(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電管の発光の強度を検出する発光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制御手段と、該発光強度検出手段の出力が所定値より大きくなると、発光停止信号を前記発光制御手段へ出力し、所定値より小さくなると、発光開始信号を前記発光制御手段へ出力する発光制御信号出力手段とを備えたフラット発光可能な閃光装置において、フラット発光開始後の所定時間の間の前記発光強度検出手段の応答性を、前記所定時間経過後の前記発光強度検出手段の応答性よりも、遅くすることを特徴とするフラット発光可能な閃光装置。
【請求項２】
前記発光強度検出手段の応答性を段階的に速くすることを特徴とする請求項１記載の閃光装置。
【請求項３】
電気エネルギーを蓄えるためのコンデンサと、該コンデンサの電気エネルギーを光に変換するための放電管と、該放電管に接続されたコイルと、該放電管の発光の強度を検出する発光強度検出手段と、該発光強度検出手段の出力が所定値より小さいことが検出された場合は、該コンデンサに蓄えられた電気エネルギーを該放電管にて発光可能な状態に設定し、該発光強度検出手段の出力が所定値より大きいことが検出された場合には、該コイルに蓄えられた電気エネルギーを放電可能な状態に設定する発光制御手段とを備えたフラット発光可能な閃光装置において、フラット発光開始後の所定時間の間の前記発光強度検出手段の応答性を、前記所定時間経過後の前記発光強度検出手段の応答性よりも、遅くすることを特徴とするフラット発光可能な閃光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラット発光が可能な閃光装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フォーカルプレーンシャッタがスリット露光する場合（高速シャッタ時）でもほぼ均一な発光強度で発光を持続するフラット発光が可能な閃光装置は知られている。この種の閃光装置において、フラット発光の発光強度を検出する手段の応答性は閃光装置に固有で、フラット発光終了まで一定であった。さらにフラット発光での露光中のむらを無くす為、又はフラット発光によるプリ発光の測光の誤差を少なくする為に、フラット発光の振幅を小さくする必要があり、そのために応答性を速くする傾向にあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例の様に、発光強度を検出する手段の応答性が一定であり且つ速い状態では、主コンデンサと放電管の間に接続されたコイルを小さくすると、図８の発光波形ｂに示す様に、フラット発光開始直後にて発光制御手段のオン，オフの周期が異常に速くなるなど不安定な発光を起こしてしまうという問題があった（尚、ａは正常なフラット発光時の波形）。つまり、フラット発光を安定させるために主コンデンサと放電管の間に接続されたコイルをある程度大きくしなければならないと言う問題があった。
【０００４】
（発明の目的）本発明の目的は、常に安定したフラット発光を行うことができ、かつ、露光むら、測光誤差を起こすことを防止することのできる閃光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、放電管の発光の強度を検出する発光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制御手段と、該発光強度検出手段の出力が所定値より大きくなると、発光停止信号を前記発光制御手段へ出力し、所定値より小さくなると、発光開始信号を前記発光制御手段へ出力する発光制御信号出力手段とを備えたフラット発光可能な閃光装置において、フラット発光開始後の所定時間の間の前記発光強度検出手段の応答性を、前記所定時間経過後の前記発光強度検出手段の応答性よりも、遅くするようにしている。
【０００８】
同様に上記目的を達成するために、本発明は、電気エネルギーを蓄えるためのコンデンサと、該コンデンサの電気エネルギーを光に変換するための放電管と、該放電管に接続されたコイルと、該放電管の発光の強度を検出する発光強度検出手段と、該発光強度検出手段の出力が所定値より小さいことが検出された場合は、該コンデンサに蓄えられた電気エネルギーを該放電管にて発光可能な状態に設定し、該発光強度検出手段の出力が所定値より大きいことが検出された場合には、該コイルに蓄えられた電気エネルギーを放電可能な状態に設定する発光制御手段とを備えたフラット発光可能な閃光装置において、フラット発光開始後の所定時間の間の前記発光強度検出手段の応答性を、前記所定時間経過後の前記発光強度検出手段の応答性よりも、遅くするようにしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の実施の第１の形態に係る閃光装置の要部構成を示すブロック図であり、同図において、１０１は電源であるところの電池、１０２は電池１０１の電圧を昇圧する既存の昇圧手段、１０３は前記昇圧手段１０２によって昇圧された電気エネルギーを蓄える為の主コンデンサ、１０４は後述するマイクロコンピュータ１１１の出力端子ＴＲＩＧからの信号により放電管１０５を励起状態にさせる既存のトリガ手段、１０５は前記主コンデンサ１０３の電気エネルギーを光に変換する放電管、１０６は前記主コンデンサ１０３と放電管１０５の陽極の間に接続されるコイルである。１０７はダイオードであり、アノードは前記放電管１０５の陰極に、カソードは前記主コンデンサ１０３の高電位側に、それぞれ接続されている。
【００１２】
１０８は前記放電管１０５の陰極側とグランド間に接続され、放電管１０５の発光を制御する既存の発光制御手段、１１１は前述のトリガ回路１０４等の各種の回路の動作を制御するマイクロコンピュータ、１０９は前記マイクロコンピュータ１１１の出力端Ｄ／Ａ＿ＯＵＴからの信号を入力とするＤ／Ａコンバータである。１１０は前記放電管１０５の発光の強度を電圧出力に変換する発光強度検出手段であり、前記マイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ出力端子からのハイレベルの信号が入力されることにより応答性を遅くする事が可能な構成になっている。１１２はコンパレータであり、その非反転入力端子には前記Ｄ／Ａコンバータ１０９からの信号が、又反転入力端子には前記発光強度検出手段１１０からの信号が、それぞれ入力する。又、出力は発光制御手段１０８に入力される。
【００１３】
ここで、前記マイクロコンピュータ１１１、Ｄ／Ａコンバータ１０９及びコンパレータ１１２で発光制御信号出力手段を構成している。
【００１４】
図２は、図１に示した発光強度検出手段１１０の詳細を示す回路図である。
【００１５】
同図において、２０１は図１のマイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ出力端子に接続されている入力端子、２０２は後述のトランジスタ２０４のベースに接続された抵抗、２０３は後述のトランジスタ２０４のベース・エミッタ間に接続された抵抗である。２０４はトランジスタであり、コレクタはコンデンサ２０５に、エミッタはグランドに、それぞれ接続される。２０５はコンデンサで、前記トランジスタ２０４のコレクタと接続された以外の端子は後述のフォトダイオード２０６と抵抗２０８の接続点に接続される。２０６はフォトダイオード（フォトトランジスタ等の光電素子であっても良い）であり、カソードは電源と、アノードは抵抗２０８を介してグランドに、それぞれ接続される。２０７はこの発光強度検出手段１１０の出力端子であり、図１のコンパレータ１１２の反転入力端子に接続されている。
【００１６】
上記構成において、フォトダイオード２０６が図１の放電管１０５からの光を受けると、その発光の強度に応じて該フォトダイオード２０６に光電流が生じ、この光電流はフォトダイオード２０６→抵抗２０８→グランドへと流れ、該光電流に応じて抵抗２０８に電圧が発生し、これがコンパレータ１１２の反転入力端子に入力される。
【００１７】
また、図１のマイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ出力端子からハイレベルの信号が入力されると、トランジスタ２０４がオンし、抵抗２０８と並列にコンデンサ２０５が接続された状態になるので、該発光強度検出手段１１０の応答性を遅くすることが可能になる。
【００１８】
以下に、フラット発光時の制御について、図３の波形を用いて説明する。
【００１９】
昇圧手段１０２により主コンデンサ１０３が充電されているとする。マイクロコンピュータ１１１は、図示されていないカメラ、又は図示されていない設定手段にて設定されたフラット発光の波高強度に応じた値をＤ／Ａ＿ＯＵＴ出力端子からＤ／Ａコンバータ１０９へ出力する。該Ｄ／Ａコンバータ１０９は指示されたＤ／Ａ出力をコンパレータ１１２に出力する。
【００２０】
この時は未だ発光前なので、「設定されたＤ／Ａコンバータ１０９の出力＞発光強度検出手段１１０の出力」という関係にあるので、コンパレータ１１２の出力はハイレベルの状態である。従って、発光制御手段１０８は主コンデンサ１０３の高電位側→コイル１０６→放電管１０５→発光制御手段１０８→主コンデンサ１０３の低電位側の放電経路を形成し、発光可能状態となる。
【００２１】
この状態において、マイクロコンピュータ１１１がＴＲＩＧ端子をハイレベルにすると、トリガ手段１０４は放電管１０５に高電圧を与える。これにより、放電管１０５が発光を開始し、この発光開始後、前記放電管１０５の光を受けて発光強度検出手段１１０は発光の強度に応じて電圧をコンパレータ１１２へ出力する。そして、「設定されたＤ／Ａコンバータ１０９の出力＜発光強度検出手段１１０の出力」の関係になると、その時点（図３のＴ１）でコンパレータ１１２の出力はハイレベルからローレベルに反転し、前記発光制御手段１０８は発光停止状態となる（図３の出力ｂ参照）。
【００２２】
上記の様に発光停止状態となると、コイル１０６に溜ったエネルギーが放電管１０５→ダイオード１０７の経路で放電されるので、該放電管１０５の発光の強度は、発光制御手段１１０が発光停止状態になってから少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下がり、「設定されたＤ／Ａコンバータ１０９の出力＞発光強度検出手段１１０の出力」の関係になると（図３のＴ２）、再びコンパレータ１１２の出力はローレベルからハイレベルになり、発光制御手段１０８は再び発光可能状態になり、図３に示す様に発光の強度も上がり始める。
【００２３】
以上を繰り返し、フラット発光を持続する。
【００２４】
次に、発光強度検出手段１１０の制御について、図４の波形を用いて説明する。
【００２５】
発光開始から所定時間までは、マイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ端子を図４の出力ｅに示す様にＴ３からＴ４の間、ハイレベルにしておくことにより、図２のトランジスタ２０４がオンし、この間、抵抗２０８と並列にコンデンサ２０５を接続した状態となるので、トランジスタ２０４がオフしている状態より発光強度検出手段１１０は応答性が遅くなる。
【００２６】
この発光強度検出手段１１０の応答性を遅くした状態では、図４の放電管１０５の発光波形ａに対して発光強度検出手段１１０の出力ｂが遅れるため、振幅の大きなフラット発光を行う。
【００２７】
その後、マイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ端子をローレベルにすると（図４のＴ４以降）、図２のトランジスタ２０４はオフし、抵抗２０８と並列に接続されていたコンデンサ２０５が無くなった状態になるので、発光強度検出手段１１０の応答性は速くなる。従って、図４のＴ４以降は振幅の小さいフラット発光を行うことになる（図４の発光波形ａ参照）。
【００２８】
（実施の第２の形態）
図５は本発明の実施の第２の形態に係る閃光装置の要部構成を示すブロック図であり、ここでは図１の実施の第１の形態における閃光装置との差異について説明する。
【００２９】
同図において、コンパレータ４１２の非反転入力端子には基準電源Ｖｒｅｆは入力され、反転入力端子には発光強度検出手段４１０からの信号が入力される。４１１はマイクロコンピュータで、ＣＮＴＬ出力端子からの信号は発光強度検出手段４１０の応答性を制御する為の入力として用いられる。その他の構成は図１と同様である。尚、この実施の第２の形態においては、コンパレータ４１２が発光制御信号出力手段を構成している。
【００３０】
図６は、図５に示した発光強度検出手段４１０の詳細を示す回路図である。
【００３１】
５０６は図５の放電管４０５からの光を受けるフォトダイオードであり、カソードは電源に、アノードは抵抗５０８ａ〜５０８ｄとトランジスタ５１２ａ〜５１２ｄを介してグランドに接続される。５０７は、前記フォトダイオード５０６のアノードと抵抗５０８ａ〜５０８ｄの接続点に接続された出力端子であり、ここから図５のコンパレータ４１２の反転入力端子へ該発光強度検出手段４１０の出力を送出する。５０９ａ〜５０９ｄはそれぞれ図５のマイクロコンピュータ４１１の出力端子ＯＵＴ＿Ａ〜ＯＵＴ＿Ｄに接続された入力端子であり、これら入力端子にマイクロコンピュータ４１１よりハイレベルの信号が入力されると、抵抗５１０ａ〜５１０ｄ，５１１ａ〜５１１ｄを介してトランジスタ５１２ａ〜５１２ｄがそれぞれオンすることになる。
【００３２】
５０１はマイクロコンピュータ４１１のＣＮＴＬ端子からの信号が入力される入力端子であり、ここにハイレベル信号が入力されると、抵抗５０２，５０３を介してトランジスタ５０４がオンし、該発光強度検出手段４１０の応答性を遅くすることになる。
【００３３】
次に、フラット発光時の制御について説明する。
【００３４】
上記実施の第１の形態との差異は、マイクロコンピュータ４１１は、図示されていないカメラ、又は図示されていない設定手段にて設定されたフラット発光の強度に応じた値をＯＵＴ＿Ａ〜ＯＵＴ＿Ｄ出力端子より発光強度検出手段４１０に出力する。これにより、マイクロコンピュータ４１１のＯＵＴ＿Ａ〜ＯＵＴ＿Ｄ出力端子からの出力に応じてトランジスタ５１２ａ〜５１２ｄがオンし、フォトダイオード５０６のアノードにはオンしたトランジスタ５１２ａ〜５１２ｄに対応した抵抗５０８ａ〜５０８ｄの合成抵抗が接続された状態となる。フォトダイオード５０６は放電管４０５の発光を受けると光電流を生成するが、この光電流は前記合成抵抗５０８ａ〜５０８ｄに流れ、電圧出力となってコンパレータ４１２の反転入力へと出力される。
【００３５】
この時点では未だ発光前なので、「コンパレータ４１２の非反転入力端子の基準電圧＞発光強度検出手段４１０の出力」の関係にあるので、コンパレータ４１２の出力はハイレベルである。従って、発光制御手段４０８は主コンデンサ４０３の高電位側→コイル４０６→放電管４０５→発光制御手段４０８→主コンデンサ４０３の低電位側の放電経路を形成し、発光可能状態となる。
【００３６】
この状態で、マイクロコンピュータ４１１がＴＲＩＧ端子をハイレベルにすると、トリガ手段４０４は放電管４０５に高電圧を与える。これにより、放電管４０５は発光を開始し、この発光開始後、該放電管４０５の光を受けて発光強度検出手段４１０は発光の強度に応じて出力し、「コンパレータ４１２の非反転入力端子の基準電圧＜発光強度検出手段の出力」の関係となった時点で、コンパレータ４１２の出力はハイレベルからローレベルとなり、発光制御手段４０８は発光停止状態となる。
【００３７】
上記の様に発光停止状態となると、コイル４０６に溜ったエネルギーが放電管４０５→ダイオード４０７の経路で放電されるので、該放電管４０５の発光の強度は発光制御手段４０８が発光停止状態になってから少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下がり、「コンパレータ４１２の非反転入力端子の基準電圧＞発光強度検出手段の出力」の関係になると、再びコンパレータ４１２の出力はローレベルからハイレベルになり、発光制御手段４０８は発光可能状態になり、発光の強度も上がり始める。
【００３８】
以上を繰り返し、フラット発光を持続する。
【００３９】
発光強度検出手段４１０の応答性の制御に関しては、上記実施の第１の形態と同じである。
【００４０】
（実施の第３の形態）
図７は本発明の実施の第３の形態に係る発光強度検出手段６１０の詳細な構成を示す回路図である。尚、この実施の第３の形態における閃光装置の構成は、図１のマイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ端子が４本（但し、４本以上であっても良い）以外は図１と同じであるので、その詳細は省略する。
【００４１】
３０６は放電管１０５の光を受けるフォトダイオードであり、カソードは電源と、アノードは抵抗３０８と、それぞれ接続されている。３０７は発光の強度に応じた電圧をコンパレータ１１２の反転入力端子へ出力する出力端子である。３０１ａ〜３０１ｄはマイクロコンピュータ１１１のＣＮＴＬ端子と接続された入力端子であり、ここにハイレベルの信号が入力されると、それぞれ抵抗３０２ａ〜３０２ｄ，３０３ａ〜３０３ｄを介してトランジスタ３０４ａ〜３０４ｄがオンし、抵抗３０８と並列にコンデンサ３０５ａ〜３０５ｄを接続する構成となっている。この様な構成により、図７では発光強度検出手段６１０の応答性を１６段階に制御する事が可能になる。
【００４２】
尚、フラット発光開始からマイクロコンピュータ１１１はＣＮＴＬ端子ａ〜ｄ（入力端子３０１ａ〜３０１ｄと接続される端子）のハイレベル，ローレベルを切り替えていくことにより、段階的に該発光強度検出手段６１０の応答性を可変する事が可能になる。
【００４３】
（実施の第４の形態）
この実施の第４の形態における閃光装置の構成は、上記実施の第３の形態と同様であるの、ここではその図示は省略する。
【００４４】
この実施の第４の形態においては、マイクロコンピュータ１１１は、図示されていないカメラ、又は図示されていない設定手段にて設定されたフラット発光強度に対応した値をＤ／Ａコンバータ１０９に出力する。設定手段等にて設定されたフラット発光強度に対応したＣＮＴＬ端子ａ〜ｄのハイレベル，ローレベルを切り替えることにより、発光強度検出手段の応答性を可変する事が可能になる。他の動作は、上記実施の第３の形態と同様である。
【００４５】
以上の実施の各形態によれば、発光開始から所定時間まではマイクロコンピュータのＣＮＴＬ端子をハイレベルにしておくことにより、発光強度検出手段の応答性を遅くする事が可能になる。これにより、主コンデンサと放電管の間に接続されたコイルを小さくした場合でも、フラット発光開始初期における発光制御手段のオン，オフの周期が異常に速くなるなど、不安定な発光を起こしてしまうという問題を回避する事が可能である。
【００４６】
また、所定時間後はマイクロコンピュータのＣＮＴＬ端子をローレベルにする事により、発光強度検出手段の出力は応答性を速くすることが可能になる。これにより、フラット発光の振幅が小さくなり、フラット発光での露光中のむらを無くし、さらにフラット発光によるプリ発光の測光の誤差を少なくすることが可能になる。
【００４７】
また、実施の第３の形態の様に、発光強度検出手段の応答性の制御を段階的に速くしていくことにより、比較的長い時間、発光強度検出手段の応答性を遅くしなければならない状態でも、露光中のむらを目立たなくする事が可能になる。
【００４８】
さらに、実施の第４の形態の様に、設定されたフラット発光の発光強度に応じて発光強度検出手段の応答性を可変することにより、発光制御手段のオン，オフの周期が異常に速くなるなど不安定な発光を起こしてしまう様な発光強度に設定した場合のみ、発光強度検出手段の応答性を遅くすることが可能なる。
【００４９】
（変形例）
本発明は、以上の実施の各形態、又はそれらの技術を適当に組み合わせた構成にしてもよい。
【００５０】
また、本発明は、上記の実施の各形態の構成に限定されるものではなく、請求項で示した機能、又は実施の形態がもつ機能が達成できる構成であればどのようなものであってもよいことは言うまでもない。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フラット発光開始後の発光が不安定になり易い所定の時間帯において、発光強度検出手段の応答性を遅くするようにして、実際の放電管の発光は振幅の大きなフラット発光とし、発光制御手段のオン，オフの周期が短くならないようにしている。一方、不安定になり易い領域は実験的に短い期間ということが確認されており、所定の時間帯が経過した後では今まで通り、応答性を速くするようにしている為、常に安定したフラット発光を行うことができ、かつ、露光むら、測光誤差を起こすことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る閃光装置の要部構成を示すブロック図である。
【図２】図１の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施の第１の形態に係る閃光装置のフラット発光時における各部の波形を示す図である。
【図４】図１の発光強度検出手段の制御時における各部の波形を示す図である。
【図５】本発明の実施の第２の形態に係る閃光装置の要部構成を示すブロック図である。
【図６】図５の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回路図である。
【図７】本発明の実施の第３及び第４の形態に係る閃光装置の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回路図である。
【図８】従来の閃光装置の放電管の発光波形及び発光強度検出手段の出力波形を示す図である。
【符号の説明】
１０３，４０３    主コンデンサ
１０４，４０４    トリガ手段
１０５，４０５    放電管
１０６，４０６    コイル
１０７，４０７    ダイオード
１０８，４０８    発光制御手段
１０９，４０９    Ｄ／Ａコンバータ
１１０，４１０    発光強度検出手段
１１１，４１１    マイクロコンピュータ
６１０            発光強度検出手段
【図１】
0003774513.tif 000002
【図２】
0003774513.tif 000003
【図３】
0003774513.tif 000004
【図４】
0003774513.tif 000005
【図５】
0003774513.tif 000006
【図６】
0003774513.tif 000007
【図７】
0003774513.tif 000008
【図８】
0003774513.tif 000009