(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を作るための磁石が成膜領域を往復移動する駆動装置を備えたマグネトロンスパッタ成膜装置において、単色光ビームを成膜中の薄膜表面に向けて出射する光源と、前記単色光ビームの前記薄膜からの反射光を検出し検出信号を出力する光検出器と、この検出信号と予め採取してある前記単色光ビームと前記薄膜と同質の薄膜の膜厚との関係から前記成膜中の薄膜の膜厚と、この膜厚と所定の膜厚との比較から磁石の所定往復回数で所定の膜厚を得るための放電パワーの補正信号または磁石の移動速度の補正信号を出力するコントローラを備えていることを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマグネトロンスパッタ成膜装置における前記放電パワーの補正信号は次式に対応することを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜方法。
【数１】
0003744089.tif 000007
【請求項３】
請求項１に記載のマグネトロンスパッタ成膜装置における前記磁石の移動速度の補正信号は次式に対応することを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜方法。
【数２】
0003744089.tif 000008
【請求項４】
前記単色光ビームの波長は前記所定膜厚より小さい膜厚で反射光強度が極小値または極大値となる波長であり、反射光強度の極小値または極大値となる時間での膜厚を求めることを特徴とする請求項２または３に記載のマグネトロンスパッタ成膜方法。
【請求項５】
前記薄膜は可視光に対して透光性であり、前記薄膜の下地は少なくともａ−Ｓｉ層あるいはａ−Ｓｉ系合金層を含む単層膜あるいは多層膜であり、ａ−Ｓｉ層あるいはａ−Ｓｉ系合金層が最表面にあることを特徴とする請求項２ないし４に記載のマグネトロンスパッタ成膜方法。
【請求項６】
前記薄膜はＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯのいずれかよりなる透明導電膜であることを特徴とする請求項２ないし５に記載のマグネトロンスパッタ成膜方法。
【請求項７】
前記単色光ビームの波長は700nm 未満であることを特徴とする請求項２ないし６に記載のマグネトロンスパッタ成膜方法。
【請求項８】
前記単色光ビームはＹＡＧレーザーの第２高調波またはヘリウム−カドミウムレーザーであり、前記所定膜厚は60ないし100nm であることを特徴とする請求項２ないし６に記載のマグネトロンスパッタ成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
例えば薄膜太陽電池などのように、半導体層の上に透明導電層を有する薄膜電子装置における透明導電層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体層の上に透明導電層を有する薄膜電子装置の代表例としてアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉという）半導体層を光電変換層とする太陽電池がある。太陽電池の基本層構成は基板上の電極層、光電変換層および電極層の３層であり、基板が導電性であれば電極層の１つは省略することができる。
【０００３】
ａ−Ｓｉよりなり、ｐｉｎ構造を持つ光電変換層の光入射側には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＳｎＯ2 またはＺｎＯなどの透明導電材料よりなる透明電極層、対向側には金属よりなる背後電極層が形成されるのが一般的である。これらの電極層の成膜にはスパッタリングが用いられている。
電力用の太陽電池は大面積にわたって太陽光を吸収する必要があるため、基板として高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からなる長尺の可撓性基板が用いられる。長尺の可撓性基板上に複数の層を成膜する方式としては、各層に対応する成膜室内を連続移動する基板上に成膜するロールツーロール方式と、基板を各成膜室内で停止して成膜し、成膜後成膜室外へ送り出すステッピングロール方式とがある。ステッピングロール方式の成膜装置は、隣接する成膜室とのガス相互拡散がないことや装置がコンパクトにできることなどの点で優れている。
【０００４】
ステッピングロール方式のスパッタリングによる均一成膜については次の方法が提案されている。図７は従来の磁石移動型のマグネトロンスパッタ装置の断面模式図である。成膜室Ｖ内では、陰極２上に置かれた被成膜基板１ｓは陽極３上のターゲット４に対向しており、陰極２、陽極３間に電圧を印加してグロー放電を発生させると共に、ターゲット４の裏側に設置された磁石５によって両電極間の電界に直行する磁界を印加して、基板１ｓ表面上にターゲット材料よりなる膜を形成する。磁石の領域（グロー放電領域となる）は細長く、長方形の成膜領域の一辺より少し長く、他の一辺より短い。陽極３と磁石５とは駆動装置６のヘッド６ａに取り付けられ、磁界（磁石）の領域の短辺方向に、成膜領域の幅だけ往復移動される。磁石５はＮ極、Ｓ極の一対または複数対からなっている。
【０００５】
図８は磁石移動型のマグネトロンスパッタ装置における成膜中の膜厚の変化を示すグラフである。基板上の任意の観測点Ｐでは、グロー放電領域の通過毎に間欠的に成膜（グラフの太線部分）される。
ステッピングロール方式の成膜では、各成膜室内に止まる時間は一定なので、成膜領域全体で均一な膜厚を得るためには、マグネット往復移動回数に同期して所定の膜厚を得なければならない。このためには、マグネットの移動速度あるいは、放電パワーをこの条件に合うように制御しなければならない。
【０００６】
このような従来のマグネトロンスパッタ装置では、成膜中に膜厚を計測して成膜速度または膜厚を確認する機構を有しないため、膜厚の制御方法としては、予め定められた成膜条件で成膜を行い、この膜厚を測定して単位時間当たりの成膜速度を求め、この値から所定の膜厚となるような成膜条件として、ターゲット使用の初期において成膜膜厚とマグネット往復移動回数を同期させていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ターゲットの使用時間が増加するに従い、その表面形状、表面清浄状態が変化し、成膜速度が変化するので、放電パワーを一定としても成膜速度が変化し、成膜時間を制御することによって所定の膜厚を再現性良く得ることは難しい。従って、放電パワーと成膜時間のみで制御した場合には、成膜バッチ間での膜厚にばらつきが生じてしまう。太陽電池の受光面側である透明電極は、反射防止膜的な役割も果たしており、その膜厚が最適値からずれると、短絡光電流が大きく減少し、特性低下の原因となる。
【０００８】
本発明の目的は、透明導電膜の成膜中に膜厚監視および膜厚制御が可能であり、ターゲットの表面状態の変化にも関わらず一定の膜厚が得られるマグネトロンスパッタ成膜装置およびその成膜方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、磁界を作るための磁石が成膜領域を往復移動する駆動装置を備えたマグネトロンスパッタ成膜装置において、単色光ビームを成膜中の薄膜表面に向けて出射する光源と、前記単色光ビームの前記薄膜からの反射光を検出し検出信号を出力する光検出器と、この検出信号と予め採取してある前記単色光ビームと前記薄膜と同質の薄膜の膜厚との関係から前記成膜中の薄膜の膜厚と、この膜厚と所定の膜厚との比較から磁石の所定往復回数で所定の膜厚を得るための放電パワーの補正信号または磁石の移動速度の補正信号を出力するコントローラを備えていることとする。
【００１０】
前記のマグネトロンスパッタ成膜装置における成膜方法において、前記放電パワーの補正信号は次式に対応することとする。
【００１１】
【数３】
0003744089.tif 000002
前記のマグネトロンスパッタ成膜装置における成膜方法において、前記磁石の移動速度の補正信号は次式に対応することとする。
【００１２】
【数４】
0003744089.tif 000003
前記単色光ビームの波長は前記所定膜厚より小さい膜厚で反射光強度が極小値または極大値となる波長であり、反射光強度の極小値または極大値となる時間での膜厚を求めることとする。
【００１３】
前記薄膜は可視光に対して透光性であり、前記薄膜の下地は少なくともａ−Ｓｉ層あるいはａ−Ｓｉ系合金層を含む単層膜あるいは多層膜であり、ａ−Ｓｉ層あるいはａ−Ｓｉ系合金層が最表面にあると良い。
前記薄膜はＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯのいずれかよりなる透明導電膜であると良い。
【００１４】
前記単色光ビームの波長は700nm 未満であると良い。
前記単色光ビームはＹＡＧレーザーの第２高調波またはヘリウム−カドミウムレーザーであり、前記所定膜厚は60ないし100nm であると良い。
本発明によれば、上記の光源、光検出器とコントローラを備えたため、採取してある膜厚と反射率の関係のデータを用いて、測定時点での膜厚から成膜速度を得ることができ、これを用いて以降の成膜条件を制御することができるので、多数ステップ成膜後のターゲットの表面状態の変化などによる成膜速度の変化に対する制御を放電パワーまたは磁石の移動速度を変えることにより容易に行い、常に膜厚の精度を高く維持できることが期待される。
【００１５】
直接、膜厚が求められない場合には、所定の膜厚より薄い膜厚で反射率の極小値、あるいは極大値をもたせるような波長の単色光ビームを用いて容易に極小値、あるいは極大値をもつ膜厚において膜厚判定を行うことができ、以下上記の成膜条件の制御を行うことができる。
ａ−Ｓｉ上に可視光に対して透光性を有する薄膜を形成する場合、波長700nm未満の光を用いることにより、反射率の変化が大きく、膜厚判定がしやすくそのため膜厚制御の精度が良いことが期待できる。
【００１６】
ａ−Ｓｉ上に可視光に対して透光性を有する60〜100nm の薄膜を形成する場合、成膜表面に照射する光がＹＡＧレーザーの第２高調波またはヘリウム−カドミウムレーザーであると、成膜膜厚より薄い膜厚で反射率の極小値をもつため、反射率の絶対値を求めることが難しい場合でも、容易に膜厚判定を行うことができ、放電パワー、成膜時間または磁石の移動速度を制御して膜厚を正確に制御することが可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図５は本発明に係る成膜方法を電極成膜に適用した太陽電池の製造工程順の各工程後の断面図であり、（ａ）は基板への第１孔開孔工程、（ｂ）は両面への金属電極形成工程、（ｃ）は第２孔開孔工程、（ｄ）はａ−Ｓｉの形成工程、（ｅ）は透明電極の形成工程、（ｆ）は裏面電極の形成工程である。
【００１８】
電気的絶縁性で可撓性の基板１ｓは厚さは約50μｍの樹脂製のフィルムである。樹脂としてはポリイミド系、ポリエチレンナフタレート（略号ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（略号ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（略号ＰＥＴ）またはアラミド系を用いることができる。この基板１ｓの一部に複数個の基板を貫通する第１孔ｈ１を開ける（工程（ａ））。第１孔ｈ１の開孔はパンチを用いた機械的な開孔あるいはレーザー等のエネルギービームを用いて開孔できる。第１孔ｈ１の大きさは、直径0.5 ないし1mm とした。
【００１９】
基板１ｓの片面に第１電極層１ａ（この面を表側面とする）、反対側の面に第２電極層１ｂ（この面を裏側面とする）として、Agを約100nm 〜約400nm の厚さにスパッタリングにより成膜した。Ag以外にもAl、Cu、Ti等の金属をスパッタリング、あるいは電子ビーム蒸着等により形成して金属電極としても良い。また、金属酸化膜と金属の多層膜を電極層として形成しても良い。成膜方式としては、成膜ゾーンにキャンロール部を持たないステッピングロール方式で成膜することが良い。キャンロール部で成膜するとヒーター基板間距離を実質的に０にすることができるが、貫通孔を有する基板では、貫通孔を通過した電極材料がキャンロール部に付着し、これが基板の別の部分と接することにより剥離し、基板への再付着により太陽電池の歩留まりが低下するからである。この工程により、第１電極層１ａ第１孔ｈ１の側面で第２電極層１ｂと重なり互いに導通する（工程（ｂ））。
【００２０】
次に、基板１ｓおよび第１電極層１ａ、第２電極層１ｂを貫通する複数個の第２孔ｈ２を第１孔ｈ１以外の場所に開孔する。開孔方法は第１孔ｈ１と同じである（工程（ｃ））。
こうした工程を経た上で、光電変換層１ｐとなる薄膜半導体を表側面に形成する。例えば、ａ−Ｓｉを主成分とする光電変換層１ｐを、主原料ガスにＳｉＨ4 、Ｈ2 を用いプラズマＣＶＤ法により形成したが、光電変換層１ｐの材料としては、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｄＴｅ、ｐｏｌｙ−Ｓｉなどがある（工程（ｄ））。第２孔ｈ１の内側で第１電極１ａと第２電極１ｂは導通していない。
【００２１】
光電変換層１ｐの上に、第３電極層１ｃとして透明電極層を成膜する。この層にはＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどの酸化物導電層を用いるのが一般的であり、本実施例ではスパッタリングによるＩＴＯ膜を用いた。このとき、膜形成時にマスクで覆うなどして初めに形成した第１孔ｈ１の周縁部分には第３電極層１ｃが成膜されないようにする（工程（ｅ））。
【００２２】
次に、裏側面に金属膜などの低抵抗導電膜からなる第４電極層１ｄを成膜する。第２孔ｈ２内面は光電変換層１ｐにより既に覆われているので、この第４電極層１ｄは第２電極層１ｂおよび第３電極層１ｃとのみ導通しており、第１電極層１ａとは導通していない（工程（ｆ））。
図６は本発明に係る電極成膜方法を適用した太陽電池の直列接続後の図であり（ａ）は平面図であり（ｂ）は（ａ）におけるＸＸに沿っての断面図である。
【００２３】
上記工程後、太陽電池の直列接続を形成するために、表側面では太陽電池（第１電極層、光電変換層、第３電極層の３層）のみを、レーザなどを用いて、切断部１ｉで切断して互いに電気的に絶縁された個別太陽電池（ユニットセルＵ）に分割し、裏側面では切断部１ｊで切断して互いに電気的に絶縁された裏面電極Ｅ（第２電極層と第４電極層の積層）に分割する。こうして電極Ｅn-1,n −第１孔ｈ１−ユニットセルＵn 内の第１電極層１ａ−光電変換層１ｐ−第３電極層１ｃ−第２孔ｈ２−電極Ｅn,n+1 からなる直列接続が完成する。
【００２４】
上記の透明導電材料からなる第３電極層の成膜には、本発明に係る膜厚制御システムを備えたマグネトロンスパッタ成膜装置を用いた。
図１は本発明に係るマグネトロンスパッタ成膜装置の断面模式図である。膜厚監視のための光モニタ系と制御コントローラ以外は従来と同じ（図８）なので説明を省略する。
【００２５】
成膜中の膜厚を監視するために、光源８ａから放射された単色光ビーム８ｌは基板１ｓ上の成膜中の電極層を透過して光電変換層で反射し光検出器８ｂに入射する。光検出器８ｂは検出光の強度を電気信号に変換し、コントローラ９に送る。
コントローラ９は、この電気信号から予め定めておいた手順に従い膜厚、膜厚の極大値、極小値、または設定膜厚との差などを演算し、これらに対応する電源７の出力制御信号または駆動装置の駆動速度信号などの制御信号を出力することができる。このようなマグネトロンスパッタ成膜装置により、磁石移動、放電パワーを制御することにより、長期間にわたり所定の膜厚を再現性良く得ることができる。
【００２６】
以下にマグネトロンスパッタ成膜装置における、電極層の反射光と磁石移動および放電パワーの制御方法を、実施例で説明する。
実施例１
この実施例では、反射率の測定から直接膜厚が確定できる場合の成膜方法を実施した。
【００２７】
図２はＹＡＧレーザー光（波長530nm ）に対するＩＴＯ膜の反射率の膜厚依存性のグラフである。可撓性基板上にＡｇを100nm 、ａ−Ｓｉを500nm 成膜した後、ＩＴＯを成膜したときに、その成膜表面に波長530nm のＹＡＧレーザーの第２高調波（波長530nm ）を垂直入射させて反射率をまえもって測定しておいた。ＩＴＯ膜が成膜されていない状態から、スパッタにより膜が形成されることにより、成膜表面での反射強度が低下し、ＩＴＯ膜厚が約60nmで、反射強度の極小値が得られた。さらに、膜厚が増加すると、反射強度が増加、減少のパターンを繰り返し、約180nm 、300nm の膜厚に対して極小値となる。
【００２８】
実際には基板への垂直入射は不可能なので、薄膜に入射した入射角の余弦の逆数に比例して光路長が長くなる。このため、横軸を入射角の余弦の逆数を乗じた値に読みなおす必要がある。
所定膜厚をｔ0 とし、ＩＴＯ成膜の初期ステップでの成膜条件を放電パワーＰ0 、所定往復回数ｎ0 および移動速度ｖ0 とする。
【００２９】
多数ステップ成膜後の現ステップで、成膜開始から磁石の往復移動回数ｎ（1 ＜ｎ＜ｎ0の整数）回後の時点での膜厚ｔ（nm）は図２に示す反射率データより求めることができる。また、成膜速度は放電パワーに比例し、磁石の移動速度に反比例している。従って、この時点以降の放電パワーＰまたは磁石移動速度ｖを変更することによって、精度良く所定の膜厚を得ることができる。
【００３０】
先ず、磁石往復移動速度を一定（ｖ0 ）として、所定時間で所定の膜厚を得るための放電パワーＰを求める。現ステップ内では、往復回数１からｎまでと往復回数ｎからｎ0 までの成膜速度は変わらないとみなせるので、成膜速度に対応する（１）式から（２）式が得られる。
【００３１】
【数５】
0003744089.tif 000004
従って膜厚ｔ（往復回数ｎ）以降は、コントローラで（２）式の演算を行い、その放電パワーＰ（W ）を維持するように制御すればよい。
次に、他の成膜方法として、放電パワーはＰ0 のまま一定としておき、磁石移動速度ｖを制御して所定の膜厚を得ることもできることを示す。
【００３２】
上記と同様に、（１）式から、（３）式が得られる。
【００３３】
【数６】
0003744089.tif 000005
従って膜厚ｔ（往復回数ｎ）以降は、コントローラで（３）式の演算を行い、その移動速度（ｖ）を維持するように制御すればよい。なお、ｎが小さいときには膜厚が小さく膜厚の推定精度が低く、一方ｎがｎ0 に近いとその後の補正量が大きく装置上の対応が困難になるので、n は中間の値がよい。
【００３４】
透明導電材料として、ＩＴＯを用いた場合の初期ステップでの成膜条件（図５（ｅ）の成膜）を次のように行った。基板温度250 ℃、圧力0.27Pa、Ar流量100sccm 、放電パワー600Wであり、目標膜厚は60nmとした。この時の所要成膜時間は11分であり、磁石の往復移動回数ｎ0を11回とした（磁石の移動速度は１往復／分である）。多数ステップ後、ｎ＝5 のとき膜厚は所定値の９５％であったが、（２）式に従い放電パワーを10% 増加して以降の成膜を行い、膜厚61nmを得た。また、（３）式に従い移動速度を9 % 減少して以降の成膜を行い、膜厚62nmを得た。
【００３５】
上記のように、２通りの成膜方法により、ステップ数に依存せず、ＩＴＯ膜厚を常に精度良く制御でき、特に長尺の基板への成膜に対して有効であった。
実施例２
実施例１の方法は、反射率の絶対値から膜厚判定、制御、確認を行う例であるが、反射率の絶対値を求めることが難しい場合についての方法を以下に示す。
【００３６】
反射率の絶対値を求めることが難しい場合でも反射率の極小値、あるいは極大値となる時間を求めることは容易である。所定の膜厚より薄い膜厚ときに反射率が極小値、あるいは極大値となるような波長の単色光を成膜表面に照射する事によって、極小値、あるいは極大値をもつ膜厚において以下に述べる膜厚判定を行い、この値を用いて、実施例１のどちらかの成膜方法により膜厚を制御することにより正確な膜厚制御が可能である。
【００３７】
磁石の通過に対して、一定の時刻で反射光強度（反射率でもよい）を観測すると、反射光強度も離散した値が得られる。ある連続した３つの測定値の増加方向の符号が変化すれば、極値を越えたことになる。例として極小反射の場合を説明する。
任意の対象ステップにおいて、時間は成膜開始（磁石移動開始）を０とする。等しい時間々隔とするため磁石の往路（または復路）のみの、時間 T- 、T0、 T+ で反射光強度を測定し R- 、R0、 R+ を得たとする。これらの値から極小反射率のときの膜厚ｔm を用いて、時間 T+ での膜厚ｔ+ を求める。この膜厚ｔ+ が正常な場合の時間 T+ と膜厚との関係からずれていれば、実施例１と同じ方法により、以降の放電パワーまたは磁石の移動速度を制御することができる。
【００３８】
但し、膜厚ｔ+ を簡単に求めるため反射率カーブの極小付近を下に凸な簡単な関数で近似する必要があり、ここでは２次関数を採用した。初等演算の結果、（４）式を得た。
【００３９】
【数７】
0003744089.tif 000006
図３はヘリウム−カドミウムレーザー光（波長442nm ）に対するＩＴＯ膜の反射率の膜厚依存性のグラフである。
ＩＴＯ膜厚を60nmに成膜する場合において、成膜表面に照射する光を波長442nm のヘリウム−カドミウムレーザーとした場合には、反射率の極小値はＩＴＯ膜厚が45nmのときであるから、このとき反射光強度も極小値となる。磁石の通過毎に反射光強度の測定を行い、増加方向が変化した時点で、上述の演算をコントローラで行い、以降の放電パワーを制御し、または磁石の移動速度を制御して、ステップ数に関わらずにＩＴＯ膜厚を約 2% の精度で成膜できた。
実施例３
図４は基板上にＡｇを100nm 、ａ−Ｓｉを500nm 成膜し、ａ−Ｓｉ上にＩＴＯを形成したときのＩＴＯ膜厚に対する反射率のグラフであり、（ａ）は波長600nm の場合であり、（ｂ）は波長700nm の場合である。
【００４０】
波長600nm の光に対しては、ＩＴＯ膜厚を増加するに従い、反射率が35% から40% 弱に増加し、約85nmにおいて反射率はほぼ0 となり、150nm において再び40% 弱となり、反射率の変化が大きく、膜厚判定、制御、確認がしやすい。一方、波長700nm の光に対しては、ＩＴＯ膜厚を増加するに従い反射率は約80% から90%弱に増加し、120nm で極小となる。この場合、例えばＩＴＯ膜厚を60nmに制御しようとした場合には、反射率の変化の少ない領域で膜厚判定を行わなければならず、膜厚を正確に制御することは難しかった。波長700nm 以上の光に対しては、ＩＴＯ膜厚が0 〜100nm の範囲で反射率の変化が少ないため膜厚制御は難しかった。このため、照射する光の波長は、700nm 未満、望ましくは600nm 以下が良いことが判る。
【００４１】
以上の実施例では、ａ−Ｓｉ膜上にＩＴＯ膜を成膜する場合について示したが、基板上に薄膜を成膜する場合であれば、この手法を用いることができる。
【００４２】
以上の膜厚制御法により、ＩＴＯ膜厚が正確に所定の膜厚に成膜できるようになり、太陽電池特性のばらつきは少なくなり、歩留まりが向上した。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、磁界を作るための磁石が成膜領域を往復移動する駆動装置を備えたマグネトロンスパッタ成膜装置において、単色光ビームを成膜中の薄膜表面に向けて出射する光源と、前記単色光ビームの前記薄膜からの反射光を検出し検出信号を出力する光検出器と、この検出信号と予め採取してある前記単色光ビームと前記薄膜と同質の薄膜の膜厚との関係から前記成膜中の薄膜の膜厚と、この膜厚と所定の膜厚との比較から磁石の所定往復回数で所定の膜厚を得るための放電パワーの補正信号または磁石の移動速度の補正信号を出力するコントローラにより放電パワーまたは磁石の移動速度を適正化したため、多数ステップ成膜後のターゲットの表面状態の変化などによる成膜速度の変化が生じた場合でも、常に膜厚の精度を高く維持できる。
【００４４】
特に、長尺の基板への成膜においては、基板の先端部においても、終端部においても同じ膜厚が得られ、製造方法歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るマグネトロンスパッタ成膜装置の断面模式図
【図２】  ＹＡＧレーザー光（波長530nm ）に対するＩＴＯ膜の反射率の膜厚依存性のグラフ
【図３】  ヘリウム−カドミウムレーザー光（波長442nm ）に対するＩＴＯ膜の反射率の膜厚依存性のグラフ
【図４】  基板上にＡｇを100nm 、ａ−Ｓｉを500nm 成膜し、ａ−Ｓｉ上にＩＴＯを形成したときのＩＴＯ膜厚に対する反射率のグラフであり、（ａ）は波長600nm の場合であり、（ｂ）は波長700nm の場合
【図５】  本発明に係る成膜方法を電極成膜に適用した太陽電池の製造工程順の各工程後の断面図であり、（ａ）は基板への第１孔開孔工程、（ｂ）は両面への金属電極形成工程、（ｃ）は第２孔開孔工程、（ｄ）はａ−Ｓｉの形成工程、（ｅ）は透明電極の形成工程、（ｆ）は裏面電極の形成工程
【図６】  本発明に係る電極成膜方法を適用した太陽電池の直列接続後の図であり（ａ）は平面図であり（ｂ）は（ａ）におけるＸＸに沿っての断面図
【図７】  従来の磁石移動型のマグネトロンスパッタ装置の断面模式図
【図８】  磁石移動型のマグネトロンスパッタ装置における成膜中の膜厚の変化を示すグラフ
【符号の説明】
１ｓ  基板
ｈ１  第１孔
ｈ２  第２孔
１ａ  第１電極層
１ｂ  第２電極層
１ｐ  光電変換層
１ｃ  第３電極層
１ｄ  第４電極層
１ｉ  切断部
１ｊ  切断部
Ｅ    電極
Ｕ    ユニット
２    陰極
３    陽極
４    ターゲット
５    磁石
６    駆動装置
６ａ  ヘッド
７    電源
８ａ  光源
８ｂ  光検出器
８ｌ  光ビーム
９    コントローラ
Ｖ    成膜室
【図１】
0003744089.tif 000009
【図２】
0003744089.tif 000010
【図３】
0003744089.tif 000011
【図４】
0003744089.tif 000012
【図５】
0003744089.tif 000013
【図６】
0003744089.tif 000014
【図７】
0003744089.tif 000015
【図８】
0003744089.tif 000016