(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、反強磁性層と、強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層と、非磁性かつ導電性の酸化遮蔽層と、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗあるいはこれらの合金から選ばれた金属の酸化保護層とが順次積層された磁気抵抗効果膜を有し、
前記金属酸化保護層はすべて実質的に酸化されており、
前記強磁性固定層と前記軟磁性自由層との間の強磁性的結合の大きさを示す層間結合磁界が実質的にゼロとなるように前記非磁性酸化遮蔽導電層の膜厚を設定したことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記金属酸化層の膜厚は１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
情報を記録する磁気記録媒体と、
基体上に、反強磁性層と、強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層と、非磁性かつ導電性の（酸化遮蔽）層と、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗあるいはこれらの合金から選ばれた金属の酸化保護層とが順次積層された磁気抵抗効果膜を有し、前記金属酸化保護層はすべて実質的に酸化されており、前記強磁性固定層と前記軟磁性自由層との間の強磁性的結合の大きさを示す層間結合磁界が実質的にゼロとなるように前記非磁性酸化遮蔽導電層の膜厚を設定した磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを保持するヘッドスライダーと、
前記ヘッドスライダーを前記記録媒体の所定記録位置に誘導するアクチュエータと、
前記記録媒体を回転するスピンドルモーターと、
前記記録媒体から読み出した情報を処理する信号処理系とを有する磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気的に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子に関し，特にこれを再生ヘッドとして用いる高密度磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を用いたヘッドの一つとして，特開平４-３５８３１０号には，スピンバルブ構造と呼ばれる構造が記されている。
【０００３】
特開平６-２３６５２７号には非磁性導電材料からなる背部層を強磁性層に隣接させて設けたスピンバルブ型磁気抵抗センサーの記載がある。
【０００４】
フィジカル  レビュウ  レター誌７５巻４３０６〜４３０９項（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ．７５（１９９５）ｐｐ４３０６〜４３０９）にはＣｏ／Ｃｕ／Ｃｏ ３層膜における層間結合磁界のＣｕ背部層の膜厚依存性についての記述がある。
【０００５】
ジャーナル  アプライド  フィジックス誌８２巻６１４２〜６１５１項（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、ｖｏｌ．８５（１９９７）ｐｐ６１４２〜６１５１）には表面酸化物膜を用いた巨大磁気抵抗効果の増大に関する記述がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年の記録装置の高密度化において、従来の技術では、記録密度の充分に高い磁気記録装置、特にその再生部に外部磁界に対して十分な感度と出力で作用する磁気抵抗効果素子を実現し、さらに出力の安定性が十分に制御された良好な特性を得ることができず、記録装置としての機能を実現することが困難であった。そのために、磁気ヘッドの高性能化が要求されている。
【０００７】
磁気ヘッドの再生部には巨大磁気抵抗効果素子であるスピンバルブとよばれる構造が提唱されている。スピンバルブとは、強磁性層／非磁性中間層／軟磁性層の構造を有し、前記強磁性層は感知すべき磁界の範囲においてその磁化が隣接させた反強磁性層との磁気的な結合により実質的に固定されている。前記軟磁性層の磁化が外部磁界に対して回転することで、前記強磁性層と軟磁性層の磁化の相対角度に対応して電気抵抗変化が生じ出力を得ることができる。ここで強磁性層と軟磁性層の間の磁気的結合の大きさを示す磁界を層間結合磁界と呼ぶことにする。また、上記強磁性層の磁化の固定方法を固定バイアス法、反強磁性膜を固定バイアス膜、磁化の固定された強磁性層を強磁性固定層と呼ぶことにする。同様に上記軟磁性層を軟磁性自由層と呼ぶことにする。
【０００８】
一方、スピンバルブ膜の電気抵抗率変化量（ΔＲ）を向上する手段として、近年、表面酸化膜の利用が検討されている。これはスピンバルブ膜表面に酸化膜を設けてΔＲを増大する手段であるが、酸化膜を表面に設けた場合、酸化膜から酸素が磁性層に拡散し、磁性層が酸化され磁気特性が劣化、或いは酸化膜中の酸化物に起因する応力が磁性層に伝搬し磁気特性が劣化する等の問題点があった。
【０００９】
本発明の目的は、上記の問題点を解決して、従来構造より高出力の得られるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜および磁気ヘッドを提供することにある。更には、該磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では、高密度記録を実現するための手段として、巨大磁気抵抗効果膜を用いた磁気センサーを磁気ヘッドに搭載した磁気記録装置を用いる。ここで磁気センサーとしては、反強磁性膜／強磁性固定層／非磁性導電層／軟磁性自由層／非磁性酸化遮蔽導電層／酸化物形成保護膜より構成されるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜を用いる。
【００１１】
本発明の課題解決手段は３つある。第１に、ΔＲの向上を図るために軟磁性自由層上に酸化物形成保護膜を設けた点である。酸化物形成保護膜の材料としては、Ｔａ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｗなどの酸化物が使用できるが、ΔＲ向上の観点からＴａ酸化物が好ましい。
【００１２】
第２に、酸化物形成保護層と軟磁性自由層の間に酸化遮蔽導電層を設けた点である。非磁性酸化遮蔽導電層は、酸化物形成保護膜からの酸素の拡散あるいはその酸化物に起因する応力が軟磁性自由層まで伝播することを防ぎ、前記自由層の軟磁気特性劣化を防止する。これにより、スピンバルブ膜の感度低下が防止でき、さらには出力低下が防止できる。また、前記導電層を設けることにより、非磁性酸化遮蔽導電層と酸化物形成保護膜の界面で伝導電子が弾性散乱され、伝導電子の平均自由行程長が伸び従来のスピンバルブ構造よりもΔＲが向上する。非磁性酸化遮断導電層の材料としては、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ等が一般的であるが、非磁性かつ導電性である限り、上記の材料に限られない。
【００１３】
第３に、層間結合磁界がゼロとなるように非磁性酸化遮蔽導電層の膜厚を選択する点である。層間結合磁界が増加するとスピンバルブ膜の感度が低下するため、層間結合磁界は低い方が望ましい。非磁性酸化遮蔽導電層を設けた場合、層間結合磁界は前記導電層の膜厚に伴い変化するので層間結合磁界が実質的にゼロとなるように非磁性酸化遮蔽導電層の厚さを選択することができる。これにより、層間結合磁界の増大に起因する感度低下を防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下の実施例での磁気ヘッドは全て、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、Ａｒ３ｍＴｏｒｒの雰囲気中で、厚さ１ｍｍ、直径３インチのガラス基板上に以下の材料を順次積層して作製した。スパッタリングターゲットとしてＭｎチップを配置した４６ａｔ％Ｐｔ−５４ａｔ％Ｍｎ、ＣｏＦｅ、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ｔａの各ターゲットを用いた。また、ＮｉＦｅターゲット上にＮｉチップを配置して組成を調整した。
【００１５】
積層膜は、各ターゲットを配置したカソードに各々ＤＣ電力を印加して装置内にプラズマを発生させておき、各カソードごとに配置されたシャッターを一つずつ開閉して順次各層を形成した。膜形成時には永久磁石を用いて基板に平行におよそ８０Ｏｅの磁界を印加して、一軸磁気異方性を誘導させた。酸化物形成保護膜は、酸素を含有する雰囲気にＴａ層表面を暴露することにより形成した。基体上の素子の形成はフォトレジスト工程によってパターニングした。その後、基体はスライダー加工し、磁気記録装置に搭載した。
【００１６】
層間結合磁界は、磁気抵抗曲線のマイナーループから求めることができる。磁気抵抗の大きさが最大値と最小値の差の１／２となる磁場の平均値が層間結合磁界の大きさである。磁気抵抗曲線のマイナーループは、市販の磁気抵抗効果測定装置を用い、磁気抵抗効果膜に直流電流を流した状態で外部磁場を印可し、大きさを−５０Ｏｅから５０Ｏｅまでスイープさせ、４端子法で測定した。
【００１７】
実施例１：
図１に本発明をスピンバルブ型磁気ヘッドに適用した例を示す。磁気抵抗効果積層膜１０は、ガラス製の基体５０（図ではｇｌａｓｓと表記）上に反強磁性膜１１、強磁性固定層１２、非磁性中間層１３、軟磁性自由層１４、非磁性酸化遮蔽導電層１５、酸化物形成保護膜１６を積層してなる。軟磁性自由層１４は、Ｃｏ基合金膜１４１、Ｎｉ基合金膜１４２からなる。
【００１８】
酸化物形成保護膜１６は、酸素を含有する雰囲気にさらされる行程によりすべて実質的に酸化されている。非磁性酸化遮蔽導電層１５は酸化物形成保護膜からの酸素の拡散あるいは前記保護膜中の酸化物に起因する応力が軟磁性自由層１４まで伝播することを防ぎ、軟磁性自由層の軟磁気特性劣化を防ぐ機能を有する。
【００１９】
比較例１として、酸化遮蔽導電膜を持たない構造のスピンバルブ型磁気ヘッドを作製した。その積層構造を図３に示す。酸化遮蔽導電膜を持たない他、磁気抵抗効果膜の構造は図１と同じである。
【００２０】
比較例２として、酸化物形成保護膜が酸化されておらず、酸化遮蔽導電層も持たない構造のスピンバルブ型磁気ヘッドも作製した。その積層構造を図４に示す。作製手順は図１〜図３に示した磁気ヘッドと同様であるが、酸素を含有する雰囲気に表面が暴露される行程を経ていない。Ｔａ層の膜厚が３ｎｍと厚いのは、大気中の酸素による自然酸化がＴａ層とＮｉＦｅ層の界面まで進行するのを防止するためである。
【００２１】
図７（ａ）には、酸化物形成保護膜の効果を示すため、図３の磁気ヘッドと、図４の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を比較して示した。図７（ａ）上側が図３の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を、図７（ａ）下側が図４の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線をそれぞれ示している。保護膜が酸化されていない磁気ヘッドに比べて、保護膜が酸化されている磁気ヘッドの方が、磁気抵抗比（ΔＲ／Ｒ）の最大値が０．５％程度増大した。
【００２２】
図７（ｂ）には、酸化遮蔽導電膜の効果を示すため、図１の磁気ヘッドと、図３の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を比較して示した。図７（ｂ）上側が図１の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を、図７（ｂ）下側が図３の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線をそれぞれ示している。酸化遮蔽導電膜を有する磁気ヘッドの方が、前記遮蔽膜を有しない磁気ヘッドに比べて、ΔＲ／Ｒの最大値が１．０％程度増大していることが確認できる。
【００２３】
図８（ａ）には、図７（ａ）で示した２つの２つのスピンバルブ型磁気磁気ヘッドの、軟磁性自由層の磁気特性を示すマイナーループを比較して示した。
【００２４】
図８（ａ）上側が図１の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を、図８（ａ）下側が図４の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線をそれぞれ示している。保護膜が酸化されていない磁気ヘッドに比べて、保護膜が酸化されている磁気ヘッドの方が角形比が大きい。角形比が大きいとΔＲ／Ｒが向上するため、角形比は大きい方が好ましい。
【００２５】
図８（ｂ）には、図７（ｂ）で示した２つの２つのスピンバルブ型磁気ヘッドの、軟磁性自由層の磁気特性を示すマイナーループを比較して示した。図８（ｂ）上側が図１の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線を、図８（ｂ）下側が図３の磁気ヘッドの磁気抵抗曲線をそれぞれ示している。酸化遮蔽導電膜を有する磁気ヘッドのマイナーループの方が、該遮蔽膜を有しない磁気ヘッドのマイナーループに比べて角形比が更に大きくなっている。
【００２６】
図９は、酸化物形成保護膜と酸化遮蔽導電膜とを有する図１の磁気ヘッドと、保護膜が酸化されておらず酸化遮蔽導電膜も有しない図４の磁気ヘッドにおいて、自由層のＮｉＦｅ膜厚を１ｎｍから３ｎｍまで変えた場合におけるＮｉＦｅ膜厚と抵抗変化量（ΔＲ）との関係を示した図である。いずれのＮｉＦｅ膜厚でも、酸化物形成保護膜と酸化遮蔽導電膜とを有する磁気ヘッドの方が保護膜が酸化されておらず酸化遮蔽導電膜も有しない磁気ヘッドよりΔＲが大きい。
【００２７】
以上、酸化物形成保護膜を設けることにより、スピンバルブ膜のΔＲ、ΔＲ／Ｒ、角形比が向上し、酸化物形成保護膜に加えて酸化物遮蔽導電膜を設けることにより、ΔＲ、ΔＲ／Ｒ、角形比が更に向上する。
【００２８】
図１０は、酸化物形成保護層であるＴａ膜の厚みを変えた本願発明のスピンバルブ型磁気ヘッドのΔＲとＴａ膜厚の関係を示している。膜構造は、ｇｌａｓｓ／ＭｎＰｔ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／Ｔａである。Ｔａ膜厚が１ ．０ｎｍ以下の時に大きなΔＲが得られることが確認できる。
【００２９】
図１１は、酸化遮蔽導電層であるＣｕ膜の厚みを変えた場合における、本願発明のスピンバルブ型磁気ヘッドの抵抗変化量（ΔＲ）とＣｕ膜厚の関係を示している。膜構造はｇｌａｓｓ／ＭｎＰｔ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｔａであるが、Ｔａ層は膜厚が３ｎｍであり、表面が酸化されており、全ては酸化されていない。これは酸化物形成保護膜の効果を除き、純粋に酸化物遮蔽導電層の膜厚変化の効果を見るためである。ΔＲはＣｕ膜厚の増加と共に増大し、Ｃｕ膜厚１．０ｎｍで最大値を取り、更に膜厚が増大すると減少する。これは、層間結合磁界がＣｕ膜厚と共に変化し、それにともなってスピンバルブ膜の感度が変化するためである。
【００３０】
このことを示すため、図１２に層間結合磁界の酸化物遮蔽導電層厚依存性を示した。磁気ヘッドの膜構造は、図１１で示したヘッドと同じである。図１１で抵抗変化量が最大となる膜厚１．０ｎｍ近傍で、層間結合磁界の大きさはほぼゼロとなっている。以上、酸化遮蔽導電層の膜厚を適切に選択することにより、層間結合磁界の大きさを実質的にゼロ近傍に抑え、スピンバルブ膜の感度低下を防ぐことができる。
【００３１】
実施例２：
図２は本発明を別構造のスピンバルブ型磁気抵抗効果膜に適用した例である。磁気抵抗効果積層膜１０は、基体５０上に反強磁性膜１１、強磁性固定層１２、非磁性中間層１３、軟磁性自由層１４、非磁性酸化遮蔽導電層１５、酸化物形成保護膜１６を積層してなる。図２の強磁性固定層１２は、強磁性であるＣｏ基合金膜１２１と、Ｒｕ膜１２２と、Ｃｏ基合金膜１２３とが積層された構造を有し、シンセティックフェリ積層膜と呼ばれている。Ｒｕ膜１２２は、Ｃｏ基合金膜１２１とＣｏ基合金膜１２３の磁化を反平行に配列させる機能を有し、強磁性固定層１２はその強磁性層であるＣｏ基合金１２１と１２３の膜厚を変えることにより全体として磁化を持たせることができる。軟磁性自由層１４は、Ｃｏ基合金膜１４１、Ｎｉ基合金膜１４２からなる。酸化物形成保護膜と酸化物遮蔽導電膜を設けることにより、ΔＲ、ΔＲ／Ｒ、角形比が向上する。
【００３２】
実施例３：
図５は、本発明を別構造のスピンバルブ型磁気ヘッドに適用した例である。磁気抵抗効果積層膜１０は、基体５０上に反強磁性膜１１、強磁性固定層１２、非磁性中間層１３、軟磁性自由層１４を積層した基本構造からなり、強磁性固定層１２は強磁性層１２４、非磁性酸化遮断導電層１２５、金属酸化物層１２６、強磁性層１２８からなる。強磁性固定層の金属酸化物層１２６は、酸素を含有する雰囲気にさらされる行程によりすべて実質的に酸化されている。実施例３と同様、酸化物形成保護膜と酸化物遮蔽導電膜を設けることにより、ΔＲ、ΔＲ／Ｒ、角形比が向上する。
【００３３】
実施例４：
図６は本発明を更に別構造のスピンバルブ型磁気ヘッドに適用した例である。磁気抵抗効果積層膜１０は、基体５０上に反強磁性膜１１、強磁性固定層１２、非磁性中間層１３、軟磁性自由層１４を積層した基本構造からなり、強磁性固定層１２は強磁性層１２４、非磁性酸化遮断導電層１２５、金属酸化物層１２６、非磁性酸化遮断導電層１２７、強磁性層１２８からなる。図６の金属酸化物層１２６は、図５と同様に酸素を含有する雰囲気にさらされる行程によりすべて実質的に酸化されている。酸化物形成保護膜と酸化物遮蔽導電膜を設けることにより、ΔＲ、ΔＲ／Ｒ、角形比が向上する。
【００３４】
実施例５：
図１３は本発明のスピンバルブ型磁気ヘッドを搭載した記録再生分離型磁気ヘッドの構造を示した概念図である。基体５０上に磁気抵抗効果積層膜１０、電極４０、下部シールド３５、上部シールド兼下部コア３６、再生ギャップ３７、コイル４２、上部コア８３を形成してなり、対向面６３を形成してなる。
【００３５】
図１４は、本発明の磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置が実際に記録再生を行う様子を示した模式図である。ヘッドスライダー９０を兼ねる基体５０上に磁気抵抗効果積層膜１０、磁区制御膜４１、電極４０を形成し、これらからなる磁気ヘッドを記録媒体９１上に記録トラック４４上に位置決めして再生を行う。ヘッドスライダー９０は記録媒体９１上を、対向面６３を対向して０．１ｍｍ以下の高さに浮上、もしくは接触して相対運動する。この機構により、磁気抵抗効果積層膜１０は記録媒体９１に記録された磁気的信号を、記録媒体９１の漏れ磁界６４から読み取る。
【００３６】
図１５は本発明の磁気記録再生装置の構成を示す模式図である。磁気的に情報を記録する記録媒体９１をスピンドルモーター９３にて回転させ、アクチュエーター９２によってヘッドスライダー９０を記録媒体９１のトラック上に誘導する。即ち、磁気ディスク装置においてはヘッドスライダー９０上に形成した再生ヘッド、及び記録ヘッドがこの機構によって記録媒体９１上の所定の記録位置に近接して相対運動し、信号を順次書き込み、及び読み取る。アクチュエーター９２はロータリーアクチュエーターであるのが好ましい。記録信号は信号処理系９４を通じて記録ヘッドにて媒体上に記録し、再生ヘッドの出力を信号処理系９４を経て信号を得る。さらに再生ヘッドを所望の記録トラック上へ移動せしめるに際して、本再生ヘッドからの高感度な出力を用いてトラック上の位置を検出し、アクチュエーターを制御して、ヘッドスライダーの位置決めを行うことができる。本図ではヘッドスライダー９０、記録媒体９１を各１個示したが、これらは複数であっても構わない。また、記録媒体９１は媒体の両面に情報を記録してもよい。情報の記録がディスク画面の場合、ヘッドスライダー９０はディスクの両面に配置する。
【００３７】
図１に示した本願発明の磁気ヘッドおよび、図４に示した酸化物形成保護層が酸化されておらず酸化遮蔽導電層を持たない磁気ヘッドを図１５の磁気記録装置に組み込み、再生出力を比較したところ、酸化物形成保護層が酸化されておらず酸化遮蔽導電層を持たない磁気ヘッドを用いた磁気記録装置では抵抗量変化比（ΔＲ／Ｒ）が６％であったのに対し、本願発明の磁気ヘッドを用いた磁気記録装置のΔＲ／Ｒは８％と２％の出力向上が確認された。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、酸化物形成保護膜及び酸化遮蔽導電層をスピンバルブ膜に導入することにより、従来構造より感度が優れ高出力の得られるスピンバルブ型磁気ヘッドを提供できる。また、本願発明の磁気ヘッドを用いることにより、高い記録密度において良好な再生出力と安定性を有する磁気記録再生装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の第一の構成例を示した図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の第二の構成例を示した図である。
【図３】酸化遮蔽導電層を有しない磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の構成例を示した図である。
【図４】酸化物形成保護膜を有しない磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の構成例を示した図である。
【図５】本発明の磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の第三の構成例を示した図である。
【図６】本発明の磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層膜の第四の構成例を示した図である。
【図７】（ａ）は本発明の磁気ヘッドと酸化物形成保護膜が酸化されていない磁気ヘッドの磁気抵抗曲線（メジャーループ）を示した図である。
（ｂ）は本発明の磁気ヘッドと酸化遮蔽導電膜を有しない磁気ヘッドの磁気抵抗曲線（メジャーループ）を示した図である。
【図８】（ａ）は本発明の磁気ヘッドと酸化物形成保護膜が酸化されていない磁気ヘッドの磁気抵抗曲線（マイナーループ）を示した図である。
（ｂ）は本発明の磁気ヘッドと酸化遮蔽導電膜を有しない磁気ヘッドの磁気抵抗曲線（マイナーループ）を示した図である。
【図９】本発明の磁気ヘッドの抵抗変化量（ΔＲ）のＮｉＦｅ膜厚依存性を示した図である。
【図１０】本発明の磁気ヘッドの抵抗変化量（ΔＲ）の酸化物形成保護層厚さ依存性を示した図である。
【図１１】本発明の磁気ヘッドの抵抗変化量（ΔＲ）の非磁性酸化遮蔽導電層厚さ依存性を示した図である。
【図１２】本発明の磁気ヘッドの層間結合磁界の非磁性酸化遮蔽導電層厚さ依存性を示した図である。
【図１３】本発明の磁気ヘッドを搭載した記録再生分離ヘッドの構造を示した模式図である。
【図１４】本発明の磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置が、実際に記録再生を行う様子を示した模式図である。
【図１５】本発明の磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１０…磁気抵抗効果積層膜、１１…反強磁性膜、１２…強磁性固定層、１３…非磁性中間層、１４…軟磁性自由層、１５…非磁性酸化遮蔽導電層、１６…酸化物形成保護膜、１７…保護膜、３５…下部シールド、３６…上部シールド兼下部コア、４０…電気端子、４１…磁区制御膜、４２…コイル、５０…基体、６３…対向面、６４…記録媒体からの漏れ磁界、８３…上部コア、９０…スライダー、９１…記録媒体、９２…アクチュエーター、９３…スピンドルモーター、９４…信号処理回路、１２１…Ｃｏ基合金膜、１２２…Ｒｕ膜、１２３…Ｃｏ基合金膜、１２４…強磁性層、１２５…非磁性酸化遮蔽導電層、１２６…金属酸化膜、１２７…非磁性酸化遮蔽導電層、１２８…強磁性層、１４１…Ｃｏ基合金膜、１４２…Ｎｉ基合金膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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