(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から順に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有して積層された多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にはバイアス層が対向して形成され、前記バイアス層上からフリー磁性層上にかけて、トラック幅方向に間隔を開けて第２の反強磁性層が形成され、前記第２の反強磁性層と前記バイアス層及びフリー磁性層との間には強磁性層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記強磁性層は、ＮｉＦｅＸ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうちいずれか１種または２種以上）合金で形成される請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記強磁性層と前記バイアス層間には、非磁性の中間層が形成されている請求項１または２に記載の磁気検出素子。
【請求項４】
前記非磁性の中間層は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成される請求項３記載の磁気検出素子。
【請求項５】
前記第２の反強磁性層の上には電極層が形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項６】
前記フリー磁性層は、単位面積当たりの磁気モーメントが異なる２層の磁性層とその間に非磁性の中間層が形成された人工フェリ磁性構造である請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項７】
前記フリー磁性層上であって、前記第２の反強磁性層の間隔内には、バックド層が形成され、さらにその上に鏡面反射層が積層されているか、あるいは前記バックド層または前記鏡面反射層が形成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項８】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）基板上に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層の順に多層膜を積層形成する工程と、
（ｂ）前記フリー磁性層上にリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記多層膜のトラック幅方向の両側端部を除去する工程と、
（ｃ）前記多層膜の両側にバイアス層とその上に非磁性の中間層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層を除去し、前記フリー磁性層上に前記レジスト層よりもトラック幅方向の幅寸法が小さいリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記フリー磁性層の両側端部及び中間層上に強磁性層及び第２の反強磁性層を連続成膜し、さらに前記第２の反強磁性層上に電極層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程。
【請求項９】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｅ）基板上に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層の順に多層膜を積層形成し、さらに前記フリー磁性層上にバックド層、鏡面反射層を順に積層するか、あるいは前記フリー磁性層上に、前記バックド層または鏡面反射層を形成し、あるいはさらに前記バックド層上または鏡面反射層上に保護層を形成する工程と、
（ｆ）前記保護層、バックド層あるいは鏡面反射層上にリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない、保護層、バックド層、鏡面反射層、及び前記多層膜のトラック幅方向の両側端部を除去する工程と、
（ｇ）少なくとも前記多層膜の両側にバイアス層とその上に非磁性の中間層を形成する工程と、
（ｈ）前記保護層、鏡面反射層上あるいはバックド層上に、前記レジスト層よりもトラック幅方向の幅寸法が小さいリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない、前記バックド層、鏡面反射層及び保護層を除去し、前記フリー磁性層の両側端部を露出させる工程と、
（ｇ）前記フリー磁性層の両側端部及び中間層上に強磁性層及び第２の反強磁性層を連続成膜し、さらに前記第２の反強磁性層上に電極層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程。
【請求項１０】
前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程の間に、あるいは前記（ｅ）工程と（ｆ）工程の間に、前記多層膜にハイト方向の磁界を印加しつつ、第１の熱処理温度で熱処理し、前記第１の反強磁性層と固定磁性層間に交換異方性磁界を発生させ、前記固定磁性層の磁化を前記ハイト方向に固定し、
前記（ｄ）工程あるいは前記（ｇ）工程で第２の反強磁性層を積層形成した後、トラック幅方向に前記第１の反強磁性層の交換異方性磁界よりも小さい第２の磁界を印加しつつ、前記第１の反強磁性層のブロッキング温度よりも低い第２の熱処理温度で熱処理して、前記第２の反強磁性層と強磁性層間に交換異方性磁界を発生させ、前記軟磁性層の磁化をトラック幅方向に固定する請求項８または９に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の反強磁性層と第２の反強磁性層を、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成する請求項８ないし１０のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の反強磁性層と第２の反強磁性層をＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成する請求項８ないし１０のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定磁性層の磁化の方向と外部磁界の影響を受けるフリー磁性層の磁化の方向との関係で電気抵抗が変化する磁気検出素子に係り、特に磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図るとともに、良好な再生波形及び再生出力を得ることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２４は従来の磁気検出素子（スピンバルブ型薄膜素子）を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
符号１はＴａなどの下地層であり、前記下地層１の上にはＰｔＭｎ合金などの反強磁性層２、ＮｉＦｅ合金などの固定磁性層３、Ｃｕなどの非磁性中間層４、ＮｉＦｅ合金などのフリー磁性層５及びＴａなどの保護層６が形成されている。前記下地層１から前記保護層６までの各層で多層膜９が形成される。
【０００４】
図２４に示す従来例では、前記多層膜９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には硬磁性材料製のハードバイアス層７が形成され、その上に電極層８が形成されている。
【０００５】
しかしながら図２４に示すスピンバルブ型薄膜素子では、以下のような問題点があった。
【０００６】
前記フリー磁性層５の上面のトラック幅方向における幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規定されるが、今後の高記録密度化に伴い前記トラック幅Ｔｗを狭くすると、前記フリー磁性層５の両側端部５ａ、５ａが前記ハードバイアス層７からの強い縦バイアス磁界で磁化されて、前記両側端部５ａは外部磁界に対して反転しづらくなる。いわゆる不感領域となる。このため、実質的に磁化反転でき、磁気抵抗効果を発揮する領域（いわゆる感度領域という）は、トラック幅Ｔｗよりも狭くなり、狭トラック化に伴って前記領域はますます狭くなるため再生出力が低下するといった問題が発生したのである。
【０００７】
そこで従来では、フリー磁性層５の両側端部５ａが不感領域となっても、ある所定の大きさの感度領域を確保すべく、スピンバルブ型薄膜素子の構造は以下のように改良された。
【０００８】
図２５は改良された従来におけるスピンバルブ型薄膜素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図２４と同じ符号の層は、図２４と同じ層を表している。
【０００９】
この従来例では、前記フリー磁性層５の上面のトラック幅方向の幅寸法はＴ１であり、前記幅寸法Ｔ１が図２４におけるトラック幅Ｔｗよりも長くなっている。
【００１０】
そして前記電極層８は、前記ハードバイアス層７上から前記フリー磁性層５上に形成された保護層６上にオーバーラップして形成されている。前記電極層８がオーバーラップした下に形成されているフリー磁性層５の部分は不感領域である。
【００１１】
一方の前記電極層８から他方の電極層８に流れるセンス電流は、最も短い電流経路を通るため、前記不感領域には前記センス電流は流れず前記不感領域は電気的に死んだ状態にあり、感度領域のみに前記センス電流が流れるようになっている。
【００１２】
この従来例では、前記電極層８の間隔でトラック幅Ｔｗが規定され、前記トラック幅Ｔｗ領域内は前記フリー磁性層５における感度領域に該当するため、前記トラック幅Ｔｗの全領域が実質的に磁気抵抗効果に関与する。
【００１３】
そしてこの従来例では、前記フリー磁性層５のトラック幅方向における幅寸法Ｔ１を適切に規制することで、今後の狭トラック化においても、所定の大きさの感度領域を確保することができるため、所定の大きさの再生出力を得ることができると期待された。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが図２５に示す構造のスピンバルブ型薄膜素子であると以下のような問題点が発生した。
【００１５】
それは前記フリー磁性層５の両側端部５ａの不感領域は、確かに電気的には死んだ状態にあるが、磁気的には完全に死んだ状態にはなく、外部磁界の影響で磁化反転する場合があることがわかったのである。
【００１６】
図２６は前記フリー磁性層５を真上から見た部分模式図であり、不感領域及び感度領域における磁化方向を矢印で示したものである。
【００１７】
図２６に示すように、記録媒体に記録されたトラックが、図示右側における不感領域と対向したとき、前記不感領域の特に感度領域に近い位置での磁化Ａは、前記トラックから出る磁界の影響を受けてトラック幅方向からやや磁化反転する。すなわち前記不感領域の前記感度領域に近い位置では、前記ハードバイアス層７からの縦バイアス磁界が弱く、完全にトラック幅方向（図示Ｘ方向）には固定されていない。
【００１８】
このように、不感領域が磁化反転すると、その磁化反転が前記感度領域の磁化にも伝播し、前記感度領域における磁化Ｂもつられてトラック幅方向から磁化反転してしまうのである。
【００１９】
このように不感領域が外部磁界の影響を受けて磁化反転をすると、前記電極層８のトラック幅方向の間隔で規定されていたトラック幅Ｔｗは磁気的には広がり、実質的に磁気抵抗効果に関与する磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができない。
【００２０】
また不感領域の一部が隣接トラックから出た外部磁界の影響を受けて磁化反転するとクロストークの問題も発生する。
【００２１】
また図２７は、他の従来例におけるスピンバルブ型薄膜素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【００２２】
図２７では図２４及び図２５のように前記フリー磁性層５のトラック幅方向の両側にハードバイアス層７を設けていない。
【００２３】
図２７では、前記フリー磁性層５の上にトラック幅方向に所定の間隔（トラック幅Ｔｗ）を開けた反強磁性層１０が形成されている。そして前記反強磁性層１０と前記フリー磁性層５間で発生する交換異方性磁界によって、前記フリー磁性層５の両側端部５ａの磁化は適切にトラック幅方向に固定され、前記フリー磁性層５の中央領域５ｂの磁化は、適切にトラック幅方向に揃えられ、前記中央領域５ｂの磁化の磁化反転で磁気抵抗効果が発揮される。
【００２４】
図２８は、図２７のスピンバルブ型薄膜素子の製造方法を示す一工程図である。
【００２５】
図２８の工程では、下地層１からフリー磁性層５までの多層膜１１を連続成膜した後、前記フリー磁性層５の上にリフトオフ用のレジスト層Ｒを形成し、前記レジスト層Ｒに覆われていない前記フリー磁性層５の上に反強磁性層１０及び電極層８をスパッタ成膜する。
【００２６】
このとき前記レジスト層Ｒの上面及びトラック幅方向の側面にも反強磁性層１０を構成する反強磁性材料層１０ａと電極層８を構成する導電性材料層８ａが成膜される。そして前記レジスト層Ｒを除去すると図２７に示すスピンバルブ型薄膜素子が完成する。
【００２７】
しかしながら図２７に示す構造のスピンバルブ型薄膜素子では以下のような問題点があった。
【００２８】
すなわち図２８に示すように、リフトオフ用のレジスト層Ｒを用いて成膜された反強磁性層１０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の内側先端部１０ｂ，１０ｂは先細るため、この内側先端部１０ｂとフリー磁性層５間で発生する交換異方性磁界は非常に小さくなる。従って、先細った前記内側先端部１０ｂ下に位置するフリー磁性層５には十分な縦バイアス磁界は供給されず、よってトラック幅Ｔｗ間のフリー磁性層５は弱い縦バイアス磁界のために単磁区化されにくく、バルクハウゼンノイズの発生などの問題が生じる。
【００２９】
またこの従来例でも磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）がトラック幅Ｔｗよりも広がり、前記磁気的なトラック幅の狭小化を適切に図ることができない。
【００３０】
以上のように、図２４ないし図２６に示すハードバイアス方式によって前記フリー磁性層５の磁化を単磁区化する方法、および図２７及び図２８に示すエクスチェンジバイアス方式によって前記フリー磁性層５の磁化を単磁区化する方法では共に問題があり、今後の狭トラック化に対応可能なスピンバルブ型薄膜素子を製造することはできなかった。
【００３１】
そこで本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、特に磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ると共に、良好な再生波形及び再生出力を得ることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供すること目的としている。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下から順に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有して積層された多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にはバイアス層が対向して形成され、前記バイアス層上からフリー磁性層上にかけて、トラック幅方向に間隔を開けて第２の反強磁性層が形成され、前記第２の反強磁性層と前記バイアス層及びフリー磁性層との間には強磁性層が形成されていることを特徴とするものである。
【００３３】
本発明では、フリー磁性層のトラック幅方向の両側にバイアス層を設けることで、前記バイアス層から前記フリー磁性層に縦バイアス磁界を与えることができると同時に、前記フリー磁性層の上に形成された第２の反強磁性層との交換異方性磁界によって、前記フリー磁性層の両側端部を適切にトラック幅方向に固定することができる。
【００３４】
これによって前記フリー磁性層の両側端部の特に感度領域に近い部分も、外部磁界によって磁化反転することがなくなり、前記フリー磁性層の中央領域の部分のみが適切に感度領域として働き磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法で形成することができる。
【００３５】
したがって本発明では、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、良好な再生波形及び再生出力を得ることができ、今後の高記録密度化に優れた磁気再生素子を製造することが可能である。
【００３７】
上記のように前記第２の反強磁性層を、前記バイアス層上から前記フリー磁性層上にかけて形成する形態であれば、前記フリー磁性層の両側端部の磁化を確実にトラック幅方向に固定できると共に製造方法も容易である。
【００３８】
また本発明では、前記第２の反強磁性層と、前記バイアス層及びフリー磁性層との間には強磁性層が形成されているため、前記強磁性層と前記第２の反強磁性層間で交換異方性磁界を発生させて、前記強磁性層の磁化をトラック幅方向に固定し、前記強磁性層との強磁性結合によって、前記フリー磁性層の両側端部の磁化を確実にトラック幅方向に固定することができる。
【００３９】
なお本発明では、前記強磁性層は、ＮｉＦｅＸ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうちいずれか１種または２種以上）合金で形成されることが好ましい。
【００４０】
また本発明では、前記強磁性層と前記バイアス層間には、非磁性の中間層が形成されていることが好ましい。これにより前記強磁性層の特性を高めることができる。具体的には前記強磁性層と前記第２の反強磁性層間で発生する交換異方性磁界とブロッキング温度を高めることができる。
【００４１】
なお前記非磁性の中間層は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。
【００４２】
また本発明では、前記第２の反強磁性層の上には電極層が形成されていることが好ましい。
【００４３】
また本発明では、前記フリー磁性層は、単位面積当たりの磁気モーメントが異なる２層の磁性層とその間に非磁性の中間層が形成された人工フェリ磁性構造であることが好ましい。
【００４４】
さらに本発明では、前記フリー磁性層上であって、前記第２の反強磁性層の間隔内には、バックド層が形成され、さらにその上に鏡面反射層が積層されているか、あるいは前記バックド層または前記鏡面反射層が形成されていることが好ましい。
【００４５】
本発明における磁気再生素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）基板上に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層の順に多層膜を積層形成する工程と、
（ｂ）前記フリー磁性層上にリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記多層膜のトラック幅方向の両側端部を除去する工程と、
（ｃ）前記多層膜の両側にバイアス層とその上に非磁性の中間層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層を除去し、前記フリー磁性層上に前記レジスト層よりもトラック幅方向の幅寸法が小さいリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記フリー磁性層の両側端部及び中間層上に強磁性層及び第２の反強磁性層を連続成膜し、さらに前記第２の反強磁性層上に電極層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程。
【００４６】
上記の製造方法により、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にバイアス層を形成できると共に、前記フリー磁性層の上面にトラック幅方向に所定の間隔を開けた第２の反強磁性層を容易にしかも適切に形成することが可能である。
【００４７】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｅ）基板上に、第１の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層の順に多層膜を積層形成し、さらに前記フリー磁性層上にバックド層、鏡面反射層を順に積層するか、あるいは前記フリー磁性層上に、バックド層または前記鏡面反射層を形成し、あるいはさらに前記バックド層上または鏡面反射層上に保護層を形成する工程と、
（ｆ）前記保護層、バックド層あるいは鏡面反射層上にリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない、保護層、バックド層、鏡面反射層、及び前記多層膜のトラック幅方向の両側端部を除去する工程と、
（ｇ）少なくとも前記多層膜の両側にバイアス層とその上に非磁性の中間層を形成する工程と、
（ｈ）前記保護層、鏡面反射層上あるいはバックド層上に、前記レジスト層よりもトラック幅方向の幅寸法が小さいリフトオフ用のレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない、前記バックド層、鏡面反射層及び保護層を除去し、前記フリー磁性層の両側端部を露出させる工程と、
（ｇ）前記フリー磁性層の両側端部及び中間層上に強磁性層及び第２の反強磁性層を連続成膜し、さらに前記第２の反強磁性層上に電極層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程。
【００４８】
上記工程を施すことで、前記フリー磁性層上に形成された第２の反強磁性層間の間隔内に、バックド層と鏡面反射層、あるいはバックド層または鏡面反射層を容易に形成することができる。
【００４９】
また本発明では、前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程の間に、あるいは前記（ｅ）工程と（ｆ）工程の間に、前記多層膜にハイト方向の磁界を印加しつつ、第１の熱処理温度で熱処理し、前記第１の反強磁性層と固定磁性層間に交換異方性磁界を発生させ、前記固定磁性層の磁化を前記ハイト方向に固定し、
前記（ｄ）工程あるいは前記（ｇ）工程で第２の反強磁性層を積層形成した後、トラック幅方向に前記第１の反強磁性層の交換異方性磁界よりも小さい第２の磁界を印加しつつ、前記第１の反強磁性層のブロッキング温度よりも低い第２の熱処理温度で熱処理して、前記第２の反強磁性層と強磁性層間に交換異方性磁界を発生させ、前記軟磁性層の磁化をトラック幅方向に固定することが好ましい。
【００５０】
上記の製造方法では、印加磁界と熱処理温度の大きさを適切に制御することで、前記第１の反強磁性層に接する固定磁性層の磁化をトラック幅方向と交叉する方向（ハイト方向）に固定し、第２の反強磁性層と接する強磁性層の磁化を前記トラック幅方向に固定することができる。
【００５１】
このように、前記固定磁性層の磁化制御と強磁性層の磁化制御を、印加磁界と熱処理温度を調整するのみで簡単に行うことができる。
【００５２】
また本発明では、前記第１の反強磁性層と第２の反強磁性層を、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成することが好ましい。
【００５３】
また本発明では、前記第１の反強磁性層と第２の反強磁性層をＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成しても良い。
【００５４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の磁気検出素子（スピンバルブ型薄膜素子）を備えた薄膜磁気ヘッドの構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【００５５】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に記録された外部信号を再生するためのＭＲヘッドである。図１には前記ＭＲヘッドのみが開示されているが、前記ＭＲヘッドの上に記録用のインダクティブヘッドが積層されていてもよい。前記インダクティブヘッドは磁性材料製のコア層とコイル層とを有して構成される。
【００５６】
また前記薄膜磁気ヘッドは、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング側端面上に形成される。前記スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００５７】
図１に示す符号２０は、下部シールド層である。前記下部シールド層２０はＮｉＦｅ合金やセンダストなどの磁性材料によって形成される。
【００５８】
前記下部シールド層２０上にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料製の下部ギャップ層２１が形成されている。
【００５９】
そして前記下部ギャップ層２１上に磁気検出素子２２が形成される。図１に示す磁気検出素子２２は、いわゆるシングルスピンバルブ型薄膜素子と呼ばれる構成である。以下、前記磁気検出素子２２を構成する各層について説明する。
【００６０】
まず、前記下部ギャップ層２１の図面中央の上面には下地層２３が形成される。前記下地層２３は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。前記下地層２３は５０Å以下程度の膜厚で形成される。なおこの下地層２３は形成されていなくても良い。
【００６１】
次に前記下地層２３の上には第１の反強磁性層２６が形成される。前記第１の反強磁性層２６は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは前記第１の反強磁性層２６は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００６２】
これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２７との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また前記第１の反強磁性層２６は８０Å以上で２５０Å以下の膜厚で形成されることが好ましい。
【００６３】
次に前記反強磁性層２６の上には固定磁性層２７が形成されている。この実施形態では前記固定磁性層２７は３層構造で形成されている。
【００６４】
前記固定磁性層２７を構成する符号５１及び５３の層は磁性層であり、例えばＣｏ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉなどで形成される。前記磁性層５１，５３間にはＲｕなどで形成された中間層５２が介在し、この構成により、前記磁性層５１と前記磁性層５３の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる人工フェリ磁性状態と呼ばれる。
【００６５】
前記第１の反強磁性層２６と前記固定磁性層２７の前記第１の反強磁性層２６と接する磁性層５１間には磁場中熱処理によって交換異方性磁界が発生し、例えば前記磁性層５１の磁化がハイト方向（図示Ｙ方向）に固定された場合、もう一方の磁性層５３はハイト方向とは逆方向（図示Ｙ方向と逆方向）に磁化され固定される。この構成により前記固定磁性層２７の磁化を安定した状態にでき、また前記固定磁性層２７と第１の反強磁性層２６との界面で発生する交換異方性磁界を見かけ上大きくすることができる。
【００６６】
なお例えば、前記磁性層５１，５３の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また中間層５２の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。
【００６７】
また前記磁性層５１、５３はそれぞれ単位面積当たりの磁気モーメントが異なるように、前記磁性層５１、５３の材質や膜厚がそれぞれ異なっている。前記磁気モーメントは飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔで設定され、例えば前記磁性層５１、５３を共に同じ材質で同じ組成の材料で形成するとき、前記磁性層５１、５３の膜厚を異ならせることで、前記磁性層５１、５３の磁気モーメントを異ならせることができる。これによって適切に前記磁性層５１、５３を人工フェリ磁性構造にすることが可能である。
【００６８】
なお本発明では前記固定磁性層２７は人工フェリ磁性構造ではなくＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金、あるいはＣｏＦｅ合金などの単層膜あるいは積層膜で形成されていても良い。
【００６９】
前記固定磁性層２７の上には非磁性中間層２８が形成されている。前記非磁性中間層２８は例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によって形成される。前記非磁性中間層２８は例えば１８〜３０Å程度の膜厚で形成される。
【００７０】
次に前記非磁性中間層２８の上にはフリー磁性層２９が形成される。前記フリー磁性層２９は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などにより形成される。また前記フリー磁性層２９は、２０Å以上で４０Å以下程度の膜厚で形成されることが好ましい。また前記フリー磁性層２９は２層構造で形成され、前記非磁性中間層２８と対向する側にＣｏ膜あるいはＣｏＦｅ膜が形成されていることが好ましい。これにより前記非磁性中間層２８との界面での金属元素等の拡散を防止でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることができる。
【００７１】
次に前記フリー磁性層２９の図面中央上には金属材料あるいは非磁性金属のＣｕ，Ａｕ，Ａｇからなるバックド層５７が形成されている。また前記バックド層５７の上には、鏡面反射層３０が形成されている。前記鏡面反射層３０は、Ｆｅ−Ｏ、Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｑ−Ｏ（ここでＱはＣｕ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｏ（ここでＲはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）等の酸化物、Ａｌ−Ｎ、Ａｌ−Ｑ−Ｎ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｎ（ここでＲはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）等の窒化物等で形成できる。
【００７２】
本発明では、前記フリー磁性層２９の上にバックド層５７及び鏡面反射層３０が形成されることによって、磁気抵抗効果に関与する＋スピン（上向きスピン）の電子における平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）を延ばし、いわゆるスピンフィルター効果（ｓｐｉｎ  ｆｉｌｔｅｒ  ｅｆｆｅｃｔ）により磁気抵抗効果素子において、大きな抵抗変化率が得られ、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７３】
ただし本発明では、前記バックド層５７か鏡面反射層３０のどちらか一方のみが形成される形態であっても良い。また図１に示す鏡面反射層３０の上にＴａなどからなる保護層（この保護層の表面は酸化されていることが好ましい）が形成されていても良い。
【００７４】
本発明では、図１に示すように上記した前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａ、２６ａは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に延びて形成され、前記下側端部２６ａの付け根部分からフリー磁性層２９までの多層膜の両側端面３１，３１が、前記下部シールド層２０から離れる方向（図示Ｚ方向）に向けて幅寸法が小さくなる連続した傾斜面となっている。
【００７５】
次に前記多層膜３１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側領域には、前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａ上から前記多層膜の両側端面３１上にかけて、バイアス下地層３５が形成されており、前記バイアス下地層３５の上にハードバイアス層３６が形成されている。前記ハードバイアス層３６は例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成されている。
【００７６】
なお前記ハードバイアス層３６は、少なくとも前記フリー磁性層２９と対向する位置まで形成される。
【００７７】
次に前記ハードバイアス層３６の上には非磁性の中間層５８が形成されている。前記中間層５８は、例えばＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されている。この実施形態では前記フリー磁性層２９の上面から前記中間層５８の上面にかけては連続面となっている。
【００７８】
さらにこの実施形態では、前記中間層５８上から前記フリー磁性層２９上にかけて強磁性層５９が形成され、前記強磁性層５９の上には第２の反強磁性層６０が形成されている。
【００７９】
前記第２の反強磁性層６０は、前記第１の反強磁性層２６と同様に、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは前記第２の反強磁性層６０は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００８０】
また前記第２の反強磁性層６０の上には電極層３２、３２が形成されている。前記電極層３２は、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）、Ｒｈ、Ｉｒ、ＲｕやＷ（タングステン）などで形成されている。
【００８１】
次に前記電極層３２上から前記鏡面反射層３０上にかけて上部ギャップ層３８が形成され、前記上部ギャップ層３８の上に上部シールド層３９が形成される。前記上部ギャップ層３８は前記下部ギャップ層２１として使用可能な非磁性材料で形成され、また上部シールド層３９は下部シールド層２０として使用可能な磁性材料で形成される。なお前記上部シールド層３９の上にインダクティブヘッドも形成される場合には、前記上部シールド層３９は前記インダクティブヘッドの下部コア層として兼用されても良いし、前記下部コア層を別に形成しても良い。
【００８２】
この磁気検出素子では、前記電極層３２，３２から、固定磁性層２７、非磁性中間層２８及びフリー磁性層２９に検出電流（センス電流）が与えられる。ハードディスクなどの記録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体からの洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層２９の磁化が図示Ｘ方向の一方向からＹ方向へ向けて変化する。このフリー磁性層２９内での磁化の方向の変動と、固定磁性層２７の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し（これを磁気抵抗効果という）、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００８３】
ところで図１に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９のトラック幅方向における上面の幅寸法はＴ２で形成されている。この幅寸法Ｔ２は、予めマイクロトラックプロファイル法などによって設定される。前記幅寸法Ｔ２は、走査型電子顕微鏡や光学顕微鏡によって測定される光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）よりも長く形成されている。
【００８４】
また図１に示すフリー磁性層２９のトラック幅方向の両側にはハードバイアス層３６が対向している。さらに前記フリー磁性層２９の上面には所定の間隔を開けて強磁性層５９と第２の反強磁性層が積層されており、光学顕微鏡によって測定される光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）は、前記電極層３２、３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への間隔で設定される。なお一般的にトラック幅Ｔｗというときは、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）を指している。
【００８５】
本発明は、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）よりもトラック幅方向の両側に位置するフリー磁性層２９の両側端部２９ａが、磁気抵抗効果に関与しないように、前記両側端部２９ａの磁化を適切にトラック幅方向に固定し、前記両側端部２９ａを確実に不感領域にし、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）内のフリー磁性層２９のみが実質的に磁気抵抗効果に関与する感度領域となるようにして、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）が前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）よりも広がらないようにすべく発明されたものである。
【００８６】
図２は図１に示す磁気検出素子２２の図示右側部分のみを拡大した部分拡大断面図である。
【００８７】
図２に示すように、前記フリー磁性層２９の側面には、バイアス下地層３５を介してハードバイアス層３６が対向している。このため、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの磁化は、前記ハードバイアス層３６からの強い縦バイアス磁界を受けてトラック幅方向に固定される。
【００８８】
しかし前記両側端部２９ａの光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）に近い位置Ｃ、Ｃでは、前記ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界が弱まるため前記位置Ｃでの磁化はトラック幅方向に強固に固定されにくい。
【００８９】
このため本発明では、前記フリー磁性層２９の前記両側端部２９ａ上に第２の反強磁性層６０を形成し、前記位置Ｃでの磁化を前記第２の反強磁性層６０との交換異方性磁界によって強固にトラック幅方向に固定している。
【００９０】
この実施形態では、前記フリー磁性層２９の上には強磁性層５９が形成され、その上に第２の反強磁性層６０が形成されている。
【００９１】
かかる形態では、前記強磁性層５９と第２の反強磁性層６０間で発生する交換異方性磁界によって前記強磁性層５９の磁化は適切にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に固定される。そして前記強磁性層５９と直接接合するフリー磁性層２９の両側端部２９ａは、前記強磁性層５９との強磁性結合によってトラック幅方向に磁化されて固定されるようになっている。
【００９２】
このように本発明によれば、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの磁化は適切にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に固定されるため、この部分に外部磁界が侵入してきても磁化反転は起こらず、したがって実質的に磁気抵抗効果に関与する磁気的トラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に小さくでき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を実現できると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法の範囲内で適切に形成することができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさの再生出力を有する磁気検出素子２２を製造することが可能である。
【００９３】
次に本発明における好ましい形態について以下に説明する。
まず図１、２に示すように、前記フリー磁性層２９と前記第２の反強磁性層６０との間には強磁性層５９が形成されていることが好ましい。
【００９４】
磁性層と第２の反強磁性層６０との間で交換異方性磁界を適切に発生させるには、前記磁性層と前記第２の反強磁性層６０とを連続成膜する必要性がある。
【００９５】
しかし図１に示す実施形態では、後で製造方法で説明するように、前記フリー磁性層２９と第２の反強磁性層６０とを連続成膜しないため、前記フリー磁性層２９に直接、前記第２の反強磁性層６０を成膜すると、前記フリー磁性層２９と第２の反強磁性層６０との間に所定の大きさの交換異方性磁界を発生させることができない場合がある。
【００９６】
このため本発明では、前記フリー磁性層２９の上に、強磁性層５９と第２の反強磁性層６０とを連続成膜し、前記強磁性層５９と前記第２の反強磁性層６０との間で所定の大きさの交換異方性磁界を発生させて、前記強磁性層５９を確実にトラック幅方向に固定する。そして前記強磁性層５９と重ねられたフリー磁性層２９の両側端部２９ａの磁化は前記強磁性層５９との強磁性結合によって、適切にトラック幅方向に固定されるので、本発明では前記両側端部２９ａを確実に磁気的に殺すことができ、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができ、今後の高記録密度化に対応可能な磁気検出素子２２を製造することが可能である。
【００９７】
次にこの図１、２に示す実施形態では、前記強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０は、前記ハードバイアス層３６からフリー磁性層２９上にかけて形成されている。このような形態となるのは、後述する製造方法に起因するものである。なお本発明では、このような形態とすることで、前記強磁性層５９の磁化を適切にトラック幅方向に固定でき、前記強磁性層５９との間で強磁性結合する前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの磁化を確実にトラック幅方向に固定できる。
【００９８】
次に、この図２に示す実施形態では、前記第２の反強磁性層６０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における内側端面６０ａが傾斜面となって、前記第２の反強磁性層６０の内側先端部６０ｂは先細り形状となっているが、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの磁化は適切にトラック幅方向に固定される。つまり前記先細り形状の部分と対向する前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの位置Ｃにおいて、強磁性層５９との強磁性結合が弱まり、前記位置Ｃでの磁化が適切にトラック幅方向に固定されないということはない。
【００９９】
それは本発明では、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａには、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界と、第２の反強磁性層６０と強磁性層５９間に発生した交換異方性磁界によって磁化された前記強磁性層５９との強磁性結合の双方が働くため、前記第２の反強磁性層６０の内側先端部６０ｂが先細り形状であっても、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの位置Ｃでの磁化を確実にトラック幅方向に固定することが可能である。
【０１００】
次に、前記ハードバイアス層３６と前記強磁性層５９との間には非磁性の中間層５８が形成されているが、これにより前記強磁性層５９の特性を向上させることができる。具体的には前記強磁性層と前記第２の反強磁性層間で発生する交換異方性磁界とブロッキング温度を高めることができる。なお前記中間層５８は形成されていなくてもかまわない。
【０１０１】
次に、本発明では、前記強磁性層５９の膜厚は２０〜１００Å程度で形成されることが好ましい。また前記第２の反強磁性層６０の前記フリー磁性層２９上に形成された位置での先細り形状以外の部分の膜厚Ｈ１は１５０〜５００Å程度で形成されることが好ましい。
【０１０２】
次に図１、２に示す実施形態では、前記ハードバイアス層３６の下側にバイアス下地層３５が形成されているが、前記バイアス下地層３５は前記ハードバイアス層３６の特性（保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【０１０３】
本発明では、前記バイアス下地層３５は、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜で形成されることが好ましい。なおこのとき前記バイアス下地層３５の結晶配向は（１００）面が優先配向するのが好ましい。
【０１０４】
また前記ハードバイアス層３６は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成される。これら合金の結晶構造は、一般的にはバルクにおいて面心立方構造（ｆｃｃ）と稠密六方構造（ｈｃｐ）の混相となるような組成付近の膜組成に設定される。
【０１０５】
ここで上記の金属膜で形成されたバイアス下地層３５とハードバイアス層３６を構成するＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造の格子定数は近い値となるために、ＣｏＰｔ系合金はｆｃｃ構造を形成しづらくｈｃｐ構造で形成されやすくなる。このときｈｃｐ構造のｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層３５の境界面内に優先配向される。前記ｈｃｐ構造はｆｃｃ構造に比べてｃ軸方向に大きな磁気異方性を生じるため、ハードバイアス層に磁界を与えたときの保磁力Ｈｃは大きくなるのである。さらにｈｃｐのｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層との境界面内で優先配向となっているため、残留磁化が増大し、残留磁化／飽和磁化で求められる角形比Ｓは大きくなる。その結果、前記ハードバイアス層３６の特性を向上させることができ、前記ハードバイアス層３６から発生するバイアス磁界を増大させることができる。
【０１０６】
本発明では、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。
【０１０７】
なお図１、２に示す実施形態では、前記バイアス下地層３５は、前記ハードバイアス層３６とフリー磁性層２９間にも形成されているが、これによって前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａの前記ハードバイアス層３６に近い側では、反磁界が大きくなって、バックリング現象が起こりやすくなる。前記バックリング現象とは反磁界の影響で、前記フリー磁性層２９の磁化が乱れて磁壁が生じるという磁化不連続現象のことであり、これにより再生波形の安定性が低下する虞がある。
【０１０８】
このような問題を解決するには、前記ハードバイアス層３６とフリー磁性層２９とを磁気的な連続体とすべく、前記フリー磁性層２９の両側に直接、前記ハードバイアス層３６を形成すれば良い。したがって本発明では、前記フリー磁性層２９の両側に前記ハードバイアス層３６を直接接合させることが好ましい。
【０１０９】
なお前記ハードバイアス層３６とフリー磁性層２９間に前記バイアス下地層３５が介在していても前記バイアス下地層３５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚が１ｎｍ以下であれば、前記バックリング現象の発生を抑えることができる。
【０１１０】
次に前記強磁性層５９の材質について説明する。
前記強磁性層５９は前記フリー磁性層２９と同様にＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、Ｃｏなどで形成されてもよいが、例えばＮｉＦｅＸ（ただし元素Ｘは、（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうちいずれか１種または２種以上）合金で形成することもできる。元素Ｘの添加によって、ＮｉＦｅＸ合金は、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料に比べて比抵抗が高くなるとともにＮｉＦｅＸ合金そのものが持つ異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ効果）が著しく低下する。
【０１１１】
前記フリー磁性層２９はその中央領域が、実質的に磁気抵抗効果に関与する感度領域であり、そのため前記フリー磁性層２９の比抵抗は低いことが、磁気抵抗効果を大きくできて好ましい。
【０１１２】
これに対し前記強磁性層５９は、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａをトラック幅方向に適切に磁化させるために設けられた層であり、本発明では、前記強磁性層５９は磁気抵抗効果に関与しない。前記強磁性層５９の磁化は前記第２の反強磁性層６０との間で発生する交換異方性磁界によってトラック幅方向に固定され、また前記ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界もある程度受けるものと考えられるため、前記強磁性層５９の磁化は確実にトラック幅方向に固定された状態にあり、前記強磁性層５９の磁化は外部磁界の影響を受けても変動しない。
【０１１３】
しかし前記強磁性層５９を確実に磁気抵抗効果に関与しないようにするには、前記強磁性層５９の比抵抗を前記フリー磁性層２９の比抵抗よりも大きくしておき、前記強磁性層５９から発生するＡＭＲ効果を低減しておくことが好ましく、したがって本発明では、上記したＮｉＦｅＸ合金で前記強磁性層５９を形成することとしている。
【０１１４】
以下、本発明における別の実施形態について説明する。なお図１と同じ符号が付けられた層は図１と同じ層を示している。
【０１１５】
図３は本発明における第２実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１１６】
図３は図１と異なり、フリー磁性層２９が３層構造となっている。前記フリー磁性層２９を構成する符号６１及び６３の層は磁性層であり、例えばＣｏ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉなどで形成される。前記磁性層６１，６３間にはＲｕなどで形成された中間層６２が介在し、この構成により、前記磁性層６１と前記磁性層６３の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる人工フェリ磁性状態と呼ばれる。
【０１１７】
前記磁性層６１，６３の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また中間層６２の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。
【０１１８】
なお前記磁性層６１、６３はそれぞれ単位面積当たりの磁気モーメントが異なるように、前記磁性層６１、６３の材質や膜厚はそれぞれ異なっている。前記単位面積当たりの磁気モーメントは飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔで設定され、例えば前記磁性層６１、６３を共に同じ材質で同じ組成の材料で形成するとき、前記磁性層６１、６３の膜厚を異ならせることで、前記磁性層６１、６３の磁気モーメントを異ならせることができる。これによって適切に前記磁性層６１、６３を人工フェリ磁性構造にすることが可能である。
【０１１９】
図３のように前記フリー磁性層２９を人工フェリ磁性構造とすることで、前記フリー磁性層２９を適切に単磁区化でき、バルクハウゼンノイズが少なく、再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能である。なお前記フリー磁性層２９の磁性層６１、６３のうち、磁気抵抗効果に関与するのは、非磁性中間層２８に接する磁性層６１である。
【０１２０】
この図３に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９を構成する上側の磁性層６３の両側端部６３ａ上に強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０が積層され、前記強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０間の間隔内に、バックド層５７及び鏡面反射層３０が積層されている。
【０１２１】
この図３に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９を構成する磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界を受ける。また前記磁性層６３の両側端部６３ａの磁化は、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向の一方向（図示Ｘ方向の一方向）に固定され、またもう一方の磁性層６１には、前記磁性層６３とのＲＫＫＹ相互作用が作用し、前記磁性層６１の両側端部６１ａは、前記磁性層６３の磁化方向と逆方向に固定される。
【０１２２】
これによって前記フリー磁性層２９の磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に反平行状態になって確実に固定される。
【０１２３】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度にでき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１２４】
図４は本発明における第３実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１２５】
図４に示す構造は、デュアル型のスピンバルブ型薄膜素子である。デュアル型では、フリー磁性層２９の上下に非磁性中間層２８、６４を介して固定磁性層２７、６８が形成される。
【０１２６】
図４に示す下地層２３からフリー磁性層２９までの積層構造は図１と同じであるが、図４では、前記フリー磁性層２９の上に、非磁性中間層６４が形成され、前記非磁性中間層６４の上に固定磁性層６８が形成されている。この実施形態でも前記固定磁性層６８は、下側に形成された固定磁性層２７と同様に、磁性層６５、６７にＲｕなどの非磁性の中間層６６を介した人工フェリ磁性構造となっている。また前記固定磁性層６８の上には、前記固定磁性層６８の磁化をハイト方向（図示Ｙ方向）に固定するための上側の反強磁性層６９が形成されている。
【０１２７】
図４に示す構造のデュアルスピンバルブ型薄膜素子の場合、フリー磁性層２９よりも下側に形成された固定磁性層２７のうち磁気抵抗効果に関与する磁性層５３が、例えばハイト方向（図示Ｙ方向）に固定されていた場合、前記フリー磁性層２９よりも上側に形成された固定磁性層６８のうち磁気抵抗効果に関与する磁性層６５も、ハイト方向（図示Ｙ方向）に固定される。
【０１２８】
この実施形態でも、前記電極層３２、３２間の間隔によって光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決められる。
【０１２９】
この図４に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ上には、強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０が積層され、前記フリー磁性層２９の中央部分上に、非磁性中間層６４、固定磁性層６８、反強磁性層６９が積層されている。
【０１３０】
なおこの図４に示す実施形態では、図１と同様に、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に確実に固定される。
【０１３１】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に形成でき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１３２】
図５は本発明における第４実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３３】
図５では、図４と同様にデュアル型のスピンバルブ型薄膜素子であるが、フリー磁性層２９が図３と同様に人工フェリ磁性構造である。
【０１３４】
前記フリー磁性層２９を構成する磁性層６１、６３は、互いに反平行に磁化されているが、このようにフリー磁性層２９と固定磁性層２７、６８がすべて人工フェリ磁性構造であるときは、前記フリー磁性層２９よりも下側に形成された固定磁性層２７の磁気抵抗効果に関与する磁性層５３が例えばハイト方向（図示Ｙ方向）に磁化されているとき、前記フリー磁性層２９よりも上側に形成された固定磁性層６８の磁気抵抗効果に関与する磁性層６５はハイト方向とは逆方向（図示Ｙ方向と逆方向）に磁化されている。
【０１３５】
この図５に示す実施形態でも、前記電極層３２、３２間の間隔によって光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決められる。
【０１３６】
この図５に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９の磁性層６３の両側端部６３ａ上には、強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０が積層され、前記フリー磁性層２９の中央部分上に、非磁性中間層６４、固定磁性層６８、反強磁性層６９が積層されている。
【０１３７】
なおこの図５に示す実施形態では、図３と同様に、前記フリー磁性層２９を構成する磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界を受ける。また前記磁性層６３の両側端部６３ａの磁化は、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向の一方向（図示Ｘ方向の一方向）に固定され、またもう一方の磁性層６１には、前記磁性層６３とのＲＫＫＹ相互作用が作用し、前記磁性層６１は、前記磁性層６３の磁化方向と逆方向に固定される。
【０１３８】
これによって前記フリー磁性層２９の磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に反平行状態になって確実に固定される。
【０１３９】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に形成でき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１４０】
図６は本発明における第５実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１４１】
図６に示す磁気検出素子は、トンネル型磁気抵抗効果型素子と呼ばれる構造である。
【０１４２】
符号７０は第１の電極層であり、この第１の電極層７０の上に第１の反強磁性層２６、固定磁性層２７、非磁性中間層７２、フリー磁性層２９が積層されている。
【０１４３】
トンネル型磁気抵抗効果型素子の場合、前記非磁性中間層７２は、図１ないし図５に示す非磁性中間層２８、６４と異なり、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料である。
【０１４４】
図６に示すように、前記フリー磁性層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴ３であり、この幅寸法Ｔ３は予めマイクロトラックプロファイル法などによって設定される。前記フリー磁性層２９の中央上面には、保護層３３が形成されており、前記保護層３３のトラック幅方向における幅寸法は前記フリー磁性層２９の幅寸法Ｔ３よりも小さい。これにより前記保護層３３のトラック幅方向における両側には前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａが露出する。
【０１４５】
前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａは、その上に形成された各層よりも図示Ｘ方向に延びて形成され、前記第１の反強磁性層２６の前記下側端部２６ａ上から、非磁性中間層７２までの各層の両側端面上に絶縁層５０、５０が形成されている。前記絶縁層５０の上面は、前記非磁性中間層７２の上面以上で形成されていれば良い。前記絶縁層５０は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成される。
【０１４６】
また前記絶縁層５０上にはバイアス下地層３５を介してハードバイアス層３６が形成され、前記ハードバイアス層３６は、前記フリー磁性層２９の両側端面と対向した位置で形成される。
【０１４７】
さらに前記ハードバイアス層３６上には非磁性の中間層５８が形成される。さらに前記中間層５８上から前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ上には、強磁性層５９が形成される。
【０１４８】
前記強磁性層５９上には第２の反強磁性層６０が形成されており、前記強磁性層５９との間で発生する交換異方性磁界によって前記強磁性層５９の磁化は図示Ｘ方向の一方向に固定される。
【０１４９】
図６に示す実施形態では、前記第２の反強磁性層６０の上から前記保護層３３上にかけて第２の電極層７１が形成されている。
【０１５０】
図６に示すトンネル型磁気抵抗効果型素子と図１ないし図５に示すスピンバルブ膜と構造上大きく異なる点は、フリー磁性層２９と固定磁性層２７との間に、例えばＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などで形成された絶縁性の非磁性中間層７２が形成されていることと、電極層７０，７１が、第１の反強磁性層２６から保護層３３３までの多層膜の膜面に対し、垂直方向（図示Ｚ方向）の両側に設けられていることである。
【０１５１】
トンネル型磁気抵抗効果型素子では、２つの強磁性層（フリー磁性層２９と固定磁性層２７）に電圧を印加すると、非磁性中間層７２を電流（トンネル電流）が流れ、トンネル効果が発揮される。
【０１５２】
また図６に示すように、トンネル型磁気抵抗効果型素子では、前記第１の反強磁性層２６から前記非磁性中間層７２までの多層膜の両側には、絶縁層５０が形成され、センス電流の分流を抑制している。
【０１５３】
なおこの図６に示す実施形態では、光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）は、第２の反強磁性層６０の間隔で決められ、またこの実施形態でも図１と同様に前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向に確実に固定される。
【０１５４】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度にでき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、また所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１５５】
図７は本発明における第６実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１５６】
図６との違いはフリー磁性層２９が３層の人工フェリ磁性構造となっている点のみである。
【０１５７】
符号６１及び６３はＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、Ｃｏなどの磁性層であり、前記磁性層６１、６３の間にＲｕなどの中間層６２が形成されている。
【０１５８】
前記磁性層６１，６３の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また中間層６２の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。また前記磁性層６１と磁性層６３の単位面積当たりの磁気モーメントは異なっている。
【０１５９】
この実施形態では、前記ハードバイアス層３６上の中間層５８上から前記フリー磁性層２９の磁性層６３の両側端部６３ａ上にかけて、強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０が積層形成されている。そして前記磁性層６３の上面であって、前記強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０間には保護層３３が形成されていてもよい。
【０１６０】
なおこの図７に示す実施形態では、光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）は、第２の反強磁性層６０の間隔で決められ、またこの実施形態でも図２と同様に前記フリー磁性層２９の磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界を受ける。また前記磁性層６３の両側端部６３ａの磁化は、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向の一方向（図示Ｘ方向）に固定され、またもう一方の磁性層６１には、前記磁性層６３とのＲＫＫＹ相互作用が作用し、前記磁性層６１は前記磁性層６３の磁化方向とは逆方向に固定される。
【０１６１】
これによって前記フリー磁性層２９の磁性層６１、６３の両側端部６１ａ、６３ａの磁化はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に反平行状態になって確実に固定される。
【０１６２】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度にでき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができるので、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１６３】
図８は本発明における第７実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１６４】
図８に示す磁気検出素子は、図１と同じスピンバルブ型薄膜素子であるが、構造上、いくつかの相違点がある。以下に説明する相違点は、製造方法に起因するものである。
【０１６５】
図８に示すように、Ｔａなどで形成された下地層２３の上には第１の反強磁性層２６が形成され、その上には３層の人工フェリ磁性構造の固定磁性層２７が形成されている。前記固定磁性層２７の上にはＣｕなどの非磁性中間層２８を介してフリー磁性層２９が形成されている。前記フリー磁性層２９の上にはトラック幅方向に所定の間隔（光学的なトラック幅Ｏｐｔｉ−Ｔｗと一致する）を開けて図示Ｘ方向に第２の反強磁性層６０が形成されている。
【０１６６】
この実施形態では、前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａは図示Ｘ方向に延びて形成され、前記下側端部２６ａの付け根部分から、第２の反強磁性層６０までの各層の両側端面３１、３１は、連続した傾斜面で形成されている。
【０１６７】
そして図８に示すように、図示Ｘ方向に延びた前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａ上から前記両側端面３１上にかけてバイアス下地層３５を介してハードバイアス層３６が形成されている。この実施形態では、前記ハードバイアス層３６の上面３６ａの内側縁部３６ｂは、前記第２の反強磁性層６０の上面６０ｃと接している。
【０１６８】
また図８に示すように、前記第２の反強磁性層６０上から前記ハードバイアス層３６上にかけて電極層３２が形成されている。前記ハードバイアス層３６と電極層３２間にはＴａなどの中間層が設けられていても良い。
【０１６９】
またこの実施形態では、前記第２の反強磁性層６０、前記電極層３２の図示Ｘ方向における内側端面７３が、前記第１の反強磁性層２６から離れる方向（図示Ｚ方向）に向かうにしたがって徐々に間隔が広がる傾斜面で形成されているが、前記傾斜面でなくても良く例えば湾曲面であっても良いし、あるいは図示Ｚ方向と同じ方向の垂直面であってもよい。
【０１７０】
なお前記第２の反強磁性層６０間に形成された間隔で光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決定される。
【０１７１】
またこの実施形態では図１ないし図７のように、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａと第２の反強磁性層６０間に強磁性層５９が形成されていないが、形成されていても良い。またこの実施形態では、前記強磁性層５９は、第２の反強磁性層６０、６０間の間隔内にも形成されていても良く、ただしかかる場合、前記第２の反強磁性層６０間から露出する強磁性層５９は磁気抵抗効果に関与するため、前記強磁性層５９をＮｉＦｅＸ合金などの比抵抗が高く飽和磁化の小さい磁性材料で形成する。なおこの実施形態で、前記強磁性層５９を形成しなくても良いのは後述する製造方法に起因するものである。
【０１７２】
なおこの図８に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に確実に固定される。
【０１７３】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に形成でき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１７４】
また前記フリー磁性層２９は図３と同じ３層の人工フェリ磁性構造であってもよい。
【０１７５】
図９は本発明における第８実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１７６】
図９に示す実施形態では図８と同様に、前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａは図示Ｘ方向に延びて形成され、前記下側端部２６ａの付け根部分から、固定磁性層２７、非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０までの各層の両側端面３１、３１は、連続した傾斜面で形成されている。
【０１７７】
そして図９に示すように、図示Ｘ方向に延びた前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａ上から前記両側端面３１上にかけてバイアス下地層３５を介してハードバイアス層３６が形成されている。この実施形態では、前記ハードバイアス層３６の上面３６ａの内側縁部３６ｂは、前記第２の反強磁性層６０の上面６０ｃと接している。
【０１７８】
また図９に示すように、前記第２の反強磁性層６０上から前記ハードバイアス層３６上にかけて電極層３２が形成されているが、図８と異なって、前記電極層３２は第２の反強磁性層６０の内側端面６０ａに向かうほど徐々に膜厚が薄くなる先細った形状になり、前記電極層３２の内側縁部３２ａ、３２ａは、前記第２の反強磁性層６０の内側端面６０ａよりも図示Ｘ方向に離れて形成されている。
【０１７９】
またこの実施形態では、前記第２の反強磁性層６０の内側端面６０ａが、第１の反強磁性層２６から離れる方向（図示Ｚ方向）と同じ向きの垂直面となっているが、前記内側端面６０ａが、図示Ｚ方向に向かうにしたがって徐々に間隔が広がる傾斜面や湾曲面で形成されていても良い。
【０１８０】
なお前記第２の反強磁性層６０間の下面間隔で光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決定される。
【０１８１】
またこの実施形態では図１ないし図７と同様に、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａと第２の反強磁性層６０間に強磁性層５９が形成されているが、形成されていなくても良い。また前記強磁性層５９は第２の反強磁性層６０間の間隔内にも形成されていても良く、かかる場合、前記強磁性層５９は磁気抵抗効果に関与するので、ＮｉＦｅＸ合金などの比抵抗が高く飽和磁化の小さい磁性材料で形成される。またこの実施形態で、前記強磁性層５９を形成しなくても良いのは後述する製造方法に起因するものである。
【０１８２】
なおこの図９に示す実施形態では、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に確実に固定される。
【０１８３】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に形成でき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１８４】
また前記フリー磁性層２９は図３と同じ３層の人工フェリ磁性構造であってもよい。
【０１８５】
図１０は、本発明における第９実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１８６】
この実施形態は図８の構造とよく似ているが以下の点に相違点がある。
すなわち図１０では、フリー磁性層２９の上にＲｕなどで形成された非磁性の中間層７４が形成されている。前記非磁性の中間層７４の上には所定の間隔（トラック幅Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）を開けて強磁性層５９が形成されているが、この実施形態では、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａでは、非磁性の中間層７４及び前記強磁性層５９との間で人工フェリ磁性構造を構成し、前記両側端部２９ａの単磁区化が促進され、また前記強磁性層５９間の間隔内から露出した前記非磁性の中間層７４はバックド層５７（図１を参照のこと）と同じスピンフィルター効果を発揮する。
【０１８７】
なおこの図１０に示す実施形態でも、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９とのＲＫＫＹ相互作用によって、トラック幅方向に確実に固定される。
【０１８８】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度に形成でき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１８９】
図１１は本発明における第１０実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１９０】
図１１に示す磁気検出素子（スピンバルブ型薄膜素子）の構造は図１と似た構造であるが、以下の点に相違点がある。
【０１９１】
図１１では、前記強磁性層５９、第２の反強磁性層６０、電極層３２の内側端面７３、７３は、第１の反強磁性層２６から離れる方向（図示Ｚ方向）と同じ方向の垂直面である。ただし図１のように前記内側端面７３、７３が図示Ｚ方向に向かうにしたがって徐々に間隔が広がる傾斜面、あるいは湾曲面で形成されていても良い。
【０１９２】
また前記強磁性層５９は、前記第２の反強磁性層６０間の間隔内に形成されていてもよい。かかる場合、前記第２の反強磁性層６０間から露出する前記強磁性層５９は磁気抵抗効果に関与するため、前記強磁性層５９をＮｉＦｅＸ合金などの比抵抗が高く飽和磁化の小さな磁性材料で形成する。
【０１９３】
図１１は図１と製造方法が異なることで、上記した構造上の違いが現れている。
【０１９４】
図１１に示す実施形態では、前記強磁性層５９間の下面間隔で光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決定される。
【０１９５】
なおこの図１１に示す実施形態でも、前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａ、２９ａの磁化は、ハードバイアス層３６からの縦バイアス磁界及び、第２の反強磁性層６０との間で発生した交換異方性磁界によって単磁区化された強磁性層５９との強磁性結合によって、トラック幅方向に確実に固定される。
【０１９６】
したがって、磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）と同程度にでき、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を、前記光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）の幅寸法に合わせて設定できるため、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法内に確実に収めることができ、再生波形にばらつきが無く、所定の大きさを有する再生出力を得ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１９７】
なお図１１に示すフリー磁性層２９は図２と同様の３層の人工フェリ磁性構造であってもよい。また図１０と同じように、前記フリー磁性層２９上には非磁性の中間層７４が形成されても良く、かかる場合、前記強磁性層５９とのＲＫＫＹ相互作用によって前記フリー磁性層２９の磁化の単磁区化は促進され、また前記非磁性の中間層７４の前記強磁性層５９間から露出する部分はスピンフィルター効果を発揮し得る。
【０１９８】
なお図１ないし１１に示す実施形態では、すべて第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａが図示Ｘ方向に延出形成されているが、前記第１の反強磁性層２６の全体が、その上に形成される各層との両側端面と連続面となるように前記下側端部２６ａが削り込まれていてもよい。
【０１９９】
また本発明における実施形態で、フリー磁性層２９の中央上面にバックド層５７及び鏡面反射層３０が形成されている場合、これらは形成されていなくても良い。
【０２００】
次に本発明における磁気検出素子の製造方法について説明する。図１２ないし図２３に示す工程図は、すべて磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図であり、図１２ないし図１６は、図１に示す磁気検出素子の製造工程を示している。なお随時、図３ないし図７に示す磁気検出素子の製造方法についても説明する。
【０２０１】
図１２に示す工程では基板７５上に、Ｔａなどで形成された下地層２３、第１の反強磁性層２６、Ｃｏなどで形成された磁性層５１、５３とＲｕなどで形成された非磁性の中間層５２との３層人工フェリ磁性構造で形成される固定磁性層２７、Ｃｕなどで形成された非磁性中間層２８、及びＮｉＦｅなどで形成されたフリー磁性層２９、Ｃｕなどで形成されたバックド層５７、Ｔａ−Ｏなどで形成された鏡面反射層３０を連続してスパッタ成膜する。スパッタ成膜では、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法のいずれか、またはそれらを組み合せたスパッタ法などを使用できる。なお前記鏡面反射層３０上にＴａなどからなる保護層（この保護層の表面は酸化されていることが好ましい）を形成してもよい。
【０２０２】
本発明では前記第１の反強磁性層２６を、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成することが好ましい。あるいは、前記第１の反強磁性層２６を、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成することが好ましい。
【０２０３】
前記元素Ｘの組成比、あるいは元素Ｘ＋元素Ｘ′の組成比を、例えば３７原子％以上で６３原子％以下に設定する。または前記元素Ｘの組成比、あるいは前記元素Ｘ＋元素Ｘ′の組成比を４７原子％以上で５７原子％以下に設定することが好ましい。
【０２０４】
次に第１の熱処理工程を行う。まずハイト方向（図示Ｙ方向）に第１の磁界を印加しつつ、第１の熱処理温度で熱処理し、前記第１の反強磁性層２６に交換異方性磁界を発生させる。これにより前記固定磁性層２７の磁性層５１の磁化が例えばハイト方向（図示Ｙ方向）に固定される場合、他方の磁性層５３の磁化はハイト方向と逆方向（図示Ｙ方向と逆方向）に固定される。例えば前記第１の熱処理温度を２７０℃とし、磁界の大きさを８００ｋ（Ａ／ｍ）とする。
【０２０５】
なお図３のようにフリー磁性層２９を３層人工フェリ磁性構造にするには、前記フリー磁性層２９のスパッタ成膜のときに、磁性層６１を形成した後、その上に非磁性の中間層６２を形成し、さらに前記中間層６２の上に磁性層６３を形成する。
【０２０６】
また図４、５のデュアルスピンバルブ型薄膜素子の場合には、フリー磁性層２９の上に非磁性中間層６４、３層人工フェリ磁性構造の固定磁性層６８、反強磁性層６９を連続スパッタ成膜する。
【０２０７】
また図６、７のトンネル型磁気抵抗効果型素子の場合には、基板上にまず第１の電極層７０を形成した後、前記第１の電極層７０上に第１の反強磁性層２６から保護層３３までを連続スパッタ成膜する。ただし非磁性中間層７２をＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成する。
【０２０８】
図１３に示す工程では、前記鏡面反射層３０上にリフトオフ用のレジスト層７６を形成する。なおこのとき前記レジスト層７６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における下面の幅寸法Ｔ４を、図１に示すフリー磁性層２９の上面の幅寸法Ｔ２と同程度で形成するか、あるいは若干小さ目に形成してもよい。
【０２０９】
なお、例えば前記幅寸法Ｔ４の設定は、マイクロトラックプロファイル法で求められる。マイクロトラックプロファイル法によれば、フリー磁性層２９のトラック幅方向における幅寸法がある所定値のとき、前記フリー磁性層２９の感度領域となる部分の幅と不感領域となる部分の幅を求めることができ、従って予めマイクロトラックプロファイル法によって、得たい感度領域の幅からフリー磁性層２９全体の幅寸法を求め、それに合わせて、前記レジスト層７６の下面の幅寸法Ｔ４を決定する。
【０２１０】
図１３に示す工程では、前記レジスト層７６によって覆われていない、第１の反強磁性層２６の上側端部２６ｂ、固定磁性層２７、非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、バックド層５７、鏡面反射層３０を例えば矢印Ｆ方向からのイオンミリングで除去する（図１３に示す点線部分）。
【０２１１】
これによって前記第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａの付け根部分から鏡面反射層３０までのトラック幅方向における両側端面３１、３１は連続した傾斜面となる。なお前記イオンミリングによって、前記第１の反強磁性層２６の図示Ｘ方向に延びた下側端部２６ａをすべて除去してもよい。
【０２１２】
次に図１４に示す工程では、前記第１の反強磁性層２６の図示Ｘ方向に延びた下側端部２６ａ上から前記多層膜の両側端面３１、３１上にかけてＣｒなどのバイアス下地層３５を形成した後、前記バイアス下地層３５上にＣｏＣｒＴａなどのハードバイアス層３６をスパッタ成膜する。そして前記ハードバイアス層３６上にＴａなどの非磁性の中間層５８をスパッタ成膜する。なお前記ハードバイアス層３６を、少なくとも前記フリー磁性層２９と対向する高さ位置までスパッタ成膜する。スパッタ成膜では、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法のいずれか、またはそれらを組み合せたスパッタ法などを使用できる。
【０２１３】
なお前記レジスト層７６上にもハードバイアス層３６と同じ材料のバイアス材料層３６ｃ及び中間層５８と同じ材料の非磁性材料層５８ｃが形成される。
【０２１４】
なお前記ハードバイアス層３６及び中間層５８は少なくとも、前記フリー磁性層２９と対向する位置まで形成すればよいが、この実施形態では前記中間層５８をバックド層５７及び鏡面反射層３０の両側端面にもスパッタ形成している。
【０２１５】
なお図６及び図７のトンネル型磁気抵抗効果型素子の場合には、前記第１の反強磁性層２６の図示Ｘ方向に延出した下側端部２６ａ上から絶縁層５０を形成した後、バイアス下地層３５、ハードバイアス層３６及び中間層５８を連続成膜する。
【０２１６】
なお前記絶縁層５０の上面の内側縁部５０ａは、前記フリー磁性層２９の下面以上となるように、前記絶縁層５０の膜厚を調整して形成する（図６を参照のこと）。
【０２１７】
図１５に示す工程では、一旦、前記レジスト層７６を除去した後、前記鏡面反射層３０の上にリフトオフ用のレジスト層７７を形成する。
【０２１８】
前記レジスト層７７の下面の幅寸法Ｔ５は、既にマイクロトラックプロファイル法で測定した、フリー磁性層２９の感度領域のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法と同程度、あるいはそれよりも若干小さ目とする。
【０２１９】
図１５に示す工程では、前記レジスト層７７に覆われていない、前記鏡面反射層３０及びバックド層５７を例えば矢印Ｆ方向のイオンミリングなどで除去する（点線部分）。またこのとき、前記バックド層５７を除去したことによって露出するフリー磁性層２９の両側端部２９ａの上面も若干削る。
【０２２０】
このときハードバイアス層３６上の中間層５８も若干削られるが、前記中間層５８は完全に除去されないように予め厚さ寸法及び形成位置が適切に設定されている。
【０２２１】
そして図１６に示す工程では、前記レジスト層７７を利用して、前記レジスト層７７に覆われていない、前記フリー磁性層２９上から中間層５８上にかけてＮｉＦｅＸ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｕのうちいずれか１種または２種以上）合金やＮｉＦｅ合金などで形成された強磁性層５９をスパッタ成膜し、さらに連続して第２の反強磁性層６０をスパッタ成膜する。また前記第２の反強磁性層６０上に電極層３２を形成する。なおこのとき、前記レジスト層７７の上にも強磁性層５９と同じ強磁性材料層５９ｃ、第２の反強磁性層６０と同じ反強磁性材料層６０ｄ、および電極層３２と同じ電極材料層３２ｃが形成される。
【０２２２】
なお図６及び図７に示すトンネル型磁気抵抗効果型素子の場合には、前記電極層３２を形成せず、第２の反強磁性層６０を形成した後、前記レジスト層７７を除去し、前記第２の反強磁性層６０上から保護層３３上にかけて第２の電極層７１を形成する（図６を参照のこと）。
【０２２３】
なお本発明では前記第２の反強磁性層６０を、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成することが好ましい。あるいは、前記第１の反強磁性層２６を、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成することが好ましい。
【０２２４】
このとき、前記元素Ｘの組成比、あるいは元素Ｘ＋元素Ｘ′の組成比を、例えば３７原子％以上で６３原子％以下に設定し、または前記元素Ｘの組成比、あるいは前記元素Ｘ＋元素Ｘ′の組成比を４７原子％以上で５７原子％以下に設定することが好ましい。
【０２２５】
また少なくとも前記第２の反強磁性層６０を形成した後に、第２の熱処理工程を行う。この工程では第１の印加磁界と交叉する方向、すなわちトラック幅方向（図示Ｘ方向）に、前記第１の反強磁性層２６の交換異方性磁界よりも小さい第２の磁界を印加しつつ、前記第１の反強磁性層２６のブロッキング温度よりも低い熱処理温度で処理する。
【０２２６】
この工程により、第２の反強磁性層６０には交換異方性磁界が発生し、前記強磁性層５９の磁化をトラック幅方向の一方向（図示Ｘ方向の一方向）に固定することができる。
【０２２７】
なおこの第２の熱処理工程では、第２の印加磁界は、第１の反強磁性層２６の交換異方性磁界よりも小さく、しかも熱処理温度は、前記第１の反強磁性層２６のブロッキング温度よりも低いから、前記第１の反強磁性層２６の交換異方性磁界の方向をハイト方向に向けたまま、前記第２の反強磁性層６０の交換異方性磁界をトラック幅方向に向けることができる。なお前記第１の反強磁性層２６と第２の反強磁性層６０の組成は同じであっても良いし異なっていても良い。
【０２２８】
なお第２の熱処理温度は例えば２５０℃であり、磁界の大きさは２４ｋ（Ａ／ｍ）である。また上記した組成比で形成された反強磁性層２６、６０では、４８ｋ（Ａ／ｍ）以上の交換結合磁界を得ることができ、またブロッキング温度を３８０℃程度にすることができる。
【０２２９】
また本発明では、図１２の工程時に、前記バックド層５７及び鏡面反射層３０をスパッタ成膜せず、前記フリー磁性層２９の上に直接、前記レジスト層７６を形成し、図１５工程時に若干前記フリー磁性層２９の両側端部２９ａを削った後、図１６に示す、強磁性層５９、第２の反強磁性層６０及び電極層３２の形成を行ってもよい。
【０２３０】
かかる場合、前記フリー磁性層２９上には前記バックド層５７及び鏡面反射層３０が形成されていない形態の磁気検出素子を製造することができる。
【０２３１】
図１７及び図１８に示す工程図は、図８に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図である。
【０２３２】
図１７に示す工程では、基板７５上に下地層２３、第１の反強磁性層２６、３層人工フェリ磁性構造の固定磁性層２７、非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、及び第２の反強磁性層６０をスパッタ成膜する。
【０２３３】
なお、まずフリー磁性層２９まで、あるいは固定磁性層２７までを積層形成した後、上記した第１の熱処理工程を行って、前記第１の反強磁性層２６にハイト方向の交換異方性磁界を発生させ、前記固定磁性層２７の磁性層５１、５３の磁化を、ハイト方向とハイト方向と逆方向の反平行状態に固定する。
【０２３４】
また上記の第１熱処理工程時に前記フリー磁性層２９まで成膜した場合は、一旦前記フリー磁性層２９の上面を所定膜厚削った後、前記フリー磁性層２９の上に強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０を連続成膜する。かかる場合、完成した磁気検出素子の形態は、図８のフリー磁性層２９と第２の反強磁性層６０間に強磁性層５９が介在する。
【０２３５】
あるいは固定磁性層２７まで積層して上記熱処理を行った場合には、前記固定磁性層２７の上面を若干削った後、前記固定磁性層２７上に非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、及び第２の反強磁性層６０を連続成膜する。かかる場合、強磁性層５９を形成する必要はなく、完成した磁気検出素子の形態は、図８と同じになる。
【０２３６】
前記第２の反強磁性層６０まで成膜した後、上記した第２の熱処理工程を行う。これにより前記第２の反強磁性層６０にトラック幅方向の一方向（図示Ｘ方向の一方向）の交換異方性磁界を発生させ、前記フリー磁性層２９の磁化をトラック幅方向に向ける。
【０２３７】
次に図１７に示す工程では、前記第２の反強磁性層６０の上にリフトオフ用のレジスト層８０を形成する。前記レジスト層８０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における下面の幅寸法Ｔ６は、既に説明したマイクロトラックプロファイル法によって求められたフリー磁性層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法と同程度か、あるいはそれよりもやや小さ目に形成する。
【０２３８】
そして前記レジスト層８０に覆われていない、第１の反強磁性層２６の上側端部２６ｂから第２の反強磁性層６０までの両側端部をイオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などで除去する（図１７に示す点線部分）。
【０２３９】
次に図１８に示す工程では、図１７工程時で形成された、図示Ｘ方向に延出する第１の反強磁性層２６の下側端部２６ａ上からその上に形成された各積層膜の両側端面上にかけてバイアス下地層３５を形成し、さらに前記バイアス下地層３５上にハードバイアス層３６をスパッタ成膜する。
【０２４０】
さらにスパッタ角度を、前記ハードバイアス層３６を形成していたときよりも基板７５に対し斜めに傾けて、前記ハードバイアス層３６上に電極層３２をスパッタ成膜し、このとき前記電極層３２を前記レジスト層８０の下面に形成された窪み部分８０ａ内にもスパッタ成膜する。
【０２４１】
そして前記レジスト層８０を除去し、前記電極層３２をマスクとして、前記電極層３２間から露出する、第２の反強磁性層６０をイオンミリングなどで除去する（点線部分）。これによって残された第２の反強磁性層６０間から前記フリー磁性層２９の上面を露出させる。
【０２４２】
なお、前記フリー磁性層２９と第２の反強磁性層６０間に強磁性層５９が形成された場合であるが、かかる場合、上記のイオンミリングによって前記第２の反強磁性層６０が除去されたことによって露出する前記強磁性層５９も削りフリー磁性層２９を露出させる。あるいは前記強磁性層５９がＮｉＦｅＸなどの比抵抗が高く飽和磁化の小さな磁性材料で形成された場合には、上記のイオンミリングによって前記第２の反強磁性層６０が除去されたことによって露出する前記強磁性層５９をすべて除去しなくても良く、一部を残すこともできる。これによって前記強磁性層５９をすべて除去したときに露出するフリー磁性層２９を削りすぎることは無くなり、前記強磁性層５９がイオンミリング時におけるストッパとして機能する。また残された一部の強磁性層５９もフリー磁性層２９の中央領域と同様に感度領域として機能する。
【０２４３】
なお図１８に示す工程では、前記電極層３２の内側端面３２ｂは、基板方向に向かうにしたがって徐々に間隔が狭くなる傾斜面あるいは湾曲面で形成されているので、それに追従して、残される前記第２の反強磁性層６０の内側端面６０ａも前記電極層３２の内側端面３２ｂと連続面となり、前記第２の反強磁性層６０間の間隔は前記レジスト層８０の下面の幅寸法Ｔ６よりも狭くなり、前記第２の反強磁性層６０間の下面間隔で光学的なトラック幅（Ｏｐｔｉ−Ｔｗ）が決定される。
【０２４４】
なおこの製造方法では、一つのレジスト層８０のみで磁気検出素子を製造でき、製造方法を容易化できて好ましい。
【０２４５】
また図１９に示す工程のように前記第２の反強磁性層６０上からハードバイアス層３６上にかけて形成される電極層３２の内側端面３２ｂを、第１の反強磁性層２６から離れる方向（図示Ｚ方向）と平行な垂直面で形成した場合、前記電極層３２、３２間から露出する第２の反強磁性層６０を、残される第２の反強磁性層６０の内側端面６０ａが、図示Ｚ方向に垂直な垂直面となるように除去することができる。
【０２４６】
図２０及び図２１に示す工程は図９に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図である。
【０２４７】
図２０に示す工程の前に、まず図１７及び図１８の一部の工程を利用して、基板７５上に下地層２３、第１の反強磁性層２６、固定磁性層２７、非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、強磁性層５９、第２の反強磁性層６０およびバイアス下地層３５、ハードバイアス層３６を形成する。
【０２４８】
次に図２０に示すように、前記第２の反強磁性層６０上から前記ハードバイアス層３６上にかけてレジスト層８１を形成し、前記レジスト層８１の中央部分に、前記第２の反強磁性層６０の上面にまで通じる穴部８１ａを露光現像で形成する。
【０２４９】
そして前記穴部８１ａから露出する第２の反強磁性層６０、強磁性層５９を除去し（点線部分）、前記穴部８１ａからフリー磁性層２９の上面を露出させる。
【０２５０】
次に図２１に示す工程では、前記第２の反強磁性層６０間の間隔内にレジスト層８２を形成する。図２１では前記レジスト層８２は、残された第２の反強磁性層６０の上面の一部に延出して形成されている。そして前記レジスト層８２に覆われていない、前記第２の反強磁性層６０上から前記ハードバイアス層３６上にかけて電極層３２を形成する。そして前記レジスト層８２を除去する。これにより図９に示す磁気検出素子が完成する。
【０２５１】
なお、図２１の工程において、前記レジスト層８２を、残された第２の反強磁性層６０の上面の一部に延出しないように形成した場合、前記電極層３２の内側縁部３２ａは、前記第２の反強磁性層６０の上面の内側縁部６０ｄと一致する位置に形成される。
【０２５２】
なおこの製造方法では、強磁性層５９を形成しているが、前記フリー磁性層２９と第２の反強磁性層６０とを連続成膜できるときは、前記強磁性層５９を形成しなくてもよい。
【０２５３】
また前記強磁性層５９がＮｉＦｅＸなどの比抵抗が高く飽和磁化の小さな磁性材料で形成された場合には、上記のイオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などによって前記第２の反強磁性層６０が除去されたことによって露出する前記強磁性層５９をすべて除去しなくても良く、一部を残すこともできる。これによって前記強磁性層５９をすべて除去したときに露出するフリー磁性層２９を削りすぎることは無くなり、前記強磁性層５９がイオンミリングやＲＩＥ時におけるストッパとして機能する。また残された一部の強磁性層５９もフリー磁性層２９の中央領域と同様に感度領域として機能する。
【０２５４】
なお図１０に示す磁気検出素子の製造方法であるが、図１０の構造に形成するには、図１７工程時に、フリー磁性層２９の上にＣｕやＲｕなどの非磁性の中間層７４を形成し、その上に強磁性層５９を形成する。そして図１８、図１９あるいは図２０工程時で、前記非磁性中間層７４が露出するまで、その上に形成された強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０を削れば良い。
【０２５５】
図２２及び図２３は、図１１に示す磁気検出素子の製造方法の一工程図である。
【０２５６】
図２２に示す工程よりも前段階で、図１７及び図１８の一部の工程を利用して、前記基板上に、下地層２３、第１の反強磁性層２６、固定磁性層２７、非磁性中間層２８、フリー磁性層２９、バイアス下地層３５、ハードバイアス層３６、中間層５８をスパッタ成膜する。
【０２５７】
次に図２２に示す工程では、前記フリー磁性層２９上から前記中間層５８上にかけて強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０、電極層３２を連続してスパッタ成膜する。そして第２の熱処理工程を行う。なおこの熱処理工程は次の図２３に示す工程後に行ってもよい。
【０２５８】
次に図２３に示す工程では、前記電極層３２上にレジスト層８３を形成し、前記レジスト層８３の中央部分に前記電極層３２にまで通じる穴部８３ａを形成する。
【０２５９】
そして前記穴部８３ａから露出した、電極層３２を除去し、さらに第２の反強磁性層６０、及びその下に形成された強磁性層５９を除去する。ただし前記強磁性層５９がＮｉＦｅＸ合金などの高い比抵抗を有し小さな飽和磁化を有する材料で形成されている場合、前記強磁性層５９は完全に除去されず一部残されていてもよい。これによって前記強磁性層５９をすべて除去したときに露出するフリー磁性層２９を削りすぎることは無くなり、前記強磁性層５９がイオンミリング時やＲＩＥ時におけるストッパとして機能する。また残された一部の強磁性層５９もフリー磁性層２９の中央領域と同様に感度領域として機能する。
【０２６０】
本発明では、上記した製造方法を用いることで、前記フリー磁性層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にハードバイアス層３６を形成できると共に、前記フリー磁性層２９の上面にトラック幅方向に所定の間隔を開けた強磁性層５９及び第２の反強磁性層６０を容易にしかも適切に形成することが可能である。
【０２６１】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドにのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０２６２】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、フリー磁性層のトラック幅方向の両側にバイアス層を設けることで、前記バイアス層から前記フリー磁性層に縦バイアス磁界を与えることができると同時に、前記フリー磁性層の上に形成された第２の反強磁性層との交換異方性磁界によって、前記フリー磁性層の両側端部を適切にトラック幅方向に固定することができる。
【０２６３】
これによって前記フリー磁性層の両側端部は、外部磁界によって磁化反転することがなくなり、前記フリー磁性層の中央領域の部分のみが適切に感度領域として働き磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）を所定寸法で形成することができる。
【０２６４】
したがって本発明では、前記磁気的なトラック幅（Ｍａｇ−Ｔｗ）の狭小化を図ることができると共に、良好な再生波形及び再生出力を得ることができ、今後の高記録密度化に優れた磁気再生素子を製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を備えた薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２】図１の右側部分のみを拡大した部分拡大断面図、
【図３】本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図４】本発明における第３の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図５】本発明における第４の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図６】本発明における第５の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図７】本発明における第６の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図８】本発明における第７の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図９】本発明における第８の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図１０】本発明における第９の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図１１】本発明における第１０の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図１２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１７】図８に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１９】図１８に代えて別の工程を示す一工程図、
【図２０】図９に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行われる一工程図、
【図２２】図１１に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図２３】図２２に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２４】従来における磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２５】従来における別の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２６】図２５に示す磁気検出素子の問題点を説明するためのフリー磁性層の部分模式図、
【図２７】従来における別の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２８】図２７に示す磁気検出素子の製造工程を示す一工程図、
【符号の説明】
２６  第１の反強磁性層
２７、６８  固定磁性層
２８、６４、７２  非磁性中間層
２９  フリー磁性層
３０  鏡面反射層
３２  電極層
３３  保護層
３５  バイアス下地層
３６  ハードバイアス層
５０  絶縁層
５７  バックド層
５８  中間層
５９  強磁性層
６０  第２の反強磁性層
６９  反強磁性層
７０  第１の電極層
７１  第２の電極層
７６、７７、８０、８２、８３  レジスト層
Ｍａｇ−Ｔｗ  磁気的なトラック幅
Ｏｐｔｉ−Ｔｗ  光学的なトラック幅
【図１】
0003774374.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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