(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に、その表面からの熱放射線の強度によって温度を測定しながら、エピタキシャル成長膜を成長する気相成長方法において、
前記エピタキシャル成長膜の成長前に、該基板表面の一部を、その上に成長される前記エピタキシャル成長膜によって前記熱放射線の干渉が生じない程度に粗面化しておき、前記エピタキシャル成長膜の成長時に、前記粗面化された部分からの熱放射線の強度によって表面温度を測定することを特徴とする気相成長方法。
【請求項２】
基板表面上に、その表面からの熱放射線の強度によって温度を測定しながら、エピタキシャル成長膜を成長する気相成長方法において、
前記エピタキシャル成長前に、該基板表面の一部に、前記エピタキシャル成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料からなる薄膜を設けておき、前記エピタキシャル成長膜の成長時に、前記薄膜からの熱放射線の強度によって表面温度を測定することを特徴とする気相成長方法。
【請求項３】
前記薄膜は、前記成長膜と同じ材料からなる請求項２に記載の気相成長方法。
【請求項４】
前記粗面化された部分または前記薄膜を、複数個設けておく請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の気相成長方法。
【請求項５】
前記粗面化された部分または前記薄膜を、特定の形状に形成する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の気相成長方法。
【請求項６】
前記粗面化された部分または前記薄膜を設ける際に、同様の粗面化された部分または前記薄膜を、所定の位置に特定の間隔で配置するか、所定の位置に配置するか、または基板面方位に沿って配置する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザーや発光ダイオード等の半導体素子の製造に用いられる、基板表面にエピタキシャル成長膜を形成する気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
気相成長方法により得られるエピタキシャル成長膜において、その膜質や膜厚等は基板温度に極めて敏感に影響を受ける。従って、気相成長方法において、成長時の基板温度を正確にコントロールすることは、極めて重要である。この気相成長時の基板温度測定のために、放射温度計は従来から広く用いられている。この理由としては、放射温度計は物体からの熱放射線の強度から温度を測定する原理を有しているため、熱電対温度計のように熱伝導を利用する温度測定方法に比べて、（１）非接触であるために清浄に基板表面の温度を測定することができる、（２）熱放射線を利用するために高速に温度測定を行うことが可能である、（３）使用が簡単であるという利点を有しているからである。
【０００３】
気相成長時の基板温度測定法として放射温度計を用いる場合、気相成長装置は、一般に、図９に示すような構成となる。ここでは、反応管９１内部に設置されたサセプタ９２上に基板９３が配置され、そのほぼ直上に熱放射温度計の受光部９５を設置する。そして、反応管９１に設けられたのぞき窓９４から、加熱された基板９３の表面からの熱放射線をその受光部９５によって観測し、温度モニター９６で温度を読み取る構成となっている。この図９では、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）における横型炉の例を示しているが、他の気相成長法でも基本的には同様の構成である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、放射温度計は物体からの熱放射線の温度を測定し、温度をモニターする方式の温度計である。
【０００５】
ここで、基板と成長薄膜との屈折率が異なる場合、図１０に示すように、熱放射線１０１に、基板１０３とエピタキシャル成長膜１０２とによる干渉（干渉部１０４）が起こる。このため、実際の観測される放射線強度は、エピタキシャル成長膜１０２の膜厚増加に従って、
λ／２ｎ
［ｎ：エピタキシャル成長膜の屈折率、λ：放射温度計の観測波長］
の周期で振動してしまう。
【０００６】
例えば、ＧａＡｓ基板上に、厚み０．５μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚みＧａＡｓ層を成長する場合には、観測される基板温度は図１１のように振動する。
【０００７】
このような干渉現象のために、特に、成長初期の干渉が強い期間においては、正確な基板温度が測定できない。このため、例えば特開平４−１５５８１８号公報に記載されているように、成長初期においては放射温度計を使用せずに熱電対で温度をモニターし、干渉による影響が無視できるようになってから放射温度計に切り替えるといった方法を採用するしかなかった。
【０００８】
さらに、屈折率の異なる層を連続して成長する場合にも、図１２に示すように、基板１２３上に現在成長されているエピタキシャル成長膜１２５と、既に成長済みである下部のエピタキシャル成長膜１２２との間に、新たに強い干渉（干渉部１２４）が起こるため、観測される熱放射線１２１の強度の振幅が再び大きくなってしまう。従って、異なる屈折率を有する層を成長する毎に正確な基板温度の測定ができなくなってしまい、場合によっては成長中全般にわたって正確な基板温度測定ができないことも有り得る。
【０００９】
このことは、特に、半導体レーザー等のような多層構造を、基板温度を急速に変化させながら成長する必要がある場合などにおいては、非常に深刻な問題となる。
【００１０】
しかしながら、現状では、上述したような熱電対温度計を使用して対処するか、または経験的に温度を見積もる等の方法しか無く、成長中の正確な温度測定は不可能であった。
【００１１】
本発明はこのような従来技術の課題を解決すべくなされたものであり、気相成長中の全般にわたって正確に基板温度を測定することができ、成長膜の均一性や再現性等の制御性に優れた気相成長方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の気相成長方法は、基板表面上に、その表面からの熱放射線の強度によって温度を測定しながら、エピタキシャル成長膜を成長する気相成長方法において、成長前に、成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を該基板表面の一部に予め設けておき、その部分からの熱放射線の強度によって表面温度を測定し、そのことにより上記目的が達成される。
【００１３】
前記基板表面の一部を、成長膜による熱放射線の干渉が生じない程度に粗面化しておいてもよい。
【００１４】
前記基板表面の一部に、その上に成長膜がエピタキシャル成長しない材料からなる薄膜を設けておいてもよい。
【００１５】
前記基板表面の一部に、成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料からなる薄膜を設けておいてもよい。
【００１６】
前記薄膜は、前記成長膜と同じ材料からなっていてもよい。
【００１７】
前記成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、複数個設けておいてもよい。
【００１８】
前記成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、特定の形状に形成してもよい。
【００１９】
前記成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、特定の間隔で配置するか、特定の位置に配置するか、または基板面方位に沿って配置してもよい。
【００２０】
以下、本発明の作用について説明する。
【００２１】
本発明にあっては、成長前に成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を該基板表面の一部に予め設けておくので、その部分では干渉による熱放射線の強度の振動が生じない。よって、その部分からの熱放射線を観測することにより、成長中全般にわたって正確な基板温度を測定可能である。
【００２２】
基板表面の一部を粗面化しておけば、その上の成長膜は均一な平面として成長しないので、その部分では熱放射線の干渉が起こらない。
【００２３】
基板表面の一部に、その上に成長膜がエピタキシャル成長しない材料からなる薄膜を設けておけば、その上の成長膜は均一に成長しないので、その部分では熱放射線の干渉が起こらない。
【００２４】
基板表面の一部に、成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料からなる薄膜を設けておけば、その部分では成長膜とその下部の薄膜との間で熱放射線の干渉が起こらない。この薄膜としては、例えば成長膜と同じ材料のものを用いることができる。
【００２５】
このような成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、複数個設けておけば、基板上の複数位置の温度測定が可能となる。また、この部分は、位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナー、さらに、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能であり、他の工程にそのまま利用することも可能である。
【００２６】
この成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、凹凸を含む図形や数字等の特定の形状に形成しておけば、この部分を位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナー、さらに、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能であり、他の工程にそのまま利用することも可能である。
【００２７】
さらに、この成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、特定の間隔で配置するか、特定の位置に配置するか、または基板面方位に沿って配置してもよく、この場合にも、この部分を位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナー、さらに、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能であり、他の工程にそのまま利用することも可能である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の実施形態では、気相成長装置としてはＭＯＣＶＤ装置を使用し、放射温度計としてはＳｉを受光素子とした測定波長０．９５μｍのものを使用した例について説明するが、本発明はこれに限られず、気相成長法として分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法や原子層エピタキシー（ＡＬＥ）法等の他の気相成長法を用いた場合や、放射温度計として他の測定波長を用いたり、ＧｅやＩｎＧａＡｓ等を受光素子としたものを用いた場合についても同様に適用可能である。さらに、基板や成長層の材料系についても、以下に示したものに限られず、例えばＩｎＧａＡｌＰ系やＧａＮ系等の化合物半導体であってもよく、また、Ｓｉ等の半導体結晶等を用いた場合についても同様に適用可能である。
【００２９】
（実施形態１）
本実施形態では、基板表面の一部を、予め粗面化してエピタキシャル成長を行った例について説明する。
【００３０】
まず、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１３表面上に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてエッチングマスクを設け、過酸化水素水を用いて基板表面の中心部に直径５ｍｍの円状に粗面化領域１４を設けた。
【００３１】
このように処理を行った基板を、図９に示したようなＭＯＣＶＤ装置に導入し、この基板上に、厚み０．５μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚み０．３μｍのＧａＡｓ層を成長して、エピタキシャル成長膜１２とした。
【００３２】
成長中、基板中心の粗面化領域を放射温度計にてモニターした。そのときの放射温度計の信号は図２に示すようなものであり、成長中でも放射温度計の信号は振動しなかった。従って、成長中全般にわたって正確な基板表面温度を測定することができた。
【００３３】
このように基板表面温度を正確に測定することができた理由は、以下の通りである。本実施形態においては、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１３表面に粗面化領域１４を設けており、その粗面化領域１４上ではエピタキシャル成長膜１２が鏡面に成長しない。従って、粗面化領域１４上ではエピタキシャル成長膜１２とＧａＡｓ基板１３との界面は粗面であり、この領域１４上では基板表面１３から放射される熱放射線１１は干渉効果を起こすことがない。その結果、成長中全般にわたって放射温度計の強度は振動せず、正確に基板表面温度を測定することができるのである。
【００３４】
なお、本実施形態では、基板表面を粗面化するために過酸化水素水を用いてエッチングを行ったが、塩酸や王水等、非鏡面が得られるエッチャントであれば、他のものを用いてもよい。また、研磨や加熱等、その他の方法を用いて粗面化を行ってもよい。このときの粗面化の程度は、その上の成長膜が鏡面に成長しない程度であればよく、その表面凹凸の大きさは放射温度計の測定波長と同程度から数倍程度であるのが好ましい。また、基板表面において粗面化される領域は、放射温度計で測定するために充分な大きさであればよい。
【００３５】
（実施形態２）
本実施形態では、基板表面の一部に、予めその上に成長膜がエピタキシャル成長しない材料からなる薄膜を設けてエピタキシャル成長を行った例について説明する。
【００３６】
まず、図３に示すように、ＧａＡｓ基板２３表面上に、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により厚み２００ｎｍのＳｉＯ2薄膜を蒸着した。その後、通常のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて、基板表面の中心部のみに直径５ｍｍの円状にＳｉＯ2薄膜２４が残るようにして、その他の部分のＳｉＯ2薄膜を除去した。
【００３７】
このように処理を行った基板を、図９に示したようなＭＯＣＶＤ装置に導入し、この基板上に、厚み１．０μｍのＧａＡｓ層、厚み０．５μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚み０．３μｍのＧａＡｓ層を成長して、エピタキシャル成長膜２２とした。
【００３８】
成長中、基板中心のＳｉＯ2薄膜を残した領域を放射温度計にてモニターした。そのときの放射温度計の信号は図４に示すようなものであり、成長中でも放射温度計の信号は振動しなかった。従って、成長中全般にわたって正確な基板表面温度を測定することができた。
【００３９】
このように基板表面温度を正確に測定することができた理由は、以下の通りである。本実施形態においては、図３に示すように、ＧａＡｓ基板２３表面にＳｉＯ2薄膜２４を設けており、その領域上に成長したＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓ（エピタキシャル成長膜２２）はエピタキシャル成長せずに多結晶状態２５で成長し、その表面は鏡面に成長せずに粗面となる。従って、この領域上では基板表面２３から放射される熱放射線２１は干渉効果を起こすことがない。その結果、成長中全般にわたって放射温度計の強度は振動せず、正確に基板表面温度を測定することができるのである。
【００４０】
なお、本実施形態では、ＳｉＯ2薄膜をプラズマＣＶＤ法により蒸着したが、スパッタリングやスピンコート法等の手法を用いてもよい。また、基板に予め設けておく薄膜としては、ＳｉＯ2に限らず、その上で成長膜がエピタキシャル成長せずに多結晶状態になり、その結果、熱放射線の干渉を防ぐことができる材料であれば、他のものであってもよい。このときの薄膜の厚みについては、成長層の温度を測定するという観点から、熱放射線の干渉を防ぐことさえできれば、できるだけ薄い方が好ましい。基板表面において薄膜を形成する領域は、放射温度計で測定するために充分な大きさであればよい。
【００４１】
（実施形態３）
本実施形態では、基板表面の一部に、予め、成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料として、成長膜と同じ材料からなる薄膜を設けてエピタキシャル成長を行った例について説明する。
【００４２】
まず、図５に示すように、ＧａＡｓ基板３３上に、ＭＯＣＶＤ法により第１回目のエピタキシャル成長膜３２として、厚み０．５μｍのｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層、厚み０．１μｍのＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ層、厚み０．２μｍのｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層、厚み０．００３μｍのｐ−ＧａＡｓ層、厚み１．２μｍのｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚み０．８μｍのｐ−ＧａＡｓ層を順次積層した。
【００４３】
次に、通常のフォトリソグラフィ技術によりエッチングマスクを設け、選択エッチング液を用いて、厚み１．２μｍのｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚み０．８μｍのｐ−ＧａＡｓ層をリッジとしたリッジストライプ３６を１０００μｍ周期で形成した。このとき、リッジストライプ３６部分以外のウェハ最表面は、厚み０．００３μｍのｐ−ＧａＡｓ層となる。但し、図５および図６に示すように、ウェハ中心部の５ｍｍ角程度の部分３７はエッチングされないようにして、最表面が厚み０．８μｍのｐ−ＧａＡｓ層となるようにした。
【００４４】
その後、その基板上にＭＯＣＶＤ法により第２回目のエピタキシャル成長膜３４として、厚み１．０μｍのｎ−ＧａＡｓ層、厚み１．０μｍのｐ−ＧａＡｓ層および厚み２．０μｍのｐ−ＧａＡｓ層を順次積層した。
【００４５】
成長中、最表面が厚み０．８μｍのｐ−ＧａＡｓ層となるようにした基板中心部を放射温度計にてモニターしたところ、そのときの放射温度計の信号は、成長中でも振動しなかった。従って、成長中全般にわたって正確な基板表面温度を測定することができた。
【００４６】
このように基板表面温度を正確に測定することができた理由は、以下の通りである。本実施形態では、第２回目の成長時において、基板中心部の最表面は第１回目の成長膜のｐ−ＧａＡｓ層であり、この部分では第２回目の成長膜との屈折率差が無い。従って、この界面では図５に示すように熱放射線３１の反射が起こらず、干渉が起こらない。その結果、成長中全般にわたって放射温度計の強度は振動せず、正確に基板表面温度を測定することができるのである。また、本実施形態では、第１回目の成長膜のうちのｐ−ＧａＡｓ層を第２回目の成長膜と同じ屈折率を有する薄膜として用いており、リッジストライプの形成時に同時に基板中央部に残しているため、製造工程を新たに加える必要がない。
【００４７】
なお、本実施形態では、多数回の成長を行ったが、これはあくまで一例であり、このような成長構造、成長回数またはエッチング回数に限るものではない。なお、基板表面において薄膜を形成する領域は、放射温度計で測定するために充分な大きさであればよい。
【００４８】
（実施形態４）
本実施形態では、成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナー、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能とした例について説明する。
【００４９】
まず、ＧａＡｓ基板表面上に、プラズマＣＶＤ法により厚み２００ｎｍのＳｉＯ2薄膜を蒸着した。その後、通常のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて、図７に示すように、間隔１０００μｍのストライプ状部分７２および中心部７２ａに５ｍｍ角の大きさでＳｉＯ2薄膜が残るようにして、その他の部分のＳｉＯ2薄膜を除去した。
【００５０】
次に、このＳｉＯ2薄膜をマスクとして、通常の手法を用いて、Ｚｎを基板表面に０．５μｍの深さまで拡散させた。
【００５１】
続いて、通常のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて、図８に示すように、中心部にある５ｍｍ角の正方形の部分７２ｃおよびそれに接する１ｍｍ程度のＳｉＯ2ストライプが残るように、さらに、ウェハの端７２ｂにおいてＳｉＯ2薄膜が１ｍｍ残るようにして、その他の部分のＳｉＯ2薄膜を除去した。
【００５２】
このように処理を行った基板を、図９に示したようなＭＯＣＶＤ装置に導入し、この基板上に、厚み０．５μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層および厚み０．３μｍのＧａＡｓ層を成長した。
【００５３】
成長中、基板中心のＳｉＯ2薄膜を残した領域を放射温度計にてモニターしたところ、そのときの放射温度計の信号は、成長中でも振動しなかった。従って、成長中全般にわたって正確な基板表面温度を測定することができた。
【００５４】
このように基板表面温度を正確に測定することができた理由は、実施形態２と同様である。すなわち、図３に示すように、ＳｉＯ2薄膜が設けられている領域７２ａ上に成長したＧａＡｓ層およびＡｌＧａＡｓ層はエピタキシャル成長せずに多結晶状態で成長し、その表面は鏡面に成長せずに粗面となる。従って、この領域上では基板表面から放射される熱放射線は図３に示したように干渉効果を起こすことがない。その結果、成長中全般にわたって放射温度計の強度は振動せず、正確に基板表面温度を測定することができるのである。
【００５５】
さらに、ＳｉＯ2上は多結晶状態で成長していることから、最表面が鏡面となっている他のエピタキシャル成長領域とは目視でも容易に区別可能であり、図８に示したパターンがウェハ表面にそのまま表れている。ここで、中心部分の凹凸を有するパターンは、Ｚｎ拡散時のＳｉＯ2マスクのストライプ位置および間隔を反映しているため、この凹凸パターンを参考にしてＺｎを拡散した位置を正確に判別することが可能となる。よって、後の工程や計測の際に、この部分を位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナーとして非常に有効に利用することができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、図８に示したようにウェハの端７２ｂにもＳｉＯ2ストライプを１ｍｍ残しており、この部分を参考にしてＺｎを拡散した位置を正確に判別することが可能となる。よって、ウェハを分割した場合でも、Ｚｎ拡散領域を判別することができる。さらに、中心部７２ａのパターンだけを利用するよりも、さらに容易かつ正確にＺｎを拡散した位置を判別することが可能となり、後の工程や計測の際に、この部分を位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナーとして非常に有効に利用することができる。
【００５７】
これらのＳｉＯ2パターンやストライプは、さらに、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能である。
【００５８】
なお、本実施形態においてはＳｉＯ2薄膜をストライプ状凹凸や正方形状に形成したが、特定の形状であれば他の図形や数字等の形状としてもよい。また、本実施形態では、ＳｉＯ2薄膜を特定の位置（中央部や端部）に配置し、特定の間隔で配置したが、さらに、例えばこれらをある特定の基板面方位に沿って配置しておけば、ＳｉＯ2薄膜の並んでいる方向がその基板の面方位を示していることになり、容易にその方向を確認することができる。よって、後の工程に非常に有効に利用することができ、この部分を位置判別用のマーカーや位置合わせ用のアライナー、さらに、ロットや基板の種類判別用のマーカー等としても使用可能であり、他の工程に用いた薄膜をそのまま利用することも可能である。
【００５９】
また、基板表面の中央部のみでなく、端部でも熱放射温度計により温度測定可能な程度の面積だけＳｉＯ2薄膜を残しておけば、複数の部分で温度測定が可能となる。
【００６０】
さらに、本実施形態では成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、実施形態２のように、その上にエピタキシャル成長が生じない材料からなる薄膜を設けることにより形成したが、実施形態１のように基板表面を粗面化したり、実施形態３のように成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料からなる薄膜を設けることにより形成してもよい。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、成長前に成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を該基板表面の一部に予め設けておくことにより、気相成長法による結晶成長中全般にわたって正確な基板温度を測定することが可能であるので、非常に簡単に成長膜の膜質や膜厚の制御性を向上することができる。特に、多層膜の成長中に基板温度を変化させる必要がある場合には、より一層有効である。
【００６２】
さらに、このような成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を、基板表面を測定する以外の用途にも利用することが可能であるので、半導体装置の製造工程において基板表面の利用効率を向上することができる。さらに、工程数を減らして工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の気相成長方法の原理について説明するための断面図である。
【図２】実施形態１における成長中の測定温度を示すグラフである。
【図３】実施形態２の気相成長方法の原理について説明するための断面図である。
【図４】実施形態２における成長中の測定温度を示すグラフである。
【図５】実施形態３の気相成長方法の原理について説明するための断面図である。
【図６】実施形態３において、リッジストライプ形成後の構成を模式的に示す斜視図である。
【図７】実施形態４において、ＳｉＯ2マスク形成後の構成を模式的に示す平面図である。
【図８】実施形態４において、ＳｉＯ2マスク一部除去後の構成を模式的に示す平面図である。
【図９】基板温度測定のために放射温度計を用いる有機金属気相成長装置の例を示す図である。
【図１０】従来技術における基板とエピタキシャル成長層による熱放射線の干渉の原理を説明するための断面図である。
【図１１】従来技術における成長中の測定温度を示すグラフである。
【図１２】従来技術におけるエピタキシャル成長層による熱放射線の干渉の原理を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１１、２１、３１  熱放射線
１２、２２  エピタキシャル成長膜
１３、２３、３３、７１  ＧａＡｓ基板
１４  粗面化領域
２４  ＳｉＯ2薄膜
３２  第１回目のエピタキシャル成長膜
３４  第２回目のエピタキシャル成長膜
３６  リッジストライプ
３７  エッチング残し部
７２、７２ａ  ＳｉＯ2マスク
７２ｂ、７２ｃ  ＳｉＯ2マスク残し部
９１  反応管
９３  基板
９４  のぞき窓
９５  放射温度計受光部
９６  温度モニター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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