(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔II〕で示される単量体に相当する繰り返し構造単位、下記一般式［ＩＩＩ］あるいは［ＩＶ］で示される脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位、および、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する繰り返し構造単位を含み、且つ酸の作用により分解しアルカリ溶液に対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
0003832780.tif 000041
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、同じでも異なってもよく、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは１又は２を表す。Ｒ5 は水素原子またはメチル基を表す。Ａはアルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選ばれる１つの基もしくはそれら２つ以上を組み合わせた基を表す。）
【化２】
0003832780.tif 000042
（一般式［ＩＩＩ］において、Ｒ5 は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ6 は１価の脂肪族環状炭化水素部位を表す。）
【化３】
0003832780.tif 000043
（一般式［ＩＶ］において、Ｒ5 は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ7 は２価の脂肪族環状炭化水素部位を有する連結基を表し、Ｇは、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＣＯＯＲ8又は−ＯＲ8を表し、Ｒ8は３級アルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、−ＣＨ2ＯＲ9又は−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲ9を表し、Ｒ9はアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記樹脂が、下記一般式〔ＩＩ−Ｃ〕または〔ＩＩ−Ｆ〕で示される単量体に相当する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
0003832780.tif 000044
（上記一般式〔ＩＩ−Ｃ〕および〔ＩＩ−Ｆ〕において、Ｒ1 〜Ｒ5 、ｍは上記と同義である。Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。ｎは１〜１０の整数を表す。）
【請求項３】
請求項１または２に記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、活性光線または放射線、その中でも特に１７０ｎｍ〜２２０ｎｍという非常に波長の短い光で露光処理する場合に好適なポジ型フォトレジスト組成物に関し、詳しくは高感度で、優れたレジストパターンが得られ、且つ基板との密着性が優れたパターンが得られるポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子等の微細加工を必要とする各種電子デバイス製造の分野においては、デバイスのますますの高密度化、高集積化に関する要求が高まっている。これに伴いパターンの微細化を実現するためのフォトグラフィー技術に対する要求性能は厳しさを極めている。この微細化技術の一翼を担っているのがフォトレジストの高解像力化であり、また露光光の短波長化である。
【０００３】
一般に、光学系の解像度（Res)はレーリーの式、すなわちRes ＝ｋ・λ／ＮＡ（ｋはプロセスファクター、λは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数）で表すことができる。この式からより再現線幅を小さくし、微細なパターンを解像するためには（すなわち高解像力を得るためには）、露光時の波長を短くすればよいことが分かる。確かに、最小再現線幅の縮小とともに露光波長は高圧水銀灯のｇ線（４３６nm）、ｉ線（３６５nm）へと移行し、更にＫｒＦエキシマレーザー（２４８nm）を使用したデバイス製造が検討されている。そして、更なる微細加工に対してはより短波なエキシマレーザー、中でもＡｒＦ（１９３nm）の利用が有望視されている。
【０００４】
短波長光で露光するフォトレジストの方に目を移すと、従来製造化につながってきた単層レジストではなく、表面リソグラフィーを利用した２層以上の多層レジスト系での高集積化も検討されている。しかし、これまで多層レジストの実用化を阻んできたプロセスの煩雑化は依然として問題である。
また、ＫｒＦエキシマレーザーを始めとするエキシマレーザーの場合、ガス寿命が短いこと、そもそも露光装置自体が高価であるため、レーザーのコストパフォーマンスを高める必要があると一般にされている。
【０００５】
これに答えたのがＫｒＦエキシマレーザー露光用途から主流となったいわゆる化学増幅型レジストである。化学増幅型レジストは露光により系内の触媒量存在する光酸発生剤から酸が発生し、その触媒量の酸によりバインダーあるいは低分子化合物のアルカリ可溶性基の保護基を触媒反応的に脱離させ、アルカリ現像液に対する溶解性のディスクリミネーションを確保するという仕組みである。化学増幅型レジストは光反応により発生した酸を触媒反応的に利用することから高感度化が期待できる。
【０００６】
一般に化学増幅系レジストは、通称２成分系、２．５成分系、３成分系の３種類に大別することができる。２成分系は、光酸発生剤とバインダー樹脂とを組み合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基（酸分解性基ともいう）を分子内に有する樹脂である。２．５成分系はこうした２成分系に更に酸分解性基を有する低分子化合物を含有する。３成分系は光酸発生剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有するものである。
【０００７】
しかしながら、露光光が短波長になると新たな問題が生じた。即ち、フォトレジストにおいて、波長の短い光に対して透明性がいい素材はドライエッチング耐性に支障がある。ドライエッチング耐性がいい素材は透明性が悪いという問題点である。ドライエッチング耐性と透明性の両立というのは基本的にはフォトレジスト層中のバインダー樹脂の性能の問題である。
バインダーとしてはノボラック樹脂やポリｐ−ヒドロキシスチレンがある。ノボラック樹脂はｉ線レジスト用アルカリ可溶性樹脂として広い利用があり、ポリｐ−ヒドロキシスチレンはＫｒＦエキシマレーザーレジスト用のベースポリマーとして利用がある。これらは波長の長い光を使う限り大きな問題にはならない。波長の短い光の場合は異なる。特に、上記樹脂は、１７０nm〜２２０nmという波長領域には高い光学濃度を有し、これらを従来同様に直接使用することは事実上不可能である。このため、高い光透明性を有し、かつドライエッチング耐性も高い樹脂の開発が待望された。
【０００８】
この問題に対する一般的な回答の一つには、樹脂に例えば脂肪族環状炭化水素部位を導入するという方法がある。また、芳香族化合物の一つナフタレン骨格を利用するという方法もある。特に、脂肪族環状炭化水素部位の導入により、光透明性とドライエッチング耐性という両方の要請を満たすことについては数々の報告例がある。たとえば、Journal of Photopolymer Science and technology vol.3, p439,1992.などがある。
【０００９】
一方、酸分解性基を含有する樹脂における酸分解性基として何を選択するかは特に、レジストの感度や解像度、さらに経時安定性をも左右するもので重要である。
これまで、カルボン酸基類を保護する酸分解性基としてはｔ−ブチルエステル等の３級アルキルエステル類や、テトラヒドロピラニルエステル、エトキシエチルエステル等のアセタールエステル類が主に報告されている。しかし、ｔ−ブチルエステル基は発生した酸による脱離能力が低くく、感度が低下してしまうという難点がある。テトラヒドロピラニルエステル、エトキシエチルエステル等は逆に、常温でも分解しやすく、経時安定性に大きな問題を抱えていた。
また、特開平５−３４６６６８号公報は３−オキソシクロヘキシルエステル基を酸分解性基として使用する提案を行っているが、感度の点で必ずしも満足がいく物ではなかった。
このように、フォトレジストにおいて感度と経時保存安定性を同時に満足するカルボン酸類を保護した酸分解性基をどのように設計すればよいか必ずしも明確ではなかった。
また、得られるレジストパターンにおいて、再現線幅を小さくし、微細なパターンを解像するためには、上記特性ばかりでなく、得られた微細なパターンの基板への十分な密着性が必要とされる。この密着性が不十分であると、微細なパターンが得られたとしてもそれが剥がれてしまうことがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
よって、本発明の目的は、特に１７０nm〜２２０nmという波長領域の光に対して十分好適であり、かつ光に対して高感度で、得られるレジストパターンプロファイルが優れ、且つ基板との密着性が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記諸特性に留意して鋭意検討した結果、特定の構造を有する基を有する樹脂を用いることにより上記目的が見事に解決されることを見いだし、本発明に至った。
即ち、上記目的は下記の構成により達成できる。
（１）  下記一般式〔Ｉ〕で表されるエステル基を分子内に有し、且つ酸の作用により分解しアルカリ溶液に対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【００１２】
【化３】
0003832780.tif 000002
【００１３】
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、同じでも異なってもよく、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは１又は２を表す。
（２）  前記樹脂が、下記一般式〔II〕で示される単量体に相当する繰り返し構造単位を含み、且つ酸の作用により分解しアルカリ溶液に対する溶解性が増加する樹脂であることを特徴とする前記（１）に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【００１４】
【化４】
0003832780.tif 000003
【００１５】
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 及びｍは前記（１）に記載のものと同義である。Ｒ5 は水素原子またはメチル基を表す。Ａは単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選ばれる１つの基もしくはそれら２つ以上を組み合わせた基を表す。）
（３）  前記樹脂が、更に脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする前記（１）または（２）に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
（４）  前記樹脂が、更に酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
一般式〔Ｉ〕中のＲ1 〜Ｒ4 が示すアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基である。
ｍは１又は２を表し、好ましくは１である。
【００１７】
上記一般式〔Ｉ〕で示される基を含む樹脂における母体樹脂としては、本発明の効果が得られるものであればいずれのものでもよい。
本発明においては、一般式〔Ｉ〕で示される基を含む樹脂としては、上記一般式〔II〕で示される単量体に相当する繰り返し構造単位を含む樹脂が好ましい。この樹脂は、例えば上記一般式〔II〕で示される単量体をラジカル重合することで得ることができる。
【００１８】
上記一般式〔II〕中のＡとしては、単結合または、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルファンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選んだ１つの基もしくは２つ以上組み合わせた基である。Ａのアルキレン基、置換アルキレン基としては、下記で示される基を挙げることができる。
【００１９】
【化５】
0003832780.tif 000004
【００２０】
Ｒ、Ｒ’：水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。ここでアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基である。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。ｎは１〜１０の整数を表す。
【００２１】
Ａとしては上記の中でも、単結合または、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選んだ１つの基もしくは２つ以上組み合わせた基が特に好ましい。ここで、アルキレン基、置換アルキレン基としては、炭素数１〜４個のアルキレン基が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、メチル置換メチレン基、ジメチル置換メチレン基、メチル置換エチレン基、ジメチル置換エチレン基、メチル置換プロピレン基、ジメチル置換プロピレン基が挙げられる。
以下に一般式〔II〕で示される単量体の内好ましいものとしては、一般式〔II−Ａ〕〜〔II−Ｉ〕で表される単量体を挙げることができる。
【００２２】
【化６】
0003832780.tif 000005
【００２３】
【化７】
0003832780.tif 000006
【００２４】
上記一般式において、Ｒ1 〜Ｒ5 、Ｒ、Ｒ’、ｎ、ｍは、各々上記と同義である。ｐは１〜３の数を表す。
以下に一般式〔II〕で示される単量体の具体例を示す。ただし、これらは本発明の内容を限定するものではない。
【００２５】
【化８】
0003832780.tif 000007
【００２６】
【化９】
0003832780.tif 000008
【００２７】
【化１０】
0003832780.tif 000009
【００２８】
【化１１】
0003832780.tif 000010
【００２９】
【化１２】
0003832780.tif 000011
【００３０】
【化１３】
0003832780.tif 000012
【００３１】
このような一般式〔II〕で示される単量体は、ラジカル重合可能な炭素−炭素二重結合を分子内に有するカルボン酸類と２−ヒドロキシラクトン類をAngrew. Chem. int. Ed. Engl., 1978, 17, 522 に記載の方法でエステル化、あるいは対応するカルボン酸クロリドと２−ヒドロキシラクトン類を塩基性条件下反応させることにより合成できる。
【００３２】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物における樹脂は、上記一般式〔Ｉ〕で示される基とともに、分子内に脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位を含むことが好ましい。これにより、ポジ型フォトレジストのドライエッチング耐性を高めることができる。分子内に脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位としては、例えば下記一般式[III] あるいは〔IV〕で示される繰り返し構造単位を挙げることができる。
【００３３】
【化１４】
0003832780.tif 000013
【００３４】
【化１５】
0003832780.tif 000014
【００３５】
一般式[III] 中のＲ6 は１価の脂肪族環状炭化水素基である。具体的には、アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基等を挙げることができる。
一般式〔IV〕中、Ｒ7 は２価の脂肪族環状炭化水素部位を有する連結基である。Ｇは、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＣＯＯＲ8 又は−ＯＲ8 を表す。Ｒ8 は３級アルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、−ＣＨ2 ＯＲ9 又は−ＣＨ（ＣＨ3 ）ＯＲ9 を表す。Ｒ9 はアルキル基を表す。
Ｒ5 は前記と同義である。
Ｒ7 の連結基中に含まれる脂肪族環状炭化水素部位としては、例えば以下のような構造を挙げることができる。
【００３６】
【化１６】
0003832780.tif 000015
【００３７】
また、上記脂肪族環状炭化水素部位とエステル基、あるいは上記脂肪族環状炭化水素部位とＧ基をつなぐＲ7 内の連結基としては単結合でもよく、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基等の中から選ばれる１つの基もしくは２つ以上を組み合わせた基を挙げることができる。
【００３８】
−ＣＯＯＲ8 基もしくは−ＯＲ8 基におけるＲ8 は、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の３級アルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、−ＣＨ（ＣＨ3 ）ＯＣＨ2 ＣＨ3 基、−ＣＨ（ＣＨ3 ）ＯＣＨ2 ＣＨ（ＣＨ3 ）2 基等の１−アルコキシエチル基、−ＣＨ2 ＯＣＨ3 基、−ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＣＨ3 基等のアルコキシメチル基等の酸の作用により分解する置換基を表す。
【００３９】
上記樹脂中、一般式〔Ｉ〕で示される基を含む繰り返し構造単位の含有率は、全繰り返し単位に対して３モル％〜６０モル％が好ましく、より好ましくは５モル％〜５０モル％である。３モル％未満の場合は本発明の効果が発現しにくく好ましくない。６０モル％を越えるとドライエッチング耐性が劣化しやすくなって好ましくない。
分子内に脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位の樹脂中の含有量は、全繰り返し単位に対して９７〜４０モル％が好ましく、より好ましくは９５〜５０モル％である。
【００４０】
上記本発明に係わる樹脂は、更に一般式〔Ｉ〕で示される基、脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位以外に、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中で溶解性を増大させる基（酸分解性基ともいう）を含有することが好ましい。これにより、感度向上効果が一層顕著になる。
このような酸分解性基としては、上記−ＣＯＯＲ8 、−ＯＲ8 、３−オキソシクロヘキシル基、又は２−オキソシクロヘキシル基が好ましい。
具体的には、次のような既存の単量体に相当する繰り返し構造単位が挙げられる。
【００４１】
例えば、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−アミルアクリレート、ｔ−アミルメタクリレート、テトラヒドロフラニルアクリレート、テトラヒドロフラニルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、アルコキシメチルアクリレート、アルコキシメチルメタクリレート、１−アルコキシエチルメタクリレート、３−オキソシクロヘキシルアクリレート、３−オキソシクロヘキシルメタクリレート、２−オキソシクロヘキシルアクリレート、２−オキソシクロヘキシルメタクリレートなどを挙げることができる。
【００４２】
上記の樹脂中、このような既存の酸分解性基を有する単量体に基づく繰り返し構造単位の含有率においては、既存の酸分解性基／上記一般式〔Ｉ〕で示される基を有する繰り返し構造単位＝６／１以下が好ましく、更に好ましくは３／１以下である。該値が６／１を越えると本発明の効果が十分に発現しないため好ましくない。
【００４３】
このような樹脂は、本発明の効果が有効に得られる範囲内で、更に以下のような単量体を繰り返し単位として共重合させることができるが、これらに限定されるものではない。
これにより、前記樹脂に要求される性能、特に（１）塗布溶剤に対する溶解性、（２）製膜性（ガラス転移点）、（３）アルカリ現像性、（４）膜べり（親疎水性、アルカリ可溶性基選択）、（５）未露光部の基板への密着性、（６）ドライエッチング耐性、の微調整が可能となる。
【００４４】
このような共重合単量体としては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物などを挙げることができる。
【００４５】
具体的には、例えばアクリル酸エステル類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートなど）；
【００４６】
メタクリル酸エステル類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好ましい。）メタクリレート（例えばメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）；
【００４７】
アクリルアミド類、例えばアクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；
【００４８】
メタクリルアミド類、例えばメタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミドなど；
【００４９】
アリル化合物、例えばアリルエステル類（例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；
【００５０】
ビニルエーテル類、例えばアルキルビニルエーテル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテルなど）；
【００５１】
ビニルエステル類、例えばビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレートなど；
【００５２】
イタコン酸ジアルキル類（例えばイタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸のジアルキルエステル類（例えばジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル類；
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他にも、一般式〔Ｉ〕が表す基を含む繰り返し単位と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であればよい。
上記のような更なる単量体に基づく繰り返し単位の樹脂中の含有量は、一般式〔Ｉ〕で示される繰り返し構造単位と脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位の総モル数に対して９９モル％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％以下、さらに好ましくは８０モル％以下である。９９モル％を越えると本発明の効果が十分に発現しないため好ましくない。
【００５３】
上記の樹脂としては例えば以下のような一般式〔Ｖ〕で示すことができる。しかし、本発明の内容がこれに限定されるものではない。
【００５４】
【化１７】
0003832780.tif 000016
【００５５】
上記式〔Ｖ〕中、Ｒ1 〜Ｒ7 、Ａ、Ｇは前記と同義である。
Ｒ10：３級アルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、アルコキシエチル基、アルコキシメチル基、３−オキソシクロヘキシル基、２−オキソシクロヘキシル基を表す。
Ｒ11：メチル基、エチル基、プロピル基、iso −プロピル基又はｎ−ブチル基を表す。
ａ：５〜８０
ｂ：０〜７０
ｃ：０〜９５
ｄ，ｅ，ｆ：各々０〜５０
ａ＋ｄ≧５、ｂ＋ｃ≧４０、ａ＋ｄ≧５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００
を表す。
【００５６】
上記本発明に係わる樹脂の重量平均分子量は好ましくは、２，０００〜２００，０００である。重量平均分子量が２，０００未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣化が見られるため余り好ましくなく、２００，０００を越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるため製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じる。
【００５７】
本発明に係わる樹脂は、アゾ化合物などを開始剤とするラジカル重合をはじめとする通常の方法により合成できる。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、主として上記のような樹脂と光酸発生剤を含む。上記のような樹脂の組成物全体中の添加量は、全レジスト固形分中４０〜９９重量％、好ましくは５０〜９７重量％である。
【００５８】
次に、本発明のポジ型フォトレジスト組成物における光酸発生剤について説明する。
光酸発生剤は２つの性質を満たすことが必要である。すなわち、（１）露光光に対する透明性（但し、光ブリーチ性がない場合）と、（２）レジスト感度を確保するための十分な光分解性である。しかし、このような矛盾する必要要件を満たす分子設計指針は明確でないのが現状であるが、例えば次のような例を挙げることができる。
すなわち、特開平７−２５８４６号公報、特開平７−２８２３７号公報、特開平７−９２６７５号公報、特開平８−２７１０２号公報に記載の２−オキソシクロヘキシル基を有する脂肪族アルキスルフォニウム塩類、および、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドスルフォネート類などを挙げることができる。さらには J. Photopolym. Sci. Technol., Vol 7, No3, p 423 (1994) 等に記載があり、下記一般式（VI）で示すことができるスルフォニウム塩、下記一般式（VII)で示すことができるジスルフォン類、下記一般式（VIII）で表される化合物などを挙げることができる。
【００５９】
【化１８】
0003832780.tif 000017
【００６０】
ここで、Ｒ12〜Ｒ15は各々アルキル基、環状アルキル基を表す。これらは互いに同じでも異なってもよい。
また、下記一般式（IX）で示されるＮ−ヒドロキシマレインイミドスルフォネート類も好適である。
【００６１】
【化１９】
0003832780.tif 000018
【００６２】
ここでＲ16、Ｒ17は、同じでも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜６個のアルキル基またはシクロアルキル基を表す。Ｒ16とＲ17とがアルキレン基を介して結合し、環を形成していてもよい。Ｒ18は、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、シクロアルキル基または樟脳置換体を表す。このようなＮ−ヒドロキシマレインイミドスルフォネート類は光感度の点で特に好ましい。
【００６３】
上記一般式（IX）におけるＲ16、Ｒ17における炭素数１〜６個のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基を挙げることができる。中でも好ましいのはメチル基、エチル基、プロピル基であり、メチル基、エチル基が更に好ましい。炭素数６個以下のシクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。Ｒ16、Ｒ17がアルキレン鎖により互いに環を形成する場合としては、例えばシクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基を形成する場合などを挙げることができる。
【００６４】
Ｒ18のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基を初めとする直鎖状の炭素数１〜２０個のアルキル基や、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基を初めとする分岐した炭素数１〜２０個のアルキル基を挙げることができる。好ましくは炭素数１〜１６個の直鎖あるいは分岐したアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数４〜１５個の直鎖あるいは分岐したアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基を初めとする直鎖の炭素数１〜２０個のペルフルオロアルキル基や、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロtert−ブチル基を初めとする分岐した炭素数１〜２０個のペルフルオロアルキル基を挙げることができる。好ましくは炭素数１〜１６個の直鎖あるいは分岐したペルフルオロアルキル基である。環状のアルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基の様な単環状の環状のアルキル基や、デカリル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基のような複数環状のアルキル基を挙げることができる。
【００６５】
このような光酸発生剤の組成物中の添加量は、ポジ型フォトレジスト組成物の全固形分中、０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１５重量％、更に好ましくは１〜１０重量％である。
【００６６】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、上記のような光酸発生剤以外にも、以下のような光酸発生剤を併用してもよい。
【００６７】
以下のような併用可能な光酸発生剤の組成物中の添加量は、ポジ型フォトレジスト組成物全体の固形分中で２重量％以下であり、更に好ましくは１重量％以下がよい。
たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055 号、同4,069,056 号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140 号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 、米国特許第4,069,055 号、同4,069,056 号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988) 、欧州特許第104,143 号、米国特許第339,049 号、同第410,201 号、特開平2-150,848 号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985) 、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978) 、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984) 、J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693 号、同3,902,114 号、同233,567 号、同297,443 号、同297,442 号、米国特許第4,933,377 号、同161,811 号、同410,201 号、同339,049 号、同4,760,013 号、同4,734,444 号、同2,833,827 号、獨国特許第2,904,626 号、同3,604,580 号、同3,604,581 号等に記載のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979) 等に記載のセレノニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815 号、特公昭46-4605 号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736 号、特開昭61-169835 号、特開昭61-169837 号、特開昭62-58241号、特開昭62-212401 号、特開昭63-70243号、特開昭63-298339 号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.Meier etal,J.Rad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.Gill  etal,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),377(1896) 、特開平2-161445号等に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase  etal,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、 E.Reichmanis etal,J.Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、 Q.Q.Zhu etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.Chem Soc.,3571(1965)、 P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,Perkin I,1695(1975)、 M.Rudinstein etal,Tetrahedron Lett.,(17),1445(1975)、 J.W.Walker etalJ.Am.Chem.Soc.,110,7170(1988)、 S.C.Busman etal,J.Imaging Technol.,11(4),191(1985)、 H.M.Houlihan etal,Macormolecules,21,2001(1988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,18,1799(1985)、 E.Reichmanis etal,J.Electrochem.Soc.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、 F.M.Houlihan etal,Macromolcules,21,2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,083 号、同156,535 号、同271,851 号、同0,388,343 号、 米国特許第3,901,710 号、同4,181,531 号、特開昭60-198538 号、特開昭53-133022 号等に記載のｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA  etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Technol.,55(697),45(1983),Akzo 、 H.Adachi  etal,Polymer Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515 号、同199,672 号、同044,115 号、同0101,122号、米国特許第618,564 号、同4,371,605 号、同4,431,774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544 号等に記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
【００６８】
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した化合物、たとえば、M.E.Woodhouse  etal,J.Am.Chem.Soc.,104,5586(1982) 、S.P.Pappas  etal,J.Imaging Sci.,30(5),218(1986) 、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rapid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamada  etal,Makromol.Chem.,152,153,163(1972) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed., 17,3845(1979) 、米国特許第3,849,137 号、獨国特許第3914407 号、特開昭63-26653号、特開昭55-164824 号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853 号、特開昭63-146029 号等に記載の化合物を用いることができる。
【００６９】
さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(1980)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970) 、米国特許第3,779,778 号、欧州特許第126,712 号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【００７０】
上記併用可能な活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。
（１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡＧ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。
【００７１】
【化２０】
0003832780.tif 000019
【００７２】
式中、Ｒ201 は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、Ｒ202 は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ)3をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。
具体的には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【００７３】
【化２１】
0003832780.tif 000020
【００７４】
【化２２】
0003832780.tif 000021
【００７５】
【化２３】
0003832780.tif 000022
【００７６】
（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩。
【００７７】
【化２４】
0003832780.tif 000023
【００７８】
式中、Ａｒ1 、Ａｒ2 は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。ここで、好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基およびハロゲン原子が挙げられる。
【００７９】
Ｒ203 、Ｒ204 、Ｒ205 は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基である。
【００８０】
Ｚ- は対アニオンを示し、ＣＦ3 ＳＯ3 - 等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオンを示す。
またＲ203 、Ｒ204 、Ｒ205 のうちの２つおよびＡｒ1 、Ａｒ2 はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよい。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
【化２５】
0003832780.tif 000024
【００８２】
【化２６】
0003832780.tif 000025
【００８３】
【化２７】
0003832780.tif 000026
【００８４】
【化２８】
0003832780.tif 000027
【００８５】
【化２９】
0003832780.tif 000028
【００８６】
【化３０】
0003832780.tif 000029
【００８７】
【化３１】
0003832780.tif 000030
【００８８】
【化３２】
0003832780.tif 000031
【００８９】
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapczyk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969) 、A.L.Maycok etal,J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bull.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester 、 J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929) 、J.V.Crivello etal,J.Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号および同4,247,473 号、特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成することができる。
（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表されるイミノスルホネート誘導体。
【００９０】
【化３３】
0003832780.tif 000032
【００９１】
式中、Ａｒ3 、Ａｒ4 は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ206 は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９２】
【化３４】
0003832780.tif 000033
【００９３】
【化３５】
0003832780.tif 000034
【００９４】
【化３６】
0003832780.tif 000035
【００９５】
【化３７】
0003832780.tif 000036
【００９６】
【化３８】
0003832780.tif 000037
【００９７】
ポジ型フォトレジスト組成物には系のアルカリ溶解性を向上させる目的や、系のガラス転移温度を調節し、膜がもろくなったり、耐熱性が劣化したりすることを防ぐ目的で適当なアルカリ可溶性の低分子化合物を添加してもよい。このアルカリ可溶性低分子化合物としては、ジアルキルスルフォンアミド化合物やジアルキルスルフォニルイミド（−ＳＯ2 −ＮＨ−ＣＯ−）化合物、ジアルキルジスルフォニルイミド（−ＳＯ2 −ＮＨ−ＳＯ2 −）化合物などの分子内に酸性基を含有する化合物を挙げることができる。このアルカリ可溶性の低分子化合物の含有量は、上記バインダー樹脂に対して、４０重量％以下が好ましく、より好ましくは３０重量％以下であり、更に好ましくは２５重量％以下である。
【００９８】
本発明に関する組成物は、特定の溶剤に溶解して用いるとよい。そのような溶剤として好ましいものは、各固形成分が充分に溶解し、かつその溶液がスピンコート法などの方法で均一な塗布膜が形成可能な有機溶媒であればいかなる溶媒でもよい。また、単独でも２種類以上を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ターシャル−ブチルアルコール、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸２−メトキシブチル、酢酸２−エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノール、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−ヘプタノンなどが挙げられるが、もちろんこれらだけに限定されるものではない。
【００９９】
また本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、更に必要に応じて界面活性剤、色素、安定剤、塗布性改良剤、染料などの他の成分を添加しても構わない。
本発明のこのようなポジ型フォトレジスト組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚は０．４〜１．５μｍが好ましい。露光手段としては、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー露光など、露光波長が１７０〜２２０ｎｍの範囲に含まれるものが好ましく、特に好ましいのはＡｒＦエキシマレーザーステッパーである。
【０１００】
【実施例】
以下、本発明を実施例を示して具体的に説明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものではない。
合成例（１）単量体［II−Ａ−２］の合成
メタクリル酸８６ｇをジクロロメタン５００ｍＬに溶解し、４−ジメチルアミノピリジン１０ｇ加えた。さらに、２−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン１０２ｇを静かに加えた。これを氷浴で冷却し、さらにジシクロヘキシルカルボジイミド２５ｇをゆっくりと加えた。そのまま３０分攪拌した後、氷浴をはずし室温まで自然昇温し、室温下３時間攪拌した。反応終了後析出した粉体を濾別し、得られた濾液を１０％塩酸水で抽出、さらに重曹水で洗浄後、飽和食塩水で洗い、得られた油層を濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、目的の単量体［II−Ａ−２］１５０ｇを得た。
【０１０１】
合成例（２）単量体［II−Ｃ−２］の合成
合成例（１）のメタクリル酸を共栄社化学製ライトエステルＨＯ−ＭＳに代えた他は全く同様の操作で単量体［II−Ｃ−２］を合成した。
【０１０２】
合成例（３）単量体［II−Ｆ−２］の合成
合成例（１）のメタクリル酸の代わりに、３−ヒドロキシプロピオン酸と昭和電工製カレンズＭＯＩを反応させ合成した末端カルボン酸メタクリレートを用いた他は同様の方法で単量体［II−Ｆ−２］を合成した。
【０１０３】
合成例（４）比較用単量体−１の合成
メバロニックラクトンとメタクリル酸クロリドにより、下記構造の単量体をJournal of Photopolymer Science and Technology Vol.9, Number 3(1996)509に記載の方法に準じて合成した。
【０１０４】
【化３９】
0003832780.tif 000038
【０１０５】
合成例（５）樹脂Ａの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            ２２．０ｇ
単量体［II−Ａ−２］                        １３．６ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                      ８７ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ａを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３６０００であった。
【０１０６】
合成例（６）樹脂Ｂの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            ２２．０ｇ
単量体［II−Ｃ−２］                        ２５．１ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                    １１４ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｂを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３７５００であった。
【０１０７】
合成例（７）樹脂Ｃの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            ２２．０ｇ
単量体［II−Ｆ−２］                        ３２．９ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                    １３３ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｃを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３９０００であった。
【０１０８】
合成例（８）樹脂Ｄの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            １７．６ｇ
単量体［II−Ａ−２］                        １０．２ｇ
ｔ−ブチルメタクリレート                      ５．７ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                      ８２ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｄを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３５５００であった。
【０１０９】
合成例（９）樹脂Ｅの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            １７．６ｇ
単量体［II−Ｃ−２］                        １８．９ｇ
ｔ−ブチルメタクリレート                      ５．７ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                    １０２ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｅを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３７２００であった。
【０１１０】
合成例（10）樹脂Ｆの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            １７．６ｇ
単量体［II−Ｆ−２］                        １９．８ｇ
ｔ−ブチルメタクリレート                      ５．７ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                    １０５ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｆを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３８５００であった。
【０１１１】
合成例（11）比較用樹脂Ｇの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            ２２．０ｇ
比較用単量体−１                            １９．９ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                    １０２ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｇを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３５６００であった。
【０１１２】
合成例（12）比較用樹脂Ｈの合成
トリシクロデカニルメタクリレート            １７．６ｇ
比較用単量体−１                            １２．０ｇ
ｔ−ブチルメタクリレート                      ５．７ｇ
メタクリル酸                                  １．７ｇ
ＴＨＦ                                      ８６ｇ
を溶解させた後、窒素を３０分間吹き込み、反応液を６５℃に加熱した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬製）１５０ｍｇを５回に分けて１時間おきに添加した。最終の開始剤を添加した後、そのまま４時間加熱攪拌した。加熱終了後反応液を室温に戻し、ＴＨＦ  ２００ｇを添加し、反応液を希釈したものを蒸留水４Ｌ／メタノール２Ｌの混合溶媒に再沈し、目的の樹脂Ｈを白色粉体として回収した。
得られた共重合体のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３４５００であった。
【０１１３】
合成例（13)
光酸発生剤（１）を合成した。
水酸化ナトリウム８ｇとヒドロキシアミン塩酸塩１４ｇとを蒸留水２００ミリリットルに溶解し、ジメチルマレイン酸無水物２５ｇを加えた後、室温で５時間撹拌し、続けて１００℃で３時間加熱撹拌した。反応終了後、反応液に塩酸水を加え、更に塩化ナトリウムで飽和させた後、酢酸エチルで抽出した。抽出した酢酸エチル溶液を１／３に濃縮、トルエンを加え、再度濃縮する操作を繰り返し、Ｎ−ヒドロキシマレインイミド体１５ｇを単離した。
【０１１４】
このようにして合成したＮ−ヒドロキシマレインイミド体４．２ｇをジクロロメタンに溶解し、氷冷しながらトリフルオロメタンスルフォン酸無水物８．５ｇを１時間かけて滴下した。更に、ピリジン２．８ｇを２時間かけて滴下した後、氷浴をはずして室温に昇温しそのまま１０時間撹拌した。反応終了後、蒸留水等で反応液を洗浄し、濃縮、そこにヘキサンに晶析させ、さらにそのヘキサン層を濃縮したところ、目的物１０ｇを得た。
13ＣＮＭＲで下記の構造を確認した。
【０１１５】
【化４０】
0003832780.tif 000039
【０１１６】
〔実施例・比較例〕
上記合成例で合成した樹脂Ａ〜Ｈそれぞれ１．２ｇと、光酸発生剤（１）０．２５ｇとを固形分１４重量％の割合で２−ヘプタノンに溶解した後、０．１μｍのミクロフィルターで濾過、ポジ型フォトレジスト組成物溶液を調製した。その処方を下記表１に示す。なお、実施例１〜４は参考例である。
【０１１７】
（評価試験）
得られたポジ型フォトレジスト組成物溶液をスピンコータを利用してシリコンウエハー上に塗布し、１２０℃で９０秒間乾燥、約０．５μｍのポジ型フォトレジスト膜を作成し、それにＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）で露光した。露光後の加熱処理を１１０℃で９０秒間で行い、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリンスし、レジストパターンプロファイルを得た。
【０１１８】
〔相対感度〕：０．５μｍのパターンを再現できる露光量を感度とし、実施例１のレジスト感度を１とし、実施例１以外のレジストの相対感度を次式により求めた。すなわち
実施例１以外の感度／実施例１の感度
【０１１９】
〔パターンプロファイル〕：上記で得られたレジストパターンプロファイルを走査型電子顕微鏡で観察し、矩形なものを○、Ｔ−トップ形状を示したものを×として評価した。
【０１２０】
〔密着性〕（残存細線の最小線幅）：上記で得られたレジストパターンプロファイルを走査型電子顕微鏡で観察し、残存している最も細線の線幅をもって評価した。即ち、密着性がより高いものは、より細かい線幅のパターンも残存するが、逆に密着性の劣るものは細かい線幅ほど基板界面で密着できず、パターンが剥がれてしまう。
結果を表１に示す。
【０１２１】
【表１】
0003832780.tif 000040
【０１２２】
比較例はいずれも、相対感度、パターンプロファイル、密着性の点で問題を含む。一方、本発明のポジ型フォトレジスト組成物に関する実施例１〜６はそのすべてについて満足がいくレベルにある。すなわち、ＡｒＦエキシマレーザー露光を始めとする遠紫外線を用いたリソグラフィーに好適である。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、特に１７０nm〜２２０nmという波長領域の光に対して十分好適であり、かつ高感度で、密着性に優れ、良好なレジストパターンプロファイルが得られるポジ型フォトレジスト組成物を提供できる。