(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、
前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電偏向器。
【請求項２】
電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電偏向器を有する電子ビーム照射装置において、前記静電偏向器は、
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、
前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備し、
前記静電偏向器の反応性ガス通路に反応性ガス供給管が接続されてなることを特徴とする電子ビーム照射装置。
【請求項３】
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、
前記レンズ電極に電気的に接続された電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電レンズ。
【請求項４】
電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電レンズを有する電子ビーム照射装置において、前記静電レンズは、
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、
前記レンズ電極に電気的に接続された電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備し、
前記静電レンズの反応性ガス通路に反応性ガス供給管が接続されてなることを特徴とする電子ビーム照射装置。
【請求項５】
前記反応性ガス供給通路は、前記静電偏向器又は前記静電レンズの上、下面にまで延びていることを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の電子ビーム照射装置。
【請求項６】
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、
前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成され、且つ互いに電  気的に分離された複数の偏向電極と、
前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電偏向器。
【請求項７】
前記ヒーターは、前記偏向電極と同数に分割されて前記筒状基材の筒軸に沿って形成されてなり、且つ前記偏向電極の各々と相対して配置されてなることを特徴とする請求項６に記載の静電偏向器。
【請求項８】
筒状基材と、
前記筒状基材の筒壁内に筒軸に沿って埋め込み形成されたヒーターと、
前記筒状基材の筒内面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、
前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電偏向器。
【請求項９】
前記ヒーターは、前記筒壁の上下面に貫通して設けられた複数の貫通孔内にヒーター材が埋め込まれ、且つ筒壁の上下面において隣接するヒーター材を直列接続して構成してなることを特徴とする請求項８に記載の静電偏向器。
【請求項１０】
前記電極基材の外側面と前記ヒーターとの間における前記電極基材の筒壁部分に筒軸に沿って空洞を更に設けたことを特徴とする請求項６又は８に記載の静電偏向器。
【請求項１１】
前記電極基材は、その外側面と前記ヒーターとの間における筒壁部分が筒軸方向に除去されてフィン構造をなすことを特徴とする請求項６又は８に記載の静電偏向器。
【請求項１２】
筒状基材の内壁に溝を形成する第１工程と、
前記溝内に高抵抗物質を埋め込んでヒーターを形成する第２工程と、
前記ヒーター上面を含む前記筒状基材の内壁に絶縁膜を形成する第３工程と、
前記絶縁膜上に前記筒状基材の筒軸に沿って分割されて複数の偏向電極を形成する第４工程と、
前記ヒーターと電気的に接続するヒーター電力導入端子を形成する第５工程と、
前記偏向電極と電気的に接続する偏向電圧導入端子を形成する第６工程と、
を具備することを特徴とする静電偏向電極の形成方法。
【請求項１３】
前記第１工程の前記溝及び前記第２工程のヒーターは、前記筒状基材の筒軸に沿って複数に分割した各領域にそれぞれ形成してなり、前記第４工程の偏向電極は、前記ヒーターと同数で、且つ前記ヒーターと相対して形成してなることを特徴とする前記請求項１２に記載の静電偏向電極の形成方法。
【請求項１４】
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、
前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、
前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電レンズ。
【請求項１５】
筒状基材と、
前記筒状基材の筒壁内に筒軸に沿って埋め込み形成されヒーターと、
前記筒状基材の筒内面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、
前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする静電レンズ。
【請求項１６】
前記ヒーターは、前記筒壁の上下面に貫通して設けられた複数の貫通孔内にヒーター材が埋め込まれ、且つ筒壁の上下面において隣接するヒーター材を直列接続して構成してなることを特徴とする請求項１５に記載の静電レンズ。
【請求項１７】
前記電極基材の外側面と前記ヒーターとの間における前記電極基材の筒壁部分に筒軸に沿って空洞を更に設けたことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の静電レンズ。
【請求項１８】
前記電極基材は、その外側面と前記ヒーターとの間における筒壁部分が筒軸方向に除去されてフィン構造をなすことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の静電レンズ。
【請求項１９】
筒状基材の内壁に溝を形成する第１工程と、
前記溝内に高抵抗物質を埋め込んでヒーターを形成する第２工程と、
前記ヒーター上面を含む前記筒状基材の内壁に絶縁膜を形成する第３工程と、
前記絶縁膜上に前記筒状基材の筒軸に沿ってレンズ電極を形成する第４工程と、
前記ヒーターと電気的に接続するヒーター電力導入端子を形成する第５工程と、
前記レンズ電極と電気的に接続する電圧導入端子を形成する第６工程と、
を具備することを特徴とする静電レンズの形成方法。
【請求項２０】
電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電偏向器を有する電子ビーム照射装置において、前記静電偏向器は、
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されヒーターと、
前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、
前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする電子ビーム照射装置。
【請求項２１】
電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電レンズを有する電子ビーム照射装置において、前記静電レンズは、
筒状基材と、
前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、
前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、
前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、
前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、
前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、
を具備してなることを特徴とする電子ビーム照射装置。
【請求項２２】
前記請求項２０又は前記請求項２１に記載の電子ビーム照射装置の通常動作を停止した状態で、反応性ガスを前記反応性ガス供給通路に導入し、前記静電偏向器、又は前記静電レンズのヒーターを加熱して、前記静電偏向器、又は前記静電レンズに付着したコンタミネーションを除去することを特徴とする電子ビーム照射装置のクリーニング方法。
【請求項２３】
前記請求項２０又は前記請求項２１に記載の電子ビーム照射装置の通常動作中に、反応性ガスを前記反応性ガス供給通路に導入し、前記静電偏向器、又は前記静電レンズのヒーターを加熱して、前記静電偏向器、又は前記静電レンズに付着したコンタミネーションを除去することを特徴とする電子ビーム照射装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームを用いた電子ビーム露光装置や電子線顕微鏡等の電子ビーム照射装置に用いられる静電偏向器や静電レンズ及びその製造方法、電子ビーム照射装置及びそのクリーニング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、集積回路の微細化及び高密度化が進み、長年微細パターン形成の主流であったフォトリソグラフィ技術に代わって、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた露光法、或いはＸ線を用いる新しい露光法が検討され、実現化されてきている。
【０００３】
このうち、電子ビームを用いてパターンを形成する電子ビーム露光は、電子ビームの断面を１０ｎｍにまで絞ることができ、０．２５μｍ以下の微細なパターンを形成することが可能なため、脚光を浴びている。これに伴い、電子ビーム露光装置にも、半導体量産装置として、安定した稼動、高スループット、更なる微細加工性が要求されてきている。
【０００４】
従来の典型的な電子ビーム露光装置では、円筒形のコラム内に、適当に断面が成形された電子ビームをウエハ上に照射するための対物レンズが内蔵され、被露光試料（特定的にはウエハ）上で電子ビームの位置を偏向するための静電偏向器が、この対物レンズとほぼ一体的に（つまり互いに近接して）配置されている。
【０００５】
そして、静電偏向器の電極として、不導体材料、例えばアルミナからなる筒状部材の内部に、アルミ、燐青銅を組込み、表面に金を施したものが使用されている。また、セラミックスからなる円筒内部に、下地金属のＮｉＰ表面に金メッキを施したものが使用されている。
【０００６】
上記電子ビーム露光装置では、コラムの内部及び該コラムに結合された露光処理のためのチャンバーの内部は、通常、高真空状態となっているが、実際には、残留ガスや露光するレジストからの蒸発による、ハイドロカーボン系のガスが存在する。そして、このガスと電子ビームが反応して、カーボンを主成分とするコンタミネーションが発生する。
【０００７】
このコンタミネーションは導体ではないため、電子が当ると電荷が蓄積されチャージアップが発生する。このチャージアップにより、電子ビームは、偏向、非点等を発生し、本来の必要とされる場所、形状が異なり、露光精度の低下を招く。特に、電子ビームの位置を制御する静電偏向器、電子ビームの形状を制御する静電偏向器において、ビームドリフトの発生を招くことになる。
【０００８】
従来では、静電偏向器にコンタミネーションが付着して、チャージアップによるビームドリフトの量が一定以上になると、in-situ洗浄方法により、静電偏向器に付着したコンタミネーションを除去していた。これは、酸素を主成分とする活性化ガスを被洗浄物近傍に流し、活性酸素と炭素を反応させアッシング処理を行うことにより、コンタミネーションを洗浄するものである。
【０００９】
しかし、前記静電偏向器は複数段で構成されたり、光学収差を最小にするために複雑な構造となっている。また、反射電子が偏向電極表面へ流入するのを防ぐために、絞り等が設けられている。そのため、活性酸素をコンタミネーションが付着している偏向電極近傍に効率よく導入することが困難であるという問題がある。
【００１０】
また、上述のin-situ洗浄方法では、炭素を主成分としたコンタミネーションは除去できるが、金属表面を酸化し、金属表面に酸化物を析出して、その酸化物に電荷が蓄積して、チャージアップを発生するため、電子ビームの位置を変化させ、露光精度を劣化させる。
【００１１】
従って、活性酸素を用いたin-situ洗浄を繰り返すと、コンタミネーションによる、ビームドリフトを減少することはできるが、静電偏向器の電極表面の酸化によるビームドリフトが増加していき、露光精度を更に、劣化させる問題がある。
【００１２】
そこで、上述のような静電偏向器の電極の酸化による露光精度の劣化を防止するための技術が、特開２０００−１１９３７（以下、公知例と称す）に開示されている。これは、静電偏向器の電極を、導電性セラミックスの表面に上述のin-situ洗浄を用いても、酸素との化合物を生じにくい、白金族の金属（ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及び白金）の被膜を鍍金により形成したものである。
【００１３】
しかしながら、この公知技術においては、白金族の金属被膜は、活性酸素との化学反応により、徐々にエッチングされ、前記in-situ洗浄を繰返すと、前記白金族の金属被膜が、最終的にエッチングされてなくなり、酸化防止機能を失うという問題がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、従来の電子ビーム露光装置では、静電偏向器が、複数段構成や複雑な構造となっていたり、また、絞り等が設けられているため、活性酸素を効率よく偏向電極の表面近傍に導入することが困難であるという問題がある。
【００１５】
また、静電偏向器の電極の酸化による露光精度の劣化を防止するための公知技術の電子ビーム露光装置では、前記in-situ洗浄を繰返すうちに、偏向電極としての白金族の金属被膜が、活性酸素との化学反応によるエッチングにより、最終的にエッチングされてなくなり、酸化防止機能を失うという問題がある。
【００１６】
本発明の第１の目的は、コンタミネーションを容易に除去することができる、静電偏向器及びその製造方法、静電レンズ及びその製造方法、静電偏向器、及び／又は静電レンズを用いた電子ビーム照射装置及びそのクリーニング方法を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の第２の目的は、静電偏向器、静電レンズの電極表面をチャージアップすることが殆どない状態を実現し、高精度な露光を長時間維持することが可能で、且つ長期間に亘り電極表面の酸化防止機能を有する静電偏向器及びその製造方法、静電レンズ及びその製造方法、電子ビーム照射装置及びそのクリーニング方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１の発明（請求項１）は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする静電偏向器にある。
【００１９】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第２の発明は、電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電偏向器を有する電子ビーム照射装置において、前記静電偏向器は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備し、前記静電偏向器の反応性ガス通路に反応性ガス管が接続されてなることを特徴とする電子ビーム照射装置にある。
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第３の発明（請求項３）は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、前記レンズ電極に電気的に接続された電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする静電レンズにある。
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第４の発明は、電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電レンズを有する電子ビーム照射装置において、前記静電レンズは、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、前記レンズ電極に電気的に接続された電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備し、前記静電レンズの反応性ガス通路に反応性ガス供給管が接続されてなることを特徴とする電子ビーム照射装置。
【００２２】
前記第２及び第４の発明に係わる電子ビーム照射装置では、前記反応性ガス供給通路は、前記静電偏向器又は前記静電レンズの上、下面にまで延びていることが望ましい。
【００２３】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第５の発明（請求項６）は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする静電偏向器にある。
【００２４】
前記ヒーターは、１個で構成されてもよく、また、前記偏向電極と同数に分割されて前記筒状基材の筒軸に沿って形成されてなり、且つ前記偏向電極の各々と相対して配置されてもよい。
【００２５】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第６の発明（請求項８）は、筒状基材と、前記筒状基材の筒壁内に筒軸に沿って埋め込み形成されたヒーターと、前記筒状基材の筒内面に筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする静電偏向器にある。
【００２６】
前記ヒーターは、前記筒壁の上下面に貫通して設けられた複数の貫通孔内にヒーター材が埋め込まれ、且つ筒壁の上下面において隣接するヒーター材を直列接続して構成してなることが望ましい。
【００２７】
また、前記電極基材の外側面と前記ヒーターとの間における前記電極基材の筒壁部分に筒軸に沿って空洞を更に設けることが望ましい。
【００２８】
また、前記電極基材は、その外側面と前記ヒーターとの間における筒壁部分が筒軸方向に除去されてフィン構造をなすことが望ましい。
【００２９】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第７の発明（請求項１２）は、筒状基材の内壁に溝を形成する第１工程と、前記溝内に高抵抗物質を埋め込んでヒーターを形成する第２工程と、前記ヒーター上面を含む前記筒状基材の内壁に絶縁膜を形成する第３工程と、前記絶縁膜上に前記筒状基材の筒軸に沿って分割されて複数の偏向電極を形成する第４工程と、前記ヒーターと電気的に接続するヒーター電力導入端子を形成する第５工程と、前記偏向電極と電気的に接続する偏向電圧導入端子を形成する第６工程とを具備することを特徴とする静電偏向器の形成方法にある。
【００３０】
前記第１工程の前記溝及び前記第２工程のヒーターは、前記筒状基材の筒軸に沿って複数に分割した各領域にそれぞれ形成してなり、前記第４の偏向電極は、前記ヒーターと同数で、且つ前記ヒーターと相対して形成してなることが望ましい。
【００３１】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第８の発明（請求項１４）は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路と、を具備してなることを特徴とする静電レンズにある。
【００３２】
上記目的を達成するため、第９の発明（請求項１５）は、筒状基材と、前記筒状基材の筒壁内に筒軸に沿って埋め込み形成されヒーターと、前記筒状基材の筒内面に筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする静電レンズにある。
【００３３】
前記ヒーターは、前記筒壁の上下面に貫通して設けられた複数の貫通孔内にヒーター材が埋め込まれ、且つ筒壁の上下面において隣接するヒーター材を直列接続して構成してなることが望ましい。
【００３４】
また、前記電極基材の外側面と前記ヒーターとの間における前記電極基材の筒壁部分に筒軸に沿って空洞を更に設けることが望ましい。
【００３５】
また、前記電極基材は、その外側面と前記ヒーターとの間における筒壁部分が筒軸方向に除去されてフィン構造をなすことが望ましい。
【００３６】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１０の発明（請求項１９）は、筒状基材の内壁に溝を形成する第１工程と、前記溝内に高抵抗物質を埋め込んでヒーターを形成する第２工程と、前記ヒーター上面を含む前記筒状基材の内壁に絶縁膜を形成する第３工程と、前記絶縁膜上に前記筒状基材の筒軸に沿ってレンズ電極を形成する第４工程と、前記ヒーターと電気的に接続するヒーター電力導入端子を形成する第５工程と、前記レンズ電極と電気的に接続する電圧導入端子を形成する第６工程とを具備することを特徴とする静電レンズの形成方法にある。
【００３７】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１１の発明（請求項２０）は、電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電偏向器を有する電子ビーム照射装置において、前記静電偏向器は、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されヒーターと、前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成され、且つ互いに電気的に分離された複数の偏向電極と、前記ヒーターに、電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記偏向電極の各々に、それぞれ電気的に接続された偏向電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする電子ビーム照射装置にある。
【００３８】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１２の発明（請求項２１）は、電子ビームを発生する電子銃と前記電子ビームを制御する静電レンズを有する電子ビーム照射装置において、前記静電レンズは、筒状基材と、前記筒状基材の内壁面に筒軸に沿って形成されたヒーターと、前記ヒーター上に絶縁膜を介して前記筒状基材の筒軸に沿って形成されたレンズ電極と、前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電力導入端子と、前記レンズ電極に電気的に接続されたレンズ電圧導入端子と、前記筒状基材にその外側面から内部に向かい、且つ上、下面の少なくとも一方面まで延びる反応性ガス供給通路とを具備してなることを特徴とする電子ビーム照射装置にある。
【００３９】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１３の発明（請求項２２）は、前記第１１又は前記第１２の発明に係わる電子ビーム照射装置の通常動作を停止した状態で、反応性ガスを前記反応性ガス供給通路に導入し、前記静電偏向器、又は前記静電レンズのヒーターを加熱して、前記静電偏向器、又は前記静電レンズに付着したコンタミネーションを除去することを特徴とする電子ビーム照射装置のクリーニング方法にある。
【００４０】
上記目的を達成するため、本発明に係わる第１４の発明（請求項２３）は、前記第１１又は第１２の発明に係わる電子ビーム照射装置の通常動作中に、反応性ガスを前記反応性ガス供給通路に導入し、前記静電偏向器、又は前記静電レンズのヒーターを加熱して、前記静電偏向器、又は前記静電レンズに付着したコンタミネーションを除去することを特徴とする電子ビーム照射装置のクリーニング方法にある。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係わる実施の形態（以下、実施形態と称する）について説明する。各実施形態は、本発明を電子ビーム露光装置に適用して例である。
【００５０】
（第１の実施の形態）
まず、図１及び図２を参照して本発明の第１の実施形態に係わる電子ビーム露光装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係わる電子ビーム露光装置の基本的な構成図である。
【００５１】
図１に示すように、電子ビーム装置では、チャンバー１０内には、半導体ウエハ等の試料１１（以下、ウエハと称する）及びマーク台１２を載置した可動ステージ１３が収納されている。前記可動ステージ１３は、ステージ制御回路１２１によって、Ｘ（紙面上の左右方向）及びＹ方向（紙面に対し垂直方向）に移動される。
【００５２】
前記チャンバー１０の上方には、該チャンバー１０と連接した円筒状のコラム２０が設けられている。前記コラム２０の端部には、電子ビーム２２を放射する電子銃２１が取付けられている。
【００５３】
前記電子銃２１から放射された前記電子ビーム２２は、コンデンサーレンズ２３で電流密度が調整され、第１成形アパーチャ２４を均一に照明する。前記第１成形アパーチャ２４の像は、投影レンズ２５により、ＣＰアパーチャ２６上に結像される。
【００５４】
前記２つのアパーチャ２４、２６の光学的な重なりの程度は、ＣＰ選択偏向器２７により制御される。
【００５５】
このビーム成形機構は、前記ＣＰ選択偏向器２７、ＣＰ選択回路１１８及び当該ＣＰ選択回路１１８に偏向データを送る制御コンピュータ１２２から構成されている。
【００５６】
前記第１成形アパーチャ２４と前記ＣＰアパーチャ２６の光学的重なりによる像は、縮小レンズ２８及び対物レンズ２９により縮小され、前記ウエハ１１上に結像される。
【００５７】
そして、前記電子ビーム２２の前記ウエハ１１面上の位置は、ビーム偏向回路１１９により必要な電圧が対物偏向器３０に印加され、その偏向により設定される。
【００５８】
前記ウエハ１１上の前記電子ビーム２２の位置は、データを送るパターンデータデコーダー１２３と前記対物偏向器３０に電圧を印加する前記ビーム偏向回路１１９で制御される。
【００５９】
前記電子ビーム２２の照射は、前記可動ステージ１３を移動することで、前記ウェハ１１又は前記電子ビーム寸法測定用のマーク台１２を選択することができる。
【００６０】
また、前記ウェハ１１上の電子ビーム２２位置を移動する場合、前記ウェハ１１上の不必要な場所に露光されないように、前記電子ビーム２２をブランキング偏向器３１によって、前記電子ビーム２２をブランキングアパーチャ３２上へ偏向し、前記電子ビーム２２をカットし、前記ウェハ１１面上に到達しないようにする。
【００６１】
前記ブランキング偏向器３１への偏向電圧の制御は、前記制御コンピュータ１２２及び前記ブランキング偏向回路１１６で制御される。
【００６２】
これらの全てのデータは、パターンデータメモリー１２４に格納されている。なお、図中、３３は検出器で、１１７はレンズ制御回路、１２０は前記検出器３３からの検出信号を処理する検出信号処理回路である。
【００６３】
上述の電子ビーム描画装置では、前記ＣＰ選択偏向器２７と前記対物偏向器３０は精度良く、高速に電子ビーム２２を偏向する必要性があり、静電型の偏向器が用いられている。
【００６４】
また、図示しないが、スループット、高精度の関係から前記対物偏向器３０には、主偏向器、副偏向器、偏向収差を最小にするために複数の偏向電極が設けられている。
【００６５】
次に、図２及び図３を参照して本実施形態における静電偏向器の構成について詳細に述べる。図２（ａ）は、静電偏向器の外観構成を示す斜視図、（ｂ）は、静電偏向器の上面図、（ｃ）は、図２（ｂ）におけるＡ−Ａ’線に沿った縦断面図、図３は、図２（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う縦断面図で、偏向電極及び偏向電圧端子は省略してある。
【００６６】
図２に示すように、電極偏向基材６０は、アルミナ、セラミックス、導電性セラミックス等の材料からなり、円筒状に形成されている。
【００６７】
この円筒状電極基材６０の内壁面には、複数、例えば８個の偏向電極６１1〜６１8が、各々、同一形状に形成され、且つ筒軸対称で互いに電気的に分離して配置固定されている。
【００６８】
各偏向電極６１ｉ（ｉ＝１〜８）は、例えば、アルミナからなる電極基材６０の内部に、メッキによる下地金属６３としてのＮｉＰの表面に、金属酸化によるチャージアップを防ぐための金属被膜６２としての金メッキを施してなる。また、導電性セラミックスを研削加工し、その表面に前記金属被膜６２としての白金族のメッキを施してなる。また、セラミックス、或いは導電性セラミックスからなる電極基材６０内部に、下地金属６３としての銅薄膜をメッキし、更にその表面に前記金属被膜６２としての酸化ルテニウムを施してなる。
【００６９】
この偏向電極６１ｉに対向する前記電極基材６０の側面部には、前記偏向電極６１ｉに達する貫通孔６６1〜６６8が、各々、設けられている。
【００７０】
そして、この貫通孔６６ｉ（ｉ＝１〜８）の各々を介して、偏向電圧導入端子６５1〜６５8が、各偏向電極６１ｉに電気的に接続されている。
【００７１】
この各偏向電圧導入端子６５ｉは、各貫通孔６６ｉの内壁面に形成された銅層６７と金層６８との積層構造からなる。
【００７２】
更に、図３に示すように、前記偏向電極端子６５ｉ（ｉ＝１〜８）間における前記電極基材６０の側面部には、ガス供給通路７０が、前記電極基材６０の外側面から筒軸方向に向かって筒厚の略中央部まで延び、そして筒軸に沿って前記電極基材６０の上、下面の少なくとも一方の面に連通するように形成されている。この実施形態では、筒厚の中央部で前記電極基材６０の上下方向に分岐して、前記電極基材６０の上、下面に達するように設けられている。
【００７３】
図４は、上述した静電偏向器単体を複数段組み合わせて構成した静電偏向器の例を示す模式図である。
【００７４】
即ち、図２及び図３に示す静電偏向器単体５０とシールド８０をホルダー８５に精度良く組み込む。それらを複数段、例えば３段組み合わせ、図４に示すような静電偏向器、例えば図１に示すＣＰ選択偏向器２７又は対物偏向器３０を構成する。なお、前記シールド８０は、チタン等の非磁性体金属から形成され、図示しないが、接地電位が与えられる。
【００７５】
この各静電偏向器単体５０の反応性ガス供給通路７０には、図示しない反応ガス供給系に接続される反応性ガス供給管９０が接続される。
【００７６】
次に、上述の静電偏向器が組み込まれた電子ビーム露光装置のクリーニング方法について説明する。
【００７７】
まず、第１のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置の通常の動作を停止し、装置外部に設けられた反応ガス供給系から前記反応性ガス供給管９０に活性酸素ガスＧを供給する。前記反応性ガス供給管９０に供給された活性酸素ガスＧは、反応性ガス供給通路７０により、各電極基材６０の上、下面に導出され、更に前記電極基材６０の上、下面を沿って筒軸方向に導入されて各静電偏向器単体５０の内部に導入される。
【００７８】
そして、各静電偏向器単体５０の偏向電極の内部表面に付着したコンタミネーションを活性酸素と反応させることにより、コンタミネーションを洗浄除去する。この反応後のガスは、図示しない排気系により装置外部に排出される。
【００７９】
また、第２のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置を通常動作させた状態で、装置外部の反応性ガス供給系から前記反応性ガス供給管９０に活性酸素ガスＧを供給することにより、各静電偏向器単体５０の偏向電極の内部表面に付着したコンタミネーションを活性酸素と反応させることにより、コンタミネーションを洗浄除去する。このように、装置を通常動作させた状態において、クリーニングを行っても、特に、装置の動作には影響を与えることがない。
【００８０】
上記実施形態に係わる静電偏向器の構成によれば、活性酸素ガスを静電偏向器の内部表面の近くに直接導入することができるので、偏向電極表面に付着したカーボンコンタミネーションを効率よく除去することができる。
【００８１】
そのため、偏向電極の表面をチャージアップすることが無い状態を実現し、高精度な描画を長時間維持することが可能となる静電偏向器を供給することが可能となる。
【００８２】
また、このような静電偏向器を用いた電子ビーム露光装置においては、高精度な描画を長時間維持することが可能となる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係わる電子ビーム露光装置ついて説明するが、電子ビーム露光装置の基本的な構成は、上記第１の実施形態の図１に示す構成と同一であるので、説明は省略し、上記第１の実施の形態と異なる静電偏向器の構成について、図５を参照して説明する。図５は、複数段の静電偏向器単体を有する静電偏向器の構成を示す模式図である。
【００８３】
本実施形態と上記第1の実施形態とは、上記第1の実施形態では、図４に示すように、静電偏向器単体５０とシールド８０とをホルダー８５に精度良く組み込むことにより、複数段の静電偏向部分を有する静電偏向器を構成しているが、本実施形態では、電極基板を加工してシールドで仕切られた複数段の静電偏向部分を有する静電偏向器を一体的に構成してなり、この点で相違する。この点以外の構成については、上記第1の実施形態の構成と同一である。
【００８４】
即ち、図５に示すように、円筒状の電極基材３００の内壁面には、筒軸を軸とする環状の溝３１０が複数形成され、この環状の溝３１０によってシールド部分３２０と偏向器単体部分３３０とを交互に配置した構造に形成している。
【００８５】
そして、前記シールド部分３２０の内壁面の各々には、シールド電極３２１が形成され、前記偏向器単体部分３３０の内壁面の各々には、偏向電極３３１が形成されている。ここでは、前記シールド電極３２１及び前記偏向電極３３１は、同一構成に形成してなり、例えば、上記第１の実施形態と同様に、銅の下地金属上に酸化ルテニウムの金属被膜を形成してなる。
【００８６】
また、各シールド部分３２０の側面部には、前記シールド電極３２１と電気的に接続するシールド電極端子３２２が各々設けられ、各偏向器単体部分３３０の側面部には、前記偏向電極３３１と電気的に接続する偏向電圧導入端子３３２が各々形成されている。これらシールド電極端子３２２及び偏向電圧導入端子３３２は、上記第１の実施形態と同様に貫通孔に銅層及び金層をメッキすることにより形成してなる。
【００８７】
また、前記偏向器単体部分３３０には、上記第１の実施形態と同様に、ガス供給通路３３３が、外側面から筒軸方向に向かって筒厚の略中央部まで延び、そして筒軸に沿って前記偏向器単体部分３３０の上、下面の少なくとも一方、ここでは、筒厚の中央部で上下方向に分岐して、上、下面に達するように設けられている。
【００８８】
なお、このガス供給通路３３３の形成の際に、前記シールド部分３２０にもガス供給通路が形成されるため、静電偏向器の最外側に位置するシールド部分３２０におけるガス供給通路をセラミック製蓋３２３で封止し、クリーニング時の反応性ガスの外部流出を防止するようにしている。
【００８９】
上記静電偏向器の製作は、まず、エンドミル等の機械的な加工により、円筒状電極基材３００の側面部の所定位置に、各々、筒内面に達するシールド電極端子用及び偏向電圧導入端子用の貫通孔を形成した後、前記電極基材３００の筒内を保護材で保護し、前記貫通孔内に銅層及び金層をメッキしてシールド電極端子３２２及び偏向電圧導入端子３３２を形成する。
【００９０】
次に、機械的な加工により円筒状の電極基材３００における筒壁の所定位置に、その上下面を貫通する縦方向のガス供給通路３３３を筒軸に沿って形成し、また前記円筒状電極基材３００の側面部の所定位置に、縦方向の前記ガス供給通路３３３と連通する横方向のガス供給通路３３３を筒軸方向に形成する。
【００９１】
次に、前記保護部材を除去し、且つ前記ガス供給通路３３３部分及び前記電極端子３２２、３３２部分を保護した後、円筒状の電極基材３００の内壁面に、例えば無電界メッキ法により、下地金属、例えば銅薄膜を形成し、電界メッキ法により、前記下地金属上にルテニウム膜を形成し、加熱処理して、金属被膜、例えば酸化ルテニウムを形成する。
【００９２】
次に、鉤状のような溝堀棒を用いて、筒軸中心に回転させて複数の溝３１０を形成して、交互に配置されたシールド部分３２０と偏向器単体部分３３０とを形成する。これと同時に、前記シールド部分３２０の内壁面に銅膜及び酸化ルテニウムの積層膜からなる環状のシールド電極３２１が形成される。
【００９３】
次に、例えば、機械的加工により、各偏向器単体部分３３０の内壁面において、前記酸化ルテニウム膜及び前記銅薄膜の積層膜を、所定間隔をもって精度良く、筒軸に沿って８分割して、各偏向電極３３１を形成する。
【００９４】
その後、前記保護被膜を除去して、図５に示すような静電偏向器を作製してなる。
【００９５】
上記実施形態の構成によれば、上記第１の実施の形態と同様に、偏向電極表面に付着したカーボンコンタミネーションを効率よく除去することができ、そのため偏向電極の表面をチャージアップすることが無い状態を実現し、高精度な描画を長時間維持することが可能となる静電偏向器を供給することが可能となる。
【００９６】
また、このような静電偏向器を用いた電子ビーム露光装置においては、高精度な描画を長時間維持することが可能となる。
【００９７】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係わる電子ビーム露光装置ついて説明するが、電子ビーム露光装置の基本的な構成は、上記第１の実施形態の図１に示す構成と同一であるので、説明は省略し、上記第１の実施の形態と異なる静電偏向器の構成について説明する。
【００９８】
図６は、第３の実施形態に係わる静電偏向器を示す図で、図６（ａ）は、その静電偏向器の外観構成を示す斜視図、図６（ｂ）は、その静電偏向器の上面図、図７（ａ）は、図６（ｂ）におけるＣ−Ｃ’線に沿う縦断面図、図７（ｂ）は、ヒーターの構成を模式的に示す図である。
【００９９】
即ち、図に示すように、電極基材１００は、アルミナ、セラミックス、導電性セラミックス等の材料からなり、円筒状に形成されている。
【０１００】
この電極基材１００の内壁面には、複数、例えば8個のヒーター１３０1〜１３０8が、同一形状に形成され、且つ筒軸対称で互いに電気的分離して配置固定されている。
【０１０１】
この各ヒーター１３０ｉ（ｉ＝１〜８）上には、各々、絶縁膜１３１1〜１３１8が、同一形状に形成され、且つ筒軸対称に互いに分離して配置されている。
【０１０２】
この各絶縁膜１３１ｉ（ｉ＝１〜８）上には、各々、８個の偏向電極１０１1〜１０１8が、同一形状に形成され、且つ筒軸対称で互いに電気的に分離して配置固定されている。
【０１０３】
各偏向電極１０１ｉは、この実施形態では、下地金属１０３としての銅薄膜表面に金属酸化によるチャージアップを防止するための前記金属被膜１０２としての酸化ルテニウムを形成してなる。この偏向電極１０１ｉは、これに限らず、ＮｉＰの下地金属表面に金からなる金属被膜を施したものでもよい。また、金属被膜としては、酸化ルテニウムに限らず、Ｔｉ，白金系の金属を用いても良い。
【０１０４】
前記電極基材１００における各偏向電極１０１ｉ（ｉ＝１〜８）に対向する側面部には、各々、各絶縁膜１３１ｉを貫通して各偏向電極１０１ｉに達する貫通孔１０６1〜１０６8が設けられ、各偏向電圧導入端子１０５1〜１０５8が、各貫通孔１０６ｉ（ｉ＝１〜８）を介して各偏向電極１０１ｉに電気的に接続されている。
【０１０５】
この各偏向電圧導入端子１０５ｉは、各貫通孔１０６ｉの内壁面に形成された銅層１０７と金層１０８との積層構造からなる。
【０１０６】
前記電極基材１００における各ヒーター１３０ｉに対向する側面部には、各々、各ヒーター１３０ｉに達する貫通孔１３６1〜１３６8が設けられ、各ヒーター電力導入端子１３５1〜１３５8が、各貫通孔１３６ｉ（ｉ＝１〜８）を介して各ヒーター１３０ｉに電気的に接続されている。
【０１０７】
この各ヒーター電力導入端子１３５ｉは、各貫通孔１３６ｉの内壁面に形成された銅層１０７と金層１０８との積層構造からなる。
【０１０８】
次に、図８及び図９を参照して上記静電偏向器の製作方法について説明する。図８及び図９は、静電偏向器の製作工程を示す要部の模式図である。
【０１０９】
まず、導電性セラミクスを研削加工して同心度、真円度の良い、円筒状の電極基材１００を形成した後、この円筒状電極基材１００の内面を筒軸に沿って複数、例えば8分割した仮想の各領域面に、鉤状のような溝堀棒を上下左右に動かして、所定ヒーター形状となるような溝１４０を形成する（図８（ａ））。
【０１１０】
次に、メッキ法、スパッタ法、蒸着法等により、前記電極基材１００の内壁全面に、前記溝１４０内を埋め込むようにヒーター材、例えばボロンナイトライド１４１を成膜する（図８（ｂ））。また、このヒーター材を成膜する方法は、上記のメッキ法、スパッタ法、蒸着法に限らない。
【０１１１】
次に、前記溝１４０内に前記ヒーター材１４１を残し、前記電極基材１００の内壁面上のヒーター材１４１を除去した後、前記ヒーター材１４１を焼結させることにより、ヒーター１３０ｉを形成する（図８（ｃ））。前記ヒーター材１４１は、焼結させてから前記溝１４０内に埋め込まれたヒーター材１４１のみを残すように除去することにより形成しても良い。
【０１１２】
そして、スパッタ法、蒸着法等により、前記ヒーター１３０ｉ表面を含む前記電極基材１００の内壁面全面に、例えば酸化膜等の絶縁膜１３１を成膜する（図８（ｄ））。
【０１１３】
次に、前記電極基材１００内壁面の絶縁膜１３１上に、例えば無電界メッキ法により、下地金属１０３、例えば銅薄膜を形成する。更に、電界メッキ法により、前記下地金属１０３上にルテニウム膜を形成し、金属被膜１０２、例えば酸化ルテニウムを形成する（図９（ｅ））。
【０１１４】
その後、例えば、機械的加工により、前記酸化ルテニウム膜１０２、前記銅薄膜１０３及び前記絶縁膜１３１の積層膜を、所定間隔をもって精度良く、筒軸に沿って８分割して、各偏向電極１０１ｉ及び各ヒーター１３０ｉを形成する（図９（ｆ））。
【０１１５】
次に、前記電極基材１００における各偏向電極１０１ｉに対向する側面部に、各々、各絶縁膜１３１ｉを貫通して各偏向電極１０１ｉの銅薄膜１０３に達する偏向電圧導入端子用の貫通孔１０６1〜１０６8を形成し、また、各ヒーター１３０ｉの両端部分における溝１４０に対向する側面部に、各々、各ヒーター１３０ｉの溝１４０に達するヒーター電力導入端子用の貫通孔１３６ｉを形成する。その後、前記電極基材１００内の偏向電極１０１ｉの表面をレジスト等の保護部材で覆っておく。
【０１１６】
次いで、前記偏向電極導入端子用の貫通孔１０６ｉ及び前記ヒーター電力導入端子用の貫通孔１３６ｉの内壁面に、膜厚約１．０μｍの銅層１０７をメッキし、更に、膜厚約０．５μｍの金層１０８をメッキして、前記偏向電極１０１ｉの銅薄膜１０３に電気的に接続した偏向電圧導入端子１０５ｉ及び前記ヒーター１３０ｉに電気的に接続したヒーター電力導入端子１３５ｉを、各々、作製する。その後、前記保護被膜を除去することにより、図６に示すような静電偏向器を作製してなる。
【０１１７】
前記偏向電極導入端子用の貫通孔１０６ｉ及び前記ヒーター電力導入端子用の貫通孔１３６ｉは、前記ヒーター１３０ｉ、絶縁膜１３１ｉ及び偏向電極１０１ｉの形成工程後である必要はなく、例えば、前記円筒状の電極基材１００の形成後に予め形成しておいても良い。この場合には、その後のヒーター１３０ｉ、絶縁膜１３１ｉ及び偏向電極１０１ｉの形成工程において、各材料が付着しないようにレジスト等の保護部材で塞いでおけば良い。そして、前記ヒーター１３０ｉ、絶縁膜１３１ｉ及び偏向電極１０１ｉの形成工程後にこの部材を除去し、前記偏向電極導入端子用の貫通孔１０６ｉを前記偏向電極の裏面に達するようにしてやれば良い。
【０１１８】
次に、この電子ビーム露光装置のクリーニング方法について説明する。
【０１１９】
まず、第１のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置の通常の動作を停止し、ヒーターを加熱した状態で、装置外部に設けられた反応性ガス供給系から反応性ガス供給管を介して活性酸素ガスを前記静電偏向器の近傍に供給する。この供給された活性酸素ガスは、静電型電極の筒内部に導入される。
【０１２０】
そして、偏向電極がヒーターにより加熱さているため、各偏向電極表面に付着したコンタミネーションは、活性酸素と炭素との反応が促進されて、効率よく洗浄除去される。この反応後のガスは、図示しない排気系により装置外部に排出される。
【０１２１】
また、第２のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置を通常動作させた状態で、且つヒーターを加熱した状態で、装置外部の反応性ガス供給系から前記反応性ガス供給管を介して活性酸素ガスを前記静電偏向電極の近傍に供給する。この供給された活性酸素ガスは、静電型電極の筒内部に導入される。
【０１２２】
そして、偏向電極がヒーターにより加熱さているため、各偏向電極表面に付着したコンタミネーションは、活性酸素と炭素との反応が促進されて、効率よく洗浄除去される。この反応後のガスは、図示しない排気系により装置外部に排出される。このように、装置を通常動作させた状態において、クリーニングを行っても、特に、装置の動作には影響を与えることがない。
【０１２３】
上記実施形態に係わる静電偏向器の構成によれば、静電偏向器の偏向電極がその裏面に設けられたヒーターにより加熱されるように構成されているため、他の部品に熱的影響を与えることなく、偏向電極の表面に付着したカーボンコンタミネーションは、反応ガスの活性酸素と炭素との反応が促進されて効率よく除去することができる。
【０１２４】
そのため、静電型電極の表面をチャージアップすることが無い状態を実現し、高精度な描画を長時間維持することが可能となる静電偏向器を供給することが可能となる。
【０１２５】
また、このような静電偏向器を用いた電子ビーム露光装置においては、高精度な描画を長時間維持することが可能となる。
【０１２６】
また、本実施形態では、８分割の偏向電極に対して８分割のヒーターで構成しているが、ヒーターは１個で構成しても問題はなく、個数には拘らない。
また、本実施形態では、絶縁膜は、偏向電極及びヒーターの分割に伴って分割されているが、分割をしなくても良いことは勿論である。
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係わる電子ビーム露光装置ついて説明するが、電子ビーム露光装置の基本的な構成は、上記第１の実施形態の図１に示す構成と同一であるので、説明は省略し、上記第１の実施の形態と異なる静電偏向器の構成について説明する。
【０１２７】
以下、図１０乃至図１２を参照して本実施形態における静電偏向器の構成について詳細に述べる。図１０は、静電偏向器の外観構成を示す斜視図、図１１（ａ）は、図１０の上面図、図１１（ｂ）は、図１０の下面図、図１２は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う縦断面図である。
【０１２８】
図１０及び図１１に示すように、電極基材２００は、アルミナ、セラミックス、導電性セラミックス等の材料からなり、円筒状に形成されている。
【０１２９】
この円筒状電極基材２００の内壁面には、複数、例えば８個の偏向電極２０１1〜２０１8が、各々、同一形状に形成され、且つ筒軸対称で互いに電気的に分離して配置固定されている。
【０１３０】
各偏向電極２０１ｉ（ｉ＝１〜８）は、例えば、アルミナからなる電極基材２００の内部に、メッキによる下地金属２０３としてのＮｉＰの表面に、金属酸化によるチャージアップを防ぐための金属被膜２０２としての金メッキを施してなる。また、導電性セラミックスを研削加工し、その表面に前記金属被膜２０２としての白金族のメッキを施してなる。或いはアルミ、燐青銅を研削加工し、その表面に前記金属被膜２０２としての金メッキを施したものをアルミナからなる電極基材２００内部に配置してなる。また、セラミックス、或いは導電性セラミックスからなる電極基材２００内部に、下地金属２０３としての銅薄膜をメッキし、更にその表面に前記金属被膜２０２としての酸化ルテニウムを施してなる。
【０１３１】
この偏向電極２０１ｉに対向する前記電極基材２００の側面部には、前記偏向電極２０１ｉに達する貫通孔２０６1〜２０６8が、各々、設けられている。
【０１３２】
そして、この貫通孔２０６ｉ（ｉ＝１〜８）の各々を介して、偏向電圧導入端子２０５1〜２０５8が、各偏向電極２０１ｉに電気的に接続されている。
この各偏向電圧導入端子２０５ｉは、図１２に示すように、各貫通孔２０６ｉの内壁面に形成された銅層２０７と金層２０８との積層構造からなる。
【０１３３】
更に、前記電極基材２００の筒壁内には、ヒーター２３０が埋め込み形成されている。このヒーター２３０は、複数、例えば１６個のボロンナイトライド等の非磁性材料からなるヒーター材２３０1〜２３０16から構成され、ヒーター材２３０ｉは、各偏向電極２０１ｉの各々に対して、例えば２個ずつ配置され、しかも前記偏向電圧導入端子２０５ｉを跨いで筒軸に沿って軸対称に配置され、且つ前記電極基材２００の筒を貫通して上下面に露出している。勿論、前記ヒーター材２３０の個数は、分割された偏向電極２０１の数の倍数個用意する必要はない。
【０１３４】
また、前記電極基材２００の上面において、例えば前記ヒーター材２３０1及び２３０2にヒーター電力導入端子２３５が設けられ、それ以外の隣接する２個のヒーター材２３０ｉどうしは、そのヒーター材２３０ｉ間に溝を掘り、その溝に埋設された低抵抗の金属等で電気的に接続され、前記電極基材２００の下面においては、上面の場合とは異なる隣接する２個のヒーター材２３０ｉどうしは、そのヒーター材２３０ｉ間に溝を掘り、その溝に埋設された低抵抗の金属等で電気的に接続され、各ヒーター材２３０ｉを直列接続してなるヒーター２３０が構成される。
【０１３５】
なお、前記ヒーター電力端子２３５は、図１０に示すように、前記電極基材２００の筒上面に必ずしも設ける必要はなく、筒下面、側面、若しくはそれらを組み合わせて設けても良い。
【０１３６】
そして、前記偏向電極２０１と前記ヒーター２３０とは、前記電極基材２００により、５ＭΩ以上の抵抗値で電気的に絶縁されていることが望ましい。
【０１３７】
次に、上記静電偏向電極の製作方法について説明する。
【０１３８】
まず、導電性セラミクスを研削加工して同心度、真円度の良い、円筒状の電極基材２００を形成した後、この円筒状電極基材２００の筒壁に、機械的加工等により上下面に貫通する複数、例えば１６個の貫通孔を、筒軸に沿って軸対称に形成する。ここでは、貫通孔は、図１１に示すように、上下対称に設けているが、必ずしも上下対称に設ける必要はなく、例えば上面から下面に斜めに形成されていても良い。
【０１３９】
次に、メッキ法、スパッタ法、蒸着法等により、前記貫通孔内に、ヒーター材２３０ｉ、例えばボロンナイトライドを埋め込んだ後、ヒーター材２３０ｉを焼結させる。前記ヒーター材２３０ｉを埋め込む方法は、上記メッキ法、スパッタ法、蒸着法に限らず、例えば焼結させたヒーター材２３０ｉを精度良く加工し、前記貫通孔内に隙間なく設置しても良い。
【０１４０】
そして、スパッタ法、蒸着法等により、前記電極基材２００の内壁面全面に、例えば無電界メッキ法により、下地金属２０３、例えば銅薄膜を形成する。更に、電界メッキ法により、前記下地金属２０３上にルテニウム膜を形成し、加熱処理して、金属被膜２０２、例えば酸化ルテニウムを形成する。
【０１４１】
その後、例えば、機械的加工により、前記酸化ルテニウム膜２０２及び前記銅薄膜２０３の積層膜を、所定間隔をもって精度良く、筒軸に沿って８分割して、各偏向電極２０１ｉを形成する。
【０１４２】
次に、前記電極基材２００における各偏向電極２０１ｉに対向し、且つ前記ヒーター材２３０ｉ間に位置する側面部に、各々、各偏向電極２０１ｉの銅薄膜２０３に達する偏向電圧導入端子用の貫通孔２０６1〜２０６8を形成する。
【０１４３】
次いで、前記偏向電極導入端子用の貫通孔２０６ｉの内壁面に、膜厚約１．０μｍの銅層２０７をメッキし、更に、膜厚約０．５μｍの金層２０８をメッキして、前記偏向電極２０１ｉの銅薄膜２０３に電気的に接続した偏向電圧導入端子２０５ｉを、各々、作製する。その後、前記電極基材２００の上下面において、所定のヒーター部材２３０ｉ同士を電気的に接続し、且つ上面において、例えばヒーター材２３０1及び２３０2にヒーター電力導入端子２３５を設けて、図１０乃至図１２に示すような静電偏向器を作製してなる。
【０１４４】
前記偏向電極導入端子用の貫通孔２０６ｉは、前記偏向電極１０１ｉの形成工程後である必要はなく、例えば、前記円筒状の電極基材２００の形成後に予め形成しておいても良い。この場合には、その後のヒーター材２３０ｉ及び偏向電極２０１ｉの形成工程において、各材料が付着しないようにレジスト等の保護部材で塞いでおけば良い。そして、前記ヒーター材２３０ｉ及び偏向電極２０１ｉの形成工程後にこの部材を除去して偏向電極導入端子２０５ｉを設ければ良い。
【０１４５】
また、前記ヒーター材を埋め込む貫通孔２３６ｉは、前記偏向電極２０１ｉ及び前記偏向電極導入端子２０５ｉの形成工程前である必要はなく、例えば、前記偏向電極２０１ｉ及び前記偏向電極導入端子２０５ｉの形成工程後に形成しても良い。この場合には、ヒーター材２３０ｉの形成工程において、ヒーター材が付着しないように、前記偏向電極２０１ｉ及び前記偏向電極端子２０５ｉの表面をレジスト等の保護部材で被覆しておけば良い。そして、前記ヒーター材２３０ｉの形成工程後にこの部材を除去すれば良い。
【０１４６】
この電子ビーム露光装置のクリーニング方法は、上記第３の実施形態の場合と同様に、まず、第１のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置の通常の動作を停止し、ヒーターを加熱した状態で、装置外部に設けられた反応性ガス供給系から反応性ガス供給管を介して活性酸素ガスを前記静電偏向器の近傍に供給することにより行う。
【０１４７】
また、第２のクリーニング方法としては、電子ビーム露光装置を通常動作させた状態で、且つヒーターを加熱した状態で、装置外部の反応性ガス供給系から前記反応性ガス供給管を介して活性酸素ガスを前記静電偏向電極の近傍に供給することにより行う。
【０１４８】
上記いずれのクリーニング方法においても、偏向電極がヒーターにより加熱さているため、各偏向電極表面に付着したコンタミネーションは、活性酸素と炭素との反応が促進されて、効率よく洗浄除去される。
【０１４９】
上記実施形態によれば、上記第３の実施形態と同様に、他の部品に熱的影響を与えることなく、偏向電極の表面に付着したカーボンコンタミネーションは、反応ガスの活性酸素と炭素との反応が促進されて効率よく除去することができる。そのため、静電型電極の表面をチャージアップすることが無い状態を実現し、高精度な描画を長時間維持することが可能となる静電偏向器を供給することが可能となる。
【０１５０】
また、このような静電偏向器を用いた電子ビーム露光装置においては、高精度な描画を長時間維持することが可能となる。
（第５の実施形態）
本実施形態は、上記第３及び第４の実施形態の静電偏向器において、偏向電極に対して効率よくヒーターの熱を伝達し、且つ静電偏向器から外部への熱伝達を抑制するようにしたものである。
【０１５１】
以下、図１３を参照して本実施形態に係わる静電偏向器について説明する。図１３は、静電偏向器の電極基材の構造を模式的に示す斜視図で、偏向電極、ヒーター、偏向電圧導入端子、及びヒーター電力端子等は図示を省略している。
【０１５２】
図１３に示すように、本実施形態では、筒状電極基材３００の筒壁に複数、例えば６個の空洞３５０が、筒軸に沿って設けられ、且つ筒を貫通して上下面を連通している。この空洞３５０の各々は、互いに等間隔で、且つ筒軸に対称に配置されている。また、この空洞３５０の各々は、図示略のヒーターと前記電極基材の外側面との間に配置されている。
【０１５３】
ここでは、図示していないが、上記第３及び第４の実施形態と同様に、偏向電極は、前記筒状電極基材３００の内壁面に形成され、偏向電圧導入端子は、電極基材３００の側面部において偏向電極の裏面と電気的に接続される。
【０１５４】
また、上記第３の実施形態と同様に、ヒーターは、前記電極基材３００の内壁面に設けられ、ヒーター電力導入端子は、前記電極基材３００の側面部に設けられる、或いは上記第４の実施形態と同様に、電極基材３００の筒壁内に埋め込み形成され、ヒーター電力導入端子は、筒上面に設けられる。
【０１５５】
なお、前記ヒーター電力端子は、前記電極基材の筒上面に必ずしも設ける必要はなく、筒下面、側面、若しくはそれらを組み合わせて設けても良い。
【０１５６】
この実施形態によれば、上記第３及び第４の実施形態と同様な効果の他に次のような効果が得られる。
【０１５７】
一般に、静電偏向器はコラム内へ設置され、偏向電極及びヒーターは、各々、偏向電圧導入端子及びヒーター電力導入端子を介して外部の部品と接している。そのため、偏向電極に付着したコンタミネーションを除去するためにヒーターを加熱した際、熱が外部の部品やコラムに伝達されるが、外部の部品やコラムは耐熱性に乏しく、不具合を生じる恐れがある。
【０１５８】
しかし、本実施形態では、ヒーターと電極基材の外側面との間に空洞を設けて、熱が伝達される方向の電極基材の断面積を小さくしているため、偏向電圧導入端子及びヒーター電力導入端子を介して外部の部品やコラムに伝達される熱量が抑制される。
（第６の実施形態）
本実施形態は、上記第５の実施形態と同様に、上記第３及び第４の実施形態の静電偏向器において、偏向電極に対して効率よくヒーターの熱を伝達し、且つ静電偏向器から外部への熱伝達を抑制するようにしたものである。
【０１５９】
以下、図１４を参照して本実施形態に係わる静電偏向器について説明する。図１４（ａ）は、静電偏向器の電極基材の構造を模式的に示す上面図、図１４（ｂ）は、静電偏向器の電極基材の構造を模式的に示す斜視図で、いずれの図においても、偏向電極、ヒーター、偏向電圧導入端子、及びヒーター電力端子等は図示を省略している。
【０１６０】
図に示すように、本実施形態では、円筒状の電極基材４００が、放射状のフィン構造に形成されている。即ち、円筒状電極基材４００を、偏向電圧導入端子の部分を残して、それ以外の壁面部分４００ａを内面方向に切削することにより、電極基材４００は、肉薄円筒部４００ｂとこの肉薄円筒部４００ｂから放射状に延びるフィン部分４００ｃとを有する構造に形成されている。この外側部から内面へ切削は、熱伝達方向の電極基材の断面積を小さくするために、ヒーターを筒壁内に埋め込んでいる場合には、ヒーター近傍まで切削することが最も好ましいが、ヒーターまで切削しても問題はない。
【０１６１】
ここでは、図示していないが、偏向電極は、前記肉薄円筒部４００ｂの内壁面に、上記第３及び第４の実施形態と同様の構成に形成され、偏向電圧導入端子は、前記フィン部分４００ｃにおいて、上記第３及び第４の実施形態と同様の構成、即ち、その側面部から前記肉薄円筒部４００ｂを貫通して偏向電極の裏面と電気的に接続される。
【０１６２】
また、上記第３の実施形態と同様に、ヒーターは、前記肉薄円筒部４００ｂの内壁面に設けられ、ヒーター電力導入端子は、前記肉薄円筒部４００ｂの側面部に設けられる、或いは上記第４の実施形態と同様に、筒壁内に埋め込み形成され、ヒーター電力導入端子は、筒上面に設けられる。
【０１６３】
なお、前記ヒーター電力端子は、前記電極基材の筒上面に必ずしも設ける必要はなく、筒下面、側面、若しくはそれらを組み合わせて設けても良い。
【０１６４】
この実施形態によれば、上記第５の実施形態と同様に、円筒状の電極基材の壁面を内側方向に切削して、ヒーターから電極基材の外側面に熱が伝達される方向の電極基材の断面積を小さくしているため、偏向電圧導入端子及びヒーター電力導入端子を介して外部の部品やコラムに伝達される熱量が抑制される。
(第７の実施の形態)
次に、本発明の第７の実施形態に係わる電子ビーム露光装置ついて説明するが、電子ビーム露光装置の基本的な構成は、上記第１の実施形態の図１に示す構成と同一であるので、説明は省略し、上記第１の実施の形態と異なる静電偏向器の構成について説明する。
【０１６５】
以下、図１５を参照して本実施形態における静電偏向器の構成について詳細に述べる。図１５（ａ）は、静電偏向器の外観構成を示す斜視図、図１５（ｂ）は、静電偏向器の上面図、図１５（ｃ）は、図１５（ｂ）におけるＥ−Ｅ’線に沿った縦断面図である。
【０１６６】
図に示すように、中空円筒状の電極基材４０と、この電極基材４０内部に形成された８個の偏向電極４１1〜４１8及び各偏向電極４１ｉ（ｉ＝１〜８）に電圧を供給する偏向電圧導入端子４５1〜４５8よって構成されている。
【０１６７】
前記電極基材４０としては、この実施形態では、例えば、約１０8Ωｃｍと比抵抗の高い導電性セラミクスを用いている。
【０１６８】
各偏向電極４１ｉの各々は、図１５（ｂ）に示すように、夫々、同一形状に形成され、且つ前記電極基材４０の中空円筒内部に互に電気的に絶縁されて筒軸対称に配置固定されている。
【０１６９】
また、前記偏向電極４１ｉの各々は、少なくとも表面に導電性酸化物を有する金属被膜４２が直接又は間接的に形成されてなる。
【０１７０】
この実施形態では、前記金属被膜４２としては、酸化ルテニウムが用いられ、前記酸化ルテニウム４２は、前記電極基板４０の導電性セラミクス表面に、下地金属としての銅薄膜４３を介して形成してなる。
【０１７１】
また、前記偏向電圧導入端子４５ｉ（ｉ＝１〜８）の各々は、各偏向電極４１ｉに対向する前記電極基材４０の円筒側面部に各々設けた貫通孔４６を介して各偏向電極４１ｉの各銅薄膜４３に電気的に接続されている。
【０１７２】
次に、前記静電偏向器の作製方法を具体的に説明する。
【０１７３】
まず、導電性セラミクスを研削加工して同心度、真円度の良い、内径が約１．０ｃｍ、肉厚が約５．０ｃｍ、長さが約２．０ｃｍの中空円筒状の電極基材４０を形成する。
【０１７４】
その後、前記電極基材４０の円筒側面の所定位置に、円筒内部にまで達する直径約０．３ｃｍの貫通孔４６を形成する。
【０１７５】
次いで、電極基材４０の円筒内面に、無電解メッキして、膜厚約１μｍの銅薄膜４３を形成する。更に、電解メッキして、ルテニウム膜を形成し、加熱処理により、酸化ルテニウム膜４２を形成する。
【０１７６】
その後、例えば、機械的加工により、前記銅薄膜４３と前記酸化ルテニウム４２の積層膜を、約０．１ｃｍの間隔をもって精度良く、８分割して、幅約０．９ｃｍ、長さ約２．０ｃｍを有する偏向電極４１ｉを作製する。
【０１７７】
次いで、前記貫通孔４６の内壁面に、膜厚約１．０μｍの銅層４７をメッキし、更に、膜厚約０．５μｍの金層４８をメッキして、前記偏向電極４１ｉの銅薄膜４３に電気的に接続した偏向電圧導入端子４５ｉを作製する。このようにして、静電偏向器を作製してなる。
【０１７８】
本実施形態の電子ビーム露光装置によれば、電極の表面を酸化ルテニウムで覆っているので、静電偏向器にコンタミネーションが付着して、ビームドリフトが増加した場合、活性酸素を用いて、電極の表面をin-situ洗浄することにより、炭素系のコンタミネーションを除去することができる。
【０１７９】
一方、静電偏向器の偏向電極表面を被覆している酸化ルテニウムは、導電性酸化物であるため、チャージアップ等の問題は発生しない。このことは、図１６の走査線電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真から明らかである。
【０１８０】
図１６は、酸化ルテニウムが電子ビームによってチャージアップしないことを説明するための図で、図１６（ａ）は、酸化ルテニウムの中央部分の領域Ａに電子ビームを照射している状態を示す図、図１６（ｂ）は、酸化ルテニウムの中央部分を電子ビームで６０秒間照射した直後、その中央部分の電子ビーム照射領域Ａとその周辺の電子ビームを照射しなかった領域ＢとをＳＥＭにより観察したＳＥＭ写真である。
【０１８１】
即ち、図１６（ｂ）に示すよう、酸化ルテニウムが電子ビームにより、チャージアップする場合、ＳＥＭ写真には、チャージのよる領域が電位コントラストにより、非チャージアップ領域と異なったコントラストで観察される。しかし、電子ビームを照射した中央部分の領域（電子ビーム照射領域）Ａと電子ビームを照射しなかった周辺部（電子ビーム非照射領域）Ｂとのコントラストの変化は観察されない。これは、電子ビームにより、酸化ルテニウムがチャージアップしないことを示している。
【０１８２】
また、酸化ルテニウムと活性酸素との化学反応が、ルテニウムそのものと活性酸素との化学反応に比べて、約１／３と極めて弱い。そのため、酸化ルテニウムは、前記in-situ洗浄を繰返しても、活性酸素との化学反応によってエッチングされ難く、公知技術による前記白金族の金属被膜よるものに比べて、長期間に亘って酸化防止機能を失うことがない。
【０１８３】
以上のことから、本実施形態に係わる静電偏向器並びにそれを用いた電子ビーム露光装置によれば、コンタミネーションを除去することができ、静電偏向器の電極表面をチャージアップすることがない状態を実現し、高精度な露光を長時間維持することが可能となる。
【０１８４】
なお、本実施形態では、ルテニウム薄膜は、電解メッキ法により形成したが、スパッタリング法により形成してもよいことは勿論である。また、本実施形態では、静電偏向器の電極の表面を、酸化ルテニウムで被覆したが、酸化ルテニウムに限るものではなく、導電性の酸化物であればよい。具体的には、二酸化バナジウム（ＶＯ2）、二酸化クロム（ＣｒＯ2）、二酸化モリブデン（ＭｏＯ2）、二酸化タングステン（ＷＯ2）、二酸化レニウム（ＲｅＯ2）、二酸化ニオブ（ＮｂＯ2）、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、二酸化ロジウム（ＲｈＯ2）、二酸化イリジウム（ＩｒＯ2）、二酸化パラジウム（ＰｄＯ2）、二酸化白金（ＰｔＯ2）、二酸化オスミウム（ＯｓＯ2）等の導電性金属酸化物、ランタンニッケル複合酸化物（ＬａＮｉＯ3）やバナジン酸ストロンチウム（ＳｒＶＯ3）、バナジン酸カルシウム（ＣａＶＯ3）、鉄酸ストロンチウム（ＳｒＦｅＯ3）、チタン酸ランタン（ＬａＴｉＯ3）、ランタンストロンチウムニッケル複合酸化物（ＬａＳｒＮｉＯ4）クロム酸ストロンチウム（ＳｒＣｒＯ3）、クロム酸カルシウム（ＣａＣｒＯ3）、ルテニウム酸カルシウム（ＣａＲｕＯ3）、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ3）、イリジウム酸ストロンチウム（ＳｒＩｒＯ3）等の導電性複合酸化物が好ましく用いることができる。
【０１８５】
また、本実施形態では、静電偏向器について記述したが、本発明は、偏向器への適用に限定されず、アパーチャ等、コラム中の他の部品についても適用できることは勿論である。
【０１８６】
なお、本発明は、上記実施形態の静電偏向器に限定されるものではなく、静電レンズに適用できる。即ち、静電レンズの場合には、電極を複数に分割せず、１個で構成すれば良い。
【０１８７】
また、本発明は、上述した各実施形態を組み合わせても良い。例えば、上記第１の実施形態に第３、４、５，６の実施形態を、また第３の実施形態に第４，５，６の実施形態を、また第４の実施形態に第５、６の実施形態を、また第５及び第６の実施形態に第７の実施形態を組み合わせても良い。
【０１８８】
また、上記第１乃至第７の実施形態において、偏向電極を構成する金属被膜として、第７の実施形態で記述した導電性酸化物、もしくは導電性複合酸化物を用いても良いことは言うまでもない。
【０１８９】
【発明の効果】
上述の説明から明らかなように、本発明によれば、静電偏向器、静電レンズ等の電極表面に付着したコンタミネーションを容易に除去することができる。
【０１９０】
また、請求項２５乃至３２に記載の発明によれば、静電偏向器、静電レンズ等の電極表面に付着したコンタミネーションを除去することができ、チャージアップすることが殆どない状態を実現し、高精度なビーム位置の制御を長時間維持することが可能で、且つ前記in-situ洗浄を繰返しても、反応性ガスとの化学反応によってエッチングされ難く、長期間に亘って酸化防止機能を失うことがなく、高精度なビーム位置の制御が可能な電子ビーム照射を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わる電子ビーム露光装置の基本的な構成を示す概念図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係わる静電偏向器の構成を示す図で、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は上面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿う縦断面図。
【図３】図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う縦断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係わる静電偏向器単体を複数段組み合わせて構成した静電偏向器の構成を模式的に示す縦断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係わる複数段の静電偏向器単体を一体形成した静電偏向器の構成を模式的に示す縦断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係わる静電偏向器の構成を示す図で、図６（ａ）は斜視図、図６（ｂ）は上面図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係わる静電偏向器の構成を示す図で、図７（ａ）は図６（ｂ）のＣ−Ｃ’線に沿う縦断面図、図７（ｂ）は、ヒーターの構成を模式的に示す図。
【図８】第３の実施形態に係わる静電偏向器の製作工程を示す要部の模式図。
【図９】第３の実施形態に係わる静電偏向器の製作工程を示す要部の模式図。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係わる静電偏向器を示す斜視図、
【図１１】本発明の第４の実施形態に係わる静電偏向器を示す図、図１１（ａ）は、図１０（ｂ）の上面図、図１１（ｂ）は、図１０（ａ）の下面図。
【図１２】図１１（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面図。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係わる静電偏向器の電極基材の構造を模式的に示す斜視図。
【図１４】本発明の第６の実施形態に係わる静電偏向器の電極基材の構造を模式的に示す図で、図１４（ａ）は上面図、図１４（ｂ）は、斜視図。
【図１５】  本発明の第７の実施形態に係わる静電偏向器の構成を示す図で、図１５（ａ）は斜視図、図１５（ｂ）は上面図、図１５（ｃ）は図１５（ｂ）のＥ−Ｅ’線に沿う縦断面図。
【図１６】酸化ルテニウムの静電偏向器における電荷のチャージ状態を説明するための図で、図１６（ａ）は電子ビームの照射状態図、図１６（ｂ）は電子ビーム照射後の酸化ルテニウムを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で見た観察像。
【符号の説明】
１０…チャンバー
１１…試料（ウエハ）
１２…マーク台
１３…可動ステージ
２０…コラム
２１…電子銃
２２…電子ビーム
２３…コンデンサーレンズ
２４…第１成形アパーチャ
２５…投影レンズ
２６…ＣＰアパーチャ
２７…ＣＰ選択偏向器
２８…縮小レンズ
２９…対物レンズ
３０…対物偏向器
３１…ブランキング偏向器
３２…ブランキングアパーチャ
３３…検出器
４０、６０、１００、２００、３００、４００…電極基材
４１ｉ、６１ｉ、１０１ｉ，２０１ｉ、２０１ｉ（ｉ＝１〜８）
３３１…偏向電極
４２、６２、１０２、２０２…金属被膜（酸化ルテニウム）
４３、６３、１０３、２０３…下地金属（銅薄膜）
４５ｉ、６５ｉ、１０５ｉ，２０５ｉ（ｉ＝１〜８）
３３２…偏向電圧導入端子
４６、６５ｉ、１０６ｉ、１３６ｉ，２０６ｉ（ｉ＝１〜８）…貫通孔
４７、６７、１０７、２０７…銅層
４８、６８、１０８、２０８…金層
５０…静電偏向器単体
７０、３３３…ガス供給通路
８０…シールド
８５…ホルダー
９０…反応性ガス供給管
１１６…ブランキング偏向回路
１１７…レンズ制御回路
１１８…ＣＰ選択回路
１１９…ビーム偏向回路
１２０…検出信号処理回路
１２１…ステージ制御回路
１２２…制御コンピュータ
１２３…パターンデータデコーダ
１２４…パターンデータメモリ
１３０ｉ（ｉ＝１〜８）、２３０…ヒーター
１３１ｉ（ｉ＝１〜８）…絶縁膜
１３５ｉ（ｉ＝１〜８）、２３５…ヒーター電力導入端子
１４０…溝
１４１、２３０ｉ…ヒーター材
３１０…溝
３２０…シールド部分
３２１…シールド電極
３２２…シールド電極端子
３２３…蓋
３３０…偏向器単体部分
３５０…空洞
４００ａ…壁面部分
４００ｂ…肉薄部分
４００ｃ…フィン部分
Ａ…電子ビーム照射領域
Ｂ…非電子ビーム照射領域
Ｇ…活性酸素ガス
【図１】
0003785085.tif 000002
【図２】
0003785085.tif 000003
【図３】
0003785085.tif 000004
【図４】
0003785085.tif 000005
【図５】
0003785085.tif 000006
【図６】
0003785085.tif 000007
【図７】
0003785085.tif 000008
【図８】
0003785085.tif 000009
【図９】
0003785085.tif 000010
【図１０】
0003785085.tif 000011
【図１１】
0003785085.tif 000012
【図１２】
0003785085.tif 000013
【図１３】
0003785085.tif 000014
【図１４】
0003785085.tif 000015
【図１５】
0003785085.tif 000016
【図１６】
0003785085.tif 000017