(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径０．５〜１００μｍ、アスペクト１．３未満、ＣＶ値１５％以下、Ｓｉ含有率８〜１１重量％の微球の表面に金が被覆されてなり、金メッキされた微球は明度５以上彩度４以上であることを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】
微球は、平均粒子径が１〜２０μｍ、アスペクト比が１．２未満、ＣＶ値が１０％以下、Ｋ値が３００〜６０００ｋｇｆ／ｍｍ2 、繰り返し圧縮による回復率５０％以上であることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】
微球は、平均粒子径が２〜８μｍ、アスペクト比が１．１未満であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
【請求項４】
微球は、ＣＶ値が５％以下、Ｋ値が４００〜８００ｋｇｆ／ｍｍ2 、繰り返し圧縮による回復率が７０％以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の導電性微粒子。
【請求項５】
微球は、アスペクト比１．０６未満、繰り返し圧縮による回復率９０％以上であることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の導電性微粒子。
【請求項６】
微球は、金メッキされた微球であり、前記金メッキの下地はニッケルであることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の導電性微粒子。
【請求項７】
微球は、金メッキされた微球であり、前記金メッキの厚みは５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の導電性微粒子。
【請求項８】
請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の導電性微粒子を含有することを特徴とする異方性導電接着剤。
【請求項９】
基板又は電気部品を構成する電極部同士が、請求項１、２、３、４、５、６若しくは７記載の導電性微粒子、又は、請求項８記載の異方性導電接着剤により接続されていることを特徴とする導電接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細電極間の接続に用いられる導電性微粒子、異方性導電接着剤、及び、上記導電性微粒子又は上記異方性導電接着剤が用いられた導電接続構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯通信機器等のエレクトロニクス製品において、半導体素子等の小型電気部品を基板に電気的に接続したり、基板同士を電気的に接続するため、いわゆる異方性導電材料といわれるものが使用されている。
また、上記異方性導電材料としては、導電性微粒子をバインダー樹脂に混合した異方性導電接着剤が広く用いられている。
【０００３】
上記異方性導電接着剤に用いる導電性微粒子としては、有機基材粒子又は無機基材粒子の表面に金属メッキを施したものや金属粒子が用いられてきた。このような導電性微粒子は、例えば、特公平６−９６７７１号公報、特開平４−３６９０２号公報、特開平４−２６９７２０号公報、特開平３−２５７７１０号公報等に開示されている。
【０００４】
また、このような導電性微粒子をバインダー樹脂と混ぜ合わせてフィルム状又はペースト状にした異方性導電接着剤は、例えば、特開昭６３−２３１８８９号公報、特開平４−２５９７６６号公報、特開平３−２９１８０７号公報、特開平５−７５２５０号公報等に開示されている。
【０００５】
従来の異方性導電材料には、導電性微粒子の基材として電気絶縁材料が多用されている。しかし、この基材粒子は繰り返し圧縮により疲労を起こすため、電極との接触抵抗が大きくなり長期信頼性に劣るという問題点があった。
近年、電子機器や電子部品が色々な用途で用いられるようになるにともない、耐久性や長期信頼性がより必要とされてきている。
【０００６】
繰り返し圧縮による疲労を起こしにくい材質にはＳｉを含むものがあるが、これらは真球状のものが得にくく、真球といわれるものでもアスペクト比が比較的大きいものが多い。更に、粒子径が揃っておらずＣＶ値が大きいため導通に関与しない粒子が大量に発生し電極間でのリーク現象が発生しやすいという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記に鑑み、微細電極等に対応でき、接続抵抗が低く、信頼性が高い導電性微粒子、上記導電性微粒子を含有する異方性導電接着剤、及び、上記導電性微粒子又は上記異方性導電接着剤が用いられた導電接続構造体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、平均粒子径０．５〜１００μｍ、アスペクト比１．３未満、ＣＶ値１５％以下、Ｓｉ含有率４重量％以上の微球の表面に導電性物質が被覆されてなることを特徴とする導電性微粒子である。
以下に、本発明を詳述する。
【０００９】
本発明に用いられる微球は、その平均粒子径が０．５〜１００μｍである。平均粒子径が０．５μｍ未満であると、後述する電極間を接合する工程において、接合すべき電極面に導電性微粒子が接触しにくくなり、電極間に隙間が生じて接触不良の原因となる場合があり、１００μｍを超えると、微細な導電接合に対応できなくなる場合があるので上記範囲に限定される。好ましくは１〜２０μｍであり、より好ましくは２〜８μｍである。
【００１０】
上記微球は、そのアスペクト比が１．３未満である。アスペクト比が１．３以上では、粒子径が不揃いとなるため、導電性微粒子を介して電極同士を接触させる際、接触しない導電性微粒子が大量に発生し、電極間でのリーク現象が発生する場合があるので、上記範囲に限定される。好ましくは１．２未満、より好ましくは１．１未満、更に好ましくは１．０６未満である。
上記アスペクト比とは、粒子の平均長径を平均短径で割った値である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、平均粒子径０．５〜１００μｍ、アスペクト１．３未満、ＣＶ値１５％以下、Ｓｉ含有率８〜１１重量％の微球の表面に金が被覆されてなり、金メッキされた微球は明度５以上彩度４以上であることを特徴とする導電性微粒子である。以下に本発明を詳述する。
【００１２】
上記微球は、そのＳｉ含有率が８〜１１重量％である。Ｓｉ含有率が８重量％未満では、導電性微粒子として用いられた場合に、繰り返し圧縮により疲労を起こしやすく、更に、冷熱サイクルや高温高湿状態に、長時間曝された場合には、電極との間の接続抵抗値が上がり、信頼性が低くなる場合がある。また、上記Ｓｉ含有率は、１１重量％を超えると上記導電性微粒子が脆くなる傾向がある。
【００１３】
上記微球の材質は、上記平均粒子径、上記アスペクト比、上記ＣＶ値、及び、上記Ｓｉ含有率を有するものであれば特に限定されず、例えば、有機化合物、樹脂、無機化合物、その混合物や化合物等が挙げられる。これらのなかでは、ＣＶ値の小さい微球が得られることから、樹脂が好ましい。上記樹脂としては特に限定されず、例えば、シラン系単量体と他の単量体との共重合体等が挙げられる。
【００１４】
上記微球は、そのＫ値が３００〜６０００ｋｇｆ／ｍｍ2 であることが好ましい。Ｋ値が３００ｋｇｆ／ｍｍ2 未満では、衝撃や冷熱サイクル等により、接続不良を起こす場合があり、６０００ｋｇｆ／ｍｍ2 を超えると電極を傷つける場合がある。より好ましくは、４００〜８００ｋｇｆ／ｍｍ2 である。
【００１５】
上記Ｋ値とは、下記の式（２）；
Ｋ値（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）＝（３／√２）×Ｆ×Ｓ-3/2×Ｒ-1/2  （２）
（式中、Ｆは、２０℃、１０％圧縮変形における荷重値（ｋｇｆ）、Ｓは、２０℃における１０％圧縮変位（ｍｍ）、Ｒは半径（ｍｍ）を表す）で表される値である。
【００１６】
上記微球は、その繰り返し圧縮による回復率（以下、回復率という）が５０％以上であることが好ましい。
回復率が、５０％未満では、衝撃や冷熱サイクル等により、接続不良を起こす場合がある。より好ましくは、７０％以上であり、更に好ましくは、９０％以上である。
上記回復率とは、２０℃、１０％圧縮変形を１０００回繰り返したときの初期粒子径に対する値である。
【００１７】
上記導電性微粒子は、上記微球に、導電性物質として金が被覆されたものである。
上記微球に金のみが被覆されたものであっても良いし、金が被覆された微球に、更に、有機化合物、樹脂、無機化合等の被覆がされていても良い。
【００１８】
上記導電性微粒子を複数の電極で挟んだ状態の電気部品を作製すると、一方の電極から他方の電極へ、この導電性微粒子を介して電流が流れる。近年、電子部品は色々な用途に用いられ、耐久性や長期信頼性が、より求められてきており、上記耐久性及び信頼性は、上記微球を被覆する上記導電性物質によって大きく影響される。
【００１９】
上記微球を被覆する上記導電性物質としては、導電性微粒子と電極との接続抵抗を小さくすることができ、上記耐久性及び信頼性を得ることができる点から、金属によるメッキに限定され、更に、電極との接触面等で酸化が発生しにくいことから、金メッキである。
【００２０】
上記メッキの方法としては、上記微球にメッキを形成することができる方法であれば特に限定されず、例えば、無電解メッキ等が挙げられる。上記金メッキの方法としては特に限定されないが、均一にメッキできることから、金メッキの下地として、上記微球に金属メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法等を用いて金メッキする方法が好ましい。下地となる金属メッキとしては、導電性やメッキのし易さから、無電界メッキによるニッケルメッキが好ましい。また、上記ニッケルメッキは、剥がれが起きにくいように、下地である微球のエッチングや活性化を充分に行うことが好ましい。
【００２１】
上記金メッキされた微球は、その明度が５以上、彩度が４以上であるものに限定される。明度が５未満、彩度が４未満では、充分な初期特性及び長期安定性を得ることができない。特に好ましくは明度が６以上、彩度が７以上である。
【００２２】
金メッキにより被覆層を形成する場合、メッキが不充分なために、表面の金に下地の金属が混入したり、メッキをし過ぎたために、メッキ液に溶出した下地金属が再び表面上に戻ってきて、金メッキ粒子の表面色がくすんだ状態になる場合がある。このとき、金メッキ粒子は、酸化劣化等の影響を大きく受けるために、初期の導電特性及び長期信頼性が著しく劣ることがある。このため、上記明度及び彩度は、上記範囲に限定される。
【００２３】
上記明度及び彩度は、上記金メッキされた微球の表面状態を表す指標であり、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２１に準拠した方法、即ち、上記金メッキされた微球を無色透明のアンプル瓶に入れて、標準色表と照らし合わせることにより得られる。
上記金メッキの厚みは、優れた初期の導電特性、及び、長期信頼性を得るために、５０ｎｍ以上が好ましい。
上記メッキの厚みは、メッキされた微球２０個の切断面を電子顕微鏡で観察することにより得ることができる。
【００２４】
上記導電性微粒子は、主として、相対向する２つの電極を電気的に接続する際に用いられる。上記導電性微粒子を用いて相対向する２つの電極を電気的に接続する方法としては、例えば、上記導電性微粒子を絶縁性樹脂中に分散させて異方性導電接着剤を調製し、該異方性導電接着剤を使用して２つの電極を接着、接続する方法、バインダー樹脂と上記導電性微粒子とを別々に使用して接続する方法等が挙げられる。
【００２５】
上記異方性導電接着剤も本発明の１つである。本明細書において、異方性導電接着剤とは、異方性導電膜、異方性導電ペースト、異方性導電インキ等を含むものとする。
【００２６】
上記異方性導電接着剤を構成するバインダー樹脂としては特に限定されず、例えば、アクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体等の熱可塑性樹脂；グリシジル基を有するモノマーやオリゴマーとイソシアネート等の硬化剤との反応により得られる硬化性樹脂組成物等の熱や光によって硬化する組成物等が挙げられる。
【００２７】
上記異方性導電接着剤として異方性導電膜を使用した場合、上記導電性微粒子は、ランダムに分散されていてもよく、特定の位置に配置されていてもよい。導電性微粒子がランダムに分散された導電膜は、通常、汎用的な用途に使用される。また、導電性微粒子が所定の位置に配置された導電膜は、効率的な電気接合を行うことができる。
上記異方性導電接着剤の塗工膜厚は、１０〜数百μｍが好ましい。
【００２８】
上記異方性導電接着剤により接続される対象物としては、例えば、表面に電極部が形成された基板、半導体等の電気部品等が挙げられる。
上記基板は、フレキシブル基板とリジッド基板とに大別される。上記フレキシブル基板としては、例えば、５０〜５００μｍの厚みの樹脂シートが挙げられる。上記樹脂シートの材質としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン等が挙げられる。
【００２９】
上記リジッド基板は、樹脂製のものとセラミック製のものとに大別される。上記樹脂製のものとしては、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、セルロース繊維強化フェノール樹脂等が挙げられる。上記セラミック製のものとしては、例えば、二酸化ケイ素、アルミナ、ガラス等が挙げられる。
上記基板としては、高精度の電極が形成し易いという点から、リジッド基板が好ましい。より好ましくは、セラミック製の基板である。
【００３０】
上記基板の構成は特に限定されず、単層のものであってもよく、単位面積当たりの電極数を増加させるために、例えば、複数の層が形成され、スルーホール形成等の手段により、これらの層が相互に電気的に接続されている多層基板であってもよい。
【００３１】
上記電気部品としては特に限定されず、例えば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体等の能動部品；抵抗、コンデンサ、水晶振動子等の受動部品等が挙げられる。
上記基板又は電気部品の表面に形成される電極の形状としては特に限定されず、例えば、縞状、ドット状、任意形状のもの等が挙げられる。
【００３２】
上記電極の材質としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等が挙げられる。接触抵抗を低減させるために、銅、ニッケル等の上に更に金が被覆された電極を用いることができる。
【００３３】
上記電極の形成方法としては、高精度のものが得られることから、メッキ法が好ましい。
上記電極の厚みは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、上記電極の幅は、１〜５００μｍであることが好ましい。
【００３４】
上記導電性微粒子と上記基板又は部品等との接合としては、例えば、表面に電極が形成された基板又は電気部品の上に、上記導電性微粒子を用いた異方性導電膜を配置し、その上に、他の基板又は電気部品の電極を置き、加熱、加圧する方法が挙げられる。上記異方性導電膜の代わりに、スクリーン印刷やディスペンサー等の印刷手段により、上記導電性微粒子を用いた異方性導電ペーストを所定量用いることもできる。上記加熱、加圧には、ヒーターが付いた圧着機やボンディングマシーン等が用いられる。
【００３５】
上記異方性導電膜及び上記異方性導電ペーストを用いない方法も可能であり、例えば、導電性微粒子を介して貼り合わせた２つの電極部の隙間に液状のバインダーを注入した後、硬化させる方法等を用いることができる。
【００３６】
上記基板又は電気部品の電極部同士が、上記導電性微粒子又は上記異方性導電接着剤を用いて接続された導電接続構造体もまた、本発明の１つである。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００３８】
実施例１
平均粒子径６μｍ、アスペクト比１．０４、ＣＶ値４％、Ｋ値４５０ｋｇｆ／ｍｍ2 、Ｓｉ含有率９重量％、回復率９５％のスチレン／γ−メタクリロキシプロピルメトキシシラン系共重合体をアルカリ処理した微球を分級したものに、無電解メッキにより０．１５μｍのニッケル被覆層を形成した。次に、強制攪拌とともに表面の状態をみながら置換メッキを行い、粒子表面色の明度及び彩度が低下する前にメッキ処理を終了し、導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒子の表面は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２１に準拠した方法を用い、標準色表と比較した結果、明度は５で、彩度は６であった。また、金の厚みは５０ｎｍであった。
【００３９】
この導電性微粒子をエポキシ樹脂及びアクリル樹脂の混合物をトルエンに溶解させたバインダー溶液に混合、分散させた。ついで、この導電性微粒子の分散溶液を離型フィルム上に一定厚みに塗布し、トルエンを蒸発させ、異方性導電膜を作製した。膜厚は３０μｍであり、導電性微粒子の濃度は１５％であった。
次に、ガラス−エポキシ銅張り基板（厚み１．６ｍｍ、配線幅６０μｍ、電極ピッチ１００μｍ）に得られた異方性導電膜を貼り付けた。
この上に厚み１００μｍのポリイミドフィルム基板（厚み３０μｍ、配線幅６０μｍ、電極ピッチ１００μｍ）を位置あわせした後重ね合わせ、１５０℃で２分間、加熱、加圧して導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定した。
【００４０】
その結果、この導電接続構造体の接続抵抗値は０．００７Ωと充分に低く、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０9 Ω以上で線間絶縁性は充分保たれていた。また、−２０〜９０℃の冷熱サイクルテストを２万回行ったが、接続抵抗値は、変化していなかった。
【００４６】
比較例１
平均粒子径６μｍ、アスペクト比１．０４、ＣＶ値４％、Ｋ値２８０ｋｇｆ／ｍｍ2 、Ｓｉ含有率１重量％、回復率４０％のスチレン／γ−メタクリロキシプロピルメトキシシラン系共重合体を用いた以外は、実施例１と同様にして、明度５、彩度６、金の厚さ５０ｎｍの導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定した。
得られた導電接続構造体の接続抵抗値は０．０１５Ωと充分に低く、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０9 Ω以上で線間絶縁性は充分保たれていた。
しかし、−２０〜９０℃の冷熱サイクルテストを２万回行ったところ、一部接続不良が発生した。
【００４７】
比較例２
平均粒子径６μｍ、アスペクト比１．４、ＣＶ値２５％、Ｋ値４５０ｋｇｆ／ｍｍ2 、Ｓｉ含有率９重量％、回復率９５％のスチレン／γ−メタクリロキシプロピルメトキシシラン系共重合体を用いた以外は、実施例１と同様にして、明度５、彩度６、金の厚さ５０ｎｍの導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定した。
得られた導電接続構造体の接続抵抗値は０．０４Ωと高かった。一方、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０9 Ω以上で線間絶縁性は充分保たれていた。
また、−２０〜９０℃の冷熱サイクルテストを２万回行ったところ、接続抵抗はほとんど変化していなかった。
【００４８】
比較例３
平均粒子径３００μｍ、アスペクト比１．０４、ＣＶ値４％、Ｋ値４２０ｋｇｆ／ｍｍ2 、Ｓｉ含有率９重量％、回復率９５％のスチレン／γ−メタクリロキシプロピルメトキシシラン系共重合体を用いた以外は、実施例１と同様にして、明度５、彩度６、金の厚さ５０ｎｍの導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定しようとしたが、微細電極に対応できずショートが発生した。
【００４９】
比較例４
平均粒子径０．１μｍ、アスペクト比１．２未満、ＣＶ値２０％未満、Ｓｉ含有率９重量％のスチレン／γ−メタクリロキシプロピルメトキシシラン系共重合体を用いた以外は、実施例１と同様にして、明度４、彩度４の導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定しようとしたが、この導電接続構造体は一部で接続不良が発生した。
【００５０】
比較例５
強制攪拌とともに表面の状態をみながら完全に置換メッキが終了するまでメッキ処理を行った以外は、比較例２と同様にして、明度３、彩度２、金の厚さ３０ｎｍの導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に導電接続構造体を作製し、接続抵抗値を測定した。
得られた導電接続構造体の接続抵抗値は０．０７Ωと高かった。一方、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０9 Ω以上で線間絶縁性は充分保たれていた。
また、−２０〜９０℃の冷熱サイクルテストを２万回行ったところ、接続抵抗値は５倍に上昇していた。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の導電性微粒子は、上述の構成よりなるので、電極が形成された基板又は電気部品等を良好に導電接合することができる。
また、本発明の異方性導電接着剤は、上述の構成よりなるので、電極が形成された基板又は電気部品等を良好に導電接合することができる。
更に、本発明の導電接続構造体は、上述の構成よりなるので、微細電極においても接続抵抗が低く、信頼性の高い導電接続構造体を提供することができる。