(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチャーの電極間で発生したプラズマ光を集光レンズを通して分光器のスリット上に集光し、
該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、
そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御する
プラズマエッチャーのエンドポイント検出装置において、
前記集光レンズは、
前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、
前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、
前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、
前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有し、
前記電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、常に前記集光レンズの瞳径を満たすようにした
ことを特徴とするプラズマエッチャーのエンドポイント検出装置。
【請求項２】
前記集光レンズは、
前記式においてφの実数解が存在しない場合でも、
φ＝（８ＷｌＮＡｍ）／（π（Ｗ＋ｈ））
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有する
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチャーのエンドポイント検出装置。
【請求項３】
前記エンドポイント検出装置は、光ファイバをさらに有し、
前記集光レンズの焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、
前記スリット上に前記光ファイバの出射端を配置する
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチャーのエンドポイント検出装置。
【請求項４】
前記集光レンズは、前記プラズマエッチャーの電極間で発生した平行光束群に対して複数並設し、
前記エンドポイント検出装置は、複数の光ファイバから成るファイババンドルをさらに有し、
前記集光レンズの各焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、
前記スリット上に前記ファイババンドルの出射端を配置する
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチャーのエンドポイント検出装置。
【請求項５】
プラズマエッチャーの電極間で発生したプラズマ光を集光レンズを通して分光器のスリット上に集光し、
該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、
そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御する
プラズマエッチャーにおいて、
前記集光レンズは、
前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、
前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、
前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、
前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有し、
前記電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、
常に前記集光レンズの瞳径を満たすようにした
ことを特徴とするプラズマエッチャー。
【請求項６】
前記集光レンズは、
前記式においてφの実数解が存在しない場合でも、
φ＝（８ＷｌＮＡｍ）／（π（Ｗ＋ｈ））
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有する
ことを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチャー。
【請求項７】
前記エンドポイント検出装置は、光ファイバをさらに有し、
前記集光レンズの焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、
前記スリット上に前記光ファイバの出射端を配置する
ことを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチャー。
【請求項８】
前記集光レンズは、前記プラズマエッチャーの電極間で発生した平行光束群に対して複数並設し、
前記エンドポイント検出装置は、複数の光ファイバから成るファイババンドルをさらに有し、
前記集光レンズの各焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、
前記スリット上に前記ファイババンドルの出射端を配置する
ことを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチャー。
【請求項９】
プラズマエッチャーの電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、
常に集光レンズの瞳径を満たして分光器のスリット上に集光し、
該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、
そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御するプラズマエッチャーのエンドポイント検出方法において、
前記集光レンズは、
前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、
前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、
前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、
前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有する
ことを特徴とするプラズマエッチャーのエンドポイント検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスのプラズマエッチング（ドライエッチ）過程において発生するプラズマ光を分光測定し、そのスペクトル強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御するプラズマエッチャー、プラズマエッチャーのエンドポイント検出装置および検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマエッチャーは、図７に示すようにチャンバ１内に反応ガスを流しながら半導体ウェハ５を挟み込んだ電極１０ａ、１０ｂに高周波電圧をかけ、ウェハ５上でガスをプラズマ化することにより、効率よく微細パターンのエッチングを行うようにしたものである。
【０００３】
そして、現在、プラズマエッチャーのエンドポイント検出で最も注目されているものに、コンタクトホール用のＳi Ｏ2 膜のエッチング工程がある。
このようなＳi Ｏ2 膜のエッチングでは、Ｓi 基板上に形成されたＳi Ｏ2 膜にホトレジストを塗布するとともに、所望するパターンを焼き付け現像したウェハ５を電極１０ａ、１０ｂ間にセットする。この場合、電極１０ａには、ウェハ５上でガスをプラズマ化しやすくするための多数の微細孔１２を形成している。そして、この状態から、チャンバ１内にＣＦ4 とＡr の混合ガスを流しながら電極１０ａ、１０ｂ間に高周波電圧を印加する。すると、レジストが取り除かれた部分のＳi Ｏ2 に、
ＣＦ4 ↑＋Ｓi Ｏ2 →Ｓi Ｆ4 ↑＋ＣＯ2 ↑
の反応が起こり、エッチングが行われる。
【０００４】
ここで、問題となるのは、反応時間の制御である。反応時間が不足すると、図８に示す破線アのようにＳi Ｏ2 が除去し切れずに残ってしまい、また、反応時間が長すぎると、点線イのようにレジストのエッチングが進行して、いわゆるオーバエッチの状態になってしまう。これらは、いづれも製品の品質にとって致命的な欠陥になることがあった。
【０００５】
そこで、従来、ＳiＯ2の反応によって発生するガス（ここではＣＯ2 ）のプラズマ発光強度をモニタしながら反応時間を制御する方法が考えられている。ＣＯ2 ガスのスペクトル強度は、反応時間とともに、おおむね図９に示すように変化する。つまり、この時のＣＯ2 ガスのスペクトル強度の変化は、エッチングの開始からその進行とともに、徐々に減少する領域、エッチングの終了近くで急激に落ち込む領域およびオーバエッチの状態まで徐々に弱まっていく領域からなっている。従って、スペクトル強度の変化が急激に生じる時点を目安に反応時間を制御すれば、最適なエッチング状態が得られることになる。このため、従来では、さらに図７に示すようにチャンバ１内のプラズマ光をチャンバ１の側壁に設けられた石英ガラスの窓（ビューポート）１５を介して取り出すとともに、集光レンズ２０を通して光ファイバ２１の一端に集光し、この光ファイバ２１の他端に配置される分光器３０に入射スリット３２を介して取り込むことで、プラズマ光のスペクトル強度を光検出器３１により測定するようにしている。このＳi Ｏ2 のエッチングの場合は、ＣＯ2 ガスの発光スペクトル強度の変化を光検出器３１によって検出し、上述のスペクトル強度の変化が急俊に生じる時点を目安に制御回路３より制御信号を高周波電源４にフィードバックすることにより、反応時間を制御するようにしている。
【０００６】
ところで、最近の半導体の微細化にともない、図８に示すウェハ５のレジストの開口部ウ、つまり、エッチングパターンのサイズは、サブミクロンのオーダにまで低下し、さらにウェハ５全体の面積に対する開口部ウの比率である開口率も、従来の１０％近くから５％、さらには１％以下というように、劇的に減少してきている。このように開口率が低下するということは、上述したＳi Ｏ2 のエッチングの例では、ＣＯ2 ガスによる発光スペクトルの比率が低下することを意味している。
【０００７】
そこで、従来、特開平５−６２９４３号公報、特開平７−３２１０９４号公報に開示されるように、プラズマ光全体のドリフトを除去し信号のＳ／Ｎ比を改善することで、検出感度を向上させるようにしたものが考えられている。
【０００８】
この場合、これらが十分に効果を発揮するための前提として、チャンバ内のプラズマ光をいかに効率よく分光器に導入するかという問題が重要となる。
この点について、これら引例では、集光レンズを用いることで、分光器に対する集光効率を高めるようにしている。図１０（ａ）（ｂ）は、これら集光効率を高めるための集光レンズの使い方について説明する図で、ここでは、図７で述べた電極１０ａ、１０ｂ間のウェハーチャックの狭い空間に発生するプラズマ光を観察方向からみて細い面光源４０で表すものと仮定している。
【０００９】
まず、図１０（ａ）に示す、集光レンズがない場合を考えると、図７に示す入射スリット３２（または光ファイバ２１端面）の１点を通って分光器３０の分光素子（例えば凹面グレーティング）の有効ＮＡ（ＮＡｍ）をカバーする光束は、面光源４０上に示される円４０１のすべての点光源から集められなければならないが、面光源４０の幅には限界があるので、円４０１からはみ出した面積分の光量が不足することになる。これに対し、図１０（ｂ）に示す、集光レンズ２０を使用する場合、かかる集光レンズ２０として、上述した分光素子の有効ＮＡを十分に満たすＮＡのものを使用し、幅ｈ、長さｓｌの入射スリット３２（または光ファイバ２１端面）の像が面光源４０の所定の光の帯４０２中に納まるように配置すれば、光ファイバ２１端面（または入射スリット３２）のすべての点は、分光素子にとって十分なＮＡの光束を通過させ得ることができるようになり、分光器に対する集光効率を高めことが可能になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような集光レンズを用いたものは、面光源４０をプラズマ光の発生源として仮定して考えられているが、実際のプラズマ光の発生源は、電極１０ａ、１０ｂ間での各所で発生するものであり、従って、集光レンズ２０を通して入射スリット３２（または光ファイバ２１端面）の１点に到来する光も、図１１に示すように、電極１０ａ、１０ｂ間内の図示黒丸を付した直線上の全ての点から発した光を考慮したものでなくてはならい。
【００１１】
このため、従来の集光レンズ２０を用いたものについても、依然として、チャンバ１内に発生するプラズマ光を効率よく分光器に導くことができない場合もある。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、チャンバ内に発生するプラズマ光を効率よく分光器に導くことができるプラズマエッチャー、プラズマエッチャーのエンドポイント検出装置および検出方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、プラズマエッチャーの電極間で発生したプラズマ光を集光レンズを通して分光器のスリット上に集光し、該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御するプラズマエッチャーのエンドポイント検出装置において、前記集光レンズは、前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、
前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
【００１４】
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有し、
前記電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、常に前記集光レンズの瞳径を満たすようにしたことを特徴としている。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記集光レンズは、前記式においてφの実数解が存在しない場合でも、
φ＝（８ＷｌＮＡｍ）／（π（Ｗ＋ｈ））
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有する
ことを特徴としている。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記エンドポイント検出装置は、光ファイバをさらに有し、前記集光レンズの焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、前記スリット上に前記光ファイバの出射端を配置することを特徴としている。
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記集光レンズは、前記プラズマエッチャーの電極間で発生した平行光束群に対して複数並設し、前記エンドポイント検出装置は、複数の光ファイバから成るファイババンドルをさらに有し、前記集光レンズの各焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、前記スリット上に前記ファイババンドルの出射端を配置することを特徴としている。
請求項５の発明は、プラズマエッチャーの電極間で発生したプラズマ光を集光レンズを通して分光器のスリット上に集光し、該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御するプラズマエッチャーにおいて、前記集光レンズは、前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有し、前記電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、常に前記集光レンズの瞳径を満たすようにしたことを特徴としている。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、集光レンズは、前記式においてφの実数解が存在しない場合でも、
φ＝（８ＷｌＮＡｍ）／（π（Ｗ＋ｈ））
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有することを特徴としている。
請求項７記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記エンドポイント検出装置は、光ファイバをさらに有し、前記集光レンズの焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、前記スリット上に前記光ファイバの出射端を配置することを特徴としている。
請求項８記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記集光レンズは、前記プラズマエッチャーの電極間で発生した平行光束群に対して複数並設し、前記エンドポイント検出装置は、複数の光ファイバから成るファイババンドルをさらに有し、前記集光レンズの各焦点面に前記光ファイバの入射端を配置し、前記スリット上に前記ファイババンドルの出射端を配置することを特徴としている。
請求項９記載の発明は、プラズマエッチャーの電極間から漏れ出す帯状プラズマ光の集合体からなる平行光束群の各平行光束が、常に集光レンズの瞳径を満たして分光器のスリット上に集光し、該スリットを通過したプラズマ光を分光器で測定し、そのスペクトル光強度の時間変化を検出してエッチング終了時間を制御するプラズマエッチャーのエンドポイント検出方法において、前記集光レンズは、前記電極間から発生した帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、前記電極端から集光レンズの瞳面までの距離をｌ、前記分光器が必要とするＮＡをＮＡｍ、前記分光器のスリット短辺の幅をｈとすると、
φ＝（Ｗ＋（Ｗ２−８ｈｌＮＡｍ）１／２）／２
以下の瞳径を有し、且つ  ＮＡｍ以上のＮＡを有する
ことを特徴としている。
【００１６】
この結果、請求項１記載の発明によれば、常に最高効率の集光レンズを確保できるので、チャンバ内に発生するプラズマ光を効率よく分光器に導入することができる。
【００１７】
請求項２記載の発明によれば、周辺条件などにより前記式に実数解が存在せず、集光レンズに最適解が得られないような場合でも、最低限、集光レンズを使用しない場合より集光効率が向上する条件の集光レンズを選択できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。
（第１の実施の形態）
この場合、本発明が適用されるプラズマエッチャーの概略構成は、上述した図７と同様なので、ここでも、同図を援用するものとする。
【００１９】
このような構成において、図１に示すようにチャンバ１内の電極１０ａ、１０ｂの間隔をＷとし、この電極１０ａ、１０ｂの間隔Ｗから漏れ出す帯状のプラズマ光を考えると、この時の漏れプラズマ光は、電極１０ａ、１０ｂ間の狭い空間での経路は問題とせず、幅Ｗの平行光＃１から＃ｎの集合体からなる平行光束群Ａからなると考える。例えば、前述した平行光束群Ａの全ての平行光が十分な幅と角度を持っているとすると、図２（ａ）（ｂ）に示すように瞳径がφとφ／２で、且つ同じＮＡを持つ２つのレンズにより同一面積のエリアψを照明する場合、同図（ａ）では、面積πφ2 ／４の平行光束をＮＡ１の角度から集めてエリアψを照明するのに対し、同図（ｂ）では、面積πφ2 ／１６の平行光束を２ＮＡ１の角度から集めてエリアψを照明することになり、同図（ｂ）の平行光の面積は同図（ａ）の１／４だが、ＮＡが２倍なので、光束密度は、ＮＡ2 で４倍となり、同図（ａ）と（ｂ）では全く同じ明るさでエリアψを照明することができる。
【００２０】
このことから、電極１０ａ、１０ｂ間からの幅Ｗを有する平行光束群Ａを集光レンズ２０を通し最高効率の状態で、上述したエリアψに相当する入射スリット３２（または光ファイバ２１端面）に集めるには、入射スリット３２の幅（または光ファイバ２１のコア径）に相当する面積を照明するのに必要な平行光束群Ａの各光束光が、常に集光レンズ２０の瞳径を満たすようにすればよいことになる。このことは、逆に、電極１０ａ、１０ｂ間からの平行光束群Ａが、図２（ｃ）に示すように集光レンズ２０の瞳面を満たしていない場合は、平行光束群Ａにより満たされない面積分が光量ロスとなり、その分集光効率が低下することになる。  なお、上述では、電極１０ａ、１０ｂの間隔Ｗからの平行光束の縦方向のＮＡのみを問題にしている。何故ならば、チャンバ１からのプラズマ光は、観察方向から見て、横長の帯状をしており、横方向に関しては十分なＮＡを確保できる長さと出射角度を有しているからである。
【００２１】
しかして、このような最高効率を確保する集光レンズ２０の径φは、次のようにして求められる。この場合、図３に示すように、電極１０ａ、１０ｂ間からの帯状プラズマ光の短辺の幅をＷ、ウェハーチャック端から集光レンズ２０の瞳面までの距離をｌ、幅ｈの入射スリット３２の最外端に集束する平行光束群Ａのうちの光束Ａｎの傾きをＮＡ、集光レンズ２０の焦点距離をｆとすると、傾きＮＡは、ｈ／２ｆとなり、また、幅Ｗのチャック端から距離ｌに位置される径φの集光レンズ２０の電極１０ａ、１０ｂ間の幅Ｗに対する余裕ｄは、ＮＡｌ＝ｈｌ／２ｆとなることから、φの最大値は、
φ＝Ｗ−２ｄ＝Ｗ−（ｈｌ／ｆ）…（１）
となり、また、分光器３０が必要とするＮＡをＮＡｍとすると、
φ／２ｆ＝ＮＡｍで、ｆ＝φ／２ＮＡｍ…（２）
となることから、これら（１）（２）式から集光レンズ２０の瞳径φは、
【００２２】
φ＝（Ｗ＋（Ｗ2−８ｈｌＮＡｍ）1/2）／２…（３）
より求められることになる。
【００２３】
この結果、具体例として、Ｗ＝５ｍｍ、ｌ＝８０ｍｍ、ｈ＝０．２５ｍｍ、ＮＡｍ＝０．１５とした場合、（３）式から集光レンズ２０の径φは、３ｍｍとして求まる。
【００２４】
従って、このようにすれば、（３）式より求められるφ以下の瞳径を有し、且つＮＡｍ以上のＮＡを有する集光レンズ２０を設定することにより、常に最高効率の集光レンズ２０を確保できるので、チャンバ１内に発生するプラズマ光を効率よく分光器３０に導入することができ、これにより精度の高いエッチング終了時間の制御を実現することができる。
【００２５】
なお、現実には、分光器３０のスリット３２の幅ｈは、前述したように０．２５ｍｍ程度でも長さｓｌが７〜８ｍｍもあるとすると、かようなスリット３２に光を最適に導き入れるには、例えば図４に示すように瞳径は、あくまで前述したφとして、スリットの長手方向には十分な視野を有するようなレンズを用いればよい。このようなレンズの実際の径は、φよりかなり大きくなるだろうが、決して設計不可能なものではない。
【００２６】
また、図５に示すように平行光束群Ａに対して視野径の比較的小さい複数の集光レンズ２０１を並設し、これら集光レンズ２０１の各焦点面に光ファイバ２２１を並べ、これら光ファイバ２２１を束ね合わせて１本のファイババンドル２２として、このファイババンドル２２の出射端を分光器３０のスリット３２上に配置するようにしてもよい。
（第２の実施の形態）
ところで、上述した第１の実施の形態では、具体例として集光レンズ２０の最適径を３ｍｍとしたが、例えば分光器３０の必要ＮＡ（ＮＡｍ）を０．２とすると、（３）式のルート内が負となり、実数解が存在しなくなる。つまり、上述したφ＝３ｍｍの集光レンズ２０をそのまま使用すると、分光器３０のスリット３２の最外端近く入射する平行光束から集光レンズ２０の瞳がはみ出して、入射光量が低下してしまう。
【００２７】
そこで、この第２の実施の形態では、上述したような諸条件に原因して、集光レンズ２０に（３）式による最適解が得られないような場合でも、最低限、集光レンズ２０を使用しない場合よりは集光効率が向上する条件を備えた集光レンズ２０を提供することを考慮したものである。
【００２８】
この場合、図６において、集光レンズ２０がない場合、幅ｈの入射スリット３２が照射される幅Ｗの平行光の最大傾きＮＡは、
（Ｗ＋ｈ）／２ｌ                …（４）
である。
【００２９】
また、分光器３０が必要とするＮＡをＮＡｍとすると、最適集光レンズの光量（全ての点にＮＡｍで入射する）に対する光量比率は、
（Ｗ＋ｈ）／２ｌＮＡｍ          …（５）
となる。一方、上述した図２（ｃ）から、集光レンズ２０の瞳径がＷより大きい場合の最適光量に対する比率は、集光レンズ２０の瞳と図示斜線部Ａの面積比として、
φＷ／（φ／２）2 π        …（６）
になる。
【００３０】
これにより、（５）（６）式が等しいと置くことで、最低限のφは、
φ＝８ＷｌＮＡｍ／π（Ｗ＋ｈ）…（７）
より求められることになる。
【００３１】
ちなみに、Ｗ＝５ｍｍ、ｌ＝８０ｍｍ、ｈ＝０．２５ｍｍ、ＮＡｍ＝０．２とした場合、（７）式から集光レンズ２０の径φは、３８．８ｍｍとして求まる。従って、このようにすれば、周辺条件により上述した（３）式に実数解が存在せず、集光レンズ２０に最適解が得られないような場合でも、（７）式より求められるφ以下の瞳径を有し、且つＮＡｍ以上のＮＡを有する集光レンズ２０を設定することにより、最低限、集光レンズ２０を使用しない場合よりは集光効率が向上する条件の集光レンズ２０の選択を適切に行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、最高効率の集光レンズを確保できるので、チャンバ内に発生するプラズマ光を効率よく分光器に導入し精度の高いエッチング終了時間を制御することができる。
また、周辺条件などにより最高効率の集光レンズを確保できない場合でも、最低限の効率向上を確保できる集光レンズをを適切に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態のチャンバ内のプラズマ光を説明するための図。
【図２】  第１の実施の形態のプラズマ光をなす平行光束群と集光レンズの瞳径の関係をを説明するための図。
【図３】  第１の実施の形態の集光レンズの瞳径の求め方を説明するための図。
【図４】  第１の実施の形態の変形例を説明するための図。
【図５】  第１の実施の形態の変形例を説明するための図。
【図６】  本発明の第２の実施の形態
【図７】  一般的なプラズマエッチャーの概略構成を示す図。
【図８】  プラズマエッチャーのチャンバ内の反応状態を説明する図。
【図９】  プラズマエッチャーのチャンバ内における反応時間とスペクトル強度の関係を示す図。
【図１０】  プラズマエッチャーのチャンバ内のプラズマ光を分光器に導入するための集光レンズを説明するための図。
【図１１】  プラズマエッチャーのチャンバ内のプラズマ光を分光器に導入するための集光レンズを説明するための図。
【符号の説明】
１…チャンバ、
３…制御回路、
４…高周波電源、
５…ウェハ、
１０ａ、１０ｂ…電極、
１２…微細孔、
１５…ビューポート、
２０…集光レンズ、
２１、２２…光ファイバ、
３０…分光器、
３１…光検出器、
３２…入射スリット。
【図１】
0003793324.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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