(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を現像処理する現像処理方法であって，
レジスト膜の形成された基板上に現像液を供給し，基板を現像する現像工程と，
前記現像工程後に，基板上に洗浄液を供給し，基板を洗浄する洗浄工程と，を有し，
前記洗浄工程時に，基板上の液体を，当該液体中に浮遊している不溶化物についてのゼータ電位の絶対値が最大になるようなｐＨ値に調整し，
前記ｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と前記不溶化物のゼータ電位との相関曲線から算出されることを特徴とする，現像処理方法。
【請求項２】
基板を現像処理する現像処理方法であって，
レジスト膜の形成された基板上に現像液を供給し，基板を現像する現像工程と，
前記現像工程後に，基板上に洗浄液を供給し，基板を洗浄する洗浄工程と，を有し，
前記洗浄工程時に，基板上の液体を，当該液体中に浮遊している不溶化物についてのゼータ電位の絶対値が設定値以上になるようなｐＨ値に調整し，
前記設定値は，前記不溶化物の凝集が開始される最低値以上であり，
前記ｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と前記不溶化物のゼータ電位との相関曲線から算出されることを特徴とする，現像処理方法。
【請求項３】
前記ｐＨ値の調整は，前記洗浄液に所定のｐＨ値に調整された洗浄液を用いることによって行われることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の現像処理方法。
【請求項４】
前記ｐＨ値の調整は，前記洗浄液とは別に基板上にｐＨ調整液を供給することによって行うことを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の現像処理方法。
【請求項５】
前記基板上の液体を前記ｐＨ値に調整した後に，基板上に中性の洗浄液を供給することを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の現像処理方法。
【請求項６】
基板に現像液を供給する現像工程と，その後基板に洗浄液を供給する洗浄工程とが行われる現像処理装置であって，
前記洗浄工程時における基板上の液体を所定のｐＨ値に調整するために基板上にｐＨ調整液を供給するｐＨ調整液供給部を備え，
前記所定のｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と当該液体中の不溶化物のゼータ電位との相関曲線から，前記不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大になるように設定されていることを特徴とする，現像処理装置。
【請求項７】
基板に現像液を供給する現像工程と，その後基板に洗浄液を供給する洗浄工程とが行われる現像処理装置であって，
前記洗浄工程時における基板上の液体を所定のｐＨ値に調整するために基板上にｐＨ調整液を供給するｐＨ調整液供給部を備え，
前記所定のｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と当該液体中の不溶化物のゼータ電位との相関曲線から，前記不溶化物のゼータ電位の絶対値が設定値以上になるように設定され，
前記設定値は，前記不溶化物の凝集が開始される最低値以上であることを特徴とする，現像処理装置。
【請求項８】
前記ｐＨ調整液供給部と，前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と，を独立して備え，
さらに，前記ｐＨ調整液供給部と前記洗浄液供給部からの各液体の供給流量を制御する制御部を備えたことを特徴とする，請求項６又は７のいずれかに記載の現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の現像処理方法及び現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ表面に感光性材料であるレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハに所定パターンの光を照射し，ウェハを露光する露光処理，露光後のウェハに現像液を供給し，当該ウェハを現像する現像処理等が行われている。
【０００３】
上述の現像処理では，通常レジスト膜の形成されたウェハ上に強アルカリ性の現像液を供給し，ウェハを所定時間静止現像する現像工程，当該現像工程後に，ウェハに純水等の洗浄液を供給してウェハを洗浄する洗浄工程等が行われている。前記現像工程では，現像液によりレジスト膜の所定部分，例えば露光部分が溶解され，洗浄工程では，現像液に溶解せず，現像液中に浮遊している不溶化物が除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，前記静止現像後に，ウェハ上に純水が供給されると，ウェハ上の現像液が稀釈化され，ウェハ上の液体のｐＨ値が急激に低下し，中性に近づく。このようにウェハ上の液体が中性に近づくと，当該液中に分散している，例えばレジスト粒子等の不溶化物のゼータ電位が０ｍＶに近づく。ここで，不溶化物のゼータ電位とは，不溶化物の表面付近の電位を評価するものであり，厳密には不溶化物の無限遠を基準とした，液体中の不溶化物周りに形成される固定層周辺の拡散層の一部（すべり面）における電位である。
【０００５】
そして，不溶化物のゼータ電位の絶対値が小さくなると，不溶化物相互間の電気的な反発力が低下するので，各不溶化物が凝集し，不溶化物の粒径が成長する。粒径の成長した不溶化物は，現像処理に影響を与える不純物となり，現像欠陥の原因になっていた。
【０００６】
また，各不溶化物が凝集すると，ウェハやレジスト膜に付着し易くなる。これは，不溶化物の分子間力が大きくなるためであると推測される。そして，一旦ウェハ等に付着した不溶化物は，ウェハの振り切り等によっても容易には除去できず，残存したものは，現像欠陥の原因になっていた。また，付着した不溶化物をウェハ上等から除去するには，ウェハに長時間純水を供給し続ける必要があり，その結果トータルの現像処理時間が長くなるので，スループットの低下を招いていた。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，現像液中に浮遊している不溶化物の凝集を防止し，現像欠陥の低減及び現像処理時間の短縮を実現する現像処理方法及び現像処理装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板を現像処理する現像処理方法であって，レジスト膜の形成された基板上に現像液を供給し，基板を現像する現像工程と，前記現像工程後に，基板上に洗浄液を供給し，基板を洗浄する洗浄工程と，を有し，前記洗浄工程時における基板上の液体を，当該液体中に浮遊している不溶化物についてのゼータ電位の絶対値が最大になるようなｐＨ値に調整し，前記ｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と前記不溶化物のゼータ電位との相関曲線から算出されることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【０００９】
液体のｐＨ値と，当該液体中の不溶化物のゼータ電位との間には，一定の相関関係があることが，発明者によって確認されている。本発明によれば，洗浄工程時の基板上の液体が，不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大になるようなｐＨ値に調整されるので，洗浄工程時に不溶化物のゼータ電位の絶対値が小さくなって不溶化物が凝集することを防止できる。したがって，不溶化物の粒径が成長することが無く，また不溶化物が基板等に付着しないので現像欠陥を低減できる。また，付着した不溶化物を除去するための洗浄時間を削減できるので，トータルの現像処理時間を短縮できる。なお，基板上の液体のｐＨ値と不溶化物のゼータ電位との相関曲線を予め求めておき，前記所定ｐＨ値は，当該相関曲線に基づいて算出する。また，前記「不溶化物」は，前記レジスト膜から析出したものであってもよいし，液中に元々存在していたもの，外部から液中に入ったものであってもよい。
【００１０】
本発明によれば，基板を現像処理する現像処理方法であって，レジスト膜の形成された基板上に現像液を供給し，基板を現像する現像工程と，前記現像工程後に，基板上に洗浄液を供給し，基板を洗浄する洗浄工程と，を有し，前記洗浄工程時における基板上の液体を，当該液体中に浮遊している不溶化物についてのゼータ電位の絶対値が所定値以上になるようなｐＨ値に調整し，前記所定値は，前記不溶化物の凝集が開始される最低値以上であり，前記ｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と前記不溶化物のゼータ電位との相関曲線から算出されることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１１】
この発明によれば，洗浄工程時における基板上の液体のｐＨ値が調整され，不溶化物のゼータ電位の絶対値が，不溶化物の凝集しない所定値以上に維持されるので，不溶化物が粒径成長することを防止できる。また，不溶化物が分散安定して，基板等に付着することがないので，当該付着に起因する現像欠陥を低減できる。また，付着した不溶化物を除去するための洗浄時間を削減できるので，トータルの現像処理時間を短縮できる。なお，前記所定値は，例えばレジスト膜の種類等に応じて実験等により求められ，少なくとも３０ｍＶ以上であることが望ましい。
【００１２】
前記ｐＨ値の調整は，前記洗浄液に所定のｐＨ値に調整された洗浄液を用いることによって行ってもよく，この場合，基板上の液体のｐＨ値調整を正確に行うことができる。また，前記ｐＨ値の調整は，前記洗浄液とは別に基板上にｐＨ値調整液を供給することによって行ってもよい。
【００１３】
前記処理方法においては，前記基板上の液体を前記所定ｐＨ値に調整した後に，基板上に中性の洗浄液を供給してもよい。
【００１４】
本発明によれば，基板に現像液を供給する現像工程と，その後基板に洗浄液を供給する洗浄工程とが行われる現像処理装置であって，前記洗浄工程時における基板上の液体を所定のｐＨ値に調整するために基板上にｐＨ調整液を供給するｐＨ調整液供給部を備え，前記所定のｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と当該液体中の不溶化物のゼータ電位との相関曲線から，前記不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大になるように設定されていることを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１５】
この発明によれば，洗浄工程時の基板上の液体のｐＨ値を，現像によって液中に浮遊している不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大に維持されるような値に調整することができる。この結果，不溶化物同士が凝集することがなく，不溶化物の粒径成長を抑制でき，適正な現像処理を行うことができる。また，不溶化物が基板等に付着して現像欠陥を引き起こすことを防止できる。さらに，基板に付着した不溶化物を除去する洗浄時間も削減でき，トータルの現像処理時間を短縮できる。
別の観点による本発明は，基板に現像液を供給する現像工程と，その後基板に洗浄液を供給する洗浄工程とが行われる現像処理装置であって，前記洗浄工程時における基板上の液体を所定のｐＨ値に調整するために基板上にｐＨ調整液を供給するｐＨ調整液供給部を備え，前記所定のｐＨ値は，予め求められた前記基板上の液体のｐＨ値と当該液体中の不溶化物のゼータ電位との相関曲線から，前記不溶化物のゼータ電位の絶対値が設定値以上になるように設定され，前記設定値は，前記不溶化物の凝集が開始される最低値以上であることを特徴とする。
【００１６】
前記現像処理装置は，前記ｐＨ調整液供給部と，前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と，を別途備え，さらに，前記ｐＨ値調整液供給部と前記洗浄液供給部からの各液体の供給流量を制御する制御部を備えていてもよい。かかる場合，基板の洗浄工程時に，基板上にｐＨ調整液と洗浄液とがそれぞれ所定流量で供給され，基板上の液体を所定ｐＨ値に調整できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現像処理方法が実施される現像処理装置を備えた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１８】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１９】
カセットステーション２では，カセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットＣは，複数のウェハＷを多段に並べて収容できるものである。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２０】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２１】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。この塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能である。
【００２２】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すようにウェハＷにレジスト液を塗布し，ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置１７と，本実施の形態にかかる現像処理方法が実施される現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2にも同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２３】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すようにウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００２４】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２５】
インターフェイス部４の中央部には，図１に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は，Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）への移動と，θ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できる。なお，露光装置は，レジスト膜の形成されたウェハＷに所定パターンの光を照射し，ウェハＷを露光処理するものである。
【００２６】
次に，上述した現像処理装置１８の構成について詳しく説明する。図４，５に示すように現像処理装置１８のケーシング１８ａ内には，ウェハＷを水平に吸着保持するスピンチャック６０が設けられている。例えばスピンチャック６０の下方には，このスピンチャック６０を駆動させる駆動機構６１が設けられている。駆動機構６１は，スピンチャック６０を所定の回転速度で回転させる，モータ等を備えた回転駆動部（図示せず）や，スピンチャック６０を上下動させる，モータ又はシリンダ等を備えた昇降駆動部（図示せず）を有している。
【００２７】
スピンチャック６０の外方には，スピンチャック６０を取り囲むようにして，上面が開口した環状のカップ６２が設けられている。このカップ６２は，前記スピンチャック６０に保持され回転されたウェハＷから飛散した現像液等を受け止め，周辺の機器の汚染を防止する。カップ６２の底部には，前記ウェハＷ等から飛散した現像液等を排液するドレイン管６３と，カップ６２内の雰囲気を排気する排気管６４とが接続されている。
【００２８】
このカップ６２の外方には，カップ６２を取り囲むようにして，上面が開口した略筒状のアウトカップ６５が設けられており，カップ６２では受け止めきれなかったウェハＷからの現像液等を受け止め，現像液等の飛散を防止できる。
【００２９】
図５に示すようにアウトカップ６５の外方，例えばＭ方向負方向側（図５の左側）の外方には，待機部Ｔが設置され，当該待機部Ｔには，ウェハＷに現像液を供給する現像液供給ノズル７０が待機している。なお，本実施の形態では，例えばＴＭＡＨ（Ｎ（ＣＨ３）４ＯＨ）等のｐＨ１３程度の強アルカリ性の現像液が現像液供給ノズル７０から供給される。
【００３０】
現像液供給ノズル７０は，例えば少なくともウェハＷの直径よりも長い細長形状を有しており，その下部には，長手方向に沿って一列に並べられた複数の吐出口（図示せず）が設けられている。現像液供給ノズル７０は，当該複数の吐出口から同圧力で，同流量の現像液を吐出できる。
【００３１】
現像液供給ノズル７０は，アーム７１に保持されており，このアーム７１は，図示しない移動機構によりＭ方向（図５の左右方向）に敷設された直線状のレール７２上を移動自在である。レール７２は，例えば待機部Ｔからアウトカップ６５のＭ方向正方向側の外方まで延びており，現像液供給ノズル７０は，少なくとも待機部Ｔからカップ６２のＭ方向正方向側の端部まで移動できる。現像液供給ノズル７０は，長手方向がＭ方向の直角方向になるようにアーム７１に保持されており，現像液供給ノズル７０が現像液を吐出しながら，ウェハＷの一端から他端まで移動することによって，ウェハＷ表面全面に現像液を供給できる。なお，待機部Ｔには，現像液供給ノズル７０を洗浄するための所定の溶剤を貯留する洗浄槽７３が設けられている。
【００３２】
アウトカップ７５のＭ方向正方向側（図５の右側）の外方には，待機部Ｕが設置されており，その待機部Ｕには，ウェハＷに，例えば２種類の洗浄液を供給できるｐＨ調整液供給部としての洗浄液供給ノズル８０が待機している。洗浄液供給ノズル８０は，リンスアーム８１に保持されており，このリンスアーム８１は，例えば前記アーム７１と同じレール７２上を移動可能である。洗浄液供給ノズル８０は，カップ６２内のウェハＷ上に移動した際に，ウェハＷの中心部に洗浄液を供給できるようにリンスアーム８１に保持されている。
【００３３】
洗浄液供給ノズル８０は，例えば図６に示すように配管８２によって２つの貯留タンク８３，８４に連通接続されている。貯留タンク８３には，所定ｐＨ値，例えばｐＨ１０に調整されたアルカリ洗浄液が貯留されている。アルカリ洗浄液は，例えば純水に現像液が添加されたものである。また，所定ｐＨ値は，予め実験により得られた，図７に示すような液体中に浮遊している不溶化物のゼータ電位と当該液体のｐＨ値の相関曲線から求められ，不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大となるｐＨ値が選択される。
【００３４】
一方，貯留タンク８４には，例えば中性の洗浄液，例えば純水が貯留されている。図６に示すように配管８２における貯留タンク８３と貯留タンク８４への分岐点には，三方口弁８５が設けられており，洗浄液供給ノズル８０には，アルカリ洗浄液と純水が選択的に供給できる。
【００３５】
なお，洗浄液供給ノズル８０の待機部Ｕには，図５に示すように例えば洗浄槽８６が設けられおり，例えば溶剤の貯留された洗浄槽８６内に洗浄液供給ノズル８０を浸漬し，洗浄液供給ノズル８０の先端部に付着した洗浄液を洗い落とすことができる。また，当該先端部に付着した洗浄液が乾燥し，パーティクルの原因となることも防止できる。
【００３６】
また，ケーシング１８ａの側面には，ウェハＷを現像処理装置１８内に搬入出するための搬送口９０が設けられ，この搬送口９０は，シャッタ９１により開閉自在である。
【００３７】
次に，以上のように構成されている現像処理装置１８で実施される現像処理方法について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００３８】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから取り出されたウェハＷは，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送され，次いで主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬送される。このアドヒージョン装置３１においてレジストの密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布されたウェハＷは，続いてクーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却された後，レジスト塗布装置１７に搬送される。レジスト塗布処理１７では，例えばポジ型のレジスト液がウェハＷ上に塗布され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００３９】
その後ウェハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１に搬送され，各装置で所定の処理が施される。次いでウェハＷは，露光装置（図示せず）に搬送され，ウェハＷ上に所定パターンの光が照射される。この露光により，レジスト膜の露光部分が現像液に対して可溶になる。
【００４０】
この露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，その後，ウェハＷはポストエクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置４３で所定の処理が施された後，現像処理装置１８に搬送される。
【００４１】
現像処理装置１８に搬入されたウェハＷは，スピンチャック６０上に吸着保持される。ウェハＷが吸着保持されると，ウェハＷの現像工程が開始される。この現像工程では，先ず現像液供給ノズル７０が，カップ６２の内側であってウェハＷのＭ方向負方向側の端部付近のスタート位置Ｓまで移動し，当該スタート位置Ｓから現像液を吐出しながらウェハＷのＭ方向正方向側の端部付近のエンド位置Ｅまで移動する。これにより，ウェハＷ上に所定量の現像液が液盛りされ，所定時間の静止現像が開始される。この静止現像では，露光部のレジスト膜の大部分が現像液に溶解し，レジスト膜の一部が不溶化物となって現像液中に浮遊する。
【００４２】
所定時間の静止現像が行われ，現像工程が終了すると，ウェハＷの洗浄工程が行われる。洗浄工程では，先ず洗浄液供給ノズル８０がウェハＷの中心部上方まで移動し，ウェハＷが所定の速度で回転される。そして，洗浄液供給ノズル８０から，先ずアルカリ洗浄液が吐出され，ウェハＷ上にｐＨ１０のアルカリ洗浄液が供給される。ウェハＷ上の現像液は，アルカリ洗浄液に置換され，ウェハＷ上の液体がｐＨ１０に維持される。こうすることにより，ウェハＷ上の液体中における不溶化物のゼータ電位が，図７に示したように例えば−７０ｍＶに維持され，当該ゼータ電位の絶対値が最大に維持される。この間，ウェハＷ上の不溶化物は，凝集が抑制され，遠心力によってウェハＷの外方に飛散する。
【００４３】
所定時間，アルカリ洗浄液が供給された後，三方口弁８５が切り替えられ，今度は，純水がウェハＷ上に供給される。この純水の供給により，レジスト膜の現像が完全に停止され，また，ウェハＷ上に残存していた不溶化物も完全に除去される。所定時間経過後，純水の供給が停止され，洗浄工程が終了すると，ウェハＷが高速回転されて，ウェハＷは振り切り乾燥される。この乾燥工程が終了すると，スピンチャック６０から主搬送装置１３にウェハＷが受け渡され，ウェハＷが現像処理装置１８外に搬出されて，一連の現像処理が終了する。
【００４４】
本実施の形態によれば，洗浄工程時に，ｐＨ１０のアルカリ洗浄液が供給され，ウェハＷ上の不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大に維持されるので，不溶化物間の電気的な反発力が維持され，不溶化物の凝集を防止できる。したがって，不溶化物の粒径成長と不溶化物のウェハＷ等への付着を防止でき，この結果現像欠陥を低減できる。また，ウェハＷに付着した不溶化物等を除去するための洗浄時間が必要ないので，トータルの現像処理時間を短縮できる。
【００４５】
また，アルカリ洗浄液を供給した後に，純水を供給したので，レジスト膜の現像を完全に停止させることができ，また，ウェハＷ上に残存する不溶化物等の不純物を完全に除去することができる。
【００４６】
以上の実施の形態では，予めｐＨ値の調整されたアルカリ洗浄液をウェハＷに供給してウェハＷ上の液体のｐＨ値を調整していたが，洗浄液とｐＨ調整液とを別々に供給してウェハＷ上の液体のｐＨ値を調整してもよい。
【００４７】
図８は，かかる一例を示すものであり，リンスアーム１００は，洗浄液，例えば純水を供給する洗浄液供給部としての純水供給ノズル１０１と，ｐＨ調整液，例えば現像液を供給するｐＨ調整液供給部としてのｐＨ調整液供給ノズル１０２とを保持している。純水供給ノズル１０１とｐＨ調整液供給ノズル１０２は，ウェハＷの中心付近の上方まで移動できるようにリンスアーム１００に保持されている。
【００４８】
純水供給ノズル１０１は，例えば図９に示すように配管１０３によって純水供給装置１０４に連通接続されており，ｐＨ調整液供給ノズル１０２は，配管１０５によってｐＨ調整液供給装置１０６に連通接続されている。純水供給装置１０４やｐＨ調整液供給装置１０６は，図示しないポンプ等の圧送機構や貯留タンク等を備えており，所定のタイミングで所定流量の純水やｐＨ調整液をそれぞれのノズル１０１，１０２に供給できる。
【００４９】
また，純水供給装置１０４とｐＨ調整液供給装置１０６からの各液の供給流量は，制御部１０７により制御されている。制御部１０７は，例えば洗浄工程時のウェハＷ上の液体が，設定ｐＨ値，例えばｐＨ１０になるように各液の供給流量を制御できる。
【００５０】
そして，現像工程後に行われる洗浄工程時に，純水供給ノズル１０１とｐＨ調整液供給ノズル１０２がウェハＷ中心付近の上方まで移動し，回転されたウェハＷ上に所定流量の純水とｐＨ調整液が各ノズル１０１，１０２から吐出される。ウェハＷ上に吐出され，混合された液体は，例えばｐＨ１０付近に維持され，この状態でウェハＷが洗浄される。所定時間経過後，ｐＨ調整液供給ノズル１０２からのｐＨ調整液の供給が停止され，純水供給ノズル１０１からの純水供給のみが行われる。その後，純水の供給が停止され，上述した実施の形態と同様にウェハＷが振り切り乾燥される。
【００５１】
かかる例では，純水とｐＨ調整液とがそれぞれ専用のノズルから吐出されるので，各液が互いにノズル内又は配管内で混ざることが無く，常に安定した液体供給が実現できる。また，ウェハＷ上に純水のみを供給する際に，ｐＨ調整液の供給を停止させれば足りるので，この切り替えがスムーズに行える。なお，ｐＨ調整液は，ＴＭＡＨ（Ｎ（ＣＨ３）４ＯＨ）に限られず，ＮＨ４等であってもよい。
【００５２】
また，前記実施の形態では，不溶化物のゼータ電位の絶対値が最大になるようにウェハＷ上の液体のｐＨ値を調整していたが，不溶化物のゼータ電位の絶対値が，不溶化物の凝集が行われない所定値以上になるように，ウェハＷ上の液体のｐＨ値を調整してもよい。かかる場合，例えば図７に示すように不溶化物の凝集が行われない最小のゼータ電位の絶対値である所定値Ｖ０と，不溶化物のゼータ電位の絶対値を所定値Ｖ０以上に維持できるｐＨ範囲，例えばｐＨ８〜１４とを予め求めておく。そして，洗浄工程時には，前記ｐＨ範囲内のｐＨ８に調整された洗浄液がウェハＷ上に供給される。こうすることにより，前記実施の形態と同様に洗浄工程時の不溶化物の凝集が防止され，不溶化物の粒径成長と不溶化物のウェハＷへの付着が抑制されて，現像欠陥が低減できる。
【００５３】
以上の実施の形態は，本発明をウェハＷの現像処理方法に適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板，例えばＬＣＤ基板，フォトマスク用のマスクレチクル基板等の現像処理方法にも適用できる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば，現像処理時に現像液中に浮遊している不溶化物の粒径成長を抑制し，また不溶化物の基板への付着を防止できるので，当該付着等に起因する現像欠陥を低減できる。したがって，歩留まりの向上が図られる。また，基板に付着した不溶化物を除去する洗浄時間が必要無いので，現像処理時間が短縮され，スループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理方法が実施される現像処理装置を有する塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図５】現像処理装置の横断面の説明図である。
【図６】洗浄液供給ノズルの供給系統を示す説明図である。
【図７】液体中の不溶化物のゼータ電位と液体のｐＨ値との相関曲線を表すグラフである。
【図８】ｐＨ調整液供給ノズルを備えた場合の現像処理装置を示す横断面の説明図である。
【図９】図８のｐＨ調整液供給ノズルと純水供給ノズルとの供給系統を示す説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１８    現像処理装置
７０    現像液供給ノズル
８０    洗浄液供給ノズル
Ｓ    スタート位置
Ｅ    エンド位置
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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