(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置内で半導体基板を保持するための保持装置であって，
前記半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は実質的に平坦な載置面を有し，裏面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成されたプレートと，
内部に発熱体を埋設した，前記半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成された加熱ブロックと，
前記プレート若しくは前記加熱ブロックの前記凹所に挿入され，前記プレートの前記爪部及び前記加熱ブロックの前記爪部を挟持することによって両者を密着固定するための弾性連結部材と，
前記加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，
から成り，
前記プレートを回転することにより，前記プレートの裏面と前記加熱ブロックの表面が密着固定されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記弾性連結部材は断面が略コの字形の耐熱性及び耐食性を有するクリップである，請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プレートはアルミニウム合金若しくは窒化アルミニウムから成る，請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記窒化アルミニウムから成るプレートの内部には高周波電極が埋設されている，請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記高周波電極は前記弾性連結部材を介して前記加熱ブロックと電気的に接続される，請求項４に記載の装置。
【請求項６】
半導体処理装置内で半導体基板を保持するための保持装置であって，
前記半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は少なくとも一つの貫通孔を有する実質的に平坦な載置面であり，裏面は凸設された少なくとも一つの爪部を有するプレートと，
内部に発熱体を埋設した，前記半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所及び貫通孔を有する加熱ブロックと，
前記加熱ブロックの前記凹所内に嵌合し，前記プレートの前記爪部及び前記加熱ブロックの前記爪部を挟持することによって，両者を密着固定するための，貫通孔を有する弾性連結部材と，
同軸にアライメントされた前記プレートの貫通孔，前記弾性連結部材の貫通孔及び前記加熱ブロックの貫通孔を通り，当該貫通孔を封止するシャフト部材と，
前記加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，
から成り，
前記載置プレートの裏面と前記加熱ブロックの表面が密着していることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって，前記弾性連結部材は，断面が略Ｆ字形の耐熱性及び耐食性を有する軸方向に回転可能な部材であり，回転軸方向と平行な軸線を有する少なくとも一つの孔を有する部材である，ところの装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって，前記弾性連結部材は，手動で前記回転軸の回りに当該弾性連結部材を回転させることにより，前記プレート及び前記加熱ブロックの爪部を挟持しかつ両者を固定する，ところの装置。
【請求項９】
前記プレートはアルミニウム合金若しくは窒化アルミニウムから成る，請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記窒化アルミニウムから成る前記プレートの内部には高周波電極が埋設されている，請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記高周波電極は前記弾性連結部材を介して前記加熱ブロックと電気的に接続される，請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
さらに，前記貫通孔と前記シャフトの間にガイド部材が挿入されている，請求項６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体処理装置内で半導体基板を保持するための基板保持装置に関し，特にプラズマCVD装置内で基板を保持するサセプタ装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は，従来のプラズマCVD装置を略示したものである。従来のプラズマCVD装置は，反応チャンバ2，高周波発振器7に接続されたシャワーヘッド5，半導体基板10を載置するサセプタ3，発熱体11を埋設した加熱ブロック4，及び真空ポンプ（図示せず）に接続された排気口9から成る。流量制御された反応ガスはガス導入ポート6からシャワーヘッド5へ導かれ，対向する半導体基板へ向かって流される。反応チャンバ2内部は真空ポンプによって所定の圧力に維持される。さらに，サセプタ3上に載置された半導体基板の温度は，熱電対12によって検出され温度制御器8を通じて所定の温度に維持される。サセプタ3は加熱ブロックを通じて電気的に接地13され，高周波電極の一方を形成する。こうして，シャワーヘッド5とサセプタ3との間の反応空間に高周波のプラズマ放電が生じ，半導体基板10の上部付近で反応ガス分子がイオン化してプラズマ状態となる。その結果，活性イオン分子が半導体基板表面に付着して薄膜が形成される。
【０００３】
ところで，上記プラズマCVD装置に使用されるサセプタは大きく２種類に分類される。サセプタが反応チャンバ若しくは加熱ヒータと一体型のタイプ，及びサセプタと加熱ブロックが別々であり両者をボルトで固定するタイプである。
【０００４】
前者としては，例えば，米国特許第5,039,388号に記載されているように，表面が陽極酸化処理されたアルミニウム若しくはアルミニウム合金から成るサセプタ電極を加熱ヒータと一体構造として製造したものがある。他にも，窒化アルミニウム内部に電極及びヒータ線の両方を埋設して加熱部と基板保持部を一体構造として製造したものなどがある。
【０００５】
後者としては，雌ねじに螺刻された加熱ブロックへサセプタの上からボルトで締結することによって，サセプタ及び加熱ブロックを固定するものがある。ここで使用されるボルトは，耐熱性及び耐食性に優れたインコネル，ニッケル及びステンレス鋼から成る。他にも，米国特許5,633,073号に記載されるように，セラミック材料である窒化アルミニウム基体内にモリブデンなどの金属層を埋設して高周波電極として使用し，その裏面を雌ねじ加工して金属製ネジで反応チャンバに固定する構造のサセプタがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，これら上記のサセプタには以下のような欠点がある。
【０００７】
まず，表面を陽極酸化処理したアルミニウムの場合，プラズマエッチングに対する耐性に優れているものの，サセプタ表面が経年変化によってクラックを生じる可能性がある。それが原因で不純物汚染がもたらされるのを防止するために，定期的にサセプタを取り外して清掃メンテナンスを行う必要がある。
【０００８】
この場合，反応チャンバと一体構造のサセプタ及び加熱ヒータと一体型のサセプタでは，非常に多くの作業時間を要し，長時間装置を停止させなければならず，そのことが生産性の低下に直結する。
【０００９】
また，窒化アルミニウム内部に電極及びヒータ線の両方を埋設して一体化したものの場合にも，ウエハ基板の搬入及び搬出など外部環境からの汚染物質の侵入に対してやはり定期的に清掃メンテナンスを行う必要があり，長時間の装置停止及び生産性の低下を余儀なくされる。さらに，概してこれら一体型のサセプタ装置は製造コストが高い点も問題である。
【００１０】
一方，サセプタ及び加熱ブロックをボルトで固定するタイプは，熱膨張及び収縮によりボルトの締結が弛緩して密着不良が生じ，その結果半導体基板の基板温度が所定の温度からずれてしまい，プロセス安定性に影響を及ぼすといった問題を生じさせる。また，プラズマエッチングの際に，ニッケル系合金製のボルトがフッ素活性種に直接さらされると腐食する可能性があり，その結果腐食により生じた汚染物質が不純物汚染を引き起こす危険性がある。
【００１１】
さらにまた，セラミック材料である窒化アルミニウム基体内に金属層を埋設して裏面を反応チャンバにネジ固定するタイプは，強固に締結すると窒化アルミニウムとニッケル製ネジの熱膨張率の違いから破損する危険性がある。また，度重なる急激な加熱に金属ネジが耐えられず開口部が破損したり若しくはネジ締結部が弛緩する可能性がある。
【００１２】
したがって，本発明の目的は，短時間で容易にサセプタの脱着作業を行うことが可能な基板保持装置を与えることである。
【００１３】
また，本発明の他の目的は，急激な温度変化による破損若しくはサセプタと加熱ブロックとの間に隙間の生じない基板保持装置を与えることである。
【００１４】
さらに，本発明の他の目的は，サセプタの脱着時に不純物汚染の心配のない基板保持装置を与えることである。
【００１５】
さらにまた，本発明の他の目的は，製造コストの安価な基板保持装置を与えることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために，本発明に係る半導体処理用の基板保持装置は以下の手段から成る。
【００１７】
本発明に係る半導体処理装置内で半導体基板を保持するための保持装置は，
前記半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は実質的に平坦な載置面を有し，裏面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成されたプレートと，
内部に発熱体を埋設した，前記半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成された加熱ブロックと，
前記プレート若しくは前記加熱ブロックの前記凹所に挿入され，前記プレートの前記爪部及び前記加熱ブロックの前記爪部を挟持することによって両者を密着固定するための弾性連結部材と，
前記加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，
から成り，
前記プレートを回転することにより，前記プレートの裏面と前記加熱ブロックの表面が密着固定されることを特徴とする。
【００１８】
具体的には，前記弾性連結部材は断面が略コの字形の耐熱性及び耐食性を有するクリップである。
【００１９】
また好適には，前記プレートはアルミニウム合金若しくは窒化アルミニウムから成る。
【００２０】
さらに前記窒化アルミニウムから成る前記プレートの内部には高周波電極が埋設されることもできる。
【００２１】
また好適には，前記高周波電極は前記弾性連結部材を介して前記加熱ブロックと電気的に接続される。
【００２２】
一方，他の本発明に係る半導体処理装置内で半導体基板を保持するための保持装置は，
前記半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は少なくとも一つの貫通孔を有する実質的に平坦な載置面であり，裏面は凸設された少なくとも一つの爪部を有するプレートと，
内部に発熱体を埋設した，前記半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所及び貫通孔を有する加熱ブロックと，
前記加熱ブロックの前記凹所内に嵌合し，前記プレートの前記爪部及び前記加熱ブロックの前記爪部を挟持することによって，両者を密着固定するための，貫通孔を有する弾性連結部材と，
同軸にアライメントされた前記プレートの貫通孔，前記弾性連結部材の貫通孔及び前記加熱ブロックの貫通孔を通り，当該貫通孔を封止するシャフト部材と，
前記加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，
から成り，
前記載置プレートの裏面と前記加熱ブロックの表面が密着していることを特徴とする。
【００２３】
具体的には，前記弾性連結部材は，断面が略Ｆ字形の耐熱性及び耐食性を有する軸方向に回転可能な部材であり，該回転軸方向と平行な軸線を有する少なくとも一つの孔を有する部材である。
【００２４】
また具体的には，前記弾性連結部材は，手動で前記回転軸の回りに当該弾性連結部材を回転させることにより，前記プレート及び前記加熱ブロックの爪部を挟持しかつ両者を固定する。
【００２５】
さらに好適には，前記プレートはアルミニウム合金若しくは窒化アルミニウムから成る。
【００２６】
また，前記窒化アルミニウムから成る前記プレートの内部には高周波電極を埋設することもできる。
【００２７】
さらに好適には，前記高周波電極は前記弾性連結部材を介して前記加熱ブロックと電気的に接続される。
【００２８】
さらにまた好適には，前記貫通孔と前記シャフトの間にガイド部材が挿入される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照しながら本発明を説明する。
【００３０】
本発明に係る半導体処理装置内で半導体基板を保持するためのサセプタ装置は，半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は実質的に平坦な載置面を有し，裏面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成されたプレートと，内部に発熱体を埋設した，半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所が形成された加熱ブロックと，プレート若しくは加熱ブロックの上記凹所に挿入され，該プレートの爪部及び該加熱ブロックの爪部を挟持することによって両者を密着固定するための弾性連結部材と，加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，から成り，プレートを回転することにより，プレートの裏面と加熱ブロックの表面が密着固定されることを特徴とする。
【００３１】
図２(A)は，本発明に係るサセプタ装置のプレート20の裏面を示したものである。サセプタプレート20は，好適にはアルミニウム合金製の厚さ5mm〜20mmの円板体から成る。プレート20の半導体基板の載置面38（図３参照）には陽極酸化膜が約15μmの厚さで形成されている。プレート20の裏面の表面23には，開口部である３つの凹所25が半径方向にほぼ等間隔で設けられ，各凹所25の一端からはプレート裏面と平行に爪部24が伸長している。該凹所25の対端にはプレート裏面とほぼ直角の当接面26が設けられている。また，中心には位置合わせ用のセンタリングピン33（図３参照）と嵌合する中心孔22が設けられている。
【００３２】
ここで，各凹所及び爪部は長方形で描かれているが，それに限定されるものではなく，他のあらゆる形状が可能である。また，凹所の個数は３つに限定されるものではなく，あらゆる個数の凹所を設けることも可能である。
【００３３】
図２(B)は，本発明に係る加熱ブロック21の表面を示したものである。加熱ブロック21は内部にヒータ31（図３参照）を埋設したアルミニウム合金製の円柱体である。加熱ブロック21の表面27には，開口部である３つの凹所28が半径方向に等間隔に設けられている。各凹所内部のひとつの角隅から加熱ブロック21の表面27と平行に爪部29が伸長している。ここで，凹所28及び爪部29の個数及び配置は，上記サセプタプレート20と対応している。
【００３４】
図３は，本発明に係るサセプタ装置の好適実施例の断面図を略示したものである。図３(A)は図２(A)のA-A断面図を，図３(B)は図２(B)のB-B断面図をそれぞれ示している。図３(A)において，本発明に係る弾性連結部材30はサセプタプレート20の凹所25内に挿入接合されている。本発明に係る弾性連結部材30は断面が略コの字形のクリップ部材であって，好適にはクロム(Cr)含有ニッケル(Ni)基合金から成るが，コバルト−ニッケル(Co-Ni)基合金などの耐熱性及び耐食性に優れた素材を使用してもよい。弾性連結部材30はカール37を有し，凹所25の当接面26と当接することで，水平方向へのずれを防止している。また，当該弾性連結部材30はサセプタプレートの裏面23とほぼ平行なフック36を有する。ここで，本発明に係る弾性連結部材30は略コの字形に限定されるものではなく，他のさまざまな形状が可能である。また後に図４で説明するように，加熱ブロック側の凹所28に挿入接合してもよい。
【００３５】
加熱ブロック21の中央には位置合わせ用のセンタリングピン33が設けられており，それがサセプタプレート20の中心孔22と嵌合することによって両者は位置決めされる。また，当該加熱ブロック21はエッチングガス等からの腐食を防止するべくアルミニウム合金製のシールド部材32によって周囲を覆われている。さらに，加熱ブロック21及びシールド部材32は同じくアルミニウム合金製の支持筺体34により反応チャンバ内部において支持されている。
【００３６】
図３(C)は，サセプタプレート20及び加熱ブロック21が弾性連結部材30によって連結された様子を示した断面図である。連結は，弾性連結部材30のフック36を加熱ブロック21の凹所28に挿入し，プレート20を回転させながら，加熱ブロック21の凹所28の爪部29の下面35と弾性係合させることにより実行される。連結が完了した時点において，各弾性連結部材30のフックは，やや斜め下方に撓んだ状態であって，下面35に対し押し上げる方向の弾性力を与える。こうして，プレート20の爪部24及び加熱ブロック21の爪部29は弾性連結部材30によって挟持され，プレート20の裏面23及び加熱ブロック21の表面27が弾性力によって密着される。
【００３７】
プレート20及び加熱ブロック21を分離する場合には，結合した時と逆方向にサセプタプレート20を回転させればよい。
【００３８】
図４には，弾性連結部材の変形例が示されている。図４(A)は本発明に係るサセプタ装置の変形例の断面図を，図４(B)はサセプタプレート及び加熱ブロックが連結した様子を示したものである。
【００３９】
本発明に係る変形例の弾性連結部材40は，断面が略コの字形のクリップ部材であって，好適にはクロム(Cr)含有ニッケル(Ni)基合金から成るが，コバルト−ニッケル(Co-Ni)基合金などの耐熱性及び耐食性に優れた素材を使用してもよい。弾性連結部材40は基部41及びフック43から成り，基部41は加熱ブロック21の凹所28の内側面に当接して挿入されている。好適には，基部の挿入を容易にするべく，加熱ブロック21の凹所28の爪部29の下面35の角は面取り42されている。
【００４０】
当該弾性連結部材40が上記弾性連結部材30と大きく異なるのは，サセプタプレート20側ではなく加熱ブロック21側に挿入されている点である。サセプタプレート20及び加熱ブロック21の連結方法は上記好適実施例と同様である。
【００４１】
図５は，本発明に係るサセプタ装置の他の実施例の断面図を示したものである。サセプタプレート20’はセラミック材料である窒化アルミニウムから成り，内部には高周波電極50が埋設されている。窒化アルミニウム基体20’は好適には純度99.9％以上の窒化アルミニウム焼結体であり，熱伝導率は80Wm-1K-1以上のものが使用される。尚，サセプタプレート20’がアルミニウム合金製である上記好適実施例のサセプタプレート20である場合には，該プレート自身が高周波電極として機能するため，内部に高周波電極を埋設する必要はない。
【００４２】
高周波電極としては，好適には厚さ約0.1mmの円盤状モリブデン網が使用されるが，それ以外にモリブデン箔，複数の開口を有するモリブデン箔，または印刷されたモリブデン膜を使用してもよい。また素材としては，モリブデン以外にタングステンを使用してもよい。
【００４３】
プレート20’内部には薄い円筒形の金属層51が設けられ，高周波電極50と弾性連結部材30を電気的に接続している。その結果，高周波電極50は，弾性連結部材30及び加熱ブロック21を通じてアースされる。金属層51として，好適にはニッケルが使用されるが，それ以外にモリブデン若しくはチタンを使用することもできる。金属層51は，窒化アルミニウム基体20’の表面にメッキ，無電解メッキ，蒸着またはスクリーン印刷などの方法により形成することができる。
【００４４】
それ以外の構成並びにサセプタプレート20’及び加熱ブロック21の連結方法は，上記好適実施例と同様であるので説明は省略する。
【００４５】
一方，他の本発明に係る半導体処理装置内で半導体基板を保持するためのサセプタ装置は，半導体基板を載置するためのプレートであって，その表面は少なくとも一つの貫通孔を有する実質的に平坦な載置面であり，裏面は凸設された少なくとも一つの爪部を有するプレートと，内部に発熱体を埋設した，前記半導体基板を加熱するための加熱ブロックであって，表面には爪部を有する少なくとも一つの凹所及び貫通孔を有する加熱ブロックと，加熱ブロックの前記凹所内に嵌合し，前記プレートの前記爪部及び前記加熱ブロックの前記爪部を挟持することによって，両者を密着固定するための，貫通孔を有する弾性連結部材と，同軸にアライメントされたプレートの貫通孔，前記弾性連結部材の貫通孔及び前記加熱ブロックの貫通孔を通り，当該貫通孔を封止するシャフト部材と，前記加熱ブロックを収容するためのシールド部材と，から成り，前記載置プレートの裏面と前記加熱ブロックの表面が密着していることを特徴とする。
【００４６】
図６は，本発明に係る他のサセプタ装置の垂直分解断面図を略示したものであり，図１１は，その分解斜視図を示したものである。プレート60はセラミック材料である窒化アルミニウムから成り，内部に高周波電極50が埋設されている。図１１に示されるように，プレート60の実質的に平坦な表面には円形の貫通孔68が３つ設けられている。ここで貫通孔を４つ以上設けることも可能である。プレート60の裏面には凸設された突起部である爪部63が設けられている。その他のプレート60の構成は，上記実施例のプレート20’と同様である。
【００４７】
加熱ブロック61の内部には半導体基板を加熱するためのヒータ69が埋設されている。また，表面には貫通孔と連続した凹所66が設けられている。該凹所66の内側には，その内側面の一部から加熱ブロック61の表面と平行に伸長した爪部67が設けられている。その他の加熱ブロック61の構成は，上記実施例の加熱ブロック21と同様である。
【００４８】
加熱ブロック61の貫通孔66内に弾性連結部材65が装着され，弾性連結部材65の貫通孔70（図７参照）内にガイド部材64が挿入される。その上からプレート60が位置合わせされて載置される。後で詳しく説明するように，弾性連結部材65は，プレート60及び加熱ブロック61を密着固定し，最後に耐熱性及び耐食性を有する材料から成るシャフト62がガイド部材64を通って貫通孔68を封止する。
【００４９】
図７は，図６の弾性連結部材65を拡大して示したものであり，図７(A)は平面図，図７(B)は図７(A)のB-B断面図，図７(C)は図７(A)のC-C断面図をそれぞれ示している。弾性連結部材65は上記弾性連結部材30若しくは40と異なり，２枚の平行な板バネ72，73及びブロック75から成る断面が略Ｆ字形のクリップである。２枚の板バネ72及び73の間隔は，後で詳細に説明するプレート60と加熱ブロック61の連結固定に関連して予め所定の間隔に決められている。弾性連結部材65は円形部74及びその円周の一部から伸張した延伸部76から成る。円形部74の中心には貫通孔70が設けられ，円形部の表面にはその貫通孔70の軸線と平行な軸線を有する２つの孔71が設けられている。板バネ72，73は，スポット溶接若しくはTIG溶接等の従来の溶接方法でブロック75に固定される。弾性連結部材65は，好適にはクロム(Cr)含有ニッケル(Ni)基合金から成るが，コバルト−ニッケル(Co-Ni)基合金などの耐熱性及び耐食性に優れた素材を使用してもよい。
【００５０】
図８は，上記弾性連結部材65によって，プレート60及び加熱ブロック61が連結される様子を示したものである。図８(A)には，各貫通孔の軸線が一致するようにアライメントされた弾性連結部材65，ガイド部材64，及びプレート60が，この順序で加熱ブロック61の貫通孔66内に装着された様子が示されている。この状態で，アタッチメント80を使って，弾性連結部材65のみを回転させ，プレート60及び加熱ブロック61を密着固定する。
【００５１】
図８(B)は図８(A)の部分拡大図である。アタッチメント80の先端には中心に突起部81及び周囲に２つの小突起部82が設けられている。プレート60の貫通孔68を通過してアタッチメント80を弾性連結部材65の方へゆっくり進める。アタッチメント80の突起部81をガイド部材の開口部83へ，２つの小突起部82を弾性連結部材の２つの孔71へ，それぞれ挿入する。次に，アタッチメント80を手動で回転させる。
【００５２】
図９は，弾性連結部材65がアタッチメント80によって回転する様子を拡大して示したものである。弾性連結部材65が軸線90の回りに90度回転することによって，２枚の板バネ72，73がプレート60の爪部63及び加熱ブロックの爪部67を挟持する。それによって，プレート60及び加熱ブロック61が密着固定される。この際，２枚の板バネ72，73の間隔は両爪部63，67の厚さの和と等しいか若しくはわずかに狭いのが好適である。
【００５３】
弾性連結部材65の係合によって高周波電極50は，弾性連結部材65及び加熱ブロック61を介してアースされる。
【００５４】
図１０は，シャフト62によって，プレート60の貫通孔68を封止した後のサセプタ装置の断面図を示したものである。シャフトの頭部はプレートの貫通孔68と嵌合するように形成されており，シャフトの挿入と同時にサセプタ表面の貫通孔は完全に密閉され，エッチングガスの侵入による汚染発生の危険性はない。また，シャフト62は，半導体基板をサセプタ表面から持ち上げて搬送用アームを挿入するための空間を形成するのにも使用されるが，当該シャフト62の出し入れの際の摩擦はガイド部材64によって防止されるため，そこからのパーティクル汚染の心配もない。
【００５５】
以上の操作はプレート60の３つの貫通孔のすべてについてそれぞれ実行される訳であるが，少なくとも１カ所について締結が完全であれば，実質的にはプレート60及び加熱ブロック61を密着固定することが可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明に従うサセプタ装置によれば，サセプタプレートの脱着が非常に容易かつ短時間で実行でき，メンテナンスに要する時間を大幅に短縮することができたため，生産性が大幅に向上した。
【００５７】
また，本発明に従うサセプタ装置によれば，ボルトを一切使用しないため，ボルトの弛緩，熱膨張率の違いによる破損，及びパーティクル汚染の心配が全くない。
【００５８】
さらに，本発明に従うサセプタ装置によれば，熱膨張によりサセプタと加熱ブロックの寸法に差が生じても，バネの弾性力により垂直方向の熱膨張による空隙の発生が抑制されるため，サセプタと加熱ブロックの密着は常に保持される。
【００５９】
さらにまた，本発明に従うサセプタ装置によれば，製造コストの安価なサセプタを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，従来のプラズマCVD装置を略示したものである。
【図２】図２(A)は本発明に係るサセプタの裏面，図２(B)は本発明に係る加熱ブロックの表面をそれぞれ示したものである。
【図３】図３は，本発明に従うサセプタ装置の好適実施例の断面図を示したものである。
【図４】図４は，本発明に従うサセプタ装置の弾性連結部材の変形例の断面図を示したものである。
【図５】図５は，本発明に従うサセプタ装置の他の実施例の断面図を示したものである。
【図６】図６は，本発明に従うサセプタ装置の垂直分解断面図を示したものである。
【図７】図７は，本発明に従うサセプタ装置で使用する弾性連結部材を示したものである。
【図８】図８は，本発明に従う弾性連結部材をアタッチメントを使って回転させる様子を示した断面図である。
【図９】図９は，本発明に従う弾性連結部材の回転の様子を拡大した図である。
【図１０】図１０は，本発明に従うサセプタ装置の断面図である。
【図１１】図１１は，本発明に従うサセプタ装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
20            プレート
21            加熱ブロック
22            中心孔
23            プレート裏面
24            爪部
25            凹所
26            当接面
29            爪部
30            弾性連結部材
31            ヒータ
32            シールド部材
33            センタリングピン
34            支持筺体
35            下面
36            フック
37            カール
38            載置面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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