような高周波用配線基板１は、例えばセラミックグリーンシート積層法等により作製することができ、その場合には、誘電体基板２は複数の誘電体層２ａ・２ｂを積層して形成される。このとき、誘電体層２ａ・２ｂを適当な厚みに設定することにより、内層接地導体９の位置すなわち内層接地導体９と第１および第２のコプレーナ線路５・８との距離を高周波入出力部に対する要求仕様に応じて所望の設定とすることができる。
【００２２】
特に、内層接地導体９を形成する位置を、第１のコプレーナ線路５との距離が第２のコプレーナ線路８との距離よりも小さくなるように設定するので、インピーダンスマッチングができるとともに、第２のコプレーナ線路のパターン幅を広くすることができ、リード端子の取着強度が増加することとなる。
【００２３】
このような本発明の高周波用配線基板１によれば、その高周波入出力部において、第１および第２のコプレーナ線路５・８の接続部を貫通導体１０と内層接地導体９と接地貫通導体１１とにより同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、高周波的な不整合を少なくして反射損失を低減することができ、また、線路導体３・６と貫通導体１０との接続部におけるグランドの位相を等しくしてそのずれをなくすことができ、高周波信号の反射の発生を抑制して反射損失を抑えることができる。
【００２４】
ここで、接地貫通導体１１を形成する位置が貫通導体１０から第１および第２のコプレーナ線路５・８に直交する方向の両側で０．２ｍｍより近い距離の位置となると、貫通導体１０と接地貫通導体１１との電磁結合による容量性成分と、誘導成分（自己誘導成分）のうち容量性成分が増加する。すると、インピーダンス整合に適する容量性成分と誘導成分との整合が損なわれて、共振点が現れることとなりやすく、また製造も困難となる傾向がある。他方、接地貫通導体１１を形成する位置が５ｍｍより遠い距離の位置となると、容量性成分が減少し、相対的に誘導成分が大きくなるため、同様に共振点が現れることとなる傾向がある。従って、接地貫通導体１１を形成する位置は、第１および第２のコプレーナ線路５・８に直交する方向の両側で０．２〜５ｍｍの位置とすることが必要である。
【００２５】
そして、このような本発明の高周波用配線基板１を外部電気回路基板の上面に搭載するとともに、第２のコプレーナ線路８の線路導体６を外部電気回路基板の接続用線路導体に、また接地導体７を外部電気回路基板の接地導体にそれぞれ半田バンプ等の導電性接続部材により、あるいは半田材を用いたリフロープロセスにより電気的に接続することによって、高周波用配線基板１が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【００２６】
次に、本発明の高周波用配線基板の実施の形態の他の例を図２に図１と同様の図で示す。図２において、それぞれ（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図であり、いずれも高周波入出力部の近傍を示している。また、図１と同様の箇所には同じ符号を付してある。
【００２７】
これらの図において、１は高周波用配線基板、２は複数の誘電体層２ａ・２ｂを積層して形成された誘電体基板、３は誘電体基板２の上面に形成された第１の線路導体、４は第１の線路導体３の両側に配設された第１の接地導体、５はこれら線路導体３と接地導体４とで構成された第１のコプレーナ線路である。６は誘電体基板２の下面にその先端が第１の線路導体３と対向するようにして第１の線路導体３と平行に形成された第２の線路導体、７は第２の線路導体６の両側に配設された第２の接地導体、８はこれら線路導体６と接地導体７とで構成された第２のコプレーナ線路である。この例でも図１の例と同様に、第１および第２のコプレーナ線路５・８をそれぞれ２本ずつ形成している。
【００２８】
９は誘電体基板２の内部に第１および第２のコプレーナ線路５・８と対向するように形成された内層接地導体、１０は第１のコプレーナ線路５の線路導体３の先端と第２のコプレーナ線路８の線路導体６の先端とを電気的に接続する貫通導体である。また、１１は接地貫通導体であり、内層接地導体９と電気的に接続されるとともに、貫通導体１０から第１および第２のコプレーナ線路５・８に直交する方向の両側で０．２〜５ｍｍの位置において、第１および第２のコプレーナ線路５・８の接地導体４・７同士を電気的に接続している。
【００２９】
１２は誘電体基板２の上面に接合された枠体であり、Ｍは誘電体基板２の上面に形成された半導体素子等の電子部品の搭載部である。
【００３０】
そして、１３は補助接地貫通導体であり、誘電体基板２の上面に形成された第１の接地導体４および下面に形成された第２の接地導体７をそれぞれの線路導体３・６の先端を囲むように延設して、より良好な接地状態を得ることができるものとし、かつ第１のコプレーナ線路５の線路導体３および第２のコプレーナ線路８の線路導体６のそれぞれの先端の伝送方向の延長方向で貫通導体１０から０．２〜５ｍｍの位置において、内層接地導体９と延設した接地導体４・７とをそれぞれこれら補助接地貫通導体１３で電気的に接続している。
【００３１】
このような本発明の高周波用配線基板１によれば、その高周波入出力部において、図１の例と同様に第１および第２のコプレーナ線路５・８の接続部を貫通導体１０と内層接地導体９と接地貫通導体１１とにより同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、高周波的な不整合を少なくして反射損失を低減することができ、また、線路導体３・６と貫通導体１０との接続部におけるグランドの位相を等しくしてそのずれをなくすことができ、高周波信号の反射の発生を抑制して反射損失を抑えることができる。そして、補助接地貫通導体１３を所定の位置に設けたことにより、前述のように線路導体の先端から伝送方向の延長方向に向かう誘電体基板内への高周波信号の電磁界の漏れを効果的に抑制することができ、高周波入出力部における高周波信号の反射損失をさらに抑制することができるものとなる。
【００３２】
ここで、補助接地貫通導体１３を形成する位置が各線路導体３・６の延長方向で貫通導体１０から０．２ｍｍより近い距離の位置となると、貫通導体１０と補助接地貫通導体１３との電磁結合による容量性成分と、誘導成分（自己誘導成分）のうち容量性成分が増加する。すると、インピーダンス整合に適する容量性成分と誘導成分の整合が損なわれて共振点が現れる傾向がある。他方、接地貫通導体１３を形成する位置が５ｍｍより遠い距離の位置となると、容量性成分が減少し、相対的に誘導性成分が大きくなるため、同様に共振点が現れることとなる傾向がある。従って、補助接地貫通導体１３を形成する位置は、第１のコプレーナ線路５の線路導体３および第２のコプレーナ線路８の線路導体６のそれぞれの先端の伝送方向の延長方向で貫通導体１０から０．２〜５ｍｍの位置とすることが必要である。
【００３３】
また、第１のコプレーナ線路５の接地導体４および第２のコプレーナ線路８の接地導体７をそれぞれ線路導体３・６の先端を囲むように延設する場合、第１のコプレーナ線路５から貫通導体１０を介して第２のコプレーナ線路８へ、あるいはその逆へ信号を伝達するときのロスを極小にするように容量成分を調整し、接地導体４・７を形成する。また、このとき、抵抗・インダクタ・容量が、信号線路全体でマッチングした位置に形成することが好ましい。
【００３４】
そして、このような本発明の高周波用配線基板１についても、これを外部電気回路基板の上面に搭載するとともに、第２のコプレーナ線路８の線路導体７を外部電気回路基板の接続用線路導体に、また接地導体７を外部電気回路基板の接地導体にそれぞれ半田バンプ等の導電性接続部材により、あるいは半田材を用いたリフロープロセスにより電気的に接続することによって、高周波用配線基板１が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【００３５】
さらに、本発明の他の実施形態を図３に図１と同様の図で示す。図３において、それぞれ（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図であり、いずれも高周波入出力部の近傍を示している。また、図１と同様の箇所には同じ符号を付してあり、それらの詳細な説明は省略する。
【００３６】
図３の実施形態では、内層接地導体９が２層から成り、従って内層接地導体９ａ，９ｂを有し、また誘電体基板２は３層の誘電体層２ａ，２ｂ，２ｃから成る。これらの内層接地導体９ａと内層接地導体９ｂとは、中間の接地貫通導体１４により接続されている。このような構成により、貫通導体１０の周囲の接地電位の壁を強固に形成することができ、同軸構造に近い疑似同軸構造とすることで、高周波信号の伝送特性を向上させて、伝送損失を小さくできる。
【００３７】
この構成において、内層接地導体９ａを形成する位置を、第１のコプレーナ線路５との距離が、内層接地導体９ｂと第２のコプレーナ線路８との距離よりも小さくなるように設定するので、インピーダンスマッチングが行い易くなるとともに、第２のコプレーナ線路８のパターン幅を広くすることができ、リード端子の取着強度が増大することとなる。
【００３８】
上記中間の接地貫通導体１４の長さは５０μｍ〜０．５ｍｍとするのが良く、５０μｍ未満では短すぎて製造が困難となり、０．５ｍｍを超えると内層接地導体９ａ，９ｂ間の距離が遠くなるため、接地電位が不安定になり易い。
【００３９】
また、第１の接地導体４と上層側のの内層接地導体９ａとを接続する接地貫通導体１１の長さは５０μｍ〜０．５ｍｍとするのが良く、５０μｍ未満では、線路導体３に内層接地導体９ａが近接することによりそれらの間で容量成分が発生し、インピーダンス整合のためには高周波用配線基板１の配線パターン幅を細くすることとなる。そうすると、搭載する半導体チップと高周波用配線基板１との接続部で信号の反射特性の劣化が大きくなる。０．５ｍｍを超えると、高周波用配線基板１の配線パターン幅が広くなり易く、そのため高周波用配線基板１が大型化し、小型化を阻害することになる。
【００４０】
第２の接地導体７と下層側の内層接地導体９ｂとを接続する接地貫通導体１１の長さは５０μｍ〜０．５ｍｍとするのが良く、５０μｍ未満では、上記と同様に高周波用配線基板１の配線パターン幅が細くなり易く、そのため外部接続用のリード端子の接合部の強度が弱くなる、若しくはリード端子の接合が困難になる。一方、０．５ｍｍを超えると、高周波用配線基板１の配線パターン幅が広くなり易く、そのため高周波用配線基板１が大型化する。
【００４１】
また、図４は本発明の他の実施形態を示すものであり、図３の構成において、図２に示した補助接地貫通導体１３を設けたものである。図４において、それぞれ（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図であり、いずれも高周波入出力部の近傍を示している。また、図３と同様の箇所には同じ符号を付してあり、それらの詳細な説明は省略する。この構成により、同軸構造に近い疑似同軸構造とすることで、高周波信号の伝送特性を向上させ得るともに、線路導体の先端から伝送方向の延長方向に向かう誘電体基板内への高周波信号の電磁界の漏れを効果的に抑制することができ、高周波入出力部における高周波信号の反射損失を抑制することができる。この補助接地貫通導体１３の長さは、図３の接地貫通導体１１の場合と同様の理由で同様の範囲が良い。
【００４２】
また、本発明でいう高周波帯域とは１〜１００ＧＨｚ程度の高周波帯域及びミリ波帯域であり、従って本発明の高周波用配線基板１は１〜１００ＧＨｚ程度の高周波帯域及びミリ波帯域で使用されるものであるが、１〜８０ＧＨｚ程度の比較的周波数の低い帯域で使用するのが好ましい。それは、８０ＧＨｚを超える高周波帯域では高周波信号が外部磁場の影響を受け易くなり、ノイズおよび損失の増大をもたらすからである。より好ましくは、１〜４０ＧＨｚ程度で使用するのが良い。
【００４３】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。例えば、上記の実施の形態の例ではそれぞれ第１および第２のコプレーナ線路として線路導体を２本ずつ設けた場合について示したが、線路導体を１本設けた場合やさらに複数本配設した多ポートの場合であってもよい。内層接地導体９ａ，９ｂについては、上記実施形態では２層設けたものについて示したが、３層以上あってもよい。
【００４４】
また、接地貫通導体の近傍に高周波信号の波長の１／４以下程度の繰り返し間隔の位置となるようにして、さらに複数の接地貫通導体を配設してもよい。さらにまた、補助接地貫通導体の近傍に高周波信号の波長の１／４以下程度の繰り返し間隔の位置となるようにして、さらに複数の補助接地貫通導体を配設してもよい。
【００４５】
また、コプレーナ線路の線路導体にリード端子やボール等の接続用金属部材を取り付けた構造としてもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の高周波用配線基板によれば、誘電体基板内に形成した内層接地導体を挟んで第１および第２のコプレーナ線路を対向配置し、両コプレーナ線路の線路導体の先端同士を電気的に接続した貫通導体から上記所定の位置において内層接地導体と電気的に接続された接地貫通導体を介して両コプレーナ線路の接地導体同士を電気的に接続して成る高周波入出力部を具備するものとしたことから、接続部を貫通導体と内層接地導体と接地貫通導体とにより同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、高周波的な不整合を少なくして反射損失を低減することができる。また、コプレーナ線路間に内層接地導体を形成し、この内層接地導体と両方のコプレーナ線路の接地導体とを接地貫通導体で電気的に接続したことから、線路導体と貫通導体との接続部におけるグランドの位相を等しくしてそのずれをなくすことができ、高周波信号の反射の発生を抑制して反射損失を抑えることができる。
【００４７】
また、本発明の高周波用配線基板によれば、線路導体の先端の伝送方向の延長方向に接地導体を延設するとともに、その方向の所定位置で延設した接地導体と内層接地導体とを補助接地貫通導体で電気的に接続したことから、線路導体の先端から伝送方向の延長方向に向かう誘電体基板内への高周波信号の電磁界の漏れを効果的に抑制することができ、高周波入出力部における高周波信号の反射損失をさらに抑制することができる。
【００４８】
以上のように、本発明によれば、コプレーナ線路と貫通導体との接続部におけるグランドの位相のずれをなくし、高周波信号の反射損失を抑えることができる高周波入出力部を具備する高周波用配線基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の高周波用配線基板の実施の形態の一例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図である。
【図２】（ａ）は本発明の高周波用配線基板の実施の形態の他の例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図である。
【図３】（ａ）は本発明の高周波用配線基板の実施の形態の他の例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図である。
【図４】（ａ）は本発明の高周波用配線基板の実施の形態の他の例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、（ｄ）は下面図である。
【符号の説明】
１・・・高周波用配線基板
２・・・誘電体基板
３、６・・・線路導体
４、７・・・接地導体
５・・・第１のコプレーナ線路
８・・・第２のコプレーナ線路
９、９ａ、９ｂ・・・内層接地導体
１０・・・貫通導体
１１・・・接地貫通導体
１３・・・補助接地貫通導体
１４・・・中間の接地貫通導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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