(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に所定のステップを含むシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置のリトライシーケンス学習方法であって、リトライシーケンスでのステップの回数を可変とし、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップの回数を他のステップより多数回実行することを特徴とするリトライシーケンス学習方法。
【請求項２】
磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に所定のステップを含むシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置において、リトライシーケンスでのステップの回数を可変とし、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップの回数を他のステップより多数回実行することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
データを記録する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対しデータの記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを用いてデータの記録再生を行う記録再生回路と、複数のステップを含むリトライシーケンスを記憶する不揮発性メモリと、書き換え可能なメモリとを含み、 磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に前記リトライシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置において、前記磁気ディスクからリードしたデータにエラーがあった場合、前記不揮発性メモリに記憶したリトライシーケンスに
よる所定順序の複数のステップによるリトライを実行し、該リトライにおいてデータに誤りなくリードできたステップの回数を書き換え可能なメモリに記憶し、次のリードエラーが発生した際に前記書き換え可能なメモリに記憶したステップの回数を他のステップより多数回実行してリトライすることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードエラーが発生した場合のリトライシーケンス学習方法及びこの学習方法を適用した磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に磁気ディスク装置は、リードデータにエラーが発生した場合、このエラーを回復するためにエラー回復コードであるECCを使用したデータ訂正を行い、このECCによってもデータを訂正できなかった場合にはデータのリトライリードを行っている。
【０００３】
このデータのエラーを引き起こす要因としては、ランダムなノイズによるS/N比の劣化の他に、（１）ディスク上の欠陥、（２）Thermal Asperity(熱障害；ＴＡ)、（３）オフトラックライト、（４）波形変動、（５）動作環境の変動によるリード信号波形の特性変化などが挙げられる。
【０００４】
前記（１）ディスク上の欠陥は、大きさや範囲によっては欠陥部分でのデータエラーだけでなく、振幅変化による再生回路の自動振幅調整機能(AGC)や位相同期ループ(PLL)が誤動作してリード波形とデータ復号クロックにずれが生じ、バースト的なエラーを招くこともある。特に近年では高記録密度化（高BPI化）が進み、従来では問題にならなかったサイズの小さな欠陥が問題となってきている。
【０００５】
前記（２）ＴＡは、リードヘッドに磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を使用している場合に見られる現象である。このMR素子は、外部磁界によって素子の持つ磁化の向きが変化すると素子の抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用し、MR素子に一定のバイアス電流を流し、前記抵抗の変化による素子の電圧変化を出力信号として得るものであり、前記ＴＡは、磁気ディスク上に突起などに前記MR素子が接触して摩擦により素子の温度が上昇し、金属材料であるMR素子の抵抗が変化して本来の信号成分にその熱による抵抗変化分が重畳し波形を本来あるべき形から変形させる現象である。
【０００６】
前記（３）波形変動は、ライトヘッドによるライト磁界（書き込み時の磁界）がリードヘッドに影響を及ぼすことによって発生し易く、前記データ書き込み時にライト磁界がリードヘッド中の磁区構造を一時的に異なる構造へと遷移させ、出力振幅の変化や波形の上下非対称を引き起こす現象である。
【０００７】
前記（４）オフトラックライトは、本来ライトされるべき位置からオフセットした位置にデータトラックが書き込まれる現象であり、オフセットしたトラックのみでなく隣接トラックにも影響を与える現象である。このトラック位置を本来の位置からオフセットして書き込んだ場合、当然正しい位置でデータを読んでも期待したリード信号波形は得られないためエラーレートの劣化を招く。このオフセットライトは、今後さらにトラック密度が増大すればますます問題となる現象である。
【０００８】
（５）前記動作環境が引き起こす現象は、例えば高温や低気圧状態でヘッドの浮上量が変化し、これによりリード波形の分解能が変化することが挙げられる。現在主流となっているパーシャルレスポンスと呼ばれる信号処理方式では、分解能の変化による等化誤差はエラーレートに大きな劣化を生じる。
【０００９】
この様にリードエラーにはさまざまな要因があり、エラー発生時に再読込を行うリトライリードにより、その要因を想定してさまざまなエラー回避方法が実行される。このエラー回避方法をエラー要因対応に次に説明する。
【００１０】
（１）ディスク上欠陥に対するエラー回避方法：
このエラー回避方法は、欠陥が通常のデータ範囲に存在するか同期を取るためのPLO SYNC部に存在するかによって異なるが、前者の場合は再生回路のゲイン変更を行なったりデータ復号方式を切り替えたりする方法が採られ、後者の場合PLLの引き込みタイミングを変更するなどの処置が採られる。
【００１１】
（２）ＴＡに対するエラー回避方法：
このＴＡの影響を軽減するためのエラー回避方法は、ＴＡの応答が信号成分の周波数に比べて遅いことを利用し、ハイパスフィルタ(HPF)のカットオフ周波数を上げることによってリード波形からＴＡ成分を除去する方法が採られる。またAGC（自動利得制御回路）やPLL（Phase Locked Loop：データセパレータ回路）がＴＡ波形に応答することによってエラーが後続の部分まで伝搬するのを防ぐために、AGCやPLLの動作をホールドする方法が併せて行われる。
【００１２】
（３）波形変動に対するエラー回避方法：
この波形変動の回避方法は、ライトヘッドによる磁界がリードヘッドに影響を及ぼすことに起因するため、再びライトヘッドから磁界を発生させてリードヘッドを安定な磁区構造に戻す方法が採られている。
この回避方法においては、リードデータを壊さないよう一度データの書かれていないトラックにシークしてライト電流を流しヘッドの磁区構造を安定状態に戻した後、再度目標のトラックにシークし直してリードを実行する必要がある。この復旧のためのライト動作は、データをライトするためではなく単にライト磁界を発生させるためだけのライトであるためダミーライトと呼ばれる。
【００１３】
（４）オフトラックライトに対するエラー回避方法：
この回避方法は、オフトラックして書き込んでしてしまったデータトラックに対して前記オフセット分だけ本来のリード位置からずらした位置での読込を行えば良く、オフセット方向やその値が分からないために、いくつかのオフセット値でリトライリードを行なうことによって行われる。
【００１４】
（５）その他のエラー回避方法：
この回避方法は、特定の要因に対するエラー回復方法ではないが、R/Wチャネルによって発行される、エラーが発生したと推定される場所に関する情報を利用し、ソフトウェアでより効果的なエラー訂正を行なうイレージャ訂正などが挙げられる。
【００１５】
このように従来技術による磁気ディスク装置には、エラー回復方法を含んださまざまなリトライステップがリトライシーケンスとして登録されており、リードエラーが発生した場合に実行される。このリトライステップの実行順序は、エラー要因の発生頻度やそのステップを実行するのに要する時間を考慮し、最初にオフセットリード、次にダミーライト、次にフィルタ設定の変更といったように実行の順序が装置構成時に決定されたまま固定している。
【００１６】
従って従来技術による磁気ディスク装置は、エラー要因によってはエラー回復に有効なステップがリトライシーケンスの末尾の方に登録されており、無駄なリトライステップを多数実行した後でなければエラー回復をすることができず、エラーの回復までに時間を費やすと言う不具合があった。
【００１７】
従来技術においては、前記不具合を解決するために、例えば特開平１０−１３４５２８号公報に記載されている如く、リトライシーケンスに登録されたリトライステップを複数のステップを含むグループに分割しておき、エラー発生時にはエラーの種類を判別し、判別されたエラーの種類に応じてグループ内から特定のリトライステップを選択的に実行することにより無駄なリトライステップを避ける方法が提案されている。
【００１８】
この方法を図１を参照して説明する。図１は、前記公報中に示されたエラー回復プロシージャのステップ例である。図に示すステップは、大別して、どのようなタイプのエラーにおいても実行するステップ１〜４のグループと、エラータイプにしたがって選択的に実行するために区分けされた複数のグループＡ以降とに分けられる。前記ステップ１〜４のグループは、前回と同条件にて再読込を行うSYNC１〜2と、トラック位置をずらして再読込を行うオフトラック１〜２のステップとから構成される。
【００１９】
前記グループＡは、ＴＡ用にＡＧＣをホールドするステップ５，サーボエラー用にデータ・スレショルド調整を行うステップ６，ミスリード用にサーボ・スレショルド調整を行うステップ７とから構成され、グループＢは、ＴＡ用にバタフライ・シークを行うステップ８，サーボエラー用にオフトラックシークを行うステップ９，ミスリード用にＭＲバイアスの変更を行うステップ１０とから構成されている。
【００２０】
前記各グループにはＴＡエラー回復用、サーボ・エラー回復用、およびその他の読み取り不良(ミス・リード)エラー回復用の３つのステップが含まれ、本例においてＴＡエラーが発生した場合には、ステップ１、２、３、４、５、８、１１が順次実行され、サーボ・エラーの場合には、１、２、３、４、６、９、１２が順次実行され、ミス・リードの場合には、１、２、３、４、７、１０、１３が順次実行される。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
前述の公報中に示された無駄なリトライステップを避ける方法は、リトライシーケンスに入る前にエラーの要因を特定する必要があるが、前述したようにエラー要因は多種存在し、ＴＡを除いた他のエラー要因をリトライシーケンスに入る前に特定することは困難であるため、ほとんどのリードエラーはミス・リード回復用のステップをグループ順に実行することとなり、実質的に無駄なステップを避けることは困難であると言う不具合があった。
【００２２】
本発明の目的は、前記従来技術による不具合を除去することであり、無駄なリトライステップの実行を防止することができるリトライシーケンス学習方法及び該学習方法を適用した磁気ディスク装置を提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明は、磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に所定のステップを含むシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置のリトライシーケンス学習方法であって、リトライシーケンスでのステップの順序を可変とし、該ステップの実行順序を、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップから優先的に実行することを第１の特徴とする。
【００２４】
更に本発明は、磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に所定のステップを含むシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置において、リトライシーケンスでのステップの順序を可変とし、該ステップの実行順序を、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップから優先的に実行することを第２の特徴とする。
【００２５】
また本発明は、データを記録する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対しデータの記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを用いてデータの記録再生を行う記録再生回路と、複数のステップを含むリトライシーケンスを記憶する不揮発性メモリと、書き換え可能なメモリとを含み、 磁気ディスクに書き込んだデータを再生し、リードエラーが発生した際に前記リトライシーケンスに従ってリトライを行う磁気ディスク装置において、前記磁気ディスクからリードしたデータにエラーがあった場合、前記不揮発性メモリに記憶したリトライシーケンスによる所定順序の複数のステップによるリトライを実行し、該リトライにおいてデータに誤りなくリードできたステップの順序を書き換え可能なメモリに記憶し、次のリードエラーが発生した際に前記書き換え可能なメモリに記憶した順序で複数のステップを実行してリトライすることを第３の特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるリトライシーケンス学習方法及び該学習方法を適用した磁気ディスク装置を図面を参照して詳細に説明する。図２は、本発明が適用される磁気ディスク装置の機構を説明するための図である。
図２に示す磁気ディスク装置は、スピンドル２１に回転自在に保持された磁気ディスク２２と、該磁気ディスク２２上に位置してキャリッジに保持され且つボイスコイルモータ(ＶＣＭ) ２３により回動される磁気ヘッド２４と、該磁気ヘッド２４によりデータの記録再生を行う記録再生回路の機能の一部を担うリード・ライト(R/W) ＩＣ ２５と、これら回路機構を収納する筐体２０とを備える。
【００２７】
この磁気ディスク装置は、スピンドル２１の回転により磁気ディスク２２を所定回転数回転した状態で、ボイスコイルモータ２３が駆動することにより磁気ヘッド２５を磁気ディスク２４上の任意のトラックに位置決めし、リード・ライトＩＣ２５によりデータの記録再生を行う様に構成されている。
【００２８】
前記磁気ヘッド２４でリードしたアナログ信号は、リード・ライトＩＣ２５を通じてＲ／Ｗチャネルに送られデジタルデータへ再生される。ライト・リードされるデータにはエラーをチェックするためのコードが付加されており、データを再生した際にそれがライトしたデータと正しいかどうか判定できる。リードしたデータに誤りがあると判定された場合、データ訂正やリトライリードが実行される。
【００２９】
本実施形態では、エラーを回復するための複数のリトライシーケンス及びこの学習方法は磁気ディスク装置構成時にＲＯＭなどの不揮発性メモリ上に格納されている。
【００３０】
このエラー回復を行うステップは、例えば図３に示す如く、各ステップにはｒｅｔｒｙ［ｎ］（０〜ｎ）という名前が割り当てられ、例えばｒｅｔｒｙ［０］は単純な再リード，ｒｅｔｒｙ［１］は−１タップヘッド位置をずらしたオフセットリード，ｒｅｔｒｙ［２］は＋１タップヘッド位置をずらしたオフセットリード，ｒｅｔｒｙ［３］は−２タップヘッド位置をずらしたオフセットリード，ｒｅｔｒｙ［４］は＋２タップヘッド位置をずらしたオフセットリード，ｒｅｔｒｙ［５］はＥＱ係数を変更した再リード、ｒｅｔｒｙ［６］はＰＬＬをホールドした状態の再リード，ｒｅｔｒｙ［７］はＡＧＣをホールドした状態の再リード，ｒｅｔｒｙ［８］はＭＲ素子用のダミーライト，ｒｅｔｒｙ［９］はＡＧＣのゲインを変更した状態の再リード，ｒｅｔｒｙ［１０］はＨＰＦの周波数（ｆc）を変更した再リード，ｒｅｔｒｙ［１１］はイレージャを訂正した再リードを行うことを表している。即ち図３は、使用される(n+１)個のステップ有るエラー回復の一例が、それぞれretry[ ]というステップ名で割り当てられていることを説明する図である。
【００３１】
本実施形態によるエラーを回復するための複数のリトライシーケンス及びこの学習方法を次に図４を参照して説明する。図４は、本実施形態による磁気ディスク４０上にリトライの優先順位を記述した配列ｐｒｉｏｒｉｔｙ［］の要素が表４１のように保存されている様子を示す。
【００３２】
この保存されている配列要素は、前回の磁気ディスク装置動作時の全ての条件によるリトライリードを行った結果に基づくリトライシーケンス学習結果であり、例えばヘッド番号０（ＨＤ＃０）のゾーン番号０（Ｚｏｎｅ＃０）の如く各磁気ヘッド及び磁気ディスク上のゾーン毎に配列要素を割り当てる。本例ではゾーン数(q+１)、ヘッド本数(p+１)としている。
【００３３】
本実施形態は、磁気ディスク装置起動時には前記配列要素を磁気ディスクから読み込み、例えばRAMなどの書き換え可能なメモリ上にｐｒｉｏｒｉｔｙ［  ］配列の要素として記憶する。例えばあるゾーン・ヘッドに関してディスク上にｐｒｉｏｒｉｔｙ［  ］が「１、３、４、０、５、１０、９、…」と保存されていた場合、書き換え可能なメモリには図５のようにｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］＝１、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［１］＝３、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［２］＝４、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［３］＝０、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［４］＝５、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［５］＝１０、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［６］＝９、…と記憶する。
【００３４】
図６はエラーが発生した場合のリトライ手順と、その結果を元に次回のリトライステップ順序を変更する様子を示したフローチャートである。ここではエラー回復を行うステップを表した図３を元に説明を行なうためにリトライステップ数が(n+１)個の場合として説明する。
【００３５】
本処理は、まずエラーが発生しリトライシーケンスに入ると、まずk=０をセットし（ステップ６０）、次いでｐｒｉｏｒｉｔｙ［ｋ］すなわちｐｒｉｏｒｉｔｙ[０]に該当するリトライステップを実行する（ステップ６１）。このリトライステップは、ｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］が”１”であるため、まずｒｅｔｒｙ［１］が実行される、即ち図２の「−１タップオフセットリード」のステップが行われる。
【００３６】
次に本処理は、前記ステップ６１によりリトライが成功したか否かを判定し（ステップ６２）、ここでリトライリードに成功しなかった場合はステップ６３にフローが進み、ここで既に決められた全ステップのリトライが実行されたかが判断される。決められた回数のリトライステップを実行してもエラーを回復できなかった場合にはステップ６４に示したようにリトライ失敗となる。
【００３７】
まだ決められた全ステップのリトライを実行していなかった場合（ステップ６３のＹｅｓ）、ｋの値に”１”を加算して再びステップ６１に戻る。
このステップ６５によりｋの値がインクリメントされ、今度のステップ６１ではｐｒｉｏｒｉｔｙ［１］に示されたステップ、ここでの例ではｒｅｔｒｙ［３］が実行される、即ち図３に示した「−２タップオフセットリード」が実行される。
以降リトライリードに成功（ステップ６２のＹＥＳ）するか、決められた回数のリトライが実行される（ステップ６３のＮｏ）まで、同様の手順が繰り返される。
【００３８】
ここでは、ｋ＝４までのリトライステップでリードに成功しなかったものとし、ステップ６５までフローが進んだと仮定すると、本ステップ６５でｋがインクリメントされｋ＝５となり、ステップ６１へ戻り、ステップ６２においてｒｅｔｒｙ［ｐｒｉｏｒｉｔｙ［５］］＝ｒｅｔｒｙ［１０］すなわち「ＨＰＦのｆｃ変更」が実行され、再リードが行われる。
【００３９】
このステップでリードに成功したとするとステップ６６へと進み、最初のリトライステップでリードに成功していれば、リトライステップ順序の変更は行なわれずリトライ終了（ステップ６７）となるが、ｋ＝０でないため次のステップ６８へと進み、次回のリトライのためにステップ順序の変更が行われる。
【００４０】
このステップ順序の変更は、今回リードに成功した「ＨＰＦのｆｃ変更」が次回のリトライ時に最初（ｋ＝０）に実行されるようにするため、図５のｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］を１０に変更する必要がある。これがステップ６８中のｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］＝ｐｒｉｏｒｉｔｙ［ｋ］である。また、このときに元のｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］の情報が失われないように、一時的にｔｅｍｐという変数に避難させている。これがステップ６８中の（ｔｅｍｐ＝ｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］）である。
【００４１】
以下の操作では今回の１〜ｋ−１番目のステップが、次回の２〜ｋ番目に実行されるようにｐｒｉｏｒｉｔｙ［  ］配列の内容を操作している。ｋ＋１番目以降のリトライステップ順序には変更は加えられない。
本処理は、以上の手順を全て実行するとリトライの終了となる（ステップ６９）。
【００４２】
上記の操作の結果ｐｒｉｏｒｉｔｙ［］配列要素順序は、当初の図５のものから図７に示す如く変更され、次回のリトライ時にはステップの実行順序は図８に示す如く、今回のリトライが「−１タップオフセットリード」から開始していたものを次回においては「ＨＰＦのｆｃの変更」から開始する様に変更する。
【００４３】
従って本実施形態によれば、リトライに要する時間を各ステップで同じとすると、この例の場合、次回のリトライでは成功までに要する時間を今回と比べて１／６に短縮することができる。即ち、本発明は、リトライシーケンスでのステップの順序を可変とし、その順序を、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップから優先的に実行する、換言すればリトライシーケンスで実行されるステップの順序を過去にどのステップが効果的に作用したかに応じて学習する機能を有することにより、無駄なリトライステップが実行されるのを避けることができる。
【００４４】
次に本発明の他の実施形態であるリトライステップの回数を学習する手順について説明する。
図９は、前記図４に示したリトライステップの他の例を示し、磁気ディスク９０上に各リトライステップの回数を記述した配列ｔｉｍｅ［］の要素が表９１のように保存されている様子を示す。
【００４５】
ここに保存されている配列要素は、ゾーン数（ｑ＋１）、ヘッド本数（ｐ＋１）の例における、前回の磁気ディスク装置動作時のリトライシーケンス学習結果である。前記実施形態同様に磁気ディスク装置起動時にはこれが磁気ディスク上からリードされ、例えばＲＡＭなどの書き換え可能なメモリ上のｔｉｍｅ［］に例えば図１０の如く記憶される。例えばあるゾーン・ヘッドに関してディスク上にｔｉｍｅ［］が「２、１、１、３、２、１、１、…」と保存されていた場合、書き換え可能なメモリ上には図１０のようにｔｉｍｅ［０］＝２、ｔｉｍｅ［１］＝１、ｔｉｍｅ［２］＝１、ｔｉｍｅ［３］＝３、ｔｉｍｅ［４］＝２、ｔｉｍｅ［５］＝１、ｔｉｍｅ［６］＝１、…と記憶される。
【００４６】
図１１、はエラーが発生した場合のリトライ手順と、その結果を元に次回のリトライステップ回数を変更する様子を示したフローチャートである。ここではリトライステップ数が（ｎ＋１）個の場合を仮定した。
【００４７】
本処理は、エラーが発生しリトライシーケンスに入ると、まずk=０をセットし（ステップ２０）、次いでｒｅｔｒｙ［０］，ｒｅｔｒｙ［１］，…，ｒｅｔｒｙ［ｎ］がリトライに成功するまで順番に実行される。この時それぞれのリトライステップは、それぞれ図１１中の符号１１０部分のループに示すようにｔｉｍｅ［０］，ｔｉｍｅ［１］，…ｔｉｍｅ［ｎ］回ずつ繰り返し実行される。
【００４８】
前記符号１１０部分の処理は、ｌにｔｉｍｅ［０］をセットし（ステップ２０）、次いで前記ｌが０より大きいか判定し（ステップ２１）、ｒｅｔｒｙ［０］のステップ、ここではｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］が”１”であるためｒｅｔｒｙ［１］（図２の「−１タップオフセットリード」）のステップを実行し（ステップ２３）、リードの成功有無を判定し（ステップ２４）、成功しない場合はｌから１を減算（ステップ２５）してから前記ステップ２２に戻り、リトライに成功するまで順番に再度ステップ２３によるｒｅｔｒｙ［１］〜ｒｅｔｒｙ［ｎ］がリトライに成功するまで順番に実行される。
【００４９】
以下前述の図３と図１０を例に説明すると、「単純に再リード」がｔｉｍｅ［０］として２回、「−１タップオフセットリード」がｔｉｍｅ［１］回として１回、「＋１タップオフセットリード」がｔｉｍｅ［２］回として１回、「−２タップオフセットリード」がｔｉｍｅ［３］回として回、…のように実行される。
【００５０】
ここで例えば「−２タップオフセットリード」でリトライに成功したとすると、図１１のステップ１１１によりリトライステップの次回のリトライシーケンスでの回数が変更される。本例のステップ１１１では今回の回数＋１回となる場合を示したが、ここは他の値に設定しても良い。上記の手順の結果により図１０に示したリトライ回数を記憶する配列の要素を図１２のように変化させる。
【００５１】
これにより本実施形態は、各ステップの回数を可変とし、過去に行われたリトライシーケンスの結果に応じてその回数を学習させる、即ち過去のリトライシーケンスでエラーなくリードできたステップの回数を他のステップより多数回実行することにより、リトライの成功率を向上させることができる。
【００５２】
尚、図１１に示した実施形態では省略したが、ステップあたりの最大リトライ回数に上限を与え、ある特定のステップだけにより時間の消費を防止することが考えられる。この場合、リトライシーケンスが繰り返し実行され、全てのリトライの回数が上限に張り付くと、各ステップ間の回数に優劣がなくなってしまうため、この対策として、例えば全ステップのリトライ回数の合計を管理し、合計回数がある値を超え場合、リトライに成功したステップの回数を増やす時に他のステップの回数を減らす様にすることが考えられる。この場合には、リトライ回数が０になり実行されないステップができるのを避けるため、リトライ回数の下限も例えば１と決めておく必要がある。
【００５３】
本発明は、前述の２つの実施形態を組み合わし、リトライステップの順序と回数を共に変更することもできる。
図１３は、この前記２つの実施形態を組み合わしたリトライ手順と、リトライ結果を元にリトライステップの順序と回数を変更する手順を表すフローチャートである。
【００５４】
本処理は、エラーが発生しリトライシーケンスに入ると、まずk=０をセットし（ステップ３１）、次いでｌにｔｉｍｅ［ｐｒｉｏｒｉｔｙ[ｋ]］にｋ＝０をセットし（ステップ３２）、次いで前記ｌが０より大きいか判定し（ステップ３３）、ｔｉｍｅ［ｐｒｉｏｒｉｔｙ[０］］のステップを実行する（ステップ３４）。ここではｐｒｉｏｒｉｔｙ［０］が”１”であるためｒｅｔｒｙ［１］（図２の「−１タップオフセットリード」）のステップを実行し（ステップ３４）、リードの成功有無を判定し（ステップ３５）、成功しない場合はｌから１を減算（ステップ３６）してから前記ステップ３３に戻り、リトライに成功するまで順番に再度ステップ２４によるｒｅｔｒｙ［ｐｒｉｏｒｉｔｙ［１］］〜ｒｅｔｒｙ［ｐｒｉｏｒｉｔｙ［ｎ］］がリトライに成功するまで順番に実行される。
ここで前記ステップ３３において前記ｌが０より小さいと判定され（ステップ３３のＮＯ）、ｋがｎより小さいとき（ステップ３７におけるＹＥＳ）、ｋに１を加算してステップ３２に戻って処理を続行する。
【００５５】
このように本発明は、無駄なリトライステップが実行されるのを避けるために、リトライシーケンスでのステップの順序を可変とし、その順序を、過去に行われたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたステップから優先的に実行することにより、リトライシーケンスで実行されるステップの順序を過去にどのステップが効果的に作用したかに応じて学習することができる。
【００５６】
またステップ順序だけでなく、各ステップの回数を可変とし、過去に行われたリトライシーケンスの結果に応じてその回数を学習させ、過去のリトライシーケンスでエラーなくリードできたステップの回数を他のステップより多数回実行することによりリトライの成功率を向上することができる。
【００５７】
尚、本発明は次に述べる実施形態としても表すことができる。
＜実施形態１＞   データを記録するための磁気ディスクと、該磁気ディスクに対しデータの記録・再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドに接続されたデータの記録再生回路と、該磁気ディスクと該磁気ヘッドおよび該記録再生回路の動作を制御する制御回路と、該制御回路の動作手順を記憶する不揮発性メモリと、書き換え可能なメモリからなる磁気ディスク装置で、該磁気ディスク装置は少なくとも２本のヘッドを有するか、あるいは少なくとも２つのゾーンに分割されており、該磁気ディスクから該磁気ヘッドを用いてリードしたデータに誤りがあった場合にはリトライシーケンスが実行され、該リトライシーケンスは少なくとも２種類のリトライステップを有し、該リトライステップは前記不揮発性メモリに保持されており、該リトライシーケンスで実行されるリトライステップの順序あるいは各リトライステップの回数あるいはリトライステップの順序および回数は起動時にはあらかじめ定められており、磁気ディスク装置の起動後にリトライシーケンスで実行されるリトライステップの順序あるいは各リトライステップの回数あるいはリトライステップの順序および回数が変化可能であり、該リトライステップの順序あるいは各リトライステップの回数あるいはリトライステップの順序および回数が前記書き換え可能なメモリに記憶されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【００５８】
＜実施形態２＞  リトライシーケンスで実行されるリトライステップの順序が、直前までに実行されたリトライシーケンスにおいて、どのリトライステップでデータに誤りなくリードできたかに応じて変化することを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
＜実施形態３＞  直前に実行されたリトライシーケンスにおいてデータに誤りなくリードできたリトライステップが、その直後のリトライシーケンス時に最初に実行されることを特徴とする実施形態１又は２記載の磁気ディスク装置。
＜実施形態４＞  リトライシーケンスで実行されるリトライステップの順序が、ヘッドあるいはゾーンあるいはヘッドおよびゾーン毎に変化可能であることを特徴とする実施形態１記載のの磁気ディスク装置。
＜実施形態５＞  磁気ディスク装置起動後に変化したリトライシーケンスで実行されるリトライステップの順序を、磁気ディスク上に保存することを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
＜実施形態６＞  磁気ディスク装置を起動後最初のリトライシーケンスでのリトライステップの実行順序は、実施形態５で磁気ディスク上に保存された順序に従うことを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
【００５９】
＜実施形態７＞  リトライシーケンスで実行される各リトライステップの回数が、直前までに実行されたリトライシーケンスにおいてどのリトライステップでデータに誤りなくリードできたかに応じて変化することを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
【００６０】
＜実施形態８＞  リトライシーケンスで実行される各リトライステップの回数が、ヘッドあるいはゾーンあるいはヘッドおよびゾーン毎に変化可能であることを特徴とする実施形態１又は２記載の磁気ディスク装置。
＜実施形態９＞  磁気ディスク装置起動後に変化したリトライシーケンスで実行される各リトライステップの回数を、磁気ディスク上に保存することを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
＜実施形態１０＞  磁気ディスク装置を起動後最初のリトライシーケンスでの各リトライステップの回数は、実施形態９で磁気ディスク上に保存された順序に従うことを特徴とする実施形態１記載の磁気ディスク装置。
【００６１】
【発明の効果】
本発明を利用すれば、エラーに対して最も有効なエラー回復ステップが優先的にかつ多数回実行されるために、リトライの成功率向上とパフォーマンスの低下を最小限に抑えることが可能となる。またゾーンおよびヘッド毎にリトライステップ実行順序および回数が独立であるため、学習したためのパフォーマンス低下を抑えることが可能である。
【００６２】
さらに学習したリトライ順序および回数を保存しておくことによって、次回起動時には直後からリトライ学習効果を有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による磁気ディスク装置のリトライシーケンスを説明するための図。
【図２】本発明の一実施形態による磁気ディスク装置の機構を示す図。
【図３】本発明の一実施形態による不揮発性メモリ上に格納されるエラー回復を行うステップを説明するための図。
【図４】本発実施形態によりリトライステップの実行順序を示すpriority[ ]配列が、ディスク上にゾーンおよびヘッド毎に保存されていることを説明するための図。
【図５】本発実施形態によるRAM上に記憶されているあるゾーン・ヘッドのpriority[ ]の配列要素を説明するための図。
【図６】本発実施形態によるリードエラーが発生した場合に実行されるリトライステップ手順と、そのリトライ結果を元に次回のリトライステップ実行順序を変更する手順を説明するためのフローチャート図。
【図７】本発実施形態によりリトライが実行された後に、RAM上に記憶されたpriority[ ]が変化した一動作例を説明するための図。
【図８】本発実施形態によるリトライの前後でのリトライステップ実行順序変化の一動作例を説明するための図。
【図９】本発明の他の発実施形態によるリトライステップの回数を示すtime[ ]配列が、ディスク上にゾーンおよびヘッド毎に保存されていることを説明するための図。
【図１０】他の実施形態によるRAM上に記憶されているあるゾーン・ヘッドのtime[ ]の配列要素を説明するための図。
【図１１】他の実施形態によるリードエラーが発生した場合に実行されるリトライステップ手順と、そのリトライ結果を元に次回のリトライステップ回数を変更する手順を説明するためのフローチャート図。
【図１２】他の実施形態によるリトライが実行された後に、RAM上に記憶されたtime[ ]が変化した一動作例を説明するための図。
【図１３】他の実施形態によるリードエラーが発生した場合に実行されるリトライステップ手順と、そのリトライ結果を元に次回のリトライステップの順序および回数を変更する手順を説明するためのフローチャート図。
【符号の説明】
２０：磁気ディスク装置筐体、２１：スピンドル、２２：磁気ディスク、２３：ボイスコイルモーター(VCM)、２４：磁気ヘッド、２５：リードライト(R/W) IC、４０：磁気ディスク、４１：磁気ディスク上にライトされたpriority[ ]の配列要素、９０：磁気ディスク、９１：磁気ディスク上にライトされたtime[ ]の配列要素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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