(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学的に活性な材料で形成される基板（７２）と、基板（７２）の上面（１０６）に形成される光導波管ネットワーク（１１）と、基板（７２）の上面（１０６）に装着されるカバー（７８）とを備え、基板（７２）は底面（１２４）内に形成されて基板（７２）内を光導波管ネットワーク（１１）ヘ向かって延びるトレンチ（１２２；１４２）を有し、光導波管ネットワーク（１１）は光信号が光導波管ネットワーク（１１）へ入力される入力ファセット（８６）と光信号が光導波管ネットワーク（１１）から出力される出力ファセット（８８）とを有する一体化光学チップにおいて、
基板（７２）及びカバー（７８）の側面（１２８）に形成された溝（１２６；１４８）を更に備え、トレンチ（１２２；１４２）は基板（７２）の厚さの少なくとも７０％まで基板（７２）内に延び、それによって溝（１２６；１４８）とトレンチ（１２２；１４２）は基板（７２）の内側から入射される光線が出力ファセット（８８）へ伝播することを阻止することを特徴とする一体化光学チップ（１２０；１４０）。
【請求項２】
トレンチ（１２２；１４２）は基板（７２）の底面（１２４）に対し直角であり、その長手方向に沿って中心決めされる請求項１の一体化光学チップ（１２０；１４０）。
【請求項３】
底面（１２４）に形成され基板（７２）内に光導波管ネットワーク（１１）方向において厚さの少なくとも７０％の深さまで延びる複数のトレンチ（１２２；１４２）を含む請求項１の一体化光学チップ（１２０；１４０）。
【請求項４】
基板（７２）及びカバー（７８）の溝（１４８）を有する側面とは反対の側面（１４１）に形成される複数の溝（１４３，１４４）を含む請求項１の一体化光学チップ（１４０）。
【請求項５】
側面の溝（１４８）は断面をＶ字型に形成される請求項４の一体化光学チップ（１４０）。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一体化光学チップあるいは装置、更に詳細にはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）基板上に形成される一体化光学部品を有した多機能一体化光学チップに関する。このチップに形成される一体化光学部品には導波管が含まれ、光学カプラあるいは位相変調器を機能させるよう配列可能である。多機能を果たす装置が単一の装置に内蔵させる場合、インターフェース分離装置と関連するロス若しくはエラーの発生を回避し得る。
【０００２】
【従来の技術】
多機能の一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）は通常従来のフォトマスク、真空蒸着、化学浴、プロトン交換、拡散、及びエッチングの各技術を用いてニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）からなる３〜４インチウエハ上に大量に製造し、多数の同一部品を低コスト、高信頼性をもって形成する。偏光の分離・結合及び変調のような多機能を行うことのできるＭＩＯＣは中間及び高い精度の光ファイバジャイロスコープ（ＦＯＧ）若しくは回転センサの製造に使用される。ＦＯＧはサニャック効果を利用してコイル状の光ファイバに対し直角な軸を中心とする回転速度を測定する。ＭＩＯＣはまたマッハツェンダー干渉計またはマイケルソン干渉計の原理に基く水管検漏器若しくはジオフォンのような他の光ファイバ光学センサを製造する場合にも使用可能である。
【０００３】
光ファイバジャイロスコープには、互いに反対方向に進む波を光信号源から光ファイバコイル内に導入する手段が含まれる。コイル平面に対し直角な軸を中心とするコイルの回転により、時計回り及び反時計回りの波の間にサニャック効果により位相差が生じる。この位相差は、回転方向にコイルを横断する波がコイルを反対方向に横断する波より光ファイバコイルを経てトランジット時間が長くなるために生じる。これら波はコイルを経て伝播した後、合流される。この合流波により干渉パターンが形成され、処理されて回転速度が決定される。回転速度を決定する技術は当業者には周知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光信号源と通常偏波面保存ファイバからなる光ファイバコイルとの間に多機能を有する一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）を含むようにＦＯＧを形成することは通例である。ＭＩＯＣには通常、Ｙ接合をなすべく配置された複数の光導波管が含まれる。Ｙ接合の基部は光信号源と接続され、一方Ｙ接合のアーム部は光ファイバコイルの端部とインターフェースを構成する。多機能の一体化光学チップへの光信号の入力はＹ接合で分割され、互いに反対方向に進む波として光ファイバコイルの端部へ入力される光信号となる。コイルを伝播した後、波はＹ接合のアーム部を構成する光導波管に入る。次に波はＹ接合内で合流され、Ｙ接合の基部から光ファイバへ出力される。合流波は光検出器へ案内され、光検出器は電気信号を発生し、電気信号が処理されて回転速度が決定される。
【０００５】
光ファイバ回転センサ内での所望状態は通路長を付加することなしに光ファイバコイル内及び光導波管内を伝播するＴＥモードである。ＴＭモード及び通路長の付加を有するＴＥモードの伝播は望ましくない状態である。位相差（あるいは常時ファイバ内で２偏光成分を有することに関連する偏光非相反（ＰＮＲ））を加える偏光クロスカップリング（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｃｒｏｓｓ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）のような誤差源はサニャック効果と直接争う付加光路差として現れる。これらの誤差源のため、ＭＩＯＣ内の位相変調器により使用される周波数で変調されるときに位相バイアス誤差及び振幅バイアス誤差が生じる。偏光クロスカップリングによる光ファイバ回転センサ内のバイアス成分は偏光消光比の絶対値の平方根に逆比例する。消光比はデシベル単位で表される偏光モードの所望パワー（所望モードのパワー）に対する不都合なパワー（望ましくないモードのパワー）の比の対数の１０倍として定義される。ＭＩＯＣ内のクロスカップリングを最小にすると（消光比の絶対値を最大にすると）、この種のバイアス誤差が減少される。
【０００６】
更に背景技術としてここに開示されるような一体化光学チップは、「高電気光学係数を有する多機能の一体化光学チップを製造する方法」と題し、１９９３年３月９日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，１９３，１３６号；「一体化光学チップ及びそれに光ファイバコイルを接続する方法」と題し、１９９１年９月１０日に公布されたチン・エル・チャンによる米国特許第５，０４６，８０８号；「一体化光学チップ及びニオブ酸リチウム基板に対する光ファイバの付設のためのレーザアブレーション法」と題し、１９９５年２月２８日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，３９３，３７１号；「電気光学導波管、位相変調器及びそれらを製造する方法」と題し、１９９５年８月１５日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第５，４４２，７１９号；及び「一体化光学チップに対しファイバの堅牢な接続のための方法及びその製品」と題し、１９９０年１２月１１日に公布されたジョージ・エイ・パビラスによる米国特許第４，９７６，５０６号に開示されると同様の処理若しくは工程を用いて形成される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は特に不都合な光学路を横断し次にＭＩＯＣ上に形成される光導波管内に結合されたＴＭモード及びＴＥモードの両方により、ＭＩＯＣ内の偏光非相反誤差を減少させる方法及び装置に関する。
【０００８】
ジャイロバイアスが大きく減少されると、偏波面保存ファイバをより低廉な単一モードファイバと交換、あるいは現在使用されているものより偏波面保存ファイバの長さのより短いものを使用することにより、ファイバコストを減少出来る。また増加したジャイロ精度をサポートできる。
【０００９】
本発明による一体化光学チップは電気光学的に活性な材料からなる基板と基板の第１の面上に形成される光導波管ネットワークとを備える。光導波管ネットワークは光信号が光導波管ネットワークへ入力される入力ファセットと、光導波管ネットワークから出力される出力ファセットとを有する。一体化光学チップはまた底面に形成され基板内に光導波管ネットワークへ向かい厚さの少なくとも７０％の深さまで延びるトレンチを備える。トレンチは基板の内側からそこに入射する光線が出力ファセットへ伝播することをを防止するよう配置される。特にトレンチは入力ファセットで散乱される光が基板の底面から出力ファセットへ反射することを防止する。
【００１０】
本発明による一体化光学チップには更に、基板の上面に装着されたカバーが含まれる。カバーは基板の実質的に全長にわたり延びることが好ましい。
【００１１】
一体化光学チップには底面に形成され基板内に光導波管へ向かい厚さの少なくとも７０％の深さまで延びる複数のトレンチを含むことができる。トレンチは基板の厚さの約９５％まで基板内に延ばし得る。
【００１２】
本発明による一体化光学チップには更に、基板及びカバーの少なくとも一方の側面に形成される溝を含ませ得る。
【００１３】
本発明による一体化光学チップには更に、基板及びカバーの他方の側面に複数の溝を含ませ得る。
【００１４】
本発明による一体化光学チップは更に、基板及びカバーの一方の側面の溝を断面においてＶ字型に形成する。
【００１５】
本発明の目的、構造及びその動作方法は、添付の図面に添い好ましい実施形態の以下の説明からより完全に理解できよう。
【００１６】
【発明の実施の形態】
ここに開示される装置を表わす図面のいずれも一定の割合で拡大されて示されいる。図面に含まれる構成部品の一部の寸法は他の構成部品に比べ拡大されて示されるほど小さい。
【００１７】
図１Ａは基板１６上に形成される３個の光導波管１２−１４を有する光導波管ネットワーク１１を含む従来の第１のＭＩＯＣ１０を示す。基板１６はこのような装置の製造に通常使用されるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）のような電気光学的に活性な材料で作られる。光導波管１２−１４は当業者には周知な処理法を用いて基板１６の一部をドーピング処理することにより形成される。
【００１８】
波管１２は基板１６の縁部１８から光導波管１２−１４が交差するＹ接合部２０へ向かって延びている。光導波管１３、１４はＹ接合部２０と平行部２６、２８との間をそれぞれ延びる角度部２２、２４を有している。光導波管１３、１４は基板１６のＹ接合部２０と縁部３０との間を延び、縁部１８、３０は全体として平行である。
【００１９】
光導波管１２−１４は、光ファイバ３２−３４がそれぞれ突き合わせ連結されて形成され他の構成部品（図示せず）とＭＩＯＣ１０とのインターフェースをなすように形成される。従来例及び本発明の両方を容易に説明するために、光ファイバ３２、光ファイバ３２は入力ファイバピグテール３２と呼び、光ファイバ３３、３４は出力ファイバピグテール３３、３４と呼ぶ。
【００２０】
一対の足部３６、３８はそれぞれ縁部１８、３０の近傍において基板１６の上面４０に装着される。
【００２１】
ＭＩＯＣ１０は基板１６の下面４２からの単一の跳ね返り反射（ｓｉｎｇｌｅｂｏｕｎｃｅ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓ）を阻止するように設計される。例えば光信号が入力ファイバピグテール３２からＭＩＯＣ１０へ入力されると、入力信号は光導波管１２を経てＹ接合部２０へ向かって伝播し、光導波管１３、１４、更には出力ファイバピグテール３３、３４に結合される。一方基板１６の下面４２から反射する光は入射角を有し、これにより入射光は縁部３０へ伝播し、そこから光導波管１３、１４と接続される出力ファイバピグテール３３、３４へ更に伝播する。入射角はＭＩＯＣ１０の寸法に左右され、一度ＭＩＯＣの長さ及び厚さが既知となると、容易に計算される。代表的なＭＩＯＣは長さが約２６〜２８ｍｍ、幅が２ｍｍ、厚さが１ｍｍである。
【００２２】
下面４２からの単一反射を有する光路はＭＩＯＣ１０に形成される３個の浅いトレンチあるいは溝４４−４６により阻止される。これらのトレンチ４４−４６は光が反射しＭＩＯＣ１０の出力に達する必要がある基板１６の中央領域内に配置される。図１Ａ〜図１Ｃに示すように、トレンチ４４−４６は平行であり、光導波管１２、１３により形成される光路に対しほぼ垂直に基板１６を横切って延びる。トレンチ４４−４６は通常光導波管１２−１４により形成される光路に対し垂直な線から約０〜１５度をなす。トレンチ４４−４６は通常下面４２から基板１６内へ約５０〜３００μｍ延びている。トレンチ４４−４６の深さは通常基板１６の高さの半分より大幅に小さい。トレンチは不都合な光線の抑制を高めるインディアインクのような物質で充填可能である。
【００２３】
トレンチ４４の側面に入射される光線はＭＩＯＣ１０のピグテール、入力部、あるいは出力部に光線が達しないような角度で反射される。この場合光は一部吸収される。ＭＩＯＣ１０は約−５５〜−６５デシベルの範囲内の消光比を有する。
【００２４】
図２ＡはＭＩＯＣのトレンチに対し１／４、１／２及び３／４の点で等間隔に離間されたトレンチ６２、６４を有するＭＩＯＣ６０を示す。図２Ｂは中央底領域に単一のトレンチ６６を有する別の種類の従来のＭＩＯＣ６５を示す。これらの構成は共に足部５９、６１が存在しようがしまいが製造可能である。
【００２５】
図２ＣはＭＩＯＣ６０の入力ファセット６７から底面６９へ向かって伝播する光線６８Ａ、６８Ｂを示す。トレンチ６２により光線６８Ｂが阻止され、トレンチ６３により光線６８Ａが阻止される。またこの構成は足部５９、６１が存在するか否かに係わらず製造可能である。
【００２６】
従来は側部からの反射あるいは組み合わされたチップの側部及び底部の両方に関する反射について開示されておらず、チップの構造的一体性に限定される。また従来は１つのピグテールインターフェースで開始し、対向するピグテールで終了する最簡潔な２個の散乱光の光路について開示している。
【００２７】
ＭＩＯＣ消光比を更に改良するためには、基板１６の上面４０及び下面４２からの単一及び３重の跳ね返り反射されるこれらの２個の最簡潔な光路以外の光線を阻止する必要があることが判明した。
【００２８】
図３は本発明によるＭＩＯＣ７０の縦側面図である。ＭＩＯＣ７０は上述したような方法で基板７２内に形成され、また上述し図１Ａに示すように第１の面７３上に形成される光導波管１２−１４を有している。基板７２は好ましくは約１０００μｍの厚さを有する。ＭＩＯＣ７０は基板７２の中央底部７６内に形成され、単一のトレンチ７４を有している。トレンチ７４は深さが約７００〜９５０μｍの範囲内にあり幅が約０．００３インチ〜０．０１２インチであることが好ましい。従ってトレンチ７４の深さは好ましくは基板７２の厚さの約７０％〜９５％である。トレンチ７４にはインディアインクのような吸光材を充填可能である。
【００２９】
ＭＩＯＣ７０には更に、基板７２の上面７９に装着されるカバー７８が含まれる。またカバー７８も好ましくはニオブ酸リチウムで作られる。カバー７８は好ましくは矩形の外面を有し約１０００μｍの厚さあるいは基板７２と同一の厚さを有するブロック部材である。カバー７８により構造の一体性が更に高められ、トレンチ７４を形成する場合ＭＩＯＣ７０の破壊されることが防止される。他の実施形態には厚さ５００μｍのカバー７８を使用する場合が含まれる。
【００３０】
ＭＩＯＣ７０内のトレンチ７４により、底面８０及び上面１０６からの単一及び３重反射された光線が阻止され、また光導波管１２−１４を含むＭＩＯＣ７０ナイン散乱源からの光線が阻止される。図３では実線の矢印はＭＩＯＣ７０内の迷光を示す。点線で示した矢印はトレンチ７４により阻止されなかった場合トレンチ７４の側部８２に入射した光が通る光路を示している。
【００３１】
矢印８４、８５はＭＩＯＣ７０内の入力ファセット８６で散乱される光を示す。光線８４は光線がトレンチ７４により阻止されなかった場合底面８０から単一反射された後出力ファセット８８に達する光路を通過する。矢印８５は出力ファセット８８に通じるがトレンチ７４の阻止のための３重反射路を示す。
【００３２】
矢印９０、９２は光導波管１２、１３、１４内あるいはＹ接合部２０内の散乱源９４からＭＩＯＣ７０に入る光線を示す。これら光線はトレンチ７４により阻止されるが、上述した従来の装置内のトレンチによっては阻止されない。
【００３３】
矢印１００〜１０２は他の散乱源１０４からＭＩＯＣ７０内に入る他の光線を示す。トレンチ７４の内端部１０８を通過する光線のみがＭＩＯＣ７０の出力部に達し得る。
【００３４】
図４及び図５は代表的なトレンチ付きのＭＩＯＣ１０及びＭＩＯＣ７０の最薄の部分での厚さの比較を示す。カバー層７８のため、トレンチ７４が形成される場所におけるＭＩＯＣ７０の厚さｔ１は約１０５０〜１３００μｍである。これに対し従来のＭＩＯＣ１０の厚さｔ２は通常約７００〜９５０μｍである。ＭＩＯＣ７０の最大厚さでは周知のＭＩＯＣが機械的により安定される。
【００３５】
図６Ａは本発明の原理に従って製造されたＭＩＯＣ１２０の縦側面図である。図３に示すように、図６ＡのＭＩＯＣ１２０には図１Ａを参照して説明したように光導波管１２−１４の下部においてＭＩＯＣ１２０の基板７２に中央トレンチ１２２が含まれる。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ＭＩＯＣ１２０にもＭＩＯＣ１２０の側部１２８に形成される溝１２６が含まれる。側部の溝１２６は基板７２及びカバー７８の側部の両方を横切って延びている。底部トレンチ１２２の深さは約７００〜９５０μｍである。側部の溝１２６は基板７２内にほぼ５０〜５００μｍで延び、ＭＩＯＣ１２０の全高を横断する。
【００３６】
図７は中央底部トレンチ１４２及び側面１４１に形成された複数の溝１４３、１４４を有する本発明のＭＩＯＣ１４０の上部平面図である。中央底部トレンチ１４２は図６に示すトレンチ１２２と同様である。側部溝によりＭＩＯＣ１４０の側部からの反射光が阻止される。例えば入力ファイバピグテール３２からの光線１４５は側部溝１４３により阻止される。側部溝１４３を外れる光線１４７は側部溝１４４により阻止される。光線１４９はベベル１４８により阻止される。またＭＩＯＣ１４０はまた１個あるいは複数のベベル１４８を含むことができる。ベベル１４８はＭＩＯＣ１４０の表面にＶ型の断面の溝を作成することにより形成される。側部のベベルあるいはトレンチ及び底部のトレンチは同一の平面内に配置させてもさせなくともよい。異なる位置では側部及び底部のトレンチの幅及び深さも異ならせる必要がある。側部及び底部のトレンチの好ましい位置はＩＯＣ設計の長さ、幅及び厚さによって決定される。
【００３７】
図８は基板７２の上部平面図であり、基板７２上には光導波管１２−１４（図８には図示せず）が形成される。図８は本発明により製造されたＭＩＯＣに好適に使用可能な電極パターン１５０を示す。電極パッド１５２、１５４は基板の縁部１５６へ延びる。図９は基板７２及びカバー７８間の接合線１６２を経て電極パターン１５０に接近するように配置された電気コンタクト１５８、１６０の側面図である。
【００３８】
カバー７８が完全に付設された後ダイシング処理されるときのチップの切断側部を経て装置の電気的接近が可能であることが判明した。このため一体化光学チップの表面汚染を防止できる利点が付加され得、現在足部でなされるようにインターフェースで非導電性エポキシを用いるときその面を横切っての電気放電ができる。この方法は偏光クロスカップリング（ＰＮＲ）あるいは装置の強度が問題となる他の一体化光学チップに利用できよう。
【００３９】
本発明の構成の重要な特徴はトレンチの深さが極めて深いことである。本発明のＭＩＯＣのトレンチの深さは約７００〜９５０μｍであり、光導波管構造体に接近する。カバーなしの装置の全深は１０００μｍである。この深いトレンチ構造により、現在使用されている５０〜３００μｍの深さのトレンチの場合に比べ、多くの反射が阻止される。足部がチップの全長でない場合、得られるチップはもろく、取り扱い、温度、機械的衝撃あるいは振動要件に耐えることが出来ないので、この構造は採用不可能である。
【００４０】
図１０は図３のＭＩＯＣ７０の消光比に対する深さ９５０μｍのトレンチの影響を示すグラフである。上側のグラフはトレンチをもたない従来のＭＩＯＣのベースライン消光比を示す。ベースライン消光比は約−５８デシベルであると観察される。２個の低いレベルの線の内、暗い線のグラフはインディアンインクで充填されたトレンチ７４を有するＭＩＯＣ７０の消光比を示す。明るい線はトレンチ７４を有するが吸光材がない場合のＭＩＯＣ７０の消光比を示している。消光比はインディアンインクで充填された深さ９５０μｍのトレンチ７４では約−７４デシベル改良され、トレンチ７４のみでは約−７３デシベル改良される。
【００４１】
図１１は消光比に対するトレンチの深さの増加による効果を示すグラフである。ベースライン消光比は深さ２００μｍの単一トレンチでは約−５７デシベルである。トレンチの深さを７００μｍまで増加すると消光比は約−５８デシベルまで改良される。更にトレンチの深さを８００μｍまで増加すると、約−５９デシベルまで更に少し改良された。トレンチの深さが９５０μｍでは、約−７６デシベルまで消光比が大巾に改良された。
【００４２】
図１２は深さ７５０μｍの単一のトレンチ対複数トレンチの影響を示すグラフである。チップは最初−５８デシベルの偏光消光比を有した。深さ７５０μｍの単一中央トレンチを加えると、−７４デシベルまで偏光消光比が改良された。更に２個のトレンチを加えると、−６２デシベルまで偏光消光比が低下した。
【００４３】
ここに開示した構造及び方法は本発明の原理を示すためのものである。本発明はその精神及び本質的な特性から離れることなく他の形態でも実施可能である。開示した実施形態はすべての点において制限されるものではなく一例として例示したに過ぎない。従って上述の説明の範囲ではなく添付の請求項により本発明の範囲が定義される。請求項に記載の等価物の意味及び範囲内に入るここに開示した実施形態に対するすべての設計変更が本発明の範囲に含まれよう。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】図１Ａは従来のＭＩＯＣの斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１ＡのＭＩＯＣの底面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは図１Ａ及び図１ＢのＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ａ】図２Ａは単一反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは単一反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは単一反射を阻止するよう構成された従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図３】図３は複数の反射光線路を阻止するよう構成された本発明によるＭＩＯＣの側面図である。
【図４】図４は従来のＭＩＯＣの縦側面図である。
【図５】図５は本発明のＭＩＯＣ及び従来ＭＩＯＣの厚さの比較を示す縦側面図である。
【図６Ａ】図６Ａは本発明のＭＩＯＣ内での反射光のサンプル光軌跡を示す側面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは図６ＡのＭＩＯＣの平面図である。
【図７】図７は本発明のＭＩＯＣ内での側部トレンチを示す平面図である。
【図８】図８は本発明のＭＩＯＣ上に形成可能な電極パターンを示す平面図である。
【図９】図９はＭＩＯＣ及びカバー間の接着線を経て接近可能な本発明のＭＩＯＣ上の電極の側面図である。
【図１０】図１０はＭＩＯＣの消光比に対する９５０μｍトレンチの影響を示すグラフである。
【図１１】図１１はＭＩＯＣの消光比に対するトレンチ深さの影響を示すグラフである。
【図１２】図１２は深さ７５０μｍでの単一カット及び複数カットの影響を示すグラフである。
【符号の説明】
１０；ＭＩＯＣ、１１；光導波管ネットワーク、１２；光導波管、１３、１４；光導波管、１６；基板、１８；縁部、２０；Ｙ接合部、３０；縁部、３２；入力ファイバピグテール、３３；４０；上面、４２；下面、４４〜４６；トレンチ、６０；ＭＩＯＣ、６２；トレンチ、６３；トレンチ、６５；ＭＩＯＣ、６６；トレンチ、６７；入力ファセット、７０；一体化光学チップ、７２；基板、７４；トレンチ、７５；吸光材、７６；中央底部、７８；カバー、８２；側部、８６；入力ファセット、８８；出力ファセット、９４；散乱源、１２０；ＭＩＯＣ、１２２；中央トレンチ、１２６；溝、１２８；側面、１４１；側面、１４２；トレンチ、１４３；側部溝、１４４；側部溝、１４８；ベベル、１５０；電極、１６２；接合線、
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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