(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる基材部と、該基材部に担持された発熱抵抗体とを備えるセラミックヒータにおいて、上記セラミックスは、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、これにＳｉ、Ｍｇ及びＣａの酸化物を含み、上記発熱抵抗体には、該発熱抵抗体を構成する金属元素とＡｌとを含む結晶質の化合物並びにＭｇ、Ａｌ及びＳｉを含む結晶質の化合物のうちの少なくとも一方が含有されていることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
上記セラミックスの結晶粒界には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＣａのうちの２種以上の元素を含む結晶質の化合物が含有されている請求項１記載のセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミナを主成分とするセラミックスを用いたセラミックヒータに関する。本発明のセラミックヒータは、自動車用酸素センサ、内燃機関用グロープラグ、半導体加熱用セラミックヒータ又は石油ファンヒータ等の石油気化器用熱源などに利用される。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックヒータは、加圧成形、押出成形等によって得られる平板或いは円筒など、所望の形状のセラミック基材の表面に、白金、モリブデン、タングステン等融点の高い金属を含むペーストを厚膜印刷して発熱抵抗体パターンを形成し、これらを一体に焼成することにより製造されている。セラミック基材を構成する主成分としてアルミナ、高融点金属としてタングステンを用い、一体に焼成して得られるセラミックヒータがその代表例である。このセラミックヒータは高温において安定であるため、従来より、例えば自動車用酸素センサ或いはグロープラグ等の高温に晒される用途に使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、セラミックヒータに電圧を印加し、発熱して高温となった場合に、発熱抵抗体或いはセラミックス中に、焼結助剤に含まれるアルカリ土類金属或いは不純物としてアルミナ中に含まれているアルカリ金属等の陽イオンが移動する、所謂マイグレーションと呼ばれる現象を生ずる。これら陽イオンは陰極端子側に偏析し、その結果、発熱抵抗体の抵抗が変化し、最終的に断線に至る。このマイグレーションは、高電圧を印加した場合、又はセラミックヒータの温度が高いほど生じ易く、また、発熱抵抗体或いはセラミックスの結晶粒界などにイオン化し易い物質が多いほど発生し易い。更に、発熱抵抗体中或いはセラミックスの結晶粒界に存在する気孔によっても、セラミックヒータの耐久性は低下する。
【０００４】
上記の問題を解決するため、従来より、セラミックヒータの構造及び基材部を構成するセラミックスの組成或いは発熱パターンを形成する抵抗体材料等、構造、材料両面からの改良が試みられている。例えば、(1) 特開平１−２２５０８７号公報、(2) 特開平３−３２９２９１号公報などが知られている。これらのうち上記(1) は高温環境下におけるヒータの長寿命化を、主成分であるＡｌ2 Ｏ3 及び焼結促進成分であるＳｉＯ2 、ＭｇＯ及びＣａＯの量比を特定することにより達成しようとするものである。また、上記(2) は筒状等のセラミックス層の表面に陽極側端子と陰極側端子とを、できるだけ離れた位置に対向して配置することによりマイグレーションを抑え、セラミックヒータの耐久性を高めようとするものである。
【０００５】
しかし、上記(1) の公報に記載された方法では、Ａｌ2 Ｏ3 の他、焼結促進成分の量比に特に留意しながら配合する必要がある。また、上記(2) の公報に記載された方法では、陽極側、陰極側それぞれの端子を特定の位置に配置しなければならず、セラミックヒータの構造に制約がある。
【０００６】
本発明は、上記の従来のセラミックヒータが有する問題点を解決するものであり、マイグレーションし易い元素を含む結晶質の化合物を生成させ、それら元素を移動し難くし、且つ発熱抵抗体或いはセラミックス、特にその結晶粒界に存在する気孔を少なくし、その径を小さくすることにより、耐久性に優れたセラミックヒータを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１発明のセラミックヒータは、セラミックスからなる基材部と、該基材部に担持された発熱抵抗体とを備えるセラミックヒータにおいて、上記セラミックスは、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、これにＳｉ、Ｍｇ及びＣａの酸化物を含み、上記発熱抵抗体には、該発熱抵抗体を構成する金属元素とＡｌとを含む結晶質の化合物並びにＭｇ、Ａｌ及びＳｉを含む結晶質の化合物のうちの少なくとも一方が含有されていることを特徴とする。
【０００８】
上記「セラミックス」は「Ａｌ2 Ｏ3 」を主成分とし、その原料としては純度９０％以上の高純度のＡｌ2 Ｏ3 粉末が使用される。また、セラミックスの結晶粒界には、Ｓｉ、Ｍｇ及び／又はＣａを含むガラス質相がある。これらの成分は、焼結助剤として用いられるＳｉＯ2 、ＭｇＯ及び／又はＣａＯの粉末或いは加熱によって酸化物となるＭｇ、Ｃａの炭酸塩などの粉末を原料とし、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とともに焼成され、結晶粒界に含有されている。
【０００９】
上記「発熱抵抗体」は、タングステン、白金、モリブデンなどの金属元素によって構成される。この発熱抵抗体に含有される上記「結晶質の化合物」としては、例えば、タングステンにより構成される発熱抵抗体である場合、ＡｌＷＯ4 、Ｍｇ2 Ａｌ4 Ｓｉ5 Ｏ18等が挙げられる。このように結晶質の化合物は、発熱抵抗体を構成する金属元素を含む場合もあり、この金属元素を含まず、セラミックスに含まれる元素のみを含む場合もある。いずれにしてもセラミックスに含まれていて、マイグレーションする可能性のある元素を結晶質の化合物の中に固定して移動し難くすることにより、マイグレーションが抑えられ、セラミックスの耐久性が向上する。
【００１０】
また、本発明では、第２発明のように、セラミックスの「結晶粒界」に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＣａのうちの２種以上の元素を含む結晶質の化合物が含有されているセラミックヒータとすることもできる。この結晶質の化合物としては、Ｃａ3 Ｓｉ2 Ｏ7 、Ｃａ2 Ａｌ2 ＳｉＯ7 等が挙げられる。このようにセラミックスの結晶粒界においても、この結晶粒界を構成する酸化物に含まれる元素（例えばＣａ、Ｓｉ等）、更には結晶粒子を構成する元素（例えばＡｌ）を含む結晶質の化合物が含有されておれば、より効果的にそれら元素のマイグレーションが防止される。
【００１１】
本発明において、セラミックヒータの耐久性は、大気雰囲気中で、セラミックヒータに定格電圧の２倍の電圧を１００時間印加した場合に、発熱抵抗体の発熱部において断線する割合によって評価できる。本発明では、この方法によって評価した断線の割合が１０％以下の、優れた耐久性を有するセラミックヒータを得ることができる。尚、この印加電圧の高い評価方法は加速試験であり、例えば自動車用酸素センサなどの用途では、通常、定格電圧は１２ボルトであり、実使用時には、この評価方法によって断線に至る時間とは比較にならないほど長時間の使用に耐えるものであると考えられる。
【００１２】
本発明のセラミックヒータは、水素雰囲気中で、１４００〜１６００℃の温度範囲内の温度で焼成した後、水素雰囲気中で、１４００〜１６００℃の温度範囲内の温度で熱処理する工程を１〜３回実施することにより製造することができる。尚、上記の雰囲気、温度に晒す時間は１回につき０．５〜３時間とすることが好ましい。
【００１３】
また、本発明のセラミックヒータは、水素雰囲気中で、１４００〜１６００℃の温度範囲内の温度で焼成した後、大気雰囲気中で、９００℃以上、１０００℃未満の温度範囲の温度で５０〜１００時間、又は１０００℃以上、１１００℃未満の温度範囲の温度で４．５〜１００時間、又は１１００℃以上、１２００℃以下の温度範囲の温度で０．５〜１００時間熱処理し、上記発熱抵抗体中に、該発熱抵抗体を構成する金属元素とＡｌとを含む結晶質の化合物並びにＭｇ、Ａｌ及びＳｉを含む結晶質の化合物のうちの少なくとも一方を生成させることにより製造することができる。
【００１４】
本発明のセラミックヒータの製造方法において、焼成温度が１４００℃未満では、緻密化が十分に進まず、気孔の多いセラミックスとなって、セラミックヒータの耐久性が低下する。一方、焼成温度が１６００℃を越えると、Ａｌ２Ｏ３の異常な結晶粒成長を生じ、結晶粒界等に気孔が生成し易く、セラミックヒータの耐久性が低下する。この焼成温度は、１４５０〜１６００℃、特に１５００〜１６００℃とすることが好ましく、この範囲の焼成温度であれば、緻密化も十分に進み、異常な結晶粒成長を生ずることもない。尚、焼成時間は３０分〜２時間、特に１〜２時間とすることが好ましい。また、上記「水素雰囲気」とは、水素、窒素及び水蒸気からなる雰囲気である。
【００１５】
また、焼成とほぼ同様の雰囲気、温度に晒す工程の回数が４回になると、Ａｌ２Ｏ３及びタングステン等の金属元素の結晶粒が成長しすぎ、結晶粒界が疎な構造となって、比較的大きな気孔等の欠陥を生ずる。この欠陥部においては、抵抗発熱体に通電したとき特に温度が高くなり、マイグレーションし易くなってセラミックヒータの耐久性が低下する。上記の熱処理工程の回数は、特に２回とすることが好ましく、特定の結晶質の化合物が十分に生成してマイグレーションが抑えられ、且つ緻密化も十分に進み、異常な結晶粒成長もなく、より優れた耐久性を有するセラミックヒータを得ることができる。
【００１６】
更に、本発明のセラミックヒータの製造方法において、熱処理温度が９００℃未満である場合は、結晶質の化合物が生成するための結晶核が形成されず、この特定の結晶質の化合物が生成しない。一方、熱処理温度が１２００℃を越えると、基材部の結晶粒界が熱エッチングの効果で表面からエッチングされるため、欠陥を生じ易い。また、熱処理時間がそれぞれの温度範囲における下限値未満である場合は、特定の結晶質の化合物の生成が不十分であって、マイグレーションが抑えられない。更に、気孔も十分に少なくならず、その径も小さくならないため、セラミックヒータの耐久性も向上しない。一方、熱処理時間は、熱処理温度が９００℃で１００時間で十分である。
【００１７】
上記の熱処理温度と熱処理時間とは、特定の結晶質の化合物が十分に生成するように適宜組み合わせる必要がある。例えば、熱処理温度が９００〜１０００℃の範囲では、熱処理時間は５０時間以上、特に温度が９００〜９５０℃の範囲では７５時間以上とすることが好ましい。また、熱処理温度が１０００℃以上の場合は、熱処理時間を４．５時間まで短縮してもよい。更に、熱処理温度が１１００℃以上の場合は、熱処理時間が２４時間以下、２時間以上とすれば、セラミックヒータの耐久性を十分に向上させることができる。
【００１８】
セラミックヒータの断線メカニズムについては、例えば、特開平４−３２９２８９号公報及び特開平５−５１２７５号公報にも述べられているように、一般に以下のように考えられている。セラミックス中に存在する微量成分のマイグレーションにより、例えばアルカリ金属或いはアルカリ土類金属の陽イオンが陰極側に移動する。一方、酸素イオンが陽極側に移動し、発熱抵抗体を構成する金属元素と反応して、例えばタングステンを使用しておれば酸化タングステンを生じる。その際、体積膨張により基材部を構成するセラミックスにクラックを生じ、そのクラックを通じて侵入する外気酸素により更に急激に上記金属元素が酸化され、その結果、陽極側端子部、メタライズ部、リード部及び発熱抵抗体の剥離、崩壊を生ずることになる。
【００１９】
一方、本発明のセラミックヒータでは、焼成した後、ほぼ同様の条件で実施する熱処理又は温度範囲及び時間等を特定した熱処理によって、発熱抵抗体或いはセラミックス、特にその結晶粒界に、マイグレーションし易い元素を含む特定の結晶質の化合物を生成させ、マイグレーションを抑えている。また、発熱抵抗体及びセラミックス、特にその結晶粒界における気孔を減少させ、且つその径の小さいものにしている。それらの効果によって、本発明では、セラミックヒータの耐久性を向上させているものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のセラミックヒータは、平板状或いは丸棒状等の形状のものとすることができる。平板状セラミックヒータの場合、アルミナ材質の２枚のグリーンシートの間に、タングステン等の金属元素からなる発熱抵抗体パターンを設け、これらを一体に焼成することにより得られる。この発熱抵抗体パターンは焼成されて発熱抵抗体となり、その先端側には発熱部が、後端側にはリード部を介して電極端子部が形成され、使用時には、この部分にリード線引き出し用端子が接合され、電源に接続される。
【００２１】
一方、丸棒状セラミックヒータの場合、ヒータの基本構造は平板状のものと同様であるが、電極端子部近傍の構造がやや複雑になっている。即ち、表面側となるグリーンシートの電極端子部が形成される位置にスルーホールを設け、このスルーホールを介して電極端子部と発熱抵抗体の後端側の電極端末部とが接続される構造にしたものである。そして、このスルーホールが設けられたグリーンシートに、他のグリーンシートを圧着し、一体となったものをアルミナ製碍管に巻着し、焼成することにより丸棒状ヒータが得られる。使用時には、電極端子部にリード線引き出し用端子が接合され、電源に接続される。
【００２２】
【実施例】
以下、実験例及び比較例により、本発明のセラミックヒータの性能を詳しく説明する。
（１）セラミックヒータの構造
図３は、丸棒状セラミックヒータの分解斜視図である。このセラミックヒータは、アルミナ材質のグリーンシートが焼成されてなる層（以下、焼成セラミックス層という。）１ａ及び１ｂの間に、タングステンからなる発熱抵抗体２を設けたものである。焼成セラミックス層１ａを構成することとなるグリーンシートには、陽極側及び陰極側端子部にあたる位置にスルーホール２４ａ、２４ｂが設けられている。そして圧着されたグリーンシートがアルミナ製碍管３に巻着され、焼成されて丸棒状セラミックヒータが形成される。尚、碍管３は円柱状の中実体であってもよいが、図示の通りの円管状でもよい。
【００２３】
上記発熱抵抗体２は、その先端側の発熱部２１と、後端側の陽極側端末部２２ａ及び陰極側端末部２２ｂと、発熱部２１と両端末部２２ａ、２２ｂとを結ぶリード部２３ａ、２３ｂにより構成される。また、焼成セラミックス層１ａにはスルーホール２４ａ、２４ｂが設けられ、このスルーホール２４ａ、２４ｂにより形成される導通部、及び該導通部を通じて、上記の両端末部２２ａ、２２ｂと各々導通される陽極側端子部及び陰極側端子部２５ａ、２５ｂが設けられる。更に、両端子部２５ａ、２５ｂには、電源に接続されるリード線引き出し用端子が接合される。
【００２４】
（２）セラミックヒータの作製方法
セラミックヒータを構成するセラミックスからなる基材部は、２枚のグリーンシートを使用して作製した。
a) グリーンシートの作製
Ａｌ2 Ｏ3 粉末（純度；９９．９％、平均粒径；１．８μｍ）と、焼結助剤であるＳｉＯ2 （純度；９９．９％以上、平均粒径；１．４μｍ）、ＣａＯとなるＣａＣＯ3 （純度；９９．９％以上、平均粒径；３．２μｍ）、ＭｇＯとなるＭｇＣＯ3 （純度；９９．９％以上、平均粒径；４．１μｍ）及び必要に応じて添加されるＹ2 Ｏ3 等の微量粉末からなる所定割合で配合された配合物１００重量部に対し、ポリビニルブチラール８重量部、ジブチルフタレート４重量部、メチルエチルケトンとトルエンとを合計量で７０重量部添加し、ボールミルで混合してスラリ状とした。その後、減圧脱泡し、ドクターブレード法によって厚さ０．３ｍｍの２枚のグリーンシートを作製した。
【００２５】
b) 発熱パターンの印刷
１枚のグリーンシートの一表面に、予め調製されたタングステンペーストを厚膜印刷法により２５μｍの厚さにスクリーン印刷し、焼成されて発熱抵抗体２を構成することとなる発熱抵抗体パターン、即ち焼成されて発熱部２１、陽極側端末部２２ａ、陰極側端末部２２ｂ及びリード部２３ａ、２３ｂとなるパターンを形成した。発熱抵抗体パターンの発熱部２１の幅は４００μｍとし、その軸方向の長さを２０ｍｍとし、リード部２３ａ及び２３ｂの幅は２．５ｍｍ、また、グリーンシートの焼成後の長さは６５ｍｍである。
【００２６】
c) セラミックヒータ成形体の作製
その後、上記のグリーンシートの他表面の所定位置に、タングステンペーストを使用して厚膜印刷法により、陽極側端子部２５ａ及び陰極側端子部２５ｂを印刷し、次いで、陽極側端末部２２ａと陽極側端子部２５ａ、及び陰極側端末部２２ｂと陰極側端子部２５ｂを各々電気的に接続するように、タングステンペーストをスルーホール２４ａ、２４ｂに充填し、その後、このグリーンシートの一表面に他のグリーンシートの一表面を圧着した。次いで、この他のグリーンシートの他表面にアルミナペースト（共素地）を塗布し、この塗布面をアルミナ製碍管側としてアルミナ製碍管３に巻き付け、外周を押圧してセラミックヒータ成形体を得た。
【００２７】
d) セラミックヒータ成形体の焼成
上記のようにして得られたセラミックヒータ成形体を２５０℃で樹脂抜きし、その後、水素雰囲気中で、１５５０℃で１時間３０分保持（表１、２の実験例１〜１４、１７、２０、２２及び２４〜２８）して焼成し（表１、２の実験例１５、１６、１８、１９、２１、２３、２９及び３０では、括弧内の温度、時間が焼成の条件である。）、焼成セラミックス層１ａ、１ｂ、発熱抵抗体２、陽極側及び陰極側端子部２５ａ、２５ｂ及びアルミナ製碍管３が一体化された直径２．５ｍｍ、長さ６５ｍｍのセラミックヒータを得た。セラミックヒータの常温における抵抗は５．０Ωとなるようにした。使用時には、陽極、陰極両端子部２５ａ、２５ｂに各々ニッケルメッキを施し、リード線引き出し用端子を、ロー材により両端子部２５ａ、２５ｂに接合し、このリード線引き出し用端子を電源に接続する。このセラミックヒータは定格電圧は直流１２Ｖであり、その電圧印加により、静止大気中で最高温度部は約１０００℃に達するものである。
【００２８】
（３）セラミックヒータの焼成と同じ条件での熱処理又は温度範囲、時間等を特定した熱処理
▲１▼焼成と同じ条件での熱処理；上記（２）、d)のセラミックヒータを、上記の焼成と同一の条件で表１に記載の回数熱処理した。
▲２▼温度範囲、時間等を特定した熱処理；セラミックヒータの発熱抵抗体部分を、表１に記載の温度に予め調温された加熱炉内に挿入し、表１に記載の時間保持し、大気雰囲気中で熱処理した後、炉中から引き出して放冷した。
【００２９】
図１は、実施例１のセラミックヒータの発熱抵抗体及びセラミックスからなる基材部の断面の微小領域Ｘ線回折パターンを示すチャートである。図１によれば、上段の発熱抵抗体では、タングステン及びＡｌ2 Ｏ3 の他、ＡｌＷＯ4 （２８°近辺）の存在を確認することができる。一方、下段の基材部では、Ａｌ2 Ｏ3 の他、Ｃａ3 Ｓｉ2 Ｏ7 （２８°及び２９．５°近辺、図１のイ、ロのピーク）の存在を確認することができる。尚、発熱抵抗体のチャートにＡｌ2 Ｏ3 が認められるのは、Ｘ線のスポット径が１００μｍφであるため、基材部のＡｌ2 Ｏ3 が現れているものである。また、上記の化合物の同定はＪＣＰＤＳ２９００９６及び２３０１２４〔ＪＣＰＤＳはJoint Committee on Powder Diffraction Standard（粉末回折標準委員会）の略〕に従って行った。尚、図１、２においてハ、ニのピークは各々アルミナ、タングステンのピークである。
【００３０】
図２は、比較例１のセラミックヒータの発熱抵抗体及びセラミックスからなる基材部の、微小領域Ｘ線回折パターンを示すチャートである。図２によれば、上段の発熱抵抗体では、タングステンの他、Ａｌ2 Ｏ3 が認められるが、理由は上記の通りである。一方、下段の基材部では、Ａｌ2 Ｏ3 以外のものは確認されなかった。このように、繰り返し焼成も特定の熱処理も行わなかった場合は、Ｍｇ、Ｃａ等を含む特定の結晶質の化合物が生成していないことが分かる。
【００３１】
（４）セラミックヒータの耐久性試験
上記（３）、▲１▼、▲２▼の焼成と同じ条件での熱処理又は温度範囲、時間等を特定した熱処理を施したセラミックヒータに、２４ボルトの直流電圧を１００時間印加して耐久性を評価した。１００時間経過後、発熱抵抗体２の先端部の発熱部２１において断線していたセラミックヒータの数を表１及び表２に示す。
【００３２】
【表１】
0003813685.tif 000002
【００３３】
【表２】
0003813685.tif 000003
【００３４】
表１の結果によれば、焼成と同じ雰囲気、温度に晒す工程を１回とした実験例１５〜１９では破損数は２〜４個である。また、この工程が２回である実験例２０及び２１並びに３回である実験例２２及び２３では、更に耐久性が高く、破損数は０〜１個であり、焼成と同じ雰囲気、温度に晒す工程による耐久性向上の効果が裏付けられている。特に、この工程を２〜３回とした場合は、より大きな効果が奏されることが分かる。
【００３５】
また、実験例１及び２のように温度範囲、時間等を特定した熱処理における処理温度が９００℃の場合は、５０時間及び１００時間の処理によって、破損数がそれぞれ５個及び４個の耐久性の高いセラミックヒータが得られることが分かる。この処理温度が１０００℃の実験例３〜６では、実験例３のように、処理時間が４．５時間と比較的短時間であっても、より破損数が少なくなる。更に、処理温度が１１００℃の実験例７〜１０及び１２００℃の実験例１１〜１４では、破損数は更に少なくなる。特に、処理温度が１２００℃のの場合は、処理時間が０．５時間の実験例１１でも破損数は０であり、まったく断線を生じない非常に耐久性に優れたセラミックヒータが得られることが分かる。
【００３６】
一方、表２の結果によれば、実験例２４の未処理のセラミックヒータでは破損数は４８個と非常に多く、温度範囲、時間等を特定した熱処理における処理温度が７００℃又は８００℃である実験例２５及び２６でも、破損数は４１個或いは３３個と相当に多い。また、処理温度が９００℃であっても、処理時間が２４時間と短い実験例２７では、特定の結晶質化合物の生成が少ないためか、破損数は１４個と多いことが分かる。更に、処理温度を１２００℃とし、処理時間を１００時間と長くした実験例２８では破損数は１０個であり、実験例２４〜２７に比べれば破損数は少ないが、表１の各実験例と比較すれば破損数が多い。また、焼成と同じ雰囲気、温度に晒す工程を４回とした実験例２９及び３０では、破損数はそれぞれ１０個及び１２個と多く、この工程が３回を越える場合は耐久性に劣ることが分かる。
【００３７】
【発明の効果】
第１発明によれば、発熱抵抗体或いはセラミックス、特にその結晶粒界に、セラミックス中のマイグレーションし易い元素を含む結晶質の化合物を含有するセラミックヒータが得られ、このセラミックヒータは優れた耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例６のセラミックヒータのセラミックスからなる発熱抵抗体及び基材部の微小領域Ｘ線回折パターンを示すチャートである。
【図２】比較例１のセラミックヒータのセラミックスからなる発熱抵抗体及び基材部の微小領域Ｘ線回折パターンを示すチャートである。
【図３】丸棒状セラミックヒータの分解斜視図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ；グリーンシートが焼成されてなる層、２；発熱抵抗体、、２１；発熱抵抗体の先端側の発熱部、２２ａ、２２ｂ；陽極側及び陰極側端末部、２３ａ、２３ｂ；リード部、２４ａ、２４ｂ；スルーホール、２５ａ、２５ｂ；陽極側及び陰極側端子部、３；アルミナ製碍管。
【図１】
0003813685.tif 000004
【図２】
0003813685.tif 000005
【図３】
0003813685.tif 000006