(57)【要約】  半導体モジュールは、半導体装置およびバスバーを、その構成要素に含む。前記半導体装置は、絶縁基板、導電部材、複数のスイッチング素子、第１入力端子および第２入力端子を備える。前記絶縁基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する。前記導電部材は、前記主面に配置されている。前記複数のスイッチング素子は、前記導通部材に導通する状態で接合されている。前記第１入力端子は、第１端子部を有し、かつ前記導電部材に導通する状態で接合されている。前記第２入力端子は、前記厚さ方向に沿って視て前記第１端子部に重なる第２端子部を有し、かつ前記複数のスイッチング素子に導通している。前記第２入力端子は、前記厚さ方向において前記第１入力端子および前記導電部材の双方に対して離間して配置されている。前記バスバーは、第１供給端子および第２供給端子を備える。第２供給端子は、前記厚さ方向において前記第１供給端子に対して離間して配置され、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１供給端子に少なくとも一部が重なっている。前記第１供給端子が前記第１端子部に導通する状態で接合されている。前記第２供給端子が前記第２端子部に導通する状態で接合されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する絶縁基板と、前記主面に配置された導電部材と、前記導電部材に導通する状態で接合された複数のスイッチング素子と、第１端子部を有し、かつ前記導電部材に導通する状態で接合された第１入力端子と、前記厚さ方向に沿って視て前記第１端子部に重なる第２端子部を有し、かつ前記厚さ方向において前記第１入力端子および前記導電部材の双方に対して離間して配置されるとともに、前記複数のスイッチング素子に導通する第２入力端子と、を備える半導体装置と、
第１供給端子と、前記厚さ方向において前記第１供給端子に対して離間して配置され、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１供給端子に少なくとも一部が重なる第２供給端子と、を備えるバスバーと、を構成要素に含み、
前記第１供給端子が前記第１端子部に導通する状態で接合されており、
前記第２供給端子が前記第２端子部に導通する状態で接合されている、半導体モジュール。
【請求項２】
前記半導体装置は、前記厚さ方向において前記第１端子部と前記第２端子部との間に挟まれた絶縁部材をさらに備える、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記厚さ方向に沿って視て、前記第１端子部および前記第２端子部は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向の一方側に向けて延び、
前記絶縁部材は、前記厚さ方向において前記第１端子部と前記第２端子部との間に位置する介在部と、前記介在部から前記第１端子部および前記第２端子部よりもさらに前記第１方向の前記一方側に向けて延びる延出部と、を有する、請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記バスバーは、前記厚さ方向において前記第１供給端子と前記第２供給端子との間に挟まれた絶縁体をさらに備え、
前記第１供給端子および前記第２供給端子の前記第１方向の他方側に位置する各々の先端よりも、前記絶縁体は、前記第１方向の前記一方側に位置する、請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記絶縁体は、前記厚さ方向において互いに離間する一対の離間部を有し、
前記延出部は、前記厚さ方向において一対の前記離間部の間に設けられた隙間に挿入されている、請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記第２端子部は、前記第１端子部に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第２供給端子は、前記第１供給端子に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間している、請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記第１供給端子の前記第１方向の前記他方側が前記第１端子部に重ね合わされており、
前記第２供給端子の前記第１方向の前記他方側が前記第２端子部に重ね合わされている、請求項６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記第１供給端子および前記第２供給端子の各々は、レーザ溶接により前記第１端子部および前記第２端子部の各々に導通する状態で接合されている、請求項７に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記バスバーは、絶縁基材と、前記厚さ方向の前記主面が向く側において前記絶縁基材に配置された第１導電層と、前記厚さ方向の前記裏面が向く側において前記絶縁基材に配置された第２導電層と、をさらに備え、
前記第１供給端子は、前記第１導電層に導通し、
前記第２供給端子は、前記第２導電層に導通している、請求項６に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記第１供給端子は、前記第１端子部および前記絶縁体の双方に接する第１接続部と、前記第１接続部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第１起立部と、を有し、
前記絶縁基材および前記第１導電層の双方には、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔が設けられ、
前記第１起立部は、前記第１貫通孔に挿入され、かつ前記第１導電層に導通する状態で接合されている、請求項９に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記第２供給端子は、前記第２端子部および前記絶縁体の双方に接し、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１接続部に重なる第２接続部と、前記第２接続部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延び、かつ前記第１方向に沿って視て前記第１起立部に重なる第２起立部と、を有し、
前記絶縁基材および前記第２導電層の双方には、前記第１貫通孔よりも前記第１方向の前記他方側に位置し、かつ前記厚さ方向に貫通する第２貫通孔が設けられ、
前記第２起立部は、前記第２貫通孔に挿入され、かつ前記第２導電層に導通する状態で接合されている、請求項１０に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記延出部は、前記厚さ方向において前記第１供給端子と前記第２供給端子との間に設けられた隙間に挿入されている、請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記第２端子部は、前記第１端子部に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第２供給端子は、前記第１供給端子に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第１端子部は、前記第１方向に延びる第１基部と、前記第１基部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記裏面が向く側に向けて延びる第１フランジ部と、を有し、
前記第２端子部は、前記第１方向に延びる第２基部と、前記第２基部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第２フランジ部と、を有し、
前記第１供給端子は、前記第１方向に延びる第３基部と、前記第３基部の前記第１方向の前記他方側における先端から、前記厚さ方向の前記裏面が向く側に向けて延びる第３フランジ部と、を有し、
前記第２供給端子は、前記第１方向に延びる第４基部と、前記第４基部の前記第１方向の前記他方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第４フランジ部と、を有し、
前記第３フランジ部が前記第１フランジ部に突き合わされており、
前記第４フランジ部が前記第２フランジ部に突き合わされている、請求項１２に記載の半導体モジュール。
【請求項１４】
前記第１フランジ部および前記第３フランジ部と、前記第２フランジ部および前記第４フランジ部とは、締結部材により各々が導通する状態で接合されている、請求項１３に記載の半導体モジュール。
【請求項１５】
前記第１供給端子および前記第２供給端子に対して並列接続されたコンデンサをさらに備える、請求項２ないし１４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１６】
前記コンデンサに対して直列接続された抵抗器をさらに備える、請求項１５に記載の半導体モジュール。
【請求項１７】
前記半導体装置は、前記裏面が露出されるように前記複数のスイッチング素子を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記第１端子部、前記第２端子部および前記絶縁部材の各々の一部ずつが、前記封止樹脂に覆われている、請求項２ないし１６のいずれかに記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、複数のスイッチング素子を備える半導体装置と、当該半導体装置に導通する状態で接合されるとともに、ラミネート配線がなされたバスバーとを構成要素に含む半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＯＳＦＥＴなどの複数のスイッチング素子が搭載された半導体装置が広く知られている。当該半導体装置は、複数のスイッチング素子によって直流電力を交流電力に変換する役割を果たす。当該半導体装置は、直流電力が入力される一対の入力端子を備える。【０００３】
特許文献１には、当該半導体装置と、当該半導体装置の一対の入力端子に接続された棒状導体組体とを備える半導体モジュールの一例が開示されている。棒状導体組体を直流電源に接続させることにより、直流電力が棒状導体組体を介して当該半導体装置に供給される。棒状導体組体においては、正極をなす棒状導体と、負極をなす棒状導体とを絶縁シート材を介して近接配置させた一組の導体棒が、当該半導体装置の短辺方向に２つ並んでいる。これにより、棒状導体組体において、ラミネート配線がなされている。【０００４】
当該半導体装置の作動の際、複数のスイッチング素子がＯＮからＯＦＦになると当該半導体装置にはインダクタンスが発生する。しかし、棒状導体組体にはラミネート配線がなされているため、一組の導体棒において発生する磁界によりインダクタンスが低減される。インダクタンスが低減されると、スイッチング時のｄｉ／ｄｔに起因するサージ電圧やノイズの発生が低減されるため、当該半導体装置の電力損失が抑制される。【０００５】
しかし、当該半導体装置の短辺方向において、一対の入力端子は互いに離間している。このため、一対の入力端子においてラミネート配線が解除されたものとなっている。したがって、棒状導体組体により低減されたインダクタンスが、一対の入力端子において再度増加することが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１３０７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本開示は上記事情に鑑み、半導体装置のインダクタンスをより安定した状態で低減させることが可能な半導体モジュールを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示によって提供される半導体モジュールによれば、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する絶縁基板と、前記主面に配置された導電部材と、前記導電部材に導通する状態で接合された複数のスイッチング素子と、第１端子部を有し、かつ前記導電部材に導通する状態で接合された第１入力端子と、前記厚さ方向に沿って視て前記第１端子部に重なる第２端子部を有し、かつ前記厚さ方向において前記第１入力端子および前記導電部材の双方に対して離間して配置されるとともに、前記複数のスイッチング素子に導通する第２入力端子と、を備える半導体装置と、第１供給端子と、前記厚さ方向において前記第１供給端子に対して離間して配置され、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１供給端子に少なくとも一部が重なる第２供給端子と、を備えるバスバーと、を構成要素に含み、前記第１供給端子が前記第１端子部に導通する状態で接合されており、前記第２供給端子が前記第２端子部に導通する状態で接合されている。【０００９】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の第１実施形態にかかる半導体モジュールの斜視図である。
【図２】図１に示す半導体モジュールの構成要素に含まれる半導体装置の平面図である。
【図３】図２に示す半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
【図４】図３に対応する平面図であり、第２入力端子を透過している。
【図５】図２に示す半導体装置の底面図である。
【図６】図２に示す半導体装置の右側面図である。
【図７】図２に示す半導体装置の左側面図である。
【図８】図２に示す半導体装置の正面図である。
【図９】図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図３のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】図３の部分拡大図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図１に示す半導体モジュールの平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図１５】図１３のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
【図１６】図１４の部分拡大図である。
【図１７】本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体モジュールの断面図である。
【図１８】本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体モジュールの断面図である。
【図１９】本開示の第２実施形態にかかる半導体モジュールの平面図である。
【図２０】図１９の部分拡大図であり、モールド樹脂を透過している。
【図２１】図１９に示す半導体モジュールの部分底面拡大図であり、モールド樹脂を透過している。
【図２２】図１９のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図２３】図２０のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図２４】図２０のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図２５】本開示の第２実施形態の第１変形例にかかる半導体モジュールの断面図である。
【図２６】本開示の第２実施形態の第２変形例にかかる半導体モジュールの断面図である。
【図２７】本開示の第３実施形態にかかる半導体モジュールの構成要素に含まれる半導体装置の平面図である。
【図２８】図２７に示す半導体装置の底面図である。
【図２９】図２７に示す半導体装置の右側面図である。
【図３０】図２７のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。
【図３１】本開示の第３実施形態にかかる半導体モジュールの平面図である。
【図３２】図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図３３】図３２の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
【００１２】
〔第１実施形態〕
図１〜図１６に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体モジュールＡ１０について説明する。図１に示すように、半導体モジュールＡ１０は、半導体装置Ｂ１０およびバスバーＣ１０を、その構成要素に含む。バスバーＣ１０は、半導体装置Ｂ１０に導通する状態で接合された電力供給部材である。なお、図３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３においては、ＩＸ−ＩＸ線およびＸ−Ｘ線をそれぞれ一点鎖線で示している。図４は、理解の便宜上、封止樹脂５０および第２入力端子２２を透過している。図１３においては、ＸＶ−ＸＶ線を一点鎖線で示している。
【００１３】
＜半導体装置Ｂ１０＞
半導体モジュールＡ１０の構成要素に含まれる半導体装置Ｂ１０について説明する。図２〜図１２に示す半導体装置Ｂ１０は、ＭＯＳＦＥＴなどの複数のスイッチング素子を搭載した電力変換装置（パワーモジュール）である。半導体装置Ｂ１０は、モータの駆動源、様々な電気製品のインバータ装置、およびＤＣ／ＤＣコンバータなどに用いられる。半導体装置Ｂ１０は、絶縁基板１０、導電部材１１、第１入力端子２１、第２入力端子２２、出力端子２３、一対のゲート端子２４、一対の検出端子２５、複数のダミー端子２６、複数のスイッチング素子３０、および封止樹脂５０を備える。複数のスイッチング素子３０は、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂを含む。これらに加え、半導体装置Ｂ１０は、一対の絶縁層１２、一対のゲート層１３および一対の検出層１４をさらに備える。
【００１４】
半導体装置Ｂ１０およびバスバーＣ１０を含めた半導体モジュールＡ１０の説明においては、便宜上、絶縁基板１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。半導体装置Ｂ１０は、厚さ方向ｚに沿って視て、すなわち平面視において矩形状である。第１方向ｘは、半導体装置Ｂ１０の長手方向に対応する。第２方向ｙは、半導体装置Ｂ１０の短手方向に対応する。また、半導体モジュールＡ１０の説明においては、便宜上、第１方向ｘのうち第１入力端子２１および第２入力端子２２が位置する側を「第１方向ｘの一方側」と呼ぶ。第１方向ｘのうち出力端子２３が位置する側を「第１方向ｘの他方側」と呼ぶ。なお、「厚さ方向ｚ」、「第１方向ｘ」、「第２方向ｙ」、「第１方向ｘの一方側」および「第１方向ｘの他方側」は、後述する半導体モジュールＡ２０および半導体モジュールＡ３０の説明においても適用する。
【００１５】
絶縁基板１０は、図３、図９および図１０に示すように、導電部材１１が配置されている。絶縁基板１０は、導電部材１１および複数のスイッチング素子３０の支持部材をなす。絶縁基板１０は、熱伝導性に優れたセラミックスを含む材料からなる。当該セラミックスとして、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が挙げられる。
【００１６】
図３、図９および図１０に示すように、半導体装置Ｂ１０が示す例においては、絶縁基板１０は、第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂを含む。第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂは、第１方向ｘにおいて互いに離間している。第１基板１０Ａは、第１方向ｘの一方側に位置する。第２基板１０Ｂは、第１方向ｘの他方側に位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂは、第２方向ｙを長辺とする矩形状である。第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂの各々は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く主面１０１および裏面１０２を有する。主面１０１は、厚さ方向ｚのうち導電部材１１が配置される側を向く。主面１０１は、導電部材１１および複数のスイッチング素子３０とともに封止樹脂５０に覆われている。図５に示すように、裏面１０２は、封止樹脂５０から露出している。なお、絶縁基板１０の構成は、本構成に限定されず、１枚からなる単一構成でもよい。
【００１７】
導電部材１１は、図３、図９および図１０に示すように、絶縁基板１０の主面１０１に配置されている。導電部材１１は、第１入力端子２１、第２入力端子２２および出力端子２３とともに、複数のスイッチング素子３０と、バスバーＣ１０などの電力供給部材との導電経路を構成している。導電部材１１は、金属板である。当該金属板は、銅（Ｃｕ）または銅合金からなる。導電部材２０は、たとえば銀（Ａｇ）ペーストのような接合材（図示略）により主面１０１に接合されている。導電部材１１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。
【００１８】
図３、図９および図１０に示すように、半導体装置Ｂ１０が示す例においては、導電部材１１は、第１導電部１１Ａおよび第２導電部１１Ｂを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、第１導電部１１Ａおよび第２導電部１１Ｂは、第２方向ｙを長辺とする矩形状である。なお、導電部材１１の構成は、本構成に限定されず、半導体装置Ｂ１０に要求される性能に応じて設定された複数のスイッチング素子３０の個数および配置に基づき、自在に設定可能である。
【００１９】
図３および図９に示すように、第１導電部１１Ａは、第１基板１０Ａの主面１０１に接合されている。第１導電部１１Ａの表面には、複数の第１素子３０Ａが第１導電部１１Ａに導通する状態で接合されている。図３および図１０に示すように、第２導電部１１Ｂは、第２基板１０Ｂの主面１０１に接合されている。第２導電部１１Ｂの表面には、複数の第２素子３０Ｂが第２導電部１１Ｂに導通する状態で接合されている。
【００２０】
一対の絶縁層１２は、図４、図９および図１０に示すように、その一方が第１導電部１１Ａの表面に接合され、その他方が第２導電部１１Ｂの表面に接合されている。一対の絶縁層１２は、第２方向ｙに延びる帯状である。第１導電部１１Ａの表面に接合された絶縁層１２は、複数の第１素子３０Ａに対して第１方向ｘの他方側に位置する。第２導電部１１Ｂの表面に接合された絶縁層１２は、複数の第２素子３０Ｂに対して第１方向ｘの一方側に位置する。一対の絶縁層１２は、たとえばガラスエポキシ樹脂を含む材料からなる。
【００２１】
一対のゲート層１３は、図４、図９および図１０に示すように、その一方が第１導電部１１Ａの表面に接合された絶縁層１２に配置され、その他方が第２導電部１１Ｂの表面に接合された絶縁層１２に配置されている。一対のゲート層１３は、第２方向ｙに延びる帯状である。一対のゲート層１３は、導電性を有する。一対のゲート層１３は、たとえば銅を含む材料からなる。
【００２２】
一対の検出層１４は、図４、図９および図１０に示すように、その一方が第１導電部１１Ａの表面に接合された絶縁層１２に配置され、その他方が第２導電部１１Ｂの表面に接合された絶縁層１２に配置されている。一対の検出層１４は、第１方向ｘにおいて一対のゲート層１３の隣に位置する。一対の検出層１４は、第２方向ｙに延びる帯状である。一対の検出層１４は、導電性を有する。一対の検出層１４は、たとえば銅を含む材料からなる。
【００２３】
第１入力端子２１および第２入力端子２２は、図２〜図６に示すように、第１方向ｘの一方側に位置する。第１入力端子２１および第２入力端子２２には、バスバーＣ１０を介して直流電圧が印加される。第１入力端子２１は、正極（Ｐ端子）である。第２入力端子２２は、負極（Ｎ端子）である。図１０に示すように、第２入力端子２２は、厚さ方向ｚにおいて第１入力端子２１および導電部材１１の双方に対して離間して配置されている。第１入力端子２１および第２入力端子２２は、金属板である。当該金属板は、銅または銅合金からなる。
【００２４】
第１入力端子２１は、図４に示すように、第１パッド部２１１および第１端子部２１２を有する。第１入力端子２１において、第１パッド部２１１および第１端子部２１２との境界は、第２方向ｙおよび厚さ方向ｚに沿った面であって、かつ第１方向ｘの一方側に位置する封止樹脂５０の第１側面５３１（詳細は後述）を含む面である。第１パッド部２１１は、その全てが封止樹脂５０に覆われている。第１パッド部２１１の第１方向ｘの他方側は、櫛歯状となっている。この櫛歯状の部分が、第１導電部１１Ａ導通する状態でその表面に接合されている。当該接合は、はんだ接合、または超音波接合などにより行われる。これにより、第１入力端子２１は、第１導電部２０Ａに導通している。
【００２５】
図４および図５に示すように、第１端子部２１２は、封止樹脂５０から第１方向ｘの一方側に延びている。厚さ方向ｚに沿って視て、第１端子部２１２は矩形状である。第１端子部２１２の第２方向ｙにおける両側は、封止樹脂５０に覆われている。それ以外の第１端子部２１２の部分は、封止樹脂５０から露出している。これにより、第１入力端子２１は、封止樹脂５０に支持されている。また、第１基板１０Ａは、第１導電部１１Ａを介して第１入力端子２１に支持されている。
【００２６】
第２入力端子２２は、図３に示すように、第２パッド部２２１および第２端子部２２２を有する。第２入力端子２２において、第２パッド部２２１と第２端子部２２２との境界は、第１入力端子２１における第１パッド部２１１と第１端子部２１２との境界に一致している。第２パッド部２２１は、連結部２２１Ａおよび複数の延出部２２１Ｂを有する。連結部２２１Ａは、第２方向ｙに延びる帯状である。連結部２２１Ａは、第２端子部２２２につながっている。複数の延出部２２１Ｂは、連結部２２１Ａから第１方向ｘの他方側に向けて延びる帯状である。複数の延出部２２１Ｂは、第２方向ｙにおいて互いに離間している。図１０に示すように、複数の延出部２２１Ｂは、第２方向ｙに沿って視て屈曲している。複数の延出部２２１Ｂの表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。
【００２７】
図２および図３に示すように、第２端子部２２２は、封止樹脂５０から第１方向ｘの一方側に延びている。厚さ方向ｚに沿って視て、第２端子部２２２は矩形状である。第２端子部２２２の第２方向ｙにおける両側は、封止樹脂５０に覆われている。それ以外の第２端子部２２２の部分は、封止樹脂５０から露出している。図３および図４に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、第２端子部２２２は、第１入力端子２１の第１端子部２１２に重なっている。図１０に示すように、第２端子部２２２は、第１端子部２１２に対して厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に離間している。なお、半導体装置Ｂ１０が示す例においては、第２端子部２２２の形状は、第１端子部２１２の形状と同一である。
【００２８】
絶縁部材２９は、図６および図１０に示すように、厚さ方向ｚにおいて第１入力端子２１の第１端子部２１２と、第２入力端子２２の第２端子部２２２との間に挟まれている。絶縁部材２９は平板である。絶縁部材２９は、たとえば絶縁紙からなる。厚さ方向ｚに沿って視て、第１入力端子２１の全部が絶縁部材２９に重なっている。第２入力端子２２においては、厚さ方向ｚに沿って視て、第２パッド部２２１の一部と、第２端子部２２２の全部とが絶縁部材２９に接している。厚さ方向ｚに沿って視て絶縁部材２９に重なるこれらの部分は、絶縁部材２９に接している。絶縁部材２９により、第１入力端子２１および第２入力端子２２が互いに絶縁されている。絶縁部材２９の一部（第１方向ｘの他方側、および第２方向ｙの両側）は、封止樹脂５０に覆われている。
【００２９】
絶縁部材２９は、図３、図４および図１０に示すように、介在部２９１および延出部２９２を有する。介在部２９１は、厚さ方向ｚにおいて第１入力端子２１の第１端子部２１２と、第２入力端子２２の第２端子部２２２との間に位置する。介在部２９１は、その全部が第１端子部２１２と第２端子部２２２との間に挟まれている。延出部２９２は、介在部２９１から第１端子部２１２および第２端子部２２２よりもさらに第１方向ｘの一方側に向けて延びている。このため、延出部２９２は、第１端子部２１２および第２端子部２２２よりも第１方向ｘの一方側に位置する。延出部２９２の第２方向ｙにおける両側は、封止樹脂５０に覆われている。
【００３０】
出力端子２３は、図２〜図７（図６を除く）に示すように、第１方向ｘの他方側に位置する。出力端子２３から、複数のスイッチング素子３０により電力変換された交流電力（電圧）が出力される。出力端子２３は、金属板である。当該金属板は、銅または銅合金からなる。出力端子２３は、パッド部２３１および端子部２３２を有する。パッド部２３１と端子部２３２との境界は、第２方向ｙおよび厚さ方向ｚに沿った面であって、かつ第１方向ｘの他方側に位置する封止樹脂５０の第１側面５３１（詳細は後述）を含む面である。パッド部２３１は、その全てが封止樹脂５０に覆われている。パッド部２３１の第１方向ｘの一方側は、櫛歯状となっている。この櫛歯状の部分が、第２導電部１１Ｂに導通する状態でその表面に接合されている。当該接合は、はんだ接合、または超音波接合などにより行われる。これにより、出力端子２３は、第２導電部１１Ｂに導通している。図２〜図５に示すように、端子部２３２は、封止樹脂５０から第１方向ｘの他方側に延びている。厚さ方向ｚに沿って視て、端子部２３２は矩形状である。端子部２３２の第２方向ｙにおける両側は、封止樹脂５０に覆われている。それ以外の端子部２３２の部分は、封止樹脂５０から露出している。これにより、出力端子２３は、封止樹脂５０に支持されている。また、第２基板１０Ｂは、第２導電部１１Ｂを介して出力端子２３に支持されている。
【００３１】
複数のスイッチング素子３０（複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂ）は、図３、図９および図１０に示すように、導電部材１１を構成する第１導電部１１Ａおよび第２導電部１１Ｂに導通する状態で接合されている。厚さ方向ｚに沿って視て、複数のスイッチング素子３０は、第２方向ｙに沿って視て千鳥配置されている。複数のスイッチング素子３０において、複数の第１素子３０Ａは、半導体装置Ｂ１０の上アーム回路を構成している。また、複数の第２素子３０Ｂは、半導体装置Ｂ１０の下アーム回路を構成している。複数のスイッチング素子３０は、厚さ方向ｚに沿って視て矩形状（半導体装置Ｂ１０では正方形状）である。半導体装置Ｂ１０が示す例においては、複数のスイッチング素子３０は、４つの第１素子３０Ａと、４つの第２素子３０Ｂとから構成される。なお、複数のスイッチング素子３０の個数は、本構成に限定されず、半導体装置Ｂ１０に要求される性能に応じて自在に設定可能である。
【００３２】
複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主とする半導体材料を用いて構成されたＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。なお、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂは、ＭＯＳＦＥＴに限らずＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタでもよい。半導体装置Ｂ１０の説明においては、第１素子３０Ａおよび第２素子３０Ｂは、これら全てがｎチャンネル型、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴである場合を、その一例としている。
【００３３】
図１１および図１２に示すように、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂの各々は、第１面３０１、第２面３０２、第１電極３１、第２電極３２、ゲート電極３３および絶縁膜３４を有する。第１面３０１および第２面３０２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。このうち第１面３０１は、絶縁基板１０の主面１０１が向く側を向く。
【００３４】
図１１および図１２に示すように、第１電極３１は、第１面３０１に設けられている。第１電極３１には、ソース電流が流れる。半導体装置Ｂ１０が示す例においては、第１電極３１は、４つの領域に分割されている。
【００３５】
図１１に示すように、第１素子３０Ａの第１電極３１においては、分割された４つの領域に複数の第１ワイヤ４０１が個別に接続されている。複数の第１ワイヤ４０１は、たとえばアルミニウムからなる。複数の第１素子３０Ａの第１電極３１に接続された複数の第１ワイヤ４０１は、第２導電部１１Ｂの表面に接続されている。これにより、複数の第１素子３０Ａの第１電極３１は、第２導電部１１Ｂに導通している。複数の第１ワイヤ４０１は、第１方向ｘに延びている。
【００３６】
図１１に示すように、第２素子３０Ｂの第１電極３１においては、分割された４つの領域に複数の第２ワイヤ４０２が個別に接続されている。複数の第２ワイヤ４０２は、たとえばアルミニウムからなる。複数の第２素子３０Ｂの第１電極３１に接続された複数の第２ワイヤ４０２は、第２入力端子２２の複数の延出部２２１Ｂ（第２パッド部２２１）の表面に接続されている。これにより、複数の第２素子３０Ｂの第１電極３１は、第２入力端子２２に導通している。したがって、第２入力端子２２は、複数のスイッチング素子３０の一部を構成する複数の第２素子３０Ｂに導通している。複数の第２ワイヤ４０２は、第１方向ｘに延びている。
【００３７】
図１２に示すように、第２電極３２は、第２面３０２の全体にわたって設けられている。第２電極３２には、ドレイン電流が流れる。第１素子３０Ａの第２電極３２は、導電性を有する導電接合層３９により第１導電部１１Ａに導通する状態でその表面に接合されている。導電接合層３９は、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とする鉛フリーはんだである。第２素子３０Ｂの第２電極３２は、導電接合層３９により第２導電部１１Ｂに導通する状態でその表面に接合されている。
【００３８】
図１１に示すように、ゲート電極３３は、第１面３０１に設けられている。ゲート電極３３には、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂの各々が駆動するためのゲート電圧が印加される。ゲート電極３３の大きさは、第１電極３１の大きさよりも小とされている。ゲート電極３３には、複数のゲートワイヤ４０３のいずれかが接続されている。複数のゲートワイヤ４０３は、たとえばアルミニウムからなる。複数の第１素子３０Ａのゲート電極３３に接続された複数のゲートワイヤ４０３は、第１導電部１１Ａに接合された絶縁層１２に配置されたゲート層１３に接続されている。複数の第２素子３０Ｂのゲート電極３３に接続された複数のゲートワイヤ４０３は、第２導電部１１Ｂに接合された絶縁層１２に配置されたゲート層１３に接続されている。
【００３９】
図１１に示すように、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂの各々の第１電極３１には、複数の検出ワイヤ４０４のいずれかが接続されている。当該検出ワイヤ４０４は、第１電極３１において分割された４つの領域のいずれかに接続されている。複数の検出ワイヤ４０４は、たとえばアルミニウムからなる。複数の第１素子３０Ａの第１電極３１に接続された複数の検出ワイヤ４０４は、第１導電部１１Ａに接合された絶縁層１２に配置された検出層１４に接続されている。複数の第２素子３０Ｂの第１電極３１に接続された複数の検出ワイヤ４０４は、第２導電部１１Ｂに接合された絶縁層１２に配置された検出層１４に接続されている。
【００４０】
図１１および図１２に示すように、絶縁膜３４は、第１面３０１に設けられている。絶縁膜３４は、厚さ方向ｚに沿って視て第１電極３１を囲んでいる。絶縁膜３４は、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）層、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）層、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）層が第１面３０１からこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜３４においては、当該ポリベンゾオキサゾール層に代えてポリイミド層でもよい。
【００４１】
一対のゲート端子２４、一対の検出端子２５、および複数のダミー端子２６は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて絶縁基板１０の隣に位置する。これらの端子は、第１方向ｘに沿って配列されている。半導体装置Ｂ１０においては、一対のゲート端子２４、一対の検出端子２５、および複数のダミー端子２６は、いずれも同一のリードフレームから構成される。
【００４２】
一対のゲート端子２４は、図３に示すように、その一方が第２方向ｙにおいて第１基板１０Ａの隣に位置し、その他方が第２方向ｙにおいて第２基板１０Ｂの隣に位置する。一対のゲート端子２４の各々には、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂのいずれかが駆動するためのゲート電圧が印加される。一対のゲート端子２４の各々は、パッド部２４１および端子部２４２を有する。パッド部２４１は、封止樹脂５０に覆われている。これにより、一対のゲート端子２４は、封止樹脂５０に支持されている。なお、パッド部２４１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。端子部２４２は、パッド部２４１につながり、かつ封止樹脂５０から露出している（図８参照）。第１方向ｘに沿って視て、端子部２４２はＬ字状をなしている。
【００４３】
一対の検出端子２５は、図３に示すように、第１方向ｘにおいて一対のゲート端子２４の隣に位置する。一対の検出端子２５の各々から、複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂのどちらかに該当する複数の第１電極３１に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。一対の検出端子２５の各々は、パッド部２５１および端子部２５２を有する。パッド部２５１は、封止樹脂５０に覆われている。これにより、一対の検出端子２５は、封止樹脂５０に支持されている。なお、パッド部２５１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。端子部２５２は、パッド部２５１につながり、かつ封止樹脂５０から露出している（図８参照）。第１方向ｘに沿って視て、端子部２５２はＬ字状をなしている。
【００４４】
複数のダミー端子２６は、図３に示すように、第１方向ｘにおいて一対の検出端子２５に対して一対のゲート端子２４とは反対側に位置する。半導体装置Ｂ１０が示す例においては、ダミー端子２６の数は６つである。このうち３つのダミー端子２６は、第１方向ｘの一方側に位置する。残り３つのダミー端子２６は、第１方向ｘの他方側に位置する。なお、複数のダミー端子２６の数は、本構成に限定されない。さらに、半導体装置Ｂ１０において、複数のダミー端子２６を備えない構成としてもよい。複数のダミー端子２６の各々は、パッド部２６１および端子部２６２を有する。パッド部２６１は、封止樹脂５０に覆われている。これにより、複数のダミー端子２６は、封止樹脂５０に支持されている。なお、パッド部２６１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。端子部２６２は、パッド部２６１につながり、かつ封止樹脂５０から露出している（図８参照）。図６および図７に示すように、第１方向ｘに沿って視て、端子部２６２はＬ字状をなしている。なお、一対のゲート端子２４の端子部２４２、および一対の検出端子２５の端子部２５２の各々の形状は、端子部２６２の形状と同一である。
【００４５】
半導体装置Ｂ１０は、図３および図１１に示すように、一対の第１接続ワイヤ４１、および一対の第２接続ワイヤ４２を備える。一対の第１接続ワイヤ４１、および一対の第２接続ワイヤ４２は、たとえばアルミニウムからなる。
【００４６】
一対の第１接続ワイヤ４１は、図３および図１１に示すように、一対のゲート層１３と一対のゲート端子２４との個別に接続されている。一対のゲート端子２４においては、一対の第１接続ワイヤ４１は、一対のパッド部２４１の表面に接続されている。これにより、第２方向ｙにおいて第１基板１０Ａの隣に位置するゲート端子２４は、複数の第１素子３０Ａのゲート電極３３に導通している。第２方向ｙにおいて第２基板１０Ｂの隣に位置するゲート端子２４は、複数の第２素子３０Ｂのゲート電極３３に導通している。
【００４７】
一対の第２接続ワイヤ４２は、図３および図１１に示すように、一対の検出層１４と一対の検出端子２５とに個別に接続されている。一対の検出端子２５においては、一対の第２接続ワイヤ４２は、一対のパッド部２５１の表面に接続されている。これにより、第２方向ｙにおいて第１基板１０Ａの隣に位置する検出端子２５は、複数の第１素子３０Ａの第１電極３１に導通している。第２方向ｙにおいて第２基板１０Ｂの隣に位置する検出端子２５は、複数の第２素子３０Ｂの第１電極３１に導通している。
【００４８】
封止樹脂５０は、図９および図１０に示すように、絶縁基板１０（ただし、一対の裏面１０２を除く。）、導電部材１１、複数のスイッチング素子３０（複数の第１素子３０Ａおよび複数の第２素子３０Ｂ）を覆っている。封止樹脂５０は、複数の第１ワイヤ４０１、複数の第２ワイヤ４０２、複数のゲートワイヤ４０３、複数の検出ワイヤ４０４、一対の第１接続ワイヤ４１、および一対の第２接続ワイヤ４２をさらに覆っている。封止樹脂５０は、たとえばエポキシ樹脂を含む材料からなる。図２および図５〜図８に示すように、封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、一対の第１側面５３１、一対の第２側面５３２、複数の第３側面５３３、複数の第４側面５３４および複数の取付け孔５４を有する。
【００４９】
図９および図１０に示すように、頂面５１は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側を向く。底面５２は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側を向く。図５に示すように、一対の裏面１０２は、底面５２から露出している。底面５２は、一対の裏面１０２を囲む枠状である。
【００５０】
図２および図５〜図７に示すように、一対の第１側面５３１は、頂面５１および底面５２の双方につながり、かつ第１方向ｘを向く。第１方向ｘの一方側に位置する第１側面５３１からは、第１入力端子２１の第１端子部２１２、および第２入力端子２２の第２端子部２２２が、第１方向ｘの一方側に向けて延びている。第２方向ｙの他方側に位置する第１側面５３１からは、出力端子２３の端子部２３２が、第１方向ｘの他方側に向けて延びている。
【００５１】
図２および図５〜図８に示すように、一対の第２側面５３２は、頂面５１および底面５２の双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。一対の第２側面５３２のいずれか一方からは、一対のゲート端子２４の端子部２４２、一対の検出端子２５の端子部２５２、および複数のダミー端子２６の端子部２６２が露出している。
【００５２】
図２および図５〜図７に示すように、複数の第３側面５３３は、頂面５１および底面５２の双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。複数の第３側面５３３は、第１方向ｘの一方側に位置する一対の第３側面５３３と、第１方向ｘの他方側に位置する一対の第３側面５３３とを含む。第１方向ｘの一方側および他方側の各々において、一つの第３側面５３３は、第２方向ｙにおいて対向している。また、第１方向ｘの一方側および他方側の各々において、一対の第３側面５３３は、第１側面５３１の第２方向ｙにおける両側につながっている。
【００５３】
図２および図５〜図８に示すように、複数の第４側面５３４は、頂面５１および底面５２の双方につながり、かつ第１方向ｘを向く。複数の第４側面５３４は、第１方向ｘにおいて一対の第１側面５３１よりも半導体装置Ｂ１０の外側に位置する。複数の第４側面５３４は、第１方向ｘの一方側に位置する一対の第４側面５３４と、第１方向ｘの他方側に位置する一対の第４側面５３４とを含む。第１方向ｘの一方側および他方側の各々において、一対の第４側面５３４の第２方向ｙにおける両側は、一対の第２側面５３２と一対の第３側面５３３とにつながっている。
【００５４】
図９に示すように、複数の取付け孔５４は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１から底面５２に至って封止樹脂５０を貫通している。複数の取付け孔５４は、半導体装置Ｂ１０をヒートシンク（図示略）に取り付ける際に利用される。図２および図５に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、複数の取付け孔５４の孔縁は円形状である。複数の取付け孔５４は、厚さ方向ｚに沿って視て封止樹脂５０の四隅に位置する。
【００５５】
＜バスバーＣ１０＞
半導体モジュールＡ１０の構成要素に含まれるバスバーＣ１０について説明する。バスバーＣ１０は、第１供給端子６１、第２供給端子６２、絶縁体６９およびモールド樹脂８０を備える。
【００５６】
第１供給端子６１および第２供給端子６２は、図１３〜図１５に示すように、第１方向ｘに延びる帯状である。第２供給端子６２は、第１供給端子６１に対して厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に離間して配置されている。厚さ方向ｚに沿って視て、第２供給端子６２は、第１供給端子６１に重なっている。バスバーＣ１０が示す例においては、第１供給端子６１および第２供給端子６２の形状は、ともに同一である。第１供給端子６１および第２供給端子６２は、金属板である。当該金属板は、銅または銅合金からなる。
【００５７】
絶縁体６９は、図１４に示すように、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１と第２供給端子６２との間に挟まれている。図１６に示すように、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの他方側に位置する各々の先端よりも、絶縁体６９は、第１方向ｘの一方側に位置する。絶縁体６９は、たとえばガラスエポキシ樹脂を含む材料からなる。第１供給端子６１は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側において絶縁体６９に接している。第２供給端子６２は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側において絶縁体６９に接している。これにより、第１供給端子６１および第２供給端子６２は、厚さ方向ｚに沿って視て互いに重なり、かつ絶縁体６９により互いに電気絶縁されたラミネート配線をなしている。
【００５８】
図１６に示すように、絶縁体６９は、一対の離間部６９１、および基部６９２を有する。一対の離間部６９１は、絶縁体６９の第１方向ｘの一方側に位置している。一対の離間部６９１は、厚さ方向ｚにおいて互いに離間している。これにより、厚さ方向ｚにおいて一対の離間部６９１の間には、隙間が設けられている。基部６９２は、絶縁体６９のうち、一対の離間部６９１を除く部分である。基部６９２の厚さは、一対の離間部６９１の各々の厚さよりも大である。基部６９２は、第１方向ｘの他方側において一対の離間部６９１の双方につながっている。
【００５９】
モールド樹脂８０は、図１３および図１４に示すように、第１供給端子６１、第２供給端子６２および絶縁体６９の各々の一部ずつを覆っている。モールド樹脂８０の材料は、エポキシ樹脂など、電気絶縁性を有する合成樹脂である。モールド樹脂８０の第１方向ｘの両側から、第１供給端子６１、第２供給端子６２および絶縁体６９の各々の一部ずつが突出している。なお、バスバーＣ１０は、モールド樹脂８０を備えない構成でもよい。
【００６０】
＜半導体モジュールＡ１０＞
半導体モジュールＡ１０について説明する。
【００６１】
半導体モジュールＡ１０においては、図１６に示すように、第１供給端子６１が第１入力端子２１の第１端子部２１２に導通する状態で接合され、かつ第２供給端子６２が第２入力端子２２の第２端子部２２２に導通する状態で接合されている。図１５および図１６に示すように、第１供給端子６１の第１方向ｘの他方側は、第１端子部２１２に重ね合わされている。第２供給端子６２の第１方向ｘの他方側は、第２端子部２２２に重ね合わされている。この場合において、絶縁部材２９の延出部２９２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁体６９の一対の離間部６９１の間に設けられた隙間に挿入されている。第１供給端子６１および第２供給端子６２の各々は、レーザ溶接により第１端子部２１２および第２端子部２２２の各々に導通する状態で接合されている。
【００６２】
半導体モジュールＡ１０においては、第１供給端子６１が正極であり、第２供給端子６２が負極である。図１７および図１８に示すように、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの一方側を直流電源ＤＣに接続させることにより、バスバーＣ１０を介して半導体装置Ｂ１０に直流電力が供給される。
【００６３】
〔第１実施形態の第１変形例〕
図１７に基づき、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体モジュールＡ１１について説明する。半導体モジュールＡ１１は、半導体モジュールＡ１０に対して、コンデンサＣをさらに備える。
【００６４】
図１７に示すように、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの一方側は、半導体装置Ｂ１０に直流電力を供給するための直流電源ＤＣに接続されている。コンデンサＣは、直流電源ＤＣに接続された第１供給端子６１および第２供給端子６２に対して並列接続されている。コンデンサＣは、セラミックコンデンサやフィルムコンデンサなどである。コンデンサＣの静電容量は、半導体装置Ｂ１０の周波数特性に応じて設定される。
【００６５】
〔第１実施形態の第２変形例〕
図１８に基づき、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体モジュールＡ１２について説明する。半導体モジュールＡ１２は、半導体モジュールＡ１１に対して、抵抗器Ｒをさらに備える。
【００６６】
図１８に示すように、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの一方側は、半導体装置Ｂ１０に直流電力を供給するための直流電源ＤＣに接続されている。コンデンサＣは、直流電源ＤＣに接続された第１供給端子６１および第２供給端子６２に対して並列接続されている。抵抗器Ｒは、コンデンサＣに対して直列接続されている。第１供給端子６１および第２供給端子６２と、コンデンサＣとの導電経路において、抵抗器Ｒは、第１供給端子６１とコンデンサＣとの間に接続されている。これにより、半導体モジュールＡ１２においては、スナバ回路（Snubber circuit）が構成されている。
【００６７】
次に、半導体モジュールＡ１０の作用効果について説明する。
【００６８】
半導体モジュールＡ１０は、第１端子部２１２を有する第１入力端子２１、および第２端子部２２２を有する第２入力端子２２を備える半導体装置Ｂ１０と、第１供給端子６１および第２供給端子６２を備えるバスバーＣ１０とを、その構成要素に含む。第２端子部２２２は、厚さ方向ｚにおいて第１端子部２１２に対して離間し、かつ厚さ方向ｚに沿って視て第１端子部２１２に重なっている。第２供給端子６２は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１に対して離間し、かつ厚さ方向ｚに沿って視て第１供給端子６１に重なっている。第１供給端子６１が第１端子部２１２に導通する状態で接合され、第２供給端子６２が第２端子部２２２に導通する状態で接合されている。これにより、半導体モジュールＡ１０において、第１端子部２１２および第１供給端子６１と、第２端子部２２２および第２供給端子６２とによって、連続したラミネート配線がなされている。よって、半導体装置Ｂ１０には、当該ラミネート配線を介して直流電力が供給されるため、半導体装置Ｂ１０に発生したインダクタンスを当該ラミネート配線によって、より安定した状態で低減することができる。したがって、半導体モジュールＡ１０によれば、半導体装置Ｂ１０のインダクタンスをより安定した状態で低減させることが可能となる。
【００６９】
半導体装置Ｂ１０は、厚さ方向ｚにおいて第１端子部２１２と第２端子部２２２との間に挟まれた絶縁部材２９をさらに備える。これにより、第１端子部２１２と第２端子部２２２とを、容易にラミネート配線とすることができる。
【００７０】
バスバーＣ１０は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１と第２供給端子６２との間に挟まれた絶縁体６９をさらに備える。これにより、第１供給端子６１と第２供給端子６２とを、容易にラミネート配線とすることができる。また、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの他方側に位置する各々の先端よりも、絶縁体６９は、第１方向ｘの一方側に位置する。これにより、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの他方側において、第１供給端子６１と第２供給端子６２との間に隙間が形成される。第１端子部２１２および第２端子部２２２の第１方向ｘの一方側を当該隙間に挿入させることにより、第１端子部２１２および第２端子部２２２は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１と第２供給端子６２とにより挟まれた構成をとることができる。換言すると、半導体モジュールＡ１０において、第１端子部２１２に第１供給端子６１が重ね合わせられ、かつ第２端子部２２２に第２供給端子６２が重ね合わされた構成をとることができる。
【００７１】
第１供給端子６１および第２供給端子６２の各々は、レーザ溶接により第１端子部２１２および第２端子部２２２の各々に導通する状態で接合されている。レーザ溶接を採用することにより、第１端子部２１２に第１供給端子６１が重ね合わせられ、かつ第２端子部２２２に第２供給端子６２が重ね合わされた場合であっても、第１供給端子６１および第２供給端子６２の各々を、導通が確保された状態で容易に接合させることができる。
【００７２】
絶縁部材２９は、介在部２９１から第１端子部２１２および第２端子部２２２よりもさらに第１方向ｘの一方側に向けて延びる延出部２９２を有する。絶縁体６９は、厚さ方向ｚにおいて互いに離間する一対の離間部６９１を有する。図１６に示すように、延出部２９２は、厚さ方向ｚにおいて一対の離間部６９１の間に設けられた隙間に挿入されている。これにより、第１端子部２１２および第２端子部２２２の第１方向ｘの一方側を、第１供給端子６１と第２供給端子６２との間に設けられた隙間に挿入させる際、半導体装置Ｂ１０およびバスバーＣ１０の双方において、第１方向ｘに対する傾斜が抑制される。よって、第１端子部２１２と第１供給端子６１との接触状態と、第２端子部２２２と第２供給端子６２との接触状態が、より安定したものとなる。
【００７３】
半導体モジュールＡ１１（図１７参照）においては、第１供給端子６１および第２供給端子６２に対して並列接続されたコンデンサＣをさらに備える。半導体装置Ｂ１０の複数のスイッチング素子３０の駆動により、第１入力端子２１および第２入力端子２２には、インダクタンスの発生要因となる逆起電力が生じる。コンデンサＣは、当該逆起電力を電荷として蓄える機能を果たす。これにより、半導体装置Ｂ１０のインダクタンスをより効果的に低減することができる。なお、コンデンサＣに蓄えられた電荷は、半導体装置Ｂ１０に供給される直流電力の一部に活用される。
【００７４】
半導体モジュールＡ１２（図１８参照）においては、第１供給端子６１および第２供給端子６２に対して並列接続されたコンデンサＣと、コンデンサＣに対して直列接続された抵抗器Ｒとをさらに備える。抵抗器Ｒは、第１入力端子２１および第２入力端子２２に生じた逆起電力の電圧を降下させることができる。これにより、コンデンサＣの過剰充電を防止することができる。
【００７５】
半導体装置Ｂ１０は、絶縁基板１０の裏面１０２が露出されるように複数のスイッチング素子３０を覆う封止樹脂５０を備える。これにより、裏面１０２をヒートシンクに接合させることが可能となるため、半導体装置Ｂ１０の放熱性を向上させることができる。また、第１端子部２１２、第２端子部２２２および絶縁部材２９の各々の一部ずつが、封止樹脂５０に覆われている。これにより、第１入力端子２１、第２入力端子２２および絶縁部材２９を、封止樹脂５０に支持させることができる。
【００７６】
〔第２実施形態〕
図１９〜図２４に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体モジュールＡ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＡ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。半導体モジュールＡ２０は、半導体装置Ｂ１０およびバスバーＣ２０を備える。これらのうち、バスバーＣ２０の構成が、先述した半導体モジュールＡ１０に対して異なる。なお、半導体装置Ｂ１０の構成は、先述した半導体モジュールＡ１０に対して同一であるため、ここでの説明は省略する。なお、図２０および図２１は、理解の便宜上、モールド樹脂８０を透過している。
【００７７】
＜バスバーＣ２０＞
半導体モジュールＡ２０の構成要素に含まれるバスバーＣ２０について説明する。バスバーＣ２０は、第１供給端子６１、第２供給端子６２、絶縁体６９、絶縁基材７０、第１導電層７１、第２導電層７２およびモールド樹脂８０を備える。
【００７８】
第１供給端子６１は、図２１、図２２および図２４に示すように、第１接続部６１１および第１起立部６１２を有する。第１接続部６１１は、第１方向ｘに延びる帯状である。第１接続部６１１は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側において絶縁体６９に接している。第１起立部６１２は、第１接続部６１１の第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に向けて延びている。バスバーＣ２０が示す例においては、第１起立部６１２は、第２方向ｙにおいて相互に離間した３つの領域を有する。よって、第１起立部６１２は、櫛歯状をなしている。なお、当該領域の数は、本構成に限定されない。
【００７９】
第２供給端子６２は、図２０、図２２および図２３に示すように、第２接続部６２１および第２起立部６２２を有する。第２接続部６２１は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側において絶縁体６９に接している。第２接続部６２１は、厚さ方向ｚに沿って視て第１接続部６１１に重なっている。第２起立部６２２は、第２接続部６２１の第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの主面１０１が向く側に向けて延びている。バスバーＣ２０が示す例においては、第２起立部６２２は、第２方向ｙにおいて相互に離間した３つの領域を有する。よって、第２起立部６２２は、櫛歯状をなしている。なお、当該領域の数は、本構成に限定されない。第２起立部６２２は、第１起立部６１２よりも第１方向ｘの他方側に位置し、かつ第１方向ｘに沿って視て第１起立部６１２に重なっている。第１方向ｘにおいて、第２起立部６２２と第２接続部６２１との間には、モールド樹脂８０が介在している。
【００８０】
絶縁体６９は、図２２および図２３に示すように、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１の第１接続部６１１と、第２供給端子６２の第２接続部６２１との間に挟まれている。第１接続部６１１および第２接続部６２１の第１方向ｘの他方側に位置する各々の先端よりも、絶縁体６９は、第１方向ｘの一方側に位置する。絶縁体６９は、バスバーＣ１０の絶縁体６９と同様に、一対の離間部６９１、および基部６９２を有する。
【００８１】
以上より、厚さ方向ｚに沿って視て、第２供給端子６２の少なくとも一部が第１供給端子６１に重なっている。第２供給端子６２は、第１供給端子６１に対して厚さ方向ｚの主面１０１が向く側に離間している。また、第１供給端子６１および第２供給端子６２は、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に沿って視て互いに重なる部分を有し、かつ絶縁体６９およびモールド樹脂８０により互いに電気絶縁されたラミネート配線をなしている。
【００８２】
絶縁基材７０は、図１９および図２２に示すように、第１方向ｘに延びる帯状である。絶縁基材７０は、第２供給端子６２の第２接続部６２１に対して厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に配置されている。絶縁基材７０は、ガラスエポキシ樹脂、またはアルミナなどのセラミックスを含む材料からなる。
【００８３】
第１導電層７１は、図２２に示すように、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側において絶縁基材７０に配置されている。図２０に示すように、第１導電層７１の第１方向ｘの他方側における先端は、絶縁基材７０の第１方向ｘの他方側における先端よりも第１方向ｘの一方側に位置する。第１導電層７１は、金属板である。当該金属板は、銅または銅合金からなる。
【００８４】
第２導電層７２は、図２２に示すように、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側において絶縁基材７０に配置されている。第２導電層７２には、厚さ方向ｚに貫通する開口部７２１が設けられている。図２１に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、開口部７２１は矩形状である。以上より、第１導電層７１および第２導電層７２は、厚さ方向ｚに沿って視て互いに重なる部分を有し、かつ絶縁基材７０により互いに電気絶縁されたラミネート配線をなしている。
【００８５】
図２０〜図２４（図２３を除く）に示すように、絶縁基材７０および第１導電層７１の双方には、厚さ方向ｚに貫通する複数の第１貫通孔７３１が設けられている。複数の第１貫通孔７３１の数は、第１供給端子６１の第１起立部６１２の領域の数に対応している。複数の第１貫通孔７３１は、第２方向ｙに沿って配列されている。図２１に示すように、複数の第１貫通孔７３１は、第２導電層７２の開口部７２１の中に位置する。第１起立部６１２は、複数の第１貫通孔７３１に挿入されている。図２４に示すように、第１起立部６１２は、導電接合層７９により第１導電層７１に導通する状態で接合されている。導電接合層７９は、たとえば錫を主成分とする鉛フリーはんだである。これにより、第１供給端子６１は、第１導電層７１に導通している。
【００８６】
図２０、図２２および図２３に示すように、絶縁基材７０および第２導電層７２の双方には、厚さ方向ｚに貫通する複数の第２貫通孔７３２が設けられている。複数の第２貫通孔７３２の数は、第２供給端子６２の第２起立部６２２の領域の数に対応している。複数の第２貫通孔７３２は、複数の第１貫通孔７３１よりも第１方向ｘの他方側に位置する。複数の第２貫通孔７３２は、第２方向ｙに沿って配列されている。第２起立部６２２は、複数の第２貫通孔７３２に挿入されている。図２３に示すように、第２起立部６２２は、導電接合層７９により第２導電層７２に導通する状態で接合されている。これにより、第２供給端子６２は、第２導電層７２に導通している。
【００８７】
モールド樹脂８０は、図１９および図２２に示すように、第１供給端子６１、第２供給端子６２、絶縁体６９、絶縁基材７０、第１導電層７１および第２導電層７２の各々の一部ずつを覆っている。モールド樹脂８０の第１方向ｘの一方側から、絶縁基材７０、第１導電層７１および第２導電層７２の各々の一部ずつが突出している。モールド樹脂８０の第１方向ｘの他方側から、第１供給端子６１の第１接続部６１１、第２供給端子６２の第２接続部６２１、および絶縁体６９の各々の一部ずつが突出している。
【００８８】
＜半導体モジュールＡ２０＞
半導体モジュールＡ２０について説明する。
【００８９】
半導体モジュールＡ２０においては、図２２に示すように、第１供給端子６１の第１接続部６１１が第１入力端子２１の第１端子部２１２に導通する状態で接合され、かつ第２供給端子６２の第２接続部６２１が第２入力端子２２の第２端子部２２２に導通する状態で接合されている。第１接続部６１１の第１方向ｘの他方側は、第１端子部２１２に重ね合わされている。第２接続部６２１の第１方向ｘの他方側は、第２端子部２２２に重ね合わされている。この場合において、絶縁部材２９の延出部２９２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁体６９の一対の離間部６９１の間に設けられた隙間に挿入されている。第１接続部６１１および第２接続部６２１の各々は、レーザ溶接により第１端子部２１２および第２端子部２２２の各々に導通する状態で接合されている。
【００９０】
半導体モジュールＡ２０においては、第１供給端子６１および第１導電層７１が正極であり、第２供給端子６２および第２導電層７２が負極である。図２５および図２６に示すように、第１導電層７１および第２導電層７２の第１方向ｘの一方側を直流電源ＤＣに接続させることにより、バスバーＣ２０を介して半導体装置Ｂ１０に直流電力が供給される。
【００９１】
〔第２実施形態の第１変形例〕
図２５に基づき、本開示の第２実施形態の第１変形例にかかる半導体モジュールＡ２１について説明する。半導体モジュールＡ２１は、半導体モジュールＡ２０に対して、コンデンサＣをさらに備える。
【００９２】
図２５に示すように、第１導電層７１および第２導電層７２の第１方向ｘの一方側は、半導体装置Ｂ１０に直流電力を供給するための直流電源ＤＣに接続されている。コンデンサＣは、直流電源ＤＣに接続された第１導電層７１および第２導電層７２に対して並列接続されている。
【００９３】
〔第２実施形態の第２変形例〕
図２６に基づき、本開示の第２実施形態の第２変形例にかかる半導体モジュールＡ２２について説明する。半導体モジュールＡ２２は、半導体モジュールＡ２１に対して、抵抗器Ｒをさらに備える。
【００９４】
図２６に示すように、第１導電層７１および第２導電層７２の第１方向ｘの一方側は、半導体装置Ｂ１０に直流電力を供給するための直流電源ＤＣに接続されている。コンデンサＣは、直流電源ＤＣに接続された第１導電層７１および第２導電層７２に対して並列接続されている。抵抗器Ｒは、コンデンサＣに対して直列接続されている。第１導電層７１および第２導電層７２と、コンデンサＣとの導電経路において、抵抗器Ｒは、第１導電層７１とコンデンサＣとの間に接続されている。これにより、半導体モジュールＡ２２においては、スナバ回路が構成されている。
【００９５】
次に、半導体モジュールＡ２０の作用効果について説明する。
【００９６】
半導体モジュールＡ２０は、半導体装置Ｂ１０と、第１接続部６１１を有する第１供給端子６１、および第２接続部６２１を有する第２供給端子６２を備えるバスバーＣ２０とを、その構成要素に含む。第２供給端子６２は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１に対して離間し、かつ厚さ方向ｚに沿って視て第１供給端子６１に少なくともその一部（第２接続部６２１）が重なっている。第１接続部６１１が第１端子部２１２に導通する状態で接合され、第２接続部６２１が第２端子部２２２に導通する状態で接合されている。したがって、半導体モジュールＡ２０によっても、半導体装置Ｂ１０のインダクタンスをより安定した状態で低減させることが可能となる。
【００９７】
バスバーＣ２０は、絶縁基材７０、第１導電層７１および第２導電層７２をさらに備える。第１導電層７１は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側において絶縁基材７０に配置されている。第２導電層７２は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側において絶縁基材７０に配置されている。第１供給端子６１は、第１導電層７１に導通している。第２供給端子６２は、第２導電層７２に導通している。これにより、半導体モジュールＡ２０において、第１導電層７１が正極となり、第２導電層７２が負極となる。したがって、半導体装置Ｂ１０の裏面１０２をヒートシンクに接合させた際、第１導電層７１および第２導電層７２に接続される直流電源ＤＣ（図２５および図２６参照）の接地をヒートシンクに設定することが、より容易となる。
【００９８】
第１供給端子６１は、第１接続部６１１の第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に向けて延びる第１起立部６１２を有する。第１起立部６１２は、第１導電層７１に導通する状態で接合されている。第２供給端子６２は、第１起立部６１２の第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの主面１０１が向く側に向けて延びる第２起立部６２２を有する。第２起立部６２２は、第２導電層７２に導通する状態で接合されている。第２起立部６２２は、第１方向ｘに沿って視て第１起立部６１２に重なっている。これにより、バスバーＣ２０において、第１供給端子６１および第１導電層７１と、第２供給端子６２および第２導電層７２とによって、連続したラミネート配線をなすことができる。
【００９９】
絶縁基材７０および第１導電層７１には、厚さ方向ｚに貫通する第１貫通孔７３１が設けられている。第１起立部６１２を第１貫通孔７３１に挿入させることにより、第１起立部６１２を第１導電層７１に導通する状態で接合させることができる。絶縁基材７０および第２導電層７２には、厚さ方向ｚに貫通する第２貫通孔７３２が設けられている。第２起立部６２２を第２貫通孔７３２に挿入させることにより、第２起立部６２２を第２導電層７２に導通する状態で接合させることができる。また、第２貫通孔７３２は、第１貫通孔７３１よりも第１方向ｘの他方側に位置する。これにより、第１起立部６１２および第２起立部６２２が、互いに干渉することを回避できる。
【０１００】
〔第３実施形態〕
図２７〜図３３に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体モジュールＡ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＡ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。半導体モジュールＡ３０は、半導体装置Ｂ２０およびバスバーＣ３０を備える。
【０１０１】
＜半導体装置Ｂ２０＞
半導体モジュールＡ３０の構成要素に含まれる半導体装置Ｂ２０について説明する。半導体装置Ｂ２０においては、第１入力端子２１および第２入力端子２２の構成が、先述した半導体モジュールＡ１０を構成する半導体装置Ｂ１０に対して異なる。
【０１０２】
図２７、図２９および図３０に示すように、第１入力端子２１の第１端子部２１２は、第１基部２１２Ａおよび第１フランジ部２１２Ｂを有する。第１基部２１２Ａは、第１方向ｘに延びている。第１基部２１２Ａの第２方向ｙの両側は、封止樹脂５０に覆われている。第１フランジ部２１２Ｂは、第１基部２１２Ａの第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側に向けて延びている。第１フランジ部２１２Ｂには、第１方向ｘに貫通する第１孔２１２Ｃが設けられている。
【０１０３】
図２８〜図３０に示すように、第２入力端子２２の第２端子部２２２は、第２基部２２２Ａおよび第２フランジ部２２２Ｂを有する。第２基部２２２Ａは、第１方向ｘに延びている。第２基部２２２Ａの第２方向ｙの両側は、封止樹脂５０に覆われている。第２フランジ部２２２Ｂは、第２基部２２２Ａの第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に向けて延びている。第２フランジ部２２２Ｂには、第１方向ｘに貫通する第２孔２２２Ｃが設けられている。
【０１０４】
図３０に示すように、絶縁部材２９の介在部２９１は、厚さ方向ｚにおいて第１端子部２１２の第１基部２１２Ａと、第２端子部２２２の第２基部２２２Ａとの間に位置する。第２入力端子２２は、第１入力端子２１に対して厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に離間している。
【０１０５】
＜バスバーＣ３０＞
半導体モジュールＡ３０の構成要素に含まれるバスバーＣ３０について説明する。バスバーＣ３０においては、第１供給端子６１、第２供給端子６２および絶縁体６９の構成が、先述した半導体モジュールＡ１０を構成するバスバーＣ１０に対して異なる。
【０１０６】
図３２に示すように、第１供給端子６１は、第３基部６１３および第３フランジ部６１４を有する。第３基部６１３は、第１方向ｘに延びている。第３基部６１３は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側において絶縁体６９に接している。第３フランジ部６１４は、第３基部６１３の第１方向ｘの他方側における先端から、厚さ方向ｚの裏面１０２が向く側に向けて延びている。図３３に示すように、第３フランジ部６１４には、第１方向ｘに貫通する第３孔６１５が設けられている。第３孔６１５の位置および大きさは、第１端子部２１２の第１フランジ部２１２Ｂに設けられた第１孔２１２Ｃのこれらに対応している。
【０１０７】
図３１および図３２に示すように、第２供給端子６２は、第４基部６２３および第４フランジ部６２４を有する。第４基部６２３は、第１方向ｘに延びている。第４基部６２３は、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側において絶縁体６９に接している。第４フランジ部６２４は、第４基部６２３の第１方向ｘの他方側における先端から、厚さ方向ｚの主面１０１が向く側に向けて延びている。図３３に示すように、第４フランジ部６２４には、第１方向ｘに貫通する第４孔６２５が設けられている。第４孔６２５の位置および大きさは、第２端子部２２２の第２フランジ部２２２Ｂに設けられた第２孔２２２Ｃのこれらに対応している。
【０１０８】
図３２に示すように、第２供給端子６２は、第１供給端子６１に対して厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に離間している。第１供給端子６１の第３基部６１３、および第２供給端子６２の第４基部６２３は、厚さ方向ｚに沿って視て互いに重なり、かつ絶縁体６９により互いに電気絶縁されたラミネート配線をなしている。なお、バスバーＣ３０は、モールド樹脂８０を備えない構成でもよい。
【０１０９】
＜半導体モジュールＡ３０＞
半導体モジュールＡ３０について説明する。
【０１１０】
半導体モジュールＡ３０においては、図３２に示すように、第１供給端子６１の第３フランジ部６１４が、第１端子部２１２（第１入力端子２１）の第１フランジ部２１２Ｂに導通する状態で接合されている。第３フランジ部６１４が第１フランジ部２１２Ｂに突き合わされている。図３１および図３２に示すように、第２供給端子６２の第４フランジ部６２４が、第２端子部２２２（第２入力端子２２）の第２フランジ部２２２Ｂに導通する状態で接合されている。第４フランジ部６２４が第２フランジ部２２２Ｂに突き合わされている。この場合において、図３３に示すように、絶縁部材２９の延出部２９２は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１の第３基部６１３と、第２供給端子６２の第４基部６２３との間に設けられた隙間に挿入されている。
【０１１１】
図３３に示すように、第１端子部２１２の第１フランジ部２１２Ｂに設けられた第１孔２１２Ｃと、第１供給端子６１の第３フランジ部６１４に設けられた第３孔６１５とに、締結部材９０が挿入されている。締結部材９０は、たとえばボルト・ナットである。これにより、第１フランジ部２１２Ｂと第３フランジ部６１４とが導通する状態で接合されている。また、第２端子部２２２の第２フランジ部２２２Ｂに設けられた第２孔２２２Ｃと、第２供給端子６２の第４フランジ部６２４に設けられた第４孔６２５とに、締結部材９０が挿入されている。これにより、第２フランジ部２２２Ｂと第４フランジ部６２４とが導通する状態で接合されている。
【０１１２】
半導体モジュールＡ３０においては、第１供給端子６１が正極であり、第２供給端子６２が負極である。このため、半導体モジュールＡ１０の場合と同じく、第１供給端子６１および第２供給端子６２の第１方向ｘの一方側を直流電源ＤＣ（図１７および図１８参照）に接続させることにより、バスバーＣ３０を介して半導体装置Ｂ２０に直流電力が供給される。
【０１１３】
図１７に示す半導体モジュールＡ１１と同じく、半導体モジュールＡ３０は、第１供給端子６１および第２供給端子６２に対して並列接続されたコンデンサＣをさらに備える構成とすることができる。また、図１８に示す半導体モジュールＡ１２と同じく、半導体モジュールＡ３０は、コンデンサＣと、コンデンサＣに対して直列接続された抵抗器Ｒとをさらに備える構成とすることができる。
【０１１４】
次に、半導体モジュールＡ３０の作用効果について説明する。
【０１１５】
半導体モジュールＡ３０は、第１端子部２１２を有する第１入力端子２１、および第２端子部２２２を有する第２入力端子２２を備える半導体装置Ｂ２０と、第１供給端子６１および第２供給端子６２を備えるバスバーＣ３０とを、その構成要素に含む。第２端子部２２２は、厚さ方向ｚにおいて第１端子部２１２に対して離間し、かつ厚さ方向ｚに沿って視て第１端子部２１２に重なっている。第２供給端子６２は、厚さ方向ｚにおいて第１供給端子６１に対して離間し、かつ厚さ方向ｚに沿って視て第１供給端子６１に重なっている。第１供給端子６１が第１端子部２１２に導通する状態で接合され、第２供給端子６２が第２端子部２２２に導通する状態で接合されている。したがって、半導体モジュールＡ３０によっても、半導体装置Ｂ２０のインダクタンスをより安定した状態で低減させることが可能となる。
【０１１６】
第１端子部２１２は、第１基部２１２Ａの第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の裏面１０２が向く側に向けて延びる第１フランジ部２１２Ｂを有する。第２端子部２２２は、第２基部２２２Ａの第１方向ｘの一方側における先端から、厚さ方向ｚの絶縁基板１０の主面１０１が向く側に向けて延びる第２フランジ部２２２Ｂを有する。第１供給端子６１は、第３基部６１３の第１方向ｘの他方側における先端から、厚さ方向ｚの裏面１０２が向く側に向けて延びる第３フランジ部６１４を有する。第２供給端子６２は、第４基部６２３の第１方向ｘの他方側における先端から、厚さ方向ｚの主面１０１が向く側に向けて延びる第４フランジ部６２４を有する。第３フランジ部６１４は、第１フランジ部２１２Ｂに突き合わされている。これらは、締結部材９０により互いに接合されている。これにより、第１供給端子６１を第１端子部２１２に導通する状態で接合させることができる。第４フランジ部６２４は、第２フランジ部２２２Ｂに突き合わされている。これらは、締結部材９０により互いに接合されている。これにより、第２供給端子６２を第２端子部２２２に導通する状態で接合させることができる。
【０１１７】
本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１１８】
本開示における種々の実施形態は、以下の付記として規定しうる。
【０１１９】
付記１．厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する絶縁基板と、前記主面に配置された導電部材と、前記導電部材に導通する状態で接合された複数のスイッチング素子と、第１端子部を有し、かつ前記導電部材に導通する状態で接合された第１入力端子と、前記厚さ方向に沿って視て前記第１端子部に重なる第２端子部を有し、かつ前記厚さ方向において前記第１入力端子および前記導電部材の双方に対して離間して配置されるとともに、前記複数のスイッチング素子に導通する第２入力端子と、を備える半導体装置と、
第１供給端子と、前記厚さ方向において前記第１供給端子に対して離間して配置され、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１供給端子に少なくとも一部が重なる第２供給端子と、を備えるバスバーと、を構成要素に含み、
前記第１供給端子が前記第１端子部に導通する状態で接合されており、
前記第２供給端子が前記第２端子部に導通する状態で接合されている、半導体モジュール。
【０１２０】
付記２．前記半導体装置は、前記厚さ方向において前記第１端子部と前記第２端子部との間に挟まれた絶縁部材をさらに備える、付記１に記載の半導体モジュール。
【０１２１】
付記３．前記厚さ方向に沿って視て、前記第１端子部および前記第２端子部は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向の一方側に向けて延び、
前記絶縁部材は、前記厚さ方向において前記第１端子部と前記第２端子部との間に位置する介在部と、前記介在部から前記第１端子部および前記第２端子部よりもさらに前記第１方向の前記一方側に向けて延びる延出部と、を有する、付記２に記載の半導体モジュール。
【０１２２】
付記４．前記バスバーは、前記厚さ方向において前記第１供給端子と前記第２供給端子との間に挟まれた絶縁体をさらに備え、
前記第１供給端子および前記第２供給端子の前記第１方向の他方側に位置する各々の先端よりも、前記絶縁体は、前記第１方向の前記一方側に位置する、付記３に記載の半導体モジュール。
【０１２３】
付記５．前記絶縁体は、前記厚さ方向において互いに離間する一対の離間部を有し、
前記延出部は、前記厚さ方向において一対の前記離間部の間に設けられた隙間に挿入されている、付記４に記載の半導体モジュール。
【０１２４】
付記６．前記第２端子部は、前記第１端子部に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第２供給端子は、前記第１供給端子に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間している、付記５に記載の半導体モジュール。
【０１２５】
付記７．前記第１供給端子の前記第１方向の前記他方側が前記第１端子部に重ね合わされており、
前記第２供給端子の前記第１方向の前記他方側が前記第２端子部に重ね合わされている、付記６に記載の半導体モジュール。
【０１２６】
付記８．前記第１供給端子および前記第２供給端子の各々は、レーザ溶接により前記第１端子部および前記第２端子部の各々に導通する状態で接合されている、付記７に記載の半導体モジュール。
【０１２７】
付記９．前記バスバーは、絶縁基材と、前記厚さ方向の前記主面が向く側において前記絶縁基材に配置された第１導電層と、前記厚さ方向の前記裏面が向く側において前記絶縁基材に配置された第２導電層と、をさらに備え、
前記第１供給端子は、前記第１導電層に導通し、
前記第２供給端子は、前記第２導電層に導通している、付記６に記載の半導体モジュール。
【０１２８】
付記１０．前記第１供給端子は、前記第１端子部および前記絶縁体の双方に接する第１接続部と、前記第１接続部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第１起立部と、を有し、
前記絶縁基材および前記第１導電層の双方には、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔が設けられ、
前記第１起立部は、前記第１貫通孔に挿入され、かつ前記第１導電層に導通する状態で接合されている、付記９に記載の半導体モジュール。
【０１２９】
付記１１．前記第２供給端子は、前記第２端子部および前記絶縁体の双方に接し、かつ前記厚さ方向に沿って視て前記第１接続部に重なる第２接続部と、前記第２接続部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延び、かつ前記第１方向に沿って視て前記第１起立部に重なる第２起立部と、を有し、
前記絶縁基材および前記第２導電層の双方には、前記第１貫通孔よりも前記第１方向の前記他方側に位置し、かつ前記厚さ方向に貫通する第２貫通孔が設けられ、
前記第２起立部は、前記第２貫通孔に挿入され、かつ前記第２導電層に導通する状態で接合されている、付記１０に記載の半導体モジュール。
【０１３０】
付記１２．前記延出部は、前記厚さ方向において前記第１供給端子と前記第２供給端子との間に設けられた隙間に挿入されている、付記４に記載の半導体モジュール。
【０１３１】
付記１３．前記第２端子部は、前記第１端子部に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第２供給端子は、前記第１供給端子に対して前記厚さ方向の前記主面が向く側に離間し、
前記第１端子部は、前記第１方向に延びる第１基部と、前記第１基部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記裏面が向く側に向けて延びる第１フランジ部と、を有し、
前記第２端子部は、前記第１方向に延びる第２基部と、前記第２基部の前記第１方向の前記一方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第２フランジ部と、を有し、
前記第１供給端子は、前記第１方向に延びる第３基部と、前記第３基部の前記第１方向の前記他方側における先端から、前記厚さ方向の前記裏面が向く側に向けて延びる第３フランジ部と、を有し、
前記第２供給端子は、前記第１方向に延びる第４基部と、前記第４基部の前記第１方向の前記他方側における先端から、前記厚さ方向の前記主面が向く側に向けて延びる第４フランジ部と、を有し、
前記第３フランジ部が前記第１フランジ部に突き合わされており、
前記第４フランジ部が前記第２フランジ部に突き合わされている、付記１２に記載の半導体モジュール。
【０１３２】
付記１４．前記第１フランジ部および前記第３フランジ部と、前記第２フランジ部および前記第４フランジ部とは、締結部材により各々が導通する状態で接合されている、付記１３に記載の半導体モジュール。
【０１３３】
付記１５．前記第１供給端子および前記第２供給端子に対して並列接続されたコンデンサをさらに備える、付記２ないし１４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【０１３４】
付記１６．前記コンデンサに対して直列接続された抵抗器をさらに備える、付記１５に記載の半導体モジュール。
【０１３５】
付記１７．前記半導体装置は、前記裏面が露出されるように前記複数のスイッチング素子を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記第１端子部、前記第２端子部および前記絶縁部材の各々の一部ずつが、前記封止樹脂に覆われている、付記２ないし１６のいずれかに記載の半導体モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【国際調査報告】
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