(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及び下面にＡｌ箔(11a,11b,12a,12b,13a,13b)がそれぞれ接着された２以上のセラミック基板(11,12,13)が積重ねられ、前記セラミック基板(11,12,13)の面接触する部分における前記Ａｌ箔(11b,12a,12b,13a)が互いにろう付けされた積層セラミック基板であって、
最上層のセラミック基板(13)上面に接着されたＡｌ箔(13b)及び最下層のセラミック基板(11)下面に接着されたＡｌ箔(11a)のＡｌ純度がそれぞれ前記最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔(11b,12a,12b,13a)のＡｌ純度より高く、
前記最最上層のセラミック基板(13)上面に接着されたＡｌ箔(13b)及び最下層のセラミック基板(11)下面に接着されたＡｌ箔(11a)の厚さを前記最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔(11b,12a,12b,13a)の厚さで除した値が０．８以上３以下である
ことを特徴とする積層セラミック基板。
【請求項２】
最上層のセラミック基板(13)上面に接着されたＡｌ箔(13b)及び最下層のセラミック基板(11)下面に接着されたＡｌ箔(11a)のＡｌ純度がそれぞれ９９．９００〜９９．９９９重量％であってかつ厚さがそれぞれ０．１〜１．０ｍｍであり、
前記最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔(11b,12a,12b,13a)のＡｌ純度がそれぞれ９９．００〜９９．９９重量％であってかつ厚さがそれぞれ０．１〜０．７ｍｍである請求項１記載の積層セラミック基板。
【請求項３】
セラミック基板(11,12,13)がそれぞれＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉ3Ｎ4のいずれかからなる請求項１又は２記載の積層セラミック基板。
【請求項４】
ろう付けされたＡｌ箔(11b,12a,12b,13a)が所定の回路パターンを形成する請求項１ないし３いずれか１項に記載の積層セラミック基板。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項に記載の積層セラミック基板がろう材によりヒートシンクに積層接着されたパワーモジュール用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体素子が搭載されるセラミック基板に関する。更に詳しくは、２以上のセラミック基板を積重ねて積層した積層セラミック基板及びこの積層セラミック基板をヒートシンクに積層接着したパワーモジュール用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３に示すように、従来複数の半導体素子３ａ，３ｂを搭載するセラミック基板１として、ＡｌＮからなるものが知られている。このセラミック基板１の上面及び下面にはＣｕ箔がそれぞれ接着され、半導体素子３ａ，３ｂを搭載する上面のＣｕ箔をエッチング加工することによりそのセラミック基板１の上面には複数種類の導体２ａ，２ｂ，２ｃからなる所定の回路パターン２が形成される。半導体素子３ａ，３ｂの搭載は、この回路パターン２にはんだ付することにより行われ、半導体素子３ａ，３ｂの電極部はワイヤ４又は平板によりそれらの回路パターン２に接続される。
【０００３】
一方、発熱量が比較的多い半導体素子３ａ，３ｂを搭載するパワーモジュール用基板では、このセラミック基板１を図示しないヒートシンクに積層したものが一般的である。ヒートシンクは通常銅により形成され、表面にはニッケルメッキが施される。セラミック基板１のヒートシンクへの積層はセラミック基板下面に接着されたＣｕ箔をヒートシンクにはんだ付けすることにより行われる。このようにヒートシンクにセラミック基板を積層接着したパワーモジュール用基板では、半導体素子が発した熱が回路パターン２、セラミック基板１、Ｃｕ箔、はんだ及び図示しないヒートシンクを介して外部に放散されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上面に複数の導体２ａ，２ｂ，２ｃからなる所定の回路パターン２を形成した上記従来のセラミック基板１では、半導体素子３ａ，３ｂの実装密度を向上することに限界がある不具合がある。図３を用いて具体的に説明すると、図３における回路パターン２は第１導体２ａ、第２導体２ｂ及び第３導体２ｃからなり、二対の第１半導体素子３ａ，３ａは第１導体２ａに接着されその電極部はワイヤ４を介して第２導体２ｂに接続される。また、二対の第２半導体素子３ｂ，３ｂは第２導体２ｂに接着されその電極部はワイヤ４を介して第３導体２ｃに接続される。このような場合において実装密度を向上させるためにはそれぞれの導体２ａ，２ｂ，２ｃ自体の幅及びその導体間の間隔を狭める必要があるが、それらを狭めることには導体２ａ，２ｂ，２ｃの抵抗を高めるとともに、導体間における絶縁特性を劣化させることにもなり、それらを狭めることには限界があった。
【０００５】
また、このようなセラミック基板の下面に接着されたＣｕ箔をヒートシンクにはんだ付けすることにより積層接着した従来のパワーモジュール用基板では、はんだの熱伝導率が比較的低いため、半導体素子３ａ，３ｂが発した熱を有効にヒートシンクに伝導して放散できない不具合もある。
本発明の目的は、半導体素子の実装密度を向上し得る積層セラミック基板を提供することにある。
本発明の別の目的は、熱を有効に伝導して放散し得るパワーモジュール用基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、上面及び下面にＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂがそれぞれ接着された２以上のセラミック基板１１，１２，１３が積重ねられ、セラミック基板１１，１２，１３の面接触する部分におけるＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａが互いにろう付けされた積層セラミック基板１０である。
その特徴ある点は、最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａのＡｌ純度がそれぞれ最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａのＡｌ純度より高く、最最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａの厚さを最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａの厚さで除した値が０．８以上３以下であるところにある。
この請求項１に係る積層セラミック基板１０では、導体として機能するＡｌ箔１１ｂ，１２ｂ，１３ｂがそれぞれ異なるセラミック基板１１，１２，１３に形成されて交差することが許容される。このため、交差する導体からなる回路パターンの形成を可能にし、その回路パターンの設計の自由度が向上し、半導体素子の実装密度を高めることができる。
【０００８】
また、この積層セラミック基板１０では、Ａｌ箔は高純度であるほど塑性変形しやすいため、最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａのＡｌ純度をそれら以外のＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａのＡｌ純度より高くすることにより、最上層及び最下層のＡｌ箔１３ｂ，１１ａの厚さがそれら以外のＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａの厚さより大きくても、作製された積層セラミック基板１０のセラミック基板１１，１２，１３間におけるＡｌ箔の厚さを均一にすることができる。また、最上層及び最下層のＡｌ箔１３ｂ，１１ａの厚さをそれら以外のＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａの厚さで除した値が０．８以上３以下であることにより、接合前のセラミック基板１１，１２，１３の反りを低減し、積層セラミック基板１０の反りを有効に防止する。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａのＡｌ純度がそれぞれ９９．９００〜９９．９９９重量％であってかつ厚さがそれぞれ０．１〜１．０ｍｍであり、最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａのＡｌ純度がそれぞれ９９．００〜９９．９９重量％であってかつ厚さがそれぞれ０．１〜０．７ｍｍである積層セラミック基板である。
【００１０】
この請求項２に係る積層セラミック基板１０では、Ａｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂのＡｌ純度及び厚さを規定することにより、積層セラミック基板１０の作成を容易にしかつ作成された積層セラミック基板１０の信頼性を向上させる。Ａｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの厚さが０．１ｍｍ未満であると電流による発熱が大きく、数十アンペア以上の電流値が必要なパワーモジュール用基板に使用することができない。最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａの厚さが１．０ｍｍを越え、又は最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａの厚さが０．７ｍｍを越えると、温度サイクルによりセラミック基板１１，１２，１３が割れたり、積層セラミック基板１０の接合界面に剥離が生じるおそれがある。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、セラミック基板１１，１２，１３がそれぞれＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉ3Ｎ4のいずれかからなる積層セラミック基板である。
この請求項３に係る積層セラミック基板では、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉ3Ｎ4からなるセラミック基板１１，１２，１３を積層することにより、積層セラミック基板１０の熱伝導率、耐熱性及び強度等を向上させるとともに、積層セラミック基板１０の熱膨張率を半導体素子の熱膨張率に整合させることができる。
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３いずれか１項に係る発明であって、ろう付けされたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａが所定の回路パターンを形成する積層セラミック基板である。
【００１２】
この請求項４に係る積層セラミック基板では、ろう付けされたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａにより形成される回路パターンの自由度が更に向上し、半導体素子の実装密度を更に高めることができる。
請求項５に係る発明は、請求項１ないし４いずれか１項に記載の積層セラミック基板がろう材によりヒートシンクに積層接着されたパワーモジュール用基板である。
ろう材は熱伝導率がはんだに比較して高いため、この請求項５に係るパワーモジュール用基板では、発熱量が比較的多い半導体素子を積層セラミック基板１０に搭載しても、その熱は半導体素子の下面から積層セラミック基板１０及び図示しないヒートシンクに有効に伝導され、従来に比較して半導体素子が発した熱を外部に有効に放散することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図１及び図２に示すように、本発明の積層セラミック基板１０は、第１，第２及び第３セラミック基板１１，１２，１３を積層することにより作られる。セラミック基板１１，１２，１３はそれぞれＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉ3Ｎ4のいずれかからなり、第１セラミック基板１１を最下層とし、第３セラミック基板１３を最上層とし、第２セラミック基板１２が中間層になるように積層される。最下層の第１セラミック基板１１は比較的幅の広い方形の基板であって、中間層である第２セラミック基板１２は長さが第１セラミック基板１１と同一であって、幅が第１セラミック基板１１の幅より小さく形成される。最上層である第３セラミック基板１３は長さ及び幅の双方が第２セラミック基板１２の長さ及び幅より小さく形成され、この実施の形態では２枚用意される。それぞれのセラミック基板１１，１２，１３の上面及び下面にはＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂがそれぞれ接着される。なお、セラミック基板１１，１２，１３へのＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの接着は図示しないろう材を介して積層接着される。
【００１４】
最上層である第３セラミック基板１３の上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層である第１セラミック基板１１の下面に接着されたＡｌ箔１１ａは、そのＡｌ純度がそれぞれ９９．９００〜９９．９９９重量％であって、厚さはそれぞれ０．１〜１．０ｍｍのものが使用される。このＡｌ純度の特に好ましい値はそれぞれ９９．９８０〜９９．９９８重量％であって、厚さの好ましい値はそれぞれ０．２〜０．５ｍｍである。このため、これらＡｌ箔１３ｂ，１１ａの融点は６６０℃になる。
一方、第３セラミック基板１３の下面に接着されたＡｌ箔１３ａ、第１セラミック基板１１の上面に接着されたＡｌ箔１１ｂ及び第２セラミック基板１２の上下面に接着されたＡｌ箔１２ａ，１２ｂは、そのＡｌ純度がそれぞれ９９．００〜９９．９９重量％であって、厚さがそれぞれ０．１〜０．７ｍｍのものが使用される。そのＡｌ純度の特に好ましい値はそれぞれ９９．９０〜９９．９９重量％であって、厚さの好ましい値はそれぞれ０．１〜０．４ｍｍである。このため、これらＡｌ箔１３ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂの融点は６６０℃になる。
【００１５】
最上層である第３セラミック基板１３の上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層である第１セラミック基板１１の下面に接着されたＡｌ箔１１ａのＡｌ純度がそれぞれ９９．９００重量％未満であるか、又は第３セラミック基板１３の下面に接着されたＡｌ箔１３ａ、第１セラミック基板１１の上面に接着されたＡｌ箔１１ｂ及び第２セラミック基板１２の上下面に接着されたＡｌ箔１２ａ，１２ｂのＡｌ純度がそれぞれ９９．００重量％未満である場合には、それらセラミック基板１１，１２，１３と積層接着されたＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂのそれぞれの接合界面に剥離が生じるおそれがある。
【００１６】
また、最上層である第３セラミック基板１３の上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層である第１セラミック基板１１の下面に接着されたＡｌ箔１１ａの厚さが０．１ｍｍ未満である場合、又は第３セラミック基板１３の下面に接着されたＡｌ箔１３ａ、第１セラミック基板１１の上面に接着されたＡｌ箔１１ｂ及び第２セラミック基板１２の上下面に接着されたＡｌ箔１２ａ，１２ｂの厚さが０．１ｍｍ未満である場合には、それらのＡｌ箔１３ａ，１３ｂ，１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂにおける電流による発熱が大きくなり、この積層セラミック基板１０を数十アンペア以上の電流値が必要なパワーモジュール用基板に使用することができない不具合がある。
【００１７】
一方、最上層のセラミック基板１３及び最下層のセラミック基板１１に接着されたＡｌ箔１３ｂ，１１ａの厚さが１．０ｍｍを越えるか、又はそれら以外のＡｌ箔１３ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂの厚さが０．７ｍｍを越えると、温度サイクルによりセラミック基板１１，１２，１３が割れたり、積層セラミック基板１０の接合界面若しくはセラミック基板１１，１２，１３とそれらに積層接着されたＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂのそれぞれの接合界面に剥離が生じるおそれがある。
【００１８】
また、最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａのＡｌ純度は、それぞれ最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａのＡｌ純度より高いものが使用され、最上層のセラミック基板１３上面に接着されたＡｌ箔１３ｂ及び最下層のセラミック基板１１下面に接着されたＡｌ箔１１ａの厚さを最上層及び最下層以外のセラミック基板の上面及び下面に接着されたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａの厚さで除した値が０．８以上３以下、好ましくは１以上２以下になるように構成される。この値が０．８以上３以下であることにより、接合前のセラミック基板１１，１２，１３の反りを低減することができる。この範囲以外では基板１１，１２，１３の反り量は大きく、積層時に各基板を接合することが困難になる。
【００１９】
それぞれのセラミック基板１１，１２，１３の面接触する部分におけるＡｌ箔は互いにろう付けされる。ろう材は第３セラミック基板１３の下面に接着されたＡｌ箔１３ａ、第１セラミック基板１１の上面に接着されたＡｌ箔１１ｂ及び第２セラミック基板の上下面に接着されたＡｌ箔１２ａ，１２ｂより融点が低いＡｌ−Ｓｉ系の第１ろう材が使用される。即ち、第１ろう材は８５〜９５重量％のＡｌと５〜１５重量％のＳｉを含み、この第１ろう材１６の溶解温度範囲は５７７〜６２０℃である。セラミック基板１１，１２，１３の積層接着は、セラミック基板１１，１２，１３の面接触する部分におけるそれぞれのＡｌ箔１３ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂの間にこの第１ろう材の箔を挟んだ状態でこれらに荷重０．０５〜２．００ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で５８０〜６５０℃に加熱することにより行われる。
【００２０】
この積層セラミック基板１０には複数の半導体素子１４が搭載される。図２に詳しく示すように、二対の第１半導体素子１４ａ，１４ａは第２セラミック基板１２の上面に接着されたＡｌ箔１２ｂに接着され、その電極部はワイヤ１６を介して第３セラミック基板１３の上面に接着されたＡｌ箔１３ｂに接続される。また、二対の第２半導体素子１４ｂ，１４ｂは第３セラミック基板１３の上面に接着されたＡｌ箔１３ｂに接着され、その電極部はワイヤ１６を介して第１セラミック基板１１の上面に接着されたＡｌ箔１１ｂに接続される。ここで、第１及び第２半導体素子１４ａ，１４ａ，１４ｂ，１４ｂ及びそれらの電極部は２００〜４００℃ではんだによりそれぞれのＡｌ箔１３ｂ，１２ｂ，１１ｂに接着される。
【００２１】
このように構成された積層セラミック基板１０では、導体として機能するＡｌ箔１１ｂ，１２ｂ，１３ｂがそれぞれのセラミック基板１１，１２，１３に形成されるため、回路パターンを同一面に形成した図３に示す従来のセラミック基板に比較して半導体素子１４ａ，１４ｂの実装密度を高めることができる。即ち、それぞれのセラミック基板１１，１２，１３の導体として機能するＡｌ箔１１ｂ，１２ｂ，１３ｂは互いに異なる層に形成されるため、そのＡｌ箔１１ｂ，１２ｂ，１３ｂは交差する。この点で導体を交差させることができない図３に示す従来のセラミック基板と相違し、本発明の積層セラミック基板１０では、そのＡｌ箔１１ｂ，１２ｂ，１３ｂからなる回路パターンの自由度が向上し、従来より半導体素子１４ａ，１４ｂの実装密度を高めることができる。具体的に図３では、第２半導体素子３ｂ，３ｂの端子を接続するために必要とされた第３導体における突出部２ｄが図２における本発明では不要になり、図２における積層セラミック基板１０は図３に示すセラミック基板１より小型になる。
【００２２】
また、発熱量が比較的多い半導体素子１４ａ，１４ｂを搭載する場合には、この半導体素子１４ａ，１４ｂを搭載する積層セラミック基板１０を、熱を放散するための図示しないヒートシンクに予め積層する。この積層セラミック基板１０のヒートシンクへの接着は、積層セラミック基板１０が第１ろう材により既に積層されている関係上、その第１ろう材より溶融温度範囲が低い組成を有する第２ろう材により行われる。このように、積層セラミック基板１０をろう材によりヒートシンクに積層接着したパワーモジュール用基板では、第２ろう材の熱伝導率は、はんだの熱伝導率に比較して高いため、その後に搭載された半導体素子１４ａ，１４ｂが発した熱は、半導体素子１３の下面から積層セラミック基板１０及び図示しないヒートシンクを介して外部に有効に放散される。
【００２３】
なお、上述した実施の形態では第１、第２及び第３セラミック基板１１，１２，１３からなる３層の積層セラミック基板１０を説明したが、積層セラミック基板は、２枚のセラミック基板又は４枚のセラミック基板若しくは５枚のセラミック基板を積み重ねて２層又は４層若しくは５層からなるものであっても良い。
また、上述した実施の形態では、特にそれぞれのＡｌ箔１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂに回路パターンを形成しなかったが、更に複数種類の半導体素子を搭載させる場合には、ろう付けされたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａに所定の回路パターンを形成することが好ましい。回路パターンはそれぞれのＡｌ箔をエッチングすることにより作成可能であって、エッチングはＡｌ箔にレジスト膜でマスキングを行い、この状態でセラミック基板をエッチング液に浸漬してマスキングされていない部分におけるＡｌ箔をエッチング除去することにより行われる。その後レジスト膜を除去することによりそのレジスト膜により覆われていた部分が残存して所定の回路パターンが形成される。このようにろう付けされたＡｌ箔１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａに所定の回路パターンを形成すれば、回路パターンの自由度が更に向上し、半導体素子の実装密度を更に高めることができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、上面及び下面にＡｌ箔がそれぞれ接着された２以上のセラミック基板を積重ね、セラミック基板の面接触する部分におけるＡｌ箔を互いにろう付けするので、導体として機能するＡｌ箔をそれぞれ異なるセラミック基板に形成することができ、交差する導体からなる回路パターンの形成を可能にし、その回路パターンの設計の自由度を向上させて半導体素子の実装密度を高めることができる。この場合、所定の要件を満たすＡｌ箔を使用することにより、積層セラミック基板の作成を容易にし、かつ作成された積層セラミック基板のセラミック基板間におけるＡｌ箔の厚さを均一にて積層セラミック基板のそりを有効に防止することができる。
【００２５】
また、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉ3Ｎ4からなるセラミック基板を積層すれば、積層セラミック基板の熱伝導率、耐熱性及び強度等を向上させるとともに、積層セラミック基板の熱膨張率を半導体素子の熱膨張率に整合させることができ、ろう付けされたＡｌ箔に回路パターンを形成すれば、その回路パターンの自由度は更に向上し、半導体素子の実装密度を更に高めることができる。
更に、積層セラミック基板の最下面にはＡｌ箔が接着されるので、この積層セラミック基板にヒートシンクを接着するには、熱伝導率がはんだに比較して高いろう材により行われる。このため、この積層セラミック基板をヒートシンクに積層したパワーモジュール用基板にあっては、半導体素子が発する熱を従来より外部に有効に放散することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層セラミック基板を示す図２のＡ−Ａ線断面図。
【図２】半導体素子が搭載された積層セラミック基板の斜視図。
【図３】従来例を示す図２に対応する斜視図。
【符号の説明】
１０  積層セラミック基板
１１，１２，１３  セラミック基板
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ  Ａｌ箔
【図１】
0003783493.tif 000002
【図２】
0003783493.tif 000003
【図３】
0003783493.tif 000004