(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単色Ｘ線を所定の入射角度で薄膜試料に入射させて前記試料から発生される散乱Ｘ線の出射角に対する強度分布を測定し、前記強度分布の極大値又は極小値を与える出射角の組み合わせを用いて薄膜の膜厚を求めることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析方法。
【請求項２】
請求項１記載のＸ線薄膜膜厚解析方法において、
前記単色Ｘ線の波長をλ、前記薄膜の全反射臨界角をθｃとするとき、前記強度分布の隣り合う極大値と極小値を与える出射角α１，α２から、薄膜の膜厚ｔを下式により求めることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析方法。
ｔ＝λ／｛２｜（α１２ −θｃ２）１／２−（α２２−θｃ２）１／２｜｝
【請求項３】
請求項１記載のＸ線薄膜膜厚解析方法において、
散乱Ｘ線強度の角度分布をフーリエ変換して得られるピーク周波数から薄膜の膜厚を求めることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析方法。
【請求項４】
請求項３記載のＸ線薄膜膜厚解析方法において、
前記ピーク周波数をｈとするとき、薄膜の膜厚ｔを下式により求めることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析方法。
ｔ＝λｈ／２π
【請求項５】
Ｘ線源と、ゴニオメーターと、試料支持台と、Ｘ線検出器と、前記Ｘ線検出器の信号が入力される信号処理手段とを備えるＸ線薄膜膜厚解析装置において、
前記Ｘ線検出器は所定の出射角範囲で試料から発生される散乱Ｘ線強度を測定可能であり、前記信号処理手段は、前記試料支持台に保持された薄膜試料に前記Ｘ線源から発生した単色Ｘ線を一定の入射角度で入射させたとき前記Ｘ線検出器で測定した前記散乱Ｘ線の出射角に対する強度分布の極大値又は極小値を与える角度の組み合わせを用いて試料の膜厚を求める演算処理を行うものであることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析装置。
【請求項６】
請求項５記載のＸ線薄膜膜厚解析装置において、
前記試料支持台は少なくとも２次元方向に移動可能であり、前記試料支持台を２次元方向に移動して試料へのＸ線入射位置を走査することにより薄膜試料の膜厚をマッピングする機能を有することを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析装置。
【請求項７】
請求項５又は６記載のＸ線薄膜膜厚解析装置において、
前記Ｘ線検出器として位置敏感型検出器又は２次元検出器を用いることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析装置。
【請求項８】
請求項５、６又は７記載のＸ線薄膜膜厚解析装置において、
前記Ｘ線源と前記ゴニオメーターとの間にＸ線フィルタ又はＸ線分光器を設置したことを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析装置。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項記載のＸ線薄膜膜厚解析装置において、
入射Ｘ線を試料表面に集光させる集光鏡を備えることを特徴とするＸ線薄膜膜厚解析装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線を用いた薄膜の膜厚計測方法及びそのための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜材料は半導体、磁気ディスク等の多くの分野のデバイスに用いられている。デバイスの特性は、薄膜の膜厚や密度、結晶構造、ラフネスなどによる影響を大きく受けるため、これらの計測はデバイスの開発に当たって、あるいは製造されるデバイスの特性を均一に保つために重要である。
【０００３】
このうち膜厚は従来は触針法で求められていたが、非破壊での計測が重要視され、蛍光Ｘ線法、エリプソメトリ法が用いられるようになっている。また、最近では、Ｘ線を用いた薄膜の膜厚計測方法としてＸ線反射率法が注目されている。これは試料表面すれすれに単色で平行性のよいＸ線を入射し、入射角＝出射角の条件で、反射（鏡面反射）されたＸ線の強度を測定する手法である。測定される反射強度は、試料表面及び薄膜界面で反射されたＸ線が互いに干渉するため、入射角（＝出射角）に従って振動する。この振動構造を解析して薄膜の膜厚を求める方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
Ｘ線反射率法は有用な膜厚計測法ではあるが、Ｘ線を試料表面すれすれに入射させる必要があるため、幅ｗのＸ線ビームは試料表面でｗ／sinω（ω：入射角）だけ広がってしまう。実際の測定では、入射角ωを臨界角（０．１〜０．２°）程度から、１〜２°程度まで変化させる。このため実用的に用いられている幅ｗ＝０．０５ｍｍのＸ線ビームでは、試料上の測定領域は１０ｍｍ程度（入射角：臨界角近傍）から１〜２ｍｍ（入射角：２〜１°）まで変化する。このため面内の構造が不均一な試料や、サイズの小さな試料に対しては高精度な測定を行うことができない。
【０００５】
その解決策として、入射角や出射角に連動してＸ線ビームの出射スリット幅を変える方法が考案されているが、この方法では制御機構が複雑になるとともに、実用上のスリット幅も極端に狭くできないので１ｍｍ以下の微小領域の測定は困難である。
Ｘ線反射率法で入射角を０．５°〜１°と大きくとり、しかも入射角の走査範囲を狭くすることにより試料表面でのＸ線の広がりと照射領域の変化を小さくすることは可能であるが、この方法では入射角の４乗に反比例して正反射の強度が減衰することと、表面のラフネスが大きい試料は入射角に対する強度の減少が著しいため、膜厚の決定精度が低下する。また、入射角を０．５°〜１°とし、しかも入射角の走査範囲を狭くしたＸ線反射率法では１点の計測に１〜２時間程度必要となり、膜厚のマッピングには多大な計測時間を必要とする。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み、より高精度で迅速な膜厚マッピング方法とそのための装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、薄膜試料の表面に単色Ｘ線を一定の入射角で入射させ、試料から散乱されるＸ線を測定する実験を行う過程で、散乱Ｘ線の強度が図２に例示するように出射角依存性を示す現象を見出した。本発明は、この散乱Ｘ線の強度分布の振動構造が薄膜の表面で散漫散乱されたＸ線と薄膜の裏面で散漫されたＸ線の干渉に起因することを突き止め、この振動構造から膜厚を求めることができることを見出して完成されたものである。
【０００８】
図１（ａ）は散乱Ｘ線の強度分布測定のための装置の概略図、図１（ｂ）は図１（ａ）中の円で示した部分の拡大図であり、薄膜でのＸ線の散乱を説明する図である。
Ｘ線源１で発生したＸ線はＸ線分光器２で単色化された後、スリット３で幅と高さを制限され、入射Ｘ線４となる。この入射Ｘ線４を入射角ωで基板７上に薄膜６が形成された試料５に入射する。試料表面での入射Ｘ線４の幅Ｄは、入射Ｘ線４の幅をｗとすると、Ｄ＝ｗ／sinωとなる。入射Ｘ線４は試料表面で屈折され、角度ω′になって薄膜６の中に入る。薄膜６中に入ったＸ線は、薄膜６と基板７の界面で角度α′に散乱される。界面で散乱されたＸ線８は、薄膜６の表面で屈折し、出射角αで空気中に出射する。試料表面で角度αに散乱されたＸ線９と、薄膜６と基板７の界面で散乱されて出射角αで空気中に出射したＸ線８は干渉して散乱Ｘ線１０になる。
【０００９】
散乱Ｘ線１０の強度をＸ線検出器１１で出射角を変えながら計測すると、図２に示すような散乱Ｘ線の強度分布が得られる。図２中、矢印１２で示すピークは鏡面反射ピークであり、矢印１３の部分は臨界角に最大強度を有するヨネダ・ウイング（Yoneda wing）と呼ばれる散乱ピークである。散乱強度には、これらのピーク以外に振動構造１４が見られる。
【００１０】
図２は、ガラス基板７の上にパーマロイ膜６を蒸着した試料５からの波長λ＝０．１５４ｎｍのＸ線の散乱強度分布であり、この試料を従来のＸ線反射率法により膜厚を計測した結果、パーマロイ膜６の膜厚は４９．４ｎｍであった。
次に、散乱Ｘ線強度の振動構造１４を薄膜６の界面で散漫散乱されたＸ線の干渉現象として説明する。
【００１１】
図１を参照して、屈折率が（１−δ）で膜厚ｔである薄膜６に細いＸ線４を入射角ωで入射させた場合を考える。Ｘ線の波長をλ、入射角ωは、薄膜の臨界角をθc として、ω＞θc とする。屈折の効果により試料中での入射角をω′、出射角をα′とすると、薄膜６の表面で散乱されたＸ線と、基板７と薄膜６の界面で散乱されたＸ線の光路差は、薄膜６の密度が基板７の密度より大きい場合は次の〔数１〕のようになり、薄膜６の密度が基板７の密度より小さい場合は次の〔数２〕のようになる。
【００１２】
【数１】
ｔ（１−δ）（sinω′＋sinα′）＋０．５λ
【００１３】
【数２】
ｔ（１−δ）（sinω′＋sinα′）
表面で散乱されたＸ線と界面で散乱されたＸ線は相互に干渉するため、出射角を変えると散乱強度が振動する。この振動構造の強度の極大値、又は強度の極小値を与える角度αと膜厚ｔには、Ｘ線の波長をλ、入射角をω、薄膜の臨界角をθc とすると、近似的に次の〔数３〕の関係が成り立つ。
【００１４】
【数３】
α2＝θc2＋｛−（θc2−ω2）1/2＋λ（Ｎ−１）／２ｔ｝2
ここで、Ｎは干渉の次数を表す整数であり、密度の大きい薄膜から密度の小さい基板に入る場合には、Ｎが偶数のとき角度αで強度が極大となり、Ｎが奇数のとき角度αで強度が極小になる。逆に、密度の小さい薄膜から密度の大きい基板に入る場合には、Ｎが偶数のとき角度αで強度が極小となり、Ｎが奇数のとき角度αで強度が極大となる。
【００１５】
前記〔数３〕を利用すると、散乱強度の極大値又は極小値を与える角度αの組を用いて薄膜６の膜厚ｔを求めることができる。一例として、振動構造の隣接する強度の極大値と極小値を与える角度をα1，α2とすると、膜厚ｔは角度α1，α2を用いて次の〔数４〕のように表すことができる。
【００１６】
【数４】
ｔ＝λ／｛２｜（α12−θc2）1/2−（α22−θc2）1/2｜｝
図２の計測例の場合、パーマロイ膜の臨界角θc は０．３９２５°（６．８４８×１０-3ｒａｄ）であり、α1とα2の組としてα1＝０．７０１°（１．２２３×１０-2ｒａｄ），α2＝０．７７７°（１．３５６×１０-2ｒａｄ）を採用し、これらの値を〔数４〕に当てはめると、次式〔数５〕のように膜厚ｔは４９．１ｎｍと求められる。この結果は、従来のＸ線反射率法で求めた膜厚４９．４ｎｍとよく一致している。
【００１７】
【数５】
ｔ＝０．１５４１／〔２｜｛（１．２２３×１０-2）2−（６．８４８×１０-3）2｝1/2−｛（１．３５６×１０-2）2−（６．８４８×１０-3）2｝1/2｜〕≒４９．１
ここで、試料を移動可能な試料支持台に固定し、試料支持台を移動しながら測定することにより、試料の膜厚をマッピングすることが可能となる。膜厚のマッピングに際しては、測定時間短縮の観点から、Ｘ線検出器として位置敏感型Ｘ線検出器又は２次元Ｘ線検出器を用いるのが実用的である。
【００１８】
また、〔数３〕の振動は、Ｃを定数とし、試料中での出射角α′を用いて次の〔数６〕のように表すことができる。
【００１９】
【数６】
cos(２πｔα′／λ＋Ｃ)
そこで、得られた計測結果からベース成分を差し引き、振動成分を抽出し、これをフーリエ解析する。フーリエ変換して得られるピークの位置（周波数）から試料の膜厚ｔを次のように求めることができる。すなわち、フーリエピークの位置をｈとすると、〔数６〕より、２πｔα′／λ＝ｈα′となる。したがって、膜厚ｔは、次の〔数７〕で与えられる。
【００２０】
【数７】
ｔ＝λｈ／２π
以上述べてきた薄膜膜厚解析方法は、基板の上に一層膜がある場合のものである。基板上に複数膜がある場合は、それぞれの膜の界面で散乱Ｘ線が発生するため、前述の〔数１〕〜〔数４〕が各界面間で成り立つ。振動のピーク位置を界面の数より多く選ぶことにより、例えば各界面間の式〔数４〕の連立方程式を解くことにより、複数の膜のそれぞれの膜厚を求めることができる。
【００２１】
また、フーリエ解析する場合は、試料中での出射角α′をそれぞれの膜の屈折率で補正した後フーリエ変換する。フーリエ変換して得られた複数のピーク位置からそれぞれの膜厚を求めることができる。複数層を挟んだ界面からの散乱は、屈折率としてそれぞれの膜の屈折率の膜厚の加重平均を用いることにより、干渉している界面間の距離（各層の合計膜厚に対応）が得られる。
【００２２】
例えば、多層膜（Ａ膜／Ｂ膜／Ｃ膜）の場合、散乱は表面、Ａ／Ｂ界面、Ｂ／Ｃ界面で発生し、互いに干渉する。このため、フーリエピークは、表面−Ａ／Ｂ界面、表面−Ｂ／Ｃ界面、Ａ／Ｂ−Ｂ／Ｃ界面の干渉に対応したピークが得られる。フーリエ変換のとき横軸をα′に変換する必要がある。表面−Ａ／Ｂ界面の干渉からＡ膜の膜厚を求めるときはθc としてＡ膜の値を用い、Ａ／Ｂ−Ｂ／Ｃ界面の干渉からＢ膜の膜厚を求めるときはθc としてＢ膜の値を用いる。表面−Ｂ／Ｃ界面の干渉を利用するときはθc にＡ膜のθc とＢ膜のθc を膜厚で加重平均した値を用いることにより、Ａ膜とＢ膜を足した膜厚を求めることができる。
【００２３】
上述のように、本発明のＸ線薄膜膜厚解析方法は、単色Ｘ線を所定の入射角度で薄膜試料に入射させて試料から発生される散乱Ｘ線の出射角に対する強度分布を測定し、強度分布の極大値又は極小値を与える出射角の組み合わせを用いて、又は散乱Ｘ線強度の角度分布をフーリエ変換して得られるピーク周波数を用いて薄膜の膜厚を求めることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、Ｘ線源と、ゴニオメーターと、試料支持台と、Ｘ線検出器と、Ｘ線検出器の信号が入力される信号処理手段とを備えるＸ線薄膜膜厚解析装置において、Ｘ線検出器は所定の出射角範囲で試料から発生される散乱Ｘ線強度を測定可能であり、信号処理手段は、散乱Ｘ線の出射角に対する強度分布の極大値又は極小値を与える角度の組み合わせを用いて試料の膜厚を求める演算処理を行うものであることを特徴とする。
【００２５】
試料支持台を少なくとも２次元方向に移動可能とし、試料支持台を２次元方向に移動して試料へのＸ線入射位置を走査することにより薄膜試料の膜厚をマッピングすることができる。
Ｘ線検出器としては位置敏感型検出器又は２次元検出器を用いるのが好ましい。Ｘ線源とゴニオメーターとの間には、Ｘ線を単色化するためのＸ線フィルタ又はＸ線分光器を設置することもでき、入射Ｘ線を試料表面に集光させる集光鏡を備えることもできる。
【００２６】
本発明のＸ線薄膜解析方法あるいはＸ線薄膜膜厚解析装置によると、試料表面での測定領域の変化無く、薄膜の膜厚を求めることが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図３は、本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の一例を示す全体構成図である。Ｘ線源で発生したＸ線はＸ線フィルタ又はＸ線分光器（図示せず）で単色化し、スリット３で幅２０μｍ高さ１ｍｍの短冊状の入射Ｘ線４に形成し、試料５に入射角２°で入射することにより、試料表面でのＸ線照射領域を１ｍｍ×１ｍｍに制限することができる。
【００２８】
試料５はＸＹステージ付き試料支持台１５に固定されたゴニオメーター１６のω軸上に配置されている。また、ω軸と同軸の２θアーム１７は、２θアーム１７上に配置したスリット１８とＸ線検出器の一種であるＮａＩシンチレーションカウンター１９を動かす軸となっている。ゴニオメーター１６の各軸とＸＹステージ付き試料支持台１５のＸ、Ｙ軸はパルスモーターで駆動されており、その制御はドライバー／コントローラ２０を介してコンピューター２１で行っている。またＮａＩシンチレーションカウンター１９で計測したＸ線強度はスケラー／チャンネルアナライザー２２を経由してコンピューター２１に取り込み、その結果を画像表示部２３に示す構成になっている。
【００２９】
この装置を用いて入射角（ω軸）を１°に固定し、２θアーム１７を走査して散乱Ｘ線１０の強度分布をを測定した。散乱強度分布は横軸を散乱角、縦軸を強度として、図２に示すような測定結果が得られた。散乱強度にみられる振動構造１４の隣接する極小値と極小値、極大値と極大値を与える角度から前記〔数３〕や〔数４〕を用いて計算することにより、あるいは計測結果をフーリエ変換して得られるフーリエピークの位置から前記〔数７〕を用いて膜厚を求めることができる。
【００３０】
このＸ線薄膜膜厚解析装置を用いれば、測定中の入射角変化がないため、試料表面での測定領域の変化が無く薄膜の膜厚を求めることが可能である。そのため試料を面内で走査し、Ｘ線の照射位置を変えて計測し、前記〔数３〕や〔数４〕や〔数７〕を用いた解析を測定各点で行うことにより、試料面内の膜厚マッピングを行うことができる。この膜厚マッピングは、前述のように、面内分解能１ｍｍ×１ｍｍ程度で行うことができる。
【００３１】
図４は、本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の他の例を示す全体構成図である。Ｘ線源で発生したＸ線はＸ線フィルタ又はＸ線分光器（図示せず）で単色化され、スリット３で幅２０μｍ高さ１ｍｍの短冊状の入射Ｘ線４に形成され、試料５に入射角２°で入射することにより、試料表面でのＸ線照射領域を１ｍｍ×１ｍｍに制限することができる。
【００３２】
試料５は、ＸＹステージ付き試料支持台１５に固定され、ゴニオメーター１６のω軸上に配置されている。ω軸と同軸の２θアーム１７は、２θアーム１７上に配置した位置敏感型Ｘ線検出器の一種である位置敏感性比例計数管２４を動かす軸となっている。ゴニオメーター１６の各軸とＸＹステージ付き試料支持台１５のＸ、Ｙ軸はパルスモーターで駆動されており、その制御はドライバー／コントローラ２０を介してコンピューター２１により行われる。位置敏感性比例計数管２４で計測されたＸ線強度は、スケラー／チャンネルアナライザー２２を経由してコンピューター２１に取り込まれ、その結果が画像表示部２３に示される構成になっている。
【００３３】
この装置を用いて入射角（ω軸）を１°に固定し、散乱Ｘ線１０の強度を測定すると、散乱強度分布は横軸を位置敏感性比例計数管上の位置、縦軸を強度として測定される。位置敏感性比例計数管上の位置を散乱角に変換し、入射角だけ補正すると図２と同様な結果が得られた。散乱強度にみられる振動構造１４の隣接する極小値と極小値、極大値と極大値を与える角度から前記〔数３〕や〔数４〕を用いた計算により、あるいは計測結果をフーリエ変換して得られるフーリエピークの位置から前記〔数７〕を用いて膜厚を求めることができた。
【００３４】
この装置を用いることで、試料上の１点の計測時間を従来の１２０分から０．５分に短縮することができた。また、この装置を用いれば測定中の入射角変化がないため、試料表面での測定領域の変化無く薄膜の膜厚を求めることが可能となる。そのため、試料を面内で走査し、Ｘ線の照射位置を変えて計測し、前記〔数３〕や〔数４〕や〔数７〕を用いた解析を測定各点で行うことにより、試料面内の膜厚マッピングを行うことができる。試料面内の膜厚分布のマッピングは、面内分解能１ｍｍ×１ｍｍ程度で行うことができる。
【００３５】
図５は、本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の別の例を示す全体構成図である。図５は集光したＸ線を用いた例である。Ｘ線源で発生したＸ線はＸ線フィルタ又はＸ線分光器（図示せず）で単色化、平行ビーム化され、集光鏡２５で集光される。この集束Ｘ線２６を、スリット３で幅２０μｍ高さ０．５ｍｍの短冊状の入射Ｘ線４に形成し、試料５に入射角２°で入射することにより、試料表面でのＸ線照射領域を０．５ｍｍ×０．５ｍｍに制限することができた。
【００３６】
試料５はＸＹステージ付き試料支持台１５に固定されゴニオメーター１６のω軸上に配置されている。また、ω軸と同軸の２θアーム１７は、２θアーム１７上に配置した２次元検出器（ＣＣＤカメラ）２７を動かす軸となっている。ゴニオメーター１６の各軸とＸＹステージ付き試料支持台１５のＸ、Ｙ軸はパルスモーターで駆動されており、その制御はドライバー／コントローラ２０を介してコンピューター２１で行っている。また２次元検出器（ＣＣＤカメラ）２７の各チャンネルで計測したＸ線強度は、スケラー／チャンネルアナライザー２２を経由してコンピューター２１に取り込み、その結果を画像表示部２３に示す構成になっている。
【００３７】
この装置を用いて入射角（ω軸）を２°に固定し、散乱Ｘ線１０の強度を測定し縦方向に積算すると、散乱強度分布は横軸は２次元検出器（ＣＣＤカメラ）上の位置、縦軸は強度として測定される。２次元検出器（ＣＣＤカメラ）上の位置を散乱角に変換し、入射角だけ補正すると図２と同様の測定結果が得られた。
この図５の装置の場合、前述の図３又は図４の装置に比べて入射Ｘ線を集束していること、Ｘ線に角度広がりがあることにより、散乱Ｘ線の強度が増加した。しかし、散乱強度分布に見られる振動構造１４の周期は変化しなかった。したがって、前記装置と同様に、隣接する極小値と極小値、極大値と極大値を与える角度から前記〔数３〕や〔数４〕を用いて計算を行うことにより、あるいは計測結果をフーリエ変換して得られるフーリエピークの位置から前記〔数７〕を用いて試料の膜厚を求めることができた。
【００３８】
この装置によると、１点の計測時間を、前述の装置同様に従来の１２０分から０．５分に短縮することができた。また、この装置を用いれば測定中の入射角変化がないため、試料表面での測定領域の変化無く膜厚を求めることができる。これにより試料を面内で走査し、Ｘ線の照射位置を変えて計測し、前記〔数３〕や〔数４〕や〔数７〕を用いた解析を測定各点で行うことにより、試料面内の膜厚マッピングを行うことができる。この膜厚マッピングは、面内分解能１ｍｍ×１ｍｍ程度で行うことができる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、試料表面での測定領域の変化無く試料面内の各測定点で膜厚を求めることができ、試料を面内走査することで試料面内の膜厚マッピングを高精度かつ迅速に行うことができる。さらに、位置敏感型Ｘ線検出器又は２次元Ｘ線検出器を散乱強度の計測に用いることにより、１点の測定時間を短縮することができ、より迅速な膜厚マッピングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は散乱Ｘ線の強度分布測定のための装置の概略図、（ｂ）は（ａ）中の円で示した部分の拡大図であり、薄膜でのＸ線の散乱を説明する図。
【図２】散乱Ｘ線強度の出射角依存性を示す図。
【図３】本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の一例の全体構成図。
【図４】本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の他の例の全体構成図。
【図５】本発明によるＸ線薄膜膜厚解析装置の他の例の全体構成図。
【符号の説明】
１  Ｘ線源
２  Ｘ線分光器
３  スリット
４  入射Ｘ線
５  試料
６  薄膜
７  基板
８  界面で散乱されたＸ線
９  表面で散乱されたＸ線
１０  散乱Ｘ線
１１  Ｘ線検出器
１２  鏡面反射ピーク
１３  ヨネダ・ウイング
１４  振動構造
１５  ＸＹステージ付き試料支持台
１６  ゴニオメーター
１７  ２θアーム
１８  スリット
１９  ＮａＩシンチレーションカウンター
２０  ドライバー／コントローラ
２１  コンピュータ
２２  スケーラ／チャンネルアナライザー
２３  画像出力装置
２４  位置敏感性比例計数管
２５  集光鏡
２６  集束Ｘ線
２７  ２次元Ｘ線検出器（ＣＣＤカメラ）
【図１】
0003856500.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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