(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、そして現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)（ここにＮは総原子数を表し、Ｎcは炭素原子数を表し、そしてＮoは酸素原子数を表す）が４未満で珪素を含有する基で修飾し、修飾にあたり、該基を有する有機化合物であって、下式（Ｉ）または（II）
0003812056.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の一つは、芳香族基、芳香脂肪族基、脂環式基またはシアノ基を表し、残りは互いに独立に、芳香族基、芳香脂肪族基、脂環式基、シアノ基、アルキル基または水素を表し、Ｘはハロゲンまたは低級アルコキシ基を表す）
で示される有機化合物を液相または気相で適用して修飾することを特徴とする、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンの製造方法。
【請求項２】
炭素密度パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が４未満の基が、芳香族基、脂環式基またはシアノ基を含有する請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の微細加工に用いられるレジストパターンの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の微細加工には通常、レジスト組成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、リソグラフィにおいては、レイリー (Rayleigh) の回折限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短いほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長４３６nmのｇ線、波長３６５nmのｉ線、波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザーと、年々短波長になってきており、次世代の露光光源として、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレーザーが有望視されている。
【０００３】
こうした各種の光源を用いてレジスト膜にパターニング露光し、現像してレジストパターンを得、そのレジスト層を保護膜としてエッチングすることにより、半導体の集積回路が形成されるのであるが、この際のエッチングはドライエッチングが主流になっている。そして、レジスト層の下地（露出基板）のエッチングが終わる前にレジスト層がエッチングで除去されてしまうと、正確な回路が形成されないため、レジストのドライエッチング耐性、すなわちエッチング速度が小さいことは重要である。
【０００４】
ｇ線やｉ線用のレジストには、フェノール系のノボラック樹脂が用いられており、この種の樹脂を用いたレジストは、ドライエッチング耐性が比較的良好である。これに対し、ＫｒＦエキシマレーザー用のレジストには、ポリビニルフェノール系の樹脂が用いられ、この種の樹脂を用いたレジストは、フェノール系のノボラック樹脂を用いたｇ線用またはｉ線用レジストに比べて、ドライエッチング耐性が劣る。また、ＡｒＦエキシマレーザー用のレジストには、レジストの透過率を確保するために芳香環を持たない樹脂が用いられ、この種の樹脂を用いたレジストは、一般的にいってドライエッチング耐性がさらに劣る。
【０００５】
一方、微細な寸法のパターンを形成させるために、レジストの膜厚を薄くすることが行われており、レジストの膜厚が薄くなるにつれて、ドライエッチング耐性に対する要求がますます高くなってきている。しかしながら、ＫｒＦエキシマレーザー用レジストやＡｒＦエキシマレーザー用レジストにおいては、上で述べたように、微細加工に十分なドライエッチング耐性を持たせることが困難であった。
【０００６】
H. Gokan et al., J. Electrochem. Soc., 130 (1), 143-146 には、樹脂の炭素密度が高いとエッチング速度が小さくなり、したがってドライエッチング耐性に優れることが記載されている。この文献では、炭素密度の指標が、パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)で表されており、ここにＮは樹脂を構成するモノマー単位中の総原子数であり、Ｎc はそのモノマー単位中の炭素原子数であり、そしてＮo はそのモノマー単位中の酸素原子数である。このように、レジストを構成する樹脂の炭素密度を高めることにより、ドライエッチング耐性が向上することは公知であるが、前述の如く、ＫｒＦエキシマレーザー用レジストやＡｒＦエキシマレーザー用レジストに使用しうる樹脂は限られていることから、樹脂の変更によりドライエッチング耐性を向上させるには限界があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、レジストのドライエッチング耐性を向上させることにある。本発明者らは、レジストの現像後にある種の薬剤でそのレジストを修飾することにより、ドライエッチング耐性が向上することを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基から選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)（ここにＮは総原子数を表し、Ｎc は炭素原子数を表し、そしてＮo は酸素原子数を表す）が４未満の基で修飾することにより、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造する方法を提供するものである。
【０００９】
先に述べたように、ＫｒＦエキシマレーザー用レジストやＡｒＦエキシマレーザー用レジストは、露光時の光吸収を小さくする必要があるために、使用する樹脂の種類が限られている。そこで本発明は、露光および現像によってパターンを形成した後に、炭素密度の高い基でレジストを修飾することにより、そのレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させようとするものである。パターン形成後であれば、レジストの光吸収が増えてもかまわないので、炭素密度の高い基で修飾しうる。前述した H. Gokan et al.の文献では、炭素密度の指標となるパラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)において、Ｎ、Ｎc およびＮo がそれぞれ、樹脂を構成するモノマー単位中の総原子数、炭素原子数および酸素原子数と定義されているが、本発明で用いるパラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)においては、以上述べたところから明らかなように、Ｎ、Ｎc およびＮo は、樹脂中の官能基と反応して樹脂中に導入される基についての、それぞれ総原子数、炭素原子数および酸素原子数と定義される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明において、レジストパターンを形成させるために用いるレジスト組成物は、この分野で通常用いられる各種のものであることができるが、このレジスト組成物は、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基および／またはカルボン酸基を有する樹脂を含有することが必要である。フェノール性水酸基を有する樹脂としては、例えば、ビニルフェノールもしくはイソプロペニルフェノールの単独重合体、またはこれらと共重合可能な他のビニルモノマーとの共重合体などが挙げられ、これらの樹脂は、そのフェノール性水酸基の一部が酸の作用により脱離する基で保護されていてもよい。アルコール性水酸基を有する樹脂としては、例えば、ヒドロキシテトラシクロドデシル  メタクリレートのような水酸基含有脂環式アクリレートまたはメタクリレートの単独または共重合体、ポリビニルアルコールなどが挙げられ、これらの樹脂も、そのアルコール性水酸基の一部が酸の作用により脱離する基で保護されていてもよい。また、カルボン酸基を有する樹脂としては、例えば、アクリル酸もしくはメタクリル酸の単独重合体、またはこれらと共重合可能な他のビニルモノマーとの共重合体などが挙げられ、これらの樹脂も、そのカルボン酸基の一部が酸の作用により脱離する基で保護されていてもよい。カルボン酸基を有する樹脂の場合は、特にアクリル酸またはメタクリル酸と、酸の作用により脱離しうる基および／または脂環式基を有するビニルモノマーとの共重合体が好ましい。
【００１１】
酸の作用により脱離する基は、レジストの分野で公知であり、例えば、tert−ブチルのような１−位で分岐したアルキル基；１−エトキシエチル、１−（２−メトキシエトキシ）エチル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチル、１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチルおよび１−〔２−（１−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルのような、さらに置換されてもよい１−アルコキシアルキル基；テトラヒドロ−２−フラニル、テトラヒドロ−２−ピラニル、３−オキソシクロヘキシル、４−メチルテトラヒドロ−２−ピロン−４−イル（メバロニックラクトンから導かれる）および２−メチル−２−アダマンチルのような、非芳香族環状化合物の残基などが挙げられる。これらの基が、樹脂中またはモノマー中のフェノール性水酸基、アルコール性水酸基またはカルボン酸基の水素に置換することになる。
【００１２】
このような酸の作用により脱離する基を有する樹脂は、酸発生剤と組み合わせて、いわゆる化学増幅型のレジスト組成物になる。ここでいう酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生するものである。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用して、その樹脂中に存在する酸の作用で脱離する基を解裂させることになる。このような酸発生剤には、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが包含される。具体的には、次のような化合物を挙げることができる。
【００１３】
ジフェニルヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム    ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  テトラフルオロボレート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
【００１４】
トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−トリルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム    ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
【００１５】
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
【００１６】
ジフェニル  ジスルホン、
ジ−ｐ−トリル  ジスルホン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
【００１７】
１−ベンゾイル−１−フェニルメチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、
２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、
１，２，３−ベンゼントリイル  トリスメタンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、
２−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、
４−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、
Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
【００１８】
また、化学増幅型のポジ型レジスト組成物の場合は、塩基性化合物、例えばアミン類をクェンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。もちろん、ここで用いるレジスト組成物は、必要に応じて、その他の各種成分を含むこともできる。
【００１９】
これらの各成分を含むレジスト組成物は通常、溶剤に溶解された状態で調製され、シリコンウェハーなどの基体上に塗布される。レジスト溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発したあとに均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で通常用いられているものであることができる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルおよびピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノンおよびシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で用いられても、また２種以上組み合わせて用いられてもよい。
【００２０】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで必要に応じて脱保護基反応を促進するための加熱処理を行ったあと、現像される。ここで用いる現像液は、レジストの種類に応じて各種のものであることができ、例えば化学増幅型ポジ型レジストの場合は、通常アルカリ性水溶液が用いられる。このアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のものであることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられることが多い。
【００２１】
本発明では、こうして現像した後のレジストパターンを、樹脂中の官能基に結合でき、かつ前記のパラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が４未満の基で修飾する。具体的には、現像後のレジストパターンに、上記のような反応性の基を有する化合物を液相または気相で適用することにより、レジスト樹脂中の官能基が炭素密度の高い基で修飾される。ここで導入される基は、パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が小さいほど、炭素密度が高く、ドライエッチング耐性の向上に寄与する。したがって、パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が３以下である基は一層好ましい。また、このパラメーターの定義から明らかなように、Ｎ／(Ｎc−Ｎo)が１以下になることはない。
【００２２】
図１は、後述する実施例において、現像液で処理した後のレジスト膜を有する石英ウェハーをtert−ブチルジフェニルクロロシランの溶液に浸漬し、その浸漬時間を変化させた場合の透過度の変化を測定したグラフである。この図に示すように、未処理のものは、２３０nm以下で波長が短くなるにつれて、なめらかな光吸収の増加を示すのに対し、１０分間浸漬品では、その光吸収が大きくなっており、レジストがフェニル基で修飾されていることがわかる。浸漬時間が１時間、４時間と長くなるにつれて、その光吸収は一層大きくなり、フェニル基の導入率が高くなっていることがわかる。
【００２３】
このように、現像後のレジストを炭素密度の高い基で修飾することにより、レジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。炭素密度の高い基の導入割合は特に限定されないが、例えば透過率を測定した場合に、その導入された基が示す吸収波長において、未処理のものの透過率の値に比べ、透過率が１０％以上、特に３０％以上、好ましくは５０％以上低下するくらいが指標となる。ここでいう透過率の低下の割合は、その波長における未処理品の透過率をＴ0 、処理品の透過率をＴ1 とした場合に、〔（Ｔ0−Ｔ1）／Ｔ0〕×１００（％） を意味する。
【００２４】
パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が４未満であり、レジストのドライエッチング耐性を高めるのに有効な基として、具体的には、芳香族基、芳香脂肪族基、脂環式基、シアノ基、またはこれらのいずれかを有する嵩高い基、例えば、これらのいずれかを有するシリル基やジシラザニル基が挙げられる。現像後のレジスト中にこれらの基を導入するために用いられる薬剤としては、シラン系の化合物、具体的には例えば、次式（Ｉ）または（II）で示されるものを挙げることができる。
【００２５】
0003812056.tif 000002
【００２６】
式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3 の一つは、芳香族基、芳香脂肪族基、脂環式基またはシアノ基を表し、残りは互いに独立に、芳香族基、芳香脂肪族基、脂環式基、シアノ基、アルキル基または水素を表し、Ｘはハロゲンまたは低級アルコキシ基を表す。
【００２７】
Ｒ1、Ｒ2および／またはＲ3 で表される芳香族基は、典型的にはフェニルやナフチルであることができ、  このフェニルやナフチルには、アルキルやアルコキシ、シアノなどの基が置換していてもよい。同じく芳香脂肪族基は、典型的にはベンジルやフェネチルであることができ、脂環式基は、炭素数６〜１２程度の各種環状炭化水素基であることができ、またアルキル基は、炭素数１〜１０程度であることができる。Ｘで表されるハロゲンは、フッ素、塩素、臭素などであることができるが、特に塩素が好ましく、またＸで表される低級アルコキシ基は、メトキシやエトキシなど、炭素数１〜４程度であることができる。式（Ｉ）および式（II）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3 の少なくとも一つは、芳香族基または芳香脂肪族基であるのが好ましい。
【００２８】
式（Ｉ）で示されるモノシラン化合物の例としては、tert−ブチルジフェニルクロロシラン、メチルフェニルクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ジフェニルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、トリベンジルクロロシラン、ジメチルエトキシフェニルシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ジフェニルエトキシメチルシランなどが挙げられる。また式（II）で示されるジシラザン化合物の例としては、１，３−ジメチル−１，１，３，３−テトラフェニルジシラザン、１，３−ジフェニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフェニルジシラザンなどが挙げられる。
【００２９】
これらの化合物は、液相または気相で、現像後のレジストに適用することができる。液相で適用する場合は、これらの化合物を適当な溶剤に溶解し、現像後のレジストパターンを有する基板をそこに浸漬する方法などが採用できるほか、これらの化合物が液体であれば、その液体をそのまま用いることもできる。また、気相で適用する場合は、現像後のレジストパターンを有する基板を、密閉容器中で上記化合物の蒸気にさらす方法などが採用できる。
【００３０】
本発明に用いられるレジストは、前述のとおり、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基の少なくとも一種を有する樹脂を含有し、これらの基は、現像後のレジストを修飾する際の反応点として作用する。レジスト中のこれらの基はまた、前述したとおり、酸の作用により脱離する基で部分的に保護されていてもよいが、この場合は、レジスト現像後に全面露光するなどして脱保護基反応を行うことにより、有効な反応点を増加させることができる。
【００３１】
【実施例】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。例中にある部および％は、特記ないかぎり重量基準である。
【００３２】
参考例（樹脂Ａの合成）
メタクリル酸１−エトキシエチル、メタクリル酸イソボルニル、およびメタクリル酸を、５：３：２のモル比（３１.6ｇ：２６.7ｇ：６.9ｇ）で仕込み、全モノマーの２重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル％添加し、８０℃で約８時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を２回行い、精製した。その結果、次式で示され、各単位の組成モル比が５０：３０：２０で、重量平均分子量が約 10,000 の共重合体を得た。これを樹脂Ａとする。
【００３３】
0003812056.tif 000003
【００３４】
実施例
参考例で得られた樹脂Ａを１５部、酸発生剤としてα−メチロールベンゾイントシレート（みどり化学（株）製）を０.1５部、およびクェンチャーとして２，６−ジイソプロピルアニリンを０.0２部用い、これらをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６０部に溶かし、さらに孔径０.2μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。このレジスト液を石英ウェハー上にスピンコートし、９０℃、６０秒の条件で、ダイレクトホットプレートにてプリベークした。プリベーク後のレジストの膜厚は、０.７μmであった。このウェハーを、１００℃、６０秒の条件でダイレクトホットプレートにてベークした（ポスト・エクスポジャー・ベークに相当）。次に、２.3８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を純水で１／２０濃度に希釈した現像液に２３℃で６０秒間浸漬した後、純水でリンスした。その後、tert−ブチルジフェニルクロロシランを１０％濃度で含むｎ−ヘキサン溶液に所定時間浸漬し、次いでｎ−ヘキサンでリンスした。
【００３５】
そのウェハーの光透過率を、分光光度計（ベックマン DU-600 ）で測定した。図１に、tert−ブチルジフェニルクロロシランのｎ−ヘキサン溶液への浸漬時間を変化させて、ウェハーの吸収特性を測定した結果を示す。図１から明らかなように、浸漬時間が長くなるにつれて、約２３０nm以下の波長でフェニル基による光吸収が顕著になっており、レジストがフェニル基で修飾されていることがわかる。したがって、この処理によりレジストのドライエッチング耐性が向上する。なお、tert−ブチルジフェニルシリル基のＮ／(Ｎc−Ｎo)は２.2５である。
【００３６】
【発明の効果】
本発明に従って、現像後のレジストパターンを、レジスト樹脂中の官能基に結合しうる炭素密度パラメーターＮ／(Ｎc−Ｎo)が４未満の基で修飾することにより、レジストパターンは炭素密度の高いものとなり、ドライエッチング耐性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】現像液で処理した後のレジスト膜を有する石英ウェハーをtert−ブチルジフェニルクロロシランの溶液に浸漬し、その浸漬時間を変化させた場合の透過度の変化を測定したグラフである。
【図１】
0003812056.tif 000005