(57)【要約】  加熱室（１１）の天面（１１ｂ）側の平面上に、基準線（１０）を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子（２１ａ〜２１ｄ）に対して時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。
2020208814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱対象物が収納される加熱室と、
マイクロ波電力を発生する電力発生部と、
前記電力発生部によって発生されたマイクロ波電力を複数に分配する電力分配部と、
前記加熱室内に設定された基準線と直交する１つまたは複数の平面上に配置され、前記基準線と前記平面との交点を挟んで対向した２つのマイクロ波放射素子からそれぞれ構成された複数のマイクロ波放射素子ペアと、
を備え、
前記電力分配部は、複数の前記マイクロ波放射素子ペアを構成する複数の前記マイクロ波放射素子に対して、前記基準線を中心とした時計回りまたは反時計回りに、複数の前記マイクロ波放射素子の数で３６０°が除算された角度の位相差を順に設定してマイクロ波電力を分配すること
を特徴とする加熱装置。
【請求項２】
複数の前記マイクロ波放射素子ペアをそれぞれ構成する２つの前記マイクロ波放射素子は、前記交点から等距離の位置に配置されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
複数の前記マイクロ波放射素子ペアは、同一の前記平面上に配置されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項４】
複数の前記マイクロ波放射素子ペアは、前記基準線を中心として回転対称に配置されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項５】
前記電力分配部は、複数の前記マイクロ波放射素子ペアをそれぞれ構成する２つの前記マイクロ波放射素子に対して１８０°の位相差でマイクロ波電力を分配すること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項６】
前記加熱室は、中空の直方体形状であること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項７】
前記加熱室は、円筒形状であること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項８】
前記マイクロ波放射素子は、前記加熱室に短絡されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波を利用して加熱対象物を加熱する加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波を利用して加熱対象物を加熱する加熱装置には、短時間で加熱対象物を加熱できるという利点はあるが、加熱対象物に加熱むらが生じるという欠点もある。例えば、加熱装置において、加熱室内は電気的に閉じた空間であるため、電磁波の性質上、加熱室内に照射されたマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）の定在波が発生して、加熱対象物に加熱むらが生じる。【０００３】
この問題を解決しようとした従来の技術として、例えば、特許文献１に記載された加熱装置がある。この加熱装置では、加熱対象物において必要な加熱量の強度分布を検出し、検出された強度分布に応じてマイクロ波の出力を制御している。これにより、加熱対象物の加熱むらの発生が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−０６０５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された加熱装置は、加熱室内の加熱強度分布を変化させるものであるが、加熱室内に生じたマイクロ波の定在波に起因した加熱むらを解決するものではない。このため、依然として、加熱室内のマイクロ波の定在波に起因した加熱むらが発生するという課題があった。【０００６】
本発明は上記課題を解決するものであり、加熱対象物の加熱むらの発生を抑制することができる加熱装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る加熱装置は、加熱対象物が収納される加熱室と、マイクロ波電力を発生する電力発生部と、電力発生部によって発生されたマイクロ波電力を複数に分配する電力分配部と、加熱室内に設定された基準線と直交する１つまたは複数の平面上に配置され、基準線と平面との交点を挟んで対向した２つのマイクロ波放射素子からそれぞれ構成された複数のマイクロ波放射素子ペアを備え、電力分配部は、複数のマイクロ波放射素子ペアを構成する複数のマイクロ波放射素子に対して、基準線を中心とした時計回りまたは反時計回りに、複数のマイクロ波放射素子の数で３６０°が除算された角度の位相差を順に設定してマイクロ波電力を分配する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、加熱室内に設定された基準線が直交する平面上に配置され、基準線と平面との交点を挟んで対向した２つのマイクロ波放射素子からそれぞれ構成された、複数のマイクロ波放射素子ペアを備えており、これらのペアを構成する複数のマイクロ波放射素子に対して、基準線を中心とした時計回りまたは反時計回りに、複数のマイクロ波放射素子の数で３６０°が除算された角度の位相差を順に設定してマイクロ波電力を分配している。例えば、２つのマイクロ波放射素子ペアがある場合、これらのペアを構成する４つのマイクロ波放射素子に対して、基準線を中心とした時計回りまたは反時計回りに９０°の位相差が順に設定されてマイクロ波電力が分配される。これにより、加熱室内の電界が時間的に旋回する電界モードが得られる。電界モードが旋回することによって、加熱対象物に対して広範囲な加熱分布が実現されるので、加熱対象物の加熱むらの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る加熱装置の構成の概要を示す概要図である。
【図２】図１の加熱装置の構成を示す斜視図である。
【図３】図１の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図４】図１の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図５】実施の形態１に係る加熱装置の変形例１の構成を示す斜視図である。
【図６】図５の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図７】実施の形態１に係る加熱装置の変形例２の構成を示す斜視図である。
【図８】図７の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図９】図７の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図１０】実施の形態１に係る加熱装置の変形例３の構成を示す斜視図である。
【図１１】図１０の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図１２】実施の形態１に係る加熱装置の変形例４の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１２の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図１４】図１２の加熱装置の構成を示す下面図である。
【図１５】実施の形態１に係る加熱装置の変形例５の構成を示す斜視図である。
【図１６】図１５の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図１７】図１５の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図１８】実施の形態２に係る加熱装置の構成を示す斜視図である。
【図１９】図１８の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図２０】実施の形態３に係る加熱装置の構成を示す斜視図である。
【図２１】図２０の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図２２】実施の形態４に係る加熱装置の構成を示す斜視図である。
【図２３】図２２の加熱装置の構成を示す上面図である。
【図２４】実施の形態４に係る加熱装置の変形例１の構成を示す斜視図である。
【図２５】実施の形態４に係る加熱装置の変形例２の構成を示す斜視図である。
【図２６】図２５の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図２７】実施の形態４に係る加熱装置の変形例３の構成を示す斜視図である。
【図２８】図２７の加熱装置の構成を示す側面図である。
【図２９】実施の形態１から実施の形態４までにおけるマイクロ波放射素子の構成の概要を示す概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る加熱装置１の構成の概要を示す概要図であり、加熱室１１の内部にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄおよび加熱対象物３１を視認するため、加熱室１１の壁面を透かして記載している。加熱装置１は、加熱室１１、複数のマイクロ波放射素子２１、電力発生装置４１および電力分配回路４２を備える。加熱室１１には、加熱対象物３１が収納される。加熱室１１は、例えば、加熱室扉が設けられた壁面以外の壁面は、金属の遮蔽板で構成されている。また、加熱室扉には、電磁波の遮蔽構造が設けられている。これにより、加熱室１１は、マイクロ波が内部に閉じ込められる、電気的に閉じた空間を形成している。
【００１１】
電力発生装置４１は、マイクロ波電力を発生する電力発生部である。例えば、電力発生装置４１は、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）の周波数に設定された電圧信号が供給されて発振することによりマイクロ波電力を発生する発振部である。電力分配回路４２は、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を複数に分配する電力分配部であって、複数のマイクロ波放射素子２１に対してそれぞれ異なる位相（給電位相）でマイクロ波電力を分配する。
【００１２】
加熱装置１において、複数のマイクロ波放射素子２１は２つ１組のペアになっており、加熱室１１には、複数のペアが備え付けられる。すなわち、ペアの数Ｎが２以上の自然数である場合、加熱装置１は、２Ｎ個のマイクロ波放射素子２１を備えている。マイクロ波放射素子２１は、電力分配回路４２によって分配されたマイクロ波電力を、加熱室１１内に放射（給電）する。
【００１３】
図２は、加熱装置１の構成を示す斜視図である。図３は、加熱装置１の構成を示す上面図である。図４は、加熱装置１の構成を示す側面図である。図２から図４までにおいて、加熱室１１の内部にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄおよび加熱対象物３１を視認するため、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、図２から図４までに示す加熱装置１は、加熱室１１の内部に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００１４】
図２に示すように、加熱室１１は、底面１１ａ、天面１１ｂおよび側面１１ｃを有した直方体形状であり、側面１１ｃの一つに加熱室扉１１ｄが設けられる。前述したように、加熱室扉１１ｄが設けられた側面１１ｃ以外は、電磁波の遮蔽板となっており、さらに、加熱室扉１１ｄは電磁波の遮蔽構造を有するので、側面１１ｃと加熱室扉１１ｄによってマイクロ波が加熱室１１内に閉じ込められる。加熱室１１において、底面１１ａと天面１１ｂの他に、加熱室扉１１ｄがある側面１１ｃを前面と呼び、この前面に対向する側面１１ｃを背面、前面に左側にある側面１１ｃを左の側面１１ｃ、前面に右側にある側面１１ｃを右の側面１１ｃと呼ぶこととする。
【００１５】
加熱室１１内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２から図４までに示す基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【００１６】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、加熱室１１の天面１１ｂ側に配置されている。マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００１７】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する、同一平面（天面１１ｂ側の平面）に配置されている。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載したものであり、実在する線ではない。
【００１８】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。例えば、図２および図３に示すように、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ａを挟んで天面１１ｂの対角側に配置されている。
【００１９】
加熱装置１において、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄが、交点１０ａから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【００２０】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子の総数である２Ｎで３６０°が除算された角度（３６０°／２Ｎ）の位相差で、マイクロ波電力を分配する。加熱装置１は、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００２１】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００２２】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００２３】
また、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００２４】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りに、位相差９０°を順にマイクロ波電力の給電位相に対して設定した場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００２５】
以上のように、実施の形態１に係る加熱装置１において、直方体形状の加熱室１１の天面１１ｂ側の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１が発生させるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適しており、加熱対象物３１の加熱むらの発生が抑制される。
【００２６】
図５は、実施の形態１に係る加熱装置の変形例１の構成を示す斜視図であり、変形例１である加熱装置１Ａを示している。また、図６は、加熱装置１Ａの構成を示す側面図である。図５および図６において、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ａは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００２７】
加熱装置１と同様に、加熱室１１内には基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図５および図６に示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【００２８】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、加熱室１１の底面１１ａ側に配置されている。加熱装置１Ａにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、加熱装置１と同様に、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００２９】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する、同一平面（底面１１ａ側の平面）に配置されている。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００３０】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。例えば、図５に示すように、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ａを挟んで底面１１ａの対角側に配置されている。
【００３１】
また、加熱装置１Ａにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ａから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【００３２】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ａは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００３３】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００３４】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００３５】
また、加熱装置１Ａにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００３６】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００３７】
加熱装置１Ａにおいて、加熱室１１の底面１１ａ側の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【００３８】
図７は、実施の形態１に係る加熱装置の変形例２の構成を示す斜視図であり、変形例２である加熱装置１Ｂを示している。また、図８は、加熱装置１Ｂの構成を示す上面図であり、図９は、加熱装置１Ｂの構成を示す側面図である。図７から図９までにおいて、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｂは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００３９】
加熱装置１Ｂにおいて、加熱室１１内には基準線１０Ａが設定されている。基準線１０Ａは、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図７から図９までに示した基準線１０Ａは、底面１１ａに対して水平な直線であり、例えば、背面側の側面１１ｃの法線方向の直線である。
【００４０】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、図７から図９までに示すように、加熱室１１の側面１１ｃ側（背面側）に配置されている。加熱装置１Ｂにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、加熱装置１と同様に、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００４１】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０Ａと直交する同一平面（背面側の平面）に配置されている。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０Ａが直交する交点１０Ａａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００４２】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０Ａａを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０Ａａを挟んで対向して配置される。例えば、図７および図９に示すように、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０Ａａを挟んで側面１１ｃの対角側に配置されている。
【００４３】
加熱装置１Ｂにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０Ａａから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０Ａを中心とした回転対称の配置となる。
【００４４】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０Ａを中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｂは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００４５】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０Ａを中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００４６】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０Ａを中心とした時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００４７】
また、加熱装置１Ｂにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０Ａを中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００４８】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００４９】
加熱装置１Ｂにおいて、加熱室１１の側面１１ｃ側（背面側）の平面上に、基準線１０Ａを中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【００５０】
図１０は、実施の形態１に係る加熱装置の変形例３の構成を示す斜視図であり、変形例３である加熱装置１Ｃを示している。また、図１１は、加熱装置１Ｃの構成を示す側面図である。図１０および図１１において、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。加熱装置１Ｃは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００５１】
加熱装置１Ｃにおいて、加熱室１１内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図１０および図１１に示す基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【００５２】
マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、図１０および図１１に示すように、加熱室１１の天面１１ｂ側に配置され、マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、底面１１ａ側に配置されている。加熱装置１Ｃにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、加熱装置１と同様に、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００５３】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する互いに異なる平面（底面１１ａ側の平面と天面１１ｂ側の平面）にそれぞれ配置されている。連結線１２ａは、天面１１ｂ側の平面に基準線１０が直交する交点１０ａ−１を通る線分であり、連結線１２ｂは、底面１１ａ側の平面に基準線１０が直交する交点１０ａ−２を通る線分である。なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００５４】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａ−１を挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａ−２を挟んで対向して配置される。例えば、図１０に示すように、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａ−１を挟んで天面１１ｂの対角側に配置され、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａ−２を挟んで底面１１ａの対角側に配置されている。
【００５５】
また、加熱装置１Ｃにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａ−１から等距離の位置にそれぞれ配置され、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａ−２から等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【００５６】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｃは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００５７】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００５８】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００５９】
加熱装置１Ｃにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００６０】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定した場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００６１】
加熱装置１Ｃにおいて、加熱室１１の底面１１ａ側と天面１１ｂ側の２つの平面上に、基準線１０を中心として回転対称にそれぞれ配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに、３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【００６２】
なお、図１０および図１１には、マイクロ波放射素子ペアが加熱室１１内の底面１１ａ側の平面と天面１１ｂ側の平面に配置された変形例３を示したが、変形例３は、この構成に限定されるものではない。例えば、加熱装置１Ｃは、マイクロ波放射素子ペアが、左の側面１１ｃ側の平面と右の側面１１ｃ側の平面とに配置された構成であってもよい。
【００６３】
図１２は、実施の形態１に係る加熱装置の変形例４の構成を示す斜視図であり、変形例４である加熱装置１Ｄを示している。また、図１３は、加熱装置１Ｄの構成を示す側面図であり、図１４は、加熱装置１Ｄの構成を示す上面図である。図１２から図１４までにおいて、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｄは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００６４】
加熱装置１Ｄにおいて、加熱室１１内には基準線１０Ａが設定されている。基準線１０Ａは、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図１２から図１４までに示した基準線１０Ａは、底面１１ａに対して水平な直線であり、例えば、背面側にある側面１１ｃの法線方向の直線である。
【００６５】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、図１２および図１４に示すように、加熱室１１における、加熱室扉１１ｄが設けられた側面１１ｃ（前面）とこれに対向する側面１１ｃ（背面）との間に配置されている。加熱装置１Ｄにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００６６】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０Ａと直交する同一平面（前面と背面の間の平面）に配置される。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０Ａが直交する交点１０Ａａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００６７】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０Ａｂを挟んで対向して配置され、第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０Ａｂを挟んで対向して配置される。例えば、図１３に示すように、第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、交点１０Ａｂを挟んで、マイクロ波放射素子２１ａが天面１１ｂ側に配置され、マイクロ波放射素子２１ｃが底面１１ａ側に配置されている。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、交点１０Ａｂを挟んで、マイクロ波放射素子２１ｂが左の側面１１ｃに配置され、マイクロ波放射素子２１ｄが右の側面１１ｃに配置されている。
【００６８】
また、加熱装置１Ｄにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０Ａｂから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアと第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０Ａを中心とした回転対称の配置となる。
【００６９】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０Ａを中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｄは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００７０】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０Ａを中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００７１】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０Ａを中心とした時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００７２】
加熱装置１Ｄにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０Ａを中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００７３】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０Ａを中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００７４】
加熱装置１Ｄにおいて、加熱室１１の前面と背面との間の平面上に基準線１０Ａを中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【００７５】
図１５は、実施の形態１に係る加熱装置の変形例５の構成を示す斜視図であり、変形例５である加熱装置１Ｅを示している。また、図１６は、加熱装置１Ｅの構成を示す上面図であり、図１７は、加熱装置１Ｅの構成を示す側面図である。図１５から図１７までにおいて、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｅは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【００７６】
加熱装置１Ｅにおいて、加熱室１１内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図１５から図１７までに示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。加熱装置１Ｅでは、加熱室１１の前面に加熱室扉１１ｄを設けず、天面１１ｂに設けられる。
【００７７】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、図１５および図１７に示すように、加熱室１１の底面１１ａと天面１１ｂとの間に配置されている。加熱装置１Ｅにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【００７８】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する同一平面（底面１１ａと天面１１ｂとの間の平面）に配置される。この平面は、例えば、底面１１ａから天面１１ｂまでの高さの中間位置を通る平面である。
連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ｂを通る線分である。なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００７９】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ｂを挟んで対向して配置され、第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ｂを挟んで対向して配置される。例えば、図１６に示すように、第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、交点１０ｂを挟んで、マイクロ波放射素子２１ａが背面の側面１１ｃに配置され、マイクロ波放射素子２１ｃが前面の側面１１ｃに配置される。また、第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、交点１０ｂを挟んで、マイクロ波放射素子２１ｂが左の側面１１ｃに配置され、マイクロ波放射素子２１ｄが右の側面１１ｃに配置されている。
【００８０】
また、加熱装置１Ｅにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ｂから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアと第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の位置となる。
【００８１】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｅは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００８２】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【００８３】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【００８４】
加熱装置１Ｅにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００８５】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００８６】
加熱装置１Ｅにおいて、加熱室１１の底面１１ａと天面１１ｂとの間の平面上に基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに、３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めて、マイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【００８７】
実施の形態２．
図１８は、実施の形態２に係る加熱装置１Ｆの構成を示す斜視図である。また、図１９は、加熱装置１Ｆの構成を示す上面図である。図１８および図１９において、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。加熱装置１Ｆは、加熱室１１内に６つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝３）を備えている。
【００８８】
加熱室１１は、底面１１ａ、天面１１ｂおよび側面１１ｃを有した直方体形状であり、側面１１ｃの一つに加熱室扉１１ｄが設けられる。加熱室扉１１ｄが設けられた側面以外は、電磁波の遮蔽板となっており、加熱室扉１１ｄには、電磁波の遮蔽構造が設けられているので、マイクロ波が加熱室１１の内部に閉じ込められる。加熱室１１において、底面１１ａと天面１１ｂの他に、加熱室扉１１ｄがある側面１１ｃを前面と呼び、この前面に対向する側面１１ｃを背面、前面に左側にある側面１１ｃを左の側面１１ｃ、前面に右側にある側面１１ｃを右の側面１１ｃと呼ぶこととする。
【００８９】
加熱室１１内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図１８および図１９に示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【００９０】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆは、加熱室１１の天面１１ｂ側に配置されている。マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｅは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。さらに、マイクロ波放射素子２１ｃおよびマイクロ波放射素子２１ｆは、第３のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｃで対応付けられている。
【００９１】
第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペアおよび第３のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交している、同一平面（天面１１ｂ側の平面）に配置されている。連結線１２ａ、連結線１２ｂおよび連結線１２ｃは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ｃを通る線分である。なお、連結線１２ａ、連結線１２ｂおよび連結線１２ｃは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【００９２】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｅは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。第３のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｃとマイクロ波放射素子２１ｆは、交点１０ｃを挟んで対向して配置されている。
【００９３】
加熱装置１Ｆにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆは、交点１０ｃから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペアおよび第３のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【００９４】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配する。加熱装置１Ｆは、Ｎ＝３、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペアおよび第３のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに対して６０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【００９５】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差６０°を順に設定してマイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋６０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１２０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相はφ＋２４０°であり、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相はφ＋３００°である。
【００９６】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差６０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相がφ＋６０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相がφ＋１２０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋２４０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋３００°に設定される。
【００９７】
また、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【００９８】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差６０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋６０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１２０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相はφ＋２４０°、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相はφ＋３００°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペアおよび第３のマイクロ波放射素子ペアのそれぞれにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【００９９】
以上のように、実施の形態２に係る加熱装置１Ｆにおいて、加熱室１１の天面１１ｂ側の平面上に基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【０１００】
なお、実施の形態２では、図１８および図１９を用いて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆを加熱室１１の天面１１ｂ側に配置した構成を示したが、これに限定されるものではない。例えば、実施の形態２に係る加熱装置には、実施の形態１に示した変形例１〜５の加熱装置がそれぞれ備えるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄを、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに置き換えた構成も含まれる。
【０１０１】
実施の形態３．
図２０は、実施の形態３に係る加熱装置１Ｇの構成を示す斜視図である。また、図２１は、加熱装置１Ｇの構成を示す上面図である。図２０および図２１において、加熱室１１内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｇは、加熱室１１内に８つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝４）を備えている。
【０１０２】
図２０に示すように、加熱室１１は、底面１１ａ、天面１１ｂおよび側面１１ｃを有した直方体形状であり、側面１１ｃの一つに加熱室扉１１ｄが設けられる。加熱室扉１１ｄが設けられた側面以外は、電磁波の遮蔽板となっており、加熱室扉１１ｄには、電磁波の遮蔽構造が設けられているので、マイクロ波は、加熱室１１内に閉じ込められる。加熱室１１において、底面１１ａと天面１１ｂの他に、加熱室扉１１ｄがある側面１１ｃを前面と呼び、この前面に対向する側面１１ｃを背面、前面に左側にある側面１１ｃを左の側面１１ｃ、前面に右側にある側面１１ｃを右の側面１１ｃと呼ぶこととする。
【０１０３】
加熱室１１内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２０および図２１に示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【０１０４】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈは、加熱室１１の天面１１ｂ側に配置されている。マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｅは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｆは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線ｂで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｃおよびマイクロ波放射素子２１ｇは、第３のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線ｃで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｄおよびマイクロ波放射素子２１ｈは、第４のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線ｄで対応付けられている。
【０１０５】
第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペア、第３のマイクロ波放射素子ペアおよび第４のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交している同一平面（天面１１ｂ側の平面）に配置されている。連結線１２ａ、連結線１２ｂ、連結線１２ｃおよび連結線１２ｄは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ｃを通る線分である。なお、連結線１２ａ、連結線１２ｂ、連結線１２ｃおよび連結線１２ｄは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【０１０６】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｅは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｆは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。第３のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｃとマイクロ波放射素子２１ｇは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。第４のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｄとマイクロ波放射素子２１ｈは、交点１０ｃを挟んで対向して配置される。
【０１０７】
加熱装置１Ｇにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈは、交点１０ｃから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペア、第３のマイクロ波放射素子ペアおよび第４のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【０１０８】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配する。加熱装置１Ｆは、Ｎ＝４、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペア、第３のマイクロ波放射素子ペアおよび第４のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに対して４５°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【０１０９】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差４５°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋４５°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋１３５°であり、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相はφ＋２２５°であり、マイクロ波放射素子２１ｇへの給電位相はφ＋２７０°であり、マイクロ波放射素子２１ｈへの給電位相はφ＋３１５°である。
【０１１０】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差４５°を順に設定して、マイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｈへの給電位相がφ＋４５°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｇへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相がφ＋１３５°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋２２５°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋２７０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋３１５°に設定される。
【０１１１】
また、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【０１１２】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差４５°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋４５°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋１３５°、マイクロ波放射素子２１ｅへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｆへの給電位相はφ＋２２５°、マイクロ波放射素子２１ｇへの給電位相はφ＋２７０°、マイクロ波放射素子２１ｈへの給電位相はφ＋３１５°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペア、第２のマイクロ波放射素子ペア、第３のマイクロ波放射素子ペアおよび第４のマイクロ波放射素子ペアのそれぞれにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【０１１３】
以上のように、実施の形態３に係る加熱装置１Ｇにおいて、加熱室１１の天面１１ｂ側の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに、３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【０１１４】
なお、実施の形態３では、図２０および図２１を用いて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈを加熱室１１の天面１１ｂ側に配置した構成を示したが、これに限定されるものではない。例えば、実施の形態３に係る加熱装置には、実施の形態１に示した変形例１〜５の加熱装置がそれぞれ備えるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄを、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈに置き換えた構成も含まれる。
【０１１５】
実施の形態４．
図２２は、実施の形態４に係る加熱装置１Ｈの構成を示す斜視図である。また、図２３は、加熱装置１Ｈの構成を示す上面図である。図２２と図２３において、加熱室１１Ａ内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するために、加熱室１１Ａの壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｈは、加熱室１１Ａ内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【０１１６】
図２２に示すように、加熱室１１Ａは、底面１１ａ、天面１１ｂおよび側面１１ｃを有した円筒形状であり、側面１１ｃの一部に加熱室扉１１ｄが設けられる。加熱室扉１１ｄが設けられた部分以外は金属材料で構成されており、加熱室扉１１ｄには、電磁波の遮蔽構造が設けられているので、マイクロ波は、加熱室１１Ａ内に閉じ込められる。
【０１１７】
加熱室１１Ａ内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１Ａ内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１Ａ内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２２に示す基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【０１１８】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは加熱室１１Ａの天面１１ｂ側に配置されている。マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【０１１９】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する、同一平面（天面１１ｂ側の平面）に配置されている。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に設定されたものであり、実在する線ではない。
【０１２０】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。
【０１２１】
加熱装置１Ｈにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ａから互いに等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【０１２２】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配する。加熱装置１Ｈは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【０１２３】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【０１２４】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【０１２５】
また、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【０１２６】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りに、位相差９０°を順にマイクロ波電力の給電位相に対して設定した場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【０１２７】
以上のように、実施の形態４に係る加熱装置１Ｈにおいて、円筒形状の加熱室１１Ａの天面１１ｂ側の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに、３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１Ａ内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１Ａ内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【０１２８】
図２４は、実施の形態４に係る加熱装置の変形例１の構成を示す斜視図であり、変形例１である加熱装置１Ｉを示している。図２４において、加熱室１１Ａ内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄと加熱対象物３１を視認するため、加熱室１１の壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｉは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【０１２９】
加熱装置１と同様に、加熱室１１Ａ内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１Ａ内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１Ａ内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２４に示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【０１３０】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは加熱室１１Ａの底面１１ａ側に配置されている。加熱装置１Ａにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、加熱装置１と同様に、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【０１３１】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する、同一平面（底面１１ａ側の平面）に配置されている。連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ａを通る線分である。
なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【０１３２】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａを挟んで対向して配置される。
【０１３３】
また、加熱装置１Ｉにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ａから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【０１３４】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｉは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【０１３５】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【０１３６】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【０１３７】
また、加熱装置１Ｉにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【０１３８】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【０１３９】
加熱装置１Ｉにおいて、加熱室１１Ａの底面１１ａ側の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１Ａ内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１Ａ内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであるので、加熱むらの発生が抑制される。
【０１４０】
図２５は、実施の形態４に係る加熱装置の変形例２の構成を示す斜視図であり、変形例２である加熱装置１Ｊを示している。また、図２６は、加熱装置１Ｊの構成を示す側面図である。図２５および図２６において、加熱室１１Ａ内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄおよび加熱対象物３１を視認するため、加熱室１１Ａの壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｊは、加熱室１１内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【０１４１】
加熱装置１Ｈおよび加熱装置１Ｉと同様に、加熱室１１Ａ内には、基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１Ａ内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１Ａ内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２５および図２６に示した基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【０１４２】
マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、図２５および図２６に示すように、加熱室１１Ａの底面１１ａと天面１１ｂとの間に配置されている。加熱装置１Ｊにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【０１４３】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する同一平面（底面１１ａと天面１１ｂとの間の平面）に配置される。この平面は、例えば、底面１１ａから天面１１ｂまでの高さの中間位置を通る平面である。
連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、この平面に基準線１０が直交する交点１０ｂを通る線分である。なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【０１４４】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ｂを挟んで対向して配置され、第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ｂを挟んで対向して配置される。
【０１４５】
また、加熱装置１Ｊにおいて、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄは、交点１０ｂから等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアと第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の位置となる。
【０１４６】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｊは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【０１４７】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【０１４８】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定してマイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【０１４９】
加熱装置１Ｊにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【０１５０】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定する場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【０１５１】
加熱装置１Ｊにおいて、加熱室１１Ａの底面１１ａと天面１１ｂの間の平面上に、基準線１０を中心として回転対称に配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに、３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【０１５２】
図２７は、実施の形態４に係る加熱装置の変形例３の構成を示す斜視図であり、変形例３である加熱装置１Ｋを示している。また、図２８は、加熱装置１Ｋの構成を示す側面図である。図２７および図２８において、加熱室１１Ａ内にあるマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄおよび加熱対象物３１を視認するため、加熱室１１Ａの壁面を透かして記載し、さらに電力発生装置４１および電力分配回路４２の記載を省略している。また、加熱装置１Ｋは、加熱室１１Ａ内に４つのマイクロ波放射素子（Ｎ＝２）を備えている。
【０１５３】
加熱装置１Ｋにおいて、加熱室１１Ａ内には基準線１０が設定されている。基準線１０は、加熱室１１Ａ内に配置されるマイクロ波放射素子ペアの位置を決定する基準となる仮想的な線であり、加熱室１１Ａ内の様々な位置に設定でき、様々な線形状で設定することができる。図２７および図２８に示す基準線１０は、底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である。
【０１５４】
マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、図２７および図２８に示すように、加熱室１１Ａの天面１１ｂ側に配置され、マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、底面１１ａ側に配置されている。加熱装置１Ｋにおいて、マイクロ波放射素子２１ａおよびマイクロ波放射素子２１ｃは、加熱装置１と同様に、第１のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ａで対応付けられている。マイクロ波放射素子２１ｂおよびマイクロ波放射素子２１ｄは、第２のマイクロ波放射素子ペアを構成し、互いが連結線１２ｂで対応付けられている。
【０１５５】
第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０と直交する互いに異なる平面（底面１１ａ側の平面と天面１１ｂ側の平面）にそれぞれ配置されている。連結線１２ａは、天面１１ｂ側の平面に基準線１０が直交する交点１０ａ−１を通る線分であり、連結線１２ｂは、底面１１ａ側の平面に基準線１０が直交する交点１０ａ−２を通る線分である。なお、連結線１２ａおよび連結線１２ｂは、図面に記載された個々のマイクロ波放射素子ペアを特定するために仮想的に記載されたものであり、実在する線ではない。
【０１５６】
第１のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａ−１を挟んで対向して配置される。第２のマイクロ波放射素子ペアにおいて、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａ−２を挟んで対向して配置される。
【０１５７】
また、加熱装置１Ｋにおいて、マイクロ波放射素子２１ａとマイクロ波放射素子２１ｃは、交点１０ａ−１から等距離の位置にそれぞれ配置され、マイクロ波放射素子２１ｂとマイクロ波放射素子２１ｄは、交点１０ａ−２から等距離の位置にそれぞれ配置されている。この場合、第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアは、基準線１０を中心とした回転対称の配置となる。
【０１５８】
電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに、電力発生装置４１によって発生されたマイクロ波電力を分配する。このとき、電力分配回路４２は、マイクロ波電力を３６０°／２Ｎの位相差で分配する。加熱装置１Ｃは、Ｎ＝２、すなわち第１のマイクロ波放射素子ペアおよび第２のマイクロ波放射素子ペアを有するので、電力分配回路４２は、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して９０°の位相差でマイクロ波電力を分配する。
【０１５９】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした反時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配する。このとき、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°であり、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°であり、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。
【０１６０】
同様に、電力分配回路４２は、基準線１０を中心とした時計回りに、マイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定して、マイクロ波電力を分配してもよい。例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφである場合、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相がφ＋９０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相がφ＋１８０°に設定され、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相がφ＋２７０°に設定される。
【０１６１】
加熱装置１Ｋにおいても、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、基準線１０を中心とした時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差でマイクロ波電力を分配することで、個々のマイクロ波放射素子ペアを構成する２つのマイクロ波放射素子に対して互いに１８０°の位相差でマイクロ波電力が分配される。
【０１６２】
例えば、マイクロ波放射素子２１ａへのマイクロ波電力の給電位相がφであり、基準線１０を中心とした反時計回りにマイクロ波電力の給電位相に位相差９０°を順に設定した場合、マイクロ波放射素子２１ｂへの給電位相はφ＋９０°、マイクロ波放射素子２１ｃへの給電位相はφ＋１８０°、マイクロ波放射素子２１ｄへの給電位相はφ＋２７０°である。このとき、第１のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°であり、第２のマイクロ波放射素子ペアにおけるマイクロ波放射素子間の位相差は１８０°である。
【０１６３】
加熱装置１Ｋにおいて、加熱室１１Ａの底面１１ａ側と天面１１ｂ側の２つの平面上に基準線１０を中心として回転対称にそれぞれ配置されたマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄに対して、電力分配回路４２が、時計回りまたは反時計回りに３６０°／２Ｎの位相差で給電位相を進めてマイクロ波電力を分配する。これにより、加熱室１１Ａ内の合成電界は、電力発生装置４１によって発生されるマイクロ波の周波数で旋回する。加熱室１１Ａ内のマイクロ波の旋回は、加熱対象物３１を広範囲に加熱することに適した電界モードであり、加熱むらの発生が抑制される。
【０１６４】
実施の形態４において底面１１ａにおける加熱対象物３１の配置スペースの中心を通る鉛直線である基準線１０を示したが、実施の形態４に係る加熱装置は、円筒形状の加熱室１１Ａの側面同士を結ぶ直線を基準線とすることができる。この基準線は、例えば、底面１１ａまたは天面１１ｂの直径に相当する線分か、底面１１ａまたは天面１１ｂの直径に平行な線分である。
【０１６５】
なお、これまで、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄを加熱室１１Ａに配置した構成を示したが、これに限定されるものではない。例えば、実施の形態４に係る加熱装置には、マイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｄを、実施の形態２に示したマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｆに置き換えた構成も含まれ、実施の形態３に示したマイクロ波放射素子２１ａ〜２１ｈに置き換えた構成も含まれる。また、実施の形態４に係る加熱装置の変形例３が、３つ以上のマイクロ波放射素子ペアを備える場合、基準線１０が直交する３つ以上の平面のそれぞれにマイクロ波放射素子ペアが配置される。
【０１６６】
ここで、実施の形態１から実施の形態４までに示したマイクロ波放射素子２１の詳細な構成について説明する。
図２９は、実施の形態１から実施の形態４までにおけるマイクロ波放射素子２１の構成の概要を示す概要図である。図２９に示すように、マイクロ波放射素子２１は、マイクロ波放射素子パターン２２、給電ピン２３および短絡ピン２４を備える。マイクロ波放射素子パターン２２には、電力分配回路４２によって分配されたマイクロ波電力が、給電ピン２３を通じて供給される。加熱室１１または加熱室１１Ａによって、電気的に閉じた空間が形成されるので、マイクロ波放射素子パターン２２および給電ピン２３は、加熱室１１または加熱室１１Ａに接触していない。
【０１６７】
一方、マイクロ波放射素子パターン２２には短絡ピン２４が接続されている。短絡ピン２４には、加熱室１１または加熱室１１Ａがグラウンドとして接続されているので、結果として、マイクロ波放射素子２１は、加熱室１１または加熱室１１Ａに短絡された素子となる。このようにマイクロ波放射素子２１を加熱室１１または加熱室１１Ａと短絡させることにより、高電力を受けるマイクロ波放射素子で発生した熱を、筐体である加熱室１１または加熱室１１Ａに逃がすことができる。
【０１６８】
これまでの説明は、マイクロ波放射素子の数が２Ｎ（Ｎは２以上の自然数）である場合を示したが、これ以外の素子数であっても、実施の形態１から実施の形態４までに示した構成に適用可能である。
【０１６９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、実施の形態のそれぞれの自由な組み合わせまたは実施の形態のそれぞれの任意の構成要素の変形もしくは実施の形態のそれぞれにおいて任意の構成要素の省略が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明に係る加熱装置は、加熱対象物の加熱むらの発生を抑制できるので、マイクロ波を放射して加熱を行う様々な加熱装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０１７１】
１，１Ａ〜１Ｋ  加熱装置、１０，１０Ａ  基準線、１０Ａａ，１０Ａｂ，１０ａ，１０ａ−１，１０ａ−２，１０ｂ，１０ｃ  交点、１１，１１Ａ  加熱室、１１ａ  底面、１１ｂ  天面、１１ｃ  側面、１１ｄ  加熱室扉、１２ａ〜１２ｄ  連結線、２１，２１ａ〜２１ｈ  マイクロ波放射素子、２２  マイクロ波放射素子パターン、２３  給電ピン、２４  短絡ピン、３１  加熱対象物、４１  電力発生装置、４２  電力分配回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年5月24日(2021.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱対象物が収納される加熱室と、
マイクロ波電力を発生する電力発生部と、
前記電力発生部によって発生されたマイクロ波電力を複数に分配する電力分配部と、
前記加熱室内に設定された基準線と直交する１つまたは複数の平面上に配置され、前記基準線と前記平面との交点を挟んで対向した２つのマイクロ波放射素子からそれぞれ構成された複数のマイクロ波放射素子ペアと、
を備え、
前記電力分配部は、複数の前記マイクロ波放射素子ペアを構成する複数の前記マイクロ波放射素子に対して、前記基準線を中心とした時計回りまたは反時計回りに、複数の前記マイクロ波放射素子の数で３６０°が除算された角度の位相差を順に設定してマイクロ波電力を分配すること
を特徴とする加熱装置。
【請求項２】
複数の前記マイクロ波放射素子ペアをそれぞれ構成する２つの前記マイクロ波放射素子は、前記交点から等距離の位置に配置されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
複数の前記マイクロ波放射素子ペアは、前記基準線を中心として回転対称に配置されていること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項４】
前記電力分配部は、複数の前記マイクロ波放射素子ペアをそれぞれ構成する２つの前記マイクロ波放射素子に対して１８０°の位相差でマイクロ波電力を分配すること
を特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【国際調査報告】
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