(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラス４０〜９９重量％と、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３を１〜６０重量％の割合で含有することを特徴とする高周波用磁器組成物。
【請求項２】
前記ガラスが、ＳｉＯ２３０〜５５重量％と、Ａｌ２Ｏ３４〜１５重量％と、ＭｇＯ１４〜３０重量％と、ＣａＯ５〜２０重量％と、ＳｒＯ１０〜２５重量％とからなることを特徴とする請求項１記載の高周波用磁器組成物。
【請求項３】
少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｌを含むディオプサイド型結晶相と、少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３結晶相とを含有し、且つ６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０−４以下であり、ガラス相を３０重量％以下の割合で含有することを特徴とする高周波用磁器。
【請求項４】
前記ガラス相が少なくともＳｉを酸化物（ＳｉＯ２）換算で５０重量％以上含有することを特徴とする請求項３記載の高周波用磁器。
【請求項５】
室温から４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以上、誘電率が１０以下、曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項３または４記載の高周波用磁器。
【請求項６】
熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか記載の高周波用磁器。
【請求項７】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラス４０〜９９重量％と、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３を１〜６０重量％とからなる混合物を成形後、８００〜１０００℃の温度で焼成して、少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｌを含むディオプサイド型結晶相と、少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３結晶相と、を含有する磁器を作製することを特徴とする高周波用磁器の製造方法。
【請求項８】
前記ガラスが、ＳｉＯ２３０〜５５重量％と、Ａｌ２Ｏ３４〜１５重量％と、ＭｇＯ１４〜３０重量％と、ＣａＯ５〜２０重量％と、ＳｒＯ１０〜２５重量％とからなることを特徴とする請求項７記載の高周波用磁器の製造方法。
【請求項９】
絶縁基板の表面および／または内部に、メタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が請求項３乃至６のいずれか記載の高周波用磁器からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
前記メタライズ配線層が、ＣｕまたはＡｇを主成分とすることを特徴とする請求項９記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージや多層配線基板等に適用され、特に、マイクロ波やミリ波等の高周波帯で用いられる配線基板における絶縁基板として用いられる高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びに高周波用磁器の製造方法、さらには高周波用磁器を絶縁基板とした配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミック多層配線基板としては、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線層が形成されたものが最も普及している。
【０００３】
また、最近に至り、高度情報化時代を迎え、使用される周波数帯域はますます高周波化に移行しつつある。このような、高周波の信号の伝送を必要とする高周波配線基板においては、高周波信号を損失なく伝送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいこと、また絶縁基板の高周波領域での誘電損失が小さいことが要求される。
【０００４】
ところが、従来のタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属は導体抵抗が大きく、信号の伝搬速度が遅く、また、１ＧＨｚ以上の高周波領域の信号伝搬も困難であることから、Ｗ、Ｍｏなどの金属に代えて銅、銀、金などの低抵抗金属を使用することが必要となっている。
【０００５】
このような低抵抗金属からなる配線層は、融点が低く、アルミナと同時焼成することが不可能であるため、最近では、ガラス、またはガラスとセラミックスとの複合材料からなる、いわゆるガラスセラミックスを絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。例えば、特開昭６０−２４０１３５号のように、ホウケイ酸亜鉛系ガラスに、Ａｌ2Ｏ3、ジルコニア、ムライトなどのフィラーを添加したものを低抵抗金属と同時焼成した多層配線基板が提案されている。
【０００６】
そこで、例えば、特開平１０−１２０４３６号公報、特開平１１−４９５３１号公報では、ディオプサイド結晶相を析出可能なガラス粉末７０〜１００重量％に対して、アルミナ、ムライト等のセラミック粉末０〜３０重量％を添加、混合して焼成した磁器が提案され、２ＧＨｚの周波数での誘電損失を３〜７×１０-4と低減できることが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭｇＣａＳｉ２Ｏ６、Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）２Ｏ６のディオプサイド型結晶相は、高周波帯における誘電損失が低い結晶であるが、表面結晶化しやすくガラス原料粒子内部にガラスが残存して磁器中のディオプサイド結晶相の割合を高めることが難しい材料であることが知られており、２ＧＨｚでの誘電損失を３〜７×１０−４とすることはできるもののミリ波帯での誘電損失は高いものであり、特に、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラス中にＳｒＯを含有せしめた場合、低温での焼成によって磁器を緻密化ができる反面、磁器中のディオプサイド型結晶相の結晶化度が低下して磁器中に誘電損失の大きなガラス相の割合が増大する結果、誘電損失が高くなるという問題があった。
【０００８】
従って、本発明は、高周波領域における誘電損失をさらに低減できる磁器およびその製造方法並びにそれを作製可能な高周波用磁器組成物、さらにはそれを用いた配線基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を鋭意検討した結果、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラスに対して、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3を所定の比率で配合することによって、磁器中のディオプサイド型結晶相の析出割合を高めることができるとともに、誘電損失増加の原因となるガラスの残留量を低減することができる結果、高周波領域における誘電損失を大幅に低減できることを知見した。
【００１０】
即ち、本発明の高周波用磁器組成物は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラス４０〜９９重量％と、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3を１〜６０重量％との割合で含有することを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、前記ガラスは、ＳｉＯ2３０〜５５重量％と、Ａｌ2Ｏ3４〜１５重量％と、ＭｇＯ１４〜３０重量％と、ＣａＯ５〜２０重量％と、ＳｒＯ１０〜２５重量％とからなることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の高周波用磁器は、少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｌを含むディオプサイド型結晶相と、少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3結晶相とを含有し、且つ６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
なお、ガラス相を３０重量％以下の割合で含有すること、該ガラス相が少なくともＳｉを酸化物（ＳｉＯ2）換算で５０重量％以上含有することが望ましい。
【００１４】
また、室温から４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以上、誘電率が１０以下、曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であること、熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。
【００１５】
また、本発明の高周波用磁器の製造方法は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラス４０〜９９重量％と、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3を１〜６０重量％とからなる混合物を成形後、８００〜１０００℃の温度で焼成して、少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｌを含むディオプサイド型結晶相と、少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3結晶相と、を含有する磁器を作製することを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明の配線基板は、上記高周波用磁器からなる絶縁基板の表面および／または内部に、特に、ＣｕまたはＡｇを主成分とするメタライズ配線層が配設されたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波用磁器組成物は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラスを４０〜９９重量％と、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3を１〜６０重量％との割合で含有するものである。
【００１８】
各成分組成を上記の範囲に限定したのは、上記ガラスが４０重量％よりも少ないと、１０００℃以下の温度での焼成により磁器を緻密化させることが困難であり、９９重量％よりも多いと、磁器中の結晶化度が低下し磁器の誘電損失が高くなるためである。ガラスの特に望ましい範囲は、６５〜９７重量％、特に、８０〜９５重量％である。
【００１９】
ここで、前記ガラスは、ガラスの軟化点が５００〜８００℃であることが望ましく、ガラスの組成は、ＳｉＯ2３０〜５５重量％、Ａｌ2Ｏ3４〜１５重量％、ＭｇＯ１４〜３０重量％、ＣａＯ５〜２０重量％、ＳｒＯ１０〜２５重量％の割合であることが望ましい。
【００２０】
上記ガラス成分のうち、ＳｒＯは磁器の緻密化を促進させる働きをなし、磁器中に含有可能なフィラー量を増加させて高価なガラス量を減らすことができることから、原料コストを下げることができるとともに、磁器の熱膨張係数向上、磁器の誘電率の調整、磁器の曲げ強度向上および熱伝導率向上等を図ることができる。
【００２１】
上記ディオプサイド型結晶相を析出可能なガラスは、焼結体中にガラス原料粒子の表面のみが結晶化して中心部に誘電損失の大きなガラス相が残存しやすいものであるが、本発明によれば、前記ガラスに対して、フィラーとして少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3を所定の比率で配合することによって、磁器中のディオプサイド型結晶相の析出割合を高めることができ、特に１ＧＨｚ以上、さらに２０ＧＨｚ以上、さらには５０ＧＨｚ以上、さらにまた７０ＧＨｚ以上の高周波領域における誘電損失を大幅に低減できる。
【００２２】
また、上記のガラスからのディオプサイド型結晶相の析出割合を高める上では、ガラス中におけるＣａＯとＭｇＯの合計量が３５〜５０重量％であることが望ましい。
【００２３】
一方、上記組成物中にフィラーとして配合されるγ−Ａｌ2Ｏ3の含有量は、１〜６０重量％であることが重要である。すなわち、γ−Ａｌ2Ｏ3の含有量が１重量％よりも少ないと、磁器中の結晶化率が低下してガラス相の割合が高くなり磁器の誘電損失が高くなるためであり、逆に、γ−Ａｌ2Ｏ3の含有量が６０重量％を越えると、難焼結性となり、１０００℃以下の焼成温度で緻密化することができないためである。γ−Ａｌ2Ｏ3の望ましい範囲は、低温焼成化の点で３〜３５重量％、特に５〜２０重量％である。
【００２４】
また、上記組成物中にはフィラーとして、γ−Ａｌ２Ｏ３以外にα−Ａｌ２Ｏ３（コランダム）、β−Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、Ｚｎ２ＴｉＯ４、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ等、特に低誘電損失化の点で、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＳｉＯ２、中でもＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、磁器の曲げ強度の向上および熱伝導率の向上の点α−Ａｌ２Ｏ３（コランダム）、β−Ａｌ２Ｏ３、特にα−Ａｌ２Ｏ３等の他の結晶相を含有してもよいが、上記組成物中のフィラー成分はγ−Ａｌ２Ｏ３も含めて総量で６０重量％以下であることが望ましい。
【００２５】
上記の態様の磁器組成物は、８００〜１０００℃の温度範囲での焼成によって相対密度９７％以上、特に９９％以上まで緻密化することができる。
【００２６】
また、本発明の高周波用磁器は、結晶相として、少なくともγ−Ａｌ2Ｏ3（γ−Ａｌ）と、少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｌを含むディオプサイド型結晶相であるＣａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｌ）2Ｏ6（ＤＩ）とを含有するものである。
【００２７】
また、上記磁器は、上記ディオプサイド型結晶相Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2Ｏ6（ＤＩ）のガラスからの析出すること割合が高いことが望ましく、また、それ以外に、Ｃａ2ＭｇＳｉ2Ｏ7（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、ＣａＭｇＳｉＯ4（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）等の類似の相が析出してもよく、また、ＳｒＯから（Ｃａ，Ｓｒ）ＳｉＯ3、ＳｒＳｉＯ3等が析出してもよい。
【００２８】
さらに、γ−Ａｌ2Ｏ3は、例えば、球状、針状、不定形等の粒状をなし、磁器中に分散して存在することが望ましく、また、焼成によってγ−Ａｌ2Ｏ3の一部が相変態したα−Ａｌ2Ｏ3が存在してもよい。
【００２９】
なお、磁器中には上記の結晶相の粒界に非晶質ガラス（Ｇ）が残存するが、非晶質ガラス（Ｇ）は誘電損失を低減するため、また曲げ強度向上の点で磁器中のガラスの存在割合を３０重量％以下、望ましくは１０重量％以下、特に５重量％以下、さらに２重量％以下に低めること、また、誘電損失の低減の点でガラス中のＳｉ成分の含有量がＳｉＯ２換算で５０重量％以上、特に６０重量％以上、さらに６５重量％以上であることが望ましい。
【００３０】
上記態様の磁器は、６０〜７７ＧＨｚにおける誘電損失が３０×１０-4以下、望ましくは１５×１０-4以下、特に１０×１０-4以下の高周波帯で誘電損失の小さいものであり、１ＧＨｚ以上、特に２０ＧＨｚ以上、さらには５０ＧＨｚ以上、またさらには７０ＧＨｚ以上の高周波用配線基板の絶縁層を形成するのに好適な磁器である。
【００３１】
また、上記磁器中のガラスの結晶化度を高めるとともに、フィラー成分を添加することによって磁器の熱伝導率を３Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高めることができる。
【００３２】
さらに、上記ディオプサイド型結晶相は、約８〜９×１０−６／℃の高熱膨張特性を有することから、上記組成のガラスよりディオプサイド型結晶相を析出させるとともに、少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３を特定量添加し、少なくともγ−Ａｌ２Ｏ３を析出させることにより、磁器の熱膨張係数を５×１０−６／℃以上、特に７×１０−６／℃以上に高めるとともに、磁器の誘電率を１０以下、特に８以下と低く、磁器の曲げ強度を２５０ＭＰａ以上、特に３００ＭＰａ以上に高めることが可能である。
【００３３】
すなわち、磁器の熱膨張係数は、実装するチップ部品等やプリント基板等の熱膨張係数に近似するように適宜調整することが望ましく、特に室温から４００℃における熱膨張係数が５×１０-6／℃以上、特に７×１０-6／℃以上、さらに８×１０-6／℃以上であることが望ましい。これは、上記の磁器の熱膨張係数が実装されるチップ部品等やプリント基板のそれと差がある場合、半田実装時や半導体素子の作動停止による繰り返し温度サイクルによって、チップ部品等やプリント基板とパッケージとの実装部に熱膨張差に起因する応力が発生し、実装部にクラック等が発生し、実装構造の信頼性を損ねてしまうためである。
【００３４】
具体的には、ＧａＡｓ系のチップ部品との整合を図る上ではＧａＡｓ系のチップ部品との熱膨張係数の差が２×１０-6／℃以下であり、一方、プリント基板との整合を図る上では、プリント基板との熱膨張係数の差が２×１０-6／℃以下であることが望ましい。なお、配線基板とプリント基板との実装については、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）やランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）等のように半田を介して直接プリント基板と実装される場合にとくに有効である。
【００３５】
さらに、本発明の磁器を配線基板の絶縁基板として用いる場合、誘電率が１０以下、特に８以下と低いために高周波伝送線路やアンテナの伝送損失を低めることができる。
【００３６】
また、磁器の曲げ強度を２５０ＭＰａ以上、特に３００ＭＰａ以上と高めることによって、半導体素子等の電子部品の実装時、または入出力端子部に施すリード接続時に磁器にかかる応力による破損等を防止することができる。
【００３７】
次に、本発明における高周波用磁器組成物を用い磁器を製造する方法について説明する。
【００３８】
まず、出発原料として、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯを含みディオプサイド型結晶相を析出可能な結晶化ガラス粉末４０〜９９重量％と、γ−Ａｌ2Ｏ3を１〜６０重量％との割合で秤量混合する。
【００３９】
なお、上記γ−Ａｌ2Ｏ3としては、球状、針状、不定形状等の粉末状であることが望ましく、その平均粒径が０．５μｍ以上、特に１〜３０μｍ、さらに１〜１０μｍであることが望ましく、該粉末中には低温焼成化の点で、例えばＳｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ等の不可避不純物が８重量％以下、特に１重量％以下含有されていてもよい。
【００４０】
そして、この混合粉末を用いてドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法の周知の成型法により所定形状の成形体を作製した後、該成形体を８００〜１０００℃の酸化性雰囲気または不活性雰囲気中で焼成することにより作製することができる。
【００４１】
ここで、焼成温度を上記範囲に限定した理由は、焼成温度が８００℃より低いと、磁器を緻密化できないとともにガラスの結晶化度が低く、高周波領域での誘電損失が増大するためであり、逆に１０００℃を越えると、ＣｕやＡｇ等の低抵抗金属との同時焼成ができないためである。なお、焼成時にγ−Ａｌ2Ｏ3の一部がα−Ａｌ2Ｏ3に相変態してもよい。
【００４２】
また、メタライズ配線層を具備する配線基板を作製するには、前記混合粉末に、適当な有機溶剤、溶媒を用い混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、金、銀のうちの少なくとも１種を含む金属ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、高周波信号が伝送可能な高周波線路パターン等に前記金属ペーストまたは上記金属からなる金属箔を用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法、転写法などによって配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように、印刷塗布または転写する。
【００４３】
その後、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着し、８００〜１０００℃の窒素ガスや窒素−酸素混合ガス等の雰囲気で焼成することにより、高周波用配線基板を作製することができる。
【００４４】
そして、この配線基板の表面には、適宜半導体素子等のチップ部品が搭載され配線層と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、配線層上に直接搭載させて接続させたり、あるいは樹脂、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−ガラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金属、セラミックス等の厚み５０μｍ程度の接着剤によりチップ部品を絶縁基板表面に固着し、ワイヤーボンディング、ＴＡＢテープなどにより配線層と半導体素子とを接続したりする。
【００４５】
なお、半導体素子としては、Ｓｉ系やＧａＡｓ系等のチップ部品が使用できるが、特に熱膨張係数の近似の点で、ＧａＡｓ系のチップ部品の実装に有効である。
【００４６】
さらに、半導体素子が搭載された配線基板表面に、絶縁基板と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなり、電磁波遮蔽性を有するキャップをガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合してもよく、これにより半導体素子を気密に封止することができる。
【００４７】
（配線基板の構成）
本発明の磁器組成物を好適に使用しうる高周波用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの具体的な構造とその実装構造について図１をもとに説明する。図１は、半導体素子収納用パッケージＡ、特に、接続端子がボール状端子からなるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型パッケージの概略断面図である。図１によれば、パッケージＡは、絶縁材料からなる絶縁基板１と蓋体２によりキャビティ３が形成されており、そのキャビティ３内には、ＧａＡｓ等のチップ部品４が前述の接着剤等により実装されている。
【００４８】
また、絶縁基板１の表面および内部には、チップ部品４と電気的に接続された配線層５が形成されている。この配線層５は、高周波信号の伝送時に導体損失を極力低減するために、銅、銀あるいは金などの低抵抗金属を主成分とすることが望ましい。また、この配線層５に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合には、高周波信号が損失なく伝送されることが必要となるため、配線層５は周知のストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちの少なくとも１種から構成される。
【００４９】
さらに、図１のパッケージＡにおいて、絶縁基板１の底面には、接続用電極層６が被着形成されており、パッケージＡ内の配線層５と接続されている。そして、接続用電極層６には、半田などのロウ材７によりボール状端子８が被着形成されている。
【００５０】
また、上記パッケージＡを外部回路基板に実装するには、図１に示すように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの有機樹脂を含む絶縁材料からなる絶縁基板９の表面に配線導体１０が形成された外部回路基板Ｂに対して、ロウ材を介して実装される。具体的には、パッケージＡにおける絶縁基板１の底面に取付けられているボール状端子８と、外部回路基板Ｂの配線導体１０とを当接させてＰｂ−Ｓｎなどの半田１１によりロウ付けして実装される。また、ボール状端子８自体を溶融させて配線導体１０と接続させてもよい。
【００５１】
さらに、図１によれば、ボール状端子を用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、ボール状端子を用いず半田にて直接パッケージＡの底面に形成された導体と外部回路基板Ｂの配線導体１０とを接続することもできる。
【００５２】
本発明によれば、ＧａＡｓ等のチップ部品４のロウ付けや接着剤により実装したり、このようなボール状端子８を介在したロウ付けによりプリント基板等の外部回路基板に実装されたりするような表面実装型パッケージにおいて、ＧａＡｓ等のチップ部品や外部回路基板の絶縁基板との熱膨張差を従来のセラミック材料よりも小さくできることから、かかる実装構造に対して、熱サイクルが印加された場合においても実装部での応力の発生を抑制することができる結果、実装構造の長期信頼性を高めることができる。
【００５３】
【実施例】
下記の組成
ガラスＡ：ＳｉＯ２５０．２重量％−Ａｌ２Ｏ３５．０重量％−ＭｇＯ１６．１重量％−ＣａＯ１５．１重量％−ＳｒＯ１３．６重量％
ガラスＢ：ＳｉＯ２４７．５重量％−Ａｌ２Ｏ３４．８重量％−ＭｇＯ１６．８重量％−ＣａＯ１４．２重量％−ＳｒＯ１６．７重量％
ガラスＣ：ＳｉＯ２５２．０重量％−Ａｌ２Ｏ３５．０重量％−ＭｇＯ１８．０重量％−ＣａＯ２５．０重量％
ガラスＤ：ＳｉＯ２１０．４重量％−Ａｌ２Ｏ３２．５重量％−Ｂ２Ｏ３４５．３重量％−ＣａＯ３５．２重量％−Ｎａ２Ｏ６．６重量％
からなる平均粒径２μｍのＳｒＯを含みディオプサイド型結晶相が析出可能なガラス粉末２種（ガラスＡ、Ｂ）と、ＳｒＯを含まずディオプサイド型結晶相が析出可能なガラス粉末Ｃと、ディオプサイド型結晶相が析出しないガラス粉末Ｄを準備した。
【００５４】
そして、上記ガラスに対して表１、２のフィラー（純度９９％）を添加した。なお、各フィラーの平均粒径は、γ−Ａｌ2Ｏ3粉末については１μｍ、それ以外については２μｍの粉末を用いた。
【００５５】
さらに、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを１０〜１５枚積層し、５０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００℃で脱バインダ処理を行った後、乾燥窒素中で表１、２の焼成温度で２時間焼成し絶縁基板用磁器を得た。
【００５６】
得られた磁器について、アルキメデス法により気孔率を測定した後、誘電率、誘電損失を以下の方法で評価した。測定は形状、直径２〜７ｍｍ、厚み１．５〜２．５ｍｍの形状に切り出し、６０ＧＨｚにてネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパーを用いて誘電体円柱共振器法により行った。測定では、ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共振器の励起を行い、ＴＥ021、ＴＥ031モードの共振特性より、誘電率、誘電損失を算出した。
【００５７】
また、室温から４００℃における熱膨張曲線をとり、熱膨張係数を算出した。さらに、焼結体中における結晶相をＸ線回折チャートから同定した。
【００５８】
また、磁器中のガラス相の比率をリートベルト法より評価した。具体的には、評価する磁器を粉砕した後、内部標準試料としてＺｎＯを所定の比率で添加し、エタノールを加えて湿式混合した。これを乾燥した後、Ｘ線回折測定を行い、ＺｎＯの添加比率と、リートベルト法によって得られるＺｎＯと磁器中の結晶相との比率から磁器中に存在するガラス相の比率を算出した。また、ＴＥＭによりガラス相中のＳｉの比率を測定してＳｉＯ2換算での比率を算出した。
【００５９】
さらに、ＪＩＳＲ１６０１に基づいて磁器の４点曲げ強度を測定し、１ｍｍ厚みの試料に対してレーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。また、ＪＩＳＲ１６０２−１９９５に準じて超音波パルス法によりヤング率を測定した。結果は表１、２に示した。
【００６０】
【表１】
0003793559.tif 000002
【００６１】
【表２】
0003793559.tif 000003
【００６２】
表１、２の結果から明らかなように、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯを含むガラスＡ、Ｂの量が、４０重量％より少ない試料Ｎｏ．１、２０では、低温で焼結することが困難であり、相対密度９７％以上には緻密化しなかった。
【００６３】
また、γ−Ａｌ２Ｏ３の添加量が１重量％よりも少ない試料Ｎｏ．１０、２４では、磁器中のガラス相の比率が高く、誘電損失が高くなり、また磁器の曲げ強度が低下した。さらに、γ−Ａｌ２Ｏ３に代えてα−Ａｌ２Ｏ３またはムライトのみを添加した試料Ｎｏ．１１、１２でも、磁器中のガラス相の比率が高く、誘電損失の高いものであった。
【００６４】
また、ガラスとして、ＳｒＯを含まずディオプサイド型結晶相が析出可能なガラスＣを用いた試料Ｎｏ．２９では、１０００℃以下の低温で磁器を緻密化させることができず、Ｂ２Ｏ３を多く含むガラスＤを用いた試料Ｎｏ．３０は溶融してしまい、また、試料Ｎｏ．３１では、ホウ素を含むガラスが多く残留し、誘電損失が大きくなる傾向にあった。
【００６５】
これに対して、本発明に従い、特定量のγ−Ａｌ２Ｏ３を添加した試料では、磁器中にγ−Ａｌ２Ｏ３の析出が見られ、また、いずれも６０ＧＨｚにおける誘電損失が３０×１０−４以下、熱膨張係数が５×１０−６／℃以上、誘電率が１２以下、曲げ強度が２５０ＭＰａ以上の優れた特性を有するものであり、高周波信号を伝送するための配線基板として、また、ＧａＡｓ等のチップ部品およびプリント基板等への実装信頼性を高めることができることがわかった。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の高周波用磁器組成物によれば、１０００℃以下の低温にて焼成できることから、銅などの低抵抗金属による配線層を形成でき、しかも６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下と誘電損失が低いことから、１ＧＨｚ以上の高周波領域において高周波信号を極めて良好に損失なく伝送することができる。
【００６７】
しかも、この組成物を用いて得られる磁器は、曲げ強度が２５０ＭＰａ以上と高く、誘電率が１０以下で、かつＧａＡｓチップあるいはプリント基板と近似した熱膨張特性に制御できることから、特に配線基板の絶縁基板として優れた特性を有するとともに、ＧａＡｓチップを実装した場合、あるいは有機樹脂を含む絶縁基板を具備するプリント基板などのマザーボードに対してロウ材等により実装した場合において優れた耐熱サイクル性を有し、高信頼性の実装構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の組成物を焼成した磁器を用いた高周波用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの実装構造の一例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ  半導体素子収納用パッケージ
Ｂ  外部回路基板
１  絶縁基板
２  蓋体
３  キャビティ
４  チップ部品
５  配線層
６  接続用電極層
７  ロウ材
８  ボール状端子
９  絶縁基板
１０  配線導体
１１  ロウ材
【図１】
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