(57)【要約】  真空チャンバ内に設けられる防着板を冷却できるという機能を損なうことなく、防着板のベーキング処理を実施することが可能な真空処理装置を提供する。  真空チャンバ１を有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板Ｓｗに対して所定の真空処理を施す本発明の真空処理装置ＳＭは、真空チャンバ内に防着板８２が設けられ、真空チャンバの下壁内面１３に立設されて防着板の部分に隙間を存して対峙する金属製のブロック体９と、ブロック体を冷却する冷却手段１１と、防着板の部分とブロック体との間に配置されて防着板を熱輻射により加熱可能な加熱手段１０とを更に備え、互いに対峙するブロック体と防着板の表面部分は、これらブロック体と防着板の母材金属に夫々表面処理を施すことで放射率を増加させた高放射率層９３，８４で夫々構成される。
2020136964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内に防着板が設けられるものにおいて、
真空チャンバの内壁面に立設されて防着板の部分に隙間を存して対峙する金属製のブロック体と、ブロック体を冷却する冷却手段と、防着板の部分とブロック体との間に配置されて防着板を熱輻射により加熱可能な加熱手段とを更に備え、
互いに対峙するブロック体と防着板の表面部分は、これらブロック体と防着板の母材金属に夫々表面処理を施すことで放射率を増加させた高放射率層で夫々構成されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記加熱手段に対峙する前記ブロック体の表面部分が、ブロック体の母材金属に表面処理を施すことで放射率を低減させた低放射率層で構成されることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記防着板に対峙する前記ブロック体の表面に第１凹部が形成され、第１凹部の内側空間に前記加熱手段が格納されることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記第１凹部の内面は、ブロック体の母材金属に表面処理を施すことで放射率を低減させた低放射率層で構成されることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記ブロック体に対峙する前記防着板の表面部分に第２凹部が形成され、第２凹部の内側空間に前記加熱手段が格納されることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程においては、シリコンウエハ等の被処理基板に対し、成膜処理やエッチング処理といった真空処理を施す工程がある。このような真空処理に用いられる真空処理装置として、例えば、スパッタリング法による成膜を施すスパッタリング装置が特許文献１で知られている。このものは、真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバを有し、真空チャンバの上部にはスパッタリング用ターゲットが配置され、真空チャンバ内の下部にはターゲットに対向させて被処理基板がセットされるステージが設けられている。【０００３】
上記スパッタリング装置を用いて所定の薄膜を成膜するのに際しては、ステージに一枚の被処理基板をセットした状態で真空雰囲気の真空チャンバ内に希ガス（及び反応ガス）を導入し、ターゲットに例えば負の電位を持った直流電力や所定周波数の交流電力を投入する。これにより、真空チャンバ内にプラズマ雰囲気が形成され、プラズマ中で電離した希ガスのイオンがターゲットに衝突してターゲットがスパッタリングされ、ターゲットから飛散したスパッタ粒子が被処理基板表面に付着、堆積して、ターゲット種に応じた所定の薄膜が成膜される。ターゲットをスパッタリングすると、スパッタ粒子の一部は被処理基板以外にも向けて飛散する。真空チャンバには、通常、その内壁面に対するスパッタ粒子の付着を防止するために、金属製の防着板が真空チャンバの内壁面から間隔を存して設けられる。【０００４】
ここで、スパッタリングによる成膜時、防着板は、プラズマの輻射熱等で加熱され、成膜される被処理基板の枚数が増加するのに従い、次第に高温になっていく。防着板が昇温すると、特に、スパッタ粒子が付着、堆積しない防着板の裏面から真空排気されずにその表面に残留する種々のガス（酸素や、水蒸気等）が放出されることになる。このような放出ガスが成膜時に薄膜中に取り込まれると、例えば膜質の劣化を招来するので、これを可及的に抑制する必要がある。そのため、従来では、防着板の冷却を行うことが一般である。【０００５】
ところで、未使用の防着板を真空チャンバ内にセットした場合、被処理基板に対する成膜に先立って、真空雰囲気中で防着板を所定温度に加熱する所謂ベーキング処理が行われ、防着板からの脱ガスを実施することが一般的である。ベーキング処理を実施可能なスパッタリング装置が例えば特許文献２で知られている。このものは、熱輻射により防着板を加熱するランプヒータ（加熱手段）と、ランプヒータの背面に設けられる反射板とを備え、ランプヒータから放射される熱線を反射板で反射して防着板に照射するようにしている。これらのランプヒータ及び反射板を、防着板を冷却する冷却手段と防着板との間に配置して、防着板のベーキング処理を実施できるようにすることが考えられるが、反射板が介在することで防着板が冷却し難くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−９１８６１号公報
【特許文献２】特開２０１０−８４１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであり、真空チャンバ内に設けられる防着板を冷却できるという機能を損なうことなく、防着板のベーキング処理を実施することが可能な真空処理装置を提供することをその目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す本発明の真空処理装置は、真空チャンバ内に防着板が設けられ、真空チャンバの内壁面に立設されて防着板の部分に隙間を存して対峙する金属製のブロック体と、ブロック体を冷却する冷却手段と、防着板の部分とブロック体との間に配置されて防着板を熱輻射により加熱可能な加熱手段とを更に備え、互いに対峙するブロック体と防着板の表面部分は、これらブロック体と防着板の母材金属に夫々表面処理を施すことで放射率を増加させた高放射率層で夫々構成されることを特徴とする。【０００９】
本発明によれば、ブロック体に対峙する防着板の表面部分を高放射率層で構成したため、防着板のベーキング処理を行うときに加熱手段からの熱線が防着板の高放射率層で吸収されて防着板に効率よく伝わるため、防着板の部分とブロック体との間に反射板を設ける必要がない。しかも、防着板に対峙するブロック体の表面部分も高放射率層で構成したため、上記反射板が介在しないことと相俟って、ブロック体からの放射冷却により真空処理中に防着板を冷却することができるという機能が損なわれない。尚、互いに対峙するブロック体と防着板の表面部分には、ブロック体と防着板の表面部分とが互いに平行に対峙する場合だけでなく、例えば防着板の表面部分に対してブロック体の対峙する面が傾斜するなど両者が所定の角度を有して対峙する場合も含まれるものとする。【００１０】
本発明において、前記加熱手段に対峙する前記ブロック体の表面部分が、ブロック体の母材金属に表面処理を施すことで放射率を低減させた低放射率層で構成されることが好ましい。これによれば、ベーキング処理時に加熱手段からの熱線を低放射率層で反射して防着板に照射でき、有利である。【００１１】
本発明において、前記防着板に対峙する前記ブロック体の表面に第１凹部が形成され、第１凹部の内側空間に前記加熱手段が格納されることが好ましい。これによれば、ブロック体と防着板との間の距離を短くできるため、防着板を効率よく冷却することができ、有利である。この場合、第１凹部の内面は、ブロック体の母材金属に表面処理を施すことで放射率を低減させた低放射率層で構成すれば、ベーキング処理時に加熱手段からの熱線を低放射率層で反射して防着板に照射でき、有利である。【００１２】
また、本発明において、前記ブロック体に対峙する前記防着板の表面部分に第２凹部が形成され、第２凹部の内側空間に前記加熱手段が格納されることが好ましい。これによれば、ブロック体と防着板との間の距離を短くできるため、防着板を効率よく冷却することができ、有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態のスパッタリング装置を示す模式断面図。
【図２】図１の一部を拡大して示す断面図。
【図３】本発明の変形例を拡大して示す断面図。
【図４】本発明の変形例を拡大して示す断面図。
【図５】本発明の変形例を拡大して示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、真空処理装置をマグネトロン方式のスパッタリング装置、被処理基板をシリコンウエハ（以下、「基板Ｓｗ」という）とし、基板Ｓｗ表面に所定の薄膜を成膜する場合を例に本発明の真空処理装置の実施形態を説明する。以下においては、「上」「下」といった方向を示す用語は、図１に示す真空処理装置としてのスパッタリング装置の設置姿勢を基準とする。
【００１５】
図１を参照して、ＳＭは、本実施形態のスパッタリング装置である。スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１を備える。真空チャンバ１の側壁及び下壁には、図外の温媒または冷媒用の循環ユニットに配管を介して接続されるジャケット１１が設けられており、適宜、温媒や冷媒を循環させて真空チャンバ１の側壁及び下壁を加熱または冷却できるようにしている。真空チャンバ１の上面開口にはカソードユニット２が着脱自在に取付けられている。
【００１６】
カソードユニット２は、ターゲット２１と、このターゲット２１の上方に配置される磁石ユニット２２とで構成されている。ターゲット２１としては、基板Ｓｗ表面に成膜しようとする薄膜に応じて、アルミニウム、銅、チタンやアルミナなど公知のものが利用される。そして、ターゲット２１は、バッキングプレート２１ａに装着した状態で、スパッタ面２１ｂを下方にした姿勢で真空チャンバ１の上壁に設けた真空シール兼用の絶縁体３１を介して真空チャンバ１の上部に取り付けられる。ターゲット２１には、ターゲット種に応じて直流電源や交流電源などから構成されるスパッタ電源２１ｃからの出力２１ｄが接続され、ターゲット種に応じて、例えば負の電位を持つ所定電力や所定周波数の高周波電力が投入できるようになっている。磁石ユニット２２は、ターゲット２１のスパッタ面２１ｂの下方空間に磁場を発生させ、スパッタリング時にスパッタ面２１ｂの下方で電離した電子等を捕捉してターゲット２１から飛散したスパッタ粒子を効率よくイオン化する公知の閉鎖磁場若しくはカスプ磁場構造を有するものであり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００１７】
真空チャンバ１の下部には、ターゲット２１に対向させてステージ４が配置されている。ステージ４は、真空チャンバ１の下部に設けた絶縁体３２を介して設置される、筒状の輪郭を持つ金属製（例えばＳＵＳ製）の基台４１と、この基台４１の上面に設けたチャックプレート４２とを有する。基台４１には、図外のチラーユニットから供給される冷媒を循環させる冷媒循環路４１ａが形成されており、選択的に冷却できるようになっている。チャックプレート４２は、基台４１の上面より一回り小さい外径を有し、静電チャック用の電極が埋設されている。この電極に図外のチャック電源から電圧を印加すると、チャックプレート４２上面に基板Ｓｗが静電吸着されるようになっている。また、基台４１とチャックプレート４２との間には、例えば窒化アルミニウム製のホットプレート４３が介設されている。ホットプレート４３には、例えばヒータ等の加熱手段（図示省略）が組み込まれており、この加熱手段に図外の電源から通電することにより、所定温度（例えば、３００℃〜５００℃）に加熱できるようになっている。この場合、チャックプレート４２にヒータを内蔵してチャックプレート４２とホットプレート４３とを一体に形成することもできる。そして、ホットプレート４３による加熱と、冷媒循環路４１ａへの冷媒の循環による基台４１の冷却とによって基板Ｓｗを室温以上の所定温度（例えば、３５０℃）に制御できるようにしている。
【００１８】
真空チャンバ１の側壁には、スパッタガスを導入するガス管５が接続され、ガス管５がマスフローコントローラ５１を介して図示省略のガス源に連通している。スパッタガスには、真空チャンバ１内にプラズマを形成する際に導入されるアルゴンガス等の希ガスだけでなく、酸素ガスや窒素ガスなどの反応ガスが含まれる。真空チャンバ１の下壁には、ターボ分子ポンプやロータリーポンプ等で構成される真空ポンプ６１に通じる排気管６２が接続され、真空チャンバ１内を真空引きし、スパッタリング時にはスパッタガスを導入した状態で真空チャンバ１を所定圧力に保持できるようにしている。
【００１９】
真空チャンバ１内でステージ４の周囲には、ホットプレート４３上面の外周部分４３ｃを覆うことで、ターゲット２１のスパッタリングにより発生するスパッタ粒子の当該部分４３ｃへの付着を防止する防着板として機能するプラテンリング７が間隔を存して設けられている。プラテンリング７は、アルミナ、ステンレス等の公知の材料製であり、基台４１上面の外周部分に絶縁体３３を介して設けられている。また、真空チャンバ１内には、スパッタ粒子の真空チャンバ１の内壁面への付着を防止する防着板８が設けられている。
【００２０】
防着板８は、夫々がアルミナ、ステンレス等の公知の材料製である上防着板８１と下防着板８２とで構成されている。上防着板８１は、筒状の輪郭を持ち、真空チャンバ１の上部に設けた係止部１２を介して吊設されている。下防着板８２もまた、筒状の輪郭を持ち、その径方向外側の自由端には、上方に向けて起立した起立壁部８２ａが形成されている。下防着板８２には、真空チャンバ１の下壁を貫通してのびる、モータやエアシリンダなどの駆動手段８３からの駆動軸８３ａが連結されている。駆動軸８３ａの上端にはガイドリング８３ｂが設けられ、ガイドリング８３ｂ上に下防着板８２が設置されている。駆動手段８３によって下防着板８２は、スパッタリングによる成膜が実施される成膜位置と、成膜位置よりも高く、図外の真空ロボットによるステージ４への基板Ｓｗの受渡が実施される搬送位置との間で上下動される。下防着板８２の成膜位置では、上防着板８１の下端部と起立壁部８２ａの上端部とが互いに上下方向でオーバーラップするように設計されている。
【００２１】
上下方向と直交してのびる下防着板８２の平坦部８２ｂは、その径方向の内方部がプラテンリング７と対向するように定寸されている。平坦部８２ｂ下面の所定位置には、１個の環状の突条８２ｃが形成されている。突条８２ｃに対応させてプラテンリング７の上面には、環状の凹溝７１が形成されている。そして、成膜位置では、平坦部８２ｂの突条８２ｃとプラテンリング７の凹溝７１とにより所謂ラビリンスシールが形成され、基板Ｓｗの周囲で下防着板８２の下方に位置する真空チャンバ１内の空間へのスパッタ粒子の回り込みを防止できるようにしている。また、スパッタリング装置ＳＭは、マイクロコンピュータ、記憶素子やシーケンサ等を備えた公知の構造の制御手段（図示省略）を備え、この制御手段が、スパッタ電源２１ｃ、その他の電源、マスフローコントローラ５１や真空ポンプ６１等のスパッタリング時の各部品の制御などを統括して行う。以下に、ターゲット２１をアルミニウムとし、上記スパッタリング装置ＳＭにより基板Ｓｗ表面にアルミニウム膜を成膜する場合を例に成膜方法を説明する。
【００２２】
真空ポンプ６１を作動させて真空チャンバ１内を真空排気した後、下防着板８２の搬送位置にて、図外の真空搬送ロボットによりステージ４上へと基板Ｓｗを搬送し、ステージ４のチャックプレート４２上面に基板Ｓｗを載置する。真空搬送ロボットが退避すると、下防着板８２を成膜位置に移動すると共に、チャックプレート４２の電極に図外の電源から所定電圧を印加し、チャックプレート４２上面に基板Ｓｗを静電吸着する。これに併せて、ホットプレート４３の加熱と、冷媒循環路４１ａへの冷媒の循環による基台４１の冷却とによって基板Ｓｗが室温以上の所定温度（例えば、３５０℃）に制御される。基板Ｓｗが所定温度に達すると、スパッタガスとしてのアルゴンガスを所定の流量（例えばアルゴン分圧が０．５Ｐａ）で導入し、これに併せてターゲット２１にスパッタ電源２１ｃから負の電位を持つ所定電力（例えば、３ｋＷ〜５０ｋＷ）を投入する。これにより、真空チャンバ１内にプラズマが形成され、プラズマ中のアルゴンガスのイオンでターゲット２１のスパッタ面２１ｂがスパッタリングされ、ターゲット２１からのスパッタ粒子が基板Ｓｗに付着、堆積してアルミニウム膜が成膜される。
【００２３】
ここで、スパッタリングによる成膜時、上防着板８１や下防着板８２は、プラズマの輻射熱等で加熱され、成膜される基板Ｓｗの枚数が増加するのに従い、次第に高温になっていく。本実施形態のような構成では、ホットプレート４３からの放射で加熱されるプラテンリング７に下防着板８２の平坦部８２ｂが対向しているため、下防着板８２が特に加熱され易い。そして、所定温度を超えて上防着板８１や下防着板８２（特に、基板Ｓｗの近傍に位置する下防着板８２）が昇温すると、スパッタ粒子が付着、堆積しない上防着板８１や下防着板８２の裏面から真空排気されずにその表面に残留する種々のガス（酸素や、水蒸気等）が放出されることになる。このような放出ガスが成膜時に薄膜中に取り込まれると、例えば膜質の劣化を招来するので、これを可及的に抑制する必要がある。
【００２４】
そこで、本実施形態では、図２に示すように、真空チャンバ１の下壁内面１３に、下防着板８２の平坦部８２ｂに対向させて、筒状に成形されたブロック体９を立設した。ブロック体９は、アルミニウムや銅などの伝熱特性のよい金属で構成され、ブロック体９の頂面９１までの高さは、下防着板８２の処理位置にて、ブロック体９と下防着板８２との間に後述する加熱手段１０が配置されるように定寸されている。また、真空チャンバ１の下壁内面１３とブロック体９との間には、シリコンシートやインジウムシートのような熱伝達を向上させる熱伝導シート９２が介在されているが、熱伝導シート９２は省略してもよい。そして、成膜中、ジャケット１１に所定温度の冷媒を流通させ、真空チャンバ１の壁面から伝熱でブロック体９が所定温度に冷却されるようになっている。本実施形態では、ジャケット１１がブロック体９を冷却する冷却手段を構成する。ブロック体９の体積、頂面９１の面積（防着板との対向面の面積）や、下防着板８２に対するブロック体９の相対位置等は、冷却しようとする下防着板８２の温度等を考慮して適宜設定される。
【００２５】
また、本実施形態では、ブロック体９と下防着板８２との間に、下防着板８２を熱輻射により加熱可能な加熱手段１０が設けられている。加熱手段１０としては、例えば公知の環状のシースヒータやランプヒータ等を用いることができるが、シースヒータを用いることが好ましい。これらシースヒータやランプヒータの構造は公知であるため、その設置方法を含めてここでは詳細な説明を省略する。そして、互いに対峙するブロック体９の頂面９１と下防着板８２の下面は、これらブロック体９と下防着板８２の母材金属の表面に対して、例えば粒径が９０〜７１０μｍの範囲の固体金属、鉱物性または植物性の研磨材（粒子）を用いたブラスト処理（表面処理）を施すことで、放射率を０．５以上に増加させた高放射率層９３，８４で夫々構成されている。ここで、放射率とは、波長２〜６μｍの範囲の平均放射率を指す。尚、高放射率層９３，８４の形成方法としては例えばエッチング加工やエンボス加工を用いることができ、また、ブロック体９と下防着板８２の母材金属の表面に対して溶射や成膜などの表面処理を施すことで、ＡｌＴｉＮ，Ａｌ２Ｏ３等の非金属膜やＴｉ溶射膜から構成される高放射率層９３，８４を形成してもよい。尚、図示省略するが、高放射率層９３を、ブロック体９の頂面９１だけでなく側面にも設けることで、真空チャンバ１内で乱反射する熱線を吸収することができて好ましい。また、高放射率層８４を、下防着板８２の下面の一部だけでなく下面全体に亘って設けるようにしてもよく、さらに真空チャンバ１の内壁面と対向する下防着板８２の側面にも設けるようにしてもよい。また、ブロック体９の頂面９１と下防着板８２の下面とが互いに平行に対峙しているが、例えば下防着板８２の下面に対してブロック体９の対峙する面が傾斜するなど両者が所定の角度を有して対峙していてもよい。
【００２６】
そして、基板Ｓｗに対する成膜に先立って、上記加熱手段１０により下防着板８２を所定温度（例えば、３８０℃）に加熱するベーキング処理により、下防着板８２からの脱ガスが実施される。ここで、ブロック体９に対峙する下防着板８２の下面を高放射率層８４で構成したため、加熱手段１０からの熱線が高放射率層８４で吸収されて下防着板８２に効率良く伝わるため、下防着板８２とブロック体９との間（加熱手段１０の下方）に従来例の如く反射板を設ける必要がない。しかも、下防着板８２に対峙するブロック体９の上面も高放射率層９３で構成したため、上記反射板が介在しないことと相俟って、ブロック体９からの放射冷却により真空処理中に防着板を冷却することができるという機能が損なわれない。
【００２７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、真空処理装置をスパッタリング装置ＳＭとした場合を例に説明したが、真空チャンバ内に防着板を備えるものであれば、特に制限はなく、例えば、ドライエッチング装置やＣＶＤ装置等にも本発明を適用することができる。
【００２８】
上記実施形態では、ブロック体９の頂面９１全面を高放射率層９３で構成する場合について説明したが、図３に示すように、加熱手段１０に対向するブロック体頂面９１の中央部分を、放射率を０．３以下に低減させた低放射率層９５で構成してもよい。この低放射率層９５は、ブロック体頂面９１の中央部分の高放射率層９３を除去してブロック体９の母材金属表面を露出させ、この露出させた母材金属表面に対して算術平均粗さＲａが０．０１〜２．００の範囲になるように鏡面加工（表面処理）を施すことで得られる。尚、ブロック体９の高放射率層９３が形成された部分が、下防着板８２に対して所定の角度傾斜して対峙してもよい。また、高放射率層９３表面の加熱手段１０に対向する中央部分に、溶射や成膜などの表面処理を施すことで、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔから構成される低放射率層９５を形成することもできる。これによれば、加熱手段１０からの熱線を低放射率層９５で反射して下防着板８２に照射でき、有利である。
【００２９】
ところで、下防着板８２を冷却するのに際しては、ブロック体９と下防着板８２との間の距離が短いことが好ましい。図４に示すように、下防着板８２に対峙するブロック体９の表面に第１凹部９４を形成し、第１凹部９４の内側空間に加熱手段１０を格納すれば、上記距離を短くすることができる。この場合、第１凹部９４の内面は、上記低放射率層９５と同様に、ブロック体９の母材金属の表面に対して算術平均粗さＲａが０．０１〜２．００の範囲になるように鏡面加工（表面処理）を施すことで、放射率を０．３以下に低減させた低放射率層９５ａで構成すれば、加熱手段１０からの熱線を低放射率層９５ａで反射して下防着板８２に照射でき、有利である。また、放射率を０．１より小さくするには、加工コストが増大して現実的ではないため、低放射率層９５ａの放射率の下限は０．１以上に設定することができる。また、鏡面加工の方法としては、切削加工やバフ研磨等の物理研磨の他、電解研磨や化学研磨といった公知の方法を単独で又は組み合わせて採用することができる。尚、ブロック体９の母材金属の表面に対して溶射や成膜などの表面処理を施すことで、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔから構成される低放射率層９５ａを形成することもできる。また、加熱手段１０としてシースヒータを採用した場合には、シースヒータ１０の下防着板８２に面する部分（上半分側）に、上記高放射率層９３，８４と同様にブラスト処理、ＡｌＴｉＮ膜の成膜や溶射等の表面処理を施して高放射率層を設けることで、加熱効率を向上させることができる。
【００３０】
尚、図４に示すように、真空チャンバ１の下壁に、下防着板８２に向かって突出する環状の角フランジ１５を一体に設け、この角フランジ１５の内部にも冷媒を循環させることが可能なジャケット１１を設けてもよい。この場合、角フランジ１５の上面にブロック体９を接続すれば、ブロック体９の体積を小さくでき、冷却効率を向上できる。角フランジ１５とブロック体９との接続には、熱伝導等を考慮してモリブデン製のボルトを採用することができる。また、角フランジ１５を真空チャンバ１下壁とは別体に設けてもよく、この場合、角フランジの内部に冷媒循環路を形成し、冷媒を循環させることができるように構成すればよい。
【００３１】
また、図５に示すように、ブロック体９に対峙する下防着板８２の表面部分に第２凹部８５を形成し、第２凹部８５の内側空間に加熱手段１０を格納するように構成しても、上記距離を短くすることができる。この場合、第２凹部８５の内面は、上記高放射率層８４と同様に、下防着板８２の母材金属に対して表面処理を施すことで放射率を０．５以上に高めた高放射率層８６で構成すれば、加熱手段１０からの熱線を高放射率層８６で効率よく吸収して下防着板８２に伝えることができ、有利である。また、ガイドリング８３ｂと下防着板８２との接触面や、ガイドリング８３ｂのブロック体９と対峙する面を高放射率層で構成することで、効率よく熱を伝えることができる。
【００３２】
上記実施形態では、下防着板８２を冷却する場合を例に説明したが、上防着板８１を冷却する場合にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
ＳＭ…スパッタリング装置（真空処理装置）、Ｓｗ…基板（被処理基板）、１…真空チャンバ、１３…真空チャンバ１の下壁内面（内壁面）、８…防着板、８２…下防着板（防着板）、８４…高放射率層、８５…第２凹部、９…ブロック体、９３…高放射率層、９４…第１凹部、９５，９５ａ…低放射率層、１０…加熱手段、１１…ジャケット（冷却手段）。
【図１】
2020136964.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2020136964.tif 000009