(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ(13)内の石英るつぼ(14)にヒータ(19)により融解されたシリコン融液(12)を貯留し、前記シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶棒(11)の外周面を熱遮蔽部材(27)により包囲して前記ヒータ(19)からの輻射熱を遮り、前記引上げられるシリコン単結晶棒(11)の外周面に不活性ガスを流下させて前記熱遮蔽部材(27)の下端及び前記シリコン融液(12)表面の間を通過するように構成されたシリコン単結晶の製造方法において、
前記単結晶棒(11)を引上げている間の前記チャンバ(13)内の圧力を２５〜６０Torrに設定し、かつ前記熱遮蔽部材(27)の下端及びシリコン融液(12)表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒に設定し、
前記引上げられている単結晶棒(11)中の酸素濃度が引上げに伴って低下する場合、前記チャンバ(13)内の圧力を前記範囲内で徐々に上げるとともに前記不活性ガスの流速を前記範囲内で下げ、
前記引上げられている単結晶棒(11)中の酸素濃度が引上げに伴って上昇する場合、前記チャンバ(13)内の圧力を前記範囲内で徐々に下げるとともに前記不活性ガスの流速を前記範囲内で上げる
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶棒を引上げて製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン単結晶の製造装置として、図６に示すように、チャンバ３内にシリコン融液２が貯留された石英るつぼ４が収容され、シリコン単結晶棒１の外周面と石英るつぼ４の内周面との間にシリコン単結晶棒１を包囲するように熱遮蔽部材７が挿入された引上げ装置（特公昭５７−４０１１９号）が開示されている。この装置では、熱遮蔽部材７が下方に向うに従って直径が小さくなるコーン部７ａと、外周縁がコーン部７ａの下端に接続され水平に延びて内周縁がシリコン単結晶棒１の外周面近傍に達するリング部７ｂと、内周縁がコーン部７ａの上端に接続され水平に延びて外周縁が保温筒８の上面に達するフランジ部７ｃとを有する。熱遮蔽部材７はフランジ部７ｃを保温筒８の上面に載置することにより固定される。図６の符号６は石英るつぼ４の外面を被覆するサセプタであり、符号９は石英るつぼ４の外周面を石英るつぼから所定の間隔をあけて包囲するヒータである。
【０００３】
このように構成された引上げ装置では、シリコン単結晶棒１をシリコン融液２から引上げると、シリコン融液２の液面が次第に低下して石英るつぼ４の内周壁が露出し、この露出した石英るつぼ４の内周壁からの輻射熱がシリコン単結晶棒１の外周面に向うが、この輻射熱は熱遮蔽部材７により遮られてシリコン単結晶棒１の外周面に達しない。この結果、引上げ中のシリコン単結晶棒１の凝固が遅延することはなく、シリコン単結晶棒１は速やかに冷却されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の特公昭５７−４０１１９号公報に示された引上げ装置では、サセプタ及びヒータがカーボンにより形成され、熱遮蔽部材がタングステン、ニオブ、タンタル、カーボン等により形成される。熱遮蔽部材をカーボンにより形成した場合、サセプタ、ヒータ及び熱遮蔽部材はこれらの製造過程においてＦｅを初めとして他の金属不純物を含むことがあり、この場合にはシリコン単結晶棒の引上げ時に上記金属不純物や炭素が熱遮蔽部材等の表面から飛び出してシリコン単結晶棒の外周面に付着して汚染するため、シリコン単結晶棒の高純度化を図ることが難しい問題点があった。
また上記従来の特公昭５７−４０１１９号公報に示された引上げ装置では、シリコン単結晶棒の引上げ時に石英るつぼが極めて高温になって溶出するため、石英るつぼ中の気泡が破裂してシリコン融液に石英るつぼの微小な破片が混入する。この結果、シリコン単結晶棒の結晶有転位化が増大し、単結晶化率、即ちフリー化率が低下する問題点もあった。
【０００５】
本発明の目的は、引上げ中に金属不純物や炭素が熱遮蔽部材等から飛び出すのを防止することにより、シリコン単結晶棒の高純度化を図ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、引上げ中に石英るつぼの気泡の破裂を抑制することにより、シリコン単結晶棒の単結晶化率を向上できるシリコン単結晶の製造方法を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、チャンバ内の圧力が高いときに熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を大きくすることにより、シリコン単結晶棒中の酸素濃度を低い最適な値に容易に調整できるシリコン単結晶の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、チャンバ１３内の石英るつぼ１４にヒータ１９により融解されたシリコン融液１２を貯留し、シリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶棒１１の外周面を熱遮蔽部材２７により包囲してヒータ１９からの輻射熱を遮り、引上げられるシリコン単結晶棒１１の外周面に不活性ガスを流下させて熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過するように構成されたシリコン単結晶の製造方法の改良である。
その特徴ある構成は、単結晶棒１１を引上げている間のチャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrに設定し、かつ熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒に設定し、上記引上げられている単結晶棒１１中の酸素濃度が引上げに伴って低下する場合、チャンバ１３内の圧力を上記範囲内で徐々に上げるとともに不活性ガスの流速を上記範囲内で下げ、上記引上げられている単結晶棒１１中の酸素濃度が引上げに伴って上昇する場合、チャンバ１３内の圧力を上記範囲内で徐々に下げるとともに不活性ガスの流速を上記範囲内で上げるところにある。
【０００７】
この請求項１に記載されたシリコン単結晶の製造方法では、シリコン単結晶棒１１の引上げ中にチャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrと比較的高く設定しているので、ヒータ１９や熱遮蔽部材２７等の表面から金属不純物又は炭素は殆ど飛び出さない。この他、不活性ガスの流路、流速によっても結晶内の金属不純物又は炭素の濃度が変化することが分かっている。
また石英るつぼ１４はヒータ１９により加熱され、極めて高温のシリコン融液１２が貯留されるため、軟化するけれども、チャンバ１３内の圧力が上記のように高く設定されているため、石英るつぼ１４の表面に発生する気泡を低減できる。一方、チャンバ１３内の圧力を上記のように高く設定すると、シリコン融液１２中の酸素が飽和して石英るつぼ１４がシリコン融液１２に溶出し難くなる。
更にチャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrと比較的高く設定したときに、上記のように不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒に設定することにより、シリコン単結晶棒１１中の酸素濃度を最適な値に容易に調整できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１に示すように、シリコン単結晶棒１１は引上げ装置１０によりシリコン融液１２から引上げられる。この引上げ装置１２のチャンバ１３内には、シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１４が設けられ、この石英るつぼ１４の外面はカーボン製のサセプタ１６により被覆される。石英るつぼ１４の下面は上記サセプタ１６を介して支軸１７の上端に固定され、この支軸１７の下部はるつぼ駆動手段１８に接続される。るつぼ駆動手段１８は図示しないが石英るつぼ１４を回転させるるつぼ回転用モータと、石英るつぼ１４を昇降させるるつぼ昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１４が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。石英るつぼ１４の外周面は石英るつぼ１４から所定の間隔をあけてカーボン製のヒータ１９により包囲され、このヒータ１９は保温筒２１により包囲される。ヒータ１９は石英るつぼ１４に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液１２にする。
【００１０】
またチャンバ１３の上端には円筒状のケーシング２２が接続される。このケーシング２２には単結晶棒引上げ手段２３が設けられる。この引上げ手段２３はケーシング２２の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させるヘッド回転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１４の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２４と、上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２４を巻取り又は繰出す単結晶棒引上げ用モータ（図示せず）と、ワイヤケーブル２４の下端に吊下げられた種結晶２６とを有する。種結晶２６はシリコン融液１２に浸されてワイヤケーブル２４にて引上げることにより、シリコン単結晶棒１１が引上げられるように構成される。
【００１１】
シリコン単結晶棒１１の外周面と石英るつぼ１４の内周面との間にはシリコン単結晶棒１１を包囲してヒータ１９からの輻射熱を遮る熱遮蔽部材２７が設けられる。この熱遮蔽部材２７はカーボンにより形成され、引上げられるシリコン単結晶棒１１の外周面を包囲する直筒部２７ａと、この直筒部２７ａの下端に連設され下方に向うに従って直径が小さくなるコーン状に形成されたコーン部２７ｂと、直筒部２７ａの上端に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部２７ｃとを有する。コーン部２７ｂの下端はシリコン融液１２表面から間隔をあけて上方に位置する。コーン部２７ｂの傾斜角度は水平面に対して３０〜６０度の範囲、好ましくは４５度に設定される。
【００１２】
一方、チャンバ１３にはこのチャンバ１３のシリコン単結晶棒１１側に不活性ガスを供給しかつ上記不活性ガスをチャンバ１３のるつぼ内周面側から排出するガス給排手段３４が接続される。ガス給排手段３４は一端がケーシング２２の周壁に接続され他端が上記不活性ガスを貯留するタンク（図示せず）に接続された供給パイプ３４ａと、一端がチャンバ１３の下壁に接続され他端が真空ポンプ（図示せず）に接続された排出パイプ３４ｂとを有する。供給パイプ３４ａ及び排出パイプ３４ｂにはこれらのパイプ３４ａ，３４ｂを流れる不活性ガスの流量を調整する第１及び第２流量調整弁３４ｃ，３４ｄがそれぞれ設けられる。上記不活性ガスとしてはアルゴンガス、ヘリウムガス、クリプトンガス等を用いられ、このガスは引上げられるシリコン単結晶棒１１の外周面に流下させて熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過するように構成される。
【００１３】
本発明の特徴ある構成は、シリコン単結晶棒１１を引上げている間のチャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torr、好ましくは４０〜６０Torrに設定し、熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒に設定したところにある。チャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrに限定したのは、２５Torr未満ではサセプタ１６、ヒータ１９、熱遮蔽部材２７等に含まれるＦｅ等の金属不純物や炭素が飛び出してシリコン単結晶棒１１の外周面に付着して汚染し、シリコン単結晶棒１１中の不純物濃度が高くなる不具合があり、６０Torrを越えるとチャンバ１３内雰囲気の温度が上昇し、チャンバ分割部（フランジ部）に介装されたＯリングが熱損傷を受ける等の不具合があるからである。また熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒に限定したのは、０．５ｍ／秒未満ではシリコン単結晶棒１１中の酸素濃度が高くなる不具合があり、３．５ｍ／秒を越えると単結晶化率が低下するという不具合があるからである。
【００１４】
なお、チャンバ１３内の圧力及び不活性ガスの流速はシリコン単結晶棒１１を引上げている間は、通常一定値に保たれるが、２５〜６０Torrの範囲内又は０．５〜３．５ｍ／秒の範囲内において、酸素濃度を変えるために単結晶棒１１の引上げ中に変更する場合もある。また単結晶棒１１の引上げ条件にもよるが、引上げに伴って酸素濃度が低下する場合には、徐々に圧力を上げるとともに不活性ガスの流速を下げて酸素濃度を一定にする場合もある。引上げに伴って酸素濃度が上昇する場合には、その逆を行う。
【００１５】
また単結晶棒引上げ用モータの出力軸（図示せず）には第１ロータリエンコーダ（図示せず）が設けられ、ドラム回転用モータの出力軸（図示せず）には第２ロータリエンコーダ（図示せず）が設けられる。るつぼ駆動手段１８には石英るつぼ１４内のシリコン融液１２の重量を検出する重量センサ（図示せず）と、支軸１７の昇降位置を検出するリニヤエンコーダ（図示せず）とが設けられる。第１及び第２ロータリエンコーダと重量センサとリニヤエンコーダの各検出出力はコントローラ（図示せず）の制御入力に接続され、コントローラの制御出力はるつぼ引上げ用モータ、ドラム回転用モータ及びるつぼ昇降用モータにそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ（図示せず）が設けられ、このメモリには第１及び第２ロータリエンコーダの各検出出力に対する種結晶用ワイヤケーブル２４の巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒１１の引上げ長が第１マップとしてそれぞれ記憶され、重量センサの検出出力に対する石英るつぼ１４内のシリコン融液１２の液面レベルが第２マップとして記憶される。コントローラは重量センサの検出出力に基づいて石英るつぼ１４内のシリコン融液１２の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ昇降用モータを制御するように構成される。
【００１６】
このように構成されたシリコン単結晶の製造方法では、サセプタ１６、ヒータ１９及び熱遮蔽部材２７等がカーボンにより形成されているが、チャンバ１３内の圧力が２５〜６０Torrと比較的高く設定されているので、上記サセプタ１６等の表面からＦｅ等の金属不純物や炭素は殆ど飛び出さない。これはサセプタ１６等の内部の不純物がガス分子として脱離する際に圧力が高いほど脱離し難くなるためであると考えられる。この結果、チャンバ１３内の不活性ガスには上記金属不純物や炭素が殆ど混入しないので、シリコン単結晶棒１１の高純度化を図ることができる。
【００１７】
また石英るつぼ１４はヒータ１９により加熱され、極めて高温のシリコン融液１２が貯留されるため軟化するけれども、チャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrと比較的高く設定しているため、石英るつぼ１４の表面に発生する気泡を低減できる。一方、チャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrと比較的高く設定すると、シリコン融液１２中の酸素が飽和して（酸素の分圧が飽和状態になる。）石英るつぼ１４がシリコン融液１２に溶出し難くなる。この結果、気泡が破裂してシリコン融液１２に石英るつぼの微小な破片が殆ど混入せず、シリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶棒１１に上記微小な破片が殆ど混入しないので、シリコン単結晶棒１１の結晶の有転位化の原因となる物質が減少し、シリコン単結晶棒１１の単結晶化率、即ちフリー化率を向上できる。
【００１８】
更にチャンバ１３内の圧力を２５〜６０Torrと比較的高く設定したときに、熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．５〜３．５ｍ／秒の範囲に設定することにより、シリコン単結晶棒１１中の酸素濃度を最適な値に容易に調整できる。
【００１９】
【実施例】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１に示すようなシリコン単結晶の引上げ装置１０を用いて外径２０５ｍｍのシリコン単結晶棒１１を引上げた。この装置１０の熱遮蔽部材２７の各寸法は以下の通りである。直筒部２７ａの直径及び長さはそれぞれ４６０ｍｍ及び３８０ｍｍであった。またコーン部２７ｂの上端及び下端の直径は４６０ｍｍ及び２７０ｍｍであり、高さは５０ｍｍであった。即ちコーン部２７ｂの傾斜角度は水平面に対して４５度であった。更にコーン部２７ｂの下端とシリコン融液１２との間隔は３０ｍｍとした。なお、上記熱遮蔽部材２７と、石英るつぼ１４の外面を被覆するサセプタ１６と、石英るつぼ１４の外周面を石英るつぼ１４から所定の間隔をあけて包囲するヒータ１９とをカーボンにより形成した。またチャンバ１３内のアルゴンガスの圧力を３０Torrに設定し、熱遮蔽部材２７の下端及びシリコン融液１２表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．３ｍ／秒に設定した。
【００２０】
＜実施例２＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を５０Torrに設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜実施例３＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を４０Torrに設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜実施例４＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を２５Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．１ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
【００２１】
＜実施例５及び６＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を２０Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．２５ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜実施例７＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を２０Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．４ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜実施例８＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を２５Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．７ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
【００２２】
＜実施例９＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を３０Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を２．０ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜実施例１０＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を３０Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を３．０ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
【００２３】
＜比較例１＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を１０Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．３ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜比較例２＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を１５Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を１．３ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
＜比較例３及び４＞
チャンバ内のアルゴンガスの圧力を１５Torrに設定し、熱遮蔽部材の下端及びシリコン融液表面の間を通過する不活性ガスの流速を０．８ｍ／秒に設定したことを除いて、実施例１と同一に構成した。
【００２４】
＜比較試験１及び評価＞
実施例１、実施例２及び比較例１の引上げ装置によりシリコン単結晶棒をそれぞれ製造し、これらのシリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウェーハをそれぞれ１０枚ずつ作製し、更にこれらのシリコンウェーハに含まれるＦｅ濃度をそれぞれ測定した。このＦｅ濃度はＳＰＶ（Surface Photo Voltage）法により測定した。即ち、シリコンウェーハの結晶に光を照射し、照射前後で拡散長を測定し、この照射前後の拡散長の差分から上記結晶中に不純物として混入しているＦｅの濃度を求めた。その結果を図２に示す。
図２にから明らかなように、比較例１ではＦｅ濃度が平均値で６×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であったのに対し、実施例１及び２では平均値で１．００×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ3及び０．７×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と低減した。
【００２５】
＜比較試験２及び評価＞
実施例３及び比較例２の引上げ装置に用いられた石英るつぼの不透明層（石英るつぼの外側の部分）の気泡含有率をそれぞれ測定した。この透明層の気泡はアルキメデス法によりシリコン単結晶棒の比重を測定した後、この測定値と石英の比重（２．２１ｇ／ｃｍ3）との差から算出することにより求めた。その結果を図３に示す。
図３から明らかなように、比較例２で不透明層の気泡含有率が平均値で１７％であったのに対し、実施例３では平均値で１１．５％と低減した。
【００２６】
＜比較試験３及び評価＞
実施例１及び比較例１の引上げ装置により製造されたシリコン単結晶棒の単結晶化率を測定した。この単結晶化率は先ずシリコン単結晶棒をスライスして得られたシリコンウェーハ（原料）の重量を測定し、次にこのウェーハの無転位部の重量を測定し、これらの測定値を次式▲１▼に代入することにより求めた。
(単結晶化率)＝{(無転位部の重量)／(原料の重量)}×１００(％) …▲１▼
その結果を図４に示す。なお、単結晶化率は比較例１を基準にして表した。
図４から明らかなように、比較例１を１とした場合に、実施例１では１．２５と比較例１より２５％向上した。
【００２７】
＜比較試験４及び評価＞
実施例４〜１０、比較例３及び４の引上げ装置により製造されたシリコン単結晶棒中に含まれる酸素濃度を測定した。具体的にはシリコン単結晶棒をスライスして得られたシリコンウェーハの中心部の酸素濃度をＦＴＩＲ法により測定した。このＦＴＩＲ法はウェーハに照射した赤外光と参照赤外光をそれぞれフーリエ変換し、両者の差から赤外光吸収スペクトルを求める方法であり、ウェーハ中の酸素濃度を定量的に求めることができる。その結果を図５に示す。
図５から明らかなように、比較例３及び４では酸素濃度が１．３０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3及び１．２８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であったのに対し、実施例４〜１０では１．１２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3〜１．２６×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と低減した。
【００２８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、シリコン単結晶棒を引上げている間のチャンバ内の圧力を２５〜６０Torrとしたので、ヒータや熱遮蔽部材等の表面からＦｅ等の金属不純物や炭素は殆ど飛び出さない。この結果、チャンバ内の不活性ガスには上記金属不純物や炭素が殆ど混入しないので、シリコン単結晶棒の高純度化を図ることができる。
また石英るつぼはヒータにより加熱され、極めて高温のシリコン融液が貯留されるため軟化するけれども、チャンバ内の圧力が上記のように高く設定されているため、石英るつぼの表面に発生する気泡を低減できる。一方、チャンバ内の圧力を上記のように高く設定すると、シリコン融液中の酸素が飽和して石英るつぼがシリコン融液に溶出し難くなる。この結果、気泡が破裂してシリコン融液に石英るつぼの微小な破片が殆ど混入せず、シリコン融液から引上げられるシリコン単結晶棒に上記微小な破片が殆ど混入しないので、シリコン単結晶棒の結晶の有転位化の原因となる物質が減少し、シリコン単結晶棒の単結晶化率、即ちフリー化率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施形態のシリコン単結晶の引上げ装置を示す断面構成図。
【図２】チャンバ内の圧力が１０Torr、３０Torr及び５０Torrの場合のＦｅ濃度を示す図。
【図３】チャンバ内の圧力が１５Torr及び４０Torrの場合の石英るつぼの不透明層の気泡含有率を示す図。
【図４】チャンバ内の圧力が１０Torr及び３０Torrの場合の単結晶化率を示す図。
【図５】チャンバ内のアルゴンガスの流速を変化させたときのシリコン単結晶棒中の酸素濃度の変化を示す図。
【図６】従来のシリコン単結晶の引上げ装置を示す図１に対応する断面構成図。
【符号の説明】
１１  シリコン単結晶棒
１２  シリコン融液
１３  チャンバ
１４  石英るつぼ
１９  ヒータ
２７  熱遮蔽部材
【図１】
0003787452.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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