(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
写像投影型の電子線装置において、
試料を載置して連続移動方向及びステップ移動方向に移動するステージと、
電子銃を含み、該電子銃から放出される複数の一次電子ビームを同時に走査しつつ試料に照射する電子照射部と、
二次光学系に含まれ、複数の一次電子ビームの照射により試料から放出された二次電子ビームを拡大する静電レンズ系と、
該拡大された二次電子ビームを受け取り、拡大投影画像として結像されるマイクロチャネルプレートと、
得られた拡大投影画像を光に変換するシンチレータと、
シンチレータの出力を受け取るリレー光学系と、
リレー光学系からの光信号を電気信号に変換し、ステージの連続移動方向に一致する受光面配列方向に積算を行うＴＤＩ−ＣＣＤと、
ステージの連続移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤの受光面配列方向の積算方向とを一致させるために、磁界強度を調整することによりマイクロチャネルプレートに向かう複数の電子ビームを回転させる磁気レンズと、
ＴＤＩ−ＣＣＤからの電気信号を処理して画像を表示する画像表示部と
を含んでいることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子線装置において、磁気レンズは、二次光学系に含まれる静電レンズ系の最終段とマイクロチャネルプレートとの間に配置されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
請求項２記載の電子線装置において、磁気レンズは、マイクロチャネルプレートに最も近いクロスオーバー位置、もしくは、二次光学系に含まれる静電レンズ系の最終段に最も近い結像位置に配置されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載の電子線装置において、該装置はさらに、
ＴＤＩ−ＣＣＤで得られた画像情報を処理して、複数のセル画像の比較及び複数のダイ画像の比較の少なくとも一方の比較を行うことにより、試料表面の欠陥を検出し、画像表示部に表示する情報処理部
を備えていることを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
半導体デバイスを製造する方法において、請求項１〜４いずれかに記載の電子線装置を用いて、プロセス途中又は完了後の半導体デバイスを検査する工程を含んでいる半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、最小線幅０．１μｍ以下の高密度パターン等の形状観察及び欠陥検査等を高精度かつ高信頼性で行うための電子線装置、及び、該電子線装置を用いて、プロセス途中及び完了後の半導体デバイスのパターン検査を行うデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハ等の試料上に電子ビームを照射し、該試料の表面から生じる２次電子ビームをマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）に結像させ、電子を増倍させた後、シンチレータにより光に変換し、リレー光学系を経て、ＴＤＩ−ＣＣＤにより電気信号に変換し、その結果得られた電気信号に基づいて、試料表面を表す連続した画像を形成して表示部に映し出すようにした写像投影型の電子線装置が知られている。なお、ＴＤＩ−ＣＣＤは、時間遅れ積算（Time Delay Integration）型の電荷結合素子であり、ＴＤＩ−ＣＣＤセンサはラインイメージセンサである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来例の写像投影型の電子線装置においては、電子ビームを試料上にスキャンさせるために試料を載置したステージを移動させているが、該ステージの移動方向を、ＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向と精度よく一致させる必要がある。このため、従来例の電子線装置においては、該装置自体の製造時に、ステージの移動方向がＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向と一致するように、装置を機械的に調整している。
しかしながら、電子線装置を機械的に調整する手法では、近年の０．１μｍ以下の線幅を有する半導体ウエハ等の形状観察や欠陥検出を行う場合に、必要な精度を達成することが極めて困難であった。
本発明は、このような従来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、写像投影型の電子線装置において、ステージの移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向とのアラインメントを、高精度に実現できるようにすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明に係る電子線装置においては、
試料を載置して移動させるステージと、
複数の一次電子ビームを走査しつつ試料に照射する電子照射部と、
一次電子ビームの照射により試料から放出された二次電子ビームを光学的に処理する二次光学系と、
二次光学系の出力を受け取るマイクロチャネルプレートと、
マイクロチャネルプレートの出力を受け取るシンチレータと、
シンチレータの出力を受け取るリレー光学系と、
リレー光学系からの光信号を電気信号に変換するＴＤＩ−ＣＣＤと、
ＴＤＩ−ＣＣＤからの電気信号を処理して画像を表示する画像表示部と
を含み、
二次光学系は、マイクロチャネルプレートへ向かう電子ビームを回転させることにより、ステージの移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向とを一致させるための磁気レンズを含んでいる
写像型の電子線装置であることを特徴としている。
【０００５】
上記した本発明に係る電子線装置において、磁気レンズは、二次光学系に含まれるウイーンフィルタとマイクロチャネルプレートとの間に配置されていることが好ましいく、このとき、磁気レンズは、マイクロチャネルプレートに最も近いクロスオーバー位置、もしくは、二次光学系に含まれる静電レンズ系の最終段に最も近い結像位置に配置されていることが好ましい。
【０００６】
本発明はまた、上記した電子線装置を用いて、プロセス途中又は完了後の半導体デバイスを検査する工程を含んでいる半導体デバイス製造方法も提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る写像投影型の電子線装置の第１の実施例を示しており、図１において、１は電子銃であり複数の一次電子ビームを放出する。放出された各一次電子ビーム２は、レンズ３及び４を介して、電極６及び磁石７からなるＥ×Ｂ偏向器すなわちウィーンフィルタ８の偏向中心面にそれぞれ楕円状に結像し、そして、ウィーンフィルタ８により偏向され、レンズ９及び１０によって例えば１／５に縮小され、試料１１の表面に照射される。
このとき、偏向器５により、複数の一次電子ビーム２は、同時に、図面と直交する方向にスキャンされ、一方、試料１１を載置したステージ２１は、＋ａ（又は−ａ）方向に連続的に移動され、これにより、全体として、試料１１の表面の矩形領域に均一に電子ビームが照射される。
【０００８】
なお、検査領域が広い場合、ステージ２１の移動により、試料１１の検査領域のａ方向端部に一次電子ビーム２が到達したとき、該電子ビーム２のスキャン幅だけ、該スキャン方向（図面と直交する方向）にステージ２１はステップ移動され、そして、その後、前回とは逆の−ａ（又は＋ａ）方向にステージ２１が連続移動される。このようなステージ２１の移動及び偏向器５による一次電子ビーム２の走査を繰り返すことにより、試料１１の検査領域全体に電子ビームが均一に照射される。
【０００９】
試料１１は、電子ビームが照射されることにより、それぞれの照射点から二次電子１２を放出する。放出された二次電子１２は、レンズ１０、９、１３、及び１４により拡大され、磁気レンズ１５において、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面の配列方向と試料１１の連続移動方向ａとの角度補正が行われる。この角度補正については、以降で詳細に説明する。
角度補正が行われた二次電子は、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）１６上に全体として矩形画像を結像する。この二次電子は、ＭＣＰ１６によって、１万〜数万倍に増感され、シンチレータすなわち蛍光部１７によって光に変換され、リレー光学系１８を経て、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９において、試料の連続移動速度に同期した電気信号となり、画像表示部２０において、連続した画像として表示される。
【００１０】
電子ビームは、試料１１の表面に、できるだけ均一にかつ照射むらを少なくして、例えば、矩形又は楕円状に照射されるように調整する必要がある。また、スループットを向上させるためには、より大きな照射電流で検査領域を照射する必要がある。これは、照射電流が多くなれば、その分、ステージの移動速度を増大させることができ、これにより、スループットが上昇するためである。
なお、従来の電子線装置においては、１つの電子ビームを用いて検査領域を走査しているため、電子ビームの照射むらが±１０％程度あり、また、電子ビームの照射電流は５００ｎＡ程度で少ないため、高スループットが得られないという問題があった。また、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）方式に比べて、写像投影型の電子線装置は、広い画像観察領域を一括して電子線照射するために、チャージアップによる結像障害が生じやすいと言う問題があった。
これに対して、本発明の方式においては、複数の電子ビームを試料上に走査して照射しているので、１本の電子ビームを用いている従来の電子線装置に比べて、照射むらを、例えば１／３程度にまで減少させることができ、また、照射電流は、８本の電子ビームを用いる場合、試料表面で全体として、従来例の３倍以上を得ることができる。また、電子線の本数を増やすことにより、スループットをさらに向上させることができる。
【００１１】
図１には示してないが、本発明の電子線装置には、レンズの他に、ＮＡ絞り及び視野絞り等の各種の絞り、電子ビームの軸調整のための４極又はそれ以上の極を備えた偏向器（アライナー）、非点収差補正器（スティグメータ）、並びに、ビーム形状を整形する複数の４重極レンズ（４極子レンズ）等の、電子ビームの照明及び結像に必要なユニットを備えている。
【００１２】
図２を参照して、図１に示した磁気レンズ１５の構成及び動作原理について説明する。図２の（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、磁気レンズ１５の平面図及び断面図であり、図示のように、磁気レンズ１５は、中央に円状開口部を有する円形の２つのポールピース（極部材）２２によって形成されている。ポールピース２２の開口部を二次電子１２が通過すると、該ポールピース２２により生成された磁界が該二次電子１２に印加され、それによって、二次電子１２は、光軸に対して矢印２３の方向に回転させられる。このときの二次電子の回転量は、ポールピース２２によって二次電子１２に印加される磁界の強度を大きくするに連れて、大きくなる。
【００１３】
この原理を利用し、磁気レンズ１５を、レンズ１４とＭＣＰ１６との間に配置し、磁気レンズ１５が発生する磁界の強度を調整することにより、試料１１から放出された二次電子ビーム１２がＭＣＰ１６上に結像したときの画像を、回転させることができる。したがって、磁気レンズ１５の磁界強度を調整することにより、ステージ２１上の試料１１を電子ビームで走査するときの試料の連続移動方向（すなわち、ステージの移動方向ａ）とＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列方向の積算方向とを一致させることができる。
また、レンズ１４を静電型レンズ系の最終段レンズとして形成した場合、磁気レンズ１５の磁界強度の調整により、静電型レンズ系に対して、該レンズ系の倍率を変えてしまったり、収差や歪みを生じさせてしまったり等の影響を与えることがなく、二次電子ビームの回転すなわち結像画像の回転を行うことができる。
【００１４】
図１に示した電子線装置を用いて、実機テストを行った。実機テストにおいては、まず、試料１１の連続移動方向ａとＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列の積算方向とを、機械的に精度±１度に調整し、その後、磁気レンズ１５の磁界強度を種々に変化させて、二次電子ビームの回転角度を測定した。この実機テストにより、二次電子ビーム１２の回転を精度±１分以内の角度で行うことができるという結果が得られた。
【００１５】
なお、例えば、ＴＤＩ−ＣＣＤの受光面配列の積算方向の段数を５１２とし、かつ１段のサイズが１ピクセルサイズと等しい場合、５１２段進んで１／１０ピクセルサイズのずれが許容範囲であると仮定すると、１段当たりの角度精度は、
0003782692.tif 000002
が得られる。
したがって、実機テストにおいて得られた±１分以内の二次電子ビーム１２の回転角度はほぼ上記例の角度精度に匹敵し、したがって、本発明によれば、極めて高精度で、二次電子ビームをＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列の積算方向に一致させることができることが分かる。
【００１６】
磁気レンズ１５を、静電型レンズ系の最終段レンズ１４とＭＣＰ１６との間に配置する場合、図３に示したように、該磁気レンズ１５は、クロスオーバー位置３１に配置することが好ましい。これにより、写像投影系の合焦条件に与える影響が無視し得る程度の状態で、磁気レンズ１５の二次電子ビームに対する回転作用を利用することができる。
磁気レンズ１５は、また、図４に示されるように、最終段レンズ１４に関してＭＣＰ１６とは反対側に配置することも可能である。この場合、磁気レンズ１５は、レンズ１４に最も近い結像位置４１に配置されることが好ましい。結像位置４１は、試料１１の表面及びＭＣＰ１６の二次電子ビーム入射面と共役の位置であり、磁気レンズ１５の回転作用以外のいかなるレンズ作用も働かない位置である。このため、磁気レンズ１５が発生する磁界強度を変化させても、試料１１の連続移動方向ａとＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列の積算方向との間の角度に影響を与えるだけである。したがって、写像投影系の静電型レンズ系に収差や歪み等の影響を及ぼすことなく、試料１１の連続移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面の段数方向とのずれを容易に補正することができる。
【００１７】
図５は、本発明に係る電子線装置の第２の実施例を示す概略図である。該第２の実施例は、図１に示した第１の実施例に、開口絞り１０１及びＮＡ絞り１０２を追加し、かつ第１の実施例からレンズ１０を削除したものである。なお、開口絞り１０１を設けたことにより、電子銃１の構成が第１の実施例のものとは相違している。この第２の実施例においては、４本の一次電子ビーム２０１〜２０４は各々、開口絞り１０１で整形され、２段のレンズ３及び４によりウイーンフィルタ８の偏向中心面に１０μｍ×１２μｍの楕円状に結像され、偏向器５により図面に直交する方向にラスタスキャンされることにより、全体として、１ｍｍ×０．２５ｍｍの矩形領域（ウイーンフィルタ８の偏向中心面上）を均一にカバーするよう結像される。その後、一次電子ビームは、ウイーンフィルタ８によって偏向され、ＮＡ絞り１０２でクロスオーバーを結び、レンズ９で例えば１／５に縮小され、試料１１の２００μｍ×５０μｍをカバーするように、試料１１にほぼ垂直に照射される。
【００１８】
一次電子ビームの照射により試料１１から放出された二次電子ビームは、第１の実施例に関連して説明したように、磁気レンズ１５よって試料１１の連続移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ１９の段数方向すなわち配列方向との角度補正が行われ、ＭＣＰ１６上に拡大投影像３０２として結像する。拡大投影像３０２は、ＭＣＰ１６で１万倍に増感され、蛍光部１７により光に変換され、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９において電気信号に変換され、画像表示部２０において画像として処理され、画像表示部２０に出力される。
第２の実施例においても、磁気レンズ１５は、図３及び図４に示したいずれかの位置に配置することが好適である。
【００１９】
図６は、第２の実施例における、一次電子ビーム２を構成する４本のビーム２０１〜２０４それぞれの試料１１上の走査方法を示している。それぞれのビーム２０１〜２０４は２μｍ×２．４μｍの楕円形状をしており、それぞれが２００μｍ×１２．５μｍの矩形領域をラスタスキャンし、それらが重なり合わないように足し合わせて４本のビーム全体として、２００μｍ×５０μｍの矩形領域を走査する。ビーム２０１は、位置２０１から位置２０１’に有限の時間で到達した後、実質的な時間損失無しに、ビームスポットの径（１０μｍ）だけずれた、位置２０１の真下（−ａ方向）に戻り、前回の走査ラインの真下を前回と同様に走査する。これを繰り返して、図の２００μｍ×１２．５μｍの領域（図中の全体領域の１／４）を走査し、かつ、再度位置２０１に戻って、再度１／４領域を走査する。他のビーム２０２〜２０４もビーム２０１と同様に、それぞれに対応する１／４領域を高速で数回走査する。これにより、４つのビーム全体として、２００μｍ×５０μｍの領域を均一にかつ高速に照射することができる。
【００２０】
なお、均一な照射が得られるのであれば、上記のようなラスタスキャンである必要が無く、例えば、リサージュ形を描くように走査してもよい。この場合、ステージの移動方向は図６に示すａ方向である必要はない。
このように４本のビームを用いて走査した結果、電子ビームの照射むらを±３％程度に押さえることができた。これは、高速で数回領域を走査したこと、及びステージの移動方向に積算された結果である。また、ビーム１本当たりの照射電流は２５０μＡであり、４本のビームで１．０μＡを得ることができた。これは、従来例の２倍に相当する。ビーム本数をさらに増やすことにより、照射電流を増加できるので、走査速度を上げることができ、よって、スループットを向上させることができる。さらに、照射点の面積が従来例と比べて１／８０程度に小さく、また照射点が高速で移動するので、チャージアップを従来例の１／２０以下に押さえることができた。
【００２１】
図示を省略しているが、第２の実施例においても、第１の実施例と同様に、レンズの他に、制限視野絞り、電子ビームの軸調整のための４極又はそれ以上の極数の偏向器（アナライナー）、非点収差補正器（スティグメータ）、ビーム形状を整形する複数の４重極レンズ（４極子レンズ）等の、電子ビームの照明及び結像に必要なユニットを備えている。
【００２２】
上記においては、偏向器５により電子ビームをラスタスキャンすることにより、１ｍｍ×０．２５ｍｍの矩形領域をカバーする例について説明したが、その代わりに、０．５ｍｍ×０．１２５ｍｍ、１ｍｍ×０．２５ｍｍ、及び２ｍｍ×５０ｍｍの３段階の大きさの矩形領域を均一にカバーできるようにしてもよい。この場合、試料１１上の、１００μｍ×２５μｍ、２００μｍ×５０μｍ、４００μｍ×１００μｍの矩形領域をカバーすることができる。また、ＭＣＰ１６による二次電子ビームの増感は、ＭＣＰ１６への印加電圧を調整することにより、２０００〜２万倍の倍率から選択することもできる。
【００２３】
図１及び図５に示した第１及び第２の実施例において、図示していないが、情報処理部をＴＤＩ−ＣＣＤ１９の後段に設け、該情報処理部により、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９で得られた画像情報を、複数のセル画像の比較、及び／又は複数のダイ画像の比較を行うことにより、試料表面の欠陥を検出し、検出された欠陥の形状等の特徴と位置座標、数を判定し、画像表示部に表示することもできる。
また、試料１１である半導体基板の酸化膜や窒化膜の表面構造が個々に相違している場合、又は加工工程が個々に異なっている場合、相違するそれぞれの試料毎に適切な照射条件を設定し、これにより得られた画像を画像表示部２０に表示して、欠陥を検出すればよい。
【００２４】
次に、本発明の半導体デバイス製造方法について説明する。本発明の半導体デバイス製造方法は、上記した電子線装置を用いて、図７及び図８を参照して以下に説明する半導体デバイス製造方法において実行されるものである。
半導体デバイス製造方法は、図７に示すように、概略的に分けると、ウエハを製造するウエハ製造工程Ｓ１、ウエハに必要な加工処理を行うウエハ・プロセッシング工程Ｓ２、露光に必要なマスクを製造するマスク製造工程Ｓ３、ウエハ上に形成されたチップを１個づつに切り出し、動作可能にするすチップ組立工程Ｓ４、及び完成したチップを検査するチップ検査工程Ｓ５によって構成されている。これら工程はそれぞれ、幾つかのサブ工程を含んでいる。
【００２５】
上記した工程の中で、半導体デバイスの製造に決定的な影響を及ぼす工程は、ウエハ・プロセッシング工程Ｓ２である。この工程において、設計された回路パターンをウエハ上に形成し、かつ、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。
このように半導体デバイスの製造に影響を及ぼすウエハ・プロセッシング工程Ｓ２において加工されたウエハの加工状態を評価することが重要であり、該工程Ｓ２は、以下のサブ工程を含んでいる。
【００２６】
１．絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリングを用いる）
２．この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
３．薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためのマスク（レクチル）を用いてレジスト・パターンを形成するリソグラフィ工程
４．レジスト・パターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えば、ドライ・エッチング技術を用いる）
５．イオン・不純物注入拡散工程
６．レジスト剥離工程
７．加工されたウエハを検査するウエハ検査工程。
なお、ウエハ・プロセッシング工程Ｓ２のサブ工程は、必要な層数だけ繰り返し行われ、チップ組立工程Ｓ４においてチップ毎に分離される前のウエハが形成される。
【００２７】
図８は、図７のウエハ・プロセッシング工程のサブ工程であるリソグラフィ工程を示すフローチャートである。図８に示したように、リソグラフィ工程は、レジスト塗布工程Ｓ２１、露光工程Ｓ２２、現像工程Ｓ２３、及びアニール工程Ｓ２４を含んでいる。
レジスト塗布工程Ｓ２１において、ＣＶＤやスパッタリングを用いて回路パターンが形成されたウエハ上にレジストを塗布し、露光工程Ｓ２２において、塗布されたレジストを露光する。そして、現像工程Ｓ２３において、露光されたレジストを現像してレジスト・パターンを得、アニール工程Ｓ２４において、現像されたレジスト・パターンをアニールして安定化させる。これら工程Ｓ２１〜Ｓ２４は、必要な層数だけ繰り返し実行される。
【００２８】
本発明の半導体デバイス製造方法においては、図１〜図６に関連して説明した電子線装置を用いて、加工途中の工程（ウエハ検査工程）のみならず、完成したチップを検査するチップ検査工程Ｓ５において用いることにより、微細なパターンを有する半導体デバイスであっても、歪み、ぼけ等が低減された画像を得ることができるので、ウエハの欠陥を確実に検出することができる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成されており、電子的調整によって、試料の走査方向とＴＤＩ−ＣＣＤの受光面配列の積算方向とを一致させているので、機械的に調整する場合と対比して、容易にしかも高精度で一致させることができる。したがって、これら方向の不一致に起因する画像のぼけを排除又は最小化することができ、０．１ミクロン以下という優れた分解能の下で、信頼性の高い形状観察や欠陥検査が可能となる。
また、本発明においては、試料に対する走査の方向とＴＤＩ−ＣＣＤ受光面配列の積算方向との不一致に起因する画像ぼけが少ないため、多数段のＴＤＩ−ＣＣＤを使用することが可能となり、よって、より一層高感度の電子線装置を提供することができ、また、高スループットも実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子線装置の第１の実施例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レンズの構成及び動作原理を説明するための平面図及び断面図である。
【図３】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レンズの好適な配置位置の一例を示す説明図である。
【図４】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レンズの好適な配置位置の他の例を示す説明図である。
【図５】本発明に係る電子線装置の第２の実施例を示す概略図である。
【図６】本発明に係る電子線装置の第２の実施例における電子ビームの走査を説明するための図である。
【図７】半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図８】図７に示したウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィ工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…電子銃    ２…一次電子ビーム    ３，４…レンズ    ５…偏向器
６…電極    ７…磁石    ８…ウイーンフィルタ    ９，１０…レンズ
１１…試料    １２…二次電子ビーム    １３，１４…レンズ
１５…磁気レンズ    １６…ＭＣＰ    １７…蛍光部    １８…リレー光学系
１９…ＴＤＩ−ＣＣＤ    ２０…画像表示部    ２１…ステージ
１０１…開口絞り    １０２…ＮＡ絞り  ２０１〜２０２…一次電子ビーム
３０１…試料像    ３０２…拡大投影像
【図１】
0003782692.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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