(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第二スズ塩を０．５〜１０mol/l の濃度で含有し且つ該第二スズ塩を二酸化スズに換算した該二酸化スズの重量基準で０．１〜１０重量％のＮｂ又はＴａとなる量の５価のＮｂ及びＴａの化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するアルカリ性溶液又は酸性溶液と、該Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を中和する中和溶液とをそれぞれ別々に同時に連続して反応槽に導入し、導入後直ちに両溶液を一緒に高速撹拌して瞬時に両溶液の均一混合、均一核発生、共沈殿物の微細分散を促進し、この際反応槽内をｐＨ２〜１２の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持して微細でシャープな粒度分布を持つ共沈殿物を連続的に析出させ、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反応槽より連続して排出し、そのスラリーを固液分離処理して共沈殿物を回収し、乾燥し、その後不活性又は弱還元性雰囲気中、３００〜８００℃で焼成して導電性を付与することを特徴とする高導電性超微粉二酸化スズの製造方法。
【請求項２】
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液及び中和溶液をそれぞれ別々に同時に連続して反応槽の槽底に導入し、槽底より反応槽上部への連続した上向流となし、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反応槽上部より連続して排出することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は高導電性超微粉二酸化スズの製造方法に関し、更に詳しくは、長期間の貯蔵安定性を有し、帯電・静電防止機能が要求される薄膜塗料分野、荷電調整が要求される複写機関連の帯電ローラー、感光ドラム、トナー等の分野、アンチモンの毒性が問題視される帯電・静電防止分野、ガスセンサー用焼結体原料粉末としての分野、埃付着防止が要求されるＣＲＴ、ブラウン管等の分野、光ディスク、ＦＤ、テープ等の磁気記録媒体分野、太陽電池、液晶ディスプレイ等の内部電極、更には電極改質剤として電池分野等に利用され、またその利用の際に、塗料、インク、エマルジョン、繊維その他のポリマー中に容易に分散混練でき、塗料に添加して薄膜として被覆された場合に高透明性であり、且つ導電性に優れた高導電性超微粉二酸化スズの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリマーは導電性粒子の添加により導電性になし得ることが知られており、プラスチックや塗料等に混入してそれらに導電性を付与することのできる微細物質として、金属粒子又はカーボンブラック粒子、並びに酸化亜鉛粒子もしくはヨウ化物の如き半導体酸化物からなる粒子、アンチモンあるいはフッ素等をドープした酸化錫粉末、アルミニウム等をドープした酸化亜鉛粉末あるいは酸化錫を被覆した酸化チタン、酸化アルミニウム等の粉末、並びに酸化錫を被覆したガラスファイバー、チタン酸アルカリ金属塩繊維、酸化チタン繊維等の物質が知られている。
【０００３】
金属粒子又はカーボンブラック粒子の使用に伴なう欠点は、そのような添加剤を含むポリマーは黒色となることであり、このことが多くの場合に望ましくないことである。酸化亜鉛粒子を使用すると、温度・湿度依存性により導電性がばらつくという望ましくない結果を招く。また、アンチモンをドープした酸化錫粉末は導電性付与性に優れているがそのアンチモンドープに起因して青黒味の色調を呈するので白色度に若干問題があり、更にそのアンチモンの毒性が懸念され、従ってその用途が限定されていた。それでアンチモンを含有しない導電性粉末として酸化錫で被覆された酸化チタン粉末の製造方法が開示されている（特開平４−１５４６２１号）。
【０００４】
従来、導電性二酸化スズの製造方法としては、加熱水中で塩化スズ及び塩化アンチモンを加水分解して共沈殿物として得る方法（特開昭５６−１５６６０６号）や、アルカリ物質を添加してｐＨ８以上に維持しながら加熱水中で塩化スズ及び塩化アンチモンを加水分解して共沈殿物として得る方法（特開昭５７−７１８２２号）が知られている。しかし、これらの方法で得られるアンチモンをドープした二酸化スズは導電性には優れているが、アンチモンのドープに起因して青黒味の色調を呈するので白色度に問題があり、また、アンチモンの毒性が懸念されるので用途が限定されている。更に、それらの加水分解反応による製造方法では粒径のコントロールが困難で、ブロードな粒度分布の粉末になることが多いという問題がある。
【０００５】
また、第二スズ塩及びアンチモン塩を含む酸性溶液とアルカリ溶液との中和沈殿反応により得られた共沈殿物を空気中（酸化性雰囲気中）で焼成して導電性二酸化スズを製造する方法（特開昭６３−１１２４２１号、特開平４−６２７１３号及び特開平４−７７３１７号）も知られている。しかし、これらの方法で得られる二酸化スズもアンチモンのドープに起因した上記と同様の問題があり、また、中和沈殿反応は両液の拡散が遅く、濃度が不均一になり、核発生の時期が揃わず、ブロードな粒度分布の沈殿が析出することになる。しかも、析出後も速やかに反応槽外に排出されず、反応槽中に長く滞留する間に結晶成長が進み、粒径の大きな粉末になる。
【０００６】
アンチモンを含まない導電性二酸化スズの製造方法としては、ｐＨ１０以上のアルカリ溶液に塩化スズ溶液を滴下し、沈殿させ、その共沈殿物を真空中又は還元性雰囲気中で焼成して高導電性超微粉二酸化スズを得る方法（特公昭６２−１５７２号、特公昭６２−１５７３号、特公昭６２−１５７４号及び特開平２−３２２１３号）が知られている。この場合にはアンチモンの毒性の問題はないが、得られる二酸化スズ粉末の体積抵抗率はいずれも１０4 〜１０7 Ω・ｃｍと高く、また、一般に湿度変化に対してその導電性は必ずしも安定ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
アンチモンを含有しない二酸化スズはアンチモンを含有する二酸化スズよりも一般に体積抵抗率が高く、また長期間の貯蔵で導電性の劣化招くので二酸化スズに良好な導電性を付与するためにアンチモン等のドーパントを添加しているが、近年アンチモンのドープに起因する青黒味の色調及びアンチモンの毒性が問題視されている。それでアンチモンを含有せず、色調が改善されており、安全であり、経時安定性に優れており且つ導電性の向上した二酸化スズが強く求められている。更に、塗料に添加して薄膜として被覆した場合の高透明性も要求されているため、可視光（４００〜８００ｎｍ）の半波長以下の一次粒子径にし、樹脂中の分散性を高めることが好ましい。
【０００８】
本発明者らは上記のような事情に鑑み、上記のような欠点のない高導電性超微粉二酸化スズの製造方法を提供することを目的として鋭意検討を重ねて、本発明を完成した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の高導電性超微粉二酸化スズの製造方法は、第二スズ塩を０．５〜１０mol/l の濃度で含有し且つ該第二スズ塩を二酸化スズに換算した該二酸化スズの重量基準で０．１〜１０重量％のＮｂ又はＴａとなる量の５価のＮｂ及びＴａの化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するアルカリ性溶液又は酸性溶液と、該Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を中和する中和溶液とをそれぞれ別々に同時に連続して反応槽（例えば、反応槽の槽底）に導入し、導入後直ちに両溶液を一緒に高速撹拌して瞬時に両溶液の均一混合、均一核発生、共沈殿物の微細分散を促進し、この際反応槽内をｐＨ２〜１２の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持して微細でシャープな粒度分布を持つ共沈殿物を連続的に析出させ、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反応槽（例えば、反応槽上部）より連続して排出し、そのスラリーを固液分離処理して共沈殿物を回収し、乾燥し、その後不活性又は弱還元性雰囲気中、３００〜８００℃で焼成して導電性を付与することを特徴とする。
【００１１】
本発明の製造方法で得られる高導電性超微粉二酸化スズは体積抵抗率が低く、経時安定性に優れ、しかも高導電性超微粉二酸化スズ自体が白色あるいは透明性に優れ、それで高導電性超微粉二酸化スズと共に着色剤を添加することによって任意の色調が得られ、またアンチモンを含有していないので毒性の問題もなく、樹脂中への高い分散性を有し、高品質で安価なものである。
【００１２】
本明細書において、粒度分布におけるＤ10、Ｄ50及びＤ90の粒径とは、微粉の量を粒径の小さい方から累積してそれぞれ１０％、５０％及び９０％となる部分の微粉の粒径を意味する。
【００１３】
以下、本発明を更に詳細に説明する：
本発明の製造方法で得られる高導電性超微粉二酸化スズにおいては、二酸化スズの重量基準で０．１〜１０重量％の５価のＮｂ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種のドーパントを含有する。該ドーパントの含有量が０．１重量％未満の場合には、その添加効果が発揮されず、また１０重量％を越えて添加しても添加効果が頭打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼすので好ましくない。本発明の製造方法で得られる高導電性超微粉二酸化スズにおいては、粒度分布におけるＤ90の粒径が０．０１〜５μｍであり、比表面積が５〜１００ｍ2/ｇであり、体積抵抗率が１０-2〜１０3 Ω・ｃｍである。粒度分布におけるＤ90の粒径が０．０１μｍ未満であるか、比表面積が１００ｍ2/ｇを越える場合には、低温焼成でも焼結する傾向が高くなるので好ましくない。また、粒度分布におけるＤ90の粒径が５μｍを越えるか、比表面積が５ｍ2/ｇ未満である場合には、粗大粒子となり、塗料に添加して薄膜として被覆した場合に透明性を損なう傾向が高くなるので好ましくない。本発明の目的を達成するためには体積抵抗率が１０3 Ω・ｃｍ以下であることが必要であり、また、本発明の製造方法で得られる高導電性超微粉二酸化スズの体積抵抗率の下限は１０-2Ω・ｃｍ程度である。
【００１４】
本発明の製造方法においては、用いるＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液は酸性溶液又はアルカリ性溶液のいずれでもよく、またその第二スズ塩、Ｎｂ化合物、Ｔａ化合物としては特に限定されるものではない。例えば、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合には、第二スズ塩として塩化スズ、硫酸スズ、硝酸スズ、酢酸スズ等を用いることができ、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物として塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲン化物等を用いることができ、それらのＮｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、アルコール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用いることができる。また、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液がアルカリ性溶液である場合には、第二スズ塩としてスズ酸ナトリウム、スズ酸カリウム等を用いることができ、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物として塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲン化物、Ｋ2 ＮｂＯＦ5 ・Ｈ2 Ｏ等を用いることができ、それらのＮｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、アルコール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用いることができる。
【００１５】
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液中の第二スズ塩の濃度は０．５〜１０ mol/l（ＳｎＯ2 として７５〜１５００ｇ/l）であることが好ましい。第二スズ塩の濃度が０．５mol/l 未満の場合には生産能力が低すぎ、また第二スズ塩の濃度が１０mol/l を越える場合にはｐＨ値を一定に維持することが困難であり、そのことに起因して粒度分布がブロードになりやすく、またｐＨ電極等へのスケールの付着等の問題が発生しやすくなるので好ましくない。Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液中のＮｂ化合物又はＴａ化合物の濃度は第二スズ塩を二酸化スズに換算した該二酸化スズの重量基準で０．１〜１０重量％であることが好ましい。その添加量が０．１重量％未満の場合には、その添加効果が発揮されず、また１０重量％を越えて添加しても添加効果が頭打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼすので好ましくない。
【００１６】
上記のＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を中和する中和溶液としては、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、炭酸ナトリウム等の水溶液を用いることができ、またＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液がアルカリ性溶液である場合には、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の希釈水溶液を用いることができる。中和溶液の濃度はＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液の濃度の０．５〜５倍であることが好ましい。中和溶液の濃度が希薄過ぎると廃液量がいたずらに増加して廃液処理に費用がかさみ、逆に中和溶液の濃度が濃厚過ぎるとｐＨ値を一定に維持することが困難であり、そのことに起因して粒度分布がブロードになりやすく、またｐＨ電極等へのスケールの付着等の問題が発生しやすくなるので好ましくない。
【００１７】
本発明の製造方法においては、両溶液が出会う反応槽内、好ましくは反応槽の槽底付近で両溶液を一緒に高速撹拌するので、不均一沈殿が未然に防止され、瞬時に両溶液の均一混合、均一核発生、共沈殿物の微細分散が促進される。なお、この際に、反応槽内をｐＨ２〜１２、好ましくはｐＨ３〜９の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持する。このｐＨ範囲を逸脱すると反応効率が低下して二酸化スズの回収率が低下するので好ましくなく、更にｐＨが２未満の場合には粒度分布がブロードで粗大粒子となり、塗料に添加して薄膜として被覆した場合に透明性を損なう傾向が高くなるので好ましくない。また、ｐＨが１２を越える場合には析出粒子がマイナスに帯電するので二次凝集が起こりにくく、粒子径が微細になりすぎ、従って後工程の固液分離が困難になり、また洗浄によってもアルカリ分を除去し切れないため、得られる二酸化スズの導電性を悪化させるので好ましくない。しかし、後記の実施例から明らかなように、ｐＨ３〜７の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持することが特に好ましい。本発明の製造方法において反応槽内を所定の一定ｐＨ値に維持することはＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液及び中和溶液の導入流量を調整することによって容易に達成できる。
【００１８】
本発明の製造方法においては、所定量のＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液及び中和溶液をそれぞれ別々に同時に連続して反応槽に導入し、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反応槽より連続して排出し、好ましくは、所定量のＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液及び中和溶液をそれぞれ別々に同時に連続して反応槽の槽底に導入し、槽底より反応槽上部への連続した上向流となし、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反応槽上部より連続して排出し、そのスラリー量は導入されたＮｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液及び中和溶液の合計量と同量であり、従って常に一定量が反応槽中に滞留する。また両溶液の混合液は常に一定のｐＨに維持されており且つ高速撹拌されており、しかも均一に溶解していたＮｂ又はＴａが核発生のポイントになり同じタイミングでの二酸化スズの均一析出を促進するので、瞬時に両溶液の均一混合、均一核発生、共沈殿物の微細分散が促進され、微細でシャープな粒度分布を持つ水和二酸化スズの均一共沈殿物が連続的に析出される。なお、この沈殿反応は、特には限定されないが、一般的には３０〜９０℃で実施される。
【００１９】
上記のようにして得られたスラリーを固液分離処理（濾過）し、洗浄して共沈殿物を回収し、乾燥し、その後不活性又は弱還元性雰囲気中、３００〜８００℃、好ましくは４５０〜７００℃で焼成する。焼成温度が３００℃未満の場合には二酸化スズが十分には結晶化されないので導電性が不十分である。また、８００℃を越える場合には焼結して粗大粒子が生じ、塗料に添加して薄膜として被覆した場合に透明性が得られない。
【００２０】
本発明の製造方法で採用する焼成雰囲気はＮ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガス雰囲気でも、これらの不活性ガスにＨ2 又はＣＯ等の還元性ガスを２０ vol％以下、好ましくは０．１〜５ vol％の濃度で添加した弱還元性雰囲気でもよい。不活性ガス中に添加する還元性ガスの濃度が２０ vol％を越える還元性雰囲気を用いると、化学量論比の二酸化スズよりも更に還元が進み、空気中に取り出した際に、急激に酸化され、時には発火して焼結することがある。また、還元の進行で生成二酸化スズが濃い茶褐色になり、色調の面で好ましくない。
【００２１】
本発明の製造方法において、詳細は不明であるが、弱還元性雰囲気は二酸化スズ中の電子密度（キャリア濃度）を増加させて導電性を付与するのに貢献している。これは、二酸化スズ焼結体ガスセンサーが水素等の可燃性ガスに触れた際に導電性が向上するという良く知られた現象と類似している。即ち、還元処理により二酸化スズ表面が局部的に金属スズに還元され、フェルミレベルが電導帯に移動して導電化されることによるものと思われる。従って、焼成雰囲気を弱還元性雰囲気とし、二酸化スズＳｎＯ2 の化学量論比から僅かに酸素欠損が生じた程度ＳｎＯ2-x に焼成することが好ましい。詳細な機構は不明であるが、Ｎｂ、Ｔａは焼成工程を通じて導電性付与に寄与し、焼成後はドーパント無しの二酸化スズに比較して酸素欠損を安定に保護し、経時安定性に寄与する。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はかかる実施例によって限定されるものではない。
【００２３】
実施例１
ＮｂＣｌ5 １１．７ｇ（Ｎｂ換算量４ｇ）を４７ｇの３６％ＨＣｌに溶解し、６０重量％ＳｎＣｌ4 溶液１１４１ｇ（ＳｎＯ2 換算量で３９６ｇ）と水７５０ｇとを混合して１．５リットルのＮｂ化合物含有第二スズ塩溶液を得た。また、２５％アンモニア水１．５リットルと水１．５リットルとを混合して３リットルの中和溶液を得た。両溶液を６０００ｒｐｍの高速撹拌中の反応槽の槽底に定量ポンプで連続して送液した。Ｎｂ化合物含有第二スズ塩溶液の流量を４０ml/minに固定し、反応槽内のｐＨ値がｐＨ３、ｐＨ５及びｐＨ７の各値で安定するように中和溶液の流量をそれぞれ５３ml/min付近、５７ml/min付近及び６３ml/min付近で調整した。各々のｐＨにおける反応時間は１０分程であり、この間の反応槽中の温度は各々６０〜８０℃であった。得られた各々のｐＨ毎のスラリーを反応槽の上部より連続して排出し、順次個別に濾過し、洗浄し、乾燥させた後、水平環状炉中でＮ2 ＋Ｈ2 混合ガス（３００ml/min＋２５ml/min）雰囲気下で各々４５０℃で２時間焼成した。
【００２４】
得られた各々の粉末を２ton/cm2 の圧力で加圧成形して試験片を作成し、試験片の体積抵抗率は三菱油化製、抵抗測定器ロレスタＡＰを用いて測定し、粉末の比表面積はカンタクローム製、カンタソーブを用いてＢＥＴ法で測定し、粒度分布はリーズ＆ノースラップインスツルメント社製、マイクロトラックを用いて測定し、色差はスガ試験機製、カラーコンピューター色差計ＳＭ−５型を用いてＬ* 、ａ* 、ｂ* を測定した。ここで、粒度分布測定の前処理として、分散剤ヘキサメタリン酸ソーダを添加した水溶液中に粉末を入れ、１０分間超音波照射した懸濁液を試料として使用した。それらの評価結果を表１に示す。
【００２５】
実施例２
ＴａＣｌ5 １９．８ｇ（Ｔａ換算量１０ｇ）をエタノール１００ｍｌに溶解した溶液及び６０重量％ＳｎＣｌ4 溶液１４１２ｇ（ＳｎＯ2 換算量で４９０ｇ）と水とを混合して１．６リットルのＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を得た。また、中和溶液として２５％ＮａＯＨ水溶液を２．５リットル調製した。この後は実施例１と同様に処理し、実施例１と同様にして評価した。それらの評価結果を表１に示す。
【００２６】
実施例３
３２．３ｇのＫ2 ＮｂＯＦ5 ・Ｈ2 Ｏ（Ｎｂ換算量１０ｇ）を２５％ＮａＯＨ水溶液１００ｍｌに溶解した溶液及びＮａ2 ＳｎＯ3 ・３Ｈ2 Ｏ（４０％Ｓｎ）１９５０ｇ（ＳｎＯ2 換算量で９９０ｇ）と水５９００ｇとを混合して６リットルのＮｂ化合物含有第二スズ塩溶液を得た。また、２０％Ｈ2 ＳＯ4 水溶液を１０リットル調製して中和溶液とした。この両溶液を用いて、ｐＨをそれぞれ５、７及９とする以外は実施例１と同様の処理によって得られた乾燥後の粉末を水平環状炉中でＮ2 ガス流量３００ml/minで各々６００℃、５００℃及び４００℃で２時間焼成した。得られた各々の粉末を実施例１と同様にして評価した。それらの評価結果を表１に示す。
【００２７】
比較例１
Ｎｂを添加しなかった以外は実施例１と同様に処理し、同様に評価した。それらの評価結果を表１に示す。
【００２８】
比較例２
反応槽中のｐＨをそれぞれ１及び１３に変更した以外は実施例１と同様に処理し、同様に評価した。それらの評価結果を表１に示す。
【００２９】
比較例３
特開昭５６−１５６６０６号公報に記載の発明と同様な加熱加水分解法によって超微粉二酸化スズの析出を試みた。即ち、ＳｎＣｌ4 ５１．３ｇ（ＳｎＯ2 換算量で２９．７ｇ）及びＮｂＣｌ5 ８．７ｇ（Ｎｂ換算量０．３ｇ）をエタノール２００ｍｌに溶解させた溶液を９５℃以上に加熱、撹拌中の熱水５００ｍｌ中に１時間かけて滴下した。その後、１時間撹拌を継続して熟成を行い、固液分離し、乾燥した後、Ｎ2 雰囲気下４５０℃で２時間焼成した。得られた粉末の評価結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
0003774481.tif 000002
表１のデータから明らかなように、本発明の製造方法で得られた高導電性超微粉二酸化スズの粒度分布はシャープである。
【００３１】
実施例４
実施例１、２及び３ならびに比較例１においてｐＨ７の条件下で得た導電性超微粉二酸化スズを高温高湿（８０℃、９０％ＲＨ）下に放置し、その体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の経時変化を調べた。その結果は表２に示す通りであった。
【００３２】
【表２】
0003774481.tif 000003
表２のデータから明らかなように、本発明の製造方法で得られた高導電性超微粉二酸化スズは対湿性、経時安定性に優れている。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の製造方法で得られる高導電性超微粉二酸化スズはアンチモンを含有していないので毒性が無く安全であり、アンチモンに起因するような青黒味が無く、それ自体透明性に優れており、着色剤を併用することにより任意の色調を得ることができ、対湿性、経時安定性に優れており、帯電・静電防止又は荷電調整用途に対して十分な導電性を有しており且つ樹脂中への高い分散性を有しているので、繊維、エマルジョン、インク、塗料、紙、プラスチック、ゴム、樹脂等に混入してそれらに導電性を付与することができ、ガスセンサー、ＣＲＴ、ブラウン管等の埃付着防止に利用でき、帯電ローラー、感光ドラム、トナー、光ディスク、ＦＤ、テープ等の磁気記録媒体や太陽電池、液晶ディスプレイ等の内部電極等に用いることができる。