(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクフレームと、前記マスクフレームに固定されたシャドウマスクと、前記マスクフレームに保持された内部磁気シールドと、前記マスクフレームに設けられたエレクトロンシールド部とを備えたカラー陰極線管において、
前記エレクトロンシールド部の少なくとも一部は、前記エレクトロンシールド部のそれ以外の部分、前記シャドウマスク、前記マスクフレームおよび前記内部磁気シールドに比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さいことを特徴とするカラー陰極線管。
【請求項２】
前記エレクトロンシールド部は、前記マスクフレームの電子ビーム寄りの先端部を延長するように形成されている請求項１に記載のカラー陰極線管。
【請求項３】
前記エレクトロンシールド部は、前記マスクフレームとは別部材からなり、前記マスクフレームの電子ビーム寄りの先端部からさらに突き出すように設けられている請求項１に記載のカラー陰極線管。
【請求項４】
前記マスクフレームは、断面がＬ字型であるＬ字型部材と、前記Ｌ字型部材と組み合わされる補強部材とからなり、
前記補強部材は、その一部にそれ以外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領域を有する請求項１に記載のカラー陰極線管。
【請求項５】
電子ビームを蛍光体スクリーンに対して１００〔％〕スキャンしたときに、前記エレクトロンシールド部と前記電子ビームの軌道との間の最小距離が８〔ｍｍ〕以上である請求項１に記載のカラー陰極線管。
【請求項６】
前記エレクトロンシールド部の前記非履歴透磁率が小さい部分は、前記マスクフレームよりも管軸寄りに位置する請求項１に記載のカラー陰極線管。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はカラー陰極線管に関する。より詳しくは、画質、特に色均一性を向上するためにマスクフレームの構造に特徴を有するカラー陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カラー陰極線管は、図１７に示すように、内面に蛍光体スクリーン１４が形成された前面パネルとファンネルとからなるガラスバルブ１３のネック部内に電子銃８１が設けられ、蛍光体スクリーン１４には、マスクフレーム３１に架張されたシャドウマスク１が対置している。マスクフレーム３１は、断面が略Ｌ字型であり、シャドウマスク１が架張され、ガラスバルブ１３に固定される部分と、シャドウマスク１とほぼ平行にガラスバルブ１３の管軸（中心軸）側に張り出す内側張出部３２とからなる。内側張出部３２には内部磁気シールド２が固定される。
【０００３】
電子銃８１からのＲ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の三色に対応する電子ビーム５が前面パネル直前のシャドウマスク１を通過し、その際の入射角によって前面パネルに射突する位置を制限できる。したがって前面パネル内面をそれぞれの射突位置に応じてＲ、ＧおよびＢの蛍光体で塗り分けることにより、幾何学的に色選別を行ない、蛍光体スクリーン１４上にカラー画像を形成することができる。
【０００４】
ところで、通常のカラー陰極線管では、蛍光体スクリーン上の画面全域に画像を描くようにオーバースキャン方式により画像を再生している。そのオーバースキャン量は、蛍光体スクリーンに対して水平、垂直方向にそれぞれ１０５〜１１０〔％〕程度である。このようにオーバースキャン方式により蛍光体スクリーンを走査すると、図１８に示したように、オーバースキャンした電子ビーム５の一部がシャドウマスク１を保持するマスクフレーム３１などに衝突し、その反射ビームが蛍光体スクリーン１４に入射して所定以外の蛍光体層を発光させ、画像の色純度やコントラストを低下させ、画質を劣化させる。
【０００５】
そのため、従来よりこの反射ビームによる画質の劣化を防止するため、図１９に示すようにマスクフレーム３１の内側張出部３２の管軸側端部にエレクトロンシールド部３３を形成したり、図２０に示すように内部磁気シールド２とマスクフレーム３１の内側張出部３２との間に、マスクフレーム３１から管軸側に突き出すようにエレクトロンシールド部３３を取り付けたりすることがおこなわれてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来エレクトロンシールド部３３は磁性体で形成されてきたため、８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）程度の地磁気が存在する中に陰極線管を設置した場合、エレクトロンシールド部３３の先端部からの漏れ磁界の影響で、電子ビーム軌道が偏向されて所望する位置の蛍光体層を射突しない現象（ミスランディング）が発生することがあった。
【０００７】
本発明の目的は、地磁気によるミスランディングを防ぎ色ズレのないカラー陰極線管を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明のカラー陰極線管は、マスクフレームと、前記マスクフレームに固定されたシャドウマスクと、前記マスクフレームに保持された内部磁気シールドと、前記マスクフレームに設けられたエレクトロンシールド部とを備えたカラー陰極線管において、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における前記エレクトロンシールド部の少なくとも一部の非履歴透磁率が、前記シャドウマスク、前記マスクフレームおよび前記内部磁気シールドの各非履歴透磁率に比べて小さいことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、エレクトロンシールド部の磁気抵抗が増すので、エレクトロンシールド部の先端部へ流れる磁束を減少させることができ、エレクトロンシールド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。従って、地磁気によるミスランディングを減少させ色ズレのないカラー陰極線管を提供することができる。
【００１０】
また、前記エレクトロンシールド部は、前記マスクフレームの電子ビーム寄りの先端部を延長するように形成されたものであることが好ましい。
【００１１】
あるいは、前記エレクトロンシールド部は、前記マスクフレームとは別部材からなり、前記マスクフレームの電子ビーム寄りの先端部からさらに突き出すように設けられていることが好ましい。
【００１２】
また、前記エレクトロンシールド部は、その一部にそれ以外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領域を有することが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、内部磁気シールドからマスクフレームを経てエレクトロンシールド部の先端部へ流れる磁束を整流することができ、エレクトロンシールド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。
【００１４】
また、前記マスクフレームは、断面がＬ字型であるＬ字型部材と、前記Ｌ字型部材と組み合わされる補強部材とからなり、前記補強部材は、その一部にそれ以外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領域を有することが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、内部磁気シールドからマスクフレームの補強部材へ流れる磁束を整流することができ、マスクフレームの補強部材からの漏れ磁界を減少できる。
【００１６】
また、電子ビームを蛍光体スクリーンに対して１００〔％〕スキャンしたときに、前記エレクトロンシールド部と前記電子ビームの軌道との間の最小距離が８〔ｍｍ〕以上であることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、電子ビームが漏れ磁界の小さい領域を通過するので、ミスランディングを更に減少させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。本発明の陰極線管は、マスクフレーム近傍の構造に特徴を有するものである。陰極線管の基本構造は図１７に示す従来の陰極線管と同様であるので、以下、全体の説明は省略し、マスクフレーム近傍の主要部分について詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明のカラー陰極線管の断面のうち、マスクフレーム３１の付近を拡大して示す。
【００２０】
マスクフレーム３１は、断面が略Ｌ字型であり、シャドウマスク１が架張され、ガラスバルブ１３に固定（固定具は図示せず）される部分と、シャドウマスク１とほぼ平行にガラスバルブ１３の管軸（中心軸）側に張り出す内側張出部３２とからなる。マスクフレーム３１には、内部磁気シールド２が固定される（内側張出部３２に設けられる固定具は図示せず）。
【００２１】
内側張出部３２の管軸側端部に、そのほぼ全長にわたって、内側張出部３２を延長するように、内側張出部３２とほぼ同じ厚さの帯状のエレクトロンシールド部３３が設けられている。印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）（地磁気に相当）におけるエレクトロンシールド部３３の全部または一部の非履歴透磁率が、シャドウマスク１、マスクフレーム３１、および内部磁気シールド２に比べて小さいことが、本実施の形態の特徴である。
【００２２】
ここで、「非履歴透磁率」とは、非履歴磁化モデルによってヒステリシスを発生させ、交流減衰磁界がゼロになったときのヒステリシス上の収束点の磁束密度Ｂと直流磁界Ｈで定義できる実効的な比透磁率をいい、次の式で表される。
【００２３】
μμ＝（１／μ0）×（Ｂ／Ｈ）
ここで、μ0は真空中の透磁率である。非履歴透磁率については、たとえば、電子情報通信学会論文誌Ｃ−II  Ｖｏｌ．Ｊ７９−Ｃ−II  Ｎｏ．６  ｐｐ．３１１−３１９（１９９６年６月）に記述されている。
【００２４】
図２および図３は、マスクフレーム３１における磁界の作用を示す。図２は従来例を示し、内側張出部３２の管軸側端部に内側張出部３２と一体のエレクトロンシールド部を有するが、その非履歴透磁率は内側張出部３２と同一である。図３は本実施の形態の構成によるものである。それぞれマスクフレーム３１の内側張出部３２に設けられたエレクトロンシールド部からの漏れ磁界の様子を矢印６１，６２で示している。矢印の太さは漏れ磁界の大小に対応している。
【００２５】
図２の従来例では、内部磁気シールド２を経てマスクフレーム３１へ流れ込んだ磁束が、内側張出部３２からシャドウマスク１へ向けて真空中へ漏れる（漏れ磁界６１）。一方、図３に示す本発明では、内側張出部３２の管軸側端部に設けたエレクトロンシールド部３３の少なくとも一部の非履歴透磁率が、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）においてシャドウマスク１、マスクフレーム３１、および内部磁気シールド２の非履歴透磁率に比べ小さいので、エレクトロンシールド部３３とシャドウマスク１との間の磁気抵抗が高まり、漏れ磁界６２は減少する。したがって、ミスランディングを低減できる。
【００２６】
非履歴透磁率の異なる部材の固定方法としては、溶接、ねじ止め、クランピングスプリングによる方法等がある。また図１では、内側張出部３２に対して一定の角度をもってエレクトロンシールド部３３が固定されているが、適度な角度をつけることにより、エレクトロンシールド部３３に衝突し反射する電子ビームの軌道を制限でき、ハレーションの発生を防止することができる。
【００２７】
本実施の形態では、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、内部磁気シールド２が１２０００程度（軟鉄）、マスクフレーム３１が２２００程度（Ｆｅ−３６Ｎｉ、Ｆｅ−４２Ｎｉ等）、シャドウマスク１が２０００程度（５７０〜６４０℃程度で熱処理したＦｅ−３６Ｎｉ等）、エレクトロンシールド部３３が１８００程度（鉄）の材料を用いた。１８００程度の非履歴透磁率は、シャドウマスクに用いた鉄材（Ｆｅ−３６Ｎｉ）を比較的低温（４５０〔℃〕以下）で熱処理することにより得た。
【００２８】
内側張出部３２の管軸側端部からのエレクトロンシールド部３３の突き出し長さを２０〔ｍｍ〕としたところ、内側張出部３２を同量だけ延長させた図２に比べて、ミスランディングが２〔μｍ〕以上低減された。
【００２９】
なお、エレクトロンシールド部３３の材料としては、上記以外にステンレス鋼（ＳＵＳ）やアルミニウムを使用することができる。これらの材料の印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率は１程度である。
【００３０】
（実施の形態２）
図４に示すように、本実施の形態では、マスクフレーム３１の内側張出部３２の電子銃側の面に、厚さ０．１〜０．３〔ｍｍ〕程度の薄板からなるエレクトロンシールド部３３が、内側張出部３２のほぼ全長にわたって、内側張出部３２の管軸側端部より３０〔ｍｍ〕程度管軸側に突き出すように設けられている。エレクトロンシールド部３３の材料は、内部磁気シールド２の材料と同じ軟鉄である。エレクトロンシールド部３３の管軸側の先端部はやや電子銃側に曲げられてハレーションの発生を防止している。エレクトロンシールド部３３の印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率はエレクトロンシールド部３３の全体で一様ではなく、その一部８の非履歴透磁率がそれ以外の部分の非履歴透磁率に比べて小さい。本実施の形態では、一部８に特定の材料の部材を設けるかわりに、エレクトロンシールド部３３の一部８を空隙（長方形の孔）としている。
【００３１】
図５は従来のエレクトロンシールド部３３を、また、図６は本実施の形態のエレクトロンシールド部３３を、それぞれ電子銃側から見た場合の磁束の様子を示す。図５に示す従来例では、エレクトロンシールド部３３は空隙を有さず、非履歴透磁率は全体で一様である。図６は本実施の形態によるものであり、空隙８を有する以外は図５と同一構成である。図５，図６では、図面を簡略化するために、上側の長辺における磁束の様子のみを図示している。
【００３２】
図５の従来例の構成では、エレクトロンシールド部３３を流れる磁束が、エレクトロンシールド部３３からシャドウマスク１へ向けて真空中に漏れる。図中に矢印で、エレクトロンシールド部３３内を流れる磁束と、エレクトロンシールド部３３からの漏れ磁界６１の様子を示している。一方、図６の本発明では、内部磁気シールド２からエレクトロンシールド部３３先端へ流れる磁束（図中の矢印）が空隙８により整流されて、エレクトロンシールド部３３の空隙８よりも管軸側（内側）を流れる磁束を少なくすることができる。従って、従来の構成（図５）に比べてエレクトロンシールド部３３の先端部からの漏れ磁界６２を減少できるので、ミスランディングを減少できる。
【００３３】
本実施の形態では、幅４０〔ｍｍ〕のエレクトロンシールド部３３の内側端から５〔ｍｍ〕の位置に、幅２〔ｍｍ〕、長さ２５〔ｍｍ〕の長方形の空隙８を設けたところ、スクリーン上のミスランディングは２〔μｍ〕以上低減された。空隙８の非履歴透磁率は約１である。
【００３４】
また、図７に示すように、エレクトロンシールド部３３のコーナー部に幅２〔ｍｍ〕のＬ字状の空隙８を設けたところ、スクリーン上のコーナー部のミスランディングが２〔μｍ〕以上低減された。
【００３５】
なお、空隙８を開口状態にしておくのではなく、空隙８を、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、シャドウマスク１、マスクフレーム３１，及び内部磁気シールド２の各非履歴透磁率よりも小さい材料で封印しても良い。そのような材料としては、例えば実施の形態１でエレクトロンシールド部３３に用いた材料を使用することができる。
【００３６】
非履歴透磁率が小さい部材または空隙は、漏れ磁界を小さくしたい場所に、適当な大きさのものを、適当な個数だけ設ければよい。
【００３７】
図５〜図７ではエレクトロンシールド部３３内を水平方向に流れる磁束を示したが、これ以外の方向の磁束に対しても、本実施の形態は上記と同様の効果を奏する。
【００３８】
（実施の形態３）
図８に示すように、本実施の形態では、内側張出部３２の管軸側端部に、そのほぼ全長にわたって、内側張出部３２を延長するように、内側張出部３２とほぼ同じ厚さの帯状のエレクトロンシールド部３３が設けられている。エレクトロンシールド部３３の材料は、マスクフレーム３１の材料と同じＦｅ−３６ＮｉやＦｅ−４２Ｎｉ等である。エレクトロンシールド部３３のうち一部９の非履歴透磁率が、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）（地磁気に相当）において、エレクトロンシールド部３３の他の領域の非履歴透磁率よりも小さい。具体的には、該一部９に複数個の孔を設けて空隙としている。
【００３９】
図９は従来の内側張出部３２及びエレクトロンシールド部３３を、また、図１０は本実施の形態の内側張出部３２およびエレクトロンシールド部３３を、それぞれ電子銃側から見た場合の磁束の様子を示したものである。図９の従来例では、エレクトロンシールド部３３の全域にわたって非履歴透磁率は一様である。図１０は本実施の形態の構成によるものであり、エレクトロンシールド部３３に空隙９を有する以外は図９と同一構成である。図９，図１０では、図面を簡略化するために、上側の長辺に設けられたエレクトロンシールド部３３のみを図示しているが、エレクトロンシールド部３３は実際には内側張出部３２の管軸側端部に全周にわたって設けられている。また、図９，図１０では上側の長辺における磁束の様子のみを示している。
【００４０】
図９の従来例の構成では、内側張出部３２を流れる磁束が、エレクトロンシールド部３３からシャドウマスク１へ向けて真空中に漏れる。図９中に、内側張出部３２内及びエレクトロンシールド部３３内を流れる磁束と、エレクトロンシールド部３３からの漏れ磁界６１とを矢印で示している。一方、図１０の本発明では、エレクトロンシールド部３３の長辺側の一部に複数個の空隙（孔）９を設け、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における空隙９の非履歴透磁率をその他の部分に比べて小さくすることにより、内部磁気シールド２からマスクフレーム３１を経てエレクトロンシールド部３３先端へ流れる磁束が非履歴透磁率を小さくした部分（空隙９）によって整流されて、非履歴透磁率を小さくした部分より管軸側に流れる磁束を小さくすることができる。従って、従来の構成（図９）に比べてエレクトロンシールド部３３先端部からの漏れ磁界６２を減少できるので、ミスランディングを減少できる。
【００４１】
本実施の形態では、直径８〔ｍｍ〕の円形の空隙９を、エレクトロンシールド部３３の長辺の中央部近傍の４箇所に設けたところ、スクリーン上のミスランディングが２〔μｍ〕以上低減された。
【００４２】
空隙９の個数、位置、形状は、目的に応じて適当に設定すればよい。
【００４３】
また、空隙９を開口状態にしておくのではなく、空隙９を、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、シャドウマスク１、マスクフレーム３１、及び内部磁気シールド２の各非履歴透磁率よりも小さい材料で封印しても良い。そのような材料としては、例えば実施の形態１でエレクトロンシールド部３３に用いた材料を使用することができる。
【００４４】
（実施の形態４）
図１１に示すように、本実施の形態では、内側張出部３２の管軸側端部にエレクトロンシールド部３３を設けるとともに、マスクフレーム３１の断面が三角形になるように板材からなる補強部材３４をマスクフレーム３１の全長にわたって、または一部に組み合わせている。補強部材３４は、管軸側（エレクトロンシールド３３側）の端部にあたる一部１０がその全長にわたって非磁性材料からなり、一部１０の印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が他の領域の非履歴透磁率に比べて小さい。
【００４５】
図１２および図１３は、図２および図３と同様に、マスクフレーム３１における磁界の作用を概念的に示す。図１２は参考例であり、実施の形態１（図１）と同様に内側張出部３２の管軸側端部にエレクトロンシールド部３３を有するが、補強部材３４は単一の材料からなっている。図１３は本実施の形態の構成によるものであり、補強部材３４を上記のように構成した以外は図１２と同一構成である。図中の矢印はエレクトロンシールド部３３からの漏れ磁界の様子を示し、矢印の太さが磁界の強さを示す。
【００４６】
図１２の参考例の構成では、エレクトロンシールド部３３を流れる磁束が、エレクトロンシールド部３３および補強部材３４からシャドウマスク１へ向けて真空中に漏れる（漏れ磁界６２）。一方、図１３の本実施の形態では、補強部材３４の一部にその周辺部に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい部分１０を設けることにより、内部磁気シールド２から内側張出部３２を経て補強部材３４へ流れる磁束を整流して少なくすることができる。このため、補強部材３４からの漏れ磁界６３を更に減少できるので、ミスランディングを更に減少できる。
【００４７】
本実施の形態では、長辺側のマスクフレーム３１の全長にわたって設けた補強部材３４の長手方向の中央部分を幅３０〔ｍｍ〕、長さ（マスクフレーム３１の長手方向の長さ）５０〔ｍｍ〕の大きさに切り欠いて、該切り欠き部分にステンレス鋼（非履歴透磁率が１程度）を接続することにより、スクリーン上のミスランディングが図１２の構成より２〔μｍ〕以上低減された。
【００４８】
補強部材３４以外の各部材の材料は、実施の形態１と同様の材料を使用すればよい。例えば、内部磁気シールド２として印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が１２０００程度の軟鉄を、マスクフレーム３１として該非履歴透磁率が２２００程度のＦｅ−３６Ｎｉ又はＦｅ−４２Ｎｉ等を、シャドウマスク１として該非履歴透磁率が２０００程度の５７０〜６４０℃程度で熱処理したＦｅ−３６Ｎｉ等を、エレクトロンシールド部３３として該非履歴透磁率が１８００程度の４５０℃程度で熱処理したＦｅ−３６Ｎｉを、それぞれ用いることができる。
【００４９】
また、実施の形態３に示したように、エレクトロンシールド部３３の一部９の、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率を他の部分の非履歴透磁率より小さくした構成（図８参照）に、本実施の形態の上記補強部材３４を組み合わせても良い。このとき、エレクトロンシールド部３３の材料として実施の形態３と同様にマスクフレーム３１と同一材料を用いても良く、あるいは実施の形態１と同様の材料としても良い。
【００５０】
更に、実施の形態２に示した薄板のエレクトロンシールド部３３を備えたマスクフレーム３１（図４参照）に、本実施の形態の補強部材３４を組み合わせても良い。
【００５１】
補強部材３４の形態は、本実施の形態のものには限らず、その一部の非履歴透磁率が他の部分の非履歴透磁率より小さくなるように構成されていればよい。
【００５２】
（実施の形態５）
図１４に示すように、本実施の形態では、マスクフレーム３１の内側張出部３２の管軸側端部に、全長にわたって幅２０〔ｍｍ〕の帯状のエレクトロンシールド部３３を有している。電子ビーム５を蛍光体スクリーン１４に対して１００〔％〕スキャンしたときに、電子ビーム５とエレクトロンシールド部３３との間の最小距離ｄが８〔ｍｍ〕以上であることを特徴とする。このようにすることで、蛍光体スクリーン上での電子ビームのミスランディングを低減できる。
【００５３】
図１５および図１６は、マスクフレーム３１における磁界の作用を概念的に示し、図１５は上記最小距離ｄ＝６［ｍｍ］の場合、図１６は上記最小距離ｄ＝１０［ｍｍ］の場合を示す。本実施の形態による効果を容易に理解できるように、図１５及び図１６のいずれの場合も、エレクトロンシールド部３３及びマスクフレーム３１には同一材料を用いている。従って、図１５及び図１６に示したエレクトロンシールド部３３からシャドウマスク１への漏れ磁界６１の様子は同一である。電子ビーム５を１００〔％〕スキャンした場合、図１５の構成では、電子ビーム５がエレクトロンシールド部３３の近傍を通過するので、漏れ磁界６１によりその軌道が曲げられて大きなミスランディングが発生する。一方、図１６の構成では、電子ビーム５を１００〔％〕スキャンした場合でも、漏れ磁界６１の比較的弱い領域を電子ビーム５が通過するので、ミスランディングが低減される。具体的には、図１６の構成は図１５の構成に対して蛍光体スクリーン上でのミスランディング量を３〔μｍ〕以上低減することができた。
【００５４】
電子ビーム５を蛍光体スクリーン１４に対して１００〔％〕スキャンしたときに、エレクトロンシールド部３３と電子ビーム５の軌道との間の最小距離ｄを８〔ｍｍ〕以上確保するという本実施の形態の構成は、上述の実施の形態１〜４のいずれとも組み合わせることができ、これにより蛍光体スクリーン１４上でのミスランディングをより一層低減することができる。従って、本実施の形態における各部材の材料は、前記各実施の形態で説明したものを適宜選択して使用できる。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、エレクトロンシールド部の磁気抵抗が増すので、エレクトロンシールド部の先端部へ流れる磁束を減少させることができ、エレクトロンシールド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。従って、地磁気によるミスランディングを減少させ色ズレのないカラー陰極線管を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１のカラー陰極線管の要部拡大断面図
【図２】従来のエレクトロンシールド部における磁界の作用を示した概念図
【図３】本発明の実施の形態１のエレクトロンシールド部における磁界の作用を示した概念図
【図４】本発明の実施の形態２のカラー陰極線管の要部拡大断面図
【図５】従来のエレクトロンシールド部における磁束の様子を示した概念図
【図６】本発明の実施の形態２のエレクトロンシールド部における磁束の様子を示した概念図
【図７】本発明の実施の形態２の他の実施例に係るエレクトロンシールド部における磁束の様子を示した概念図
【図８】本発明の実施の形態３のカラー陰極線管の要部拡大断面図
【図９】従来のマスクフレームの内側張出部における磁束の様子を示した概念図
【図１０】本発明の実施の形態３に係る内側張出部における磁束の様子を示した概念図
【図１１】本発明の実施の形態４のカラー陰極線管の要部拡大断面図
【図１２】本発明の実施の形態４の構成を具備しない場合の補強部材付近における磁界の作用を示した概念図
【図１３】本発明の実施の形態４に係る補強部材付近における磁界の作用を示した概念図
【図１４】本発明の実施の形態５のカラー陰極線管の要部拡大断面図
【図１５】エレクトロンシールド部近傍を通過する電子ビーム対するエレクトロンシールド部からの漏れ磁界の作用を示した概念図
【図１６】エレクトロンシールド部から離れた領域を通過する電子ビームに対するエレクトロンシールド部からの漏れ磁界の作用を示した概念図
【図１７】カラー陰極線管（装置）の概略断面図
【図１８】オーバースキャンした電子ビームの軌道を示す概念図
【図１９】従来のカラー陰極線管のエレクトロンシールド部付近を示す要部拡大断面図
【図２０】従来のエレクトロンシールド部の他の例を示す要部拡大断面図
【符号の説明】
１  シャドウマスク
２  内部磁気シールド
５  電子ビーム
８  エレクトロンシールド部の一部（空隙）
９  エレクトロンシールド部の一部（空隙）
１０  補強部材の一部
１４  蛍光体スクリーン
３１  マスクフレーム
３２  内側張出部
３３  エレクトロンシールド部
３４  補強部材
６２，６３  漏れ磁界
【図１】
0003840062.tif 000002
【図２】
0003840062.tif 000003
【図３】
0003840062.tif 000004
【図４】
0003840062.tif 000005
【図５】
0003840062.tif 000006
【図６】
0003840062.tif 000007
【図７】
0003840062.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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