(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電力の印加によってプラズマを発生させ、絶縁体上にシリコン膜が形成されてなる試料を載置する基板電極に交流電力を印加して前記発生させたプラズマを引き込み、サイズが夫々に異なる複数のパターンの前記シリコン膜にその厚さ方向の異方性エッチングを行う方法において、第１周波数の交流電力の前記基板電極への印加によってエッチングを行う第１工程と、前記第１周波数より低い周波数である第２周波数の交流電力の前記基板電極への間欠的印加によってエッチングを行う第２工程とを有しており、前記第１，第２工程中にプラズマを発生させるために印加する交流電力を同一にしたことを特徴とするシリコンの異方性エッチング方法。
【請求項２】
前記複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが前記絶縁体との界面にまで進行した時点に基づいて、前記第１工程から前記第２工程へ切り換えるようにした請求項１記載のシリコンの異方性エッチング方法。
【請求項３】
交流電力の印加によってプラズマを発生させ、絶縁体上にシリコン膜が形成されてなる試料を載置する基板電極に交流電力を印加して前記発生させたプラズマを引き込み、サイズが夫々に異なる複数のパターンの前記シリコン膜にその厚さ方向の異方性エッチングを行う装置において、第１周波数の交流電力を前記基板電極に印加する第１印加手段と、前記第１周波数より低い周波数である第２周波数の交流電力を前記基板電極に間欠的に印加する第２印加手段と、前記複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが前記絶縁体との界面にまで進行したエッチング終点を検出する検出手段と、該検出手段での検出結果に基づいて、前記第１印加手段から前記第２印加手段に切り換えるように制御する制御手段とを備えることを特徴とするシリコンの異方性エッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁体上にシリコン膜が形成されている試料に対して、シリコン膜をその厚さ方向に異方性エッチングする方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳｉＯ2 膜などの絶縁膜（絶縁性の基板も含む）上にシリコン膜を形成した構造は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造と称され、狭い領域にて素子間分離が行えて高集積化または高速化が可能であるという利点があり、半導体集積回路の特性向上に寄与できる。また、このＳＯＩ構造は、絶縁膜をエッチング停止層として機能させ、シリコン膜のエッチング厚さを制御する際にも利用される。
【０００３】
このような絶縁体上にシリコン膜が形成されている試料（ＳＯＩウェハという）に対して、シリコン膜をその厚さ方向にエッチングする際には、例えば誘導結合型プラズマ装置（ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）装置）により、発生させた低圧反応ガスのプラズマを用いてエッチングを行うことが知られている。このＩＣＰ装置では、コイルに交流電力を印加してプラズマを発生させ、ＳＯＩウェハを載置した基板電極に交流電力を印加して、この発生させたプラズマを引き込み、引き込んだプラズマによってエッチングを行う。また、このＩＣＰ装置を使用する場合、エッチングの異方性を高めるために、反応ガスとしてエッチングガス（例えばＳＦ6 ）と堆積ガス（例えばＣ4 Ｆ8 ）とを交互に導入してプラズマ化させて、エッチングステップと堆積ステップとを繰り返すＡＳＥTM（Advanced Silicon Etching）手法が実施されている。
【０００４】
ところで、このようなプラズマを利用したＳＯＩウェハのエッチング処理にあっては、被エッチングパターンのサイズの大きさに応じて、そのエッチング速度は異なっており、そのサイズが大きいほどエッチング速度は速くなること（マイクロローディング効果）が知られている。従って、サイズが異なる複数のパターンに対して同時にエッチングを開始した場合、サイズが大きいパターンではエッチングが速く進み、サイズが小さいパターンではエッチングが遅く進行する。この結果、サイズが大きいパターンにあっては、エッチングが既に下地（例えばＳｉＯ2 膜）との界面まで達していても、サイズが小さい他のパターンでのエッチングを続行するために、プラズマ化された反応ガスの＋イオンが侵入することになる。この際、高周波電力を基板電極に印加している場合には、下地（例えばＳｉＯ2 膜）の＋イオンによるチャージアップによって、侵入する＋イオンが反発されて水平方向に移動して厚さ方向に垂直な方向にエッチングは進行して、異方性が悪くなり、異常なエッチング形状（以下、ノッチングという）がシリコン膜と絶縁膜との界面に生じることになる。
【０００５】
基板電極への高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法は、マスク及び下地（例えばＳｉＯ2 膜）に対する選択比が良好であり、しかも、エッチング速度が速くて有利な手法であるが、サイズが異なる複数のパターンを同時にエッチングする場合には、上述したような問題点（サイズが大きいパターンでのノッチングの発生）が存在する。
【０００６】
そこで、サイズが異なるシリコン膜の複数のパターンを同時にエッチングする場合には、上述したようなノッチング発生という問題点を解消するために、最初から低周波数の交流電力を基板電極に間欠的に印加するプラズマエッチング手法も知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような基板電極への低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法では、高周波電力の印加による手法と比べて、ノッチングは発生せず、異方性が高い良好なエッチング形状を得ることはできる。しかしながら、高周波電力の印加による手法に比して、エッチング速度が遅く、また、マスク及び下地（例えばＳｉＯ2 膜）に対する選択比も悪いという問題点があり、更なる改善が望まれている。
【０００８】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、基板電極への高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法と基板電極への低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法とを高度に組み合わせることにより、異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立することができるシリコンの異方性エッチング方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るシリコンの異方性エッチング方法は、交流電力の印加によってプラズマを発生させ、絶縁体上にシリコン膜が形成されてなる試料を載置する基板電極に交流電力を印加して前記発生させたプラズマを引き込み、サイズが夫々に異なる複数のパターンの前記シリコン膜にその厚さ方向の異方性エッチングを行う方法において、第１周波数の交流電力の前記基板電極への印加によってエッチングを行う第１工程と、前記第１周波数より低い周波数である第２周波数の交流電力の前記基板電極への間欠的印加によってエッチングを行う第２工程とを有しており、前記第１，第２工程中にプラズマを発生させるために印加する交流電力を同一にしたことを特徴とする。
【００１０】
第１発明のシリコンの異方性エッチング方法にあっては、サイズが異なる複数のパターンにおいてシリコン膜をエッチングする際に、まず、初めの段階では、基板電極への高い周波数の交流電力の印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行い、その後、基板電極への低い周波数の交流電力の間欠的印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行う。このようなエッチングプロセスを実行することにより、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法の問題点（上記ノッチングの発生）が起こらない初めの段階では、この高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法（第１工程）を行って、速いエッチング速度及び高い選択比を得るようにし、その高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法の問題点が生じる後半の段階では、低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法（第２工程）を行って、良好なエッチング形状を得るようにする。この結果、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法及び低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法の夫々の問題点を解消して、異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを併せて実現することが可能となる。
【００１１】
請求項２に係るシリコンの異方性エッチング方法は、請求項１において、前記複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが前記絶縁体との界面にまで進行した時点に基づいて、前記第１工程から前記第２工程へ切り換えるようにしたことを特徴とする。
【００１２】
第２発明のシリコンの異方性エッチング方法にあっては、第１工程（高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法）から第２工程（低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法）への切換えを、エッチング対象の複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが絶縁体（下地）との界面にまで達した時点に鑑みて行う。言い換えると、例えば、最もエッチング速度が速い被エッチングパターンでのエッチングが終了するまでは、第１工程にてエッチングを行い、そのパターンでのエッチングが終了した後は、第２工程にてエッチングを行う。最もエッチング速度が速いパターンでは、最初に所望のエッチングが終了する。そして、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法をその後も継続した場合には、この最もエッチング速度が速いパターンで最初に高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法の問題点（上記ノッチングの発生）が起こってしまう。そこで、第２発明では、第１工程から第２工程への切換えタイミングを上記のように設定することにより、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法及び低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法の夫々の問題点を最も効率的に解消して、異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを併せて実現することが可能となる。
【００１３】
請求項３に係るシリコンの異方性エッチング装置は、交流電力の印加によってプラズマを発生させ、絶縁体上にシリコン膜が形成されてなる試料を載置する基板電極に交流電力を印加して前記発生させたプラズマを引き込み、サイズが夫々に異なる複数のパターンの前記シリコン膜にその厚さ方向の異方性エッチングを行う装置において、第１周波数の交流電力を前記基板電極に印加する第１印加手段と、前記第１周波数より低い周波数である第２周波数の交流電力を前記基板電極に間欠的に印加する第２印加手段と、前記複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが前記絶縁体との界面にまで進行したエッチング終点を検出する検出手段と、該検出手段での検出結果に基づいて、前記第１印加手段から前記第２印加手段に切り換えるように制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
第３発明のシリコンの異方性エッチング装置では、例えば、最もエッチング速度が速いパターンでのエッチング終点を検出手段にて検出するまでは、第１工程（高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法）にてエッチングを行い、そのエッチング終点を検出した後は、第２工程（低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法）にてエッチングを行うようにしたので、第１工程から第２工程への最も有効的な切換えのタイミングを容易に得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、本発明に係るシリコンの異方性エッチング方法を実施するための誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）装置の構成図である。図１において、１は反応器であり、コイル３への通電によってプラズマを発生させる上方側のプラズマ発生室２ａと、発生されたプラズマを引き込んで試料２０にプラズマ処理を行う下方側の反応室２ｂとを有する。
【００１６】
プラズマ発生室２ａは、セラミック製の中空円筒の形状を有しており，その周面には同心状にコイル３が囲繞されている。コイル３には、マッチングユニット８を介して周波数１３．５６ＭＨｚの電源９が接続されており、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）装置の稼動時には、常時周波数１３．５６ＭＨｚの交流電力がコイル３に印加される。また、プラズマ発生室２ａの上部壁中央には、反応器１内へ反応ガス（ＳＦ6 またはＣ4 Ｆ8 ）を導入するガス導入管４が、貫通する態様で連結されている。そして、コイル３への交流電力の印加によって、プラズマ発生室２ａ内にて反応ガスのプラズマを発生させるようになっている。
【００１７】
反応室２ｂの側部壁には、図示しない排気装置を接続した排気口５が開口されている。反応室２ｂの底部には、エッチング対象の試料２０を載置する基板電極１６を有するプラテン６が配設されている。プラテン６には、印加すべき交流電力の周波数を切り換えるための切換器７が接続されている。切換器７には、高周波マッチングユニット８ａを介して周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源９ａと、低周波マッチングユニット８ｂを介して周波数３８０ｋＨの低周波電源９ｂとが夫々接続されており、切換器７の切換え処理に応じて、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力または周波数３８０ｋＨの低周波電力の何れかが、基板電極１６に印加されるようになっている。なお、この切換器７での切換え処理は、後述する終点検出器（ＥＰＤ：End Point Detector）１０からの切換え信号に応じて制御される。そして、基板電極１６への交流電力の印加によって、プラズマ発生室２ａ内で発生されたプラズマが反応室２ｂ内に引き込まれ、その引き込まれたプラズマにより試料２０がエッチングされるようになっている。
【００１８】
終点検出器１０は反応室２ｂの側部壁に設置されており、反応器１内のプラズマ中のフッ素ラジカルのピーク７０３ｎｍ付近及び２００ｎｍ〜８００ｎｍの複数のピークのエッチング中の変化をモニタして、複数の被エッチングパターン夫々でのエッチング終点を検出する。最初に１つの被エッチングパターン（最もサイズが大きい被エッチングパターンが該当）でのエッチング終点を検出した場合に、終点検出器１０は、切換え信号を切換器７へ出力する。そして、この切換え信号に応じて、基板電極１６に印加される交流電力の周波数が高周波側（１３．５６ＭＨｚ）から低周波側（３８０ｋＨ）に切り換えられるようになっている。
【００１９】
図２は、エッチング対象の試料２０の構成図であり、試料２０は、絶縁体としてのＳｉＯ2 膜２１上に単結晶のシリコン膜２２（厚さ：２０μｍ）を形成して構成されている。
【００２０】
このような構成の誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）装置を用いて、試料２０の所望パターンのシリコン膜２２に異方性エッチングを施す場合、本発明の実施の形態では、例えば、前述したようなＡＳＥTM手法（反応ガスとしてＳＦ6 を用いるエッチングステップと反応ガスとしてＣ4 Ｆ8 を用いる堆積ステップとを繰り返す手法）を利用する。
【００２１】
本発明のシリコンの異方性エッチング方法の具体例について説明する。図３は、このエッチング方法における試料２０のエッチング形状の推移を示す図である。以下の例では、図３（ａ）に示すように、シリコン膜２２のパターンＡ（幅：２００μｍ）とパターンＢ（幅：１０μｍ）とパターンＣ（幅：４μｍ）との３箇所のパターンを、シリコン膜２２の厚さと同厚の深さ２０μｍにわたって同時にエッチングすることとする。なお、シリコン膜２２全体の表面積に対するエッチング対象の面積の割合は２０％未満とする。
【００２２】
まず、エッチング対象以外の領域のシリコン膜２２の表面にマスク３１を形成した試料２０（図３（ａ）参照）を、プラテン６に載置する。そして、切換器７によって、高周波側の系を選択して第１工程（基板電極１６への高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法）を開始する。この第１工程では、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電力をコイル３及び基板電極１６に印加しながら、エッチングステップと堆積ステップとを交互に繰り返して異方性エッチングを実行する。この際の両ステップでの条件は、具体的には以下のようにする。
（エッチングステップ）
導入する反応ガス：ＳＦ6 ，ガス流量：１４０ｓｃｃｍ，ガス圧力：１８ｍＴｏｒｒ（＝２．４０Ｐａ），コイル３への印加電力：６００Ｗ，基板電極１６への印加電力：１５Ｗ
（堆積ステップ）
導入する反応ガス：Ｃ4 Ｆ8 ，ガス流量：９０ｓｃｃｍ，ガス圧力：１４ｍＴｏｒｒ（＝１．８７Ｐａ），コイル３への印加電力：６００Ｗ，基板電極１６への印加電力：０Ｗ
【００２３】
このようなエッチングステップと堆積ステップとの繰り返しによって、各パターンＡ，Ｂ，Ｃにおいて異方性エッチングが進行する（図３（ｂ）参照）。この際、サイズが最も大きいパターンＡではエッチング速度が最も速いので最も急にエッチングが進み、サイズが最も小さいパターンＣでは最もゆっくりとエッチングが進行する。エッチングの進行中において、終点検出器１０は、プラズマ中のフッ素ラジカルのピーク７０３ｎｍ付近及び２００ｎｍ〜８００ｎｍの複数のピークのエッチング中の変化をモニタしており、そのモニタ結果に基づいて、各パターンＡ，Ｂ，Ｃにおいてエッチングが終了したか否かを判断している。
【００２４】
そして、終点検出器１０が、パターンＡでのエッチング終了を検出した場合（本例ではエッチング開始から５００秒後）、切換え信号が終点検出器１０から切換器７へ出力される。なお、この時点で、パターンＢ，Ｃにあっては、下地のＳｉＯ2 膜２１まで夫々厚さｔB ＝１．５μｍ，厚さｔC ＝３．５μｍの未エッチング部分が残存している（図３（ｃ）参照）。
【００２５】
切換え信号が入力された切換器７により、低周波側の系に切換えられて、第２工程（基板電極１６への低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法）を開始する。この第２工程では、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電力をコイル３に印加し、周波数３８０ｋＨｚの交流電力を基板電極１６に間欠的に印加しながら、エッチングステップと堆積ステップとを交互に繰り返して異方性エッチングを実行する。この際の間欠的電力印加パターンは、２ミリ秒のオン期間と９．４ミリ秒のオフ期間とを周期的に繰り返す（パルス率１７．５％）。なお、この際の両ステップでの条件は、上記第１工程の場合と同様である。
【００２６】
このような第２工程の実施により、残りのパターンＢ，Ｃでのエッチングを完了する（図３（ｄ）参照）。本例では、最小サイズであるパターンＣにおける第２工程でのエッチング速度が約１．５μｍ／分であるため、オーバエッチング用の約６０秒を含めて、この第２工程の処理時間を２００秒とする。よって、第１工程及び第２工程を併せた全体の総エッチング時間は７００秒（１１分４０秒）である。
【００２７】
次に、上述したような本発明例と従来例との対比について説明する。第１従来例として、上記本発明例と同様の試料（エッチング対象のシリコン膜の厚さ：２０μｍ）の３種のパターン（幅：２００μｍ，１０μｍ，４μｍの３種）に対して、周波数１３．５６ＭＨｚ（高周波数）の交流電力を最初から最後まで基板電極１６に常時印加してエッチングを行った。また、第２従来例として、上記本発明例と同様の試料の３種のパターンに対して、本発明例と同じパターン（パルス率１７．５％）にて周波数３８０ｋＨｚの交流電力を最初から最後まで基板電極１６に間欠的に印加してエッチングを行った。このような第１従来例及び第２従来例と上述したような本発明例とにおける幅４μｍのパターンについての特性結果（総エッチング時間，対ＳｉＯ2 ・マスク選択比，ノッチング幅）を下記表１に示す。
【００２８】
【表１】
0003774115.tif 000002
【００２９】
なお、これらの第１，第２従来例でも、上記本発明例と同様に、最もエッチング速度が速いパターンでのエッチング終点を検出するまでの時間と、それを検出した後に最小サイズのパターンでのエッチング速度（ｖetc ）及びそのパターンでの未エッチング厚さ（ｔ）を用いて算出される時間（ｔ／ｖetc ）と、オーバエッチング用の時間（６０秒）とを合計した時間が総エッチング時間である。また、ノッチング幅は、エッチング対象のシリコン膜と下地のＳｉＯ2 膜との界面において発生したノッチングの片側方向の長さを示す。
【００３０】
本発明例では、第１従来例と比較してノッチングの発生を大幅に低減できており、第２従来例と同じようにノッチングが殆ど発生していないこと、また、本発明例では、第１従来例と同程度の短いエッチング時間及び高い選択比を実現できており、この点で第２従来例より大幅に改善できていることが、表１の結果から分かる。このように本発明例では、第１，第２従来例の夫々の問題点を解消できて、異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを併せて実現できている。
【００３１】
なお、上述した例では、第２工程において基板電極１６に間欠的に印加する交流電力の周波数を３８０ｋＨｚとしたが、これは例示であり、２ＭＨｚ以下の周波数であれば良い。以下、この理由について説明する。
【００３２】
エッチング底面が下地酸化膜に到達後も高周波数の交流電力を印加し続けた場合、＋電荷は重くてこの周波数に追従できずに自己バイアスにより基板電極が−電位になっていて、プラズマ化された＋イオンがこの−電位に引きつけられて下地酸化膜表面に滞留しており、これに更にプラズマ化された＋イオンが侵入したときにその＋イオンが滞留している＋イオンにて反発されて水平方向に移動する。この反発した＋イオンにて厚さ方向に垂直な方向にエッチングが進行してノッチングが発生する。低い周波数の交流電力を印加した場合には、＋電荷もこの周波数に追従できるようになって、自己バイアスは生じず、これに起因するノッチングが低減される。このように＋電荷が追従できる周波数は２ＭＨｚ以下である。
【００３３】
更に、間欠的に電力印加をすることにより下地酸化膜表面の＋イオンの消失効果を高め、同時に、低周波数の電力供給に伴うイオンのエネルギの増大による、選択比の低下、及び下地酸化膜でのイオンの跳ね返りによる側壁保護膜の破壊（即ち、別原因によるノッチング）も防ぐことができる。
【００３４】
従って、第２工程において基板電極に間欠的に印加する交流電力の周波数を２ＭＨｚ以下とすることにより、ノッチングの発生の抑制及び選択比の向上の効果を奏することができる。本発明者等は、この周波数を８００ｋＨｚとして上記本発明例と同様のエッチング処理を行った場合に、ノッチングが殆ど発生しなかったことを確認している。
【００３５】
なお、上述した例では、最もエッチング速度が速いパターンＡのエッチング終点を終点検出器１０にて検出したタイミングに同期して、第１工程から第２工程への切換えを行うようにしたが、終点検出器１０の検出誤差を考慮して、その終点検出タイミングから所定時間後に第１工程から第２工程へ切り換えるようにしても良いことは勿論である。
【００３６】
なお、上述した例では、良好な異方性を実現すべく、エッチングステップと堆積ステップとを交互に繰り返して異方性エッチングを行う場合について説明したが、堆積ステップは行わずにエッチングステップのみで異方性エッチングを実行するような場合にも本発明は適用できる。
【００３７】
また、上述した例では、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）装置に適用する場合について説明したが、交流電力の印加によって発生させたプラズマを用いて試料に異方性エッチングを施す他のタイプのプラズマ装置にも本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述した如く、第１発明のシリコンの異方性エッチング方法では、初めの段階では、高い周波数の交流電力の印加によって引き込んだプラズマを用いたエッチング（第１工程）を行い、その後、低い周波数の交流電力の間欠的印加によって引き込んだプラズマを用いたエッチング（第２工程）を行うようにしたので、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法及び低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法の夫々の問題点を解消できて、後者の手法の利点である異方性が高い良好なエッチング形状と、前者の手法の利点である速いエッチング速度及び高い選択比とを両立して実現することができる。
【００３９】
第２発明のシリコンの異方性エッチング方法では、エッチング対象の複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが絶縁体（下地）との界面にまで達したタイミングに基づいて、第１工程（高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法）から第２工程（低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法）へ切り換えるようにしたので、つまり、例えば最もサイズが大きいパターンでのエッチングが終了する時点までは、第１工程にてエッチングを行い、そのエッチング終点を検出した後は、第２工程にてエッチングを行うようにしたので、高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法及び低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法の夫々の問題点を最も効率良く解消でき、異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立して実現することができる。
【００４０】
第３発明のシリコンの異方性エッチング装置では、第１工程（高周波電力の印加によるプラズマエッチング手法）から第２工程（低周波電力の間欠的印加によるプラズマエッチング手法）への切換えを、エッチング対象の複数のパターンの中で最もエッチング速度が速いパターンでのエッチングが絶縁体（下地）との界面にまで達したエッチング終点を検出手段にて検出したタイミングに基づいて実施するようにしたので、第１工程から第２工程への最も有効的な切換えのタイミングを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るシリコンの異方性エッチング方法を実施するための誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）装置の構成図である。
【図２】エッチング対象の試料の構成図である。
【図３】本発明のシリコンの異方性エッチング方法における試料のエッチング形状の推移を示す図である。
【符号の説明】
１  反応器
２ａ  プラズマ発生室
２ｂ  反応室
３  コイル
４  ガス導入管
５  排気口
６  プラテン
７  切換器
８  マッチングユニット
８ａ  高周波マッチングユニット
８ｂ  低周波マッチングユニット
９ａ  電源
９ａ  高周波電源
９ｂ  低周波電源
１０  終点検出器
１６  基板電極
２０  試料
２１  シリコン膜
２２  ＳｉＯ2 膜
【図１】
0003774115.tif 000003
【図２】
0003774115.tif 000004
【図３】
0003774115.tif 000005