(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線、画素電極、及び二端子型スイッチング素子をそれぞれ複数個有する素子基板と、該素子基板に液晶を介して対向配置される対向基板とを備えた液晶装置の製造方法であって、
前記二端子型スイッチング素子は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して交差することにより形成される重ね合わせ領域を有し、該二端子型スイッチング素子における各端子部が、前記信号線と前記画素電極とに夫々接続することにより、前記信号線と前記画素電極との導通経路を成しており、
前記第１導電層は、前記重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない端縁を有し、前記第２導電層は、前記重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない領域を有しており、
前記重ね合わせ領域における前記第２導電層の突出した領域側であって、前記第１導電層の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
信号線、画素電極、及び二端子型スイッチング素子をそれぞれ複数個有する素子基板と、該素子基板に液晶を介して対向配置される対向基板とを備えた液晶装置の製造方法であって、
前記二端子型スイッチング素子は、片状をなす１つの第１導電層と２つの第２導電層とが絶縁層を介して交差することにより形成される第１重ね合わせ領域と第２重ね合わせ領域とを有し、各第２導電層の一端側が夫々端子部を構成し、該端子部が前記信号線と前記画素電極とに夫々接続することにより、前記信号線と前記画素電極との導通経路を成しており、
前記第１導電層は、前記第１重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない第１の端縁と前記第２重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない第２の端縁とを有し、前記第２導電層は、前記第１重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない第１の突出した領域と前記第２重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない第２の突出した領域とを有しており、
前記第１重ね合わせ領域における前記第２導電層の第１の突出した領域側であって、前記第１導電層の第１の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程と、
前記第２重ね合わせ領域における前記第２導電層の第２の突出した領域側であって、前記第１導電層の第２の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程は、動作不良が生じた二端子型スイッチング素子に対して行なわれることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記液晶装置は電圧無印加時に白表示されるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置の製造方法、特に二端子型スイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型液晶装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶を配してなり、液晶の配向状態に応じて液晶を通過する光を変調させて表示を行うものである。特に、高解像度の画像表示が可能なアクティブマトリクス型の液晶装置は、種々の電子機器等のディスプレイに広く用いられている。
【０００３】
このアクティブマトリクス型の液晶装置においては、各画素の表示状態を制御するスイッチング素子として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）やＴＦＤ（Thin Film Diode）が用いられている。このうち、ＴＦＤは非線形な電流電圧特性（ダイオード特性）を有する二端子型スイッチング素子であり、例えば、タンタル層の表面に形成されたタンタル酸化層の上にクロム層を積層したＭＩＭ構造（Metal Insulator Metal）のものが知られている。
【０００４】
かかる二端子型スイッチング素子を備えた液晶装置は、例えば図１４に示すような等価回路を有している。
【０００５】
この図において、液晶を介して対向配置される１対の基板のいずれかには複数のデータ線１１４が配設され、他の基板には走査線１１２がデータ線１１４と交差するように配設されている。又、データ線１１４と走査線１１２の間には、液晶層１１８及び二端子型スイッチング素子１２０が直列に接続されて１つの画素領域１１６を形成している。走査線１１２は走査信号駆動回路２００に接続され、データ線１１４はデータ信号駆動回路２１０に接続されている。そして、走査信号駆動回路２００及びデータ信号駆動回路２１０からそれぞれ走査信号とデータ信号が供給される。ここで、該走査信号とデータ信号との間の電位差が二端子型スイッチング素子１２０の所定の電圧を超えると、該素子１２０はオン状態（選択状態）になり、一方で、上記電位差が二端子型スイッチング素子１２０の上記電圧以下になると、該素子１２０はオフ状態（非選択状態）となる。この場合、二端子型スイッチング素子１２０の電流−電圧曲線は図１５に示すようになっている。
【０００６】
この図において、正常な素子に上記電圧を超える駆動電圧を印加した場合、該素子には電流Ｉ＋が流れ、それに応じて所定の電荷が液晶層に流れ込む。一方、電圧を除くと、該素子にはわずかなリーク電流Ｉ−が流れ、その分を差し引いた電荷が液晶層に保持されて液晶を駆動させ、この部分での画素領域が画像表示される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、製造上のばらつき等により二端子型スイッチング素子に動作不良が生じた場合、上記した液晶層への電荷の流入や保持が充分に行われず、液晶が駆動しないために当該画素領域で画素欠陥（点欠陥）が生じるという問題がある。
【０００８】
例えば、二端子型スイッチング素子の絶縁層に異物が介装されて素子抵抗が高くなった場合、通常設定された印加電圧をこの素子に印加しても該素子には充分な電流が流れないので（ＩＬ＋＜Ｉ＋）、液晶層に保持される電荷も少なくなる。又、二端子型スイッチング素子の絶縁層が薄い場合には素子抵抗が低くなり、非選択時のリーク電流が大きくなって、結局液晶層に保持される電荷が少なくなる。
【０００９】
そして、液晶層の保持電荷が減少すると、この液晶層を含む画素領域では周囲の画素領域に比べて電荷が早く抜けて液晶が駆動されなくなる。そして、電圧無印加時に白表示される（ノーマリホワイトモードの）液晶装置の場合、黒表示したい時に画素領域だけ光が抜けて白点欠陥が生じることになる。
【００１０】
このようなことから、特開平７−１０４３１３号公報には、不良の生じたＴＦＴ（スイッチング素子）をレーザで短絡させて、白点欠陥を修正する技術が開示されている。この技術においては、顕微鏡搭載のレーザ照射装置を係員が操作し、不良ＴＦＴの所定部位（ゲート電極とソース電極の重畳部）にレーザを照射し、当該ゲート電極とソース電極とを溶解させて短絡するようになっている。そして、かかる短絡処理を行なうことにより、ゲート電圧が直接的に液晶層に印加され、液晶が駆動して常時黒表示がなされる。
【００１１】
ところが、かかるレーザ照射装置を用いてＴＦＴの短絡を行なった場合、レーザの照射位置がぶれてその照射幅がゲート電極やソース電極の幅より広がるおそれがある。そして、このような場合には、当該レーザの照射部分でゲート電極やソース電極が断線し、電圧を印加してもこのＴＦＴには電流が流れなくなるので、上記した短絡処理をすることができなくなる。
【００１２】
本発明は、液晶装置における上記した問題を解決し、動作不良の生じたスイッチング素子を確実に短絡させ、白点欠陥をほぼ完全に修正することができる液晶装置の製造方法の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明は、信号線、画素電極、及び二端子型スイッチング素子をそれぞれ複数個有する素子基板と、該素子基板に液晶を介して対向配置される対向基板とを備えた液晶装置の製造方法であって、前記二端子型スイッチング素子は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して交差することにより形成される重ね合わせ領域を有し、該二端子型スイッチング素子における各端子部が、前記信号線と前記画素電極とに夫々接続することにより、前記信号線と前記画素電極との導通経路を成しており、前記第１導電層は、前記重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない端縁を有し、前記第２導電層は、前記重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない領域を有しており、前記重ね合わせ領域における前記第２導電層の突出した領域側であって、前記第１導電層の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程を有することを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、第１導電層と第２導電層が重ね合わせ領域で容易に溶着し、二端子型スイッチング素子を確実に短絡処理して、二端子型スイッチング素子の動作不良による白点欠陥を防止することができる。またレーザの照射幅がぶれて第１導電層や第２導電層が断線したとしても、二端子型スイッチング素子の導通経路は確保されるので、短絡処理をさらに確実に行なえる。
【００１５】
また信号線、画素電極、及び二端子型スイッチング素子をそれぞれ複数個有する素子基板と、該素子基板に液晶を介して対向配置される対向基板とを備えた液晶装置の製造方法であって、前記二端子型スイッチング素子は、片状をなす１つの第１導電層と２つの第２導電層とが絶縁層を介して交差することにより形成される第１重ね合わせ領域と第２重ね合わせ領域とを有し、各第２導電層の一端側が夫々端子部を構成し、該端子部が前記信号線と前記画素電極とに夫々接続することにより、前記信号線と前記画素電極との導通経路を成しており、前記第１導電層は、前記第１重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない第１の端縁と前記第２重ね合わせ領域から延設され前記導通経路を成さない第２の端縁とを有し、前記第２導電層は、前記第１重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない第１の突出した領域と前記第２重ね合わせ領域から突出し前記導通経路を成さない第２の突出した領域とを有しており、前記第１重ね合わせ領域における前記第２導電層の第１の突出した領域側であって、前記第１導電層の第１の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程と、前記第２重ね合わせ領域における前記第２導電層の第２の突出した領域側であって、前記第１導電層の第２の端縁側に面する隅部をレーザで溶着し、前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また前記第１導電層と前記第２導電層とを短絡する処理を施す工程は、動作不良が生じた二端子型スイッチング素子に対して行なわれることが好ましい。
【００２３】
前記液晶装置は電圧無印加時に白表示されるものであることが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る液晶装置の製造方法について、図１乃至図８に基づいて説明する。なお、図１は本発明の製造方法により製造される液晶装置の概略構成を示し、図２及び図３は二端子型スイッチング素子の構成を示す。又、図４〜図７は、本発明の製造方法により素子を短絡する態様を示し、図８は、短絡した素子の特性を示す。
【００２５】
図１に示すように、液晶層を介して素子基板２が対向基板３２に所定の間隔で対向配置され、アクティブマトリクス型の液晶装置５０を構成している。素子基板２はガラス等の透明な基板から成る。素子基板２が、対向基板３２と対向する面（下面）には、各画素毎に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極から成る複数の画素電極６、及び、各画素電極６毎に画素電極に印加される電圧を制御するための二端子型スイッチング素子８が接続される。各画素電極６は略矩形状に形成され、そのうち一の隅部に二端子型スイッチング素子８が接続される。各画素電極６の間には、一方向（図の斜め方向）に走査線となる信号線４が延び、信号線４には二端子型スイッチング素子８が接続されている。そして、信号線４と後述するデータ線となる電極３４とに印加された信号に基づいて、液晶を表示状態、非表示状態またはその中間状態に切り替えて表示動作の制御を行うようになっている。
【００２６】
対向基板３２の素子基板２と対向する面（上面）には、信号線４と交差するようにＩＴＯ等から成る短冊状のデータ線３４が設けられ、画素電極６とデータ線３４の重なり部分が画像表示部３６をなし、その周囲が遮光部３８をなしている。なお、この実施形態では、素子基板２側の信号線を走査線としたが、素子基板２側の信号線をデータ線とし、対向基板３２側の電極３４を走査線としてもよい。
【００２７】
この液晶装置５０の動作については、通常の二端子型スイッチング素子を備えた液晶装置と同様であるが、簡単に説明すると、図示しない走査信号駆動回路及びデータ信号駆動回路からそれぞれ走査線４及びデータ線３４を介して、走査信号とデータ信号が供給される。そして、走査信号とデータ信号との間の電位差が二端子型スイッチング素子８の所定の電圧を超えると、該素子８はオン状態（選択状態）になり、上記電位差が電圧以下になると該素子８はオフ状態（非選択状態）となる。このようにして、選択時に素子８を介して液晶層に電荷が流れ込み、この電荷が液晶層に保持されて液晶が駆動して、画像表示がなされる。
【００２８】
二端子型スイッチング素子８は、図２に示すように、第１導電層−絶縁層−第２導電層を積層したＴＦＤ素子が２個直列に接続された構造になっていて、片状の第１導電層１０の表面には所定の絶縁層が形成され、当該絶縁層を介して第１導電層上に信号線４に接続される第２導電層１２ａ、画素電極６に接続される第２導電層１２ｂがそれぞれ離間しつつ、第１導電層１０と交差して配設されている。そして、第１導電層１０と第２導電層１２ａとの交差部分で矩形状の第１重ね合わせ領域２０Ａが形成され、第１導電層１０と第２導電層１２ｂとで矩形状の第２重ね合わせ領域２０Ｂが形成され、各重ね合わせ領域２０Ａ、２０Ｂにおいて非線形な電流電圧特性（所定の電圧を印加しないと電流が流れないこと）を有する素子になっている。
【００２９】
第２導電層１２ａの一端側は、第１導電層１０に対して走査線側に延びて端子部１６をなし、走査線４に接続されている。第２導電層１２ｂの一端側は、第１導電層１０に対して画素電極側に延びて、端子部１８をなし、画素電極６に接続されている。そして、第２導電層１２ａ、絶縁層１１及び第１導電層とから第１のＴＦＤ駆動素子が構成され、第１導電層１０、絶縁層１１、第２導電層１２ｂとから第２のＴＦＤ駆動素子が構成されている。第１と第２のＴＦＤ駆動素子は極性を反対にして直列に接続された状態になっている。つまり、この二端子型スイッチング素子８は、いわゆるback−to-back構造を備えている。又、端子部１８の縁部１８ｅは画素電極６の周縁部と略同一の外形になっていて、該縁部１８ｅの上を画素電極６が覆っている。なお、本発明において「端子部」という場合、上記したように第１導電層や第２導電層を延設した場合の他、第１導電層や第２導電層に別体の端子部を接続した場合も含めることとする。
【００３０】
二端子型スイッチング素子８の断面構造は図３に示すようになっていて、素子基板２の表面に形成された絶縁膜２ａを下地として、この上に例えばＴａやＴａ合金等から成る第１導電層１０が形成され、第１導電層１０の表面には絶縁層１１が形成されている。この絶縁層１１は例えば第１導電層１０を陽極酸化して得られるＴａ2Ｏ5等から成り、絶縁層１１の上には例えばＣｒ等から成る第２導電層１２ａ、１２ｂが互いに離間して形成されている。なお、この実施形態において、走査線４は、第１導電層１０と同一材料から成る導電層１０’の上に、絶縁層１１を介してＣｒ等から成る表面導電層４ａが形成された構造になっている。
【００３１】
本発明は、図４〜図７に示すようにして、動作不良が生じた二端子型スイッチング素子を短絡することが特徴である。ここで、「動作不良が生じた素子」とは、二端子型スイッチング素子を備えた液晶装置に駆動電圧を印加した場合に、その素子抵抗が通常の素子の値と異なるために、当該素子によって制御される液晶層が周囲の画素領域の液晶層と異なる配向状態になり、この部分の画素領域が画像欠陥になる場合の素子をいう。
【００３２】
そこで、本発明は、上記重ね合わせ領域２０Ａ、２０Ｂにレーザを照射して溶着することにより、この部分を短絡（導通）させて一定の低抵抗を持つ素子（線形素子）に変える。すると、画素電極６には走査線４から直接的に電圧が印加されるようになるので、駆動電圧を印加しない時に、白表示される（ノーマリホワイトモード）の液晶装置においては、素子に接続された液晶層は走査線から印加される電圧によって常に黒表示となるので、画像表示時に白欠陥として認識されなくなる。
【００３３】
この場合、図４に示すように、重ね合わせ領域２０Ａ、２０Ｂの隅部２１〜２８をレーザで溶着することが好ましい。つまり、顕微鏡搭載のレーザ照射装置等を用いてレーザ溶着を行なう際、例えば隅部２４について見ると、レーザの照射位置は図示矢印方向に所定の幅でぶれる可能性がある。そのため、上記した隅部２１〜２８の代わりに、例えば重ね合わせ領域２０Ａの周縁中央部３０にレーザを照射すると、レーザの照射幅が図５に示す矢印方向にぶれて第２導電層１２ａの幅を超えたときには第２導電層１２ａが断線し、この二端子型スイッチング素子８に電圧を印加しても電流が流れなくなる（短絡処理ができなくなる）。一方、各隅部２１〜２８にレーザを照射すれば、レーザの照射幅がぶれたとしても、周縁中央部３０にレーザを照射した場合に比べて上記した断線が生じる確率が少なくなる。なお、「隅部」とは、重ね合わせ領域の周縁上に位置し、第１導電層と第２導電層の外縁部同士が交わる部分をいう。例えば、この実施形態においては、矩形状の重ね合わせ領域２０Ａ、２０Ｂにおける頂点をいう。
【００３４】
特に、図６に示すように、第２導電層１２ａの一端側（図の左側）のみが端子部１６になっている場合、重ね合わせ領域２０Ａにおける隅部２１〜２４のうち、当該一端側（端子部１６側）に面しておらず、かつ、第１導電層１０の端縁１０ｅ側に面している隅部２４（信号線４および画素電極６の双方から離間している隅部）をレーザ溶着するとより好ましい。この場合、隅部２４で第２導電層１２ａが断線したとしても、この部分は二端子型スイッチング素子８と走査線４との導通経路になっていないので、図の矢印で示す導通経路は確保され、短絡処理を確実に行なえるからである。同様な理由から、重ね合わせ領域２０Ｂについても端部２６（第１のＴＦＤ駆動素子および画素電極６の双方から離間している隅部）をレーザ溶着するとよい。なお、第１導電層の「端縁」とは、所定の重ね合わせ領域から見たとき、当該重ね合わせ領域を挟んで位置する第１導電層のうち導電経路となっていない部分、例えば、重ね合わせ領域２０Ａに対して上側の端縁１０ｅをいう。
【００３５】
重ね合わせ領域２０Ａにおけるレーザ溶着部の断面構造は図７に示すようになっていて、第１導電層１０の側端と第２導電層１２ａの側端は溶着層４０になっていて、当該溶着層４０では絶縁層１１が消失しているために第１導電層１０と第２導電層１２ａが短絡されていることがわかる。このように、重ね合わせ領域２０Ａで第１導電層１０と第２導電層１２ａを溶着することにより、各導電層１０、１２ａを容易かつ確実に短絡することができる。
【００３６】
又、短絡処理を施した二端子型スイッチング素子８の電流−電圧特性は、図８に示すようになっている。つまり、短絡処理を施した素子は、一定の低抵抗を持つ素子（線形素子）になっていて、選択状態ではこの素子に接続された液晶層に大量の電荷が流れ込み、この電荷により液晶が駆動され、黒表示がなされる。
【００３７】
なお、本発明において、実際のレーザ溶着に用いるレーザの種類は特に制限されないが、例えばＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）を用い、レーザ照射幅１〜１．５μｍ程度とすればよい。この場合、素子基板２の裏側（二端子型スイッチング素子８が形成されていない側）からレーザを照射するとよい。又、顕微鏡搭載のレーザ照射装置における顕微鏡部分の倍率は、例えば５００倍程度にすればよい。
【００３８】
動作不良が生じた二端子型スイッチング素子の判定は、例えば素子基板２と対向基板３２とを貼り合せて液晶パネルとして所定の駆動電圧を印加し、このとき白表示された画素における素子を動作不良が生じたものと見なせばよい。又、液晶パネルにする前の素子基板に、適宜電圧によって発光するシート等を置き、所定の電圧印加時に白表示された画素を見つけてもよい。
【００３９】
ところで、以上の説明では、二端子型スイッチング素子がback−to-back構造のＴＦＤ駆動素子である場合について述べたが、図９〜図１２に示すように、第１導電層と第２導電層が１個所のみで交差するクロス型のＴＦＤ駆動素子に本発明を適用することも可能である。
【００４０】
図９において、二端子型スイッチング素子８Ｓはクロス素子になっていて、片状の第１導電層１０Ｓの（左側）一端側（信号線４と接続される側）は延設されて端子部１６Ｓをなし、走査線４に接続されている。又、第１導電層１０Ｓと交差して第２導電層１２Ｓが形成され、該第２導電層１２Ｓの（上下）両端は延設されて端子部１８、１８をなし、画素電極６Ｓに接続されている。そして、第１導電層１０Ｓと第２導電層１２Ｓとの交差部分が重ね合わせ領域２０Ｓになっている。
【００４１】
この二端子型スイッチング素子８Ｓの、図９のＣ−Ｃ’線による断面構造は図１０に示すようになっていて、素子基板２Ｓ上の絶縁膜２Ｓａの表面に例えば第１導電層１０Ｓが形成され、第１導電層１０Ｓの表面には絶縁層１１Ｓが形成され、絶縁層１１Ｓの上に第２導電層１２Ｓが形成されている。
【００４２】
この実施形態においては、図１１に示すように、第１導電層１０Ｓの一端側のみが端子部１６Ｓを構成し、一方で第２導電層１２Ｓの両端部がそれぞれ端子部１８Ｓ、１８Ｓを構成しているために、走査線４Ｓと画素電極６Ｓとの間の導通経路は２通り存在する。従って、第１導電層１０Ｓや第２導電層１２Ｓの断線を防止するため、重ね合わせ領域２０Ｓの隅部２１Ｓ〜２４Ｓ、特に隅部２３Ｓ又は２４Ｓをレーザ溶着すると好ましい。ここで、隅部２３Ｓ及び２４Ｓは、第１導電層１０Ｓの一端側（端子部１６側）に面していない側の隅部である。そして、例えば隅部２３Ｓをレーザ溶着すれば、レーザの照射幅がぶれて当該隅部２３Ｓと２２Ｓを結ぶ線上で第２導電層１２ａが断線したとしても、図示上側の導通経路は確保されているので、素子の短絡処理を確実に行なえる。同様に、隅部２３Ｓの代わりに隅部２４Ｓをレーザ溶着する場合、隅部２４Ｓと２１Ｓを結ぶ線上で第２導電層１２ａが断線したとしても、図示下側の導通経路は確保されることになる。
【００４３】
なお、図１２に示すように、第１導電層１０Ｔ、第２導電層１２Ｔの一端側のみがそれぞれ端子部１６Ｔ、１８Ｔを構成しているクロス素子型の二端子型スイッチング素子８Ｔの場合、以下のようにしてレーザ溶着をすることが好ましい。つまり、この実施形態においては、走査線４Ｔと画素電極６Ｔとの間の導通経路は図４の場合と同様に１通りであるので、端子部１６Ｔ及び１８Ｔに面していない側の隅部２４Ｔをレーザ溶着すれば、導通経路を断線させることなく確実に短絡処理を行なうことができる。
【００４４】
又、図１３に示すように、back−to-back構造の二端子型スイッチング素子８Ｕにおいて、２つの第２導電層１２Ｕａ、１２Ｕｂが、いずれもその両端が端子部１６Ｕ、１８Ｕになっている場合、導通経路は各第２導電層１２Ｕａ、１２Ｕｂについてそれぞれ２通り存在する。従って、この場合には図１１と同様に、重ね合わせ領域２０ＵＡでは、第１導電層１０Ｕの（左側）端縁１０Ｕｅに面している側の隅部２１Ｕ又は２２Ｕをレーザ溶着すれば、導通経路のいずれかを断線させることなく確実に短絡処理を行なうことができる。又、重ね合わせ領域２０ＵＢでは、第１導電層１０Ｕの（右側）端縁１０Ｕｅに面している側の隅部２７Ｕ又は２８Ｕをレーザ溶着すればよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、二端子型スイッチング素子における第１導電層と第２導電層との重ね合わせ領域をレーザで溶着するので、第１導電層と第２導電層が容易に溶着し、二端子型スイッチング素子を確実に短絡処理して、二端子型スイッチング素子の動作不良による白点欠陥を防止することができる。
【００４６】
特に、重ね合わせ領域の隅部をレーザで溶着した場合には、レーザの照射幅がぶれたとしても、第１導電層や第２導電層が断線することが少なくなるので、二端子型スイッチング素子の短絡処理がより確実になる。
【００４７】
とりわけ、特定の位置の隅部をレーザで溶着した場合には、レーザの照射幅がぶれて第１導電層や第２導電層が断線したとしても、二端子型スイッチング素子の導通経路は確保されるので、短絡処理をさらに確実に行なえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の製造方法により製造される液晶装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】  二端子型スイッチング素子の構成を示す平面図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】  二端子型スイッチング素子を短絡する態様を示す模式図である。
【図５】  同模式図である。
【図６】  同模式図である。
【図７】  図６のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図８】  短絡処理を施した二端子型スイッチング素子の電流−電圧特性を示すグラフである。
【図９】  二端子型スイッチング素子の別の構成を示す平面図である。
【図１０】  図９のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図１１】  図９に示す二端子型スイッチング素子を短絡する態様を示す模式図である。
【図１２】  二端子型スイッチング素子のさらに別の構成を示す平面図である。
【図１３】  二端子型スイッチング素子の他の構成を示す平面図である。
【図１４】  二端子型スイッチング素子を備えた液晶装置の等価回路である。
【図１５】  動作不良が生じた二端子型スイッチング素子の電流−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
２                                    素子基板
４                                    信号線
６、６Ｓ、６Ｔ、６Ｕ                  画素電極
８、８Ｓ、８Ｔ、８Ｕ                  二端子型スイッチング素子
１０、１０Ｓ、１０Ｔ、１０Ｕ          第１導電層
１１                                  絶縁層
１２ａ、１２ｂ、１２Ｓ、１２Ｔ、１２Ｕａ、１２Ｕｂ
第２導電層
１６、１６Ｓ、１６Ｔ、１６Ｕ、１８、１８Ｓ、１８Ｔ、１８Ｕ
端子部
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｓ、２０Ｔ、２０ＵＡ、２０ＵＢ
重ね合わせ領域
２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２１Ｓ、２２Ｓ、２３Ｓ、２４Ｓ、２１Ｔ、２２Ｔ、２３Ｔ、２４Ｔ、２１Ｕ、２２Ｕ、２３Ｕ、２４Ｕ、２５Ｕ、２６Ｕ、２７Ｕ、２８Ｕ        （重ね合わせ領域の）隅部
３２                                  対向基板
５０                                  液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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