(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の入力光の強度に応じて第２の入力光を変調する光制御素子であって、
２つの第１のポートを有し、一方の該第１のポートから前記第２の入力光を入力して２つに分岐させて２つの第２のポートに出力する第１の合分岐手段と、
前記第２のポートの一方から出力された第２の入力光の一方を遅延させる遅延手段と、
前記第１の入力光を、前記遅延手段による遅延を受けた第２の入力光と合波させる第２の合分岐手段と、
該第２の合分岐手段により合波した入力光を伝播する媒質であって、前記第１の入力光の光強度に応じて屈折率が変化する媒質からなる位相変調手段と
からなり、該位相変調手段から出力される前記合波した第２の入力光を前記第２のポートの他方に入力し、前記合分岐手段により分岐した第２の入力光の他方を、前記位相変調手段、前記第２の合分岐手段、および前記遅延手段を介して前記第２のポートの一方に入力することにより、前記分岐した２つの第２の入力光を合波し、前記第１のポートの他方から変調された第２の入力光を出力する光制御素子において、
前記位相変調手段は、該媒質の断面形状が光の伝播方向に沿って変化するのに応じて該媒質の飽和特性が変化し、前記第２の合分岐手段を介して前記位相変調手段に一方向から入力する前記分岐された一方の第２の入力光と、前記第１の合分岐手段を介して前記位相変調手段に逆方向から入力する前記分岐された他方の第２の入力光との間の位相関係を制御することを特徴とする光制御素子。
【請求項２】
前記位相変調手段は半導体光増幅器であり、前記媒質は前記半導体光増幅器の導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光制御素子。
【請求項３】
前記媒質は活性層および／またはガイド層であることを特徴とする請求項１または２に記載の光制御素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光制御素子に関し、より具体的には、波長多重光ネットワークにおいて、任意波長の入力光の強度に応じて他の入力光を変調する光制御素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、複数の異なる波長の光信号を伝送する光伝送システムとして、前記複数の異なる波長の光信号を１本の光ファイバに結合して伝送する、波長多重を利用した光伝送システム（ＷＤＭシステム）が知られている。このＷＤＭシステムでは、１対１の伝送のみならず、ネットワーク化に関する技術の開発が急速に進みつつある。
【０００３】
ＷＤＭシステムにおいては、光ファイバを伝送する光信号の波長を同一または異なる波長へと変換する、いわゆる波長変換を行う光制御素子が重要となってくる。
【０００４】
図１は、従来の光制御素子として採用されている波長変換回路の構成を示す。この波長変換回路は、半導体光増幅器（Semiconductor Optical Amplifier、ＳＯＡ）１０１と、このＳＯＡ１０１の両側に設けられたＭＭＩカプラ（マルチモード干渉カプラ）１０２、１０３と、このＭＭＩカプラ１０２、１０３の間に設けられたループ型干渉回路１０９とから構成されている。
【０００５】
波長変換回路の動作原理について説明する。波長λｊの連続光（ＣＷ光）１０５が、ＭＭＩカプラ１０３のポート１１１に入射し、ＭＭＩカプラ１０３により２つに分岐した後、ループ型干渉回路１０９へと導かれる。このループ型干渉回路１０９では、ＭＭＩカプラ１０３からＳＯＡ１０１に至る一方の回路長は、ＭＭＩカプラ１０３からＳＯＡ１０１に至る他方の回路長に比較して長くなるように設計されている。以下、この長さをΔＬとする。
【０００６】
ＭＭＩカプラ１０３により分岐した波長λｊの２つの連続光は、各々、右回りの光１０７又は左回りの光１０６としてループ型干渉回路１０９を一周した後にＭＭＩカプラ１０３で合波され、ポート１１１から出射される。
【０００７】
一方、この波長変換回路に、波長λｉの信号光１０４をＭＭＩカプラ１０２から入射しＳＯＡ１０１へと導くと、信号光１０４による誘導放出が生じ、キャリア密度が減少する。このキャリア密度の減少に対応して、ＳＯＡ１０１内の屈折率が変化する。ループ型干渉回路１０９中を導波する波長λｊの連続光は、ＳＯＡ１０１内を通過する際に、この屈折率変化の影響を受けて位相が変化する。
【０００８】
波長λｉの信号光１０４は、ＭＭＩカプラ１０２とＳＯＡ１０１との間の導波路長に対応するタイムラグΔｔ後に、ＳＯＡ１０１中のキャリア密度の減少に伴って屈折率が変化する。
【０００９】
ループ型干渉回路１０９中を導波中に、屈折率が変化したＳＯＡ１０１内を通過する波長λｊの連続光は位相が変化し、その位相変化量は、一旦、急峻に立ち上がり、その後ＳＯＡ１０１内のキャリア密度が熱平衡状態に回復するのに伴って、元の位相へと戻る。
【００１０】
図２（ａ）は、図１に示したループ型干渉回路１０９中を導波してＭＭＩカプラ１０３に入射する波長λｊの連続光の位相変化の様子を示す図である。本図に示すように、右回りの光１０７、左回りの光１０６の位相変化量の時間依存性は、ともに同様の振る舞いを示す。
【００１１】
右回りの光１０７は、ＳＯＡ１０１とＭＭＩカプラ１０３の間の導波路長に対応する伝播時間Δｔ´後にＭＭＩカプラ１０３に入射する。一方、左回りの光１０６は、右回りの光１０７に比較して、ＳＯＡ１０１を通過してからＭＭＩカプラ１０３に入射するまでに伝播する回路長がΔＬだけ長い。このため、この回路長差ΔＬに対応する伝播時間差Δτだけ遅れてＭＭＩカプラ１０３へと入射することになる。
【００１２】
その結果、ＭＭＩカプラ１０３に入射する波長λｊの連続光の、右回りの光１０７の位相変化の立上がり時刻と左回りの光１０６の位相変化の立上がり時刻が、Δτだけずれることになる。同一の波長λｊをもつこれらの２つの連続光は、ＭＭＩカプラ１０３中で干渉するが、時間間隔Δτの間だけ互いの位相が異なっており、その後は両者の位相はほぼ一致している。
【００１３】
図２（ｂ）は、図１に示したポート１１０から出射される波長λｊの連続光の光強度変化の様子を示す図である。本図には、図２（ａ）に示した位相変化をなす左回りの光１０６と右回りの光１０７とがＭＭＩカプラ１０３内で干渉した後に、互いの位相が異なっている時間間隔Δτの間だけポート１１０から出射される、波長λｊの連続光の光強度Ｐの時間変化が示されている。ここで、横軸は、波長λｉの信号光１０４が、ＭＭＩカプラ１０２に入射した時刻をゼロとした後の経過時間ｔを示している。
【００１４】
図２（ｂ）に示すように、入力した波長λｉの光信号の内容は、波長λｊの光信号へと移り、互いの位相が異なっている時間間隔Δτの間だけ、ポート１１０から出力されることとなる。
【００１５】
このようなループ型干渉回路を有する波長変換回路では、ＳＯＡ１０１中のキャリア濃度の回復に対応して光の位相変化量が漸近的に回復するまでの時間領域のうち、時間間隔Δτ以外の領域における左回りの光１０６と右回りの光１０７の位相変化量は同一である。このため、相互に干渉を生じた結果、ＳＯＡ１０１内の屈折率変化の効果はキャンセルされる（キャンセルアウト）ので、高速な波長変換が可能となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のループ型干渉回路１０９を有する波長変換装置を用いた場合には、ＳＯＡ１０１の長さＬＳＯＡがΔＬと比較して十分に小さいことが必要である。
【００１７】
すなわち、右回りの連続光１０７は、信号光１０４と同一方向に伝播するために、信号光１０４により屈折率が変化した状態でのＳＯＡ１０１内を伝播する。その結果、右回りの連続光１０７は、ＳＯＡ１０１の長さＬＳＯＡ全体にわたり位相変化を受けることとなる。
【００１８】
一方、左回りの連続光１０６は、信号光１０４とは逆方向に伝播するために、ＳＯＡ１０１内において信号光１０４と出会うまではＳＯＡ１０１内の屈折率変化の影響を受けることがない。従って、左回りの連続光１０６がＳＯＡ１０１に入射してから位相変化量が立上がるまでには、ＳＯＡ１０１内において信号光１０４と出会うまでの時間に等しい時間、すなわち、ｔｒ＝２×ＬＳＯＡ／（ｃ／ｎｅｑ）を要する。ここで、ｃは光速、ｎｅｑはＳＯＡの等価屈折率である。
【００１９】
図３は、図１に示した波長変換回路の動作原理を説明するための図である。本図において、（ａ）は、ＳＯＡ１０１の長さＬＳＯＡがΔＬと同程度の場合の、ＭＭＩカプラ１０３に入射する波長λｊの連続光の位相変化の様子を示す。また、（ｂ）は、ポート１１０から出射される波長λｊの連続光の光強度変化の様子を示す。
【００２０】
図３（ａ）に示すとおり、右回りの光１０７の位相変化量は、ＭＭＩカプラ１０２とＳＯＡ１０１との間の導波路長に対応するタイムラグΔｔ後に急峻な立上がりを示す。一方、左回りの光１０６の位相変化量は、時間間隔ｔｒに亘るなだらかな立上がりとなる。そのため、右回りの光１０７と左回りの光１０６との干渉の結果としてポート１１０から出射される被変換光の波形は、図３（ｂ）のように変形してしまう。このように、Δτがｔｒよりも小さくなる条件での波長変換動作は事実上不可能であるという問題があった。
【００２１】
また、Δτとして１０ｐｓ程度を実現するためには
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が要求され、ＳＯＡ長ＬＳＯＡを２００μｍ程度以下にする必要があった。光の位相変化量は、伝播する媒質の屈折率変化の絶対値と長さとの積で決まるため、ＬＳＯＡの小さなＳＯＡにおいて所望の位相変化量を得るためには、媒質の屈折率変化の絶対値を大きくせざるを得ず、波長変換のための動作パワーが増大したり、ＳＯＡの飽和により所望の屈折率変化が得られないという問題があった。
【００２２】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記問題に鑑み、低パワーで高速の波長変換を実現可能な光制御素子を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、第１の入力光の強度に応じて第２の入力光を変調する光制御素子であって、２つの第１のポートを有し、一方の該第１のポートから前記第２の入力光を入力して２つに分岐させて２つの第２のポートに出力する第１の合分岐手段（４０３）と、前記第２のポートの一方から出力された第２の入力光の一方を遅延させる遅延手段（４０９）と、前記第１の入力光を、前記遅延手段による遅延を受けた第２の入力光と合波させる第２の合分岐手段（４０２）と、該第２の合分岐手段により合波した入力光を伝播する媒質であって、前記第１の入力光の光強度に応じて屈折率が変化する媒質からなる位相変調手段（４０１）とからなり、該位相変調手段から出力される前記合波した第２の入力光を前記第２のポートの他方に入力し、前記合分岐手段により分岐した第２の入力光の他方を、前記位相変調手段、前記第２の合分岐手段、および前記遅延手段を介して前記第２のポートの一方に入力することにより、前記分岐した２つの第２の入力光を合波し、前記第１のポートの他方から変調された第２の入力光を出力する光制御素子において、前記位相変調手段は、該媒質の断面形状が光の伝播方向に沿って変化するのに応じて該媒質の飽和特性が変化し、前記第２の合分岐手段を介して前記位相変調手段に一方向から入力する前記分岐された一方の第２の入力光と、前記第１の合分岐手段を介して前記位相変調手段に逆方向から入力する前記分岐された他方の第２の入力光との間の位相関係を制御することを特徴とする。
【００２４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光制御素子において、前記位相変調手段（４０１）は半導体光増幅器であり、前記媒質は前記半導体光増幅器の導波路であることを特徴とする。
【００２５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の光制御素子において、前記媒質は活性層および／またはガイド層であることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
図４は、本発明を適用した波長変換回路の構成を示す。この波長変換回路は、ＳＯＡ４０１と、ＭＭＩカプラ４０２，４０３と、ループ型干渉回路４０９とから構成される。このループ型干渉回路４０９では、ＭＭＩカプラ４０３からＳＯＡ４０１に至る一方の回路長は、ＭＭＩカプラ４０３からＳＯＡ４０１に至る他方の回路長に比較して、ΔＬだけ長くなるように設計されている。
【００２８】
ここで、ＳＯＡ４０１は、内部の導波路の断面形状が入力光の伝播方向に沿って変化する。従来のＳＯＡは利得媒質をコアとする導波路で形成され、利得を有する領域の断面形状は場所によらず一定である。これに対し、本発明を適用した波長変換回路のＳＯＡ４０１は、利得を有する領域の断面形状が入力光の伝播方向に沿って変化することを特徴とする。
【００２９】
（第１実施形態）
図５は、ｎ基板を用いた場合のＳＯＡ４０１の構造の一例を示す。ここで、図５（ａ）は、ＳＯＡ４０１の導波路コアに沿った断面図であり、図４中矢印Ｃ方向から示したものである。また、図５（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ同図（ａ）のＡ−Ａ′、Ｂ−Ｂ′断面における断面図である。本図に示すように、ＳＯＡ４０１は、ｎ−ＩｎＰ基板５０１、利得媒質であるＩｎＧａＡｓＰ活性層５０２、ｐ−ＩｎＰ５０３および５０５、ｎ−ＩｎＰ５０４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５０６、ｐ側電極５０７、およびｎ側電極５０８から構成される。
【００３０】
図６は、本実施形態に係るＳＯＡ４０１の導波路幅をＳＯＡ素子の長手方向、すなわち入力光の伝播方向における位置の関数として示す。ここで、本図（ａ）は、ＳＯＡ４０１の一端からの長さがＬ１のところで導波路幅がＷ１からＷ２に不連続的に変化する場合を示している。ＳＯＡの飽和パワーはＳＯＡの利得媒質（すなわち活性層）の断面積Ｓと、利得媒質（すなわち活性層）での光電界の閉じ込め係数Γとの比Ｓ／Γに比例する。断面積Ｓおよび閉じ込め係数Γは、ともに導波路幅の変化に伴い変化する。したがって、図５および図６に示すＳＯＡの場合は、導波路の位置により飽和パワーが異なるＳＯＡであるということができる。
【００３１】
次に、本実施形態に係る波長変換回路の動作原理を説明する。図４に示す波長変換回路の基本動作は、図１に示した従来例のものに準ずる。すなわち、波長λｊの連続光（ＣＷ光）４０５が、ＭＭＩカプラ４０３のポート４１１に入射し、ＭＭＩカプラ４０３により２つに分岐した後、ループ型干渉回路４０９へと導かれる。
【００３２】
ＭＭＩカプラ４０３により分岐した波長λｊの２つの連続光は、各々、右回りの光４０７又は左回りの光４０６としてループ型干渉回路４０９を一周した後にＭＭＩカプラ４０３で合波され、ポート４１１から出射される。
【００３３】
一方、この波長変換回路に、波長λｉの信号光４０４をＭＭＩカプラ４０２から入射しＳＯＡ４０１へと導くと、信号光４０４による誘導放出が生じ、キャリア密度が減少する。このキャリア密度の減少に対応して、ＳＯＡ４０１内の屈折率が変化する。ループ型干渉回路４０９中を導波する波長λｊの連続光は、ＳＯＡ４０１内を通過する際に、この屈折率変化の影響を受けて位相が変化する。
【００３４】
右回りの光４０７は、急峻に位相変化をおこし、その後ＳＯＡのキャリア変化の回復時間の速度に応じた時間で元の位相にもどり、ＭＭＩカプラ４０３に入射する。左回りの光４０６も同様の位相変化を受けるが、右回りの光４０７に比べてループ型干渉回路４０９を伝播する距離がΔＬだけ長いために遅延が生じ、伝播時間差Δτだけ遅れてＭＭＩカプラ４０３へ入射する。
【００３５】
ただし、図５および図６に示すように、ＳＯＡ４０１の利得を有する領域の断面形状が入力光の伝播方向に沿って変化する構造となっているため、以下の点において従来例と異なる。
【００３６】
すなわち、ループ内を右回りに伝播する光４０７と左回りに伝播する光４０６が、利得を有する領域の断面形状が導波路の位置に応じて変化するＳＯＡ４０１に互いに逆方向から入射し、互いに逆方向に出射される。上述したように、ＳＯＡの飽和パワーはＳＯＡの導波路幅に依存するものであるため、図６（ａ）に示す形状のＳＯＡは、飽和特性の異なる２個のＳＯＡが従属接続されたものと等価である。そのため、ＳＯＡ４０１を伝播する光はその伝播方向により飽和特性が異なることになり、ループ内を右回りに伝播する光４０７と左回りに伝播する光４０６の飽和特性が変化する。その結果、ＭＭＩカプラ４０３中で干渉効果によりポート４１０に出射される被変換光の波形が変化して、図３（ｂ）のような「すそ」を生じない図２のような出力波形を得ることができる。
【００３７】
したがって、本実施形態によれば、導波路幅が変化しさえすれば、その変化の連続、不連続、または変化率によらず、上記の効果を得ることが可能である。
【００３８】
なお、図６（ａ）では幅がＷ１およびＷ２の２種類の場合について説明したが、少なくとも２種類の幅を有していれば、何種類の幅を有していても同様の効果を期待できる。また、たとえば図６（ｂ）に示したように、ＳＯＡの全領域にわたって連続的に導波路幅が変化する場合でも同様な効果が期待できる。また、本図（ｃ）あるいは（ｄ）のように、少なくとも一部の領域で連続的に変化する場合でも、同様の効果が期待できる。
【００３９】
また、本実施形態ではＳＯＡの導波路コアが活性層のみにより構成された場合について説明してきたが、光ガイド層、光電気分離閉じ込め層（ＳＣＨ層）等が設けられている場合についても、導波路幅が変化していれば全く同様の議論が成り立ち、高速な波長変換の動作を実現することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、ＳＯＡの導波路幅が変化する場合について説明したが、導波路コアもしくは利得媒質の厚さｄが変化する場合についても全く同様な議論が成り立ち、同様な効果が期待できることも付け加えておく。この場合は、図６における導波路幅Ｗを厚さｄと読み替えることにより、連続、不連続を問わず厚みが変化すればよいことになる。
【００４１】
また、幅と厚さが同時に変化しても全く同様な効果が期待できることは上記議論により明らかである。
【００４２】
更に、導波路コアの断面形状が変化していれば、幅、厚さのどちらか一方、あるいはその両方が変化していても、またその変化が連続的、あるいは不連続的であっても、ＳＯＡ内の導波路の位置に応じて飽和パワーを変化させることが可能である。その結果として、高速な波長変換の動作を実現することが可能となる。
【００４３】
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態を示す図であり、図４におけるＳＯＡ４０１の構造の別の例を示している。図７（ａ）はＳＯＡ４０１の導波路コアに沿った断面図で、図４中矢印Ｃの方向から示した図である。また、本図（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ同図（ａ）のＡ−Ａ′、Ｂ−Ｂ′断面における断面図である。本実施形態に係るＳＯＡ４０１は、ｎ−ＩｎＰ基板７０１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層７０２、ｐ−ＩｎＰ７０３および７０５、ｎ−ＩｎＰ７０４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層７０６、ｐ側電極７０７、ｎ側電極７０８およびＩｎＧａＡｓＰガイド層７０９および７１０から構成される。なお、ＩｎＧａＡｓＰガイド層７０９および７１０は、分離閉じ込め層またはＳＣＨ層と呼ばれる場合もある。
【００４４】
本実施形態に係るＳＯＡの構造では、活性層上方のガイド層７１０の厚さが変化しており、ＳＯＡの一方の端部では厚さがｄ１であるのに対し、他方の端部では厚さが０になっている。この場合も、第１実施形態で説明したように活性層における光閉じ込め係数ΓがＳＯＡ内の導波路の位置に応じて変化することになり、前述の通りＳＯＡの飽和パワーが導波路の位置に応じて変化することになる。そのため、第１実施形態と同様に高速な波長変換の動作が可能となる。
【００４５】
ここで、上記ガイド層７１０の厚さは、連続的に変化しても、少なくとも一部が不連続的に変化しても構わない。また、厚さは変化さえしていれば０まで変化しなくても構わない。
【００４６】
また、厚さが変化する部分は上方ガイド層７１０に限定されるものではなく、活性層７０２、上方ガイド層７１０、下方ガイド層７０９の少なくとも一つの厚さが変化していれば、活性層における光閉じ込め係数Γが導波路の位置に応じて変化することになるため、上記と同様の効果が期待できる。
【００４７】
また、本実施形態では、ＳＯＡとして図５または図７に示すようなＩｎＧａＡｓＰバルク活性層を用いたｐｎ埋め込み構造のＳＯＡを用いた場合について説明したが、ＳＯＡの活性層に関してはＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等の任意の材質を用いても同様な効果が期待できる。
【００４８】
また、活性層構造に関してもバルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わず、ＳＯＡの導波路構造に関してもｐｎ埋め込みに限定されるものではなく、リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用いた場合でも同様な効果が期待できる。
【００４９】
また、基板に関してもｎ型基板に限定されるものではなく、ｐ型、半絶縁型等でも同様な効果が得られることはいうまでもない。
【００５０】
また、上述した実施形態では、カプラとしてＭＭＩカプラを用いた例を示しているが、これに代えて方向性結合器を用いることとしてもよい。
【００５１】
更に、上述した実施形態では、合波した入力光を伝播する媒質からなる構造であって、媒質の屈折率が第１の入力光の光強度に応じて変化する構造として、ＳＯＡを用いた例を示しているが、ＥＡ変調器等光強度に応じて屈折率が変化する構造であれば、すべて本発明を適用することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低動作パワーで高速の波長変換の動作を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の波長変換回路の一例を示す構成図である。
【図２】従来の波長変換回路の動作原理を示す図である。
【図３】従来の波長変換回路の動作原理を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る波長変換回路の構成図である。
【図５】図４におけるＳＯＡの構造の一例を示す図である。
【図６】ＳＯＡの導波路幅を入力光の伝播方向における位置の関数として示す図である。
【図７】図４におけるＳＯＡの構造の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０１  ＳＯＡ
１０２  ＭＭＩカプラ
１０３  ＭＭＩカプラ
１０４  信号光
１０５  ＣＷ光
１０６  左回りの光
１０７  右回りの光
１０８  出力光
１０９  ループ型干渉回路
１１０  ポート
１１１  ポート
４０１  ＳＯＡ
４０２  ＭＭＩカプラ
４０３  ＭＭＩカプラ
４０４  信号光
４０５  ＣＷ光
４０６  左回りの光
４０７  右回りの光
４０８  出力光
４０９  ループ型干渉回路
４１０  ポート
４１１  ポート
５０１  ｎ−ＩｎＰ基板
５０２  ＩｎＧａＡｓＰ活性層
５０３  ｐ−ＩｎＰ
５０４  ｎ−ＩｎＰ
５０５  ｐ−ＩｎＰ
５０６  ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
５０７  ｐ側電極
５０８  ｎ側電極
７０１  ｎ−ＩｎＰ基板
７０２  ＩｎＧａＡｓＰ活性層
７０３  ｐ−ＩｎＰ
７０４  ｎ−ＩｎＰ
７０５  ｐ−ＩｎＰ
７０６  ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
７０７  ｐ側電極
７０８  ｎ側電極
７０９  ＳＣＨ層
７１０  ＳＣＨ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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