(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板層と、埋込み酸化物の層と、及び単結晶シリコンディバイス層とを有する絶縁体シリコン基板と、
前記単結晶シリコンディバイス層の第１のディバイス層部分と、
前記第１のディバイス層部分に形成されたマイクロミラーと、
前記単結晶シリコンディバイス層の第２のディバイス層部分と、
前記第２のディバイス層部分に取り付けられたレーザと、
前記単結晶シリコンディバイス層の前記第１のディバイス層部分と前記第２のディバイス層部分とを結合するヒンジと、
前記ヒンジの少なくとも一部に蒸着され、前記マイクロミラー及び前記ヒンジの少なくとも一部を前記埋込み酸化物の層から解放すると共に該解放されたマイクロミラーを水平位置から移動させる固有応力を有するバイモルフ材料の層と、を備えることを特徴とするマイクロ光電気機械式レーザスキャナ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ光電気機械式レーザスキャナであって、
前記ヒンジの長さをＬ、前記バイモルフ材料の応力差を△σ、前記ヒンジ層の厚さをｈ、前記バイモルフ材料の平均弾性率をＹ’としたとき、前記ヒンジのリフト高さｂは、ｂ〜Ｌ２△σ／２ｈＹ’の式で表されることを特徴とするマイクロ光電気機械式レーザスキャナ。
【請求項３】
シリコン基板層と、埋込み酸化物の層と、単結晶シリコンディバイス層とを有する絶縁体シリコン基板と、
前記埋込み酸化物の層から解放された前記単結晶シリコンディバイス層の一部に形成された第１のマイクロミラーと、
前記第１のマイクロミラーを前記絶縁体シリコン基板に結合する第１のヒンジと、
前記第１のヒンジの少なくとも一部に蒸着され、前記解放されたマイクロミラーを水平位置から移動させる固有応力を有する、第１のバイモルフ材料の層と、前記埋込み酸化物の層から解放された前記単結晶シリコンディバイス層の一部に形成された第２のマイクロミラーと、
前記第２のマイクロミラーを前記絶縁体シリコン基板に接合する第２のヒンジと、
前記第２のヒンジの少なくとも一部に蒸着され、前記解放されたマイクロミラーを水平位置から移動させる固有応力を有する第２のバイモルフ材料の層と、
前記絶縁体シリコン基板の前記シリコン基板層の底面に接着された支持基板と、
前記支持基板の表面であって、放射されるレーザビームが前記第１のマイクロミラーから反射可能な位置に集積されたレーザと、
を備えることを特徴とするマイクロ光電気機械式レーザスキャナ。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ光電気機械式レーザスキャナに関する。
【０００１】
【従来の技術】
レーザベースのスキャナの用途には、バーコードスキャニング、網膜スキャニング、及び電子写真プリンティングのような重要な用途がある。集積されたマイクロ光電気機械（ＭＯＥＭＳ）式レーザスキャナは、寸法がコンパクトで安価であるため、これらの用途や他の用途に対して有用である。例えば、電子写真プリンティングで使用する場合、集積されたＭＯＥＭＳベースのレーザスキャナは、従来のレーザ式ポリゴンＲＯＳシステムよりも高いスキャン分解能を得るためにレーザプリンティングで使用される機敏なラスタ光学スキャニング（ＲＯＳ）システムを構築するには魅力的な選択肢である。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
集積されたＭＯＥＭＳ式スキャナでは、ポリゴンの揺れにより引き起こされたスキャンライン内の反りなどのエラーを補正するために、低いスキャン方向のレーザビームの位置を調整するだけでなく、レーザスポットをサブピクセルの分解能で正確に配置することが可能である。しかしながら、集積されたＭＯＥＭＳベースのレーザシステムを製造するには、複雑なマイクロ製造技術が必要である。
【０００３】
このため、製造が複雑でなく機械的な動作が頑丈であると同時に、寸法がコンパクトで、安価、また分解能が向上した集積されたＭＯＥＭＳベースのスキャナシステムを構成することは有益である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
マイクロ光学電気機械式レーザスキャナは、シリコン基板層、埋込み酸化物の層、及び単結晶シリコンディバイス層を有する絶縁体シリコン基板から構成される。第１のディバイス層部分は、そこに形成されたマイクロミラーを有する。レーザが第２のディバイス層部分に接続され、ヒンジがこの第１のディバイス層部分と第２のディバイス層部分とを結合する。このヒンジはバイモルフ材料で形成され、このバイモルフ材料はヒンジ内で固有応力を作り出す。バイモルフヒンジは、解放されたマイクロミラーを水平面から、レーザから放射されたレーザ光を直接又は間接に反射する位置まで移動させる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、本発明の第１の実施形態に基づいて処理される、絶縁体シリコン（ＳＯＩ）基板のウェーファ１０が示されている。ウェーファ１０にはシリコン基板１２、埋込み酸化物の層１４、及び単結晶シリコンディバイスの層１６が含まれる。以下に、本発明による集積されたＭＯＥＭＳ層のスキャナアセンブリーを製造するために使用する処理ステップを記述するが、多数の様々なリソグラフィ処理を本発明の中で使用することができることは理解されよう。
【０００６】
図２に示すように、最初のステップによりディバイス層１６がパターン化及びエッチングされて、ディバイス層の材料を除くことにより第１のディバイス層部分１８及び第２のディバイス層部分２０が形成され、これにより、トレンチ２２が形成される。このトレンチ２２では、ディバイス層１６の材料は、埋込み酸化物の層１４に達するまで除かれる。別の実施形態では、トレンチ２２はシリコン基板１２まで下に拡張される。
【０００７】
図３では、ヒンジ体２６をトレンチ２４内に形成することによって、ヒンジ素子２４が作られる。ヒンジ体２６には、それぞれ第１のディバイス層部分１８及び第２のディバイス層部分２０上に配置されたフィンガ部２８，３０が含まれる。このように、ヒンジ素子２４を蒸着することにより、第１のディバイス層部分１８及び第２のディバイス層部分２０が、ヒンジ体２６を介して接続すなわち一体化される。また図３に示すように、バイモルフ材料３２がヒンジ体２６の上に蒸着される。このバイモルフ材料３２は、圧縮応力及び引張応力の組合わせを利用する単一の層又は複数の層から構成され、結果として、ヒンジ２４全体にわたって応力のこう配が生じる。バイモルフ材料は、１つの実施形態では、リフトオフ技術の使用により蒸着することができる。
【０００８】
単一のバイモルフ層は、圧縮及び引張応力のこう配を有するスパッタ処理されたＭｏ−Ｃｒのような金属層とすることができ、また複数の層は、底側が圧縮応力を加えたポリ−Ｓｉ及び上側が引張歪みを加えた金属から構成することができる。例えば、ヒンジ体２６は、圧縮応力を加えたポリ−Ｓｉから構成することができる。ヒンジ２４には、ディバイス層部分１８，２０の少なくとも１つが動くことによりトルク力がヒンジ上に加わるときに、第１のディバイス層部分１８と第２のディバイス層部分２０との間の接続を維持するに十分な機械的強度がある。ヒンジ２４は、ヒンジ体２６も含めて、全体的にバイモルフ材料３２から作ることができることも理解されよう。
【０００９】
バイモルフ材料３２が、第１のディバイス層部分１８及び第２のディバイス層部分２０を引き上げるように動作する圧縮及び引張応力を発生する間、これらのディバイス層部分が埋込み酸化物の層１４にくっ付いているため、これらの部分はプレーナー位置に保たれる。
【００１０】
図４に移る。別の製造ステップにより、マイクロミラー３４が周知のリソグラフィ技術により第１のディバイス層部分１８上に蒸着される。次に、エッジ放射レーザのようなレーザチップ又はアセンブリー３６が、はんだボール３８及び４０を用いるフリップチップ技術により、第２のディバイス層部分２０の上面に取り付けられる。しかしながら、他の接続技術も使用可能であることは理解されよう。使用する接続技術は、レーザチップのマイクロ位置決めを可能にする必要がある。
【００１１】
図５に目を向けると、集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナ４０が示されている。この集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナ４０では、第１のディバイス層部分１８上に載せられたマイクロミラー３４及びヒンジ素子２４の一部が、埋込み酸化物の層１４から解放されている。特に、この実施形態では、第１のディバイス層１８及びヒンジ２４の一部の下の埋込み酸化物の層１４が周知のエッチングプロセスにより除かれて、ヒンジ２４内の張力により第１のディバイス層部分１８がディバイス層の面の外に移動される。引張応力が、ミラー３４をディバイス層１６の表面に対して４５゜の角度に引き上げる応力こう配を結果として発生する。
【００１２】
この構成により、レーザビーム４２がエッジ放射レーザチップ３６から放射されると、このレーザビームは基板面に対して直角に反射される。この表面に直角な放射により、このシステムをＴＯカンパッケージの中に容易にパッケージすることができる。このバイモルフ効果を組み入れているアセンブリーは、ＭＯＥＭＳベースの光学スイッチ及びマイクロ機械的なスプリング接点を作る上で有用である。フリップチップ取付け位置決めプロセスにより、レーザ３６をミラー３４に対してディバイス層１６上に正確に配置することができる。
【００１３】
マイクロミラー３４を第１のディバイス層部分１８の上面から離れたディバイスとして図示しているが、マイクロミラー３４は、実際に、第１のディバイス層部分１８の研磨した上面とすることができることは理解されよう。
【００１４】
図６に目を向けると、図５の集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナ４０の平面図が示されている。図５及び図６を見て、マイクロミラー３４が埋込み酸化物の層１４から離れると、ヒンジ２４内の所定の張力がミラーを位置決め及び保持する角度を決定するという受動的な構造体として、マイクロミラー３４が設計されていることに注意されたい。あるいは、バイモルフ材料が金属の物体である場合、ＤＣ電源などの電源装置４４を用いて、マイクロミラー３４を静電気的にスキャンすることができる。この電源装置４４は、ヒンジ２４の一部及びＳＯＩ基板１０に対してバイアス電圧を提供する。バイアス電圧をコントロールすることによって、マイクロミラー３４の角度位置をその面内位置（０゜）から面外の４５゜までコントロールすることが可能である。また、マイクロミラー及びレーザを駆動する電源４４及び高品質で低ノイズの電子回路４６を製造することによって、シリコンのディバイス層１６の残りの区域に、光電子及びマイクロ電気機械ディバイスの完全な集積化が実現される。
【００１５】
マイクロミラーの共振周波数は、ヒンジの剛性及びミラーの重量に依存する。ミラーの共振周波数は、このため設定可能であり、数10 kHzに設計することができる。
【００１６】
図７に示すように、スキャニング用マイクロミラー３４を基板面に対して45゜の角度に引き上げるためには、バイモルフのヒンジ２４とＳＯＩ基板１０との間の角度は約22.5゜でなければならない。ヒンジのリフト高さ又はカール高さ（ｂ）は、次のように表すことができる。
【００１７】
ｂ〜Ｌ２△σ／２ｈＹ’
ここで、Ｌはヒンジの長さ、△σはバイモルフ材料の応力差、ｈはヒンジ層の厚さ、またＹ’はバイモルフ材料の平均弾性率である。
【００１８】
Ｌの長さを200μmとすると、結果としてリフト高さは82μmとなる。バイモルフ層の厚さが1:mの場合、層を22.5゜に巻き上げるための、バイモルフ材料内の応力差は2.4 GPaとなる。この応力差は、スパッタ処理したＭｏ−Ｃｒを使用して実現することができる。
【００１９】
上記の式で示すように、バイモルフ層の長さを増加すると、湾曲部を22.5゜に巻き上げるために必要な応力差が減少する。しかしながら、マイクロミラーの高さが基板面に対して増加するため、レーザチップの厚さに制約があるので、マイクロミラーの中心をレーザビームに水平に整列させることが一層困難になる。１つの実施形態では、例えば、レーザのアセンブリー又はダイの厚さは、約120μmである。はんだバンプの高さを約40μmと仮定すると、レーザの活性領域は基板面上で160μmである。
【００２０】
図８に示すように、エッジ放射レーザの端面５０は、カールしたヒンジ２４のスターティングライン５２と整列している。レーザの発散角が、半値全幅（ＦＷＨＭ）において、縦方向に35゜で横方向に8％と仮定すると、ヒンジの最大エラー寸法は、レーザビームを完全に捕らえるために、長さが200μmで幅が150 :mとなる。
【００２１】
前述したように、バイモルフ材料及びＳＯＩ基板１０に加わるバイアスされた電圧により、ミラーのスキャンを静電気的に実現することができる。機敏なラスタ光学スキャニング（ＲＯＳ）システムとしての用途に対して、必要なスキャン角度は数度の程度である。このため、本願のシステムはこの構想に有用である。ミラーのプレスキャン角度は、ＤＣバイアス電圧により調整することができることに注意されたい。
【００２２】
また前述したように、マイクロミラーは絶縁体シリコンの基板のディバイス層の中に製造することができるため、ミラーは単結晶のシリコンから作ることができる。このため、高品質の、光学的に平坦でかつ研磨された面を製造することができる。
【００２３】
ミラーは、第１の実施形態では、第１のディバイス層部分及びヒンジの一部の下側にある埋込み酸化物の層（ＳｉＯ２）１４をエッチングで除くことにより解放される。しかしながら、第２の実施形態では、基板１２の背面からウィンドウを開くことによって、シリコン基板１２及び埋込み酸化物の層１４をエッチングで除去して、ミラーを離すことができる。この第２のミラーを解放する実施形態では、ミラーを動かすために必要な解放時間を減らすことができる。
【００２４】
本発明の第２の実施形態は、図１に関連して説明したようなＳＯＩウェーファを用いて実現することができる。図９に示すような第１のステップでは、パターンニング及びエッチング処理により、ディバイス層１６からミラー６０が形成される。次に、図１０に注目すると、エッチング処理が使用されて、リボン形ヒンジ構造体６２が構成される。このリボン形ヒンジ構造体６２の処理により、ミラー６０を保持する第１のディバイス層部分６４及び第２のディバイス層部分６６が定義される。両方の部分は、リボン形ヒンジ６２に一体化されている。リボン６２を薄くすると、機械的な安定性を十分に維持しながら、マイクロミラー６０の動きに対して柔軟性に富んだ構造が提供される。
【００２５】
このため、リボン形ヒンジ６２が、機械的な柔軟性を向上できるように薄くされたディバイス層１６から形成される。この設計により、その意図された目的に対して十分な強度を有する高品質の機械的構造体が作られる。この実施形態では、リボン形ヒンジすなわち構造体６４の厚さは約500 nm、幅は約50μm、また長さは約140μmである。
【００２６】
より詳しくは、リボン形ヒンジ６２は、２マスクプロセスを用いて形成される。薄くすべき領域は、初めに、リソグラフィで露光され、周りの領域は、湿式エッチングが露光されたシリコン領域の厚さを約500 nm又は他の適当な深さに減少させる時間までプロテクトされる。次に、その後のリソグラフィのステップを使用して、ヒンジをパターン化する。その結果、リボン形ヒンジと第１及び第２のディバイス層部分６４，６６との間の主な差は、パターンニングの形状及びこれらの領域の物理的な厚さである。
【００２７】
図１０から分かるように、リボン形ヒンジ６２は、第１及び第２のディバイス層部分６４，６６に完全に一体化されている。ディバイス層の厚さにおけるこの差は、トレンチ領域６８を定義する。このトレンチ領域６８を使用して、ミラー６０がいったん埋込み酸化物の層１４から離れたとき、ミラー６０を動けるようにする応力の張力を取り入れることが好ましい。
【００２８】
図１１は、トレンチ領域６８の中に蒸着されたバイモルフ材料７０を示すことによって、この構想をより明確に説明している。このバイモルフ材料７０は、リボン形ヒンジ６２の上に直接蒸着されている。前述した実施形態と同様に、バイモルフ材料は、圧縮及び引張応力のこう配を有するスパッタ処理されたＭｏ−Ｃｒのような単一の金属層又は底側が圧縮応力を加えたポリ−Ｓｉ及び上側が引張歪みを加えた金属から構成する複数の層のいずれかとすることができる。バイモルフ材料７０を蒸着した後、湿式エッチング法又は他の周知の方法などのエッチング処理を使用して、ミラー６０の下側及びリボン形ヒンジ６２の一部の下側から埋込み酸化物の層１４を取り除く。別の実施形態では、基板１２の後側からウィンドウ７６を開けて、第１のディバイス層６４及びリボン形ヒンジ６２の一部の下側のシリコン基板の層１２及び埋込み酸化物の層１４をエッチングで取り除くことによって、ミラー及びリボン形ヒンジの一部を解放することができる。
【００２９】
いったん解放されると、図１２に示すように、ミラーは第１の実施形態に関連されて説明したパラメータに基づいて決定される高さまで上がる。ミラーが解放された後に、図１３に示すように、レーザチップ又はアセンブリー７８が、はんだボール８０及び８２を使用するフリップチップボンディング技術又は他の周知の取付け技術によって、第２のディバイス層部分６６上に集積される。
【００３０】
第１の実施形態及び第２の実施形態の中で説明された処理は、多少異なるステップに従っていることに注意されたい。例えば、第１の実施形態では、レーザはミラーが解放される前に取り付けられる。このことは、本願で開示されたスキャニングディバイスの構成に対して別の構成が可能であることを示す意図がある。従って、両方の実施形態の構成の正確な順序はこれらの実施形態の中で示されるものから変えることができると共に、これらの実施形態は例示的な処理技術としてのみ記述されるものであり、これらの技術に対する本発明の構想を制限するものではないことは理解されよう。
【００３１】
図１４に目を向けると、集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナ９０についての別の設計が示されている。このディバイスを構成するエッチング技術及びリソグラフィ処理は、当業者が理解する範囲内にあり、始めの２つの実施形態に関連して示したような、同様の周知の製造技術を採用する。
【００３２】
本発明は、また、シリコン基板層９４、埋込み酸化物の層９６及びディバイス層９８を有する絶縁体シリコン（ＳＯＩ）ウェーファの基板９２を使用する。さらに、支持基板１００も使用していて、この支持基板はシリコン、金属又は他の適当な材料とすることができる。この支持基板１００は、陽極ボンディング又は冶金ボンディング技術によって、ＳＯＩ基板９２に接着することができる。図１４についての別の実施形態では、追加の基板１００を使用する代わりに、シリコン基板１２を、図１４におけるような完全なエッチングではなく、部分的にエッチングする。この実施形態では、支持基板１００は必要としない。
【００３３】
図１４に示した構成では、第１のミラー１０２がヒンジ１０４に取り付けられ、このヒンジ１０４が今度はディバイス層部分１０６に部分的に固定される。埋込み酸化物の層９６及びシリコン基板９４が除かれて、下方の位置を向いているミラー１０２がその始めの面内位置から所定の角度だけ離れた角度に向けられる。第２のミラー１０８も、ヒンジ１１０を介してディバイス層部分１１２に結合されている。この第２のミラー１０８は、埋込み酸化物の層９６から離れる場合、上方に向くように設計される。ミラーの角度は、バイモルフ材料内の応力の程度のようなパラメータによって決定される。このバイモルフ材料は、前述した実施形態の中で説明したように、スプリング１１０内に組み込まれるか、又はその上に蒸着される。ヒンジ１０４，１１０は、前述した実施形態の中で説明したように設計することができる。
【００３４】
垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１１４がフリップチップボンディング又は他の結合技術を用いて、支持基板１００に結合される。動作にあっては、ＶＣＳＥＬ１１４から放射されたレーザビーム１１６はミラー１０２に入射し、このミラー１０２はレーザビームをミラー１０８に向ける。ミラー１０２は、一度設定位置にセットされるとその位置を維持するような固定の受動ミラーとすることができ、ミラー１０８にはスキャンする能力がある。この能力は、ヒンジ１１０及び基板９０に対してバイアス電圧を発生する電源１１８により実現される。変化する電圧を（例えば、コントローラ１１９により）印加することにより、ヒンジ１１０の動きは、面内位置からバイモルフ材料の応力により決定される最大面外位置の範囲内でコントロール可能である。
【００３５】
バイアス電圧をミラー１０２に与えて、このミラーをスキャニング又は動かすことも可能である。ＶＣＳＥＬを使用する利点は、ビームの発散が小さいこと及びビームのプロフィールが円形なことである。
【００３６】
図１５に目を向けると、別のレーザスキャナ１２０の設計が示されている。この設計では、図１４のリフトアップ式ミラー１０２及び１０８に加えて、ビームのスキャニング用に使用する面内ねじりヒンジ式ミラー１２２も設けてある。このねじりヒンジ式ミラー１２２は、外部の磁界（図示せず）と相互作用する磁界を発生する、ミラー１２２上の電流コイル１２４により磁気的に駆動される。金属又は電流コイル１２２はねじりヒンジ式ミラー１２２の面上に置かれて、（ミラーに平行なフィールド方向を有する）外部の磁界と相互作用するオンボードの磁界を発生する別の実施形態では、ねじりヒンジ式ミラーは、ミラーの下側のレーザ支持基板１００上に蒸着された２個の電極により、静電気的に付勢される。電極プレート１２６は電気めっきにより付着形成され、プレートの厚さを数100マイクロメータにして、ミラーと電極との間のギャップをより小さくする。
【００３７】
それぞれの実施形態は、図５、図６及び図１４に関連して開示されたような集積された電極を有することができることに注意されたい。
【００３８】
本発明を好ましい実施形態に関連して説明したが、本発明を他の構成及び設計の中で実行するができることは当業者には明白である。そのような別の実施形態は、本発明の精神及び範囲から逸脱することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明で使用する絶縁体シリコン形ウェーファの側面図である。
【図２】  単結晶シリコンディバイス層の第１の部分及び第２の部分を有するようにエッチングされた、図１のＳＯＩ形基板又はウェーファを示す図である。
【図３】  本発明によるバイモルフ材料で形成されたヒンジを示す図である。
【図４】  ディバイス層の第１及び第２の部分に取り付けたマイクロミラー及びエッジ放射レーザを示す図である。
【図５】  本発明の教示による集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナを示す図である。
【図６】  図５のレーザスキャナの平面図である。
【図７】  約４５゜の角度にマイクロミラーを上げるための角度及びパラメータを示す図である。
【図８】  ミラーの寸法とこのミラーからのレーザの距離との間の関係を示す図である。
【図９】  本発明の第２の実施形態で使用するＳＯＩ形ウェーファを示す図である。
【図１０】  ディバイス層上の第１の部分と第２の部分との間の、本発明のヒンジ素子として使用されるリボン形ヒンジ構造のエッチングを示す図である。
【図１１】  図１０のリボン形ヒンジ上のバイモルフ材料の蒸着を示す図である。
【図１２】  ディバイス層の部分にマイクロミラー及びエッジレーザを取り付けた図である。
【図１３】  第２の実施形態による集積されたＭＯＥＭＳ式レーザスキャナを示す図である。
【図１４】  本発明の構想を実行する複式ミラースキャニングシステムの、第１の実施形態を示す図である。
【図１５】  本発明の構想を使用する複式ミラースキャニング構成の、第２の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１４  埋込み酸化物の層、１６  ディバイス層、２４  ヒンジ、３４  マイクロミラー、３６  レーザ、４０  レーザスキャナ、４２  レーザビーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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