(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうちの少なくとも１種を含み、次の一般式で表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル比）、
ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2
ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、
１３．０≦ｘ≦２０．０
０＜ｙ≦１２．０
７５．０≦ｚ≦８３．０
０≦α≦１
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
の関係を満足する主成分１００重量部に対して、
副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有することを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、
１７．０≦ｘ≦１９．０
１．０≦ｙ≦６．０
７７．０≦ｚ≦８１．０
α＝０
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
の関係を満足する、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記Ｔｉ元素１００モル％のうちの１．５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記Ｓｍ元素１００モル％のうちの５０モル％以下がＬａ、Ｃｅ、およびＰｒのうちの少なくとも１種で置換されていることを特徴とする、請求項２または３に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項５】
さらに副成分として、前記主成分１００重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．５重量部以下含有することを特徴とする、請求項２から４のいずれかに記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項６】
誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器において、前記誘電体磁器は、請求項１から５のいずれかに記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とする、誘電体共振器。
【請求項７】
前記誘電体磁器の表面に銅めっき導体が形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の誘電体共振器。
【請求項８】
請求項６または７に記載の誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴とする、誘電体フィルタ。
【請求項９】
少なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項８に記載の誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デュプレクサ。
【請求項１０】
請求項９に記載の誘電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを含んでなることを特徴とする、通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波用誘電体磁器組成物、並びにそれを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、携帯電話、パーソナル無線機、衛星放送受信機などのように、マイクロ波やミリ波などの高周波領域において利用される電子機器に搭載される誘電体共振器や誘電体フィルタなどとして、誘電体磁器が広く用いられている。そして、このような高周波用誘電体磁器に要求される特性としては、高誘電率、高Ｑ、および共振周波数の温度係数が０近傍で任意に調整できることなどが求められている。
【０００３】
従来、この種の誘電体磁器組成物としては、例えば、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開昭５７−１５３０９号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＭｎＯ2系（特開昭５９−１４２１４号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系（特開昭６０−３８０１号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開平６−１１１６２４号公報）などが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開昭５７−１５３０９号公報に開示のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系組成物、特開昭５９−１４２１４号公報に開示のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＭｎＯ2系の組成物、および、特開昭６０−３８０１号公報に開示のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系組成物は、ともに、比誘電率（εr）が３５から５５程度になるとＱ値が急激に小さくなるとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）が正または負側に大きくずれてしまうため実用上問題があった。
【０００５】
また、特開平６−１１１６２４号公報に開示の組成物の場合、ＢａＯ、Ｓｍ2Ｏ3およびＴｉＯ2の各成分の組成範囲を限定することで大きなＱ値が得られているが、はんだ付け時などの熱衝撃によりセラミック素子にマイクロクラックが発生しやすく、Ｑ値の安定性を欠いていた。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記問題点を解決して、マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御でき、かつ、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうちの少なくとも１種を含み、次の一般式で表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル比）、
ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2
ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１３．０≦ｘ≦２０．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、前記ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、α＝０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足することを特徴とする。
【００１０】
そして、前記Ｔｉ元素１００モル％のうちの１．５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴とする。
【００１１】
また、前記Ｓｍ元素１００モル％のうちの５０モル％以下がＬａ、Ｃｅ、およびＰｒのうちの少なくとも１種で置換されていることを特徴とする。
【００１２】
また、さらに副成分として、前記主成分１００重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．５重量部以下含有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の誘電体共振器は、誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とする。
【００１４】
そして、本発明の誘電体共振器は、前記誘電体磁器の表面に銅めっき導体が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の誘電体フィルタは、上述の誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の誘電体デュプレクサは、少なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明の通信機装置は、上述の誘電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の誘電体共振器の一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す誘電体共振器１のａ−ｂ面に沿う断面図である。図１、２を参照して、誘電体共振器１は、貫通孔を有する角柱状の誘電体磁器２からなり、その貫通孔内に内導体３ａが形成され、周囲に外導体３ｂが形成されたものである。そして、誘電体磁器２に入出力端子すなわち外部結合手段を電磁界結合させることにより、誘電体共振器として作動する。このような誘電体共振器１を構成する誘電体磁器２が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で形成される。
【００１９】
そして、前記誘電体磁器２の表面に形成された内導体３ａ、外導体３ｂは銅めっきにより形成することができる。これにより、生産性を高め生産コストの削減を図ることができる。
【００２０】
なお、図１には、角柱形状であってＴＥＭモードの誘電体共振器の一例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモード、ＴＥモードなどの誘電体共振器にも同様に用いることができる。
【００２１】
次に、図３は、本発明の誘電体フィルタの一例を示す斜視図である。図３を参照して、誘電体フィルタ４は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器に外部結合手段５が形成されたものである。なお、図３にはブロックタイプの誘電体フィルタを示したが、本発明の誘電体フィルタは、デスクリートタイプの誘電体フィルタとすることもできる。
【００２２】
次に、図４は、本発明の誘電体デュプレクサの一例を示す斜視図である。図４を参照して、誘電体デュプレクサ６は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器を備えた２つの誘電体フィルタと、一方の誘電体フィルタに接続される入力接続手段７と、他方の誘電体フィルタに接続される出力接続手段８と、これら誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段９とを含むものである。なお、図４にはブロックタイプの誘電体デュプレクサを示したが、本発明の誘電体デュプレクサは、デスクリートタイプの誘電体デュプレクサとすることもできる。
【００２３】
次に、図５は、本発明の通信機装置の一例を示すブロック図である。この通信機装置１０は、誘電体デュプレクサ１２、送信回路１４、受信回路１６およびアンテナ１８を含む。送信回路１４は、誘電体デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続される。この誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、本発明の誘電体共振器に外部結合手段を接続してなるものである。この実施例では、たとえば、誘電体共振器１に外部結合手段３０を接続して形成される。そして、一方の誘電体フィルタ２６は入力接続手段２０とアンテナ接続手段２４との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、アンテナ接続手段２４と出力接続手段２２との間に接続される。
【００２５】
本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式、ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル比）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１３．０≦ｘ≦２０．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有する。
【００２６】
また、この磁器組成物中の主成分における、ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、α＝０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足するものがより好ましい。
【００２７】
そして、このような組成範囲とすることにより、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になってもＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。副成分として、Ｍｎ化合物とＴａ化合物を同時に含有させることにより、Ｍｎ化合物を単独で含有させる場合と比較して、Ｑ値をさらに向上させることができる。
【００２８】
さらに、上記主成分中のＴｉ元素１００モル％のうちの１．５モル％以下をＺｒで置換することにより、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２９】
【実施例】
次に、本発明をより具体的な実施例に基づき説明する。
（実施例１）
出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ネオジウム（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を準備した。
【００３０】
次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、αは表１に示す値）で表わされる主成分と、この主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して、それぞれ表１に示す量を含む組成物が得られるように、これらの原料を調合した。
【００３１】
【表１】
0003840869.tif 000002
【００３２】
次に、これら調合済み原料の粉末を、ボールミルを用いて湿式混合した後、脱水、乾燥し、その後、大気中１０００〜１２００℃で１時間以上仮焼した。その後、この仮焼物を粉砕し、有機バインダを加えて直径１５ｍｍ、厚さ７．５ｍｍに成形した後、１２００〜１４００℃で大気中焼成し、円板状の焼結体を得た。
【００３３】
得られた焼結体を適当な大きさに切り出し、各試料について、温度２５℃、測定周波数３〜７ＧＨｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短絡型誘電体共振器法で測定した。また、ＴＥモード共振器周波数から、共振周波数の２５℃〜５５℃間の温度係数（τｆ）を測定した。これらの結果を、表１に示す。なお、表1において、試料番号に＊印を付したものは、本発明の範囲外のものである。
【００３４】
表１から明らかなように、本発明の範囲内にある試料によれば、大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる。
【００３５】
ここで、表１を参照しながら、本発明の、一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2で表わされる主成分と、Ｍｎ化合物およびＴａ化合物からなる副成分を含有する組成物の限定理由を以下に説明する。
【００３６】
まず、ｘについて、１３．０≦ｘ≦２０．０と限定したのは、ｘ＜１３．０の場合には、試料４のように、焼結困難となり、また、ｘ＞２０．０の場合には、試料３および９のように、共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大きくなるためである。
【００３７】
ｙについて、０＜ｙ≦１２．０としたのは、ｙ＝０の場合は、試料６のように、共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大きくなり、また、ｙ＞１２．０の場合は、試料８のように、Ｑ値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大きくなるためである。
【００３８】
ｚについて、７５．０≦ｚ≦８３．０としたのは、ｚ＜７５．０の場合には、試料８のように、Ｑ値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大きくなり、また、ｚ＞８３．０の場合には、試料１０のように、焼結困難となるためである。
【００３９】
αについては、試料１、２２〜２５間の比較から明らかなように、αの増加とともに共振周波数の温度係数（τｆ）がわずかに大きくなるものの、０≦α≦１の全範囲にわたって大きな比誘電率（εr）およびＱ値を得ることができる。
【００４０】
副成分であるＭｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下（０を含まず）と限定したのは、０重量部では試料１１のように、また０．３重量部を超えると試料１２のように、ともにＱ値が小さくなるためである。
【００４１】
また、副成分であるＴａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含まず）と限定したのは、０重量部では試料１３のようにＱ値が小さくなり、また、１．０重量部を超えると試料２１のように、Ｑ値が小さくなるためである。
【００４２】
また、試料１、７、１５〜１８、２８〜３０のように、この磁器組成物の主成分における、ｘ、ｙ、ｚおよびαそれぞれについて、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、α＝０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足させることにより、共振周波数の温度係数（τｆ）を１０ｐｐｍ／℃以下に抑えることができるため、より好ましい。
【００４３】
（実施例２）
出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を準備した。
【００４４】
次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚ｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍＺｒＯ2｝（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｍは表２に示す値）で表わされる主成分と、この主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して、それぞれ表２に示す量を含む組成物が得られるように、これらの原料を調合した。
【００４５】
【表２】
0003840869.tif 000003
【００４６】
次に、実施例１と同様にして、焼結体を得た。その後、得られた焼結体を適当な大きさに切り出し、各試料について−５５〜＋８５℃間１００サイクルの熱衝撃試験を行なった後、顕微鏡観察によりマイクロクラックの有無を確認した。その後、実施例１と同様に、比誘電率（εｒ）、Ｑ値、共振周波数の温度係数（τｆ）を測定した。これらの結果を表２に示す。
【００４７】
表２の試料３４、３５のように、ｍを０＜ｍ≦０．０１５、すなわちＴｉ元素１００モル％のうちの１．５モル％以下をＺｒで置換することにより、大きな比誘電率（εｒ）とＱ値を維持しながら、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００４８】
なお、得られた試料３３〜３６の焼結体について、Ｘ線回折により結晶の定量分析を行った。結果を、表３に示す。
【００４９】
【表３】
0003840869.tif 000004
【００５０】
表３から明らかなように、Ｔｉ元素のうちの特定量をＺｒ元素で置換することにより、焼結体中のＢａＴｉ4Ｏ9相の体積比率が２０％以下に抑えられる。これにより、磁器中の結晶相として、同じ平均熱膨張係数を有するＢａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ2Ｔｉ4Ｏ12が支配的となり、誘電体磁器組成物の耐熱衝撃性が向上するものと推測される。なお、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20およびＢａＳｍ2Ｔｉ4Ｏ12の平均線熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃であり、ＢａＴｉ4Ｏ9の平均線熱膨張係数は８ｐｐｍ／℃である。
【００５１】
（実施例３）
出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化プラセオジウム（Ｐｒ6Ｏ11）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）および酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を準備した。
【００５２】
次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ｎ）Ｓｍ2Ｏ3−ｎＲｅ2Ｏ3｝−ｚ｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍＺｒＯ2｝（ただし、Ｒｅは表４に示すＰｒ、ＣｅおよびＬａのうちの少なくとも１種であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｎ、ｍは表４に示す値）で表わされる主成分と、この主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して、それぞれ表４に示す量を含む組成物が得られるように、これらの原料を調合した。
【００５３】
【表４】
0003840869.tif 000005
【００５４】
次に、実施例１と同様にして、焼結体を得た。その後、実施例１と同様に、比誘電率（εｒ）、Ｑ値、共振周波数の温度係数（τｆ）を測定した。これらの結果を表４に示す。
【００５５】
表４の試料３８〜４１のように、ｎを０＜ｎ≦０．５、すなわちＳｍ元素１００モル％のうち５０モル％以下をＬａ、ＣｅおよびＰｒのうちの少なくとも１種で置換することにより、大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００５６】
また、表４の試料４０、４３〜４５間の比較で明らかなように、主成分１００重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．５重量部以下含有させることにより、さらに大きなＱ値を得ることができる。
【００５７】
なお、本発明の高周波用誘電体磁器組成物には、さらにＳｂ2Ｏ5、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3などを添加することができる。これらはその添加成分によるが、ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。例えば、主成分１００重量部に対してＳｉＯ2を０．５重量部以下添加すると、無添加の場合よりも焼結温度が低下するため、電気特性、特に共振周波数の温度係数（τｆ）の焼成温度に対する依存性が緩和され、製造が容易となる。
【００５８】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になってもＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に制御でき、かつ、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００５９】
したがって、このような組成を有する誘電体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を形成することにより、それぞれ良好な特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体共振器の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す誘電体共振器のａ−ｂ面に沿う断面図である。
【図３】本発明の誘電体フィルタの一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の誘電体デュプレクサの一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の通信機装置一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１      誘電体共振器
２      誘電体磁器
３ａ    内導体
３ｂ    外導体
４、２６、２８      誘電体フィルタ
５、３０      外部結合手段
６、１２      誘電体デュプレクサ
７、２０      入力接続手段
８、２２      出力接続手段
９、２４      アンテナ接続手段
１０    通信機装置
１４    送信回路
１６    受信回路
１８    アンテナ
【図１】
0003840869.tif 000006
【図２】
0003840869.tif 000007
【図３】
0003840869.tif 000008
【図４】
0003840869.tif 000009
【図５】
0003840869.tif 000010