(57)【要約】【課題】弾性波素子のＱ値向上を可能とするような接合体を提供することである。【解決手段】接合体９Ａは、支持基板６、圧電性材料基板１Ａ、および支持基板と圧電性材料基板との間の珪素酸化物層２を備える。珪素酸化物層２がＳｉＯｘ（ｘは２より大きい）の組成を有する。【選択図】        図３
2021002047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、
圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板との間の珪素酸化物層を備えており、
前記珪素酸化物層がＳｉＯｘ（ｘは2より大きい）の組成を有することを特徴とする、接合体。
【請求項２】
ｘが２．０３≦ｘ≦２．５０を満足することを特徴とする、請求項１記載の接合体。
【請求項３】
前記珪素酸化物層の厚さが１００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２記載の接合体。
【請求項４】
前記圧電性材料基板と前記支持基板との間に、Ｓｉ（１−ｖ）Ｏｖ（０．００８≦ｖ≦０．４０８）の組成を有する接合層を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の接合体、および
前記圧電性材料基板上に設けられた電極
を備えていることを特徴とする、弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電性材料基板と支持基板との接合体および弾性波素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等に使用されるフィルタ素子や発振子として機能させることができる弾性表面波デバイスや、圧電薄膜を用いたラム波素子や薄膜共振子（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波デバイスが知られている。こうした弾性波デバイスとしては、支持基板と弾性表面波を伝搬させる圧電基板とを貼り合わせ、圧電基板の表面に弾性表面波を励振可能な櫛形電極を設けたものが知られている。このように圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板を圧電基板に貼付けることにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制し、弾性表面波デバイスとしての周波数特性の変化を抑制している。【０００３】
圧電基板とシリコン基板とを接合するのに際して、圧電基板表面に酸化珪素膜を形成し、酸化珪素膜を介して圧電基板とシリコン基板とを直接接合することが知られている（特許文献１）。この接合の際には、酸化珪素膜表面とシリコン基板表面とにプラズマビームを照射して表面を活性化し、直接接合を行う（プラズマ活性化法）。【０００４】
また、いわゆるＦＡＢ(Fast Atom Beam)方式の直接接合法が知られている（特許文献２）。この方法では、中性化原子ビームを常温で各接合面に照射して活性化し、直接接合する。【０００５】
また、圧電性単結晶基板と支持基板間に、Ｔａ２Ｏ５等からなる中間層を設け、中間層と支持基板に対してそれぞれ中性化ビームを照射する事で表面を活性化し、直接接合することが提案されている（特許文献３）。【０００６】
特許文献４では、支持基板と圧電性材料基板との間に、ＳｉＯ２層やＴａ２Ｏ５層を複数積層した多層膜を設けた構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７２１３３１４Ｂ２
【特許文献２】特開２０１４−０８６４００
【特許文献３】WO  2017/163722  A1
【特許文献４】WO  2018/154950  A1
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献３の弾性波素子では、Q値等の特性改善が見られた。【０００９】
また、特許文献４記載のように、支持基板と圧電性材料基板との間に、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５の多層膜を挿入した弾性波素子では、圧電性材料基板から支持基板へと向かって漏れる弾性波を多層膜で反射し、ロス低減を図っている。しかし、昨今の技術進歩に伴い、更なるＱ値の向上が望まれている。【００１０】
本発明の課題は、弾性波素子の更なるＱ値向上を可能とするような接合体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、支持基板、
圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板との間の珪素酸化物層を備えており、
前記珪素酸化物層がＳｉＯｘ（ｘは２より大きい）の組成を有することを特徴とする、接合体に係るものである。【００１２】
本発明は、前記接合体、および
前記圧電性材料基板上に設けられた電極
を備えていることを特徴とする、弾性波素子に係るものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明者は、特許文献４記載のように、支持基板と圧電性材料基板との間に、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５の多層膜を挿入した弾性波素子では、Ｑ値向上に今だ限界がある理由を検討した。【００１４】
この結果、本発明者は、圧電性材料基板と支持基板との間に、酸素リッチな組成の珪素酸化物層を設けることを想到し、こうした接合体およびこれを用いた弾性波素子を実際に試作してみた。この結果、Ｑ値が更に改善することを見いだした。特に中周波帯（４Ｇ帯）においても、高いＱ値が得られることを見いだし、本発明に到達した。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、圧電性材料基板１上に珪素酸化物層２を設けた状態を示し、（ｂ）は、珪素酸化物層２上に接合層３を設けた状態を示し、（ｃ）は、接合層３の表面を活性化した状態を示す。
【図２】（ａ）は、支持基板６の表面を活性化した状態を示し、（ｂ）は、支持基板と圧電性材料基板との接合体９を示す。
【図３】（ａ）は、接合体９Ａの圧電性材料基板１Ａを加工によって薄くした状態を示し、（ｂ）は、接合体９Ａに電極を設けた状態を示す。
【図４】（ａ）は、珪素酸化物層２上に設けた接合層３と、支持基板６上に設けた接合層１４を直接接合して得られた接合体９Ｂを示し、（ｂ）は、接合体９Ｂの圧電性材料基板１Ａ上に電極１１を設けて得られた弾性波素子１０Ｂを示す。
【図５】（ａ）は、珪素酸化物層２と支持基板６とを直接接合して得られた接合体９Ｃを示し、（ｂ）は、接合体９Ｃの圧電性材料基板１Ａ上に電極を設けた状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
図１（ａ）に示すように、圧電性材料基板１は一対の表面１ａと１ｂとを有する。この一方の表面１ａに珪素酸化物層２を成膜する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、珪素酸化物層２の表面２ａに接合層３を更に設けることができる。この場合には、図１（ｃ）に示すように、接合層３の表面３ａに対して矢印Ａのように中性化ビームを照射し、接合層３の表面を活性化して活性化面４とすることができる。
【００１８】
一方、図２（ａ）に示すように、支持基板６の表面に対して、矢印Ｂのように中性化ビームを照射し、支持基板６の表面を活性化して活性化面６ａとする。次いで、図２（ｂ）に示すように、第一の接合層３の活性化面４と支持基板６の活性化面６ａとを直接接触させ、圧力を加えることで、図２（ｂ）に示すように接合体９を得る。矢印Ｃは接合境界である。
【００１９】
好適な実施形態においては、接合体９の圧電性材料基板１の表面１ｂを更に研磨加工し、図３（ａ）に示すように圧電性材料基板１Ａの厚さを小さくし、接合体９Ａを得る。１ｃは研磨面である。図３（ｂ）では、圧電性材料基板１Ａの研磨面１ｃ上に所定の電極１１を形成することによって、弾性波素子１０Ａを作製している。
【００２０】
好適な実施形態においては、支持基板上にも接合層を設け、多層膜上の接合層と直接接合する。これによって、図４（ａ）に示すような接合体９Ｂが得られる。接合面を矢印Ｃによって示す。図４（ｂ）に示すように、この接合体の圧電性材料基板１Ａ上に電極１１を設けることによって、弾性波素子１０Ｂを得ることができる。
【００２１】
また、好適な実施形態においては、支持基板と多層膜とを直接接合する。これによって、図５（ａ）に示すような接合体９Ｃが得られる。接合面を矢印Ｃによって示す。図５（ｂ）に示すように、この接合体の圧電性材料基板１Ａ上に電極１１を設けることによって、弾性波素子１０Ｃを得ることができる。
【００２２】
本発明において、支持基板と圧電性材料基板との間に設けられる珪素酸化物層は、ＳｉＯｘ（ｘが２より大きい）の組成を有する。
すなわち、珪素酸化物層を構成するＳｉＯｘにおいてｘを２より大きくする。ｘを２より大きくすることによって、弾性波素子に適用した場合にＱ値が高くなる。この観点からは、ｘは２．０３以上とすることが好ましく、２．０５以上とすることが更に好ましく、２．１０以上とすることが更に好ましい。また、ｘが２．５０を超えると、かえってＱ値が低下するので、２．５０以下とするが、２．４５以下とすることが好ましく、２．４０以下とすることが更に好ましい。
【００２３】
珪素酸化物層の組成は、以下のようにして測定する。
珪素酸化物層を実施する条件にて、Si基板上に150nmの厚さで成膜条件を変更して珪素酸化物層を実施する。その後、RBS（Rutherford  Backscattering  Spectrometry）法にてNational Electrostatics  Corporation製  Pelletron  3SDHにてRBSスペクトルを取得し、理論計算により求めたスペクトルから算出している。SiOｘの場合、以下の測定条件にて実施している。
入射イオン：4He++
入射エネルギー：2300keV
入射角：0deg
散乱角：160及び120deg
試料電流：7nA
ビーム径：2mmΦ
面内回転：無
照射量：60μC
【００２４】
珪素酸化物層の成膜方法は限定されないが、スパッタリング(sputtering)法、化学的気相成長法（CVD）、蒸着を例示できる。ここで、特に好ましくは、スパッタターゲットをＳｉとした反応性スパッタリングの際に、チャンバー内に流す酸素ガス量を調整することによって、各層の酸素比率をコントロールすることが可能である。
【００２５】
珪素酸化物層の具体的な製造条件はチャンバー仕様によるので適宜選択するが、好適例では、全圧を０．２８〜０．３４Ｐａとし、酸素分圧を１．２×１０―３〜５．７×１０−２Ｐａとし、成膜温度を常温から２００℃までの間とする。
【００２６】
本発明においては、珪素酸化物層を圧電性材料基板と支持基板との間に設ける。前述の例では、圧電性材料基板１上に珪素酸化物層２を設けるが、支持基板６上に珪素酸化物層２を設けてもよい。また、珪素酸化物層を二層以上設けることもできる。
【００２７】
好適な実施形態においては、圧電性材料基板と支持基板との間に、一層または複数層の接合層を設けることができる。こうした接合層の材質としては、以下を例示できる。
Ｓｉ（１−ｖ）Ｏｖ、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５，ＴｉＯ２。
【００２８】
更に好適な実施形態においては、支持基板と圧電性材料基板との間に設けられる前記接合層が、Ｓｉ（１−ｖ）Ｏｖ（０．００８≦ｖ≦０．４０８）の組成を有する。
【００２９】
この組成は、ＳｉＯ２（ｖ＝０．６６７に対応する）に比べて酸素比率がかなり低くされている組成である。このような組成の珪素酸化物Ｓｉ（１−ｖ）Ｏｖからなる接合層を更に介在させることで、接合層における絶縁性を更に高くすることができる。
【００３０】
各接合層を構成するＳｉ（１−ｖ）Ｏｖの組成において、ｖが０．００８未満であると、接合層における電気抵抗が低くなる。このため、ｖを０．００８以上とすることが好ましく、０．０１０以上が更に好ましく、０．０２０以上が特に好ましく、０．０２４以上が特に好ましい。またｖを０．４０８以下とすることによって、接合強度が更に向上するので、ｖを０．４０８以下とすることが好ましく、０．２２５以下とすることが更に好ましい。
【００３１】
各接合層の厚さは、特に限定されないが、製造コストの観点からは０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０１〜０．５μｍが更に好ましい。
【００３２】
各接合層の成膜方法は限定されないが、スパッタリング(sputtering)法、化学的気相成長法（CVD）、蒸着を例示できる。ここで、特に好ましくは、スパッタターゲットをＳｉとした反応性スパッタリングの際に、チャンバー内に流す酸素ガス量を調整することによって、各接合層の酸素比率（ｖ）をコントロールすることが可能である。
【００３３】
各接合層の具体的な製造条件はチャンバー仕様によるので適宜選択するが、好適例では、全圧を０．２８〜０．３４Ｐａとし、酸素分圧を１．２×１０―３〜５．７×１０−２Ｐａとし、成膜温度を常温とする。また、ＳｉターゲットとしてはＢドープＳｉを例示できる。
接合層の酸素濃度はＥＤＳによって以下の条件で測定する。
測定装置：
元素分析装置（日本電子  JEM-ARM200F）を用いて元素分析を行う。
測定条件：
ＦＩＢ（集束イオンビーム）法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧２００ｋＶにて観察する。
【００３４】
本発明では、支持基板は、単結晶からなっていてよく、多結晶からなっていてもよい。支持基板の材質は、好ましくは、シリコン、サイアロン、サファイア、コージェライト、ムライトおよびアルミナからなる群より選ばれる。アルミナは好ましくは透光性アルミナである。
【００３５】
シリコンは、単結晶シリコンでも多結晶シリコンでもよく、また高抵抗シリコンであってもよい。
【００３６】
サイアロンは、窒化珪素とアルミナとの混合物を焼結して得られるセラミックスであり、以下のような組成を有する。
Ｓｉ６−ｗＡｌｗＯｗＮ８−ｗ
すなわち、サイアロンは、窒化珪素中にアルミナが混合された組成を有しており、ｗがアルミナの混合比率を示している。ｗは、０．５以上が更に好ましい。また、ｗは、４．０以下が更に好ましい。
【００３７】
サファイアはＡｌ２Ｏ３の組成を有する単結晶であり、アルミナはＡｌ２Ｏ３の組成を有する多結晶である。コージェライトは、2MgO・2Al2O3・5SiO2の組成を有するセラミックスである。ムライトは、3Al2O3・2SiO2〜2Al2O3・SiO2の範囲の組成を有するセラミックスである。
【００３８】
圧電性材料基板の材質は、必要な圧電性を有する限り限定されないが、ＬｉＡＯ３の組成を有する単結晶が好ましい。ここで、Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である。このため、ＬｉＡＯ３は、ニオブ酸リチウムであってよく、タンタル酸リチウムであってよく、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体であってよい。
【００３９】
以下、本発明の各構成要素について更に説明する。
本発明の接合体の用途は特に限定されず、例えば、弾性波素子や光学素子に好適に適用できる。
弾性波素子としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子（ＦＢＡＲ）などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のＩＤＴ（Interdigital  Transducer）電極（櫛形電極、すだれ状電極ともいう）と弾性表面波を受信する出力側のＩＤＴ電極とを設けたものである。入力側のＩＤＴ電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電性材料基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のＩＤＴ電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
【００４０】
圧電性材料基板の底面に金属膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとしてラム波素子を製造した際に、圧電性材料基板の裏面近傍の電気機械結合係数を大きくする役割を果たす。この場合、ラム波素子は、圧電性材料基板の表面に櫛歯電極が形成され、支持基板に設けられたキャビティによって圧電性材料基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、金などが挙げられる。なお、ラム波素子を製造する場合、底面に金属膜を有さない圧電性性材料層を備えた複合基板を用いてもよい。
【００４１】
また、圧電性材料基板の底面に金属膜と絶縁膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとして薄膜共振子を製造した際に、電極の役割を果たす。この場合、薄膜共振子は、圧電性材料基板の表裏面に電極が形成され、絶縁膜をキャビティにすることによって圧電性材料基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えば、モリブデン、ルテニウム、タングステン、クロム、アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁膜の材質としては、例えば、二酸化ケイ素、リンシリカガラス、ボロンリンシリカガラスなどが挙げられる。
【００４２】
また、光学素子としては、光スイッチング素子、波長変換素子、光変調素子を例示できる。また、圧電性材料基板中に周期分極反転構造を形成することができる。
【００４３】
本発明の対象が弾性波素子であり、圧電性材料基板の材質がタンタル酸リチウムである場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に３６〜４７°（例えば４２°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。
また圧電性材料基板がニオブ酸リチウムからなる場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に６０〜６８°（例えば６４°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。更に、圧電性材料基板の大きさは、特に限定されないが、例えば、直径５０〜１５０ｍｍ，厚さが０．２〜６０μｍである。
【００４４】
本発明の接合体を得るためには、以下の方法が好ましい。
まず、接合すべき表面（多層膜の表面、接合層の表面、圧電性材料基板の表面、支持基板の表面）を平坦化して平坦面を得る。ここで、各表面を平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面は、Ra≦1nmが好ましく、0.3nm以下にすると更に好ましい。
【００４５】
次いで、研磨剤の残渣や加工変質層の除去のため、各接合層の各表面を洗浄する。表面を洗浄する方法は、ウエット洗浄、ドライ洗浄、スクラブ洗浄などがあるが、簡便かつ効率的に清浄表面を得るためには、スクラブ洗浄が好ましい。この際には、洗浄液としてサンウオッシュLH540を用いた後に、アセトンとＩＰＡの混合溶液を用いてスクラブ洗浄機にて洗浄することが特に好ましい。
【００４６】
次いで、各接合面に中性化ビームを照射することで、各接合面を活性化する。
中性化ビームによる表面活性化を行う際には、特許文献２に記載のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、照射することが好ましい。すなわち、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用する。そして、チャンバーに不活性ガスを導入し、電極へ直流電源から高電圧を印加する。これにより、電極（正極）と筺体（負極）との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子ｅが運動して、不活性ガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。ビームを構成する原子種は、不活性ガス（アルゴン、窒素等）が好ましい。
ビーム照射による活性化時の電圧は0.5〜2.0kVとすることが好ましく、電流は50〜200mAとすることが好ましい。
【００４７】
次いで、真空雰囲気で、活性化された接合面同士を接触させ、接合する。この際の温度は常温であるが、具体的には40℃以下が好ましく、30℃以下が更に好ましい。また、接合時の温度は20℃以上、25℃以下が特に好ましい。接合時の圧力は、100〜20000Nが好ましい。
【実施例】
【００４８】
図１〜図３を参照しつつ説明した方法により、弾性表面波素子を試作した。
具体的には、ＯＦ部を有し、直径が４インチ，厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）を、圧電性材料基板１として使用した。ＬＴ基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。圧電性材料基板１の表面１ａは、算術平均粗さＲａが０．３ｎｍとなるように鏡面研磨しておいた。ただし、Ｒａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって１０μｍ×１０μｍの視野で測定する。【００４９】
次いで、圧電性材料基板１上に、スパッタリング法によって、珪素酸化物層２を成膜した。ただし、珪素酸化物層２の組成ＳｉＯｘは、表１に示すように変更した。珪素酸化物層２の厚さは３００ｎｍとした。珪素酸化物層２の成膜方法は前述したようにした。具体的には、直流スパッタリング法を使用し、ターゲットにはボロンドープのＳｉを使用した。また、酸素源として酸素ガスを導入した。この際、酸素ガス導入量を調節することによって、チャンバー内の雰囲気の全圧と酸素分圧を調節した。珪素酸化物層の組成は、雰囲気中の酸素比率を変更することで調節した。【００５０】
次いで、珪素酸化物層２上に、接合層３として、Si(1-x)Ox(x＝０．１０) (50nm)を成膜した。具体的には、直流スパッタリング法を使用し、ターゲットにはボロンドープのＳｉを使用した。また、酸素源として酸素ガスを導入した。この際、酸素ガス導入量を調節することによって、チャンバー内の雰囲気の全圧と酸素分圧を調節した。接合層３の表面の算術平均粗さＲａは０．２〜０．６ｎｍであった。次いで、接合層３を化学機械研磨加工（CMP）し、膜厚を８０〜１９０ｎｍとし、Ｒａを０．０８〜０．４ｎｍとした。【００５１】
一方、支持基板６として、オリエンテーションフラット（ＯＦ）部を有し、直径が４インチ，厚さが５００μｍのシリコンからなる支持基板６を用意した。支持基板６の表面は、化学機械研磨加工（ＣＭＰ）によって仕上げ加工されており、算術平均粗さＲａは０．２ｎｍとなっている。【００５２】
次いで、接合層３の表面及び支持基板６であるＳｉ基板表面に中性化ビームを照射して表面を活性化して直接接合した。
具体的には、接合層３の表面と支持基板６の表面とを洗浄し、汚れを取った後、真空チャンバーに導入した。１０−６Ｐａ台まで真空引きした後、各表面に高速原子ビーム（加速電圧１ｋＶ、Ａｒ流量27ｓｃｃｍ）を120ｓｅｃ間照射した。ついで、接合層３のビーム照射面（活性化面）と支持基板６の活性化面とを接触させた後、10000Ｎで２分間加圧して接合した。次いで、得られた各例の接合体を１００℃で２０時間加熱した。【００５３】
次いで、圧電性材料基板１の表面を厚みが当初の２５０μｍから１μｍになるように研削及び研磨した。次いで、測定用電極パターンを形成し、弾性表面波素子を得た。そして、周波数２．０GHzでのQ値をそれぞれ測定し、表１に示す。【００５４】
ただし、Ｑ値は以下のようにして測定した。
ウエハー上に表面弾性波共振子を作成し、ネットワークアナライザーを用いて周波数特性を測定した。これにより得られた周波数特性から共振周波数fr、およびその半値幅Δfrを算出し、fr/Δfrを求めることでQ値を得た。【００５５】
【表１】
2021002047.tif 000003
【００５６】
表１に示すように、珪素酸化物層の組成ＳｉＯｘにおいて、比較例１、２ではｘ＝１．８８、１．９７としたが、いずれも同程度のＱ値となった。
一方、実施例１、２、３、４、５では、ｘ＝２．０１、２．０５、２．１３、２．２１、２．４５としたが、比較例１にくらべてQ値が大きく向上した。
比較例３では、ｘ＝２．５２であるが、比較例１にくらべてＱ値が劣化していた。この場合には、膜密度が低下していたものと思われる。
【図１】
2021002047.tif 000004
【図２】
2021002047.tif 000005
【図３】
2021002047.tif 000006
【図４】
2021002047.tif 000007
【図５】
2021002047.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月28日(2020.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、
圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板との間の珪素酸化物層を備えており、
前記珪素酸化物層がＳｉＯｘ（ｘは２．０１以上、２．５０以下）の組成を有することを特徴とする、接合体。
【請求項２】
ｘが２．０３≦ｘ≦２．５０を満足することを特徴とする、請求項１記載の接合体。
【請求項３】
前記珪素酸化物層の厚さが１００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２記載の接合体。
【請求項４】
前記圧電性材料基板と前記支持基板との間に、Ｓｉ（１−ｖ）Ｏｖ（０．００８≦ｖ≦０．４０８）の組成を有する接合層を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の接合体、および
前記圧電性材料基板上に設けられた電極
を備えていることを特徴とする、４Ｇ帯用弾性波素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、支持基板、
圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板との間の珪素酸化物層を備えており、
前記珪素酸化物層がＳｉＯｘ（ｘは２．０１以上、２．５０以下）の組成を有することを特徴とする、接合体に係るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、前記接合体、および
前記圧電性材料基板上に設けられた電極
を備えていることを特徴とする、４Ｇ帯用弾性波素子に係るものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明において、支持基板と圧電性材料基板との間に設けられる珪素酸化物層は、ＳｉＯｘ（ｘが２．０１以上、２．５０以下）の組成を有する。
すなわち、珪素酸化物層を構成するＳｉＯｘにおいてｘを２．０１以上とする。ｘを２．０１以上とすることによって、弾性波素子に適用した場合にＱ値が高くなる。この観点からは、ｘは２．０３以上とすることが好ましく、２．０５以上とすることが更に好ましく、２．１０以上とすることが更に好ましい。また、ｘが２．５０を超えると、かえってＱ値が低下するので、２．５０以下とするが、２．４５以下とすることが好ましく、２．４０以下とすることが更に好ましい。
【国際調査報告】
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