(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性層を挟んで積層される第１の強磁性層及び第２の強磁性層を含んでおり、規則系の反強磁性層と前記第２の強磁性層との交換結合によるバイアス磁界により該第２の強磁性層を磁化固定する磁気抵抗効果センサの製造方法であって、前記反強磁性層を所望の膜厚より厚くなるように形成し、該形成した反強磁性層を規則化熱処理し、その後、該反強磁性層を所望の膜厚となるように薄膜化加工することを特徴とする磁気抵抗効果センサの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜化加工が、前記反強磁性層を加工前より５ｎｍ以上薄くなるように加工するものであることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則結晶構造を有するＭｎ含有化合物を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
規則化熱処理後の前記反強磁性層を、（１１１）結晶配向面に沿って配向させることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記反強磁性層として、ＰｔＭｎを用いたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記反強磁性層として、ＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いたことを特徴とする請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記反強磁性層として、ＮｉＭｎを用いたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記反強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用いたことを特徴とする請求項８又は９に記載の製造方法。
【請求項１１】
磁気情報の再生に用いる磁気抵抗効果センサを、請求項１から１０のいずれか１項に記載の製造方法によって形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した磁気抵抗効果（ＭＲ）センサの製造方法、及びこのＭＲセンサを備えており例えばハードディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＨＤＤの高密度化に伴って高感度及び高出力の磁気ヘッドが要求されており、このような要求に答えるものとして、ＧＭＲを呈するセンサの１つであるスピンバルブを利用したＭＲセンサを備えた薄膜磁気ヘッドが提案されている。スピンバルブは、２つの強磁性層を非磁性金属層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、その一方の強磁性層に反強磁性層を積層することによってその界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の強磁性層（ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層）に印加するようにしたものである。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方の強磁性層（フリー（ｆｒｅｅ）層）とでは磁化反転する磁界が異なるので、非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性層の磁化の向きが平行、反平行と変化し、これにより電気抵抗率が大きく変化するのでＧＭＲが得られる。
【０００３】
スピンバルブＭＲセンサの出力特性等は、非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性層（ピンド層及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー層の磁化方向は磁気記録媒体からの漏洩磁界の方向に容易に向く。一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層との交換結合により一方向（ピンニングされる方向、ピンド方向）に制御される。
【０００４】
規則系の反強磁性材料を用いた反強磁性層とピンド層との間に交換結合を持たせるために、成膜後に磁界中での規則化熱処理を行い、ＣｕＡｕ−Ｉ型の結晶構造にする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような規則系の反強磁性層を用いたスピンバルブＭＲセンサにおいて、反強磁性層の膜厚が薄いほうがＭＲセンサの出力特性が向上する。即ち、スピンバルブＭＲセンサでは、センス電流を流す導電層に対して、反強磁性層及び強磁性層が電気的に並列に接続されるので、抵抗変化を大きくするには、反強磁性層及び強磁性層の膜厚を小さくして、抵抗値を増大させ、センス電流に対する反強磁性層及び強磁性層の分流作用を低下させなければならない。反強磁性層は、強磁性層よりも、かなり大きな膜厚として形成されるので、分流作用を低下させるには、反強磁性層の膜厚を低下させるのが効果的である。また、近年のＨＤＤの高密度化に伴って磁気ヘッドの狭ギャップ化が要求されており、そのためには反強磁性層自体も薄膜化する必要がある。
【０００６】
一方、強磁性層は、強磁性層と反強磁性層との間の交換結合により、強磁性層を一方向に磁化する構造を有する。この場合、交換結合のエネルギは、反強磁性層の膜厚が厚い程、大きくなる。このような観点から、従来は、反強磁性層の膜厚を２５ｎｍ以上という比較的大きな値に設定してあった。
【０００７】
なお、反強磁性層の膜厚が５ｎｍよりも小さくなると、センサのＭＲ変化率が急激に小さくなり、それにつれて、抵抗変化も急激に小さくなる。逆に、反強磁性層の膜厚が２５ｎｍを越えると、スピンバルブＭＲセンサのＭＲ変化率、及び、シート抵抗値が従来よりも小さくなり、スピンバルブＭＲセンサとしての抵抗変化が、ＭＲ変化率の低下及びシート抵抗値の低下の影響をうけて、小さくなる。
【０００８】
このように、スピンバルブＭＲセンサにおいて、センス電流に対する分流作用の低下と、交換結合エネルギ増大とは、反強磁性層の膜厚に関して、互いに相反する関係にある。これらの２つの技術的事項は、スピンバルブＭＲセンサにおける基本的な要求事項であるので、一方の技術事項を満たすために、他方が犠牲になってはならない。
【０００９】
本発明の目的は、反強磁性層の膜厚を厚くすることなく交換結合エネルギを大きくすることのできるＭＲセンサの製造方法及びこのＭＲセンサを備えた磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、非磁性層を挟んで積層される第１の強磁性層及び第２の強磁性層を含んでおり、規則系の反強磁性層と第２の強磁性層との交換結合によるバイアス磁界により第２の強磁性層を磁化固定するＭＲセンサの製造方法であって、反強磁性層を所望の膜厚より厚くなるように形成し、形成した反強磁性層を規則化熱処理し、その後、反強磁性層を所望の膜厚となるように薄膜化加工するＭＲセンサの製造方法及び磁気情報の再生用としてこのＭＲセンサを備えた磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１１】
反強磁性層を規則化熱処理した後に、所望の膜厚となるように薄膜化加工することにより、同じ膜厚の反強磁性層を最初から形成した場合に比して、交換結合エネルギを大きくすることができる。従って、反強磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつ、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができる。
【００１２】
なお、特開平９−６９２１０号公報には、磁区制御用の反強磁性層を磁気的に不活性な膜厚までエッチングする点が記載されているが、これは、反強磁性層をイオンミリングにより薄くしてＭＲ層との磁気的交換結合を破壊することによりその反強磁性層をＭＲ層の保護層として働かせるものであり、本発明とは正反対に異なる技術を開示するものである。
【００１３】
本発明における薄膜化加工は、反強磁性層を加工前より５ｎｍ以上薄くなるように加工するものであることが好ましい。
【００１４】
反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則結晶構造を有するＭｎ含有化合物を用いることが好ましい。この場合、規則化熱処理後の反強磁性層を、（１１１）結晶配向面に沿って配向させることがより好ましい。
【００１５】
反強磁性層として、ＰｔＭｎを用いること、又は反強磁性層として、ＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがより好ましい。
【００１６】
反強磁性層として、ＮｉＭｎを用いること、又は反強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用いることがより好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施形態として、本発明の製造方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略的に示す断面図であり、図２はそのＭＲセンサ部分の層構成を示す、浮上面（ＡＢＳ）方向から見た断面図である。本実施形態の磁気ヘッドは、ＭＲセンサで構成された読出しヘッド部とインダクティブ磁気変換素子で形成された書込みヘッド部とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１８】
図１において、１０はスライダの主要部を構成する基板、１１は基板１０上に図示しない下地膜を介して形成されている下部シールド層、１２は書込みヘッド部の下部磁性層をも兼用する上部シールド層、１３は絶縁層１４及び１５を介して下部シールド層１１及び上部シールド層１２間に、ＡＢＳ１０ａに沿って伸長するように形成されたスピンバルブＭＲ層、１６は上部磁性層、１７は有機樹脂で構成された絶縁層１８に取り囲まれているコイル導電層、１９はギャップ層、２０は保護層をそれぞれ示している。
【００１９】
下部磁性層１２及び上部磁性層１６の先端部は微小厚みのギャップ層１９を隔てて対向するポール部１２ａ及び１６ａを構成しており、これらポール部１２ａ及び１６ａにおいて書き込みが行われる。ヨーク部を構成する下部磁性層１２及び上部磁性層１６のポール部１２ａ及び１６ａとは反対側はバックギャップ部であり、磁気回路を完成するように互いに結合されている。コイル導電層１７は、絶縁層１８上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
【００２０】
図２に示すように、スピンバルブＭＲセンサ１３は、第１の強磁性層（フリー層）１３０を構成する軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂと、非磁性導電層１３１と、第２の強磁性層（ピンド層）１３２と、反強磁性層１３３とを順次積層した構成となっている。
【００２１】
本実施形態において、第１の強磁性層１３０は、軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂとを積層した２層構造となっているが、このような２層構造の他に、単層構造又は２層以上の多層構造を採用することもできる。磁性層１３０ａとしては、例えば膜厚が約７ｎｍのＮｉＦｅ膜を用いることができ、磁性層１３０ｂとしては、例えば、膜厚が約１ｎｍのＣｏ膜を用いることができる。
【００２２】
非磁性導電層１３１は、一方の面が軟磁性層１３０ｂの一方の面に接している。この導電層１３１は、例えば、膜厚が約３ｎｍのＣｕ膜によって構成される。
【００２３】
第２の強磁性層１３２は、一方の面が導電層１３１の他方の面に接している。この強磁性層１３２は、例えば、膜厚が約２ｎｍのＣｏ膜等によって構成される。
【００２４】
反強磁性層１３３は、規則系の反強磁性材料であるＭｎ含有化合物からなる。Ｍｎ含有化合物は、ＣｕＡｕ−Ｉ型の結晶構造を持ち、（１１１）結晶配向面に沿って配向され、層厚が約５ｎｍ以上である。第２の強磁性層１３２は、反強磁性層１３３と交換結合しており、この交換結合により一方向に固定磁化されている。
【００２５】
図２には示されていないが、軟磁性層１３０ａの下側には下地膜が備えられており、反強磁性層１３３の上側には保護膜が備えられている。また、スピンバルブ積層構造体の両側面には、第１の強磁性層１３０に縦方向磁気バイアスを加える磁区制御層が備えられている。磁区制御層は永久磁石層であってもよいし、反強磁性層によって構成し、この反強磁性層と第１の強磁性層１３０との間で交換結合を生じさせてもよい。さらに、磁区制御層上には、リード導体層がそれぞれ積層されている。これらリード導体層は、スピンバルブ積層構造体の非磁性導電層１３１にセンス電流を流すために備えられている。
【００２６】
次に、本実施形態の製造方法について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、基板上に第１の強磁性層１３０を構成する軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂと、非磁性導電層１３１と、第２の強磁性層１３２と、反強磁性層１３３′とを順次積層する。ただし、反強磁性層１３３′は、所望の膜厚より厚くなるように形成されている。
【００２７】
因みに、本実施形態では、磁性層１３０ａは膜厚が約７ｎｍのＮｉＦｅ、磁性層１３０ｂは膜厚が約１ｎｍのＣｏ、非磁性導電層１３１は膜厚が約３ｎｍのＣｕ、第２の強磁性層１３２は膜厚が約２ｎｍのＣｏ、反強磁性層１３３′は膜厚が約３００〜１００ｎｍのＭｎ含有化合物で形成される。
【００２８】
次いで、図３（Ｂ）に示すように、形成した反強磁性層１３３′を規則化熱処理する。この規則化熱処理は、３ｋＯｅの磁界中で２５０℃の温度を１０時間保持した後、８０℃まで２２℃／時間で降温することによって行われる。
【００２９】
その後、反強磁性層１３３′を例えば逆スパッタリング、ミリング又はＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングによって薄膜化加工することにより、図３（Ｃ）に示すように、所望の膜厚の反強磁性層１３３を得た。
【００３０】
このように、反強磁性層１３３′を規則化熱処理した後に、所望の膜厚となるように薄膜化加工することにより、同じ膜厚の反強磁性層を最初から形成した場合に比して、交換結合エネルギを大きくすることができる。従って、反強磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつ、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができる。
【００３１】
【実施例】
以下、反強磁性層の材料の異なる種々のスピンバルブＭＲセンサについて、反強磁性層の最終的な膜厚は同じであるが成膜時の膜厚を変えた場合の（即ち薄膜化加工量が異なる）サンプルを作成し、交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を説明する。
【００３２】
各サンプルは、基板としてアルミナ膜付きのＡｌＴｉＣを使用し、その上に、Ｔａ（５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（７ｎｍ）／Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）／Ｃｏ（２ｎｍ）／反強磁性層を順次積層して成膜し、規則化熱処理した後に、反強磁性層が所望の膜厚となるように薄膜化加工し、その後、Ｔａ膜を５ｎｍ成膜している。なお、薄膜化加工しないものは、反強磁性層を最初から所望の膜厚に成膜してＴａ膜を５ｎｍ成膜した後、規則化熱処理した。
【００３３】
図４は、反強磁性層としてＰｔＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表１に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は３０ｎｍである。ＰｔＭｎの組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３４】
【表１】
0003840826.tif 000002
【００３５】
図５は、反強磁性層としてＮｉＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表２に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＭｎの組成は、Ｎｉ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３６】
【表２】
0003840826.tif 000003
【００３７】
図６は、反強磁性層としてＰｔＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表３に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は５ｎｍである。ＰｔＭｎの組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３８】
【表３】
0003840826.tif 000004
【００３９】
図７は、反強磁性層としてＰｔＰｄＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表４に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は２０ｎｍである。ＰｔＰｄＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｐｄ５ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００４０】
【表４】
0003840826.tif 000005
【００４１】
図８は、反強磁性層としてＰｔＲｕＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表５に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は３５ｎｍである。ＰｔＲｕＭｎの組成は、Ｐｔ４６ａｔ％、Ｒｕ５ａｔ％、Ｍｎ４９ａｔ％である。
【００４２】
【表５】
0003840826.tif 000006
【００４３】
図９は、反強磁性層としてＰｔＲｈＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表６に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＰｔＲｈＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｒｈ７ａｔ％、Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００４４】
【表６】
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【００４５】
図１０は反強磁性層としてＰｔＡｕＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表７に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＰｔＡｕＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ａｕ９ａｔ％、Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００４６】
【表７】
0003840826.tif 000008
【００４７】
図１１は反強磁性層としてＮｉＰｔＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表８に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＰｔＭｎの組成は、Ｎｉ４０ａｔ％、Ｐｔ１５ａｔ％、Ｍｎ４５ａｔ％である。
【００４８】
【表８】
0003840826.tif 000009
【００４９】
図１２は反強磁性層としてＮｉＡｇＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表９に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＡｇＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ａｇ５ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００５０】
【表９】
0003840826.tif 000010
【００５１】
図１３は反強磁性層としてＮｉＦｅＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表１０に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＦｅＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ｆｅ５ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００５２】
【表１０】
0003840826.tif 000011
【００５３】
図１４は反強磁性層としてＰｔＣｒＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表１１に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＰｔＣｒＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ｃｒ９ａｔ％、Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００５４】
【表１１】
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【００５５】
図１５は反強磁性層としてＮｉＲｕＭｎを用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚を表１２に示す。ただし、この例における反強磁性層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＲｕＭｎの組成は、Ｎｉ４３ａｔ％、Ｒｕ９ａｔ％、Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００５６】
【表１２】
0003840826.tif 000013
【００５７】
図４〜図１５から明らかのように、反強磁性層の成膜時の膜厚が厚いほど、即ち、薄膜化加工量が多いほど、最終的な膜厚は同じであっても交換結合磁界Ｈｕａが大きくなっている。従って、最終的な膜厚を従来と同じにすることにより反強磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつも、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができる。
【００５８】
図４及び図８からも分かるように、薄膜化加工量が５ｎｍ未満であると、薄膜化加工しないものよりも交換結合磁界Ｈｕａが小さくなってしまう。これは、反強磁性層の表面近傍が酸化によって反強磁性層としての機能を持たなくなってしまうため、この不感領域を取り除くのに５ｎｍ以上の加工が必要となるからである。従って、薄膜化加工は、反強磁性層を５ｎｍ以上薄くなるように加工するものであることが好ましい。
【００５９】
なお、反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則結晶構造を有し、規則化熱処理後に（１１１）結晶配向面に沿って配向するＭｎ含有化合物を用いることが好ましい。この場合、ＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いることが好ましい。また、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがより好ましい。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を形成できなくなり、反強磁性を示さなくなる。あるいは、反強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用いた合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用いることがより好ましい。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を形成できなくなり、反強磁性を示さなくなる。
【００６０】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、反強磁性層を規則化熱処理した後に、所望の膜厚となるように薄膜化加工することにより、同じ膜厚の反強磁性層を最初から形成した場合に比して、交換結合エネルギを大きくすることができる。従って、反強磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつ、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態として、本発明の製造方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１のＭＲセンサ部分の層構成を示す、ＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図３】図１の実施形態における製造方法を説明する図である。
【図４】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図５】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図６】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図７】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図８】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図９】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１０】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１１】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１２】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１３】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１４】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【図１５】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果を示す図である。
【符号の説明】
１０  基板
１１  下部シールド層
１２  上部シールド層
１２ａ、１６ａ  ポール部
１３  スピンバルブＭＲ層
１４、１５、１８  絶縁層
１６  上部磁性層
１７  コイル導電層
１９  ギャップ層
２０  保護層
１３０  第１の強磁性層
１３０ａ、１３０ｂ  軟磁性層
１３１  非磁性導電層
１３２  第２の強磁性層
１３３、１３３′  反強磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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