(57)【要約】  本発明の絶縁電線（１０）は、銅合金導体（１）と、銅合金導体（１）の外周面上に直接又は間接的に被覆された少なくとも１つの樹脂層（４）を備える。銅合金導体（１）が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍであり、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である集合組織を有する。
2019138971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅合金導体と、
前記銅合金導体の外周面上に直接又は間接的に被覆された少なくとも１つの樹脂層を備え、
前記銅合金導体が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍであり、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である集合組織を有することを特徴とする絶縁電線。
【請求項２】
前記銅合金導体の平均結晶粒径が、１μｍ〜１００μｍである、請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
前記樹脂層が、気泡を有する熱硬化性樹脂を含む発泡絶縁層を含んでいる、請求項１又は２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
前記発泡絶縁層の外周面上に、熱可塑性樹脂を含む外側絶縁層がさらに形成されている、請求項３に記載の絶縁電線。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂が、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、およびポリエーテルサルフォンからなる群から選択される、請求項３又は４に記載の絶縁電線。
【請求項６】
前記樹脂層が、少なくとも１層のエナメル絶縁層と、該エナメル絶縁層の外周面上に被覆され、熱可塑性樹脂を含む押出絶縁層とを含んでいる、請求項１又は２に記載の絶縁電線。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂が、ポリエーテルエーテルケトン、変性ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン、ポリフェニレンスルフィド、および熱可塑性ポリイミドからなる群から選択される、請求項４又は６に記載の絶縁電線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線、特に電力を用いて駆動する車両などに搭載される電動発電機のコイルとして使用される絶縁電線に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、インバータ関連機器、例えば高速スイッチング素子、インバータモーター、変圧器等の電気・電子機器用コイルには、マグネットワイヤとして、いわゆるエナメル線からなる絶縁電線（絶縁ワイヤ）、エナメル樹脂からなるエナメル絶縁層と、エナメル樹脂とは別種の樹脂からなる絶縁層とを含む多層の被覆層を有する絶縁電線等が用いられている。このような多層の被覆層を有する絶縁電線として、例えば、特許文献１には、導体上に、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂等を押出成形して形成した層と、熱硬化性ポリアミドイミド樹脂層とを被覆層として有する絶縁電線が開示されている。【０００３】
一方で、モーター、変圧器等に代表される電気機器は、近年、機器の高性能化が進展している。そこで、絶縁電線を巻線加工（コイル加工）して、絶縁電線を非常に狭い部分へ押しこんで使用する様な使い方が多く見られるようになった。具体的には、モーターなどの回転機の性能向上のため、より多い本数の巻線をステータのスロット中に収容することが求められている。すなわち、ステータのスロット断面積に対する導体の断面積の比率（占積率）の向上に対する要求が高まっている。【０００４】
占積率を向上させる手段として、導体の断面が略矩形状の平角導体が使用されている。平角導体を用いて小型のコイルを作製する場合、占積率を向上させるため、導体のコーナー部の曲率半径が小さい絶縁電線をエッジワイズで小径のコアに巻線加工することにより小型のコイルを作製する。しかしながら、平角導体の使用は、占積率の向上には劇的な効果を示す一方、断面平角のコーナー部はコイル加工等の曲げ加工に対して極端に弱い。そのため、強い圧力をかけて加工を行うと皮膜が割れてしまうという問題がある。また、巻線の絶縁皮膜の厚さを薄くし、導体間の距離が確保できない場合、絶縁性能が確保できず、しかも巻線の絶縁皮膜が損傷を生じたときに、露出した巻線の導体から放電が生じることになる。【０００５】
絶縁電線の電気的特性、機械的特性を高めるため、種々検討されている。例えば、エナメル絶縁層と押出絶縁層の比誘電率と押出絶縁層の引張強度の温度依存性を含めた関係から、高温下での絶縁性能を損なうことなく絶縁皮膜を厚くして、部分放電開始電圧を高め、耐熱老化特性を改善することが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２５８６１８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１５４２６２号公報
【０００７】
また、近年、回転電機を駆動モーターとして利用するＨＶ車両（ハイブリッドカー）や、電動発電機のコイルにより発生した電力を用いて駆動するＥＶ車両（電気自動車）の開発も急速に進んでいる。このような車両では、特に電気機器の小型化・高出力化に対する要求水準が高まっている。【０００８】
平角導体の場合、断面が略丸形の導体と比較してステータの占有率を高めることができるため、電気機器の小型化・高出力化を実現することが可能である。しかしながら、小型化された電気機器は、その高効率化から使用電圧が高く設定され、それに伴い発熱量も増大する。特に、瞬間的又は断続的に高温下、例えば絶縁電線の設計値を超えるような高温下に絶縁電線が曝された後においても、十分な性能を発揮させる耐熱性が要求されている。そのため、絶縁電線には、電動発電機の上記小型化・高出力化に伴い、さらなる耐熱性の向上が重要であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、良好な導電性を有すると共に、優れた耐熱性を示す絶縁電線を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記問題に対して鋭意検討を行った結果、導体の材料として、特定の組成及び集合組織を有する高純度の無酸素銅（ＯＦＣ：Ｏｘｇｅｎ  Ｆｒｅｅ  Ｃｏｐｐｅｒ）を使用することにより、高温域であっても、導体の結晶粒の二次再結晶（異常粒成長）を抑制できるため、導体を高温下に曝しても結晶粒の変化を低減することが可能となるとの知見を得た。これにより、絶縁電線全体の耐熱性を向上させることができ、その結果、良好な導電性を有すると共に、耐熱性にも優れた絶縁電線が得られることを見出した。【００１１】
すなわち、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
［１］  銅合金導体と、
前記銅合金導体の外周面上に直接又は間接的に被覆された少なくとも１つの樹脂層を備え、
前記銅合金導体が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍであり、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である集合組織を有することを特徴とする絶縁電線。
［２］前記銅合金導体の平均結晶粒径が、１μｍ〜１００μｍである、上記［１］に記載の絶縁電線。
［３］前記樹脂層が、気泡を有する熱硬化性樹脂を含む発泡絶縁層を含んでいる、上記［１］又は［２］に記載の絶縁電線。
［４］前記発泡絶縁層の外周面上に、熱可塑性樹脂を含む外側絶縁層がさらに形成されている、上記［３］に記載の絶縁電線。
［５］前記熱硬化性樹脂が、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）およびポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）からなる群から選択される、上記［３］又は［４］に記載の絶縁電線。
［６］前記樹脂層が、少なくとも１層のエナメル絶縁層と、該エナメル絶縁層の外周面上に被覆され、熱可塑性樹脂を含む押出絶縁層とを含んでいる、上記［１］又は［２］に記載の絶縁電線。
［７］前記熱可塑性樹脂が、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、変性ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）および熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）からなる群から選択される、上記［４］又は［６］に記載の絶縁電線。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、銅合金導体の材料として、特定の組成及び集合組織を有するＯＦＣを使用することにより、絶縁電線全体で耐熱性を向上させることができる。これにより、良好な導電性を有すると共に、優れた耐熱性を示す絶縁電線を提供することができ、例えば、小型化・高出力化が要求されるＥＶ車両等に搭載されている電動発電機のコイルの高性能化に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明に使用される銅合金導体が有する集合組織をＥＢＳＤで解析した結果を示す図であり、（Ａ）はφ２＝０°の断面図であり、（Ｂ）は、φ２＝３５°の断面図である。
【図２】図２は、本発明の絶縁電線の一実施態様を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の絶縁電線の他の実施態様を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る絶縁導体の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
［絶縁電線］
本発明に係る絶縁電線は、銅合金導体と、銅合金導体の外周面上に直接又は間接的に被覆された少なくとも１つの樹脂層を備えている。また、銅合金導体が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍであり、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である集合組織を有している。本発明に係る絶縁電線は、銅合金導体の材料として、特定の組成及び集合組織を有するＯＦＣを使用することにより、例えば７００℃以上の高温下であっても、銅合金導体の結晶粒の二次再結晶（異常粒成長）が抑制され、銅合金導体を高温下に曝しても結晶粒の変化を低減させることが可能となる。その結果、絶縁電線全体の耐熱性を向上させることができ、良好な導電性を有すると共に、優れた耐熱性を示す絶縁電線を作製することができる。
【００１６】
［銅合金導体］
本発明では、銅合金導体を使用し、好ましくは短手方向の断面形状が略矩形、台形、多角形等である銅合金導体、より好ましくは平角導体を使用する。このような形状の導体の使用により、断面形状が円形の導体と比較して、巻線時にステータコアのスロットに対する占積率を高くすることができる。導体のサイズは用途に応じて決めるものであるため特に限定するものではないが、平角導体を使用する場合、一辺の長さにおいて、例えば、その長辺（幅）は１．０ｍｍ〜５．０ｍｍが好ましく、１．４ｍｍ〜２．７ｍｍがより好ましく、その短辺（厚み）は０．４ｍｍ〜３．０ｍｍが好ましく、０．５ｍｍ〜２．５ｍｍがより好ましい。ただし、本発明の効果が得られる導体サイズの範囲はこの限りではない。また、平角導体の断面形状も用途に応じて異なるが、断面正方形よりも、断面長方形が一般的である。さらに、平角導体を使用する場合、その導体断面の４隅の面取り（曲率半径ｒ）は、ステータスロット内での導体占有率を高める観点では、曲率半径ｒは小さい方が好ましいが、４隅への電界集中による部分放電現象を抑制するという観点では、曲率半径ｒは大きい方が好ましい。よってこれらのバランスを考慮し、曲率半径ｒは０．６ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍがより好ましい。ただし、本発明の効果が得られる曲率半径ｒの範囲はこの限りではない。
【００１７】
また、本発明において、銅合金導体は、複数のセグメントに分割された分割導体であってもよい。導体を複数に分割することにより、表皮効果による電流低減の影響を抑制することができる。これにより、電気機器の小型化に伴い、導体として細線、極細線のような非常に細い電線を使用しても、例えば、導電性等の導体特性をより向上することができる。
【００１８】
＜銅合金導体の組成＞
本発明では、銅合金導体の材料として、特定の組成を有するＯＦＣが使用される。一般に、ＯＦＣとは、酸素含有量が３０ｐｐｍ以下の低酸素銅、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以下の低酸素銅または無酸素銅を意味する。酸素含有量が３０ｐｐｍ以下であれば、銅合金導体を溶接するために熱で溶融させた場合、溶接部分に含有酸素に起因するボイドの発生がなく、溶接部分の電気抵抗が悪化することを防止すると共に、溶接部分の強度を保持することができる。また、本発明に使用される銅合金導体に含まれる銅の含有量は、９９．９６ｍａｓｓ％以上であり、好ましくは９９．９９ｍａｓｓ％以上である。銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％未満であると、熱伝導率が低下し、所望する放熱性（耐熱性）が得られない。また、本発明に使用される銅合金は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍである。これらの金属成分の合計含有量の下限値は特に限定する必要はないが、不可避的不純物を考慮し、０．１ｐｐｍとした。一方、これらの金属成分の合計含有量が２．０ｐｐｍを超えると、所望の方位密度が得られない。本発明の銅合金導体には、銅、並びに、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分以外に残部として不可避的不純物が含まれていてもよい。不可避的不純物は、製造工程上、不可避的に含まれうる含有レベルの不純物を意味する。
【００１９】
銅以外の上記金属成分の定量分析には、ＧＤＭＳ法を用いることができる。ＧＤＭＳ法とは、Ｇｌｏｗ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙの略であり、固体試料を陰極としグロー放電を用いて試料表面をスパッタし、放出された中性粒子をプラズマ内のＡｒや電子と衝突させることによってイオン化させ、質量分析器でイオン数を計測することで、金属に含まれる極微量元素の割合を解析する技術である。
【００２０】
＜集合組織＞
本発明に使用される銅合金導体は、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数（ＯＤＦ:crystal orientation distribution function）をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である。圧延方向をＲＤ方向、銅合金導体の幅方向（ＲＤ方向に対して直交する方向）をＴＤ方向、圧延面（ＲＤ面）に対して垂直な方向をＮＤ方向としたとき、ＲＤ方向を軸とした方位回転がΦ、ＮＤ方向を軸とした方位回転がφ１、ＴＤ方向を軸とした方位回転がφ２として表される。方位密度は、集合組織における結晶方位の存在比率及び分散状態を定量的に解析する際に用いられるパラメータであり、ＥＢＳＤ及びＸ線回折を行い、（１００）、（１１０）、（１１２）等の３種類以上の正極点図の測定データに基づいて、級数展開法による結晶方位分布解析法により算出される。ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られるφ２を所定の角度で固定した断面図において、ＲＤ面内での方位密度の分布が示される。
【００２１】
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の銅合金導体の集合組織をＥＢＳＤで解析した結果の一例を示す図であり、図１（Ａ）はφ２＝０°の断面図であり、図１（Ｂ）は、φ２＝３５°の断面図である。結晶方位分布がランダムな状態を、方位密度が１であるとし、それに対して何倍の集積となっているかが等高線で表されている。図１では、白い部分は方位密度が高く、黒い部分は方位密度が低いことを示し、灰色の部分は白に近いほど方位密度が高いことを示している。
【００２２】
本発明では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満であることにより、７００℃以上の高温でも結晶粒の成長が抑制される。Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が３．０未満では、銅合金導体を高温下（例えば７００℃以上の高温下）に曝しても、結晶粒の二次再結晶の抑制特性に乏しく、結晶粒が粒径３００μｍ以上にまで著しく成長してしまい、絶縁電線に所望とする耐熱性が付与されない。一方、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が３５．０以上であると、銅合金導体の引張強度が低下し、変形が生じやすくなる。また、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３０．０以上であっても、銅合金導体を高温下（例えば７００℃以上の高温下）に曝すと、結晶粒の二次再結晶の抑制特性に乏しく、結晶粒が粒径３００μｍ以上にまで著しく成長してしまい、絶縁電線に所望とする耐熱性が付与されない。なお、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度は全体的に高いが、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度は局所的に高い。そこで、前者については、平均値を規定し、後者については、最大値を規定した。
【００２３】
ＥＢＳＤ法とは、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎの略であり、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子を利用した結晶方位解析技術である。ＥＢＳＤによる解析の際、測定面積およびスキャンステップは、試料の結晶粒の大きさに応じて決定すればよい。測定後の結晶粒の解析には、例えば、ＴＳＬ社製の解析ソフトＯＩＭ  Ａｎａｌｙｓｉｓ（商品名）を用いることができる。ＥＢＳＤによる結晶粒の解析において得られる情報は、電子線が試料に侵入する数１０ｎｍの深さまでの情報を含んでいる。銅合金導体の厚さ方向の測定箇所は、試料表面から銅合金導体の厚さの１／８倍〜１／２倍の位置付近とすることが好ましい。
【００２４】
＜平均結晶粒径＞
本発明に使用される銅合金導体の平均結晶粒径は、１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。平均結晶粒径が１μｍ未満であると、結晶方位を十分に制御できない場合がある。一方、平均結晶粒径が１００μｍを超えると、十分な引張強度が得られずに、外部からの負荷応力に対して、変形、剥離等が生じてしまう場合がある。なお、結晶粒径は、銅合金導体のＲＤ面におけるＥＢＳＤ解析により測定することができる。
【００２５】
＜特性＞
本発明に使用される銅合金導体は、引張強度が１５０〜３３０ＭＰａであることが好ましい。引張強度が１５０ＭＰａ未満であると、強度が不十分であり、引張強度が３３０ＭＰａを超えると、加工性が低下する傾向にある。
【００２６】
本発明に使用される銅合金導体は、導電率が９５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。導電率が９５％未満であると、熱伝導率が低下し、良好な電気特性が得られないだけでなく、放熱性が劣化する傾向にある。
【００２７】
＜銅合金導体の製造方法＞
次に、本発明の銅合金導体の製造方法の一例を説明する。
【００２８】
本発明に係る銅合金導体の製造方法では、溶解・鋳造工程［工程１］、均質化熱処理工程［工程２］、熱間圧延工程［工程３］、冷却工程［工程４］、面削工程［工程５］、第１冷間圧延工程［工程６］、第１焼鈍工程［工程７］、第２冷間圧延工程［工程８］、第２焼鈍工程［工程９］、仕上げ圧延工程［工程１０］、最終焼鈍工程［工程１１］、表面酸化膜除去工程［工程１２］から構成される処理が順次行われ、所望の厚さの銅板材を作製する。次いで、得られた銅板材を、所望のサイズの断面形状を有する銅合金導体（例えば、平角線の形状）に加工する成型工程［工程１３］を行うことにより、本発明に使用される銅合金導体が製造される。本発明では、特に、第１冷間圧延工程［工程６］と第１焼鈍工程［工程７］と第２焼鈍工程［工程９］の条件を適切に制御することにより、銅合金導体のＲＤ方向からＴＤ方向にかけて、良好な引張強度及び導電率を有し、さらには耐熱性に優れた銅合金導体を得ることができる。
【００２９】
溶解・鋳造工程［工程１］では、銅素材を溶解し、鋳造することによって鋳塊を得る。銅素材は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有する。均質化熱処理工程［工程２］では、得られた鋳塊に対して、保持温度７００〜１０００℃、保持時間１０分〜２０時間の均質化熱処理を行う。熱間圧延工程［工程３］では、総加工率が１０〜９０％となるように熱間圧延を行う。冷却工程［工程４］では、１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で急冷を行う。面削工程［工程５］では、冷却された材料の両面をそれぞれ約１．０ｍｍずつ面削する。これにより、銅合金導体表面の酸化膜が除去される。
【００３０】
第１冷間圧延工程［工程６］では、総加工率が７５％以上となるよう冷間圧延を複数回行う。第１冷間圧延工程［工程６］において、総加工率が７５％未満であると、所望の集合組織が得られない。
【００３１】
第１焼鈍工程［工程７］では、昇温速度が１〜１００℃／秒、到達温度が１００〜５００℃、保持時間が１〜９００秒、かつ、冷却速度が１〜５０℃／秒である条件で熱処理を施す。第１焼鈍工程における各熱処理条件が上記範囲から外れると所望の集合組織が得られない。
【００３２】
第２冷間圧延工程［工程８］では、総加工率が６０〜９５％となるように冷間圧延を行う。
【００３３】
第２焼鈍工程［工程９］では、昇温速度が１０〜１００℃／秒、到達温度が２００〜５５０℃、保持時間が１０〜３６００秒、かつ、冷却速度が１０〜１００℃／秒である条件で熱処理を施す。第１焼鈍工程における各熱処理条件が上記範囲から外れると所望の集合組織が得られない。
【００３４】
仕上げ圧延工程［工程１０］では、総加工率が１０〜６０％となるように冷間圧延を行う。最終焼鈍工程［工程１１］では、到達温度が１２５〜４００℃である条件で熱処理を施す。表面酸化膜除去工程［工程１２］では、銅合金導体表面の酸化膜除去と洗浄を目的として、酸洗及び研磨を行う。なお、上記圧延工程における加工率Ｒ（％）は下記式で定義される。
Ｒ＝｛（ｔ０−ｔ）／ｔ０｝×１００  
式中、ｔ０は圧延前の銅合金導体の厚さであり、ｔは圧延後の銅合金導体の厚さである。
【００３５】
成型工程［工程１３］では、上記の工程を経て得られた銅板材を、所望の導体（線径）サイズに成型加工する。成型加工は、特に限定されるものではないが、例えば、ＥＢＳＤによって測定する方向（長手方向）に沿って銅板材を所望のサイズにスリットし、その後、カセットローラダイス等を介して平角線加工を行うことにより、所望とする形状の銅合金導体が得られる。その際、銅合金導体（平角導体）の断面形状が長方形である場合、銅板材の厚さは、長方形の短辺側に合わせることが好ましい。このような成型加工により、銅板材の圧延表面が銅合金導体のフラット面に、銅板材の側面が銅合金導体のエッジ面にそれぞれ相当する銅合金導体が得られる。
【００３６】
［樹脂層］
本発明に係る絶縁電線は、銅合金導体の外周面上に直接又は間接的に被覆された少なくとも１つの樹脂層を備えている。樹脂層の形状は、特に限定されるものではなく、銅合金導体の形状に応じて適宜設計することができる。樹脂層には、絶縁性を有する樹脂が使用されており、また、樹脂層の構成は、このような樹脂を含む単層であってもよく、又は、このような樹脂を含む層が複数積層されていてもよい。樹脂層の全体の厚さは、特に限定されるものではないが、絶縁性を損なわずに、小型化された電気機器等に適用させる観点から１０μｍ〜３００μｍが好ましく、２０μｍ〜２００μｍがより好ましい。
【００３７】
＜発泡絶縁層＞
本発明では、絶縁電線に使用される樹脂層が、気泡を有する熱硬化性樹脂を含む発泡絶縁層を含んでいることが好ましい。このような発泡樹脂層は、気泡の存在により高い振動減衰性を示す。車両に搭載される電気機器の小型化に伴い、導体を被覆する樹脂層の薄肉化も求められているため、このような薄い樹脂層も自動車の振動に耐える必要がある。したがって、導体として上述した特定の組成及び集合組織を有する銅合金導体と、樹脂層として発泡樹脂層とが組合わされたこのような絶縁電線を、車両等に搭載されている小型化された電気機器に使用しても、自動車の振動に十分に耐えることができ、その結果、銅合金導体からの樹脂層の剥離をより確実に防止することができる。尚、発泡絶縁層の厚さは特に制限されるものではないが、本発明では、１０〜２００μｍが好ましい。また、本発明では、発泡絶縁層は１層でも２層以上の複数の層から構成されていてもよい。
【００３８】
発泡絶縁層の材料は、銅合金導体に塗布し焼き付けて絶縁皮膜を形成できるようワニス状の樹脂を用いることが好ましい。本発明では、発泡絶縁層を構成する樹脂は熱硬化性樹脂を使用する。熱硬化性樹脂としては、従来用いられている樹脂を使用することができ、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）およびポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）からなる群から選択される樹脂が好ましく、この中でも耐溶剤性に優れるポリアミドイミド（ＰＡＩ）およびポリイミド（ＰＩ）がより好ましく、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）が特に好ましい。使用する熱硬化性樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３９】
ポリアミドイミド樹脂としては、市販品（例えば、ＨＩ４０６（日立化成社製）などを用いるか、通常の方法により、例えば極性溶媒中でトリカルボン酸無水物とジイソシアネート類を直接反応させて得た生成物を用いることができる。ポリイミドとしては、例えば、Ｕイミド（ユニチカ社製）、Ｕ−ワニス(宇部興産社製)、ＨＣＩシリーズ（日立化成社製）、オーラム（三井化学社製）などを使用することができる。
【００４０】
発泡絶縁層を形成する熱硬化性樹脂には、結晶性樹脂の場合は融点が２４０℃以上である熱可塑性樹脂、または、非晶性樹脂の場合はガラス転移温度が２４０℃以上の熱可塑性樹脂がさらに添加されていてもよい。このときの熱可塑性樹脂は、２５℃での貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。熱硬化性樹脂が熱可塑性樹脂をさらに含有することで、可撓性、伸び特性が改善される。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上であり、さらに好ましくは２１０〜３５０℃である。このような熱可塑性樹脂の添加量は樹脂固形分の５〜５０質量％が好ましい。
【００４１】
この目的で使用可能な熱可塑性樹脂は、非晶性樹脂であることが好ましく、例えば、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）及びポリイミドから選択される少なくとも１種が好ましい。ポリエーテルイミドとしては、例えば、ウルテム（ＧＥプラスチック社製）などを使用することができる。ポリエーテルスルホンとしては、例えば、スミカエクセルＰＥＳ（住友化学社製）、ＰＥＳ（三井化学社製）、ウルトラゾーンＥ（ＢＡＳＦジャパン社製）、レーデルＡ（ソルベイアドバンストポリマーズ社製）などを使用することができる。ポリフェニレンエーテルとしては、例えば、ザイロン（旭化成ケミカルズ社製）、ユピエース（三菱エンジニアリングプラスチックス社製）などを使用することができる。ポリフェニルスルホンとしては、例えば、レーデルＲ（ソルベイアドバンストポリマーズ社製）などを使用することができる。ポリイミドとしては、例えば、Ｕ−ワニス(宇部興産社製)、ＨＣＩシリーズ（日立化成社製）、Ｕイミド（ユニチカ社製）、オーラム（三井化学社製）などを使用することができる。溶剤に溶けやすい点においてポリフェニルスルホン、ポリエーテルイミドがより好ましい。
【００４２】
本発明においては、特性に影響を及ぼさない範囲で、発泡絶縁層を形成する熱硬化性樹脂に対して、気泡化核剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線防止剤、光安定剤、蛍光増白剤、顔料、染料、相溶化剤、滑剤、強化剤、難燃剤、架橋剤、架橋助剤、可塑剤、増粘剤、減粘剤、およびエラストマーなどの各種添加剤を配合してもよい。
【００４３】
気泡を有する熱硬化性樹脂で形成された発泡絶縁層の発泡倍率は、１．２倍以上が好ましく、１．４倍以上がより好ましい。発泡倍率の上限に制限はないが、通常５．０倍以下とすることが好ましい。発泡倍率は、発泡のために被覆した樹脂の密度（ρｆ）および発泡前の密度（ρｓ）を水中置換法により測定し、（ρｓ／ρｆ）により算出する。
【００４４】
発泡絶縁層に含まれる気泡の大きさ、すなわち、平均気泡径は１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がさらに好ましく、１μｍ以下が特に好ましい。１０μｍを超えると絶縁破壊電圧が低下することがあり、１０μｍ以下とすることで絶縁破壊電圧を良好に維持できる。さらに、５μｍ以下、３μｍ以下とすることにより、順次絶縁破壊電圧をより確実に保持できる。平均気泡径の下限に制限はないが、１ｎｍ以上であることが実際的であり、好ましい。
【００４５】
平均気泡径は、発泡絶縁層の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、発泡密度を観察した範囲から均等に、合計５０個の気泡を無作為に選び、次いで画像寸法計測ソフト（三谷商事社製の商品名：ＷｉｎＲＯＯＦ）を用いて径測定モードで測定し、これらを平均して算出した値である。気泡径は、発泡倍率、樹脂の濃度、粘度、温度、発泡剤の添加量、焼付け炉の温度等の製造プロセスによって調整できる。
【００４６】
発泡絶縁層は空気を含むことで比誘電率を低下させ、電圧が印加された時に線間の空気ギャップに発生する部分放電、コロナ放電を抑制することができる。
【００４７】
発泡絶縁層は、熱硬化性樹脂と、特定の有機溶剤および少なくとも１種類の高沸点溶剤を含む２種類以上、好ましくは３種以上の溶剤とを混合した絶縁ワニスを銅合金導体の周囲に塗布、焼き付けることにより得ることができる。ワニスの塗布は銅合金導体上に、直接、塗布しても、間に別の絶縁層（樹脂層）を介在させて行ってもよい。
【００４８】
発泡絶縁層の作製に使用されるワニスの有機溶剤は、熱硬化性樹脂を溶解させる溶媒として作用する。このような有機溶剤は、熱硬化性樹脂の反応を阻害しない限りは特に制限はなく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレンウレア、テトラメチル尿素等の尿素系溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−カプロラクトン等のラクトン系溶媒、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチルカルビトールアセテート等のエステル系溶媒、ジグライム、トリグライム、テトラグライム等のグライム系溶媒、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、スルホラン等のスルホン系溶媒などが挙げられる。これらのうち、高溶解性、高反応促進性等の点でアミド系溶媒、尿素系溶媒が好ましく、加熱による架橋反応を阻害しやすい水素原子をもたない化合物の点で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレンウレア、テトラメチル尿素がより好ましく、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが特に好ましい。この有機溶剤の沸点は、好ましくは１６０℃〜２５０℃であり、より好ましくは１６５℃〜２１０℃である。
【００４９】
気泡形成用に使用可能な高沸点溶剤は、沸点が１８０℃〜３００℃であることが好ましく、２１０℃〜２６０℃であることがより好ましい。具体的には、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルなどを用いることができる。気泡径のばらつきが小さい点においてトリエチレングリコールジメチルエーテルがより好ましい。これら以外にも、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが使用できる。
【００５０】
高沸点溶剤は、１種であってもよいが、気泡が広い温度範囲で発生する効果が得られる点で、少なくとも２種を組み合わせて用いることが好ましい。高沸点溶媒の少なくとも２種の好ましい組み合わせは、テトラエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルとテトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテルとテトラエチレングリコールジメチルエーテルを含み、より好ましくはジエチレングリコールジブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルとテトラエチレングリコールジメチルエーテルの組み合わせを含む。
【００５１】
気泡形成用の高沸点溶媒は、熱硬化性樹脂を溶解させる溶媒よりも高沸点であることが好ましく、１種類でワニスに添加される場合には熱硬化性樹脂の溶媒より１０℃以上高いことが好ましい。また、１種類の高沸点溶媒を使用する場合には、高沸点溶媒は気泡核剤と発泡剤の両方の役割を有する。一方、２種類以上の高沸点溶媒を使用する場合には、最も高い沸点の溶媒が発泡剤、中間の沸点を有する気泡形成用の高沸点溶媒が気泡核剤として作用する。最も沸点の高い溶媒は、ワニスの有機溶剤より２０℃以上高いことが好ましく、３０〜６０℃以上高いことがより好ましい。中間の沸点を持つ気泡形成用の高沸点溶媒は、発泡剤として作用する溶媒の沸点とワニスの有機溶剤の沸点の中間に沸点があればよく、発泡剤の沸点と１０℃以上の沸点差を有していることが好ましい。中間の沸点を有する気泡形成用の高沸点溶媒が、発泡剤として作用する溶媒より熱硬化性樹脂への溶解度が高い場合、ワニス焼き付け後に均一な気泡を形成させることができる。２種類以上の高沸点溶媒を使用する場合に、中間の沸点を持つ高沸点溶媒に対する最も高い沸点を持つ高沸点溶媒の使用比率は、例えば、質量比で９９／１〜１／９９であるのが好ましく、気泡の生成のしやすさの点において１０／１〜１／１０であることがより好ましい。
【００５２】
（外側絶縁層）
本発明では、発泡絶縁層の外周面上に、熱可塑性樹脂を含む外側絶縁層がさらに形成されていてもよい。図２は、このような樹脂層の構成を有する本発明に係る絶縁電線１０の実施態様の一例を示した概略断面図であり、銅合金導体１の外周面上に発泡絶縁層２が形成され、発泡絶縁層２の外周面上に外側絶縁層３がさらに形成されている。発泡絶縁層２に気泡（空気）が含まれることによって形状を変形できることを利用し、発泡絶縁層２の上層に外側絶縁層３として熱可塑性樹脂の層をさらに設けることにより、空気ギャップを埋めることができ、その結果、部分放電の発生を抑制する性能に優れる樹脂層を形成することができる。この効果をさらに高めるために、外側絶縁層に使用される熱可塑性樹脂として、非晶性樹脂の場合には２４０℃以上のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、または、結晶性樹脂の場合には２４０℃以上の融点を有する熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。
【００５３】
本発明においては、外側絶縁層を構成する熱可塑性樹脂として、例えば、エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチック等の熱可塑性樹脂が好適である。
【００５４】
エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリアミド（ＰＡ）（ナイロン）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンエーテル（変性ポリフェニレンエーテルを含む）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シンジオタクチックポリスチレン樹脂（ＳＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、超高分子量ポリエチレン等の汎用エンジニアリングプラスチックの他、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（Ｕポリマー）、ポリアミドイミド、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、変性ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、ポリイミド（ＰＩ）、熱可塑性ポリイミド樹脂（ＴＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリエステル等のスーパーエンジニアリングプラスチック、さらに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）をベース樹脂とするポリマーアロイ、ＡＢＳ／ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル／ナイロン６，６、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレン、ポリブチレンテレフタレート／ポリカーボネート等の上記エンジニアリングプラスチックを含むポリマーアロイが挙げられる。本発明においては、耐熱性と耐ストレスクラック性の点において、シンジオタクチックポリスチレン樹脂（ＳＰＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、熱可塑性ポリイミド樹脂（ＴＰＩ）を用いることが特に好ましい。また、上記に例示した樹脂によって使用樹脂が限定されるものではなく、先に列挙した樹脂以外にも、それらの樹脂より性能的に優れる樹脂であれば使用可能である。
【００５５】
これらの熱可塑性樹脂のうち、結晶性熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、超高分子量ポリエチレン等の汎用エンジニアリングプラスチック、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）（変性ＰＥＥＫを含む）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、熱可塑性ポリイミド樹脂（ＴＰＩ）が挙げられる。また、上記結晶性樹脂を用いたポリマーアロイが挙げられる。一方、非晶性熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、シンジオタクチックポリスチレン樹脂（ＳＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、非晶性熱可塑性ポリイミド樹脂などが挙げられる。
【００５６】
本発明では、外側絶縁層を構成する熱可塑性樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、変性ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）および熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）からなる群から選択される樹脂が好ましく、ＰＥＥＫまたは変性ＰＥＥＫが特に好ましい。
【００５７】
また、外側絶縁層を形成する熱可塑性樹脂に対して、特性に影響を及ぼさない範囲で、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線防止剤、光安定剤、蛍光増白剤、顔料、染料、相溶化剤、滑剤、強化剤、難燃剤、架橋剤、架橋助剤、可塑剤、増粘剤、減粘剤、およびエラストマーなどの各種添加剤を配合してもよい。
【００５８】
外側絶縁層の厚さに制限はないが、２０〜１５０μｍが実際的であり、好ましい。また、発泡絶縁層と外側絶縁層との厚さの比は、適宜調節することができる。すなわち、発泡絶縁層が厚いほど比誘電率が低下するため、部分放電開始電圧を上昇させることが可能である。一方、強度及び可撓性などの機械特性を上昇させたい場合には、外側絶縁層を厚く設計すればよい。発泡絶縁層と外側絶縁層との厚さの比、すなわち、発泡絶縁層の厚さ／外側絶縁層の厚さの比は、強度および放電開始電圧の特長を発現させる点で５／９５〜９５／５であることが好ましく、特に機械特性が求められる場合には、５／９５〜６０／４０であることがより好ましい。
【００５９】
＜発泡絶縁層を含む絶縁電線の作製＞
樹脂層が発泡絶縁層を含む絶縁電線は、次のようにして作製することができる。導体として上記のように作製した銅合金導体を用い、その周囲に発泡絶縁層を形成するワニスを塗布する。ワニスは、発泡絶縁層を構成する熱硬化性樹脂を溶解し得る上記の有機溶剤と、発泡剤として作用する気泡形成用の高沸点溶媒と、任意に、気泡核剤として作用する中間の沸点を有する気泡形成用の高沸点溶媒を含む溶剤を混合することにより調製される。次いでワニスを加熱して焼き付ける過程で、有機溶剤を気化させると、ワニス中に気泡が発生し、気泡を有する発泡絶縁層が銅合金導体の外周面上に形成される。また、発泡絶縁層の外周面上に外側絶縁層を形成する場合、外側絶縁層を構成する熱可塑性樹脂組成物を押出成形することにより、発泡絶縁層の外周面上に外側絶縁層を設けることができる。
【００６０】
＜エナメル絶縁層および押出絶縁層＞
本発明では、絶縁電線に使用される樹脂層が、少なくとも１層のエナメル絶縁層と、エナメル絶縁層の外周面上に被覆され、熱可塑性樹脂を含む押出絶縁層とを含んでいることが好ましい。図３は、このような樹脂層の構成を有する本発明に係る絶縁電線１０の実施態様の一例を示した概略断面図であり、銅合金導体１の外周面上に、樹脂層４として、エナメル絶縁層４ａが形成され、エナメル絶縁層４ａの外周面上に押出絶縁層４ｂがさらに形成されている。このような構成を有する樹脂層４には、押出絶縁層４ｂと銅合金導体１との間にエナメル絶縁層４ａが介在しているため、銅合金導体１と押出絶縁層４ｂとの密着性を補強しつつ、押出被覆によりエナメル絶縁層４ａ上に押出絶縁層４ｂを強固に被覆できる。車両に搭載される電気機器の小型化に伴い、導体の薄肉化も求められているため、このような導体は、より強固に樹脂層に密着される必要がある。したがって、上述した特定の組成及び集合組織を有する銅合金導体が、このような構成を有する樹脂層で被覆されることにより、銅合金導体がより強固に密着され、その結果、銅合金導体からの樹脂層の剥離をより確実に防止することができる。
【００６１】
＜エナメル絶縁層＞
エナメル絶縁層は、熱硬化性樹脂から構成される。本発明では、銅合金導体から順にエナメル絶縁層、押出絶縁層を有し、特に、エナメル絶縁層は銅合金導体に直接接して該銅合金導体の外周に設けられることが特に好ましい。ただし、必要性に応じて、銅合金導体とエナメル絶縁層との間に別の絶縁層（樹脂層）が設けられていてもよい。以下、エナメル絶縁層は、単にエナメル層ということもある。
【００６２】
（熱硬化性樹脂）
エナメル層を形成するエナメル樹脂は、熱硬化性樹脂であれば従来用いられている樹脂を使用することができ、例えば、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリエステル（ＰＥｓｔ）、ポリベンゾイミダゾール、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのうち、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリエステル（ＰＥｓｔ）が好ましく、このなかでも、イミド結合を有する熱硬化性樹脂が好ましい。イミド結合を有する熱硬化性樹脂は、上記では、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）が挙げられる。本発明では、特に、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）およびポリエーテルイミド（ＰＥＩ）から選択される樹脂が好ましい。
【００６３】
上記のポリアミドイミド（ＰＡＩ）は、他の樹脂に比べ熱伝導率が低く、絶縁破壊電圧が高く、焼付け硬化が可能である。このようなポリアミドイミドは、特に限定されないが、常法により、例えば極性溶媒中でトリカルボン酸無水物とジイソシアネート化合物とを直接反応させて得た生成物、または、極性溶媒中でトリカルボン酸無水物にジアミン化合物を先に反応させて、最初にイミド結合を導入し、次いでジイソシアネート化合物でアミド化して得られる生成物が挙げられる。市販品のポリアミドイミド（ＰＡＩ）は、例えば、ＨＰＣ−９０００（日立化成社製）、ＨＩ４０６（日立化成社製）などが挙げられる。
【００６４】
上記のポリイミド（ＰＩ）は、特に限定されず、全芳香族ポリイミドまたは熱硬化性芳香族ポリイミドなど、通常のポリイミドを用いることができる。また、常法により、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン化合物とを極性溶媒中で反応させてポリアミド酸溶液を得て、次いで焼付け時の加熱処理によって当該ポリアミドをイミド化させることによって得られる生成物を用いることができる。市販品のポリイミド（ＰＩ）は、例えば、Ｕイミド（ユニチカ社製）、Ｕ−ワニス−Ａ（宇部興産社製）、＃３０００（東レ・デュポン社製）などが挙げられる。
【００６５】
上記のポリエーテルイミド（ＰＥＩ）は、分子内にエーテル結合とイミド結合を有する熱硬化性樹脂であればよく、例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物と分子内にエーテル結合を有する芳香族ジアミン類とを極性溶媒中で反応させてポリアミド酸溶液を得て、次いで焼付け時の加熱処理によって当該ポリアミドをイミド化させることによって得られる生成物を用いることもできる。市販品のポリエーテルイミド（ＰＥＩ）は、例えば、ウルテム１０００（ＳＡＢＩＣ社製）が挙げられる。
【００６６】
上記のポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）は、分子内にエステル結合とイミド結合を有するポリマーであって熱硬化性を有していれば特に限定されない。例えば、トリカルボン酸無水物とアミン化合物からイミド結合を形成し、アルコールとカルボン酸またはそのアルキルエステルからエステル結合を形成し、さらに、イミド結合の遊離酸基または無水基がエステル形成反応に加わることで得られる生成物を用いることができる。このようなポリエステルイミドは、例えば、トリカルボン酸無水物、ジカルボン酸化合物またはそのアルキルエステル、アルコール化合物およびジアミン化合物を公知の方法で反応させて得られる生成物を用いることもできる。市販品のポリエステルイミド（ＰＥｓＩ）は、例えば、ネオヒート８６００Ａ（東特塗料社製）が挙げられる。
【００６７】
熱硬化性樹脂の比誘電率は、３.０〜４.５が好ましく、３.０〜４.０がより好ましく、３.０〜３.５がさらに好ましい。なお、比誘電率は、電線表面に導電性ペーストを用いて電極を設け、市販のＬＣＲメータなどの測定装置を用いて導体と電極間の静電容量を測定し、電極長さと絶縁皮膜の厚さから算出することができる。本発明においては特に記載のない限り１００℃の恒温槽中で測定した値を意味する。また、周波数については必要に応じて変更できるが、本発明においては特に記載のない限り、１００Ｈｚで測定した値を意味する。
【００６８】
積層されたエナメル絶縁層の場合、各々のエナメル絶縁層の熱硬化性樹脂の２５℃における比誘電率は、同一でも異なってもよいが、異なっていることが好ましい。特に銅合金導体上の熱硬化性樹脂の比誘電率は大きいほうがより好ましい。このような熱硬化性樹脂を使用することで、銅合金導体界面の電界が小さくなり、銅合金導体上の傷や異物の影響を受けず優れた耐電圧を得ることができる。
【００６９】
熱硬化性樹脂は、同一のエナメル絶縁層において、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、異なるエナメル絶縁層において使用される熱硬化性樹脂は、互いに隣接する場合以外は、互いに異なっていても同一であってもよい。
【００７０】
（添加剤）
熱硬化性樹脂層には、トリアルキルアミン、アルコキシ化メラミン樹脂、チオール系化合物のような添加剤を加えることで、銅合金導体への密着力をさらに高めることができる。
【００７１】
トリアルキルアミンとしては、好ましくはトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン等の低級アルキルのトリアルキルアミンが挙げられる。これらの中でも可とう性および密着性の点でトリメチルアミン、トリエチルアミンがより好ましい。
【００７２】
アルコキシ化メラミン樹脂としては、例えば、ブトキシ化メラミン樹脂、メトキシ化メラミン樹脂等の低級アルコキシ基で置換されたメラミン樹脂を用いることができ、樹脂の相溶性の点でメトキシ化メラミン樹脂が好ましい。
【００７３】
チオール系化合物とは、メルカプト基（−ＳＨ）を有する有機化合物である。具体的には、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、１，３，５−トリス（３−メルカプトブチルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、ブタンジオールビス（３−メルカプトブチレート）、ブタンジオールビス（３−メルカプトペンチレート）、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトブチレート）、５−メチル−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−１，３，４−チアジアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−チオール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール等を挙げることができる。
【００７４】
上記の添加剤の含有量としては、特に制限されないが、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。なお、本発明では、エナメル絶縁層間で、添加剤の含有量、種類が異なっただけであっても、互いに異なったエナメル絶縁層としてカウントする。
【００７５】
エナメル絶縁層は１層でも２層以上が積層されていてもよいが、本発明では、エナメル絶縁層は１〜４層が好ましく、１〜３層がより好ましく、１または２層がさらに好ましい。
【００７６】
エナメル絶縁層の厚さは、高い部分放電開始電圧を実現できるほどに厚肉化しても、エナメル層を形成するときの焼付炉を通す回数を減らして銅合金導体とエナメル層との接着力が極端に低下することを防止でき、また気泡の発生も防止できる点で、６０μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、４５μｍ以下がさらに好ましく、４０μｍ以下が特に好ましい。また、絶縁電線の樹脂層としてのエナメル線に必要な特性である、耐電圧特性、耐熱特性を損なわないためには、エナメル層がある程度の厚さを有していることが好ましい。エナメル層の厚さは、少なくともピンホールが生じない程度の厚さであれば特に制限されるものではなく、好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは６μｍ以上である。尚、エナメル絶縁層の厚さは、銅合金導体と押出絶縁層との間に存在するエナメル絶縁層の総和である。積層されたエナメル絶縁層の場合、各々のエナメル絶縁層の厚さは、互いに同一でも異なっていてもよいが、異なっていることが好ましく、銅合金導体から離れるほど厚いことが好ましい。
【００７７】
＜押出絶縁層＞
押出絶縁層は、熱可塑性樹脂を含んでいる。本発明においては、押出絶縁層は、少なくとも１層の押出絶縁層が、少なくとも１層のエナメル絶縁層上に設けられるが、押出絶縁層は、１層でも２層以上の積層構造であってもよい。
【００７８】
（熱可塑性樹脂）
熱可塑性樹脂は、ポリアミド（ＰＡ）（ナイロン）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンエーテル（変性ポリフェニレンエーテルを含む）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、超高分子量ポリエチレン等の汎用エンジニアリングプラスチックの他、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（Ｕポリマー）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）（変性ポリエーテルエーテルケトン（変性ＰＥＥＫ）を含む）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）、熱可塑性ポリアミドイミド（ＴＰＡＩ）、液晶ポリエステル等のスーパーエンジニアリングプラスチック、さらに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）をベース樹脂とするポリマーアロイ、ＡＢＳ／ポリカーボネート、ナイロン６，６、芳香族ポリアミド樹脂（芳香族ＰＡ）、ポリフェニレンエーテル／ナイロン６，６、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレン、ポリブチレンテレフタレート／ポリカーボネート等の上記エンジニアリングプラスチックを含むポリマーアロイが挙げられる。
【００７９】
熱可塑性樹脂は、結晶性でも非晶性であってもよい。また、熱可塑性樹脂は１種であっても２種以上の混合であってもよい。
【００８０】
本発明では、熱可塑性樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、変性ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）および熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）からなる群から選択される樹脂が好ましく、特に、耐溶剤性の点で、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）がより好ましい。
【００８１】
熱可塑性樹脂の比誘電率は、２．０〜４．０が好ましく、２．０〜３．５がより好ましく、２．０〜３．０がさらに好ましい。
【００８２】
積層された押出絶縁層の場合、各々の押出絶縁層の熱可塑性樹脂の比誘電率は、同一でも異なっていてもよいが、異なっていることが好ましい。また、最外層の比誘電率が大きいほうが好ましい。このような押出絶縁層の積層構造により、最外層の電界が小さくなり樹脂層の外傷の影響を受けにくく優れた耐電圧を得ることができる。
【００８３】
押出絶縁層は１層でも２層以上が積層されていてもよいが、本発明では、押出絶縁層は１〜４層が好ましく、１〜３層がより好ましく、１または２層がさらに好ましい。
【００８４】
押出絶縁層の厚さはエナメル絶縁層の厚さと同じであっても異なっていてもよい。本発明では、押出絶縁層の厚さは１０〜２００μｍが好ましく、４０〜１５０μｍがより好ましく、６０〜１００μｍがさらに好ましい。なお、押出絶縁層の厚さは、エナメル絶縁層上に存在する押出絶縁層の総和である。
【００８５】
積層された押出絶縁層の場合、各々の押出絶縁層の厚さは、互いに同一でも異なっていてもよい。本発明では、１層の押出絶縁層の厚さは、１０μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。なお、１層の押出絶縁層の厚さの上限は、１００μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、８０μｍ以下がさらに好ましい。
【００８６】
押出絶縁層は、熱可塑性樹脂を使用することから通常押出成形で形成される。
【００８７】
（添加剤）
押出絶縁層には、必要に応じて、各種の添加物を含有させることができる。このような添加物としては、例えば、顔料、架橋剤、触媒、酸化防止剤が挙げられる。このような添加物の含有量は、押出絶縁層を構成する樹脂１００質量部に対し、０．０１〜１０質量部が好ましい。
【００８８】
本発明において、銅合金導体を被覆する最外層の押出絶縁層には、常法によりワックス、潤滑剤等を分散、混合して得られた自己潤滑樹脂を使用することもできる。ワックスとしては、特に制限はなく、通常用いられるワックスを使用することができ、例えば、ポリエチレンワックス、石油ワックス、パラフィンワックス等の合成ワックスおよびカルナバワックス、キャデリラワックス、ライスワックス等の天然ワックスが挙げられる。潤滑剤についても特に制限はなく、例えば、シリコーン、シリコーンマクロモノマー、フッ素樹脂等が挙げられる。
【００８９】
＜エナメル絶縁層と押出絶縁層とを含む樹脂層を有する絶縁電線の作製＞
本発明では、導体として上記のように作製した銅合金導体の外周に、エナメル絶縁層を形成する熱硬化性樹脂のワニスを塗布して焼付けし、熱硬化性樹脂から構成されるエナメル絶縁層を形成する。次いで、このエナメル絶縁層上に、押出絶縁層を構成する熱可塑性樹脂を含む組成物を、押出成形することにより、エナメル絶縁層の外周面上に押出絶縁層を形成することができる。
【００９０】
熱硬化性樹脂のワニスは、熱硬化性樹脂をワニス化させるために有機溶媒等を含有する。有機溶媒としては、熱硬化性樹脂の反応を阻害しない限りは特に制限はなく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレンウレア、テトラメチル尿素等の尿素系溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−カプロラクトン等のラクトン系溶媒、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチルカルビトールアセテート等のエステル系溶媒、ジグライム、トリグライム、テトラグライム等のグライム系溶媒、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノールなどのフェノール系溶媒、スルホラン等のスルホン系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などが挙げられる。
【００９１】
これらのうち、高溶解性、高反応促進性等に着目すると、アミド系溶媒、尿素系溶媒が好ましく、加熱による架橋反応を阻害しやすい水素原子をもたない化合物の点で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレンウレア、テトラメチル尿素がより好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドが特に好ましい。有機溶媒は、１種のみを単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９２】
熱硬化性樹脂のワニスは、前述のように市販品を使用してもよく、この場合は、有機溶媒に溶解されていることから、有機溶媒を含有している。
【００９３】
上記熱硬化性樹脂のワニスを銅合金導体上に塗布する方法は、常法でよく、例えば、導体形状の相似形としたワニス塗布用ダイスを用いる方法、井桁状に形成された「ユニバーサルダイス」と呼ばれるダイスを用いることができる。熱硬化性樹脂のワニスを塗布した銅合金導体は、常法にて、焼付炉で焼付けされる。具体的な焼付け条件は、その使用される炉の形状などに左右されるが、およそ８ｍの自然対流式の竪型炉であれば、炉内温度４００〜６５０℃にて通過時間を１０〜９０秒に設定することにより、所望とする焼き付けを達成することができる。
【００９４】
本発明では、エナメル絶縁層が形成された銅合金導体（エナメル線とも称す）を心線とし、押出機のスクリューを用いて、押出絶縁層を構成する熱可塑性樹脂を含む組成物をエナメル線上に押出被覆することにより、押出絶縁層を形成し、絶縁電線を得ることができる。この際、押出絶縁層の断面の外形の形状が銅合金導体の形状と相似形もしくは略相似形で所定の辺部およびコーナー部の厚み、所定の最大厚さと最小厚さが得られる形状になるように、熱可塑性樹脂の融点以上の温度（非晶性樹脂の場合にはガラス転移温度以上）で押出ダイを用いて熱可塑性樹脂の押出被覆を行う。なお、押出絶縁層は、有機溶媒等と熱可塑性樹脂を用いて形成することもできる。
【００９５】
押出絶縁層として非晶性の熱可塑性樹脂を用いる場合には、押出成形の他に、例えば、有機溶媒等に溶解させたワニスを、導体の形状と相似形のダイスを使用して、エナメル線上にコーティングして焼付けて、形成することもできる。熱可塑性樹脂のワニスの有機溶媒は、上記熱硬化性樹脂のワニスにおいて挙げた有機溶媒が好ましい。また、具体的な焼付け条件は、その使用される炉の形状などに左右されるが、熱硬化性樹脂における条件として記載した条件が好ましい。ただし、本発明では、製造コストを考慮した製造適性の観点では、押出絶縁層は押出成形することが好ましい。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００９７】
（実施例１〜１３及び比較例１〜１７）
まず、表１に示す組成を有する銅素材を溶解し、鋳造して鋳塊を得た（［工程１］）。得られた鋳塊に対して、保持温度７００〜１０００℃、保持時間１０分〜２０時間の均質化熱処理を行った［工程２］。そして、総加工率が１０〜９０％となるように熱間圧延を行った［工程３］後、１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で急冷を行った［工程４］。冷却された材料の両面をそれぞれ約１．０ｍｍずつ面削した［工程５］。次に、表２に示す総加工率で第１冷間処理を行った［工程６］後、表２に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第１焼鈍を行った［工程７］。次に、表２に示す総加工率で第２冷間圧延を行った［工程８］。表２に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第２焼鈍を行った［工程９］後、表２に示す総加工率で仕上げ圧延を行った［工程１０］。到達温度が１２５〜４００℃である条件で最終焼鈍を行った［工程１１］後、酸洗及び研磨を行い［工程１２］、所望の厚さの銅板材を作製した。その後、ＥＢＳＤによって測定する方向に沿って、得られた銅板材を一定のサイズにスリットし、カセットローラダイスを介して平角線加工を行った［工程１３］。このようにして、銅合金導体（供試材）を作製した。【００９８】
次いで、各実施例及び各比較例において、作製した銅合金導体をそれぞれ２つ準備し、一方の銅合金導体の外周面上には発泡絶縁層を含む樹脂層を、一方の銅合金導体の外周面上にはエナメル絶縁層と押出絶縁層とを含む樹脂層をそれぞれ上述の製造方法にしたがって形成した。尚、各樹脂層は、一般に行われる製造条件で同様に形成した。このとき、発泡絶縁層及びエナメル絶縁層を構成する熱硬化性樹脂として、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）を使用し、押出絶縁層を構成する熱可塑性樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を使用した。【００９９】
（測定方法及び評価方法）
＜金属成分の定量分析＞
作製した各供試材について、ＶＧ-９０００（Ｖ.Ｇ.Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて解析を行った。各供試材に含まれるＡｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの含有量（ｐｐｍ）、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒ（表１では単に「金属成分」と記す）の合計含有量（ｐｐｍ）、並びにＣｕの含有量（ｍａｓｓ％）を表１に示す。なお、各供試材には、不可避的不純物が含まれている場合がある。また、表１における「−」は、該当する金属成分が検出されなかったことを意味する。【０１００】
＜方位密度＞
方位密度は、ＯＩＭ５．０ＨＩＫＡＲＩ（ＴＳＬ社製）を用い、ＥＢＳＤ法により測定した。測定面積は、結晶粒を２００個以上含む、８００μｍ×１６００μｍの範囲とし、スキャンステップを０．１μｍとした。測定後の結晶粒の解析には、解析ソフトとしてＯＩＭ  Ａｎａｌｙｓｉｓ（ＴＳＬ社製）を用いた。解析により得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表示した。φ２＝０°の断面図より、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲（表３では「範囲Ａ」と記す）における方位密度の平均値を算出した。また、オイラー角で表示されたφ２＝３５°の断面図において、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲（表３では「範囲Ｂ」と記す）における方位密度の最大値を読み出した。各供試材について、範囲Ａにおける方位密度の平均値及び範囲Ｂにおける方位密度の最大値を表３に示す。【０１０１】
＜平均結晶粒径＞
平均結晶粒径は、方位密度と同様の方法で測定した。測定範囲に含まれる全ての結晶粒より、平均結晶粒径を算出した。各供試材の平均結晶粒径を表３に示す。【０１０２】
＜導電率＞
導電率は、２０℃（±０．５℃）に保たれた恒温槽中で四端子法により計測した比抵抗の数値から算出した。なお、端子間距離は１００ｍｍとした。導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である場合を「良好」、９５％ＩＡＣＳ未満である場合を「不良」と評価した。各供試材の導電率を表３に示す。【０１０３】
＜引張強度＞
各供試材のＲＤ方向から、ＪＩＳ  Ｚ２２０１−１３Ｂ号の試験片を３本切り出した。ＪＩＳ  Ｚ２２４１に準じて、各試験片の引張強度を測定し、その平均値を算出した。引張強度が１５０ＭＰａ以上３３０ＭＰａ以下である場合を「良好」、１５０ＭＰａ未満である場合又は３３０ＭＰａを超える場合を「不良」と評価した。各供試材の引張強度を表３に示す。【０１０４】
＜耐熱性＞
各供試材に対して、アルゴン雰囲気又は窒素雰囲気下の管状炉で８００℃５時間の熱処理を施した後、上記平均結晶粒径の測定方法と同様の方法で、平均結晶粒径を測定した。熱処理後の平均結晶粒径が２００μｍ以下である場合を耐熱性が「優れる」、２００μｍを超える場合を耐熱性が「不良」と評価した。各供試材について、熱処理後の平均結晶粒径を表３に示す。一般的に、結晶粒径は、熱処理を高温で長時間行うほど成長する。すなわち、８００℃で５時間の熱処理を行った後に平均結晶粒径が２００μｍ以下である供試材については、７００〜８００℃で１０分以上５時間以内の熱処理を行った場合も、平均結晶粒径が２００μｍ以下であることは自明である。【０１０５】
【表１】
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【０１０６】
【表２】
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【０１０７】
【表３】
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【０１０８】
表１及び表３に示すように、実施例１〜１３の銅合金導体は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有している。また、これらの実施例の銅合金導体は、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である集合組織を有している。そのため、これらの銅合金導体は、引張強度が１５０〜３３０ＭＰａであり、さらに導電率が９５％ＩＡＣＳ以上と高く、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２００μｍ以下であり、結晶粒の成長が抑制されていた。【０１０９】
実施例１〜１３の銅合金導体は、導電率が９５％ＩＡＣＳ以上と高く、また、高温域に曝しても結晶粒の成長が抑制されていることから、これらの銅合金導体の外周面上に、発泡絶縁層を含む樹脂層が形成されている絶縁電線、又は、エナメル絶縁層と押出絶縁層とを含む樹脂層が形成されている絶縁電線は、良好な導電性を有し、絶縁電線全体で優れた耐熱性を示す絶縁電線であると判断することができる。【０１１０】
これに対して、比較例１、２、４、６、８では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が２．０ｐｐｍを超えており、かつ、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０未満であった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２００μｍを超えており、結晶粒の成長が確認された。【０１１１】
比較例３、７では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量がそれぞれ１５０．０ｐｐｍ、１３０．０ｐｐｍと多く、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値がそれぞれ２．３、０．１と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値がそれぞれ３１．０、３７．０と高かった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径がそれぞれ３６８μｍ、３９９μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１２】
比較例５では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が２５０．０ｐｐｍと多く、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が０．８と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３５．０と高かった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４５６μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１３】
比較例９では、銅の含有量が９９．００ｍａｓｓ％であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３１．０と高かった。そのため、導電率が９３．４％ＩＡＣＳと低く、その上、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４００μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１４】
比較例１０、１２、１４、１７では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値がそれぞれ１．９、２．５、２．９、２．９と低かった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径がそれぞれ４０２μｍ、４２０μｍ、４００μｍ、３９９μｍと高く、結晶粒の成長が確認された。【０１１５】
比較例１１では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が４２．５と高かった。そのため、引張強度が１４５ＭＰａと低く、その上、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２７５μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１６】
比較例１３では、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３９．０と高かった。そのため、引張強度が３８５ＭＰａと高く、その上、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４３５μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１７】
比較例１５では、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３１．０と高かった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が３８０μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１８】
比較例１６では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°から９０°の範囲における方位密度の平均値が２．７と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°から５５°、Φ＝６５°から８０°の範囲における方位密度の最大値が３２．０と高かった。そのため、８００℃５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４３２μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。【０１１９】
よって、比較例１〜１７の銅合金導体では、高温域に曝しても結晶粒の成長が抑制されていない。そのため、これらの銅合金導体の外周面上に、実施例１〜１３と同じ発泡絶縁層を含む樹脂層が形成されている絶縁電線、実施例１〜１３と同じエナメル絶縁層と押出絶縁層とを含む樹脂層が形成されている絶縁電線は、実施例１〜１３の銅合金導体を使用した絶縁電線よりも、耐熱性に劣っていると判断することができる。【０１２０】
以上より、導体として、実施例１〜１３に記載されている特定の組成及び集合組織を有する銅合金導体が使用されている本発明に係る絶縁電線は、このような特定の組成及び集合組織を有さない比較例１〜１７に記載されている銅合金導体を使用した絶縁電線よりも、絶縁電線全体で優れた耐熱性を示すと判断できる。そのため、本発明に係る絶縁電線は、特に、小型化・高出力化が要求されるＥＶ車両等に搭載されている電動発電機のコイル等への高性能化に有用であることがわかる。
【符号の説明】
【０１２１】
１  銅合金導体
２  発泡絶縁層
３  外側絶縁層
４  樹脂層
４ａ  エナメル絶縁層
４ｂ  押出絶縁層
１０  絶縁電線
【図１】
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【図２】
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【図３】
2019138971.tif 000008
【国際調査報告】
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2019138971.tif 000010