(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形金型のキャビティに溶融した樹脂を充填するプラスチック薄型成形品の成形方法において、
上記キャビティの表面を形成する第１導電層と、当該第１導電層の外側に第１発熱体を設け、当該第１発熱体の外側に第２導電層を設けてあって、上記第１導電層と第２導電層の間に高周波電界を印加して、前記第１発熱体を高周波誘電加熱させることを特徴とするプラスチック薄型成形品の成形方法。
【請求項２】
上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
上記第３導電層と第４導電層の間に高周波電界を印加して、前記第２発熱体を高周波誘電加熱させることを特徴とする請求項１の成形方法。
【請求項３】
上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
それぞれ上記第１導電層と上記第３導電層、上記第１導電層と上記第２導電層、上記第３導電層と上記第４導電層の極性が反対になるように高周波電界を印加し、
上記キャビティ内を流動する溶融樹脂と、上記第１及び第２発熱体とを高周波誘電加熱することを特徴とする請求項１の成形方法。
【請求項４】
上記第１導電層と上記第４導電層を一つのグループとし、また、上記第２導電層と上記第３導電層を一つのグループとして、それぞれのグループの導電層に極性が反対になるように高周波電界を印加することを特徴とする請求項３の成形方法。
【請求項５】
高周波誘電加熱する上記第１〜第４導電層の少なくとも１つを樹脂流動方向に複数に分割した成形金型を用い、分割された個々の導電層による高周波電界の印加を樹脂の流動に合せて個別に制御することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかの成形方法。
【請求項６】
上記分割された個々の導電層への通電を個別に制御することによって、個々の導電層による高周波電界の印加を制御することを特徴とする請求項５の成形方法。
【請求項７】
上記分割された個々の導電層への通電電圧を制御することによって、個々の導電層による高周波電界の印加を制御することを特徴とする請求項６の成形方法。
【請求項８】
上記発熱体が誘電体セラミックスであることを特徴とする、請求項１のプラスチック薄型成形品の成形方法を実施するための成形金型。
【請求項９】
上記キャビティ内を流動する溶融樹脂を高周波誘電加熱する高周波電界の印加を、ゲートからの溶融樹脂充填開始時点から充填停止時点まで行うことを特徴とする請求項３の成形方法。
【請求項１０】
溶融した樹脂を充填するキャビティを備えた、プラスチック薄型成形品を成形するための成形金型において、
上記キャビティの表面を形成する第１導電層と、当該第１導電層の外側に第１発熱体を設け、当該第１発熱体の外側に第２導電層を設けてあって、上記第１導電層と第２導電層の間に高周波電界を印加して、前記第１発熱体を高周波誘電加熱させることを特徴とする成形金型。
【請求項１１】
上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
上記第３導電層と第４導電層の間に高周波電界を印加して、前記第２発熱体を高周波誘電加熱させることを特徴とする請求項１０の成形金型。
【請求項１２】
上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
それぞれ上記第１導電層と上記第３導電層、上記第１導電層と上記第２導電層、上記第３導電層と上記第４導電層の極性が反対になるように高周波電界を印加し、
上記キャビティ内を流動する溶融樹脂と上記第１及び第２発熱体とを高周波誘電加熱することを特徴とする請求項１０の成形金型。
【請求項１３】
高周波誘電加熱する上記第１〜第４導電層の少なくとも１つが、樹脂流動方向に複数に分割されていることを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれかの成形金型。
【請求項１４】
上記発熱体が誘電体セラミックスであることを特徴とする請求項１３の成形金型。
【請求項１５】
金型本体または表面が、金属または金属を含む部材で形成され、各導電層は金型本体に対して電気的に絶縁されており、一方の金型と他方の金型との合わせ面が密着することで、両金型が互いに電気的に一体化した状態でキャビティを形成して、両金型がキャビティ部で発生する電磁波に対するシールドとして機能することを特徴とする請求項１０〜請求項１４のいずれかの成形金型。
【請求項１６】
負荷を受けて弾性変形し、負荷が解除されて弾性復元する導電性部材を金型のパーティングライン面等の型合わせ面に設け、上記導電性部材が金型のシールド機能部分に接続してあり、組み合わせた状態の金型の表面が電気的に一体となって電磁波に対するシールドを構成することを特徴とする請求項１５の成形金型。
【請求項１７】
請求項１２〜請求項１６のいずれかの成形金型における、上記第１導電層と上記第４導電層を一つのグループとし、また、上記第２導電層と上記第３導電層を一つのグループとして、各グループの各導電層による高周波電界の印加をそれぞれまたは同時に切り換えて、上記第１〜第４導電層への通電を制御する制御装置を備えているプラスチック薄型成形品の成形装置。
【請求項１８】
上記通電制御装置が、所定のプログラムによるプログラム制御装置である請求項１７のプラスチック薄型成形品の成形装置。
【請求項１９】
上記金型に温度センサを設けてあり、上記通電制御装置が上記温度センサの検出データをフィードバックする制御装置である請求項１７又は請求項１８のプラスチック薄型成形品の成形装置。
【請求項２０】
上記キャビティの末端部近傍に上記温度センサを設けている請求項１９のプラスチック薄型成形品の成形装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、肉厚が薄い形状のプラスチック成形品の射出成形方法及び成形装置に関するものであり、充填され、キャビティ内を流動する溶融樹脂の流動性低下を可及的に抑制して、金型キャビティの極めて狭い空間の末端まで溶融樹脂をスムーズに流入させて、薄肉のプラスチック製品の成形精度を向上させることができるものである。
【０００２】
【従来の技術】
この発明と関連する従来の技術として特開平０４−６４４１９号公報に記載されている成形用金型の加熱装置がある。このものは、キャビティ表面を高誘電体セラミックで形成し、高周波電圧を印加して前記高誘電体セラミックを誘電加熱する電場発生装置を設けている成形用金型の加熱装置である。また、特許第２６１８１００号公報に記載されている表面加熱成形金型があり、このものは、ウェルドラインやひけが発生する部分のキャビティ表面に窒化チタンなどの薄膜を設け、成形時に薄膜に通電することでキャビティ表面を加熱し、ウェルドラインやひけをなくするものである。また、特許第２６２７１３１号公報に記載されている回収樹脂の成形方法があり、このものは、金型キャビティ表面に断熱層を設けた金型で塗皮膜のある回収樹脂を成形するものである。さらに、特許第３０６６２５４号公報に記載されている光ディスク射出成形用断熱性金型構造があり、このものは、スタンパ取り付け面の表面に断熱層を有する挿入体を設置した金型を用いて成形するものである。
【０００３】
【従来技術の問題点】
近年、ノートパソコン、携帯電話などの筐体、液晶ディスプレイのバックライトに用いられる導光板など大面積で薄肉の射出成形品の開発が進められている。しかし、大面積薄肉成形品を射出成形で成形する場合、型内の狭いキャビティ空間の末端まで樹脂を充填しなければならない。一般に、キャビティ内で樹脂を流動させることができる範囲は、「ゲートからの樹脂流動長（Ｌ）」／「成形品の肉厚（ｔ）」の比率（以下、Ｌ／ｔという）で示され、Ｌ／ｔ＝１００がその上限とされている（例えば、肉厚が１ｍｍの場合、ゲートから１００ｍｍ先までしか樹脂が流せないことを示す）。従って大面積薄肉成形品ではゲートの数を増やして成形する方法を用いるが、この場合、成形品に各ゲートから流動してくる樹脂の合わせ目（以下ウエルドライン）が生じ、外観不良、強度不足の原因となっている。さらにゲートを増やすために型構造が複雑、大型化することが避けられない。
そのため、Ｌ／ｔ＞１００の成形品の成形精度を向上させるために、成形材料、成形方法などもいろいろ検討されている。
成形材料の開発では分子量を小さくするなど、温度低下による流動性低下を回避することが検討されているが、この場合、その成形材料本来の特性を低下させてしまうので、その特性を十分に活用できないという問題がある。
【０００４】
流動性が低下する要因はキャビティを流動する樹脂が型表面に接触すると同時に樹脂温度が低下し、キャビティ内を流動するにつれて樹脂の粘度が高くなってしまうことである。これに対する方策として、特許第２６２７１３１号公報に記載されているもの、特許第３０６６２５４号公報に記載されているもののようにキャビティ表面に低熱伝導層を設ける方法、特許第２６１８１００号公報、特開平０４−６４４１９号公報に記載されているもののようにキャビティ表面を加熱する方法等が考えられる。
しかし、キャビティ表面に低熱伝導層を設ける方法による場合は、樹脂温度の低下を十分に抑制するには低熱伝導層による熱伝抵抗を大きくしなければならず、そうすると冷却工程での樹脂冷却時間が長くなり、成形サイクルが長くなって生産性が低下することが避けられない。
キャビティ表面を加熱する方法による場合は、発熱部がキャビティ表層にあるため、発熱部の温度分布の不均一さがキャビティ表層に沿って流動する溶融樹脂の温度低下に直接影響して、その温度分布に不均一をもたらすことになる。このため、ヒーターの形状や電極位置、高周波の印加バランスを調整する必要があるが、これは金型の構成によって制約を受けるため調整不十分になることが避けられない。発熱部の温度分布の調整を優先すると、それによって金型の機能が制限されたり、発熱部の温度分布の不均一を回避するには金型全体が大きくなるなどの不具合がある。
【０００５】
【先行技術】
ところで、プラスチック薄肉製品の射出成形における上記のそもそもの問題は、冷却時間を可及的に短縮するという要請から金型の冷却温度（充填直前の時点の金型温度）を高くすることができず、したがって、溶融樹脂の充填温度に比して相当低温であるから（ポリカーボネイトの場合、充填温度が例えば３６０℃であるのに対して金型加熱温度は例えば１２０℃）、キャビティに充填された溶融樹脂がキャビティ末端に向かって流動するにつれて、その熱を金型に吸収されて温度が低下し、その流動性が低下することに起因するのであるから、キャビティ内を流動する溶融樹脂に高周波電界を印加し、溶融樹脂を高周波誘電加熱することによって放熱分を補給して、これによってキャビティ末端までその流動性を十分に確保するという技術の研究開発がなされている（特願２００２−１１８７４９号。ただし、これは公知ではない。以下これを先行技術という）。この技術は上記問題の解決には極めて有効であるが、しかし、溶融樹脂と金型間の温度差が大きいこと、および金型の熱伝導性が高いことなどのために、キャビティ内を流動する間の溶融樹脂の放熱量は相当大きく、他方、充填時間は極めて短時間であるので、この短時間で上記放熱量を十分補給するためには、上記の高周波電界を印加するための装置の電気容量が極めて大きくなり、そのためにその装置が大型になることが避けられない。このために、溶融樹脂の上記誘電加熱だけで上記従来技術の問題を解消することは実際問題として困難である。
他方、一般に、伝熱により樹脂温度が低下するときの移動熱量ｑは次の式で表わされる。この式から明らかなように単位面積単位時間あたりの移動熱量ｑを小さくするには、次式におけるλ、または（Ｔ１−Ｔ２）を小さくすればよい。
ｑ＝λ（Ｔ１−Ｔ２）／ｌ
ここで、ｑは単位面積単位時間あたりの移動熱量
Ｔ１はキャビティ表面温度
Ｔ２は冷却側温度
ｌはキャビティ表面と冷却側との距離
このことから、溶融樹脂と金型のキャビティ近傍部分の温度勾配を小さくすることによって、溶融樹脂から金型への伝熱（金型による吸熱）を低減できることが明らかである。他方、上記温度勾配を小さくするためには充填直前の金型温度を上げなければならず、そうすると冷却時間が長くなるという問題が生じる。
この発明は、従来技術の上記問題の上記先行技術による解消を基本とし、かつ、キャビティ内の流動溶融樹脂からの金型への伝熱を可及的に抑制することによって、従来技術の問題のより高度な解決を実現することを目的とするものであり、そのための技術的課題を主な請求項の発明毎に整理すれば次のとおりである。
【０００６】
【解決しようとする課題】
（１）課題１  
本発明の課題は、プラスチック成形金型における伝熱による樹脂温度低下の状態を表す上記式、すなわち、キャビティ表面の単位面積単位時間あたりの移動熱量ｑに関する上記式における（Ｔ１−Ｔ２）を小さくするためにキャビティ表面の背部に高温領域を発生させ、当該高温領域とキャビティ表面間の温度分布を均一にしつつ、キャビティ内を流動する樹脂を高周波誘電加熱してその温度低下を抑制する成形方法を補完して、溶融樹脂から金型への伝熱を抑止することによって溶融樹脂の流動性低下を効果的に防止することである。
（２）課題２  
また、本発明の課題は、キャビティ表面の背部に高温領域を発生させることでキャビティ表面から金型の冷却側への熱伝導性は低下するが、この状態を長く保持すると冷却工程における冷却時間が長くなる。そこで、本発明は、高周波誘電加熱を用いて上記高温領域を迅速に発生させ、また、迅速に消滅させることである。
（３）課題３  
また、本発明の課題は、短時間で高温領域を発生させるため発熱体を組み込んだ金型を工夫することである。（請求項１０〜１２の発明に対応）
（４）課題４  
また、本発明の課題は、相対する電極面の極性を短時間で正逆転させ、金型の誘電発熱体を高周波誘電加熱し、さらにキャビティ内を流動する溶融樹脂を誘電加熱できるように、高周波電界印加装置を工夫することである。（請求項４の発明に対応）
（５）課題５  
また、本発明の課題は、上記高温領域は樹脂充填時のみ必要であり、他方、キャビティ内の樹脂流動が停止した状態での加熱は冷却時間を長くすることから、成形機の射出動作と関連させて高周波電界の印加を工夫することである。（請求項９の発明に対応）
（６）課題６  
また、本発明の課題は、発熱体による金型の高温領域の生成と溶融樹脂への加熱とを同じ高周波電界印加機構で行えるように誘電加熱法を工夫することである。（請求項３,１２の発明に対応）
（７）課題７  
また、本発明の課題は、高周波誘電加熱のための高周波電界を印加するとキャビティ部で高周波の電磁波が発生し、高周波の電磁波は装置の誤動作を起こすなど不具合があるので、金型によって上記電磁波をシールドするように成形金型を工夫することである。（請求項１５,１６の発明に対応）
（８）課題８  
また、本発明の課題は、発熱体加熱による金型の高温領域の生成と溶融樹脂への加熱とを同じ高周波電界印加機構で行えるように成形装置を工夫することである。（請求項１７の発明に対応）。
【０００７】
【課題解決のために講じた手段】
【解決手段１】（請求項１に対応）
上記課題１及び課題２の解決手段は、成形金型のキャビティに溶融した樹脂を充填するプラスチック薄型成形品の成形方法を前提として、  
上記キャビティの表面を形成する第１導電層と、当該第１導電層の外側に第１発熱体を設け、当該第１発熱体の外側に第２導電層を設けてあって、上記第１導電層と第２導電層の間に高周波電界を印加して、前記第１発熱体を高周波誘電加熱させることである。
【０００８】
【作用】
キャビティに充填された溶融樹脂は金型温度に比して相当に高温であるから、キャビティ内をその末端に向かって流動する間にキャビティ内面に触れて吸熱され、キャビティ末端に達するまでの間に急激に温度が低下するところであるが、金型のキャビティ面の背部に設けた発熱体によって樹脂充填時に高温領域が形成され（例えば金型温度１２０℃から２８０℃に昇温した領域）、この高温領域がキャビティ内を流動する溶融樹脂とこの高温領域との温度差、つまり、流動する溶融樹脂から金型への伝熱の温度勾配が低減されて溶融樹脂から金型への伝熱が抑制される。
この溶融樹脂から金型への伝熱の抑制によって、キャビティ末端に達するまでの溶融樹脂の温度低下が抑制され、また、金型の高温領域の加熱温度を適切に制御することによって、キャビティ末端に達するまで溶融樹脂の流動性が十分確保される。
また、上記加熱手段は高周波誘電加熱であるために発熱体の応答特性が極めて高いので、高周波誘電加熱停止後のキャビティ表面の温度低下が極めて迅速であって、発熱体の存在による冷却工程での冷却速度の遅延を可及的に小さくすることができる。
なお、本明細書における「金型」の用語は成形用のキャビティを形成するいわゆる金型を意味するものであって、必ずしもそれが金属製であることを意味するものではない。
【０００９】
【実施態様１】（請求項３に対応）
実施態様１は、解決手段１における成形方法において、上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
それぞれ上記第１導電層と上記第３導電層、上記第１導電層と上記第２導電層、上記第３導電層と上記第４導電層の極性が反対になるように高周波電界を印加し、上記キャビティ内を流動する溶融樹脂と、上記第１及び第２発熱体とを高周波誘電加熱することである。
【００１０】
【作用】
キャビティを形成するそれぞれの金型に設けた第１〜第４導電層への通電制御を上記のようにすることによって、第１導電層と第２導電層の間、及び第３導電層と第４導電層の間に高周波電界が印加され、これによってその間の第１及び第２発熱体が誘電加熱され、かつ、第１導電層と第３導電層の間に高周波電界が印加され、これによってキャビティ内を流動する溶融樹脂が誘電加熱されて熱が補給され、金型によって吸熱される熱量の一部が補充されるので、流動する溶融樹脂の温度低下が抑制される。
このように、両金型の第１〜第４導電層によって、流動樹脂の誘電加熱と金型の発熱体の誘電加熱を同時に行うことができるので、キャビティ末端に達するまで溶融樹脂の流動性が十分確保される。また、これらの誘電加熱機構を単純化することができる。
【００１１】
【実施態様２】（請求項４に対応）
実施態様２は、上記実施態様１の成形方法において、上記第１導電層と上記第４導電層を一つのグループとし、また、上記第２導電層と上記第３導電層を一つのグループとして、それぞれのグループの導電層に極性が反対になるように高周波電界を印加することである。
【００１２】
【作用】
第１〜第４導電層の接続、およびその切り換え装置との接続を上記のようにすることによって、一つの切り換え装置によって、それぞれの導電層への通電を制御することができるので、各導電層による高周波電界の制御機構およびその制御が単純化される。
【００１３】
【実施態様３】（請求項５に対応）
実施態様３は、上記解決手段１、実施態様１又は実施態様２の成形方法において、高周波誘電加熱する上記第１〜第４導電層の少なくとも１つを樹脂流動方向に複数に分割した成形金型を用い、分割された個々の導電層による高周波電界の印加を樹脂の流動に合せて個別に制御することである。
【００１４】
【実施態様４】（請求項６に対応）
実施態様４は、上記実施態様３の成形方法おいて、上記分割された個々の導電層への通電を個別に制御することによって、個々の導電層による高周波電界の印加を制御することである。
【００１５】
【実施態様５】（請求項７に対応）
実施態様５は、上記実施態様４の成形方法において、上記分割された個々の導電層への通電電圧を制御することによって、個々の導電層による高周波電界の印加を制御することである。
【００１６】
【実施態様６】（請求項８に対応）
実施態様６は、上記解決手段１の成形方法を実施するための成形金型についての実施態様であり、上記発熱体が誘電体セラミックスであることである。
【００１７】
【実施態様７】（請求項９に対応）
実施態様７は、実施態様１の成形方法において、上記キャビティ内を流動する溶融樹脂を高周波誘電加熱する高周波電界の印加を、ゲートからの溶融樹脂充填開始時点から充填停止時点まで行うことである。
なお、上記の「溶融樹脂充填開始時点」は、溶融樹脂充填開始の直前直後を含めた時点を意味し、また、上記の「充填停止時点」は、溶融樹脂の充填停止時とその直前直後を含めた時点を意味する。
そして、印加開始時期を溶融樹脂充填開始の直前とするか、同時とするか、直後とするか、また、印加終了時期を充填停止直前とするか、同時とするか、直後とするかは、溶融樹脂の種類、充填温度、充填速度、温度と粘度との相関などを勘案して、適宜選択されることである。
【００１８】
【作用】
溶融樹脂の充填開始時点から、充填停止時点まで上記誘電加熱がなされるから、充填された樹脂がキャビティ末端に達するまでの間、その温度低下が確実に抑制され、キャビティ末端に達するときにその流動性が低下して充填不良を生じることは確実に回避される。
【００１９】
【解決手段２】（請求項１０に対応）
上記課題１及び課題２の解決手段は、溶融した樹脂を充填するキャビティを備えた、プラスチック薄型成形品を成形するための成形金型を前提として、
上記キャビティの表面を形成する第１導電層と、当該第１導電層の外側に第１発熱体を設け、当該第１発熱体の外側に第２導電層を設けてあって、上記第１導電層と第２導電層の間に高周波電界を印加して、前記第１発熱体を高周波誘電加熱させることである。
【００２０】
【作用】
金型のキャビティ表面を形成する第１導電層と、当該第１導電層の外側に発熱体を設け、当該発熱体の外側に第２導電層を設けてあって、上記第１導電層と第２導電層とによって上記発熱体に高周波電界を印加してこれを発熱させるようにしたことにより、金型のキャビティ面の背部に樹脂充填時に高温領域が形成され、流動する溶融樹脂から金型への伝熱が抑制されるので、溶融樹脂がキャビティ末端に達するまでその流動性が十分確保される。
また、高温領域を形成するための加熱手段を薄い形態で金型に組み込むことができるので、金型の大型化を回避することができる。また、この加熱手段は高周波誘電加熱であるために発熱体の応答特性が極めて高いので、高周波誘電加熱停止後のキャビティ表面の温度低下が極めて迅速であって、発熱体の存在による冷却工程での冷却速度の遅延を可及的に小さくすることができる。
【００２１】
【実施態様８】（請求項１２に対応）
実施態様８は、上記解決手段２の成形金型において、上記キャビティを挟んで反対側に上記キャビティの表面を形成する第３導電層と、当該第３導電層の外側に第２発熱体を設け、当該第２発熱体の外側に第４導電層を設けてあって、
それぞれ上記第１導電層と上記第３導電層、上記第１導電層と上記第２導電層、上記第３導電層と上記第４導電層の極性が反対になるように高周波電界を印加し、上記キャビティ内を流動する溶融樹脂と上記第１及び第２発熱体とを高周波誘電加熱することである。
【００２２】
【作用】
キャビティを挟んで反対側に、第３及び第４導電層と第２発熱体を設けて、上記第１導電層と上記第３導電層、上記第１導電層と上記第２導電層、上記第３導電層と上記第４導電層の極性が反対になるように高周波電界を印加することによって、キャビティ内の流動樹脂と金型の発熱体の誘電加熱を同時に行うことができるので、溶融樹脂がキャビティ末端に達するまでその流動性が十分確保される。
また、上記解決手段２と同様に、高温領域を形成するための加熱手段を薄い形態で金型に組み込むことができるので、金型の大型化を回避することができる。さらに、発熱体の応答特性が極めて高いので、高周波誘電加熱停止後の温度低下が極めて迅速であり、冷却工程での冷却速度の遅延を小さくすることができる。
【００２３】
【実施態様９】（請求項１３に対応）
実施態様９は、上記解決手段２又は実施態様８の成形金型において、高周波誘電加熱する上記第１〜第４導電層の少なくとも１つが、樹脂流動方向に複数に分割されていることである。
【００２４】
【実施態様１０】（請求項１４に対応）
実施態様１０は、上記実施態様９の成形金型において、上記発熱体が誘電体セラミックスであることである。
【００２５】
【実施態様１１】（請求項１５に対応）
実施態様１１は、上記解決手段２、又は実施態様８〜実施態様１０のいずれかの成形金型において、金型本体または表面が、金属または金属を含む部材で形成され、各導電層は金型本体に対して電気的に絶縁されており、一方の金型と他方の金型との合わせ面が密着することで、両金型が互いに電気的に一体化した状態でキャビティを形成して、両金型がキャビティ部で発生する電磁波に対するシールドとして機能することである。
【００２６】
【実施態様１２】（請求項１６に対応）
実施態様１２は、上記実施態様１１の成形金型において、負荷を受けて弾性変形し、負荷が解除されて弾性復元する導電性部材を金型のパーティングライン面等の型合わせ面に設け、上記導電性部材が金型のシールド機能部分に接続してあり、組み合わせた状態の金型の表面が電気的に一体となって電磁波に対するシールドを構成することである。
【００２７】
【解決手段３】（請求項１７に対応）
上記課題８の解決手段３は、プラスチック薄型成形品の成形装置において、上記実施態様８〜実施態様１２のいずれかの成形金型における上記第１導電層と上記第４導電層を一つのグループとし、また、上記第２導電層と上記第３導電層を一つのグループとして、各グループの各導電層による高周波電界の印加をそれぞれまたは同時に切り換えて、上記第１〜第４導電層への通電を制御する制御装置を備えていることである。
【作用】
この成形装置によって、上記解決手段１の成形方法を最も効果的に実施することができる。
【００２８】
【実施態様１３】（請求項１８に対応）
実施態様１３は、上記解決手段３の成形装置において、上記通電制御装置が、所定のプログラムによるプログラム制御装置であることである。
【００２９】
【作用】
例えば、個々の成形金型毎に充填された溶融樹脂の温度変化を計測し、この計測データに基づいて、上記導電層に求められる出力、上記導電層への最適通電タイミングを割り出してこれに適うように所定の制御プログラムを作成し、所定の制御プログラムに基づいて上記通電制御装置を制御する。これによって、キャビティ内を流動する溶融樹脂に対する高周波電界の印加、および上記発熱体に対する高周波電界の印加を行って、これらを所要の強さで、また最適のタイミングで制御する。したがって、薄型成形品を高精度で成形することができ、また、その成形精度が安定する。
【００３０】
【実施態様１４】（請求項１９に対応）
実施態様１４は、上記解決手段３又は実施態様１３の成形装置において、上記金型に温度センサを設けてあり、上記通電制御装置が上記温度センサの検出データをフィードバックする制御装置であることである。
【００３１】
【作用】
金型温度を常時温度センサによって監視して、この温度センサによる温度検出データを常時フィードバックするので、成形装置の稼働中における外乱による、充填樹脂の温度条件、金型の温度条件の変動に迅速に応答するので、上記外乱による成形精度の低下を確実に回避することができる。
【００３２】
【実施態様１５】（請求項２０に対応）
実施態様１５は、上記実施態様１４の成形装置において、上記キャビティの末端部近傍に上記温度センサを設けていることである。
【００３３】
【実施の形態】
実施形態の基本機構は、固定側型１１、可動側型２１によるキャビティＣを挟んで互いに対向するキャビティ表面１５，２２に導電層１６，２３をそれぞれ設け、当該導電層１６，２３の背部に発熱体１７，２４と導電層１８，２５をそれぞれ設けて、当該導電層１８または２５と導電層１６または２３とで発熱体１７または２４を挟んでおり、また、導電層１８，２５の背部側に絶縁層１９，２６を設け、導電層１６と１８の間、導電層２３と２５間に高周波電圧を印加して発熱体１７，２４に高周波電界を形成する手段を設けているものである。
【００３４】
固定側金型１１、可動側金型２１を閉じることで形成されるキャビティＣの相対する面より内部側に形成された導電層１６と１８、および導電層２３と２５に高周波電源装置３１より１ＭＨｚから１００ＭＨｚの高周波電圧を印加することによって発熱体１７，２４に高周波電界を発生させる。他方、キャビティＣ内を流動する溶融樹脂の熱はキャビティ面１５，２２から固定側金型１１、可動側金型２１へ伝熱され、その結果、溶融樹脂の温度が低下する。しかし、キャビティ内を流動する溶融樹脂、および発熱体１７，２４には高周波電界が発生しているので、溶融樹脂及び発熱体１７，２４は交互に反転する電気極性の影響で内部原子が振動して発熱する（誘電加熱）。溶融樹脂は上記誘電加熱によって熱量が補充されるので、その分だけその温度低下が抑制され、他方、発熱体は誘電加熱によって温度が上昇し、この温度上昇分だけキャビティＣを流動する溶融樹脂と発熱体１７，２４との温度差が小さくなり、発熱体１７，２４が溶融樹脂から金型への伝熱の障壁となるので、溶融樹脂から金型への伝熱が抑制され、その分だけ流動する溶融樹脂の温度低下が抑制される。このようにキャビティ内を流動する溶融樹脂に熱量が補充され、また金型への伝熱が抑制されて、これによって上記溶融樹脂の温度低下が抑制される。したがって、キャビティ末端へ流動する間、その流動性が狭いキャビティＣの末端に達するまで十分保持される。
【００３５】
【実施例】
次いで、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１は、実施例１の構成を示している。この例の固定側金型１１、可動側金型２１は共にＳＵＳ製であって、熱伝導率は０．２６×１０−２（Ｗ／ｍ℃）であり、充填される溶融樹脂はポリカーボネイトで充填温度は３６０℃である。他方、プラスチック成形品は外径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのディスク形状である。さらに、金型は冷却システムによって充填前の段階で１２０℃にコントロールされている。
固定側金型１１の中心部には、射出成形機（図示せず）から樹脂を充填するためのノズル１２、およびノズル１２からゲート１４へ樹脂を誘導するスプル１３を設けてある。固定側金型１１の内面に絶縁材層１９が設けられており、絶縁材層１９に導電層１８が積層され、さらに導電層１８に発熱体１７が積層され、さらに、発熱体１７には導電層１６が積層されていて、この導電層１６の内表面がキャビティ面になっている。
【００３６】
絶縁材層１９は厚さ０．０１〜１ｍｍで、例えば、アルミナ、ジルコニアなどのセラミックをスパッタリング法、ＣＶＤ法によって形成することができ、また電気泳動法を利用した電着塗装により有機薄膜で形成するか、あるいは溶射することによって形成することもできる。導電層１８および導電層１６は厚さ０．０１〜０．２ｍｍで、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮなどの導電性薄膜をイオンプレーティング法、スパッタリング法などで形成することができ、また、Ｎｉなどを電界メッキまたは無電界メッキで形成することもできる。発熱体１７は厚さ０．１〜１ｍｍで、高周波電界を受けて発熱するものであるから誘電率の高いものがよく、高誘電体セラミックスであるチタン酸バリウム（ＴｉＢａＯ３）が好適である。高誘電体セラミックスはＨＩＰ処理やスパッタリング法、ＣＶＤ法で形成することができ、電気泳動法を利用した電着塗装により有機薄膜で形成することもでき、あるいは溶射して形成することもできる。
同様にして、可動側金型２１の内面に設けた絶縁材層２６に導電層２５、発熱体２４、導電層２３が順次積層されていて、導電層２３の内表面がキャビティ面になっている。
なお、絶縁層の厚さは上記の範囲で導電層に印加される電力が大きいほど厚くなるように、また、発熱体１７の厚さは上記範囲で昇温温度が高いほど厚くなるように、さらに、導電層の厚さは上記の範囲でその電気抵抗低減、耐久性向上のために、印加される電力が大きいほど厚くなるように適宜選択すればよい。
【００３７】
固定側金型１１と可動側金型２１の合わせ目（パーティング面）は前記絶縁層１９，２６により、固定側金型１１の導電層１６、１８、および可動側金型２１の導電層２３，２５が接触しないようにしてある。また、固定側金型１１と可動側金型２１はパーティング面（金型の分割面）で密着しており、固定側金型１１と可動側金型２１が電気的に一体となることで金型内の電磁波に対するシールド効果が確保される。
固定側金型の導電層１６，１８、可動側金型の導電層２３，２５の結線は、例えば図１のとおりであって、この場合は導電層１６と導電層２３との極性が反対になっている。これにより、キャビティ内を流動する溶融樹脂とそれぞれの発熱体１７，２４がともに誘電加熱される。
【００３８】
この実施例１のキャビティＣは円盤状の空間であり、その外径は１２０ｍｍ、厚さは０．６ｍｍであり、溶融樹脂の充填温度は３６０〜３９０℃、充填所要時間は０．５〜１秒である。そして、キャビティ末端に達するときの溶融樹脂（ポリカーボネイト）は１７０℃以下になると、その流動性がなくなるので、この例では、キャビティ末端に達するときの溶融樹脂温度をほぼ２８０℃に低下させることを目標にしている。なお、キャビティ末端に達するときの溶融樹脂温度が低いほど冷却時間は短いから、理想的には、上記の目標温度を２４０℃（流動性確保のための最低必要温度）にすることが望ましいが、安全を見込んで目標温度を上記のとおりにしている。
高周波電源装置３１による高周波電力は１８ＫＷ、周波数９０ＭＨｚである。この高周波電圧の印加によって溶融樹脂は毎秒１８０℃の昇温速度で加熱される。
そして、キャビティ末端に達するときの溶融樹脂温度をほぼ２８０℃にするという目標達成のためには、溶融樹脂がキャビティ末端に到達する時点において、上記発熱体の温度が３００℃に加熱されていることが必要であり、充填前の温度１２０℃から、上記温度３００℃まで昇温させるための所要時間は１秒である。
以上のことからこの例においては、溶融樹脂の充填開始と同時に上記高周波電圧の印加を開始し、溶融樹脂の充填停止と同時に上記高周波電圧の印加を停止する。
【００３９】
以上の各条件によって行われる射出成形においては、溶融樹脂の充填温度がほぼ３６０〜３９０℃、充填圧力２５００Ｋｇ／ｃｍ２であり、他方、キャビティ末端での溶融樹脂温度は、ほぼ２８０℃〜３００℃の範囲内にあることが確認された。そして、キャビティ末端まで十分樹脂が充填されてキャビティ末端における溶融樹脂の流動性低下による成形不良は一切生じないことが確認された。
この実施例１は、切換装置３２を備えている。この切換装置３２によって固定側金型の導電層１６，１８の極性を反転させることができ、これによって、導電層１６と２３を同極にすれば、発熱体１７，２４だけが誘電加熱されることになる。この場合は、溶融樹脂と発熱体間の温度差を小さくすることで、溶融樹脂から金型への伝熱を抑制して、これによってキャビティ内を流動する溶融樹脂の流動性が所要流動性以下にならないようにすることになる。後者の場合は、キャビティ内を流動する溶融樹脂への熱量の補給はなく、発熱体の加熱温度には冷却時間短縮の観点から限界があるので、実際問題として、溶融樹脂の流動性低下の抑制効果には限界がある。キャビティ内を流動する溶融樹脂と発熱体１７，２４をともに誘電加熱するか、発熱体１７，２４だけを誘電加熱するかは、溶融樹脂の充填温度、物性、成形品の成形精度等と勘案して選択できることである。
また、導電層１６，２３間の電圧と、導電層１６，１８間の電圧と、導電層２３，２５間の電圧とを別個に調整できるようにして、溶融樹脂の誘電加熱量と発熱体の誘電発加熱量とを別個に制御することもできる。
【００４０】
図４に固定側金型１１と可動側金型２１間の電気的一体性を確保するための例を示している。この例においては、可動側金型の合せ面に設けた溝に弾性の高い導電部材４１を嵌め込んでおり、金型が閉じたとき、この導電部材４１は押しつぶされて弾性変形する（図４（ａ））。他方、固定側金型１１と可動側金型２１のパーティング面が開いた状態（図４（ｂ））では導電部材４１がパーティング面の開きに合わせて弾性復元するので、固定側金型１１と可動側金型２１は導電部材４１を介して電気的に連通した状態に保持される。したがって、金型の閉状態はもちろん、パーティング面が開いた開状態でも、キャビティＣ周辺に発生する電磁波に対する金型によるシールド効果が確保される。
変形可能な導電部材（導電性部材）４１は導電性と弾性復元力とがあればその形状の如何を問わないが、金属製のメッシュチューブやスプリング状のチューブが導電性および弾性復元力に優れている。
【００４１】
固定側金型１１の導電層１６，１８、および可動側金型２１の導電層２３，２５は金型外部に設けた高周波電源装置３１と導電層１６，２５の組合わせ、導電層１８，２３の組合わせの各組が逆の極性になるように接続されている。
固定側金型１１を成形機の固定側プラテン（図示せず）に、可動側金型２１を成形機の可動側プラテン（図示せず）にそれぞれ取り付ける。成形機の可動側プラテン（図示せず）の移動により固定側金型１１と可動側金型２１を合わせ、固定側金型１１のキャビティ面１５と可動側金型２１キャビティ面２２とでキャビティＣを形成する。
【００４２】
ところで、高周波電源装置３１による高周波電圧の周波数、出力は使用する発熱体の材質や容積、キャビティＣの空間容積に対して最適化する必要がある。例えば、発熱体が厚み５０ミクロンのチタン酸バリウム（ＴｉＢａＯ３）の場合、周波数３０〜１００ＭＨｚ、出力１〜１０ｋＷの高周波電圧が好ましい。
また、高周波電圧の印加開始時期は概ね溶融樹脂の充填開始に合せ、高周波電圧の印加停止はほぼ溶融樹脂の充填停止に合せればよいが、印加停止時期が早いほど冷却時間の短縮に寄与するから、キャビティ末端における溶融樹脂の流動性が確保される限度において、可及的に早めに停止することが望ましい。
【００４３】
充填停止と同時に高周波電圧の印加が停止すると、上記発熱体１７，２４の温度は直ちに金型温度に低下し、金型は冷却システムによって冷却されているので、キャビティＣに充填された樹脂の熱は金型へ速やかに伝熱され、樹脂は温度が低下して固化する。その後、成形機の可動側プラテン（図示せず）の移動により、可動側金型２１が固定側金型１１から離れてキャビティＣが開かれ、固化した樹脂が金型から取り出される。
【００４４】
図２に実施例２を示しており、そのキャビティＣは平板状空間Ｃ１と３つの縦の空間Ｃ２によるものである。
固定側金型１１は１１ａ，１１ｂの２部品で構成されそれぞれに部品のキャビティ面には、絶縁材層１９ａ，１９ｂ、導電層１８ａ，１８ｂ、発熱体１７ａ，１７ｂ、および導電層１６ａ，１６ｂがそれぞれ積層されている。これによって、高周波誘電加熱ブロックＡ１，Ｂ１が構成されている。
他方、可動側金型２１は、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄの４部品で構成されており、それぞれのキャビティ面には絶縁材層２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ、導電層２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ、発熱体２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ、および導電体２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄがそれぞれ積層されている。これによって高周波誘電加熱ブロックＡ２，Ｂ２，Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２，Ｚ１，Ｚ２を構成している。
【００４５】
また、導電層１６ａ，１８ｂ、２３ａ，２５ｂ、２３ｃ、２５ｄを一組とし、また、導電層１６ｂ，１８ａ、２５ａ、２３ｂ，２５ｃ、２３ｄを一組として高周波発生装置に接続することで、キャビティＣ１、Ｃ２、または発熱体２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄに電気極性の逆の高周波電圧を印加することができ、キャビティＣ１，Ｃ２、発熱体２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄを高周波誘電加熱することができる。図２に示す構成の金型を用いることでキャビティＣの形状が複雑になっても、キャビティＣの各空間における溶融樹脂がその末端まで十分行き渡るように、その流動性を保持させることができる。
また、高周波電源装置３１から導電層への接続途中に切換装置３２を設けて、適時電圧を切り換え、高周波電源装置３１から各高周波誘電加熱ブロックへの出力を調整することにより、キャビティＣの水平空間Ｃ１、垂直空間Ｃ２を流れる樹脂の状況に合わせて、各高周波誘電加熱ブロックの発熱体による発熱量を制御することができる。
図２の金型による作成方法および成形手順は、図１の金型による成形方法および成形手順と同様である。
【００４６】
この例では、金型の高周波誘電加熱領域を、高周波誘電加熱ブロックＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２，Ｚ１，Ｚ２による加熱領域の１０区分に分割しているが、例えばキャビティを構成する空間区分の厚さが異なり、あるいはその間の溶融樹脂の流動距離が異なるなどの条件が異なる場合は、キャビティの各空間ごとに加熱開始、加熱停止、熱出力などの高周波誘電加熱条件を異ならせることが望ましい場合がある。このような場合は、図３に示すように一対の高周波誘電加熱ブロックＡ１とＡ２、Ｂ１とＢ２、Ｘ１とＸ２、Ｙ１とＹ２，Ｚ１とＺ２をそれぞれの個別の制御装置３３を介して高周波電源装置３１に接続し、この制御装置３３をＣＰＵ３４によって、所定の制御プログラムに基づいて制御すればよい。
制御装置３３は、各高周波誘電加熱ブロックの一対の導電層の極性の切り換え、電圧、通電のＯＮ／ＯＦＦなどを制御して、各高周波誘電加熱ブロックの熱出力を制御するものであり、ＣＰＵ３４の指令信号によって動作するものである。
【００４７】
他方、ＣＰＵ３４を動作させる制御プラグラムは、成形品毎の金型について、予め測定された測定データに基づいて作成され、個々の高周波誘電加熱ブロックによる加熱の最適タイミング、最適熱出力に制御する制御プログラムである。そして、個々の金型について、その冷却条件、充填材料、充填温度、充填速度などの射出成形条件と、そのキャビティ内を溶融樹脂が末端に向かって流動するときのその先端の温度変化の測定データと、個々の温度測定点の目標設定温度とに基づいて、個々の高周波誘電加熱ブロックによる加熱条件を求め、この加熱条件に適う制御プログラムを作成して用意し、個々の金型の冷却条件、充填材料、充填温度、充填速度を設定することで、ＣＰＵで最適のプログラムを選択するようにすることができる。
また、上記測定データを基に、金型の冷却条件、充填材料、充填温度、充填速度等をパラメータとする共通する演算式を用いてＣＰＵの演算回路で制御プログラムを演算するようにすることもできる。この場合は上記パラメータを入力することによって、個々の成形品に適った制御プログラムで制御されることになる。また、キャビティ表面近傍に複数の温度センサを設け、成形装置の稼働中の温度を基にして、個々の高周波誘電加熱ブロックによる加熱条件を自動的に調整するようにプログラムすることもできる。
【００４８】
【発明の効果】
（１）請求項１及び請求項２の発明の効果
金型へ伝熱される金型内の伝熱経路途中に高温領域を設けることにより、溶融樹脂から金型への伝熱を抑制するから、キャビティ内を流動する溶融樹脂の温度低下、流動性低下を抑制して、キャビティ末端に到達するまで高い流動性を保持させることができ、極めて狭いキャビティ空間の末端まで溶融樹脂を十分充填させることができる。
また、金型内の高温領域の加熱手段として高周波誘電加熱を用いるので、加熱手段の作動、停止に対する温度応答性が高く、極めて短時間で加熱昇温させることができ、かつその温度降下が迅速であるので、上記加熱手段による加熱が金型の冷却工程の冷却促進の障害になることもない。
【００４９】
（２）請求項３の発明の効果
第１導電層と第２導電層の間、及び第３導電層と第４導電層の間に高周波電界が印加されることにより、その間に設けられた第１及び第２発熱体が誘電加熱され、また、第１導電層と第３導電層の間に高周波電界が印加されることにより、キャビティ内を流動する溶融樹脂が誘電加熱されるので、両金型の第１〜第４導電層によって、流動樹脂の誘電加熱と金型内の発熱体の誘電加熱を同時に行うことが可能である。これにより、キャビティ内を流動する溶融樹脂の温度低下や流動性の低下を抑制することができ、キャビティ末端に達するまで溶融樹脂の流動性が十分確保される。
また、互いに対向して、キャビティ空間を形成する導電層の電気極性が互いに異なるように電界を印加することができるので、キャビティ形状の如何に関わらず、キャビティ全体について、流動する溶融樹脂を高周波誘電加熱することができる。
【００５０】
（３）請求項４の発明の効果
金型内の導電層をグループに分けて、個々のグループの導電層についてその極性が反対になるように電界をかけるとともに、その極性を切り換えることができるので、キャビティ内の溶融樹脂の加熱、金型内の発熱体の加熱を選択的に制御することができる。
【００５１】
（４）請求項５〜請求項７の発明の効果
金型内の高周波誘電加熱領域を樹脂流動方向に複数に分割して、高周波電界出力をそれぞれ個別に制御するので、成形品の形状、樹脂材料に応じて最適の誘電加熱を行うことができる。
【００５２】
（５）請求項８の発明の効果
発熱体の材質を誘電体セラミックスにより形成するので、高周波電界よる誘電加熱の応答性及び効率がよく、金型の高温領域の加熱時間が短縮される。
【００５３】
（６）請求項９の発明の効果
溶融樹脂の充填動作に合わせて高周波誘電加熱の開始、停止を行い、これによって流動する溶融樹脂を誘電加熱し、さらに、金型の高温領域の発熱体を加熱することができるので、冷却工程と誘電加熱とが時間的に重なることはなく、充填完了後に続く冷却工程が遅延することは回避される。
【００５４】
（７）請求項１０及び請求項１１の発明の効果
金型に設けた第１導電層（又は第３導電層）と第２導電層（又は第４導電層）により発熱体に高周波電界を印加してこれを発熱させ、樹脂充填時に金型のキャビティ面の背部に高温領域を形成することによって、流動する溶融樹脂から金型への伝熱が抑制されるので、溶融樹脂がキャビティ末端に達するまでその流動性を十分確保することができる。
また、高温領域を形成するための加熱手段を薄い形態で金型に組み込むことができるので、金型の大型化を回避することができる。
さらに、加熱手段が高周波誘電加熱であるため、発熱体の応答特性が極めて高いので、高周波誘電加熱停止後のキャビティ表面の温度低下が極めて迅速であり、冷却工程での冷却速度の遅延を可及的に小さくすることができる。
【００５５】
（８）請求項１２の発明の効果
第１導電層と第２導電層の間、第３導電層と第４導電層の間、及び第１導電層と第３導電層の間に高周波電界を印加することにより、金型内の発熱体とキャビティ内を流動する溶融樹脂に誘電加熱を同時に行うことが可能であり、キャビティ内を流動する溶融樹脂の温度低下や流動性の低下を抑制することができ、キャビティ末端に達するまで溶融樹脂の流動性を十分に確保することができる。
また、互いに対向して、キャビティ空間を形成する導電層の電気極性が互いに異なるように電界を印加することができるので、キャビティ形状の如何に関わらず、キャビティ全体について、流動する溶融樹脂を高周波誘電加熱することができる。
【００５６】
（９）請求項１３の発明の効果
金型内の高周波誘電加熱領域を樹脂流動方向に複数に分割して、高周波電界出力をそれぞれ個別に制御するので、成形品の形状、樹脂材料に応じて最適の誘電加熱を行うことができる。
【００５７】
（１０）請求項１４の発明の効果
発熱体の材質を誘電体セラミックスにより形成するので、高周波電界よる誘電加熱の応答性や効率がよく、金型の高温領域の加熱時間を短縮することができる。
【００５８】
（１１）請求項１５の発明の効果
固定金型と可動金型とが電気的に一体の状態に保持されるから、金型内部で発生する電磁波を金型によって完全にシールドすることができる。
【００５９】
（１２）請求項１６の発明の効果
成形工程で金型の合わせ面が開いても、合わせ面に設けた導電性部材が弾性復元して、合わせ面の開きに追従し、これによって固定金型と可動金型とが電気的に一体性が保持されるので、金型によるシールド効果が低下することはない。
【００６０】
（１３）請求項１７の発明の効果
金型内の導電層をグループに分けて、個々のグループの導電層についてその極性が反対になるように電界をかけるとともに、その極性を切り換えることができるので、キャビティ内溶融樹脂、金型内の発熱体に選択的に高周波電界を与えることができる。
（１４）請求項１８の発明の効果
各グループに分かれた導電層への通電がプログラム制御されるので、各導電層へ与える高周波電界の出力、タイミングを、射出成形条件（材料、形状、射出温度、射出時間、金型温度等）に応じて最適に制御することができる。
（１５）請求項１９及び請求項２０の発明の効果
金型内の温度センサによる温度検知データをフィードバックできるので、外乱による成形精度低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、実施例１の金型を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は図１の一部拡大図である。
【図２】は、実施例２の金型を模式的に示す断面図である。
【図３】は、実施例２の誘電加熱手段の制御システムの一例を示すブロック図である。
【図４】（ａ）はシールド機能を有する成形金型の閉状態を示す断面図であり、（ｂ）は同成形金型の開状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１１：固定側金型
２１：可動側金型
１４：ゲート
Ｃ：キャビティ
９，２６：絶縁材層
１５，２２：キャビティ表面
１６，１８，２３，２５：導電層
１７，２４：発熱体
３１：高周波電源装置
３２：切換装置
３３：制御装置
Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２，Ｚ１，Ｚ２：高周波誘電加熱ブロック
【図１】
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【図２】
0003813535.tif 000003
【図３】
0003813535.tif 000004
【図４】
0003813535.tif 000005