(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＡＢ用に用いる両面配線フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムの両面に銅箔を被着する工程と、
両面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを同時にまたは順次形成する工程と、
該配線パターンの所要箇所に複数の貫通孔を加工し接続孔を形成する工程と、
該接続孔を導電性ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続する工程と、
から構成される両面配線フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項２】
ＴＡＢ用に用いる両面配線フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムの両面に銅箔を被着する工程と、
片面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを形成する工程と、
該配線パターンの所要箇所に、反対面の銅箔にまで至り、かつ、貫通しない複数の孔を加工して接続孔を形成する工程と、
前記の反対面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを形成する工程と、
前記接続孔を導電性ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続する工程と、
から構成される両面配線フィルムキャリアテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用の微細な配線パターンを両面に形成した両面配線フィルムキャリアテープの製造方法であって、特に、高密度実装を可能とし、優れた高周波特性を有する半導体パッケージ用に好適なものの製造方法である。
【０００２】
【従来の技術】
従来の両面配線フィルムキャリアテープは、絶縁性ベースフィルムを挟んで、一方の面に信号伝達用配線、反対側の面にベタグランド層であるマイクロストリップライン構造の層面を設けるようにされたものであって、高周波信号伝送に適したパッケージ用のＴＡＢ用テープとして注目されている。
【０００３】
例えば、特開平4-239739号公報および特開平5-326644号公報には、上記の高周波特性に優れたテープとその製造方法が開示されている。しかし、これらの公報で開示されたテープは、微細な配線が片面にのみ存在するものであり、反対面はデバイスホールやアウターリードホール等の抜き孔で分割されるのみで、電気的に分離するための露出したベースフィルム領域は存在せず、微細な配線とはなり得ないものであった。すなわち、反対面は、微細な配線を有しない、いわゆるベタグランドの構造となっており、また、これらの製造方法では、微細な配線を形成することは本質的にできないものであった。
【０００４】
例えば、特開平4-239739号公報においては、貫通孔であるスルーホールを介してめっき法によって両面の導体層を接続しているが、この方法で両面にパターンを形成しようとすると、めっきにより両面導体層を導通させた後に両面についてパターン形成を行わざるを得ない。なぜなら、めっき前にパターン形成すると、次の無電解めっきなどのめっき工程でその形成されたパターンもめっきされることになり、パターン間がショートしてしまい、実際には採用することができないからである。
【０００５】
そこで、貫通孔が開口している面にパターンを形成することが必要となり、エッチングマスクとして流動性の高い液状フォトレジストを適用することができず、ドライフィルムフォトレジストを用いる必要がある。
液状フォトレジストを適用した場合には、表面張力の影響で孔周辺の液状フォトレジストのみが特に盛り上がって厚くなる。ＵＶ光の露光条件はパターン形成部の主要部に合わせて設定されるため、孔周辺の厚い部分では露光不足となり、エッチングマスクのギャップが不足する。その結果、パターンショートあるいはパターンギャップ不足等の不良が発生する。
【０００６】
液状フォトレジストを適用した場合のもう一つの問題点は、孔のエッジでは逆に厚みがとれず、非常に薄くなり、エッジ部の下地が露出してしまうことである。下地が露出すると、次の工程のエッチングで導通用のめっき層を侵すことになり、接続抵抗を大きくしてしまい、場合によっては両面間の導通を切ることになる。
【０００７】
そこで、以上述べた液状フォトレジストの問題点を回避するためにドライフィルムフォトレジストを採用せざるを得ないのである。
しかし、ドライフィルムフォトレジストを採用した場合、配線形成の限界は量産的には100 μｍピッチ程度とされており、それ以下の微細な配線パターンを形成することはできない。
【０００８】
また、ドライフィルムフォトレジストはラミネート法で形成する為、細かな傷等の表面凹みに十分対応できないという欠点を持っている。
この為、ドライフィルムフォトレジストが十分密着しなかった部分にエッチング液が侵入し、パターン欠けや断線が発生しやすく、歩留りの改善が期待できないという問題がある。
【０００９】
以上述べたように、両面のパターン間の導通をめっきで行おうとする限りドライフィルムレジストを使わざるを得ず、100 μｍピッチ程度のパターン形成が限界ということになる。
ここで、特開平5-326644号公報は貫通孔の導通を導電性ペーストの充填によって行っており、上記と比べてパターン形成を行う工程には自由度が確保されている。
【００１０】
しかしながら、特開平5-326644号公報で開示された方法を基に両面に100 μｍピッチ以下の配線を形成する為には、片面のパターン形成後にその反対面に接着剤を塗布し、そして、孔加工し、銅箔等の導体層を被着させ、その導体層にパターン形成する必要がある。
しかし、この方法では銅箔等の導体層被着時に導体層と接着剤との間に多くのボイドが発生するという問題が生ずる。その原因となるのは、他面ですでに形成済みのパターンの凹凸である。この被着したい層とは反対側に存在する凹凸に起因して、被着したい導体層と接着剤との間に空気を巻き込んでしまい、ボイドが発生するのである。
【００１１】
ここで、従来の両面配線ＴＡＢ用テープキャリアの製造工程の一例を図３に示す。以下、図３に沿って説明する。
ポリイミドなどの絶縁フィルム１に接着剤７を介して銅箔12b が被着される（ａ）。ここで、銅箔は絶縁フィルムに直接被着される場合もある。
次に、絶縁フィルム１の他面に接着剤７を塗布する（ｂ）。この状態で、表裏面を貫通する接続孔４及びデバイスホール、アウターリードホールが所要の位置にパンチングなどで穿孔される（ｃ）。そして、銅箔12a が被着され（ｄ）、その銅箔12a に液状フォトレジストを適用してパターニングが行われ、微細な配線パターン13a が形成される（ｅ）。次に、12b と13a の接続を行うために導電性ペースト５を接続孔４に充填する。最後に、両面に保護膜であるソルダーレジスト６が形成される（ｆ）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の片面がベタグランド層である両面配線フィルムキャリアテープでは、近年の集積回路の高集積化に対応した配線の高密度化に対応することができず、べタグランド側にもパターンを形成し、グランド以外の配線機能を盛り込みたいという要求に応えることができない。
【００１３】
また、両面共に微細な配線を配置することを可能とし、半導体の高密度実装を実現する為のパッケージ用のテープとして使う要求にも応えられない。
以上の要求に応えるため、高密度配線を両面共に配置可能な両面配線フィルムキャリアテープの開発が必要とされるようになってきた。
本発明は、ＴＡＢ用のテープの製造方法であって、表裏面共に100 μｍピッチ以下の微細な配線パターンとすることが可能な両面配線フィルムキャリアテープの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、両面配線フィルムキャリアテープを、絶縁フィルムの両面に銅箔を被着する工程と、両面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを同時にまたは順次形成する工程と、該配線パターンの所要箇所に複数の孔を打ち抜き接続孔を形成する工程と、該接続孔を導電性ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続する工程とから構成される製造方法によって製造するようにしたのである。
【００１６】
また、絶縁フィルムの両面に銅箔を被着する工程と、片面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを形成する工程と、該配線パターンの所要箇所に、反対面の銅箔にまで至り、かつ、貫通しない複数の孔を加工して接続孔を形成する工程と、前記の反対面の銅箔に、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターンを形成する工程と、前記接続孔を導電性ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続する工程と、から構成される製造方法によって製造することもできることを見出したのである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の両面配線フィルムキャリアテープを製造する第１の方法を図１に沿って説明する。
まず、絶縁フィルム１の両面に、銅箔2a、2bを被着させる（ａ）。ここで、この被着は接着剤層を介してもよく、また、直接被着させても良い。いわゆる両面３層構造、両面２層構造のいずれであっても良いのである。また、一方のみに接着層を有する片面２層・反対面３層構造としても良い。
【００１８】
次に、本発明では、液状フォトレジストを適用して、両面の銅箔のパターニングを行い、配線パターン3a、3bを形成する（ｂ）。このパターニングは、両面を順次行っても良く、また、両面同時に行うようにしても良い。
ここで、両面共に液状フォトレジストを適用することから、100 μｍピッチ以下の微細な配線パターンを形成することが可能となるのである。
【００１９】
そして、所要の箇所に貫通孔である接続孔4a及び位置決め用等の孔を開ける（ｃ）。この孔は、パンチングによって開けても良く、また、レーザ加工を行っても良い。
次に、導電性ペースト５を接続孔4aに充填し、両面の配線パターンを電気的に接続させるのである（ｄ）。
【００２０】
最後に、配線パターンの所定領域と導電性ペーストの充填された接続孔をソルダーレジスト６を塗布することで保護する（ｅ）。
次に、本発明の両面配線フィルムキャリアテープを製造する別の方法を図２に沿って説明する。
まず、絶縁フィルム１の両面に、銅箔2a、2bを被着させる（ａ）。ここで、この被着は接着剤層を介してもよく、また、直接被着させても良い。いわゆる両面３層構造、両面２層構造のいずれであっても良いのである。また、一方のみに接着層を有する片面２層・反対面３層構造としても良い。
【００２１】
次に、本形態では、液状フォトレジストを適用して、片面の銅箔のパターニングのみを行い、配線パターン3aを形成する（ｂ）。ここで、反対面はそのままとして、ここではパターニングを行わない。。
そして、レーザ加工法を用い、その出力を調整しながら、裏面の銅箔2bにまで到達し、かつ、裏面の銅箔は貫通しないようにした接続孔4b及びデバイスホール、アウターリードホール、位置決め用等の孔を所要箇所に加工する（ｃ）。
【００２２】
その後、液状フォトレジストを適用して、反対面の銅箔のパターニングを行い、配線パターン3bを形成する（ｄ）。
そして、導電性ペースト５を接続孔4bに充填し、両面の配線パターンを電気的に接続するのである（ｅ）。
最後に、配線パターンの所定領域と導電性ペーストの充填された接続孔をソルダーレジスト６を塗布することで保護する（ｆ）。
【００２３】
なお、導電ペーストは、銅ペースト、銀ペースト、半田ペースト等が適用できる。ただし、接続孔に充填され両面の導体層が電気的に接続されるのであれば良く、これらに限定される訳ではない。
【００２４】
【実施例】
下記の条件で、本発明の両面配線フィルムキャリアテープを試作した。
絶縁フィルムとしては、厚さ75μｍのポリイミドフィルムを使用した。
銅箔は15μｍ厚とし、接着剤なしでめっきによりポリイミドフィルムの両面に積み上げたタイプを用いた。
【００２５】
また、配線パターンは、液状フォトレジストを適用して加工し、100 μｍピッチ以下の微細なパターンを加工した。本実施例においては、配線幅、ギャップ幅共に25μｍの微細なパターンを加工している。
接続孔の加工は、図１の第１の方式では、パンチングを適用し、200 μｍ径の貫通孔を加工している。また、図２で説明した別の方法では、レーザ加工を適用している。
【００２６】
図１、図２いずれの場合も導電性ペーストには、銅ペーストを用いた。保護膜のソルダーレジストは高精度のパターン加工を行うために、感光性ソルダーレジストを用いた。
以上の条件で本発明の両面配線フィルムキャリアテープを試作し、いずれの方法においても、100 μｍピッチ以下の微細な配線パターンが両面にある両面配線フィルムキャリアテープを量産できることを確認した。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によって、100 μｍピッチ以下の微細な配線パターンが両面にある高密度の両面配線フィルムキャリアテープを高い生産性で量産することが可能となり、両面配線フィルムキャリアテープを安価に量産することを可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の両面配線フィルムキャリアテープの製造工程を説明する断面図である。
【図２】本発明の両面配線フィルムキャリアテープの別の製造工程を説明する断面図である。
【図３】従来の両面配線ＴＡＢ用テープキャリアの製造工程の例を説明する断面図である。
【符号の説明】
１    絶縁フィルム
2a、2b    銅箔
3a、3b    配線パターン
４、4a、4b    接続孔
５    導電性ペースト
６    ソルダーレジスト
７    接着剤
12a 、12b 銅箔
13a   配線パターン
【図１】
0003795219.tif 000002
【図２】
0003795219.tif 000003
【図３】
0003795219.tif 000004