(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極ペーストにより電極パターンを形成する工程、該電極パターンを１４０〜３００℃でキュアする工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形成する工程、該誘電体ペースト塗布膜を１４０〜３００℃でキュアする工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成する工程、ならびに、少なくとも電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程をこの順に含むプラズマディスプレイの製造方法であって、前記誘電体ペーストとして、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含み、該熱重合開始剤の開始剤効率が０．８〜１．０の範囲であり、架橋剤が３つ以上の官能基を有する化合物であり、かつ、バインダー樹脂および架橋剤１００重量部に対して、熱重合開始剤の含有量が３〜３０重量部の範囲である誘電体ペーストを用いるプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項２】
電極ペーストおよび／または隔壁ペーストが感光性である請求項１に記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項３】
誘電体ペースト中の熱重合開始剤が過酸化ベンゾイル骨格を有する化合物である請求項１または２に記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項４】
誘電体ペースト中の熱重合開始剤が式（１）で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【化１】
0003783673.tif 000010
（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基またはアラルキル基を示す）
【請求項５】
誘電体ペースト中のバインダー樹脂と架橋剤の重量比が、６０：４０〜５：９５の範囲である請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項６】
誘電体ペーストが、無機粉末として軟化点４５０〜６００℃のガラス粉末および軟化点６５０℃以上のフィラーを含み、かつ、誘電体ペースト中のバインダー樹脂および架橋剤１００重量部に対して、該ガラス粉末の含有量が１５０〜３００重量部の範囲、該フィラーの含有量が５０〜２００重量部の範囲である請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイは次世代大型ディスプレイとして注目を集めており、高精細なプラズマディスプレイを低コストで安定して生産する技術が強く望まれている。そのようなプラズマディスプレイを構成する部材において、大きなコストを占める部材として背面板が挙げられる。
【０００３】
背面板は、図１に示すように、少なくとも基板上に形成された電極１、誘電体層２、ストライプ状の隔壁３およびＲＧＢの蛍光体層４から構成される。また、最近では図２のように、ストライプ状の主隔壁と垂直方向に補助隔壁が設けられている場合も多い。いずれの形状の隔壁を有する背面板においても、電極パターンおよび隔壁パターンの形成に感光性ペースト法を用いることで、高精細な背面板が安定して生産できるようになってきたが、さらなる低コスト化が依然として望まれている。
【０００４】
従来、背面板製造工程では、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターンおよび蛍光体パターンの各層を形成する工程の度に、それぞれの材料を焼成していた（図３）。すなわち、背面板の製造工程では、最低でも４回の焼成工程が必要であり、生産性が低く、高コストの原因となっていた。また、焼成工程が多いことによって、ガラス基板の熱による寸法変化が大きくなるという問題を生じていた。さらに、電極に銀を使用した場合には、焼成工程が多いことによって銀のマイグレーションが進行し、パネルの信頼性が低下する要因となっていた。
【０００５】
そこで、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターン、蛍光体パターンのうちのいくつかを形成した後、同時に焼成するという同時焼成プロセスが検討されてきた。例えば、無機粉末の作業点を電極、誘電体、隔壁、蛍光体の順に高くすることにより、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターン、蛍光体パターンの４つを同時に焼成する方法が記載されている（特許文献１参照）。しかし、これらの方法を用いても、大きな問題が２つあった。
【０００６】
１つ目の問題は、隔壁パターンの形成を感光性ペースト法やサンドブラスト法により行う際に、形成してある電極パターンのうち誘電体ペースト塗布膜に覆われていない電極引き出し部分５が、隔壁現像液や研磨粒子に浸食され、剥がれてしまうという問題である。
【０００７】
２つ目の問題は、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成すると、電極パターンおよび隔壁パターンのそれぞれに誘電体層を引き裂く方向に大きな焼成応力が発生し、電極パターンの断線や誘電体層の亀裂といった欠陥が発生するという問題である。
【０００８】
また、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの２層同時焼成において、誘電体ペースト塗布膜を熱により硬化して、同時焼成時に隔壁の焼成応力が発生しても亀裂の発生しない製造方法が開示されている（特許文献２参照）。しかし、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの同時焼成では、さらに大きな焼成応力が発生するため、この製造方法を用いても、誘電体層の亀裂が発生するという問題があった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−７８９４号公報（第２頁）
【００１０】
【特許文献２】
特開平２００１−２６４７７号公報（第２頁）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、断線や亀裂などの欠陥が生じることなく、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時焼成することができる誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記した従来技術の課題を解決するため、以下の構成を有する。
【００１３】
すなわち、電極ペーストにより電極パターンを形成する工程、該電極パターンを１４０〜３００℃でキュアする工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形成する工程、該誘電体ペースト塗布膜を１４０〜３００℃でキュアする工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成する工程、ならびに、少なくとも電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程をこの順に含むプラズマディスプレイの製造方法であって、前記誘電体ペーストとして、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含み、該熱重合開始剤の開始剤効率が０．８〜１．０の範囲であり、架橋剤が３つ以上の官能基を有する化合物であり、かつ、バインダー樹脂および架橋剤１００重量部に対して、熱重合開始剤の含有量が３〜３０重量部の範囲である誘電体ペーストを用いるプラズマディスプレイの製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明をプラズマディスプレイの作製手順に従って説明する。
【００１５】
図４にプラズマディスプレイの作製手順の一例を示す。基板上に、電極ペーストを用いて、所望のパターン形状の電極パターン１ａを形成する。電極パターン１ａを形成した基板上に、誘電体ペーストを用いて誘電体ペースト塗布膜２ａを形成する。誘電体ペースト塗布膜２ａ上に隔壁ペーストを用いて、隔壁パターン３ａを形成する。そして、電極パターン１ａ、誘電体ペースト塗布膜２ａおよび隔壁パターン３ａを基板ごと一括焼成して、電極１、誘電体層２および隔壁３を形成する。以下に、各工程について詳述する。
【００１６】
プラズマディスプレイの背面板の基板としては、通常、ソーダガラスや旭硝子社製の“ＰＤ−２００”、日本電気化学社製の“ＰＰ−８”などの高歪み点ガラスを用いたガラス基板が用いられる。
【００１７】
基板上に、導電性金属およびバインダーを含む電極ペーストを用いて電極パターンを形成する。電極パターン形成には、スクリーン印刷法や感光性ペースト法、プレス成型法等を用いることができる。パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性ペースト法が特に好ましい。以下、感光性ペースト法の手順について説明する。
【００１８】
基板上に、感光性電極ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーターなどの方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度および塗出量を選ぶことによって調整できる。塗布厚みは、所望の電極の高さと焼成による電極ペーストの収縮率を考慮して決めることができる。通常好ましい焼成後の電極の高さは１〜１０μｍの範囲であり、焼成収縮を考慮すると塗布する電極ペースト塗布膜の厚さは１〜１５μｍの範囲であることが好ましい。
【００１９】
塗布された感光性電極ペーストを乾燥して露光を行う。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。
【００２０】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行い、電極パターンを形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などが用いられる。現像液には、感光性の電極ペースト中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いるとよい。
【００２１】
電極パターンの形成は、焼成による収縮を考慮して行うとよい。焼成後の電極のサイズとしては、ピッチ１００〜２５０μｍ、高さ１〜１０μｍ、幅１５〜６０μｍの範囲が好ましい。
【００２２】
また、電極パターンを形成した後、熱によりキュアすることが好ましい。電極パターンをキュアする条件としては、１４０〜３００℃の温度範囲で３〜３０分の時間範囲が好ましい。より好ましくは、１５０〜２５０℃の温度範囲で５〜３０分の時間範囲である。ここでいうキュアとは、約１２０℃以下で行われる単なる乾燥を含まない。キュアには熱風乾燥機やＩＲ乾燥機を用いることができる。
【００２３】
電極パターンは現像液に浸食されて基板との密着性が低下するため、パターンサイドが基板から剥離するエッジカールが発生する場合がある。エッジカールが発生すると、誘電体ペースト塗布膜の厚みムラが生じたり、また電極の焼成応力がより大きくなるという問題がおこる。電極パターンを形成した後、１４０℃以上でキュアすることで、ポリマーを一旦柔軟な状態にし、エッジカールを緩和できる。さらに、電極引き出し部の残留溶媒が完全に除去されることにより、後の隔壁形成工程に感光性ペースト法やサンドブラスト法を用いた場合でも、電極引きだし部が隔壁の現像液や研磨粒子に除去されないような耐性を付与することができる。また、３００℃以下でキュアすることで、電極ペーストの熱収縮を抑え、収縮によるエッジカールを抑制することができる。電極パターンのキュアは、誘電体ペーストを塗布する前に行うことが好ましい。エッジカールの少ない電極の上に誘電体層を形成することにより、誘電体層の厚みムラなどによる耐電圧低下などの問題を抑制できる。
【００２４】
次に、誘電体層の形成のために、基板上に誘電体ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。誘電体層は基板上に形成された電極を被覆して保護し絶縁する作用を有すると共に、その上に形成される隔壁の形成性を改良する効果を有するものである。
【００２５】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含む。バインダー樹脂の具体的な例としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー（例えば、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン）、ポリスチレン、ブタジエン／スチレンコポリマー、ポリビニルピロリドン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマー、ポリアクリルアミドおよび種々のアクリルポリマーやセルロース化合物などが挙げられる。アクリルポリマーまたはセルロース化合物を用いることが焼成時の焼成残渣低減の点で好ましい。
【００２６】
アクリルポリマーとしては、例えば（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸アルキル類を単独または共重合させたものが好ましく、ペーストに好ましい特性を与えるように適宜に選択することができる。具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸ヘキシルなどの単独重合体やこれらの重合体を構成するモノマーの組合せで得られる共重合体などが好ましい。セルロース化合物としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシセルロース、メチルヒドロキシセルロースなどを好ましく用いることができる。
【００２７】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、熱重合開始剤から発生したラジカルを開始点として、架橋剤が３次元網目構造を形成する。これにより、後の現像工程における耐現像液性が向上し、また焼成時に焼成応力による亀裂や断線が発生することを抑制することができる。その際、３次元網目構造を形成できる点で、架橋剤が３つ以上の官能基を有する化合物であることが好ましい。そのような官能基としては、活性な炭素−炭素二重結合を有する化合物が好ましく、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリレート基、アクリルアミド基を有する化合物が応用される。（メタ）アクリレート化合物には多様な種類の化合物が開発されているので、それらから反応性、屈折率などを考慮して選択し、場合によってはそれらを組み合わせることが可能である。また、ポリマーに炭素−炭素２重結合を有する側鎖を導入するなどの方法を用いることも好ましい。
【００２８】
（メタ）アクリレート化合物としては、化学式（２）、（３）、（４）、（５）で示されるアルキル基を有するアクリル化合物またはメタクリル化合物が好ましく用いられる。化学式（５）で示される化合物が、官能基を３つ以上有するので、特に好ましい。
【００２９】
CH2=CR3COO-R4                            （２）
CH2=CR3COO-R4-OCOCHR1=CH2                （３）
CH2=CR3COO-R5-OCO-R6-COO-R5-OCOCHR3=CH2  （４）
(CH2=CR3COO-(CH2CHR6O)m)n-R7             （５）
ここにおいて、Ｒ3およびＲ6は水素またはメチル基、Ｒ4は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ5は炭素数３以上のヒドロキシアルキル基、Ｒ7は炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ｍは０〜３０の整数、ｎは３〜６の整数である。
【００３０】
式（５）で表される化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、およびそれらのアルキレンオキサイド変成物などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００３１】
架橋剤の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の重量比が、６０：４０〜５：９５の範囲であるように調整することが好ましい。添加量をこの範囲にすることによって、誘電体ペースト塗布膜の強度を保ち、かつ焼成時の焼成残渣を低減することができる。両者の重量比は、さらに好ましくは、２０：８０〜５：９５の範囲である。
【００３２】
本発明の誘電体ペーストにおいて、バインダー樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して、熱重合開始剤の含有量は３〜３０重量部の範囲である。より好ましい含有量は５〜３０重量部の範囲、さらに好ましくは１０〜３０重量部の範囲である。熱重合開始剤は、熱により活性ラジカルを発生し、架橋剤の反応を開始することができる。上記の熱重合開始剤の含有量は、一般的な熱重合開始剤の含有量と比べると極めて大きい値である。本発明の誘電体ペーストでは、熱重合開始剤の含有量をこの範囲とすることで、ペースト塗布膜中という自由度のない系中においても、十分に架橋剤を反応させ、三次元網目構造を形成することができる。これにより誘電体ペースト塗布膜の強度が向上し、後の焼成工程において収縮応力がかかっても、電極の断線や誘電体層の亀裂などの欠陥が発生することを抑制できる。
【００３３】
熱重合開始剤は、通常、下式（６）のようにラジカルを生成し、下式（７）のように開始反応を起こす。
式（６）
【００３４】
【数１】
0003783673.tif 000002
【００３５】
式（６）中、Ｉは開始剤、Ｒ・は開始剤から生成した１次ラジカル、ｋdは速度定数を示す。
（式７）
【００３６】
【数２】
0003783673.tif 000003
【００３７】
式（７）中、Ｍは架橋剤、Ｍ・は架橋剤ラジカルを示す。
【００３８】
ここで、式（６）で生成した一次ラジカルの全てが式（７）の開始反応に入るとは限らない。生成した一次ラジカル対は、お互いに十分に離れる前に、高い確率でお互いに反応してしまう。お互いに反応せずに十分に離れることができた一次ラジカルのみが、架橋剤と反応することができる。
【００３９】
この式（７）の開始反応に入る一次ラジカルの割合を開始剤効率という。すなわち、開始剤効率は下式（８）で表される。
（式８）
【００４０】
【数３】
0003783673.tif 000004
【００４１】
式（８）中、ｋdは式（６）の速度定数、Ｒiは式（７）の開始速度、［Ｉ］は開始剤濃度である。
【００４２】
本発明に用いられる熱重合開始剤の開始剤効率は、０．８〜１．０の範囲であることが好ましい。ここで、開始剤効率の値は、ベンゼン中、６０℃でスチレンへの開始反応における値である。本発明では、熱重合開始剤はペースト塗布膜中という自由度のない系中で開裂するため、開裂により発生した一次ラジカルがお互いに反応しなくなるところまで拡散することが困難となる。従って、開始剤効率が低い熱重合開始剤では、一次ラジカル同士の反応による失活が起こりやすくなるため、十分に架橋剤を架橋させることが難しい。熱重合開始剤の開始剤効率が０．８以上であることで、熱重合開始剤から発生する一次ラジカルの失活を防ぎ、十分に架橋剤を反応させて、誘電体ペースト塗布膜の強度を上げることができる。
【００４３】
熱重合開始剤としては、有機過酸化物やアゾ化合物が挙げられる。具体例をあげると、有機過酸化物としては、ジプロピルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ（２−エチルヘキサノエート）、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイドなどが挙げられる。アゾ化合物としては、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビスイソブチロニトリル、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１−（（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ）ホルムアミド（２−（カルバモイルアゾ）イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシメチル）プロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−（１−ヒドロキシブチル））プロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド）などが挙げられる。
【００４４】
本発明に用いられる熱重合開始剤としては、有機過酸化物が、開始剤効率が高いので好ましい。アゾ化合物は、アゾ基の両側の二つの結合が同時に切れて２個のラジカルが生成し、生成したラジカル対は生成後１０-9秒以内に窒素を放出して再結合や不均化を起こして安定な化合物となるため、開始剤効率が低くなるため好ましくない。例えば、アゾビスイソブチロニトリルは、開始剤効率が０．６〜０．７である。また、一部の過酸化物は、二酸化炭素を放出してしまい、アゾ化合物と同様に開始剤効率が低くなる。
【００４５】
有機過酸化物の中でも、ベンゾイル骨格を有するものがさらに好ましい。ベンゾイル骨格を有する有機過酸化物が開裂してできるベンゾイルオキシラジカルは、脱二酸化炭素がおこりにくく、再結合しても再開始可能なため、高い開始剤効率を有するからである。例えば過酸化ベンゾイルの開始剤効率は、ほぼ１．０である。
【００４６】
特に好ましいのは、次式（１）で表される化合物である。
式（１）
【００４７】
【化２】
0003783673.tif 000005
【００４８】
ここで、式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ水素または炭素数１〜５のアルキル基、アラルキル基を示す。
【００４９】
一般式（１）で表される化合物において、Ｒ1およびＲ2の両方が同時に水素ではないことが好ましい。そのような非対称な化合物は、有機溶剤への溶解性が非常に高いため、高濃度であっても用いることができる。また、長期間保存しても開始剤が析出したり、開始剤が失活してしまうといった問題が発生しない。本発明では、これら上記の熱重合開始剤から選ばれる１種または２種以上を使用することができる。
【００５０】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、さらにウレタン化合物を含有することが好ましい。ウレタン化合物を含有することにより、誘電体ペースト塗布膜の柔軟性が向上し、焼成時の応力を小さくでき、亀裂や断線などの欠陥を効果的に抑制できるためである。また、ウレタン化合物を含有することにより、熱分解性が向上し、焼成工程において焼成残渣が発生しにくくなる。本発明で好ましく使用するウレタン化合物として、例えば、下記一般式（９）で示される化合物が挙げられる。
式（９）
Ｒ8−（Ｒ11−Ｒ10）n−Ｒ11−Ｒ9
ここで、Ｒ8およびＲ9はエチレン性不飽和基を含む置換基、水素、炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選ばれた基であり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｒ10はアルキレンオキサイド基またはアルキレンオキサイドオリゴマー、Ｒ11はウレタン結合を含む有機基である。ｎは１〜１０の自然数である。
【００５１】
このようなウレタン化合物としては、エチレンオキサイド単位を含む化合物が好ましい。より好ましくは、式（９）中、Ｒ10がエチレンオキサイド単位（以下、ＥＯと示す）とプロピレンオキサイド単位（以下、ＰＯと示す）を含むオリゴマーであり、かつ、該オリゴマー中のＥＯ含有量が８〜７０重量％の範囲内である化合物である。ＥＯ含有量が７０重量％以下であることにより、柔軟性がさらに向上し、焼成応力を小さくできるため、欠陥を効果的に抑制できる。さらに、熱分解性が向上し、後の焼成工程において、焼成残渣が発生しにくくなる。また、ＥＯ含有量が８％以上であることにより、他の有機成分との相溶性が向上する。
【００５２】
また、ウレタン化合物が炭素−炭素二重結合を有することも好ましい。ウレタン化合物の炭素−炭素二重結合が他の架橋剤の炭素−炭素二重結合と反応して架橋体の中に含有されることにより、さらに重合収縮を抑制することができる。
【００５３】
本発明で好ましく用いられるウレタン化合物の具体例としては、ＵＡ−２２３５ＰＥ（分子量１８０００，ＥＯ含有率２０％）、ＵＡ−３２３８ＰＥ（分子量１９０００，ＥＯ含有率１０％）、ＵＡ−３３４８ＰＥ（分子量２２０００，ＥＯ含有率１５％）、ＵＡ−５３４８ＰＥ（分子量３９０００，ＥＯ含有率２３％）（以上、新中村化学（株）製）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの化合物は混合して用いてもよい。
【００５４】
ウレタン化合物の含有量は、誘電体ペースト中の０．１〜２０重量％であることが好ましい。含有量を０．１重量％以上とすることで、誘電体ペースト塗布膜の柔性を向上することができる。含有量が２０重量％を超えると、有機成分と無機粉末の分散性が低下し、また相対的に架橋剤および熱重合開始剤の濃度が低下するので、欠陥が生じやすくなる。
【００５５】
本発明の誘電体ペーストは、無機粉末として、軟化点４５０〜６００℃の範囲であるガラス粉末（以下、「低融点ガラス粉末」と称する）を含有することが好ましい。誘電体層を形成する低融点ガラス粉末の軟化点を６００℃以下とすることで、高温焼成を必要としないため、焼成の際にガラス基板に歪みを生じない。また、軟化点を４５０℃以上とすることで、後の蛍光体層形成工程や封着工程において誘電体層に歪みを生じることがなく、膜厚精度を保つこともできる。低融点ガラス粉末の軟化点は、より好ましくは、４７０〜５５０℃の範囲である。
【００５６】
低融点ガラス粉末の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して、１５０〜３００重量部の範囲が好ましい。低融点ガラス粉末の添加量を１５０重量部以上とすることで、緻密な誘電体層を得ることができ、また、相対的に有機成分の含有量が低下するので、焼成時の焼成残渣が低減される。低融点ガラス粉末の添加量を３００重量部以下とすることで、有機成分の含有量が低くなりすぎることを防ぎ、架橋剤による３次元網目構造を十分密にし、焼成時の誘電体層亀裂を低減することができる。
【００５７】
誘電体ペーストに配合される無機粉末中の低融点ガラス粉末は、酸化物換算表記で、
酸化ビスマス          １０〜８５重量％
酸化珪素                ３〜５０重量％
酸化ホウ素              ５〜４０重量％
酸化亜鉛                ４〜４０重量％
の組成を含有するものが好ましい。この組成範囲であると５２０〜５８０℃でガラス基板上に焼き付けることができる誘電体ペーストが得られる。
【００５８】
低融点ガラス粉末中の酸化ビスマスは、１０〜８５重量％の範囲で配合されることが好ましい。１０重量％以上とすることで、焼き付け温度や軟化点を制御する効果が現れ、８５重量％以下にすることによって、ガラスの耐熱温度が低くなりすぎることが防止されるので、ガラス基板上への焼き付けが適正に行われる。
【００５９】
酸化珪素は、３〜５０重量％の範囲で配合することが好ましい。３重量％以上とすることにより、ガラス層の緻密性、強度や安定性を向上させ、また熱膨張係数がガラス基板の値と近いものとなり、従ってガラス基板とのミスマッチを防止することができる。５０重量％以下とすることによって、軟化点やガラス転移点が低くなり、５８０℃以下でガラス基板上に緻密に焼き付けることができる。
【００６０】
酸化ホウ素は５〜４０重量％の範囲で配合することによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上することができる。
【００６１】
酸化亜鉛は４〜４０重量％の範囲で添加されることが好ましい。４重量％以上にすることによって緻密性向上の効果が現れ、４０重量％以下にすることによって焼き付け温度が低くなり過ぎて制御できなくなることを防ぎ、また絶縁抵抗を保持することができる。
【００６２】
上記ガラス成分は、実質的にアルカリ金属を含まないことが好ましい。誘電体層は多くの場合、銀電極やガラス基板に接触して形成されるため、銀電極の銀イオンやガラス基板の成分とのイオン交換反応に帰因する黄色化などの問題を防ぐためである。実質的に含まないとは、具体的にはガラス成分中に、アルカリ金属の合計含有量が０．５重量％以下であること、好ましくは、０．１重量％以下であることを意味する。
【００６３】
さらに、本発明の誘電体ペーストは、軟化点が６５０℃以上のフィラーを、バインダー樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して、５０〜２００重量部の範囲で含有することが好ましい。軟化点が６５０℃以上のフィラーをこの範囲で添加することにより、焼成時の収縮率を小さくし、基板にかかる応力を低下させるなどの効果があるためである。また、特定の物性を有するフィラーを選択することで、誘電体層の反射率や導電性などの膜特性を制御することができる。
【００６４】
軟化点が６５０℃以上のフィラーの添加量を５０重量部以上とすることで、焼成収縮率を低くしたり、熱膨張係数を制御する効果が得られる。また、添加量を２００重量部以下とすることで、焼成後の誘電体層の緻密性や強度を保つことが可能となり、同時に、クラック発生などの欠陥を防止することができる。
【００６５】
軟化点が６５０℃以上のフィラーとしては、軟化点が６５０〜８５０℃の範囲の高融点ガラス、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、チタン酸バリウムおよび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種が好ましく用いられる。
【００６６】
また、本発明の誘電体ペーストは、導電性粉末を含有することが好ましい。ＡＣ型プラズマディスプレイにおいて、表示電極とアドレス電極間でプラズマ放電させると空間電荷が発生し、その大部分が表示電極の上に形成されている誘電体層に蓄積される。この蓄積された電荷による電圧で偶発的に放電が生じて画質を悪くする。このような画質の劣化の原因となる電荷の蓄積を解消するために、誘電体層に導電性粉末を配合し、蓄積電荷をリークさせることが有効である。導電性粉末は、具体的には、クロムまたはニッケルから選んだ金属粉末や酸化インジュウム、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物に不純物を混入した半導体を使用することができる。導電性粉末の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲であることが好ましい。０．１重量部以上とすることで、有効に電荷をリークすることができ、偶発放電を防ぐことができる。５重量部以下とすることで、誘電体層の緻密性を保持することができる。
【００６７】
誘電体ペーストは、有機成分に無機粉末を分散した様態を有するものであり、無機粉末を有機成分の中に均一に分散することが良好な塗布性のために好ましい。このようなペーストを得るため、無機粉末の平均粒径、最大粒径およびタップ密度などが適正な範囲にあることが好ましい。
【００６８】
無機粉末は、平均粒径が０．２〜１．５μｍの範囲、最大粒径が１０μｍ以下であり、かつ、タップ密度が０．６ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましい。このような範囲の粒径、タップ密度を有するものが、ペーストへの充填性および分散性が良好であり、従って塗布性の優れたペーストが調製できるので、緻密で均一な塗布膜を得ることが可能になる。ここで、粒径は、レーザ散乱・回折法で測定した値であり、平均粒径は５０％体積粒径、最大粒径は粒径の最大値である。
【００６９】
粒子の凝集力は表面積に依存するため、平均粒径を０．２μｍ以上とすることで凝集性を抑え、ペースト中での分散性がよくなり、緻密かつ均一な塗布膜が得られる。また、１．５μｍ以下とすることで形成された誘電体ペースト塗布膜の緻密性がよくなり、内部にボイドなどが発生しない。また、塗布膜表面に不要な凹凸も生じない。最大粒径を１０μｍ以下にすることも、内部でのボイド発生や表面の不要な凹凸の発生を防止するために有用である。
【００７０】
無機粉末のタップ密度を０．６ｇ／ｃｍ3以上、好ましくは０．７ｇ／ｃｍ3以上とすると、粉末の充填性および分散性が良くなり、気泡や凝集物を生じにくくなる。
【００７１】
また、本発明の誘電体ペーストは、これらの他にもさらに必要に応じて、分散剤、安定剤、消泡剤、レベリング剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、重合禁止剤、有機溶媒などを添加することもできる。
【００７２】
誘電体層の厚みは、焼成後で４〜１８μｍの範囲、より好ましくは８〜１５μｍの範囲であることが、均一で緻密な誘電体層を形成するために好ましい。厚さを１８μｍ以下とすることで、焼成の際の脱バインダー性が良好となり、バインダーの残存に起因するクラックが生じない。またガラス基板にかかる応力も小さくなるので基板が反るなどの問題も生じない。また、４μｍ以上とすることで平坦性で均一かつ緻密な誘電体層を形成することができ、電極部分の凹凸によって誘電体層にクラックが入るなどの問題が生じない。
【００７３】
誘電体ペースト塗布膜を形成した後、キュアを行う。焼成よりも前の工程でキュアして硬化させることにより、後の焼成工程における電極パターンや隔壁パターンの収縮による応力に誘電体ペースト塗布膜が耐えることができるようになるためである。キュアは、焼成よりも前に行えばよいが、隔壁ペーストを塗布する前に行うことが好ましい。キュアによって、電極引き出し部の残留溶媒が完全に除去されることにより、電極引き出し部の耐性が向上し、後の隔壁パターン形成工程において、隔壁の現像液や研磨粒子に除去されにくくなる。
【００７４】
誘電体ペースト塗布膜をキュアする条件としては、１４０〜３００℃の温度範囲で３〜３０分の時間範囲が好ましい。好ましくは、１５０〜２５０℃の温度範囲で５〜３０分の時間範囲である。ここでいうキュアとは、約１２０℃以下で行われる単なる乾燥を含まない。つまり、誘電体ペーストを塗布した後に上記の温度、時間で塗布膜をキュアすることにより、塗布膜の硬化が不充分であるためその後の焼成時に誘電体層に亀裂が発生してしまうという問題がなくなる。キュアには熱風乾燥機やＩＲ乾燥機を用いることができる。
【００７５】
次いで、隔壁パターンを形成する。隔壁パターンの形成には、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、感光性ペースト法、プレス成型法等が用いられる。パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性ペースト法が特に好ましい。以下に、感光性ペースト法の手順について説明する。
【００７６】
誘電体ペースト塗布膜の上に、感光性隔壁ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。感光性ペーストの塗布は、スクリーン印刷法、バーコーター法、ロールコータ法、ドクターブレード法などの一般的な方法で行うことができる。塗布厚さは、所望の隔壁の高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めることができる。通常、焼成後の隔壁の好ましい高さは６０〜１７０μｍの範囲であり、焼成収縮を考慮すると、塗布する隔壁ペースト塗布膜の厚さは８０〜２２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７７】
塗布された感光性隔壁ペーストは、乾燥され、露光される。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。
【００７８】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行い、隔壁パターンを形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などが用いられる。現像液には、感光性隔壁ペースト中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いるとよい。本発明では、アルカリ水溶液で現像することが好ましい。隔壁のパターニングは、焼成による収縮を考慮して行うとよい。焼成後の隔壁のサイズとしては、ピッチが１００〜２５０μｍの範囲、高さが６０〜１７０μｍの範囲、幅が１５〜６０μｍの範囲内であることが好ましい。隔壁パターンは、主としてストライプ状に形成されるが、特に限定されず、格子状である場合もある。本発明の誘電体ペーストを用いると、格子状の隔壁を形成した場合でも、誘電体層に亀裂が生じることはない。
【００７９】
隔壁パターンを形成した後に、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成して、電極、誘電体層および隔壁を形成する。焼成雰囲気や温度は、ペーストや基板の特性によって異なるが、通常は空気中で焼成される。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。バッチ式の焼成の場合、誘電体ペースト塗布膜の上に隔壁パターンが形成されたガラス基板を、室温から５００℃程度まで数時間掛けてほぼ等速で昇温した後、さらに焼成温度として設定された５００〜５８０℃に３０〜４０分間で上昇させて、１５〜３０分間保持して焼成を行うことが好ましい。
【００８０】
焼成温度を５８０℃以下、焼成時間を１５〜３０分の範囲に設定することで、焼成残渣や隔壁のダレなどを抑制することができる。
【００８１】
このようにして得られた隔壁に挟まれたセル内に、赤、緑および青に発光する蛍光体層を形成してプラズマディスプレイ用パネルの背面板が構成される。
【００８２】
得られた背面板を前面板と貼り合わせた後、封着およびガス封入し、駆動用ドライバーＩＣを実装してプラズマディスプレイが作製される。
【００８３】
【実施例】
以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中の濃度は、断りのない限り重量％である。また、実施例表中のバインダー樹脂の添加量は、溶媒を除いた樹脂のみの添加量を示す。
【００８４】
ペースト成分として用いたバインダー樹脂、重合開始剤、架橋剤、低融点ガラス粉末およびフィラーは次のとおりである。
＜バインダー樹脂＞
バインダー樹脂Ａ：アクリル系ポリマー（スチレン／メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加反応したもの。重量平均分子量４３０００、酸価９５）。４０％γ−ブチロラクトン溶液として用いた。
バインダー樹脂Ｂ：エチルセルロース（数平均分子量８００００）。５％テルピネオール溶液として用いた。
バインダー樹脂Ｃ：ポリメタクリル酸イソブチル（数平均分子量１００００）。５％３−メトキシ３−メチルブタノール溶液として用いた。
＜架橋剤＞
架橋剤Ａ：トリメチロールプロパントリアクリレート（日本化薬（株）製、“ＴＰＡ３３０”、３官能）
架橋剤Ｂ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬（株）製、“ＤＰＨＡ”、６官能）
架橋剤Ｃ：テトラプロピレングリコールジメタクリレート（日本油脂（株）製、“ＰＤＰ４００”、２官能）
架橋剤Ｄ：ビス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロオキシプロピル）イソプロピルアミン（共栄社化学（株）製、“ＩＰ−Ｇ”、２官能）
＜ウレタン化合物＞
ウレタン化合物Ａ：ＵＡ−３３４８ＰＥ（分子量２２０００，ＥＯ含有率１５％）
ウレタン化合物Ｂ：ＵＡ−５３４８ＰＥ（分子量３９０００，ＥＯ含有率２３％）
＜重合開始剤＞
重合開始剤Ａ：２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン（開始剤効率１．０）
重合開始剤Ｂ：化合物６（開始剤効率１．０）
【００８５】
【化３】
0003783673.tif 000006
【００８６】
重合開始剤Ｃ：過酸化ベンゾイル（開始剤効率１．０）
重合開始剤Ｄ：アゾビスイソブチロニトリル（開始剤効率０．７）
＜無機粉末＞
低融点ガラス粉末Ａ：酸化ビスマス３８％、酸化ケイ素６％、酸化ホウ素２０％、酸化亜鉛２０％、酸化アルミニウム４％。ガラス転移点４７５℃、軟化点５１５℃、熱膨張係数７５×１０-7／℃、密度４．６１ｇ／ｃｍ3。
低融点ガラス粉末Ｂ：酸化亜鉛６２％、酸化ケイ素１４％、酸化ホウ素１４％、酸化亜鉛４％、酸化アルミニウム２％。ガラス転移点４３５℃、軟化点４６５℃、熱膨張係数７５×１０-7／℃、密度２．５４ｇ／ｃｍ3、平均屈折率１．５８６、平均粒子径２．６μｍ。
低融点ガラス粉末Ｃ：酸化ビスマス４３．３％、酸化ケイ素３０．４％、酸化ホウ素７．６％、酸化リチウム７．９％、酸化アルミニウム４．５％、酸化ナトリウム３．４％、酸化ジルコニア３．１％。ガラス転移点４２３℃、軟化点４４８℃、熱膨張係数１１１×１０-7／℃、平均粒子径２．５μｍ。
低融点ガラス粉末Ｄ：酸化鉛４２．５％、酸化ホウ素３２．５％、酸化ケイ素９％、酸化アルミニウム４％、酸化ストロンチウム１２％。ガラス転移点５６０℃、軟化点６０５℃、熱膨張係数７５×１０-7／℃、密度４．３２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径１．８μｍ。
フィラーＡ：酸化ケイ素（日本アエロジル社製、“アエロジル２００”、軟化点１７００℃）
フィラーＢ：導電性酸化チタン（長軸４μｍ、短軸０．４μｍ径）
＜電極ペーストの調整方法＞
電極ペーストＡおよびＢは、表１に示された各有機成分とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（２０重量部）を５０℃に加熱しながら溶解し、続いて、銀微粒子（平均粒子径１．５μｍ、比表面積０．８０ｍ2／ｇ、１５０重量部）および低融点ガラス粉末（ガラス転移点４６０℃、軟化点４９５℃、５重量部）を添加し、混練機を用いて混練して作製した。
【００８７】
【表１】
0003783673.tif 000007
【００８８】
＜誘電体ペーストの調整方法＞
誘電体ペーストは、表３に示された各有機成分を５０℃に加熱しながら溶解し、表３に示された各無機成分を添加して３本ローラー混練機で混練して作製した。
＜隔壁ペーストの調整方法＞
隔壁ペーストＡおよびＢは、表２に示された各有機成分とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（２０重量部）を５０℃に加熱しながら溶解し、低融点ガラス粉末（ガラス転移点４９１℃、軟化点５２８℃、２４重量部）およびフィラー（平均屈折率１．５９、ガラス転移点６５２℃、平均粒子径２．４μｍ、６重量部）を加熱しながら攪拌し、混練機を用いて混練して作製した。
【００８９】
【表２】
0003783673.tif 000008
【００９０】
（実施例１）
１２５ｍｍ角のガラス基板（旭硝子社製“ＰＤ２００”）上に、電極ペーストＡを乾燥後厚みが５μｍになるように、スクリーン印刷法（印刷版：ＳＵＳ＃３２５）により塗布し、乾燥した。乾燥後、ピッチ２５０μｍ、線幅５０μｍのストライプパターンを有するフォトマスクをセットして露光した。露光後、０．５％のエタノールアミン水溶液中で現像して、ピッチ２５０μｍ、線幅６０μｍのストライプ状電極パターンを得た。その後、熱風乾燥機を用いて２００℃、１５分のキュアを行った。
【００９１】
その電極パターン付きガラス基板上に、表３に示す誘電体ペーストを、乾燥後厚み１５μｍになるように、スクリーン印刷法（印刷版：ＳＵＳ＃３２５）により塗布し、熱風乾燥機を用いて１５０℃、１５分キュアした。
【００９２】
次に、隔壁ペーストＡを乾燥後厚み９０μｍになるように塗布し、乾燥した。乾燥後、この塗布膜の上に、ピッチ３０００μｍ、線幅１０００μｍのストライプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と直交するような配置でセットして露光を行った。露光された塗布膜の上に、隔壁ペーストＡをさらに塗布し、乾燥して、乾燥厚さ９０μｍの塗布膜を形成した。この塗布膜の上に、ピッチ２５０μｍ、線幅３０μｍのストライプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と平行になるような配置でセットして露光を行った。露光後、０．５％のエタノールアミン水溶液中で現像し、ピッチ２５０μｍ、線幅４０μｍ、高さ１８０μｍのストライプ状主隔壁パターンとピッチ３０００μｍ、線幅１０００μｍ、高さ９０μｍの補助隔壁パターンからなる格子状隔壁パターンを得ることができた。
【００９３】
このように電極パターン、誘電体ペースト塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用い、焼成温度５７０℃で１５分間行った。ピッチ２５０μｍ、線幅５０μｍ、厚み３μｍのストライプ状電極、厚み１０μｍの誘電体層、およびピッチ２５０μｍ、線幅３０μｍ、高さ１２０μｍのストライプ状主隔壁とピッチ３０００μｍ、線幅８００μｍ、高さ６０μｍの補助隔壁からなる格子状隔壁が得られた。いずれも亀裂、断線などの欠陥は発生しなかった。
【００９４】
誘電体層の亀裂の数は、誘電体層全体の表面に存在する亀裂の数を数えた。また、誘電体層の気泡の数と緻密性を評価するために、誘電体層の断面を走査型電子顕微鏡で観察した。断面１００μｍ2あたりに存在する直径１μｍ以上の気泡の数を数えた。緻密性の評価は、断面が均一であるものを「良好」、不均一なものを「劣る」とした。評価結果を表３に示す。
【００９５】
この隔壁形成した基板に赤、緑、青３色の蛍光体層を形成し、前面板と合わせて封着し、ガス注入を行ってプラズマディスプレイパネルを作製した。クロストーク等の表示欠陥のない良好なディスプレイを得ることができた。
（実施例２〜６）誘電体ペースト組成およびキュアの条件を表３に示すように変更した以外は、実施例１を繰り返した。電極、誘電体層および隔壁のいずれにもほぼ欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
（比較例１）誘電体ペースト組成を表３に示すように変更した以外は、実施例１を繰り返した。開始剤の添加量が少なく誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が十分ではなかったので、誘電体層端部に３ヶ所亀裂が発生した。
（実施例７）誘電体ペースト組成を表３に示すように変更した以外は、実施例１を繰り返した。開始剤の添加量が多く誘電体ペースト塗布膜の脱バインダー性が低下したので、誘電体層中の気泡が増加したが、ディスプレイ用として使用可能な程度であった。
（実施例８）熱重合開始剤Ｂの代わりに熱重合開始剤Ｃを用いた他は、実施例１を繰り返したところ、ほぼ欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。しかし、熱重合開始剤Ｃの溶解性が低かったため、誘電体ペーストを製造後１週間室温で保存したところ、熱重合開始剤が一部析出した。この誘電体ペーストを用いて実施例１を繰り返したところ、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に８ヶ所亀裂が発生した。
（実施例９）実施例１に用いた誘電体ペーストを、製造後１週間室温で保存し、その誘電体ペーストを用いて実施例１を繰り返した。電極、誘電体層および隔壁のいずれにも欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
（比較例２）熱重合開始剤Ｂの代わりに熱重合開始剤Ｄを用いた他は、実施例１を繰り返した。熱重合開始剤Ｄの開始剤効率が低かったため、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に７ヶ所亀裂が発生した。
（比較例３）架橋剤Ａの代わりに架橋剤Ｃを用いた他は、実施例１を繰り返した。架橋剤Ｃが２官能であるために、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に６ヶ所亀裂が発生した。
（比較例４）電極パターン形成後のキュアを１２０℃で行った他は、実施例１を繰り返した。焼成時に電極に大きな応力が発生するため、誘電体層端部に５ヶ所亀裂が発生した。
（比較例５）誘電体ペースト塗布膜形成後のキュアを１２０℃で行った他は、実施例１を繰り返した。誘電体ペースト塗布膜の硬化が十分でなかったため、誘電体層端部に９ヶ所亀裂が発生した。
（実施例１０）１２５ｍｍ角のガラス基板（旭硝子社製“ＰＤ２００”）上に、電極ペーストＢを乾燥後厚み１０μｍになるように、スクリーン印刷法により塗布、乾燥した。スクリーン印刷にはピッチ３６０μｍ、線幅８０μｍのストライプパターンを有するスクリーン印刷板を用い、ピッチ３６０μｍ、線幅８５μｍのストライプ状電極パターンを得た。その後、ＩＲ乾燥機を用いて２５０℃、５分のキュアを行った。
【００９６】
その電極パターン付きガラス基板上に表３の誘電体ペーストを乾燥後厚み２０μｍになるように、スクリーン印刷法（印刷版：ＳＵＳ＃３２５ベタ面）により塗布し、ＩＲ乾燥機を用いて２３０℃、３０分のキュアを行った。
【００９７】
次に、隔壁ペーストＢを、スクリーン印刷法により塗布した。スクリーン印刷板は、ピッチ３６０μｍ、線幅６０μｍのストライプパターンを有するものを、電極パターンと平行になるようにセットして用いた。塗布、乾燥を繰り返し、ピッチ３６０μｍ、線幅６０μｍ、高さ２００μｍのストライプ状隔壁パターンを得ることができた。
【００９８】
このように電極パターン、誘電体ペースト塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用い、焼成温度５９０℃で１０分間行った。ピッチ３６０μｍ、線幅８０μｍ、厚み５μｍのストライプ状電極、厚み１４μｍの誘電体層、およびピッチ３６０μｍ、線幅５０μｍ、高さ１３０μｍのストライプ状隔壁が得られた。電極、誘電体層および隔壁のいずれにも欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
（比較例６）電極パターン形成後のキュアを行わなかった他は、実施例１０を繰り返した。電極パターンのエッジカールが大きく、誘電体層端部に１１ヶ所亀裂が発生した。
（比較例７）誘電体ペーストに重合開始剤を添加せず、さらに電極パターン形成後および誘電体ペースト塗布後のキュアの両方を行わなかった他は、実施例１０を繰り返した。電極パターンにおいて多数の断線が観察され、さらに誘電体層全面に１００ヶ所以上の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
（比較例８）誘電体ペースト塗布後のキュアを行わなかった他は、実施例１０を繰り返した。誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層全面に８０ヶ所程度の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
（比較例９）電極パターン形成後のキュアおよび誘電体ペースト塗布後のキュアの両方を行わなかった他は、実施例１０を繰り返した。電極パターンにおいて多数の断線が観察され、さらに誘電体層全面に１００ヶ所以上の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
【００９９】
【表３】
0003783673.tif 000009
【０１００】
【発明の効果】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法を用いれば、亀裂や断線などの欠陥なく、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの同時焼成を行うことができる。これによりプラズマディスプレイを低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ストライプ状の隔壁を有するプラズマディスプレイ背面板の分解斜視図である。
【図２】格子状の隔壁を有するプラズマディスプレイ背面板の分解斜視図である。
【図３】従来のプロセスを示すフロー図である。
【図４】本発明のプロセスを示すフロー図である。
【符号の説明】
１  電極
２  誘電体層
３  隔壁
４  蛍光体層
５  電極引き出し部
６  主隔壁
７  補助隔壁
１ａ  電極パターン
２ａ  誘電体ペースト塗布膜
３ａ  隔壁パターン
【図１】
0003783673.tif 000011
【図２】
0003783673.tif 000012
【図３】
0003783673.tif 000013
【図４】
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