(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ２Ｏ３・ｂＡｌ２Ｏ３・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ２と表したとき、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，が０．２１９４＜ａ≦０．４５００
０．２１９４＜ｂ≦０．４５００
０．１０００≦ｃ≦０．４６１０
０．１０００≦ｄ≦０．４６１０
（ただし  ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）
の範囲内にある主成分１００重量部に対して、金属元素としてＣｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化物換算で７．０重量部以下を含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
請求項１記載の誘電体磁器組成物を、一対の入出力端子間に配置してなる誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波、ミリ波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミリ波などの高周波領域において使用される種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料や積層型セラミックコンデンサー等に用いることができる誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基板や導波路等に広く利用されている。そこに要求される特性として（１）誘電体中では波長が１／εｒ1/2 に短縮されるので、小型化の要求に対して比誘電率が大きい事、(2) 高周波での誘電損失が小さい事、すなわち高Ｑ値であること、(3) 共振周波数の温度に対する変化が小さいこと、即ち、比誘電率の温度依存性が小さく且つ安定であること、以上の３つの特性が主として挙げられる。
【０００３】
従来、この種の誘電体磁器としては、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ−ＲＥＯ−ＴｉＯ2 （但し、ＲＥＯは希土類元素酸化物) 系材料、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系材料などの酸化物磁器材料が知られている（例えば、特開昭６１−１０８０６号公報、特開昭６３−１０００５８号公報、特開昭６０−１９６０３号公報等参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら、ＢａＯ−ＴｉＯ2 系材料では、比誘電率εｒが３７〜４０と高く、Ｑ値は４００００と大きいが、単一相では共振周波数の温度依存性τｆが０のものが得にくく、組成変化に対する比誘電率及び比誘電率の温度依存性の変化も大きい。そのため、高い比誘電率と低い誘電損失を維持したまま、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御することが困難である。
【０００５】
また、ＢａＯ−ＲＥＯ−ＴｉＯ2 系材料については、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系あるいはＢａＯ−Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系等が知られているが、これらの系では比誘電率εｒ４０〜６０と非常に高く、また共振周波数の温度係数τｆが０のものも得られているが、Ｑ値が５０００以下と小さい。
【０００６】
また、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系材料ではＱ値が３００００と大きく、共振周波数の温度係数τｆが０のものも得られているが、比誘電率が１６〜２５と小さい。
【０００７】
このように、上記のいずれの材料においても高周波用誘電体材料に要求される前記３つの特性を共に充分には満足していない。
【０００８】
本発明は、上記の欠点に鑑み案出されたもので、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依存性が小さく且つ安定である誘電体磁器組成物を提供するものである。
【０００９】
【問題を解決するための手段】
まず、第１の本発明について説明する。
【００１０】
本発明者は上記問題に対し、検討を重ねた結果、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、これらを特定の範囲に調整することによって、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依存性が小さく且つ、安定である誘電体磁器組成物が得られることを知見した。
【００１１】
即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、
０．２１９４＜ａ≦０．４５００
０．２１９４＜ｂ≦０．４５００
０．１０００≦ｃ≦０．４６１０
０．１０００≦ｄ≦０．４６１０
（ただし  ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）
と表される組成範囲内に調整することを特徴とする。
【００１２】
本発明の誘電体磁器組成物は、ａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、これらのａ，ｂ，ｃ，ｄを上記の範囲に限定した理由は以下の通りである。
【００１３】
即ち、０．２１９４＜ａ≦０．４５００としたのは、ａ≦０．２１９４の場合はτｆが正に大きくなり、τｆの絶対値が３０を大きく越えてしまうからであり、ａ＞０．４５００の場合は、比誘電率が低下し、Ｑ値が２００００より低下すると共にτｆが負に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特に０．２２００≦ａ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００１４】
また、０．２１９４＜ｂ≦０．４５００としたのは、ｂ≦０．２１９４の場合はＱ値が２００００よりも低下し、ｂ＞０．４５００の場合も、Ｑ値が２００００よりも低下するからである。特に０．２２００≦ｂ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００１５】
さらに、０．１０００≦ｃ≦０．４６１０としたのは、ｃ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、ｃ＞０．４６１０の場合τｆが正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特に、０．２５００≦ｃ≦０．４０００の範囲が好ましい。
【００１６】
また、０．１０００≦ｄ≦０．４６１０としたのは、ｄ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまうからであり、εｒも２０以下となり、ｄ＞０．４６１０の場合は、τｆが正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、Ｑ値も２００００よりも低下するからである。特に、０．２５００≦ｄ≦０．４０００が好ましい。
【００１７】
また、本発明は、上記主成分１００重量部に対して、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化物換算で、７．０重量部以下を含有する誘電体磁器組成物を特徴とする。
【００１８】
即ち、上記主成分に少なくとも一種の上記金属元素を含有させることによって、εｒを変化させずに、τｆを０に近づけることができる。また、金属元素の含有量を酸化物換算で７．０重量部以下としたのは、７．０重量部を越えるとＱ値が極端に小さくなるためである。これらの中でも、特に、Ｃｅ０2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 を０．０１〜４重量部添加すると、無添加の場合より、誘電率、Ｑ値は、ほとんど変化せず、τｆが０に近づくため、性能上優れた誘電体磁器を得ることができる。
【００３１】
上述した本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、以下のようにして作製される。出発原料として、高純度の酸化ランタン、酸化アルミニウム、炭酸ストロンチウム、酸化チタンの各粉末を用いて、所望の割合となるように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで１０〜３０時間、ジルコニアボール等を使用したミルにより湿式混合・粉砕を行う。この混合物を乾燥後、１０００〜１３００℃で２〜１０時間仮焼し、さらに５重量％のバインダーを加えてから整粒し、得られた粉末を所望の成形手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押し出し成形等により任意の形状に成形後、１５００〜１７００℃の温度で１〜１０時間大気中において焼成することにより得られる。
【００３２】
また、本発明は、上記の誘電体磁器組成物を一対の入出力端子間に配置して誘電体共振器を構成したことを特徴とする。
【００３３】
即ち、本発明の誘電体共振器は、例えば、図１にＴＥモード型共振器を示すように、金属ケ−ス１の両側に入力端子２及び出力端子３を形成し、これらの端子２、３の間に上記したような組成からなる誘電体磁器組成物のセラミックス体４を配置して構成される。このように、ＴＥモ−ド型の誘電体共振器は、入力端子２からマイクロ波が入力され、マイクロ波はセラミックス体４と自由空間との境界の反射によってセラミックス体４内に閉じこめられ、特定の周波数で共振を起こす。この信号が出力端子３と電磁界結合し、出力される。
【００３４】
また、図示しないが、本発明の誘電体磁器組成物は、ＴＥＭモ−ドを用いた同軸形共振器やストリップ線路共振器、ＴＭモ−ドの誘電体磁器共振器、その他の共振器に適用しても良いことは勿論である。
【００３５】
【実施例】
まず、第１の本発明の実施例を説明する。
【００３６】
実施例１
出発原料として高純度の酸化ランタン（Ｌａ2 Ｏ3 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の各粉末を用いて、それらを表１となるように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで、ミルにより約２０時間湿式混合、粉砕を行った。なお、ミルのボールの種類や他の種々の条件により、ＺｒＯ2 やＳｉＯ2 、その他の希土類元素の不純物が合計で１重量％以下含有される場合がある。
【００３７】
この混合物を乾燥後、１２００℃で２時間仮焼し、さらに約５重量％のバインダーを加えてから整粒し、得られた粉末を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で円板状に成形し、１５００〜１７００℃の温度で２時間大気中において焼成した。
【００３８】
得られた磁器の円板部を平面研磨し、アセトン中で超音波洗浄し、１５０℃で１時間乾燥した後、円柱共振器法により測定周波数３．５〜４．５ＧＨｚで比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般に成立するＱ値×測定周波数ｆ＝一定の関係から１ＧＨｚでのＱ値に換算した。共振周波数の温度係数τｆは、−４０〜８５℃の範囲で測定した。これらの結果を表１に示す。
【００３９】
表１からも明らかなように、本発明の範囲外の誘電体では、比誘電率又はＱ値が低いか、あるいはτｆの絶対値が３０を超えていた。
【００４０】
これらに対し、本発明により得られた誘電体は、比誘電率が３０以上、Ｑ値が２５０００（１ＧＨｚにおいて）以上、τｆが±３０（ｐｐｍ／℃）以内の優れた誘電特性が得られることがわかった。
【００４１】
【表１】
0003744660.tif 000002
【００４２】
実施例２
次に、上記表１中Ｎｏ．４、２０の組成物を主組成として、表２、３に示す種々の酸化物を添加した。なお、出発原料としては、炭化物、水酸化物等のように、酸化することで金属酸化物になる化合物を用いても良い。
【００４３】
その後、実施例１と同様にして得られた焼結体の比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定した。
【００４４】
結果を表２、３に示すように、７．０重量部以下の金属酸化物を含有させたものは、εｒを変化させずにτｆを０に近ずけることができ、Ｑ値の低下も使用できる程度であることがわかる。ただし、含有量が、７．０重量部を越えるとＱ値が２５０００以下となることから、含有量は７．０重量部以下とすれば良い。
【００４５】
【表２】
0003744660.tif 000003
【００４６】
【表３】
0003744660.tif 000004
【００５９】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、
０．２１９４＜ａ≦０．４５００
０．２１９４＜ｂ≦０．４５００
０．１０００≦ｃ≦０．４６１０
０．１０００≦ｄ≦０．４６１０
（ただし  ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）
と表される組成範囲内に調整して誘電体磁器組成物を得ることによって、高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御することができた。
【００６０】
また、本発明によれば、上記主成分１００重量部に対し、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化物換算で７．０重量部以下を含有することにより、τｆが０付近にすることができる。
【００６３】
それにより、本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、自動車電話、コードレステレホン、パーソナル無線機、衛星放送受信機等の装置において、マイクロ波やミリ波領域において使用される共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、その他の各種電子部品等に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体共振器を示す概略図である。
【符号の説明】
１：金属ケ−ス
２：入力端子
３：出力端子
４：セラミックス体
【図１】
0003744660.tif 000005