(57)【要約】  半導体発光装置Ａ１は、半導体発光素子４と、基材２および導電部３を有し、半導体発光素子４を支持する支持体１と、ｚ方向視において半導体発光素子４に重なり且つ半導体発光素子４からの光を透過させるカバー５と、を備えており、カバー５は、半導体発光素子４からの光を透過させる基材層５１および基材５１層上に配置された導電層５３を含む。このような構成により、カバーの損傷に起因した半導体発光素子からの光を直接視認することを抑制できる。
2020026692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
基材および導電部を有し、前記半導体発光素子を支持する支持体と、
第１方向視において前記半導体発光素子に重なり且つ前記半導体発光素子からの光を透過させるカバーと、を備えており、
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる基材層および前記基材層上に配置された導電層を含む、半導体発光装置。
【請求項２】
前記導電層は、前記第１方向視において前記半導体発光素子から退避した位置に設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記導電層は、前記第１方向視において、前記半導体発光素子に対して前記第１方向と直角である第２方向一方側に位置する部分と、前記第１方向および前記第２方向のいずれに対しても直角である第３方向一方側に位置する部分と、を有する、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記導電層は、前記半導体発光素子に対して前記第２方向両側に位置する部分を有する、請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記導電層は、前記半導体発光素子に対して前記第３方向両側に位置する部分を有する、請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記導電層は、金属からなる、請求項３ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記導電層は、前記導電部との接続箇所であるパッド部と、前記パッド部に繋がる配線部とを含む、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記パッド部の厚さは、前記配線部の厚さよりも厚い、請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記導電層は、互いに積層された第１層および第２層を含む、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記配線部において、前記第１層は、前記第２層から露出している、請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を拡散させる拡散層を含む、請求項３ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記導電層は、前記基材層を挟んで前記拡散層とは反対側に配置されている、請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記導電層は、前記基材層に対して前記拡散層と同じ側に配置されている、請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記拡散層は、前記第１方向視において前記導電層から離間している、請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記支持体は、前記半導体発光素子が配置され且つ前記第１方向を向く第１面、前記第１面とは反対側を向く第２面、前記第１面と同じ側を向き且つ前記第１面よりも前記第２面から離間するとともに前記第１方向視において前記第１面を囲む第３面および前記第１面と前記第３面との間に介在する第４面を有し、
前記カバーは、前記第３面に支持されている、請求項３ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記導電層と前記導電部とに接続されたワイヤを備える、請求項１５に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記導電部は、前記導電層に導通し、且つ前記基材を前記第１方向に貫通する柱状部を含む、請求項１５に記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
前記半導体発光素子は、ＶＣＳＥＬ素子である、請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子を光源として備えた半導体発光装置が広く提案されている。特許文献１には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、半導体発光素子の一例である半導体レーザ素子と、半導体発光素子が搭載された基板と、半導体発光素子を囲むケースと、ケースを塞ぐ透光性を有するカバーとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１２３３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体発光素子からの光は、肉眼で直接視認することは好ましくない。カバーが拡散機能を有する等の場合には、カバーの損傷等が半導体発光素子からの光を直接視認してしまうことに繋がりかねない。【０００５】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、カバーの損傷に起因した半導体発光素子からの光を直接視認することを抑制可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示によって提供される半導体発光装置は、半導体発光素子と、基材および導電部を有し、前記半導体発光素子を支持する支持体と、第１方向視において前記半導体発光素子に重なり且つ前記半導体発光素子からの光を透過させるカバーと、を備えており、前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる基材層および前記基材層上に配置された導電層を含む。【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す斜視図である。
【図２】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図３】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。
【図４】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図９】図２のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図２のＸ−Ｘ線に沿う要部拡大断面図である。
【図１１】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の半導体発光素子を示す拡大断面斜視図である。
【図１２】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の半導体発光素子を示す要部拡大断面図である。
【図１３】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置が用いられた電子機器の一例を示すシステム構成図である。
【図１４】カバーの変形例を示す要部拡大断面図である。
【図１５】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す平面図である。
【図１６】本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１８】本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す断面図である。
【図１９】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図２０】図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。
【図２１】本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図２２】本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図２３】本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図２４】図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【００１１】
＜第１実施形態＞
図１〜図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、支持体１、半導体発光素子４、カバー５、ワイヤ６１，６２および封止樹脂７１を備えている。
【００１２】
図１は、半導体発光装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体発光装置Ａ１を示す平面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１を示す要部平面図である。図４は、半導体発光装置Ａ１を示す底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図２のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図２のＸ−Ｘ線に沿う要部拡大断面図である。図１１は、半導体発光装置Ａ１の半導体発光素子４を示す拡大断面斜視図である。図１２は、半導体発光装置Ａ１の半導体発光素子４を示す要部拡大断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第２方向に相当し、ｘ方向は、本開示の第３方向に相当する。
【００１３】
本実施形態の支持体１は、第１面１１、第２面１２、第３面１３、第４面１４、第５面１５、第６面１６、第７面１７、第８面１８、第９面１９、第１０面１ａ、第１１面１ｂおよび第１２面１ｃを有する。
【００１４】
第１面１１は、ｚ方向一方側（図５における図中上側）を向く面である。第２面１２は、第１面１１とは反対側のｚ方向他方側（図５における図中下側）を向く面である。第３面１３は、第１面１１と同じくｚ方向一方側（図５における図中上側）を向く面であり、第２面１２に対して第１面１１よりも離間している。第４面１４は、第１面１１と第３面１３との間に介在しており、本実施形態においては、第１面１１および第３面１３に繋がっている。第４面１４は、ｚ方向視において第１面１１を囲む環状である。また、第４面１４は、対向し合う部分同士の距離がｚ方向において第１面１１から第３面１３に向かうほど大きくなるように傾いている。
【００１５】
第５面１５は、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置しており、ｙ方向一方側（図６〜図９における図中右側）を向く面である。図示された例においては、第５面１５は、第１面１１および第３面１３に繋がっている。第６面１６は、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置しており、ｙ方向他方側（図６〜図９における図中左側）を向く面である。図示された例においては、第６面１６は、第１面１１および第３面１３に繋がっている。
【００１６】
第７面１７は、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置しており、ｘ方向一方側（図５における図中左側）を向く面である。図示された例においては、第７面１７は、第１面１１および第３面１３に繋がっている。第８面１８は、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置しており、ｘ方向他方側（図５における図中右側）を向く面である。図示された例においては、第８面１８は、第１面１１および第３面１３に繋がっている。
【００１７】
第９面１９は、ｚ方向一方側を向いており、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置している。図示された例においては、第９面１９は、ｚ方向において第１面１１と同じ位置に設けられている。第９面１９は、ｚ方向視において第１面１１に対してｘ方向他方側（図３および図５における図中右側）に配置されている。第１０面１ａは、ｚ方向において第９面１９と第３面１３との間に介在しており、本実施形態においては、第９面１９および第３面１３に繋がっている。第１０面１ａは、ｚ方向視において第９面１９を囲む環状である。また、第１０面１ａは、対向し合う部分同士の距離がｚ方向において第９面１９から第３面１３に向かうほど大きくなるように傾いている。
【００１８】
第１１面１ｂは、ｚ方向一方側を向いており、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置している。図示された例においては、第１１面１ｂは、ｚ方向において第１面１１と同じ位置に設けられている。第１１面１ｂは、ｚ方向視において第１面１１に対してｘ方向他方側（図３および図５における図中右側）に配置されており、第９面１９に対してｙ方向他方側に配置されている。第１２面１ｃは、ｚ方向において第１１面１ｂと第３面１３との間に介在しており、本実施形態においては、第１１面１ｂおよび第３面１３に繋がっている。第１２面１ｃは、ｚ方向視において第１１面１ｂを囲む環状である。また、第１２面１ｃは、対向し合う部分同士の距離がｚ方向において第１１面１ｂから第３面１３に向かうほど大きくなるように傾いている。
【００１９】
支持体１の構成は特に限定されず、本実施形態においては、支持体１は、基材２および導電部３を含む。
【００２０】
基材２は、絶縁性材料からなり、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が適宜用いられる。本実施形態の基材２は、第１面２１、第２面２２、第３面２３、第４面２４、第５面２５、第６面２６、第７面２７、第８面２８、第１０面２ａおよび第１２面２ｃを有する。
【００２１】
第１面２１は、ｚ方向一方側を向いており、第１面１１の一部を構成する。第２面２２は、ｚ方向他方側を向いており、第２面１２の一部を構成する。第３面２３は、ｚ方向一方側を向いており、第３面１３を構成する。第４面２４は、ｚ方向において第１面２１と第３面２３との間に位置しており、第４面１４を構成する。第５面２５は、ｙ方向一方側を向いており、第５面１５を構成する。第６面１６は、ｙ方向他方側を向いており、第６面１６を構成する。第７面２７は、ｘ方向一方側を向いており、第７面１７を構成する。第８面２８は、ｘ方向他方側を向いており、第８面１８を構成する。第１０面２ａは、ｚ方向において第９面１９と第３面１３（第３面２３）との間に位置しており、第１０面１ａを構成する。第１２面２ｃは、ｚ方向において第１１面１ｂと第３面１３（第３面２３）との間に位置しており、第１２面１ｃを構成する。
【００２２】
導電部３は、半導体発光素子４と半導体発光装置Ａ１の外部との導通経路を構成するものであり、本実施液体においては、第１リード３１、第２リード３２、第３リード３３および第４リード３４を含む。第１リード３１、第２リード３２、第３リード３３および第４リード３４は、たとえばＣｕ，Ｆｅ，Ｎｉ等の金属からなる。
【００２３】
第１リード３１は、第１面３１１、第２面３１２、主部３１５、縁部３１６および複数の延出部３１７を有する。第１面３１１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第１面１１の一部を構成している。ｚ方向視において、第１面３１１の一部は、第４面１４に囲まれた領域に露出している。第２面３１２は、第１面３１１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３１２は、ｚ方向視において第１面３１１よりも小さく、第１面３１１に内包されている。
【００２４】
主部３１５は、第１面３１１および第２面３１２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３１１および第２面３１２の双方が重なる部位である。縁部３１６は、ｚ方向視において主部３１５を囲む部位であり、第１面３１１の一部を有する。縁部３１６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３１７は、ｚ方向視において縁部３１６から外方に延出している。延出部３１７は、第１面３１１の一部を有する。延出部３１７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第１リード３１は、３つの延出部３１７を有する。１つの延出部３１７は、基材２の第５面２５に到達しており、端面が第５面２５と面一であり、第５面２５から露出している。他の１つの延出部３１７は、基材２の第６面２６に到達しており、端面が第６面２６と面一であり、第６面２６から露出している。さらに他の１つの延出部３１７は、基材２の第７面２７に到達しており、端面が第７面２７と面一であり、第７面２７から露出している。
【００２５】
第２リード３２は、第１リード３１に対してｘ方向他方側に離間して配置されている。第２リード３２は、第１面３２１、第２面３２２、主部３２５、縁部３２６および複数の延出部３２７を有する。第１面３２１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第１面１１の一部を構成している。ｚ方向視において、第１面３２１の一部は、第４面１４に囲まれた領域に露出している。第２面３２２は、第１面３２１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３２２は、ｚ方向視において第１面３２１よりも小さく、第１面３２１に内包されている。
【００２６】
主部３２５は、第１面３２１および第２面３２２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３２１および第２面３２２の双方が重なる部位である。縁部３２６は、ｚ方向視において主部３２５を囲む部位であり、第１面３２１の一部を有する。縁部３２６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３２７は、ｚ方向視において縁部３２６から外方に延出している。延出部３２７は、第１面３２１の一部を有する。延出部３２７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第２リード３２は、２つの延出部３２７を有する。１つの延出部３２７は、基材２の第５面２５に到達しており、端面が第５面２５と面一であり、第５面２５から露出している。他の１つの延出部３２７は、基材２の第６面２６に到達しており、端面が第６面２６と面一であり、第６面２６から露出している。
【００２７】
第３リード３３は、第２リード３２に対してｘ方向他方側に離間して配置されている。第３リード３３は、第１面３３１、第２面３３２、主部３３５、縁部３３６および複数の延出部３３７を有する。第１面３３１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第９面１９を構成している。ｚ方向視において、第１面３３１の一部は、第１０面１ａ（第１０面２ａ）に囲まれた領域に露出している。第２面３３２は、第１面３３１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３３２は、ｚ方向視において第１面３３１よりも小さく、第１面３３１に内包されている。
【００２８】
主部３３５は、第１面３３１および第２面３３２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３３１および第２面３３２の双方が重なる部位である。縁部３３６は、ｚ方向視において主部３３５を囲む部位であり、第１面３３１の一部を有する。縁部３３６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３３７は、ｚ方向視において縁部３３６から外方に延出している。延出部３３７は、第１面３３１の一部を有する。延出部３３７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第３リード３３は、２つの延出部３３７を有する。１つの延出部３３７は、基材２の第５面２５に到達しており、端面が第５面２５と面一であり、第５面２５から露出している。他の１つの延出部３３７は、基材２の第８面２８に到達しており、端面が第８面２８と面一であり、第８面２８から露出している。
【００２９】
第４リード３４は、第２リード３２に対してｘ方向他方側に離間して配置されており、第３リード３３に対してｙ方向他方側に離間して配置されている。第４リード３４は、第１面３４１、第２面３４２、主部３４５、縁部３４６および複数の延出部３４７を有する。第１面３４１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第１１面１ｂを構成している。ｚ方向視において、第１面３４１の一部は、第１２面１ｃ（第１２面１ｃ）に囲まれた領域に露出している。第２面３４２は、第１面３４１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３４２は、ｚ方向視において第１面３４１よりも小さく、第１面３４１に内包されている。
【００３０】
主部３４５は、第１面３４１および第２面３４２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３４１および第２面３４２の双方が重なる部位である。縁部３４６は、ｚ方向視において主部３４５を囲む部位であり、第１面３４１の一部を有する。縁部３４６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３４７は、ｚ方向視において縁部３４６から外方に延出している。延出部３４７は、第１面３４１の一部を有する。延出部３４７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第４リード３４は、２つの延出部３４７を有する。１つの延出部３４７は、基材２の第６面２６に到達しており、端面が第６面２６と面一であり、第６面２６から露出している。他の１つの延出部３４７は、基材２の第８面２８に到達しており、端面が第８面２８と面一であり、第８面２８から露出している。
【００３１】
半導体発光素子４は、半導体発光装置Ａ１における光源であり、所定の波長帯の光を発する。半導体発光素子４の具体的構成は特に限定されず、半導体レーザ素子やＬＥＤ素子等である。本実施形態においては、半導体発光素子４は、半導体レーザ素子であり、ＶＣＳＥＬ素子が採用されている。半導体発光素子４は、導電部３の第１リード３１の第１面３１１（第１面１１）に導電性接合材４８によってダイボンディングされている。導電性接合材４８は、たとえば、Ａｇペーストまたははんだである。半導体発光素子４からの光は、おおむねｚ方向一方側に出射される。
【００３２】
図３に示すように、半導体発光素子４は、平面視において第１電極４１と複数の発光領域４６０が設けられている。複数の発光領域４６０は、半導体発光素子４の平面視において第１電極４１を除く領域に離散配置されている。
【００３３】
図１１および図１２に示すように、本例の半導体発光素子４は、第１電極４１、第２電極４２、第２基板４５１、第４半導体層４５２、活性層４５３、第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７を備え、複数の発光領域４６０が形成されている。なお、同図に示す構成例は、半導体発光素子４としてのＶＣＳＥＬ素子の一例であり、本構成に限定されるものではない。図１２は、１つの発光領域４６０を含む部分を拡大して示している。
【００３４】
第２基板４５１は、は半導体よりなる。第２基板４５１を構成する半導体は、たとえば、ｎ型のＧａＡｓである。第２基板４５１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。
【００３５】
活性層４５３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層４５３は、第４半導体層４５２と第５半導体層４５４との間に位置している。本実施形態においては、アンドープのＧａＡｓ井戸層とアンドープのＡｌＧａＡｓ障壁層（バリア層）とを交互に積層した多重量子井戸構造により構成されている。たとえば、アンドープＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ障壁層とアンドープＧａＡｓ井戸層とが交互に繰り返し２〜６周期形成されている。
【００３６】
第４半導体層４５２は、典型的にはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、第２基板４５１に形成されている。第４半導体層４５２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第４半導体層４５２は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。第４半導体層４５２は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。より具体的には、第４半導体層４５２は、たとえば６００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が低いｎ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、たとえば７００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が高いｎ型Ａｌ0.92Ｇａ0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とを交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。ｎ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ層およびｎ型Ａｌ0.92Ｇａ0.16Ａｓ層には、それぞれ、たとえば２×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3および２×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3の濃度で、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされている。
【００３７】
第５半導体層４５４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第５半導体層４５４および第２基板４５１の間に、第４半導体層４５２が位置している。第５半導体層４５４は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第５半導体層４５４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。第５半導体層４５４は、たとえば、相対的にＡｌ組成が低いｐ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、相対的にＡｌ組成が高いｐ型Ａｌ0.92Ｇａ0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とが交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。
【００３８】
電流狭窄層４５５は、第５半導体層４５４内に位置している。電流狭窄層４５５はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層４５５は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層４５５は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層４５５には開口４５５１が形成されている。開口４５５１を電流が流れる。
【００３９】
絶縁層４５６は第５半導体層４５４に形成されている。絶縁層４５６は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。絶縁層４５６には、開口４５６１が形成されている。
【００４０】
導電層４５７は、絶縁層４５６に形成されている。導電層４５７は導電材料（たとえば金属）よりなる。導電層４５７は、絶縁層４５６の開口４５６１を通じて第５導電層３５４に導通している。導電層４５７は、開口４５７１を有する。
【００４１】
発光領域４６０は、活性層４５３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域４６０は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域４６０は、上述した第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７が積層され、電流狭窄層４５５の開口４５５１、絶縁層４５６の開口４５６１および導電層４５７の開口４５７１等が形成されることにより設けられている。発光領域４６０においては、活性層４５３からの光が、導電層４５７の開口４５７１を通じて出射される。
【００４２】
第１電極４１は、たとえば金属からなり、第５半導体層４５４に導通している。第２電極４２は、第２基板４５１の裏面に形成されており、たとえば金属からなる。第２電極４２は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材４８によって第１面３１１にダイボンディングされている。これにより、第２電極４２は、導電部３の第１リード３１と導通している。
【００４３】
ワイヤ４９は、図３および図５に示すように、半導体発光素子４の第１電極４１と第２リード３２の第１面３２１とに接続されている。ワイヤ４９の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。本実施形態においては、４本のワイヤ４９が互いに並列に設けられている。ただし、ワイヤ４９の本数や配置は特に限定されない。
【００４４】
カバー５は、半導体発光素子４をｚ方向視において塞ぐとともに、半導体発光素子４からの光を透過させるものである。本実施形態においては、カバー５は、基材層５１、拡散層５２および導電層５３を含む。カバー５は、たとえば接合材５７によって支持体１の第３面１３（第３面２３）に接合されている。接合材５７は、たとえば樹脂材料からなる絶縁性の接着剤である。
【００４５】
基材層５１は、ガラス等の半導体発光素子４からの光を透過させる材料からなる。本実施形態においては、基材層５１は、透明なガラスからなる。基材層５１の形状等は特に限定されず、本実施形態においては矩形状である。
【００４６】
拡散層５２は、基材層５１上に配置されており、半導体発光素子４からの光を拡散させつつ透過させる層である。拡散層５２としては、拡散機能を実現する光学処理が施されたエポキシ樹脂層が挙げられる。本実施形態においては、拡散層５２は、基材層５１のうち半導体発光素子４と対向する面に設けられている。また、図示された例においては、拡散層５２は、基材層５１の片面全面に設けられている。
【００４７】
導電層５３は、基材層５１上に配置されており、導電体からなる層である。図示された例においては、導電層５３は、基材層５１を挟んで拡散層５２とは反対側に設けられている。図２においては、理解の便宜上、導電層５３にハッチングを付している。本実施形態の導電層５３は、パッド部５３１，５３２および配線部５３３を有する。
【００４８】
パッド部５３１、５３２は、導電部３との接続箇所である。パッド部５３１，５３２は、基材層５１のｘ方向他方寄り部分に形成されている。パッド部５３１とパッド部５３２とは、ｙ方向に離間して配置されている。
【００４９】
配線部５３３は、パッド部５３１とパッド部５３２とに接続されており、パッド部５３１とパッド部５３２とを導通させる部分である。配線部５３３の形状は特に限定されず、図示された例においては、配線部５３３は、第１部５３３１、第２部５３３２、第３部５３３３、第４部５３３４、第５部５３３５、第６部５３３６、第７部５３３７、第８部５３３８および第９部５３３９を有する。
【００５０】
図２に示すように、パッド部５３１１は、パッド部５３１に繋がっており、パッド部５３１からｙ方向一方側に延びている。第２部５３３２は、第１部５３３１に繋がっており、ｘ方向に延びている。第３部５３３３は、第２部５３３２に繋がっており、ｙ方向に延びている。第４部５３３４は、第３部５３３３に繋がっており、ｘ方向に延びている。第５部５３３５は、第４部５３３４に繋がっており、ｙ方向に延びている。第６部５３３６は、第５部５３３５に繋がっており、ｘ方向に延びている。第７部５３３７は、第６部５３３６に繋がっており、ｙ方向に延びている。第８部５３３８は、第７部５３３７に繋がっており、ｘ方向に延びている。第９部５３３９は、第８部５３３８およびパッド部５３２に繋がっており、ｙ方向に延びている。
【００５１】
図２に示すように、導電層５３は、ｚ方向視において半導体発光素子４から退避した位置に設けられている。導電層５３は、ｚ方向視において、半導体発光素子４に対してｙ方向一方側に位置する部分（第２部５３３２）と、ｘ方向一方側に位置する部分（第３部５３３３）と、を有する。さらに、導電層５３は、半導体発光素子４に対してｙ方向両側に位置する部分（第２部５３３２および第４部５３３４）を有する。また、導電層５３は、半導体発光素子４に対してｘ方向両側に位置する部分（第３部５３３３および第５部５３３５）を有する。図示された導電層５３の配線部５３３は、ｚ方向視において半導体発光素子４を囲む形状である。
【００５２】
本例においては、パッド部５３１，５３２は、ｚ方向視において第３面１３と重なっている。また、第１部５３３１、第２部５３３２、第３部５３３３、第４部５３３４、第８部５３３８および第９部５３３９は、ｚ方向視において第３面１３と重なっている。一方、第５部５３３５、第６部５３３６および第７部５３３７は、ｚ方向視において第１面１１と重なっている。
【００５３】
図１０に示すように、本実施形態の導電層５３は、第１層５３ａおよび第２層５３ｂを含む。第１層５３ａは、基材層５１上に直接形成されている。第２層５３ｂは、第１層５３ａ上に形成されている。第１層５３ａおよび第２層５３ｂの材質は特に限定されない。第１層５３ａの材質としては、例えばＴｉが挙げられ、第２層５３ｂの材質としては例えばＡｕが挙げられる。第１層５３ａおよび第２層５３ｂは、たとえばめっき等によって形成される。図示された例においては、第１層５３ａは、１層のめっき層で形成されており、第２層５３ｂは、複数層のめっき層で形成されている。パッド部５３１は、第１層５３ａと複数のめっき層からなる第２層５３ｂとによって構成されている。第２部５３３２も同様である。配線部５３３は、第１層５３ａとたとえば１層のみのめっき層からなる第２層５３ｂによって構成されている。これにより、パッド部５３１，５３２の厚さは、配線部５３３の厚さよりも厚い。
【００５４】
ワイヤ６１は、図２および図５に示すように、第３リード３３の第１面３３１（第９面１９）とパッド部５３１とに接続されている。ワイヤ６１の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。
【００５５】
ワイヤ６２は、図２および図５に示すように、第４リード３４の第１面３４１（第１１面１ｂ）とパッド部５３２とに接続されている。ワイヤ６２の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。
【００５６】
封止樹脂７１は、たとえばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなる。封止樹脂７１は、ワイヤ６１およびワイヤ６２を覆っている。図示された例においては、封止樹脂７１は、第９面１９および第１０面１ａによって規定された凹部と、第１１面１ｂおよび第１２面１ｃとによって規定された凹部とに充填されている。封止樹脂７１は、パッド部５３１およびパッド部５３２を覆っており、配線部５３３の大部分を露出させている。
【００５７】
図１３は、半導体発光装置Ａ１が用いられた電子機器の一例を示すシステム構成図である。同図に示された電子機器Ｃ１は、半導体発光装置Ａ１およびコントローラＣｔを有する。半導体発光装置Ａ１およびコントローラＣｔは、たとえば図示しない回路基板に搭載されている。半導体発光装置Ａ１では、第２リード３２が半導体発光素子４のアノード電極に導通しており、第１リード３１が半導体発光素子４のカソード電極に導通している。また、第３リード３３および第４リード３４が、カバー５の導電層５３に導通している。
【００５８】
第１リード３１、第２リード３２、第３リード３３および第４リード３４は、配線を介してコントローラＣｔに接続されている。コントローラＣｔは、半導体発光素子４の発光制御および導電層５３の導通状態の検知制御を行う。
【００５９】
次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。
【００６０】
本実施形態によれば、本実施形態によれば、カバー５の基材層５１に亀裂等の損傷が生じると、導電層５３に亀裂を生じうる。これにより、導電層５３が断線状態となるなど、導通状態が変化する。この変化を、たとえば図１４に示すコントローラＣｔによって検知することにより、カバー５になんらかの不具合が生じたと判断することが可能である。これにより、コントローラＣｔは、たとえば半導体発光素子４の発光を停止することができる。したがって、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。
【００６１】
導電層５３は、金属からなる。このため、ＩＴＯ等を用いて導電層５３を形成する場合と比べて、低コスト化を図ることができる。
【００６２】
導電層５３は、ｚ方向視において半導体発光素子４から退避した位置に設けられている。このため、金属からなる５３が、半導体発光素子４から出射された光を遮ってしまうことを抑制することができる。また、導電層５３は、ｚ方向視において、半導体発光素子４に対してｙ方向一方側に位置する部分（第２部５３３２）と、ｘ方向一方側に位置する部分（第３部５３３３）と、を有する。これにより、基材層５１にｘ方向に沿う亀裂が生じた場合とｙ方向に沿う亀裂が生じた場合との双方を検出することが可能である。さらに、導電層５３は、半導体発光素子４に対してｙ方向両側に位置する部分（第２部５３３２および第４部５３３４）を有する。また、導電層５３は、半導体発光素子４に対してｘ方向両側に位置する部分（第３部５３３３および第５部５３３５）を有する。これにより、亀裂の検出をより確実に行うことができる。
【００６３】
パッド部５３１およびパッド部５３２は、配線部５３３よりも厚さが厚い。これにより、ワイヤ６１およびワイヤ６２をより確実にボンディングすることができる。また、配線部５３３が相対的に薄いことにより、基材層５１に亀裂等が生じた際に、より速やかに配線部５３３を断線させることができる。
【００６４】
ワイヤ６１は、第３リード３３に接続されており、ワイヤ６２は、第４リード３４に接続されている。第３リード３３の第２面３３２および第４リード３４の第２面３４２は、支持体１の第２面１２を構成しており、露出している。これにより、半導体発光装置Ａ１を実装する際に導電層５３を図外のコントローラ等に適切に接続することができる。
【００６５】
半導体発光素子４が第１リード３１に搭載されていることにおり、半導体発光素子４の発光時の熱を、第１リード３１の第２面３１２から外部へと逃がすことができる。
【００６６】
図１４〜図２４は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００６７】
図１４は、カバー５の変形例を示している。本例のカバー５は、導電層５３の構成が上述した例のカバー５と異なっている。本例においては、第２層５３ｂが、導電層５３の一部に設けられている。具体的には、パッド部５３１およびパッド部５３２は、第１層５３ａおよび第２層５３ｂを有する。一方、配線部５３３は、第２層５３ｂのみからなり、第１層５３ａを含まない。
【００６８】
本例によれば、配線部５３３は、第１層５３ａのみからなる。第１層５３ａが、たとえばＴｉからなる場合、Ｔｉは、たとえば第２層５３ｂの材質であるＡｕよりも脆い材質である。これにより、基材層５１に亀裂等が生じた際に、より速やかに配線部５３３を断線させるのに好ましい。
【００６９】
＜第１実施形態  第１変形例＞
図１５は、半導体発光装置Ａ１の第１変形例を示している。本例の半導体発光装置Ａ１１は、半導体発光装置Ａ１における配線部５３３とは異なる配線部５３３を有する。
【００７０】
本例の配線部５３３は、第１部５３３１、第２部５３３２、第３部５３３３、第４部５３３４および第９部５３３９を有しており、上述した第５部５３３５、第６部５３３６、第７部５３３７および第８部５３３８を有さない。第４部５３３４は、第３部５３３３と第９部５３３９とに繋がっている。本例の導電層５３は、半導体発光素子４に対してｙ方向両側に位置する部分（第２部５３３２および第４部５３３４）を有する。また、導電層５３は、半導体発光素子４に対してｘ方向一方側に位置する部分（第３部５３３３）を有する。図示された導電部３の配線部５３３は、ｚ方向視において半導体発光素子４を三方において囲む形状である。
【００７１】
本例の半導体発光装置Ａ１１によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。本変形例から理解されるように、導電層５３（配線部５３３）の形状は特に限定されない。
【００７２】
＜第２実施形態＞
図１６および図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示している。図１６は、本実施形態の半導体発光装置Ａ２を示す平面図である。図１７は、図１６のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。
【００７３】
本実施形態においては、支持体１が、上述した半導体発光装置Ａ１における第９面１９、第１０面１ａ、第１１面１ｂおよび第１２面１ｃを有していない。また、導電部３が、柱状部３７１および柱状部３７２を有する。
【００７４】
柱状部３７１は、ｚ方向視において第３リード３３と重なっており、基材２を第３面２３（第３面１３）から第３リード３３の第１面３３１まで貫通している。柱状部３７１は、たとえば第３リード３３と同じ材質（Ｃｕ等）からなる。柱状部３７１は、たとえば共晶接合によって第３リード３３に接合されている。
【００７５】
柱状部３７２は、ｚ方向視において第４リード３４と重なっており、基材２を第３面２３（第３面１３）から３４の第１面３４１まで貫通している。柱状部３７２は、たとえば第４リード３４と同じ材質（Ｃｕ等）からなる。柱状部３７２は、たとえば共晶接合によって第４リード３４に接合されている。
【００７６】
本実施形態のカバー５は、拡散層５２および導電層５３が、基材層５１のうち半導体発光素子４と対向する面に設けられている。拡散層５２は、ｚ方向視において半導体発光素子４と重なるように設けられており、導電層５３から離間している。導電層５３の配線部５３３は、上述した実施形態の配線部５３３と同様に、ｚ方向視において半導体発光素子４を囲む形状である。また、配線部５３３は、ｚ方向視において拡散層５２を囲む形状である。また、本実施形態においては、第２部５３３２、第３部５３３３および第４部５３３４は、ｚ方向視において第１面１１と重なっている。また、第５部５３３５、第６部５３３６および第７部５３３７は、ｚ方向視において第３面１３と重なっている。
【００７７】
パッド部５３１と柱状部３７１とは、導電性接合材５９によって接合されており、互いに導通している。導電性接合材５９は、たとえばＡｇペーストやはんだである。また、パッド部５３２と柱状部３７２とは、同様に、導電性接合材５９によって接合されており、互いに導通している。
【００７８】
このような実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、柱状部３７１および柱状部３７２によって導電層５３と第３リード３３および第４リード３４とを導通させることにより、導電層５３への導通経路の低抵抗化を図ることができる。これは、配線部５３３の断線発生、すなわち基材層５１の亀裂発生をより高精度に検出するのに好ましい。
【００７９】
＜第２実施形態  第１変形例＞
図１８は、半導体発光装置Ａ２の第１変形例を示す断面図である。本例においては、基材層５１と導電層５３との間に拡散層５２が介在している。拡散層５２は、基材層５１の片面の全面に形成されている。
【００８０】
このような変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、たとえばエポキシ樹脂層からなる拡散層５２は、ガラス等からなる基材層５１と比べて熱膨張率が大きく、熱変形しやすい。また、導電層５３が、たとえばＡｕを含む層である場合、延性に優れる。したがって、導電層５３が拡散層５２の熱変形に追従しやすく、温度変化によって導電層５３が断線することを抑制可能であり、カバー５（基材層５１）に亀裂が生じたと誤検出することを回避することができる。
【００８１】
＜第３実施形態＞
図１９および図２０は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示している。図１９は、本実施形態の半導体発光装置Ａ３を示す平面図である。図２０は、図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。
【００８２】
本実施形態の支持体１は、半導体発光装置Ａ２の支持体１が有する第１面１１、第２面１２、第３面１３、第４面１４、第５面１５、第６面１６、第７面１７および第８面１８に加えて、第１３面１ｄおよび第１４面１ｅを有する。
【００８３】
第１３面１ｄは、第１面１１と同様にｚ方向一方側を向く面であり、ｚ方向において第１面１１と第３面１３との間に位置している。第１３面１ｄは、ｚ方向視において第１面１１および第４面１４を囲む環状である。第１４面１ｅは、ｚ方向において第１３面１ｄと第３面１３との間に位置しており、図示された例においては、第１３面１ｄと第３面１３とに繋がっている。第１４面１ｅは、対向し合う部分同士の距離がｚ方向において第１３面１ｄから第３面１３に向かうほど大きくなるように傾いている。
【００８４】
本実施形態の基材２は、第１３面２ｄおよび第１４面２ｅを有する。第１３面２ｄは、第１３面１ｄを構成する面である。第１４面２ｅは、第１４面１ｅを構成する面である。
【００８５】
本実施形態のカバー５は、基材層５１、拡散層５２、導電層５３および基材層５４を含む。基材層５１のうち半導体発光素子４と対向する面には、導電層５３が形成されている。基材層５１は、接合材５７によって支持体１の第３面１３に接合されている。また、導電層５３のパッド部５３１は柱状部３７１に導通接合されており、パッド部５３２は、柱状部３７２に導通接合されている。
【００８６】
基材層５４は、ガラス等の半導体発光素子４からの光を透過させる材料からなる。本実施形態においては、基材層５４は、透明なガラスからなる。基材層５４の形状等は特に限定されず、本実施形態においては矩形状である。本実施形態においては、拡散層５２は、基材層５４のうち半導体発光素子４と対向する面に形成されており、基材層５４の片面全面に形成されている。基材層５４は、接合材５８によって支持体１の第１３面１ｄに接合されている。基材層５１および基材層５４は、ともにｚ方向視において半導体発光素子４と重なる。
【００８７】
このような実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本実施形態から理解されるように、カバー５は、拡散層５２と導電層５３とが、同一の部材に形成された構成に限定されない。
【００８８】
＜第４実施形態＞
図２１は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置Ａ４を示す断面図である。本実施形態の支持体１は、半導体発光装置Ａ１の支持体１と類似の構成であるものの、具体的構造が異なり、いわゆる多層配線基板からなる。
【００８９】
本実施形態の基材２は、第１層２０１および第２層２０２を含む。第１層２０１および第２層２０２は、それぞれ絶縁性材料からなり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。
【００９０】
導電部３は、第１部３８１、第２部３８２、第３部３８３、第５部３８５、第６部３８６、第７部３８７、第９部３８９、第１０部３８ａおよび第１１部３８ｂを有する。第１部３８１、第２部３８２、第３部３８３、第５部３８５、第６部３８６、第７部３８７、第９部３８９、第１０部３８ａおよび第１１部３８ｂは、金属からなり、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ等のめっき層からなる。
【００９１】
第１部３８１は、第１層２０１上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第１面３１１とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。第２部３８２は、第１層２０１上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第１面３２１とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。第３部３８３は、第１層２０１上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第１面３３１とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。なお、ｚ方向視における形状、大きさや配置が半導体発光装置Ａ１における第１面３４１と同じである部位をさらに有してもよい。
【００９２】
第５部３８５は、第１層２０１の第２面２２上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第２面３１２とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。第６部３８６は、第１層２０１の第２面２２上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第２面３２２とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。第７部３８７は、第１層２０１の第２面２２上に形成されており、たとえば半導体発光装置Ａ１における第２面３３２とｚ方向視における形状、大きさや配置が同じである。なお、ｚ方向視における形状、大きさや配置が半導体発光装置Ａ１における第２面３４２と同じである部位をさらに有してもよい。
【００９３】
第９部３８９は、第１層２０１をｚ方向に貫通しており、第１部３８１と第５部３８５とに繋がっている。第１０部３８ａは、第１層２０１をｚ方向に貫通しており、第２部３８２と第６部３８６とに繋がっている。第１１部３８ｂは、第１層２０１をｚ方向に貫通しており、第３部３８３と第７部３８７とに繋がっている。なお、ｚ方向視における形状、大きさや配置が半導体発光装置Ａ１における第１面３４１と同じである部位と、ｚ方向視における形状、大きさや配置が半導体発光装置Ａ１における第２面３４２と同じである部位とに繋がる部位をさらに有してもよい。
【００９４】
このような実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本実施形態から理解されるように、支持体１の具体的構造は、何ら限定されない。
【００９５】
＜第５実施形態＞
図２２は、本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置Ａ５を示す断面図である。本実施形態の支持体１は、半導体発光装置Ａ１の支持体１と類似の構成であるものの、具体的構造が異なり、いわゆるセラミック配線基板からなる。
【００９６】
本実施形態の基材２は、第１層２０１、第２層２０２および第３層２０３を含む。第１層２０１、第２層２０２および第３層２０３は、それぞれアルミナ等のセラミックスからなる。本実施形態の第４面１４、第１０面１ａおよび第１２面１ｃは、ｚ方向に沿った形状である。導電部３の構成は、たとえば半導体発光装置Ａ４における導電部３と類似の構成である。
【００９７】
このような実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、また、本実施形態から理解されるように、支持体１の具体的構造は、何ら限定されない。
【００９８】
＜第６実施形態＞
図２３は、本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置Ａ６を示す平面図であり、図２４は、図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ６は、受光素子８を備える。
【００９９】
本実施形態の導電部３は、第５リード３５および第６リード３６を含む。
【０１００】
第５リード３５は、第１リード３１に対してｘ方向一方側に離間して配置されている。第５リード３５は、第１面３５１、第２面３５２、主部３５５、縁部３５６および複数の延出部３５７を有する。第１面３５１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第１面１１を構成している。ｚ方向視において、第１面３５１の一部は、第４面１４（第４面２４）に囲まれた領域に露出している。第２面３５２は、第１面３５１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３５２は、ｚ方向視において第１面３５１よりも小さく、第１面３５１に内包されている。
【０１０１】
主部３５５は、第１面３５１および第２面３５２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３５１および第２面３５２の双方が重なる部位である。縁部３５６は、ｚ方向視において主部３５５を囲む部位であり、第１面３５１の一部を有する。縁部３５６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３５７は、ｚ方向視において縁部３５６から外方に延出している。延出部３５７は、第１面３５１の一部を有する。延出部３５７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第５リード３５は、２つの延出部３５７を有する。１つの延出部３５７は、基材２の第５面２５に到達しており、端面が第５面２５と面一であり、第５面２５から露出している。他の１つの延出部３５７は、基材２の第７面２７に到達しており、端面が第７面２７と面一であり、第７面２７から露出している。
【０１０２】
第６リード３６は、第１リード３１に対してｘ方向一方側に離間して配置されており、第５リード３５に対してｙ方向他方側に離間して配置されている。第６リード３６は、第１面３６１、第２面３６２、主部３６５、縁部３６６および複数の延出部３６７を有する。第１面３６１は、ｚ方向一方側を向く面であり、第１面１１を構成している。ｚ方向視において、第１面３６１の一部は、第４面１４（第４面２４）に囲まれた領域に露出している。第２面３６２は、第１面３６１とは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、第２面１２の一部を構成する。図示された例においては、第２面３６２は、ｚ方向視において第１面３６１よりも小さく、第１面３６１に内包されている。
【０１０３】
主部３６５は、第１面３６１および第２面３６２を有する部位であり、ｚ方向視において第１面３６１および第２面３６２の双方が重なる部位である。縁部３６６は、ｚ方向視において主部３６５を囲む部位であり、第１面３６１の一部を有する。縁部３６６のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。複数の延出部３６７は、ｚ方向視において縁部３６６から外方に延出している。延出部３６７は、第１面３６１の一部を有する。延出部３６７のｚ方向他方側部分は、基材２によって覆われている。図示された例においては、第６リード３６は、２つの延出部３６７を有する。１つの延出部３６７は、基材２の第６面２６に到達しており、端面が第６面２６と面一であり、第６面２６から露出している。他の１つの延出部３６７は、基材２の第７面２７に到達しており、端面が第７面２７と面一であり、第７面２７から露出している。
【０１０４】
受光素子８は、半導体発光素子４から発せられる光を受光することによって起電力を生じる光電変換機能を有する素子である。受光素子８は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材８８によって第５リード３５の第１面３５１にダイボンディングされている。また、受光素子８は、ワイヤ８９によって第６リード３６の第１面３６１に接続されている。ワイヤ８９は、たとえばＡｕ等の金属からなり、受光素子８と第１面３６１とにそれぞれボンディングされている。
【０１０５】
本実施形態においては、導電層５３の配線部５３３（第３部５３３３）が、ｚ方向視において受光素子８と重なっている。
【０１０６】
このような実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、受光素子８を備えることにより、受光素子８の出力信号から、半導体発光素子４の発光状態を監視することができる。また、ｚ方向視において第３部５３３３（配線部５３３）が受光素子８と重なっている。これにより、半導体発光素子４からの光の一部を、金属からなる第３部５３３３（配線部５３３）によって反射し、受光素子８へと向かわせることが可能である。したがって、受光素子８の発光状態の監視をより高精度に行うことができる。
【０１０７】
本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１０８】
〔付記１〕
半導体発光素子と、
基材および導電部を有し、前記半導体発光素子を支持する支持体と、
第１方向視において前記半導体発光素子に重なり且つ前記半導体発光素子からの光を透過させるカバーと、を備えており、
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる基材層および前記基材層上に配置された導電層を含む、半導体発光装置。
〔付記２〕
前記導電層は、前記第１方向視において前記半導体発光素子から退避した位置に設けられている、付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記３〕
前記導電層は、前記第１方向視において、前記半導体発光素子に対して前記第１方向と直角である第２方向一方側に位置する部分と、前記第１方向および前記第２方向のいずれに対しても直角である第３方向一方側に位置する部分と、を有する、付記２に記載の半導体発光装置。
〔付記４〕
前記導電層は、前記半導体発光素子に対して前記第２方向両側に位置する部分を有する、付記３に記載の半導体発光装置。
〔付記５〕
前記導電層は、前記半導体発光素子に対して前記第３方向両側に位置する部分を有する、付記４に記載の半導体発光装置。
〔付記６〕
前記導電層は、金属からなる、付記３ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記７〕
前記導電層は、前記導電部との接続箇所であるパッド部と、前記パッド部に繋がる配線部とを含む、付記６に記載の半導体発光装置。
〔付記８〕
前記パッド部の厚さは、前記配線部の厚さよりも厚い、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記９〕
前記導電層は、互いに積層された第１層および第２層を含む、付記８に記載の半導体発光装置。
〔付記１０〕
前記配線部において、前記第１層は、前記第２層から露出している、付記９に記載の半導体発光装置。
〔付記１１〕
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を拡散させる拡散層を含む、付記３ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１２〕
前記導電層は、前記基材層を挟んで前記拡散層とは反対側に配置されている、付記１１に記載の半導体発光装置。
〔付記１３〕
前記導電層は、前記基材層に対して前記拡散層と同じ側に配置されている、付記１１に記載の半導体発光装置。
〔付記１４〕
前記拡散層は、前記第１方向視において前記導電層から離間している、付記１３に記載の半導体発光装置。
〔付記１５〕
前記支持体は、前記半導体発光素子が配置され且つ前記第１方向を向く第１面、前記第１面とは反対側を向く第２面、前記第１面と同じ側を向き且つ前記第１面よりも前記第２面から離間するとともに前記第１方向視において前記第１面を囲む第３面および前記第１面と前記第３面との間に介在する第４面を有し、
前記カバーは、前記第３面に支持されている、付記３ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１６〕
前記導電層と前記導電部とに接続されたワイヤを備える、付記１５に記載の半導体発光装置。
〔付記１７〕
前記導電部は、前記導電層に導通し、且つ前記基材を前記第１方向に貫通する柱状部を含む、付記１５に記載の半導体発光装置。
〔付記１８〕
前記半導体発光素子は、ＶＣＳＥＬ素子である、付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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