(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に配置されるボンド・パッドを有する、集積回路で使用するための、ボンド・パッド支持構造体であって、
ボンド・パッドの下方に位置していて、その内部に形成された複数の開口部を持つ導電性金属の第一のボンド・パッド支持層であって、前記開口部が、前記導電性金属第一ボンド・パッド支持層に、複数の入れ子状の幾何学的パターンを形成し、この入れ子状の幾何学的パターン外側のパターンの幅が、前記入れ子状の幾何学的パターンの内側のパターンの幅より広くなっている第一のボンド・パッド支持層と、
前記第一ボンド・パッド支持層の上に位置していて、前記開口部の少なくとも一部上にボンド・パッド支持面を形成するように、前記開口部の中に少なくともその一部が延びる、非導電性材料からなる第二のボンド・パッド支持層と、
前記第二のボンド・パッド支持層のすぐ上に位置するボンド・パッドと、
前記ボンド・パッド、前記第一ボンド・パッド支持層および前記第二のボンド・パッド支持層の下方に位置する回路とを備えるボンド・パッド支持構造体。
【請求項２】
その上に配置されるボンド・パッドを有する集積回路に用いるボンド・パッド支持構造体を形成する方法であって、
基板上に回路を形成するステップと、
前記回路上に、導電性金属の第一のボンド・パッド支持層を形成するステップと、
前記第一ボンド・パッド支持層に開口部を形成するステップであって、前記開口部が、前記導電性金属第一ボンド・パッド支持層に、複数の入れ子状の幾何学的パターンを形成し、この入れ子状の幾何学的パターン外側のパターンの幅が、前記入れ子状の幾何学的パターンの内側のパターンの幅より広くなっているステップと、
前記開口部の少なくとも一部上にボンド・パッド支持面を形成するために、前記第一ボンド・パッド支持層上および前記開口部の少なくとも一部上に、第二ボンド・パッド支持層を形成するステップと、
前記第二ボンド・パッド支持層上にすぐ、前記ボンド・パッドを形成するステップとを含み、
前記第二ボンド・パッド支持層を形成するステップは、誘電体層を形成するステップからなる方法。
【請求項３】
集積回路システムであって、
フットプリントを持ち、集積回路システム上に位置するボンド・パッドと、
ボンド・パッド支持構造体とを備え、該ボンド・パッド支持構造体が、
前記ボンド・パッドの下方に位置していて、その内部に複数の開口部を持ち、その各々が複数の入れ子状の幾何学的なパターンを導電性金属の第一ボンド・パッド支持層に形成している、導電性金属の第一のボンド・パッド支持層であって、前記入れ子状の幾何学的パターンを形成し、この入れ子状の幾何学的パターン外側のパターンの幅が、前記入れ子状の幾何学的パターンの内側のパターンの幅より広くなっている第一のボンド・パッド支持層と、
非導電性材料からなり、前記第一のボンド・パッド支持層の上に位置し、前記開口部の少なくとも一部分上にボンド・パッド支持面を形成するように、前記開口部の中に少なくともその一部が延びる第二のボンド・パッド支持層と、
前記ボンド・パッド、前記第一ボンド・パッド支持層、および前記第二のボンド・パッド支持層の下方に位置する回路と、を含む集積回路システム。
【請求項４】
請求項３に記載の集積回路システムにおいて、前記入れ子状の幾何学的にパターン形成された開口部が、同心幾何学的パターンである集積回路システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概して、集積回路に関し、特にボンド・パッドを内蔵する集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】
集積回路の装置の数または次元、および１秒間の間に、数百万の命令（ＭＩＰＳ）に達する場合がある、回路処理速度のような集積回路（ＩＣ）技術のいくつかの面が注目されている。明らかに、これらの分野の進歩は、非常に魅力のあるものであり、容易に理解される。しかし、超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路技術の他のいくつかの面も非常に重要である。例えば、集積回路は、より大きな電気回路でどんなふうにでも使用できるように電気的に接触させなければならない。集積回路パッケージの外部ピンからの上記電気回路は、一般に、集積回路の縁部上に位置するボンド・パッドを通して集積回路に接続しなければならない。通常、マイクロチップ・ダイのレベルのところで露出している上記ボンド・パッドは、上記ダイ上の集積回路と、マイクロチップが設置される上記電気回路との間で相互接続を行う。ボンド・パッドは、一般に、集積回路ダイの縁部上に位置する。ボンド・パッドは、バッファおよび導電性相互接続装置とを通して、集積回路の装置に電気的接続している金属領域である。ボンド・パッドは、層形成プロセス中に形成されるが、完成した集積回路パッケージの外部ピンに接続するために、最終的には、ワイヤをボンド・パッドに取り付けなければならない。従来技術の限界およびワイヤの物理的サイズ、並びにボンド・パッドの性質のために、装置のサイズと比較すると、ボンド・パッドは比較的サイズが大きい。ワイヤのサイズのため、ボンド・パッドは、チップの表面のかなりの部分を占める。それ故、ボンド・パッドの下の領域は、チップ全体の面積のかなりの部分を占める。
【０００３】
上記パッケージとボンド・パッドとの間の電気的接続は、物理的な完全な状態および高い電気伝導度を必要とする。上記接続を形成するために使用される、従来のボンディング・プロセスは、通常、ワイヤとボンド・パッドとの間に良好な接続を行うために、高い温度および／または比較的高い圧力とを必要とする。通常、誘電層の頂部に位置するボンド・パッドを使用した場合、上記ボンディング条件により、誘電体中に熱的および機械的応力が発生する。上記応力は、誘電体中に欠陥を生じ、その欠陥により、ボンド・パッドとその下の導電性基板との間の誘電体を通して大きな漏洩電流が流れる。上記漏洩電流が発生するので、従来から、能動装置用のボンド・パッドの下では基板を使用することができず、そのため、装置のパッキングに使用可能な領域が減少する。バッファは、通常、集積回路の縁部上のボンド・パッドの間に位置しているので、ボンド・パッドの下に設置することができない。同様に、上記バッファまたは他の装置を収容するために、ボンド・パッドの間の空間を広くしなければならない。
【０００４】
従来技術の場合には、ボンド・パッドの下の金属層に簡単な金属製のクッションを蒸着することにより、能動回路が、ボンド・パッドのフットプリントの下の、集積回路の下部層にうまく形成された。この金属パッドは、その下の誘電層をワイヤ・ボンディング・プロセスの圧力および熱から保護するクッションとしての働きをする。しかし、技術が進歩して、装置のサイズがより小型になり、０．３または０．２５ミクロン程度の大きさになると、この金属パッドはその効力を失った。装置の大きさが０．３ミクロンの集積回路を検査すると、サンプルの少なくとも５０％の誘電体内に亀裂が見られる。それ故、この技術は、装置のサイズが０．３ミクロンになった場合に、実用上の限界に達したと結論づけざるをえない。
【０００５】
従って、この技術に必要なものは、ボンディング・プロセス中に、回路構造体に損傷を与える危険性を実質的に軽減し、チップ面積をより有効に使用することができるボンド・パッド支持構造体を提供するための改良型の方法である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
従来技術の上記欠点を解決するために、本発明は、その上にボンド・パッドを持つ集積回路で使用するためのボンド・パッド支持構造体を提供する。ある実施形態の場合には、上記ボンド・パッド支持構造体は、ボンド・パッドの下に位置していて、その内部に形成された開口部を持つ支持層を備える。ボンド・パッド支持構造体は、さらに、導電層上に位置していて、少なくとも上記開口部の一部上に、ボンド・パッド支持面を形成するために、少なくとも部分的に開口部内に延びている誘電層を含む。ある実施形態の場合、上記第一のボンド・パッド支持層は、導電性金属を含むことができ、第二のボンド・パッド支持層は、誘電材料を含むことができる。
【０００７】
それ故、本発明は、その内部において、第一のボンド・パッド支持層の開口部の少なくとも一部が、第一のボンド・パッド支持層で満たされている独特のボンド・パッド構造体を供給する。これら二つの層の構造体での協力により、集積回路の内部応力およびボンディング応力に対して作動力トランスジューサとしての働きをする傾斜合成支持構造体が形成されるものと考えられる。
【０００８】
他の実施形態の場合には、ボンド・パッド支持構造体は、さらに、複数の開口部を含む。この場合、各開口部は、第一のボンド・パッド支持層に、幾何学的パターン状に形成される。有利な実施形態の場合には、第一のボンド・パッド支持層は、ボンド・パッドのすぐ下に存在する。しかし、ボンド・パッド支持層は、ボンド・パッドの下の他のレベルのところにも位置することができることを理解することができるだろう。この特定の実施形態をある観点から見た場合、上記開口部は、第一のボンド・パッド支持層に複数の入れ子状態の幾何学的パターンを形成する。これらの入れ子状の幾何学的パターンは、種々の幾何学的形状をとることができる。例えば、これら入れ子状の幾何学的パターンは、長方形であっても、六角形であっても、八角形であっても、またはどんな形であってもよい。さらに他の観点から見た場合、入れ子状態の幾何学的パターンは、同心の幾何学的パターンである。
【０００９】
開口部または上記入れ子状の幾何学的パターンは、また変化することができる。ある実施形態の場合には、入れ子状の幾何学的パターンの外側のものは、上記パターンの内側のものより幅が広い。さらに、入れ子状の幾何学的パターンは、ある距離だけ相互に間隔を置くことができる。この距離は、上記パターンの内側のものから、その外側のものにいくに従って次第に短くなっていく。上記寸法および間隔は、所定の集積回路設計の異なる応力要件を満たすために、変化させることができる。
【００１０】
さらに他の実施形態の場合には、入れ子状の幾何学的パターンは、ボンド・パッドの下面の少なくとも一部の下に位置している。別の方法としては、ボンド・パッドの下面を入れ子状の幾何学的パターンの上に位置させることもできるし、上記開口部をボンド・パッドの下面の少なくとも一部の下に位置させることもできる。
【００１１】
他の観点から見た場合、本発明は、その上にボンド・パッドを持つ集積回路に、ボンド・パッド支持構造体を製造するための方法を提供する。例示としての一実施形態の場合、この方法は、ボンド・パッドの下に、第一のボンド・パッド支持層を形成するステップと、上記第一のボンド・パッド支持層内に開口部を形成するステップと、上記開口部の少なくとも一部の上に、ボンド・パッド支持面を形成するために、第一のボンド・パッド支持層の上、および開口部の少なくとも一部のところに第二のボンド・パッド支持層を形成するステップとからなる。
【００１２】
さらに他の実施形態の場合には、本発明は、集積回路システムを提供する。ある実施形態の場合には、上記集積回路システムは、下面を持ち、集積回路システム上に位置するボンド・パッドと、ボンド・パッド支持構造体を備える。この特殊な実施形態の場合には、ボンド・パッド構造体は、ボンド・パッドの下に位置していて、その内部に形成された複数の入れ子状の幾何学的パターンの開口部を持つ導電性金属層を含む。ボンド・パッド構造体は、さらに、導電層の上に位置していて、入れ子状の幾何学的パターンの開口部の少なくとも一部の上にボンド・パッド支持面を形成するために、少なくともその一部が、入れ子状の幾何学的パターン開口部内に延びている誘電層を含む。この観点から見た場合、入れ子状の幾何学的パターンの開口部は、下面の少なくとも一部の下に位置する。
【００１３】
すでに、本発明のどちらかといえば、広い意味での、好適なまた別の特徴を概略説明したので、当業者であれば、以下の本発明の詳細な説明をよりよく理解することができるだろう。本発明の特許請求の範囲の主題である本発明の他の特徴について以下に説明する。当業者であれば、開示したコンセプトおよび特定の構造体を、本発明の同じ目的を実行する目的で、他の構造体を設計および修正するためのベースとして使用することができることを容易に理解することができるだろう。当業者であれば、上記の同じ構造体が、その最も広い形で、本発明はの精神および範囲内に含まれることを理解されたい。
本発明をさらによく理解してもらうために、添付の図面を参照しながら以下に説明する。
【００１４】
【発明の詳細な説明】
最初に、図１について説明すると、この図は、例示としての従来の集積回路ダイの平面図である。全体を参照番号１００で示す集積回路（ダイ）は、ダイ全体１００を覆う誘電層１０１を備える。上記誘電層１０１は、複数の金属ボンド・パッド１０３の一部１０５を露出させるためにパターン形成されている。（図示していない）半導体基板上に形成されたダイ１００の領域は、種々の機能を持つ複数の代表的なマイクロ回路１１０、１２０、１３０、１４０を備える。
【００１５】
当業者であれば、ゲート、ソースおよびドレーン領域等の組み合わせが、種々の機能を行うように設計することができる半導体回路を構成することを理解することができるだろう。集積回路は、複数の電子モジュールを構成するこれら半導体装置のある組み合わせの集合体を備える。例えば、これらのモジュールは、クロック、中央処理装置、メモリ・アレイ、数字コプロセッサ、または特定の機能を持つ他のモジュールを含むことができる。選択したモジュールは、その集積回路の使用目的の性質により異なることは明らかである。ダイ上への種々のモジュールの設置は、本発明の範囲および意図に影響を与えない設計上の考慮により異なる。しかし、本明細書に記載する目的の場合には、能動マイクロ回路１１０、１２０、１３０、１４０は、ボンド・パッド１０３の下の領域内に位置する。これらモジュールは、ダイ１００の一次マイクロ回路と呼ぶことができる。個々の回路１３０、１４０は、ダイ１００の導電層内に形成された回路トレースにより、特殊なマイクロチップ・ダイ上のボンド・パッド１０３に電気的に接続している。
【００１６】
当業者であれば、半導体ウェーハの表面上に形成された回路が、はっきりとしたフットプリントを形成することを理解することができるだろう。それ故、各ボンド・パッド１０３は、ボンド・パッド・フットプリントを形成する。０．３ミクロンより大きな装置サイズを取り扱う従来技術の場合には、個々の回路１１０、１２０、１３０、１４０を、ボンド・パッド１０３の下の金属層に、金属クッション・パッド１０９を形成することにより、ボンド・パッド１０３の下のダイ１００の下部層内にきちんと組み立てられた。ボンド・パッド１０３のフットプリントは、少なくとも空間内において、上記下の金属層のクッション・パッド１０９に整合している。
【００１７】
図２について説明すると、この図は、図１の集積回路の一部を２−２面に沿って切断した断面図である。この図は、ボンド・パッド１０３の下に、ボンド・パッド１０３、金属および誘電層および能動装置を含むダイ１００の周辺の一部を示す。この図は、また、基板２０１、代表的能動半導体装置２０３、第一誘電層２１１、第二誘電層２１２、第一金属層２２１、第三誘電層２１３、第二金属層２２２、第四誘電層２１４、第三金属層２２３、第五誘電層２１５、第四金属層２２４、第六誘電層２１６、第五金属層２２５、および第七誘電体１０１を示す。上記第五金属層２２５のアクセス可能な部分は、図１のボンド・パッド１０３の露出部分１０５である。ワイヤ２３０はボンド・パッド１０３に接着している。
【００１８】
以下の説明のために、ボンド・パッド１０３の下の能動半導体装置２０３は、一次マイクロ回路１１０の任意の能動回路を示すことにする。誘電層２１１、２１２内の窓２５１は、基板２０１と金属層２２１との間を電気的に接続するためのものである。ボンド・パッド１０３に最も近い金属層２２４は、ボンディング・プロセス中、ボンド・パッド１０３の下の誘電層２１１、２１２、２１３および２１４の亀裂を防止するために、応力除去を行うためのものである。第四金属層２２４は、第五金属層２２５上のボンド・パッド１０３の下に形成された金属シートを含む。ボンド・パッド１０３の下の領域は、それ故、能動回路用に使用することができ、その場合には、ボンド・パッド１０３の下の誘電層への損傷の恐れが少なくなる。ボンド・パッド１０３の下に位置する能動回路により、ボンド・パッド１０３相互間の距離をさらに短くすることができ、それにより、周辺の直線単位距離に、より多くのボンド・パッド１０３を設置することができる。さらに、この物理的レイアウトにより、シリコンをさらに効率的に使用することができ、それにより、一枚のウェーハ当たりのダイの歩留まりを高くすることができる。
【００１９】
図２の能動半導体装置２０３は、能動装置、より詳しく説明すると、電界効果トランジスタを示す。上記電界効果トランジスタは、ゲート構造体２３１、上記ゲート構造体２３１の対向側面上に設けられたソース／ドレーン領域２３３および２３５を持ち、上記ゲート構造体２３１の対向側面上に設けられた側壁２３７および２３９を絶縁している。ゲート構造体２３１は、ポリシリコンから形成される。酸化ゲートのようなゲート構造体２３１の絶縁部分は、当業者なら周知のものである。第一および第二誘電層２１１および２１２は、それぞれ、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）およびボロホスホ−テトラエチルオルソシリケート（ＢＰＴＥＯＳ）のような共形誘電体である。他の誘電層も、周知の蒸着酸化物または窒化物から形成することができる。上記金属層としては、アルミニウム、または半導体装置で使用するのに適している、他の導電性金属を使用することができる。シリコンのような添加物を少量含むことができる。図に示すように、能動半導体装置２０３の少なくとも一部をボンド・パッド１０３のフットプリントの下に直接形成することができる。マイクロ回路形成の詳細は、当業者なら周知である。本発明の重要な点は、ボンド・パッドの下の誘電層の損傷を防止することである。
【００２０】
当業者であれば、誘電層および金属層を蒸着し、パターン形成し、また上記装置を形成するための周知の技術を使用して、図示の構造体を容易に製造することができるだろう。例えば、周知の写真製版プロセス、イオン注入プロセス、エッチング・プロセス等を使用することができる。それ故、適当なプロセスの詳細な説明は省略する。もちろん、集積回路の詳細な構造は、その集積回路にとって必要な用途により異なる。ボンディング・パッドへの実装接続は、現在使用されている任意の従来および周知の技術により行われる。図示の実施形態の場合には、ワイヤ２３０の配置およびボンディングが行われている間、第四金属層２２４が、能動半導体装置２０３を保護する。ボンド・パッド１０３のフットプリントは、第四金属層２２４のフットプリント、および能動半導体装置２０３のフットプリントとほぼ整合している。
【００２１】
図示の実施形態での変更は、当業者にとって周知である。五つの金属層を含む実施形態について説明してきたが、金属層は五つより少なくともなくてもよいし、多くてもよい。さらに、ボンド・パッドは、集積回路の周辺に設置する必要はない。
【００２２】
引続き図２を参照しながら図３について説明すると、この図は、本発明の原理に従って組み立てられた、第一ボンド・パッド支持層の例示としての一実施形態である。全体を参照番号３００で示す第一ボンド・パッド支持層は、複数の開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０を備える。有利な実施形態の場合には、上記第一ボンド・パッド支持層３００は、ボンド・パッド層（第五金属層）２２５の下の第四金属層２２４に形成される。第四金属層２２４は、また第一ボンド・パッド支持層３００とも呼ばれる。この実施形態の場合には、複数の各開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０は、第一ボンド・パッド支持層３００に、入り子状の幾何学的パターンを形成する。金属層２２４に、上記複数の開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０を形成するために、当業者にとって周知の従来の写真製版プロセスを使用することができる。特定の有利な実施形態の場合には、上記入り子状の幾何学的パターンは、同心の幾何学的パターンである。この図では八角形になっているが、上記幾何学的形は、種々の形をとることができる。例えば、上記幾何学的形状は、長方形であっても、六角形であっても、八角形成であっても、またはどのような形であってもよい。好適な実施形態の場合には、選択した任意の外側の開口部３２０、３３０、３４０、３５０または３６０は、上記幾何学的形状の中心に比較的近い開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０より大きい。すなわち、開口部３６０は、開口部３５０より大きく、開口部３５０は、開口部３４０より大きい。（ｘ5＞ｘ4＞ｘ3＞ｘ2＞ｘ1）。
【００２３】
図４について説明すると、この図は、図３の第一ボンド・パッド支持層３００を４−４面に沿って切断した断面図である。他の有利な実施形態の場合には、開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０は、図２の第五誘電層２１５の表面まで、第一ボンド・パッド支持層３００を貫通するように、従来の方法によりパターン形成されている。図示の実施形態は、金属層２２４の代表的サイズの六つの同心開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０を含むが、当業者であれば、本発明の範囲および意図から逸脱することなしに、上記開口部の数およびそのサイズを変化させることができることを理解することができるだろう。
【００２４】
引続き図２および図３を参照しながら、図５ついて説明すると、この図は、その上に形成された第二ボンド・パッド支持層５００を含む、図３の第一ボンド・パッド支持層を４−４面に沿って切断した断面図である。好適な実施形態の場合には、一つの誘電層を備えるこの第二ボンド・パッド支持層５００は、複数の開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０を少なくとも部分的に充填するように、また隣接する誘電層５１０を形成するように、第一ボンド・パッド支持層３００上に蒸着される。上記隣接誘電層５１０は、図２の第六誘電層２１６に類似の層にすることができる。有利な実施形態の場合には、隣接誘電層５１０は、第一ボンド・パッド支持層３００上に位置していて、その一部が、開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０に延びる。図５は、第二ボンド・パッド支持層５００が、開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０の全長にわたって、ボンド・パッド支持面５２０を形成する状態を示すが、上記ボンド・パッド支持面を、上記開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０の一部の上だけに形成することもできることを理解されたい。第一ボンド・パッド支持層３００および第二ボンド・パッド支持層５００は、協力して、ボンド・パッド１０３の下のボンド・パッド支持構造体を形成する。
【００２５】
引続き図２を参照しながら、図６について説明すると、この図は、図５のボンド・パッド支持構造体を使用する例示としての集積回路の一部を４−４面に沿って切断した断面図である。代表的な集積回路の下の構造体は、基板２０１から誘電層２１５を通る集積回路に類似している。しかし、図５の集積回路は、図６の開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０が、第四金属層６２４でパターン形成されているという点で、図２の集積回路とは異なる。第六誘電層６１６は、第四金属層６２４上にすでに蒸着されていて、開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０を少なくとも部分的に充填している。開口部３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０の厚さが、上記支持構造体から遠ざかるに連れて、次第に厚くなっていることに留意されたい。さらに、入れ子状の幾何学的パターンの間の間隔は、内部のパターン、例えば、入れ子状の幾何学的パターンの３１０から、外部のパターンへ進むにつれて、例えば、入れ子状の幾何学的パターンの３６０の方向に進むにつれて狭くなる。
【００２６】
引続き図５を参照しながら、図７について説明すると、この図は、参照のために重畳しているボンド・パッド・フットプリントを持つ、図５のボンド・パッド支持層を７−７面に沿って切断した断面図である。この図を見れば分かるように、ボンド・パッド・フットプリント１０３は、誘電体によりすでに充填されている、一番外側の開口部３６０の少なくとも一部の上を延びる。ボンド・パッド１０３の露出部分１０５も、同様に、参照用に図示してある。それ故、特に有利な実施形態の場合には、ボンド・パッド支持構造体５３０は、図２の第四金属層２２４の金属、および図２の第六誘電層２１６が、交互に重なっている複数の同心幾何学的パターンからなる。試験の結果、本発明の原理により作った構造体は、下の回路に致命的損傷を起こさずに、結合力の５０％までの増大に耐えることが分かった。それ故、これら二つの層の間の構造体の間の協力により、集積回路の結合応力を緩衝する差動力トランスジューサとしての働きをする傾斜合成支持構造体が形成されるものと考えられる。
【００２７】
上記説明を読めば、本発明は、その上に位置するボンド・パッドを持つ、集積回路で使用するためのボンド・パッド支持構造体を提供ものであることが分かるだろう。ある実施形態の場合には、ボンド・パッド支持構造体は、ボンド・パッドの下に位置していて、その内部に形成されたボンド・パッドを持つ支持層を備える。ボンド・パッド支持構造体は、さらに、導電層の上に位置していて、上記開口部の少なくとも一部の上に、ボンド・パッド支持面を形成するために、上記開口部の少なくとも一部に延びる誘電層を含む。ある実施形態の場合には、第一ボンド・パッド支持層は、導電性金属を含むことができ、第二ボンド・パッド支持層は、誘電性材料を含むことができる。
【００２８】
本発明を詳細に説明してきたが、当業者であれば、その最も広い意味で、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、本発明を種々に変更し、置き換えおよび修正することができることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】例示としての従来の集積回路ダイの平面図である。
【図２】図１の集積回路の一部を２−２面に沿って切断した断面図である。
【図３】本発明の原理に従って組み立てた第一のボンド・パッド支持層の一実施形態の平面図である。
【図４】図３の第一のボンド・パッド支持層を４−４面に沿って切断した断面図である。
【図５】その上に形成された第二のボンド・パッド支持層を持つ、図３の第一のボンド・パッド支持層を４−４面に沿って切断した断面図である。
【図６】図５のボンド・パッド支持構造体を使用する、例示としての集積回路の一部を４−４面に沿って切断した断面図である。
【図７】参照のための、ボンド・パッド・フットプリントを持つ、図５のボンド・パッド支持層を７−７面に沿って切断した断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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