(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可とう性の絶縁性フィルム上に銅リードの配線パターンを形成した後、インナーリードのみをマスキングしてアウターリードに電気はんだめっきを施し、マスキング剤を剥離した後、前記インナーリードに無電解スズめっきを施すスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法において、前記アウターリードの電気はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とした後、インナーリードに無電解スズめっきを施すことを特徴とするスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法。
【請求項２】
前記インナーリードには無電解スズめっきを０．５〜０．６μｍ施すことを特徴とする請求項１記載のスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法。
【請求項３】
可とう性の絶縁性フィルム上に銅リードの配線パターンを形成した後、インナーリードのみをマスキングしてアウターリードに電気はんだめっきを施し、マスキング剤を剥離した後、前記インナーリードに無電解スズめっきを施すスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法において、前記アウターリードの電気はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とした後、インナーリードに無電解スズめっきを０．５〜０．６μｍ施し、前記無電解スズめっきを施した後の、前記アウターリードのはんだめっき組成が、スズめっきの置換析出によりＳｎ８０〜９０％となるようにしたことを特徴とするスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の実装方式の一つであるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式に使用されるスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩの高集積化、高速化、高機能化が進み、搭載するＬＳＩパッケージのパターンリードの微細化、多ピン化が進んでいる。これに対応したＬＳＩパッケージとしてＴＡＢテープを用いたＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）が用いられている。
【０００３】
通常ＴＡＢテープには銅の配線パターンを形成した後に、ＬＳＩバンプとのボンディング性を良好にするために無電解法によりスズめっきが施されるが、スズめっき厚が０．３〜０．６μｍと薄いため、ＬＳＩをボンディングした後、封止樹脂をキュアすると銅とスズの金属間化合物が形成されるため、アウターリードとプリント基板とのはんだ付け性が悪くなる。そこで、インナーリードに無電解スズめっきを施し、アウターリードにはプリント基板への予備はんだを施す代わりに、６〜ｌ０μｍの厚付け電気はんだめっきを施したスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープが用いられている。
【０００４】
図３は従来より用いられているスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープ１の構成例を示す。ＴＡＢテープ１は、長尺状で薄い絶縁性フィルムテープから成る絶縁性フィルム２及びその上面に形成された所定のパターンの銅リードにめっきが施されたリード３を備えている。絶縁性フィルム２は、ポリイミドやポリエステル等を用いて作られた可とう性のフィルムである。またリード３のパターン形成は、絶縁性フィルム２の上面に銅箔を接着した後、リードパターンに応じたフォトエッチングを施すことにより、インナーリード４及び各インナーリード４に接続されたアウターリード５が形成される。
【０００５】
更に、絶縁性フィルム２のほぼ中央部には、半導体素子を収容するためのデバイスホール６が開口されている。また、絶縁性フィルム２の両サイドにはテープ搬送や位置決めを行うためのスプロケットホール７が設けられ、アウターリード５に対応して電気信号を出すためのアウターホール８が設けられている。デバイスホール６、スプロケットホール７及びアウターホール８は、パンチング加工により形成される。アウターリード５の所定のものには、半導体素子の動作テスト等を行うためのテストパッド９が接続されている。
【０００６】
従来のスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法として、接着剤が塗布された絶縁性フィルム２にデバイスホール６、スプロケットホール７及びアウターホール８をパンチング加工により開口し、この接着剤塗布面に粗化面を向けて銅箔をラミネートする。デバイスホール６に露出する銅箔の粗化面は、ＬＳＩバンプに接続する面になるため、化学研摩法により研摩する。
【０００７】
次に、銅箔の表面の所定領域に感光性レジストを塗布する。この感光性レジストを乾燥させた後、フォトマスクを通して感光性レジストを感光させる。ついで、現像を行って所定パターンのフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層をマスクとしてエッチングを行うことによりインナーリード４、アウターリード５が形成される。インナーリードにはＬＳＩバンプとのボンディングのため無電解によりスズめっきが施され、アウターリード５にはプリント基板とのはんだ付け性を良好にするために電気はんだめっきが施される。
【０００８】
前記インナーリード４とアウターリード５へのめっき処理法を次に示す。リード３を形成後、インナーリード４のみにマスキングレジストを塗布し、アウターリード５のみに電気はんだめっきを施し、前記マスキングレジストを剥離した後、インナーリード４に無電解法によりスズめっきを施す。前記無電解スズめっき処理は酸洗前処理後、めっきを施し、水洗することにより形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法によると、インナーリード４に無電解法スズめっきを施す際、前処理の酸洗処理でソフトエッチング性を有する酸性水溶液に浸漬すると、アウターリード５に施したはんだめっきが、めっき組成によって（Ｓｎ含有率が高い場合）ピッティング溶解し、プリント基板とのはんだ付け性を悪くするという問題がある。
【００１０】
そこで本発明の目的は、上記課題を解決し、無電解スズめっきの酸洗処理工程においてアウターリードに施したはんだめっきのピッティングの発生を防止するスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１２】
（１）請求項１に記載の発明は、可とう性の絶縁性フィルム上に銅リードの配線パターンを形成した後、インナーリードのみをマスキングしてアウターリードに電気はんだめっきを施し、マスキング剤を剥離した後、前記インナーリードに無電解スズめっきを施すスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法において、前記アウターリードの電気はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とした後、インナーリードに無電解スズめっきを施すことを特徴とするものである。
【００１３】
（２）また請求項２に記載の発明は、前記インナーリードには無電解スズめっきを０．５〜０．６μｍ施すことを特徴とするものである。
【００１４】
（３）また請求項３に記載の発明は、前記無電解スズめっきを施した後の、前記アウターリードのはんだめっき組成が、スズめっきの置換析出によりＳｎ８０〜９０％となるようにしたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明を図３の形態に則して説明すると、可とう性を有する絶縁性フィルム２表面にインナーリード４、アウターリード５を形成した後（図１（ａ）（ｂ））、インナーリード４のみにマスキングレジストを塗布し（図１（ｃ））、アウターリード５のみに電気はんだめっきを施し（図１（ｄ））、前記マスキングレジストを剥離した後（図１（ｅ））、インナーリード４に無電解法によりスズめっきを施す（図１（ｆ））ようにしたスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法において、前記アウターリード５に施すはんだめっき組成を制御することにより、アウターリード５のはんだめっきに発生するピッティングを防止することができるとの前提に立ち、まず前記アウターリード５の電気はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とするものである（図１（ｄ））。このようにＳｎ含有率を下げることにより、めっき組成がピッティング溶解しなくなる。
【００１６】
更に、上記はんだめっきを施したアウターリード５及びインナーリードに、無電解スズめっきを、例えば０．５〜０．６μｍ施すが（図１（ｆ））、上記アウターリード５の電気はんだめっき時におけるめっき組成のピッティング溶解は非常に少ないので、はんだ付け性の悪化が生じない。
【００１７】
一方、前記アウターリードのはんだめっき組成は、スズめっきの置換析出により、はんだ付け性に良好な組成であるＳｎ８０〜９０％となる（図１（ｇ））。即ち、アウターリードには、はんだ付け性の良好な組成Ｓｎ８０〜９０％にて、はんだめっきが施されると共に、インナーリードにもＩＣチップとのボンディング性を良好にするための無電解スズめっきが施される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に本発明によるスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープ製造方法の実施形態を、図３の場合を例にして説明する。
【００１９】
まず、接着剤が塗布されたポリイミドからなる絶縁性フィルム２にデバイスホール６、アウターホール８、及びスプロケットホール７をパンチング加工によりそれぞれ形成する。次に絶縁性フィルム２の表面に銅箔をラミネートする（図１（ａ））。続いて銅箔の表面にフォトレジストを所定の厚さで塗布して乾燥させる。この後、フォトレジスト上に所定のパターンのフォトマスクを配置すると共に、フォトマスクのフォトレジスト側とは反対側から光を照射することによりフォトレジストを露光する。さらにこの後、フォトレジストを現像し、フォトレジストに銅箔露出部を形成することにより銅箔の表面に所定のフォトレジストパターンを形成する。そして、フォトレジストパターンをマスクとして銅箔をエッチングし、絶縁性フィルム２の表面にインナーリード４及びアウターリード５を有する所定の配線パターンのリード３を形成し、配線パターン上のフォトレジストパターンを除去する（図１（ｂ））。
【００２０】
インナーリード４及びアウターリード５へのめっきの形成は、インナーリード４にマスキングレジストを塗布し（図１（ｃ））、アウターリード５に電気はんだめっきを施した（図１（ｄ））。電気はんだめっきの条件は、めっき液に石原薬品製のホウフッ化浴（Unicon Tin Bright ）を用い、液組成はホウフッ化スズ濃度が６０〜９０ｇ／Ｌ、ホウフッ化鉛濃度が１０〜４０ｇ／Ｌ、ホウフッ化水素酸濃度が１００ｇ／Ｌ、ホルマリン濃度が１０ｍ／Ｌ、光沢剤ＵＴＢＮｏ．１濃度が４０ｍ／Ｌ、光沢剤ＵＴＢＮｏ．２濃度が６０ｍ／Ｌとし、温度が１７℃、電流密度が３．５Ａ／dm2 で、膜厚は５．０〜６．０μｍとし、まためっき膜組成は、めっき浴成分のホウフッ化スズ濃度とホウフッ化鉛濃度の比を変化させることにより、Ｓｎ６０％、７０％、８０％、９０％のはんだめっき試料を作製した。
【００２１】
その後、前記はんだめっきを施した各試料のインナーリードに塗布したマスキングレジストを溶剤で剥離し（図１（ｅ））、酸洗前処理後、インナーリード４に無電解スズめっきを０．５〜０．６μｍ施した（図１（ｆ））。酸洗前処理は処理液に過硫酸カリウム系のＡＤ４８５（メルテクス社製）で、液組成をＡＤ４８５濃度５０ｇ／Ｌ＋硫酸を５％を添加した溶液を用い、温度が室温で３０秒処理し、また、無電解スズめっきは、めっき液に石原薬品製５８０Ｍを用い、７０℃、３分にて行なった。
【００２２】
前記無電解スズめっき後のはんだめっきを施したアウターリード５を２００本観察したピッティング発生結果を図２に示す。図２より、はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％で作製したアウターリードには、無電解スズめっき後にピッティングの発生は認められなかったのに対して、はんだめっき組成がＳｎ８０〜９０％で作製したアウターリードには、ピッティングが観察された。
【００２３】
また、無電解スズめっきを施した後の、アウターリードのはんだめっき組成は、スズめっきが置換析出するために、Ｓｎ８０〜９０％のはんだ付け性の良好なめっき膜組成になることが確認された（図１（ｇ））。
【００２４】
以上より、可とう性を有する絶縁性フィルム２表面にインナーリード４、アウターリード５を形成した後、インナーリード４のみにマスキングレジストを塗布し、アウターリード５のみに電気はんだめっきを施し、前記マスキングレジストを剥離した後、インナーリード４に無電解法によりスズめっきを施すスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法において、前記アウターリード５に施すはんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とした後、インナーリード４及びアウターリード５に無電解スズめっきを施すことにより、前記アウターリードのはんだめっきのピッティング発生を防止できるとともに、はんだ付け性に良好な組成をもつはんだめっき膜が得られることが確認された。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明のスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法によれば、アウターリードの電気はんだめっき組成をＳｎ６０〜７０％とした後、インナーリードに無電解スズめっきを施すことにより、前記アウターリードに施したはんだめっきのピッティングの発生を防止できるとともに、はんだ付け性、ボンディング性の良好なスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープの製造方法を示した図である。
【図２】はんだめっき組成を変化したとき、これと無電解スズめっきを施した後のはんだめっきピッティングの発生結果との関係を示した図である。
【図３】本発明の製造方法により得られるスズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープを示す平面図である。
【符号の説明】
１  スズ−はんだ２色めっきＴＡＢテープ
２  絶縁性フィルム
３  リード
４  インナーリード
５  アウターリード
６  デバイスホール
７  スプロケットホール
８  アウターホール
９  テストパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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