(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の同一平面に各々が絶縁分離されて配置された複数のセンサ電極と、
このセンサ電極を覆うように形成された絶縁体からなる絶縁保護膜と、
前記センサ電極に形成された容量を検出する容量検出手段と、
前記絶縁保護膜上に形成されて疎水性と撥油性を有する表面保護膜と、
複数の前記センサ電極により形成されて前記絶縁保護膜および前記表面保護膜に覆われた検出面と、
この検出面の周囲の前記基板上に形成されて前記表面保護膜上面より突出した金よりなるバンプ構造からなる外部接続端子と
を備えたことを特徴とする表面形状認識用センサ。
【請求項２】
請求項１記載の表面形状認識用センサにおいて、
前記表面保護膜は、検出対象の接触により分子レベルの厚さで剥離するものである
ことを特徴とする表面形状認識用センサ。
【請求項３】
請求項１または２記載の表面形状認識用センサにおいて、
前記センサ電極とは絶縁分離されて前記検出対象の表面に接触するように一部が前記絶縁保護膜および前記表面保護膜の表面で露出して前記基板上に形成されたアース電極を備え、
前記容量検出手段は、前記アース電極と前記センサ電極各々との間の容量を検出するように構成され
たことを特徴とする表面形状認識用センサ。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項に記載の表面形状認識用センサにおいて、
前記表面保護膜は、フルオロカーボンから構成されたものである
ことを特徴とする表面形状認識用センサ。
【請求項５】
第１の基板上の同一平面に各々が絶縁分離されて配置された複数のセンサ電極と、このセンサ電極を覆うように形成された絶縁体からなる絶縁保護膜と、前記センサ電極に形成された容量を検出する容量検出手段とを少なくとも備えた表面形状認識用センサの製造方法において、
複数の前記センサ電極により形成されて前記絶縁保護膜および前記表面保護膜に覆われた検出面の周囲の前記第１の基板上に前記表面保護膜上面より突出した金よりなるバンプ構造からなる外部接続端子を形成する工程と、
前記外部接続端子が形成された後、疎水性と撥油性を有する膜となる特定材料が溶解した塗布液を塗布することで前記絶縁保護膜上に前記特定材料からなる表面保護膜を形成する工程と、
第２の基板上に形成された接続部に前記外部接続端子を共晶反応で接続する実装工程と
を備えた
ことを特徴とする表面形状認識用センサの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の表面形状認識用センサの製造方法において、
前記表面保護膜は、検出対象の接触により分子レベルの厚さで剥離するものである
ことを特徴とする表面形状認識用センサの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の表面形状認識用センサの製造方法において、
前記実装工程では、TAB方式により前記接続部に前記外部接続端子を接続する
ことを特徴とする表面形状認識用センサ。
【請求項８】
請求項６〜７いずれか１項に記載の表面形状認識用センサの製造方法において、
前記特定材料は、フルオロカーボンから構成されたものである
ことを特徴とする表面形状認識用センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、人間の指紋や動物の鼻紋など微細な凹凸を有する表面形状を感知するために用いられる表面形状認識用センサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、インターネットの普及とともに、本人認証の重要性に関して大きな関心が寄せられており、生体の特徴を計測評価して本人認証を行うバイオメトリクスは、認証技術の一分野として大きく進展しつつある。中でも、指紋を用いた本人認証は、容易に変えることのできない身体的特徴を計測評価する認証手段として盛んに研究開発がなされている。指紋を用いて本人認証を行うためには指紋を読み取ることになる。この指紋の読み取りには、光学式，容量式など各種の方式があるが、光学式の一部を除いては、指紋を読み取る際に、指を指紋センサ面に接触させるようにしているのが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、指を指紋センサ面に接触させる方式の場合、皮脂などを含む指紋痕がセンサに残るため、近年の清潔志向の高まりとともにセンサ面へ指を触れることを嫌う利用者が多く、この問題への対策が求められている（例えば、朝日新聞１９９９年８月２日東京本社発行第３版夕刊第４面記事）。また、センサ表面に残る指紋痕は、警察の鑑識が行うようなアルミ粉を用いたいわゆる粉末法により容易に指紋形状の採取が可能であり、指紋形状を再生することが可能となるので、耐タンパー性の観点からも対策が必要である。
【０００４】
さらに、指紋痕は、さらなる認証の際にセンシングノイズとして干渉するため、指紋センサの認証性能を劣化させるという問題もある。これらに対する対策は、センサ表面を洗浄したり拭いたりするしかないのが現状である。このような対策では、センサを連続して使用することができないなどの大きな問題をもつ。
【０００５】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、例えば本人認証などのために用いられる指紋センサなどの表面形状認識用センサにおいて、指などの検出対象が接触する検出面に残留する指紋痕などの残留物による検出面の清浄度の低下を抑制し、耐タンパー性を向上させ、指紋などの表面形状の検出精度の劣化が抑制できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表面形状認識用センサは、基板上の同一平面に各々が絶縁分離されて配置された複数のセンサ電極と、このセンサ電極を覆うように形成された絶縁体からなる絶縁保護膜と、センサ電極に形成された容量を検出する容量検出手段と、絶縁保護膜上に形成されて疎水性と撥油性を有する例えばフルオロカーボンなどの表面保護膜と、複数のセンサ電極により形成されて絶縁保護膜および表面保護膜に覆われた検出面と、この検出面の周囲の基板上に形成されて表面保護膜上面より突出した金よりなるバンプ構造からなる外部接続端子とを備えたものである。
この表面形状認識用センサによれば、表面保護膜に検出対象が接触した後における、検出対象の表面に存在していた物質の表面保護膜表面への残留が抑制される。
【０００７】
上記表面形状認識用センサにおいて、センサ電極とは絶縁分離されて検出対象の表面に接触するように一部が絶縁保護膜および表面保護膜の表面で露出して基板上に形成されたアース電極を備え、容量検出手段は、アース電極とセンサ電極各々との間の容量を検出するように構成してもよい。
【０００９】
本発明の他の形態における表面形状認識用センサの製造方法は、第１の基板上の同一平面に各々が絶縁分離されて配置された複数のセンサ電極と、このセンサ電極を覆うように形成された絶縁体からなる絶縁保護膜と、センサ電極に形成された容量を検出する容量検出手段とを少なくとも備えた表面形状認識用センサの製造方法において、複数のセンサ電極により形成されて絶縁保護膜および表面保護膜に覆われた検出面の周囲の第１の基板上に表面保護膜上面より突出した金よりなるバンプ構造からなる外部接続端子を形成し、この後、疎水性と撥油性を有する膜となる特定材料（例えばフルオロカーボン）が溶解した塗布液を塗布することで絶縁保護膜上に特定材料からなる表面保護膜を形成し、この後、第２の基板上に形成された接続部に外部接続端子を共晶反応で接続（例えばTAB方式で接続）するようにしたものである。
この製造方法によれば、外部接続端子と接続部とが電気的に接続される。
なお、上述した表面保護膜は、検出対象の接触により分子レベルの厚さで剥離するものであってもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
＜実施の形態１＞
はじめに、実施の形態１における表面形状認識用センサについて、図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態における表面形状認識用センサの製造方法を説明するための工程図である。この実施の形態における表面形状認識用センサは、図１（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる半導体基板１０１上に、多層配線層１０２が形成され、この上に配線１０４および接続電極１０５を介してアルミニウムからなるセンサ電極１０７が形成されたものとなっている。
【００１１】
多層配線層１０２は、最上層が絶縁膜１０３で覆われ、絶縁膜１０３上に配線１０４が形成されている。また、配線１０４は、層間絶縁膜１０６に覆われ、層間絶縁膜１０６に部分的に設けられた貫通口を貫通する接続電極１０５によりセンサ電極１０７に接続している。多層配線層１０２は、図示していないＭＯＳトランジスタなどの複数の素子およびこれらを接続する複数の配線などから形成され、センサ回路などを構成しているものである。これら回路に、配線１０４，接続電極１０５を介してセンサ電極１０７が接続している。
【００１２】
センサ電極１０７は、接続電極１０５を形成した後、例えば、層間絶縁膜１０６全域に、スパッタ法によりアルミニウムの膜を厚さ約０．５μｍ程度に形成し、この膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより加工することで形成する。
このようにしてセンサ電極１０７を形成した後、図１（ｂ）に示すように、センサ電極１０７を覆って層間絶縁膜１０６上に容量膜となる絶縁保護膜１０８を形成する。例えば、住友ベークライト社製のＣＲＣ８３００シリーズにあるポリイミド材料からなるポリイミド膜を塗布法により膜厚１μｍ程度に形成し、これを３００℃程度に加熱して硬化させることで、絶縁保護膜１０８が形成できる。
【００１３】
以上、絶縁保護膜１０８までは、従来と同様であり、本実施の形態では、以下に詳述するように、絶縁保護膜１０８上に、フルオロカーボン材料（特定材料）からなるフッ素樹脂膜（表面保護膜）１０９を備えるようにした（図１（ｃ））。フルオロカーボン材料としては、例えばデュポン社製のＡＦ１６００（テフロン（Ｒ））を用いることができる。以下、フッ素樹脂膜１０９の形成方法について説明する。まず、ＡＦ１６００をスリーエム社製フロリナートＦＣ７５（溶媒）に溶解し、室温２３．５°におけるＡＦ１６００の飽和溶液を作製する。この飽和溶液を、以降ではテフロン（Ｒ）飽和溶液と称する。
【００１４】
以上示したように、飽和溶液を作製したら、この飽和溶液を絶縁保護膜１０８上にスピンコーティングし、大気雰囲気中で５分間１７０℃に加熱し、しかるのち、窒素雰囲気中で１時間３００℃のアニールを行えば、図１（ｃ）に示すように、フッ素樹脂膜１０９が形成できる。なお、半導体ウエハである半導体基板１０１上には、複数のセンサチップ（表面形状認識用センサ）が同時に形成され、各々のセンサチップ上に、複数のセンサ電極１０７からなる検出面が形成され、この検出面が絶縁保護膜１０８とフッ素樹脂膜１０９により保護されているものであり、図１はこの一部を示している。
【００１５】
ところで、センサチップの表面には、検出面とともに外部接続用の端子が形成され、上述したようにスピン塗布だけでフッ素樹脂膜を形成すると、端子部もフッ素樹脂膜で覆われることになる。以下に、端子部に形成されるフッ素樹脂膜について説明する。
まず、つぎに示すような試料を作成した。テフロン（Ｒ）飽和溶液とフロリナートＦＣ７５（溶媒）を３対１あるいは１対１の比で混合した塗布液を、下地が種々の状態の基板上に、１０００ｒｐｍでスピンコーティングし、この後、大気雰囲気中で５分間１７０℃に加熱し、しかるのち、窒素雰囲気中で１時間３００℃のアニールを行い、テフロン（Ｒ）膜を形成する。このようにして形成した各テフロン（Ｒ）膜の膜厚を、オージェ電子分光による深さ方向分析で求めた結果を以下の表１に示す。
【００１６】
0003806044.tif 000002
【００１７】
上記表１より、まず、混合比が異なると、塗布膜厚が大きく異なることが判る。なお、表１は、塗布の回転数を１０００ｒｐｍとしたが、塗布の回転数を５００〜５０００ｒｐｍの間で可変しても、膜厚の変化はほとんど無い。
つぎに、表１より、下地の材料により塗布される膜厚に大きな差があることが判る。特に、金の上には、あまり膜が形成されないことが判る。この差を生ずる原因となる分子論，原子論的な詳細は明らかではないが、テフロン（Ｒ）飽和溶液と下地との濡れ性の差や、表面エネルギー差によるものと推量される。
【００１８】
以上のテストに加え、形成した塗布膜（テフロン（Ｒ）膜）の下地に対する密着性のテストをスコッチテープテストにより行うと、まず、下地が金の上に形成した塗布膜は、剥離を起こすが、他の材料を下地とした基板上の塗布膜では、剥離を起こすことなく固着している。したがって、金の上では、塗布膜厚が薄く、密着性が小さいことが判る。
【００１９】
テフロン（Ｒ）膜の密着性が金の上で小さいことは、つぎに示す実験事実からもわかる。前述したテフロン（Ｒ）飽和溶液を下地が金の基板上に塗布した後、テスターを用いて塗布膜を介した基板の電気抵抗を測定すると、不導体であるテフロン（Ｒ）膜が存在しているにもかかわらず、抵抗計測が可能である。これに対し、通常では数ｋΩの抵抗を示すシリコン基板上にテフロン（Ｒ）膜を塗布形成した場合、計測される抵抗は無限大となる。
【００２０】
これらの結果は、金の上に形成したテフロン（Ｒ）膜は、テスターのプローブの接触により容易に剥離し、プローブとの金属間接触が可能となることを示している。このテフロン（Ｒ）膜の性質は、下地がステンレス鋼の場合でも同様であり、ステンレス鋼を下地とした基板上では、テフロン（Ｒ）膜は弱い密着性でしか形成できない。しかしながら、上述したようなテフロン（Ｒ）膜の特性は、図１（ｃ）に示すような、本実施の形態における表面形状認識用センサにおけるフッ素樹脂膜１０９の形成に対し、つぎに説明するように非常に有用である。
【００２１】
上述した表面形状認識用センサ（センサチップ）は、マトリクス状に配置された複数のセンサ電極１０７を備え、例えば、１５０μｍ間隔に複数のセンサ電極１０７が配置され、これらでセンサチップの検出面を形成している。また、半導体基板１０１上の絶縁膜１０３下には、前述したようにセンサ回路が形成され、各センサ電極１０７に形成される容量を検出する。センサ回路は、例えば、センサ電極１０７毎に用意され、各センサ回路の出力は、図示していない他の回路により構成されている処理手段により処理され、各センサ電極１０７に形成された容量が濃淡に変換された画像データとして出力される。
【００２２】
センサチップは、例えば、図２に示すように、チップ外周部など所定の領域に、多層配線層１０２に形成されているいずれかの回路に接続する配線３０４に接続電極３０５を介して接続する外部接続電極３０７を備え、外部接続電極３０７の上に金からなるバンプ（外部接続端子）３１０を備え、バンプ３１０を実装基板の接続部に接続することで実装基板上に実装される。この場合、上述した出力される画像データは、外部接続電極３０７−バンプ３１０を介して実装基板側に出力される。したがって、絶縁保護膜１０８上に回転塗布によりフッ素樹脂膜１０９を形成すると、センサチップ上に形成されているバンプ３１０上にも、フッ素樹脂膜１０９が形成されることになる。
【００２３】
しかしながら、前述したように、金の上には密着性が非常に低い状態でかつ薄い状態でしかテフロン（Ｒ）膜が形成できない。したがって、回転塗布によりフッ素樹脂膜１０９を形成しても、バンプ３１０上にはほとんど膜が形成されていない状態となる。例えば、絶縁保護膜１０８まで形成された複数のセンサチップが同時に形成されているウエハ上に、テフロン（Ｒ）飽和溶液を混合比１対１で薄めたテフロン（Ｒ）溶液を１０００ｒｐｍで塗布し、大気雰囲気における１７０℃の加熱と窒素雰囲気における３０分の３００℃のアニールとでテフロン（Ｒ）膜（フッ素樹脂膜１０９）を形成する。
【００２４】
この結果、複数のセンサ電極１０７が配置されている絶縁保護膜１０８上には、膜厚約２００〜３００ｎｍのテフロン（Ｒ）膜が密着性の良い状態で形成され、バンプ３１０上には、テフロン（Ｒ）膜がほとんど形成されていない状態となる。また、バンプ３１０上にテフロン（Ｒ）膜が形成されていたとしても、表１にも示したように、この膜厚は１０ｎｍ程度であり、かつ、非常に剥がれやすい状態となっている。
【００２５】
したがって、テフロン（Ｒ）溶液を回転塗布することでフッ素樹脂膜１０９を形成しても、バンプ３１０におけるフッ素樹脂膜１０９の剥離を別途行う必要が無く、電気的接続が取れた状態でセンサチップを実装基板に実装することが可能となる。例えば、TAB実装で用いるインナーリードへのバンプ３１０の接続は、共晶反応により短時間で接続させる。このとき、印加される温度は、瞬間的ではあるが４２０℃になり、この加熱によりバンプ３１０上の薄いフッ素樹脂膜１０９は除去されるものと考えられる。
【００２６】
実際に、上述した複数のセンサチップが形成されたウエハ上で（個別にチップを切り出さず）、外部接続用のバンプ３１０に試験用のプローブピンを接触させて行う導通試験では、バンプ３１０部分での接触不良により８０％のチップで不良との判定結果となったが、チップを個別に切り出してTAB実装すると、総てのチップが良品の判定であった。このことは、バンプ３１０上の薄いフッ素樹脂膜１０９が、TAB実装時に除去されたことを意味している。
【００２７】
つぎに、上述したことにより塗布形成したフッ素樹脂膜１０９の効果について説明する。本実施の形態においては、フッ素樹脂膜１０９によりセンサチップの検出面が覆われていることになり、検出面に指を接触させても、汚れが付きにくくなり、耐タンパー性が向上する。この効果は、指の表面に存在している水分をフッ素樹脂膜１０９が撥水しやすいことに由来している。また、フッ素樹脂膜１０９は、分子レベルで剥離していくものと考えられ、このことも、上記効果が得られることに起因しているものと考えられる。
【００２８】
なお、上述したように、フッ素樹脂膜１０９は、分子レベルで剥離していくため、センサチップの使用に伴い次第に薄くなり、やがて上述した効果を示さなくなる。実際に前述した条件でフッ素樹脂膜を形成した指紋センサの耐久試験として、角形の小板を１ＭＰａ条件でセンサチップ表面に押圧する試験を行ったところ、約５０００回の押圧で残留指紋除去効果が無くなることを確認した。ただし、この耐久試験は、現実の指接触に比べると、加速試験に当たっており、実使用の範囲では充分な耐久性は確保されていることはいうまでもない。
【００２９】
さらに、前述したようなフッ素樹脂膜の選択塗布および指紋痕除去特性は、テフロン（Ｒ）を用いた場合に限るものではない。例えば、旭硝子社製サイトップ（cytop）などの他のフルオロカーボン型薄膜のように、疎水性と撥油性を有する薄膜を用いるようにしても同様の効果が得られる。なお、この薄膜においても、指（検出対象）の接触により分子レベルの厚さで剥離する現象が起こるものと考えられている。したがって、この薄膜においても、分子レベルで剥離していくことによる効果が得られるものと考えられる。
【００３０】
以上説明したように、フッ素樹脂膜を用い、かつ、実装方式としてTAB方式を用いることにより、表面形状認識用センサの表面の状態を適切に維持することが可能であることが本実施の形態の最大の特徴である。従来、例えば、指紋などの人の指からの油や水分の影響を受けやすいという問題が、解決することが明らかであることはいうまでもない。
【００３１】
＜実施の形態２＞
つぎに、本発明の他の実施の形態について説明する。図３は、この実施の形態における表面形状認識用センサ（センサチップ）の製造方法を説明するための工程図である。はじめに、図３（ａ）に示す状態について説明する。まず、半導体基板２０１上には、前述した実施の形態と同様にセンサ回路など他の集積回路からなる多層配線層２０２が形成され、多層配線層２０２は最上層が絶縁膜２０３で覆われ、絶縁膜２０３上に配線２０４，２０５が形成されている。
【００３２】
また、配線２０４，２０５は、層間絶縁膜２０８に覆われ、層間絶縁膜２０８に部分的に設けられた貫通口を貫通する接続電極２０６，２０７が接続している。各配線，接続電極は、公知の成膜技術，フォトリソグラフィ技術，エッチング技術によりパターニングすることで形成すればよい。また、層間絶縁膜２０８上には、接続電極２０６，２０７の上部中央部分が露出するように絶縁膜２０９が形成されている。
【００３３】
このように形成された状態で、絶縁膜２０９および露出している接続電極２０６，２０７上に、例えばスパッタ法などにより銅膜を膜厚０．１μｍ程度に形成する。次いで、接続電極２０６上に、接続電極２０６の部分が中心となるような平面視正方形状の開口部を有するレジストパターンを、絶縁膜２０９上に形成し、この開口部内に露出している銅膜上に電解メッキ法などにより膜厚１μｍ程度に金膜を形成する。
【００３４】
つぎに、上記レジストパターンを除去し、新たに、複数の接続電極２０７の上部にわたる格子状の開口部を有するレジストパターンを形成し、格子状のパターン内に露出している銅膜上に電解メッキ法などにより膜厚３μｍ程度に金膜を形成し、レジストパターンを除去する。
【００３５】
このことにより、接続電極２０６の上部には、平面視正方形状の金のパターンが形成され、複数の接続電極２０７の上部に連続して、格子状の金のパターンが形成される。このようにして形成された金のパターンをマスクとし、下層の銅膜をエッチングして除去し、格子状の部分と平面視正方形状の部分とを電気的に分離する。
【００３６】
この結果、絶縁膜２０９上には、接続電極２０６に接続する正方形状のセンサ電極２１１が形成され、接続電極２０７に接続するアース電極２１２が形成された状態となる。
図２（ｂ）の平面図に示すように、センサチップ上では、センサ電極２１１が各々分離して形成され、センサ電極２１１をマスの中に配置するように格子状のアース電極２１２が形成された状態となっている。
【００３７】
以上説明したようにしてセンサ電極２１１，アース電極２１２を形成したら、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜２０９上に容量膜となる絶縁保護膜２１３を形成する。絶縁保護膜２１３は、センサ電極２１１を覆い、アース電極２１２の上部は露出した状態に形成する。絶縁保護膜２１３は、例えば、住友ベークライト社製のＣＲＣ８３００シリーズにあるポリイミド材料からなるポリイミド膜を塗布法により膜厚３μｍ程度に形成し、これを３００℃程度に加熱して硬化させることで形成できる。
【００３８】
以上、絶縁保護膜２１３までは、従来とほぼ同様であり、本実施の形態では、以下に説明するように、絶縁保護膜２１３上に、フルオロカーボン材料からなるフッ素樹脂膜２１４を備えるようにした。前述した実施の形態と同様にしてテフロン（Ｒ）飽和溶液を作製し、これを絶縁保護膜２１３上にスピンコーティングし、大気雰囲気中で５分間１７０℃に加熱し、しかるのち、窒素雰囲気中で１時間３００℃のアニールを行えば、フッ素樹脂膜２１４が形成できる。
【００３９】
このとき、前述したように、フッ素樹脂膜は、金の上では、塗布膜厚が薄く密着性が小さいため、金からなるアース電極２１２上にはフッ素樹脂膜２１４がほとんど形成されない。なお、半導体ウエハである半導体基板２０１上には、複数のセンサチップ（表面形状認識用センサ）が同時に形成され、各々のセンサチップ上に、複数のセンサ電極２１１からなる検出面が形成され、この検出面が絶縁保護膜２１３とフッ素樹脂膜２１４により保護されているものであり、図３はこの一部を示している。
【００４０】
また、図示していないセンサ回路は、前述した配線２０３などを介し、アース電極２０７およびセンサ電極２１１各々に接続している。このセンサ回路は、アース電極２０７と各センサ電極２１１との間に形成される容量を検出し、これら対応した信号を出力する。また、各センサ回路の出力は、例えば半導体基板２０１に形成されている集積回路で構成された図示していない処理手段により処理され、この処理手段により、各センサ電極２１１に形成された容量を濃淡に変換した画像データを生成する。
【００４１】
以上示したように形成した図３に示す表面形状認識用センサによれば、前述した実施の形態と同様に、フッ素樹脂膜２１４によりセンサチップの検出面が覆われていることになり、検出面に指を接触させても、汚れが付きにくくなり、耐タンパー性が向上する。
また、本実施の形態においても、図４に示すように、チップ外周部など所定の領域に、多層配線層２０２に形成されているいずれかの回路に接続する配線４０４に接続電極４０６を介して接続する外部接続電極４１１を備え、外部接続電極４１１の上に金からなるバンプ４１５を備えるようにしても、バンプ４１５上にはフッ素樹脂膜２１４がほとんど形成されない。
【００４２】
また、本実施の形態においても、旭硝子社製サイトップ（cytop）などの他のフルオロカーボン型薄膜のように、疎水性と撥油性を有する薄膜を用いるようにしても、選択塗布および指紋痕除去特性などの同様の効果が得られる。また、フッ素樹脂膜中にチタニアなどの光触媒を添加すれば、抗菌作用と油脂分解作用により、清潔状態のさらなる向上と、残留指紋の除去とに有効である。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、センサ電極上の絶縁保護膜上に疎水性と撥油性を有する表面保護膜を備えるようにした。この結果、表面保護膜に検出対象が接触した後における、検出対象の表面に存在していた物質の表面保護膜表面への残留が、抑制されるようになる。したがって、本発明によれば、例えば本人認証などのために用いられる指紋センサなどの表面形状認識用センサにおいて、指などの検出対象が接触する検出面に残留する指紋痕などの残留物による、検出面の清浄度の低下を抑制し、耐タンパー性を向上させ、指紋などの表面形状の検出精度の劣化が抑制できるようになるというすぐれた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態における表面形状認識用センサの製造方法を示す工程図である。
【図２】  本発明の実施の形態における表面形状認識用センサの一部構成を概略的に示す断面図である。
【図３】  本発明の他の形態における表面形状認識用センサの製造方法を示す工程図である。
【図４】  本発明の他の形態における表面形状認識用センサの一部構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０１…半導体基板、１０２…多層配線層、１０３…絶縁膜、１０４…配線、１０５…接続電極、１０６…層間絶縁膜、１０７…センサ電極、１０８…絶縁保護膜、１０９…フッ素樹脂膜（表面保護膜）、３０４…配線、３０５…接続電極、３１０…バンプ（外部接続端子）。
【図１】
0003806044.tif 000003
【図２】
0003806044.tif 000004
【図３】
0003806044.tif 000005
【図４】
0003806044.tif 000006