(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板の上に、ダイヤフラム形成材を配置する工程と、
前記ダイヤフラム形成材を貫通するとともにその下の単結晶シリコン基板に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチを、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設する工程と、
前記エッチング液注入用トレンチを通した異方性エッチング液の注入により前記単結晶シリコン基板をエッチングして、側壁を、最も広い部位から深さ方向において上下方向に向かうほど幅が狭くなる（１１１）面にて構成した空洞を形成する工程と、
前記ダイヤフラム形成材の貫通孔を封止部材にて塞ぐ工程と、
を備えたことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板の表層部に、第１の導電型の不純物拡散領域と第２の導電型の不純物拡散領域とからなる二重拡散領域を形成し、二重拡散領域での上側の不純物拡散領域を貫通し、かつ、その下に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチを形成し、二重拡散領域の第１の導電型の不純物拡散領域と第２の導電型の不純物拡散領域との間に電位差を生じさせた状態で異方性エッチングを行いＰＮ接合界面でエッチングをストップさせるようにした請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項３】
基板の上に埋込酸化膜を介して配置したシリコン基板に対しエッチング液注入用トレンチを形成し、異方性エッチングを行い埋込酸化膜でエッチングをストップさせるようにした請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項４】
シリコン基板の上に埋込酸化膜を介してシリコン基板を貼合わせた貼合基板における上側のシリコン基板および埋込酸化膜を貫通し、下側のシリコン基板に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチを形成し、下側のシリコン基板に対し異方性エッチングを行い埋込酸化膜でエッチングをストップさせるようにした請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体圧力センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体センサチップの小型化、高精度化に伴い、センシング部であるダイヤフラムの小型・薄肉化、高精度化が進んでいる。出願人は、特願平９−２９５６７８号において基準圧力室を内蔵した小型・薄肉ダイヤフラムを有するセンサの製造方法を提案している。その製造方法は、シリコン基板の表面にＸ字状または十字状に配列した微小穴からのシリコン異方性エッチングを行い、基準圧力室となる空洞部を形成し、その後、微小穴を真空封止してセンシング部とするものである。
【０００３】
より詳しくは、図２４に示すように、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板５０の上にマスク材５１を配置し、マスク材５１に形成した多数の透孔５２を通して露出したシリコン基板５０に対し異方性エッチングを行い、空洞５３を形成する。このときのシリコン異方性エッチングは、次のように進む。
【０００４】
まず、マスク材５１の透孔５２から露出したシリコン基板５０がエッチングされて図２４において実線で示す断面Ｖ字状の空洞５４が形成され、その後、空洞５４の側壁でのポイントＰ１０はエッチングの進行により一点鎖線で示すようにＰ１１に移動し、断面Ｖ字状の空洞５５が形成される。そして、隣り合うＶ字状の空洞５５における端部同士が重なり、この重なり部Ｐ２０から下方向にエッチングが進行し、最終的に（１１１）面でストップして断面がＶ字状かつ平面が方形の空洞５３が形成される。
【０００５】
このようにポイントＰ１０からＰ１１に向かう（３１１）面の角落ち工程と、ポイントＰ２０から下方向に向かう（３１１）面の角落ち工程とを有する。
この製造方法において、隣り合うＶ字状の空洞５５における端部同士が重なり両者が連通する必要があり、そのため、隣接する透孔５２の間隔Ｗも非常に狭くする必要があった。そして、この透孔５２は封止されるわけであるが、真空封止する材料としてはシリコン以外の材料を用いるので、センシング部であるダイヤフラムには複雑な応力分布が発生することとなり、封止形状による不安定要素を持つこととなる。これによりセンサとしての圧力特性も不安定となりやすい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この発明の目的は、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に並設されるエッチング液注入口の間隔を広くして封止部材による応力の不安定性を回避することができる半導体圧力センサの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法によれば、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板の上に、ダイヤフラム形成材が配置される。そして、ダイヤフラム形成材を貫通するとともにその下の単結晶シリコン基板に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチが、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設される。さらに、エッチング液注入用トレンチを通した異方性エッチング液の注入により単結晶シリコン基板がエッチングされて、側壁を、最も広い部位から深さ方向において上下方向に向かうほど幅が狭くなる（１１１）面にて構成した空洞が形成される。最後に、ダイヤフラム形成材の貫通孔が封止部材にて塞がれる。
【０００８】
この製造の際のシリコンエッチングに関するメカニズムを、図２４に代わる図２３を用いて説明する。
シリコン基板５０の上にマスク材５１を配置し、マスク材５１に形成した透孔５２の下のシリコン基板５０にトレンチ５６を形成し、トレンチ５６を通した異方性エッチングを行うと、実線で示すトレンチ５６の側壁でのポイントＰ１はエッチングの進行により一点鎖線で示すようにＰ２に移動し、断面形状として菱形の空洞５５となる。そして、隣り合う菱形の空洞５５の先端部同士が重なり、この重なり部Ｐ３からから上下方向にエッチングが進み、断面が菱形で、かつ、平面が方形の空洞５３が形成される。
【０００９】
ここで、トレンチ５６の深さを「Ｄ」、透孔５２およびトレンチ５６の間隔を「Ｗ」、透孔５２およびトレンチ５６の幅を「ａ」とするときの関係としては、
Ｗ＝ａ＋２Ｄ
を満足させると、図２３のように空洞５５の先端部同士を連通させることができることとなる。
【００１０】
つまり、トレンチ５６の深さであるＤ値を大きくすれば透孔およびトレンチの間隔Ｗを大きくすることができる。よって、図２４の比較例ではａ値が一定ならばＷ値も一義的に決まってしまうが、図２３の本方式ではａ値が一定であるときにもトレンチ深さＤを大きくすることによりＷ値を大きくすることができる。
【００１１】
このようにセンシング部となるダイヤフラムの製造方法として、図２４の製造方法に対しトレンチエッチング工程を追加した図２３の製造方法を採用することにより、隣接する透孔の間隔を拡大可能となり、透孔の封止部位数を削減することができる。その結果、応力の加わりにくい構造とすることができ、圧力特性の高精度化を達成できる。
【００１２】
以上のように、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に並設されるエッチング液注入口の間隔を広くして封止部材による応力の不安定性を回避することができることとなる。
【００１３】
ここで、請求項２に記載のように、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板の表層部に、第１の導電型の不純物拡散領域と第２の導電型の不純物拡散領域とからなる二重拡散領域を形成し、二重拡散領域での上側の不純物拡散領域を貫通し、かつ、その下に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチを形成し、二重拡散領域の第１の導電型の不純物拡散領域と第２の導電型の不純物拡散領域との間に電位差を生じさせた状態で異方性エッチングを行いＰＮ接合界面でエッチングをストップさせるようにしたり、
請求項３に記載のように、基板の上に埋込酸化膜を介して配置したシリコン基板に対しエッチング液注入用トレンチを形成し、異方性エッチングを行い埋込酸化膜でエッチングをストップさせるようにしたり、
あるいは、請求項４に記載のように、シリコン基板の上に埋込酸化膜を介してシリコン基板を貼合わせた貼合基板における上側のシリコン基板および埋込酸化膜を貫通し、下側のシリコン基板に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチを形成し、下側のシリコン基板に対し異方性エッチングを行い埋込酸化膜でエッチングをストップさせるようにする。
といったようにすると、実用上好ましいものとなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態における半導体圧力センサを示すものであり、上側には平面を、下側にはそのＡ−Ａ断面を示す。より詳しくは、ウエハ状態から各チップにダイシングを行った後の状態を示す。なお、上側の平面図は、説明を分かりやすくするためにＡ−Ａ断面図でのトレンチエッチングマスク６および封止部材１０を削除した状態で示す。
【００１５】
シリコン基板１の上には、埋込酸化膜（貼合わせ酸化膜）２を介してＮ型シリコン基板３が貼り合わされている。このシリコン基板３は厚さが１５μｍ程度に薄膜化され、ＳＯＩ層を構成している。シリコン基板３として、表面の面方位が（１００）面のシリコン基板を用いている。ＳＯＩ層３の中央部において、表層部には深いＰウエル領域４と浅いＮウエル領域５との二重拡散領域が形成されている。この二重拡散領域４，５の平面形状は四角形状をなしている。
【００１６】
ＳＯＩ層３の上にはトレンチエッチングマスク６が形成され、トレンチエッチングマスク６は多数の透孔８を有する。ＳＯＩ層３におけるＮウエル領域５には透孔８と同形同寸法の貫通孔９が形成されている。ＳＯＩ層３におけるＮウエル領域５と埋込酸化膜２との間には、空洞７が形成されている。この空洞７は前述の透孔８および貫通孔９を通してエッチング液を導入することによりシリコンの異方性エッチングにより形成したものであり、より詳しくはＰウエル領域４とＮウエル領域５との界面でエッチングを停止する、いわゆる電気化学的なストップエッチングにて形成したものである。透孔８および貫通孔９の１箇の形状としては、四角形状をなし、各透孔８および貫通孔９の全体の配置としては、単結晶シリコン基板３の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設されている。
【００１７】
空洞７は、平面形状として四角形状をなし、縦断面形状としては、深さ方向における所定位置が最も幅が広く、その上側と下側は徐々に狭くなっている。このように、空洞７は、その上面がＰＮ界面部で形成され、下面が埋込酸化膜２で形成され、側壁７ａが「く」の字状になっている。
【００１８】
空洞７の上のＮウエル領域５にてダイヤフラム１１が形成されている。また、透孔８および貫通孔９は封止部材１０にて塞がれ、空洞７の内部は真空となっている。このようにして、空洞７の内部が真空室となり、絶対圧センサにおける基準圧力室となっている。
【００１９】
ダイヤフラム１１を構成するＮウエル領域５には、ゲージ抵抗としての４つのＰ型不純物拡散領域（ピエゾ抵抗素子）１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが形成されている。この４つのゲージ抵抗１２ａ〜１２ｄにてホイートストーンブリッジが構成されている。
【００２０】
図１に示すセンサチップにおいて、ダイヤフラム１１よりも外周側には集積回路部１３が形成され、集積回路部１３において前記ホイートストーンブリッジの出力信号の増幅等が行われる。また、センサチップの周辺部には多数のボンディングパッド１４が設けられ、このパッド１４により所定の電位の印加や信号の取り出し等が行われる。
【００２１】
次に、このように構成した半導体圧力センサの製造方法を、図２〜図６を用いて説明する。
図２に示すように、シリコン基板１の上に、埋込酸化膜（貼合わせ酸化膜）２を介して表面の面方位が（１００）面のＮ型単結晶シリコン基板３を貼り合わせる。さらに、シリコン基板３を研磨等により１５μｍ程度に薄膜化する。このＳＯＩウエハのＳＯＩ層３に対し、Ｐウエル領域４とＮウエル領域５との二重拡散領域を形成する。Ｐウエル領域４とＮウエル領域５は、一般的な半導体製造方法であるホトリソグラフィー、イオン打ち込み、拡散等を用いて形成する。
【００２２】
そして、ＳＯＩウエハのＳＯＩ層３に対し、ゲージ抵抗１２ａ〜１２ｄおよび集積回路部１３（図１参照）を一般的な半導体製造方法にて形成する
引き続き、図３に示すように、ＳＯＩ層３の上にトレンチエッチングマスク６を成膜する。このマスク材６はトレンチエッチング（シリコンのドライエッチング）時にマスクと成り得る材料、例えばＳｉＮ系膜やＳｉＯ2 系膜を用いる。さらに、この膜６に対し、図７に示すように、パターニングを行い、四角形状の透孔８をＸ字状（あるいは十字状）に並べる。つまり、透孔８を、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設する。
【００２３】
さらに、図４に示すように、ＳＯＩ層３に対しトレンチエッチングを行い、埋込酸化膜２に達するトレンチ９を形成する。エッチング方法は一般的なシリコンのドライエッチングを用いる。例えば、図８にて実線で示すように基板表面に対し側壁の角度がほぼ垂直となるＲＩＥ（reactive ion etching）を用いる。
【００２４】
なお、図８にて一点鎖で示すように、トレンチ側壁が順テーパとなるエッチング等を行ってもよい。また、トレンチ９は必ずしも埋込酸化膜２まで到達させなくてもよい。
【００２５】
そして、図５に示すように、ウェットエッチング液に浸漬して透孔８およびトレンチ９を通してＳＯＩ層３をエッチングし、空洞７を形成する。このエッチングを行うに際し、電気化学的なストップエッチングを用いる。つまり、Ｎウエル領域５にプラスの電位を与えておき、Ｐウエル領域４に任意の電位を与える（もしくはフローティングとしておく）。これにより、ＰＮ接合部近傍までエッチングが進むと、陽極酸化膜が生成し出し、エッチングがストップする。この電気化学的なストップエッチングを用いてＮウエル領域５の界面近傍でエッチングがストップし、これにより、Ｎウエル領域５よりなるダイヤフラム１１が形成される。
【００２６】
ここで、Ｎウエル領域５の界面近傍と記述したのは、前記電気化学的なストップエッチングによる方法では、Ｎウエル領域５とＰウエル領域４のＰＮ接合部で両ウエル領域４，５にそれぞれ空乏層が拡がりエッチングストップさせるため、Ｐウエル領域４の空乏層が拡がった部分が残るからである。残り量はウエル濃度や電圧印加条件によって異なるが、０．２〜０．３μｍ程度である。
【００２７】
空洞７の側壁７ａについてはシリコンの異方性エッチング特性により（１１１）面でストップして、「く」の字状に形成される。また、空洞７の底面は埋込酸化膜２があるので、酸化膜２でエッチングがストップして形成される。
【００２８】
エッチング液は前記マスク材６との選択性を持つアルカリ系エッチング液を用いる。具体的には、例えばＫＯＨを用いたり、あるいは、表面回路や製造装置の汚染を懸念する場合はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等を用いる。
【００２９】
引き続き、図６に示すように、封止部材１０となる膜を成膜して透孔８および貫通孔（トレンチ）９を塞ぎ、空洞７を真空封止して基準圧力室とする。具体的には、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法等を用いて成膜し、パターンニングを施す。このようにして、図１に示すセンサが製造される。
【００３０】
次に、図９，１０に示す本実施形態での製造方法と、図１１，１２に示す比較例での製造方法とを比較して、本実施形態の優位性について述べる。ここで、図９，１０の図面スケールと図１１，１２の図面スケールは等しくなっている。
【００３１】
比較例である図１１においてＳＯＩ層（貼り合わせ基板）３の上にパターン化したマスク６を配置し、図１２に示すようにＳＯＩ層３をエッチングする。このとき、マスク６での透孔８の間隔Ｗは所定の値とする。この場合には、（１１１）面よりなる逆四角錐１７が形成された状態でエッチングが停止してしまう。即ち、透孔８の間隔Ｗについては、単純にマスクパターン（本実施形態ではダイヤフラムのＮウエル領域５がエッチングマスクを兼ねる）のみの場合は角形の透孔８の角にて形成される菱形での対角線の長さａ’よりもＷ値が小さくないと、隣接する逆四角錐１７がつながらずエッチングが進行しない。
【００３２】
これに対し、図９においてＳＯＩ層３の上にパターン化したマスク６を配置し、ＳＯＩ層３に対しドライエッチングを行ってトレンチ９を形成する。このとき、マスク６での透孔８の間隔Ｗは、図１２の場合と等しい値とする。この状態から、図１０に示すようにシリコンの異方性エッチングを行う。このエッチングの進行に伴い断面形状として菱形の空洞１６が形成され、隣接する菱形の空洞１６同士が所定の深さにおいて先端面同士が連通する（繋がる）。以後、エッチングが継続して行われ、基準圧力室となる空洞７を形成することができる。
【００３３】
この場合、図９のトレンチ９の深さ、トレンチ９の径および間隔について言及すると、トレンチ９の径を「ａ」とし、トレンチ９の間隔（ピッチ）を「Ｗ」とし、トレンチ９の深さを「Ｄ」とすると、
Ｗ＝ａ＋２Ｄ
を満足させると、図１０のように、菱形の空洞１６の先端部同士を連通させることができることとなる。例えば、Ｄ＝１０μｍとし、ａ＝５μｍならば、Ｗ＝２５μｍとすればよい。
【００３４】
換言すれば、図１３に示す本方式と図１４に示す比較例から分かるように、シリコンエッチングの初期において図１２の逆四角錐１７同士が連通する、また、図１０の空洞１６同士が連通するようにマスク６の透孔８の位置を決めると、比較例では透孔８のピッチＷを狭くする必要があり、同じ面積の基準圧力室を製作するための透孔８の個数は多くなってしまう。これに対し、本実施形態のように図９のトレンチ形成工程を追加することにより、同じ面積の基準圧力室を製作するためのマスク６の透孔８の個数を少なくできる。
【００３５】
また、トレンチ加工を埋込酸化膜２まで到達させたことでトレンチの間隔をより広くすることができ、そして、図１０の如く空洞１６の先端部同士が連通した後において、図１３に示すように、（３１１）面の角落ちが進み、最終的にはエッチングストップして前述した空洞（基準圧力室）７が形成される。
【００３６】
このように半導体圧力センサを製造すれば、隣接する透孔８の間隔を広く取ることが可能となり、課題であったセンシング特性に悪影響を及ぼす封止部材１０を削減できる。その結果、封止形状の不安定要素も減少してセンシング特性をより向上させることが可能となる。
【００３７】
このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。
（イ）図２に示すように、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板としてのＰウエル領域４の上に、ダイヤフラム形成材としてのＮウエル領域５を配置し、図４に示すように、Ｎウエル領域５を貫通するとともにその下のＰウエル領域４に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチ９を、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設する。そして、図５に示すように、エッチング液注入用トレンチ９を通した異方性エッチング液の注入により単結晶シリコン基板３をエッチングして、側壁７ａを、最も広い部位から深さ方向において上下方向に向かうほど幅が狭くなる（１１１）面にて構成した空洞７を形成し、図６に示すように、ダイヤフラム形成材の貫通孔９を封止部材１０で塞ぐようにした。よって、トレンチの間隔を広くでき、封止部材１０の設置箇所も少なくでき、応力の加わりにくい構造とすることができる。その結果、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に並設されるエッチング液注入口の間隔を広くして封止部材１０による応力の不安定性を回避することができることとなる。
（ロ）より具体的には、図２に示すように、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板３の表層部に、Ｐ型の不純物拡散領域４とＮ型の不純物拡散領域５とからなる二重拡散領域を形成し、図４に示すように、二重拡散領域での上側のＮ型不純物拡散領域５を貫通し、かつ、その下に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチ９を形成し、図５に示すように、Ｐ型の不純物拡散領域４とＮ型の不純物拡散領域５との間に電位差を生じさせた状態で異方性エッチングを行いＰＮ接合界面でエッチングをストップさせるようにしたので、実用上好ましいものとなる。
（ハ）また、図４に示すように、基板１の上に埋込酸化膜２を介して配置したシリコン基板３に対しエッチング液注入用トレンチ９を形成し、図５に示すように、異方性エッチングを行い埋込酸化膜２でエッチングをストップさせるようにしたので、実用上好ましいものとなる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３８】
図１５〜図２２には、本実施形態における半導体圧力センサの製造工程を示す。
本例では、図２２に示すように、貼り合わせ基板におけるシリコン基板１に空洞（基準圧力室）２４が形成されるとともに、その上のシリコン層３にてダイヤフラムが形成されている。また、空洞（基準圧力室）２４を形成するためのエッチングの際に、電気化学的なストップエッチングは用いずに、時間管理的なエッチングにて一定時間エッチングする。このとき、ダイヤフラムのエッチングマスクとして埋込酸化膜（貼合わせ酸化膜）２を用いている。
【００３９】
以下、詳しく説明する。
まず、図１５に示すように、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板１の上に酸化膜２を介してシリコン基板３を接合し、シリコン基板３を研削・研磨して薄膜化する。そして、この貼り合わせ基板（ＳＯＩ基板）のＳＯＩ層３にゲージ抵抗１２ａ〜１２ｄおよび集積回路部１３を形成し、図１６に示すように、マスク材６をデポするとともにパターニングを行う。そして、図１７に示すように、ＳＯＩ層３のトレンチエッチングを行い、埋込酸化膜２に達するトレンチ２０を形成し、図１８に示すように、トレンチ２０の側壁に酸化膜２１を形成する。さらに、図１９に示すように、トレンチ２０の底面の埋込酸化膜２をエッチング除去して透孔２２を形成する。
【００４０】
そして、図２０に示すように、シリコン基板１のトレンチエッチングを行い、所定の深さのトレンチ２３を形成する。トレンチ２３は、単結晶シリコン基板の＜１１０＞方向または＜１００＞方向に所定の間隔をおいて並設される。そして、図２１に示すように、シリコン基板１に対し異方性エッチングを行い空洞２４を形成する。この時、時間管理にてエッチングを終了させる。この際、トレンチ２０の側壁は酸化膜２１にてエッチング液から保護される。最後に、図２２に示すように、透孔８，２２とトレンチ２０を封止部材２５で塞ぐ。
【００４１】
このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。
（イ）図２０に示すように、シリコン基板１の上に埋込酸化膜２を介してシリコン基板３を貼合わせた貼合基板における上側のシリコン基板３および埋込酸化膜２を貫通し、下側のシリコン基板１に所定の深さに達するエッチング液注入用トレンチ（２０，２２，２３）を形成し、下側のシリコン基板１に対し異方性エッチングを行い埋込酸化膜２でエッチングをストップさせるようにしたので、実用上好ましいものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態における半導体圧力センサを示す図。
【図２】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図３】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図４】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図５】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図６】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図７】  マスクパターンを示す平面図。
【図８】  半導体圧力センサを製造工程を説明するための断面図。
【図９】  製造工程を説明するための断面図。
【図１０】  製造工程を説明するための説明図。
【図１１】  比較例での製造工程を説明するための断面図。
【図１２】  比較例での製造工程を説明するための説明図。
【図１３】  製造工程を説明するための説明図。
【図１４】  比較例での製造工程を説明するための説明図。
【図１５】  第２の実施形態での半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図１６】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図１７】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図１８】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図１９】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図２０】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図２１】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図２２】  半導体圧力センサの製造工程を説明するための断面図。
【図２３】  本発明のプロセス説明のための平面および断面を示す図。
【図２４】  先行技術のプロセス説明のための平面および断面を示す図。
【符号の説明】
１…シリコン基板、２…埋込酸化膜、３…ＳＯＩ層、４…Ｐウエル領域、５…Ｎウエル領域、７…空洞、７ａ…側壁、９…貫通孔、１０…封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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