(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス原盤にフォトレジストを塗布して作製したフォトレジスト原盤に光ビームを用いて記録パターンを露光する工程Ａ、露光したフォトレジスト原盤を現像してガラスマスター原盤を作製する工程Ｂ、ガラスマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写して２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｃ、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｄ、剥離層形成２Ｐマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｅ、２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｆ、および、導電層形成２Ｐマザー原盤から電鋳によって表面のランド／グルーブ形状を転写し金属スタンパーを作製する工程Ｇを有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法において、工程Ｄの剥離層形成条件または工程Ｆの導電層形成条件を調節することにより、金属スタンパーの表面のランド／グルーブ形状を調節することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｄにおいて、少なくとも1層の剥離層をスパッタリング法によって前記２Ｐマスター原盤の表面に形成することを特徴とする請求項１記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｆにおいて、少なくとも1層の導電層をスパッタリング法によって前記２Ｐマザー原盤表面に形成することを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｄにおいて、５〜１５ｎｍの厚さを有する剥離層を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｆにおいて、５０〜１５０ｎｍの厚さを有する導電層を形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項６】
前記光ディスク基板がランド・グルーブ記録方式光ディスク基板であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法により製造することを特徴とする光ディスク基板用スタンパー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク基板用スタンパーの製造方法、該製造方法により製造する光ディスク基板用スタンパーおよび該スタンパーを用いて製造したランド・グルーブ記録方式光ディスク基板上に磁性層を積層した光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクでは記録の高密度化のために様々な試みがなされている。例えば、特開平６−２９０４９６号公報には、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の高密度化が提案されている。磁壁移動検出方式では、読み出し光スポットの温度勾配による磁壁の移動現象を利用して、線（トラック）方向に光スポット径で制約される限界を超えた再生分解能を得ることが出来る。
【０００３】
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）を用いて磁壁移動検出方式について簡単に説明する。図１は、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説明するため模式図である。
【０００４】
図１（ａ）は、光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１１、第２の磁性層１１２、第３の磁性層１１３が順次積層されてなる。各層中の矢印１１４は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１５が形成されている。１１６は読み出し用の光スポット、矢印１１８は光磁気記録媒体の光スポットに対する移動方向である。
【０００５】
図１（ｂ）は、光磁気記録媒体上に形成される温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再生用に照射されている光スポットによって媒体上に形成され、光スポットの手前側から温度Ｔが上昇し、光スポットの後方に温度のピークが来る。ここで位置Xs においては、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ts になっている。
【０００６】
図１（ｃ）は、（ｂ）の温度分布に対応する第1の磁性層の磁壁エネルギー密度σ の分布を示すグラフである。この様にX方向に磁壁エネルギー密度σ の勾配があると、位置Xに存在する第１の磁性層の磁壁に対して力Ｆ1=−（∂σ／∂X）が作用する。図１（ｄ）にF1のX方向の分布を示す。この力Ｆ1 は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用する。第１の磁性層は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独では、この力Ｆ1 によって容易に磁壁が移動する。しかし、位置Xsより手前（図では右側）の領域では、まだ媒体温度がTs より低く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層と交換結合しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応した位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されている。
【０００７】
磁壁移動検出方式においては、図１（ａ）に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Xs にあると、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ts まで上昇し、第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断される。この結果、第１の磁性層中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示した様に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領域へと”瞬間的”に移動する。
【０００８】
再生用の光スポット１１６の下を磁壁１１５が通過すると、光スポット内の第１の磁性層の原子スピンは一方向に揃う。そして、媒体の移動に伴って磁壁１１５が位置Xs に来る度に、光スポットの下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポット内の原子スピンの向きが反転して一方向に揃う。この結果、図１（ａ）に示す様に、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から解放される。磁壁移動の発生は、磁壁移動領域の磁化反転に伴う再生用レーザビームの偏光面の回転として、従来の光磁気ヘッドで検出することが出来る。
【０００９】
図２は、光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。この図においては、基板１２４上に、誘電体層１２３、第１の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、第３の磁性層１２０、誘電体層１１９が順次積層されている。矢印１２５は記録再生のための光ビームの入射する方向である。透明基板１２４としてはポリカーボネート、誘電体層１２３としては、Si3N4を使用した。Si3N4層積層時にはArガスに加えてN2ガスを導入し、直流反応性スパッタにより層厚８００Åを積層した。引き続き、第１の磁性層としてGdCo層を３００Å、第２の磁性層としてDyFe層を１００Å、第３の磁性層としてTbFeCo層を８００Å順次積層した。各磁性層は、Gd、Dy、Tb、Fe、Coの各ターゲットに直流パワーを印加して積層した。これら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリングによって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続積層されることで、互いに交換結合をしている。最後に、保護層１１９としてSi3N4層を同様に８００Å積層した。
【００１０】
各磁性層の組成は、全て補償組成近傍になるように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２１０℃以上、第２の磁性層が１２０℃、第３の磁性層が２９０℃程度となるように設定した。このような構成の光磁気記録媒体のトラック上（トラックピッチ＝０.８５μｍ）に０.１μｍ間隔で記録された磁区を波長λ＝６８０ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の通常の光ヘッド（光スポット径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出方式によりキャリアー対雑音電力比（Carrier to Noise Ratio；Ｃ／Ｎ比と表すことがある）４０ｄＢで再生することが出来た。
【００１１】
図３は、図２にて説明した構成の光磁気記録媒体のランド部およびグルーブ部における層構成を示す模式的断面図である。光ビーム１２５の入射方向から遠い記録トラック８をランドトラック、入射方向に近い記録トラック９をグルーブトラックと呼ぶ。ランドトラックおよびグルーブトラックの双方に情報の記録を行うランド・グルーブ記録方式においては、ランドトラックを記録再生する際には、グルーブトラックがトラッキング用のガイド溝となり、グルーブトラックを記録再生する際には、ランドトラックがトラッキング用のガイド溝となって、ランドトラックとグルーブトラックの双方に記録ができるので、トラック方向の記録密度の向上に有効である。
【００１２】
前述したように、磁壁移動検出方式を用いることにより、トラック方向記録密度を向上させることが出来るので、これとランド・グルーブ記録方式とを組み合わせることにより、面記録密度を従来の光磁気記録との比較で飛躍的に向上させることが可能である。
【００１３】
さらに、ランド・グルーブ記録方式において、磁壁移動を容易にするための工夫としては、図３に示すような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開平９−１６１３２１号公報参照）を用いることが効果的である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成膜すれば、テーパ部（即ち、ランドトラックとグルーブトラックの間の側壁部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが出来る。これより、ランドトラックとグルーブトラック夫々に対して、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成することが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移動が起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラック９の機械的距離は、少なくとも磁性膜の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８０〜３００ｎｍ程度に選ぶと良い。
【００１４】
加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないようにすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロスイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラックからのクロストークを抑制する効果が期待できる。なぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ts以上に加熱しないように出来るからである。このため、隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こらず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロストークが発生することはない。
【００１５】
前述した磁気的なトラックの分断効果、クロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わせは、面記録密度を飛躍的に向上させることが可能である。（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌 Vol.23, No.2, 1999,p764−769,白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度化」を参照）
ここで、従来技術に基づく光ディスク基板用スタンパーの製造方法例について図４を用いて説明する。
【００１６】
図４（１）において外形２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで表面粗度５ｎｍ以下に研磨されたガラス原盤１に、シランカップリング材などのプライマーをスピンコートした。ポジ型フォトレジスト２をスピンコートしてフォトレジスト原盤を作製した後、フォトレジスト原盤をクリーンオーブン内でプリベークした。レジスト層の厚さは、２００ｎｍである。図４（２）において波長４５８ｎｍのＡｒイオンレーザーを光源として搭載した露光装置により、フォトレジスト原盤の所定の領域を露光する。３は露光装置の光ビーム、４は露光部、５は未露光部である。フォトレジストは使用目的によって、露光部分を使用するネガ型フォトレジスト、未露光部分を使用するポジ型フォトレジストに分類されることは知られており、必要によって使い分けられる。例えば、トラックピッチは１.０μｍ、現像後にランドトラック８（あるいはグルーブトラック９）幅が略０.５μｍに形成されるようにレーザビーム強度を設定して連続的に露光した。露光時のフォトレジスト原盤の回転数は９００ｒｐｍ、レーザースポット直径は約０.４５μｍである。
【００１７】
図４（３）では無機アルカリ液と超純水とを混合し希釈した現像液でスピン洗浄し、露光部を除去した。この後、純水洗浄、スピン乾燥を行い、その後、クリーンオーブンでポストベークしガラスマスター原盤を作製した。フォトレジストが除去された部分が、グルーブトラック９、残留した部分がランドトラック８となる。
【００１８】
図４（４）ではその後ガラスマスター原盤表面にＮｉ層をスパッタリングして導電層６を成膜した。図４（５）において、このＮｉ導電層上にＮｉ電鋳を行った。１５はＮｉ電鋳層である。図４（６）にて、Ｎｉ電鋳面を裏面研磨後、ガラスマスター原盤より金属スタンパーを剥離した。
【００１９】
図４（７）にてスタンパー７として完成する。
【００２０】
また上記のようにスタンパー作製は長い工程を必要としているがガラス原盤１枚からスタンパーは１枚しか取れず、コスト的にも高いものとなっている。スタンパー１枚あたりのコストを低減させるために、剥離した金属スタンパーをマスタースタンパーとし、表面に酸化処理を行いマザースタンパー／サンスタンパーと言ったスタンパーファミリーを作製することにより大量にスタンパーを作製し１枚あたりのコスト低減を行っている。
【００２１】
図５を用いて、ファミリースタンパーの作製方法について説明する。
【００２２】
マスタースタンパー７１より、マザースタンパー７２を作製する際、マスタースタンパー７１表面へ直接Ｎｉ電鋳を行うと、同じ金属同士のため剥離が不可能となってしまう。
【００２３】
その為、マスタースタンパー７１とマザースタンパー７２、マザースタンパー７２とサンスタンパー７３の剥離を可能とする為、マスタースタンパー７１またはマザースタンパー７２表面に酸化処理を行い剥離層を形成する。
【００２４】
図５（１）においてマスタースタンパー７１を重クロム酸溶液内７０に所定の時間、浸漬し表面に酸化層７４を形成し、図５（２）に示すように酸化層を形成したマスタースタンパー７１上にＮｉ導電層処理を施し、さらに、図５（３）に示すようにＮｉ電鋳を行い所望の層厚のＮｉ電鋳層１５を得る。その後、図５（４）に示すように、マスタースタンパー７１とＮｉ電鋳層１５を剥離し、マザースタンパー７２を得ることとなる。同様の工程をマザースタンパー７２に行うことによって、サンスタンパー７３を得ることが可能となる。また一度ファミリー作製に使用されたマスタースタンパー７１およびマザースタンパー７２は表面処理を行い、再びファミリースタンパー作製に使用され、複数回同様の工程を行うことによって大量のサンスタンパー７３を得ることが可能となる。
【００２５】
また重クロム酸溶液７０に浸漬する方法以外の方法でスタンパー表面に酸化層７４を得る方法として、特開昭５４−４０２３９号公報では導電層６のＮｉ層に相当する表面を次亜ハロゲン酸で酸化する方法や、特開昭５９−１７３２８８号公報では導電化膜６のＮｉ膜に相当する表面に酸素プラズマ処理すること、などが提案されており、Ｎｉ導電膜上あるいは、Ｎｉ膜に相当する導電化膜への酸化処理を行うことで剥離層を形成することが可能である。
【００２６】
その後、プレス打ち抜きや、裏面研磨を行い所望の形状にし、金属スタンパーが完成する。この金属スタンパーを使用して、射出成形法や光重合法（Photo-Polymerization法；２Ｐ法と表すことがある）によってランド・グルーブ記録方式光ディスク基板を複製する。この後光ディスク基板上にアルミニウム等の金属反射膜や磁性膜を形成して光ディスクを形成する。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
当初より磁壁移動検出方式には矩形性の良いランド部およびグルーブ部から形成される凹凸形状（ランド／グルーブ形状と表すことがある）が最適と思われていたが、ランド／グルーブ形状と磁壁移動検出方式の関係を調べた結果、矩形性が高いランド／グルーブ形状よりもランドトラックとグルーブトラックとの間の側壁部分にある程度のテーパ角を有しており、ランド／グルーブ形状も平坦ではなくある程度曲率を有しているほうが、磁壁移動検出方式に最適な形状であることが判明した。
【００２８】
本発明者は磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状を有する基板の作製を試み、上記スタンパー作製工程のプロセス条件を検討し最適化を進めたが、問題点の（１）として単発的にスタンパーのランド／グルーブ形状を最適化することは可能であるが、複数枚のスタンパー作製を行うと個々のスタンパーのランド／グルーブ形状の再現が難しく、同一ランド／グルーブ形状を有するスタンパーを大量に作製することは困難であった。
【００２９】
また、同一ランド／グルーブ形状を有する光ディスク基板用スタンパーを作製する方法として、前記ファミリースタンパーによるスタンパーの複製を行う方法が知られている。しかしながら、ファミリースタンパーによる方法では金属スタンパー同士の剥離を可能とする為に、スタンパー表面へ剥離層である酸化皮膜形成が必須であり、それによって表面へ酸化皮膜の残留物が発生し表面性状の劣化へと繋がる虞があることが問題点の（２）として挙げられている。磁壁移動検出方式においては、表面性状が荒れることは磁壁の移動を妨げる要因となり得ることから、表面性状が劣化し表面粗さが増大しているスタンパーで作製した基板を用いて光磁気記録媒体を作製すると、表面性状が荒れるために磁壁の移動が妨げられる虞がある。従って、この方法により磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体用基板のスタンパーを作製することは非常に困難であろうと推定される。
【００３０】
その他にランド／グルーブ形状を変化させる方法として、２Ｐ法より得られた光ディスク基板にＵＶオゾン処理をすることにより、磁壁移動検出方式に適したランド／グルーブ形状を作製することも可能である。
【００３１】
しかし、生産性およびコストを考慮すると２Ｐ法で光ディスク基板を生産することは実現性に乏しく、更にＵＶオゾン処理を行わなければ磁壁移動検出方式として実使用に適する光ディスク基板とするのが困難であるところからこの方法によって実生産された例は見られない。
【００３２】
そこで本発明者は、金属スタンパーより２Ｐ法によって２Ｐ原盤を作製し、この２Ｐ原盤からスタンパーを作製する方法を用いて複製スタンパーの作製を試みた。
【００３３】
２Ｐ原盤にＵＶオゾン処理を行い、ランド／グルーブ形状を磁壁移動検出方式に適した形状とすることは可能であったが、問題点（３）としてＵＶオゾン処理を行うことによって２Ｐ原盤の表面が荒れ、２Ｐ原盤より得られるスタンパー表面も荒れるという現象が観察された。前記のごとくスタンパー表面が荒れることは、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体用の光ディスク基板の作製に使用するうえにおいては好ましいことではない。
【００３４】
また問題点（４）として２Ｐ法で作製しＵＶオゾン照射により磁壁移動に適したランド／グルーブ形状を作製した光ディスク基板単体と、２Ｐ原盤へＵＶオゾン処理を行ないこれからスタンパーを作製し、該スタンパーから２Ｐ法で光ディスク基板を作製した場合にはランド／グルーブ形状、特にランド／グルーブ形状の深さ（グルーブ深さと表すことがある）が当初より浅くなり磁壁移動検出方式を用いた光磁気記録媒体として信号再生を行うとドライブ側のフォーカスが掛からない事が判明した。それに対する対策としてグルーブ深さの変化量に相当する分、グルーブ深さを深くしたスタンパーを作製しＵＶオゾン処理を行い、最終的に得られるスタンパーのグルーブ深さを当初、最適化されたグルーブ深さと同じになるようにスタンパーを作製したが、それでは磁壁移動検出方式に最適な状態のランド／グルーブ形状とするのが困難であることが明らかとなった。
【００３５】
このように、従来より行われていた技術では、磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状を有するスタンパーもしくは基板単品を作製することは可能であるが、上述した如く、大量に、磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状を有するスタンパーまたは基板を、バラツキ少なく、作製することは困難であった。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、従来のスタンパー製造方法とは異なり、磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状のスタンパーを大量に作製することを可能にし、且つランド／グルーブ形状をランド部またはグルーブ部の各々で変化させることが可能な製造方法を提供することにある。
【００３７】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行ない、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、次に記載する事項により特定することができる。
（１）ガラス原盤にフォトレジストを塗布して作製したフォトレジスト原盤に光ビームを用いて記録パターンを露光する工程Ａ、露光したフォトレジスト原盤を現像してガラスマスター原盤を作製する工程Ｂ、ガラスマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写して２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｃ、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｄ、剥離層形成２Ｐマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｅ、２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｆ、および、導電層形成２Ｐマザー原盤から電鋳によって表面のランド／グルーブ形状を転写し金属スタンパーを作製する工程Ｇを有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法において、工程Ｄの剥離層形成条件または工程Ｆの導電層形成条件を調節することにより、金属スタンパーの表面のランド／グルーブ形状を調節することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（２）前記工程Ｄにおいて、少なくとも1層の剥離層をスパッタリング法によって前記２Ｐマスター原盤の表面に形成することを特徴とする（１）記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（３）前記工程Ｆにおいて、少なくとも1層の導電層をスパッタリング法によって前記２Ｐマザー原盤表面に形成することを特徴とする（１）または（２）に記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（４）前記工程Ｄにおいて、５〜１５ｎｍの厚さを有する剥離層を形成することを特徴とする（１）ないし（３）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（５）前記工程Ｆにおいて、５０〜１５０ｎｍの厚さを有する導電層を形成することを特徴とする（１）ないし（４）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（６）前記光ディスク基板がランド・グルーブ記録方式光ディスク基板であることを特徴とする（１）ないし（５）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
（７）（１）ないし（６）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法により製造することを特徴とする光ディスク基板用スタンパー。
【００３８】
【実施例】
次に実施例を用いて、本発明を更に詳細に説明する
（実施例１）
図６は本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方法の概要を示す図である。
【００３９】
また表面観察は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）、ＮａｎｏＳｃｏｐｅIII（米国デジタルインスツルメント社製、商品名）のタッピングモードＡＦＭを用い探針は通常より先端の角度が鋭角なスパイクチップを用いて測定した。
【００４０】
外形２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで表面粗度Ｒａ＝５ｎｍ以下に研磨されたガラス原盤１を用意し十分洗浄する。ガラス原盤１に、シランカップリング材、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピンコートし下地処理をした後、ポジ型フォトレジスト２（東京応化製：ＴＳＭＲ−８９００、商品名）を用いフォトレジスト層厚が１８０ｎｍとなるようにスピンコートしフォトレジスト原盤を作製した。シランカップリング材はＨＭＤＳを使用したが限定されるものでは無い。フォトレジスト原盤をプリベークした後、次に光源としてＡｒイオンレーザーを搭載した露光装置により、原盤ガラスの半径２４ｍｍから４０ｍｍまでの領域を光ビーム３により露光した。なおトラックピッチは１．２μｍであり現像後に幅が０．６μｍのランド幅、グルーブ幅となるようなゾーンが出来るよう、半径位置によりレーザーパワーを変更しながら断続的に露光を行った。露光時の原盤ガラスの回転数は９００ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０．４５μｍである。光源としてＡｒイオンレーザーを使用しているが、その他にもＨｅ−Ｃｄイオンレーザーや電子線、紫外線等、他の光源による露光装置を用いることができ、特定の露光装置に限定されない。
【００４１】
露光したフォトレジスト原盤を現像し、ガラスマスター原盤を作製する。
【００４２】
上記ガラスマスター原盤を用いて、図６（４）にて２Ｐマスター原盤８１を作製した。２Ｐマスター原盤８１の作製に際しては、ガラスマスター原盤の作製に使用したのと同じガラス原盤１を用いたが、表面荒さ、材質、大きさ等は、特に規定されるものでは無い。２Ｐマスタ原盤８１となるガラス原盤１の表面にはフォトレジスト原盤作製時と同様にシランカップリング剤などにより、プライマー処理を施した。その後光重合樹脂（２Ｐ樹脂と表すことがある）８０をガラスマスター原盤上に適量、滴下し泡やごみの混入に細心の注意を払いながら、２Ｐマスター原盤８１となるガラス原盤１を乗せた。ガラス原盤１が位置ずれを起こさぬ様、ＵＶオゾン照射装置内へ入れ、硬化した後に、ガラスマスター原盤を剥離し、図６（５）に示す２Ｐマスター原盤８１を得た。
【００４３】
２Ｐマスター原盤８１表面の残留レジストを除去する為、アルカリ溶液によってこれを除去し、純水によって原盤ガラス表面の洗浄を行った。その後、表面を充分乾燥させる為、クリーンオーブンで９０℃で３０分間ベークした。
【００４４】
図６（６）に示すように、２Ｐマスター原盤８１の表面に、剥離層８３としてＳｉＮ層を形成し剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製した。この時の層厚は１０ｎｍであった。剥離層８３としてはＳｉＮ層に限定されるものではなく、他にもＮｉ、ＴｉＮ層等でも同様の効果を得ることができ、緻密な薄層を形成できれば材質を問わない。剥離層の層構成としては１層に限定されるものではない。この時の、スパッタリング条件は、従来条件の倍の電流値にて行い、スパッタ圧力：４×１０-3Pa 、スパッタ時間：１５分、スパッタ電力：２００Ｗとした。
【００４５】
２Ｐマスター原盤へのスパッタ条件の電流値を上げることによって、ランドトラック側の形状が変化し、ランドトラック両側の肩がなだらかになる効果が得られた。これは、２Ｐマスター原盤表面へ打ち込まれるターゲット粒子が従来条件より加速され、それによって２Ｐマスター原盤表面、とりわけ、ランドトラック両側の肩部がエッチングされランド／グルーブ形状が変化したものと考えられる。また、従来条件よりも加速されたターゲット粒子のため表面の平滑性が低下するかと思われたが形成される剥離層が緻密になり、むしろ表面の平滑性が向上するという結果が得られた。また、剥離層の形成に使用するガス種、ターゲット材料を選択することにより、表面粗さをある程度コントロールすることができる。本実施例においてはアルゴンガスを用いたがキセノンガスやクリプトンガスを使用すると更に緻密な表面性が得られることが確認された。
【００４６】
図６（６）に示した剥離層形成２Ｐマスター原盤８１を用い、図６（７）に示すように、２Ｐマスター原盤を作製するのと同じ方法で図６（８）に示す２Ｐマザー原盤８２を作製した。
【００４７】
図６（９）に示すように２Ｐマザー原盤８２上に、導電層６を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製した。スパッタリングによって１００ｎｍの層厚のＮｉ導電層を形成し、図６（１０）に示すようにＮｉ電鋳を３００μｍ行った。このときのＮｉ導電層の形成条件は、従来条件とし、スパッタ圧力：４×１０-3Pa、スパッタ時間：２分、スパッタ電力：１００Ｗにて行った。
【００４８】
Ｎｉ電鋳層１５を剥離し、図６（１１）にて所望の形状に打ち抜き金属スタンパー７を得た。これをスタンパーＡとした。このように作製されたスタンパーＡから、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド・グルーブ記録方式光ディスク基板を作製した。光ディスク基板の作製には、紫外線硬化樹脂（日本化薬製：ＩＮＣ−１１８ 商品名）を用い、直径８６．０ｍｍのガラス基板へ２Ｐ法によりスタンパーＡのパターンをガラス基板へと転写作製した。これを基板Ａとした。
【００４９】
更に、スタンパーを作製すべく、スタンパーＡ作製時に用いた２Ｐマザー原盤の上へ前述した方法でＮｉ導電層を形成し、Ｎｉ電鋳、剥離、打ち抜きを行いスタンパー７を得た。これをスタンパーＢとした。このように作製されたスタンパーＢから、上記の方法でランド・グルーブ記録方式光ディスク基板を作製した。これを基板Ｂとした。
【００５０】
スタンパーＢ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.４０６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４００ｎｍであり、スタンパーＡでは０.４５９ｎｍ、スタンパーＢでは０.４５１ｎｍであり、基板Ａでは０.４７４ｎｍ、基板Ｂでは０.４５８ｎｍとなった。同様にスタンパーＢ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４０４ｎｍであり、スタンパーＡでは０.４４０ｎｍ、スタンパーＢでは０.４３５ｎｍであり、基板Ａでは０.４５９ｎｍ、基板Ｂでは０.４２３ｎｍとなった。結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
0003787515.tif 000002
【００５２】
またスタンパーＡおよびスタンパーＢの断面図を図７に示す。同図に示すごとくランドトラック側の形状を大きく変化させる事が可能となり、なおかつスタンパーＡとスタンパーＢのランド／グルーブ形状にほとんど差異がみられず、再現性よくスタンパーを作製できることを示している。
【００５３】
なお、基板特性の確認のために、上記基板ＡおよびＢを用いて磁壁移動検出方式の光磁気媒体を作製した。上記基板上に磁壁移動検出方式の光磁気媒体の誘電体層であるＳｉＮ層を厚さ８０ｎｍ形成し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣｏ層を厚さ３０ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング層）としてＤｙＦｅ層を厚さ１０ｎｍ、第３の磁性層（メモリ層）としてＴｂＦｅＣｏ層を厚さ８０ｎｍ、順次スパッタリングにより形成した。最後に誘電体層（保護層）としてＳｉＮ層を厚さ８０ｎｍ形成した。上記の各層を形成した後、紫外線硬化型樹脂（日本化薬製：OVD-327Z、商品名）により前記保護層面にハードコートを形成して光磁気記録媒体サンプルＡおよびＢを作製した。紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではない。このようにして作製した光磁気記録媒体を波長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６のドライブ装置によって評価した。評価は第１の磁性層からの反射光量信号をオシロスコープへ取り込み、ランドトラック、グルーブトラック各々のノイズレベルを測定することによって行った。
【００５４】
ノイズレベルの評価の最も良い部分で光磁気記録媒体サンプルＡのランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。同様に光磁気記録媒体サンプルＢのランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％であった。また上記ドライブ装置に乗せ、信号評価としてC/N比の測定を行なったところ、43dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００５５】
その後、スタンパーＡおよびＢを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、該２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し形状を観察したところ上記の結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、また、これらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００５６】
（実施例２）
実施例１と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、スパッタ圧力：４×１０-3Pa、スパッタ時間：１０分、スパッタ電力：１３０Ｗにて行った。２Ｐマスター原盤に形成した剥離層のＳｉＮ層の層厚を５ｎｍとした。
【００５７】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＣ、Ｄとし、基板を基板Ｃ、Ｄとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＣ、Ｄとした。
【００５８】
実施例１と同様にして、２Ｐマスター原盤、２Ｐマザー原盤、スタンパーＣおよびＤ、基板ＣおよびＤの表面粗さの測定を行ない、光磁気記録媒体サンプルＣおよびＤの評価を行った。
【００５９】
スタンパーＤ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.４０６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４１０ｎｍであり、スタンパーＣでは０.４７９ｎｍ、スタンパーＤでは０.４８１ｎｍであり、基板Ｃでは０.５７４ｎｍ、基板Ｄでは０.５５８ｎｍとなった。同様にスタンパーＤ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４０４ｎｍであり、スタンパーＣでは０.４８０ｎｍ、スタンパーＤでは０.４８５ｎｍであり、基板Ｃでは０.５０９ｎｍ、基板Ｄでは０.５２３ｎｍとなった。結果を表２に示す。
【００６０】
【表２】
0003787515.tif 000003
【００６１】
またスタンパーＣおよびＤの断面図を図８に示す。スタンパーＣとＤのランド／グルーブ形状にほとんど差異がみられず、形状再現性よくスタンパーを作製できることを示している。また、実施例１のスタンパーよりランドトラック側の形状が平坦なランド／グルーブ形状を有するスタンパーを作製することができた。
【００６２】
なお光磁気記録媒体サンプルＣおよびＤのノイズレベルの評価は、もっとも良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。実施例1と同様に信号評価としてC/N比の測定を行なったところ、41dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００６３】
その後、スタンパーＣ、Ｄを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、該２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し形状を観察したところ、上記結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、また、これらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００６４】
（実施例３）
実施例１と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、スパッタ圧力：４×１０-3Pa 、スパッタ時間：２０分、スパッタ電力：２００Ｗにて行った。２Ｐマスター原盤に形成した剥離層のＳｉＮ層の層厚を１５ｎｍとした。
【００６５】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＥ、Ｆとし、基板を基板Ｅ、Ｆとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＥ、Ｆとした。
【００６６】
実施例１と同様にして、表面粗さの測定を行ない、光磁気記録媒体サンプルの評価を行った。
【００６７】
スタンパーＦ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３９６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.３９８ｎｍであり、スタンパーＥでは０.４１９ｎｍ、スタンパーＦでは０.４１１ｎｍであり、基板Ｅでは０.４７４ｎｍ、基板Ｆでは０.４５８ｎｍとなった。同様にスタンパーＥ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４０４ｎｍであり、スタンパーＥでは０.４００ｎｍ、スタンパーＦでは０.３８５ｎｍであり、基板Ｅでは０.４３９ｎｍ、基板Ｆでは０.４２３ｎｍとなった。結果を表３に示す。
【００６８】
【表３】
0003787515.tif 000004
【００６９】
またスタンパーＥおよびＦの断面図を図９に示す。スタンパーＥおよびＦのランド／グルーブ形状にほとんど差異がみられず、形状再現性よくスタンパーを作製することができた。
【００７０】
なお、光磁気記録媒体サンプルＥおよびＦのノイズレベルの評価は、最も良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。実施例1と同様、信号評価としてC/N比の測定を行なったところ、43dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００７１】
その後、スタンパーＥ、Ｆを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し形状を観察したところ、上記結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、またこれらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００７２】
（実施例４）
実施例１と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤への剥離層の形成条件は従来条件とし、スパッタ圧力：４×１０-3Pa、スパッタ時間：１５分、スパッタ電力：１００Ｗにて層厚７ｎｍの剥離層を形成した。また２Ｐマザー原盤へのＮｉ導電層のスパッタリング条件を変更した。従来条件よりもスパッタ電流を高めに設定した。スパッタ圧力：４×１０-3Pa、スパッタ時間：２分、スパッタ電力：４００Ｗで導電層形成を行ない、層厚１００ｎｍのＮｉ導電層を形成した。
【００７３】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＧとし、基板を基板Ｇとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＧとした。またスタンパーＧ作製後の２Ｐマザー原盤よりスタンパーＨを作製し、基板を基板Ｈ、光記録媒体サンプルを光記録媒体サンプルＨとした。この時スタンパーＨのＮｉ導電層処理条件は従来条件である。
【００７４】
実施例１と同様にして、２Ｐマスター原盤、２Ｐマザー原盤、スタンパーＧおよびＨ、基板ＧおよびＨの表面粗さの測定を行ない、光磁気記録媒体サンプルＧおよびＨの評価を行った。
【００７５】
スタンパーＨ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.４０６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.３７５ｎｍであり、スタンパーＧでは０.３８９ｎｍ、スタンパーＨでは０.３８１ｎｍであり、基板Ｇでは０.４７０ｎｍ、基板Ｈでは０.４４８ｎｍとなった。同様にスタンパーＨ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.４１４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.３７４ｎｍであり、スタンパーＧでは０.３８０ｎｍ、スタンパーＨでは０.３８５ｎｍであり、基板Ｇでは０.４０９ｎｍ、基板Ｈでは０.４２３ｎｍとなった。結果を表４に示す。
【００７６】
【表４】
0003787515.tif 000005
【００７７】
また、スタンパーＧおよびＨの断面図を図１０に示す。
【００７８】
実施例１とは逆に、グルーブトラックの形状を変化させることが可能となった。
【００７９】
また、スタンパーＧとＨのランド／グルーブ形状にほとんど差異がみられず、形状再現性よくスタンパーを作製することができた。
【００８０】
なお、光磁気記録媒体サンプルＧおよびＨのノイズレベルの評価は、最も良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。信号評価としてC/N比の測定は、43dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００８１】
その後、スタンパーＧ、Ｈを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、該２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し形状を観察したところ、上記結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、またこれらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００８２】
（実施例５）
実施例４と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、Ｎｉ導電層のスパッタ電流を更に高めに設定した。スパッタ圧力：４×１０-3Pa、スパッタ時間：１分、スパッタ電力：８００Ｗとして導電層形成を行ない、層厚１５０ｎｍの導電層を形成した。
【００８３】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＩとし、基板を基板Ｉとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＩとした。またスタンパーＩ作製後の２Ｐマザー原盤より、スタンパーＪを作製、基板を基板Ｊとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＪとした。
なおスタンパーＪを作製する時の、Ｎｉ導電層処理条件は従来条件である。
【００８４】
実施例４と同様にして、２Ｐマスター原盤、２Ｐマザー原盤、スタンパーＩおよびＪ、基板ＩおよびＪの表面粗さの測定を行ない、光磁気記録媒体サンプルＩおよびＪの評価を行った。
【００８５】
スタンパーＪ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.４０６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４１０ｎｍであり、スタンパーＩでは０.４７９ｎｍ、スタンパーＪでは０.４８１ｎｍであり、基板Ｉでは０.５７４ｎｍ、基板Ｊでは０.５５８ｎｍとなった。同様にスタンパーJ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３８４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.４０４ｎｍであり、スタンパーＩでは０.４８０ｎｍ、スタンパーＪでは０.４８５ｎｍであり、基板Ｉでは０.５０９ｎｍ、基板Ｊでは０.５２３ｎｍとなった。結果を表５に示す。
【００８６】
【表５】
0003787515.tif 000006
【００８７】
また、スタンパーＩとＪの断面図を図１１に示す。実施例４で形成できたグルーブトラックの形状を更に変化させることが可能となった。また、スタンパーＩとＪのランド／グルーブ形状にはほとんど差異がみられず、形状再現性よくスタンパーを作製することができた。
【００８８】
なお、光磁気記録媒体サンプルＩおよびＪのノイズレベルの評価は、最も良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。信号評価としてC/N比の測定は、44dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００８９】
その後、スタンパーＩ、Ｊを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、該２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し、形状を観察したところ、上記結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、またこれらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００９０】
（実施例６）
実施例４と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、２Ｐマスター原盤への剥離層の形成条件を実施例３と同様とした。
【００９１】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＫとし、基板を基板Ｋとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＫとした。またスタンパーＫ作製後の２Ｐマザー原盤より、スタンパーＬを作製、基板を基板Ｌとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＬとした。
【００９２】
なおスタンパーＬを作製する時の、Ｎｉ導電層処理条件は従来条件である。
【００９３】
実施例４と同様にして、２Ｐマスター原盤、２Ｐマザー原盤、スタンパーＫおよびＬ、基板ＫおよびＬの表面粗さの測定を行ない、光磁気記録媒体サンプルＫおよびＬの評価を行った。
【００９４】
スタンパーＬ作製後のランドトラックの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３４６ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.３４１ｎｍであり、スタンパーＫでは０.３６９ｎｍ、スタンパーＬでは０.３７１ｎｍであり、基板Ｋでは０.３８４ｎｍ、基板Ｌでは０.３５８ｎｍとなった。同様にスタンパーＬ作製後のグルーブトラックでの表面粗さＲａは２Ｐマスター原盤では０.３３４ｎｍ、２Ｐマザー原盤では０.３４４ｎｍであり、スタンパーＫでは０.３４８ｎｍ、スタンパーＬでは０.３４８ｎｍであり、基板Ｋでは０.３５９ｎｍ、基板Ｌでは０.３２３ｎｍとなった。結果は表６に示す。
【００９５】
【表６】
0003787515.tif 000007
【００９６】
また、スタンパーＫおよびＬの断面図を図１２に示す。
【００９７】
この図に示した結果から明らかなように、ランドトラックおよびグルーブトラック両者のランド／グルーブ形状を変化させることが可能となった。また、スタンパーＫとＬのランド／グルーブ形状にほとんど差異がみられず、形状再現性よくスタンパーを作製することができた。
【００９８】
なお、光磁気記録媒体サンプルＫおよびＬのノイズレベルの評価は、最も良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。信号評価としてC/N比の測定は、47dbであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。ランドトラックおよびグルーブトラック両者の形状に曲率を付与することにより、磁壁移動検出方式としてランドトラック、グルーブトラックでの信号再生時の信号ジッタを大幅に改善することができた。
【００９９】
その後、スタンパーＫ、Ｌを作製した２Ｐマザー原盤より、１０枚のスタンパーを作製し、該２Ｐマザー原盤およびスタンパーのグルーブトラックおよびランドトラックの表面粗さを測定し形状を観察したところ、上記結果と測定誤差を超える有意の変化は無く、またこれらのスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る光ディスク基板用スタンパーの製造方法は、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程または２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程において、各々の層を形成する条件を調節することによりランド／グルーブ形状を容易に調節し磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状を作製することが可能である。また、本発明によれば、本発明の光ディスク基板用スタンパー、光磁気記録媒体を再現性よく、大量に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説明するための模式図である。
【図２】光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。
【図３】図２にて説明した構成の光磁気記録媒体のランド部およびグルーブ部における層構成を示す模式的断面図である。
【図４】従来技術に基づく光ディスク基板用スタンパーの製造方法例の説明図である。
【図５】ファミリースタンパーの作製方法の概要を示す図である。
【図６】本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方法の概要を示す図である。
【図７】実施例１におけるスタンパーＡおよびＢのＡＦＭ図である。
【図８】実施例２におけるスタンパーＣおよびＤのＡＦＭ図である。
【図９】実施例３におけるスタンパーＥおよびＦのＡＦＭ図である。
【図１０】実施例４におけるスタンパーＧおよびＨのＡＦＭ図である。
【図１１】実施例５におけるスタンパーＩおよびＪのＡＦＭ図である。
【図１２】実施例６におけるスタンパーＫおよびＬのＡＦＭ図である。
【符号の説明】
１      ガラス原盤
２      フォトレジスト
３      光ビーム
４      露光部
５      未露光部
６      Ｎｉ導電層
７      スタンパー
８      ランドトラック
９      グルーブトラック
７０    重クロム酸溶液
７１    マスタースタンパー
７２    マザースタンパー
７３    サンスタンパー
７４    酸化層
８０    ２Ｐ樹脂
８１    ２Ｐマスター原盤
８２    ２Ｐマザー原盤
８３    剥離層
１１１  第１の磁性層
１１２  第２の磁性層
１１３  第３の磁性層
１１４  原子スピン
１１５  磁壁
１１６  読み出し用光スポット
１１７  磁壁の移動方向
１１８  基板移動方向
１１９  誘電体層
１２０  第３の磁性層
１２１  第２の磁性層
１２２  第１の磁性層
１２３  誘電体層
１２４  基板
１２５  光ビーム
【図１】
0003787515.tif 000008
【図２】
0003787515.tif 000009
【図３】
0003787515.tif 000010
【図４】
0003787515.tif 000011
【図５】
0003787515.tif 000012
【図６】
0003787515.tif 000013
【図７】
0003787515.tif 000014
【図８】
0003787515.tif 000015
【図９】
0003787515.tif 000016
【図１０】
0003787515.tif 000017
【図１１】
0003787515.tif 000018
【図１２】
0003787515.tif 000019