(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，グランド電位に引き下げる初期化回路とを有し、
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードとグランドとの間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化用トランジスタ回路を有し，前記初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項２】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，高電源電位に引き上げる初期化回路とを有し、
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードと高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する第１の初期化用トランジスタ回路と，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する第２の初期化用トランジスタ回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項３】
請求項２において，前記第１の初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項４】
請求項２において，前記第２の初期化トランジスタ回路は，前記第１及び第２のノードとグランドとの間にそれぞれ設けられ，ゲートとドレインが交差接続された第８及び第９のトランジスタを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項５】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードと前記高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がりに応答して前記一方のノードを前記高電源電位に引き上げるプルアップ回路と，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通して前記他のノードをグランドに引き下げる初期化用トランジスタ回路とを含む初期化回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて，更に，前記高電源と前記一方のノードとの間に設けられた第１のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかにおいて，前記グランドと前記他方のノードとの間に設けられた第２のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，低電源側の信号をより高い高電源側の信号に変換するレベルコンバータ回路に関し，特に電源立ち上がり時の動作を安定化したレベルコンバータ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路は，内部回路の消費電力を低減するために，多電源が使用される。例えば，外部から供給される外部電源に対して，内部回路用のより低い内部電源を生成し，その内部電源を内部回路に供給して内部回路の消費電力を低減する。但し，内部回路により生成された出力信号は，低い内部電源の信号であるため，出力回路の前段でレベルコンバータ回路により高い外部電源の信号にレベルコンバートされる。また，他の例としては，多電源が使用される半導体集積回路において，低電源の第１の回路から高電源の第２の回路に信号が出力される場合，第１の回路の出力段で，レベルコンバート回路により低電源の信号から高電源の信号にレベルコンバートされる。
【０００３】
図１３は，従来のレベルコンバータ回路の回路図である。図中，低電源をVccL，高電源をVccHと表示する。また，Ｐチャネルトランジスタは引用符号Ｐで，Ｎチャネルトランジスタは引用符号Ｎでそれぞれ表す。更に，低電源VccLは例えば３Ｖ，高電源VccHは例えば５Ｖである。
【０００４】
このレベルコンバータ回路では，低電源側の信号Ａが高電源側の信号Ｘにレベル変換される。信号Ａと，トランジスタＰ１，Ｎ２からなるインバータにより生成された逆相の信号／Ａ（Ａバー，以下同様）とが，レベルコンバート部１０のトランジスタＮ６，Ｎ４のゲートに供給される。レベルコンバート部１０のトランジスタＰ３，Ｐ５は，ゲート，ドレインが交差接続され，ソースがそれぞれ高電源VccHに接続されている。そして，レベルコンバート部１０のノード／Ｂが，高電源VccHに接続されたトランジスタＰ７，Ｎ８からなる出力バッファ回路に接続されている。
【０００５】
通常動作では，低電源側の信号ＡがＨレベル（３Ｖ）の時に，その逆相信号／ＡはＬレベル（０Ｖ）となり，トランジスタＮ６が導通，トランジスタＮ４が非導通となり，ノード／ＢがＬレベルに引き下げられる。従って，ノード／Ｂの引き下げに伴い，トランジスタＰ３が導通し，ノードＢを高電源VccHのレベルに引き上げ，トランジスタＰ５は非導通となる。その結果，ノード／Ｂは完全に０Ｖとなり，出力バッファ回路のトランジスタＮ８は非導通，トランジスタＰ７は導通し，出力ＸはＨレベル（５Ｖ）になる。つまり，低電源側の信号Ａ（３Ｖ）が，高電源側の信号Ｂ（５Ｖ）に変換されたことになる。信号ＡがＬレベルの時は，トランジスタＮ４が導通，トランジスタＮ６が非導通となり，上記と逆相の動きになり，出力ＸはＬレベルになる。ノード／Ｂが高電源電位になることで，出力バッファ回路のトランジスタＰ７を完全にオフにすることができる。
【０００６】
このようにレベルコンバータ回路では，レベルコンバート部１０で，ゲート・ドレイン間が交差接続されたトランジスタＰ３，Ｐ５の一方のノードＢにより，トランジスタＰ５の導通と非導通が制御され，他方のノード／Ｂに高電源レベルのＨレベルが生成される。
【０００７】
図１４は，半導体集積回路の電源の関係を示す図である。低電源VccLは，通常，低電源生成回路１２により高電源VccHから生成される。従って，電源投入時に高電源VccHが立ち上がる場合は，それに伴って低電源VccLの立ち上がることになる。一方，図１３のレベルコンバートされた高電源側の信号Ｘは，低電源側の回路と高電源側の回路との間の出力回路１４，１６に入力され，出力回路１４，１６のより高い駆動能力により，出力OUT1,OUT2が駆動される。従って，この出力回路１４，１６の電源は高電源VccHになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１５は，図１３のレベルコンバータ回路の問題点を説明する図である。外部などから供給される高電源VccHが，電源投入などにより立ち上がる時，レベルコンバータ回路内のノードＢ，／Ｂが高電源レベルでもグランドレベルでもない中間レベルになり，出力バッファ回路のトランジスタＰ７，Ｎ８に貫通電流が流れる場合がある。それに伴い，高電源側の信号Ｘは，Ｈレベル（VccH）でもないＬレベル（０Ｖ）でもない中間的なレベルになる場合がある。この信号Ｘの中間的なレベルは，更に，図１４の出力回路１４，１６の大きな貫通電流を招く。
【０００９】
即ち，高電源VccHの立ち上がりに伴って，低電源VccLも立ち上がるが，レベルコンバータ回路の最初の不安定な動作により生成される貫通電流により，低電源VccLの立ち上がりが不十分になる。その初期状態において，低電源側の信号Ａ，／Ａの一方が十分にＨレベルに立ち上がることができずに，トランジスタＮ４，Ｎ６はどちらも導通することができない。かかる状態で高電源VccHが立ち上がると，ノードＢ，／Ｂの両方が，高電源VccHからトランジスタＰ３，Ｐ５の閾値電圧Vthだけ低いレベルで立ち上がってしまう（図１５参照）。その為，ノードＢ，／Ｂは，中間的なレベルのままとなり，トランジスタＰ７，Ｎ８に貫通電流が流れ，高電源側の信号Ｘも中間的なレベルになり，その信号Ｘが供給される出力回路１４，１６の大きな貫通電流を招く。それにより，低電源発生回路１２は低電源VccLを立ち上げることができず，その状態が継続してしまう。最悪の場合，電源投入後にデバイスが正常動作することができなくなる。
【００１０】
そこで，本発明の目的は，電源立ち上がり時の動作を安定化したレベルコンバータ回路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために，本発明の一つの側面は，低電源側の第１の信号を，低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタとを有し，更に，第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードを，高電源の立ち上がり時に，電流パスにより，グランド電位（または高電源電位）に引き下げる（または引き上げる）初期化回路を有する。
【００１２】
上記の発明の好ましい実施例では，前記初期化回路は，前記第１のノードと第２のノードのいずれか一方のノードとグランドとの間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化用トランジスタ回路を有する。
【００１３】
上記の発明の別の好ましい実施例では，前記初期化回路は，前記第１のノードと第２のノードのいずれか一方のノードと高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する第１の初期化用トランジスタ回路と，前記第１のノードと第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する第２の初期化用トランジスタ回路とを有する。
【００１４】
更に，別の好ましい実施例では，前記初期化回路は，前記第１のノードと第２のノードのいずれか一方のノードと高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がりに応答して前記一方のノードを高電源に引き上げるプルアップ回路と，前記第１のノードと第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する第２の初期化用トランジスタ回路とを有する。
【００１５】
そして，上記の好ましい実施例において，更に，高電源と前記一方のノードとの間に設けられた第１のカップリング容量を有することが好ましい。或いは，グランドと前記他方のノードとの間に設けられた第２のカップリング容量を有することが好ましい。上記第１及び第２のカップリング容量は，両方が設けられることが好ましい。
【００１６】
上記の発明によれば，第１のノードと第２のノードのいずれか一方のノードを，高電源の立ち上がり時に，グランド電位（または高電源電位）に引き下げる（または引き上げる）初期化回路を有するので，高電源が立ち上がる時に低電源が立ち上がらなくても，第１及び第２のノードのいずれか一方が強制的にグランド電位（または高電源電位）に引き下げ（または引き上げ）られるので，そのノードが中間電位になって貫通電流が発生するのを防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照して本発明の実施の形態例を説明する。しかしながら，本発明の保護範囲は，以下の実施の形態例に限定されるものではなく，特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【００１８】
図１は，第１の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。図１３のレベルコンバータ回路に加えて，ノードＢとグランドとの間に，トランジスタP11，P12，N13からなる初期化回路２０が設けられている。そして，初期化回路２０のトランジスタP11は，ノード／Ａにより制御され，トランジスタP12はノード／Ａと逆相のノードA1により制御され，トランジスタN13はノード／Ｂにより制御される。ノード／Ａとその逆相信号A1を生成するためにトランジスタP9,N10からなるインバータが加えられているが，入力信号Ａを直接トランジスタP12のゲートに印加しても良い。また，トランジスタP11とP12はいずれか１つのみでも良い。
【００１９】
このレベルコンバータ回路において，入力信号ＡがＬレベルの場合に，高電源VccHが立ち上がる時に，低電源VccLが遅れて立ち上がる場合または何らかの原因により低電源VccLが立ち上がることができない場合を考える。この場合は，低電源VccLが立ち上がらないことに伴い，入力信号ＡがＬレベルであっても，ノード／Ａの電位はＬレベルのままとなる。同様に，ノードA1の電位もＬレベルのままとなる。
【００２０】
この状態の時に，図１３において，トランジスタN4,N6が非導通になり，ノードＢ，／Ｂの電位が中間電位になっていた。図１のレベルコンバータ回路では，ノード／ＡとＡ１のＬレベルにより，初期化回路２０のトランジスタP11,P12が共に導通状態にされる。そして，その状態の時に，高電源VccHが立ち上がるにつれて，ノードＢ，／Ｂは共に，高電源VccHよりトランジスタP3,P5の閾値電圧Vth低い電位で立ち上がり，このノード／Ｂの立ち上がりに応答して，初期化回路２０のトランジスタN13が導通し，その電流パスによりノードＢの電位をグランド電位に引き下げることができる。
【００２１】
つまり，低電源VccLが立ち上がらない状態で，トランジスタP11,P12が共に導通し，高電源VccHの立ち上がりに応答して，トランジスタN13が導通し，初期化回路２０が導通し，一方のノードＢを確実にグランド電位に引き下げる。ノードＢがグランド電位になれば，通常のレベルコンバータ動作により，トランジスタP5が導通し，他方のノード／Ｂを高電源VccHの電位まで引き上げる。それに伴い，トランジスタP3は完全に非導通となる。このように，ノードＢ，／Ｂが中間電位で不確定状態になることが防止されるので，出力バッファ回路P7,N8の貫通電流がなくなり，出力信号ＸがＬレベルに確定する。
【００２２】
貫通電流がないことに伴い，やがて低電源VccLが立ち上がると，ノード／ＡはＨレベル（VccLレベル）になり，初期化回路２０のトランジスタP11が非導通状態になり，初期化回路２０は非活性状態になる。その後は，入力信号Ａの変動に応じて，本来のレベルコンバータ回路の動作となる。
【００２３】
入力信号ＡがＨレベルの場合でも初期化回路２０の動作は同じである。但し，低電源VccLが立ち上がった後は，初期化回路２０のトランジスタP12側が非導通になり，初期化回路が非活性状態になる。
【００２４】
このように，初期化回路のトランジスタP11,P12には，本来逆相のノード／ＡとＡ１が供給されているので，通常動作状態では，必ず一方のトランジスタが非導通状態になり，初期化回路２０を非活性状態にする。そして，本実施の形態例で問題視している状態，即ち，低電源VccLが立ち上がらない状態では，両トランジスタP11,P12が共に導通して，初期化回路２０を活性状態にする。従って，高電源VccHの立ち上がりに応答して，トランジスタN13が導通して，ノードＢをグランド電位に引き下げることができる。
【００２５】
図２は，第１の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。この例では，初期化回路２０が，反対側のノード／Ｂとグランドとの間に設けられている。そして，初期化回路２０のトランジスタP14,P15は，図１と同様にノード／ＡとＡ１とで制御され，トランジスタN16は，図１と逆のノードＢにより制御される。従って，その動作は，図１と同じである。
【００２６】
即ち，高電源VccHが立ち上がる時に，低電源VccLが遅れて立ち上がる場合または何らかの原因により低電源VccLが立ち上がることができない場合に，トランジスタP14,P15が共に導通状態になり，高電源VccHの立ち上がりに応答して立ち上がるノードＢの中間電位に応答して，トランジスタN16が導通する。それにより，ノード／Ｂは中間電位からグランド電位に強制的に引き下げられ，他方のノードＢは高電源VccHのレベルに引き上げられる。
【００２７】
図３は，第２の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。この例では，初期化回路２０Ａがレベルコンバータ部１０の一方のノードＢと高電源VccHとの間に設けられ，高電源VccHが立ち上がるが低電源VccLが立ち上がらない時にノードＢを高電源側に引き上げる。この初期化回路２０Ａには，トランジスタP20,P21,P22が設けられる。そして，低電源VccLが立ち上がらない場合は，ノード／ＡとＡ１は共にＬレベルであり，従って，トランジスタP21,P22は共に導通状態になる。その状態で，高電源VccHが立ち上がると，トランジスタP20も導通状態になり，初期化回路２０Ａは導通する。
【００２８】
しかし，このトランジスタP20の導通状態は，レベルコンバータ部１０のトランジスタP3と同等である。つまり，トランジスタP20のゲート電位は，グランドレベルになっておらず，従って，ノードＢを完全に高電源VccHの電位に引き上げることはできない。但し，一方のノードＢは，他方のノード／Ｂよりはより高い駆動動作により高電源VccHの電位に引き上げられる。つまり，ノードＢは２つのトランジスタP3，P20により高電源VccH側に引き上げられ，ノード／Ｂは１つのトランジスタP5によってのみ高電源VccH側に引き上げられる。
【００２９】
そこで，本実施の形態例では，更に，第２の初期化回路２０Ｂを設けている。この初期化回路２０Ｂは，ノードＢ，／Ｂとグランドとの間にそれぞれ設けられたトランジスタN23,N24を有する。このトランジスタN23,N24は，それぞれゲートとドレインとが交差接続されている。この第２の初期化回路２０Ｂでは，第１の初期化回路２０Ａにより高電源VccH側に引き上げられたノードＢに応答して，トランジスタN23が先に導通し，ノード／Ｂをグランド電位に引き下げる。トランジスタN24もノード／Ｂの立ち上がりに応答して導通しようとするが，トランジスタN23との競合に対して，十分導通することができず，ノード／Ｂの引き下げにより非導通になる。
【００３０】
かくして，ノード／Ｂは確実にグランド電位に引き下げられ，それに伴い，ノードＢはトランジスタP3を介して，確実に高電源VccH側に引き上げられる。その結果，ノードＢ，／Ｂが中間電位になって貫通電流が流れることが防止され，低電源VccLは高電源VccHに追従して立ち上がることができる。
【００３１】
第２の初期化回路２０ＢのトランジスタN23,N24は，通常動作時は，それぞれトランジスタN6,N4と同じように動作するので，通常動作に支障をきたすことはない。なお，図３の例では，第２の初期化回路２０Ｂは，トランジスタN23のみでも良い。
【００３２】
図４は，第２の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。この回路では，図３と反対側のノード／Ｂと高電源VccHとの間に第１の初期化回路２０Ａが設けられている。ノードＢ，／Ｂとグランドとの間に第２の初期化回路２０Ｂが設けられることは，図３の例と同じである。図３と同様に，第１の初期化回路２０ＡはトランジスタP25,P26,P27を有し，第２の初期化回路２０ＢはトランジスタN28,N29を有する。
【００３３】
図４の回路の動作は，ノード／Ｂが高電源VccH側に引き上げられる点で異なるが，それ以外は図３と同じである。即ち，高電源VccHが立ち上がるが低電源VccLが立ち上がらない時に，第１の初期化回路２０Ａにより，ノード／ＢがノードＢに比較してより強く高電源VccH側に引き上げられる。従って，第２の初期化回路２０ＢでのトランジスタP28,P29の競合動作において，トランジスタN29がより導通し，より早くノードＢをグランド電位に引き下げる。それに伴い，ノード／ＢはトランジスタP5を介して，完全に高電源VccH側に引き上げられる。
【００３４】
図５は，第３の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。この例では，高電源VccHが立ち上がるが低電源VccLが立ち上がらない時に，レベルコンバータ部１０の一方のノード／Ｂを高電源VccH側に引き上げる第１の初期化回路30Aと，それに応答して他方のノードＢをグランド電位に引き下げる第２の初期化回路30Bとを有する。
【００３５】
第１の初期化回路30Aは，一方のノード／Ｂと高電源VccHとの間に設けられたプルアップ用の抵抗Ｒ１で構成され，第２の初期化回路30Bは，他方のノードＢとグランドとの間に設けられたトランジスタN30で構成される。トランジスタN30のゲートは，一方のノード／Ｂに接続される。
【００３６】
高電源VccHが立ち上がるが低電源VccLが立ち上がらない時に，２つのノードＢ，／Ｂは共にトランジスタP3,P4を介して高電源VccH側に引き上げられるが，ノード／Ｂは抵抗Ｒ１を介してより高いレベルに引き上げられる。それに応答して，ノード／ＢはノードＢよりも先にトランジスタN30の閾値電圧Vthを越えるレベルになり，トランジスタN30が導通する。それに伴い，ノードＢがグランド側に引き下げられ，トランジスタP5が導通し，ノード／Ｂが完全に高電源VccH側に引き上げられる。その結果，ノードＢ，／Ｂが中間電位になることが防止される。
【００３７】
図５の回路において，通常動作時に入力信号ＡがＨレベルでトランジスタN6が導通している間に，高電源VccH，抵抗Ｒ１，トランジスタN6を介して流れる貫通電流を抑制するために，抵抗Ｒ１の抵抗値は比較的高いく設定される。但し，抵抗Ｒ１の存在により，ノード／ＢとノードＢとの間に引き上げレベルに差ができるように，その抵抗値が設定される。
【００３８】
図５において，プルアップ用の抵抗Ｒ１をノードＢ側に設けて，トランジスタN30をノード／Ｂとグランドとの間に設けてもよい。その場合は，トランジスタN30のゲートは，ノードＢに接続される。この場合も動作は，上記と同じである。
【００３９】
図６は，第３の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。この例は，図５の抵抗Ｒ１の代わりに，プルアップ用のトランジスタP31を設けた例である。このトランジスタP31は，ゲート・ドレイン間が接続されており，高電源VccHが立ち上がるが低電源VccLが立ち上がらない時に，ノード／Ｂを高電源VccHから閾値電圧Vth低いレベルに引き上げる。従って，ノード／Ｂは，トランジスタP31とP5により高電源VccH側に引き上げられて，ノードＢよりも早く上昇する。それに伴い，トランジスタN30が導通して，ノードＢをグランド電位に引き下げ，トランジスタP5を完全に導通させる。その結果，ノード／Ｂは高電源VccHのレベルまで引き上げられる。
【００４０】
この例においても，プルアップ用トランジスタP31をノードＢ側に設けて，トランジスタN30をノード／Ｂとグランドとの間に設けてもよい。その場合は，トランジスタN30のゲートは，ノードＢに接続される。この場合も動作は，上記と同じである。
【００４１】
上記図５，図６に示した第３の実施の形態例において，電源VccHの立ち上がり時に過渡的にノード／Ｂが強制的に高電源VccHの電位に引き上げられるが，もし入力信号ＡがＨレベルになっていれば，やがて，低電源VccLの立ち上がり後に，トランジスタN6が導通してノード／Ｂはグランド電位，ノードＢは高電源電位に制御される。第１，第２の実施の形態例も同じである。
【００４２】
図７，図８は，第１の実施の形態例の変形例を示す回路図である。図７のレベルコンバータ回路は，図１の構成に容量Ｃ１，Ｃ２を追加した例である。これらの容量は，高電源VccHが急峻に立ち上がる時にカップリング容量として動作し，交流的にノードＢをグランド側に引き下げ，ノード／Ｂを高電源VccH側に引き上げる。それにより，ノードＢと／Ｂとの間に過渡的に電位差を生じさせることができる。それに伴い，初期化回路２０の動作と相まって，ノードＢをグランド電位に，ノード／Ｂを高電源VccHの電位に急速に固定することができる。
【００４３】
図８は，初期化回路２０がノード／Ｂ側に設けられているので，カップリング用の容量Ｃ３，Ｃ４も，図７とは逆に設けられる。このカップリング動作により，高電源VccHが急峻に立ち上がる時に，ノードＢをより高い電位にし，初期化回路２０の動作と相まって，ノードＢを高電源VccHの電位に，ノード／Ｂをグランド電位に急速に固定することができる。
【００４４】
図９，図１０は，第２の実施の形態例の変形例を示す回路図である。この例も，図７，８と同様に，図３，４の回路にカップリング用の容量C5,C6とC7,C8を追加した例である。これらのカップリング容量の動作により，図９においては，過渡的にノードＢが高電源VccH側に引き上げられ，ノード／Ｂがグランド側に引き下げられ，それに伴い，ノードＢ，／ＢがＨレベルとＬレベルに急速に固定される。図１０においては，ノードＢ，／Ｂが上記と逆の電位に急速に固定される。
【００４５】
図１１，図１２は，第３の実施の形態例の変形例を示す回路図である。この例も，図７，８，図８，１０と同様に，図５，６の回路にカップリング用の容量C9,C10とC11,C12を追加した例である。これらのカップリング容量の動作により，過渡的にノードＢがグランド側に引き下げられ，ノード／Ｂが高電源VccH側に引き上げられ，それに伴い両ノードは急速にそれぞれの電位に固定される。
【００４６】
図７〜図１２において追加したカップリング容量は，これ単独だけでは，電源立ち上がり時のレベルコンバータ回路の不安定な動作を確実に防止することはできない。カップリング容量による交流パスにより過渡的にノードＢ，／Ｂ間に電位差を発生させても，低電源VccLが立ち上がらなければ，ノードＢ，／Ｂは共に中間電位になったままになるからである。従って，本実施の形態例の直流の電流パスを有する初期化回路を併設する必要がある。
【００４７】
本実施の形態例の初期化回路を設けることにより，高電源VccHが立ち上がる時に，ノードＢ，／Ｂを急速にＨレベル，Ｌレベルに固定することができる。図１５にノードＢ，／Ｂのレベル変化を示した。図中，本発明のＢ，／Ｂとして示した波形が，ノードＢ，／Ｂのレベルの変化を示している。高電源VccHが立ち上がる初期の段階で，これらのノードの電位がＨレベルとＬレベルに固定されるので，従来のように中間電位になって貫通電流が流れ，ますます低電源VccLが立ち上がらなくなるという現象は防止される。
【００４８】
以上，実施の形態例をまとめると以下の付記の通りである。
【００４９】
（付記１）低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，グランド電位（または高電源電位）に引き下げる（または引き上げる）初期化回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５０】
（付記２）付記１において，
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードとグランドとの間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化用トランジスタ回路を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５１】
（付記３）付記２において，
前記初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５２】
（付記４）付記２において，
前記初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と逆相の信号により制御される第５のトランジスタと，前記第１の信号と同相の信号により制御される第６のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第７のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５３】
（付記５）付記１において，
前記初期化回路は，
前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードと高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する第１の初期化用トランジスタ回路と，
前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する第２の初期化用トランジスタ回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５４】
（付記６）付記５において，
前記第１の初期化用トランジスタ回路は，
前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５５】
（付記７）付記５において，
前記第１の初期化用トランジスタ回路は，
前記第１の信号と逆相の信号により制御される第５のトランジスタと，前記第１の信号と同相の信号により制御される第６のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第７のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５６】
（付記８）付記５において，
前記第２の初期化トランジスタ回路は，
前記第１及び第２のノードとグランドとの間にそれぞれ設けられ，ゲートとドレインが交差接続された第８及び第９のトランジスタを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５７】
（付記９）付記１において，
前記初期化回路は，
前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードと前記高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がりに応答して前記一方のノードを前記高電源電位に引き上げるプルアップ回路と，
前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する初期化用トランジスタ回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５８】
（付記１０）付記９において，
前記プルアップ回路は，プルアップ抵抗素子またはドレイン・ゲート間が接続されたプルアップ用トランジスタを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００５９】
（付記１１）付記９において，
前記初期化用トランジスタ回路は，前記他方のノードとグランドとにドレインとソースが接続され，前記一方のノードによりゲートが制御される第１０のトランジスタを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００６０】
（付記１２）付記１乃至１１のいずれかにおいて，
更に，前記高電源と前記一方のノードとの間に設けられた第１のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００６１】
（付記１３）付記１乃至１１のいずれかにおいて，
前記グランドと前記他方のノードとの間に設けられた第２のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００６２】
（付記１４）低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードと，グランド電位（または高電源電位）との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【００６３】
【発明の効果】
以上，本発明によれば，電源投入時などの電源立ち上がり時において，レベルコンバータ回路のノードが中間電位になって後段のバッファ回路や出力回路に貫通電流が発生するのが防止される。従って，低電源側が立ち上がらないでデバイスが動作しないといった最悪の現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。
【図２】第１の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。
【図３】第２の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。
【図４】第２の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。
【図５】第３の実施の形態例におけるレベルコンバータ回路の回路図である。
【図６】第３の実施の形態例における別のレベルコンバータ回路の回路図である。
【図７】第１の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図８】第１の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図９】第２の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図１０】第２の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図１１】第３の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図１２】第３の実施の形態例の変形例を示す回路図である。
【図１３】従来のレベルコンバータ回路の回路図である。
【図１４】半導体集積回路の電源の関係を示す図である。
【図１５】図１３のレベルコンバータ回路の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１０                      レベルコンバータ部
２０，２０Ａ，２０Ｂ      初期化回路
３０Ａ，３０Ｂ            初期化回路
Ｂ，／Ｂ                  第１，第２のノード
Ｎ４，Ｎ６                第１，第２のトランジスタ
Ｐ３，Ｐ５                第３，第４のトランジスタ
【図１】
0003763775.tif 000002
【図２】
0003763775.tif 000003
【図３】
0003763775.tif 000004
【図４】
0003763775.tif 000005
【図５】
0003763775.tif 000006
【図６】
0003763775.tif 000007
【図７】
0003763775.tif 000008
【図８】
0003763775.tif 000009
【図９】
0003763775.tif 000010
【図１０】
0003763775.tif 000011
【図１１】
0003763775.tif 000012
【図１２】
0003763775.tif 000013
【図１３】
0003763775.tif 000014
【図１４】
0003763775.tif 000015
【図１５】
0003763775.tif 000016