(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
感知温度の上昇に応答して流れる電流量が増加する順方向電流ソースと、
前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が減少する逆方向電流ソースと、
前記順方向及び逆方向電流ソースに流れる電流量の変化に応答し、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが上昇する順方向感知信号と、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが下降する逆方向感知信号とを発生するプログラマブル温度感知部と、
前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルを比較する比較器とを具備し、
所定の臨界温度点で前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルの大きさの順序が置き換えられ、前記臨界温度点は外部から切断可能な調節ヒューズにより調整できることを特徴とするプログラマブル温度センサー。
【請求項２】
前記プログラマブル温度感知部は、
前記順方向電流ソースに流れる電流量の増加に応答して、電圧レベルが上昇する第1順方向ソーシング信号及び電圧レベルが下降する第1逆方向ソーシング信号を発生する第1電流ミラーと、
前記逆方向電流ソースに流れる電流量の増加に応答して、電圧レベルが上昇する第2順方向ソーシング信号及び電圧レベルが下降する第2逆方向ソーシング信号を発生する第2電流ミラーと、
前記第1順方向ソーシング信号と前記第2逆方向ソーシング信号に応答して、前記プログラマブル温度感知部の前記逆方向感知信号を発生し、一定の前記感知温度に対する前記逆方向感知信号の電圧レベルを外部から制御できる第1応答部と、
前記第1逆方向ソーシング信号と前記第2順方向ソーシング信号に応答して、前記プログラマブル温度感知部の前記順方向感知信号を発生し、一定の前記感知温度に対する前記順方向感知信号の電圧レベルを外部から制御できる第2応答部とを具備することを特徴とする請求項1に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項３】
前記第1応答部は、
前記第1順方向ソーシング信号の電圧レベルの上昇に応答して、前記逆方向感知信号の電圧レベルを下降させるプルダウントランジスタと、
前記第2逆方向ソーシング信号の電圧レベルの下降に応答して、前記逆方向感知信号の電圧レベルを上昇させげるプルアップトランジスタと、
前記第2逆方向ソーシング信号の電圧レベルの下降に応答して、前記逆方向感知信号の電圧レベルを外部から制御される所定の第1調節電圧値だけ上昇させる調整回路とを具備することを特徴とする請求項2に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項４】
前記調整回路は、
前記臨界温度点の調整時には前記第2逆方向ソーシング信号の電圧レベルを出力し、前記臨界温度点の非調整時には遮断電圧を出力するマルチプレクサ部と、
前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第2逆方向ソーシング信号に応答し、前記第1調節電圧値を制御して前記逆方向感知信号を発生する制御ボックスとを具備することを特徴とする請求項3に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項５】
前記遮断電圧は電源電圧であり、
前記制御ボックスは、
前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第2逆方向ソーシング信号によってゲートされて、前記電源電圧を伝送するPMOSトランジスタと、
前記PMOSトランジスタによって伝送される電圧を提供して、前記逆方向感知信号の電圧レベルを上昇させる、外部から切断可能な調節ヒューズとを具備することを特徴とする請求項4に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項６】
前記遮断電圧は電源電圧であり、
前記制御ボックスは、
前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第2逆方向ソーシング信号によってゲートされて、前記電源電圧を伝送するPMOSトランジスタと、
外部から前記PMOSトランジスタのドレイン端と連結し、前記PMOSトランジスタによって伝送される電圧を前記逆方向感知信号に供給する伝送ラインとを具備する請求項4に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項７】
前記調整回路は、
前記臨界温度点の調整時には、活性化する調整指示信号を前記マルチプレクサ部に提供する調整指示部をさらに具備することを特徴とする請求項4に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項８】
前記第2応答部は、
前記第2順方向ソーシング信号の電圧レベルの上昇に応答して、前記順方向感知信号の電圧レベルを下降させるプルダウントランジスタと、
前記第1逆方向ソーシング信号の電圧レベルの下降に応答して、前記順方向感知信号の電圧レベルを上昇させるプルアップトランジスタと、
前記第1逆方向ソーシング信号の電圧レベルの下降に応答して、前記順方向感知信号の電圧レベルを外部から制御される所定の第2調節電圧値だけ上昇させる調整回路とを具備することを特徴とする請求項2に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項９】
前記調整回路は、
前記臨界温度点の調整時には前記第1逆方向ソーシング信号の電圧レベルを出力し、前記臨界温度点の非調整時には遮断電圧を出力するマルチプレクサ部と、
前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第1逆方向ソーシング信号に応答し、前記第2調節電圧値を制御して前記順方向感知信号を発生する制御ボックスとを具備することを特徴とする請求項8に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項１０】
前記遮断電圧は電源電圧であり、前記制御ボックスは、前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第1逆方向ソーシング信号によってゲートされて、前記電源電圧を伝送するPMOSトランジスタと、前記PMOSトランジスタによって伝送される電圧を提供して、前記順方向感知信号の電圧レベルを上昇させ、外部から切断可能な調節ヒューズとを具備することを特徴とする請求項9に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項１１】
前記遮断電圧は電源電圧であり、
前記制御ボックスは、
前記臨界温度点の調整時に、前記マルチプレクサ部から出力される前記第1逆方向ソーシング信号によってゲートされて、前記電源電圧を伝送するPMOSトランジスタと、
外部から前記PMOSトランジスタのドレイン端と連結し、前記PMOSトランジスタによって伝送される電圧を前記順方向感知信号に供給する伝送ラインとを具備する請求項9に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項１２】
前記調整回路は、
前記臨界温度点の調整時には、活性化する調整指示信号を前記マルチプレクサ部に提供する調整指示部をさらに具備することを特徴とする請求項9に記載のプログラマブル温度センサー。
【請求項１３】
半導体装置の温度を感知して、所定の臨界温度点で論理状態を異にする出力信号を発生するプログラマブル温度センサーを具備し、
前記プログラマブル温度センサーは、
前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が増加する順方向電流ソースと、
前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が減少する逆方向電流ソースと、
前記順方向及び逆方向電流ソースに流れる電流量の変化に応答し、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが上昇する順方向感知信号を発生する順方向出力端と、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが下降する逆方向感知信号を発生する逆方向出力端とを有するプログラマブル温度感知部と、
前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルを比較する比較器とを具備し、
前記所定の臨界温度点で前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルの大きさの順序が置き換えられ、前記臨界温度点を外部から切断可能な調整ヒューズにより調節できることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、特に半導体装置が完成された後にも感知する温度が調節できるプログラマブル温度センサーとこれを具備する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、トランジスタのような半導体素子の動作特性は温度によって大きく変わる。トランジスタのコンダクタンス、ゲート酸化膜の降伏電圧がその代表的なものである。
【０００３】
一方、メモリのように高速で動作する半導体装置は、非常に正確なタイミング制御が必要である。ところが、メモリのような半導体装置は、一定の温度範囲外ではその動作特性が著しく変化するので、不良が発生する可能性が非常に高くなる。また、半導体装置を内蔵するコンピューターシステムは、動作特性が変わった半導体装置を使用する場合には、コンピューターシステム自体が誤動作を誘発する恐れがある。
【０００４】
従って、半導体装置は内部に温度を感知する温度センサーを内蔵する。そして、温度感知センサーは半導体装置が指定された温度に至れば、その出力信号の論理状態を遷移させる。このように、温度感知センサーはその出力信号の論理状態の遷移によって、半導体装置が指定された温度以上かあるいは指定された温度以下かを示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の温度センサーは、半導体装置が完成された後には、一度設定された感知温度を変えられないという問題点が発生する。また、従来の温度センサーは、半導体装置の工程条件の変化によって設定された感知温度に変化が発生しても、これを制御できないという問題点を有する。
【０００６】
本発明の目的は、半導体装置が完成された後に感知する温度を調節できるプログラマブル温度センサー及びこれを具備する半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記のような本発明の目的を達成するために、本発明のプログラマブル温度センサーは、感知温度の上昇に応答して流れる電流量が増加する順方向電流ソースと、前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が減少する逆方向電流ソースと、前記順方向及び逆方向電流ソースに流れる電流量の変化に応答し、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが上昇する順方向感知信号と、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが下降する逆方向感知信号とを発生するプログラマブル温度感知部と、前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルを比較する比較器とを具備する。そして、所定の臨界温度点で前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルの大きさの順序が置き換えられ、前記臨界温度点を外部から切断可能な調整ヒューズにより調節できる。
【０００８】
望ましくは、前記プログラマブル温度感知部は、前記順方向電流ソースに流れる電流量の増加に応答して、電圧レベルが上昇する第1順方向ソーシング信号及び電圧レベルが下降する第1逆方向ソーシング信号を発生する第1電流ミラーと、前記逆方向電流ソースに流れる電流量の増加に応答して、電圧レベルが上昇する第2順方向ソーシング信号及び電圧レベルが下降する第2逆方向ソーシング信号を発生する第2電流ミラーと、前記第1順方向ソーシング信号と前記第2逆方向ソーシング信号に応答して、前記プログラマブル温度感知部の前記逆方向感知信号を発生し、一定の前記感知温度に対する前記逆方向感知信号の電圧レベルを外部から制御できる第1応答部と、前記第1逆方向ソーシング信号と前記第2順方向ソーシング信号に応答して、前記プログラマブル温度感知部の前記順方向感知信号を発生し、一定の前記感知温度に対する前記順方向感知信号の電圧レベルを外部から制御できる第2応答部とを具備する。
【０００９】
前記のような本発明の他の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半導体装置の温度を感知して、所定の臨界温度点で論理状態を異にする出力信号を発生するプログラマブル温度センサーを具備し、前記プログラマブル温度センサーは、前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が増加する順方向電流ソースと、前記感知温度の上昇に応答して流れる電流量が減少する逆方向電流ソースと、前記順方向及び逆方向電流ソースに流れる電流量の変化に応答し、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが上昇する順方向感知信号を発生する順方向出力端と、前記感知温度の上昇に応答して電圧レベルが下降する逆方向感知信号を発生する逆方向出力端とを有するプログラマブル温度感知部と、前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルを比較する比較器とを具備し、前記所定の臨界温度点で前記順方向感知信号と前記逆方向感知信号の電圧レベルの大きさの順序が置き換えられ、前記臨界温度点を外部から切断可能な調整ヒューズにより調節できる。
【００１０】
本発明のプログラマブル温度センサーによって、半導体装置が完成された後にも臨界温度点が制御でき、本発明のプログラマブル温度センサーを具備する半導体装置は、感知温度を正確に感知してシステムの誤動作を防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に対して、同じ参照符号は同じ部材である。
【００１２】
図1は、本発明に係るプログラマブル温度センサーの実施の形態例を示す図面である。
【００１３】
図1を参照すれば、本発明のプログラマブル温度センサーは、順方向電流ソース11、逆方向電流ソース13、プログラマブル温度感知部15、及び比較器17を具備する。
【００１４】
前記順方向電流ソース11は、感知温度DTEMPの上昇に対応して流れる電流量が増加する。しかし、前記逆方向電流ソース13は前記感知温度DTEMPの上昇に対応して流れる電流量が減少する。
【００１５】
前記プログラマブル温度感知部15は、前記順方向電流ソース11と前記逆方向電流ソース13に流れる電流量によって電圧レベルが決定される順方向感知信号FDSと逆方向感知信号RDSを発生する。
【００１６】
前記順方向感知信号FDSの電圧レベルは、前記順方向電流ソース11に流れる電流量の増加によって上昇し、前記逆方向電流ソース13に流れる電流量の増加によって下降する。従って、前記順方向感知信号FDSの電圧レベルは前記感知温度DTEMPの上昇によって上昇する。
【００１７】
前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルは、前記順方向電流ソース11に流れる電流量の増加によって下降し、前記逆方向電流ソース13に流れる電流量の減少によって上昇する。従って、前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルは前記感知温度DTEMPの上昇によって下降する。
【００１８】
従って、前記順方向感知信号FDSと前記逆方向感知信号RDSは、所定の臨界温度点Tcで電圧レベルの大きさの順序が置き換わる。
【００１９】
前記比較器17は、前記順方向感知信号FDSと前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルを比較して、温度情報信号TEMPHOTを発生する。本実施の形態例では、前記比較器17は前記逆方向感知信号RDSを反転入力端(−)で、前記順方向感知信号FDSを非反転入力端(＋)で受信する。従って、前記温度情報信号TEMPHOTは、前記臨界温度点Tc以下ではローレベルの論理状態を有し、前記臨界温度点Tc以上ではハイレベルの論理状態を有する。
【００２０】
前記プログラマブル温度感知部15は、具体的には、第1電流ミラー21、第2電流ミラー23、第1応答部25、及び第2応答部27を具備する。
【００２１】
前記第1電流ミラー21は、前記順方向電流ソース11に流れる電流量に応答して、第1順方向ソーシング信号FSOS1と第1逆方向ソーシング信号RSOS1を発生する。前記感知温度DTEMPの上昇によって前記順方向電流ソース11に流れる電流量が増加すれば、前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1の電圧レベルは下降し、PMOSトランジスタ21aに流れる電流量は増加する。
【００２２】
前記PMOSトランジスタ21aに流れる電流量が増加すれば、前記PMOSトランジスタ21aとミラーリングを成すPMOSトランジスタ21bに流れる電流量も増加する。従って、前記順方向電流ソース11に流れる電流量が増加すれば、前記第1順方向ソーシング信号FSOS1の電圧レベルは上昇する。
【００２３】
反対に前記PMOSトランジスタ21aに流れる電流量が減少すれば、前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1の電圧レベルは上昇し、前記第1順方向ソーシング信号FSOS1の電圧レベルは下降する。これは当業者には周知の事実であるので、本明細書で具体的な記述は省略する。
【００２４】
前記第2電流ミラー23は、前記逆方向電流ソース13に流れる電流量に応答して、第2順方向ソーシング信号FSOS2と第2逆方向ソーシング信号RSOS2を発生する。前記感知温度DTEMPの上昇によって前記逆方向電流ソース13に流れる電流量が減少すれば、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルは上昇し、PMOSトランジスタ23aに流れる電流量は減少する。
【００２５】
前記PMOSトランジスタ23aに流れる電流量が減少すれば、前記PMOSトランジスタ23aとミラーリングを成すPMOSトランジスタ23bに流れる電流量も減少する。従って、前記逆方向電流ソース13に流れる電流量が減少すれば、前記第2順方向ソーシング信号FSOS2の電圧レベルは下降する。
【００２６】
反対に前記PMOSトランジスタ23aに流れる電流量が増加すれば、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルは下降し、前記第2順方向ソーシング信号FSOS2の電圧レベルは上昇する。これは当業者には周知の事実であるので、本明細書で具体的な記述は省略する。
【００２７】
前記第1応答部25は、前記第1順方向ソーシング信号FSOS1と前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2に応答して、前記逆方向感知信号RDSを発生する。前記感知温度DTEMPが上昇して前記第1順方向ソーシング信号FSOS1の電圧レベルが上昇すれば、プルダウントランジスタ25aを通じて前記逆方向感知信号RDS端子から接地電圧VSSに流れる電流量は増加する。そして、前記感知温度DTEMPが上昇して前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルが上昇すれば、プルアップトランジスタ25bを通じて電源電圧VCCから前記逆方向感知信号RDS端子に流れる電流量は減少する。従って、前記感知温度DTEMPが上昇すれば、前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルは下降する。
【００２８】
反対に前記感知温度DTEMPが下降して前記逆方向電流ソース13の電流量が増加し、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルが下降すれば、プルアップトランジスタ25bを通じて電源電圧VCCから前記逆方向感知信号RDSに流れる電流量は増加する。そして、前記感知温度DTEMPが下降して前記第1順方向ソーシング信号FSOS1の電圧レベルが下降すれば、前記プルダウントランジスタ25aを通じて前記逆方向感知信号RDSから接地電圧VSSに流れる電流量は減少する。従って、前記感知温度DTEMPが下降すれば、前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルは上昇する。
【００２９】
調整回路25cは、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルの下降に応答して、電源電圧VCC端子から前記逆方向感知信号RDS端子に電流を供給することによって、電圧レベルを第1調節電圧値T1(図5参照)だけ上昇させる。そして、前記第1調節電圧値T1は半導体装置が完成された後、または半導体装置を製造する途中にも調節できる。
【００３０】
前記第2応答部27は、前記第2順方向ソーシング信号FSOS2と前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1に応答して、前記順方向感知信号FDSを発生する。前記感知温度DTEMPが下降して逆方向電流ソース13の電流量が増加し、前記第2順方向ソーシング信号FSOS2の電圧レベルが上昇すれば、プルダウントランジスタ27aを通じて前記順方向感知信号FDS端子から接地電圧VSS端子に流れる電流量は増加する。そして、前記感知温度DTEMPが下降して前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1の電圧レベルが上昇すれば、プルアップトランジスタ27bを通じて電源電圧VCC端子から前記順方向感知信号FDS端子に流れる電流量は減少する。従って、前記感知温度DTEMPが下降すれば、前記順方向感知信号FDSの電圧レベルは下降する。
【００３１】
反対に前記感知温度DTEMPが上昇して前記順方向電流ソース11の電流量が増加し、前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1の電圧レベルが下降すれば、前記プルアップトランジスタ27bを通じて流れる電流量が増加する。そして、前記感知温度DTEMPが上昇して前記第2順方向ソーシング信号FSOS2の電圧レベルが下降すれば、前記プルダウントランジスタ27aを通じて電流量は減少する。従って、前記感知温度DTEMPが上昇すれば、前記順方向感知信号FDSの電圧レベルは上昇する。
【００３２】
調整回路27cは、前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1の電圧レベルの下降に応答して、電源電圧VCC端子から前記順方向感知信号FDS端子に電流を供給することによって電圧レベルを第2調節電圧値T2(図5参照)だけ上昇させる。そして、前記第2調節電圧値T2は、半導体装置が完成された後、または半導体装置を製造する途中にも調節できる。
【００３３】
図2は、図1の調整回路25c、27cを示す図面である。本明細書では説明の便宜上、前記調整回路25cを中心として詳述する。
【００３４】
前記調整回路25cは、具体的には、調整指示部31、マルチプレクサ部33、及び制御ボックス35を具備する。
【００３５】
前記調整指示部31は、前記臨界温度点Tcを調整する時、活性化する調整指示信号CINFを前記マルチプレクサ部33に提供する。
【００３６】
前記マルチプレクサ部33は、2つの伝送ゲート33a、33bを有する。前記伝送ゲート33bは、前記調整指示信号CINFがハイレベルに活性化することによってターンオンされ、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルを前記制御ボックス35に提供する。前記伝送ゲート33aは、前記調整指示信号CINFがローレベルに非活性化する時はターンオンされて、遮断電圧を前記制御ボックス35に提供する。本実施の形態例における前記遮断電圧は、前記電源電圧VCCである。
【００３７】
前記制御ボックス35は、多数個のPMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…と多数個の調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…を具備する。前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…は並列に配列され、前記マルチプレクサ部33の出力信号がゲート端子に印加される。そして、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…は、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…のドレイン端子と前記逆方向感知信号RDSを連結する。そして、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…は外部から切断できる。
【００３８】
前記調整指示信号CINFがローレベルに非活性化する時、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…のゲート端子には前記電源電圧VCCが印加される。従って、前記調整指示信号CINFがローレベルに非活性化する時、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…がターンオフされて、前記逆方向感知信号RDSの電圧値は調節されない。
【００３９】
前記調整指示信号CINFがハイレベルに活性化する時、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…のゲート端子には前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2が印加される。従って、前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2の電圧レベルによって、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…を通じて伝送される電圧が決まる。そして、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…は前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…を通じて伝送される電圧を各々伝送して、前記逆方向感知信号RDSの電圧レベルを上昇させる。
【００４０】
従って、前記調整指示信号CINFがハイレベルに活性化する時、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…を切断することによって、前記逆方向感知信号RDSの上昇電圧値が制御できる。例えば、切断されない前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…の数によって、前記第1調節電圧値T1(図5参照)の大きさが決まる。
【００４１】
本明細書では、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…のドレイン端子と前記逆方向感知信号RDSはあらかじめ前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…で連結されている。そして、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…の切断によって、前記臨界温度点Tcが調節される。
【００４２】
しかし、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…の代りに、前記PMOSトランジスタ35a_1、35a_2、35a_3、…のドレイン端子と前記逆方向感知信号RDSの伝送ラインN35を、マスクオプションやメタル連結などを通じて選択的に連結させることによって、前記臨界温度点Tcが調節できることも、当業者には周知の事実である。そして、前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…がパッケージ状態で電気的に切断できることも当業者には周知の事実である。
【００４３】
図3は、図2の調整指示部31を示す図面である。これを参照して前記調整指示部31の構成及び作用効果をさらに具体的に説明すれば、次の通りである。
【００４４】
インバータ41は、初期電源信号VCCHを反転して電源反転信号VCCHBを出力する。
【００４５】
図4は、パワーアップ初期に電源電圧VCCの供給に従う初期電源電圧VCCHの変化(a)と電源反転信号VCCHBの変化(b)を示す図面である。時点t1で電源供給が始まると、電源電圧VCCが上昇する。この時、前記初期電源信号VCCHは接地電圧VSSの電圧レベルを維持し続け、前記電源反転信号VCCHBは前記電源電圧VCCと同じ電圧レベルに上昇し続ける。そして、時点t2、即ち、電源電圧VCCがAの電圧レベルに至れば、前記初期電源信号VCCHの電圧レベルは前記電源電圧VCCと同じ電圧レベルに上昇する。そして、前記電源反転信号VCCHBは前記接地電圧VSSになる。
【００４６】
そして、時点t3で前記電源電圧VCCと前記初期電源信号VCCHはBの電圧レベルで安定化し、前記電源反転信号VCCHBは前記接地電圧VSSを維持し続ける。
【００４７】
再び図3を参照して、前記調整指示部31の構成及び作用効果を説明すれば、次の通りである。
【００４８】
まず、前記臨界温度点Tcを調整しない場合、即ち、調整指示ヒューズ45が切断されない場合に対して記述する。前記電源反転信号VCCHBが、図4に示したようにローレベルに安定化すれば、PMOSトランジスタ43がターンオンされて電源電圧VCCを伝送する。前記調整指示ヒューズ45は、前記PMOSトランジスタ43によって伝送された前記電源電圧VCCをNORゲート51の入力端N50に伝送する。前記NORゲート51は前記入力端N50のハイレベルを反転してローレベルを出力する。そして、バッファ部53は前記NORゲート51の出力端N52のローレベルをバッファリングして出力する。よって、前記調整指示信号CINFはローレベルに非活性化する。
【００４９】
次に、前記臨界温度点Tcを調整する場合、即ち、調整指示ヒューズ45が切断される場合に対して記述する。前記調整指示ヒューズ45が切断されることによって、前記PMOSトランジスタ43を通じて伝送された前記電源電圧VCCは前記NORゲート51の入力端N50に伝送されない。前記電源反転信号VCCHBが、図4に示したようにt1〜t2の区間では電源電圧VCCと同じ値になる。前記t1〜t2の区間ではNMOSトランジスタ47がターンオンされる。よって、前記NORゲート51の入力端N50はローレベルになる。そして、時点t2以後に前記電源反転信号VCCHBがローレベルになれば、前記NORゲート51の出力端N52はハイレベルになる。そして、NMOSトランジスタ49によって、前記NORゲート51の出力端N52はハイレベルにラッチされる。よって、前記調整指示信号CINFはハイレベルに活性化する。
【００５０】
従って、前記調整指示信号CINFは、前記臨界温度点Tcを調整する場合に、前記調整指示ヒューズ45の切断によってハイレベルに活性化する。
【００５１】
図1の調整回路27cは図1の調整回路25cと同じ構成及び作用効果を有する。但し、調整回路25cは入力端INが前記第2逆方向ソーシング信号RSOS2と連結され、出力端OUTは前記順方向感知信号FDSと連結される。一方、調整回路27cは入力端INが前記第1逆方向ソーシング信号RSOS1と連結され、出力端OUTは前記逆方向感知信号RDSと連結される。上記の点が、前記調整回路27cと調整回路25cとの差異点である。
【００５２】
図5は、温度の変化に従う臨界温度点Tcの変化を示す図面である。これを参照して前記臨界温度点Tcの調節過程を記述すれば、次の通りである。
【００５３】
前記調整回路25c、27cで前記調整指示ヒューズ45(図3参照)を切断しない場合に、前記感知温度DTEMPに対する前記順方向感知信号FDS及び前記逆方向感知信号RDSは各々線F1及び線R1で示される。この時、前記臨界温度点Tcはαである。
【００５４】
前記調整回路25cの前記調整指示ヒューズ45を切断する場合に、前記感知温度DTEMPに対する前記逆方向感知電圧RDSは前記第1調節電圧値T1だけ上昇して、線R2で示される。この時、前記臨界温度点Tcはβに移る。そして、前記第1調節電圧値T1は切断される前記調節ヒューズ35b_1、35b_2、35b_3、…の数によって決まる。
【００５５】
前記調整回路27cの前記調整指示ヒューズ45を切断する場合に、前記感知温度DTEMPに対する前記順方向感知電圧FDSは前記第2調節電圧値T2だけ上昇して、線F2で示される。この時、前記臨界温度点Tcはγに移る。そして、前記第2調節電圧値T2は切断される前記調節ヒューズの数によって決まる。
【００５６】
前記調整回路25c、27c両方で前記調整指示ヒューズ45を切断する場合に、前記感知温度DTEMPに対する前記順方向感知電圧FDS及び前記逆方向感知電圧RDSは、各々線F2及び線R2で示される。この時、前記臨界温度点Tcはδに移る。
【００５７】
本発明は図面に示した一実施の形態例を参考として説明されたが、これは例示的なことに過ぎず、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これにより多様な変形及び均等な他の実施の形態例が可能ということを理解すべきである。
【００５８】
従って、本発明の真の技術的保護範囲は、請求の範囲の技術的思想により決まるべきである。
【００５９】
【発明の効果】
このように、本発明のプログラマブル温度センサーは、前記調整指示ヒューズ45及び前記調節ヒューズの切断によって前記臨界温度点Tcが制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプログラマブル温度センサーの実施の形態例を示す図面である。
【図２】図1の調整回路を示す図面である。
【図３】図2の調整指示部を示す図面である。
【図４】パワーアップ初期に電源電圧VCCの供給による初期電源電圧VCCHの変化(a)と電源反転信号VCCHBの変化(b)を示す図面である。
【図５】温度の変化に従う臨界温度点Tcの変化を示す図面である。
【符号の説明】
11  順方向電流ソース                  13  逆方向電流ソース
15  プログラマブル温度感知部          17  比較器
21  第1電流ミラー                     23  第2電流ミラー
25  第1応答部                         25a  プルダウントランジスタ
25b  プルアップトランジスタ           25c  調整回路
27  第2応答部                         27a  プルダウントランジスタ
21a、21b、23a、23b  PMOSトランジスタ
FSOS1  第1順方向ソーシング信号
FSOS2  第2順方向ソーシング信号
RSOS1  第1逆方向ソーシング信号
RSOS2  第2逆方向ソーシング信号
DTEMP  感知温度
VSS  接地電圧
VCC  電源電圧
FDS  順方向感知信号
RDS  逆方向感知信号
TEMPHOT  温度情報信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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