(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に分離された配線と、前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と、前記配線が露出する前記絶縁性樹脂の裏面を被覆する絶縁被膜とを具備し、
少なくとも２箇所の前記配線の裏面が前記絶縁被膜から露出し、
前記配線の側面は、湾曲面であることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記配線の裏面は、前記絶縁性樹脂の裏面よりも凹んで露出することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
複数のボンディングパッドと、前記ボンディングパッド同士を接続する金属細線と、前記ボンディングパッドの裏面を露出させて前記金属細線および前記ボンディングパッドを被覆して一体に支持する絶縁性樹脂とを具備することを特徴とする回路装置。
【請求項４】
前記ボンディングパッドの側面は、湾曲面であることを特徴とする請求項３記載の回路装置。
【請求項５】
分離溝で電気的に分離された導電路と、前記導電路に電気的に接続された半導体チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電路が露出する前記絶縁性樹脂の裏面を被覆する絶縁被膜とを具備し、
前記導電路は、前記半導体チップが固着されるダイパッドと、前記半導体チップとは接続されない配線とを含み、
少なくとも２箇所の前記配線の裏面が前記絶縁被膜から露出することを特徴とする回路装置。
【請求項６】
前記導電路の裏面は、前記絶縁性樹脂の裏面よりも凹んで露出することを特徴とする請求項５記載の回路装置。
【請求項７】
前記導電路の側面は、湾曲面であることを特徴とする請求項５記載の回路装置。
【請求項８】
実装基板と、前記実装基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着された回路装置とを具備し、
前記回路装置は、電気的に分離された配線と、前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と、前記配線が露出する前記絶縁性樹脂の裏面を被覆する絶縁被膜とを具備し、少なくとも２箇所の前記配線の裏面が前記絶縁被膜から露出し、前記配線の側面は湾曲面であり、
前記回路装置の前記配線の露出部は、前記導電パターンに電気的に接続され、
前記回路装置に内蔵された前記配線により、少なくとも一つの前記導電パターンを超越して前記導電パターン同士が電気的に接続されることを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項９】
実装基板と、前記実装基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着された回路装置とを具備し、
前記回路装置は、複数のボンディングパッドと、前記ボンディングパッド同士を接続する金属細線と、前記ボンディングパッドの裏面を露出させて前記金属細線および前記ボンディングパッドを被覆して一体に支持する絶縁性樹脂とを具備し、
前記回路装置の前記ボンディングパッドの露出部は、前記導電パターンに電気的に接続され、
前記回路装置に内蔵された前記金属細線により、少なくとも一つの前記導電パターンを超越して前記導電パターン同士が電気的に接続されることを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項１０】
実装基板と、前記実装基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着された回路装置とを具備し、
前記回路装置は、分離溝で電気的に分離された導電路と、前記導電路に電気的に接続された半導体チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電路が露出する前記絶縁性樹脂の裏面を被覆する絶縁被膜とを具備し、前記導電路は、前記半導体チップが固着されるダイパッドと、前記半導体チップとは接続されない配線とを含み、少なくとも２箇所の前記配線の裏面が前記絶縁被膜から露出し、
前記回路装置の前記配線の露出部は、前記導電パターンに電気的に接続され、
前記回路装置に内蔵された前記配線により、少なくとも一つの前記導電パターンを超越して前記導電パターン同士が電気的に接続されることを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項１１】
前記回路装置は、前記実装基板の表面に固着されたヒートシンクの近傍に配置されることを特徴とする請求項８から請求項１０の何れかに記載の混成集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に金属細線によるボンディングを減らし、サイズの小さい混成集積回路装置を実現する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる混成集積回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板または金属基板の上に導電パターンが形成され、この上には、ＬＳＩまたはディスクリートＴＲ等の能動素子、チップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子が実装される。そして、前記導電パターンと前記素子が電気的に接続されて所定の機能の回路が実現されている。
【０００３】
混成集積回路装置の一例として、オーディオ回路を構成したものを図１２に示す。
【０００４】
図１２に於いて、一番外側の矩形ラインは、少なくとも表面が絶縁処理された実装基板１である。そしてこの上には、Ｃｕから成る導電パターン２が貼着されている。この導電パターン２は、外部取り出し用電極２Ａ、配線２Ｂ、ダイパッド２Ｃ、ボンディングパッド２Ｄ、受動素子３を固着する電極４等で構成されている。
【０００５】
ダイパッド２Ｃには、ＴＲ、ダイオード、複合素子またはＬＳＩ等がベアチップ状で、半田を介して固着されている。そしてこの固着されたチップ上の電極と前記ボンディングパッド２Ｄが金属細線５Ａ、５Ｂ、５Ｃを介して電気的に接続されている。この金属細線は、一般に、小信号と大信号用に分類され、小信号部は約４０μｍφから成るＡｕ線５ＡまたはＡｌ線が採用され、大信号部は約１００〜３００μｍφのＡｕ線またはＡｌ線が採用されている。特に大信号は、線径が大きいため、コストの点が考慮され、１５０μｍφのＡｌ線５Ｂ、３００μｍφのＡｌ線５Ｃが選択されている。
【０００６】
また大電流を流すパワーＴＲ６は、チップの温度上昇を防止するために、ダイパッド２Ｃ上のヒートシンク７に固着されている。
【０００７】
そして前記外部取り出し用電極２Ａ、ダイパッド２Ｃ、ボンディングパッド２Ｄ、電極４を回路とするため配線２Ｂが色々な所に延在される。また、チップの位置、配線の延在の仕方の都合で、配線同士が交差をする場合は、ジャンピング線８Ａ、８Ｂが採用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１２に於いて○で囲んだ領域は、ヒートシンク７に固着されたパワーＴＲ６と、この近傍に配置されたジャンピング線８Ｃが配置された部分であり、この部分を図１３に示した。第１のボンディングパッド９Ａと第２のボンディングパッド９Ｂをジャンピング線８Ｃで接続する所を説明したものであり、図のように、キャピラリー１０の頭部にジャンピング線８Ｃが取り付けられ、ワイヤーガイド１１からこのジャンピング線８Ｃが供給されている。
【０００９】
しかし図に示すように、セカンドボンディング時に、ワイヤーガイド１１がヒートシンク７またはパワーＴＲ６と当たるため、第２のボンディングパッド９Ｂと前記ヒートシンク７（またはダイパッド２Ｃ）の間隔を広げたり、ボンディングの順番やジャンピング線の引き出し方向に制限が加わってしまう問題もあった。
【００１０】
従って混成集積回路装置の基板の拡大を招いたり、ボンデイング工程を複雑にしてしまった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述した課題に鑑みて成され、第１に、電気的に分離された配線と、前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の二領域 が露出するように前記導電路の裏面に絶縁被膜が設けられることで解決するものである。
【００１２】
第２に、電気的に分離された配線と、前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の二領域 が他の配線の領域よりも凹んで設けられることで解決するものである。
【００１３】
第３に、電気的に分離された配線と、前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の二領域 が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設けられることで解決するものである。
【００１４】
第４に、分離溝で電気的に分離されたダイパッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、少なくとも前記配線の二領域 が露出するように絶縁被膜が設けられることで解決するものである。
【００１５】
第５に、分離溝で電気的に分離されたダイパッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の二領域 が他の配線の領域よりも凹んで設けられることで解決するものである。
【００１６】
第６に、分離溝で電気的に分離されたダイパッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の二領域 が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設けられることで解決するものである。
【００１７】
ジャンピング線として絶縁性樹脂にモールドされた半導体装置を採用するため、ワイヤーボンディングが不要となる。しかも配線の裏面だけが露出されているため、ヒートシンクやパワーＴＲに近接できる。よって混成集積回路装置の一構成である実装基板のサイズを小さくすることができる。
【００１８】
また半導体チップが内蔵された半導体装置に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けることにより、実装基板へのボンディング数、半導体チップのダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減らすことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明は、混成集積回路装置において組み立て工程を簡略化できる半導体装置に関し、特に金属細線のボンディング、半導体素子のダイボンディングを減らせる半導体装置に関するものである。
本形態では、導電路とは、回路装置に内蔵される導電部材であり、例えば、図１０（Ｂ）を参照すると、導電路は、ダイパッド１、ボンディングパッド２、３、およびそれらの右側に配置された配線を含む。
また、配線とは、回路装置に内蔵される導電路の一形態であり、図１に示すように、裏面に複数のコンタクト部２６Ａ、２６Ｂが設けられている。
更に、導電パターンは、例えば図１を参照して、実装基板２１の表面にパターニングされている。
【００２０】
一般に、混成集積回路装置は、色々な回路素子により電子回路が構成され、必要により、ＴＲチップ、ＩＣチップまたはＬＳＩチップ等の能動素子、チップコンデンサまたはチップ抵抗等の受動素子が実装されている。そしてこれらの回路素子は、実装基板上に形成された導電パターンと電気的に接続される。また回路として実現するために、導電路には、配線が設けられ、また回路素子は、ロウ材、導電ボール、半田ボール、導電ペーストまたは金属細線を介して電気的に接続されている。
【００２１】
本発明は、ジャンピング線として機能する金属細線の代わりに、パッケージされた配線を代用し、このクロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシンク（またはパワーＴＲ）の近接配置を可能としたものである。（図１を参照）
またジャンピング線を前もってパッケージしておき、クロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシンク（またはパワーＴＲ）との近接配置を可能としたものである。（図２を参照）
では、図１を参照して第１の実施の形態を説明する。太線で示した矩形は、本発明の半導体装置２０を示し、その周辺に波線で囲んだ領域が、混成集積回路装置に採用される実装基板２１である。半導体装置２０は、３本の配線２３Ａ〜２３Ｃが絶縁性樹脂２４で支持・封止されて形成されている。図３〜図７の製造方法で明らかになるが、配線２３の裏面は、絶縁性樹脂２４から露出されているため、絶縁被膜２５で半導体装置２０の裏面がカバーされている。そして符号２６で示す○の所で、前記配線２３の少なくとも一部が絶縁被膜２５から露出され、実装基板２１上の配線２７と電気的に接続されている。
【００２２】
実装基板２１の導電パターン２８Ａ〜２８Ｄが紙面に対して上下に延在されているため、絶縁被膜２５が設けられてあることによって、配線２３Ａ〜２３Ｃは、ジャンピング線として機能する。
【００２３】
尚、符号２９は、実装基板２１に設けられたダイパッドであり、符号３０は、このダイパッド２９上に固着されたヒートシンクである。更に符号３１は、ヒートシンク３０に固着されたパワーＴＲである。
【００２４】
従来は、図１３に示すように、金属細線８Ｃをボンデイングするための装置、特にキャピラリー１０やワイヤーガイド１１を採用するために、ボンディングパッド９Ｂとダイパッド２Ｃを十分に離間する必要があった。
【００２５】
しかし本発明は、ジャンピング線として機能する配線２３が絶縁性樹脂２４で封止されたパッケージを用いるため、前記したような離間距離を全く考慮に入れる必要が無くなった。
【００２６】
また配線２３Ｃのコンタクト部２６Ａ、２６Ｂは、配線の両端に位置しているが、この間に実装基板２１側の導電パターン２８が通過すれば良く、配線２３の任意の箇所に少なくとも二カ所設けられればよい。尚、配線２３Ａでは、コンタクトが３カ所に設けられている例を示した。
続いて、第２の実施の形態を図２を参照して説明する。ここでは、ジャンピング線として金属細線３２を採用したものである。ボンディングパッド３３Ａ〜３３Ｆ、ボンディングパッド３３Ａ−３３Ｂ、３３Ｃ−３３Ｄ、３３Ｅ−３３Ｆを電気的に接続する金属細線３２Ａ〜３２Ｃが絶縁性樹脂２４で埋め込まれ半導体装置２０として構成されている。
【００２７】
図１と異なり、ボンディングパッドのみが絶縁性樹脂で封止されてあるため、図１の絶縁被膜２５を採用しなくても、半導体装置の裏面には、配線２８Ａ〜２８Ｄを通過させられるメリットを有する。
半導体装置２０の製造方法の説明
次に図３〜図９を使って半導体装置２０の製造方法について説明する。
【００２８】
まず図３の如く、シート状の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉの合金から成る導電箔、Ａｌ−Ｃｕの積層体、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体等が採用される。
【００２９】
導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると３５μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。しかし３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成できればよい。
【００３０】
尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅でロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。（以上図３を参照）
続いて、少なくとも配線５１となる領域を除いた導電箔６０を、導電箔６０の厚みよりも薄く除去する工程がある。
【００３１】
まず、Ｃｕ箔６０の上に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、配線５１となる領域を除いた導電箔６０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする（以上図４を参照）。そして、前記ホトレジストＰＲを介してエッチングすればよい。
【００３２】
エッチングにより形成された分離溝６１の深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面となるため絶縁性樹脂５０との接着性が向上される。
【００３３】
またこの分離溝６１の側壁は、除去方法により異なる構造となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用できる。またプレスで形成しても良い。ウェットエッチングの場合エッチャントは、塩化第二鉄または塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔は、このエッチャントの中にディッピングされるか、このエッチャントでシャワーリングされる。ここでウェットエッチングは、一般に非異方性にエッチングされるため、側面は、図５Ｂに示すように湾曲構造になる。
【００３４】
またドライエッチングの場合は、異方性、非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわれているが、スパッタリングで除去できる。またスパッタリングの条件によって異方性、非異方性でエッチングできる。
【００３５】
またレーザでは、直接レーザ光を当てて分離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえば分離溝６１の側面はストレートに形成される。
【００３６】
尚、図５に於いて、ホトレジストＰＲの代わりにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜を選択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる特徴を有する。
【００３７】
例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆されていれば、そのまま導電路５１上のＡｇ被膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディングパッドとして活用できるメリットを有する。（以上図５を参照）
続いて、図６の如く、前記配線５１と成るＣｕ箔６０および分離溝６１に絶縁性樹脂５０を付着する工程がある。これは、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはディッピングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００３８】
本実施の形態では、導電箔６０表面に被覆された絶縁性樹脂の厚さは、約１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。
【００３９】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆するまでは、配線５１となる導電箔６０が支持基板となることである。例えばプリント基板やフレキシブルシートを採用したものでは、本来必要としない支持基板（プリント基板やフレキシブルシート）を採用して導電路を形成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔６０は、導電路として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【００４０】
また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔６０が配線５１として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔６０として一体で取り扱え、特に絶縁性樹脂をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。
【００４１】
続いて、導電箔６０の裏面を化学的および／または物理的に除き、配線５１として分離する工程がある。ここでこの除く工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【００４２】
実験では研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から絶縁性樹脂５０を露出させている。また、実装基板上の配線を下に通過させるために、裏面に絶縁被膜ＲＦを形成している。その結果、約４０μｍの厚さの導電路５１として分離される。（以上図７を参照）
また図８の様に、実装基板側の配線が通過できる深さに、配線５１の一領域が凹む構造を採用しても良い。この場合、ホトレジスト等でコンタクト部を覆い、凹み部を露出させてエッチングすればよい。
【００４３】
更には、図９の様に、配線５１のコンタクト部を絶縁性樹脂５０の裏面より突出させても良い。例えば、図６に於いて、コンタクト部に耐エッチングマスクを形成し、露出した配線をエッチングすれば、図９のような構成となる。
【００４４】
最後に、必要によって露出したコンタクト部に半田等の導電材を被着し半導体装置として完成する。
【００４５】
尚、本製造方法では、配線だけがパッケージされているが、図１０、図１１のように、半導体素子、受動素子が実装されても良い。更には本半導体装置１単位としてマトリックス状に配置しても良い。
【００４６】
そしてマトリックス状に配置した場合、導電路が分離された後に、ダイシング装置で個々に分離される。
【００４７】
以上の製造方法によって、絶縁性樹脂５０に配線５１が埋め込まれた半導体装置が実現できる。
【００４８】
本製造方法は、絶縁性樹脂５０を支持基板として活用し配線５１の分離作業ができる特徴を有する。絶縁性樹脂５０は、配線５１を埋め込む材料として必要な材料であり、不要な支持基板を必要としない。従って、最小限の材料で製造でき、コストの低減が実現できる特徴を有する。
【００４９】
次に、図２の半導体装置について簡単に説明する。前説明と実質同じであるため、図３〜図７を利用して説明する。本半導体装置では、ボンディングパッドを形成するため、図４のホトレジストＰＲは、ボンディングパッドに対応する部分に形成される。そして図５のように、ホトレジストＰＲを介してエッチングされる。この段階で、ボンディングパッド以外がハーフエッチングされる。そしてこの後に、ボンディングパッドに金属細線を接続し、図６のように絶縁性樹脂を使ってモールドする。そして図７の様に裏面のＣｕ箔を取り除き、ボンディングパッドを分離すればよい。
【００５０】
尚、図６に於いて、複数の半導体装置が絶縁性樹脂５０で一度にモールドされているが、前記分離溝６１の間隔を広げ、一つ一つを個別モールドしてもよい。
更に、図１０、図１１の様に、回路素子も一緒にモールドする場合がある。前述した説明と同様に図３〜図７を利用して説明する。本半導体装置では、ボンディングパッドの他に、配線、ダイパッド等を形成するため、図４のホトレジストＰＲは、ボンディングパッド、配線およびダイパッド等の導電路に対応する部分に形成される。そして図５のように、ホトレジストＰＲを介してエッチングされる。この段階で、ボンディングパッド、ダイパッドおよび配線以外がハーフエッチングされる。そしてこの後に、ダイパッドには半導体素子が固着され、更にはボンディングパッドに金属細線が接続される。そして図６のように絶縁性樹脂を使ってモールドし、図７の様に裏面のＣｕ箔を取り除き、導電路が分離される。
【００５１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明では、ジャンピング線として絶縁性樹脂にモールドされた半導体装置を採用するため、実装基板上でのワイヤーボンディング数を減らすことができる。またヒートシンクやパワーＴＲに近接して半導体装置を配置することが可能となる。よって混成集積回路装置の一構成である実装基板のサイズを小さくすることができる。
【００５２】
また半導体チップが内蔵された半導体装置に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けることにより、実装基板へのボンディング数、半導体チップのダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図２】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１２】従来の混成集積回路装置を説明する図である。
【図１３】従来の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
２０半導体装置
２１ 実装基板
２３ 配線
２４ 絶縁性樹脂
２５ 絶縁被膜
２６ コンタクト部
２７ 実装基板上の配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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