(57)【要約】  本開示の一実施形態の半導体発光素子は、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と、ＧａＮ基板上に設けられた活性層と、ＧａＮ基板と活性層との間に設けられると共に、活性層側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層および基板側に第１層よりも屈折率の低い第２層と有するｎ型クラッド層とを備える。
2020017223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と、
前記ＧａＮ基板上に設けられた活性層と、
前記ＧａＮ基板と前記活性層との間に設けられると共に、前記活性層側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層および前記基板側に前記第１層よりも屈折率の低い第２層と有するｎ型クラッド層と
を備えた半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１層の組成範囲は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦０．９９５，０００５≦ｙ≦１，０＜ｚ≦０．９９５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１層は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚みを有する、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ＧａＮ基板の面方位は、（１−１００）、（２０−２１）、（２０−２−１）、（３０−３１）、（３０−３−１）、（１０−１１）、（１１−２０）、（１１−２２）および（１１−２４）のうちのいずれかである、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記活性層上に、さらにｐ型クラッド層を有し、
共振器端面を構成する前記第１層の表面粗さは前記ｐ型クラッド層の表面粗さよりも小さい、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記活性層は４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するレーザ光を発振する、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１層は、ドーパントとしてケイ素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）を含む、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板上に、
インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層と、前記第１層よりも屈折率の低い第２層とを、第２層および第１層の順に有するｎ型クラッド層を形成し、
前記ｎ型クラッド層上に活性層を形成する
半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記活性層上に、さらにｐ型クラッド層を形成したのち、ドライエッチングを用いて共振器端面を形成する、請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料を用いた半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光源用途として窒化物半導体を用いた青色帯域〜緑色帯域の光を発する半導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode）および発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）の開発が活発に行われている。その中でも、半極性や非極性の窒化物半導体は、ピエゾ電界の影響を小さくでき、長波長帯域の光を発する半導体発光素子を構成する上で効果的である。【０００３】
しかしながら、ｃ面からｍ軸やａ軸方向に傾斜した半極性面または非極性面を結晶成長の主面とした窒化ガリウム（ＧａＮ）系基板では、劈開によって共振器端面ミラーの形成に適した結晶面を用いることができない。このため、例えば、特許文献１では、窒化物半導体層をエッチングして共振器端面を形成する窒化物半導体レーザ素子が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１６４４５９号公報
【発明の概要】
【０００５】
ところで、窒化物半導体を用いた半導体発光素子では、光取り出し効率および発光特性の向上が求められている。
【０００６】
光取り出し効率および発光特性を向上させることが可能な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することが望ましい。
【０００７】
本開示の一実施形態の半導体発光素子は、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と、ＧａＮ基板上に設けられた活性層と、ＧａＮ基板と活性層との間に設けられると共に、活性層側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層および基板側に第１層よりも屈折率の低い第２層と有するｎ型クラッド層とを備えたものである。
【０００８】
本開示の一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板上に、インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層と、第１層よりも屈折率の低い第２層とを、第２層および第１層の順に有するｎ型クラッド層を形成し、ｎ型クラッド層上に活性層を形成する。
【０００９】
本開示の一実施形態の半導体発光素子および一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と活性層との間に、活性層側に第１層および基板側に第２層と有するｎ型クラッド層を設けるようにした。第１層は、インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなり、第２層は、第１層よりも低い屈折率を有している。これにより、エッチングを用いた共振器端面の形成時における共振器端面の表面荒れを低減し、平坦な共振器端面を得る。
【００１０】
本開示の一実施形態の半導体発光素子および一実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と活性層との間に、ｎ型のクラッド層として、活性層側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからな第１層を、ＧａＮ基板側に第１層よりも低い屈折率を有する第２層を設けるようにしたので、平坦な共振器端面が得られるようになる。よって、光取り出し効率および発光特性を向上させることが可能となる。
【００１１】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の実施の形態に係る半導体発光素子の構成の一例を表す断面模式図である。
【図２】図１に示した半導体発光素子の形成方法を表す流れ図である。
【図３Ａ】図１に示した半導体発光素子の形成方法を説明する断面模式図である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く断面模式図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに続く断面模式図である。
【図４】図１に示した半導体発光素子の積層方向の屈折率および電界強度分布を表す図である。
【図５】エッチングにより形成されたＧａＮ層（Ａ）およびＡｌＧａＩｎＮ層（Ｂ）の端面のＳＥＭ画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態
（活性層側に０．５％以上のＩｎを含む第１層と第１層よりも屈折率の低い第２層とを有するｎ型クラッド層を設け、共振器端面をエッチングにより形成する例）
１−１．半導体発光素子の構成
１−２．半導体発光素子の製造方法
１−３．作用・効果
【００１４】
＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る半導体発光素子（半導体レーザ１）の断面構成の一例を模式的に表したものである。半導体レーザ１は、例えば可視領域、特に４５０ｎｍ以上の波長のレーザ光を発振する窒化物系の半導体レーザであり、例えばレーザディスプレイやポインタ等の光源として用いられるものである。本実施の形態の半導体レーザ１は、基板１１と活性層１５との間に、活性層１５側に設けられ、インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層１３Ａおよび基板１１側に設けられた、第１層１３Ａよりも屈折率の低い第２層１３Ｂの２層を有するｎ型クラッド層１３が設けられた構成を有する。なお、図１は、半導体レーザ１の断面構成を模式的に表したものであり、実際の寸法，形状とは異なっている。
【００１５】
（１−１．半導体発光素子の構成）
半導体レーザ１は、基板１１上に半導体層を有している。基板１１上の半導体層は、例えば、基板１１側から、下地層１２、ｎ型クラッド層１３、ｎ型ガイド層１４、活性層１５、ｐ型ガイド層１６、ｐ型クラッド層１７およびコンタクト層１８がこの順に積層されたている。半導体レーザ１は、さらに基板１１の裏面（上記半導体層の形成面とは反対側の面）に下部電極２１を有しており、コンタクト層１８上に上部電極２２を有している。
【００１６】
基板１１は、例えばｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とする、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）基板である。基板１１の面方位は、例えば、（１−１００）、（２０−２１）、（２０−２−１）、（３０−３１）、（３０−３−１）、（１０−１１）、（１１−２０）、（１１−２２）および（１１−２４）のうちのいずれかである。基板１１の厚みは、例えば３００μｍ〜５００μｍである。
【００１７】
基板１１上の半導体層は、窒化物半導体により構成されている。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、または、ＡｌＧａＩｎＮ等である。窒化物半導体には、所望に応じて、ホウ素（Ｂ）原子、タリウム（Ｔｌ）原子、ケイ素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、ヒ素（Ａｓ）原子、リン（Ｐ）原子およびアンチモン（Ｓｂ）原子等が含まれていてもよい。
【００１８】
下地層１２は、基板１１上に設けられており、例えばｎ型のＧａＮにより構成されている。
【００１９】
ｎ型クラッド層１３は、下地層１２上に設けられており、上記のように、例えば第１層１３Ａおよび第２層１３Ｂの２層を含んで構成されている。第１層１３Ａは、活性層１５側に配置されており、第２層１３Ｂは、基板１１側に配置されている。
【００２０】
第１層１３Ａは、例えばＡｌx1Ｉｎy1Ｇａz1Ｎ（０≦ｘ１≦０．９９５，０００５≦ｙ１≦１，０＜ｚ１≦０．９９５，ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）からなる。第１層１３Ａを構成するＡｌＧａＩｎＮにおけるＩｎ組成は、上記のように０．５％以上であることが好ましく、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上である。上限は、例えば２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下である。その際、第１層１３Ａを構成するＡｌＧａＩｎＮ層の格子定数がＧａＮと同等になるようにアルミニウム（Ａｌ）の組成を調整することが好ましい。第１層１３Ａには、ｎ型のドーパントとして、例えばケイ素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされている。第１層１３Ａの厚みは、例えば５０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。第１層１３Ａの厚みの上限としては、例えば２０００ｎｍ以下である。第１層１３Ａの共振器端面の表面粗さ（例えばＲＭＳやＲａ）は、後述するｐ型クラッド層１７よりも小さい。
【００２１】
第２層１３Ｂは、例えばＡｌＧａＮから構成されている。第２層１３Ｂは、第１層１３Ａよりも低い屈折率を有する。例えば、第１層１３Ａが、２．４１の屈折率を有するのに対し、第２層１３Ｂは、例えば２．３６の屈折率を有する。第２層１３Ｂには、ｎ型のドーパントとして、例えばケイ素（Ｓｉ）がドープされている。第２層１３Ｂの厚みは、例えば２００ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５００ｎｍ以上、さらに好ましくは８００ｎｍ以上である。
【００２２】
ｎ型クラッド層１３は、第１層１３Ａおよび第２層１３Ｂの他に、他の層を含んでいてもよいが、例えば３層以上を積層する場合には、第１層１３Ａは活性層１５に最も近い位置に配置することが好ましく、さらに、第１層１３Ａが最も高い屈折率を有することが好ましい。
【００２３】
ｎ型ガイド層１４は、ｎ型クラッド層１３上に設けられており、ｎ型のドーパントとして、例えばシリコン（Ｓｉ）．がドープされたＧａＩｎＮにより構成されている。
【００２４】
活性層１５は、ｎ型ガイド層１４上に設けられている。活性層１５は、単一量子井戸構造または、障壁層を間に複数の量子井戸層が積層された多重量子井戸構造を有する。活性層１５は、量子井戸層および障壁層共に、例えばＡｌx2Ｉｎy2Ｇａz2Ｎ（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１，０＜ｚ２≦１，ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）からなる。量子井戸層はインジウム（Ｉｎ）を含んでいることが好ましく、ＡｌＧａＩｎＮにおけるＩｎ組成は、例えば１５％以上５０％以下であることが好ましい。活性層１５の厚みは、例えば２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。活性層１５から発振されるレーザ光のピーク波長は、例えば４５０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５００ｎｍ以上である。
【００２５】
ｐ型ガイド層１６は、活性層１５上に設けられており、例えばアンドープのＧａＩｎＮにより構成されている。
【００２６】
ｐ型クラッド層１７は、ｐ型ガイド層１６上に設けられており、ｐ型のドーパントとして、例えばマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたＡｌＧａＮにより構成されている。ｐ型クラッド層１７の一部には、光導波路として、電流狭窄のための共振器方向（図１では、Ｚ軸方向）に延長された細いストライプ状のリッジ部１７Ｘが形成されている。リッジ部１７Ｘは、例えば１μｍ〜５０μｍの幅（図１ではＸ軸方向：ｗ）を有し、例えば０．１〜１μｍの高さ（図１ではＹ軸方向：ｈ）を有する。リッジ部１７Ｘの共振器方向の長さは、例えば２００μｍ以上３０００μｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
コンタクト層１８は、ｐ型クラッド層１７のリッジ部１７Ｘ上に設けられており、例えばマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたＧａＮにより構成されている。
【００２８】
リッジ部１７Ｘの側面を含むｐ型クラッド層１７上およびコンタクト層１８の側面には、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）からなる電流狭窄層１９が形成されている。
【００２９】
下部電極２１は、基板１１の裏面に形成されており、金属によって構成されている。下部電極２１の一例としては、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を基板１１側から順に積層した多層膜（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）が挙げられる。下部電極２１は、基板１１等を介してｎ型クラッド層１３と電気的に接続されていればよく、必ずしも基板１１の裏面に形成されていなくてもよい。
【００３０】
上部電極２２は、例えばコンタクト層１８上から電流狭窄層１９を間にリッジ部１７Ｘの側面にかけて設けられており、下部電極２１と同様に金属によって構成されている。上部電極２２の一例としては、例えばパラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をコンタクト層１８の側から順に積層した多層膜（Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ）が挙げられる。上部電極２２は、電流狭窄をするように帯状に延長されており、この上部電極２２に対応する活性層１５の領域が発光領域となる。
【００３１】
（１−２．半導体発光素子の製造方法）
本実施の形態の半導体レーザ１は、例えば以下のように製造することができる。図２は、半導体レーザ１の製造方法の流れを表したものであり、図３Ａ〜図３Ｃは、半導体レーザ１の製造方法を工程順に表したものである。
【００３２】
まず、リアクター内に、図３Ａに示したように、例えば（２０−２１）面を成長の主面とするＧａＮよりなる基板１１を用意する（ステップＳ１０１）。次に、図３Ｂに示したように、基板１１の上面（結晶成長面）に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属化学気相成長）法を用いて、下地層１２、ｎ型クラッド層１３を構成する第２層１３Ｂ、第１層１３Ａ、ｎ型ガイド層１４、活性層１５、ｐ型ガイド層１６、ｐ型クラッド層１７およびコンタクト層１８を、この順に形成する（ステップＳ１０２）。
【００３３】
なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3）3Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）をそれぞれ用いる。また、窒素の原料ガスとしてはアンモニア（ＮＨ3）を用いる。また、ケイ素の原料ガスとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ4）を用い、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5Ｈ5）2Ｍｇ）を用いる。
【００３４】
続いて、図３Ｃに示したように、リッジ部１７Ｘおよび電流狭窄層１９を形成する（ステップＳ１０３）。具体的には、例えばコンタクト層１８上にマスクを形成し、このマスクを利用して、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）法によりコンタクト層１８およびｐ型クラッド層１７の一部を選択的に除去してリッジ部１７Ｘを形成する。次に、ｐ型クラッド層１７およびコンタクト層１８の上に、例えばＳｉＯ2膜を成膜したのち、リッジ部１７Ｘの上面に開口を設けて電流狭窄層１９を形成する。
【００３５】
続いて、エッチングにより共振器端面を形成する（ステップＳ１０４）。ここで、エッチング方法としてドライエッチングを用い、少なくともコンタクト層１８からｎ型クラッド層１３まで行うことが好ましく、より好ましくは下地層１２まで、さらに好ましくは、基板１１まで到達する深さまでエッチングすることが好ましい。
【００３６】
なお、エッチング方法は、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ（Reactive Ion Beam Etching；反応性イオンビームエッチング）等を用いることができる。いずれにおいても、エッチングガスは、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）のようなフッ素系もしくは塩素（Ｃｌ2）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）のような塩素系ガスをエッチング条件に合わせて選択する。ドライエッチング後は、表面状態の平滑性改善のために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等の溶液によるウエットエッチング処理を追加しても構わない。
【００３７】
次に、コンタクト層１８および電流狭窄層１９上に、例えば蒸着法またはスパッタ法等を用いてチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を順に積膜したのち、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより所望の形状にパターニングして上部電極２２を形成する。最後に、基板１１の裏面側を研磨して基板１１を所定の厚さ、例えば９０μｍの厚みにしたのち、基板１１の裏面に下部電極２１を形成する。以上により、本実施の形態の半導体レーザ１が完成する。
【００３８】
本実施の形態の半導体レーザ１では、下部電極２１と上部電極２２との間に所定の電圧が印加されると活性層１５に電流が注入され、電子と正孔との再結合により発光が生じる。この光は、一対の共振器端面において繰り返し反射されたのち、一方の端面から所定の波長のレーザ光として出射する。このようにして、レーザ発振がなされる。
【００３９】
（１−３．作用・効果）
前述したように、近年、光源用途として窒化物半導体を用いた青色帯域〜緑色帯域の光を発する半導体レーザおよび発光ダイオードの開発が活発に行われている。その中でも、半極性や非極性の窒化物半導体は、ピエゾ電界の影響を小さくでき、長波長帯域の光を発する半導体発光素子を構成する上で効果的である。
【００４０】
しかしながら、ｃ面からｍ軸やａ軸方向に傾斜した半極性面または非極性面を結晶成長の主面とした窒化ガリウム（ＧａＮ）系基板では、劈開によって共振器端面ミラーに適した結晶面を形成することができない。例えば、窒化物半導体層をエッチングして共振器端面を形成する方法があるが、共振器端面に表面荒れが生じ、平坦性が損なわれて良好な共振器端面ミラーが得られない虞がある。共振器端面の表面荒れは、光出射面における光取り出し効率および半導体レーザの特性を低下させる。
【００４１】
これに対して、本実施の形態では、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とする基板１１上と活性層１５との間に、活性層１５側に第１層１３Ａ、基板１１側に第２層１３Ｂを有するｎ型クラッド層を設け、エッチングを用いて共振器端面を形成するようにした。第１層１３Ａは、インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなり、第２層１３Ｂは、第１層１３Ａよりも低い屈折率を有している。
【００４２】
図４は、本実施の形態の半導体レーザ１の積層方向の屈折率および電界強度分布を表したものである。図４から、電界強度のピークは、活性層１５よりもｎ型半導体層側に寄っていることがわかる。
【００４３】
図５は、エッチングによって形成されるＧａＮ層の端面（Ａ）およびＡｌＧａＩｎＮ層の端面（Ｂ）のＳＥＭ画像である。インジウム（Ｉｎ）を含まないＧａＮ層をエッチングした場合、その端面は、図５（Ａ）からわかるように荒れているのに対し、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ層のエッチング面は、図５（Ｂ）からわかるように平坦性が改善されている。これは、Ｉｎの有無によるものであり、例えば、ＡｌＧａＩｎＮ層のように、Ｉｎを含む半導体層をドライエッチングによってエッチングした場合、塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）等のＩｎを含む生成物が生成される。この塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）は揮発性が低く、これにより、エッチング表面の平坦性が維持されると推察される。
【００４４】
一般的な半導体レーザでは、ｎ型クラッド層はＡｌＧａＮやＧａＮによって構成されている。ＡｌＧａＮやＧａＮは、図４（Ａ）に示したように、エッチングによって形成される端面の平坦性は低い。本実施の形態の半導体レーザ１では、上記のように、ｎ型クラッド層１３を２層構造とし、活性層１５側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層１３Ａを配置するようにした。ＡｌＧａＩｎＮ層は、図４（Ｂ）に示したように、エッチングによって形成される端面の平坦性が高い。よって、レーザ光の出射面の平坦性を向上させることが可能となる。
【００４５】
以上のように、本実施の形態の半導体レーザ１では、ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とする基板１１と活性層１５との間に、ｎ型クラッド層１３として、活性層１５側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからな第１層１３Ａを、基板１１側に第１層１３Ａよりも屈折率の低い第２層１３Ｂを設けるようにした。これにより、共振器端面の形成時に、電界強度のピークが存在するｎ型半導体層寄りの活性層１５の近傍、具体的には、第１層１３Ａの表面荒れが低減され、共振器端面の平坦性が向上する。よって、光取り出し効率および発光特性（レーザ特性）を向上させることが可能となる。
【００４６】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態において例示した半導体レーザ１の構成要素、配置および数等は、あくまで一例であり、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素をさらに備えていてもよい。
【００４７】
また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【００４８】
なお、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板と、
前記ＧａＮ基板上に設けられた活性層と、
前記ＧａＮ基板と前記活性層との間に設けられると共に、前記活性層側にインジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層および前記基板側に前記第１層よりも屈折率の低い第２層と有するｎ型クラッド層と
を備えた半導体発光素子。
（２）
前記第１層の組成範囲は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦０．９９５，０００５≦ｙ≦１，０＜ｚ≦０．９９５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である、前記（１）に記載の半導体発光素子。
（３）
前記第１層は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚みを有する、前記（１）または（２）に記載の半導体発光素子。
（４）
前記ＧａＮ基板の面方位は、（１−１００）、（２０−２１）、（２０−２−１）、（３０−３１）、（３０−３−１）、（１０−１１）、（１１−２０）、（１１−２２）および（１１−２４）のうちのいずれかである、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
（５）
前記活性層上に、さらにｐ型クラッド層を有し、
共振器端面を構成する前記第１層の表面粗さは前記ｐ型クラッド層の表面粗さよりも小さい、前記（１）乃至（４）のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
（６）
前記活性層は４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するレーザ光を発振する、前記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
（７）
前記第１層は、ドーパントとしてケイ素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）を含む、前記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
（８）
ｃ面からｍ軸方向またはａ軸方向に２０°以上９０°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするＧａＮ基板上に、
インジウム（Ｉｎ）を０．５％以上含むＡｌＧａＩｎＮからなる第１層と、前記第１層よりも屈折率の低い第２層とを、第２層および第１層の順に有するｎ型クラッド層を形成し、
前記ｎ型クラッド層上に活性層を形成する
半導体発光素子の製造方法。
（９）
前記活性層上に、さらにｐ型クラッド層を形成したのち、ドライエッチングを用いて共振器端面を形成する、前記（８）に記載の半導体発光素子の製造方法。
【００４９】
本出願は、日本国特許庁において２０１８年７月２０日に出願された日本特許出願番号２０１８−１３６６２６号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００５０】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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