(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンの像を基板上に投影する投影光学系を備える露光装置を用いて、前記レチクルと前記基板を同期走査させながら前記パターンで前記基板を露光する露光方法において、
前記露光装置の露光領域において前記レチクルの面形状を測定して補正データとして保持するステップと、
前記補正データに基づいて、前記同期走査を制御するステップと、
前記露光装置の露光領域において前記レチクルの面形状の測定を繰り返して前記補正データを更新するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記制御ステップは、前記投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記制御ステップは、前記投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記更新ステップは、前記露光中に前記測定を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記更新ステップは、１ショット分の露光終了毎に前記補正データを更新することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記測定及び保持ステップは、前記レチクルの面形状を露光する位置にて走査方向に沿って測定することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記測定及び保持ステップは、前記レチクルの面形状を露光する位置にて複数回測定を行った平均として補正データを作成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記測定及び保持ステップは、前記測定を等しい速度及び方向で複数回行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記レチクルの面形状は、当該レチクルのパターン面と前記投影光学系の相対位置を測定することによって測定することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちいずれか一項記載の露光方法を適用した露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、又は液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程でレチクル又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する。）上のパターンをウェハ等の基板上に露光する際に使用される投影露光方法、及び投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子等を製造する際に、ステッパーのような一括露光型の投影露光装置の他に、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査型の投影露光装置（走査型露光装置）も使用されつつある。この種の投影露光装置の投影光学系においては、限界に近い解像力が求められているため，解像力に影響する要因（例えば大気圧、環境温度等）を測定して、測定結果に応じて結像特性を補正する機構が備えられている。また、解像力を高めるべく投影光学系の開口数が大きく設定され、その結果として焦点深度がかなり浅くなっているため，斜入射方式の焦点位置検出系により基板としてのウェハの表面の凹凸のフォーカス位置（投影光学系の光軸方向の位置）を計測し、この計測結果に基づいてウェハの表面を投影光学系の像面に合わせ込むオートフォーカス機構が備えられている。
【０００３】
しかし、近年になって、レチクルの変形による結像誤差も次第に無視できなくなってきている。即ち、仮にレチクルのパターン面がほぼ一様に投影光学系側に撓むと、像面の平均的な位置も低下するため、デフォーカスが発生しやすくなる。また、レチクルのパターン面が変形するとそのパターン面上のパターンの投影光学系の光軸に水平な方向の位置も変化することがあり、このようなパターンの横ずれはディストーション誤差の要因にもなる。
【０００４】
そのようなレチクルの変形を要因別に分類すると、（ａ）自重変形（ｂ）レチクルパターン面の平坦度（ｃ）レチクルをレチクルホルダに吸着保持する際の接触面の平面度により発生する変形（塵の挟み込みを含む）が考えられる。これらによって生じる変形量は無視できなくなってきている。また、このようなレチクルの変形の状態は、レチクル毎に，更には露光装置のレチクルホルダ毎に異なってくるため、レチクルの変形量を正確に測定するためには、レチクルを実際に投影露光装置のレチクルホルダに吸着保持した状態で測定する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述のようにレチクルパターン面を検出して、投影光学系の光学特性、または、投影光学系に対するウェハの相対位置を補正する方法として、露光走査中に、露光の光束の手前でレチクルパターン面を検出してリアルタイムに補正をおこなうことが考えられる。しかしながら、これを実現するためには露光走査中にレチクルパターン面の検出値を含めた高速な補正値計算処理を行う必要があるため処理系が高コストになってしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、露光前に予めレチクルパターン面を検出し、投影光学系の光学特性、または、投影光学系に対するウェハの相対位置の補正値を予め算出、保存しておいて露光走査時には予め保存された補正値を順次読み出しながら補正をおこなうことが考えられる。しかしながら、レチクルは露光開始後に照明光吸収による熱変形などが発生するため十分な補正ができない。
【０００７】
そこで、本発明は、投影光学系の光学特性又は投影光学系に対するウェハの相対位置の補正の信頼性を簡易な構成で高める露光方法及び装置を提供することを例示的な目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光方法は、レチクルのパターンの像を基板上に投影する投影光学系を備える露光装置を用いて、前記レチクルと前記基板を同期走査させながら前記パターンで前記基板を露光する露光方法において、前記露光装置の露光領域において前記レチクルの面形状を測定して補正データとして保持するステップと、前記補正データに基づいて、前記同期走査を制御するステップと、前記露光装置の露光領域において前記レチクルの面形状の測定を繰り返して前記補正データを更新するステップとを有することを特徴とする。
【０００９】
前記制御ステップは、前記投影光学系の光学特性及び／又は前記投影光学系に対する前記基板の相対位置を補正してもよい。前記更新ステップは、前記露光中に前記測定を行ってもよい。前記更新ステップは、１ショット分の露光終了毎に前記補正データを更新してもよい。
【００１０】
前記測定及び保持ステップは、前記レチクルの面形状を露光する位置にて走査方向に沿って測定してもよい。同じ位置でも走査方向と同一方向（順方向）と逆方向ではレチクルの温度勾配やそれによる熱変形などが異なるため、それらに対応したきめ細やかな補正をするためである。前記測定及び保持ステップは、前記レチクルの面形状を露光する位置にて複数回測定を行った平均として補正データを作成してもよい。前記測定及び保持ステップは、前記測定を等しい速度及び方向で複数回行うことを特徴とする請求項１記載の方法。前記レチクルの面形状は、当該レチクルのパターン面と前記投影光学系の相対位置を測定することによって測定してもよい。
【００１１】
上述の露光方法を適用した露光装置も本発明の一側面を構成する。
【００１２】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
図３は本発明の走査露光方法を用いるスリット・スキャン方式の投影露光装置の部分概略図である。
【００１５】
図３において、レチクルＲは光源１と、照明光整形光学系２〜リレーレンズ８よりなる照明光学系とにより長方形のスリット状の照明領域２１により均一な照度で照明され、スリット状照明領域２１内のレチクルＲの回路パターン像が投影光学系１３を介してウェハＷ上に転写される。光源１としては、Ｆ２エキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザあるいはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源が使用できる。
【００１６】
パルス光源の場合、露光のオン又はオフはパルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられ、連続光源の場合、露光のオン又はオフは照明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。但し、本実施例では後述のように可動ブラインド（可変視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよい。
【００１７】
図３において、光源１からの照明光は、照明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定されてフライアイレンズ３に達する。フライアイレンズ３の射出面には多数の２次光源が形成され、これら２次光源からの照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞り５を経て可動ブラインド（可変視野絞り）７に達する。図３では視野絞り５は可動ブラインド７よりもコンデンサーレンズ５側に配置されているが、その逆のリレーレンズ系８側へ配置しても構わない。
【００１８】
視野絞り５には、長方形のスリット状の開口部が形成され、この視野絞り５を通過した光束は、長方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレンズ系８に入射する。スリットの長手方向は紙面に対して垂直な方向である。リレーレンズ系８は可動ブラインド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系であり、可動ブラインド７は後述の走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する２枚の羽根（遮光板）７Ａ，７Ｂ及び走査方向に垂直な非走査方向の幅を規定する２枚の羽根（不図示）より構成されている。走査方向の幅を規定する羽根７Ａ及び７Ｂはそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独立に走査方向に移動できるように支持され、不図示の非走査方向の幅を規定する２枚の羽もそれぞれ独立に駆動できるように支持されている。本実施例では、固定の視野絞り５により設定されるレチクルＲ上のスリット状の照明領域２１内において、更に可動ブラインド７により設定される所望の露光領域内にのみ照明光が照射される。リレーレンズ系８は両側テレセントリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１ではテレセントリック性が維持されている。
【００１９】
レチクルＲはレチクルステージＲＳＴに保持されている。レチクルステージＲＳＴは干渉計２２で位置を検出しレチクルステージ駆動部１０により駆動される。レチクルＲの下部には光学素子Ｇ１が保持され、レチクルステージＲＳＴ走査駆動時にはレチクルＲと共に走査される。スリット状の照明領域２１内で且つ可動ブラインド７により規定されたレチクルＲ上の回路パターンの像が、投影光学系１３を介してウェハＷ上に投影露光される。
【００２０】
投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内で、スリット状の照明領域２１に対するレチクルＲの走査方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）として、投影光学系１３の光軸に水平な方向をＺ方向とする。
【００２１】
この場合、レチクルステージＲＳＴはレチクルステージ駆動部１０に駆動されてレチクルＲを走査方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に走査し、可動ブラインド７の駆動部６Ａ、６Ｂ、及び非走査方向用の駆動部の動作は可動ブラインド制御部１１により制御される。レチクルステージ駆動部１０及び可動ブラインド制御部１１の動作を制御するのが、装置全体の動作を制御する主制御系１２である。
【００２２】
レチクルステージＲＳＴに保持された光学素子Ｇ１と投影光学系１３の間にはレチクル面位置検出系ＲＯが構成されている。
【００２３】
一方、ウェハＷは不図示のウェハ搬送装置によりウェハステージＷＳＴに保持され、ウェハステージＷＳＴは、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウェハＷの位置決めを行うと共にウェハＷを±Ｘ方向に走査するＸＹステージ、及びＺ方向にウェハＷの位置決めを行うＺステージ等より構成されている。ウェハステージＷＳＴの位置は干渉計２３により検出される。ウェハＷ上方には、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ１６が構成されている。アライメントセンサ１６により、ウェハ上のアライメントマークが検出され、制御部１７により処理され、主制御系１２に送られる。主制御系１２は、ウェハステージ駆動部１５を介してウェハステージＷＳＴの位置決め動作及び走査動作を制御する。
【００２４】
そして、レチクルＲ上のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介してウェハＷ上の各ショット領域に露光する際には、図３の視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域２１に対して−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に、レチクルＲを速度ＶＲ  で走査する。また、投影光学系１３の投影倍率をβとして、レチクルＲの走査と同期して、＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に、ウェハＷを速度ＶＷ（＝β・ＶＲ）で走査する。これにより、ウェハＷ上のショット領域にレチクルＲの回路パターン像が逐次転写される。
【００２５】
図４を用いてレチクル面位置検出系ＲＯについて説明する。まずレチクル面位置検出系の基本的な検出原理を説明すると、被検面であるレチクルパターン面に光束を斜め方向から照射し、被検面で反射した光束の所定面上への入射位置を位置検出素子で検出し、その位置情報から被検面のＺ方向（投影光学系１３の光軸方向）の位置情報を検出している。本図では１系統についてのみ説明するが、走査方向とほぼ直交する方向に設定された複数の光束を被検面上の複数の計測点に投影し、各々の計測点で求めたＺ方向の位置情報を用いて被検面の傾き情報を算出している。さらに、レチクルＲが走査されることにより走査方向にも複数の計測点でのＺ方向の位置情報が計測出来る。これらの位置情報より、レチクルＲのパターン面の面形状が算出可能となる。
【００２６】
次にレチクル面位置検出系の各要素について説明する。図４において、３０はレチクル面位置検出系の光源部である。３１はレチクル面位置検出用の発光光源である。光源３１には、レチクル材質に対して斜入射で十分な反射光量を得るために、ピーク波長が７４０−８５０ｎｍ程度の可視から赤外光を発するＬＥＤを使用する。３２は駆動回路であり、発光光源３１から発せられる光の強度を任意にコントロール可能なよう構成している。
【００２７】
発光光源３１から発せられた光は、コリメーターレンズ３３及び集光レンズ３４によって光ファイバーなどの光伝達手段３５に導かれている。
【００２８】
光伝達手段３５から発せられた光束は照明レンズ３６により、スリット３７を照明する。スリット３７上にはレチクルＲのパターン面の面位置計測用マーク３７Ａが施されており、該マーク３７Ａは結像レンズ３８により、ミラー３９を介して被検面であるレチクルＲのパターン面上に投影されている。結像レンズ３８によりスリット３７とレチクルＲのパターン面の表面は光学的な共役関係になっている。同図では説明し易くするために主光線のみを示している。レチクルＲのパターン面に結像したマーク像に基づく光束はレチクルＲのパターン面で反射し、ミラー４０を介して結像レンズ４１により最結像位置４２上にマーク像を再結像する。再結像位置４２に再結像したマーク像に基づく光束は拡大光学系４３により集光されて位置検出用の受光素子４４上に略結像している。受光素子４４からの信号は図示しないレチクル面位置信号処理系にて計測処理され、被検面であるレチクルＲのパターン面のＺ、及び傾きの情報として処理される。
【００２９】
図４は、断面図を示しため、１系統しか図示していないが、実際には複数配置することも可能である。また、図４ではレチクル面位置検出系検出光のレチクルＲパターン面への入射方向を、走査方向と平行な方向から示しているがこれに限定するものでは無く、走査方向と直交する方向あるいは任意の角度の方向から入射する構成でもかまわない。
【００３０】
次に、本発明の第１の実施形態の走査露光方法の概略を図１のフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
ステップ１においてスタート指令を受け、ステップ２でレチクルＲを図示しないレチクル搬送手段にてレチクルステージＲＳＴ上へ搬入、固定する。
【００３２】
ステップ３で露光に先立ち、予めレチクルＲパターン面を露光領域で走査しながらレチクルＲパターン面の複数の面位置を検出する。露光領域で検出をおこなうことにより、レチクルステージＲＳＴの移動に伴う光軸方向のぶれを含めて補正をおこなうことが可能となる。また、レチクルステージＲＳＴの走査方向による光軸方向のぶれの違いを含めて補正するため、両走査方向にて検出をおこなう。さらにレチクルステージＲＳＴの走査ごとのばらつきを考慮し、複数回検出を繰り返し平均値を取得する。検出をおこなう走査速度は露光における走査速度と等しい速度でもよいし、走査方向でより多点の検出をおこなうために露光時より低速にて検出をおこなってもよい。
【００３３】
ステップ４で測定されたレチクルＲパターン面検出値を記録手段に保存する。
【００３４】
ステップ５でステップ４で保存されたレチクルＲパターン面検出値に対して、走査露光において最適な露光結果が得られる投影光学系の光学特性を実現するためのレンズ駆動補正値、投影光の波長補正値、投影光学系に対するウェハの相対位置補正値を算出して補正データとして保持する。光源３１から発せられ検出用のスリット３７を通過した光がレチクルＲパターン面上のクロムとガラスの境目にあたった際には、受光素子４４に入る光はクロムとガラスの反射率の違いにより乱れたものとなり計測だまされが発生する。これを低減する目的で多数の検出点から近似面を算出し、その近似面をもとに補正値を算出する。
【００３５】
補正値の算出が完了するとステップ６にて走査露光を開始する。第１回目の走査露光では当該露光に先立って得られた補正データが使用される。
【００３６】
ステップ７において、ステップ５で求めた補正値にてウェハの被露光領域を露光像面に合わせ露光を行うと同時に、レチクルＲパターン面上の複数の面位置を検出する。
ステップ８で露光中に検出したレチクルＲパターン面検出値を記録手段に保存する。
【００３７】
ステップ９で１ショット分の露光終了後、ステップ１０にてレチクルＲを交換するか否かを判断し、引き続き同じレチクルＲを用いて走査露光をおこなう場合にはステップ８で保存したレチクルＲパターン面検出値及び、過去に求めたレチクルＲパターン面検出値を用いて、走査露光において最適な露光結果が得られる投影光学系の光学特性を実現するためのレンズ駆動補正値、投影光の波長補正値、投影光学系に対するウェハの相対位置補正値を算出する。これにより、露光開始後のレチクルＲの照明光による変形などを含めた補正が可能となる。補正値の算出はレチクルステージＲＳＴの走査方向にともなう露光用の照明光の光軸方向に対するぶれを考慮して、走査方向別におこなう。
【００３８】
ステップ１０にてレチクルＲを交換する場合には、ステップ１２にてレチクルの搬出をおこなう。
【００３９】
ステップ１１では、過去の検出データと現在の検出データとから補正データを更新し、ステップ６に帰還する。ステップ６では更新された補正データに基づいて露光を行う。
【００４０】
本発明の別の実施形態の走査露光方法の概略を図２のフローチャートを用いて説明する。
【００４１】
ステップ２１でスタート指令を受け、ステップ２２でレチクルＲを図示しないレチクル搬送手段にてレチクルステージＲＳＴ上へ搬入、固定する。
【００４２】
ステップ２３で露光に先立ち、予めレチクルＲパターン面を露光領域で走査しながらレチクルＲパターン面の複数の面位置を検出する。露光領域で検出をおこなうことにより、レチクルステージＲＳＴの移動に伴う光軸方向のぶれを含めて補正をおこなうことが可能となる。また、レチクルステージＲＳＴの走査方向による光軸方向のぶれの違いを含めて補正するため、両走査方向にて検出をおこなう。さらにレチクルステージＲＳＴの走査ごとのばらつきを考慮し、複数回検出を繰り返し平均値を取得する。検出をおこなう走査速度は露光における走査速度と等しい速度でも良いし、走査方向でより多点の検出をおこなうために露光時より低速にて検出をおこなってもよい。
【００４３】
ステップ２４で測定されたレチクルＲパターン面検出値を記録手段に保存する。
【００４４】
ステップ２５でステップ２４で保存されたレチクルＲパターン面検出値に対して、走査露光において最適な露光結果が得られる投影光学系の光学特性を実現するためのレンズ駆動補正値、投影光の波長補正値、投影光学系に対するウェハの相対位置補正値を算出する。この補正の実施が装置として不可能であればレチクルＲを搬出し、再度搬入、固定をおこないレチクルＲパターン面検出をおこなう。これによりレチクルＲを図示しないレチクルホルダに吸着保持した際に挟み込んだ塵がとれることもあるし、吸着保持の具合が改善されることもある。これを数回繰り返しても良い。このようなことを実施しても補正が装置として不可能であればステップ３２にてユーザに警告を発して終了する。これによりレチクルＲを図示しないレチクルホルダに吸着保持した際に塵の挟み込みが発生した場合などに早期にユーザに対応をうながすことが可能となり、露光不良の発生を防止できる。
【００４５】
また、特別に塵の挟み込みなどを検出する手段を新たに設ける必要がなくなる。
補正が可能であればステップ２６にて、必要な速度、方向、回数にて検出を終了したか否かを判定する。否であればステップ２３に戻り、必要な検出をおこなう。
【００４６】
終了であれば、ステップ２７にて走査露光において最適な露光結果が得られる投影光学系の光学特性を実現するためのレンズ駆動補正値、投影光の波長補正値、投影光学系に対するウェハの相対位置補正値を算出し、これにより、補正データを作成及び保持。補正値の算出が完了すればステップ２８にて走査露光を開始する。
【００４７】
ステップ２９で１ショット分の露光終了後、ステップ３０にてレチクルＲを交換するか否かを判定し、引き続き同じレチクルＲを用いて走査露光をおこなう場合にはステップ２８へ戻り引き続き走査露光をおこなう。否であれば、ステップ３１にて終了する。
【００４８】
本発明によれば、露光時のレチクル熱変形などによって生じたレチクルのたわみあるいは、レチクルが交換され吸着固定された場合に、レチクル間の面形状差により発生する変形量差が、検出される。そして、この検出結果に基づいて補正量が演算され、補正される。レチクルパターン面の面形状により発生するディストーション等が補正されることにより、パターン像の湾曲などが抑制され、レチクルパタ−ンの正確で安定した像が得られるという利点がある。
【００４９】
次に、図５及び図６を参照して、上述の走査型露光装置１００を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１０１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。ステップ１０２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ１０３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ１０４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６（検査）では、ステップ１０５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００５０】
図６は、ステップ１０４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ１１６（露光）では、上述の露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本実施形態によれば、投影光学系の光学特性又は投影光学系に対するウェハの相対位置の補正の信頼性を簡易な構成で高める露光方法及び装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態の露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】  本発明の第２の実施形態の露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】  本発明の露光装置の概略断面図である。
【図４】  レチクル面位置検出系を説明するための概略断面図である。
【図５】  本発明の半導体デバイス製造方法のフローチャート
【図６】  本発明の半導体デバイス製造方法のフローチャート
【符号の説明】
１                  光源
２                  照明系整形光学系
３                  フライアイレンズ
４                  コンデンサーレンズ
５                  視野絞り
６Ａ、６Ｂ          可動ブラインド駆動部
７Ａ、７Ｂ          可動ブラインド
８                  リレーレンズ
１０                レチクルステージ制御部
１１                可動ブラインド制御部
１２                主制御部
１３                投影光学系
１５                ウェハステージ制御部
１６                アライメントセンサ
１７                制御部
２１                照明領域
２１ａ，２１ｂ      光束
２２，２３          干渉計
３０                レチクル面位置検出系の光源部
３１                レチクル面位置検出用の発光光源
３２                駆動回路
３３                コリメーターレンズ
３４                集光レンズ
３５                光伝達手段
３６                照明レンズ
３７                スリット
３７Ａ              マーク
３８、４１          結像レンズ
３９、４０          ミラー
４２                最結像位置
４３                拡大光学系
４４                受光素子
ＲＳＴ              レチクルステージ
ＷＳＴ              ウェハステージ
Ｇ１                補正光学素子
Ｒ                  レチクル
Ｗ                  ウェハ
ＲＯ                レチクル面位置検出系
【図１】
0003787531.tif 000002
【図２】
0003787531.tif 000003
【図３】
0003787531.tif 000004
【図４】
0003787531.tif 000005
【図５】
0003787531.tif 000006
【図６】
0003787531.tif 000007