(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスが供給される反応容器内に、被処理物を表面上に保持すると共に内部に埋設された抵抗発熱体で加熱するセラミックス保持体と、セラミックス保持体の被処理物保持表面以外を一端で支え、他端が反応容器の一部に固定された筒状支持部材とを備える半導体又は液晶の製造装置であって、筒状支持部材の一端とセラミックス保持体とが気密接合されると共に、筒状支持部材の他端側は内部で気密封止され、筒状支持部材内のセラミックス保持体と他端側封止部とで区画された空間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることを特徴とする半導体／液晶製造装置。
【請求項２】
前記筒状支持部材の他端側は、封止材料のみで気密封止されているか、又は筒状支持部材の内部に仕切板が配置され且つ筒状支持部材と仕切板の隙間が封止材料で気密封止されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項３】
前記筒状支持部材の他端側封止部が、筒状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側にあることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項４】
前記筒状支持部材の他端側封止部が、筒状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側で且つ反応容器の底部の近くにあることを特徴とする、請求項３に記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項５】
前記筒状支持部材の他端側の気密封止に用いる封止材料は、その耐熱性が２００℃以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項６】
前記封止材料がガラス又は結晶化ガラスであることを特徴とする、請求項５記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項７】
前記封止材料が耐熱樹脂であることを特徴とする、請求項５に記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項８】
前記セラミックス保持体及び筒状支持部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のセラミックス材料で構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。
【請求項９】
前記抵抗発熱体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属材料で構成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反応容器内に被処理物を保持して加熱する手段を備えた半導体や液晶の製造装置に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体又は液晶製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウエハ上でエッチングや成膜を行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置が一般に使用されている。半導体ウエハは反応容器内に配置した保持体の表面上に載せて、そのまま静置したり、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極に電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、保持体上に固定される。
【０００３】
保持された半導体ウエハは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏｎ）、プラズマＣＶＤ等、あるいはエッチング、プラズマエッチング等における成膜速度やエッチング速度を均一に維持するために、その温度が厳密に制御される。その厳密な温度制御のために、保持体に内蔵した発熱体によって保持体を加熱し、その表面からの伝熱によって半導体ウエハを加熱するようになっている。
【０００４】
発熱体を内蔵した保持体は、例えばセラミックス中にＭｏコイルを埋め込んで形成される。また、Ｍｏコイルに接続されたＷやＭｏの電極を保持体の被処理物保持表面の反対側（裏面）に設け、その電極端子にＮｉ等の引出線を接合して系外の電源に接続し、セラミックス保持体に埋め込んだＭｏコイルに電力を供給して加熱させることが行われていた。
【０００５】
上記反応容器内においては、反応ガスとしてハロゲン系等の腐食性ガスを用いることが多いため、保持体の裏面に露出したＷやＭｏの電極が腐食されやすい。そこで、耐食性の高いセラミックスや金属製の筒状支持部材を保持体の裏面に気密接合すると共に、筒状支持部材の他端を反応容器の一部にＯ−リング封止することにより、電極端子が反応ガスに暴露されないように保護していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体や液晶の製造装置では、保持体裏面の電極端子を腐食性ガスから保護するため、電極端子を収納した筒状支持部材と反応容器の間をＯ−リングで気密封止する方法が用いられていた。必要とされる気密性はＨｅリークで少なくとも１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満とされている。しかし、Ｏ−リング封止は簡便で安価な割に信頼性が高い反面、Ｏ−リングがゴムで構成されるため比較的耐熱性の高い材料を用いても耐熱温度は精々２００℃が上限であった。
【０００７】
半導体や液晶の製造時における膜形成、エッチング、熱処理等は２００℃以上の温度で反応を起こすことが多く、中でも膜形成に用いるＣＶＤやプラズマＣＶＤでは５００〜８００℃という高温が用いられることが多い。そのため筒状支持部材を伝わってくる熱でＯ−リングが劣化しないように、Ｏ−リング近傍を強制冷却して２００℃未満に維持していた。その結果、供給した熱の５０％以上が本来のウエハ加熱に用いられず、無駄に失われていた。
【０００８】
また、筒状支持部材をセラミックスで構成する場合、筒状支持部材に大きな熱勾配が掛かると、脆性材料であるセラミックスが割れてしまうため、３００ｍｍ程度の長い筒状支持部材にして温度勾配を緩やかにせざるを得なかった。そのため、長い筒状支持部材を中に収める反応容器も小型化できず、必要以上に大型な構造にせざるを得なかった。
【０００９】
更に、筒状支持部材は、反応容器内からのハロゲン等の腐食性ガスの侵入に対しては気密封止により防止されているが、その内部は大気雰囲気で用いることが多かった。その場合、電極端子付近は５００〜８００℃の大気による酸化雰囲気に曝されるため、耐酸化性の低いＷやＭｏの電極端子は耐酸化性シールを施して保護する必要があった。しかし、長い筒状支持部材の奥でシール処理を行うのは容易な作業ではなく、製造歩留まりも低かった。
【００１０】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、筒状支持部材の気密封止作業が容易であって、電極端子の腐食並びに酸化を防止でき、且つ保持体の均熱性を高めると共に熱効率を向上させることができ、また筒状支持部材を短尺にして反応容器の小型化を図ることが可能な半導体又は液晶の製造装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、反応ガスが供給される反応容器内に、被処理物を表面上に保持すると共に内部に埋設された抵抗発熱体で加熱するセラミックス保持体と、セラミックス保持体の被処理物保持表面以外を一端で支え、他端が反応容器の一部に固定された筒状支持部材とを備える半導体又は液晶の製造装置であって、筒状支持部材の一端とセラミックス保持体とが気密接合されると共に、筒状支持部材の他端側は内部で気密封止され、筒状支持部材内のセラミックス保持体と仕切板で区画された空間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることを特徴とする半導体／液晶製造装置を提供するものである。
【００１２】
上記本発明の半導体／液晶製造装置においては、前記筒状支持部材の他端側は、封止材料のみで気密封止されているか、又は筒状支持部材の内部に仕切板が配置され且つ筒状支持部材と仕切板の隙間が封止材料で気密封止されていることを特徴とする。また、前記筒状支持部材の他端側封止部は、筒状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側にあること、好ましくは反応容器の底部の近くにあることを特徴とする。
【００１３】
また、上記本発明の半導体／液晶製造装置においては、前記筒状支持部材の他端側の気密封止に用いる封止材料は、その耐熱性が２００℃以上であることを特徴とする。前記封止材料がガラス又は結晶化ガラスであること、若しくは前記封止材料が耐熱樹脂であることを特徴とする。
【００１４】
更に、上記本発明の半導体／液晶製造装置においては、前記セラミックス保持体及び筒状支持部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のセラミックス材料で構成されていることを特徴とする。また、前記抵抗発熱体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属材料で構成されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体又は液晶の製造装置では、抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス保持体と、このセラミックス保持体の被処理物保持表面以外を一端で支える筒状支持部材とを気密接合すると共に、筒状支持部材の他端側は内部で気密封止する。筒状支持部材の内部にはセラミックス保持体と他端側封止部とで気密に区画された空間が形成され、この空間内を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることによって、耐腐食性や耐酸化性のシール処理を施さなくても電極端子を腐食や酸化から保護することができる。
【００１６】
また、上記のごとく筒状支持部材内の区画された空間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気に維持することによって、空気や不活性ガスの大気圧雰囲気に比較して、セラミックス保持体の熱が筒状支持部材を経由して内部雰囲気に逃げる割合を減らすことができる。しかも、筒状支持部材の他端側の気密封止にＯ−リングを使用しないため、その部分の冷却をなくすか又は少なくすることができる。これらにより、セラミックス保持体における均熱性が向上し、且つ熱効率を大幅に高めることができる。
【００１７】
筒状支持部材の他端側の気密封止については、筒状支持部材の内部を封止材料のみで封止してもよいが、筒状支持部材の内部にセラミックスや金属の仕切板を配置し、その隙間を封止材料で封止することが、信頼性、作業性、コスト等を考えると好ましい。
【００１８】
また、筒状支持部材の他端側を封止する他端側封止部の位置は、長さ方向における中央より更に他端側（反応容器寄り）にあることが好ましい。他端側封止部をできるだけセラミックス保持体から離し、低温となる位置で封止することによって、封止材料の自由度が増加し、封止材料の劣化が抑えられると共に、封止作業も容易になる。特に、他端側封止部を筒状支持部材の他端近傍にすれば、封止材料の劣化防止効果、封止作業効率が最大になり最も好ましい。
【００１９】
筒状支持部材の他端側の気密封止に用いる封止材料は、２００℃未満の耐熱性しかないＯ−リングは使用せず、耐熱性が２００℃以上の封止材料を用いる。耐熱性が２００℃以上の封止材料としては、ガラス又は結晶化ガラス、若しくはイミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性樹脂の使用が好ましい。
【００２０】
封止用のガラスは耐熱性、耐酸化性に優れ、筒状支持部材の他端近傍を水冷することなく用いることが可能である。また、耐熱性樹脂を使用すれば、筒状支持部材内部での封止作業が行いやすく、常温での封止が可能となるため、封止コストが大幅に低減でき、歩留まりが大幅に向上する。
【００２１】
セラミックス保持体は、ハロゲン等に対しても耐腐蝕性が高く、耐熱性、絶縁性の高いセラミックスが好ましく、具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）がより好ましい。
【００２２】
セラミックス保持体に埋設される抵抗発熱体としては、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれた金属からなることが好ましく、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ−Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒのメタライズのほか、これらの箔、メッシュ、コイル等を埋め込んで構成することができる。
【００２３】
また、筒状支持部材には耐腐蝕性の高いセラミックスや金属が用いられるが、その一端でセラミックス保持体と耐熱性の高い気密接合を行うことを考慮すると、熱膨張率の合ったセラミックス材料、特にセラミックス保持体と同一材料であることが最も好ましい。
【００２４】
【実施例】
実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として０.５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を添加し、更に有機バインダを添加して分散混合した後に、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を、焼結後の寸法が直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍとなる形状Ａの成形体を、一軸プレスにより２枚成形した。また、同じ造粒粉末を用いて、焼結後の寸法が外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１００ｍｍの略円筒状となる形状Ｂの成形体を、ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）により１枚成形した。
【００２５】
形状Ａの成形体は、表面に幅４.５ｍｍ、深さ２.５ｍｍの溝を形成した後、８００℃の窒素気流中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせて２枚の成形体を重ね合わせ、窒素気流中にて１８５０℃で４時間、１００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、裏面にＭｏコイルの端部を露出させてＷの電極端子を設け、ＡｌＮ製のセラミックス保持体とした。一方、形状Ｂの成形体は、８００℃の窒素気流中で脱脂し、窒素気流中にて１８５０℃で４時間焼結し、得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨してＡｌＮ製の筒状支持部材とした。
【００２６】
図１に示すように、上記セラミックス保持体１の裏面に筒状支持部材２の一端を当接させ、その内部にＭｏコイルからなる抵抗発熱体３の電極端子４が入るようにセットして、１８００℃で１時間、圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ２でホットプレス接合した。その後、セラミックス保持体１の裏面の電極端子４にＮｉの引出線５を接続した。引出線５と排気管１０を通す穴を有するＡｌＮ製の仕切板６を筒状支持部材２の内部の他端近くにあてがい、引出線５と排気管１０を挿通させた後、仕切板６の他端側全面にイミド樹脂の封止材料７を施して、仕切板６と筒状支持部材２、引出線５、排気管１０との隙間を気密封止した。
【００２７】
この筒状支持部材２（一端にセラミックス保持体１が気密接合され且つ他端側は内部で仕切板６と封止材料７により気密封止されている）を反応容器９に入れ、筒状支持部材２の他端を反応容器９の底部にクランプで固定したが、Ｏ−リングによる気密シールは施さなかった。筒状支持部材２の内部を封止する封止材料７の他端面（下側面）と反応容器９の底部の間にはほとんど隙間が存在しなかった。その後、仕切板６と封止材料７を貫通した排気管１０を通して、筒状支持部材２の内部を真空引きしながら窒素ガスを導入した。尚、図中の８は温度測定用の熱電対、１１は反応容器の排気管である。
【００２８】
筒状支持部材２の内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体１を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.５％であり、熱効率は８０％であった。
【００２９】
実施例２
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤として３重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）と２重量％のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を加え、更に有機バインダを添加して分散混合したのち、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を用い、上記実施例１と同じ方法でセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製したが、焼結条件は１７５０℃で５時間、接合条件は１７３０℃で１時間とした。
【００３０】
このＳｉ３Ｎ４製のセラミックス保持体と筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持体の均熱性は±０.８％であり、熱効率は６５％であった。
【００３１】
実施例３
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末に、焼結助剤として２重量％の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）と１重量％のカーボン（Ｃ）を加え、更に有機バインダを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を用い、上記実施例１と同じ方法でセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製したが、焼結条件は１９５０℃で５時間、接合条件は１９００℃で２時間とした。
【００３２】
このＳｉＣ製のセラミックス保持体と筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持体の均熱性は±０.７％であり、熱効率は７０％であった。
【００３３】
実施例４
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更に有機バインダを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を用い、上記実施例１と同じ方法でセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製したが、焼結条件は１６００℃で５時間、接合条件は１５５０℃で１時間とした。
【００３４】
このＡｌ２Ｏ３製のセラミックス保持体と筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持体の均熱性は±０.９５％であり、熱効率は５５％であった。
【００３５】
実施例５
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮからなる形状Ａ及び形状Ｂの各成形体を作製した。いずれの成形体も窒素気流中にて８００℃で脱脂し、窒素気流中にて１８５０℃で４時間焼結した後、表面をダイヤモンド砥石で研磨した。
【００３６】
形状Ａの成形体から得た１枚の板状焼結体の表面に、Ｗ粉末に焼結助剤とエチルセルロース系のバインダーを添加したＷペーストで回路を印刷し、窒素気流中にて９００℃で脱脂した後、窒素気流中にて１８３０℃で焼き付けた。残り１枚の板状焼結体に接合材を塗布し、窒素気流中にて９００℃で脱脂し、上記回路を形成した板状焼結体と重ね合わせた。
【００３７】
更に、形状Ｂの成形体から得た筒状焼結体の一端面にも接合材を塗布し、上記重ね合わせた板状焼結体の裏面にあてがい、窒素気流中にて９００℃で脱脂した後、１８００℃で２時間焼結して接合した。得られたセラミックス保持体の裏面に内部のＷ回路に接続したＷの電極端子を接合し、Ｗ電極端子にＮｉの引出線を接続した。
【００３８】
その後、引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止した。この筒状支持部材を反応容器に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部にクランプで固定した。
【００３９】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００４０】
実施例６
回路用のペーストとしてＰｔ−Ａｕと焼結助剤とエチルセルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼成条件を９００℃で２時間としたこと、及びセラミックス支持体と筒状支持部材との接合材に接合用ガラスを用い、８００℃にて１時間の条件で接合したこと以外は、上記実施例５と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒状支持部材を作製した。
【００４１】
引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止した。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部にクランプで固定した。
【００４２】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００４３】
実施例７
回路用のペーストとしてＡｇ−Ｐｄと焼結助剤とエチルセルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼成条件を８５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒状支持部材を作製した。
【００４４】
引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止した。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部にクランプで固定した。
【００４５】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００４６】
実施例８
回路用のペーストとしてＮｉ−Ｃｒと焼結助剤とエチルセルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼成条件を７５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒状支持部材を作製した。
【００４７】
引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止した。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部にクランプで固定した。
【００４８】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００４９】
実施例９
筒状支持部材の他端側を気密封止する際に、仕切板を用いず、封止用のガラスのみを用いて７５０℃で１時間封止した以外は、上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応容器内に設置した。
【００５０】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００５１】
実施例１０
筒状支持部材の他端側を気密封止する際に、図２に示すように、筒状支持部材２の内部に他端から２５ｍｍの位置にＡｌＮ製の仕切板６を配置し、イミド樹脂の封止材料７で隙間を気密封止した以外は、上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体１及び筒状支持部材２を作製し、上記実施例１と同様に反応容器９内に設置した。
【００５２】
上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は８０％であった。
【００５３】
比較例１
Ｗの電極端子をガラスでシールしたこと、及び筒状支持部材の他端と反応容器の間をＯ−リングで気密封止し、その近傍を２００℃未満に強制水冷したこと以外は、上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応容器内に設置した。
【００５４】
筒状支持部材内部を大気雰囲気とし、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±１.８％であり、熱効率は３０％であった。尚、この加熱測定中に、熱応力により筒状支持部材にクラックが入ったため、途中で測定を中止した。
【００５５】
比較例２
筒状支持部材の長さを３００ｍｍにした以外は、上記比較例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応容器内に設置した。
【００５６】
筒状支持部材内部を大気雰囲気とし、セラミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均熱性は±１.５％であり、熱効率は４０％であった。尚、この測定中には、筒状支持部材にクラックは生じなかった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、筒状支持部材の気密封止作業が容易であり、電極端子の腐食並びに酸化を防止でき、且つ気密封止にＯ−リングを使用しないことで冷却をなくし又は冷却を少なくして、セラミックス保持体の均熱性を高めると共に熱効率を向上させることができる。しかも、筒状支持部材を短尺にできるため、反応容器の小型化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体／液晶製造装置の一具体例を示す概略の断面図である。
【図２】本発明による半導体／液晶製造装置の他の具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
１      セラミックス保持体
２      筒状支持部材
３      抵抗発熱体
４      電極端子
６      仕切板
７      封止材料
９      反応容器
１０、１１      排気管
【図１】
0003840990.tif 000002
【図２】
0003840990.tif 000003