(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射投影ビームを供給するための放射システムと、
マスクを保持するためのマスク・ホルダを備えたマスク・テーブルと、
基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブルと、
基板の目標部分上にマスクの照射部分を結像させるための投影システムと、
基板テーブルに移送される前にその上に基板を位置決めすることができる中間テーブルを備えた準備ステーションとを備え、
前記中間テーブルが、複数の開口を備えた主表面と、前記主表面とその上に配置された基板との間に気体ベアリングを生成するための気体ベアリング手段とを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記準備ステーションが、前記気体をイオン化するための気体イオン化手段を備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記中間テーブルが、前記テーブルの温度を調節するための第１の制御手段を備えることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記気体ベアリングの厚さが１５０μｍ未満であることを特徴とする、請求項１、請求項２、または請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記準備ステーションが、前記気体の温度を調節するための第２の制御手段を備えることを特徴とする、請求項１から請求項４までに記載の装置。
【請求項６】
前記第１の制御手段および／または前記第２の制御手段が、中間テーブルおよび気体を基板テーブルの温度とほぼ等しい温度に維持することを特徴とする、請求項３または請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記装置が、
前記中間テーブル上での前記基板の第１位置を検出するための検出手段と、
中間テーブル上にある基板の前記第１位置と所望の位置との間に必要な変位を算出するための計算手段と、
前記基板を前記第１位置から前記所望の位置まで移動するための移動手段とをさらに含むことを特徴とする、請求項１から請求項６までに記載の装置。
【請求項８】
前記検出手段が、基板の縁部を検出するために構築および配置されたことを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記検出手段が、基板上のマークを検出するために構築および配置されたことを特徴とする、請求項７または請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
デバイス製造方法であって、
（ａ）パターンを含むマスクをマスク・テーブルに提供するステップと、
（ｂ）放射エネルギー感応性材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を、基板テーブルに提供するステップと、
（ｃ）マスクの被照射部分を放射エネルギー感応性材料の層の目標領域上に投影するために、放射投影ビームを使用するステップとを含み、ステップ（ｂ）の前に
複数の開口が備えられた主表面を含む中間テーブルに基板を提供するステップと、所定の時間間隔中に、前記主表面と基板との間に生成された気体ベアリング上で基板を維持するステップとが実行されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
リソグラフィ投影装置内で基板テーブルに移送される前にその上に基板を位置決めすることができる中間テーブルを備えた基板準備装置であって、
前記中間テーブルが、複数の開口を備えた主表面と、前記主表面とその上に配置された基板との間に気体ベアリングを生成するための気体ベアリング手段とを備えることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、準備ステーション、詳細にはリソグラフィ投影装置に関する。さらに詳細には、本発明は、
放射投影ビームを供給するための放射システムと、
マスクを被保持するためのマスク・ホルダを備えたマスク・テーブルと、
基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブルと、
マスクの被照射部分を基板の目標部分上に結像させるための投影システムと、基板テーブルに移送する前に基板をその上に配置することができる中間テーブルを備えた準備ステーションとを含む、リソグラフィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このタイプの装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場合、マスク（レチクル）にはＩＣの個々の層に対応する回路パターンが含まれている場合があり、次いでこのパターンを、感光性材料（レジスト）の層を塗布した基板（シリコン・ウェーハ）上の目標領域（ダイ）上に結像することができる。一般に、単一のウェーハは、１回に１つレチクルを介して首尾よく照射された隣接するダイの全ネットワークを含む。リソグラフィ投影装置の１つのタイプでは、１回の投影でレチクル・パターン全体をダイ上に露光することによって、それぞれのダイが照射され、このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。一般に走査型ステップ式装置と呼ばれる代替装置では、所与の基準方向（「走査」方向）において、投影ビームの下でレチクル・パターンを連続的に走査しながら、この方向に対して平行または逆平行にウェーハを同期的に走査することによって、それぞれのダイが照射されるものであって、一般に、この投影システムは倍率係数Ｍ（一般に＜１）を有するため、ウェーハ・テーブルが走査される速度ｖは、係数Ｍにレチクル・テーブルが走査される速度を掛けたものとなる。本明細書に記載されたリソグラフィ装置に関するより詳細な情報は、たとえば国際特許出願第ＷＯ９７／３３２０５号から収集することができる。
【０００３】
ごく最近まで、このタイプの装置は単一のマスク・テーブルおよび単一の基板テーブルを含んでいた。しかし現在では、少なくとも２つの独立して移動可能な基板テーブルのある機械が使用可能になりつつあり、たとえば、国際特許出願第ＷＯ９８／２８６６５号およびＷＯ９８／４０７９１に記載の多段装置である。このような多段装置の背後にある基本的な動作原理によれば、第１の基板テーブル上に位置する第１の基板が露光できるように、第１の基板テーブルが投影システムの下部にあって、第２の基板テーブルがローディング位置まで移動し、露光された基板を降ろし、新しい基板を載せ、その新しい基板上で何らかの初期計測を実行し、その後、第１の基板の露光が完了すると同時にこの新しい基板を投影システムの下部にある露光位置まで移送するために待機し、そこでこのサイクルは反復されるが、この方法では、機械のスループットを大幅に向上させることが可能であって、その結果、機械の所有コストが改善される。
【０００４】
リソグラフィ装置は、たとえば紫外（ＵＶ）、極紫外、Ｘ線、イオン・ビーム、または電子ビームなど、多様なタイプの投影放射を採用することが可能である。使用される放射のタイプおよび装置の特定の設計要件に応じて、投影システムはたとえば屈折、反射、またはカタディオプトリックであることが可能であり、ガラス質構成要素、かすめ入射線ミラー、選択性多層被覆、磁界および／または静電界レンズなどを含むことが可能であり、簡単にするために、こうした構成要素は本文中で単独または集合的に漠然と「レンズ」と呼ばれることがある。この装置は、真空内で操作される構成要素を備えることがあり、それ相応に真空適応である。前段落で述べたように、この装置は複数の基板テーブルおよび／またはマスク・テーブルを備える場合がある。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、マスク内のパターンが、エネルギー感応性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板上に結像される。このプロセスでは、基板テーブルに基板を提供し、処理中はその基板を、前記テーブル上の固定位置にしっかりと保持する必要がある。この基板は、基板テーブルの主要面に対して真空を印加するための手段を備えた基板ホルダによって、この固定位置に保持することができる。真空は、基板を基板テーブルにしっかりと吸着させる。基板は基板テーブルに提供される前にプロセス・トラック内で処理されることが多く（たとえばレジストによるスピン被覆）、したがって、基板の温度は基板テーブルの温度と異なる可能性がある。基板が基板テーブルに提供された後で基板の温度が変化する可能性があるので、この温度差によって問題が発生する場合がある。基板テーブルが基板を冷却する可能性があるため、基板は収縮しやすい。ただし、基板は基板ホルダによってしっかりと保持されているため、基板を収縮させない。基板は、基板内の張力が、基板と基板テーブルの表面との間の摩擦よりも大きい場合にのみ収縮可能である。この状態が発生すると、基板の一部が基板テーブルの表面上をスリップし、基板内部の張力を緩和する。このスリップ運動は、基板上の連続する層上で露光された２つの同時影像の重ね合わせにエラーを生じさせる可能性があり、これがいわゆるオーバーレイ・エラーにつながる。一般に、２つの同時影像の重ね合わせは、基板上のマークと（たとえばマスク上、または基板テーブル上にある基準点上の）基準マークとを位置合わせすることによって、非常に正確に達成される。基板と前記基準マークとを位置合わせした後にこの基板がスリップすると、基板のスリップした部分上にある２つの同時影像の重ね合わせは失敗する可能性がある。基板が基板テーブルよりも冷たく、基板テーブルによって温められる場合にも、同様の考慮すべき点があてはまる。この場合の基板は拡張しやすく、基板テーブルの基板上でスリップする可能性もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の一目的は、上記の問題を少なくとも部分的に軽減することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
したがって本発明は、中間テーブルが複数の開口を備えた主表面を含むことを特徴とする、冒頭の段落に従った装置、および前記主表面とその上に位置する基板との間に気体浮止ベアリングを生成するための気体ベアリング手段とを提供する。
【０００８】
気体ベアリングは、基板と中間テーブルの主表面との間の摩擦を大幅に取り除く。基板の温度が変化すると、基板は気体ベアリング上で容易に拡張および収縮できる。中間テーブルの表面と基板との間で気体ベアリングを使用することの他の利点は、中間テーブルの主表面上に存在する異物による基板裏面の汚染が避けられることである。すでに裏面上に集められた異物を、気体ベアリングによって裏面から吹き飛ばすことさえも可能である。
【０００９】
気体ベアリング内で使用される気体は空気でもよく、気体供給源は、ほぼ異物がなくなるように気体（外部からの空気）をフィルタリングするための手段を備えることができる。あるいは、他の気体、たとえば窒素またはヘリウムを使用することもできる。当分野の技術者であれば理解されるように、気体ベアリングへ気体を流入させるための開口および気体ベアリングから気体を排気するための開口を備えることで、気体ベアリングを制御することができる。気体流入の際の特定圧力が約１．１〜１．５バール（ｂａｒ）である可能性があるのに対して、気体排気の際に減じられた気体圧力は、たとえば約０．５〜０．９バール（ｂａｒ）である可能性がある。気体ベアリングの厚さは、たとえば約１５０μｍより薄い可能性がある。
【００１０】
準備ステーションは、気体ベアリングを作成する際に使用される気体をイオン化するための、気体イオン化手段を含むことができる。この気体イオン化手段を使用して、基板は、初期の荷電状態から徐々に放電していくことができる（基板の静的に荷電された部分は、反対の電荷を有するイオンを引きつけるため、荷電された部分はそのイオンによって中和される）。このような段階的な放電は、基板が伝導体と隣り合わせても急激に放電されない為に有利である。たとえばスパークを伴う急激な放電は、基板またはその上にすでに作成された高感度の構造物に損傷を与える可能性がある。当分野の技術者であれば理解されるように、気体のイオン化手段は、たとえば放射性イオン化またはコロナ放電を採用して気体をイオン化することが可能であって、コロナ放電とは、鋭利なポイントに高圧を印加して、前記ポイント近くの気体をイオン化する方法である。
【００１１】
中間テーブルは、そのテーブルの温度を制御するための第１の制御手段を備えることができる。中間テーブルの温度を制御することによって、基板の温度に影響を与えることができる。このような影響を与えるための第１の可能なメカニズムは、基板から中間テーブルへの熱放射である可能性がある。第２のメカニズムは、中間テーブルの温度が気体ベアリング内で使用される気体の温度に影響を与え、その気体の温度が基板の温度に影響を与えることである可能性がある。特に、基板と中間テーブルの表面との間の気体ベアリングによって引き起こされるギャップが非常に小さい場合、前記テーブルの温度は、基板の温度に強い急速な影響を与える可能性がある。
【００１２】
準備ステーションは、気体ベアリング内で使用される気体の温度を調節するための第２の制御手段を備えることができる。前記気体の温度を直接調節することによって、基板の温度にも同様に影響を与えることができる。特に基板と中間テーブルとの間のギャップが大きい場合、中間テーブルの温度だけを調節するのではなく、気体の温度を直接調節することが望ましい。
【００１３】
前述のように本発明の利点は、前記第１および第２の制御手段が、中間テーブルおよび／又は気体を、（たとえば、基板テーブル内で温度感知手段を使用して測定した場合に）基板テーブルの温度とほぼ同じ温度に維持できることである。この場合、気体および中間テーブルの温度は、基板の温度を、基板テーブルの温度とほぼ同じ温度に変化させる。基板テーブルに基板が提供された後、基板の温度はそれ以上ほとんど変化しないため、実質上、基板テーブル上での基板の拡張または収縮は発生しない。したがって、これらの手段が講じられた場合、基板テーブル上で基板のスリップが発生する機会を最小限にすることができる。
【００１４】
本発明による他の実施形態では、前記準備ステーションはさらに、
前記中間テーブル上での前記基板の第１位置を検出するための検出手段と、
中間テーブル上にある基板の前記第１位置と所望の位置との間に必要な変位を算出するための計算手段と
前記基板を前記第１位置から前記所望の位置まで移動するための移動手段とを含む。
【００１５】
検出手段は、前記中間テーブル上での前記基板縁部の位置を検出するための縁部検出手段を含むことができる。この検出手段は、容量性センサまたは光学センサ、たとえばキャメラ・システムまたはＣＣＤ配列を含むことができる。この検出手段を使用して、中間テーブル上の基板の第１位置について得た情報と、テーブル上のオブジェクトの所望位置に関する情報とを合わせて、必要な変位を計算するための計算手段で処理することができる。中間テーブル上での基板の前記所望位置を事前に決定し、メモリ・デバイスに格納して、必要時にそこから取り出すことができる。移動手段は、たとえばロボット・アームを備えることができる。
【００１６】
基板は、所望の位置までおよび一定の温度まで、同時に変動変化されることができる。これにより、装置の時間効率が改善される（スループットの向上）。他の利点は、基板は気体ベアリング上で完全に平らであるため、検出手段が中間テーブル上での基板の第１位置を検出することができる正確さが改善されることである。これは気体ベアリングが、基板の裏面全体に渡って均等に分けられた基板上の力を利用するため、基板ホルダによって基板に圧力が加えられない（したがって曲げやそりがない）ためである。
【００１７】
本発明は、さらにデバイス製造方法に関し、この方法が、
（ａ）パターンを含むマスクをマスク・テーブルに提供するステップと、
（ｂ）放射エネルギー感応性材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を、基板テーブルに提供するステップと、
（ｃ）マスクの被照射部分を放射エネルギー感応性材料の層の目標領域上に投影するために、放射投影ビームを使用するステップとを含み、ステップ（ｂ）の前に
複数のアパーチャ（開口）が備えられた主表面を含む中間テーブルに基板を提供するステップと、所与の時間間隔中に、前記主表面と基板との間に生成された気体ベアリング上で基板を維持するステップとが実行されることを特徴とする。この方法で基板を気体ベアリング上に引き留めておくと、その温度が変化した場合に、基板と中間テーブルとの間で張力を発生させることなく、基板を収縮または拡張させることができる。
【００１８】
本発明によるリソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスでは、マスク内のパターンが、エネルギー感応性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板上で結像される。基板はこの結像ステップの前に、プライミング（予処理）、レジスト被覆、およびソフト・ベークなど、様々な手順を実行する場合がある。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および結像の測定／検査など、他の手順の対象となる可能性がある。この手順配列は、たとえば集積回路などのデバイスのそれぞれの層にパターンを焼き付けるための基準として使用される。次いで、このようにパターンが焼き付けられた層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機構研磨など、すべて各層を仕上げることを意図した、様々なプロセスを実行する場合がある。いくつかの層が必要な場合は、それぞれ新しい層に対して、全手順またはそれらの変形を繰り返し実行しなければならない。すなわち、基板（ウェーハ）上にデバイスの配列が存在することになる。次いでこれらデバイスは、方形切断または鋸引きなどの技法によって別々に分けられ、その後個々のデバイスはキャリア上に取り付けたり、ピンに接続されたりすることができる。こうしたプロセスに関するさらに詳細な情報は、たとえばＰｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」第３版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，１９９７年、ＩＳＢＮ  ０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。
【００１９】
前述のように、本発明は、マスクを準備するための準備ステーションにも適用可能である。
【００２０】
ＩＣの製造において、本発明による装置の使用に対して特定の基準が設けられているが、こうした装置には他の多くの応用例が可能であることを明確に理解されたい。たとえば、統合光学システムの製造、磁気ドメイン・メモリのための誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどに採用することができる。当分野の技術者であれば、本明細書では「レチクル」、「ウェーハ」、または「ダイ」という用語を使用しているのに対して、こうした代替の応用例のコンテキストでは、それぞれより一般的な用語である「マスク」、「基板」、および「目標領域」に置き換えられていることを理解されたい。
【００２１】
本発明およびその利点については、例示的実施形態および添付の概略図を用いて、さらに詳しく説明する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
実施形態１
図１は、本発明によるリソグラフィ投影装置を示す概略図である。この装置は、
紫外光（たとえば波長３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、または１５７ｎｍ）、ＥＵＶ、Ｘ線、電子、イオンなどの放射投影ビームＰＢを供給するための放射システムＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、ＣＯと、
マスクＭＡ（たとえばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備えたマスク・テーブルＭＴと、
基板Ｗ（たとえばレジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブルＷＴと、
マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（ダイ）上に結像させるための、投影システムＰＬ（たとえばレンズまたはカタディオプトリック・システム、ミラー・グループ、あるいは磁界デフレクタの配列）とを備える。
【００２３】
本明細書で説明するように、この装置は屈折構成要素を備える。ただし、代替的に１つまたは複数の反射構成要素を備える場合もある。
【００２４】
この放射システムは、放射ビームを生成する供給源ＬＡ（たとえばＨｇランプまたはエキシマ・レーザ、熱電子ガンまたはイオン源、あるいはストレージ・リングまたはシンクロトロン内の電子ビームの経路周辺に配置されたウィグラ／アンジュレータ）を備える。このビームは、様々な光学構成要素、たとえばビーム形成光学ＥＸ、積分器ＩＮ、およびコンデンサＣＯに沿って通過するため、その結果発生するビームＰＢは、その断面図に所望の形状および強度分布を有する。
【００２５】
続いてこのビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上のマスク・ホルダ内に保持されているマスクＭＡと交わる。ビームＰＢはマスクＭＡを通過すると、基板Ｗの目標領域Ｃ上にビームＰＢを集束させる投影システムＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、干渉変位および測定手段ＩＦを用いて正確に移動することができるため、たとえばビームＰＢの経路内にある別の目標領域Ｃに位置決めすることができる。同様に、マスク・テーブルＭＴは、ビームＰＢに関して非常に正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴの動きは、図１には明示的に示していない長工程モジュール（コース位置決め）および短工程モジュール（精密位置決め）を用いて実現される。ウェーハステッパの場合、走査型ステップ式装置とは反対に、マスク・テーブルＭＴは短工程モジュールでのみ移動するか、または固定される場合がある。
【００２６】
図示された装置は、２つの異なるモードで使用することが可能である。
ステップ・モードの場合、マスク・テーブルＭＴは本来定常で維持され、目標領域Ｃ上への１回の照射（すなわち単一の「フラッシュ」）でマスク影像全体が投影される。次いで基板テーブルＷＴは、異なる目標領域Ｃが（定常）ビームＰＢによって照射できるように、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトする。
走査モードの場合、本来同じシナリオが適用されるが、所与の目標領域Ｃが単一の「フラッシュ」で露光されない点だけは例外である。その代わりに、マスク・テーブルＭＴは所与の方向（いわゆる「走査方向」、たとえばＸ方向）に速度ｖで移動可能であるため、投影ビームＰＢはマスク影像上で走査され、これと平行して基板テーブルＷＴは、同じまたは反対の方向に速度Ｖ＝Ｍｖで同時に移動するが、ここでＭは投影システムＰＬの倍率である（通常Ｍ＝１／４または１／５）。この方式では、解像度に妥協することなく、比較的大きな目標領域Ｃを露光することが可能である。
【００２７】
実施形態２
図２ａは、本発明による準備ステーションの好ましい実施形態の断面図を示す。この図からは、
縁部３、前面１ａ、および裏面１ｂを有する基板（ウェーハ）１と、
アパーチャ９を介して主表面１１に接続された気体チャンバ７を含む中間テーブル５と、
中間テーブル５の上方で基板１を保持し、回転するための、アクチュエータ１７および真空保持手段１９とを含む回転ユニット１５と、
アパーチャ９、気体チャンバ７、およびチューブ２３を介して気体を主表面１１に供給するための気体供給源２１を含む、気体ベアリング手段と、
基板１の縁部３を検出するための縁部検出手段２７と、基板１の前面１ａ上にあるマークを検出するためのマーク検出手段２９とを含む、検出手段２５とが見られる。
【００２８】
基板１は、たとえばロボット・アームなどの基板移送手段によって、中間テーブル５まで移動する。一般に、前面１ａ上には、すでに基板１上に作成された感応性構造体が存在可能であるため、基板は裏面１ｂまたは縁部３上で基板移送手段によって保持される。基板移送手段は、主表面１１の上方で基板１を保持し、真空保持手段１９は、アクチュエータ１７によってその表面１１に向かい、それに対して直角方向に裏面１ｂまで移動される。この真空保持手段１９に真空が印加され、その結果、基板１の裏面１ｂが真空保持手段１９に吸着される。次いで基板移送手段が基板１の裏面１ｂから解放され、主表面１１から離れる。アクチュエータ１７は、保持手段１９を主表面１１に向かって、この表面１１とはほぼ垂直方向に後退させ、気体供給源２１によりチューブ２３、気体チャンバ７、およびアパーチャ９を介してこの表面１１に気体が供給される。この気体が、基板１と主表面１１との間に気体ベアリングを作成する。
【００２９】
図２ｂに示すように、気体供給源２１は、ポンプ３１、気体イオン化手段３３、気体の温度を制御するための第２制御手段３５、気体フィルタリング手段３７、および吸気口３９を備えることができる。気体ベアリングが空気で作成された場合、前記空気は気体供給源２１に吸気口３９を介して入り、空気にほとんど異物が含まれないようにするために、気体フィルタリング手段３７によってフィルタリングされる。その後、その空気は第２の制御手段３５によって必要な温度にされ、イオン化手段３３によってイオン化され、ポンプ３１によって必要な圧力にされ、チューブ２３を介して中間テーブル５へ分配される。空気以外の気体が使用される場合、フィルタリング手段３７および吸気口３９は休止となる場合がある。この場合は、窒素やヘリウムなどの気体を使用することができる。気体イオン化手段３３は、気体ベアリングを作成する際に使用される気体をイオン化する。気体内のイオンは、基板１の裏面１ｂ上に集められた任意の静電荷によって引きつけられ、こうした電荷を中和する。
【００３０】
中間テーブル５（図２ａ）は、そのテーブルの温度を制御するための第１の制御手段を備えることができる。中間テーブル５の温度を制御することによって、基板１の温度に影響を与えることができる。この影響を与えることができる第１の機構は、基板１と表面１１との間の熱放射である。第２の機構は、中間テーブル５の温度が気体ベアリング内で使用される気体の温度に影響を与え、この気体の温度が基板１の温度に影響を与えることである。特に、気体ベアリングによって基板１と表面１１との間に生じるギャップが小さい場合、たとえば１５０μｍ未満である場合、前記テーブル５の温度は、基板１の温度に強い急速な影響を与えることができる。
【００３１】
前記第１および／第２の制御手段が、中間テーブル５および気体の温度を、基板テーブルＷＴの温度とほぼ等しく維持する場合には有利である。たとえば、基板テーブルＷＴの温度を測定するためのセンサを採用し、第１および／または第２の制御手段内の温度が、前記測定された温度とほぼ等しくなるように調節することができる。これにより、基板テーブルＷＴに移送される前の基板１の温度が、基板テーブルＷＴの温度と等しくなり、したがって、基板テーブルＷＴ上に基板１を配置した後に、収縮や拡張がほとんど発生しない。
【００３２】
中間テーブル５上にある基板１の向きを測定する場合、マーク検出手段２９を使用して基板１ａの前面上にあるマークを検出し、さらに／あるいは、縁部検出手段２７を使用して基板１の縁部３を検出することができる。この縁部検出手段２７は、中間テーブル５上にある基板１の偏心距離を測定する。これは、基板１の縁部３が縁部検出手段２７の下部で回転するような、中間テーブルの平面に対して垂直な軸を中心にして真空保持手段１９を回転させる、アクチュエータ１７によって達成される（基板が位置決めされていない中間テーブル５の平面図を示す、図２ｃを参照）。縁部検出手段２７は、容量センサまたは光センサ（たとえばカメラ・システムまたはＣＣＤ配列）を採用して、基板１の縁部３の位置を測定することができる。この場合、
ノッチまたはフラット・エッジは、基板１が基板テーブルＷＴに移送される前に、所望どおり自動的に配向することができる。
テーブル５上での前記基板１の偏心距離が、基板テーブルＷＴに変換された場合には、基板テーブルＷＴで採用された位置合わせモジュールの捕獲領域外に基板１が外されることになる、しきい値を超えているかどうかを判定することができる。
中間テーブル５上での基板１の第１の位置は、基板テーブルＷＴで採用された位置合わせモジュールの捕獲範囲内にない場合は、そうしなければ基板１が露光のために基板テーブルＷＴ上の必要な位置に正確に移送されないため、この中間テーブル５上の基板１を再位置決めしようとする。この再位置決めのために、中間テーブル５には、基板１の裏面１ｂに対して吸着される第２の真空保持手段４３を備えた移動手段４１と、前記第２の保持手段４３を移動するための変位手段４５とが提供される。基板１が中間テーブル５上で所望の平面内位置にない場合、中間テーブル上の基板１は、基板１の中心および保持手段１９の中心が移動手段４１と一直線上に並ぶように回転される。次に、第２の保持手段４３は、基板１の裏面１ｂに対して吸着され、保持手段１９内の真空が解放される。第２の保持手段４３は、第２の保持手段４３内の真空が解除された後に、基板１が必要な平面内位置にあるように、保持手段１９の中心へ向かって、または中心から離れて、変位手段４５によって移動される。前記必要な位置内では、基板１の中心が保持手段１９の中心とほぼ同じ位置になる。必要であれば、複数の移動手段４１を使用することができる。
【００３３】
実施形態３
図３は、本発明の第３の実施形態の断面図を示す。気体供給源２１は、チューブ２３、気体チャンバ７、および開口９を介して、気体ベアリングに気体を分配する。気体ベアリング内の気体は、排気開口４９および排気チューブ５１を介して、排気ポンプ４７に排気される。基板１の裏面１ｂ上に存在するどんな異物も、この実施形態中の排気ポンプ４７に排出することができる。この排気ポンプが存在しない場合、異物は基板１の裏面から装置内に吹き飛ばされ、ここで異物が汚染問題を引き起こす可能性がある。気体を排気することの他の利点は、当分野の技術者であれば理解されるように、気体の吸気および排気が制御されると、気体ベアリングの厚さが簡単にできることである。排気された気体は、気体供給源２１に戻され、フィルタリングされた後に、気体ベアリング内で再使用することができる。
【００３４】
実施形態４
図４は、本発明の第４の実施形態の断面図を示す。この実施形態では、気体ベアリングが比較的厚い（すなわち１５０μｍよりも大きい）。気体はチューブ２３、気体チャンバ７、およびアパーチャ９を介して気体供給源２１から気体ベアリングに供給される。このような気体ベアリングが使用される場合、気体供給源２１には、前記気体の温度を直接制御するための第２の制御手段が備えられていると有利であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用するのに好適なリソグラフィ投影装置を示す概略図である。
【図２ａ】本発明による準備ステーションの一部を示す断面図（立面図）である。
【図２ｂ】本発明による準備ステーションに適用可能な気体供給源の断面図である。
【図２ｃ】図２ａの主題の平面図である。
【図３】本発明による準備ステーションの第３の実施形態を示す。
【図４】本発明による準備ステーションの第４の実施形態を示す。
【符号の説明】
１  基板（ウェーハ）
１ａ  前面
１ｂ  裏面
３  縁部
５  中間テーブル
７  気体チャンバ
９  アパーチャ
１１  主表面
１５  回転ユニット
１７  アクチュエータ
１９  真空保持手段
２１  気体供給源
２３  チューブ
２５  検出手段
２７  縁部検出手段
２９  マーク検出手段
【図１】
0003840034.tif 000002
【図２ａ】
0003840034.tif 000003
【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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