(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、この基体によって支持されるように積層して形成された書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具えた複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが、
第１の膜厚を有する第１の磁性層と、
この第１の磁性層の表面の一部分に、第１の磁性層をシード層とする電気メッキにより、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有するように形成され、第１の磁性層の表面に対して段差をするように設けられた第２の磁性層と、
前記第１の磁性層の表面および前記段差を構成する第２の磁性層の側面に設けられた第１の絶縁層と、
前記第２の磁性層の、前記第１の絶縁層によって覆われていない表面から前記段差を越えて前記第１の絶縁層の表面に亘って延在するように配設されたシールドギャップ層と、
このシールドギャップ層の、前記第２の磁性層と重なる部分に埋設して配設された磁気抵抗素子と、
前記シールドギャップ層の、前記基体とは反対側の表面に、前記段差と対応する段差を構成するように配設された第３の磁性層と、
を具え、前記誘導型薄膜磁気ヘッドが、
前記第３の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設され、絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルと、
前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分から前記薄膜コイルを支持する第２の絶縁層の表面に亘って配設されたライトギャップ層と、
このライトギャップ層を覆うように配設された第４の磁性層と、
を具えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記薄膜コイルを２層構造とし、第１層目の薄膜コイルを絶縁分離した状態で支持する絶縁層の表面を、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と同一平坦面とし、第２層目の薄膜コイルをこの平坦面の上に形成したことを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記薄膜コイルを２層構造とし、第１層目の薄膜コイルを、その高さの半分以下が、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面から突出するように形成し、第２層目の薄膜コイルを第１層目の薄膜コイルの上に形成したことを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記２層構造の薄膜コイルの第２層目の薄膜コイルを、その一部分が、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と重なるように形成したことを特徴とする請求項２および３の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体表面に第１の磁性層をスパッタ法によって形成する工程と、
この第１の磁性層をシード層として用いる電気メッキにより、第１の磁性層の表面の、少なくとも後に磁気抵抗層を形成すべき部分を含む一部分の上に、前記第１の磁性層よりも厚い第２の磁性層を選択的に形成する工程と、
前記第１の磁性層の表面および段差を構成する前記第２の磁性層の側面に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の磁性層の表面から前記段差を越えて前記第１の絶縁層の表面に亘って延在し、前記第２の磁性層と重なる部分に磁気抵抗層を埋設したシールドギャップ層を形成する工程と、
このシールドギャップ層の、前記第２の磁性層と重なる部分から前記段差を越えて延在するように第３の磁性層を形成する工程と、
この第３の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設された薄膜コイルを、第２の絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルを形成する工程と、
前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面および前記薄膜コイルを支持する第２の絶縁層の表面上にライトギャップ層を形成する工程と、
このライトギャップ層上に第４の磁性層を形成する工程と、
を具えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記薄膜コイルを２層構造とし、第１層目の薄膜コイルを、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と同一平坦面となるように形成した後、その平坦面上に第２層目の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項５に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記薄膜コイルを２層構造とし、第１層目の薄膜コイルを、その高さの半分以下が、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面から突出するように形成した後、その上に第２層目の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記２層構造の薄膜コイルの第２層目の薄膜コイルを、その一部分が、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と重なるように形成することを特徴とする請求項６および７の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体上に、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上が求められている。
薄膜磁気ヘッドは、書き込みを目的とする記録ヘッドと読み出しを目的とする再生ヘッドを積層した構造になっているが、再生ヘッドの性能向上に関しては、磁気抵抗素子が広く用いられている。このような磁気抵抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも開発されている。
本明細書では、これらＡＭＲ素子およびＧＭＲ素子を総称して磁気抵抗再生素子またはＭＲ再生素子と称することにする。
【０００３】
ＡＭＲ素子を使用することにより、数ギガビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密度を上げることができる。このように面記録密度を高くすることによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきている。
このような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( ＭＲ Height ：ＭＲハイト) がある。このＭＲハイトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって所望のＭＲハイトを得るようにしている。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリング面におけるライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００５】
書込用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定される。
したがって、薄膜磁気記録・再生複合ヘッドの性能を向上させるためには、記録ヘッドの特性のみを改善したり、再生ヘッドの特性のみを改善するよりも、これら記録ヘッドおよび再生ヘッドの特性をバランスさせることがきわめて重要である。
【０００６】
図１〜12は従来の標準的な薄膜磁気ヘッドの製造方法における順次の工程および完成した従来の薄膜磁気ヘッドを示すものであり、この薄膜磁気ヘッドは誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用のMR再生素子とを積層した複合型のものである。
先ず、図１に示すように、例えばアルティック(AlTiC) より成る基板１１上にアルミナ絶縁層１２を約５〜１０μm の厚さに堆積する。次に、図２に示すように、読取用ヘッドのＭＲ素子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部シールド磁性層１３を３μm の膜厚で形成した後、図３に示すようにアルミナを１００〜１５０ｎｍの膜厚にスパッタ堆積させて絶縁層１４を形成する。
【０００７】
図３に示すように、この絶縁層１４の上にMR再生素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成る磁気抵抗層１５を数十nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とする。次に、図４に示すように、アルミナ絶縁膜１４と同様のアルミナ絶縁層１６を１００〜１５０ｎｍの膜厚で形成し、さらにその上にパーマロイより成る磁性層１７を３〜４μm の膜厚に形成した様子を図５に示す。この磁性層１７は上述した下部シールド磁性層１３とともにMR再生素子を磁気遮蔽する上部シールド磁性層の機能を有するとともに書込用薄膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するものである。ここでは説明の便宜上この磁性層１７を書込用磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目して第１の磁性層と称することにする。
次に、図６に示すように、第１の磁性層１７の上に非磁性材料、例えばアルミナより成るギャップ層１８を１５０〜３００ｎｍの膜厚に形成し、さらにこのギャップ層の上に電気絶縁性のフォトレジスト層１９を高精度のマスクアライメントで所定のパターンに形成し、さらにこのフォトレジスト層の上に、例えば銅より成る第１層目の薄膜コイル２０を形成する。
【０００８】
次に、図７に示すように、第１層目の薄膜コイル２０の上に、高精度のマスクアライメントを行って絶縁性のフォトレジスト層２１を形成した後、その上面を平坦とするために、例えば２５０°Ｃでベークする。さらに、このフォトレジスト層２１の平坦とした表面の上に第２層目の薄膜コイル２２を形成し、この第２層目の薄膜コイルの上に高精度マスクアライメントでフォトレジスト層２３を形成した後、再度薄膜コイル２２の上の表面を平坦とするために、例えば２５０°Ｃでベークした状態を図８に示す。上述したように、フォトレジスト層１９，２１および２３を高精度のマスクアライメントで形成する理由は、後述するようにフォトレジスト層のエッジを位置の基準としてスロートハイトＴＨやMRハイトを規定しているためである。
【０００９】
次に、図９に示すように、ギャップ層１８およびフォトレジスト層１９, ２１および２３の上に、例えばパーマロイより成る第２の磁性層２４を３〜４μm の膜厚で所望のパターンにしたがって選択的に形成する。この第２の磁性層２４は磁気抵抗層１５を形成した側から離れた位置において第１の磁性層１７と接触し、第１および第２の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル２０, ２２が通り抜けるようにしている。この第２の磁性層２４はトラック幅を規定する所望の形状およびサイズの磁極部分を有している。さらに、第２の磁性層２４およびギャップ層１８の露出表面の上にアルミナより成るオーバーコート層２５を堆積する。
【００１０】
最後に、磁気抵抗層１５を形成した側面２６を研磨して磁気記録媒体と対向するエアベアリング面(Air Bearing Surface:ABS) ２７を形成した様子を図１０に示す。このエアベアリング面２７の形成過程において磁気抵抗層１５も研磨され、MR再生素子２８が得られる。このようにして上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトが決定される。
【００１１】
図１０、１１および１２は、上述したようにして製造された従来の複合型薄膜磁気ヘッドを、オーバーコート層２５を省いて示すそれぞれ断面図、正面図および平面図である。なお、図１１においては、ＭＲ再生素子２８に対する電気的な接続を行なうための導電層２９，３０がアルミナ絶縁層１４および１６の間に介挿されている。また、図１２に示す平面図においては、図面を簡単とするために薄膜コイル２２を同心状に示した。図１０に明瞭に示すように、薄膜コイル２０, ２２を絶縁分離するフォトレジスト層１９, ２１, ２３の側面の角部を結ぶ線分Ｓと第２の磁性層２４の上面との成す角度(Apex Angle:アペックスアングル) θも上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトとともに薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。また、図１２の平面図に示すように、第２の磁性層２４の磁極部分２４ａの幅Ｗは狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭くする必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、きわめて高い面記録密度を実現するために上述したＭＲ膜１５としてスピンバルブＧＭＲ膜、超格子ＧＭＲ膜或いはグラニュラＧＭＲ膜を用いることが提案されている。また、その再生感度を向上するために、ＭＲハイトを小さくするようにしている。
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、再生時の自己発熱による再生特性の劣化であるサーマルアスピリティが問題となってくる。このサーマルアスピリティの問題を解決する方法として、従来は冷却効率の高い材料で下部シールド磁性層１３やシールドギャップ層１４，１６を形成することが提案されている。このために、下部シールド磁性層１３としてパーマロイやセンダストなどの磁性材料が用いられ、シールドギャップ層１４，１６としてはアルミナ絶縁層が用いられている。このシールドギャップ層１４，１６は、一般にアルミナを１００〜１５０ｎｍの膜厚でスパッタリングして形成している。
【００１３】
しかしながら、上述したようにサーマルアスピリティの問題を克服するためには、シールドギャップ層１４，１６の膜厚を、例えば５０〜１００ｎｍ程度ときわめて薄くする必要がある。このようにシールドギャップ層１４，１６を薄くすると、ピンホールやパーティクルなどの微小な欠陥によってＭＲ素子２８と下部シールド層１３および上部シールド層１７との間の電気的絶縁特性や磁気的遮蔽特性が劣化するとともに、導電層２９，３０と下部シールド層１３および上部シールド層１７との間に電気的な絶縁不良が発生するので、シールドギャップ層１４，１６の膜厚を余り薄くすることはできない。
【００１４】
一方、特開平６−３３４２３７号公報には、ＭＲ素子に接続された導電層と、シールド層との間の絶縁不良を解消するために、下部シールド層上に形成されたシールドギャップ層のＭＲ素子を形成した部分以外の部分の膜厚を薄くし、この膜厚を薄くした部分にバックフィル絶縁層を埋設し、このバックフィル絶縁層の上にＭＲ素子に接続された導電層を形成したものが開示されている。このような構造によれば、導電層と下部シールド層との間の絶縁不良を解消することができる。しかしながら、このような構造では、ＭＲ素子直下のシールドギャップ層の膜厚は非常に厚くなり、上述したサーマルアスピリティの問題が生じ、再生特性の劣化が生じる欠点がある。
【００１５】
また、特開平９−９１６３２号公報には、複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドから読み取り用のＭＲヘッドの下部シールド層への磁束の漏れを防止するために、ＭＲ素子直下にのみ下部シールド層を形成し、それ以外の部分を絶縁層で埋めた構造が開示されている。このような構造によれば、ＭＲ素子に接続された導電層と下部シールド層との間には絶縁層が介在するので、下部シールドギャップ層の膜厚を薄くしても導電層と下部シールド層との間に絶縁不良が発生する恐れはない。しかしながら、下部シールド層がＭＲ素子の直下にしか存在していないので、磁気的遮蔽効果が悪く、外部磁界によってＭＲ素子が大きく影響され、再生特性の劣化が生じる欠点がある。
【００１６】
さらに誘導型薄膜磁気ヘッドにおいては、上述したように第２の磁性層２４の磁極部分２４ａの幅Ｗがヘッドの特性を決定するファクタとなっている。特に、面記録密度を向上するには、この磁極部分２４ａの巾Ｗを１μm 程度以下とすることが望まれている。
ここで、上述した従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、第２の磁性層２４を形成するに際しては、高さが８〜１０μm に達する薄膜コイルの絶縁層１９，２１，２３の上に選択的なメッキを行なうためのフォトレジスト層を３〜４μm の膜厚で塗布している。ここで、このフォトレジスト層の膜厚は薄膜コイルの上部において３〜４μm 程度必要であるとすると、下部、すなわちライトギャップ層１８の部分では８〜１０μm 程度の膜厚で塗布されることになる。
一方、第２の磁性層２４の磁性膜部分２４ａの巾Ｗをおよそ１μm とすると、膜厚が８〜１０μm 程度のフォトレジスト層に１μm 程度のパターンを形成する必要があるが、このような微細加工は非常に難しいく、磁極部分２４ａの巾Ｗを１μm 程度以下とすることは難しいという問題がある。
【００１７】
さらに、第２の磁性層２４を電気メッキ法によって形成するには、絶縁層１９，２１，２３全体に薄いパーマロイ電極膜をスパッタにより形成しているので、フォトリソグラフィの露光時にこの電極膜による反射が生じ、第２の磁性層２４の磁極２４ａを正確なパターンに形成ができない問題もある。
【００１８】
本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、サーマルアスピリティの問題を解決するために、磁気シールド層の膜厚を薄くすることができるにも拘らず、ＭＲ素子に対する磁気的遮蔽特性を良好とすることができ、しかも誘導型薄膜磁気ヘッドの第２の磁性層の磁極部分の巾を狭くすることができる複合型薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである。
【００１９】
本発明の他の目的は、上述したように、シールドギャップ層の膜厚を薄くするにも拘らず、ＭＲ素子に対する磁気的遮蔽特性を良好とすることができ、しかも誘導型薄膜磁気ヘッドの第２の磁性層の磁極部分を微細化した複合型薄膜磁気ヘッドを容易かつ正確に形成することができる方法を提供しようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基体と、この基体によって支持されるように積層して形成された書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具えた複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが、
第１の膜厚を有する第１の磁性層と、
この第１の磁性層の表面の一部分に、第１の磁性層をシード層とする電気メッキにより、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有するように形成され、第１の磁性層の表面に対して段差をするように設けられた第２の磁性層と、
前記第１の磁性層の表面および前記段差を構成する第２の磁性層の側面に設けられた第１の絶縁層と、
前記第２の磁性層の、前記第１の絶縁層によって覆われていない表面から前記段差を越えて前記第１の絶縁層の表面に亘って延在するように配設されたシールドギャップ層と、
このシールドギャップ層の、前記第２の磁性層と重なる部分に埋設して配設された磁気抵抗素子と、
前記シールドギャップ層の、前記基体とは反対側の表面に、前記段差と対応する段差を構成するように配設された第３の磁性層と、
を具え、前記誘導型薄膜磁気ヘッドが、
前記第３の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設され、絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルと、
前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分から前記薄膜コイルを支持する第２の絶縁層の表面に亘って配設されたライトギャップ層と、
このライトギャップ層を覆うように配設された第４の磁性層と、
を具えることを特徴とするものである。
【００２１】
このような本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイルの少なくとも一部分は、第３の磁性層の、段差を境として基体に近い方の部分に配設されるので、第３の磁性層の、第２の磁性層と重なる部分の表面に対する薄膜コイルの高さは低くなり、したがって、第４の磁性層の磁極部分を形成する際のフォトレジスト層の膜厚の、前記第３の磁性層の表面上の部分と、薄膜コイルを絶縁分離した状態で支持する第２の絶縁層の上部の部分との差は小さくなり、したがって正確なパターンができ、その結果として第４の磁性層の磁極部分の巾を小さくすることができ、面記録密度の高い複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００２２】
さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記第１の磁性層の膜厚を７０〜１５０ｎｍとし、前記第２の磁性層の膜厚を２〜３μm とするのが好適であるが、このように第１の磁性層の膜厚を薄くすることにより放熱特性が向上し、サーマルアスピリティの問題を有効に解決することができる。さらに、第２の磁気シールド層の膜厚を上述したように厚くすることと、第１の磁気シールド層を全面に設けることによってＭＲ素子に対する十分な磁気遮蔽効果が得られる。
【００２３】
また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記薄膜コイルを２層構造とし、第１層目の薄膜コイルを、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と同一平面とするか、第１層目の薄膜コイルの半分以下が、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面から突出するように構成することができる。さらに、第２層目の薄膜コイルの一部分を、前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面と重なるように配設するのが好適である。このように構成すると、薄膜コイルと誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分との間の距離が短くなり、磁束の利用効率が高くなり、効率が良くなる利点がある。
【００２４】
本発明はさらに、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体表面に第１の磁性層をスパッタ法によって形成する工程と、
この第１の磁性層をシード層として用いる電気メッキにより、第１の磁性層の表面の、少なくとも後に磁気抵抗層を形成すべき部分を含む一部分の上に、前記第１の磁性層よりも厚い第２の磁性層を選択的に形成する工程と、
前記第１の磁性層の表面および段差を構成する前記第２の磁性層の側面に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の磁性層の表面から前記段差を越えて前記第１の絶縁層の表面に亘って延在し、前記第２の磁性層と重なる部分に磁気抵抗層を埋設したシールドギャップ層を形成する工程と、
このシールドギャップ層の、前記第２の磁性層と重なる部分から前記段差を越えて延在するように第３の磁性層を形成する工程と、
この第３の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設された薄膜コイルを、第２の絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルを形成する工程と、
前記第３の磁性層の、前記第２の磁性層と重なる部分の表面および前記薄膜コイルを支持する第２の絶縁層の表面上にライトギャップ層を形成する工程と、
このライトギャップ層上に第４の磁性層を形成する工程と、
を具えることを特徴とするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図１３〜２３は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの一実施例を製造する順次の工程を示すものであり、これらの図面において断面図を２つ並べて示すものは、左側が縦断面を示し、右側が磁極部分の横断面を示すものである。
先ず、図１３に示すように、アルティック(AlTiC) より成る基板３１上にアルミナ絶縁層３２を約５〜１０μm の厚さに堆積する。次に、図１４に示すように、読取用ヘッドのＭＲ素子を外部磁界の影響から保護する下部磁気シールドを構成する第１の磁性層３３および第２の磁性層３４を形成する。すなわち、第１の磁性層３３として、パーマロイを約７０〜１５０ｎｍ、本例では約１００ｎｍの膜厚に全面スパッタ法によって形成する。その後、第２の磁性層３４として、第１の磁性層３３の、後にＭＲ素子が形成される部分の上にパーマロイを約２〜３μm 、本例では約３μm の膜厚に電気メッキ法により選択的に形成する。
【００２６】
本発明においては、このように膜厚の薄い第１の磁性層３３を全面に形成し、この第１の磁性層よりも膜厚の厚い第２の磁性層３４を、少なくとも後にＧＭＲ素子に対する導電層が形成される部分を除いた部分に形成するが、ＧＭＲ素子が形成される部分にのみ形成したり、それよりも広い面積に亘って形成することができる。本例では、図１５の平面図に示すように、後にＧＭＲ素子が形成される部分を含むとともに後に第３の磁性層が形成される部分を囲むように第２の磁性層３４を形成するが、図１６に示すように、後に第３の磁性層が形成される部分の全体を囲むように形成しなくても良い。なお、これらの図１５および１６では、明瞭とするために、後に形成される第４の磁性層４７および薄膜コイル４３，４５なども仮想線で示した。
【００２７】
次に、図１７に示すように、第１の磁性層３３の露出表面および第２の磁性層３４の側面に、アルミナまたは酸化シリコンまたは窒化シリコンより成る第１の絶縁層３５を約５００ｎｍの膜厚に形成し、さらに、その上にアルミナより成る第１のシールドギャップ層３６を１００〜１５０ｎｍの膜厚にスパッタ堆積する。  次に、図１８に示すように、ＧＭＲ素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成るＧＭＲ層３７を数十nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とした後、このＧＭＲ層と接続された一対の導電層３８および３９を所定のパターンにしたがって形成し、さらに、第２のシールドギャップ層４０を１００〜１５０ｎｍの膜厚に形成する。このように、第１および第２のシールドギャップ層３６および４０は、第２の磁性層３４と重なる部分から段差を越えて第１の絶縁層３５の表面まで延在することになる。
【００２８】
次に、図１９に示すように、第２のシールドギャップ層４０の上に段差を越えて延在するように第３の磁性層４１を、３〜４μm の膜厚に形成する。この第３の磁性層４１は、ＧＭＲ素子に対する上部シールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成するものである。
さらに、この第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４とは重ならない部分、ずなわち段差の下の部分に、第２の絶縁層４２によって絶縁分離された状態で支持された第１層目の薄膜コイル４３を形成する。本例では、この第１層目の薄膜コイル４３を支持する第２の絶縁層４２を、その表面が第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面と同一表面となるように形成する。これは、第２の絶縁層４２を第３の磁性層４１のこの部分の表面を覆うように形成した後、化学─機械的研磨によって、第３の磁性層４１の表面が露出するまで研磨することにより形成できる。
【００２９】
次に、図２０に示すように、第１層目の薄膜コイル４３を支持する第２の絶縁層４２の平坦な表面に、第３の絶縁層４４によって絶縁分離された状態で支持された第２層目の薄膜コイル４５を形成する。このように、本発明によれば、第１層目の薄膜コイル４３およびこれを支持する第２の絶縁層４２は、第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面から上方に突出しないなので、この表面から第３の絶縁層４４の上面までの距離ｄを従来の複合型薄膜磁気ヘッドに比べて短くすることができる。この距離ｄの短縮量は、第１の磁性層３４の膜厚にほぼ等しくなり、約２〜３μm である。
【００３０】
次に、図２１に示すように、第３の磁性層４１の露出表面および第３の絶縁層４４の表面を覆うように、アルミナより成るライトギャップ層４６を、１５０〜３００ｎｍの膜厚に堆積する。その後、図２２に示すように、ライトギャップ層４６の上に、誘導型薄膜磁気ヘッドのトップポールを構成する第４の磁性層４７を３〜４μm の膜厚に形成する。
本発明においては、上述したように第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面と、第３の絶縁層４４の上面との間の距離ｄが小さいので、第４の磁性層４７の磁極部分４７ａをフォトリソグラフィにより形成する場合、フォトレジスト層の、第３の磁性層の表面の部分の膜厚が過度に厚くならないので、正確なパターニングが可能であり、したがって第４の磁性層４７の磁極部分４７ａの巾を１μm 程度或いはそれ以下に微細化することができる。
また、第４の磁性層４７の磁極部分４７ａをマスクとして第３の磁性層４１をエッチングしてトリム構造を形成している。このエッチングは、イオンビームエッチングやリアクティブイオンエッチングで行なうことができる。
【００３１】
最後に、図２３に示すように、第３の磁性層４７およびその他の露出表面を覆うように、アルミナより成るオーバーコート層４８を形成する。実際の複合型薄膜磁気ヘッドの製造においては、多数の複合型薄膜磁気ヘッドをウエファ上にマトリックス状に形成した後、ウエファを複合型薄膜磁気ヘッドが配列されたバーに切断し、このバーの側面を研磨してエアベアリング面を形成し、さらにバーを切断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを形成するようにしている。
【００３２】
図２４は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の実施例を示すものであり、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し、その説明は省略する。本例においては、第１層目の薄膜コイル４３およびそれを支持する第２の絶縁層４２の高さを、第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面よりも上方に突出させている。この場合、この突出量は、第２の絶縁層４２の全体の膜厚の半分以下とするのが好適である。その理由は、この突出量を余り大きくすると、上述した距離ｄが大きくなり、第３の磁性層４１の表面におけるフォトレジスト層の膜厚が大きくなってしまい、本発明の所期の目的を十分に達成することができないためである。
【００３３】
図２５は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第３の実施例を示すものである。本例においては、第２層目の薄膜コイル４５の一部分が、第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面と重なるようにする。このように構成すると、薄膜コイル４５と、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分との間の距離を一層小さくすることができ、したがって磁束の利用効率が向上し、効率の良い誘導型薄膜磁気ヘッドが得られることになる。
【００３４】
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例えば、上述した実施例では、第２の磁性層３４を、ＭＲ素子と重なる部分よりも大きく形成したが、ほぼＭＲ素子と重なる部分にのみ設けることもできる。さらに、上述した実施例では、第１および第２のシールドギャップ層３６および４０をパーマロイとしてNiFe (Ni:80%,Fe:20%)のものを用いたが、NiFe (50%, 50%) のパーマロイ、窒化鉄(FeN) 、Fe-Co-Zrのアモルファスなどの高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成することもできる。また、これらの磁性材料層を複数積層したり、その間にアルミナなどの非磁性層を介在させたものとすることもできる。さらに、上述した実施例では、ＭＲ素子をＧＭＲ素子としたが、ＡＭＲ素子とすることもできる。
また、図２４に示す第２の実施例において、図２５に示す第３の実施例と同様に、第２層目の薄膜コイルの一部分を、第３の磁性層４１の、段差の上の部分の表面と重なるように形成することもできる。
【００３５】
【発明の効果】
上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁気シールド層を膜厚の薄い第１の磁性層３３と、ＭＲ素子と重なる部分に形成された膜厚の厚い第２の磁性層３４とで構成したので、放熱特性が良好となり、サーマルアスピリティの問題を解決することができ、しかも第１の磁性層３３は膜厚は薄いが全面に形成されているので、ＭＲ素子は外部磁界に対して良好に磁気シールドされ、ＭＲ素子の再生特性を良好とすることができる。
【００３６】
さらに、薄膜コイルの一部分を、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成する第３の磁性層４１の低くなった部分に形成しているので、第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面と、薄膜コイルの上部との間の距離ｄを短くすることができ、したがって上部ポールを構成する第４の磁性層４７の磁極部分をパターニングする際のフォトレジスト層の膜が、第３の磁性層４１の表面で過度に厚くなることはなくなり、したがって正確なパターニングを行なうことができ、第４の磁性層４７の磁極部分４７ａの巾を正確に微細化でき、例えば１μm 以下とすることができ、その結果面記録密度を向上することができる。
【００３７】
さらに、上層の薄膜コイル４５の一部を、第３の磁性層４１の、第２の磁性層３４と重なる部分の表面を重なるように形成した実施例では、薄膜コイルと磁極部分との距離を一層接近させることができ、磁束の利用効率が向上し、効率の良い誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】図２は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図３】図３は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図４】図４は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図５】図５は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図６】図６は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図７】図７は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図８】図８は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図９】図９は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は、同じくその正面図である。
【図１２】図１２は、同じくその平面図である。
【図１３】図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、同じくその次の工程を示す断面図および正面図である。
【図１５】図１５は、その平面図である。
【図１６】図１６は、変形例の平面図である。
【図１７】図１７は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図１９】図１９は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図２０】図２０は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図２１】図２１は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図２２】図２２は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図２３】図２３は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図２４】図２４は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の実施例を示す断面図である。
【図２５】図２５は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第３の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
３１  基板、  ３２  アルミナ絶縁層、  ３３  第１の磁性層、  ３４  第２の磁性層、  ３５  第１の絶縁層、  ３６  第１のシールドギャップ層、  ３７  磁気抵抗層、  ３８，３９  導電層、  ４０  第２のシールドギャップ層、  ４１  第３の磁性層、  ４２  第２の絶縁層、  ４３  第１層目の薄膜コイル、  ４４  第３の絶縁層、  ４５  第２層目の薄膜コイル、  ４６  ライトギャップ層、  ４７  第４の磁性層、  ４８  オーバーコート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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