(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持し回転するチャックテーブルと、スピンドルハウジングの中心部にスピンドルが回転可能に支持され該スピンドルの下端に円板上のマウンタが装着され該マウンタの下部に研削ホイールが装着された研削手段とを含む研削装置であって、
該研削ホイールを構成するホイールベースに配設され、該スピンドル内に研削水を流通させる研削水供給路及び該マウンタの分岐路と貫通して円弧状に配設された研削砥石に研削水を供給する研削水供給口と、
ガスを噴出する噴出口が該チャックテーブルの方向に向けられ、該噴出口から噴出されたガスによって該被加工物と該研削砥石との接触部に該研削水を押し込むガス噴出手段と
から少なくとも構成された研削装置。
【請求項２】
被加工物を保持し回転するチャックテーブルと、スピンドルハウジングの中心部にスピンドルが回転可能に支持され該スピンドルの下端に円板上のマウンタが装着され該マウンタの下部に研削ホイールが装着された研削手段とを含む研削装置であって、
該研削ホイールを構成するホイールベースに配設され、該スピンドル内に研削水を流通させる研削水供給路及び該マウンタの分岐路と貫通して円弧状に配設された研削砥石に研削水を供給する研削水供給口と、
ガスを噴出する噴出口が該チャックテーブルの方向に向けられ、該噴出口から噴出されたガスによって該被加工物と該研削砥石との接触部に該研削水を押し込むガス噴出手段と
から少なくとも構成された研削装置によって被加工物を研削する研削方法であって、
被加工物を保持するチャックテーブルを回転させると共に該スピンドルを回転させながら該研削手段を下降させて該被加工物に対して回転する研削砥石を押圧すると共に、該研削水供給口から該被加工物に研削水を供給し、該ガス噴出手段にガスを供給して該噴出口から噴出されるガスによって該被加工物と該研削砥石との接触部に該研削水を押し込んで該被加工物を研削する研削方法。
【請求項３】
前記ガス噴出手段の噴出口から３気圧〜５気圧のエアーが５リットル／分〜２０リットル／分噴出する請求項２に記載の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、作用要素を被加工物に接触させて各種の加工を行う場合に、作用要素と被加工物との接触部に加工液を供給しながら加工を遂行する加工方法及び加工装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の加工装置においては、作用要素を被加工物に接触させて加工を行うとき、作用要素と被加工物との接触部に加工液を供給し、当該接触部を冷却することにより被加工物の加工精度及び品質の向上を図っている。
【０００３】
加工液を供給しながら加工を行う加工装置としては、例えば、図１４に示すような、半導体ウェーハをダイシングするダイシング装置５０が周知である。このダイシング装置５０においては、被加工物である半導体ウェーハＷは、図１５にも示すように、保持テープＴを介してフレームＦに保持されてカセット７１に収納される。
【０００４】
半導体ウェーハＷの表面には、所定間隔を置いて格子状に配列された複数の直線状領域であるストリートＳが存在し、ストリートＳによって区画された多数の矩形領域には回路パターンが施されている。
【０００５】
カセット７１に収納された半導体ウェーハＷは、搬出入手段７２によって１枚ずつ仮置き領域７３に取り出され、搬送手段７４に吸着されて搬送手段７４が旋回動することによりチャックテーブル５８に搬送され、吸引保持される。
【０００６】
チャックテーブル５８に半導体ウェーハＷが保持されると、チャックテーブル５８がＸ軸方向に移動し、アライメント手段７５の直下に位置付けられてパターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートが検出される。そして、更にチャックテーブル５８がＸ軸方向に移動することにより、加工液の一種である切削液の供給を受けながら、作用要素である回転する切削ブレード７６を備えた切削手段７７の作用を受けて検出されたストリートが切削される。このようにしてストリートが１本ずつ縦横に切削されることによりダイシングされ、個々のチップが形成される。
【０００７】
切削手段７７は、図１６に示すように、切削ブレード７６がブレードカバー７８によって覆われた構成となっており、切削ブレード７６の両面の外周部７９は、ダイヤモンド砥粒等の砥粒が電着（電鋳）によって固定されて固定砥粒を形成している。また、切削手段７７には、図１７に示すように、スピンドルハウジング８０に回転可能に支持された回転スピンドル８１の先端に装着された切削ブレード７６を両側から挟むようにして切削液ノズル８２ａ、８２ｂを備えており、切削中は、切削液ノズル８２ａ、８２ｂから毎分２リットル程の切削液が供給されて半導体ウェーハＷの冷却が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成の切削手段７７では、半導体ウェーハＷの表面全体にある程度切削液が行き渡り、切削ブレード７６と半導体ウェーハＷとの接触部に特に重点的に切削液が供給されているにもかかわらず、当該接触部の冷却効果が十分ではない。従って、ダイシングによって形成されたチップの縁にチッピングが生じやすく、加工精度、チップの品質の点で問題がある。
【０００９】
また、半導体ウェーハＷの切削液が大量に供給されると、切削により生じた切削屑が切削液に混じって大量に排出されるため、環境問題を引き起こすという問題もある。
【００１０】
更に、半導体ウェーハＷと切削ブレード７６との接触部に切削液を充分に供給しようとするため、必要以上に切削液を使用することになり、無駄が多く不経済である。特に、チップの品質向上のために蒸留水のような高価な水を切削液として使用している場合には極めて不経済である。
【００１１】
以上のような問題点は、上述のダイシング装置のみならず、作用要素と被加工物との接触部に加工液を供給しながら加工を遂行する様々な加工に共通して発生するものである。従って、各種の加工においては、加工精度及び加工により形成される結果物の品質の低下を招くことなく加工液の使用量を節減することに解決すべき課題を有している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、被加工物を保持し回転するチャックテーブルと、スピンドルハウジングの中心部にスピンドルが回転可能に支持されスピンドルの下端に円板上のマウンタが装着されマウンタの下部に研削ホイールが装着された研削手段とを含む研削装置であって、研削ホイールを構成するホイールベースに配設され、スピンドル内に研削水を流通させる研削水供給路及びマウンタの分岐路と貫通して円弧状に配設された研削砥石に研削水を供給する研削水供給口と、ガスを噴出する噴出口がチャックテーブルの方向に向けられ、噴出口から噴出されたガスによって被加工物と研削砥石との接触部に研削水を押し込むガス噴出手段とから少なくとも構成されることを特徴とする研削装置を提供するものである。
【００１３】
また、本発明は、被加工物を保持し回転するチャックテーブルと、スピンドルハウジングの中心部にスピンドルが回転可能に支持されスピンドルの下端に円板上のマウンタが装着されマウンタの下部に研削ホイールが装着された研削手段とを含む研削装置であって、研削ホイールを構成するホイールベースに配設され、スピンドル内に研削水を流通させる研削水供給路及びマウンタの分岐路と貫通して円弧状に配設された研削砥石に研削水を供給する研削水供給口と、ガスを噴出する噴出口がチャックテーブルの方向に向けられ、噴出口から噴出されたガスによって被加工物と研削砥石との接触部に研削水を押し込むガス噴出手段とから少なくとも構成された研削装置によって被加工物を研削する研削方法であって、被加工物を保持するチャックテーブルを回転させると共にスピンドルを回転させながら研削手段を下降させて被加工物に対して回転する研削砥石を押圧すると共に、研削水供給口から被加工物に研削水を供給し、ガス噴出手段にガスを供給して噴出口から噴出されるガスによって被加工物と研削砥石との接触部に研削水を押し込んで該被加工物を研削する研削方法を提供するものである。
【００１４】
そして、ガス噴出手段の噴出口から３気圧〜５気圧のエアーが５リットル／分〜２０リットル／分噴出することを付加的要件とするものである。
【００１５】
このように構成される研削装置及び研削方法によれば、エアー等のガスが噴出されることにより研削砥石と被加工物との接触部に研削水が強制的に押し込まれて極めて有効かつ効率的に当該接触部に研削水が供給される。したがって、被加工物の冷却が促進され、面焼けが生じにくくなる。また、研削ひずみやクラックが生じにくく、面の粗さがなくなって鏡面研削が可能となり、スピンドルの回転速度を落とさなくても、被加工物を薄く研削することができる。
【００１６】
更に、研削砥石の摩耗の度合いが小さくなり、寿命が長くなると共に、スピンドルを駆動するモータの負荷電流が減少し、安定性が増す。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態として、図１に示す研削装置３０及びこの研削装置３０を用いて研削水を供給しながら半導体ウェーハの研削を行う方法を例に挙げて説明する。
【００１８】
研削装置３０においては、研削しようとする被加工物である半導体ウェーハは、カセット３７ｂから搬出入手段３７ｃによってセンター合わせテーブル３７ｄに搬出され、搬送手段３５ｂによってセンター合わせテーブル３７ｄの近傍に位置する保持手段であるチャックテーブル３３に載置される。
【００１９】
そして、そのチャックテーブル３３は、ターンテーブル３２が回転することによって加工手段である研削手段３４ｂの直下に位置付けられ、チャックテーブル３３が回転すると共に、研削手段３２ｂの下部に装着された作用要素である研削砥石が回転しながら下降して適宜の押圧力が加えられることにより、半導体ウェーハの研削、例えばここでは粗仕上げが行われる。
【００２０】
そして更にターンテーブル３２が回転し、研削手段３４ａの直下に位置付けられ、チャックテーブル３３が回転すると共に、研削手段３４ａの下部に装着された研削砥石が回転しながら下降して適宜の押圧力が加えられることにより、半導体ウェーハの研削、例えばここでは鏡面仕上げが行われる。
【００２１】
こうして研削が行われた半導体ウェーハを保持したチャックテーブル３３は、ターンテーブル３２の回転により仮受け台３６ａの近傍に移動し、研削後の半導体ウェーハは、搬送手段３５ａによって仮受け台３６ａへと搬送されて洗浄が行われる。そして洗浄後はセンター合わせテーブル３７ｅに搬送された後、搬出入手段３７ｃによってカセット３７ａに収納される。
【００２２】
作業台３１の端部からは、壁体３８が起立して設けられており、この壁体３８の内側の面には一対のレール３９が垂直方向に併設され、レール３９に沿ってスライド板４０が上下動するのに伴い、スライド板４０に固定された研削手段３４ａ、３４ｂが上下動するようになっている。
【００２３】
研削手段３４ａ、３４ｂは、図２に示すように、スピンドルハウジング４１の中心部にスピンドル４２が回転可能に支持され、スピンドル４２の下端に円板上のマウンタ４３が装着され、更に、マウンタ４３の下部に研削ホイール４４が装着された構成となっている。また、図６に示すように、スピンドル４２内には研削水を流通する研削水供給路４５が貫通し、この研削水供給路４５はマウンター４４内の分岐路４６を経由して研削ホイール４４の研削水供給口４７まで貫通している。更に、研削水供給口４７の外側には作用要素である研削砥石４８が下方に突設されている。
【００２４】
チャックテーブル３３の近傍には、ノズル１１が作業台３１から起立しているガス噴出手段１０が設けられており、その先端の噴出口１２はチャックテーブル３３の方向に向けられている。このガス噴出手段１０は、図２に示すように、ガス供給部１３から例えば高圧エアーのようなガスを供給されて、噴出口１２からガス１４を噴出する。なお、ガス噴出手段１０は、図３（Ａ）のように、回転及び上下動可能なノズル１１に設けたひとつの噴出口１２からガス１４が噴出されるよう構成されていてもよいし、また、図３（Ｂ）のように、ノズル１１に複数の噴出口１２が水平方向に末広がり状に配設されて各噴出口１２からガス１４が噴出されるよう構成されていてもよい。更に、ガス噴出手段１０は、図３（Ｃ）のように、ノズル１１に水平方向にスリット状の噴出口１２が設けられた構成としてもよい。
【００２５】
研削手段３４（３４ａ、３４ｂ）の上下動、スピンドル４２の回転、チャックテーブル３３の回転は制御部２０によって制御され、図４のように構成される。
【００２６】
壁体３８の外側の上部には、パルスモータ２１が設けられ、このパルスモータ２１に駆動されて回転するボールネジ２２に駆動部２３が係合されている。この駆動部２３は壁体３８を貫通し、スライド板４０と連結されている。そして、制御部２０がパルスモータドライバ２４を介してパルスモータ２１を駆動し、パルスモータ２１の回転に伴ってボールネジ２２が回転することにより駆動部２３が上下動し、これによってスライド板４０もレール３９に沿って上下動して研削手段３４が上下動する。また、駆動部２３は制御部２０と直接接続されており、制御部２０からの制御の下でスピンドル４２の回転を駆動する。
【００２７】
壁体３８の外側にはリニアスケール２５が垂直方向に配設されており、リニアスケール２５上における駆動部２３の位置情報が制御部２０に転送され、この位置情報は、制御部２０における研削手段３４の上下動の精密制御に供される。
【００２８】
また、制御部２０は、サーボドライバ２６を介してチャックテーブル３３の下部に設けられたエンコーダ２７及びサーボモータ２８と接続されており、エンコーダ２７及びサーボモータ２８を駆動することにより、チャックテーブル３３の回転を制御することができる。
【００２９】
研削手段３４（３４ａ、３４ｂ）によってチャックテーブル３３に保持された半導体ウェーハＷを研削する際は、チャックテーブル３３を回転させると共に、スピンドル４２を回転させながら研削手段３４（３４ａ、３４ｂ）を下降させて半導体ウェーハＷに対して回転する研削砥石４８を押圧して研削を行う。またこれと同時に、研削水供給路４５の上部から加工液である研削水を流入させ、研削水供給路４５及び分岐路４６を介して加工液供給手段である研削水供給口４７から半導体ウェーハＷに対して研削水４９を供給する。
【００３０】
研削ホイール４４は、ホイールベース４４ａを有し、そのホイールベース４４ａには、図５に示すように、一定間隔をおいて円弧状に研削水を供給する研削水供給口４７と、その外側に一定間隔毎に円弧状に研削砥石４８とが配設されている。そして、その上部はマウンター４３にボルト等で固定されている。また、研削砥石４８は、一面にダイヤモンド砥粒等の砥粒がレジノイドボンド等のボンド剤によって固定された固定砥粒である。
【００３１】
以上のように構成される研削装置３０を用いて半導体ウェーハを表面研削する際は、図６に示すように、研削しようとする半導体ウェーハＷをチャックテーブル３３に載置して保持させ、制御部２０の制御の下、チャックテーブル３３を回転させると共に、スピンドル４２を回転させて研削ホイール４４を回転させながら研削手段３４（３４ａ、３４ｂ）を下降させていき、回転する研削砥石４８を適宜の押圧力を加えながら半導体ウェーハＷに接触させることにより半導体ウェーハＷの面を研削する。
【００３２】
このとき研削水供給路４５には、高価な純水を０．４リットル／分ほど供給し、その純水は分岐路４６を介して研削水供給口４７から研削水１５として半導体ウェーハＷに供給される。
【００３３】
また、これと同時にガス噴出手段１０にガスを供給して噴出口１２から、好ましくは３気圧〜５気圧のエアー１４を５リットル／分〜２０リットル／分噴出する。なお、研削水としては、純水だけでなく、潤滑油等を用いることもでき、ガス噴出手段１０から噴出するガスとしては、エアーの他に、不活性ガス、加工液をミスト状としたものを混入させたガス等を用いることができる。
【００３４】
噴出されたエアー１４によって研削水１５の流れは勢いを増し、図７に示すように、半導体ウェーハＷと研削砥石４８との接触部における僅かな隙間にも強制的に入り込む。そしてこのように入り込んだ研削水によって、研削水の気化による気化熱の発生と相まって、半導体ウェーハＷの冷却が一層促進される。
【００３５】
このようにして研削水の供給量が０．４リットル／分と少量でも、エアーの噴出によって半導体ウェーハＷの冷却が促進され、半導体ウェーハＷの面焼けが生じにくくなる。具体的には、エアー使用時は半導体ウェーハを３００枚程度研削しても面焼けが生じなかったのに対し、エアーを使用しなかった場合には、２枚目の研削において研削不能状態が発生したことが実験により確認された。従って、エアーを使用しない場合は、従来のように２リットル／分以上の切削水の供給が必要であった。
【００３６】
また、エアーを供給すると、半導体ウェーハＷに研削ひずみやクラックが生じにくく、面の粗さがなくなって鏡面研削が可能となり、また、スピンドル４２の回転速度を落とさなくても、半導体ウェーハの厚さを例えば２００μｍ以下のように薄く研削することも可能となる。
【００３７】
更に、研削砥石４８の摩耗が少なくなり、寿命が延びる。具体的には、従来のように研削水のみを供給して研削を行った場合と、本発明のように研削水を供給すると共にガス噴出手段１０からエアー１４を噴出して研削を行った場合とについてそれぞれ研削砥石４８の摩耗量を測定した結果、図８に示すグラフを得た。
【００３８】
図８において、横軸（Ｘ軸）は研削枚数、縦軸（Ｙ軸）は摩耗量を表しており、どちらの場合も研削枚数が増えるほど摩耗量も増加し、研削枚数と摩耗量とは比例関係にあるが、エアーを用いる本発明の研削の場合の直線の傾きは０．６９６９、エアーを用いない従来の研削の場合は直線の傾きは１．００３４となっており、本発明の研削の場合のほうが３割ほど直線の傾きが小さく、摩耗の度合いが小さくなっている。即ち、本発明の研削の場合のほうが研削砥石の寿命を３割ほど延ばせることが確認された。
【００３９】
また、研削時の研削砥石４８と半導体ウェーハＷとの摩擦によってスピンドル４２の回転速度が低下するのを防止するために、スピンドル４２を駆動するモータには付加電流が加えられることがあるが、本発明の研削の場合には、研削砥石４８と半導体ウェーハＷとの間にできるわずかな隙間に研削液が入り込むので摩擦が小さく、付加電流を小さくすることができることが実験により確認された。その実験結果は、横軸を研削枚数、縦軸を付加電流として図９のグラフに表されており、本発明の研削の場合には、従来の研削の場合よりも平均で約０．７アンペアほど付加電流を減少させることができることが確認された。更に、グラフに示すように、従来の研削の場合に見られる研削砥石４８の摩耗のバラツキに起因する付加電流の急激な増加がなくなって付加電流に安定性が増すことも確認された。
【００４０】
次に、本発明の第二の実施の形態として、半導体ウェーハのダイシングを行うダイシング装置及びダイシング装置において切削液を供給しながら半導体ウェーハのダイシングを行う方法を例に挙げて説明する。なお、ここで説明するダイシング装置は、従来の技術で説明したダイシング装置５０と切削手段の構成のみが異なり、それ以外は従来と同様に構成されるため、共通する部位については従来と同一の符号を付し、その説明は省略することとする。
【００４１】
加工手段である切削手段５１は、図１０に示すように、作用要素である切削ブレード５２がブレードカバー５３によって覆われた構成となっており、切削ブレード５２の両面の外周部５４は、ダイヤモンド砥粒等の砥粒が電着（電鋳）によって固定されて固定砥粒を形成している。また、ブレードカバー５３からは、図１１に示すように、切削ブレード５２を挟むようにして加工液供給手段である２本の切削液ノズル５５ａ、５５ｂが切削ブレード５２と一定の距離をおいて平行に配設されている。
【００４２】
図１１に示したように、切削ブレード５２の面の延長線上の位置には、切削ブレード５２と半導体ウェーハＷとの接触部付近に加工液である切削液を供給する切削液ノズル５６を配設し、更にその外側には、高圧エアーのようなガスを噴出するガス噴出手段５７を配設している。
【００４３】
このように構成される切削手段５１を用いて被加工物である半導体ウェーハＷを切削する際は、各切削液ノズルから切削液、例えば、水が供給されると共に、半導体ウェーハＷを吸引保持する保持手段であるチャックテーブル５８がＸ軸方向に移動し、作用要素である切削ブレード５２が回転してダイシング溝が形成されていく。
【００４４】
図１１に示すように、切削液ノズル５５ａ、５５ｂから供給される切削水は、切削ブレード５２と半導体ウェーハＷとの接触部に向けて流れ、更に、切削液ノズル５６から供給される切削液も当該接触部に向けて流れる。そして更に、切削液ノズル５６から供給される切削液は、ガス噴出手段５７から噴出されるエアーによって接触部に集中し、切削液が接触部に充分に供給され、切削ブレード５２と半導体ウェーハＷとの間にできるわずかな隙間にも侵入し、冷却が促進される。
【００４５】
また、エアーの噴出によって切削液の気化が促進され、気化熱によって接触部の熱が奪われることになり、より一層冷却効果が増大する。
【００４６】
このように、切削液を切削ブレード５２と半導体ウェーハＷとの接触部に集中させて当該接触部の冷却が促進されると、切削の際に半導体ウェーハＷにチッピングが生じにくく、加工精度が増してチップの品質が向上することが確認された。
【００４７】
なお、切削手段は、図１２及び図１３に示すように構成されていてもよい。図１２及び図１３の例における切削手段６２においては、切削ブレード５９を挟むようにして２本の切削液ノズル６０ａ、６０ｂが切削ブレード５９と一定の距離をおいて平行に配設されており、更にその外側には平行に２つのガス噴出手段６１ａ、６１ｂを配設している。そして、ガス噴出手段６１ａ、６１ｂの切削液ノズル側には、多数のエアー噴出口（図示せず）を備えている。
【００４８】
このような構成において切削液を供給しながらエアーを噴出すると、切削液ノズル６０ａから供給される切削液は、ガス噴出手段６１ａから噴出するエアーによってその大部分が切削ブレード５９と半導体ウェーハＷとの接触部の片面側に集中する。同様に、切削液ノズル６０ｂから供給される切削液も、ガス噴出手段６１ｂから噴出するエアーによってその大部分が切削ブレード５９と半導体ウェーハＷとの接触部のもう片面側に集中する。
【００４９】
こうして、図１１の例の場合よりも更に切削水が切削ブレードと半導体ウェーハＷとの接触部に侵入し、冷却効果がより一層高まる。その結果、チップの加工精度、品質も一層向上する。
【００５０】
本実施の形態においては、加工装置として研削装置とダイシング装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、円柱状の鉄からなるシャフトの外周面を研磨するシャフト研磨機、石材、ガラス、金属等の表面に種々の加工を施す平面研削盤、種々の硬質材料を切削する切削機、半導体インゴットをスライスする半導体インゴット切削機等にも本発明を適用可能である。
【００５１】
また、これら様々な装置に使用される作用要素としては様々なものがあるが、天然ダイヤモンド砥粒、人造ダイヤモンド砥粒、ＣＢＮ砥粒、カーボランダム砥粒、アランダム砥粒等の砥粒を、ビトリファイドボンド、メタルボンド、レジノイドボンド、電着、電鋳等で固めた砥石である固定砥粒であればよい。
【００５２】
なお、加工装置がクリーンルーム等の比較的密閉された部屋に設置されている場合は、ガス噴出手段から噴出するガスはエアーであることが好ましい。不活性ガスの場合はオペレータが呼吸困難を起こすことがあるからである。
【００５３】
【発明の効果】
このように構成される加工装置及び加工方法によれば、エアー等のガスが噴出されることにより作用要素と被加工物との接触部に加工液が強制的に押し込まれて極めて有効かつ効率的に加工液が供給され、ガスの噴出により加工液の気化が促進されて気化熱によって接触部の熱が奪われて冷却効果が増大する。
【００５４】
従って、加工液の供給量を従来よりも大幅に少なく、例えば、１／５以下にしても、従来と遜色ない加工が可能であり、例えば、半導体ウェーハの面研削においては、従来は成し得なかった２００μｍ以下の薄残し研削及び鏡面研磨が可能となる。また、研削時の摩擦の緩和によって研削砥石の摩耗量も減少し、研削砥石の寿命を延ばすことができる。
【００５５】
更に、半導体ウェーハのダイシングにおいては、作用要素と半導体ウェーハとの接触部に加工液が強制的に押し込まれて供給されることと相まって、気化熱によって接触部が充分に冷却されるため、ダイシング溝の両側にチッピングが生じにくく、品質の高いチップの生産が可能となる。
【００５６】
本発明は、研削装置、ダイシング装置等の切削装置に限定されるものではなく、加工液を供給しながら作用要素によって被加工物に加工を施すすべての加工装置に応用することができ、加工液の節減によって環境問題及び経済性の問題を同時に解決することができる。
【００５７】
また、被加工物の品質を従来と同等にできることは勿論のこと、従来では成し得なかった高い品質の加工を可能にするという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る加工装置の第一の実施の形態である研削装置の外観を示す斜視図である。
【図２】同研削装置の研削手段、チャックテーブル及びガス噴出手段を示す説明図である。
【図３】同研削装置に配設されるガス噴出手段の例を示す斜視図である。
【図４】同研削装置の主要部の構成を示す説明図である。
【図５】同研削装置の研削手段を構成する研削ホイールを示す説明図である。
【図６】同研削装置を用いて研削水を供給すると共に、エアーを噴出して、半導体ウェーハを研削する様子を示す説明図である。
【図７】図６のＡで示した部分の拡大図である。
【図８】本発明に係る研削装置を用いて半導体ウェーハの研削を行った場合の研削枚数と研削砥石の摩耗量との関係を示すグラフである。
【図９】同研削装置を用いて半導体ウェーハの研削を行った場合の研削枚数とスピンドル付加電流値との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る加工装置の第二の実施の形態であるダイシング装置の切削手段を示す説明図である。
【図１１】同切削手段の第一の構成例、及び、当該切削手段を用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しながら半導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図である。
【図１２】同切削手段の第二の構成例及び当該切削手段を用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しながら半導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図である。
【図１３】同切削手段の第二の構成例及び当該切削手段を用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しながら半導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図である。
【図１４】ダイシング装置の外観を示す斜視図である。
【図１５】フレームに保持された半導体ウェーハの表面を示す説明図である。
【図１６】ダイシング装置における従来の切削手段を示す説明図である。
【図１７】同切削手段の構成及びを当該切削手段を用いて切削水を供給しながら半導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図である。
【符号の説明】
１０……ガス噴出手段  １１……ノズル  １２……噴出口  １３……ガス供給部
１４……エアー
２０……制御部  ２１……パルスモータ  ２２……ボールネジ  ２３……駆動部
２４……パルスモータドライバ  ２５……リニアスケール
２６……サーボドライバ  ２７……エンコーダ  ２８……サーボモータ
３０……研削装置  ３１……作業台  ３２……ターンテーブル
３３……チャックテーブル  ３４、３４ａ、３４ｂ……研削手段
３５ａ、３５ｂ……搬送手段  ３６ａ、３６ｂ……仮受け台
３７ａ、３７ｂ……カセット  ３７ｃ……搬出入手段
３７ｄ、３７ｅ……センター合わせテーブル  ３８……壁体  ３９……レール
４０……スライド板  ４１……スピンドルハウジング  ４２……スピンドル
４３……マウンタ  ４４……研削ホイール  ４４ａ……ホイールベース
４５……研削水供給路  ４６……分岐路  ４７……研削水供給口
４８……研削砥石  ４９……研削水
５０……ダイシング装置  ５１……切削手段  ５２……切削ブレード
５３……ブレードカバー  ５４……外周部  ５５ａ、５５ｂ……切削液ノズル
５６……切削液ノズル  ５７……ガス噴出手段  ５８……ブレードカバー
５９……切削ブレード  ６０ａ、６０ｂ……切削液ノズル
６１ａ、６１ｂ……ガス噴出手段  ６２……切削手段
７１……カセット  ７２……搬出入手段  ７３……仮置き領域
７４……搬送手段  ７５……アライメント手段  ７６……切削ブレード
７７……切削手段  ７８……ブレードカバー  ７９……ブレードカバー
８０……スピンドルハウジング  ８１……回転スピンドル
８２ａ、８２ｂ……切削液ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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