(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下の面に導電性箔をそれぞれ形成した絶縁基板内に貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔内及び上下の前記導電性箔上に内層導電性メッキ層を形成して上下の前記導電性箔同士を電気的に接続させる工程と、
前記内層導電性メッキ層を形成した後、前記絶縁基板をベーキング（乾燥）する工程と、
前記絶縁基板をベーキングした後、前記貫通孔内で前記内層導電性メッキ層を形成した孔内に絶縁性樹脂を充填して、ＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）を形成する工程と、
前記絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側で前記ＩＶＨから突出した余分な前記絶縁性樹脂を研磨して該ＩＶＨの端部を平坦化する工程と、
前記絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側に絶縁層を膜付けする工程と、
前記絶縁層上に導電性回路パターンを形成すると共に、前記絶縁層上で前記ＩＶＨと対向する位置に応力緩和用のベント（孔）を有するベント用導電性パターンを形成する工程とからなることを特徴とする多層印刷配線基板の製造方法。
【請求項２】
上下の面に導電性箔をそれぞれ形成した絶縁基板内に貫通孔を穿設し、且つ、この貫通孔内及び上下の前記導電性箔に内層導電性メッキ層を形成して上下の前記導電性箔同士を電気的に接続すると共に、前記貫通孔内で前記内層導電性メッキ層を形成した孔内に絶縁性樹脂を充填することでＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）を形成し、更に、絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側に絶縁層を膜付けして、この絶縁層上に導電性回路パターンを形成した多層印刷配線基板において、
前記絶縁層上で前記ＩＶＨと対向する位置に応力緩和用のベント（孔）を有するベント用導電性パターンを形成したことを特徴とする多層印刷配線基板。
【請求項３】
請求項２記載の多層印刷配線基板において、
前記ベント用導電性パターンは面積が２５ｍｍ２以上であり、且つ、前記ベント（孔）の中心位置のズレ量は前記貫通孔の中心位置に対して０．８ｍｍ以内であり、且つ、前記ベント（孔）の径は前記貫通孔の径ｄに対して１／３ｄ以上であることを特徴とする多層印刷配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上下の面に導電性箔をそれぞれ形成した絶縁基板内に貫通孔を穿設し、且つ、この貫通孔内及び上下の導電性箔に内層導電性メッキ層を形成して上下の導電性箔同士を電気的に接続すると共に、貫通孔内で内層導電性メッキ層を形成した孔内に絶縁性樹脂を充填することでＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）を形成した多層印刷配線基板において、多層印刷配線基板への高温ハンダ付け時にＩＶＨに生じた熱応力を緩和するための多層印刷配線基板の製造方法及び多層印刷配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に伴って、この電子機器に適用される印刷配線基板（プリント配線基板）への高密度な部品実装を実現するために、多層化を図った多層印刷配線基板が用いられている。この際、多層印刷配線基板はビルドアップ基板とも呼称されており、とくに、この種の多層印刷配線基板は携帯用電子機器に多用されている。
【０００３】
図６（ａ），（ｂ）は従来の多層印刷配線基板を摸式的に示した上面図，縦断面図である。
【０００４】
図６（ａ），（ｂ）に示した従来の多層印刷配線基板１Ａにおいて、コア材としてガラスエポキシ樹脂を用いた絶縁基板２は、上下の面２ａ，２ｂに導電性がある銅箔などを用いて導電性箔３，３がそれぞれ形成されており、この絶縁基板２の上面２ａ及び／又は下面２ｂ側を多層化する際に、ドリルなどを用いて絶縁基板２及び導電性箔３，３を貫通して貫通孔２ｃが穿設されている。そして、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内及び導電性箔３，３上に銅メッキなどにより内層導電性メッキ層４，４を形成して、上下の導電性箔３，３同士を電気的に接続した後に、貫通孔２ｃ内で内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内に孔埋め用として絶縁性を有するエポキシ樹脂５を充填することでＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）６が形成されている。尚、上記したＩＶＨ６に対して周知のスルーホール（図示せず）は、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内に内層導電性メッキ層４を形成して上下の導電性箔３，３同士を電気的に接続したまま孔４ａ内にエポキシ樹脂５が充填されていないものである。
【０００５】
更に、ＩＶＨ６を形成した後、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂに形成した導電性箔３，３及びこの導電性箔３，３上に積層して形成した内層導電性メッキ層４，４が所定の回路パターンとなるようにマスキング処理及びエッチング処理を施して導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）を形成し、これらの導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）上及びＩＶＨ６の上下に絶縁層７，７を膜付けして硬化させ、更に、絶縁層７，７上から炭酸ガスレーザなどを用いて導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）に到達するまで有底孔７ａ，７ｂを穿設し、この後、絶縁層７，７上及び有底孔７ａ，７ｂ内を粗面化して銅メッキなどにより外層導電性メッキ層（又は内層導電性メッキ層）８，８を形成して、外層導電性メッキ層（又は内層導電性メッキ層）８，８が所定の回路パターンとなるようにマスキング処理及びエッチング処理を施して絶縁層７，７上に導電性回路パターン８Ａ，８Ｂを形成することで、多層化した従来の多層印刷配線基板１Ａが構成されている。
【０００６】
尚、絶縁層７，７上及び有底孔７ａ，７ｂ内に内層導電性メッキ層８，８を形成する場合には、以下、同様に多層化を繰り返して、より多層化された従来の多層印刷配線基板１Ａが構成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年の環境問題を考慮して、接合用のハンダ成分から鉛を削除する傾向にあり、これによりハンダの融点は上昇し、ＩＶＨ６を形成した従来の多層印刷配線基板１Ａに対して高温ハンダ付けが行われている。
【０００８】
また、従来の多層印刷配線基板１Ａでは、ＩＶＨ６の上下に層間を絶縁するための絶縁層７，７が膜付けされているが、このＩＶＨ６は異種材料に囲まれた状態にあり、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内に形成した内層導電性メッキ層４と、孔４ａ内に充填したエポキシ樹脂５との熱膨脹率の違いからＩＶＨ６内に熱応力が生じることが本発明者等による有限要素法を用いて解析した結果判明した。
【０００９】
具体的には、図６（ａ），（ｂ）に示したように、例えばＩＶＨ６の上方で絶縁層７を介して対向する位置に、アース用又はシールド用として大きな導電性回路パターン８Ａ１が形成されている場合に、高温ハンダ付け時にＩＶＨ６に生じた熱応力により絶縁層７と導電性回路パターン８Ａ１との間で層間剥離やクラックなどが発生し、多層印刷配線基板１Ａの機能を失うといった致命的な問題が起きる。この際、本発明者等の予備実験によれば矩形状や円形状の大きな導電性回路パターン８Ａ１の面積が２５ｍｍ２以上の時に、層間剥離やクラックなどが発生し易いことが判明した。
【００１０】
そこで、従来の多層印刷配線基板１Ａへの高温ハンダ付け時において、ＩＶＨ６の熱応力による問題点を解決する方法の一例として、ＩＶＨ６を形成する際に内層導電性メッキ層４と同じ成分（例えば銅ペースト）の孔埋め材料を用いて熱伝導率を略等しくすることで熱応力の発生を低減させる方法があるが、この場合には孔埋め材料自体のコストも高くつき且つ銅ペーストなどではＩＶＨ６から突出した余分な銅ペーストを平坦に研磨できない。また、高温ハンダ付け時の問題点を解決する方法の他例として、絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に面積の大きな導電性回路パターンを形成しないければ良いものの、この方法を適用すると導電性回路パターンを設計する際に導電性回路パターンの位置が規制されてしまうといった課題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第１の発明は、上下の面に導電性箔をそれぞれ形成した絶縁基板内に貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔内及び上下の前記導電性箔上に内層導電性メッキ層を形成して上下の前記導電性箔同士を電気的に接続させる工程と、
前記内層導電性メッキ層を形成した後、前記絶縁基板をベーキング（乾燥）する工程と、
前記絶縁基板をベーキングした後、前記貫通孔内で前記内層導電性メッキ層を形成した孔内に絶縁性樹脂を充填して、ＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）を形成する工程と、
前記絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側で前記ＩＶＨから突出した余分な前記絶縁性樹脂を研磨して該ＩＶＨの端部を平坦化する工程と、
前記絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側に絶縁層を膜付けする工程と、
前記絶縁層上に導電性回路パターンを形成すると共に、前記絶縁層上で前記ＩＶＨと対向する位置に応力緩和用のベント（孔）を有するベント用導電性パターンを形成する工程とからなることを特徴とする多層印刷配線基板の製造方法である。
【００１２】
また、第２の発明は、上下の面に導電性箔をそれぞれ形成した絶縁基板内に貫通孔を穿設し、且つ、この貫通孔内及び上下の前記導電性箔に内層導電性メッキ層を形成して上下の前記導電性箔同士を電気的に接続すると共に、前記貫通孔内で前記内層導電性メッキ層を形成した孔内に絶縁性樹脂を充填することでＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）を形成し、更に、絶縁基板の上下の面のうち多層化する面側に絶縁層を膜付けして、この絶縁層上に導電性回路パターンを形成した多層印刷配線基板において、
前記絶縁層上で前記ＩＶＨと対向する位置に応力緩和用のベント（孔）を有するベント用導電性パターンを形成したことを特徴とする多層印刷配線基板である。
【００１３】
また、第３の発明は、上記した第２の発明の多層印刷配線基板において、
前記ベント用導電性パターンは面積が２５ｍｍ２以上であり、且つ、前記ベント（孔）の中心位置のズレ量は前記貫通孔の中心位置に対して０．８ｍｍ以内であり、且つ、前記ベント（孔）の径は前記貫通孔の径ｄに対して１／３ｄ以上であることを特徴とする多層印刷配線基板である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法及び多層印刷配線基板の一実施例を図１乃至図５を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法を工程順に説明するための工程図（その１）、
図２は本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法を工程順に説明するための工程図（その２）、
図３（ａ），（ｂ）は本発明に係る多層印刷配線基板を摸式的に示した上面図，縦断面図、
図４は本発明に係る多層印刷配線基板と、従来の多層印刷配線基板とを比較するために、有限要素法を用いて解析した結果を示した図であり、（ａ）は応力解析結果を示し、（ｂ）は歪み解析結果を示した図、
図５は本発明に係る多層印刷配線基板において、ＩＶＨに対する評価内容と、この評価内容に対応した結果を示した図である。
【００１６】
尚、説明の便宜上、先に従来例で示した構成部材と同一構成部材に対しては同一の符号を付して説明し、且つ、従来例と異なる構成部材に新たな符号を付して説明する。
【００１７】
まず、本発明に係る多層印刷配線基板１Ｂの製造方法について、図１及び図２を用いて工程順に説明する。
【００１８】
図１（ａ）に示したように、コア材としてガラスエポキシ樹脂を用いた絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂに導電性がある銅箔などを用いて導電性箔３，３がそれぞれ形成されており、ドリルなどを用いて絶縁基板２及び導電性箔３，３を貫通して直径が０．３ｍｍ程度の貫通孔２ｃが穿設されている。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示したように、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内及び上下の導電性箔３，３上に銅メッキなどにより内層導電性メッキ層４を形成して、上下の導電性箔３，３を電気的に接続している。この際、上下の導電性箔３，３上に積層された内層導電性メッキ層４，４は導電性箔３，３と一体の導電体となる。
【００２０】
この後、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内で内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内を孔埋めするために、孔埋め用の絶縁性樹脂（例えばエポキシ樹脂）の硬化温度以上の例えば８０°Ｃ〜１８０°Ｃの温度でベーキング（乾燥）を行う。このベーキングにより、孔埋め硬化温度で発生する絶縁基板２からのアウトガスや絶縁基板２の貫通孔２ｃ内で内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内に存在する水分を除去している。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示したように、絶縁基板２の下面２ｂ側を受け台Ｕ上に載置し、且つ、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内で層導電性メッキ層４を形成した孔４ａの近傍部位だけを開口したマスク材Ｍを絶縁基板２の上面２ａ側で導電性箔３ｂ上に積層した内層導電性メッキ層４上に載せて、スクリーン印刷法によるスキージＳＫを用いて内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内に孔埋め用として絶縁性を有するエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）５を充填し、このエポキシ樹脂５を所定の硬化温度で硬化させることで、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内で内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内に硬質となったエポキシ樹脂５が埋め込まれてＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）６が形成される。ここでは、絶縁基板２を事前にベーキングしているために、エポキシ樹脂５の硬化時に気泡が発生しない。
【００２２】
次に、図１（ｄ）に示したように、バフＢ，Ｂ（又はベルトサンダー）により、ＩＶＨ６から突出した余分な孔埋め用のエポキシ樹脂５を研磨して、ＩＶＨ６の上下の端部を導電性箔３，３上に積層した内層導電性メッキ層４，４の表面と略同一になるまで平坦化する。
【００２３】
次に、図１（ｅ）に示したように、導電性箔３，３上に積層した内層導電性メッキ層４，４上に、所定の回路パターン部位以外の部位を開口したドライフィルム（図示せず）を貼りつけて、フォトマスクを通して開口した部位を紫外線により露光し、この後、塩化第２銅エッチング液により露光部位をエッチングすることにより、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂ上に導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）が形成される。この際、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内に形成した内層導電性メッキ層４は、導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）に接続されている。
【００２４】
次に、図２（ａ）に示したように、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂ上に形成した導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）上及びＩＶＨ６の上下にエポキシ樹脂を主成分とした層間絶縁樹脂を用いて絶縁層７，７を膜付けし、これら上下の絶縁層７，７を所定硬化温度で硬化させる。この後、絶縁層７，７上から炭酸ガスレーザなどを用いて導電性回路パターン（３Ａ，４Ａ），（３Ｂ，４Ｂ）に到達するまで有底孔７ａ，７ｂを穿設している。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示したように、絶縁層７，７の表面及び有底孔７ａ，７ｂ内を過マンガン酸などを用いて粗面化して銅メッキなどにより外層導電性メッキ層（又は内層導電性メッキ層）８，８を形成している。尚、外層導電性メッキ層８，８を形成する場合にはこの上に絶縁層を膜付けすることなくこの外層導電性メッキ層８，８で多層化を終了した場合であり、内層導電性メッキ層８，８を形成する場合にはこの上に更に絶縁層を膜付けしてより多層化を施すものである。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示したように、外層導電性メッキ層（又は内層導電性メッキ層）８，８上に、所定の回路パターン部位以外の部位を開口したドライフィルム（図示せず）を貼りつけて、フォトマスクを通して開口した部位を紫外線により露光し、この後、塩化第２銅エッチング液により露光部位をエッチングすることにより、上下の絶縁層７，７上に導電性回路パターン８Ａ，８Ｂが形成されると共に、絶縁層７，７上でＩＶＨ６の上下と対向する位置に応力緩和用のベント（Ｖｅｎｔ…孔）Ｖ，Ｖを有するベント用導電性パターン８Ｃ，８Ｄが導電性回路パターン８Ａ，８Ｂと同時に形成される。この際、応力緩和用のベント（孔）Ｖ，Ｖ   の中心位置を、後述するようにＩＶＨ６の中心位置（＝貫通孔２ｃの中心位置）と略一致させることが必要である。
【００２７】
またこの際、外層導電性メッキ層８，８を形成した場合には、導電性回路パターン８Ａ，８Ｂ及びベント用導電性パターン８Ｃ，８Ｄは外部に露出しており、一方、内層導電性メッキ層８，８を形成した場合には、図２（ｄ）に示したように、導電性回路パターン８Ａ，８Ｂ上及びベント用導電性パターン８Ｃ，８Ｄ上に絶縁層９，９が更に膜付けされることでより多層化が図られる。
【００２８】
尚、上記の製造方法では、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂを多層化して説明したが、絶縁基板２内にＩＶＨ６を形成した状態で上下の面２ａ，２ｂのいずれか一方の面だけを多層化しても良く、この場合には多層化する面側でＩＶＨ６から突出した余分なエポキシ樹脂を研磨して平坦化すると共に、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂのうち多層化する面側だけに絶縁層７を膜付けして、この絶縁層７上に導電性回路パターン（８Ａ，８Ｂ）を形成すると同時に、この絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に応力緩和用のベント（孔）Ｖを有するベント用導電性パターン（８Ｃ，８Ｄ）を形成すれば良いものである。
【００２９】
次に、図３に示した如く、上記のようにして製造した本発明に係る多層印刷配線基板１Ｂでは、上下の面２ａ，２ｂに導電性箔３，３をそれぞれ形成した絶縁基板２内に貫通孔２ｃを穿設し、且つ、貫通孔２ｃ内及び上下の導電性箔３，３上に内層導電性メッキ層４を形成して上下の導電性箔３，３同士を電気的に接続すると共に、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内で内層導電性メッキ層４を形成した孔４ａ内にポキシ樹脂（絶縁性樹脂）５を充填することでＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）６を形成し、更に、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂのうち多層化する面側だけに絶縁層７を膜付けして、この絶縁層７上に導電性回路パターン（８Ａ，８Ｂ）を形成すると共に、絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に応力緩和用のベント（孔）Ｖを有するベント用導電性パターン（８Ｃ，８Ｄ）を形成していることを特徴とするものである。
【００３０】
この際、ベント用導電性パターン（８Ｃ，８Ｄ）は導電性回路パターン（８Ａ，８Ｂ）として機能させることも可能であり、後述するようにベント用導電性パターン（８Ｃ，８Ｄ）の面積がアース用、シールド用などとして大きく形成された場合に、ここに応力緩和用のベント（孔）Ｖを形成することで高温ハンダ付け時にＩＶＨ６に発生する熱応力を緩和するものである。
【００３１】
ここで、本発明に係る多層印刷配線基板１Ｂと、従来の多層印刷配線基板１Ａ（図６）とを比較するため、図４（ａ），（ｂ）では、絶縁基板２の貫通孔２ｃ内にＩＶＨ６を形成した状態で、上側に示した本発明側では絶縁基板２の上面２ａ側に膜付けした絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に応力緩和用のベント（孔）Ｖを有するベント用導電性パターン８Ｃを形成し、一方、下側に示した従来例側では絶縁基板２の下面２ｂ側に膜付けした絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に導電性回路パターン８Ｂを形成し、この状態で汎用有限要素プログラム「ＡＮＳＹＳ」を用いて２５０°Ｃにおける熱応力解析を行った。
【００３２】
この際、絶縁基板２の貫通孔２ｃの径はφ０．３ｍｍ、ベント（孔）Ｖの径もφ０．３ｍｍとし、且つ、貫通孔２ｃ内に形成したＩＶＨ６の中心位置とベント（孔）Ｖの中心位置とを一致させると共に、ベント用導電性パターン８Ｃ及び導電性回路パターン８Ｂの面積を共に１ｍｍ２に設定して、有限要素法による応力解析と歪み解析とを行った。
【００３３】
まず、図４（ａ）に示した有限要素法による応力解析結果から、本発明側ではベント用導電性パターン８Ｃ内に応力緩和用のベント（孔）Ｖを形成しため、このベント（孔）Ｖによって高温ハンダ付け時にＩＶＨ６に生じる熱応力が緩和されるので、ＩＶＨ６の上方部位と対向した部位に応力がほとんど発生していないのに対し、従来例側では高温ハンダ付け時にＩＶＨ６に生じる熱応力が絶縁層７，導電性回路パターン８Ｂへと伝達されるので、ＩＶＨ６の下方部位と対向した導電性回路パターン８Ｂに応力が発生していることが明らかである。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示した有限要素法による歪み解析結果から、本発明側ではＩＶＨ６の上方部位と対向した絶縁層７に僅かに歪みが発生しているものの、従来例側ではＩＶＨ６の下方部位と対向した絶縁層７に大きな歪みが発生していることが明らかである。
【００３５】
ここで、上記した応力緩和用のベント（孔）Ｖ，Ｖを有するベント用導電性パターン８Ｃ，８Ｄを形成する際に、従来技術で説明したように、本発明者等の予備実験によれば大きな導電性回路パターン８Ａ１（図６）の面積が２５ｍｍ２以上の時に層間剥離やクラックなどが発生し易いので、ベント用導電性パターン８Ｃ，８Ｄの面積を２５ｍｍ２以上とし、更に、図３及び図５（ａ），（ｂ）に示した如く、ＩＶＨ６の中心位置に対してベント（孔）の中心位置のズレ量δを、ＩＶＨ６の真上（０ｍｍ）、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍと振った時に、ズレ量δを０．８ｍｍ以内に設定することで層間剥離やクラックが発生しないことが判明した。また、ＩＶＨ６を形成するために絶縁基板２に穿設した貫通孔２ｃの孔径ｄ（＝０．３ｍｍ）に対して、ベント（孔）Ｖの孔径を、貫通孔２ｃの孔径ｄと同径、１／２ｄ、１／３ｄ、１／５ｄと振った時に、ベント（孔）Ｖの孔径を貫通孔２ｃの孔径ｄに対して１／３ｄ以上に設定することで層間剥離やクラックが発生しないことが判明した。
【００３６】
これにより、本発明に係る多層印刷配線基板１Ｂの製造方法及び多層印刷配線基板１Ｂでは、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂにそれぞれ形成した上下の導電性箔３，３同士を接合するためのＩＶＨ６を絶縁基板２内に形成しても、絶縁基板２の上下の面２ａ，２ｂのうち多層化した面側に膜付けした絶縁層７上でＩＶＨ６と対向する位置に応力緩和用のベント（孔）Ｖを有するベント用導電性パターン（８Ｃ，８Ｄ）を形成することで、高温ハンダ付け時にＩＶＨ６で発生する熱応力による層間剥離やクラックが全く発生しないため、多層印刷配線基板１Ｂの品質及び信頼性を向上させることができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上詳述した本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法及び多層印刷配線基板によると、絶縁基板の上下の面にそれぞれ形成した導電性箔同士を接合するためのＩＶＨを絶縁基板内に形成しても、絶縁基板の上下の面のうち多層化した面側に膜付けした絶縁層上でＩＶＨと対向する位置に応力緩和用のベント（孔）を有するベント用導電性パターンを形成することで、高温ハンダ付け時にＩＶＨで発生する熱応力による層間剥離やクラックが全く発生しないため、多層印刷配線基板の品質及び信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法を工程順に説明するための工程図（その１）である。
【図２】本発明に係る多層印刷配線基板の製造方法を工程順に説明するための工程図（その２）である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明に係る多層印刷配線基板を摸式的に示した上面図，縦断面図である。
【図４】本発明に係る多層印刷配線基板と、従来の多層印刷配線基板とを比較するために、有限要素法を用いて解析した結果を示した図であり、（ａ）は応力解析結果を示し、（ｂ）は歪み解析結果を示した図である。
【図５】本発明に係る多層印刷配線基板において、ＩＶＨに対する評価内容と、この評価内容に対応した結果を示した図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来の多層印刷配線基板を摸式的に示した上面図，縦断面図である。
【符号の説明】
１…本発明に係る多層印刷配線基板、
２…絶縁基板、２ａ，２ｂ…上下の面、2ｃ…貫通孔、
３…導電性箔、３Ａ，３Ｂ…導電性回路パターン、
４…内層導電性メッキ層、4ａ…孔、４Ａ，４Ｂ…導電性回路パターン、
５…絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）、
６…ＩＶＨ（Interstitial Via Hole ）、
７…絶縁層、
８…内層導電性メッキ層、８Ａ，８Ｂ…導電性回路パターン、
８Ｃ，８Ｄ…ベント用導電性パターン、
Ｖ…ベント（Vent…孔）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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