(57)【要約】磁気特性の測定方法は、連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、連続移動する磁気記録媒体に、第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、第３の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、第３の反射光の偏光状態の測定値が、第１の反射光の偏光状態の測定値と第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように第３の磁界の強度を調整し、第３の反射光の偏光状態の測定値が中間値に等しくなったときの第３の磁界の強度を得ることとを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を得ることと
を含む磁気特性の測定方法。
【請求項２】
前記磁気記録媒体は、前記第１の磁界、前記第２の磁界および前記第３の磁界の方向に対して直行する方向に連続移動される請求項１に記載の磁気特性の測定方法。
【請求項３】
前記第３の磁界の強度調整に用いられる前記第１の反射光の偏光状態の測定値、前記第２の反射光の偏光状態の測定値および前記第３の反射光の偏光状態の測定値は、連続移動する前記磁気記録媒体の同一位置で取得される請求項１に記載の磁気特性の測定方法。
【請求項４】
前記第１の偏光、前記第２の偏光および前記第３の偏光はそれぞれ、前記磁気記録媒体の面にて複数回反射される請求項１に記載の磁気特性の測定方法。
【請求項５】
前記第１の反射光の偏光状態、前記第２の反射光の偏光状態、前記第３の反射光の偏光状態がそれぞれ、前記第１の反射光の偏光軸角度、前記第２の反射光の偏光軸角度、前記第３の反射光の偏光軸角度である請求項１に記載の磁気特性の測定方法。
【請求項６】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の測定部を制御し前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を得る制御部と
を備える磁気特性の測定装置。
【請求項７】
前記第１の磁界、前記第２の磁界および前記第３の磁界の方向に対して直行する方向に前記磁気記録媒体を連続移動させる搬送部をさらに備える請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項８】
前記制御部は、連続移動する前記磁気記録媒体の同一位置で取得された前記第１の反射光の偏光状態の測定値、前記第２の反射光の偏光状態の測定値および前記第３の反射光の偏光状態の測定値を用いて、前記第３の磁界の強度調整を行う請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項９】
前記磁気記録媒体の面に対向して設けられた反射部をさらに備え、
前記第１の偏光、前記第２の偏光および前記第３の偏光は、前記磁気記録媒体の面と前記反射部との間で繰り返し反射される請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項１０】
前記第３の測定部は、前記第３の磁界の強度を測定する磁界測定部を備え、
前記制御部は、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を前記磁界測定部により測定する請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項１１】
前記第３の測定部は、連続移動する前記磁気記録媒体に前記第３の磁界を印加する磁界発生部を備え、
前記制御部は、前記磁界発生部に供給する電流値を制御することにより、前記第３の磁界の強度を調整し、
前記制御部は、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときに前記磁界発生部に供給された電流値を磁界の強度に変換することにより、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を算出する請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項１２】
前記第１の反射光の偏光状態、前記第２の反射光の偏光状態、前記第３の反射光の偏光状態がそれぞれ、前記第１の反射光の偏光軸角度、前記第２の反射光の偏光軸角度、前記第３の反射光の偏光軸角度である請求項６に記載の磁気特性の測定装置。
【請求項１３】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を保磁力として得ることと
得られた前記保磁力に基づき、連続移動する前記磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することと
を含む磁気特性の測定方法。
【請求項１５】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出する演算部と
を備える磁気特性の測定装置。
【請求項１６】
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することにより角形比を得ることと、
得られた前記角形比に基づき、連続移動する前記磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、磁気特性の測定方法およびその測定装置、ならびに磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクや磁気テープに代表される磁気記録媒体において、保磁力や飽和磁化、残留磁化等の磁気特性を測定するには、振動磁気測定法（ＶＳＭ法）が用いられる。この方法は、業界標準と言えるほど広く用いられているが、測定試料を一定サイズに加工し、測定機にセットしなければならない破壊測定法であり、生産ラインの中で素早く測定結果を得ることはできない。これに対し、磁気カー効果を用いた非接触の測定手法（例えば特許文献１、２参照）が知られており、測定試料に対して非破壊かつ非接触での測定が可能である。例えば、測定試料を静止させた状態で、印加する外部磁界を連続的に変化させながら、磁気カー効果による偏光状態変化を捉えることで、保磁力や角形比等を間接的に測定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−３１０４４６号公報
【特許文献２】特開昭６１−００５４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、磁気テープ等の磁気記録媒体を連続移動させながら生産するような工程では、測定部を静止させたまま、印加する外部磁界を連続的に変化させて、同一箇所を測定することは困難である。したがって、生産を続けながら素早く保磁力等の磁気特性を測定することができず、工程への迅速なフィードバックができなかった。【０００５】
本開示の目的は、連続移動する磁気記録媒体の磁気特性を測定することができる磁気特性の測定方法およびその測定装置、ならびに磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、第１の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、第３の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
第３の反射光の偏光状態の測定値が、第１の反射光の偏光状態の測定値と第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように第３の磁界の強度を調整し、第３の反射光の偏光状態の測定値が中間値に等しくなったときの第３の磁界の強度を得ることと
を含む磁気特性の測定方法である。【０００７】
第２の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する磁気記録媒体に、第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、第３の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
第３の反射光の偏光状態の測定値が、第１の反射光の偏光状態の測定値と第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように第３の測定部を制御し第３の磁界の強度を調整し、第３の反射光の偏光状態の測定値が中間値に等しくなったときの第３の磁界の強度を得る制御部と
を備える磁気特性の測定装置である。【０００８】
第３の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、第３の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
第３の反射光の偏光状態の測定値が、第１の反射光の偏光状態の測定値と第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように第３の磁界の強度を調整し、第３の反射光の偏光状態の測定値が中間値に等しくなったときの第３の磁界の強度を保磁力として得ることと
得られた保磁力に基づき、連続移動する磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法である。【０００９】
第４の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
第１の反射光および第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、中間値Ａ0と第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することと
を含む磁気特性の測定方法である。【００１０】
第５の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
第１の反射光および第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、中間値Ａ0と第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出する演算部と
を備える磁気特性の測定装置である。【００１１】
第６の開示は、
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第１の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体に、第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、第２の磁界が印加されている磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
第１の反射光および第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、中間値Ａ0と第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することにより角形比を得ることと、
得られた角形比に基づき、連続移動する磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法である。【００１２】
本開示において、第１の反射光、第２の反射光および第３の反射光の偏光状態は、例えば、第１の反射光、第２の反射光および第３の反射光の偏光軸角度（カー回転角）、楕円率または反射強度等である。
【発明の効果】
【００１３】
本開示によれば、連続移動する磁気記録媒体の磁気特性を測定することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】磁気テープの構成を示す断面図である。
【図２】磁気テープの成膜装置の構成を示す概略図である。
【図３】本開示の第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置の構成を示す概略図である。
【図４】磁気テープの磁気特性の測定結果の一例を示すグラフである。
【図５】本開示の第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】本開示の第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置の構成を示す概略図である。
【図７】本開示の第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図８】変形例に係る磁気特性の測定装置の構成を示す概略図である。
【図９】変形例に係る磁気特性の測定装置の構成を示す概略図である。
【図１０】磁気テープの成膜装置の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１  第１の実施形態（磁気特性の測定装置）
２  第２の実施形態（磁気特性の測定装置）
【００１６】
＜１  第１の実施形態＞
［磁気テープの構成］
図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置により磁気特性の測定が行われる磁気テープ１０の構成について説明する。磁気テープ１０は、垂直磁気記録方式の塗布型磁気テープであって、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた磁性層（記録層）１３と、基体１１の他方の面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。以下では、磁気テープ１０の両面のうち、磁性層１３が設けられた側の面を磁性面１０Ｓ1といい、それとは反対となる、バック層１４が設けられた側の面をバック面１０Ｓ2という。
【００１７】
磁性層１３は、例えば、磁性粉、結着剤および導電性粒子を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性粉は、磁気テープ１０の厚み方向（垂直方向）に配向される。磁性粉としては、例えば、ε酸化鉄磁性粉、Ｃｏ含有スピネルフェライト磁性粉または六方晶フェライト磁性粉（例えばバリウムフェライト磁性粉）等が用いられる。
【００１８】
［磁気テープの成膜装置］
図２を参照して、上述の磁気テープ１０の成膜に用いられる成膜装置２０について説明する。ここでは、説明を容易にするために、基体１１の一方の面上に磁性層１３のみを成膜する場合について説明する。この成膜装置２０は、ロールtoロール形態の成膜装置であり、ロール２１、２２と、成膜ヘッド２３と、乾燥炉２４と、磁気特性の測定装置３０とを備える。
【００１９】
この成膜装置２０では、ロール状に巻かれたフィルム状の基体１１が一方のロール２１から巻き出され、他方のロール２２により再びロール状に巻き取られる。一方のロール２１から他方のロール２２に向けて連続移動（連続走行）する基体１１の走行経路には、成膜ヘッド２３、乾燥炉２４および磁気特性の測定装置３０が、上流側から下流側に向かってこの順序で配置されている。乾燥炉２４内には、塗料１３ａに含まれる磁性粉を垂直方向（基体１１の厚み方向）に磁場配向させるための磁場配向装置が設けられていてもよい。
【００２０】
上記の構成を有する成膜装置２０では、成膜ヘッド２３により、連続走行する基体１１の一方の面に塗料１３ａが塗布された後、乾燥炉２４により塗料（塗膜）１３ａが乾燥され、磁性層１３が形成される。そして、磁気特性の測定装置３０により、形成直後の磁性層１３の磁気特性が測定される。
【００２１】
生産性を維持したまま、成膜品質を安定化し、歩留りを向上させるためには、生産中の工程内で、品質として必要な磁気特性を連続的に測定し、成膜工程への的確かつ迅速なフィードバックを行うことが望まれる。この工程内での磁気特性の測定の実現には、（Ａ）磁気テープ１０を破壊せずに磁気特性を測定することと、（Ｂ）磁気テープ１０が連続移動する状態で磁気特性を測定することが必要となる。
【００２２】
第１の実施形態では、（Ａ）磁気テープ１０を破壊せずに磁気特性を測定することを可能にするために、磁気カー効果を利用して磁気テープ１０の磁気特性を測定する。磁気カー効果とは、磁化された面に偏光を照射した場合、反射面の磁化状態に応じて、反射光の偏光状態（偏光軸の角度や楕円率）が変化する現象である。測定試料に外部磁界を印加し、その強度を連続的に変化させながら磁気カー効果による偏光状態を測定することで、磁気ヒステリシスに相当するデータが得られ、測定試料を破壊することなく保磁力や磁化等の磁気特性を代替測定することができる。
【００２３】
（Ｂ）磁気テープ１０が連続移動する状態で磁気特性を測定することを可能とするために、外部磁界を印加する電磁石と、磁気カー効果を用いて磁気テープ１０の磁化状態を測定する、磁気カー効果を利用した検出部とを組み合わせた測定ユニットを３つ備える構成を採用する。
【００２４】
［磁気特性の測定装置］
図３は、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０の構成を示す。磁気特性の測定装置３０は、複数のガイドロール３１と、負側飽和磁化測定部３２と、正側飽和磁化測定部３３と、磁化測定部３４と、パーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）３５とを備える。負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３、磁化測定部３４は、移動する磁気テープ１０の搬送経路に、上流側から下流側に向かってこの順序で配置されている。
【００２５】
本明細書では、磁気テープ１０の厚み方向のうち、磁性面１０Ｓ1からバック面１０Ｓ2に向かう方向を第１の垂直方向１０Ｄ1といい、それとは反対の方向を第２の垂直方向１０Ｄ2という。また、磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加して磁気飽和させたときの状態を“負側磁気飽和状態”といい、このときの磁化を“負側飽和磁化”という。一方、磁気テープ１０に対して第２の垂直方向１０Ｄ2に外部磁界を印加して磁気飽和させた状態を“正側磁気飽和状態”といい、このときの磁化を“正側飽和磁化”という。
【００２６】
負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４では、図４に示すようなヒステリシス（外部磁界強度に対する磁気テープ１０の磁化状態に相当する電圧値の関係）を得ることができる構成を有している。但し、第１の実施形態では、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４は、以下に説明するように、このようなヒステリシスループを得るような制御がなされるわけではない。なお、図４は、磁気テープ１０を静止させたまま外部磁界を変化させた測定の例である。
【００２７】
（ガイドロール）
複数のガイドロール３１は、搬送部の一例であり、磁気テープ１０の搬送経路に設けられている。複数のガイドロール３１は、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４それぞれにより印加される外部磁界の方向に対して直行する方向（例えば水平方向）に磁気テープ１０を連続移動（連続走行）する。複数のガイドロール３１のうちの１つは、エンコーダ３１ａに接続されており、エンコーダ３１ａは、ガイドロール３１の回転に応じてパルス信号をＰＣ３５に供給する。
【００２８】
（負側飽和磁化測定部）
負側飽和磁化測定部３２は、連続移動する磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加し、磁気テープ１０を負側に磁気飽和させると共に、外部磁界が印加されている磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、負側磁気飽和状態の影響を受けた反射光の偏光軸角度θ1（以下「負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1」という。）を測定する。なお、負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1は、負側磁気飽和状態の影響を受けた反射光の偏光状態の測定値の一例である。
【００２９】
負側飽和磁化測定部３２は、電磁石３２ａと、電源３２ｂと、偏光検出部３２ｃとを備える。電磁石３２ａは、磁界発生部の一例であり、磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加する。具体的には、電磁石３２ａは、磁気テープ１０を負極性側に磁気飽和させることが可能な強度の外部磁界を第１の垂直方向１０Ｄ1に印加可能に構成されている。電源３２ｂは、電磁石３２ａを駆動させるための電磁石用電源である。
【００３０】
偏光検出部３２ｃは、照射部３２ｃ1と、受光部３２ｃ2と、偏光軸角度検出回路３２ｃ3とを備える。照射部３２ｃ1は、電磁石３２ａにより印加された外部磁界内に位置する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射する。受光部３２ｃ2は、磁性面１０Ｓ1で反射された反射光を偏光ビームスプリッタやフォトディテクタ等を用いて電気信号に変換し、その信号を偏光軸角度検出回路３２ｃ3に供給する。偏光軸角度検出回路３２ｃ3は、受光部３２ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光軸角度θ1を検出し、ＰＣ３５に供給する。偏光軸角度検出回路３２ｃ3は、受光部３２ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光状態を検出する偏光状態検出回路の一例である。
【００３１】
（正側飽和磁化測定部）
正側飽和磁化測定部３３は、連続移動する磁気テープ１０に対して第２の垂直方向１０Ｄ2に外部磁界を印加し、磁気テープ１０を正側に磁気飽和させると共に、外部磁界が印加されている磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、正側磁気飽和状態の影響を受けた反射光の偏光軸角度θ2（以下「正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2」という。）を測定する。なお、正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2は、正側磁気飽和状態の影響を受けた反射光の偏光状態の測定値の一例である。
【００３２】
正側飽和磁化測定部３３は、電磁石３３ａと、電源３３ｂと、偏光検出部３３ｃとを備える。電磁石３３ａは、磁界発生部の一例であり、磁気テープ１０に対して第２の垂直方向１０Ｄ2に外部磁界を印加する。具体的には、電磁石３３ａは、磁気テープ１０を正極性側に磁気飽和させることが可能な強度の外部磁界を第２の垂直方向１０Ｄ2に印加可能に構成されている。電源３３ｂは、電磁石３３ａを駆動させるための電磁石用電源である。
【００３３】
偏光検出部３３ｃは、照射部３３ｃ1と、受光部３３ｃ2と、偏光軸角度検出回路３３ｃ3とを備える。照射部３３ｃ1は、電磁石３３ａにより印加された外部磁界内に位置する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射する。受光部３３ｃ2は、磁性面１０Ｓ1で反射された反射光を偏光ビームスプリッタやフォトディテクタ等を用いて電気信号に変換し、その信号を偏光軸角度検出回路３３ｃ3に供給する。偏光軸角度検出回路３３ｃ3は、受光部３３ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光軸角度θ2を検出し、ＰＣ３５に供給する。偏光軸角度検出回路３３ｃ3は、受光部３３ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光状態を検出する偏光状態検出回路の一例である。
【００３４】
（磁化測定部）
磁化測定部３４は、連続移動する磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加し、磁気テープ１０を消磁させると共に、外部磁界が印加されている磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、反射光の偏光軸角度θ3（以下「消磁状態の偏光軸角度θ3」という。）を測定する。なお、消磁状態の偏光軸角度θ3は、消磁状態の磁性面１０Ｓ1で反射された反射光の偏光状態の測定値の一例である。
【００３５】
磁化測定部３４は、電磁石３４ａと、電源３４ｂと、偏光検出部３４ｃとを備える。電磁石３４ａは、磁界発生部の一例であり、磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加し、正側飽和磁化測定部３３で磁化された磁気テープ１０を消磁する。電源３３ｂは、電磁石３４ａを駆動させるための電磁石用電源である。
【００３６】
偏光検出部３４ｃは、照射部３４ｃ1と、受光部３４ｃ2と、偏光軸角度検出回路３４ｃ3とを備える。照射部３４ｃ1は、電磁石３４ａにより印加された外部磁界内に位置する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射する。受光部３４ｃ2は、磁性面１０Ｓ1で反射された反射光を偏光ビームスプリッタやフォトディテクタ等を用いて電気信号に変換し、その信号を偏光軸角度検出回路３４ｃ3に供給する。偏光軸角度検出回路３４ｃ3は、受光部３４ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光軸角度θ3を検出し、ＰＣ３５に供給する。偏光軸角度検出回路３４ｃ3は、受光部３４ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光状態を検出する偏光状態検出回路の一例である。
【００３７】
（ＰＣ）
ＰＣ３５は、制御部の一例であり、磁気特性の測定装置３０の全体を制御する。具体的には、ＰＣ３５は、複数のガイドロール３１、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４を制御する。また、ＰＣ３５は、磁気特性の測定装置３０以外に、磁気テープ１０の成膜装置２０の全体も制御する。ここでは、ＰＣ３５が、磁気特性の測定装置３０および磁気テープ１０の成膜装置２０の両方を制御する場合について説明するが、磁気特性の測定装置３０および磁気テープ１０の成膜装置２０が別々の制御装置で制御されてもよい。
【００３８】
ＰＣ３５は、パルスカウンタボード３５ａを備え、パルスカウンタボード３５ａは、エンコーダ３１ａから供給されるパルス信号をカウントし、連続移動する磁気テープ１０の移動距離を算出する。ＰＣ３５は、Ｄ／Ａボード３５ｂを備え、Ｄ／Ａボード３５ｂを介して電源３２ｂ、３３ｂ、３４ｂを制御し、電磁石３２ａ、３３ａ、３４ａの出力磁界強度をそれぞれ調整する。ＰＣ３５は、Ａ／Ｄボード３５ｃを備え、Ａ／Ｄボード３５ｃを介して偏光軸角度検出回路３２ｃ3、３３ｃ3、３４ｃ3からそれぞれ供給される負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1、正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2および消磁状態の偏光軸角度θ3を取り込む。ＰＣ３５は、このデータ取込みの際に、パルスカウンタボード３５ａのカウント値に基づき、データと磁気テープ１０上の測定位置とを関連付ける。
【００３９】
ＰＣ３５は、負側飽和磁化測定部３２から供給される負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1と、正側飽和磁化測定部３３から供給される正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2との中間値θ0（＝（θ1＋θ2）／２）を算出する。そして、磁化測定部３４から供給される消磁状態の偏光軸角度θ3がこの中間値θ0に等しくなるように、Ｄ／Ａボード３５および電源３４ｂを介して、電磁石３４ａの出力磁界強度を調整する、以下では、この制御を「消磁制御」と適宜称する。具体的には、Ｄ／Ａボード３５および電源３４ｂを介して、電磁石３４ａに供給する電流値を制御することにより、電磁石３４ａの出力磁界強度を調整する。磁気テープ１０は止まることなく連続的に移動しているため、ＰＣ３５は、常に磁気テープ１０の位置を管理しながら、上記の消磁制御をし続ける。
【００４０】
ＰＣ３５は、連続移動する磁気テープ１０の同一位置で取得されたデータ（すなわち負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1、正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2および消磁状態の偏光軸角度θ3）を用いて、磁化測定部３４における磁界の強度調整を行う。すなわち、ＰＣ３５は、磁化測定部３４に位置する磁気テープ１０が、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３にそれぞれ位置していたときに取得されたデータ（すなわち負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1および正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2）に基づき、磁化測定部３４における消磁制御を行う。磁気テープ１０上の同じ位置のデータ同士で演算することにより、磁気テープ１０上の位置違いに起因する偏光バラつき（膜厚、膜質が変動している場合はそのバラつきも含む）をキャンセルすることができる。これにより、連続移動する磁気テープ１０であっても、従来の静止状態での測定の一部を代替できる結果が得られる。
【００４１】
消磁制御を開始した直後は、上記の中間値θ0に正しく合わせきれない（すなわち消磁しきれない）場合があるが、消磁制御を連続的に行い続けることで、消磁状態を維持できるフィードバックが成立する。ＰＣ３５は、消磁状態を維持できている状態における電磁石３４ａの印加磁界の強度を保磁力として取得する。具体的には、ＰＣ３５は、消磁状態の偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しいか否かを判断し、消磁状態の偏光軸角度θ3が中間値θ0になったときに電磁石３４ａに供給されていた電流値を磁界強度に変換し、保磁力を取得する。ＰＣ３５は、保磁力の測定結果を必要に応じてＰＣ３５の表示装置に表示するようにしてもよいし、外部機器に出力してもよい。
【００４２】
［磁気特性の測定装置の動作］
以下、図５を参照して、上述の構成を有する磁気特性の測定装置３０の動作について説明する。
【００４３】
まず、作業者がＰＣ３５を用いて磁気テープ１０の成膜開始の操作を実行すると、ステップＳ１において、ＰＣ３５は、複数のガイドロール３１を駆動し、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４それぞれにより印加される外部磁界の方向に対して直行する方向（例えば水平方向）に磁気テープ１０を連続移動させる。
【００４４】
次に、ステップＳ２において、ＰＣ３５は、負側飽和磁化測定部３２を制御して、連続移動する磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に十分大きな外部磁界（例えば−１５ｋＯｅ等）を印加し、磁気テープ１０を負側に磁気飽和させる。また、この外部磁界中に存在する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、その反射光の偏光軸角度θ1（すなわち負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００４５】
次に、ステップＳ３において、ＰＣ３５は、正側飽和磁化測定部３３を制御して、連続移動する磁気テープ１０に対して第２の垂直方向１０Ｄ2に十分大きな外部磁界（例えば＋１５ｋＯｅ等）を印加し、磁気テープ１０を正側に磁気飽和させる。また、この外部磁界中に存在する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、その反射光の偏光軸角度θ2（すなわち正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００４６】
次に、ステップＳ４において、ＰＣ３５は、磁化測定部３４を制御して、連続移動する磁気テープ１０に対して第１の垂直方向１０Ｄ1に外部磁界を印加し、磁気テープ１０を消磁する。具体的には、Ｄ／Ａボード３５および電源３４ｂを介して、電磁石３４ａに供給する電流値を制御することにより、磁気テープ１０を消磁する。また、磁化測定部３４で印加される外部磁界中に存在する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、その反射光の偏光軸角度θ3（すなわち消磁状態の偏光軸角度θ3）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００４７】
次に、ステップＳ５において、ＰＣ３５は、ステップＳ２にて測定された偏光軸角度θ1とステップＳ３にて測定された偏光軸角度θ2の中間値θ0（＝（θ1＋θ2）／２）を算出する。そして、ステップＳ４にて測定された偏光軸角度θ3が、算出した中間値θ0に等しいか否かを判断する。このように偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しいか否かを判断することで、磁気テープ１０の磁化がゼロであるか否かを判断することができる。
【００４８】
ステップＳ４にて測定された偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しいと判断された場合には、ステップＳ６において、ＰＣ３５は、上記のように等しいと判断されたときに電磁石３４ａに供給された電流値を磁界強度に変換し、保磁力を取得する。
【００４９】
一方、ステップＳ６にてステップＳ５で測定された偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しくないと判断された場合には、ステップＳ７において、ＰＣ３５は、ステップＳ４にて測定された偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しくなるように、磁化測定部３４の磁界強度を調整する。具体的には、ステップＳ４にて測定された偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しくなるように、Ｄ／Ａボード３５および電源３４ｂを介して、電磁石３４ａに供給する電流値を制御することにより、電磁石３４ａの出力磁界強度を調整する。
【００５０】
なお、磁気テープ１０は連続的に移動しているため、ステップＳ１〜７の処理は切れ間なく継続して行われるようになっている。また、磁気テープ１０の移動距離を把握できるように、エンコーダ３１ａ等を使って磁気テープ１０の位置を管理し、磁気テープ１０上の同一位置で、ステップＳ２〜Ｓ７の測定、比較および調整等が行われるようになっている。
【００５１】
表１に、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０を用いて、保磁力が２．５［ｋＯｅ］に設定された磁気テープ１０の保磁力を繰返し１０回測定したときの結果を示す。表１から、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０では、連続移動する磁気テープ１０の保磁力を非破壊かつ非接触で精度良く測定可能であることがわかる。
【表１】
2020059662.tif 000003
【００５２】
［効果］
第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０では、連続移動する磁気テープ１０を静止させることなく、かつ磁気テープ１０を破壊することもなく、磁気テープ１０の保磁力（磁気特性）を測定することができる。
【００５３】
ロールｔｏロール成膜工程において、走行成膜を中断することなく、かつ、磁気テープ１０を破壊することなく、迅速に磁気テープ１０の磁気特性を測定できるため、磁気特性の測定結果を素早く適切に成膜工程にフィードバックすることが可能となる。したがって、歩留りを向上することができる。また、磁気特性の測定結果のフィードバックにより、工程の規格値範囲よりもさらに狭い範囲内に特性が収まるように成膜条件を制御することで、不良の発生をさらに抑制することができる。
【００５４】
＜２  第２の実施形態＞
［磁気特性の測定装置］
図６は、第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０Ａの構成を示す。磁気特性の測定装置３０Ａは、磁化測定部３４に代えて、残留磁化測定部３６を備える点において、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０とは異なっている。
【００５５】
（残留磁化測定部）
残留磁化測定部３６は、外部磁界が印加されていない磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、反射光の偏光軸角度θ4（以下「残留磁化状態の偏光軸角度θ4」という。）を測定する。なお、残留磁化状態の偏光軸角度θ4は、残留磁化の影響を受けた反射光の偏光状態の測定値の一例である。
【００５６】
残留磁化測定部３６は、偏光検出部３６ｃを備える。偏光検出部３６ｃは、照射部３６ｃ1と、受光部３６ｃ2と、偏光軸角度検出回路３６ｃ3とを備える。照射部３６ｃ1は、電磁石により外部磁界が印加されていない磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射する。受光部３６ｃ2は、磁性面１０Ｓ1で反射された反射光を偏光ビームスプリッタやフォトディテクタを用いて電気信号に変換し、その信号を偏光軸角度検出回路３６ｃ3に供給する。偏光軸角度検出回路３６ｃ3は、受光部３６ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光軸角度θ4を検出し、ＰＣ３５に供給する。偏光軸角度検出回路３６ｃ3は、受光部３６ｃ2から供給された信号に基づき、反射光の偏光状態を検出する偏光状態検出回路の一例である。
【００５７】
（ＰＣ）
ＰＣ３５は、演算部の一例であり、磁気特性の測定装置３０Ａの全体を制御する。具体的には、ＰＣ３５は、複数のガイドロール３１、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および残留磁化測定部３６を制御する。ＰＣ３５は、Ａ／Ｄボード３５ｃを介して偏光軸角度検出回路３２ｃ3、３３ｃ3、３６ｃ3からそれぞれ供給される負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1、正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2および残留磁化状態の偏光軸角度θ4を取り込む。ＰＣ３５は、このデータ取込みの際に、パルスカウンタボード３５ａのカウント値に基づき、データと磁気テープ１０上の測定位置とを関連付ける。
【００５８】
ＰＣ３５は、負側飽和磁化測定部３２から供給される負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1と、正側飽和磁化測定部３３から供給される正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2との中間値θ0（＝（θ1＋θ2）／２）を算出する。そして、負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1と中間値θ0との差分Δθ10（＝θ1−θ0）と、残留磁化状態の偏光軸角度θ4と中間値θ0との差分Δθ40（＝θ4−θ0）を算出する。算出にあたり、データと磁気テープ１０上の測定位置が事前に関連付けられていることから、磁気テープ１０上の同じ位置のデータ同士で演算し、磁気テープ１０上の位置違いに起因する偏光バラつき（膜厚、膜質が変動している場合はそのバラつきも含む）をキャンセルするのが好ましい。
【００５９】
差分Δθ10は、中間値θ0を基準とした負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1’（＝θ1−θ0）を意味する。差分Δθ40は、中間値θ0を基準とした残留磁化状態の偏光軸角度θ4’（＝θ4−θ0）を意味する。差分Δθ10は、負側磁気飽和状態の偏光状態測定値と正側磁気飽和状態の偏光状態測定値との中間値を基準とした負側磁気飽和状態の偏光状態測定値の一例である。差分Δθ40は、負側磁気飽和状態の偏光状態測定値と正側磁気飽和状態の偏光状態測定値との中間値を基準とした残留磁化状態の偏光状態測定値の一例である。
【００６０】
ＰＣ３５は、算出した差分Δθ10、Δθ40を用いて、差分Δθ10に対する差分Δθ40の比（Δθ40／Δθ10）を算出し、角形比を得る。なお、ＰＣ３５は、連続移動する磁気テープ１０の同一位置において取得されたデータ（すなわち負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1、正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2および残留磁化状態の偏光軸角度θ4）を用いて、上述の角形比の算出を行う。上述したように、ＰＣ３５は、測定データと磁気テープ１０上の測定位置とを関連付けて取り込み、記憶するため、磁気テープ１０の同一位置における測定データを用いての角形比の算出が可能である。
【００６１】
［磁気特性の測定方法］
以下、図７を参照して、上述の構成を有する磁気特性の測定装置３０Ａの動作について説明する。
【００６２】
まず、作業者がＰＣ３５を用いて磁気テープ１０の成膜開始の操作を実行すると、ステップＳ１１において、ＰＣ３５は、第１の実施形態におけるステップＳ１と同様に、磁気テープ１０を連続移動させる。
【００６３】
次に、ステップＳ１２において、ＰＣ３５は、第１の実施形態におけるステップＳ２と同様にして偏光軸角度θ1（すなわち負側磁気飽和状態の偏光軸角度θ1）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００６４】
次に、ステップＳ１３において、ＰＣ３５は、第１の実施形態におけるステップＳ３と同様にして偏光軸角度θ2（すなわち正側磁気飽和状態の偏光軸角度θ2）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００６５】
次に、ステップＳ１４において、ＰＣ３５は、電磁石により外部磁界が印加されていない、連続走行する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に偏光を照射し、その反射光の偏光軸角度θ4（すなわち残留磁化状態の偏光軸角度θ4）を測定し、ＰＣ３５に供給する。
【００６６】
次に、ステップＳ１５において、ＰＣ３５は、ステップＳ１２にて測定された偏光軸角度θ1とステップＳ１３にて測定された偏光軸角度θ2の中間値θ0（＝（θ1＋θ2）／２）を算出する。
【００６７】
次に、ステップＳ１６において、ＰＣ３５は、ステップＳ１２にて測定した偏光軸角度θ1と、ステップＳ１５にて算出した中間値θ0との差分Δθ10＝θ1−θ0を算出する。また、ＰＣ３５は、ステップＳ１４にて測定した偏光軸角度θ4と、ステップＳ１５にて算出した中間値θ0との差分Δθ40＝θ4−θ0を算出する。
【００６８】
次に、ステップＳ１７において、ＰＣ３５は、ステップＳ１６にて算出した差分Δθ10、Δθ40を用いて、差分Δθ10に対する差分Δθ40の比（Δθ40／Δθ10）を算出し、角形比を得る。
【００６９】
なお、磁気テープ１０は連続的に移動しているため、ステップＳ１１〜Ｓ１７の処理は切れ間なく継続して行われるようになっている。また、磁気テープ１０の移動距離を把握できるように、エンコーダ３１ａ等を使って磁気テープ１０の位置を管理し、磁気テープ１０上の同一位置で、ステップＳ１２〜Ｓ１４の測定が行われるようになっている。
【００７０】
［効果］
第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０Ａでは、連続移動する磁気テープ１０を静止させることなく、かつ磁気テープ１０を破壊することもなく、磁気テープ１０の角形比（磁気特性）を測定することができる。
【００７１】
［変形例］
以上、本開示の第１、第２の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１、第２の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の第１、第２の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、上述の第１、第２の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００７２】
上述の第１、第２の実施形態では、連続走行（連続移動）する磁気テープ１０の磁気特性を測定する場合について説明したが、本開示は磁気テープ１０の磁気特性の測定に限定されるものではなく、磁気テープ１０以外の磁気記録媒体の磁気特性の測定にも適用可能である。例えば、連続回転する磁気ディスク（例えばハードディスク）の磁気特性の測定にも本開示は適用可能である。この場合、連続回転する磁気ディスクの磁気特性（例えば保磁力、角形比等）を非破壊かつ非接触で測定することができる。
【００７３】
上述の第１、第２の実施形態では、電磁石３２ａ、３３ａ、３４ａのギャップ部に磁気テープ１０を通過させる共に、これらのギャップ部を通過する磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1の偏光状態を測定する磁気特性の測定装置３０、３０Ａについて説明したが、磁気特性の測定装置の構成はこれに限定されるものではない。例えば、図８に示すように、磁気テープ１０の一方の面側（例えば磁性面１０Ｓ1側）にのみ電磁石３２ａ、３３ａ、３４ａを設け、この電磁石３２ａ、３３ａ、３４ａにより外部磁界が印加されている磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1の偏光状態を測定するようにしてもよい。
【００７４】
上述の第１、第２の実施形態では、磁気特性の測定装置３０、３０ＡをＰＣ３５で制御する場合について説明したが、ＰＣ３５に代えて専用の制御装置等により磁気特性の測定装置３０、３０Ａを制御してもよい。
【００７５】
上述の第１の実施形態では、磁気特性の測定装置３０により、磁気テープ１０の保磁力を測定する方法について説明したが、以下のようにして、磁気特性の測定装置３０により、磁気テープ１０の飽和磁化を測定するようにしてもよい。すなわち、磁気テープ１０の磁化量と、磁化による偏光軸角度の変化量との関係を予め調べ、換算係数を用意し、ＰＣ３５の記憶部に予め記憶してくようにする。ＰＣ３５は、負側飽和磁化測定部３２と正側飽和磁化測定部３３の２つの偏光軸角度を磁気テープ１０上の同じ位置の測定値同士で比較し、その差分を上記の換算係数で磁化量に換算することで、飽和磁化量を得る。なお、負側、正側飽和磁化測定値の中間値を基準として、負側、または正側飽和磁化測定部の測定値までの差分を算出して換算に用いても良い。
【００７６】
上述の第１の実施形態では、磁気テープ１０の保磁力を測定する磁気特性の測定装置３０の構成について説明したが、以下の構成とすることで、残留磁化を測定することも可能である。すなわち、図９に示すように、照射部３２ｃ1および受光部３２ｃ2を電磁石３２ａよりも磁気テープ１０の搬送経路の下流側、かつ電磁石３３ａよりも磁気テープ１０の搬送経路の上流側の位置に設ける。照射部３３ｃ1および受光部３３ｃ2を電磁石３３ａよりも磁気テープ１０の搬送経路の下流側の位置に設ける。磁気テープ１０の磁化量と磁化による偏光軸角度の変化量との関係を予め調べ、換算係数を用意し、ＰＣ３５の記憶部に予め記憶しておくようにする。
【００７７】
上述の構成を有する磁気特性の測定装置３０は、以下のように動作する。まず、ＰＣ３５は、電磁石３２ａにより磁気テープ１０を負側に磁気飽和させた後、電磁石３２ａの磁界範囲を抜けた位置にて、偏光検出部３２ｃにより偏光軸角度を測定する。続いて、さらにその下流側にて、電磁石３３ａにより磁気テープ１０を正側に磁気飽和させた後、電磁石３３ａの磁界範囲を抜けた位置にて、偏光検出部３３ｃにより偏光軸角度を測定する。その後、ＰＣ３５は、偏光検出部３２ｃ、および偏光検出部３３ｃで得られた２つの偏光軸角度を、磁気テープ１０上の同じ位置の測定値同士で比較し、その差分を上記の換算係数で磁化量に換算することで、残留磁化量を得る。なお、偏光検出部３２ｃ、偏光検出部３３ｃでの測定値の中間値を基準として、偏光検出部３２ｃ、または偏光検出部３３ｃでの測定値までの差分を算出して換算に用いても良い。
【００７８】
第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０により、角形比を測定するようにしてもよい。すなわち、電磁石３４ａを未通電とし使用しない状態とし、第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０Ａと同様の動作を行うようにすることで、角形比を測定するようにしてもよい。
【００７９】
上述の第１の実施形態では、消磁状態の偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しくなったときに電磁石３４ａに供給されていた電流値を磁界強度に変換し、保磁力を得る例について説明したが、保磁力の測定方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁化測定部３４が、電磁石３４ａの磁界強度を測定するための磁界測定部（例えばホール素子等）を備え、消磁状態の偏光軸角度θ3が中間値θ0に等しくなったときの電磁石３４ａの磁界強度を磁界測定部で測定し、保磁力を得るようにしてもよい。
【００８０】
上述の第１、第２の実施形態では、連続移動する磁気テープ１０を負側磁気飽和状態とした後、正側磁気飽和状態とする例について説明したが、正側磁気飽和状態とした後、正側磁気飽和状態としてもよい。すなわち、負側飽和磁化測定部３２と正側飽和磁化測定部３３との配置位置を入れ替えてもよい。
【００８１】
上述の第１、第２の実施形態では、垂直磁気記録方式の磁気テープ１０の磁気特性を測定する場合について説明したが、水平磁気記録方式（面内磁気記録方式）の磁気テープ１０の磁気特性を測定するようにしてもよい。この場合、電磁石３２ａ、３３ａ、３４ａは磁気テープ１０の長手方向に外部磁界を印加することが可能に構成される。なお、電磁石３２ａ、３４ａと電磁石３３ａとの磁界の印加方向は、第１、第２の実施形態と同様に逆方向である。
【００８２】
上述の第１、第２の実施形態において、ＰＣ３５が、磁気特性（保磁力、角形比等）の測定結果を成膜工程にフィードバックするようにしてもよい。すなわち、ＰＣ３５は、磁気特性の測定結果に基づき、磁気テープ１０の磁気特性が規定の範囲内になるように磁性層１３等の成膜条件を調整するようにしてもよい。
【００８３】
より具体的には、ＰＣ３５は、磁気特性の測定装置３０、３０Ａで測定した磁気特性の測定結果を、ＰＣ３５の記憶部に記憶された規定の磁気特性とリアルタイムに比較し、規定の磁気特性の範囲に収まるように成膜工程にフィードバックする。すなわち、規定の磁気特性の範囲に収まるように磁性層１３等の成膜条件を調整する。調整する成膜条件としては、例えば、塗料１３ａの吐出量（すなわち磁性層１３の厚み）、塗料１３ａの乾燥条件および磁場配向時の磁場強度等のうちの少なくとも１種が挙げられる。具体的には例えば、磁場強度を調整し、塗料１３ａの塗布直後における磁性粉の配向状態を調整することで、角形比を変化させることができる。また、磁性層１３の厚みを調整することで、飽和磁化量を調整することができる。
【００８４】
上述の第１、第２の実施形態では、磁性層１３等が塗布工程（ウエットプロセス）により作製される塗布型の磁気テープ１０の磁気特性を測定する例について説明したが、磁性層等が真空薄膜の作製技術（ドライプロセス）により作製される真空薄膜型の磁気テープの磁気特性を測定するようにしてもよい。真空薄膜の作製方法としては、例えば、スパッタリング法または蒸着法等が用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
図１０は、スパッタリング法により磁性層得等を成膜する磁気テープの成膜装置４０の構成を示す。この磁気テープの成膜装置４０は、シード層、下地層および磁性層（記録層）の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、成膜室４１と、金属キャン（回転体）であるドラム４２と、カソード４３ａ〜４３ｃと、供給リール４４と、巻き取りリール４５と、複数のガイドロール４７ａ〜４７ｃ、４８ａ〜４８ｃと、磁気特性の測定装置４９とを備える。成膜装置４０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。磁気特性の測定装置４９は、第１の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０または第２の実施形態に係る磁気特性の測定装置３０Ａである。但し、制御部であるＰＣ３５は、磁気テープの成膜装置４０の外部に配置され、成膜装置４０を制御する制御部も兼ねている。
【００８６】
ここでは、成膜装置４０が３つのカソード４３ａ〜４３ｃを備える例について説明するが、カソードの数はこれに限定されるものではなく、１、２または４以上であってもよい。また、ここでは磁性層以外のスパッタ層として、シード層および下地層を成膜する例について説明するが、シード層および下地層に代えて、またはシード層および下地層と共に、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ層）および中間層等のうちの少なくとも１種の層を成膜するようにしてもよい。
【００８７】
成膜室４１は、排気口４６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室４１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室４１の内部には、回転可能な構成を有するドラム４２、供給リール４４および巻き取りリール４５が配置されている。成膜室４１の内部には、供給リール４４とドラム４２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール４７ａ〜４７ｃが設けられていると共に、ドラム４２と巻き取りリール４５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール４８ａ〜４８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール４４から巻き出された基体１１が、ガイドロール４７ａ〜４７ｃ、ドラム４２およびガイドロール４８ａ〜４８ｃを介して巻き取りリール４５に巻き取られる。ドラム４２は円柱状の形状を有し、長尺状の基体１１はドラム４２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム４２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室４１の内部には、ドラム４２の周面に対向して複数のカソード４３ａ〜４３ｃが配置されている。これらのカソード４３ａ〜４３ｃにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード４３ａ、４３ｂ、４３ｃにはそれぞれ、シード層、下地層および磁性層を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード４３ａ〜４３ｃにより複数の種類の膜、すなわちシード層、下地層および磁性層が同時に成膜される。
【００８８】
上述の構成を有する成膜装置４０では、シード層、下地層および磁性層をRoll to Roll法により連続成膜することができる。
【００８９】
ＰＣ３５は、磁気特性の測定装置４９で測定した磁気特性の測定結果を、ＰＣ３５の記憶部に記憶された規定の磁気特性（例えば保持力、角形比等）とリアルタイムに比較し、規定の磁気特性の範囲に収まるように成膜工程にフィードバックする。すなわち、規定の磁気特性の範囲に収まるよう磁性層１３等の成膜条件を調整する。調整する成膜条件としては、例えば、スパッタ電力、フィルム走行速度、ガス導入量、導入ガス種類および真空度等のうちの少なくとも１種が挙げられる。具体的には例えば、成膜室４１内の脱ガス状態を調整することで、保磁力および角形比を変化させることができる。なお、蒸着法により成膜する場合には、調整する成膜条件としては、例えば電子ビーム強度等が挙げられる。
【００９０】
上述のように磁気テープの成膜装置４０内に磁気特性の測定装置４９を備え、目的とする磁気特性の範囲を工程の規格値範囲よりも狭く設定し、フィードバック制御を行うことで、工程規格値内に収まる製品を作り続けることが可能となる。
【００９１】
上述の第１の実施形態において、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および磁化測定部３４がそれぞれ、磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に対向して設けられ、磁性面１０Ｓ1で反射された偏光を磁性面１０Ｓ1に向けて反射する反射ミラー（反射部）をさらに備えるようにしてもよい。この場合、磁性面１０Ｓ1に入射した偏光は、磁性面１０Ｓ1と反射ミラーとの間で繰り返し反射された後、すなわち磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1にて複数回反射された後、受光部３２ｃ2、３３ｃ2、３４ｃ2で受光される。これにより、磁気カー効果による偏光状態変化を累積させることできる。したがって、偏光状態の測定感度を向上させることができる。
【００９２】
同様に、上述の第２の実施形態において、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３および残留磁化測定部３６がそれぞれ、磁気テープ１０の磁性面１０Ｓ1に対向して設けられ、磁性面１０Ｓ1で反射された偏光を磁性面１０Ｓ1に向けて反射する反射ミラー（反射部）をさらに備えるようにしてもよい。
【００９３】
上述の第１、第２の実施形態では、負側飽和磁化測定部３２、正側飽和磁化測定部３３、磁化測定部３４および残留磁化測定部３６が、反射光の偏光状態として偏光軸角度を測定する場合について説明したが、偏光軸角度に代えて楕円率または反射強度等を測定するようにしてもよい。この場合、偏光軸角度検出回路３２ｃ3、３３ｃ3、３４ｃ3、３６ｃ3に代えて楕円率測定回路または反射強度測定回路等が用いられる。
【００９４】
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を得ることと
を含む磁気特性の測定方法。
（２）
前記磁気記録媒体は、前記第１の磁界、前記第２の磁界および前記第３の磁界の方向に対して直行する方向に連続移動される（１）に記載の磁気特性の測定方法。
（３）
前記第３の磁界の強度調整に用いられる前記第１の反射光の偏光状態の測定値、前記第２の反射光の偏光状態の測定値および前記第３の反射光の偏光状態の測定値は、連続移動する前記磁気記録媒体の同一位置で取得される（１）または（２）に記載の磁気特性の測定方法。
（４）
前記第１の偏光、前記第２の偏光および前記第３の偏光はそれぞれ、前記磁気記録媒体の面にて複数回反射される（１）から（３）のいずれかに記載の磁気特性の測定方法。
（５）
前記第１の反射光の偏光状態、前記第２の反射光の偏光状態、前記第３の反射光の偏光状態がそれぞれ、前記第１の反射光の偏光軸角度、前記第２の反射光の偏光軸角度、前記第３の反射光の偏光軸角度である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気特性の測定方法。
（６）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の測定部を制御し前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を得る制御部と
を備える磁気特性の測定装置。
（７）
前記第１の磁界、前記第２の磁界および前記第３の磁界の方向に対して直行する方向に前記磁気記録媒体を連続移動させる搬送部をさらに備える（６）に記載の磁気特性の測定装置。
（８）
前記制御部は、連続移動する前記磁気記録媒体の同一位置で取得された前記第１の反射光の偏光状態の測定値、前記第２の反射光の偏光状態の測定値および前記第３の反射光の偏光状態の測定値を用いて、前記第３の磁界の強度調整を行う（６）または（７）に記載の磁気特性の測定装置。
（９）
前記磁気記録媒体の面に対向して設けられた反射部をさらに備え、
前記第１の偏光、前記第２の偏光および前記第３の偏光は、前記磁気記録媒体の面と前記反射部との間で繰り返し反射される（６）から（８）のいずれかに記載の磁気特性の測定装置。
（１０）
前記第３の測定部は、前記第３の磁界の強度を測定する磁界測定部を備え、
前記制御部は、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を前記磁界測定部により測定する（６）から（９）のいずれかに記載の磁気特性の測定装置。
（１１）
前記第３の測定部は、連続移動する前記磁気記録媒体に前記第３の磁界を印加する磁界発生部を備え、
前記制御部は、前記磁界発生部に供給する電流値を制御することにより、前記第３の磁界の強度を調整し、
前記制御部は、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときに前記磁界発生部に供給された電流値を磁界の強度に変換することにより、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を算出する（６）から（９）のいずれかに記載の磁気特性の測定装置。
（１２）
前記第１の反射光の偏光状態、前記第２の反射光の偏光状態、前記第３の反射光の偏光状態がそれぞれ、前記第１の反射光の偏光軸角度、前記第２の反射光の偏光軸角度、前記第３の反射光の偏光軸角度である（６）から（１１）のいずれかに記載の磁気特性の測定装置。
（１３）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第２の磁界とは逆向きの第３の磁界を印加すると共に、前記第３の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第３の偏光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第３の反射光の偏光状態の測定値が、前記第１の反射光の偏光状態の測定値と前記第２の反射光の偏光状態の測定値との中間値となるように前記第３の磁界の強度を調整し、前記第３の反射光の偏光状態の測定値が前記中間値に等しくなったときの前記第３の磁界の強度を保磁力として得ることと
得られた前記保磁力に基づき、連続移動する前記磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法。
（１４）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することと
を含む磁気特性の測定方法。
（１５）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定する第１の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定する第２の測定部と、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定する第３の測定部と、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出する演算部と
を備える磁気特性の測定装置。
（１６）
連続移動する磁気記録媒体に第１の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第１の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第１の偏光を照射し、反射された第１の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体に、前記第１の磁界とは逆向きの第２の磁界を印加し、前記磁気記録媒体を磁気飽和させると共に、前記第２の磁界が印加されている前記磁気記録媒体の面に第２の偏光を照射し、反射された第２の反射光の偏光状態を測定することと、
連続移動する前記磁気記録媒体の面に光を照射し、反射された第３の反射光の偏光状態を測定することと、
前記第１の反射光および前記第２の反射光の偏光状態の測定値の中間値Ａ0と前記第１の反射光の偏光状態の測定値Ａ1との差分ΔＡ10（＝Ａ1−Ａ0）に対する、前記中間値Ａ0と前記第３の反射光の偏光状態の測定値Ａ2との差分ΔＡ20（＝Ａ2−Ａ0）の比（ΔＡ20／ΔＡ10）を算出することにより角形比を得ることと、
得られた前記角形比に基づき、連続移動する前記磁気記録媒体の成膜条件を調整することと
を含む磁気記録媒体の製造方法。
【符号の説明】
【００９５】
１０    磁気テープ
１０Ｓ1    磁性面
１０Ｓ2    バック面
１１    基体
１２    下地層
１３    磁性層
１３ａ    塗料
１４    バック層
２０、４０    成膜装置
２１、２２    ロール
２３    成膜ヘッド
２４    乾燥炉
３０、３０Ａ    磁気特性の測定装置
３１    ガイドロール（搬送部）
３１ａ    エンコーダ
３２    正側飽和磁化測定部（第１の測定部）
３３    負側飽和磁化測定部（第２の測定部）
３４    磁化測定部（第３の測定部）
３５    ＰＣ（制御部、演算部）
３６    残留磁化測定部（第３の測定部）
３２ａ、３３ａ、３４ａ    電磁石（磁界発生部）
３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ    電源
３２ｃ、３３ｃ、３４ｃ、３６ｃ    偏光検出部
３２ｃ1、３３ｃ1、３４ｃ1、３６ｃ1    照射部
３２ｃ2、３３ｃ2、３４ｃ2、３６ｃ2    受光部
３２ｃ3、３３ｃ3、３４ｃ3、３６ｃ3    偏光軸角度検出回路
【図１】
2020059662.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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