(57)【要約】  基板処理装置は、（ａ）基板保持具及び断熱アセンブリを収容する筒状の空間を形成する処理室と、（ｂ）１ないし複数の開口によって、前記処理室と流体連通するガス供給機構と、（ｃ）１ないし複数の主排気口によって前記処理室と流体連通するガス排出機構と、（ｄ）前記ガス排出機構に連通し、前記処理室内の雰囲気を排出する排気ポートと、（ｅ）前記処理室の側壁に設けられ、前記断熱アセンブリに面する位置において、前記処理室内と前記排気ポートとを連通させる中間排気口と、（ｆ）前記処理室の側壁に設けられ、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記処理室内と前記ガス供給機構とを連通させる供給室排気口と、を備える。前記断熱アセンブリは、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記中間排気口に対応する高さよりも上方および下方の外径よりも小さな外径を有するくびれが形成される。
2020026445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェハを所定の軸に沿って所定の間隔で配列した状態で保持する基板保持具と、
前記基板保持具の下方に配置される断熱アセンブリと、
前記基板保持具及び前記断熱アセンブリを収容する筒状の空間を形成する処理室と、
前記処理室内の前記複数のウェハのそれぞれの側部に向いて穿設された１ないし複数の開口によって、前記処理室と流体連通するガス供給機構と、
前記複数のウェハのそれぞれの側に向いて穿設された１ないし複数の主排気口によって前記処理室と流体連通するガス排出機構と、
前記ガス排出機構に連通し、前記処理室内の雰囲気を排出する排気ポートと、
前記処理室の側壁に設けられ、前記断熱アセンブリに面する位置において、前記処理室内と前記排気ポートとを連通させる中間排気口と、
前記処理室の側壁に設けられ、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記処理室内と前記ガス供給機構とを連通させる供給室排気口と、を備え、
前記断熱アセンブリは、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記中間排気口に対応する高さよりも上方および下方の外径よりも小さな外径を有するくびれが形成された基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス供給機構は、
前記処理室の側面の外側に、前記軸に平行に形成され、前記複数のウェハのそれぞれに対応して前記処理室の側面に穿設された複数のスリット開口によって、前記処理室と流体連通する複数の供給室を備え、
前記ガス排出機構は、
前記処理室の側面の外側であって前記供給室と異なる位置に形成され、前記処理室の側面に穿設された主排気口によって前記処理室と流体連通する排気室を備え、
前記排気ポートは、前記排気室に連通し、前記排気室内の雰囲気を排出し、
前記中間排気口は、前記処理室内と前記排気室内とを連通させ、
前記供給室排気口は、前記処理室内と前記供給室内とを連通させる請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の供給室の底の開口からそれぞれ挿入されて設けられ、前記ウェハに対してガスを提供するチューブ状のインジェクタと、
前記インジェクタのそれぞれを、前記処理室の外に設けられた対応するガス供給源に流体連通させる供給管と、を更に備えた請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記断熱アセンブリの下方にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記処理室、前記供給室及び前記排気室の下端の外周に一体に形成されたフランジと、
下端に前記基板保持具を出し入れ可能な開口を有し、前記フランジを支持する筒状のマニホールドと、
前記マニホールドの下端の開口を開閉可能に閉塞する蓋と、
前記ウェハを前記処理室の外から加熱するヒータと、を備え、
前記断熱アセンブリは、前記ウェハの直径よりも大きく、前記処理室の内径よりも小さい直径を有する円筒のボディを有する請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記断熱アセンブリの下方に供給されたパージガスが前記排気ポートに排出される経路のうち、前記供給室の底開口、前記供給室、前記スリット開口、前記ウェハの近傍、前記主排気口、前記排気室の順で流れる第１経路のコンダクタンスが、
前記断熱アセンブリの周囲、前記排気室の順で流れる第２経路のコンダクタンスよりも大きくなり、
前記供給室の底開口、前記供給室、前記供給室排気口、前記くびれの周囲、前記中間排気口、前記排気室の順で流れる第３経路のコンダクタンスよりも小さくなるように構成された請求項２乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記供給室排気口、前記ウェハの中心、前記中間排気口、及び前記排気ポートは、一直線上に配置される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記中間排気口は、前記排気ポートの管軸の延長線上の位置において開口する請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記インジェクタは、前記複数のウェハの内の最下段のウェハと同じもしくはそれより高い高さに設けられた吐出口からガスを供給し、前記ウェハを処理している間であって圧力の時間変動が最も大きくタイミングにおいて、前記吐出口から前記供給室排気口に向かう下降流が前記供給室内に生じる流量でガスを供給する請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記断熱アセンブリは、底が分離するように構成され、その内部の前記くびれよりも上方および下方に、前記くびれの内径よりも小さな直径を有する複数の断熱板又は反射板を備える請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記断熱アセンブリは、前記くびれよりも上方に配置された複数の断熱板又は反射板よりも上に、前記ウェハを加熱する補助ヒータを備える請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理室は、収容可能な最大の前記ウェハの直径の１０４〜１０８％の内径の筒状に構成され、第１及乃至第３のノズルは、前記処理室の側部の一部を外側に張り出して形成された供給バッファ内にそれぞれ隔離された状態で収容される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記供給室及び前記排気室は、前記処理室と分離不能に構成される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１の基板処理装置の前記処理室にウェハを搬入する工程と、
前記ウェハを処理する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板（ウェハ）の熱処理では、例えば縦型基板処理装置が使用されている。縦型基板処理装置では基板保持具によって複数の基板を垂直方向に配列して保持し、基板保持具を処理室内に搬入する。その後、処理室外に設置されたヒータによって基板を加熱した状態で処理室内に処理ガスを導入し、基板に対して薄膜形成処理等が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１７／０３７９３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
急激な圧力変動により、炉口部下部での膜割れが巻き上げられ、基板上にパーティクルが落ちる場合がある。  
本発明の目的は、上記パーティクルを低減する基板処理技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様では、基板処理装置は、（ａ）複数のウェハを所定の軸に沿って所定の間隔で配列した状態で保持する基板保持具と、（ｂ）前記基板保持具の下方に配置される断熱アセンブリと、（ｃ）前記基板保持具及び前記断熱アセンブリを収容する筒状の空間を形成する処理室と、（ｄ）前記処理室内の前記複数のウェハのそれぞれの側部に向いて穿設された１ないし複数の開口によって、前記処理室と流体連通するガス供給機構と、（ｅ）前記複数のウェハのそれぞれの側に向いて穿設された１ないし複数の主排気口によって前記処理室と流体連通するガス排出機構と、（ｆ）前記ガス排出機構に連通し、前記処理室内の雰囲気を排出する排気ポートと、（ｇ）前記処理室の側壁に設けられ、前記断熱アセンブリに面する位置において、前記処理室内と前記排気ポートとを連通させる中間排気口と、（ｈ）前記処理室の側壁に設けられ、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記処理室内と前記ガス供給機構とを連通させる供給室排気口と、を備える。前記断熱アセンブリは、前記中間排気口に対応する高さ位置において、前記中間排気口に対応する高さよりも上方および下方の外径よりも小さな外径を有するくびれが形成される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、炉口部下部のパーティクルを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る基板処理装置の模式図。
【図２】実施形態の基板処理装置における断熱アセンブリの縦断面図。
【図３】実施形態の基板処理装置における反応管の断面を含む斜視図。
【図４】実施形態の基板処理装置における反応管の断面図。
【図５】実施形態の基板処理装置における反応管の底面図。
【図６】実施形態の基板処理装置における軸パージガスの流れを示す図。
【図７】実施形態の基板処理装置におけるコントローラの構成図。
【図８】実施形態の成膜シーケンスを示す図。
【図９】モデル化された反応管内の排気経路を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。
【０００９】
図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、半導体集積回路の製造における熱処理工程を実施する縦型熱処理装置として構成され、処理炉２を備えている。処理炉２は、処理炉２を均一に加熱するために、複数のヒータユニットからなるヒータ３を有する。ヒータ３は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより、基板処理装置１の設置床に対して垂直に据え付けられている。ヒータ３は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【００１０】
ヒータ３の内側に、反応容器（処理容器）を構成する反応管４が配設されている。反応管４は、例えば石英（ＳｉＯ2）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管４は、下端のフランジ部４Ｃにおいて互いに結合した外管４Ａと内管４Ｂとを有する２重管構造を有する。外管４Ａと内管４Ｂの上端は閉じられ、内管４Ｂの下端は開口している。フランジ部４Ｃは、外管４Ａよりも大きな外径を有し、外側へ突出している。反応管４の下端寄りには、外管４Ａ内と連通する排気ポートである排気出口４Ｄが設けられる。これらを含む反応管４全体は単一の材料で一体に形成される。外管４Ａは、内側を真空にしたときの圧力差に耐えうるように、比較的肉厚に構成されている。
【００１１】
マニホールド５は、円筒又は円錐台形状で金属製又は石英製であり、反応管４の下端を支えるように設けられる。マニホールド５の内径は、反応管４の内径（フランジ部４Ｃの内径）よりも大きく形成されている。これにより、反応管４の下端（フランジ部４Ｃ）と後述するシールキャップ１９との間に後述する円環状の空間を形成される。この空間もしくはその周辺の部材を炉口部と総称する。
【００１２】
内管４Ｂは、排気出口４Ｄよりも反応管の奥側で、その側面において内側と外側を連通させる主排気口４Ｅを有し、また、主排気口４Ｅと反対の位置において供給スリット４Ｆを有する。主排気口４Ｅは、ウェハ７が配置されている領域に対して開口する単一の縦長の開口である。供給スリット４Ｆは、円周方向に伸びたスリットであり、各ウェハ７に対応するように垂直方向に並んで設けられている。
【００１３】
内管４Ｂは更に、排気出口４Ｄよりも反応管４の奥側で且つ主排気口４Ｅよりも開口側の位置に、処理室６と排気空間（排気室）Ｓとを連通させる中間排気口４Ｇが設けられる。また、フランジ部４Ｃにも、処理室６と排気空間Ｓ下端とを連通させる底排気口４Ｈ、底排気口４Ｊ（図３参照）及びノズル導入孔４Ｋ（図５参照）が形成される。言い換えれば、排気空間Ｓの下端は、フランジ４Ｃによって底排気口４Ｈ、４Ｊ等を除き閉塞されている。中間排気口４Ｇ及び底排気口４Ｈは、主に後述の軸パージガスを排気するように機能する。
【００１４】
外管４Ａと内管４Ｂの間の排気空間Ｓには、供給スリット４Ｆの位置に対応させて、原料ガス等の処理ガスを供給する１本以上のノズル８が設けられている。ノズル８には、処理ガス（原料ガス）を供給するガス供給管９がマニホールド５を貫通してそれぞれ接続されている。
【００１５】
それぞれのガス供給管９の流路上には、上流方向から順に、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１０および開閉弁であるバルブ１１が設けられている。バルブ１１よりも下流側では、不活性ガスを供給するガス供給管１２がガス供給管９に接続されている。ガス供給管１２には、上流方向から順に、ＭＦＣ１３およびバルブ１４が設けられている。主に、ガス供給管９、ＭＦＣ１０、バルブ１１により、処理ガス供給系である処理ガス供給部が構成される。それらに更にＭＦＣ１３およびバルブ１４を含めて、ガス供給系と呼ぶ。
【００１６】
インジェクタであるノズル８は、ノズル室４２内に、反応管４の下部からまっすぐ立ち上がるように設けられている。ノズル８の側面や上端には、ガスを供給する１ないし複数のノズル孔８Ｈが設けられている。複数のノズル孔８Ｈは、供給スリット４Ｆのそれぞれの開口に対応させて、反応管４の中心を向くように開口させることで、内管４Ｂを通り抜けてウェハ７に向けてガスを噴射することができる。
【００１７】
排気出口４Ｄには、処理室６内の雰囲気を排気する排気管１５が接続されている。排気管１５には、処理室６内の圧力を検出する圧力検出器（圧力計）としての圧力センサ１６および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ１７を介して、真空排気装置としての真空ポンプ１８が接続されている。ＡＰＣバルブ１７は、真空ポンプ１８を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室６内の真空排気および真空排気停止を行うことができる。更に、真空ポンプ１８を作動させた状態で、圧力センサ１６により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室６内の圧力を調整することができるように構成される。主に、排気管１５、ＡＰＣバルブ１７、圧力センサ１６により、排気系が構成される。真空ポンプ１８を排気系に含めて考えてもよい。
【００１８】
マニホールド５の下方には、マニホールド５の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ１９が設けられている。シールキャップ１９は、例えばステンレスやニッケル基合金等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ１９の上面には、マニホールド５の下端と当接するシール部材としてのＯリング１９Ａが設けられている。
【００１９】
また、シールキャップ１９上面には、マニホールド５の下端内周より内側の部分に対し、シールキャップ１９を保護するカバープレート２０が設置されている。カバープレート２０は、例えば、石英、サファイヤ、またはＳｉＣ等の耐熱耐蝕性材料からなり、円盤状に形成されている。カバープレート２０は、機械的強度が要求されないため、薄い肉厚で形成されうる。カバープレート２０は、シールキャップ１９と独立して用意される部品に限らず、シールキャップ１９の内面にコーティングされた或いは内面が改質された、窒化物等の薄膜或いは層であってもよい。カバープレート２０はまた、円周の縁からマニホールド５の内面に沿って立ち上がる壁を有しても良い。
【００２０】
基板保持具としてのボート２１は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウェハ７を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持する。そこではウェハ７は、一定の間隔を空けて配列させる。ボート２１は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。反応管４は、ボート２１を安全に搬入出可能な最小限の内径を有することが望ましい場合がある。
【００２１】
ボート２１の下部には後述する断熱アセンブリ２２が配設されている。断熱アセンブリ２２は、上下方向の熱の伝導或いは伝達が小さくなるような構造を有し、通常、内部に空洞を有する。内部は軸パージガスによってパージされうる。反応管４において、ボート２１が配置されている上部分を処理領域Ａ、断熱アセンブリ２２が配置されている下部分を断熱領域Ｂと呼ぶ。
【００２２】
シールキャップ１９の処理室６と反対側には、ボート２１を回転させる回転機構２３が設置されている。回転機構２３には、軸パージガスのガス供給管２４が接続されている。ガス供給管２４には、上流方向から順に、ＭＦＣ２５およびバルブ２６が設けられている。このパージガスの１つの目的は、回転機構２３の内部（例えば軸受け）を、処理室６内で用いられる腐食性ガスなどから守ることである。パージガスは、回転機構２３から軸に沿って排出され、断熱アセンブリ２２内に導かれる。
【００２３】
ボートエレベータ２７は、反応管４の外部下方に垂直に備えられ、シールキャップ１９を昇降させる昇降機構（搬送機構）として動作する。これにより、シールキャップ１９に支えられたボート２１およびウェハ７が、処理室６内外に搬入出される。なお、シールキャップ１９が最下位置に降りている間、シールキャップ１９の代わりに反応管４の下端開口を塞ぐシャッタ（不図示）が設けられうる。
【００２４】
外管４Ａの外壁には、温度センサ２８が設置されている。温度センサ２８は、上下に並んで配列された複数の熱電対によって構成されうる。温度センサ２８により検出された温度情報に基づきヒータ３への通電具合を調整することで、処理室６内の温度が所望の温度分布となる。
【００２５】
コントローラ２９は、基板処理装置１全体を制御するコンピュータであり、ＭＦＣ１０， １３、バルブ１１，１４、圧力センサ１６、ＡＰＣバルブ１７、真空ポンプ１８、ヒータ３、キャップヒータ３４（図２参照）、温度センサ２８、回転機構２３、ボートエレベータ２７等と電気的に接続され、それらから信号を受け取ったり、それらを制御したりする。
【００２６】
次に、断熱アセンブリ２２について図２を用いて説明する。断熱アセンブリ２２は、回転台３７、断熱体保持具３８、円筒部３９および断熱体４０により構成されており、回転台３７は底板（受け台）を構成する。
【００２７】
回転台３７は、サブヒータ支柱３３を貫通させる貫通孔が中心に形成された円盤形状を有し、回転軸３６の上端部に載せられ、カバープレート２０と所定の間隔ｈ1を空けて固定されている。回転台３７には、直径（幅）ｈ２の排気孔３７Ａが、縁寄りに回転対称に複数形成されている。これにより、断熱アセンブリは、底が分離するように構成される。回転台３７の上面には、断熱体４０を保持する断熱体保持具３８と円筒部３９が、同心に載置され、ネジ等によって固定されている。
【００２８】
断熱体保持具３８は、中心にサブヒータ支柱３３を貫通させる空洞を有する円筒形状に構成される。断熱体保持具３８の内周とサブヒータ支柱３３との間に、断熱アセンブリ２２内の上方へ軸パージガスを供給する、円環状の断面を有する流路が形成される。断熱体保持具３８の下端には、回転台３７よりも小さな外径の外向きフランジ形状の足３８Ｃを有する。一方、断熱体保持具３８の上端は、そこからサブヒータ支柱３３が突き出させるように広がって開口する、軸パージガスの供給口３８Ｂを構成している。
【００２９】
断熱体保持具３８の柱には、断熱体４０として複数の反射板４０Ａと断熱板４０Ｂが、同軸に設置されている。
【００３０】
円筒部３９は、内管４Ｂとの間隙Ｇが所定の値となるような外径を有する。間隙Ｇは、処理ガスや軸パージガスの通り抜けを抑制するために、狭く設定することが望ましく、例えば、７．５ｍｍ〜１５ｍｍとするのが好ましい。円筒部３９の上端は、平坦な板で閉じており、そこにボート２１が設置される。円筒部３９の直径はウェハ７の直径よりも大きく、処理室６の内径よりも小さい。円筒部３９は筒状の構造であるが、一部外周を絞った（円筒部３９の上部および下部の直径よりの小さい直径の）くびれ３９ａが排気出口４Ｄ、中間排気口４Ｇ、供給室排気口４Ｌと同じ高さに設けられている。言い換えると、供給室排気口４Ｌ、くびれ３９ａ、中間排気口４Ｇおよび排気出口４Ｄは一直線上に配置されている。くびれ３９ａは断熱板４０Ｂよりも上方であり反射板４０Ａよりも下方に位置し、くびれ３９ａの内径は反射板４０Ａおよび断熱板４０Ｂの直径よりも大きい。
【００３１】
回転機構２３のケーシング（ボディ）２３Ａは、シールキャップ１９の下面に気密に固定される。ケーシング２３Ａの内部では、内側から順に、円筒形状の内軸２３Ｂと、内軸２３Ｂの直径よりも大きな直径の円筒形状に形成された外軸２３Ｃとが、同軸に設けられる。回転軸３６に結合される外軸２３Ｃはケーシング２３Ａとの間に介設されたベアリング（不図示）によって回転自在に支承される一方、サブヒータ支柱３３に結合される内軸２３Ｂは、ケーシング２３Ａと回転不能に固定される。
【００３２】
内軸２３Ｂの内側には、サブヒータ支柱３３が、垂直に挿通されている。サブヒータ支柱３３は、石英製のパイプであり、その上端において補助ヒータであるキャップヒータ３４を同心に保持する。キャップヒータ３４は、円管を円環状に形成され構成され、外部から隔絶された内部には電熱線コイル３４Ｂを収納している。電熱線コイル３４Ｂやそれに付随する温度センサのリード線（不図示）は、サブヒータ支柱３３を通って、シールキャップ１９の外側へ取り出される。
【００３３】
ガス供給管２４によってケーシング２３Ａ内に導入された軸パージガスは、回転軸３６の内側及び外側を上に流れる。回転軸３６の内側に流入した軸パージガスは、断熱体保持具３８とサブヒータ支柱３３との間の流路を上向きに流れ、供給口３８Ｂから出た後は、断熱体保持具３８と円筒部３９の内壁との間の空間を下向きに流れて、排気孔３７Ａから断熱アセンブリ２２外へ排気される。回転軸３６の外側に流入した軸パージガスは、回転軸３６とカバープレート２０の間を半径方向に広がって流れながら排気孔３７Ａからの軸パージガスと合流した後、炉口部をパージする。
【００３４】
次に、反応管について図３〜５を用いて説明する。図３に示すように、内管４Ｂには、処理室６内に処理ガスを供給するための供給スリット４Ｆが縦方向にウェハ７と同数、横方向に３個、格子状に並んで形成されている。内管４Ｂの内側すなわち処理室６は収容可能な最大のウェハ７の直径の１０４〜１０８％の内径の筒状に構成されている。供給スリット４Ｆの横方向の並びの間や両端の位置において、外管４Ａと内管４Ｂの間の排気空間Ｓを区画するように縦方向に伸びた仕切り板４１が、それぞれ設けられる。複数の仕切り板４１によって、主たる排気空間Ｓから分離された区画は、供給室であるノズル室（供給バッファ）４２を形成する。すなわち、ノズル室４２は内管４Ｂの側部の一部を外側に張り出して形成されている。結果的に排気空間Ｓは、断面においてＣ字型に形成されることになる。処理領域Ａ付近において、ノズル室４２と内管４Ｂ内を直接つなぐ開口は、供給スリット４Ｆのみである。
【００３５】
仕切り板４１は、内管４Ｂとは連結されるものの、外管４Ａと内管４Ｂの温度差に起因する応力を避けるために外管４Ａとは連結させず、わずかな隙間を有するように構成することができる。ノズル室４２は、排気空間Ｓから完全に隔離される必要はなく、特に上端や下端において排気空間Ｓと通じた開口もしくは隙間を有しうる。ノズル室４２は、その外周側が外管４Ａによって区画されるものに限らず、外管４Ａの内面に沿った仕切り板を別途設けても良い。
【００３６】
内管４Ｂには、断熱アセンブリ２２の側面に向かって開口する位置に、中間排気口４Ｇ、供給室排気口４Ｌが設けられている。中間排気口４Ｇは、排気出口４Ｄと同じ向きに設けられ、その開口の少なくとも１部が、排気出口４Ｄの管と重なるような高さに配置されている。供給室排気口４Ｌは中間排気口４Ｇと対向する位置に配置される。
【００３７】
図４に示すように、３つのノズル室４２には、ノズル８ａ〜８ｃがそれぞれ設置されている。ノズル８ａ〜８ｃの側面には、反応管４の中心方向を向いて開口したノズル孔８Ｈがそれぞれ設けられている。ノズル孔８Ｈから噴出されたガスは、供給スリット４Ｆから内管４Ｂ内に流れるように意図されているが、一部のガスは直接流入しない。
【００３８】
ノズル８ａ〜８ｃには、図１に示されるようなガス供給管９、バルブ１１、ＭＦＣ１０、ガス供給管１２、バルブ１４およびＭＦＣ１３からなるガス供給系が、それぞれ別個に接続され、互いに異なるガスが供給されうる。仕切り板４１により、各ノズル８ａ〜８ｃはそれぞれ独立した空間内に設置されるため、各ノズル８ａ〜８ｃから供給される処理ガスがノズル室４２内で混ざり合う事を抑制することができる。またノズル室４２に滞留するガスは、ノズル室４２の上端や下端から排気空間Ｓへ排出されうる。このような構成により、ノズル室４２内で処理ガスが混ざり合って薄膜が形成されたり、副生成物が生成されたりすることを抑制することができる。なお図４においてのみ、ノズル室４２の隣の排気空間Ｓに、反応管の軸方向（上下方向）に沿って任意で設置されうるパージノズル８ｄが示されている。以降、パージノズル８ｄは存在しないものとして説明する。
【００３９】
図５に示すように、フランジ部４Ｃには、排気空間Ｓとフランジ下方とを接続する開口として、底排気口４Ｈ、４Ｊ及びノズル導入孔４Ｋが設けられている。底排気口４Ｈは、排気出口４Ｄに最も近い場所に設けられた長孔であり、底排気口４Ｊは、Ｃ字型の排気空間Ｓに沿って６箇所に設けられた小孔である。ノズル導入孔４Ｋは、その開口からノズル８ａ〜８ｃが挿入され、通常、石英製のノズル導入孔カバー８Ｓ（図１参照）によって塞がれる。底排気口４Ｊは、後述するように開口が大きすぎると、そこを通過する軸パージガスの流速が低下し、排気空間Ｓから原料ガス等が拡散によって炉口部に侵入してしまう。そのため、中央部の径を小さくした（くびれさせた）孔として形成する場合がある。
【００４０】
次に、軸パージガスの排出経路について図６を用いて説明する。ガス供給管２４からの軸パージガスは、回転台３７とカバープレート２０の間の隙間（ｈ1）を、拡散バリアを形成しながら半径方向に流れて、炉口部に放出される。そこでは軸パージガスは、原料ガスの炉口部への流入を抑制し、炉口部へ拡散などで侵入した原料ガスを希釈し、軸パージガスの流れに乗せて排出することで、炉口部に副生成物が付着したり劣化したりすることを防ぐ役割をしている。軸パージガスの排出経路は凡そ以下のように５つある。
【００４１】
経路Ｐ１：底排気口４Ｈ又は４Ｊから排気空間Ｓに入り、排気出口４Ｄに至る
経路Ｐ２：内管４Ｂと断熱アセンブリ２２の間の間隙Ｇを通り、中間排気口４Ｇから排気空間Ｓに入り、排気出口４Ｄに至る
経路Ｐ３：内管４Ｂと断熱アセンブリ２２の間の間隙Ｇを通って処理領域Ａに入り、主排気口４Ｅから排気空間Ｓに入り、排気出口４Ｄに至る
経路Ｐ４：ノズル導入孔４Ｋからノズル室４２に入り、処理領域Ａを横断して主排気口４Ｅから排気空間Ｓに入り、排気出口４Ｄに至る
経路Ｐ５：ノズル導入孔４Ｋからノズル室４２に入り、供給室排気口４Ｌから内管４Ｂと断熱アセンブリ２２の間の間隙Ｇおよび断熱アセンブリ２２のくびれ３９ａを通り、中間排気口４Ｇから排気空間Ｓに入り、排気出口４Ｄに至る。
【００４２】
軸パージガスが処理領域Ａに流入する経路Ｐ３とＰ４は、処理領域Ａの下方において処理ガスの濃度が低下し、基板間均一性が損なわれるため、基板に対する処理にとっては望ましくない。特に本例の反応管４は、主排気口４Ｅの圧力損失が小さいという特徴があるため、経路Ｐ３やＰ４に軸パージガスが引き込まれやすい。もしノズル導入孔カバー８Ｓと底排気口４Ｊを両方とも設けなかった場合、軸パージガスは専ら経路Ｐ４に流れてしまう。そのため本例では、中間排気口４Ｇの開口を大きくするとともに間隙Ｇを小さくし、経路Ｐ３よりも経路Ｐ２に流れやすくする。また、経路Ｐ５を形成し、経路Ｐ４よりも経路Ｐ５に流れにやすくする。またノズル導入孔４Ｋは、ノズル導入孔カバー８Ｓによって塞ぐなどして実質的な開口を十分小さくし、経路Ｐ４に流れにくくする。中間排気口４Ｇによって、処理ガス及び軸パージガスを流している時の円筒部３９の側面には、処理領域Ａ側および炉口部側の圧力が高く、中間排気口４Ｇ付近が最も圧力が低くなるような好ましい圧力勾配が形成される。この圧力勾配においては、経路Ｐ３による軸パージガスの処理領域への流入、及び処理ガスの炉口部への流入（拡散）の両方が抑制される。なお軸パージガスの供給が過剰であると、経路Ｐ１やＰ２の圧力損失が増加し、この圧力勾配が悪化しうる。
【００４３】
一方で、Ｃ字型の排気空間Ｓの最奥部は、ノズル室４２に突き当たって袋小路になっているため、クリーニングガス等の処理ガスが滞留しやすい。このとき、底排気口４Ｊによって排気空間Ｓと炉口部とが流通可能になると、軸パージガスが多い（炉口部側の圧力が高い）ときは、経路Ｐ３で軸パージガスが排気空間Ｓに流入して滞留を解消し、軸パージガスが少ないときは、逆に処理ガスが排気空間Ｓに流入或いは拡散して底排気口４Ｊから排出されるので、どちらにおいても滞留ガスの排気に寄与する。なお滞留ガスは、微量であれば炉口部に侵入しても十分希釈されるため問題ない。
【００４４】
しかし、底排気口４Ｊを大きくし、経路Ｐ１のコンダクタンスを大きくしすぎると、経路Ｐ１を含む全ての経路で軸パージガスの最大流速が低下し、流れに逆らう方向の拡散によって処理ガスが炉口部に侵入しやすくなる。
【００４５】
以上を纏めると、経路Ｐ４及びＰ３のコンダクタンスを、経路Ｐ１、Ｐ２及びＰ５のいずれもよりも小さくすること、及び、経路Ｐ１及びＰ２のコンダクタンスは、炉口部への処理ガスの侵入が許容量以下になるように上限が設けられることが望ましい。
【００４６】
次に、コントローラ２９について図７を用いて説明する。コントローラ２９は、ＭＦＣ１０、１３、２５、バルブ１１、１４、２６、圧力センサ１６、ＡＰＣバルブ１７、真空ポンプ１８、ヒータ３、キャップヒータ３４、温度センサ２８、回転機構２３、ボートエレベータ２７等の各構成と電気的に接続され、それらを自動制御する。コントローラ２９は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１２、ＲＡＭ（Random Access Memory）２１４、記憶装置２１６、Ｉ／Ｏポート２１８を備えたコンピュータとして構成される。ＲＡＭ２１４、記憶装置２１６、Ｉ／Ｏポート２１８は、内部バス２２０を介して、ＣＰＵ２１２とデータ交換可能なように構成される。Ｉ／Ｏポート２１８は、上述の各構成に接続されている。コントローラ２９には、例えばタッチパネル等との入出力装置２２２が接続されている。
【００４７】
記憶装置２１６は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等で構成されている。記憶装置２１６内には、基板処理装置１の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成に成膜処理等を実行させるためのプログラム（プロセスレシピやクリーニングレシピ等のレシピ）が読み出し可能に格納されている。ＲＡＭ２１４は、ＣＰＵ２１２によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４８】
ＣＰＵ２１２は、記憶装置２１６から制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２１６からレシピを読み出し、レシピに沿うように各構成を制御する。
【００４９】
コントローラ２９は、外部記憶装置（例えば、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＨＤＤ）２２４に持続的に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置２１６や外部記憶装置２２４は、コンピュータ読み取り可能な有体の媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置２２４を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００５０】
次に、上述の基板処理装置１を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理（以下、成膜処理ともいう）のシーケンス例について図８を用いて説明する。
【００５１】
ここでは、ノズル８を２本以上設け、ノズル８ａから第１の処理ガス（原料ガス）としてヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）ガスを、ノズル８ｂから第２の処理ガス（反応ガス）としてアンモニア（ＮＨ３）ガスをそれぞれ供給し、ウェハ７上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１の各構成の動作はコントローラ２９により制御される。
【００５２】
本実施形態における成膜処理では、処理室６内のウェハ７に対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室６内からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室６内のウェハ７に対してＮＨ３ガスを供給する工程と、処理室６内からＮＨ３ガス（残留ガス）を除去する工程と、を所定回数（１回以上）繰り返すことで、ウェハ７上にＳｉＮ膜を形成する。本明細書では、この成膜シーケンスを、便宜上、以下のように表記する。
【００５３】
（ＨＣＤＳ→ＮＨ３）×ｎ  ⇒  ＳｉＮ。
【００５４】
（ウェハチャージおよびボートロード）
複数枚のウェハ７がボート２１に装填（ウェハチャージ）されると、ボート２１は、ボートエレベータ２７によって処理室６内に搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップ１９は、Ｏリング１９Ａを介してマニホールド５の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。ウェハチャージする前のスタンバイの状態から、バルブ２６を開き、円筒部３９内へ少量の軸パージガスが供給されうる。
【００５５】
（圧力調整）
処理室６内、すなわち、ウェハ７が存在する空間が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ１８によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室６内の圧力は、圧力センサ１６で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ１７が、フィードバック制御される。円筒部３９内へのパージガス供給及び真空ポンプ１８の作動は、少なくともウェハ７に対する処理が終了するまでの間は維持する。
【００５６】
（昇温）
処理室６内から酸素等が十分排気された後、処理室６内の昇温が開始される。処理室６が成膜に好適な所定の温度分布となるように、温度センサ２８が検出した温度情報に基づきヒータ３、キャップヒータ３４への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ３等による処理室６内の加熱は、少なくともウェハ７に対する処理（成膜）が終了するまでの間は継続して行われる。キャップヒータ３４への通電期間は、ヒータ３による加熱期間と一致させる必要はない。成膜が開始される直前において、キャップヒータ３４の温度は、成膜温度と同温度に到達し、マニホールド５の内面温度は１８０℃以上（例えば２６０℃）に到達していることが望ましい。
【００５７】
また、回転機構２３によるボート２１およびウェハ７の回転を開始する。回転機構２３により、回転軸３６、回転台３７、円筒部３９を介してボート２１が回転されることで、キャップヒータ３４は回転させずにウェハ７を回転させる。これにより加熱のむらが低減される。回転機構２３によるボート２１およびウェハ７の回転は、少なくとも、ウェハ７に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
【００５８】
（成膜）
処理室６内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、図８に示すように、ステップＳ１〜４を繰り返し実行する。なお、ステップＳ１を開始する前に、バルブ２６を開き、軸パージガスの供給を増加させてもよい。
【００５９】
［ステップＳ１：原料ガス供給工程］
ステップＳ１では、処理室６内のウェハ７に対し、ＨＣＤＳガスを供給する。バルブ１１を開くと同時にバルブ１４を開き、ガス供給管９内へＨＣＤＳガスを、ガス供給管１２内へＮ２ガスを流す。ＨＣＤＳガスおよびＮ２ガスは、それぞれＭＦＣ１０、１３により流量調整され、ノズル８ａを介して処理室６内へ供給され、排気管１５から排気される。ウェハ７に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウェハ７の最表面上に、第１の層として、例えば、１原子層未満から数原子層の厚さのシリコン（Ｓｉ）含有膜が形成される。
【００６０】
［ステップＳ２：原料ガス排気工程］
第１の層が形成された後、バルブ１１を閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ１７は開いたままとして、真空ポンプ１８により処理室６内を真空排気し、処理室６内に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室６内から排出する。また、バルブ１４やバルブ２６を開いたままとして、供給されたＮ２ガスは、ガス供給管９や反応管４内、炉口部をパージする。
【００６１】
［ステップＳ３：反応ガス供給工程］
ステップＳ３では、処理室６内のウェハ７に対してＮＨ３ガスを供給する。バルブ（不図示）の開閉制御を、ステップＳ１におけるバルブ１１，１４の開閉制御と同様の手順で行う。ＮＨ３ガスおよびＮ２ガスは、それぞれＭＦＣ（不図示）により流量調整され、ノズル８ｂを介して処理室６内へ供給され、排気管１５から排気される。ウェハ７に対して供給されたＮＨ３ガスは、ステップＳ１でウェハ７上に形成された第１の層、すなわちＳｉ含有層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は窒化され、Ｓｉ及びＮを含む第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと変化（改質）される。
【００６２】
［ステップＳ４：反応ガス排気工程］
第２の層が形成された後、バルブを閉じ、ＮＨ３ガスの供給を停止する。そして、ステップＳ１と同様の処理手順により、処理室６内に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ３ガスや反応副生成物を処理室６内から排出する。
【００６３】
以上の４つのステップを非同時に、すなわち、オーバーラップさせることなく行うサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、ウェハ７上に、所定組成及び所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。
【００６４】
上述のシーケンスの処理条件としては、例えば、
処理温度（ウェハ温度）：２５０〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）：１０〜４０００Ｐａ、
ＨＣＤＳガス供給流量：１〜２０００sccm、
ＮＨ３ガス供給流量：１００〜１００００sccm、
Ｎ２ガス供給流量（ノズル）：１００〜１００００sccm、
Ｎ２ガス供給流量（回転軸）：１００〜５００sccm、
が例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
【００６５】
ＨＣＤＳ等の熱分解性ガスは、石英よりも金属の表面において副生成物の膜を形成しやすい場合がある。ＨＣＤＳ（及びアンモニア）に晒された表面は、特に２６０℃以下のときにＳｉＯ、ＳｉＯＮなどが付着しやすい。
【００６６】
（パージおよび大気圧復帰）
成膜処理が完了した後、バルブ１４および図示しないバルブを開き、ガス供給管１２および図示しないガス供給管からＮ２ガスを処理室６内へ供給し、排気管１５から排気する。これにより、処理室６内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、残留する原料や副生成物が処理室６内から除去（パージ）される。その後、ＡＰＣバルブ１７が閉じられ、処理室６内の圧力が常圧になるまでＮ２ガスが充填される（大気圧復帰）。
【００６７】
（ボートアンロードおよびウェハディスチャージ）
ボートエレベータ２７によりシールキャップ１９が下降され、マニホールド５の下端が開口される。そして、処理済のウェハ７が、ボート２１に支持された状態で、マニホールド５の下端から反応管４の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウェハ７は、ボート２１より取出される。
【００６８】
上述の成膜処理を行うと、加熱されていた反応管４内の部材の表面、例えば、外管４Ａの内壁、ノズル８ａの表面、内管４Ｂの表面、ボート２１の表面等に、窒素を含むＳｉＮ膜等が堆積し、薄膜を形成しうる。そこで、これらの堆積物の量、すなわち、累積膜厚が、堆積物に剥離や落下が生じる前の所定の量（厚さ）に達したところで、クリーニング処理が行われる。クリーニング処理は、反応管４内へフッ素系ガスとして例えばＦ２ ガスを供給することで行われる。
【００６９】
次に、モデル化された反応管４内の排気経路について図９を用いて説明する。このモデルは簡略化されており、例えば主排気口４Ｅを出た処理ガスが、排気空間Ｓを下降する際の抵抗は、主排気口４Ｅの抵抗に含まれ、中間排気口４Ｇや底排気口４Ｊを出た軸パージガスが排気空間Ｓを横に流れる際の抵抗は、それら中間排気口４Ｇや底排気口４Ｊの抵抗に含まれる。図９を参照すると、ガス供給管２４からの軸パージガスは、炉口部の全周にほぼ均等に供給される。またノズル８からの処理ガスは、通常はその殆どが供給スリット４Ｆ、主排気口４Ｅを通って、排気出口４Ｄに吸い込まれる。主排気口４Ｅ、中間排気口４Ｇ、底排気口４Ｈ、４Ｊよりも排気出口４Ｄ寄りが、排気空間Ｓに対応する。
【００７０】
このとき、中間排気口４Ｇや底排気口４Ｈは、処理ガスの主たる排気経路から外れるため、排気出口４Ｄ並に圧力が低く、近傍のガスを吸い込む。従って、中間排気口４Ｇは、軸パージガスが間隙Ｇの下部分を上向きに流れる流れを形成し、底排気口４Ｈは、炉口部において余剰の若しくは処理ガスの希釈に役立った後の軸パージガスを排出するドレインとして機能する。中間排気口４Ｇは、軸パージガスが間隙Ｇの下部分を上向きに流れる流れを形成し、底排気口４Ｈは、炉口部において余剰の若しくは処理ガスの希釈に役立った後の軸パージガスを排出するドレインとして機能する。
【００７１】
主排気口４Ｅの内管４Ｂ内側の圧力は、主排気口４Ｅの内側の圧力とほぼ同じか、わずかに低くなるように、主排気口４Ｅ、間隙Ｇのコンダクタンス及び軸パージガス流量が設定されうる。間隙Ｇの上部分では、コンダクタンス及び圧力差（全圧）がともに小さいため、ガス分子の移動は抑制される。つまり間隙Ｇには上下方向に濃度差が存在するが、断面積が小さく距離が長いため、移流及び拡散の量は少ない。間隙Ｇの下部分では、軸パージガスの上昇流により拡散バリアが形成されるため、中間排気口４Ｇまで拡散してきた処理ガスは、軸パージガスの排気出口４Ｄへ向かう流れに乗って排出される。
【００７２】
底排気口４Ｊから排気空間Ｓの下端に流入する経路は、それ以外に抵抗性の箇所がないため、比較的小さく設定された底排気口４Ｊ自体のコンダクタンスによって流量が決まる。排気空間Ｓの下端に軸パージガスが噴射されることで、Ｃ字状の断面の排気空間Ｓの閉塞部分にガスの移流や攪拌が生じ、滞留している処理ガスやクリーニングガスを効果的にパージできる。もし底排気口４Ｊが無い場合、行き止まりとなったこの経路のパージが困難で、上述の圧力スイングに多くの回数が必要となることが理解されよう。
【００７３】
ノズル導入孔４Ｋは、そのコンダクタンスを実質的な０よりも大きい有意な値とすると、ノズル室４２内に上下方向の穏やかな流れを生じさせる。特に、ノズル室４２の上端も小さく開口していると、処理領域Ａでのガス分布への影響を抑えつつ、この上下方向の流れによってノズル室４２のガス置換性を向上させうる。一般的には、ノズル導入孔４Ｋをわずかに上向きに流れるように、軸パージガスの流量が設定されると、炉口部への原料ガスの侵入防止の観点で好ましい。過大な底排気口４Ｈや４Ｊは、より多くの流量の軸パージガスを要求する。供給室排気口４Ｌから内管４Ｂの内側に流入する経路は、間隙Ｇの上下方向からの流れと合流し、中間排気口４Ｇから排出される。
【００７４】
原料ガス以外のガスを供給するノズル８であれば、ノズル導入孔４Ｋのコンダクタンスを大きくすることは容易である。例えば、ノズル８が軸パージガスと同じパージガス（Ｎ２）を供給するものであれば、両パージガスの流量（圧力）の制御しだいで、ノズル導入孔４Ｋでパージガスを上向きにも下向きにも流すことができる。通常、軸パージガスの流量は所定値を下回らないように設定されるため、ノズル８からのパージガスを増やした場合、ノズル室４２から溢れたパージガスは、ノズル導入孔４Ｋから供給室排気口４Ｌに入り、中間排気口４Ｇや底排気口４Ｊを通って排気空間Ｓに流入し、そこで滞留ガスのパージに貢献しうる。
【００７５】
本実施形態では、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
（ａ）中間排気口４Ｇ、供給室排気口４Ｌ及びくびれ３９ａを設けたことにより、内管４Ｂ内に流れたパージガスが外管と内管の間の排気空間Ｓへ積極的に流れるようになり、処理領域Ａへ流れ込むパージガスの流量が軽減される。
（ｂ）中間排気口４Ｇ、供給室排気口４Ｌ及びくびれ３９ａを中間排気口と同じ高さに設けたことにより、急激な圧力変動により、炉口部下部での膜割れが巻き上げられ、基板上にパーティクルが落ちる場合でも、パーティクルを排気側に引き込むことができる。
【００７６】
なお、反応管４は、外管４Ａと内管４Ｂが一体に形成されたものに限らず、別個の部材として形成され、それぞれマニホールド５に載せられてもよい。その場合、外管４Ａと内管４Ｂの開口端付近で排気空間と炉口部とを流通させる隙間が、底排気口４Ｈ、４Ｊに相当しうる。或いは、外管４Ａ、内管４Ｂとマニホールド５が、全て石英で一体に形成されても良い。
【００７７】
また、排気空間Ｓは、複数のウェハ７に対して開口した主排気口と、排気出口４Ｄとを流体連通させる空間または流路として構成されば十分であり、それらをガス排出機構と呼ぶ。主排気口は、１つまたは複数の開口として構成されうる。
【００７８】
同様に、複数のウェハ７のそれぞれの側部に向いて穿設された１ないし複数の開口によって、前記処理室と流体連通し、個々のウェハにガスの流れ（移流）を供給できる空間または流路を、ガス供給機構と定義し、それはノズル室４２又はノズル８を含む。
【００７９】
上述の実施形態では、ウェハ上に成膜を行う例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されず、酸化や窒化などの改質処理、拡散処理、エッチング処理等の処理であっても、急激な圧力変動により、炉口部下部での膜割れが巻き上げられ、基板上にパーティクルが落ちる場合には有用である。
【００８０】
また、実施形態では、反応管は２重管タイプ（耐圧円筒管（外管４Ａ）＋非耐圧ライナー管（内管４Ｂ）＋非耐圧バッファ（ノズル室４２））の例について説明したが、１重管タイプ（耐圧円筒管＋耐圧バッファ）であってもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１  基板処理装置  ２  処理炉、  ３  ヒータ、  ４  反応管、  ４Ａ  外管、  ４Ｂ  内管、  ４Ｃ  フランジ部、  ４Ｄ  排気出口(Outlet)、
４Ｅ  主排気口、  ４Ｆ  供給スリット、  ４Ｇ  中間排気口、  ４Ｈ、４Ｊ  底排気口、  ４Ｋ  ノズル導入孔、  ４Ｌ  供給室排気口、  ５  マニホールド、  ６  処理室、  ７  ウェハ、  ２２  断熱アセンブリ、  ３９  円筒部、  ３９ａ  くびれ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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