(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内で基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、
前記処理室内の気流を攪拌させる攪拌手段を備え、
前記処理室は、基板を載置する基板載置手段と、その外側上部の中央部が支持プレートに回転軸を介して吊り下げ支持されるとともに前記基板載置手段に載置された基板の上方の空間を覆うチャンバー蓋とによって、微小なすきまで互いに離間された状態で形成され、
前記攪拌手段は、前記支持プレートに配設されるとともに前記チャンバー蓋の前記回転軸に連結して前記チャンバー蓋を回転させる回転機構であることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板熱処理装置において、
前記チャンバー蓋の内側上面に羽根を形成することを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）を処理室内で熱処理する基板熱処理装置に係り、特に均一に熱処理を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板熱処理装置として、図８に示すように、基板Ｗが載置されるホットプレート１０１と、このホットプレート１上に載置された基板Ｗの上方の空間を覆ってホットプレート１とともに処理室１３０を形成するチャンバー蓋１０２とが配設されている。チャンバー蓋１０２は図示を省略するエアーシリンダ等によって上下移動可能に構成されている。また、この基板熱処理装置と、基板Ｗを搬送する搬送経路１０３との間には、開閉式のシャッタ１０４が配備された外壁１０５が介在されている。
【０００３】
例えば、フォトレジストが塗布形成された基板Ｗは図示を省略する搬送用ロボット等によって搬送経路１０３上を移動する。基板Ｗが外壁１０５の前まで移動すると、チャンバー蓋１０２とシャッタ１０４とがそれぞれ開放する。搬送用ロボットが進出して基板Ｗをホットプレート１０１に受け渡すと、搬送用ロボットが退出するとともに、チャンバー蓋１０２とシャッタ１０４とが閉じる。ホットプレート１０１によって基板Ｗを所定時間だけ加熱した後、チャンバー蓋１０２とシャッタ１０４とがそれぞれ開放し、基板Ｗを搬送用ロボットによって搬出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような構成を有する従来例の場合には、次のような問題点がある。
即ち、処理室内における温度の均一性が低い点である。
【０００５】
上述のように基板の搬送時におけるチャンバー蓋やシャッタの開閉によって、処理室内のシャッタ側の温度低下が発生する。温度低下が発生することによって熱い空気と冷たい空気とが置換されて、処理室内の雰囲気温度が不均一となる。また、ベーク時に塗布膜中の溶剤が揮発することによって、チャンバー内の基板の上方において溶剤の揮発成分の濃度が高い部分と揮発成分の濃度が低い部分とが生じて、その揮発成分の高低差によって基板面内において溶剤が蒸発し易い部分と蒸発し難い部分とが生じることになり、基板全面における溶剤の均一な蒸発が妨げられて基板の熱処理が不均一となる。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理の均一性を向上させる基板熱処理装置を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するために、次のような構成をとる。
即ち、請求項１に記載の発明は、処理室内で基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、前記処理室内の気流を攪拌させる攪拌手段を備え、前記処理室は、基板を載置する基板載置手段と、その外側上部の中央部が支持プレートに回転軸を介して吊り下げ支持されるとともに前記基板載置手段に載置された基板の上方の空間を覆うチャンバー蓋とによって、微小なすきまで互いに離間された状態で形成され、前記攪拌手段は、前記支持プレートに配設されるとともに前記チャンバー蓋の前記回転軸に連結して前記チャンバー蓋を回転させる回転機構であることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板熱処理装置において、前記チャンバー蓋の内側上面に羽根を形成することを特徴とする。
【００１２】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用について説明する。
従来においては、温度の均一性を向上させるために処理室内に発生する気流を極力抑制してきた。気流を極力抑制した状態で、ベーク処理を行うために加熱させるホットプレート及びホットプレートに載置された基板上に温度センサを配設すると、ホットプレート及び基板上の温度は所望する温度になっていた。しかしながら、ホットプレート及び基板上の温度が所望する温度になっていても、上述したように、チャンバー蓋やシャッタの開閉によって処理室内の雰囲気温度が不均一になる。また、塗布膜中の溶剤の揮発によって揮発成分の濃度が不均一になり溶剤の均一な蒸発が妨げられる。以上より、プレート及び基板を所望する温度に制御できても、ベーク処理のプロセス上では問題があった。
【００１３】
そこで、本発明者等は、これまで極力抑制してきた気流を逆に利用するに至った。即ち、攪拌手段を基板熱処理装置に備えることによって、処理室内の気流を積極的に攪拌させる。処理室内のシャッタの開閉によって、処理室内の雰囲気温度が一時的に不均一になっても、気流の攪拌によって温度は即座に均一になる。また、基板の上方において溶剤の揮発成分の濃度が一時的に不均一になっても、気流の攪拌によって濃度は即座に均一になる。これによって基板の熱処理の均一性は向上される。
より具体的に説明すると、処理室は、基板を載置する基板載置手段と、その外側上部の中央部が支持プレートに回転軸を介して吊り下げ支持されるとともに基板載置手段に載置された基板の上方の空間を覆うチャンバー蓋とによって、微小なすきまで互いに離間された状態で形成され、攪拌手段は、支持プレートに配設されるとともにチャンバー蓋の回転軸に連結してチャンバー蓋を回転させる回転機構である。このように、チャンバー蓋を回転させる回転機構を基板熱処理装置に備えることによって、処理室内の気体も回転される。処理室内の気体の回転に伴い、処理室内の気流も攪拌される。上述の回転機構を装置に備えるだけで、処理室内の雰囲気の温度均一性は向上される。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、チャンバー蓋の内側上面に羽根を形成することで、チャンバー蓋が回転したときに処理室内に気流が発生し易くなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
〔第１実施例〕
以下、図面を参照して本発明に係る基板熱処理装置の第１実施例を説明する。図１（ａ）はベーク処理を行う第１実施例装置の構成を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は第１実施例装置に係るチャンバー蓋の内側上面の平面図である。
【００１９】
第１実施例装置には、図１（ａ）に示すように、基板Ｗが載置されるホットプレート１と、このホットプレート１上に載置された基板Ｗの上方の空間を覆ってホットプレート１とともに処理室３０を形成するチャンバー蓋２とが配設されている。ホットプレート１には基板Ｗの搬入・搬出時に基板Ｗを持ち上げ支持する複数本の支持ピン３が上下に出没自在に配設されている。これらの支持ピン３は昇降プレート４に立設され、この昇降プレート４はエアーシリンダ５ａのロッドに連結されている。このエアーシリンダ５ａのロッドが伸縮作動することにより、支持ピン３が昇降駆動されるようになっている。ホットプレート１は、本発明における基板載置手段に相当する。
【００２０】
チャンバー蓋２は支持プレート６に回転自在に吊り下げ支持されている。この支持プレート６にはモータ７が配設され、このモータ７の出力軸がチャンバー蓋２の回転軸２ａに連結されている。このモータ７により、チャンバー蓋２が鉛直軸心周りに回転駆動される。
【００２１】
支持プレート６は、エアーシリンダ５ｂのロッドに連結されており、このロッドの伸縮作動によってチャンバー蓋２が昇降されるようになっている。チャンバー蓋２の回転の際にチャンバー蓋２がホットプレート１に接触するのを防止するために、基板Ｗを収容するときでもホットプレート１とチャンバー蓋２とは、図１（ａ）に示すように、微小なすきまで互いに離間されている。この微小なすきまとは、処理室３０内の雰囲気の温度均一性に悪影響を与えない程度で、かつホットプレート１付近に著しい温度低下を与えない程度のすきまである。
【００２２】
また、チャンバー蓋２の内側上面には、図１（ｂ）に示すように、回転軸心の周りに、複数本の板状の羽根８が放射状に形成されている。この羽根８をチャンバー蓋２の内側上面に形成することで、チャンバー蓋２が回転したときに処理室３０内に気流が発生し易くなる。チャンバー蓋２を回転駆動するモータ７は、本発明における回転機構に相当する。
【００２３】
また、第１実施例装置と他の基板処理装置との間にわたって基板Ｗを搬送する搬送経路９が、図１（ａ）に示すように、設けられている。チャンバー蓋２と搬送経路９との間には、開閉式のシャッタ１０が配備された外壁１１が介在されている。
【００２４】
上述の構成を備えた第１実施例装置は以下の作用を奏する。例えば、フォトレジストが塗布形成された基板Ｗは図示を省略する搬送用ロボット等によって搬送経路９上を移動する。基板Ｗが外壁１１の前まで移動すると、チャンバー蓋２が上昇して処理室３０を開放するとともに、シャッタ１０を開放し、支持ピン３を上昇移動させる。搬送用ロボットから支持ピン３へ基板Ｗが移載した後、支持ピン３が下降移動することにより、基板Ｗがホットプレート１に載置される。基板Ｗがホットプレート１に載置された後、チャンバー蓋２がホットプレート１との間で微小なすきまを作る位置まで下降移動する。基板Ｗが処理室３０内に収容されるときには、ホットプレート１は所定の温度に予め加熱されている。
【００２５】
基板Ｗが処理室３０内に収容された後、モータ７が作動するのに伴って、チャンバー蓋２が回転する。チャンバー蓋２の回転によって、処理室３０内の気体も回転される。処理室３０内の気体の回転に伴い、処理室３０内の気流も攪拌される。
【００２６】
処理室３０から基板Ｗを回収するときには、基板Ｗを収容するときとは逆の要領でチャンバー蓋２が上昇して処理室３０を開放するとともに、シャッタ１０を開放し、支持ピン３を上昇移動させて、基板Ｗを持ち上げる。搬送用ロボットが基板Ｗの下面の進入した後に、支持ピン３を下降移動させて、基板Ｗを搬送用ロボットに受けて渡す。基板Ｗを受け取った搬送用ロボットが退出することにより、基板Ｗが搬出される。
【００２７】
上述の作用によって、チャンバー蓋２やシャッタ１０の開閉によって処理室３０内の雰囲気温度が一時的に不均一になっても、処理室３０内の気流の攪拌によって雰囲気温度は即座に均一になる。また、基板Ｗの上方において溶剤の揮発成分の濃度が一時的に不均一になっても、気流の攪拌によって濃度は即座に均一になる。従って、チャンバー蓋２を回転させる回転機構を装置に備えるだけで、ベーク処理における処理室３０内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を簡単に向上させることができる。
【００２８】
また、熱処理の均一性を向上させるために、仮にホットプレート１を回転させる場合では、ホットプレート１に取り付けられたヒータやセンサ等のケーブルが絡まるのを防止するための構成が必要になり、装置が複雑化してしまう。しかしながら、上述した第１実施例装置のように、チャンバー蓋２を回転させる場合には、ケーブル類の絡まり防止機構が不要となるので、装置の構造が簡易になる。
【００２９】
なお、第１実施例装置は変形実施することができる。上述の第１実施例装置では、羽根８をチャンバー蓋２の内側上面に形成したが、羽根８がなくてもチャンバー蓋２の回転により、処理室３０内に気流はある程度発生するので、羽根８を必ずしも備える必要はない。
【００３０】
また、チャンバー蓋２を回転させる回転機構はモータ７に限らず、例えば、図２に示すような回転機構をチャンバー蓋２に備えてもよい。図２を参照して以下の説明を行う。なお、図２（ａ）は第１実施例のチャンバー蓋に関する変形例を示す概略断面図であり、図２（ｂ）はその平面図、図２（ｃ）はその側面図である。
【００３１】
支持プレート６に回転自在に吊り下げ支持されたチャンバー蓋２の外側の側壁には、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、回転棒１２が突設されている。第１実施例装置と同様に、図２（ａ）に示すように、チャンバー蓋２の上部に羽根８を形成してもよい。チャンバー蓋２がベーク処理を行う位置にまで下降移動したときに、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、回転棒１２に斜面部分が接触するような台形状の斜面台１３を配設する。つまり、チャンバー蓋２が下降移動の過程で回転棒１２は斜面台１３の斜面部分に沿って滑り落ち、その斜面部分を通過した後もその余勢で回転棒１２は図２（ｂ），（ｃ）中の矢印の方向に回転される。回転棒１２の回転に伴い、チャンバー蓋２も回転棒１２の回転方向と同じ方向に回転される。回転棒１２と斜面台１３とは、本発明における回転機構に相当する。
【００３２】
図２に示すような構成を備えることによって第１実施例で述べたような作用・効果の他に、回転機構に電気的な機構（例えばモータ）を備えなくても簡易な回転機構でもってチャンバー蓋を回転させることができるという効果がもたされる。なお、作用・効果については第１実施例と同様なので、その説明を省略する。
【００３３】
〔第２実施例〕
次に第２実施例について図面を参照しながら説明する。図３は、第２実施例装置の概略断面図である。なお、第１実施例装置と共通する箇所については同符号を付して、その箇所の図示及び説明を省略する。
【００３４】
第２実施例装置は、第１実施例装置と同様に、ホットプレート１とチャンバー蓋２と支持ピン３と昇降プレート４とエアーシリンダ５ａ，５ｂと支持プレート６と搬送経路９とを備えており、チャンバー蓋２と搬送経路９との間には、開閉式のシャッタ１０が配備された外壁１１が介在されている。第２実施例装置の特徴部分について説明すると、図３に示すように、チャンバー蓋２の内側の側壁にはファン１４が備えられている。ファン１４は、本発明における旋回流発生機構に相当する。
【００３５】
ファン１４を備えることによって、処理室３０内に図３に示すような旋回流１５が強制的に発生される。この旋回流１５によって、処理室３０内の気流も攪拌される。ファン１４のような旋回流を内部に強制的に発生させる旋回流発生機構を装置に備えるだけで、ベーク処理における処理室３０内の雰囲気の温度均一性を向上させることができる。また、基板Ｗ上の塗布膜中の溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。
【００３６】
また、第１実施例ではチャンバー蓋２を回転させて処理室３０内の気流を攪拌させたが、第２実施例では処理室３０の内部に旋回流を強制的に発生させて処理室３０内の気流を攪拌させている。このことから、第２実施例では第１実施例のようにチャンバー蓋２を回転させる必要はない。従って、上述したような微小なすきまでホットプレート１とチャンバー蓋２とを互いに離間させなくとも、ホットプレート１の上面とチャンバー蓋２の下面とが接触した状態でベーク処理を行ってもよい。
【００３７】
上述の第２実施例装置では、旋回流を内部に強制的に発生させる旋回流発生機構はファン１４に限らず、例えば、図４に示すように、変形実施することができる。図４は第２実施例装置に関する変形例を示す概略断面図である。
【００３８】
第１実施例と同様に、チャンバー蓋２は支持プレート６に回転自在に吊り下げ支持されており、この支持プレート６にはモータ７が配設されている。このモータ７の出力軸はチャンバー蓋２の回転軸２ａに連結されている。第２実施例の変形例では、この回転軸２ａはチャンバー蓋２を貫通するとともに、回転軸２ａの先端にはプロペラ１６が配設されている。プロペラ１６は、本発明における攪拌用羽根に相当する。
【００３９】
モータ７が作動するのに伴って、回転軸２ａを介して、プロペラ１６が回転する。プロペラ１６の回転によって、処理室３０内に図４に示すような旋回流１５が強制的に発生される。この旋回流１５によって、処理室３０内の気流も攪拌される。プロペラ１６のような攪拌用羽根を装置に備えるだけで、ベーク処理における処理室３０内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。
【００４０】
なお、処理室３０において気流を安定した状態に攪拌させる点においては、上述した第２実施例装置のように処理室３０内にファン１４やプロペラ１６を取り付ける場合よりも、上述した第１実施例装置の方がより好ましい。
【００４１】
〔第３実施例〕
次に第３実施例について図面を参照しながら説明する。図５は、第３実施例装置の概略断面図である。なお、第１，第２実施例装置と共通する箇所については同符号を付して、その箇所の図示及び説明を省略する。
【００４２】
第３実施例装置は、第１，第２実施例装置と同様に、ホットプレート１とチャンバー蓋２と支持ピン３と昇降プレート４とエアーシリンダ５ａ，５ｂと支持プレート６と搬送経路９とを備えており、チャンバー蓋２と搬送経路９との間には、開閉式のシャッタ１０が配備された外壁１１が介在されている。第３実施例装置の特徴部分について説明すると、図５に示すように、チャンバー蓋２の上部に、冷却水１７を図５中の矢印の方向に流す冷却水用の流路１８が配設されている。冷却水１７と流路１８とは、本発明における温度差生成機構に相当する。
【００４３】
ベーク処理において、流路１８に冷却水１７を流すことによって、処理室３０の上部にて雰囲気温度が低下する。一方、ホットプレート１の加熱によって、処理室３０の底部では雰囲気温度が上昇する。これによって、処理室３０内に温度差が生じて、図５に示すような対流１９が発生する。また、対流１９は一定の場所に留まらずに、対流しながら図５中の矢印の方向に水平に移動する。これによって、処理室３０内の気流が全体にわたって攪拌される。流路１８のような処理室３０内に温度差を設けて対流を発生させる温度差生成機構を装置に備えるだけで、ベーク処理における処理室３０内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。
【００４４】
また、流路１８に冷却水１７を流すことによって、処理室３０の上部にて雰囲気温度が低下しても、処理室３０内におけるチャンバー蓋２の上部からホットプレート１までには一定の距離が有るので、ホットプレート１付近に著しい温度低下を与えることはない。また、対流１９によって熱い空気と冷たい空気とが置換されても、冷たい空気が直接的にホットプレート１付近に到達するわけではないので、同じくホットプレート１付近に著しい温度低下を与えることはない。
【００４５】
上述の第３実施例装置では、流路１８に冷却水１７を流したが、液体窒素（Ｎ2 ）等に例示されるように、冷却する機能を備えた物質を流路１８に流してチャンバー蓋２を冷却するのならば、特に限定されない。
【００４６】
〔変形例〕
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４７】
（１）上述した第１〜第３実施例では、基板の熱処理は、フォトレジスト等の塗布膜が塗布形成された基板にベーク処理を行うものであったが、処理室内で基板の熱処理を行うのならば、ベーク処理に限定されない。例えば基板を冷却したり、基板の表面に形成された酸化膜を加熱処理する場合でも、本発明を適用することができる。
【００４８】
（２）上述した第１〜第３実施例では、処理室３０内の気流を攪拌させる攪拌手段は、チャンバー蓋２を回転させる回転機構（第１実施例）であったり、処理室３０の内部に旋回流を強制的に発生させる旋回流発生機構（第２実施例）であったり、処理室３０内に温度差を設けて対流を発生させる温度差生成機構（第３実施例）であったが、処理室３０内の気流を攪拌させる攪拌手段は上述したこれらの手段に限定されない。例えば、図６，図７に示すような攪拌手段を処理室３０内に備えてもよい。図６，図７を参照して以下の各説明を行う。なお、図６は基板熱処理装置に関する変形例を示す概略平面図であり、図７（ａ）はさらなる基板熱処理装置に関する変形例を示す概略断面図であり、図７（ｂ）はその平面図である。
【００４９】
先ず、図６に関する変形例について説明する。図６に示すように、処理室３０内に気体、例えば窒素（Ｎ2 ）を送り込むための導入口２０が配設されているとともに、チャンバー蓋２の内壁部の接線方向に配設されている。この導入口２０に窒素を送り込むことによって、窒素はチャンバー蓋２の内壁部の接線方向、即ち内壁に沿って、図６中の矢印の方向に流れる。窒素が図６中の矢印の方向に流れることによって、処理室３０内の気流が攪拌されて、処理室３０内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。導入口２０は、本発明における攪拌手段に相当する。
【００５０】
導入口２０に送り込む気体の種類は、窒素以外にも、不活性ガス（例えばＡｒ，Ｈｅ）や空気等に例示されるように、基板Ｗや処理室３０内の雰囲気に悪影響を与えなければ、特に限定されない。
【００５１】
次に、図７に関する変形例について説明する。処理室３０の上部の中心部には、図７（ａ），（ｂ）に示すように、処理室３０内に気体を送り込む通風孔２１が配設されており、複数枚の仕切板２２によって仕切られた複数本の気体用の通路２３がチャンバー蓋２の内壁部に配設されている。通風孔２１は、各通路２３にそれぞれ連通されており、各通路２３は処理室３０内に連通されている。通風孔２１から気体を、図７（ａ）中の矢印の方向に送り込むと、気体は、図７（ａ），（ｂ）中の矢印の方向に各通路２３を介してそれぞれ分散されながら、処理室３０内に流れ込む。通風孔２１から送り込まれた気体が各通路２３を介して処理室３０内に流れ込むことによって、処理室３０内の気流が攪拌されて、処理室３０内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。通風孔２１と仕切板２２と通路２３とは、本発明における攪拌手段に相当する。
【００５２】
（３）上述した各実施例や変形例を適宜組み合わせる変形例も考えられる。例えば、図７に示すような通風孔２１、仕切板２２、及び通路２３を、図２に示す第１実施例装置に組み込み、チャンバー蓋２を、図７（ｂ）中の矢印に示す気体の流れと同方向に回転させて、攪拌を促進させることもできる。
【００５３】
【発明の効果】
以上に詳述したように、請求項１の発明に係る基板熱処理装置によれば、攪拌手段を基板熱処理装置に備えることによって、処理室内の気流が攪拌される。処理室内のシャッタの開閉によって処理室内の雰囲気温度が一時的に不均一になっても、気流の攪拌によって温度は即座に均一になるので、基板の熱処理の均一性を向上させることができる。また、塗布膜中の溶剤の揮発によって基板の上方において溶剤の揮発成分の濃度が一時的に不均一になっても、気流の攪拌によって濃度は即座に均一になる。
より具体的に説明すると、処理室は、基板を載置する基板載置手段と、その外側上部の中央部が支持プレートに回転軸を介して吊り下げ支持されるとともに基板載置手段に載置された基板の上方の空間を覆うチャンバー蓋とによって、微小なすきまで互いに離間された状態で形成され、攪拌手段は、支持プレートに配設されるとともにチャンバー蓋の回転軸に連結してチャンバー蓋を回転させる回転機構である。このように、チャンバー蓋を回転させる回転機構を基板熱処理装置に備えることによって、処理室内の気体も回転されて、処理室内の気流も攪拌される。上述の回転機構を装置に備えるだけで、処理室内の雰囲気の温度均一性及び溶剤の揮発時の濃度均一性を向上させることができる。また、熱処理の均一性を向上させるために、仮にプレートを回転させる場合は、プレートに取り付けられたヒータやセンサ等のケーブルが絡まるのを防止するための構成が必要になり、装置が複雑化してしまうが、請求項１の場合には、ケーブル類の絡まり防止機構が不要となるので、装置の構造が簡易になるという効果もある。
【００５４】
また、請求項２の発明に係る基板熱処理装置によれば、チャンバー蓋の内側上面に羽根を形成することで、チャンバー蓋が回転したときに処理室内に気流が発生し易くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は第１実施例装置の構成を示す概略断面図、（ｂ）は第１実施例装置に係るチャンバー蓋の内側上面の平面図である。
【図２】（ａ）は第１実施例のチャンバー蓋に関する変形例を示す概略断面図、（ｂ）はその平面図、（ｃ）はその側面図である。
【図３】第２実施例装置の概略断面図である。
【図４】第２実施例装置に関する変形例を示す概略断面図である。
【図５】第３実施例装置の概略断面図である。
【図６】基板熱処理装置に関する変形例を示す概略平面図である。
【図７】（ａ）はさらなる基板熱処理装置に関する変形例を示す概略断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図８】従来の基板熱処理装置の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  …  ホットプレート
２  …  チャンバー蓋
７  …  モータ
８  …  羽根
１４  …  ファン
１５  …  旋回流
１７  …  冷却水
１８  …  流路
１９  …  対流
３０  …  処理室
Ｗ  …  基板
【図１】
0003739272.tif 000002
【図２】
0003739272.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003739272.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003739272.tif 000007
【図７】
0003739272.tif 000008
【図８】
0003739272.tif 000009