(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定試料を接続すべき２端子、前記被測定試料と直列接続となるように前記２端子の１つに接続された第１の抵抗、前記第１の抵抗の他の端子と前記２端子の他の１つの間に接続された第２の抵抗および前記第１の抵抗および第２の抵抗の接続点に１端が接続された第３の抵抗を備え、これらの抵抗を通して前記被測定試料に電流を供給するとともに、前記第１および第３の抵抗の両端に電圧を検出するプローブをそれぞれ接続することを特徴とする電気測定装置。
【請求項２】
前記第１および第２の抵抗の抵抗値は第１の抵抗の抵抗値が第２のの抵抗の抵抗値より小さいものとされている請求項１記載の電気測定装置。
【請求項３】
前記被測定試料が超電導接合を含む回路であって、前記第１および第２の抵抗の抵抗値は第１の抵抗の抵抗値が第２のの抵抗の抵抗値より小さいものとされるとともに、第１の抵抗の抵抗値が被測定試料である超電導接合が常電導状態になった時の抵抗より小さいものとされている請求項１記載の電気測定装置。
【請求項４】
前記被測定試料が液体窒素温度以下の低温環境に置かれた試料であるとき、前記第１から第３の抵抗も同じ低温環境に置かれている請求項１記載の電気測定装置。
【請求項５】
前記電圧を検出するプローブが電圧増幅回路、ローパスフイルタおよびアナログ信号をデジタル信号に変換する回路を含むものである請求項１から４のいずれかに記載の電気測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、広く一般に電気計測の分野に関わり、外界からの雑音によって特性が影響を受けやすい超電導素子や超電導回路等の被測定試料に対して、雑音の影響を排除して、試料の電気特性を正確に計測するための電気測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電気回路素子の基本特性、すなわち電流−電圧特性を測定するための構成を図２に示した。電気回路素子としての試料２４に対して直列に抵抗２１を接続し、この抵抗と付加的に直列に設けた抵抗２２を介して電源２３から試料２４に電流を流入させる。この抵抗２１の両端に接続した第１の電圧プローブ２５から試料２４に流れる電流を計測し、試料２４の両端に接続した第２の電圧プローブ２６から試料２４で発生する電圧を計測する。
【０００３】
通常、これらの電圧プローブには増幅器が用いられる。アナログ測定の場合は、増幅された電圧信号をオシロスコープ等で表示する。デジタル測定の場合は、増幅された電圧信号をアナログーデジタル変換器に通してデジタルデータに変換し、計算機に取り込んでデータ処理を施した上で、試料２４の電流−電圧特性等を得る。
【０００４】
試料２４が超電導回路素子あるいは超電導回路の場合の測定も同様であり、超電導回路素子あるいは超電導回路の出力端子に接続した電圧プローブによって出力信号電圧を計測する。通常、超電導回路素子あるいは超電導回路の場合の測定でも電圧プローブには増幅器が用いられる。アナログ測定の場合は、増幅された電圧信号をオシロスコープ等で表示する。デジタル測定の場合は、増幅された電圧信号をアナログーデジタル変換器にとおしてデジタルデータに変換し、計算機に取り込んでデータ処理を施した上で、回路素子あるいは回路の動作特性等を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の超電導回路素子あるいは超電導回路等の計測方法でデジタルデータを得ようとする場合、以下に述べる問題を有し、超電導回路素子あるいは超電導回路等の本来の特性を得ることが困難であった。例えば、図２に示される構成で、試料２４を複数の超電導接合を直列に接続したものとして、この試料２４のデジタルデータを採取した場合、本来の電流−電圧特性とならない。
【０００６】
このような電流−電圧特性の例を図３（Ａ）に示した。このデータの得られた試料２４をアナログ測定により増幅された電圧信号をオシロスコープで表示した例を図３（Ｂ）に示した。図３（Ｂ）のデータの横軸、縦軸の範囲は図３（Ａ）のそれよりは小さいが、対応する範囲で両者を対比して明らかなように、図３（Ａ）では零電圧電流が低下し、戻り電流が増大していて、本来の臨界電流分布より分布幅が増大していることがわかる。すなわち、図３（Ａ）では低電圧側での電流ステップが低めになっている。また個別の超電導接合の電流−電圧特性に対応したヒステリシス、すなわち電圧を上昇するときの電流値と減少するときの電流値に差が生じる現象がほとんど表れていない。
【０００７】
この理由はアナログ測定器と比較してデジタルデータ処理系の雑音レベルが高く、この雑音が電圧検出プローブを介して試料に加わるためである。超電導素子の超電導電流はレベルが非常に低いので、雑音に敏感であり、零電圧電流は低下し、戻り電流は増大する。とくに素子の臨界電流が低いほど超電導電流の変化が顕著になる。
【０００８】
デジタルデータ処理系の雑音は回路駆動クロック信号周波数等高い周波数で顕著になる。一方、超電導素子特性等の計測はこれより十分低い周波数で実行される。したがって、電圧検出プローブとアナログーデジタル変換器の間にローパスフィルタを挿入すれば、デジタルデータ処理系から電圧検出プローブを介して試料に戻る雑音は低減できるが、雑音の低周波成分の影響は残る。
【０００９】
超電導回路の場合もデジタル測定を実施した場合、雑音の影響によって、本来動作可能な回路が動作不能になったり、動作可能であっても、動作可能な回路パラメータ領域が低下する等の問題を生じる。この理由はデジタルデータ処理系の雑音が回路に混入されることによって、回路を構成する超電導接合の実効的な超電導電流が変化するからである。このために動作可能なバイアス領域が狭められる。場合によっては雑音によって回路の特定のループに磁束がトラップされる。このために、超電導回路は本来の動作を実行できなくなる場合が起こり得る。
【００１０】
一方、測定データをデジタルデータに変換して取り込むことは、データの保存、処理、集計等の点でアナログデータと比較してきわめて有効であり、かつ欠くべからざる処理であるため、超電導素子あるいは超電導回路に対しても、測定データをデジタルデータに変換して取り込めるようにすることが強く望まれる。
【００１１】
そこで本発明の目的は、超電導素子や超電導回路のように雑音に敏感で、かつ雑音によって本来の特性が損なわれる試料に対して、雑音の影響を十分に排除して試料本来の特性を測定し得る電気測定装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明においては被測定試料に直接電圧プローブを接続することを避けて、被測定試料に１個の抵抗を直列に接続するとともに、この直列に接続された被測定試料と抵抗よりなる回路に１個の抵抗を並列に接続し、この直並列回路に２個以上の抵抗を直列に接続して、被測定試料に必要な電流を供給するものとした。そして、被測定試料の電流信号を前記直並列回路の抵抗の１つの両端に表れる電圧から得るものとし、被測定試料の電圧信号を前記２個以上の直列抵抗の１つの両端に表れる電圧から得るものとした。
【００１３】
さらに、前記直並列回路の２つの抵抗の抵抗値の大きさについてみると、両端から電圧が検出される抵抗の抵抗値の方が、他の抵抗のそれより小さいものとした。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の基本的な構成概念を説明する回路図である。被測定試料２４は計測端子１７,１８の間に接続される。被測定試料２４には抵抗１１が直列に接続されるとともに、被測定試料２４と抵抗１１の直列回路に抵抗１２が接続される。抵抗１１には電圧プローブ２６が接続される。被測定試料２４と抵抗１１の直列回路に抵抗１２が接続された直並列回路に抵抗１３，１４の直列回路を介して電源２３が接続される。抵抗１３には電圧プローブ２５が接続される。ここで、抵抗１１および抵抗１２の抵抗値をＲ１１，Ｒ１２とすると、Ｒ１１＜Ｒ１２である。さらに、抵抗１１の抵抗値Ｒ１１は被測定試料２４が抵抗を持つ場合にはこの抵抗値より小さいものとするのが良い。
【００１５】
図１に示す構成の回路によれば、電圧プローブ２６から試料２４に対してノイズが流入しようとしても、そのノイズは、まず、抵抗１１により減衰させられる。さらに、抵抗１１の両端に現れるノイズ電圧は試料２４と抵抗１２とに分流する形で試料２４に影響を与えることとなるから、試料２４への影響は低減される。電圧プローブ２５から試料２４に対して及ぼされるノイズについて見ると、抵抗１３の両端に現れるノイズ電圧は試料２４と抵抗１２とに分流する形で試料２４に影響を与えることとなるから、試料２４への影響は、やはり、低減される。勿論、計測感度は必要であるので、抵抗１１の抵抗値Ｒ１１は小さければ良いと言うものでないことは言うまでもない。これらの抵抗値は、試料２４の特性あるいは電圧プローブの特性に対応しやすいように可変抵抗とされるのが良い。
【００１６】
本発明による計測の対象の被測定試料は超電導接合自体、複数個の超電導接合が接続された試料、あるいは超電導回路を含むものであることは勿論、半導体装置のように動作電流が小さいものも対象として有効である。超電導回路を被測定試料とする場合、この超電導回路は磁束量子を信号の単位とする超電導回路とするものに対しても有効である。
【００１７】
超電導素子あるいは回路の特性を計測する場合、該被測定試料を液体窒素温度、すなわち７７Ｋ以下の低温環境に置くことは当然であるが、上記抵抗１１−１４も低温環境に置くことが望ましい。また、電圧等を検出するプローブは電圧増幅回路とし、電圧等を検出するプローブに加えて、アナログ信号をデジタル信号に変換する回路、および検出した信号から被測定試料の電気特性を導く機能を有することとする。
【００１８】
（実施例１）
超電導素子の基本特性を測定する試料の例として、超電導素子を図６に示すように、超電導接合を１００個余り直列に接続した構成とした。図６（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の一部の拡大図、（Ｄ）は等価回路図である。超電導接合はイットリウム・バリウム銅酸化物薄膜を上部電極７５および下部電極７２とするランプエッジ型で、接合の障壁層７４はスロープを形成した下部電極膜の端部表面に、イオンビームを照射することによって形成した表面損傷層とした。基板７６および電極間の層間絶縁膜７３にはそれぞれランタン・ストロンチウム・アルミニウム・タンタル酸化物の単結晶および薄膜を用いた。超電導接合の幅は５ミクロンとした。等価回路図において７１で示すのが超電導接合である。
【００１９】
図４は実施例１の電気測定装置の全体構成を示す図である。図１と同じ参照符号を付したものは同一物または等価なものである。試料２４は、図６で説明したように、複数の超電導接合７１が直列接続されたものであり、接続端子１７，１８間に接続される。この実施例では、電圧プローブ２５および２６が電圧増幅器３１１，ローパスフイルタ３１２および電圧増幅器３１２，ローパスフイルタ３２２がカスケードに設けられたものとした。各ローパスフイルタ３２１および３２２の出力はＡ／Ｄ変換器とバッファメモリよりなるディジタル化回路３３に導入されて計算機３４により必要な計算が行われる。
【００２０】
図１を参照しながら説明したように、試料２４に直列に第１の抵抗１１が接続され、試料２４と抵抗１１の直列回路に並列に第２の抵抗１２が接続された回路となっている。さらに、この直並列回路に直列に第３の抵抗１３が接続されている。ここで、第１抵抗１１の抵抗値Ｒ１１と第２の抵抗１２の抵抗値Ｒ１２とはＲ１２がＲ１１の２倍となるようにした。また、抵抗値Ｒ１１は超電導接合７１が常伝導状態になったときの抵抗値の１／５程度とした。
【００２１】
試料２４に直列に接続された第１の抵抗１１および第３の抵抗１３の両端に、それぞれ、電圧プローブ３１２および３１１を接続した。各電圧プローブは電圧増幅器とし、ローパスフィルタ３２２および３２１を介してディジタル化回路３３のアナログ・デジタル変換器に検出信号を入力した。電圧プローブ３１２からの電源電流の取り込みは０．２Ｈｚとし、デジタルデータの取り込み時間は５秒とした。電圧プローブ３１１からのデジタルデータの取り込みも同じタイミングとした。それぞれの電圧プローブから取り込んだデジタルデータは５００００点とした。取り込んだデジタルデータはバッファメモリに一時的に蓄え、計算機３４に転送し、収集した。
【００２２】
計算機３４に収集したデジタル信号から、試料２４に繋がる抵抗１１，１２，および１３の抵抗値、超電導接合７１に繋がる配線の接続抵抗等を用いて、試料２４の電流−電圧特性を計算した。計算によって得られた電流−電圧特性を図５に示した。
【００２３】
図５と図３（Ｂ）とを対比して明らかなように、本実施例では、アナログオシロスコープによって測定した電流−電圧特性と一致し、超電導素子を構成する各超電導接合７１の臨界電流が不連続な電流ステップとして観測された。すなわち各電流ステップの頂点が個別の超電導接合の臨界電流を与えるとともに、ヒステリシス特性が十分に反映されたものとなっていることが分かる。したがって、電流ステップの最大値を個別の超電導接合の臨界電流値として、デジタルデータで定量的に読み取ることができる。
【００２４】
一般に、デジタル装置ではアナログ装置と比較して雑音レベルが高く、雑音によって本来の特性が損なわれる試料には、直接接続して計測することが困難である。超電導接合の超電導電流は外部雑音に敏感であり、見かけ上の臨界電流が低下してしまう。しかしながら本発明に係わる電気測定装置によって、超電導素子の本来の電流−電圧特性が得られたのは以下の理由によるものである。
【００２５】
第１に試料２４に直接電圧プローブ２５，２６を接続しないことである。このために、デジタル回路装置から電圧プローブを介して超電導素子に流入する雑音を回避することができる。しかしながら、試料２４に対して直列に接続した抵抗１１に電圧プローブ２６を接続した場合でも、デジタル回路装置３３からの雑音は試料２４にも一部流入する。
【００２６】
これに対して、第２に試料２４と直列に接続した抵抗１１の抵抗値Ｒ１１を超電導接合７１が常伝導状態になったときの抵抗値より十分小さくしたことである。このために、電圧プローブ２６の両端での抵抗１１は、超電導接合７１と抵抗１２の直列回路の抵抗より小さくなる。雑音の低周波成分は抵抗値に反比例して分配されるから、電圧プローブ２６に挟まれた抵抗１１に流れる雑音成分に対して、試料２４に流れる雑音割合は相対的に十分小さくなる。
【００２７】
このことを、もう少し具体的に見ると以下のようである。図４における抵抗１１、抵抗１２、抵抗１３、抵抗１４および試料２４の抵抗値をそれぞれＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲＪＪ（Ｖ）とし、抵抗１１の両端に表れる電圧を読み取る電圧増幅器３１２から流入する雑音電流をｄＩ１、抵抗１３の両端に表れる電圧を読み取る電圧増幅器３１１から流入する雑音電流をｄＩ２とする。ここで、超電導接合７１の抵抗値は電圧に依存するので、試料２４の抵抗値はＲＪＪ（Ｖ）と表記した。
【００２８】
電圧増幅器３１２から流入する雑音電流によって試料２４に流れる量ｄＩ１ＪＪは
ｄＩ１ＪＪ＝ｄＩ１×Ｒ１１／｛Ｒ１１＋Ｒ１２＋ＲＪＪ（Ｖ）｝
となる。ここでは、抵抗１３、抵抗１４および電源２３を経由して流入する電流は無視した。すなわち、本実施例では、電圧増幅器３１２から流入する雑音電流がＲ１１／｛Ｒ１１＋Ｒ１２＋ＲＪＪ（Ｖ）｝の割合で低減されて試料２４に流れる。
【００２９】
また、電圧増幅器３１１から流入する雑音電流によって試料２４に流れる量ｄＩ２ＪＪは、Ｒ１３がＲ１２より十分小さければ、
ｄＩ２ＪＪ＝ｄＩ２×Ｒ１３／｛Ｒ１１＋Ｒ１３＋ＲＪＪ（Ｖ）｝
となる。ここでも、抵抗１４および電源２３を経由して流入する電流は無視した。すなわち、本実施例では、電圧増幅器３１１から流入する雑音電流がＲ１３／｛Ｒ１１＋Ｒ１３＋ＲＪＪ（Ｖ）｝の割合で低減できる。
【００３０】
（実施例２）
図７は本発明の電気測定回路を用いて超電導量子干渉素子の特性を測定した実施例を示す。図１、図４と同じ参照符号を付したものは同一物または等価な機能を果たすものである。本実施例では、試料２４は超電導量子干渉素子８０である。超電導量子干渉素子８０は２個の超電導接合８１が２個のインダクタ８２を介して並列に接続されて閉ループを構成する。インダクタ８２には電流注入線８５が結合しており、電流注入線８５から、制御電流がループに注入される。２個のインダクタ８２の接続点８６にバイアス電流源８３が接続されている。超電導量子干渉素子８０の特性を評価するために、電圧出力端となる接続点８６と接地端８７を電気測定装置の計測端子１７,１８の間に接続した。本実施例では、超電導磁束干渉素子８０だけでなく、２点鎖線１００で囲って示す領域にある電気測定装置の抵抗１１，１２，１３も低温用器内に入れ、液体ヘリウム温度、すなわち４．２Ｋに冷却した。超電導接合８１の臨界電流は１マイクロアンペア程度とした。
【００３１】
超電導磁束干渉素子８０に対して一定のバイアス電流をバイアス電流源８３から供給し、電流注入線８５から、ループに注入される制御電流に対して電圧端子８６から発生する電圧変化が素子としての特性である。測定結果を図９に示す。図８の実線で示す出力電圧−制御電流特性９１が本発明による計測装置の測定結果である。図８には、比較のために、超電導磁束干渉素子８０に直接電圧プローブを接続して計測した結果を破線９２で示した。両者を比較して分かるように、実線９１で示す出力電圧−制御電流特性が、破線９２のそれより高い電圧振幅を示した。
【００３２】
本実施例でも、実施例１と同様に、電圧プローブからの雑音の影響を受けにくい構成となっているから、電圧プローブからの雑音の影響を回避することができる。
【００３３】
（実施例３）
図１、図４に示される構成を基礎に多数の被測定試料を一度に計測する実施例を図９に示す。図１、図４と同じ参照符号を付したものは同一物または等価な機能を果たすものである。ここでは、試料２４は、図６で説明したような超電導接合７１を１００個余り直列に接続したものを９個並列に接続したものである。また、これら超電導接合列は一端を共通電極とした。なお、図では、９個並列を表示できないので、３個で代表させて示した。
【００３４】
各試料２４の超電導接合列の基本特性を同時に測定し、複数個のアナログーデジタル変換器からデジタルデータとして採取し、計算機３４に取り込んだ。これらのデジタルデータから得られた電流−電圧特性は入力雑音レベルの十分低いオシロスコープで測定した電流−電圧特性と一致することがわかった。
【００３５】
（実施例４）
本実施例は、磁束量子回路の出力電圧特性を測定する例である。本実施例により特性が評価される磁束量子回路と、この回路の測定を行う測定装置を図１０に示した。１１０，１１１および１１２よりなる回路は測定対象となる磁束量子回路である。１１０は信号源３０の信号を磁束量子へ変換する変換器、１１１は変換器１１０から加えられた磁束量子信号が伝播するとともに、入力信号を２回に１回出力側に通し、周波数を１／２に低減するトグルフリップフロップよりなる伝送回路、１１２は伝送回路１１１から加えられた磁束量子信号を電圧信号へ変換する変換回路よりなる出力回路１１２である。これらの回路は、１１３で代表して示す超電導接合、１１４で代表して示すインダクタおよび１１５で代表して示す定電流バイアス源を主要な構成要素とする。
【００３６】
図１０の回路１１０−１１２からなる磁束量子回路は、信号源３０の信号を一旦磁束量子信号へ変換した後、この磁束量子信号を再び電圧信号として出力する回路である。これらの回路におけるは超電導接合はニオブを電極として作製した。
【００３７】
図１０に示す回路の電圧出力端となる接続点１１７と接地点とに本発明にかかわる計測装置の計測端子１７,１８を接続した。抵抗および電圧プローブの構成は図１に示すそれと同じであるが、この例では、電源２３に代えて超電導接合に対する定電流源１２０を接続した。抵抗１１の値は磁束量子回路の出力端抵抗の数分の１の値とした。
【００３８】
磁束量子回路の出力を本発明に係る電気測定回路に接続して、電圧プローブからの信号をアナログーデジタル変換器でデジタル化し、計算機に入力して回路の直流バイアス電流に対する安定なバイアス範囲を測定した。この結果によれば、最適なバイアス電流に対するコンフルエンス・バッファとしての動作可能なバイアス電流範囲はプラス・マイナス２５％であった。この値は磁束量子回路の出力端子に直接電圧プローブを接続した場合の、動作可能なバイアス電流範囲であるプラス・マイナス１８％に比較して、十分広い値であった。
【００３９】
（実施例５）
図１１に本実施例の構成を示す。図１と対比して容易に分かるように、本実施例は電圧プローブ２６の接続位置を試料に直列の抵抗から、この直列回路に並列の抵抗に電圧プローブ２６を接続した。ここで、抵抗１１および１２の参照符号を取り替えて付してあるように、電圧プローブ２６が接続される抵抗１１は、抵抗１２より小さいものとされる。
【００４０】
（その他）
以上述べたごとく超電導素子、超電導回路のみに有効であるのみでなく、本発明に係る電気測定回路は単一電子素子等微小電流で動作する素子に対しても広く一般に適用できる。
【００４１】
【発明の効果】
測定装置からの雑音が被測定試料に流入するのを防止でき、被測定試料本来のデータを得ることができる。したがって、被測定試料の測定値をデジタルデータとして取り込む場合でも、試料本来のデータを得ることができ、測定データの処理、任意の表示を容易にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本的な構成概念を説明する回路図。
【図２】従来用いられている電気測定回路の構成図。
【図３】（Ａ）は従来用いられている電気測定回路を用いて超電導接合列の電流−電圧特性をデジタル測定した結果を示し、（Ｂ）は同じ試料でアナログ測定により増幅された電圧信号をオシロスコープで表示した例を示す図。
【図４】実施例１に係る超電導接合列をデジタル計測する電気測定回路の全体構成を示す図。
【図５】図４の構成で収集したデジタル信号から導出した超電導接合列の電流−電圧特性測定結果を示す図。
【図６】（Ａ）は基本特性を測定する試料の例としての超電導素子の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の一部の拡大図、（Ｄ）は等価回路図。
【図７】本発明の電気測定回路を用いて超電導量子干渉素子の特性を測定した実施例の全体構成を示す図。
【図８】図７に示した計測装置の測定結果と従来装置の測定結果とを対比して示す図。
【図９】多数の被測定試料を一度に計測する実施例を示す図。
【図１０】磁束量子回路の出力電圧特性を測定する実施例例の全体構成を示す図。
【図１１】図１に示す基本的な構成概念の変形例を説明する回路図。
【符号の説明】
１１，１２，１３，１４：抵抗、１７，１８：端子、２３：電源、２４：試料、２５，２６：電圧プローブ、３０：信号源、３１１，３１２：電圧増幅器、３２１，３２２：ローパスフイルタ、３３：デジタル化回路、３４：計算機、７１：超電導接合、７２：下部電極、７３：層間絶縁膜、７４：障壁層、７５：上部電極、７６：基板、８０：超電導磁束量子干渉素子、８１：超電導接合、８２：インダクタ、８３：バイアス電流源、８５：電流注入線、８６：電圧端子、８７：接地点、９１：本発明に係る電気測定回路による超電導磁束量子干渉素子の出力電圧−注入電流特性、９２：従来方式の電気測定回路による超電導磁束量子干渉素子の出力電圧−注入電流特性、１００：低温用器、１１０：電圧信号から磁束量子への変換器、１１１：トグルフリップフロップを含む伝送回路、１１２：磁束量子から電圧信号への変換回路よりなる出力回路、１１３：超電導接合、１１４：インダクタ、１１５：定電流バイアス源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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