(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を信号電荷に変換する検出手段と、
前記検出手段の電位をリセットするリセット手段と、
前記電磁波により前記検出手段において発生した前記信号電荷を蓄積する蓄積手段と、
前記蓄積手段に蓄積された前記信号電荷を読み出す第１の読出手段と、を備えるセンサーセルが行列状に２次元に配置され、
前記蓄積手段に蓄積された前記信号電荷による電位を非破壊で読み出し電磁波の照射量を検出する第２の読出手段と、
を有する電磁波変換装置と、
前記第２の読出手段により検出された前記照射量を所定の値と比較して電磁波の照射の停止を行なう電磁波制御装置と、
を備える電磁波検出システムであって、
前記第２の読出手段は、複数の前記センサーセル毎に設けられた前記検出手段において発生した前記信号電荷をゲートに蓄積し且つ前記信号電荷に基づいた電位を非破壊で読み出す複数のトランジスタと、複数の前記トランジスタのソース又はドレインに共通に接続された出力線と、該出力線に接続され前記電位に基づいた前記照射量を検出する回路と、を含み、
前記蓄積手段は、前記検出手段の一方の端子と前記トランジスタのゲートが接続されてなり、
前記第１の読出手段のソース又はドレインは前記蓄積手段に接続されており、
前記第１の読出手段からの信号は前記電磁波変換装置から画像信号としてシリアルに読み出されることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁波検出システムにおいて、複数の前記トランジスタが、列状或いは行列状に前記出力線によりグループ化されて配置されたことを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電磁波検出システムにおいて、前記リセット手段、前記第１の読出手段、前記トランジスタが、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項４】
請求項３に記載の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段の他方の端子には、電位供給手段が接続されていることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項５】
請求項４に記載の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段の一方の端子の電圧を一定にする手段を備えることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電磁波検出システムにおいて、前記複数のトランジスタのうちの最小の照射量に対応するトランジスタのゲート電位をソースフォロア回路で読み出すことを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段は金属層、ｉ層、金属層が直接積層されたＸ線センシング部を備えることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項８】
請求項３に記載の電磁波検出システムにおいて、薄膜トランジスタの半導体が非単結晶シリコンであることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電磁波検出システムにおいて、
前記検出手段が半導体結晶の第１の基板からなり、信号電荷を蓄積し、読み出す手段が第２の絶縁性基板あるいは半導体基板に形成され、前記第１の基板と前記第２の基板が積層され、前記第１基板の検出セルと前記第２基板の読み出し回路とが電気的に接続されていることを特徴とする電磁波検出システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電磁波検出システムにおいて、
更に電磁波を発生する電磁波発生装置を備えることを特徴とする電磁波検出システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線、ガンマ線、アルファ線などの高エネルギー輻射線に代表される電磁波を電気的な信号に変換するための電磁波変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｘ線、ガンマ線、アルファ線などの高エネルギー輻射線に代表される電磁波の中でも、Ｘ線を用いた電磁波変換装置は画像入力のための撮像装置部分とＸ線の照射量を検出する検出装置部分とを別個に有し、これらが独立別個の装置として接続されて使用されていた。
【０００３】
このような構成のもとでは、検出装置で検出されたＸ線照射量を基に、撮像装置でのＸ線量をコントロールしていた。
【０００４】
また、Ｘ線量を検出するための検出素子を、Ｘ線撮像装置の撮像装置部分の前面に置くことによりＸ線を検出する場合は、検出素子が撮像装置が得る画像に悪影響を及ぼす場合があった。
【０００５】
次に、従来のＸ線自動露出制御装置の一例について説明する。
【０００６】
Ｘ線写真撮影における自動露出制御装置（ホトタイマ）は、ほとんどの間接撮影、直接撮影に用いられており広く普及している。
【０００７】
自動露出制御装置は、撮影時間を自動制御することによりフィルムに照射されるＸ線量を所望の範囲に保つように動作するものである。被写体を透過したＸ線を電気信号に変換し、この電気信号の積分値が一定値に達したときにＸ線を遮断し（またはＸ線の照射を止め）、希望するフィルム濃度が得られるようにするものである。
【０００８】
自動露出制御装置はＸ線の検出機構及びＸ線露出条件の決定方法などの制御機構によって種々のタイプがある。
【０００９】
透視速写撮影における自動露出制御の構成の例を図１１に示す。
【００１０】
同図において、被写体を透過したＸ線は、Ｉ．Ｉ．（イメージインテンシファイア）９０１で可視光に変換・増幅される。このＩ．Ｉ．９０１の出力光の一部は分配器９０２を通して光電子増倍管（ホトマル）９０３に導かれ電気信号に変換される。その電気信号は、コンデンサ９０４によって積分される。この積分値は、フィルムの露光の程度に対応しており、フィルム濃度設定器９０５により設定された基準値と比較器９０６で比較され、積分値がその設定値に達したときに、Ｘ線遮断信号を発生してＸ線の照射を停止するようになっている。
【００１１】
次に、従来の検出器について説明する。
【００１２】
被写体透過後のＸ線の検出手段としては、Ｉ．Ｉ．採光型、カセッテ前面蛍光採光型、カセッテ後面蛍光採光型、電離箱型、研究途上ではあるが半導体検出型がある。これらは大きく前面採光方式と後面採光方式に分類することができる。
【００１３】
カセッテ前面蛍光採光型、電離箱型は、いずれもフィルムと被写体の間に検出器を設置する（カセッテ）前面採光方式である。
【００１４】
Ｉ．Ｉ．採光型、カセッテ後面蛍光採光型はフィルム透過後のＸ線を検出するもので後面採光方式である。
【００１５】
図１２は蛍光採光型検出器の一例で検出器の厚さは約２．５ｍｍで電離箱（約１０ｍｍの厚さ）に比べはるかに薄くなっている。この蛍光採光型の検出機構は、被写体を透過してきたＸ線を蛍光紙（体）９１１に当て、蛍光体を発光させ、遮光紙９１２のくり抜かれた部分の蛍光をライトガイド板９１３に導いて、光電子増倍管９１４に到達、入射して、光電変換されるようになっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、Ｘ線量検出素子を、Ｘ線撮像装置の前面に置くことによりＸ線を検出する場合は、検出素子が撮像領域にＸ線などの電磁波が到達する前に画像情報の一部を受けてしまうため得られる画像情報に悪影響を及ぼす場合があった。
【００１７】
また、カセッテ前面採光方式は後面採光方式に比べ、曝射量検出によるＸ線吸収や散乱線の影響があり、その結果、画質の低下が生じたり、その吸収を補うために被曝線量が多くなったりする場合がある。また検出器の厚さが厚くなれば被写体とフィルム間の距離が大きくなり、幾何学的ボケが大きくなり画質が低下する。これはＸ線管焦点が検出器の厚さのために画像撮像部であるフィルムやセンサーの受像位置からずれてしまうためである。
【００１８】
更に、後面採光方式の場合にはフィルムを感光させるＸ線源と検出器の間のＸ線吸収が一般に多く、管電圧依存特性が悪くなる場合が多い。また、管電圧依存特性を少なくするために後面吸収を少なくすると、フィルムがフィルムを透過したＸ線などが後方の部材に照射されて生じるような後方散乱線の影響を受けやすくなる。
【００１９】
本発明は、上記の問題を解決することを目的とする。
【００２０】
また、本発明は、Ｘ線などの電磁波の照射量を検出することができるとともに、該電磁波が有する画像情報を電気信号に変換することができる、つまり、撮像部分とＸ線照射量を検出する部分を一体型にすることにより、装置の小型化を図ることができる電磁波変換装置を提供することを目的とする。
【００２１】
また、本発明は、電磁波の照射量の検出を電磁波変換装置自体で行うことが可能で、照射量を正確に検出することが可能な電磁波変換装置を提供することを目的とする。
【００２２】
加えて本発明は、電磁波の照射量を複数の部位で検出することができ、撮像画像へ影響を及ぼさずに、Ｘ線の照射量を検出することが可能な電磁波変換装置を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電磁波を信号電荷に変換する検出手段と、前記検出手段の電位をリセットするリセット手段と、前記電磁波により前記検出手段において発生した前記信号電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に蓄積された前記信号電荷を読み出す第１の読出手段と、を備えるセンサーセルが行列状に２次元に配置され、前記蓄積手段に蓄積された前記信号電荷による電位を非破壊で読み出し電磁波の照射量を検出する第２の読出手段と、を有する電磁波変換装置と、前記第２の読出手段により検出された前記照射量を所定の値と比較して電磁波の照射の停止を行なう電磁波制御装置と、を備える電磁波検出システムであって、前記第２の読出手段は、複数の前記センサーセル毎に設けられた前記検出手段において発生した前記信号電荷をゲートに蓄積し且つ前記信号電荷に基づいた電位を非破壊で読み出す複数のトランジスタと、複数の前記トランジスタのソース又はドレインに共通に接続された出力線と、該出力線に接続され前記電位に基づいた前記照射量を検出する回路と、を含み、前記蓄積手段は、前記検出手段の一方の端子と前記トランジスタのゲートが接続されてなり、前記第１の読出手段のソース又はドレインは前記蓄積手段に接続されており、前記第１の読出手段からの信号は前記電磁波変換装置から画像信号としてシリアルに読み出されることを特徴とする電磁波検出システムが提供される。
【００２５】
上記の電磁波検出システムにおいて、複数の前記トランジスタが、列状或いは行列状に前記出力線によりグループ化されて配置されていてもよい。
【００２６】
上記の電磁波検出システムにおいて、前記リセット手段、前記第１の読出手段、前記トランジスタが、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタであってもよい。
【００２７】
上記の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段の他方の端子には、電位供給手段が接続されていてもよい。
【００２８】
上記の電磁波検出システムは、前記検出手段の一方の端子の電圧を一定にする手段を備えていてもよい。
【００２９】
上記の電磁波検出システムにおいて、前記トランジスタのゲートに蓄積された前記信号電荷に基づいた電位をソースフォロア回路で読み出してもよい。
【００３０】
上記の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段は金属層、ｉ層、金属層が直接積層されたＸ線センシング部を備えていてもよい。
【００３１】
上記の電磁波検出システムにおいて、薄膜トランジスタの半導体が非単結晶シリコンであってもよい。
【００３２】
上記の電磁波検出システムにおいて、前記検出手段が半導体結晶の第１の基板からなり、信号電荷を蓄積し、読み出す手段が第２の絶縁性基板あるいは半導体基板に形成され、前記第１の基板と前記第２の基板が積層され、前記第１基板の検出セルと前記第２基板の読み出し回路とが電気的に接続されていてもよい。
【００３３】
上記の電磁波検出システムは、更に電磁波を発生する電磁波発生装置を備えていてもよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
［実施形態１］
図１は本発明の実施形態１による電磁波変換装置の構成を示す。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。
【００３５】
１１は絶縁（ガラス）基板上に、薄膜トランジスタ、容量等を作成した基板であり、２次元マトリクス状に並べられている。
【００３６】
１２は高エネルギー放射線を直接に検出する半導体を備える半導体基板であり、この半導体としてはＧａＡｓ，ＣｄＴｅ等が用いられる。
【００３７】
基板１１及び半導体基板１２は、導電体５０で各セル毎に上下間で結合される。
【００３８】
１３は、複数の半導体基板１２を共通にバイアスするための１枚の導電体である。導電体１３は、シート状でもよいが、メッシュ状でもよい。
【００３９】
１４は絶縁シート、１５はバイアスのシールド用シートである。通常、導電体１３には、１００Ｖ以上の電圧が印加されるので、絶縁シート１４、バイアスのシールド用シート１５は、その保護用として作用する。絶縁シート１４はエアーギャップであってもよい。その場合は、検出器のハウジングとの間にバイアスのシールド用シート１５を設ける。
【００４０】
２１は、検出器から信号出力を得るための信号処理ＩＣのテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、２２は信号処理回路のプリント基板である。
【００４１】
２３はドライバＩＣのＴＣＰで、２４は、ドライバ用プリント基板である。
【００４２】
図２は本発明によるＸ線センサーの断面図である。
【００４３】
１０２は、Ｘ線センシング部で、Ｘ線から電子−正孔を生成し、一方のキャリアを蓄積し、読み出すものである。１０１は、キャリアの読み出し部で、絶縁基板１００の上に薄膜トランジスタ、容量などが形成されている。
【００４４】
Ｘ線センシング部１０２は、ＧａＡｓ，ＧａＰ，Ｇｅ，ＣｄＴｅなどの半導体からなり、１０18ｃｍ-3以上のｎ型高不純物濃度のｎ+層１２１、ｉ層１２２、１０18ｃｍ-3以上のｐ型高不純物濃度のｐ+層１２３を備える。空乏層がｎ+層１２１とｉ層１２２の界面から広がるｐｉｎダイオード、ｐ+層１２３上に形成される金属層１２４、ｎ+層１２１の下に形成された金属層１２５、１２６により構成されている。金属層１２６はオーミック接触用メタルである。１２７はＳｉＮ等の保護層である。金属層１２５はＡｕ等の材料をめっき等により、上下基板の接続が容易にするために１〜１０μｍ程度の高さにする。
【００４５】
なお、ｉ層とは、半導体の高抵抗層のことである。また、金属層１２４は、例えば、ＡｕＺｎより組成され、金属層１２６は、例えば、ＡｕＧｅＮｉより組成される。
【００４６】
キャリアの読み出し部１０１は、絶縁基板１００上に回路を構成する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という。）１３１を有し、ＴＦＴ１３１は、ゲート１３２、ドレイン１３３、活性層１３４、ソース、ドレインと接続される金属配線１３５からなる。ＴＦＴ１３１は、保護膜１４１で覆われている。１４２はＡｌ層、１４３は金属層である。図２では、図示されていないが、キャリアの読み出し部１０１は容量も有している。
【００４７】
キャリアの読み出し部１０１の金属層１４３とＸ線センシング部１０２の金属層１２５とは、金属あるいは導電性接着剤などからなる接続部材１５１によって接続されている。
【００４８】
図３は、図１、２に示す電磁波変換装置の等価回路を示す。
【００４９】
電磁波変換装置では、センサーセル２０１が２次元状に配列されている。
【００５０】
電磁波変換装置は、センサーセル２０１の水平方向の脇に配置された走査回路２０２とリセット回路２０３を有する。走査回路２０２、リセット回路２０３は、図１に示すドライバ用プリント基板２４が搭載するドライバ回路の中に備わる。
【００５１】
また、電磁波変換装置は、出力回路２０４、照射量検出回路２０５を有する。
【００５２】
走査回路２０２により、行ごとに各センサーセル２０１のトランジスタが選択されて、各センサーセル２０１から出力線２０６に信号が読み出され、各センサーセル２０１からの信号が出力線２０６に接続されるアンプ２０７を介して出力回路２０４によって列ごとに順次出力される。出力線２０６はリセットトランジスタ２０８により一定電位にリセットされる。各センサーセル２０１は、リセット回路２０３から各リセット線２０９を介して、各行ごとにリセットされる。
【００５３】
照射量検出回路２０５は、各列に共通の出力線２１０を介して、各列の各センサーセル２０１の最高電位を非破壊で検出している。２１１は、定電流源である。
【００５４】
図４は、各センサーセル２０１の等価回路を示す。
【００５５】
センサーセル２０１は、Ｘ線を信号電荷に変換するＸ線センシング部３０１、信号電荷をゲートに蓄積すると共にその電位を非破壊で読み出す役目を有する非破壊読み出し用兼信号電荷蓄積用トランジスタ（以下、単に「トランジスタ」という。）３０２、各センサーセル２０１から信号電荷を読み出す破壊読み出し用トランジスタ（以下、単に「トランジスタ」という。）３０３、信号電荷を完全にリセットするためのリセット用トランジスタ（以下、単に「トランジスタ」という。）３０４を備える。
【００５６】
Ｘ線入射によりＸ線センシング部３０１に発生した信号電荷Ｑが蓄積される容量Ｃは、トランジスタ３０２のゲート容量Ｃ２、トランジスタ３０３、３０４のトランジスタ３０２のゲートからみた容量Ｃ３、Ｃ４、Ｘ線センシング部３０１の容量Ｃ１の和ΣＣｎで決まり、トランジスタ３０２のゲートに現れる信号電圧は、Ｖｓ＝Ｑ／ΣＣｎとなる。この信号電圧がトランジスタ３０２によりソースフォロア（トランジスタ３０２と定電流源２１１により構成される。）の出力として出力線２１０に得られる。
【００５７】
図５は、センサーセル２０１と出力までの等価回路を示す。
【００５８】
容量Ｃｆは、出力線２０６に生ずる浮遊容量である。容量Ｃｆは、横方向の配線である行選択線２１２、リセット線２０９とのクロス部の容量、トランジスタ３０３のソース（ドレイン）の容量等からなる。大判パネルにおいては、この容量が大きくなり、センサーの信号（Ｓ）対雑音（Ｎ）比（Ｓ／Ｎ）に大きく影響する。単結晶基板では、配線と基板間に浮遊容量があり、クロス部、ソース部の容量に付加される。絶縁基板においては、配線と基板間の容量は、無くなるので１０ｃｍ□以上の大判エリアセンサにおいては単結晶の基板より好ましい。図５のアンプ２０７においては、アンプ８の雑音Ｎｉｎが１＋Ｃｆ／ＣＡ倍になるのでＣｆは、小さいほうがよい。但し、ＣＡは、アンプ２０７の入出力間に接続される積分用の容量である。
【００５９】
上記の信号電圧Ｖｓは、トランジスタ３０２のソースにＶｓ−Ｖｔｈの電圧となり照射量検出回路２０５と接続される出力端子Ｏ２に出力される。但し、Ｖｔｈはトランジスタのソース−ゲート間電圧である。また、各センサーセル２０１からの出力は、トランジスタ３０３からアンプ２０７を介して出力回路２０４に接続される出力端子Ｏ１に出力される。
【００６０】
図６は、動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００６１】
同図において、ΦＶＲ１は、センサーセル２０１のリセット信号、ΦＶＲ２は、出力線２０６のリセット信号、Φｖは、センサーセル２０１から出力線２０６への読み出しを行うための読み出し制御信号、Ｘ線は、Ｘ線入射タイミング、Ｏ２は、照射量検出回路２０５への出力電位を表わしている。なお、図４にも、各信号が与えられる位置にΦＶＲ１、ΦＶＲ２、Φｖ、Ｏ２を記載している。
【００６２】
最初に時刻Ｔ１において、リセット信号ΦＶＲ１により、センサーセル２０１の電位を一定値にすると、出力端子Ｏ２の電位は所定の電圧にセットされる。時刻Ｔ２でリセット信号ΦＶＲ１を解除すると、出力端子Ｏ２の電位は、センサーセル２０１でＸ線検出により発生した信号電荷により変化する。出力端子Ｏ２の電位は、時刻Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５では、それぞれ、電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３となる。出力端子Ｏ２の電圧が与えられ、その電圧を切り替え、増幅して出力する照射量検出回路２０５からの出力を利用する外部回路を用いて、Ｘ線発生器をコントロールしてＸ線露光時間を調整する。これが、自動露出機能である。
【００６３】
図６の例では、時刻Ｔ５において、出力端子Ｏ２の電圧がＶ３になった時点でＸ線の照射を自動露光機能により中止している。
【００６４】
時刻Ｔ６において、リセット信号ΦＶＲ２のパルスにより、出力線２０６の電位をリセットしたあと、時刻Ｔ７において、読み出し制御信号Φｖのパルスを与えると、各センサーセル２０１の信号電荷が出力端子Ｏ２に読み出される。その後、時刻Ｔ８において、再びリセット信号ΦＶＲ１のパルスにより、センサーセル２０１をリセットして、Ｘ線入射にそなえる。この基本動作が繰り返される。
【００６５】
なお、図３に示す本実施形態では、１の出力線２１０と定電流源２１１に同一列の複数のトランジスタ３０２のソースが接続されるので、出力線２１０に現れる電圧は、これらのトランジスタ３０２のゲート電圧のうちの最大の電圧に対応した値となるが、露光量制御のために照射量を測定する目的を有しているので、実用上問題ない。但し、各トランジスタ３０２毎に出力線２１０、定電流源２１１を設けても良い。
【００６６】
図７は、医療用としての応用システム例を示している。
【００６７】
１００５は、上記で説明した電磁波変換装置であり、これは、被写体１００４の画像を撮るとともに、被写体１００４を通過したＸ線の照射積分量を検出する。照射積分量は、データ処理装置１００６を介して、コンピュータ１００７に供給される。コンピュータ１００７は照射積分量が所定の値になったときに、カメラ制御器１０１０、Ｘ線制御器１０１１を介して被写体１００４へのＸ線を１００５の照射を停止する。このようにして、被写体１００４である人体へのＸ線照射量を必要最小限に抑えることができる。
【００６８】
図８は、トランジスタ３０２による照射量検出のグループ化の方式を示す。図３に示す例では、各列毎にトランジスタ３０２がグループ化されていることを、既に説明したが、この他に、図８（ａ）、（ｂ）に示すようにトランジスタ３０２をグループ化して、同一グループ内のトランジスタ３０２に単一の出力線２１０、定電流源２１１を接続するようにしても良い。なお、トランジスタ３０２のグループ化による区画の境界と、基板１１あるいは半導体基板１２の相互間の境界とは一致していてもいなくても良い。
【００６９】
図８（ａ）に示す例では、撮像領域を１行×６列の列状に並ぶグループにグループ化する。図８（ｂ）に示す例では、撮像領域を２行×３列の行列状に並ぶグループにグループ化する。
【００７０】
撮像領域には、例えば、２０００×２０００のセンサーセル２０１が並び、この場合には、図８（ａ）の例では、１つのグループに２０００（行方向）×３３３乃至３３４（列方向）個のセンサーセル２０１が含まれ、図８（ｂ）の例では、１つのグループに１０００（行方向）×６６６乃至６６７（列方向）個のセンサーセル２０１が含まれる。
【００７１】
各グループ内において、最大のゲート電圧のトランジスタ３０２に対応したソース電圧が検出電圧として得られるが、全グループのうちのどのグループの検出電圧を使用するかは、被写体の撮像部位によって異なる。すなわち、被写体である人体のうちの、胸部を撮像するか、腹部を撮像するか等に応じて適宜最適なグループの検出電圧を使用する。
【００７２】
［実施形態２］
図９は、本発明の実施形態３による電磁変換装置の各センサーセル２０１の等化回路図を示す。
【００７３】
電圧クランプ用トランジスタ（以下、単に「トランジスタ」という。）３０５がＸ線センシング部３０１とトランジスタ３０２のゲートの間に挿入されている。配線２１３に一定電位を供給することにより、Ｘ線センシング部３０１の高電圧印加と反対側のトランジスタ３０５と接続されている点３０６の電位を一定に保つことが出来る。これによりＸ線センシング部３０１の印加電界が一定に保つことが出来、Ｘ線に対する利得を変化することなく検出できる。配線２１３に供給する電位を一定に保つことが重要である。
【００７４】
［実施形態３］
図１０は、本発明の実施形態３による電磁変換装置の断面図を示す。図１０に示す実施形態３による電磁変換装置が図２に示す実施形態１による電磁変換装置と異なる点は、ｐ+層１２３とｎ+層１２１が除去され、金属層１２４が、例えば、ＡｕＧｅＮｉより組成される点である。なお、金属層１２６は、実施形態１と同様に、例えば、ＡｕＧｅＮｉより組成される。
【００７５】
このような構成によれば、ｐｎ接合部位でなく、半絶縁性(ｉ層)半導体基板中で放射線を検出する。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、以下の効果が奏される。
【００７７】
（１）Ｘ線撮像装置とＸ線照射量検出回路の一体化により小型化が容易となる。（２）Ｘ線の照射量の検出を電磁波変換装置自体で行うため、その照射量を正確に検出することが可能である。（３）Ｘ線の照射量を複数の部位で検出することができる。（４）撮像画へ影響を及ぼさずに、Ｘ線の照射量を検出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態による電磁波変換装置の平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態による電磁波変換装置の断面図である。
【図２】本発明の実施形態１による電磁波変換装置の部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態１による電磁波変換装置の全体の回路図である。
【図４】本発明の実施形態１による電磁波変換装置の各センサーセルの等化回路図である。
【図５】本発明の実施形態１による電磁波変換装置の１つのセンサーセルに着目したときのセンサーセル及び読み出し回路等の等化回路図である。
【図６】本発明の実施形態による電磁波変換装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の実施形態による電磁波変換装置を用いた医療用応用システムの構成を示す概念図である。
【図８】本発明の実施形態１による露光量検出用トランジスタのグループ化の方式を示す図である。
【図９】本発明の実施形態２による電磁波変換装置の各センサーセルの等化回路図である。
【図１０】本発明の実施形態３による電磁波変換装置の部分断面図である。
【図１１】従来例による自動露出制御装置の構成を示す概念図である。
【図１２】図１１に示す自動露出制御装置で用いられる蛍光採光型検出器の一例を示す図である。
【符号の説明】
１１  基板
１２  半導体基板
１３  導電体
１４  絶縁シート
１５  バイアスのシールド用シート
２１  テープキャリアパッケージ
２２  信号処理回路のプリント基板
２３  ドライバＩＣのテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）
２４  ドライバ用プリント基板
５０  導電体
１００  絶縁基板
１０１  キャリアの読み出し部
１０２  Ｘ線センシング部
１２１  ｎ+層
１２２  ｉ層
１２３  ｐ+層
１２４  金属層
１２５  金属層
１２６  金属層
１３１  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１３２  ゲート
１３３  ドレイン
１３４  活性層
１３５  金属配線
１４１  保護膜
１４２  Ａｌ層
１４３  金属層
１５１  接続部材
２０１  センサーセル
２０２  走査回路
２０３  リセット回路
２０４  出力回路
２０５  照射量検出回路
２０６  出力線
２０７  アンプ
２０８  リセット用トランジスタ
２０９  リセット線
２１０  出力線
２１１  定電流源
２１２  行選択線
３０１  Ｘ線センシング部
３０２  非破壊読み出し用兼信号電荷蓄積用トランジスタ
３０３  破壊読み出し用トランジスタ
３０４  リセット用トランジスタ
３０５  電圧クランプ用トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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