(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも主たる大規模パターンと小規模のパターンで構成され、小規模パターンはそれぞれ大規模パターンにおいて繰り返し出現する単数若しくは複数の図形パターンの繰り返し単位、又は少なくとも一つの単純図形パターンで構成される露光データを作成する工程と、
前記各パターンを同一或いは異なる原版に形成する工程と、
前記原版に形成されたパターンの欠陥検査を行い欠陥個所及び欠陥種別を判定する工程と、
前記欠陥の少なくとも主たる大規模パターンの一部の選択された欠陥に対して、該欠陥を含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該領域を転写不可能にする工程と、
前記原版の主たる大規模パターンを被露光基板の所定の領域に転写する工程と、
前記原版の前記遮光膜を形成した欠陥領域に相当する部分に対して、前記小規模パターンの一つ或いは複数を選択して転写し欠損した図形を回復する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
マスク基板上の異なる領域に主たる大規模パターンと小規模パターンがそれぞれ形成され、前記小規模パターンは、前記大規模パターンにおいて繰り返し出現する単数或いは複数の図形パターンの繰り返し単位、或いは少なくとも１つの単純図形パターンで構成され、前記大規模パターンのうち欠陥を含む所定領域が遮光膜で覆われていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項３】
マスク基板上の異なる領域に主たる大規模パターンと小規模パターンがそれぞれ形成され、小規模パターンは大規模パターンにおいて繰り返し出現する単数或いは複数の図形パターンの繰り返し単位、又は少なくとも１つの単純図形パターンで構成された原版を用意する手段と、
前記原版の大規模パターン領域のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にする手段と、
前記原版の大規模パターン領域を被露光基板に転写する手段と、
前記原版の欠陥領域に相当する部分に対して、前記小規模パターンの一つ或いは複数を選択して前記被露光基板に転写する手段と、
を具備してなることを特徴とするパターン露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原版をフォトマスク等の被露光基板に転写してパターンを形成する方法に係わり、特に原版に生じた欠陥が被露光基板側に残るのを防止するためのパターン形成方法に関する。
【０００２】
また本発明は、このパターン形成方法に用いる露光用マスク、更にはこのパターン形成方法を実施するための露光装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】
半導体素子等の製造工程で多用されているリソグラフィ技術においては、パターンの寸法や配置の精度のみでなく、欠陥の低減も大きな技術課題である。原版を作成して転写を行う露光技術において、原版上の欠陥は全ての露光処理に共通の欠陥として転写結果に反映されるため、従来から厳しい検査と修正が適用されてきた。
【０００４】
代表的な露光技術である光学式縮小転写技術においては、５倍或いは４倍のフォトマスクが通常使用されている。フォトマスクの製造工程においては、電子ビームやレーザビームを用いた逐次露光技術が一般的に用いられているが、光学式縮小転写技術を用いて原版から縮小してＬＳＩパターンを転写する技術を適用して製造されるフォトマスクも知られている。
【０００５】
原版上の欠陥に対しては、各種の修正技術を用いて転写結果に影響しないレベルまでの修正が試みられている。しかしながら、半導体素子等の微細化が進み、より転写技術の限界に近づくにつれて、転写結果に影響しないレベルまでの修正が困難となっている。
【０００６】
フォトマスクの欠陥の修正には、レーザビームを用いて遮光膜を除去する方法や、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いカーボン膜を堆積して遮光膜を形成する技術等が採用されているが、ビームのサイズや位置決めの制約等から、５０ｎｍ以下の欠陥修正精度を得ることは困難である。また、修正に伴ってＧａイオン等が石英基板に打ち込まれて周囲に光学特性の劣化した領域を発生させたり、修正部において遮光膜の端部のプロファイルが異なった部分が発生する結果、転写像が劣化する等の問題が発生している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、原版を用いてフォトマスク等の被露光基板にＬＳＩパターンを形成するパターン形成方法においては、欠陥を修正することが大きな課題であるが、原版上の欠陥を転写結果に影響しないように修正するのは、素子の微細化に伴って益々困難となっている。また、被露光基板側で欠陥を修正するのは、ビームサイズや位置決め等の制約等から十分な欠陥修正精度を得ることは困難であり、修正に伴って光学特性の劣化した領域が発生したり、修正部において転写像が劣化する等の問題を招いた。特に、欠陥修正技術の制約からパターンエッジ部分に発生する欠陥を高精度に修正するのが困難となっている。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、原版に生じた欠陥が被露光基板側に反映されるのを防止でき、かつ従来の欠陥修正技術に制約されることなく、パターンエッジ部分に発生する欠陥をより高精度に修正することのできるパターン形成方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、上記のパターン形成方法に用いることのできる露光用マスク、更には上記のパターン形成方法を実施するための露光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
即ち本発明は、パターン形成方法において、ＬＳＩのパターンが形成された原版の主パターン領域のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にする工程と、前記原版の主パターン領域を被露光基板に転写する工程と、前記原版の欠陥領域に相当する部分に対して、該原版の主パターン領域以外の補助パターン領域又は別の原版に形成された補助パターンを前記被露光基板に転写する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
(1) 設計データに基づいて原版の少なくとも主パターン領域にＬＳＩのパターンを形成した後、原版に形成されたパターンの欠陥検査を行い欠陥個所及び欠陥種別を判定し、判定した欠陥のうち修復可能な欠陥を修復し、修復不可能な欠陥に対しては該欠陥を含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該領域を転写不可能にすること。
【００１２】
(2) 少なくとも主たる大規模パターンと小規模のパターンで構成され、小規模パターンはそれぞれ大規模パターンにおいて繰り返し出現する単数若しくは複数の図形パターンの繰り返し単位、又は少なくとも一つの単純図形パターンで構成される露光データを作成した後、各パターンを同一或いは異なる原版に形成し、次いで原版に形成されたパターンの欠陥検査を行い欠陥個所及び欠陥種別を判定し、判定した欠陥のうち少なくとも主たる大規模パターンの一部の選択された欠陥に対して、該欠陥を含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該領域を転写不可能にすること。
【００１３】
(3) 設計データに基づいて原版の少なくとも主パターン領域に主たる大規模パターンを形成した後、原版に形成されたパターンの欠陥検査を行い欠陥個所及び欠陥種別を判定し、判定した欠陥の少なくとも主たる大規模パターンの一部の選択された欠陥に対して、該欠陥を含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該領域を転写不可能にし、設計データ或いは欠陥部の原版パターン情報から遮光膜部分の欠損図形データ及び配置情報の算出を行い該図形の露光データを発生し、原版又は別の原版の選択された領域に欠損図形を少なくとも１つ露光して補助パターンを形成すること。
【００１４】
(4) 単位図形パターンが、少なくとも正方形，長方形，１５°，３０°，４５°，５０°，７５°の平行四辺形、及び２つの角が１５°，３０°，４５°，６０°，７５°の二等辺三角形、及び１５°，３０°の直角三角形から選択された図形であること。
(5) 欠損図形の形状を微調整して原版への補助パターン形成を行うこと。
(6) 被露光基板がフォトマスクであること。
【００１５】
また本発明は、パターン露光に供される露光用マスクにおいて、マスク基板上の異なる領域に主たる大規模パターンと小規模パターンがそれぞれ形成され、前記小規模パターンは、前記大規模パターンにおいて繰り返し出現する単数或いは複数の図形パターンの繰り返し単位、或いは少なくとも１つの単純図形パターンで構成され、前記大規模パターンのうち欠陥を含む所定領域が遮光膜で覆われていることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、マスクに形成されたパターンを被露光基板上に転写するためのパターン露光装置において、ＬＳＩのパターンが形成された原版の主パターン領域のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にする手段と、前記原版の主パターン領域を被露光基板に転写する手段と、前記原版の欠陥領域に相当する部分に対して、該原版の主パターン領域以外の補助パターン領域又は別の原版に形成された補助パターンを前記被露光基板に転写する手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１７】
（作用）
本発明によれば、原版の主パターン領域に発生した欠陥を含む欠陥領域をマスクした状態で被露光基板に主パターン領域を露光し、更に欠陥領域に相当するパターンを別に露光することにより、原版の主パターン領域の欠陥が被露光基板に反映されるのを防止できる。即ち、欠陥部分のパターンを一度除去した原版を露光し、該当部分に除去されたパターンと同一の無欠陥のパターンを無修正の部分の露光と連続して同一の露光装置で転写し、現像・エッチング処理を施すことにより、露光段階で欠陥部分が修正されることになる。
【００１８】
修正部分の精度は、原版からのパターン露光の精度と同等となり、高い精度での修正を実現することができる。しかも、従来の欠陥修正技術に制約されることなく、パターンエッジ部分に発生する欠陥をより高精度に修正することが可能になる。
【００１９】
また本発明は、特にメモリ素子製造に用いられるフォトマスクの製造工程に適用することにより大きな効果が得られる。この種のマスクにおいては、単位のメモリセルパターンがほぼ半分の領域に規則的に繰り返されている。従って、単位のメモリセルパターンを原版の余白部分に用意しておくことにより、メモリ領域に発生した欠陥は容易に修正することができる。また、メモリセルに限らず、比較的使用頻度の高い単位図形を余白部分に用意することにより、本発明の適用範囲は著しく増大する。さらに、微小図形を組み合わせて露光し、所望の図形を発生させることにより、任意の図形に対して本発明の適用が可能となる。
【００２０】
また、孤立した開口パターンと異なり、ラインアンドスペースパターン等のスペース部のように開口部が続く図形に欠陥が発生している場合には、本発明を適用するために修正装置を用いて欠陥を含む領域を遮光膜により覆う工程で、遮光膜の端部が開口部に発生する。遮光膜で覆ったスペース部に同一のサイズのパターンを露光して修正を行う場合には、境界部分において、繋ぎ不良が発生する。その原因は、光近接効果と呼ばれる光学特性で、例えばコーナ部でラウンディングが生じたり、細いパターンでは長さが短くなったりする。
【００２１】
これに対しては、修正部分に露光するパターンの形状を楔型に変形させたりして、繋ぎ部分で２度の露光処理で合成される図形の変形を最小限にするようにする方法で精度の向上を達成できる。図形の発生に当たっては、光学像のシミュレーションを用いて予測する手法が適用される。即ち、原版上に形成すべき図形を欠陥部分を覆うように形成した遮光膜の周囲の開口部と所望のパターンから露光装置の光学特性などを考慮して算出し原版を作成することにより、高精度に欠陥部分にパターンを転写できる。
【００２２】
また、フォトマスク原版のように、無欠陥を要求される原版の製作において、寸法等の精度を損なうことなく、ＦＩＢ欠陥修正装置或いはレーザリペア装置等の精度にとらわれることなく、欠陥部分を加工することが可能となる。
【００２３】
また、欠陥の修正個所の座標データを欠陥検査データと設計データを基に修正位置情報を生成し、原版における修正用のパターンデータの情報と組み合わせて自動的に露光指示データを発生する機能により、自動的に露光処理を実施する工程を行うことが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
本発明を、フォトマスクの製作に適用した例を用いて説明する。
【００２６】
フォトマスクを作成するには、原版を製作し、縮小露光装置を用いて原版のパターンを、レジストが塗布されたブランクスに転写する工程を行う。
【００２７】
まず、原版に最終的に半導体基板上に露光されるパターンの２０倍の拡大パターンを作成する。本実施形態においては、主たるパターンは、半導体基板上で６．２８ｍｍ×１２．３８ｍｍのチップを製作するためのデータで、フォトマスク上には、４倍体で１０チップが５×２の配列で１２５．６ｍｍ×９９．０４ｍｍの６インチフォトマスク上の領域に並べられている。チップパターンを作成した２０倍原版は２枚製作し、それぞれには上記チップのほぼ半分に相当するパターンが収められる。
【００２８】
図１のように、マスク用基板１１の中央付近（主パターン領域）にチップパターン１２を、余白部分（補助パターン領域）に上記パターンの中で頻繁に使用されているパターン等を２００μｍ角の領域の中心に１つ配置した。同一のパターンを２つずつ、パターンの種類として、メモリセル領域のパターン（１３，１４等）と周辺回路部分でデザインされていた０．２５μｍ角の開口パターン、及び０．２μｍ×０．５μｍ，０．５μｍ×０．２μｍ，０．２４μｍ×０．２４μｍ，０．２６μｍ×０．２６μｍ，０．２μｍ×１．０μｍ，１．０μｍ×０．２μｍ，０．２μｍ×０．５μｍ角の開口部が０．１７５μｍの間隔で隣り合ったデザインのパターンを入れた。
【００２９】
原版の製作に際しては、まず露光データを作成した。２０倍原版を製作するための露光データは、チップのパターンデータを所定のミラー或いは回転の関係を含めたデータ処理により製作した。さらに、製作工程におけるパターン寸法のシフトを考慮し、サイジング処理と呼ばれるパターンのサイズを変更する処理なども施した。
【００３０】
２０倍原版を製作するためのブランクスは、石英基板（ＨＯＹＡ社製の６０２５規格）の主面にクロムとその酸化膜からなる遮光膜を設け、感光材料としてフォトレジストを塗布した基板で、遮光膜は約０．１μｍ、フォトレジストは約０．５μｍの膜厚に設けられ、所定のベーキング処理が施されている。
【００３１】
レーザビーム露光装置（ＥＴＥＣ社製）を用い、５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量でパターンの露光を行った後、定在波効果を低減するための露光後ベーキング処理を１００℃で７分間行った。その後、基板が室温に戻っていることを確認し、ＴＭＡＨを主成分とする専用現像液でスプレー現像処理した。現像処理は７５秒間行い、直ちに純水でリンス処理を行い、更に回転乾燥を行った。
【００３２】
次いで、塩素と酸素の混合ガスを用いるドライエッチング処理を施して、遮光膜のエッチングを行った。このエッチングは、大きな開口部がエッチングされる時間に対して、７５％のオーバーエッチング処理を実施した。その後、レジスト膜を除去し、寸法，位置の計測を実施して所定の精度で製作されていることを確認した。
【００３３】
次いで、パターンデータベースでの欠陥検査処理を行った。欠陥検査は、東芝機械製の欠陥検査装置を用い、０．３５μｍまでの欠陥が検出されるモードで行った。その結果、２枚の原版でそれぞれ３個の欠陥が検出されていた。そのうちの２つはピンホールで、残りは遮光膜が残ってしまっている欠陥であった。遮光膜が残ってしまっている欠陥のうちの２つは修正が困難なエッジの形状が変化してしまっている欠陥である。正確なパターン位置を、位置測定装置（ＬＭＳ−ｉＰＲＯ：ライカ社製）により測定すると共に、露光データで確認した。
【００３４】
次いで、ＦＩＢ欠陥修正装置（ＳＩＲ−３０００：セイコー社製）を用いて、カーボン（Ｃ）膜の堆積を行った。ピンホール欠陥に対してはやや大きめの領域に堆積した。図２（ａ）に示すように、エッジ部分に跨って欠陥１５が認められた部分は、メモリセルパターン領域の開口部に凸に発生している欠陥である。この領域に対しては、図２（ｂ）のように開口部全部に、若干広く覆うＣ膜１６の堆積処理を行った。もう一つのエッジ部分に跨って欠陥が発生していた部分は、周辺回路に相当する領域の長方形（０．２μｍ×０．１μｍ）の設計の開口部であり、この部分に対しても開口部全体にＣ膜の堆積処理を行った。
【００３５】
次いで、ＦＩＢ欠陥修正装置から原版を取り出し、レーザリペア装置（ＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いてドット状の遮光膜欠陥を除去した。
【００３６】
次いで、原版の洗浄と欠陥検査を行った後、原版を縮小投影露光装置にセットした。被露光基板は原版と同一材料のブランクスである。２枚の原版のうち、最初の１枚のチップパターン（主パターン領域）の１／５縮小転写を行った。露光処理は５×２のチップ配列分実施した。このときの原版とフォトマスク用ブランクスとの関係を図３（ａ）に示す。図中の３０は原版、３１は主パターン領域、３２は補助パターン領域、３３はフォトマスク用ブランクス、３４は投影レンズ、３５はシャッタを示している。
【００３７】
次いで、前述した修正装置により処理し、図２（ｂ）のようにセルパターンが欠損している位置に、原版３０の余白部分に製作した図２（ｃ）に示すような予備のセルパターンを同様に５×２のチップ配列分だけ、図２（ｄ）のように露光した。図中の１７が露光位置である。このときの原版３０とフォトマスク用ブランクス３３との関係を、図３（ｂ）に示す。
【００３８】
次いで、原版を交換し、位置合わせを行って、５×２のチップ配列分接続する位置に露光処理を行った。次いで、同様に、原版の余白部分に製作したパターンのうち長方形の０．２×１．０μｍの設計の開口部のパターンを、欠陥修正装置により処理して転写されていなかったパターン部分に位置を合わせて露光した。５×２のチップ配列分露光処理を実施した後、原版を取り出し、別に用意した各種マークを配置した原版から、チップ領域外にウェハ露光時に必要となるマーク類の露光処理を行った。
【００３９】
次いで、ブランクスを露光装置から取り出し、前述した原版の製作工程と同様に、定在波効果を低減するための露光後ベーキング処理を１００℃で７分間行った後、基板が室温に戻っていることを確認し、ＴＭＡＨを主成分とする専用現像液でスプレー現像処理を行った。現像処理は、７５秒間行い、直ちに純水でリンス処理を行い、更に回転乾燥を行った。
【００４０】
次いで、塩素と酸素の混合ガスを用いるドライエッチング処理を施して、遮光膜のエッチングを行った。エッチングは、大きな開口部がエッチングされる時間に対して、７５％のオーバーエッチング処理を実施した。その後、レジスト膜を除去し、寸法，位置の計測を行った。ブランクス上で１．０５μｍの設計幅の開口パターンを４０点測定して、２３ｎｍ（３σ）のバラツキに入っていることが確認された。また、パターンの位置精度はｘ方向、ｙ方向それぞれの倍率誤差を除去して残留の配置誤差を算出すると２６ｎｍ（３σ）の値が得られた。
【００４１】
次いで、東芝機械製の欠陥検査装置を用いてデータベースの検査及びＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製の欠陥検査装置を用いてダイツーダイと呼ばれるパターン比較の欠陥検査処理を行った。その結果、図２（ｅ）に示すように、原版で欠陥が生じていた位置には欠陥は全く検出されなかった。また、新たにこの工程で発生したと考えられる欠陥も認められなかった。
【００４２】
以上実施形態を用いて本発明を説明したが、余白部分に形成するパターンとしては図４（ａ）（ｂ）に示すように、チップパターン内で出現する頻度の高い図形を抽出することが望ましい。特に、セルパターンのように繰り返し部分では、繰り返し単位の図形を抽出して用いることが望ましい。また、余白部分に複数個の同一の図形を配置し、必ず無欠陥のパターンが作成されるように露光データを準備することは本発明をより有効に実施する手段である。また、図２（ｆ）のように単純な図形を組み合わせて、図形を構成することも本発明の趣旨を逸脱するものではない。
【００４３】
（第２の実施形態）
本発明を、フォトマスクの製作に適用した別の例を説明する。
【００４４】
先の実施形態と同様の方法で第１の原版を作成した後、主パターンの欠陥検査を行って欠陥個所と欠陥の形状を測定した。検出された欠陥は、図５（ａ）のように開口部端部の特殊形状の部分であった。そこで、ＦＩＢ装置を用いて、欠陥部分に対して図５（ｂ）のようにＣ膜を長方形に堆積した。Ｃ膜の堆積後、覆われた開口領域のサイズの測定を行い、図５（ｃ）のようなサイズであることを確認した。
【００４５】
次いで、欠陥部分の露光データと比較し、パターン位置データを取り出すと共に、図５（ｄ）のように接続する部分で一部楔状に凸になった開口図形データを作成し、第２の原版上に他の欠陥に対する図形データと共に露光処理を行った。同一のパターンを９個、十分に距離をおいて配置し、３個ずつ露光量を変えて、約２５ｎｍずつ寸法の異なるようにパターンを第２の原版に製作した。露光量の最も小さかったパターンが前述した欠陥部分の最も近いサイズであった。
【００４６】
先の実施形態と同様に、被露光基板として原版と同一材料のブランクスを準備し、第１の原版の主パターンを露光した。次いで、欠陥部分が遮光膜で覆われ欠損している位置に対して、第２の原版から最もサイズの近いパターンを選択して露光したところ、図５（ｅ）のような正常なパターンが得られた。図形データを一部へ変形させることにより懸念されていた、図５（ｆ）のようなくびれは観察されなかった。
【００４７】
このように本実施形態では、より大きな開口領域の一部の領域に遮光膜を形成して実施する欠陥の修正方法を説明したが、ラインアンドスペースのようなパターンに対しては、開口領域、即ちスペース部分の一部に遮光膜を形成する結果、当該領域への両端が開口部分につながるパターンの露光が必要になる。図６（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の図５（ａ）〜（ｅ）に相当する図で、上下方向で形状を一部変形させることにより、エッジラフネスの少ない、寸法精度に優れたパターンが可能となっている。長いスペースパターンの端部では図６（ｆ）に示すような図形が有効であった。
【００４８】
また、より厳密に図形を準備するためには、縮小露光装置の光学特性をレジストの特性に依存するパターンの変形を考慮し、シミュレーションや実験結果により、接続して露光されるパターンの接続部分の変形を低減するパターン形状を算出することも本発明の意図するところである。また、修正を行って無欠陥の転写パターンを形成する方法について説明を行ったが、欠陥修正は本発明の一実施形態であり、原版上のパターンの一部を変更したり、新たにパターンを付加して転写パターンを作成する技術も本発明の一実施形態である。
【００４９】
また、実施形態では被露光基板としてフォトマスクを用い、原版のパターンをフォトマスクに転写したが、本発明は被露光基板としてウェハを用いる場合にも適用できる。即ち、原版としてのフォトマスクのパターンを被露光基板としてのウェハ上に転写する場合にも適用できる。
【００５０】
その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、原版の主パターン領域のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にし、該欠陥領域を別に露光して転写することにより、従来の欠陥修正技術に制約されることなく、エッジ部分に発生する欠陥をより高精度に修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるパターン形成方法に用いた原版の構成を示す平面図。
【図２】第１の実施形態を説明するためのもので、原版上のパターン及び被露光基板に形成されるパターンを示す平面図。
【図３】原版に形成された主パターン領域と補助パターン領域を転写している状態を示す模式図。
【図４】原版の余白部分に製作する図形を説明するための図。
【図５】第２の実施形態を説明するためのもので、原版上のパターン及び被露光基板に形成されるパターンを示す平面図。
【図６】第２の実施形態の変形例を説明するためのもので、原版上のパターン及び被露光基板に形成されるパターンを示す平面図。
【符号の説明】
１１…マスク用基板
１２…主パターン
１３，１４…セルパターン
１５…欠陥部
１６…堆積膜
１７…パターン露光位置
３０…原版
３１…主パターン領域
３２…補助パターン領域
３３…フォトマスク用ブランクス
３４…投影レンズ
３５…シャッタ
【図１】
0003831138.tif 000002
【図２】
0003831138.tif 000003
【図３】
0003831138.tif 000004
【図４】
0003831138.tif 000005
【図５】
0003831138.tif 000006
【図６】
0003831138.tif 000007