(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に少なくとも高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設けてなる電子写真感光体において、該高分子電荷輸送物質として、Ｎ−トリフェニルアミン構造を有する芳香族炭酸エステル残基構造部分と芳香族ヒドロキシ化合物残基構造部分とを有し、該Ｎ−トリフェニルアミン構造のうちの少なくとも一つのフェニル基がＮ−（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基であるポリカーボネートを用い、該感光層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
導電性支持体上に電荷発生層と、高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを順次積層した構成を持つ感光層を設けてなる電子写真感光体において、該高分子電荷輸送物質として、Ｎ−トリフェニルアミン構造を有する芳香族炭酸エステル残基構造部分と芳香族ヒドロキシ化合物残基構造部分とを有し、該Ｎ−トリフェニルアミン構造のうちの少なくとも一つのフェニル基がＮ−（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基であるポリカーボネートを用い、該電荷輸送層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項３】
前記引張破断伸び（ε）が１０％以上であり、且つ前記引張破断強さ（σ）が４．００ｋｇｆ・ｍｍ−２以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は２項に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記高分子電荷輸送物質が含有された感光層又は電荷輸送層のガラス転移点が８０℃以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記高分子電荷輸送物質が電気的に不活性な高分子化合物とともに前記感光層又は前記電荷輸送層中に含有されていることを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記高分子電荷輸送物質が少なくとも２種類以上の高分子電荷輸送化合物からなることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記感光層又は前記電荷輸送層がそのガラス転移点以上で加熱処理されたことを特徴とする特許請求の範囲第１〜６項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
少なくとも接触帯電方式による帯電、露光、および現像の工程を経て画像形成を行う電子写真装置に用いられることを特徴とする特許請求の範囲第１〜７項のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項９】
特許請求の範囲第８項に記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真感光体に関し、更に詳しくは高分子電荷輸送物質を用いた電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機などに応用されている電子写真感光体を用いた電子写真方法とは、少なくとも電子写真感光体の帯電、画像露光、現像からなるプロセスと、それに続く画像保持体（転写紙）へのトナー画像の転写、定着及び電子写真感光体表面のクリーニングというプロセスからなる方法である。
この電子写真方法において電子写真感光体に要求される基本的な特性としては、
▲１▼暗所で適当な電位に帯電できること
▲２▼暗所に於いて電荷の散逸が少ないこと
▲３▼光照射によって速やかに電荷を散逸できること
などが挙げられる。
近年はこれらの特性に加えて、
▲４▼低コストであること
▲５▼低公害性であること
▲６▼長期にわたり画像欠陥の生じない安定した画像が得られること
が非常に強く要求されている。
従来、電子写真方式に於いて使用される感光体としては導電性支持体上にセレンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けたもの、酸化亜鉛・硫化カドミウムなどの無機系光導電材料をバインダー中に分散させたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたものなどが一般的に知られているが、近年ではコストの低さ、感光体設計の自由度の高さ、低公害性などから有機系電子写真感光体が広く利用されるようになってきている。
有機系電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、かつ有用である。しかしながら、かかる有機系電子写真感光体においても特に耐久性においては必ずしも満足できるものではなく、近年、電子写真感光体の高耐久化に対する期待が高まる中で、高品質な画像を長期にわたって確保することが極めて重要な課題となっている。
有機系電子写真感光体において、大量印刷を行っても常に安定した出力画像を得るためには、画像欠陥の発生を防止する必要がある。画像欠陥は感光体表面上のキズやトナーの固着に起因することが周知の事実とされている。したがって、これらの発生を防止するためには優れた耐擦性（耐摩耗性）を持つ有機系電子写真感光体が必要となる。
これまでに、感光体表層の耐擦性（耐摩耗性）を向上する手段として、以下に記す提案がされてきた。
（１）電荷輸送層の膜強度向上化による手段。
例えば、特開平１０−２８８８４６号公報、特開平１０−２３９８７０号公報には、バインダーとしてポリアリレートを用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
また、特開平１０−２３９８７１号公報、特開平９−１６０２６４号公報には、バインダーとしてポリカーボネート樹脂を用いることにより感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
更に、特開平１０−１８６６８８号公報にはターフェニル骨格を有するポリエステル樹脂、特開平１０−１８６６８７号公報にはトリフェニルメタン骨格を有するポリエステル樹脂、特開平５−０４０３５８号公報にはフルオレン骨格を有するポリエステル樹脂をバインダーとして用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
（２）電荷輸送層の摩擦係数低減化による手段。
例えば、特開平１０−２４６９７８号公報、特開平１０−２０５３４号公報には電荷輸送層中にシロキサン成分を含有することにより感光体の摩擦係数の低減化が提案されている。
また、特開平５−２６５２４１号公報、特開平８−３２８２８６号公報には電荷輸送層中にフッ素樹脂粒子を含有することにより感光体の摩擦係数の低減化が提案されている。
これらの提案は感光体表面の摩擦係数を低減させることにより、感光体表面に印加される当接圧を低下せしめ、この結果、感光体の耐摩耗性を向上させる手段であると考えられる。
（３）電荷輸送層の改質による手段。
例えば、特開平１−１２９２６０号公報、特開平８−１０１５１７号公報には電荷輸送層にフィラーを含有させることにより感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
また、特開平９−１２６３７号公報、特開平９−２３５４４２号公報にはスチレン系エラストマーを含有したポリマーブレンドを電荷輸送層のバインダーとして用いることにより感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
上記（１）〜（３）は何れも光減衰の感度の制約から感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を含有させる必要がある。低分子電荷輸送物質は膜の脆化を著しくもたらす材料であり、低分子電荷輸送物質の含有量に比例して感光層の耐摩耗性は急激に劣化することが知られている。このため、低分子電荷輸送物質に起因する膜削れが激しく、上記（１）〜（３）に記載したいかなる手段を用いても大きな効果を得ることができなかった。
この他、感光体表層の耐擦性（耐摩耗性）を向上する手段としては以下に記す提案がされている。
（４）保護層を設けることによる手段。
例えば、特開平１０−１７７２６８号公報、特開平１０−１７７２６８号公報には、電荷輸送層の更に上層に保護層を設けることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
しかしながら、表面保護層を設けた場合、酸化性物質が感光体表面に滞留してしまい、画像流れを伴うことが少なくない。また、感度劣化などの静電特性が犠牲になる場合が多く、有効な手段であると言うことはできない。
（５）高分子電荷輸送物質を含有することによる手段。
以上の事情を鑑み、近年、低分子電荷輸送物質の代わりに高分子電荷輸送物質を用いる手段が提案されている（特開平７−３２５４０９号公報）。かかる手段は感光層中の樹脂成分比を極めて大きくすることが可能であるため、良好な耐摩耗性を示すことが期待される。しかしながら、単に低分子電荷輸送物質を高分子電荷輸送物質に変更するだけでは十分な耐摩耗性を感光体に付与できないことが多かった。更に、電荷輸送物質として高分子電荷輸送物質を用いた感光体のなかにはクリーニング不良を生じてしまう等、耐摩耗性以外の特性に問題を抱えるものが少なく無かった。しかしながら、これらに対する解決手段が現在に至るまで全く不明な状況にあり、電荷輸送物質として高分子電荷輸送物質を用いる場合においても、画像品質の安定性に対して大きな効果は得られていないのが現状である。
以上のように、低分子電荷輸送物質を大量に用いる有機系電子写真感光体において、感光体の耐摩耗性を改善することは極めて困難な状況にある。また、低分子電荷輸送物質の代わりに、単に高分子電荷輸送物質を用いても実用上解決すべき問題点が多く、大量印刷によっても高品質な画像を安定して出力できる感光体は未だ得られていないのが現状である。
更に、従来型の低分子電荷輸送物質とバインダー樹脂を主成分とする電荷輸送層（以下、簡単のため低分子−電荷輸送層と称す。）は、光減衰の感度の制約から低分子電荷輸送物質がバインダー樹脂中に５０ｗｔ％程度の割合で分散されており、該電荷輸送層の膜質はバインダー樹脂単独膜と比較して著しく脆いことが知られている。このため、感光体に加えられる力学的な負荷により、低分子−電荷輸送層をもつ感光体は膜削れやキズおよびクラックが生じやすいという欠点を有している。従来、かかる欠点を改善することを目的として、様々な手段が提案されてきたが、いずれの手段によっても低分子電荷輸送物質に起因する膜削れが激しく、大きな効果は得られていなかった。
このうち、特開平５−１４２７９２号公報には、感光層の引張破断強度（σ；単位 ｋｇ・ｍｍ-2）と引張破断伸び（ε；単位％）の積ε・σが０．４ｋｇ・ｍｍ-2以上とする電子写真感光体が提案されている。ところが、かかる発明においても、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質が含有されているため、感光層の膜強度を十分に大きくすることはできなかった。
また、特開平９−２３５４４２号公報では、引張強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ-2）と伸び（ε；単位％）の積ε・σが１０００以上であるスチレン／ブタジエン共重合体含有耐摩耗性材料を電子写真感光体の電荷輸送層ないし保護層のバインダー樹脂として用いることが提案されている。膜強度を向上させる手段として靱性の高い材料を用いることは有用な手段であると考えられる。しかしながら、かかる材料を保護層ないし電荷輸送層のバインダー樹脂成分として大量に用いると、粘着性が極度に増大し、クリーニング不良を頻発してしまうことが極めて多い。更に、かかる発明においても、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を含有するため、感光層の膜強度を十分に大きくすることはできなかった。
これは、バインダー樹脂に対して低分子電荷輸送物質が材料の脆化をもたらすアンチプラスタサイザー（剛性可塑剤）として作用してしまうことが主たる原因として考えられる。このため、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を用いる限り、感光層の膜強度は如何なる手段に依っても、極めて低い強度しか得ることができないと判断される。
これに対し、近年、高分子電荷輸送物質を電荷輸送層の主成分とする検討がなされてきた。しかしながら、高分子電荷輸送物質が含有された電荷輸送層（以下、簡単のため、高分子−電荷輸送層と称す。）をもつ感光体（以下、簡単のため、高分子−感光体と称す。）を用いても、従来型の感光体と比較して画像品質の安定性に対して大きな改善効果が得られていないのが現状である。この原因として、単に電荷輸送物質として高分子電荷輸送物質を用いても十分な耐擦性が発現されていないことが考えられる。
これに対し、高分子電荷輸送物質の分子構造中にフレキシブルユニットを共重合化することにより機械的な負荷に対する耐久性を向上させる提案がされている（米国特許４８０６４４３）。ところが、かかる手段によって作製した感光体においても、十分な耐擦性を発現するものは少なく、更にはトナーが感光体表面に固着してしまう現象を伴う場合が多く、実用化する上で解決すべき課題が山積していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は大量印刷を行っても画像欠陥の発生が極めて少ない有機系電子写真感光体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題に対し鋭意検討を重ねた結果、導電性支持体上に感光層として少なくとも高分子電荷輸送物質を含有し、且つ感光層の膜強度とガラス転移点を特定することにより、上記課題を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
第１の発明は、導電性支持体上に少なくとも高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設けてなる電子写真感光体において、該高分子電荷輸送物質として、Ｎ−トリフェニルアミン構造を有する芳香族炭酸エステル残基構造部分と芳香族ヒドロキシ化合物残基構造部分とを有し、該Ｎ−トリフェニルアミン構造のうちの少なくとも一つのフェニル基がＮ−（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基であるポリカーボネートを用い、該感光層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上であることを特徴とする電子写真感光体である。
【０００６】
第２の発明は、導電性支持体上に電荷発生層と、高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを順次積層した構成を持つ感光層を設けてなる電子写真感光体において、該高分子電荷輸送物質として、Ｎ−トリフェニルアミン構造を有する芳香族炭酸エステル残基構造部分と芳香族ヒドロキシ化合物残基構造部分とを有し、該Ｎ−トリフェニルアミン構造のうちの少なくとも一つのフェニル基がＮ−（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基であるポリカーボネートを用い、該電荷輸送層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上であることを特徴とする電子写真感光体である。
【０００７】
第３の発明は、前記引張破断伸び（ε）が１０％以上であり、且つ前記引張破断強さ（σ）が４．００ｋｇｆ・ｍｍ-2以上であることを特徴とする前記第１又は第２の発明の電子写真感光体である。
【０００８】
第４の発明は、前記高分子電荷輸送物質が含有された感光層又は電荷輸送層のガラス転移点が８０℃以上であることを特徴とする前記第１〜３の発明のいずれかの電子写真感光体である。
【０００９】
第５の発明は、前記高分子電荷輸送物質が電気的に不活性な高分子化合物とともに前記感光層又は前記電荷輸送層中に含有されていることを特徴とする前記第１〜４の発明のいずれかの電子写真感光体である。
【００１０】
第６の発明は、前記高分子電荷輸送物質が少なくとも２種類以上の高分子電荷輸送化合物からなることを特徴とする前記第１〜５の発明のいずれかの電子写真感光体である。
【００１１】
第７の発明は、前記感光層又は前記電荷輸送層がそのガラス転移点以上で加熱処理されたことを特徴とする前記第１〜６の発明のいずれかの電子写真感光体である。
【００１５】
第８の発明は、少なくとも接触帯電方式による帯電、露光、および現像の工程を経て画像形成を行う電子写真装置に用いられることを特徴とする前記１〜７の発明のいずれかの電子写真感光体である。
【００１６】
第１０の発明は、第８の発明の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法である。
【００１７】
本発明において、膜強度を表す引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ-2）の積ε・σは次のように説明できる。
プラスチックの摩耗量と膜物性の関係は、Ratnerらによって以下に示す関係式が報告されている（S. B. Ratner, I. I. Farberova, O. V. Radyukevich and E. G. Lur'e, ソビエトプラスティックス,7,37-41,1964）。
Ｖ  ＝μ／（Ｈ・ε・σ）
ここで、V:摩耗量, μ:摩擦係数, H:硬度, ε:破断伸び, σ:破断強度である。
【００１８】
上の関係式の右項の分子に荷重値を掛けた関係式が用いられることも多い。式中、εの大きさは、バルクが破断に至るまで変形によって発散できる外部応力の大きさと解釈することができる。また、ε・σの大きさは材料が破断するまでにバルク内に蓄積できる応力エネルギーの容量を表す値であると解釈できる。
【００１９】
ε・σ値の大きさは材料の耐摩耗性を反映する物性値であると考えられる 。ところがε・σ値は２種類の物性値の積の値であるため、殆ど伸びない材料であっても極端に引張破断強さが大きければε・σの値は相応の値を示すことになる。ところが、この様な高分子材料は引張りに対しては強い性質を示しても、摩耗に対しては脆い場合がある。また、非常に伸びやすい反面、応力に対する抵抗力が極めて小さな材料であってもε・σ値は相応の値が得られることがある。かかる材料を感光層材料として用いると、現像剤等によるチッピングを伴うことが多く十分な耐摩耗性を示さない場合があり得る。
【００２０】
したがって、優れた耐摩耗性を示す感光体を得るためには、ε・σ値の大きな材料を感光層の材料として用いるとともに、一定値以上の引張破断伸びと引張破断強さを兼ね備えることが望ましい。
【００２１】
クリーニング不良が発生する原因としては、トナーに対する感光体表面の接着力が転写紙の接着力よりも大きい為、又は、転写紙上に接着した際のトナー粒子間の凝集力が感光体表面とトナー間の接着力よりも小さいため、あるいはクリーニング手段によってトナーが感光体表面より掻き落とされる力よりも感光体表面とトナー間の接着力の方が大きいことが原因として考えられる。また、トナーの固着はクリーニング不良の程度が激しくなると発生してしまう現象であると考えられる。特に、感光体が高温になりやすい小型機や高速機において、クリーニング不良が顕著に見られることから、以上のような現象は感光体温度に強く影響されると推測される。
【００２２】
そこで、本発明者らは感光体表面の温度とトナーに対する離型性について検討したところ、感光体を常に冷却した状態で使用すると不具合が生じにくいことを確認した。また、クリーニング不良は感光層のガラス転移点以上で使用するとより顕著になることを見出した。すなわち、トナーに対する感光体表面の離型性は、感光体温度がガラス転移点以上になると低下するものと判断され、このためクリーニング不良等が発生してしまうと思われる。クリーニング不良が生じてしまう高分子−電荷輸送層の多くはガラス転移点の低いものが多い。この原因として、高分子電荷輸送物質の分子骨格中に導入されるフレキシブルユニットの種類ないし導入率が不適当であると考えられる。すなわち、感光体の耐久性を向上させることを目的として、単に高分子電荷輸送物質中にフレキシブルユニットを導入するのみでは、実用上不十分であると判断される。少なくとも感光層の膜強度が特定値以上で且つガラス転移点も特定値以上を保つような材料ないし導入率を決める必要がある。
【００２３】
そこで、本発明者らは以上の考察に基づき、大量印刷時の画像欠陥発生の低減化について鋭意検討したところ、以下に記す５つの知見を見出した。すなわち、
（１）感光層の耐摩耗性は引張破断伸び（ε；単位％）が１０％以上で且つ引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ-2）が４．００ｋｇｆ・ｍｍ-2以上の場合にのみ、これらの積（以下、簡単のためε・σと表す。）の大きさと対応関係が見られ、ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ-2以上の感光層は極めて耐摩耗性に優れた性質を示す。
（２）高分子電荷輸送物質を用いることにより容易に上記ε・σの値が０．８５ｋｇｆ・ｍｍ-2以上（このとき、ε≧１０％且つσ≧４．００ｋｇｆ・ｍｍ-2を満たす。）を示す感光層を得ることが可能となる。
【００２４】
低分子電荷輸送物質とバインダー樹脂を主成分とする感光層では、低分子電荷輸送物質による脆化が激しく、実用上十分な感度を維持しつつ且つ（１）の条件を満足させることは極めて困難である。他方、低分子電荷輸送物質の代わりに高分子電荷輸送物質を用いることにより、感光層中の低分子成分を激減でき、これにより低分子成分に起因する感光層の脆化を抑制することが可能になると考えられる。
【００２５】
更に発明者らは、感光層のεないしσを増加させる手段として以下の方法を見出した。
（３）感光層中に靱性の高い（ε・σの大きい）高分子化合物をを少なくとも１種類以上含有させることにより、（１）の条件を容易に満足させることができる。これは感光層中にブレンドすることに限らず、高分子電荷輸送物質の分子骨格中に共重合させることによっても同様のことが言える。
これは２種以上の成分からなる高分子材料の機械的強度が多くの場合、個々の機械的強度の相加平均的な値を示すことに起因すると考えられる。
（４）感光層を形成する材料のガラス転移点以上で加熱処理することにより、ε・σを増加させることができる。
かかる現象の詳細は不明であるが、高分子鎖の歪みを有効に緩和することにより、感光層中の応力集中点が減少し、εないしσの増加が得られると考えられる。
【００２６】
また、大量印刷時の感光体表面に発生するトナーの固着について、発明者らは以下の知見を得るに至った。
（５）ガラス転移点が８０℃未満の感光材料を感光層の材料として用いた電子写真感光体の多くは、大量印刷によって、感光体表面にトナーが固着するものが多い。一方、ガラス転移点が８０℃以上の場合ではかかる問題が生じたものは見られなかった。
【００２７】
以上の（１）〜（４）の知見により、機械的強度に極めて優れた有機系電子写真感光体を得ることが可能となる。かかる感光体において、例えばプロセス内のクリーニング手段の感光体に対する当接圧を増加させる等のプロセス面の改良により、長期間使用可能な感光体を得ることができる。また、（５）の知見により、プロセスの違いに左右されず、常に高品質画像を長期にわたり出力することが可能な感光体を得ることが可能となる。
以上、主に積層型感光体について上記課題を解決するための手段を示したが、これは説明の都合上であって、本発明は積層型感光体に限られるものではない。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明を次に詳細に説明する。本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としては、一般的な以下のような高分子化合物を用いることができる。
【００２９】
（ａ）カルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５４−９６３２号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開平４−１７５３３７号公報、特開平４−１８３７１９号公報、特開平６−２３４８４１号公報に記載の化合物などが例示される。
【００３０】
（ｂ）ヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６１−２０９５３号公報、特開昭６１−２９６３５８号公報、特開平１−１３４４５６号公報、特開平１−１７９１６４号公報、特開平３−１８０８５１号公報、特開平３−１８０８５２号公報、特開平３−５０５５５号公報、特開平５−３１０９０４号公報、特開平６−２３４８４０号公報に記載の化合物などが例示される。
【００３１】
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−８８４６１、特開平４−２６４１３０、特開平４−２６４１３１、特開平４−２６４１３２、特開平４−２６４１３３、特開平４−２８９８６７に記載の化合物などが例示される。
【００３２】
（ｄ）トリアリールアミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３４４５７号公報、特開平２−２８２２６４号公報、特開平２−３０４４５６号公報、特開平４−１３３０６５号公報、特開平４−１３３０６６号公報、特開平５−４０３５０号公報、特開平５−２０２１３５号公報に記載の化合物などが例示される。
【００３３】
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開平６−２３４８３６号公報、特開平６−２３４８３７号公報に記載の化合物などが例示される。
【００３４】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スタ−ポリマーや、また、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体などを用いることも可能である。
【００３５】
また、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質として更に有用なトリアリールアミン構造を有する化合物としては以下に記載の化合物が例示される。例えば、特開昭６４−１７２８号公報、特開昭６４−１３０６１号公報、特開昭６４−１９０４９号公報、特開平４−１１６２７号公報、特開平４−２２５０１４号公報、特開平４−２３０７６７号公報、特開平４−３２０４２０号公報、特開平５−２３２７２７号公報、特開平７−５６３７４号公報、特開平９−１２７７１３号公報、特開平９−２２２７４０号公報、特開平９−２６５１９７号公報、特開平９−２１１８７７号公報、特開平９−３０４９５６号公報などがある。
【００３６】
本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としてより更に有用なトリアリールアミン構造を有する化合物としては以下の一般式１〜６で表される化合物が例示される。
【００３７】
一般式１
【化１】
0003812871.tif 000002
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ４は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ５、Ｒ６は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表される２価基を表す。
【化２】
0003812871.tif 000003
式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）又は、
【化３】
0003812871.tif 000004
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００３８】
一般式１の化合物の具体例を以下に示す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ-ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ4は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基を表すがそのアルキル基の具体例としては上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
Ｒ5、Ｒ6は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
上述のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ105）としては、Ｒ105は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
（７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
【００４０】
Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化４】
0003812871.tif 000005
【化５】
0003812871.tif 000006
一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコールなどの脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノールなどの環状脂肪族ジオールが挙げられる。
【００４１】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジッフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイルなどが挙げられる。
【００４２】
一般式２
【化６】
0003812871.tif 000007
式中、Ｒ７、Ｒ８は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じである。
【００４３】
一般式２の具体例を以下に示す。
Ｒ7、Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、
【化７】
0003812871.tif 000008
ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−及び以下の２価基を表す。
【化８】
0003812871.tif 000009
【化９】
0003812871.tif 000010
【化１０】
0003812871.tif 000011
【化１１】
0003812871.tif 000012
で表される。
【００４４】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3で示されるアリレン基としてはＲ7およびＲ8で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108の具体例として表される。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ18、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ109）としては、Ｒ109は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。
（６）
【化１２】
0003812871.tif 000013
式中、Ｒ110及びＲ111は各々独立に（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表し、アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成しても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基などが挙げられる。
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基などのアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、などが挙げられる。
【００４５】
Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化１３】
0003812871.tif 000014
【化１４】
0003812871.tif 000015
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００４６】
一般式３
【化１５】
0003812871.tif 000016
式中、Ｒ９、Ｒ１０は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じである。
【００４７】
一般式３の具体例を以下に示す。
Ｒ9、Ｒ10は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ4、Ａｒ5、およびＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9およびＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ112）としては、Ｒ112は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
【００４８】
Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化１６】
0003812871.tif 000017
【化１７】
0003812871.tif 000018
一般式(Ｂ)のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００４９】
一般式４
【化１８】
0003812871.tif 000019
式中、Ｒ１１、Ｒ１２は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９は同一又は異なるアリレン基、ｓは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５０】
一般式４の具体例を以下に示す。
Ｒ11、Ｒ12は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ7、Ａｒ8、およびＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11およびＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ113）としては、Ｒ113は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
（７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
【００５１】
Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化１９】
0003812871.tif 000020
【化２０】
0003812871.tif 000021
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００５２】
一般式５
【化２１】
0003812871.tif 000022
式中、Ｒ１５、Ｒ１６は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ｒ１７、Ｒ１８は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は同一又は異なるアリレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５３】
一般式５の具体例を以下に示す。
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15およびＡｒ16で示されるアリレン基としては、Ｒ15Ｒ16、Ｒ17およびＲ18で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ115）としては、Ｒ115は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、を表し同一であっても異なってもよい。
【００５４】
アルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基を表す。具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基などを挙げることが出来る。
シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロへキシレン基、１，１−シクロオクチレン基などを挙げることが出来る。
アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基などが挙げられる。
【００５５】
Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化２２】
0003812871.tif 000023
【化２３】
0003812871.tif 000024
一般式(Ｂ)のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００５６】
一般式６
【化２４】
0003812871.tif 000025
式中、Ｒ２２、Ｒ２３少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ｒ２４、Ｒ２５は少なくともいずれか一方が（ｐ−ｔｅｒｔブチル）フェニル基で他方は、置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５７】
一般式６の具体例を以下に示す。
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５８】
また、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27およびＡｒ28で示されるアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ118）としては、Ｒ118は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
（７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
【００５９】
Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法などを用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【化２５】
0003812871.tif 000026
【化２６】
0003812871.tif 000027
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００６０】
その他、トリアリールアミン構造を分岐鎖に有するポリカーボネートとしては、特開平６−２３４８３８号公報、特開平６−２３４８３９号公報、特開平６−２９５０７７号公報、特開平７−３２５４０９号公報、特開平９−２９７４１９号公報、特開平９−８０７８３号公報、特開平９−８０７８４号公報、特開平９−８０７７２号公報、特開平９−２６５２０１号公報などに記載の化合物が例示される。
【００６１】
高分子電荷輸送物質のうち、電気的に不活性な構造を有する繰り返し単位は、トリアリールアミン構造のような光導電性を示さない化学構造をもつ単量体を指す。この代表的なものとしては、上記一般式（Ｂ）に記載の繰り返し単位を挙げることができる。
【００６２】
以下図面に沿って本発明で用いられる電子写真感光体を詳細に説明する。
図１は本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体２１上に感光層２４が設けられている。
図２は、他の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体２１上に電荷発生層２２と電荷輸送層２３との積層からなる感光層２４が設けられている。
図３は、別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体２１と感光層２４の間に下引き層２５が設けられている。
図４は、さらに別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、感光層２４上に保護層２６が設けられている。
図５は、さらに別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体２１と感光層２４の間に下引き層２５が設けられ、感光層２４の上に保護層２６が設けられている。
【００６３】
導電性支持体２１としては、体積抵抗１０10Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙などに被覆したもの、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらをＤｒａｗｉｎｇ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｉｍｐａｃｔ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｄｒａｗｉｎｇ法、切削法などの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することが出来る。
【００６４】
本発明における感光層２４は電荷発生物質を電荷輸送層に分散させた単層型でも、電荷発生層と電荷輸送層を順次積層させた積層型を用いることができる。
はじめに積層型感光体について説明する。
【００６５】
積層型感光体における各層のうち、はじめに、電荷発生層２２について説明する。電荷発生層２２は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることが出来る。
【００６６】
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコンなどが挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子などをドープしたものが良好に用いられる。
【００６７】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることが出来る。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。
【００６８】
電荷発生層２２に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることが出来る。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【００６９】
電荷発生層２２に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
電子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。
【００７０】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。
【００７１】
電荷発生層２２を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法などが用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成出来る。
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系もしくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどの溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成出来る。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことが出来る。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【００７２】
次に、電荷輸送層２３について説明する。
電荷輸送層２３は、少なくとも高分子電荷輸送物質を有する層であり、適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成出来る。高分子電荷輸送物質は前述の化合物が使用される。また、必要により適当な酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質などの低分子化合物およびレベリング剤を添加することも出来る。これらの化合物は単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。低分子化合物の使用量は、高分子電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜３０重量部程度、レベリング剤の使用量は、高分子電荷輸送物質１００重量部に対して０．００１〜５重量部程度が適当である。また、電荷輸送層２３の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【００７３】
必要により電荷輸送層中に高分子電荷輸送物質に加え、別の高分子化合物を併用することも出来る。高分子化合物は単独又は２種以上の混合物として用いることが出来る。この場合、２種類以上の高分子電荷輸送物質を電荷輸送層に含有させることも出来る。
各層に添加できる高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、スチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの高分子化合物を併用することにより、電荷輸送層の引張破断伸びと引張破断強度を制御することが可能となる。
これらの高分子化合物は高分子電荷輸送物質のように光導電性を示さない化合物であり、本発明ではこれらの高分子化合物を電気的に不活性な高分子化合物と称す。
【００７４】
次に、感光層２４が単層構成の場合について述べる。
単層型の感光層２４は、少なくとも高分子電荷輸送物質を有する層であり、適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成出来る。
単層型の感光層に用いる電荷発生物質ならびに電荷輸送物質は、前出の材料を用いることができる。
また、必要により酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることの出来るバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層２３で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層２２で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【００７５】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体２１と感光層２４との間に下引き層２５を設けることが出来る。下引き層２５は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減する、導電性支持体からの電荷注入を防止するなどの目的で設けられる。下引き層２５は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤にたいして耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウムなどの水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン、などのアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂など、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどで例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層２５は、前術の感光層のごとく適当な溶媒、塗工法を用いて形成することが出来る。
更に本発明の下引き層２５として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤などを使用して、例えばゾルーゲル法などにより形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層２５にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）などの有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2などの無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用出来る。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【００７６】
本発明の電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層２６が感光層２４の上に設けられることもある。これに使用される材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン／ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ＡＳ樹脂、ＡＢ樹脂、ＢＳ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂などの樹脂が挙げられる。
【００７７】
保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的で、ポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂およびこれら樹脂に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウムなどの無機材料を分散したものなどを添加することが出来る。保護層２６の形成法としては、通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さは、０．５〜１０μｍ程度が適当である。また、以上のほかに真空薄膜作製法にて形成したｉ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなど公知の材料も保護層として用いることが出来る。
【００７８】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質およびレベリング剤を添加することが出来る。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【００７９】
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）フェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコールエステル、トコフェロール類など。
【００８０】
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【００８１】
（ｃ）ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【００８２】
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【００８３】
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【００８４】
各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
【００８５】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
【００８６】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
【００８７】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸アルキル６１０、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
【００８８】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
【００８９】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
【００９０】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
【００９１】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
【００９２】
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
【００９３】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
【００９４】
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
【００９５】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
【００９６】
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【００９７】
各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
【００９８】
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
【００９９】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
【０１００】
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
【０１０１】
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
【０１０２】
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
【０１０３】
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
【０１０４】
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０１０５】
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１０６】
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
【０１０７】
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４ジ−ｔ−ブチルフェニル３，５−ジ−ｔ−ブチル４ヒドロキシベンゾエートなど。
【０１０８】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ３’−ターシャリブチル５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール
【０１０９】
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなど。
【０１１０】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２‘チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
【０１１１】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【０１１２】
各層に添加できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層２２の説明に記載したものと同じものを用いることが出来る。
各層に添加できるレベリング剤としては、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用されるがこれらに限定されるものではない。
【０１１３】
次に本発明の電子写真プロセスの例である電子写真プロセスカートリッジを説明する。プロセスカートリッジは、帯電部、現像部、クリーニング部等のユニットが、一体構成となっているもので、取り付け、取り外しなどが、簡便となる。図５は、その電子写真プロセスカートリッジの一例である。この模式断面図の説明に沿って、本発明の電子写真プロセスを説明する。
【０１１４】
図中１１は本発明の電子写真用感光体である。まず帯電装置（図中は帯電ローラー）１２により、感光体１１を帯電する。感光体１１が帯電された後、イメージ露光１３を受け、露光された部分で、電荷が発生し、感光体１１表面に静電潜像が形成される。感光体１１表面に静電潜像を形成した後、現像ローラー１４を介して現像剤と接触し、トナー像を形成する。感光体１１表面に形成されたトナー像は、転写チャージャー１６により紙などの転写部材１５へ転写され、定着ユニット１９を通過してハードコピーとなる。感光体１１上の残留トナーはクリーニングユニット１７により除去され、残留電荷は除電ランプ１８で除かれて、次の電子写真サイクルに移る。
【０１１５】
ここで帯電装置（図中は帯電ローラー）１２により、感光体１１を帯電する。この帯電装置１２としては、大きく分けるとコロナ帯電装置と接触帯電装置がある。コロナ帯電装置は、コロナ放電を利用した帯電装置であり、安定し帯電が行える。しかし、多量のオゾンを発生するため、電子写真感光体の劣化、人体への影響、多量の電力消費などの問題を有する。帯電部材を直接、感光体に接触させる接触帯電装置は、オゾン発生が少なく、電力消費が少ない。このために、感光体の帯電装置は、接触帯電方式を用いるものが、好ましい。この接触帯電装置の形状としては、ローラー型及びブラシ型などがある。
【０１１６】
ここでイメージ露光１３の露光手段としては、白色光、半導体レーザー光、ＬＥＤ等の光源を用いた光学系機器が用いられる。又、静電潜像の形成方法として、光信号のＯＮ／ＯＦＦにより、感光体上にデジタル的ドット潜像を形成する方法（デジタル露光）の場合、画像信号がのビームの大きさが、小さいほど、高精細な画像が形成できる。好ましくは、ビームの大きさが、正／副走査方向の平均で、６０μｍ以下とした場合、高精細で、非常に良好な画像品質を維持できる。さらに、前述した電子写真感光体の電荷輸送層を２２μｍ以下として、さらに、書き込みビーム径を６０μｍ以下としたとき、非常に良好な高精細な画像形成を行うことができる。
【０１１７】
ここで現像ローラー１４での現像方法としては、光の有効利用あるいは解像力を上げる目的から、光を照射した部分に、トナーを付着させる反転現像を用い、さらに本発明の感光体と組み合わせることにより、白画像中の地肌汚れがなく、高品質な画像形成を行うことが、可能となる。
【０１１８】
本画像形成方法及び感光体を用いる電子写真プロセスは、上記一例に限定されるものではなく、少なくとも、帯電及び露光により、静電潜像を形成するプロセスであれば、どのようなものであってもかまわない。
【０１１９】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。尚、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
【０１２０】
始めに、本発明に関わる物性の測定方法について述べる。
引張試験特性測定
表面平滑なＡｌ板上に後述する処方により作製した電荷輸送層の塗工液を塗布し、引張試験測定用の電荷輸送層を作製した。引張試験測定用の電荷輸送層の膜厚は感光体作成時の電荷輸送層の膜厚と同じ膜厚になるように作成した。この電荷輸送層をＡｌ板より剥離し、ダンベル打ち抜き２号型（ＪＩＳＫ−６３０１に記載）で打ち抜き、引張試験測定用サンプルとした。上記引張試験用サンプルを精密型荷重測定器（Ｍｏｄｅｌ １３１０ＮＷｓ、アイコーエンジニアリング社製）に取付け引張り速度５ｍｍ／分で引張試験を行い引張破断強度と引張破断伸びを求めた。
【０１２１】
膜厚測定
渦電流方式膜厚測定器ＦＩＳＣＨＥＲ ＳＣＯＰＥ ｍｍｓ（Ｆｉｓｃｈｅｒ社製）により、感光体ドラム長手方向1cm間隔に膜厚を測定し、それらの平均値を感光層膜厚とした。
【０１２２】
ガラス転移点測定
電荷輸送層のガラス転移点はＳＩＩ社 ＤＳＣ６１００により、大気雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件にて開放型Ａｌ容器を用いて測定した。
【０１２３】
実施例１
φ３０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。
【０１２４】
0003812871.tif 000028
【０１２５】
〔電荷発生層用塗工液〕
下記構造のトリスアゾ顔料                                    ２．５部
【化２７】
0003812871.tif 000029
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ）                ０．２５部
シクロヘキサノン                                          ２００部
メチルエチルケトン                                          ８０部
【０１２６】
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                                １０部
【化２８】
0003812871.tif 000030
塩化メチレン                                              １００部
【０１２７】
実施例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化２９】
0003812871.tif 000031
【０１２８】
実施例３
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３０】
0003812871.tif 000032
【０１２９】
実施例４
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３１】
0003812871.tif 000033
【０１３０】
実施例５
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３２】
0003812871.tif 000034
【０１３１】
実施例６
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３３】
0003812871.tif 000035
【０１３２】
実施例７
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３４】
0003812871.tif 000036
【０１３３】
参考例１
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３５】
0003812871.tif 000037
【０１３４】
実施例８
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３６】
0003812871.tif 000038
【０１３５】
参考例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に作製した。
【化３７】
0003812871.tif 000039
【０１３６】
実施例９
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                        ５部
【化３８】
0003812871.tif 000040
下記構造の高分子電荷輸送物質                        ５部
【化３９】
0003812871.tif 000041
塩化メチレン                                    １００部
【０１３７】
参考例３
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                        ７部
【化４０】
0003812871.tif 000042
スチレン系熱可塑性エラストマー
（クラレ：ハイブラー５１２５）                    ３部
塩化メチレン                                    １００部
【０１３８】
参考例４
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更し、実施例１と全く同様に作製し、得られた電子写真感光体を暗所中、１５０℃にて２０分間加熱処理を施した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質
【化４１】
0003812871.tif 000043
【０１３９】
比較例１
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、実施例１と全く同様に作製した。
0003812871.tif 000044
【化４２】
0003812871.tif 000045
0003812871.tif 000046
【０１４０】
比較例２
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                                  １０部
【化４３】
0003812871.tif 000047
塩化メチレン                                              １００部
【０１４１】
比較例３
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                                  １０部
【化４４】
0003812871.tif 000048
塩化メチレン                                              １００部
【０１４２】
比較例４
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                                  １０部
【化４５】
0003812871.tif 000049
塩化メチレン                                              １００部
【０１４３】
比較例５
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、実施例１と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質                                １０部
【化４６】
0003812871.tif 000050
塩化メチレン                                              １００部
【０１４４】
以上のように作製した実施例１〜９、参考例１〜４および比較例１〜５の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ２５０Ｍ）に搭載し、５０時間の通紙試験を行った。環境条件は、２０℃／５０％ＲＨであった。また、電荷輸送層の膜厚は全て２５．０±０．２μｍであった。評価方法としては、試験開始時と試験終了時の画像評価、試験終了時の感光層の摩耗量測定および感光体表面の外観評価を行った。また、前述の方法にて、電荷輸送層の引張破断伸びと引張破断強さおよび、ガラス転移点を測定した。結果を表１に示す。
【０１４５】
【表１】
0003812871.tif 000051
【０１４６】
以上の実施例１〜９、参考例１〜４、比較例１〜５の結果から明らかなように、感光層中に高分子電荷輸送材料を用いることにより、感光層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σを有利に大きくできることがわかる。また、感光層の引張破断伸び（ε；単位％）と引張破断強さ（σ；単位ｋｇｆ・ｍｍ−２）の積ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上を満足する感光体はいずれも耐摩耗性に優れていることがわかる。更に、ε・σが０．８５ｋｇｆ・ｍｍ−２以上を満足し、且つεとσがそれぞれ１０％以上、４．００ｋｇｆ・ｍｍ−２以上を満足する感光体は大量に印刷を行っても、感光層にキズやクラックが生じにくく極めて耐久性に優れることがわかる。また、実施例９及び参考例３〜４と比較例２、３、５の結果から明らかなように本発明における特許請求の範囲第１〜３項を満たされない材料も、高分子化合物をブレンドすることや加熱処理を施すことにより、かかる請求の範囲を満足し、極めて耐久性に優れた感光体を得ることが可能であることがわかる。加えて、感光層のガラス転移点が８０℃以上の感光体は感光層表面にトナーが固着するなどの不具合が見られず、常に高品質画像が得られる感光体であることがわかる。
【０１４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の電子写真感光体は、大量印刷を行っても、膜削れが少なく且つ画像欠陥の発生が生じない、常に高品質画像が得られる実用的価値に極めて優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成を示す断面図。
【図２】本発明の電子写真感光体の別の層構成を示す断面図。
【図３】本発明の電子写真感光体の更に別の層構成を示す断面図。
【図４】本発明の電子写真感光体の更に別の層構成を示す断面図。
【図５】本発明の電子写真感光体の更に別の層構成を示す断面図。
【図６】本発明に係る接触帯電装置を用いた電子写真プロセスの例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１１  電子写真用感光体
１２  帯電装置
１３  イメージ露光
１４  現像ローラー
１５  転写部材
１６  転写ローラー
１７  クリーニングユニット
１８  除電ランプ
１９  定着ユニット
２１  導電性支持体
２２  電荷発生層感光層
２３  電荷輸送層下引き層
２４  感光層
２５  下引き層
２６  保護層
【図１】
0003812871.tif 000052
【図２】
0003812871.tif 000053
【図３】
0003812871.tif 000054
【図４】
0003812871.tif 000055
【図５】
0003812871.tif 000056
【図６】
0003812871.tif 000057