(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理膜を形成する基板処理における，当該処理膜の膜厚又は線幅に関する不具合を修正するための不具合修正システムであって，
前記基板処理が行われる工場側には，当該基板処理が行われる処理装置と，前記基板を回転させる基板回転装置と，前記膜厚又は線幅を測定する基板状態測定装置と，前記基板状態測定装置で測定された膜厚又は線幅の測定情報を蓄積するデータボックスとが設けられ，
前記基板回転装置は，前記処理膜が形成された前記基板を，特定の角度に回転させるための回転制御部を有し，
前記基板状態測定装置は，前記基板回転装置で特定の角度に回転された基板の特定の直径部分の膜厚又は線幅を測定する測定部を有し，
前記処理装置のベンダー側には，ホストコンピュータが設けられ，
前記工場側には，前記データボックスに蓄積された前記測定情報を収集し，当該測定情報をインターネットを介して前記ホストコンピュータに送信する情報収集送信用コンピュータが設けられ，
前記ホストコンピュータは，前記測定情報を基に導出された，前記処理装置における前記膜厚又は線幅の不具合を修正するための不具合修正情報を前記インターネットを介して前記処理装置に送信し，前記不具合修正情報に基づいて前記処理装置におけるベーキングユニットの熱板の温度の調整，前記処理装置におけるベーキングユニットに基板を搬送する搬送アームの搬送位置の調整，前記ベーキングユニットの排気管の排気量の調整の少なくともいずれかを行い，
前記ホストコンピュータは，前記ベーキングユニットの熱板の温度を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記搬送アームの搬送位置を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記排気管の排気量を調整することを特徴とする，不具合修正システム。
【請求項２】
処理膜を形成する基板処理における，当該処理膜の膜厚又は線幅に関する不具合を修正するための不具合修正システムであって，
前記基板処理が行われる工場側には，当該基板処理が行われる処理装置と，前記処理膜の前記不具合の原因を特定するための処理膜の測定が行われる不具合特定装置とが設けられ，
前記不具合特定装置は，基板を回転させる回転駆動部と，前記回転駆動部を制御して基板を特定の角度に回転させる回転制御部と，前記特定の角度に回転された基板の直径部分の膜厚又は線幅を測定する測定部とを有し，
前記工場側には，前記測定部により測定された膜厚又は線幅の測定情報を蓄積するデータボックスが設けられ，
前記処理装置のベンダー側には，ホストコンピュータが設けられ，
前記工場側には，前記データボックスに蓄積された前記測定情報を収集し，当該測定情報をインターネットを介して前記ホストコンピュータに送信する情報収集送信用コンピュータが設けられ，
前記ホストコンピュータは，前記測定情報を基に導出された，前記処理装置における前記膜厚又は線幅の不具合を修正するための不具合修正情報を前記インターネットを介して前記処理装置に送信し，前記不具合修正情報に基づいて前記処理装置におけるベーキングユニットの熱板の温度の調整，前記処理装置におけるベーキングユニットに基板を搬送する搬送アームの搬送位置の調整，前記ベーキングユニットの排気管の排気量の調整の少なくともいずれかを行い，
前記ホストコンピュータは，前記ベーキングユニットの熱板の温度を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記搬送アームの搬送位置を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記排気管の排気量を調整することを特徴とする，不具合修正システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，不具合修正システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面に所定のレジスト膜を形成するためのレジスト塗布処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理，レジスト塗布処理後，現像処理前後のウェハの加熱処理又は冷却処理等の一連の処理が行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
上述のレジスト塗布処理では，通常回転されたウェハの中心部にレジスト液が供給され，当該レジスト液がウェハ上で拡散されることによって，ウェハ表面にレジスト液の液膜が形成される。液膜が形成されたウェハは，加熱処理に付され，液膜内の溶剤等が蒸発することにより，ウェハ上に所定の膜厚のレジスト膜が形成される。このとき，処理時のウェハに働く遠心力やウェハ周辺部の圧力等の影響によって，ウェハの中心部付近のレジスト膜が僅かに厚くなり，レジスト膜の盛り上がりが形成される。正常にレジスト膜が形成されていれば，当該盛り上がりが許容範囲に納められ，その盛り上がり部分がウェハの中心部に形成される。また，レジスト膜の形成されたウェハは，その後露光処理，加熱処理，現像処理等に付され，ウェハ上には，所定の線幅を有する回路パターンが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，一連の処理が終了したウェハは，例えば検査装置に搬送され，ウェハ上に所定のレジスト膜が形成されているか否か，又は所定の線幅が形成されているか否か等のウェハ状態に関する検査が行われる。例えばこの検査で膜厚や線幅が許容範囲から外れ，ウェハ状態に関する不具合が発生した場合，その一因として加熱処理時にウェハが熱板上に傾いて載置されたこと，ウェハ周辺雰囲気の排気に偏りがあること等が経験的に挙げられる。
【０００５】
かかる原因で不具合が発生した場合には，例えばレジスト膜の形成工程がウェハ面内において不均一に行われているため，上述のレジスト膜の盛り上がり部分がウェハの中心に位置しないことになる。そして，当該盛り上がり部分のずれた方向は，上述の不具合原因であるウェハの傾斜方向や排気の偏り方向に関係している。それ故，当該不具合を修正するためには，盛り上がり部分の偏りを把握すればよい。また，上記原因で線幅に関する不具合が生じた場合も，線幅の広狭の分布を把握すれば，当該不具合を解消することができる。しかし，前記レジスト膜の盛り上がり部分の偏りや線幅の偏りは，肉眼で確認することが困難な場合が多く，また確認できたとしてもその正確性，迅速性に欠ける。
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，膜厚や線幅等の基板状態に関する不具合が生じた場合に，当該基板状態の偏りを把握して当該不具合を修正する不具合修正システムを提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
参考例として，処理膜を形成する基板処理で発生し，当該処理膜の膜厚や線幅などの基板状態に起因する不具合を修正するための不具合修正方法であって，前記処理膜の形成された基板について，少なくとも２以上の直径部分の基板状態を測定し，当該測定結果から前記基板状態の基板上における偏りを把握し，当該偏りに基づいて前記不具合を修正することを特徴とする不具合修正方法が提供される。
【０００８】
前記不具合修正方法によれば，処理された基板に，膜厚や線幅等の基板状態に関する不具合が発生した場合に，当該基板の少なくとも２以上の直径部分の基板状態を測定する。これにより，基板状態の偏り，例えば上述した膜厚の盛り上がり部分や線幅の広狭部分等が基板面上の何処に位置しているかを把握することができる。これによって，不具合原因と考えられる基板の偏り方向や，排気の偏り方向を認定できるので，前記不具合を修正することができる。なお，基板状態の偏りには，基板状態のばらつきも含まれる。
【０００９】
参考例として，前記２以上の直径部分の基板状態の測定は，一の直径部分の基板状態が測定された基板を所定角度回転させ，他の直径部分の基板状態を測定する工程を有していてもよく，かかる場合，一枚の基板を用いて膜厚の盛り上がり部分の位置を把握し，それに基づいて不具合を修正することができる。
【００１０】
また，参考例として，前記２以上の直径部分の基板状態の測定は，一の基板についての特定の直径部分の基板状態を測定した後，前記一の基板と同じ処理が施された他の基板を所定角度回転させ，前記一の基板の前記特定の直径部分と異なる位置の前記他の基板の直径部分の基板状態を測定する工程を有していてもよい。かかる場合は，複数枚の基板の基板状態を測定することによって，例えば膜厚の盛り上がり部分や線幅の広狭部分等の位置が把握され，当該位置を基に不具合が修正できる。
【００１１】
参考例として，前記基板の所定角度の回転は，基板の回転角度を制御するための回転制御部を備えた基板回転装置で行われてもよく，前記基板状態を測定するための基板状態測定装置で行われてもよい。後者の場合，基板の所定角度の回転が基板状態測定装置で行われるため，基板の直径部分の基板状態の測定と，基板の所定角度の回転とを同じ装置内で行うことできる。なお，基板回転装置には，基板を回転させる機能のみを有する専用の装置だけでなく，他の処理も行われ，かつ基板の所定角度の回転もできる多機能の装置をも含む。例えば，基板回転装置は，基板を回転させながら塗布液を塗布する塗布処理装置，現像処理装置及び基板の周辺露光装置等であってもよい。また，前記基板状態測定装置には，膜厚測定装置や線幅測定装置が含まれる。
【００１２】
参考例として，前記基板状態の測定結果は，通信手段によってインターネットを介してベンダー側のホストコンピュータに送信され，当該基板状態の測定結果を基にベンダー側の管理者等が導出した不具合修正情報は，通信手段によってインターネットを介して前記ベンダー側のホストコンピュータから前記基板処理が行われる処理装置に送信され，当該不具合修正情報に従って前記処理装置が修正されるようにしてもよい。この場合，ベンダーが，基板の直径部分の基板状態の測定結果をインターネットを用いて入手し，当該基板状態の測定結果を基に，例えば膜厚や線幅等に関する不具合を自動的に修正することができる。これにより，膜厚や線幅等の偏りに起因する不具合が，遠隔地から迅速かつ適切に解消される。
【００１３】
参考例として，前記不具合の修正は，前記基板処理時に基板を搬送する搬送アームの基準位置を調節することによって行われてもよい。これにより，搬送アームのポジション調節が行われ，基板処理時に基板がより正確な位置に搬送される。したがって，例えば基板が各処理ユニット内において所定の位置に載置されるようになり，基板が適切に処理されるようになるため，不具合が解消される。また，前記基板状態は，基板上に形成された処理膜の膜厚であってもよいし，基板上の処理膜に形成された線幅であってもよい。かかる場合，特にその基板状態が確認し難いので，不具合を修正するにあたって，その効果が大きい。
【００１４】
別の参考例として，基板に処理膜を形成する処理装置であって，基板を回転させる基板回転装置と，前記処理膜が形成された基板の膜厚や線幅等の基板状態を測定する基板状態測定装置とを備え，前記基板回転装置は，前記処理膜が形成された前記基板を，特定の角度に回転させる回転制御部を有し，前記基板状態測定装置は，前記基板回転装置で特定の角度に回転された基板の特定の直径部分の基板状態を測定する測定部を有することを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【００１５】
前記基板の処理装置によれば，基板回転装置と基板状態測定装置によって，基板の２以上の直径部分の基板状態を測定することができる。また，基板回転装置と基板状態測定装置が基板の処理装置に搭載されるので，処理膜を形成する処理と同じ処理装置内において不具合が発生した場合の基板状態の測定を行うことができる。したがって，不具合が発生した場合に迅速に基板状態を測定し，当該測定結果に基づいて不具合を修正することができる。また，前記基板状態は，基板上に形成された処理膜の膜厚であってもよいし，基板上の処理膜に形成された線幅であってもよい。かかる場合，特にその基板状態の把握が困難であるので，不具合を修正するにあたって，その効果が大きい。
【００１６】
別の参考例として，処理膜を形成する基板処理において発生し，当該処理膜の膜厚や線幅等の基板状態に起因する不具合を特定するための不具合特定装置であって，基板を回転させる回転駆動部と，前記処理膜が形成された基板を特定の角度に回転させるために前記回転駆動部を制御する回転制御部と，前記特定の角度に回転された基板の特定の直径部分の基板状態を測定する測定部とを備えることを特徴とする不具合特定装置が提供される。当該不具合特定装置によって，基板の２以上の直径部分の基板状態が測定され，基板上の基板状態の偏りが把握されて不具合の状態が特定される。これにより，不具合の修正を行い，不具合を解消することができる。また，前記基板状態は，基板上に形成された処理膜の膜厚であってもよいし，基板上の処理膜に形成された線幅であってもよい。かかる場合，特にその基板状態が確認し難いので，不具合を修正するにあたって，その効果が大きい。
【００１７】
本発明によれば，処理膜を形成する基板処理における，当該処理膜の膜厚又は線幅に関する不具合を修正するための不具合修正システムであって，前記基板処理が行われる工場側には，当該基板処理が行われる処理装置と，前記処理膜の前記不具合の原因を特定するための処理膜の測定が行われる不具合特定装置とが設けられ，前記不具合特定装置は，基板を回転させる回転駆動部と，前記回転駆動部を制御して基板を特定の角度に回転させる回転制御部と，前記特定の角度に回転された基板の直径部分の膜厚又は線幅を測定する測定部とを有し，前記工場側には，前記測定部により測定された膜厚又は線幅の測定情報を蓄積するデータボックスが設けられ，前記処理装置のベンダー側には，ホストコンピュータが設けられ，前記工場側には，前記データボックスに蓄積された前記測定情報を収集し，当該測定情報をインターネットを介して前記ホストコンピュータに送信する情報収集送信用コンピュータが設けられ，前記ホストコンピュータは，前記測定情報を基に導出された，前記処理装置における前記膜厚又は線幅の不具合を修正するための不具合修正情報を前記インターネットを介して前記処理装置に送信し，前記不具合修正情報に基づいて前記処理装置におけるベーキングユニットの熱板の温度の調整，前記処理装置におけるベーキングユニットに基板を搬送する搬送アームの搬送位置の調整，前記ベーキングユニットの排気管の排気量の調整の少なくともいずれかを行い，前記ホストコンピュータは，前記ベーキングユニットの熱板の温度を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記搬送アームの搬送位置を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記排気管の排気量を調整することを特徴とする不具合修正システが提供される。
【００１８】
別の観点による本発明によれば，処理膜を形成する基板処理における，当該処理膜の膜厚又は線幅に関する不具合を修正するための不具合修正システムであって，前記基板処理が行われる工場側には，当該基板処理が行われる処理装置と，前記基板を回転させる基板回転装置と，前記膜厚又は線幅を測定する基板状態測定装置と，前記基板状態測定装置で測定された膜厚又は線幅の測定情報を蓄積するデータボックスとが設けられ，前記基板回転装置は，前記処理膜が形成された前記基板を，特定の角度に回転させるための回転制御部を有し，前記基板状態測定装置は，前記基板回転装置で特定の角度に回転された基板の特定の直径部分の膜厚又は線幅を測定する測定部を有し，前記処理装置のベンダー側には，ホストコンピュータが設けられ，前記工場側には，前記データボックスに蓄積された前記測定情報を収集し，当該測定情報をインターネットを介して前記ホストコンピュータに送信する情報収集送信用コンピュータが設けられ，前記ホストコンピュータは，前記測定情報を基に導出された，前記処理装置における前記膜厚又は線幅の不具合を修正するための不具合修正情報を前記インターネットを介して前記処理装置に送信し，前記不具合修正情報に基づいて前記処理装置におけるベーキングユニットの熱板の温度の調整，前記処理装置におけるベーキングユニットに基板を搬送する搬送アームの搬送位置の調整，前記ベーキングユニットの排気管の排気量の調整の少なくともいずれかを行い，前記ホストコンピュータは，前記ベーキングユニットの熱板の温度を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記搬送アームの搬送位置を調整し，それでも不具合が解消されない場合には，前記排気管の排気量を調整することを特徴とする不具合修正システムが提供される。
【００１９】
かかる不具合修正システムによれば，基板状態に関する不具合が発生した場合に，基板の２以上の直径部分の基板状態が測定され，その測定結果が処理装置のベンダー側に送信される。そして，入手した基板状態の測定結果を基に，ベンダーが前記基板状態の偏りを把握し，不具合修正方法等を案出する。さらに，ベンダーは，不具合を修正するための不具合修正情報を処理装置に送信し，不具合を修正する。これによって，膜厚や線幅等の基板状態に関する不具合が迅速かつ適切に解消される。また，インターネットを利用するので，ベンダーと工場との距離に関係なく不具合を適切に修正し，解消することができる。また，前記基板状態は，基板上に形成された処理膜の膜厚であってもよいし，基板上の処理膜に形成された線幅であってもよい。かかる場合，特にその基板状態の把握が困難であるので，不具合を修正するにあたって，その効果が大きい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は，本実施の形態にかかる不具合修正方法が実施される不具合修正システム１の概略構成図である。この不具合修正システム１は，処理装置としての塗布現像処理装置で発生した基板状態としての膜厚に関する不具合を修正するため不具合修正システムである。不具合修正システム１は，例えばウェハメーカーの工場２側に，複数の塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎ，ＡＧＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｇｒｏｕｐ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）４及び管理用コンピュータ５とを有し，一方処理装置メーカーのベンダー６側に，ホストコンピュータ７を有する。塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎ及びＡＧＣ４は，工場２内のクリーンルームＲに設置されており，管理用コンピュータ５は，工場２内のクリーンルームＲ外に設置されている。
【００２１】
工場２側のＡＧＣ４とベンダー６側のホストコンピュータ７とは，インターネット８を介して接続されており，互いに情報を通信することができる。なお，インターネット８の工場２側及びベンダー６側には，それぞれ図示しないファイアーウォールが設けられており，それぞれの端末を保護している。工場２側の複数の塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎ，ＡＧＣ４及び管理用コンピュータ５は，工場２側で構築された，例えばＬＡＮ９に接続されており，互いに情報を通信することができる。
【００２２】
先ず，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎの構成について，塗布現像処理装置Ｍ１を例に採って説明する。塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎは，半導体ウェハＷの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程を連続して行う処理装置である。図２は，塗布現像処理装置Ｍ１の構成の概略を示す斜視図であり，図３は，塗布現像処理装置Ｍ１の構成の概略を示す平面図である。
【００２３】
例えば塗布現像処理装置Ｍ１は，図２に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置Ｍ１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２０と，ウェハＷの処理が枚葉式で行われる各種処理ユニットを複数有する処理ステーション２１と，この処理ステーション２１に隣接して設けられている図示しない露光処理装置との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部２２とを一体に接続した構成を有している。
【００２４】
カセットステーション２０では，図３に示すようにカセット載置台２３上の所定の位置に，複数のカセットＣがＸ方向（図３中の上下方向）に一列に載置自在になっている。また，カセットステーション２０には，ウェハ搬送体２４が搬送路２４ａに沿ってＸ方向に移動自在に設けられている。また，ウェハ搬送体２４は，θ方向に回転可能である。ウェハ搬送体２４は，カセットＣに対してウェハＷを搬入出し，処理ステーション２１との間でウェハＷを搬送することができる。また，ウェハ搬送体２４は，後述するように処理ステーション２１側の第３の処理ユニット群G３に属するエクステンションユニット５３及び基板状態測定装置としての膜厚測定ユニット２５に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２５】
カセットステーション２０には，図２に示すように塗布現像処理装置Ｍ１の入力部２６，後述するコントロールセクション２７が設けられている。入力部２６は，例えばポインティングデバイスであるタッチスクリーンになっており，塗布現像処理装置Ｍ１の各種設定値を手動で設定，変更することができる。
【００２６】
上述の膜厚測定ユニット２５は，ウェハＷに膜厚に関する不具合が生じた場合に，ウェハの特定の直径部分の膜厚を測定するためのユニットである。図４に示すように膜厚測定ユニット２５は，ケーシング２５ａを有しており，ケーシング２５ａ内には，例えばウェハＷを吸着して保持する載置台３０が設けられている。例えば載置台３０の下方には，ウェハＷを授受する際に載置台３０を上下動させる駆動部３１が設けられている。駆動部３１は，例えばモータやシリンダ等によって構成される。
【００２７】
ウェハＷの膜厚を測定するための膜厚測定部材３２は，アーム３３に保持されている。アーム３３は，ウェハＷの上方向に位置する。アーム３３は，例えばケーシング２５ａの側面に設けられたレール３４を移動自在である。レール３４は，図５に示すようにＸ方向に，ウェハＷのＸ方向正方向側の外方からＸ方向負方向側の外方に至るまで形成されている。これによりアーム３３は，ウェハＷ上をＸ方向に移動自在である。また，膜厚測定部材３２は，アーム３３が移動した際に，膜厚測定部材３２がウェハＷの中心上方を通過するように，アーム３３に保持されている。したがって，膜厚測定部材３２は，ウェハＷの直径上方を移動し，ウェハＷのＸ方向の直径部分の膜厚を測定することができる。
【００２８】
膜厚測定部材３２は，例えば図示しない光照射部と光受信部とを有しており，ウェハＷ表面に光を照射し，ウェハＷ表面のレジスト膜に反射した光を受信することによってレジスト膜の膜厚を測定する。膜厚測定部材３２は，測定制御部３５で制御されており，膜厚測定部材３２で検出されたデータは，測定制御部３５に送信される。測定制御部３５では，入手した検出データに基づき，ウェハＷの特定の直径部分の膜厚が解析され，例えば当該直径部分の膜厚が，図６に示すような膜厚プロファイルとして算出される。測定制御部３５は，コントロールセクション２７の後述するデータボックス９１に接続されており，膜厚プロファイル等の膜厚測定情報を送信することができる。
【００２９】
膜厚測定ユニット２５のケーシング２５ａのＸ方向負方向側の側面には，ウェハＷを搬入出するための搬送部３６がある。したがって，後述する主搬送ユニット４０に保持されたウェハＷは，搬送部３６から搬入され，例えば保持された向きを維持したまま載置台３０に載置される。
【００３０】
一方，処理ステーション２１には，図３に示すようにその中心部に主搬送ユニット４０が設けられており，この主搬送ユニット４０の周辺には各種処理ユニットが多段に配置された複数の処理ユニット群G1，G2，G3，G4が設けられている。例えば第１及び第２の処理ユニット群G1，G2は，塗布現像処理装置Ｍ１の正面側に配置され，第１の処理ユニット群Ｇ１には，図７に示すようにウェハＷにレジスト液を塗布し液膜を形成するレジスト塗布ユニット４１及びウェハＷを現像処理する現像処理ユニット４２が下から順に２段に設けられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も同様に，レジスト塗布ユニット４３及び現像処理ユニット４４が下から順に設けられている。
【００３１】
処理ステーション２１の第３の処理ユニット群G3は，図３に示すようにカセットステーション２０に隣接して配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３には，例えば図８に示すようにウェハＷを所定の角度に回転させる基板回転装置としての回転ユニット５０，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット５１，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョンユニット５２，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンションユニット５３，レジスト液中の溶剤を蒸発させ，レジスト膜を形成するプリベーキングユニット５４及び５５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００３２】
第４の処理ユニット群G4は，インターフェイス部２２に隣接して配置されている。第４の処理ユニット群Ｇ４には，例えば図８に示すようにクーリングユニット６０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリングユニット６１，エクステンションユニット６２，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット６３及び６４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット６５及び６６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００３３】
回転ユニット５０は，図９に示すようにケーシング５０ａ内に，ウェハＷを載置し回転させる回転台７０を有する。回転台７０は，例えば上面が水平に形成されている。当該上面には，例えばウェハＷを吸引するための図示しない吸引口が設けられており，ウェハＷを回転台７０に吸着保持することができる。
【００３４】
回転台７０の下方には，回転駆動機構７１が設けられている。回転駆動機構８１は，回転駆動部７２，回転駆動部７２の電源７３及び回転駆動部７２の回転制御部７４を有している。回転駆動部７２は，回転台７０を所定角度回転させるサーボモータ等を備えている。回転制御部７４は，電源７３及び回転駆動部７２を操作し，回転台７０の回転角度を制御する。
【００３５】
また，例えば回転駆動部７２のケース７２ａ上には，載置されたウェハＷのノッチ部を検出するための，例えば回帰反射型のセンサ７５が設けられる。センサ７５は，回転駆動機構７１の回転制御部７４に検出データを出力できるようになっている。これにより，ウェハＷのノッチ部を検出し，回転駆動機構７１によってウェハＷのノッチ部の位置を所定の位置に合わせることができる。
【００３６】
回転ユニット５０のケーシング５０ａの側面には，搬送部７６が設けられており，ウェハＷは，搬送部７６から回転ユニット５０内に搬入出される。
【００３７】
かかる構成によって，回転ユニット５０では，所定の方向に向いているウェハＷをノッチ部を基準に所定角度回転させ，ウェハＷの向きを所定の向きに変えることができる。
【００３８】
また，プリベーキングユニット５４は，例えば図１０に示すようにケーシング５４ａ内に，ウェハＷを載置して加熱する熱板８０を有する。熱板８０内には，ヒータ８１が内蔵されており，ヒータ８１の温度は，ヒータ制御部８２によって制御されている。熱板８０上であってウェハＷが載置される載置部の外方には，ウェハＷが載置される際にウェハＷを誘導する複数のウェハガイド８３が設けられている。また，熱板８０の上方であって，ケーシング５４ａの上面には，プリベーキングユニット５４内の雰囲気を排気する複数の排気管８４及び８５が設けられている。ケーシング５４ａの側面には，ウェハＷの搬送口８６が設けられており，例えば排気管８４は，ケーシング５４ａの搬送口８６寄りに設けられ，排気管８５は，搬送口８６の反対寄りに設けられている。各排気管８４及び８５の排気量は，例えば排気制御部８６によって制御管理されている。
【００３９】
一方，インターフェイス部２２には，図３に示すように例えばウェハ搬送体８８と周辺露光ユニット８９が設けられている。ウェハ搬送体８８は，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリングユニット６１，エクステンションユニット６２，周辺露光ユニット８９及び図示しない露光処理装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００４０】
次に，上述したコントロールセクション２７について詳しく説明する。コントロールセクション２７は，図１１に示すようにコントロールボックス９０と，データボックス９１を有している。コントロールボックス９０は，第１制御部９２と第２制御部９３とを有しており，第１制御部９２は，塗布現像処理装置Ｍ１の全体を制御するものであり，第２制御部９３は，塗布現像処理装置Ｍ１内の各処理ユニット，搬送ユニット等を制御するものである。
【００４１】
データボックス９１は，第１制御部９２，第２制御部９３からの制御情報等と膜厚測定ユニット２５からの膜厚測定情報を蓄積するものである。
【００４２】
コントロールボックス９０は，情報線９４によってデータボックス９１に接続されており，第１制御部９２及び第２制御部９３の制御情報，検出情報等は，データボックス８３に送信され，蓄積される。膜厚測定ユニット２５は，情報線９５によってデータボックスに９１に接続されており，膜厚制御部３５の膜厚測定情報は，データボックス９１の出力され，蓄積される。データボックス９１は，情報線９６によってＨＵＢ９７に接続され，ＨＵＢ９７には，ＬＡＮ９が接続している。これにより，データボックス９１で蓄積されている膜厚測定情報等は，ＬＡＮ９を介してＡＧＣ４に送信できる。
【００４３】
また，ＨＵＢ９７には，コントロールボックス９０からの情報線９８が接続されており，ＬＡＮ９を介して送られてきた各種情報がコントロールボックス９０で受信され，第１制御部９２又は第２制御部９３が当該情報を基に塗布現像処理装置Ｍ１全体或いは各種ユニットを制御，調節することができる。
【００４４】
データボックス９１は，例えば図１２に示すように蓄積部１００，記憶部１０１，制御部１０２及び通信部１０３とから構成される。蓄積部１００には，第１制御部９０，第２制御部９１及び膜厚測定ユニット２５からの各種情報が所定領域に蓄積される。記憶部１０１には，例えばＡＧＣ４からの命令により膜厚測定情報を蓄積部１００から読み出し，ＡＧＣ４に送信する情報送信プログラムが記憶されている。制御部１０２は，例えばＣＰＵ等で構成され，記憶部１０１から前記情報送信プログラム等を読み出し実行する。
【００４５】
通信部１０３は，情報線９６と接続されており，ＡＧＣ４との間で情報を通信することができる。したがって，例えばＡＧＣ４からの指示信号に従い，蓄積部１００の膜厚測定情報をＡＧＣ４に送信することができる。なお，通信部１０３には，例えばＬＡＮカード，モデム等が用いられる。また，通信部１０３による通信には，例えば一般的な通信プロトコルＴＣＰ／ＩＰが用いられる。
【００４６】
次に，ＡＧＣ４の構成について説明する。ＡＧＣ４は，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎを総括管理する役割を果たし，また，インターネット８を介してベンダー６側との通信を行うことができる。ＡＧＣ４は，例えば図１３に示すように通信手段としての通信部１２０，記憶部１２１，制御部１２２及び入力部１２３から構成される。例えば通信部１２０にはモデム，記憶部１２１にはＲＡＭ，制御部１２２にはＣＰＵ，入力部１２３にはタッチパネル等が用いられる。
【００４７】
通信部１２０は，ＬＡＮ９に接続されており，工場２内の管理用コンピュータ５及び塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎとの間で各種信号，情報等を通信できる。また，通信部１２０は，インターネット８にも接続されており，ベンダー６側のホストコンピュータ７との間で情報を通信できる。なお，当該通信には，例えば一般的な通信プロトコルＴＣＰ／ＩＰが用いられる。
【００４８】
記憶部１２１には，例えば各塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎとの間，ベンダー６のホストコンピュータ７との間等で，所定の情報を通信するためのプログラム等が記憶されている。制御部１２２は，前記記憶部１２１のプログラム等を読み出して実行する。
【００４９】
工場２側の管理用コンピュータ５は，工場２側のプロセス担当者等の管理者が塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎを管理するために用いるものであり，例えば一般的な汎用のＰＣ（Ｐｅａｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）と同様の構成を有するものである。
【００５０】
次に，ベンダー６側のホストコンピュータ７の構成について説明する。ホストコンピュータ７は，遠隔地からＡＧＣ４を介して塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎに対し情報を通信する。ホストコンピュータ７は，例えば図１４に示すように通信手段としての通信部１３０，入力部１３１，制御部１３２，記憶部１３３及び表示部１３４を有している。
【００５１】
通信部１３０は，インターネット８に接続されており，通信部１３０は，インターネット８を介してＡＧＣ４から送られてくる情報を受信する。また，通信部１３０からインターネット８を介してＡＧＣ４に情報を送信する。ＡＧＣ４は，当該情報を各塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎに送信できるので，通信部１３０からの情報は，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎに送信できる。したがって，ホストコンピュータ７は，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎに対し，不具合に対する不具合修正情報等を送信し，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎを遠隔地から修正できる。
【００５２】
入力部１３１は，ベンダー６側の担当者等である管理者が，例えば工場２側に送信するための不具合修正情報等を入力するためのものである。入力部１３１には，例えばカーソルキーや数字入力等を備えたキーボードやマウス等のポインティングデバイスが用いられ，キーボードにおいて押下されたキーの押下信号やマウスの位置信号を制御部１３２に出力することができる。
【００５３】
制御部１３２は，ホストコンピュータ７の全体を制御するものであり，ＡＧＣ４や入力部１３１等からの各種信号に従って，記憶部１３３に記憶された各種プログラムを読み出し実行する。また，当該プログラムの実行により導出された結果を記憶部１３３の所定領域に格納したり，表示部１３４に出力させたりできる。なお，制御部１３２には，例えばＣＰＵ等が用いられる。
【００５４】
記憶部１３３には，例えば入手した情報を表示部１２４に表示してベンダー６側の管理者に通知する情報表示プログラム等が記憶されている。なお，記憶部１３３は，例えばフラッシュＲＯＭ等の半導体メモリで構成される。
【００５５】
表示部１３４は，ホストコンピュータ７が入手した情報等をベンダー６側の管理者等に表示するものであり，表示部１２４には，例えばドットマトリクスタイプのカラー液晶表示セル若しくはＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）等が用いられる。
【００５６】
上述した塗布現像処理装置Ｍ１においては，先ず，カセットステーション２０のカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置群G3に属するエクステンションユニット５３に搬送される。次いでウェハＷは，主搬送ユニット４０によってアドヒージョンユニット５２に搬入され，アドヒージョン処理が施される。アドヒージョン処理の終了後，ウェハＷは，クーリングユニット５１に搬送され，所定温度に冷却され，その後レジスト塗布ユニット４１に搬送されて，ウェハＷ上にレジスト液が塗布される。
【００５７】
レジスト液が塗布され液膜が形成されたウェハＷは，主搬送ユニット４０によって例えばプリべーキングユニット５４に搬送され，所定の温度に加熱される。これにより，液膜内の溶剤が蒸発され，ウェハＷ上に所定膜厚のレジスト膜が形成される。次いでウェハＷは，エクステンション・クーリングユニット６１に搬送され，さらにウェハ搬送体８８によって周辺露光ユニット８９，露光処理装置（図示せず）に順次搬送され，各処理ユニットで所定の処理が施される。そして露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体８８によりエクステンションユニット６２に搬送され，その後，主搬送ユニット４０によって例えばポストエクスポージャーベーキングユニット６３，クーリングユニット６０，現像処理ユニット４２，ポストベーキングユニット６５及びクーリングユニット５１に順次搬送され，各ユニットにおいて所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンションユニット５３に搬送され，ウェハ搬送体２４によってカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００５８】
かかる塗布現像処理によって処理されたウェハＷは，例えば図示しない膜厚検査装置によって検査される。この検査において，例えばレジスト膜の膜厚が目標値とずれており，許容範囲から外れている場合には不具合となる。以下，この膜厚に関する不具合が発生した場合の不具合修正方法について，図１５のフローに従って説明する。
【００５９】
先ず，不具合の発生した塗布現像処理装置，例えば塗布現像処理装置Ｍ１の設定データと，正常に稼動している他の塗布現像処理装置の設定データとを比較する。そして，相異する設定データがある場合には，塗布現像処理装置Ｍ１の設定データを正常な塗布現像処理装置の設定データに合わせる。例えばＡＧＣ４により，塗布現像処理装置Ｍ１と，工場２内の正常に稼動している塗布現像処理装置Ｍ２の設定データを入手し，比較して，相異する場合には，塗布現像処理装置Ｍ１の設定を塗布現像処理装置Ｍ２の設定に変更する。また，他の工場における正常な塗布現像処理装置の設定データに合わせてもよい。この場合，例えばベンダー６側のホストコンピュータ７がインターネット８を介して塗布現像処理装置Ｍ１の設定データと他の工場の設定データとを入手し，相異する場合には，ホストコンピュータ７からインターネット８及びＡＧＣ４を介して塗布現像処理装置Ｍ１の設定を変更してもよい。
【００６０】
それでも不具合が解消しない場合，不具合の原因となっている処理ユニットを特定する。ここで，膜厚に関する不具合の場合，経験的に，レジスト膜の形成に関連したプリベーキングユニット５４又は５５，塗布処理ユニット４１又は４３に原因があることが多い。そこで，先ずプリベーキングユニット５４若しくは５５に原因があると推定し，プリベーキングユニット５４，５５の何れに原因があるのかを特定する。
【００６１】
例えば，プリベーキング以外の他の処理工程を同一の処理ユニットを用い，プリベーキングのみを異なるユニットを用いる塗布現像処理装置Ｍ１の試験処理を行う。例えば，図１６に示すように一のウェハＷを，…→レジスト塗布ユニット４１→プリべーキングユニット５４→エクステンション・クーリングユニット６１→…と流し，他のウェハＷを…→レジスト塗布ユニット４１→プリベーキングユニット５５→エクステンション・クーリングユニット６１→…と流す。そして，片方の膜厚が正常に形成され，もう一方の膜厚が正常に形成されなかった場合，当該正常に形成されなかったウェハＷを流したときに用いられたプリベーキングユニットに不具合があると認定される。一方，両方のウェハの膜厚に異常が生じた場合には，不具合の原因がプリベーキングユニットには無く，他の処理ユニットにあると推認できる。この場合，例えばレジスト塗布ユニット４１及び４２において同様の試験処理が行われる。
【００６２】
ところで，プリベーキングユニット５４に原因があると認定された場合，プリベーキングユニット５４における不具合の原因として，主に熱板８０の実温度が不正確であること，ウェハＷがウェハガイド８３に乗り上がり，熱板８０上に斜めに載置されていること，プリベーキングユニット５４内の排気がウェハＷ面内において偏って行われていることが経験的に考えられる。これらの原因を特定し修正するために，先ず最も可能性の高い熱板温度の正確性が検査される。これは，熱板８０のウェハに対する現実の加熱温度を測定することによって行われる。かかる温度測定は，例えばウェハ形状の熱板温度測定用治具を熱板８０に載置することによって行われる。熱板８０上への載置作業は，作業員が行ってもよいが，自動で行えるようにしてもよい。
【００６３】
自動で測定する場合，例えば，熱板温度測定用治具に，温度の検出データを無線で送信可能な送信部が設けられる。塗布現像処理装置Ｍ１内の主搬送ユニット４０等で自動搬送可能な位置に前記熱板温度測定用治具を待機させておく。そして，熱板温度測定が行われる際に，例えば熱板温度測定用治具が主搬送ユニット４０によってプリベーキングユニット５４に搬送され，熱板８０上に載置される。そして，熱板温度測定用治具によって測定された実測温度データは，無線によって例えばコントロールセクション２７に送信され，コントロールセクション２７において当該実測温度と設定温度とが比較される。実測温度と設定温度が異なる場合には，熱板８０のヒータ温度を制御するヒータ制御部８２にオフセットがかけられ，修正される。かかる熱板温度の自動測定は，ベンダー６側のホストコンピュータ７がインターネット８を介して遠隔操作することによって行ってもよい。
【００６４】
熱板温度の実測値と設定値との差が許容範囲内にあり，熱板温度に問題はないと判断された場合，次に不具合の原因として，ウェハＷが熱板８０上に傾斜して載置されていること若しくは排気が偏っていることが推認される。そして，この原因を前提とした，ウェハＷの２以上の特定の直径部分の膜厚を測定する膜厚測定が行われる。
【００６５】
先ず，上述した一連の塗布現像処理の終了したウェハＷ１が，例えばクーリングユニット５１から回転ユニット５０に搬送される。そして，ウェハＷ１が回転台７０に載置され，図１７に示すように回転機構７１によって例えばノッチ部ＮがＹ方向正方向側に位置するように所定角度回転される。次いで，ノッチ部ＮがＹ方向正方向側に向けられたウェハＷ１が，例えば主搬送ユニット４０によってエクステンションユニット５３にその方向を維持したまま搬送され，ウェハＷ搬送体２４に受け渡される。ウェハ搬送体２４は，図１８に示すようにＸ方向正方向側に９０度回転し，ウェハＷ１を膜厚測定ユニット２５内に搬送する。このとき，ウェハＷ１のノッチ部Ｎは，Ｘ方向負方向側に向けられている。膜厚測定ユニット２５内に搬送されたウェハＷ１は，図１９に示すようにノッチ部ＮをＸ方向負方向側に向けた状態で載置台３０に載置される。そして，膜厚測定部材３２が膜厚を測定しながら，ウェハＷ１の直径上を移動し，ウェハＷの特定の直径部分Ｒ１の膜厚が測定される。
【００６６】
次いで，ウェハＷ１と同じ処理が施されたウェハＷ２が回転ユニット５０に搬送される。そして，今度は，ノッチ部ＮがＸ方向正方向側の位置になるようにウェハＷ２が回転される。その後ウェハＷ２は，ウェハＷ１と同様にして膜厚測定ユニット２５内に搬送される。このとき，図２０に示すようにノッチ部ＮがＹ方向正方向側に向けられた状態でウェハＷ２が載置台３０に載置される。そしてウェハＷ２は，このときのＸ方向の直径部分Ｒ２の膜厚が測定される。かかるウェハＷ１とウェハＷ２の膜厚測定により，同じ処理が行われたウェハの２箇所の直径部分の膜厚が測定される。ウェハＷ１とウェハＷ２の膜厚測定結果は，例えば図２１，図２２に示すようにそれぞれ直径部分Ｒ１，Ｒ２の膜厚プロファイルとして算出される。この膜厚プロファイルにより，レジスト膜の盛り上がり部分の位置が把握される。例えば図２１，２２の場合，レジスト膜の盛り上がり部分がノッチ部Ｎ側のウェハＷの半径上にあることが分かる。
【００６７】
一方，ウェハＷ１及びウェハＷ２の膜厚測定結果は，コントロールセクション２７のデータボックス９１に送信され，一時蓄積される。不具合の発生を受けたベンダー６側のホストコンピュータ７は，ＡＧＣ４に膜厚測定結果の収集，送信命令を発し，ＡＧＣ４は，膜厚測定結果を収集する。収集された膜厚測定結果は，ＡＧＣ４によりインターネット８を介してホストコンピュータ７に送信される。ホストコンピュータ７で受信した膜厚測定結果は，表示部１３４に例えば上述した膜厚プロファイルの形式で表示される。こうしてベンダー６側がレジスト膜の膜厚プロファイルを入手し，当該膜厚プロファイルによってレジスト膜の盛り上がり部分の偏りが把握される。
【００６８】
ベンダー６側の管理者は，当該把握したレジスト膜の盛り上がり部分の偏りに基づき，当該盛り上がり部分がウェハＷの中心部にくるように修正する。例えば，ウェハＷのウェハガイド８３への乗り上げを修正する場合，ウェハＷの搬入時の載置位置を修正する必要があるため，主搬送ユニット４０のポジション調節が行われる。例えばレジスト膜の盛り上がり部分がノッチ部Ｎ側によっており，プリベーキングユニット５４では，常にノッチ部Ｎ側が搬送部８６側に向けられて処理されている場合，ノッチ部Ｎ側，つまり図１０に示すＹ方向負方向側のレジスト液中の溶剤が十分に蒸発しなかったことになり，加熱が十分でなかったことがわかる。この結果，ウェハＷがＹ方向負方向側のウェハガイド８３に乗り上げていたことが推認できる。したがって，ベンダー６側の管理者は，プリベーキングユニット５４にウェハＷを搬送する際の主搬送ユニット４０の搬送ポジションをＹ方向正方向側に修正する。
【００６９】
かかる修正は，例えばベンダー６側の管理者が，主搬送ユニット４０の搬送ポジションを修正させるための不具合修正情報をホストコンピュータ７の入力部１３１に入力する。当該不具合修正情報は，ホストコンピュータ７からインターネット８を介してＡＧＣ４に送信され，例えばＡＧＣ４から塗布現像処理装置Ｍ１のコントロールボックス９０に送信される。そして，例えば第２制御部９３において主搬送ユニット４０のポジション設定が修正される。これにより，ウェハＷがプリベーキングユニット５４内に正確に搬送され，熱板８０上に正確に載置される。
【００７０】
なお，主搬送ユニット４０のポジション調節を行った後に，試験用治具を用いて，ウェハＷが主搬送ユニット４０により熱板８０上に正確に載置されることを確認してもよい。また，この試験用治具を用いた確認を，ベンダー６側のホストコンピュータ７から遠隔操作によって行ってもよい。
【００７１】
一方，主搬送ユニット４０のポジション調節によっても不具合が修正されなかった場合や，ウェハＷ面内の排気に偏りがある可能性が高い場合には，プリベーキングユニット５４の排気管８４及び８５の排気量が調節される。例えば，Ｙ方向負方向側のレジスト膜が盛り上がっている場合，プリベーキングユニット５４のＹ方向負方向側の排気管８４の排気量を増加させる。かかる排気量の調節は，例えば，ベンダー６側の管理者が，ホストコンピュータ７に排気量を調節するための不具合修正情報を入力し，当該不具合修正情報が，ホストコンピュータ７からインターネット８，ＡＧＣ４を介して塗布現像処理装置Ｍ１に送信されて，排気管８４の排気量が調節される。こうすることによって，ウェハＷのＹ方向負方向側の排気量が増加し，Ｙ方向負方向側のレジスト液がより多く蒸発されるので，Ｙ方向負方向側のレジスト膜の膜厚が低下し，レジスト膜の膜厚が調節される。したがって，ウェハＷ上に正常な膜厚が形成される。なお，本実施の形態では，排気管８４の排気量を増加させたが，Ｙ方向正方向側の排気管８５の排気量を減少させるようにしてもよく，かかる場合でも同様な効果が得られる。
【００７２】
以上の実施の形態によれば，レジスト膜に関する不具合が生じた場合に，ウェハの２箇所の直径部分の膜厚を測定し，当該測定から膜厚の偏り，すなわちレジスト膜の盛り上がり部分の位置を知ることができる。したがって，ウェハＷがウェハガイド８３に乗り上がっていた場合のウェハＷのずれ方向や，排気量の偏り方向を知ることができ，この情報に基づいて不具合を修正できる。
【００７３】
また，塗布現像処理装置Ｍ１に，膜厚測定ユニット２５及び回転ユニット５０を設けたので，塗布現像処理が行われる同じ装置内で，不具合を修正するための膜厚測定を行うことができる。したがって，ウェハＷの搬送等の時間が省略され，不具合に対して迅速にう対応できる。
【００７４】
ベンダー６側のホストコンピュータ７が，工場２側のＡＧＣ４と通信可能であり，ＡＧＣ４は，塗布現像処理装置Ｍ１〜Ｍｎと通信可能であるので，塗布現像処理装置Ｍ１に蓄積された膜厚測定結果が，ベンダー６側に通知される。また，当該通知された膜厚測定結果を基に案出された不具合修正情報が，ベンダー６側のホストコンピュータ７から塗布現像処理装置Ｍ１に送信され，塗布現像処理装置Ｍ１内のユニットの設定を変更できる。これにより，遠隔地にあるベンダー６が，塗布現像処理装置Ｍ１で発生した不具合を修正することができる。
【００７５】
上述の実施の形態では，処理ウェハの直径部分の膜厚測定を複数のウェハを用いて行っていたが，一枚のウェハのみで行ってもよい。
【００７６】
例えば，図２３に示すようにウェハＷを所定角度に回転させる機能と，ウェハＷの特定の直径部分の膜厚を測定する機能とを備えた不具合特定装置１５０を塗布現像処理装置Ｍ１に搭載する。
【００７７】
不具合特定装置１５０は，例えば図２４に示すようにケーシング１５０ａ内に，載置台１５１，駆動部１５２，膜厚測定部材１５３，アーム１５４，レール１５５及び測定制御部１５６を有し，上述した膜厚測定ユニット２５と同様の構成を備えている。また，不具合特定装置１５０は，載置台１５１を所定角度に回転させることのできる回転駆動機構１５７と，載置台１５１上のウェハＷのノッチ部Ｎを検出するセンサ１５８とを有している。回転駆動機構１５７は，例えばサーボモータ等を備えた回転駆動部１５９，回転駆動部１５９の電源１６０，回転駆動部１５９の回転制御部１６１によって構成される。これによって，載置台１５１に載置されたウェハＷをノッチ部Ｎを基準に所定角度回転させることができる。
【００７８】
そして，上述した実施の形態と同様に膜厚に関する不具合が発生し，ウェハＷの直径部分の膜厚を測定する際に，一連の塗布現像処理が終了したウェハＷが，不具合特定装置１５０に搬入される。このウェハＷは，先ず，センサ１５８によりノッチ部Ｎが検出される。そして，図２５に示すように回転駆動機構１５７によってノッチ部Ｎが例えばＸ方向負方向側に位置するように載置台１５１が回転される。次いで膜厚測定部材１５３がウェハＷの直径上をＸ方向に移動し，当該直径部分Ｍ１の膜厚測定が行われる。直径部分Ｍ１の膜厚測定が終了すると，ノッチ部ＮがＹ方向正方向に位置するようにウェハＷが回転される。この状態で再度膜厚測定部材１５３による膜厚測定が行われ，ウェハＷの直径部分Ｍ２の膜厚が測定される。これによって，ウェハＷの２の特定の直径部分Ｍ１及びＭ２の膜厚が測定される。この膜厚測定結果は，例えば測定制御部１５６からデータボックス９１に送信され，データボックス９１からＡＧＣ４，さらにインターネット８を介してベンダー６側のホストコンピュータ７に送信される。
【００７９】
ホストコンピュータ７に送信された膜厚測定結果は，上述した実施の形態と同様に，膜厚プロファイルとしてベンダー６側の管理者に通知され，ベンダー６側の管理者によってレジスト膜の盛り上がり部分の偏りが把握される。当該膜厚の偏りが把握されると，例えば上述したようにホストコンピュータ７から不具合修正情報が塗布現像処理装置Ｍ１に向けて発信され，不具合が遠隔地から修正される。
【００８０】
このように，ウェハＷを回転させて，ウェハＷの２箇所の直径部分の膜厚を測定することによって，同じ処理が行われた複数のウェハを用いて測定するよりも迅速にレジスト膜の盛り上がり部分の偏りを把握することができる。また，塗布現像処理装置Ｍ１に不具合特定装置１５０を設け，ウェハＷの回転と，膜厚の測定を同じ装置内で行うことによって，ウェハＷの搬送する時間等が削減され，より迅速に不具合の修正を行うことができる。
【００８１】
また，ウェハＷの所定角度の回転は，回転機能を有する他の処理ユニット，例えばレジスト塗布ユニット，現像処理ユニット及び周辺露光ユニット，スクラブ洗浄装置等で行うようにしてもよい。
【００８２】
なお，以上の実施の形態では，２箇所の直径部分の膜厚を測定していたが，２以上であれば任意に選択できる。
【００８３】
また，以上で記載した実施の形態は，全て膜厚に関するものであったが，前記不具合修正システム１を基板状態としての線幅に関する不具合の修正に適用してもよい。かかる場合，上述した膜厚測定ユニット２５に代えて，線幅測定ユニットを用いればよい。
【００８４】
例えば，膜厚に不具合が生じた場合と同様に，先ず不具合の原因となった処理ユニットを特定する。このとき，線幅に影響を与える可能性の高い処理ユニットは，ポストエクスポージャーベーキングユニット６３，６４，現像処理ユニット４２，４４である。そして，不具合の原因がポストエクスポージャーベーキングユニット６３にあると認定された場合，熱板温度が測定され，ウェハＷの実際の加熱温度が検査される。熱板温度に問題がない場合，例えば回路パターンが形成されたウェハＷについて，少なくとも２以上の直径部分の線幅を測定する。かかる測定により，線幅の広狭の分布を取得し，ウェハＷ面内における線幅分布の偏りを把握する。そして，当該偏りを基に，主搬送ユニット４０のポジション調節や，ポストエクスポージャーベーキングユニット６３内の排気量調節，ポストエクスポージャーベーキングユニット６３の熱板温度調節等を行い，不具合を修正する。この不具合の修正は，例えばベンダー６側の管理者が，ホストコンピュータ７を用いて遠隔地から修正する。これにより，線幅に関する不具合が迅速かつ適切に解消される。なお，直径部分を測定する際のウェハＷの回転は，例えば上述した実施の形態と同様にして行われる。
【００８５】
以上で記載した実施の形態は，レジスト膜に関する不具合を修正するための不具合修正方法であったが，本発明は，他の処理膜，例えば絶縁膜であるＳＯＤ，ＳＯＧ膜，保護膜であるポリイミド膜に関する不具合の修正方法にも適用できる。また，不具合修正システムを構成する処理装置も，レジスト膜を形成するための塗布現像処理装置でなくても，上記絶縁膜，保護膜を形成する工程を有する処理装置であってもよい。さらに，ベンダー側のホストコンピュータは，一箇所の工場の不具合を修正するものであったが，複数箇所の工場の不具合を修正してもよい。また，ベンダー側のホストコンピュータも一箇所でなく，複数箇所に設けられていてもよい。本発明は，ウェハの処理に対して適用されたが，ウェハ以外の基板，例えばＬＣＤ基板，フォトマスク用のマスクレチクル基板の処理においても適用できる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば，膜厚に関する不具合を迅速かつ適切に解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態で用いられる不具合修正システムの概略構成図である。
【図２】不具合修正システムを構成する塗布現像処理装置の概略を示す斜視図である。
【図３】図２の塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図４】膜厚測定ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】膜厚測定ユニットの構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】膜厚測定ユニットで測定される膜厚プロファイルの例を示す説明図である。
【図７】図２の塗布現像処理装置の正面図である。
【図８】図２の塗布現像処理装置の背面図である。
【図９】回転ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１０】プリベーキングユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１１】コントロールセクションの構成を示すブロック図である。
【図１２】データボックスの構成を示すブロック図である。
【図１３】ＡＧＣの構成を示す説明図である。
【図１４】ホストコンピュータの構成を示す説明図である。
【図１５】不具合修正方法のフローを示す説明図である。
【図１６】不具合の原因となった処理ユニットを特定する際のウェハの搬送順番を示す説明図である。
【図１７】回転ユニットにおけるウェハの向きを示す回転ユニットの横断面の説明図である。
【図１８】ウェハを膜厚測定ユニットに搬送する際のウェハの向きを示す塗布現像装置の平面図である。
【図１９】膜厚測定ユニットにおけるウェハの向きを示す膜厚測定ユニットの横断面の説明図である。
【図２０】膜厚測定ユニットにおけるウェハの向きを示す膜厚測定ユニットの横断面の説明図である。
【図２１】ウェハの直径部分の膜厚プロファイルの例を示す説明図である。
【図２２】ウェハの直径部分の膜厚プロファイルの例を示す説明図である。
【図２３】不具合特定装置を搭載した塗布現像処理装置の構成を示す平面図である。
【図２４】不具合特定装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図２５】不具合特定装置内におけるウェハの向きを示す不具合特定装置の横断面の説明図である。
【符号の説明】
１    不具合修正システム
２    工場
Ｍ１〜Ｍｎ  塗布現像処理装置
４    ＡＧＣ
６    ベンダー
７    ホストコンピュータ
８    インターネット
２５    回転ユニット
５０    膜厚測定ユニット
９０    コントロールボックス
９１    データボックス
Ｒ    クリーンルーム
Ｗ    ウェハ
【図１】
0003782323.tif 000002
【図２】
0003782323.tif 000003
【図３】
0003782323.tif 000004
【図４】
0003782323.tif 000005
【図５】
0003782323.tif 000006
【図６】
0003782323.tif 000007
【図７】
0003782323.tif 000008
【図８】
0003782323.tif 000009
【図９】
0003782323.tif 000010
【図１０】
0003782323.tif 000011
【図１１】
0003782323.tif 000012
【図１２】
0003782323.tif 000013
【図１３】
0003782323.tif 000014
【図１４】
0003782323.tif 000015
【図１５】
0003782323.tif 000016
【図１６】
0003782323.tif 000017
【図１７】
0003782323.tif 000018
【図１８】
0003782323.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
0003782323.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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