(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有する略板状をなし、製品形成領域と捨て領域とを有するコア基板本体と、
上記捨て領域内の上記表面および裏面にそれぞれ良好に密着した金属層と、
を有し、
上記金属層は、上記捨て領域内の上記コア基板本体の表面及び裏面のうち、少なくとも樹脂層非形成予定区域の略全面に形成されてなる
ビルドアップ多層基板用コア基板を用いるビルドアップ多層基板の製造方法であって、
樹脂層形成予定区域に、所定パターンの絶縁樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
上記絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、
を含む
ことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法。
【請求項２】
表面と裏面とを有する略板状をなし、製品形成領域と捨て領域とを有するコア基板本体と、
上記捨て領域内の上記表面および裏面にそれぞれ良好に密着した金属層と、
を有し、
上記金属層は、上記捨て領域内の上記コア基板本体の表面及び裏面のうち、少なくとも樹脂層非形成予定区域の略全面に形成されてなる
ビルドアップ多層基板用コア基板であって、
前記捨て領域のうち、前記製品形成領域と隣接する部位に、前記コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備える
ビルドアップ多層基板用コア基板を用いるビルドアップ多層基板の製造方法であって、
樹脂層形成予定区域に、所定パターンの絶縁樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
上記絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、
を含む
ことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法。
【請求項３】
ビルドアップ多層基板の製造方法であって、
表面と裏面とを有する略板状をなし、製品形成領域と捨て領域とを有するコア基板本体と、上記捨て領域内の上記表面および裏面にそれぞれ良好に密着した金属層と、を有するコア基板を用い、
上記製品形成領域を含む上記コア基板本体表面および裏面の少なくともいずれかに所定パターンの絶縁樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
上記絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、を含み、  上記樹脂層形成工程において、上記捨て領域のうち、上記コア基板本体の表面および裏面が露出する露出面を、略全面にわたって上記絶縁樹脂層で覆うことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のビルドアップ多層基板の製造方法であって、
前記コア基板は、前記捨て領域のうち、前記製品形成領域と隣接する部位に、前記コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備える
ことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載のビルドアップ多層基板の製造方法であって、
前記無電解メッキ層の材質が、前記金属層と略同一の金属成分からなる
ことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板、その片面あるいは両面に形成された絶縁層、および配線層を備えるビルドアップ多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コア基板を用いたビルドアップ多層基板の製造手法としては、種々の手法が知られているが、そのうちの一手法であるセミアディティブ法による形成手法を、図８、図９と共に、以下に説明する。
ビルドアップ多層基板２００を形成するため、予め、ビルドアップ多層基板用コア基板１００を用意する（図８（ａ）参照）。このコア基板１００は、ガラス−樹脂複合材料、例えば、ガラス繊維−ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂複合材料からなるコア基板本体１０１を備え、その表・裏面１０１ａ，ｂ間には貫通孔１０１ｈが形成されている。また、表面１０１ａ、裏面１０１ｂには所定パターンの配線層１０３ａ，ｂがそれぞれ形成され、貫通孔１０１ｈ内に形成されたスルーホール配線層１０３ｈを介して、配線層１０３ａ、ｂ間が導通されている。これらの配線層１０３ａ，ｂ，ｈはいずれもＣｕからなる。
【０００３】
まず、図８（ｂ）に示すように、このコア基板本体１０１の表裏面１０１ａ，ｂおよび貫通孔１０１ｈ内に感光性エポキシ樹脂ペーストを塗布して半乾燥させ、露光・現像後硬化させて、樹脂層１０４を形成する。この樹脂層１０４は、第１表面樹脂層１０４ａ、第１裏面樹脂層１０４ｂ、および孔内樹脂層１０４ｈからなり、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの所定位置には、それぞれビアホール１０４ａｖ，１０４ｂｖが形成され、各ビアホール１０４ａｖ，ｂｖの底面には配線層１０３ａ，ｂが露出している。
さらに、次述する無電解メッキとの密着性を向上させるために、過マンガン酸カリウムやクロム酸等の酸化剤を含む粗化剤を用いて、この第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの表面を粗化し、さらに、触媒核を付与しておく。
【０００４】
ついで、図８（ｃ）に示すように、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの表面全体に、それぞれＣｕ無電解メッキにより無電解メッキ層１０５ａ，ｂを薄く（１〜３μｍ程度）形成する。この無電解メッキ層１０５ａ，ｂにより、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの表面全体に導通性が付与される。
その後、図８（ｄ）に示すように、感光性メッキレジストを無電解メッキ層１０５ａ，ｂ上に形成し、さらに、所定パターンとなるように露光・現像して、レジスト層Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを形成する。
【０００５】
さらに、図９（ａ）に示すように、無電解メッキ層１０５ａ，ｂを共通電極として電圧を印加し、Ｃｕ電解メッキにより、レジスト層Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの形成されていない無電解メッキ層１０５ａ，ｂの露出部に電解メッキ層（厚さ１０〜２０μｍ程度）を析出させて厚さを増やし、第１表・裏面配線層１０６ａ，ｂをそれぞれ形成する。なお、レジスト層Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの下部では、無電解メッキ層１０５ａ，ｂの厚さが増えないことは言うまでもない。
ついで、図９（ｂ）に示すように、レジスト層Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを除去し、さらに、ソフトエッチングにより、レジスト層Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの下部にあった無電解メッキ層１０５ａ，ｂを除去して各配線層１０６ａ，ｂを分離・独立させる。
【０００６】
以降は、上記図８（ｂ）から図９（ｂ）を参照して説明した工程を繰り返すことにより、図９（ｃ）に示すように、第２表・裏面樹脂層１１４ａ，ｂおよび第２表・裏面配線層１１６ａ，ｂを形成する。以降同様にして樹脂層及び配線層を形成することができる。
そして、例えば、配線層を表・裏面側に、それぞれ３層（例えば、１０３ａ，１０６ａ，１１６ａ）形成し、図９（ｄ）に示すように、第３表・裏面樹脂層（表・裏面ソルダーレジスト層）１２４ａ，ｂを形成する。そしてさらに、その開口１２４ａｖ，ｂｖ内に露出する第２表・裏面配線層１１６ａ，ｂ上に、接続パッド１２７ａ，ｂを形成して、ビルドアップ多層基板２００を完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような手法等によりビルドアップ多層基板２００を形成するのにあたり、実際には、コア基板１００に、製品（ビルドアップ多層基板）を形成する領域の他、その上下左右あるいは周囲に、ハンドリングや位置決め等を容易にするため、製品とはしないで最終的に除去する部分（捨て領域、捨て代）を設けるのが通常である。
例えば、コア基板１００のコア基板本体１０１は、図１０（ａ）に示すように、平面視、略正方形状であり、製品であるビルドアップ多層基板を形成することが予定されている製品形成領域１０１Ｓと、その周囲の領域であって最終的には製品にならないで除去される捨て領域１０１Ｔとを備える。なお、本例では、最終製品で４つのビルドアップ多層基板が製造できるように、図１０（ａ）において実線および２点鎖線で囲む、小製品形成領域１０１Ｓ１，１０１Ｓ２，１０１Ｓ３，１０１Ｓ４の４つが隣接して田の字状（２段２列）に集まって、１つの製品形成領域１０１Ｓを構成している。また、捨て領域１０１Ｔは、この製品形成領域１０１Ｓを囲むように、ロ字状に形成されている。
【０００８】
このうち、製品形成領域１０１Ｓ（例えば、小製品形成領域１０１Ｓ３）におけるコア基板１００の構造は、図１０（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面のうち、Ｂ部の部分拡大断面図である図１０（ｂ）から判るように、上述したコア基板の構造である（図８（ａ）参照）。即ち、コア基板本体１０１の表裏面１０１ａ，ｂ間には貫通する貫通孔１０１ｈが形成され、表・裏面１０１ａ，ｂにはそれぞれ配線層１０３ａ，ｂが形成され、貫通孔１０１ｈ内に形成されたスルーホール配線層１０３ｈを介して、配線層１０３ａ、ｂ間が導通されている。
【０００９】
一方、捨て領域１０１Ｔにおけるコア基板１００の断面構造は、図１０（ｃ）から判るように、図示しない位置決め用マーク、品番表示マーク等の標識等が形成された部分を除き、コア基板本体１０１の表裏面１０１ａ，ｂが露出した状態である。なお、上述したように樹脂層１０４ａ，１０４ｂ，１１４ａ，１１４ｂ等を形成する際に、この樹脂層表面を平坦化するため、バフ研磨等を行うことがある。この際、製品形成領域１０１Ｓ全体にわたって、樹脂層１０４ａ等を平坦に加工するため、捨て領域１０１Ｔ内に、例えば、図１０（ｃ）に破線で示す如く、製品形成領域１０１Ｓを囲むロ字状に、金属層によるダミーパターン１０２を形成することもある。
【００１０】
実際には、かかるコア基板１００を用いて、上記した手法等によりビルドアップ多層基板２００を製造するのであるが、この場合に、以下のような問題が生じることが判った。
即ち、図１０に示すコア基板１００の製品形成領域１０１Ｓに、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂを形成し、Ｃｕ無電解メッキを施すと、製品形成領域１０１Ｓでは、図１１（ａ）に示すように、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの上面全面にわたって無電解メッキ層１０５ａ，ｂが形成される。これは、上述した通りである（図８（ｃ）参照）。一方、捨て領域１０１Ｔでは、図１１（ｂ）に示すように、コア基板本体１０１の表裏面１０１ａ，ｂに、直接無電解メッキ層１０５Ａ，Ｂが形成される。
【００１１】
ところで、製品形成領域１０１Ｓでは、無電解メッキに先立って、第１表・裏面樹脂層１０４ａ，ｂの表面を酸化剤で粗化し、無電解メッキ層１０５ａ，ｂとの密着性を向上させることが行われる。このため、無電解メッキ層１０５ａ，ｂが、その後に剥がれることはない。
【００１２】
一方、捨て領域１０１Ｔでも、同様に、コア基板本体１０１の表・裏面１０１ａ，ｂに酸化剤を接触させた後に、直接無電解メッキ層１０５Ａ，Ｂが形成されるが、ガラス繊維−ＢＴ樹脂複合材料からなるコア基板の表・裏面１０１ａ，ｂは、上記したような酸化剤によって粗化されにくい。メッキ液やエッチング液、あるいは酸化剤等に繰り返し晒されるため、コア基板本体１には、第１表・裏面樹脂層１０４等の材質よりも耐薬品性の高い材質が用いられるからである。
【００１３】
そのため、その後、例えば、その無電解メッキ工程やその後のレジスト塗布、露光、現像工程、電解メッキ工程、エッチング工程、さらに上層の樹脂ペースト塗布工程等において、図１１（ｂ）に示すように、無電解メッキ層１０５Ａ，Ｂの一部（電解メッキによって厚みを増した場合も含む）が金属薄片（以下、単に薄片ともいう）１０５ｐとなって剥離することがあった。この薄片１０５ｐが生じると、例えば、配線間を短絡させたり絶縁抵抗を低下させる場合が生じ、あるいは、露光時に薄片１０５ｐにより光が遮られて、レジストや樹脂層の露光パターン不良となる場合など各種の不具合が生じる。
【００１４】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされてものであって、本発明の目的は、製品形成領域と捨て領域のあるコア基板を用いてビルドアップ多層基板を形成する際に、捨て領域に形成された無電解メッキ層が剥がれてできた金属薄片による不具合を抑制、防止したビルドアップ多層基板用コア基板を用いたビルドアップ多層基板の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
まず、コア基板として、表面と裏面とを有する略板状をなし、製品形成領域と捨て領域とを有するコア基板本体と、上記捨て領域内の上記表面および裏面にそれぞれ良好に密着した金属層と、を有し、上記金属層は、上記捨て領域内の上記コア基板本体の表面及び裏面のうち、少なくとも樹脂層非形成予定区域の略全面に形成されてなることを特徴とするビルドアップ多層基板用コア基板を用いるのが好ましい。
【００１６】
上記構成を有するビルドアップ多層基板用コア基板では、コア基板本体のうち、捨て領域内の表裏面に良好に密着した金属層を備え、しかも、この金属層は、少なくとも樹脂層非形成予定区域の略全面に形成されている。
上記したように、コア基板の表面および裏面の少なくともいずれかには、ビルドアップ多層基板の製造工程において、絶縁樹脂層が形成され、その後、無電解メッキ層が形成される。この際に、絶縁樹脂層上に無電解メッキ層が形成されるばかりでなく、絶縁樹脂層が形成されない捨て領域内の表裏面にも無電解メッキ層が形成される。
ここで、このコア基板では、捨て領域内の樹脂非形成予定区域の略全面に金属層を備えるので、無電解メッキ層が、絶縁樹脂層上の他、この金属層上に堆積することとなる。この金属層上に堆積した無電解メッキ層は、金属層のないコア基板表裏面上に堆積したものに比較して、その下地（即ち、金属層）との密着強度が高く、したがって、無電解メッキ工程やその後の樹脂ペースト塗布その他の工程において、無電解メッキ層が剥がれて金属薄片が発生することが抑制・防止される。したがって、剥がれた金属薄片によって、短絡や露光パターン不良などの不具合を生じることがない。
【００１７】
ここで、金属層が良好に密着した状態とは、メッキ、エッチング、樹脂ペースト塗布その他の工程において、金属層の一部が剥離しない強度でコア基板に密着している状態を指す。
また、金属層としては、コア基板本体の捨て領域等に良好に密着していれば、いずれの方法によって形成したものでもよいが、例えば、具体的には、未硬化のプリプレグの片面または両面に金属箔を重ね、熱プレス等により硬化させて、コア基板本体の片面あるいは両面に張着された金属箔や、さらにその上にパネルメッキを施して厚さを厚くしたものなどが挙げられる。
【００１８】
なお、金属層は、捨て領域内のコア基板本体表面及び裏面のうち、少なくとも樹脂層非形成予定区域に、全面にわたって形成されているのが好ましい。しかし、コア基板位置決め用貫通孔、位置決め用マーク、品番表示用マーク等を形成する部位や、コア基板の周縁部等の各部位において、薄片が生じる危険性を考慮した上で、コア基板表裏面の一部を露出させ、金属層のない部分を設定して、略全面に金属層を備えるようにすれば良い。
また、金属層の材質としては、後に形成することが予定されている無電解メッキ層と略同一の金属成分からなるようにすると良い。無電解メッキ層が金属層と良く密着し、さらに剥離しにくくなるからである。この金属層の材質としては、形成の容易さや抵抗率等をも考慮して選択すればよいが、例えば、具体的には、無電解メッキ層にもＣｕ無電解メッキ層を用いる場合に、金属層にＣｕを用いることが挙げられる。
【００１９】
さらに、製品形成領域は、最終的に製品となるビルドアップ多層基板が形成される領域を指すが、１つの製品形成領域内で１つのビルドアップ多層基板が形成される場合に限定されず、１つの製品形成領域において複数のビルドアップ多層基板が形成されても良い。また、１つのコア基板本体内に、島状に点在するなど、製品形成領域が複数あっても良い。
また、樹脂層非形成予定区域（以下、単に非予定区域とも言う）は、コア基板本体の表面及び裏面のうち、少なくともいずれかに仮想的に設定される区域であって、ビルドアップ多層基板の製造工程において、絶縁樹脂層を形成することが予定されている区域（樹脂層形成予定区域、以下、単に予定区域とも言う）以外の区域を指す。従って、現実のコア基板に予定区域と非予定区域との境界線等が形成されているわけではない。なお、絶縁樹脂層は、表面および裏面に少なくともいずれかに形成されるので、それに対応して、樹脂層形成予定区域も表裏面の少なくともいずれかに存在することになる。従って、絶縁樹脂層を片面（例えば表面）にのみ形成されることが予定されている場合には、他面（例えば裏面）には予定区域は存在せず、非予定区域のみとなる。従って、この他面（例えば裏面）においては、捨て領域のコア基板本体裏面の略全面に金属層が形成される。
【００２０】
また、コア基板本体の材質としては、後に形成されることが予定されている絶縁樹脂層の材質よりも粗化されにくい材質からなると良い。ビルドアップ多層基板の製造に当たっては、絶縁樹脂層を多層に形成するために繰り返し絶縁樹脂層の粗化を行う。このため、絶縁樹脂層よりも粗化されにくい材質であれば、粗化工程を繰り返しても、コア基板本体が繰り返し粗化されることにより、極端に粗化されて強度が低下するなどの不具合を防止できるからである。そのため、コア基板本体の材質としては、粗化容易な材質からなるフィラーが添加されていない材質を用いるのが良く、例えば、具体的には、ガラス繊維-ＢＴ樹脂複合材料、ガラス繊維−ＰＰＥ樹脂複合材料などが挙げられる。
【００２１】
さらに、コア基板としては、上記のビルドアップ多層基板用コア基板であって、前記捨て領域のうち、前記製品形成領域と隣接する部位に、前記コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備えることを特徴とするビルドアップ多層基板用コア基板を用いるのが好ましい。
【００２２】
上記構成を有するビルドアップ多層基板用コア基板では、製品形成領域と隣接する部位に、コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備える。
上記したように、製品であるビルドアップ多層基板の完成後などにおいて、捨て領域と製品形成領域との境界部分で両者を切断し、捨て領域を除去するが、切断線（切断予定部分）上に金属層があると、切断の際に金属層の一部がヒゲ状などの金属切断くずとなって各所に付着し、短絡等の原因となり易い。
このビルドアップ多層基板用コア基板は、予め捨て領域のうち、製品形成領域に隣接する製品隣接部において、コア基板本体の表面および裏面の少なくともいずれかを露出させてあるので、金属切断くずが発生しにくくなり、金属切断くずによる短絡等を抑制できる。
特に、製品隣接部において、コア基板本体の表面および裏面の両面を露出させると、切断時に金属層を切断しないので、この金属切断くずの発生が確実に防止できて、より好ましい。
【００２３】
ここで、製品隣接部は、捨て領域のうち製品形成領域に隣接する部位を指し、コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出している。なお、コア基板本体の基板平面内で、製品形成領域が島状に点在している場合に、各製品形成領域に隣接する製品隣接部同士が隣接して一体となっていても良い。即ち、１つの製品隣接部内に複数の製品形成領域が存在しても良い。
【００２４】
さらに好ましくは、前述のビルドアップ多層基板用コア基板であって、前記捨て領域のうち、前記製品形成領域に隣接する部位に、前記コア基板本体の表面および裏面のいずれもが露出する製品隣接部を備えることを特徴とするビルドアップ多層基板用コア基板とするとよい。
このようにしたビルドアップ多層基板用コア基板では、コア基板本体の表面および裏面のいずれもが露出する製品隣接部を備える。従って、捨て領域と製品形成領域との境界部分で両者を切断する際に、金属切断くずが発生せず、金属切断くずによる短絡等を防止できる。
【００２５】
そして、請求項１あるいは請求項２に記載の解決手段は、上述のビルドアップ多層基板用コア基板を用いるビルドアップ多層基板の製造方法であって、樹脂層形成予定区域に、所定パターンの絶縁樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、上記絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、を含むことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法である。
【００２６】
上記構成を有する本発明のビルドアップ多層基板の製造方法は、上述のビルドアップ多層基板用コア基板を用い、樹脂層形成予定区域に、所定パターンの絶縁樹脂層を形成し、この絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する。
このコア基板は、樹脂層非形成予定区域の略全面に金属層が形成されてなるので、予定区域に絶縁樹脂層を形成した後に無電解メッキ層を形成すると、捨て領域のうち非予定区域では、金属層上に無電解メッキ層が堆積する。捨て領域のうち、絶縁樹脂層上に堆積した無電解メッキは絶縁樹脂層から剥がれ難い。さらに、金属層上に堆積した無電解メッキ層は、コア基板本体の表裏面に堆積した場合とは異なり、金属層と良く密着し剥がれにくいので、その無電解メッキ工程中、あるいはその後の電解メッキ工程や樹脂ペースト塗布その他の工程において、金属層上に堆積した無電解メッキ層が剥がれることがない。このため、金属層によって金属薄片の発生が防止され、あるいは金属層が形成されている分、金属薄片の発生が抑制される。
したがって、金属薄片によって、短絡や露光パターン不良などの不具合を生じることなく、あるいは抑制され、信頼性の高いビルドアップ多層基板を、高い歩留まりで製造することができる。
【００２７】
さらに、請求項３に記載の解決手段は、ビルドアップ多層基板の製造方法であって、表面と裏面とを有する略板状をなし、製品形成領域と捨て領域とを有するコア基板本体と、上記捨て領域内の上記表面および裏面にそれぞれ良好に密着した金属層と、を有するコア基板を用い、上記製品形成領域を含む上記コア基板本体表面および裏面の少なくともいずれかに所定パターンの絶縁樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、上記絶縁樹脂層上に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、を含み、上記樹脂層形成工程において、上記捨て領域のうち、上記コア基板本体の表面および裏面が露出する露出面を、略全面にわたって上記絶縁樹脂層で覆うことを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法である。
【００２８】
上記構成を有する本発明のビルドアップ多層基板の製造方法では、樹脂層形成工程で絶縁樹脂層を形成し、さらに無電解メッキ工程で無電解メッキ層を形成するが、この樹脂層形成工程で、捨て領域のうち、コア基板本体の表面および裏面が露出する露出面を、略全面にわたって絶縁樹脂層で覆う。
これにより、捨て領域のうち絶縁樹脂層で覆われなかった部分は、概略金属層が露出した状態となる。その後、無電解メッキ工程により、絶縁樹脂層および金属層の上に無電解メッキ層が形成される。絶縁樹脂層上の無電解メッキ層はもちろん、金属層上の無電解メッキ層も金属層に密着し剥がれにくい。
従って、捨て領域において、無電解メッキ層が剥がれて金属薄片が発生することが抑制・防止される。
したがって、金属薄片によって、短絡や露光パターン不良などの不具合を生じることなく、あるいは抑制され、信頼性の高いビルドアップ多層基板を、高い歩留まりで製造することができる
【００２９】
さらに、請求項４に記載の解決手段は、請求項３に記載のビルドアップ多層基板の製造方法であって、前記コア基板は、前記捨て領域のうち、前記製品形成領域と隣接する部位に、前記コア基板本体の表面および裏面のうち少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備えることを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法である。
【００３０】
上記構成を有する本発明のビルドアップ多層基板の製造方法は、捨て領域のうち製品形成領域と隣接する部位に、コア基板本体表面および裏面の少なくともいずれかが露出する製品隣接部を備える。
このため、ビルドアップ多層配線基板の完成時などにおいて、製品形成領域と捨て領域とを切断して分離するのに当たって、金属層を切断したことによる金属切断くずの発生が抑制される。従って、金属切断くずによる短絡等の不具合を抑制できる。
特に、製品隣接部におけるコア基板本体の表面及び裏面の両面で、コア基板本体が露出するようにすると、切断時に金属層を切断することが無くなるので、金属切断くずの発生が確実に防止され、より好ましい。
【００３１】
さらに、請求項５に記載の解決手段は、請求項３または請求項４に記載のビルドアップ多層基板の製造方法であって、前記無電解メッキ層の材質が、前記金属層と略同一の金属成分からなることを特徴とするビルドアップ多層基板の製造方法である。
【００３２】
上記構成を有する本発明のビルドアップ多層基板の製造方法は、無電解メッキ層の材質が、金属層と略同一の金属成分からなる。
このため、金属層上に無電解メッキ層を堆積させると、金属層と同一成分なのでとくに密着性が良好で、剥がれ難くなり、金属薄片の発生をより確実に防止できる。
この無電解メッキ層の材質としては、メッキの容易さや無電解メッキ層の抵抗率等をも考慮して選択すればよいが、例えば、具体的には、金属層にＣｕを用いた場合に、無電解メッキ層にもＣｕ無電解メッキ層を形成する場合が挙げられる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を、図と共に説明する。図１に示すコア基板１０は、図１（ｂ）（ｃ）から判るように、ガラス繊維−ＢＴ樹脂複合材料からなるコア基板本体を備える。このコア基板本体１は、２５０×２５０ｍｍ、板厚１．０ｍｍの平面視正方形板状である。そのコア基板本体１の平面内では、４０×４０ｍｍの大きさのビルドアップ多層基板（以下、単に製品ともいう）が形成されることが予定されている４つの小製品形成領域（例えば、１ＳＡ１，１ＳＡ２，１ＳＡ３，１ＳＡ４）が互いに隣接して田の字状（２段２列）に集まって、１つの製品形成領域（例えば１ＳＡ）を成している。さらに、４つの製品形成領域１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣ，１ＳＤが、互いに若干の隙間（２０ｍｍ）を空けて２段２列に並んでいる。
【００３４】
また、各製品形成領域１ＳＡ間およびその周囲は、製品の完成後に除去する捨て領域１Ｔになっている。この捨て領域１Ｔのうち製品隣接部１ＴＰは、図１（ａ）中、各製品形成領域１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣ，１ＳＤとの境界近傍において、幅５ｍｍでロ字状（枠状）の各製品形成領域１ＳＡ等に隣接する部位であり、コア基板本体１の表・裏面１ａ，１ｂ（図１（ａ）では表面１ａのみ示す）がそれぞれ露出している。また、捨て領域１Ｔのうち残部１ＴＺは、本実施形態では図１（ａ）において略田の字状をなす。
さらに、この残部１ＴＺは、図１（ａ）中、各製品隣接部１ＴＰの間に位置する略十字形状の中間残部１ＴＺｍと、その余の部分であってコア基板の周縁に位置する幅２５ｍｍの略ロ字状（枠状）の周囲残部１ＴＺｐとからなる。
【００３５】
また、コア基板本体表面１ａのうち、上記した各製品形成領域１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣ，１ＳＤ、各製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍを含み、図１（ａ）中一点鎖線で示す、外周縁が略正方形状（２００×２００ｍｍ）の区域は、後述するように、絶縁樹脂層４ａを形成することが予定されている樹脂層形成予定区域１Ｕａである。逆に、一点鎖線よりも外側の区域は、樹脂層非形成予定区域１Ｎａである。従って、各製品形成領域１ＳＡ等の他、各製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍ上にも絶縁樹脂層４ａが形成される（図２（ａ）参照）。  なお、本実施形態では、表面１ａ側および裏面１ｂ側に絶縁樹脂層４ａ，４ｂを形成するので、図示しないが、同様に、絶縁樹脂層４ｂを形成することが予定されている樹脂層形成予定領域１Ｕｂ、および樹脂層非形成予定区域１Ｎｂも設定される。
ただし、この予定区域１Ｕａ，１Ｕｂおよび非予定区域１Ｎａ，１Ｎｂは、仮想的に設定される区域であって、コア基板１０にこれらの予定区域と非予定区域との境界線等が形成されているわけではない。
また、同様に、説明の都合上、残部１ＴＺを、中間残部１ＴＺｍと周囲残部１ＴＺｐとに分けたが、現実のコア基板１０において、この両者間に境界線等が形成されている訳ではない。
【００３６】
ここで、製品形成領域１ＳＡ等（例えば、製品形成領域１ＳＣ）におけるコア基板１０の構造は、図１（ａ）におけるＹ−Ｙ’断面のうち、Ｄ部の部分拡大断面図である図１（ｂ）から判るように、前記した従来のコア基板の構造と同様である（図８（ａ）参照）。即ち、コア基板本体１の表裏面１ａ，ｂ間には貫通孔１ｈが形成され、表・裏面１ａ，ｂにはそれぞれＣｕからなる配線層３ａ，ｂ（厚さ３０μｍ）が形成され、貫通孔内１ｈ内に形成され、同じくＣｕからなるスルーホール配線層３ｈを介して、配線層３ａ、ｂ間が導通されている。
【００３７】
一方、捨て領域１Ｔのうち、残部１ＴＺは、図１（ａ）におけるＹ−Ｙ’断面のうち、Ｅ部の部分拡大断面図である図１（ｃ）から判るように、コア基板本体１の表裏面１ａ，１ｂにＣｕからなる金属層３Ａ，３Ｂ（厚さ３０μｍ）が形成されている。しかもこの金属層３Ａ，３Ｂは、図１（ａ）に示すように、捨て領域１Ｔのうち製品隣接部１ＴＰを除く残部１ＴＺの全面に形成されている。
したがって、本実施形態においては、捨て領域１Ｔのうち、樹脂層非形成予定区域１Ｎａに入るロ字形状の周囲残部１ＴＺｐにおいても、コア基板本体１の表裏面１ａ，１ｂに金属層３Ａ，３Ｂが形成されている。
【００３８】
かかるコア基板１０を用いて、前記した従来の手法と同様にしてビルドアップ多層基板を形成する。図２（ａ）において一点鎖線で示す、樹脂層形成予定区域１Ｕａ、１Ｕｂに、それぞれ予定通り絶縁樹脂層４（４ａ，４ｂ）を形成する。即ち、各製品形成領域１ＳＡ等を含み、これを囲む各製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍにわたるコア基板本体表面１ａに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性樹脂ペーストを塗布し、露光・現像し、さらに硬化させて、所定位置の開口に配線層３ａ，３ｂが露出するビアを形成した絶縁樹脂層４（４ａ，４ｂ）を形成する。図２（ａ）では、このうちコア基板本体表面１ａ側の第１表面樹脂層４ａを表示した。この図２（ａ）から判るように、捨て領域１Ｔのうちの製品隣接部１ＴＰにおいて露出していたコア基板本体表面１ａは、その全面を第１表面樹脂層４ａで覆われるので、後述する無電解メッキ工程において、直接コア基板表面１ａに無電解メッキ層が堆積することはない。また、中間残部１ＴＺｍも第１表面樹脂層４ａで覆われる。
なお、図示しないが、コア基板本体裏面１ｂ側においても、同様に製品隣接部１ＴＰにおいて露出する裏面１ｂが、第１裏面樹脂層４ｂで覆われる。
【００３９】
このようにして絶縁樹脂層４（第１表・裏面樹脂層４ａ，４ｂ）を形成した後、過マンガン酸カリウムを含む酸化剤で絶縁樹脂層４（４ａ，４ｂ）の表面を粗化し、さらに、活性化処理をして、表面に触媒核を付与した後、Ｃｕ無電解メッキを施す。
すると、図１（ａ）および図２（ａ）に示したＹ−Ｙ’線上での断面のうち、Ｄ部の部分拡大断面図である図２（ｂ）から判るように、製品形成領域１Ｓ（例えば１ＳＣ）では、従来と同様（図８（ｃ）、図１１（ｂ）参照）に、第１表面樹脂層４ａおよび第１裏面樹脂層４ｂの表面全体にわたって、無電解メッキ層５ａ，ｂ（厚さ２μｍ）が形成される。
なお、図示しないが、製品隣接部１ＴＰや中間残部１ＴＺｍにおいても、上記したように第１表・裏面樹脂層４ａ、ｂが形成されているので、その上に、無電解メッキ層５ａ，ｂが形成される。この無電解メッキ層５ａ，ｂは、第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂを予め粗化してから形成するので、高い密着性を有し、無電解メッキ工程中あるいはその後の工程において、剥がれることはなく、金属薄片を発生させないことは言うまでもない。
【００４０】
一方、同じくＥ部の部分拡大断面図である図２（ｃ）から判るように、捨て領域１Ｔのうち周囲残部１ＴＺｐでは、金属層３Ａ，３Ｂ上に、それぞれ無電解メッキ層５Ａ，５Ｂ（厚さ２μｍ）が形成される。
つまり、前記した従来のコア基板１００において、密着しにくいコア基板本体表裏面１０１ａ，ｂ上に、無電解メッキ層１０５Ａ，Ｂが直接形成されたのに対して（図１１（ｂ）参照）、本実施形態における無電解メッキ層５Ａ，５Ｂは、Ｃｕからなる金属層３Ａ，３Ｂ上に形成されている。
【００４１】
一般に、無電解メッキ層と金属層とは、密着性が高い、さらに、本実施形態においては、Ｃｕからなる金属層３Ａ，３Ｂに対し、無電解メッキ層５Ａ，５Ｂの材質にこれと同一の金属成分であるＣｕを選択した。つまり、金属層３Ａ，３Ｂが、その上に堆積する無電解メッキ層５Ａ，５Ｂと略同材質のＣｕからなるため、さらに高い密着性を得ることができる。このため、無電解メッキ層５Ａ，５Ｂが、金属層３Ａ，３Ｂから剥がれることはなく、従来のような金属薄片が発生することがない。
したがって、この無電解メッキ工程中において、剥がれた薄片が他の部分に付着して、無電解メッキ層５ａ，５ｂの厚さが不均一になることがなくなる。また、後述するように、その後のレジスト塗布、露光現像工程、エッチング工程、さらには、樹脂ペースト塗布工程等の以降の工程において、金属薄片の発生に起因する短絡や露光不良等の不具合の発生を無くすことができる。
【００４２】
ついで、前記した従来の工程と同様にして、ビルドアップ多層基板を形成する場合について、以降の工程における製品形成領域１ＳＡ等および捨て領域１Ｔの周囲残部１ＴＺｐの状態を、図３および図４を参照しつつ説明する。なお、図３および図４においては、各図中右側は図１（ａ）中のＤ部、即ち、製品形成領域１Ｓ（１ＳＣ）の断面構造を、各図中左側は同様にＥ部、即ち、捨て領域１Ｔの周囲残部１ＴＺｐの構造を拡大して示すこととする。
【００４３】
まず、無電解メッキ層５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂが形成されたコア基板１０（図２（ｂ）（ｃ）参照）を用い、図３（ａ）に示すように、感光性メッキレジストを無電解メッキ層５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂ上に塗布し、さらに、所定パターンとなるように露光・現像して、レジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂ，Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂを形成する。
このとき、Ｄ部、即ち、製品形成領域１Ｓ（図３（ａ）中右側）では、無電解メッキ層５ａ、５ｂ上に所定パターンのレジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂが形成され、開口内には、無電解メッキ層５ａ，５ｂが露出している。
【００４４】
一方、Ｅ部、即ち、周囲残部１ＴＺｐ（図３（ａ）中左側）では、レジスト層Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂが、それぞれ無電解メッキ層５Ａ，５Ｂ上の全面に形成されている。次述する電解メッキ工程において、不要部である残部１ＴＺに電解メッキ層が形成されないようにして、不要な電解メッキ層の析出を防止するためである。この工程においても、無電解メッキ層５Ａ，５Ｂは、その下地である金属層３Ａ，３Ｂと良好に密着しているので、剥がれて金属薄片を生じることがない。したがって、レジスト塗布時にペースト状のレジスト内に薄片が混入し、露光時に不要な部分に薄片による影を発生させ、レジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂのパターン不良を生じさせることもない。
なお、図示しないが、製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍにおいても、無電解メッキ層５ａ，ｂ上にレジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂが形成された状態とする。不要な電解メッキ層の析出を防止するためである。これら部分１ＴＰ、１ＴＺｐにおいても、金属薄片が発生しないことはもちろんである。
【００４５】
ついで、無電解メッキ層５ａ等を共通電極として電圧を印加して、Ｃｕ電解メッキを施する。これにより、図３（ｂ）中右側に示すように、Ｄ部では、レジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂの形成されていない無電解メッキ層５ａ，５ｂの露出部に電解メッキ（厚さ１５μｍ）を析出させて厚さを増やし、無電解メッキ層と電解メッキ層からなる第１表・裏面配線層６ａ，６ｂをそれぞれ形成する。なお、レジスト層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂの下部では、無電解メッキ層５ａ，ｂの厚さが増えないことは言うまでもない。
一方、図３（ｂ）中左側に示すように、レジスト層Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂに覆われた周囲残部１ＴＺｐ（Ｅ部）では、電解メッキ層は形成されない。なお、この電解メッキ工程においても、無電解メッキ層５Ａ，５Ｂは剥離しないため、薄片が付着して電解メッキ層６ａ，６ｂの厚さが不均一になる等の不具合は生じない。
なお、図示しないが、製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍにおいても、電解メッキ層は形成されないし、金属薄片も発生しない。
【００４６】
ついで、各レジスト層Ｒ２ａ等を溶解除去し、さらに、エッチング液（例えば硫酸過水）で、無電解メッキ層５ａ等の厚さ（２μｍ）よりやや厚い約３μｍ程度の厚さにわたってソフトエッチングする。
すると、Ｄ部、即ち、製品形成領域１Ｓでは、図３（ｃ）中右側に示すように、レジスト層Ｒ２ａ，ｂにより、その上部に電解メッキ層が形成されなかった部分、即ち、無電解メッキ層５ａ，ｂのみの部分は除去されて、下層の第１表・裏面樹脂層４ａ，４ｂが露出する。これにより、各第１表・裏面配線層６ａ，６ｂがそれぞれ分離・独立する。なお、各配線層６ａ、６ｂもソフトエッチングされて厚さが３μｍ程度減少するため、厚さが１４μｍ程度になる。
【００４７】
一方、Ｅ部、即ち、捨て領域１Ｔの周囲残部１ＴＺｐでは、図３（ｃ）中左側に示すように、無電解メッキ層５Ａ，５Ｂがソフトエッチングにより除去され、金属層３Ａ、３Ｂが再び露出する。本工程においても、剥離した薄片が配線層６ａ，６ｂや無電解メッキ層５ａ等に重なってその部分が厚くなり、重なった部分で不完全なエッチングとなって短絡や絶縁不良等となる不具合が発生することがない。
なお、図示しないが、製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍにおいても、無電解メッキ層５ａ，ｂがソフトエッチングによって除去され、第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂが露出した状態となる。また、金属薄片も発生しない。
【００４８】
以降は、上記図１から図３（ｃ）を参照して説明した工程を繰り返すことにより、図４（ａ）に示すように、第２表・裏面樹脂層１４ａ，１４ｂおよび第２表・裏面配線層１６ａ，１６ｂを形成する。これらの工程においても、第２表・裏面樹脂層１４ａ，１４ｂ上に第２表・裏面配線層１６ａ，１６ｂを形成するに当たりＣｕ無電解メッキを施すが、残部１ＴＺにおいてコア基板本体１の表裏面１ａ，１ｂに金属層３Ａ、３Ｂが形成されている。このため、この残部１ＴＺに堆積する無電解メッキ層（図示しない）は、この金属層３Ａ、３Ｂと良好に密着して剥離しないので、薄片による不具合を生じないことは上記と同様である。
なお、図示しないが、製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍにおいては、第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂおよび第２表・裏面樹脂層１４ａ，ｂが重ねて形成された状態となる。
【００４９】
以後、同様にして樹脂層及び配線層を形成することができるが、本実施形態では、コア基板本体１中心として、表面側に３層の配線層３ａ，６ａ，１６ａを、裏面側に３層の配線層３ｂ，６ｂ，１６ｂをそれぞれ形成した。さらに、図４（ｂ）に示すように、第３表・裏面樹脂層（表・裏面ソルダーレジスト層）２４ａ，２４ｂを形成し、その開口２４ａｖ，２４ｂｖ内に露出する第２表・裏面配線層１６ａ，１６ｂ上に、Ｎｉメッキによる接続パッド２７ａ，ｂを形成して、ビルドアップ多層基板２０を完成した。
以上のような本実施形態のビルドアップ多層基板２０の製造工程においては、捨て領域１Ｔのコア基板本体１の表裏面１ａ，１ｂのうち、樹脂層形成予定区域１Ｕａ，ｂ外の全面、即ち、周囲残部１ＴＺｐの全面に金属層３Ａ，３Ｂを形成した。これにより、この周囲残部１ＴＺｐに堆積する無電解メッキ層５Ａ，Ｂが剥離して薄片となることがないので、薄片による短絡やパターン不良等の不具合を生じることがない。
また、製品隣接部１ＴＰや中間残部１ＴＺｍの部分についても、粗化された第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂ等の上に、無電解メッキ層５ａ，ｂが堆積するので、金属薄片を生じることはない。
【００５０】
なお、このビルドアップ多層基板２０は、捨て領域１Ｔが除去されていないので、製品としてのビルドアップ多層基板（平面寸法４０×４０ｍｍ：図示しない）とするには、切断により捨て領域１Ｔに相当する部分を除去し、製品形成領域１ＳＡ等に相当する部分のみにする必要がある。なお、本実施形態では、さらに小製品形性領域１ＳＡ１等に相当する部分に細分する必要もある。
この際、図１（ａ）を参照して説明したように、捨て領域１Ｔのうち、製品形成領域１ＳＡ等の周囲には、金属層３Ａ，３Ｂが形成されず、コア基板本体表面１ａおよび裏面１ｂが露出したロ字状の製品隣接部１ＴＰが、それぞれ形成されている。このように、製品形成領域１ＳＡ等と捨て領域１Ｔとの境界部分において、コア基板本体１を露出させておくと、切断時に、金属層３Ａ，３Ｂを切断することによる金属切断くずの発生が防止され、切断くずによる短絡等の不具合をなくすことができる。
【００５１】
なお、比較形態として、コア基板本体の捨て領域に金属層を形成していない従来のコア基板を用い、上記と同様の手法で形成したビルドアップ多層基板を用意し、上記実施形態のビルドアップ多層基板と共に、各回路配線のオープンショート検査を行った。すると、本実施形態にかかる基板では、短絡発生率１５％であったのに対し、比較形態にかかる基板では、短絡発生率が７０％に達した。
さらに、これらの短絡が発生した基板の短絡原因を調査したところ、本実施形態の基板では、銅の薄片による短絡は皆無であり、一方、比較形態の基板では、短絡した基板の約８０％が、銅の薄片による短絡が原因であると確認された。このことからも判るように、本実施形態にかかる基板は、比較形態にかかる基板に比して、短絡の不具合についてだけ見ても、顕著な効果が得られることが確認できた。
【００５２】
ついで、本実施形態にかかるコア基板１０の製造方法について、図５を参照しつつ説明する。なお、図５の各図において、右側に図１におけるＤ部（製品形成領域１Ｓ）に対応する部分、左側に同じくＥ部（捨て領域１Ｔの残部１ＴＺ）に対応する部分の部分拡大図を示す。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス繊維−ＢＴ樹脂複合材料からなるコア基板本体１の表裏面１ａ，１ｂの両面に厚さ１８μｍのＣｕ箔Ｐａ，Ｐｂをそれぞれ張り合わせた両面銅張り積層板を用意する。
つぎに、図５（ｂ）中右側に示すように、製品形成領域１Ｓ内（Ｄ部）の所定部分に、表裏面１ａ、１ｂ間を貫通する貫通孔１ｈを穿孔する。なお、この工程において、Ｅ部には貫通孔を形成しない。
【００５３】
さらに、活性化処理により貫通孔１ｈ内面を含む全面に触媒核を付与した後、Ｃｕ無電解メッキにより貫通孔１ｈ内周面を含む全面に無電解メッキ層を形成し、さらに、Ｃｕ電解メッキにより全体にＣｕ電解メッキ層を析出させる。これにより、図５（ｃ）に示すように、コア基板本体１の表裏面１ａ、１ｂ上には、厚さ３０μｍのＣｕからなるパネル金属層Ｑａ，Ｑｂを、また貫通孔１ｈ内面には、厚さ１２μｍのＣｕからなるスルーホール金属層Ｑｈを形成する。
【００５４】
その後、感光性フィルムレジストＲａ，Ｒｂをパネル金属層Ｑａ，Ｑｂ上に貼り付け、さらに露光・現像して、図５（ｄ）中右側に示すように、製品形成領域１Ｓ（Ｄ部）の所定位置に、開口Ｏｒａ，Ｏｒｂを形成する。なお、捨て領域１Ｔの残部１ＴＺ（Ｅ部）では、図５（ｄ）中左側に示すように、パネル金属層Ｑａ，Ｑｂの全面にレジストＲａ，Ｒｂが形成され、開口は形成されない。
しかる後、開口Ｏｒａ，Ｏｒｂ内に露出したパネル金属層Ｑａ，Ｑｂをエッチングにより溶解・除去して、開口内にコア基板本体１の表裏面１ａ、１ｂを露出させる。さらに、レジストＲａ，Ｒｂを除去すると、図５（ｅ）中右側に示すように、製品形成領域１Ｓ（Ｄ部）の所定位置において、パネル金属層Ｑａ，Ｑｂが各パターンにしたがって分離独立して、配線層３ａ，３ｂとなり、この配線層３ａ，３ｂ間をスルーホール配線層３ｈが結ぶ構造となる。一方、捨て領域１Ｔの残部１ＴＺ（Ｅ部）では、図５（ｄ）中左側に示すように、コア基板本体１の表裏面１ａ、１ｂの全面にＣｕからなる金属層３Ａ，３Ｂが形成された構造となる。このようにして、上述したコア基板１０（図１参照）が完成できた。
【００５５】
以上においては、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内で適宜変更して実施できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態のコア基板１０においては、製品隣接部１ＴＰにおいてコア基板本体表裏面１ａ、ｂが露出し、中間残部１ＴＺｍの全面にも金属層３Ａ，３Ｂが形成されているものを示した。しかし、このような構成に限定されず、例えば、中間残部１ＴＺｍの一部において、コア基板本体表面１ａや裏面１ｂが露出していても良く、さらには、図６に示すように、中間残部１ＴＺｍ全体についてコア基板本体表面１ａや裏面１ｂが露出してコア基板１０’としても良い。一点鎖線で示す樹脂層形成予定区域１Ｕａ内では、無電解メッキ工程の前に絶縁樹脂層４ａ，ｂに覆われるため、金属層３Ａ等の有無に拘わらず薄片の発生と関係しないからである。従って、樹脂層形成予定区域１Ｕａ、ｂ内の残部１Ｔ、即ち、製品隣接部１ＴＰおよび中間残部１ＴＺｍの領域に形成される金属層３Ａ，Ｂのパターン、換言すれば、表裏面１ａ、ｂの露出パターンが他の形状にされていても良いことも容易に理解される。逆に言えば、捨て領域１Ｔのうち表裏面１ａ、ｂが露出する露出面を、樹脂層形成工程において、絶縁樹脂層４ａ，ｂで覆えば良い。
一方、残部１Ｔのうち、樹脂層非形成予定区域１Ｎａ、ｂ、即ち、上記実施形態で言えば周囲残部１ＴＺｐでは、表裏面１ａ，ｂの全面にわたり金属層３Ａ，Ｂが形成されていることが好ましい。但し、コア基板の位置決めや品番表示標識形成その他の理由のより周囲残部１ＴＺｍにおいて、一部が露出していても良い。
【００５６】
その他、一点鎖線で示す樹脂層形成予定区域１Ｕａと樹脂層非形成予定区域１Ｎａとの境界を、図７に示すように、各製品隣接部１ＴＰの外側近傍に位置させたコア基板１０”の場合にも、同様に金属薄片が発生しないことは明らかである。
上記実施形態では、第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂと孔内樹脂層４ｈを同じ材質で形成したが、孔内樹脂層４ｈを第１表・裏面樹脂層４ａ，ｂとは異なる材質で形成しても良く、例えば、感光性を有しない熱硬化性樹脂、金属粒子やメッキ触媒等を混合した樹脂などを用いても良い。
さらに、上記実施形態においては言及しなかったが、コア基板本体の外側面にも金属層を形成しておくとより好ましい。外側面上にも僅かではあるが無電解メッキ層が堆積するからである。あるいは、外側面には、金属層に代えてメッキレジスト層を形成し、無電解メッキ層の堆積を防止するようにしても良い。
また、上述した実施形態におけるビルドアップ多層基板の製造方法においては、いわゆるセミアディティブ法によって第１表・裏面配線層等を形成したが、無電解メッキ法を用いて配線層の一部または全部を形成するならば、他の方法によって形成しても良く、具体的には、例えば、フルアディティブ法やサブトラクティブ法によって第１表・裏面配線層等を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態にかかるビルドアップ多層基板用コア基板を示し、（ａ）は平面図、また、そのＹ−Ｙ’断面のうち、（ｂ）はＤ部（製品形成領域）の部分拡大断面図、（ｃ）はＥ部（捨て領域）の部分拡大断面図である。
【図２】  （ａ）は、図１に示すコア基板の表裏面に、樹脂層を形成した状態を示す平面図、また、（ｂ）（ｃ）は、さらにこれに無電解メッキ層を形成した状態における部分拡大断面図であり、（ｂ）は図１（ｂ）に示すＤ部に対応する部分、（ｃ）は図１（ｃ）に示すＥ部に対応する部分である。
【図３】  実施形態にかかるコア基板を基に、さらにビルドアップ多層基板を形成する工程のうち、第１表・裏面配線層を形成するまでの工程を説明する部分拡大断面図であり、各図の右側は図１（ｂ）に示すＤ部に対応し、左側は図１（ｃ）に示すＥ部に対応する部分を示す。
【図４】  実施形態にかかるコア基板を基に、さらにビルドアップ多層基板を形成する工程のうち、完成までの工程を説明する部分拡大断面図であり、各図の右側は図１（ｂ）に示すＤ部に対応し、左側は図１（ｃ）に示すＥ部に対応する部分を示す。
【図５】  実施形態にかかるコア基板の製造工程を説明する部分拡大断面図であり、各図の右側は図１（ｂ）に示すＤ部に対応し、左側は図１（ｃ）に示すＥ部に対応する部分を示す。
【図６】  他の実施形態にかかるコア基板の平面図である。
【図７】  さらに他の実施形態にかかるコア基板の平面図である。
【図８】  ビルドアップ多層基板の製造方法のうち、無電解メッキ層上に所定パターンのレジスト層を形成する工程までを説明する部分拡大断面図である。
【図９】  ビルドアップ多層基板の製造方法のうち、電解メッキ以降の工程を説明する部分拡大断面図である。
【図１０】  従来のコア基板を示し、（ａ）は平面図、また、そのＸ−Ｘ’断面のうち、（ｂ）はＢ部（製品形成領域）の部分拡大断面図、（ｃ）はＣ部（捨て領域）の部分拡大断面図である。
【図１１】  図１０に示すコア基板に、無電解メッキを施した状態を示し、（ａ）は、図１０（ｂ）に示すＢ部に対応する部分拡大断面図、（ｂ）は図１０（ｃ）に示すＣ部に対応する部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１  コア基板本体
１ａ  表面
１ｂ  裏面
１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣ，１ＳＤ  製品形成領域
１ＳＡ１，１ＳＡ２，１ＳＡ３，１ＳＡ４  小製品形成領域
１Ｔ  捨て領域
１ＴＰ  製品隣接部
１ＴＺ  残部
１ＴＺｍ  中間残部
１ＴＺｐ  周囲残部
１Ｕａ  樹脂層形成予定区域
１Ｎａ  樹脂層非形成予定区域
３  配線層
３ａ  表面側配線層
３ｂ  裏面側配線層
３ｈ  スルーホール配線層
４  樹脂層
４ａ  第１表面樹脂層
４ｂ  第１裏面樹脂層
４ｈ  孔内樹脂層
５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂ  無電解メッキ層
６ａ  第１表面配線層
６ｂ  第１裏面配線層
１０，１０’，１０”，１００  コア基板
２０，２００  ビルドアップ多層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003756655.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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