(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
見出し語と見出し語を用いた例文情報を含む辞書情報を記憶している辞書データ記憶手段と、
見出し語の文字が問題の答えとなるように辞書情報に含まれる例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成し、ユーザに解答となる文字を入力させる第１の出題手段と、
前記第１の出題手段に対して入力された文字が見出し語の文字と不一致である場合に、当該見出し語以外の見出し語を前記辞書データ記憶手段から複数選択し、当該見出し語と他の複数の見出し語の中から１つを選択させる選択問題を生成し、ユーザに１つの見出し語を選択させる第２の出題手段と、
を具備したことを特徴とする電子学習機。
【請求項２】
前記辞書データ記憶手段に記憶された辞書情報は見出し語を用いた例文情報と意味情報を含み、
前記第２の出題手段に対する解答が不正解である場合に、前記辞書情報に含まれる例文情報と意味情報から出題された例文の訳を表示して、再度当該選択問題について１つの見出し語を選択させる第３の出題手段を具備したことを特徴とする請求項１記載の電子学習機。
【請求項３】
前記第２の出題手段は、他の見出し語として同じ品詞の見出し語を選ぶことを特徴とする請求項１記載の電子学習機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば語学の学習を行なうのに利用される電子辞書を内蔵した電子学習機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、英語や独語等の語学を学習するための電子学習機としては、例えば問題として表示された文章の一部に単語単位で虫食い的に設定された空白部分に対応して、正しいと思われる単語や熟語を答えとして入力することで、入力された答えが正しいか否かを判定表示すると共に、誤りである場合には、正しい答えを表示して教えるようにした電子学習機が考えられている。
【０００３】
このような、従来の電子学習機にあっては、前記問題となる文章の他に、択一回答式である場合にはその選択肢となる単語や熟語等、個々の問題のそれぞれに対応した全ての文章及び選択肢が内蔵のメモリに予め記憶されており、出題可能な問題数を増やせば増やす程、大容量のメモリが必要になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、例えば電子辞書に併用して学習機能を持たせたものにあっては、辞書用の大容量メモリの他に、さらに、語学学習用としての多数の問題及びその選択肢を記憶するメモリが必要になり、小型，低価格化を行なう場合には、学習機能における問題数が制限されたり、より多くの出題を可能とする場合には、小型，定価格化が損なわれる問題がある。
【０００５】
本発明は、前記のような課題に鑑み成されたもので、出題用としての専用メモリを要することなく、より多くの出題を行なうことが可能になる電子学習機を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子学習機は、見出し語と見出し語を用いた例文情報を含む辞書情報を記憶している辞書データ記憶手段と、見出し語の文字が問題の答えとなるように辞書情報に含まれる例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成し、ユーザに解答となる文字を入力させる第１の出題手段と、前記第１の出題手段に対して入力された文字が見出し語の文字と不一致である場合に、当該見出し語以外の見出し語を前記辞書データ記憶手段から複数選択し、当該見出し語と他の複数の見出し語の中から１つを選択させる選択問題を生成し、ユーザに１つの見出し語を選択させる第２の出題手段と、を具備したことを特徴とする。
【０００７】
なお、前記辞書データ記憶手段に記憶された辞書情報は見出し語を用いた例文情報と意味情報を含み、前記第１の出題手段は、例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成して出題することができ、前記第２の出題手段に対する解答が不正解である場合に、辞書情報に含まれる例文情報と意味情報から出題された例文の訳を表示して、再度当該選択問題について１つの見出し語を選択させる第３の出題手段を具備することもできる。また、前記第２の出題手段は、他の見出し語として同じ品詞の見出し語を選ぶようにしても良い。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下図面により本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明の実施形態に係わる語学学習機能を備えた電子辞書装置の電子回路の構成を示すブロック図である。
【００１５】
この電子辞書装置は、ＣＰＵ（制御部）１１を備えている。
ＣＰＵ１１は、キー入力部１２から入力されるキー操作信号に応じて、ＲＯＭ１３に予め記憶されているシステムプログラムを起動させ、回路各部の動作制御を実行するもので、このＣＰＵ１１には、前記キー入力部１２、ＲＯＭ１３の他、辞書ＲＯＭ１４、ＲＡＭ１５が接続されると共に、表示駆動回路１６を介して液晶表示部１７が接続される。
【００１６】
前記キー入力部１２には、任意の文字，数字，記号を選択的に入力するための文字・数字キー１２ａ、英和辞書モード，英和テストモード，和英モード，和英テストモード等の各種の動作モードを選択的に設定するためのモード選択メニュー画面を表示させる際に操作される「モード」キー１２ｂ、前記英和テストモードや和英テストモードにおいて問題選択処理を起動させる際に操作される「問題」キー１２ｃ、前記各語学テストモードにおける問題表示状態において選択肢選択処理を起動させる際に操作される「選択」キー１２ｄ、前記文字・数字キー１２ａによる文字データの入力確定に際して操作される「入力」キー１２ｅ、そして、表示画面上でのカーソル移動，データ選択，表示スクロール等を行なう際に選択的に操作されるカーソルキー「↑」「↓」「←」「→」１２ｆ等が備えられる。
【００１７】
ＲＯＭ１３には、この電子辞書装置の全体の動作を司るシステムプログラムが予め記憶されると共に、前記モード選択メニュー画面において選択設定可能な各種のモードの動作を司る複数のサブプログラムが記憶される。
【００１８】
さらに、このＲＯＭ１３には、辞書ＲＯＭ１４に記憶されている多数の辞書データのうちの１つの辞書データを、ランダムに選択するための辞書アドレスインデックステーブル（図３参照）も予め記憶される。
【００１９】
図２は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の辞書ＲＯＭ１４における辞書データの記憶状態を示す図である。
辞書ＲＯＭ１４には、例えば４１，０００語存在する個々の辞書データを示す辞書アドレスに対応して、見出し語／品詞／例文／意味が予め記憶されている。
【００２０】
図３は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のＲＯＭ１３に記憶されている辞書アドレスインデックステーブルによる辞書アドレスの選択構造を示す図である。
【００２１】
第１選択レベルのインデックステーブルＡには、１０個のインデックスアドレス１〜１０に対応して、第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０を示すテーブル指定アドレスがそれぞれ記憶される。
【００２２】
第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０は、それぞれ辞書ＲＯＭ１４における辞書データを１０分割した１０分の１毎のアドレス範囲を受け持つもので、この第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０のそれぞれには、１０分割した辞書アドレス範囲をさらに所定数分割した小アドレス範囲を示す範囲指定アドレス（スタート／エンド）が、それぞれインデックスアドレスに対応付けて所定数記憶される。
【００２３】
つまり、第１選択レベルのインデックステーブルＡから第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０がランダムに選択され、さらに、選択された第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０の何れかにおいてそのインデックスアドレスをランダムに選択すると、辞書ＲＯＭ１４における１つの小アドレス範囲が選択され、最後にこの辞書ＲＯＭ１４に指定された小アドレス範囲の１アドレスをランダムに選択すると、１つの辞書データが選択される。
【００２４】
ＲＡＭ１５には、液晶表示部１７に表示すべき表示データがＣＰＵ１１によるビットマップデータとして展開されて記憶される表示レジスタ１５ａ、設定中の動作モードを示すモードフラグがセットされるモードフラグレジスタ１５ｂ、前記辞書ＲＯＭ１４から問題として選択された１つの辞書データが記憶される問題データレジスタ１５ｃ、前記辞書ＲＯＭ１４から問題に対する回答の選択肢として選択された辞書データの見出し語データが記憶される選択肢レジスタ１５ｄ、ＣＰＵ１１における各種の制御処理に伴ない入出力されるデータが必要に応じて一時的に記憶保持されるワークレジスタ１５ｅ等が備えられる。
【００２５】
さらに、ＲＡＭ１５には、問題の出題形式について穴埋め用の問題文のみの出題形式レベル０でフラグ“０”、選択肢が付加された出題形式レベル１でフラグ“１”、さらに訳が付加された出題形式レベル２でフラグ“２”がセットされる出題形式フラグレジスタＦ、問題表示中において“１”にセットされる問題表示中フラグレジスタＴ、問題形式レベル１のための選択肢の選択設定時において辞書ＲＯＭ１４から選択抽出される選択肢の数がセットされる選択肢数レジスタＥ、過去に出題処理した問題数がセットされる問題数レジスタｍ、過去の出題に対する正解数がセットされる正解数レジスタｎも備えられる。
【００２６】
次に、前記構成による語学学習機能を備えた電子辞書装置の動作について説明する。
図４は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理を示すフローチャートである。
【００２７】
図５は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理に伴なうモード選択メニュー画面の表示状態を示す図である。
キー入力部１２における「モード」キー１２ｂを操作すると、各種の動作モードをアイコン等の指定により選択するためのモード選択メニュー画面が、図５に示すように、液晶表示部１７に表示される（ステップＳ１→Ｓ２）。
【００２８】
このモード選択メニュー画面の表示状態において、カーソルキー１２ｆを操作して任意のモードアイコンを選択的に指定すると、指定された動作モードを示すモードフラグがＲＡＭ１５内のモードフラグレジスタ１５ｂにセットされてその制御プログラムが起動され、当該設定された動作モードにおける初期画面が液晶表示部１７に表示される（ステップＳ３→Ｓ４，Ｓ５→Ｓ６，Ｓ７）。
【００２９】
前記モード選択設定処理（ステップＳ１〜Ｓ７）において、英和あるいは和英のテストモードが選択されて設定された場合には、英文中の穴埋め学習を行なうための英和テストモード処理あるいは和文中の穴埋め学習を行なうための和英テストモード処理が起動され（ステップＳ８→ＳＡ）、また、英和モードが選択されて設定された場合には、英語を日本語に訳すための英和モード処理が起動され（ステップＳ９→Ｓ１０）、さらに、その他のモード（和英モード等）が選択されて設定された場合には、それぞれ対応する動作モードの処理が起動される（ステップＳ９→他の処理）。
【００３０】
図６は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理を示すフローチャートである。
図７は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう問題選択処理を示すフローチャートである。
【００３１】
図８は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理を示すフローチャートである。
図９は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なうキー操作対応の表示状態を示す図である。
【００３２】
前記図４で示した全体処理のモード選択設定処理（ステップＳ１〜Ｓ７）において、例えば英和テストモードが選択されると、該英和テストモードを示すモードデータがＲＡＭ１５内のモードフラグレジスタ１５ｂにセットされ、図９（Ａ）に示すように、英和テストモードの初期画面が液晶表示部１７に表示される。
【００３３】
この英和テストモードの初期画面では、英和テストのイメージ表示が行なわれると共に、ＲＡＭ１５内の問題数レジスタｍに記憶されている過去の出題総数と正解数レジスタｎに記憶されている正解数が表示される。
【００３４】
こうして、前記ＲＡＭ１５内のモードフラグレジスタ１５ｂに英和テストモードを示すモードデータがセットされ、その初期画面が表示されて英和テストモードが選択設定されると、図６におけるテストモード処理が起動される（ステップＳ８→ＳＡ）。
【００３５】
図６におけるテストモード処理において、図９（Ｂ）に示すように、キー入力部１２の「問題」キー１２ｃを操作すると、図７における問題選択処理が起動される（ステップＡ１→ＡＢ）。
【００３６】
この問題選択処理が起動されると、前記図３で示したように、まず、ＲＯＭ１３に予め記憶されている第１選択レベルのインデックステーブルＡが参照され、乱数の発生によりその１つのインデックスアドレスがランダムに指定される（ステップＢ１，Ｂ２）。
【００３７】
すると、前記インデックステーブルＡ（図３）にてランダム指定された１つのインデックスアドレスに対応して、第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０（図３）のうちの何れか１つのテーブルが設定される（ステップＢ３）。
【００３８】
この第２選択レベルの１つのインデックステーブルが設定されると、再び乱数の発生によりその１つのインデックスアドレスがランダムに指定される（ステップＢ４，Ｂ５）。
【００３９】
すると、前記第２選択レベルのインデックステーブルｎにてランダム指定された１つのインデックスアドレスに対応して、辞書ＲＯＭ１４における１つの小アドレス範囲が選択設定され、該設定された小アドレス範囲の１アドレスが乱数の発生によりランダムに選択される（ステップＢ６）。
【００４０】
そして、このランダム選択された１アドレスに対応する辞書データが辞書ＲＯＭ１４（図２参照）から読み出され、当該選択抽出された辞書データに「例文」が含まれているか否か判断される（ステップＢ７，Ｂ８）。
【００４１】
ここで、前記選択された辞書データに「例文」が含まれてないと判断された場合には、再びステップＢ１以降の処理に戻り、前記各インデックステーブルを利用した辞書データのランダム選択処理が再度実行される（ステップＢ８→Ｂ１）。
【００４２】
一方、前記選択された辞書データに「例文」が有ると判断されると、当該辞書データはＲＡＭ１５内の問題データレジスタ１５ｃに転送されて記憶され、その辞書データ中の例文が見出し語の部分が隠されて、図９（Ｂ）に示すように、液晶表示部１７に穴埋め問題文として表示される（ステップＢ８→Ｂ９）。
【００４３】
こうして、辞書ＲＯＭ１４から１つの辞書データがランダム選択され、その見出し語を隠した例文が穴埋め問題文として液晶表示部１７に表示されると、ＲＡＭ１５内の問題表示中フラグレジスタＴに問題表示中フラグ“１”がセットされる（ステップＡ２）。
【００４４】
このような問題表示中にあっては、液晶表示部１７の右上の部分に対し、ＲＡＭ１５内の問題数レジスタｍ及び正解数レジスタｎに記憶されている過去の出題数とその正解数とが、「ｎ／ｍ」として常時表示される。
【００４５】
ここで、液晶表示部１７に問題文のみ表示された出題形式レベル０の出題状態（Ｔ＝１・Ｆ＝０）において、ユーザが答えと思われる単語あるいは熟語等をキー入力部１２の文字・数字キー１２ａを選択的に操作して入力し、「入力」キー１２ｅを操作すると、答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字（問題文の穴埋め部分に相当）とが比較され、その一致／不一致により正解か否か判断される（ステップＡ３→…→Ａ４→Ａ５→Ａ６，Ａ７）。
【００４６】
そして、前記答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、液晶表示部１７に“ＯＫ”マークが表示され、正解数レジスタｎに記憶されている正解数ｎが（＋１）されて加算されると共に、問題数レジスタｍに記憶されている問題数ｍも（＋１）されて加算される（ステップＡ７→Ａ８，Ａ９，Ａ１０）。
【００４７】
また、問題表示中フラグレジスタＴ及び出題形式フラグレジスタＦが共に“０”にリセットされ、前記問題数レジスタｍ及び正解数レジスタｎにおける更新後の問題数ｍ及び正解数ｎが液晶表示部１７に表示される（ステップＡ１１，Ａ１２，Ａ１３）。
【００４８】
一方、前記答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタＦにセットされているフラグが“０”か否か、つまり、現在の出題形式が問題文のみの表示による出題形式レベル０か否か判断され、この場合、Ｆ＝０に対応する出題形式レベル０であると判断されるので、図８における選択肢選択処理が起動される（ステップＡ７→Ａ１４→ＡＣ）。
【００４９】
この選択肢選択処理が起動されると、まず、前記図７おけるステップＢ１〜Ｂ７と同様にした辞書データ指定処理により、ＲＯＭ１３に記憶されている第１選択レベル及び第２選択レベルの各インデックステーブル（図３参照）に基づき辞書ＲＯＭ１４に記憶されている１つの辞書データが段階的にランダム選択されて指定される（ステップＣ１）。
【００５０】
そして、前記辞書データ指定処理により指定された辞書データが示す見出し語の品詞が読み出され、前記問題データレジスタ１５ｃに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞と同一であるか否か判断される（ステップＣ２，Ｃ３）。
【００５１】
ここで、前記辞書データ指定処理により指定された辞書データが示す見出し語の品詞と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞とが同一ではないと判断されると、前記辞書データ指定処理により指定された辞書ＲＯＭ１４に対する辞書アドレスの次のアドレスが指定され、新たな辞書データが読み出されてその見出し語の品詞が前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一であるか否か繰り返し判断される（ステップＣ３→Ｃ４，Ｃ２，Ｃ３）。
【００５２】
そして、前記辞書ＲＯＭ１４に対し指定された辞書データが示す見出し語の品詞と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞とが同一であると判断されると、当該指定されている辞書データの見出し語が選択肢の１つとして設定され、選択肢レジスタ１５ｄに記憶される（ステップＣ３→Ｃ５）。
【００５３】
この際、選択肢数レジスタＥに記憶される選択肢数が（＋１）され、選択肢数“１”にセットされる（ステップＣ６）。
そして、前記選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数が“３”に到達したか否か、つまり、辞書ＲＯＭ１４から３つの辞書データに対応する前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一の品詞の見出し語が選択肢として選択設定されたか否か判断される（ステップＣ７）。
【００５４】
この場合、選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数は“１”なので、この選択肢選択処理において辞書ＲＯＭ１４から選択された選択肢数は“３”に到達してないと判断されると、再び前記ステップＣ１以降の処理が繰り返され、新たな選択肢が選択設定されて選択肢レジスタ１５ｄに追加記憶される（ステップＣ１〜Ｃ６）。
【００５５】
そして、選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数が“３”に到達し、前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一の品詞である３つの選択肢が設定されたと判断されると、当該３つの選択肢が選択肢レジスタ１５ｄから読出され、問題データレジスタ１５ｃに記憶されている問題の答えとしての見出し語を１つの選択肢として含んだ合計４つの選択肢として、液晶表示部１７に対し既に表示されている穴埋め問題文の下に番号付けて配列表示される［図９（Ｃ）参照］（ステップＣ７→Ｃ８）。
【００５６】
すると、ＲＡＭ１５内の前記選択肢レジスタＥは“０”にリセットされる（ステップＣ９）。
こうして、液晶表示部１７に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル１の出題状態となると、ＲＡＭ１５内の出題形式フラグレジスタＦにフラグ“１”がセットされる（ステップＡ１５）。
【００５７】
ここで、前記液晶表示部１７に表示されている４つの選択肢のうちで、ユーザが答えと思われる単語または熟語を表示した選択肢を、キー入力部１２の数字キー１２ａを操作して番号で指定すると、出題形式フラグレジスタＦが“１”又は“２”にセットされているか否か、つまり、選択肢の付加表示による出題状態にあるか否か判断される（ステップＡ３→…→Ａ１６→Ａ１７）。
【００５８】
この場合はＦ＝１、つまり、液晶表示部１７に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル１の出題状態にあると判断されるので、ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字（問題文の穴埋め部分に相当）とが比較され、その一致／不一致により正解か否か判断される（ステップＡ１７→Ａ６，Ａ７）。
【００５９】
そして、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、液晶表示部１７に“ＯＫ”マークが表示され（ステップＡ７→Ａ８）、正解数レジスタｎに記憶されている正解数ｎが（＋１）される（ステップＡ９）と共に、問題数レジスタｍに記憶されている問題数ｍも（＋１）されて加算され（ステップＡ１０）、さらに、問題表示中フラグレジスタＴ及び出題形式フラグレジスタＦが共に“０”にリセットされ（ステップＡ１１，Ａ１２）、前記問題数レジスタｍ及び正解数レジスタｎにおける更新後の問題数ｍ及び正解数ｎが液晶表示部１７に表示される（ステップＡ１３）。
【００６０】
一方、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタＦにセットされているフラグが“１”である、つまり、現在の出題形式が問題文に選択肢を付加した表示による出題形式レベル１であると判断され、液晶表示部１７に対し、さらに問題文の訳が付加されて表示される［図９（Ｄ）参照］（ステップＡ７→Ａ１４→Ａ１８→Ａ１９）。
【００６１】
こうして、液晶表示部１７に問題文，選択肢と共に、さらに、問題文の訳が付加されて表示された出題形式レベル２の出題状態となると、ＲＡＭ１５内の出題形式フラグレジスタＦにフラグ“２”がセットされる（ステップＡ２０）。
【００６２】
ここで、例えば図９（Ｅ）に示すように、ユーザが、液晶表示部１７に問題文と共に表示されている訳を参考にして、答えと思われる単語または熟語を表示した選択肢を、キー入力部１２の数字キー１２ａを操作して再度番号で指定すると、この場合はＦ＝２、つまり、液晶表示部１７に問題文，選択肢と共に問題文の訳も付加されて表示された出題形式レベル２の出題状態にあると判断され、前記番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字（問題文の穴埋め部分に相当）とが比較され、その一致／不一致により正解か否か判断される（ステップＡ１６→Ａ１７→Ａ６，Ａ７）。
【００６３】
そして、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、前記同様に、液晶表示部１７に“ＯＫ”マークが表示され（ステップＡ７→Ａ８）、正解数レジスタｎに記憶されている正解数ｎが（＋１）される（ステップＡ９）と共に、問題数レジスタｍに記憶されている問題数ｍも（＋１）されて加算され（ステップＡ１０）、さらに、問題表示中フラグレジスタＴ及び出題形式フラグレジスタＦが共に“０”にリセットされ（ステップＡ１１，Ａ１２）、前記問題数レジスタｍ及び正解数レジスタｎにおける更新後の問題数ｍ及び正解数ｎが液晶表示部１７に表示される（ステップＡ１３）。
【００６４】
一方、前記問題文の訳が表示された出題形式レベル２において、ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタＦにセットされているフラグが“０”でもなく“１”でもないと判断されるので、問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの見出し文字が、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして液晶表示部１７に表示される（ステップＡ７→Ａ１４→Ａ１８→Ａ２１）。
【００６５】
よって、液晶表示部１７に問題文のみ表示された出題形式レベル０の出題状態で、文字入力を行なってした回答が不正解である場合には、問題の答えと同じ品詞である３つの辞書データの見出し語が選択されて答えを含む合計４つの選択肢として問題文と共に表示され、さらに、この選択肢が共に表示された出題形式レベル１の出題状態で、選択肢を番号指定して行なった回答も不正解である場合には、問題文の訳も付加されて表示され、この問題文の訳も共に表示された出題形式レベル２の出題状態で、さらに、選択肢を番号指定して行なった回答をも不正解である場合には、答えが表示されて教えられるので、ユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができる。
【００６６】
なお、この場合、液晶表示部１７に表示して出題する問題文としては、辞書ＲＯＭ１４からランダムに選択された辞書データの例文をその見出し語部分を穴埋めの答えとして隠して使用し、また、選択肢も前記辞書ＲＯＭ１４からランダムに選択された答えと同じ品詞を有する辞書データの見出し語を使用しているので、出題用としての問題や選択肢を記憶する専用のメモリを備えずとも、極めて多くの出題が可能であると共に、同一の問題文が出題された場合でも、様々に異なる同品詞の選択肢が選択されて表示されるようになり、質の高い語学学習を行なうことができる。
【００６７】
一方、前記図９（Ｂ）で示したように、キー入力部１２における「問題」キー１２ｃの操作により、図７における問題選択処理を経て、辞書ＲＯＭ１４から読み出されてＲＡＭ１５内の問題データレジスタ１５ｃに記憶された辞書データの例文が、問題文として表示された出題形式レベル０の出題状態（Ｔ＝１・Ｆ＝０）において、図９（Ｃ）に示すように、「選択」キー１２ｄを操作すると、図８における選択肢選択処理が起動され、辞書ＲＯＭ１４に対する辞書データのランダム選択により、問題の答えと同じ品詞の３つの辞書データの見出し語が選択されて該問題の答えを含む合計４つの選択肢として問題文の下に番号配列されて表示される（ステップＡ３→Ａ２２→Ａ２３→ＡＣ［Ｃ１〜Ｃ９］）。
【００６８】
そして、液晶表示部１７に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル１の出題状態となると、ＲＡＭ１５内の出題形式フラグレジスタＦにフラグ“１”がセットされる（ステップＡ２４）。
【００６９】
また、前記図９（Ｃ）で示したように、問題文と共に選択肢が表示された出題形式レベル１の出題状態（Ｔ＝１・Ｆ＝１）において、図９（Ｄ）に示すように、「選択」キー１２ｄを操作すると、さらに、前記問題文の訳も共に表示される（ステップＡ３→Ａ２２→Ａ２３→Ａ２５）。
【００７０】
そして、液晶表示部１７に問題文，選択肢と共に、さらに、問題文の訳が付加されて表示された出題形式レベル２の出題状態となると、ＲＡＭ１５内の出題形式フラグレジスタＦにフラグ“２”がセットされる（ステップＡ２６）。
【００７１】
よって、液晶表示部１７に問題文のみ表示された出題形式レベル０の出題状態で、「選択」キー１２ｄを操作すると、問題の答えと同じ品詞である３つの辞書データの見出し語が選択されて答えを含む合計４つの選択肢として問題文と共に表示されて出題形式レベル１の出題状態となり、さらに、「選択」キー１２ｄを操作すると、問題文の訳も付加されて出題形式レベル２の出題状態となるので、ユーザは回答できるレベルに応じた出題状態を選択することができ、効率的な語学学習を行なうことができる。
【００７２】
したがって、前記構成の語学学習機能を備えた電子辞書装置によれば、キー入力部１２の「問題」キー１２ｃを操作すると、辞書ＲＯＭ１４からランダムに選択された辞書データがＲＡＭ１５内の問題データレジスタ１５ｃに記憶されその「例文」が見出し語を答えとして隠した穴埋めの問題文として液晶表示部１７に表示され、文字キー１２ａにより入力した答えが不正解であるか、又は「選択」キー１２ｄを操作すると、前記辞書ＲＯＭ１４の辞書データがランダムに選択されて、前記答えとしての見出し語と同一の品詞の３つの見出し語が選択肢レジスタ１５ｄに記憶され、該答えの見出し語を含む４つの選択肢として前記問題文と共に表示され、さらに、数字キー１２ａにより選択肢を番号指定した答えが不正解であるか、又は「選択」キー１２ｄを操作すると、前記問題文，選択肢と共に訳も表示されて、選択肢の指定による回答が問われるので、ユーザの学習レベルに応じて効果的で効率的な語学学習が行なえるだけでなく、前記問題文，選択肢共に辞書ＲＯＭ１４からランダム選択されて使用されるので、出題用としての専用メモリを備えずとも、極めて多くの出題が可能であり、しかも、答えと同品詞の様々に異なる選択肢が選択されて表示され、質の高い語学学習を行なうことができる。
【００７３】
また、前記辞書ＲＯＭ１４からの問題の選択、選択肢の選択に伴ない、辞書データをランダムに選択する際には、当該辞書ＲＯＭ１４における膨大な辞書アドレスの全体を直接ランダムに選択することはせずに、辞書アドレスの全体を多数の小さなアドレス範囲に分割し、まず、この分割した小アドレス範囲の１つを第１選択レベルのインデックステーブルＡ及び第２選択レベルのインデックステーブル１〜１０に従って２段階でランダム選択し、この２段階のランダム選択により選択された小アドレス範囲の中でさらに１つの辞書アドレスをランダム選択して、合計３段階のランダム選択により１つの辞書データを読み出すようにしているので、膨大な辞書データのランダム選択処理を簡単化することができ、問題や選択肢を素早く抽出設定できるようになる。
【００７４】
なお、前記実施形態のテストモード処理における選択肢選択処理（図７参照）では、辞書ＲＯＭ１４の辞書データをランダムに選択し、答えと同一の品詞である３つの見出し語を選択設定し、答えを含む合計４つの選択肢として表示するようにしたが、図１０における選択肢選択処理の他の実施形態にて示すように、問題データとして選択した辞書アドレスの近傍のアドレスにおいて、答えと類似する文字配列の見出し語を有する辞書データを３つ選択し、その見出し語を答えを含む合計４つの選択肢として表示するようにしてもよい。
【００７５】
図１０は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理の他の実施形態を示すフローチャートである。
すなわち、出題形式フラグレジスタＦに“０”がセットされている出題形式レベル０である問題文のみを表示した出題状態において、文字入力された答えが不正解であるか、又はキー入力部１２の「選択」キー１２ｄの操作により、選択肢選択処理（ステップＡＣ）が起動されると、まず、ＲＡＭ１５内の問題データレジスタ１５ｃに記憶されている辞書データの辞書アドレスから一定間隔のアドレス範囲が指定され、この指定された問題用辞書アドレスを基準とする一定範囲の辞書アドレスにおいて乱数が発生され、そのうち１つの辞書アドレスがランダムに選択されて対応する辞書データが読み出される（ステップＣ１，Ｃ２，Ｃ３）。
【００７６】
すると、このステップＣ３において、辞書ＲＯＭ１４から読み出された辞書データの見出し語が選択肢として設定され、ＲＡＭ１５内の選択肢レジスタ１５ｄに記憶される（ステップＣ４）。
【００７７】
これに伴ない、選択指数レジスタＥに記憶される選択指数が（＋１）され、選択指数“１”にセットされ、該選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数が“３”に到達したか否か、つまり、辞書ＲＯＭ１４から３つの辞書データに対応する見出し語が選択肢として選択設定されたか否か判断される（ステップＣ５，Ｃ６）。
【００７８】
この場合、選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数は“１”なので、この選択肢選択処理において辞書ＲＯＭ１４から選択された選択肢数は“３”に到達してないと判断されると、再び前記ステップＣ１以降の処理が繰り返され、問題用辞書アドレスを基準とする一定範囲内の辞書アドレスを対象として新たな選択肢がランダムに選択設定されて選択肢レジスタ１５ｄに追加記憶される（ステップＣ１〜Ｃ５）。
【００７９】
そして、選択肢数レジスタＥに記憶されている選択肢数が“３”に到達し、３つの選択肢が設定されたと判断されると、当該３つの選択肢が選択肢レジスタ１５ｄから読出され、問題データレジスタ１５ｃに記憶されている問題の答えとしての見出し語を１つの選択肢として含んだ合計４つの選択肢として、液晶表示部１７に対し既に表示されている穴埋め問題文の下に番号付けて配列表示される［図９（Ｃ）参照］（ステップＣ６→Ｃ７）。
【００８０】
すると、ＲＡＭ１５内の前記選択肢レジスタＥは“０”にリセットされる（ステップＣ８）。
こうして、液晶表示部１７に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル１の出題状態となると、ＲＡＭ１５内の出題形式フラグレジスタＦにフラグ“１”がセットされる（ステップＡ１５）。
【００８１】
よって、前記図１０における選択肢選択処理の他の実施形態によれば、問題用の辞書データと近傍の辞書アドレスからランダムに選択された辞書データの見出し語が選択肢として選択されるので、同じ問題に対しても常に異なる選択肢を設定できるだけでなく、問題の答えと類似する文字配列（スペル）の見出し語を選択肢として設定でき、回答用選択肢として適切な表示を行なうことができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る電子学習機によれば、問題は、辞書データ記憶手段に記憶された見出し語と辞書情報に基づいて出題されるので、出題専用の記憶手段を備えずとも、多くの出題を行えるようになる。また、見出し語の文字を答えとして文字入力させる問題に対して入力した解答が不正解である場合には、見出し語を選択肢として選ぶ選択問題として出題されるので、ユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができるようになる。さらに、この選択肢の問題に対する解答が不正解である場合には、問題文の訳も付加されて表示するようにできるので、よりユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わる語学学習機能を備えた電子辞書装置の電子回路の構成を示すブロック図。
【図２】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の辞書ＲＯＭにおける辞書データの記憶状態を示す図。
【図３】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のＲＯＭに記憶されている辞書アドレスインデックステーブルによる辞書アドレスの選択構造を示す図。
【図４】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理を示すフローチャート。
【図５】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理に伴なうモード選択メニュー画面の表示状態を示す図。
【図６】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理を示すフローチャート。
【図７】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう問題選択処理を示すフローチャート。
【図８】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理を示すフローチャート。
【図９】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なうキー操作対応の表示状態を示す図。
【図１０】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理の他の実施形態を示すフローチャート。
【符号の説明】
１１  …ＣＰＵ、
１２  …キー入力部、
１２ａ…文字・数字キー、
１２ｂ…「モード」キー、
１２ｃ…「問題」キー、
１２ｄ…「選択」キー、
１２ｅ…「入力」キー、
１３  …ＲＯＭ、
１４  …辞書ＲＯＭ、
１５  …ＲＡＭ、
１５ａ…表示レジスタ、
１５ｂ…モードフラグレジスタ、
１５ｃ…問題データレジスタ、
１５ｄ…選択肢レジスタ、
Ｆ  …出題形式フラグレジスタ、
Ｔ  …問題表示中フラグレジスタ、
Ｅ  …選択肢数レジスタ、
ｍ  …問題数レジスタ、
ｎ  …正解数レジスタ、
１７  …液晶表示部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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