(57)【要約】  表示装置は、基板と、表示領域と、周辺領域と、複数の信号線と、複数の端子と、周辺領域において、複数の端子と複数の信号線とを接続する複数の配線と、基板に設けられた複数の検出電極に電気的に接続される金属配線と、周辺領域において、基板に垂直な方向で異なる層に設けられた第１金属層と、第２金属層と、第３金属層と、を有する。複数の配線のそれぞれが、第１金属層で形成され、第１方向と交差する第２方向に延出する第１配線領域と、第１配線領域と複数の端子との間に設けられる第２配線領域において、複数の配線は、第１金属層と第２金属層とで形成される配線と、第３金属層で形成される配線と、を有する。金属配線は、第１金属層と異なる層に設けられ、基板に垂直な方向から見たときに、第１配線領域の複数の配線と交差して第１方向に延出する。
2019244603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
複数の画素が設けられた表示領域と、
前記基板の端部と前記表示領域との間に位置する周辺領域と、
複数の前記画素に設けられたスイッチング素子にそれぞれ信号を供給する複数の信号線と、
前記基板の前記周辺領域において、第１方向に配列された複数の端子と、
前記周辺領域において、複数の前記端子と複数の前記信号線とを接続する複数の配線と、
前記基板に設けられた複数の検出電極に電気的に接続される金属配線と、
前記周辺領域において、前記基板に垂直な方向で異なる層に設けられた第１金属層と、第２金属層と、第３金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間の第１絶縁膜と、前記第２金属層と前記第３金属層との間の第２絶縁膜と、を有し、
複数の前記配線のそれぞれが、前記第１金属層で形成され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する第１配線領域と、
前記第１配線領域と複数の前記端子との間に設けられる第２配線領域において、複数の前記配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とで形成される前記配線と、前記第３金属層で形成される前記配線と、を有し、
前記金属配線は、前記第１金属層と異なる層に設けられ、前記基板に垂直な方向から見たときに、前記第１配線領域の複数の前記配線と交差して前記第１方向に延出する
表示装置。
【請求項２】
複数の前記配線は、第１配線ブロックと、第２配線ブロックと、第３配線ブロックとを有し、
前記第１配線ブロックは、前記第２配線領域において、前記第２方向に対して傾いた第１傾斜方向に延出する複数の配線を含み、
前記第２配線ブロックは、前記第１配線ブロックと前記第３配線ブロックとの間に設けられ、前記第２配線領域において、複数の前記配線のそれぞれが前記第１金属層で形成され、
前記第３配線ブロックは、前記第２配線領域において、前記第２方向に対して前記第１傾斜方向と反対側の第２傾斜方向に傾斜する複数の前記配線を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属配線は、前記第２方向で第１幅を有する第１部分と、前記第２方向で前記第１幅よりも大きい第２幅を有する第２部分と、と有し、
前記金属配線の前記第２部分は、前記第１配線ブロックと前記第３配線ブロックとの間に配置される
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１配線ブロックに含まれる複数の前記配線の前記第２配線領域での配置ピッチは、前記第２配線ブロックに含まれる複数の前記配線の、前記第２部分と重なる領域での配置ピッチよりも小さい
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
複数の前記端子は、第１端子、第２端子、第３端子及び第４端子を含み、前記第１端子と前記第３端子の間に前記第２端子が設けられ、前記第２端子と前記第４端子の間に前記第３端子が設けられ、
複数の前記配線は、前記第１端子から引き出される第１配線、前記第２端子から引き出される第２配線、前記第３端子から引き出される第３配線及び前記第４端子から引き出される第４配線を含み、
前記第１配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第１コンタクト部を含み、
前記第２配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第２コンタクト部を含み、
平面視において前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部との間に、前記第２金属層で形成される前記第３配線と、前記第３金属層で形成される前記第４配線が設けられている
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部との間で、前記第３配線は、前記第４配線と平面視で交差する
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第３コンタクト部を含み、
前記第３配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第４コンタクト部を含み、
平面視において前記第３コンタクト部と前記第４コンタクト部との間に、前記第２金属層で形成される前記第１配線と、前記第３金属層で形成される前記第４配線が設けられている
請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１金属層のシート抵抗は、前記第２金属層のシート抵抗よりも高く、
前記第２金属層のシート抵抗は、前記第３金属層のシート抵抗よりも低い
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２配線領域と前記端子との間に設けられ、前記第１金属層で形成される前記配線と、前記第２金属層で形成される前記配線とを含む第３配線領域と、
前記第３配線領域と前記端子との間に設けられ、複数の前記配線のそれぞれが前記第１金属層で形成されて、前記端子に接続される第４配線領域と、を有する
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の前記端子は、それぞれ前記第２方向に延出しており、
前記第４配線領域において複数の前記配線の端部は、前記第２方向との間に第１角度を有して傾斜して前記端子に接続され、
前記第３配線領域において複数の前記配線は、前記第２方向との間に前記第１角度よりも大きい第２角度を有して傾斜する
請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の表示装置において、非表示領域である周辺領域に、信号線に接続された多数の引出線が設けられる。多数の引出線は、異なる層に設けられた第１配線と第２配線とを経由して形成される。また、表示領域に設けられた電極を用いて外部近接物体を検出可能な静電容量型センサ付き表示装置が知られている。このような静電容量型センサは、複数の電極にタッチ駆動信号を供給するための駆動信号供給配線が周辺領域に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２００６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
駆動信号供給配線は、配線幅を大きくすることで配線抵抗を低減したい要望がある。しかし、駆動信号供給配線と、多数の引出線とを同じ基板辺に沿った周辺領域に設けた場合、多数の配線を効率的に配置することが困難となる可能性がある。【０００５】
本発明は、複数の配線を効率的に配置することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、基板と、複数の画素が設けられた表示領域と、前記基板の端部と前記表示領域との間に位置する周辺領域と、複数の前記画素に設けられたスイッチング素子にそれぞれ信号を供給する複数の信号線と、前記基板の前記周辺領域において、第１方向に配列された複数の端子と、前記周辺領域において、複数の前記端子と複数の前記信号線とを接続する複数の配線と、前記基板に設けられた複数の検出電極に電気的に接続される金属配線と、前記周辺領域において、前記基板に垂直な方向で異なる層に設けられた第１金属層と、第２金属層と、第３金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間の第１絶縁膜と、前記第２金属層と前記第３金属層との間の第２絶縁膜と、を有し、複数の前記配線のそれぞれが、前記第１金属層で形成され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する第１配線領域と、前記第１配線領域と複数の前記端子との間に設けられる第２配線領域において、複数の前記配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とで形成される前記配線と、前記第３金属層で形成される前記配線と、を有し、前記金属配線は、前記第１金属層と異なる層に設けられ、前記基板に垂直な方向から見たときに、前記第１配線領域の複数の前記配線と交差して前記第１方向に延出する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る表示装置を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。
【図３】図３は、表示領域の画素配列を表す回路図である。
【図４】図４は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図５】図５は、図２のＶ−Ｖ’断面図である。
【図６】図６は、配線領域を示す平面図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ’断面図である。
【図８】図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面図である。
【図９】図９は、第１配線、第２配線、第３配線及び第４配線の配置を説明するための説明図である。
【図１０】図１０は、第３配線領域及び第４配線領域を拡大して示す平面図である。
【図１１】図１１は、第２配線領域のうち、第２部分配線領域を拡大して示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図である。
【図１３】図１３は、第２配線領域のうち、第１部分配線領域を拡大して示す平面図である。
【図１４】図１４は、図９に示す構造の第１変形例を示す図である。
【図１５】図１５は、図９に示す構造の第２変形例を示す図である。
【図１６】図１６は、第２変形例における各配線の接続構成を模式的に説明するための説明図である。
【図１７】図１７は、コンタクト領域を拡大して示す平面図である。
【図１８】図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’断面図である。
【図１９】図１９は、図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る表示装置を示す分解斜視図である。図１に示すように、表示装置１は、アレイ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２とを備えている。表示装置１において、表示領域ＤＡの外側に周辺領域ＢＥが設けられている。表示領域ＤＡは、四角形状に形成されているが、表示領域ＤＡの外形の形状は限定されない。例えば、表示領域ＤＡには、切り欠きがあってもよく、あるいは表示領域ＤＡが他の多角形状に形成されてもよいし、表示領域ＤＡが円形状あるいは楕円形状などの他の形状に形成されてもよい。
【００１０】
本実施形態において、第１方向Ｄｘは、表示領域ＤＡの短辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと交差（又は直交）する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、アレイ基板ＳＵＢ１の面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに直交する第３方向Ｄｚは、アレイ基板ＳＵＢ１の厚み方向である。
【００１１】
表示領域ＤＡは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘと重なる領域である。周辺領域ＢＥは、アレイ基板ＳＵＢ１の外周よりも内側で、かつ、表示領域ＤＡよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域ＢＥは表示領域ＤＡを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域ＢＥは額縁領域とも言える。
【００１２】
画像を表示する表示領域ＤＡは、静電容量を検出する検出装置に含まれるセンサ領域を含む。図１に示すように、検出電極ＤＥは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに行列状に複数配列される。それぞれの検出電極ＤＥは、平面視で矩形状、又は正方形状で模式的に示すが、これに限定されず、多角形状や、平行四辺形状や、切り欠き等が設けられた異形状であってもよい。検出電極ＤＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。
【００１３】
図１に示すように、アレイ基板ＳＵＢ１の一方の面Ｓ１側の周辺領域ＢＥには、接続回路２００と、外縁配線２０１と、が設けられている。例えば、外縁配線２０１は、表示領域ＤＡの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、表示領域ＤＡの三方を囲んでいる。
【００１４】
表示装置１は、表示領域ＤＡにセンサ領域が一体化された表示装置である。具体的には、表示装置１において、表示領域ＤＡの部材の一部が、センサ領域の検出電極ＤＥとなっている。
【００１５】
図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。図２に示すように、検出電極ＤＥは、スリットＳＰにより、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに行列状に分けられている。１つの検出電極ＤＥに対応する位置に、複数の画素電極１１が行列状に配置される。画素電極１１は、検出電極ＤＥよりも小さい面積を有している。なお、図２では一部の検出電極ＤＥ及び画素電極１１について示しているが、検出電極ＤＥ及び画素電極１１は表示領域ＤＡの全域に亘って配置される。
【００１６】
アレイ基板ＳＵＢ１の第１絶縁基板１０は、辺１０ｓ１と、辺１０ｓ２と、辺１０ｓ３と、辺１０ｓ４と、を有する。辺１０ｓ１は、平面視において、第１方向Ｄｘに沿って延びる。辺１０ｓ２は、辺１０ｓ１と対向する。辺１０ｓ３は、第２方向Ｄｙに沿って延びる。辺１０ｓ４は、辺１０ｓ３と対向する。
【００１７】
周辺領域ＢＥは、第１絶縁基板１０の端部と表示領域ＤＡとの間に位置する。周辺領域ＢＥの短辺側、すなわち、周辺領域ＢＥのうち、辺１０ｓ１に沿った領域には、接続回路２００と配線基板１０１とが設けられている。配線基板１０１は、例えばフレキシブル配線基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）によって構成される。配線基板１０１は、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いたＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によって第１絶縁基板１０に接着される（以下、「ＦＯＧ実装」と称する）。これにより、第１絶縁基板１０の各配線と、配線基板１０１の各配線とがそれぞれ電気的に接続される。
【００１８】
ドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１０２は、配線基板１０１に設けられている。ドライバＩＣ１０２は、表示装置１の表示を制御する制御回路、検出回路、アナログフロントエンド等を含む。ドライバＩＣ１０２は、例えばＡＣＦを用いたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）によって配線基板１０１に実装される（以下、「ＣＯＦ実装」と称する）。また、この例に限らず、ドライバＩＣ１０２は、第１絶縁基板１０にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｒｌａｓｓ）実装されたものであっても良い。この場合、ドライバＩＣ１０２は、配線基板１０１が接続される端子Ｔと、接続回路２００との間に設けられる。ドライバＩＣ１０２の配置は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板やフレキシブル基板上に備えられていてもよい。
【００１９】
検出電極ＤＥは、センサ配線５１及び接続回路２００を介して、ドライバＩＣ１０２と電気的に接続される。複数のセンサ配線５１はそれぞれ、複数の検出電極ＤＥのそれぞれに電気的に接続され、周辺領域ＢＥまで引き出されている。複数のセンサ配線５１のそれぞれは第２方向Ｄｙに沿って延出し、複数のセンサ配線５１は第１方向Ｄｘに亘って並んで配置されている。
【００２０】
また、画素電極１１は、信号線ＳＬ及び接続回路２００を介して、ドライバＩＣ１０２と電気的に接続される。複数の信号線ＳＬはそれぞれ、第１方向Ｄｘに並ぶ複数の画素電極１１のそれぞれに電気的に接続され、周辺領域ＢＥまで引き出されている。複数の信号線ＳＬのそれぞれは第２方向Ｄｙに沿って延出し、複数の信号線ＳＬは第１方向Ｄｘに亘って並んで配置されている。
【００２１】
接続回路２００は、配線領域ＬＡに設けられた複数の配線３を介して配線基板１０１と電気的に接続される。接続回路２００は、信号線ＳＬとドライバＩＣ１０２との接続と遮断とを切り替える回路である。また、接続回路２００は、センサ配線５１とドライバＩＣ１０２との接続と遮断とを切り替える。
【００２２】
図３は、表示領域の画素配列を表す回路図である。アレイ基板ＳＵＢ１には、図３に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ等が形成されている。信号線ＳＬは、各画素電極１１（図２参照）に画素信号を供給するための配線である。走査線ＧＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動するゲート信号を供給するための配線である。
【００２３】
画素Ｐｉｘは、複数の副画素ＳＰｉｘが含まれる。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶層ＬＣの容量を備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。後述する画素電極１１と検出電極ＤＥとの間に第６絶縁膜９６（図４参照）が設けられ、これらによって図３に示す保持容量Ｃｓが形成される。
【００２４】
図３に示すカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域が周期的に配列されている。各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として対応付けられる。そして、３色の色領域に対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタは、４色以上の色領域を含んでいてもよい。この場合、画素Ｐｉｘは、４つ以上の副画素ＳＰｉｘを含んでいてもよい。
【００２５】
図４は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ’断面図である。なお、図５は、副画素ＳＰｉｘが有するスイッチング素子Ｔｒの積層構造を模式的に併せて示している。
【００２６】
図４に示すように、対向基板ＳＵＢ２は、アレイ基板ＳＵＢ１の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層ＬＣはアレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間に設けられる。
【００２７】
アレイ基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０と、画素電極１１と、検出電極ＤＥと、第６絶縁膜９６と、を有する。第１絶縁基板１０には、ゲートスキャナ回路１２（図２参照）等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子Ｔｒや、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ等の各種配線（図４では図示を省略する）が設けられる。
【００２８】
検出電極ＤＥは、第１絶縁基板１０の上側に設けられる。また、画素電極１１は、第６絶縁膜９６を介して検出電極ＤＥの上側に設けられ、平面視でマトリクス状に複数配置される。画素電極１１は、副画素ＳＰｉｘに対応して設けられ、表示動作を行うための画素信号が供給される。また、検出電極ＤＥは、表示の際に表示駆動信号が供給され、複数の画素電極１１に対する共通電極として機能する。偏光板３５Ｂは、第１絶縁基板１０の下側に設けられる。本実施形態において、画素電極１１及び検出電極ＤＥは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００２９】
なお、本明細書において、第１絶縁基板１０に垂直な方向において、第１絶縁基板１０から第２絶縁基板２０に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、第２絶縁基板２０から第１絶縁基板１０に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。また、「平面視」とは、第１絶縁基板１０に垂直な方向から見た場合をいう。
【００３０】
対向基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０と、第２絶縁基板２０の一方の面に形成されたカラーフィルタＣＦと、を有する。カラーフィルタＣＦは、第１絶縁基板１０と垂直な方向において、液晶層ＬＣと対向する。なお、カラーフィルタＣＦは第１絶縁基板１０の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。偏光板３５Ａは、第２絶縁基板２０の他方の面に設けられる。
【００３１】
第１絶縁基板１０と第２絶縁基板２０とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１絶縁基板１０と第２絶縁基板２０との間に液晶層ＬＣが設けられる。液晶層ＬＣは、層間に形成される電界の状態に応じて液晶分子の配向状態が変化し、これによって透過光が変調する。かかる電界モードとして、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードが採用される。なお、液晶層ＬＣに対向するアレイ基板ＳＵＢ１の最表面、及び対向基板ＳＵＢ２の最表面には、液晶分子の初期配向状態を定める配向膜（図５では省略して示す）が形成されている。
【００３２】
第１絶縁基板１０の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源を有しており、光源からの光を第１絶縁基板１０に向けて射出する。照明部からの光は、アレイ基板ＳＵＢ１を通過して、その位置の液晶の配向状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００３３】
図５に示すように、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。半導体６１は、第１絶縁膜９１を介して第１絶縁基板１０の上に設けられる。遮光層６７は、第１絶縁基板１０に垂直な方向において、第１絶縁基板１０と半導体６１との間に設けられる。遮光層６７は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料により形成されるものであってもよく、黒樹脂などの非導電材料により形成されるものであっても良い。第１絶縁膜９１、第２絶縁膜９２、第３絶縁膜９３及び第６絶縁膜９６は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料が用いられる。また、各無機絶縁膜は、単層に限定されず積層膜であってもよい。
【００３４】
第２絶縁膜９２は、半導体６１を覆って第１絶縁膜９１の上に設けられる。ゲート電極６４は、第２絶縁膜９２の上に設けられる。ゲート電極６４は、走査線ＧＬのうち、半導体６１と重なる部分である。第３絶縁膜９３は、半導体６１を覆って第２絶縁膜９２の上に設けられる。半導体６１のゲート電極６４と重なる部分にチャネル領域が形成される。
【００３５】
図５に示す例では、スイッチング素子Ｔｒは、いわゆるトップゲート構造である。ただし、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１の下側にゲート電極６４が設けられたボトムゲート構造でもよい。また、スイッチング素子Ｔｒは、第１絶縁基板１０に垂直な方向において、半導体６１を挟んでゲート電極６４が設けられたデュアルゲート構造でもよい。
【００３６】
ソース電極６２及びドレイン電極６３は、第３絶縁膜９３の上に設けられる。本実施形態では、ソース電極６２は、コンタクトホールＨ２を介して半導体６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３は、コンタクトホールＨ３を介して半導体６１と電気的に接続される。ソース電極６２は、信号線ＳＬのうち、半導体６１と重なる部分である。
【００３７】
第４絶縁膜９４及び第５絶縁膜９５は、ソース電極６２及びドレイン電極６３を覆って、第３絶縁膜９３の上に設けられる。第４絶縁膜９４及び第５絶縁膜９５は、有機絶縁膜であり、スイッチング素子Ｔｒや、各種配線で形成される凹凸を平坦化する平坦化膜である。ただし、第５絶縁膜９５は有機絶縁膜に限らず無機絶縁膜であっても良い。第５絶縁膜９５を無機絶縁膜で形成する場合、平坦化や寄生容量低減等のため膜厚を厚くすることが求められることもあり、第５絶縁膜９５は無機絶縁膜が複数積層されるものであっても良い。
【００３８】
第４絶縁膜９４の上に、中継電極６５及びセンサ配線５１が設けられる。中継電極６５は、コンタクトホールＨ４を介してドレイン電極６３と電気的に接続される。センサ配線５１は、信号線ＳＧＬの上側に設けられる。センサ配線５１は、平面視において、それぞれ信号線ＳＬと重畳し、信号線ＳＬと平行に延出している。また、第５絶縁膜９５の上に検出電極ＤＥが設けられる。検出電極ＤＥは、コンタクトホールＨ１を介してセンサ配線５１と電気的に接続される。
【００３９】
画素電極１１は、第６絶縁膜９６及び第５絶縁膜９５に設けられたコンタクトホールＨ５を介して中継電極６５と電気的に接続される。コンタクトホールＨ５は、検出電極ＤＥの開口ＤＥａに重なる位置に形成される。このような構成により、画素電極１１は、スイッチング素子Ｔｒと接続される。
【００４０】
次に、配線領域ＬＡの構成について詳細に説明する。図６は、配線領域を示す平面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ’断面図である。図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面図である。
【００４１】
図６に示すように、第１絶縁基板１０の周辺領域ＢＥには複数の端子Ｔと、複数の配線３と、第１駆動信号供給配線５２と、第２駆動信号供給配線５３とが設けられる。複数の端子Ｔは、第１方向Ｄｘに配列され、接続回路２００と第２方向Ｄｙに離れて配置される。複数の端子Ｔは、配線基板１０１（図６では二点鎖線で示す）と接続されるＦＯＧ端子である。また、複数の端子Ｔは、ドライバＩＣ１０２がアレイ基板ＳＵＢ１に実装されたＣＯＧ（chip  on  glass）の場合、ドライバＩＣ１０２が実装される複数のＣＯＧ端子であっても良い。
【００４２】
複数の配線３は、それぞれ複数の端子Ｔに接続され、第２方向Ｄｙに対して傾いた方向に延出する。複数の配線３は、複数の端子Ｔと接続回路２００とを接続する。接続回路２００の動作により、複数の配線３は、複数の信号線ＳＬと複数の端子Ｔとを接続し、又は、複数のセンサ配線５１と複数の端子Ｔとを接続する。
【００４３】
図６に示すように、第１配線ブロックＢＫ１、第２配線ブロックＢＫ２、第３配線ブロックＢＫ３、第４配線ブロックＢＫ４、第５配線ブロックＢＫ５及び第６配線ブロックＢＫ６が、この順で第１方向Ｄｘに並んで配置される。第１配線ブロックＢＫ１、第２配線ブロックＢＫ２、第３配線ブロックＢＫ３、第４配線ブロックＢＫ４、第５配線ブロックＢＫ５及び第６配線ブロックＢＫ６は、それぞれ複数の配線３を有し、ブロックごとに、複数の配線３の傾斜角度及び複数の配線３を構成する第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３（図７参照）の層構成が異なる。
【００４４】
第１配線ブロックＢＫ１、第２配線ブロックＢＫ２及び第３配線ブロックＢＫ３と、第４配線ブロックＢＫ４、第５配線ブロックＢＫ５及び第６配線ブロックＢＫ６とは、第２方向Ｄｙに平行な仮想線を対称軸として線対称になっている。第１配線ブロックＢＫ１、第２配線ブロックＢＫ２及び第３配線ブロックＢＫ３についての説明は、第４配線ブロックＢＫ４、第５配線ブロックＢＫ５及び第６配線ブロックＢＫ６にも適用できる。
【００４５】
また、本実施形態では、端子Ｔの端部と、接続回路２００との間の領域を配線領域ＬＡとする。配線領域ＬＡは、第１配線領域ＬＡ１、第２配線領域ＬＡ２、第３配線領域ＬＡ３及び第４配線領域ＬＡ４を有する。第１配線領域ＬＡ１、第２配線領域ＬＡ２、第３配線領域ＬＡ３及び第４配線領域ＬＡ４は、それぞれ、第２方向Ｄｙに所定の幅を有して第１方向Ｄｘに延出する領域である。第１配線領域ＬＡ１は、複数の配線３が接続回路２００に接続される領域である。第２配線領域ＬＡ２は、第１配線領域ＬＡ１と接続され、第１配線領域ＬＡ１と端子Ｔとの間に設けられた領域である。第３配線領域ＬＡ３は、第２配線領域ＬＡ２と接続され、第２配線領域ＬＡ２と端子Ｔとの間に設けられた領域である。第４配線領域ＬＡ４は、複数の配線３が端子Ｔに接続される領域であり、第３配線領域ＬＡ３と端子Ｔとの間に設けられた領域である。
【００４６】
第２配線ブロックＢＫ２は、第１配線ブロックＢＫ１と第３配線ブロックＢＫ３との間に設けられる、第１配線ブロックＢＫ１の各配線３は、端子Ｔと接続された部分から第２方向Ｄｙに対して傾いた第１傾斜方向Ｄ１に延出する。第１配線ブロックＢＫ１の第１傾斜角度θａは、配線領域ごとに異なって設けられる。第１配線ブロックＢＫ１の第１傾斜角度θａは、第４配線領域ＬＡ４、第３配線領域ＬＡ３、第２配線領域ＬＡ２の順に大きくなる。第１配線ブロックＢＫ１は、第１配線領域ＬＡ１において第２方向Ｄｙに延出して、接続回路２００に接続される。なお、配線領域ごとの各配線３の詳細な構成は後述する。
【００４７】
第２配線ブロックＢＫ２の各配線３は、端子Ｔと接続された部分から第１傾斜方向Ｄ１に延出する配線３と、第２傾斜方向Ｄ２に延出する配線３とを含む。第２傾斜方向Ｄ２は、第２方向Ｄｙに対して、第１傾斜方向Ｄ１と反対側の方向である。第２配線ブロックＢＫ２の各配線３の少なくとも一部は、第２配線領域ＬＡ２において、第２方向Ｄｙに延出する。第２配線ブロックＢＫ２において、各配線３の第２方向Ｄｙに延出する部分の長さは、異なって設けられる。各配線３の第２方向Ｄｙに延出する部分の長さは、第２配線ブロックＢＫ２の第１方向Ｄｘの中央に位置する配線３が最も長く、第１配線ブロックＢＫ１及び第３配線ブロックＢＫ３にそれぞれ近づくにしたがって短くなる。このように、第２配線ブロックＢＫ２は、第１配線ブロックＢＫ１及び第３配線ブロックＢＫ３の傾斜角度に対応するように設けられる。第２配線ブロックＢＫ２は、第１配線領域ＬＡ１において第２方向Ｄｙに延出して、接続回路２００に接続される。
【００４８】
第３配線ブロックＢＫ３の各配線３は、第２配線領域ＬＡ２において、第２傾斜方向Ｄ２に延出する。第３配線ブロックＢＫ３の第２傾斜角度θｂは、配線領域ごとに異なって設けられる。第３配線ブロックＢＫ３の第２傾斜角度θｂは、第４配線領域ＬＡ４、第３配線領域ＬＡ３、第２配線領域ＬＡ２の順に大きくなる。第３配線ブロックＢＫ３は、第１配線領域ＬＡ１において第２方向Ｄｙに延出して、接続回路２００に接続される。
【００４９】
このような構成により、接続回路２００に接続される部分の配線３の配置ピッチＰ２は、端子Ｔの配置ピッチＰ１よりも大きくなる。また、第１配線ブロックＢＫ１及び第３配線ブロックＢＫ３の各配線３の、第２配線領域ＬＡ２における配置ピッチは、第２配線ブロックＢＫ２の各配線３の、第２部分５２ｂと重なる領域での配置ピッチよりも小さい。
【００５０】
図７に示すように、配線３は、異なる層に設けられた第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有する。第１金属層ＭＬ１は、第２絶縁膜９２の上に設けられる。すなわち、第１金属層ＭＬ１は、走査線ＧＬ（図５参照）と同層の配線層であり、走査線ＧＬと同じ材料で形成される。第２金属層ＭＬ２及び端子Ｔは、第３絶縁膜９３の上に設けられる。すなわち、第２金属層ＭＬ２及び端子Ｔは、信号線ＳＬ（図５参照）と同層の配線層であり、信号線ＳＬと同じ材料で形成される。第３金属層ＭＬ３は、第４絶縁膜９４の上に設けられる。すなわち、第３金属層ＭＬ３は、センサ配線５１（図５参照）と同層の配線層であり、センサ配線５１と同じ材料で形成される。絶縁膜９８は、第３金属層ＭＬ３を覆って第３絶縁膜９３及び第４絶縁膜９４の上に設けられる。絶縁膜９８は、例えば、窒化膜である。また、端子Ｔは、図７では分かりやすさのため第２金属層ＭＬ２のみで表現しているが、これに限らず端子Ｔは第２金属層ＭＬ２に加え、第３金属層ＭＬ３やＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料を積層させた構造であっても良い。
【００５１】
走査線ＧＬと同層の第１金属層ＭＬ１は、熱処理に対する耐性が要求されることが多い。そのため、第１金属層ＭＬ１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）などの高融点金属材料により形成する場合がある。一方、信号線ＳＬは、熱処理の後で形成することができるので、信号線ＳＬと同層の第２金属層ＭＬ２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの低抵抗金属材料を用いることができる。第３金属層ＭＬ３も、第２金属層ＭＬ２と同様に、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの低抵抗金属材料を用いることができる。なお、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３は、それぞれ単層の金属に限らず、複数の金属やインジウム酸化物のような金属酸化物を積層したものであってもよい。例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、モリブテン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブテン（Ｍｏ）、モリブテン（Ｍｏ）／インジウム酸化物、クロム（Ｃｒ）／インジウム酸化物の積層膜による配線を用いることができる。
【００５２】
第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とは、第３絶縁膜９３に設けられたコンタクト部ＣＨを介して電気的に接続される。第１金属層ＭＬ１と端子Ｔは、第３絶縁膜９３に設けられたコンタクト部ＣＨを介して電気的に接続される。第２金属層ＭＬ２と第３金属層ＭＬ３とは、第４絶縁膜９４に設けられたコンタクト部ＣＨを介して電気的に接続される。
【００５３】
配線基板１０１は、基材１０１ａと配線基板端子部１０１ｂとを有する。ＦＯＧ実装の際に、配線基板１０１は、圧着ヘッド１１０により端子Ｔに圧着されて、配線基板１０１の配線基板端子部１０１ｂは、図示しないＡＣＦ等によって端子Ｔと電気的に接続される。圧着ヘッド１１０は、端子Ｔと重なる領域と、第４配線領域ＬＡ４とに亘って配置される。配線基板１０１は、端子Ｔと重なる領域と、第４配線領域ＬＡ４と、第３配線領域ＬＡ３の一部に亘って配置される。このため、第４配線領域ＬＡ４の配線３の一部にも圧着ヘッド１１０により力が加えられ、また、第３配線領域ＬＡ３の配線３の一部にも配線基板１０１を介して力が加えられる可能性がある。
【００５４】
本実施形態では、配線３は、第４配線領域ＬＡ４において、第１金属層ＭＬ１により形成される。つまり、配線３は、第４配線領域ＬＡ４において、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有さない。このため、圧着ヘッド１１０からの力が第４配線領域ＬＡ４に加えられた場合でも、異なる層に設けられた金属層間の短絡が発生しない。
【００５５】
配線３は、第３配線領域ＬＡ３において、第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とを経由して形成される。つまり、配線３は、第３配線領域ＬＡ３において、第３金属層ＭＬ３を有さない。このため、圧着ヘッド１１０からの力が配線基板１０１を介して第３配線領域ＬＡ３に加えられた場合でも、異なる層に設けられた第２金属層ＭＬ２と第３金属層ＭＬ３との間の短絡が発生しない。また、第２金属層ＭＬ２の上に平坦化膜である第４絶縁膜９４が設けられているため、第２金属層ＭＬ２と配線基板端子部１０１ｂとの短絡を抑制できる。
【００５６】
また、複数の配線３は、第２配線領域ＬＡ２において、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有し、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２で形成される配線３と、第３金属層ＭＬ３で形成される配線３とを含む。これにより、配線３は、第２配線領域ＬＡ２での引き回しの自由度が向上し、平面視での、配線３の配置ピッチを、第４配線領域ＬＡ４での配置ピッチよりも小さくすることができる。
【００５７】
図８に示すように、配線３は、第１配線領域ＬＡ１において、第１金属層ＭＬ１により形成される。つまり、配線３は、第１配線領域ＬＡ１において、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有さない。
【００５８】
なお、図７及び図８の各配線の層構成は、第１配線ブロックＢＫ１について説明したが、第３配線ブロックＢＫ３、第４配線ブロックＢＫ４、第６配線ブロックＢＫ６にも適用できる。また、第２配線ブロックＢＫ２及び第５配線ブロックＢＫ５は、第１配線領域ＬＡ１から第４配線領域ＬＡ４に亘って第１金属層ＭＬ１により形成され、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有さない。
【００５９】
図６に示すように、第１駆動信号供給配線５２及び第２駆動信号供給配線５３は、平面視で、複数の配線３と交差して設けられ、配線基板１０１と接続される。第１駆動信号供給配線５２は、複数の検出電極ＤＥに電気的に接続される金属配線であり、タッチ検出の際に、複数の検出電極ＤＥにセンサ配線５１を介してタッチ駆動信号を供給する配線である。第２駆動信号供給配線５３は、表示の際に、複数の検出電極ＤＥにセンサ配線５１を介して表示駆動信号を供給する配線である。
【００６０】
表示装置１は、タッチ検出と表示とを時分割で行う。表示装置１は、１フレーム分の画像の表示期間中に、複数の表示期間と検出期間とを交互に実行してもよい。表示の際に、ドライバＩＣ１０２（図２参照）は、映像信号を配線３、接続回路２００及び信号線ＳＬを介して各副画素ＳＰｉｘに供給する。ドライバＩＣ１０２は、表示駆動信号を配線３、接続回路２００及びセンサ配線５１を介して検出電極ＤＥの全てに供給する。これにより、検出電極ＤＥは、共通電位を与える共通電極となる。
【００６１】
タッチ検出の際に、ドライバＩＣ１０２は、検出用のタッチ駆動信号を検出電極ＤＥに供給する。また、ドライバＩＣ１０２は、図１に示す外縁配線２０１に、タッチ駆動信号と同じ波形で、かつタッチ駆動信号と同期したガード信号を供給してもよい。又は、タッチ検出において、外縁配線２０１は、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。検出電極ＤＥの容量変化に応じた検出信号が、接続回路２００及び配線３を介してドライバＩＣ１０２の検出回路に供給される。これにより、表示装置１は、複数の検出電極ＤＥ毎に接触状態あるいは近接状態の被検出体を検出することができる。
【００６２】
なお、タッチ検出の駆動方法は、自己容量方式に限定されず、相互容量方式であってもよい。
【００６３】
図６に示すように、第１駆動信号供給配線５２は、第１方向Ｄｘに延出する第１部分５２ａ、第２部分５２ｂ、第３部分５２ｃ、第４部分５２ｄ、及び第５部分５２ｅを有する。第１部分５２ａの端部は、給電部５２ｆを介して配線基板１０１と接続される。第３部分５２ｃの中間部は、給電部５２ｇを介して配線基板１０１と接続される。第５部分５２ｅの端部は、給電部５２ｈを介して配線基板１０１と接続される。本実施形態では、第１駆動信号供給配線５２は、給電部５２ｆ、５２ｇ、５２ｈにより３箇所で給電される。
【００６４】
第１駆動信号供給配線５２の第１部分５２ａ、第２部分５２ｂ、第３部分５２ｃ、第４部分５２ｄ、及び第５部分５２ｅは、平面視で、第１配線領域ＬＡ１の複数の配線３と交差して第１方向Ｄｘに延出する。第１部分５２ａは、第１配線ブロックＢＫ１と重なる領域に設けられる。第２部分５２ｂは、第２配線ブロックＢＫ２と重なる領域に設けられる。第３部分５２ｃは、第３配線ブロックＢＫ３及び第４配線ブロックＢＫ４と重なる領域に設けられる。第４部分５２ｄは、第５配線ブロックＢＫ５と重なる領域に設けられる。第５部分５２ｅは、第６配線ブロックＢＫ６と重なる領域に設けられる。
【００６５】
図８に示すように、第１駆動信号供給配線５２及び第２駆動信号供給配線５３は、第２金属層ＭＬ２と同じ層に設けられ、第２金属層ＭＬ２と同じ材料で形成される。ただし、第１駆動信号供給配線５２及び第２駆動信号供給配線５３は、第１金属層ＭＬ１と異なる層に設けられていればよい。これにより、第１駆動信号供給配線５２及び第２駆動信号供給配線５３は、各配線３と電気的に離隔されて、配線領域ＬＡに設けられる。
【００６６】
図６に示すように、第２部分５２ｂの第２方向Ｄｙでの幅（第２幅）は、第１部分５２ａの第２方向Ｄｙでの幅（第１幅）よりも大きい。第２部分５２ｂの第２幅は、第３部分５２ｃの第２方向Ｄｙでの幅（第３幅）よりも大きい。第３部分５２ｃの第３幅は、第１部分５２ａの第１幅よりも大きい。第２部分５２ｂは、第１配線領域ＬＡ１及び第２配線領域ＬＡ２に亘って設けられ、第１配線ブロックＢＫ１と第３配線ブロックＢＫ３との間に配置される。第１配線ブロックＢＫ１と第３配線ブロックＢＫ３とがそれぞれ第１傾斜方向Ｄ１、第２傾斜方向Ｄ２に傾斜しており、第１配線ブロックＢＫ１と第３配線ブロックＢＫ３との間の第２配線ブロックＢＫ２は、第１金属層ＭＬ１で形成される。これにより、本実施形態において、第１駆動信号供給配線５２の配置の自由度が大きくなり、第２部分５２ｂの第２幅を大きくすることができる。このため、表示装置１は、第１駆動信号供給配線５２の全ての部分を第１幅で形成した場合に比べて、第１駆動信号供給配線５２の抵抗値を低減できる。
【００６７】
第２駆動信号供給配線５３は、第１駆動信号供給配線５２に囲まれた領域で、第１駆動信号供給配線５２の各部分に沿って設けられる。第２駆動信号供給配線５３は、第１配線領域ＬＡ１の複数の配線３と交差して第１方向Ｄｘに延出する。また、第２駆動信号供給配線５３も３箇所で配線基板１０１と接続される。
【００６８】
このような構成により、表示装置１は、複数の配線３、第１駆動信号供給配線５２及び第２駆動信号供給配線５３を効率よくレイアウトすることができる。このため、表示装置１は、周辺領域ＢＥの面積の増大を抑制しつつ、第１駆動信号供給配線５２の抵抗値を低減できる。
【００６９】
次に配線３の各領域での接続構成について説明する。図９は、第１配線、第２配線、第３配線及び第４配線の配置を説明するための説明図である。図１０は、第３配線領域及び第４配線領域を拡大して示す平面図である。図１１は、第２配線領域のうち、第２部分配線領域を拡大して示す平面図である。図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図である。図１３は、第２配線領域のうち、第１部分配線領域を拡大して示す平面図である。
【００７０】
なお、図９から図１３では、第１配線ブロックＢＫ１について説明するが、第３配線ブロックＢＫ３、第４配線ブロックＢＫ４及び第６配線ブロックＢＫ６にも適用できる。また、図面を見やすくするために、図９では１６本の配線３及び１６個の端子Ｔを示し、図１０から図１３では８本の配線３の接続構成を示している。ただし、図９から図１３は模式的に示した図であり、各配線ブロックＢＫは、１７本以上の複数の配線３及び１７個以上の端子Ｔを有している。
【００７１】
図９に示すように、複数の端子Ｔは、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３及び第４端子Ｔ４を含む。第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３の間に第２端子Ｔ２が設けられ、第２端子Ｔ２と第４端子Ｔ４の間に第３端子Ｔ３が設けられる。複数の端子Ｔは、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３、第４端子Ｔ４、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、…の順で繰り返し第１方向Ｄｘに配列される。ここで、図２を参照して、第１方向Ｄｘにおいて、第１絶縁基板１０の辺１０ｓ４から辺１０ｓ３に向かう方向を第１側とし、辺１０ｓ３から辺１０ｓ４に向かう方向を第２側とする。図９に示すように、第１端子Ｔ１から第４端子Ｔ４の配列において、第１端子Ｔ１は、第１方向Ｄｘにおいて第１絶縁基板１０の第１側に位置し、第４端子Ｔ４は、第１絶縁基板１０の第２側に位置する。
【００７２】
複数の配線３は、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４を含む。第１配線３１は、第１端子Ｔ１から引き出される。第２配線３２は第２端子Ｔ２から引き出される。第３配線３３は、第３端子Ｔ３から引き出される。第４配線３４は、第４端子Ｔ４から引き出される。第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４は、第１配線領域ＬＡ１及び第４配線領域ＬＡ４において、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３、第４配線３４、第１配線３１、第２配線３２、…の順で繰り返し第１方向Ｄｘに配列される。つまり、複数の配線３は、少なくとも接続回路２００に接続される部分と、端子Ｔに接続される部分とで、同じ配置の順番になっている。
【００７３】
複数の配線３及び端子Ｔは、それぞれ、正極性（＋）の映像信号を供給する複数の配線３及び端子Ｔと、負極性（−）の映像信号を供給する複数の配線３及び端子Ｔとを有する。端子Ｔは、正極性（＋）と負極性（−）とが交互に第１方向Ｄｘに配列される。複数の配線３は、少なくとも接続回路２００に接続される部分と、端子Ｔに接続される部分とで、正極性（＋）と負極性（−）とが交互に第１方向Ｄｘに配列される。以下の説明において、図１０から図１３では、各配線３及び端子Ｔを、第１配線３１（＋）、第１配線３１（−）、第１端子Ｔ１（＋）、第１端子Ｔ１（−）のように区別して示す。正極性（＋）と負極性（−）とを区別して説明する必要がない場合には、（＋）、（−）の符号を省略する場合がある。
【００７４】
正極性の映像信号と、負極性の映像信号とは、表示駆動信号の電位を基準として、互いに異なる極性を有する電圧信号である。表示装置１は、正極と負極の電圧を交互に掛ける交流の印加による駆動を行い、画素電極１１に正負電荷の偏りが生じて寿命が短くなることを抑制できる。
【００７５】
図９及び図１０に示すように、複数の端子Ｔは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出する。第４配線領域ＬＡ４において、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４の端部は、第２方向Ｄｙに対して第１角度θ１を有して第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３及び第４端子Ｔ４のそれぞれに接続される。つまり、複数の配線３の端部は、端子Ｔの延出方向に対して傾斜して端子Ｔに接続される。各配線３と端子Ｔとは１対１の関係で接続される。第１角度θ１は、配線基板１０１（図７参照）と配線３とが短絡しないように設定される。例えば、第１配線３１（−）は、第１端子Ｔ１（＋）に接続される配線基板端子部１０１ｂと短絡しないように、第１角度θ１が設定される。
【００７６】
第４配線領域ＬＡ４において、複数の配線３のそれぞれは第１金属層ＭＬ１により形成される。第４配線領域ＬＡ４において、複数の配線３のそれぞれは第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３を有さない。
【００７７】
第３配線領域ＬＡ３において、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４はそれぞれ、第２方向Ｄｙに対して第２角度θ２を有して傾斜する。第２角度θ２は、第１角度θ１よりも大きい。第１配線３１（＋）、第２配線３２、第３配線３３（＋）及び第４配線３４は、第３配線領域ＬＡ３において、第２金属層ＭＬ２により形成される。具体的には、第１配線３１（＋）、第２配線３２、第３配線３３（＋）及び第４配線３４は、第５コンタクト部ＣＨ５を含む。第５コンタクト部ＣＨ５は、第４配線領域ＬＡ４の第１金属層ＭＬ１と第３配線領域ＬＡ３の第２金属層ＭＬ２とを接続する。また、第１配線３１（−）及び第３配線３３（−）は、第３配線領域ＬＡ３において第５コンタクト部ＣＨ５を有さず、第１金属層ＭＬ１により形成される。
【００７８】
このように、第３配線領域ＬＡ３では、第１金属層ＭＬ１で形成される配線３と、第１金属層ＭＬ１を有さず第２金属層ＭＬ２で形成される配線３とを含む。このため、第３配線領域ＬＡ３では、第４配線領域ＬＡ４に比べて、配線３の配置の自由度が大きい。平面視で、第３配線領域ＬＡ３での各配線３の配置ピッチは、第４配線領域ＬＡ４での各配線の配置ピッチよりも小さくできる。また、第１方向Ｄｘに隣り合う第５コンタクト部ＣＨ５は、第２方向Ｄｙの位置が異なって配置される。これにより、隣り合う配線３（例えば、第２配線３２（＋）及び第２配線３２（−））において、一方の配線３（第２配線３２（−））が、他方の配線３（第２配線３２（＋））に設けられた第５コンタクト部ＣＨ５に接触することを抑制できる。
【００７９】
図９に示すように第２配線領域ＬＡ２は、第１部分配線領域ｂ２−１と、第２部分配線領域ｓＬＡ２−２とを含む。第１部分配線領域ｓＬＡ２−１は、第１配線領域ＬＡ１と接続される。第２部分配線領域ｓＬＡ２−２は、第１部分配線領域ｓＬＡ２−１と第３配線領域ＬＡ３との間に設けられる。
【００８０】
図１１に示すように、第２部分配線領域ｓＬＡ２−２において、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４はそれぞれ、第３角度θ３を有して傾斜する。第３角度θ３は、第２角度θ２よりも大きい。
【００８１】
第１配線３１（＋）は、第６コンタクト部ＣＨ６を含む。第６コンタクト部ＣＨ６は、第３配線領域ＬＡ３の第２金属層ＭＬ２と第２部分配線領域ｓＬＡ２−２の第１金属層ＭＬ１とを接続する。同様に、第２配線３２（−）及び第３配線３３（−）は、それぞれ、第７コンタクト部ＣＨ７それぞれ第８コンタクト部ＣＨ８を含み、第３配線領域ＬＡ３とは異なる金属層に接続される。
【００８２】
第４配線３４（＋）及び第４配線３４（−）は、それぞれ、第９コンタクト部ＣＨ９及び第１０コンタクト部ＣＨ１０を含む。第９コンタクト部ＣＨ９及び第１０コンタクト部ＣＨ１０は、第３配線領域ＬＡ３の第２金属層ＭＬ２と第２部分配線領域ｓＬＡ２−２の第３金属層ＭＬ３とを接続する。これにより、第２配線領域ＬＡ２において、第４配線３４（＋）及び第４配線３４（−）は、第３金属層ＭＬ３により形成される。
【００８３】
第２部分配線領域ｓＬＡ２−２において、各配線３は、平面視で交差して設けられ、配線３の配置の順番が変更される。一例として、第１配線３１（−）は、第３配線領域ＬＡ３から第２方向Ｄｙに延出して、第２配線３２（＋）、第４配線３４（＋）、第３配線３３（＋）及び第２配線３２（−）と交差する。また、第２配線３２（−）は、第２方向Ｄｙに並ぶ２つの第７コンタクト部ＣＨ７の間で第１金属層ＭＬ１により形成され、第１金属層ＭＬ１で形成された第２配線３２（−）は、第１方向Ｄｘに延出する第３配線３３（＋）と交差する。
【００８４】
第２部分配線領域ｓＬＡ２−２において、複数の配線３は、正極性配線ブロックＢＫｍ−１と負極性配線ブロックＢＫｍ−２とに、それぞれまとめて配置される。正極性配線ブロックＢＫｍ−１は、第１配線３１（＋）、第２配線３２（＋）、第３配線３３（＋）及び第４配線３４（＋）を含む。負極性配線ブロックＢＫｍ−２は、第１配線３１（−）、第２配線３２（−）、第３配線３３（−）及び第４配線３４（−）を含む。正極性配線ブロックＢＫｍ−１及び負極性配線ブロックＢＫｍ−２は、それぞれ、同じ極性の４本の配線３が隣り合って配置される。これにより、表示装置１は、配線３の間の寄生容量を低減できる。
【００８５】
正極性配線ブロックＢＫｍ−１において、第１配線３１（＋）は、第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とを接続する第１コンタクト部ＣＨ１を含む。また、第２配線３２（＋）は、第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とを接続する第２コンタクト部ＣＨ２を含む。平面視において、第１コンタクト部ＣＨ１と第２コンタクト部ＣＨ２との間に、第２金属層ＭＬ２により形成される第３配線３３（＋）と、第３金属層ＭＬ３により形成される第４配線３４（＋）が設けられている。第１コンタクト部ＣＨ１と第２コンタクト部ＣＨ２との間で、第３配線３３（＋）は第１方向Ｄｘに延出し、第１配線３１（＋）、第２配線３２（＋）及び第４配線３４（＋）と交差する。なお、負極性配線ブロックＢＫｍ−２においても同様であり、繰り返しの説明は省略する。
【００８６】
図１２に示すように、第３金属層ＭＬ３により形成される第４配線３４（＋）は、第１金属層ＭＬ１により形成される第２配線３２（＋）と、重なって設けられる。なお、図１１等では、図面を見やすくするために、各配線３の間に隙間を設けて示している。ただし、図１２に示すように、各配線３の一部が重なって設けられていてもよい。例えば、第２金属層ＭＬ２により形成される第３配線３３（＋）の幅方向の端部は、第１絶縁基板１０に垂直な方向において、第４配線３４（＋）及び第２配線３２（＋）の間に設けられる。また、第２金属層ＭＬ２により形成される第１配線３１（＋）の幅方向の端部は、第１絶縁基板１０に垂直な方向において、第４配線３４（＋）及び第２配線３２（＋）の間に設けられる。第４配線３４（＋）及び第２配線３２（＋）の幅は、第３配線３３（＋）と第１配線３１（＋）との間隔よりも大きい。
【００８７】
図１１に示すように、正極性配線ブロックＢＫｍ−１及び負極性配線ブロックＢＫｍ−２の各配線３は、屈曲部ＭＬＰで屈曲する。図１３に示すように、第１部分配線領域ｓＬＡ２−１において、正極性配線ブロックＢＫｍ−１及び負極性配線ブロックＢＫｍ−２の各配線３は、第４角度θ４を有して傾斜する。第４角度θ４は、第３角度θ３よりも大きい。
【００８８】
正極性配線ブロックＢＫｍ−１において、第２配線３２（＋）は、第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とを接続する第３コンタクト部ＣＨ３を含む。また、第３配線３３（＋）は、第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する第４コンタクト部ＣＨ４を含む。図９に示すように、第１コンタクト部ＣＨ１と第２コンタクト部ＣＨ２は、第２方向Ｄｙにおいて、複数の端子Ｔ側に位置し、第３コンタクト部ＣＨ３と第４コンタクト部ＣＨ４は、第２方向Ｄｙにおいて、第１配線領域ＬＡ１側、すなわち、表示領域ＤＡ側に位置する。また、第１方向Ｄｘにおいて、第１コンタクト部ＣＨ１は、第２コンタクト部ＣＨ２に対して、第１絶縁基板１０の第２側、すなわち辺１０ｓ４（図２参照）に近い側に位置する。第３コンタクト部ＣＨ３は、第４コンタクト部ＣＨ４に対して第２側に位置する。図１１に示すように、平面視において、第３コンタクト部ＣＨ３と第４コンタクト部ＣＨ４との間に、第２金属層ＭＬ２により形成される第１配線３１（＋）と、第３金属層ＭＬ３により形成される第４配線３４（＋）が設けられている。第３コンタクト部ＣＨ３と第４コンタクト部ＣＨ４との間で、第１配線３１（＋）は第１方向Ｄｘに延出し、第２配線３２（＋）、第３配線３３（＋）及び第４配線３４（＋）と交差する。なお、負極性配線ブロックＢＫｍ−２においても同様であり、繰り返しの説明は省略する。
【００８９】
第３コンタクト部ＣＨ３及び第４コンタクト部ＣＨ４と、第１配線領域ＬＡ１との間で各配線３は交差する。これにより、配線３の配置の順番が変更され、第１配線３１（＋）、第１配線３１（−）、第２配線３２（＋）、第２配線３２（−）、第３配線３３（＋）、第３配線３３（−）、第４配線３４（＋）、第４配線３４（−）の順に配置される。
【００９０】
第１部分配線領域ｓＬＡ２−１のうち、第１配線領域ＬＡ１の近傍の領域で、第１配線３１、及び第２配線３２は、それぞれ第１１コンタクト部ＣＨ１１を含む。第１１コンタクト部ＣＨ１１は第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する。第１配線領域ＬＡ１において、第１配線３１及び第２配線３２は、第１金属層ＭＬ１により形成され、第２方向Ｄｙに延出する。
【００９１】
また、第３配線３３は、第４コンタクト部ＣＨ４から第１配線領域ＬＡ１に亘って第１金属層ＭＬ１により形成され、第１配線領域ＬＡ１において、第２方向Ｄｙに延出する。
【００９２】
第４配線３４は、第１２コンタクト部ＣＨ１２及び第１３コンタクト部ＣＨ１３を含む。第１２コンタクト部ＣＨ１２は第３金属層ＭＬ３と第２金属層ＭＬ２とを接続する。第１３コンタクト部ＣＨ１３は第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する。これにより、第３金属層ＭＬ３により形成された第４配線３４は、第２金属層ＭＬ２を経由して第１金属層ＭＬ１に接続される。第４配線３４は、第１配線領域ＬＡ１において、第１金属層ＭＬ１により形成されて第２方向Ｄｙに延出する。
【００９３】
図９、図１１、図１３に示すように、第１配線３１、第２配線３２及び第３配線３３は、第２配線領域ＬＡ２において、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２により形成される。また、第４配線３４は、第２配線領域ＬＡ２において、第３金属層ＭＬ３により形成される。言い換えると、第２配線領域ＬＡ２において、第１配線３１は、第１コンタクト部ＣＨ１を含む。第２配線領域ＬＡ２において、第２配線３２は、第２コンタクト部ＣＨ２及び第３コンタクト部ＣＨ３を含む。第２配線領域ＬＡ２において、第３配線３３は、第４コンタクト部ＣＨ４を含む。
【００９４】
ここで、第１金属層ＭＬ１のシート抵抗は、第２金属層ＭＬ２のシート抵抗よりも高い。また、第２金属層ＭＬ２のシート抵抗は、第３金属層ＭＬ３のシート抵抗よりも低い。本実施形態では、第１コンタクト部ＣＨ１、第２コンタクト部ＣＨ２、第３コンタクト部ＣＨ３及び第４コンタクト部ＣＨ４は、第２配線領域ＬＡ２の各配線３の長さを３等分する位置に設けられる。すなわち、第１配線３１、第２配線３２及び第３配線３３において、第１金属層ＭＬ１の合計長さと、第２金属層ＭＬ２の合計長さが、各配線間で同等になる。これにより、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４の抵抗差が小さくなる。したがって、表示装置１の表示性能の低下を抑制できる。
【００９５】
なお、図９から図１３に示す構成はあくまで一例であり、各配線３の配置、角度、幅、配置ピッチ等は適宜変更できる。また、正極性配線ブロックＢＫｍ−１及び負極性配線ブロックＢＫｍ−２は、それぞれ４本の配線３を含むが、これに限定されず、５本以上の同極性の配線３を、まとめて配列してもよい。
【００９６】
（第１変形例）
図１４は、図９に示す構造の第１変形例を示す図である。図１４に示すように、本変形例において、上述した実施形態に対して、複数の端子Ｔが第２方向Ｄｙに対して傾斜して設けられている点、及び第１配線領域ＬＡ１にて引き出される各配線３も第２方向Ｄｙに対して傾斜している点が異なる。複数の端子Ｔは、第４配線領域ＬＡ４の各配線３の延出方向と同じ方向に延出する。つまり、複数の端子Ｔの延出方向と、第２方向Ｄｙとのなす角度は、第１角度θ１（図１０参照）と等しい。ただし、これに限定されず、複数の端子Ｔの傾斜角度は、第４配線領域ＬＡ４の各配線３の第１角度θ１と異なっていてもよい。また、複数の端子Ｔの傾斜角度は、それぞれ異なっていてもよい。例えば、複数の端子Ｔは、図６に示す第１配線ブロックＢＫ１から第６配線ブロックＢＫ６のそれぞれに接続された端子Ｔごとに、異なる傾斜角度を有していてもよい。同様に、第１配線領域ＬＡ１にて引き出される各配線３も、第１配線ブロックＢＫ１から第６配線ブロックＢＫ６で異なる傾斜角度を有していてもよい。
【００９７】
なお、図１２に示す第４配線３４の第３金属層ＭＬ３は、センサ配線５１（図５参照）と同層の金属材料で形成される場合に限定されない。例えば、第４配線３４の第３金属層ＭＬ３は、金属材料で形成される遮光層６７（図５参照）と同層に、遮光層６７と同じ金属材料を用いることができる。あるいは、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３のいずれかの配線に、金属材料で形成される遮光層６７と同層に、遮光層６７と同じ金属材料を用いることができる。この場合、例えば第１金属層ＭＬ１に替え、金属材料で形成された遮光層６７の配線を用いても良く、第２金属層ＭＬ２に替え、金属材料で形成された遮光層６７の配線を用いても良く、さらには金属材料で形成された遮光層６７の配線に第１金属層ＭＬ１を積層させた構造であっても良い。
【００９８】
（第２変形例）
図１５は、図９に示す構造の第２変形例を示す図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９９】
図１５に示すように、第２変形例では、複数の端子Ｔは、第１端子Ｔ１から第５端子Ｔ５を含む。第１端子Ｔ１と第５端子Ｔ５の間に第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３及び第４端子が設けられる。第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３の間に第２端子Ｔ２が設けられ、第３端子Ｔ３と第５端子Ｔ５の間に第４端子Ｔ４が設けられる。なお、図１５では、一組の第１端子Ｔ１から第５端子Ｔ５を示しているが、複数の端子Ｔは、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３、第４端子Ｔ４、第５端子Ｔ５、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、…の順で繰り返し第１方向Ｄｘに配列される。また、図９に示す実施形態と同様に、第１端子Ｔ１から第５端子Ｔ５の配列において、第１端子Ｔ１は、第１方向Ｄｘにおいて第１絶縁基板１０の第１側に位置し、第５端子Ｔ５は、第１絶縁基板１０の第２側に位置する。
【０１００】
複数の配線３は、第１配線３１から第５配線３５を含む。第５配線３５は、第５端子Ｔ５から引き出される。なお、図１５では、一組の第１配線３１から第５配線３５を示しているが、第１配線３１から第５配線３５は、第１配線領域ＬＡ１及び第４配線領域ＬＡ４において、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３、第４配線３４、第５配線３５、第１配線３１、第２配線３２、…の順で繰り返し第１方向Ｄｘに配列される。
【０１０１】
配線３は、異なる層に設けられた第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第３金属層ＭＬ３に加え、第４金属層ＭＬ４を有する。第４金属層ＭＬ４は、遮光層６７（図５参照）と同層に、遮光層６７と同じ金属材料を用いることができる。第４金属層ＭＬ４の材料は、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）である。なお、第１金属層ＭＬ１から第４金属層ＭＬ４の積層構造については後述する。
【０１０２】
第３配線領域ＬＡ３と第２配線領域ＬＡ２との接続部分において、第４配線３４（＋）及び第４配線３４（−）は、それぞれ第２５コンタクト部ＣＨ２５を含む。第２５コンタクト部ＣＨ２５は、第３配線領域ＬＡ３の第２金属層ＭＬ２と第２配線領域ＬＡ２の第４金属層ＭＬ４とを接続する。また、第１配線領域ＬＡ１と第２配線領域ＬＡ２との接続部分において、第２配線３２（＋）及び第２配線３２（−）は、それぞれ第２７コンタクト部ＣＨ２７及び第２８コンタクト部ＣＨ２８を含む。第２７コンタクト部ＣＨ２７は第４金属層ＭＬ４と第２金属層ＭＬ２とを接続する。第２８コンタクト部ＣＨ２８は、第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する。これにより、第４金属層ＭＬ４を含む第１配線３１から第４配線３４は、第１配線領域ＬＡ１に接続される。
【０１０３】
第３配線領域ＬＡ３と第２配線領域ＬＡ２との接続部分において、第５配線３５（＋）及び第５配線３５（−）は、それぞれ第２６コンタクト部ＣＨ２６を含む。第２６コンタクト部ＣＨ２６は、第３配線領域ＬＡ３の第２金属層ＭＬ２と第２配線領域ＬＡ２の第３金属層ＭＬ３とを接続する。また、第１配線領域ＬＡ１と第２配線領域ＬＡ２との接続部分において、第５配線３５（＋）及び第５配線３５（−）は、それぞれ第２９コンタクト部ＣＨ２９及び第３０コンタクト部ＣＨ３０を含む。第２９コンタクト部ＣＨ２９は第３金属層ＭＬ３と第２金属層ＭＬ２とを接続する。第３０コンタクト部ＣＨ３０は、第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する。このような構成で、第２配線領域ＬＡ２において、第５配線３５（＋）及び第５配線３５（−）は、第３金属層ＭＬ３により形成される。
【０１０４】
複数の配線３は、正極性配線ブロックＢＫｍ−１と負極性配線ブロックＢＫｍ−２とに、それぞれまとめて配置される。正極性配線ブロックＢＫｍ−１は、第１配線３１（＋）から第５配線３５（＋）を含む。負極性配線ブロックＢＫｍ−２は、第１配線３１（−）から第５配線３５（−）を含む。正極性配線ブロックＢＫｍ−１及び負極性配線ブロックＢＫｍ−２は、それぞれ、同じ極性の５本の配線３を有する。
【０１０５】
第２配線領域ＬＡ２において、複数の配線３は、第１コンタクト領域ＡＣＨ１、第２コンタクト領域ＡＣＨ２及び第３コンタクト領域ＡＣＨ３を含む。第１コンタクト領域ＡＣＨ１、第２コンタクト領域ＡＣＨ２及び第３コンタクト領域ＡＣＨ３は、それぞれ、第２１コンタクト部ＣＨ２１、第２２コンタクト部ＣＨ２２、第２３コンタクト部ＣＨ２３及び第２４コンタクト部ＣＨ２４を含む。第２１コンタクト部ＣＨ２１から第２４コンタクト部ＣＨ２４は、それぞれ、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第４金属層ＭＬ４のうち、異なる層に設けられた２つの金属層を接続する。
【０１０６】
これにより、第１配線３１から第４配線３４は、それぞれ、第１コンタクト領域ＡＣＨ１、第２コンタクト領域ＡＣＨ２及び第３コンタクト領域ＡＣＨ３で異なる金属層に接続される。この結果、第１配線３１から第４配線３４は、それぞれ、第２配線領域ＬＡ２において、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第４金属層ＭＬ４から形成される。図１５に示すように、第２変形例では、第１コンタクト領域ＡＣＨ１、第２コンタクト領域ＡＣＨ２及び第３コンタクト領域ＡＣＨ３は、第２配線領域ＬＡ２の各配線３の長さを４等分する位置に設けられる。
【０１０７】
図１６は、第２変形例における各配線の接続構成を模式的に説明するための説明図である。図１６は、各配線を形成する第１金属層ＭＬ１から第４金属層ＭＬ４を区別するために、金属層ごとにハッチングを分けて示している。図１６に示すように、第１配線３１から第４配線３４は、第２配線領域ＬＡ２において、それぞれ１区間分の第１金属層ＭＬ１と、２区間分の第２金属層ＭＬ２と、１区間分の第４金属層ＭＬ４とで形成される。
【０１０８】
具体的には、第１配線３１は、第２配線領域ＬＡ２において、端子Ｔ側から第１配線領域ＬＡ１側に向かって、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、第４金属層ＭＬ４及び第２金属層ＭＬ２の順に接続される。第２配線３２は、第２金属層ＭＬ２、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第４金属層ＭＬ４の順に接続される。第３配線３３は、第２金属層ＭＬ２、第４金属層ＭＬ４、第２金属層ＭＬ２及び第１金属層ＭＬ１の順に接続される。第４配線３４は、第４金属層ＭＬ４、第２金属層ＭＬ２、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２の順に接続される。第５配線３５は、第４金属層ＭＬ４を有さず、第３金属層ＭＬ３で形成される。
【０１０９】
すなわち、第１配線３１、第２配線３２、第３配線３３及び第４配線３４において、第１金属層ＭＬ１の合計長さと、第２金属層ＭＬ２の合計長さと、第４配線３４の合計長さとが、各配線間で同等になる。一方、第５配線３５は、第２配線領域ＬＡ２において、第３金属層ＭＬ３で形成され、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２及び第４金属層ＭＬ４を有さない。
【０１１０】
ここで、第１金属層ＭＬ１のシート抵抗は、第２金属層ＭＬ２のシート抵抗よりも高い。また、第２金属層ＭＬ２のシート抵抗は、第３金属層ＭＬ３のシート抵抗よりも低い。第４金属層ＭＬ４のシート抵抗は、第１金属層ＭＬ１と同程度である。これにより、第１配線３１から第５配線３５の抵抗差が小さくなる。したがって、表示装置１の表示性能の低下を抑制できる。
【０１１１】
図１６では模式的に示しているが、より具体的には、図１５に記載のとおり、第２配線３２（−）は、第３配線領域ＬＡ３と第１コンタクト領域ＡＣＨ１の間において第１金属層ＭＬ１を中継させている。これは、隣り合う第２配線３２（−）と第３配線３３（＋）とが同じ第２金属層ＭＬ２で交差することができないため、第２配線３２（−）の一部に第１金属層ＭＬ１をブリッジとして用いている。
【０１１２】
さらに、第２配線３２（＋）、３２（−）は、第３コンタクト領域ＡＣＨ３と第１配線領域ＬＡ１との間、より具体的には第２７コンタクトホールＣＨ２７及び第２８コンタクトホール２８の間に第２金属層ＭＬ２を中継させている。これは、第４金属層ＭＬ４から第１金属層ＭＬ１への直接接続を避け、第２金属層ＭＬ２を中継させることが好ましいためである。
【０１１３】
同様に、第４配線３４（＋）、３４（−）は、第３コンタクト領域ＡＣＨ３と第１配線領域ＬＡ１との間に第３金属層ＭＬ３を中継させている。これは単に同層の他の配線を乗り越えるためのブリッジであり、そのブリッジによるシート抵抗のずれを抑制するものである。
【０１１４】
同様に、第５配線３５（＋）、３５（−）は、第３コンタクト領域ＡＣＨ３と第１配線領域ＬＡ１との間、より具体的には第２９コンタクトホールＣＨ２９及び第３０コンタクトホールＣＨ３０の間に第２金属層ＭＬ２を中継させている。これは第３金属層ＭＬ３から第１金属層ＭＬ１への直接接続を避け、第２金属層ＭＬ２を中継させることが好ましいためである。
【０１１５】
これら配線の中継を鑑みても、総じて第１配線３１から第５配線３５の抵抗差は小さいことに変わりはない。
【０１１６】
次に、コンタクト領域の具体的な構成例について説明する。図１７は、コンタクト領域を拡大して示す平面図である。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’断面図である。図１９は、図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ’断面図である。図１７から図１９では、コンタクト領域の一構成例として、正極性配線ブロックＢＫｍ−１の第１コンタクト領域ＡＣＨ１を示す。ただし、図１７から図１９の説明は、負極性配線ブロックＢＫｍ−２の第１コンタクト領域ＡＣＨ１にも適用できる。
【０１１７】
図１７に示すように、第１配線３１（＋）は、第２１コンタクト部ＣＨ２１を含む。第２１コンタクト部ＣＨ２１は、第１金属層ＭＬ１と第２金属層ＭＬ２とを接続する。第２配線３２（＋）は、第２２コンタクト部ＣＨ２２を含む。第２２コンタクト部ＣＨ２２は、第２金属層ＭＬ２と第１金属層ＭＬ１とを接続する。第３配線３３（＋）は、第２３コンタクト部ＣＨ２３を含む。第２３コンタクト部ＣＨ２３は、第２金属層ＭＬ２と第４金属層ＭＬ４とを接続する。第４配線３４（＋）は、第２４コンタクト部ＣＨ２４を含む。第２４コンタクト部ＣＨ２４は、第４金属層ＭＬ４と第２金属層ＭＬ２とを接続する。
【０１１８】
第２１コンタクト部ＣＨ２１及び第２２コンタクト部ＣＨ２２は、平面視で、第２３コンタクト部ＣＨ２３と第２４コンタクト部ＣＨ２４との間に配置される。第５配線３５（＋）は、第２１コンタクト部ＣＨ２１と第２２コンタクト部ＣＨ２２との間を通って設けられる。第５配線３５（＋）は、第３配線３３（＋）の第４金属層ＭＬ４と重なって延在する部分と、第４配線３４（＋）の第４金属層ＭＬ４と重なって延在する部分とがクランク状に接続される。
【０１１９】
なお、図１７では、第１コンタクト領域ＡＣＨ１を示しているが、第２コンタクト領域ＡＣＨ２及び第３コンタクト領域ＡＣＨ３においても同様の構成を採用できる。ただし、この場合、第１配線３１から第４配線３４と、第２１コンタクト部ＣＨ２１から第２４コンタクト部ＣＨ２４との組み合わせは、第１コンタクト領域ＡＣＨ１と異なる。例えば、図１５に示すように、第３コンタクト領域ＡＣＨ３において、第１配線３１（＋）は、第２４コンタクト部ＣＨ２４を含む。第２配線３２（＋）は、第２３コンタクト部ＣＨ２３を含む。第３配線３３（＋）は、第２２コンタクト部ＣＨ２２を含む。第４配線３４（＋）は、第２１コンタクト部ＣＨ２１を含む。
【０１２０】
図１８に示すように、第４金属層ＭＬ４は、第１金属層ＭＬ１の下側、すなわち第１絶縁基板１０と第１金属層ＭＬ１との間に配置される。第３金属層ＭＬ３から形成される第５配線３５（＋）は、第１配線３１（＋）、第２配線３２（＋）、第３配線３３（＋）及び第４配線３４（＋）と重なって設けられる。第３金属層ＭＬ３により形成される第５配線３５（＋）の幅Ｗ３は、第１金属層ＭＬ１により形成される第１配線３１（＋）の幅Ｗ１よりも大きい。また、第５配線３５（＋）の幅Ｗ３は、第４金属層ＭＬ４により形成される第４配線３４（＋）の幅Ｗ４以上である。第２金属層ＭＬ２により形成される第２配線３２（＋）及び第３配線３３（＋）の幅Ｗ２は、幅Ｗ１、Ｗ３、Ｗ４よりも小さい。第２配線３２（＋）と第３配線３３（＋）との間隔は、幅Ｗ１、Ｗ３、Ｗ４よりも小さい。
【０１２１】
図１９に示すように、第２金属層ＭＬ２で形成される第３配線３３（＋）は、第２３コンタクト部ＣＨ２３を介して第４金属層ＭＬ４で形成される第３配線３３（＋）と接続される。第２３コンタクト部ＣＨ２３は、第１絶縁膜９１、第２絶縁膜９２及び第３絶縁膜９３を貫通するコンタクトホールを含む。
【０１２２】
以上のような構成により、５本の配線３を有する正極性配線ブロックＢＫｍ−１を効率的に配置することができる。言い換えると、第２変形例では、３層の金属層で正極性配線ブロックＢＫｍ−１を形成した場合に比べて、正極性配線ブロックＢＫｍ−１の平面視での面積を抑制することができる。また、第５配線３５は、図１７に示すようにクランク状に設けられる場合に限定されない。第３金属層ＭＬ３で形成された第５配線３５は、複数の金属層のうち最上層に位置する。このため、第５配線３５は、コンタクト部による配置の制約が小さくなり、第５配線３５の配置の自由度を向上させることができる。
【０１２３】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。
【０１２４】
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
複数の画素が設けられた表示領域と、
前記基板の端部と前記表示領域との間に位置する周辺領域と、
複数の前記画素に設けられたスイッチング素子にそれぞれ信号を供給する複数の信号線と、
前記基板の前記周辺領域において、第１方向に配列された複数の端子と、
前記周辺領域において、複数の前記端子と複数の前記信号線とを接続する複数の配線と、
前記周辺領域において、前記基板に垂直な方向で異なる層に設けられた第１金属層と、第２金属層と、第３金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間の第１絶縁膜と、前記第２金属層と前記第３金属層との間の第２絶縁膜と、を有し、
複数の前記端子は、第１端子、第２端子、第３端子及び第４端子を含み、前記第１端子と前記第３端子の間に前記第２端子が設けられ、前記第２端子と前記第４端子の間に前記第３端子が設けられ、
複数の前記配線は、前記第１端子から引き出される第１配線、前記第２端子から引き出される第２配線、前記第３端子から引き出される第３配線及び前記第４端子から引き出される第４配線を含み、
前記第１配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第１コンタクト部を含み、
前記第２配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第２コンタクト部を含み、
平面視において前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部との間に、前記第２金属層で形成される前記第３配線と、前記第３金属層で形成される前記第４配線が設けられている
表示装置。
（２）前記第２配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第３コンタクト部を含み、
前記第３配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第４コンタクト部を含み、
平面視において前記第３コンタクト部と前記第４コンタクト部との間に、前記第２金属層で形成される前記第１配線と、前記第３金属層で形成される前記第４配線が設けられている
上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部は、前記第１方向に交差する第２方向の複数の前記端子側に位置し、
前記第３コンタクト部と前記第４コンタクト部は、前記第２方向の前記表示領域側に位置し、
前記第１端子は、前記基板の前記第１方向の第１側に位置し、
前記第４端子は、前記基板の前記第１方向の第２側に位置し、
前記第１コンタクト部は、前記第２コンタクト部に対して前記第２側に位置し、
前記第３コンタクト部は、前記第４コンタクト部に対して前記第２側に位置する
上記（２）に記載の表示装置。
【０１２５】
また、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（４）基板と、
複数の画素が設けられた表示領域と、
前記基板の端部と前記表示領域との間に位置する周辺領域と、
複数の前記画素に設けられたスイッチング素子にそれぞれ信号を供給する複数の信号線と、
前記基板の前記周辺領域において、第１方向に配列された複数の端子と、
前記周辺領域において、複数の前記端子と複数の前記信号線とを接続する複数の配線と、
前記周辺領域において、前記基板に垂直な方向で異なる層に設けられた第１金属層と、第２金属層と、第３金属層と、第４金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間の第１絶縁膜（第３絶縁膜９３）と、前記第２金属層と前記第３金属層との間の第２絶縁膜（第４絶縁膜９４）と、前記第１金属層と前記第４金属層との間の第３絶縁膜（第１絶縁膜９１）と、を有し、
複数の前記端子は、第１端子、第２端子、第３端子、第４端子及び第５端子を含み、前記第１端子と前記第３端子の間に前記第２端子が設けられ、前記第３端子と前記第５端子の間に前記第４端子が設けられ、
複数の前記配線は、前記第１端子から引き出される第１配線、前記第２端子から引き出される第２配線、前記第３端子から引き出される第３配線、前記第４端子から引き出される第４配線、及び前記第５端子から引き出される第５配線を含み、
第３金属層で形成される前記第５配線は、平面視で、前記第１金属層で形成される前記第１配線及び前記第４金属層で形成される前記第４配線と重なって配置される
表示装置。
（５）前記第１配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第１コンタクト部（第２１コンタクト部ＣＨ２１）を含み、
前記第２配線は、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第２コンタクト部（第２２コンタクト部ＣＨ２２）を含み、
前記第３配線は、前記第２金属層と前記第４金属層とを接続する第３コンタクト部（第２３コンタクト部ＣＨ２３）を含み、
前記第４配線は、前記第２金属層と前記第４金属層とを接続する第４コンタクト部（第２４コンタクト部ＣＨ２４）を含み、
平面視において前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部との間に、前記第３金属層で形成される前記第５配線が設けられている
上記（４）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０１２６】
１  表示装置
３  配線
１０  第１絶縁基板
１１  画素電極
２０  第２絶縁基板
３１  第１配線
３２  第２配線
３３  第３配線
３４  第４配線
３５  第５配線
５１  センサ配線
５２  第１駆動信号供給配線
５３  第２駆動信号供給配線
ＢＥ  周辺領域
ＢＫ１  第１配線ブロック
ＢＫ２  第２配線ブロック
ＢＫ３  第３配線ブロック
ＢＫ４  第４配線ブロック
ＢＫ５  第５配線ブロック
ＢＫ６  第６配線ブロック
ＣＨ１  第１コンタクト部
ＣＨ２  第２コンタクト部
ＣＨ３  第３コンタクト部
ＣＨ４  第４コンタクト部
ＤＡ  表示領域
ＤＥ  検出電極
ＬＡ  配線領域
ＬＡ１  第１配線領域
ＬＡ２  第２配線領域
ＬＡ３  第３配線領域
ＬＡ４  第４配線領域
Ｐｉｘ  画素
ＳＬ  信号線
ＳＵＢ１  アレイ基板
ＳＵＢ２  対向基板
Ｔ１  第１端子
Ｔ２  第２端子
Ｔ３  第３端子
Ｔ４  第４端子
Ｔ５  第５端子
ＭＬ１  第１金属層
ＭＬ２  第２金属層
ＭＬ３  第３金属層
ＭＬ４  第４金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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