(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，
前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間を計測し，
当該計測した所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする，処理方法。
【請求項２】
複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，
前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が開始してから次の処理が行われる第２処理部で前記基板の処理が開始されるまでの所要時間を計測し，
当該計測した所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする，処理方法。
【請求項３】
複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，
前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が開始してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間を計測し，
当該計測した所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする，処理方法。
【請求項４】
前記他の処理部は，前記第２処理部よりも後に処理の行われる処理部であり，
前記処理レシピの変更は，前記所要時間の計測された基板が前記他の処理部の直前の処理部に搬送された際に行われることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の処理方法。
【請求項５】
基板の各種処理を行う複数の処理部と，前記処理部間の基板の搬送を行う搬送部とを備え，前記複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理装置であって，
複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間，前記第１処理部において基板の処理が開始されてから前記第２処理部で前記基板の処理が開始されるまでの所要時間，第１処理部において基板の処理が開始してから前記第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間の内の少なくとも一つの所要時間を計測する計測手段と，
前記所要時間の長さに応じて定められた，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部の処理レシピを記憶する記憶部と，
前記計測された所要時間に基づいて，前記他の処理部の現処理レシピを前記記憶部に記憶されている処理レシピに変更する処理レシピ変更手段と，を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項６】
前記記憶部は，前記処理装置を制御可能な制御装置に設けられていることを特徴とする，請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記第１処理部は，基板に塗布液を塗布する塗布処理後であって，基板の露光処理前に基板を加熱処理する加熱処理部であり，
前記第２処理部は，基板を冷却する冷却処理部であることを特徴とする，請求項５又は６のいずれかに記載の処理装置。
【請求項８】
前記第１処理部は，基板の露光処理部であり，
前記第２処理部は，基板の加熱処理部であることを特徴とする，請求項５又は６のいずれかに記載の処理装置。
【請求項９】
前記第１処理部は，基板の露光処理後であって基板の現像処理前に基板の加熱処理を行う加熱処理部であり，
前記第２処理部は，基板の冷却処理部であることを特徴とする，請求項５又は６のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１０】
前記他の処理部は，基板の現像処理部であることを特徴とする，請求項５，６，７，８又は９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１１】
前記他の処理部は，基板の露光処理後であって基板の現像処理前に基板の加熱処理を行う加熱処理部であり，
当該加熱処理部において変更される処理レシピは，加熱開始時刻であることを特徴とする，請求項５，６又は７のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１２】
基板の各種処理を行う複数の処理部と，前記処理部間の基板の搬送を行う搬送部とを備え，前記複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理装置であって，
複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間，前記第１処理部において基板の処理が開始してから前記第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間の内の少なくとも一つの所要時間を計測する計測手段と，
前記所要時間の長さに応じて定められた，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部の処理レシピを記憶する記憶部と，
前記計測された所要時間に基づいて，前記他の処理部の現処理レシピを前記記憶部に記憶されている処理レシピに変更する処理レシピ変更手段と，を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項１３】
前記第１処理部は，基板の露光処理部であり，
前記第２処理部及び前記他の処理部は，基板の加熱処理部であり，
当該加熱処理部において変更される処理レシピは，加熱開始時刻であることを特徴とする，請求項１２に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理方法及び基板の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理，ウェハ上のレジスト液を乾燥させる加熱処理，加熱されたウェハを所定温度に冷却する冷却処理，ウェハに所定のパターンの光を照射してウェハを露光する露光処理，露光後のレジスト膜の化学反応を促進させる加熱処理，ウェハを冷却させる冷却処理及びウェハの現像を行う現像処理等が行われる。
【０００３】
これらの処理は，複数の処理ユニットが搭載された塗布現像処理装置等において連続して行われる。塗布現像処理装置には，各処理ユニットにアクセスし，処理ユニット間のウェハの搬送を行う搬送ユニットが設けられており，前記一連の処理は，当該搬送ユニットによって各処理ユニットにウェハを順次搬送することによって行われる。
【０００４】
ところで，上述の塗布現像処理装置において同じ処理レシピで処理されたウェハについては，常に同じ処理結果が得られる必要がある。例えば最終的にウェハ上に形成されるレジスト膜の膜厚，回路パターンの線幅等が各ウェハ間で同じであることが要求される。
【０００５】
かかる要求を満足させるためには，線幅等のウェハの処理結果に影響を与える要素，例えばウェハ上のレジスト膜の化学的な反応時間を一定にする必要がある。このために，従来は各処理ユニット内の各処理時間を一定にした上で，各処理ユニット間のウェハの搬送時間，搬送開始タイミング等をできる限り一定にするようにしていた。これは，一連のウェハ処理の中には，加熱処理ユニット〜冷却処理ユニット間のように複数の処理ユニットに渡ってレジスト膜の化学反応が進行するものがあり，前記搬送時間等が変動すると，ウェハの処理結果に影響を与えるからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，塗布現像処理装置内では，多数のウェハが流れ作業式に処理されており，当該各ウェハの各処理ユニットへの搬送を台数の限られた搬送ユニットによって行っている。そのため各種処理ユニット間の処理時間の相異や各処理ユニットの搭載台数等の関係から，搬送時間や搬送開始タイミングを常に一定に維持することは制御上困難である。また，レシピの異なるウェハが連続して投入される場合もあり，かかる場合には，前後のウェハの処理時間等が異なってくるので，搬送時間や搬送タイミングを一定に維持することはできない。さらに，例えば上述のウェハ処理では，ウェハは通常塗布現像処理装置に隣接している露光処理ユニットに一旦搬送されるが，露光処理は，必ずしも一定時間で行われないことから，搬送開始タイミング等を常に一定にすることは事実上不可能である。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハ等の基板の処理に影響を与える前記基板の搬送時間等が変動した場合であっても，最終的な処理結果を一致させる基板の処理方法，当該処理方法を実施可能な処理装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば，複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間を計測し，当該計測した前記所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする処理方法が提供される。
【０００９】
請求項１の発明によれば，特定の第１処理部における基板の処理が終了してから第２処理部に基板が搬入されるまでの所要時間を計測し，その後に行われ，基板の処理結果に影響を与える他の処理部の処理レシピを変更できる。例えば他の処理部の処理レシピを，予め実験等で求めておいた，最終的に基板の処理結果が同じになるような処理レシピに変更することができる。したがって，基板の処理結果に影響を与える基板の搬送時間等に相当する前記所要時間が変動し基板の中間処理にばらつきが生じた場合であっても，最終的な処理結果を基板間で一致させることができる。
【００１０】
請求項２の発明によれば，複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が開始してから次の処理が行われる第２処理部で前記基板の処理が開始されるまでの所要時間を計測し，当該計測した所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする処理方法が提供される。
【００１２】
さらに，別の観点による本発明によれば，複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理方法であって，前記複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が開始してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間を計測し，当該計測した所要時間に基づいて，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部における前記基板の処理レシピを変更することを特徴とする処理方法が提供される。
【００１３】
かかる本発明によっても，請求項１と同様に計測した所要時間を基に，基板の処理結果に影響を与える他の処理部の処理レシピを変更することによって，基板の最終的な処理結果を一定にすることができる。
【００１４】
前記他の処理部は，前記第２処理部よりも後に処理の行われる処理部であり，前記処理レシピの変更は，前記所要時間の計測された基板が前記他の処理部の直前の処理部に搬送された際に行われるようにしてもよい。このように直前の処理部に基板が搬送された際に前記処理レシピの変更を行うことは，処理レシピを変更される基板を特定し易く，前記第１処理部から前記他の処理部に基板が搬送されるまでに時間がかかる場合や多くの基板が流れ作業式に連続処理されている場合であっても，好適に処理レシピの変更を行うことができる。なお，基板が「直前の処理部に搬送された際」には，基板が当該処理部に搬入された時，処理されている時及び搬出される時等が含まれる。
【００１５】
本発明によれば，基板の各種処理を行う複数の処理部と，前記処理部間の基板の搬送を行う搬送部とを備え，前記複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理装置であって，複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間，前記第１処理部において基板の処理が開始されてから前記第２処理部で前記基板の処理が開始されるまでの所要時間，前記第１処理部において基板の処理が開始してから前記第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間の内の少なくとも一つの所要時間を計測する計測手段と，前記所要時間の長さに応じて定められた，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部の処理レシピを記憶する記憶部と，前記計測された所要時間に基づいて，前記他の処理部の現処理レシピを前記記憶部に記憶されている処理レシピに変更する処理レシピ変更手段と，を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【００１６】
この発明によれば，前記第１処理部において基板の処理が終了してから第２処理部に基板が搬送されるまでの所要時間等を計測し，当該所要時間に基づいて，その後行われ，基板の処理結果に影響を与える他の処理部の処理レシピを変更することができる。したがって，請求項１の処理方法を実施することができ，前記所要時間が変動しても最終的な基板の処理結果を一致させることができる。
【００１７】
前記記憶部は，前記処理装置を制御可能な制御装置に設けられていてもよい。この発明によれば，処理装置の制御装置を用いて処理レシピの変更を行うことができるので，例えば各処理部から離れた制御装置により一連の基板の処理を管理することができる。したがって，作業員が直接各処理部に触れる機会が減り，作業によるパーティクルの発生等を抑制できる。なお，前記制御装置は，コンピュータや他の装置の制御を行うホストコンピュータ等であってもよい。また，前記制御装置は，各処理部から離れた位置に設けられていてもよく，各処理部に隣接して設けられていてもよい。
【００１８】
前記第１処理部は，基板に塗布液を塗布する塗布処理後であって基板の露光処理前に基板の加熱処理を行う加熱処理部であり，前記第２処理部は，基板の冷却処理部であってもよい。この発明によれば，第１処理部の加熱処理から第２処理部の冷却処理までの基板の熱履歴が変動した場合でも，基板の処理結果に影響を与える他の処理部の処理レシピを変更することによって最終的な処理結果を同じにすることができる。
【００１９】
また，前記第１処理部は，基板を露光する露光処理部であり，前記第２処理部は，基板の加熱処理部であってもよい。基板を露光処理すると基板表面において化学的な反応が開始され，次の加熱処理で当該化学反応が促進される。したがって，露光処理から次の加熱処理部に基板が搬入されるまでの時間が変動すると，化学反応の進度が変動し，基板の最終的な処理結果に影響を及ぼす。本発明によれば，露光処理から次の加熱処理部に搬入されるまでの所要時間が変動し，基板間の化学反応の進度にばらつきが生じた場合であっても，基板の処理結果に影響を与える他の処理部の処理レシピを好適に変更することによって最終的な処理結果を等しくすることができる。
【００２０】
さらに，前記第１処理部は，基板の露光処理後であって基板の現像処理前に基板の加熱処理を行う加熱処理部であり，前記第２処理部は，基板の冷却処理部であってもよい。かかる場合も，基板の熱履歴の相異による中間処理のばらつきを最終的に修正することができる。
【００２１】
前記他の処理部は，基板を現像する現像処理部であってもよい。現像処理部における処理レシピは，基板の処理結果に大きく影響する。そこで，本発明のように現像処理部の処理レシピを，前記所要時間に基づいて適切に変更することによって，現像処理前の処理で基板間にばらつきが生じた場合であっても，現像処理においてそのばらつきを解消し，最終的な処理結果を等しくすることができる。また，前記現像処理部において変更される処理レシピとしては，例えば現像時間が挙げられる。
【００２２】
前記他の処理部は，基板の露光処理後であって基板の現像処理前に基板の加熱処理を行う加熱処理部であり，当該加熱処理部において変更される処理レシピは，加熱開始時刻であってもよい。露光処理後であって現像処理前に行われる加熱処理は，基板表面の化学反応を促進させるためのものであり，基板の最終的な処理結果を調整することができる。そこで，上述の所要時間が変動し当該加熱処理前の中間処理において基板間にばらつきが生じた場合でも，前記加熱開始時刻を変更し化学反応の進度を調整することによって，基板の最終的な処理結果を等しくすることができる。
【００２３】
本発明によれば，基板の各種処理を行う複数の処理部と，前記処理部間の基板の搬送を行う搬送部とを備え，前記複数の処理部に基板を順次搬送して，基板に一連の処理を施す処理装置であって，複数の処理部の中の特定の第１処理部において基板の処理が終了してから次の処理が行われる第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間，前記第１処理部において基板の処理が開始してから前記第２処理部に前記基板が搬入されるまでの所要時間の内の少なくとも一つの所要時間を計測する計測手段と，前記所要時間の長さに応じて定められた，前記第１処理部よりも後に処理の行われる他の処理部の処理レシピを記憶する記憶部と，前記計測された所要時間に基づいて，前記他の処理部の現処理レシピを前記記憶部に記憶されている処理レシピに変更する処理レシピ変更手段と，を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【００２４】
また，前記第１処理部は，基板の露光処理部であり，前記第２処理部及び前記他の処理部は，基板の加熱処理部であり，当該加熱処理部において変更される処理レシピは，加熱開始時刻であってもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理装置としての塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理装置１の正面図であり，図３は，塗布現像処理装置１の背面図である。
【００２６】
塗布現像処理装置１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す処理部としての各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられ，前記処理ステーション３と塗布現像処理装置１外に設けらている露光処理ユニット４との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。
【００２７】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台６上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２８】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群G３に属するエクステンションユニット５２に対してもアクセスできるように構成されている。また，カセットステーション２には，図４に示すように塗布現像処理装置１で行われるウェハ処理を一括制御する後述するコントロールセクション９が設けられている。
【００２９】
処理ステーション３では，その中心部に搬送部としての主搬送ユニット１３が設けられており，この主搬送ユニット１３の周辺には各種処理ユニットが多段に配置されて処理ユニット群を構成している。塗布現像処理装置１においては，４つの処理ユニット群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理ユニット群G1，G2は塗布現像処理装置１の正面側に配置され，第３の処理ユニット群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理ユニット群G4は，インターフェイス部５に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理ユニット群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送ユニット１３は，これらの処理ユニット群G1，G2，G3，G4，G5に配置されている後述する各種処理ユニットに対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理ユニット群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理ユニット群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能である。
【００３０】
第１の処理ユニット群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布し，ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット１７と，ウェハＷを現像する現像処理部としての現像処理ユニット１８とが下から順に２段に配置されている。処理ユニット群G2にも同様に，レジスト塗布ユニット１９と，現像処理ユニット２０とが下から順に２段に配置されている。
【００３１】
上述の現像処理ユニット１８は，例えば図５に示すようにケーシング１８ａ内に，ウェハＷを吸着保持し，回転させるためのスピンチャック３０，当該スピンチャック３０に保持されたウェハＷを収容するカップ３１，ウェハＷに現像液を供給する現像液供給ノズル３２等を有している。
【００３２】
スピンチャック３０には，スピンチャック３０を回転させるモータ等を備えた回転駆動部３３が設けられている。現像液供給ノズル３２は，この現像液供給ノズル３２に所定のタイミングで所定量の現像液を供給する現像液供給源３４に連通接続されている。また，現像液供給ノズル３２には，現像液供給ノズル３２をカップ３１の外方からウェハＷ中心部上方まで移動させるためのノズル駆動部３５が設けられている。かかる構成により，現像液供給ノズル３２がウェハＷ中心部上方まで移動し，回転されたウェハＷ上に現像液を吐出して，ウェハＷ表面に現像液を供給することができる。
【００３３】
上記回転駆動部３３によるウェハＷの回転速度，現像液供給源３４からの現像液の供給量及びノズル駆動部３５による現像液供給ノズル３２の移動タイミング等は，例えば後述するコントロールセクション９で制御されている。したがって，かかる回転駆動部３３等を稼動させることによって行われる現像処理は，コントロールセクション９で制御される。
【００３４】
一方，処理ステーション３の第３の処理ユニット群G3では，例えば図３に示すようにウェハＷを冷却処理するクーリングユニット５０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョンユニット５１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンションユニット５２，レジスト液中の溶剤を蒸発させる，いわゆるプリベーキング処理を行う第１処理部としてのプリベーキングユニット５３，５４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット５５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００３５】
上述のプリベーキングユニット５３は，例えば図６に示すようにケーシング５３ａ内にウェハＷを載置し加熱する熱板６０と，上下動可能で，熱板６０と一体となって処理室Ｓを形成する蓋体６１と，ウェハＷを支持し昇降させる昇降ピン６２等を有している。
【００３６】
熱板６０内には，ヒータ６３が内蔵されており，熱板６０を所定温度に加熱して，当該熱板６０上に載置されたウェハＷを加熱することができる。昇降ピン６２は，熱板６０内を上下方向に貫通する貫通孔６４内に設けられており，昇降駆動部６５によって貫通孔６４内を昇降可能である。昇降駆動部６５は，例えばコントロールセクション９で制御されており，昇降駆動部６５は，コントロールセクション９からの指示信号によって，昇降ピン６２を昇降させる。したがって，コントロールセクション９は，後述の処理プログラムＰに従ってウェハＷを熱板６０上に載置させて加熱処理を開始させたり，ウェハＷを熱板６０から離して加熱を終了させたりすることができる。
【００３７】
処理ステーション３の第４の処理ユニット群G4では，図３に示すように例えばクーリングユニット７０，７１，載置したウェハＷを自然冷却させる第２処理部としてのエクステンション・クーリングユニット７２，エクステンションユニット７３，露光処理後の加熱処理，いわゆるポストエクスポージャーベーキング処理（ＰＥＢ処理）を行うポストエクスポージャーベーキングユニット７４，７５，ポストベーキングユニット７６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００３８】
上述のエクステンション・クーリングユニット７２は，例えば図７に示すようにウェハＷを載置して冷却する冷却板８０と，ウェハＷを支持し昇降させる昇降ピン８１等を有する。冷却板８０には，例えば冷却板８０を所定温度に冷却するペルチェ素子８２が内蔵されている。昇降ピン８１は，昇降駆動部８３によって昇降し，ウェハＷを昇降させることができる。
【００３９】
エクステンション・クーリングユニット７２のケーシング７２ａには，例えばウェハＷの搬送口８４が設けられている。この搬送口８４には，例えばウェハＷが搬送口８４を通過したことを検出するウェハ検出センサ８５が取り付けられている。ウェハ検出センサ８５によるウェハＷの検出は，例えばコントロールセクション９に出力される。したがって，コントロールセクション９は，ウェハＷがエクステンション・クーリングユニット７２内に搬入されたことを認識できる。
【００４０】
インターフェイス部５の中央部には，図１に示すように例えば搬送部としてのウェハ搬送ユニット９０が設けられている。このウェハ搬送ユニット９０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理ユニット群G4に属するエクステンション・クーリングユニット７２，エクステンションユニット７３，インターフェイス部５の周辺露光ユニット９１及び露光処理ユニット４に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００４１】
次に，上述したコントロールセクション９の構成について説明する。コントロールセクション９は，例えば図８に示すように計測部１００，記憶部１０１，制御部１０２，入力部１０３等で構成されている。
【００４２】
計測部１００は，例えば時間計測機能を有し，後述の制御部１０２に入出力される信号をトリガとして時間の計測を行うことができる。例えば上述のプリベーキングユニット５３において，昇降ピン６２への上昇命令信号をトリガとして時間の計測を開始し，次のエクステンション・クーリングユニット７２内にウェハＷが搬送された時のウェハ検出センサ８５の出力信号をトリガとして時間の計測を終了することができる。つまり，計測部１００は，プリベーキング処理の終了時からエクステンション・クーリングユニット７２にウェハＷが搬入されるまでの所要時間を計測することができる。なお，本実施の形態においては，計測手段は，ウェハ検出センサ８５，計測部１００及び制御部１０２で構成される。
【００４３】
記憶部１０１には，例えば各ウェハに一連の所定のウェハ処理を施すための処理プログラムＰと，前記プリベーキング処理終了〜エクステンション・クーリングユニット７２搬入までの所要時間とその長さに応じて定められた現像時間との相関データＤと，前記計測部１００で計測された所要時間と相関データＤから処理プログラムＰにおける現像時間を変更する処理レシピ変更プログラムＲ等が記憶されている。なお，本実施の形態における変更される処理レシピは，現像時間である。
【００４４】
処理プログラムＰは，例えば塗布現像処理装置１内におけるウェハＷの搬送順路，各処理ユニットにおける処理レシピ等を含むものであり，処理プログラムＰを実行することにより，例えば主搬送ユニット１３や現像処理ユニット１８のノズル駆動部３５等に対して所定の命令信号が出力され，ウェハＷがレシピ通りに処理される。相関データＤは，図９に示すように各所要時間Ｔ毎に，異なる現像時間Ｍが定められており，この各現像時間Ｍは，例えばプリベーキング処理の終了時からエクステンション・クーリングユニット７２にウェハＷが搬入されるまでの時間がそれぞれの所要時間Ｔであった場合に，ウェハ上に最終的に形成される回路パターンの線幅やレジスト膜の膜厚が一定の値になるように定められたものであり，例えば予め実験等により求められる。
【００４５】
制御部１０２は，主に記憶部１０１に記憶されている処理プログラムＰ等の各種プログラムを実行するものである。したがって，制御部１０２は，処理プログラムＰに従って塗布現像処理装置１の各処理ユニット，各搬送ユニット等に対して指示信号を出力し，当該処理ユニット等を制御することができる。また，処理レシピ変更プログラムＲを実行することにより，処理プログラムＰに設定されている現像時間を，計測された所要時間Ｔに対応する相関データＤの現像時間Ｍに変更することができる。なお，本実施の形態においては，処理レシピ変更手段は，レシピ変更プログラムＲ，制御部１０２で構成される。
【００４６】
入力部１０３は，例えば図４に示すように塗布現像処理装置１の正面側に設けられており，例えばポインティングデバイスであるタッチスクリーンであり，前記処理プログラムＰの設定変更，相関データＤの入力等を行うことができる。
【００４７】
次に，以上のように構成された塗布現像処理装置１で行われる一連のウェハ処理のプロセスについて，図１０を参考に説明する。この一連のウェハ処理は，予め設定されている上記処理プログラムＰに従って行われる。
【００４８】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理ユニット群G3に属するエクステンションユニット５２に搬送される。なお，塗布現像処理装置１では，カセットＣに搭載されている複数のウェハがエクステンションユニット５２に順次搬送されていき，以下で説明するウェハ処理が流れ作業式に並行して行われる。
【００４９】
エクステンションユニット５２に搬送されたウェハＷは，主搬送ユニット１３によってアドヒージョンユニット５１に搬送され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリングユニット５０に搬送され，所定の温度に冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，レジスト塗布ユニット１７に搬送され，ウェハＷにレジスト液が塗布され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは，主搬送ユニット１３によってプリベーキングユニット５３に搬送される。
【００５０】
プリベーキングユニット５３に搬入されたウェハＷは，予め上昇して待機していた昇降ピン６２に受け渡される。主搬送ユニット１３がプリベーキングユニット５３内から退避した後，蓋体６１が下降し，この蓋体６１と熱板６０によって処理室Ｓが形成される。処理室Ｓの形成後，昇降ピン６２が下降し，所定温度に加熱された熱板６０上にウェハＷが載置される。このときウェハＷの加熱処理，すなわちプリベーキング処理が開始される。
【００５１】
所定時間経過後，昇降ピン６２が上昇されて，ウェハＷが熱板６０から離されることによってウェハＷの加熱処理が終了する。このとき，コントロールセクション９の計測部１００では，制御部１０２から出力された昇降ピン６２に対する上昇命令信号をトリガとして所要時間Ｔの計測が開始される。
【００５２】
プリベーキング処理の終了したウェハＷは，搬入時と同様に昇降ピン６２から主搬送ユニット１３に受け渡され，プリベーキングユニット５３からエクステンション・クーリングユニット７２に搬送される。ウェハＷがエクステンション・クーリングユニット７２の搬送口８４からケーシング７２ａ内に搬入されると，ウェハ検出センサ８５がウェハＷの搬入を検出し，その情報が制御部１０２に出力される。計測部１００では，この出力をトリガとして時間計測を終了し，所要時間Ｔが求められる。この計測された所要時間Ｔのデータは，例えば記憶部１０１に一時的に保存される。
【００５３】
エクステンション・クーリングユニット７２に搬送されたウェハＷは，冷却板８０上に載置され，所定温度，例えば常温に冷却される。その後ウェハＷは，ウェハ搬送ユニット９０によって周辺露光ユニット９１に搬送された後，露光処理ユニット４に搬送される。露光処理ユニット４に搬入されたウェハＷは，所定のパターンに露光される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送ユニット９０によってエクステンションユニット７３に搬送され，エクステンションユニット７３からポストエクスポージャーベーキングユニット７４に搬送される。
【００５４】
ポストエクスポージャーベーキングユニット７４では，ウェハＷが加熱処理（ＰＥＢ処理）され，露光されたレジスト膜の化学反応が促進される。その後ウェハＷは，クーリングユニット７０に搬送され，冷却処理される。このとき，制御部１０２では，処理レシピ変更プログラムＲが実行され，処理プログラムＰに設定されている現像時間が，先程測定されたウェハＷの所要時間Ｔに対応する相関データＤの現像時間Ｍに変更される。例えば所要時間Ｔが１２ｓｅｃの時，現像時間Ｍは５５ｓｅｃになる。
【００５５】
クーリング処理の終了したウェハＷは，現像処理ユニット１８に搬送される。現像処理ユニット１８に搬送されたウェハＷは，スピンチャック３０に吸着保持され，所定の回転速度，例えば１０００ｒｐｍで回転される。このとき，現像液供給ノズル３２が，ウェハＷ中心部上方まで移動する。そして，現像液供給ノズル３２から現像液が吐出され，回転されたウェハＷ上に現像液が供給される。ウェハＷの回転によりウェハＷ全面に現像液が供給されると，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷが上述の現像時間Ｍの間静止現像される。
【００５６】
現像時間Ｍが経過すると，再びウェハＷが回転され，例えばウェハＷが純水で洗浄される。その後ウェハＷが高速回転され，振り切り乾燥される。振り切り乾燥が終了するとウェハＷの回転が停止され，現像処理が終了する。
【００５７】
現像処理の終了したウェハＷは，ポストベーキングユニット７６に搬送され，加熱処理され，さらにその後クーリングユニット７１に搬送されて冷却処理される。その後ウェハＷは，エクステンションユニット５２を介してカセットＣに戻されて，一連のウェハ処理が終了する。
【００５８】
以上の実施の形態によれば，プリベーキング処理の終了からエクステンション・クーリングユニット７２へのウェハＷの搬入までの所要時間Ｔを計測し，当該所要時間Ｔに基づいて，最終的なウェハＷの処理結果が常に同じになるように現像時間を変更するようにしたので，前記所要時間Ｔが諸事情により変動し，プリベーキング処理によるウェハＷの熱履歴が異なる場合でも，最終的にウェハＷ上に形成されるレジスト膜の膜厚や回路パターンの線幅等を所定の値にすることができる。特に上述した塗布現像処理装置１においては，多数のウェハが流れ作業式に連続処理されており，それらのウェハの搬送を主搬送ユニット１３とウェハ搬送ユニット９０とで行っているので，プリベーキング処理が終了したウェハＷを直ちに搬送できない場合があり，かかる場合に有効である。
【００５９】
また，現像処理直前のクーリングユニット７０にウェハＷが搬送された時に，現像時間の設定を変更するようにしたので，現像処理に付される直前にウェハＷの現像時間の変更が行われる。これによって，流れ作業式に多数のウェハが処理されている状況で，各ウェハの現像時間の変更を，ウェハを間違えることなくより確実に行うことができる。
【００６０】
以上の実施の形態にでは，プリベーキング処理の終了からエクステンション・クーリングユニット７２へのウェハＷの搬入までの所要時間Ｔを計測していたが，プリベーキング処理の開始からエクステンション・クーリングユニット７２におけるクーリング処理の開始までの所要時間，プリベーキング処理の終了からエクステンション・クーリングユニット７２におけるクーリング処理の開始までの所要時間，プリベーキング処理の開始からエクステンション・クーリングユニット７２にウェハＷが搬入されるまでの所要時間等を計測し，その所要時間に基づいて現像時間を変更するようにしてもよい。なお，プリベーキング処理の開始やエクステンション・クーリングユニット７２におけるクーリング処理の開始は，例えばコントロールボックス９の制御部１０２からの処理開始信号の出力により認識するようにしてもよい。
【００６１】
以上の実施の形態においては，現像時間を変更するようにしていたが，他の処理レシピ，例えば現像液供給時のウェハＷの回転速度，現像液の濃度や種類，現像液の供給量等を変更するようにしてもよい。かかる場合も前記実施の形態と同様に，所要時間Ｔと最終的な処理結果が等しくなるような前記処理レシピとの相関データを求めておき，測定された所要時間と前記相関データに基づいて現像処理の処理レシピを変更する。そうすることにより，所要時間Ｔが変動し熱履歴にばらつきが生じた場合であっても，最終的に形成される回路パターンの線幅やレジスト膜の膜厚をウェハ間で一致させることができる。
【００６２】
また，前記実施の形態では，プリベーキングユニット５３〜エクステンション・クーリングユニット７２間の所要時間Ｔを計測し，当該所要時間Ｔに基づいて現像時間を変更していたが，ウェハＷの処理結果に影響を与える他の処理ユニット間の所要時間に基づいて，現像時間の変更を行ってもよい。例えばウェハＷの熱履歴に影響を与えるポストエクスポージャーベーキングユニット７４〜クーリングユニット７１間の所要時間であってもよい。
【００６３】
また，露光処理終了時からポストエクスポージャーベーキング処理の開始時までの所要時間がウェハＷの処理結果に影響を与えることが確認されている。したがって，前記所要時間は，露光処理ユニット４においてウェハＷの処理が終了してからポストエクスポージャーベーキングユニット７４にウェハＷが搬入されるまでの所要時間であってもよい。
【００６４】
以上の実施の形態では，現像処理ユニット１８の処理レシピを変更することによってウェハＷの処理結果を調整していたが，他の処理ユニットの処理レシピを変更するようにしてもよい。例えばウェハＷの処理結果を調整可能なポストエクスポージャーベーキングユニット７４における加熱開始時間を変更してもよい。この場合，露光によって開始されたレジスト膜の化学反応の進度が調節され，最終的に回路パターンの線幅を調節することができる。
【００６５】
前記実施の形態では，塗布現像処理装置１のコントロールセクション９に，相関データＤや処理レシピ変更プログラムＲを記憶させていたが，塗布現像処理装置１を制御可能な制御装置としてのコンピュータに相関データＤ等を記憶させるようにしてもよい。
【００６６】
図１１は，かかる一例を示すものであり，塗布現像処理装置１１０には，別途コンピュータ１１１が備えられている。コンピュータ１１１は，例えばコントロールセクション９と通信可能であり，塗布現像処理装置１１０を遠隔制御できる。
【００６７】
コンピュータ１１１は，例えば塗布現像処理装置１１０のプリベーキング処理終了時からエクステンション・クーリングユニット７２にウェハＷが搬送されるまでの所要時間ＴとウェハＷの最終的な処理結果が等しくなるように定められた現像時間Ｍとの相関データＤと，計測された所要時間Ｔと前記相関データＤに基づいて処理プログラムＰに設定されている現像時間を変更する処理レシピ変更プログラムＲとが記憶された記憶部１１２を有する。また，コンピュータ１１１は，前記処理レシピ変更プログラムＲ等を実行する制御部１１３やコントロールセクション９と通信する通信部１１４等を有する。これに対し，コントロールセクション９には，前記実施の形態と同様に計測部１００，処理プログラムＰが記憶された記憶部１０１，処理プログラムＰ等を実行する制御部１０２等が設けられている。
【００６８】
そして，上述の実施の形態と同様にプリベーキング処理終了時からその直後のクーリング処理の行われるエクステンション・クーリングユニット７２にウェハＷが搬送されるまでの所要時間Ｔがコントロールセクション９の計測部１００により計測され，その結果がコンピュータ１１１に出力される。その後現像処理直前のクーリングユニット７０にウェハＷが搬送された際に，コンピュータ１１１で処理レシピ変更プログラムＲが実行され，測定された所要時間Ｔに対応する相関データＤの現像時間Ｍに，処理プログラムＰの現像時間が変更される。その後ウェハＷが現像処理に付されると，変更後の現像時間ＭでウェハＷが現像処理される。
【００６９】
かかる実施の形態によれば，塗布現像処理装置１１０から離れたコンピュータ１１１を使ってウェハＷの現像時間の変更を行うことができるので，相関データＤ入力等を遠隔から行うことができ，パーティクルの発生源となる作業員が塗布現像処理装置１１０の各処理ユニットに実際に触れて作業を行うことを減少させることができる。
【００７０】
なお，所要時間Ｔを計測する計測部１００は，塗布現像処理装置１１０側ではなく，コンピュータ１１１側にあってもよい。また，処理レシピ変更プログラムＲは，塗布現像処理装置１１０の記憶部１０１に記憶され，塗布現像処理装置１１０側で実行されてもよい。また，コンピュータ１１１は，塗布現像処理装置１１０の設置されたクーリングルーム内に設けられてもよく，クリーンルーム外に設けられてもよい。また，コンピュータ１１１は，塗布現像処理装置１１０とインターネットを介して接続された塗布現像処理装置１１０のベンダー側の事業所等に設けられていてもよい。さらにコンピュータ１１１は，他の装置をも制御するホストコンピュータであってもよい。
【００７１】
以上の実施の形態では，本発明をウェハＷの塗布現像処理を行う処理装置に適用したが，本発明をＳＯＤ膜形成処理等を行う他の処理装置に適用してもよい。例えば，低酸素高温処理が終了してから冷却処理が開始されるまでの所要時間を計測し，当該所要時間に基づいて冷却処理時間を変更してもよく，この場合には，より最適な冷却処理を行うことができる。また，本発明は，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板，マスク基板，レクチル基板等の処理にも適用できる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明によれば，一連の基板処理の処理結果を一定に維持することができるので，製品間のばらつきを抑えて基板の歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】塗布現像処理装置の概略を示す斜視図である。
【図５】現像処理ユニットの構成の概略を示した縦断面の説明図である。
【図６】プリベーキングユニットの構成の概略を示した縦断面の説明図である。
【図７】エクステンション・クーリングユニットの構成の概略を示した縦断面の説明図である。
【図８】コントロールセクションの構成を示す説明図である。
【図９】相関データの一例を示す表である。
【図１０】ウェハ処理のフローチャートである。
【図１１】処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理装置
９    コントロールセクション
１８    現像処理ユニット
５３    プリベーキングユニット
７２    エクステンション・クーリングユニット
Ｄ    相関データ
Ｗ    ウェハ
【図１】
0003793063.tif 000002
【図２】
0003793063.tif 000003
【図３】
0003793063.tif 000004
【図４】
0003793063.tif 000005
【図５】
0003793063.tif 000006
【図６】
0003793063.tif 000007
【図７】
0003793063.tif 000008
【図８】
0003793063.tif 000009
【図９】
0003793063.tif 000010
【図１０】
0003793063.tif 000011
【図１１】
0003793063.tif 000012