(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と第２主面とを備え、この２つの主面間を貫通する貫通孔を有する中継基板本体と、
上記貫通孔の第２主面側開口を塞ぐ底部と上記貫通孔内周面を覆う側部とを備える略凹形状の凹状導体と、
上記凹状導体の凹部内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体と、を備えることを特徴とする中継基板。
【請求項２】
請求項１に記載の中継基板であって、
前記中継基板本体の厚さが２００μｍ以下である
ことを特徴とする中継基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の中継基板であって、
隣接する前記凹状導体の側部同士の間隙が、２００μｍ以下であり、
前記中継基板本体が、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料からなる
ことを特徴とする中継基板。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の中継基板であって、
前記凹状導体の底部のうち第２主面側に、前記充填ハンダ体をなすハンダよりも高融点のハンダからなる高温ハンダバンプを備える
ことを特徴とする中継基板。
【請求項５】
第１主面と第２主面とを備える中継基板本体に、上記２つの主面間を貫通する貫通孔及びこの貫通孔の第２主面側開口を塞ぐ底部と上記貫通孔内周面を覆う側部とを有する略凹形状の凹状導体を形成する貫通孔凹状導体形成工程と、
上記第１主面側から上記凹状導体の凹部内にハンダペーストを充填し加熱して、上記凹状導体内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体を形成する充填ハンダ体形成工程と、
を備えることを特徴とする中継基板の製造方法。
【請求項６】
第１主面と第２主面とを備え、この２つの主面のうち少なくとも上記第２主面に第２主面側金属層を有する中継基板本体のうち、上記第１主面に金属層を有さず第２主面にのみ第２主面側金属層を有する所定位置に、上記中継基板本体を穿孔可能で上記第２主面側金属層を穿孔不能なレーザを用いた上記第１主面側からのレーザ加工により、上記第２主面側金属層で第２主面側開口を塞がれた貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、
少なくとも上記第２主面側金属層のうち上記第２主面側開口において上記貫通孔内に向かって露出する露出面および上記貫通孔内の内周面にメッキを施して、略凹形状の凹状導体を形成する凹状導体形成工程と、
上記第１主面側から上記凹状導体の凹部内にハンダペーストを充填し加熱して、上記凹状導体内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体を形成する充填ハンダ体形成工程と、
を備えることを特徴とする中継基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の中継基板の製造方法において、
前記貫通孔の第２主面側開口の径よりも、これを塞ぐ第２主面側金属層の径が大きくされている
ことを特徴とする中継基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の中継基板の製造方法において、
前記貫通孔形成工程は、前記第１主面に所定パターンの透孔を備える第１主面側金属層と前記第２主面のうち少なくとも上記透孔に対応する位置に配置された第２主面側金属層とを有する前記中継基板本体に、上記第１主面側金属層の透孔に対しこの透孔より広くレーザを照射し、透孔と断面略同形の前記貫通孔を形成するコンフォーマルマスク貫通孔形成工程であること
を特徴とする中継基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップやトランジスタ、抵抗、コンデンサ等の機能部品や機能部品を搭載した配線基板等の電子部品の端子と、これを搭載するためのマザーボード、ドーターボード等のプリント配線板に設けた端子との間に介在させて相互に接続させる中継基板及びその製造方法に関し、特に、製造容易で微細な間隔を持つ端子同士を接続できる中継基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＩＣチップをプリント配線板にベアチップ実装する場合に、ＩＣチップが不良であった場合のリペアの困難さを考慮して、ＩＣチップとプリント配線板の間に中継基板（インターポーザ）を介在させることがある。特に、複数のＩＣチップを１つのプリント配線板に搭載する場合には、一旦中継基板に複数のＩＣチップを接続し、いずれのＩＣチップも正常であることを確認してから、中継基板をプリント配線板に接続することが多い。
【０００３】
このような従来の中継基板の構造について、図１１を参照しつつ説明する。図１１（ａ）に示す中継基板１１０は、アルミナセラミックからなる中継基板本体１１１の２つの主面１１１Ａ，１１１Ｂの間に開けた貫通孔１１１Ｈ内に、タングステン、モリブデン等のビア１１２を形成し、この上下を覆うようにして主面１１１Ａ，１１１Ｂにそれぞれタングステン、モリブデン等のパッド１１３，１１４を形成したものである。このような中継基板１１０を介在させて、図１１（ｂ）に示すように、ＩＣチップ等の電子部品Ｄ１０，Ｄ２０を、プリント配線板Ｐ１０に接続する。
【０００４】
電子部品Ｄ１０，Ｄ２０は、それぞれシリコンからなる部品本体Ｄ１１，Ｄ２１の接続面Ｄ１１Ｂ，Ｄ２１Ｂ（図中下面）に、多数のパッドＤ１２，Ｄ２２を備え、これらのパッドＤ１２，Ｄ２２には、高温ハンダ（例えば、９５Ｐｂ−５Ｓｎ）からなり略半球状のハンダバンプＤ１３，Ｄ２３を備える。また、プリント配線板Ｐ１０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる配線板本体Ｐ１１の接続面Ｐ１１Ａ（図中上面）に、電子部品Ｄ１０，Ｄ２０のパッドＤ１２，Ｄ２２（ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３）に対応した配置で、銅からなる接続パッドＰ１２、及び、高温ハンダからなり略半球状のハンダバンプＰ１３を備える。これらのハンダバンプＤ１３，Ｄ２３と中継基板１１０のパッド１１３とを、およびハンダバンプＰ１３とパッド１１４とを上記高温ハンダよりも低融点のハンダ（例えばＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダ３７Ｐｂ−６３Ｓｎ）Ｓ１，Ｓ２で接続する。
【０００５】
その他の中継基板として、図１２に示すものも挙げられる。この中継基板１２０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる中継基板本体１２１の２つの主面１２１Ａ，１２１Ｂの間に開けた貫通孔１２１Ｈ内に、銅メッキにより略円筒状のスルーホール導体１２２を形成し、さらにこの内部に導電性樹脂（あるいは絶縁性樹脂）からなるプラグ材１２５を充填し、銅メッキにより蓋状にパッド１２３，１２４をそれぞれ形成したものである。この中継基板１２０も、上記（図１１参照）と同様にして、電子部品Ｄ１０，Ｄ２０やプリント配線板Ｐ１０と接続して用いることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した中継基板１１０は、中継基板本体１１１がアルミナ等のセラミックからなるため、靭性が低く、応力が掛かると折れる等の不具合を生じるため、中継基板本体１１１の厚さを薄くすることができない。一方、厚さが厚いとビア１１２の長さが長くなるため、ビア１１２の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなって、電気的特性上も好ましくない。また、厚さが厚いと、プリント配線板Ｐ１０との熱膨張差に起因する応力が大きくなるため、両者間の接続信頼性も低下する。
さらに、この中継基板１１０は、例えば図１３（ａ）に示すように、焼成後に中継基板本体１１１となるセラミックグリーンシートＧの２つの主面ＧＡ，ＧＢを貫通する貫通孔ＧＨ内に、タングステンペースト等の導体ペーストＧＰを充填し、さらにパッド（図示しない）を印刷し焼成して形成する。この場合には、グリーンシートＧの厚さが薄いと、貫通孔ＧＨ内に導体ペーストＧＰを保持する能力に乏しいため、印刷時に一旦は充填された導体ペーストＧＰの一部またはほぼ全部が脱落して、充填不良となりやすく、歩留まりが低下する。また、導体ペーストＧＰの量が一定でないと、各パッドに凹凸ができてコプラナリティが低下し、ＩＣチップなどの電子部品Ｄ１０等との接続性が低下する。
【０００７】
一方、上記した中継基板１２０では、中継基板本体１２１に含まれるガラス繊維に沿ってマイグレーションを生じるため、隣接する貫通孔１２１Ｈ同士の間隔を狭くする、例えば、２００μｍ以下とすると、中継基板１２０の高温高湿条件下での信頼性が低下するため、間隔を狭くすることができない。また、この中継基板１２０は、プラグ材１２５を充填し熱硬化させると、図１３（ｂ）に示すように、その表面１２５Ｓに凹凸が生じるため、研磨によってその表面１２５Ｓを平坦にし、その後パッド１２３，１２４を形成するのであるが、中継基板本体１２１の厚さが薄くなると、研磨が困難になってくる。また、上記導電ペーストＧＰと同様に、中継基板本体１２１の厚さが薄くなると、一旦充填したプラグ材（樹脂）１２５が脱落しやすくなる。さらに、プラグ材１２５の上下に蓋状のパッド１２３，１２４を形成するので、プラグ材１２５の形成後に研磨し、さらにメッキによってパッド１２３，１２４を形成するため、中継基板１２０の製作には工数が掛かり高価となる。また、電子部品Ｄ１０等のハンダバンプＤ１３と接続するには、予め低融点ハンダペーストをパッド１２３等に塗布しておき、電子部品Ｄ１０等を重ねた後にハンダペーストを加熱溶融させてハンダ付けする必要がある。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、歩留まりが高く形成容易で、電子部品等とのハンダ付けも容易な中継基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、第１主面と第２主面とを備え、この２つの主面間を貫通する貫通孔を有する中継基板本体と、上記貫通孔の第２主面側開口を塞ぐ底部と上記貫通孔内周面を覆う側部とを備える略凹形状の凹状導体と、上記凹状導体の凹部内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体と、を備えることを特徴とする中継基板である。
【００１０】
本発明によれば、底部と側部とを有する有底の凹状導体を備えるので、充填ハンダ体とするためにスクリーン印刷等によって充填したハンダペーストの一部または全部が脱落することはないから、充填ハンダ体の量、従って、突出高さが均一になり、ＩＣチップ等の電子部品のバンプやパッドなどの端子との接続性が高くなる。また、ハンダペーストを充填する際に脱落する心配がないので、中継基板本体の厚さを薄くできる。また、充填ハンダ体が第１主面側に突出しているので、接続する電子部品等のパッドやバンプとの接続に際して、確実に接続させることができる。
【００１１】
なお、上記充填ハンダ体を、第１主面側で接続する電子部品等のバンプ等より低融点の材質からなるものとすると、電子部品等と中継基板とを接続させるのに際して、バンプ等より低融点のハンダペーストを予め塗布しておくなどの作業が不要とすることができる。
【００１２】
ここで、中継基板本体としては、靭性、絶縁性、耐湿性、加工性等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂，ＰＰＥ樹脂等の樹脂、ガラス−エポキシ樹脂複合材料など、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）との複合材料、これらの樹脂とポリアミド繊維などの有機繊維との複合材料、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂にエポキシ樹脂等を含浸させた複合材料などが挙げられる。
凹状導体は、中継基板本体の材質等を考慮して選択すればよいが、例えば、銅、ニッケル等が挙げられる。
また、充填ハンダ体は、接続するＩＣチップ等の電子部品やプリント配線板のバンプの材質を考慮して、材質や融点を選択すればよいが、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダ（３７Ｐｂ−６３Ｓｎ）や高温ハンダ（９５Ｐｂ−５Ｓｎ，９０Ｐｂ−１０Ｓｎ等）、あるいは９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇ、９５Ｓｎ−５Ｓｂハンダ等が挙げられる。
【００１３】
さらに、上記の中継基板であって、前記中継基板本体の厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする中継基板とすると良い。
【００１４】
中継基板の厚さが薄い場合には、前記したように貫通穴内にペースト等を充填してもその後に脱落する不具合を生じやすく、特に、中継基板本体の厚さが２００μｍ以下である場合には、貫通孔内に導体ペーストやプラグ材用の樹脂ペーストを保持させにくくなる。これに対して、本発明では有底の凹状導体を備えるので、ペースト等の脱落を生じることがなく、特に、２００μｍ以下の厚さの中継基板本体においても、確実にハンダペーストを保持し、均一な突出高さの充填ハンダ体を形成することができる。従って、凹状導体や充填ハンダ体の抵抗やインダクタンスをより低下させることができる。また、厚さを薄くした場合には、相対的に凹状導体の形状が底の浅い形状になるので、凹状導体中へのハンダペーストの充填がより容易になるから、充填ハンダ体の体積や突出高さもより均一にできる。さらに、中継基板本体の厚さが薄いので、この中継基板を介在させて電子部品とプリント基板とを接続しても、中継基板を介在させずに直接接続した場合に比較してさほど全体の高さが高くならない。したがって、低背化の要求にも応えることができる。
【００１５】
さらに、上記の中継基板であって、隣接する前記凹状導体の側部同士の間隙が、２００μｍ以下であり、前記中継基板本体が、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料からなることを特徴とする中継基板とすると良い。
【００１６】
中継基板本体の材質として、樹脂系複合材料を用いる場合には、アルミナ等のセラミックを用いる場合に比して、靭性が高いため、中継基板本体の厚さを薄くすることができる。従って、凹状導体や充填ハンダ体の抵抗やインダクタンスをより低下させることができる。また、厚さを薄くした場合には、凹状導体中へのハンダペーストの充填がより容易になって、充填ハンダ体の体積や突出高さもより均一にできる。
また、樹脂系複合材料を用い場合のうち、ガラス繊維を含むもの（例えば、ガラス−エポキシ樹脂複合材料）は、貫通孔形成の際などに樹脂とガラス繊維との間に隙間ができやすく、この隙間に浸入したメッキ液等の水分によってガラス繊維の表面に沿って凹状導体をなす銅等の金属が移動するマイグレーションを生じてショートしやすいが、本発明では、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料を用いるので、凹状導体の側部の間隙が２００μｍ以下という短い距離であっても、マイグレーションを生じることもなく、信頼性の高い中継基板とすることができる。
【００１７】
なお、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の樹脂とポリアミド繊維などの有機繊維との複合材料、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂にエポキシ樹脂等を含浸させた複合材料などが挙げられる。
【００１８】
さらに、上記中継基板であって、前記凹状導体の底部のうち第２主面側に、前記充填ハンダ体をなすハンダよりも高融点のハンダからなる高温ハンダバンプを備えることを特徴とする中継基板とすると良い。
【００１９】
一般に、ハンダは組成が異なっても相溶するため、高融点のハンダと低融点のハンダとが溶融状態で接触すると次第に混じり合って、組成が次第に変化してしまう。
本発明では、凹状導体の凹部内に充填ハンダ体、凹状導体の底部の第２主面側にはそれよりも高融点の高温ハンダバンプを備えるので、第１主面側でＩＣチップのバンプ等とを接続し、第２主面側でバンプを形成していないプリント配線板のパッドと接続することができる。
しかもこの際、充填ハンダ体と高温ハンダバンプとは凹状導体の底部で仕切られることになり、例えば、高温ハンダバンプを形成する際、あるいは充填ハンダ体を形成する際に、互いに混じり合わないので、組成変化が無い。つまり、充填ハンダ体の融点が上昇し、あるいは、高温ハンダバンプの融点が低下することがない。従って、接続したＩＣチップ等のリペアのために、接続や取り外しのために何回も加熱した場合でも、充填ハンダ体と第２主面側の高温ハンダバンプの両者の相溶による組成や融点の変化を生じないから、同一条件で接続やリペアを繰り返し行うことができる。
【００２０】
また、ＩＣチップ等の電子部品と第１主面側で接続した場合には、ＩＣチップ等と本発明の中継基板とで、あたかも第２主面側に高温ハンダバンプを備える一体の基板（電子部品）のように取り扱うことができるので、これをマザーボード等のプリント配線板等に接続するのに、この高温ハンダバンプにより容易に接続することができる。
【００２１】
さらに他の解決手段は、第１主面と第２主面とを備える中継基板本体に、上記２つの主面間を貫通する貫通孔及びこの貫通孔の第２主面側開口を塞ぐ底部と上記貫通孔内周面を覆う側部とを有する略凹形状の凹状導体を形成する貫通孔凹状導体形成工程と、上記第１主面側から上記凹状導体の凹部内にハンダペーストを充填し加熱して、上記凹状導体内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体を形成する充填ハンダ体形成工程と、を備えることを特徴とする中継基板の製造方法である。
【００２２】
本発明によれば、貫通孔凹状導体形成工程において貫通孔および凹状導体を形成したので、充填ハンダ体形成工程において、凹状導体の凹部内に確実にハンダペーストを充填することができる。また、ハンダペーストの一部または全部が脱落する等の不具合を生じないため、歩留まり良く中継基板を製造することができる。また、充填ハンダ体のハンダの量を略一定にでき、突出高さも均一にできるから、第１主面側でＩＣチップ等の電子部品と接続させる場合に、接続性も高くできる。また、充填ハンダ体が第１主面側に突出しているので、電子部品等のパッドやバンプ等との接続に際して、確実に接続させることができる。
【００２３】
さらに、他の解決手段は、第１主面と第２主面とを備え、この２つの主面のうち少なくとも上記第２主面に第２主面側金属層を有する中継基板本体のうち、上記第１主面に金属層を有さず第２主面にのみ第２主面側金属層を有する所定位置に、上記中継基板本体を穿孔可能で上記第２主面側金属層を穿孔不能なレーザを用いた上記第１主面側からのレーザ加工により、上記第２主面側金属層で第２主面側開口を塞がれた貫通孔を穿孔する貫通孔形成工程と、少なくとも上記第２主面側金属層のうち上記第２主面側開口において上記貫通孔内に向かって露出する露出面および上記貫通孔内の内周面にメッキを施して、略凹形状の凹状導体を形成する凹状導体形成工程と、上記第１主面側から上記凹状導体の凹部内にハンダペーストを充填し加熱して、上記凹状導体内に充填され上記第１主面側に突出する充填ハンダ体を形成する充填ハンダ体形成工程と、を備えることを特徴とする中継基板の製造方法である。
【００２４】
本発明によれば、中継基板本体を穿孔可能で第２主面側金属層を穿孔不能なレーザによるレーザ加工で中継基板本体に貫通孔を形成するので、微細な貫通孔を高い精度で穿孔できる。しかも、第２主面側金属層を穿孔不能なレーザを当てるため、第２主面側金属層でレーザが反射されるので確実に貫通孔を形成できる。また、第２主面側金属層には穴は空かないため、凹状導体形成工程において、底部を形成する際の基材としてそのまま使うことができるので、貫通孔の第２主面側開口に容易に凹状導体の底部を形成できる。つまり、第２面側金属層は、貫通孔形成工程においては、レーザのストッパ（及び反射板）の役割をして貫通孔の孔開けに寄与する上、凹状導体形成工程においては、メッキによって形成する凹状導体の底部の基材としてその貫通孔に露出する露出面をなすようにすることができる。
【００２５】
さらに、有底の凹状導体を形成したので、充填ハンダ体形成工程において、凹状導体の凹部内に確実にハンダペーストを充填することができ、ハンダペーストの一部または全部が脱落する等の不具合を生じないから、歩留まり良く中継基板を製造することができる。また、充填ハンダ体のハンダの量を略一定にでき、突出高さも均一にできるから、第１主面側でＩＣチップ等の電子部品と接続させる場合に、接続性も高くできる。また、充填ハンダ体が第１主面側に突出しているので、電子部品等のパッドやバンプ等との接続に際して、確実に接続させることができる。
【００２６】
さらに、上記の中継基板の製造方法のうち貫通孔形成工程において、前記貫通孔の第２主面側開口の径よりも、これを塞ぐ第２主面側金属層の径が大きくされていることを特徴とする中継基板の製造方法とすると良い。
貫通孔形成工程において、このように第２主面側金属層の径が形成する貫通孔の第２主面側開口の径よりも大きい場合には、レーザ加工における位置ずれが多少生じても、確実に開口を第２主面側金属層を塞ぐことができる。
【００２７】
さらに、上記の中継基板の製造方法において、前記貫通孔形成工程は、前記第１主面に所定パターンの透孔を備える第１主面側金属層と前記第２主面のうち少なくとも上記透孔に対応する位置に配置された第２主面側金属層とを有する前記中継基板本体に、上記第１主面側金属層の透孔に対しこの透孔より広くレーザを照射し、透孔と断面略同形の前記貫通孔を形成するコンフォーマルマスク貫通孔形成工程であることを特徴とする中継基板の製造方法とすると良い。
本発明によれば、透孔をコンフォーマルマスクとして用い、透孔より広くレーザを照射し、透孔と略同径の前記貫通孔を形成したので、所定位置及び形状で貫通孔を確実に形成できる。また、レーザの位置決め精度が低くても形成可能である。また、貫通孔を形成する部分以外の部分が第１主面側金属層で覆われている場合には、一度に複数の貫通孔を同時に形成することもできる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明にかかる第１の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、本実施形態１にかかる中継基板１０の平面図であり、図１（ｂ）は、その部分拡大断面図である。平面視略正方形板状の中継基板本体１１は、ガラス繊維を含まず、連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた樹脂−樹脂複合材料（厚さ５０μｍ）からなり、第１主面１１Ａおよび第２主面１１Ｂを備え、さらに、この２つの主面間を貫通する直径５０μｍの貫通孔１１Ｈを多数備える。この貫通孔１１Ｈ同士の間隙（クリアランス）は、最も小さいもので１５０μｍとされている。この貫通孔１１Ｈには、銅からなり略凹字形状の凹状導体１２が形成されており、その底部１２Ｔが貫通孔１１Ｈの第２主面１１Ｂ側開口を塞ぎ、側部１２Ｓが貫通孔１１Ｈの内周面を覆うように配置されている。また、本実施形態の凹状導体１２においては、側部１２Ｓが、第１主面１１Ａのうち貫通孔１１Ｈの第１主面側開口周縁１１ＡＰにまで延在して第１主面側開口周縁部１２Ｐを形成しており、また、底部１２Ｔは、貫通孔１１Ｈの第２主面側開口周縁１１ＢＰにまで拡がって第２主面側開口周縁部１２Ｑを形成している。
【００２９】
また、各凹状導体１２には、それぞれ、凹状導体側部１２Ｓと底部１２Ｔとで形成される凹部１２Ｒ、即ち、凹状導体側部１２Ｓの内周面１２ＳＨと底部１２Ｔの第１主面側面（凹部底面）１２ＴＡで囲まれた凹部１２Ｒ内に充填され、さらに、第１主面側開口周縁部１２Ｐ上にまで拡り、第１主面１１Ａ側（図１（ｂ）中上方）に向かって、略球面状に突出する充填ハンダ体１３を備える。
この充填ハンダ体１３は、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダ（３７Ｐｂ−６３Ｓｎ）からなり、後述するように、第１主面１１Ａ側でＩＣチップ等の電子部品のバンプ等を接続する場合に、この充填ハンダ体１３を溶融させて、バンプ等と接続させるものである。
この貫通孔１１Ｈ、凹状導体１２および充填ハンダ体１３は、接続する電子部品のバンプ等の配列に対応した位置に配置されており、本実施形態では、図１（ａ）から容易に理解できるように、充填ハンダ体１３は、４群に別れて配置され、それぞれ平面視格子状に配列されており、４つの電子部品（以下では、電子部品Ｄ１０，Ｄ２０で代表させる）を接続させるようになっている。
【００３０】
この中継基板１０は、例えば、以下のようにして使用する。図２（ａ）に示すように、まず、ＩＣチップ等の電子部品Ｄ１０，Ｄ２０…と接続する。即ち、電子部品本体Ｄ１１，Ｄ２１の接続面（図中下面）Ｄ１１Ｂ、Ｄ２１Ｂに形成されたパッドＤ１２，Ｄ２２に固着され略半球形状をなす高温ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３を、中継基板１０の充填ハンダ体１３によりハンダ付け接続する。高温ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３は、例えば、９５Ｐｂ−５Ｓｎからなるので、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなる充填ハンダ体１３のみ溶融する温度（例えば、２３０℃）に加熱して充填ハンダ体１３を溶融させて、高温ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３と接触させることにより、ハンダ付けを行う。なおこの際、充填ハンダ体１３は第１主面１１Ａ側に突出しているので、高温ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３の高さにバラツキがあったり、中継基板本体１１に反りやうねりがあっても、充填ハンダ体１３と高温ハンダバンプＤ１３等とを確実に接続させることができる。
【００３１】
また、第１主面側に接続する電子部品Ｄ１０、Ｄ２０の高温ハンダバンプＤ１３，Ｄ２３より低融点の、具体的には、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなる充填ハンダ体１３を有しているため、電子部品Ｄ１０等と中継基板１０とを接続させるのに際して、予めハンダペーストを塗布するなどの作業が不要となる。
なお、貫通孔１１Ｈに有底の凹状導体１２を配置しているので、後述するように、充填ハンダ体１３を形成するのに際して、凹部１２Ｒに充填・塗布したハンダペーストがその後に脱落することが無く、ハンダペースト量を一定に保つことができるので、充填ハンダ体１３の突出高さが均一に揃っている。従って、この点から、高温ハンダバンプＤ１３等との接続が確実にできる。また、充填ハンダ体１３溶融させても、第２主面側（底部１２Ｔの第２主面側面１２ＴＢ）に濡れ拡がることがないので、この点からも充填ハンダ体１３のハンダ体積が一定になり、接続が確実になる。
【００３２】
その後、接続した電子部品Ｄ１０，Ｄ２０等の動作確認をし、不具合のあるものは取り外して別の電子部品を再度接続する。いずれの電子部品も正常に動作した場合には、さらに、図２（ｂ）に示すように、プリント配線板Ｐ１０と接続させる。
プリント配線板本体Ｐ１１の接続面（図中上面）Ｐ１１Ａに形成されたパッドＰ１２に固着され略半球形状をなす高温ハンダバンプＰ１３を、中継基板１０の凹状導体１２の底部１２ＴにＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダＳＬによってハンダ付け接続する。具体的には、凹状導体１２の底部１２Ｔに、または高温ハンダバンプＰ１３に予めＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペースト（図示しない）を塗布しておき、プリント配線板Ｐ１０上に電子部品Ｄ１０，Ｄ２０を搭載した中継基板１０を重ねて、リフロー炉で加熱してＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストを溶融させ、凹状導体１２と高温ハンダバンプＰ１３とをハンダ付け接続する。これにより、各電子部品Ｄ１０，Ｄ２０…は、いずれも中継基板１０を介してプリント配線板Ｐ１０に接続されたことになる。
【００３３】
このようにして、電子部品Ｄ１０，Ｄ２０とプリント配線板Ｐ１０とを接続する中継基板１０は、例えばガラス−エポキシ樹脂複合材料のようにガラス繊維を含む複合材料ではなく、上記したように連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸硬化させた樹脂−樹脂複合材料であるので、耐湿性が高く、マイグレーションを生じ難い。このため、本実施形態のように、貫通孔１１Ｈ同士の間隙が最小で１５０μｍとした場合にも、マイグレーションによる短絡等を生じることがない。
【００３４】
（比較形態１，２）
これに対し比較形態１，２として、中継基板本体の材質にガラス繊維を含む材質、具体的にはガラス繊維織布にＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂を含浸させた厚さ２００μｍのガラス−ＢＴ樹脂複合材料を用い、各ビア径（貫通孔径）３００μｍ、ビア同士の最小間隙を２００μｍ及び４００μｍとした従来の中継基板（図１２参照）を製作した。
【００３５】
（実施形態１Ｂ）
さらに、実施形態１Ｂとして、上記実施形態１の中継基板１０と同様の材質からなるが、中継基板本体の厚さを４倍厚い２００μｍとし、凹状導体径（貫通孔径）５０μｍは同様であるが、凹状導体側部同士の最小間隙を５０μｍ大きい２００μｍとした中継基板も製作した。
【００３６】
（試験例）
これらの実施形態１，１Ｂ，比較形態１，２にかかる中継基板１０等を用いて湿中負荷試験を行い、マイグレーションの発生による絶縁抵抗低下の有無を比較した。具体的には、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、大気圧の条件に設定した恒温恒湿槽中で、各中継基板のビア間にＤＣ５０Ｖの電圧を印加して保持し、適時ビア間の絶縁抵抗（５Ｖ×６０秒）を測定し、１００ＭΩ以上の絶縁抵抗を保てる期間を測定した。結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
0003779478.tif 000002
【００３８】
上記表１から判るように、ビア同士の最小間隙が４００μｍである比較形態２では、１００ＭΩ以上の絶縁抵抗を１０００時間以上保持しているのに対し、比較形態１では、５００時間で絶縁抵抗が１００ＭΩ以下となった。具体的には、中継基板本体のガラス繊維に沿って銅マイグレーションが生じ、ビア同士の間に電気的な経路が形成されていた。このことから、ガラス繊維を含む樹脂系複合材料、さらに具体的には、ガラス−ＢＴ樹脂複合材料を用いた場合には、ビア同士の間隙を４００μｍ程度保てば良いが、この間隙を２００μｍ以下とすると、マイグレーションを生じるため、中継基板の信頼性が著しく低下することが判る。
【００３９】
一方、実施形態１，１Ｂについては、いずれも１００ＭΩ以上の絶縁抵抗を１０００時間以上保持している。これらの実施形態では、中継基板本体１１等の材質に、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料、具体的には、三次元網目状フッ素系樹脂にエポキシ樹脂等を含浸させた複合材料、さらに具体的には、連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた樹脂−樹脂複合材料を用いた。このため、凹状導体同士の間隙が２００μｍ以下、具体的には、２００μｍ（実施形態１Ｂ）、さらには１５０μｍ（実施形態１）としても、マイグレーションを生じなかったものと考えられる。従って、ガラス繊維を含まない樹脂系複合材料、具体的には連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料を中継基板本体に用いた場合には、凹状導体の側部同士の間隙を２００μｍ以下、さらには１５０μｍ以下としても、マイグレーションを生じず、高い信頼性を有する中継基板が得られることが判る。
【００４０】
ついで、この中継基板１０の製造方法について、図３、図４を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すように、厚さ５０μｍで連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた複合材料からなり、第１主面１１Ａと第２主面１１Ｂとを有し略板状をなす中継基板本体１１を用意する。この中継基板本体１１の第１主面１１Ａには、所定位置に直径５０μｍの透孔１４Ｈを備える厚さ１２μｍの銅箔１４が、また、第２主面１１Ｂにも、略全面に厚さ１２μｍの銅箔１５が被着されている。
【００４１】
ついで、第１主面１１Ａ側から、ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）を透孔１４Ｈよりも広い範囲にわたって照射して透孔１４Ｈをマスクパターンとして用い、図３（ｂ）に示すように、中継基板本体１１に透孔１４Ｈと断面略同形の貫通孔１１Ｈを複数個一挙に形成する。このレーザ光は、銅箔１４で反射されるため、銅箔１４の無い透孔１４Ｈ内のみレーザ加工される。即ち、銅箔１４は、コンフォーマルマスク法におけるコンフォーマルマスクとなる。また、銅箔１５も、このレーザ光を反射するため、銅箔１５には貫通孔（透孔）は形成されないため、貫通孔１１Ｈは、銅箔１５で塞がれた状態となる。さらに、銅箔１５によってレーザ光が反射するため、入射光と反射光によって貫通孔１４Ｈが確実に形成される。これにより、本実施形態では、直径５０μｍ、最小間隙１５０μｍの貫通孔１１Ｈを多数形成した。
【００４２】
その後、銅箔１４の表面（図中上面）、銅箔１５の表面（図中下面）、銅箔１５の貫通孔１４Ｈ内露出面（図中上面）及び貫通孔１１Ｈの内周面に、無電解銅メッキを施して、厚さ１μｍの無電解銅メッキ層１６，１７をそれぞれ形成する（図３（ｃ）参照）。
さらに、感光性メッキレジストフィルムを無電解メッキ層１６，１７上に貼り付け、露光・現像して、貫通孔１１Ｈ内とその第１主面側開口周縁（直径１２０μｍ）の無電解メッキ層１６、および貫通孔１１Ｈの第２主面側とその開口周縁（直径１２０μｍ）の無電解メッキ層１７が露出するように透孔ＭＲ１Ｈ、ＭＲ２Ｈを有するメッキレジスト層ＭＲ１，ＭＲ２を形成する。ついで、この無電解銅メッキ層１６，１７を共通電極として電解銅メッキを施し、貫通孔１１Ｈ内および第１主面側開口周縁の無電解メッキ層１６上に略凹字形状の厚さ６μｍの電解銅メッキ層１８を、また、貫通孔１１Ｈの第２主面側及びその開口周縁の無電解メッキ層１７上に同厚の電解銅メッキ層１９をそれぞれ形成する（図３（ｄ）参照）。
【００４３】
その後、メッキレジストＭＲ１，ＭＲ２を溶解除去し（図３（ｅ）参照）、露出した無電解銅メッキ層１６，１７及びその下部に位置する銅箔１４，１５をエッチングによって除去することにより、図４（ａ）に示すように、貫通孔１１Ｈ内及びその周縁に略凹形状の凹状導体１２を形成する。この凹状導体１２は、その底部１２Ｔで貫通孔１１Ｈを塞ぎ、側部１２Ｓで貫通孔１１Ｈの内周面を覆い、凹部１２Ｒを形成している。
さらに、図４（ｂ）に示すように、貫通孔１１Ｈの位置に対応した透孔ＭＨを有するマスクＭを用いて、凹部１２Ｒ内およびその第１主面１１Ａ側（図中上方）にＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填・塗布する。この際、貫通孔１１Ｈは、凹状導体１２の底部１２Ｔで塞がれて有底（盲孔）の状態となるので、凹部１２Ｒ内に充填されたＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰが、従来のように（図１３（ａ）参照）脱落することがないため、歩留まり良く充填することができる。
その後、リフロー炉を通して加熱することにより、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストを溶解させて、充填ハンダ体１３とし、中継基板１０を完成させる（図１参照）。この中継基板１０では、充填ハンダ体１３のハンダ体積がほぼ一定となるため、充填ハンダ体１３の突出高さもほぼ一定となる。
なお、本実施形態では、銅箔１４をコンフォーマルマスクとして用いたので、レーザ光の照射位置精度を高くする必要がない点で有利である。また、透孔１４Ｈをのぞき、第１主面１１Ａを銅箔１４で覆っているので、複数の貫通孔１１Ｈを一挙に形成できる点でも有利である。
【００４４】
（実施形態２）
ついで、第２の実施の形態について、図５を参照しつつ説明する。本実施形態の中継基板２０は、図５（ａ）に示す部分拡大断面図から容易に理解できるように、上記実施形態１の中継基板１０と略同様であるが、底部１２Ｔの第２主面側面１２ＴＢに略半球状に盛り上がった高温ハンダバンプ２３を備えている点で異なるものである。そこで以下では、同様な部分の説明は省略または簡略化し、異なる部分について説明する。
本実施形態の中継基板２０の高温ハンダバンプ２３は、９０Ｐｂ−１０Ｓｎからなり、凹状導体１２の第２主面側面１２ＴＢに溶着し、略半球状をなしている。このような高温ハンダバンプ２３は、上記したように、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダを溶融させる程度の加熱（２３０℃程度）では溶融しないので、上記実施形態１の場合と、第１主面１１Ａ側で同様に電子部品Ｄ１０，Ｄ２０等と接続することができる。
【００４５】
一方、プリント配線板Ｐ１０と接続する際には、上記実施形態１と異なり、プリント配線板Ｐ１０のパッドＰ１２に予め高温ハンダバンプＰ１３を形成しておく必要が無い。つまり、中継基板２０を介さずに直接電子部品Ｄ１０等をパッドＰ１２に接続する場合と同様に、高温ハンダバンプ２３を用いて、高温ハンダバンプＰ１３の無いパッドＰ１２と接続させることができる（図示しない）。具体的には、高温ハンダバンプ２３、あるいはパッド１２上にＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストを塗布しておき、プリント配線板Ｐ１０（但し高温ハンダバンプＰ１３無し）と中継基板２０を重ねて加熱し、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストを溶融させて接続する。
従って、中継基板２０を用いれば、予め高温ハンダバンプＰ１３をプリント基板Ｐ１０に形成しておく必要がない。
【００４６】
ついで、この中継基板２０の製造方法について説明する。このうち、図４（ａ）に示す凹状導体１２の形成までは、実施形態１と同様である。その後、図５（ｂ）に示すように、第２主面側面１２ＴＢに対応する位置に透孔Ｍ２Ｈを有するマスクＭ２を用意し、これを中継基板本体１１の第２主面１１Ｂ側に重ねて位置合わせをし、第２主面側面１２ＴＢ上（図５（ｂ）中上方）に、９０Ｐｂ−１０Ｓｎの高温ハンダペーストＳＰ２を塗布する。その後、約３３０℃に加熱して高温ハンダペーストＳＰ２を溶融させ、第２主面側面１２ＴＢに略半球状の高温ハンダバンプ２３を形成する。その後は、上記実施形態１と同様に、凹部１２Ｒ内にＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填し（図４（ｂ）参照）、これを加熱して溶融させることにより、充填ハンダ体１３を形成して中継基板２０を完成させる。
【００４７】
（実施形態３）
さらに、第３の実施形態として、上記実施形態１の中継基板１０とほぼ同様であるが、異なる製造方法によって形成したものについて説明する。この製造方法に使用する中継基板本体３１（図６（ａ）参照）は、実施形態１と同様に、厚さ５０μｍで連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた複合材料からなり、第１主面３１Ａと第２主面３１Ｂとを有し略板状をなす。但し、この中継基板本体３１は、第１主面３１Ａ側には銅箔を有さず、第２主面３１Ｂ側には、所定位置に直径１２０μｍの円状の銅箔３５が被着されている。この中継基板本体３１の第１主面３１Ａ側からＹＡＧレーザの第３高調波を照射する。但し、レーザ光のスポット径を絞り、所定位置、具体的には、円状銅箔３５の略中央に照射するようにして、図６（ｂ）に示すように、銅箔３５の径（１２０μｍ）より小さい直径５０μｍの貫通孔３１Ｈを穿孔する。この際、貫通孔３１Ｈは、平面視、銅箔３５の内部に含まれるように形成する。なお、上記レーザ加工では、銅箔３５は穿孔されないことは実施形態１の場合と同様である。
【００４８】
ついで、銅箔３５の表面（図中下面）、銅箔３５の貫通孔３１Ｈ内露出面（図中上面）及び貫通孔３１Ｈ内周面、第１，第２主面３１Ａ，３１Ｂ上に、無電解銅メッキを施して、厚さ１μｍの無電解銅メッキ層３６，３７を形成する（図６（ｃ）参照）。
さらに、感光性メッキレジストフィルムを無電解メッキ層３６，３７上に貼り付け、露光・現像して、貫通孔３１Ｈ内とその第１主面側開口周縁（直径１２０μｍ）の無電解メッキ層３６、および銅箔３５上の無電解メッキ層３７が露出するようにメッキレジスト層ＭＲ３，ＭＲ４を形成する。ついで、この無電解銅メッキ層３６，３７を共通電極として電解銅メッキを施し、貫通孔３１Ｈ内および第１主面側開口周縁の無電解メッキ層３６上に略凹字形状の厚さ６μｍの電解銅メッキ層３８を、また、貫通孔３１Ｈの第２主面側及びその開口周縁、つまり銅箔３５上の無電解メッキ層３７上（図中下方）に同厚の電解銅メッキ層３９を、それぞれ形成する（図６（ｄ）参照）。
【００４９】
その後、メッキレジストＭＲ３，ＭＲ４を溶解除去し、露出した無電解銅メッキ層３６，３７をエッチングによって除去することにより、図７（ａ）に示すように、貫通孔３１Ｈ内及びその周縁に略凹形状の凹状導体３２を形成する。この凹状導体３２は、上記中継基板１０と同様に、その底部３２Ｔで貫通孔３１Ｈを塞ぎ、側部３２Ｓで貫通孔３１Ｈの内周面を覆い、凹部３２Ｒをなしている。また、凹状導体３２の側部３２Ｓが、第１主面３１Ａのうち貫通孔３１Ｈの第１主面側開口周縁まで延在して第１主面側開口周縁部３２Ｐを形成しており、また、底部３２Ｔは、貫通孔３１Ｈの第２主面側開口周縁まで拡がって第２主面側開口周縁部３２Ｑを形成している
その後は、実施形態１と同様に、マスクＭを用いて凹部３２Ｒ内にＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填し（図４（ｂ）参照）、加熱溶融させて、充填ハンダ体３３を形成する。これにより、図７（ｂ）に示すように、実施形態１の中継基板１０と略同様の中継基板３０が完成する。
【００５０】
この中継基板３０においても、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填・塗布する際に、貫通孔３１Ｈは、凹状導体３２の底部３２Ｔで塞がれて有底（盲孔）の状態となるので、凹部３２Ｒ内に充填されたＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰが、従来のように（図１３（ａ）参照）脱落することがない。従って、中継基板３０においても、充填ハンダ体３３のハンダ体積がほぼ一定となるため、充填ハンダ体３３の突出高さもほぼ一定とすることができる。
なお、中継基板３０では、メッキレジストＭＲ３，ＭＲ４の除去後のエッチングにおいて、厚さの薄い無電解メッキ層３６，３７のみエッチング除去すれば足りるので、強力な薬剤を用いずにソフトエッチングによってエッチングすればよいので、エッチングやその後の処理が容易である点で、優れている。また、第１主面３１Ａ上に、実施形態１における銅箔１４に相当する銅箔を形成する必要がないのでその分安価となる。
【００５１】
（実施形態４）
さらに、第４の実施形態として、上記実施形態１，３の中継基板１０，３０とほぼ同様であるが、これらと異なる製造方法について説明する。この製造方法に使用する中継基板本体４１（図８（ａ）参照）は、実施形態１，３と同様に、厚さ５０μｍで連続多孔質ＰＴＦＥにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた複合材料からなり、第１主面４１Ａと第２主面４１Ｂとを有し略板状をなす。但し、この中継基板本体４１は、第１主面４１Ａ側には、所定位置に外径１２０μｍ、内径５０μｍのリング状銅箔４４が被着され、第２主面４１Ｂ側には、リング状銅箔４４に対応する位置、即ち平面視同心となる位置に直径１２０μｍの円状の銅箔４５が被着されている。この中継基板本体４１の第１主面４１Ａ側からＹＡＧレーザの第３高調波を照射する。但し、レーザ光のスポット径を略８０μｍに絞り、リング状銅箔４４の略中央に照射するようにして、図８（ｂ）に示すように、リング状銅箔４４の内径に従った断面形状（直径５０μｍ）の貫通孔４１Ｈを穿孔する。本実施形態におけるレーザ加工では、銅箔４４，４５は穿孔されないことは実施形態１の場合と同様である。また、容易に理解できるように、リング状銅箔３４は、その内径をマスクパターンとするコンフォーマルマスクとして作用している。
【００５２】
ついで、銅箔４４の表面（図中上面）、銅箔４５の表面（図中下面）、銅箔４５の貫通孔４１Ｈ内露出面（図中上面）及び貫通孔４１Ｈ内周面、第１，第２主面４１Ａ，４１Ｂ上に、無電解銅メッキを施して、厚さ１μｍの無電解銅メッキ層４６，４７を形成する（図９（ａ）参照）。
さらに、感光性メッキレジストフィルムを無電解メッキ層４６，４７上に貼り付け、露光・現像して、貫通孔４１Ｈ内と銅箔４４上、つまり貫通孔４１Ｈ内及びその第１主面側開口周縁（直径１２０μｍ）の無電解メッキ層４６、および銅箔４５上の無電解メッキ層４７が露出するように透孔ＭＲ５Ｈ、ＭＲ６Ｈを有するメッキレジスト層ＭＲ５，ＭＲ６を形成する。ついで、この無電解銅メッキ層４６，４７を共通電極として電解銅メッキを施し、貫通孔４１Ｈ内および第１主面側開口周縁の無電解メッキ層４６上に略凹字形状の厚さ６μｍの電解銅メッキ層４８を、また、貫通孔４１Ｈの第２主面側及びその開口周縁、つまり銅箔４５上の無電解メッキ層４７上（図中下方）に同厚の電解銅メッキ層４９をそれぞれ形成する（図９（ｂ）参照）。
【００５３】
その後、メッキレジストＭＲ５，ＭＲ６を溶解除去する（図９（ｃ）参照）。その後、露出した無電解銅メッキ層４６，４７をエッチングによって除去することにより、図１０（ａ）に示すように、貫通孔４１Ｈ内に略凹形状の凹状導体４２を形成する。この凹状導体４２は、上記中継基板１０と同様に、その底部４２Ｔで貫通孔４１Ｈを塞ぎ、側部４２Ｓで貫通孔４１Ｈの内周面を覆い、凹部４２Ｒをなしている。また、凹状導体４２の側部４２Ｓが、第１主面４１Ａのうち貫通孔４１Ｈの第１主面側開口周縁まで延在して第１主面側開口周縁部４２Ｐを形成しており、また、底部４２Ｔは、貫通孔４１Ｈの第２主面側開口周縁まで拡がって第２主面側開口周縁部４２Ｑを形成している
その後は、実施形態１と同様に、マスクＭを用いて凹部４２Ｒ内にＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填し（図４（ｂ）参照）、加熱溶融させて、充填ハンダ体４３を形成する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、実施形態１の中継基板１０と略同様の中継基板４０が完成する。
【００５４】
この中継基板４０においても、中継基板１０，３０と同様に、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰを充填・塗布する際に、貫通孔４１Ｈは、凹状導体４２の底部４２Ｔで塞がれて有底（盲孔）の状態となるので、凹部４２Ｒ内に充填されたＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダペーストＳＰが、従来のように（図１３（ａ）参照）脱落することがない。従って、中継基板４０においても、充填ハンダ体４３のハンダ体積がほぼ一定となるため、充填ハンダ体３３の突出高さもほぼ一定とすることができる。
なお、中継基板４０では、中継基板３０と同様に、メッキレジストＭＲ５，ＭＲ６の除去後のエッチングにおいて、厚さの薄い無電解メッキ層４６，４７のみエッチング除去すれば足りるので、強力な薬剤を用いずにソフトエッチングによってエッチングすればよいので、エッチングやその後の処理が容易である点で、優れている。また、リング状銅箔４４を用いてコンフォーマルマスク法によって貫通孔４１Ｈを形成しているので、レーザ光の照射位置精度をあまり高くする必要が無い点でも優れている。
【００５５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態においては、いずれも貫通孔１１Ｈ等の周縁１１ＡＰ，１１ＢＰにも導体層１２等が拡がって第１，第２主面側開口周縁部１２Ｐ，１２Ｑも形成したものを示したが、これらを形成しないものであっても良い。
また、導体層１２等は、いずれも銅箔及び銅メッキからなるものとしたが、その他の金属、例えば、ニッケル等、あるいは、銅箔や銅メッキ層上にニッケルメッキを施すなど２種以上の金属からなるものとしても良い。
また、上記実施形態においては、充填ハンダ体１３として第１主面１Ａ側に球面状の突出したものを例示したが、溶融時にセラミックやステンレス等ハンダに濡れない平板で各充填ハンダ体の突出高さを規制し、そのまま冷却して、各充填ハンダ体１３の第１主面側頂部が平坦となるようにすると良い。平板の持つ平面に従って平坦化されることにより、各充填ハンダ体のコプラナリティを小さくすることができ、さらに、ハンダバンプとの接続のため再度充填ハンダ体を溶融させた際には、頂部の高さが高くなるため、ハンダバンプとの接続が確実にできるからである。なお、充填ハンダ体の頂部を平坦にするには、溶融後固化した各充填ハンダ体１３等を平面を持つ金型によって押圧して各頂部を平坦にしても良い。
また、上記実施形態では、いずれも無電解メッキと電解メッキを用いて凹状導体１２等を形成したが、無電解メッキのみで凹状導体を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１にかかる中継基板の平面図（ａ）および部分拡大断面図（ｂ）である。
【図２】（ａ）は図１の中継基板にＩＣチップを接続した状態、（ｂ）はさらにプリント配線板を接続した状態を示す説明図である。
【図３】実施形態１にかかる中継基板の製造方法のうち、メッキレジストを除去するまでの工程を示す説明図である。
【図４】実施形態１にかかる中継基板の製造方法のうち、凹部導体にハンダペーストを充填するまでの工程を示す説明図である。
【図５】（ａ）は実施形態２にかかる中継基板の部分拡大断面図、（ｂ）はこの中継基板の製造方法のうち凹状導体の底部側に高温ハンダペーストを塗布する工程を示す説明図である。
【図６】実施形態３にかかる中継基板の製造方法のうち、電解メッキまでの工程を示す説明図である。
【図７】（ａ）は実施形態３の中継基板の製造方法のうちエッチング工程を示す説明図、（ｂ）は実施形態３にかかる中継基板の部分拡大断面図である。
【図８】実施形態４にかかる中継基板の製造方法のうち、貫通孔形成までの工程を示す説明図である。
【図９】実施形態４にかかる中継基板の製造方法のうち、レジスト除去までの工程を示す説明図である。
【図１０】（ａ）は実施形態４の中継基板の製造方法のうちエッチング工程を示す説明図、（ｂ）は実施形態４にかかる中継基板の部分拡大断面図である。
【図１１】（ａ）は従来の中継基板の部分拡大断面図、（ｂ）は上記従来の中継基板の上下にＩＣチップ及びプリント配線板を接続した状態を示す説明図である。
【図１２】図１１（ａ）とは異なる従来の中継基板の部分格段断面図である。
【図１３】（ａ）は貫通孔内に充填したペーストが脱落する様子を説明する説明図、（ｂ）は貫通孔内に充填したペーストを硬化させることにより、ペースト（樹脂）に凹凸ができた状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０，４０    中継基板
１１，３１，４１          中継基板本体
１１Ａ，３１Ａ，４１Ａ    第１主面
１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ    第２主面
１１Ｈ，３１Ｈ，４１Ｈ    貫通孔
１２，３２，４２          凹状導体
１２Ｔ，３２Ｔ，４２Ｔ    （凹状導体の）底部
１２Ｓ，３２Ｓ，４２Ｓ    （凹状導体の）側部
１２Ｒ，３２Ｒ，４２Ｒ    （凹状導体の）凹部
１３，３３，４３          充填ハンダ体
２３                      ハンダバンプ
【図１】
0003779478.tif 000003
【図２】
0003779478.tif 000004
【図３】
0003779478.tif 000005
【図４】
0003779478.tif 000006
【図５】
0003779478.tif 000007
【図６】
0003779478.tif 000008
【図７】
0003779478.tif 000009
【図８】
0003779478.tif 000010
【図９】
0003779478.tif 000011
【図１０】
0003779478.tif 000012
【図１１】
0003779478.tif 000013
【図１２】
0003779478.tif 000014
【図１３】
0003779478.tif 000015