(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して基板を処理する液処理装置において，
基板を処理する上面が開口した処理容器と，
当該処理容器内の基板に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルと，
当該処理容器の上面を塞ぐ蓋体と，
前記複数の処理液供給ノズルを保持して上下動するアームと，を有し，
前記蓋体には，前記アームに保持された処理液供給ノズルを前記蓋体の内側に進入させるためのスリット状の進入口が設けられ，
前記アームは，前記進入口のスリットに沿って水平方向に延びる棒状に形成され，
前記蓋体におけるスリットの両端部には，前記アームが進入し底面が水平の水平部が形成されていることを特徴とする，液処理装置。
【請求項２】
前記進入口は，前記処理容器内の基板の直径に対向する位置に設けられていることを特徴とする，請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記蓋体を昇降させる昇降機構を有することを特徴とする，請求項１又は２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内の雰囲気を排気する排気機構を有することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項５】
前記蓋体の内側は，中央に行くにつれて高くなる形状を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記処理液供給ノズルは，前記処理液を噴霧するものであることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項７】
前記処理容器内の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを有することを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給ノズルと前記洗浄液供給ノズルは，前記処理容器内の基板の同一直径上に対向する位置に，交互に配置されていることを特徴とする，請求項７に記載の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，基板である例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）表面に塗布液を供給し，塗布液の膜を形成する塗布処理，露光後のウェハに現像液等を供給して現像する現像処理等の液処理が行われている。
【０００３】
上述した現像処理は，通常現像処理装置で行われており，当該現像処理装置内には，例えばウェハに現像液を供給するノズルと，ウェハを載置し，回転させるスピンチャックと，ウェハの側方を囲み，回転するウェハから飛散する現像液等を受け止めるカップ等が設けられている。そして，ウェハの現像処理は，スピンチャック上にウェハが載置され，ノズルから当該ウェハ上に現像液が供給され，その後ウェハが洗浄，乾燥されることによって行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，カップの上面は開放されているため，ノズルから吐出された現像液やそのミストが飛散したり浮遊したりして，現像処理装置内を汚染していた。当該現像処理装置内の汚れは，当該装置内のパーティクルとなり，現像処理装置内に搬入されたウェハに付着し，ウェハの現像欠陥等の原因になる。また，かかる現像欠陥を防止するため，前記現像処理装置のメンテナンスを頻繁に行う必要があり，このためにウェハの処理の中断を余儀なくされ，スループットの低下を招いている。
【０００５】
本発明，かかる点に鑑みてなされたものであり，現像液等の処理液による液処理装置内の汚染を抑制する液処理装置を提供することをその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板に処理液を供給して，基板を処理する液処理方法であって，上面が開口した処理容器内に基板を搬入する工程と，前記処理容器の上面を蓋体によって塞ぐ工程と，当該上面が塞がれた処理容器内に処理液供給ノズルを進入させる工程と，当該処理液供給ノズルから前記処理容器内の基板に処理液を供給する工程とを有する液処理方法が提供される。
【０００７】
上記参考例によれば，処理容器内に基板が搬入された後，処理容器の上面が蓋体によって塞がれ，その後当該処理容器内に処理液供給ノズルが進入し，処理容器内の基板に処理液が供給される。こうすることによって，処理液供給ノズルからの処理液の吐出が閉鎖された空間内で行われるため，当該処理液やそのミストが飛散したり浮遊したりして，他の周辺部材を汚染することが抑制できる。これによって，周辺部材のメンテナンスの回数や時間を減らすことができる。また，周辺部材の汚染物がパーティクルとなり，処理容器内に搬入された基板を汚染させることが抑制できる。
【０００８】
上記参考例において例えば基板に処理液を供給する際に，前記処理容器内の雰囲気を排気するようにしてもよい。このように，上面が閉鎖された処理容器内の雰囲気を排気することによって，局所化された空間内の雰囲気が排気されるので，処理容器内に飛散又は浮遊した処理液やそのミスト等を効率的に排出することができる。
【０００９】
本発明によれば，基板に処理液を供給して基板を処理する液処理装置において，基板を処理する上面が開口した処理容器と，当該処理容器内の基板に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルと，当該処理容器の上面を塞ぐ蓋体と，前記複数の処理液供給ノズルを保持して上下動するアームと，を有し，前記蓋体には，前記アームに保持された処理液供給ノズルを前記蓋体の内側に進入させるためのスリット状の進入口が設けられ，前記アームは，前記進入口のスリットに沿って水平方向に延びる棒状に形成され，前記蓋体におけるスリットの両端部には，前記アームが進入し底面が水平の水平部が形成されていることを特徴とする液処理装置が提供される。
【００１０】
この発明によれば，処理液供給ノズルから吐出された処理液によって，他の周辺部材が汚染されることが抑制され，これによって，周辺部材のメンテナンスの回数等を減少させることができる。また，周辺部材が汚染されることによって，パーティクルが発生し，当該パーティクルによって基板が汚染されることを抑制できる。
【００１１】
前記進入口は，処理容器内の基板の直径に対向する位置に設けられていてもよい。このように，スリットを基板の直径に対向する位置に設けることによって，例えば処理液供給ノズルが複数ある場合に，当該処理液供給ノズルを基板の直径上に並べて配置できるので，処理液を基板全面に均一に供給することができる。
【００１２】
また，参考例として前記進入口が，前記処理液供給ノズルの形状に適合した穴形状を有するようにしてもよい。このように進入口を処理液供給ノズルの形状に適合した穴形状にすることによって，進入口の開口面積を減少させることができるので，蓋体によって塞がれた処理容器内の閉鎖性が向上し，他の周辺部材の汚染をより効果的に抑制できる。
【００１３】
また，参考例として前記進入口が，複数設けられており，これらの進入口は，処理容器内の基板の直径に対向する直線上に設けられていてもよい。このように，穴形状の進入口を基板の直径に対向する直線上に設けることによって，例えば処理液供給ノズルが複数設けられている場合に，それらの処理液供給ノズルを直線上に並べて配置し，処理容器内に進入させることができる。これによって，処理液を基板全面に均一に供給することができる。
【００１４】
参考例として，基板に処理液を供給して，基板を処理する液処理装置において，基板を処理する上面が開口した処理容器と，当該処理容器内の基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと，当該処理容器の上面を塞ぐ蓋体とを有し，前記処理液供給ノズルは，前記蓋体の内側に設けられている液処理装置が提供される。
【００１５】
このように，処理容器の上面を塞ぐ蓋体の内側に処理液供給ノズルを設けることによって，閉鎖された処理容器内で，基板に処理液を供給することができる。これによって，処理液供給ノズルから吐出された処理液又はそのミストが飛散し，浮遊して，他の周辺部材を汚染することが防止できる。したがって，周辺部材に付着した汚染物がパーティクルとなって基板に再付着することが防止される。また，周辺部材のメンテナンス回数や時間が減少されるため，その分基板処理を連続して行うことができる。
【００１６】
上述した各液処理装置において，前記蓋体を昇降させる昇降機構を有するようにしてもよい。このように，蓋体を昇降可能にすることによって，蓋体を上昇させた状態で，基板を処理容器内に搬入出することができる。したがって，蓋体自体に基板の搬送口を設ける必要がないため，蓋体の閉鎖性をより向上できる。
【００１７】
また，前記処理容器内の雰囲気を排気する排気機構を有するようにしてもよい。このように，排気機構を設けることによって，処理容器内の雰囲気を排気することができる。これによって，局所化された処理容器内に供給され，飛散又は浮遊した処理液やそのミスト等を効果的に排出することができる。
【００１８】
上述した前記蓋体の内側が，中央に行くにつれて高くなる形状を有するようにしてもよい。このように蓋体の内側をかかる形状にすることによって，処理容器内の処理液等が蓋体の内側に付着した場合に，当該処理液は前記蓋体の内壁に伝って流れ，蓋体の下端部から排出される。これによって，蓋体の内側に付着した処理液が直接基板上に落下して，基板に悪影響を与えることが抑制される。
【００１９】
また，前記処理液供給ノズルが，前記処理液を噴霧するものであってもよい。従来，スプレー状の処理液供給ノズルを用いた場合には，処理液が飛散や浮遊し易く，周辺部材の汚染が顕著であったが，当該処理液供給ノズルに，上述した液処理装置を用いることによって，処理液等の飛散等が抑制され，周辺部材の汚染を抑えることができる。
【００２０】
前記液処理装置は，前記処理容器内の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを有していてもよい。前記処理容器内に洗浄液供給ノズルを設けることによって，基板に処理液を供給した後に，洗浄液を供給し，基板の洗浄を好適に行うことができる。
【００２１】
前記処理液供給ノズルと前記洗浄液供給ノズルは，前記処理容器内の基板の同一直径上に対向する位置に交互に配置されていてもよい。このように，処理液供給ノズルと洗浄液供給ノズルが基板の直径上に対向する位置に交互に配置されることによって，基板上に満遍なく処理液と洗浄液を供給することができ，基板に対する処理液の供給と，基板に対する洗浄液の供給とを好適に行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる液処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２３】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２４】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２５】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２６】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば４つで無くてもよい。
【００２７】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷに塗布液，例えばポリイミド樹脂を塗布する塗布装置１７と，感光性ポリイミドを現像処理する本実施の形態にかかる液処理装置としての現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に，塗布処理装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００２８】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，塗布液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５等が下から順に例えば６段に重ねられている。
【００２９】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４３，４４，ポストベーキング装置４５等が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００３０】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３１】
次に，上述した現像処理装置１８の構成について詳しく説明する。図４は，現像処理装置１８の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，現像処理装置１８の横断面の説明図である。
【００３２】
現像処理装置１８は，ケーシング１８ａを有し，当該ケーシング１８ａの中央部には，ウェハＷを吸着保持する保持手段であるスピンチャック６０が設けられている。スピンチャック６０の下方には，当該スピンチャック６０を所定の速度で回転可能とする，例えばモータ等を備えた駆動機構６１が設けられている。また，駆動機構６１は，シリンダ等の昇降機構を有しており，スピンチャック６０を上下に移動させることができる。
【００３３】
スピンチャック６０の外方には，上面が開口した円筒状の処理容器としてのカップ６２がスピンチャック６０を取り囲むようにして設けられている。これによって，ウェハＷが回転された際に飛散される現像液等が捕集され，ケーシング１８ａ内の汚染を防止できるようになっている。カップ６２の下面は，斜めに傾斜されており，その低い部分には，カップ６２で捕集した現像液等を排液するドレイン管６３が設けられている。また，カップ６２の下面には，ケーシング１８ａ内及びカップ６２内の雰囲気を排気する排気機構としての排気管６４が設けられている。
【００３４】
カップ６２には，スピンチャック６０上のウェハＷの裏面に対して洗浄液を供給し，ウェハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄ノズル６５が設けられている。
【００３５】
カップ６２の上方には，カップ６２の上面を塞く蓋体６６が設けられている。蓋体６６は，下面側が開口した略半球状の形態を有している。蓋体６６の下端部は，カップ６２の上端部と合致するように形成されており，蓋体６６が下降して，蓋体６６の下端部がカップ６２の上端部と密着し，カップ６２の上面を塞ぐことができるようになっている。また，蓋体６６の内側は，中央に行くにつれ高くなるように形成されており，蓋体６６の内側に付着した処理液としての現像液等は，蓋体６６の内壁を伝って，蓋体６６の下端部からカップ６２内に流れるようになっている。
【００３６】
蓋体６６の天井部には，図５及び図６に示すように進入口としてのスリット６７が設けられている。スリット６７は，平面から見てＸ方向に長い四角形状に開口されている。また，スリット６７は，スピンチャック６０に保持されたウェハＷの直径に対向する位置に設けられており，スリット６７の長手方向の長さは，ウェハＷの直径程度の長さを有している。これによって，後述する複数の現像液供給ノズル７０〜７２等が当該スリット６７から蓋体６６内に進入し，ウェハＷに現像液等を供給できるようになっている。
【００３７】
蓋体６６には，当該蓋体６６を昇降可能とする，例えばシリンダ等を備えた昇降機構６９が設けられている。これによって，蓋体６６を昇降させ，カップ６２の上面を開閉することができる。
【００３８】
カップ６２のＹ方向側の外方に位置する待機位置Ｔには，図５に示すように処理液供給ノズルとしての現像液供給ノズル７０，７１，７２及びウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル７３，７４，７５が待機されている。現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５には，各現像処理液と高圧の気体とを一緒に噴出させる，いわゆるスプレー方式が用いられる。したがって，ウェハＷに現像液等が供給される際には，現像液供給ノズル７０〜７２や洗浄液供給ノズル７３〜７５から各現像処理液がミスト状になって勢いよく噴出し，当該現像処理液がウェハＷ表面に吹き付けられる。
【００３９】
現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，Ｘ方向に伸びるアーム７７に交互に並べられて保持されている。現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，図７に示すようにウェハＷの直径上方におよそ等しい間隔で配置されている。また，各現像液供給ノズル７０〜７２及び各洗浄液供給ノズル７３〜７５毎に，各現像処理液を供給するウェハＷ上の担当エリアが定められており，現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，各々の担当エリアに適切に各現像処理液を供給できるように，鉛直方向から所定角度傾けられて設けられている。これによって，ウェハＷを回転させながら，各現像液供給ノズル７０〜７２から各担当エリアに対して現像液等を供給することによって，現像液等がウェハＷ全面に均一に供給されるようになっている。
【００４０】
アーム７７には，当該アーム７７を上下動可能とする移動機構７８が設けられている。これによって，アーム７７を上下動させて，現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を蓋体６６のスリット６７から蓋体６６内に進入，退出させることができるようになっている。また，移動機構７８は，図５に示すようにＹ方向に沿って設けられたレール７９上を移動自在に設けられている。移動機構７８自体は，移動機構７８内に設けられているモータ等によってＹ方向に移動可能に構成されている。これによって，待機位置Ｔで待機していた現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５がスリット６７上まで移動し，その後下降して，ウェハＷ表面に現像処理液である，例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール），ＭＥＫ（メチルエチルケトン）又はアルカリ現像液等を供給できるようになっている。
【００４１】
一方，ケーシング１８ａの上面には，ケーシング１８ａ内に気体，例えばエアを供給するエア供給管８０が設けられている。これによって，図示しない温湿度調節装置によって所定の温度，湿度に調節され，清浄化されたエアがケーシング１８ａ内に供給され，ケーシング１８ａ内の雰囲気を制御できるようになっている。
【００４２】
また，上述した待機位置Ｔには，現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を洗浄する洗浄槽８１が設けられている。この洗浄槽８１は，直線上に並べられた現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を受容できるように細長形状で断面が凹状に形成されている。洗浄槽８１内には，現像液供給ノズル７０〜７２等に付着した現像液等を洗浄するための所定の溶剤が貯留されている。
【００４３】
次に，以上のように構成されている現像処理装置１８の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４４】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によって塗布装置１７又１９に搬送され，ポリイミド樹脂が塗布される。次にウェハＷは，プリベーキング装置３３又は３４に搬送され，加熱される。その後，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００４５】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャーベーキング装置４３又は４４，クーリング装置４０に順次搬送され，各処理装置で所定の処理が施された後，現像処理装置１８又は２０に搬送される。
【００４６】
そして現像処理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３によってポストベーキング装置３５又は４５，クーリング装置３０と順次搬送され，各処理装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００４７】
次に上述した現像処理装置１８の作用について詳しく説明する。先ず，現像処理装置１８内にウェハＷが搬入される前に，エア供給管８０から所定の温度，湿度に調節されたエアが供給され，ケーシング１８ａ内の雰囲気が所定の雰囲気に制御される。
【００４８】
そして，前工程である冷却処理が終了し，ウェハＷが現像処理装置１８内に搬入されると，主搬送装置１３によってカップ６２の中央部上方まで搬送され，予め上昇して待機していたスピンチャック６０に受け渡される。そしてスピンチャック６０がカップ６２内の所定位置まで下降し，ウェハＷがカップ６２内に収容される。
【００４９】
次に，昇降機構６９によって蓋体６６が下降され，カップ６２の上面が塞がれ，閉鎖された処理室Ｓが形成される。次に，移動機構７８によって待機位置Ｔで待機していた現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５がＹ方向に移動され，蓋体６６のスリット６７の上方まで移動される。そして，アーム７７が下降され，図８に示すように現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５がスリット６７から処理室Ｓ内に進入し，所定の位置に位置される。このとき，排気管６４からの排気が開始され，処理室Ｓ内の雰囲気が排気される。
【００５０】
次に，スピンチャック６０によってウェハＷが所定速度，例えば１００ｒｐｍで回転される。そして，現像液供給ノズル７０〜７２による現像液の噴出が開始され，霧状の現像液がウェハＷに吹き付けられる。これによって，ウェハＷ全面に現像液が供給され，ウェハＷ上に現像液の液膜が形成される。その後，現像液供給ノズル７０〜７２からの噴出が停止され，所定時間経過後，洗浄液供給ノズル７３〜７５による洗浄液の噴出が開始される。このとき，裏面洗浄ノズル６５からも洗浄液が噴出され，ウェハＷの裏面にも洗浄液が供給される。
【００５１】
そして，所定時間ウェハＷに対して洗浄液が噴出され続け，ウェハＷが洗浄された後，洗浄液の噴出が停止される。その後，ウェハＷの回転速度が増大されて，ウェハＷ上の洗浄液が遠心力によって振り切られて，ウェハＷが乾燥される。所定時間，当該振り切り・乾燥処理が行われた後，スピンチャック６０の回転が停止され，ウェハＷの現像が終了する。
【００５２】
次いで，アーム７７が上昇され，現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５が蓋体６６内から退避する。そして，現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，待機位置Ｔの洗浄槽８１内に戻される。一方，蓋体６６は，現像液供給ノズル７０〜７２等が退避した後に，上昇され，カップ６２の上面が開放される。この後，排気管６４による排気が停止される。
【００５３】
その後，ウェハＷはスピンチャック６０によって所定位置まで上昇され，ケーシング１８ａ内に進入してきた主搬送装置１３に受け渡される。そして，ウェハＷが主搬送装置１３によってケーシング１８ａ外に搬送されて，一連の処理が終了する。
【００５４】
以上の実施の形態によれば，カップ６２の上方にカップ６２の上面を塞ぐ蓋体６６を設けたので，現像液供給時の現像液の飛散が抑制され，周辺部材の汚染が抑制できる。
【００５５】
また，当該蓋体６６に現像液供給ノズル７０〜７２が進入するスリット６７を設けたので，現像液供給ノズル７０が蓋体６６の外部から進入自在となり，閉鎖された処理室Ｓ内での現像液等の供給を好適に行うことができる。スピンチャック６０上のウェハＷの直径に対向する位置に，細長のスリット６７を設けたので，現像液供給ノズルを複数配置し，ウェハＷ全面に均一に現像液を供給することができる。
【００５６】
さらに，蓋体６６に昇降機構６９を設けたので，ウェハＷを搬入出する際に蓋体６６を昇降させ，ウェハＷの搬入出を好適に行うことができる。
【００５７】
また，蓋体６６の内側を中央に行くにつれ高くなるように形成したので，現像液等のミストが蓋体６６の内側に付着した場合に，当該現像液が当該内壁を伝って，蓋体６６の下端部から排出できる。このため，蓋体６６の内壁に付着した現像液等がウェハＷ上に落下して，現像欠陥を引き起こすことが抑制される。
【００５８】
カップ６２内の雰囲気を排気する排気管６４を設けたので，蓋体６６によって容積が減少し局所化された処理室Ｓ内の雰囲気を，効率よく排気することができる。
【００５９】
以上の実施の形態では，蓋体６６にスリット６７を設けたが，スリット６７に代えて現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５の形状に適合した複数の穴形状の進入口を設けるようにしてもよい。このような場合，例えば図９，図１０に示すように，蓋体９０の上部に現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５の各進入口９１〜９６を並べて設ける。これらの進入口９１〜９６は，スピンチャック６０上のウェハＷの直径に対向する直線上に設けられる。これによって，各現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５からの噴出によって，現像液等がウェハＷ表面全体に均一に供給される。
【００６０】
このように，進入口９１〜９６を穴形状に設けると，スリットに比べて蓋体９０上部の開口面積が減少されるので，現像液等の飛散がより抑制され，周辺部材の汚染を抑制できる。
【００６１】
また，以上の実施の形態では，現像液供給ノズル７０〜７２等を移動可能にし，当該現像液供給ノズル７０〜７２等を蓋体６６内に進入自在にしていたが，現像液供給ノズル等を蓋体内に固定して設けるようにしてもよい。このような場合，例えば，図１１に示すように，蓋体１００の内側上部に，現像液供給ノズル１０１〜１０３及び洗浄液供給ノズル１０４〜１０６を保持するための細長形状の水平ホルダ１０７を設ける。当該水平ホルダ１０７は，スピンチャック６０上のウェハＷの直径に対向する位置に設けられる。当該水平ホルダ１０７には，前記実施の形態と同様に現像液供給ノズル１０１〜１０３及び洗浄液供給ノズル１０４〜１０６が交互に並べられて設けられる。
【００６２】
そして，ウェハＷが現像処理される際には，前記実施の形態と同様にしてウェハＷがスピンチャック６０に保持された後，蓋体１００が下降されて，カップ６２の上面が塞がれる。その後，ウェハＷが回転され，当該ウェハＷに現像液供給ノズル１０１〜１０３から現像液が供給され，次いで洗浄液供給ノズル１０４〜１０６から洗浄液が供給される。そしてウェハＷが振り切り乾燥され，現像処理が終了する。
【００６３】
かかる場合においても，蓋体１００によって現像液等の飛散が抑制され，周辺部材の汚染が抑制される。また，前記実施に形態で記載したようなスリット６７が無いため，現像液等の飛散がより効果的に抑制される。
【００６４】
なお，以上の実施の形態では，現像液供給ノズル及び洗浄液供給ノズルをそれぞれ３つずつ合計６つ使用していたが，当然これに限定されるものではなく，適宜必要に応じて，数を増減してもよい。また単数であってもよい。
【００６５】
以上の実施の形態は，本発明を現像処理装置１８について適用した例であったが，他の液処理装置，例えば現像処理装置１９，塗布処理装置１７，２０等にも本発明を適用できる。
【００６６】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの液処理装置について適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の液処理装置においても適用できる。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば，処理液やそのミストが他の周辺部材に付着し，周辺部材を汚染することが抑制できるので，メンテナンスが減少，短縮されて，その分スループットが向上される。また，周辺部材の汚染に起因する基板の汚染が抑制されるため，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【符号の説明】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかる現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図５】本実施の形態にかかる現像処理装置の横断面の説明図である。
【図６】蓋体の概略を示す斜視図である。
【図７】現像液供給ノズルと洗浄液供給ノズルの配置例を示す説明図である。
【図８】現像液供給ノズル等が蓋体内に進入した状態を示す現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図９】蓋体に穴形状の進入口を設けた場合の現像処理装置の横断面の説明図である。
【図１０】蓋体の進入口を穴形状に設けた場合の蓋体の縦断面の説明図である。
【図１１】蓋体に現像液供給ノズル等と固定して設けた場合の現像処理装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１８    現像処理装置
６０    スピンチャック
６２    カップ
６４    排気管
６６    蓋体
６７    スリット
６９    昇降機構
７０〜７２  現像液供給ノズル
７３〜７５  洗浄液供給ノズル
７７    アーム
Ｓ    処理室
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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