(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱処理装置において加熱処理された基板を，搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって，
前記搬送装置は，搬送制御装置によってその動作が制御されており，
前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され，前記搬送制御装置が前記終了予告信号を受信する工程と，
前記終了予告信号を受信した前記搬送制御装置が，前記搬送装置が他の基板を搬送しているか否かを確認する工程とを有し，
前記搬送装置が他の基板を搬送していない場合には，前記搬送制御装置が前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて，待機させ，
前記搬送装置が他の基板を搬送している場合には，前記搬送装置が前記他の基板の搬送を終了させた後に，前記搬送制御装置は前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて，待機させ，
各基板に予め識別標識を付す工程と，
基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が前記所定位置に待機できなかった場合には，当該終了した加熱処理にかかる基板を要注意基板として前記識別標識に基づいて認識する工程とを，さらに有し，
前記加熱処理は，基板の塗布現像処理工程における露光処理後であって現像処理前の加熱処理であることを特徴とする，基板の搬送方法。
【請求項２】
前記要注意基板を他の加熱処理済みの基板から分別する工程を有することを特徴とする，請求項１に記載の基板の搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の搬送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを照射して露光する露光処理，露光後であって現像処理前のウェハを加熱するポストエクスポージャーベーキング処理，そのポストエクスポージャーベーキング処理後のウェハを冷却する冷却処理，ウェハ上のレジスト膜の現像を行う現像処理等が順次行われている。これらの処理は，個別に設けられた各処理装置において行われ，これらの各処理装置間のウェハの搬送は，各処理装置にアクセス可能な搬送装置によって行われる。
【０００３】
前記ウェハの搬送は，通常，前記搬送装置を制御する主制御装置が各処理装置からの処理終了信号を受信して，これを記憶しておき，一のウェハの搬送が終了する度に前記搬送装置がその記憶されている処理終了信号を認識し，確認してから搬送装置が送信元の当該処理装置に移動し，当該処理装置内で所定の処理の終了したウェハを次工程の行われる処理装置に搬送することによって行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上述した搬送装置の制御機構によると，現ウェハの搬送が終了し，搬送装置が主制御装置の処理終了信号を確認した後にその送信元の処理装置に移動していたため，当該処理装置でのウェハの処理が終了してから当該処理装置にウェハを受け取りに行くまでの時間が，その時の搬送装置の状態や処理終了信号の数によって相異し，また総じて長くなる。したがって，各処理装置間のウェハの搬送が迅速，かつ一定時間に行うことができない。
【０００５】
特に，熱に敏感な化学増幅型のレジスト液を使用した場合には，ポストエクスポージャーベーキング処理では，露光によってレジスト膜内に発生した触媒としての酸を高温にすることによって活性化させ，レジスト膜を現像液に対して可溶にする化学反応を促進させる処理が行われており，その後の冷却処理では，温度を低下させてその酸の触媒作用を停止させる処理が行われている。そのため，ポストエクスポージャーベーキング装置〜冷却処理装置間のウェハの搬送が迅速に行われないと，オーバーベークとなり，酸の触媒作用によって前記化学反応が過剰に進行し，現像液に対して可溶である幅が広くなってしまうため，最終的にはウェハ上に形成される回路パターンの線幅が広くなってしまう。また，ポストエクスポージャーベーキング装置〜冷却処理装置間のウェハの搬送が一定で行われないと，ウェハ間においてウェハ上に形成される回路パターンの線幅が不均一になることが懸念される。
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，加熱処理終了から基板が冷却されるまでの時間を短縮し，一定にする基板の搬送方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
参考例として，加熱処理装置において加熱処理された基板を，搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって，少なくとも基板の加熱処理が終了する際には，前記搬送装置を，前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に待機させる基板の搬送方法が提供される。
【０００８】
このように，前記搬送装置を前記加熱処理が終了する前に，加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に待機させることにより，加熱処理が終了した基板を直ちに受け取り，冷却処理装置に搬送することができる。こうすることにより，加熱処理終了から冷却処理されるまでの時間が短縮され，当該時間が一定に維持される。したがって，加熱処理のオーバーベークや基板上に最終的に形成されるパターンの基板間におけるばらつきが抑制される。
【０００９】
前記参考例において，前記搬送装置が，搬送制御装置によってその動作が制御されており，前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され，前記搬送制御装置は，当該終了予告信号に基づいて前記搬送装置を前記所定位置に移動させる工程を有するようにしてもよい。このように，前記加熱処理装置が加熱処理の終了することを予め前記搬送制御装置に予告し，その予告に基づいて搬送制御装置が搬送装置を前記待機位置に移動させることによって，前記搬送装置が当該加熱処理が終了直前であることをより早い段階で認識し，当該加熱処理が終了する前に前記所定位置に移動し，待機することができる。したがって，加熱処理が終了した際には，前記搬送装置は加熱処理装置内にアクセス可能な位置に待機でき，加熱の終了した基板を直ちに冷却処理装置に搬送することができる。なお，前記所定時間は，搬送装置が前記搬送制御装置の制御によって当該加熱処理が終了する前に前記所定位置に移動できる程度の時間である。
【００１０】
前記参考例において，前記加熱処理が終了した基板を直ちに前記冷却処理装置に搬送するようにしてもよい。このように加熱処理が終了した基板を直ちに搬送すると，加熱処理終了から冷却処理までの時間をより短縮できる。
【００１１】
本発明によれば，加熱処理装置において加熱処理された基板を，搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって，前記搬送装置は，搬送制御装置によってその動作が制御されており，前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され，前記搬送制御装置が前記終了予告信号を受信する工程と，前記終了予告信号を受信した前記搬送制御装置が，前記搬送装置が他の基板を搬送しているか否かを確認する工程とを有し，前記搬送装置が他の基板を搬送していない場合には，前記搬送制御装置が前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて，待機させ，前記搬送装置が他の基板を搬送している場合には，前記搬送装置が前記他の基板の搬送を終了させた後に，前記搬送制御装置は前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて，待機させ，各基板に予め識別標識を付す工程と，基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が前記所定位置に待機できなかった場合には，当該終了した加熱処理にかかる基板を要注意基板として前記識別標識に基づいて認識する工程とを，さらに有し，前記加熱処理は，基板の塗布現像処理工程における露光処理後であって現像処理前の加熱処理であることを特徴とする基板の搬送方法が提供される。なお，前記搬送装置が他の基板を搬送しているとは，基板を保持して基板を搬送する搬送装置の場合には，搬送装置が他の基板を保持しているとしてもよい。
【００１２】
このように，加熱処理装置から前記終了予告信号を受信した搬送制御装置が，先ず搬送装置が他の基板を搬送中であるか否かを確認し，他の基板を搬送中でない場合には，終了予告信号を発信した当該加熱処理装置内の基板を受け取り可能な位置に搬送装置を移動させて，待機させる。また搬送装置が他の基板を搬送中の場合には，その搬送が終了するのを待ってから前記搬送装置を前記所定位置に移動させて，待機させる。こうすることによって，搬送装置が他の基板を搬送中の場合にも好適に対応することができる。また，搬送装置が他の基板を搬送中の場合においても，前記他の基板の搬送が終了した後に他の搬送に優先して直ちに前記搬送装置が前記所定位置に移動するため，加熱処理が終了するまで搬送装置の移動が行われなかった従来に比べて，より早く搬送装置が前記所定位置に移動することができ，その分加熱処理終了から冷却処理までにかかる時間が短縮され，加熱処理のオーバーベークが防止できる。
また，予め各基板に識別標識を付しておき，基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が所定位置に待機できなかった場合，例えば搬送装置の前記所定位置への移動が他の基板を搬送していることによって遅延され，加熱処理が終了するまでに待機できなかった場合に，その時加熱処理されていた基板であって他の基板よりも長時間高温に状態に放置されていると推認される基板を前記識別標識に基づいて要注意基板として認識させることによって，オーバーベークされている可能性の高い基板を認識し，必要な場合には，その要注意基板を他の基板から取り除くこともできる。なお，基板に付される識別標識は，実際に基板上に付されるもののみならず，架空の識別標識，例えばコードを例えば制御装置等において認識させることによって，結果的に各基板を識別できるようにしたものであってもよい。
さらに，基板の塗布現像処理工程における露光処理後の前記加熱処理は，上述したように基板の品質を決定する回路パターンの線幅に大きく影響するものであり，その加熱処理において，加熱処理〜冷却処理までの時間を短縮し，オーバーベークを抑制することは，基板の品質を維持し，歩留まりを向上させる意味で非常に重要である。
【００１３】
参考までに，前記加熱処理が終了した基板を直ちに前記冷却処理装置に搬送するようにしてもよい。このように加熱処理が終了した基板を直ちに搬送すると，加熱処理終了から冷却処理までの時間がより短縮できる。
【００１６】
また，前記要注意基板を他の加熱処理済みの基板から分別する工程を有するようにしてもよい。前記要注意基板を他の基板から分別することによって，その要注意基板を再利用したり，廃棄したりすることができる。したがって，前記基板を再利用できれば，歩留まりの向上が図られ，また，廃棄すれば製品の中に所定の品質水準に達しない基板が含まれることを防止できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は本発明の基板の搬送方法が実施される塗布現像処理システム１の斜視図であり，図２は，その塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【００１９】
図１，図２に示すように、塗布現像処理システム１は，例えば複数のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程において枚葉式に所定の処理をウェハＷに施す各種処理装置をＹ方向に２列に並列させて配置している処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２０】
カセットステーション２は，複数のカセットＣがＸ方向に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２１】
処理ステーション３には，その中央部にＹ方向に延伸する搬送レール１０が設けられており，この搬送レール１０には，搬送レール１０上を移動自在な搬送装置としての主搬送装置１１が設けられている。搬送レール１０を挟んでその両端には，各種処理装置がＹ方向に並んで配置されている。すなわち，搬送レール１０のＸ方向正方向側には，カセットステーション２側から順に，カセットＣから取り出されたウェハＷを洗浄するためのブラシスクラバ１２，ウェハＷに対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置１３，ウェハＷに対して所定の熱処理を行う複数の熱処理装置を多段に配置した処理装置群１４，１５，１６が並べて配置されており，搬送レール１０のＸ方向負方向側には，カセットステーション２側から順に，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７，１８と，露光処理後のウェハＷを現像処理する現像処理装置１９，２０が並べて配置されている。
【００２２】
主搬送装置１１は，上述したＹ方向の他に，図１，図２に示すように回転方向（θ方向），Ｚ方向に移動自在であり，処理ステーション３内の各処理装置とカセットステーション２のウェハ搬送体８及び後述するインタフェイス部４の受け渡し部としてのエクステンション装置３５，３６に対してアクセスし，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。また，主搬送装置１１は，図２に示すように搬送制御装置としての主制御装置２１によって制御可能に構成されており，主搬送装置１１は，主制御装置２１によってウェハＷの処理フローに従ってウェハＷを搬送するように制御されている。
【００２３】
前記処理装置群１４には，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置２２，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置２３，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置２４，２５が下から順に重ねられている。また，処理装置群１５には，クーリング装置２６，２７，現像処理後のウェハＷに加熱処理を施すポストベーキング装置２８，２９が下から順に重ねられている。
【００２４】
処理装置群１６には，クーリング装置３０，３１，露光処理後であって，現像処理前のウェハＷに加熱処理を施す加熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」とする）３２，３３が下から順に重ねられている。また，ＰＥＢ装置３２，３３のケーシングには，図１に示すようにウェハＷの搬入出を行うための搬送口３２ａ，３３ａが搬送レール１０に面してそれぞれ設けられている。また，それらの搬送口３２ａ，３３ａには，ＰＥＢ装置３２，３３内の熱の放熱を防止するためのシャッタ３２ｂ，３３ｂがそれぞれ設けられており，ウェハＷを搬入出する場合にのみ開放されるようになっている。
【００２５】
また，ＰＥＢ装置３２，３３には，図４に示すようにウェハＷのＰＥＢ処理におけるＰＥＢ装置３２，３３の動作を制御するコントローラ３２ｃ，３３ｃが設けられている。このコントローラ３２ｃ，３３ｃは，主制御装置２１にＰＥＢ処理が終了する所定時間Ｔ前であることを予告する終了予告信号としてダミーエンド信号を送信可能に構成されている。なお，所定時間Ｔは予めコントローラ３２ｃ，３３ｃに設定されるものであり，変更可能である。
【００２６】
主制御装置２１は，上述したＰＥＢ装置３２，３３のコントローラ３２ｃ，３３ｃからの信号を受信可能に構成されており，前記ダミーエンド信号を受信することができる。また，主制御装置２１は，上述したように主搬送装置１１を制御するために，主搬送装置１１との間でも信号を送受信可能に構成されており，その信号をやり取りすることによって制御命令を出したり，互いの状態を認識したりすることができるようになっている。また，主制御装置２１には，受信したデータを記憶する記憶機能が設けられており，必要に応じて主制御装置２１で受信した信号を記憶することができるようになっている。
【００２７】
また，主制御装置２１は，処理ステーション３内のＰＥＢ装置３２，３３以外の各処理装置との間でも信号を送受信できるように構成されており，前記各処理装置から発信されたウェハ処理の終了信号を受信し，その信号を前記記憶機能により記憶させておくことができるようになっている。そして主搬送装置１１は，その主制御装置２１内に記憶された前記ウェハ処理終了信号を認識し，確認して，その終了信号の送信元の処理装置まで移動し，ウェハＷを次工程の行われる処理装置まで搬送できるように構成されている。
【００２８】
インタフェイス部４には，図１，図２に示すように処理ステーション３と図示しない露光装置との間のウェハＷの搬送を行う搬送体４０がＸ方向，Ｚ方向，θ方向に移動自在に設けられている。インタフェイス部４の処理ステーション３側であって搬送レール１０の延長線上には，主搬送装置１１と搬送体４０との間でウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３５，３６が下から順に重ねられて配置されている。各エクステンション装置３５，３６は，図示しないウェハＷを載置するため載置台とウェハＷを昇降させるための昇降ピンとを備えている。また，エクステンション装置３５は，主搬送装置１１から搬送体５にウェハＷが搬送される際に利用され，エクステンション装置３６は，搬送体５から主搬送装置１１にウェハＷを搬送される際に利用される。
【００２９】
次に，以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの搬送方法をフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００３０】
先ず，カセットステーション２において，ウェハ搬送体８がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，そのウェハＷを主搬送装置１１が直接ウェハ搬送体８から受け取る。次いで主搬送装置１１がウェハＷをブラシスクラバ１２，水洗洗浄装置１３に順次搬送し，さらに，処理装置群１４に属するアドヒージョン装置２３，クーリング装置２２に順次搬送し，ウェハＷは各装置において所定の処理が施される。次に，ウェハＷは主搬送装置１１によってレジスト塗布装置１７又は１８に搬送され，化学増幅型のレジスト液がウェハＷ上に塗布され，ウェハ表面にレジスト膜が形成される。そして，その表面にレジスト膜が形成されたウェハＷは，再び主搬送装置１１によってプリベーキング装置２４又は２５，クーリング装置２６に順次搬送され，所定の処理が施される。
【００３１】
次に，クーリング装置２６又は２７によって所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１１によってインタフェイス部４のエクステンション装置３５に搬入され，図示しない載置台上に載置される。次いで，ウェハＷは搬送体４０によって図示しない露光装置に搬送され，ウェハＷ上に所定のパターンが露光される。このとき，露光部におけるレジスト膜中には，レジスト膜の現像液に対する可溶化反応の触媒としての役割を果たす酸が発生する。そして，露光処理の終了したウェハＷは，再び搬送体４０によってエクステンション装置３６に搬送され，その後主搬送装置１１によって，ＰＥＢ装置３３の搬送口３３ａからＰＥＢ装置３３内に搬送される。
【００３２】
以下のウェハ処理については，図５のフローチャートに沿って説明する。先ず，ウェハＷはＰＥＢ装置３３において所定温度で加熱され，レジスト膜中の酸が活性化し，レジスト膜の露光部における現像液に対する可溶化反応が促進される。そして，加熱処理終了の所定時間Ｔ前になると，コントローラ３３ｃから主制御装置２１に加熱処理終了直前であることを予告するダミーエンド信号が送信される。
【００３３】
前記ダミーエンド信号を受信した主制御装置２１は，直ちに主搬送装置１１が他のウェハＷを保持しているか否かを確認し，保持していない場合には，主搬送装置１１に対してＰＥＢ装置３３内のウェハＷを受け取り可能な所定位置Ｐ，すなわちＰＥＢ装置３３のシャッタ３３ｂの前の位置に移動するように命令する。そしてその命令を受けた主搬送装置１１は，図６に示すように搬送レール１０上を移動して，前記所定位置Ｐに移動し，搬送口３３ａのシャッタ３３ｂが開放されるまで待機する。
【００３４】
一方，主搬送装置１１が他のウェハＷを保持していた場合には，前記ダミーエンド信号を主制御装置２１に記憶し，随時主搬送装置１１におけるウェハＷ保持の有無を確認し，主搬送装置１１の前記他のウェハＷの搬送作業が終了して，主搬送装置１１がいわゆる空の状態になったところで，所定位置Ｐへの移動命令を出す。
【００３５】
その後，ＰＥＢ装置３３の加熱処理が終了し，シャッタ３３ｂが開放されると，待機していた主搬送装置１１が直ちにウェハＷをＰＥＢ装置３３内から搬出し，クーリング装置３１に搬送する。
【００３６】
クーリング装置３１に搬送されたウェハＷは，所定の温度にまで冷却され，このとき酸の触媒作用が停止される。
【００３７】
その後，ウェハＷは主搬送装置１１によって現像処理装置１９又は２０に搬送され，現像処理に付される。そして現像処理の終了したウェハＷは，再び主搬送装置１１よってポストベーキング装置２８又は２９，クーリング装置２７に順次搬送され，その冷却処理の終了したウェハＷは，搬送レール１０上をＹ方向負方向側に搬送され，カセットステーション２のウェハ搬送体８に受け渡される。そしてウェハ搬送体８によってカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００３８】
以上の実施の形態では，ＰＥＢ装置３３が予めダミーエンド信号を主制御装置２１に送信し，そのダミーエンド信号を受信した主制御装置２１の命令により，主搬送装置１１がＰＥＢ装置３３前の前記所定位置Ｐに移動し，そこでＰＥＢ処理が終了するのを待機するので，ウェハＷのＰＥＢ処理が終了し，シャッタ３３ｂが開放された際に，直ちにウェハＷを受け取り，クーリング装置３１に搬送することができる。したがって，ＰＥＢ処理の終了したウェハＷがＰＥＢ装置３３内で主搬送装置１１が来るのを待っていることが無くなるため，ＰＥＢ処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され，また一定に保たれる。
【００３９】
また，ダミーエンド信号を受信した主制御装置２１が，主搬送装置１１に前記移動命令を出す前に，主搬送装置１１が他のウェハＷを搬送しているか否かを確認し，搬送している場合には，その搬送が終了した後直ぐに前記移動命令を出すようにしたため，主搬送装置１１が他のウェハＷの搬送によって直ちに前記所定位置Ｐに移動できない場合にも適切に対応できる。また，ウェハＷのＰＥＢ処理が終了した後にその終了信号が主制御装置２１に発信され，その後主搬送装置１１がその終了信号を確認した後前記所定位置Ｐに移動していた従来と比べて，主搬送装置１１がより早くウェハＷの受け取り可能な所定位置Ｐに移動することができるため，この場合においても，ＰＥＢ処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され，また一定に保たれる。
【００４０】
以上の実施の形態は，ＰＥＢ処理終了前には，必ず主搬送装置１１がＰＥＢ装置３３にアクセス可能な所定位置Ｐに移動している場合であったが，主搬送装置１１の他のウェハＷの搬送に長時間要し，ＰＥＢ処理終了時に間に合わない場合も想定される。このような場合の措置として，そのオーバーベークしたウェハＷを適切に処理されたウェハＷと分別することが提案される。
【００４１】
例えば，予め各ウェハＷ毎に識別標識としての架空の番号を付しておき，その番号を例えば主制御装置２１に認識させておく。そして，主搬送装置１１がＰＥＢ処理終了時に間に合わなかった場合は，その時処理されていたウェハの番号を主制御装置２１が要注意ウェハとして認識する。その後その要注意ウェハが所定の処理フローに従って処理され，カセットステーション２のカセットＣに搬送されるときに，例えば図７に示すように要注意ウェハ用にカセットＣ１を設けておき，そこに分別して載置するようにする。こうすることによって，オーバーベークされたウェハＷと正常にＰＥＢ処理されたウェハＷを分別することができ，製品の中から品質の劣悪なものを取り除くことができる。
【００４２】
また，ＰＥＢ装置３３でオーバーベークされたウェハＷを，その後の処理をしないで直ちにカセットステーション２に搬送し，前記要注意ウェハ用のカセットＣ１に搬入するようにしてもよい。このような場合には，現像処理等が行われていないため，ウェハ上のレジスト膜を取り除きウェハを再利用することが可能になる。
【００４３】
なお，通常は主搬送装置１１がＰＥＢ処理終了に間に合わないことがないように，前記コントローラ３３ｃの所定時間Ｔの設定時間を余裕を持って長めに設定しておいた方がよい。
【００４４】
以上の実施の形態にかかるウェハＷの搬送方法は，ＰＥＢ装置３３からクーリング装置３１間の搬送であったが，他の加熱処理装置〜冷却処理装置間，例えばプリベーク装置２４又は２５〜クーリング装置２６間，ポストベーク装置２８又は２９〜クーリング装置２７間においても応用できる。
【００４５】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハＷの搬送方法についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の搬送方法においても応用できる。
【００４６】
【発明の効果】
請求項１〜８の発明によれば，基板の加熱処理が終了する前に，基板の搬送装置が前記加熱処理の行われている加熱処理装置内の基板を受け取り可能な位置で待機し，加熱処理の終了した基板を直ちに冷却処理装置に搬送することができるため，加熱処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され，一定に保たれる。したがって，オーバーベークや基板間における熱履歴の差異が抑制され，基板上に所定のパターンが形成されるため歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるウェハの搬送方法が実施される塗布現像処理システムの外観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【図３】塗布現像処理システムの処理装置群内における処理装置の配置例を示す説明図である。
【図４】主搬送装置を制御するにあたっての制御機構の構成を模式的に示す説明図である。
【図５】主制御装置に関するウェハ処理のフローチャートを示す。
【図６】主搬送装置が所定位置で待機している状態を示す塗布現像処理システムの状態図である。
【図７】カセットステーションに要注意用のカセットを設けた場合の塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１１    主搬送装置
２１    主制御装置
３３    ＰＥＢ装置
３３ｃ  コントローラ
Ｐ    所定位置
Ｗ    ウェハ
【図１】
0003793004.tif 000002
【図２】
0003793004.tif 000003
【図３】
0003793004.tif 000004
【図４】
0003793004.tif 000005
【図５】
0003793004.tif 000006
【図６】
0003793004.tif 000007
【図７】
0003793004.tif 000008