(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に高周波により励起されたプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理に用いるプラズマを形成する工程と、
プラズマのシース中における重力と静電気力の釣り合う位置に浮遊する微粒子に働く前記静電気力と重力を復元力とした、前記微粒子の鉛直方向振動における共鳴周波数に等しい周波数の交流バイアス電圧を、前記基板および前記基板の支持部の少なくとも一方に印加する工程とを備え、
前記交流バイアス電圧の印加工程において、当該交流バイアス電圧の印加を前記プラズマ処理中に、間欠的に行なう、プラズマ処理方法。
【請求項２】
基板に高周波により励起されたプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理に用いるプラズマを形成する工程と、
プラズマのシース中における重力と静電気力の釣り合う位置に浮遊する微粒子に働く前記静電気力と重力を復元力とした、前記微粒子の鉛直方向振動における共鳴周波数に等しくなるよう周波数が１〜１００Ｈｚの間に設定された交流バイアス電圧を、前記基板および前記基板の支持部の少なくとも一方に印加する工程とを備え、
前記交流バイアス電圧の印加工程において、当該交流バイアス電圧の印加を前記プラズマ処理中に、間欠的に行なう、プラズマ処理方法。
【請求項３】
前記交流バイアス電圧の印加工程において、前記交流バイアス電圧の印加を前記プラズマ処理中に、１〜１０分間に１回の頻度で行なう、請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理方法に用いられ、処理室内において基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置であって、
前記処理室内に配置され、高周波電源に接続された第１の電極と、
前記処理室内において前記第１の電極に対向するように配置され、前記基板の下に位置する第２の電極と、
前記第２の電極に接続され、前記共鳴周波数に設定された交流バイアス電圧を供給する低周波電源とを備える、プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記処理室に、レーザ光の前記処理室内への導入および前記レーザ光の前記処理室内部から外部への透過を行なわせる窓をさらに備える、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ中で発生する微粒子を除去するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜形成またはエッチング等のプラズマ処理中にプラズマ中で生じた微粒子は、その多くが被処理物表面に取り込まれる。取り込まれた微粒子は、薄膜の特性を劣化させ、または回路を短絡するなどして、製品の歩留りを低下させる。このため、上記の微粒子を効率よく除去する技術が求められてきた。
【０００３】
上記の課題の解決手段として、上記微粒子がプラズマ中で負に帯電することに着目し、基板と微粒子との間に電気的反発を生じさせるために、基板ホルダーに正の成分を除去した高周波バイアス電圧を印加する方法が提案されている（特開平5-78850号公報）。この方法によれば、基板と微粒子との間に生じる上記電気的反発力により、堆積膜への微粒子の混入が防止される。
【０００４】
また、プラズマを生成する高周波電磁エネルギーをパルス変調するとともに、基板ホルダーには５ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周期で時間変調された負のバイアス電圧を印加する方法が開示されている（特開平6-287759号公報、特開平6-291048号公報）。この方法によれば、微粒子の発生を促進する活性種の生成が抑制され、かつ堆積膜の結晶化が促進される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマ中に存在している微粒子はその表面が電子に覆われ、負に帯電している。プラズマと壁との境界においては、移動度の大きいプラズマ中の電子を所定空間領域に限定するシース電界が形成される。すなわち、シースでは電子に対して電子を内側に閉じ込めるような静電気力が作用する。同様に、プラズマ処理装置の基板の上に位置するシースでは、重力によって基板に落下してくる負に帯電した微粒子に対して上向きの静電気力を及ぼす。この結果、微粒子はシース中の電界による静電気力と重力とが釣り合う平衡位置に浮遊することが知られている。外部から力が作用した場合には、微粒子はこの平衡点を中心にして所定の振幅をもって振動する。この微粒子のシース内における振動の周波数は低いものである。
【０００６】
特開平5-78850号公報に開示された方法によれば、周波数４００Ｈｚで変調された負電位を、周波数１３．５６ＭＨｚのプラズマ生成用高周波電界に重畳させている。４００Ｈｚ程度の周波数は、微粒子のシース中における振動の周波数である２０Ｈｚ程度に比べてはるかに高い。このため、プラズマ中に存在する微粒子は電界の時間平均値を定常的に感じるだけで、共鳴的に電界から運動エネルギーを吸収することはない。
【０００７】
また、特開平6-287759号公報や特開平6-291048号公報に開示の方法では、５ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周期で時間変調された負のバイアス電圧を基板ホルダーに印加する。この場合も、バイアス電圧の周波数は微粒子のシース中の振動周波数よりも大幅に高いので、プラズマ中に存在する微粒子は、上記バイアス電界の時間平均値を定常的に感じるだけで、共鳴的に電界から運動エネルギーを吸収することはない。
【０００８】
上述のこれまでの微粒子を除去する方法は、いずれもプラズマのシース中での微粒子の振動周波数に比べて非常に高い変調周波数のバイアス電圧を印加する。このため、プラズマ中の微粒子は、運動エネルギーを与えられることなく、シース中の電界の時間平均値による静電気力と重力との釣り合いの平衡位置を変化させるだけである。
【０００９】
上記のような従来の方法にしたがって、基板ホルダー上の電界分布に基いて微粒子を除去する場合、（１）１００Ｖ程度の高い電圧を印加する必要があり、また、（２）定常的に電圧を印加する必要がある。
【００１０】
上記の（１）および(２）の電圧印加条件により、いくつかの問題が発生する。まず、第１に、過度の負電圧を印加した場合、シース電位が高くなるので、プラズマ処理が成膜処理の場合には、膜質を劣化させる陽イオンの衝突エネルギの増大が生じる。第２に、定常的な電圧印加により、並行して進行する成膜処理すべての期間にわたって陽イオンが薄膜中に入射する。このため、膜質に悪影響がおよぶ懸念がある。
【００１１】
本発明の目的は、プラズマ処理プロセスを大幅に変更する必要がなく、優れた品質の薄膜を形成することができるプラズマ処理方法およびそのプラズマ処理を可能にするプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面のプラズマ処理方法は、基板に高周波により励起されたプラズマ処理を施すプラズマ処理方法である。この方法では、プラズマ処理に用いられるプラズマを形成する工程と、
プラズマのシース中における重力と静電気力の釣り合う位置に浮遊する微粒子に働く静電気力と重力を復元力とした、微粒子の鉛直方向振動における共鳴周波数に等しい周波数の交流バイアス電圧を、基板および基板の支持部の少なくとも一方に印加する工程とを備え、交流バイアス電圧の印加工程において、当該交流バイアス電圧の印加をプラズマ処理中に、間欠的に行なう（請求項１）。
【００１３】
上記の構成により、除去対象の微粒子に運動エネルギーが与えられる。上記プラズマ中に生成する微粒子は、シース中で周期的運動を行なっている。この周期的運動の周期は比較的低周波である。このため、周期的運動の周期に等しい低周波（通常：１〜１００Ｈｚ）の交流電圧を印加すると、周期的運動をしている微粒子は共鳴的にこの低周波電界よりエネルギーを吸収し、周期的運動の振幅を拡大する。この微粒子の周期的運動の運動エネルギーはほとんど散逸せず、保存されるので、所定レベルを超えた微粒子は、電界や重力の拘束を逸脱して系外へ放散される。この結果、微粒子を基板上に混入させることなくプラズマ処理することが可能となる。また、間欠的に且つ短時間に交流バイアス電圧を印加するので、プラズマ生成条件にほとんど影響することなく、微粒子を系外に排出することができる。この結果、従来のプラズマ処理条件をほとんど変更することなく、微粒子の混入を大幅に抑制し、歩留りよく高品質のプラズマ処理を行なうことができ、たとえば高品質の薄膜を形成することができる。
【００１４】
なお、共鳴周波数に等しい周波数とは、上記の共鳴が生じれば、所定範囲内の周波数であってもよい。上記第１の局面のプラズマ処理方法では、印加する交流バイアス電圧は微粒子の共鳴周波数であればよく、たとえば１〜１００Ｈｚの周波数でも、またそれ以外の周波数でもよい。
【００１５】
プラズマを形成する工程では、通常、原料ガスをグロー放電により電離分解してプラズマを形成する。プラズマ処理は、減圧、常圧および高圧の成膜処理、エッチング処理など、プラズマ中での処理すべてを対象としている。
【００１６】
基板が導電性の場合、基板は直接アノード電極に載置される。これにより、基板表面に交流バイアス電圧を印加することができる。一方、基板が導電性でない場合、基板上に導電膜を予め形成しておくとともに、導電性基板ホルダーを用いる。導電性基板ホルダーは基板上の前記導電膜と電気的接触をしているので、基板表面に交流バイアスを与えることができる。
【００１７】
本発明の第２の局面のプラズマ処理方法では、基板に高周波により励起されたプラズマ処理を施すプラズマ処理方法である。このプラズマ処理方法では、プラズマ処理に用いられるプラズマを形成する工程と、
前記基板および前記基板の支持部の少なくとも一方に、プラズマのシース中における重力と静電気力の釣り合う位置に浮遊する微粒子に働く前記静電気力と重力を復元力とした、前記微粒子の鉛直方向振動における共鳴周波数に等しくなるように、周波数が１〜１００Ｈｚの間に設定された交流バイアス電圧を、前記基板および前記基板の支持部の少なくとも一方に印加する工程とを備え、交流バイアス電圧の印加工程において、当該交流バイアス電圧の印加をプラズマ処理中に、間欠的に行なう（請求項２）。
【００１８】
プラズマ中で生成した微粒子は、１〜１００Ｈｚの周波数の静電界から運動エネルギーを共鳴的に吸収する。このため、周期的運動の振幅が大きくなり、吸収した運動エネルギが所定レベルを超えると、シース内の電界や重力の拘束を振りきって系外へ飛び出してゆく。この結果、基板上に微粒子が付着する量を大幅に減少させることができる。また、間欠的に且つ短時間に交流バイアス電圧を印加するので、プラズマ生成条件にほとんど影響することなく、微粒子を系外に排出することができる。この結果、従来のプラズマ処理条件をほとんど変更することなく、微粒子の混入を大幅に抑制し、歩留りよく高品質のプラズマ処理を行なうことができ、たとえば高品質の薄膜を形成することができる。
【００１９】
上記第１および第２の局面のプラズマ処理方法では、交流バイアス電圧の印加工程において、当該交流バイアス電圧の印加をプラズマ処理中に、１〜１０分間に１回の頻度で行なうことができる（請求項３）。
【００２０】
上記の頻度で交流バイアス電圧を印加することにより、微粒子を系外に排出することができるので、プラズマ処理はより確実に上記交流バイアス電圧印加による影響を受けることがなくなる。このような交流バイアス電圧は、プラズマ処理と独立して、手動によって印加してもよいし、また、自動化しても設備上もプログラム上も大きな負担とならない。また、既存の設備を用いて行なうこともできる。
【００２１】
本発明のプラズマ処理装置は、上記のいずれかのプラズマ処理方法に用いられ、処理室内において基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置である。このプラズマ処理装置では、処理室内に配置され、高周波電源に接続された第１の電極と、処理室内において第１の電極に対向するように配置され、基板の下に位置する第２の電極と、第２の電極に接続され、共鳴周波数に設定された交流バイアス電圧を供給する低周波電源とを備える（請求項４）。
【００２２】
この構成により、第１の電極（カソード電極）と第２の電極（アノード電極）との間でプラズマを生成し、基板に対してプラズマ処理を行なう一方で、プラズマ内に発生する微粒子を簡単な操作で容易に排除することができる。
【００２３】
上記の構成において、第２の電極の上に直接、基板を載置してもよいし、導電性の基板ホルダを第２の電極に導通させて配置してもよい。（ａ）基板が導電性の場合、基板は直接アノード電極に載置することができる。この構成により基板表面に交流バイアス電圧を印加することができる。（ｂ）基板が導電性でない場合、基板表面に導電膜を予め形成しておく一方、導電性基板ホルダーを用いる。導電性基板ホルダーは基板表面に形成された導電膜と電気的に接触するので、基板表面に交流バイアス電圧を与えることができる。
【００２４】
本発明のプラズマ処理装置では、処理室に、レーザ光の処理室内への導入およびレーザ光の処理室内部から外部への透過を行なわせる窓をさらに備えることが望ましい（請求項５）。
【００２５】
この構成により、プラズマを通過したレーザ光を、たとえばＣＣＤカメラ等で観察することにより、プラズマ中の微粒子の形成や除去の様子などを検知することができる。このため、印加電圧、処理時間を高精度で制御することができ、高品質のプラズマ処理を行なうことが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例のプラズマ処理方法について、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて説明する。ただし、本発明はプラズマＣＶＤ成膜法に限定されるものではなく、プラズマエッチング法およびその他のプラズマ処理法のすべてに適用され得るものであることは言うまでもない。
【００２７】
堆積室３の外壁１３は、ステンレス鋼で構成され、電気的に接地されている。堆積室３の内部には、基板１１を挟持した導電性材料からなる基板ホルダー１２を載置するアノード電極１４が配置されている。このアノード電極に対向するように、高周波電源１６と同軸線路で接続されたカソード電極１５が配置されている。
【００２８】
基板ホルダー１２とアノード電極１４とは電気的に接続されており、アノード電極１４には、堆積室３の外部に設置された低周波電源１８が接続されている。一方、アノード電極１４と堆積室１３とは絶縁体１９により電気的に絶縁されている。低周波電源１８では、ベースの印加電圧が変更でき、アノード電極１４および基板ホルダー１２に所望のベースの電位を与えることができる。ただし、本発明においては、基板１１自体に導電性があれば、基板ホルダー１２はなくてもよい。また、アノード電極１４内部には温度調整用のヒーター（図示せず）が設置されている。
【００２９】
図２は、透明絶縁体であるガラス基板を用いた場合の電極の構成を示す斜視図である。ステンレス等金属材料よりなる導電体の基板支持板１２ｂの上に透明導電膜１１ａをコーテングしたガラス基板１１が配置され、その周縁部を覆うようにステンレス等金属材料よりなる基板押え部材１２ａがビス１２ｃで固定される。
【００３０】
図３は、図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線断面図である。基板支持板１２ｂには雌ねじ１２ｄが設けられ、基板押え部材１２ａの貫通孔を通してビス１２ｃをこの雌ねじに螺合させることにより基板押え部材を基板支持板に密着させる。基板押え部材１２ａの張出し部下面は基板の導電膜１１ａと密着し、ガラス基板の全面と低周波電源１８とを電気的に接続する。この結果、絶縁体であるガラス基板表面に低周波の変調電位を印加することができる。なお、基板ホルダー１２は、基板支持板１２ｂと、基板押え部材１２ａと、ビス１２ｃと、基板支持板に設けられた雌ねじ１２ｄとによって構成される。
【００３１】
カソード電極１５は、堆積室３の外壁１３と電気的に絶縁されている。また、カソード電極１５と高周波電源１６との間には整合調整器１７が設けられており、プラズマ処理中、投入電磁エネルギーが堆積室３の内部で最大限消費されるように調整される。そして、堆積室３の外部に設置されたガスシリンダー（図示せず）に接続されている配管を通して、堆積室３の外壁に設けられたガス導入孔２０から、材料ガスが堆積室１３内部へ導入される。さらに、堆積室３の内部を真空排気する排気機構（図示せず）が接続されており、堆積室３の内部圧力が所望の値となるように、ガス排気孔２１からのガス排出量が調整される。
【００３２】
堆積室３の側部には、内部が観察できるように透明石英製の窓２２が２つ設けられている。一方の窓の外部にはレーザー光源２３が設置され、基板１１とカソード電極１５の間に生成されたプラズマ内部にレーザー光を入射する。プラズマ中に微粒子が存在するとレーザー光は微粒子により散乱する。他方の窓の外部に設置されたＣＣＤカメラ２４により、レーザー光が散乱する様子を観察することにより、プラズマ中の微粒子の形成、除去の様子を知ることができる。
【００３３】
プラズマ処理が施される基板１１は基板ホルダー１２で挟持され、搬送機構により堆積室１３内部へ搬送される。基板ホルダー１２がアノード電極１４上に載置された後、堆積室１３の内部圧力が１０-5Ｐａ程度になるまで排気される。その後、プラズマ処理に必要となる材料ガス、例えば、シリコン薄膜を堆積する場合、原料ガスとしてＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等の珪化水素ガス、希釈ガスとして水素ガス、必要に応じてドーピングガスとしてＰＨ3、Ｂ2Ｈ6等が堆積室３の内部に導入される。堆積室３の内部が所定の圧力に達し安定したら、高周波電源１６からカソード電極１５に所定の高周波電磁エネルギーが供給され放電が発生する。
【００３４】
放電により材料ガスは分解されプラズマ化される。プラズマ中で種々の活性体が発生し、それらの化学反応により微粒子が形成、成長していく。先述の通り、プラズマ中に存在する微粒子は負に帯電している。プラズマと基板の間にはシースが存在する。シース中には下向きの電界が存在するので、シース中において微粒子は静電気力によりプラズマ側に引っ張られる。一方、微粒子には重力が働き電極側に引っ張られる。微粒子はシース中において以上の静電気力と重力との釣り合う位置に浮遊している。シース中の電界は基板に近づくほど強くなる。すなわち微粒子の釣り合い位置から微粒子が変位を受けたとき、微粒子にはもとの釣り合い位置に戻ろうとする復元力が働く。このような状況はシース中の電界を鉛直バネ、微粒子をそれにつるされた錘とするモデルを用いて説明できる。系に外乱が与えられたとき、微粒子は、その質量ｍとバネ定数ｋで決まる周波数ｆｃ＝（ｋ／ｍ）0.5で、上下方向に振動する。この周波数は通常、電子温度数eV程度のプロセスプラズマ、１μｍ以下の微粒子の粒径、および１０4程度の電子付着を考えた場合、２０Ｈｚ近傍に存在する。
基板に外部から電位を与えシース内電場を変化させると、微粒子はシース電界の変化分から運動エネルギーを得る。ここで電場を交流電場とし、その周波数をシース中における微粒子の振動周波数に一致させる。このとき微粒子は外部電場に共鳴する。微粒子は振動周期の間、電界により供給されるエネルギーを保存し続けるため、さらに大きな運動エネルギーを得ることができる。これにより微粒子は系外に飛ばされ基板表面近傍から除去される。従来の技術では、先述のように、微粒子の釣り合い点を変化させるだけの定常的な電界の印加がなされている。それに比べて本方式では微粒子がもつ固有の時間スケールに対応した交流電界を利用して運動エネルギーを微粒子に与える点に特徴がある。これにより、４０Ｖ程度以下の低い電圧の印加で微粒子除去が可能になる。
【００３５】
この方法による微粒子の除去は、構造的に単純であるので、既存の装置の最低限の改良で実現することができる。
【００３６】
次に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
本実施例では、アモルファスシリコン薄膜を堆積させる。基板として厚さ１．１ｍｍ、５ｃｍ角のガラス板を用いる。基板をステンレス鋼製の基板ホルダーで挟持し、堆積室内部へ搬送する。基板ホルダーをアノード電極に載置し、堆積室内部を１０-5Ｐａ程度まで減圧する。そして、原料ガスとしてＳｉＨ4３ＳＣＣＭ、Ｈ2３ＳＣＣＭをガス導入孔より導入し、ガス排気孔からのガス排気量を調整して、圧力を１３Ｐａとする。基板温度を７０℃となるように設定する。高周波電源より周波数１３．５６ＭＨｚの高周波をカソード電極に供給すると、放電が生じ、プラズマが発生する。投入電力は２００Ｗである。
【００３７】
プラズマ発生と同時に、電源から最高値０Ｖ、最低値−４０Ｖ、周波数２０Ｈｚ、オン・オフ比５０％の矩形波状交流をアノード電極へ印加する。１０分間プラズマを発生した後、基板を取り出し、基板上に堆積した微粒子の数をパーティクルカウンターにより測定したところ、０．１μｍ以上の微粒子の数は１ｍｍ2当たり８×１０3個であった。
【００３８】
［実施例２、３および比較例１、２］
ここで説明する実施例２、３および比較例１、２では、低周波電源から印加する交流バイアス電圧の変調周波数を、５０Ｈｚ（実施例２）、１００Ｈｚ（実施例３）、５００Ｈｚ（比較例１）、５０００Ｈｚ（比較例２）とする以外は実施例１と同様にした。プラズマを１０分間発生させた後、基板を取り出し基板上に堆積した微粒子の数を測定した。その結果、１ｍｍ2当たりの０．１μｍ以上である微粒子の数は、各周波数について次の通りであった。
（１）交流バイアス電圧の周波数５０Ｈｚ（実施例２）：８×１０3個
（２）交流バイアス電圧の周波数１００Ｈｚ（実施例３）：１×１０4個
（３）交流バイアス電圧の周波数５００Ｈｚ（比較例１）：９×１０4個
（４）交流バイアス電圧の周波数１０００Ｈｚ（比較例２）：１．２×１０5個
上記より、変調周波数が１００Ｈｚ以下の場合に、いちじるしい微粒子除去効果があることが明らかである。
【００３９】
［実施例４］
実施例１で用いたプロセス条件でプラズマを発生させると同時に、堆積室側部に設置されている一方の窓の外側にあるレーザー光源から堆積室内部のプラズマ中へレーザー光を導入する。本例ではレーザによる微粒子観測が、微粒子除去の制御に有効であることを示す。プラズマ中に形成する微粒子にレーザー光が当たると、光が散乱される。微粒子サイズが大きくなるほど、また微粒子密度が大きくなるほど、光の散乱強度が大きくなる。実施例１の条件においてプラズマを発生させ、基板上方の微粒子をＣＣＤカメラにより観察した。レーザー光の散乱強度はプラズマ発生開始から３分間で飽和した。この事実はプラズマ中で微粒子が成長飽和するまでに３分間程度の時間が必要であることを示唆している。
【００４０】
次に、別の基板を用いて上述のプロセス条件でプラズマを発生させた。本実施例では、電源から最高値０Ｖ、最低値−４０Ｖ、周波数２０Ｈｚ、オン・オフ比５０％の矩形波状交流をアノード電極へ印加しながら、微粒子によるレーザー光の散乱強度を測定した。その測定により、１秒間程度の交流印加により微粒子がプラズマ中から除去されるのが分かったので、交流の印加パターンを３分間に１回、１秒間ずつ印加するパターンと決定した。
【００４１】
上記の条件でプラズマを発生させ１０分間経過した後、基板を取り出し、基板上に堆積した微粒子の数をパーティクルカウンターにより測定した。結果は、０．１μｍ以上の微粒子の数は、１ｍｍ2当たり９×１０3個であった。これは実施例１の場合とほぼ同等の微粒子除去効果を示している。
【００４２】
上記において本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００４３】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を用いることにより、従来のプラズマ処理をほとんど変更することなく、微粒子の混入が大幅に抑制されたプラズマ処理を行なうことができる。このため、歩留りを向上させ、さらに微粒子を低減させた分だけ品質を向上させた製品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態におけるプラズマ処理方法に用いられるプラズマ処理装置の構成図である。
【図２】  本発明の実施の形態のプラズマ処理方法にガラス基板が用いられる場合の基板支持構造を示す斜視図である。
【図３】  図２のＩＩＩ-ＩＩＩ断面図である。
【符号の説明】
３  プラズマ処理室（堆積室）、１１  基板、１１ａ  導電膜、１２  基板ホルダ、１２ａ  基板押え部材、１２ｂ  基板支持板、１２ｃ  ビス、１２ｄ  雌ねじ、１３  処理室（堆積室）外壁、１４  アノード電極、１５  カソード電極、１６  高周波電源、１７  整合調整器、１８  低周波電源、１９  絶縁体、２０  ガス導入孔、２１  ガス排気孔、２２  窓、２３  レーザ光源、２４  ＣＣＤカメラ。
【図１】
0003778854.tif 000002
【図２】
0003778854.tif 000003
【図３】
0003778854.tif 000004