(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に自己整合接点をもつトランジスタの製造方法にして、
ａ）  “グリッド酸化物”層（１０２）と、グリッド層（１０４）と、少なくとも１個の保護層（１０６、１０８）とを、この順に有する多重層基板（１０１）を形成する段階と、
ｂ）  多重層上に、トランジスタの活性領域に対応する少なくとも１個のパターン（１１０）を有する第１エッチングマスクを形成し、この多重層を第１マスクに従ってエッチングし、グリッド酸化物層上において停止し、前記活性領域対応した少なくとも１個の多重層柱状部分（１１１）を保存する段階と、
ｃ）  柱状部分（１１１）の側面（１１２）に横スペイサ（１１６）を形成し、柱状部分（１１１）と横スペイサ（１１６）とによりマスクされていないシリコン基板の領域に、酸化を容易にするドーピング不純物を注入する段階と、
ｄ）  フィールド酸化物層（１２２）を形成するため、シリコン基板の注入された領域を局部的に酸化させ、横スペイサと保護層とを除去する段階と、
ｅ）  絶縁材料（１３０）の層を柱状部分の回りに堆積させ、該絶縁材料の層を研磨し、多重層柱状部分上で停止させる段階と、
ｆ）  グリッドパターンをもつ第２マスク（１３８）を柱状部分（１１１）上に形成し、第２マスクに従って柱状部分（１１１）をエッチングし、グリッド酸化物層（１０２）上で停止させ、第２側面をもつグリッド構造（１４０）を形成し、活性領域を限定する第３側面を露出させる段階と、
ｇ）  自己整合絶縁横スペイサ（１４２、１４３）を前記第２、第３側面上に形成し、ソースとドレインと（１５０、１５２）とを、シリコン基板内のグリッド構造（１４０）の各側に、また、柱状部分のエッチングによりグリッド酸化物層（１０２）が露出された領域に注入する段階と、
ｈ）  露出されたグリッド酸化物層を除去し、ソースとドレイン上に、グリッド構造物（１４０）に自己整合された接点（１６０、１６２）を形成する段階と、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、段階ｃ）において、柱状部分の側面に横スペイサ（１１６）を形成する前に、これら側面上に側面酸化物層（１１４）が形成され、段階ｆ）において、側面酸化物層の柱状部分に面する縁が、活性領域を限定する第３側面を形成するため露出されていることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、グリッド層（１０４）が多結晶シリコン層であるため、側面酸化物層が、柱状部分（１１１）の側面（１１２）の表面酸化により形成されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、ｎタイプまたはｐタイプのドーピングへ導く不純物が、段階ｃ）において注入されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、該方法がさらに、段階ｅ）の後、柱状部分（１１１）のグリッド層（１０４）と接触し、絶縁材料層（１３０）を被覆する“短絡”層（１３４）を形成する段階を有し、第２マスク（１３８）が短絡層の上方に形成され、短絡層（１３４）もまたグリッド構造（１４）の一部を形成するために、段階ｆ）の間にエッチングされることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、電気絶縁層（１３６）が短絡層（１３４）の上方に形成され、第２マスク（１３８）が絶縁層（１３６）の上方に形成され、前記電気絶縁層が短絡層（１３４）と共に、段階ｆ）においてエッチングされることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、接点を形成する段階が、ソースとドレイン（１５０、１５２）と接触する金属層（１５９）を堆積させ、該金属層を研磨し、短絡層（１３４）を覆う電気絶縁層（１３６）上で停止させ、前記金属層を成形する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、段階ａ）の間に、酸化シリコンの第１保護層（１０６）と、酸化シリコン層（１０６）を覆う窒化シリコンの第２保護層（１０８）とが多重層上に形成され、第２窒化シリコン保護層（１０８）が段階ｄ）において除去され、第１保護層（１０６）が段階ｅ）において除去されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、固形シリコン基板（１００）が使用されていることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）タイプの基板が使用されていることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン基板上に自己整合接点をもつトランジスタの製造方法に関する。
本発明の方法は特に、例えば、ＭＯＳ（金属−酸化物−半導体）トランジスタのような隔離グリッド型式の電界効果トランジスタの製造に関する。
本発明は、マイクロ電子工学の分野において、特に高い集積密度を有する集積回路の製造に適用される。
【０００２】
【従来の技術】
添付図面の図１は、既知のタイプの電界効果トランジスタの構造の概略断面を示す。
シリコン基板１０内において、活性領域１２は番号１４で示す１個または数個のフィールド隔離パッド１４により横方向に限定されている。酸化シリコンで作られたフィールド隔離パッド１４は、基板１０に対し、活性領域を取り巻く領域において、選択的な酸化を加えることにより作られる。活性領域は通常、この酸化工程の間、窒化シリコンのマスクにより保護されている。
活性領域１２の上方に形成されるトランジスタグリッド１６は、グリッド酸化物層１８により基板１０から分離されている。グリッド１６の側面は横スペイサ２０により隔離されている。
【０００３】
基板１０の活性領域１２にドーピング不純物を２回注入することにより、ドレイン領域２４とソース領域２２とが形成される。弱いドージングの第１注入が、注入マスクとしてグリッド１６を使用して簡単に実行される。ついで、高いドージングの第２注入が、横スペイサを形成した後、実行される。第２注入の間、グリッドと横スペイサを形成された組立体がエッチングマスクとして使用される。この２回の注入が、漸進的濃度をもつソース領域とドレイン領域と創り出す。
【０００４】
グリッド１６と、ソース、ドレイン領域（２２、２４）とを形成した後、構造全体が、２酸化シリコンを基本とする絶縁材料の厚い層２６により覆われる。
開口３０、３２が、絶縁材料の層２６内に、ソース、ドレイン領域２２、２４とほぼ整列して形成される。最後に開口は、ソース、ドレイン領域と電気的接触をする電気伝導材料３４を充填される。伝導材料が接点を形成する。
【０００５】
絶縁材料層２６上に形成された連絡ライン３８が電気伝導材料３４に連結されている。ラインは同じ基板上の種々の成分を相互に連絡させる。
以上簡単に説明したような、このタイプの構造とその製造方法とは、成分や集積回路を小型化しようとする場合、多くの限界を有している。
開口３０、３２と、その中に形成される接点が大きく、小型化への主要な障害の一つである。
【０００６】
接点の全体大きさは、開口３０、３２の大きさを含むだけでなく、第１に、接点とグリッド１６との間に、第２に、接点とフィールド絶縁１４との間に最小距離を維持するために必要な寸法をも含んでいる。
【０００７】
これら最小距離は特に、開口３０、３２を作るときのエッチングマスクの画定に使用される写真板作成工具の解像度に関連する。実際には、工具の解像度に起因する限界を補償するため、接点が作られる拡散領域が拡大される。このことは、例えば、本明細書の末尾に記載した文献（１）の図面に現れている。
トランジスタと、これらトランジスタにより形成される回路を小型化することは、精密度の高い工具の使用を必要とし、従って、製造費用が高くなる。
【０００８】
図２は、トランジスタのドレイン領域、ソース領域に対する接点の整合誤差の結果を示している。図２の例では、接触開口が横絶縁層の方へオフセットされている。
図２における説明を簡単にするために、図１の部分に同一または類似の部分には、同じ参照番号が付されており、従って上記説明はここにも適用される。
【０００９】
図２は、ソース領域に形成された１個の接触だけを示しているが、以下述べることはドレイン接点に対しても同様に適用される。
図２に示すように、フィールド酸化物１４のソース２２に面する上縁が、接触開口３２を絶縁層内にエッチングするとき冒される。層２６とフィールド酸化物１４とは共に、酸化シリコン上に置かれており、開口と接点とを画定するエッチングはこれら部分のいずれか一つを適切に選択することが出来ない。
【００１０】
かくて、接触開口の底には、接点を作る開口内の伝導材料と、基板１０との間の直接接触の危険が存在する。これは、ソース、ドレイン領域における基板との組織的短絡回路の危険を生じさせる。
【００１１】
さらに図２に示すように、フィールド酸化物が部分的にのみ冒された場合においてさえ、絶縁品質が低下する。
接触開口内の非整合と、接触開口がフィールド酸化物領域上に重なることとの負の効果を制限するために、接触開口の下方の基板部分にドーピングすることが可能である。このタイプのドーピングが、図２に番号４０として示されている。その効果は、ソース領域を接触開口３２の下方において引き延ばすことである。かくて、開口が伝導材料で充填されたとき、該材料が基板１０に直接接触することはない。
これら方法は複雑であり、生じる問題を部分的に解決しているに過ぎない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、上記した問題を起こさないトランジスタの製造方法を提供することである。
本発明の主目的の一つは、フィールド酸化物の厚さに関係なく、接点とフィールド酸化物との間の物理的分離が自動的に行われるトランジスタ製造方法を提供することである。
【００１３】
他の目的は、より高度に小型化されたトランジスタを、従って、より高度な集積密度を有する回路を製造する方法を提供することである。
他の目的は、写真板作成工具の解像度に関連する拘束を大幅に克服する方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の目的は、基板上に自己整合接点をもつトランジスタの製造方法にして、
ａ）  グリッド酸化物層と、グリッド層と、少なくとも一つの保護層とを、この順で有する多数層の基板を形成する段階と、
ｂ）  多重層上に、トランジスタの活性領域に対応する少なくとも１個のパターンを有する第１エッチングマスクを形成し、この多重層を第１マスクに対応してエッチングし、グリッド酸化物層上において停止し、前記活性領域対応した少なくとも１個の多重層柱状部分を保存する段階と、
ｃ）  柱状部分の側面に横スペイサを形成し、柱状部分と横スペイサとによりマスクされていないシリコン基板の領域に、酸化を容易にするドーピング不純物を注入する段階と、
ｄ）  フィールド酸化物層を形成するため、シリコン基板の注入された領域を局部的に酸化させ、横スペイサと保護層とを除去する段階と、
ｅ）  絶縁材料の層を柱状部分の回りに堆積させ、該絶縁材料の層を研磨し、多重層柱状部分上で停止させる段階と、
ｆ）  グリッドパターンをもつ第２マスクを柱状部分上に形成し、第２マスクに従って柱状部分をエッチングし、グリッド酸化物層上で停止させ、第２側面をもつグリッド構造を形成し、活性領域を限定する第３側面を露出させる段階と、
ｇ）  自己整合絶縁横スペイサを前記第２、第３側面上に形成し、ソースとドレインととを、シリコン基板内のグリッド構造の各側に、また、柱状部分のエッチングによりグリッド酸化物層が露出された領域に注入する段階と、
ｈ）  露出されたグリッド酸化物層を除去し、ソースとドレイン上に、グリッド構造物に自己整合された接点を形成する段階と、を有する一層精密な方法を提供することである。
【００１５】
基板の注入された領域と、柱状部分の側方に形成された横スペイサとを局部的に酸化することにより、活性領域の両側にフィールド絶縁層を形成する酸化領域が、ドレイン、ソース領域から分離されている。
さらに、接点が、グリッド構造と、活性領域を限定する第３側面とに自己整合しているから、接点とフィールド絶縁層との間に隙間距離が形成されている。従って、接点もフィールド絶縁層に対し自己整合している。接点とグリッドとの間にも隙間距離が維持される。
【００１６】
隙間距離は、横スペイサの厚さを変化させることにより、また、段階ｃ）において、ドーピング不純物（ｎまたはｐ）を注入することにより容易に調整されよう。さらに、隙間距離の調整は、寸法のばらつき、または、写真板作成器材の整合の欠点等に影響されない。
【００１７】
本発明の他の改良に従えば、方法はまた段階ｅ）の後、柱状部分のグリッド層と接触し、絶縁材料層を被覆する“短絡”層を形成する段階を含んでいる。第２マスクが短絡層の上方に形成され、短絡層もまた、段階ｆ）において、グリッド構造の一部を形成するためエッチングされる。
短絡層は成形されて、例えば、読み取り専用記憶装置（文献（１）に示されている）におけるワードラインのようなトランジスタグリッド指向ラインを形成する。
【００１８】
本発明の他の面に従えば、酸化シリコンの第１保護層と、酸化シリコン層を覆う窒化シリコンの第２保護層とが、段階ａ）において、多重層の上に形成され、窒化シリコンの第２保護層が、段階ｄ）において、除去され、第１保護層が、段階ｅ）において、除去される。
【００１９】
電気絶縁層が短絡層の上方に効果的に形成され、該電気絶縁層は、段階ｆ）において、短絡層と共にエッチングされる。段階ｇ）において形成されたスペイサも短絡層の側面を被覆していることに注意されたい。かくて、短絡層が頂部を絶縁層により、その側部を、段階ｇ）において形成された絶縁横スペイサにより絶縁されている。
これら方法により、ソースとドレインとに接触するように金属層を整合堆積させることにより、接点が容易に形成され、この金属層が研磨され、短絡層を覆う電気絶縁層上で停止され、金属層を成形する。
【００２０】
本発明の他の面に従えば、段階ｃ）において、柱状部分の側面に横スペイサを形成する前に、この側面に酸化物層を形成することが可能であり、柱状部分に面する側方酸化物層の側面は、段階ｆ）において露出され、活性領域を限定する第３側面を形成する。
この特性は、シリコンまたはポリシリコンがグリッド材料として使用される場合特に有利である。この場合、側方酸化物層が、例えば窒化シリコンで作られた横スペイサと、グリッドとの間に生じる応力を緩和させることが出来る。これら応力は、例えば、段階ｅ）において堆積された絶縁材料のクリープ、または、ソース、ドレインのイオン注入を活動的にする焼鈍のような熱処理の際に特に現れる。酸化シリコン層の役目は機械的緩衝材の役目に類似している。
【００２１】
例えば、本発明の方法を使用した場合、固形シリコン基板、または、ＳＯＴ（絶縁材上のシリコン）絶縁材上のシリコンタイプ基板を使用し、埋没層と呼ばれる酸化シリコン層上に表面シリコン層を有する多重層を形成することが可能になる。
【００２２】
ＳＯＩタイプの基板の場合、段階ａ）において形成された多重層が、本方法においてはシリコン表面層上に形成される。
本発明の他の特性、利点は、添付図面を参照しての以下の説明から明らかになろう、この説明は単に説明の目的のためのものであり、本発明を限定するものではない。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図３は本発明の第１段階を示す。
図示のように、グリッド酸化物層１０２、グリッド材料を形成する多結晶シリコン（ポリシリコン）グリッド層１０４、第１保護層を形成する酸化シリコンの薄い層１０６、グリッド層１０４のための第２保護層を形成する窒化シリコン１０８を有する多重層１０１がシリコン基板１００上に形成されている。
グリッド酸化物層１０２は、シリコン基板を熱酸化させることにより直接形成されよう。
つぎに、層１０４、１０６、１０８が順次堆積される。
【００２４】
ＳｉＯ2 層１０６は例えば１０ｎｍ、５０ｎｍのように非常に薄く、特に、側面を酸化するときの活性領域にかかる応力を制限し、第２保護層１０８除去するときの停止層として働く。
図３の参照番号１１０は破線により同定された第１エッチングマスクを示す。例えば、既知の写真板作成技術を使用して形成される感光性樹脂マスクであってよい。
【００２５】
このマスクは、作るべきトランジスタの活性領域（ドレイン、チャンネル、ソース）の位置と大きさとを画定するパターンを形成する。
図示の実施例においては、１個のエッチングマスクだけが示されている。これは単一トランジスタの製造に適用される。しかし同じ基板上に、同じ多重層内に、非常に多数のトランジスタを同時に作ることも全く可能であることに注意されたい。
【００２６】
特に、これは、非常に多数のトランジスタを含む集積回路を作ることが必要な場合である。この場合、非常に多数のパターンをもつマスクが、多重層１０１の上に形成される。
マスクを置いた後、多重層１０１がマスクのパターンに従ってエッチングされ、グリッド酸化物層１０２上で停止する。エッチングの間、柱状部分１１が図４に示すように、多重層１０１内に保存される。柱状部分の側面１１２は酸化され、側面を側面酸化物層１１４により被覆する。
側面酸化物層の利点は図５から明らかになる。
【００２７】
図５は、柱状部分１１の側面に横スペイサ１１６を形成し、次に、注入領域１１８を形成するため柱状部分１１１の周囲にドーピング不純物を注入することを示している。
横スペイサ１１６は、窒化シリコン層を固形板堆積させ、ついで、柱状部分の側面を覆う部分を除いて、この層を完全に除去するように異方性エッチングを行うことにより形成される。この段階の間、層１０８は、堆積後の厚みのばらつきに相当する厚みだけ僅かに冒される。
【００２８】
前の段階で形成された側面酸化物層１１４は、この場合ポリシリコンであるグリッド材料と、横スペイサ内の窒化シリコンとの間の緩衝層を形成する。側面上の酸化物は、これら二つの材料の間の応力を、特に、この方法の後で実行される熱処理により生じる応力を緩和する。
【００２９】
燐、砒素のようなｎ+ タイプのドーピング不純物、または、ボロン、インディウムのようなｐ+ タイプの不純物を注入すれば、柱状部分の回りに１個または数個のドーピングされたシリコン領域が形成され、該領域はドーピングされない領域よりも速い酸化速度を有する。例えば、燐原子を１０20ｃｍ-3のドージングでｎ+ ドーピングをしたとき、ドーピングされたシリコンの酸化速度の、ドーピングされないものに対する比は３である。同じ濃度のｐ+ ドーピングの場合、ドーピングされたシリコンとドーピングされないシリコンとの酸化速度の比は２である。
【００３０】
注入操作は、図５に矢印１１９により概略示されている。注入の間、保護層１０６と冒された層１０８がグリッド材料を保護する。柱状部分１１１の全体がマスクを形成し、注入された不純物が柱状部分の下方のシリコン層１００の部分に達することを阻止している。トランジスタの活性領域に対応するシリコン層の部分が参照番号１２０として示されている。
【００３１】
注入に続いて、基板内のシリコンのドーピングされた部分が局部的に酸化される。
９５０°Ｃ程度の温度の水蒸気下のこの注入は、柱状部分１１１を取り巻くフィールド酸化物層１２２を形成することが出来る。この層が図６に見られる。
フィールド酸化物層１２２はグリッド層１０４内の材料にも、酸化物１１４にも達しておらず、横スペイサ１１６によりこれらから分離されていることに注意されたい。
また、ドーピングされた部分と、ドーピングされない部分との間の酸化速度の差異が、層１１２の境界線における鳥の嘴状の変形を防止している。
【００３２】
窒化シリコン横スペイサ１１６と、同じく窒化シリコンで作られた第２保護層１１８とを除去した後、図７に示した構造が得られる。
図７において、フィールド酸化物層１２２を柱状部分１１１の側面１１４から分離している空間１２４に注意されたい。空間１２４の大きさは、トランジスタ製造パターン（マスク）により決められるのではなく、前に形成された横スペイサ（図６）の大きさ、イオン注入（図５）、酸化物層１２２を得るに要する酸化時間等に主として依存している。
【００３３】
図８は、柱状部分１１１の回りの絶縁材料の層１３０の形成を示す。層１３０は、柱状部分１１１の頂部と同一面にある平面状の上面１３２を有する。柱状部分１１１の側面とフィールド酸化物層１２２とは共に層１３０により覆われている。
層１３０は、例えば、ＰＳＧ（ケイ酸燐ガラス）またはＢＰＳＧ（ケイ酸硼素燐ガラス）のようなドーピングされた酸化物層の固形板堆積をさせ、この層を平坦化し、柱状部分１１１の多重層上において停止させることにより形成される。
【００３４】
層１３０は多くの機能をもつ。第１に、作られるトランジスタを電気的に絶縁する。平面状の上面を形成し、後の段階で形成される“短絡”層を、トランジスタの活性領域から隔離する。
【００３５】
短絡層１３４の形成が図９に示されている。例えば、これは、平面状の上面上に形成された、多結晶シリコンの層、および／または、ケイ化タングステンのようなケイ化金属の層であってよい。短絡層は、第１保護層１０６を除去することにより露出されたグリッド材料層１０４に接触することになる。
短絡層１３４は絶縁酸化物層１３６により有利に被覆される。この層が、短絡層１３４の頂部を、次に作られる（以下に説明する）トランジスタのソース、ドレイン上の接点から電気的に絶縁する。
【００３６】
既に述べたように、短絡層は、成形されて後、ワードラインのようなグリッド指向ラインを形成しよう。
短絡層は、グリッド構造が形成されるのと同時に成形される。グリッド構造は図１０に参照番号１４０で示されている。図１０、図１１に、図３〜図９の断面に垂直な断面が示されている。この断面IX−IXは図９に記されている。
【００３７】
グリッド構造は第２エッチングマスク１３８を使用してエッチングされ、グリッド酸化物層１０２上で停止する。層１３６上に形成されるマスク１３８が図１０に破線で示されている。例えば、感光性樹脂のマスクであってよい。柱状部分１１１の上方に形成されたこのマスクが、グリッド構造の位置、大きさを画定する。
【００３８】
グリッド構造は、例えばＲ．Ｉ．Ｅ．（反応イオンエッチング）を使用してエッチングされる。エッチングは第１に、グリッド酸化物層１０２、柱状部分の側面を被覆する側面酸化物層１１４（図４〜図９）により、また、同様に酸化物層である絶縁層１３０により停止される。かくて、グリッド構造が、層１３０の側面と側面酸化物１１４と対して自己整合され、エッチングされた柱状部分から出発しグリッド構造に対向する層１３０の横側面を限定している。本テキストの残余においては、側面１１４を第３側面と称する。グリッド構造の自己整合性は、空間１２４により引っ込められているフィールド酸化物層１２２の縁に影響されることはない。
【００３９】
側面酸化物層１１４により画定される第２、第３側面と称されるグリッド構造の側面は、窒化シリコンスペイサ１４２、１４３により被覆されている。これらのスペイサ、類似のスペイサ１１６は、窒化シリコン層を堆積させ、ついで、この層に異方性エッチングを行うことにより形成される。
第２側面は、スペイサを形成する前に、緩衝酸化物層１４４により被覆されることが有利である。酸化物層１４４は、グリッド構造を形成する材料と窒化シリコンスペイサ１４２との間に、熱処理の際に生じる応力を緩和する。
【００４０】
例えばｎチャンネルトランジスタにおける砒素イオンのようなイオンを、グリッド構造のエッチングの間に、露出されているグリッド酸化物層の部分を通し注入すれば、活性領域１２０内にソース領域１５０、１５２が形成される。グリッド構造と絶縁層１３０とがこの注入に際し、注入マスクの役目となす。
【００４１】
ソース、ドレイン１５０、１５２が、横スペイサ１４２、１４３と、本方法の初めに形成された酸化物層１１４とに整合される。これらは、引き込まれたフィールド絶縁層１２２の縁とは整合していない。このことが、トランジスタの間の電気的絶縁を改善している。
【００４２】
方法の最後の段階と、最後に得られたトランジスタとが図１１に示されている。
最後の段階は、ソースとドレインとに対する接点１６０、１６２の形成である。この段階は、グリッド構造をエッチングする間露出されているグリッド酸化物１０２の部分を除去すること、金属層１５９を同形堆積させること、および、この層を平坦にし成形すること、を含んでいる。金属層１５９と短絡層１３４の間の短絡の危険は、グリッド構造の側面に形成された絶縁横スペイサと、短絡層を被覆する絶縁酸化物層１３６とにより防止される。
【００４３】
例えばタングステンのような層１５９の金属は、化学蒸着（ＣＶＤ）技術を用いて堆積されよう。層１５９は例えば機械化学的研磨方式の工程を使用して平坦化され、この層の成形を継続する前に、トランジスタのソース、ドレイン領域を互いに隔離するために、層１３６において停止される。従来の写真板作成技術とエッチング技術とを同時に使用する成形が、同じ基板上の集積回路のトランジスタまたは成分の間を連絡させる。
【００４４】
図１１はまた、本発明の方法においては、接点１６０、１６２がフィールド絶縁層１２２上に重なる危険がないことを示している。これは特に空間１２４の存在によるのであり、空間の大きさは、作るトランジスタのエッチングパターンまたは作られるトランジスタの形状、寸法に依存することなく制御され一定に維持される。
【００４５】
つぎに、図１２〜図１５に示す絶縁タイプ基板上のシリコンの場合の本発明の方法の実施例の変形を説明する。この方法における段階は実際的には同じであり、図１２〜図１５において、図３〜図１１に示したものと同じ、または、類似の要素には、同じ参照番号が付されている。従って、上記の説明はこれら要素に関しても適用される。
【００４６】
図１２に示すように、出発点は、厚いシリコン支持層９７、“埋没”酸化シリコン層９８、シリコン“表面”層９９等を有するＳＯＩタイプ基板１００である。埋没層９８は電気的絶縁層であり、シリコン層９７、９９の間に置かれている。
グリッド酸化物層１０２、グリッド材料層１０４、保護層１０６、１０８を有する多重層１０１が、ＳＯＩ基板１００上に形成される。この点に関しては図３の説明を参照されたい。
【００４７】
図１３は図８に対応する。フィールド酸化物層１２２を形成するための酸化と、絶縁材料層１３０の形成との後に得られる構造を示している。
フィールド酸化物層１２２を形成する注入、酸化段階が、層１２２がＳＯＩ基板表面層９９の厚さ全体を占めるように、充分な深さ、充分な厚さを有して実行される。かくて、フィールド酸化物層１２２が、同様に絶縁層である埋没層９８にまで延びている。柱状部分１１１の下方に位置する層９９の部分だけが保存され、トランジスタの活性部１２０を形成する。
【００４８】
図１４は図９に対応し、短絡層の形成を示す。
この層のエッチングと柱状部分１１１のエッチングとが、グリッドを形成するため、上述したと同じ状況下で実行される。グリッド酸化物層１０２がエッチング停止層を形成している。
【００４９】
図１５は図１１に対応する。図１５は図１０、図１１に対応する断面図である。
図はソース領域１５０とドレイン領域１５２との、活性部１２０に対応して柱状部分１１１の下方（図１４参照）に保存された層９９の部分内への注入を示している。
ソースとドレイン、１５０、１５２は、第２、第３側面上に形成された側面スペイサ１４２、１４３に自己整合されている。
【００５０】
かくて、これらスペイサと上述した空間１２４とを設けることにより、ソースとドレイン、１５０、１５２がフィールド酸化物層１２２と直接接触することはない。ソース、ドレイン領域とフィールド酸化物層との間に、番号１７０で示された層９９の部分が存在している。部分１７０が、漏洩電流、特に、層９９の底を通り層９８へ向かう漏洩の危険を減少させている。
【００５１】
参照文献：
「ＥＰＲＯＭ（消去可能、プログラム可能な読み取り専用記憶装置）、ＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭ技術の現状、傾向、比較、発展」Ａ．Ｂｅｒｇｅｍｏｎｔ，ＥＳＳＤＥＲＣ，Ｇｒｅｏｂｌｅ  ２３回会報，１９９３年９月：  ５７５〜５８２頁。
【図面の簡単な説明】
【図１】既知のタイプのトランジスタの概略断面図、
【図２】トランジスタ上の、接触開口とソース（またはドレイン）領域との間の整合誤差の結果を示す既知のタイプのトランジスタの詳細の概略断面図、
【図３】本発明の方法における、多重層を形成する第１段階の後に得られる構造の概略断面図、
【図４】本発明の方法における、多重層の第１エッチングに対応する第２段階の最後に得られる構造の概略断面図、
【図５】本発明の方法における、第３段階の間に得られる構造の概略断面図、
【図６】本発明の方法における、第４段階を示す構造の概略断面図、
【図７】本発明の方法における、第４段階を示す構造の概略断面図、
【図８】本発明の方法における、製造中のトランジスタの活性領域の回りに絶縁材料を堆積させることに対応する第５段階の後、得られる構造の概略断面図、
【図９】“短絡”材料が形成されている図６に示す構造の概略断面図、
【図１０】前記の図の断面に垂直な断面に沿つての、グリッド構造のエッチングを示す図９の構造の概略断面図、
【図１１】本発明の方法の最後に得られ、トランジスタのソース、ドレイン領域上の接点の形成を示すトランジスタの概略断面図、
【図１２】図３に対応し、本発明の第１段階の後に得られ、多重層がＳＯＩタイプ基板上に形成されている構造の概略断面図、
【図１３】図８に対応し、本発明の方法の段階を示す概略断面図、
【図１４】図９に対応し、本発明の方法の段階を示す概略断面図、
【図１５】図１２、図１４の断面に垂直な断面に沿つての、本発明の方法に従うＳＯＩタイプ基板上に得られるトランジスタを示す概略断面図、である。
【符号の説明】
１０、１００  シリコン基板
１２  活性領域
１４  フィールド隔離パッド
１６  グリッド
１８  グリッド酸化物層
２０  横スペイサ
２２  ソース領域
２４  ドレイン領域
２６  絶縁材料層
３０、３２  接触開口
３８  連絡ライン
３４  電気伝導材料
１０１  多重層
１０２  グリッド酸化物層
１０４  多結晶シリコングリッド層
１０６  酸化シリコン層（保護層）
１０８  窒化シリコン層（保護層）
１１０  第１エッチングマスク
１１１  柱状部分
１１２  柱状部分側面
１１６  横スペイサ
１１８  第２保護層
１１４  側面酸化物層
１２２  フィールド酸化物層
１２４  空間
１３０  絶縁層
１３４  短絡層
１３６  絶縁酸化物層
１３８  第２エッチングマスク
１４２、１４３  窒化シリコンスペイサ
１４４  緩衝酸化物層
１２０  活性領域
１５０、１５２  ソース、ドレイン
１６０、１６２  接点
１５９  金属層
９７  シリコン支持層
９８  埋没酸化シリコン層
９９  シリコン表面層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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