(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散制御光ファイバにおいて、
ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5の３成分系から組成されたコアと、
ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系から組成されたクラッドと、を含み、
コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量の１０％を越えず、
前記コア及びクラッドの比屈折率差は０.３５％以上であることを特徴とする分散制御光ファイバ。
【請求項２】
前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコア中心から外側に行くほど増加するか、減少することを特徴とする請求項１記載の分散制御光ファイバ。
【請求項３】
前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコア中心から外側に行っても常に一定であることを特徴とする請求項１記載の分散制御光ファイバ。
【請求項４】
分散制御光ファイバにおいて、
ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系から組成されたコアと、
ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系から組成されたクラッドと、を含み、
コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量の１０％を越えず、
前記コア及びクラッドの比屈折率差は０.３５％以上であることを特徴とする分
散制御光ファイバ。
【請求項５】
前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコア中心から外側に行くほど増加するか、減少することを特徴とする請求項４記載の分散制御光ファイバ。
【請求項６】
分散制御光ファイバにおいて、
ＳｉＯ2、ＧｅＯ2及びＰ2Ｏ5の３成分系から組成されたコアと、
前記コアの外周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系から組成された１次クラッドと、
前記１次クラッドの外周面にＳｉＯ2だけからなる２次クラッドと、を含み、
前記コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量の１０％を越えないことを特徴とする分散制御光ファイバ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ及び大口径母材の製造方法に関し、特に、分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超高速、低損失、大容量の伝送特性のために新規の情報伝送媒質として脚光を浴びている光ファイバは、伝送モードによって単一モード光ファイバ(Single Mode Fiber)と多重モード光ファイバ(Multi Mode Fiber)とに分けられる。また、前記単一モード光ファイバは、分散特性によって一般の単一モード光ファイバと分散制御光ファイバ(Dispersion Control Fiber)とに分けられる。
【０００３】
前記分散制御光ファイバには、零分散波長帯域を損失の最も低い１.５μm波長帯域に移動させた分散遷移光ファイバ(Dispersion Shifted Fiber)と、１.３〜１.６μmに該当する広い波長帯域で略均一な分散値を有するよう調節した分散平坦化光ファイバ(Dispersion Flattened Fiber)及び１.５〜１.６μmで低い分散値を有する低分散遷移光ファイバ(Non-zero Dispersion Shifted Fiber)などがある。前記分散遷移光ファイバは米国特許番号第５,７２１,８００号に、前記分散平坦化光ファイバは米国特許番号第５,６７５,６９０号に各々開示してある。
【０００４】
前記光ファイバは、二重るつぼ(Double Crucible)製法のように別途の母材(Preform)を形成することなく原材料から直接光ファイバを線引する方法を通じて製造することもあるが、大部分の光ファイバは、別途の母材を生成した後、前記母材を加熱炉内で軟化点以上に加熱させて光ファイバを線引する方法を使用して製造する。
【０００５】
一方、前記母材から線引された光ファイバの長さは母材径(Preform Diameter)によって左右される。即ち、母材径の増加に伴い、さらに多くの光ファイバが線引される。従って、光ファイバの生産性の向上のために大口径母材(Large Size Preform)を製造するための工夫がなされつつある。一般に、母材の大口径化は、蒸着及び凝縮によって生成された１次母材の直径及びオーバークラッディング用のチューブの直径を延ばすことによって行われる。
【０００６】
図１は、一般の光ファイバの製造過程を概略的に示す図である。図１に示すように、一般の光ファイバの製造過程は、母材製造(Preform Manufacture)１０、線引(Drawing)２０、被覆コーティング(Sheath Coating)３０、及びワインディング(Winding)４０の過程からなり、通常、前記線引２０及び被覆コーティング３０の過程は光ファイバ線引機(Fiber Drawing Apparatus)内で連続して行われる。
【０００７】
前記母材製造過程１０は、光ファイバを線引するための基本母材を形成する過程である。前記母材を形成する方法には、ＶＡＤ(Vapor-phase Axial Deposition)、ＯＣＶＤ(Outer Chemical Vapor-phase Deposition)、ＰＣＶＤ(Plasma Chemical Vapor-phase Deposition)及びＭＣＶＤ(Modified Chemical Vapor-phase Deposition)方法などがあり、特に、ＭＣＶＤ方法が広く用いられている。
【０００８】
前記ＭＣＶＤ方法による母材製造過程を簡略に説明すれば、一定速度に回転するよう設置された蒸着チューブ内にＳｉＣｌ4、ＧｅＣｌ4などの原料ガスを注入し、左右に移動可能なバーナーを用いて前記蒸着チューブの外周面を加熱する。これにより、前記蒸着チューブの内壁には原料ガス酸化物の微粒子が蒸着されながらバーナーの高い熱によって焼結(Sintering)され、凝縮(Collapse)及びクローズ(Close)過程を経てコア及びクラッド層の形成された１次母材が製造される。次いで、前記１次母材にオーバークラッディング(Over Cladding)を行うことによって最終母材を形成する。
【０００９】
前記コア及びクラッドの屈折率の差は、蒸着チューブ内に供給される原料ガスの構成成分を調節することからなり、このようなＭＣＶＤ方法による母材製造過程は米国特許番号第４,３８９,２３０号及び第５,３９７，３７２号などに詳細に開示してある。
【００１０】
前記線引過程２０及び被覆コーティング過程３０は、前記母材製造過程１０によって製造された母材から光ファイバを線引する過程であって、前述の如く、加熱炉及びコーティング器を備えた光ファイバ線引機内で連続して行われる。即ち、前記母材を加熱炉内に入れた後、軟化点温度(Softening point temperature)以上に加熱すると、前記加熱炉下端の線引孔を通じて所定の直径に縮小軟化した光ファイバが線引される。次いで、前記光ファイバはコーティング器で外周面に被覆層が形成された後、冷却器で冷却される。
【００１１】
前記ワインディング過程４０は、線引過程及び被覆コーティング過程を終えた光ファイバをキャプスタン(Capstan)によって一定な引っ張り力を加えながら最終的にスプール(Spool)に巻き取る過程である。
図２は一般の単一モード光ファイバの断面図であり、図３は従来の分散制御光ファイバの断面図であって、これらの光ファイバはＳｉＯ2を主成分とする石英系光ファイバである。
【００１２】
図２及び図３に示すように、一般の単一モード光ファイバ及び従来の分散制御光ファイバは、各々コア１１０，２１０、クラッド１２０，２２０、及び被覆層１３０，２３０から構成される。前記コア１１０，２１０はＳｉＯ2を主成分とし、屈折率を向上させる添加剤(Dopant)ＧｅＯ2が添加される。前記クラッド１２０，２２０は主成分のＳｉＯ2の以外に、屈折率を調節するか、蒸着温度を下げる添加剤ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素が添加される。図２及び図３には、説明の便宜上、クラッド１２０，２２０領域を単一層で表したが、オーバークラッディングなどからなされた多層のクラッドも含む。
【００１３】
図２の一般の単一モード光ファイバのコア径ａ１は８〜１２μm、比屈折率差Δは０.３５％であり、図２の分散制御光ファイバのコア径ａ２は５〜８μm、比屈折率差は０.７〜０.１５％である。即ち、分散制御光ファイバは、一般の単一モード光ファイバに比べて、コア２１０の直径は相対的に小さいが、コア２１０の屈折率は高い。前記比屈折率差Δは、コアの最大屈折率をｎ１、クラッドの最小屈折率をｎ２とする時、(ｎ１2−ｎ２2)／(２ｎ１2)×１００で算出される。
【００１４】
前記被覆層１３０，２３０はコア１１０，２１０とクラッド１２０，２２０の機械的、化学的損傷を防止するために形成された内部保護層である。前記被覆層１３０，２３０は主に紫外線硬化型或いは熱硬化型の樹脂のようなプラスチック材質からなる。下記の表１は、一般の単一モード光ファイバ及び従来の分散制御光ファイバの光特性変化を示すものであって、母材径の増加及び線引温度の増加による光特性変化と蒸着チューブの変形有無を示している。ＳはＳｉＯ2を、ＧはＧｅＯ2を、ＰはＰ2Ｏ5を、Ｆはフッ素を各々表す。
【００１５】
【表１】
0003782923.tif 000002
【００１６】
表１の従来例１と従来例２から判るように、一般の単一モード光ファイバでは、母材を５０mmから６６mmに大口径化することに伴って線引温度を増加させて光ファイバを線引しても、大口径化する前の光ファイバと比較して零分散波長(Zero Dispersion Wavelength)、モードフィールド径(Mode Field Diameter)及び分散傾き(Dispersion Slope)などの光特性変化がほぼない。
【００１７】
一方、従来例３と従来例４から判るように、分散制御光ファイバでは、母材を５０mmから６６mmに大口径化して光ファイバを線引すると、大口径化する前の光ファイバに比べて、零分散波長、モードフィールド径、及び分散傾きなどの光特性が著しく変化する。これは、分散制御光ファイバのコアとクラッドの組成成分の違い、及び一般の単一モード光ファイバに比べて相対的に小さいコア径に起因する。
【００１８】
即ち、分散制御光ファイバはＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素から構成されたクラッドとは違って、コアがＳｉＯ2、ＧｅＯ2だけからなっている他に、一般の単一モード光ファイバに比べてコア径も小さい。従って、母材径を大口径化した後、線引温度を高くすると、クラッドとコア間の温度分布の不均衡による応力(stress)発生及びクラッドとコア間の粘度差によってコア領域の屈折率の分布が変わることになる。
【００１９】
このようなコア領域の屈折率分布変化は、表１の従来例３と従来例４に示すように、分散制御光ファイバの光特性変化につながる。例えば、大口径化する前の分散制御光ファイバに比べて、零分散波長は２０〜４０nm、モードフィールド径は０.２〜０.５μm、分散傾きは０.００４〜０.００９ps/nm2・kmの値に光特性変化量が増加した。
【００２０】
言い換えれば、従来の分散制御光ファイバの母材を同一の組成成分を維持したまま大口径化する時、これから生成された分散制御光ファイバの零分散波長、モードフィールド径及び分散傾きなどの光特性が線引温度に従って変化し、その変化量も漸次増加するという問題があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、線引温度を増加させても光特性変化が少なく、蒸着チューブの収縮変形のない分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法を提供する。本発明の分散制御光ファイバは、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5の３成分系から組成されたコアと、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系から組成されたクラッドと、を含めてなる。また、前記分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法は、蒸着チューブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素を蒸着させてクラッド層を形成するクラッド蒸着過程と、前記クラッド蒸着過程を通じて蒸着されたクラッド層の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を蒸着させてコア層を形成するコア蒸着過程と、を含めてなることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に従う好適な一実施形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一の構成要素及び部分には、可能な限り同一の符号及び番号を共通使用するものとする。
そして、以下の説明では、具体的な特定事項が示しているが、これに限られることなく本発明を実施できることは、当技術分野で通常の知識を有する者には自明である。また、関連する周知技術については適宜説明を省略するものとする。
【００２４】
本発明は、分散制御光ファイバを構成しているコアとクラッド間の組成違いを減らすことによって、大口径化した母材から分散制御光ファイバを線引するために線引温度を増加させても光特性の変化の少ない分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法を提供する。
【００２５】
図４は、本発明の第１実施形態による分散制御光ファイバの断面図であり、図５は、本発明の第２実施形態による分散制御光ファイバの断面図であり、図６は本発明の第３実施形態による分散制御光ファイバの断面図であって、各々のコアとクラッドには構成成分が表示されている。ＳはＳｉＯ2、ＧはＧｅＯ2、ＰはＰ2Ｏ5、Ｆはフッ素を表示する。
【００２６】
図４に示すように、本発明の第１実施形態による分散制御光ファイバ３００は、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、及びＰ2Ｏ5からなるコア３１０と、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素からなるクラッド３２０とを含めてなり、前記クラッド３２０の外周面にはコーティングされた被覆層３３０が形成される。前記ＳｉＯ2はコア３１０及びクラッド３２０の主成分であり、前記ＧｅＯ2はコア３１０及びクラッド３２０の屈折率分布の調節のために添加される。前記Ｐ2Ｏ5はコア３１０及びクラッド３２０の蒸着温度を下げる以外に、コア３１０とクラッド３２０間の粘度差を縮める役割を果たす。また、前記フッ素はクラッド３２０の屈折率を下げる役割を果たす。
【００２７】
前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5はコア組成成分の総重量の１０％を越えないように添加する。前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア３１０とクラッド３２０間の組成成分の違いから起因する粘度差を縮めてコア３１０とクラッド３２０間の粘度差によって光ファイバの線引時に発生する温度分布の不均衡現象を最小化する。仮に、前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5量がコア組成成分の総重量の１０％を超えると、コア３１０部分の吸収損失増加及び粘度減少による幾何構造の変形を招く恐れがある。
【００２８】
前記コア３１０及びクラッド３２０の比屈折率差が一般の単一モード光ファイバの比屈折率差の０.３５％より大きくなるよう前記ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、フッ素の添加量を調節する。前記コア３１０内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコア中心から外側に行くほど増加するか、又は減少するよう調節することができ、コア中心からの位置に拘わらず一定にすることもできる。
【００２９】
図５に示すように、本発明の第２実施形態による分散制御光ファイバ４００は、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素から構成されたコア４１０と、前記コア４１０と同様に、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素から構成されたクラッド４２０とを含めてなり、前記クラッド４２０の外周面にはコーティングされた被覆層４３０が形成される。即ち、本発明の第２実施形態による分散制御光ファイバ４００は、前記第１実施形態とは違って、コアにフッ素をさらに添加する。
【００３０】
前記コア４１０に添加されるＰ2Ｏ5はコア構成成分の総重量の１０％を越えないように添加する。前記コア４１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア４１０とクラッド４２０間の構成成分の違いから発生する粘度差を縮めることによって、コア４１０とクラッド４２０間の粘度差によって光ファイバの線引時に発生する温度分布の不均衡現象を最小化する。仮に、前記コア４１０に添加されるＰ2Ｏ5の量がコア構成成分の総重量の１０％を超えると、コア部分の吸収損失増加及び粘度減少による幾何構造の変形を招く恐れがある。
【００３１】
前記ＳｉＯ2はコア４１０及びクラッド４２０の主成分であり、前記ＧｅＯ2はコア４１０及びクラッド４２０の屈折率分布の調節のために添加される。前記Ｐ2Ｏ5はコア４１０及びクラッド４２０の蒸着温度を下げる以外に、コア４１０とクラッド４２０間の粘度差を縮める。また、前記フッ素は、クラッド４２０の屈折率を低くする以外に、前記Ｐ2Ｏ5と同様にコア４１０とクラッド４２０間の粘度差を縮める役割を果たす。
【００３２】
図６に示すように、本発明の第３実施形態による分散制御光ファイバ５００はＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5から構成されたコア５１０と、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、フッ素より構成された１次クラッド５３０と、ＳｉＯ2だけで構成された２次クラッド５２０とを含めてなり、前記２次クラッド５２０の外周面にはコーティングされた被覆層５４０が形成される。
【００３３】
前記コア５１０に添加されるＰ2Ｏ5は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、コア構成成分の総重量の１０％を越えないように添加する。前記コア５１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア５１０とクラッド５３０間の構成成分の違いから発生する粘度差を縮めることによって、コア５１０とクラッド５３０間の粘度差による線引時の温度分布の不均衡現象を最小化する。
【００３４】
前記ＳｉＯ2はコア５１０、１次クラッド５３０及び２次クラッド５２０の主成分であり、前記ＧｅＯ2はコア５１０及び１次クラッド５３０の屈折率分布の調節のために添加される。前記Ｐ2Ｏ5はコア５１０及び１次クラッド５３０の蒸着温度を下げる以外に、コア５１０と１次クラッド５３０間の粘度差を縮める役割を果たし、前記フッ素は１次クラッド５３０の屈折率を低くする以外に、前記Ｐ2Ｏ5と同様に、コア５１０と１次クラッド５３０間の粘度差を縮める。
【００３５】
図７は、本発明の望ましい実施形態による分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法を示す流れ図であって、ＭＣＶＤ方法による光ファイバ母材製造方法を示している。
本発明の実施形態による分散制御光ファイバの大口径母材の製造過程は、クラッド蒸着過程５０、コア蒸着過程６０、凝縮及びクローズ過程７０からなる。
【００３６】
前記クラッド蒸着過程５０は回転自在に設けられた蒸着チューブ内にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素を供給しながらバーナーを用いて加熱し、前記蒸着チューブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフッ素の４成分系からなるクラッド層を蒸着させる過程である。
【００３７】
前記コア蒸着過程６０は、蒸着チューブに蒸着されたクラッド層の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、及びＰ2Ｏ5の３成分系からなるコア層を蒸着させる過程である。本発明の他の実施形態によるコア蒸着過程は、前記クラッド層の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素の４成分系からなるコア層を蒸着させる。この時、前記Ｐ2Ｏ5の添加量がコア層を構成する３成分系または４成分系の全体重量の１０％を越えないよう調節する。これは、前記Ｐ2Ｏ5の重量比が全体重量の１０％を超える場合、コア層の幾何構造の変形を招く恐れがあるためである。
【００３８】
前記凝縮及びクロージング過程７０では、蒸着チューブの軸方向に沿ってバーナーを移動させながら加熱し、コア層の中心に残存する中孔部分を埋め込むと同時にガラス化する。
一方、本発明の実施形態では、ＭＣＶＤ方法による分散制御光ファイバの大口径母材製造過程を提供しているが、このＭＣＶＤ方法の他に、ＶＡＤ、ＯＣＶＤ及びＰＣＶＤ方法によっても本発明の一実施形態例或いは他の実施形態による分散制御光ファイバの大口径母材を製造できる。
【００３９】
下記の表２は本発明の実施形態による大口径母材から線引された分散制御光ファイバの光特性変化を示すものであって、母材径の増加及び線引温度の変化による光特性変化と蒸着チューブの変形有無を示している。また、本発明の実施形態による二つの比較例の光特性変化も示しており、前記二つの比較例は本発明の実施形態とは違って、コア及びクラッドにＰ2Ｏ5を添加しなかった。
【００４０】
【表２】
0003782923.tif 000003
実施形態１は、図４に示すように、母材のコア組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5とし、クラッド組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素として分散制御光ファイバ用の大口径母材を製造した後、前記大口径母材から光ファイバを線引して零分散波長、モードフィールド径及び分散傾きのような光特性の変化と蒸着チューブの収縮変形程度を観察した例である。
【００４１】
前記実施形態１と、コア組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2だけにした大口径母材から分散制御光ファイバを線引した従来例４とを比較すれば、光特性変化が著しく減少したことが判る。即ち、零分散波長の変化量は２０〜４０nmから０〜２nmに、モードフィールド径の変化量は０.２〜０.５μmから０〜０.２μmに、分散傾きの変化量は０.００４〜０.００９ps/nm2・kmから０〜０.００１ps/nm2・kmに各々減少しており、従って、本発明の実施形態１は従来に比べて母材の大口径化による光特性の変化量が少ないことが判る。
【００４２】
実施形態２は、図５に示すように、母材のコア組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素にし、クラッド組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフッ素にして分散制御光ファイバ用の大口径母材を製造した後、前記大口径母材から光ファイバを線引して実施形態１と同様に零分散波長、モードフィールド径及び分散傾きなどの光特性の変化と蒸着チューブの収縮変形程度を観察した例である。
【００４３】
前記実施形態２と、コア組成がＳｉＯ2、ＧｅＯ2だけからなる大口径母材から分散制御光ファイバを線引した従来例４とを比較すれば、実施形態１と同様に、変化量が著しく減少したことが判る。即ち、零分散波長変化量は２０〜４０nmから１〜３nmに、モードフィールド径の変化量は０.２〜０.５μmから０〜０.２μmに、分散傾きの変化量は０.００４〜０.００９ps/nm2・kmから０〜０.００１ps/nm2・kmに各々減少しており、従って、本発明の実施形態２は従来に比べて母材の大口径化による光特性の変化量が少ないことが判る。
【００４４】
図８及び図９は、各々、従来及び本発明の分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法による、光ファイバ線引温度の変化による零分散波長変化量を示したグラフである。
図８の従来の分散制御光ファイバ母材は５０mmから６６mmに大口径化する時、線引温度による零分散波長の変化が大きいが、図９の本発明の実施形態例による分散制御光ファイバ母材は５０mmから６６mmに大口径化しても線引温度による零分散波長の変化が小さい。
【００４５】
【発明の効果】
以上から述べてきたように、本発明の実施形態による分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法は、大口径母材から分散制御光ファイバを線引するために線引温度を増加させても光特性変化量を最小限に抑えられるため、均一な光特性が確保できる。
また、本発明の実施形態による分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法は、コア蒸着温度を下げることができるため、蒸着チューブの収縮変形を防止でき、焼結温度を低くする以外に、凝縮に所要される工程時間も縮められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  一般の光ファイバの製造過程を示す概略図である。
【図２】  一般の単一モード光ファイバの断面図である。
【図３】  従来の分散制御光ファイバの断面図である。
【図４】  本発明の第１実施形態による分散制御光ファイバの断面図である。
【図５】  本発明の第２実施形態による分散制御光ファイバの断面図である。
【図６】  本発明の第３実施形態による分散制御光ファイバの断面図である。
【図７】  本発明の望ましい実施形態による分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法を示す流れ図である。
【図８】  従来及び本発明の分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法による光ファイバ線引温度による零分散波長変化量を比較したグラフである。
【図９】  従来及び本発明の分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法による光ファイバ線引温度による零分散波長変化量を比較したグラフである。
【符号の説明】
３００  分散制御光ファイバ
３１０  コア
３２０  クラッド
３３０  被覆層
【図１】
0003782923.tif 000004
【図２】
0003782923.tif 000005
【図３】
0003782923.tif 000006
【図４】
0003782923.tif 000007
【図５】
0003782923.tif 000008
【図６】
0003782923.tif 000009
【図７】
0003782923.tif 000010
【図８】
0003782923.tif 000011
【図９】
0003782923.tif 000012