(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に設けられて素材が載置される載置部と、
前記反応チャンバにプラズマを供給する電子サイクロトロン共鳴システムと、
前記反応チャンバに有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給システムと、
前記載置部近傍に設けられるグリッドを含み、前記グリッドに負のバイアス電圧を繰り返し印加する誘導電圧供給システムとを含み、
前記有機金属化合物が、前記電子サイクロトロン共鳴システムにより形成されるプラズマにより、金属イオンとラジカルイオンに分解され、
前記グリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンが前記素材の表面に選択的に誘導され、濃縮されて常温で蒸着可能であり、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンが重合反応により前記素材の表面に結合可能であり、常温での複合膜の形成が可能であることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴を利用した常温化学蒸着システム。
【請求項２】
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に設けられて素材が載置される載置部と、
前記反応チャンバにプラズマを供給する電子サイクロトロン共鳴システムと、
前記反応チャンバに有機物質を供給する有機物質供給システムと、
前記反応チャンバ内に設けられた金属ターゲットをスパッタリングして金属イオンを供給するスパッタリングシステムと、
前記載置部近傍に設けられるグリッドを含み、前記グリッドに負のバイアス電圧を繰り返し印加する誘導電圧供給システムとを含み、
前記有機物質が、前記電子サイクロトロン共鳴システムにより形成されるプラズマにより、ラジカルイオンに分解され、
前記グリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンが前記素材の表面に選択的に誘導され、濃縮されて常温で蒸着可能であり、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンが重合反応により前記素材の表面に結合可能であり、常温での複合膜の形成が可能であることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴を利用した常温化学蒸着システム。
【請求項３】
前記誘導電圧供給システムは、
商用交流電圧を昇圧させる昇圧器と、
前記昇圧器により昇圧された交流電圧を負の直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータと、
前記載置部近傍に設けられ、前記ＡＣ−ＤＣコンバータにより供給される電圧が印加されて前記金属イオン及びラジカルイオンを素材に誘導するグリッドと、
により構成されて、−1〜−100kVの範囲で負の電圧が供給可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した常温化学蒸着システム。
【請求項４】
反応が行われる反応チャンバ内に電子サイクロトロン共鳴を利用してガスをプラズマに形成して供給すると共に、前記反応チャンバ内に有機金属化合物を供給し、
前記有機金属化合物を前記電子サイクロトロン共鳴により形成されるプラズマにより金属イオンとラジカルイオンに分解し、
素材近傍に設けられるグリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンを前記素材の表面に選択的に誘導し、濃縮して常温で蒸着し、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンを重合反応により前記素材の表面に結合して、常温で複合膜を形成することを特徴とする電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項５】
前記有機金属化合物の前駆体としては、Li(acetate)、(CH3)3Al、(C2H5)3Al、(C4H9)3Al、(CH3)3Bi、(C2H5)3Sb、(C3H7)3Sb、Ag(trifluoroacetate)、Ag(acetate)、(C2H5O)4Si、(C2H5)3SiH、(CH3)4Sn、(C2H5)4Sn、Cu(hfac)2、Cu(acac)、Cu(DPM)、(hfac)Cu(I)MP、(Hfac)Cu(I)(DMB)、(COD)Pt(CH3)2、Pt(CH3)2(CH3NC)2、Pd(allyl)2、Ni(C5H5)2、Ni(CO)4及びPt(hfac)2中の何れか一つが選択されることを特徴とする請求項４に記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項６】
前記素材としては、高分子樹脂、金属、セラミック、紙及び繊維中の何れか一つが選択されることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項７】
前記金属イオン及びラジカルイオンにより形成された素材の金属膜表面比抵抗は、10-1〜108Ωの範囲であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項８】
反応が行われる反応チャンバ内に電子サイクロトロン共鳴を利用してガスをプラズマに形成して供給すると共に、前記反応チャンバ内に有機物質を供給し、
前記有機物質を前記電子サイクロトロン共鳴により形成されるプラズマによりラジカルイオンに分解し、
前記反応チャンバ内に設けられた金属ターゲットをスパッタリングして金属イオンを生成し、
素材近傍に設けられるグリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンを前記素材の表面に選択的に誘導し、濃縮して常温で蒸着し、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンを重合反応により前記素材の表面に結合して、常温で複合膜を形成することを特徴とする電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項９】
前記有機物質としては、気体状態の炭化水素及び液体状態の炭化水素中のどちらか一つが選択されることを特徴とする請求項８に記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【請求項１０】
前記気体状態の炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン及びブタン中の何れか一つが選択され、前記液体状態の炭化水素としては、トルエン、パラキシレン、エチルベンゼン、スチレン、1,1,1,5,5,5,-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト[H(fac)]及びテトラハイドロフラン中の何れか一つが選択されることを特徴とする請求項９に記載の電子サイクロトロン共鳴を利用した複合金属膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子サイクロトロン共鳴(Electron  Cyclotron  Resonance、以下、ＥＣＲと略称する)を利用した常温化学蒸着システム及びこれを利用した複合金属膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、金属膜を形成する代表的技術としては、イオンビーム(ion  beam)蒸着法、スパッタリング(sputtering)蒸着法及び熱蒸着(thermal  evaporation)法などの方法が挙げられ、以下、これら方法について詳しく説明する。
先ず、前記イオンビーム蒸着法は、タングステンフィラメントのるつぼ形炉(crucible  furnace)で金属を蒸気化すると、熱電子の衝突により外部に噴出された金属蒸気は、分子形態またはクラスターを形成して電磁気場内でイオン化された後、粒子加速器により加速され基板に衝突して膜を形成するようになる。
【０００３】
ここで、前記膜成長のメカニズムは、クラスター形成、核生成及び付着原子の表面移動の順に行われる。
また、イオンビーム内におけるイオンエネルギーは、eV〜MeVの広いエネルギー範囲を有し、エネルギー範囲によって、ハイエネルギー(high  energy、MeV)、ナロービーム(narrow  beam、数百keV〜数十keV)及びブロードビーム(broad  beam、数百eV〜数eV)に大別される。
【０００４】
イオンエネルギーの高いハイエネルギー及びナロービームは、無機膜の埋込層の形成や表面改質、イオン注入及び物理蒸着などの用途に主に使用されるが、高イオンエネルギーを有するため、基板との衝突時に周囲温度が上昇して欠陥が多量に形成され、よって、界面及び表面形状の粗度が大幅に増加する傾向がある。
一方、ブロードビームの場合は、主に物理蒸着に適用され、イオン補助蒸着(Ion  Assisted  Deposition：ＩＡＤ)方式によって、気体原子により基板を活性化させながら金属を物理的に蒸着するイオン気相蒸着(Ion  Vapor  Deposition：ＩＶＤ)と、蒸着しようとする物質を原子やイオンクラスターに形成しエネルギーを加えて直接蒸着するイオンクラスタービーム(Ion  Cluster  Beam：ＩＣＢ)と、の2種類に区分される。
【０００５】
このような前記イオンビームによる物理蒸着は、蒸着速度が速く複数個のるつぼ形炉を使用すると複合金属膜を形成することができるという長所があるが、一方、次に記述するような短所がある。
１）金属を蒸気化するので、反応器内の圧力条件によって膜に含まれる金属の量及び組成を制御することが非常に困難である。
【０００６】
２）金属の種類により溶融点が異なるため、るつぼ形炉の温度によって蒸発速度が変化し、従って、用いられる金属ソース(source)が制限される。また、るつぼ形炉の大きさが限定されるため、連続工程への適用が非常に困難である。
３）低エネルギーを有するブロードビームの場合でも、金属イオンのフォーカシングによる問題点のため、大面積化が困難である。
【０００７】
４）加速化された高いエネルギーのイオンと基板との衝突により周囲温度が上昇して欠陥が多量に発生するので、界面結合力が弱く、時間の経過につれ膜の劣化が発生する。
５）基板が高分子のような有機物である場合は、工程中に材料の変形または物性変化が発生する場合がある。
【０００８】
一方、前記スパッタリングによる物理蒸着方法は、マイクロウェーブ、ＲＦプラズマ及びＤＣ放電によって金属ターゲットをエッチングすることでイオン化された金属を基板に物理蒸着する方法であって、簡便で迅速に蒸着を行えるという長所はあるが、界面損傷が大きいので、膜に欠陥が形成されて機械的強度や界面間の結合力が悪く、膜の上層部へ行くほど膜成分が金属間の結合力だけで構成されるので、結合エネルギーが急速に弱化するという短所がある。
【０００９】
また、前記熱蒸着法は、真空中で金属、化合物、または合金を加熱して溶融状態から蒸発させ、蒸発された粒子を基板表面に蒸着させる方法である。蒸発過程が熱交換過程であるという点で前記スパッタリング法とは相異し、このようにして形成された薄膜を真空熱蒸着薄膜という。前記熱蒸着法の長所としては、１）装置全体の構成が比較的簡単で、２）多様な物質に容易に適用することが可能で、３）薄膜の形成メカニズムが比較的単純であるため薄膜の形成時に核生成や膜成長理論を適用することが容易で、４）薄膜を形成する時の熱的及び電気的煩雑さが少ないため薄膜形成時の膜の物性研究に好適で、また、５）熱力学的に平衡である時の物質とは異なる結晶構造を有する物質や他の成分比を有する化合物を形成することができることなどが挙げられる。
【００１０】
しかし、主に融点の低い材料の蒸着に有利で、蒸気圧を考慮すると用いられる蒸発源材料が制限され、スパッタリング法と同様に製造された薄膜の結合力が悪いという短所がある。
従って、最近ではイオンビームとスパッタリングとを結合した装備が開発されて(米国特許第6,214,183号明細書)、イオンビームをマグネトロンターゲットに照射させることで、多量のスパッタリング粒子及び二次イオンを生成させているが、スパッタリングの機能を増進させるためにイオンビームが利用されているだけで、根本的に膜の特性を改善させることはできなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の各蒸着方法は、蒸着膜の特性が優秀でなく、特に、膜特性の改善に有用でなかった。また、高温で蒸着が行われたり、基板に物理的な損傷を与えたりする等の不都合な点があった。
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、基板と蒸着される金属膜との結合力に優れる高品質の蒸着膜を形成し得る、ＥＣＲを利用した常温化学蒸着システム及びこれを利用した複合金属膜の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
そして、本発明の他の目的は、紙、繊維、及び高分子樹脂など、コーティング対象材料に種類を問わず、更に、基本材料の劣化や変形のような物性変化を起こさずに、導電性を自由に変化し得る方法を提供しようとする。
本発明のその他の目的は、用いられる金属が異なるスパッタリングガンを複数個設置するか、または、多種の有機金属化合物を同時に供給することで、常温で化学蒸着反応によって多成分系の金属膜を形成し得る方法を提供しようとする。
【００１３】
また、本発明のその他の目的は、雰囲気ガスの組成、スパッタリング速度及び圧力などの工程変数を制御することで、金属膜の組成を変化させたり、比抵抗特性を10-1〜108Ωの範囲内で自由に変化し得る方法を提供しようとする。
更に、本発明のその他の目的は、高速の膜形成が可能で、幅１ｍ以上のシート型または立体型の素材に対して大面積の金属膜を連続的にコーティングし得る方法を提供しようとする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明は、反応チャンバと、前記反応チャンバ内に設けられて素材が載置される載置部と、前記反応チャンバにプラズマを供給する電子サイクロトロン共鳴システムと、前記反応チャンバに有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給システムと、前記載置部近傍に設けられるグリッドを含み、前記グリッドに負のバイアス電圧を繰り返し印加する誘導電圧供給システムとを含み、前記有機金属化合物が、前記電子サイクロトロン共鳴システムにより形成されるプラズマにより、金属イオンとラジカルイオンに分解され、前記グリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンが前記素材の表面に選択的に誘導され、濃縮されて常温で蒸着可能であり、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンが重合反応により前記素材の表面に結合可能であり、常温での複合膜の形成が可能であることを特徴とするＥＣＲを利用した常温化学蒸着システムを提供する。
また、本発明は、反応チャンバと、前記反応チャンバ内に設けられて素材が載置される載置部と、前記反応チャンバにプラズマを供給する電子サイクロトロン共鳴システムと、前記反応チャンバに有機物質を供給する有機物質供給システムと、前記反応チャンバ内に設けられた金属ターゲットをスパッタリングして金属イオンを供給するスパッタリングシステムと、前記載置部近傍に設けられるグリッドを含み、前記グリッドに負のバイアス電圧を繰り返し印加する誘導電圧供給システムとを含み、前記有機物質が、前記電子サイクロトロン共鳴システムにより形成されるプラズマにより、ラジカルイオンに分解され、前記グリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンが前記素材の表面に選択的に誘導され、濃縮されて常温で蒸着可能であり、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンが重合反応により前記素材の表面に結合可能であり、常温での複合膜の形成が可能であることを特徴とするＥＣＲを利用した常温化学蒸着システムを提供する。
【００１５】
且つ、本発明は、反応が行われる反応チャンバ内に電子サイクロトロン共鳴を利用してガスをプラズマに形成して供給すると共に、前記反応チャンバ内に有機金属化合物を供給し、前記有機金属化合物を前記電子サイクロトロン共鳴により形成されるプラズマにより金属イオンとラジカルイオンに分解し、素材近傍に設けられるグリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンを前記素材の表面に選択的に誘導し、濃縮して常温で蒸着し、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンを重合反応により前記素材の表面に結合して、常温で複合膜を形成することを特徴とするＥＣＲを利用した複合金属膜の製造方法を提供する。
また、本発明は、反応が行われる反応チャンバ内に電子サイクロトロン共鳴を利用してガスをプラズマに形成して供給すると共に、前記反応チャンバ内に有機物質を供給し、前記有機物質を前記電子サイクロトロン共鳴により形成されるプラズマによりラジカルイオンに分解し、前記反応チャンバ内に設けられた金属ターゲットをスパッタリングして金属イオンを生成し、素材近傍に設けられるグリッドに負のバイアス電圧を印加することにより、前記金属イオンを前記素材の表面に選択的に誘導し、濃縮して常温で蒸着し、前記グリッドに印加される負のバイアスを解除することにより、前記ラジカルイオンを重合反応により前記素材の表面に結合して、常温で複合膜を形成することを特徴とするＥＣＲを利用した複合金属膜の製造方法を提供する。
【００１６】
詳しく説明すると、先ず、電子の磁場による回転周波数と電源として加えられるマイクロウェーブの周波数とが一致する時に発生するＥＣＲプラズマを利用して、水素、窒素及びアルゴンのような気体分子の高密度プラズマイオンを発生させ、発生されたプラズマは、別途に供給される有機金属化合物をイオン化させるか、または、別途に供給される有機物質をラジカルイオン化させる。
【００１７】
次いで、誘導電圧供給システムによりグリッドに供給される−1〜−100kVの範囲の電圧を利用して、プラズマによるイオン化又はスパッタリングにより生成された金属イオンを素材の表面に選択的に誘導させる。
本発明において、金属薄膜を形成する方法を大きく分けると次の２種類に分類されるが、本発明はこれに限定されるものではない。
i）有機金属化合物だけを供給し、ＥＣＲにより生成されたプラズマを利用して金属イオンと有機ラジカルイオンに分解して、パルスＤＣバイアスの誘導により素材表面に前記金属イオンが濃縮され、過凝結（super condensation）が起こって常温で金属薄膜が蒸着される。
【００１８】
ii）反応チャンバに設けられた金属ターゲットをスパッタリングして金属イオンを供給し、芳香族又は炭化水素系有機物を別途に供給し、この有機物をＥＣＲプラズマにより有機ラジカルイオンに分解して、パルスＤＣバイアスの誘導により素材表面に前記金属イオンが濃縮され、過凝結が起こって常温で金属薄膜が蒸着される。
【００１９】
次いで、グリッドに印加された電圧を解除するか、又は、正（＋）のバイアス電圧を誘導させると、プラズマ重合反応により、前記有機ラジカルイオン（炭化水素）の素材表面への化学的結合が行われる。
【００２０】
前記ＥＣＲシステムは、マイクロウェーブを生成する発振器と、プラズマを形成するためのガスを供給するガス供給部と、ＥＣＲによるプラズマが形成される空間であるＥＣＲチャンバと、該ＥＣＲチャンバに装着されて磁場を形成する少なくとも一つの磁石と、前記ＥＣＲチャンバにマイクロウェーブを供給する導波管と、インピーダンスマッチングのために前記ＥＣＲチャンバと発振器間の導波管に連結されるインピーダンスマッチング部と、を包含して構成され、ここで、前記ガス供給部を介して供給されるガスは、酸化、還元及び不活性ガス中から選択された少なくとも一つで、前記ＥＣＲチャンバは、内壁に付着される不純物によるプラズマの汚染を防止するために装着される石英からなる内部チャンバを追加包含して構成される。
【００２１】
前記スパッタリングシステムは、ＤＣマグネトロンスパッタリングシステムまたはＲＦスパッタリングシステムから選択された一つである。
前記誘導電圧供給システムは、商用交流電圧を昇圧させる昇圧器と、該昇圧器により昇圧された交流電圧を負の直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータと、前記載置部近傍に設けられ、前記ＡＣ−ＤＣコンバータにより供給される電圧が印加されて金属イオン及びラジカルイオンを素材に誘導するグリッドと、により構成される。
【００２２】
前記真空システムは、前記反応チャンバ内の圧力を感知する圧力センサーと、該圧力センサーにより感知された反応チャンバ内の圧力を適正に制御するための圧力制御部と、を付加して構成される。
本発明において、前記有機物質は、気体状態の炭化水素または液体状態の炭化水素から選択され、前記気体状態の炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン及びブタン中の何れか一つ、前記液体状態の炭化水素としては、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、パラキシレン(p-Xylene)、エチルベンゼン(Ethylbenzene)、スチレン(Stylene)、1,1,1,5,5,5,-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト[1,1,1,5,5,5,-hexafluoro-2,4-pentanedionato[H(fac)]]及びテトラハイドロフラン[Tetrahydrofuran(THF)]中の何れか一つが選択される。
【００２３】
本発明において、前記金属イオン及び有機物質としては有機金属化合物の前駆体が供給され、該有機金属化合物の前駆体は、Li(acetate)、(CH3)3Al、(C2H5)3Al、(C4H9)3Al、(CH3)3Bi、(C2H5)3Sb、(C3H7)3Sb、Ag(trifluoroacetate)、Ag(acetate)、(C2H5O)4Si、(C2H5)3SiH、(CH3)4Sn、(C2H5)4Sn、Cu(hfac)2、Cu(acac)、Cu(DPM)、(hfac)Cu(I)MP、(Hfac)Cu(I)(DMB)、(COD)Pt(CH3)2、Pt(CH3)2(CH3NC)2、Pd(allyl)2、Ni(C5H5)2、Ni(CO)4及びPt(hfac)2中の何れか一つが選択される。
【００２４】
本発明において、前記金属イオンとしては、金属をスパッタリングしてイオンに変換させたものが供給され、前記有機物質としては、ガスまたは液体状態の有機物質から選択されたものが供給される。
本発明において、前記金属イオン及びラジカルイオンがコーティングされる素材としては、高分子樹脂、金属、セラミック、紙及び繊維中の何れか一つが選択される。
【００２５】
ここで、前記金属イオン及びラジカルイオンにより形成される素材の金属膜表面比抵抗は10-1〜108Ωの範囲で、静電気防止及び電磁波遮蔽などに幅広く適用することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
本実施形態に係るＥＣＲを利用した常温化学蒸着システムにおいては、図１に示したように、反応チャンバ10にプラズマを供給するＥＣＲシステム１、反応チャンバ10に金属イオンを供給するスパッタリングシステム２、反応チャンバ10に気相または液相系の有機物ガスを供給する有機物供給システム３、金属イオン及びラジカルイオンを素材に誘導する誘導電圧供給システム４、反応チャンバ10内の真空度を調節する真空システム５、により構成され、詳しく説明すると次のようである。
【００２７】
先ず、前記ＥＣＲシステム１においては、基本的にマイクロウェーブシステム、磁場関連構成品及び工程自動化のための装置などで構成され、前記マイクロウェーブシステムは、マイクロウェーブを発生させる発振器20(米国Astex社製品(モデルS-100)であって、最大出力１kW、安定度は0.1%、リップルは最大１%を越えない)と、マイクロウェーブの方向及びモードを変えてＥＣＲチャンバ39に誘導し、均一したプラズマを生成させる方向性カプラ(directional  coupler)22と、サーキュレータ26と、該サーキュレータ26に分岐連結されて入射波及び反射波の出力を測定する電力計24と、該電力計24に入力されるマイクロウェーブを減殺させる減殺器23と、前記発振器20に復帰する反射波を遮蔽するアイソレータ25と、反射波が前記発振器20に復帰して損傷を負わせることを防止するサーキュレータ／疑似負荷21と、マイクロウェーブのチューニングのための３−スタブ式チューナー28と、対称形プラズマカプッラ(symmetric  plasma  coupler）29と、により構成される。
【００２８】
また、前記発振器20から前記対称形プラズマカップラ29まで長く連結されてある導波管30を通称ウェーブガイドとし、材質は銅で、内部に特殊コーティング処理を施してマイクロウェーブ波形を效果的に伝達し得る機能を有する。ここで、前記導波管30に介装されるサーキュレータ／疑似負荷21から対称形プラズマカップラ29まででインピーダンスマッチング部を構成する。
【００２９】
前記ＥＣＲシステムにおける磁場の役割は、共振層を形成し、プラズマを密閉させ、フラックスラインに沿って移動するプラズマ運動を制御することでシステムの性能を左右する。従って、発生する共振特性のために３A／mm2以上の高電流密度が必要で、絶縁体劣化防止用冷却装置が必要である。
また、前記真空システム５は、低圧放電形式のものが採用されるので、ターボモレキュラーポンプ71、ルートブロアー72及びロータリポンプ75の組合わせで構成され、更に、前記反応チャンバ10から排出されるガス中に含まれた有害物質などを除去するためのケミカルトラップ73及びフィルター74などが付加的に連結される。
【００３０】
また、前記ターボモレキュラーポンプ71の前端には開閉量の調節を行うためのスロットルバルブ70が装着され、前記反応チャンバ10内の圧力を感知するための圧力センサー60が装着され、前記スロットルバルブ70は、バルブ制御部65により制御される。
ここで、前記バルブ制御部65は、前記圧力センサー60の感知する反応チャンバ10内の圧力に基づいて反応チャンバ10内を適正圧力に維持するために、前記スロットルバルブ70を制御する。ここで、スロットルバルブ70とバルブ制御部65で圧力制御部を構成する。
【００３１】
前記ＥＣＲシステムのＥＣＲチャンバ39に供給される注入ガス32としては、酸化ガス、還元ガスまたは不活性ガスなどを使用することが可能で、第１質量流量計33を介してＥＣＲ現象が発生する前記ＥＣＲチャンバ39内に供給される。該ＥＣＲチャンバ39の上、下方端にはそれぞれ2.5kW及び5kWの第１磁石35及び第２磁石37が装着され、中央には透視窓が形成されてプラズマ状態を確認することができる。
【００３２】
ここで、前記第１磁石35及び第2磁石37としては、永久磁石または電磁石を使用することが可能で、もし、前記第１及び第２磁石35、37を電磁石で構成した場合、電磁石コイルは中空状の銅管により製作され、内部空間に冷却水を供給することで、稼動時に発生する熱を冷却させるように構成されている。電磁石の磁場は所定電流に対する距離の関数で、軸方向及び半径方向によって相互相異する分布を有する。
【００３３】
また、前記ＥＣＲチャンバ39の内部には石英(quartz)により製作された円筒状の内部チャンバを設けて、前記ＥＣＲチャンバ39の壁に吸着された不純物分子が脱着されてプラズマを汚染させる現象を防止する。
更に、前記ＥＣＲシステムの下方端、即ち、前記ＥＣＲチャンバ39の下方端には、載置部15上に載置する素材（図示せず）の表面改質が発生する反応チャンバ10が連結される。
【００３４】
前記スパッタリングシステム２は、金属イオンを放出する装置(スパッタリングガン)であって、金属イオンを放出するためにＤＣマグネトロン方式やＲＦスパッタリング(高周波数スパッタリング)方式のスパッタリング装置55を利用して前記反応チャンバ10内に設けられたターゲット56をスパッタリングさせることで金属イオンを供給する。
【００３５】
前記有機物供給システム３は、メタン、プロパン等の気相炭化水素または気相有機金属化合物前駆体のような気相有機物40を、第２質量流量計41を利用して供給量を制御しながら供給し、また、ヘキサン類のような液相炭化水素または液相有機金属化合物前駆体のような液相有機物は、第３質量流量計43を介して計量されて供給されるガス42(前記注入ガス32のようなガス)を利用して恒温機能を有するバブラー44を利用して供給する。
【００３６】
尚、気相炭化水素として、例えばエタン、ブタン等もある。また、液相炭化水素として、例えばベンゼン、トルエン、パラキシレン(p-Xylene)、エチルベンゼン(Ethylbenzene)、スチレン(Stylene)、1,1,1,5,5,5,-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト[1,1,1,5,5,5,-hexafluoro-2,4-pentanedionato[H(fac)]]及びテトラハイドロフラン[Tetrahydrofuran(THF)]もある。
【００３７】
また、気相及び液相有機金属化合物前駆体として、Li(acetate)、(CH3)3Al、(C2H5)3Al、(C4H9)3Al、(CH3)3Bi、(C2H5)3Sb、(C3H7)3Sb、Ag(trifluoroacetate)、Ag(acetate)、(C2H5O)4Si、(C2H5)3SiH、(CH3)4Sn、(C2H5)4Sn、Cu(hfac)2、Cu(acac)、Cu(DPM)、(hfac)Cu(I)MP、(Hfac)Cu(I)(DMB)、(COD)Pt(CH3)2、Pt(CH3)2(CH3NC)2、Pd(allyl)2、Ni(C5H5)2、Ni(CO)4及びPt(hfac)2等がある。
【００３８】
前記誘導電圧供給システム４は、電源50、交流電圧を15,000V(20mAの電流)に昇圧させる昇圧トランス51及び該昇圧トランス51により高圧に昇圧された交流電圧を整流して負（−）の直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータ52、載置部15近傍に設けられてＡＣ−ＤＣコンバータ52により供給される電圧が印加されて前記金属イオンを素材に誘導するグリッド（図示せず）と、により構成され、前記ＡＣ−ＤＣコンバータ52により整流された負の直流電圧は、金属イオンを前記載置部15上の素材に誘導する。
【００３９】
ここで、前記ＡＣ−ＤＣコンバータ52は、４段の整流ダイオードにより整流が行われ、それぞれ471pF／30kV容量を有する４個のコンデンサに充電されて、全体的に各コンデンサの充電量を全て加算した入力値の４倍の約60kVの直流電圧が発生され、発生される電圧の予想波形は、パルスバイアスにより生成される球形波でなく、60Hzの負電圧曲線カーブにより形成された数パーセントリップル率を含む直流負電圧が形成される。
【００４０】
有機金属化合物はＥＣＲ領域でそれぞれ陽イオンと陰イオンとに分解され、即ち、金属イオンは大体陽イオンに分解され、炭化水素ラジカルは更に分解されて陰イオンに変換される。
載置部15の周囲に設けられたグリッド（図示せず）に前記ＡＣ−ＤＣコンバータ52から負電荷を有するサイクル電流を供給すると、素材周囲では金属陽イオンの濃度が急激に増加する。ここで、グリッドは、ステンレススチールのような金属からなる。また、グリッドに供給される負電圧の波形としては、負の直流高電圧またはサイクル半波形負電圧（パルス電圧）が適用され、本発明では、−1〜−100kVの範囲の値を有する。
【００４１】
素材の周囲で急激に増加した金属陽イオンの量が周囲蒸気量よりも多くなると、気相均一反応よりもエネルギー的に安定化された非均一反応によって素材の表面に金属膜が蒸着される。
一方、ＥＣＲプラズマにより分解されて生成される炭化水素陰イオンは、素材の表面に生成された活性基と反応してプラズマ重合反応を起こすので、最終的には金属と炭化膜とが複合的に結合された膜が基板の表面に形成される。
【００４２】
本発明においては、グリッドに供給される負電圧を変化させることで素材周囲の陽イオン濃度及び陰イオン濃度を制御して、結果的に所望する複合膜の電気伝導度を制御することができる。
以下、実施例を用いて本発明を詳しく説明する。
実施例１
ＥＣＲマイクロウェーブパワー700W、第１磁石35に170A(24V)の電流及び第２磁石37に120A(17V)の電流をそれぞれ供給して、上、下端電磁石に磁場の重畳原理により875ガウスのＥＣＲ条件を形成した。このとき、反応チャンバ10の圧力は25mtorr、グリッドに印加される直流電圧は−10kVに維持し、有機金属の前駆体であるCu(hfac)2をバブラー44を介して供給しながら該バブラー44内の圧力を200torrに調節し、アルゴン及び水素の供給を、供給なしと100sccm以下の流量範囲の条件下で、100×100mmの大きさを有するPET（試片）を載置部15に載置して30分間の間常温蒸着した。
【００４３】
銅薄膜の蒸着された試片の表面比抵抗をASTM  D257により測定した結果、表面比抵抗は蒸着前1012〜1014Ω／cm2から蒸着後100〜108Ω／cm2に変化した。アルゴンと水素の比による表面比抵抗の変化を表１に示した。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
実施例２
水素とアルゴンの供給比が0.5の場合に対し、マイクロウェーブパワーを700Wから200Wに変化させ、その他は前記第1実施例と同一条件にした。表面比抵抗値は45.45Ωから0.68MΩに増加した。マイクロウェーブパワーの変化による表面比抵抗の変化を表２に示した。
【００４６】
【表２】
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【００４７】
実施例３
前記実施例１と同一条件下で、コーティング対象となる生地素材として多様な高分子樹脂、シリコンウエハ、紙または繊維を使用した場合、金属膜がコーティングされて、生地素材の表面が導電性を有するように改質することが可能であった。生地素材の種類及び表面改質による表面比抵抗の平均値を表３に示した。
【００４８】
【表３】
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【００４９】
実施例４
水素とアルゴンの供給比が0.5の場合に対して、磁場の強度を変化させるために第１磁石35及び第２磁石37に供給される電流を変化させ、その他は前記実施例１と同一条件にした時、表面比抵抗値は45Ωより増加した。前記第１及び第２磁石35、37に供給される電流量による表面比抵抗の変化を表４に示した。
【００５０】
【表４】
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【００５１】
実施例５
前記実施例１のように有機金属前駆体を供給する代わりに反応チャンバ10内にターゲット56として銅(Cu)を装着し、スパッタリング装置55によりスパッタリングさせながら、炭化水素のn-ヘキサンを10cc／minに供給して10分間の間銅薄膜を蒸着した。生成される銅金属薄膜の表面比抵抗は減少され、蒸着速度は約20倍増加した。金属イオンの供給方法による表面比抵抗の変化を表５に示した。
【００５２】
【表５】
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【００５３】
比較例１
本実施例により製造された銅金属薄膜と、スパッタリング法を利用して製造された薄膜と、の表面を比較した結果、本実施例による薄膜の表面は、非晶質形態で、銅金属の結晶が殆ど見られないが、スパッタリング法単独により製造された薄膜の表面は、銅金属結晶により覆われていることが確認された。
【００５４】
比較例２
本実施例により高分子樹脂に蒸着された銅薄膜と、スパッタリング法を利用して蒸着された薄膜と、の断面を比較した結果、本実施例による薄膜の断面は、高分子樹脂と堅固に結合され、銅と高分子樹脂との境界面も明確でなかった。一方、スパッタリング法単独により製造された薄膜の断面は、薄膜の上層部へ行くほど円周状に形成されて結合力が非常に弱く、高分子樹脂と銅薄膜間の境界面も明確であることが分かった。
【００５５】
比較例３
高分子樹脂に化学蒸着される複合金属膜の組成比に対し、蒸着方法による変化を比較するためにオージェ（Auger）分析装置により分析した結果、本実施例による金属膜の組成比は、図２に示したように、Cu：74%、C：25%及びO：1%により構成された複合膜で、抵抗は69.6Ω／cmであった。一方、スパッタリング法単独で製造された薄膜は、図３に示したように、殆どCu：100%により構成されて、前記比較例２の結果を裏付けている。
【００５６】
比較例４
図４は、プラズマエッチング領域にニッケルを載置させた後、パラキシレン有機物を独立的に供給することで高分子樹脂に蒸着された複合金属膜の組成をオージェ分析装置により分析した結果を示したグラフで、膜の組成は、前駆体に含まれたCu：3.5%、C：25%、F：3%、O：2.5%及び電極質からスパッタリングされたZn：2%、Ni：63%により構成された複合膜で、抵抗は69.6Ω／cmであった。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るＥＣＲを利用した常温化学蒸着システム及びそれを利用した金属複合膜の製造方法においては、高分子の表面上に多成分の金属薄膜を製造することが可能で、具体的には次のような効果がある。
（１）本発明により形成される金属膜は、従来の技術であるスパッタリング法やイオンビーム蒸着法により製造される金属膜に比べて基板と金属膜間の結合が非常に堅固な優れた膜特性を有する。
【００５８】
（２）ＥＣＲ条件によってイオン化エネルギーが高いため高密度のプラズマが形成され、イオン化金属の供給装置であるスパッタリングシステムとの結合により化学蒸着速度を一層向上させることが可能で、複数個のスパッタリングガンをチャンバ内に設けると多成分系の金属膜の形成や組成の制御が一層容易になる。
（３）蒸着領域とプラズマ領域とが分離され、膜成長メカニズムが金属粒子の衝突によるものであった従来の技術とは異なる、化学反応であるので、素材の変形や機械的強度の低下などの物性変化が発生しない。
【００５９】
（４）プラズマパワー、膜内に含まれた金属の組成や種類及び有機物の濃度分布などを制御することで、蒸着された金属膜の電導度を幅広く調節することができる。
（５）化学的に構成された多成分系金属膜の蒸着が可能であるため、特殊技能が要求される新機能及び高性能金属膜の製造が可能である。
【００６０】
（６）本発明のＥＣＲを利用した常温化学蒸着システムによって高分子樹脂の表面に金属薄膜を製造する方法は、プラズマをチャンバの外部で生成して注入するので、素材の大面積化及び連続工程の構成が便利で、大量生産設備への適用に非常に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＥＣＲを利用した常温化学蒸着システムの一実施形態を示した構成図である。
【図２】本発明により製造された銅金属薄膜のオージェ分析結果を示したグラフである。
【図３】既存のスパッタリング法単独で製造された銅金属薄膜のオージェ分析結果を示したグラフである。
【図４】ＥＣＲプラズマエッチング領域にニッケル金属を装入させ、反応器の側面に有機物を供給して製造されたニッケル金属薄膜のオージェ分析結果を示したグラフである。
【符号の説明】
10：反応チャンバ                   15：載置部
20：発振器                         30：導波管
35：第１磁石                       37：第２磁石
39：ＥＣＲチャンバ                 50：電源
55：スパッタリング装置             56：ターゲット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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