(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズの予定焦点面の後方に配置され、前記撮影レンズの射出瞳を２つの領域に分割する瞳分割手段と、前記撮影レンズにより形成される像を一対の第２次像として対を構成する光電変換素子列のそれぞれの上に再結像させる２次結像手段とを備え、前記対を構成する各光電変換素子列上の一対の結像パターンの相対的な位置関係に基づいて焦点を検出する焦点検出装置において、
前記撮影レンズの予定焦点面と前記瞳分割手段との間であって、前記予定焦点面から離れた位置に配置されるとともに、前記撮影レンズの予定焦点面上の焦点検出領域に相当する視野開口を有する視野マスクを備え、
前記対を構成する各光電変換素子列の前記予定焦点面への逆投影像が、前記光電変換素子列上の前記結像パターンの移動方向に互いにずれて配置されるように、前記光電変換素子列が位置決めされているとともに、前記光電変換素子列は、前記視野マスクにより規定される前記結像パターンの移動方向における光束の到達範囲とほぼ同一範囲に亘る受光面を備えることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
前記光電変換素子列の逆投影像は、一対の光電変換素子列の逆投影像の重畳部分と、前記重畳部分の両側から前記結像パターンの移動方向にそれぞれはみ出して形成される各光電変換素子列の逆投影像のはみ出し部分とからなり、前記重畳部分の前記結像パターンの移動方向に対応する長さについて、前記重畳部分に対する前記はみ出し部分の長さの比率が５〜３５％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項３】
一の前記撮影レンズに対して前記光電変換素子列の対を複数備えることを特徴とする請求項１または２に記載の焦点検出装置。
【請求項４】
前記撮影レンズの光軸に対応する位置に配置された前記視野マスクの開口は、二次元方向に延在し、前記対を構成する各光電変換素子列は、二次元方向に延在する前記開口のそれぞれに対応して設けられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の焦点検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カメラ等に用いられるＴＴＬ位相差検出方式による焦点検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カメラ等に用いられるＴＴＬ位相差検出方式による従来の焦点検出装置の焦点検出光学系の原理図を図６に、焦点検出光学系の構成の一部を図７にそれぞれ示す。図６および図７に示すように、従来の焦点検出装置の焦点検出光学系は、撮影レンズ２０１と、フィルム面と共役な予定焦点面２０２と、視野マスク２０３と、コンデンサーレンズ２０４と、絞りマスク２０５と、再結像レンズ２０６と、光電変換素子列２７０Ａ、２０７Ｂを備える。
【０００３】
図６に示すように、２つに分割された撮影レンズ２０１の射出瞳を透過した光束は、撮影レンズ２０１により予定焦点面２０２の位置に被写体の第１次像（鮮鋭像またはボケ像）を形成する。さらに、予定焦点面２０２の後方に配置された視野マスク２０３により光束の制限が行われ、コンデンサーレンズ２０４への被写体からの光束が制限される。コンデンサーレンズ２０４を透過した光束は、同様に不要な光束を制限する絞りマスク２０５を経て、再結像レンズ２０６の対のレンズ部２０６Ａ，２０６Ｂによって光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂのそれぞれに第２次像として再形成される。そして、一対の第２次像の相対的な位置関係に基づいて焦点検出が行われる。
【０００４】
つまり、撮影レンズ２０１により形成される第１次像の後方にコンデンサーレンズ２０４、絞りマスク２０５および再結像レンズ２０６よりなる再結像光学系によって、その第１次像と略相似で、かつ撮影レンズ２０１の焦点調節状態に応じて相対的な位置関係が変化する一対の第２次像を光電変換素子列の受光面上に再結像させ、撮影レンズ２０１の焦点調節状態を検出する。
【０００５】
従来の焦点検出装置では、図７に示すように、予定焦点面と共役とされた一対の光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂの受光面の逆投影像が、両者とも図７の矢印で示す予定焦点面２０２の焦点検出領域２０２Ａと一致するように、光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂが位置決めされている。すなわち、光電変換素子列２０７Ａおよび２０７Ｂの予定焦点面２０２上での逆投影像が一致するように、焦点検出装置の光学系が組まれている。
【０００６】
従来の焦点検出装置では、図８に示すように焦点検出光学系の至近距離被写体に対応するデフォーカス検出範囲、いわゆる後ピン判定域ΔＺは、焦点検出光束の片側重心開き角φ、焦点検出光学系の固有な構成により固定的に決ってしまう射出瞳２０１Ａと撮影レンズ２０１の予定焦点面２０２間との距離Ｌ、および予定焦点面２０２上で第２次像の相対位置関係を検索する範囲ｄによって決まり、次式で表される。
【数１】
ΔＺ＝ｄ×Ｌ／（ｔａｎφ×Ｌ＋ｄ）        ・・・式（１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の焦点検出装置では、デフォーカス検出範囲を決定する相対位置関係を検索する範囲ｄは、撮影レンズ２０１の予定焦点面２０２上の焦点検出領域の片側長さ（光軸から焦点検出領域の端部までの長さ）による制約を受け、焦点検出領域の１／２以下となる。そのため、充分なデフォーカス範囲を確保することが難しい場合が多い。
【０００８】
式（１）から分かるように、焦点検出光学系のデフォーカス検出範囲を拡大するためには、焦点検出光束の片側重心開き角φを小さくすることと、相対位置関係を検索する範囲ｄを大きく取ることが効果的である。しかし、片側重心開き角φを小さくすると、焦点位置と予定焦点面２０２との間の光軸方向のずれ（縦ずれ）に対する光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂ上での光軸と垂直な方向の像ずれ（横ずれ）の変位が鈍化して、焦点検出精度の劣化を招くため好ましくない。また、検索範囲ｄの拡大のために無造作に焦点検出領域を大きくすると、視野開口が拡大し、視野マスク２０３の開口を通った光束の一部が隣接する他方の光電変換素子列に到達して正確な焦点検出を阻害してしまう。
【０００９】
本発明の目的は、焦点検出精度を確保しつつ、デフォーカス検出範囲を拡大させることができる焦点検出装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
（１）一実施の形態を示す図１〜図５に対応づけて説明すると、請求項１に記載の発明は、撮影レンズ１の予定焦点面の後方に配され、撮影レンズ１の射出瞳を２つの領域に分割する瞳分割手段５と、撮影レンズ１により形成される像を一対の第２次像として対を構成する光電変換素子列７Ａ、７Ｂのそれぞれの上に再結像させる第２次結像手段６とを備え、対を構成する各光電変換素子列７Ａ、７Ｂ上の一対の結像パターンの相対位置に基づいて焦点を検出する焦点検出装置に適用される。そして、撮影レンズ１の予定焦点面と瞳分割手段５との間であって、予定焦点面から離れた位置に配置されるとともに、撮影レンズ１の予定焦点面２上の焦点検出領域に相当する視野開口を有する視野マスク３を備え、対を構成する各光電変換素子列７Ａ、７Ｂの予定焦点面への逆投影像２０Ａ、２０Ｂが、光電変換素子列７Ａ、７Ｂ上の結像パターンの移動方向に互いにずれて配置されるように、光電変換素子列７Ａ、７Ｂが位置決めされているとともに、光電変換素子列７Ａ、７Ｂは、視野マスク３により規定される結像パターンの移動方向における光束の到達範囲とほぼ同一範囲に亘る受光面を備えることにより上述の目的が達成される。
（２）請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の焦点検出装置において、光電変換素子列７Ａ、７Ｂの逆投影像２０Ａ、２０Ｂは、一対の光電変換素子列７Ａ、７Ｂの逆投影像の重畳部分２１と、重畳部分２１の両側から結像パターンの移動方向にそれぞれはみ出して形成される各光電変換素子列７Ａ、７Ｂの逆投影像のはみ出し部分とからなり、重畳部分２１の結像パターンの移動方向に対応する長さについて、重畳部分２１に対するはみ出し部分の長さの比率が５〜３５％の範囲にあるものである。
（３）請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の焦点検出装置において、一の撮影レンズ１０１に対して光電変換素子列１０７Ａ〜Ｈの対を複数備えるものである。
（４）請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の焦点検出装置において、撮影レンズ１の光軸に対応する位置に配置された視野マスク３の開口は、二次元方向に延在し、対を構成する各光電変換素子列７Ａ、７Ｂは、二次元方向に延在する開口のそれぞれに対応して設けられるものである。
【００１１】
なお、本発明の構成を説明する上記課題を解決するための手段の項では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本発明が実施の形態に限定されるものではない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
−第１の実施の形態の焦点検出装置−
以下、図１〜図３を用いて、本発明による焦点検出装置の第１の実施の形態について説明する。
【００１３】
図１および図２において、１は撮影レンズ、２は撮影レンズ１による撮影時の焦点面と共役な予定焦点面、３は光束の一部を透過する視野マスク、４はコンデンサーレンズ、５は撮影レンズ１の射出瞳を２つの領域に分割する絞りマスク、６は絞りマスク５を透過した光束に対応するレンズ部６Ａ，６Ｂを備える再結像レンズ、７は再結像レンズを経由した光を受光する一対の光電変換素子列７Ａ，７Ｂが取付けられた基板である。これらの撮影レンズ１、予定焦点面２、視野マスク３、コンデンサーレンズ４、絞りマスク５、再結像レンズ６および基板７が光軸Ｏ上に順次配置されて、第１の実施の形態の焦点検出装置の焦点検出光学系を構成している。
【００１４】
撮影レンズ１を透過した光束は、撮影レンズ１によって、被写体の第１次像を形成するが、合焦状態ではいわゆる予定焦点面２の位置に被写体の第１次像が結像する。予定焦点面２を通過して視野マスク３の開口を通った光はコンデンサーレンズ４を透過して絞りマスク５に到達する。絞りマスク５の開口を通った光は再結像レンズ６のレンズ部６Ａ，６Ｂによって集光されて、基板７の光電変換素子列７Ａ，７Ｂ上に第２次像を形成する。
【００１５】
図３（ａ）は、予定焦点面２における光電変換素子列７Ａ，７Ｂの逆投影像２０Ａ，２０Ｂを示している。光電変換素子列７Ａ，７Ｂの受光面と予定焦点面２とは互いに共役であり、図３（ａ）に示すように、光電変換素子列７Ａは逆投影像２０Ａを、光電変換素子列７Ｂは逆投影像２０Ｂをそれぞれ予定焦点面２上に形成し、逆投影像２０Ａと逆投影像２０Ｂとはそれぞれの一部分においてのみ重複し、重複部分以外にそれぞれ独自の領域を有する関係にある。図３（ａ）において、領域２１で示す範囲が両者の重複部分であり、逆投影像２０Ａは領域２１から右側にはみ出した部分を、逆投影像２０Ｂは領域２１から左側にはみ出した部分を、それぞれ有している。このように、対を構成する２つの光電変換素子列７Ａ，７Ｂの逆投影像２０Ａ，２０Ｂは、第２次像の移動方向に対して互いにずれた位置関係にある。
【００１６】
図３（ｂ）は、基板７上に光束が到達する領域と光電変換素子列７Ａ，７Ｂとの位置関係を示している。図３（ｂ）に示すように、第１の実施の形態の焦点検出装置では、再結像レンズ６のレンズ部６Ａを経由した光束が到達する領域ＸＡと光電変換素子列７Ａの領域とがほぼ一致しており、また、レンズ部６Ｂを経由した光束が到達する領域ＸＢと光電変換素子列７Ｂの領域とがほぼ一致している。
【００１７】
一方、従来の焦点検出装置では、図９および図３に示すように、図３（ａ）および図９（ａ）で示す領域２１に光電素子２０７Ａ，２０７Ｂの逆投影像が一致するように、光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂを位置決めしている。ところが図９（ｂ）および図３（ｂ）に示すように、受光素子２０７Ａ，２０７Ｂは基板７上で光束の到達する領域ＸＡ，ＸＢの一部分しかカバーできていない。これは視野マスク１０３と予定焦点面１０２とが光軸方向に互いに離れていることに起因するものである。
【００１８】
これに対して第１の実施の形態の焦点検出装置では、視野マスク３と予定焦点面１０２とが互いに離れていることを考慮し、視野マスク３で規定される光束の到達する範囲に合せて光電変換素子列７Ａ，７Ｂを設けているので、第２次像の移動方向について領域ＸＡ，ＸＢのほぼ全域がカバーされる。このことによって、基板７に到達する光束を従来に比べ広範囲にわたって検出できるので、焦点検索の範囲が拡大される。
【００１９】
第１の実施の形態の焦点検出装置では、従来の焦点検出装置と比較して光軸Ｏからより離れた領域の光束まで光電変換素子列により捉えることができ、光軸Ｏから離れた位置に形成される第２次像の位置を検出できる。このため、至近距離にある被写体に対応するデフォーカス検出範囲、いわゆる後ピン判定域を拡大することができる。この場合、焦点と被写体とのずれ分に対する第２次像の移動量は不変であるため、後ピン判定域の拡大に伴って焦点検出精度が低下することはない。
【００２０】
次に、具体的なレンズデータを用い、第１の実施の形態の焦点検出装置についてさらに説明する。第１の実施の形態の焦点検出装置のレンズデータの一例を表１に示す。
【表１】
0003831995.tif 000002
【００２１】
表１において、面Ｎｏ．は、装置内を光束が通過する順序に従って各面に番号を付したものであり、レンズ厚・間隔ｄは、次の面Ｎｏ．の面までの距離を示している。また、Ｎd は波長λd = 587.56nm  における屈折率である。
【００２２】
分散νd は、
νd ＝（Ｎd −１）／（Ｎf −Ｎc ）
により定義される。ここで、Ｎf ，Ｎc は各々波長λf = 486.13nm  ，λc = 656.27nm  における屈折率である。
【００２３】
コンデンサーレンズ４のＮｏ. ６の面は以下の式に従う非球面である。
0003831995.tif 000003
但し、ｒは表１に示した面Ｎｏ．６の曲率半径であり、κ= 1.20、Ｃ4 = +0.2547×10-3 、Ｃ6 = +0.1478×10-5  である。
【００２４】
第１次像とコンデンサーレンズ４の間に厚み 0.3mmの保護ガラス（不図示）が置かれ、視野開口を有する厚み 0.2mmの視野マスク３が保護ガラスの前面に密着配置されている。視野開口は図２における上下方向に、撮影レンズ光軸Ｏを中心として±2.95mmの幅を有するものとする。
【００２５】
絞りマスク５の絞り開口は、開口中心が撮影レンズ光軸ＯよりＸ7 = ±0.772mmの位置、再結像レンズ６は、その光軸が撮影レンズ光軸ＯよりＸ8-9 = ±0.870mmの位置である。光電変換素子列７Ａ，７Ｂの受光素子面の直前には厚み 0.5mmの保護ガラス（不図示）が配置されている。
【００２６】
以上のレンズデータに従って、図３および図９について説明する。従来、図９（ａ）に示すように、第１次像として、対の光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂの共役像（図９（ａ）中、符号２１で示す第１次像）が一致する構成、すなわち撮影レンズ光軸Ｏに対して対称な領域配置になっていた。
【００２７】
この場合の第１次像２１の範囲は、撮影レンズ光軸Ｏを原点として -2.600mm≦ｘ21 ≦ +2.600mm  であり、図９（ｂ）における共役な光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂの範囲は、
-1.814mm≦ｘ207A ≦ -0.263mm
+0.263mm≦ｘ207B ≦ +1.814mm
である。しかし、実際に光線の到達する範囲ＸＡ，ＸＢは、視野マスク３が第１次像と離れて配置されているので、光電変換素子列の撮影レンズ光軸Ｏから遠い側に大きくマージンをもった範囲となる。すなわち、
-1.933mm≦ｘXA ≦ -0.241mm
+0.241mm≦ｘXB ≦ +1.933mm
である。
【００２８】
そこで、第１の実施の形態では、図３（ａ）に示すように、第１次像における対の光電変換素子列の共役像２０Ａ、２０Ｂが不対称な配置となるようにする。
−２．６００ｍｍ≦Ｘ２０Ａ≦＋２．９４５ｍｍ
―２．９４５ｍｍ≦Ｘ２０Ｂ≦＋２．６００ｍｍ
である。また、ここでの重畳部分とはみ出し部分の長さの比率は１３．３％となる。
【００２９】
つまり、この領域は実際に光線の到達する範囲ＸＡ，ＸＢに対応する光電変換素子列７Ａ，７Ｂと共役な関係を保っており、図３（ａ）に示すように、光線が入射する範囲ＸＡ，ＸＢと光電変換素子列７Ａ，７Ｂとはほぼ対応する（対称性を有する）ように構成されている。すなわち、
-1.915mm≦ｘ7A ≦ -0.263mm
+0.263mm≦ｘ7B ≦ +1.915mm
である。
【００３０】
この範囲に光電変換素子列７Ａ，７Ｂがあれば、実際に光線の到達する範囲ＸＡ，ＸＢとの両端マージンの不対称性は解消され、かつ、より大きなデフォーカス範囲を確保することができる。第１次像を対称な領域配置とした際の、実際に光線の到達する範囲と光電変換素子列７Ａ，７Ｂとの不対称性の程度は、焦点検出光学系の使用倍率、第１次像と視野マスクとの間隔等の複数の要因によって決定される。また、光電変換素子列の逆投影像の重畳部分とはみ出し部分の長さの比率については、さらに焦点検出領域全体の長さにも関与する。
【００３１】
ところで、本来、視野開口は第１次像の測距領域を限定する開口であるため、撮影レンズ光軸Ｏに対して対称な領域以外からの余分な光線を遮蔽する役割を有する。その本来の目的からすると、視野マスクは第１次像と等価の位置、あるいは極めて近傍に配置されることになり、図９（ｂ）に示すようなＸＡ，ＸＢの一端を余らせる光電変換素子列の配置は起こらない。
【００３２】
また、撮影レンズ光軸Ｏに対して対称に領域を配置するのは、対称な配置によれば検出領域を大きく確保し得るため、結果としてデフォーカス範囲を大きく取れるという点で有利であるという理由による。
【００３３】
しかし、視野マスクが第１次像と等価の位置にある場合、視野開口上にゴミ等の異物が乗ると、被写体合焦と誤認してしまう現象を回避するためには、視野開口上の異物が受光素子上に結像しない程度に視野マスクを第１次像より離す必要がある。さらに、カメラボディー内の配置都合によっては、第１次像と等価な位置に視野マスクを置くと、撮影光束の妨げとなることから、視野マスクを第１次像から離さざるを得ない場合もある。
【００３４】
このような理由等によって、視野マスクを第１次像より離して配置すると、対称に確保できる検出領域が狭くなるとともに、視野開口の本来の目的である領域以外からの余分な光線の遮蔽が充分できなくなり、撮影レンズ光軸Ｏから遠い側に余分な光が到達するようになる。
【００３５】
ここで、デフォーカス検出範囲における検索範囲ｄを、前ピン判定域と後ピン判定域とで同等程度に維持するためには、図９（ｂ）に示すように、光電変換素子列２０７Ａ，２０７Ｂの外側に光線の入射する範囲ＸＡ，ＸＢが余る状態にならざるを得ない。
【００３６】
−第２の実施の形態の焦点検出装置−
以下、図４および図５を用いて、本発明による焦点検出装置の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態の焦点検出装置は、複数の焦点検出領域を有するカメラ等に適用される。
【００３７】
図４において、１０１は撮影レンズ、１０２は予定焦点面、１０３は視野マスク、１０４はコンデンサーレンズ、１０５は絞りマスク、１０６は再結像レンズ、１０７は８つの光電変換素子列１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆ，１０７Ｇ，１０７Ｈを載せた基板である。これらの撮影レンズ１０１、予定焦点面１０２、視野マスク１０３、コンデンサーレンズ１０４、絞りマスク１０５、再結像レンズ１０６および基板１０７が光軸Ｏ上に順次配置されて、第２の実施の形態の焦点検出装置の焦点検出光学系を構成している。
【００３８】
第２の実施の形態の焦点検出装置は、撮影領域の中央部の被写体像により焦点を検出する縦横十字パターンの検出領域と、撮影光軸に対して左右対称に設けられた縦長パターンの検出領域とを有する。中央部の検出領域に対応する検出素子は光電変換素子列１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆであり、図５（ｂ）に示すように、これらの光電変換素子列１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆが十字パターンに対応した位置に配置されている。そして、光電変換素子列１０７Ｃと１０７Ｄとが対を構成し、縦方向に移動する第２次像の位置に基づいて焦点検出を行う。また、光電変換素子列１０７Ｅと１０７Ｆとが対を構成し、横方向に移動する第２次像の位置に基づいて焦点検出を行う。
【００３９】
また、撮影領域内の左右に設けられた検出領域に対応する検出素子は、光電変換素子列１０７Ａ、１０７Ｂ、１０７Ｇ、１０７Ｈであり、光電変換素子列１０７Ａ、１０７Ｂは図５において左側に、光電変換素子列１０７Ｇ，１０７Ｈは右側に、それぞれ縦方向に配置されて対を構成し、縦方向に移動する第２次像の位置に基づいて焦点検出をする。
【００４０】
光電変換素子列１０７Ａ〜Ｈの受光面は、それぞれ予定焦点面１０２と共役とされ、図５（ａ）において、予定焦点面１０２上の光電変換素子列１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆ，１０７Ｇ，１０７Ｈの逆投影像が、それぞれ第１次像面１０２上の像１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ，１２０Ｄ，１２０Ｅ，１２０Ｆ，１２０Ｇ，１２０Ｈである。図５（ａ）に示すように、互いに対をなす光電変換素子列の逆投影像が、中央部を共通部分として互いにずれた位置関係となるようにされている。例えば、互いに対をなす光電変換素子列１０７Ｅおよび１０７Ｆの逆投影された像１２０Ｅおよび１２０Ｆは、領域１２１を共通部分として図５（ｂ）において互いに左右にずれて配置されている。互いに対をなす光電変換素子列１０７Ａおよび１０７Ｂ、光電変換素子列１０７Ｃおよび１０７Ｄ、光電変換素子列１０７Ｇおよび１０７Ｈについても同様である。
【００４１】
このように、第２の実施の形態の焦点検出装置では、対となる光電変換素子列の予定焦点面１０２での逆投影像が互いにずれる位置関係となるように、焦点検出光学系が設定されているので、図５（ｂ）に示すように、各光電変換素子列１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆ，１０７Ｇ，１０７Ｈが、それぞれの第２次像の移動方向に対し、入射する光束のほぼ全体を捉えることができる。なお、図５（ｂ）において、光電変換素子列１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ，１０７Ｆ，１０７Ｇ，１０７Ｈに対応する光束の入射範囲をそれぞれ領域ＹＡ，ＹＢ，ＹＣ，ＹＤ，ＹＥ，ＹＦ，ＹＧ，ＹＨで表している。
【００４２】
以上のように、第２の実施の形態の焦点検出装置では、光束の到達する範囲に合せて光電変換素子列７１０Ａ〜Ｈを設けているので、領域ＹＡ〜ＹＨのほぼ全域がカバーされる。これにより基板１０７に到達する光束を広範囲にわたって検出できるので、焦点検索の範囲が拡大される。
【００４３】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、撮影レンズを合焦状態としたときに、対を構成する各光電変換素子列の予定焦点面への逆投影像が、光電変換素子列上の結像パターンの移動方向にずれて配置されるように、光電変換素子列が位置決めされているので、焦点の検索範囲を拡大することができる。
請求項３に記載の発明によれば、対を構成する各光電変換素子列は、視野マスクにより規定される結像パターンの移動方向での光束の到達範囲とほぼ同一範囲にわたり受光する受光面を備えるので、焦点の検索範囲を拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による焦点検出装置の第１の実施の形態を示す斜視図。
【図２】第１の実施の形態の焦点検出装置を示す断面図。
【図３】第１の実施の形態の焦点検出装置を示す図であり、（ａ）は予定焦点面への光電変換素子列の逆投影像を示す図、（ｂ）は光電変換素子列の取付けられた基板を示す図。
【図４】本発明による焦点検出装置の第２の実施の形態を示す斜視図。
【図５】第２の実施の形態の焦点検出装置を示す図であり、（ａ）は第１次像面への光電変換素子列の逆投影像を示す図、（ｂ）は光電変換素子列の取付けられた基板を示す図。
【図６】従来の焦点検出装置を示す断面図。
【図７】焦点検出装置の原理を示す図。
【図８】後ピン判定領域ΔＺ、片側重心開角φ、射出瞳と撮影レンズとの距離Ｌおよび予定焦点面上での第２次像の相対位置関係を検索する範囲ｄの関係を示す図。
【図９】従来の焦点検出装置を示す図であり、（ａ）は予定焦点面への光電変換素子列の逆投影像を示す図、（ｂ）は光電変換素子列の取付けられた基板を示す図。
【符号の説明】
１        撮影レンズ
２        予定焦点面
３        視野マスク
５        絞りマスク
６        再結像レンズ
７Ａ      光電変換素子列
７Ｂ      光電変換素子列
２０Ａ    逆投影像
２０Ｂ    逆投影像
２１      領域
１０１    撮影レンズ
１０７Ａ  光電変換素子列
１０７Ｂ  光電変換素子列
１０７Ｃ  光電変換素子列
１０７Ｄ  光電変換素子列
１０７Ｅ  光電変換素子列
１０７Ｆ  光電変換素子列
１０７Ｇ  光電変換素子列
１０７Ｈ  光電変換素子列
ＸＡ    領域
ＸＢ    領域
【図１】
0003831995.tif 000004
【図２】
0003831995.tif 000005
【図３】
0003831995.tif 000006
【図４】
0003831995.tif 000007
【図５】
0003831995.tif 000008
【図６】
0003831995.tif 000009
【図７】
0003831995.tif 000010
【図８】
0003831995.tif 000011
【図９】
0003831995.tif 000012