(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部に配置された反応ガス供給口と、底部あるいは底部近傍に配置された排気口と、その内部上部の供給口下部に配置され、反応ガスを整流する整流板と、その下方に配置され、ウエハ基体をその上面に載置すると共に、その上面周縁から下方に延びる側壁面とを有し、かつ回転軸を中心に回転可能に形成されたウエハホルダーと、前記ウエハホルダー上のウエハ基体を加熱する加熱用ヒーターとを備え、供給口より内部に反応ガスを供給し、ウエハ基体をウエハホルダーと共に回転させながら、加熱下に、その表面に薄膜を気相成長させ、未反応ガスを含む排ガスを排気口から排出する反応炉からなる気相薄膜成長装置において、
前記反応炉には、ウエハホルダー上面より下方であって、かつ排気口より上方に位置して、排ガスを整流する整流板が所定の間隔を置いて２枚設けられていることを特徴とする気相薄膜成長装置。
【請求項２】
前記排ガス整流板は、盤面周方向に所定の間隔をもって均等に配列された複数の貫通開口を有することを特徴とする請求項１に記載された気相薄膜成長装置。
【請求項３】
前記排ガス整流板は、盤面周方向及び径方向に所定の間隔をもって均等に配列された複数の貫通開口を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された気相薄膜成長装置。
【請求項４】
前記所定の間隔を置いて２枚配置された排ガス整流板の内、第１整流板はウエハホルダー上面から延びる側壁上部に、第２整流板は側壁下端部近傍にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された気相薄膜成長装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された気相薄膜形成装置を用いて、炉内頂部供給口からの反応ガスを整流する整流板を経由して反応ガスをキャリアガスと共に流下させ、ウエハホルダー上面の座内に載置されたウエハ基体を加熱下に、ウエハホルダーと共に回転させながら、その表面に薄膜を気相成長させると共に未反応ガスを含む排ガスを整流する整流板を経由して底部排気口から排出することを特徴とする気相薄膜成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相薄膜成長装置及びそれを用いた気相薄膜成長方法に関し、より詳細には、シリコンウエハ等の基板表面上にＣＶＤ薄膜成長やエピタキシャル薄膜成長等により薄膜を形成するための改良された気相薄膜成長装置及びそれを用いた気相薄膜成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、枚葉式ウエハ処理装置はバッチ式装置に比べ多くの独特な特性を有しているため、半導体産業分野においてその使用が広がっている。
例えば、大口径化ウエハの処理に際しては、面内特性の均一な膜の形成のために、高速回転枚葉式気相薄膜成長装置が不可欠な存在となりつつある。
【０００３】
この気相薄膜成長装置は、例えば図６に示すように、反応炉１の上部に、炉内に原料ガスやキャリアガスを供給する通常複数のガス導入管２と、ガスの流れを整える複数の孔を形成した整流板３が配置され、その下方に、ウエハ基体４を載置する基体ホルダー５と、該基体ホルダー５を回転させるための回転軸６と、前記ウエハ基体を加熱する加熱用ヒータ９とが配設され、反応炉１の下部（通常底部近傍）に、前記回転軸６を回転させるモータＭと、反応炉内の未反応ガスを含む排ガスを排出する通常複数の排気口７と、排気口７に接続された排気管８とから構成されている。
このような装置を使用して例えばウエハ基体上に薄膜を気相成長させるには、まずガス導入管２を介して、反応ガス、キャリアガス等を供給し、該ガスの運動量や圧力分布を均一化し、更に整流板３に形成した孔を通して均一な流速を有するガス流を基体４上に供給し、基体４上に薄膜を気相成長させる。
【０００４】
この高速回転枚葉式気相薄膜成長装置を使って、膜の全面にわたって電気特性等の物性の均一なＣＶＤ膜、エピタキシャル膜等の積層膜を得るには、炉のチャンバー内のガス流動を均一化させることが非常に重要である。
しかしながら、チャンバー内の有効部のガス流動を完全に均一化させることは非常に難しく、特に、大口径ウエハの取扱が可能な大容量炉の炉内ガス流動状態の完全な把握、及びその制御は現在においてもなお充分には達成されていない。
通常、ガスはチャンバー内でその上部から噴出流下し、最終的にはその底部から排ガスとして排出される。チャンバー上部からの噴出ガスは、ウエハ基体に向かって流下しながら旋回状態で回転するウエハ基体の表面近傍に達し、該ウエハ基体表面上で、その外周方向に向きを変えて流れていく。
【０００５】
この外周方向へのガス流は、高速回転するウエハ基体の表面上を通過し、ウエハ基体を載置しているホルダーの上面の外周縁を越えてその延長上にあるチャンバー側壁面にぶつかり、方向を変えて、望ましくはそのままチャンバー側壁面とウエハ基体ホルダー側面との間の空間域を底部の排気口に向けて流下する。
しかしながら、実際には、該チャンバー側壁面にぶつかったガス流は、往々にして上部方向に向けて逆流し、上方から流下するガス流と衝突して渦を形成したり、好ましくない乱気流を発現させたりする。
この渦等のガス乱気流が形成されると、膜の正常な成長を阻害するだけでなく、場合によっては、該雰囲気中で気相化学反応を起こしパーティクルを生成させたりすることもある。
【０００６】
このような不都合を回避するための対策として、ガス流量を増大させたり、排気部でのガス圧を減少させる等の方法が提案されている（例えば、特開平５−７４７１９号公報、特開平５−９０１６７号公報、特開平６−２１６０４号公報、特開平７−５０２６０号公報等）。
しかしながら前者のようなガス流動の制御方法では、膜形成に必要な原料ガスの消耗が非常に大きくなり、ガスの消費量増大によるコスト増や、ガス処理装置及び付帯装置等の大型化によるコスト増等を招来し、実用上問題がある。
また、炉内圧を減少させる方法では、低圧部でのガス圧制御が困難であるという難点がある。
更に、特開平７−５０２６０号公報には、原料ガスやキャリアガスの反応炉内への導入方法を所定にすることにより、ガス運動量やガス圧を均一にして均一な流速で原料ガス等をウエハ基体上に供給し、膜厚の均一化を図る提案もなされている。
【０００７】
しかしながら、本発明者等が知る限りにおいて、上記各種提案のいずれも未だ上述した炉チャンバー内の有効部のガス流動を完全に均一化させるという目的を達成するには不十分である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等は、上述した問題点を解決するため、その原因について鋭意探査した結果、上記した従来の気相薄膜成長装置においては、ウエハ基体ホルダー回転体側面から排気口へのガス流が特に周方向において均一化せず、ガス気流に乱れを生じ、これが結果的にウエハ基体が載置されているホルダー面上の気流に迄影響を及ぼし、最終的にはウエハ基体面上の薄膜の均一成長を阻害するに至ることを突き止めた。
また、上記ホルダー回転体側面から排気口へのガス気流の乱れは、炉の底部に設けられた排気口からガスが流出する際、排気口近傍とそれから若干離れた位置とではガス気流の流速、気流の流線方向が異なる等流れの態様を異にし、しかも、排気口近傍ではガスの流路径が急激に狭められることにより気流に乱れが生じ、これらの現象が相互作用してその上方の気流に影響を及ぼすため生ずることも判明した。
【０００９】
すなわち、図７、図８に示すように、該チャンバー側壁面にぶつかったガス流は、必ずしも層流状態で均一に流下せず、往々にしてチャンバー側壁面と円筒型基体ホルダー５の側壁面の間に形成された空間域からその下方の排気口７が設けられているチャンバー底部域にかけての帯域で、特に周方向にガス流の乱れが発生する。このガス流の乱れが、その帯域の上部の気流に影響を与え、上方から流下するガス流と衝突して渦を形成したりして、好ましくない乱気流を発現させ、ウエハ基体表面上部のガス気流に迄影響を与えてこれを乱し、結果的に均質な薄膜の成長を阻害するという不都合が生じていることが判明した。
特に、図８に示すように、チャンバー底板部と排気口７との位置関係等に起因して生じるこの帯域のガス流の周方向における気流の乱れがウエハ基体のホルダー５上面にまで影響を及ぼし、該ホルダー面上のガス流が周方向に不均一となることが判明した。
【００１０】
そこで、この不都合な現象の発現を防止するには、本願出願人らは、該ウエハ基体ホルダー回転体側面から排気口に至るガス気流移動帯の適当な位置にガス整流板を設置し、この帯域のガス流れを周方向に於いて均一化させることによりガス流の乱れを可及的に抑制できることを見出し、この知見に基き本発明を完成するに至った。
【００１１】
上記したことから明らかなように、本発明の目的は、炉のチャンバー内の有効部のガス流動を全域にわたり完全に均一化させることができ、その結果、膜の全面にわたって電気特性等の物性の均一なＣＶＤ膜、エピタキシャル膜等の積層膜を得ることのできる改良された気相薄膜成長装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記気相薄膜成長装置を用いた気相薄膜成長方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた本発明にかかる気相薄膜成長装置は、頂部に配置された反応ガス供給口と、底部あるいは底部近傍に配置された排気口と、その内部上部の供給口下部に配置され、反応ガスを整流する整流板と、その下方に配置され、ウエハ基体をその上面に載置すると共に、その上面周縁から下方に延びる側壁面とを有し、かつ回転軸を中心に回転可能に形成されたウエハホルダーと、前記ウエハホルダー上のウエハ基体を加熱する加熱用ヒーターとを備え、供給口より内部に反応ガスを供給し、ウエハ基体をホルダーと共に回転させながら、加熱下に、その表面に薄膜を気相成長させ、未反応ガスを含む排ガスを排気口から排出する反応炉からなる気相薄膜成長装置において、前記反応炉には、ウエハホルダー上面より下方であって、かつ排気口より上方に位置して、排ガスを整流する整流板が所定の間隔を置いて２枚設けられていることを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記排ガス整流板は、盤面周方向に所定の間隔をもって均等に配列された複数の貫通開口を有しているのが望ましく、また前記排ガス整流板は、盤面周方向及び径方向に所定の間隔をもって均等に配列された複数の貫通開口を有しているのが好ましい。
また、前記所定の間隔を置いて２枚配置された排ガス整流板の内、第１整流板はウエハホルダー上面から延びる側壁上部に、第２整流板は側壁下端部近傍にそれぞれ配設されているのが望ましい。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明にかかる気相薄膜成長方法は、前記気相薄膜形成装置を用いて、炉内頂部供給口からの反応ガスを整流する整流板を経由して反応ガスをキャリアガスと共に流下させ、ウエハ基体ホルダー上面の座内に載置されたウエハ基体を加熱下に、ホルダーと共に回転させながら、その表面に薄膜を気相成長させると共に未反応ガスを含む排ガスを整流する整流板を経由して底部排気口から排出することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、炉内下部を流下する排ガス流が、通常炉底部乃至底部近傍に設けられている排気口より排出される際に、排気口に近い所とより遠い所とではガスの移動速度、流動方向が異なるために、特に周方向におけるガス流の均一性が損なわれること、及び、該排気口近傍ではガスの流路径が急激に狭められることにより渦等の気流の乱れが生ずること、及びこれらの現象が相互に作用しあってその上方のガス気流、即ち、炉チャンバーの側壁面とウエハ基体ホルダー側面との間の空間帯域を流下するガス気流に影響を及ぼし、特に周方向に気流乱れを生じさせること、そしてこの帯域のガス流の乱れが、更にウエハ基体基体面上のガス流の乱れを誘発し、結果的に、ウエハ基体上に形成される薄膜の均質な成長を阻害すること、等の事実関係を、研究実験の結果知得したことに基きなされたものである。
そして、この不都合な連鎖現象を断ち切り、面内物性の均一な良質薄膜を得るために、該気流帯域の所定位置に、貫通孔が周方向に均一に配置された整流板を設置し、これによりホルダー回転体側面から排気口へのガス気流の乱れがそれより上部に伝播しないようにしたものである。
【００１６】
本発明は、構成的に比較的簡単であるにも関わらず、後記実施例を参照することにより明らかなように、極めて顕著な炉内ガス流均一化効果、及び結果としてのウエハ基体積層薄膜の面内物性均一化効果を奏する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図１乃至図４に基づいて、より具体的に説明する。
なお、図１は、該帯域に整流板を設けた本発明にかかる気相薄膜成長装置の反応炉の概略を示す図であり、図２は本発明の気相薄膜成長装置のガス気流の流下状態を模式的に示した斜視図であり、図３は、図２の装置のガス気流の流下状態を上方から見た模式図（炉内上部）であり、図４は、図２の装置のガス気流の流下状態を上方から見た模式図（炉内底部）である。
【００１８】
この図においては、排ガス整流板１０は、ホルダー５円筒側面の上端部のすぐ下に位置する１枚（１０Ａ）と、該側面下端部近傍に位置するもう１枚（１０Ｂ）の計２枚の整流板が設けられている。
この排ガス整流板１０の作用により、そのガス流の流れ状態を模式的に示した図２，図３（上部整流板設置部），図４（底部）から容易に理解できるように、底部近傍で生じるガス流の乱れは上部第１整流板１０Ａの上部側には及ばず、従って、ホルダー５上のガス流が周方向に均一となる。
【００１９】
本発明で用いる、排ガス整流板１０は、あまり多数枚設けることは、ガス流の圧損が増す等の不利益もあり、２枚設けるのが好ましい。
該排ガス整流板１０は、ウエハ基体ホルダー５上面より下方で、かつ排気口７より上方のガス流下帯域に設置され、図１に示したようにホルダー５円筒側面の上端部のすぐ下に１枚と、該側面下端部近傍から排気口７の上部の間に位置してもう１枚が設けられることが好ましい。
本発明の排ガス整流板１０には、図１、２に示されているように、盤面周方向及び径方向に所定の間隔をもって、均等に配列された複数の貫通開口１０ａ、１０ｂが設けられている。
【００２０】
該貫通開口１０ａ、１０ｂは、流下するガス流に周方向の乱れが生じないように、整流板１０Ａ、１０Ｂの外周縁近傍から中心部にかけて同心円状に少なくとも１列、盤面周方向に所定の間隔をもって均等に配列され、同一列内では、各開口はほぼ同一の有効開口径を有するほぼ同一な形状に形成される。
また、該貫通開口１０ａ、１０ｂは、それぞれ同心円状に複数列形成してもよく、貫通開口１０ａ、１０ｂは盤面周方向のみならず、盤面径周方向においても所定の間隔をもって均等に配列されるのが良い。
また、各列の開口１０ａ、１０ｂの配置は盤面の半径方向に引いた放射状線の線上に列の各開口１０ａ、１０ｂがそろうように配列して良く、又、千鳥状配置であっても良い。
更に、貫通開口１０ａ、１０ｂの大きさは、装置その他の条件により適宜設定されるが、通常有効径として３乃至１５ｍｍ、有効開口率は、整流板１０Ａ、１０Ｂの表面積に対し３０乃至８０％に設定される。
貫通開口１０ａ、１０ｂの形状は特に限定的でないが、一般にガス整流の見地から円形乃至楕円形が好ましい。
【００２１】
排ガス整流板１０を２枚設ける場合、第１整流板１０Ａと、第２整流板１０Ｂは同一のものを用いても良いが、異なるものを用いても良く、この場合、上部の第１整流板１０Ａには、より開口径の大きいものを、下部の第２整流板１０Ｂにはより開口径の小さいものを用いるのがガス流の乱れ抑制効果上からより好ましい。具体的には、第１整流板１０Ａの貫通開口１０ａの開口径は、３ｍｍ〜１５ｍｍ、第２整流 板１０Ｂの貫通開口１０ｂの開口径は、３ｍｍ〜１０ｍｍが適している。
【００２２】
本発明の気相薄膜成長装置を構成する反応炉には、上記排ガス整流板構成部分を除き、炉本体、ホルダー、その他の部分に関して、それ自体公知の、所謂、縦型反応炉形式の炉を用いることができる。
例えば、炉本体として、従来例として説明した図６に示されているような炉の上部から下部迄の胴部有効径が同一のほぼ円筒状のものを用いても良く、あるいは、図５に示したような炉の上部と下部とで有効直径が異なるタイプのものを使用しても良い。
すなわち、図５に示した気相薄膜成長装置の上部有効直径はＤ1 であり、下部有効直径は、Ｄ1 より大きなＤ3 である。このタイプの気相薄膜成長装置は、炉の上部下端部にガス導入口２が新たに設けられている点において、図６に示した気相薄膜成長装置と異なる。なお、図５において、図６と同一あるいは相当部材は、同一符号を付すこととし、その説明を省略する。
【００２３】
本発明のこの気相薄膜成長装置を用いてウエハ基体上に薄膜を気相成長により形成させるには、炉内上部供給口から供給ガス整流板を経由して反応ガスをキャリアガスと共に、０．０２乃至２．０ｍ／ｓｅｃ程度の層流線速度で流下させ、整流板の下方に位置するウエハ基体ホルダーの凹状座内に載置されたウエハ基体を、８００乃至１１５０℃の温度で、ホルダーと共に３００乃至２０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、その表面に薄膜を気相成長させ、未反応ガスを含む排ガスを本発明の排ガス整流板を経由して底部排気口から排出する。
【００２４】
【実施例】
更に、本発明の理解を容易ならしめるため、以下の実施例に基づいて説明する。
［実施例１］
２枚の排ガス整流板を備えた図１に示す反応炉を用い、反応ガス供給口から反応ガス及びキャリアガス（反応ガス；ＳｉＨ4 流量 ０．３ｌ／ｍｉｎ、キャリアガス（Ｈ2 ガス）流量 ３０ｌ／ｍｉｎ、及びドーパントとしてＢ2 Ｈ6 （濃度０．１ｐｐｍ）含有Ｈ2 ガス０．０１ｌ／ｍｉｎ）を供給し、気相成長温度１０００℃、気相成長圧力４０ｔｏｒｒ、ホルダー回転数２０００ｒｐｍの操作条件下にシリコンウエハ基体上に薄膜を成長させた。
ここで用いた第１整流板は、開口径１０ｍｍの貫通開口を径方向に２列、周方向に２０個、総合計４０個形成されている。また用いた第２整流板は、開口径５ｍｍの貫通開口を径方向に３列、周方向に３０個、総合計９０個形成されている。なお、第１、２整流板は、共に板厚３ｍｍ、貫通開口は円形に形成されている。
そして、この第１整流板を第１整流板上面がホルダー円筒側面の上端部から１０ｍｍ下になるように、また第２整流板を第２整流板下面が排気口上面より、３０ｍｍ上になるように、それぞれ取り付けた。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ（ウエハ基体表面レーザー散乱体）個数を測定した。
ここで、薄膜の膜厚均一性は、赤外干渉膜厚計により測定し、その最大厚さ（max ）及び最小厚さ（min ）を求め、薄膜の膜厚均一性を(max-min)/(max+min)×100として算出し、表１に示した。
また、抵抗均一性は、薄膜が形成されたウエハ基体の抵抗値をＣ−Ｖ法を用いて測定し、その最大値（max ）及び最低値（min ）を求め、ド−パント取込みによる抵抗値の均一性を(max-min)/(max+min)×100として算出し、表１に示した。
更に、ＬＰＤ個数は、テンコール社製サーフスキャン６２００を用いて、ウエハ基体１枚の上に存在する０．１３５μｍ以上のＬＰＤの数を計測した。
以上得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００２５】
［参考例１］
実施例１において、下部排ガス整流板（第２整流板）を設置せず、１枚の排ガス整流板から成る反応炉を用いた以外は、実施例１と同様にして積層薄膜を得た。
この整流板を整流板下面が排気口上面より、３０ｍｍ上になるように取り付けた。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００２６】
［実施例３］
炉の上部と下部で内壁ライナー径が異る図５に示す構造の反応炉（排ガス整流板２枚設置）を用い、実施例１と同一反応条件下で、薄膜成長反応を実施した。
なお、ここで用いた反応炉は、ライナー（内壁）上部直径Ｄ1 とホルダー回転体直径Ｄ2 との比（Ｄ1 ／Ｄ2 ）が１．０であり、ライナー（内壁）下部直径Ｄ3 とライナー（内壁）上部直径Ｄ1 との比（Ｄ3 ／Ｄ1 ）が１．２５であり、ライナー（内壁）下部直径Ｄ3 とホルダー回転体直径Ｄ2 との比（Ｄ3 ／Ｄ2 ）が１．２５でり、ホルダー５の上部と、直径Ｄ1 のライナー上部の下端との距離Ｈが５０ｍｍである。
この第１整流板を第１整流板上面がホルダ−円筒側面の上端部から１０ｍｍ下になるように、また第２整流板を第２整流板下面が排気口上面より、３０ｍｍ上になるように、それぞれ取り付けた。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００２７】
［参考例２］
実施例３において、下部排ガス整流板（第２整流板）を設置しなかった以外は実施例３と同様にして積層薄膜を得た。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００２８】
［比較例１］
本発明の排ガス整流板を設けることなく、図６に示すような従来型の反応炉を用い、実施例１と同様の条件で薄膜成長反応を実施した。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００２９】
［比較例２］
比較例１において、気相成長圧力を３０ｔｏｒｒ、反応ガス（ＳｉＨ4 ）流量を２．０ｌ／ｍｉｎ、Ｈ2 ガス流量を２００ｌ／ｍｉｎ、Ｂ2 Ｈ6 （濃度０．１ｐｐｍ）含有Ｈ2 ガス流量０．０７ｌ／ｍｉｎとした以外は比較例１と同様の条件で薄膜成長反応を実施した。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００３０】
［比較例３］
排ガス整流板が設置されていない以外は実施例３で用いた反応炉と同じ構造の反応炉を用いて実施例３と同様の条件で薄膜成長反応を実施した。
そして、シリコンウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性、ＬＰＤ個数を測定した。得られた積層薄膜の評価結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
0003731844.tif 000002
【００３２】
上記結果から明らかなように、排ガス整流板を配設した実施例１、３及び参考例１、２が、比較例１〜３に例に比べて、ウエハ基体上に成長した薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性に優れ、またＬＰＤ個数が少ないことが認められた。また、実施例１、参考例１あるいは実施例３、参考例２を比べると、排ガス整流板を２枚配設する方が、薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性に優れ、またＬＰＤ個数が少ないことが認められた。
更に、実施例１、３あるいは参考例１、２とを比べると、図６に示した気相薄膜成長装置より、図５に示した様な炉の上部と下部とで有効直径が異なる気相薄膜成長装置の方が、薄膜の膜厚均一性、抵抗均一性に優れ、またＬＰＤ個数が少ないことが認められた。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の気相薄膜成長装置は、上述したように反応炉内の特定位置に均等に配列された貫通開口を有する排ガス整流板を配設した特定構成により、ウエハ基体ホルダー回転体側面から排気口へのガス流れが円周方向において均一化され、結果的に、ウエハ基体が載置されたホルダー上面のガス気流層が円周方向において均一な層流となり、ウエハ基体に形成される薄膜の面内均質化が達成出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明にかかる気相薄膜成長装置の概略斜視図である。
【図２】  図２は、本発明の気相薄膜成長装置のガス気流の流下状態を模式的に示した説明図（斜視図）である。
【図３】  図３は図２の装置のガス気流の流下状態を上方から見た模式図（炉内上部）である。
【図４】  図４は、図２の装置のガス気流の流下状態を上方から見た模式図（炉内底部）である。
【図５】  図５は、炉本体の形状の他の一例を示す概略断面図である。
【図６】  図６は、従来の気相薄膜成長装置の概略断面図である。
【図７】  図７は、従来の気相薄膜成長装置のガス気流の流下状態を模式的に示した説明図（斜視図）である。
【図８】  図８は、図７の装置のガス気流の流下状態を上方から見た模式図である。
【符号の説明】
１  反応炉
２  ガス導入管
３  整流板
４  ウエハ基体
５  ウエハ基体ホルダー
６  回転軸
７  排気口
８  排気管
１０  排ガス整流板
【図１】
0003731844.tif 000003
【図２】
0003731844.tif 000004
【図３】
0003731844.tif 000005
【図４】
0003731844.tif 000006
【図５】
0003731844.tif 000007
【図６】
0003731844.tif 000008
【図７】
0003731844.tif 000009
【図８】
0003731844.tif 000010