(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）離型剤
（Ｄ）シリコーン化合物として、アルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニル基と、下記平均組成式（２）で示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とを付加反応させたブロック共重合体
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2          （２）
（但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。）
（Ｅ）無機質充填剤
を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、（Ｃ）離型剤が下記に示す（ａ）成分及び（ｂ）成分を併用したものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（ａ）下記一般式（１）で示されるワックス。
【化１】
0003821218.tif 000010
（但し、式中Ｒ1は炭素数１８〜４０の置換若しくは非置換の一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ1−ＣＯ−基である。）
（ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス。
【請求項２】
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との総量１００重量部に対して、（Ｃ）離型剤である（ａ）成分の添加量が０．１〜７重量部、（ｂ）成分の添加量が０．１〜５重量部、（Ｄ）シリコーン化合物の添加量がオルガノポリシロキサン部分の含有量が０．１〜７重量部となる量、（Ｅ）無機質充填剤の添加量が４００〜１２００重量部であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形した時の離型性に優れ、金型汚れが少なく、しかも耐湿信頼性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
現在、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べて成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。
【０００３】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物中には、半導体部品封止時に、金型からの離型性を高めるため、一般に天然ワックスなどの離型剤が添加されている。しかしながら、連続して半導体部品を成形する際、離型剤成分によって金型が汚れたり、樹脂成分の酸化劣化により金型からの離型性が低下してしまうことがあった。離型性が低下すると離型時のダメージにより半導体素子の信頼性が低下したり、金型のクリーニング頻度が高まり、生産性が落ちるといった問題があった。
【０００４】
また、添加する離型剤の種類によっては、半導体内部の素子や、基板、リードフレームとエポキシ樹脂組成物との接着性を著しく損なうことがあり、これらの界面で接着性が落ちると剥離が生じたり、半導体部品の半田リフロー時に剥離に起因するクラックが発生することがあった。このため、離型性、特に連続成形時の離型性と各種材料への接着性が両立するエポキシ樹脂組成物の開発が望まれていた。特にビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル樹脂においては、その重合度が低いために、金型への樹脂の移行が多くなり、金型汚れが発生しやすいといった性質を有しており、そのために連続成形性に優れる離型剤の開発が望まれていた。
【０００５】
この問題を解決するため、例えば特開２００１−１０６８７１号公報では、離型性と半田リフロー時のクラック防止のために、炭素数１２〜２４の飽和脂肪酸と炭素数１２〜４０の脂肪酸アミドを添加した組成物が提案されている。しかしながら、組成物中に飽和脂肪酸と脂肪酸アミドを添加すると、連続成形時の離型性が十分ではなく、金型のクリーニング頻度が多くなるといった問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形した時の離型性に優れ、金型汚れが少なく、しかも耐湿信頼性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）離型剤、（Ｄ）シリコーン化合物及び（Ｅ）無機質充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、上記（Ｃ）離型剤として、下記の（ａ）成分及び（ｂ）成分を併用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、連続成形性に優れるとともに、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置が、耐湿信頼性に優れるものであることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
（ａ）下記一般式（１）で示されるワックス。
【化２】
0003821218.tif 000002
（但し、式中Ｒ1は炭素数１８〜４０の置換若しくは非置換の一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ1−ＣＯ−基である。）
（ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス。
【０００９】
従って、本発明は、
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）離型剤
（Ｄ）シリコーン化合物として、アルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニル基と、下記平均組成式（２）で示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とを付加反応させたブロック共重合体
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2          （２）
（但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。）
（Ｅ）無機質充填剤
を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、（Ｃ）離型剤が上記に示す（ａ）成分及び（ｂ）成分を併用したものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供する。
【００１０】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポキシ樹脂は、特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
【００１１】
上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１２】
本発明に用いる硬化剤（Ｂ）も特に限定されるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましく、具体的には、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
【００１３】
上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナトリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１４】
ここで、硬化剤の配合量は特に制限されないが、硬化剤としてフェノール樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜２．０、特に０．８〜１．５の範囲であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明において、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレートなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用することができる。
【００１６】
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との総量１００重量部に対し、０．１〜３重量部、特に０．５〜２重量部とすることが好ましい。
【００１７】
本発明に用いられる（Ｃ）離型剤は、（ａ）下記一般式（１）
【化３】
0003821218.tif 000003
（但し、式中Ｒ1は炭素数１８〜４０、好ましくは１８〜３０の置換若しくは非置換の一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ1−ＣＯ−基である。）
で示されるワックス、及び（ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックスを併用して用いるものである。
【００１８】
ここで、一般式（１）で示される（ａ）成分の具体的な例としては、
【化４】
0003821218.tif 000004
（但し、ｎは１８〜２３の整数である。）
等が挙げられ、これらは１種を単独であるいは２種以上を併用して用いることができる。なお、（ａ）成分の酸価としては、１０〜３０、特に１５〜２５が好ましい。
【００１９】
（ａ）成分の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の総量１００重量部に対して０．１〜７重量部、特に０．５〜５重量部であることが好ましい。添加量が少ないと十分な離型効果が発現されない場合があり、また添加量が多いと、表面にワックス成分が滲み出し、表面汚れ、金型汚れの原因となるおそれがある。
【００２０】
また、（ｂ）成分は、酸価が１５〜２８のポリエチレンワックスであり、具体的には、
滴点１０４，酸価１７のポリエチレンワックス、
滴点１１０，酸価２７のポリエチレンワックス
等が例示され、これらは１種単独であるいは２種以上を併用して用いることができる。
【００２１】
本発明の（ｂ）ポリエチレンワックスにおいて、酸価が１５より少ない、或いは２８を超える場合は、離型効果が十分に得られない場合がある。好ましくは酸価が１７〜２７である。また、滴点としては、１００〜１２０、特に１００〜１１０が好ましい。
【００２２】
なお、本発明において、酸価の測定方法としては、ＡＳＴＭ  Ｄ１３８６の方法が用いられる。また、滴点は、ＡＳＴＭ  Ｄ５６６の方法が用いられる。
【００２３】
（ｂ）成分の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の総量１００重量部に対して０．１〜５重量部、特に０．５〜２重量部であることが好ましい。添加量が少ないと十分な離型効果が発現されない場合があり、また添加量が多いと、表面にワックス成分が滲み出し、表面汚れ、金型汚れの原因となるおそれがある。
【００２４】
本発明の（Ｄ）成分であるシリコーン化合物としては、アルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニル基と、下記平均組成式（２）で示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とを付加反応させたブロック共重合体を使用する。
【００２５】
ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2          （２）
（但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。）
【００２６】
ここで、式（２）において、Ｒの一価炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などを挙げることができる。
【００２７】
また、式（２）において、ａ、ｂのより好ましい範囲は、０．０１≦ａ≦０．５、１．５≦ｂ≦２．５、１．５１≦ａ＋ｂ≦２．５であり、式（２）のオルガノポリシロキサンの一分子中におけるケイ素原子数は２〜１０００、特に１０〜２００であることが好ましく、ケイ素原子に直結した水素原子（ＳｉＨ基）の数は１〜１０、特に１〜５であることが好ましい。また、ブロック共重合体中のオルガノポリシロキサン含有量は５〜５０重量％、特に１０〜２０重量％であることが好ましい。
【００２８】
本発明の共重合体の製造方法は、すでに公知であり（特公昭６３−６００６９号、特公昭６３−６００７０号公報等）、アルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニル基と、上記式（２）で示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応によって得ることができる。ブロック共重合体として、具体的には下記式（３）で示される構造を例示することができる。
【００２９】
【化５】
0003821218.tif 000005
（上記式中、Ｒは上記と同じ、Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ2は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。ｎは１〜２００、好ましくは１０〜１００の整数、ｐ、ｑは１〜１００、好ましくは１〜２０の整数である。）
【００３０】
本発明においては、（Ｄ）成分を添加することにより、離型剤成分とエポキシ樹脂及び硬化剤との相溶性が向上するために、エポキシマトリックス中に離型剤が均一に分散するため、離型剤成分が金型へ不均一に滲み出す現象を抑えることができる。
【００３１】
上記（Ｄ）シリコーン化合物の添加量は、オルガノポリシロキサン部分の含有量が、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００重量部に対し、０．１〜７重量部、特に０．５〜５重量部であることが好ましい。添加量が０．１重量部未満では、十分な離型効果が得られない場合があり、また７重量部を超えると、流動性の低下を引き起こす場合がある。
【００３２】
本発明に用いられる（Ｅ）無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これら無機質充填剤の平均粒径や形状は、特に限定されるものではないが、平均粒径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好ましい。
【００３３】
また、無機質充填剤の配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤の総量１００重量部に対し、４００〜１２００重量部、特に６００〜１０００重量部とすることが好ましい。配合量が少なすぎると、膨張係数が大きくなり、半導体素子へのダメージが大きくなるおそれがあり、多すぎると、流動性が低下し、半導体素子が封止できなくなるおそれがある。
【００３４】
なお、本発明の無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については、特に制限されるものではない。
【００３５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記成分以外に、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内において、カルナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス類を併用することもできる。
【００３６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤、更には難燃剤、例えばブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、モリブデン酸亜鉛、リン酸エステル、トリフェニルホスフェート、ポリリン酸アンモニウム、赤リン等のリン系化合物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛等の無機化合物等の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で添加配合することができる。
【００３７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、離型剤、シリコーン化合物、無機質充填剤、及びその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００３８】
このようにして得られる本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用として有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形した時の離型性に優れ、ランナー折れ及び金型汚れが少なく、しかも信頼性に優れた硬化物を与えるものである。
【００４０】
また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐湿信頼性に優れたものであり、産業上特に有用である。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００４２】
［実施例１〜７、比較例１〜４］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。これらの組成物につき、次の（イ）〜（ヘ）の諸特性を測定した。結果を表２に示した。
（イ）スパイラルフロー値
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。
（ロ）ゲル化時間
組成物のゲル化時間を１７５℃の熱板上で測定した。
（ハ）溶融粘度
高化式フローテスター（島津製作所製）を用いて、試験荷重０．９８Ｎ／ｍｍ2において１７５℃で測定した。
（ニ）成形硬度
ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて、温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間９０秒の条件で１０×４×１００ｍｍの棒を成形した時の熱時硬度をバーコール硬度計で測定した。
（ホ）成形性（表面汚れ）
２４×２４×２．７ｍｍの大きさの２４０ｐｉｎＱＦＰ（４２アロイ）に、オートモールド装置を用いてエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、トランスファースピード１０秒、硬化時間１２０秒の条件で成形した。目視で成形物の表面汚れを観察した。
（へ）連続成形性
窒化珪素でコートした７×７×０．４ｍｍのシリコンチップをマウントした１４×２０×２．７ｍｍの大きさの１００ｐｉｎＱＦＰ（４２アロイ）フレームを使用して、オートモールド装置を用いてエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、トランスファースピード１０秒、成形時間６０秒の条件で連続成形した。連続成形２００、５００、７００の各ショットで、ランナー折れの状況及び金型の汚れを目視にて観察し、また、５００ショット時における成型品のシリコンチップ表面とエポキシ樹脂組成物との剥離度を超音波探傷機で測定した。
【００４３】
【表１】
0003821218.tif 000006
【００４４】
エポキシ樹脂
（イ）ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯＣＮ１０２０−５５
（日本化薬製、エポキシ当量２００）
（ロ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０）
（ハ）エポキシ化高フェニル型アラルキル樹脂：ＮＣ３０００Ｐ
（日本化薬性、エポキシ当量２７２）
【００４５】
硬化剤
（ニ）フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２
（明和化成製、フェノール性水酸基当量１１０）
（ホ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ−７８００ＳＳ
（明和化成製、フェノール性水酸基当量１７５）
（へ）高フェニル型アラルキル樹脂：ＭＥＨ７８５１
（明和化成製、フェノール性水酸基当量２０３）
【００４６】
シリコーン化合物：アルケニル基含有エポキシ化合物とオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを付加反応させたブロック共重合体（ジオルガノポリシロキサン含有量４５重量％、エポキシ当量３８０）
【００４７】
【化６】
0003821218.tif 000007
（式中、Ｒはメチル基、Ｒ1は水素原子、Ｒ2は−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。）
【００４８】
無機質充填剤：球状溶融シリカ（龍森製、平均粒径２０μｍ）
硬化触媒：トリフェニルホスフィン（北興化学製）
カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業製）
シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＫＢＭ−４０３（信越化学工業製）
【００４９】
ワックス
（１）  下記式で示される酸価２０のワックス
【化７】
0003821218.tif 000008
（ｎは１８〜２３の整数）
（２）  滴点１０４、酸価１７のポリエチレンワックス
（３）  カルナバワックス
（４）  花王ワックスＥＢＦＦ
【００５０】
【表２】
0003821218.tif 000009
【００５１】
表２の結果から明らかなように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れ、耐湿信頼性に優れる硬化物を得ることができ、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐湿信頼性に優れるものである。