(57)【要約】  エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、エラストマーと、フィラーとを含有し、フィラーの含有量が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、及びフィラーの総量を基準として、４０〜６８質量％であり、エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む、接着剤組成物が開示される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂と、
エラストマーと、
フィラーと、
を含有し、
前記フィラーの含有量が、前記エポキシ樹脂、前記フェノール樹脂、前記エラストマー、及び前記フィラーの総量を基準として、４０〜６８質量％であり、
前記エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む、接着剤組成物。
【請求項２】
前記ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が、４官能以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】
前記ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂の含有量が、前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂の総量を基準として、１４〜３０質量％である、請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が、下記式（Ｘ）で表されるエポキシ樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【化１】
2020026757.tif 000005
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤。
【請求項６】
基材と、
前記基材上に設けられた、請求項５に記載のフィルム状接着剤と、
を備える、接着シート。
【請求項７】
前記基材がダイシングテープである、請求項６に記載の接着シート。
【請求項８】
基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
第２の半導体素子の片面に、請求項５に記載のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
前記フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、前記フィルム状接着剤を介して圧着することで、前記第１のワイヤの少なくとも一部を前記フィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合には、銀ペーストが主に使用されている。しかしながら、近年の半導体素子の大型化、半導体パッケージの小型化及び高性能化に伴い、使用される半導体素子搭載用支持部材にも小型化及び細密化が要求されている。このような要求に対して、濡れ広がり性、はみ出し、半導体素子の傾き等に起因して発生するワイヤボンディング時における不具合、厚さ制御の困難性、ボイド発生などによって、銀ペーストでは充分に対処できなくなってきている。そのため、近年、銀ペーストに代わって、フィルム状接着剤を備える接着シートが使用されるようになっている（例えば、特許文献１、２参照）。このような接着シートは、個片貼付け方式、ウェハ裏面貼付け方式等の半導体装置の製造方法において使用されている。【０００３】
個片貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、リール状の接着シートをカッティング又はパンチングによって個片に切り出した後、フィルム状接着剤を半導体素子搭載用支持部材に貼り合わせる。その後、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を、フィルム状接着剤付きの半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献３参照）。しかし、個片貼付け方式の場合、接着シートを切り出して半導体素子搭載用支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であり、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題がある。【０００４】
一方、ウェハ裏面貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼付け、さらにフィルム状接着剤の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、フィルム状接着剤が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を作製する。次いで、フィルム状接着剤付きの半導体素子をピックアップして、半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献４参照）。このウェハ裏面貼付け方式は、個片貼付け方式とは異なり、専用の組立装置を必要とすることなく、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま、又は熱盤を付加する等の装置を一部改良して用いることができる。そのため、ウェハ裏面貼付け方式は、接着シートを用いた半導体装置の製造方法の中で製造コストを比較的抑えることができる傾向にある。【０００５】
ウェハ裏面貼付け方式では、組立工程の簡略化の観点から、フィルム状接着剤の一方の面にダイシングシートを貼り合せた（積層した）接着シート、すなわち、ダイシングシートとしての機能とダイボンドフィルムとしての機能を併せ持つ接着シート（以下、「ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート」という場合がある。）が用いられることがある。このようなダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを用いると、ダイシングシートの貼り合わせを簡略化することができ、ウェハ割れのリスクを低減することができる。ダイシングシートの軟化温度は、通常１００℃以下である。そのため、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートには、ダイシングシートの軟化温度又は半導体ウェハの反りを考慮して、１００℃よりも低温で半導体ウェハに貼り付けが可能であることが必要であり、とりわけ、半導体ウェハの反りを抑制する観点から、４０〜８０℃で半導体ウェハに貼り付けが可能であることが求められる。【０００６】
ところで、半導体素子がワイヤボンディング接続されるに際して、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間にズレ又は剥離が生じることがある。これは通常のボンディング温度である１７５℃付近において、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着しているフィルム状接着剤が柔らかくなって、変形することによって生じるものであると推測される。この現象は、半導体素子の小面積化に伴って、より大きな問題となり得る。そのため、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートの硬化後のフィルム状接着剤には、ワイヤボンディング特性として、高温貯蔵弾性率が充分に高いこと（例えば、１７５℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であること）、及びガラス転移温度が充分に高いこと（例えば、ガラス転移温度が１９０℃以上であること）が求められる。【０００７】
これまで、低温での半導体ウェハに対する貼り付け特性（低温貼付性）とワイヤボンディング特性とを満足させるべく、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを組み合わせた接着剤組成物が提案されている（例えば、特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平３−１９２１７８号公報
【特許文献２】特開平４−２３４４７２号公報
【特許文献３】特開平９−０１７８１０号公報
【特許文献４】特開平４−１９６２４６号公報
【特許文献５】特開２００５−２４７９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、半導体素子の小面積化に伴い、ワイヤボンディング時に要求されるフィルム状接着剤の高温貯蔵弾性率はより高くなっており、フィルム状接着剤にはさらなる特性の改善が求められている。【００１０】
そこで、本発明は、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性に優れるとともに、充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつ充分なガラス転移温度を有する硬化物を形成することが可能な接着剤組成物を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、エラストマーと、フィラーとを含有し、フィラーの含有量が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、及びフィラーの総量を基準として、４０〜６８質量％であり、エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む、接着剤組成物を提供する。このような接着剤組成物によれば、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性に優れるとともに、充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつ充分なガラス転移温度を有する硬化物を形成することが可能となり得る。【００１２】
ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂は、４官能以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であってよい。ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量を基準として、１４〜３０質量％であってよい。ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂は、下記式（Ｘ）で表されるエポキシ樹脂を含んでいてもよい。【００１３】
【化１】
2020026757.tif 000002
【００１４】
本発明の一側面に係る接着剤組成物は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるものであってよい。【００１５】
本発明はさらに、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、エラストマーと、フィラーとを含有し、フィラーの含有量が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、及びフィラーの総量を基準として、４０〜６８質量％であり、エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む、組成物の、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられる、接着剤としての応用（使用）又は接着剤の製造のための応用（使用）に関してもよい。【００１６】
本発明の他の一側面は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤を提供する。【００１７】
本発明の他の一側面は、基材と、基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤とを備える、接着シートを提供する。【００１８】
基材は、ダイシングテープであってよい。基材がダイシングテープである接着シートを「ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート」という場合がある。【００１９】
本発明の他の一側面は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。【００２０】
なお、半導体装置は、半導体基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子がフィルム状接着剤を介して圧着されることで、第１のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であってもよく、第１のワイヤ及び第１の半導体素子がフィルム状接着剤に埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋込型の半導体装置であってもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、本発明は、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性に優れるとともに、充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつ充分なガラス転移温度を有する硬化物を形成することが可能な接着剤組成物が提供される。当該接着剤組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤は、半導体素子（半導体チップ）埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ  Ｏｖｅｒ  Ｄｉｅ）又はワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ  Ｏｖｅｒ  Ｗｉｒｅ）として有用となり得る。また、本発明によれば、このようなフィルム状接着剤を用いた接着シート及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。
【図２】一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。
【図３】他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。
【図４】一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。
【図５】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
【図６】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
【図７】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
【図８】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
【図９】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
本明細書において、（メタ）アクリル酸はアクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。
【００２５】
［接着剤組成物］
一実施形態に係る接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エラストマーと、（Ｄ）フィラーとを含有する。接着剤組成物は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る。
【００２６】
＜（Ａ）成分：エポキシ樹脂＞
（Ａ）成分は、（Ａ−１）ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む。
【００２７】
（Ａ−１）成分は、ナフタレン骨格を有するものであれば特に制限なく用いることができる。（Ａ−１）成分は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分が、（Ａ−１）成分を含むことによって、接着剤組成物の硬化物は、充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつ充分なガラス転移温度を有するものとなり得る。（Ａ−１）成分は、４官能以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であってよい。
【００２８】
（Ａ−１）成分の市販品としては、例えば、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」、「ＨＰ−４７７０」（商品名、いずれもＤＩＣ株式会社製）、「ＮＣ−７０００−Ｌ」、「ＮＣ−７３００−Ｌ」（商品名、いずれも日本化薬株式会社製）等が挙げられる。
【００２９】
（Ａ−１）成分は、例えば、下記式（Ｘ）で表されるエポキシ樹脂を含んでいてもよい。
【００３０】
【化２】
2020026757.tif 000003
【００３１】
（Ａ−１）成分の軟化点は、より充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつより充分なガラス転移温度を有する接着剤組成物の硬化物が得られる傾向にあることから、３０℃以上であってよい。（Ａ−１）成分の軟化点は、４０℃以上、８０℃以上、又は９０℃以上であってもよく、１２０℃以下、１１０℃以下、又は１００℃以下であってもよい。
【００３２】
（Ａ−１）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、１０〜６００ｇ／ｅｑ、１００〜５００ｇ／ｅｑ、又は１２０〜４５０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ−１）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
【００３３】
（Ａ−１）成分の含有量は、（Ａ）成分の総量を基準として、２０〜８０質量％、３０〜７０質量％、又は３０〜６０質量％であってよい。
【００３４】
（Ａ−１）成分の含有量は、フィルム状接着剤を形成したときの低温張付性により優れ、接着剤組成物の硬化物において、より充分な高温貯蔵弾性率が得られる傾向にあることから、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量を基準として、１４〜３０質量％であってよい。（Ａ−１）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量を基準として、１５質量％以上又は１８質量％以上であってもよく、２５質量％以下又は２２質量％以下であってもよい。
【００３５】
（Ａ）成分は、（Ａ−１）成分に加えて、（Ａ−２）ナフタレン骨格を有しないエポキシ樹脂を含んでいてもよい。（Ａ−２）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類（ただし、ナフタレンを除く。）のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ−２）成分は、ビスフェノール型エポキシ樹脂であってよい。
【００３６】
（Ａ−２）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０〜６００ｇ／ｅｑ、１００〜５００ｇ／ｅｑ、又は１２０〜４５０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ−２）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
【００３７】
（Ａ−２）成分の含有量は、（Ａ）成分の総量を基準として、８０〜２０質量％、７０〜３０質量％、又は７０〜４０質量％であってよい。
【００３８】
（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、１０〜５０質量％であってよい。（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、１２質量％以上、１５質量％以上、又は１８質量％以上であってもよく、４０質量％以下、３０質量％以下、又は２５質量％以下であってもよい。
【００３９】
＜（Ｂ）成分：フェノール樹脂＞
（Ｂ）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）成分は、ノボラック型フェノール樹脂であってよい。
【００４０】
（Ｂ）成分の市販品としては、例えば、レヂトップシリーズ（群栄化学工業株式会社製）、フェノライトＫＡシリーズ、ＴＤシリーズ（ＤＩＣ株式会社製）、ミレックスＸＬＣシリーズ、ＸＬシリーズ（三井化学株式会社製）、ＨＥシリーズ（エア・ウォーター株式会社製）等が挙げられる。
【００４１】
（Ｂ）成分の水酸基当量は、特に制限されないが、８０〜４００ｇ／ｅｑ、９０〜３５０ｇ／ｅｑ、又は１００〜３００ｇ／ｅｑであってよい。（Ｂ）成分の水酸基当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
【００４２】
（Ａ）成分のエポキシ当量と（Ｂ）成分の水酸基当量との比（（Ａ）成分のエポキシ当量／（Ｂ）成分の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０〜０．７０／０．３０、０．３５／０．６５〜０．６５／０．３５、０．４０／０．６０〜０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５〜０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
【００４３】
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、５〜３０質量％であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、８質量％以上、１０質量％以上、又は１２質量％以上であってもよく、２５質量％以下、２０質量％以下、又は１８質量％以下であってもよい。
【００４４】
＜（Ｃ）成分：エラストマー＞
（Ｃ）成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等であって、架橋性官能基を有するものが挙げられる。これらの中でも、（Ｃ）成分は、アクリル樹脂であってよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであってもよい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。アクリル樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３  ＥＫ３０」、「ＳＧ−２８０  ＥＫ２３」、「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」、「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ」、「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ−３ＤＢ」（商品名、いずれもナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
【００４６】
（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−５０〜５０℃又は−３０〜２０℃であってよい。（Ｃ）成分のＴｇが−５０℃以上であると、フィルム状接着剤を形成した後のタック性が低くなり、取り扱い性がより向上する傾向にある。（Ｃ）成分のＴｇが５０℃以下であると、接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」）を用いて測定された値を意味する。
【００４７】
（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万〜１２０万、１０万〜１２０万、又は３０万〜９０万であってよい。（Ｃ）成分のＭｗが５万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分のＭｗが１２０万以下であると、流動性により優れる傾向にある。なお、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
【００４８】
（Ｃ）成分のＭｗの測定装置、測定条件等は、以下のとおりである。
ポンプ：Ｌ−６０００（株式会社日立製作所製）
カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
流速：１．７５ｍＬ／分
【００４９】
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、５〜２０質量％であってよい。（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、８質量％以上、１０質量％以上、又は１２質量％以上であってもよく、１９質量％以下、１８質量％以下、又は１７質量％以下であってもよい。（Ｃ）成分の含有量が５質量％以上であると、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分の含有量が２０質量％以下であると、接着剤組成物の硬化物において、より充分な高温貯蔵弾性率が得られる傾向にある。
【００５０】
＜（Ｄ）成分：フィラー＞
（Ｄ）成分は、無機フィラーであってよい。（Ｄ）成分としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｄ）成分は、シリカを含んでいてもよい。
【００５１】
（Ｄ）成分の平均粒径は、接着性がより向上する観点から、０．００５〜２．０μｍ、０．００５〜１．５μｍ、０．００５〜１．０μｍであってよい。ここで、平均粒径は、ＢＥＴ比表面積から換算することによって求められる値を意味する。
【００５２】
（Ｄ）成分は、その表面と溶剤、他の成分等との相溶性、接着強度の観点から表面処理剤によって表面処理されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、シラン系カップリング剤等が挙げられる。シラン系カップリング剤の官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
【００５３】
（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、４０〜６８質量％である。（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、４５質量％以上、４８質量％以上、又は５０質量％以上であってもよく、６５質量％以下、６０質量％以下、又は５５質量％以下であってもよい。（Ｄ）成分の含有量が４０質量％以上であると、接着剤組成物の硬化物において、より充分な高温貯蔵弾性率が得られる傾向にある。（Ｄ）成分の含有量が６８質量％以下であると、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性に優れる傾向にある。
【００５４】
＜（Ｅ）成分：硬化促進剤＞
接着剤組成物は、（Ｅ）成分をさらに含有していてもよい。接着剤組成物が（Ｅ）成分を含有することによって、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。（Ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｅ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってよい。
【００５５】
イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、０．０１〜０．１５質量％であってよい。（Ｅ）成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。
【００５７】
＜（Ｆ）成分：カップリング剤＞
接着剤組成物は、（Ｆ）成分をさらに含有していてもよい。接着剤組成物が（Ｆ）成分を含有することによって、異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。（Ｆ）成分としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｆ）成分は、シラン系カップリング剤であってよい。
【００５８】
シラン系カップリング剤としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００５９】
（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、０．１〜５．０質量％であってよい。（Ｆ）成分の含有量がこのような範囲にあると、異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。
【００６０】
＜その他の成分＞
接着剤組成物は、その他の成分として、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。これらの成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量を基準として、０．０１〜３質量％であってよい。
【００６１】
接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤組成物のワニスとして用いてもよい。溶剤は、（Ｄ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサノンであってもよい。
【００６２】
接着剤組成物のワニス中の固形成分濃度は、接着剤組成物のワニスの総量を基準として、１０〜８０質量％であってよい。
【００６３】
接着剤組成物のワニスは、（Ａ）成分〜（Ｆ）成分、溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合、混練の順序は特に制限されず、適宜設定することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
接着剤組成物のワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してよい。
【００６４】
［フィルム状接着剤］
図１は、一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤１０は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるものである。フィルム状接着剤１０は、半硬化（Ｂステージ）状態であってよい。このようなフィルム状接着剤１０は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物のワニスを用いる場合は、接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１０を形成することができる。
【００６５】
支持フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１０〜２００μｍ又は２０〜１７０μｍであってよい。
【００６６】
接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０〜２００℃で０．１〜９０分間であってもよい。
【００６７】
フィルム状接着剤の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができる。フィルム状接着剤の厚さは、半導体素子（半導体チップ）、ワイヤ、基板の配線回路等の凹凸などを充分に埋め込む観点から、５〜２００μｍ、１０〜１１０μｍ、又は１５〜８０μｍであってよい。
【００６８】
フィルム状接着剤を１１０℃で１時間、続いて１７０℃、１時間加熱することによって得られるフィルム状接着剤の硬化物の１７５℃における貯蔵弾性率は、１００ＭＰａ以上であってよく、２００ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以上、又は１０００ＭＰａ以上であってもよい。フィルム状接着剤の硬化物の１７５℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であると、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間にズレ又は剥離を抑えることができる。フィルム状接着剤の硬化物の１７５℃における貯蔵弾性率は、例えば、２０００ＭＰａ以下であってよい。フィルム状接着剤の硬化物の１７５℃における貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法によって測定された値を意味する。
【００６９】
フィルム状接着剤を１１０℃で１時間、続いて１７０℃で１時間加熱することによって得られるフィルム状接着剤の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１９０℃以上であってよく、１９５℃以上、２００℃以上、又は２０５℃以上であってもよい。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が１９０℃以上であると、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間にズレ又は剥離を抑えることができる。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、２５０℃以下であってよい。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、実施例に記載の方法によって測定された値を意味する。
【００７０】
［接着シート］
図２は、一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１００は、基材２０と基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤１０とを備える。
【００７１】
基材２０は、特に制限されないが、基材フィルムであってよい。基材フィルムは、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。
【００７２】
基材２０は、ダイシングテープであってもよい。このような接着シートは、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして使用することができる。この場合、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。
【００７３】
ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであってもよい。このようなダイシングテープは、上記のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよく、上記のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってもよい。
【００７４】
接着シート１００は、上記のフィルム状接着剤を形成する方法と同様に、接着剤組成物を基材フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物を基材２０に塗布する方法は、上記の接着剤組成物を支持フィルムに塗布する方法と同様であってよい。
【００７５】
接着シート１００は、予め作製したフィルム状接着剤を用いて形成してもよい。この場合、接着シート１００は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でラミネートすることによって形成することができる。接着シート１００は、連続的に製造ができ、効率が良いことから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成することが好ましい。
【００７６】
図３は、他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１１０は、フィルム状接着剤１０の基材２０とは反対側の面に積層された保護フィルム３０をさらに備える。保護フィルム３０は、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。保護フィルムの厚さは、例えば、１０〜２００μｍ又は２０〜１７０μｍであってよい。
【００７７】
［半導体装置］
図４は、一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。半導体装置２００は、半導体素子搭載用支持部材１４に、第１のワイヤ８８を介して１段目の第１の半導体素子Ｗａがワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子Ｗａ上に、第２の半導体素子Ｗａａがフィルム状接着剤１０を介して圧着されることで、第１のワイヤ８８の少なくとも一部がフィルム状接着剤１０に埋め込まれてなる半導体装置である。半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であっても、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体装置であってもよい。また、半導体装置２００では、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとがさらに第２のワイヤ９８を介して電気的に接続されると共に、第２の半導体素子Ｗａａが封止材４２により封止されている。
【００７８】
第１の半導体素子Ｗａの厚さは、１０〜１７０μｍであってもよく、第２の半導体素子Ｗａａの厚さは、２０〜４００μｍであってもよい。フィルム状接着剤１０の内部に埋め込まれている第１の半導体素子Ｗａは、半導体装置２００を駆動するためのコントローラチップであってよい。
【００７９】
半導体素子搭載用支持部材１４は、表面に回路パターン８４、９４がそれぞれ二箇所ずつ形成された有機基板９０からなる。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン９４上に接着剤４１を介して圧着されている。第２の半導体素子Ｗａａは、第１の半導体素子Ｗａが圧着されていない回路パターン９４、第１の半導体素子Ｗａ、及び回路パターン８４の一部が覆われるようにフィルム状接着剤１０を介して半導体素子搭載用支持部材１４に圧着されている。半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４、９４に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤１０が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材４２により、第２の半導体素子Ｗａａ、回路パターン８４、及び第２のワイヤ９８が封止されている。
【００８０】
［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続する第１のワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える。
【００８１】
図５、図６、図７、図８、及び図９は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。本実施形態に係る半導体装置２００は、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体装置であり、以下の手順により製造される。まず、図５に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン９４上に、接着剤４１を有する第１の半導体素子Ｗａを圧着し、第１のワイヤ８８を介して半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとを電気的にボンディング接続する（第１のワイヤボンディング工程）。
【００８２】
次に、半導体ウェハ（例えば、厚さ１００μｍ、サイズ８インチ）の片面に、接着シート１００をラミネートし、基材２０を剥がすことによって、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤１０（例えば、厚さ１１０μｍ）を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤１０にダイシングテープを貼り合わせた後、所定の大きさ（例えば、７．５ｍｍ角）にダイシングすることにより、図６に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを得る（ラミネート工程）。
【００８３】
ラミネート工程の温度条件は、５０〜１００℃又は６０〜８０℃であってよい。ラミネート工程の温度が５０℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が１００℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤１０が過度に流動することが抑えられるため、厚さの変化等を引き起こすことを防止できる。
【００８４】
ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによってフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤の両方を切断する方法等が挙げられる。
【００８５】
そして、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、第１の半導体素子Ｗａが第１のワイヤ８８を介してボンディング接続された半導体素子搭載用支持部材１４に圧着する。具体的には、図７に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付された第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０によって第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが覆われるように載置し、次いで、図８に示すとおり、第２の半導体素子Ｗａａを半導体素子搭載用支持部材１４に圧着させることで半導体素子搭載用支持部材１４に第２の半導体素子Ｗａａを固定する（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤１０を８０〜１８０℃、０．０１〜０．５０ＭＰａの条件で０．５〜３．０秒間圧着するものであってよい。ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤１０を６０〜１７５℃、０．３〜０．７ＭＰａの条件で、５分間以上圧着してもよい。
【００８６】
次いで、図９に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとを第２のワイヤ９８を介して電気的に接続した後（第２のワイヤボンディング工程）、回路パターン８４、第２のワイヤ９８及び第２の半導体素子Ｗａａを封止材４２で封止する。このような工程を経ることで半導体装置２００を製造することができる。
【００８７】
他の実施形態として、半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。
【実施例】
【００８８】
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００８９】
（実施例１〜５及び比較例１〜３）
＜接着シートの作製＞
表１に示す各成分及びその含有量で、以下の手順によって接着剤組成物のワニスを調製した。まず、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、及び（Ｄ）フィラーを配合し、これにシクロヘキサノンを加えて撹拌し、続いて、（Ｃ）エラストマー、（Ｅ）硬化促進剤、及び（Ｆ）カップリング剤を加えて、各成分が均一になるまで撹拌することによって、固形分４０質量％の接着剤組成物のワニスを得た。【００９０】
なお、表１中の各成分は以下のとおりである。【００９１】
（Ａ）成分：エポキシ樹脂
（Ａ−１）成分：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂
ＨＰ−４７１０（上記の式（Ｘ）で表されるエポキシ樹脂、ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−４７１０」、軟化点：９５℃、エポキシ当量：１７０ｇ／ｅｑ）
（Ａ−２）成分：ナフタレン骨格を有しないエポキシ樹脂
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学株式会社製、商品名「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」、エポキシ当量：１６０ｇ／ｅｑ）
ＥＸＡ−１５１４（ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＸＡ−１５１４」、エポキシ当量：３００ｇ／ｅｑ）【００９２】
（Ｂ）成分：フェノール樹脂
ＰＳＭ−４３２６（フェノールノボラック型フェノール樹脂、群栄化学工業株式会社製、商品名「レヂトップＰＳＭ−４３２６」、軟化点：１２６℃、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ）【００９３】
（Ｃ）成分：エラストマー
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」、重量平均分子量８０万、ガラス転移温度：−１３℃）【００９４】
（Ｄ）成分：フィラー
ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（シリカフィラー、アドマテックス株式会社製、商品名「ＳＣ２０５０−ＨＬＧ」、平均粒径０．５００μｍ）【００９５】
（Ｅ）成分：硬化促進剤
２ＰＺ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、四国化成工業株式会社製、商品名「キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ」）【００９６】
（Ｆ）成分：カップリング剤
Ａ−１８９（γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、日本ユニカー株式会社製、商品名「ＮＵＣ  Ａ−１８９」）
Ａ−１１６０（γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、日本ユニカー株式会社製、商品名「ＮＵＣ  Ａ−１１６０」）【００９７】
次に、得られた接着剤組成物のワニスを、基材フィルムである厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥した。このようにして、基材フィルム上に、半硬化（Ｂステージ）状態にある厚さ２０μｍのフィルム状接着剤が設けられた実施例１〜５及び比較例１〜３の接着シートを得た。【００９８】
＜低温貼付性の評価＞
実施例１〜５及び比較例１〜３の各接着シートを、長さ１００ｍｍ、幅５０ｍｍに切り出し、これを試験片とした。この試験片を、支持台上に載せたシリコンウェハ（８インチ径、厚さ４００μｍ）の支持台と反対側の面に、フィルム状接着剤とシリコンウェハとが接するように積層した。フィルム状接着剤の積層は、ロール（温度７０℃、線圧３９．２Ｎ／ｃｍ（４ｋｇｆ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分）で加圧しながら行った。このときに、フィルム状接着剤とシリコンウェハとの間に空隙（ボイド）の発生が観測されなかった場合を低温貼付性に優れるとして「Ａ」と評価し、空隙（ボイド）の発生が観測された場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。【００９９】
＜硬化後のフィルム状接着剤の高温貯蔵弾性率及びガラス転移温度の測定＞
実施例１〜５及び比較例１〜３の各接着シートを１１０℃で１時間加熱し、その後、１７０℃で１時間加熱することによって、フィルム状接着剤の硬化物を得た。フィルム状接着剤の硬化物を、動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、商品名ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、フィルム状接着剤の硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分の条件で２５〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードでフィルム状接着剤の硬化物の粘弾性を測定することによって、１７５℃における貯蔵弾性率（高温貯蔵弾性率）を求めた。高温貯蔵弾性率は、数値が大きい（例えば、１００ＭＰａ以上）ほど、ワイヤボンディング特性に優れていることを意味する。また、高温貯蔵弾性率に対する損失弾性率の割合で表される損失正接（ｔａｎδ）のピークトップの温度をガラス転移温度として求めた。ガラス転移温度は、数値が大きい（例えば、１９０℃以上）ほど、ワイヤボンディング特性に優れていることを意味する。結果を表１に示す。【０１００】
【表１】
2020026757.tif 000004
【０１０１】
表１に示すとおり、接着剤組成物において、フィラーの含有量が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、及びフィラーの総量を基準として、４０〜６８質量％であり、エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む実施例１〜５は、低温貼付性、高温貯蔵弾性率、及びガラス転移温度の点でいずれも優れていた。一方、フィラーの含有量が、４０質量％未満である比較例１は、高温貯蔵弾性率の点で充分ではなかった。また、フィラーの含有量が、６８質量％を超える比較例２は、低温貼付性の点で充分ではなかった。さらに、エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含まない比較例３は、高温貯蔵弾性率及びガラス転移温度の点で充分ではなかった。これらの結果から、本発明に係る接着剤組成物が、フィルム状接着剤を形成したときの低温貼付性に優れるとともに、充分な高温貯蔵弾性率を有し、かつ充分なガラス転移温度を有する硬化物を形成することが可能であることが確認された。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…フィルム状接着剤、１４…半導体素子搭載用支持部材、２０…基材、３０…保護フィルム、４１…接着剤、４２…封止材、８４、９４…回路パターン、８８…第１のワイヤ、９０…有機基板、９８…第２のワイヤ、１００、１１０…接着シート、２００…半導体装置、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗａａ…第２の半導体素子。
【図１】
2020026757.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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