(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程からなることを特徴とするプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
・ 導電物質層１、３で両面が被覆された絶縁物質層２を有する出発材料Ａを用意し、
・ この出発材料Ａの所定位置に、１つの導電物質層１を貫通する開口部７、７’を形成し、
・ この開口部７、７’と一致する開口部８、８’をプラズマエッチングにより前記絶縁物質層２内部に形成し、バックエッチングにより前記絶縁物質層２の開口部８、８’の周囲に導電物質層１の突出したエッジ９、９’を形成するとともに、絶縁物質層２の開口部８、８’が導電物質層１側から内方に傾斜する傾斜壁１４、１４’を有するものとし、
・ 次いで、前記導電物質層１、３を当接され得る表面全域において均一にケミカルエッチングすることにより、突出した前記エッジ９、９’をエッチングして突出した前記エッジ９、９’を除去するとともに、導電物質層１、３の他の部分を薄くし、
・ さらに、絶縁物質層２に達するようにエッチングされた開口部８、８’の表面をめっきすることにより、導電物質層１、３間にインターフェース接合面１３、１３’が電気的に接続されるように形成する。
【請求項２】
薄くなった導電物質層１、３を補強するために、絶縁物質層２の開口部８、８’を金属層でめっきすると同時に、導電物質層１、３を金属層でさらにめっきすることを含む、請求項１記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項３】
少なくとも１つの導電物質層に回路パターンを形成することを含む、請求項１記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項４】
エッジ９、９’の除去が、均一にケミカルエッチングされることによって実行される代わりに、導電物質層１、３が当接し得る表面全域にわたり均一にエレクトロデプレートされることによって実行され、それによって、突出したエッジ９、９’がデプレートされ、導電物質層１、３の他の部分が薄くなる、請求項１記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁物質層２が２５〜５０μｍの厚さを有する有機性絶縁フィルムであり、導電物質層１、３が８〜１２μｍの厚さを有する銅層である、請求項１記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項６】
有機性絶縁フィルムが、ポリイミドフィルムまたは液晶ポリマーフィルムである、請求項５記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項７】
有機性絶縁フィルムが、アラミド繊維により補強されたエポキシ積層体またはポリイミド樹脂フィルムである、請求項５記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項８】
有機性絶縁フィルムが、アラミド繊維により補強されたシアン化エステル樹脂フィルムの積層体である、請求項５記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【請求項９】
めっき工程が、銅またはパラジウムでめっきされることを含む、請求項１記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プリント回路基板とフィルム回路基板の製造分野に属するもので、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層で被覆されたプラズマエッチング適用可能な絶縁物質層内部に開口部構造、パターン、または、型を形成する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマエッチングにより加工可能な絶縁物質層はDYCOstrate（登録商標）方式に基づいたプラズマエッチング工程中において形成される。これは開口可能であって、この開口部は絶縁物質層内部に延びている複数の通り穴または止まり穴として絶縁物質層を貫通している。通り穴または止まり穴は、溝などのように延びた穴として形成することも可能であり、このように形成された穴は複数の直線状または円形のエッジを有していて絶縁物質層内部でそれぞれ形や深さが異なっている。開口部はプラズマエッチング工程中に高精度をもって絶縁物質層内部に同時に形成される。
この方法は、様々な開口部構造とパターンを低コストで絶縁物質層内部に迅速に形成することが可能であるので、経済的である。
プラズマエッチングにより被処理可能な絶縁物質層は、例えば、ポリイミドフィルム、アラミド繊維で補強されたエポキシラミネート、ポリイミド、または、シアン化エステル樹脂フィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの有機絶縁性フィルムで構成される。
【０００３】
局部的に制御されたプラズマを応用して前記絶縁物質層をエッチングするために、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層を用いて絶縁物質層を被覆する。このような坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層として、銅またはアルミニウムなどの金属層、すなわち、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質で構成される複数の層を用いることができる。
使用される坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層は絶縁物質層まで延びる複数の開口部を有し、プラズマは該開口部を介して絶縁物質層との相互作用によりこれをエッチングする。
【０００４】
しかしながら、熱に関する間題点、および、これに関連するプラズマエッチングの実効率に関する間題により、方向性プラズマエッチング（反応性イオンによるエッチング）はフィルム回路基板の製造に適さないと考えられるので、同位性プラズマエッチングが利用される。すなわち、プラズマが当接する絶縁物質層はどこでも均一に除去される。
従って、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層の複数の開口部におけるエッジの下方で絶縁物質層は除去される。すなわち、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層の下方で絶縁物質層は除去される。プラズマエッチングに続くアンダーエッチングまたはアンダーカッティングにより、開口部におけるエッジが固形または硬直状の坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層との空間において準絶縁状態で突出し、さらに、エッチングされた絶縁物質層内部にバックキャビティが形成される。
【０００５】
プラズマエッチング適用可能な絶縁物質層に強固に結合せしめられる坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層を利用すると、プリント回路基板とフィルム回路基板の製造に有利であることが立証されている。
絶縁物質層の片面または両面に前記導電物質層を複数の銅層として被覆することができる。絶縁物質層内部の各開口部をプラズマエッチングした後の工程において、前記絶縁物質層内部における複数の開口部をめっきすると、形成された構造体の異なる平面間にインターフェース接続部が形成され、しかも、前記導電物質層内に電流路を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記絶縁物質層の各開口部周辺には、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層が位置している。しかしながら、突出した前記エッジまたはウエブは爾後の製造工程において、不都合であることが明らかになっている。従って、銅電着工程において以下の間題が発生する。
【０００７】
複数の金属層を電着する工程において、前記絶縁物質層内部の各開口部周辺であるウエブの下方領域に微量の銅を電着し得るよう、この領域は電気的に遮断される。従って、例えば、インターフェース接続部の信頼性は保証されない。
【０００８】
前記絶縁物質層内部の各開口部をエッチングすることにより派生するバックキャビティは、例えば、化成処理または洗浄を行っても適正に清浄化することができない。連続する複数の電着浴を用いて電着を実施しても、適正な清浄化の効果が得られず、かつ、添加される化学物質が次の電着浴に移動することになる。
【０００９】
前記絶縁物質層内部の開口部周辺の各ウエブは極薄に形成されているので、機械的に変形しやすい。例えば、クリーニング手段として超音波浴を用いた場合には、各ウエブは屈曲変形する。従って、引き続き行われる光化学的処理工程において不適正な結果を生じる。
【００１０】
エッチングを実施することにより発生するバックキャビティを除去する一つの可能性として、プラズマエッチングされた各開口部周辺のウエブを加圧して前記絶縁物質層の各開口部内部に圧入する、例えば米国特許第４４７２２３８号明細書に開示された方法がある。この特許技術は、両面に銅が被覆された複数のポリイミドフィルム、すなわち、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層およびプラズマエッチング適用可能な絶縁物質層として、Pyralux（登録商標、ジュポン社F-9111）または銅箔が被覆されたKelvar（登録商標）を使用している。この特許にあっては、ポリイミドまたはKelvarフィルムの各穴（７６〜２５４μｍ）において突出する銅エッジは１２４ａｔｍの加圧により各穴内に圧入せしめられる。
【００１１】
しかしながら、この特許技術は下記の理由により重大な欠陥を有する。すなわち、プラズマを介してアンダーエッチングされた開口部構造が微細であればあるほど、各ウエブを開口部に圧入するためにより強力な加圧を必要とする。これにより、過剰な機械的応力および好ましくない寸法上の変形が生じるので、この特許は技術的に実施不可能である。
【００１２】
プラズマを介してアンダーエッチングされた開口部構造を除去する他の一つの可能性として、物質に衝撃を与えることによりプラズマエッチングされた各開口部周辺のウエブを各開口部に圧入する方法がある。プリント回路基板の製造技術において、ジェット洗浄方式と称される方法、例えば、粉末状軽石の水溶液を各開口部の突出したエッジに高圧力でスプレーしながら各開口部に圧入する方法、がある。
【００１３】
しかしながら、この方法も下記の理由により重大な欠陥を有する。すなわち、加圧された粉末状軽石により衝撃を受けた突出エッジの表面に機械的な無熱変形が発生し、この結果、好ましくない機械的応力および寸法変形が派生する。この方法は、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層で構成される極薄の層に対してのみ適用可能である。粉末状軽石と破砕された坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層の微粒子が部分的に結合して製造工程中のプリント回路基板とフィルム回路基板の別の部分に混入する場合もある。これにより、不純物が混在したり、電気的短絡接触事故などの厄介な事態が発生するので、この方法も技術的に実施不可能である。
【００１４】
本発明は、上述した技術的欠点を解消するためになされたものであり、第一のエッチング工程に抗し得る特性を有する導電物質層で被覆された前記第一のエッチング工程に抗し得る特性を有する絶縁物質層内部の開口部構造を形成することを可能ならしめるものである。特に、坑エッチング特性を有する導電物質層内部において、実用上信頼性の高い開口部構造を形成することを可能ならしめるものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法は、以下の工程からなることを特徴とするものである。
・ 導電物質層１、３で両面が被覆された絶縁物質層２を有する出発材料Ａを用意し、
・ この出発材料Ａの所定位置に、１つの導電物質層１を貫通する開口部７、７’を形成し、
・ この開口部７、７’と一致する開口部８、８’をプラズマエッチングにより前記絶縁物質層２内部に形成し、バックエッチングにより前記絶縁物質層２の開口部８、８’の周囲に導電物質層１の突出したエッジ９、９’を形成するとともに、絶縁物質層２の開口部８、８’が導電物質層１側から内方に傾斜する傾斜壁１４、１４’を有するものとし、
・ 次いで、前記導電物質層１、３を当接され得る表面全域において均一にケミカルエッチングすることにより、突出した前記エッジ９、９’をエッチングして突出した前記エッジ９、９’を除去するとともに、導電物質層１、３の他の部分を薄くし、
・ さらに、絶縁物質層２に達するようにエッチングされた開口部８、８’の表面をめっきすることにより、導電物質層１、３間にインターフェース接合面１３、１３’が電気的に接続されるように形成する。
【００１６】
上記の場合において、薄くなった導電物質層１、３を補強するために、絶縁物質層２の開口部８、８’を金属層でめっきすると同時に、導電物質層１、３を金属層でさらにめっきするとよい。
【００１７】
上記の場合において、少なくとも１つの導電物質層に回路パターンが形成される。
【００１８】
上記の場合において、エッジ９、９’の除去が、均一にケミカルエッチングされることによって実行される代わりに、導電物質層１、３が当接し得る表面全域にわたり均一にエレクトロデプレートされることによって実行され、それによって、突出したエッジ９、９’がデプレートされ、導電物質層１、３の他の部分が薄くなるものとするのがよい。
【００１９】
上記の場合において、絶縁物質層２が２５〜５０μｍの厚さを有する有機性絶縁フィルムであり、導電物質層１、３が８〜１２μｍの厚さを有する銅層であることが好ましい。
【００２０】
有機性絶縁フィルムとして、ポリイミドフィルムまたは液晶ポリマーフィルムを使用することができる。
【００２１】
また、有機性絶縁フィルムが、アラミド繊維により補強されたエポキシ積層体またはポリイミド樹脂フィルムにより形成されているものとするとよい。
【００２２】
また、有機性絶縁フィルムとして、アラミド繊維により補強されたシアン化エステル樹脂フィルムの積層体を使用することができる。
【００２３】
めっき工程が、銅またはパラジウムでめっきされることを含むものとすることができる。
【００２４】
【発明の概要】
本発明の着想は、アンダーエッチングがもたらす不都合な効果に鑑みアンダーエッチングの発生を防止するためになされたものである。一般的に、アンダーエッチングは好ましくなく、製品の品質を損なうものである。
本発明において、開口部構造、パターン、型などを個々の絶縁物質層内部に形成するために所定の方法に基づいてアンダーエッチングを発生させ、かっ、導電物質層内部に開口部構造を形成するために、再度所定の方法に基づきアンダーエッチングを除去する。
本発明によれば、第一の工程により形成された個々の物質内部の複数の開口部構造の不利な弱点が、第二の工程により形成された他の物質内部の複数の開口部構造の形成において有利な弱点として利用されるので、これら弱点が除去され、製品の品質を最適化することができる。
【００２５】
本発明によれば、プラズマエッチングとケミカルエッチングという二種類の異なったエッチング工程が連続的に実施され、第一の工程において導電物質層を影響のない状態に置いたまま絶縁物質層に対してエッチングを行い、第二の工程において絶縁物質層が浸食を受けない状態で導電物質層の形成処理を行う。絶縁物質層のエッチングおよび導電物質層の形成はともに同位性のエッチングである。この二つの工程は相殺される。絶縁物質層のエッチング工程により発生し爾後の工程に不利となるエッチバックの全てが、望ましくは導電物質層形成工程において除去される。
【００２６】
本発明による出発材料は、導電物質層で両面が被覆された絶縁物質層で構成されている。
第一の工程において、１つの導電物質層１を貫通する開口部７、７’と一致する開口部８、８’をプラズマエッチングにより前記絶縁物質層内部に形成する。導電物質層内部に形成された複数の開口部のエッジはその裏面がエッチングされる。前記導電物質層内部および絶縁物質層内部の開口部はともに所定の方法によりエッチバックされる。
第二の工程において、突出している各エッジはケミカルエッチングにより除去される。そして、バックサイドが最終的にエッチングから開放されるような所定の方法により、前記導電物質層および絶縁物質層内部の開口部が形成される。これにより、爾後のめっき工程のための中間物が形成され、プリント回路基板とフィルム回路基板用中間物を形成するため、この中間物はめっき工程によりさらに加工される。
【００２７】
【実施例】
次に、本発明によるプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法の実施例を、図１〜図８に基づいて詳細に説明する。
図１〜図８は、プラズマエッチング適用可能な絶縁物質層に形成された複数の開口部周辺においてバックエッチング済の坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層の突出エッジを除去するための本発明の加工プロセスを例示したものである。
【００２８】
図１は、プリント回路基板とフィルム回路基板を製造するための出発材料を示す。出発材料Ａは多層体であり、具体的には、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層１、３で両面が被覆されたプラズマエッチング適用可能な単一の層からなる絶縁物質層２で構成されている。
プラズマエッチング適用可能なこの絶縁物質層２は、例えば、ポリイミドフィルム、アラミド繊維で補強されたエポキシラミネート、および、ポリイミド、または、シアン化エステル樹脂フィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの有機性絶縁フィルムで構成される。
坑プラズマエッチング特性を有する前記導電物質層１、３は、例えば、銅、アルミニウム、銀などの金属で構成される多重導電物質層で構成される。この導電物質層１、３は前記絶縁物質層２に積層またはめっきされ、または、スパッタリングあるいはＰＥＣＶＤ法（プラズマで活性化されたケミカルペーパーによる蒸着法）により蒸着され、かつ、前記絶縁物質層２に機械的に強固に接合せしめられる。この出発材料Ａは担体である基板４上面に積層され、かつ、この基板４に機械的に強固に接合せしめられる。
【００２９】
本発明に基づいてフィルム回路基板の出発材料Ａを好都合に製造する実施例において、絶縁物質層２および導電物質層１、３のラミネートは特定かつ極薄の有利な素材で構成される。従って、この出発材料Ａはその両面に銅を被覆したポリマーフィルムから成り、ポリマーフィルム自体は２５〜５０μｍの厚みを有しており、一方、銅層は８〜１２μｍの厚さである。当然のことながら、プリント回路基板とフィルム回路基板を製造するための出発材料Ａをポリマーフィルムよりも厚い絶縁・導電物質層で構成してもよく、また、導電物質層および出発材料Ａは絶縁物質層２の上面に単一の層からなる導電物質層１のみを積層してもよい。
【００３０】
図２は、図１に図示した出発材料Ａにおける前記導電物質層１の上面に、単一の層からなるフォトレジスト層５を積層した後の状態を示す。ここに、導電物質層１はフォトレジスト層５により完全に被覆されている。この場合、固形状または液状のフォトレジストを使用することができる。フォトレジスト層５を公知の光化学的処理方法により露出させることができる。フォトマスクを介して開口部のデザインをフォトレジスト層５に転写することができる。開口部のデザインは、形成される開口部の位置および構造または前記絶縁物質層２内部の構造を含むものである。
【００３１】
図３は、開口部のデザインに基づいて光化学的に形成されたフォトレジスト層５の構造を示す。このフォトレジスト層５には導電物質層１まで延びる開口部６、６’が形成されている。フォトレジスト層５により被覆された導電物質層１の他の領域は、次に実施される光化学的処理段階におけるウェットケミカルエッチング作用から防御される。開口部は１０〜１００μｍの面積を有する。表面形状は適宜選択可能で、円筒形状、円形、楕円形、正方形、矩形、多角形のいずれでもよい。
【００３２】
図４は、フォトレジスト層５で被覆されていない導電物質層１部分をウェットケミカルエッチング処理に続いて光化学的処理した後におけるフォトレジスト層５で被覆された出発材料を示す。開口部のデザインに基づいて開口部６、６’の近辺にのみエッチングを行い、その後、絶縁物質層２まで延びている導電物質層１内部に所定の開口部７、７’を形成する。形成されたマスクはエッチング媒体に浸食されず、エッチング媒体はこのマスク内の開口部の近辺においてエッチングを受ける導電物質層１にのみ達する。
【００３３】
図５は、図４による製造工程において公知であって実証済の化学的処理方法によりフォトレジスト層５を除去した後の出発材料を示す。自然の作用および爾後に実施される絶縁物質層２に対するプラズマエッチングによりフォトレジスト層５はほとんど完全に除去されるので、この製造工程は任意に実施することができる。
【００３４】
図６は、開口部８、８’および導電物質層３に至る積層を絶縁物質層２を介してプラズマエッチングした結果、フォトレジスト層が除去された出発材料を示す。第一の工程において、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層１を被覆した層に形成された開口部７、７’と一致させてプラズマエッチング適用可能な絶縁物質層２が同位性プラズマエッチングされる。プラズマが絶縁物質層２に当接した箇所において開口部８、８’が形成され、導電物質層１はその裏面をエッチングされ、形成された各開口部８、８’は突出したエッジ（ウエブ）９、９’を有する。突出した各エッジ９、９’は絶縁物質層２内部の開口部８、８’との境界を形成し、かつ、空間において準絶縁状態にある。
【００３５】
図７は、上部に接合されている導電物質層１のエッジ（ウエブ）９、９’を貫通して実施されるケミカルエッチングにより絶縁物質層２内部に形成された複数の開口部８、８’を有する出発材料を示す。第二の工程において、坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層１、３は同位性ケミカルエッチングされる。すなわち、化学物質が導電物質層１、３に当接してケミカルエッチングにより導電物質層１、３を除去する。
【００３６】
ケミカルエッチングは化学物質と接触する全表面において均一に実施される。坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層１における空間において準絶縁状態で突出する各エッジ９、９’は、局部表面／容積率に対して大きな表面を有し、特に、容易に化学物質に接近しケミカルエッチングされて除去される。
一方、前記導電物質層１、３のエッチングされていない裏面１２、１２’の部分は、化学物質の浸食により厚みが薄くなるのみである。具体的には、絶縁物質層２の内部において開口部８、８’の底面１０、１０’を形成している下側の導電物質層３の露出表面は均一にエッチングされ、厚みが薄くなる。すなわち、露出表面はエッチングにより除去されず、単に厚みが減少する（薄くなる）のみである。
【００３７】
導電物質層１、３がエッチングにより除去される様、また、前記導電物質層１、３が出発材料Ａのために自己の機械的安定を維持し導電機能を果たせる様、また、導電物質層１、３の突出したエッジ９、９’がエッチングにより除去または貫通せしめられる様に、ケミカルエッチングのパラメータが選択される。所定の方法に従って、第一の工程で形成されたエッチバック面は究極的に除去され、中間物が生成せしめられる。図７に示す開口部８、８’は、例えば、複数の止まり穴または溝の形状でもよい。例えば、銅で形成された約１０μｍの厚さの導電物質層１、３を使用する場合には、図６において９、９’で示す突出したエッジは全方面から同時にエッチングされ、その結果、被覆状態に置かれエッチングされていない他方の裏面において、５μｍ程度の導電物質層１、３が究極的にエッチングで除去される時点において突出したエッジ９、９’は完全に除去される。
【００３８】
本発明を理解し得る当業者は、使用される物質およびその厚さを決定するケミカルエッチングパラメータを容易に選択することができる。これにより、プラズマエッチングされた導電物質層の開口部の周辺に突出している好ましからざるエッジがケミカルエッチングにより除去または貫通される。このようなケミカルエッチング処理方法は回路基板の製造業者間ではすでに実証され、公知となっている。
導電物質層１、３が例えば銅層の場合、過硫化ナトリウム、塩化銅、過酸化水素によりエッチングされる。除去率は露出時間およびエッチング媒体温度によって厳密に制御される。
【００３９】
図８は、図７における中間物Ｚに坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層１の単一の層をめっき加工した後の中間物を示す。この加工段階は任意のものであり、かつ、極薄にケミカルエッチングされた導電物質層１、３の複数の層を機械的に補強するか、または、電気的に接続するためのものである。例えば、銅またはパラジウムである極薄の金属箔も坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層としてめっきされる。
【００４０】
前記中間物Ｚはプリント回路基板とフィルム回路基板を製造するのに好適に使用することができる。例えば、DYCOstrate（登録商標）加工方式に基づいて補強済の導電物質層１、３、１１と連携して中間物Ｚは複数の電流路およびインターフェース接合面１３、１３’を形成する。これらの構造体は導電物質層内部において電流路を形成し、また、絶縁物質層の開口部内部においてもインターフェース接合面１３、１３’になる。形成された導電物質各層は電気的に接続される。本発明を理解し得る当業者は多岐にわたる実施可能性を認識することができるであろう。
【００４１】
図８に示す開口部８、８’は中間物Ｚの表面を平坦に延長して形成された傾斜壁１４、１４’を有する複数の止まり穴をもって形成される。中間物Ｚはインターフェース接合面１３、１３’として作用する導電物質層１、３と該中間物Ｚの表面を平坦に延長して形成された（導電物質層に対応する）傾斜壁１４、１４’とを電気的に接続する。この傾斜壁１４、１４’はその後に実施される光化学的処理により一層精密に形成され、かつ、清浄化が一層容易になる。これらの傾斜壁１４、１４’は外部からの悪影響を被ることがない。絶縁物質層２を中間物Ｚ方向に延ばした場合でも、例えば、はんだ付け工程中において垂直壁と対照的に温度が上昇しても前記傾斜壁１４、１４’のコーナー部とエッジとは容易に崩壊しない。
【００４２】
光化学的処理工程中において、傾斜壁１４、１４’は導電物質層１１でめっきされた導電物質層１内部の開口部７、７’を介して容易に当接させることができる。ネガティブに作用するフォトレジストを使用することも可能であり、このフォトレジストはインターフェース接合面１３、１３’に露出可能であり、廉価であり、しかも、ポジティブに作用するフォトレジストに対する感応度が低い。感応度が高ければ、低い露出強度でもよく、また、露出が迅速に行われるという有利性がある。
【００４３】
図１〜図５に示す導電物質層１の内部に開口部７、７’を形成する工程は、第二の導電物質層３の内部においても同時に、かつ、全く同一のプロセスで実施することができる。従って、この目的のために少なくとも所定の表面においては、前記中間物Ｚは担体である基板４の上面に積層されない。これにより、これらの所で導電物質層３をフォトレジストで被覆することができる。このフォトレジスト層は開口部の内部に形成され、かつ、導電物質層内部に形成された開口部はケミカルエッチング工程において開口部構造に準拠してエッチングされる。プラズマエッチング工程において導電物質層内に形成された開口部に対応する絶縁物質層内で開口部がプラズマエッチングされる。その後、これらの構造体には中間物Ｚの表面を延長した直線状の壁または傾斜壁が形成される。図８に示す加工段階においてインターフェース接合面に対しめっきが可能であり、その後中間物Ｚの表面に延長した直線状の壁または傾斜壁が形成される。
【００４４】
好ましくは、絶縁物質層２に対して最初にプラズマエッチングを行う。ケミカルエッチングを最初に行ってもよい。プラズマエッチング、ケミカルエッチング工程はアンダーエッチング効果をもたらす。ケミカルエッチング可能な絶縁物質層２は例えばポリイミド、エポキシ・アクリルフィルム、エポキシ・ポリイミドフィルムなど繊維により補強されたラミネートフィルムなどの有機性絶縁フィルムで構成され、これらは例えばKMnO4、NaOH、KOH＋alcool、H2SO4、H3PO5などのエッチング媒体を用いてケミカルエッチング処理される。このようなケミカルエッチング処理工程は回路基板製造業界においてすでに実施されており、公知である。本発明において使用される絶縁物質層２、導電物質層１、３を形成するためのケミカルエッチングパラメータは、本発明の知識を有する当業者であれば、容易に選定することができるものである。
【００４５】
導電物質層１、３を形成するために、ケミカルエッチングまたはエレクトロデプレート（ガルバニックデプレート）が実施される。導電物質層１、３に対してケミカルエッチングおよびエレクトロデプレートを行えば、導電物質層１、３を除去して絶縁物質層２の開口部周辺における突出したエッジを除去するのと同様の効果をもたらす。導電物質層１、３は例えば銅、アルミニウム、または、銀などの金属箔からなる複数の導電層で形成することができる。前記エレクトロデプレート工程は回路基板製造業界においてすでに実施されており、公知であり、除去率は均一であって非常に厳密に制御される。本発明の知識を有する当業者であれば、極薄の銅層をエレクトロデプレートし、部分的に銅層を除去することにより絶縁物質層２の開口部周辺に形成された突出エッジを完全に除去することは容易である。
【００４６】
前記絶縁層２を形成するために、プラズマエッチングまたはケミカルエッチングが実施される。一方、導電物質層１、３を形成するために、ケミカルエッチングまたはエレクトロデプレートが実施される。本発明においては、異なったこれら四種類の工程を実施することができる。
【００４７】
本発明の第一の実施例によれば、第一の工程において、プラズマエッチングによる開口部８、８’が導電物質層１、３内部の開口部７、７’と一致するごとく絶縁物質層２内部に形成され、バックエッチングによる所定のエッジ９、９’が開口部７、７’に突出形成される。第二の工程において、導電物質層１、３がケミカルエッチングされ、突出した前記エッジ９、９’が除去されて前記開口部７、７’、８、８’がエッチバックのない開口部となる。
【００４８】
本発明の別の実施例によれば、第一の工程において、プラズマエッチングによる開口部８、８’が導電物質層１、３内部の開口部７、７’と一致するごとく絶縁物質層２内部に形成され、バックエッチングによる所定のエッジ９、９’が開口部７、７’に突出形成される。第二の工程において、導電物質層１、３がエレクトロデプレートされ、突出した前記エッジ９、９’が除去されて前記開口部７、７’、８、８’がエッチバックのない開口部となる。
【００４９】
【発明の効果】
請求項１又は４記載のプリント回路基板とフィルム回路基板の製造方法によれば、電気的短絡接触事故など厄介な事態が発生しない実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５０】
請求項２記載の製造方法によれば、機械的に補強されていて変形しにくいプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５１】
請求項３記載の製造方法によれば、少なくとも１つの導電物質層に回路パターンが形成されたプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５２】
請求項５記載の製造方法によれば、比較的薄くてしかも安価な出発材料から実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５３】
請求項６記載の製造方法によれば、比較的薄くてしかも安価な出発材料から実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５４】
請求項７記載の製造方法によれば、比較的安価であってしかも機械的に補強された出発材料から実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５５】
請求項８記載の製造方法によれば、比較的安価であってしかも機械的に補強された出発材料から実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【００５６】
請求項９記載の製造方法によれば、比較的薄くかつ安価であってしかも機械的に補強された出発材料から実用上信頼性が高いプリント回路基板とフィルム回路基板を少ない加工ステップで容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  プリント回路基板とフィルム回路基板を製造するための出発材料を示す断面図である。
【図２】  図１に図示した出発材料における導電物質層の上面に単一の層からなるフォトレジスト層を積層した後の状態を示す断面図である。
【図３】  開口部のデザインに基づいて光化学的に形成されたフォトレジスト層の構造を示す断面図である。
【図４】  フォトレジスト層で被覆されていない導電物質層部分をウェットケミカルエッチング処理に続いて光化学的処理した後におけるフォトレジスト層で被覆された出発材料を示す断面図である。
【図５】  図４による製造工程において公知であって実証済の化学的処理方法によりフォトレジスト層を除去した後の出発材料を示す断面図である。
【図６】  開口部および導電物質層に至る積層を絶縁物質層を介してプラズマエッチングした結果、フォトレジスト層が除去された出発材料を示す断面図である。
【図７】  上部に接合されている導電物質層のエッジを貫通して実施されるエッチングにより絶縁物質層内部に形成された複数の開口部を有する出発材料を示す断面図である。
【図８】  図７における中間物に坑プラズマエッチング特性を有する導電物質層の単一の層をめっき加工した後の中間物を示す断面図である。
【符号の説明】
１，３，１１…導電物質層、２…絶縁物質層、４…基板、５…フォトレジスト層、６，６’,７，７’，８，８’…開口部、９，９’…エッジ、１０，１０’…底部、１２、１２’…裏面、１３，１３’…インターフェース接合面、１４,１４’…傾斜壁、Ａ…出発材料、Ｚ‥中間物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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