(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電測光において、光電検出管からの出力信号の検出信号強度を信号増幅するゲイン値、及び光電検出管への供給電圧値の各測定条件を設定する方法であって、
ゲイン値を最小に設定し供給電圧値を最大に設定した状態を初期状態とする工程と、
前記初期状態における、光路上に試料がない状態での検出信号強度を目標信号強度範囲と比較する工程と、
前記比較において検出信号強度が目標信号強度範囲の下限値以下であるとき、当該検出信号強度を目標信号強度範囲内に増幅するゲイン値を信号増幅器に設定する工程と、
前記比較において検出信号強度が目標信号強度範囲の上限以上であるとき、当該検出信号強度を目標信号強度範囲内に低下させる供給電圧値を光電検出管に設定する工程とを備え、
前記各工程を測定波長毎に行う、光電測光の測定条件自動設定方法。
【請求項２】
前記ゲイン値は、上限値内で、目標信号強度範囲の下限値を検出信号強度で除した値と、目標信号強度範囲の上限値を検出信号強度で除した値の範囲内の値であり、
前記供給電圧は、検出信号強度と目標信号強度範囲の上限値との比較を、供給電圧の増減を当該増減の幅を順次狭めながら切り返して得られる収斂値である、請求項１に記載の光電測光の測定条件自動設定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電測光の測定条件自動設定方法に関し、真空紫外分光器等におけるゲインや光電検出管への供給電圧値等の測定条件を設定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
試料の透過率、反射率の測定や吸光度測定において、紫外領域や可視領域に対して光電管や光電子増倍管等の光電検出管を用いた光強度検出器を備えるものが知られている。この光電管や光電子増倍管（フォトマル）等（以下、光電検出管という）は、測光した光を電気量に変換して検出する光電測光を行っている。  光電管や光電子増倍管（フォトマル）等の光電検出管は、受光した光を電気信号に変換するために負電圧が印加されている。この印加される負電圧は、通常一定電圧に設定されている。
【０００３】
光電検出管で検出された検出信号は、アンプ等において所定のゲインで信号増幅した後に計数を行い、この計数値によって透過率、反射率の測定や吸光度測定を行っている。
したがって、光電検出管に印加する供給電圧値や信号増幅のゲイン値は、光電測定における測定条件となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
試料の透過率、反射率の測定や吸光度測定において、所定の一波長で測定する場合、あるいはある波長範囲で光源の光強度が光電検出管においてほぼ一定強度とみなせる場合には、光電検出管に印加する供給電圧値や信号増幅のゲイン値等の測定条件を一定として光電測定することができる。
光源の光強度に波長依存性がある場合や光源の経時変化がある場合には、供給電圧値やゲイン値の測定条件を一定としたままでは、光強度の差によって、測定した透過率、反射率や吸光度の分解能に差が生じることになる。例えば、光強度が弱い波長で測定した透過率、反射率や吸光度の分解能は、検出した信号強度が低いため、高い分解能を得ることが難しくなる。
【０００５】
従来の光電測定では、測定波長に対して供給電圧値やゲイン値等の測定条件を一定としているため、光源の光強度に波長依存性がある場合や光源の経時変化がある場合には測定条件を最適に設定できないという問題がある。この場合には、波長毎に分解能が異なり、各波長における測定結果を同一精度で比較することはできないという問題が生じることになる。
【０００６】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、光源の光強度に差異がある場合であっても、最適な測定条件を設定することを目的とする。また、光源の光強度に差異がある場合であっても、透過率、反射率や吸光度について最適な分解能を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光電測光において、検出信号強度を増幅するゲイン値、及び光電検出管への供給電圧値の各測定条件を設定する方法であって、検出信号強度を目標信号強度範囲と比較する工程と、この比較によって検出信号強度が目標信号強度範囲の下限値以下である場合に、この検出信号強度を目標信号強度範囲内に増幅するゲイン値を設定する工程と、この比較において検出信号強度が目標信号強度範囲の上限値以上である場合に、この検出信号強度を目標信号強度範囲内に低下させる供給電圧値を設定する工程とを備え、各工程を各測定波長毎に行う。
【０００８】
上記各工程でゲイン値と供給電圧値を設定することによって、光源の光強度に差異がある場合であっても、各測定波長での検出信号強度は同一の目標信号強度範囲内に収まる最適な測定条件に設定され、透過率、反射率や吸光度について最適な分解能を得ることができる。
【０００９】
上記ゲイン値の設定において、ゲイン値は、目標信号強度範囲の下限値を検出信号強度で除した値と、目標信号強度範囲の上限値を検出信号強度で除した値の範囲内の値に設定する。このゲイン値で検出信号を増幅することによって、検出信号強度を目標信号強度範囲に収めることができる。
【００１０】
目標信号強度範囲は、光電測定を計数するＡ／Ｄ変換手段の許容範囲内に設定し、当該許容範囲内において最大値に近い側にすることで、高い分解能を得ることができる。また、目標信号強度範囲の上限値を許容範囲の上限値よりも小さく設定する。この設定によって、測定回路中のアンプや保護回路等の変動によって増幅後の信号強度が許容範囲の上限値をオーバーフローすることを防止することができる。
【００１１】
この許容範囲はＡ／Ｄ変換手段を構成するビット数に対応してビット表示で定めることができる。この場合には、ゲイン値をビット表示で定めることによって、Ａ／Ｄ変換手段のビットシフトでゲイン値を求めることができる。また、許容範囲は上記ビット表示に限らず任意に定めることができ、この場合には、アンプのゲイン値は変更する。
【００１２】
上記供給電圧値の設定において、供給電圧値は、検出信号強度と目標信号強度範囲の上限値との比較を、この供給電圧値の増減幅を順次狭めながら増減させて繰り返し、この繰り返しで得られる収斂値に設定する。この供給電圧値の電圧を光電検出管に供給することによって、目標信号強度範囲の上限を超えた検出信号強度を目標信号強度範囲に収めることができる。
上記したゲイン値と供給電圧値の測定条件を定めることによって、検出信号強度は、目標信号強度範囲に収めることができる。
ゲイン値の設定は他の形態とすることもできる。この形態では、ゲイン値の設定において、検出信号強度を目標信号強度範囲の比較によって検出信号強度が目標信号強度範囲の下限値以下である場合に、検出信号強度を目標信号強度範囲の上限値以上に増幅するゲイン値を設定する工程とする。このゲイン値で信号増幅された検出信号強度は、目標信号強度範囲を超えることになる。そこで、前記供給電圧値の形態と同様に、検出信号強度を目標信号強度範囲内に低下させる供給電圧値を設定する。このゲイン値と供給電圧値の測定条件を定めることによっても、検出信号強度を目標信号強度範囲に収めることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明の光電測光の測定条件自動設定方法を説明するための光電測定装置の概略図を示し、図２は光電測定装置による測定手順を説明するフローチャートを示している。
【００１４】
光電測定装置１は、光源２と、この光源２から入口スリット３ａを通して入った光をグレーティング（回折格子）４ａで分光し出口スリット３ｂから射出する分光器４と、分光器４から射出された光を入射する光電検出管（光電管あるいは光電子増倍管）６と、この光電子増倍管６に負電圧を供給する負電圧電源７と、光電検出管６で検出された検出信号を信号増幅する信号増幅器（アンプ）８と、信号増幅器８で増幅した検出信号をアナログデジタル変換するＡ／Ｄ変換手段９と、グレーティング（回折格子）４ａの回転角度を制御する他、光電検出管６の検出信号強度に基づいて負電圧電源７や信号増幅器８あるいはＡ／Ｄ変換手段９を制御する制御手段１０、信号増幅器８で増幅した検出信号、あるいはＡ／Ｄ変換手段９の変換信号を入力して、透過率、反射率、吸収度等を求める測定手段１１を備える。
【００１５】
また、分光器４と光電検出管６を結ぶ光路上に沿って遮光板５及び試料Ｓを配置すると共に、この遮光板５と試料を図示しない駆動装置によって光路上及び光路から外れた位置に移動可能とする。制御手段１０は、ゲレーティング４ａの回転角度を制御することによって分光器４から射出された光の波長を変更したり、駆動装置（図示しない）を制御して光路に対して遮光板５や試料Ｓを移動させる。また、制御手段１０は、光電検出管６から入力した検出信号の信号強度に基づいて、負電圧電源７を制御して光電検出管６に供給する電圧値を設定すると共に、信号増幅器８（あるいはＡ／Ｄ変換手段９）を制御して検出信号強度を増幅するゲイン値を設定する。
【００１６】
上記構成によって、光源２から射出された光は分光器４によって所定の波長に分光され、光電検出管６に入射する。分光器４と光電検出管６を結ぶ光路上に遮光板５を入れることによってバックグラウンド値（０％光強度）を測定し、光路から遮光板５を外すことによって分光器４から射出される値（１００％光強度）を測定する。１００％光強度から０％光強度を差し引いた光強度が、透過率、反射率、吸光度等を求める基準となる。
【００１７】
また、同光路上に試料Ｓを入れることによって試料Ｓに基づく光強度を得、この光強度から０％光強度を差し引いた光強度と、１００％光強度から０％光強度を差し引いた光強度とを用いることによって（例えば、比率を算出することによって）、バックグラウンド補正した透過率、反射率、吸光度等を求めることができる。
【００１８】
なお、図１に示す構成において、測定条件であるゲイン値や供給電圧値を測定結果と共に記録する構成とすることもできる。この構成によれば、ゲイン値や供給電圧値の変動から光源の光強度の変化を知ることができる。また、光強度の許容範囲を設定し、この許容範囲に満たさない程光源の光強度が不十分である場合には警告表示する構成とすることもできる。
【００１９】
次に、図２のフローチャートを用いて、光電測定装置による測定手順の概略を説明する。なお、以下の測定では、試料の透過率％Ｔを求める手順について説明する。
本発明の光電測定装置１は、ステップＳ２からステップＳ８の各工程を、はじめに初期波長λを設定した後（ステップＳ１）、測定波長範囲内で波長λを順次変更（ステップＳ９，１０）することによって、測定波長範囲内の各波長の光電測定を行う。この波長の変更は、制御手段１０からの指令に基づいて分光器４のグレーティング４ａの角度を変えることで行う。なお、波長とグレーティング４ａの角度との関係はあらかじめ求めておき、制御手段１０等に記憶しておく。
【００２０】
分光器４からステップＳ１あるいはステップＳ１０で設定した波長λの光を光電検出管６に向けて射出した状態において、制御手段１０の制御によって負電圧電源７に供給する負電圧値、及び信号増幅器８（あるいはＡ／Ｄ変換手段９）のゲイン値を自動調整する。なお、この自動調整については、後に説明する（ステップＳ２）。供給電圧値及びゲイン値の測定条件を設定した後、このとき光電検出管６に入射する光信号強度を測定する。なお、このとき遮光板５は光路から外れているため、この光信号強度は１００％光強度（Ｉ１００％）となる（ステップＳ３）。次に、遮光板５を光路上に入れ（ステップＳ４）、このとき光電検出管６に入射する光信号強度を測定する。この光信号強度は０％光強度（Ｉ０％）となる（ステップＳ５）。
【００２１】
次に、遮光板５を光路から外すと共に試料Ｓを光路上に入れ（ステップＳ６）、このとき光電検出管６に入射する光信号強度を測定する。この光信号強度は、波長λにおける測定光強度（Ｉλ）となる（ステップＳ７）。
ステップＳ３，５，７で求めた１００％光強度（Ｉ１００％）、０％光強度（Ｉ０％）、及び測定光強度（Ｉλ）を用いて、バックグラウンド補正した透過率％Ｔを算出する。透過率％Ｔは、以下の式で求めることができる。
％Ｔ＝（（Ｉλ−Ｉ０％）／（Ｉ１００％−Ｉ０％））×１００
なお、反射率や吸光度についても同様の手順で行うことができる（ステップＳ８）。
【００２２】
次に、図３のフローチャート及び図４の説明図を用いて測定条件（ゲイン値及び供給電圧値（負電圧））の設定について説明し、図５のフローチャート，図６，７の説明図を用いて供給電圧値（負電圧）の設定について説明する。
測定条件の設定について説明する。測定条件の設定は、指定波長λを設定（前記ステップＳ１あるいはステップＳ９に対応する）した後（ステップＳ２０）、試料Ｓ及び遮光板５を光路から外した状態（ステップＳ２１）で、ステップＳ２２からステップＳ２９のループ処理によって行う。
【００２３】
ループ処理では、測定条件の初期値として、供給電圧値（負電圧）を最大（ＦＦ）とし、ゲイン値を最小（例えば、１倍）に設定した後、ステップＳ２４〜ステップＳ２８によってゲイン値を設定すると共に、さらに要する場合にはステップＳ２０によって供給電圧値（負電圧）を設定する。なお、ここでは、一例として、供給電圧値１６進数で００からＦＦの２５６段階で設定する場合について説明する（ステップＳ２３）。
【００２４】
供給電圧値を最大（ＦＦ）に設定し、ゲイン値を最小（１倍）に設定した状態で、光電検出管の検出信号強度を測定し、Ａ／Ｄ変換したデータを取得し（ステップＳ２４）、取得したデータと目標信号強度範囲とを比較する。図４は、Ａ／Ｄ変換手段によるカウント値において、０を下限としフルカウント値を上限とする信号強度範囲を示している。この信号強度範囲において、フルカウント値に対して信号の上限値Ａを設定する。これは、回路中のアンプやＡ／Ｄ変換手段の入力保護回路による信号ドリフトによって上限付近で生じる非線型性のためにＡ／Ｄ変換手段のフルカウント値を超えるおそれがあるため、Ａ／Ｄ変換手段に入力する信号強度がフルカウント値を超えないようにするため、マージンをとってフルカウント値よりも小さな上限値Ａを定めるためである。
【００２５】
ここで、Ａ／Ｄ変換手段のビットシフトによって信号強度を増幅する演算を行う場合について説明する。この場合には、信号強度範囲を上限値Ａに対して２に乗数で除した値で区分することによって、ビットのシフトによって信号強度を増幅演算することが容易となる。
【００２６】
この信号強度範囲において、Ａ／Ｄ変換手段の出力がＡ〜Ａ／２のカウント値の範囲内であれば十分な信号強度が得られたとし、この範囲を目標信号強度範囲（図４中の破線範囲）として設定する。そして、Ａ／Ｄ変換手段の出力の信号強度がこの目標信号強度範囲外（図４中の実線範囲）である場合には、この出力を目標信号強度範囲内とするゲイン値を求め、このゲイン値で出力を増幅する。なお、ここでは、ゲイン値について説明しているが、供給電圧値についても同様に目標信号強度範囲内となるよう設定を行う。
【００２７】
ステップＳ２４で取得したデータと目標信号強度範囲（例えば、Ａ〜Ａ／２の範囲）を比較し（ステップＳ２５）、取得データが目標信号強度範囲にある場合には十分な信号強度が得られたとして測定条件を設定するループ処理を終了する（ステップＳ２９）。
一方、取得データが目標信号強度範囲外である場合には十分な信号強度が得られていないか、あるいは信号強度が過剰であるとして、ゲイン値や供給電圧値（負電圧）等の測定条件の設定を行う。
【００２８】
そこで、ステップＳ２４で取得したデータと目標信号強度範囲の上限値Ａを比較し（ステップＳ２６）、取得データが上限値Ａを超える場合には、最初に設定したゲイン値が過剰であるとして、ステップＳ３０において供給電圧値（負電圧）を下げる設定処理を行う。この負電圧設定の処理は、図５〜図７を用いて後述する。
【００２９】
一方、取得データが目標信号強度範囲の下限値Ａ／２以下である場合には、最初に設定したゲイン値が不足であるとして、取得データを目標信号強度範囲内とするゲイン値を算出し（ステップＳ２７）、算出したゲイン値を信号増幅器８あるいはＡ／Ｄ変換手段９に設定する。
【００３０】
ゲイン値の算出について、Ａ／Ｄ変換手段９にゲイン値を設定して信号増幅を行う場合の例を用いて説明する。図４において、例えば、取得データＤ１が（Ａ／２〜Ａ／４）の範囲にある場合には、ゲイン値を２倍に設定する。ゲイン値を２倍に設定することによって、Ａ／２はＡに信号増幅されＡ／４はＡ／２に信号増幅され、（Ａ／２〜Ａ／４）の範囲は目標信号強度範囲（Ａ〜Ａ／２）となる。したがって、（Ａ／２〜Ａ／４）の範囲内にある取得データＤ１を２倍のゲイン値で信号増幅することによって目標信号強度範囲とすることができる。この２倍のゲイン値は、Ａ／Ｄ変換手段９において１ビット分シフトする処理で求めることができる。また、取得データＤ２が（Ａ／４〜Ａ／８）の範囲にある場合や、取得データＤ３が（Ａ／８〜Ａ／１６）の範囲にある場合においても、同様とすることができる（ステップＳ２７）。
【００３１】
次に、供給電圧値（負電圧）の設定について図５〜図７を用いて説明する。供給電圧値（負電圧）の設定は、ステップＳ３１〜ステップＳ４１のループ処理によって行う。
ループ処理では、供給電圧値（負電圧）の初期値として、負電圧電源７が供給可能な負電圧値の範囲を２分する供給電圧値を設定する。ここで、供給可能な負電圧値の範囲を、例えば１６進数の００からＦＦの２５６段階で区分する場合について説明する。
【００３２】
測定条件の設定の初期値として、供給電圧値（負電圧）を最大（ＦＦ）を設定している。そこで、第１回の供給電圧値（負電圧）の設定では、この最大（ＦＦ）範囲を２分する供給電圧値（負電圧）８０を設定する。図６では、ＦＦから第１回目の８０の設定で示されている（ステップＳ３２）。
【００３３】
この第１回目の設定による供給電圧値（負電圧）８０で光電検出管の出力を求めてデータを取得し（ステップＳ３３）、前記図４で示した目標信号強度範囲の上限値Ａと比較し、比較結果に基づいて供給電圧値（負電圧）を遷移させる。この供給電圧値（負電圧）を遷移は、供給電圧値（負電圧）の範囲を２分し、電圧を上げる方向あるいは電圧を下げる方向に設定することを意味しており、図６中において、右方向（供給電圧値（負電圧）ＦＦの方向）あるいは左方向（供給電圧値（負電圧）００の方向）に移動することと対応している（ステップＳ３４）。
【００３４】
この比較において、取得データが上限値Ａ以上である場合には（ステップＳ３４）、供給電圧値が高いとして供給電圧値を下げる処理を行う。この供給電圧値を下げる処理は、図６において供給電圧値（負電圧）８０を供給電圧値（負電圧）４０とする２回目の設定に対応する（ステップＳ３５）。一方、取得データが上限値Ａ以下である場合には（ステップＳ３４）、供給電圧値が低いとして供給電圧値を上げる処理を行う。この供給電圧値を上げる処理は、図６において供給電圧値（負電圧）８０を供給電圧値（負電圧）Ｃ０とする２回目の設定に対応する（ステップＳ３６）。
【００３５】
上記ステップＳ３３〜ステップＳ３６の処理を所定回数繰り返して、供給電圧値（負電圧）の範囲中から何れかの供給電圧値（負電圧）を設定する。供給電圧値（負電圧）の範囲を００からＦＦの２５６段階で区分する場合には、上記ステップＳ３３〜ステップＳ３６の処理を８回繰り返すことによって、供給電圧値（負電圧）を設定することができる、なお、図６では、５回目以降の供給電圧値（負電圧）については省略して示している（ステップＳ３７）。
【００３６】
ステップＳ３７の電圧遷移処理が終了した後、設定した供給電圧値（負電圧）によって光電検出管の出力からデータを取得し（ステップＳ３８）、この取得データが目標信号強度範囲内にあるかを確認する（ステップＳ３９）。この確認は、信号のドリフトによって取得データが目標信号強度範囲から外れていないことを確認するものである。目標信号強度範囲から外れている場合には、供給電圧値（負電圧）を一段下げる処理を行う（ステップＳ４０）。
【００３７】
図７は、ステップＳ３３〜ステップＳ３７による電圧遷移処理の状態の例を説明する図であり、図中の▲１▼から▲８▼は図６の１回目から８回目に対応している。図示するように、設定電圧は最大値から強度範囲内を徐々に狭めながら最適な電圧に向かって自動的に収斂することになる。なお、上記説明では、電圧範囲を００からＦＦの２５６段階としているが、段階数はこれに限らず任意に設定することができる。
【００３８】
次に、他の態様について説明する。上記した測定条件の設定では、Ａ／Ｄ変換手段のフルカウント値を信号強度範囲に対応させ、２の乗数倍で範囲を区分する場合を例として説明しているが、このような２の乗数倍による範囲区分に限らず、任意に範囲を区分することができる。
【００３９】
図８は、信号強度範囲を任意に範囲を区分すると共に、目標信号強度範囲を任意に設定する例を示している。この例では、任意に定めた比率ｍ（＜１）を用いて範囲を区分し、各範囲に対応するゲイン値を定める。ここでは、目標信号強度範囲は（Ａ〜ｍＡ）で定められ（図８中の破線に範囲）、例えば、検出されたカウント値ｃが（ｍ３Ａ〜ｍ４Ａ）の範囲内にある場合には、ゲイン値を（１／ｍ３Ａ）に設定することで目標信号強度範囲内に信号増幅することができる。
【００４０】
また、前記した各ゲイン値の設定例では、設定したゲイン値によって信号増幅した後、所定の信号範囲が目標信号強度範囲内に対応するように定めている。このような、ゲイン値（ゲイン値ｇ（＝１／ｍ））の設定では、図９（ａ）に示すように、信号範囲の（ｘ，ｙ，ｚ）はそれぞれ目標信号強度範囲の（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に対応する。このとき、ｘ＜ｙ＜ｚとすると、Ｘ，Ｙ，Ｚの大小関係はＸ＜Ｙ＜Ｚとなり、信号範囲の下限のｘは目標信号強度範囲の下限のＸとなる。高い分解能を得るには、信号増幅した後の信号強度が、目標信号強度範囲の上限Ｚに近い大きな値であることが望ましい。
【００４１】
そこで、ゲイン値の設定において、前記ゲイン値ｇよりも大きなゲイン値Ｇ（＞ゲイン値ｇ）を用い、図９（ｂ）に示すように、目標信号強度範囲の上限Ａを超えることを許容する。これによって、信号範囲の（ｘ，ｙ，ｚ）の内、小さなｘは目標信号強度範囲において上限Ａの近くの値とすることができる。一方、信号範囲の（ｘ，ｙ，ｚ）の内、大きなｚは目標信号強度範囲を超えたオーバーフローの範囲（図９（ｂ）中の太線の範囲）のＺとなる。このオーバーフローの範囲となった場合には、前記ステップＳ２６と同様にして、ステップＳ３０の供給電圧値（負電圧）の設定処理によって供給電圧値（負電圧）を低下させることで対応することができる。
【００４２】
さらに別の態様について図１０のフローチャート及び図１１の説明図を用いて説明する。以下に示す例は、目標信号強度範囲に代えて目標信号の上限値を定め、信号増幅した信号強度がこの目標信号の上限値を超えるようにゲイン値を設定し、この大きなゲイン値に対して供給電圧値（負電圧）を下げる設定処理を行うものである。図１０のフローチャートはこの処理手順を示している。図１０に示す手順は、図３のフローチャートに示す処理手順とほぼ同様であり、ステップＳ５５，５６において相違している。なお、図１６中のステップＳ５０〜ステップＳ５４は図３中のステップＳ２０〜ステップＳ２４と同じであり、また、図１０中のステップＳ５７〜ステップＳ５９は図３中のステップＳ２８〜ステップＳ３０に対応している。
【００４３】
ステップＳ５５において取得データと目標信号強度範囲の上限値と比較し、上限値以下の場合には、ステップＳ５６によって上限値を超えるゲイン値を算出し設定する。例えば、図１１において、カウント値がｃ１である場合には上限値Ａを超えるゲイン値Ｇ１を設定し、カウント値がｃ２である場合には上限値Ａを超えるゲイン値Ｇ２を設定する。このゲイン値に設定によって、常に信号増幅した信号強度を上限値Ａよりも大きな値とする。この態様によれば、分解能を高くすることができる。
【００４４】
本発明の光電測光の測定条件自動設定方法によれば、光源が発する光強度が波長依存性を有し各波長毎に光強度に差異がある場合であっても、光電検出管における光強度を各波長で同一とするゲイン値と供給電圧値の最適な測定条件を設定することができる。
本発明の光電測光の測定条件自動設定方法によれば、光源の経年変化によって光強度に変化した場合であっても、測定時におけるゲイン値と供給電圧値の最適な測定条件を設定することができる。
【００４５】
本発明の光電測光の測定条件自動設定方法の実施の態様によれば、測定条件であるゲイン値や供給電圧値を測定結果と共に記録することによって、光源の光強度の変化を知ることができる。
本発明の光電測光の測定条件自動設定方法の実施の態様によれば、光源の光強度が不十分である場合には警告表示することができる。
【００４６】
本発明の光電測光の測定条件自動設定方法を透過率、反射率や吸光度の測定に適用した場合に、バックグラウンド補正することによって、計数値に基づく分解能を求めることができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光電測光の測定条件自動設定方法によれば、光源の光強度に差異がある場合であっても最適な測定条件を設定することができ、また、光源の光強度に差異がある場合であっても最適な分解能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電測光の測定条件自動設定方法を説明するための光電測定装置の概略図である。
【図２】本発明の光電測定装置による測定手順を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の測定条件（ゲイン値及び供給電圧値（負電圧））の設定を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の測定条件（ゲイン値及び供給電圧値（負電圧））の設定を説明するための説明図である。
【図５】本発明の供給電圧値（負電圧）の設定を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の供給電圧値（負電圧）の設定を説明するための説明図である。
【図７】本発明の供給電圧値（負電圧）の設定を説明するための説明図である。
【図８】本発明の信号強度範囲及び目標信号強度範囲を説明するための図である。
【図９】本発明の信号強度範囲及び目標信号強度範囲を説明するための図である。
【図１０】本発明の別の態様を説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の別の態様を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１…光電測定装置、２…光源、３…スリット、４…分光器、５…遮光板、６…光電検出管、７…負電圧電源、８…信号増幅器、９…Ａ／Ｄ変換手段、１０…制御手段、１１…測定手段、Ｓ…試料。
【図１】
0003821364.tif 000002
【図２】
0003821364.tif 000003
【図３】
0003821364.tif 000004
【図４】
0003821364.tif 000005
【図５】
0003821364.tif 000006
【図６】
0003821364.tif 000007
【図７】
0003821364.tif 000008
【図８】
0003821364.tif 000009
【図９】
0003821364.tif 000010
【図１０】
0003821364.tif 000011
【図１１】
0003821364.tif 000012