(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲル状物質を用いる膜の製造方法であって、
基板上に、金属を含む金属層と、前記ゲル状物質からなるゲル層とを交互に積層する積層工程と、
前記積層工程により積層された各金属層および各ゲル層に対し、前記金属層の金属が拡散し、該金属層と前記ゲル層とが混合される熱処理を行う熱処理工程と
を備えた膜の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程において、前記金属層と前記ゲル層とを混合させて複合酸化物に変化させる請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記積層工程では、基板上に金属を含む金属層と、水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層とを交互に積層する請求項１または２に記載の膜の製造方法。
【請求項４】
基板上に、鉛を含む金属層と、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層とを交互に積層する積層工程と、
前記積層工程により積層された各金属層と各ゲル層に対し、熱処理を施す熱処理工程とを備えたＰＺＴ膜の製造方法。
【請求項５】
前記積層工程において、各ゲル層の厚さを０．８μｍ以下にする請求項４に記載のＰＺＴ膜の製造方法。
【請求項６】
前記積層工程は、鉛を含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことにより金属層を形成する金属層形成工程と、ジルコニウムおよびチタンを含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことによりゲル層を形成するゲル層形成工程とを交互に行うものである請求項４または５に記載のＰＺＴ膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に、水酸化物、水和物または含水物等のゲル状物質を堆積させた後、熱処理を施すことにより形成される、例えばＰＺＴ膜等の膜の製造方法およびかかる製造方法により製造されたＰＺＴ膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛）は高い誘電率をもつため、誘電材料としてコンデンサ、メモリなどの電子部品に応用されている。また、ＰＺＴはペロブスカイト構造をもち圧電性を有するため、アクチュエータ素子としての応用もさかんである。上述の電子部品はそれを用いる電子機器の小型化、軽量化に合わせて、同じように小型、軽量化が進められており、ＰＺＴも一定の体積をもったバルク形状から膜の形状で用いられることが多くなっている。従来、ＰＺＴの膜を安価に製造する方法として、鉛、ジルコニウム、チタンを含む硝酸塩浴において電解を行ない、基板上にＰＺＴの前駆体を堆積させた後、熱処理を施して酸化させＰＺＴ膜を得る電解析出法や、ゾルゲル法が提案されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電解析出法においては、電解によって基板上に堆積するＰＺＴの前駆体が鉛、ジルコニウム、チタンの水和物あるいは含水物が主体で電析直後は水を含んだゲル状であるため、膜を１μｍ程度まで堆積させると乾燥時に収縮して膜に亀裂が生じ易いという問題があった。また、さらに膜が厚くなると基板に対する密着力よりも膜の収縮による引張応力が上回り、膜が基板から剥離してしまうという問題があった。
【０００４】
ゾルゲル法においても同様の問題を有するため、薄いゲル膜を積層して厚膜を得ているが、乾燥していないゲル膜を連続して積層すると厚い膜を形成したことと同じになり上記欠陥が生じてしまう。そのため、成膜工程と４００〜５００℃の仮焼成工程を繰り返して積層しなければならず、製造方法としては非常に煩雑であった。
【０００５】
以上のように、基板上にＰＺＴ膜を形成する過程において、ゲル状の物質を用いるため、製造過程または製造後において、ＰＺＴ膜に亀裂や剥離等の欠陥が生じ易くなる。また、かかる欠陥を防止しようとすると、製造方法が非常に煩雑になってしまう。このような問題は、ＰＺＴ膜を製造する場合に限らず、製造過程においてゲル状の物質を用いる他の膜を製造する場合にも生じる。例えば、酸化を防止するための皮膜等として用いることができるＬａＣｒＯ3等を製造する場合にも、上述したような問題が生じる場合がある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、製造過程においてゲル状の物質を用いる場合であっても、亀裂や剥離等の欠陥を生じさせることなく、かつ、安価で簡単な方法で膜を製造する方法を提供するものである。
【０００７】
また、本発明は、製造過程においてゲル状の物質を用いる場合であっても、亀裂や剥離等の欠陥を生じさせることなく、膜の厚さを自由に設定することができ、かつ、比較的厚い膜（例えば１μｍ以上）の形成を可能とする膜の製造方法を提供するものである。
【０００８】
さらに、本発明は、亀裂や剥離等の欠陥を生じさせることなく、かつ、安価で簡単な方法でＰＺＴ膜を製造する方法およびかかる製造方法で製造されたＰＺＴ膜を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1の発明による膜の製造方法は、基板上に、金属を含む金属層と、ゲル状物質からなるゲル層とを交互に積層する積層工程と、前記積層工程により積層された各金属層および各ゲル層に対し、前記金属層の金属が拡散し、該金属層と前記ゲル層とが混合される熱処理を行う熱処理工程とを備えている。
【００１０】
即ち、積層工程では、基板上に金属を含む第1の金属層を形成し、この第1の金属層の上にゲル状物質からなる第1のゲル層を形成し、さらに、この第１のゲル層の上に第2の金属層を形成し、さらにまた、この第2の金属層の上に第2のゲル層を形成する。このような膜形成を繰り返し行うことにより、金属層とゲル層とを交互に積層する。これにより、ゲル状物質は、金属層によって層状に分離される。
【００１１】
ここで、積層工程における、ゲル層の1層当たりの厚さは、当該ゲル層の乾燥時の収縮によって生じる応力が、当該ゲル層の上側または下側に形成される金属層に対する密着力よりも小さくなるように設定する。また、積層工程において、基板上に最初に形成する層は、金属層に限らず、ゲル層でもよい。
【００１２】
さらに、積層工程に続く熱処理工程では、基板上に積層された各金属層および各ゲル層に対して、熱処理を施す。これにより、各金属層の金属が拡散し、層状に分離されていた各ゲル層のゲル状物質と混合される。この結果、金属層に含まれていた金属とゲル層に含まれていた物質等から構成される膜が基板上に形成される。
【００１３】
このような製造方法によれば、積層工程において、ゲル状物質が金属層によって層状に分離されているため、乾燥時におけるゲル状物質の収縮を減少させることができる。従って、製造過程または製造後に、膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。また、金属層とゲル層を交互に何度も形成すれば、膜厚を厚くすることができる。従って、亀裂や剥離等の発生を防止しながら、比較的厚い膜（例えば１μｍ以上）を形成することができる。
請求項２の発明による膜の製造方法は、前記熱処理工程において、前記金属層と前記ゲル層とを混合させて複合酸化物に変化させるものである。
【００１４】
また、請求項３の発明による膜の製造方法は、前記積層工程において、基板上に金属を含む金属層と、水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層とを交互に積層するものである。
【００１５】
即ち、水酸化物、水和物または含水物は、いずれもゲル状である。このようなゲル状の物質からなるゲル層と金属層とを交互に積層することにより、ゲル層を金属層によって分離することができる。これにより、乾燥時におけるゲル層の収縮を減少させることができ、製造過程または製造後に、膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。
【００１６】
請求項４の発明によるＰＺＴ膜の製造方法は、基板上に、鉛を含む金属層と、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層とを交互に積層する積層工程と、前記積層工程により積層された各金属層と各ゲル層に対し、熱処理を施す熱処理工程とを備えている。
【００１７】
即ち、積層工程においては、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層は、ゲル状である。積層工程では、このゲル状のゲル層と、金属層とを交互に積層する。これにより、ゲル層は、金属層によって層状に分離される。
【００１８】
さらに、積層工程に続く熱処理工程では、基板上に積層された各金属層および各ゲル層に対して、熱処理を施す。これにより、各金属層の鉛が拡散し、層状に分離されていた各ゲル層のジルコニウムおよびチタンと混合される。この結果、基板上にはＰＺＴ膜が形成される。
【００１９】
このような製造方法によれば、積層工程において、ゲル状物質が金属層によって層状に分離されているため、ゲル層が乾燥によって収縮するのを防止できる。従って、製造過程または製造後に、膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。また、金属層とゲル層を交互に何度も形成すれば、膜厚を厚くすることができる。従って、亀裂や剥離等の発生を防止しながら、比較的厚いＰＺＴ膜を形成することができる。
【００２０】
また、請求項５の発明によるＰＺＴ膜の製造方法は、前記積層工程において、各ゲル層の厚さを０．８μｍ以下にするものである。
【００２１】
これにより、ゲル層の乾燥時の収縮によって生じる応力が、ゲル層の上側または下側に形成される金属層に対する密着力よりも小さくなる。この結果、乾燥時にゲル状物質が収縮するのを防止でき、ＰＺＴ膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。
【００２２】
また、請求項６の発明によるＰＺＴ膜の製造方法は、前記積層工程において、鉛を含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことにより金属層を形成する金属層形成工程と、ジルコニウムおよびチタンを含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことによりゲル層を形成するゲル層形成工程とを交互に行うものである。
【００２３】
これにより、鉛を含む溶液とジルコニウムおよびチタンを含む溶液を用意し、基板を、これら2種類の溶液に交互に浸漬させるだけで、金属層とゲル層を交互に積層形成することができる。従って、製造に用いる設備を大幅に簡略化することができ、製造コストを減少させることができる。
【００２４】
上記製造方法により得られるＰＺＴ膜は、鉛を含む金属層と、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層とを交互に積層した後、当該各金属層と各ゲル層に対して熱処理を施すことにより得られるものである。
【００２５】
このようなＰＺＴ膜は、たとえ膜厚が厚くても、亀裂や剥離等の欠陥がなく、信頼性が高い。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２７】
まず、本発明による、ゲル状物質を用いる膜の製造方法の第１の実施の形態として、ＰＺＴ膜の製造方法を図１ないし図７を参照しつつ説明する。
【００２８】
図１は、本実施形態によるＰＺＴ膜の製造方法の概要を示している。図１に示すように、本実施形態によるＰＺＴ膜の製造方法は、下部電極形成工程５１、金属層形成工程５２、ゲル層形成工程５３、乾燥工程５４、焼成工程５５および上部電極形成工程５６により構成される。
【００２９】
以下、各工程について詳しく説明する。ＰＺＴ膜はアクチュエータ、コンデンサ、メモリのいずれの応用においても上下に電極が必要となるため、まず、下部電極形成工程５１において、図２に示すように、セラミック製の基板１上に導電性を有する下部電極２を形成する。下部電極２を形成する方法については、無電解メッキ、蒸着、スパッタ等の膜形成法またはフィルム状あるいはシート状の導電性材料を接着するなど、絶縁物である基板１の一部に導電性が付与できる方法であれば特に限定されない。下部電極２に用いる導電性材料としては、後の工程で焼成が必要になることから、耐酸化性の金属材料(金、白金など)が望ましい。また、下部電極２の厚さは特に限定されないが、本実施形態では、例えば１μｍである。
【００３０】
次に、金属層形成工程５２では、図３に示すように、前記基板１上に形成された下部電極２上へ、金属Pb（鉛）からなる金属層３を形成する。この場合、金属Pbを層状に形成する必要があるため、金属層３を形成する方法としては、電気メッキ、無電解メッキ、蒸着、スパッタ等の膜形成法が望ましい。金属層３の一層当たりの膜厚は、ＰＺＴ膜の最終的な厚さ、および金属層とゲル層との層数等によって決定される。本実施形態における金属層３の膜厚は、０.５μｍ程度である。
【００３１】
次に、ゲル層形成工程５３では、図４に示すように、前記金属層３の上にZr（ジルコニウム）とTi（チタン）の水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層４を形成する。このゲル層４の形成にはゾルゲル法あるいは電析法が用いることができるが、本実施形態では、ゾルゲル法を用いる。また、ゲル層４の一層当たりの膜厚は、ゲル層４の乾燥時の収縮によって生じる応力が、当該ゲル層４の上側または下側に形成される金属層３に対する密着力よりも小さくなるように設定する。具体的には、ゲル層４の一層当たりの膜厚は、０.８μｍ以下に設定する。本実施形態におけるゲル層４の一層当たりの膜厚は、０.５μｍ程度である。
【００３２】
図４に示すように、ここまでの工程で金属層３とゲル層４が一層ずつ堆積されて全体で約１μｍの膜厚になっている。最終的に例えば５μｍ程度の膜厚のＰＺＴ膜を形成する場合には、さらに図１に示すように、金属層形成工程５２と、ゲル層形成工程５３を繰り返して、図５に示すように、金属層３とゲル層４を交互に５層ずつ形成する。また、最終的に例えば１０μｍ程度の膜厚のＰＺＴ膜を形成する場合には、さらに図１に示すような金属層形成工程５２と、ゲル層形成工程５３を繰り返して、金属層３とゲル層４を交互に１０層ずつ形成すればよい。このように、金属層３とゲル層４の層数によってＰＺＴ膜の最終的な膜厚を自由に設定することができる。
【００３３】
次に、乾燥工程５４では、図５に示すように形成された各金属層３および各ゲル層４からなる積層膜を１００℃で約１０分乾燥させる。そして、次の焼成工程５５では、前記積層膜に対して焼成を施し、図６に示すように、Pb,Zr,Tiの複合酸化物であるＰＺＴを形成する。焼成は大気中で５００〜９００℃程度の温度で、１０分以上行われる。これにより、金属層３の金属Pbが拡散して、層状に分離していたゲル層と混合されると共に、ゲル層の水酸化物、水和物または含水物が酸化物に変化する。
【００３４】
最後に、上部電極工程５６では、図７に示すように、ＰＺＴ膜５上に上部電極６を形成する。上部電極６の形成方法は、上述した下部電極２の形成方法と同様である。
【００３５】
以上のような製造方法によれば、金属層３とゲル層４を交互に積層することによってＰＺＴの前駆体である積層膜を形成する構成としたから、乾燥していないゲル層４を金属層３によって分離することができる。即ち、図５に示すように、セラミック製の基板１上には金を主成分とする下部電極２が１μｍの厚みで形成され、この下部電極２上には、厚み０.５μｍの金属Pbからなる金属層３と、厚み０.５μｍのZrとTiの水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層４が交互に５層ずつ積層されて形成されている。このように、本実施形態による製造方法によれば、ZrとTiの水酸化物、水和物または含水物を金属層３で層状に分離することができる。従って、乾燥時にゲル層４が収縮するのを抑制することができ、ゲル層４等に亀裂（クラック）や剥離が生じるのを防止できる。特に、本実施形態では、ゲル層４の一層当りの厚さを０.８μｍ以下（０．５μｍ程度）としたため、ゲル層４の上側または下側の金属層３に対する密着力に比べ、ゲル層４の乾燥時の収縮による応力を小さくでき、より確実にクラックなどの欠陥を防ぐことができる。
【００３６】
また、本実施形態による製造方法によれば、ゲル層４を形成する度に仮焼成の工程を行なう必要が無く、全体の工程を簡略化することができる。
【００３７】
次に、本発明による、ゲル状物質を用いる膜の製造方法の第２の実施の形態として、ＰＺＴ膜の製造方法を図８および図９を参照しつつ説明する。本実施形態の特徴は、金属Pbを含む金属層と、ZrとTiの水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層の形成に電解析出法を用いたことにある。なお、本実施形態では、前述した第1の実施形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３８】
前述した第1の実施形態と同様に、基板1上に下部電極２を形成した後、その下部電極2上に金属Pbを含む金属層３を形成する。この金属層形成工程では、図８に示すように、下部電極２が形成された基板１を白金対極１１と共に、鉛電析浴１２に浸漬する。この鉛電析浴１２には、硝酸鉛が０.００２〜０.２Ｍの濃度で含まれている。そして、基板１が陰極、白金対極１１が陽極になるように直流電源１３を接続し、直流電源１３によって電解を行う。直流電源１３によって電解が行なわれると、陰極にて鉛イオンが還元され金属Pbが基板１の下部電極２上に析出する。電解は−７００ｍＶの電位で行う。これにより、５分の電解で約０.５μｍの膜厚の金属層３を得ることができる。なお、電析に用いる電解液は上述のものに限られるものではなく、金属鉛の析出が可能な液ならば他の液でもよい。また、電解条件は、電析に用いる電解液に好適となるように適宜設定する。電解が終了したら、基板１と白金対極１１を鉛電析浴１２から引き上げる。
【００３９】
次に、金属層３上にゲル層４を形成する。このゲル層形成工程では、図９に示すように、基板１と白金対極１１を直流電源１３に接続したまま、その基板１と白金対極１１をジルコニウム＋チタン電析浴１４に浸漬し、電解を行う。このジルコニウム＋チタン電析浴１４には、硝酸ジルコニルが０．００１〜０．１Ｍ、三塩化チタンが ０．００１〜０．１Ｍの濃度で含まれている。電解は−４Ｖの電位で行う。これにより、３０秒の電解で約０.５μｍの膜厚のゲル層４が得られる。なお、この工程の電析に用いる電解液も上述のものに限られるものではなく、浴中に酸化チタンイオン、ジルコニルイオンを生成する液ならば他の液でもよい。また、電解条件もそれに応じて適宜設定する。電解が終了したら、基板１と白金対極１１をジルコニウム＋チタン電析浴１４から引き上げる。
【００４０】
さらに、基板１と白金対極１１を、鉛電析浴１２とジルコニウム＋チタン電析浴１４に交互に浸漬し、繰り返し電解を行う。これにより、基板1上には、金属層３とゲル層４が交互に積層形成される。このような工程を、金属層３とゲル層４の積層膜が所望の膜厚に達するまで、繰り返し行うことにより、ＰＺＴ膜５を形成する。例えば、鉛電析浴１２とジルコニウム＋チタン電析浴１４による交互の電解を５サイクル繰り返すことで、一層当たりの膜厚が約０.５μｍの金属層３と一層当たりの膜厚が約０.５μｍのゲル層４からなる膜厚約５μｍの積層膜が得られる。その後、前述した第1の実施形態と同様に、乾燥工程と焼成工程を経てＰＺＴ膜５を形成し、その後、ＰＺＴ膜５上に上部電極６を形成する。
【００４１】
かくして、本実施形態では、金属層３およびゲル層４の形成に電析法を用いたので、電析に用いる電解浴を変えるだけでＰＺＴ膜を非常に簡単に形成することができる。従って、ＰＺＴ膜を製造するための設備を簡略化することができ、製造コストを減少させることができる。
【００４２】
なお、前記各実施形態では、基板１上に、最初に金属層３を形成した後、その上にゲル層４を形成し、以後この順序で金属層３とゲル層４を積層していったが、本発明はこれに限らず、基板１上に最初にゲル層４を形成した後に金属層３を形成し、その後、ゲル層４と金属層３とを交互に積層してもよい。
【００４３】
また、前記各実施形態では、ゲル状物質を用いる膜の製造方法として、ＰＺＴ膜の製造方法を例に挙げたが、本発明はこれに限るものでない。例えば、酸化を防止するための皮膜として用いることができるＬａＣｒＯ3からなる膜を製造する場合にも、上述したような製造方法を適用することができる。この場合、Ｃｒ（クロム）を含む金属層とＬａ（ランタン）を含むゲル層とを交互に積層することにより、ＬａＣｒＯ3からなる膜を製造する。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項1の発明による膜の製造方法によれば、基板上に、金属を含む金属層と、ゲル状物質からなるゲル層とを交互に積層する積層工程と、前記積層工程により積層された各金属層および各ゲル層に対し、前記金属層の金属が拡散し、該金属層と前記ゲル層とが混合される熱処理を行う熱処理工程とを備える構成としたから、積層工程において、ゲル状物質からなるゲル層を金属層によって分離することができ、乾燥時にゲル上物質が収縮するのを防止できる。従って、製造過程または製造後に、膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。
【００４５】
また、金属層とゲル層を交互に何度も形成すれば、膜厚を大きくすることができる。従って、亀裂や剥離等の発生を防止しながら、比較的厚い膜を形成することができる。
【００４６】
さらに、ゲル層を形成する度に焼成等を行う必要がないため、製造工程が簡単であり、製造コストも安価である。
【００４７】
また、請求項３の発明による膜の製造方法によれば、前記積層工程において、基板上に金属を含む金属層と、水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層とを交互に積層する構成としたから、水酸化物、水和物または含水物を金属層によって層状に分離することができる。これにより、水酸化物、水和物または含水物からなるゲル層が乾燥によって収縮するのを防止でき、製造過程または製造後に、膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。
【００４８】
請求項４の発明によるＰＺＴ膜の製造方法によれば、基板上に、鉛を含む金属層と、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層とを交互に積層する積層工程と、前記積層工程により積層された各金属層と各ゲル層に対し、熱処理を施す熱処理工程とを備える構成としたから、積層工程において、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層を、金属層によって層状に分離できる。これにより、ゲル層が乾燥によって収縮するのを防止でき、製造過程または製造後に、膜に亀裂（クラック）や剥離が生じるのを防止できる。
【００４９】
また、金属層とゲル層を交互に何度も形成すれば、膜厚を厚くすることができ、亀裂や剥離等の発生を防止しながら、比較的厚いＰＺＴ膜を形成することができる。
【００５０】
さらに、ゲル層を形成する度に焼成等を行う必要がないため、製造工程が簡単であり、製造コストも安価である。
【００５１】
また、請求項５の発明によるＰＺＴ膜の製造方法によれば、積層工程において、各ゲル層の厚さを０．８μｍ以下にしたから、ゲル層の乾燥時の収縮によって生じる応力を、ゲル層の上側または下側に形成される金属層に対する密着力よりも小さくすることができる。これにより、乾燥時にゲル状物質が収縮するのを防止でき、ＰＺＴ膜に亀裂や剥離が生じるのを防止できる。
【００５２】
また、請求項６の発明によるＰＺＴ膜の製造方法によれば、積層工程において、鉛を含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことにより金属層を形成する金属層形成工程と、ジルコニウムおよびチタンを含む溶液に基板を浸漬させて電解を行うことによりゲル層を形成するゲル層形成工程とを交互に行う構成としたから、基板を、鉛を含む溶液とジルコニウムおよびチタンを含む溶液に交互に浸漬させれるだけで、金属層とゲル層を交互に積層形成することができる。従って、製造に用いる設備を大幅に簡略化することができ、製造コストを減少させることができる。
【００５３】
上述の製造方法により得られるＰＺＴ膜によれば、鉛を含む金属層と、ジルコニウムおよびチタンを含むゲル層とを交互に積層した後、当該各金属層と各ゲル層に対して熱処理を施すことにより得られるため、たとえ膜厚が厚くても、亀裂や剥離等の欠陥がない。従って、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第1の実施形態によるＰＺＴ膜の製造方法を示す流れ図である。
【図２】本発明の第1の実施形態において基板上に下部電極を形成した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第1の実施形態において下部電極上に金属層を形成した状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第1の実施形態において金属層上にゲル層を形成した状態を示す断面図である。
【図５】本発明の第1の実施形態において基板上に金属層とゲル層が交互に積層された状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第1の実施形態における焼成工程において基板上にＰＺＴ膜が形成された状態を示す断面図である。
【図７】本発明の第1の実施形態においてＰＺＴ膜上に上部電極を形成した状態を示す断面図である。
【図８】本発明の第2の実施形態において電解析出法により金属層を形成する工程を示す説明図である。
【図９】本発明の第2の実施形態において電解析出法によりゲル層を形成する工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１  基板
２  下部電極
３  金属層
４  ゲル層
５  ＰＺＴ膜
６  上部電極
１２  鉛電析浴
１４  ジルコニウム＋チタン電析浴
【図１】
0003846004.tif 000002
【図２】
0003846004.tif 000003
【図３】
0003846004.tif 000004
【図４】
0003846004.tif 000005
【図５】
0003846004.tif 000006
【図６】
0003846004.tif 000007
【図７】
0003846004.tif 000008
【図８】
0003846004.tif 000009
【図９】
0003846004.tif 000010