(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記配線パターンは、１つ又はそれ以上のグループの配線からなり、
それぞれのグループの前記配線は、一方の先端が一直線に並ぶように形成されてなる配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されてなる配線基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されてなる配線基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴である配線基板。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴である配線基板。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴である配線基板。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の配線基板において、
前記一対のダミーパターンを一対の第１のダミーパターンとし、前記マークを第１のマークとして、
一対の第２のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第２のダミーパターンの外形は、前記一対の第１のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第２のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第２のマークを有し、
他方の前記第２のダミーパターンの外形の内側は、前記第２のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっている配線基板。
【請求項９】
請求項８記載の配線基板において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第１のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第２のマークが形成されてなる配線基板。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の配線基板において、
前記第１及び第２のマークは、大きさ又は形状において異なる配線基板。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
前記基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記半導体チップと電気的に接続されない半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２記載の半導体装置において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されてなる半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されてなる半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴である半導体装置。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴である半導体装置。
【請求項１７】
請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴である半導体装置。
【請求項１８】
請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記一対のダミーパターンを一対の第１のダミーパターンとし、前記マークを第１のマークとして、
一対の第２のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第２のダミーパターンの外形は、前記一対の第１のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第２のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第２のマークを有し、
他方の前記第２のダミーパターンの外形の内側は、前記第２のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっている半導体装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第１のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第２のマークが形成されてなる半導体装置。
【請求項２０】
請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のマークは、大きさ又は形状において異なる半導体装置。
【請求項２１】
請求項１１から請求項２０のいずれかに記載の半導体装置と、
前記基板に取り付けられ、前記配線パターンに電気的に接続されてなるパネルと、
を有するパネルモジュール。
【請求項２２】
請求項１１から請求項２０のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項２３】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記マークの有無によって認識する半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記第１のマークの有無によって認識し、
前記配線パターンと前記半導体チップとの位置合わせを、前記第１及び第２のマークを基準として行う半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、半導体装置及びその製造方法、パネルモジュール並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体チップの実装形態として知られるＣＯＦ（Chip On Film）では、基板に反りやゆがみが生じないようすることが難しかった。特に、基板に、その方向を知るなどのためにマークを形成することが知られているが、マークを形成することで基板上のパターンが左右非対称になるため、基板の反りやゆがみを抑えることが難しかった。
【０００３】
本発明は、従来の問題点を解決するものであり、その目的は、基板の少なくとも方向を認識することができ、かつ、基板の反りやゆがみを抑えることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている。
【０００５】
本発明によれば、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。また、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。また、マークによって基板の少なくとも方向を認識することができる。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。
【０００６】
（２）この配線基板において、
前記配線パターンは、１つ又はそれ以上のグループの配線からなり、
それぞれのグループの前記配線は、一方の先端が一直線に並ぶように形成されていてもよい。
【０００７】
（３）この配線基板において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されていてもよい。
【０００８】
（４）この配線基板において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されていてもよい。
【０００９】
（５）この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴であってもよい。
【００１０】
（６）この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴であってもよい。
【００１１】
（７）この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴であってもよい。
【００１２】
（８）この配線基板において、
前記一対のダミーパターンを一対の第１のダミーパターンとし、前記マークを第１のマークとして、
一対の第２のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第２のダミーパターンの外形は、前記一対の第１のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第２のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第２のマークを有し、
他方の前記第２のダミーパターンの外形の内側は、前記第２のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。
【００１３】
（９）この配線基板において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第１のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第２のマークが形成されていてもよい。
【００１４】
（１０）この配線基板において、
前記第１及び第２のマークは、大きさ又は形状において異っていてもよい。
【００１５】
（１１）本発明に係る半導体装置は、基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
前記基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている。
【００１６】
本発明によれば、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。また、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。また、マークによって基板の少なくとも方向を認識することができる。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。
【００１７】
（１２）この半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記半導体チップと電気的に接続されなくてもよい。
【００１８】
（１３）この半導体装置において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されていてもよい。
【００１９】
（１４）この半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されていてもよい。
【００２０】
（１５）この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴であってもよい。
【００２１】
（１６）この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴であってもよい。
【００２２】
（１７）この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴であってもよい。
【００２３】
（１８）この半導体装置において、
前記一対のダミーパターンを一対の第１のダミーパターンとし、前記マークを第１のマークとして、
一対の第２のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第２のダミーパターンの外形は、前記一対の第１のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第２のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第２のマークを有し、
他方の前記第２のダミーパターンの外形の内側は、前記第２のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。
【００２４】
（１９）この半導体装置において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第１のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第２のマークが形成されていてもよい。
【００２５】
（２０）この半導体装置において、
前記第１及び第２のマークは、大きさ又は形状において異っていてもよい。
【００２６】
（２１）本発明に係るパネルモジュールは、上記半導体装置と、
前記基板に取り付けられ、前記配線パターンに電気的に接続されてなるパネルと、
を有する。
【００２７】
（２２）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２８】
（２３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記マークの有無によって認識する。
【００２９】
本発明によれば、配線基板の方向を認識するので、不良品の発生を減らすことができる。また、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。さらに、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。以上のことから、半導体チップの実装の信頼性を高めることができる。
【００３０】
（２４）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記第１のマークの有無によって認識し、
前記配線パターンと前記半導体チップとの位置合わせを、前記第１及び第２のマークを基準として行う。
【００３１】
本発明によれば、配線基板の方向を認識し、配線パターンと半導体チップとの位置合わせを行うので、不良品の発生を減らすことができる。また、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。さらに、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。以上のことから、半導体チップの実装の信頼性を高めることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【００３３】
配線基板は、基板１０を有する。基板１０は、ポリイミド等の樹脂で形成されていてもよい。基板１０は、可撓性を有していてもよい。基板１０は、テープであってもよく、その場合、基板１０にスプロケットホール１２が形成されていてもよい。配線基板は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープであってもよい。
【００３４】
基板１０には、配線パターン２０が形成されている。配線パターン２０は、他の部品（例えば図２に示す半導体チップ６０や図３に示すパネル８０）に電気的に接続される。配線パターン２０は、銅などの導電材料（例えば金属）で形成してもよい。配線パターン２０は、基板１０に貼り付けた金属箔をエッチングして形成してもよいし、基板１０に材料を蒸着して形成してもよい。図１には、１つの配線パターン２０が示されているが、複数の配線パターン２０が基板１０に形成されていてもよい。
【００３５】
配線パターン２０は、１つ又はそれ以上のグループの配線（例えば、第１〜第４のグループの配線２１〜２４）からなる。それぞれのグループの配線は、一方の先端（以下、第１の先端という。）が一直線に並ぶように形成されてなる。第１の先端は、基板１０に搭載される部品（例えば図２に示す半導体チップ６０）と電気的に接続される側の先端であってもよい。第２〜第４のグループの配線２２〜２４も同様である。
【００３６】
少なくとも１グループの配線（例えば第１のグループの配線２１）は、他方の先端（第１の先端とは反対側の先端。以下、第２の先端という。）も一直線（第１の先端が並ぶ直線とは別の直線）に並ぶように形成されていてもよい。少なくとも１グループの配線（例えば第２のグループの配線２２）は、第２の先端が一直線に並ぶ３つ以上の配線２６と、その直線から外れる位置に第２の先端が位置する少なくとも１つの配線２８と、から構成されていてもよい。
【００３７】
少なくとも１グループの配線（例えば第３又は第４のグループの配線２３，２４）は、第２の先端が、他のグループの配線（例えば第１及び第２のグループの配線２１，２２）の第２の先端（一直線に並ぶ３つ以上の第２の先端）と一直線に並ぶ配線３０，３２を含んでいてもよい。詳しくは、少なくとも１グループの配線（例えば第３又は第４のグループの配線２３，２４）は、１つのグループの配線（例えば第１のグループの配線２１）の第２の先端（一直線に並ぶ３つ以上の第２の先端）と一直線に並ぶ配線３０と、他のグループの配線（例えば第２のグループの配線２２）の第２の先端（一直線に並ぶ３つ以上の第２の先端）と一直線に並ぶ配線３２と、を含む。少なくとも１グループの配線（例えば第３又は第４のグループの配線２３，２４）は、一直線に並ばないように第２の先端が位置する配線３４をさらに含んでもよい。
【００３８】
少なくとも１つのグループの配線（例えば第１のグループの配線２１）において、一直線に並ぶ第２の先端は、基板１０に取り付けられる部品（例えば図３に示すパネル８０）と電気的に接続される側の先端であってもよい。基板１０がテープである場合、配線パターン２０は、基板１０の長手方向に延びるように形成されていてもよい。一直線に並ぶ第２の先端は、基板１０の幅方向に並んでいてもよい。
【００３９】
基板１０には、一対のダミーパターン４０，４２が形成されている。詳しくは、１つの配線パターン２０に対応して、一対のダミーパターン４０，４２が形成されている。したがって、複数の配線パターン２０が基板１０に形成されている場合、基板１０には、それぞれの配線パターン２０に対応して、一対のダミーパターン４０，４２が形成される。
【００４０】
基板１０にダミーパターン４０が形成されているので、基板１０における配線パターン２０が形成されていない部分が減って、基板１０の反りやゆがみを抑えることができる。一対のダミーパターン４０，４２の外形は、線Ｌを基準として、相互に線対称となる形状である。線Ｌは、基板１０の長手軸に沿った方向に延びていてもよい。線Ｌは、基板１０の幅方向の中心を通っていてもよい。一対のダミーパターン４０，４２の形状が線対称になっているので、非対称的な基板１０の反りやゆがみが生じにくい。それぞれのダミーパターン４０，４２の外形形状は、特に限定されず、多角形であっても、円形であっても、これらを組み合わせた形状であってもよい。一対のダミーパターン４０，４２の外形は、線Ｌを基準として、相互に線対称となる位置に形成されていてもよい。それぞれのダミーパターン４０，４２は、配線パターン２０（例えば配線２６，３２）に囲まれた領域に形成されていてもよい。ダミーパターン４０，４２は、配線パターン２０と同じ材料で形成してもよい。ダミーパターン４０，４２は、配線パターン２０と同時に形成してもよい。
【００４１】
一方のダミーパターン４０の外形の内側の表面形状は、マーク４４を有している。マーク４４は、ダミーパターン４０に形成された貫通穴であってもよいし、ダミーパターン４０及び基板１０に形成された貫通穴であってもよいし、ダミーパターン４０上の樹脂層（例えばレジスト層）に形成された貫通穴であってもよい。マーク４４の形状は、特に限定されず、円形であっても、多角形であっても、これらを組み合わせた形状であってもよい。
【００４２】
他方のダミーパターン４２の外形の内側は、マーク４４を有する表面形状（ダミーパターン４０の外形の内側の表面形状）と異なる表面形状になっている。図１に示すダミーパターン４２の外形の内側には、複数のラインが形成されている。あるいは、ダミーパターン４２は無模様であってもよい。
【００４３】
マーク４４によって基板１０の少なくとも方向を認識することができる。マーク４４は、一方のダミーパターン４０の外形の内側に存在し、他方のダミーパターン４２の外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターン４０，４２の外形が線対称であるので、非対称的な基板１０の反りやゆがみが生じにくい。
【００４４】
一対のダミーパターン４０，４２を一対の第１のダミーパターンとして、基板１０には、一対の第２のダミーパターン５０，５２が形成されていてもよい。一対の第２のダミーパターン５０，５２の外形は、一対の第１のダミーパターン４０，４２の対称の基準となる線Ｌを基準として、相互に線対称となる形状であってもよい。
【００４５】
マーク４４を第１のマークとして、一方の第２のダミーパターン５０の外形の内側の表面形状は、第２のマーク５４を有していてもよい。他方の第２のダミーパターン５２の外形の内側は、第２のマーク５４を有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。その他の点に関して、第２のダミーパターン５０，５２及び第２のマーク５４について、ダミーパターン４０，４２及び第１のマーク４４について説明した内容が該当する。
【００４６】
本実施の形態によれば、２つのマーク（第１及び第２のマーク４４，５４）によって、基板１０に搭載する部品（例えば半導体チップ）の位置合わせを行うことができる。一対のダミーパターン４０，４２の対称の基準となる線Ｌを境界として一方の側に、第１のマーク４４が形成され、他方の側に、第２のマーク５４が形成されていてもよい。その場合、第１及び第２のマーク４４，５４の距離が大きくなるので、位置合わせの精度が高くなる。第１及び第２のマーク４４，５４は、大きさ又は形状において異なっていてもよい。こうすることで、基板１０の方向を認識することが可能である。
【００４７】
図２は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図２に示す半導体装置は、図１に示す配線基板と、基板１０に搭載された半導体チップ６０と、を有する。基板１０に複数の配線パターン２０が形成されている場合、半導体装置は、複数の半導体チップ６０を有する。
【００４８】
半導体チップ６０は、配線パターン２０に電気的に接続されている。詳しくは、半導体チップ６０は、１つ又はそれ以上のグループの配線（例えば、第１〜第４のグループの配線２１〜２４）において、上述した一直線に並ぶ第１の先端側の部分に電気的に接続されている。電気的接続には、ＣＯＦ実装で一般に行われる方法を適用することができる。第１及び第２のダミーパターン４０，４２，５０，５２は、半導体チップ６０と電気的に接続されない。半導体装置に関するその他の内容は、上述した配線基板についての内容が該当する。
【００４９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１０に半導体チップ６０を実装することを含む。そして、基板１０の方向をマーク４４の有無によって認識してもよい。また、配線パターン２０と半導体チップ６０との位置合わせを、第１及び第２のマーク４４，５４を基準として行ってもよい。
【００５０】
本実施の形態では、基板１０の方向を認識し、配線パターン２０と半導体チップ６０との位置合わせを行うので、不良品の発生を減らすことができる。また、上述したように、基板１０の反りやゆがみを抑えることができるので、半導体チップ６０の実装の信頼性を高めることができる。
【００５１】
図３は、本実施の形態に係るパネルモジュールを示す図である。パネルモジュールは、半導体装置７０とパネル８０を有する。半導体装置７０は、基板７２と半導体チップ６０を有する。基板７２は、図２に示す基板１０を打ち抜いて得られたものであってもよい。パネル８０は、表示パネル（例えば液晶パネル、有機ＥＬ（Electroluminescence）パネル）であってもよい。その場合、パネルモジュールは、表示パネルモジュールということができる。基板７２はパネル８０に取り付けられている。基板７２に形成された配線パターン２０は、パネル２０に形成された図示しない配線パターン（又はリード）に電気的に接続されている。
【００５２】
上述した半導体装置又はパネルモジュールを有する電子機器として、図４にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図５には携帯電話２０００が示されている。
【００５３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係るパネルモジュールを示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  基板
２０  配線パターン
４０  ダミーパターン
４２  ダミーパターン
４４  マーク
５０  第２のダミーパターン
５２  第２のダミーパターン
５４  第２のマーク
６０  半導体チップ
７０  半導体装置
８０  パネル
【図１】
0003832576.tif 000002
【図２】
0003832576.tif 000003
【図３】
0003832576.tif 000004
【図４】
0003832576.tif 000005
【図５】
0003832576.tif 000006