(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上とグリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザール、グルコノヘプトン酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール、及びそれらの塩からなる群から選択される１種又は２種以上とを含有する（ただし、第４級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミン類を含むものを除く）ことを特徴とする、フォトレジスト残渣除去液組成物。
【請求項２】
有機溶剤を含まない水溶液であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。
【請求項３】
脂肪族ポリカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。
【請求項４】
グリオキシル酸を含有する、請求項１〜３のいずれかに記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。
【請求項５】
グリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザール、グルコノヘプトン酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール、及びそれらの塩の使用濃度が、０．００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。
【請求項６】
請求項１〜５に記載のフォトレジスト残渣除去液組成物のフォトレジスト残渣除去への使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジスト残渣除去液組成物、更に詳しくは半導体回路素子の製造における層間絶縁膜材料や配線材料、キャパシタ、電極材料のドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去するためのフォトレジスト残渣除去液組成物に関する（ここでフォトレジスト残渣とは、アッシング処理後に基板表面に残留した不完全灰化物であるフォトレジスト残渣と配線及びビアホール側面に残留するサイドウォールポリマー（側壁保護膜、ラビットイヤーとも呼ばれる）を含む。）。
【０００２】
【従来の技術】
ドライエッチングは半導体回路素子の製造工程において層間絶縁膜材料、配線材料等のパターン形成に用いられる最も重要な技術である。
ドライエッチングはスパッタリング、ＣＶＤ、電解めっき、回転塗布等により層間絶縁膜材料、配線材料等を成膜した基板上にフォトレジストを塗布、露光、現像によりパターンを形成し、次に該フォトレジストをマスクとして反応性ガスを用いたドライエッチングにより層間絶縁膜や配線パターンを形成する技術である。このドライエッチング後の基板は、アッシング処理を行い、マスクとして用いたフォトレジストを灰化除去後に更に一部残留する残渣物であるフォトレジスト残渣等をフォトレジスト剥離液により除去するのが通常である。
【０００３】
ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣は、従来一般に使用されている有機溶剤とアルカノールアミンとを組み合わせたフォトレジスト剥離液では完全に除去することはできない（例えば、特開平５−２８１７５３号公報；米国特許第５４８０５８５号）。その原因は、アッシング後のフォトレジスト残渣の一部が被エッチング材料とともに無機化しているためと考えられる。そこで、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去技術として、フッ素系化合物を含有するもの（特開平７−２０１７９４号公報；欧州特許公開第６６２７０５号）、ヒドロキシルアミンを含有するもの（米国特許第５３３４３３２号）、第４級アンモニウム化合物を含有するもの（特開平８−２６２７４６；米国特許第５５６７５７４）等のフォトレジスト残渣除去液が提案されている。
【０００４】
しかし、これらのフォトレジスト残渣除去液は、除去液が残留すると配線材料を腐食するためイソプロピルアルコール等の有機溶剤によるリンスを行うことや、フォトレジスト残渣を完全に除去するためには高温での処理が必要であったり、更にこれらのフォトレジスト残渣除去液は、その数１０％ないし１００％までの割合で有機化合物を含有しており、環境への負荷が大きく、好ましいものではない。
また、除去すべきフォトレジスト残渣と配線材料の組成が類似しているため、同時に配線材料の腐食を引き起こすことから、ソルビトール等を含むフォトレジスト剥離剤組成物（特開平８−２６２７４６；米国特許第５５６７５７４）が提案されている。
【０００５】
その他に、本発明者らによって、脂肪族カルボン酸とその塩を含有するフォトレジスト残渣除去液が開示されている（特開平１１−３１６４６４号）。この除去液は有機溶媒を含有していないため環境への負荷が小さく、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属配線については腐食することなく使用することができる。しかし、近年配線の微細化に伴い、エッチング、アッシング条件が過酷となり、より強固なレジスト残渣が付着するようになっている。そのため、レジスト残渣を完全に除去するために高温、長時間での処理が必要となり、その結果Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕの腐食が発生する場合が出てきた。
そのため、従来のものと比較して、腐食防止効果が高い腐食防止剤が求められている。
【０００６】
また、一般に半導体回路素子は多層配線構造が導入されており、下部のアルミニウム配線と上部のアルミニウム配線の接続は、層間絶縁膜にビアホールを形成し、そのビアホールにタングステン等の金属を埋め込むことで導通させる。比較的パターン寸法の大きい半導体回路素子では、上部の配線とビアホールが完全に接触し、上部の配線によってビアホールが被覆されていた。しかし、近年半導体回路素子の微細化に伴い、配線及びビアホールの形成に高い精度が要求されるため、上部の配線とビアホールの位置にずれが生じ、完全に接触されず、ビアホールが被覆されずに上部の配線の下にタングステン等の埋め込んだ金属が露出する場合が生じてきた。
このような配線構造はボーダーレスビア構造と呼ばれているが、ボーダーレスビア構造のビアホール上に配線を形成する時、上部の配線やビアホールに埋め込んだタングステンの表面にレジスト残渣が付着する。このレジスト残渣を除去するために、上記のヒドロキシルアミン又は第４級アンモニウム化合物を含有する強アルカリ性のレジスト残渣除去液を使用した場合、電気化学反応によってタングステンが溶解するという問題が生じる。そのため、リン酸アンモニウムを含有するもの（特開平２０００−２３２０６３）が提案されている。しかし、レジスト残渣除去性が不十分な場合は、界面活性剤を添加する必要があったり、またこの場合には、リン化合物を含有するため、環境への負荷が懸念される。
【０００７】
一方、近年半導体回路素子の微細化、高性能化に伴い、新たな配線材料や層間絶縁膜材料が採用されるようになっており、これに伴って、従来使用されてきたフォトレジスト残渣除去液をそのまま使用することに限界が生じてきた。
例えば半導体回路素子の微細化、高速化への要求より、配線抵抗の低減を目的として、銅配線の導入が検討され、ダマシンプロセスによる銅配線の形成が可能となった。ダマシンプロセスは配線パターンを層間絶縁膜に溝として形成し、スパッタリングや電解めっきを用いて銅を埋め込んだ後、不要なブランケット銅を化学的機械研磨（ＣＭＰ）等を用いて除去し、配線パターンを形成するプロセスである。
【０００８】
この新たな配線材料である銅配線材料に対するレジスト剥離液において、銅の腐食防止剤としてトリアゾール化合物等を含有するもの（特開２００１−２２０９５、特開２００１−２２０９６、特開２０００−１６２７８８）があるが、上記と同様、温度をかけての処理およびイソプロピルアルコール等のリンスが必要であったり、さらに有機溶剤を含有しているという問題を有している。また、ベンゾトリアゾール誘導体を銅の腐食防止剤として含むレジスト用剥離液組成物があるが（特開２００１−８３７１２）、これも水溶性有機溶剤を含むものであり、前記の問題を内在している。更にトリアゾール化合物やベンゾトリアゾール誘導体は、生分解性が悪く廃液処理への負荷が大きいことも問題として挙げられる。更にトリアゾール化合物、ベンゾトリアゾール誘導体は、水に対する溶解性が低いため、水リンスの後にウェハ表面にこれらの腐食防止剤が残留し、後の工程に悪影響を与える問題が生じる場合がある。
【０００９】
一方、近年同じく半導体回路素子の微細化、高速化への要求より、配線間容量の低減を目的として、低誘電率層間絶縁膜（いわゆるｌｏｗ−ｋ膜）の導入が検討されている。一般にｌｏｗ−ｋ膜は、芳香族アリール化合物に代表される有機膜、ＨＳＱ(Hydrogen  Silsesquioxane)やＭＳＱ(Methyl  Silsesquioxane)に代表されるシロキサン膜、多孔質シリカ膜等がある。このような配線材料や層間絶縁膜材料を用いて半導体回路素子を製造する場合、下部の銅配線と上部の配線を接続するビアホールや上部配線溝の形成の際に、層間絶縁膜材料又は各種ｌｏｗ−ｋ膜のドライエッチングが行われるが、この時、従来の配線材料や層間絶縁膜材料を用いたものとは異なる組成のフォトレジスト残渣を形成する。更に銅や各種ｌｏｗ−ｋ膜は、従来使用されてきた配線材料や層間絶縁膜材料と比べ耐薬品性に劣り、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去には、従来のアルミニウム配線用フォトレジスト残渣除去液をそのまま使用することはできない。例えば、上記のフォトレジスト残渣除去液中に含有するアルカノールアミン、第４級アンモニウム化合物、フッ素化合物は、耐腐食性の劣る銅の腐食を引き起こし、更にアルカノールアミン、第４級アンモニウム化合物は、各種ｌｏｗ−ｋ膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等をも引き起こす。また、ｌｏｗ−ｋ膜は耐薬品性が劣るため、フォトレジストの除去は低温で行うのが好ましい。
そのためこれまで、新しい材料に対して、さまざまな腐食防止剤が検討されてきたが、酸性の除去液で十分な腐食防止効果を示すもの、環境上好ましいものがなく、これまでのところ満足のいくものは得られていない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件でアッシング、ドライエッチングを行った際に生成する、従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。
また、本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、新しい配線材料であるＣｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシング、ドライエッチングを行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。
また本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、低誘電率層間絶縁膜を施した基板についてアッシング、ドライエッチングを行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣を、層間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度の劣化等を引き起こさずに除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。
また、本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、従来と同様な条件でアッシング、ドライエッチングを行った際に生成するフォトレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。
また本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、ビアホールで接続する金属配線であって、ビアホールに埋め込んだ金属が一部露出する金属配線を施した基板についてアッシング、ドライエッチングを行なった際に生成するフォトレジスト残渣を、露出した金属配線を溶解することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。
また、本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、アッシング、ドライエッチングを行った際に生成するフォトレジスト残渣の除去を低温でも良好に行うことができるフォトレジスト除去液を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題、アルミニウムや銅を腐食せず、新しい材料であるｌｏｗ−ｋ膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を引き起こさないフォトレジスト残渣除去液組成物を開発すべく、鋭意研究を行った結果、脂肪族ポリカルボン酸及びその塩から選択される１種又は２種以上と還元性化合物を１種又は２種以上とを含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液組成物は、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上とグリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザール、グルコノヘプトン酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール、及びそれらの塩からなる群から選択される１種又は２種以上とを含有する（ただし、第４級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミン類を含むものを除く）ことを特徴とする、フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。
また、本発明は、有機溶剤を含まない水溶液であることを特徴とする、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。
さらに、本発明は、脂肪族ポリカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。
また、本発明は、グリオキシル酸を含有する、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。
【００１３】
さらに、本発明は、グリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザール、グルコノヘプトン酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール、及びそれらの塩の使用濃度が、０．００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。
また、本発明は、前記フォトレジスト残渣除去液組成物のフォトレジスト残渣除去への使用に関する。
本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物は、グリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザール、グルコノヘプトン酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール、及びそれらの塩の還元性化合物を含有することにより、金属材料として、特に銅、アルミニウム、又はタングステン等のいずれを用いた場合でも、従来のものに比べ、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣に対する除去性に優れるとともに、これらの金属材料の腐食を防止する。よって、過酷なエッチング、アッシング条件によって強固に付着したフォトレジスト残渣であっても金属材料を腐食せずに除去することが可能となる。また、耐腐食性に劣るとされていた銅に対しても用いることができ、さらに、新しい材料であるｌｏｗ−ｋ膜に対しても、従来問題となっていた膜減り、誘電率変化、機械的強度変化を引き起こさないものであり、高精度の配線材料に用いることができる。また、水溶液として用いる場合には有機溶剤を含まないため、環境への負荷が少ない。さらに、アルコール等の有機溶剤を用いたリンスを行うことなく、さらに、低温でフォトレジスト残渣の除去を行うことができる。
【００１４】
本発明においてフォトレジスト残渣除去液組成物に用いる還元性化合物とは、グリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザールといったアルデヒド基を有する有機化合物、アスコルビン酸、グルコノヘプトン酸といった反応性多重結合を有する糖酸、アラビノース、ガラクトース、グルコース、グルコヘプトース、グルコヘプツロース、ソルボース、フルクトース、マンノース、ラクトースといった還元糖、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体といった芳香族ヒドロキシ化合物、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オールといった反応性多重結合を有する有機化合物等のうち、脂肪族ポリカルボン酸と組み合わせて用いると金属材料の腐食防止剤として機能する化合物を意味する。従って、還元性を有する化合物であっても、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン等のアミン類のように水溶液中で安定でないもの、ヒドラジン、ヒドロキシルアミンのように銅と水溶性錯体を形成して銅を腐食するもの、また、ホスフィン酸及びその塩等も銅を腐食することから、これらの化合物は、還元性を有していても、本発明でいう還元性化合物には含まれない。
本発明において特に好ましい還元性化合物としては、例えば、グリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、マンノースが挙げられる。
【００１５】
本発明におけるフォトレジスト残渣除去液組成物に用いる還元性化合物は、銅やアルミニウムの腐食防止剤として機能する。そのメカニズムについては必ずしも明確とはいえないが、１つには除去液の酸化還元電位の制御、即ち、各種金属間の電子の授受を制御し腐食を防止することが考えられる。
通常、水溶液中の金属の腐食は、水溶液のｐＨ、酸化還元電位、温度、キレート剤の有無並びに水溶液中で共存している他の金属に影響されると言われており、中でも溶液のｐＨ、酸化還元電位が重要な因子を占める。従って、上記の還元性化合物は、これらの因子を制御することによって水溶液中の金属の腐食を防止すると推測することができる。
【００１６】
例として、図１に水溶液中の銅（Ｃｕ）の状態を表すｐＨ−酸化還元電位図(M.Pourbaix: Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solution(National Association of Corrosion Engineers, Houston, 1974)を示す。銅は酸性溶液ではＣｕ（金属領域）とＣｕ2+（溶解領域）があり、一般的な酸性溶液は、酸化還元電位が高くＣｕ2+となって溶液中に溶解する。そのため、Ｃｕの腐食を防止するためには、溶液の酸化還元電位を金属領域まで低下させる必要があり、酸性溶液に還元性化合物を添加することによって達成することが可能であると考えられる。しかし、全ての還元性を有する化合物が腐食防止剤として効果が認められているわけではなく、例えば、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン等のアミン類やホスフィン酸は、還元性を有する化合物であるがＣｕ等を著しく腐食する。これは、腐食が酸化還元電位以外のｐＨや共存イオンによって大きく左右されることを示しており、本発明における還元性化合物は、シュウ酸等の脂肪族ポリカルボン酸と組み合わせて、これらの要因を考慮に入れて適切に選択されたものである。
【００１７】
従って、本発明のフォトレジスト残渣除去液は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件でアッシング、ドライエッチング等を行った際に生成する、従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去することができる。
また、本発明のフォトレジスト残渣除去液は、新しい配線材料であるＣｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシング、ドライエッチング等を行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣であっても、配線を腐食することなく除去することができる。
また本発明のフォトレジスト残渣除去液は、低誘電率層間絶縁膜を施した基板についてアッシング、ドライエッチング等を行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣を、層間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度の劣化等を引き起こさずに除去することができる。
また、本発明のフォトレジスト残渣除去液は、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、従来と同様な条件でアッシング、ドライエッチング等を行った場合においても生成するフォトレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去することができる。
また本発明のフォトレジスト残渣除去液は、ビアホールで接続する金属配線であって、ビアホールに埋め込んだ金属が一部露出する金属配線を施した基板についてアッシング、ドライエッチングを行なった際に生成するフォトレジスト残渣を、露出した金属配線を溶解することなく除去することができる。
また、本発明のフォトレジスト残渣除去液は、フォトレジスト残渣の除去を低温でも良好に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物に用いる脂肪族ポリカルボン酸及びその塩とは、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのジカルボン酸類やリンゴ酸、酒石酸などのオキシジカルボン酸類、クエン酸などのオキシトリカルボン酸類およびそれらの塩等が挙げられる。
【００１９】
アッシング後に残留するフォトレジスト残渣は、ドライエッチングを行う材料によって組成が異なる。銅配線上の層間絶縁膜などをドライエッチングした場合、アッシング後のビアホールの底面や側壁に存在するフォトレジスト残渣は、銅の酸化物を含有する。従って、フォトレジスト残渣を除去する成分として、脂肪族ポリカルボン酸が挙げられ、適切に選択する事により、溶解除去可能となる。また、アルミニウム配線をドライエッチングした場合、アッシング後の配線側壁や表面に存在するフォトレジスト残渣は、主にアルミニウムの酸化物を含有する。従って、フォトレジスト残渣を除去する成分として、脂肪族ポリカルボン酸が挙げられ、適切に選択する事により、溶解除去可能となる。
従って、脂肪族ポリカルボン酸類は、銅酸化物やアルミニウム酸化物の除去性に優れ、かつ銅配線、アルミニウム配線の腐食を最小限に抑制することができるため、本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物にフォトレジスト残渣を除去する成分として用い、中でも、シュウ酸が好ましい。
【００２０】
本発明においてフォトレジスト残渣除去液組成物に用いる還元性化合物とは、前記のとおり、グリオキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザールといったアルデヒド基を有する有機化合物、アスコルビン酸、グルコノヘプトン酸といった反応性多重結合を有する糖酸、アラビノース、ガラクトース、グルコース、グルコヘプトース、グルコヘプツロース、ソルボース、フルクトース、マンノース、ラクトースといった還元糖、カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体といった芳香族ヒドロキシ化合物、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オールといった反応性多重結合を有する有機化合物等であり、特に好ましい還元性化合物としては、例えば、グリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、マンノースが挙げられる。
【００２１】
本発明における脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣除去液組成物は、中和及び微生物による活性汚泥法で処理できる。また、フッ素化合物やリン化合物を含有しないため、廃液を分別回収して廃液業者に処理を委託する必要がなく、環境への負荷が小さいこと、廃液処理費用の低減可能であることという観点からも利点がある。
【００２２】
脂肪族ポリカルボン酸類の濃度はその除去対象によって、適宜決定されるが、除去能力および配線材料の腐食を考慮すると、好ましくは、０．０５〜１０ｗｔ％であり、特に好ましくは０．１〜５．０ｗｔ％である。
還元性化合物は、配線材料等に使用される金属の腐食を防止するために用いられるが、使用濃度は、フォトレジスト残渣除去性、配線材料及び層間絶縁膜材料に対するアタック性、経済性更に沈殿物及び結晶発生の有無の観点から決定され、好ましくは、０．００１〜１０ｗｔ％範囲であり、さらに好ましくは０．０１〜５ｗｔ％である。
本発明においてフォトレジスト残渣除去液組成物の使用温度は、材料に対する腐食性を考慮すると、低温で行うことが好ましく、２５〜４０℃が好ましい。
【００２３】
【実施例】
次に、本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物について、実施例および比較例によって、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
１）フォトレジスト残渣除去液評価試験１．（Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ）
シリコンウェハ上にＣｕ、層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）等を順次成膜し、層間絶縁膜上に塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行いビアホールを形成後、アッシングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣が生成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォトレジスト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣の除去性及びＣｕに対する腐食性、ｌｏｗ−ｋ膜へのアタックを確認した。その結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
0003787085.tif 000002
【００２５】
２）フォトレジスト残渣除去液評価試験２．（Ａｌ−Ｃｕ）
シリコンウェハ上にＡｌ−Ｃｕを成膜し、そのＡｌ−Ｃｕ上に塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッシングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣が生成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォトレジスト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃｕに対する腐食性を確認した。その結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
0003787085.tif 000003
【００２７】
３）フォトレジスト残渣除去液評価試験３．（ボーダーレスビア構造）
シリコンウェハ上に層間絶縁膜を成膜し、塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行った穴にＷを埋め込んだ。その後Ａｌ−Ｃｕを成膜し、塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッシングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣が生成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォトレジスト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃｕ、Ｗに対する腐食性を確認した。その結果を表３に示す。
【００２８】
【表３】
0003787085.tif 000004
【００２９】
以上の結果から、本フォトレジスト残渣除去液は、種々の層間絶縁膜材料や金属材料を用いた半導体回路素子の製造工程において、配線材料や層間絶縁膜材料へのアタックがなく、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去できることができた。
【００３０】
【発明の効果】
本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物を用いることにより、半導体回路素子の製造工程において、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去性に優れ、かつ配線材料の腐食や層間絶縁膜等に対してアタックがなく、フォトレジスト残渣の除去を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  水溶液中の銅（Ｃｕ）の状態を表すｐＨ−酸化還元電位図を示す。
【図１】
0003787085.tif 000005