(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液が塗布された基板を密閉容器内に載置する工程と、
密閉容器内を真空排気手段により排気路を介して排気して減圧雰囲気とし、基板に塗布された塗布液の溶剤を揮発させる減圧乾燥工程と、
前記基板を密閉容器内から搬出する工程と、
基板から揮発し、排気路内に結露した溶剤を乾燥して除去するために、基板が容器内に存在しない状態で密閉容器を閉じたまま排気路に乾燥用のガスを通流する溶剤除去工程と、を含むことを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項２】
溶剤除去工程は、乾燥処理を行った基板の枚数が予め設定した枚数になった後に行うことを特徴とする請求項１記載の減圧乾燥方法。
【請求項３】
溶剤除去工程は、排気路の途中または密閉容器に接続したガス供給路から乾燥用のガスを供給しながら真空排気手段により吸引して、排気路に結露した溶剤を真空排気手段側に除去する工程であることを特徴とする請求項１または２記載の減圧乾燥方法。
【請求項４】
溶剤除去工程は、排気路の途中に接続したガス供給路と真空排気手段とを排気路を介して連通すると共に密閉容器と前記ガス供給路との間の排気路を閉じて行うことを特徴とする請求項１、２または３記載の減圧乾燥方法。
【請求項５】
溶剤除去工程にて用いる乾燥用の気体は不活性ガスであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
減圧乾燥工程には基板を加熱する工程が含まれることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項７】
排気路内に付着した溶剤の量を把握する工程を備え、
溶剤除去工程は、排気路内に付着した溶剤の量が一定量以上になったときに行われることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項８】
溶剤除去工程を行っている間は、塗布ユニットにて塗布液が塗布された基板を待機部に一旦搬入して待機させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項９】
待機部における基板が置かれている雰囲気を溶剤雰囲気とする工程を含むことを特徴とする請求項８記載の塗布膜形成方法。
【請求項１０】
塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液を基板に塗布するための塗布ユニットと、
基板を載置するための載置部が内部に設けられた密閉容器と、
塗布ユニットと密閉容器との間で基板を搬送する搬送手段と、
前記密閉容器に排気路を介して接続され、該密閉容器内を減圧雰囲気にして、基板上の塗布液から溶剤を揮発させるための真空排気手段と、
前記密閉容器または排気路の途中に接続され、排気路に乾燥用の気体を供給して前記排気路内に結露した溶剤の除去を行うためのガス供給路と、
このガス供給路と前記真空排気手段との間を開閉するための流路開閉部と、
排気路内に結露した溶剤の量が多くなったと判断したときに、密閉容器内に基板が存在しない状態において前記流路開閉部を制御してガス供給路と真空排気手段とを連通させ、乾燥用のガスを排気路内に通流させるための制御部と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項１１】
排気路内に結露した溶剤の量が多くなったと判断する時点は、乾燥処理を行った基板の枚数が予め設定した枚数になった時点であることを特徴とする請求項１０記載の塗布膜形成装置。
【請求項１２】
排気路内に付着した溶剤の量を把握する監視手段を設け、
制御部は、監視手段の監視結果に基づいて、排気路内に結露した溶剤の量が多くなったと判断することを特徴とする請求項１１記載の塗布膜形成装置。
【請求項１３】
ガス供給路は排気路の途中に接続され、
流路開閉部は、ガス供給路と真空排気手段との間を連通し且つ密閉容器とガス供給路との間を閉じた状態と、ガス供給路と真空排気手段との間を閉じた状態とし且つ密閉容器と真空排気手段との間を連通した状態と、の一方を選択するためのバルブにより構成されていることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
【請求項１４】
基板を一旦載置して待機させるための待機部を備え、
制御部は、排気路に乾燥用の気体を供給して排気路内の溶剤を除去している間は、搬送手段が基板を待機部に搬送するように構成されていることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
【請求項１５】
待機部は、基板が置かれている雰囲気を溶剤の雰囲気とするように構成されていることを特徴とする請求項１４記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの被処理基板に例えばデバイスの保護膜用の塗布液を塗布して塗布膜の形成を行う方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜を形成するために、ポリイミドを半導体ウエハなどの基板上に塗布する処理がある。この塗布処理の方法の一つとして、ポリイミドを溶剤に溶かした薬液を塗布前に溶剤で更に薄め、例えば図９に示すようにウエハＷを回転させておいて塗布液ノズル１１をウエハＷの径方向に徐々に移動させながら塗布液をウエハＷ表面に吐出し、塗布液を一筆書きの要領で螺旋状に塗布していく方法が検討されている。
【０００３】
ポリイミドを溶かす溶剤としては、揮発性の低いものが使用されることや、速やかに溶剤をウエハ表面から除去して塗布膜の膜厚均一性を確保するなどの理由から、上述の方法を実施するにあたっては、ウエハ上に塗布液を塗布した後、直ぐに減圧乾燥ユニットに搬入して減圧乾燥を行うことが好ましいと考えられる。図１０は従来の減圧乾燥ユニットを示す図である。図中１２は蓋体１３及び載置部１４にて構成される密閉容器であり、蓋体１３の天井部には開口部１３ａが形成されている。この開口部１３ａは排気管１５を介して塗布膜形成装置の外部に設けられる真空ポンプ１６と連通し、密閉容器１２の内部を減圧することができるようになっている。このような装置において、ウエハＷを載置台１４に載置し、図示しない加熱手段にて該ウエハＷを加熱すると共に真空ポンプ１６を作動させ、密閉容器１２内を減圧することで、ウエハＷ表面に残る例えばＮＭＰ等の溶剤が揮発（乾燥）し、この揮発した溶剤が真空ポンプ１６側に吸引されて塗布液中のポリイミド成分がウエハＷの表面に残る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、減圧乾燥装置にて用いる真空ポンプ１６は、塗布膜形成装置外部のクリーンルーム側に設けられており、このため減圧乾燥時に揮発して真空ポンプ１６側に吸引される溶剤は、排気管１５の途中で例えば２３℃程度に維持されているクリーンルーム側の雰囲気の影響を受けて結露してしまう。
【０００５】
このようにして結露した溶剤は当該付着部位から再び揮発するものの、結露した溶剤の揮発量よりも新たに結露が生じる量の方が多いため、排気管１５内に残留する溶剤の量は次第に増えることになる。一方で、真空ポンプ１６における排気流量は一定に保たれており、真空ポンプ１６にて吸引する揮発した溶剤全体における結露分の割合は徐々に増加していくこととなる。従って密閉容器１２内の圧力を塗布液の乾燥に必要な圧力ｐ１まで低下させるために必要な時間は、図１１の実線に表されるように一枚目の処理ではｔ１であるが、前記結露の増加に伴いこの時間が徐々に増加して、例えばｎ枚目の処理時には点線で示すようにｔ１＋α掛かってしまい、所定時間内には十分な乾燥が行えなくなり、スループットが低くなってしまう。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は例えば塗布膜形成装置に設けられる基板の減圧乾燥装置において、高いスループットを得ることができる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る減圧乾燥方法は、塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液が塗布された基板を密閉容器内に載置する工程と、
密閉容器内を真空排気手段により排気路を介して排気して減圧雰囲気とし、基板に塗布された塗布液の溶剤を揮発させる減圧乾燥工程と、
前記基板を密閉容器内から搬出する工程と、
基板から揮発し、排気路内に結露した溶剤を乾燥して除去するために、基板が容器内に存在しない状態で密閉容器を閉じたまま排気路に乾燥用のガスを通流する溶剤除去工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このような方法によれば、減圧乾燥装置の排気路内に結露した溶剤の除去を定期的に行うことができるので、基板の減圧乾燥時に結露した溶剤の揮発量が少なくなり、乾燥処理を速やかに行える。この減圧乾燥方法において減圧乾燥工程は基板を加熱して行うことが好ましく、また溶剤除去工程を行うタイミングは、例えば何枚の基板を乾燥すると処理時間に一定以上の遅れが生じるのか関係を予め把握しておき、乾燥処理をした枚数が設定値に達したときとすることができる。
【０００９】
この溶剤除去工程の具体例としては、排気路の途中に接続したガス供給路と真空排気手段とを排気路を介して連通すると共に密閉容器とガス供給路との間の排気路を閉じた後、ガス供給路から排気路内に例えば窒素ガスなどの不活性ガスの供給を行って、これを真空排気手段側に吸引する方法が挙げられる。
【００１０】
また本発明に係る塗布膜形成装置は、塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液を基板に塗布するための塗布ユニットと、
基板を載置するための載置部が内部に設けられた密閉容器と、
塗布ユニットと密閉容器との間で基板を搬送する搬送手段と、
前記密閉容器に排気路を介して接続され、該密閉容器内を減圧雰囲気にして、基板上の塗布液から溶剤を揮発させるための真空排気手段と、
前記密閉容器または排気路の途中に接続され、排気路に乾燥用の気体を供給して前記排気路内に結露した溶剤の除去を行うためのガス供給路と、
このガス供給路と前記真空排気手段との間を開閉するための流路開閉部と、
排気路内に結露した溶剤の量が多くなったと判断したときに、密閉容器内に基板が存在しない状態において前記流路開閉部を制御してガス供給路と真空排気手段とを連通させ、乾燥用のガスを排気路内に通流させるための制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
またガス供給路を排気路の途中に接続し、流路開閉部をガス供給路と真空排気手段との間を連通し且つ密閉容器とガス供給路との間を閉じた状態と、ガス供給路と排気路との間を閉じた状態とし且つ密閉容器と真空排気手段との間を連通した状態と、の一方を選択するためのバルブにより構成してもよい。このバルブの具体例としては三方弁を挙げることができ、これを排気路とガス供給路との接続部位に設けることで上述した２つの状態に連通する方向を切り替えることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布膜形成方法を実施するための塗布膜形成装置について説明する。先ずこの装置の全体構成について図１〜図３を参照しながら簡単に説明する。図中２１はカセットステーションであり、例えば２５枚のウエハＷを収納したカセットＣを載置するカセット載置部２２と、載置されたカセットＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアーム２３とが設けられている。この受け渡しアーム２３の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されている。処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２５が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット３１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。
【００１３】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、塗布ユニット３１の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは例えば図３に示すように塗布ユニット３１にて表面に塗布液が塗られたウエハＷを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット３２、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット３３、ウエハＷを冷却する冷却ユニット３４等が含まれる。なお棚ユニットＵ３については、ウエハＷを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット３５も組み込まれる。また、上述した主搬送手段２５は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット３１及び棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニット間でウエハＷの受け渡しを行うことが可能となっている。
【００１４】
次に図４及び図５を参照して塗布ユニット３１の説明を行う。ここでは塗布ユニット３１の外装体をなす筐体を省略するが、この図示しない筐体内には、例えば側方にウエハＷの搬入出用の開口部（図示せず）が形成された中空のケース体４１が設けられ、その内部にはウエハＷを裏面側から真空吸着して水平保持するウエハ保持部４２と、このウエハ保持部４２を下方側から支持すると共に、塗布処理時にはウエハ保持部４２を鉛直軸周りに回転させる回転機構４３とが設けられている。ケース体４１の天井部にはＸ方向に延びるスリット４４が形成されており、このスリット４４の上方には、塗布液であるポリイミド液を供給するためのノズル４５が、下部側先端の吐出孔４５ａがスリット４４を介してケース体４１内に突出した状態で駆動部４６によりＸ方向に移動できるように構成されている。
【００１５】
次いで図６を参照しながら、減圧乾燥ユニット３２の構成について説明する。図中５１はウエハＷを載置する載置部であり、その上部には蓋体５２が設けられている。この蓋体５２は保持アーム５３ａや駆動部５３ｂ等からなる昇降機構５３の働きにより昇降自在とされており、下降時には前記載置部５１の周縁部とシール材であるＯリング５０を介して気密に接合し、ウエハＷの置かれる雰囲気を密閉雰囲気とする密閉容器５を構成するようになっている。
【００１６】
載置部５１の内部には、図示しないウエハ搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しができるように３本のリフトピン５４が貫通して設けられ、このリフトピン５４は昇降板５５を介して例えばエアシリンダなどの昇降部５６により昇降できるようになっている。またウエハＷの置かれる雰囲気がリフトピン５３の貫通孔５４ａを介して大気側と連通するのを防ぐため、昇降板５５の周縁部と載置部５１との間にはベローズ５６ａが設けられている。
【００１７】
載置部５１の表面近傍には、減圧乾燥時にウエハＷを加熱するための例えば抵抗加熱体などにより構成されるヒータ５７が埋設されている。一方、蓋体５２の天井部５２ａには密閉容器５内の雰囲気を吸引できるように開口部５８が形成され、また蓋体５２内のウエハＷと対向する空間には、載置部５１に載置されるウエハＷと対向すると共に蓋体５２の天井部５２ａ及び側壁５２ｂのいずれとも隙間を有するように板状の整流部材である邪魔板５９が設けられており、これにより、減圧乾燥時には蓋体５２の内壁面に沿って均一な排気流が形成されるようになっている。
【００１８】
前記開口部５８には例えばステンレスにより構成される排気路をなす排気管６が接続されており、該排気管６の他端側は減圧乾燥ユニット３２の図示しない筐体及び処理部Ｓ１の筐体２４を貫通し、例えばクリーンルーム内に設けられる真空排気手段である真空ポンプ６１へとバルブＶ１を介して接続している。また排気管６は蓋体５２から垂直に立ち上がり、更に水平に屈曲しており、この屈曲部にて乾燥用のガスを排気管６内に供給するためのガス供給路６ａが接続されている。またガス供給路６ａの他端側は、バルブＶ２を介してガス供給手段６２へと接続されている。
【００１９】
前記屈曲部から密閉容器５に至る排気路に６ｂの符号を付すことにすると、前記屈曲部には、ガス供給路６ａと排気路６ｂとのいずれか一方を封止すると共に他方を開放する流路開閉部をなす三方弁６３が介設されており、ガス供給路６ａ側を封止することで密閉容器５と真空ポンプ６１とが連通し、排気路６ｂ側を封止することでガス供給手段６２と真空ポンプ６１とが連通するように構成されている。ところで排気管６における三方弁６３を設ける位置は、減圧乾燥により揮発した塗布液中の溶剤がクリーンルーム雰囲気の影響を受けて結露する部位よりも上流側であることが好ましく、この例では結露した溶剤が排気管６の前記水平部位にて溜まることから、三方弁６３を前記屈曲部位に配置し、排気管６内へ乾燥用ガスの供給ができるようにしている。また、三方弁６３にて封止する排気管６の通流方向（ガス供給路６ａ，排気路６ｂ）の切り替えは制御部７からの制御信号に基づいて行うことができるように構成されている。
【００２０】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入されると、受け渡しアーム２３によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け渡しアーム２３から棚ユニットＵ２中の受け渡しユニット３５を介して主搬送手段２５へと受け渡され、塗布ユニット３１内に搬入される。塗布ユニット３１内に搬入されたウエハＷは、ウエハ保持部４２にて裏面側を吸着され概ね水平に保持される。そしてノズル４５をウエハＷ中心の上方に位置決めした後、ポリイミド液の吐出を開始すると共に回転するウエハＷの中心から外縁側へ向かって徐々に移動させ、螺旋状の模様を描いていく。
【００２１】
次いでレジスト液の塗布が行われたウエハＷは、主搬送手段２５にて減圧乾燥ユニット３２へ搬送される。この減圧乾燥ユニット３２へのウエハＷの搬入は、先ず蓋体５２が上昇した状態で主搬送手段２５の図示しないアームが載置部５１の上方まで進入し、リフトピン５４を上昇させて該アームからウエハＷを受け取った後、このリフトピン５４を下降させて行う。
【００２２】
しかる後、蓋体５２を下降させて密閉容器５を構成し、減圧乾燥を開始する。このとき三方弁はガス供給路６ａを封止し、密閉容器５と真空ポンプ６１とを連通させる状態にあり、ヒータ５７にて例えば５０℃程度にウエハＷを加熱すると共にバルブＶ１を開いて真空ポンプにより密閉容器５内の吸引を開始し、ウエハＷの置かれる雰囲気を例えば１３．３Ｐａの減圧雰囲気とする。ウエハＷ表面に塗布されたポリイミド液（塗布液）は、塗布膜の成分であるポリイミド成分を例えばＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等の溶剤に溶解させたものであるが、この溶剤は減圧雰囲気下に置かれることにより激しく揮発し、開口部５８及び排気路６ｂを介して排気管６側に吸引される。このとき密閉容器５内の排気流は、既述のように邪魔板５９を迂回するように形成されるため、ウエハＷから揮発する溶剤蒸気は邪魔板５９にぶつかって外方側に向きを変え、この排気流と共に径方向に均一に広がって開口部５８へ向かう。
【００２３】
こうしてウエハＷ表面は短時間で乾燥され、乾燥処理終了後には図示しないガス供給源を介して例えば乾燥した空気や窒素ガスなどで密閉容器５内をパージし、密閉容器５内を大気圧に戻す。そして蓋体５２を上昇させ、減圧乾燥ユニット３２への搬入時と逆順の工程を経て、ウエハＷは主搬送手段２５により搬出される。
【００２４】
ここで再び減圧乾燥ユニット３２に話を戻し、図７を参照しながら排気管６における溶剤除去作業について説明する。先ず処理開始後まもなくは図７(a)に示すように揮発した溶剤は真空ポンプ６１側へ吸引されており、減圧乾燥は所定の時間内に行われている。しかし、水平部分は例えば２３℃程度に維持されるクリーンルーム側の温度の影響を受けるため、揮発した溶剤のうち極微量がこの部分にて結露し、排気管６内に付着する。
【００２５】
結露した溶剤は再び揮発していくが、その一方で新たな結露が生じており、新たに結露する量は一旦結露した溶剤の揮発量を上回るため、減圧乾燥処理を何枚も繰り返すうちに、図７(b)に示すように排気管６内に溜まった溶剤Ｒの量が増えていく。このとき制御部７では減圧乾燥を行ったウエハＷの枚数をカウントしており、この枚数が一定量に達したことを認識した時点で減圧乾燥処理を一時停止する。
【００２６】
そして制御部７は、三方弁６３を切り替えて排気路６ｂを封止すると共にガス供給路６ａを排気管６と連通させ、またバルブＶ１及びＶ２を開くように制御を行う。これによりガス供給手段６２からガス供給路６ａ内へ不活性ガス例えば窒素ガスの供給が行われ、ガス供給路６ａ及び排気管６内に充満した窒素ガスは真空ポンプ６１により吸引されるため、図７（ｃ）に示すように排気管６内に付着した溶剤Ｒを真空ポンプ６１側へと吸引し、排気管６内の溶剤が除去される。除去作業に必要な時間は、例えば予め把握しておいたこの除去作業を行うまでに処理したウエハＷの枚数と、その枚数に応じた溶剤除去に要する時間との関係に基づき決定される。
【００２７】
このようにして所定時間の除去作業が行われた後、バルブＶ１，Ｖ２を閉じることで排気管６における窒素ガスの供給及びその吸引（排出）がストップし、三方弁６３を除去作業開始以前の状態へと戻す（切り替える）。そして作業開始前にカウントしていた処理済みウエハの枚数をゼロに戻して、減圧乾燥処理を再開する。
【００２８】
上述実施の形態によれば、減圧乾燥ユニット３２の排気管６に結露した溶剤を定期的に除去することができるため、ウエハＷの減圧乾燥時に結露分の溶剤から揮発する量が少なくなる。このためウエハＷ上の塗布膜から溶剤の揮発を活発に行うことができ、乾燥処理を速やかに行うことができるので高いスループットが得られる。
【００２９】
なお上述実施の形態のように塗布膜形成装置に減圧乾燥ユニット３２が複数基設けられているときには、制御部７にて例えば以下のように制御を行うことが好ましい。即ち、例えば主搬送手段２５が塗布ユニット３１からウエハＷを一つの減圧乾燥ユニット３２に搬送しようとするときに、当該一の減圧乾燥ユニット３２において排気管６内の溶剤除去作業をしているときには、主搬送手段２５はその溶剤除去作業の終了を待つことなく当該減圧乾燥ユニット３２以外の他の減圧乾燥ユニット３２へとウエハＷの搬送を行うようにする。
【００３０】
塗布液の塗布が行われたウエハＷは、表面の液膜の状態を維持したままできるだけ短時間で減圧乾燥ユニット３２へ搬送し、溶剤を表面全体から均一且つ速やかに揮発させることが必要である。このため、上述のように制御することで塗布済みのウエハＷを待機させる時間を少なくすることができ、膜厚、膜質の面内均一性を高くすることができる。
【００３１】
また、減圧乾燥ユニット３２は例えば図８に示すように構成してもよい。本実施の形態は減圧乾燥ユニット３２内に、例えば昇降、進退及び鉛直軸周りに回転自在なウエハ搬送手段８０と、密閉容器５の下方側に待機部８とを設けたものであり、待機部８は例えば塗布液中の溶剤の揮発を抑えるように温湿度調整をし、或いは更に溶剤蒸気を充満させたケース８１体内に載置台８２を設けた構成とされている。なお８１ａはドアである。
【００３２】
このような構成によれば、例えば当該減圧乾燥ユニット３２において排気管６の溶剤除去作業を行っていたときに、主搬送手段２５にてウエハＷを一旦待機部８に搬入しておき、ウエハＷ表面に塗布された液膜の状態を維持したまま溶剤除去作業の終了を待ち、溶剤除去作業終了後、ウエハ搬送手段８０にて速やかにウエハＷを密閉容器５へと受け渡して減圧乾燥に移行させることができる。
【００３３】
但し本実施の形態は、ウエハ搬送手段８０を設けず主搬送手段２５にて待機部８から密閉容器５へのウエハＷの受け渡しを行うようにしてもよいが、ウエハ搬送手段８０を用いれば主搬送手段２５の負担が小さくなり、スループットを高めることができる。また待機部８は、溶剤除去作業が行われているときだけではなく、例えば塗布膜形成装置に設けられる他の減圧乾燥ユニット３２が作業中であるときにウエハＷを待機させるように用いてもよい。
【００３４】
また減圧乾燥後、密閉容器５では蓋体５２を上昇させてウエハＷを取り出す前に既述のように該密閉容器５内に空気や窒素ガスなどによるパージを行い、大気圧に戻す工程が行われるが、このパージ用のガスはガス供給手段６２から供給するようにしてもよいし、ガス供給手段６２とは別経路で供給するようにしてもよい。
【００３５】
即ち、前者の場合は減圧乾燥時に真空ポンプ６１と密閉容器５とを連通させていた三方弁６３の向きを切り替え、ガス供給手段６２と密閉容器５とを連通させると共に密閉容器５内のパージを行って密閉容器５内の圧力を大気圧に戻す。一方、後者の場合にはここでは図示を省略するが、例えば図６における蓋体５２の天井部近傍にパージ用のガス供給手段を設ける構成とし、減圧乾燥終了後、このガス供給手段から密閉容器５内が大気圧になるまで例えば窒素ガスによるパージを行う。
【００３６】
以上において供給管６内の溶剤を除去するタイミングについては、制御部７にて乾燥処理を行ったウエハの枚数をカウントし、この枚数に基づき判断するようにしたが、このタイミングの判断は減圧乾燥に要する時間が一定以上とならないようにすることが目的であるため、例えば排気管６内に付着した溶剤の量を把握するために例えばＣＣＤカメラ等の監視手段を設け、一定量以上となる時期を見極めるようにしてもよいし、或いは予め処理枚数と乾燥に要する時間との相関関係を把握しておき、当該データに基づいて溶剤除去が必要となるまでに処理するウエハ枚数を前もって決めておくようにしてもよい。
【００３７】
また溶剤除去に際し、ガス供給手段６２から供給する気体は窒素ガスに限定されるものではなく、例えば乾燥空気であってもよい。また気体は溶剤が揮発し易いように暖めたものを用いるようにしてもよい。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、塗布膜形成装置に設けられる基板の減圧乾燥装置において、高いスループットを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図２】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視図である。
【図３】上記の実施の形態において用いられる棚ユニットの構成について示す概略断面図である。
【図４】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニットを説明するための縦断面図である。
【図５】上記の塗布ユニットを説明するための平面図である。
【図６】上記の棚ユニットに組み込まれる減圧乾燥ユニットについて示す縦断面図である。
【図７】本実施の形態の作用を説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る他の実施の形態を説明するための説明図である。
【図９】従来発明について説明する説明図である。
【図１０】従来発明における減圧乾燥装置を説明する概略断面図である。
【図１１】従来発明における課題を説明するための説明図である。
【符号の説明】
Ｃ    カセット
Ｗ    ウエハ
Ｓ１  処理部
Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３  棚ユニット
２１  カセットステーション
２５  主搬送手段
３１  塗布ユニット
３２  減圧乾燥ユニット
４１  ケース体
４２  ウエハ保持部
４３  回転機構
４５  ノズル
４６  駆動部
５    密閉容器
５１  載置部
５２  蓋体
６    排気管
６ａ  ガス供給路
６ｂ  排気路
６１  真空ポンプ
６２  ガス供給手段
６３  三方弁
【図１】
0003739287.tif 000002
【図２】
0003739287.tif 000003
【図３】
0003739287.tif 000004
【図４】
0003739287.tif 000005
【図５】
0003739287.tif 000006
【図６】
0003739287.tif 000007
【図７】
0003739287.tif 000008
【図８】
0003739287.tif 000009
【図９】
0003739287.tif 000010
【図１０】
0003739287.tif 000011
【図１１】
0003739287.tif 000012