(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上の複数のチップ領域にそれぞれチップパターンおよび配線取り出し部を形成する工程と、
予め絶縁テープ上に印刷配線が形成され、前記配線取り出し部に対応する部分に導電部が形成された配線パターン形成済みテープを、前記導電部と前記半導体ウェハ上の配線取り出し部とが金属バンプを介して電気的に接続する状態で前記半導体ウェハ上に接着する工程と、
前記半導体ウェハ上に配線パターン形成済みテープが接着した状態で各チップ領域の電気的特性の良否判定テストを行う工程と、
前記配線パターン形成済みテープが接着した状態の半導体ウェハを個々のチップ領域に分割して個々の半導体装置を得る工程とを具備し、
前記半導体ウェハ上に前記配線パターン形成済みテープを接着する工程は、
前記半導体ウェハの各チップ領域間の領域上に接着剤を塗布する工程と、
前記導電部上に金属バンプが形成された前記配線パターン形成済みテープを前記金属バンプを介して前記半導体ウェハの配線取り出し部に電気的に接続するように前記半導体ウェハ上に接着する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線パターン形成済みテープの導電部は、テープの両面の配線パッド間を導通させたスルーホール導電部であり、
前記半導体ウェハの各チップ領域の配線取り出し部は配線パッドであり、
前記金属バンプは金属ボールであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にテープ封止型の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造に際して、一般に、半導体ウェハ上の複数のチップ領域にそれぞれチップパターンを形成した後、ウェハ状態で各チップ領域の電気的特性の良否判定テストを行う。そして、この半導体ウェハを個々のチップ領域に切断（ダイシング）して個々のチップに分割し、前記ウェハテストで良品と判定されたチップを外囲器（パッケージ）にマウントする。そして、チップに電気的接続を行うためのボンディングを行い、封止（シール）を行い、製品の形状にする。さらに、この製品の電気的特性の良否判定テストを行い、最終的に良品を選別する。
【０００３】
しかし、上記したような従来の半導体装置の製造方法は、次のような問題がある。
【０００４】
（１）パッケージにチップをマウントし、ボンディング、シールを行う一連の工程（組立工程）を必要とする。
（２）電気的特性の良否判定テストとして、ウェハ状態と製品形状とでそれぞれ行うので、計２回の良否判定テストを必要とする。
（３）パッケージは、チップとの間の電気的接続（ボンディング）を行うためのスペースを必要とし、チップサイズよりも大きくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来の半導体装置の製造方法は、パッケージにチップをマウントし、ボンディング、シールを行う一連の組立工程を必要とし、電気的特性の良否判定テストを２回必要とし、パッケージがチップサイズよりも大きくなるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、組立工程を簡略化でき、パッケージをチップサイズと同一程度に小型化することができ、電気的特性の良否判定テストを１回行うだけで済む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上の複数のチップ領域にそれぞれチップパターンおよび配線取り出し部を形成する工程と、予め絶縁テープ上に印刷配線が形成され、前記配線取り出し部に対応する部分に導電部が形成された配線パターン形成済みテープを、前記導電部と前記半導体ウェハ上の配線取り出し部とが金属バンプを介して電気的に接続する状態で前記半導体ウェハ上に接着する工程と、前記半導体ウェハ上に配線パターン形成済みテープが接着した状態で各チップ領域の電気的特性の良否判定テストを行う工程と、前記配線パターン形成済みテープが接着した状態の半導体ウェハを個々のチップ領域に分割して個々の半導体装置を得る工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【０００９】
図１（ａ）乃至（ｃ）および図２（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の途中の過程で考えられた半導体装置の製造方法の工程を示している。
【００１０】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ（半導体結晶基板）１０の主表面上に、複数のチップ領域１に対応してそれぞれチップパターン３および配線取り出し部（例えば配線パッド２）を形成する。
【００１１】
次に、図１（ｂ）、（ｃ）および図２（ａ）、（ｂ）の工程により、配線テープ（配線パターン形成済みテープ）１１の導電部８とウェハ１０上の配線パッド２とが金属ボール４を介して電気的に接続される状態で、配線テープ１１をウェハ１０上に接着する。
【００１２】
即ち、まず、図１（ｂ）に示すように、ウェハ１０上の配線パッド２上に金属バンプ（例えば半田ボールなどの金属ボール４）を形成する。
【００１３】
次に、図１（ｃ）に示すように、各チップ領域１上の少なくとも一部に接着剤５を塗布する。この際、接着剤５の塗布は、チップ領域１上の全面あるいはウェハ１０上の全面に塗布してもよいが、本例では、ウェハ１０上の各チップ領域１の金属ボール４同士を直線状に連ねる複数本のストライプ状に塗布している。この場合、金属ボール４と配線パッド２とが向き合う方向（図中の上下方向）には導通し、ウェハ１０上の金属ボール４同士が向き合う方向（図中の水平方向）には導通しないように、異方性の導電性ペースト５を用いている。
【００１４】
次に、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、予め例えば透明状の絶縁テープ６上に印刷配線（図示せず）が形成され、ウェハ１０上の配線パッド４に対応する部分に導電部（例えばテープの両面の配線パッド間をスルーホール７により導通させた導電部）８が形成された配線テープ１１をウェハ１０上に対向させ、上記導電部８をウェハ１０上の金属ボール４に密着させた状態で配線テープ１１をウェハ１０上に接着する。
【００１５】
次に、上記したようにウェハ１０上に配線テープが接着した状態で各チップ領域１の電気的特性の良否判定テストを行う。この後、配線テープ１１が接着した状態のウェハ１０を各チップ領域１間のダイシングラインで切断することにより、図２（ｃ）に示すように、個々の半導体装置１２に分割する。なお、前記良否判定テストで良品と判定された半導体装置を選別して製品とする。
【００１６】
上記の製造方法によれば、チップ領域形成済みのウェハ１０と配線テープ１１とを接着剤５により接着するとともに電気的に接続した状態で電気的特性の良否判定テストを行った後、個々の半導体装置に分割することを特徴とするものである。
【００１７】
したがって、従来は組立工程と比べて、組立工程を著しく簡略化し、製造時間、コトトを低減することができる。また、ワイヤーボンディングを必要としないので、パッケージ（本例では配線テープ１１が分割されたもの）サイズをチップサイズと同一程度に小型化することができる。
【００１８】
また、半導体装置の電気的特性の良否判定テストを１回行うだけで済み、従来は組立工程の前後にそれぞれ良否判定テストを行っていたことに比べてテスト回数が半減する。
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の形態に係る工程を示している。
【００２０】
第１の実施の形態に係る工程は、前述した本発明の途中の過程で考えられた半導体装置の製造方法に係る工程と比べて、配線テープ１１の導電部８とウェハ１０上の配線パッド２とが金属ボール４を介して電気的に接続される状態で配線テープ１１をウェハ１０上に接着する工程が異なり、その他は同じである。
【００２１】
まず、図３（ａ）に示すように、ウェハ１０の主表面上に、複数のチップ領域１に対応してそれぞれチップパターン３および配線パッド２を形成する。
【００２２】
次に、ウェハ１０の各チップ領域１間の領域上に接着剤５を塗布する。
【００２３】
一方、図３（ｂ）に示すように、配線テープ１１の片面上で導電部８上に金属ボール４を形成する。
【００２４】
次に、図４（ａ）に示すように、金属ボール４をウェハ１０の配線パッド２に密着させた状態で配線テープ１１をウェハ１０上に接着する。
【００２５】
次に、上記したようにウェハ１０上に配線テープ１１が接着した状態で各チップ領域１の電気的特性の良否判定テストを行う。この後、配線テープ１１が接着した状態のウェハ１０を各チップ領域１間のダイシングラインで切断することにより、図４（ｂ）に示すように、個々の半導体装置１２に分割する。なお、前記良否判定テストで良品と判定された半導体装置を選別して製品とする。
【００２６】
上記第１の実施の形態の製造方法によっても、前述した本発明の途中の過程で考えられた半導体装置の製造方法と同様の効果が得られる。
【００２７】
なお、上記実施の形態において、配線テープ１１として、透明状の絶縁テープ６の一部（導電部および配線以外）を切り欠いたテープを用いてもよい。
【００２８】
【発明の効果】
上述したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、組立工程を簡略化でき、パッケージをチップサイズと同一程度に小型化することができ、電気的特性の良否判定テストを１回行うだけで済ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の途中の過程で考えられた半導体装置の製造方法の工程を示す断面図。
【図２】  図１に続く工程を示す断面図。
【図３】  本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の形態に係る工程を示す断面図。
【図４】  図３に続く第１の実施の形態に係る工程を示す断面図。
【符号の説明】
１…チップ領域、
２…配線パッド、
３…チップパターン、
４…金属ボール、
５…接着剤（例えば異方性の導電性ペースト）、
６…絶縁テープ、
７…スルーホール、
８…導電部、
１０…半導体ウェハ、
１１…配線テープ、
１２…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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