(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リア型プロジェクションＴＶ用の液晶パネルの作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を添加し、第１の加熱処理により前記触媒元素が添加された領域から前記基板に対して平行に前記非晶質珪素膜の結晶化を行い、結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の加熱処理の後、前記第１の絶縁膜を除去し、
前記結晶性珪素膜をパターニングしＴＦＴの島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に第２の絶縁膜を成膜し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で第２の加熱処理を行い、前記島状半導体層の表面に熱酸化膜を形成することを特徴とするリア型プロジェクションＴＶ用の液晶パネルの作製方法。
【請求項２】
前記液晶パネルの画素ピッチは、３２μｍ以下である請求項１に記載のリア型プロジェクションＴＶ用の液晶パネルの作製方法。
【請求項３】
前記液晶パネルの１つの画素の面積は、１１００μｍ２以下である請求項１に記載のリア型プロジェクションＴＶ用の液晶パネルの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
【０００２】
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶プロジェクションＴＶに関する。特に、デジタル放送にも対応する高精細な液晶プロジェクションＴＶに関する。
【０００３】
【従来の技術】
【０００４】
近年、ＡＴＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  ＴＶ）への関心が高まってきている。これは、数年後に始まるデジタル放送に対応したものである。
【０００５】
１９９７年４月、米国連邦通信委員会（ＦＣＣ）は、デジタル地上波放送を１９９８年半ばから開始することを正式に発表した。
【０００６】
また数日後、米国マイクロソフト社、米国インテル社、米コンパック・コンピュータ社の３社が、共同でデジタル・テレビの普及を推進することを発表した。
【０００７】
上記３社は、デジタル地上波放送の標準規格として３つの画面フォーマットを提案している。この標準規格は、ＨＤ０、ＨＤ１、およびＨＤ２と呼ばれており、下記に示すような画素数を有する。
【０００８】
0003813334.tif 000002
【０００９】
上記の３つのフォーマットは、今後デジタル地上波放送の標準規格となることはぽぼ間違いなく、これらのフォーマットに対応した高精細ディスプレイの開発が進められている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記のようなフォーマット、特にＨＤ２（１９２０×１０８０画素）に対応したディスプレイを考えた場合、従来ディスプレイの代表としてよく用いられているＣＲＴでは、その奥行のために、かなり体積が大きくなってしまう。
【００１２】
そこで、近年注目を集めているフラットパネルディスプレイが、上記のデジタル地上波放送に対応したディスプレイとして関心を集めてきた。
【００１３】
従来、フラットパネルディスプレイとして用いられているものには、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＰＡＬＣ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、直視型ＴＦＴ液晶等が挙げられる。
【００１４】
まず、ＰＤＰあるいはＰＡＬＣを上記ＨＤ２フォーマットに対応させた場合を考えてみる。ＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製する技術は、現在のところ画素ピッチ０．５ｍｍが最高精細である。ここで画素ピッチとは、複数の同じサイズの画素が配列していると考えて、画素の縦あるいは横の長さを言うものとする。画素の縦と横の長さが同じであるとすると、画素ピッチ０．５ｍｍで、上記ＨＤ２フォーマットに対応したＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製すると、横９６０ｍｍ、縦５４０ｍｍ、対角約４３インチのＰＤＰあるいはＰＡＬＣとなり、個人個人が楽しむためのディスプレイとしては、大きすぎる。また、ディスプレイの大きさに対する視聴距離を考慮に入れると、画素ピッチ０．５ｍｍでは画像が粗すぎて、高精細な映像を十分に楽しむ事が出来ない。
【００１５】
高精細な映像を個人個人が楽しむ為のディスプレイとしては、対角２５〜３５インチ程度が適当である。ＰＤＰあるいはＰＡＬＣの場合、ＨＤ２フォーマットに対応する対角２５〜３５インチ程度の製品を作製する為には、画素ピッチを０．２８〜０．４ｍｍとする必要がある。このようなＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製することは、現在の技術では不可能であり、生産工場のフォトラインの再構築が要求される。
【００１６】
工場のフォトラインの再構成には莫大な費用と時間がかかり、現実的ではない。よって、ＨＤ２フォーマットに対応したＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製することは難しいと考えられる。
【００１７】
次に、直視型のＴＦＴ液晶パネルを例にとってみる。ＨＤ２フォーマットに対応する直視型のＴＦＴ液晶パネルを対角２５〜３５インチで作製することは可能ではあるが、その歩留まりの低さを考慮すると、コスト的に釣り合いが取れないことが理解される。
【００１８】
よって、数年後に迫っているデジタル地上波放送に対応したディスプレイを、フラットパネルディスプレイで実現することは困難である。
【００１９】
そこで、本発明は上述した問題を鑑みてなされたものであり、デジタル地上波放送のフォーマットにも対応した、個人が楽しむ為の大きさとしては十分である対角２５〜３５インチの高精細かつコンパクトなディスプレイを低価格で提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明のある実施形態によると、
本体と、
スクリーンと、
光源と、
前記光源からの光を入射し、前記光に映像情報を与える光学モジュールと、
映像情報が与えられた前記光をスクリーンに照射する光学手段と、
を少なくとも備えた高精細リア型プロジェクションＴＶであって、
前記モジュールは、複数の画素を備えており、
前記スクリーンに照射される画素のピッチは、０．５ｍｍよりも小さい高精細リア型プロジェクションＴＶが提供される。このことによって上記目的が達成される。
【００２２】
前記光学モジュールは、液晶パネルであってもよい。
【００２３】
前記スクリーンのサイズは、２５〜３５インチであってもよい。
【００２４】
前記液晶パネルは、水平方向の画素数が１９２０であり、かつ垂直方向の画素数が１０８０であってもよい。
【００２５】
前記スクリーンに照射される画素のピッチは、０．３４ｍｍ以下であってもよい。
【００２６】
前記液晶パネルの画素ピッチは、３２μｍ以下であってもよい。
【００２７】
前記スクリーンの角度を変更することができる機構を更に備えていてもよい。
【００２８】
角度調節機能付き台を更に備えていてもよい。
【００２９】
また、本発明のある実施形態によると、
本体と、
スクリーンと、
光源と、
前記光源からの光を入射し、前記光に映像情報を与える光学モジュールと、
映像情報が与えられた前記光をスクリーンに照射する光学手段と、
を少なくとも備えた高精細リア型プロジェクションＴＶであって、
前記モジュールは、複数の画素を備えており、
前記スクリーンに照射される画素の面積は、０．２５ｍｍ2 以下である高精細リア型プロジェクションＴＶが提供される。このことによって上記目的が達成される。
【００３０】
前記光学モジュールは、液晶パネルであってもよい。
【００３１】
前記液晶パネルの画素の面積は、１１００μｍ2以下であってもよい。
【００３２】
以下に述べる実施例をもって、本発明の高精細リア型プロジェクションＴＶの詳細について説明する。
【００３３】
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
【００３５】
本実施例では、高性能なＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を備えた高精細なリア型プロジェクションＴＶについて説明する。なお、本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、光源からの光に画像情報を与える光学モジュールとして、１９２０×１０８０（水平方向の画素数×垂直方向の画素数）の画素を有する液晶パネルを３枚用いた。
【００３６】
図１を参照する。図１は、本実施例のリア型プロジェクションＴＶに用いられる液晶パネルのアクティブマトリクス基板側の上面図である。
【００３７】
１００は基板である。１０１は画素マトリクス回路であり、対角２．６インチのスペースに配置された１９２０×１０８０（水平方向の画素数×垂直方向の画素数）の画素１０７によって構成されている。なお、各画素１０７は、それぞれＴＦＴを備えている。また、画素マトリクス回路には上記の画素ＴＦＴの他に、表示に関与しないダミーのＴＦＴも幾つか配置されている。
【００３８】
画素マトリクス回路１０１の一部を拡大した図が矢印によって示されている。画素１０７に注目すると、本実施例の画素サイズは３２μｍ×３２μｍであることが理解される。よって本実施例の液晶パネルの画素ピッチは、３２μｍである。
【００３９】
なお、本実施例では、画素の面積は１０２４μｍ2であるが、約１１００μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
また、本実施例では、画素の形状は正方形としたが、長方形とすることも可能である。
【００４１】
１０２および１０３はソース側ドライバ回路であり、１０４はゲイト側ドライバ回路である。ゲイト側ドライバ回路１０４からの走査信号と、ソース側ドライバ回路１０２、１０３からの階調電圧信号とによって、画素マトリクス回路１０１の対応するＴＦＴがスイッチングされる。なお、ソース側ドライバ回路１０２は画素マトリクス回路１０１の奇数列のＴＦＴに、かつソース側ドライバ回路１０３は画素マトリクス回路１０１の偶数列のＴＦＴに階調電圧信号を供給する。なお、本実施例のドライバ回路は、８ビットのデジタルドライバ回路である。
【００４２】
１０５および１０６はロジック回路であり、パルスジェネレータ、分割回路、補正回路、ＬＣＤコントローラ、メモリ等のドライバ回路以外の論理回路が含まれる。
【００４３】
なお基板１００には、この他に、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等が設けられる。
【００４４】
このアクティブマトリクス基板と、透明電極を備えた対向基板（図示せず）とをシール剤（図示せず）を介して貼り合せ、液晶（図示せず）を注入し、封止剤（図示せず）でもって液晶注入口を封止する。このようにして完成したものが液晶パネルである。
【００４５】
次に、本実施例の液晶パネルを組み込んだ３板式リア型プロジェクションＴＶについて説明する。
【００４６】
図２を参照する。図２には、本実施例の３板式リア型プロジェクションＴＶの光学エンジン２００の概略構成図が示されている。２０１は光源であり、白色光を供給する。２０２および２０３はダイクロイックミラーであり、それぞれある波長領域の光を反射し、残りの光を透過させる。本実施例では、ダイクロイックミラー２０２は赤の波長領域の光を反射し、ダイクロイックミラー２０３は青の波長領域の光を反射する。なお本実施例では、それぞれ赤、青の波長領域の光を反射するような２つのダイクロイックミラー２０２、２０３を用いたが、本発明はこれに限定される分けではない。赤、青、あるいは緑の波長領域の光を反射するダイクロイックミラーをいずれか２枚組み合わせることによって、本発明のリア型プロジェクションＴＶの光学エンジンが構成され得る。
【００４７】
２０４、２０５、および２０６は全反射ミラーである。２０７、２０８、および２０９は透過型液晶パネルであり、後述するが、駆動回路が基板上に一体形成されている。透過型液晶パネ２０７には赤の光が入射し、透過型液晶パネル２０８には青の光が入射し、透過型液晶パネル２０９には緑の光が入射する。２１０はダイクロイックプリズムであり、３枚の透過型液晶パネルからの映像情報を合成し、投射レンズ２１１に供給する。
【００４８】
上記の構成を有する光学エンジン２００が、リア型プロジェクションＴＶに組み込まれる。図３（Ａ）および（Ｂ）には、上記の光学エンジン２００が組み込まれたリア型液晶プロジェクションＴＶの側面図および斜視図が示されている。
【００４９】
３０１はリア型プロジェクションＴＶ本体である。３０２はリフレクターであり、光学エンジン２００から照射される映像をスクリーン３０３に向かって反射させるミラーの役割を果たしている。
【００５０】
本実施例のリア型プロジェクションＴＶの奥行きは、図３（Ａ）に示されているように約２０ｃｍである。なお、この奥行きは、光学エンジンの投射レンズ、その他の光学系の設計を変更することによって変えることができる。よって、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの奥行きは、これに限定されることはないが、コンパクト化を実現するためには出来る限り小さい方が好ましい。
【００５１】
図３（Ｂ）は、リア型プロジェクションＴＶの斜視図である。本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、スクリーン（あるいはスクリーンに映し出される映像）のサイズは、対角３０インチである。
【００５２】
図４には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの前面図が示されており、スクリーンの一部を拡大した図が示されている。
【００５３】
図４において、スクリーンの一部を拡大した図に注目すると、スクリーン上に映し出される画素のサイズは、本実施例では約０．３４ｍｍ×約０．３４ｍｍである。よって、スクリーン上に映し出される画素のピッチは、０．３４ｍｍである。また、スクリーン上に映し出される画素の面積は、０．１１５６ｍｍ2である。
【００５４】
また、スクリーン上に映し出される画素のピッチは、０．５ｍｍよりも小さいことが好ましい。また、スクリーン上に映し出される画素の面積は、０．２５ｍｍ2 以下であることが好ましい。
【００５５】
また、本実施例のリア型プロジェクションＴＶのスクリーンのサイズは、１６：９（横：縦）となっているが、これに限定されるわけではない。たとえば、４：３などのサイズのスクリーンを用いることができる。これに応じて液晶パネルの画素のサイズを変更することが必要となる。
【００５６】
図５には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの下部に角度調節機能付きの台５０１付けた例を示す。なお、図５（Ｂ）〜（Ｄ）には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶをパーソナルコンピュータなどのコントロールシステム５０２の上に置いた場合を示している。
【００５７】
本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、その奥行きが約２０ｃｍなので、角度調節機能付きの台５０１によって前後に±θ1だけ傾斜させることができる（図５（Ｂ））。また図５（Ｂ）に示されるように、このθ1は、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの後部が後ろに出っ張らない角度範囲であることが好ましい。こうすることによって、上下の視野角を補償することができる。
【００５８】
また、角度調節機能付きの台５０１によって、リア型プロジェクションＴＶを正面から左右に回転させることができるので、本体３０１を見やすい位置に自由に回転させることもできる。
【００５９】
また、図５（Ｃ）には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶのスクリーン３０３の角度がθ2 だけ変更できる様子が示されている。スクリーン３０３の上下方向の角度を変更することによって上記図５（Ｂ）と同等の効果を得ることができる。
【００６０】
また、図５（Ｄ）には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの上面図が示されている。図５（Ｄ）に示されうように、スクリーン３０３の左右方向の角度もθ3 だけ変更することができる。
【００６１】
但し、スクリーン３０３の角度を変更する場合は、それに伴いリフレクターの位置、光学系の位置、あるいは光学エンジンの位置などを変更する必要がある。よって、スクリーン３０３の角度を変更する際には同時に、これらの部品も適切な位置に変更されなければならない。よって、これらの位置を同時に変更できるような機構を備えている。
【００６２】
次に、本実施例のリア型プロジェクションＴＶの光学エンジンに搭載されている液晶パネルの作製工程について説明する。
【００６３】
本実施例では絶縁表面を有する基板上に複数のＴＦＴを形成し、画素マトリクス回路、駆動回路、およびロジック回路等をモノリシックに構成する例を図６〜図９に示す。なお、本実施例では、画素マトリクス回路の１つの画素と、他の回路（駆動回路、ロジック回路等）の基本回路であるＣＭＯＳ回路とが同時に形成される様子を示す。また、本実施例では、Ｐチャンネル型ＴＦＴとＮチャンネル型ＴＦＴとがそれぞれ１つのゲイト電極を備えている場合について、その作製工程を説明するが、ダブルゲイト型のような複数のゲイト電極を備えたＴＦＴによるＣＭＯＳ回路も同様に作製することができる。
【００６４】
図６を参照する。まず、絶縁表面を有する基板として石英基板６０１を準備する。石英基板の代わりに熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いることもできる。また、石英基板上に一旦非晶質珪素膜を形成し、それを完全に熱酸化して絶縁膜とする様な方法をとっても良い。さらに、絶縁膜として窒化珪素膜を形成した石英基板、セラミックス基板またはシリコン基板を用いても良い。
【００６５】
６０２は非晶質珪素膜であり、最終的な膜厚（熱酸化後の膜減りを考慮した膜厚）が１０〜７５ｎｍ（好ましくは１５〜４５ｎｍ）となる様に調節する。なお、成膜に際して膜中の不純物濃度の管理を徹底的に行うことは重要である。
【００６６】
なお、非晶質珪素膜の成膜に際して膜中の不純物濃度の管理を徹底的に行うことが重要である。本実施例の場合、非晶質珪素膜６０２中では結晶化を阻害する不純物であるＣ（炭素）およびＮ（窒素）の濃度はいずれも５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（代表的には５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは２
×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下）、Ｏ（酸素）は１．５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（代表的には１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは５×１
０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下）となる様に管理する。なぜならば各不純物がこれ以上の濃度で存在すると、後の結晶化の際に悪影響を及ぼし、結晶化後の膜質を低下させる原因となるからである。本明細書中において膜中の上記の不純物元素濃度は、ＳＩＭＳ（質量２次イオン分析）の測定結果における最小値で定義される。
【００６７】
上記構成を得るため、本実施例で用いる減圧熱ＣＶＤ炉は定期的にドライクリーニングを行い、成膜室の清浄化を図っておくことが望ましい。ドライクリーニングは、２００〜４００℃程度に加熱した炉内に１００〜３００ｓｃｃｍのＣｌＦ3 （フッ化塩素）ガスを流し、熱分解によって生成したフッ素によって成膜室のクリーニングを行えば良い。
【００６８】
なお、本出願人の知見によれば炉内温度３００℃とし、ＣｌＦ3 （フッ化塩素）ガスの流量を３００ｓｃｃｍとした場合、約２μｍ厚の付着物（主に珪素を主成分する）を４時間で完全に除去することができる。
【００６９】
また、非晶質珪素膜６０２中の水素濃度も非常に重要なパラメータであり、水素含有量を低く抑えた方が結晶性の良い膜が得られる様である。そのため、非晶質珪素膜６０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法であることが好ましい。なお、成膜条件を最適化することでプラズマＣＶＤ法を用いることも可能である。
【００７０】
次に、非晶質珪素膜６０２の結晶化工程を行う。結晶化の手段としては特開平７−１３０６５２号公報記載の技術を用いる。同公報の実施例１および実施例２のどちらの手段でも良いが、本実施例では、同広報の実施例２に記載した技術内容（特開平８−７８３２９号公報に詳しい）を利用するのが好ましい。
【００７１】
特開平８−７８３２９号公報記載の技術は、まず触媒元素の添加領域を選択するマスク絶縁膜６０３を形成する。マスク絶縁膜６０３は触媒元素を添加するために複数箇所の開口部を有している。この開口部の位置によって結晶領域の位置を決定することができる。
【００７２】
そして、非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素としてニッケル（Ｎｉ）を含有した溶液をスピンコート法により塗布し、Ｎｉ含有層６０４を形成する。なお、触媒元素としてはニッケル以外にも、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を用いることができる（図６（Ａ））。
【００７３】
また、上記触媒元素の添加工程は、レジストマスクを利用したイオン注入法またはプラズマドーピング法を用いることもできる。この場合、添加領域の占有面積の低減、横成長領域の成長距離の制御が容易となるので、微細化した回路を構成する際に有効な技術となる。
【００７４】
次に、触媒元素の添加工程が終了したら、４５０℃で１時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、水素雰囲気または酸素雰囲気中において５００〜７００℃（代表的には５５０〜６５０℃）の温度で４〜２４時間の加熱処理を加えて非晶質珪素膜６０２の結晶化を行う。本実施例では窒素雰囲気で５７０℃で１４時間の加熱処理を行う。
【００７５】
この時、非晶質珪素膜６０２の結晶化はニッケルを添加した領域６０５および６０６で発生した核から優先的に進行し、基板６０１の基板面に対してほぼ平行に成長した結晶領域６０７および６０８が形成される。この結晶領域６０７および６０８を横成長領域と呼ぶ。横成長領域は比較的揃った状態で個々の結晶が集合しているため、全体的な結晶性に優れるという利点がある（図６（Ｂ））。
【００７６】
なお、上述の特開平７−１３０６５２号公報の実施例１に記載された技術を用いた場合も微視的には横成長領域と呼びうる領域が形成されている。しかしながら、核発生が面内において不均一に起こるので結晶粒界の制御性の面で難がある。
【００７７】
結晶化のための加熱処理が終了したら、マスク絶縁膜６０３を除去してパターニングを行い、横成長領域６０７および６０８でなる島状半導体層（活性層）６０９、６１０、および６１１を形成する（図６（Ｃ））。
【００７８】
ここで６０９はＣＭＯＳ回路を構成するＮ型ＴＦＴの活性層、６１０はＣＭＯＳ回路を構成するＰ型ＴＦＴの活性層、６１１は画素マトリクス回路を構成するＮ型ＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層である。
【００７９】
活性層６０９、６１０、および６１１を形成したら、その上に珪素を含む絶縁膜でなるゲイト絶縁膜６１２を成膜する（図６（Ｃ））。
【００８０】
そして、次に図６（Ｄ）に示す様に触媒元素（ニッケル）を除去または低減するための加熱処理（触媒元素のゲッタリングプロセス）を行う。この加熱処理は処理雰囲気中にハロゲン元素を含ませ、ハロゲン元素による金属元素のゲッタリング効果を利用するものである。
【００８１】
なお、ハロゲン元素によるゲッタリング効果を十分に得るためには、上記加熱処理を７００℃を超える温度で行なうことが好ましい。この温度以下では処理雰囲気中のハロゲン化合物の分解が困難となり、ゲッタリング効果が得られなくなる恐れがある。
【００８２】
そのため本実施例ではこの加熱処理を７００℃を超える温度で行い、好ましくは８００〜１０００℃（代表的には９５０℃）とし、処理時間は０．１〜６ｈｒ、代表的には０．５〜１ｈｒとする。
【００８３】
なお、本実施例では酸素雰囲気中に対して塩化水素（ＨＣｌ）を０．５〜１０体積％（本実施例では３体積％）の濃度で含有させた雰囲気中において、９５０℃で、３０分の加熱処理を行う例を示す。ＨＣｌ濃度を上記濃度以上とすると、活性層６０９、６１０、および６１１の表面に膜厚程度の凹凸が生じてしまうため好ましくない。
【００８４】
また、ハロゲン元素を含む化合物してＨＣｌガスを用いる例を示したが、それ以外のガスとして、代表的にはＨＦ、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＣｌＦ3、ＢＣ
ｌ2、Ｆ2、Ｂｒ2等のハロゲンを含む化合物から選ばれた一種または複数種の
ものを用いることが出来る。
【００８５】
この工程においては活性層６０９、６１０、および６１１中のニッケルが塩素の作用によりゲッタリングされ、揮発性の塩化ニッケルとなって大気中へ離脱して除去されると考えられる。そして、この工程により活性層６０９、６１０、および６１１中のニッケルの濃度は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下にまで低減される。
【００８６】
なお、５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3という値はＳＩＭＳ（質量二次イオン分析）の検出下限である。本出願人が試作したＴＦＴを解析した結果、１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（好ましくは５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下）では
ＴＦＴ特性に対するニッケルの影響は確認されなかった。ただし、本明細書中における不純物濃度は、ＳＩＭＳ分析の測定結果の最小値でもって定義される。
【００８７】
また、上記加熱処理により活性層６０９、６１０、および６１１とゲイト絶縁膜６１２との界面では熱酸化反応が進行し、熱酸化膜の分だけゲイト絶縁膜６１２の膜厚は増加する。この様にして熱酸化膜を形成すると、非常に界面準位の少ない半導体／絶縁膜界面を得ることができる。また、活性層端部における熱酸化膜の形成不良（エッジシニング）を防ぐ効果もある。
【００８８】
また、触媒元素のゲッタリングプロセスを、マスク絶縁膜６０３を除去した後、活性層をパターンニングする前に行なってもよい。また、触媒元素のゲッタリングプロセスを、活性層をパターンニングした後に行なってもよい。また、いずれのゲッタリングプロセスを組み合わせて行なってもよい。
【００８９】
さらに、上記ハロゲン雰囲気における加熱処理を施した後に、窒素雰囲気中で９５０℃で１時間程度の加熱処理を行なうことで、ゲイト絶縁膜６１２の膜質の向上を図ることも有効である。
【００９０】
なお、ＳＩＭＳ分析により活性層６０９、６１０、および６１１中にはゲッタリング処理に使用したハロゲン元素が、１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で残存することも確認されている。また、その際、活性層６０９、６１０、および６１１と加熱処理によって形成される熱酸化膜との間に前述のハロゲン元素が高濃度に分布することがＳＩＭＳ分析によって確かめられている。
【００９１】
また、他の元素についてもＳＩＭＳ分析を行った結果、代表的な不純物であるＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）はいずれも５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（典型的には１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下）であること
が確認された。
【００９２】
次に、図示しないアルミニウムを主成分とする金属膜を成膜し、パターニングによって後のゲイト電極の原型６１３、６１４、および６１５を形成する。本実施例では２ｗｔ％のスカンジウムを含有したアルミニウム膜を用いる（図７（Ａ））。
【００９３】
次に、特開平７−１３５３１８号公報記載の技術により多孔性の陽極酸化膜６１６、６１７、および６１８、無孔性の陽極酸化膜６１９、６２０、および６２１、ゲイト電極６２２、６２３、および６２４を形成する（図７（Ｂ））。
【００９４】
こうして図７（Ｂ）の状態が得られたら、次にゲイト電極６２２、６２３、および６２４、多孔性の陽極酸化膜６１６、６１７、および６１８をマスクとしてゲイト絶縁膜６１２をエッチングする。そして、多孔性の陽極酸化膜６１６、６１７、および６１８を除去して図７（Ｃ）の状態を得る。なお、図７（Ｃ）において６２５、６２６、および６２７で示されるのは加工後のゲイト絶縁膜である。
【００９５】
次に、一導電性を付与する不純物元素の添加工程を行う。不純物元素としてはＮ型ならばＰ（リン）またはＡｓ（砒素）、Ｐ型ならばＢ（ボロン）またはＧａ（ガリウム）を用いれば良い。
【００９６】
本実施例では、不純物添加を２回の工程に分けて行う。まず、１回目の不純物添加（本実施例ではＰ（リン）を用いる）を高加速電圧８０ｋｅＶ程度で行い、ｎ-領域を形成する。このｎ-領域は、Ｐイオン濃度が１×１０18ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3〜１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるように調節する。
【００９７】
さらに、２回目の不純物添加を低加速電圧１０ｋeＶ程度で行い、ｎ+領域を
形成する。この時は、加速電圧が低いので、ゲイト絶縁膜がマスクとして機能する。また、このｎ+領域は、シート抵抗が５００Ω以下（好ましくは３００Ω以下）となるように調節する。
【００９８】
以上の工程を経て、ＣＭＯＳ回路を構成するＮ型ＴＦＴのソース領域６２８、ドレイン領域６２９、低濃度不純物領域６３０、チャネル形成領域６３１が形成される。また、画素ＴＦＴを構成するＮ型ＴＦＴのソース領域６３２、ドレイン領域６３３、低濃度不純物領域６３４、チャネル形成領域６３５が確定する（図７（Ｄ））。
【００９９】
なお、図７（Ｄ）に示す状態ではＣＭＯＳ回路を構成するＰ型ＴＦＴの活性層もＮ型ＴＦＴの活性層と同じ構成となっている。
【０１００】
次に、図８（Ａ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴを覆ってレジストマスク６３６を設け、Ｐ型を付与する不純物イオン（本実施例ではボロンを用いる）の添加を行う。
【０１０１】
この工程も前述の不純物添加工程と同様に２回に分けて行うが、Ｎ型をＰ型に反転させる必要があるため、前述のＰイオンの添加濃度の数倍程度の濃度のＢ（ボロン）イオンを添加する。
【０１０２】
こうしてＣＭＯＳ回路を構成するＰ型ＴＦＴのソース領域６３７、ドレイン領域６３８、低濃度不純物領域６３９、チャネル形成領域６４０が形成される（図８（Ａ））。
【０１０３】
以上の様にして活性層が完成したら、ファーネスアニール、レーザーアニール、ランプアニール等の組み合わせによって不純物イオンの活性化を行う。それと同時に添加工程で受けた活性層の損傷も修復される。
【０１０４】
次に、層間絶縁膜６４１として酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜を形成し、コンタクトホールを形成した後、ソース電極６４２、６４３、および６４４、ドレイン電極６４５、６４６を形成して図８（Ｂ）に示す状態を得る。なお、層間絶縁膜６４１として有機性樹脂膜を用いることもできる。
【０１０５】
図８（Ｂ）に示す状態が得られたら、有機性樹脂膜からなる第１の層間絶縁膜６４７を０．５〜３μｍの厚さに形成する。有機性樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等が用いられる。有機性樹脂膜の利点は、成膜方法が簡単である点、容易に膜厚を厚くできる点、比誘電率が低いので寄生容量を低減できる点、平坦性に優れている点などが挙げられる。
【０１０６】
次に、第１の層間絶縁膜６４７上に遮光性を有する膜でなるブラックマスク６４８を１００ｎｍの厚さに形成する。なお、本実施例では、ブラックマスク６４８としてチタン膜を用いるが、黒色顔料を含む樹脂膜等を用いることもできる。
【０１０７】
ブラックマスク６４８を形成したら、第２の層間絶縁膜６４９として酸化珪素膜、窒化珪素膜、有機性樹脂膜のいずれかまたはそれらの積層膜を０．１〜０．３μｍの厚さに形成する。そして層間絶縁膜６４７および層間絶縁膜６４９にコンタクトホールを形成し、画素電極６５０を１２０ｎｍの厚さに形成する。本実施例の構成によると、ブラックマスク６４８と画素電極６５０とが重畳する領域で補助容量が形成されている（図８（Ｃ））。なお、本実施例は透過型の液晶パネルの例であるため画素電極６５０を構成する導電膜としてＩＴＯ等の透明導電膜を用いる。
【０１０８】
次に、基板全体を３５０℃の水素雰囲気で１〜２時間加熱し、素子全体の水素化を行うことで膜中（特に活性層中）のダングリングボンド（不対結合手）を補償する。以上の工程を経て同一基板上にＣＭＯＳ回路および画素マトリクス回路を作製することができる。
【０１０９】
次に、図９に示すように、上記の工程によって作製されたアクティブマトリクス基板をもとに、液晶パネルを作製する工程を説明する。
【０１１０】
図８（Ｃ）の状態のアクティブマトリクス基板に配向膜６５１を形成する。本実施例では、配向膜６５１には、ポリイミドを用いた。次に、対向基板を用意する。対向基板は、ガラス基板６５２、透明導電膜６５３、配向膜６５４とで構成される。
【０１１１】
なお、本実施例では、配向膜には、液晶分子が基板に対して平行に配向するようなポリイミド膜を用いた。なお、配向膜形成後、ラビング処理を施すことにより、液晶分子がある一定のプレチルト角を持って平行配向するようにした。
【０１１２】
次に、上記の工程を経たアクティブマトリクス基板と対向基板とを公知のセル組み工程によって、シール材やスペーサ（共に図示せず）などを介して貼り合わせる。その後、両基板の間に液晶材料６５５を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。よって、図９に示すような透過型の液晶パネルが完成する。
【０１１３】
なお本実施例では、液晶パネルがＴＮ（ツイストネマチック）モードによって表示を行うようにした。そのため、１対の偏光板（図示せず）がクロスニコル（１対の偏光板が、それぞれの偏光軸を直交させるような状態）で、液晶パネルを挟持するように配置された。
【０１１４】
よって、本実施例では、液晶パネルに電圧が印加されていないとき白表示となる、いわゆるノーマリホワイトモードで表示を行うことが理解される。
【０１１５】
なお、本実施例の液晶パネルは、ＦＰＣを取り付ける端面のみアクティブマトリクス基板が外部に出ており、残りの３つの端面は揃っている。
【０１１６】
上記の工程を経て作製された液晶パネルが、光学エンジンに搭載され、リア型プロジェクションＴＶに組み込まれる。
【０１１７】
なお、本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、搭載される液晶パネルの画素ピッチを３２μｍとし、スクリーンサイズを３０インチとしたため、スクリーン上に映し出される画素のピッチは０．３４ｍｍとなった。しかし、スクリーンサイズは３０インチに限定されることはなく、２５〜３５インチのサイズをとることができる。スクリーンのサイズが２５〜３５インチとなっても、光学系を変更することによって、液晶パネルの画素ピッチのデザインを変更することなく対応できる。
【０１１８】
また、液晶パネルの画素ピッチを３２μｍより大きく、あるいは３２μｍより小さくした場合でも、光学系を変更することによって上記のような様々なスクリーンサイズに適応させることができる。
【０１１９】
また、本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、１９２０×１０８０画素よりも更に高精細とすることも可能である。例えば、２０４８×２０４８画素などの更に高精細なリア型プロジェクションＴＶとすることもできる。また、本実施例の解像度よりも低くすることも可能である。
【０１２０】
次に、本実施例に従って作製した液晶パネルのＴＦＴの電気特性を調べた結果について以下に述べる。測定は市販の装置（ヒューレットパッカード社製：型番４１４５Ｂ）を用いて行なった。
【０１２１】
図１４を参照する。図１４には、本実施例に従って作製したＴＦＴを積極的に加熱し、その状態で繰り返し測定による劣化加速試験を行なった時の結果が示されている。
【０１２２】
図１４（Ａ）には、ＴＦＴのＬ／Ｗ（チャネル長／チャネル幅）が、６．６μｍ／２μｍのトリプルゲイト型ＴＦＴを室温で測定した結果であり、図１４（Ｂ）は、同じトリプルゲイト型ＴＦＴを１２５℃に加熱して調べた結果である。
【０１２３】
図１４（Ａ）に示すように、室温で劣化加速試験を行なった場合、イニシャル状態のＩｄ−Ｖｇ特性（ドレイン電流−ゲイト電圧特性）１４０１（実線）と劣化加速試験のＩｄ−Ｖｇ特性１４０２（点線）とでは変化が見られないが、イニシャル状態のモビリティ１４０３（実線）に対して劣化加速試験のモビリティ１４０４（点線）は、最大値で２０％近くも劣化している。
【０１２４】
一方、図１４（Ｂ）に示すように、１２５℃で加熱した状態で劣化加速試験を行なった場合、イニシャル状態のＩｄ−Ｖｇ特性１４０５（実線）および劣化加速試験後のＩｄ−Ｖｇ特性１４０６（点線）には、ほとんど変化が見られず、イニシャル状態のモビリティ１４０７（実線）と劣化加速試験後のモビリティ１４０８（点線）との間にも大きな変化は見られなかった。
【０１２５】
以上の結果から、本発明の液晶パネルに使用されるＴＦＴは、熱を加えることで劣化しにくくなる性質を持つことが確認された。この効果は、８０℃以上で顕著になり、２５０℃程度まで確認されている。本出願人の実験では、１００℃〜２００℃の温度範囲内で安定な効果が得られている。
【０１２６】
上述した、熱によりＴＦＴの劣化を防ぐことができる、あるいは抑制することができるという効果は、本願発明で利用するＴＦＴに特有のものである。本出願人がいわゆる低温ポリシリコンに対して上記と同様の測定を行なった結果、加熱によりしきい値電圧（Ｖｔｈ）が大きくシフトしてしまい、特性の顕著な劣化が見られた。
【０１２７】
なお、低温ポリシリコンとしてニッケルのような触媒元素を使用して結晶化させたものと、触媒元素を使用せずレーザーアニール飲みで結晶化させたものとを調べたが、いずれの場合も結果は同じであり、特性の顕著な劣化が見られた。
【０１２８】
上述した測定結果からもわかるように本発明に用いられるＴＦＴは、加熱による特性の劣化防止あるいは抑制に優れている。よって、本実施例のプロジェクションＴＶに組み込まれる、強い光源にさらされる液晶パネルにこのようなＴＦＴを用いることは、その優れた特性を十分に活用できると考えられる。
【０１２９】
（実施例２）
【０１３０】
本実施例では、上記実施例１において光学エンジンに搭載された液晶パネルのデザインルールを変更した場合の例について説明する。
【０１３１】
図１０を参照する。図１０には、本実施例の液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面図が示される。
【０１３２】
１０００は基板である。１００１は画素マトリクス回路であり、対角１．８インチのスペースに配置された１９２０×１０８０（水平方向の画素数×垂直方向の画素数）の画素１００６によって構成されている。なお、各画素１００６は、実施例１と同様に、それぞれＴＦＴを備えている。また、画素マトリクス回路には上記の画素ＴＦＴの他に、表示に関与しないダミーのＴＦＴも幾つか配置されている。
【０１３３】
画素マトリクス回路１００１の一部を拡大した図が矢印によって示されている。画素１００６に注目すると、本実施例の画素サイズは２２μｍ×２２μｍであることが理解される。よって本実施例の液晶パネルの画素ピッチは、２２μｍである。また、画素の面積は、４８４μｍ2である。
【０１３４】
また、本実施例では、画素の形状は正方形としたが、長方形とすることも可能である。
【０１３５】
１０２および１０３はソース側ドライバ回路であり、１０４はゲイト側ドライバ回路である。なお、本実施例のドライバ回路は、８ビットのデジタルドライバ回路である。
【０１３６】
図１１には、本実施例の液晶パネルを搭載した光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶの前面図が示される。
【０１３７】
本実施例のリア型液晶プロジェクションＴＶは、スクリーン（あるいはスクリーンに映し出される映像）のサイズは、対角２５インチである。
【０１３８】
図１１には、スクリーンの一部を拡大した図が示されている。図１１において、スクリーンの一部を拡大した図に注目すると、スクリーン上に映し出される画素のサイズは、本実施例では約０．２８ｍｍ×約０．２８ｍｍである。よって、スクリーン上に映し出される画素ピッチは、０．２８ｍｍである。また、スクリーン上に映し出される画素の面積は、０．０７８４ｍｍ2である。
【０１３９】
本実施例の液晶パネルは、実施例１で述べた製造方法によって作製され得る。また、本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、実施例１で述べたような角度調節機能付き台あるいは／およびスクリーン角度調節機構を追加することによって、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【０１４０】
なお、本実施例のリア型プロジェクションＴＶは、搭載される液晶パネルの画素ピッチを２２μｍとし、スクリーンサイズを２５インチとしたため、スクリーン上に映し出される画素のピッチは０．２８ｍｍとなった。しかし、スクリーンサイズは３０インチに限定されることはなく、２５〜３５インチのサイズをとることができる。スクリーンのサイズが２５〜３５インチとなっても、光学系を変更することによって、液晶パネルの画素ピッチのデザインを変更することなく対応できる。
【０１４１】
また、液晶パネルの画素ピッチを２２μｍより大きく、あるいは２２μｍより小さくした場合でも、光学系を変更することによって上記のような様々なスクリーンサイズに適応させることができる。
【０１４２】
なお、本実施例では反射型の液晶パネルを搭載した光学エンジンの一例を示したものにすぎず、他の光学系を用いて光学エンジンを構成することも可能である。
【０１４３】
また、本実施例のリア型プロジェクションＴＶのスクリーンのサイズは、１６：９（横：縦）となっているが、これに限定されるわけではない。たとえば、４：３などのサイズのスクリーンを用いることができる。これに応じて液晶パネルの画素のサイズを変更することが必要となる。
【０１４４】
（実施例３）
【０１４５】
本実施例では、上記実施例１あるいは２で用いられた透過型液晶パネルを、反射型の液晶パネルとした。また、液晶パネルの画素ピッチは実施例１あるいは２に従う。実施例１あるいは２と異なる点は、アクティブマトリクス基板側の画素電極に、反射電極が用いられることである。また、光学エンジンの光学系にも変更を要する。なお、反射電極には、アルミニウム（Ａｌ）、Ｔｉ（チタン）、あるいはこれらの合金などが用いられ得る。
【０１４６】
図１２を参照する。図１２には、本実施例のリア型プロジェクションＴＶに組み込まれる光学エンジン１２００の構成図が示されている。
【０１４７】
１２０１は白色光源、１２０２、１２０３はダイクロイックミラー、１２０４は全反射ミラー、１２０５〜１２０７は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、１２０８〜１２１０はそれぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応する反射型液晶パネル、１２１１はダイクロイックプリズム、１２１２は投射レンズである。
【０１４８】
白色光源１２０１から発した強光は、ダイクロイックミラー１２０２で赤の波長領域の光のみを透過し、緑および青の波長領域の光を反射する。さらに、ダイクロイックミラー１２０３では、緑の波長領域の光のみが反射される。
【０１４９】
ダイクロイックミラー１２０２を透過した赤の波長領域の光は、全反射ミラー１２０４で反射され、偏光ビームスプリッタ１２０６へ入射する、また、緑の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１２０５へ入射し、赤の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１２０７に入射する。
【０１５０】
偏光ビームスプリッタ１２０５〜７は、入射光をＰ偏光とＳ偏光とに分離する機能を有し、且つＰ偏光のみを透過させる機能を有している。従って、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する液晶パネル１２０８〜１２０９にはそれぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応するＳ偏光のみが入射する。
【０１５１】
本実施例の液晶パネル１２０８〜１２０９は、電界制御複屈折モード（ＥＣＢ）で動作する。また、液晶分子は基板に対してある角度をもって垂直配向している。よって、各液晶パネル１２０８〜１２０９は画素がオフ状態にある時は入射光の偏光状態を変化させないで反射させるように液晶分子が配向している。また、画素がオン状態にある時は液晶分子の配向状態が変化し、入射光の偏光状態が変化する。
【０１５２】
従って、液晶パネル１２０８〜１２０９で反射されたＳ偏光は、画素がオン状態にあった部分に対応した光のみ、偏光状態が変化し、偏光ビームスプリッタ１２０５〜１２０７を透過することができる。
【０１５３】
こうして、偏光ビームスプリッタ１２０５〜１２０７を透過した映像情報を含む光は、ダイクロイックプリズム１２１１で合成され、投射レンズ１２１２から出射される。
【０１５４】
上述したような光学エンジンが、リア型プロジェクションＴＶの本体に組み込まれる。
【０１５５】
なお、本実施例では反射型の液晶パネルを搭載した光学エンジンの一例を示したものにすぎず、他の光学系を用いて光学エンジンを構成することも可能である。
【０１５６】
（実施例４）
【０１５７】
本実施例では、光源からの光に画像情報を与える光学モジュールとして３枚のＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）を搭載した光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶを提供する
【０１５８】
なお、本実施例の３枚のＤＭＤが搭載された光学エンジンを組み込んだリアプロジェクションＴＶは、高精細かつ高画質な映像を提供することができる。
【０１５９】
また、本実施例では、３枚のＤＭＤが搭載された光学エンジンを例にとって説明したが、１つのＤＭＤによって構成される光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶも実現することができる。
【０１６０】
（実施例５）
【０１６１】
本実施例では、シリコン基板上に形成された回路（代表的にはＣＭＯＳ回路）の上にミラーを形成したアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶を挟むことによって実現される反射型液晶パネル（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｂａｓｅｄ液晶パネル）を光源からの光に画像情報を与える光学モジュールとして用いる場合について説明する。この液晶パネルが搭載された光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶについて説明する。他の構成については実施例１あるいは２に従う。光学系に関しては、実施例３に示したものを用いても良い。
【０１６２】
図１３を参照する。図１３には、本実施例で用いられる液晶パネルの断面図を示したものである。１３０１はシリコン基板であり、マトリクス状に配置されたＣＭＯＳ回路や、駆動回路などが形成される。１３０２はミラーであり、各画素（本実施例では、１９２０×１０８０とした）が１枚のミラーを有している。１３０３は液晶であり、１３０４は対向基板のガラスである。
【０１６３】
なお、本実施例では画素数は、１９２０×１０８０としたが、これに限定されない。
【０１６４】
このような液晶パネルが３枚搭載された光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶが提供される。
【０１６５】
（実施例６）
【０１６６】
上記実施例１〜３ではトップゲイト型のＴＦＴを有する液晶パネルについて述べたが、本発明のリア型プロジェクションＴＶは、逆スタガ型のＴＦＴを有する液晶パネルが用いられる。その他の構成については、上記実施例１〜３に従うものとする。
【０１６７】
【発明の効果】
【０１６８】
本発明のリア型プロジェクションＴＶによると、高精細かつ高画質なリア型プロジェクションＴＶが低価格で提供される。
【０１６９】
また、本発明のリア型プロジェクションＴＶは、そのサイズは高精細にもかかわらずコンパクトであり、デジタル地上放送にも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面図および部分拡大図である。
【図２】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される光学エンジンの構成図である。
【図３】  本発明のリア型プロジェクションＴＶの側面図および斜視図である。
【図４】  本発明のリア型プロジェクションＴＶの正面図およびスクリーンの部分拡大図である。
【図５】  本発明のリア型プロジェクションＴＶの側面図である。
【図６】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルの製造工程を示す図である。
【図７】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルの製造工程を示す図である。
【図８】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルの製造工程を示す図である。
【図９】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルの断面図を示す図である。
【図１０】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面図および部分拡大図である。
【図１１】  本発明のリア型プロジェクションＴＶの正面図およびスクリーンの部分拡大図である。
【図１２】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載される光学エンジンの構成図である。
【図１３】  本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載され反射型液晶パネルの構成図である。
【図１４】  実施例１の製造方法によって作製されたＴＦＴの特性を示す図である。
【符号の説明】
１００  基板
１０１  画素マトリクス回路
１０２、１０３  ソース側ドライバ回路
１０４  ゲイト側ドライバ回路
１０５、１０６  ロジック回路
１０７  画素
【図１】
0003813334.tif 000003
【図２】
0003813334.tif 000004
【図３】
0003813334.tif 000005
【図４】
0003813334.tif 000006
【図５】
0003813334.tif 000007
【図６】
0003813334.tif 000008
【図７】
0003813334.tif 000009
【図８】
0003813334.tif 000010
【図９】
0003813334.tif 000011
【図１０】
0003813334.tif 000012
【図１１】
0003813334.tif 000013
【図１２】
0003813334.tif 000014
【図１３】
0003813334.tif 000015
【図１４】
0003813334.tif 000016