(57)【要約】  弾性波エネルギーのロスを低減することができる弾性波装置を提供する。弾性波装置（１）では、ＩＤＴ電極（５）は、圧電体層（４）上に形成されている。高音速部材（２）は、圧電体層（４）を挟んでＩＤＴ電極（５）とは反対側に位置している。高音速部材（２）では、圧電体層（４）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（３）は、高音速部材（２）と圧電体層（４）との間に設けられている。低音速膜（３）では、圧電体層（４）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。誘電体膜（６）は、ＩＤＴ電極（５）を覆うように圧電体層（４）上に形成されている。弾性波装置（１）では、誘電体膜（６）のヤング率が低音速膜（３）のヤング率よりも大きい。
2020122005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、
前記圧電体層上に形成されているＩＤＴ電極と、
前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置しており、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、
前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記圧電体層上に形成されている誘電体膜と、を備え、
前記誘電体膜のヤング率が前記低音速膜のヤング率よりも大きい、
弾性波装置。
【請求項２】
前記誘電体膜の材料が酸化ケイ素である、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記低音速膜の材料が酸化ケイ素である、
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記誘電体膜の材料と前記低音速膜の材料とが同一である、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板である、  
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
支持基板を更に備え、
前記高音速部材は、前記支持基板上に形成されており、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜を含む、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置に関する。より詳細には、本発明は、誘電体膜及び低音速膜を備える弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＤＴ電極を覆うように誘電体膜が積層されている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１に記載の弾性波装置は、高音速部材としての高音速支持基板を有する。高音速支持基板上に、音速が相対的に低い低音速膜が積層されている。また、低音速膜上に圧電膜が積層されている。この圧電膜の上面にＩＤＴ電極が積層されている。さらに、ＩＤＴ電極を覆うように誘電体膜が積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１７／０４３４２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の弾性波装置では、弾性波エネルギーが圧電膜（圧電体層）に集中するだけでなく、誘電体膜にも集中するため、弾性波エネルギーのロスが大きくなる場合があった。【０００６】
本発明の目的は、弾性波エネルギーのロスを低減することができる弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、高音速部材と、低音速膜と、誘電体膜と、を備える。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記高音速部材は、前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記高音速部材では、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。前記低音速膜は、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられている。前記低音速膜では、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。前記誘電体膜は、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記圧電体層上に形成されている。前記誘電体膜のヤング率が前記低音速膜のヤング率よりも大きい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、弾性波エネルギーのロスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の弾性波装置のＱ特性を示す図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１及び図３は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１１】
（実施形態）
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態に係る弾性波装置１の全体構成について、図１を参照して説明する。
【００１２】
実施形態に係る弾性波装置１は、図１に示すように、高音速部材２と、低音速膜３と、圧電体層４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５と、誘電体膜６と、を備えている。高音速部材２、低音速膜３、圧電体層４、ＩＤＴ電極５、及び誘電体膜６は、第１方向Ｄ１においてこの順番で積層されている。
【００１３】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態に係る弾性波装置１の各構成要素について、図１を参照して説明する。
【００１４】
（２．１）高音速部材
高音速部材２は、図１に示すように、圧電体層４を挟んでＩＤＴ電極５とは反対側に位置している。高音速部材２は、低音速膜３、圧電体層４、ＩＤＴ電極５、及び誘電体膜６を支持している高音速支持基板２１である。高音速支持基板２１では、圧電体層４を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板２１を伝搬するバルク波の音速が高速である。
【００１５】
高音速支持基板２１（高音速部材２）の平面視の形状（高音速支持基板２１を第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速支持基板２１の材料は、例えばシリコンである。高音速支持基板２１の厚さは、例えば１２０μｍである。なお、高音速支持基板２１の材料は、シリコンに限らず、シリコンカーバイド、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ３）、若しくは水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、若しくはフォルステライト等の各種セラミック、若しくは、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、又は、上記各材料の混合物を主成分とする材料であってもよい。
【００１６】
（２．２）低音速膜
低音速膜３は、図１に示すように、高音速部材２と圧電体層４との間に設けられている。低音速膜３では、圧電体層４を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜３を伝搬するバルク波の音速が低速である。低音速膜３が高音速部材２と圧電体層４との間に設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電体層４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極５内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜３が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
【００１７】
低音速膜３の材料は、例えば酸化ケイ素である。低音速膜３の厚さは、ＩＤＴ電極５の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、例えば、２．０λ以下である。なお、低音速膜３の材料は、酸化ケイ素に限らず、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。
【００１８】
低音速膜３の材料が酸化ケイ素の場合、低音速膜３を含んでいない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。リチウムタンタレートの弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素の弾性定数は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。
【００１９】
なお、低音速膜３と圧電体層４との間に密着層が設けられていてもよい。これにより、低音速膜３と圧電体層４との間で剥離が生じるのを抑制することができる。密着層の材料は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等である。また、密着層に限らず、低音速膜３と圧電体層４との間、又は低音速膜３下に誘電体膜が設けられていてもよい。
【００２０】
（２．３）圧電体層
圧電体層４は、低音速膜３上に形成されている。ここでいう「低音速膜３上に形成されている」とは、低音速膜３上に直接的に形成されている場合と、低音速膜３上に間接的に形成されている場合と、を含む。圧電体層４の材料は、例えばリチウムタンタレートである。なお、圧電体層４の材料は、リチウムタンタレートに限らず、リチウムニオベイト、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であってもよい。
【００２１】
圧電体層４の厚さ（膜厚）は、ＩＤＴ電極５の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、３．５λ以下である。圧電体層４の厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、圧電体層４の厚さを２．５λ以下とすることで、周波数温度特性が良くなる。さらに、圧電体層４の厚さを１．５λ以下とすることで、音速の調整が容易になる。
【００２２】
（２．４）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極５は、圧電体層４上に形成されている。ここでいう「圧電体層４上に形成されている」とは、圧電体層４上に直接的に形成されている場合と、圧電体層４上に間接的に形成されている場合と、を含む。
【００２３】
ＩＤＴ電極５は、複数の電極指と、２つのバスバーと、を含む。複数の電極指は、第１方向Ｄ１と交差（直交）する第２方向Ｄ２に並んで配置されている。２つのバスバーは、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
【００２４】
ＩＤＴ電極５の材料は、例えばアルミニウム（Ａｌ）である。なお、ＩＤＴ電極５の材料は、アルミニウムに限らず、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、又は、これらの金属のいずれかを主体とする合金等であってもよい。また、ＩＤＴ電極５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
【００２５】
本実施形態では、圧電体層４とＩＤＴ電極５との間に密着層が設けられている。密着層の材料は、例えばチタンである。これにより、圧電体層４とＩＤＴ電極５との間で剥離が生じるのを抑制することができる。なお、密着層の材料は、チタンに限らず、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、又は、チタン以外の金属等であってもよい。
【００２６】
（２．５）誘電体膜
誘電体膜６は、ＩＤＴ電極５を覆うように圧電体層４上に形成されている。ここでいう「圧電体層４上に形成されている」とは、圧電体層４上に直接的に形成されている場合と、圧電体層４上に間接的に形成されている場合と、を含む。本実施形態では、誘電体膜６は、ＩＤＴ電極５を保護する保護膜であり、ＩＤＴ電極５の形状に沿って一定の厚さ（膜厚）で形成されている。誘電体膜６は、電気絶縁性を有している。誘電体膜６の材料は、例えば酸化ケイ素である。つまり、本実施形態では、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが同一である。なお、誘電体膜６の材料は、酸化ケイ素に限らず、例えば窒化ケイ素であってもよいし、酸化ケイ素及び窒化ケイ素以外の適宜の絶縁性材料であってもよい。
【００２７】
（３）弾性波装置の特性
次に、実施形態に係る弾性波装置１の特性について、図２を参照して説明する。
【００２８】
図２は、実施形態に係る弾性波装置１における周波数とＱ値との関係を示すグラフである。図２では、横軸が周波数を示し、縦軸がＱ値を示している。また、図２では、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも大きい場合の特性を実線ａ１で示し、誘電体膜６のヤング率と低音速膜３のヤング率とが同程度の場合の特性を破線ｂ１で示している。さらに、図２では、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも小さい場合の特性を一点鎖線ｃ１で示している。
【００２９】
図２から、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも小さい場合（一点鎖線ｃ１）のＱ値が最も悪く、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも大きい場合（実線ａ１）のＱ値が最もよいことが分かる。つまり、誘電体膜６のヤング率を低音速膜３のヤング率よりも大きくすることで、弾性波装置１のＱ値を改善することができる。
【００３０】
実施形態に係る弾性波装置１のように、ＩＤＴ電極５を覆う誘電体膜６を備えている場合には、上述したように、誘電体膜６のヤング率によってＱ値が変動する。このような弾性波装置１では、弾性波エネルギーが圧電体層４に集中するだけでなく、誘電体膜６にも集中する。そして、誘電体膜６の粘性損失が弾性波エネルギーのロスに大きく寄与する。したがって、弾性波エネルギーのロスを小さくするためには、誘電体膜６の粘性損失をできるだけ小さくすることが好ましい。ここで、ヤング率が大きくなるほど粘性損失が小さくなるため、弾性波エネルギーのロスを小さくするためには、誘電体膜６のヤング率をできるだけ大きくすることが好ましい。
【００３１】
一方、低音速膜３は、上述したように、圧電体層４を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層４よりも音速を小さくする必要がある。そのため、低音速膜３のヤング率は、圧電体層４のヤング率よりも小さくすることが好ましい。
【００３２】
したがって、この場合には、誘電体膜６のヤング率は、低音速膜３のヤング率よりも大きくすることで、弾性波エネルギーのロスを低減（改善）することができる。
【００３３】
（４）成膜条件
以下、実施形態に係る弾性波装置１の低音速膜３及び誘電体膜６の成膜条件について説明する。
【００３４】
実施形態に係る弾性波装置１では、例えば、スパッタリングによって低音速膜３及び誘電体膜６を成膜する。この場合において、スパッタ装置のチャンバー内の真空度を変えることにより、低音速膜３及び誘電体膜６のヤング率を制御することができる。例えば、低音速膜３を成膜する場合には、チャンバー内の真空度を０．５Ｐａ以上で、かつ１．０Ｐａ以下にすることにより、誘電体膜６に比べてヤング率の小さい低音速膜３を成膜することができる。また、誘電体膜６を成膜する場合には、チャンバー内の真空度を０．０４Ｐａ以上で、かつ０．１Ｐａ以下にすることにより、低音速膜３に比べてヤング率の大きい誘電体膜６を成膜することができる。すなわち、真空度を大きく（チャンバー内の残留気体の到達圧力を小さく）することにより成膜中の不純物が減り、原子の純度・緻密度の高い膜が得られるため、ヤング率が大きくなり且つ粘性損失の小さい膜となる。つまり、実施形態に係る弾性波装置１では、チャンバー内の真空度を調節することにより、誘電体膜６のヤング率を低音速膜３のヤング率よりも大きくすることができる。
【００３５】
（５）効果
以上説明したように、実施形態に係る弾性波装置１は、圧電体層４と、ＩＤＴ電極５と、高音速部材２と、低音速膜３と、誘電体膜６と、を備えている。ＩＤＴ電極５は、圧電体層４上に形成されている。高音速部材２は、圧電体層４を挟んでＩＤＴ電極５とは反対側に位置している。高音速部材２では、圧電体層４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜３は、高音速部材２と圧電体層４との間に設けられている。低音速膜３では、圧電体層４を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。誘電体膜６は、ＩＤＴ電極５を覆うように圧電体層４上に形成されている。この弾性波装置１では、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも大きい。
【００３６】
ＩＤＴ電極５を誘電体膜６で覆う構造では、弾性波エネルギーが圧電体層４に集中するだけでなく、誘電体膜６にも集中する。そのため、誘電体膜６のヤング率をできるだけ大きくすることで、誘電体膜６の粘性損失を小さくすることができ、これにより弾性波エネルギーのロスを低減することができる。このとき、低音速膜３のヤング率は小さい方が更にロスを低減することができる。従って、誘電体膜６のヤング率が、低音速膜３のヤング率よりも大きい場合に、ロスをより低減できる。
【００３７】
実施形態に係る弾性波装置１では、誘電体膜６の材料が酸化ケイ素である。これにより、誘電体膜６の材料が酸化ケイ素でない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。
【００３８】
実施形態に係る弾性波装置１では、低音速膜３の材料が酸化ケイ素である。これにより、低音速膜３の材料が酸化ケイ素でない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。
【００３９】
実施形態に係る弾性波装置１では、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが同一である。これにより、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが異なる場合と比べて、誘電体膜６のヤング率の調整がしやすいという利点がある。
【００４０】
実施形態に係る弾性波装置１では、高音速部材２は、圧電体層４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板２１である。これにより、弾性波装置１のＱ値を高めることができる。
【００４１】
（６）変形例
上述の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
【００４２】
（６．１）変形例１
実施形態に係る弾性波装置１は、高音速支持基板２１、低音速膜３及び圧電体層４を有する３層構造であるのに対して、変形例１に係る弾性波装置１Ａは４層構造であり、この点で両者は相違している。以下、４層構造の弾性波装置１Ａの構成について、図３を参照して説明する。なお、変形例１に係る弾性波装置１Ａにおいて、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００４３】
変形例１に係る弾性波装置１Ａは、図３に示すように、高音速部材２Ａと、低音速膜３と、圧電体層４と、ＩＤＴ電極５と、誘電体膜６と、を備えている。高音速部材２Ａは、支持基板２２と、高音速膜２３と、を含む。つまり、弾性波装置１Ａは、支持基板２２を更に備えている。高音速膜２３は、支持基板２２上に形成されている。ここでいう「支持基板２２上に形成されている」とは、支持基板２２上に直接的に形成されている場合と、支持基板２２上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速膜２３では、圧電体層４を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜２３を伝搬するバルク波の音速が高速である。なお、弾性波装置１Ａは、高音速膜２３、低音速膜３、圧電体層４及び誘電体膜６以外に、密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
【００４４】
支持基板２２の材料は、例えばシリコンである。なお、支持基板２２の材料は、シリコンに限らず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、若しくは水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、若しくはフォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体、樹脂等であってもよい。
【００４５】
高音速膜２３は、支持基板２２上に形成されている。高音速膜２３は、弾性波を圧電体層４及び低音速膜３が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜２３より下の構造に漏れないように機能する。高音速膜２３の厚さに関しては、弾性波を圧電体層４及び低音速膜３に閉じ込める機能の観点で厚いほど望ましい。
【００４６】
高音速膜２３の厚みが十分に厚い場合、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波エネルギーは圧電体層４及び低音速膜３の全体に分布し、高音速膜２３の低音速膜３側の一部にも分布するが、支持基板２２には分布しないことになる。高音速膜２３により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
【００４７】
高音速膜２３の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
【００４８】
変形例１に係る弾性波装置１Ａによれば、上述の実施形態に係る弾性波装置１と同様に、誘電体膜６のヤング率を低音速膜３のヤング率よりも大きくすることで、誘電体膜６の粘性損失を小さくすることができ、これにより弾性波エネルギーのロスを低減することができる。また、変形例１に係る弾性波装置１Ａによれば、Ｑ値を高めることもできる。
【００４９】
（６．２）その他の変形例
以下、その他の変形例を列挙する。
【００５０】
実施形態及び変形例１では、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが同一であるが、誘電体膜６のヤング率が低音速膜３のヤング率よりも大きくなっていれば、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが異なっていてもよい。ただし、誘電体膜６の材料と低音速膜３の材料とが同一であれば、例えば圧力、温度等を変えるだけで誘電体膜６のヤング率を調整することができ、ヤング率の調整がしやすいという利点がある。
【００５１】
実施形態及び変形例１では、誘電体膜６がＩＤＴ電極５の形状に沿って形成されており、圧電体層４の全面に亘って誘電体膜６の厚み（膜厚）が一定である。これに対して、誘電体膜６の厚みは一定でなくてもよく、例えば、圧電体層４におけるＩＤＴ電極５側の主面からの誘電体膜６の厚さが一定となるように誘電体膜６が形成されてもよい。
【００５２】
実施形態では、チャンバー内の真空度を変えることにより低音速膜３及び誘電体膜６のヤング率を制御している。これに対して、例えば、チャンバー内の温度を変えることにより低音速膜３及び誘電体膜６のヤング率を制御してもよいし、チャンバー内の真空度及び温度の両方を変えることにより低音速膜３及び誘電体膜６のヤング率を制御してもよい。さらに、チャンバー内の真空度及び温度以外の条件で低音速膜３及び誘電体膜６のヤング率を制御してもよい。
【００５３】
（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
【００５４】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１Ａ）は、圧電体層（４）と、ＩＤＴ電極（５）と、高音速部材（２；２Ａ）と、低音速膜（３）と、誘電体膜（６）と、を備える。ＩＤＴ電極（５）は、圧電体層（４）上に形成されている。高音速部材（２；２Ａ）は、圧電体層（４）を挟んでＩＤＴ電極（５）とは反対側に位置している。高音速部材（２；２Ａ）では、圧電体層（４）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（３）は、高音速部材（２；２Ａ）と圧電体層（４）との間に設けられている。低音速膜（３）では、圧電体層（４）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。誘電体膜（６）は、ＩＤＴ電極（５）を覆うように圧電体層（４）上に形成されている。弾性波装置（１；１Ａ）では、誘電体膜（６）のヤング率が低音速膜（３）のヤング率よりも大きい。
【００５５】
この態様によれば、誘電体膜（６）のヤング率が低音速膜（３）のヤング率以下である場合と比べて、弾性波エネルギーのロスを低減することができる。
【００５６】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１Ａ）では、第１の態様において、誘電体膜（６）の材料が酸化ケイ素である。
【００５７】
この態様によれば、誘電体膜（６）の材料が酸化ケイ素でない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。
【００５８】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１Ａ）では、第１又は２の態様において、低音速膜（３）の材料が酸化ケイ素である。
【００５９】
この態様によれば、低音速膜（３）の材料が酸化ケイ素でない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。
【００６０】
第４の態様に係る弾性波装置（１；１Ａ）では、第１の態様において、誘電体膜（６）の材料と低音速膜（３）の材料とが同一である。
【００６１】
この態様によれば、誘電体膜（６）の材料と低音速膜（３）の材料とが異なる場合と比べて、誘電体膜（６）のヤング率の調整がしやすいという利点がある。
【００６２】
第５の態様に係る弾性波装置（１）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、高音速部材（２）は、圧電体層（４）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板（２１）である。
【００６３】
この態様によれば、弾性波装置（１）のＱ値を高めることができる。
【００６４】
第６の態様に係る弾性波装置（１Ａ）は、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（２２）を更に備える。高音速部材（２Ａ）は、支持基板（２２）上に形成されており、圧電体層（４）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜（２３）を含む。
【００６５】
この態様によれば、弾性波装置（１Ａ）のＱ値を高めることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１，１Ａ  弾性波装置
２，２Ａ  高音速部材
３  低音速膜
４  圧電体層
５  ＩＤＴ電極
６  誘電体膜
２１  高音速支持基板
２２  支持基板
２３  高音速膜
【図１】
2020122005.tif 000003
【図２】
2020122005.tif 000004
【図３】
2020122005.tif 000005
【国際調査報告】
2020122005.tif 000006
2020122005.tif 000007
2020122005.tif 000008
2020122005.tif 000009