(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁性材料からなる第１の磁性粒子と、前記第１の磁性材料と異なる透磁率周波数特性を示す第２の磁性材料からなる第２の磁性粒子とを混合して構成される複合磁性材料を焼成することにより得られる成形体であって、
前記第１の磁性材料がスピネル型フェライトであるとともに前記第２の磁性材料がＹ型及び／またはＺ型の六方晶フェライトであり、
前記混合が、前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子をボールを用いて粉砕しながら行われる混合であり、
前記複合磁性材料中の前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子の平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下であることを特徴とする成形体。
【請求項２】
請求項１に記載の成形体を製造する方法であって、
前記第１の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第１の仮焼成粉末を調製する工程と、
前記第２の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第２の仮焼成粉末を調製する工程と、
前記第１の仮焼成粉末及び前記第２の仮焼成粉末をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下である前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子を有する前記複合磁性材料を製造する工程と、
前記複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴とする成形体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の成形体を製造する方法であって、
前記第１の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末と前記第２の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を混合した後仮焼成することにより、第１の仮焼成粉末と第２の仮焼成粉末の混合物を調製する工程と、
前記第１の仮焼成粉末と第２の仮焼成粉末の混合物をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下である前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子を有する前記複合磁性材料を製造する工程と、
前記複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴とする成形体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機等の電子機器に装備される各種電子回路を構成するための積層型複合デバイスやインダクタ等に用いることができる成形体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の小型の電子機器においては、小型化に対する要求が厳しくなっている。このような状況において、電子機器を構成する複数の回路素子を１チップの積層型複合デバイスに集積して、積層型複合デバイスをメイン基板上に実装することが行われている。
【０００３】
図７は、積層型複合デバイスの一例を示す斜視図であり、図８は分解斜視図である。図７及び図８に示すように、積層型複合デバイスは、複数のセラミックス層３及び４を積層することにより構成されている。各セラミックス層３及び４の表面には、インダクタやコンデンサを構成する複数の回路素子パターン１１が形成されている。これらの回路素子パターン１１は、セラミックス層３及び４上に形成された導体パターンや、セラミックス層３及び４を貫通して形成された導通路（バイアホール）１２を介して互いに接続され、これによってフィルタ等の電子回路が構成されている。
【０００４】
セラミックス層３が磁性体セラミックス層であり、セラミックス層４が誘電体セラミックス層である場合、インダクタを構成するパターン（Ｌパターン）は磁性体セラミックス層３の上に形成され、コンデンサを構成するパターン（Ｃパターン）は誘電体セラミックス層４上に形成することが提案されている（特開昭６０−１０６１１４号公報、特開平６−３３３７４３号公報など）。
【０００５】
このような積層型複合デバイスやインダクタ等に用いられる磁性材料としては、従来から一般に、ＮｉＣｕＺｎ系等のスピネル型フェライトが用いられている。図９は、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの透磁率の周波数特性を示す図である。図９において、複素透磁率の実数部分μ′及び虚数部分μ″は、１０ＭＨｚにおけるμ′を１として規格化した値で示されている。図９に示すように、複素透磁率の実数部分μ′は、１００ＭＨｚ付近までは比較的高い値を示している。
【０００６】
より高周波に対応することができる磁性材料としては、六方晶型フェライトが挙げられる。この六方晶型フェライトには、Ｚ型、Ｙ型、Ｗ型、Ｍ型などの互いに結晶構造が類似した相が存在する。これらの相の中でも、Ｚ型は比較的高い透磁率を示し、ＧＨｚ帯域まで透磁率の低下が少ない材料である。
【０００７】
図１０は、Ｚ型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性を示す図である。図１０において、複素透磁率の実数部分μ′及び虚数部分μ″は、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの初透磁率（１０ＭＨｚにおける複素透磁率の実数部分μ′）を１として規格化した値で示されている。なお、以下に説明する透磁率の周波数特性の図においても同様である。
【０００８】
図１０に示すようにＺ型の六方晶型フェライトにおいては、ＧＨｚ帯域まで透磁率の低下が少なく、高周波特性に優れている。しかしながら、透磁率は、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトに比べると低くなっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
図９に示すように、従来のＮｉＣｕＺｎ系等のスピネル型フェライトでは、１００ＭＨｚまで使用可能であるが、より高周波では自然共鳴を起こし、透磁率の実数部分μ′が低下し、逆に虚数部分μ″が増大してしまう（Ｓｎｏｅｋの限界）。また、Ｚ型の六方晶型フェライトにおいては、上述のように、ＧＨｚ帯域まで透磁率の低下が少なく、高周波特性に優れているが、透磁率の値がＮｉＣｕＺｎ系フェライトに比べて低いという問題がある。
【００１０】
従って、従来の磁性材料においては、高い透磁率と優れた高周波特性を両立することは困難であった。また、磁性材料の透磁率の値や周波数特性を自由に設計することは困難であった。
【００１１】
本発明の目的は、高い周波数帯においても高い透磁率を示すことができる成形体及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の成形体は、第１の磁性材料からなる第１の磁性粒子と、第１の磁性材料と異なる透磁率周波数特性を示す第２の磁性材料からなる第２の磁性粒子とを混合して構成される複合磁性材料を焼成することにより得られる成形体であって、第１の磁性材料がスピネル型フェライトであるとともに第２の磁性材料がＹ型及び／またはＺ型の六方晶フェライトであり、混合が、第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子をボールを用いて粉砕しながら行われる混合であり、複合磁性材料中の第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子の平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下であることを特徴としている。
【００１３】
本発明においては、第１の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、第２の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線との交点が位置する周波数において、複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値が、上記交点における値よりも大きくなるように第１の磁性粒子と第２の磁性粒子が混合されている。すなわち、上記交点が位置する周波数において、複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値が、第１の磁性材料及び第２の磁性材料の複素透磁率の実数成分よりも大きくなるように混合されている。このような混合状態は、第１の磁性粒子と第２の磁性粒子を微細な粒子として互いに近接させ、第１の磁性粒子と第２の磁性粒子の間で磁気的な交換相互作用が働くようにすることにより実現させることができる。
【００１５】
本発明によれば、第１の磁性粒子と第２の磁性粒子の間で磁気的な交換相互作用が働くため、高い周波数帯域において、第１の磁性材料及び第２の磁性材料よりも高い透磁率を示す磁性材料とすることができる。
【００１６】
本発明においては、上述のように、第１の磁性粒子と第２の磁性粒子が微細な粒子として均一に混合されている。従って、第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子の粒子径はできるだけ小さいことが好ましく、具体的には平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下であることが好ましい。粒子径の下限値は特に限定されるものではないが、一般に１ｎｍ未満の粒子径のものを製造することが困難であるので、通常１ｎｍ以上の平均粒子径となる。平均粒子径のさらに好ましい範囲は、１０〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜１００ｎｍである。磁性粒子の平均粒子径は、電子顕微鏡で適当な数の粒子の粒子径を測定することにより求めることができる。
【００１７】
図２は、本発明における複合磁性材料中における第１の磁性粒子と第２の磁性粒子の混合状態を模式的に示す図である。図２に示すように、第１の磁性粒子１及び第２の磁性粒子２は均一に混合しており、第１の磁性粒子１の周りに第２の磁性粒子２が存在しており、第２の磁性粒子２の周りに第１の磁性粒子１が存在している。第１の磁性粒子１と第２の磁性粒子２が近接するように混合されているので、第１の磁性粒子１と第２の磁性粒子２の間で磁気的な交換相互作用が働き、高い周波数帯域において高い透磁率を示すことができる。
【００１８】
第１の磁性材料及び第２の磁性材料としては、フェライトを用いることが好ましい。例えば、第１の磁性材料としてスピネル型フェライトを用い、第２の磁性材料としてＹ型及び／またはＺ型の六方晶型フェライトを用いることができる。また、磁性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎの内の少なくとも１つ以上の元素を含有する磁性材料、及びＢａ、Ｓｒ、及びＣａの内の少なくとも１つ以上の元素を含有する磁性材料などを用いることができる。
【００１９】
本発明においては、第１の磁性材料及び第２の磁性材料としているが、混合する磁性材料は２種類に限定されるものではなく、３種類以上の磁性材料を混合してもよい。この場合、第１の磁性材料及び第２の磁性材料の一方または両方を、複数の磁性材料から構成されるものと考えることができる。例えば、第２の磁性材料を、磁性材料Ｂと磁性材料Ｃを混合した磁性材料とした場合、磁性材料Ｂと磁性材料Ｃを磁気的な交換相互作用が働かない程度に混合し、この混合した磁性材料について複素透磁率の実数成分の周波数特性を求め、これを第２の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線として考えることができる。磁気的交換相互作用が働かないような混合としては、磁性材料Ｂ及び磁性材料Ｃの原材料粉末を仮焼成して得られた仮焼成粉末を乳鉢等で混合する方法が挙げられる。
【００２０】
上記のようにして求めた磁性材料Ｂ及び磁性材料Ｃからなる第２の磁性材料の透磁率の周波数特性曲線と、磁性材料Ａからなる第１の磁性材料の透磁率の周波数特性曲線とを用いて、本発明において規定する混合状態となるように、磁性材料Ａ、磁性材料Ｂ、及び磁性材料Ｃのそれぞれの磁性粒子を混合する。
【００２１】
３種類以上の磁性材料を用いる場合において、どの磁性材料を組み合わせて第１の磁性材料または第２の磁性材料とするかは以下のようにして定めることができる。すなわち、磁性材料を初透磁率（１０ＭＨｚにおける複素透磁率の実数部分μ′）の高い順に並べ、初透磁率の高いものから順にそれぞれの混合比の合計が４０重量％以上となるように組み合わせたものを第１の磁性材料とし、残りの磁性材料を第２の磁性材料とする。例えば、磁性材料Ａ、Ｂ及びＣの３種類の磁性材料であって、初透磁率がＡ＞Ｂ＞Ｃである場合を考える。磁性材料Ａを４０重量％、磁性材料Ｂを３０重量％、磁性材料Ｃを３０重量％混合する場合、磁性材料Ａの混合比は既に４０重量％以上であるので、磁性材料Ａを第１の磁性材料とし、残りの磁性材料Ｂ及びＣの組み合わせ（重量混合比３０：３０、すなわち１：１）を第２の磁性材料とする。磁性材料Ａを３０重量％、磁性材料Ｂを３０重量％、磁性材料Ｃを４０重量％混合する場合は、磁性材料Ａの混合比は３０重量％であるので、これに磁性材料Ｂを組み合わせて混合比の合計を６０重量％とする。すなわち、磁性材料Ａ及びＢの組み合わせ（重量混合比１：１）を第１の磁性材料とし、磁性材料Ｃ単独を第２の磁性材料とする。
【００２２】
次に、磁性材料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの４種類の磁性材料であって、初透磁率がＡ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄの関係である場合について考える。例えば、磁性材料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの混合比がそれぞれ２５重量％である場合、磁性材料Ａ及びＢの組み合わせ（重量混合比１：１）を第１の磁性材料とし、磁性材料Ｃ及びＤの組み合わせ（重量混合比１：１）を第２の磁性材料とする。磁性材料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの混合比が、それぞれ５０重量％、３０重量％、１０重量％、及び１０重量％である場合は、磁性材料Ａ単独を第１の磁性材料とし、磁性材料Ｂ、Ｃ及びＤの組み合わせ（重量混合比３：１：１）を第２の磁性材料とする。
【００２３】
本発明の製造方法は、上記本発明の成形体を製造する方法であり、第１の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第１の仮焼成粉末を調製する工程と、第２の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第２の仮焼成粉末を調製する工程と、第１の仮焼成粉末及び第２の仮焼成粉末をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下である第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を有する複合磁性材料を製造する工程と、複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【００２４】
この製造方法においては、別個に調製した仮焼成粉末を最終的に粉砕しながら混合することにより複合磁性材料を製造している。従って、３種類以上の磁性材料を用いる場合には、それぞれの磁性材料の仮焼成粉末を別個に調製し、これを最終的に粉砕しながら混合すればよい。
【００２５】
本発明の他の局面に従う製造方法は、第１の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末と第２の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を混合した後仮焼成することにより、第１の仮焼成粉末と第２の仮焼成粉末の混合物を調製する工程と、第１の仮焼成粉末と第２の仮焼成粉末の混合物をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ１μｍ以下である第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を有する複合磁性材料を製造する工程と、複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【００２６】
この製造方法では、それぞれの磁性材料の原材料粉末を予め混合しておき、これを仮焼成粉末することにより、それぞれの仮焼成粉末の混合物を調製し、この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合している。従って、３種類以上の磁性材料を用いる場合には、それぞれの磁性材料の原材料粉末を予め混合しておき、これを仮焼成することによって、仮焼成粉末の混合物を調製し、この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合すればよい。
【００２８】
本発明で用いる複合磁性材料にバインダーを添加し、所定の形状に成形した後、これを焼成して本発明の成形体としてもよいし、本発明で用いる複合磁性材料を用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシートの表面に所定の回路を形成した後、このグリーンシートを積層し焼成して本発明の成形体としてもよい。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
高純度のＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＦｅ2Ｏ3を、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＦｅ2Ｏ3換算で、３０モル％、２０モル％、１５モル％、及び３５モル％となるように秤量し、秤量した原材料粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、２４時間粉砕しながら混合した。その後、これを９００℃で２時間仮焼成することにより、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの仮焼成粉末（平均粒子径３μｍ）を得た。
【００３１】
高純度のＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3を、ＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3換算で、１８モル％、１２モル％、及び７０モル％となるように秤量し、秤量した原材料粉末をジルコニア製ポットを及びボールを用いたボールミルにより、２４時間粉砕しながら混合した。その後、これを１３００℃で２時間仮焼成することにより、Ｂａ3Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41で示されるＺ型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末（平均粒子径１０μｍ）を得た。
【００３２】
得られた上記の２種類の仮焼成粉末を、配合比がそれぞれ５０重量％となるようにジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルに入れ、２４時間粉砕しながら混合し、複合磁性材料を得た。この複合磁性材料の平均粒子径は３０ｎｍであった。
【００３３】
得られた複合磁性材料の粉末のうちの半分を、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系バインダー及び有機溶剤とともにボールミルに入れ、２４時間湿式混合を行った。ＰＶＡ系バインダー及び有機溶剤の配合量は、粉末１００重量部に対してそれぞれ重量比で４重量部及び５０重量部とした。その後、乾燥・分級して、得られた粉末を外径８ｍｍ、内径４ｍｍ、高さ２ｍｍのリング形状に成形した。この成形体を９００℃の温度で２時間保持して焼成した。得られたリング状試料について、インピーダンスアナライザを用いて、その透磁率を測定した。
【００３４】
図３は、透磁率の測定結果を示す図である。図３に示すように、本発明に従い得られた複合磁性材料においては、透磁率の実数成分μ′は、１ＧＨｚ（１０００ＭＨｚ）まで高い値を示している。また、透磁率の虚数成分μ″は、損失成分であるが、１ＧＨｚ（１０００ＭＨｚ）付近までほとんど増大していないことがわかる。従って、この実施例の酸化物磁性材料は、ＧＨｚ帯域において損失を抑制して使用できることがわかる。
【００３５】
図１は、図３に示す本実施例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性と、図９に示す第１の磁性材料であるＮｉＣｕＺｎ系フェライトの透磁率の周波数特性と、図１０に示す第２の磁性材料であるＺ型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性とを併せて示す図である。ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、六方晶型フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線とは、交点μｃにおいて交わっている。交点μｃは、１０００ＭＨｚより若干高い周波数に位置している。この周波数において、本実施例の複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値はμａであり、交点μｃにおける値よりも大きな値を示している。ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの粒子と六方晶型フェライトの粒子の間における磁気的な交換相互作用により、このような高い値が得られている。
【００３６】
上記で得られた酸化物磁性材料粉末のうちの残りの半分については、有機溶剤とともにＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系バインダーを５重量％となるように加え、ボールミルにより混合することによりスラリーを作製した。このスラリーを用い、ドクターブレード法により、所望の厚さのグリーンシートを作製した。グリーンシートの上に、印刷法によりＡｇペーストをパターニングし、所望の受動回路を形成した。このグリーンシートを複数積層し、静水圧プレスにより積層圧着した後、９００℃で本焼成を行い、積層インダクタを作製した。得られた積層インダクタは、良好な高周波特性を有することが確認された。
【００３７】
（比較例）
実施例１と同様にして得られたＮｉＣｕＺｎ系フェライトの仮焼成粉末と六方晶型フェライトの仮焼成粉末をそれぞれ５０重量％となるように秤量し、実施例１と同様にしてバインダーを加えた後、ボールミルを用いずに、乳鉢により混合を行った。得られた混合物を、実施例１と同様にして、リング状に成形し、９００℃で焼成した。
【００３８】
得られたリング状試料について、実施例１と同様にして透磁率の周波数特性を測定した。図４は、比較例の磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図である。複素透磁率の実数成分μ′は、１００ＭＨｚ近傍で低くなり、一方虚数成分μ″は１００ＭＨｚの近傍で高くなっており、実施例１とは全く異なる周波数特性であった。
【００３９】
図１には、この比較例の磁性材料の複素透磁率の実数成分も併せて示している。図１に示すように、比較例の磁性材料の複素透磁率の実数成分は、交点μｃの周波数において、μｂの値を示しており、μｃよりも低い値となっている。
【００４０】
（実施例２）
本実施例においては、第１の磁性材料の原材料粉末と、第２の磁性材料の原材料粉末を予め混合した後仮焼成して、第１の仮焼成粉末と第２の仮焼成粉末の混合物を調製した。この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合することにより複合磁性材料を製造した。
【００４１】
具体的には、高純度のＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＦｅ2Ｏ3を、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＦｅ2Ｏ3換算で、３０モル％、２０モル％、１５モル％、及び３５モル％となるように秤量して混合し、これを原材料粉末Ａとした。同時に、高純度のＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3を、ＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3換算で、２０モル％、２０モル％、及び６０モル％となるように秤量して混合し、これを原材料粉末Ｂとした。
【００４２】
原材料粉末Ａ及び原材料粉末Ｂをそれぞれ５０重量％となるように混合し、この混合粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、２４時間粉砕しながら混合した。その後、これを９００℃で２時間仮焼成し、仮焼成粉末を得た。なお、この仮焼成により、原材料粉末Ａ及びＢのそれぞれ対応した別個の組成の仮焼成粉末が得られた。この仮焼成粉末の混合物をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、２４時間粉砕しながら混合した。これにより、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの粉末と、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22で示されるＹ型の六方晶型フェライトの粉末とが混合した複合磁性材料が得られた。ＮｉＣｕＺｎ系フェライト粉末の平均粒子径は２０ｎｍであり、六方晶型フェライトの粉末の平均粒子径は３０ｎｍであった。
【００４３】
以上のようにして得られた複合材料の粉末を用いて、実施例１と同様にしてリング状試料を作製し、その透磁率を測定した。
図５は、透磁率の周波数特性を示す図である。図５に示すように、本実施例の複合磁性材料の複素透磁率の実数成分μ′は、１０００ＭＨｚまで高い値を示している。また、図５には、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの複素透磁率の実数成分の曲線と、Ｙ型の六方晶型フェライト粉末の複素透磁率の実数成分の曲線との交点μｃを示している。交点μｃが位置する周波数において、本実施例の複合磁性材料は、高い値を示している。
【００４４】
（実施例３）
本実施例では、３種類の磁性材料を用いて本発明の複合磁性材料を作製した。実施例１と同様にして、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの仮焼成粉末及びＺ型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末を得た。
【００４５】
さらに、高純度のＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3を、ＢａＯ、ＣｏＯ、及びＦｅ2Ｏ3換算で、２０モル％、２０モル％、及び６０モル％となるように秤量して混合し、これを原材料粉末とした。この原材料粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、２４時間粉砕しながら混合した。その後、１１００℃で２時間仮焼成を行うことにより、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22で示されるＹ型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末（平均粒子径７μｍ）を得た。
【００４６】
上記の３種類の仮焼成粉末を、配合比が、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト：５０重量％、Ｚ型の六方晶型フェライト：３０重量％、Ｙ型の六方晶型フェライト：２０重量％となるようにジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルに入れ、このボールミル中で２４時間粉砕しながら混合した。その後、これにＰＶＡ系バインダー及び有機溶剤を加え、ボールミルにより２４時間湿式混合した。その後、実施例１と同様にして、リング状試料を作製した。得られたリング状試料について、Ｘ線回折のピーク強度から定量した結果、Ｚ型２９重量％、Ｙ型１９重量％の比率で存在することが確認された。このリング状試料について、その透磁率を測定した。
【００４７】
図６は、透磁率の周波数特性を示す図である。図６に示すように、本実施例においても、１０００ＭＨｚまで複素透磁率の実数成分μ′は大きな値を示している。また、図６には、交点μｃを示している。この交点μｃは、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、上記２種類の六方晶型フェライトの仮焼成粉末の混合物（重量比Ｚ型：Ｙ型＝３０：２０）の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線との交点である。２種類の六方晶型フェライトの仮焼成粉末は、乳鉢で混合して混合物とし、図６にはこの混合物の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示している。
【００４８】
図６に示すように、交点μｃが位置する周波数において、本実施例の複合磁性材料は、交点μｃよりも高い値を示している。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、高い周波数帯においても高い透磁率を示すことができる成形体とすることができる。また、本発明によれば、異なる磁性材料を自由に組み合わせその配合比も自由変化させることができるので、透磁率の値や周波数特性を自由に設計することができる。従って、本発明の成形体は、積層型複合デバイス、積層インダクタ、ＬＣフィルタ、及びＲＦモジュール等に用いる磁性材料として有用なものであり、また電波吸収体としても用いることができるものである。
【００５０】
また、上記実施例では、２ＧＨｚ付近までの透磁率の周波数特性を示しているが、本発明の成形体は、さらに高い周波数帯（例えば５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ）においても用いることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図２】  本発明における複合磁性材料中における第１の磁性粒子と第２の磁性粒子の混合状態を模式的に示す図。
【図３】  実施例１の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図４】  比較例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図５】  実施例２の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図６】  実施例３の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図７】  積層型複合デバイスの一例を示す斜視図。
【図８】  積層型複合デバイスの一例を示す分解斜視図。
【図９】  ＮｉＣｕＺｎ系フェライトの透磁率の周波数特性を示す図。
【図１０】  Ｚ型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性を示す図。
【符号の説明】
１…第１の磁性粒子
２…第２の磁性粒子
３…磁性体セラミック層
４…誘電体セラミック層
１１…回路素子パターン
１２…バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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