(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段を有するロード側常圧搬送室と、
これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室から真空である真空搬送室へ導入するロード室と、
このロード室に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室が連結されている真空搬送室と、
これに連結して、基板を真空の真空搬送室から常圧のアンロード側常圧搬送室へ搬出するアンロード室と、
このアンロード室に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段を有するアンロード側常圧搬送室と、
このアンロード側常圧搬送室と連結可能な気密作業室と、を有し、
前記気密作業室は、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気で、搬送された成膜済みの基板を気密作業室内の封止板を用いて封止する有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項２】
前記ロード側常圧搬送室に連結して成膜前の基板を常圧で複数枚収納するロード側収納室と、前記アンロード側常圧搬送室に連結して成膜済みの基板を常圧で複数枚収納するアンロード側収納室とを有し、前記アンロード側収納室が、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気である請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項３】
前記気密作業室が前記アンロード側収納室と連結可能である請求項２の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項４】
前記アンロード側収納室またはアンロード側常圧搬送室と連結可能な移動型気密室を有し、
この移動型気密室が水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気である請求項２または３の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記アンロード側収納室が移動型気密室であり、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままでアンロード側常圧搬送室から切り離し可能な請求項２の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記ロード側収納室は、成膜前の基板を複数枚同時に加熱する請求項２〜５のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記ロード側常圧搬送室に連結し、常圧で基板を洗浄する洗浄室を有し、
この洗浄室は基板に紫外線を照射するとともにオゾンに晒す請求項１〜６のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記ロード室は、その室内で減圧オゾン雰囲気に基板を晒す請求項２〜７のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項９】
前記成膜室の少なくとも１室が、真空蒸着室である請求項１〜８のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項１０】
前記成膜室の少なくとも１室が、スパッタリング室である請求項１〜９のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項１１】
成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段を有するロード側常圧搬送室と、これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室から真空である真空搬送室へ導入するロード室と、ロード室に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室が連結されている真空搬送室と、これに連結して、基板を真空の真空搬送室から常圧のアンロード側常圧搬送室へ搬出するアンロード室と、アンロード室に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段を有するアンロード側常圧搬送室と、アンロード側常圧搬送室と連結可能な気密作業室とを有する有機ＥＬ表示装置の製造装置を用いて有機ＥＬ表示装置を製造するに際し、
この気密作業室を水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気として、搬送された成膜済みの基板を気密作業室内の封止板を用いて封止する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側常圧搬送室に連結して成膜前の基板を常圧で複数枚収納するロード側収納室と、前記アンロード側常圧搬送室に連結して成膜済みの基板を常圧で複数枚収納するアンロード側収納室とを有し、前記アンロード側収納室の内部雰囲気を、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気として成膜済みの基板を収納する請求項１１の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は前記気密作業室が前記アンロード側収納室と連結可能である請求項１２の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機ＥＬ表示装置の製造装置はアンロード側収納室またはアンロード側常圧搬送室と連結可能な移動型気密室を有し、
この移動型気密室の内部雰囲気を水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気とし、この水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままで常圧搬送室から切り離し、気密作業室と連結して成膜済み基板を受け渡す請求項１２または１３の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記有機ＥＬ表示装置の製造装置はアンロード側収納室が移動型気密室であり、
水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままで常圧搬送室から切り離し、
気密作業室と連結して成膜済み基板を受け渡す請求項１２の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ロード側収納室において成膜前の基板を複数枚同時に加熱処理し、
その後成膜を行う請求項１２〜１５のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ロード側収納室に投入する前の基板に紫外線照射する請求項１６の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側常圧搬送室に連結し、常圧で基板を洗浄する洗浄室を有し、
この洗浄室において基板に紫外線を照射するとともにオゾンに晒した後、成膜を行う請求項１１〜１７のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ロード室内で滅圧オゾン雰囲気に基板を晒す請求項１１〜１８のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記成膜室の少なくとも１室で真空蒸着を行う請求項１１〜１９のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記成膜室の少なくとも１室でスパッタリングを行う請求項１１〜２０のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略す）表示装置の製造装置に開し、詳しくは成膜前の基板を保管し、基板上に有機物を含む薄膜を形成し、成膜後の基板を保管する製造装置と、これを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子をマトリックス状等に配置し、発光させる素子を適宜選択して駆動することにより文字等を構成し、これにより情報を表示するものである。上記有機ＥＬ素子は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明なホール注入電極（陽電極）上にテトラフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着等により簿膜とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3 ）等の蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇ等の仕事関数の小さな金属の電子注入電極（陰電極）を形成した基本構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００〜数１００００cd／m2 ときわめて高い輝度が得られることで注目されている。有機ＥＬ素子をマトリックス状等に配置する方法としては、例えば、特開平５−２７５１７２号公報には、透明基板上に陽電極を設け、この陽電極をパターニングした後に、陰電極側のパターニングを可能にする構造をフォトリソグラフイーにより形成する方法が開示されている。特開平５−２７５１７２号公報では、この陰電極分離構造をネガ型及びポジ型フォトレジストで形成する手法が開示されている。
【０００３】
また、陽電極上には特開平３−２５０５８３号公報や特開平３−２７４６９４号公報で開示されているような層間絶縁膜を形成することも多く行われている。特開平３−２５０５８３号公報ではこの層間絶縁膜をポリイミドで形成することが開示されており、また、特開平３−２７４６９４号公報ではこの層間絶縁膜をフォトレジストで形成する手法が開示されている。
【０００４】
このように有機ＥＬ表示装置用の基板は、通常、フォトレジストやポリイミド等の有機物が堆積した構造を有している。
【０００５】
一方、有機ＥＬ表示装置は、水分に極めて弱いという問題がある。例えば、水分の影響により、発光層と電極層の間で剥離が生じたり、構成材料が変質してしまったりして、ダークスポットが生じたり、発光が維持できなくなってしまうといった問題が生じている。
【０００６】
有機構造物を有する基板は大気中で多量の水分を吸着するため、これをそのまま真空成膜室に投入すると、真空槽中の残留水分を十分低くするために長時間排気を行い、その後成膜を開始する必要があった。そのため装置の処理時間が長時間に及んでしまい、有機ＥＬ表示装置の製造コストを押し上げてしまうという欠点があった。
【０００７】
成膜後の基板の処理は、有機ＥＬ表示装置の製造工程の中でも寿命に関わるという点で非常に重要である。通常は、特開平５−８９９５９号公報で開示されているように、成膜後の基板は封止処理されるが、真空から大気中に搬出された後に封止処理される場合は、大気中の水分の影響を受けてしまい、ダークスポットなどの表示欠縮を生じたり、寿命が低下する等の不具合を生じる。液晶用成膜装置などで多く見られる、成膜済み基板を大気中で保管するような連続成膜装置では、基板間に保管時間の差を生じてしまい、製造される表示装置の品質の安定性に問題が生じていた。
【０００８】
ところで、陰電極分離構造や層間絶縁膜のような構造を有する基板を作製するプロセスにおいては、陰電極上にもフォトレジストやポリイミド等の有機構造物の残渣が残りやすい。残渣で汚染された陽電極上に有機ＥＬ表示装置を構成した場合、輝度ムラ・ダークスポットなどの表示欠陥を生じたり、駆動電圧の上昇を招いたり、寿命が低下するなどの不具合を生じる。
【０００９】
大気中の有機物やダストなどが陽極上に付着した場合の除去方法としては、真空槽中で紫外線やイオンビームを照射する方法が特開平９−２３２０７５号公報で開示されている。しかしながら、紫外線・イオンビームの照射だけでは、基板作製のプロセス中で強固に付着したフォトレジストやポリイミドなどを有効に取り去るには充分でなかった。また、特開平９−２３２０７５号公報で開示された方法では、真空槽中で洗浄を行っているために装置コストと装置のランニングコストを押し上げてしまうという欠点があった。他に有機物を除去する方法としては、滅圧下でオゾナイザーで発生したオゾンガスにより洗浄を行う方法もあるが、やはり、基板作製のプロセス中で強固に付着したフォトレジストやポリイミドなどを有効に取り去るには十分でなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課頻】
本発明の目的は、高品質かつ安定な品質を有し、低コストな、有機ＥＬ表示装置の製造装置および製造方法を実現することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の（１）〜（２１）の構成で実現される。
（１）  成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段６１を有するロード側常圧搬送室１１と、
これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室１１から真空である真空搬送室３１へ導入するロード室２１と、
ロード室２１に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段６２を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室３２〜３５が連結されている真空搬送室３１と、
これに連結して、基板を真空の真空搬送室３１から常圧のアンロード側常圧搬送室５１へ搬出するアンロード室４１と、
アンロード室４１に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段６３を有するアンロード側常圧搬送室５１と、
このアンロード側常圧搬送室５１と連結可能な気密作業室５４と、を有し、
この気密作業室５４では、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気で、搬送された成膜済みの基板を気密作業室５４内の封止板を用いて封止する有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（２）  前記ロード側常圧搬送室１１に連結して成膜前の基板を常圧で複数枚収納するロード側収納室１２、１３と、前記アンロード側常圧搬送室５１に連結して成膜済みの基板を常圧で複数枚収納するアンロード側収納室５２、５３とを有し、前記アンロード側収納室５２、５３が、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気である上記（１）の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（３）  前記気密作業室５４が前記アンロード側収納室５２、５３と連結可能である上記（２）の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（４）  前記アンロード側収納室５２、５３またはアンロード側常圧搬送室５１と連結可能な移動型気密室を有し、
この移動型気密室が水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気である上記（２）または（３）の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（５）  前記アンロード側収納室が移動型気密室であり、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままでアンロード側常圧搬送室５１から切り離し可能な上記（２）の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（６）  前記ロード側収納室１２、１３は、成膜前の基板を複数枚同時に加熱する上記（２）〜（５）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（７）  前記ロード側常圧搬送室１１に連結し、常圧で基板を洗浄する洗浄室１４を有し、
この洗浄室１４は基板に紫外線を照射するとともにオゾンに晒す上記（１）〜（６）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（８）  前記ロード室２１は、その室内で減圧オゾン雰囲気に基板を晒す上記（２）〜（７）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（９）  前記成膜室３２〜３５の少なくとも１室が、真空蒸着室である上記（１）〜（８）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（１０）  前記成膜室３２〜３５の少なくとも１室が、スパッタリング室である上記（１）〜（９）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（１１）  成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段６１を有するロード側常圧搬送室１１と、これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室１１から真空である真空搬送室３１へ導入するロード室２１と、このロード室２１に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段６２を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室３２〜３５が連結されている真空搬送室３１と、これに連結して、基板を真空の真空搬送室３１から常圧のアンロード側常圧搬送室５１へ搬出するアンロード室４１と、このアンロード室４１に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段６３を有するアンロード側常圧搬送室５１と、アンロード側常圧搬送室５１と連結可能な気密作業室５４とを有する有機ＥＬ表示装置の製造装置を用いて有機ＥＬ表示装置を製造するに際し、
この気密作業室５４を水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気として、搬送された成膜済みの基板を気密作業室５４内の封止板を用いて封止する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）  前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側常圧搬送室１１に連結して成膜前の基板を常圧で複数枚収納するロード側収納室１２、１３と、前記アンロード側常圧搬送室５１に連結して成膜済みの基板を常圧で複数枚収納するアンロード側収納室５２、５３とを有し、
前記アンロード側収納室５２、５３の内部雰囲気を、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気として成膜済みの基板を収納する上記（１１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）  前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は前記気密作業室５４が前記アンロード側収納室５２、５３と連結可能である上記（１２）の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）  前記有機ＥＬ表示装置の製造装置はアンロード側収納室５２、５３またはアンロード側常圧搬送室５１と連結可能な移動型気密室を有し、
この移動型気密室の内部雰囲気を水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気とし、この水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままで常圧搬送室から切り離し、
気密作業室と連結して成膜済み基板を受け渡す上記（１２）または（１３）の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）  前記有機ＥＬ表示装置の製造装置はアンロード側収納室５２、５３が移動型気密室であり、
水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を維持したままで常圧搬送室５１から切り離し、
気密作業室と連結して成膜済み基板を受け渡す上記（１２）の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）  前記ロード側収納室１２、１３において成膜前の基板を複数枚同時に加熱処理し、
その後成膜を行う上記（１２）〜（１５）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）  前記ロード側収納室１２、１３に投入する前の基板に紫外線照射する上記（１６）の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）  前記有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側常圧搬送室１１に連結し、常圧で基板を洗浄する洗浄室１４を有し、
この洗浄室１４において基板に紫外線を照射するとともにオゾンに晒した後、成膜を行う上記（１１）〜（１７）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１９）  前記ロード室２１内で滅圧オゾン雰囲気に基板を晒す上記（１１）〜（１８）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２０）  前記成膜室３２〜３５の少なくとも１室で真空蒸着を行う上記（１１）〜（１９）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２１）  前記成膜室３２〜３５の少なくとも１室でスパッタリングを行う上記（１１）〜（２０）のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段を有するロード側常圧搬送室と、これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室から真空である真空搬送室へ導入するロード室と、ロード室に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室が連結されている真空搬送室と、これに連結して、基板を真空の真空搬送室から常圧のアンロード側常圧搬送室へ搬出するアンロード室と、アンロード室に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段を有するアンロード側常圧搬送室とを有し、前記常圧時の前記アンロード室と前記アンロード側常圧搬送室とが、水分含有量１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気である。
【００１３】
常圧時のアンロード室とアンロード側常圧搬送室、好ましくはアンロード側収納室を、水分含有率が１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気にすることにより、大気中の酸素や水分により素子が劣化したりして、表示品質や寿命に与える影響を防止することが出来る。不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、および窒素が好ましく、これらのなかでも取り扱いや価格を考慮すると、特に窒素が好ましい。
【００１４】
アンロード側常圧搬送室とアンロード側収納室は、真空排気及び不活性ガス注入の機構を設けても良い。この場合、これら２室の真空引きを行い、これらの室内に不活性ガスを注入する。この真空引きと不活性ガスの注入は数回繰り返して行い、これらの室内の不活性ガスの純度を９０〜９９．９％、好ましくは９９．０〜９９．９％とし、また、水分含有率を１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下、特に好ましくは１ppm 以下とする。この水分含有率は低ければ低い程良いが、現在のところ、達成できる水分含有率は０．１ppm 程度である。不活性ガス雰囲気において、所定の水分含有率が達成された後は、この不活性ガス雰囲気より低い水分含有率の不活性ガスを循環供給し、少なくとも達成された水分含有率を維持することが好ましい。
【００１５】
アンロード側常圧搬送室とアンロード側収納室は、真空排気を設けなくとも良い。この場合は、不活性ガス注入とブロアによる排気機構を設けて、不活性ガスを注入しながら室内を排気して、室内の雰囲気を入れ替えるとよい。この雰囲気入れ替えを数時間行い、これらの室内の不活性ガスの純度を９０〜９９．９％、好ましくは９９．０〜９９．９％とし、また、水分含有率を１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下とする。その後、雰囲気入れ替え作業を終了し、この不活性ガス雰囲気より低い水分含有率の不活性ガスを循環供給し、少なくとも達成された水分含有率を維持するが、循環供給する不活性ガスの水分含有量を十分低くすれば、１ppm 以下の水分含有率の不活性ガス雰囲気を実現することも可能である。この水分含有率は低ければ低い程良いが、現在のところ達成できる水分含有率は０．１ppm 程度である。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、例えば図１に示すように、成膜前の基板を搬送する第１の基板搬送手段６１を有するロード側常圧搬送室１１と、これに連結して、基板を常圧であるロード側常圧搬送室１１から真空である真空搬送室３１へ導入するロード室２１とを有する。また、このロード室２１に連結して真空中で基板を搬送する第２の基板搬送手段６２を有し、かつ１つ、または２つ以上の成膜室３２〜３５が連結されている真空搬送室３１を有する。また、これに連結して、基板を真空の真空搬送室３１から常圧のアンロード側常圧搬送室５１へ搬出するアンロード室４１と、このアンロード室４１に連結して成膜済みの基板を搬送する第３の基板搬送手段６３を有するアンロード側常圧搬送室５１とを有する。
【００１７】
ここで、真空状態として規定される、真空搬送室および成膜時以外の成膜室の圧力は、好ましくは１×１０-3 Pa以下、より好ましくは５×１０-4 Pa、特に１×１０-4 Pa以下である。排気時のロード室およびアンロード室の圧力は、好ましくは１０Pa以下、より好ましくは１Pa以下、特に０．１Pa以下が好ましい。また、その下限としては特に限定されるものではないが、通常、１０-6 Pa程度である。
【００１８】
このように、常圧で未成膜基板の搬入、収納等を行うためのロード側常圧搬送室１１と、真空下でロード側、アンロード側、成膜室等との基板の移動を行う真空搬送室３１と、アンロード側で成膜済みの基板の収納、搬出等を行うためのアンロード側常圧搬送室５１とをそれぞれ独立に設け、これらをロード室２１およびアンロード室４１を介して接続し、装置を自動運転することにより大きな処理能力を得ることが出来る。すなわち、真空中で成膜作業等を行う部分を真空搬送室３１により相互に連結し、常圧下で作業を行うロード側、アンロード側との間に緩衝室としてロード室２１、アンロード室４１を設けて基板の移動を行わせることで、常圧−真空雰囲気間の移動をスムースに行わせることが可能となり、作業を連続的に効率よく行わせることができる。
【００１９】
また、好ましくはロード側常圧搬送室１１及びアンロード側常圧搬送室５１に複数枚の基板を収納可能なロード側収納室１２，１３と、アンロード側収納室５２，５３を設けることにより、さらに大きな処理能力を得ることが出来る。ロード側、及び、アンロード側の収納室の基板収納枚数は、特に限定されないが、好ましくは５枚以上、さらに好ましくは１０枚以上収納できることが望ましい。収納枚数には特に上限はないが、通常は４０枚程度である。
【００２０】
各搬送室１１，３１，５１内には第１〜３の基板搬送手段であるロボットアーム６１〜６３が設置されている。搬送手段はロボットアームに限定されるものではなく、種々の搬送手段、例えば、ベルト搬送装置、ピッチ送り搬送装置、ハンドリング装置等の公知の搬送装置を組み合わせることにより構成することができる。ロボットアーム６１〜６３は、有機ＥＬ表示装置用の基板５を搬送したり、成膜室３２〜３５や収納室１２，１３，５２，５３に挿入し、取出すものであり、例えば３本のアームａ、ｂ、ｃを有する。これらのアームａ，ｂ，ｃは、いわゆる多関節型ロボットを構成し、その各関節により規定される自由度に従い、アームｃの先端に形成された保持部ｄが上下左右の任意の位置に移動し、基板を保持、移動できるようになっている。
【００２１】
保持部ｄは、図２，３に示すように、有機ＥＬ表示装置用の基板５を載置、保持するものであり、そこには前後４カ所で基板５を載置し、保持するための４つの突出部７１，７２，７３，７４、および段差部７５，７６，７７，７８が形成されている。
【００２２】
支持基部６は、有機ＥＬ表示装置用の基板５が載置されるものであり、図２に示すように、凹部６ａを形成するように基板５よりわずかに大きな断面コ字状に形成されている。図２において、ロボットアーム６１〜６３の保持部ｄが右方向に移動し、その突出部７１、７２が支持基部６上に進入する。このとき、基板５の下面が、段差部６ｂの段差部分よりわずかに高い位置となるように進入するので、基板５はそのまま支持基部６の段差部６ｂ上に移動する。そして所定の位置に進入したとき、保持部ｄの下降、あるいは支持基部６の上昇により、基板５は段差部６ｂに支持されるようにして支持基部６上の所定の位置に載置される。このとき、段差部６ｂの高さは保持部ｄおよび突出部７１，７２の肉厚より高くなっているため、保持部ｄおよび突出部７１，７２は基板５と支持基部６との間の隙間から引き抜くことができるようになっている。
【００２３】
ロード室２１、アンロード室４１での基板の移動はつぎのように行われる。先ず、ロード側常圧搬送室１１のロボットアーム６１が、ロード室２１に成膜前の基板を載置する。このときロード室２１のゲートバルブ２１ａ，２１ｂはロード側常圧作業室１１側２１ａが開き、真空搬送室３１側２１ｂが閉じている。ロード室２１内に基板が載置され、ロボットアーム６１が移動するとロード側常圧作業室１１側２１ａのゲートバルブが閉じられ、真空搬送室３１側２１ｂが開く。そして、真空搬送室３１側のロボットアーム６２が稼働して基板を保持し、所定の成膜室へ移動する。このとき、真空搬送室３１側のゲートバルブ２１ｂを開く前に、ロード室２１内を真空排気してもよいし、ゲートバルブ２１ｂを開いた後に、真空搬送室３１内をさらに排気するようにしてもよい。
【００２４】
真空搬送室３１からアンロード側常圧搬送室５１への移動は、この逆の手順で行われる。つまり、真空搬送室３１のロボットアーム６２が、アンロード室４１に成膜後の基板を載置する。このときアンロード室４１のゲートバルブ４１ａ，４１ｂはアンロード側常圧搬送室５１側４１ａが閉じ、真空搬送室３１側４１ｂが開いている。また、真空搬送室３１側のゲートバルブ４１ｂが開かれるときには、既にアンロード室４１内は排気装置により真空搬送室３１と同様な真空状態となっていることが好ましい。このとき、真空搬送室３１側のゲートバルブ４１ｂを開く際にアンロード室４１内を真空排気してもよいし、ゲートバルブ４１ｂを開いた後に、真空搬送室３１内をさらに排気するようにしてもよい。アンロード室４１内に基板が載置され、ロボットアーム６２が移動すると真空搬送室３１側のゲートバルブ４１ｂが閉じられ、アンロード側常圧搬送室５１側４１ａのゲートバルブが開く。そして、アンロード側常圧搬送室５１側のロボットアーム６３が稼働して基板を保持し、収納室５２，５３や気密作業室５４へ移動する。
【００２５】
このように、ロード室２１，アンロード室４１を介して真空側と常圧側との基板の受け渡しが行われるので、真空搬送室３１の真空状態を破ることなく基板を受け渡すことが可能となり、連続的に生産を行うことができる。
【００２６】
また真空搬送室３１の周壁には成膜室３２〜３５が、クラスタ状に配置され、ゲートバルブ３２ａ〜３５ａを介して連通されている。このゲートバルブ３２ａ〜３５ａは、各成膜室３２〜３５の内部雰囲気を所定の状態に維持するためのものであり、成膜作業中等に気密状態を確保できるとともに、成膜終了後には基板を移動可能な状態に開閉できるようになっている。
【００２７】
複数の成膜室での成膜方法は特に限定されるものではないが、通常は真空蒸着法を用いる。制御方法を変えることにより、同様の成膜室を並べて複数基板を並行処理する事も可能であり、また、積層順に成膜室を分別して複数基板を順次処理することも出来る。真空蒸着法以外にスパッタリング法、イオンプレーテインク法、ＣＶＤ法などを用いても良いし、これらの成膜法を組み合わせて装置を構成しても良い。成膜室の数は特に規定されるものではないが、有機物質の成膜室と金属の成膜室を別個に設けることが望ましく、この場合は最低でも２室が必要となる。各成膜室とロード室とアンロード室は真空搬送室を介して連通しており、通常、真空搬送室の周囲には合わせて８室程度、すなわち成膜室としては最大６室程度である。種々の積層構造への対応性及び装置の稼働率を考慮すると、成膜室の数は好ましくは４室以上が望ましい。
【００２８】
アンロード室４１へは、前記したように真空状態で真空搬送室３１より基板が搬送される。その後、真空搬送室３１との間に設けられたゲートバルブ４１ｂを閉じて、純度が９０〜９９．９％、好ましくは９９．０〜９９．９％で、水分含有量が１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下、特に好ましくは１ppm 以下の不活性ガスを供給して室内を常圧にする。常圧になった後の室内雰囲気は、供給された不活性ガスの純度と水分含有率にほぼ等しい。
【００２９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、アンロード側常圧搬送室５１に気密作業室５４を連結しても良い。この場合、直接連結しても良いし、移動型気密室を介して連結しても良い。この気密作業室５４も、アンロード側常圧搬送室５１やアンロード側収納室５２，５３と同様の方法で、純度が９０〜９９．９％、好ましくは９９．０〜９９．９％で、水分含有量が１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下、特に好ましくは１ppm 以下の不活性ガス雰囲気に維持されている。
【００３０】
連結された気密作業室５４では、主に成膜済み基板の封止作業を行う。このような気密作業室５４は、通常、気密前室と、作業室を有するが、気密前室は無くてもかまわない。必要に応じて、作業室を複数設けてもよいし、気密後室を設けても良い。作業室の数は通常１〜３室程度である。
【００３１】
気密作業室５４を直接連結する場合には、アンロード側常圧搬送室５１と、作業室または気密前室を連結すれば良い。この場合は、アンロード側常圧搬送室５１の有する搬送手投６３を、気密作業室５４側への基板供給手投として使え、基板は枚葉処理で受け渡される。また、アンロード側収納室５２，５３と気密作業室５４を直接連結しても良い。この場合は気密作業室５４側の基板搬送手段を用いて基板を搬送しても良いし、基板を収納しているカセットごと受け渡しても良い。
【００３２】
移動型気密室を介して連結する場合は、移動型気密室は複数枚の基板を収納できることが望ましく、好ましくは５枚以上、さらに好ましくは１０枚以上の基板を収納することが望ましい。この収納枚数には特に上限はないが、通常４０枚程度である。移動型気密室は、アンロード側常圧搬送室５１に連結すれば良い。この場合は、アンロード側常圧搬送室５１が有する搬送手段６３を用いて、移動型気密室に基板を受け渡すことが出来る。移動型気密室はアンロード側収納室５２，５３に連結しても良い。この場合は、基板を収納しているカセットごと受け渡すことが望ましい。アンロード側収納室５２，５３が、アンロード側常圧搬送室５１から切り離し可能な移動型気密室であっても良い。
【００３３】
いずれの場合でも、アンロード側常圧搬送室５１またはアンロード側収納室５２，５３に連結されている間の移動型気密室は、アンロード側常圧搬送室５１やアンロード側収納室５２，５３と同様の方法で、純度が９０〜９９．９％、好ましくは９９．０〜９９．９％で、水分含有率が１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下、特に好ましくは１ppm 以下の不活性ガス雰囲気に維持されており、切り放された後は、密閉構造により内部の雰囲気を維持する。移動型気密室は、成膜済み基板を受け渡された後に、別の場所にある気密作業室まで移動し、気密作業室に連結され、基板を受け渡す。この際の移動手段は特に限定されるものではなく、作業者が運搬しても良いし、自動的に移動する自走型搬送車（ＡＧＶ）の態様をとっても良い。気密作業室に連結されている間は、アンロード側常圧搬送室５１やアンロード側収納室５２，５３と同様の方法で、純度が９０〜９９．９、好ましくは９９．０〜９９．９％で、水分含有率が１００ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下、特に好ましくは１ppm 以下の不活性ガス雰囲気に維持される。
【００３４】
移動型気密室の具体的構成例を図４に示す。図示例の移動型気密室５５は、気密室５５０と、この気密室５５０を載置する台座５５４と、この台座５５４に取り付けられている移動用車輪５５５とを有する。気密室５５０は、その開口部に開閉自在に取り付けられている気密扉５５１を有する。そして、この気密扉５５１を開いた際に、これを収納するための扉収納部５５６が形成されていて、気密扉５５１は、その開閉の際に矢印ｂに示す方向へ移動できるようになっている。また、気密扉５５１にはパッキン５５２が取り付けられていて、気密扉５５１を閉じた際に、矢印ａの方向に押圧され、気密室５５０内部の気密性を保持できるようになっている。さらに、開口部の外周部分には、パッキン５５３が配置されていて、移動型気密室５５がアンロード側常圧搬送室５１と連結した際に、開口部周囲の気密性を確保できるようになっている。
【００３５】
なお、気密室５５０と台座５５４との間には、気密室５５０の高さを調整する上下機構を有していて（図示せず）、この上下機構により、アンロード側常圧搬送室５１またはアンロード側収納室５２，５３と気密作業室５４は、それぞれの高さに対応が可能となり、適切に接続できるようになっている。上下に調整するための機構としては、通常用いられている上下調節用の機構、例えば、パンタグラフ状に組み合わされたアームを用いたリフト機構や、ネジ、ボールネジ等を直接利用する上下機構でもよいし、油圧シリンダー等を用いたものでもよい。
【００３６】
移動型気密室５５と、アンロード側常圧搬送室５１間のパッキンとしては、気密性を確保しつつ相互の平行度の相違を吸収できるような比較的柔らかい材質が望ましく、そのようなパッキンとして、具体的には、シリコンゴムのＯ−リングや、シリコン単泡スポンジ等を挙げることができる。
【００３７】
一方、移動型気密室５５が連結するアンロード側常圧搬送室５１には、前記気密室５５０の開口部と対応する位置に同様な開口部が形成されていて、気密室５５０同様にパッキン５１２を有する気密扉５１１が、矢印ｃ方向に押圧されて気密性を保持するとともに、開閉の際に矢印ｄ方向に移動するようになっている。また、前記開口部の周囲には、接続用部材５１３が配置されていて、移動型気密室との連結が確保できるようになっている。
【００３８】
次に、図４に示すように移動型気密室５５と、アンロード側常圧搬送室５１とが連結すると、それぞれの気密扉５５１，５１１は開かれ、下方に移動して基板５が窓部を介して両者の間を容易に移動できる状態となる。また、このとき、移動型気密室５５はアンロード側常圧搬送室５１方向に押圧されているので気密室周囲のパッキン５５３は、接続用部材５１３に当接し、押圧されて窓部周囲の気密性を確保できるようになっている。そして、気密室５５０内部に配置されている基板収納ケース５５７に成膜済みの基板５を、搬送手段６３により搬入収納した後、再び気密扉５５１，５１１を閉じて両者が切り離される。このため、気密室５５０の内部は、アンロード側常圧搬送室５１の内部雰囲気と同一状態に保たれることとなる。なお、移動用車輪５５５を動力源と連結して自走式としてもよい。
【００３９】
このように、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置に気密作業室を直接または移動型気密室を介して連結することにより、水分含有率が１００ppm 以下の不活性ガス雰囲気を壊すことなく基板を気密作業室へ受け渡した上で、封止作業を行うことが可能となり、表示品質や寿命が安定化する。
【００４０】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側収納室１２，１３で基板を枚数枚同時に加熱しても良い。基板を加熱することにより、基板及び基板上の有機構造物が吸着した水分を放出きせることが出来る。このときの適切な加熱温度は基板の保管状態により異なるが、通常８０℃から２００℃程度である。基板の耐熱や脱水の効果を考えると、好ましくは１００℃から１８０℃、より好ましくは１２０℃から１５０℃が望ましい。加熱の保持時間の下限は基板の俣管状況や加熱時間により異なるが、通常５分以上である。脱水の効果を考えると、好ましくは１０分以上、より好ましくは２０分以上が望ましい。品質面から考えると加熱の保持時間の上限は特に限定されるものではない。しかしながら、装置の処理能力から考えると、収納室での基板収納枚数によっても異なるが、通常１４４０分程度以下であり、好ましくは７２０分以下、より好ましくは４８０分以下である。脱水効果を上げるためには加熱時間を長く取る必要があるが、複数枚の基板を同時に加熱処理することにより、装置全体の処理能力を高く維持することが出来る。
【００４１】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ロード側常圧搬送室１１に連結し、常圧で基板を洗浄する洗浄室１４を設け、紫外線を基板に照射すると同時に基板をオゾンに晒しても良い。紫外線の波長は特に限定されるものではないが、１５０nmから３００nm、好ましくは１６０nmから２００nmまたは２４０nmから２６０nmの波長を含むものが望ましい。照射量は、２５４nmの波長で校正された照度計を用いて測定した際には、５００mJ／cm2 から２５０００mJ／cm2 、好ましくは２０００mJ／cm2 から２００００mJ／cm2 、特に好ましくは３０００mJ／cm2 から１５０００mJ／cm2 が望ましい。このような紫外線照射を可能にする装置としては、低圧水銀ランプなどがある。１８５nmの波長で校正された照度計を用いて測定した際には、１０mJ／cm2 から５０００mJ／cm2 、好ましくは５０mJ／cm2 から３０００mJ／cm2 、特に好ましくは１００mJ／cm2 から２０００mJ／cm2 が望ましい。このような紫外線照射を可能にする装置としては、誘電体バリア放電エキシマランプなどがある。紫外線照射により大気中の酸素または洗浄室に導入した酸素ガスをオゾン化させて、基板をオゾンに晒しても良い。また、オゾン発生器で発生したオゾンを洗浄室に導入して、基板をオゾンに晒しても良い。前記波長の紫外線を照射することにより汚染物質のフリーラジカルが生成する。また、オゾンからは原子状の酸素が発生し、前記フリーラジカルと反応して気相化し、基板表面から除去される。すなわち、紫外線を照射すると同時に基板をオゾンに晒すことにより、ポリイミドやフォトレジストなどの残渣を有効に除去することが可能となる。
【００４２】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造業置は、ロード室で基板を減圧オゾン雰囲気に晒しても良い。ロード室で減圧オゾン雰囲気に晒すことにより、保管中または基板搬送中に付着するダストや有機物を除去することが出来る。この場合、オゾンはオゾン発生器から供給しても良いし、酸素ガスを供給した上で紫外線を照射しても良い。
【００４３】
供給するオゾンの濃度としては、好ましくは５０g／m3 以上、より好ましくは１００g／m3 以上、さらには１５０g／m3 以上であり、その上限としては特に規制されるものではないが２００g／m3 程度である。オゾンを発生させる方法としては、種々の公知の手段を用いることができるが、例えば、一対の電極間に誘電体を挿入し、この電極間に高電圧の電流を印加し、この放電空間に酸素を通すことによりオゾンが生成される。
【００４４】
紫外線を照射する場合、紫外線の波長は特に限定されるものではないが、１５０nmから３００nm、好ましくは２４０nmから２６０nmの波長を含むものが望ましい。照射量は、２５４nmの波長で校正された照度計を用いて測定した際に、５００mJ／cm2 から２５０００mJ／cm2 、好ましくは２０００mJ／cm2 から２００００mJ／cm2 、特に好ましくは３０００mJ／cm2 から１５０００mJ／cm2 が望ましい。このような紫外線照射を可能にする装置としては、低圧水銀ランプなどがある。
【００４５】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、基板をロード側収納室で加熱する。紫外線を照射する場合、紫外線の波長は特に限定されるものではないが、２５０nmから４５０nm、好ましくは３００nmから４００nmの波長を含むものが望ましい。照射量は、３６５nmの波長で校正された照度計を用いて測定した際に、好ましくは５００mJ／cm2 から１５０００mJ／cm2 、好ましくは１０００mJ／cm2 から１００００mJ／cm2 である。紫外線の照射により、基板上のフォトレジストの有機物構造の架橋が進み、加熱時の熱変形を防止することができる。
【００４６】
【実施例】
＜実施例１＞
３６５mm×４６０mmのガラス基板上に、ＩＴＯ透明電極（ホール注入電極）を膜厚８５nmで成膜し、２５６×６４個の画素（一画素当たり３００μm ×３００μm ）を構成するような表示装置のパターンを、基板上に４０個配置してバターニングを行つた。この際、画素の外郭は感光性ポリイミドよりなる層間絶縁膜に画素サイズの開口を設けることによって形成した。層間絶縁膜上にポジ型フォトレジストよりなるオーバーハングをもった壁を形成し、電子注入電極側の分離を行うための構造とした。次いで、高圧水銀灯により、３６５nmの波長で測定した場合に５０００mJ／cm2 となる量の紫外線を照射した。
【００４７】
この様にして作製した基板１０枚を、成膜装置のロード側収納室にセットし、１５０℃の温度で６０分間加熱した後に、１枚目の基板を洗浄室へ搬送した。洗浄室では、大気雰囲気で低圧水銀灯により２５４nmの波長で測定した場合に５０００mJ／cm2 となる量の紫外線を照射した。この際、基板は紫外線によつて生じたオゾンに晒された。ＵＶ／Ｏ3 洗浄後の基板をロード室を経由して有機蒸着室に搬送し、室内を１×１０-4Pa以下まで減圧した。ｍ−ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．２nm／sec で４０nmの厚さに蒸着してホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、ＴＰＤを蒸着速度０．２nm／sec で３５nmの厚さに蒸着してホール輸送層とした。さらに、滅圧を保ったまま、Ａｌｑ3 を蒸着速度０．２nm／sec で５０nmの厚さに蒸着して電子注入輸送・発光層とした。次いで、滅圧を保ったまま基板を金属蒸着室へ搬送し、ＭｇＡｇを共蒸着（２元蒸着）で蒸着速度比ＭｇＡｇ＝１：１０にて２００nmの厚さに成膜して電子注入電極とした。さらに、減圧を保ったまま基板をスパッタ室へ搬送し、Ａｌターゲットを用いたＤＣスパッタ法により、スパッタ圧力０．３PaにてＡｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜した。この時のスパッタガスにはＡｒを用い、投入電力は５ｋＷ、ターゲットの大きさは６００mm×７００mm、基板とターゲットの距離は１００mmとした。
【００４８】
一方、アンロード側常圧搬送室５１・アンロード側収納室５２，５３の雰囲気を次のようにして準備した。これら２室の真空引きを行い、これらの室内に、不活性ガスであるＮ2 ガスを注入した。この真空引きと不活性ガスの注入は、３回繰り返して行った。これらの室内の不活性ガスの純度は９９．９％、水分含有率は１０ppm であった。
【００４９】
成膜済みの基板はアンロード室４１とアンロード側常圧搬送室５１を経由して搬送され、アンロード側収納室５２，５３に収納された。アンロード室を真空から常圧に変えるにあたっては、水分含有率が１０ppm で純度が９９．９％のＮ2 ガスを用いた。
【００５０】
２枚目以降の基板は、順次１枚目と同様の順序で処理を行った。この時のタクトタイムは１５分とした。従つて、ロード側収納室１２，１３での加熱時間は基板によって異なり、１枚目：６０分〜１０枚目：１９５分だった。
【００５１】
次いで、アンロード側収納室５２，５３をアンロード側常圧搬送室５１から切り放し、水分含有率が１０ppm で純度が９９．９％のＮ2 雰囲気を保ったまま１０枚の基板を気密作業室５４へ移送した。気密作業室５４内では、１０枚の基板上の全ての表示装置パターンに対し、接着剤と所定の大きさのスペーサを用いて、ガラス材を封止板として接着し、密封した。最後に、気密作業室から取り出した後、各表示装置パターンを切り出した。
【００５２】
＜実施例２＞
ロード室で、基板をオゾン発生器により発生したオゾンに５分間晒す以外は、実施例１と同様にした実施例２の製造方法で有機ＥＬ表示装置を作製した。このときの原料ガスには、Ｏ2 十Ｎ2 ガスを用い、ガスの流量は、Ｏ2 ：１NL／min、Ｎ2 ：１０NCC／minであった。発生したオゾンガスの濃度は、１００ｇ／m3 であった。この時の洗浄室内の気圧は６．６５×１０3 Paであった。
【００５３】
＜実施例３＞
アンロード側常圧搬送室・アンロード側収納室の雰囲気を準備するにあたり、Ｎ2 ガスを１m3 ／ｈｒで供給しながら、ブロアにより１m3 ／ｈｒの流量で排気を行い、４時聞この雰囲気入れ替えを続け、水分含有宰１０ppm 、純度９９．９％のＮ2 雰囲気を得た以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５４】
＜実施例４＞
成膜装置にセットする前の基板を、クリーンオーブンに入れて、１５０℃、６０分間の加熱を行った後に、成膜装置のローダー側収納室１２，１３にセットし、ローダー側収納室１２，１３での加熱を行わない以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５５】
＜実施例５＞
洗浄室でのＵＶ／Ｏ3 洗浄を行わず、真空中成膜室の一室にＵＶ照射装置を取り付け、この成膜室でＵＶ照射洗浄を行う以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５６】
＜実施例６＞
高圧水銀灯による紫外線照射を行う以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作成した。
【００５７】
＜比較例１＞
アンロード側常圧搬送室とアンロード側収納室の雰囲気を、大気雰囲気とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５８】
以上、実施例１〜６で作製した有機ＥＬ表示装置、および比較例１で作製した有機ＥＬ表示装置の内、１枚目と１０枚目の基板から切り出したものについて、大気雰囲気中で直流電圧を印可し、１０mA／cm2 の一定電流密度で連続駆動させた。発光色はいずれも緑色であり、発光極大波長入max ＝５２０nmであった。発光初期の駆動電圧と輝度、輝度の四半減時間を測定した。また、発光初期の表示品質、およぴ連続駆動中のダークスポットの発生状況を観察した。その結果を表１に示す。なお、この表１において、発光初期の表示品質は、一基板から切り出した有機ＥＬ表示装置の内、１００μm 以上の大きさのダークスポットがなく、かつ、画素内および画素間の輝度に２０％以上の輝度ムラがない良品の比率を表した。また、ダークスポットの評価は次のようにして行った。
【００５９】
◎：３０００時間経過しても直径１００μm 以上のダークスポットは発生しなかった。
○：２０００時間経過しても直径１００μm 以上のダークスポットは発生しなかった。
△：１０００時間で直径１００μm 以上のダークスポットが発生してしまった。
×：１００時間で直径１００μm 以上のダークスポットが発生してしまった。
【００６０】
【表１】
0003782245.tif 000002
【００６１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高品質かつ安定な品質を有し、低コストな、有機ＥＬ表示装置の製造装置および製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置の基本構成を示す概略構成図である。
【図２】ロボットアームの保持部および支持基部の関係を示す、一部外観斜視図である。
【図３】ロボットアームの保持部と基板との関係を示す一部断面図である。
【図４】移動型気密室とアンロード側常圧搬送室の詳細な構成例を示す部分断面図であって、移動型気密室がアンロード側常圧搬送室に連結していない状態を示したものである。
【図５】移動型気密室とアンロード側常圧搬送室の詳細な構成例を示す部分断面図であって、移動型気密室がアンロード側常圧搬送室に連結た状態を示したものである。
【符号の説明】
５    基板
６    支持基部
６ａ  凹部
６ｂ  段差部
１１    ロード側常圧搬送室
１２，１３    ロード側収納室
１４    洗浄室
２１    ロード室
２１ａ，ｂ    ゲートバルブ
３１    真空搬送室
３２〜３５  成膜室
４１    アンロード室
４１ａ，ｂ    ゲートバルブ
５１    アンロード側常圧搬送室
５２，５３    アンロード側収納室
５４    気密作業室
６１〜６３    搬送手段（ロボットアーム）
ａ，ｂ，ｃ  アーム
ｄ    保持部
【図１】
0003782245.tif 000003
【図２】
0003782245.tif 000004
【図３】
0003782245.tif 000005
【図４】
0003782245.tif 000006
【図５】
0003782245.tif 000007