(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の表面に形成され、マトリクス状に配置されるスイッチング素子および電気配線を含むアクティブマトリクス層と、該アクティブマトリクス層上に形成される絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置される複数の画素電極からなる画素電極層とを備えるアクティブマトリクス基板において、
上記絶縁膜が、有機高分子を主成分とする有機膜であり、
上記アクティブマトリクス基板の周囲の少なくとも１辺は、他のアクティブマトリクス基板の辺と接続される接続辺となっており、
上記絶縁膜は、上記接続辺に近接する画素電極層の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように形成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
さらに、上記接続辺から画素電極層の縁までの間の部分が、接続前に切り取られる切取辺縁部となっているとともに、
上記切取辺縁部を切り取った後に生じる切断辺と、上記画素電極層の縁との間に、上記絶縁膜の縁が位置していることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
さらに、上記切断辺と画素電極層の縁との間隔は、切取辺縁部を切り取るときに絶縁性基板の表面に生じるチッピングの幅以上であることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
上記切断辺と、画素電極層の縁との間隔が、下限が１０〜３０μｍの範囲内、上限が５０〜３００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項２または３に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記絶縁膜が、フォトリソグラフィが可能な感光性の樹脂組成物であることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか１項に記載のアクティブマトリクス基板を複数枚用い、それぞれの接続辺から切取辺縁部を切り取った後、切断辺同士を接続することで形成されることを特徴とする複合アクティブマトリクス基板。
【請求項７】
請求項６に記載の複合アクティブマトリクス基板を用いてなることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項６に記載の複合アクティブマトリクス基板を用いてなることを特徴とする検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置（ＬＣＤ）などの表示装置や、各種二次元情報・二次元分布情報等を検出する検出装置に好適に用いられるアクティブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板を複数枚用いて、互いの端部同士を接続することで形成される複合アクティブマトリクス基板と、この複合アクティブマトリクス基板を用いた表示装置および検出装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス基板は、ガラス基板等の絶縁性基板の表面に、電気配線およびスイッチング素子等の微細構造を、二次元状（マトリクス状）に配置してなる電子部品であって、従来から、平面状の各種表示装置や検出装置等に広く応用されている。
【０００３】
上記表示装置や検出装置等においては、近年、表示面積や検出面積の拡大と、表示品位や検出品位の向上との双方が要求されている。しかしながら、上記の要求に対応するためには、アクティブマトリクス基板の技術分野では、（１）高精細化、（２）大面積化、（３）製造設備の汎用性という３つの課題が発生する。
【０００４】
（１）高精細化
前記のように、アクティブマトリクス基板の表面には、各種金属配線やスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が高精細に形成されているため、フォトリソグラフィ等の高度な微細加工技術が用いられている。それでも、製造過程では、電気配線の断線やスイッチング素子の欠陥等に由来する不良はある程度発生する。
【０００５】
それゆえ、アクティブマトリクス基板をより一層高精細化すると、単位面積当たりの微細構造が増加することもあり、上記高度な微細加工技術を用いても、製造過程での良品率は著しく低下してしまう。また、高精細化によって製造工程も煩雑化する。その結果、アクティブマトリクス基板の製造コストが増大する。
【０００６】
（２）大面積化
アクティブマトリクス基板を大面積化すると、微細構造の絶対数が増加するので、上記（１）と同様、良品率が著しく低下するとともに、製造工程も煩雑化する。その結果、やはりアクティブマトリクス基板の製造コストが増大する。
【０００７】
（３）製造設備の汎用性
アクティブマトリクス基板を製造する製造設備は、ひとたび構築すると、その製造設備に適したサイズより大きなアクティブマトリクス基板を製造することはできなくなる。それゆえ、大面積化したアクティブマトリクス基板を、既存の製造設備で製造することは事実上不可能であり、新たな製造設備を構築しなければならなくなる。
【０００８】
ところが、上記製造設備は、一般に、アクティブマトリクス基板の製造工程が複雑であるため大規模化する傾向にある。そのため、アクティブマトリクス基板が大型化するたびに製造設備を新たに構築することは困難となっている。
【０００９】
そこで、近年、上記（１）〜（３）の課題に対処し得る技術として、複数のアクティブマトリクス基板を用いて一つの大きな基板、すなわち「複合アクティブマトリクス基板」を形成する手法が提案されている。なお、以下の説明では、便宜上、複合アクティブマトリクス基板を適宜「複合基板」と称し、この複合基板を構成する個々のアクティブマトリクス基板を適宜「単位基板」と称する。
【００１０】
上記複合アクティブマトリクス基板に関する技術としては、例えば、文献（Ａ）：「Large Area Liquid Crystal Display Realized by Tiling of Four Back Panels(Proceedings of the 15th International Display Research Conference (ASIA DISPLAY '95.) pp.201-204 ,1995) 」や、文献（Ｂ）：米国特許5,827,757号公報等が挙げられる。
【００１１】
上記文献（Ａ）には、ＬＣＤに用いる複合基板およびその製造方法が開示されている。この複合基板は、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、４つの小サイズの単位基板１０１を一枚の支持基板１０２上に貼り合わせてなっている。
【００１２】
具体的には、まず、素子形成面（Active Face ）１０１ａを下向きにした状態で、４枚の小サイズの単位基板１０１を、バキュームチャック付きのステージ１０３上に載置して、各単位基板１０１を位置合わせする。その後、単位基板１０１の背面側（図７（ａ）では上側）に、１枚の支持基板（Base Glass Plate）１０２を接着樹脂１０５で貼り合わせる。ここで、上記接着樹脂１０５には、スペーサ１０４が混入されているので、支持基板１０２と単位基板１０１との間でセルギャップが確保される。そして、接着樹脂１０５を硬化させることで複合基板が製造される。
【００１３】
一方、文献（Ｂ）には、複合基板の製造方法とこの複合基板を利用したＸ線検出装置が開示されている。この複合基板も、上記文献（Ａ）と同様、図８（ｇ）に示すように、複数の小サイズの単位基板１１１を一枚の支持基板１１２上に貼り合わせてなっている。
【００１４】
具体的には、図８（ａ）に示すように、単位基板１１１として、素子形成面が保護膜１２１により被覆されてなる基板を用い、図８（ｂ）に示すように、上記単位基板１１１の縁部分（辺縁部）をダイシングによりで切断した後、研磨する。次に、図８（ｃ）に示すように、複数の単位基板１１１を、素子形成面を下向きにした状態で、かつ上記切断した端部（端面）同士を接続するような配置で、ステージ１１３上に載置して位置合わせする。その後、図８（ｄ）に示すように、両基板間の隙間に接着樹脂１４１を充填して両基板を接続する。さらにその後、図８（ｅ）に示すように、複数の単位基板１１１の背面（図８（ｄ）では上側）に、１枚の支持基板１１２を接着樹脂１３１により貼り合わせる。この支持基板１１２には、多数の貫通孔１１２ａが形成されている。そして、図８（ｆ）に示すように、単位基板１１１（および対向配置してなる支持基板１１２）をステージ１１３から取り外した後に、図８（ｇ）に示すように、保護膜１２１を剥離することで、複合基板が製造される。
【００１５】
特に、上記文献（Ｂ）の技術から明らかなように、１枚のアクティブマトリクス基板のみで製造される表示装置等では、その辺縁部は必要であったが、複合基板を形成する場合には、単位基板同士の端部を互いに接続するため、上記辺縁部は不要となる。
【００１６】
しかも、複合基板においては、全体の画素ピッチがほぼ一定であることが要求される。すなわち、単位基板同士の接続部分の画素ピッチが、他の部分の画素ピッチよりも大きくなると、接続部分が目立ってしまうだけでなく、表示装置に用いた場合には画質が、検出装置に用いた場合には検出精度が低下するおそれがある。
【００１７】
そのため、複合アクティブマトリクス基板の技術では、単位基板同士の接続部分の画素ピッチが、他の部分と同等またはそれに近いピッチとなるように、単位基板同士を高精細に接続しなければならない。そこで、各単位基板における接続部分となる辺近傍部分（辺縁部とする）では、画素電極にできる限り近い位置で辺縁部を切り取ることができるように、切断工程には高精度が要求される。それゆえ、上記辺縁部の切断には、一般にダイヤモンドブレードを用いたダイシング法が用いられる。
【００１８】
ところで、ＬＣＤ用途のアクティブマトリクス基板の一つとして、例えば、日本国特許第2,598,420 号公報に開示されているようなPixel on Passivation構造（以下、説明の便宜上、ＰＯＰ構造と略す）の基板が知られている。このＰＯＰ構造とは、アクティブマトリクス層と画素電極層との間に、絶縁膜（層間絶縁膜）が形成されてなる構造を指す。ＰＯＰ構造を有するアクティブマトリクス基板を用いれば、画素当たりの画素電極の充填率を向上させることができるため、非表示領域を低減して画質を向上させることが可能となる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ＰＯＰ構造のアクティブマトリクス基板を用いて複合基板を形成する場合には、辺縁部の切り取りに伴って切断部位の絶縁膜が浮き上がる「膜浮き不良」が発生するという問題点を生じる。
【００２０】
上記膜浮き不良について、図９（ａ）・（ｂ）に基づいて具体的に説明する。
【００２１】
図９（ａ）に示すように、ＰＯＰ構造の単位基板１５１は、支持基板１５２上に、ＴＦＴ素子１６０を含むアクティブマトリクス層１５４が形成され、さらにその上に絶縁膜１５５が積層され、さらにその上に、複数の画素電極１５６ａからなる画素電極層１５６が積層されている。
【００２２】
上記単位基板１５１の辺縁部をダイシングブレード１５３で切断すると、図９（ｂ）に示すように、単位基板１５１の切断辺全域に微細な欠け不良１５７が発生する。この欠け不良１５７は、チッピング、バリまたはハマカケとも呼ばれる。なお、以下の説明では、上記「欠け不良」を「チッピング」と表現する。
【００２３】
上記チッピング１５７は、ダイシングブレード１５３に含有される砥粒が基板の切断辺に衝突する際に生ずるため、ＰＯＰ構造であるか否かには関係なく、単位基板１５１を切断する時点で必ず発生する不良である。しかしながら、上記砥粒の粒径や切断の条件を最適化することによって、チッピング１５７の幅は１０〜３０μｍの範囲内に制御することが可能である。
【００２４】
これに対して、ＰＯＰ構造の単位基板１５１を切断する場合には、絶縁膜１５５がアクティブマトリクス層１５４から浮き上がる膜浮き不良１５８が発生する。具体的には、単位基板１５１の切断時にダイシングブレード１５３の側面１５３ａが絶縁膜１５５に接触すると、回転するダイシングブレード１５３の側面１５３ａに引きずられて、絶縁膜１５５がアクティブマトリクス層１５４から浮き上がってしまう。この膜浮き不良１５８は、５０μｍ以上の幅で生じる場合もある。そのため、膜浮き不良１５８は切断辺１５９に隣接する画素にまで影響を及ぼすことになる。
【００２５】
それゆえ、単位基板１５１の辺縁部を切り取る場合、その切断位置を、上記切断辺１５９に隣接する画素電極１５６ａに近づけることは困難となる。その結果、複合基板を形成すると、単位基板１５１同士の接続部分では、画素ピッチが他の部分よりも大きくなって、接続部分が目立ってしまう。さらに、膜浮き不良１５８は経時的に広がるおそれもあるため、複合基板の信頼性が低下する。
【００２６】
また、上記膜浮き不良１５８の発生を回避しようとすれば、絶縁膜１５５の材料を変更したり、発生した膜浮き不良１５８を補修したりしなければならず、複合基板の製造工程が煩雑化してしまう。
【００２７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、辺縁部を切断する時点で生じる膜浮き不良を防止し、複合アクティブマトリクス基板の製造に適したアクティブマトリクス基板と、これを用いた高品質で信頼性の高い複合アクティブマトリクス基板と、この複合アクティブマトリクス基板を用いた表示装置および検出装置とを提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁性基板の表面に形成され、マトリクス状に配置されるスイッチング素子および電気配線を含むアクティブマトリクス層と、該アクティブマトリクス層上に形成される絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置される複数の画素電極からなる画素電極層とを備えるアクティブマトリクス基板において、上記絶縁膜が、有機高分子を主成分とする有機膜であり、上記アクティブマトリクス基板の周囲の少なくとも１辺は、他のアクティブマトリクス基板の辺と接続される接続辺となっており、上記絶縁膜は、上記接続辺に近接する画素電極層の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように形成されることを特徴としている。
【００２９】
上記構成によれば、接続辺に近接する画素電極層の縁に沿って、予め絶縁膜を形成しない領域、換言すれば「絶縁膜不在領域」が設けられていることになる。そのため、上記絶縁膜不在領域内に切取位置を設定した上で、アクティブマトリクス基板を切断すれば、絶縁膜と切断手段の側面との接触を回避することができる。その結果、上記絶縁膜は、切断時に、アクティブマトリクス層から剥がれて浮き上がることがなく、切断時の膜浮き不良を回避することができる。
【００３０】
更には、上記絶縁膜が有機膜であることから、アクティブマトリクス層と画素電極層との間を確実に絶縁することができるだけでなく、該絶縁膜を、アクティブマトリクス層上の所定の位置に形成し易くなる。そのため、上記絶縁膜不在領域を正確かつ確実に形成することが可能になり、上記膜浮き不良の発生を確実に回避できるとともに、チッピングによる悪影響も確実に回避することができる。
【００３１】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、上記構成に加えて、さらに、上記接続辺から画素電極層の縁までの間の部分が、接続前に切り取られる切取辺縁部となっているとともに、上記切取辺縁部を切り取った後に生じる切断辺と、上記画素電極層の縁との間に、上記絶縁膜の縁が位置していることを特徴としている。
【００３２】
上記構成によれば、画素電極層の縁に沿って形成される絶縁膜不在領域内に、切取辺縁部を切り取る切取線を設定することになる。そのため、切取辺縁部を切断する際に、絶縁膜と切断手段の側面との接触を確実に回避することができるので、膜浮き不良の発生をより一層確実に回避することができる。
【００３３】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、上記構成に加えて、さらに、上記切断辺と画素電極層の縁との間隔は、切取辺縁部を切り取るときに絶縁性基板の表面に生じるチッピングの幅以上であることを特徴としている。
【００３４】
上記構成によれば、切取線と画素電極層の縁との間に、一定のマージンが設けられることになる。アクティブマトリクス基板を切断する場合には、切断面の角に、チッピングと呼ばれる欠け不良が発生するが、切取線における画素電極層の縁側に上記マージンを設けることで、上記チッピングの発生領域にも、絶縁膜を形成しないことになる。その結果、チッピングの発生による悪影響を回避することができる。
【００３５】
本発明にかかる複合アクティブマトリクス基板は、上記切断辺と、画素電極層の縁との間隔が、下限が１０〜３０μｍの範囲内、上限が５０〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３６】
また、本発明にかかる複合アクティブマトリクス基板は、上記絶縁膜が、フォトリソグラフィが可能な感光性の樹脂組成物であることが好ましい。
【００３７】
本発明にかかる複合アクティブマトリクス基板は、上記構成のアクティブマトリクス基板を複数枚用い、それぞれの切取辺縁部を切り取った後、切断辺同士を接続することで形成されることを特徴としている。
【００３８】
上記構成によれば、アクティブマトリクス層と画素電極層との間に絶縁膜を有するアクティブマトリクス基板を用いて、複合アクティブマトリクス基板を形成しても、膜浮き不良の発生を回避できるとともに、チッピングの悪影響も回避できる。そのため、アクティブマトリクス基板同士の接続部分の間隔を、画素ピッチに合わせることが可能になり、接続部分の目立たない大型のアクティブマトリクス基板を得ることができる。
【００３９】
特に、膜浮き不良が発生しないために、接続部位で、絶縁膜の膜浮きが経時的に広がるような事態も発生することがなく、アクティブマトリクス基板の信頼性を向上することができる。
【００４０】
さらに、絶縁膜の種類を代えたり、膜浮き不良を補修したりする必要がないので、製造工程の煩雑化を回避することも可能になり、製造コストの増大を抑制することができる。
【００４１】
本発明にかかる表示装置は、上記構成の複合アクティブマトリクス基板を用いてなることを特徴としている。
【００４２】
また、本発明にかかる検出装置は、上記構成の複合アクティブマトリクス基板を用いてなることを特徴としている。
【００４３】
上記各構成によれば、信頼性が高く、製造コストも大きくない複合アクティブマトリクス基板が用いられているため、従来よりも、大面積かつ高精細で、高信頼性を有する表示装置または検出装置を、安価に得ることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の第１の実施の形態について、図１ないし４に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４５】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、複数のアクティブマトリクス基板をその端部で互いに接続してなる複合アクティブマトリクス基板に好適に用いられるものであり、他のアクティブマトリクス基板の辺と接続される接続辺に近接する画素電極層の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように絶縁膜を形成している構成となっている。換言すれば、接続辺に近接する画素電極層の縁に沿って絶縁膜不在領域が設けられている構成となっている。
【００４６】
なお、以下の説明では、便宜上、複合アクティブマトリクス基板を適宜「複合基板」と称し、この複合基板を構成する個々のアクティブマトリクス基板を適宜「単位基板」と称する。
【００４７】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板の一例を挙げると、図２に示すように、単位基板５２および単位基板５３から形成される複合基板５１を挙げることができる。なお、図２では、説明の便宜上、本発明の特徴点の説明に直接関係しない部材を省略して記載している。それゆえ、本発明にかかるアクティブマトリクス基板には、図２に記載していない部材も含まれていても良い。
【００４８】
上記単位基板５２・５３は、何れも基本的には同一の構成を有しており、絶縁性基板５４と、該絶縁性基板５４の表面に形成される図示しないアクティブマトリクス層と、該アクティブマトリクス層上に形成される絶縁膜５６と、該絶縁膜５６上に形成され、マトリクス状に配置される複数の画素電極５７ａからなる画素電極層５７とを備えている。すなわち、本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、アクティブマトリクス層と画素電極層５７との間に絶縁膜５６を有するPixel on Passivation構造（以下、説明の便宜上、ＰＯＰ構造と略す）となっている。
【００４９】
上記絶縁性基板５４は、上記単位基板５２・５３のベースとなる程度の強度と、絶縁性とを有していれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス製の基板や各種プラスチック製基板等を好適に用いることができる。この絶縁性基板５４の厚みも特に限定されるものではないが、一般的には、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内が好ましい。
【００５０】
上記アクティブマトリクス層は、マトリクス状に配置されるスイッチング素子および電気配線を含むものである。上記スイッチング素子としては、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子等が好適に用いられるが特に限定されるものではない。上記電気配線も、格子状に形成される配線であれば、その形状や材質は特に限定されるものではないが、例えば、ＡｌやＴａ等の金属薄膜からなる配線を好適に用いることができる。
【００５１】
より具体的には、例えば、上記電気配線として、走査線（ゲート配線）と信号線（ソース配線）とを交差させて形成するとともに、各配線の交差部付近に、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を設ける構成を挙げることができる。なお、マトリクス状に形成される上記電気配線（走査線・信号線）によって区画される個々の領域が画素となり、この画素それぞれに対応するように、上記画素電極５７ａが絶縁膜５６上に形成配置されることになる。
【００５２】
上記ＴＦＴ素子の具体的な構成について説明すると、例えば、ボトムゲート型のＴＦＴ素子が用いられる場合、走査線の一部であるゲート電極上には、ＳｉＮｘなどの無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜が形成され、さらにＳｉからなる半導体チャネル層が形成され、信号線の一部であるソース電極、およびドレイン電極によって、ＴＦＴ素子が形成される。
【００５３】
上記絶縁膜５６は、少なくとも、上記アクティブマトリクス層を略全面覆うように、該アクティブマトリクス層上積層されていればよいが、本発明では、特に、他のアクティブマトリクス基板の辺と接続される接続辺に近接する画素電極層５７の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように、絶縁膜５６が形成されている。この絶縁膜５６の具体的な形成状態については後述する。
【００５４】
上記絶縁膜５６としては、下層となるアクティブマトリクス層と上層となる画素電極層５７との間を絶縁できる材質で形成されていれば特に限定されるものではないが、有機高分子を主成分とする有機膜であることがより好ましい。上記有機高分子としては、具体的には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を好ましく用いることができ、さらには感光性を持たせることで、フォトリソグラフィによる絶縁膜５６の形成も可能になる。それゆえ、絶縁膜５６として有機膜を用いれば、アクティブマトリクス層と画素電極層５７との間を確実に絶縁することができるだけでなく、後述するように、該絶縁膜５６をアクティブマトリクス層上の所定の位置に形成し易くなる。
【００５５】
上記絶縁膜５６の厚みとしても特に限定されるものではなく、材質に応じて、アクティブマトリクス層および画素電極層５７を十分に絶縁できる程度の厚みであればよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などの有機膜の場合、２μｍ以上４μｍ以下の範囲内が好ましい。
【００５６】
また、図２には図示しないが、上記絶縁膜５６には、アクティブマトリクス層の画素毎にスルーホールが形成されている（図１（ａ）参照）。このスルーホールによって、画素電極５７ａとスイッチング素子の電極（例えば、ＴＦＴ素子のドレイン電極）との間で電気的なコンタクトが取れるようになっている。
【００５７】
上記スルーホールや後述する絶縁膜不在領域も含む絶縁膜５６の形成方法については、特に限定されるものではないが、一般的には、フォトリソグラフィ処理法が好適に用いられる。フォトリソグラフィ処理法であれば、絶縁膜５６となる樹脂組成物に感光性を持たせ、スルーホールや絶縁膜不在領域に相当するマスクを用いて露光・現像処理するのみで、微細な形状を容易かつ確実に形成することができる。
【００５８】
上記画素電極５７ａは、前述したように、アクティブマトリクス層の複数の画素に対応するように絶縁膜５６上に複数設けられて、一つの層（画素電極層５７）を形成している。この画素電極５７ａを用いて、画像データの表示や電磁波等の検出が可能になる。この画素電極５７ａの材質としては、アクティブマトリクス基板の用途に応じた適当な材質であればよく、特に限定されるものではないが、一般的には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜や、Ａｌ等の金属薄膜が用いられる。透明導電膜は透過性の表示装置に好適であり、金属薄膜は反射性の表示装置に好適であるが、特に限定されるものではない。
【００５９】
本発明にかかる単位基板５２・５３は、前述したように、絶縁膜５６が、接続辺に近接する画素電極層５７の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように形成されている。すなわち、接続辺に近接する画素電極層５７の縁に沿って、予め絶縁膜５６を形成しない領域である「絶縁膜不在領域」が設けられていることになる。
【００６０】
そのため、上記絶縁膜不在領域内に切取位置を設定した上で、単位基板５２または５３を切断すれば、絶縁膜５６と切断手段の側面との接触を回避することができる。その結果、上記絶縁膜５６は、切断時に、アクティブマトリクス層から剥がれて浮き上がることがなく、切断時の膜浮き不良を回避することができる。
【００６１】
具体的には、図３（ａ）に示すように、例えば、単位基板５２を例に挙げると、画素電極層５７が形成されている領域を画素領域５８とし、単位基板５２の図面上右側の辺を接続辺５２ａとすると、画素領域５８の接続辺５２ａに近接する縁５８ａと接続辺５２ａとの間の部分が、接続前に切り取られる切取辺縁部５２ｂとなる。
【００６２】
上記切取辺縁部５２ｂを切り取る際には、上記縁５８ａにできる限り近接する位置に、図中一点差線で示す切取線５２ｃを設定するが、少なくとも、この切取線５２ｃの近傍となる部分には、図中点線で囲むように、上記絶縁膜５６が形成されない絶縁膜不在領域５９が設けられる。換言すれば、絶縁膜不在領域５９となる位置に、上記切取線５２ｃを設定する。そして、例えば、図３（ｂ）に示すように、切取手段としてダイシングブレード６０を用いて、切取線５２ｃに沿って切取辺縁部５２ｂを切り取る。
【００６３】
上記絶縁膜不在領域５９の形状、すなわち、縁５８ａに沿ってアクティブマトリクス層を露出させる領域の形状については、特に限定されるものではない。例えば、図３（ａ）に示すように、縁５８ａに沿ったスリット状であってもよいし、上記切取辺縁部５２ｂ全体を絶縁膜不在領域５９としてもよい。すなわち、縁５８ａに沿って、切取線５２ｃを十分形成できるようにアクティブマトリクス層が露出するようになっていれば、絶縁膜不在領域５９の形状、すなわち形成される絶縁膜５６の形状については、特に限定されるものではない。
【００６４】
上記切取手段としては、絶縁性基板５４を切断できるものであれば特に限定されるものではないが、一般的には、ダイシングブレード６０が好ましく用いられる。上記ダイシングブレード６０としては、従来公知の構成を好適に用いることができる。具体的には、ダイシングブレード６０としては、砥粒サイズが＃５００で、ボンディング材料がレジンのダイヤモンドブレードを挙げることができ、また、ダイシング条件としては、ブレード回転数が３００００rpm で、ワーク送り速度が２ｍｍ／sec の条件を挙げることができる。
【００６５】
ここで、上記切取加工について、図１（ａ）・（ｂ）に基づいてより具体的に説明する。
【００６６】
図１（ａ）に示すように、単位基板５２には、絶縁性基板５４上に、アクティブマトリクス層６１が形成され、その上に絶縁膜５６が積層され、さらにその上に画素電極５７ａが複数配置されて画素電極層５７を形成している。絶縁膜５６には、前述したスルーホール６３が形成されており、このスルーホール６３を介して、アクティブマトリクス層６１に含まれるＴＦＴ素子６２と画素電極５７ａとが電気的に接続されるようになっている。
【００６７】
図１（ａ）では、図中右側に絶縁膜不在領域５９が形成されており、ここに切取線５２ｃ（図３（ａ）参照）を設定して切取辺縁部５２ｂを切り取る。ここで、もし、切断時にダイシングブレード６０の側面６０ａが絶縁膜５６の縁５６ａに接触すると、回転するダイシングブレード６０の側面６０ａに引きずられて、絶縁膜５６がアクティブマトリクス層６１から浮き上がってしまう（図９（ｂ）参照）。しかしながら、本発明では、上記絶縁膜不在領域５９が形成されているので、ダイシングブレード６０の側面６０ａが絶縁膜５６の縁５６ａに接触することが回避される。
【００６８】
それゆえ、絶縁膜５６の縁５６ａに膜浮き不良が発生することが防止され、切断辺５２ａ（図３（ａ）参照）に隣接する画素電極５７ａに悪影響が及ぼされることを回避することができる。
【００６９】
ここで、本発明では、上記膜浮き不良の発生を含む、切取辺縁部５２ａの切取加工に伴う影響を確実に回避するために、次に述べる間隔の規定が非常に重要となる。
【００７０】
まず、ダイシングブレード６０は一定の厚みＤを有しているため、絶縁膜不在領域５９の幅Ｃは、上記厚みＤより大きくなることが非常に好ましい（Ｃ＞Ｄ）。幅Ｃが厚みＤよりも小さいと、ダイシングブレード６０の側面６０ａが絶縁膜５６の縁５６ａに接触し易くなるため好ましくない。もちろん、切取前に設定される切取線５２ｃ（図３（ａ）参照）の幅も、上記ダイシングブレード６０の厚みを考慮したものでなければならない。
【００７１】
また、上記切取線５２ｃに沿って切取辺縁部５２ｂを切り取った後に生じる、図１（ａ）・（ｂ）に示す切断辺６６と、上記画素領域５８の縁５８ａとの間に、絶縁膜５６の縁５６ａが位置していることが非常に好ましい。なお、図１（ａ）・（ｂ）では、上記画素領域５８の縁５８ａは、上記絶縁膜不在領域５９に直面する画素電極５７ａの縁により形成されることになる。それゆえ、以下の説明では、画素電極層５７の縁５８ａと表現する。
【００７２】
これによって、画素電極層５７の縁５８ａに沿って形成される絶縁膜不在領域５９内に切取線５２ｃを確実に設定することになる。そのため、切取辺縁部５２ｂを切断する際に、絶縁膜５６とダイシングブレード６０の側面６０ａとの接触を確実に回避することができるので、膜浮き不良の発生をより一層確実に回避することができる。
【００７３】
次に、切取加工時に生じるチッピング６８の影響を抑えるために、上記切断辺６６と画素電極層５７の縁５８ａとの間隔Ａは、切取辺縁部５２ａを切り取るときに絶縁性基板５４の表面に生じるチッピング６８の幅以上であることが非常に好ましい。
【００７４】
上記ＰＯＰ構造に限らず、単位基板５２をダイシングブレード６０で切断すると、図１（ａ）・（ｂ）に示すように、単位基板５２の切断辺６６の全域に、微細な欠け不良であるチッピング（バリまたはハマカケとも呼ばれる）６８が発生する。
【００７５】
上記チッピング６８は、ダイシングブレード６０に含有される砥粒が単位基板５２の切断辺６６に衝突する際に生ずるため、ＰＯＰ構造であるか否かには関係なく、単位基板５２を切断する時点で必ず発生する不良である。しかしながら、上記砥粒の粒径や切断の条件を最適化することによって、チッピング６８の幅（発生領域幅Ｂとする）は１０〜３０μｍの範囲内に制御することが可能である。
【００７６】
そこで、本発明では、前記のように、切断辺６６と画素電極層５７の縁５８ａとの間に、一定のマージンである上記間隔Ａを設けておく。この間隔Ａが、上記発生領域幅Ｂよりも大きければ（Ａ＞Ｂ）、チッピング６８の発生領域にも、絶縁膜５６を形成しないことになる。
【００７７】
上記チッピング６８が発生すれば、少なくとも表面のアクティブマトリクス層６１（状況によっては絶縁性基板５４の表面も）欠けることになる。そのため、チッピング６８により、絶縁性基板５４と絶縁膜５６との間に隙間が生じるおそれがあり、これが膜浮き不良を誘発するおそれもある。
【００７８】
しかしながら、チッピング６８の発生領域に絶縁膜５６が形成されなければ、このチッピング６８の発生による悪影響は回避することができる。そのため、本発明では、切断辺６６と画素電極層５７の縁５８ａとの間隔Ａがチッピング６８の発生領域幅Ｂよりも大きいことが好ましい。
【００７９】
なお、上記間隔Ａの具体的な数値としては、その下限が、上記１０〜３０μｍの範囲内になるようになっておればよく、厳密な数値として限定されるものではない。一方、間隔Ａの上限については、図１（ａ）に示す画素ピッチＥ、すなわち単位基板５２（５３）に形成されている画素電極５７ａのピッチに応じて適宜設定されるものであり、やはり特に限定されるものではないが、実用的には、５０〜３００μｍの範囲内が好ましい。
【００８０】
このように、切取辺縁部５２ｂを切り取る位置である、絶縁膜不在領域５９について上述したサイズ規定を実施すれば、膜浮き不要の発生やチッピング６８の影響を確実に回避できる。特に、本発明では、上記絶縁膜５６を、フォトリソグラフィが可能な感光性の樹脂組成物を用いて形成することから、アクティブマトリクス層６１と画素電極層５７との間を確実に絶縁することができるだけでなく、該絶縁膜５６を、アクティブマトリクス層６１上の所定の位置に形成し易くなる。そのため、上記絶縁膜不在領域５９を正確かつ確実に形成することが可能になり、上記膜浮き不良の発生を確実に回避できるとともに、チッピング６８による悪影響も確実に回避することができる。
【００８１】
その後、切取辺縁部５２ｂを切り取った単位基板５２・５３を、図４に示すように、切断辺６６同士を対面させて接続することにより、図２に示すような本発明にかかる複合基板５１を形成することができる。
【００８２】
ここで、各単位基板５２・５３の接続辺６６同士を接続する場合には、図４に示すように、基板同士の接続部分の間隔Ｆ、すなわち接続部分の画素ピッチＦが、他の部分の画素ピッチＥ（図１（ａ）も参照）と同等、またはそれに近い間隔とすることが非常に好ましい。これによって、複合基板５１全体を見た場合、画素ピッチＥが略一定となるので、接続部分が目立つくことがなく、図２に示すような、高品質の複合基板５１を得ることができる。
【００８３】
従来では、ＰＯＰ構造のアクティブマトリクス基板を複数用いて複合基板を形成すると、理想的には、図１０の円で囲った拡大部分に示すように、複合基板２０１を構成する各単位基板２０２・２０３の接続部分にも絶縁膜５６が形成される構成となる。なお、単位基板２０２・２０３の基本的な構成は、本発明にかかる上記単位基板５２・５３と同一であるので、その詳細な説明は省略する。
【００８４】
一方、本発明にかかる複合基板５１では、同じく図２の円で囲った拡大部分に示すように、単位基板５２・５３の接続部分の近傍において、絶縁膜５６を意図的に除去している構成となっている。
【００８５】
このように、本発明では、ＰＯＰ構造のアクティブマトリクス基板を複数用いて複合基板を形成する場合に、各単位基板における接続部分となる位置（接続辺近傍）に絶縁膜を形成しない。そのため、複合基板の製造過程で、膜浮き不良の発生を回避できるとともに、チッピングの悪影響も回避できる。そのため、アクティブマトリクス基板同士の接続部分の間隔を、画素ピッチに合わせることが可能になり、接続部分の目立たない大型のアクティブマトリクス基板を得ることができる。
【００８６】
特に、膜浮き不良が発生しないために、接続部位で、絶縁膜の膜浮きが経時的に広がるような事態も発生することがなく、アクティブマトリクス基板の信頼性を向上することができる。
【００８７】
さらに、絶縁膜の種類を代えたり、膜浮き不良を補修したりする必要がないので、製造工程の煩雑化を回避することも可能になり、製造コストの増大を抑制することができる。
【００８８】
加えて、アクティブマトリクス基板を製造する製造設備は、ひとたび構築すると、その製造設備に適したサイズより大きなアクティブマトリクス基板を製造することはできなくなるため、大面積化したＰＯＰ構造のアクティブマトリクス基板を、既存の製造設備で製造することは事実上不可能であった。しかしながら、本発明では、高品質かつ高信頼性のＰＯＰ構造の複合基板を確実に製造することができるので、巨額な設備投資を行なうことがなく、大面積化したアクティブマトリクス基板の製造コストの増大を回避することができる。
【００８９】
〔実施の形態２〕
本発明の第２の実施の形態について、図５に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。また、実施の形態１で説明したものと同一の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９０】
本実施の形態では、前記実施の形態１で得られた複合アクティブマトリクス基板を、検出装置に応用した例について説明する。
【００９１】
上記検出装置とは、電磁波（放射線・可視光・赤外光等）の二次元情報や、表面形状の二次元分布情報を検出する装置であり、例えば、Ｘ線画像をフィルムレスで直接電気信号として読み出すＸ線平面検出器が知られている。そこで、本実施の形態では、該検出装置として、Ｘ線平面検出器を例に挙げて説明する。
【００９２】
図５に示すように、本実施の形態にかかるＸ線平面検出器１０は、検出基板１１と、Ｘ線などの電磁波を電荷に変換する光電変換層（変換層：変換手段）４１と、生成した電荷を検出基板１１側に移動させるバイアス印加用のバイアス電極（バイアス印加電極層）４２と、バイアス電極４２用の高圧電源４３と、光電変換層４１で生成された電荷を検出基板１１から読み出す電荷検出部４４とを備えている。
【００９３】
上記検出基板（信号読み出しアレイ）１１は、前記実施の形態１における複合基板５１（複数の単位基板５２・５３を切断辺で接続した構成）の背面側、すなわち画素電極層５７が形成されている側とは反対側となる表面に、支持基板１２を貼り合わせてなっている。すなわち検出基板１１は、基本的には複合基板５１と同様の構成であるが、基板強度を向上するために、背面側に支持基板１２が貼り合せられている。
【００９４】
上記光電変換層４１は、単位基板５２・５３の表面に形成される画素電極層５７全体を、実質的に被うように形成されており、電磁波を受けて電荷に変換するようになっている。該光電変換層４１としては、電磁波を電荷に変換できる光電変換膜であれば、その材質等については特に限定されるものではなく、照射される電磁波の種類に応じて設定されるが、一般的には各種半導体膜が用いられる。
【００９５】
本実施の形態では、照射される電磁波がＸ線であるので、Ｘ線に対する感度や、大面積化された検出基板１１に対する、膜の形成の容易さなどを考慮して、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの厚みを有するａ−Ｓｅ（非晶質セレン）を好適に用いることができる。
【００９６】
上記バイアス電極４２は、光電変換層４１の表面全体を実質的に被うように、光電変換層４１上に積層されており、光電変換層４１にバイアスを印加するようになっている。該バイアス電極４２としては、光電変換層４１にバイアスを印加できるような構成であれば特に限定されるものではないが、例えば、ＡｕやＡｌなどの薄膜が用いられる。
【００９７】
上記高圧電源４３は、光電変換層４１に高圧の電位を供給できるようになっていれば特に限定されるものではなく、従来公知の種々の高圧電源を用いることができる。また、上記電荷検出部４４は、検出基板１１を介して、光電変換層４１で発生した電荷を順次読み出し、二次元のＸ線画像を電荷の分布情報として取得する。この電荷検出部４４の具体的な構成も特に限定されるものではなく、従来公知の構成を好適に用いることができる。
【００９８】
本実施の形態にかかるＸ線平面検出器１０の具体的な検出動作について説明する。
【００９９】
まず、光電変換層４１にＸ線が照射されると、光電変換層４１内に電子−正孔対からなる電荷が生成する。発生した電荷（電荷及び正孔）は、光電変換層４１に印加されているバイアスの極性に準じて、バイアス電極４２側と検出基板１１側とにそれぞれ移動する。検出基板１１側に引き寄せられた電荷は、該検出基板１１表面の各画素に設けられた蓄積容量に蓄積される。そして、この蓄積された電荷をアクティブ素子（例えばＴＦＴ素子）を用いて順次読み出し、電荷検出部４４では、これを二次元のＸ線画像を電荷の分布情報として取得する。
【０１００】
上記Ｘ線平面検出器は、主に医療用のＸ線撮影に利用される。この場合、人体の胸部など比較的広い面積を撮影する必要があり、相応の撮像領域を有することが求められる。それゆえ、Ｘ線平面検出器に適したアクティブマトリクス基板としては、ＰＯＰ構造で大面積化されたものが好ましい。しかしながら、高品質かつ高信頼性で、大面積化されたアクティブマトリクス基板を安価に得ることは困難であった。
【０１０１】
これに対して、本実施の形態に示すように、小サイズの単位基板を、複数枚用いて複合基板を形成すれば、大面積でも安価なＸ線平面検出器を提供することができる。しかも、本発明では、各単位基板の接続部分に絶縁膜を形成しないので、膜浮き不良の発生を回避することが可能となり、製造コストの増大を招くことなく、アクティブマトリクス基板を高品質かつ高信頼性を有するものとすることができる。
【０１０２】
上記構成のＸ線平面検出器は、Ｘ線を直接電荷に変換する直接変換型であったが、本発明にかかる検出装置はこれに限定されるものではなく、例えば、間接変換型であってもよい。
【０１０３】
具体的には、間接変換型の平面検出器としては、例えば、上記複合基板１１の各画素に、スイッチングを行なうアクティブ素子（ＴＦＴ）、および、光を電荷に変換する光電変換素子（フォトダイオードやフォトトランジスタ：変換手段）の両者が形成された光電変換パネルと、この光電変換パネル上（すなわち、複数の単位基板の表面側）に設けられ、Ｘ線などの電磁波を光（特に可視光）に変換するシンチレータとを含んでなる構成を挙げることができる。
【０１０４】
上記構成の間接変換型の平面検出器では、照射された電磁波がシンチレータにて光に変換され、次いで、その光が上記光電変換素子にて電荷に変換されるようになっている。なお、間接変換型の平面検出器に照射される電磁波の種類は、特に限定されるものではないが、通常は、光を除く電磁波、特にＸ線などの放射線が挙げられる。
【０１０５】
このように、本発明にかかる単位基板および複合基板は、信頼性が高く、製造コストも大きくないため、従来よりも、大面積かつ高精細で、高信頼性を有する検出装置を、安価に得ることができる。
【０１０６】
〔実施の形態３〕
本発明の第３の実施の形態について、図６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。また、実施の形態１または２で説明したものと同一の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０７】
本実施の形態では、前記実施の形態１で得られた複合アクティブマトリクス基板を、表示装置に応用した例について説明する。
【０１０８】
上記表示装置としては、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）が挙げられる。このＬＣＤは、近年、ＡＶ機器やＯＡ機器用のモニターとしての需要が急増しており、壁掛けＴＶへの応用も期待されている。また、他の平面表示装置としては、有機ＥＬ表示装置等が知られており、この有機ＥＬ表示装置も今後の大画面化が期待されている。そこで、本実施の形態では、該表示装置として、ＬＣＤに用いられる液晶パネルを例に挙げて説明する。
【０１０９】
図６に示すように、本実施の形態にかかる液晶パネル３２は、透過型であり、前記実施の形態１の複合基板５１と、該複合基板５１に対向して貼り合わせられる対向基板２９と、両基板間に封入される液晶層２５とを有しており、さらに、複合基板５１および対向基板２９の外側の面（互いの対向面とは反対側）に、それぞれ偏光板２６および偏向板３０が貼り合せられている。
【０１１０】
上記複合基板５１は、前記実施の形態１で説明したものと同様であるが、基板強度を向上するために、その背面側、すなわち画素電極５７ａ（画素電極層）が形成されている側とは反対側に、支持基板２０が貼り合せられてなっている。
【０１１１】
複合基板５１の対向面には、ほぼ全面に、複数の画素電極５７ａがマトリクス状に設けられており、画素電極層を形成している。この画素電極層が形成されている側に対して、シール材３１によって、対向基板２９が貼り合せられている。画素電極層の形成されている領域は液晶パネル３２の画像表示領域であるため、シール材３１はこの画像表示領域を囲むように線状に形成される。そして、これら基板の間でシール材３１によりシールされた平板状の空間に、電気光学媒体としての液晶が封入されて液晶層２５が形成される。
【０１１２】
上記複合基板５１の具体的な材質等としては、前記実施の形態１で説明したような表示装置として好適なものが用いられる。上記液晶層２５およびシール材３１としては、従来公知の材質を好適に用いることができる。
【０１１３】
上記対向基板２９としては、複合基板５１に用いられているものと同様のガラス基板が好適に用いられる。また、対向基板２９の対向面には、赤・緑・青（Ｒ・Ｇ・Ｂ）のカラーフィルター２８が形成され、その上には平板状の共通電極２７が積層されている。このカラーフィルター２８や共通電極２７としても従来公知のものが好適に用いられる。なお、偏向板２６・３０としても従来公知のものが好適に用いられる。
【０１１４】
そして、複合基板５１の背面側には、図示しないバックライトが設けられている。このバックライトから液晶パネル３２に光（バックライト光）が照射され、液晶層２５を透過して対向基板２９の背面側から出射する。したがって、対向基板２９の背面側が液晶パネル３２の表示面となっている。
【０１１５】
次に、上記液晶パネル３２の駆動原理および表示動作について説明する。
【０１１６】
上記複合基板５１に設けられている複数の画素では、ＴＦＴ素子のゲート電極が、順次、走査駆動される。これによって、上記ＴＦＴ素子および信号電極（図示せず）を介して表示信号に応じた電圧が画素電極５７ａに印加される。全ての画素電極５７ａには共通電極２７が対向しているため、その間に介在する液晶層２５に、表示信号に応じた電圧が印加される。ここで、バックライト光が液晶層２５に入射することにより、液晶の電気光学特性によって変調され、画像が表示される。
【０１１７】
上記液晶パネルを用いたＬＣＤは、主にＡＶ用・ＯＡ用に用いられているが、特に近年、ＡＶ用等では、臨場感を向上させた画像を表示するために、比較的に広い表示面積と高精細な画素ピッチとが求められている。それゆえ、液晶パネルに適したアクティブマトリクス基板としては、ＰＯＰ構造で大面積化されたものが好ましい。しかしながら、高品質かつ高信頼性で、大面積化されたアクティブマトリクス基板を安価に得ることは困難であった。
【０１１８】
これに対して、本実施の形態に示すように、小サイズの単位基板を、複数枚用いて複合基板を形成すれば、大面積でも安価な液晶パネルを提供することができる。しかも、本発明では、各単位基板の接続部分に絶縁膜を形成しないので、膜浮き不良の発生を回避することが可能となり、製造コストの増大を招くことなく、アクティブマトリクス基板を高品質かつ高信頼性を有するものとすることができる。
【０１１９】
なお、上記構成の液晶パネルは、背面から表示面に光を透過させることで画像を表示する透過型であったが、本発明にかかる表示装置はこれに限定されるものではなく、反射型であってもよい。
【０１２０】
具体的には、例えば、画素電極として、ＩＴＯのような透過型ではなく、反射型のもの（例えば金属製画素電極）を用いた反射型の表示装置であってもよい。また、上記液晶パネルでは偏光板を用いているが、偏向板を用いない透過型の表示装置であってもよい。例えば、ゲスト・ホスト型表示方式や光散乱（分散）型表示方式等の方式を採用した表示装置を挙げることができる。
【０１２１】
さらに、本発明にかかる表示装置は、液晶を利用したものに限定されるものではない。例えば、液晶以外の電気光学媒体として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）材料や、電気泳動材料、エレクトロクロミック材料等の材料を用いた表示装置であってもよい。
【０１２２】
このように、本発明にかかる単位基板および複合基板は、信頼性が高く、製造コストも大きくないため、従来よりも、大面積かつ高精細で、高信頼性を有する表示装置を、安価に得ることができる。
【０１２３】
なお、本発明は、上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても、本発明の技術的範囲に含まれることはいうまでもない。
【０１２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板の表面に形成され、マトリクス状に配置されるスイッチング素子および電気配線を含むアクティブマトリクス層と、該アクティブマトリクス層上に形成される絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置される複数の画素電極からなる画素電極層とを備えるアクティブマトリクス基板において、上記絶縁膜が、有機高分子を主成分とする有機膜であり、上記アクティブマトリクス基板の周囲の少なくとも１辺は、他のアクティブマトリクス基板の辺と接続される接続辺となっており、上記絶縁膜は、上記接続辺に近接する画素電極層の縁に沿った領域で、アクティブマトリクス層を露出するように形成される構成である。
【０１２５】
それゆえ、上記構成では、接続辺に近接する画素電極層の縁に沿って絶縁膜不在領域が設けられていることになるため、上記絶縁膜不在領域内に切取位置を設定した上で、アクティブマトリクス基板を切断すれば、絶縁膜と切断手段の側面との接触を回避することができる。その結果、上記絶縁膜は、切断時に、アクティブマトリクス層から剥がれて浮き上がることがなく、切断時の膜浮き不良を回避することができるという効果を奏する。
【０１２６】
更には、上記絶縁膜が有機膜であることから、上記絶縁膜不在領域を正確かつ確実に形成することが可能になり、上記膜浮き不良の発生を確実に回避できるとともに、チッピングによる悪影響も確実に回避することができるという効果を奏する。
【０１２７】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、上記構成に加えて、さらに、上記接続辺から画素電極層の縁までの間の部分が、接続前に切り取られる切取辺縁部となっているとともに、上記切取辺縁部を切り取った後に生じる切断辺と、上記画素電極層の縁との間に、上記絶縁膜の縁が位置している構成である。
【０１２８】
それゆえ、上記構成では、絶縁膜不在領域内に、切取辺縁部を切り取る切取線を設定することになる。そのため、切取辺縁部を切断する際に、絶縁膜と切断手段の側面との接触を確実に回避することができるので、膜浮き不良の発生をより一層確実に回避することができるという効果を奏する。
【０１２９】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、上記構成に加えて、さらに、上記切断辺と画素電極層の縁との間隔は、切取辺縁部を切り取るときに絶縁性基板の表面に生じるチッピングの幅以上である構成である。
【０１３０】
それゆえ、上記構成では、切取線と画素電極層の縁との間に、一定のマージンが設けられることになる。そのため、上記チッピングの発生領域にも、絶縁膜を形成しないことになる。その結果、チッピングの発生による悪影響を回避することができるという効果を奏する。
【０１３１】
本発明にかかる複合アクティブマトリクス基板は、上記構成のアクティブマトリクス基板を複数枚用い、それぞれの切取辺縁部を切り取った後、切断辺同士を接続することで形成される構成である。
【０１３２】
それゆえ、上記構成では、複合アクティブマトリクス基板を形成しても、膜浮き不良の発生を回避できるとともに、チッピングの悪影響も回避できる。そのため、アクティブマトリクス基板同士の接続部分の間隔を、画素ピッチに合わせることが可能になり、接続部分の目立たない大型のアクティブマトリクス基板を得ることができるという効果を奏する。
【０１３３】
特に、膜浮き不良が発生しないために、接続部位で、絶縁膜の膜浮きが経時的に広がるような事態も発生することがなく、アクティブマトリクス基板の信頼性を向上することができるという効果も奏する。
【０１３４】
さらに、絶縁膜の種類を代えたり、膜浮き不良を補修したりする必要がないので、製造工程の煩雑化を回避することも可能になり、製造コストの増大を抑制することができるという効果も併せて奏する。
【０１３５】
本発明にかかる表示装置は、上記構成の複合アクティブマトリクス基板を用いてなる構成である。
【０１３６】
また、本発明にかかる検出装置は、上記構成の複合アクティブマトリクス基板を用いてなる構成である。
【０１３７】
それゆえ、上記各構成では、信頼性が高く、製造コストも大きくない複合アクティブマトリクス基板が用いられているため、従来よりも、大面積かつ高精細で、高信頼性を有する表示装置または検出装置を、安価に得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は、本発明の実施の一形態にかかるアクティブマトリクス基板の切取辺縁部をダイシングブレードによって切断している状態を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】  図１（ａ）・（ｂ）に示すアクティブマトリクス基板を用いてなる複合アクティブマトリクス基板の構成を示す断面図である。
【図３】  （ａ）は、図１（ａ）・（ｂ）に示すアクティブマトリクス基板における切取辺縁部、切取線、絶縁膜不在領域の位置関係を説明する平面図であり、（ｂ）は、切取辺縁部をダイシングブレードで切断している状態を示す斜視図である。
【図４】  図２に示す複合アクティブマトリクス基板を形成する際に、単位基板同士の接続部分の間隔と画素ピッチとの関係を説明する平面図である。
【図５】  本発明の実施の他の形態にかかる検出装置であって、図２に示す複合アクティブマトリクス基板を用いてなる検出装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】  本発明の実施の他の形態に係る表示装置であって、図２に示す複合アクティブマトリクス基板を用いてなる表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】  （ａ）〜（ｃ）は、従来の複合アクティブマトリクス基板の概略構成を示す工程図である。
【図８】  （ａ）〜（ｇ）は、従来の他の複合アクティブマトリクス基板の製造工程を示す工程図である。
【図９】  （ａ）は、従来のアクティブマトリクス基板の縁部分をダイシングブレードによって切断している状態を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図１０】  従来の理想的な複合アクティブマトリクス基板の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１０    Ｘ線平面検出器（検出装置）
３２    液晶パネル（表示装置）
５１    複合基板（複合アクティブマトリクス基板）
５２    単位基板（アクティブマトリクス基板）
５２ａ  接続辺
５２ｂ  切取辺縁部
５３    単位基板（アクティブマトリクス基板）
５４    絶縁性基板
５６    絶縁膜
５６ａ  絶縁膜の縁
５７    画素電極層
５７ａ  画素電極
５８ａ  画素領域の縁（画素電極層の縁）
５９    絶縁膜不在領域
６１    アクティブマトリクス層
６２    ＴＦＴ素子（スイッチング素子）
６６    切断辺
６８    チッピング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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