(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素が１０重量ppm以下であり、次式で定義したＴが４〜３４の範囲にあり，Ｔ＝０．６０［Ｂｉ］＋０．５５［Ｐｂ］＋０．６０［Ｓｂ］＋０．６４［Ｓｅ］＋１．３６［Ｓ］＋０．３２［Ａｓ］＋０．０９［Ｆｅ］＋０．０２［Ｎｉ］＋０．７６［Ｔｅ］＋０．４８［Ｓｎ］＋０．１６［Ａｇ］＋１．２４［Ｐ］（ただし，［ｉ］は元素ｉの重量ｐｐｍ濃度）上記各元素の濃度が次の範囲にあり，［Ｂｉ］≦２．３，［Ｐｂ］≦６．２，［Ｓｂ］≦３．３，［Ｓｅ］≦３．７，［Ｓ］≦１２．２，［Ａｓ］≦３．３，［Ｆｅ］≦１３．６，［Ｎｉ］≦１３．６，［Ｔｅ］≦３．１，［Ｓｎ］≦１６．２，［Ａｇ］≦４２．５，［Ｐ］≦７．４（ただし，［ｉ］は元素ｉの重量ｐｐｍ濃度），残部Ｃｕ及び前記以外の不可避的不純物からなり，厚さが５〜５０μｍであり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引張り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とするフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【請求項２】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔａ，Ｂ，Ｃａ及びＮｂの各成分の内一種以上の合計量が２０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする，請求項１のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【請求項３】
２００℃で３０分間の焼鈍後の圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対しＩ／Ｉ０＞２０．０であることを特徴とする，請求項１または２のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【請求項４】
インゴットを熱間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げるプロセスにおいて，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこの焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が２０μｍ以下になる条件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を９０．０％を超える値とすることを特徴とする請求項１，２または３のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は屈曲性および好適な製造性を有するフレキシブルプリント回路基板（Flexible printed circuit，以下FPCと表記する）等の可撓性配線部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機物を基材としたプリント配線基板は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリイミドおよびポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の導電材としては主として銅箔が使用されている．銅箔はその製造方法の違いにより電解銅箔と圧延銅箔に分類される。
【０００３】
上記プリント配線基板のうち，フレキシブルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基板に銅箔をラミネートし，接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形成される。近年では高密度実装の有効な手段として，ビルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板が多く用いられている。これFPCの構成部材となる銅箔には，主に圧延銅箔が用いられている。
【０００４】
FPCは，プリンターのヘッド部やハードディスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる場所に広く使用され，100万回以上の屈曲が繰り返される。近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性への要求はより高度化している。
【０００５】
FPCに使用される銅箔の素材には，主にタフピッチ銅（酸素含有量100〜500 ppm）が用いられる。このタフピッチ銅箔は，インゴットを熱間圧延した後，所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。その後，樹脂基板との接着性を向上させるため，銅箔には表面に粗化めっきが施される。粗化めっき後の銅箔は，裁断された後，樹脂基板と貼り合わせられる。銅箔と樹脂との貼りあわせには，例えばエポキシ等の熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張り合わせ後130〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化させる。つぎに，銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成する。
【０００６】
銅箔の屈曲性は再結晶焼鈍を行うことにより圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，銅箔を樹脂基板と接着する際の加熱で兼ねる。このように，焼鈍状態の銅箔を最初から用いず製造工程の中間で焼鈍を行う理由は，焼鈍後の軟質状態では裁断や樹脂基盤との貼りあわせの際に銅箔が変形したり，銅箔にしわが生じたりするためであり，圧延上がりの硬質の状態の方がFPCの製造性の点からは有利なためである。
【０００７】
FPCの屈曲性を高めるためには，その素材となる圧延銅箔の屈曲性を高めることが有効である。焼鈍後の銅箔の屈曲性は，立方体集合組織が発達するほど向上する。また，この立方体集合組織を発達させるためには，銅箔の製造プロセスにおいて，最終圧延での加工度を高くすること，および最終圧延直前の焼鈍での結晶粒径を小さくすることが効果的である（特願平10-101858）。
【０００８】
ところが，このようなプロセスで製造した銅箔は，圧延で蓄積される塑性歪みが増大するため軟化温度が著しく低下し，場合によっては，室温で保管していても保管期間が長期に及ぶと軟化することがある（例えば特開平10-230303）。
【０００９】
上述したように，すでに軟化した銅箔を用いてFPCを製造すると，銅箔が変形する等の問題が生じ，FPCの製造性が著しく低下する。したがって，上記の製造プロセスを選択して銅箔の屈曲性を向上させる場合，同時に銅箔の軟化温度を適度に高くする必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，高屈曲性圧延銅箔の軟化度を適度に高めて保管中の軟化に伴うトラブルを解消することにより，優れた屈曲性と適度な軟化特性を併せ持つＦＰＣ用圧延銅箔を提供することである。
【００１１】
【課題を改善するための手段】
すなわち本発明は，上記の問題点を解決したものであり，
（１）酸素が１０重量ｐｐｍ以下であり，次式で定義したＴが４〜３４の範囲にあり，
Ｔ＝０．６０［Ｂｉ］＋０．５５［Ｐｂ］＋０．６０［Ｓｂ］＋０．６４［Ｓｅ］＋１．３６［Ｓ］＋０．３２［Ａｓ］＋０．０９［Ｆｅ］＋０．０２［Ｎｉ］＋０．７６［Ｔｅ］＋０．４８［Ｓｎ］＋０．１６［Ａｇ］＋１．２４［Ｐ］  （ただし，［ｉ］は元素ｉの重量ｐｐｍ濃度）
上記各元素の濃度が次の範囲にあり，［Ｂｉ］≦２．３，［Ｐｂ］≦６．２，［Ｓｂ］≦３．３，［Ｓｅ］≦３．７，［Ｓ］≦１２．２，［Ａｓ］≦３．３， ［Ｆｅ］≦１３．６，［Ｎｉ］≦１３．６，［Ｔｅ］≦３．１，［Ｓｎ］≦１６．２，［Ａｇ］≦４２．５，［Ｐ］≦７．４（ただし，［ｉ］は元素ｉの重量ｐｐｍ濃度），残部Ｃｕ及び前記以外の不可避的不純物からなり，厚さが５〜５０μｍであり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引張り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とするフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【００１２】
（２）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔａ，Ｂ，Ｃａ及びＮｂの各成分の内一種以上の合計量が２０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする，上記（１）のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
（３）２００℃で３０分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が微粉末銅のX線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対しＩ／Ｉ０＞２０．０であることを特徴とする，上記（１）または（２）のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【００１３】
（４）インゴットを熱間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げるプロセスにおいて，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこの焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が２０μｍ以下になる条件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を９０．０ ％を超える値とすることを特徴とする上記（１），（２）または（３）のフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法に関するものである。
【００１４】
銅箔を高加工度または微細結晶粒のプロセスで製造して立方体集合組織を発達させれば，屈曲性は向上するが，軟化温度が低くなり過ぎる。しかし，素材の成分をコントロールすることにより軟化温度を高めてやれば，適度な軟化温度を有する銅箔を得ることが可能となる。
【００１５】
ここでいう適度な軟化温度とは，
(1) 銅箔の圧延上がりの引張り強さは400〜500 N／ｍｍ２であるが，３０℃で１年間放置しても300 N／mm２以上の引張り強さを保つこと，
(2) 粗化めっきして裁断した後の熱処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で，銅箔が軟化すること，
の２つの条件によって規定され，30分間焼鈍の際の半軟化温度（引張強さが焼鈍前と完全に軟化したときの中間の値になるときの焼鈍温度）でいえば，120〜150℃の範囲に相当する。
【００１６】
従来，FPC用の圧延銅箔の素材には，無酸素銅ではなくタフピッチ銅が用いられているが，この理由は，無酸素銅はタフピッチ銅と比較して軟化温度が30℃以上高く，上述の樹脂基板と接着する際の熱処理で軟化しないためである（例えば，酒井修二，永井康睦，菅谷和雄，大谷憲夫：“低温軟化無酸素銅の諸特性とその応用”，日立電線，No.8 (1989)，Ｐ．51-56，および 江口立彦，藤田繁男，宮武幸裕，千草成史，徳永新，佐藤矩正，稲田孝：“低温軟化・高屈曲性無酸素銅の開発“，古河電工時報，No.86 (1990)，Ｐ．25-31）。
【００１７】
そこで，従来FPC用圧延銅箔の素材として敬遠されてきた無酸素銅を，優れた屈曲性が得られる高加工度または微細結晶粒のプロセスで製造すれば，このプロセスによって軟化温度が低下し，FPC用銅箔として好適な軟化温度が得られる可能性がある。
【００１８】
このようにFPC用圧延銅箔の素材に無酸素銅を用いることは従来より提案されていたが，例えば，▲１▼硼素を10〜600 ppm添加して軟化温度を低下させた無酸素銅箔を用いる（特許番号第1582981），▲２▼Ca，Zrまたはミッシュメタルの１種以上を10〜30ppm添加して軟化温度を低下させた無酸素銅を用いる（特許番号第1849316）など，合金元素の微量添加によって軟化温度をタフピッチ銅レベルまで低下させた上で，無酸素銅を使用する場合がほとんどであった。
【００１９】
一方，微量成分をコントロールすることなしに，特殊な製造プロセスで製造することによって無酸素銅箔の軟化温度を低下させ，FPCに用いる例もあるが，最終焼鈍を低温・長時間で行うなど，銅箔の生産性を低下させるものであった（特開平01-212739）。いずれにしても，従来の研究は無酸素銅の軟化温度を低下させることだけを目的としたものであり，無酸素銅本来の高い軟化温度を積極的に利用した例はなかった。
【００２０】
無酸素銅中に比較的高濃度で含有され，無酸素銅の軟化温度に影響を及ぼす不純物元素は，Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Fe，Ni，Te，Ag，SnおよびPである。これら元素の濃度が高くなると軟化温度は上昇するが，各元素の無酸素銅中の濃度は製造タイミングによってばらつき，従来のばらつきのレベルでは，半軟化温度を120〜150℃という狭い範囲に収めることはできない。そこで，これら元素の濃度を適正範囲に調整することが必要となる。
【００２１】
無酸素銅を溶製する際の主原料は電気銅である。上記元素のうち，Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Ni，Te，AgおよびSnは，主にこの電気銅から持ち込まれるものである。したがって，これら不純物の濃度は，原料に用いる電気銅を，その不純物含有量に応じて選別することによって調整できる。
【００２２】
つぎに，溶解後の電気銅は，カーボン脱酸等によって酸素濃度を調整されて無酸素銅となる。Feは主にこの過程で鉄錆などから混入するものであり，このようなFe分の混入を管理すればFe濃度を調整できる。また，無酸素銅の製造過程において，脱酸の仕上げとして，微量のPが添加されることがある。P濃度は，このP添加量を管理することで調整できる。
【００２３】
一方，Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，Ca，Nbなどを銅に低濃度で添加すると，軟化温度が低下することが知られている。これは，これら元素が上記の不純物元素と化合し不純物を固溶状態から析出状態に変える，あるいは再結晶核となって再結晶エネルギーを下げるためであるといわれている（例えば，特開昭63-140052）。
【００２４】
これらの元素は，電気銅中に極めて微量にしか含有されていないため，無酸素銅の製造過程において意図的に添加しない限り，軟化温度低下の効果が発現する濃度まで無酸素銅中に含有されることは少ない。したがって，これら元素を含有する電気銅を用いないことも重要であるが，無酸素銅の製造過程でこれら元素を脱酸剤等として添加しないことがとくに重要である。
【００２５】
本発明者らは上記観点に基づいて実験を繰り返し，無酸素銅の微量不純物量を厳密に調整し，またその製造工程を厳密に規定すれば，優れた屈曲性を得ると同時に，その半軟化温度を120〜150℃の範囲に調整できることを見出した。
【００２６】
本発明に関わる圧延銅箔の限定理由を以下に示す。本発明では，圧延銅箔を室温において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引張り強さを保持することを目標とした。より望ましくは３０℃において１年間放置した場合であっても，３００Ｎ／ｍｍ２以上の引張り強さを保持できることである。
【００２７】
ここで，３０℃とは日本国内の年間平均気温を超える温度に相当し，銅箔がＦＰＣに加工されるまで継続して保管されることが多く，その保管期間は，長くても１年間である。また，引張り強さが３００Ｎ／ｍｍ２以上であれば，銅箔を加工中にしわが生じる等のトラブルは発生しない。したがって，３０℃で１年間放置しても３００Ｎ／ｍｍ２以上の引張り強さを保持できれば実用上問題はない。このような軟化特性は，３０分間焼鈍したときの半軟化温度に換算すると，１２０℃以上の温度に相当する。
【００２８】
一方，30分間焼鈍したときの半軟化温度が150℃を超えると， 粗化めっきして裁断した後の熱処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で銅箔が軟化しないことがある。そこで，30分間焼鈍したときの半軟化温度を120〜150℃に規定した。
【００２９】
FPCの屈曲性を高めるためには，銅箔の屈曲性を高める必要がある。銅箔は再結晶状態でFPC中に組み込まれるが，純Cuの再結晶集合組織である立方体集合組織を発達させれば，銅箔の屈曲性は向上する。
【００３０】
満足できる屈曲性が得られるときの立方体集合組織の発達度は，X線回折で求めた（200）面の強度が微粉末銅のX線回折で求めた（200）面の強度（I0）に対し I／I0＞20.0の関係であることで規定され，好ましくはI／I0＞40.0の関係で規定される。ここで，200℃で30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶させるために行うものである。
【００３１】
O濃度を10重量ppm以下とする理由は，120℃以上の軟化温度を得るためである。O濃度が10 重量ppmを超えると，高屈曲が得られるプロセスで箔を製造する場合，微量成分量を後述する範囲に調整しても120℃以上の半軟化温度を得ることができない。また，O濃度を低減するとCu2O介在物が減少するため，屈曲性が改善される効果も得られる。
【００３２】
Bi，Pb，Sb，Se，S，As，Fe，Ni，Te，Ag，SnおよびPは，無酸素銅の軟化特性を決定付ける元素であり，これらの濃度を調整することで半軟化温度を制御できる。ただし，各元素で軟化温度上昇への寄与率が異なるため，元素により重み付けを行う必要がある。そこで，軟化温度上昇指数（T）を次式で定義した。
【数１】
T = 0.60[Bi] + 0.55[Pb] + 0.60[Sb] + 0.64[Se] + 1.36[S] + 0.32[As] + 0.09[Fe] + 0.02[Ni] + 0.76[Te] + 0.48[Sn] + 0.16[Ag] ＋1.24[P]  (ただし，[i]は元素iの重量ppm濃度)
【００３３】
ここで，各元素の係数は，高純度Cu中に各元素を単独で種々の量添加して濃度と半軟化温度との関係を求め，この関係を一次直線で整理したときの直線の傾き（℃／重量ppm）である。また，各元素の半軟化温度の上昇効果が，加算的に働くことを確認している。
【００３４】
このTが4〜34の範囲になるように上記元素の濃度を調整すれば，高屈曲が得られるプロセスで製造した銅箔の半軟化温度を，120〜150℃の範囲に収めることができる。一方，Tが4より小さくなると半軟化温度が120℃より低くなり，Tが34を超えると半軟化温度が150℃を超える。
【００３５】
Tを4〜34の範囲に調整するためには，上述したように不純物としての混入量を調整すればよいが，無酸素銅の製造過程においてこれら元素を意図的に添加する方法もある。ただし，各元素の濃度は，それぞれ規定の範囲内に調整する必要がある。
【００３６】これは，以下の理由によるものである。
▲１▼Bi，Pb，Se，S，Sn等の融点が低い元素が，無酸素銅インゴットの粒界に偏析すると，熱間圧延の際に割れが発生する。
▲２▼S，Sb，Se，As，Te，P等の非金属元素は，Cuとの間で非金属介在物を形成し，屈曲性をはじめとする機械的特性を低下させる。
【００３７】
▲１▼Ａｇ等は高価であるため，このような元素を多量に用いて軟化温度を調整することは経済的に不利である。
▲２▼Ｆｅ，Ｎｉ等の濃度が高くなると，再結晶集合組織の発達が阻害され｛（２００）面のＩ／Ｉ０が低下｝，屈曲性が低下する。
そこで，上記弊害が生じない範囲として，各元素の濃度を，
［Ｂｉ］≦２．３，［Ｐｂ］≦６．２，［Ｓｂ］≦３．３，［Ｓｅ］≦３．７，［Ｓ］≦１２．２，［Ａｓ］≦３．３， ［Ｆｅ］≦１３．６，［Ｎｉ］≦１３．６， ［Ｔｅ］≦３．１，［Ｓｎ］≦１６．２，［Ａｇ］≦４２．５，［Ｐ］≦７．４(ただし，［ｉ］は元素ｉの重量ppm濃度)
に規定した。
【００３８】
Ti，Zr，Hf，V，Ta，B，CaおよびNbが，銅中に含有されると半軟化温度が低下するが，これら元素の合計量が20重量ppm以下であれば，この軟化温度が低下する現象は発現しない。そこで，これら元素の合計量を20重量ppm以下に規定した。
【００３９】
銅箔の厚みについては，薄いほど曲げ部の外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さを5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断などにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚みを5〜50μmとした。
【００４０】
次に，本発明に関わる銅箔は，平均粒径が20μm以下になる条件で再結晶焼鈍を行なった後，90.0 %を超える加工度の冷間圧延を行うことによって箔に仕上げられるが，圧延前の焼鈍での平均粒径が20μmを超える場合または加工度が90.0%以下の場合には，I／I0＜20.0となって良好な屈曲性が得られない。
【００４１】
また，微量成分の濃度によっては，半軟化温度が150℃を超えることがある。なお，最終冷間圧延前の焼鈍を熱間圧延で兼ねることもできるが，この場合も熱間圧延上がりの結晶粒径を20μm以下に調整することが望ましい。
【００４２】
【実施例】
以下，本発明の様態を実施例により説明する。
表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴットを製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延した。
【００４３】
【表１】
0003856581.tif 000002
【００４４】
ここで，比較例のNo.1は，FPC用銅箔の素材として従来より用いられてきたタフピッチ銅である。つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さt0 mmの圧延上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結晶させ，酸化スケールを除去した後，所定の厚みt mmまで冷間圧延した。ここで，最後の冷間圧延での加工度はRは，
【数２】
R = (t0−t) / t0 × 100  (%)
で与えられる。また，最終冷間圧延前の焼鈍では，焼鈍後の結晶粒径を圧延方向に直角な断面において切断法で測定した。
【００４５】
このように種々の中間焼鈍条件および最終圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評価した。
（１）立方体集合組織
試料を２００℃で３０分間加熱した後，圧延面のX線回折で求めた（２００）面強度の積分値（Ｉ）を求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅の（２００）面強度の積分値（Ｉ０）で割り，Ｉ／Ｉ０の値を計算した。なお，ピーク強度の積分値の測定は，Ｃｏ管球を用い，２θ＝５７〜６３°（θは回折角度）の範囲で行った。
【００４６】
（２）屈曲性
試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，図１に示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造になっており，被試験銅箔は１は，矢印で示したねじ２の部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。
【００４７】
試験片幅12.7 mm，試験片長さ：200 mm，試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストローク：25 mm，振動速度：1500回／分
なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲性を有していると判断した。また，この試験は加速試験であり，実際にFPCが使用させる条件よりも厳しい条件下で行っている。
【００４８】
（３）半軟化温度
種々の温度で30分間の焼鈍を行なった後の引張り強さを測定した。そして，焼鈍後の引張り強さが，圧延上がりの引張り強さと300℃で30分間焼鈍し完全に軟化させた後の引張り強さとの中間の値になるときの焼鈍温度を求めた。半軟化温度が120〜150℃の範囲であれば，適正な軟化特性を有していると判断した。
【００４９】
（４）室温での軟化挙動
圧延上がりの材料を30℃に調整した恒温槽中に保管し，保管開始から1ヶ月毎に引張り強さを測定し，引張り強さが300 N／mm２以下の値になるまでの期間を求めた。この評価は12ヶ月間まで継続した。
【００５０】
表2に各組成の銅箔の加工履歴と特性を示す。
【００５１】
【表２】
0003856581.tif 000003
【００５２】
本発明に関わる圧延銅箔である本発明例のNo.1〜20は，焼鈍を行うと立方体集合組織が発達して200面のI／I0が20.0を超え，その結果として3万回以上の優れた屈曲寿命を示している。また，軟化温度は，目標の120〜150℃の範囲内であり，室温（30℃）で1年間保管しても引張強さが300 N／mm２以上の値を保っている。
【００５３】
一方，高屈曲が得られるプロセスで製造したタフピッチ銅箔である比較例のNo. 1は，Tが4以上であるにもかかわらず，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さが300 N／mm２以下に低下した。
比較例のNo.2はTが4に満たないため，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さが300 N／mm２以下に低下した。また，比較例のNo.3はTが34を超えているため，半軟化温度が150℃を超えており，FPCの製造段階で再結晶しない危険性が高い。
【００５４】
比較例のNo.5はBi濃度が5 重量ppmを超えているため，インゴットを熱間圧延する際に割れが発生し，銅箔に加工することができなかった。同様に，Pb，Se，S，Sn濃度が規定範囲を超えた場合にも熱間圧延割れが発生した。
【００５５】
比較例のNo.4はS濃度が15重量ppmを超えているため熱間圧延割れが発生したが，この割れを研削して35μmまで加工した。しかし，Cu2S介在物が増大したため，I／I0が20を超えたにもかかわらず，30000回以上の屈曲回数が得られなかった。同様に，Sb，Se，As，Te，P濃度が規定範囲を超えた場合にも，非金属介在物が増大して屈曲性が低下した。
【００５６】
比較例のNo.6はFeが20重量ppmを超えているため，再結晶集合組織の発達が阻害されI／I0が20未満となり，30000回以上の屈曲回数が得られなかった。同様に，Ni濃度が規定範囲を超えた場合にも，I/I0が20未満となった。
【００５７】
比較例のNo.7，8および9は，Tが4を超えているが，Ti，Zr，Hf，V，B，Ca，Nb等を脱酸剤として用い，これらの合計濃度が20重量ppmを超えてしまったため，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さが300 N／mm２以下に低下した。
【００５８】
比較例のNo.10は圧延前の結晶粒径が20μmを超えているため，比較例のNo.11は圧延加工度が90 %以下であるため，200面のI／I0が20未満であり，屈曲回数が3万回に満たず，圧延で蓄積された塑性歪み少ないため半軟化温度が150℃を超えている。
【００５９】
比較例のNo.12は厚さが50μmを超えているため，立方体集合組織が発達しているにもかかわらず，屈曲回数が3万回未満である。
【００６０】
図2に同一のプロセスで製造した，本発明例のNo.1〜9および比較例のNo.2，3について，Tと半軟化温度との関係を示した。Tが高くなると半軟化温度が上昇し，Tが4〜34の範囲で目標の120〜150℃の半軟化温度が得られていることがわかる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明のフレキシブルプリント回路用圧延銅箔は優れた屈曲性を有する。また，適度な軟化温度を有し、かつ保管中に軟化したりあるいは焼鈍を行っても軟化しないといったトラブルが生じないため，フレキシブルプリント回路基板としての好ましい特性を有する。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極等のフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】屈曲疲労寿命の測定を行うために使用した屈曲試験の説明図である。
【図２】本発明例と比較例と半軟化温度との関係をしめすグラフである。
【符号の説明】
銅箔
ねじ
振動伝達部材
発振駆動体
【図１】
0003856581.tif 000004
【図２】
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