(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、
非円形の基板を略水平に保持して回転する基板保持手段と、
前記基板保持手段で保持された基板の表面高さと表面高さが等しくなるように、基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、基板と併せて上面円形を形成する整流体と、
前記整流体を上下動させる昇降駆動機構と、
前記基板保持手段で保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段により供給される処理液に応じて、前記整流体を昇降駆動機構により前記基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する制御手段と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記基板保持手段は、回転支持板と、該回転支持板上に設けられた突起とを有する一方で、前記整流体は、前記突起と嵌合可能な凹部を形成する凹部突起を有し、
前記制御手段が前記整流体を前記基板並列位置に位置させた際に、前記突起が前記凹部突起に嵌合することで前記整流体が前記回転支持板に一体的に支持されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記所要の処理として基板に薬液を供給して薬液処理を行った後に、基板に洗浄液を供給して薬液を洗い流す洗浄処理を行う請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記昇降駆動機構を駆動させることにより、薬液処理を行う際には前記整流体を前記退避位置に位置させる一方で、洗浄処理を行う際には前記整流体を前記基板並列位置に位置させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用のガラス基板などの非円形基板を水平面内で回転させながら薬液処理、洗浄処理や乾燥処理などの所要の処理を施す基板処理装置で、特に基板上に均一な処理を行うための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、例えば、ガラス基板を水平面内で回転させながら、基板Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置がある。この基板処理装置は、ガラス基板を水平姿勢で保持する回転支持板を備えている。回転支持板は平面視で円形状の平板であって、その上面にガラス基板の外周縁に係合してガラス基板を支持する複数個の駆動ピンが立設されている。
【０００３】
回転支持板の回転中心部が駆動源に連結されている。そして、ガラス基板の下面中心部とガラス基板の上面中心部に臨んでおのおの液ノズルが配設されており、この各液ノズルは薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されている。
【０００４】
以上のように構成された基板処理装置においては、次にように基板処理が行われる。
まず、回転支持板にガラス基板が載置される。続いて、駆動源が始動して、回転支持板の回転に伴って、その回転力が駆動ピンを介してガラス基板に伝達され回転する。ガラス基板の回転数が所定値に達すると、上下の液ノズルから薬液および洗浄液をその順に供給して、ガラス基板の表裏面の処理を行う。ガラス基板の薬液処理および洗浄処理が終わると、ガラス基板を回転させながら基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０００５】
このような基板処理装置でガラス基板のような角形基板などの非円形の基板を処理する場合には、基板の外周部分で処理液の供給がバラつく傾向になり、処理の均一性が損なわれることがある。これは、非円形基板の場合、円形基板より回転中の基板周縁までの処理液の流れが異なることが原因で、処理均一性の確保が困難である。
【０００６】
従来のこの問題を解決する基板処理装置として、例えば特開２０００−２４６１６３号公報に以下の構成が提案されている。すなわち、角形基板を円形状に変換するための保持基板を備えている。この保持基板は、回転支持板にネジなどにより一体に固定され、角形基板の外周に沿って、角形基板と同じ表面高さになるようにされる。その結果、角形基板の全面で均一な処理を得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。提供されている公知の技術は、保持基板が回転支持板に固定であるため、基板Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置に適用すると、処理が猥雑になった。
【０００８】
すなわち、保持基板は薬液処理中に角形基板と同様に薬液に曝されることとなるが、続いて洗浄処理を行うには、この保持基板に付着した薬液も角形基板に残余している薬液と同様に洗い流す必要が生じてしまう。保持基板を角形基板の周囲に配置されるもので、本来角形基板の大きさのみの洗浄でよかったものが、更に大きな面積を洗浄しなければならなく処理に時間がかかった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、その本発明の目的は、処理の各工程において最適な処理形態を実施し得る装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、非円形の基板を略水平に保持して回転する基板保持手段と、前記基板保持手段で保持された基板の表面高さと表面高さが等しくなるように、基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、基板と併せて上面円形を形成する整流体と、前記整流体を上下動させる昇降駆動機構と、前記基板保持手段で保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段により供給される処理液に応じて、前記整流体を昇降駆動機構により前記基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する制御手段と、を具備することを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の作用は次のとおりである。請求項１に係る発明の基板処理装置においては、処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す。基板保持手段で保持された非円形の基板と、整流体が基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、表面高さが等しくなる。制御手段は、処理液供給手段により基板の処理面に供給される処理液に応じて、整流体を昇降駆動機構により基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する。よって、整流体が退避位置にあるときは、整流体が基板より上方に位置して整流体への処理液の付着が防止できる一方で、整流体が基板並列位置にあるときは、非円形の基板と併せて上面円形を形成して処理液の均一な状態を維持しながら整流体も処理することができる。その結果、処理液に応じて基板処理を最適な処理形態で実施することが可能となっている。また、請求項２に係る発明によれば、基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板を有する。このため、整流体が基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間し、遮蔽板も上昇されることで、基板のみで処理を行うことができる。一方で、整流体が下降されて基板並列位置に位置し、遮蔽板も下降されることで、雰囲気制御して処理を行うことができる。
【００１３】
また、請求項３に係る発明によれば、基板保持手段は、回転支持板と、該回転支持板上に設けられた突起とを有する一方で、整流体は、突起と嵌合可能な凹部を形成する凹部突起を有し、制御手段が整流体を基板並列位置に位置させた際に、突起が凹部突起に嵌合することで整流体が回転支持板に一体的に支持される。このため、整流体が基板並列位置に位置すると、回転支持板と整流体とが一体となって、基板と整流体とが一体的に回転する。したがって、非円形の基板は整流体により擬似的に円形とされ、基板を回転により流れる処理液は、基板の全面において均一な状態を維持できる。また、請求項４に係る発明によれば、所要の処理として基板に薬液を供給して薬液処理を行った後に、基板に洗浄液を供給して薬液を洗い流す洗浄処理を行う場合、薬液処理を行う際には整流体を退避位置に位置させる一方で、洗浄処理を行う際には整流体を基板並列位置に位置させている。このため、薬液処理時には整流体は基板より上方に位置して整流体への薬液の付着が防止できる一方で、洗浄処理時には、非円形の基板と併せて上面円形を形成して洗浄液の均一な状態を維持しながら整流体も洗浄処理することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
＜第１実施例＞
本発明の実施の形態を、基板の一例として液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、本発明は、ガラス基板の処理に限らず、非円形の各種の基板の処理にも適用することができる。また、本発明が適用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものだけに限らず、単一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものなどにも適用可能である。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態としての基板処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概略斜視図である。
この基板処理システム１では、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗという）を基板処理装置２に搬入出する移載装置３が配置される。この移載装置３の、一端に基板Ｗを収容する複数のカセット４が載置可能に構成されたカセットステーション５が設けられており、このカセットステーション５の側方には、カセット４から処理工程前の一枚ずつ基板Ｗを取出しと共に、処理工程後の基板Ｗをカセット４内に１枚ずつ収容する搬送アーム６を備えた基板搬送装置７とが備えられている。
【００１６】
カセットステーション５の載置部８は、基板Ｗを２５枚収納したカセット４を複数個載置できる構成になっている。基板搬送装置７は、水平、昇降（Ｘ、Ｙ、Ｚ）方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるように構成されている。
【００１７】
次に基板処理装置２の構成について説明する。図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この基板処理装置２は、矩形状の基板Ｗを処理するのに、基板を保持する回転支持部２０、それらを回転する駆動部３０、回転支持部２０の上側で処理空間Ｓを形成し遮蔽する上部遮蔽部４０、上部遮蔽部４０の昇降部５０、基板Ｗから振り切られる液体を回収するカップ部６０、基板Wに超音波洗浄を洗浄を行う超音波洗浄機構２００、それぞれの機構を収納するユニットハウジング７０を備えている。
【００１８】
回転支持部２０は、上平面視でドーナツ状の回転支持板２１に、基板Ｗを下面から支える支持ピン２２と駆動ピン２３が立設されて構成されている。駆動ピン２３は、図３に示すように基板Wの４角部に対応して２個ずつ配置される。なお、図１では、図面が煩雑になることを避けるために、２個の駆動ピン２３のみを示している。そして、符号２１１は、後述する整流板の凹部に嵌合する突起である。この突起２１１により整流体を回転支持板２１上に保持する。
【００１９】
駆動ピン２３は、基板Ｗの外周端縁を下方から支持する支持部２３ａと支持部２３ａに支持された基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内立ち上がり面２３ｂとを備えている。基板Ｗは、この回転支持板２１に水平姿勢で保持される。
【００２０】
駆動部３０は、回転支持板２１の回転中心の開口２４に連結して設けられている。そして、この開口２４に連通するように、回転支持板２１の下面に接続される筒軸３１と、この筒軸３１をベルト機構３２を介して回転するモータ３３とから構成されている。このモータ３３は本発明における駆動手段に相当し、筒軸３１は駆動軸に相当する。モーター３３を駆動することによって、筒軸３１、回転支持板２１とともに、保持された基板Ｗを鉛直方向の軸芯周りで回転させる。
【００２１】
また、筒軸３１は中空を有する筒状の部材で構成され、中心に沿って液ノズル３４が配設されており、この液ノズル３４の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。そして上端部のノズル孔３４ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。
【００２２】
筒軸３１は回転支持板２１の開口２４に臨んで延在し、回転支持板２１より上側に位置し排出口３６が開口される。そして、排出口３６において、この液ノズル３４の側面と筒軸３１内周面との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。液ノズル３４の先端部には断面Ｔ字状に形成され、平坦な上面の中央部に洗浄液のノズル孔３４ａが開口される。
【００２３】
液ノズル３４は、配管８０に連通接続されている。この配管８０の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８０ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８０ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８０ａ、８０ｂには開閉弁８３ａ、８３ｂが設けられていて、これら開閉弁８３ａ、８３ｂの開閉を切り換えることで、ノズル孔３４ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【００２４】
また、気体供給路３５は、開閉弁８４ａが設けられた配管８４を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路３５の上端部の吐出口３５ｃから回転支持板２１と基板Ｗの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスなど）などの清浄な気体を供給できるように構成されている。
【００２５】
また、筒軸３１と液ノズル３４との間隙は流量調整弁８６ａを介して配管８６が大気圧雰囲気に開放されるよう構成されている。筒軸３１と液ノズル３４との間隙は開口３６を介して大気圧雰囲気からのエアーを排出される。この構成により、回転支持板２１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧雰囲気に開放されている筒軸３１内部はポンプ効果によりエアーを吸入する。その際、流量調整弁８６ａにより吸引されるエアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。
【００２６】
モータ３３やベルト機構３２などは、この基板処理装置２の底板としてのベース部材７１上に設けられた円筒状のケーシング３７内に収容されている。このケーシング３７が、筒軸３１の外周面に軸受け３８を介して接続され、筒軸３１を覆おう状態となる。すなわち、モータ３３から回転支持板２１に接続する直前までの筒軸３１の周囲をケーシング３７で覆い、これに伴い筒軸３１に下方に取り付けられたモータ３３もカバーで覆った状態とする。さらに、筒軸３１がケーシング３７の箇所の気密性を高めるため、ケーシング３７から突き出て回転支持板２１の下面を支持するでの筒軸３１の周囲の雰囲気を、その周面に沿って設けられた略円形状のシール部９０で密封する。
【００２７】
上部遮蔽部４０は、基板Ｗを挟んで回転支持板２１に対向するように上部回転板４１が配設されている。この上部回転板４１は基板Ｗの周縁領域を覆うリング状を呈しており、中央部に大きな開口４１ａが開けられている。そして開口４１ａの周囲は仕切壁４１ｂが円筒状に立設されており、この仕切壁４１ｂ内に、開口４１ａを塞ぐように補助遮蔽機構４５と、基板Ｗの上面に純水などの洗浄液を供給する液ノズル４３が、上下移動自在に設けられている。
【００２８】
そして、上部回転板４１は押えピン４４を介して駆動ピン２３により支持され、回転支持板２１とで挟まれた処理空間Ｓを構成している。そして、処理空間Ｓに整流体４００が配置される。駆動ピン２３は、支持部２３ａが基板Ｗの周縁に対して点接触することで基板Ｗに不均一に応力がかかることを防止している。押えピン４４は、逆凸形状を呈し、上部回転板４１下面に固定して取り付けられている。
【００２９】
整流体４００は、図３に示すように、円形の薄板より構成され、その中央内部に基板Ｗの外形より大きい開口４１０が形成される。開口４１０の４隅の角部４２０は、駆動ピン２３と押えピン４４が嵌合するために拡張して開口されてなる。そして、回転支持板２１上の突起２１１と嵌合する、凹部を形成する４個の凹部突起４３０が整流体４００の上面に配置される。
【００３０】
上記の構成により、駆動ピン２３は押えピン４４とで上下に分離可能に構成されている。上部回転板４１が処理位置まで下降移動されたときに、駆動ピン２３が押えピン４４に嵌合することにより、上部回転板４１が回転支持板２１と一体回転可能に回転支持板２１に支持されるようになっている。整流体４００は、回転支持板２１の突起２１１に凹部突起４３０が嵌合することで、回転支持板２１上に保持される。つまり、駆動ピン２３は、上部回転板４１を回転支持板２１に着脱自在に支持する支持機構を兼ねている。また、この押えピン４４が基板Ｗの浮き上がりを防止する。
【００３１】
補助遮蔽機構４５は、円板形状の遮蔽板４５１の中心開口４５２に液ノズル４３が間隙４５２ａにより非接触に挿入配置されている。中心開口４５２の上端にはプレート４５３が延設され、その端部に昇降駆動手段４５４が連設される。昇降駆動機構４５４は公知のシリンダー等により構成され、後述する接離機構４３０の支持アーム４３１に装着される。
【００３２】
この構成により、回転支持板２１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間Ｓは遮蔽板４５１と液ノズル４３との間隙４５２ａよりエアーを吸入する。その際、間隙４５２ａは吸引されるエアー（気流）の流れに抵抗を与えて、処理空間Ｓ内に供給されるエアーの流量を制限する役目を担っている。そして、エアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。処理空間Ｓは、基板Ｗを挟んで下部と上部に区画され、間隙４５２ａにより上部に流入するエアー流量を規定することで上部の気圧を設定し、開口３６により下部に流入するエアー流量を規定することで下部の気圧を設定する。この基板Ｗの上部と下部の気圧の設定で基板Ｗの回転処理中の浮き上がりや波打ちが抑制される。
【００３３】
次に図４を参照して上部回転板４１の昇降部５０と整流体４００の昇降駆動機構４５０について説明する。まず昇降部５０は、上部回転板４１の上面に上方に張り出し設置されたＴ字状の係合部５１と、この係合部５１の上部鍔部５１ａに連結された昇降駆動手段５２とから構成されている。この昇降駆動手段５２はシリンダー５３のロッド５４が伸縮することでアームバー５５が昇降する。アームバー５５の先端は、係合部５１の上部鍔部５１ａが係合される。この構成でアームバー５５が上部鍔部５１ａに当接して上下動することにより、回転支持板２１に支持される処理位置と、基板Ｗの搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部回転板４１が移動するようになっている。尚、図２では、２つの昇降駆動手段５２が開示されているが、上部回転板４１の上面で等間隔に４つの係合部５１が配置され、それに対応して４つの昇降駆動手段５２が配置される。そして上部回転板４１の回転停止位置の制御により、係合部５１とアームバー５５が係合される。
【００３４】
次に、整流体４００の昇降駆動機構４５０は、整流体４００の周縁の下方に係合し昇降するよう構成されている。この昇降駆動機構４５０はシリンダー４５３のロッド４５４が伸縮することでアームバー４５５が昇降する。アームバー５５の先端は、整流体４００の周縁下面に係合される。この構成でアームバー４５５が整流体４００の周縁下面に当接して上下動することにより、回転支持板２１に支持された基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成する処理位置、すなわち回転支持板２１に支持された状態と、アームバー４５５に支持され基板Ｗの搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって整流体４００が移動するようになっている。尚、図２では、２つの昇降駆動機構４５０が開示されているが、上部回転板２１の上面で等間隔に４つのアームバー４５５が配置され、それに対応して４つの昇降駆動機構４５０が配置される。そして回転支持板２１の回転停止位置の制御により、整流体４００とアームバー４５５が係合される。また、昇降駆動機構４５０のシリンダー４５３は、後述するカップ部６０内に配置される。
【００３５】
さらに、この昇降部５０、昇降駆動機構４５０と上部回転板４１の上方は、例えばステンレス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチングプレートであって、中心側に開口が形成された流路抵抗部材５７が配置されている。この流路抵抗部材５７は、その内周縁には仕切壁５７ａが下方に延在して構成され、仕切壁５７ａは仕切壁４１ｂの外周面に近接している。流路抵抗部材５７の外周縁はユニットハウジング７０に接続される。そして、この流路抵抗部材５７が装置２内の上部を略閉塞し２分することで、後述する排気構造を介した排気に伴う負圧に応じて、引き込まれるエアー（気流）に流れを与えて、処理空間Ｓから排出されるミストを含んだエアーが飛散することを制限する役目を担っている。この流路抵抗部材５７の上面に昇降部５０のシリンダー５３は載置され、流路抵抗部材５７を貫通して下方にロッド５３が延設される。
【００３６】
なお、流路抵抗部材５７は本実施例のようなパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板材を鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであってもよく、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変えることにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、流路抵抗部材５７の上面には液ノズル４３の接離機構４３０と、図５に示すように上部遮蔽部４０を挟んで対角線上に超音波洗浄機構２００が配置される。液ノズル４３は、支持アーム４３１に支持され、支持アーム４３１は接離機構４３０によって旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して液ノズル４３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２の状態）と側部の待機位置（図３の状態）との間で旋回するように構成されている。このような接離動を実現する接離機構４３０は、螺軸などを用いた機構や、あるいは、エアシリンダなどで構成されている。この時、補助遮蔽機構４５も同時に昇降および旋回を行うが、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４により独立して液ノズル４３に沿って昇降可能とされる。
【００３８】
液ノズル４３の中空部には、液供給管４３２が貫通され、その下端部から回転支持板２１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。液供給管４３２は配管８７に連通接続されている。この配管８７の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８７ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８７ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８７ａ、８７ｂには開閉弁８８ａ、８８ｂが設けられていて、これら開閉弁８８ａ、８８ｂの開閉を切り換えることで、液ノズル４３から薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【００３９】
また、液ノズル４３の内周面と液供給管４３２の外周面との間の隙間は、気体供給路４３３となっている。この気体供給路４３３は、開閉弁８９ａが設けられた配管８９を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路４３３の下端部から上部回転板４１と基板Ｗの上面との間の空間に清浄な気体を供給できるように構成されている。この気体供給路３５とガス貯溜部３５ａ、導管３５ｂ、吐出口３５ｃ、配管８４、開閉弁８４ａおよび気体供給源８５が本発明の不活性ガス噴出手段に相当する。
【００４０】
超音波洗浄機構２００は、図５に示すように、接離機構２０１と、接離機構２０１の側部から延設される支持アーム２０２と、支持アーム２０２の先端に２個の著音波洗浄ノズル２０３が支持される。この構成により支持アーム２０２は接離機構２０１によって接離機構２０１の回動中心２０４を中心に旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して超音波洗浄ノズル２０３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２の状態）と側部の待機位置（図５の状態）との間で旋回するように構成されている。
【００４１】
さらに、支持アーム２０２の先端の超音波洗浄ノズル２０３を保持する保持片２０２ａはその大きさが上部回転板４１の開口４１ａの直径より少し短尺に形成され、開口４１ａより進入してた状態で支持アーム２０２が開口４１ａの直径分の長さ旋回することで、保持片２０２ａが基板Ｗの表面に対向した状態で超音波洗浄ノズル２０３を走査する。
【００４２】
また、保持片２０２ａが基板Ｗと上部回転板４１との間に進入するには、支持アーム２０２が開口４１ａの仕切壁４１ｂに近接して旋回を停止することで、開口４１ａを保持片２０２ａが通過可能とする。そして、保持片２０２ａが支持アーム２０２の旋回方向に直角に形成され、支持アーム２０２が基板Ｗの回転中心Ｐから仕切壁４１ｂまで旋回することで、保持片２０２ａの先端は基板Ｗの回転軌跡Ｗ１まで移動することができる。その結果、保持片２０２ａに装着される超音波洗浄ノズル２０３が基板Ｗの半径方向を走査して、基板Ｗが回転することで、基板Ｗ全面を洗浄する。
【００４３】
図２に戻って、カップ部６０は、回転支持板２１と上部回転板４１との外周端の間隙である口に臨んで開口したリング状の排気カップ６１が配設され、以下の排気構造を含む。排気カップ６１の底面６２には、円筒状の仕切り部材６３が立設されていて、この仕切り部材６３と排気カップ６１の内周壁６１ａとによって、また、仕切り部材６３と排気カップ６１の外周壁６１ｂとによって、各々平面視で略ドーナツ形状の第１の排液槽６４ａ、第２の排液槽６４ｂが形成されている。それぞれの第１の排液槽６４ａ、第２の排液槽６４ｂはその空間が排液と排気を兼ねる。
【００４４】
次に図６と図７を参照して更に詳細に説明する。図６は排気カップ６１の平面図、図７は排気カップ６１の一部断面側面図である。第１の排液槽６４ａの底面には廃棄ドレインに連通接続された第１の排液口６５ａが設けらている。この第１の排液口６５ａの基板Ｗ回転方向Ｆの下流側には第１の排気口６６ａが底面に設けられおり排気部に連通接続される。この第１の排気口６６ａの上方を覆うように第１のスカート部６７ａが配設される。
【００４５】
第１のスカート部６７ａは、排気カップ６１の内周壁６１ａと仕切り部材６３との間に渡って配設され、第１の排気口６６ａの上方から基板回転方向Ｆの下流側に向かって下方へ傾斜し、その下端が次の第１の排液口６５１ａが開口される底面の上流側に連接して配設される。すなわち、第１のスカート部６７ａは第１の排液槽６４ａの形状に沿って円弧を描くように湾曲され、基板回転方向Ｆに沿って上流側から下流側へ向かって下方へ傾斜している。
【００４６】
このような第１のスカート部６７ａは、第１の排液槽６４ａの全周において、円周方向に４個（６７ａ、６７１ａ、６７２ａ、６７３ａ）配置され、それに応じて第１の排液口６５ａと、第１の排気口６６ａが同じ位置配置で構成される。以上の構成により、基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、回転支持板２１が基板回転方向Ｆに旋回して、各第１のスカート部６７ａに案内されて旋回流として第１の排液槽６４ａの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１に底面でまず第１の排液口６５ａ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第１の排気口６６ａ から排気される。この時、第１の排気口６６ａの上方は第１のスカート部６７ａで覆われているので、落下してくる液体成分が直接、進入することはなく、気液混合流体は旋回されて、底部で良好に気液分離される。
【００４７】
第２の排液槽６４ｂは、第１の排液槽６４ａと同様の構成で、その全周において第２のスカート部６７ｂが円周方向に４個（６７ｂ、６７１ｂ、６７２ｂ、６７３ｂ）配置され、それに応じて第２の排液口６５ｂと、第２の排気口６６ｂが同じ位置配置で構成される。一方、第２の排液槽６４ｂは、第１の排液槽６４ａの外周に位置するので、その底面の形状が半径方向に大きくなる。そのため、第２の排気口６６ｂの上流側に第２の排液槽６４ｂ、６４ｃと２個配置することで、より液体成分の分離回収を確実な構成としている。以上の構成により、基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、各第２のスカート部６７ｂに案内されて旋回流として、排気カップ６１に底面でまず第２の排液口６５ｂ、６５ｃ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側の第２の排気口６６ｂ から排気される。
【００４８】
なお、図２では、図面が煩雑になることを避けるために、仕切り部材６３及び、後述する周囲案内部材６８（スプラッシュガード）は、断面形状のみを示している。第１、第２の排液槽６４ａ、６４ｂの上方には、回転支持板２１及びそれによって保持された基板Ｗの周縁の周囲を包囲するように、軸芯Ｊに対して略回転対称な形状を有する筒状の周囲案内部材６８が昇降自在に設けられている。周囲案内部材６８は、その外壁面で支持部材６８１を介して昇降機構６９に支持されている。この昇降機構６９は、図示しないモーターを駆動することにより昇降され、これに伴って周囲案内部材６８が回転支持板２１に対して昇降されるようになっている。そして、図８に示すように、この昇降制御は、制御部３００によって行われるように構成されている。
【００４９】
周囲案内部材６８は、軸芯Ｊに対して回転対称な形状を有する内壁面を有している。この内壁面には、傾斜面が形成され下端部には垂直部６８ａ、６８ｂが連なっている。各垂直部６８ａ、６８ｂは、その上端で連結されており、この連結部分には円周方向に、垂直部６８ａと垂直部６８ｂの間に円環状の溝６８ｃが形成されていている。この溝６８ｃが仕切り部材６３に嵌入されるとともに、垂直部６８ａが第１の排液槽６４ａ内に、垂直部６８ｂが、第２の排液槽６４ｂ内に嵌入されるように、周囲案内部材６８が配置されている。
【００５０】
この周囲案内部材６８は、回転支持板２１に保持された基板Ｗの高さ位置に、周囲案内部材６８が位置しているとき、すなわち、昇降機構６９で上昇されたとき、回転される基板Ｗから振り切られる洗浄液が傾斜面で受け止められ、垂直部６８ａに沿って第１の排液槽６４ａに導かれる。
【００５１】
一方、周囲案内部材３０の上方側の部位には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成されており、この外壁面が、基板Ｗの周縁が周囲案内部材６８の上方に位置する高さ位置に位置しているとき、すなわち、昇降機構６９で下降されたとき、回転される基板Ｗから降り注ぐ洗浄液が外壁面で受け止められ、第２の排液槽６４ｂに導かれることになる。
【００５２】
昇降機構６９は、ボールネジなどの周知の１軸方向駆動機構（図示せず）を備えていて、この１軸方向駆動機構で支持部材６８１を昇降させることで、周囲案内部材６８を昇降させるように構成している。また、周囲案内部材６８の各々の高さ位置に対応する昇降機構６９の高さ位置には、反射型の光センサ（いずれも図示せず）などで構成される昇降検出用のセンサが配設され、これらセンサからの検出信号に基づき、モーターが駆動制御され周囲案内部材６８が各高さ位置に位置させるように構成されている。
【００５３】
ユニットハウジング７０は、ベース部材７１上にカップ部６０を囲む大きさの枠体７２と、この枠体７２に基板搬入出口７３を形成される。この構成により、昇降駆動手段５２が昇降すると上部回転板４１が上昇し、同時に昇降駆動手段６４が昇降すると排気カップ６１が下降しする。それに伴い回転支持板２１が枠体７２の搬入口７３に臨むことにより装置２に基板Ｗを外部から搬入可能となる。
【００５４】
図８は、本装置の制御系の構成を示すブロック図であり、回転支持板２１を回転制御するためのモータ３３と、薬液供給源８１と純水供給源８２と気体供給源８５からの薬液、純水、気体の供給制御をするための開閉弁８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８８ａ、８８ｂ、８９ａと、上部回転板４１の昇降制御をするための昇降部５０と、液ノズル４３と補助遮蔽機構４５の旋回及び接離制御をするための接離機構４３０と、遮蔽板４５１を昇降制御するための昇降駆動手段４５４と、超音波洗浄ノズル２０３を旋回及び接離制御をするための接離機構２０１と、周囲案内部材６８を昇降制御するための昇降機構６９と、整流体４００を昇降制御するための昇降駆動機構４５０とを制御するための構成が示されている。
【００５５】
制御部３００には、周囲案内部材６８が各高さに位置したことを検出するセンサからの出力信号が与えられており、これらのセンサの出力に基づいて、制御部３００は昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を所望の高さに位置させるように制御している。そして、制御部３００には、基板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄プログラム（レシピーとも呼ばれれる）として予め制御部３００に格納されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が制御されている。なお、制御部３００には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するために用いる指示部３０１が接続されている。
【００５６】
次に、以上のような構成を有する装置の動作を図９（ａ）ないし図９（ｄ）を参照して説明する。図９（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、図９（ｂ）は洗浄処理の状態、図９（ｃ）は超音波洗浄の状態、図９（ｄ）は乾燥処理の状態を示している。なお、一例として、基板Ｗは表裏面をエッチングして洗浄する処理を施すことを目的としているものとして説明する。
【００５７】
処理工程の全体の流れについて以下に概説する。
まず、所定の基板Ｗに応じた洗浄プログラムを指示部３０１から選択して実行する。そうすると、制御部３００は基板Ｗが本実施例装置２に搬入されるとき、上部回転板４１と整流体４００および液ノズル４３は上方の退避位置にする。上部回転板４１と整流体４００が退避位置にある状態で、駆動ピン２３と押えピン４４は上下に分離されており、回転支持板２１上には駆動ピン２３だけがある。そして、昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を下降させて、回転支持板２１を周囲案内部材６８の上方に位置させる。こうして、上部回転板４１と回転支持板２１との間に、基板Ｗの搬入経路が確保される。基板搬入出口７３を介して基板搬送装置７で搬送されてきた基板Ｗは、駆動ピン２３によって受け持ち支持される。基板搬送装置７の搬送アーム６が処理装置２内に入り込み、駆動ピン２３の上に未処理の基板Ｗをおき、その後、処理装置２外に退避する。
【００５８】
続いて、基板Ｗの受け取りが終わると、図９（ａ）に示すように、制御部３００は、上部回転板４１と整流体４００を離間位置のままで、周囲案内部材６８を上昇し位置させて、回転支持板２１に保持された基板Ｗの周縁に対向する高さに周囲案内部材６８を位置させる。
【００５９】
次いで、この状態で、接離機構４３０を制御し、液ノズル４３を旋回し、開口部４１ａの上方から下降させ基板Ｗ表面上に配置する。液ノズル３４、４３のから薬液を基板Ｗの下面に供給して本発明の薬液処理過程を開始する。すなわち、開閉弁８３ａ、８８ａを開成することにより、液ノズル３４、４３から洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。なお、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４を伸縮して上方に位置させる。
【００６０】
さらに、制御部３００は、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、回転支持板２１が一体的に回転することになる。したがって、回転支持板２１に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で回転されることになる。これにより、基板Ｗの表裏面の中央に向けてエッチング液が至近距離から供給される。供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの表裏面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。
【００６１】
この薬液処理の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、周囲案内部材６８に案内されて排気カップ６１の第１の排液槽６４ａで受け止められることになる。この、薬液処理の開始と同時に、第１の排液口６５ａに連通する装置外の排気手段が作動して排気カップ部６１が排気される。基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、この第１の排液槽６４ａの全周において、第１のスカート部６７ａ （６７１ａ、６７２ａ、６７３ａ）に案内されて旋回流として第１の排液槽６４ａの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１の底面でまず第１の排液口６５ａ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第１の排気口６６ａ から排気され良好に気液分離される。また、この時、上部回転板４１と遮蔽板４５１が基板Ｗより離間しているので、薬液が飛散して上部回転板４１と遮蔽板４５１に付着することを防止する。
【００６２】
なお、薬液供給源８１から基板Ｗに供給されるエッチング液としては、たとえば、ＨＦ、ＢＨＦ（希フッ酸）、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２（フッ酸過水）、Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２（リン酸過水）、Ｈ２ＳＯ４＋ Ｈ２Ｏ２（硫酸過水）、ＨＣｌ＋ Ｈ２Ｏ２（アンモニア過水）、Ｈ３ＰＯ４＋ＣＨ３ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ３、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やクエン酸系の有機酸、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）やコリンなどの有機アルカリを例示することができる。
【００６３】
また、基板Ｗから飛散され排気カップ６１に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することになる。しかしながら、この装置では、回転支持板２１近傍に浮遊するミストがケーシング３７との間を筒軸３１へ移動したとしても、シール部９０により、そのミストが駆動部３０に侵入することが防止される。
【００６４】
さらに、上部回転板４１と整流体４００が上方に退避しているので、基板Ｗから飛散され廃液の付着を好適に抑制することができる。すなわち、上部回転板４１と整流体４００は薬液による汚染を抑制されるので、続けて異なる処理を行う場合にも、上部回転板４１と整流体４００の汚れによって基板Ｗの処理が影響を受けることがない。
【００６５】
所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液ノズル３４、４３からのエッチング液の供給を停止する。続いて、制御部３００は昇降部５０を制御して、図９（ｂ）に示すように上部回転板４１を下降させると、同時に昇降駆動機構４５０を制御して整流体４００を下降させる。これにより、退避位置にあった上部回転板４１が処理位置にまで下降移動することにより、上部回転板４１の押えピン４４が回転支持板２１の駆動ピン２３に嵌合連結される。また整流体４００は突起２１１が凹部突起４３０に嵌合することで回転支持板２１に一体的に支持される。この状態で開閉弁８３ａを閉成して薬液処理過程を終了するとともに、開閉弁８３ｂ、８８ｂを開成する。
【００６６】
これにより、液ノズル３４、４３からは、洗浄液として純水が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給されることになる。よって、純水を基板Ｗの上下両面に供給して基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い落とす洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基板Ｗの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。
【００６７】
さらに、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、筒軸３１に固定されている回転支持板２１が中心を通る鉛直軸芯まわりに回転することになる。回転支持板２１の回転力は駆動ピン２３を介して基板Ｗに伝達されて、基板Ｗが回転支持板２１とともに回転する。さらに、回転支持板２１の回転力は押えピン４４を介して上部回転板４１に伝達され、上部回転板４１も回転支持板２１とともに回転する。整流体４００は、回転支持板２１に支持された基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成する。すなわち非円形の基板Ｗは整流体４００により擬似的に円形とされ、基板Ｗの表裏面を回転により流れる純水は、基板Ｗの全面において均一な状態を維持できる。
【００６８】
さらに、制御部３００は、昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を下降し位置させて、回転支持板２１に保持された基板Ｗを周囲案内部材６８より上方に位置させる。このとき、基板Ｗ上面に供給される洗浄液は、基板Ｗの回転により振り切られ、基板Ｗ周縁より流出し、周囲案内部材６８の上面に降り注ぐ。この降り注ぐ純水は、上面に沿って流下し第２の排液槽６４ｂに導かれ、第２の排液口６５ｂから排液され、廃棄ドレインを経て廃棄されることになる。
【００６９】
この、洗浄処理の開始と同時に、第２の排液口６５ｂに連通する装置外の排気手段が作動して排気カップ部６１が排気される。基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、この第２の排液槽６４ｂの全周において、第２のスカート部６７ｂに案内されて旋回流として第２の排液槽６４ｂの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１の底面でまず第２の排液口６５ｂ、６５ｃ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第２の排気口６６ｂ から排気され良好に気液分離される。
【００７０】
さらに、この洗浄処理過程の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液（薬液が混ざった純水）の一部はミストとなって浮遊するが、基板Ｗの上面に配置された上部回転板４１により、処理空間Ｓが塞がれているので、上部回転板４１と回転支持板２１の円環状の狭い隙間から気体が流出し、さらに、排気カップ６１の第２のスカート部６７ｂによって旋回されるので一層、流下して第２の排気口６６ｂに流れる気体の流速は比較的速くなり、回転支持板２１の下方空間で気体の対流が起き難くなる。従って、洗浄液のミストが基板Ｗに再付着することを抑制することができる。
【００７１】
洗浄処理の時間が経過すると回転支持板２１の回転を停止し、図９（ｃ）に示すように、制御部３００は、接離機構４３０を制御して、液ノズル４３と遮蔽板４５１を待機位置に位置させる。そして、超音波洗浄機構２００の接離機構２０１を制御して保持片２０２ａを開口４１ａの範囲に位置するように支持アーム２０２を旋回する。次に、支持アーム２０２を下降して、保持片２０２ａを処理空間Ｓ内に進入させる。保持片２０２ａが上部回転板４１と基板Ｗとの間隙に位置すると、支持アーム２０２の下降を停止する。
【００７２】
次に、制御部３００は、２個の超音波洗浄ノズル２０３、２０３から洗浄液を吐出しながら支持アームを基板Ｗの半径間を往復移動する。所定回数、往復移動を行った後、超音波洗浄ノズル２０３、２０３からの洗浄液の吐出を停止して、支持アーム２０２を保持片２０２ａが開口４１ａの中央付近まで移動させる。そして、接離機構２０１により支持アーム２０２を上昇させ、上部回転板４１より上部に位置してから、待機位置へ旋回させる。
【００７３】
この時、整流体４００は基板並列位置のままで、上部回転板４１は退避位置に上昇される。こうすることで、上部回転板４１が超音波洗浄ノズル２０３、２０３の旋回の際に当接することを防止される。また、整流体４００を配置したまま超音波洗浄を行うことで以下のような効果がある。すなわち、基板Ｗの周縁端部を洗浄するのに、一部が基板Ｗ周縁から逸脱して洗浄が行われる。こうすると基板Ｗの周縁には超音波洗浄がバランスを崩して行われ、その結果、処理が不均一になる。そこで、基板Ｗの並列位置に整流体４００があることで、基板Ｗの周縁端部を洗浄する際には、基板Ｗの周縁端部と整流体４００に渡って超音波洗浄を行う。こうすることで、超音波洗浄は常に同一高さ面に対して作用することで、バランスが保たれて均一な処理が行える。また、整流体４００があることで、不必要に処理液が基板Ｗの裏面に回り込むことも防止される。すなわち、この超音波洗浄機構２００による洗浄を行う間、基板Ｗの上面に均一的に超音波洗浄が行われる。
【００７４】
洗浄液の供給が停止された後は、上部回転板４１が下降され回転支持板２１に載置される。そして、回転支持板２１が高速回転駆動されることにより、基板Ｗに付着した洗浄液が振り切られる。この乾燥工程の際、図９（ｄ）に示すように、制御部３００は接離機構４３０を制御して液ノズル４３と遮蔽板４５１を上部回転板４１の開口４１ａに対向する位置まで旋回させる。そして、昇降駆動手段４５４を伸長させて、遮蔽板４５１を基板Ｗに近接するまで下降する。
【００７５】
続いて、開閉弁８４ａ、８９ａを開成し、気体供給路３５、４３３から基板Ｗの上下面に窒素ガスを供給させる。これにより、処理空間Ｓの空気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理後の基板Ｗの上下面に不所望な酸化膜が成長することはない。この時、整流体４００が基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成するので、気流が整流されて速やかに処理空間Ｓから排出される。基板Ｗから振り切られた洗浄液のミストはエアーの流れに乗って処理空間Ｓ内を半径方向外側に流動し、回転支持板２１と上部回転板４１及び遮蔽板４５１の間隙から排出される。そして、排出された洗浄液のミストを含むエアーは排気カップ部６１および排気管６２、６２を介して装置２外へ排出される
【００７６】
また、回転支持板２１と上部回転板４１との間隙（処理空間Ｓ）は外周端側で絞られて、その上下の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせて、回転支持板２１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も流量調整弁８６ａによって調整され、また、上部回転板４１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである上側空間内へ吸入されるエアーの量は流路抵抗部材４２によって規制される。
【００７７】
乾燥工程の終了後には、モータ３３の回転を停止させ、さらに、上部回転板４１、整流体４００および液ノズル４３と遮蔽板４５１が退避位置に戻されて、基板搬送装置７によって処理済の基板Ｗが装置外へ搬出される。以下、上述したと同様に未処理の基板Ｗが搬入されて処理が繰り返し行われる。
【００７８】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、ガラス基板などの非円形の基板Ｗを上下の回転板で処理空間の雰囲気制御を行いながら水平面内で回転させて、基板Ｗの表裏面に処理を施す装置である。整流体は基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して表面高さが等しく基板並列位置と、基板並列位置から離間する状態とに切り換え制御される。よって、処理液が薬液のような場合、整流体を基板並列位置から離間して、基板のみで処理が行われる。また、処理液が洗浄液のような場合、整流体は下降されて基板並列位置に位置されて処理が行われる。その結果、薬液処理時には整流体は薬液が付着せず、洗浄処理時は整流体も洗浄されるように最適な処理形態で実施される。
【００７９】
本発明は上述した実施例に限らず次のように変形実施することができる。
（１）処理ノズルは超音波洗浄ノズルに限らず、ジェットノズルやミストノズルや他のノズル形態のものを適用してもよい。
【００８０】
（２）さらに、上記実施例では、エッチング液による薬液処理を例に説明したが、剥離液を用いた処理に適用してもよい。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、この基板処理装置は、非円形の基板に対して整流体を並列位置に配置する状態と配置しない状態に切り換え制御される。よって、基板処理が最適な処理形態で実施される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概略構成を示した斜視図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示した縦断面図である。
【図３】回転支持板上部の構成を説明する分解斜視図である。
【図４】回転支持板側部の構成を説明する要部拡大図である。
【図５】上部遮蔽機構とその周辺の構成を示す概略平面図である。
【図６】排気カップの構成を示す平面図である。
【図７】排気カップの構成を示す一部断面側面図である。
【図８】本装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図９】図９は基板Ｗの処理状態を説明する図で、（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、（ｂ）は洗浄処理の状態、（ｃ）は超音波洗浄の状態、（ｄ）は乾燥処理の状態を示している説明図である。
【符号の説明】
Ｗ  基板
Ｓ  処理空間
２  基板処理装置
２０  回転支持部
３０  駆動部
４０  上部遮蔽部
６０  カップ部
６１  排気カップ
２１  回転支持板
４１  上部回転板
４００  整流体
４５０  昇降駆動機構
４５１  係合部
５２  昇降駆動手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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