(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により同時に確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程とを備えたチップ部品の製造方法。
【請求項２】
内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程と、前記溶融した低融点金属めっき層の表面の光沢状態の検査によって前記未形成箇所または薄くなった箇所の有無を確認し、これにより、前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の形成不良の選別を同時に行う検査工程とを備えたチップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子機器に使用される例えばチップインダクタ等のチップ部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ部品について説明する。
【０００３】
従来のチップ部品は、特許第２５１１８８９号公報に記載されたものが知られている。
【０００４】
以下、従来のチップ部品について、図９を用いて説明する。
【０００５】
絶縁基板１は抵抗体２を備え、絶縁基板１の両端部に端子２ａが設けられている。絶縁基板１の両端部に抵抗体２の端部と接続するように、めっきの下地としての銀などからなる端面電極としての銀系電極膜３が設けられている。銀系電極膜３の表面に中間めっき層としてのニッケル膜４が設けられ、且つニッケル膜４の表面にはんだ膜５が設けられている。端子２ａは、銀系電極膜３、ニッケル膜４、はんだ膜５で構成されている。
【０００６】
以上のように構成された従来のチップ部品について、以下にその製造方法を図９，１０を用いて説明する。
【０００７】
まず、絶縁基板１に抵抗体２を備え、絶縁基板１の両端部に抵抗体２の端部と接続するように、めっきの下地としての銀などからなる銀系電極膜３を設ける。
【０００８】
次に、銀系電極膜３の表面にニッケル膜４、ニッケル膜４の表面にはんだ膜５をそれぞれめっきによって形成し、チップ部品６を得る。
【０００９】
ここで、この後チップ部品６を表面処理するが、表面処理の前に予め筒状容器７にやし油（高沸点液体）８を入れ、筒状容器７の上部を加熱器９によって２５０℃〜２８０℃に加熱しておく。高温になったやし油８は比重が軽いため、筒状容器７内におけるやし油８は、筒状容器７内の上部から下部へ向かって高温状態から低温状態となる温度勾配ができ、筒状容器７の底部側は常温を保っている。
【００１０】
最後に、チップ部品６を表面処理するために、チップ部品６をパーツフィーダ１０から筒状容器７へ落下させる。このとき、筒状容器７の上部の２５０℃〜２８０℃に加熱されたやし油８にチップ部品６が触れると、はんだ膜５が溶融され、そして重力で筒状容器７内を自然落下し、はんだ膜５の凝固温度まで温度が下がったやし油８に触れるとはんだ膜５が凝固する。そして、はんだ膜５の表面が滑らかになったチップ部品６が筒状容器７の底部に溜まる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記した従来のチップ部品は、液体のやし油８内ではんだ膜５を溶融しているため、はんだ膜５が凝固したとき、はんだ膜５の形状や寸法は、落下状態などの様々な要因でばらつき、これにより、はんだ膜５の実装面となる部分の絶縁基板１からの突出寸法５ａがばらつく。この結果、はんだ膜５が実装基板と接合されるようにチップ部品を実装基板に実装したときチップ部品が傾き、実装不良を起こすという課題を有していた。
【００１２】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、実装不良を起こさないチップ部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のチップ部品の製造方法は、内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により同時に確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程とを備えたもので、低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層を溶融するため、低融点金属めっき層が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層の表面状態を確認することによって、端面電極と中間めっき層と低融点金属めっき層との形成不良選別が同時に、且つ容易に行えるという作用を有するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により同時に確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層を溶融するため、低融点金属めっき層が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層の表面状態を確認することによって、端面電極と中間めっき層と低融点金属めっき層との形成不良選別が同時に、且つ容易に行えるという作用を有するものである。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程と、前記溶融した低融点金属めっき層の表面の光沢状態の検査によって前記未形成箇所または薄くなった箇所の有無を確認し、これにより、前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の形成不良の選別を同時に行う検査工程とを備えたもので、この製造方法によれば、低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層の表面状態を確認するため、上記した請求項１記載の発明と同じ理由によって、端面電極と中間めっき層と低融点金属めっき層の形成不良選別が同時に、且つ容易に行えるという作用を有するものである。
【００１９】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ部品の一例としてチップインダクタの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの斜視図、図２は本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの分解斜視図、図３は本発明の一実施の形態におけるチップインダクタのＡ−Ａ線断面図である。なお、図１〜図３は、チップインダクタの一種で内部導体を複数有するチップインダクタアレイを示している。
【００２１】
図１〜図３において、チップインダクタ本体１１の両端部にそれぞれ複数の端子１２が設けられている。チップインダクタ本体１１は、第１の磁性体シート１３、第２の磁性体シート１５、第１の磁性体シート１３に形成された複数の内部導体１４、第２の磁性体シート１５に形成された複数のバイア電極１６、第３の磁性体シート１７で構成されている。複数の内部導体１４が形成された第１の磁性体シート１３は２つ設けられており、２つの内部導体１４はバイア電極１６によって接続され、独立したコイル状導体が複数（図１では４つ）形成される。つまり、チップインダクタ本体１１は磁性体と内部導体１４とバイア電極１６を備えている。コイル状導体の上下には内部導体１４が露出しないように第３の磁性体シート１７を適当な厚みになるように設けている。なお、第１の磁性体シート１３、第２の磁性体シート１５、第３の磁性体シート１７はフェライトからなる。また、内部導体１４の形状として、螺旋状、渦巻き状、蛇行状などがある。
【００２２】
そして、チップインダクタ本体１１の端部に、コイル状導体と電気的に接続されるようにめっきの下地を構成する複数の端面電極１８が、複数の端面電極１８の表面には複数の中間めっき層１９が、複数の中間めっき層１９の表面には複数の低融点金属めっき層２０がそれぞれ設けられている。
【００２３】
なお、複数の端子１２における低融点金属めっき層２０の実装面となる部分の前記チップインダクタ本体１１からの突出寸法２１が全てほぼ等しくなっている。
【００２４】
ただし、図２は端面電極１８、中間めっき層１９、低融点金属めっき層２０を、図３は内部導体１４、バイア電極１６をそれぞれ省略している。
【００２５】
以上のように構成された本発明の一実施の形態におけるチップインダクタについて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２６】
まず、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、複数の内部導体１４が形成された第１の磁性体シート１３、複数のバイア電極１６が形成された第２の磁性体シート１５、第３の磁性体シート１７をそれぞれ設ける。
【００２７】
次に、図４（ｄ）に示すように、バイア電極１６によって内部導体１４同士を接続して、独立したコイル状導体を複数形成し、コイル状導体の上下に内部導体１４が露出しないように第３の磁性体シート１７を適当な厚みになるように積層してチップインダクタ本体１１を設ける。そして、このチップインダクタ本体１１を焼結する。このとき、チップインダクタ本体１１の端部にコイル状導体の端部（内部導体１４）が表出している。
【００２８】
次に、チップインダクタ本体１１の両端部に、チップインダクタ本体１１から表出したコイル状導体の端部（内部導体１４）と電気的に接続されるように、めっきの下地としての端面電極１８を形成する。この端面電極１８は銀を印刷することによって設ける。
【００２９】
次に、端面電極１８の表面に、めっきによってニッケルや銅などからなる中間めっき層１９を形成する。
【００３０】
次に、中間めっき層１９の表面に、めっきによって錫やはんだなどの低融点金属めっき層２０を形成する。
【００３１】
なお、複数の端子１２における低融点金属めっき層２０の実装面となる部分のチップインダクタ本体１１からの突出寸法２１が、全てほぼ等しくなるようになっている。
【００３２】
次に、低融点金属めっき層２０をＮ2雰囲気中のトンネル炉で溶融させる。このとき、アルミナなどセラミックからなる平板を低融点金属めっき層２０の実装面となる部分に接触させた状態にして、低融点金属めっき層２０の融点以上の温度で低融点金属めっき層２０を溶融させる。ただし、端面電極１８と中間めっき層１９は溶融しないようにする。
【００３３】
なお、平板は上面が平面状で、低融点金属めっき層２０を溶融させても形状変化などを起こさない耐熱性があり、さらに低融点金属めっき層２０が付着しないような材質であれば何でもよい。また、低融点金属めっき層２０の溶融はバッチ処理でもよく、Ｎ2の濃度は９９．９％以上が望ましい。さらに、雰囲気はＮ2中でなくても、アルゴンなどの不活性ガス中、あるいは真空中などの低融点金属めっき層２０を酸化させない雰囲気中であればよく、酸素の濃度は１００ｐｐｍ以下が望ましい。
【００３４】
このように低融点金属めっき層２０を溶融することによって、低融点金属めっき層２０を溶融した後に洗浄する必要がないため、コストが低減できる。一方従来のチップ部品の製造方法のように、やし油８などのオイル中で低融点金属めっき層２０（はんだ膜５）を溶融するようにした場合、低融点金属めっき層２０を溶融した後もチップ部品やチップインダクタにオイルが付着しているため、洗浄が必要となってコスト面で不利になったり、再び凝固したときにチップインダクタ同士がくっついたりする。なお、実装基板などの平板を低融点金属めっき層２０に接するように配置させた状態で低融点金属めっき層２０をＮ2中で溶融する工程は、チップ部品などのはんだ付けなどに広く使用されるＮ2リフローの工程をそのまま活用できる。
【００３５】
最後に、溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層２０の表面状態（光沢）を確認することによって、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０の形成不良選別を同時に行って、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタを製造する。なお、表面状態の確認は、検査装置を用いてもよい。
【００３６】
このように製造することによって、図１に示すような本発明の一実施の形態におけるチップインダクタが得られ、このチップインダクタの完成品の低融点金属めっき層２０の表面は、低融点金属めっき層２０を溶融しないものの表面に比べて光沢がある。
【００３７】
以下、低融点金属めっき層２０を溶融した後に再び凝固すると、低融点金属めっき層２０の表面に光沢が出る理由を説明する。
【００３８】
低融点金属めっき層２０はめっきで形成されているので、めっき工程では、めっきを構成する粒子が無秩序に積み重なって成長するため、低融点金属めっき層２０を溶融しない状態では表面が平滑でなく、光沢がない。つまり、従来のチップ部品においては、低融点金属めっき層２０（はんだ膜５）を溶融しないため、光沢がない。
【００３９】
一方、低融点金属めっき層２０を溶融すると、めっきを構成する粒子が融解してひとつのまとまりになり、且つ表面張力が発生するため表面が平滑になり、さらに酸化されない雰囲気中で低融点金属めっき層２０を溶融するため、表面が酸化されずに光沢が出る。
【００４０】
上記した本発明の一実施の形態におけるチップインダクタ及びその製造方法は、低融点金属めっき層２０が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層２０を溶融するため、低融点金属めっき層２０が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面状態を確認することによって、中間めっき層１９の形成不良選別が容易に行えるという効果が得られる。この理由は、低融点金属めっき層２０が溶融するとき、低融点金属めっき層２０に表面張力が発生するため、低融点金属めっき層２０が再び凝固するときには、中間めっき層１９が形成されていなかった未形成箇所２２には低融点金属めっき層２０が形成されなくなる。さらに酸化させない雰囲気中で低融点金属めっき層２０を溶融するため、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢があり、これにより、中間めっき層１９に形成不良が無ければ、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面は光沢を有し、中間めっき層１９に形成不良があれば、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢が無いためである。
【００４１】
すなわち、中間めっき層１９として通常ニッケルが使用されており、ニッケルは磁性体であるため、従来中間めっき層１９の形成不良選別は磁石選別で行っていたが、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタなどのチップ部品本体にフェライトなどの磁性体が使用されている場合、この磁石選別による中間めっき層１９の形成不良選別は不可能だった。
【００４２】
また、低融点金属めっき層２０の形状や寸法は、溶融した低融点金属めっき層２０が凝固したときでもほぼ等しいため、全ての端子１２における低融点金属めっき層２０の実装面となる部分のチップインダクタ本体１１からの突出寸法２１がばらつかず、これにより、低融点金属めっき層２０が実装基板と接合されるようにチップインダクタを実装基板に実装しても、実装不良を起こさないチップインダクタが得られるという効果も得られる。この実装不良を起こさないという効果は、他のチップ部品でも同様に得られる。
【００４３】
このように、複数の端子１２における低融点金属めっき層２０の実装面となる部分のチップインダクタ本体１１からの突出寸法２１がばらついて、チップインダクタ本体１１が傾くと、実装される機器の中でチップインダクタが占めるチップ立ちの割合が増えたり、実装強度が低下するなどの不具合が発生する。このことは、チップインダクタだけでなく、チップ部品全体にいえる。
【００４４】
図５（ａ）は、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタを、実装基板２３に実装した状態を示す図１のＡ−Ａ線断面図、図５（ｂ）は、従来のチップ部品（インダクタアレイ）を、実装基板２３に実装した状態を示す断面図である（実装のためのはんだ付けに使用されるはんだは図示せず）。
【００４５】
図５（ａ）に示すように、本発明の一実施の形態におけるインダクタアレイの低融点金属めっき層２０が実装基板２３と接合するように、チップインダクタを実装基板２３に実装したとき、端子１２における突出寸法２１が、全てほぼ等しくなるようにしたため、低融点金属めっき層２０が実装基板２３と接合されるようにチップインダクタを実装基板に実装してもチップインダクタが傾かない。
【００４６】
一方、図５（ｂ）に示すように、従来のチップ部品（インダクタアレイ）のはんだ膜５（低融点金属めっき層）が実装基板２３と接合するように、チップ部品を実装基板２３に実装したとき、はんだ膜５の形状や寸法は、液体のやし油８内での落下状態などの様々な要因でばらついているため、はんだ膜５の実装面となる部分の絶縁基板１からの突出寸法５ａがばらつき、チップ部品が傾く恐れがある。
【００４７】
さらに、チップインダクタ本体１１の両端部にそれぞれ複数の端子１２が形成されているアレイタイプでは、実装不良だけではなく、実装基板２３に実装しても、端子１２の一部が実装基板面より浮いて接合不良となる場合も生じる。
【００４８】
すなわち、図６に示すように、チップインダクタ本体１１の両端部に設けられた複数の端子１２における突出寸法２１が異なると、突出寸法２１の長い低融点金属めっき層２０を有する端子１２ａが実装基板２３に接合されるため、突出寸法２１の短い低融点金属めっき層２０を有する端子１２ｂが実装基板２３に接合されずに浮いた状態になり、この結果、端子１２ｂに接続されている内部導体１４には通電されない。
【００４９】
また、本発明の一実施の形態におけるインダクタアレイの製造方法においては、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０のいずれかに形成不良がある場合、低融点金属めっき層２０が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層２０を溶融するため、低融点金属めっき層２０が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面状態を確認することによって、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０の形成不良が、同時に且つ容易に確認できる。
【００５０】
すなわち、低融点金属めっき層２０が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面状態を確認することによって、低融点金属めっき層２０が溶融するとき、低融点金属めっき層２０に表面張力が発生し、また低融点金属めっき層２０はチップインダクタ本体１１には付着しないため。低融点金属めっき層２０が再び凝固するときには、端面電極１８や中間めっき層１９が形成されていなかった未形成箇所２２には低融点金属めっき層２０が形成されなくなる。もちろん、最初に低融点金属めっき層２０が形成されていなければ、例え低融点金属めっき層２０を溶融してもその箇所には溶融した低融点金属めっき層２０が形成されず、また、低融点金属めっき層２０が薄いなどという形成不良があれば、低融点金属めっき層２０が溶融しても低融点金属めっき層２０全面では表面張力は発生しない。さらに、酸化させない雰囲気中で低融点金属めっき層２０を溶融するため、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢があり、これにより、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０に形成不良が無ければ、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面は光沢を有し、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０のいずれかに形成不良があれば、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢が無いため、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０の形成不良の有無が同時に、且つ容易に確認できるものである。
【００５１】
この本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの製造方法を用いれば、他のチップ部品においても同様の効果が得られるものである。
【００５２】
ここで、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの製造方法において、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０に形成不良がある場合における、溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層２０の形状について説明する。
【００５３】
図７（ａ）は端面電極１８に、図７（ｂ）は中間めっき層１９に、図７（ｃ）は低融点金属めっき層２０に、それぞれ形成不良がある場合の溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層２０の形状を示す本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００５４】
図７（ａ）（ｂ）においては、端面電極１８や中間めっき層１９が形成されていない未形成箇所２２が存在しているが、溶融した低融点金属めっき層２０に表面張力が発生し、また低融点金属めっき層２０はチップインダクタ本体１１には付着しないため、この未形成箇所２２には溶融した低融点金属めっき層２０が形成されない。従って、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢が無いため、端面電極１８と中間めっき層１９の形成不良が同時に、且つ容易に確認できる。
【００５５】
また、図７（ｃ）においては、低融点金属めっき層２０が薄くなっているが、低融点金属めっき層２０が溶融しても、低融点金属めっき層２０の量が少ないため、低融点金属めっき層２０全面では表面張力は発生しない。従って、再び凝固したときの低融点金属めっき層２０の表面には光沢が無いため、低融点金属めっき層２０の形成不良が容易に確認できる。
【００５９】
従来のチップ部品（インダクタアレイ）の製造方法では、銀系電極膜３とニッケル膜４とはんだ膜５のいずれかに形成不良があった場合、はんだ膜５の表面状態を確認しても銀系電極膜３とニッケル膜４とはんだ膜５を同時に形成不良選別できない。また、表面に光沢がないので容易に形成不良選別することもできない。従って、従来のインダクタなどのチップ部品は、銀系電極膜３とニッケル膜４とはんだ膜５をそれぞれ形成した段階で形成不良選別するしかなかった。
【００６０】
一方、近年チップインダクタは微小化、アレイ化が要求され、端子１２の微小化が進んでいる。しかし、この結果電極（端面電極１８、中間めっき層１９、低融点金属めっき層２０）のかすれや、めっきの伸びによって端子間距離を確保できないという新たな課題が発生した。なお、めっきの伸びとは、めっきの下地となる端面電極１８を電気めっきの電極として、中間めっき層１９、低融点金属めっき層２０をめっきするとき、チップインダクタ本体１１にも若干電流が流れるため、端面電極１８のまわりにも中間めっき層１９、低融点金属めっき層２０が形成される（伸びる）ことである。
【００６１】
また、端子１２が微小なので電極のかすれの影響は大きく、またチップ部品やチップインダクタの微小化によって端子１２間距離が小さくなるため、めっきの伸びによって端子１２間距離がさらに小さくなることは大きな問題であった。
【００６２】
しかしながら、電極のかすれが発生しても、本発明の一実施の形態のチップインダクタの製造方法においては、溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層２０の表面状態（光沢）を確認し、端面電極１８と中間めっき層１９と低融点金属めっき層２０の形成不良選別を同時に行っているため、必ず検出できる。また、端子１２が微小になるとニッケルからなる中間めっき層１９のかすれの選別はニッケルの量が非常に少ないため、磁石選別が出来なかったが、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの製造方法だと可能になる。
【００６３】
さらに、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタ本体１１を形成するフェライトは、チップ部品の本体として通常用いられるアルミナに比べて電気伝導率が約１／１００のため、チップインダクタ本体１１には電気が流れにくく、端子１２のまわりに形成される端面電極１８と中間めっき層１９の量が少なくなり、この結果、めっきの伸びが少なくなり、端子間距離が小さくなることはない。最近では、端子幅が０．２５ｍｍ、端子間距離が０．５ｍｍのものが量産されており、このめっきの伸びを抑える効果は非常に有用である。
【００６４】
なお、本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの製造方法は、低融点金属めっき層２０を酸化させない雰囲気中で溶融し、且つ低融点金属めっき層２０の表面が平滑になるため、完成品のはんだ付け性は、低融点金属めっき層２０を溶融しない従来品に比べて良好となるという効果も得られる。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように本発明のチップ部品の製造方法は、内部導体と電気的に接続されるように、磁性体と前記内部導体からなるチップ部品本体の端部に設けられ、且つめっきの下地を構成する複数の端面電極を形成する工程と、前記複数の端面電極の表面に複数の中間めっき層を形成する工程と、前記複数の中間めっき層の表面に複数の低融点金属めっき層を形成する工程と、前記低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で前記低融点金属めっき層を溶融することにより、前記チップ部品本体の端部における前記端面電極、中間めっき層、低融点金属めっき層の未形成箇所、あるいは前記低融点金属めっき層の薄くなった箇所の有無が表面の光沢状態の検査により同時に確認可能な前記低融点金属めっき層の表面を得る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、低融点金属めっき層が酸化しない雰囲気中で低融点金属めっき層を溶融するため、低融点金属めっき層が溶融した後に再び凝固したときの低融点金属めっき層の表面状態を確認することによって、端面電極と中間めっき層と低融点金属めっき層との形成不良選別が同時に、且つ容易に行えるので、実装不良を起こさないチップ部品が得られるという優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの斜視図
【図２】  同チップインダクタの分解斜視図
【図３】  図１のＡ−Ａ線断面図
【図４】  （ａ）〜（ｄ）本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの製造方法を示す図
【図５】  （ａ）本発明の一実施の形態におけるチップインダクタを、実装基板に実装した状態を示す図１のＡ−Ａ線断面図
（ｂ）従来のチップ部品を、実装基板に実装した状態を示す断面図
【図６】  チップインダクタ本体の両端部に設けられた複数の端子における低融点金属めっき層の実装面となる部分のチップインダクタ本体からの突出寸法が異なるチップインダクタを示す斜視図
【図７】  （ａ）端面電極に形成不良がある場合の溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層の形状を示す本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの図１のＡ−Ａ線断面図
（ｂ）中間めっき層に形成不良がある場合の溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層の形状を示す本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの図１のＡ−Ａ線断面図
（ｃ）低融点金属めっき層に形成不良がある場合の溶融した後に再び凝固した低融点金属めっき層の形状を示す本発明の一実施の形態におけるチップインダクタの図１のＡ−Ａ線断面図
【図８】  従来のチップ部品を示す断面図
【図９】  従来のチップ部品の製造方法を示す図
【符号の説明】
１１  チップインダクタ本体
１４  内部導体
１８  端面電極
１９  中間めっき層
２０  低融点金属めっき層
２１  突出寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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