(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ふっ素樹脂に酸素濃度１０-3mol ／ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ＫＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射したものであり、且つ結晶化熱量が４０Ｊ／ｇ以下で融点が３２５℃以下である改質ふっ素樹脂を用い、該改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも１層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなることを特徴とするプリント回路用積層基板。
【請求項２】
前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエチレン系重合体からなる請求項１記載のプリント回路用積層基板。
【請求項３】
前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が２６Ｊ／ｇ以下で融点が３０５℃以下である請求項１記載のプリント回路用積層基板。
【請求項４】
前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体からなる請求項３記載のプリント回路用積層基板。
【請求項５】
前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が９Ｊ／ｇ以下で融点が２７５℃以下である請求項１記載のプリント回路用積層基板。
【請求項６】
前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体からなる請求項５記載のプリント回路用積層基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波における電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路積層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電気、電子機器には、各種のプリント配線板が組み込まれているが、機器の高性能化、小型化に伴ない、これら配線板にもより優れた電気特性や機械強度が求められている。なかでも、高周波無線回路やマイクロ波用の配線板においては、高周波帯域における誘電特性に優れ、高温での半田作業に耐えられる耐熱性に優れたものが要望されている。このため、テトラフルオロエチレン系重合体（以下「ＰＴＦＥ」という）のような誘電率の低いふっ素樹脂を絶縁基材に使用したプリント回路用積層基板の開発が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＰＴＦＥと金属層を積層した基板であっても誘電特性が必ずしも十分であるとはいえず、また、高温で変形し易い等の問題があり、適用範囲が制限されたものとなっている。
【０００４】
従って、本発明の目的は、高周波における電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路用積層基板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、ふっ素樹脂に酸素濃度１０-3mol ／ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ＫＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射したものであり、且つ結晶化熱量が４０Ｊ／ｇ以下で融点が３２５℃以下である改質ふっ素樹脂を用い、該改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも１層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなることを特徴とするプリント回路用積層基板を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に使用されるふっ素樹脂としては、ＰＴＦＥ、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体（以下ＰＦＡという）、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体（以下ＦＥＰという）が挙げられる。
【０００７】
上記ＰＴＦＥの中には、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ヘキサフルオロプロピレン、（パーフルオロアルキル）エチレン、あるいはクロロトリフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合単位を１モル％以下含有するものも含まれる。また、上記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中に少量の第３成分を含むことは有り得る。
【０００８】
本発明においては、改質ふっ素樹脂の物性を結晶化熱量が４０Ｊ／ｇ以下、融点が３２５℃以下と規定しているが、この規定値を外れると、高周波における電気特性や高温での機械特性が著しく低下する。なお、ふっ素樹脂がＰＦＡのときは、融点が３０５℃以下、結晶化熱量が２６Ｊ／ｇ以下とすることが好ましく、ＦＥＰのときは融点が２７５℃以下、結晶化熱量が９Ｊ／ｇ以下とすることが好ましい。
【０００９】
本発明において、熱特性の評価には示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、５０〜３６０℃の間で１０℃／min の昇・降温スピードにより昇温、降温を２サイクル繰り返し、２回目の昇温時のＤＳＣ曲線の吸熱ピーク温度を融点とし、２回目の降温時の発熱ピークとベースラインに囲まれたピーク面積からＪＩＳＫ７１２２に準じ、結晶化熱量を求めた。
【００１１】
本発明においては、電離性放射線としては、γ線、電子線、Ｘ線、中性子線、あるいは高エネルギーイオン等が使用される。電離性放射線の照射を行うに際しては、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱しておく必要がある。例えばふっ素樹脂としてＰＴＦＥを使用する場合には、この材料の結晶融点である３２７℃よりも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離性放射線を照射する必要があり、また、ＰＦＡやＦＥＰを使用する場合には、前者が３１０℃、後者が２７５℃に特定される融点よりも高い温度に加熱して照射する。ふっ素樹脂をその融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と分解を招くようになるので、このような解重合現象の発生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の融点よりも１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきである。
【００１２】
ふっ素樹脂の改質は、ふっ素樹脂粉体に電離性放射線を照射して行ってもよく、また、シート、ブロックまたはその他の形状のふっ素樹脂成形体に電離性放射線を照射して行ってもよい。
【００１３】
本発明において、改質ふっ素樹脂からなる層を含む絶縁基材の表面に形成される金属層には、一般に銅が使用され、メッキ、あるいは電解箔銅や圧延銅箔を接着することにより形成される。
【００１４】
【実施例】
［実施例１］
厚さ０．５mmの市販ＰＴＦＥフィルムに対して、酸素濃度１０−５mol ／ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線（加速電圧２ＭｅＶ）を照射線量が１００ＫＧｙとなるように照射して改質ＰＴＦＥフィルムを作製した。このフィルムの表面をナトリウム／ナフタレン溶液で接着可能処理を行った。続いて下記（１）〜（５）の素材を順次重ね合わせて熱プレスに挿入し、３６０℃で１０分間加圧、加熱してプリント回路用積層基板を作製した。
【００１５】
（１）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
（２）改質ＰＴＦＥフィルム（０．５mm厚）
（３）ＰＴＦＥ含浸ガラスクロス（６０μｍ厚）
（４）改質ＰＴＦＥフィルム（０．５mm厚）
（５）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
［実施例２］
実施例１の改質ＰＴＦＥフィルムを使用し、下記（１）〜（５）の素材を順次重ね合わせて熱プレスに挿入し、３６０℃で１０分間加圧、加熱してプリント回路用積層基板を作製した。
【００１６】
（１）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
（２）ガラスクロスとＰＦＡの複合フィルム（スパッタエッチング処理、８０μｍ厚）
（３）改質ＰＴＦＥフィルム（０．５mm厚）
（４）ガラスクロスとＰＦＡの複合フィルム（スパッタエッチング処理、８０μｍ厚）
（５）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
［比較例］
下記（１）〜（５）の素材を順次重ね合わせて熱プレスに挿入し、３６０℃で１０分間加圧、加熱してプリント回路用積層基板を作製した。
【００１７】
（１）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
（２）ＰＴＦＥフィルム（未改質、ナトリウム／ナフタレン処理、０．５mm厚）
（３）ＰＴＦＥ含浸ガラスクロス（６０μｍ厚）
（４）ＰＴＦＥフィルム（未改質、ナトリウム／ナフタレン処理、０．５mm厚）
（５）表面粗化銅箔（３５μｍ厚）
実施例１、２及び比較例のプリント回路用積層基板についての特性評価を行い、その結果を表１に示した。また、表１にＰＴＦＥフィルムの融点及び結晶化熱量を併記した。なお、測定は、次に基づいて行った。
【００１８】
（１）融点、結晶化熱量
改質ＰＴＦＥフィルム及びＰＴＦＥフィルムについて、前述した方法に基づいて測定した。
【００１９】
（２）誘電率
ＡＳＴＭＤ３３８０に準拠して測定した（測定周波数：１０ＧＨｚ）。
【００２０】
（３）引き剥がし強さ、はんだ耐熱性
ＪＩＳＣ６４８４に準拠して測定した。
【００２１】
【表１】
0003775074.tif 000002
【００２２】
【発明の効果】
以上説明してきた本発明によれば、実施例と比較例との対比からも明らかなように、高周波における電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路用積層基板を実現できるようになる。