(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、
前記裏打磁性膜は非磁性層で互いに分離された３層以上の軟磁性膜を有し、前記非磁性層で互いに分離された３層以上の軟磁性膜のうち前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜の厚さは０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下であり、前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜の飽和磁化強度は他の軟磁性膜の飽和磁化強度よりも大きく、前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜以外の軟磁性膜は、記録磁化状態において、磁化が互いに逆平行であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性膜のうち前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜以外の軟磁性膜は磁化方向がほぼ円板状の基板の周方向を向き磁化が環流していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜の厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性膜と前記垂直磁化膜との間に非磁性層もしくは飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以下である弱磁性層を含む垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性膜と前記基板との間に非磁性膜、反強磁性膜又は強磁性膜を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜はＣｏ合金膜、Ｃｏ−Ｐｔ合金又はＦｅ−Ｐｔ合金からなる多結晶膜、Ｃｏ又はＣｏ合金とＰｔ又はＰｔ合金からなる多結晶多層膜、あるいはＣｏ又はＣｏ合金とＰｄ又はＰｄ合金からなる多結晶多層膜であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜が稀土類元素を含む非晶質膜であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１記載の垂直磁気記録媒体において、磁化が互いに逆平行の軟磁性膜の間に介在する非磁性膜が、Ｂ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕから選ばれた元素もしくはこれらの元素を主成分とする合金、Ｓｉ3Ｎ4，ＢＮ，Ｂ4Ｃ，ＮｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＣａＯ，ＺｒＯ2，ＭｇＯから選ばれた化合物もしくはこれらの化合物の混晶のいずれかであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜が飽和磁化強度が１Ｔ以上のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｍｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｍｏ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｗ−Ｈｆ合金であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
垂直磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置において、前記垂直磁気記録媒体として請求項１〜９のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を用い、当該垂直磁気記録媒体の垂直磁化膜に最も近い側に位置する軟磁性膜の飽和磁化（Ｂｓm）と厚さ（ｔ）、磁気記録における最短のビット長（Ｂｍｉｎ）と垂直磁化膜の平均の飽和磁化（Ｍｓ）との間に、０．５Ｂｍｉｎ・Ｍｓ≦Ｂｓm・ｔの関係が成立し、しかもｔ＜１００ｎｍであることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１１】
垂直磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置において、前記垂直磁気記録媒体として請求項１〜９のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を用い、当該垂直磁気記録媒体のｍ番目の軟磁性膜の飽和磁化（Ｂｓm）と厚さ（Ｔm）、記録に用いるヘッド磁極材料の飽和磁化（Ｂｓh）とトラック幅（Ｔｗ）との間に、０．１６Ｂｓh・Ｔｗ≦Σ（Ｂｓm・Ｔm）の関係が成立することを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度磁気記録に適する垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在実用化されている磁気ディスク装置は、面内磁気記録方式を採用している。ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い面内磁気記録媒体に基板と平行な面内磁区を高密度に形成することが技術課題となっている。この方式で面記録密度、特に線記録密度を伸ばすためには、面内磁気記録媒体の保磁力を向上するとともに記録磁性膜の厚さを低減することが必要である。保磁力が４ｋＯｅを超えると、磁気ヘッドによる記録が困難になり、また磁性膜の厚さがＣｏ合金系磁性膜では１５ｎｍ以下になると熱揺らぎのために記録磁化強度が時間の経過につれて減少する問題が発生する。面内記録方式は、隣接する記録ビットの磁化が互いに向あっており境界に幅をもった磁化遷移領域が形成されるという本質的な問題があるため、主として前記の理由が原因で４０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を実現するためには、技術的な困難が予想されている。
【０００３】
垂直磁気記録方式は薄膜媒体の膜面に垂直に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発現機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なる。垂直磁気記録方式は隣接する磁化が逆平行になるために、本質的に高密度磁気記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適した媒体の構造などが提案されている。垂直磁気記録方式には単層の垂直磁化膜を用いる方式と垂直磁化膜に裏打磁性膜を設ける方式がある。裏打磁性膜を持つ２層垂直磁気記録媒体を用いる技術は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vol.MAG-20, No.5, September 1984, pp.657-662, “Perpendicular Magnetic Recording-Evolution and Future”に記述されている。この方式の垂直磁気記録媒体としては、パーマロイなどの軟磁性膜層からなる裏打層上にＣｏ−Ｃｒ合金からなる垂直磁化膜を設けた媒体が検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
２層垂直磁気記録媒体を用いる垂直磁気記録方式により４０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能な磁気記憶装置を実用化するためには、媒体ノイズの低減、記録磁化からの磁気信号強度の確保及び記録ヘッドの記録効率の向上が不可欠である。
【０００５】
媒体ノイズは、垂直磁化膜と裏打磁性膜の双方から発生しており、特に裏打磁性膜から発生するスパイク状のノイズが問題となっていた。このようなノイズの例は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vol.MAG-20, No.5, September 1984, pp.663-668, “Crucial Points in Perpendicular Recording”に記述されている。このような問題に対して、裏打磁性膜の下部に面内磁化膜を形成する方法が、例えば日本応用磁気学会誌，Vol.21, Supplement No.S1, pp.104-108，“３層垂直媒体の高Ｓ／Ｎ化及び記録信号の安定性”に見られるように提案されているが、４０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能な磁気記憶装置を実用化するためには必ずしも十分ではなかった。
【０００６】
記録磁化からの磁気信号強度を確保する点では、２層垂直磁気記録媒体は裏打ち軟磁性膜を持たない単層垂直磁気記録媒体に比べてほほ２倍の信号強度が得られる特徴があるが、前述のように裏打ち軟磁性層に固有なスパイク状ノイズが伴う問題点があった。２層垂直媒体と単磁極型の記録ヘッドを組み合わせた磁気記録系では、記録ヘッドの記録効率をあげるために、記録ヘッドから漏洩する磁束のヘッドへの速やかな回帰を促す必要がある。このため裏打ち軟磁性膜の厚さは記録用の垂直磁化膜の厚さに比べて少なくとも数倍以上が必要とされていた。
【０００７】
本発明の目的は、２層垂直磁気記録媒体と単磁極型記録ヘッドからなる磁気記録系の特徴である、（１）高密度磁気記録性、（２）記録磁化信号強度の確保、（３）記録ヘッド効率を確保して、従来からの大きな問題となっていた裏打ち磁性膜に固有のノイズを防ぐ方法を提供することにより、４０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高速、高密度記録密度を実現するための垂直磁気記録媒体を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易ならしめることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
低ノイズ特性、記録ヘッドの高記録効率性、記録ビットからの高信号出力性を持つ垂直磁気記録媒体を実現するために本発明では、非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、裏打磁性膜が少なくとも非磁性層で互いに分割された２層以上の軟磁性膜を含んでおり、垂直磁化膜に近い側の軟磁性膜が垂直磁化を保持する軟磁性キーパー層の役割を担い、基板側に近い軟磁性膜の磁化は前記軟磁性キーパー層とは独立の方向を持つことを特徴とする垂直磁気記録媒体で構成されていることを特徴とする。
【０００９】
２層垂直磁気記録媒体における裏打磁性膜の役割は、（１）垂直磁化膜に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させる、（２）記録ヘッドの記録効率を増大させる、ことにある。本発明者は実験及び考察により、裏打ち軟磁性膜を特定の構成で多層化することにより、上記特徴を生かしつつ従来の問題点を克服できることを見い出した。
【００１０】
図１及び図２を参照しながら、本発明による垂直磁気記録媒体の構造と作用について説明する。図１は本発明による垂直磁気記録媒体の断面模式図、図２は軟磁性膜の磁化方向を示すそのＡ−Ａ断面模式図及びＢ−Ｂ断面模式図である。本発明では、裏打ち軟磁性膜の基本構造として、垂直磁化膜に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させる役割を持った軟磁性膜１７と、この磁性膜に加えて記録ヘッドの記録効率を特に向上するために設ける軟磁性膜１３，１５が互いに非磁性層１６で分離されている構造を採用する。図１には、後者の役割を果たす軟磁性膜が２層の場合を示した。
【００１１】
２層垂直媒体に固有なスパイク状のノイズは、裏打ち軟磁性膜に入る磁壁に関連して発生することが知られている。本発明では、図２に示すように、裏打ち軟磁性膜の主要部分を占める軟磁性膜１３，１５の磁化方向２０，２１を互いに逆平行とさせ、しかも基板１１が円板状である場合には、磁化の方向を円板基板の周方向に揃える。周方向に磁化の向きを設定することにより、ノイズの原因となる磁壁の発生を抑制できることになる。なお、図１に示すように、非磁性層１４を介して接する軟磁性膜１３，１５は磁気エネルギー的に互いに逆平行になるように磁気結合する特徴がある。磁性膜を２層以上に多層化した場合も、互いに逆平行になる関係が成立し易い。基板１１と最初の軟磁性膜１３の間に、通常付着強化層１２を設けるのが望ましい。この層１２をさらに多層化して、軟磁性膜の磁化の方向を固定するための反強磁性膜や強磁性膜を含ませることにより、さらに望ましい実用上の効果が得られる。
【００１２】
軟磁性膜の磁化方向を円板状の基板の周方向に規定するためには、薄膜の形成プロセスもしくは形成後に円板状の基板の周方向に回転する磁場を印加すれば良い。このためには、例えば電気伝導線をディスクの中心部にあけられた孔に直角に貫通させた配置としておき、これに電流を通すとその周囲に同心円状の磁場が発生する現象を利用すれば良い。
【００１３】
さらに、これらの軟磁性膜１３，１５の上に非磁性膜１６を介して、垂直磁化膜１８に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させる役割を持った軟磁性膜１７を設ける。この軟磁性膜１７は、記録ヘッドで磁気記録する際には、上記の軟磁性膜と同様に記録効率を上げる働きをするが、さらに垂直磁化膜１８に形成された磁区の下部に、図１に示すように記録磁化状態に応じた閉磁路を形成し、記録磁化を安定化させる。この軟磁性膜１７は垂直磁化膜１８に形成された隣接する磁区が底部で磁気的に連続した馬蹄形磁石を形成することにより、媒体表面の磁化強度を増幅させる。この役割を果たす軟磁性膜１７の厚さは、従来から知られていた軟磁性膜のように厚い必要はない。また、この軟磁性膜１７と垂直磁化膜１８の間に垂直磁化膜の結晶成長制御用の膜を設けても良い。ただ、２層垂直磁化膜の特徴を生かすためには、結晶成長制御用の膜の厚さは、磁気記録の最短ビット長さよりも小さく設定する等の配慮が必要である。さらに磁気記録特性を劣化させないためには、この膜は飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以下の弱磁性材料もしくは非磁性材料であることが望ましい。
【００１４】
本発明者の実験と考察によれば、媒体表面の磁化強度を増幅させてしかもスパイク状のノイズが顕著にならない条件は、垂直磁化膜の下に設ける軟磁性膜の飽和磁化をＢｓm、厚さをｔとすると、目的とする磁気記録の線記録密度に依存することが分かった。磁気記録における最短のビット長をＢｍｉｎ、垂直磁化膜の平均の飽和磁化をＭｓとすると、０．５Ｂｍｉｎ・Ｍｓ≦Ｂｓm・ｔの範囲が必要である。例えば、最大線記録密度を５００ｋＦＣＩ（kilo Flux Change per Inch）、垂直磁化膜の平均の飽和磁化を０．４Ｔ、軟磁性膜の飽和磁化を１Ｔとすると、その厚さｔは、１０ｎｍ≦ｔとなる。Ｂｓm・ｔが０．５Ｂｍｉｎ・Ｍｓよりも小さくなると、前述の効果が薄れて、媒体表面の磁化強度が低減して単層垂直磁気記録媒体の場合と殆ど同様になる。また、ｔの最大の値は記録密度や軟磁性膜の飽和磁化の大きさにはあまり依存せず、ほぼ１００ｎｍ以上になると軟磁性膜の厚さが大きくなり、軟磁性膜に入る垂直磁化情報とは無関係な磁区が形成されやすく、スパイク状ノイズの発生源となるので望ましくなくなる。また、膜厚を低減させて出力増幅の効果を発揮させるためには、飽和磁化Ｂｓmの大きい軟磁性材料を用いるほうが良く、基板側に設けるヘッドの記録効率を助ける役割をする軟磁性膜の飽和磁化より、大きい飽和磁化の材料を用いるのが効果的である。
【００１５】
また、垂直磁化膜の近くに設ける軟磁性膜も含めて、ｍ番目の軟磁性膜の厚さをＴm、軟磁性膜の飽和磁化をＢｓmとすると、記録用のヘッド磁極材料の飽和磁化（Ｂｓh）とトラック幅（Ｔｗ）を考慮すると、０．１６Ｂｓh・Ｔｗ≦Σ（Ｂｓm・Ｔm）であることが望ましい。０．１６Ｂｓh・Ｔｗ＞Σ（Ｂｓm・Ｔm）となると、記録ヘッドの記録効率が低下する、記録減磁が顕著になる、などの問題が発生する。また、軟磁性膜の総厚は厚い方が記録効率は向上するが、膜厚が厚いことに伴って発生する媒体表面の起伏増大等が顕在化するので、Σ（Ｂｓm・Ｔm）≦Ｂｓh・Ｔｗであることが望ましい。
【００１６】
本発明で用いる垂直磁化膜として、従来から知られているすべての種類の垂直磁化膜を用いることができる。すなわち、垂直磁化膜として、Ｃｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金からなっている多結晶膜、あるいはＣｏ，Ｃｏ合金とＰｔ，Ｐｔ合金からなる多結晶多層膜、あるいはＣｏ，Ｃｏ合金とＰｄ，Ｐｄ合金からなる多結晶多層膜などが可能である。また、稀土類元素を含む非晶質膜からなる垂直磁化膜を用いることができる。
【００１７】
軟磁性材料としては、Ｆｅ基のＦｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ系合金、Ｎｉ基のＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｍｎ系合金、Ｃｏ基のＣｏ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｆｅ系合金あるいはＭＯ・Ｆｅ3Ｏ4（Ｍ＝Ｆｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ）で表されるソフトフェライトを用いることができる。特に垂直磁化膜の近くに設ける軟磁性膜としては、飽和磁化が１Ｔ以上と大きくてしかも非晶質もしくは微結晶となるＦｅ基合金のＦｅ−Ｔａ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ−Ｓｉ合金、及びＣｏ基合金のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｍｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｍｏ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｗ−Ｈｆが適当である。この材料が非晶質もしくは微結晶の場合、その上に形成する垂直磁化膜の結晶粒も微細化しやすく、しかも強い垂直磁気異方性を付与させるために好適である。
【００１８】
軟磁性膜の間を分離する非磁性材料としては、Ｂ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕから選ばれた元素もしくはこれらの元素を主成分とする合金、Ｓｉ3Ｎ4，ＢＮ，Ｂ4Ｃ，ＮｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＣａＯ，ＺｒＯ2，ＭｇＯから選ばれた化合物もしくはこれらの化合物の混晶のいずれかを用いることができる。磁気記録の高周波記録特性を改善するたためには、非磁性材料として電気抵抗の高いＢ，Ｃ，Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4，ＢＮ，Ｂ4Ｃ，ＮｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＣａＯから選ばれた材料もしくはこれらいずれかの材料を主成分とする混晶材料が適当である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を実施例により詳細に説明する。
［実施例１］
直径２．５インチのガラス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図１の模式図に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板１１上に、反強磁性材料のＦｅ−５０ａｔ％Ｍｎ膜１２を５０ｎｍ厚、軟磁性層１３としてＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−５ａｔ％Ｚｒ膜を５０ｎｍ厚、非磁性材料層１４としてＣｕ膜を３ｎｍ，再び軟磁性膜１５としてＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−５ａｔ％Ｚｒ膜を５０ｎｍ厚、非磁性膜１６としてＣ膜を１０ｎｍ厚、軟磁性膜１７として飽和磁化が１．６ＴのＦｅ−８ａｔ％Ｓｉ−１０ａｔ％Ｂ膜を３０ｎｍの厚さ形成し、その上に垂直磁化膜１８としてＣｏ−２０ｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂ膜を２５ｎｍ、保護膜１９としてカーボン膜を５ｎｍの厚さ、この順序で形成した。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー２０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５０℃の条件で形成した。同様な条件で、垂直磁化膜１８の直下に設けた軟磁性膜１７をＦｅ−１０ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃ，Ｆｅ−８ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃ−４ａｔ％Ｓｉ，Ｆｅ−５ａｔ％Ｔａ−３ａｔ％Ｃ，Ｆｅ−９ａｔ％Ｓｉ−５ａｔ％Ａｌ−１ａｔ％Ｎｉ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｆｅ−４ａｔ％Ｃ，Ｃｏ−６ａｔ％Ｆｅ−４ａｔ％Ｂ−１０ａｔ％Ｓｉ合金とした以外は前記と同様な垂直媒体を作製した。
【００２０】
比較試料１として、厚さ３００ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅパーマロイの単層からなる裏打磁性膜をガラス基板上に形成し、Ｃｏ−２０ｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂ膜を２５ｎｍ、保護膜１９としてカーボン膜を５ｎｍの厚さとした試料を同様のスパッタ条件で作成した。比較試料２として、比較試料１において軟磁性膜と基板の間に反強磁性材料のＦｅ−５０ａｔ％Ｍｎ膜を形成した垂直磁気記録媒体を作成した。
【００２１】
作製した垂直磁気記録媒体の軟磁性膜にディスク周方向に磁化を付与するために、磁場中熱処理を行った。試料を真空熱処理装置に導入し、ディスク面に対して直角となるようにディスク中心部の孔に電気導線を通した。電気導線に通電することによって、ディスクの周方向に回転する磁場を形成しつつ、試料の温度を２５０℃から室温まで冷却することによって磁場中熱処理を行った。カー効果顕微鏡によって軟磁性膜の磁化の方向を観察したところ、比較試料も含めて磁化の方向は大略図２に示すようにほぼディスクの周方向に揃っていることを確認した。
【００２２】
ついで、これらの試料の記録再生特性を記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価した。単磁極型記録ヘッドのＦｅ−Ｎｉ合金磁極のトラック幅は０．５２μｍ、再生用の巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのトラック幅は０．４μｍ、シールド間隔は０．０８μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍとした。４００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合の媒体のＳ／Ｎは、比較試料１のＳ／Ｎに対する相対値として測定した。記録分解能は孤立波出力の半分となる線記録密度Ｄ50として、記録磁化強度は比較試料１に対する相対出力として４００ｋＦＣＩの記録信号出力を測定した。また、スパイク状のノイズの発生頻度を測定し、１トラック１周あたり１個以上検出された場合を×、ディスクの記録面をシークしてスパイク状ノイズが１個以上検出された場合を△、スパイク状ノイズが全く検出されなかった場合を◎として評価した。これらの結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
0003731640.tif 000002
【００２４】
本実施例の磁気記録媒体は、比較例に比べて特にスパイク状ノイズの発生が低減しており、しかもＳ／Ｎ、記録分解能、再生出力も向上しており、高密度磁気記録媒体として望ましいことがわかった。
本実施例で作製した磁気記録媒体を用いて、再生素子としてＧＭＲヘッドを用いた２．５インチの磁気記憶装置を作製した。面記録密度４０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保でき、超高密度記録再生装置として動作することを確認した。
【００２５】
［実施例２］
直径２．５インチのシリコン基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、図３に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板３１上に、薄膜の付着力強化用の非磁性膜３２としてＣｒ膜を１０ｎｍ、ついで軟磁性膜３３としてＦｅ−５０ａｔ％Ｃｏ膜１０ｎｍと非磁性３４としてＲｕ膜３ｎｍの組み合わせを１０組積層した。この上にＦｅ−５０ａｔ％Ｃｏ膜３５を１０ｎｍ積層した後、非磁性膜３６としてＡｌ2Ｏ3膜を５ｎｍの厚さ形成した。さらに軟磁性膜３７としてＦｅ−５ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ膜（飽和磁化：１．６Ｔ）を５０ｎｍ厚、垂直磁化膜の結晶成長制御用膜３８としてＴｉ−５ａｔ％Ｃｒ膜を１０ｎｍ、垂直磁化膜３９としてＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂ膜（飽和磁化：０．４Ｔ）を２５ｎｍ、保護膜４０としてカーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度３１０℃の条件で垂直磁気記録媒体を作製した。同様な条件で、垂直磁化膜の近くに設けたＦｅ−４ａｔ％Ｔａ−３ａｔ％Ｓｉ−２ａｔ％Ｂ軟磁性膜３７の厚さを０〜３００ｎｍの間で変化させた以外は上記と同様な構成の試料を作製した。
【００２６】
作製した垂直磁気記録媒体の軟磁性膜にディスク周方向に磁化を付与するために、磁場中熱処理を行った。試料を真空熱処理装置に導入し、ディスク面に対して直角となるようにディスク中心部の孔に電気導線を通した。電気導線に交流を通電することによって、ディスクの周方向に交互に回転する磁場を形成しつつ、試料の温度を２５０℃から室温まで冷却することによって磁場中熱処理を行った。カー効果顕微鏡によって軟磁性膜の磁化の方向をディスク周辺部の断面で観察したところ、軟磁性膜の磁化は非磁性層を介して互いに逆平行でしかも磁化は円板状のディスクのほぼ周方向に揃っていることを確認した。
【００２７】
また比較試料として、直径２．５インチのシリコン基板に垂直磁化膜の結晶成長制御用膜３８としてＴｉ−５ａｔ％Ｃｒ膜を１０ｎｍ、垂直磁化膜３９としてＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂ膜（飽和磁化：０．４Ｔ）を２５ｎｍ、保護膜４０としてカーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した、単層垂直磁気記録媒体を作製した。
【００２８】
軟磁性膜を持つ垂直磁気記録媒体の記録再生特性を記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。単磁極型記録ヘッドのＦｅ−Ｎｉ合金磁極のトラック幅は０．５２μｍ、再生用の巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのトラック幅は０．４μｍ、シールド間隔は０．０８μｍ、測定時のスペーシングは０．１５μｍとした。また、比較試料の単層垂直磁気記録媒体の磁気記録には、トラック幅０．５２μｍの薄膜リングヘッドを前記と同様のスペーシング条件で用いた。単層垂直媒体の再生出力検出には、巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッド（トラック幅０．４μｍ、シールド間隔０．０８μｍ）をスペーシング０．１５μｍの条件で用いた。２５０ｋＦＣＩ及び５００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合の再生出力を測定し、単層垂直媒体の再生出力と相対比較した。また、軟磁性膜を持つ垂直磁気記録媒体のスパイク状ノイズの検出頻度を測定した。この測定では、ディスクサンプルのトラック１周当りのスパイクノイズのカウント数を測った。磁気ヘッドの位置をディスク上で１μｍピッチで半径方向に移動させつつ、１０トラックあたりのスパイクノイズの数として測定した。なお、単層垂直媒体では、このスパイク状ノイズは全く検出されなかった。これらの測定結果を図４と図５に示す。
【００２９】
記録信号の再生出力と軟磁性膜の膜厚の関係は、図４に示すように、軟磁性膜厚が増大するほど再生出力も増大する傾向が認められた。線記録密度が５００ｋＦＣＩの場合は膜厚が６ｎｍ以上で、また２５０ｋＦＣＩの場合は膜厚が１２ｎｍ以上の時、単層垂直媒体のそれぞれの記録信号に比べて１．２５倍以上の出力になり、軟磁性下地膜による顕著な効果が認められた。一方、スパイクノイズの発生頻度は、図５に示すように、軟磁性膜厚が１００ｎｍ以上になると１０トラック周あたりの発生頻度が１個以上となることが確認された。
【００３０】
すなわち、磁気記録における最短のビット長をＢｍｉｎ、垂直磁化膜の平均の飽和磁化をＭｓとすると、単層垂直磁化膜に記録した場合よりも１．２５倍以上大きな再生出力を得るためには、０．５Ｂｍｉｎ・Ｍｓ≦Ｂｓm・ｔの範囲が必要であり、また軟磁性膜の膜厚がほぼ１００ｎｍ以上になるとスパイク状ノイズの発生が顕著になることが確認された。
【００３１】
また、本実施例で作製した磁気記録媒体を用いて、再生素子としてＧＭＲヘッドを用いた２．５インチの磁気記憶装置を作製した。最大線記録密度５００ｋＢＰＩ（Bit per Inch）、トラック密度８０ｋＴＰＩ（Track per Inch）からなる面記録密度４０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保でき、超高密度記録再生装置として動作することを確認した。
【００３２】
［実施例３］
直径２．５インチのガラス基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、図６に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。ガラス製基板６１上に、非磁性Ｃｒ層６２を１０ｎｍ厚、強磁性Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ層６３を１５ｎｍ厚、軟磁性Ｃｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ膜６４を１５０ｎｍ厚、非磁性Ｓｉ−１５ａｔ％Ｂ膜６５を８ｎｍ厚、軟磁性Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌ膜６６を４０ｎｍ厚、非磁性Ｓｉ膜６７を５ｎｍ厚、非磁性Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｒｕ膜６８を５ｎｍ厚、垂直磁化膜Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ膜６９を２０ｎｍ厚、垂直磁化膜Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔ膜７０を２ｎｍ厚、保護膜としてカーボン膜７１を４ｎｍの厚さ、順次形成して垂直磁気記録媒体を作製した。ここで基板に近い側に設けた軟磁性膜の飽和磁化強度は１Ｔ、垂直磁化膜に近い側に設けた軟磁性膜の飽和磁化強度は１．４Ｔであり、後者の飽和磁化値が大きくなるように設定した。
【００３３】
また、前記の軟磁性Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌ膜６６の代わりに、いずれも飽和磁化が１．１Ｔ以上である、Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−２ａｔ％Ｚｒ膜、Ｃｏ−４．５ａｔ％Ｔａ−３ａｔ％Ｚｒ膜、Ｃｏ−４ａｔ％Ｍｏ−３ａｔ％Ｚｒ膜、Ｃｏ−４ａｔ％Ｗ−３ａｔ％Ｚｒ膜、Ｃｏ−４ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｈｆ膜、Ｃｏ−３．５ａｔ％Ｔａ−２ａｔ％Ｈｆ膜、Ｃｏ−３ａｔ％Ｍｏ−３ａｔ％Ｈｆ膜、Ｃｏ−３．２ａｔ％Ｗ−３ａｔ％Ｈｆ膜を設けた以外は同様の構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３４】
さらに、図６における積層垂直磁化膜６９、７０の代わりにＣｏ−５０ａｔ％Ｐｔ単層膜（膜厚：２０ｎｍ）、Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ単層膜（膜厚：２０ｎｍ）、｛（Ｃｏ：２ｎｍ）／（Ｐｔ：１ｎｍ）｝10多層膜、｛（Ｃｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ：２ｎｍ）／（Ｐｔ：１ｎｍ）｝10多層膜、｛（Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｂ：２ｎｍ）／（Ｐｄ：１ｎｍ）｝10多層膜、非晶質Ｔｂ−１２ａｔ％Ｆｅ−１５ａｔ％Ｃｏ垂直磁化膜（膜厚：２５ｎｍ）を設けた以外は同様の構造の垂直磁気記録媒体を作製した。多層膜の表示において、例えば｛（Ｃｏ：２ｎｍ）／（Ｐｔ：１ｎｍ）｝10多層膜は，２ｎｍ厚のＣｏ膜と１ｎｍ厚のＰｔ膜の組み合わせを合計１０組積層した構造であることを示す。
【００３５】
作製した垂直磁気記録媒体の軟磁性膜にディスク周方向に磁化を付与するために、磁場中熱処理を行った。試料を真空熱処理装置に導入し、ディスク面に対して直角となるようにディスク中心部の孔に電気導線を通した。電気導線に直流を通電することによって、ディスクの周方向に右回りに回転する磁場を形成しつつ、試料の温度を３００℃から室温まで冷却することによって磁場中熱処理を行った。カー効果顕微鏡によって軟磁性膜の磁化の方向をディスク周辺部の断面で観察したところ、軟磁性膜の磁化は円板状のディスクのほぼ周方向右回りに揃っていることを確認した。
【００３６】
比較例として、基板６１上に、非磁性Ｃｒ層６２を１０ｎｍ厚、強磁性Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ層６３を１５ｎｍ厚、軟磁性Ｃｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ膜６４を２００ｎｍ厚形成後、直接に非磁性Ｓｉ膜６７を５ｎｍ厚、非磁性Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｒｕ膜６８を５ｎｍ厚、垂直磁化膜Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ膜６９を２０ｎｍ厚、垂直磁化膜Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔ膜７０を２ｎｍ厚、保護膜としてカーボン膜７１を４ｎｍの厚さ、順次形成して垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３７】
続いて、これらの試料の記録再生特性を記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価した。単磁極型記録ヘッドのＦｅ−Ｎｉ合金磁極のトラック幅は０．５２μｍ、再生用の巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのトラック幅は０．４μｍ、シールド間隔は０．０８μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍとした。４００ｋＦＣＩの磁気記録を行った場合の媒体のＳ／Ｎは、比較試料のＳ／Ｎに対する相対値として測定した。記録分解能は孤立波出力の半分となる線記録密度Ｄ50として、記録磁化強度は比較試料に対する相対出力として４００ｋＦＣＩの記録信号出力を測定した。また、スパイク状のノイズの発生頻度を測定し、１トラック１周あたり１個以上検出された場合を×、０．１以上１未満を○、０．１未満を◎として評価した。これらの結果を、以下の表２に示す。なお、表２において、例えば｛（Ｃｏ：２ｎｍ）／（Ｐｔ：１ｎｍ）｝10は、２ｎｍ厚のＣｏ膜と１ｎｍ厚のＰｔ膜の組み合わせを繰り返し１０組積層した多層膜であることを示している。
【００３８】
【表２】
0003731640.tif 000003
【００３９】
表２に示されているように、本実施例の磁気記録媒体は、記録分解能とＳ／Ｎが大きくてしかも比較試料に比べて軟磁性下地膜から発生しやすいスパイク状ノイズが低減されており、高密度磁気記録媒体として望ましいことがわかった。
本実施例で作製した磁気記録媒体を用いて、再生素子として磁気トンネル現象を応用した高感度再生ヘッドを用いた２．５インチの磁気記憶装置を作製した。面記録密度４０Ｇｂ／ｉｎ2の条件で、いずれの試作媒体においてもエラーレート１０-8が確保でき、超高密度記録再生装置として動作することを確認した。
【００４０】
［実施例４］
図７に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。直径１．８インチのガラス基板７２上に厚さ２０ｎｍのＮｉＯ反強磁性膜７３、厚さ１００ｎｍのＦｅ−２５ａｔ％Ｎｉ軟磁性膜７４、厚さ５ｎｍのＳｉ3Ｎ4非磁性膜７５、厚さ１００ｎｍのＣｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ軟磁性膜７６、厚さ５ｎｍのＳｉＯ2非磁性膜７７、厚さ２０ｎｍのＦｅ−５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｃ軟磁性膜７８、厚さ５ｎｍのＧｅ膜７９、厚さ２０ｎｍのＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−１ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ｂ垂直磁化膜８０、厚さ５ｎｍのカーボン保護膜８１を形成し、垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４１】
さらに、前記Ｓｉ3Ｎ4非磁性膜７４の代わりに非磁性材料膜としてＢ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ａｌ−１０ａｔ％Ｍｇ，Ｓｉ−２ａｔ％Ｔｉ，Ｔｉ−１５ａｔ％Ｖ，Ｃｕ−５ａｔ％Ａｇ，Ａｕ−５０ａｔ％Ａｇ，ＢＮ，Ｂ4Ｃ，ＮｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＣａＯ，ＺｒＯ2，ＭｇＯ・ＣａＯ，ＳｉＯ2・ＺｒＯ2，ＳｉＯ2・ＣａＯ，を用いた以外は同様の垂直磁気記録媒体を作製した。比較試料として、同様なガラス基板上に直接厚さ２００ｎｍの単層のＦｅ−２５ａｔ％Ｎｉ膜を裏打磁性膜として形成し、その上に厚さ５ｎｍのＧｅ膜、厚さ２０ｎｍのＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−１ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ｂ垂直磁化膜、厚さ５ｎｍのカーボン保護膜を形成した垂直磁気記録媒体を作成した。これらの垂直磁気記録媒体を実地例３と同様に磁場中熱処理を行った。これらの磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ、スパイク状ノイズを実施例１と同様の条件で測定した。結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】
0003731640.tif 000004
【００４３】
表３に示した実験結果から明らかなように、本発明による垂直磁気記録媒体はスパイクノイズの発生が抑制されるとともに媒体Ｓ／Ｎも比較例に比べて２０〜４０％改善されている。また、本発明による垂直磁気記録媒体と比較例の断面の磁化状態を磁気力顕微鏡及びローレンツ型の電子線顕微鏡で観察した。この結果、本発明による磁気記録媒体の磁化状態はいずれも図７の模式図に示した状態が実現されていることを確認した。これに対し、比較例では特に軟磁性膜に記録磁化情報とは無関係な磁壁が多く観察された。このような磁壁の存在が、記録再生特性評価におけるスパイクノイズとして観察されたものと解釈された。
【００４４】
［実施例５］
実地例４と同様に、図７に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。直径１．８インチのガラス基板７２上に厚さ１０ｎｍのＦｅ−５０ａｔ％Ｐｔ強磁性膜７３、厚さＴ1ｎｍのＦｅ−２５ａｔ％Ｎｉ軟磁性膜７４、厚さ５ｎｍのＣｕ非磁性膜７５、厚さＴ2ｎｍのＣｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ軟磁性膜７６、厚さ５ｎｍのＳｉＯ2非磁性膜７７、厚さ２０ｎｍのＦｅ−５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｃ軟磁性膜７８、厚さ５ｎｍのＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ膜７９、厚さ２０ｎｍのＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ−１ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ｂ垂直磁化膜８０、厚さ５ｎｍのカーボン保護膜８１を形成した一連の垂直磁気記録媒体を作製した。ここで、Ｆｅ−２５ａｔ％Ｎｉ軟磁性膜７３とＣｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ軟磁性膜７５のそれぞれの厚さ（Ｔ1，Ｔ2ｎｍ）を５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で変化させた。
【００４５】
本実施例で用いた軟磁性膜の飽和磁化の値を測定したところ、Ｆｅ−２５ａｔ％Ｎｉ軟磁性膜とＣｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ軟磁性膜の値は１Ｔ、Ｆｅ−５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｃ軟磁性膜の値は１．６Ｔであった。これらの垂直磁気記録媒体を実地例２と同様な条件で磁場中熱処理を施し、軟磁性膜の磁化の方向をガラスディスク基板のほぼ周方向に規定した。
【００４６】
試作した垂直磁気記録媒体の記録再生特性の評価を記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッドとして、以下の４種類を準備した。これら４種類の磁気ヘッドは磁極材料と磁極のトラック幅が異なるが、再生素子としては巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッド素子のトラック幅は０．１４μｍ、シールド間隔は０．０７μｍの共通の再生ヘッドを搭載しているものである。記録用の単磁極ヘッドの構成を、飽和磁化が１．６ＴのＦｅ−Ｃｏ磁極（トラック幅：０．１５μｍ，０．３０μｍ，０．５０μｍ，１．０μｍ）とした。磁気記録媒体と磁気ヘッドのスペーシングを０．０２μｍとして、記録再生特性を測定した。いずれの垂直磁気記録媒体でもスパイク状のノイズは観察されなかった。
【００４７】
それぞれの記録ヘッドの媒体への記録効率を評価するために、重ね書き特性（オーバーライト特性：Ｏ／Ｗ特性）を測定した。Ｏ／Ｗ特性は、まず媒体に高線記録密度（４００ｋＦＣＩ）の信号を書いた上に低線記録密度（１００ｋＦＣＩ）の信号を重ねて記録したときの高線記録密度信号の残存比率を−ｄＢ表示で測定することによって評価した。図８に、Ｆｅ−Ｎｉ軟磁性膜（Ｔ1ｎｍ）、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ軟磁性膜（Ｔ2ｎｍ）の厚さを同時に５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で変化させた垂直磁気記録媒体の膜厚（Ｔ1＝Ｔ2の条件で変化）とＯ／Ｗの関係を示す。図８の上部には、Σ（Ｂｓm・Ｔm）の値を併せて示した。なお、Σ（Ｂｓm・Ｔm）には、垂直磁化膜の近くに設けた厚さ２０ｎｍのＦｅ−５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｃ軟磁性膜の値も積算されている。
【００４８】
図８から明らかなように、記録ヘッドのトラック幅が小さくなるほど軟磁性膜厚が小さい領域で良好なＯ／Ｗが得られることが分かった。磁気記録装置として必要なＯ／Ｗ＞３０ｄＢが得られるためには、記録ヘッド磁極材料の飽和磁化（Ｂｓh），記録のトラック幅（Ｔｗ）と垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の膜厚と飽和磁化の間の関係として、０．１６Ｂｓh・Ｔｗ≦Σ（Ｂｓm・Ｔm）を満たすことが必要であることが分かった。すなわち単磁極型の記録ヘッド効率の点では、目的とする面記録密度に対応して垂直磁気記録媒体に付随する軟磁性膜の膜厚と飽和磁化の大きさを調整することが有効である。磁気記録媒体の表面を平坦化するためには、なるべく軟磁性膜の総厚は小さい方が望ましく、Σ（Ｂｓm・Ｔm）≦Ｂｓh・Ｔｗでほぼ十分であることが確認された。
【００４９】
本実施例で試作したＦｅ−Ｎｉ軟磁性膜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ軟磁性膜、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ軟磁性膜の膜厚をそれぞれ５０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとした垂直磁気記録媒体と記録トラック幅０．１５μｍ，再生トラック幅０．１４μｍの録再分離型ヘッドを組み合わせて、８０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレートを測定したところ、１０-8以下の値が得られた。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、２層垂直磁気記録媒体のノイズ特性と磁気ヘッドによる記録効率をを改善することができ、この結果、高速で高密度磁気記録が可能な磁気ディスク装置の実現が可能となる、特に、４０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の一例を示す断面模式図。
【図２】軟磁性膜の磁化方向を説明する断面模式図。
【図３】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図４】磁気記録媒体の評価結果を示す図。
【図５】磁気記録媒体の評価結果を示す図。
【図６】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図７】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図８】磁気記録媒体の評価結果を示す図。
【符号の説明】
１１…基板、１２…反強磁性材料膜、１３…軟磁性膜、１４…非磁性材料層、１５…軟磁性膜、１６…非磁性膜、１７…軟磁性膜、１８…垂直磁化膜、１９…保護膜、２０…磁化の向き、２１…磁化の向き、３１…基板、３２…非磁性膜、３３…軟磁性膜、３４…非磁性膜、３５…軟磁性膜、３６…非磁性膜、３７…軟磁性膜、３８…垂直磁化膜の結晶成長制御膜、３９…垂直磁化膜、４０…保護膜、６１…基板、６２…非磁性層、６３…強磁性層、６４…軟磁性膜、６５…非磁性膜、６６…軟磁性膜、６７…非磁性膜、６８…非磁性膜、６９…垂直磁化膜、７０…垂直磁化膜、７１…保護膜、７２…基板、７３…反強磁性膜、７４…軟磁性膜、７５…非磁性膜、７６…軟磁性膜、７７…非磁性膜、７８…軟磁性膜、７９…非磁性膜、８０…垂直磁化膜、８１…保護膜
【図１】
0003731640.tif 000005
【図２】
0003731640.tif 000006
【図３】
0003731640.tif 000007
【図４】
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【図５】
0003731640.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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