(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理シミュレーションの実行によってＬＳＩの不要輻射量を解析する方法であって、
論理シミュレーション中の信号変化の発生時に生成され、発生対象である各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報から処理対象となるインスタンスの瞬間電流情報をライブラリから抽出し、論理シミュレーションの実行によって、瞬間的な電流量を算出する工程と、
電流波形算出処理部が、前記瞬間的な電流量をモデル化する工程と、
前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるように、各イベント情報毎にセルの出力端子におけるスリュー情報（出力スリュー）を考慮して幅を算出するとともに、この幅に基づいて高さを算出した三角波状にモデル化する工程を有し、
高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとする）処理部が、前記三角波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理する工程とを有する不要輻射解析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不要輻射（ＥＭＩ：Electromagnetic Interference）解析方法に係り、特に、大規模でかつ高速駆動のＬＳＩ(大規模半導体集積回路)に対して高速かつ高精度の論理シミュレーションを行い、電磁輻射を解析する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩは、コンピュータはもちろんのこと、携帯電話等の通信機器、一般家庭製品や玩具、自動車まで利用範囲が拡大している。しかし、その一方で、これらの製品から生じる不要輻射がテレビ・ラジオ等の受信装置の電波障害や他システムの誤動作の原因として問題になっている。これらの問題に対して、フィルタリングやシールディングといった製品全体としての対策も施されているが、部品点数増大・コスト増大・製品上対策の難しさ等の観点より、ＬＳＩ単体としてのノイズ抑制が強く要請されている。
【０００３】
このような状況下、各製品においてＬＳＩはキーデバイスとして位置付けられおり、製品の競争力確保のために、ＬＳＩの大規模化・高速化が要求されている。製品サイクルが短くなる中で、これらの要求に答えるためにはＬＳＩ設計の自動化が必須であり、現状の設計自動化技術導入の条件として同期設計を採用する必要が高まっている。基準クロックに同期して全回路が動作し、大規模かつ高速駆動のＬＳＩの場合には、その瞬時電流は非常に大きくなってしまうことになり、不要輻射の増大を引起すことになる。
【０００４】
本発明は、ＬＳＩの大規模化・高速化を維持しつつも不要輻射を低減するために不可欠であるＥＭＩ評価が可能なシミュレーション手法に関するものである。
【０００５】
ＬＳＩが他へ被害を与えるノイズを大別すると、放射ノイズと伝導ノイズがある。ＬＳＩからの直接的な放射ノイズとしてＬＳＩの内部配線から放射されるノイズもあるが、内部配線はアンテナとしては大きくない。もちろん、ＬＳＩの動作周波数向上に伴い、ＬＳＩから直接的に放射されるノイズが将来的に問題となるとは思われるが、現時点においてはＬＳＩ内部の放射ノイズは問題になるレベルではない。
【０００６】
これに対して、伝導のノイズは、ＬＳＩ内のワイヤ、リードフレームやプリント基板上配線など直接的な接続を通じてプリント基板上の他のデバイスへ影響を与えるとともに、これらの接続経路を発信源すなわちアンテナとしてノイズを放射する。この接続経路よりなるアンテナはＬＳＩ内部の配線と比べると非常に大きく、不要輻射を考える上で支配的な要素である。
【０００７】
ＬＳＩからの伝導ノイズの経路として、電源と信号があるが、近傍の電磁界を考える場合、電源の電流の変化が電源線をアンテナとして輻射されるノイズが支配的であると考えられる。また、信号においては信号の変化時に生じるリンギング・オーバーシュートが問題となる場合もあるが、ＬＳＩ内部電源レベルの変動が信号波形として伝導することが問題となる場合が多い。電源・信号どちらの経路を伝導し放射されるノイズも、電源電流の変化と強く相関があると考えられる。
【０００８】
簡単なインバータ回路を用いてＣＭＯＳ回路の電源電流を説明する。インバータ回路への入力電圧が変化する場合に、ＣＭＯＳ回路の主な電源電流である負荷容量充放電電流が流れる。そして、これに加え貫通電流が加算して流れることになる。このようなＣＭＯＳ回路を設計するにあたり、自動設計ツールを用いる上での制約により同期化しているが、同期化したことによりＬＳＩ全体の回路が同時に動作するため、基準クロックに同期して電源のピーク電流が発生する。しかも、高速化、すなわち周期を短縮するためには、短時間に充放電できるようにトランジスタを大きくするが、その結果としてピーク電流が増大する。当然、ＬＳＩが大規模化することによってもＬＳＩ全体の電源電流は増大する。このようにして、電源のピーク電流が増大し、電源電流が急峻な変化をするようになってきているが、この急峻な変化が高調波成分を増大させてしまい、不要輻射の増大を招いている。
【０００９】
不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化について高精度のシミュレーションを行うことが、ＬＳＩにおける不要輻射の評価として有効であると考えられる。
【００１０】
ところで従来は、以下に示すようにトランジスタレベルで電流解析を行う電流シミュレーション手法が用いられていた。
【００１１】
図１１６は、従来のＥＭＩ解析方法の処理フローを示したブロック図である。この方法では、トランジスタレベルの電流解析手法を用いた解析対象となるＬＳＩのレイアウト情報から、レイアウトパラメータ抽出（以下、ＬＰＥとする）処理Ｏ３を行い、スイッチレベルネットリストについて回路シミュレーションＯ６、電流源モデリング処理Ｏ８、電源配線ＬＰＥ処理Ｏ１０、過渡解析シミュレーションＯ１２、ＦＦＴ処理Ｏ１４の各ステップを行うように構成されている。
【００１２】
以下、各ステップについて図１１６を参照しながら説明する。
【００１３】
ステップＯ３ではＥＭＩ解析対象となる半導体集積回路のレイアウトデータＯ１と、トランジスタ素子や各種配線寄生素子（抵抗、容量等）、各素子のパラメータ値、及びそれら抽出結果の出力形式を定義したＬＰＥルールＯ２が入力され、そのＬＰＥルールＯ２に基づきレイアウトデータＯ１における各素子のパラメータを算出し、ネットリストＯ４が生成される。尚、本ステップでは電源（及びグランド）配線の寄生素子については、抽出対象にしない。
【００１４】
ステップＯ６では前記ステップＯ３より生成されたネットリストＯ４と解析対象回路において所望の論理的動作を再現させるためのテストパターンＯ５が入力され、内部回路の動作状態に応じた負荷容量充放電電流や貫通電流等を算出し、各トランジスタ毎の電流波形情報Ｏ７が生成される。尚、本ステップの最初の処理では電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮定して処理を行う。
【００１５】
ステップＯ８では前記ステップＯ６より生成されたトランジスタ毎の電流波形情報Ｏ７が入力され、それぞれを以降のステップＯ１２で適用できる形式にモデリングし、電流源素子モデル情報Ｏ９が生成される。尚、以降のステップＯ１２の処理負荷軽減のためにも、複数個のトランジスタで構成される機能回路ブロック毎に電流源素子としてモデリングする手法が一般的である。
【００１６】
ステップＯ１０は前記ステップＯ３に対して、抽出対象がＥＭＩ解析対象となるトランジスタ素子や各種配線寄生素子から、電源及びグランド配線の寄生素子（抵抗、デカップリング容量等）に代わる点が異なるのみであるため説明を省略する。尚、本ステップにより電源（及びグランド）配線ネットリストＯ１１が生成される。
【００１７】
ステップＯ１２では前記ステップＯ８より生成された電流源素子モデル情報Ｏ９と前記ステップＯ１０より生成された電源（及びグランド）配線ネットリストＯ１１とワイヤやリードフレームのインピーダンス（抵抗、容量、インダクタンス）Ｏ１６が入力され、ＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用した解析により、解析対象回路の電源電圧変動を算出した電源電圧降下結果Ｏ１６が生成される。
【００１８】
この後、前記ステップＯ６の再処理を行う。その際に、前記ステップＯ６の最初の処理では電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮定したのに対して、ここでは前記ステップＯ１２より生成された電源電圧降下結果Ｏ１６が入力され、電源電圧変動を考慮に入れた各トランジスタ毎の電流波形情報Ｏ７が再度生成される。同様に前記ステップＯ８、Ｏ１２の再処理が行われる。
【００１９】
この前記ステップＯ６、Ｏ８、Ｏ１２のループ処理を複数回繰り返すことで、電源電圧変動をより高精度に再現させた電流波形結果Ｏ１３が生成される。
【００２０】
ステップＯ１４では前記ステップＯ１２より生成された電流波形結果Ｏ１３が入力され、高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとする）を施すことにより、周波数スペクトラム解析を行なうことが可能となり、ＥＭＩ解析結果Ｏ１５を得ることが出来る。
【００２１】
この従来例では、ＬＰＥ処理Ｏ３、電源配線ＬＰＥ処理Ｏ１０及び電流源モデリング処理Ｏ８の合わせ込みによって検証精度は大きく左右するものの、一定レベルの解析精度が期待できる。しかし、このようなトランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能なＥＭＩ解析方法の確立が望まれている。
【００２２】
従来、高速化の可能な電流解析方法として、ゲートレベルの電流解析方法が提案されている。このゲートレベルの電流解析方法は、消費電力の解析などに用いられている。
【００２３】
ゲートレベルの消費電力を見積もるこのゲートレベル消費電力解析方法は、回路素子の出力ポートの論理信号が０から１に変化あるいは１から０に変化する際の１変化当りの総電流量をあらかじめライブラリ化し、一般の論理シミュレーション手段で消費電力推定対象の回路中のインスタンスの出力ポートが０から１に変化、あるいは１から０に変化した際に前述の１変化当り総電流量を前記回路全体の各時刻の総電流量に加算していくことで回路全体の消費電力（総電流量に外部電圧値を掛けた値）を推定する方法を用いている。図１０９に従来の一般的な従来のゲートレベルの消費電力解析方法を実行するための装置の一例についてその構成を示す。同図に示すゲートレベル消費電力解析装置は、回路接続情報記憶手段１００１と、信号変化パターン記憶手段１００２と、素子電流量記憶手段１００３と、総電流量記憶手段１００４と、総電流量算出手段１００５とからなる電流量解析装置を用いて実行される。
【００２４】
次に、これらの図１０９のゲートレベル電流解析装置を構成する個々の要素について説明するとともに、図１１０に示すゲートレベルの回路接続情報と、図１１１に示す各端子における信号変化パターンと、図１１２に示す素子電流量とを用いて図１１３に示す電流量を算出する手順を説明する。
【００２５】
回路接続情報記憶手段１００１は、対象となる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するものであり、あらかじめ図１１０に示すような回路接続情報を記憶している。この回路接続情報は一般的にはネットリストと呼ばれるものである。
【００２６】
この回路接続情報は、外部入力ポートＤと、外部クロック入力ポートＣＬＫと、外部出力ポートＱと、フリップフロップＦＦ１、ＦＦ２と、バッファ素子ＢＵＦ１と、素子間を接続する配線Ｄ１、Ｑ１とから構成されている。フリップフロップＦＦ１、ＦＦ２は、データ入力ピンＤと、クロック入力ピンＣＫと、データ出力ピンＱとを持ち、クロック入力ピンＣＬＫに入力されるクロック信号変化の立ち上がりエッジでデータ入力ピンＤの直前の論理値をデータ出力ピンＱに伝播する。
【００２７】
バッファ素子ＢＵＦ１は、データ入力ピンＡとデータ出力ピンＹとを持ち、データ入力ピンＡの論理値をデータ出力ピンＹに出力する。
【００２８】
以上の各素子は素子内遅延等の遅延を有し信号伝播を行う際には遅延１ｎｓをもって伝播されるものとする。外部入力ポートＤは直接フリップフロップＦＦ１の入力ピンＤに接続されている。外部クロック入力ポートＣＬＫは外部からのクロック信号変化を入力する端子であり、直接フリップフロップＦＦ１とＦＦ２の入力ピンＣＫに接続されている。外部出力ポートＱは直接フリップフロップＦＦ２の出力ピンＱに接続され、この信号値を出力する。配線Ｄ１はバッファＢＵＦ１の出力ピンＹとフリップフロップＦＦ２の入力ピンＤを接続している。配線Ｑ１はフリップフロップＦＦ１の出力ピンＱとバッファＢＵＦ１の入力ピンＡを接続している。
【００２９】
信号変化パターン記憶手段１００２は、対象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するものであり、図１１１に示すように図１１０の入力ポートＣＬＫ、Ｄに入力される信号変化パターンをあらかじめ記憶している。横軸は信号変化パターンの変化時刻を示し、信号変化パターンは各時刻に論理０と論理１のいずれかに変化する。
【００３０】
素子電流量記憶手段１００３は、各素子の外部端子が１度変化した際に流れる総電流量の情報である素子電流量情報を記憶するものであり、あらかじめ図１１２に示すような素子電流量情報を記憶している。１３０１はフリップフロップＦＦのクロック入力端子ＣＫの信号が変化する時の電流量をあらわしている。１３０２はフリップフロップＦＦの出力端子Ｑの信号が変化する時の電流量をあらわしている。１３０３はバッファＢＵＦの出力端子Ｙの信号が変化した時の電流量をあらわしている。
【００３１】
総電流量算出手段１００５は、図１１４に示すようなフローチャートを有する。
【００３２】
まず、ステップ１５０１で回路接続情報記憶手段１００１に記憶された図１１０の回路接続情報を読み込む。そして、ステップ１５０２で信号変化パターン記憶手段１００２に記憶された図１１１の信号変化パターンを読み込む。ステップ１５０３で素子電流量記憶手段１００３に記憶された図１１２の素子電流量情報を読み込む。
【００３３】
次にステップ１５０４で図１１１の信号変化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応する電流量を各時刻における総電流量情報に加算する。ここで用いる信号伝播方法としては、タイミングシミュレータで用いられる信号伝播方法と同一の手法を用いる。これは与えた信号変化パターンに応じて現実の回路内部で発生する信号変化を与えたパターンが影響する回路部分を追いながら時系列で計算し求めていく方法である。このタイミングシミュレータによる信号伝播手法は、既に市販ツールの中で多数実現化され一般的であるため、詳細な説明は割愛する。信号変化パターンの各ステップの信号伝播の結果、各ピンの論理値の変化を図１１２に示す。
【００３４】
図１１２では、図１１１の信号変化パターンの形式と同様の形式で示されている。信号伝播完了後、ステップ１５０５で、算出された図１１３に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段１００４に記憶する。総電流量記憶手段１００４は、以上の手順で検出された各時刻における総電流量情報を図１１３に示す形式で記憶する。
【００３５】
なお、より詳細に計算する場合には、素子電流量記憶部に出力負荷容量に依存する（チャージ電流に依存する）電流の負荷依存係数と依存しない（貫通電流に依存する）電流の総量を記憶し、別途各配線の容量情報を読み込み、その容量情報と負荷依存係数の積と負荷非依存電流の和を電流総量として扱う方法がある。以上説明したように、図１１０の従来のゲートレベル消費電力算出方法では、電流量は１回の入力ピンまたは出力ピンの信号変化を単位として扱われ電流は一瞬で流れるものとして扱われていた。すなわち、電流の総量のみを求めるものであった。これは消費電力という観点で見れば十分な精度であるが、ＥＭＩ解析の観点では時間的な電流の変化の情報が必要となるため不十分であった。
【００３６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、トランジスタレベルの電流解析手法を用いた従来例では、一定レベルの解析精度が期待できるものの、トランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能であるゲートレベルの電流解析手法を利用したＥＭＩ解析方法の確立が望まれる。
【００３７】
一方、ゲートレベルの電流解析手法を用いた従来例では、高速解析は可能であるが、電流の総量のみを求めるものである。従って、消費電力という観点では十分であっても、ＥＭＩ解析の観点では不十分であるという問題があった。
【００３８】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、高速解析しつつも、電源電流を高精度に解析することで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価できる方法を提供することを目的とするものである。
【００３９】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明のＥＭＩ解析手法は、高速なゲートレベルシミュレーションに対して、電源電流変化の高精度な解析機能を付加したことを特徴とする。
【００４０】
本発明の第１によれば、論理シミュレーションの実行によってＬＳＩの不要輻射量を解析する方法において、信号変化の発生時に生成され、発生対象である各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報から瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化する工程と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとする）処理する工程とを有することを特徴とする。ここで瞬間的な電流量とは、イベントが発生したときに、そのイベントに起因して発生する電流量のことをいい、イベントとしてセルの出力が変化した際などに、セルに流れる電流量をそのイベントの発生した時刻に瞬時に消費されるものとして扱ったものを瞬間的な電流量とする。
【００４１】
本発明の第2によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を一定離散幅にて平均化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記一定離散幅にて平均化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４２】
本発明の第3によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を矩形波の面積が各イベントの電流量になるように各イベント情報毎に矩形波の高さを算出した一定幅の矩形波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４３】
本発明の第４によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を矩形波の面積が各イベントの電流量になるように矩形波の幅と高さを算出した相似型の矩形波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４４】
本発明の第５によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量算出する工程と、前記電流量と矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて矩形波状にモデル化する工程とを有し、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４５】
本発明の第６によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記入力波形鈍りと矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて矩形波状にモデル化する工程とを有し、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４６】
本発明の第７によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記出力負荷容量と矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて矩形波状にモデル化する工程を有し、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００４７】
本発明の第８によれば、請求項1乃至7のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程がさらに各セルの電流量と電源抵抗成分から電圧降下成分を算出し、グローバルな電圧降下成分と瞬間電流量の関係から、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。
【００４８】
本発明の第９によれば、請求項1乃至7のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、さらに各セルの電流量と電源抵抗成分とオンチップバイパスコンデンサ成分から電圧降下成分を算出し、グローバルな電圧降下成分と瞬間電流量の関係から、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。
【００４９】
本発明の第１０によれば、請求項1乃至7のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、さらに各セルの電源ＲＣとセル電流源を過渡解析し、正確に電圧降下成分を算出し、グローバルな電圧降下成分と瞬間電流量の関係から、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする
本発明の第１１によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるように各イベント情報毎に高さを算出した一定幅の三角波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記三角波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００５０】
本発明の第１２によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を複数次の関数状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記複数次の関数状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００５１】
本発明の第１３によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を指数関数状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記指数関数状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００５２】
本発明の第１４によれば、請求項1乃至13のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程はさらに、瞬間的な電流量を貫通電流成分とチャージ電流成分に分けて別々にモデリングする工程を含むことを特徴とする。
【００５３】
本発明の第１５によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、各セルの種類ごとにそのセルのピーク電流値をキャラクタライズしたライブラリを用て矩形波の高さを算出する工程と、前記瞬間的な電流量を前記矩形波の高さを算出する工程から算出したピーク電流値とし、面積が各イベントの電流量になるように矩形波状にモデル化する工程とを有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
【００５４】
本発明の第１６によれば、請求項1５に記載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算出する工程は、入力波形鈍りとピーク電流の関係を各セルの種類ごとにテーブル化し、キャラクタライズしたライブラリを用いて各セルごとにそのセルの波形鈍り情報からピーク電流値を算出する工程を含むことを特徴とする。
【００５５】
本発明の第１７によれば、請求項1５に記載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算出する工程は、負荷容量とピーク電流の関係を各セルの種類ごとにテーブル化し、キャラクタライズしたライブラリを用いて各セルごとにそのセルの負荷容量情報からピーク電流値を算出する工程を含むことを特徴とする。
【００５６】
本発明の第１８によれば、請求項1５乃至１７のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算出する工程は、複合セルについてはピーク電流値を複数もたせ、キャラクタライズしたライブラリを用いて複数の矩形波の高さを算出する工程を含み、矩形波状にモデル化する工程は複数の矩形波にモデル化する工程であることを特徴とする。
【００５７】
本発明の第１９によれば、請求項１５乃至１７のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算出する工程は、ＦＦセルのライズ／フォールそれぞれにピーク電流値をもたせ、キャラクタライズしたライブラリを用いて複数の矩形波の高さを算出する工程を含み、矩形波状にモデル化する工程は複数の矩形波にモデル化する工程であることを特徴とする。
【００５８】
本発明の第２０によれば、請求項１５乃至１９のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算出する工程が、各セルの状態毎に入力信号状態を考慮し、ピーク電流値をキャラクタライズしたライブラリを用いて矩形波の高さを算出する工程を含むことを特徴とする。
【００５９】
本発明の第２１によれば、請求項１５乃至２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程はさらに、各セルの電流量と電源抵抗成分から電圧降下成分を算出し、各セル毎に電圧降下成分と瞬間電流量の関係をテーブル化し、キャラクタライズすることにより、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。
【００６０】
本発明の第２２によれば、請求項１５乃至２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、各セルの電流量と電源抵抗成分とオンチップバイパスコンデンサ成分から電圧降下成分を算出し、各セル毎に電圧降下成分と瞬間電流量の関係をテーブル化し、キャラクタライズすることにより、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。
【００６１】
本発明の第２３によれば、請求項８乃至１０、２１、２２のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記補正する工程は、電圧降下成分の算出及び電流波形の補正処理を複数回繰り返し実施しする工程を含むことを特徴とする。
【００６２】
本発明の第２４によれば、請求項１５乃至２３のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記瞬間的な電流量を算出する工程において、さらに瞬間的な電流量を貫通電流成分とチャージ電流成分に分けて別々にモデリングする工程を含むことを特徴とする。
本発明の第２５によれば、請求項１に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるように、各イベント情報毎にセルの出力端子におけるスリュー情報を考慮して幅を算出するとともに、この幅に基づいて高さを算出した三角波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記三角波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
本発明の第２６によれば、請求項２５に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、さらに前記瞬間的な電流量を当該セルのイベントが立ち上がりもしくは立ち下り（ライズ／フォール）状態であるかを考慮して、それぞれの状態に応じた係数を乗じて算出し、三角波の面積が各イベントの電流量になるように、前記三角波の高さを算出する工程を含むことを特徴とする。
本発明の第２７によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、複合セルについては各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記出力負荷容量と入力および出力スリュー情報に基づいて三角波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて、複合セル内部の段数分に等しい複数個の三角形波状にモデル化する工程を有し、前記三角波状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。
本発明の第２８の不要輻射解析装置によれば、論理シミュレーション装置と、前記論理シミュレーション装置に接続され、信号変化の発生時に生成され、発生対象である各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報から瞬間的な電流量を算出する算出手段と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化するモデル化手段と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理手段とを有し、前記ＦＦＴ処理手段の出力に基づいて、ＬＳＩの不要輻射量を解析するようにしたことを特徴とする。
【００６３】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下に本発明の第１の実施形態について説明する。この方法は、電流波形算出処理に特徴を有するもので、論理シミュレータから各セル毎にイベント情報を抽出し、これらのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間電流を一定の時間幅で平均化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果を高速フーリエ変換（ＦＦＴ）することにより、対象回路の不要輻射（ＥＭＩ）成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析するようにしたことを特徴とするものである。
【００６４】
図１は本実施形態の全体フローを説明するブロック図である。ＥＭＩ解析対象となる回路の回路データを表したネットリスト１、ネットリスト１を動作させるためのテストベクタ２、ネットリスト１構成する各セルの情報が記述されているライブラリ３からの情報に基づいてシミュレーションを行う論理シミュレータ４と、この論理シミュレータで算出された各セル毎のイベント情報５から電流波形を算出する電流波形算出処理部７と、この電流波形算出処理部７で算出された電流波形算出結果８に基づいてＦＦＴ処理部９でＦＦＴ処理を行い、ＥＭＩ成分を算出することにより、解析対象回路のＥＭＩ解析結果１０を得るようにしたもので、この電流波形算出処理部７に特徴を有するものである。ここでライブラリ３には各セルの種類毎にそのセルの論理、遅延情報、瞬間電流値情報が記述されている。論理シミュレータ４は何らかのイベントが発生する度にイベント情報５を出力する。ここで言うイベントとは、論理シミュレータ４内で何らかの信号変化が発生したことを指す。イベント情報５にはそのイベント情報を出力する原因となった処理対象のインスタンス名とその信号名、その時刻、信号の遷移情報が含まれている。インスタンス名とはネットリスト１を構成する各セル毎に付けられている固有名である。６は論理シミュレータ４から出力されるシミュレーション結果である。
【００６５】
この電流波形算出処理部７は、図２に詳細なブロック図を示すように、瞬間電流算出処理部１１と、この瞬間電流算出処理部１１で得られた処理対象となるインスタンスの瞬間電流情報から瞬間電流を算出し、この瞬間電流算出結果１２に基づいて電流波形を一定時間幅で平均化するように構成されている。この瞬間電流算出処理部１１は、論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出するもので、技術的には従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。すなわち、瞬間電流算出処理部１１は論理シミュレータ４からのイベント情報５を受け、その処理対象となるインスタンスの瞬間電流情報をライブラリ３から抽出し、瞬間電流を算出する。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３は瞬間電流算出結果１２の例を示すイメージ図である。この図において、縦軸は電流量ｉｔ（As），横軸は時刻ｔである。Ｔは一定時間幅で平均化するための時間幅であり、前もって決定された定数である。Δｔは解析における最小時間単位であり、論理シミュレータ４の最小時間単位とは異なる。ｔは現在処理時刻であり、論理シミュレータ４のシミュレーション時刻と一致する。ｉｔは瞬間電流値を表す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴ処理によりＥＭＩ成分を解析することができない。そこで電流波形平均化処理部１３において瞬間電流算出結果１２を一定時間幅で平均化するようにしたものである。
【００６６】
図４に電流波形平均化処理の処理フロー図を示す。以下の処理は平均化処理が終了するまで、すなわちtがシミュレーションの終了時刻を超えるまで繰り返す（ステップ：１０１０）。まず平均化処理用の電流バッファであるＩｂを０にする（１０１１）。次に現在時刻ｔがｔ＋ＴになるまでＩｂにｉ（ｔ）を加える（１０１２）（１０１３）。ｉ（ｔ）とは時刻ｔにおける瞬間電流値を示す。次にＩｂ／Ｔにより時間幅Ｔにおける平均電流値Ｉaveを算出する（１０１４）。次に変数ｘがｔ−ＴからｔになるまでＩ（ｘ）にＩaveを代入し、ｘにΔｔ加える（１０１５）（１０１６）。Ｉ（ｘ）とは時刻ｘにおける電流値を示す。
【００６７】
上記電流波形平均化処理の処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図５に図３の瞬間電流算出結果におけるＴ＝５の時の電流波形算出結果８を示す。この波形をＦＦＴ処理部９においてＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。ＥＭＩ解析結果１０のサンプルを図６に示す。この結果により、対象回路のＥＭＩの周波数特性を得ることができ、設計者はそのＥＭＩの対処方法を検討することができる。
【００６８】
この方法によれば、電流波形を平均化処理によりモデル化し、これにＦＦＴ処理を行うようにしているため、高精度の解析が可能であり、またトランジスタレベルでの解析に比べ、短時間で処理を行うことができる。
【００６９】
（実施形態２）
次に本発明の第２の実施形態について説明する。この方法では、論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面積となるように波高値を算出した一定の時間幅の矩形波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する。
【００７０】
図７に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する矩形波の時間幅である。この値は前もって決定された定数である。ｈは矩形波の高さであり、ｉとＷから算出する。
【００７１】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図８に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。そしてモデル化に際し、この方法ではモデル化する矩形波の面積が瞬間電流値になるように矩形波の高さを算出する第１の矩形波高算出処理部２０と、瞬間電流算出結果１２を一定時間幅の矩形波にモデル化する第１の矩形波整形処理部２１とによって電流波形を算出するように構成されている。
【００７２】
図９に矩形波高算出処理を含めた矩形波整形処理フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（ステップ：１０２０）。矩形波の面積はＷ×ｈであり、その値はｉである。そこでｉ／Ｗにより矩形波の高さｈを算出する（１０２１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。この処理が第１の矩形波高算出処理部２０に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２までＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０２２）（１０２３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第１の矩形波整形処理部２１に相当する。
【００７３】
上記、矩形波高算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図１０に図３の瞬間電流算出結果におけるＷ＝５の時の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【００７４】
この方法によれば、電流波形を矩形波処理によりモデル化し、これにＦＦＴ処理を行うようにしているため、より高精度の解析が可能であり、またトランジスタレベルでの解析に比べ、短時間で処理を行うことができる。
【００７５】
（実施形態３）
次に本発明の第３の実施形態について説明する。この方法では、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面積となるように時間幅と波高値の比を一定とした矩形波にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【００７６】
図１１に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。Ｋは矩形波の波高値と時間幅の比であり、今回の例では波高値／時間幅とする。この比は一定であり、この値は前もって適当な値を決定しておく。ｈは矩形波の高さであり、ｉとＫの値から算出する。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを用いて算出する。
【００７７】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１２に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【００７８】
３０はモデル化する矩形波の波高値と時間幅の比が一定であり、矩形波の面積が瞬間電流値になるように矩形波の高さを算出する第２の矩形波高算出処理部である。３１は矩形波の波高値と時間幅の比が一定であり、矩形波の面積が瞬間電流値になるように矩形波の時間幅を算出する第２の矩形波幅算出処理部である。３２は瞬間電流算出結果１２を波高値と時間幅の比が一定である矩形波にモデル化する第２の矩形波整形処理部である。
【００７９】
図１３に第２の矩形波高算出処理及び第２の矩形波幅算出処理を含めた第２の矩形波整形処フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１０３０）。ｉは矩形波の面積の関係とＫ＝ｈ／ｗの関係から矩形波の波高は次式１
【数１】
0003821612.tif 000002
で表される。この式を用いて矩形波の高さｈを算出する（１０３１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。Ｋは矩形波の波高値と時間幅の比であり、前もって決定しておいた定数である。この処理が第２の矩形波高算出処理部３０に相当する。次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（３２）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは処理（１０３１）によって算出した矩形波の高さである。この処理が第２の矩形波幅算出処理部３１に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０３３）（１０３４）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第２の矩形波整形処理部３２に相当する。
【００８０】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図１４に図３の瞬間電流算出結果における電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【００８１】
この方法によれば、電流波形を時間幅と波高値の比を一定とした矩形波処理によりモデル化し、これにＦＦＴ処理を行うようにしているため、より高精度の解析が可能である。特に電流量が大きいＬＳＩでは、電流の流れる時間も大であるため、この方法によれば、より現実に近いモデルを得ることができるため、より高精度の処理が可能となる。またトランジスタレベルでの解析に比べ、短時間で処理を行うことができる。
（実施形態４）
次に本発明の第４の実施形態について説明する。この方法では論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な電流を、瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示すグローバルなテーブルを用いて瞬間電流値が面積である矩形波にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。ここではグローバルなテーブルとはセルの種類に関係なく一般的に作成したテーブルを意味する。
【００８２】
図１５に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高さであり、グローバルな瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示したテーブルを用いて算出する。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを用いて算出する。
【００８３】
図１６にグローバルな瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示したｉ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポイントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、ｉ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０の時、ｈ＝５、ｉ＝１００の時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｉの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｉの値におけるｈの値（ｈ（ｉ））はｉ−ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１，ｈ１）と大きい値（ｉ２，ｈ２）の２ポイントを用いて次式２
【数２】
0003821612.tif 000003
で表される。
【００８４】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【００８５】
本実施形態では、ｉ−ｈテーブル４０に、上記で説明したグローバルな瞬間電流値と矩形波の高さの関係がテーブル化されており（図１６）、第３の矩形波高算出処理部４１では、瞬間電流値とｉ−ｈテーブル４０からモデル化する矩形波の波高値を算出する。そして第３の矩形波幅算出処理部４２では、矩形波の面積が瞬間電流値になるように第３の矩形波高算出処理部４１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する。そして第３の矩形波整形処理部４３で、瞬間電流算出結果１２を高さが第３の矩形波高算出処理部４１から算出された矩形波の波高値であり、幅が第３の矩形波幅算出処理部４２から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する。
【００８６】
図１８に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第３の矩形波整形処理のフローを示す。まずｉ−ｈテーブル４０を読み込む（１０４０）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１０４１）。まず、ｉ−ｈテーブル４０内からｉに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｉ１，ｈ１）、（ｉ２，ｈ２）を抽出する。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。図１６のテーブルではｉ＝７０の場合、（ｉ１，ｈ１）＝（５０，５）、（ｉ２，ｈ２）＝（１００，２０）がその値である（１０４２）。
【００８７】
次に前述の式２により矩形波の高さｈを算出する（１０４３）。図１６のテーブルではｉ＝７０の場合、ｈ（７０）＝１１となる。これらの処理（１０４２）（１０４３）が第３の矩形波高算出処理部４１に相当する。次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１０４４）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第３の矩形波高算出処理部４１によって算出した矩形波の高さである。図１６のテーブルではｉ＝７０の場合、ｗ＝６．３である。この処理が第３の矩形波幅算出処理部４２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０４５）（１０４６）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第３の矩形波整形処理部４３に相当する。
【００８８】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図１９に４０ｉ−ｈテーブルが図１６のテーブルであり、瞬間電流値が７０であった場合の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【００８９】
（実施形態５）
次に本発明の第５の実施形態について説明する。この方法では、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流をグローバルな入力波形鈍りと瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示すテーブルを用いて瞬間電流値が面積である矩形波にモデル化することにより、現実に近い入力波形鈍りを考慮した電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【００９０】
本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波の関係は実施形態４の矩形波モデル（図１５）と同じであるが、ｗ，ｈの算出に入力波形鈍りの影響を考慮している点が異なる。図２０にグローバルな瞬間電流値と入力波形鈍りと矩形波の高さの関係を示したｉ−ｓ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉとｓのポイントにおけるｈの値を示した物である。ｓは入力波形鈍り（Ｓｌｅｗ）を意味する。このテーブルの場合、ｉ＝０，ｓ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０，ｓ＝０の時、ｈ＝５、ｉ＝１００，ｓ＝０の時、ｈ＝１４、ｉ＝０，ｓ＝２の時、ｈ＝０、ｉ＝５０，ｓ＝２の時、ｈ＝６、ｉ＝１００，ｓ＝２の時、ｈ＝２０、という意味である。実際にはｉ，ｓの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだ３次元のグラフで表される。あるｓ，ｉの値におけるｈの値（ｈ（ｓ，ｉ））はｉ−ｓ−ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１）と大きい値（ｉ２）、ｓに一番近い小さい値（ｓ１）と大きい値（ｓ２）の組み合わせであるｈ（ｓ１，ｉ１），ｈ（ｓ１，ｉ２），ｈ（ｓ２，ｉ１），ｈ（ｓ２，ｉ２）の４ポイントの値を用いて前述の式３
【数３】
0003821612.tif 000004
で表される。
【００９１】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図２１に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【００９２】
ｉ−ｓ−ｈテーブル５０が用いられているが、これは上記で説明したグローバルな瞬間電流値と入力波形鈍りと矩形波の高さの関係を示したテーブルである（図２０）。そして第４の矩形波高算出処理部５２において、ネットリスト１内の各インスタンス毎の入力波形鈍り情報を記述したＳｌｅｗデータ５１から読み出された処理対象インスタンスの瞬間電流値および入力波形鈍りと、ｉ−ｓ−ｈテーブル５０とからモデル化する矩形波の波高値が算出される。５３は矩形波の面積が瞬間電流値になるように第４の矩形波高算出処理部５２から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する第４の矩形波幅算出処理部である。５４は瞬間電流算出結果１２を高さが第４の矩形波高算出処理部５２から算出された矩形波の波高値であり、幅が第４の矩形波幅算出処理部５３から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第４の矩形波整形処理部である。
【００９３】
図２２に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第４の矩形波整形処理のフローを示す。まずｉ−ｓ−ｈテーブル５０を読み込む（１０５０）。次にＳｌｅｗデータ５１を読み込む（１０５１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１０５２）。まず、ｉ−ｓ−ｈテーブル５０内からｉに一番近い小さい値と大きい値とｓに一番近い小さい値と大きい値の組み合わせである４点ｈ（ｓ１，ｉ１），ｈ（ｓ１，ｉ２），ｈ（ｓ２，ｉ１），ｈ（ｓ２，ｉ２）を抽出する。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。ｓは処理対象イベントのセルに関する入力波形鈍りであり、処理対象インスタンス名とＳｌｅｗデータ５１から抽出する。
【００９４】
図２０のテーブルではｉ＝７０，ｓ＝１の場合、ｈ（０，５０）＝５，ｈ（０，１００）＝１４，ｈ（２，５０）＝６，ｈ（２，１００）＝２０がその値である（１０５３）。次に前述の式３により矩形波の高さｈを算出する（１０５４）。図２０のテーブルではｉ＝７０，ｓ＝１の場合、ｈ（１，７０）＝１０．１となる。これらの処理（１０５３）（１０５４）が第４の矩形波高算出処理部５２に相当する。
【００９５】
次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１０５５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第４の矩形波高算出処理部５２によって算出した矩形波の高さである。
【００９６】
図２０のテーブルではｉ＝７０，ｓ＝１の場合、ｗ＝６．９である。この処理が第４の矩形波幅算出処理部５３に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０５６）（１０５７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第４の矩形波整形処理部５４に相当する。
【００９７】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図２３にｉ−ｓ−ｈテーブル５０が図２０のテーブルであり、瞬間電流値が７０、入力波形鈍りが１であった場合の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【００９８】
（実施形態６）
次に本発明の第６の実施形態について説明する。この方法では、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流をグローバルな出力負荷容量と瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示すテーブルを用いて瞬間電流値が面積である矩形波にモデル化することにより、現実に近い出力負荷容量を考慮した電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【００９９】
本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波の関係は実施形態４の矩形波モデル（図１５）と同じであるが、ｗ，ｈの算出に出力負荷容量の影響を考慮している点が異なる。図２４にグローバルな瞬間電流値と出力負荷容量と矩形波の高さの関係を示したｉ−ｃ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉとｃのポイントにおけるｈの値を示した物である。ｃは出力負荷容量を意味する。このテーブルの場合、ｉ＝０，ｃ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０，ｃ＝０の時、ｈ＝５、ｉ＝１００，ｃ＝０の時、ｈ＝２０、ｉ＝０，ｃ＝２０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０，ｃ＝２０の時、ｈ＝８、ｉ＝１００，ｃ＝２０の時、ｈ＝２５、という意味である。実際にはｉ，ｃの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだ３次元のグラフで表される。あるｃ，ｉの値におけるｈの値（ｈ（ｃ，ｉ））はｉ−ｃ−ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１）と大きい値（ｉ２）、ｃに一番近い小さい値（ｃ１）と大きい値（ｃ２）の組み合わせであるｈ（ｃ１，ｉ１），ｈ（ｃ１，ｉ２），ｈ（ｃ２，ｉ１），ｈ（ｃ２，ｉ２）の４ポイントの値を用いて式４
【数４】
0003821612.tif 000005
で表される。
【０１００】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図２５に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【０１０１】
６０はｉ−ｃ−ｈテーブルであり、上記で説明したグローバルな瞬間電流値と出力負荷容量と矩形波の高さの関係を示したテーブルである（図２４）。６１はネットリスト１内の各インスタンス毎の出力負荷容量情報を記述した容量データである。６２は処理対象インスタンスの瞬間電流値と出力負荷容量とｉ−ｃ−ｈテーブル６０からモデル化する矩形波の波高値を算出する第５の矩形波高算出処理部である。６３は矩形波の面積が瞬間電流値になるように第５の矩形波高算出処理部６２から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する第５の矩形波幅算出処理部である。６４は瞬間電流算出結果１２を高さが第５の矩形波高算出処理部６２から算出された矩形波の波高値であり、幅が第５の矩形波幅算出処理部６３から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第５の矩形波整形処理部である。
【０１０２】
図２６に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第５の矩形波整形処理のフローを示す。まずｉ−ｃ−ｈテーブル６０を読み込む（１０６０）。次に容量データ６１を読み込む（１０６１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１０６２）。まず、ｉ−ｃ−ｈテーブル６０内からｉに一番近い小さい値と大きい値とｃに一番近い小さい値と大きい値の組み合わせである４点ｈ（ｃ１，ｉ１），ｈ（ｃ１，ｉ２），ｈ（ｃ２，ｉ１），ｈ（ｃ２，ｉ２）を抽出する。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。ｃは処理対象イベントのセルに関する出力負荷容量であり、処理対象インスタンス名と容量データ６１から抽出する。
【０１０３】
図２４のテーブルではｉ＝７０，ｃ＝１０の場合、ｈ（０，５０）＝５，ｈ（０，１００）＝２０，ｈ（２０，５０）＝８，ｈ（２０，１００）＝２５がその値である（１０６３）。次に前述の式４により矩形波の高さｈを算出する（１０６４）。図２４のテーブルではｉ＝７０，ｃ＝１０の場合、ｈ（１０，７０）＝１２．９となる。これらの処理（１０６３）（１０６４）が第５の矩形波高算出処理部６２に相当する。次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１０６５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第５の矩形波高算出処理部６２によって算出した矩形波の高さである。
【０１０４】
図２４のテーブルではｉ＝７０，ｃ＝１０の場合、ｗ＝５．４である。この処理が第５の矩形波幅算出処理部６３に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０６６）（１０６７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第５の矩形波整形処理部６４に相当する。
【０１０５】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図２７にｉ−ｃ−ｈテーブル６０が図２４のテーブルであり、瞬間電流値が７０、出力負荷容量が１０であった場合の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０１０６】
この方法によれば、グローバルな出力負荷容量と瞬間電流値と矩形波の高さの関係から矩形波モデルを形成しているため、より現実に近いモデルを得ることができ、より高精度の処理が可能となる。
【０１０７】
（実施形態７）
次に本発明の第７の実施形態について説明する。図２８は本発明の第７の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第１の実施の形態において図１を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、データＡ９、Ａ１０とステップＡ１１及びステップＡ１１の出力データＡ６を追加した構成となっている。  第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。Ａ９はＥＭＩ解析対象となる半導体集積回路のレイアウトデータである。Ａ１０は電流量と電源電圧降下量の関係を示したＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）である。Ａ１１は電源電圧降下量を算出し、ステップ１１から算出された瞬間電流算出結果に対して補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。Ａ６は、前記ステップＡ１１の出力結果であり電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果である。
【０１０８】
図２９は本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照しながらステップＡ１１の機能を説明する。尚、データ１２は第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明を省略する。ステップＡ１１は、電源ネット抽出処理部Ｂ２、各セグメント毎の抵抗値算出処理部Ｂ６、各セグメントに流れる電流値算出処理部Ｂ３、各セグメント毎の電圧降下値算出処理部Ｂ７、インスタンス毎の電圧降下値算出処理部Ｂ１０、電流値補正処理部Ｂ１２の各ステップで構成されている。
【０１０９】
以下、各ステップについて説明する。ステップＢ２ではレイアウトデータＡ９が入力され、電気的接続情報を認識した上で電源配線形状を判別する。判別した電源配線形状に対して、配線の分岐、配線幅の変化、折れ曲がり及び別配線層への乗り換え等を識別し、それぞれにおいて電源配線を分割させることにより、電源配線の各セグメント情報Ｂ４が生成される。この生成データベースＢ４には各セグメント毎の配線長及び配線幅の情報が含まれる。
【０１１０】
図３０は本ステップにおける入力データＡ９の模式図である。図３１は本ステップにおける生成データベースＢ４の模式図であり、この図では特に電源・グランド配線それぞれについて、分岐により分割された各セグメント１〜１２をＳｇ１〜１２として示している。ステップＢ６では前記ステップＢ２より生成された電源配線の各セグメント情報Ｂ４が入力され、各セグメント毎の配線長及び配線幅の情報と各配線層毎に予め決まっている抵抗値パラメータにより、各セグメント毎の抵抗値情報Ｂ８が生成される。
【０１１１】
図３２は本ステップにおける生成データベースＢ８の模式図であり、この図では電源（ＶＤＤ）配線における各セグメントＳｇ１〜６のそれぞれの抵抗値をＲ１〜６として示している。ステップＢ３では瞬間電流算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１と前記ステップＢ２より生成された電源配線の各セグメント情報Ｂ４が入力され、各インスタンス毎の電流値を電源配線の各セグメントに流れるそれぞれの電流成分に分配し、各セグメント毎に分配されたインスタンス毎の電流成分を合算することにより、各セグメント毎の電流値情報Ｂ５が生成される。
【０１１２】
図３３は本ステップにおける生成データベースＢ５の模式図であり、この図ではインスタンス１〜３のそれぞれの電流値をＩ１〜３とし、各セグメントＳｇ１〜６に流れるそれぞれの電流値をＩｓ１〜６として示している。この場合、Ｉｓ１＝Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３、Ｉｓ２＝Ｉ２＋Ｉ３、Ｉｓ３＝Ｉ３、Ｉｓ４＝Ｉ１、Ｉｓ５＝Ｉ２、Ｉｓ６＝Ｉ３となる。  ステップＢ７では前記ステップＢ３より生成された各セグメント毎の電流値情報Ｂ５と前記ステップＢ６より生成された各セグメント毎の抵抗値情報Ｂ８が入力され、オームの法則により、各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ９が生成される。
【０１１３】
図３４は本ステップにおける生成データベースＢ９の模式図であり、この図では各セグメントＳｇ１〜６のそれぞれの電圧降下値をΔＶｓ１〜６として示している。この場合、ΔＶｓ１＝Ｒ１＊Ｉｓ１、ΔＶｓ２＝Ｒ２＊Ｉｓ２、ΔＶｓ３＝Ｒ３＊Ｉｓ３、ΔＶｓ４＝Ｒ４＊Ｉｓ４、ΔＶｓ５＝Ｒ５＊Ｉｓ５、ΔＶｓ６＝Ｒ６＊Ｉｓ６となる。ステップＢ１０では前記ステップＢ７より生成された各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ９が入力され、各インスタンス毎の電流経路に則した各セグメントの電圧降下値を合算することにより、インスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１が生成される。
【０１１４】
図３５は本ステップにおける生成データベースＢ１１の模式図であり、この図ではインスタンス１〜３のそれぞれの電圧降下値をΔＶ１〜３とし示している。この場合、ΔＶ１＝ΔＶｓ１＋ΔＶｓ４、ΔＶ２＝ΔＶｓ１＋ΔＶｓ２＋ΔＶｓ５、ΔＶ３＝ΔＶｓ１＋ΔＶｓ２＋ΔＶｓ３＋ΔＶｓ６となり、ΔＶ１〜３のそれぞれを各セグメントの抵抗値Ｒ１〜６と各インスタンスの電流値Ｉ１〜３で表すと、ΔＶ１＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ４＊Ｉ１、ΔＶ２＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ２＊（Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ５＊Ｉ２、ΔＶ３＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ２＊（Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ３＊Ｉ３＋Ｒ６＊Ｉ３となる。
【０１１５】
ステップＢ１２では前記ステップＢ１０より生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１と電流量と電源電圧降下量の関係を示したＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０が入力され、瞬間電流算出結果１２に対して補正処理が施されることにより、各インスタンス毎に電源配線抵抗成分に依存する電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成される。
【０１１６】
以上のように、本発明の第７の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗成分による電圧降下分を考慮に入れることにより、前記第１の実施の形態によって得られた瞬間電流算出結果１２に対して、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の物理現象を考慮させることが出来るため、より正確な電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波成分の低減が可能となる。
【０１１７】
また、本実施の形態7では第1の実施の形態において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られる。
（実施形態８）
次に本発明の第８の実施形態について説明する。  図３６は本発明の第８の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第７の実施の形態において図２８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、データＣ１を追加しステップＡ１１をステップＣ２に変更した構成となっている。第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
【０１１８】
Ｃ１は電源・グランド間デカップリング容量値と電源電圧降下量の関係を示したＣ−Ｖテーブルファイル（もしくはＣ−Ｖ関数）である。Ｃ２は電源電圧降下量を算出し、前記ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。図３７は本発明の第８の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｃ２の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照しながらステップＣ２の機能を説明する。尚、第７の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。また、データ１２は第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１１９】
ステップＣ２は、第７の実施の形態におけるステップＡ１１に対し、電源・グランド配線における各セグメント間の容量値算出処理部Ｄ１を追加し、各セグメント毎の電圧降下値算出処理部Ｂ７をＤ３に変更した構成となっている。以下、各ステップについて説明する。ステップＤ１では第７の実施の形態におけるステップＢ２より生成された電源配線の各セグメント情報Ｂ４が入力され、ここでのデータベースＢ４に含まれている電源・グランド配線における各セグメント同士の重なり面積の情報と各配線層間毎に予め決まっている容量値パラメータにより、電源・グランド配線における各セグメント間の容量値情報Ｄ２が生成される。
【０１２０】
図３８は本ステップにおける生成データベースＤ２の模式図であり、この図ではセグメントＳｇ１とＳｇ７、Ｓｇ２とＳｇ８、Ｓｇ３とＳｇ９のそれぞれの容量値をＣ１〜Ｃ３として示している。ステップＤ３では第７の実施の形態におけるステップＢ３より生成された各セグメント毎の電流値情報Ｂ５と第７の実施の形態におけるステップＢ６より生成された各セグメント毎の抵抗値情報Ｂ８と電源・グランド間デカップリング容量値と電源電圧降下量の関係を示したＣ−Ｖテーブルファイル（もしくはＣ−Ｖ関数）Ｃ１と前記ステップＤ１より生成された電源・グランド配線における各セグメント間の容量値情報Ｄ２が入力され、オームの法則及びＣ−Ｖテーブルに則した補正処理が施されることにより、抵抗成分に加えてデカップリング容量成分の効果を反映した各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ９が生成される。
【０１２１】
図３９は本ステップにおける生成データベースＢ９の模式図であり、この図では各セグメントＳｇ１〜６のそれぞれの電圧降下値をΔＶｓ１１〜６１として示している。この場合、ΔＶｓ１１＝ｆ（Ｃ１、ΔＶｓ１）、ΔＶｓ２１＝ｆ（Ｃ２、ΔＶｓ２）、ΔＶｓ３１＝ｆ（Ｃ３、ΔＶｓ３）、ΔＶｓ４１＝ΔＶｓ４、ΔＶｓ５１＝ΔＶｓ５、ΔＶｓ６１＝ΔＶｓ６となる。
【０１２２】
以上のように、本発明の第８の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗成分による電源電圧降下分に加えて電源・グランド間デカップリング容量効果分の電源電圧変動に対する電流値補正を新たに組み入れたことにより、前記第１の実施の形態によって得られた各インスタンスの瞬間電流算出結果１２に対して、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の物理現象を考慮させることが出来るため、より一層正確な電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波成分の低減がさらに可能となる。
【０１２３】
また、本実施の形態８では第1の実施の形態において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られる。
（実施形態９）
次に本発明の第９の実施形態について説明する。図４０は本発明の第９の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第７の実施の形態において図２８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、ステップＡ１１をステップＥ１に変更した構成となっている。第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。Ｅ１は電源電圧降下量を算出し、ステップ１１から算出された瞬間電流の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。
【０１２４】
図４１は本発明の第９の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｅ１の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照しながらステップＥ１の機能を説明する。尚、第７及び第８の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
【０１２５】
また、データ１２についても第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明を省略する。ステップＥ１は、第８の実施の形態におけるステップＣ２に対し、各セグメントに流れる電流値算出処理部Ｂ３、各セグメント毎の電圧降下算出処理部Ｄ３及びインスタンス毎の電圧降下算出処理部Ｂ１０を削除し、新たに過渡解析処理部Ｆ１を追加した構成となっている。
【０１２６】
以下、各ステップについて説明する。ステップＦ１では前記ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１と第８の実施の形態におけるステップＢ６より生成された各セグメント毎の抵抗値情報Ｂ８と第８の実施の形態におけるステップＤ１より生成された各セグメント間の容量値情報Ｄ２が入力され、ＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用した解析により、インスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１が生成される。
【０１２７】
以上のように、本発明の第９の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗及び電源・グランド間デカップリング容量効果分の電源電圧変動を過渡解析シミュレータにて求めることにより、前記第１の実施の形態によって得られた瞬間電流算出結果１２に対して、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の物理現象を忠実に反映させることが出来るため、従来例で示した高精度な不要輻射解析を実現しつつ、大規模回路にも適用し得る高速な不要輻射解析が可能となる。
【０１２８】
また、本実施の形態９では第1の実施の形態において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られる。
【０１２９】
（実施形態１０）
次に本発明の第１０の実施形態について説明する。  実施形態２〜９では論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、その瞬間的な電流波形を三角波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。以下にその例として、瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面積となるように波高値を算出した一定の時間幅の三角波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０１３０】
図４２に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した三角波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅であり、定数である。この値は前もって適当な値を決定しておく。ｈは三角波の高さであり、ｉとＷから算出する。時刻ｔ＋ｘにおける電流値は次式５
【数５】
0003821612.tif 000006
で表される。また時刻ｔ−ｘにおける電流値も同式５で表される。
【０１３１】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図４３に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。１００はモデル化する三角波の面積が瞬間電流値になるように三角波の高さを算出する三角波高算出処理部である。１０１は瞬間電流算出結果１２を一定時間幅の三角波にモデル化する三角波整形処理部である。
【０１３２】
図４４に三角波高算出処理を含めた三角波整形処理フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１００）。三角波の面積はＷ×ｈ／２であり、その値はｉである。そこで２×ｉ／Ｗにより三角波の高さｈを算出する（１１０１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。この処理が三角波高算出処理部１００に相当する。次に変数ｘが０からＷ／２までＩ（ｔ＋ｘ）とＩ（ｔ−ｘ）に前述の式５を加算し、ｘにΔｔ加える（１１０２）（１１０３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時刻ｔ−ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が三角波整形処理部１０１に相当する。
【０１３３】
上記、三角波高算出処理と三角波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図４５に図３の瞬間電流算出結果におけるＷ＝５の時の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０１３４】
（実施形態１１）
次に本発明の第１１の実施形態について説明する。実施形態２〜９では論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方法では、その瞬間的な電流波形を複数次の関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。以下にその例として、瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面積となるように波高値を算出した一定の時間幅の複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０１３５】
図４６に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した複数次関数を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する複数次関数の時間幅であり、定数である。この値は前もって適当な値を決定しておく。ｈはモデル化する複数次関数の高さであり、ｉとＷから算出する。今回の例ではモデル化する複数次関数の式を次式６
【数６】
0003821612.tif 000007
とする。複数次関数モデルの幅は２×Ｗとする。
【０１３６】
複数次関数の高さｈは前述の式６においてｘ＝０のときであるので、次式７
【数７】
0003821612.tif 000008
で表される。
【０１３７】
この複数次関数モデルの面積は式８
【数８】
0003821612.tif 000009
で表される。
この面積は瞬間電流値ｉに等しいことから、ａはＷとｉを用いて式９
【数９】
0003821612.tif 000010
で表される。
【０１３８】
前述の式９を用いてａを算出することにより、モデル化する複数次関数モデルの高さが決定する。Ｗ＝２．５，ｉ＝１００の時前述の式９よりａ＝０．９６、前述の式７よりｈ＝３７．５、ｉ＝５０の時前述の式９よりａ＝０．４８、前述の式７よりｈ＝１８．７５と複数次関数モデルの高さを算出することができる。
【０１３９】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図４７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。
【０１４０】
図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【０１４１】
１１０はモデル化する複数次関数の面積が瞬間電流値になるように複数次関数の高さを算出する複数次関数波高算出処理部である。１１１は瞬間電流算出結果１２を一定時間幅の複数次関数にモデル化する複数次関数波整形処理部である。
【０１４２】
図４８に複数次関数波高算出処理を含めた複数次関数波整形処理フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１１０）。まず、前述の式９を用いて複数次関数の波高依存係数ａを算出する（１１１１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。Ｗは波幅に依存する定数である。この処理が１１０複数次関数波高算出処理部に相当する。
【０１４３】
次に変数ｘが−ＷからＷまでＩ（ｔ＋ｘ）に前述の式６を加算し、ｘにΔｔ加える（１１１２）（１１１３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値でありる。この処理が１１１複数次関数波整形処理部に相当する。
【０１４４】
上記、複数次関数波高算出処理と複数次関数波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図４９に図３の瞬間電流算出結果におけるＷ＝２．５の時の電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
（実施形態１２）
次に本発明の第１２の実施形態について説明する。実施形態２〜９では論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方法では、その瞬間的な電流波形を複素関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。
【０１４５】
以下にその例として、グローバルな瞬間的な変化電流とモデル化する複素関数の高さの関係を表したテーブルと瞬間的な変化電流とモデル化する複素関数の時間幅の関係を表したテーブルを用いて複素関数の高さ、幅を算出し、複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０１４６】
図５０に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した複素関数を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する関数の高さであり、グローバルな瞬間的な変化電流とモデル化する複素関数の高さの関係を表したテーブルを用いて算出する。
【０１４７】
図５１にグローバルな瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示したｉ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポイントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、ｉ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０の時、ｈ＝１０、ｉ＝１００の時、ｈ＝４０という意味である。実際にはｉの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｉの値におけるｈの値（ｈ（ｉ））はｉ−ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１，ｈ１）と大きい値（ｉ２，ｈ２）の２ポイントを用いて前述の式２で表される。ｗはモデル化する関数の時間幅であり、グローバル瞬間的な変化電流とモデル化する複素関数の時間幅の関係を表したテーブルを用いて算出する。
【０１４８】
図５２にグローバルな瞬間電流値と矩形波の幅の関係を示したｉ−ｗテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポイントにおけるｗの値を示した物で、このテーブルの場合、ｉ＝０の時、ｗ＝０、ｉ＝２０の時、ｗ＝１、ｉ＝１００の時、ｗ＝１．５という意味である。実際にはｉの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだグラフで表される。
【０１４９】
あるｉの値におけるｈの値（ｗ（ｉ））はｉ−ｗテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１，ｗ１）と大きい値（ｉ２，ｗ２）の２ポイントを用いて式１０
【数１０】
0003821612.tif 000011
で表される。
【０１５０】
今回の例ではモデル化する複素関数の式を前述の式１１とする。この関数はガウス関数と呼ばれている。この式においてｘ＝０のとき、この式の値はｈとなるため、ｈはガウス関数の高さを表している。この式においてｘ＝３×ｗの時、この式の値は０．０００１×ｈとなり、高さの０．０１％となる。そこでこの値をモデル化する関数の時間幅の限界とし、関数の時間幅を６×ｗとした。
【０１５１】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図５３に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。
【０１５２】
図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。４０はｉ−ｈテーブルであり、上記で説明したグローバルな瞬間電流値とガウス関数の高さの関係を示したテーブルである（図５１）。１２０は瞬間電流値と４０ｉ−ｈテーブルからモデル化するガウス関数の波高値を算出するガウス関数波高算出処理部である。
【０１５３】
１２１はｉ−ｗテーブルであり、上記で説明したグローバルな瞬間電流値とガウス関数の幅の関係を示したテーブルである（図５２）。１２２は瞬間電流値と１２１ｉ−ｗテーブルからモデル化するガウス関数の幅を算出するガウス関数波幅算出処理部である。１２３は瞬間電流算出結果１２を高さが１２０ガウス関数波高算出処理部から算出されたガウス関数の波高値であり、幅が１２２ガウス関数波幅算出処理部から算出されたガウス関数の幅であるガウス関数にモデル化するガウス関数波整形処理部である。
【０１５４】
図５４にガウス関数波高算出処理及びガウス関数波幅算出処理を含めたガウス関数波整形処理フローを示す。まず４０ｉ−ｈテーブルを読み込む（１１２０）。次に１２１ｉ−ｗテーブルを読み込む（１１２１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１２２）。まず、４０ｉ−ｈテーブル内からｉに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｉ１，ｈ１）、（ｉ２，ｈ２）を抽出する（１１２３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。
【０１５５】
図５１のテーブルではｉ＝５０の場合、（ｉ１，ｈ１）＝（０，０）、（ｉ２，ｈ２）＝（５０，５）がその値である。ｉ＝１００の場合、（ｉ１，ｈ１）＝（５０，５）、（ｉ２，ｈ２）＝（１００，２０）がその値である。次に前述の式２によりガウス関数の高さｈを算出する（１１２４）。図５１のテーブルではｉ＝５０の場合、ｈ（５０）＝１０、ｉ＝１００の場合、ｈ（１００）＝４０となる。これらの処理（１１２３）（１１２４）がガウス関数波高算出処理部１２０に相当する。
【０１５６】
次にｉ−ｗテーブル１２１内からｉに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｉ１，ｗ１）、（ｉ２，ｗ２）を抽出する（１１２５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。図５２のテーブルではｉ＝５０の場合、（ｉ１，ｗ１）＝（０，０）、（ｉ２，ｗ２）＝（２０，１）がその値である。ｉ＝１００の場合、（ｉ１，ｗ１）＝（２０，１）、（ｉ２，ｗ２）＝（１００，１．５）がその値である。
【０１５７】
次に前述の式１０によりガウス関数の幅ｗを算出する（１１２６）。図５２のテーブルではｉ＝５０の場合、ｗ（５０）＝１．３、ｉ＝１００の場合、ｗ（１００）＝１．５となる。これらの処理（１１２５）（１１２６）が１２２ガウス関数波幅算出処理部に相当する。
【０１５８】
次に変数ｘが−３×ｗから３×ｗに変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）に、
式１１
【数１１】
0003821612.tif 000012
を加算し、ｘにΔｔ加える（１１２７）（１１２８）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が１２３ガウス関数波整形処理部に相当する。
【０１５９】
上記、ガウス関数波高算出処理、ガウス関数波幅算出処理とガウス関数波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。図５５にｉ−ｈテーブル４０が図５１のテーブルであり、ｉ−ｗテーブル１２１が図５２であった場合の図３の瞬間電流算出結果における電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０１６０】
（実施形態１３）
次に本発明の第１３の実施形態（請求項１４）の不要輻射解析方法について説明する。実施形態１３は、請求項２乃至１０における電流波形推定情報を、貫通電流に依存する要素と、チャージ電流に依存する要素に分けてモデル化することを特徴とする。ここで貫通電流とは、回路素子を構成するＣＭＯＳトランジスタ構造において、トランジスタのゲート端子側に信号変化が発生した時に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ（以下ＰＭＯＳと示す）、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（以下ＮＭＯＳと示す）が瞬時同時に駆動状態となるがために、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳそれぞれのソース端子・ドレイン端子間を貫いて流れる電流を示している。チャージ電流とは、回路素子の出力負荷容量に電荷を貯える、あるいは放出する際に流れる電流を示している。貫通電流は、入力信号変化とほぼ同時に発生し、チャージ電流は入力信号変化からやや遅れて出力信号変化とともに流れる。従って、電流波形推定情報のうち貫通電流に依存する要素とチャージ電流に依存する要素を分けて扱うことにより、より正確な電流波形を推定することが可能となる。
図５６に請求項２の一定幅で離散化する手法を用いた請求項１４の不要輻射解析方法の実施例についてその構成を示す。
【０１６１】
同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段７３０１と、信号変化パターン記憶手段７３０２と、素子電流量記憶手段７３０３と、電流推定基礎情報記憶手段７３０６と、総電流量記憶手段７３０４と、総電流量算出手段７３０５とからなる電流量解析手段を備えている。
【０１６２】
次に、これらの図５６の不要輻射解析方法を構成する個々の要素について説明するとともに、図１１０に示す回路接続情報と、図１１１に示す信号変化パターンと、図５７に示す素子電流量と、図５９に示す電流推定基礎情報とを用いて図５８に示す総電流量を算出する手順を説明する。回路接続情報記憶手段７３０１、信号変化パターン記憶手段７３０２については、従来例の回路接続情報記憶手段１００１、信号変化パターン記憶手段１００２と同一であるため説明を割愛する。
【０１６３】
素子電流量記憶手段７３０３は、各素子の外部端子が１度変化した際に流れる総電流量の情報である素子電流量情報を貫通電流成分およびチャージ電流成分それぞれに分けて記憶するものであり、あらかじめ図５７に示すような素子電流量情報を記憶している。７４０１はフリップフロップＦＦのクロック入力端子ＣＫの信号が変化する時の貫通電流成分電流量をあらわしている。７４０２はフリップフロップＦＦのクロック入力端子ＣＫの信号が変化する時のチャージ電流成分電流量をあらわしている。７４０３はフリップフロップＦＦの出力端子Ｑの信号が変化する時の貫通電流成分電流量をあらわしている。７４０４はフリップフロップＦＦの出力端子Ｑの信号が変化する時のチャージ電流成分電流量をあらわしている。７４０５はバッファＢＵＦの出力端子Ｙの信号が変化した時の貫通電流成分電流量をあらわしている。７４０６はバッファＢＵＦの出力端子Ｙの信号が変化した時のチャージ電流成分電流量をあらわしている。電流推定基礎情報記憶手段７３０６は、貫通電流に対する離散幅と、チャージ電流に対する離散幅を図５９に示す形式で記憶する。この電流推定基礎情報は、実施形態１（請求項２）と同じく、各信号変化に対して流れる電流の総量を平均化する離散幅を持つものであるが、請求項２と異なり貫通電流成分離散幅７６０１とチャージ電流成分離散幅７６０２の２つの情報を有している。７６０１は貫通電流成分電流量に対する離散幅をあらわしている。７６０２はチャージ電流成分電流量に対する離散幅をあらわしている。
【０１６４】
総電流量算出手段７３０５は、図６０に示すようなフローチャートを有する。図６０に示すフローチャートでは、従来方法に対して電流計算において計算された貫通電流とチャージ電流それぞれに対して個々の離散幅で平均化し、それらの電流波形を加算する処理（ステップ７７０６）が加わっている。ステップ７７０１で回路接続情報記憶手段７３０１に記憶された図１１０の回路接続情報を読み込む。ステップ７７０２で信号変化パターン記憶手段７３０２に記憶された図１１１の信号変化パターンを読み込む。ステップ７７０３で素子電流情報記憶手段７３０３に記憶された図５７の素子電流量情報を読み込む。
【０１６５】
ステップ７７０４で電流量推定基礎情報記憶手段７３０６に記憶された図５９の電流推定基礎情報を読み込む。次にステップ７７０５で図１１１の信号変化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応する電流量の貫通電流成分とチャージ電流成分を各時刻における総電流量情報の貫通電流成分とチャージ電流成分にそれぞれ加算する。
【０１６６】
次にステップ７７０６で総電流量情報の貫通電流成分とチャージ電流成分それぞれを図５９に示す電流推定基礎情報に記憶された離散幅で離散化した結果を加算し図５８に示す各時刻の総電流量として算出する。信号伝播完了後、ステップ７７０７で、算出された図５８に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段７３０４に記憶する。  これにより、図１４に示す従来方式の電流に対して、図５８に示すような実際に近い電流波形が得られる。
【０１６７】
（実施形態１４）次に本発明の第１４の実施形態について説明する。この方法では、 以下に各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、波高値をそのセルのピーク電流値とし瞬間電流値が面積となるように、時間幅を算出した矩形波にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する。
【０１６８】
図１５に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。
【０１６９】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図６１に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【０１７０】
１３０はピーク電流ライブラリであり、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタライズした値が含まれている。１３１はピーク電流ライブラリ１３０からモデル化する矩形波の波高値を抽出する第６の矩形波高算出処理部である。１３２は矩形波の面積が瞬間電流値になるように、第６の矩形波高算出処理部１３１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する第６の矩形波幅算出処理部である。１３３は瞬間電流算出結果１２を高さが第６の矩形波高算出処理部１３１から抽出された矩形波の波高値であり、幅が第６の矩形波幅算出処理部１３２から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第６の矩形波整形処理部である。
【０１７１】
図６２に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第６の矩形波整形処理のフローを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む（１１３０）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１３１）。まず、ピーク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピーク電流値を抽出し、それを矩形波の波高ｈとする（１１３２）。この処理が第６の矩形波高算出処理部１３１に相当する。
【０１７２】
次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１１３３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第６の矩形波高算出処理部１３１によって算出した矩形波の高さである。この処理が第６の矩形波幅算出処理部１３２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１１３４）（１１３５）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第６の矩形波整形処理部１３３に相当する。
【０１７３】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０１７４】
（実施形態１５）次に本発明の第１５の実施形態について説明する。この方法では、 各セルの種類毎にそのセルの入力波形鈍りとピーク電流値の関係とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、そのセルの入力波形鈍りを考慮したピーク電流値を波高値とし、瞬間電流値が面積となるように、時間幅を算出した矩形波にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する。
【０１７５】
図１５に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高さであり、各セル毎の入力波形鈍りと矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたライブラリを用いて算出する。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを用いて算出する。入力波形鈍りと矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたライブラリは各セルの種類毎にｓ−ｈテーブルで構成されている。
【０１７６】
図６３にｓ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。ｓは処理対象インスタンスの入力波形鈍りを示す。このテーブルはあるｓのポイントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、ｓ＝０の時、ｈ＝０、ｓ＝１の時、ｈ＝５、ｓ＝２の時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｓの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｓの値におけるｈの値（ｈ（ｓ））はｓ−ｈテーブル内のｓに一番近い小さい値（ｓ１，ｈ１）と大きい値（ｓ２，ｈ２）の２ポイントを用いて式１２
【数１２】
0003821612.tif 000013
で表される。
【０１７７】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図６４に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【０１７８】
ｓ−ｈテーブルライブラリ１４０は、上記で説明した各セル毎の入力波形鈍りと矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたものである（図６３）。５１は各インスタンス毎の入力波形鈍りを記述したＳｌｅｗデータである。１４１はＳｌｅｗデータ５１から処理対象インスタンスの入力波形鈍りを抽出し、ｓ−ｈデーブルライブラリ１４０とその入力波形鈍りからモデル化する矩形波の波高値を算出する第７の矩形波高算出処理部である。１４２は矩形波の面積が瞬間電流値になるように第７の矩形波高算出処理部１４１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する第７の矩形波幅算出処理部である。１４３は瞬間電流算出結果１２を高さが第７の矩形波高算出処理部１４１から算出された矩形波の波高値であり、幅が第７の矩形波幅算出処理部１４２から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第７の矩形波整形処理部である。
【０１７９】
図６５に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第７の矩形波整形処理フローを示す。まずｓ−ｈテーブルライブラリ１４０を読み込む（１１４０）。次にＳｌｅｗデータ５１を読み込む（１１４１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１４２）。まず、ｓ−ｈテーブルライブラリ１４０の処理対象のセルの種類のｓ−ｈテーブルからｓに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｓ１，ｈ１）、（ｓ２，ｈ２）を抽出する。ｓは処理対象インスタンスのＳｌｅｗデータ５１から抽出した入力波形鈍りである。
【０１８０】
図６３のテーブルではｓ＝１．２の場合、（ｓ１，ｈ１）＝（１，５）、（ｓ２，ｈ２）＝（２，２０）がその値である（１１４３）。次に前述の式１１により矩形波の高さｈを算出する（１１４４）。図６３のテーブルではｓ＝１．２の場合、ｈ（１．２）＝８となる。これらの処理（１１４３）（１１４４）が第７の矩形波高算出処理部１４１に相当する。
【０１８１】
次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１１４５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第７の矩形波高算出処理部１４１によって算出した矩形波の高さである。この処理が第７の矩形波幅算出処理部１４２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１１４６）（１１４７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第７の矩形波整形処理部１４３に相当する。
【０１８２】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
（実施形態１６）次に本発明の第１６の実施形態について説明する。この方法では、 各セルの種類毎にそのセルの出力負荷容量とピーク電流値の関係とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、そのセルの出力負荷容量を考慮したピーク電流値を波高値とし、瞬間電流値が面積となるように、時間幅を算出した矩形波にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する。
【０１８３】
図１５に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高さであり、各セル毎の出力負荷容量と矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたライブラリを用いて算出する。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを用いて算出する。出力負荷容量と矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたライブラリは各セルの種類毎にｃ−ｈテーブルで構成されている。
【０１８４】
図６６にｃ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した図を示す。ｃは処理対象インスタンスの出力負荷容量を示す。このテーブルはあるｃのポイントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、ｃ＝０の時、ｈ＝０、ｃ＝１０の時、ｈ＝５、ｃ＝２０の時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｃの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｃの値におけるｈの値（ｈ（ｃ））はｃ−ｈテーブル内のｃに一番近い小さい値（ｃ１，ｈ１）と大きい値（ｃ２，ｈ２）の２ポイントを用いて、
式１３
【数１３】
0003821612.tif 000014
で表される。
【０１８５】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図６７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。ここで、瞬間電流算出処理部１１は、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様に、論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出し、瞬間電流算出結果１２を得るようにしたものである。
【０１８６】
図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。１５０はｃ−ｈテーブルライブラリであり、上記で説明した各セル毎の出力負荷容量と矩形波の高さの関係をキャラクタライズしたｃ−ｈテーブル（図６６）で構成されている。６１は各インスタンス毎の出力負荷容量を記述した容量データである。１５１は容量データ６１から処理対象インスタンスの出力負荷容量を抽出し、ｃ−ｈデーブルライブラリ１５０とその出力負荷容量からモデル化する矩形波の波高値を算出する第８の矩形波高算出処理部である。１５２は矩形波の面積が瞬間電流値になるように第８の矩形波高算出処理部１５１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算出する第８の矩形波幅算出処理部である。１５３は瞬間電流算出結果１２を高さが第８の矩形波高算出処理部１５１から算出された矩形波の波高値であり、幅が第８の矩形波幅算出処理部１５２から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第８の矩形波整形処理部である。
【０１８７】
図６８に矩形波高算出処理及び矩形波幅算出処理を含めた第８の矩形波整形処理フローを示す。まずｃ−ｈテーブルライブラリ１５０を読み込む（１１５０）。次に容量データ６１を読み込む（１１５１）。
【０１８８】
次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１５２）。まず、ｃ−ｈテーブルライブラリ１５０の処理対象のセルの種類のｃ−ｈテーブルからｃに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｃ１，ｈ１）、（ｃ２，ｈ２）を抽出する。ｃは処理対象インスタンスの６１容量データから抽出した出力負荷容量である。
【０１８９】
図６６のテーブルではｃ＝１２の場合、（ｃ１，ｈ１）＝（１，５）、（ｃ２，ｈ２）＝（２０，２０）がその値である（１１５３）。次に前述の式１２により矩形波の高さｈを算出する（１１５４）。図６６のテーブルではｃ＝１２の場合、ｈ（１２）＝８となる。これらの処理（１１５３）（１１５４）が第８の矩形波高算出処理部１５１に相当する。次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１１５５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第８の矩形波高算出処理部１５１によって算出した矩形波の高さである。
【０１９０】
この処理が第８の矩形波幅算出処理部１５２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１１５６）（１１５７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が第８の矩形波整形処理部１５３に相当する。
【０１９１】
上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０１９２】
（実施形態１７）
次に第１７の実施形態（請求項１８）の不要輻射解析方法の実施例について説明する。本実施例は、不要輻射解析のうち、特に回路素子が複数の論理素子の組み合わせで構成される複合セルである場合の特性抽出および電流量計算を行う場合を示している。複合セルにおいては、電流は前記回路素子を構成する各論理素子が活性化するごとに流れる。この活性化は、それぞれの回路素子内の論理素子の持つ遅延をもって生ずる。
【０１９３】
すなわち、回路素子の入力変化が起こってから、回路素子内で複数回電流が流れる。例えば図１０８のような組み合わせ回路素子では、端子Ａ、Ｂの変化からセル内ゲートＰ１の遅延（１ｎｓであるものとする）をもって１Ｎ１が変化し、さらにセル内ゲートＰ２の遅延（１ｎｓであるものとする）をもってＹが変化するため、図６９の信号変化パターンを与えると図７０に示すような電流波形が発生する。
【０１９４】
しかしながら、従来のゲートレベルの解析技術では各回路素子の出力ピンにおける遅延を持ってその回路素子の総電流量を消費するものとして扱っていた。例えば、図１０８の回路素子を用いた図７３の回路に対して図６９の信号変化パターンを与えると、図７１のような電流情報が出力される。それに対し、本実施例では、対象となる複合セルの入力ピンが信号変化した際に生じる複数回の電流をその電流のピーク値と入力信号変化を基準とした遅延値でライブラリ化し、論理シミュレータにおける複合セルの入力ピンの信号変化に応じて前記遅延値の遅れを持って各電流のピーク値があるものと想定して電流を推定することを特徴としている。
【０１９５】
図７２に実施形態１４（請求項１５）のピーク電流値と電流量を用いる手法を用いた実施形態１４（請求項１８）の不要輻射解析方法の実施例についてその構成を示す。
【０１９６】
同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段９００５とからなる電流量解析手段を備えている。
【０１９７】
次に、これらの図７２の不要輻射解析方法を構成する個々の要素について説明するとともに、図７３に示す回路接続情報と、図６９に示す信号変化パターンと、図７５に示す素子電流量とを用いて図７４に示す総電流量を算出する手順を説明する。
【０１９８】
回路接続情報記憶手段９００１は、従来例と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するものであり、あらかじめ図７３に示すような回路接続情報を記憶している。信号変化パターン記憶手段９００２は、従来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらかじめ図６９に示すような図７３の入力ポートＡ、Ｂ、Ｃに入力される信号変化パターンを記憶している。素子電流量記憶手段９００３は、図７５で示すような形式で各素子ごとに各素子の外部入力端子が変化した後に素子内で発生する電流に関する変化ピン９３０１と時間間隔（外部端子が変化してから電流の発生するまでの時間）９３０２と電流の総量９３０３とピーク値９３０４の情報を有する。９３０５は、図１０８で示すＡＮＤＯＲの回路素子について、入力Ａが変化してから１ｎｓ後にピークを０．５ｍＡとする総量１ｍＡの電流が流れ、入力Ａが変化してから２ｎｓ後にピークを１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れることを示している。９３０６は、図１０８で示す回路素子について、入力Ｂが変化してから１ｎｓ後にピークを０．５ｍＡとする総量１ｍＡの電流が流れ、入力Ｂが変化してから２ｎｓ後にピークを１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れることを示している。９３０７は、図１０８で示す回路素子について、入力Ｃが変化してから２ｎｓ後にピークを１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れることを示している。
【０１９９】
総電流量算出手段９００５は、図７６に示すようなフローチャートを有する。図７６に示す電流計算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法のステップ１５０４に対して、入力の変化に伴って素子電流量記憶手段に記憶された素子電流量情報の時間間隔を持って電流の総量とピーク値から電流の波形を矩形波形を想定して計算する処理（ステップ９４０４）に変更となる。ステップ９４０１で回路接続情報記憶手段９００１に記憶された図７３の回路接続情報を読み込む。ステップ９４０２で信号変化パターン記憶手段９００２に記憶された図６９の信号変化パターンを読み込む。ステップ９４０３で素子電流情報記憶手段９００３に記憶された図７５の素子電流量情報を読み込む。
【０２００】
次にステップ９４０４で図６９の信号変化パターンを図７３の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部入力端子が信号変化を起こした際に、端子に対応する電流量をピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を外部入力端子の変化から時間間隔分だけ遅らせた時刻の総電流量情報に加算する。信号伝播完了後、ステップ９４０５で、算出された図７４に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図７１に示す従来方式の電流に対して、図７４に示すような実際に近い電流波形が得られる。
【０２０１】
（実施形態１８）
次に本発明の第１８の実施形態（請求項１９）の不要輻射解析方法の実施例について説明する。
本実施例は、不要輻射解析のうち、特に回路素子がクロックに同期したレジスタ（信号保持）素子である場合の特性抽出および電流量計算を行う場合を示している。フリップフロップ等のレジスタ素子においては、電流はクロックピンの信号変化の立ち上がりあるいは立ち下がりごとに生じる。例えば、図７７の回路に対して図７８の信号変化パターンを与えると、図７９のような電流が流れる。前述の実施例同様、前記回路素子を構成する各論理素子が活性化するごとに流れるが、従来のゲートレベル消費電力解析ツールでは、これをフリップフロップのデータ取り込み時、例えばクロックピンの立ち上がり時のみで表していた。例えば、図７７の回路に対して図７８の信号変化パターンを与えると、図８０のような電流情報が出力される。
【０２０２】
本実施例では、フリップフロップの場合電流の流れるタイミングは主としてフリップフロップのクロックピンの立ち上がりと立ち下がりを基準として発生することに着目して、クロックピンの立ち上がりおよび立ち下がりを基準として電流を見積もる。図７２に実施形態１４（請求項１５）のピーク電流値と電流量を用いる手法を用いた請求項１９の不要輻射解析方法の実施例についてその構成を示す。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段９００５とからなる電流量解析手段を備えている。
【０２０３】
次に、これらの図７２の不要輻射解析方法を構成する個々の要素について説明するとともに、図７７に示す回路接続情報と、図７８に示す信号変化パターンと、図８１に示す素子電流量とを用いて図８２に示す総電流量を算出する手順を説明する。
【０２０４】
回路接続情報記憶手段９００１は、従来例と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するものであり、あらかじめ図７７に示すような回路接続情報を記憶している。
【０２０５】
信号変化パターン記憶手段９００２は、従来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらかじめ図７８に示すような図７７の入力ポートＣＫ、Ｄに入力される信号変化パターンを記憶している。
【０２０６】
素子電流量記憶手段９００３は、図８１に示ような形式で各素子ごとにクロックの立ち上がりおよび立ち下がりそれぞれにおける回路素子の電流の総量９９０１とピーク値９９０２を有する。
【０２０７】
総電流量算出手段９００５は、図８３に示すようなフローチャートを有する。図８３に示す電流計算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法のステップ１５０４に対して、クロックの立ち上がりおよび立ち下がりそれぞれについて電流の総量とピーク値から電流の波形を矩形波形で計算する処理（ステップ１０１０４）に変更となる。
【０２０８】
ステップ１０１０１で回路接続情報記憶手段９００１に記憶された図７７の回路接続情報を読み込む。ステップ１０１０２で信号変化パターン記憶手段９００２に記憶された図７８の信号変化パターンを読み込む。
【０２０９】
ステップ１０１０３で素子電流情報記憶手段９００３に記憶された図１１４の素子電流量情報を読み込む。次にステップ１０１０４で図７８の信号変化パターンを図７７の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部入力端子が信号変化を起こした際に、立ち上がり、立ち下がりそれぞれについて、端子に対応する電流量をピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を端子が変化した時刻の総電流量情報に加算する。
【０２１０】
信号伝播完了後、ステップ１０１０５で、算出された図８２に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図８０に示す従来方式の電流に対して、図８２に示すような実際に近い電流波形が得られる。
【０２１１】
（実施形態１９）
次に本発明の第１９の実施形態（請求項２０）の不要輻射解析方法の実施例について説明する。
従来のゲートレベル消費電力解析手段では、論理素子の入力信号値に応じて電流総量を変化させる、いわゆる状態依存の消費電力計算を行うことは出来たが、電流の時間的変化やピーク値を含めた状態依存までは扱うことは出来なかった。
【０２１２】
また、ある信号変化が発生した時の別の信号の定常値を見るものはあったが、別の信号の信号変化まで見るものはなかった。例えば、図８４に示す回路接続情報と、図８５に示す信号変化パターンとにより図８６で示す電流（Ａ、Ｂ端子が同時変化の場合とＡ端子のみ変化の場合に電流量が異なる）が流れるが、このような場合に従来は図８７のような波形しか出すことが出来なかった。
【０２１３】
それに対して、本実施例は、電流の時間的変化やピーク値を2つ以上の信号変化を考慮した状態依存で持つことを特徴とする。図７２に実施形態１４（請求項１５）のピーク電流値と電流量を用いる手法を用いた請求項２０の不要輻射解析方法の実施例についてその構成を示す。
【０２１４】
同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段９００５とからなる電流量解析手段を備えている。
【０２１５】
次に、これらの図７２の不要輻射解析方法を構成する個々の要素について説明するとともに、図８４に示す回路接続情報と、図８５に示す信号変化パターンと、図８８に示す素子電流量とを用いて図９０に示す総電流量を算出する手順を説明する。
【０２１６】
回路接続情報記憶手段９００１は、従来例と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するものであり、あらかじめ図８４に示すような回路接続情報を記憶している。
【０２１７】
信号変化パターン記憶手段９００２は、従来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらかじめ図８５に示すような図８４の入力ポートＡ、Ｂに入力される信号変化パターンを記憶している。
【０２１８】
素子電流量記憶手段９００３は、図８８で示すような形式で各素子ごとに各素子の外部端子が変化した時に素子内で発生する電流に関する変化ピンと、その変化に影響を及ぼした他の外部ピンの論理変化状態と、電流の総量と、ピーク値の情報を有する。
【０２１９】
例えば、１０６０１は、図８４で示すＮＡＮＤの回路素子について、出力Ｙが変化した時に入力Ａが論理値１であり、入力Ｂが論理値０から１に変化する場合ピークを１ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れることを示している。
【０２２０】
総電流量算出手段９００５は、図８９に示すようなフローチャートを有する。図８９に示す電流計算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法のステップ１５０４に対して、信号変化が発生した時、その変化に影響した他の端子の状態を判断して信号変化が発生した時刻に電流の総量とピーク値から電流の波形を矩形波形を想定して計算する処理（ステップ１０７０４）に変更となる。
【０２２１】
ステップ１０７０１で回路接続情報記憶手段９００１に記憶された図８４の回路接続情報を読み込む。ステップ１０７０２で信号変化パターン記憶手段９００２に記憶された図８５の信号変化パターンを読み込む。ステップ１０７０３で素子電流情報記憶手段９００３に記憶された図８８の素子電流量情報を読み込む。
【０２２２】
次にステップ１０７０４で図８５の信号変化パターンを図８４の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部端子が信号変化を起こした際に、他の端子の状態に応じて端子に対応する電流量をピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を信号時刻の総電流量情報に加算する。
【０２２３】
信号伝播完了後、ステップ１０７０５で、算出された図９０に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図δに示す従来方式の電流に対して、図ｄに示すような実際に近い電流波形が得られる。
【０２２４】
（実施形態２０）
図９１は本発明の第２０の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第７の実施の形態において図２８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、ステップＧ２を追加し、データＡ１０をデータＧ３に、またステップＡ１１をステップＧ４に変更した構成となっている。第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
【０２２５】
Ｇ２は各々セル固有の各種情報を作り込むセルキャラクタライズ部である。Ｇ３は電流量と電源電圧降下量の関係を示した各セル毎のＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）である。Ｇ４は電源電圧降下量を算出し、ステップ１１から算出された瞬間電流の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。
【０２２６】
以下、ステップＧ２について説明する。ステップＧ２ではライブラリ３が入力され、各々セル単体において電源電圧を変動させた時の電流量を予め算出することにより、各セル毎のＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ｇ３が生成される。
【０２２７】
図９２は本発明の第２０の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｇ４の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照しながらステップＧ４の機能を説明する。
【０２２８】
尚、第７の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。また、データ１２は第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明を省略する。ステップＧ４は、第７の実施の形態におけるステップＡ１１に対し、電流値補正処理部Ｂ１２をＨ１に変更した構成となっている。
【０２２９】
以下、ステップＨ１について説明する。ステップＨ１では第７の実施の形態におけるステップＢ１０より生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１と前記ステップＧ２より生成された電流量と電源電圧降下量の関係を示した各セル毎のＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ｇ３が入力され、前記ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１に対して、各セル毎の異なるテーブルファイルに基づいた補正処理が施されることにより、各インスタンス毎に電源配線抵抗成分に依存する電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成される。
【０２３０】
以上のように、本発明の第２０の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、各セル毎に予め電流量と電源電圧降下量の関係をキャラクタライズし適用することにより、本発明の第７の実施の形態におけるＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０を使用した全セル一律の電流量と電源電圧降下量の関係で解析を行うのに対して、セル（レイアウト）構成依存性を反映させることが出来るため、より正確な電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波成分の低減が可能となる。
また、本実施の形態２０では第1の実施の形態において説明したが、第１４〜１９の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られる。
【０２３１】
（実施形態２１）
図９３は本発明の第２１の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第８の実施の形態において図３６を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、ステップＩ１を追加し、データＣ１を削除し、データＡ１０をデータＩ２に、またステップＣ２をステップＩ３に変更した構成となっている。
【０２３２】
第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。Ｉ１は各々セル固有の各種情報を作り込むセルキャラクタライズ部である。Ｉ２は電流量と電源電圧降下量及び近接電源・グランド間デカップリング容量の関係を示した各セル毎のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ、Ｃ−Ｖ関数）である。Ｉ３は電源電圧降下量を算出し、ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。
【０２３３】
以下、ステップＩ１について説明する。ステップＩ１ではライブラリ３が入力され、各々セル単体において電源電圧を変動させることに加えて、電源・グランド間デカップリング容量も考慮に入れて同様に変動させた時の電流量を予め算出することにより、各セル毎のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ、Ｃ−Ｖ関数）Ｉ２が生成される。
【０２３４】
図９４は本発明の第２１の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｉ３の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照しながらステップＩ３の機能を説明する。尚、第８の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。また、データ１２は第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明を省略する。
【０２３５】
ステップＩ３は、第８の実施の形態におけるステップＣ２に対し、電流値補正処理部Ｂ１２をＪ１に変更した構成となっている。
【０２３６】
以下、ステップＪ１について説明する。ステップＪ１では第８の実施の形態におけるステップＢ１０より生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１と前記ステップＩ１より生成された電流量と電源電圧降下量及び近接電源・グランド間デカップリング容量の関係を示した各セル毎のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ、Ｃ−Ｖ関数）Ｉ２と第８の実施の形態におけるステップＤ１より生成された電源・グランド配線における各セグメント間の容量値情報Ｄ２が入力され、前記ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１に対して、各セル毎の異なるテーブルファイルに基づいた補正処理が施されることにより、各インスタンス毎に電源配線抵抗成分に加えてデカップリング容量成分に依存する電源電圧変動を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成される。
【０２３７】
以上のように、本発明の第２１の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、各セル毎に予め電流量と電源電圧降下量及び電源・グランド間デカップリング容量の関係をキャラクタライズし適用することにより、本発明の第８の実施の形態におけるＩ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０及びＣ−Ｖテーブルファイル（もしくはＣ−Ｖ関数）Ｃ１を使用した全セル一律の電流量と電源電圧降下量及び電源・グランド間デカップリング容量の関係で解析を行うのに対して、セル（レイアウト）構成依存性を反映させることが出来るため、より一層正確な電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波成分の低減がさらに可能となる。
【０２３８】
また、本実施の形態２１では第1の実施の形態において説明したが、第１４〜１９の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られる。
【０２３９】
（実施形態２２）
図９５は本発明の第２２の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、第７の実施の形態において図２８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、判定ステップＫ１を追加した構成となっている。  第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。Ｋ１は電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１より生成される電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６を次ステップの入力とするかの比較判定処理部である。
以下、ステップＫ１について説明する。本発明の第２２の実施の形態の特徴は、電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１より生成される電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６を再度、前記ステップＡ１１の入力にし、再度新たに電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成されることを繰り返し処理することにある。
【０２４０】
ステップＫ１では、その繰り返し処理回数が予め設定した回数に達したかの比較判定を行い、その比較判定結果が真になれば繰り返し処理を終了し、次のステップであるＦＦＴ処理部９を実施する。
【０２４１】
以上のように、本発明の第２２の実施の形態の不要輻射解析方法によれば、電源電圧変動の影響を考慮して補正・算出した瞬間電流結果を、更にフィードバックして電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理を繰り返すことにより、電源電圧降下による電流量変化を安定させることが出来るため、より正確な電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波成分の低減が可能となる。
【０２４２】
尚、前記ステップＫ１では予め設定する回数により繰り返し処理を制御したが、前記ステップＡ１１より生成された電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６を一旦記憶しておく記憶装置を設け、前記ステップＡ１１にその記憶装置に格納された瞬間電流算出結果Ａ６を再入力して、新たに生成された瞬間電流算出結果Ａ６と元々記憶装置に格納されている瞬間電流算出結果Ａ６との比較判定を行い、予め設定した許容誤差範囲内に収まるまで繰り返し処理を行う制御方法で代用することも可能である。
【０２４３】
また、本実施の形態２２では第７の実施の形態において説明したが、第８、９、２０、２１の実施の形態のそれぞれについても同様の効果が得られる。
【０２４４】
（実施形態２３）次に本発明の第２３の実施形態について説明する。実施形態１４〜２２では各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方法では、その瞬間的な電流波形を三角波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。
【０２４５】
以下にその例として、瞬間的な変化電流を高さをキャラクタライズしたピーク電流値とし、時間幅を瞬間電流値が面積となるように算出した三角波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０２４６】
図９６に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した三角波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する三角波の高さであり、各セル毎に三角波の高さをキャラクタライズしたライブラリを用いて抽出する。ｗは三角波の時間幅であり、ｉと先に抽出したｈを用いて算出する。時刻ｔ＋ｘにおける電流値は前述の式５で表される。また時刻ｔ−ｘにおける電流値も式５で表される。
【０２４７】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図９７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。１３０はピーク電流ライブラリであり、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタライズした値が含まれている。１６０はピーク電流ライブラリ１３０からモデル化する三角波の波高値を抽出する三角波高算出処理部である。１６１は三角波の面積が瞬間電流値になるように、三角波高算出処理部１６０から抽出された三角波の波高値と瞬間電流値を用いて三角波の波幅を算出する三角波幅算出処理部である。１６２は瞬間電流算出結果１２を高さが三角波高算出処理部１６０から抽出された三角波の波高値であり、幅が三角波幅算出処理部１６１から算出された波幅である三角波にモデル化する三角波整形処理部である。
【０２４８】
図９８に三角波高算出処理、三角波幅算出処理を含めた三角波整形処理フローを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む（１１６０）以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１６１）。まず、ピーク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピーク電流値を抽出し、それを三角波の波高ｈとする（１１６２）。この処理が三角波高算出処理１６０に相当する。次に三角波の面積はｗを三角波の幅とするとｗ×ｈ／２であり、処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値と等しい。そこで２×ｉ／ｈにより三角波の幅ｗを算出する（１１６３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。この処理が三角波幅算出処理部１６１に相当する。次に変数ｘが０からｗ／２までＩ（ｔ＋ｘ）とＩ（ｔ−ｘ）に式５を加算し、ｘにΔｔ加える（１１６４）（１１６５）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時刻ｔ−ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が三角波整形処理部１６２に相当する。
【０２４９】
上記、三角波高算出処理と三角波幅算出処理と三角波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０２５０】
（実施形態２４）次に本発明の第２４の実施形態について説明する。 実施形態１４〜２２では各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方法では、その瞬間的な電流波形を複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。以下にその例として、瞬間的な変化電流を高さをキャラクタライズしたピーク電流値とし、時間幅を瞬間電流値が面積となるように算出した複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０２５１】
図９９に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した複数次関数を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する複数次関数の高さであり、各セル毎に複数次関数の高さをキャラクタライズしたライブラリを用いて抽出する。ｗは複数次関数の時間幅に関する値であり、ｉと先に抽出したｈを用いて算出する。複数次関数の時間幅を２×ｗとすると時刻ｔ＋ｘにおける電流値は前述の式６で表される。この複数次関数の面積は前述の式８で表される。この値はｉと等しいため、ａは前述の式９で表される。複数次関数の高さｈは前述の式６においてｘ＝０のときであるので、前述の式７で表される。式７、９の関係からｗは式１４
【数１４】
0003821612.tif 000015
で表される。
【０２５２】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１００に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。
【０２５３】
１３０はピーク電流ライブラリであり、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタライズした値が含まれている。１７０はピーク電流ライブラリ１３０からモデル化する複数次関数の波高値を抽出する複数次関数波高算出処理部である。１７１は複数次関数の面積が瞬間電流値になるように、複数次関数波高算出処理部１７０から抽出された複数次関数の波高値と瞬間電流値を用いて複数次関数の波幅を算出する複数次関数波幅算出処理部である。１７２は瞬間電流算出結果１２を高さが複数次関数波高算出処理部１７０から抽出された複数次関数の波高値であり、幅が複数次関数波幅算出処理部１７１から算出された波幅である複数次関数にモデル化する複数次関数波整形処理部である。
【０２５４】
図１０１に複数次関数波高算出処理、複数次関数波幅算出処理を含めた複数次関数波整形処理フローを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む（１１７０）。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１７１）。まず、ピーク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピーク電流値を抽出し、それを複数次関数の波高ｈとする（１１７２）。この処理が複数次関数波高算出処理１７０）に相当する。次に前述の式１４によりｗを算出する（１１７３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。この処理が複数次関数波幅算出処理部１７１に相当する。次に変数ｘが−ｗからｗまでＩ（ｔ＋ｘ）に前述の式６を加算し、ｘにΔｔ加える（１１７４）（１１７５）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が複数次関数波整形処理部１７２に相当する。
【０２５５】
上記、複数次関数波高算出処理と複数次関数波幅算出処理と複数次関数波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０２５６】
（実施形態２５）次に本発明の第２５の実施形態について説明する。 実施形態１４〜２２では各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を、波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方法では、その瞬間的な電流波形を複素関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができる。
【０２５７】
以下にその例として、瞬間的な変化電流を各セルの種類毎に高さと時間幅をキャラクタライズした複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０２５８】
図５０に本実施の形態における瞬間電流値とモデル化した複素関数を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する関数の高さであり、各セルの種類毎にキャラクタライズされたピーク電流値と同じである。ｗはモデル化する関数の時間幅であり、各セルの種類毎にキャラクタライズされた値である。今回の例ではモデル化する複素関数の式を前述の式１１とする。この関数はガウス関数と呼ばれている。この式においてｘ＝０のとき、この式の値はｈとなるため、ｈはガウス関数の高さを表している。この式においてｘ＝３×ｗの時、この式の値は０．０００１×ｈとなり、高さの０．０１％となる。そこでこの値をモデル化する関数の時間幅の限界とし、関数の時間幅を６×ｗとした。
【０２５９】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１０２に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様である。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と同じである。そして、ガウス関数波高算出処理部１８０で、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタライズした値を含んだピーク電流ライブラリ１３０からモデル化するガウス関数の波高値が抽出される。１８１は波幅ライブラリであり、各セルの種類毎にそのセルの波幅をキャラクタライズした値が含まれている。１８２は波幅ライブラリ１８１からモデル化するガウス関数の波幅値を抽出するガウス関数波幅算出処理部である。
【０２６０】
１８３は瞬間電流算出結果１２を高さがガウス関数波高算出処理部１８０から抽出されたガウス関数の波高値であり、幅がガウス関数波幅算出処理部１８２から算出された波幅であるガウス関数にモデル化するガウス関数波整形処理部である。
【０２６１】
図１０３にガウス関数波高算出処理、ガウス関数波幅算出処理を含めたガウス関数波整形処理フローを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む（１１８０）。次に波幅ライブラリ１８１を読み込む（１１８１）。
【０２６２】
以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１８２）。まず、ピーク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピーク電流値を抽出し、それをガウス関数の波高ｈとする（１１８３）。この処理がガウス関数波高算出処理１８０に相当する。次に波幅ライブラリ１８１から処理対象インスタンスの波幅値を抽出し、それをガウス関数の波幅ｗとする（１１８４）。この処理がガウス関数波幅算出処理１８２に相当する。次に変数ｘが−３×ｗから３×ｗまでＩ（ｔ＋ｘ）に前述の式１１を加算し、ｘにΔｔ加える（１１８５）（１１８６）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値でありである。この処理がガウス関数波整形処理部１８３に相当する。
【０２６３】
上記、複数次関数波高算出処理と複数次関数波幅算出処理と複数次関数波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０２６４】
（実施形態２６）
次に第２６の実施形態の不要輻射解析方法について説明する。
実施形態２６は、実施形態１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２における個々の回路素子（セル）における電流波形情報を、貫通電流に依存する要素と、チャージ電流に依存する要素に分けてモデル化することを特徴とする。実施形態２６の場合、実施形態１３と異なり、個々の回路素子（セル）についてのモデル化を行うため、より正確な電流のモデル化が可能となる。
【０２６５】
例えば、図１１０に示す回路接続情報と、図１２に示す信号変化パターンとにより図１０４で示す電流が流れるが、このような場合に従来は図１４のような波形しか出すことが出来なかった。また、実施形態１３でも図５８に示すような波形であった。本実施例ではこれに対してより正確に電流を表すことが出来る。図７２に実施形態１４のピーク電流値と電流量を用いる手法を用いた実施形態２６の不要輻射解析方法の実施例についてその構成を示す。
【０２６６】
同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段９００５とからなる電流量解析手段を備えている。
【０２６７】
次に、これらの図７２の不要輻射解析方法を構成する個々の要素について説明するとともに、図１１０に示す回路接続情報と、図１２に示す信号変化パターンと、図１０５に示す素子電流量とを用いて図１０６に示す総電流量を算出する手順を説明する。
【０２６８】
回路接続情報記憶手段９００１は、従来例と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するものであり、あらかじめ図１１０に示すような回路接続情報を記憶している。
【０２６９】
信号変化パターン記憶手段９００２は、従来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらかじめ図１１１に示すような図１１０の入力ポートＣＫ、Ｄに入力される信号変化パターンを記憶している。
【０２７０】
素子電流量記憶手段９００３は、図１０５に示ような形式で各素子ごとに個々の回路素子（セル）の貫通電流の総量とピーク値、チャージ電流の総量とピーク値をそれぞれ有する。
【０２７１】
総電流量算出手段９００５は、図１０７に示すようなフローチャートを有する。図１０７に示す電流計算方法のフローチャートでは、従来方法のステップ１５０４に対して電流計算において計算された貫通電流とチャージ電流それぞれに対してピーク値と総量から定まる矩形電流波形を計算しそれらの電流波形をマージする処理（ステップ１２５０４）に変更となる。ステップ１２５０１で回路接続情報記憶手段９００１に記憶された図１１０の回路接続情報を読み込む。
【０２７２】
ステップ１２５０２で信号変化パターン記憶手段９００２に記憶された図１１１の信号変化パターンを読み込む。ステップ１２５０３で素子電流情報記憶手段９００３に記憶された図１０５の素子電流量情報を読み込む。次にステップ１２５０４で図１１１の信号変化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応する電流量の貫通電流成分とチャージ電流成分それぞれをそれぞれのピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を端子が変化した時刻の総電流量情報に加算する。信号伝播完了後、ステップ１２５０５で、算出された図１０６に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図１４に示す従来方式の電流に対して、図１０６に示すような実際に近い電流波形が得られる。
【０２７３】
（実施形態２７）
次に本発明の第２７の実施形態について説明する。  実施形態１０では論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な電流波形を三角波にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を得ることができることを説明したが、この実施形態２７では、さらに出力スリュー情報すなわちセルの出力端子における信号の変化開始から終了までの時間を考慮して電流波形を算出するようにしたことを特徴とする。以下にその例として、瞬間的な変化電流を三角波の面積が各イベントの電流量になるように、各イベント情報毎にセルの出力端子におけるスリュー情報を考慮して幅を算出するとともに、この幅に基づいて高さを算出することにより三角波状にモデル化し、現存のライブラリをそのまま使用してさらにより現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。
【０２７４】
図１１７に本実施の形態における不要輻射解析方法を実行するための論理値（図１１７（ａ））とモデル化した三角波（図１１７（ｂ））を示す。ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅であり、出力スリュー情報を考慮して各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、決定される幅である。ｈは三角波の高さであり、ｉとＷから算出する。ｈ＝２×Ｉ/Ｗ
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１１８に本実施形態における不要輻射解析方法を実行するための装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、信号変化パターン記憶手段１１７１と、素子電流量記憶手段１１７２と、出力スリュー情報記憶手段１１７３と、これら信号変化パターン記憶手段１１７１、素子電流量記憶手段１１７２、および出力スリュー情報記憶手段１１７３と、回路接続情報記憶手段１１７４にもとづいて、電流波形を算出する電流波形算出手段１１７５とから構成されており、電流波形算出結果１１７６を出力するようになっている。
【０２７５】
図１１９に三角波の幅および高さ算出処理を含めた三角波整形処理フローを示す。以下の処理は、出力スリューの読み込み（１１９０）後、電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１９１）。イベント変化点を中心とし、底辺を出力スリューとして抽出し（１１９２）、その面積を電流量とする２等辺三角形をそのイベントによる電流波形とする。三角波の面積はＷ×ｈ／２であり、その値はｉである。そこで２×ｉ／Ｗにより三角波の高さｈを算出する（１１９３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値である。この処理が実施形態１０における三角波高算出処理部１００に相当する。次に変数ｘが０からＷ／２までＩ（ｔ＋ｘ）とＩ（ｔ−ｘ）に（２×ｈ/Ｗ）・ｘ＋ｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１１９４）（１１９５）（１１９６）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時刻ｔ−ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理が三角波整形処理部１０１に相当する。
【０２７６】
上記、三角波高算出処理と三角波整形処理フローにより電流波形算出結果１１７６を得ることができる。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。
【０２７７】
この方法によれば、現在使用している消費電力解析ツール・遅延検証で使用している情報のみにより、電流の推定を十分に精度よく行うことができる。
【０２７８】
（実施形態２８）
次に本発明の第２８の実施形態について説明する。  この方法では実施形態２７に加えて、各イベントが立ち上がりか立ち下がりかの条件を考慮して電流波形の算出を行うようにしたことを特徴とする。  図１２０に本実施の形態における不要輻射解析方法を実行するための論理値（図１２０（ａ））とモデル化した三角波（図１２０（ｂ））を示す。ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅であり、出力スリュー情報を考慮して各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、決定される幅である。すなわち、ライズ/フォール依存係数記憶手段１２０７を導入することにより、電流波形算出手段１２０５では、各イベントのライズ/フォールに応じて電流波形を算出する。
【０２７９】
本実施形態の全体フローのブロック図は実施形態１と同様である。（図１）
図１２１に本実施形態における不要輻射解析方法を実行するための装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、信号変化パターン記憶手段１２０１と、素子電流量記憶手段１２０２と、出力スリュー情報記憶手段１２０３と、これら信号変化パターン記憶手段１２０１、素子電流量記憶手段１２０２、および出力スリュー情報記憶手段１２０３と、回路接続情報記憶手段１２０４にもとづいて、電流波形を算出する電流波形算出手段１２０５とから構成されており、電流波形算出結果１２０６を出力するようになっている。
【０２８０】
この実施形態２８では、実施形態２７の方法に加えてさらにライズ/フォール依存係数記憶手段１２０７を参照して各イベントが立ち上がりか立ち下がりかを考慮して電流波形を算出するようにしたことを特徴とするもので、現存のライブラリをそのまま利用してさらにより現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析を行うことが可能となる。
【０２８１】
（実施形態２９）
次に本発明の第２９の実施形態について説明する。この方法では複合セルとして解析するもので、イベント情報と、セル内部のスパイスネットリストから決定されるセルの段数と、出力負荷容量と、入力スリュー情報と、入力スリューと電流量との関係と、入力変化時刻あるいは遅延時間とに基づいて、電流量を推定する。ここでは出力負荷容量と、入力スリューと電流量との関係を示すテーブルを用いて、１回のイベントで流れる電流量情報を計算する。  図１２２に本実施の形態における不要輻射解析方法を実行するための論理値（図１２２（ａ））とモデル化した三角波（図１２２（ｂ））を示す。ｔdは遅延時間、ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅であり、多段による遅延時間ｔdを考慮した出力スリュー情報に基づいて各セルとしてのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、決定される幅である。ここではあらかじめ出力負荷に依存しない電流量（非依存電流量）を算出し、記憶しておき、出力の変化点を中心とし、底辺を出力スリューとし、出力負荷にこの非依存電流量すなわちを電流量―容量０のときの電流量を面積とする三角波と、この遅延時間内にセルの段数に分割された三角波とを用いるようにしたことを特徴とする。この方法では図１２３に示すように、実施形態２７に加えて、負荷容量・スリュー依存素子電流量情報テーブル１２２６と、これにもとづいて素子電流量を算出する素子電流量算出手段１２２７と、この算出された無負荷素子電流量を記憶する無負荷素子電流量記憶手段１２２８とを付加し、電流波形の算出を行うようにしたことを特徴とする。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置は、負荷容量・スリュー依存素子電流量情報テーブル１２２６と、これにもとづいて素子電流量を算出する素子電流量算出手段１２２７と、この算出された無負荷素子電流量を記憶する無負荷素子電流量記憶手段１２２８と、信号変化パターン記憶手段１２２１と、素子電流量算出手段１２２７によって算出されたイベント時の素子電流量を記憶する素子電流量記憶手段１２２２と、出力スリュー情報記憶手段１２２３と、これら信号変化パターン記憶手段１２２１、素子電流量記憶手段１２２２、および出力スリュー情報記憶手段１２２３と、回路接続情報記憶手段１２２４と、当該複合セルの接続段数を記憶する段数記憶手段１２２９と、前記無負荷素子電流量記憶手段１２２８の出力とにもとづいて、電流波形を算出する電流波形算出手段１２２５とから構成されており、電流波形算出結果１２２６を出力するようになっている。
【０２８２】
この実施形態２９では、イベント変化点から過去にさかのぼって入力変化時刻までの間に、総面積が容量０のときの電流量となるようにセルの段数分だけの複数の三角波が収まるようにしたことを特徴とするもので、現存のライブラリをそのまま利用してさらにより現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析を行うことが可能となる。
【０２８３】
【発明の効果】
本発明は、不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化を高精度に解析することで、シミュレーションにおけるＬＳＩの不要輻射評価を実現している。  しかも、課題解決を実現する上において、ゲートレベルシミュレーションをベースに高精度電源電流解析機能を追加することで、トランジスタレベル電流解析を用いた従来手法で生じていた処理時間長大化を抑制している。
【図面の簡単な説明】
【図１】全体ブロック図
【図２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１）
【図３】瞬間電流算出結果
【図４】電流波形平均化処理フロー図
【図５】電流波形算出結果（実施形態１）
【図６】ＦＦＴ解析結果
【図７】矩形波モデル（実施形態２）
【図８】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２）
【図９】第１の矩形波整形処理フロー図
【図１０】電流波形算出結果（実施形態２）
【図１１】矩形波モデル（実施形態３）
【図１２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態３）
【図１３】第２の矩形波整形処理フロー図
【図１４】電流波形算出結果（実施形態３）
【図１５】矩形波モデル（実施形態４，５，６）
【図１６】ｉ−ｈテーブル
【図１７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態４）
【図１８】第３の矩形波整形処理フロー図
【図１９】電流波形算出結果（実施形態４）
【図２０】ｉ−ｓ−ｈテーブル
【図２１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態５）
【図２２】第４の矩形波整形処理のフロー図
【図２３】電流波形算出結果（実施形態５）
【図２４】ｉ−ｃ−ｈテーブル
【図２５】電流波形算出処理ブロック図（実施形態６）
【図２６】第５の矩形波整形処理のフロー図
【図２７】電流波形算出結果（実施形態６）
【図２８】本発明の第７の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図２９】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明するフロー図である。
【図３０】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部での入力データとなるレイアウトデータを示す模式図である。
【図３１】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される電源配線の各セグメント情報を示す模式図である。
【図３２】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメント毎の抵抗値情報を示す模式図である。
【図３３】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメント毎の電流値情報を示す模式図である。
【図３４】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメント毎の電圧降下値情報を示す模式図である。
【図３５】本発明の第７の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成されるインスタンス毎の電圧降下値情報を示す模式図である。
【図３６】本発明の第８の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図３７】本発明の第８の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明するフロー図である。
【図３８】本発明の第８の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメント間の容量値情報を示す模式図である。
【図３９】本発明の第８の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメント毎の電圧降下値情報を示す模式図である。
【図４０】本発明の第９の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図４１】本発明の第９の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明するフロー図である。
【図４２】三角波モデル（実施形態１０）
【図４３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１０）
【図４４】三角波整形処理フロー図
【図４５】電流波形算出結果（実施形態１０）
【図４６】複数次関数モデル（実施形態１１）
【図４７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１１）
【図４８】複数次関数整形処理フロー図
【図４９】電流波形算出結果（実施形態１１）
【図５０】ガウス関数モデル（実施形態１２，２５）
【図５１】ｉ−ｈテーブル
【図５２】ｉ−ｗテーブル
【図５３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１２）
【図５４】ガウス関数波形整形処理フロー図
【図５５】電流波形算出結果（実施形態１２）
【図５６】実施形態１３におけるゲートレベル電流解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図５７】実施形態１３における電流推定基礎情報記憶手段のデータ例を示す図
【図５８】実施形態１３における総電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図５９】実施形態１３における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図６０】実施形態１３における総電流量算出手段のフローチャート
【図６１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１４）
【図６２】第６の矩形波整形処理フロー図
【図６３】ｓ−ｈテーブル
【図６４】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１５）
【図６５】第７の矩形波整形処理フロー図
【図６６】ｃ−ｈテーブル
【図６７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１６）
【図６８】第８の矩形波整形処理フロー図
【図６９】実施形態１７における信号変化パターン記憶手段のデータ例を示す図
【図７０】実施形態１７における実回路での電流波形の例を示す図
【図７１】実施形態１７に対応する従来例の総電流量記憶手段のデータ例
【図７２】実施形態１７、実施形態１８におけるゲートレベル電流解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図７３】実施形態１７における回路接続情報記憶手段のデータ例を示す図
【図７４】実施形態１７における総電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図７５】実施形態１７における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図７６】実施形態１７における総電流量算出手段のフローチャート
【図７７】実施形態１８における回路接続情報記憶手段のデータ例を示す図
【図７８】実施形態１８における信号変化パターン記憶手段のデータ例を示す図
【図７９】実施形態１８における実回路での電流波形の例を示す図
【図８０】実施形態１８に対応する従来例の総電流量記憶手段のデータ例
【図８１】実施形態１８における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図８２】実施形態１８における総電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図８３】実施形態１８における総電流量算出手段のフローチャート
【図８４】実施形態１９における回路接続情報記憶手段のデータ例を示す図
【図８５】実施形態１９における信号変化パターン記憶手段のデータ例を示す図
【図８６】実施形態１９における実回路での電流波形の例を示す図
【図８７】実施形態１９に対応する従来例の総電流量記憶手段のデータ例
【図８８】実施形態１９における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図８９】実施形態１９における総電流量算出手段のフローチャート
【図９０】実施形態１９における総電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図９１】本発明の第２０の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図９２】本発明の第２０の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明するフロー図である。
【図９３】本発明の第２１の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図９４】本発明の第２１の実施の形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明するフロー図である。
【図９５】本発明の第２２の実施の形態に係る不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図９６】三角波モデル（実施形態２３）
【図９７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２３）
【図９８】三角波整形処理フロー図
【図９９】複数次関数モデル（実施形態２４）
【図１００】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２４）
【図１０１】複数次関数波整形処理フロー図
【図１０２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２５）
【図１０３】ガウス関数波整形処理フロー図
【図１０４】実施形態２６における実回路での電流波形の例を示す図
【図１０５】実施形態２６における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図１０６】実施形態２６に対応する従来例の総電流量記憶手段のデータ例
【図１０７】実施形態２６における総電流量算出手段のフローチャート
【図１０８】図７３に示す実施形態１７における回路接続情報記憶手段のデータ例の内部接続情報を示す図
【図１０９】従来例におけるゲートレベル電流解析方法を実現するための構成を示すブロック図
【図１１０】従来例、実施形態２６における回路接続情報記憶手段のデータ例を示す図
【図１１１】従来例、実施形態２６における信号変化パターン記憶手段のデータ例を示す図
【図１１２】従来例における素子電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図１１３】従来例における総電流量記憶手段のデータ例を示す図
【図１１４】従来例における総電流量算出手段のフローチャート
【図１１５】従来例における回路内部のネットの信号変化を示す図
【図１１６】従来の不要輻射解析方法を説明するフロー図である。
【図１１７】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２７）
【図１１８】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２７）
【図１１９】三角波整形処理フロー図（実施形態２７）
【図１２０】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２８）
【図１２１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２８）
【図１２２】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２９）
【図１２３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２９）
【符号の説明】
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１４１第７の矩形波高算出処理部
１４２第７の矩形波幅算出処理部
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１５２第８の矩形波幅算出処理部
１５３第８の矩形波整形処理部
１６０三角波高算出処理部
１６１三角波幅算出処理部
１６２三角波整形処理部
１７０複数次関数波高算出処理部
１７１複数次関数波幅算出処理部
１７２複数次波整形処理部
１８０ガウス関数波高算出処理部
１８１波幅ライブラリ
１８２ガウス関数波幅算出処理部
１８３ガウス波整形処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【図１０１】
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【図１０２】
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【図１０３】
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【図１０４】
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【図１０５】
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【図１０６】
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【図１０７】
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【図１０８】
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【図１０９】
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【図１１０】
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【図１１１】
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【図１１２】
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【図１１３】
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【図１１４】
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【図１１５】
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【図１１６】
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【図１１７】
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【図１１８】
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【図１１９】
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【図１２０】
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【図１２１】
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【図１２２】
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【図１２３】
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