(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ配線と、このＣｕ配線上に形成された絶縁膜とを含む半導体基板の、前記絶縁膜上におけるバリア膜および金属膜の存在の有無を判定する方法であって、
前記Ｃｕ配線上の半導体基板面に測定光を照射し、半導体基板からの反射光強度の波長による変化を測定し、反射率スペクトル曲線を得る工程、
前記反射率スペクトル曲線を、５００ｎｍ以下の短波長側と６５０ｎｍ以上の長波長側の波長領域を含む複数の領域に分割し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅の有無または大きさと、前記絶縁膜上における、（ａ）厚い金属膜有り、（ｂ）薄い金属膜有りおよびバリア膜有り、又は金属膜無しおよびバリア膜有り、（ｃ）金属膜無しおよびバリア膜無しの３つの状態を対応させて、前記３つの状態のいずれかを判定する工程
を具備し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ａ）の状態と判定し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在するか又は大きい場合に、絶縁膜上は（ｂ）の状態と判定し、前記短波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅が存在するか又は大きく、前記長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅が存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ｃ）の状態と判定することを特徴とする光学測定による残膜の判定方法。
【請求項２】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、フッ素、りん又はボロンが添加されたシリコン酸化膜、有機絶縁膜、およびそれらの積層膜からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の光学測定による残膜の判定方法。
【請求項３】
前記バリア膜は、タンタル膜、窒化タンタル膜、チタン膜、窒化チタン膜、タングステン膜、窒化タングステン膜、およびそれらの積層膜からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学測定による残膜の判定方法。
【請求項４】
前記バリア膜は、測定波長範囲内で光が透過する範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学測定による残膜の判定方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、測定波長範囲内で透光性を有するとともに、波長に伴う干渉が生じる厚さを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学測定による残膜の判定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学測定による残膜の判定方法に係り、特に、半導体装置製造の検査工程における分光反射干渉計による残膜判定法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、分光反射干渉計を用いた膜厚の測定法では、測定された反射率スペクトルと、予想される積層膜のモデルから計算できる反射スペクトルの間でフィッティングを行い、それによって膜厚値を決定し、試料の積層構造を判断する方法が用いられていた。しかし、この方法では、測定の対象となる膜の構造が膜厚計算で用いられている光学モデルと異なると、フィッティングが悪くなり、判定を間違える可能性がある。
【０００３】
Ｃｕ埋込み配線上に層間絶縁膜を介してＣｕダマシン配線を形成するために行われるＣｕ膜のＣＭＰは、Ｃｕ膜とバリアメタル（ＢＭ）膜を研磨により除去し、配線部のみにＣｕ膜およびバリアメタル（ＢＭ）膜を残し、配線部以外のフィールド部では、Ｃｕ膜およびバリアメタル（ＢＭ）膜を完全に除去する工程である。従って、フィールド部の残膜の状態は、Ｃｕ膜が完全に残っている状態では、（Ｃｕ膜／ＢＭ膜／層間絶縁膜／Ｃｕ埋込み配線）の積層構造となっている。そのため、少なくともＣｕ膜、ＢＭ膜、層間絶縁膜の各膜厚を変化させて膜厚計算を行う必要が有り、それには膨大な計算量が必要となる。
【０００４】
そこで、ＣＭＰに伴い、以下の場合分けをして計算量を軽減する方法が考えられる。
【０００５】
即ち、フィールド部の状態は、
ａ）Ｃｕ残膜有（ＮＧ−追加研磨）
ｂ）ＢＭ膜残膜有（ＮＧ−追加研磨）
ｃ）残膜無（仕上がりＯＫ）
の少なくとも３つに分類することが出来る。これら３つの状態に分類した上で、最上層とその下の層の膜の２層のみの膜厚を変化させて膜厚計算を行う方法が考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、そのような方法では、それぞれの構造を想定した膜厚計算が必要となり、場合分けも複雑となる。以上のことから、フィールド部の残膜の判定のための、より簡易な方法が必要とされてきた。
【０００７】
本発明は、このような事情の下になされ、複雑な光学モデルの計算や精密な光学測定の必要なしに、簡易に短時間で絶縁膜上の残膜の判定を行うことの可能な、光学測定による残膜の判定方法、およびそのような判定方法を利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明者らは、光学測定による残膜の判定方法につき研究を重ねた結果、フィールド部に残膜が存在する場合は、研磨等が不十分な状態であるため、追加研磨等の必要性の判定には、残膜の有無のみの判定が必要なだけであり、フィールド部の膜厚は必ずしも必要な情報ではないことに着目し、本発明をなすに至った。
【００１０】
即ち、本発明の一態様は、Ｃｕ配線と、このＣｕ配線上に形成された絶縁膜とを含む半導体基板の、前記絶縁膜上におけるバリア膜および金属膜の存在の有無を判定する方法であって、前記Ｃｕ配線上の半導体基板面に測定光を照射し、半導体基板からの反射光強度の波長による変化を測定し、反射率スペクトル曲線を得る工程、前記反射率スペクトル曲線を、５００ｎｍ以下の短波長側と６５０ｎｍ以上の長波長側の波長領域を含む複数の領域に分割し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅の有無または大きさと、前記絶縁膜上における、（ａ）厚い金属膜有り、（ｂ）薄い金属膜有りおよびバリア膜有り、又は金属膜無しおよびバリア膜有り、（ｃ）金属膜無しおよびバリア膜無しの３つの状態を対応させて、前記３つの状態のいずれかを判定する工程を具備し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ａ）の状態と判定し、前記短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在するか又は大きい場合に、絶縁膜上は（ｂ）の状態と判定し、前記短波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅が存在するか又は大きく、前記長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅が存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ｃ）の状態と判定することを特徴とする光学測定による残膜の判定方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
本発明の一実施形態に係る光学測定による残膜の判定方法は、試料に測定光を照射して、試料からの反射光強度の波長による変化を測定し、反射率スペクトル曲線を得る工程、この反射率スペクトル曲線を複数の波長領域に分割し、それぞれの波長領域における反射率スペクトル曲線の振幅によって、第１の金属膜上に形成された絶縁膜上における第２の金属膜の存在の有無を判定する工程を具備することを特徴とする。
【００１４】
このように、本実施形態に係る方法では、単に波長領域毎に分割された反射率スペクトル曲線の振幅によって絶縁膜上における第２の金属膜の存在の有無を判定するものであるため、従来例のように膜厚を測定する必要なしに、容易に、かつ短時間で判定が可能である。
【００１５】
より具体的には、絶縁膜上における第２の金属膜の存在の有無の判定を、それぞれの波長領域における反射率スペクトル曲線の振幅の有無または大きさと、絶縁膜上における第２の金属膜の存在の有無を対応させることにより行うものである。
【００１６】
この場合、第１の金属は、測定光の波長により反射率が急激に変化する金属、例えば、Ｃｕ、Ａｕ等の有色金属であることが望ましい。第１の金属の膜厚は、測定光が透過しない程度に十分に厚いことが必要である。例えば、そのような膜厚は、約１００ｎｍ以上である。
【００１７】
また、本発明の一実施形態に係る光学測定による残膜の判定方法は、第１の金属膜をＣｕ配線とし、第２の金属膜を下地バリア膜の形成された金属膜とし、絶縁膜上におけるこれらバリア膜および金属膜の存在の有無を判定する方法に適用することが出来る。
【００１８】
この場合、反射率スペクトル曲線を、５００ｎｍ以下の短波長側と６５０ｎｍ以上の長波長側の波長領域を含む複数の領域に分割し、短波長側および長波長側における前記反射率スペクトル曲線の振幅の有無または大きさと、前記絶縁膜上における、（ａ）厚い金属膜有り、（ｂ）薄い金属膜有りおよびバリア膜有り、又は金属膜無しおよびバリア膜有り、（ｃ）金属膜無しおよびバリア膜無しの３つの状態を対応させて、これら３つの状態のいずれかを判定することが出来る。
【００１９】
より具体的には、短波長側および長波長側における反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ａ）の状態と判定し、短波長側および長波長側における反射率スペクトル曲線の振幅がいずれも存在するか又は大きい場合に、絶縁膜上は（ｂ）の状態と判定し、短波長側における反射率スペクトル曲線の振幅が存在するか又は大きく、長波長側における反射率スペクトル曲線の振幅が存在しないか又は小さい場合に、絶縁膜上は（ｃ）の状態と判定することができる。
【００２０】
このように、反射率スペクトル曲線の２つの波長領域のみで判定が可能であることから、より容易に、かつより短時間での判定が可能である。
【００２１】
本発明の一実施形態において、絶縁膜としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、フッ素、りん又はボロンが添加されたシリコン酸化膜、有機絶縁膜、およびそれらの積層膜からなる群から選ばれるものを用いることが出来る。この絶縁膜は、測定波長範囲内で吸収が少なく実質的に透光性を有する物質からなり、波長に伴う干渉が生じる厚さを有することが望ましい。例えば、そのような膜厚は、０．２〜２μｍである。
【００２２】
また、バリア膜としては、タンタル膜、窒化タンタル膜、チタン膜、窒化チタン膜、タングステン膜、窒化タングステン膜、およびそれらの積層膜からなる群から選ばれるものを用いることが出来る。このバリア膜は、測定波長範囲内で光が透過する範囲の厚さを有することが望ましい。例えば、そのような膜厚は、５０ｎｍである。
【００２３】
本発明の他の実施形態では、上述の光学測定による残膜の判定方法を、第２の金属膜の除去の終点を検出するために利用した、半導体装置の製造方法に適用される。
【００２４】
第２の金属膜の除去は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨法）やＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により行うことが出来る。
【００２５】
特に、ＣＭＰにより絶縁膜に形成された溝および孔の少なくとも一方に金属膜を埋め込む場合のＣＭＰの終点の検出に、上述の光学測定による残膜の判定方法を効果的に利用することが出来る。
【００２６】
即ち、第２の金属膜の堆積を、絶縁膜に形成された溝および孔の少なくとも一方を埋めるように行い、第２の金属膜を研磨することにより、第２の金属膜を溝および孔の少なくとも一方内に埋め込むとともに、その外側の絶縁膜上の第２の金属膜を除去する際に、研磨の終点を簡易にかつ短時間で検出して、ダマシン配線を形成することが可能である。
【００２７】
以下、本発明の種々の実施例を、図面を参照して説明する。
【００２８】
実施例１
Ｃｕダマシン配線の積層構造を形成する場合について、図１を参照して説明する。図１（ａ）において、素子（図示せず）を形成した半導体基板１０１上の絶縁膜１０２中に、窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー膜１０７を介して銅（Ｃｕ）埋め込み配線１０３が形成されている構造の上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１０４と層間絶縁膜である二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜１０５を順に積層する。
【００２９】
次いで、層間絶縁膜１０５に配線溝１０６と、下層配線と上層配線の導通を取るプラグのための孔（不図示）を形成した後、窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー膜１０７と銅（Ｃｕ）１０８膜を、配線溝１０６を埋めるように積層する。その後、ＣＭＰ（化学的機械的研磨法）により、フィールド部上（配線溝１０６外）の銅（Ｃｕ）１０８膜および窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー膜１０７を除去し、配線溝１０６内にそれらの膜を残し、Ｃｕ埋め込み配線１０９を形成する。
【００３０】
この場合、ＣＭＰにより研磨が進むに従って、層間絶縁膜１０５のフィールド部上は、次の３段階に変化する。
【００３１】
ａ）Ｃｕ膜１０８が残っている段階、
ｂ）Ｃｕ膜１０８が実質的に消失してＴａＮ膜１０７が残っている段階、
ｃ）Ｃｕ膜１０８およびＴａＮ膜１０７が消失した段階。
【００３２】
図２は、ＣＭＰにおいて、層間絶縁膜１０５のフィールド部に光２０１を照射してその反射率を測定する様子を示す。反射率の測定は、３００〜８００ｎｍの範囲で波長を変化させて行った。なお、光学測定を行うことが可能な数十μｍ以上の広い幅のＣｕ配線１０３上ではディッシング（へこみ）が大きく、その上方にはＴａＮ膜１０７の残膜２０２およびＣｕ膜１０８の残膜２０３が生じやすいため、ＣＭＰ後の残膜をモニタリングするには適した場所である。
【００３３】
ＣＭＰの進行に伴い、反射率スペクトルは、図３に示すように変化する。なお、図３に示した反射率は、シリコン（Ｓｉ）基板の反射率を１００％として示している。
【００３４】
（ａ）の段階は、図１において層間絶縁膜１０５上のＣｕ膜１０８が測定光が透過しない程度に厚い状態であり、図３（ａ）に示すように、測定波長域では、Ｃｕバルクと同様の反射率を示す。波長５００ｎｍ以下および６５０ｎｍ以上では周期的な振幅を確認することができない。
【００３５】
（ｂ）の段階は、Ｃｕ膜１０８が測定光が透過する程度に薄いか、もしくはＣｕ膜１０８が除去されていて、換言すればＣｕ膜１０８が実質的に残っておらず、ＴａＮ膜１０７が残っている状態であり、図３（ｂ）に示すように、測定波長域全域で振幅が存在する。
【００３６】
（ｃ）の段階は、Ｃｕ膜１０８およびＴａＮ膜１０７が残っていない状態であり、図３（ｂ）に示すように、波長５００ｎｍ以下では振幅を確認することができるが、波長６５０ｎｍ以上では振幅が存在しない。
【００３７】
以上の結果をまとめると、下記表１に示すような判断を行うことが出来る。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
即ち、波長５００ｎｍ以下（短波長側）および波長６５０ｎｍ以上（長波長側）の双方で振幅がない場合には、「Ｃｕ残りもＢＭ残りも存在する」と判断することが出来、同様に、波長５００ｎｍ以下（短波長側）および波長６５０ｎｍ以上（長波長側）の双方で振幅がある場合には、「Ｃｕ残りは実質的にないが、ＢＭ残りはある」、波長５００ｎｍ以下（短波長側）では振幅はあるが、波長６５０ｎｍ以上（長波長側）では振幅がない場合には、「Ｃｕ残りもＢＭ残りも存在しない」と判断することが出来る。
【００４０】
この場合、図４に示すようなフローチャートに従って判断を行うことが出来る。即ち、まず長波長側で振幅があるかないかを判別し、ある場合には、「Ｃｕ残りはないが、ＢＭ残りはある」と判断し、ない場合には、次に、短波長側で振幅があるかないかを判別し、ある場合には、「Ｃｕ残りもＢＭ残りもない」と判断し、ない場合には「Ｃｕ残りもＢＭ残りもある」と判断することが出来る。
【００４１】
以上のことより、判断の指標として、長波長側と短波長側の波長領域において波長に対する反射率の変化をプロットして得た曲線の振幅を用いることによって、Ｃｕ膜残りおよびバリアメタル膜残りを簡単に判断することが可能であることがわかる。
【００４２】
図５は、以上説明した方法によりＣＭＰ後の膜残りを判定する装置を模式的に示す図である。ＣＭＰ後の膜残りはパターン密度や下地の段差などに起因して不均一になる場合があるが、図５に示す測定点（ａ）のように、測定している点にＣｕ膜残りもＴａＮ膜残りもない場合、膜残りを見落とす場合がある。膜残りの見落としを少なくするためには、複数点で測定を行うことが望ましい。
【００４３】
従来、メタル残膜判定は各層の膜厚値を求めて行なっていた。この膜厚計算は、各層の膜厚をそれぞれ変化させて計算で求めたスペクトルを測定スペクトルとフィッティングさせ、もっとも一致したときの膜厚値を採用するという手順で行なわれている。そのため、膜厚を求める膜種の数と膜厚の計算範囲が多くなるほど、計算時間がかかってしまう。従って、複数点で従来の残膜判定法で膜厚計算を行うには非常に時間がかかる。しかし、本実施例における残膜判定法では、長波長側と短波長側における反射率曲線の振幅の有無といった、少なくとも２つの指標で判断を行なえばよいので、従来法のような膨大な計算が不要である。また、膜残り検査だけを行うには正確な膜厚値の決定は不要であるので、本実施例の方法はＣＭＰのように広い領域を研磨する場合、すなわち多くの測定点で膜残りを判定するには非常に有効な方法であることがわかる。
【００４４】
実施例２
実施例１と同様の構造を有するウエハ（半導体基板上に膜を積層した構造）のＣｕ膜のＣＭＰの最中に、その場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で反射率を測定するために、本実施形態の手法を用いた例を示す。
【００４５】
この方法は、図６に示すようなＣＭＰ装置を用いるものである。このＣＭＰ装置は、次のように構成されている。即ち、ターンテーブル６０１上に研磨パッド６０３が設けられ、その上にキャリア６０７により保持されたウエハ６０５が被研磨面を下に向けて配置される。研磨パッド６０３の上方にはスラリー供給ノズル６０９があって、このスラリー供給ノズル６０９から供給された研磨スラリー６０６により、ウエハ６０５の研磨が行われる。この研磨中に、測定光６０８がウエハ６０５に照射され、その反射光を、研磨パッド６０３に設けた光学窓６０４を通して、ターンテーブル６０１の下に設置した光学ヘッド６０２により検出して、反射率を測定するものである。なお、図６（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は断面図である。
【００４６】
この方法では、パターニングされたウエハ上の所定の構造の場所を特定した測定はできず、測定時間の間に光学ヘッド６０２上を通過した部分の平均化された反射光強度が出力される。しかし、Ｃｕ膜のＣＭＰの初期段階は、埋め込み配線部のみならず、フィールド部上もＣｕ膜で覆われているため、多少の段差による反射率の変動はあるが、ウエハ全面がＣｕバルクと同様の反射率になる。従って、Ｃｕ膜が研磨の初期段階のウエハ６０５の全面を覆っている場合には、研磨スラリー６０６などによる散乱の影響はあるが、実施例１の図３（ａ）に示したように、波長５００ｎｍ以下および波長６５０ｎｍ以上で波長に対する反射率曲線の振幅が小さい（ない）状態となる。
【００４７】
しかし、フィールド部のＣｕ膜がなくなってくると、反射率曲線の振幅が観測され始める。実施例１のように、Ｃｕ配線上のみの反射率を測定する場合に比べて、明瞭なスペクトルの変化は現れないが、２つの波長領域での反射光曲線の振幅の大きさにより、全面にＣｕ膜やバリアメタル膜が存在していないことを判定することが出来るので、研磨終点の検出への利用が可能になる。
【００４８】
実施例３
本実施例では、銅（Ｃｕ）ダマシン配線上にアルミパッドを形成する場合について、図７を参照して説明する。素子（図示せず）が形成された半導体基板７０１上の絶縁膜７０２中に、窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー膜７００を介して銅（Ｃｕ）埋め込み配線７０３が形成されている。このような構造上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜７０４および層間絶縁膜である二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜７０５を順に積層する。次いで、層間絶縁膜７０５にパターニングを施し、開口７０６を形成する。
【００４９】
次に、開口７０６内を含む層間絶縁膜７０５上に、バリアメタルであるタンタル（Ｔａ）膜７０７およびアルミ（Ａｌ）膜７０８を成膜する。その後、全面にレジスト膜を形成し、このレジスト膜に対し、Ａｌパッドとなる部分にレジスト７０９を残すようにパターニングを施す（図７（ａ））。
【００５０】
そして、レジスト７０９をマスクとして用いて、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、Ａｌ膜７０８およびＴａ膜７０７を選択的に除去する。ＲＩＥが進むに従って、（ａ）Ａｌ膜７０８が残っている段階、（ｂ）Ａｌ膜７０８が消失してＴａ膜７０７が残る段階を経て、（ｃ）Ａｌ膜７０８およびＴａ膜７０７も消失する段階となる。
【００５１】
下層Ｃｕ配線７０３上の層間絶縁膜７０５に光８００を照射して、３５０〜８００ｎｍの波長範囲で波長を変えて反射率を測定した。その結果、ＲＩＥの進行に伴い、図８に示す３つの反射率スペクトルが得られた。そのうち、反射率スペクトル（ａ）は上記段階（ａ）に、反射率スペクトル（ｂ）は上記段階（ｂ）に、反射率スペクトル（ｃ）は上記段階（ｃ）に、それぞれ対応する。なお、図８に示す反射率は、Ｓｉ基板の反射率を１００％として示している。
【００５２】
段階（ａ）は、層間絶縁膜８０５上のＡｌ膜７０８が厚く存在する状態であり、測定波長域では、Ａｌバルクと同様の反射率を示す。短波長側および長波長側では、周期的な振幅を確認することが出来ない。
【００５３】
段階（ｂ）は、Ａｌ膜７０８が除去されて実質的に残っておらず、Ｔａ膜７０７が残っている状態であり、測定波長域全域で振幅が存在する。
【００５４】
段階（ｃ）は、Ａｌ膜７０８およびＴａ膜７０７が残っていない状態であり、波長５００ｎｍ以下では振幅が確認できるが、それを越える波長領域（６５０ｎｍ以上）では振幅が存在しない。
【００５５】
以上のように、本実施例においても、実施例１と同様、反射率スペクトル曲線の振幅を用いて、図４のフローチャートや表１の判定表を適用することによって、Ａｌ膜およびバリアメタル膜の残りの判断を容易に行うことが可能である。
【００５６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によると、複雑な光学モデルの計算が不要になる、精密な光学測定の必要がない、判定時間の短縮が可能になる、多点のメタル残膜の判定がリアルタイムで可能になるという種々の利点を有する光学測定による残膜の判定方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１に係るＣｕダマシン配線の形成工程を示す断面図。
【図２】実施例１に係るＣｕダマシン配線の形成工程における金属膜残りの判定を説明する断面図。
【図３】実施例１におけるＣＭＰの進行に伴って変化する反射率スペクトルを示す特性図。
【図４】ＣＭＰにおける金属膜残りを判定するためのフローチャート図。
【図５】ＣＭＰにおける金属膜残りの測定装置を示す模式図。
【図６】実施例２における、Ｃｕ膜のＣＭＰの最中に反射率の測定するためのｉｎ−ｓｉｔｕ反射率測定装置を示す図。
【図７】実施例３に係る銅（Ｃｕ）ダマシン配線上方のアルミパッドの形成工程における金属膜残りの判定を説明する断面図。
【図８】実施例３におけるＡｌパッド形成の際のＲＩＥの進行に伴って変化する反射率スペクトルを示す特性図。
【符号の説明】
１０１・・・半導体基板、１０２・・・絶縁膜、１０３・・・Ｃｕ埋め込み配線（下層）、１０４・・・窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、１０５・・・層間絶縁膜（二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ））膜、１０６・・・配線溝（上層）、１０７・・・窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー、１０８・・・銅（Ｃｕ）、１０９・・・Ｃｕ埋め込み配線（上層）、２０１・・・測定光、２０２・・・ＴａＮ残り、２０３・・・Ｃｕ残り、６０１・・・ターンテーブル、６０２・・・光学ヘッド、６０３・・・研磨パッド、６０４・・・光学窓、６０５・・・ウエハー、６０６・・・研磨スラリー、６０７・・・キャリア、６０８・・・測定光、６０９・・・スラリー供給ノズル、７００・・・窒化タンタル（ＴａＮ）ライナー、７０１・・・半導体基板、７０２・・・絶縁膜、７０３・・・Ｃｕ埋め込み配線、７０４・・・窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、７０５・・・層間絶縁膜（二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ））膜、７０６・・・開口、７０７・・・タンタル（Ｔａ）ライナー、７０８・・・Ａｌパッド、７０９・・・レジスト、８００・・・測定光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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