(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス部材と金属接合部材とが、ろう材からなる接合層によって接合されているセラミックスの接合構造において、前記セラミックス部材に金属部材が埋設されており、前記セラミックス部材の前記接合層と接触する接合面に前記金属部材の一部が露出して網状構造の金属露出部を形成しており、この網状構造の金属露出部間に前記セラミックス部材の一部が露出しており、この接合面に沿って前記露出したセラミックス部材と前記金属露出部とがそれぞれ前記接合層に対して接合していることを特徴とする、セラミックスの接合構造。
【請求項２】
前記セラミックス部材を構成するセラミックスが窒化アルミニウムであることを特徴とする、請求項１記載のセラミックスの接合構造。
【請求項３】
前記接合層が、少なくとも主成分が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれた金属からなる連続相を備えており、かつマグネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれた一種以上の活性金属を１０重量％以下含有していることを特徴とする、請求項２記載のセラミックスの接合構造。
【請求項４】
前記金属接合部材を構成する金属が、ニッケル、銅、アルミニウムおよびこれらの合金からなる群より選ばれた金属であることを特徴とする、請求項１記載のセラミックスの接合構造。
【請求項５】
前記金属接合部材を構成する金属がニッケルであり、前記ろう材が主成分がＡｌであり、活性金属としてＭｇを含み、更に第３成分としてＳｉを含む合金であって、前記金属接合部材上に、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる反応層が形成されていることを特徴とする、請求項４記載のセラミックスの接合構造。
【請求項６】
前記連続相の主成分がアルミニウムであり、この連続相の中にマグネシウムが固溶していることを特徴とする、請求項３記載のセラミックスの接合構造。
【請求項７】
前記金属接合部材を構成する金属がニッケルであり、前記ろう材が主成分がＡｌであり、活性金属としてＭｇを含み、更に第３成分としてＳｉを含む合金あって、前記連続相の中に、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる分散相が形成されていることを特徴とする、請求項３記載のセラミックスの接合構造。
【請求項８】
前記金属部材が、モリブデン、タングステンおよびモリブデンとタングステンとの合金からなる群より選ばれた金属であることを特徴とする、請求項１記載のセラミックスの接合構造。
【請求項９】
前記セラミックスの接合構造は、前記接合層と前記金属部材との間に金属導電部材を具え、この金属導電部材は前記金属部材と電気的に接合されているとともに、前記金属接合部材が前記接合層を介して前記金属導電部材にろう付けされていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一に記載のセラミックスの接合構造。
【請求項１０】
請求項１記載のセラミックスの接合構造を製造する方法であって、前記セラミックス部材の接合面に前記金属部材の一部を露出させて前記金属露出部を形成し、この接合面に沿ってろう材を接触させてろう付けを行うことによって、前記セラミックス部材と前記金属露出部とをそれぞれ前記接合層に対して接合させることを特徴とする、セラミックスの接合構造の製造方法。
【請求項１１】
前記ろう材の中に、主成分として銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれた金属が含有されており、マグネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれた一種以上の活性金属が０．３重量％以上、２０重量％以下含有されていることを特徴とする、請求項１０記載のセラミックスの接合構造の製造方法。
【請求項１２】
前記ろう材中に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の第３成分が５０重量％以下含有されていることを特徴とする、請求項１１記載のセラミックスの接合構造の製造方法。
【請求項１３】
前記セラミックス部材の接合面または前記ろう材の前記セラミックス部材側の表面に、銅、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれた金属からなる膜を形成することを特徴とする、請求項１０記載のセラミックスの接合構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、セラミックス部材と金属接合部材とをろう材により接合したセラミックスの接合構造、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、窒化アルミニウム部材とセラミックス部材との接合体、または窒化アルミニウム部材と金属部材との接合体は、種々の構成のものが様々な用途に使用されている。例えば、半導体製造装置において用いられるセラミックスヒータ、静電チャックおよび高周波電極等においては、窒化アルミニウム部材と種々のセラミック部材との間、窒化アルミニウム部材と熱電対セット用の金具との間、窒化アルミニウム部材と電極との間等を接合する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のセラミックスの接合構造として、セラミックス部材と金属接合部材との間にろう材を配し、加熱して、セラミックス部材と金属接合部材とを接合することが知られている。本発明者らはこのろう材を使用する接合構造の改良を行っていく過程で、従来のろう付けによるセラミックス部材と金属接合部材との接合において、場合によっては接合強度が十分でないことがあることを見いだした。
【０００４】
本発明の目的は、上述した課題を解決して、接合強度が良好なセラミックスの接合構造を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミックスの接合構造は、セラミックス部材と金属接合部材とが、ろう材からなる接合層によって接合されているセラミックスの接合構造において、前記セラミックス部材に金属部材が埋設されており、前記セラミックス部材の前記接合層と接触する接合面に前記金属部材の一部が露出して網状構造の金属露出部を形成しており、この網状構造の金属露出部間に前記セラミックス部材の一部が露出しており、この接合面に沿って前記露出したセラミックス部材と前記金属露出部とがそれぞれ前記接合層に対して接合し、前記金属露出部が網状構造をなしており、この網状構造の間に前記セラミックス部材が露出していることを特徴とする。
【０００６】
また、本発明に係るセラミックスの接合構造の製造方法は、セラミックス部材の接合面に金属部材の一部を露出させて金属露出部を形成し、この接合面に沿ってろう材を接触させてろう付けを行うことによって、セラミックス部材と金属露出部とをそれぞれ接合層に対して接合させることを特徴とする。
【０００７】
本発明者は、セラミックス部材のろう材と接触する側の接合面に、セラミックス部材の内部の金属部材の一部分を露出させて金属露出部を部分的に形成し、セラミックス部材とろう材とを接合させるのと共に、セラミックスの間から露出している金属露出部をもろう材と接合させることによって、セラミックス部材と金属接合部材との接合を、接合強度が十分な状態で行うことができることを見いだした。これによって、たとえセラミックス部材がろう材によって濡れにくいような場合でも、強固な接合力を得ることができる。
【０００８】
すなわち、セラミックス部材とろう材との間の接合を、セラミックス部材の表面とろう材との間だけでなく、ろう材と接合性の良好な金属露出部とろう材との間でも同時に行い、また接合面積を拡大でき、良好な接合力を有する耐荷重性を向上した状態で、セラミックスの接合構造を達成することができる。更に、後述するように、セラミックス部材とろう材との間も隙間のない良好な接合状態とすることで、例えばハロゲンガス等の腐食性雰囲気下でも、金属露出部ないし金属部材に対する耐食性の良好なセラミックスの接合構造を得ることができる。
【０００９】
さらに、本発明において、ろう材の化学組成は特に限定するものでない。しかし、セラミックス部材そのものに対しても良好な接合力ないし濡れ易さを有するろう材が好ましい。特に、ハロゲン系腐食性ガスに対してさらされる用途の接合体においては、セラミックス部材として、緻密質アルミナ部材または窒化アルミニウム部材を使用することが好ましいが、この場合には、主成分がＣｕ、Ｎｉ、ＡｇおよびＡｌのうちの１種類からなり、Ｍｇ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの１種類からなる活性金属を０．３〜２０ｗｔ％と、第３成分５０ｗｔ％以下とを含むろう材を使用することが好ましい。ハロゲン系腐食性ガスに対する耐食性の必要な用途においては、Ａｇ系のろう材などは、耐蝕性が低いために、使用しない方が好ましい。
【００１０】
第３成分としては、Ｓｉ、Ａｌ、ＣｕおよびＩｎのうちの少なくとも１種を用いることが、主成分に影響を与えない点から好ましい。また、特に、主成分がＡｌからなるろう材を用いると、低温で接合するため、接合後の熱応力が小さくなり好ましい。
【００１１】
ここで、活性金属の配合量が０．３ｗｔ％未満であると、濡れ性が悪くなり、接合しない場合があるとともに、２０ｗｔ％を超えると接合界面の反応層が厚くなりクラックが発生する場合があるため、０．３〜２０ｗｔ％であると好ましい。また、第３成分の合計の配合量は、５０ｗｔ％を超えると、金属間化合物が多くなり、接合界面にクラックが発生する場合があるため、５０ｗｔ％以下であると好ましい。第３成分は含有されていなくとも良い。
【００１２】
特に、窒化アルミニウム部材を金属接合部材に対して接合する場合には、主成分が銅、アルミニウムおよびニッケルのうちの１種類からなり、マグネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムのうちの１種類からなる活性金属を０．３重量％以上、１０重量％含有しているろう材を使用すると、窒化アルミニウム部材の他の部材との接合部分のハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性が著しく向上し、かつ窒化アルミニウム部材へのろう材の濡れ性も向上する。
【００１３】
更に、これらの活性金属の割合を０．３重量％以上とすることによって、窒化アルミニウム部材の濡れ性が著しく改善されることが判った。これを１．０重量％以上とすることによって、前記の濡れ性が一層向上した。一方、これらの活性金属の割合を１０重量％以下とすることによって、ろう材のハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性が顕著に向上した。この観点からは、５．０重量％以下とすることが一層好ましい。
【００１４】
ただし、活性金属がマグネシウムである場合には、接合時にマグネシウムの一部が気化するために、ろう付け後の接合層中におけるマグネシウムの割合は０．３重量％よりも小さくなることがあり、通常は０．１重量％になりうる。
【００１５】
ここで、アルミニウム、ニッケルまたは銅がろう材の主成分であるが、この含有割合は、ろう材の全含有量を１００重量％とした場合に、活性金属成分および第３成分の含有割合を１００重量％から差し引いた残部である。
【００１６】
このように窒化アルミニウム部材に対してろう材が強固に接合することによって、接合強度が向上するだけでなく、接合層と窒化アルミニウム部材との界面に沿った腐食の進行も防止できるために、金属部材ないし金属露出部の腐食が一層生じにくい。
【００１７】
アルミニウム合金ろうの場合、濡れ性向上のために、マグネシウムを１〜２重量％含有し、珪素を９〜１２重量％含有していることが好ましい。
【００１８】
また、接合にあたり、セラミックス部材の表面に、またはセラミックス部材に接合されるろう材の表面に、銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれた一種以上の金属からなる膜を、スパッタ、蒸着、摩擦圧接、メッキ等の方法により設けることがより好ましい。これらの膜は、ろう材とのぬれ性を良くする効果がある。また、接合にあたり、セラミックス部材の表面に、またはセラミックス部材に接合されるろう材の表面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれた一種以上の金属からなる膜を、スパッタ、蒸着、摩擦圧接、メッキ等の方法により設けることがより好ましい。これらの膜によって、ろう材との反応が良くなる効果がある。これらの各金属膜の膜厚は、０．５〜５μｍとすることが好ましい。
【００１９】
ハロゲン系腐食性ガスとしては、ＣＦ4 、ＮＦ4 、ＣｌＦ3 を例示できる。ＣＦ4 、ＮＦ4 、ＣｌＦ3 の中で、ＣｌＦ3 が特にＦラジカルの解離度が高く、同じ温度およびプラズマ出力下において最も強い腐食性を有している。接合層の厚さは、１μｍ以上とすることが好ましく、５００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２０】
本発明の接合体を、ハロゲン系腐食性ガスに対してさらされる部材に対して適用した場合には、特に、ハロゲン系腐食性ガスを成膜用ガス、エッチング用ガスとして使用する半導体製造装置内に設置するための部材に対して適用することが好適である。
【００２１】
こうした部材としては、窒化アルミニウム基材中に抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーター、窒化アルミニウム基材中に静電チャック用電極を埋設したセラミックス静電チャック、窒化アルミニウム基材中に抵抗発熱体と静電チャック用電極とを埋設した静電チャック付きヒーター、窒化アルミニウム基材中にプラズマ発生用電極を埋設した高周波発生用電極装置のような能動型装置を例示することができる。
【００２２】
更に、ダミーウエハー、シャドーリング、高周波プラズマを発生させるためのチューブ、高周波プラズマを発生させるためのドーム、高周波透過窓、赤外線透過窓、半導体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャワー板等の装置を例示できる。
【００２３】
【発明の実施形態】
以下、本発明を種々の形態の装置に適用した実施形態を示す。図１は、静電チャックの構造の一例を示す図である。図１において、１は、円盤形状のセラミックス部材からなる静電チャック本体である。このような、高周波電極を有する静電チャックは、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で使用されることが多く、このような腐食性雰囲気下では、窒化アルミニウムまたは緻密質のアルミナが耐食性があることがわかっているため、セラミックス部材は窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナから形成することが好ましい。
【００２４】
４は、電極接合部であり、５は、熱電対の接合部である。電極接合部４と熱電対接合部５との構造の詳細が、図１に示されている。
【００２５】
図１に示すように、静電チャック本体１の内部の表面１ａの近傍には、メッシュ７が埋設されている。このメッシュ７は、窒化アルミニウムヒーターの抵抗発熱体や、静電チャック用電極として使用できるものである。
【００２６】
また、静電チャック本体１には孔部８が形成されており、孔部８が、静電チャック本体１の裏面１ｂに開口しており、孔部８の底面８ａに、メッシュ７の一部分が露出しており、図２に拡大して示すような金属露出部７ａを形成している。そして、ニッケル等の耐蝕性金属からなる端子１２の先端側に、端子１２の他の部分よりも直径が大きな円柱形状の先端部１２ａが形成されている。この先端部１２ａの先端面１２ｂと、孔部８の底面８ａとの間に、好ましくは前記した特定組成のろう材からなるシート１０Ａ、残留応力緩和用のインサート材１１よび前記した特定組成のろう材からなるシート１０Ｂを挿入し、ろう付けを行うことによって、電極接合部４を構成する。図１には、接合前の状態を図示している。
【００２７】
図１に示す構造の静電チャックにおいて、本発明に係るセラミックスの接合構造の対象となる部分は、上述した電極接合部４である。すなわち、電極接合部４では、図２にその一例を示すように、窒化アルミニウム製の静電チャック本体１の孔部８の底部８ａが、ろう材からなる接合層１７が直接接触する接合面となっている。この接合層８ａには、モリブデン、タングステンやこれらの合金からなるメッシュ７が露出し、金属露出部７ａを形成している。そして、ろう材からなる接合層１７は、窒化アルミニウムの接合面８ａと接合すると共に、メッシュ７の金属露出部７ａとも接合している。
【００２８】
特に、この構造においては、金属露出部として網状構造を採用しているために、接合層１７には、平面的に見て、窒化アルミニウムと接触する部分と金属露出部と接触する部分とが交互に形成されているために、より一層強固な接合が達成される。
【００２９】
さらに、静電チャック本体１には、静電チャック本体１の裏面１ｂに開口する孔部９が形成されており、この孔部９の底面９ａに窒化アルミニウムが露出している。孔部９は孔部８よりも浅い。また、熱電対を形成する一対の電極１４の先端部１４ａの周囲には、熱電対保護用のニッケル製のキャップ１５が設けられている。キャップ１５の外径は、孔部９の内径より若干小さくなるように設計されており、これによって、孔部９の中にキャップ１５を所定の隙間をもって容易に挿入できるようになっている。
【００３０】
そして、キャップ１５の先端面と、孔部９の底部９ａとの間に、好ましくは前記した特定組成のろう材からなるシート１０Ｃ、インサート材１３および特定組成のろう材からなるシート１０Ｄを挿入し、ろう付けを行うことによって、熱電対接合部５を構成する。
【００３１】
図３は、本発明のセラミックスの接合構造に用いるろう材の一例の構成を示す図である。図３（ａ）では、Ａｌ−Ｍｇろう等のＡｌ系のろう材からなるシート１９Ａと１９Ｂとの間に、純度９９．９％のアルミニウム製のインサート材２０Ａを挟むことによって、ろう材１８Ａを構成している。シート１９Ａ、１９Ｂの厚さの一例は、０．２ｍｍであり、インサート材２０Ａの厚さの一例は、０．５５ｍｍである。
【００３２】
また、図３（ｂ）では、Ｃｕ系またはＮｉ系のろう材からなるシート１９Ｃと１９Ｄとの間に、表面をＮｉ、ＡｌまたはＣｕでコーティングしたＷまたはＭｏ製のインサート材２０Ｂを挟むことによって、ろう材１８Ｂを構成している。シート１９Ｃ、１９Ｄの厚さの一例は、０．２ｍｍであり、インサート材２０Ｂの厚さの一例は、０．５ｍｍである。
【００３３】
なお、ろう材からなる各シート１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄを単独で使用しても、本発明のセラミックスの接合構造を製造することができる。しかし、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、インサート材２０Ａ、２０Ｂを使用すると、ろう付け後に、ろう材と接合する窒化アルミニウム等のセラミックス部材への残留応力を低減できるとともに、接合部の耐熱サイクル性も向上するため、インサート材を使用することが特に好ましい。
【００３４】
図４〜図９は、それぞれ、図１に示した例と同様の静電チャックについての、電極接合部分の周辺の接合構造について、他の例の構成を示す図である。図４〜図９に示す各例において、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３５】
図４に示す例では、ＮｉまたはＡｌ製の円筒状部材２２を孔部８中に収容し、底部８ａと円筒状部材２２の下側面とをろう付けして接合層２１を形成した後、ＮｉまたはＡｌ製の端子部材２３を円筒状部材２２の内側空間に挿入し、端子部材２３と円筒状部材２２とを溶接する。
【００３６】
図５に示す例では、孔部２８をテーパー加工する。この孔部２８には、平坦な底面２８ａと、傾斜面２８ｂとが形成されている。これと共に、孔部２８と相似の形態の、ＮｉまたはＡｌ製の端子先端部２５を孔部２７内に挿入する。この際、端子先端部２５の底面２５ｂを孔部２８の底面２８ａとろう付けすることによって接合層２７ｂを形成し、同時に、端子先端部２５の傾斜面２５ａを孔部２８の傾斜面２８ｂとろう付けすることによって、接合層２７ａを形成する。接合層２７ａと２７ｂとによってＵ字形状の接合層２７が生成する。その後、ＮｉまたはＡｌ製の端子部材２６を端子先端部２５に溶接する。
【００３７】
図５に示す例では、テーパー部（孔部の傾斜面）もろう付けすることで、接合面積を大きくすることができるのと共に、接合層２７ａにも気密性があるために、底部２８ａに対して極めて気密性の高い構造となる。また、端子先端部２５を孔部２８内に挿入するのに際して、端子先端部２５を上から加圧することによって、端子先端部２５から接合層２７ｂに対して圧力が加わるのと同時に、端子先端部２５から傾斜したテーパー面の接合層２７ａに対しても圧力が加わるので、端子先端部２５の側面側のろう付けも一層確実に実施される。
【００３８】
図６に示す例では、図５に示す例におけるテーパー付きの端子先端部３０の中心部に孔部３０ａを設ける。先端部２９ａが凸形状の端子部材２９を、端子先端部３０の孔部３０ａに対して挿入し、固定する。孔部２８の底部２８ａを先端部２９ａによって加圧し、荷重を加えながら、ろう付けを行い、接合層２８を形成する。
【００３９】
図７に示す例では、まず、孔部８の内径とほぼ同じ内径を有する、ＮｉまたはＡｌ製の薄い円板３２を、孔部８の底部８ａに対してろう付けし、接合層２１を形成する。その後、ＮｉまたはＡｌ製の端子部材２６を円板３２に対して接合、例えば溶接することによって、電極を構成する。図７に示す例においては、円板３２を使用することで、製造時および使用時の熱応力を低減することができる。
【００４０】
また、図８に示す例では、孔部８内において、窒化アルミニウム製の円筒形状の中間部材３４を底部８ａに対してろう付けしている。これと同時に、ＮｉまたはＡｌ製の端子部材２３を、中間部材３４の内側空間内に挿入し、この端子部材２３を底部８ａに対してろう付けすることによって、電極を形成している。図８に示す例では、端子部材２３と同時に窒化アルミニウム製の中間部材３４を底部８ａに対してろう付けすることによって、熱応力を低減することができる。図８において、接合層３３のうち、３３ａは中間部材３４とセラミックス部材１および金属露出部７ａとを接合しており、３３ｂは孔部８内の空間に対して露出しており、３３ｃは金属製の端子部材２３とセラミックス部材１および金属露出部７ａとを接合している。
【００４１】
図９に示す例では、孔部８の下側に更に孔部３５が形成されており、この孔部３５に対して、セラミックス部材（静電チャック本体）１の内部の金属部材７の金属露出部７ａが露出している。金属導電部材３６がこの部分で孔部３５の底面および金属露出部７ａに対して接合されており、金属導電部材３６がメッシュ７に対して電気的に接続されている。金属導電部材３６は、金属板であってよく、また、粉末冶金で作製した金属バルクであってよい。金属導電部材３６および底部８ａに対して、端子部材２３の先端面がろう付けされている。接合層２１の一方の主面が端子部材２３に対して接触しており、他方の主面が金属導電部材３６およびセラミックス部材１に対して接触している。
【００４２】
さらに、図１０に示す例では、金属導電部材３６の代わりに、メッシュ７を利用している。すなわち、メッシュ７の一部を切断し、この切断部分を裏面１ｂの方へと延ばした状態で焼成する。これによって、メッシュ７の先端部分３７の端面３７ａが、裏面１ｂに露出する。この状態で、端子部材２３の先端面を、セラミックス部材１の裏面１ｂおよび端面３７ａに対して同時にろう付けすることによって、接合層３８を形成する。
【００４３】
図９および図１０に示す例では、メッシュ７の部分に孔を形成する困難な加工の必要がなく、その分、電極接合部を簡単に形成することができる。
【００４４】
本発明者は、前記した接合方法に従って、窒化アルミニウム部材の種々の接合体を製造し、その接合部分ないし接合層の構造を詳細に検討し、かつそのハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性を観測した。
【００４５】
図１１（ａ）、（ｂ）、図１２（ａ）、（ｂ）、図１３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明によって形成される接合層を拡大して示す模式的断面図である。図１１（ａ）においては、窒化アルミニウム部材１と金属接合部材４０の表面４０ａとの間に接合層４１Ａが形成されている。この接合層４１Ａは、主成分が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれた金属からなる連続相４２を備えている。
【００４６】
接合層４１Ａの窒化アルミニウム部材１側には、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれた一種以上の活性金属からなる活性金属層４３が形成されている。これらの活性金属はろう材の主成分に対して固溶しにくく、窒化アルミニウム部材１の接合面８ａ、２８ａ等に対して濡れ易いという特徴を有しているために、このように層状になるものと考えられる。なお、図１１、図１２、図１３においては、前記した静電チャック本体１と、金属接合部材４０とを接合する場合について図示しているが、この金属接合部材４０は、前記したいずれの端子部材であっても良い。また、他の形態の窒化アルミニウム部材と金属接合部材とについても、図１１、図１２、図１３のような接合層が生成しうる。
【００４７】
図１１（ｂ）の接合層４１Ｂにおいては、連続相４２および活性金属層４３の構成は、図１１（ａ）の接合層４１Ａと同じであるが、連続相４２の中に多数の分散相４４が生成している。この分散相４４は、ろう材中の第３成分からなる粒子である。
【００４８】
図１２（ａ）に示す接合層４１Ｃにおいては、連続相４６の中に、分散相４４が多数生成している。分散相４４は、ろう材中の第３成分からなる粒子である。連続相４６は、金属接合部材４０の表面４０ａに対して接合しているのと共に、窒化アルミニウム部材１の接合面８ａ、２８ａおよび金属露出部７ａに対しても強固に接合している。本発明者は、ろう材の主成分をアルミニウムとし、第２成分をマグネシウムとした場合に、連続相の中にマグネシウムが固溶して連続相が生成することを見いだした。この場合には、図１１（ａ）、（ｂ）に示す接合層の微構造とは異なり、窒化アルミニウム部材１側の表面に沿って活性金属層が生成することはない。この結果、図１２（ａ）に示す連続相４６の主成分はアルミニウムとなり、この連続相４６の中にマグネシウムが固溶している。
【００４９】
図１２（ｂ）の接合層４１Ｄにおいては、ろう材の主成分をアルミニウムとし、第２成分（活性成分）をマグネシウムとする。更に、金属接合部材としてニッケル部材５０を使用した。これによって、ニッケル部材５０とろう材中のアルミニウムとがろう付け時に反応し、ニッケル部材５０の表面５０ａに沿って、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる層４８が生成する。
【００５０】
図１３（ａ）の接合層４１Ｅにおいては、連続相４６の中に、第３成分の粒子からなる分散相４４と、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる分散相５１とが、共に多数分散している。こうした微構造を生成させるためには、ろう材の主成分をアルミニウムとし、活性成分をマグネシウムとし、かつろう材中に第３成分を含有させる。そして、窒化アルミニウム部材１の接合面８ａ、２８ａに予めニッケル膜を形成するか、あるいは、ろう材からなるシートの窒化アルミニウム部材１側の表面にニッケル膜を形成しておく。
【００５１】
この後にろう付けを行うと、アルミニウムの中にマグネシウムが固溶した連続相４６が生成するのと共に、薄いニッケル膜中の成分がアルミニウムと反応してニッケル−アルミニウム金属間化合物を生成し、これが連続相４６中に分散して分散相５１を生成する。
【００５２】
これと同様のろう材および製造方法を使用した場合に、更に金属接合部材としてニッケル部材５０を使用すると、図１３（ｂ）に示すような微構造を有する接合層４１Ｆが生成する。接合層４１Ｆにおける連続相４６、分散相４４、５１は、それぞれ図１３（ａ）に示す接合層４１Ｅ中の連続相および接合層と同様である。更に、ニッケル部材５０の表面５０ａに沿って、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる層４８が生成している。
【００５３】
以上、例示してきたような各微構造を有する接合層においては、まず、連続相の主成分がアルミニウムであり、この連続相の中にマグネシウムが固溶しているものが特に好ましい。図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に述べたものが、この実施形態に該当する。活性金属としてチタン、ジルコニウムまたはハフムウムを使用した場合には、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、これらの活性金属が窒化アルミニウム部材の表面側に集まって活性金属層を生成する傾向があり、これによってろう材の窒化アルミニウム部材への濡れ性が向上している。
【００５４】
例えば図１４（ａ）に示すように、矢印Ａのようにハロゲン系腐食性ガスを接触させた場合には、接合層の表面側から順次腐食されていき、連続相４２中の金属粒子の表面が腐食する。５４は、この腐食領域を示すものであり、「Ｌ」は、接合層の表面から見た腐食領域５４の幅を示す。この際、ＳｉＯ2 等の第３成分は、連続相の主成分である各金属よりも腐食され易いために、第３成分からなる分散相は空孔５６となり、この空孔５６は、腐食領域５４よりもかなり奥にも発生する。
【００５５】
この際、本発明者が見いだしたところでは、活性金属層４３もハロゲン系腐食性ガスによって腐食を受けやすく、この層４３に沿って、腐食領域５５が連続相４２と窒化アルミニウム部材１との間で層状に生成することが判明した。この腐食領域５５の幅Ｍは、連続相４２の腐食領域５４の幅Ｌよりもはるかに大きいものであった。しかし、このような細長い層状の腐食領域５５によっても、やはり部材１と４０との間の接合強度に顕著な低下を招きうる。
【００５６】
これに対して、連続相の主成分がアルミニウムであり、連続相の中にマグネシウムが固溶している場合には、こうした層状の腐食領域５５は生成しないので、一層ハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性が向上する。
【００５７】
本発明者は、更に、ニッケル−アルミニウム金属間化合物がハロゲン系腐食性ガスに対して顕著な耐蝕性を有していることを見いだした。例えば、図１３（ａ）や図１３（ｂ）に示すような微構造を有する接合層に対して、図１４（ｂ）に矢印Ａで示すようにハロゲン系腐食性ガスを接触させた場合には、連続相４６が腐食され、同時に第３成分からなる分散相が腐食されて空孔５６を生成する。しかし、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる層４８にはほとんど腐食が見られず、かつニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる分散相５１も、腐食領域５４中にある分散相５１をも含めて、ほとんど腐食が見られなかった。
【００５８】
このように、ニッケル−アルミニウム金属間化合物は、接合層の中に、分散相の形で存在している場合も、連続相の形で存在している場合も、高い耐蝕性を有していた。特に、主としてアルミニウムからなる連続相の中に分散相５１が多数存在している場合には、連続相中を進行してきた腐食の進行が、連続相中に分散している分散相５１によって停止するために、連続相それ自体の耐蝕性も一層向上するために、特に有利であった。
【００５９】
ニッケル−アルミニウム金属間化合物には、Ａｌ3 Ｎｉ、Ａｌ2 Ｎｉ、ＡｌＮｉが含まれる。また、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる分散相の粒径は、通常は２〜５００μｍであり、特に好ましくは１０〜１００μｍである。この分散相の形状は不定型である。
【００６０】
以下、実験の例について説明する。
実験例１
本発明のセラミックスの接合構造の一例として、表面にＭｏメッシュが露出した窒化アルミニウム部材と種々の金属接合部材との接合体を準備し、セラミックス接合体の引張強度および接合状態を調べた。まず、窒化アルミニウム部材と、以下の表１に示す金属接合部材およびろう材とを準備した。窒化アルミニウム部材は、図１５（ａ）に示すように、Ｍｏメッシュ７を埋設した窒化アルミニウム部材５７に、Ｍｏメッシュ７の一部分が露出するまで孔部８を形成し、金属露出部７ａを形成した。金属接合部材２３の直径は、上記孔部８に挿入できるよう、孔部８の内径よりも若干小さくなるようにした。
【００６１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、窒化アルミニウム部材５７の孔部８のＭｏメッシュ７が露出した底部８ａと、金属接合部材２３の先端部との間に、準備したろう材からなるシート５８を配し、ろう材の組成に応じて異なる加熱温度で加熱して、本発明例である実験例Ｎｏ．１〜１３及び実験例１４、１５のセラミックス接合体を得た。なお、実験例Ｎｏ．５、６はそれぞれ接合前に窒化アルミニウム部材表面に、Ｔｉ膜を、３μｍまたは１μｍ、スパッタリングにより形成した。実験例Ｎｏ．７は、接合前にろう材表面にＴｉ膜を１μｍスパッタリングにより形成した。実験例Ｎｏ．８は、接合前に窒化アルミニウム部材表面にＡｌ膜を１μｍスパッタリングにより形成した。また、実験例Ｎｏ．１〜８および１０〜１３と実験例Ｎｏ．１４，１５には、接合時０．６ｇ／ｍｍ2 の荷重を与えたのに対し、実験例Ｎｏ．９のみ接合時に２６．５ｇ／ｍｍ2 の荷重を与えた。
【００６２】
最後に、得られたセラミックス接合体に対し、図１５（ｃ）に示すように引張試験を行い、引っ張り強度を測定した。即ち、金属接合部材２３を矢印Ｃのように上方へと引き上げ、同時にセラミックス部材５７を矢印Ｂのように加圧した。接合界面を切り出し、接合部の状態を観察した。なお、６０は接合層である。この結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
表１の結果から、本発明のセラミックスの接合構造のうち、ろう材５５が窒化アルミニウム部材５２とＭｏメッシュ５１との両者に接合している実験例Ｎｏ．１〜１２は、ろう材５５がＭｏメッシュ５１とは接合しているものの窒化アルミニウム部材５２とは接合しなかった比較例Ｎｏ．１およびＭｏメッシュを使用しなかった実験例Ｎｏ．１５と比べて、高い引張強度を得ることができることがわかった。また、実験例のうちＡｌ系のろう材を使用した中でも、実験例Ｎｏ．５〜８の接合界面に所定の膜を設けた例が、実験例Ｎｏ．３の膜を設けなかった例と比較して、良好な強度を示すことがわかった。さらに、実験例Ｎｏ．９の接合時に大きな荷重を与えた例は、実験例Ｎｏ．３の接合時の荷重が小さかった例と比較して、引張強度が高くなることがわかった。
【００６５】
実験例２
実験例１と同様にして接合体を製造した。具体的には、Ｍｏメッシュ７を埋設した窒化アルミニウム部材５７に、Ｍｏメッシュ７の一部分が露出するまで孔部８を形成し、金属露出部７ａを形成した。金属接合部材２３の直径は、上記孔部８に挿入できるよう、孔部８の内径よりも若干小さくなるようにした。窒化アルミニウム部材５７の孔部８のＭｏメッシュ７が露出した底部８ａと、ニッケル部材の先端部との間に、Ａｌ−１．５Ｍｇ−１０Ｓｉの組成からなるシート５８を配置した。このシートの窒化アルミニウム側の表面に、厚さ２μｍのニッケルメッキ膜を形成した。
【００６６】
図１６は、こうして得た接合体の界面付近のセラミックス組織を示す電子顕微鏡写真であり、図１７は、図１６の写真の概略説明図である。窒化アルミニウム部材８とニッケル部材４０との間の接合層中に、マグネシウムが固溶したアルミニウム層（写真において灰色の部分）があり、この中にニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる分散相５１（写真において白色の部分）が多数生成していることが判る。また、主として第３成分からなる細長い分散相４４（写真においてアルミニウム層よりも若干明度の大きい部分）が多数生成していることが判る。更に、ニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる反応層４８の生成も認められる。マグネシウムが固溶したアルミニウムろう材からなる連続層は、アルミニウム部材８に対して接合しているのと共に、金属部材（Ｍｏメッシュ）７ａに対しても接合している。
【００６７】
【発明の効果】
以上のことから明らかなように、本発明によれば、セラミックス部材のろう材と接触する面に、金属露出部を部分的に形成するとともに、セラミックス部材、金属接合部材および金属露出部とろう材とが接合している接合構造をとっているため、セラミックス部材と金属接合部材との接合を、接合強度が十分な状態でかつ耐食性の良好な状態で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電チャック本体１およびその支持構造を示す断面図である。
【図２】図１に示す静電チャック本体１における電極接合部を拡大して示す断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、それぞれろう材の構成例を示す正面図である。
【図４】静電チャック本体の電極接合部の他の例の構成を示す断面図である。
【図５】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図６】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図７】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図８】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図９】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図１０】静電チャック本体の電極接合部の更に他の例の構成を示す断面図である。
【図１１】（ａ）は、窒化アルミニウム部材１と他の部材４０とが、連続相４２と活性金属層４３とを含む接合層４１Ａによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、部材１と４０とが、連続相４２、分散相４４および活性金属層４３を含む接合層４１Ｂによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１２】（ａ）は、部材１と４０とが、連続相４６および分散相４４を含む接合層４１Ｃによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、部材１と５０とが、連続相４６、分散相４４およびニッケル−アルミニウム金属間化合物からなる層４８を含む接合層４１Ｄによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１３】（ａ）は、部材１と４０とが、連続相４６、分散相４４、５１を含む接合層４１Ｅによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、部材１と５０とが、連続相４６、分散相４４、５１および層４８を含む接合層４１Ｆによって接合されている状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１４】（ａ）は、図１１（ｂ）の接合層４１Ｂがハロゲン系腐食性ガスによって腐食された状態を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、図１３（ｂ）の接合層４１Ｆがハロゲン系腐食性ガスによって腐食された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１５】本発明の実験例における試験用のセラミックスの接合構造の例を示す図である。
【図１６】本発明の実験例に係る接合体の接合界面付近のセラミックス組織を示す電子顕微鏡写真である。
【図１７】図１６の顕微鏡写真を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１  静電チャック本体（セラミックス部材の一例）    ４  電極接合部    ５  熱電対の接合部    ７  メッシュ（金属部材の一例）    ７ａ金属露出部    ８、９、２８  孔部    ８ａ、９ａ、２８ａ  孔部８、９、２８の底部（セラミックス部材１の接合面）    １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄ  ろう材からなるシート    １１、１３、２０Ａ、２０Ｂ  インサート材    １２  端子部材（金属接合部材の一例）    １２ａ  端子部材の先端部    １７、２１、２７、３３、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ、４１Ｅ、４１Ｆ  接合層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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