(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電基板上に配置され直列に接続された誘導コイル及び磁気抵抗素子と、
前記直列に接続された誘導コイル及び磁気抵抗素子の一端に入力信号を供給する入力リード線と、
前記直列に接続された誘導コイル及び前記磁気抵抗素子の他端に与えられた前記導電基板に接続された接地リード線とを備え、
前記導電基板が導電サスペンションに接続されて前記接地リード線の接地リターンとして使用される磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項２】
前記誘導コイル及び前記磁気抵抗素子の入力リード線は、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために信号を結合させる共通接続パッドを共用する請求項１記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項３】
更に、前記磁気抵抗素子に接続されて前記磁気抵抗素子を流れる電流を制御する電流素子を含む請求項２記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項４】
前記電流素子は、前記磁気抵抗素子と直列に接続されたダイオードを備えて書き込み電流が前記誘導コイルに供給されているときに単一方向の電流を保持させる請求項３記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項５】
前記電流素子は前記磁気抵抗素子と並列にダイオードを備え、書き込み電流が供給されているときに前記磁気抵抗素子端の電圧をクランプさせて、前記磁気抵抗素子に対する損傷を防止させる請求項３記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項６】
データを記憶する磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体を回転させるモータと、
前記磁気記憶媒体の表面上を移動可能に配置されて前記磁気記憶媒体から情報を読み出し及び又は書き込む磁気ヘッド・アセンブリとを有し、
前記磁気ヘッド・アセンブリが請求項１〜請求項５のいずれかに記載された磁気ヘッド・アセンブリである磁気記憶システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、概してヘッド／サスペンション設計に関し、特にＭＲヘッド／サスペンション設計における読み出し／書き込み素子とＡＥモジュール間のワイヤ数を減少させる方法及び装置並びにそれらのＭＲヘッド／サスペンション設計に関する。
【０００２】
【従来の技術】
記憶システムはコンピュータにおける多量のデータを記憶するためにごく通常に用いられるシステムのうちの一つとなった。例えば、ハード・ディスク記憶システムは、通常、磁気記憶材料により被覆された硬いディスクと、データを書き込む際にディスクのセグメントに磁界を印加するか、又はデータをディスクから読み出す際に既存の磁界上の極性を検知するように、対向する前記ディスクの平面上に配置された１又はそれより多くの読み出し／書き込みヘッドとを備えている。
【０００３】
データメモリ技術が成熟するに従って、増加する情報量がより小さな空間に詰め込まれる。同時に、データ記憶システムは、より信頼性を増すと共により安価になって来ている。現在、磁気抵抗素子及び誘導記録ヘッドからアーム・エレクトロニックス（ＡＥ）モジュールへの電気信号を搬送するために１個のヘッドについて４本のワイヤ、即ち磁気抵抗（ＭＲ）素子用に２本のワイヤ、及び誘導ヘッドに２本のワイヤが用いられている。これらのワイヤはそれぞれヘッド・アクチュエータに接続されたＡＥモジュール上と記録ヘッド・スライダ上に終端スペースを必要とし、これによってそこで使用な可能なスペースを制限にし、かつ達成し得る小型化程度を制限にする。
【０００４】
通常、ＡＥモジュールの終端スペース及びフレックス・ケーブルには制限があるので、モジュールの寸法が小さくなるに従って、リード線をルート設定し、かつ終端するための設計及び処理はより困難となる。同様に、スライダ上の終端スペースは制限があり、かつナノからピコへ、更にフェムトへスライダの寸法が小さくなるに従って小さくなる。これらのＡＥモジュール上及びスライダ上でのスペースの制限は磁気記録ヘッド及びシステムのコストが有効な縮小化を図る上での妨げになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記の背景からＭＲヘッド／サスペンション設計においてスライダとＡＥモジュールとの間のワイヤ数を減少させる必要性が存在することが理解される。
【０００６】
そこで、本発明の目的はＭＲヘッド／サスペンション・アッセンブリの寸法を小さくできるように、スライダとＡＥモジュールとの間により少ない本数のワイヤを備えたＭＲヘッド／サスペンション設計を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の明細書を読み、かつ理解することにより、以上で述べた従来技術における限界を克服し、かつ他の制限を克服するために、本発明は読み出し／書き込み素子とＡＥモジュールとの間で必要とされるワイヤ数を減少させる方法及び装置を開示する。
【０００８】
本発明は、磁気ヘッドにおけるワイヤリング・パスを除去することにより、磁気ヘッドの寸法縮小を容易にする磁気ヘッドを製作する方法を提供することにより前述の問題を解決する。
【０００９】
本発明の原理によるシステムは、誘導コイル及び磁気抵抗素子と、前記回路に入力信号を供給する入力リードと、前記回路により共用される共通接地とを含む回路を備えている。
【００１０】
本発明の一態様は、誘導コイル及び磁気抵抗素子が導電基板上に形成され、この導電基板が該誘導コイル及び磁気抵抗素子のために前記共用される共通接地のリターン・リードとして機能することである。
【００１１】
本発明の他の態様は、前記磁気ヘッドが更に導電サスペンションを備え、前記導電基板が前記導電サスペンションに接続されることである。
【００１２】
本発明の他の態様は、前記誘導コイル及び磁気抵抗素子の入力信号リードがこれらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために信号を結合させる共通接続パッドを共用することである。
【００１３】
本発明の更に他の態様は、前記磁気ヘッドが更に前記磁気抵抗素子に接続された電流素子を備えて前記誘導コイル及び磁気抵抗素子を流れる電流を制御することである。
【００１４】
本発明の他の態様は、前記電流素子が前記磁気抵抗素子と直列に接続されたダイオードを備えて、前記誘導コイルに供給されているときに、単一方向の電流を保持させることである。
【００１５】
本発明の他の態様は、前記電流素子が前記磁気抵抗素子と並列にダイオードを備え、書き込み電流が供給されているときに、前記磁気抵抗素子端の電圧をクランプして、前記磁気抵抗素子に対する損傷を防止させることである。
【００１６】
本発明の他の態様は、前記共通接地のリターン・リードが個別的なワイヤリング構造を備えることである。
【００１７】
本発明の更に他の態様は、前記誘導コイル及び磁気抵抗素子が並列回路を形成すると共に、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子がそれぞれ個別的な入力コネクタ・パッドを有することである。
【００１８】
本発明の他の態様は、前記共通接地のリターン・リードが個別的なワイヤリング構造を備えていることである。
【００１９】
本発明の他の態様は、前記誘導コイル及び磁気抵抗素子がそれぞれ接地リード・コネクタ・パッドを備えていることである。
【００２０】
本発明を特徴付ける新規な構成は、ここに記載した特許請求の範囲に特に指摘され、かつその一部を形成している。しかし、本発明、その効果及びその使用による得られる目的をよく理解するためには、更にその一部を形成する図面、及び付随する説明事項を参照すべきであり、これには、本発明による装置に関する特定の実施例が図示されていると共に、説明されている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下の実施例の説明では、その一部を形成する添付図面を参照し、かつ本発明を実施することができる特定の実施例を説明することにより示される。本発明の範囲から逸脱することなく、構造的な変更を行うことができるので、他の実施例を利用してもよいことを理解すべきである。
【００２２】
本発明は、読み出し素子／書き込み素子とヘッド・アクチュエータに接続されたＡＥモジュールとの間で必要とされるワイヤ数を少なくする方法及び装置を提供する。スライダとＡＥとの間で必要とされない各ワイヤについては、ワイヤの各終端（ＡＥ及びスライダ）における終端スペースを除去することができるので、これによって残りのワイヤのための終端スペースを縮小することなく、ＡＥ／スライダの縮小を可能にする。
【００２３】
図１は磁気記憶システム（ディスク・ドライブ）１０の展開図を示す。ディスク・ドライブ１０はハウジング１２及びハウジング・カバー１４を備えており、ハウジング・カバー１４は、アッセンブリの後に、フレーム１６内に搭載される。ハウジング１２内にはスピンドル・シャフト２２が取付けられる。スピンドル・シャフト２２に対しては回転可能に多数の磁気記憶ディスク２４が取り付けられている。図１において、相互に間隔を置いて８枚の磁気記憶ディスク２４が取り付けられている。磁気記憶ディスク２４はモータ（図示なし）により駆動されているスピンドル・シャフト２２により回転する。情報は、スライダ２６により支持されているヘッド即ち磁気トランスデューサ（図示なし）によって磁気記憶ディスク２４に書き込まれる又はこれから読み出される。スライダ２６は、好ましくは、サスペンション即ち負荷バネ２８に接続される。負荷バネ２８はＥブロック即ち、くし３２上の個別的なアーム３０に取り付けられている。Ｅブロック即ち、くし３２はアクチュエータ・アーム・アッセンブリ３６の一端に取り付けられている。アクチュエータ・アーム・アッセンブリ３６はハウジング１２内で回転可能にアクチュエータ・シャフト３８上に取り付けられている。アクチュエータ・アーム・アッセンブリ３６は、磁気記憶ディスク２４の表面上を弓状のパスにより、本発明による一体型のトランスデューサ／サスペンション・アッセンブリを移動させる。しかし、本発明は、前述のデータ記憶システムに限定されることを意図するものではない。
【００２４】
従来技術のハード・ディスク・ヘッド・アクチュエータ・アッセンブリ２００を図２に示す。ヘッド・アクチュエータはフレキシブル・ケーブル２０２、ヘッド・サスペンション・アッセンブリ２０４、キャリッジ２０６、及びねじ、スウェージング及び接着により結合されているＶＣＭコイル２０８を備えている。これらの中で各ヘッド・サスペンション・アッセンブリ２０４はヘッド・アッセンブリ２１０及びサスペンション・アッセンブリ２１２を備えている。
【００２５】
図３は図２の従来技術のヘッド・アクチュエータ・アッセンブリ３００の側面図を示す。図３において、ヘッド・アクチュエータ・アッセンブリ３００は８つのサスペンション・アッセンブリ３０４を備えている。各サスペンション・アッセンブリ３０４の終端には、ヘッド・アッセンブリ３１０が取り付けられている。各ヘッド・アッセンブリ３１０に対して一対の書き込み信号線及び一対の読み出し信号線を備えた信号線３２０が挿入されている。従って、各磁気ヘッド３１０からフレキシブル・ケーブル３０２における接続３２２へ４本の信号線３２０が配線されている。フレキシブル・ケーブル３０２は、ヘッド・アッセンブリ３１０からの４本の各信号線３２０を介する信号をＡＥモジュール（図示なし）へ導くように、４つのパスを提供する。ヘッド・アッセンブリ３１０からの４本の信号線３２０は、それぞれ半田付け接続によりフレキシブル・ケーブル３０２に直接接続される。
【００２６】
図４は上部サスペンション３５２用の４本の信号線３２０の拡大図を示す。４本の信号線３２０の終端３６０はフレキシブル・ケーブル３０２にそれぞれはんだ付けするのを容易にするように千鳥状に配列されている。図４では４本の信号線３２０がまとめられて単一のパス３５４を形成しているように見えるが、当該技術分野に習熟する者はこのような特徴が単に便宜的ものであることを理解すべきである。４本の信号線３２０は、実際には、まとめられてはいないが、それぞれがサスペンション・アッセンブリ３５２の長さでヘッド・アッセンブリ３１０まで配線されている。
【００２７】
図５は通常に用いられている４線の磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計４００を示す。図５において、磁気抵抗素子４０２は入力信号リード線（ＭＲ＋）４０４及び接地リターン・リード端子（ＭＲ−）４０６を備えている。更に、誘導ヘッド４０８は入力信号リード（ＩＮＤ＋）４１０及び接地リターン・リード端子（ＩＮＤ−）４１２を備えている。従って、磁気抵抗素子４０２及び誘導ヘッド４０８からアーム・エレクトロニックス（ＡＥ）モジュールへ電気信号を搬送するためにスライダ当たり４本の線、即ち磁気抵抗（ＭＲ）素子４０２用に２ワイヤの入力信号リード線４０４、接地リターン・リード端子４０６、及び誘導ヘッド４０８用に２本のワイヤ４１０、４１２が用いられている。４本のワイヤを使用すると、各信号パス用に終端スペースを必要とするので、ＡＥモジュール及び記録ヘッドにおける使用可能スペースが制限される。当該技術分野に習熟する者は、添付する図面における誘導ヘッド及び磁気抵抗素子の位置が単に説明のために提供されていることを理解すべきである。
【００２８】
図６は読み出し及び書き込み素子用に共有された接地リードを有する磁気抵抗素子／誘導ヘッド５００を示す。共有される接地リード５０２は、製造処理中に作成され、かつ４本から３本まで必要とされるワイヤ数を減少させる個別的なワイヤリング構造により形成することができる。従って、磁気抵抗素子５０４及び誘導ヘッド５０６の両者は、共通接地のリターン・リード（ＭＲ−、ＩＮＤ−）５０２を共有している。磁気抵抗素子５０４及び誘導ヘッド５０６の両者はそれぞれ入力信号リード（ＭＲ＋）５０８、（ＩＮＤ＋）５１０を備え、これによって３本のワイヤ・パスとなる。１本のリード線が除去されると、磁気抵抗素子５０４及び誘導ヘッド５０６用の信号をルート設定すると共に終端させる設計上の制約が解消される。更に、４本のリード線に代わって３本のリード線を有することにより、ヘッド・ジンバル・アッセンブリの柔軟性を改善すると共に、終端数を２５％減少させ、これがコストを削減し、生産性及び信頼性を改善することになる。既存寸法によるスライダ上のパッド寸法を増加させることもできるので、それだけ製造を容易にする。更に小さなスライダ寸法による将来設計においても、パッド寸法を圧縮するように強いられることなく、この３パッド寸法を一定に保持することができる。
【００２９】
図７は２ワイヤの磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計６００を示す。この設計では、磁気抵抗素子６０６及び誘導素子６０８の接地リード６０２、６０４は、それぞれ導電基板６１０に接続され、更にこれが導電サスペンション６１２に電気的に接続する。従って、導電基板６１０及び導電サスペンション６１２の組み合わせが接地リターンとして機能する。従って、２ワイヤのみ、即ち磁気抵抗素子６０６の入力信号リード（ＭＲ＋）６１４に１ワイヤ、及び誘導ヘッド４０８用の入力信号リード（ＩＮＤ＋）６１６に１ワイヤのみを必要とするだけである。
【００３０】
図８は１ワイヤの磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計７００を示す。この設計では、磁気抵抗素子７０６及び誘導素子７０８の接地リード７０２は、導電基板７１０に接続され、これが更に導電サスペンション７１２に電気的に接続される。従って、導電基板７１０及び導電サスペンション７１２の組合わせは接地リターンとして機能する。磁気抵抗素子７０６及び誘導素子７０８の回路に対する入力信号は、共通パッド（ＭＲ＋、ＩＮＤ＋）７１８を介して供給される。誘導ヘッド７０８は、低直流電流によりディスクを消去しないように、５０ｍＡ又はそれ以上による抵抗書き込みモードを有するように設計することができる。従って、磁気抵抗素子７０６は５ｍＡのバイアス電流による高抵抗読み出しモードを有するように設計されることになる。
【００３１】
図９は書き込みモード７５０における回路の電気的なモデルを示す。ダイオード７５２、７５４は、磁気抵抗素子７５６と並列に接続されて磁気抵抗素子７５６に流れる電流を制限するようにし、これによってこの磁気抵抗素子７５６が損傷するのを防止させることができる。ドライバ（図示なし）は誘導コイル７６０におけるトランジェント効果のために約３ボルトを必要とする。図１０は読み出しモード７７０における回路の電気モデルを示す。磁気抵抗素子７７２を動作させるために必要とする小さな直流電流は、誘導コイル７７４をバイアスさせてディスクを消去させるには不十分なものである。
【００３２】
更に、この１ワイヤの磁気抵抗素子設計では、電流の流れを制御するように読み出し及び書き込み素子と直列に他の素子を配置してもよい。図１１は一実施例８００を示し、第１のダイオード８０２を磁気抵抗素子８０４と直列に接続して誘導性の書き込み電流が供給されているときに、電流を単一方向に保持させることができる。
【００３３】
図１１は更に他の実施例を示すものであり、第２のダイオード８０６を磁気抵抗素子８０４と並列に接続して、誘導ヘッドが書き込みをしているときに、磁気抵抗素子８０４端の電圧を安全レベルにクランプさせることができる。
【００３４】
当該技術分野に習熟する者は、本発明の教えから逸脱することなく、ここで開示した複数の設計方法の組合わせを用いることが可能なことを認識すべきである。例えば、接地リターンとしてスライダ／サスペンションを用いることなく、並列に接続された磁気抵抗素子及び誘導素子により、２ワイヤの設計を構築することもできる。
【００３５】
以上の本発明の実施例の説明は、図示及び説明を目的として提供したものである。本発明を開示した厳密な形態をその全てであるとすること、又はこれらに制限することを意図するものではない。以上の教えに照らして多くの変更及び変形が可能である。本発明の範囲は、特許請求の範囲によることを除き、この詳細説明によって制限されないことを意図している。
【００３６】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の項を開示する。
【００３７】
（１）誘導コイル及び磁気抵抗素子を含む回路と、前記回路に入力信号を供給する入力リードと、前記回路により共用される共通接地とを備えている磁気ヘッド。
（２）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は導電基板上に形成され、前記導電基板はこれらの誘導コイル及び磁気抵抗素子用に前記共用される共通接地のリターン・リードとして機能する上記（１）記載の磁気ヘッド。
（３）更に、導電サスペンションを備え、かつ前記導電基板は前記導電サスペンションに接続されている上記（２）記載の磁気ヘッド。
（４）前記誘導コイル及び前記磁気抵抗素子の入力信号リードは、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために信号を結合させる共通接続パッドを共用する上記（３）記載の磁気ヘッド。
（５）更に、前記磁気抵抗素子に接続されて前記誘導コイル及び前記磁気抵抗素子を流れる電流を制御する電流素子を含む上記（４）記載の磁気ヘッド。
（６）前記電流素子は、前記磁気抵抗素子と直列に接続されたダイオードを備えて書き込み電流が前記誘導コイルに供給されているときに単一方向の電流を保持させる上記（５）記載の磁気ヘッド。
（７）前記電流素子は前記磁気抵抗素子と並列にダイオードを備え、書き込み電流が供給されているときに前記磁気抵抗素子端の電圧をクランプさせて、前記磁気抵抗素子に対する損傷を防止させる上記（５）記載の磁気ヘッド。
（８）前記共通接地のリターン・リードは、個別的なワイヤリング構造を備えている上記（１）記載の磁気ヘッド。
（９）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は、並列回路を形成すると共に、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子がそれぞれ個別的な入力コネクタ・パッドを有する上記（１）記載の磁気ヘッド。
（１０）前記共通接地のリターン・リードは、個別的なワイヤリング構造を備えている上記（９）記載の磁気ヘッド。
（１１）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は、それぞれ接地リード・コネクタ・パッドを備えている上記（９）記載の磁気ヘッド。
（１２）データを記憶する磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体に接続されてこの磁気記憶媒体を並進させるモータと、前記磁気記憶媒体に作動可能に接続されてこの磁気記憶媒体から情報を読み出すと共にこの磁気記憶媒体に情報を書き込む磁気ヘッドと、誘導コイル及び磁気抵抗素子を含む回路と、前記回路により共用される共通接地とを備えている磁気記憶システム。
（１３）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は導電基板上に形成され、この導電基板がこれらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために前記共用される共通接地のリターン・リードとして機能する上記（１２）記載の磁気記憶システム。
（１４）更に、導電サスペンションを備え、かつ前記導電基板がこの導電サスペンションに結合されている上記（１３）記載の磁気記憶システム。
（１５）前記誘導コイルの入力信号リード及び前記磁気抵抗素子は、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために信号を結合させる共通コネクタ・パッドを共用する上記（１４）記載の磁気記憶システム。
（１６）更に、前記磁気抵抗素子に接続されてこれらの誘導コイび磁気抵抗素子に流れる電流を制御させる電流素子を備えている上記（１５）記載の磁気記憶システム。
（１７）前記電流素子は前記磁気抵抗素子と直列に接続されたダイオードを備えて、書き込み電流が前記誘導コイルに供給されているときに、単一方向の電流を保持させる上記（１６）記載の磁気記憶システム。
（１８）前記電流素子はこの磁気抵抗素子と並列にダイオードを備えて、書き込み電流が供給されているときにこの磁気抵抗素子端の電圧をクランプさせて前記磁気抵抗素子に対する損傷を防止させる上記（１６）記載の磁気記憶システム。
（１９）前記共通接地のリターン・リードは個別的なワイヤリング構造を備えている上記（１２）記載の磁気記憶システム。
（２０）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は並列回路を形成すると共に、これらの誘導コイル及び磁気抵抗素子がそれぞれ個別的な入力コネクタ・パッドを有する上記（１２）記載の磁気記憶システム。
（２１）前記共通接地のリターン・リードは、個別的なワイヤリング構造を備えている上記（２０）記載の磁気記憶システム。
（２２）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子は、それぞれ接地リード・コネクタ・パッドを備えている上記（２２）記載の磁気記憶システム。
（２３）磁気ヘッドの寸法縮小を容易にするように前記磁気ヘッドを製作する方法において、基板上にそれぞれ入力信号リード及び接地リターン・リード端子を備えている誘導コイル及び磁気抵抗素子を形成するステップと、前記誘導コイル及び前記磁気抵抗素子の前記接地リターン・リード端子を接続して共通接地のリターン・リードを形成するステップとを含む方法。
（２４）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子の前記接地リターン・リード端子を接続するステップは、更に、個別的なワイヤリング構造を形成するステップを含む上記（２３）記載の方法。
（２５）前記誘導コイル及び磁気抵抗素子を形成するステップは、更に、導電基板上に前記誘導コイル及び磁気抵抗素子を形成するステップを含み、前記導電基板は前記誘導コイル及び磁気抵抗素子のために前記共用される共通接地リターン・リードとして機能する上記（２３）記載の方法。
（２６）更に、前記導電基板上に導電サスペンションを形成するステップを含む上記（２５）記載の方法。
（２７）更に、前記誘導コイル及び前記磁気抵抗素子の前記入力信号リードを共通コネクタ・パッドに接続してこれらの誘導コイル及び磁気抵抗素子のために信号を結合させるステップを含む上記（２６）記載の方法。
（２８）更に、電流素子を前記磁気抵抗素子に接続してこれらの誘導コイル及び磁気抵抗素子を流れる電流を制御させるステップを含む上記（２３）記載の方法。
（２９）前記電流素子を接続するステップは、ダイオードを前記磁気抵抗素子と直列に接続して、書き込み電流が供給されているときに単一方向の電流を保持させるステップを含む上記（２８）記載の磁気記憶システム。
（３０）前記電流素子を接続するステップは、ダイオードを前記磁気抵抗素子と並列に接続して、書き込み電流が供給されているときに前記磁気抵抗素子端の電圧を安全レベルにクランプさせるステップを含む上記（２８）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気記憶システムを示す展開図を示す。
【図２】従来技術のハード・ディスク・ヘッド・アクチュエータ・アッセンブリの平面図を示す。
【図３】図２の従来技術のハード・ディスク・ヘッド・アクチュエータ・アッセンブリの側面図を示す。
【図４】図３の上部サスペンション用の４信号線の拡大図を示す。
【図５】従来技術において通常に用いられている４ワイヤ磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計を示す図である。
【図６】本発明による読み出し素子及び書き込み素子用に共用される接地リードを有する磁気抵抗素子／誘導ヘッドを示す図である。
【図７】本発明による２ワイヤの磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計を示す図である。
【図８】本発明による１ワイヤの磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計を示す図である。
【図９】本発明による書き込みモードにおける回路の電気モードを示す図である。
【図１０】本発明による読み出しモードにおける回路の電気モードを示す図である。
【図１１】電流を制御するために本発明に関連して用いられるダイオードの例を示す図である。
【符号の説明】
５００                           磁気抵抗素子／誘導ヘッド
５０２                           リターン・リード（ＭＲ−、ＩＮＤ−）
５０４、６０６、７７２、８０４   磁気抵抗素子
５０６                           誘導ヘッド
５０８、６１４                   入力信号リード（ＭＲ＋）
５１０、６１６                   入力信号リード （ＩＮＤ＋）
６００、７００                   磁気抵抗素子／誘導ヘッド設計
６０２、６０４                   接地リード
６０６、７０６、７５６、７７２   磁気抵抗素子
６０８、７０８                   誘導素子
６１０、７１０                   導電基板
６１２、７１２                   導電サスペンション
７１８                           共通パッド（ＭＲ＋、ＩＮＤ＋）
７６０、７７４                   誘導コイル
８０２、８０６                   ダイオード
【図１】
0003787225.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003787225.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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