(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の低抵抗半導体層と第１導電型の高抵抗半導体層と第２導電型の半導体層とが順次積層され、単結晶炭化珪素よりなる半導体基板と、
前記半導体層の表層部の所定領域に形成された第１導電型の半導体領域と、
前記半導体層の主表面から前記半導体領域と前記半導体層を共に貫通し前記高抵抗半導体層に達して前記半導体領域及び前記半導体層を露出させる側面と前記高抵抗半導体層を露出させる底面とを有する溝と、
前記半導体層及び前記半導体領域とを有し、前記溝の側面に囲まれるように形成された島状半導体領域と、
少なくとも前記島状半導体領域を囲っている前記溝の側面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、
前記主表面のうち少なくとも前記島状半導体領域における前記半導体領域の表面に形成された第１の電極と、
前記低抵抗半導体層の裏面に形成された第２の電極とを備えた炭化珪素半導体装置であって、
前記島状半導体領域は、その平面形状が多角形であり、かつ、前記多角形のいずれの内角も１８０度未満であるとともに、
前記多角形の辺は、略［１１−００］に平行であり、前記ゲート絶縁膜はウエット雰囲気の熱酸化にて形成された熱酸化膜であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
前記多角形は、各内角が略等しい六角形である請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の低抵抗半導体層と第１導電型の高抵抗半導体層と第２導電型の半導体層とを順次積層し、単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を用意する第１工程と、
前記半導体層の表層部の所定領域に第１導電型の半導体領域を形成する第２工程と、
前記半導体層の主表面から前記半導体領域と前記半導体層を共に貫通し前記高抵抗半導体層に達して前記半導体領域及び前記半導体層を露出させる側面と前記高抵抗半導体層を露出させる底面とを有する溝を形成し、前記半導体層及び前記半導体領域とを有して前記溝の側面に囲まれる島状半導体領域を形成する第３工程と、
少なくとも前記島状半導体領域を囲っている前記溝の側面にゲート絶縁膜を形成する第４工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成する第５工程と、
前記主表面のうち少なくとも前記島状半導体領域における前記半導体領域の表面に第１の電極を形成し、前記低抵抗半導体層の裏面に第２の電極を形成する第６工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記第３工程において、前記溝の側面は略［１１−００］方向に平行に形成され、かつ前記第４工程において、前記ゲート絶縁膜はウエット雰囲気の熱酸化にて形成されるものであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は炭化珪素半導体装置、たとえば、大電力用縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、電力用トランジスタとして炭化珪素単結晶材料を使用して作製される縦型パワーＭＯＳＦＥＴが提案されている。これは基板表面から半導体基板に溝を形成し、溝側面をチャネル領域とするものである。電力用トランジスタにおいてはゲート電圧がオフ時のソースとドレイン間のリーク電流が少なく、かつ、オン時にはソースとドレイン間の抵抗（以下、オン抵抗という）が小さいことが必要であり、このような要求に対して、六方晶炭化珪素の電子物性の長所を生かし、高電圧印加時のリーク電流の低減とオン抵抗の低減が効果的に図れる電力用トランジスタとして例えば、特開平７−１３１０１６号公報や特開平７−３２６７５５号公報に記載のものが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平７−１３１０１６号公報や特開平７−３２６７５５号公報の溝ゲート型パワーＭＯＳＦＥＴにおいては、必ずしもチャネル移動度が向上するとはいえず、依然としてオン抵抗が高いという問題があった。また、ゲート絶縁膜の寿命においてシリコンＭＯＳＦＥＴに比べて短いという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、炭化珪素からなる縦型絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて高信頼性のあるゲート絶縁膜を有するトランジスタ及びその製造方法を提供するものであり、さらにはチャネル移動度を改善しオン抵抗を効果的に低減することのできるトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタの溝の側面にて囲まれるとともにチャネル部となる島状の半導体領域を形成し、その島状半導体領域を囲う溝側面にゲート絶縁膜を形成した炭化珪素半導体装置をその要旨とする。つまり島状半導体領域はゲート絶縁膜により囲われることになる。
【０００６】
そして、請求項１に記載の発明は、島状半導体領域の平面形状を多角形とし、かつ、その多角形のいずれの内角も１８０度未満であることをその要旨とする。また、請求項１あるいは請求項３に記載の発明は、前記多角形の辺、すなわち溝側面が、略［１１−００］方向に平行であり、かつ、ゲート絶縁膜はウエット雰囲気の熱酸化で形成された絶縁膜であることをその要旨とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明における多角形が、各内角が略等しい六角形であることをその要旨とする。以下、本願発明者らの実験及びその結果に基づく考察により本願発明をより詳細に説明する。まず、信頼性の高いゲート絶縁膜を得るという課題に対して、カーボン原子を起源とする界面準位密度を低下させることができれば、高信頼性のあるゲート絶縁膜が得られ、ゲート絶縁膜の寿命をものばすことができると考えた。
【０００８】
本発明者らは、炭化珪素単結晶基板から構成される縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタの溝側面の表面形状が三角形、四角形、六角形、円形等のＭＯＳＦＥＴを設計し、その内側に溝を形成したものと、その外側に溝を形成したものを作製、評価した。その結果、外側に溝を形成したものの方が相対的にゲート絶縁膜の寿命も大きいことがわかった。
【０００９】
この理由について図１４及び図１５を用いて説明する。図１４（ａ）、図１５（ａ）は炭化珪素からなる縦型絶縁ゲート型電界効果パワーＭＯＳＦＥＴの平面図であり、表面にはソース領域が形成され、かつその側面にチャネル領域が形成されるｐ型炭化珪素半導体層３（図１５では島状半導体領域１２）と溝７及びゲート絶縁膜８が図示されている。また、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）は図１４（ａ）、図１５（ａ）のそれぞれの一部拡大図である。図１４においてはｐ型炭化珪素半導体層３に四角い溝７を形成し、図１５においては溝７を形成することで島状半導体領域１２を形成している。すなわち、図１４に示すものが内側に溝を形成したものに該当し、図１５に示すものが外側に溝を形成したものに該当する。
【００１０】
図１４（ａ）の一部拡大図である図１４（ｂ）に示すように内側に溝を形成したものにおいては、チャネル面とチャネル面が交差する角部Ａの酸化膜内で、ゲート絶縁膜形成時の熱酸化で発生するカーボン原子の拡散が抑えられ、カーボン原子の密度が大きい領域が存在し、チャネル面とチャネル面が交差する角部では、カーボン原子を起源とする界面準位密度が極めて大きくなり、ゆえにゲート絶縁膜の信頼性の低下を引き起こすものと結論した。
【００１１】
一方、図１５（ａ）の一部拡大図である図１５（ｂ）に示すように外側に溝を形成したものにおいては、チャネル面とチャネル面が交差する角部の酸化膜内で、ゲート絶縁膜形成時の熱酸化で発生するカーボン原子の拡散が抑制されることはなく、カーボン原子の密度が特に大きい領域も存在しない。そのため、熱酸化で発生するカーボン原子の集中によるゲート絶縁膜の信頼性の低下は発生しないものと結論した。
【００１２】
尚、内側に溝を形成した場合と、外側に溝を形成した場合とでゲート絶縁膜形成時の熱酸化で発生するカーボン原子の拡散が異なる理由としては、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）の矢印にて示す熱酸化の際のカーボン原子が拡散していく経路が図１４（ｂ）の内側に溝を形成したものにおいては特にコーナー部にて密になり、一方、図１５（ｂ）の外側に溝を形成したものにおいてはその経路が密になることがないためと考えられる。すなわち、内側に溝を形成する場合には凹部となる領域が形成され、熱酸化の際にカーボン原子が容易に拡散せず、一方、外側に溝を形成する場合には凹部となる領域が形成されず凸部になっており、熱酸化の際にカーボン原子が容易に拡散するといえる。
【００１３】
以上説明したように、溝を外側に形成することでゲート絶縁膜の信頼性を高めることができる。
また、チャネル移動度が依然として低いという課題に対して、本発明者らはトランジスタの電気特性に及ぼすトランジスタ溝側面の表面形状依存性、チャネル面の結晶面方位依存性、及び、ゲート絶縁膜形成条件依存性について検討、実験した。
【００１４】
主表面を（０００１−）カーボン面とする縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル面の面方位すなわち溝側面を５度ずつ変化させたＭＯＳＦＥＴを作製し、チャネル移動度を評価した。その結果、ゲート絶縁膜がウエット雰囲気の熱酸化で形成されたＭＯＳＦＥＴではチャネル移動度は６０度の周期性を示し、チャネル面の面方位が［１１−００］に平行である場合にチャネル移動度は極大を示した。また、界面準位密度を見積もったところ、［１１−００］に平行である場合に極小を示した。図１６に本発明者らの評価から得られた界面準位密度の面方位依存性を示す。ここで、ゲート絶縁膜がドライ雰囲気の熱酸化で形成されたＭＯＳＦＥＴでは、ウエット雰囲気で形成されたＭＯＳＦＥＴよりチャネル移動度は低く、界面準位密度も大きく、強い面方位依存性を示さなかった。
【００１５】
この結果はチャネル移動度低下の要因の１つとして六方晶炭化珪素半導体の結晶構造に起因する界面準位密度が重要であることを示している。
本願発明者らの考察では、炭化珪素半導体にて形成されたＭＯＳＦＥＴの界面準位密度の起源は、単原子より構成されるシリコン半導体の場合とは異なり、チャネル面に存在するカーボン原子が重要な役割を担っており、シリコン半導体から形成されたＭＯＳＦＥＴよりも一桁以上大きな値を示す界面準位密度はカーボン原子に起因するものであるとの結論に達した。その理由は、六方晶炭化珪素において（０００１）シリコン面に比べ（０００１−）カーボン面で界面準位密度が大きいこと、さらに実験で得られた図１６の界面準位密度の分布が、結晶構造から数学的に計算される単位面積当たりのカーボン原子密度とよい相関があったからである。
【００１６】
そこで、チャネル面、及びゲート酸化膜内に存在するカーボン原子の密度を最大限に減少させ、カーボン原子を起源とする界面準位密度を低下させることで炭化珪素にて形成したＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度向上を図ることができると考えた。それには、チャネル面を［１１−００］に平行とし、ゲート絶縁膜をウエット雰囲気の熱酸化で形成することが有効であると本発明者らの実験で確認された。また、図１５に示す外側に溝を形成するものにおいても、上述したようにカーボン原子がゲート絶縁膜中に取り残されて密となる領域が存在しないため、カーボン原子に起因する界面準位密度を低下させてチャネル移動度の向上を図ることができると言える。
【００１７】
従って、請求項１あるいは請求項３に記載の発明によれば、縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタの溝の側面にて囲まれ、かつチャネル部となる島状の半導体領域を形成し、つまり、外側に溝を形成して島状半導体領域の溝側面にゲート絶縁膜を形成するようにしているため、熱酸化でゲート絶縁膜を形成する際に、内側に溝を形成する場合に比べ、炭化珪素の酸化で発生したカーボン原子を容易に雰囲気中に拡散することができ、これによってカーボン原子の不拡散による界面準位密度の増大が解消され、チャネル移動度の向上とゲート酸化膜寿命の向上を図ることができる。
【００１８】
そして、請求項１に記載の発明によれば、前記島状半導体領域を多角形としてあるので、容易な平面形状設計が可能となる。加えて、前記多角形のいずれの内角も１８０度未満としてあるので、カーボン原子の不拡散による界面準位密度の増大の解消も可能となる。請求項１あるいは請求項３に記載の発明によれば、前記多角形の辺、すなわち前記溝側面は略［１１−００］方向に平行であるので、炭化珪素結晶構造に基づくカーボン原子密度が最小となる面にＭＯＳ界面を形成することができ、本発明者らの実験結果が示すように、効果的に界面準位密度を低下することができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、前記側面の平面形状は、各内角が略等しい六角形としたので、六角形の各辺において内角をなす角度は略１２０度となる。よって、縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタのオフ時にソース・ドレイン間に高電圧が印加された場合に、側面の形状が六角形の溝にて形成された半導体部で電界集中によるアバランシェブレークダウンは発生しにくい。すなわち、請求項１に示すように前記多角形の辺を所定の方向に揃えるためには三角形や菱形もあり得るがこのような形状では鋭角になる部分が生じ電界集中によってアバランシェブレークダウンが生じやすいが、六角形では鋭角になる領域が存在しないためアバランシェブレークダウンが発生しにくい。従って、ソース・ドレイン間耐圧設計においては、高抵抗半導体層と第２導電型の半導体層の不純物濃度及びその膜厚で決まる耐圧を考えればよいので、高耐圧設計が可能となる。
【００２０】
尚、本明細書においては、六方晶系の単結晶炭化珪素の面および方向軸を表す場合、本来ならば図面に記載されているように、所要の数字の上にバーを付した表現をとるべきであるが、表現手段に制約があるために、前記所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、前記所要数字の後に「−」を付して表現している。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に従って説明する。
図１に本実施の形態におけるｎチャネルタイプの縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下、縦型パワーＭＯＳＦＥＴという）を示す。
低抵抗半導体層としてのｎ+ 型炭化珪素半導体基板１は、六方晶炭化珪素が用いられている。このｎ+ 型炭化珪素半導体基板１上に、高抵抗半導体層としてのｎ- 型炭化珪素半導体層２とｐ型炭化珪素半導体層３が順次積層されている。
【００２２】
このように、ｎ+ 型炭化珪素半導体基板１とｎ- 型炭化珪素半導体層２とｐ型炭化珪素半導体層３とから単結晶炭化珪素よりなる半導体基板４が構成されており、その上面を略（０００１−）カーボン面としている。
ｐ型炭化珪素半導体層３内の表層部における所定領域には、半導体領域としてのｎ+ 型ソース領域５が形成されている。さらに、ｐ型炭化珪素半導体層３内の表層部における所定領域には低抵抗ｐ型炭化珪素領域６が形成されている。
【００２３】
又、ｎ+ 型ソース領域５の所定領域に溝７が形成され、この溝７は、ｎ+ 型ソース領域５とｐ型炭化珪素半導体層３を貫通しｎ- 型炭化珪素半導体層２に達している。
溝７は半導体基板４の表面に垂直な側面７ａおよび半導体基板４の表面に平行な底面７ｂを有する。溝７の側面７ａにより囲まれた六角形状の領域（図１では六角形の一部のみ示す）が島状半導体領域１２となる。つまり、島状半導体領域１２はｎ- 型炭化珪素半導体層２上に形成されたｐ型炭化珪素半導体層３とこのｐ型炭化珪素半導体層３に形成されたｎ+ 型ソース領域５及び低抵抗ｐ型炭化珪素領域６を備え、他の島状半導体領域１２から分離されている複数の領域のことを言う。又、本実施形態では溝７の側面７ａは略［１１−００］方向に延設されている。さらに、溝７の側面７ａの平面形状は、各内角が略等しい六角形である。つまり、図２の基板４の平面図において、六角形の６つの辺をＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６で示し、辺Ｓ１とＳ２となす角度（内角）、辺Ｓ２とＳ３となす角度（内角）、辺Ｓ３とＳ４となす角度（内角）、辺Ｓ４とＳ５となす角度（内角）、辺Ｓ５とＳ６となす角度（内角）、辺Ｓ６とＳ１となす角度（内角）は略１２０゜となっている。このように島状半導体領域１２を形成することでその平面形状に凹部となる領域が形成されない。
【００２４】
さらに、溝７内での側面７ａの表面と溝７の底面７ｂにはゲート絶縁膜８が形成されている。溝７内におけるゲート絶縁膜８の内側には、ゲート電極層９が充填されている。ゲート電極層９は絶縁膜１０にて覆われている。ｎ+ 型ソース領域５の表面およびと低抵抗ｐ型炭化珪素領域６の表面には第一の電極層としてのソース電極層１１が形成されている。ｎ+ 型炭化珪素半導体基板１の表面（半導体基板４の裏面）には、第２の電極層としてのドレイン電極層１３が形成されている。
【００２５】
このように縦型パワーＭＯＳＦＥＴは、チャネル形成面が［１１−００］方向に平行となっており、図２に示すように六角形の島状半導体領域１２の外側に溝が配置されている。
次に、縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を、図３〜図８を用いて説明する。
まず、図３に示すように、主表面が略（０００１−）カーボン面であるｎ+ 型炭化珪素半導体基板１を用意し、その表面にｎ- 型炭化珪素半導体層２をエピタキシャル成長し、さらにｎ- 型炭化珪素半導体層２上にｐ型炭化珪素半導体層３をエピタキシャル成長する。このようにして、ｎ+ 型炭化珪素半導体基板１とｎ- 型炭化珪素半導体層２とｐ型炭化珪素半導体層３とからなる半導体基板４が形成される。
【００２６】
次に、図４に示すように、ｐ型炭化珪素半導体層３の表層部の所定領域に、ｎ+ 型ソース領域５を例えば窒素のイオン注入により形成する。さらに、ｐ型炭化珪素半導体層３の表層部の別の所定領域に低抵抗ｐ型炭化珪素領域６を例えばアルミニウムのイオン注入により形成する。
そして、図５に示すようにドライエッチング法、例えばＲＩＥ（Reactive Ionetching)により、ｎ+ 型ソース領域５及びｐ型炭化珪素半導体層３をともに貫通してｎ- 型炭化珪素半導体層２に達する溝７を形成する。この時、溝７の側面７ａが［１１−００］方向に平行となるように溝７を形成し、島状半導体領域１２を形成する。それゆえ、図２に示すように縦型パワーＭＯＳＦＥＴの平面図における島状半導体領域１２の形状が主表面において六角形となる。
【００２７】
引き続き、図６に示すように、半導体基板４および溝７の側面７ａと溝７の底面７ｂにゲート絶縁膜８を形成する。このとき、ゲート絶縁膜８はウエット雰囲気の熱酸化で形成する。このウエット酸化はパイロジェニック法と呼ばれる方法で行い、成膜条件としては上記溝７が形成された半導体基板４を熱酸化炉内に配置し炉内の温度を１１００℃まで上昇させ、水素（Ｈ2 ）と酸素（Ｏ2 ）とを４：３の割合で流入し、水素と酸素とを燃焼させて水蒸気をつくり、水蒸気と酸素と熱酸化膜を形成した。本実施形態では酸化膜の成長速度を２５ｎｍ／ｈとし、１００ｎｍまで成長させた。これに対してドライ酸化は酸素のみを供給して酸化膜を形成する方法である。そして、図７に示すように、溝７内のゲート絶縁膜８の内側に、ゲート電極層９を充填する。さらに、図８に示すように、ゲート電極層９の上面に絶縁膜１０を形成する。その後、図１に示すように、絶縁膜１０上を含むソース領域５と低抵抗ｐ型炭化珪素領域６の上にソース電極層１１を形成する。又、ｎ+ 型炭化珪素半導体基板１の表面に、ドレイン電極層１２を形成して、溝ゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを完成する。
【００２８】
以上のように、本実施形態においては溝７の側面７ａにより島状半導体領域１２が囲まれるように、かつ図２に示すように平面図において島状半導体領域１２に凹部が形成されないような形状とし、溝７の側面７ａにゲート絶縁膜８を形成しているため、信頼性の高いゲート絶縁膜８を得ることができる。さらに界面準位密度を低減でき、チャネル移動度を向上させてオン抵抗を低減させることもできる。
【００２９】
また、本実施形態においては縦型ＭＯＳＦＥＴのチャネルを形成する溝７の側面７ａを［１１−００］方向に平行となるように形成し、かつこのような溝７の側面７ａに対してウエット酸化にてゲート絶縁膜８を形成しているため図１６に示すように界面準位を最も低減させることができ、これによってチャネル移動度を向上させることができ、オン抵抗を効果的に低減できるトランジスタを提供できる。
【００３０】
これまで述べた構成の他にも、例えば、ｎ+ 型ソース領域５と低抵抗ｐ型炭化珪素領域６に形成されるソース電極は、異なる材料でもよい。又、低抵抗ｐ型炭化珪素領域６は省略も可能であり、この場合ソース電極層１１はｎ+ 型ソース領域５とｐ型炭化珪素半導体層３に接するように形成される。又、ソース電極層１１は、少なくともｎ+ 型ソース領域５の表面に形成されていればよい。
【００３１】
さらに、上述した例では、ｎチャネル縦型ＭＯＳＦＥＴに適用した場合について説明したが、図１においてｐ型とｎ型を入れ替えた、ｐチャネル縦型ＭＯＳＦＥＴにおいても、同じ効果が得られる。
さらに、図１では、溝７は基板表面に対し側面７ａがほぼ９０゜となっているが、図９に示すように、溝７の側面７ａと基板表面のなす角度は必ずしも９０゜に近くなくてもよい。又、溝７は底面を有しないＶ字型でもよい。さらに図１０に示すように溝７の側面７ａは平面でなくてもよく、滑らかな曲面でもよい。尚、溝７の側面７ａと基板表面のなす角度は、チャネル移動度が大きくなるように設計することにより、より良い効果が得られる。
【００３２】
又、図１１に示すように、ゲート電極９の上部が、ｎ+ 型ソース領域５の上方に延びる形状であってもよい。
又、本実施例では島状半導体領域１２の表面形状を六角形としたが、図１２に示すように滑らかな楕円形や円形であっても、また、図１３に示すように三角形状であっても、外側に溝を形成するようにすれば、本発明の効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの斜視図。
【図２】基板の平面図。
【図３】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図４】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図５】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図６】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図７】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図８】縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図。
【図９】応用例の縦型パワーＭＯＳＦＥＴの断面図。
【図１０】応用例の縦型パワーＭＯＳＦＥＴの断面構造模式図。
【図１１】応用例の縦型パワーＭＯＳＦＥＴの断面構造模式図。
【図１２】応用例を説明する基板の平面図。
【図１３】応用例を説明する基板の平面図。
【図１４】（ａ）は従来の半導体装置を説明する平面図。
（ｂ）は（ａ）の一部拡大図。
【図１５】（ａ）は本発明の半導体装置の概念を説明する平面図。
（ｂ）は（ａ）の一部拡大図。
【図１６】六方晶炭化珪素半導体における界面準位密度の面方位依存性を示す特性図。
【符号の説明】
１  ｎ+ 型炭化珪素半導体基板
２  ｎ- 型炭化珪素半導体層
３  ｐ型炭化珪素半導体層
４  半導体基板
５  半ｎ+ 型ソース領域
７  溝
７ａ  側面
７ｂ  底面
８  ゲート絶縁膜
９  ゲート電極層
１０  絶縁膜
１１  ソース電極層
１３  ドレイン電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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