(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、
前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量よりも、幅の小さなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量が大きくなるように構成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項２】
平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、
前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項３】
基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記電極を覆う電極被覆部及び前記配線を覆う配線被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、前記電極被覆部における前記電極の周囲に張り出した張出量よりも、前記配線被覆部における前記配線の周囲に張り出した張出量の方が大きくなるように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上にリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、前記電極間の領域に開口を有するとともに、前記配線間の領域を覆うように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極を被覆する前記リペアマスクの被覆部が、前記電極上から周囲に所定の張出量で張り出すように前記開口を形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記リペアマスクを、前記配線間の間隙が全て覆われるように形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線の幅が前記電極の幅よりも小さいことを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量よりも、幅の小さい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量が大きくなるように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部間の領域に開口を有し、幅の小さい前記パターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法
【請求項１０】
前記電気光学装置は液晶装置であることを特徴とする請求項３乃至請求項９のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置の製造方法に係り、特に、基板の表面上に電極パターンを形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電気光学装置の一種である液晶装置は、シール材を介して貼り合せた一対の基板間に液晶を封入した液晶パネルを含む。一対の基板の内面上にはそれぞれ所定の電極パターンが形成される。この電極パターンは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなり、例えば、パッシブマトリクス型の液晶パネルの場合には、ストライプ状に並列した複数の帯状の電極が形成されるとともに、各電極の端部には配線がそれぞれ一体に接続され、この配線が基板端部に形成された端子部まで引き出されたパターン形状を有する。
【０００３】
上記電極パターンを形成する場合には以下のようにする。まず、図６（ａ）に示すように、ガラス等からなる基板１０の表面上にＩＴＯ等の透明導電体をスパッタリング法等によって堆積させて透明導電層１１を形成し、図６（ｂ）に示すように、この透明導電層１１の上に感光性レジスト１２を塗布し、この感光性レジスト１２を所定の露光パターンにて露光し、現像することによって図６（ｃ）に示すマスク１３を形成する。次に、このマスク１３を介して基板１０の表面に露出した透明導電層１１の部分をエッチングし、図６（ｄ）に示すように所定形状の電極１１１を含む電極パターンを形成する。
【０００４】
このようにして形成された電極パターンにおいては、例えば上記感光性レジスト１２内にごみが混入していると、図６（ｃ）に示すようにごみ１５がマスク１３の開口となるべき部分に配置された場合、エッチングがごみ１５によって妨げられるので、隣接する電極１１１間がエッチング不良で生じた連結部１６（図６（ｄ）に点線で示す）を介して短絡してしまう。
【０００５】
そこで、従来から、電極間の短絡不良を修正するためのショートリペア工程が行われている。この工程においては、まず、図７（ａ）に示すように上記マスク１３を除去した後にさらに図７（ｂ）に示すように電極パターン上に感光性レジスト１７を塗布し、上記と同様に露光、現像を行って図７（ｃ）に示すリペアマスク１８を形成する。ただし、このリペアマスク１８は、電極１１１を被覆し、この電極１１１よりも周囲に僅かに張り出すように形成され、しかも、電極１１１間の領域に開口１８ａが設けられる。そして、このリペアマスク１８を介して再びエッチングを行うことによって、上記連結部１６は開口１８ａを通してエッチングにより除去され、図７（ｄ）に示すように、間隙１９が形成されて電極１１１間の短絡が解消される。
【０００６】
図８に示すように、上記のリペアマスク１８は、元の電極パターン内に設けられた電極１１１及びこれに接続される配線１１２の平面形状を変えてしまわないように、電極１１１及び配線１１２の表面を完全に覆い、しかも、電極１１１及び配線１１２よりもそれらの周囲に所定幅だけ張り出すように形成される。リペアマスク１８には、電極１１１間に開口１８ａが形成されているとともに配線１１２間に開口１８ｂが形成されている。これらの開口１８ａ，１８ｂで露出した領域にエッチングを施すことによって、電極１１１間及び配線１１２間の短絡が防止される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の液晶装置の製造方法においては、例えば１００〜２００μｍ程度の幅で形成された電極１１１の間の間隙が１０〜３０μｍ程度であるのに対して、配線１１２の幅は２０〜６０μｍと狭くなっており、また、配線１１２の間の間隙は逆に２０〜６０μｍ程度に広がっている。このため、リペアマスク１８を介してエッチングを行った場合に、細幅に形成された配線１１２のサイドエッチングによる断線不良が発生しやすいという問題点がある。
【０００８】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、電極パターンの短絡不良を防止するためのショートリペア工程のエッチングに起因する断線不良を低減することのできる電気光学装置の製造技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために第１発明の電極パターンの形成方法は、平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量よりも、幅の小さなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量が大きくなるように構成することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の被覆部における張出量よりも幅の小さなパターン部上の被覆部における張出量が大きくなるように構成することにより、エッチング時における幅の小さなパターン部に対するサイドエッチングが発生しにくくなるので、幅の小さなパターン部の断線不良を低減できる。
【００１１】
第２発明の電極パターンの形成方法は、平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することにより、エッチング時における幅の小さなパターン部に対するサイドエッチングが発生しなくなるので、幅の小さなパターン部の断線不良を低減できる。
【００１３】
第３発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記電極を覆う電極被覆部及び前記配線を覆う配線被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、前記電極被覆部における前記電極の周囲に張り出した張出量よりも、前記配線被覆部における前記配線の周囲に張り出した張出量の方が大きくなるように構成することを特徴とする。
【００１４】
第４発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上にリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、前記電極間の領域に開口を有するとともに、前記配線間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記電極を被覆する前記リペアマスクの被覆部が、前記電極上から周囲に所定の張出量で張り出すように前記開口を形成することが好ましい。
【００１６】
本発明において、前記リペアマスクを、前記配線間の間隙が全て覆われるように形成することが好ましい。
【００１７】
本発明において、前記配線の幅が前記電極の幅よりも小さい場合に配線の断線を防止する上で特に効果的である。
【００１８】
第５発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量よりも、幅の小さい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量が大きくなるように構成することを特徴とする。
【００１９】
第６発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部間の領域に開口を有し、幅の小さい前記パターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【００２０】
上記各発明において、前記電気光学装置は液晶装置である場合がある。この場合に、液晶装置は一対の基板間に液晶を配置してなり、該基板の内面上に前記電極パターンが形成されているときがある。
【００２１】
また、上記各発明において、エッチングとしては、湿式エッチングに限らず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングを用いてもよい。
【００２２】
また、電気光学装置としては、上記液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置等のように電極パターンを形成した基板と、電気光学材料とを用いた装置であれば如何なるものであっても構わない。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。
【００２４】
最初に、図５を参照して、上記の断線不良について本願発明者らが想定している状況について説明する。
【００２５】
上記の断線不良の原因は必ずしも定かではないが、例えば、図５（ａ）に示すように感光性レジスト１７を塗布すると、配線１１２の側部に感光性レジスト１７が付着していない空隙部１７ａが形成されるので、これに露光及び現像を施すことによって形成されたマスク１８の側部にも図５（ｂ）に示すように空隙部１８ａが残る。このため、エッチング処理時において配線１１２に対してサイドエッチングが発生し、侵食１１２ａが生じて断線の原因となることが考えられる。
【００２６】
このようなことは電極１１１にも多少は生ずるものと思われるが、電極１１１は配線１１２に較べて幅が大きいので、実質上問題にはならないものと考えられる。
【００２７】
また、配線１１２の幅に対する配線１１２の間の間隙が大きいことにより、スピンコーターやローラ等によって感光性レジスト１７を塗布したとき、上記間隙に入り込んだレジストが配線１１２の脇に入り込み難いのに対して、電極１１１は、その幅に較べて電極間の間隙が小さいので、スピンコーターやローラ等によって感光性レジスト１７を塗布したとき、電極間の間隙にレジストがしっかりと入り込み、上記空隙１７ａが形成されにくいということも考えられる。
【００２８】
なお、上記の図５及びその説明に示す状況はあくまでも仮想的、概念的なものであり、実際の現象をそのまま表しているものではない。
【００２９】
［第１実施形態］
次に、図１乃至図３を参照して本発明に係る第１実施形態について説明する。
【００３０】
この実施形態において製造される電気光学装置は、図３に示す液晶パネル１００を含む液晶装置である。この液晶パネル１００は、ガラスやプラスチック等からなる基板１１０と基板１２０とを、シール材１３０を介して貼り合せたものである。基板１１０には、基板１２０の外形よりも外側に張り出した基板張出部１１０Ｔが設けられている。
【００３１】
基板１１０の内面上には、ＩＴＯ等の透明導電体からなる複数の帯状の電極１１１及びこれに導電接続された複数の配線１１２が一体に形成されてなるストライプ状の電極パターンが形成されている。また、基板１２０の内面上には、複数の帯状の電極１２１及びこれに導電接続された複数の配線１２２が一体に形成されてなるストライプ状の電極パターンが形成されている。配線１２２は、シール材１３０自体若しくは別途設けられた上下導通部（いずれも基板厚さ方向にのみ導電性を有する異方性導電体で構成される。）を介して、基板張出部１１０Ｔ上に形成された端子パターン１１３の各端子に導電接続される。
【００３２】
電極１１１と電極１２１とはシール材の内側領域内で相互に直交する方向に伸び、電極１１１と電極１２１とが平面的に交差する領域が画素となっている。基板１１０と基板１２０との間における上記シール材１３０の内側領域には、図示しない液晶が封入されている。液晶は図示しない配向膜等によって所定方向に配向された状態となっており、上記電極１１１と電極１２１とによって所定方向の電界を印加することによって配向方向が変化させられ、上記画素毎に所望の光学状態が実現されるようになっている。
【００３３】
本実施形態においては、図６（ａ）〜（ｄ）及び図７（ａ）〜（ｄ）に示す従来方法と同様に、基板１１０及び基板１２０上に上記電極パターンを形成し、その後、電極１１１，１２１間の短絡を防止するために、ショートリペアフォトマスクを用いて感光性レジストの露光を行うことによりリペアマスクを形成し、このリペアマスクを介してエッチングを行うことにより、電極間の絶縁を確保している。これらの工程は上述の従来方法と同じであるので、その説明は省略する。
【００３４】
電極１１１の幅は１００〜２００μｍ、電極間の間隙は１０〜３０μｍ、配線１１２の幅は２０〜６０μｍ、配線間の間隙は２０〜６０μｍである。配線１１２は電極１１１よりも狭い幅を有するように形成され、上記基板張出部１１０Ｔ上に向けてその間隔を次第に狭めながら引き出されている。また、電極パターンの厚さは、例えばＩＴＯで形成される場合には約１５０〜３００ｎｍ程度である。ただし、電極パターンの厚さは、電極や配線の長さや透明導電体の抵抗率等に応じて生ずる電極抵抗や配線抵抗を駆動特性上の要請に応えるものとするために適宜に設定される。
【００３５】
図１は、図３に示す領域Ｉ内における本実施形態のリペアマスク１１８を示す平面透視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に示す部分の拡大断面図（ａ）及び（ｂ）である。本実施形態のリペアマスク１１８は、図１及び図２に示すように電極１１１と配線１１２の上を被覆している。このリペアマスク１１８は、電極パターンを構成する電極１１１及び配線１１２の直上領域を全て覆い、なおかつ、電極１１１及び配線１１２の周囲へと張り出すように形成されている。
【００３６】
隣接する電極１１１間の領域（間隙）には、所定幅のスリット状の開口１１８ａが形成されている。この開口１１８ａは隣接する電極１１１間の間隙の中央に形成され、その結果、両側の電極１１１からのリペアマスク１１８の周囲への張出量が相互に等しくなるように構成されている。
【００３７】
本実施形態においては、配線１１２の形成されている領域には開口が一切形成されず、当該領域全体をリペアマスク１１８が完全に覆っている。したがって、リペアマスク１１８においては、配線１１２に対する短絡不良の防止効果は得られないが、配線１１２間の間隙は電極１１１間の間隙よりもきわめて大きいので短絡不良の発生率は元々低い。したがって、本実施形態のリペアマスク１１８を用いることによって、開口１８ｂを有する従来のリペアマスク１８を用いたエッチングによって生ずる配線１１２の断線不良を完全に防止することができ、しかも間隙の小さい電極１１１間の短絡については確実に防止することができる。
【００３８】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について図４を参照して説明する。この実施形態においては、第１実施形態と全く同様の液晶パネル１００を構成する基板１１０，１２０にそれぞれ形成された電極パターンに関するものであり、同様の方法で液晶パネル１００を製造するものであるが、リペアマスク２１８のみが上記第１実施形態とは異なる。
【００３９】
本実施形態のリペアマスク２１８は、図４に示すように、第１実施形態と同様に電極１１１及び配線１１２を完全に覆うとともに、これらの電極１１１及び配線１１２の直上部分から周囲に向けて張り出した形状を備えている。リペアマスク２１８には、電極１１１間の領域に設けられたスリット状の開口２１８ａと、配線間に設けられたスリット状の開口２１８ｂとが設けられている。これらの開口２１８ａ，２１８ｂは、電極１１１間の領域及び配線１１２間の領域の中央位置に形成されており、その結果、リペアマスク２１８における隣接する両電極１１１からの周囲への張出量が相互に等しく、隣接する両配線１１２からの周囲への張出量もまた相互に等しくなるように構成されている。
【００４０】
開口２１８ｂは配線１１２の引き出し方向に伸びているが、配線１１２の全長に亘って設けられているわけではなく、配線１１２間の間隙ＬＧがある程度小さくなったところで消失するように形成されている。また、開口２１８ｂに関しては、リペアマスク２１８の配線１１２上からの張出量ＬＴが、電極１１１からの張出量ＥＴよりも常に大きくなるように形成されている。配線１１２の間の間隙ＬＧは、その引き出し方向に進むにしたがって配線１１２の集束により次第に小さくなり、その結果、上記張出量ＬＴが所定値以下にならざるを得ない地点にて開口２１８ｂが消失している。当該所定値は電極１１１上からの張出量ＥＴであってもよく、或いは、張出量ＥＴよりも大きな値であってもよい。
【００４１】
本実施形態では、リペアマスク２１８における配線１１２上からの張出量ＬＴが電極１１１上からの張出量ＥＴよりも大きくなっていることによって、配線１１２の断線不良の発生を抑制することができるとともに、配線１１２の短絡不良をも確実に防止することができる。
【００４２】
ここで、上記のように配線１１２の引き出し途中で開口２１８ｂを消失させることなく、配線１１２の全長に亘って開口２１８ｂが伸びるように形成してもよい。この場合、通常、電極１１１間の間隙ＥＧは、配線１１２間の間隙ＬＧの最小値よりも小さいので、配線１１２の全長に亘って上記張出量ＬＴを張出量ＥＴよりも大きくした状態で、開口２１８ｂを配線１１２の全長に沿って伸ばすことが可能である。
【００４３】
尚、本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では液晶パネル１００における一方の基板１１０の内面上に形成された電極パターンについてのみ述べたが、他方の基板１２０の内面上に形成された電極パターンについて上述の方法と同様のリペアマスクを用いて短絡不良の防止を図ってもよく、或いは、基板１１０と基板１２０の双方にて上述の方法を用いてもよい。
【００４４】
また、上記実施形態の電極パターンの形成方法を電気光学装置に設けられるもの以外の電極パターンの形成工程に用いても構わない。
【００４５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、ショートリペア工程におけるエッチング時において生ずる配線パターンの断線不良を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の第１実施形態において用いられるリペアマスクの平面形状を図３の領域Ｉ内において示す平面透視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した状態を示す拡大断面図（ａ）及び図１のＢ−Ｂ線に沿って切断した状態を示す拡大断面図（ｂ）である。
【図３】各実施形態によって形成される液晶パネルの概略構造を模式的に示す概略斜視図である。
【図４】本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の第２実施形態において用いられるリペアマスクの平面形状を示す平面透視図である。
【図５】従来の電極パターン内に設けられた配線の断線不良の発生過程を説明するための工程図（ａ）〜（ｃ）である。
【図６】従来の電極パターンの形成方法を示す工程説明図（ａ）〜（ｄ）である。
【図７】従来の電極パターンの形成方法を示す工程説明図（ａ）〜（ｄ）である。
【図８】従来のリペアマスクの形状を示す平面透視図である。
【符号の説明】
１００  液晶パネル
１１０，１２０  基板
１１１，１２１  電極
１１２，１２２  配線
１１８，１２８  リペアマスク
１１８ａ，１２８ａ，１２８ｂ  開口
ＥＧ  電極間の間隙
ＥＴ  リペアマスクにおける電極上からの張出量
ＬＧ  配線間の間隙
ＬＴ  リペアマスクにおける配線上からの張出量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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