(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側側壁を具備するケ−スと、
複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と、
前記ダイオード回路を搭載してなるダイオード回路搭載基板と、
前記ケ−ス内に設けられた複数の直列接続された高電圧抵抗と、
前記高電圧抵抗を蛇行させて搭載するよう交互に切り込みの入った抵抗蛇行搭載基板と、を有し、
前記内側側壁の対応するものと向き合って、複数の前記ダイオード回路搭載基板がロの字状に配設されると共に、前記ケ−スに固定され、
隣り合う前記ダイオード回路搭載基板に搭載された前記ダイオード回路が接続され、
前記他の電子部品は板状の抵抗であることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項２】
請求項１において、
前記板状の抵抗は前記部品蛇行搭載基板に対して立てて配置されることを特徴とする高電圧整流器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかにおいて、
前記ケース内の前記電子部品を樹脂モールドしてなることを特徴とする高電圧整流器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高電圧整流器に係り、特に多数のダイオードをブリッジ接続してなる高電圧整流器の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１７は、従来の高電圧整流器２００の構成を示す斜視図である。従来の高電圧整流器２００は、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０と筐体２３０とを有する。なお、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０とが筐体２３０の中に設けられている。ブリッジ回路２１０は、複数のダイオードが直列接続されている４つのダイオード回路２４０をリング状に接続することによって構成されている。ダイオード回路２４０として用いられている半導体装置が、昭５８−３３７１９号実用新案公報に開示されている。図１８は、ダイオード回路２４０の構成を示す斜視図である。ダイオード回路２４０は、直列接続されている複数のダイオード２４１が搭載されている基板２４３を複数個積み重ね、上記直列接続されている複数のダイオード２４１をさらに直列接続することによって構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高電圧整流器２００では、ダイオード回路２４０を筐体２３０の中に設けた場合、ダイオード回路２４０が円柱形状であり、十分な絶縁距離を確保しなければならないので、図１７に示すように、筐体２３０の中にデッドスペース２５０が発生する。したがって、ブリッジ回路２１０と電圧分割回路２２０とを有する従来の高電圧整流器２００では、高電圧整流器２００の中に存在するデッドスペース２５０によって、高電圧整流器２００の体積が大きくなるという問題がある。なお、上記問題は、電圧分割回路２２０の代わりに、電圧分割回路２２０以外の回路を設ける場合にも発生する問題である。
【０００４】
本発明は、ブリッジ回路と、電圧分割回路又は電圧分割回路以外の出力側高電圧部品とを有する高電圧整流器において、この高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用することにより、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる高電圧整流器を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１は前記課題を解決するため、内側側壁を具備するケ−スと、複数のダイオードが直列接続されているダイオード回路をブリッジ接続してなるブリッジ回路と、前記ダイオード回路を搭載してなるダイオード回路搭載基板と、前記ケ−ス内に設けられた複数の直列接続された高電圧抵抗と、前記高電圧抵抗を蛇行させて搭載するよう交互に切り込みの入った抵抗蛇行搭載基板と、を有し、前記内側側壁の対応するものと向き合って、複数の前記ダイオード回路搭載基板がロの字状に配設されると共に、前記ケ−スに固定され、隣り合う前記ダイオード回路搭載基板に搭載された前記ダイオード回路が接続され、前記他の電子部品は板状の抵抗であることを特徴とする高電圧整流器を提案するものである。
【０００６】
この発明の請求項２は前記課題を解決するため、請求項１において、前記板状の抵抗は前記部品蛇行搭載基板に対して立てて配置されることを特徴とする高電圧整流器を提案するものである。
【０００７】
この発明の請求項３は前記課題を解決するため、請求項１又は請求項２のいずれかにおいて、前記ケース内の前記電子部品を樹脂モールドしてなることを特徴とする高電圧整流器を提供するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態および実施例】
図１は、本発明の第１の実施例である高電圧整流器１００の構成を示す斜視図である。高電圧整流器１００は、ブリッジ回路１０と、長さと幅とが互いに同じであるダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄと、電圧分割回路３０と、筐体４０とを有する。
【００２３】
図２は、高電圧整流器１００の回路構成を示す図である。ブリッジ回路１０は、複数のダイオード１２が直列接続されているダイオード回路１１が８つ、ブリッジ回路を形成するように接続されている。なお、高電圧整流器１００では、１２個のダイオード１２が直列接続され、ダイオード回路１１を構成している。各ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄには、端子を挟んで接続された２つのダイオード回路１１が設けられている。ダイオード回路搭載基板２０Ａに設けられている２つのダイオード回路１１は、入力端子Ｔｉ１を介して直列に接続され、ダイオード回路搭載基板２０Ｃに設けられている２つのダイオード回路１１は、入力端子Ｔｉ２を介して直列に接続されている。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｂに設けられている２つのダイオード回路１１は、出力端子Ｔｏ１を介してカソード側が向き合うように接続され、ダイオード回路搭載基板２０Ｄに設けられている２つのダイオード回路１１は、出力端子Ｔｏ２を介してアノード側が向き合うように接続されている。
【００２４】
また、ダイオード回路１１では、複数のダイオード１２のそれぞれに、コンデンサ１３が並列接続されているが、コンデンサ１３を削除してもよい。電圧分割回路３０は、複数の抵抗３３が直列接続されている抵抗直列回路３１と、コンデンサ３５とによって構成されている。なお、電圧分割回路３０は、直流出力電圧を分割して小さくされた出力電圧検出電圧を得る回路である。図３は、ブリッジ回路１０と、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄとの構成を示す斜視図である。ダイオード回路搭載基板２０Ａが、ブリッジ回路１０を構成するダイオード回路１１を蛇行させて搭載している。また、ダイオード回路１１の蛇行に応じて、ダイオード回路搭載基板２０Ａは蛇行するよう予め形成されている。つまり、ダイオード回路搭載基板２０Ａは、基板の対向する両側から交互に切り込んで切り込み部２１、２２を形成することにより、蛇行するダイオード回路１１において隣り合って配置されているダイオード１２間の沿面距離を、切り込み部２１又は切り込み部２２が大幅に長くするので、ダイオード回路搭載基板２０Ａを小型化しても必要なダイオード回路搭載基板２０Ａ面での電気絶縁を確保することができる。
【００２５】
なお、ダイオード回路搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄも、ダイオード回路搭載基板２０Ａと同様に構成されている。また、導線２３Ａが、ダイオード回路搭載基板２０Ｄが搭載しているダイオード回路１１の一方と、ダイオード回路搭載基板２０Ａが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、導線２３Ｂが、ダイオード回路搭載基板２０Ａが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路搭載基板２０Ｂが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、導線２３Ｃが、ダイオード回路搭載基板２０Ｂが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路搭載基板２０Ｃが搭載しているダイオード回路１１の一方とを接続し、線２３Ｄが、ダイオード回路搭載基板２０Ｃが搭載しているダイオード回路１１の他方と、ダイオード回路搭載基板２０Ｄが搭載しているダイオード回路１１の他方とを接続している。
【００２６】
ダイオード回路搭載基板２０Ａには、ブリッジ回路１０の第１の入力端子と接続されている高電圧整流器用第１入力端子Ｔｉ１が設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｂには、ブリッジ回路１０の第１の出力端子と接続されている高電圧整流器用第１出力端子Ｔｏ１が設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｃには、ブリッジ回路１０の第２の入力端子と接続されている高電圧整流器用第２入力端子Ｔｉ２が設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｄには、ブリッジ回路１０の第２の出力端子と接続されている高電圧整流器用第２出力端子Ｔｏ２が設けられている。なお、ダイオード１２とコンデンサ１３とが設けられている面の裏側に位置する面の配線パターンを、図３に示すダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｄでは省略してある。
【００２７】
図４は、抵抗直列回路３１の構成を示す斜視図である。抵抗直列回路３１は、抵抗蛇行搭載基板３２と抵抗３３とを有し、これらは後述するように４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ−２０Ｄに囲まれたケース内に配設される。抵抗蛇行搭載基板３２には、直列接続された複数の抵抗３３が蛇行して搭載されている。これら複数の抵抗３３を蛇行して配置できるように、相対する両側から切り込み部３４を形成することにより、抵抗蛇行搭載基板３２を蛇行させている。抵抗３３は板状の抵抗であり、抵抗蛇行搭載基板３２に立てて配置されているので、その配置に要する面積は小さくてすむ。抵抗蛇行搭載基板３２には、端子Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃが設けられている。図５は、抵抗３３の構成を示す斜視図である。抵抗３３は、セラミックプレート３３ａと、抵抗体３３ｂと、リード線３３ｃ、３３ｄと、外装部３３ｅとによって構成されている。ここで、板状のセラミックプレート３３ａの面に、蛇行している抵抗体３３ｂが形成されており、抵抗体３３ｂの端部にはリード線３３ｃ、３３ｄが設けられ、さらに、セラミックプレート３３ａが、外装部３３ｅで覆われている。
【００２８】
図６、図７は、図１におけるＶＩ矢視図であり、高電圧整流器１００の一実施例を示す平面図である。図８は、図６におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の一実施例を示す断面図である。高電圧整流器１００筐体４０は、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄを具備する。ダイオード回路搭載基板２０Ａが、外側側壁４１Ａと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｂが、外側側壁４１Ｂと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｃが、外側側壁４１Ｃと向き合わされて筐体４０内に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｄが、外側側壁４１Ｄと向き合わされて筐体４０内に設けられている。すなわち、４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの１枚ずつが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄのそれぞれと向き合い、４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが、筐体４０内にロ字状に設けられている。
【００２９】
上記ロ字状の一辺を構成する第１の辺６１のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第１入力端子Ｔｉ１が設けられている。また、筐体４０の外側側壁４１Ａに貫通孔Ｈｉ１が設けられている。そして、貫通孔Ｈｉ１を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ａに設けられている入力端子Ｔｉ１にネジ状の外部端子（後述のボルトＢＴ１）を螺合させることにより接続できるようになっている。また、上記ロ字状の一辺を構成し、第１の辺６１の隣に位置する第２の辺６２のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第１出力端子Ｔｏ１が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｂに貫通孔Ｈｏ１が設けられている。そして、貫通孔Ｈｏ１を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｂに設けられている出力端子Ｔｏ１にネジ状の外部端子（後述のボルトＢＴ１）を螺合させることにより接続できるようになっている。
【００３０】
また、上記ロ字状の一辺を構成し、第２の辺６２の隣に位置し、第１の辺６１とは対向する第３の辺６３のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第２入力端子Ｔｉ２が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｃに貫通孔Ｈｉ２が設けられている。そして、貫通孔Ｈｉ２を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｃに設けられている入力端子Ｔｉ２にネジ状の外部端子（後述のボルトＢＴ１）を螺合させることにより接続できるようになっている。また、上記ロ字状の一辺を構成し、第３の辺６３の隣に位置し、第２の辺６２とは対向する第４の辺６４のほぼ中央に、高電圧整流器１００用第２出力端子Ｔｏ２が設けられている。さらに、筐体４０の外側側壁４１Ｄに貫通孔Ｈｏ２が設けられている。そして、貫通孔Ｈｏ２を介して、筐体４０の外部から、ダイオード蛇行搭載基板２０Ｄに設けられている出力端子Ｔｏ２にネジ状の外部端子（後述のボルトＢＴ１）を螺合させることにより接続できるようになっている。なお、筐体４０は、エポキシ樹脂、ポリカーボネイトなどの電気絶縁材料で構成されている。
【００３１】
ダイオード回路搭載基板２０Ａは、筐体４０と内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄからなるケースとの間の結合板に設けられているガイドＧ１によってガイドされて筐体４０内に挿入され、外部端子となるボルトＢＴ１を入力端子Ｔｉ１に螺合させることによって筐体４０に固定されている。また、ダイオード回路搭載基板２０Ａと同様に、ダイオード回路搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが、ガイドＧ１によってガイドされて、筐体４０内に挿入され、それぞれのボルトＢＴ１を入力端子Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、Ｔｏ２に螺合させることによって筐体４０固定されている。これらボルトＢＴ１は、入力端子Ｔｉ１、Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、Ｔｏ２の外部端子としても働く。ダイオード回路搭載基板２０Ａは、筐体４０の外側側壁４１Ａに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｂは、筐体４０の外側側壁４１Ｂに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｃは、筐体４０の外側側壁４１Ｃに対してほぼ平行に設けられ、ダイオード回路搭載基板２０Ｄは、筐体４０の外側側壁４１Ｄに対してほぼ平行に設けられている。
【００３２】
ダイオード回路搭載基板２０Ｂに設けられているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ａの端面２０Ａｂと、ダイオード回路搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃａとが、ぼぼ同一平面上に位置している。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｄに設けられているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ａの端面２０Ａａと、ダイオード回路搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃｂとがぼぼ同一平面上に位置している。４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、電圧分割回路３０が設けられている。
【００３３】
４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの内側に、前にも触れたように内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄを備えるケースが設けられている。このケースは、内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの他に、図示していないが、内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの中程に、ケースを表側と裏側に分割する底板が設けられている。ケースの表側部分には、電圧分割回路３０の抵抗直列回路３１を構成する抵抗蛇行搭載基板３２と抵抗３３とが配置される。ケースの裏側部分には、図１０に示すような電圧分割回路３０のコンデンサ３５などが配置される。これら抵抗直列回路３１とコンデンサ３５は前記不図示の底板を通して延びる不図示の導体を通して接続される。
【００３４】
また、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが蛇行していることによって形成された切り込み部２１、２２に、隔壁５０、５１が挿入されている。隔壁５０が挿入されるときに隔壁５０をガイドする隔壁ガイド４５が、外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄと、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄとに設けられている。なお、隔壁５０、５１は、筐体４０と同様に、エポキシ樹脂、ポリカーボネイトなどの電気絶縁材料で構成されており、蛇行するダイオード回路１１の隣り合うダイオード１２間の電気絶縁性を更に高めている。抵抗蛇行搭載基板３２が蛇行していることによって形成されている切り込み部３４には、隔壁４８が挿入されている。なお、隔壁４８は、筐体４０に設けられている。また、隔壁４８は、筐体４０と同様に、エポキシ樹脂、ポリカーボネイトなどの電気絶縁材料で構成されており、隣り合う抵抗３３間の電気絶縁距離を大きくして、電気絶縁性を高めている。
【００３５】
図９は、図６におけるＩＸ−ＩＸ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。図１０は、図１におけるＸ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す底面図である。図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ’断面図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。図１２は、図１０におけるＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。筐体４０の底壁４３の面であって、筐体４０の外側の面に突起４６が設けられている。なお、内側隔壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの一端側は、筐体４０の一端側と底壁４３で続いており、その底壁４３にはこの高電圧整流器１００が油タンクに収納されたときに絶縁油が、容易に筐体４０と前記ケースとの間を移動して、各ダイオード回路搭載基板の電子部品の冷却を効果的に行えるよう任意形状の貫通孔４７が形成されている。
【００３６】
コンデンサ３５は、前述したように前記ケースの表側と裏側に分ける底板から起立する複数のピン状の突起５２に載置され、かつ前記底板から起立するピン状の突起５３によって位置決めされて位置を固定された後、エポキシ樹脂などの電気絶縁樹脂などでモールドされている。このようにピン状の突起５２でコンデンサ３５を支承しているので、モールド樹脂を選定すれば沿面距離が十分に長くなり、電気絶縁性が確保される。なお、上記のように載置され、位置決めされ、固定されたときに、コンデンサ３５のリード線３６がリード線保持部５４の切り欠き部５４ａに挿入される。また、切り欠き部５４ａの切り欠き幅は、リード線３５の外径よりもやや小さくなっており、リード線３５を保持することができる。
【００３７】
次に、高電圧整流器１００を組み立てる動作について説明する。前記ケースの底板に設けられているピン状の突起５２と突起５３とを用いて、コンデンサ３５を載置すると共に位置決めする。リード線３６を切り欠き部５４ａに挟み込み、さらに、リード線３６をハンダ等で端子Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃに接続する。この後、コンデンサ３５をモールドして、モールド部４９を形成する。続いて、ダイオード回路搭載基板２０ＡをガイドＧ１でガイドして筐体４０内に挿入し、外部端子となるボルトＢＴ１で筐体４０に固定する。また、ダイオード回路搭載基板２０Ａと同様に、ダイオード回路搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを、ガイドＧ１でガイドして筐体４０内に挿入し、外部端子となるボルトＢＴ１で筐体４０に固定する。
【００３８】
ダイオード回路搭載基板２０Ａとダイオード回路搭載基板２０Ｂとを導線２３Ｂで接続し、ダイオード回路搭載基板２０Ｂとダイオード回路搭載基板２０Ｃとを導線２３Ｃで接続し、ダイオード回路搭載基板２０Ｃとダイオード回路搭載基板２０Ｄとを導線２３Ｄで接続し、ダイオード回路搭載基板２０Ｄとダイオード回路搭載基板２０Ａとを導線２３Ａで接続する。続いて、ガイド４５でガイドして、ダイオード回路搭載基板２０Ａに設けられている切り込み部２１に隔壁５０を挿入する。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに設けられている切り込み部２１に、ダイオード回路搭載基板２０Ａの場合と同様に、隔壁５０を挿入する。続いて、抵抗３３が蛇行して搭載されている抵抗蛇行搭載基板３２を、ボルトＢＴ２で筐体４０に固定する。
【００３９】
高電圧整流器１００によれば、４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの１枚づつが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄのそれぞれと向き合い、４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが筐体４０内でロ字状に設けられ、さらに、４枚のダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、ケースを設け、そのケース内に電圧分圧回路３０を収納させているので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用でき、必要な電気絶縁を確保しながら、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。
【００４０】
高電圧整流器１００によれば、入力端子Ｔｉ１、入力端子Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、出力端子Ｔｏ２が設けられている位置が互いに離れているので、入力端子Ｔｉ１、入力端子Ｔｉ２、出力端子Ｔｏ１、出力端子Ｔｏ２の間の距離が確保でき、放電が発生しにくくなる。また、高電圧整流器１００によれば、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを蛇行させる切り込み部２１に、電気絶縁材料で構成されている隔壁５０が挿入され、切り込み部２２に、電気絶縁材料で構成されている隔壁５１が挿入されているので、各切り込み部に隔壁を挿入しない場合に比べて、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに搭載され、各切り込みを挟んで対向するダイオード１２同士の間の電気絶縁が十分に確保される。
【００４１】
また、高電圧整流器１００によれば、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを筐体４０内に挿入して固定した後、ガイド４５によって、隔壁５０をガイドして、切り込み部２１に挿入することができるので、隔壁５０を設置する作業が容易である。また、高電圧整流器１００によれば、筐体４０と前記ケースとを結合する底壁４３の面であって、筐体４０の外側の面に突起４６が設けられ、しかも、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている空間に通じている貫通孔４７が底壁４３に設けられているので、油が入っている容器に、底壁４３を下にして高電圧整流器１００を浸した場合、突起４６によって上記容器と底壁４３との間に隙間が生じ、この隙間と、貫通孔４７とを油が通過し、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている空間で、油が対流しやすくなる。
【００４２】
したがって、高電圧整流器１００によれば、底壁４３を下にして、油が入っている容器に、高電圧整流器１００を浸した場合、突起４６と貫通孔４７とを設けない場合よりも、油中でのダイオード１２の冷却効率を高めることができる。また、高電圧整流器１００によれば、電圧分割回路３０を構成するコンデンサ３５とリード線３６とが、モールドされ固定されているので、運搬時等に発生する振動によって生じるリード線３６の断線、コンデンサ３５の位置ずれを防止することができる。また、高電圧整流器１００によれば、リード線３６がリード線保持部５４の切り欠き部５４ａに挟まれ固定されているので、これによってコンデンサ３５が突起５２から離れにくくなる。したがって、底壁４３を上にして、コンデンサ３５よりも比重の小さい材料でコンデンサ３５をモールドする場合でも、コンデンサ３５の浮き上がりを防止することができる。
【００４３】
高電圧整流器１００によれば、コンデンサ３５を載置する突起５２の形状と、コンデンサ３５を位置決めする突起５３の形状とがピン形状であるので、筐体４０の金型の製作で、突起５２、５３に相当する部分を加工する場合、穴あけ加工をすればよく、上記金型の製作コストを、突起５２、５３をピン形状以外の形状にした場合よりも、低減することができる。また、高電圧整流器１００によれば、切り込み部３４を形成することにより、抵抗蛇行搭載基板３２を蛇行させているので、電圧分割回路３０を構成する抵抗３３を蛇行させて抵抗蛇行搭載基板３２に搭載しても、各切り込みを挟んで位置する抵抗３３間の沿面放電が発生しにくくなる。
【００４４】
高電圧整流器１００によれば、抵抗蛇行搭載基板３２を蛇行させるために形成されている切り込み部３４に、電気絶縁材料で構成された隔壁４８が挿入されているので、隔壁４８を設けない場合よりも、各切り込みを挟んで位置する抵抗間の電気絶縁が良好になり、双方抵抗の間で放電が発生するようなことが無くなる。高電圧整流器１００によれば、抵抗３３が板状の抵抗であるので、円筒状の抵抗よりも、抵抗３３の設置スペースを小さくすることができる。さらに、高電圧整流器１００によれば、ブリッジ回路１０と電圧分割回路３０との間に、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄからなるケースが設けられているので、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄが設けられていない場合よりも、ブリッジ回路１０と電圧分割回路３０との間の電気絶縁が高くなり、放電が発生しにくくなる。
【００４５】
図１３は、本発明の第２の実施例である高電圧整流器１００ａの構成を示す底面図である。図１４は、図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００ａの構成を示す断面図である。高電圧整流器１００ａでは、電圧分割回路３０を構成するコンデンサ３５を載置し位置決めする突起５２ａが、高電圧整流器１００の突起５２と異なる。高電圧整流器１００ａのその他の部分は、高電圧整流器１００と同様に構成されている。高電圧整流器１００ａでは、突起５２ａがＵ字状の面を具備し、このＵ字状の面によって、コンデンサ３５が載置され位置決めされている。高電圧整流器１００ａによれば、突起５２ａの形状が突起５２と異なることを除いて、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる
【００４６】
図１５は、本発明の第３の実施例である高電圧整流器１００ｂの構成を示す平面図である。高電圧整流器１００ｂでは、長さと幅とが互いに等しいダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が、高電圧整流器１００と異なる。すなわち、高電圧整流器１００ｂでは、ダイオード回路搭載基板２０Ａに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ｂの端面２０Ｂａとがほぼ同一平面上に位置している。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｂに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ｃの端面２０Ｃａとがほぼ同一平面上に位置している。
【００４７】
また、ダイオード回路搭載基板２０Ｃに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ｄの端面２０Ｄａとがほぼ同一平面上に位置している。さらに、ダイオード回路搭載基板２０Ｄに搭載されているコンデンサ１３の先端部１３ａと、ダイオード回路搭載基板２０Ａの端面２０Ａａとがほぼ同一平面上に位置している。このようにダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が異なっていることに応じて、筐体４０ｂの形状が筐体４０と異なっている。なお、高電圧整流器１００ｂのその他の部分は、高電圧整流器１００とほぼ同様に構成されている。また、図１５では、筐体４０ｂの外側側壁、内側側壁、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのみを示し、その他の部分を省略してある。高電圧整流器１００ｂによれば、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。
【００４８】
図１６は、本発明の第４の実施例である高電圧整流器１００ｃの構成を示す平面図である。高電圧整流器１００ｃでは、長さと幅とが互いに等しいダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が、高電圧整流器１００と異なる。すなわち、高電圧整流器１００ｃでは、ダイオード回路搭載基板２０Ａとダイオード回路搭載基板２０Ｂとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｂとダイオード回路搭載基板２０Ｃとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。また、ダイオード回路搭載基板２０Ｃとダイオード回路搭載基板２０Ｄとが距離ｄ１を隔てて設けられている。さらに、ダイオード回路搭載基板２０Ｄとダイオード回路搭載基板２０Ａとが、距離ｄ１を隔てて設けられている。
【００４９】
また、このようにダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが設けられている位置が異なることに応じて、筐体４０ｃの形状が筐体４０と異なっている。なお、高電圧整流器１００ｃのその他の部分は、高電圧整流器１００とほぼ同様に構成されている。また、図１６では筐体４０ｃの外側側壁、内側側壁、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのみを示し、その他の部分を省略してある。
【００５０】
高電圧整流器１００ｃによれば、高電圧整流器１００と同様の構成を有するので、高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができる。なお、上記各実施例において、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが、４つの外側側壁４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄに対して必ずしも平行に設けられていなくてもよい。また、上記各実施例において、板状の抵抗３２の代わりに、円筒状の抵抗など板状の以外の形状の抵抗を採用してもよい。さらに、上記各実施例では、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄで囲まれている部位に、電圧分割回路３０が設けられているが、電圧分割回路３０の代わりに、フィルタ回路など、電圧分割回路３０以外の回路を設けてもよい。
【００５１】
なお、以上の実施例では筐体４０と、内側側壁４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄで囲まれたケースを備えたが、必ずしも双方を備えなくとも良い。ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは筐体４０又はケースから延びる底壁４３に相当する板部材のガイドにより支えられ、また隔壁も筐体４０の外側側壁又は前記ケースの側壁から延びるガイドによって支承しても良い。このときガイドと隔壁端はガイド方向と直角の方向には外れない形状になっているのが良い。また、以上の実施例では単体の高電圧整流器について述べたが、同一構造の前記高電圧整流器を２個以上積み重ね、所定の外部端子となるボルトＶＴ１を別の導体で接続することにより、それらの入力側を並列又は直列、あるいは出力側を直列又は並列にすることができる。この際、底壁４３に形成された突起４３が積み重ねられた高電圧整流器間の間隔を確保するスペーサの役割を果たす。具体的には、２個以上積み重ねられた高電圧整流器の上記第１の外部入力端子同士を第１の導電体で接続すると共に、上記第２の外部入力端子同士を第２の導電体で接続して入力側を並列接続するか、又は上記第１と第２の外部入力端子を第３、第４の導電体でそれぞれ接続することより入力側を直列接続することができる。また、上記第１の外部出力端子同士を第５の導電体で接続すると共に、上記第２の外部出力端子同士を第６の導電体で接続して出力側を並列接続するか、又は上記第１と第２の外部入力端子を第７、第８の導電体でそれぞれ接続することにより出力側を直列接続することができる。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、高電圧交流電圧を整流するブリッジ回路と、直流高電圧出力を分割する電圧分割回路又は電圧分割回路以外の直流高電圧出力側の回路を構成する電子部品とを有する高電圧整流器において、この高電圧整流器内に存在するデッドスペースを無くして、スペースを有効に利用することにより、従来の高電圧整流器よりも体積を小さくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施例である高電圧整流器１００の構成を示す斜視図である。
【図２】  高電圧整流器１００の回路構成を示す図である。
【図３】  ブリッジ回路１０と、ダイオード回路搭載基板２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄとの構成を示す斜視図である。
【図４】  抵抗直列回路３１の構成を示す斜視図である。
【図５】  抵抗３３の構成を示す斜視図である。
【図６】  図１におけるＶＩ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す平面図である。
【図７】  図１におけるＶＩ視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す平面図である。
【図８】  図６におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図９】  図６におけるＩＸ−ＩＸ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１０】  図１におけるＸ矢視図であり、高電圧整流器１００の構成を示す底面図である。
【図１１】  図１０におけるＸＩ−ＸＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１２】  図１０におけるＸＩＩ−ＸＩＩ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００の構成を示す断面図である。
【図１３】  本発明の第２の実施例である高電圧整流器１００ａの構成を示す底面図である。
【図１４】  図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ’断面を示す図であり、高電圧整流器１００ａの構成を示す断面図である。
【図１５】  本発明の第３の実施例である高電圧整流器１００ｂの構成を示す平面図である。
【図１６】  本発明の第４の実施例である高電圧整流器１００ｃの構成を示す平面図である。
【図１７】  従来の高電圧整流器２００の構成を示す斜視図である。
【図１８】  ダイオード回路２４０の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ…高電圧整流器
１０…ブリッジ回路
１１…ダイオード回路
１２…ダイオード
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ…ダイオード回路搭載基板
２１、２２、３４…切り込み部
３０…電圧分割回路
３１…抵抗直列回路
３２…抵抗搭載基板
３３…抵抗
３５…コンデンサ
４０…筐体
４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ…外側側壁
４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ…内側側壁
４３…底壁
４５…ガイド
４６…突起
４７…貫通孔
４８、５０、５１…隔壁
４９…モールド部
５２、５２ａ、５３…突起
Ｔｉ１、Ｔｉ２…入力端子
Ｔｏ１、Ｔｏ２…出力端子
【図１】
0003739700.tif 000002
【図２】
0003739700.tif 000003
【図３】
0003739700.tif 000004
【図４】
0003739700.tif 000005
【図５】
0003739700.tif 000006
【図６】
0003739700.tif 000007
【図７】
0003739700.tif 000008
【図８】
0003739700.tif 000009
【図９】
0003739700.tif 000010
【図１０】
0003739700.tif 000011
【図１１】
0003739700.tif 000012
【図１２】
0003739700.tif 000013
【図１３】
0003739700.tif 000014
【図１４】
0003739700.tif 000015
【図１５】
0003739700.tif 000016
【図１６】
0003739700.tif 000017
【図１７】
0003739700.tif 000018
【図１８】
0003739700.tif 000019