(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げる単結晶の周囲にヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱を遮蔽する熱遮蔽材を、その下端が融液面から５０〜１２０ｍｍとなる位置に置き、融液に対し０．０８〜０．４５Ｔの融液面に平行な水平方向の磁場を印加し、るつぼの回転速度を７ｍｉｎ-1以下、単結晶の回転速度を１３ｍｉｎ-1以上とし、
引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが５ｍｍを超える上凸状とし、単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜１２００℃の間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げる単結晶の周囲にヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱を遮蔽する熱遮蔽材を、その下端が融液面から５０〜１２０ｍｍとなる位置に置き、磁場中心が引き上げ軸の融液表面から融液深さの１／２の間にあり、かつ磁場中心高さのるつぼ壁位置にて水平方向に０．０２〜０．０９Ｔであるカスプ磁場を印加し、るつぼの回転速度を５ｍｉｎ-1以下、単結晶の回転速度を１３ｍｉｎ-1以上とし、
引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが５ｍｍを超える上凸状とし、単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜１２００℃の間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体材料として使用されるシリコンウェーハ用単結晶の、より詳しくはチョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）により育成するウェーハ用シリコン単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体材料のシリコンウェーハに用いるシリコン単結晶の製造に、最も広く採用されている方法がＣＺ法による単結晶育成方法である。
【０００３】
ＣＺ法は、石英るつぼ内の溶融したシリコンに種結晶を浸けて引き上げ、単結晶を成長させるものであるが、このシリコン単結晶育成技術の進歩により、欠陥の少ない、無転位の大型単結晶が製造さるようになってきている。半導体デバイスは、単結晶から得られたウェーハを基板とし、数百のプロセスを経過して製品化される。その過程で基板には数多くの物理的処理、化学的処理、さらには熱的処理が施され、中には1000℃以上での高温処理など、過酷な熱的環境での処理も含まれる。このため、単結晶の成長過程にてその原因が導入されていて、デバイスの製造過程で顕在化し、その性能を低下させる結果となる微小欠陥、すなわちGrown-in欠陥が問題になる。
【０００４】
これら微少欠陥の代表的なものの分布は、たとえば図１のように観察される。これは、成長直後の単結晶からウェーハを切り出し、硝酸銅水溶液に浸けてＣｕを付着させ、熱処理後、Ｘ線トポグラフ法により微小欠陥分布の観察をおこなった結果を、模式的に示した図である。すなわち、このウェーハは、外径の約2/3の位置に、リング状に分布した酸化誘起積層欠陥―以下ＯＳＦ(Oxygen induced Stacking Fault)という―が現れたものであるが、そのリングの内側部分には赤外線散乱体欠陥（ＣＯＰあるいはＦＰＤともいわれるがいずれも同じＳｉが欠損した状態の欠陥）が見出される。また、リング状ＯＳＦに接してすぐ外側には酸素析出物が現れやすい酸素析出促進領域があり、それに接して欠陥の現れない無欠陥領域があり、その外側のウェーハの周辺部は転位クラスターの発生しやすい部分となっている。
【０００５】
上記の欠陥の発生位置は、通常単結晶育成の際の引き上げ速度に大きく影響される。転位のない健全な単結晶を得る育成速度の範囲内にて、引き上げ速度を変え成長させた単結晶について、結晶中心の引き上げ軸に沿って縦方向に切断された面での各種の欠陥の分布を調べると、図２のような結果がえられる。単結晶引き上げ軸に対し垂直に切り出した円盤状のウェーハ面で見る場合、ショルダー部を形成させ所要の胴径とした後、育成速度を下げていくと、結晶周辺部からリング状ＯＳＦが現れる。周辺部に現れたこのリング状ＯＳＦは、育成速度の低下にともない、その径が次第に小さくなり、やがてはなくなって、ウェーハ全面がリング状ＯＳＦの外側部分に相当するものになってしまう。すなわち図１は、図２における単結晶のＡの引き上げ軸に垂直な断面、またはその引き上げ速度で育成した単結晶のウェーハを示したもので、リング状ＯＳＦ発生の位置を基準にすれば、育成速度の速い場合はリング状ＯＳＦの内側領域に相当する高速育成単結晶となり、遅い場合は外側領域の低速育成単結晶となる。
【０００６】
シリコン単結晶の転位は、その上に形成されるデバイスの特性を劣化させる原因になることはよく知られている。また、ＯＳＦはリーク電流増大など電気特性を劣化させるが、リング状ＯＳＦにはこれが高密度に存在する。そこで、現在通常のＬＳＩ用には、リング状ＯＳＦが単結晶の最外周に分布するような、比較的高速の引き上げ速度で単結晶が育成されている。それによって、ウェーハの大部分をリング状ＯＳＦの内側部分、すなわち高速育成単結晶として、転位クラスターを回避する。これは、リング状ＯＳＦの内側部分は、デバイスの製造過程にて発生する重金属汚染に対するゲッタリング作用が、外側部分よりも大きいことにもよっている。
【０００７】
近年ＬＳＩの集積度増大にともない、ゲート酸化膜が薄膜化されて、デバイス製造工程での温度が低温化してきている。このため、高温処理で発生しやすいＯＳＦが低減され、結晶の低酸素化もあってリング状ＯＳＦなどのＯＳＦは、デバイス特性を劣化させる因子としての問題が少なくなってきた。しかし、高速育成単結晶中に主として存在する赤外線散乱体欠陥の存在は、薄膜化したゲート酸化膜の耐圧特性を大きく劣化させることが明らかになっており、とくにデバイスのパターンが微細化してくると、その影響が大きくなって高集積度化への対応が困難になる。
【０００８】
図１に示した欠陥分布において、リング状ＯＳＦのすぐ外側の酸素析出促進領域および無欠陥領域を拡大できれば、Grown-in欠陥のきわめて少ないウェーハ、ないしは単結晶の得られる可能性がある。たとえば、特開平8-330316号公報では、単結晶育成時の引き上げ速度をＶ（mm／min）、融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配をＧ（℃／mm）とするとき、結晶中央部より外周から30mmまでの内部位置ではＶ／Ｇを0.20〜0.22とし、結晶外周に向かってこれを漸次増加させるように結晶内の温度勾配を制御して、転位クラスターを生成させることなく、リング状ＯＳＦの外側部分の無欠陥領域のみをウェーハ全面さらには単結晶全体に広げる方法の発明が提示されている。この場合、るつぼとヒーターの位置、育成単結晶の周囲に設置されたカーボンからなる半円錐形状の熱輻射体の位置、ヒーター周囲の断熱体構造等の種々条件を総合伝熱計算によって検討し、上記条件の温度条件になるように設定し育成をおこなうとしている。
【０００９】
また、特開平11-79889号公報には、単結晶育成中の固液界面の形状が単結晶の周辺5mmを除き、固液界面の平均位置に対し±5mm以内となるようにして引き上げること、そして1420℃から1350℃まで、または融点から1400℃までの引き上げ軸方向の結晶内温度勾配を結晶中央部分ではＧｃ、結晶周辺部分ではＧｅとしたとき、この二つの温度勾配の差ΔＧ（＝Ｇｅ−Ｇｃ）が5℃／cm以内であるように炉内温度を制御することによる製造方法の発明が開示されている。要するに、育成中の固液界面をできるだけ平坦に保ち、かつ単結晶内部の固液界面からの温度勾配をできるだけ均一な状態に保つという製造方法である。このような条件下で単結晶育成をおこなえば、上記無欠陥領域を拡大でき、さらに0.2Ｔ以上の水平磁場を融液に印加すれば、Grown-in欠陥の少ない単結晶をより容易に得ることができるとしている。しかしながら、固液界面を±5mm以内にする手段、およびΔＧを5℃／cm以内にする手段など、この発明の効果を得るために不可欠な、凝固直後の結晶周辺において上記の状態を実現するための具体的手段は、シリコン溶融液の液面直上にシリコン単結晶を囲繞するように固液界面断熱材を、液面から3〜5cm離して設置することだけのように思われる。
【００１０】
上記の発明は、単結晶育成中の温度分布の状態は、総合伝熱解析ソフトにより推測調査している。しかし、このようなソフトは、与えられた条件下での温度分布は推測できるが、単結晶周辺における特定の温度分布状態を実現するための、具体的な制御条件を提供するものではない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥をできるだけ少なくしたウェーハを採取できる、径の大きい長尺の高品質単結晶を安定して製造し得る単結晶育成方法の提供にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、直径が8インチの単結晶の通常生産の育成方法を基本とし、その範囲内にて種々条件を変え、Grown-in欠陥におよぼす育成条件の影響を調査した。
【００１３】
調査の方法は、育成後の単結晶の種々の位置から結晶引き上げ軸方向に垂直な面のウェーハを切り出し、それらを用いて欠陥の検出をおこない、単結晶全体としての欠陥分布を確認した。また、引き上げ速度を連続的に変化させて単結晶を育成し、引き上げ中心軸に沿って単結晶を縦割りして試験片を採取し、欠陥分布の変化を調査した。各欠陥の分布状態検出は、ウェーハないしは試片を硝酸銅水溶液に浸漬してＣｕを付着させ、加熱処理をおこなった後のＸ線トポグラフ法によった。転位クラスター欠陥の密度については、ウェーハないしは試験片の表面をSecco液にてエッチし、光学顕微鏡を用いて欠陥観察をおこなった。また、赤外線散乱体については赤外線トモグラフィの手法を用いた。
【００１４】
図１に示したリング状ＯＳＦ、酸素析出促進領域および無欠陥領域には、赤外線散乱体や転位クラスター欠陥は見出されない。そして前述のように、デバイス製造工程が低温化し結晶が低酸素化することによって、ＯＳＦおよび酸素析出の悪影響の問題は低減されてきており、リング状ＯＳＦの存在は以前ほど重要ではなくなっている。しかしながら、できればＯＳＦは避けた方がよく、無欠陥領域と酸素析出促進領域とを加えた部分の拡大が可能なら、赤外線散乱体および転位クラスター欠陥の両Grown-in欠陥を低減させた単結晶ないしはウェーハが得られると考えられた。すなわち図２において引き上げ速度にともなうリング状ＯＳＦの、Ｖ字形分布状況の上開きの角度をできるだけ拡大させ、可能なら水平状態にできればよい筈である。
【００１５】
そこでまず、引き上げ速度を連続的に変化させて育成する過程での、固液界面の形状および凝固直後の単結晶内温度分布について総合伝熱解析ソフトを用いて計算し、その結果と得られた単結晶内部の欠陥を調査し対比することにより、育成中の状態の単結晶欠陥分布におよぼす影響を推測した。その結果、固液界面が平坦になっていたと推測される場合、および凝固直後の単結晶内の温度分布ができるだけ均一になるような条件であったと推測される場合に、無欠陥領域が拡大される傾向にあることが認められた。しかしながら、必ずしも安定してウェーハ面全面が無欠陥領域とはならず、周辺あるいは中央部にGrown-in欠陥が生じていることが多い。
【００１６】
ところがこれらの検討過程で、固液界面の形状が単結晶中央部で高く、周辺部で低い状態にて引き上げがおこなわれているとき、無欠陥領域が単結晶の引き上げ軸に垂直な面であるウェーハ面全面に無欠陥領域が安定して拡大されることを見出した。すなわち、育成中の単結晶の固液界面を上に凸状にするのである。
【００１７】
単結晶の育成中、中心対称性のよい固液界面での温度分布実現、熱対流に起因する不規則温度変化の緩和、不純物や添加元素の均一化等の目的で、一般にはるつぼは5〜15回転／分、単結晶は10〜18回転／分程度の速度で回転される。図１または図２に示した欠陥分布の例は、このようなるつぼおよび単結晶回転の範囲にて成長させたものである。るつぼまたは単結晶の回転は、融液の流れを変化させて固液界面に当たる融液の温度分布を変える。また、引き上げにともなう単結晶の冷却の条件によって単結晶内部の温度分布が変わる。そしてこれらを選定することにより固液界面の形状は変化する。
【００１８】
そこで、直径8インチの単結晶育成において、同じ温度分布を示すと推定される同一形状の単結晶引き上げ装置を用い、このるつぼおよび単結晶の回転速度と育成中の固液界面形状を検討した。まず単結晶の回転速度が遅い場合、固液界面形状は下に凸、すなわち中央部が低い形状であり、回転速度を上げていくと中央部は周辺部よりは高くなるが中央部と周辺部の中間の部分より高くなると言うＭ字型形状となり、さらに回転速度を増すと目的とする上凸状になってくる。しかし単結晶の回転は、ドーパントなど不純物の均一分布、あるいは引き上げ中の単結晶の異形化のため、通常採用される回転速度範囲から大きく変わることはできないと判断された。
【００１９】
次にるつぼの回転速度については、通常採用される範囲では、下に凸かほぼ平坦であるが、回転速度を下げていくと中央部と周辺部が低く、中間部が高いＭ字型形状となり、さらに回転速度を下げると上凸状になることがわかった。
【００２０】
このような結果から、とくにるつぼの回転速度について、種々変えてリング状ＯＳＦの分布やGrown-in欠陥の発生状況を調査した結果、るつぼと単結晶の回転速度、および引き上げ速度を特定範囲に選定することにより、ウェーハ全面にわたって無欠陥領域となし得る条件を見出した。しかしながら、このようにウェーハ面全面が無欠陥領域となるるつぼと単結晶との回転速度とを選定し、単結晶引き上げをおこなっていくと、単結晶が所要ボディ長の半ば以降で、直径の安定性が乱れやすくなり、さらに無欠陥状態が十分得られなくなるようになって、単結晶全長にわたり安定した形状および無欠陥状態で育成させることは、かなり困難であった。
【００２１】
この原因は融液の減少にともなって対流の状態が変化し、とくにるつぼ壁近くを上昇する対流が変化したためと考えられ、るつぼ壁面に対して垂直方向の磁場を印加できる水平（横）磁場、またはカスプ磁場を印加して、融液の流動を抑制することを検討した。その結果、育成単結晶のトップからテイルまで、形状的にはほぼ安定して育成できるようになった。しかし、無欠陥領域の安定性がやや劣ることから、さらに検討をおこなった結果、融液から引き上げられた直後の単結晶外周面は、冷却を少し遅らせることが好ましいことがわかった。固液界面の上凸形状は、引き上げ軸方向温度勾配について中央部より周辺部を緩やかにする効果があるが、磁場印加により、この上凸形状が促進されたり抑制されたりする傾向がある。単結晶外周面の冷却を少し遅らせることは、これらを補償する作用があると考えられる。このようにして、全長にわたりGrown-in欠陥のきわめて少ない単結晶の製造を可能にしたのである。すなわち、本発明の要旨は次のとおりである。
【００２２】
（１）融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げる単結晶の周囲にヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱を遮蔽する熱遮蔽材を、その下端が融液面から５０〜１２０ｍｍとなる位置に置き、融液に対し０．０８〜０．４５Ｔの融液面に平行な水平方向の磁場を印加し、るつぼの回転速度を７ｍｉｎ-1以下、単結晶の回転速度を１３ｍｉｎ-1以上とし、引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが５ｍｍを超える上凸状とし、単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜１２００℃の間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
（２）融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げる単結晶の周囲にヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱を遮蔽する熱遮蔽材を、その下端が融液面から５０〜１２０ｍｍとなる位置に置き、磁場中心が引き上げ軸の融液表面から融液深さの１／２の間にあり、かつ磁場中心高さのるつぼ壁位置にて水平方向に０．０２〜０．０９Ｔであるカスプ磁場を印加し、るつぼの回転速度を５ｍｉｎ-1以下、単結晶の回転速度を１３ｍｉｎ-1以上とし、引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが５ｍｍを超える上凸状とし、単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜１２００℃の間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【００２３】
ここで、固液界面が上凸状態で単結晶引き上げられると、無欠陥領域が拡大する理由について考えてみる。
【００２４】
育成中の単結晶は、凝固の際の融液の持つ熱と凝固潜熱が固体の熱伝達と表面からの放散により排除され冷却されるが、通常は中央部の温度が高く周辺部が低い状態で冷却が進行する。そして、単結晶回転やるつぼ回転にも影響されるが、一般的に、固液界面は、引き上げ速度が比較的速い場合には、ほぼ平坦ないしはやや中央部が高い上凸状になり、遅い場合には中央部が低い下凸状になる。たとえば、リング状ＯＳＦがウェーハの外周近くに位置するような、速い引き上げ速度では、やや中央部が高い上凸状態である。この状態を模式的に示せば、図３(a)のようになる。ここで、固液界面はシリコンの凝固点温度である一定値に保たれているので、そこから単結晶内部の引き上げ軸方向の等温線までの距離を考えれば、中央部の距離（Ｌc）の方が周辺部の距離（Ｌs）より大きい。固液界面とその等温線との温度差をΔＴとすると、単結晶中央部の引き上げ軸方向温度勾配Ｇｃ＝ΔＴ／Ｌcは、単結晶周辺部の同方向温度勾配Ｇｓ＝ΔＴ／Ｌsよりも小さい。
【００２５】
これに対し、単結晶とるつぼの回転速度を制御することにより、固液界面を上に凸状にすれば、冷却条件が同じなら固液界面から少し離れた単結晶内の温度分布は大きくは変わらないので、図３(b)に示すように、固液界面から引き上げ軸方向の同じΔＴの等温線までの距離はＬcの方がＬsより小さくなる。そうすると、単結晶内の凝固界面からある範囲までは、中央部の引き上げ軸方向温度勾配Ｇｃが周辺部の同方向温度勾配Ｇｓよりも大きくなる。
【００２６】
単結晶育成の引き上げ時の融液が凝固して固体結晶に変化していく際には、ランダムな原子配列の液相から整然と原子が配列する固相に移行するため、固液界面近傍の固相には、あるべき原子の欠けた空孔や、余分のＳｉ原子が原子の結晶格子配列の間に入り込んだ格子間原子が大量に存在する。この凝固直後には、格子間原子よりも原子が欠けた状態の空孔の方が多い。そして、引き上げにより凝固して単結晶になった部分が固液界面から離れるにつれ、空孔や格子間原子は移動や拡散、あるいは合体などによって消失し、整然とした原子配列となっていくが、さらに引き上げられて温度が低下してくると移動や拡散の速度が減退し、多少は残存することになる。
【００２７】
凝固の過程で取り込まれた空孔と格子間原子とは高温の間かなり自由に結晶内を動き回ることができる。その移動速度または拡散速度は、一般に空孔の方が格子間原子より速い。そして、上記のように凝固直後では空孔の数の方が格子間原子の数より多い。ここで、高温の結晶中に存在し得る空孔や格子間原子の飽和限界濃度は、いずれも温度が低いほど低下する。このため、同じ量存在していても、温度の低い方が実質的な濃度すなわち化学ポテンシャルは高く、温度の高い方が低いことになる。育成中の単結晶には垂直方向に温度勾配があり、この温度の違いによる実質的濃度差のため、低温側から高温側の育成されつつある単結晶の上方から固液界面の方向への、温度勾配に逆行する拡散が起きていると考えられる。この温度勾配による拡散を以下坂道拡散と言うことにする。
【００２８】
また、空孔や格子間原子は結晶表面に到達すると消失するので、周辺部分の濃度が低く、坂道拡散に加えて表面方向への拡散も起きている。さらに空孔は、結晶格子を構成する原子が欠けた状態であり、格子間原子は原子が余分に存在する状態なので、この二つがぶつかれば、お互いに相補い合体して消失し、完全な結晶格子となる。
【００２９】
空孔および格子間原子の拡散、あるいは合体消失は、凝固点(1412℃）から1200℃前後までの温度範囲にて活発に進行し、それ以下の温度でも速度は遅くなるが拡散による合体消失はある程度は進行していくと推定される。そして、垂直引き上げ軸方向の温度勾配は、ホットゾーンすなわち引き上げ中の単結晶の冷却部分周辺の構造が同じであれば、引き上げ速度が変わってもほとんど変化しない。
【００３０】
このような条件下での空孔および格子間原子の濃度分布は、図４に示す模式図のようになっていると推測される。通常の育成条件の場合、上記の坂道拡散と結晶表面への拡散とにより、空孔および格子間原子の濃度は表面に近づくほど低くなる湾曲した分布をしている。空孔の方が拡散速度は速いので、格子間原子よりも大きく湾曲している。凝固直後は空孔の方が格子間原子よりも多いため、育成速度が比較的早い場合、引き上げ軸に垂直な方向のウェーハ対応面でのこれらの濃度分布は、図４(a)-(1)のようになっていると考えられる。このままの状態で冷却が進むと、格子間原子に比して過剰の空孔が取り残された状態のまま温度が低下していき、表面への拡散や合体による消失がさらに多少進んだとしても、これが結晶内に痕跡を残す結果となり、赤外線散乱体が発生する原因となる。すなわちこれは図２に示した高速育成単結晶部分に相当する。
【００３１】
一方、育成速度が比較的遅い場合、坂道拡散や表面への拡散が活発に進行する状態に長く置かれるため、空孔は格子間原子と十分結合するよりも早く拡散消失していき、図４(a)-(3)のようになって、拡散が不活発になる温度に達したときは、格子間原子が過剰な状態となって残り、ウェーハ対応面全面が転位クラスターの発生しやすい図２の低速育成単結晶部分となってしまう。
【００３２】
しかし、その中間の引き上げ速度の場合、空孔の濃度と格子間原子の濃度が接近した状態で温度が低下するが、それぞれの濃度分布の形が異なるので、図４(a)-(2)に示すように、単結晶中央部では格子間原子に対して空孔が過剰となり、単結晶表面に近い部分では空孔が不足する状態となる。この状態で冷却が進むと、図１に示した中央部には赤外線散乱体欠陥、外周の表面近くには転位クラスター欠陥が主として分布した結果になる。そして周辺部と中央部の中間の部分では、空孔と格子間原子の数がバランスし、さらに冷却が進むにつれてこの二つが合体し消失してしまうため、高速育成単結晶部分または低速育成単結晶部分に発生するGrown-in欠陥の、いずれも存在しない無欠陥領域ができると推定される。
【００３３】
本発明では、るつぼの回転速度と単結晶の回転速度を選定することにより、図３(b)に示すように固液界面形状を上凸型にする。上凸型にする効果について説明すると、単結晶内の温度分布は、単結晶部分の冷却条件によってほぼ定まり、固液界面の形状にはあまり影響されないため、これが上凸状になると、図３(b)に示したように単結晶内の等温線の間隔が中央部よりも周辺部の方が広くなり、引き上げ軸方向の温度勾配が緩やかになる。そうすると周辺部における空孔の坂道拡散による消失が相対的に緩和され、濃度分布の上凸型の湾曲が緩やかになる。その結果、図４(b)−(2)に示すように、引き上げ速度が空孔の濃度と格子間原子の濃度とを接近させる状態になっているとき、その濃度分布がほぼ一致し、ウェーハ面全面にわたって無欠陥領域を実現することができる。
【００３４】
ここで磁場の印加は、るつぼおよび単結晶の回転による融液流動を抑制するので、引き上げにより融液が減少しても、安定した育成が可能になり、全長にわたって無欠陥領域を拡大し、かつ形状の良好な単結晶の製造を容易にする。ただし水平方向磁場とカスプ磁場とでは、固液界面の上凸形状を促進させる効果に多少の差があり、印加する磁場の種類と強さに応じて、るつぼまたは単結晶の回転速度を、上述の範囲内にて多少変更することが好ましい。
【００３５】
また、固液界面の上凸形状をより容易に実現させるために、引き上げる単結晶表面の融液面から少し上がった部分は、ヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の熱輻射により温度が下がらないようにしておき、それから上は熱輻射の遮蔽さらには冷却体を近接させる等の手段を講じるのが好ましい。このように単結晶中央部よりも周辺部の方が、温度勾配が緩やかになるようにして、図４(b)−(2)の状態を維持するのである。
【００３６】
【発明の実施の形態】
磁場を印加するＣＺ法による単結晶育成方法に関する本発明は、模式的には図３(b)に示したように固液界面を上凸状態とし単結晶を育成する。その際、固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが5mm以上の上凸状とする。これは5mm未満の場合、本発明の目的とする単結晶から得たウェーハ面全面をGrown-in欠陥の存在しない無欠陥領域とすることができなくなるからである。このように上凸状の固液界面での周辺部に対する中央部の高さは少なくとも5mm以上である必要があり、12〜15mm程度とするのが望ましい。単結晶やるつぼの回転数、さらには単結晶の冷却方法などを選定することによりこれより高くすることは可能であるが、健全な単結晶を適度の引き上げ速度で育成するためには、上凸状をさらに拡大することは好ましくない。
【００３７】
単結晶内の引き上げ軸方向の温度勾配を融点〜1200℃の間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにする。これによってウェーハ面全面を無欠陥領域とすることがより安定して実現できる。引き上げ軸方向の温度勾配について、中央部と周辺部とが同じかあるいは中央部の方を小さくすると、上記の固液界面を上凸状とした効果が十分発揮されなくなるおそれがある。融点から1200℃の間は、空孔や格子間原子が容易に動き、拡散や合体などが活発におこなわれるので、この温度の領域で単結晶内の温度分布を十分制御する必要がある。
【００３８】
上記の固液界面を上凸状にする方法として、るつぼおよび単結晶の回転による融液の流動を制御する必要がある。すなわち、融液に印加する磁場が水平磁場である場合にはるつぼの回転速度を7min-1以下、カスプ磁場である場合にはるつぼの回転速度を5min-1以下とし、いずれの磁場を印加する場合も、単結晶の回転速度は13min-1以上とする。
【００３９】
カスプ磁場は、水平磁場に比較してるつぼ内の融液の流動を抑える力が弱いため、るつぼの回転速度を若干低くしておく必要がある。上記のるつぼ回転速度を超えると、磁場印加によって、つぼ壁面近傍の比較的温度の高い融液が単結晶成長界面に流入し難くなるため、育成中の結晶下面中央部および周辺部の凝固が早まり、上凸状の固液界面が得られ難くなる。るつぼの回転はいずれの場合も3min-1以下が好ましく、回転速度を0、すなわち回転させなくてもよい。
【００４０】
単結晶の回転速度13min-1以上は、るつぼの中央部での上昇流であるコックラン流を十分に生ぜしめるために、水平磁場印加、カスプ磁場印加のいずれの場合にも必要である。この融液の流動によって、るつぼの中央部、すなわち育成中の結晶下面中央部に融液の温度の高い上昇流が当たり、固液界面を上凸状態に維持することができる。単結晶の回転速度が13min-1を下回るようになると、中央部がやや下がったＭ型形状の固液界面となり、さらに下凸の形状になって、ウェーハ面全面にわたって欠陥の少ない単結晶を得ることができなくなる。一方、回転速度が大きくなりすぎると、結晶の成長速度が低下し、単結晶の変形が生じてしまうため、回転速度は25min-1までとし、望ましくは15〜23min-1の範囲とするのがよい。
【００４１】
単結晶育成中には、るつぼ内の融液に磁場を印加する。印加する磁場は、0.08〜0.45Ｔの融液面に平行な水平方向の磁場か、または磁場中心が引き上げ軸の融液表面から融液深さの1／2までの間にあり、かつるつぼ壁位置にて水平方向に0.02〜0.09Ｔとなるカスプ磁場とする。結晶の回転による融液の流動は、るつぼ内の融液が減少してくると変化してきて、所要単結晶長さの半分を超えると直径の安定性が乱れたり、固液界面の上凸状態が不安定になってくる。そこであらかじめ融液に磁場を印加して流動を抑制しておき、るつぼ内の融液量が変化しても、固液界面近傍における融液の流動状態が変化しないようにしておくのである。水平磁場もカスプ磁場もいずれも融液の垂直方向の流動を制御できるので、この目的には効果的である。
【００４２】
水平磁場の場合、0.08Ｔ未満では固液界面を上凸にさせる効果が十分でなく、0.45Ｔを超える磁場は融液流動が抑制されすぎて、ウェーハ面内における抵抗率分布および酸素濃度分布を悪くしてしまう。望ましくは0.2〜0.3Ｔである。カスプ磁場の場合、前述の位置にて0.2Ｔ未満では、固液界面を上凸にさせる効果が不十分であり、0.09Ｔを超えると水平磁場の場合と同様、ウェーハ面での抵抗率分布および酸素濃度分布が悪くなる。カスプ磁場印加の好ましい範囲は0.03〜0.08Ｔである。このカスプ磁場を印加する場合、磁場中心を融液面から融液深さの1／2までの間とするのは、水平方向の磁場を多くしてるつぼ壁近傍の融液の垂直方向の流動を抑止させるためである。
【００４３】
図５に模式的に示すように、引き上げ中単結晶の周囲に熱遮蔽材を置き、融液の表面からこの熱遮蔽材の下端までの距離は、50mm以上とする。これは、るつぼ壁や融液面などからの輻射により単結晶表面の温度低下を抑制し、周辺部の融点から1200℃までの引き上げ軸方向温度勾配が、中央部より小さくなることをより確実に実現させるためである。磁場印加が融液の流動を抑止し、固液界面の上凸形状形成に影響をおよぼすのでこれを補償する効果がある。熱遮蔽材下端の融液表面からの距離は50mm未満の場合、単結晶周辺部の温度勾配を中央部より小さくすることが不十分になる。ただし120mmを超えると効果は飽和し、引き上げ速度が上げられなくなる。
【００４４】
熱遮蔽材の形状は、円筒形状、逆円錐台形状、あるいはこれらの組み合わせ形状など、るつぼ壁や融液表面からの熱輻射を遮蔽できる形状であればよく、材質もとくには規制しないが、カーボンフェルトや高純度黒鉛など断熱効果のあるものを用いることが好ましい。
【００４５】
【実施例】
図５に示したような水平磁場またはカスプ磁場印加可能な単結晶引き上げ装置を用い、８インチのシリコン単結晶育成をおこなった。この場合、るつぼ１a内に原料として多結晶シリコン120kgを充填し、その中に結晶の電気抵抗が10Ωcm程度となるようにｐ型ドーパントのボロンを添加し、装置内の雰囲気は1333Paのアルゴン雰囲気とした。熱遮蔽材７は内径300mm、厚さ50mmの、円筒状カーボンフェルト体７aの表面を厚さ7mmの高純度黒鉛７bで覆った構造とし、その下端位置を融液３の表面から90mm上方に配置した。ステンレス製装置容器８の外部に磁場発生用励磁コイル９を置き、コイルを取り変えて水平、またはカスプ磁場を印加した。
【００４６】
るつぼ１aに装入した原料をヒーター２にて加熱して溶融し、種結晶５の下端を融液３に浸漬した後、るつぼ１および引き上げ軸４を回転させつつ単結晶６を引き上げるが、ネック、ショルダーと移行し、所定ボディ径に達してから約200mmを引き上げる間に、表１または表２に示すような定常条件に移行させた。なお、最適引き上げ速度は、装置の諸元により多少のずれが出てくるので、速度を徐々に変えた引き上げをおこなって、単結晶全長にわたってGrown-in欠陥のできるだけ少ない速度をあらかじめ選定した。表１は印加磁場を水平磁場とした場合、表２はカスプ磁場の場合である。その後ボディ全長が約1000mmに到達するまでこの状態を続け、その後テイル絞りに移行して単結晶育成を終了した。引き上げ中の単結晶内部の温度分布を、伝熱解析シミュレーション計算により推測し、これから単結晶の中央部および周辺部の引き上げ軸方向の温度勾配、および固液界面形状を求めた。
【００４７】
得られた単結晶の定常部に達してからの上部、中間部および下部からウェーハを採取し、16重量％の硝酸銅水溶液に浸漬してＣｕを付着させ、900℃にて20分間加熱し冷却後、Ｘ線トポグラフ法によりＯＳＦリングの位置を観察した。また、赤外線散乱体欠陥の密度を赤外線トモグラフ法、転位クラスター欠陥の密度をSeccoエッチング法にてそれぞれ調査した。さらに、このような欠陥の分布を調査したウェーハに隣接する位置より採取したウェーハにて、所定熱処理等をおこなった後、デバイスのゲート構造を施工し、25nmの酸化膜厚における初期酸化膜耐圧特性（TZDB）を測定し、その良品率を求めた。
【００４８】
【表１】
0003783495.tif 000002
【００４９】
【表２】
0003783495.tif 000003
【００５０】
表１および表２に、これらの調査結果をあわせて示す。この結果から明らかなように、結晶およびるつぼの回転速度を限定することによって、固液界面形状を十分上凸状にすることができ、それによって単結晶の垂直方向の温度勾配を中央部より周辺部の方が小さい状態にできることがわかる。そして、これに適度の磁場を印加することにより、全長にわたって赤外線散乱体欠陥や転位クラスター欠陥などのGrown-in欠陥のほとんど発生しない、単結晶を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明のシリコン単結晶育成方法によれば、ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を無くして、径の大きい長尺の高品質単結晶を歩留まりよく製造することができる。このようにして製造された単結晶から得られるウェーハは、デバイス特性を劣化させる有害な欠陥が少ないため、今後のさらなるデバイスの高集積度化や小型化に対し、効果的に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコンウェーハで観察される典型的な欠陥分布の例を模式的に示した図である。
【図２】単結晶育成時の引き上げ速度と結晶欠陥の発生位置との一般的な関係を、模式的に説明した図である。
【図３】単結晶育成時の固液界面と、単結晶内の直径方向の温度分布とを模式的に示した図である。
【図４】育成中単結晶内の、引き上げ軸方向の温度勾配の中央部と周辺部との相違による、空孔または格子間原子の濃度分布差を説明する概念図である。
【図５】本発明の方法にて用いる単結晶引き上げ装置の概念図である。
【符号の説明】
１．るつぼ      １a．るつぼ内層保持容器
１b．るつぼ外層保持容器      １c．るつぼ支持軸
２．ヒーター      ３．融液       ４．引き上げ軸
５．シードチャック      ６．単結晶
７．遮蔽材      ７ａ．カーボンフェルト体
７b．高純度黒鉛      ８．磁場印加装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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