(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が一方向に延長し、前記一方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有する、エキシマレーザーを発振させる発振器と、
前記発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
を有し、
前記発振器は、
前記一方向に延長し、放電が起こる空間を挟んで対向するように配置された二つの電極と、
前記二つの電極間に設けられ、前記一方向に沿って線状に等間隔に配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスを均一に前記電極間に導入する手段と、
前記一方向に延長し、前記ガスを攪拌させるファンと、を備え、
前記ガスはポンプによって外部に排気されるようにしてなることを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項２】
内部が一方向に延長し、前記一方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有する、エキシマレーザーを発振させる発振器と、
前記発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有し、
前記発振器は、
前記一方向に延長し、放電が起こる空間を挟んで対向するように配置された二つの電極と、
前記二つの電極間に設けられ、前記一方向に沿って線状に等間隔に配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスを均一に前記電極間に導入する手段と、
前記一方向に延長し、前記ガスを攪拌させるファンと、を備え、
前記ガスはポンプによって外部に排気されるようにしてなることを特徴とするレーザー照射システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、半導体薄膜のアニールに利用されるレーザー光照射システムに関する。またその応用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体薄膜にレーザー光を照射することにより各種アニールを行う技術が知られている。例えば、ガラス基板上に薄膜トランジスタを作製する際に、まず非晶質珪素膜（アモファスシリコン膜）をガラス基板上にプラズマＣＶＤ法等で成膜し、それにパルス発振型で紫外光領域の発振を行うエキシマレーザー光を照射することにより、結晶性珪素膜を得る技術が知られている。
【０００３】
エキシマレーザーが利用されるのは、珪素膜のアニールに適するような照射エネルギー密度と波長が得られるからである。
【０００４】
しかし、通常のレーザー光は数ｍｍ角程度のスポット状のビーム形状であるので、数十ｃｍ角の大きさを有するガラス基板を利用した際等に生産性が問題となる。
【０００５】
この問題を解決するために、レーザー光を光学系により、長さ数十ｃｍの線状に加工し、この線状のレーザービーム（線状レーザーと称する）を走査することにより、大面積への対応を行う技術が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記線状レーザーを用いた方法により、薄膜トランジスタを作製じた場合、以下のような問題が生じる。薄膜トランジスタを作製する場合、それが単体で作製されるのではなく、集積化したものとして作製される。
【０００７】
例えば、周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置に薄膜トランジスタを利用する場合、周辺駆動回路を構成するシフトレジスタやバッファー回路、さらにアナログスイッチ回路といった回路は、同じ回路パターンが繰り返されて配置されるものとなる。
【０００８】
このような構成を得るために線状のレーザー光を利用すると、得られた液晶ディスプレイの表示に細かい縞模様が観察される。この縞模様はその長手方向が直交した２種類に分類される。即ち、縦縞及び横縞として観察される。
【０００９】
なお、レーザー光の走査方向を９０°回転させても、やはり縦縞及び横縞は観察される。
【００１０】
この縞模様は、アニール後の珪素膜を観察した場合にも結晶性のむらとして認識することができる。
【００１１】
本発明者らの知見によれば、上記の縦縞及び横縞は、線状のレーザービームの長手方向における照射エネルギー密度のバラツキ、及び走査方向におけるレーザーエネルギー密度のバラツキに関係する。
【００１２】
線状のレーザービームの長手方向における照射エネルギー密度のバラツキは、発振器内部における放電開始箇所のバラツキに起因する。即ち、発振器から出るレーザー光の密度分布に偏りが生じ、それが光学系において拡大される結果として生じる。特に線状のレーザービームは、数ｃｍ角のスポットビームを光学系により、幅数ｍｍ、長さ数十ｃｍに成形するので、発振器内部における放電箇所のバラツキは、大きく拡大されたものとなる。
【００１３】
上記線状のレーザービームの長手方向における照射エネルギー密度のバラツキは、レーザー発振器内部における空間的な発振位置のバラツキによるものと理解することができる。
【００１４】
具体的には、図１（Ｂ）に示すような従来より公知のエキシマレーザー発振器の構造においては、３１５で示されるようにガスが発振器の一端から導入される関係から、発振位置（正確には発振開始位置）が、発振容器の長手方向において発振毎にばらついてしまう。
【００１５】
図１（Ｂ）に示す構成においては、３１１は発振器の容器であり、３１２が放電用の電極であり、３１３がモータ３１４で駆動されるファンであり、３１６が外部へと放射されるレーザー光である。
【００１６】
このような構成であっても、スポット光（円形形状や縦横比の違いが小さい矩形形状のビーム）を利用する場合は、上記レーザー発振器内部における空間的な発振位置のバラツキは大きな影響として現れない。
【００１７】
即ち、その影響が被照射面に照射されるレーザー光のビーム内における照射エネルギー密度のバラツキとして顕在化しない。
【００１８】
これは、レーザービームが大きく拡大されないので、発振位置のバラツキがビーム内の照射エネルギー密度の違いとして現れにくいことに起因する。
【００１９】
また、線状のレーザービームの走査方向おける照射エネルギー密度のバラツキは、発振器の時間的な安定性、即ち発振毎における照射エネルギー密度のバラツキに起因する。
【００２０】
これは、レーザー発振器の時間的な発振強度のバラツキによるものと理解することができる。
【００２１】
このレーザー発振器の時間的な発振強度のバラツキは、ガスの循環方法や発振周波数、さらに走査速度を最適化することでかなり改善することができる。
【００２２】
しかし、空間的なレーザー発振のバラツキは、レーザー発振器の構造や発振方法に起因するものであり、条件の最適化だけでは抑制できないことが判明している。
【００２３】
そこで、本明細書で開示する発明は、以下の事項を前提とし、特に線状のレーザー光の長手方向における照射エネルギー密度のバラツキを是正する技術を提供することを課題とする。そして、大面積へのアニール効果の不均一性を解決することを課題とする。
【００２４】
（１）パルス発振型のエキシマレーザーを利用する。
（２）光学系により成形した線状のレーザー光を利用する。
（３）レーザー発振器からのレーザー光が上述したようなエネルギー密度のゆらぎを有している。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
レーザー発振に寄与するガスは前記発振器内部において均一に供給される構成を有していることを特徴とする。
【００２６】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
レーザー発振に寄与するガスは前記発振器内部において複数の箇所から供給されることを特徴とする。
【００２７】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、
内部が一方向に延長した構造を有し、
前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスは、少なくとも前記発振器内部における延長した方向の一方の端部および他方の端部から導入されることを特徴とする。
【００２８】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、
内部が一方向に延長した構造を有し、
前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスは、前記発振器内部における延長した方向に配列された複数の箇所から導入されることを特徴とする。
【００２９】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、
内部が一方向に延長した構造を有し、
前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスは、前記発振器内部における延長した方向に沿って線状に配列された複数の箇所から導入されることを特徴とする。
【００３０】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムの応用方法であって、
前記発振器は、
内部が一方向に延長した構造を有し、
前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向にそった複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスが導入され、
前記発振器からのレーザー光を光学系により線状のビームに成形し、
該線状のビームに成形されたレーザー光を線状ビームの幅方向に走査しながら半導体薄膜に照射することにより半導体薄膜のアニールを行うことを特徴とする。
【００３１】
他の発明の構成は、
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムの応用方法であって、
前記発振器は、
内部が一方向に延長した構造を有し、
前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向に沿った複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスを導入することにより空間的なゆらぎの是正されたレーザー発振を行わせ、
前記発振器から発振されたレーザー光を光学系により線状にビーム形成し照射することを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）に示すように一方に延長した発振空間を有するレーザー発振器３０１の内部において、エキシマレーザーの発振を行わすためのガス（例えば、ＫｒＦエキシマレーザーであれば、ＫｒとＦ）の内部への導入を、３０５で示されるような発振器内部の長手方向に複数配置された導入口３０６を備えたガス導入手段から行わせる。
【００３３】
こうすることで発振器内部におけるレーザー発振の空間的なゆらぎを抑制し、レーザー光のビーム形状を光学系により大きく変更した場合における照射エネルギー密度のバラツキを抑えることができる。
【００３４】
即ち、発振に寄与していないガス（劣化していないガス）が発振器内に均一に供給されるようにすることで、発振位置の均一性を高めることができる。
【００３５】
ガスの導入手段としては、少なくとも発振器内部の長手方向の一端及び他端から行うようにしても、発振の均一を助長することができる。
【００３６】
好ましくは、図１（Ａ）の３０５で示されるようガス導入手段、即ち延長した発振器内部の長手方向に沿う方向から空間的に均一にガスを噴射する構成とすることがよい。
【００３７】
【実施例】
〔実施例１〕
図１（Ａ）にレーザー発振器の概略を示す。図において、３０１が図面の左右方向に延長した構造を有する発振器の容器である。この発振器の内部に３０５で示される発振器の長手方向において均一にガスを導入するためにガス導入手段が設けられている。ガス導入手段３０５には、導入口３０６が発振器の長手方向に沿って複数個も設けられている。
【００３８】
ガスとしては、ＫｒＦエキシマレーザーであれば、ＫｒとＦが利用される。また、ＸｅＣｌエキシマレーザーであれば、ＸｅとＣｌが利用される。
【００３９】
ガスは、モータ３０４で駆動されるファン３０３により攪拌される。そしてポンプで外部に排気される。
【００４０】
また、３０２が電極であり、この電極間に高電圧の高周波を印加することにより、放電を起こし、レーザー発振を行わせる。
【００４１】
発振されたレーザー光は、３１６で示されるように外部に取り出される。
【００４２】
図７に示すのは、図１に示す改造されたレーザー発振器から発振されるレーザー光の照射エネルギー密度のレーザーパルス間のばらつきを計測した実測データである。
【００４３】
諸パラメータを以下に示す。
・レーザー発振条件  ５０Ｈｚ，２９ｋＶ  （ＫｒＦエキシマレーザー）
・計測データ
エネルギー密度の平均値  239.6 ｍＪ／ｃｍ2
標準偏差                4.43
σ／Ａｖｅ              1.85％
エネルギー密度の最大値  254.0 ｍＪ／ｃｍ2(6.01％)
エネルギー密度の最小値  221.9 ｍＪ／ｃｍ2(7.39％)
平均値＋３σ            252.9 ｍＪ／ｃｍ2(2/3000)
平均値−３σ            226.3 ｍＪ／ｃｍ2(7/3000)
標本数                  3000
【００４４】
以下に光学系の概要を示す。図５に示す光学系は、発振器からのレーザー光を線状にビーム加工する機能を有している。図５において、発振器１０１から発振されたレーザー光は、レンズ１０２とレンズ１０３で構成される光学系によって、所定のビーム形状と所定のエネルギー密度の分布を有したレーザー光にまず成形される。
【００４５】
そしてこのレーザー光は３つのホモジナイザー１１、１２、１３によってそのビーム内エネルギー密度の分布が補正される。
【００４６】
ホモジナイザー１１は、最終的に線状に成形されるレーザービームの幅方向におけるビーム内エネルギー密度の補正を行なう役割を担っている。しかし、線状レーザービームの幅方向の寸法は、数ｍｍ程度であるので、このホモジナイザーが果たす役割はそう大きなものではない。
【００４７】
換言すれば、ホモジナイザー１１の光学パラメータの設定や調整はそれ程微妙なものではない。
【００４８】
ホモジナイザー１２と１３は、最終的に線状に成形されるレーザービームの長手方向におけるビーム内エネルギー密度の補正を行なう役割を担っている。
【００４９】
レーザービームは、長手方向に１０ｃｍ以上も引き延ばされるので、このホモジナイザー１２と１３の光学パラメータの設定は慎重に行なう必要がある。
【００５０】
ここでは、レーザービームの長手方向における照射エネルギー密度の分布をより均一化するために１２と１３で示されるようにレーザービームの長手方向における照射エネルギー密度の分布を制御するホモジナイザーを２つ配置する。
【００５１】
１０６と１０７と１０９で示されるレンズは、レーザービームを線状に成形する役割を担っている。即ち、レンズ１０６と１０９とはレーザービームを幅方向に狭めるために機能する。また、レンズ１０７は２つのホモジナイザー１２及び１３と共同してレーザービームを長手状に引き延ばすために機能する。
【００５２】
図５に示す構成においては、線状に成形されたレーザービームの長手方向における照射エネルギー密度の制御を１２及び１３の２つのホモジナイザーによって行っている。なおホモジナイザーの数は必要に応じてさらに増やしてもよい。
【００５３】
この例では、それ程の均一性が要求されない線状のレーザービームの幅方向においては一つのホモジナイザーを配置し、必要とする均一性を得ている。
【００５４】
なお、図では作図の関係で、発振器からのレーザービームの幅と最終的な線状レーザー光の長手方向の長さの比は実際よりも小さく表現されてる。しかし、実際には、発振器からのレーザービームは数ｃｍ角以下のスポット光であり、光学系により成形されたレーザー光の長手方向の長さは１０ｃｍ以上ある。
【００５５】
図６に示すのは、図５に示す光学系と基本的に同じ光学系を有するが、各種光学パラメータの設定が少し異なる構成の例である。
【００５６】
図６に本実施例の構成を示す。図６に示す構成においては、ホモジナイザー１２と１３の位置関係が図５に示す場合と異なっている。この場合、ホモジナイザー１２と１３の位置関係の変更に従って、各レンズの光学パラメーターのー設定も図１の場合とは変更する必要がある。
【００５７】
〔実施例２〕
本実施例では、周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製工程を示す。
【００５８】
図２に作製工程を示す。まずガラス基板（または石英基板）５０１上に図示しない下地膜を成膜する。ここでは、図示しない下地膜としてスパッタ法により、酸化珪素膜を３００ｎｍの厚さに成膜する。
【００５９】
次にプラズマＣＶＤ法（または減圧熱ＣＶＤ法）により、非晶質珪素膜５０２を５０ｎｍの厚さに成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状態を得る。
【００６０】
次に実施例１に示したレーザー発振器と光学系を備えたレーザー照射システムを利用し、ＫｒＦエキシマレーザー光の照射を行い、非晶質珪素膜５０２を結晶化させる。こうして、結晶性珪素膜を得る。結晶性珪素膜を得たら、それをパターニングすることにより、図２（Ｂ）の５１、５２、５３で示される薄膜トランジスタの活性層を形成する。
【００６１】
ここで、５１がＰＴＦＴの活性層であり、５２がＮＴＦＴの活性層である。この２つのＴＦＴでもって、周辺駆動回路を構成するＣＭＯＳが構成される。また、５３が画素に配置されるＮＴＦＴの活性層である。
【００６２】
ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜５０３をプラズマＣＶＤ法により、１００ｎｍの厚さに成膜する。さらに図示しないアルミニウム膜をスパッタ法により４００ｎｍの厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、ゲイト電極５０４、５０５、５０６を形成する。
【００６３】
次に得られたゲイト電極のパターンを陽極とした陽極酸化を行うことにより、陽極酸化膜５０７、５０８、５０９を１００ｎｍの厚さに形成する。陽極酸化膜は、ゲイト電極を電気的及び物理的に保護する機能を有している。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得る。
【００６４】
ここでは、低抵抗を有するアルミニウムを材料として、ゲイト電極を構成する例を示すが、他の導電性材料を利用するのでもよい。
【００６５】
次に図２（Ｂ）に示す状態において、導電型を付与するための不純物元素のドーピングを行う。ここでは、まずＰＴＦＴを構成する活性層に対して、選択的にＢ（ボロン）のドーピングをプラズマドーピング法でもって行い、次にＮＴＦＴを構成する活性層に対して、選択的にＰ（リン）のドーピングをプラズマドーピング法でもって行う。
【００６６】
こうして、周辺駆動回路を構成するＰＴＦＴのソース領域５０７、チャネル領域５０８、ドレイン領域５０９が自己整合的に形成される。また、周辺駆動回路を構成するＮＴＦＴのソース領域５１２、チャネル領域５１１、ドレイン領域５１０を自己整合的に形成される。また、画素マトリクスに配置されるＮＴＦＴのソース領域５１３、チャネル領域５１４、ドレイン領域５１５が自己整合的に形成される。こうして図２（Ｃ）に示す状態を得る。
【００６７】
なお、本実施例においては、陽極酸化膜５０７、５０８、５０９が存在する関係で、その厚さの分でオフセットゲイト領域がチャネルとソース／ドレイン領域の間に形成される。しかし、その寸法は１００ｎｍ（実際はプラズマドーピング時における注入イオンの回り込みにより、さらに小さくなると考えられる）程度であるので、ここではその存在は無視する。なお、陽極酸化膜の膜厚を２００ｎｍ程度以上というように厚くした場合には、オフセットゲイト領域の効果が顕在化する。
【００６８】
次に第１の層間絶縁膜として、２００ｎｍ厚の窒化珪素膜５１６とポリイミド樹脂でなる膜５１７を積層する。ここでは、窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、ポリイミド樹脂でなる膜をスピンコート法でもって成膜する。
【００６９】
そしてコンタクトホールの形成を行い、周辺駆動回路のＰＴＦＴのソース電極５１８、ＮＴＦＴのソース電極５２０、両ＴＦＴに共通のドレイン電極５１９を形成する。これで、ＰＴＦＴとＮＴＦＴとが相補型に構成されたＣＭＯＳが得られる。
【００７０】
さらに、画素マトリクスに配置されるＮＴＦＴのソース電極５２１とドレイン電極５２２とを形成する。ここで、ソース電極５２１は、ゲイト配線と共に画素マトリクス領域において格子状に配置されたソース配線から延在したものとして形成される。こうして図２（Ｄ）に示す状態を得る。
【００７１】
次に第２の層間絶縁膜として、ポリイミド樹脂でなる絶縁膜５２３をスピンコート法でもって成膜する。そしてコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯでもって画素電極５２４を形成する。
【００７２】
こうして図２（Ｅ）に示す周辺駆動回路とアクティブマトクス回路とを同一ガラス基板上に集積化したアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイを構成する片方の基板が完成する。
【００７３】
なお、液晶ディスプレイを構成するには、さらに配向膜の形成、配向処理等が必要とされる。
【００７４】
〔実施例３〕
本実施例では、ボトムゲイト型の薄膜トランジスタの作製工程を示す。まず図３（Ａ）に示すようにガラス基板上にゲイト電極７０２を形成する。そして、ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜７０３を成膜し、さらに非晶質珪素膜７０４を成膜する。
【００７５】
非晶質珪素膜の成膜後、その表面には、７０５で示される不純物膜が不可避に形成される。こうして図３（Ａ）に示す状態を得る。
【００７６】
次にエッチングにより不純物膜７０５を除去し、さらにレーザー光の照射を行うことにより、非晶質珪素膜７０４を結晶化させ、結晶性珪素膜７０６を得る。
【００７７】
こうして図３（Ｂ）に示す状態を得る。図３（Ｃ）に示すように次にレジストマスク７０７を基板裏面からの露光により形成する。そして、ソース／ドレイン領域を形成するための不純物のドーピングをレジストマスク７０７を用いて行い、ソース領域７０８、ドレイン領域７１０を形成する。またこの際、チャネル領域７０９が画定する。
【００７８】
ドーピングの終了後、レジストマスクを除去し、再度のレーザー光の照射を行う。この工程でドーパントの活性化とドーピング時の損傷のアニールとが行われる。
【００７９】
次に図３（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜として窒化珪素膜７１０を成膜し、さらにポリイミド樹脂でなる層間絶縁膜７１１を形成する。そしてコンタクトホールの形成を行い、ソース電極７１２とドレイン電極７１３を形成する。こうしてガラス基板上にボトムゲイト型の薄膜トランジスタが完成する。
【００８０】
図４に図３（Ｃ）に示すものとは異なるドーピング方法を示す。（Ａ）に示すのは、ドーピント元素を含んだ薄い膜８０１を成膜し、その後に基板上または基板裏面側からレーザー光の照射を行う方法である。この方法を採用した場合、膜が瞬間的に溶融し、そこからドーパント元素がソース／ドレイン領域となるべき領域に拡散する。こうして、一導電型を有するソース／ドレイン領域が形成される。
【００８１】
（Ｂ）に示すには、ドーパント元素を含んだ雰囲気中においてレーザー光を基板表面また裏面から行うことにより、ドーピングを行う方法である。図には、Ｐ（リン）が含まれた雰囲気を利用した場合の例が模式的に示されている。
【００８２】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することにより、大面積へのアニール効果の不均一性を解決して、薄膜トランジスタでなる回路を均一性よく形成することができる。
【００８３】
特にレーザー発振器内部におけるレーザー発振位置のバラツキを是正し、線状レーザービームの長手方向における照射エネルギーのバラツキ（このバラツキは発振毎に発生する）を是正することができる。そして、表示ムラのないアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  レーザー発振器の概要を示す図。
【図２】  周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置のＴＦＴ部分の作製工程を示す図。
【図３】  薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図４】  ドーピング手段を示す図。
【図５】  光学系の概要を示す図。
【図６】  光学系の概要を示す図。
【図７】  レーザー光のパルス間のばらつきを示す図。
【符号の説明】
３０１        レーザー発振器の容器
３０２        電極
３０３        ファン
３０４        ファン駆動用のモーター
３０５        ガス導入手段
３０６        ガス噴射口
【図１】
0003813269.tif 000002
【図２】
0003813269.tif 000003
【図３】
0003813269.tif 000004
【図４】
0003813269.tif 000005
【図５】
0003813269.tif 000006
【図６】
0003813269.tif 000007
【図７】
0003813269.tif 000008