(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二枚の基板を対向させ液晶を挟持させてなる液晶装置の製造過程における基板の貼り合せ工程において、シール材を該シール材のガラス転移点よりも高い温度に加熱するとともに大気圧よりも高い圧力で加圧して硬化させるシール硬化工程の後に、（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲内で１００Torr以下の圧力に所定時間保持することによりシール材内の溶剤および気泡を除去する脱ガス工程と、該脱ガス工程後に（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲内で上記シール硬化工程での圧力よりも高い圧力に所定時間保持することによりシール材内に形成された欠陥を消滅させるシール材圧搾工程とを行なうようにしたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
上記脱ガス工程は、上記基板を（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲で、１００Torr以下の圧力に５分以上保持する工程であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
上記シール材圧搾工程は、上記基板を（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲で、（大気圧＋１．０kgf/cm2）以上の圧力に５分以上保持する工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
上記脱ガス工程の圧力から上記シール材圧搾工程の圧力への変化を２０分以内に行なうようにしたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
上記脱ガス工程と上記シール材圧搾工程を同一の温度条件にて行なうようにしたことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
上記液晶装置は、上記二枚の基板の液晶側の面に液晶の向きを制御するための電圧を印加するための電極が形成されてなる液晶表示装置であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置の製造方法に関し、特にガラス基板の貼り合せ工程に適用して好適な液晶装置の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置などに用いられる液晶装置（液晶パネル）は、電極等を形成した一対のガラス基板の間に液晶が挟持されて構成されるが、液晶を上記基板間に封止するために、二枚の基板を貼り合せる工程が必要である。そこで、液晶装置の製造工程には、表面にそれぞれ電極等が形成されたガラス基板に配向処理を施した後、二枚のガラス基板を貼り合せる貼り合せ工程が設けられている。
【０００３】
従来の貼り合せ工程は、一方のガラス基板上にエポキシ樹脂等のシール材をスクリーン印刷やディスペンサで所定のパターンに形成し（シールパターニング）、シールパターニングしたガラス基板を低温処理してシール材中の溶剤を蒸発させ（プリベイク）、セルギャップを均一に保つために一方のガラス基板に均一径を有するプラスチックビーズ等のスペーサを散布し（スペーサ散布）、上記シール形成とスペーサ散布の終ったガラス基板を膜面同士を向かい合わせて貼り合せ、加圧および加熱によってシール材を最終硬化して行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した貼り合せ工程では、最終硬化工程時よりも低い温度（例えば60℃）で5〜10分プリベイクが行われるが、このプリベイク工程でシール材中の溶剤が充分に蒸発せずに残っていたり、温度が低いためシール材が充分に軟化せず溶剤ガスが気泡として閉じ込められていたりする。
【０００５】
そのため、最終硬化時の加熱・加圧時にシール材中の溶剤が蒸発したり溶剤ガスの気泡が移動することにより、シール材内に小径のガス抜け穴が形成されたり、脱ガスが不充分なために、シール材内に気泡が残留したりすることがある。そして、製品として完成後にこの小径のガス抜け穴や気泡を通って水分やガス等がシール材で囲まれた液晶内に侵入して、表示むらや腐食による電極、配線の断線の原因となり、液晶パネルの品質および信頼性が低下するという問題点があることが分かった。
【０００６】
そこで、本発明は、液晶装置を構成する基板の貼り合せ工程において、シール材内に残留した気泡やシール材中に形成された小径のガス抜け穴等の欠陥を有効に消滅させることが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の液晶装置の製造方法は、二枚の基板を対向させ液晶を挟持させてなる液晶装置の製造過程における基板の貼り合せ工程において、シール材を該シール材のガラス転移点よりも高い温度に加熱するとともに大気圧よりも高い圧力で加圧して硬化させるシール硬化工程の後に、（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲内で１００Torr以下の圧力に所定時間保持することによりシール材内の溶剤および気泡を除去する脱ガス工程と、該脱ガス工程後に（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲内で上記シール硬化工程での圧力よりも高い圧力に所定時間保持することによりシール材内に形成された欠陥を消滅させるシール材圧搾工程とを行なうようにしたので、貼り合せ工程でシール材内に発生していた溶剤ガスの気泡や小径のガス抜け穴等を有効に消滅させ、シール材の内側に水分やガス等が進入するのを防止でき、液晶装置の品質および信頼性を向上させることができるという効果がある。
【０００８】
また、本発明の液晶装置の製造方法において、上記脱ガス工程は、上記基板を加熱・減圧状態下で所定の時間保持する工程としたので、シール材内の溶剤および気泡を除去することができる。
【０００９】
また、本発明の液晶装置の製造方法において、上記シール材圧搾工程は、上記脱ガス工程の後に、上記基板を加熱・加圧状態下で所定の時間保持する工程としたので、シール材内のガス抜け穴等の欠陥を消滅させることができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置の製造方法において、上記脱ガス工程は、上記基板を（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲で、１００Torr以下の圧力に５分以上保持する工程としたので、シール材の材料に応じた最適の条件で脱ガス処理を行なうことができ、これによってシール材内の溶剤および気泡をほぼ完全に除去することができる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置の製造方法において、上記シール材圧搾工程は、上記基板を（上記シール材のガラス転移点（℃）−４０℃）から（上記シール材のガラス転移点（℃）＋２０℃）までの温度範囲で、（大気圧＋１．０kgf/cm2）以上の圧力に５分以上保持する工程としたので、シール材の材料に応じた最適の条件で圧搾処理を行なうことができ、これによってシール材内のガス抜け穴等の欠陥をほぼ完全に消滅させることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記脱ガス工程の圧力から上記シール材圧搾工程の圧力への変化を２０分以内に行なうようにしたので、生産性が高くなるという効果がある。
【００１３】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記脱ガス工程と上記シール材圧搾工程を同一の温度条件にて行なうようにしたので、温度制御が簡単になるという効果がある。
【００１４】
また、本発明の液晶装置の製造方法において、上記液晶装置は、上記二枚の基板の液晶側の面に液晶の向きを制御するための電圧を印加するための電極が形成されてなる液晶表示装置であるので、シール材の内側の液晶内に水分やガスが侵入しにくくなり、これによって表示品質が高くかつ信頼性の高い液晶表示装置が得られるという効果がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を説明する。
【００１６】
図１は、液晶装置を構成する二枚の基板の貼り合せ工程の手順を示すフローチャートである。図１に示されているように、先ず、エポキシ系シール材等の熱硬化性シール材を使用してスクリーン印刷により一方のガラス基板上にシールパターンを形成する（ステップＳ１）。次に、シール材の硬化温度よりも低い所定の温度でプリベイクを行なう（ステップＳ２）。その後、一方の基板上にスペーサを散布してから、２枚のガラス基板を配向膜形成面を内側にして接合させる（ステップＳ３）。そして、所定の圧力を印加しながら、使用したシール材に好適な硬化温度でシール材を硬化させる（ステップＳ４）。ここまでは、従来の貼り合せ方法と同一である。
【００１７】
この実施形態においては、上記加熱・加圧工程（ステップＳ４）の後、加熱・減圧による脱ガス工程（ステップＳ５）と、それに続くシール圧搾工程（ステップＳ６）を行なう。
【００１８】
図２には、上記工程Ｓ５，Ｓ６において基板に加わるの圧力の変化を示す。すなわち、この実施形態に従うと、シール材硬化後の接合基板を、所定の処理温度T1および所定の圧力P1で所定時間TM1だけ保持することにより、シール材中に残留する溶剤が蒸発されるとともに気泡が抜かれる。その後、温度一定のまま、TM2時間かけて所定の圧力P2まで加圧し、所定の圧力P2で所定の時間TM3保持する。これにより、シール材が圧搾されて、上記脱ガスの際にシール材中に形成されたトンネル状のガス抜け穴が消滅される。
【００１９】
以下、上記実施形態の貼り合せ工程における最適条件を導くためにエポキシ系シール材Ａ，Ｂを用いて行った実験について説明する。用いたシール材Ａはガラス転移点がTga=127℃で、シール材Ｂのガラス転移点はTgb=140℃であり、溶剤はともにメチルカルビトールである。
【００２０】
なお、脱ガス工程（ステップＳ５）およびシール材圧搾工程（ステップＳ６）の前に行なわれる上記プリベイク処理（ステップＳ２）の条件は、温度：約60℃、時間：約10分とした。また、上記加熱・加圧による硬化処理（ステップＳ４）の条件は、温度：約150℃，圧力：大気圧+約0.6kgf/cm２、時間：約1時間とした。また、サンプルは上記硬化処理（ステップＳ４）後に、約10分かけて、脱ガスのために所定の温度T・圧力P1に変化させた。
【００２１】
まず、シール材Ａを使用して行なった以下の４実験について、それぞれの実験方法と実験結果を説明する。
【００２２】
（実験１）
処理温度Ｔを80℃,90℃,140℃,150℃の４点とし、圧力P1を10Torrとし、この状態で所定の時間TM1=5分と10分それぞれ保持した。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、各サンプルをシール材圧搾工程の圧力P2=大気圧＋1.0kgf/cm2まで5分（=TM2）で変化させ、10分（=TM3）保持した。実験結果を表１に示す。○、△、×の三段階で評価しているが、○：欠陥はほぼ完全に消滅、△：消滅したが多少は存在、×：初期状態とあまり変わらない、ことを示す。他の実験結果に示す評価に関しても同様である。
【００２３】
【表１】
0003775094.tif 000002
【００２４】
表１より、TM1=5分の場合、T=90〜140℃の範囲でほぼ完全に欠陥を消滅でき、TM1=10分の場合、T=80〜140℃の範囲でほぼ完全に欠陥を消滅できたことから、脱ガス工程Ｓ５の減圧保持時間TM1は長い方が効果的に欠陥を消滅できることが分かる。つまり、処理温度Tが80〜140℃であれば保持時間TM1は10分以上で、処理温度が90〜140℃で有れば保持時間TM1は5分以上であることが望ましい。なお、使用したシール材のガラス転移点は127℃であり、150℃よりも高い温度にするとシール材が軟化し過ぎて形状を維持できないので実験は省略した。
【００２５】
（実験２）
処理温度Ｔを80℃,90℃,140℃,150℃の４点とし、圧力P1を200Torr,150Torr,100Torrの３点としTM1=10分保持した。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、各サンプルをシール材圧搾工程の圧力P2=大気圧+1.0kgf/cm2までTM2=5分で変化させ、TM3=10分保持した。実験結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
0003775094.tif 000003
【００２７】
表２より脱ガス工程の圧力Ｐ１は低いほうが効果的にシール材内の欠陥を消滅できることが分かる。実験２の結果より、圧力P1は100Torr以下であることが望ましい。また、実験１および実験２の結果から、処理温度T=90〜140℃のとき、サンプルをP1=100Torr以下でTM1=10分以上保持することにより、シール材内の気泡等のガスはほぼ完全に除去できることがわかった。
【００２８】
（実験３）
処理温度Ｔを80℃,90℃,140℃,150℃の４点とし、すべてのサンプルに共通して、P1=100TorrでTM1=10分保持した。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、各サンプルをシール材圧搾工程のP2=大気圧+1.0kgf/cm2までTM2=5分で変化させた。その後、圧力P2でTM3=3、5分保持した。実験結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
0003775094.tif 000004
【００３０】
表３より、シール材圧搾工程の保持時間TM3は長いほうが効果的にシール材内の小径のガス抜け穴を消滅させることができ、処理温度Tが80〜140℃のとき保持時間TM3は5分以上でほぼ完全に消滅することができることが分かる。
【００３１】
（実験４）
処理温度Tは125℃（ほぼTg点）の１点とし、P1=100TorrでTM1=10分保持し脱ガス処理を行なった。その後、温度はそれぞれ同一のまま維持して、シール材圧搾工程の圧力P2=（大気圧+0.5）,（大気圧+0.7）,（大気圧+1.0）kgf/cm2まで時間TM2=10分,20分,25分,30分をかけて圧力をそれぞれ変化させた。その後、圧力P2でTM3=10分保持した。実験結果を表４に示す。
【００３２】
【表４】
0003775094.tif 000005
【００３３】
表４より、シール材圧搾工程の圧力P2が高く、圧力変化時間TM2は短いほうがシール材内のガス抜け穴を消滅させるのに好ましいことが分かる。特に、処理温度Tが125℃であれば圧力変化時間TM2は20分以内でよいが、実験結果からはTM2は短いほうが有効であり、TM2は短いほうが生産性も向上するため可能な限りTM2は短くするのがよい。
【００３４】
以上の４実験から、シール材Ａに関しては、処理温度Tが80〜140℃の場合、P1=100Torr以下でTM1=10分以上保持した後、また処理温度Tが90〜140℃の場合、P1=100Torr以下でTM1=5分以上保持した後、圧力P2=大気圧+1.0kgf/cm2以上でTM3=5分以上保持することにより、効果的にシール材内の欠陥を消滅させることができることがわかった。なお、いずれの場合にも圧力変化時間TM2は20分以内が望ましい。
【００３５】
次に、ガラス転移点が140℃であるシール材Ｂを用いて実験を行なった。上記実験と同様にサンプルは150℃，大気圧+0.6kgf/cm2で1時間硬化処理をした後に、約10分で脱ガス工程の温度T・圧力P1に変化させた。
【００３６】
（実験５）
処理温度Tを90℃，100℃，160℃，170℃の４点とし、圧力P1を1Torrとし、この状態で所定の時間TM1=5，10分保持し脱ガス処理を行なった。その後、温度はそれぞれ同一のまま維持して、シール材圧搾工程の圧力P2=大気圧+2.0kgf/cm2までTM2=20分で変化させ、TM3=5分保持しシール材圧搾処理をした。実験結果を表５に示す。
【００３７】
【表５】
0003775094.tif 000006
【００３８】
表５より、処理温度T=100〜160℃の範囲でほぼ完全に欠陥を消滅できたことから、シール材圧搾の圧力をP2=大気圧+2.0kgf/cm2でTM3=5分とすれば、処理温度Ｔが100〜160℃の範囲で、脱ガス圧力P1=1Torrであれば、保持時間TM1は5分以上でシール材内の溶剤および気泡をほぼ完全に除去できることが分かる。
【００３９】
（実験６）
処理温度Tを90℃，100℃，160℃，170℃の４点とし、圧力P1を200Torr，150Torr，100Torrの３点としTM1=5分保持し脱ガス処理をした。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、すべてのサンプルをシール圧搾工程の圧力P2=大気圧+2.0kgf/cm2までTM2=20分で変化させ、TM3=5分保持した。実験結果を表６に示す。
【００４０】
【表６】
0003775094.tif 000007
【００４１】
表６より脱ガス処理の圧力Ｐ１は低いほうが効果的にシール材内の欠陥を消滅できることが分かる。また、脱ガス処理の圧力P1は100Torr以下であることが望ましい。実験１および実験２の結果から、処理温度T=100〜160℃のとき、サンプルをP1=100Torr以下でTM1=5分以上保持することにより、シール材内の溶剤および気泡をほぼ完全に除去できることが分かる。
【００４２】
（実験７）
処理温度Tを90℃，100℃，160℃，170℃の４点とし、すべてのサンプルに共通して、P1=100TorrでTM1=10分保持し脱ガス処理をした。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、すべてのサンプルをシール圧搾工程の圧力P2=大気圧＋1.0kgf/cm2までTM2=10分で変化させた。その後、圧力P2でTM3=3，5分保持した。実験結果を表７に示す。
【００４３】
【表７】
0003775094.tif 000008
【００４４】
表７より、シール圧搾工程での圧力保持時間TM3は長いほうが効果的に欠陥を消去できることが判明した。特に、処理温度100〜160℃で欠陥を解消するには保持時間TM3は5分以上であることが望ましい。
【００４５】
（実験８）
処理温度Tは140℃（ほぼTg点）の１点とし、P1=100TorrでTM1=10分保持し脱ガス処理をした。次いで、温度はそれぞれ同一のまま維持して、すべてのサンプルをシール圧搾工程の圧力P2=（大気圧+0.7），（大気圧+1.0）kgf/cm2まで時間TM2をそれぞれ10分，20分，25分かけて変化させた。その後、圧力P2でTM3=5分保持した。実験結果を表８に示す。
【００４６】
【表８】
0003775094.tif 000009
【００４７】
表８より、シール圧搾工程の圧力P2が高く、圧力変化時間TM2は短いほうがシール材内のガス抜け穴を消滅させるのに好ましいことがわかる。例えば、処理温度Tが140℃で、P2=大気圧+1.0kgf/cm2であれば、圧力変化時間TM2は20分以内とするのがよい。また、TM2は短いほうが生産性も向上するため可能な限りTM2は短くするのがよい。
【００４８】
以上の４実験から、シール材Ｂに関しては、処理温度Tが100〜160℃の場合、P1=100Torr以下でTM1=5分以上保持して脱ガス処理をした後に、圧力P2=大気圧+1.0kgf/cm2以上でTM3=5分以上保持してシール材の圧搾処理をすることにより、効果的にシール材内のガス抜け穴等の欠陥を消滅できることが分かった。
【００４９】
以上の８実験から、以下のことが言える。
【００５０】
シール材Ａに関しては、処理温度Tが80〜140℃の場合、P1=100Torr以下でTM1=5分以上保持した後、圧力P2=大気圧+1.0kgf/cm2以上でTM3=5分以上保持することにより、効果的にシール材内の欠陥を消滅できる。
【００５１】
シール材Ｂに関しては、処理温度Tが100〜160℃の場合、P1=100Torr以下でTM1=5分以上保持した後、圧力P2=（大気圧+1.0）kgf/cm2以上でTM3=5分以上保持することにより、効果的にシール材内の欠陥を消滅できる。
【００５２】
よって、処理温度Tを（Tg-40℃）〜（Tg+20℃）とし、P1=100TorrでTM1=5分保持した後、P2=大気圧+1.0kgf/cm2でTM3=5分保持するのが、生産性の犠牲を最小にしつつ、シール材内の欠陥を有効に消滅するのに最適であると考える。
【００５３】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例においては、脱ガス工程の温度とシール材圧搾工程の温度は同一のままにしたが、上記望ましいとした温度の範囲内で脱ガス工程の温度とシール材圧搾工程の温度を変化させることも可能である。
【００５４】
また、前記実施形態例においては、熱硬化性シール材を使用した場合について説明したが、この発明は紫外線硬化性シール材を使用する場合にも適用することができる。なお、紫外線硬化性シール材を用いる場合には、図１のステップＳ４における加熱・加圧による硬化工程が紫外線照射による硬化工程に代わる点と、脱ガス工程（Ｓ５）とそれに続くシール圧搾工程（Ｓ６）における温度、圧力、処理時間等の条件が使用するシール材のガラス転移点等に応じて変わる点のみ異なるだけであり、容易に本発明を適用することができる。
【００５５】
図３に、本発明を適用して好適な液晶装置の一例として、ＭＩＭ（金属膜―絶縁膜―金属膜構造のダイオード対）をスイッチング素子とするアクティブマトリックス型の液晶パネルを示す。
【００５６】
この実施例の液晶パネル３０は、Ｃｒからなる画素電極１１やこれに電圧を印加するスイッチング素子としてのＭＩＭ（ＴａＷ層とＴａＯｘ層とＣｒ層の積層構造からなる）１３、各画素に印加される電圧を供給するデータ線１５、Ｃｒ画素電極１１上に設けられるＡｌ反射電極１７を有する下側基板１０と、透明電極（ＩＴＯ）からなる走査線２１、カラーフィルタ層２２およびブラックマスク２３等を有する入射側のガラス基板（上側基板）２０とが適当な間隔をおいて配置され、周囲をシール剤３１で封止された間隙内にＴＮ（Twisted Nematic）型液晶またはＳＨ（Super Homeotropic）型液晶などの液晶３２が充填されて液晶パネル３０として構成されている。また、表示装置として使用する場合には、入射側のガラス基板２０の液晶と反対側の面（図３では上面）には偏光板が配置される。
【００５７】
この実施例の液晶パネルは、本発明方法が適用されることにより、シール材３１は溶剤および気泡の残留が少なくかつガス抜け穴がほぼ完全に消滅されているため、シール材３１を通って内側の液晶３２内に水分やガスが侵入しにくくなり、その結果表示品質が高くかつ信頼性が向上するという利点がある。
【００５８】
なお、特に限定されるものではないが、この実施例の液晶パネルにおいては、下側基板１０の液晶側の面に形成されるデータ線１５は基板の一方向（図３では紙面と直交する方向）に沿って互いにほぼ平行に配設されるとともに、入射側のガラス基板（上側基板）２０の液晶側の面に形成される走査線２１は前記データ線と交差する方向に沿って互いにほぼ平行に配設される。また、前記Ａｌ反射電極１７の表面は入射した光を乱反射させるため凹凸が形成されている。Ｃｒ層からなる画素電極１１の上にＡｌ層からなる反射電極１７を設けているのは、クロムよりもアルミニウムの方が反射率が高いことと、下地層となるＣｒ層を省略してＡｌ層のみとするとアルミニウムは表面が酸化され易く所望の特性が得られにくいことの２つの理由からである。
【００５９】
なお、図３の実施例では、Ｃｒ層からなる画素電極１１の上にＡｌ層からなる反射電極１７を設けているが、Ｃｒ画素電極１１を省略して基板の表面に直接Ａｌ反射電極１７を形成しても良い。
【００６０】
図４には前記実施例の液晶パネルを、携帯電話器２００または携帯情報端末３００の表示装置として応用した場合の構成例が示されている。
【００６１】
図４（ａ）において、２０１は内部にＣＰＵやメモリなどのＬＳＩ、電源装置、スピーカ等を内蔵した本体、２０２は本体２０１に対して回動可能に装着された音声入力部兼用蓋、２０３は前記実施例の液晶パネルを使用した液晶表示装置であり、本体２０１の内面に表示面（入射面）が来るように装着されている。
【００６２】
図４（ｂ）において、３０１は内部にＣＰＵやメモリなどのＬＳＩ、電源装置等を内蔵した本体、３０２は本体３０１の上面に設けられたキー入力装置、３０３は前記実施例の液晶パネルを使用した液晶表示装置であり、本体３０１に対して回動可能に取り付けられた蓋の部分の内面に表示面（入射面）が来るように装着されている。
【００６３】
前記実施例の液晶パネルを表示装置として使用した電子機器においては、バックライトが不要で消費電力が少ないためバッテリによる長時間駆動が可能になるとともに、反射電極表面に凹凸が形成されているため表示内容が見やすく、しかも本発明を適用して製造された液晶パネルはシール材の内側の液晶内に水分やガスが侵入しにくいため表示品質が高くかつ信頼性に優れているという利点がある。
【００６４】
なお、本発明を適用した液晶パネルは、前記のような携帯情報端末の他、携帯電話などの携帯用電子機器あるいはラップトップ型やデスクトップ型のパソコンの表示装置として使用できるとともに、液晶パネルをライトバルブとして応用したビデオプロジェクタのような投射型表示装置にも利用することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶装置の製造方法は、液晶装置の製造過程中の基板の貼り合せ工程において、シール材を加熱・加圧して硬化させるシール硬化工程の後に、シール材内の溶剤および気泡を除去する脱ガス工程を行い、その後、シール材中に形成された小径のガス抜け穴等の欠陥を消滅させるシール材圧搾工程を行うようにしたので、従来の貼り合せ工程でシール材内に発生していた溶剤ガスの気泡や小径のガス抜け穴等を有効に消滅させ、シール材の内側に水分やガス等が進入するのを防止でき、液晶装置の品質および信頼性を向上させることができる。
【００６６】
具体的には、上記脱ガス工程は、接合状態の基板を加熱・減圧状態下で所定の時間保持する工程であり、好ましくは、上記基板を（ガラス転移点-40℃）〜（ガラス転移点+20℃）の温度で100Torr以下に減圧して10分以上保持することより、シール材内に残存する溶剤および溶剤ガスの気泡をほぼ完全に除去することができる。
【００６７】
また、上記シール材圧搾工程は、上記脱ガス工程の後に、接合状態の基板を加熱・加圧状態下で所定の時間保持する工程であり、好ましくは、上記基板を（ガラス転移点-40℃）〜（ガラス転移点+20℃）の温度で大気圧+1.0kgf/cm2以上に5分以上保持することにより、シール材内に形成されている小径のガス抜け穴を消滅させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態における液晶装置を構成する二枚の基板の貼り合せ工程の手順を示すフローチャートである。
【図２】図１の脱ガス工程（Ｓ５）とそれに続くシール圧搾工程（Ｓ６）における圧力の変化を示すグラフである。
【図３】本発明をＭＩＭをスイッチング素子とするアクティブマトリックス型の液晶パネルに適用した実施例を示す断面図。
【図４】実施例の液晶パネルを表示装置として応用した電子機器の例としての携帯電話器および携帯情報端末器の概略構成を示す斜視図。
【符号の説明】
１０  下側ガラス基板
１１  データ線
１３  ＭＩＭ素子
１５  画素電極
１７  反射電極
２０  入射側ガラス基板
２１  走査線
２２  カラーフィルタ層
２３  ブラックマスク
３０  液晶パネル
３１  シール材
３２  液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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