(57)【要約】  本開示の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層が、上記ベースフィルムの表面に食い込んだ上記金属粒子由来の焼結粒子を有し、上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するベースフィルムと、
上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に積層された金属粒子の焼結体層と
を備え、
上記焼結体層が、上記ベースフィルムの表面に食い込んだ上記金属粒子由来の焼結粒子を有し、
上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下であるプリント配線板用基材。
【請求項２】
上記金属粒子は、直径が１ｎｍ以上１μｍ未満の銅粒子である請求項１に記載のプリント配線板用基材。
【請求項３】
上記ベースフィルム及び焼結体層間の剥離強度が７．５Ｎ／ｃｍ以上である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板用基材。
【請求項４】
上記ベースフィルムと上記金属粒子の焼結体層との接触面積をＡ、上記ベースフィルムの投影表面積をＢとしたとき、
（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００で表される接触面積率が０．０５％以上０．５０％以下である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項５】
絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面に金属粒子の焼結により形成された焼結粒子で構成される焼結体層を積層する工程と、
上記積層工程後の焼結体層の表面をプラズマ処理する工程と
を備え、
上記プラズマ処理工程で、上記金属粒子由来の上記焼結粒子を上記ベースフィルムの表面に食い込ませ、
上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下であるプリント配線板用基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、プリント配線板用基材及びプリント配線板用基材の製造方法に関する。
本出願は、２０１８年４月２６日出願の日本出願第２０１８−８５８４７号に基づく優先権を主張し、上記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性のベースフィルムと、このベースフィルムの一方の面に積層される金属層とを有するプリント配線板用基材が知られている。【０００３】
従来、このプリント配線板用基材としては、ベースフィルムの一方の面にスパッタリング法によってシード層が形成されたものが用いられている。一方、スパッタリング法を用いたプリント配線板用基材は、物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要するため、今日ではスパッタリング法を用いない比較的安価なプリント配線板用基材も提案されている。【０００４】
このようなスパッタリング法を用いない比較的安価なプリント配線板用基材としては、絶縁性のベースフィルムと、このベースフィルムの一方の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備えるプリント配線板用基材が発案されている（特開２０１６−１３６５９５号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１３６５９５号公報
【発明の概要】
【０００６】
本開示の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層が、上記ベースフィルムの表面に食い込んだ上記金属粒子由来の焼結粒子を有し、上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下である。
【０００７】
また、上記課題を解決するためになされた本開示の一態様に係るプリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面に金属粒子の焼結により形成された焼結粒子で構成される焼結体層を積層する工程と、上記積層工程後の焼結体層の表面をプラズマ処理する工程とを備え、上記プラズマ処理工程で、上記金属粒子由来の焼結粒子を上記ベースフィルムの表面に食い込ませ、上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図２】図１のプリント配線板用基材の焼結粒子の食い込み状態を示す模式的部分拡大図である。
【図３】図１のプリント配線板用基材とは異なる実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図４】図１及び図３のプリント配線板用基材とは異なる実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図５】図４のプリント配線板用基材を用いたプリント配線板を示す模式的断面図である。
【図６Ａ】図１のプリント配線板用基材の製造方法の塗膜形成工程後の状態を示す模式図である。
【図６Ｂ】図１のプリント配線板用基材の製造方法の焼結体層形成工程後の状態を示す模式図である。
【図６Ｃ】図１のプリント配線板用基材の製造方法のプラズマ処理工程後の状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示が解決しようとする課題］
上述のプリント配線板用基材には、ベースフィルム及び焼結体層間の密着力が大きいことが求められる。特に、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板用基材にあっては、曲げ応力が作用した際にベースフィルムから焼結体層が剥離しないよう高い密着力が求められる。
【００１０】
本開示は、このような事情に基づいてなされたものであり、ベースフィルム及び焼結体層間の密着力に優れるプリント配線板用基材及びプリント配線板用基材の製造方法の提供を課題とする。
【００１１】
［本開示の効果］
本開示の実施形態に係るプリント配線板用基材は、ベースフィルム及び焼結体層間の密着力に優れる。また、本開示の実施形態に係るプリント配線板用基材の製造方法は、ベースフィルム及び焼結体層間の密着力に優れるプリント配線板用基材を製造することができる。
【００１２】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
【００１３】
本開示の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層が、上記ベースフィルムの表面に食い込んだ上記金属粒子由来の焼結粒子を有し、上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下である。
【００１４】
当該プリント配線板用基材は、焼結体層が、ベースフィルムの表面に食い込んだ金属粒子由来の焼結粒子を有しており、この焼結粒子の食い込み率が上記範囲内であるので、物理的アンカー効果によって上記焼結粒子が上記ベースフィルと強固に密着する。そのため、当該プリント配線板用基材は、上記ベースフィルム及び焼結体層間の密着力に優れる。
【００１５】
上記金属粒子は、直径が１ｎｍ以上１μｍ未満の銅粒子であるとよい。このように、上記金属粒子が直径が１ｎｍ以上１μｍ未満の銅粒子、すなわち銅ナノ粒子であることによって、上記ベースフィルムとの層間剥離が抑制された安価で導電性の高い焼結体層を形成することができる。
【００１６】
上記ベースフィルム及び焼結体層間の剥離強度としては７．５Ｎ／ｃｍ以上が好ましい。このように、上記ベースフィルム及び焼結体層間の剥離強度が上記下限以上であることによって、上記ベースフィルム及び焼結体層間の剥離を十分に抑制することができる。
【００１７】
上記ベースフィルムと上記金属粒子の焼結体層との接触面積をＡ、上記ベースフィルムの投影表面積をＢとしたとき、（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００で表される接触面積率は０．０５％以上０．５０％以下が好ましい。このように、上記接触面積率が上記範囲内であることによって、上記ベースフィルム及び焼結体層間の密着力をより確実に向上させることができる。
【００１８】
また、本開示の他の一態様に係るプリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面に金属粒子の焼結により形成された焼結粒子で構成される焼結体層を積層する工程と、上記積層工程後の焼結体層の表面をプラズマ処理する工程とを備え、上記プラズマ処理工程で、上記金属粒子由来の焼結粒子を上記ベースフィルムの表面に食い込ませ、上記焼結粒子の食い込み率が１０％以上９０％以下である。
【００１９】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記プラズマ処理工程で、食い込み率が上記範囲内となるように焼結粒子をベースフィルムの表面に食い込ませるので、物理的アンカー効果によって上記焼結粒子を上記ベースフィルムと強固に密着させることができる。そのため、当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記ベースフィルム及び焼結体層間の密着力に優れるプリント配線板用基材を製造することができる。
【００２０】
なお、本開示において、「焼結粒子の食い込み率」とは以下の方法で測定される値をいう。ベースフィルム及び焼結体層の界面を含む厚さ方向の断面写真を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影し、観察エリアを上記界面に沿った１．１μｍの範囲として食い込み深さの深い順から５個の焼結粒子を抽出する。この食い込み深さは、焼結粒子の左右に存在する空隙（ベースフィルム及び焼結体層間の空隙）とベースフィルムとの界面を含む仮想直線を基準とし、この仮想直線に対して最もベースフィルム側に食い込んだ点の深さによって求める（なお、ベースフィルム表面に食い込んだ焼結粒子の数が５に満たない場合、不足分の食い込み深さは０ｎｍとする）。次に、抽出された５個の焼結粒子それぞれについて、最もベースフィルム側に食い込んだ点における焼結粒子の厚さを測定し、厚さに対する食い込み深さの比を求める。この５個の焼結粒子の食い込み深さの比を平均したうえ、１００分率に換算した値を焼結粒子の食い込み率とする。
【００２１】
また、本開示において、「銅ナノ粒子」とは、径（直径）が１ｎｍ以上１μｍ未満の銅粒子をいう。また、「径」とは、観察面において同面積の真円に換算した場合の直径をいう。「剥離強度」とは、ＪＩＳ−Ｃ６４７１：１９９５に準拠する１８０°方向引き剥がし試験で得られる剥離強度をいう。
なお、本開示において、ベースフィルムと金属粒子の焼結体層の接触面積率とは以下の方法で測定される値をいう。プリント配線板用基材の金属粒子の焼結体層を塩化第二銅溶液などの酸性溶液で溶解し、ベースフィルムを露出させ、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）を用いてベースフィルムの表面積Ａおよびベースフィルムの投影表面積Ｂを測定する。接触面積率は、（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００［％］として算出する。
【００２２】
［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の各実施形態に係るプリント配線板用基材及びプリント配線板用基材の製造方法ついて図面を参照しつつ詳説する。
【００２３】
［第一実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図１のプリント配線板用基材１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、ベースフィルム２の一方の面に積層される金属粒子の焼結体層３とを備える。当該プリント配線板用基材１は、可撓性を有しており、フレキシブルプリント配線板用基材として用いられる。焼結体層３は、ベースフィルム２の表面に食い込んだ金属粒子由来の焼結粒子３ａを有する。当該プリント配線板用基材１は、焼結粒子３ａの食い込み率が１０％以上９０％以下である。
【００２４】
当該プリント配線板用基材１は、焼結体層３が、ベースフィルム２の表面に食い込んだ金属粒子由来の焼結粒子３ａを有しており、この焼結粒子３ａの食い込み率が上記範囲内であるので、物理的アンカー効果によって焼結粒子３ａがベースフィル２と強固に密着する。そのため、当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力に優れる。特に、当該プリント配線板用基材１は、フレキシブルプリント配線板用基材であり、折り曲げて用いられることが多い。当該プリント配線板用基材１は、焼結粒子３ａがベースフィルム２の表面に食い込んでいることで、曲げ応力が作用した際にベースフィルム２のエッジ（食い込んだ焼結粒子３ａの表面に対応して形成されたベースフィルム２の表面の凹部の縁）が焼結粒子３ａと干渉し、ベースフィルム２からの焼結体層３の剥離が十分に抑制される。
【００２５】
（ベースフィルム）
ベースフィルム２は絶縁性及び可撓性を有する。ベースフィルム２は合成樹脂を主成分としている。ベースフィルム２の主成分としては、例えばポリイミド、液晶ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、フッ素樹脂等の軟質材が挙げられる。これらの中でも、耐熱性及び焼結体層３との密着力に優れるポリイミドが好ましい。なお、「主成分」とは、質量換算で最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。
【００２６】
ベースフィルム２の厚さは、特に限定されないが、例えばベースフィルム２の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、ベースフィルム２の平均厚さの上限としては、２．０ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。ベースフィルム２の平均厚さが上記下限に満たないと、ベースフィルム２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム２の平均厚さが上記上限を超えると、薄型化が要求される電子機器への適用が困難となるおそれや可撓性が不十分となるおそれがある。
【００２７】
（焼結体層）
焼結体層３は、ベースフィルム２の一方の面に直接（つまり、接着剤層等の他の層を介さず）積層される。当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２の一方の面に焼結体層３が密着しており、スパッタリング法を用いる場合のように物理的蒸着に必要な高価な真空設備を必要としないので、製造コストを抑えることができる。
【００２８】
焼結体層３は、複数の上記金属粒子同士が金属酸化物等によって固着された構成を有する。上記金属粒子を構成する金属としては、銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀等が挙げられる。中でも、安価で導電性が高く、ベースフィルム２との密着力及びエッチング性に優れる銅が好ましい。つまり、上記金属粒子としては、銅粒子が好ましく、緻密な焼結体層３を形成することでより導電性を高められると共にベースフィルム２との密着力及びエッチング性を高めやすい銅ナノ粒子がより好ましい。
【００２９】
焼結粒子３ａの平均粒径の下限としては、２０ｎｍが好ましく、３０ｎｍがより好ましい。一方、焼結粒子３ａの平均粒径の上限としては、３００ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。上記平均粒径が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａのベースフィルム２への食い込みによって得られる密着力の向上効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記平均粒径が上記上限を超えると、十分に緻密な焼結体層３を形成し難くなるおそれがある。なお、「焼結粒子の平均粒径」とは、表面ＳＥＭにより測定した粒径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径を意味する。
【００３０】
図２に示すように、焼結体層３を構成する焼結粒子３ａはベースフィルム２の表面に食い込んでいる。より詳しく説明すると、焼結体層３を構成する複数の焼結粒子３ａのうち、ベースフィルム２との界面に位置する複数の焼結粒子３ａがベースフィルム２の表面に食い込んでいる。焼結粒子３ａの食い込み部分では、ベースフィルム２の表面には焼結粒子３ａの表面に対応する凹部が形成されており、この凹部に焼結粒子３ａが嵌まり込んでいる。換言すると、焼結粒子３ａの食い込み部分では、焼結粒子３ａ及びベースフィルム２の表面同士の間には空隙が存在しておらず、両者は全面的に密着している。ベースフィルム２に食い込んでいる焼結粒子３ａの形状としては、特に限定されないが、食い込み部分で径方向外側に突出するエッジ（突起）を有することが好ましい。このように、食い込み部分でエッジを有することで、食い込みに基づく物理的アンカー効果が高められる。
【００３１】
焼結粒子３ａ単体の食い込み深さをＤ、この食い込み深さ位置での焼結粒子３ａの厚さをＬとした場合、上述の観察エリアにおいて食い込み深さの深い順から抽出される５個の焼結粒子３ａの食い込み深さの比（Ｄ／Ｌ）の平均値を基に求められる焼結粒子３ａの食い込み率の下限としては、上述のように１０％であり、３０％が好ましく、４５％がより好ましい。一方、上記食い込み率の上限としては、上述のように９０％であり、７０％が好ましく、６０％がより好ましい。上記食い込み率が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａの食い込みによる物理的アンカー効果が不十分となり、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力が不十分となるおそれがある。逆に、上記食い込み率が上記上限を超えると、ベースフィルム２に焼結粒子３ａを食い込ませるために必要とされるプラズマ出力が大きくなり過ぎて焼結体層３に傷や焦げ等の劣化が生じるおそれや、焼結粒子３ａのベースフィルム２の表面からの突出面積が不十分となり、焼結粒子３ａ間の密着力が不十分となるおそれがある。
【００３２】
ベースフィルム２の表面に当接する複数の焼結粒子３ａに対するベースフィルム２の表面に食い込んだ焼結粒子３ａの存在割合の下限としては、２５％が好ましく、３５％がより好ましく、５０％がさらに好ましい。一方、上記存在割合の上限としては、９０％が好ましく、８５％がより好ましい。上記存在割合が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａの食い込みによる物理的アンカー効果が不十分となり、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力が不十分となるおそれがある。逆に、上記存在割合が上記上限を超えると、ベースフィルム２に焼結粒子３ａを食い込ませるために必要とされるプラズマ出力が大きくなり過ぎて焼結体層３に傷や焦げ等の劣化が生じるおそれや、ベースフィルム２に当接する焼結粒子３ａ全体におけるベースフィルム２の表面からの合計突出面積が不十分となり、焼結粒子３ａ間の密着力が不十分となるおそれがある。なお、「ベースフィルム表面に当接する複数の焼結粒子に対するベースフィルムの表面に食い込んだ焼結粒子の存在割合」とは、ベースフィルム及び焼結体層の界面を含む厚さ方向の断面写真を界面に沿って観察エリア１．１μｍとして走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影し、この観察エリア内において測定される存在割合をいう。
【００３３】
ベースフィルム２及び焼結体層３間の界面の単位長さ当たりのベースフィルム２の表面に食い込んだ焼結粒子３ａの個数の下限としては、４個／μｍが好ましく、８個／μｍがより好ましい。一方、上記個数の上限としては、３０個／μｍが好ましく、２０個／μｍがより好ましい。上記個数が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａの食い込みによる物理的アンカー効果が不十分となり、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力が不十分となるおそれがある。逆に、上記個数が上記上限を超えると、ベースフィルム２に焼結粒子３ａを食い込ませるために必要とされるプラズマ出力が大きくなり過ぎて焼結体層３に傷や焦げ等の劣化が生じるおそれや、ベースフィルム２に当接する焼結粒子３ａ全体におけるベースフィルム２の表面からの合計突出面積が不十分となり、焼結粒子３ａ間の密着力が不十分となるおそれがある。
【００３４】
焼結体層３の平均厚さの下限としては、５０ｎｍが好ましく、７０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。一方、焼結体層３の平均厚さの上限としては、１０００ｎｍが好ましく、７００ｎｍがより好ましく、５００ｎｍがさらに好ましい。焼結体層３の平均厚さが上記下限に満たないと、平面視において焼結体層３に切れ目が生じて導電性が低下するおそれがある。逆に、焼結体層３の平均厚さが上記上限を超えると、プリント配線板を形成する際に焼結体層３のエッチングに時間を要し、生産性が低下するおそれがある。
【００３５】
ベースフィルム２及び焼結体層３間の剥離強度の下限としては、７．５Ｎ／ｃｍが好ましく、９．０Ｎ／ｃｍがより好ましく、１０．０Ｎ／ｃｍがさらに好ましい。上記剥離強度が上記下限に満たないと、ベースフィルム２及び焼結体層３間で意図しない層間剥離が生じるおそれがある。なお、上記剥離強度は大きい方が好ましく、その上限としては特に限定されないが、例えば３０．０Ｎ／ｃｍとすることができる。
【００３６】
［第二実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図３のプリント配線板用基材１１は、図１のプリント配線板用基材１の焼結体層３の表面（ベースフィルム２との積層面と反対側の面）に積層される無電解めっき層４を備える。当該プリント配線板用基材１１は、全体として可撓性を有し、フレキシブルプリント配線板用基材として用いられる。当該プリント配線板用基材１１は、無電解めっき層４を備える以外、図１のプリント配線板用基材１と同様の構成を有する。そのため、以下では無電解めっき層４についてのみ説明する。
【００３７】
（無電解めっき層）
無電解めっき層４は、焼結体層３の表面に無電解めっきを施すことで形成される。無電解めっき層４は、焼結体層３の表面に直接積層されている。無電解めっき層４は無電解めっき金属を含む。上記無電解めっき金属は、少なくとも部分的に焼結体層３の空隙に充填されており、焼結体層３の全空隙に充填されていることが好ましい。当該プリント配線板用基材１１は、上記無電解めっき金属が焼結体層３の表面に積層されており、かつ上記無電解めっき金属が焼結体層３の空隙に充填されているので、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力をより大きくすることができると共に、焼結体層３の導電性をより高めることができる。
【００３８】
上記無電解めっき金属としては、導電性に優れる銅、ニッケル、銀等を用いることができるが、上記銅ナノ粒子との密着力を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。無電解めっき層４の平均厚さ（焼結体層３の表面を基準とする平均厚さ）としては、焼結体層３の表面を十分に被覆すると共に、無電解めっきに要する時間が長くなることで生産性が低下することを抑える観点から、例えば５０ｎｍ以上２μｍ以下程度とすることができる。
【００３９】
［第三実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図４のプリント配線板用基材２１は、図３のプリント配線板用基材１１の無電解めっき層４の表面（焼結体層３との積層面と反対側の面）に積層される電気めっき層５を備える。当該プリント配線板用基材２１は、全体として可撓性を有し、フレキシブルプリント配線板用基材として用いられる。当該プリント配線板用基材２１は、電気めっき層５を備える以外、図３のプリント配線板用基材１１と同様の構成を有する。そのため、以下では電気めっき層５についてのみ説明する。
【００４０】
（電気めっき層）
電気めっき層５は、無電解めっき層４の表面に電気めっきを施すことで形成される。電気めっき層５は、無電解めっき層４の表面に直接積層されている。電気めっき層５は電気めっき金属を含む。当該プリント配線板用基材２１は、無電解めっき層４の表面に電気めっき層５が積層されるので、焼結体層３、無電解めっき層４及び電気めっき層５の積層体全体の厚さを容易かつ正確に調節することができる。
【００４１】
上記電気めっき金属としては、導電性に優れる銅、ニッケル、銀等を用いることができる。電気めっき層５の平均厚さとしては、どのようなプリント回路を作製するかによって適宜設定可能であり、特に限定されるものではないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。
【００４２】
［プリント配線板］
図５のプリント配線板３１は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。当該プリント配線板３１は、例えば図４のプリント配線板用基材２１を用いて形成される。当該プリント配線板３１は、ベースフィルム２の一方の面に積層される導電パターン６を備える。導電パターン６は、図４のプリント配線板用基材２１の焼結体層３、無電解めっき層４及び電気めっき層５の積層体をパターニングしたものであり、この積層体の一部を含む。この際のパターニング方法としては、例えば焼結体層３、無電解めっき層４及び電気めっき層５の積層体にレジストパターン等のマスキングを施してエッチングする方法（サブトラクティブ法）を採用することができる。
【００４３】
なお、当該プリント配線板３１は、セミアディティブ法によって形成することも可能である。この場合、当該プリント配線板３１は、図３のプリント配線板用基材１１を用いて形成することができる。具体的には、当該プリント配線板３１は、図３の無電解めっき層４の表面に導電パターン６の反転形状のレジストパターンを積層し、無電解めっき層４のレジストパターン非積層領域に電気めっき層５を積層した後、上記レジストパターン及びこのレジストパターン下の無電解めっき層４及び焼結体層３をエッチングすることで形成することができる。当該プリント配線板３１は、上記セミアディティブ法を用いて形成することで、微細な回路パターンを形成しやすい。
【００４４】
当該プリント配線板３１は、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力に優れるので、ベースフィルム２からの導電パターン６の剥がれを容易かつ確実に抑制することができる。また、当該プリント配線板３１の形成に当たっては焼結体層３をエッチングする作業を要するが、焼結粒子３ａの食い込み率を上述の上限以下に抑えることで、エッチング性の低下を抑えることができる。一方、当該プリント配線板３１は、焼結粒子３ａの食い込み率を上述の下限以上とすることで、ベースフィルム２及び焼結体層３の当接面積を十分に大きくすることができ、微細な回路パターンとした場合でもベースフィルム２及び導電パターン３間の密着力を十分に大きくすることができる。そのため、当該プリント配線板は、回路幅が５μｍ以上１５μｍ以下、回路間隔が５μｍ以上１５μｍ以下程度の微細な回路パターンを容易かつ確実に形成することができる。
【００４５】
［プリント配線板用基材の製造方法］
次に、図６Ａ〜図６Ｃを参照して、図１のプリント配線板用基材１の製造方法について説明する。当該プリント配線板用基材の製造方法は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板用基材の製造方法である。当該プリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルム２の一方の面に金属粒子の焼結により形成された焼結粒子で構成される焼結体層１３を積層する工程（積層工程）と、上記積層工程後の焼結体層１３の表面をプラズマ処理する工程（プラズマ処理工程）とを備える。当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記プラズマ処理工程で、上記金属粒子由来の焼結粒子３ａをベースフィルム２の表面に食い込ませる。上記プラズマ処理工程後の焼結粒子３ａの食い込み率は１０％以上９０％以下である。
【００４６】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記プラズマ処理工程で、食い込み率が上記範囲内となるように焼結粒子３ａをベースフィルム２の表面に食い込ませるので、物理的アンカー効果によって焼結粒子３ａをベースフィル２と強固に密着させることができる。そのため、当該プリント配線板用基材の製造方法は、ベースフィルム２及び焼結体層３間の密着力に優れるプリント配線板用基材を製造することができる。
【００４７】
（積層工程）
上記積層工程は、ベースフィルム２の一方の面に金属粒子３ｂを含む塗膜１３ａを形成する工程（塗膜形成工程）と、上記塗膜形成工程で形成された塗膜１３ａを乾燥する工程（乾燥工程）と、上記乾燥工程後の塗膜１３ａの焼成により金属粒子３ｂの焼結体層１３を形成する工程（焼結体層形成工程）とを備える。なお、以下では、ベースフィルム２の主成分がポリイミドである場合を例に説明する。また、このベースフィルム２は、一方の面にアルカリ処理等の表面処理が施されたものであってもよい。
【００４８】
〈塗膜形成工程〉
上記塗膜形成工程では、図６Ａに示すように、ベースフィルム２の一方の面に金属粒子３ｂを含む導電性インクを塗布し、塗膜１３ａを形成する。
【００４９】
〔金属粒子〕
上記導電性インクに分散させる金属粒子３ｂは、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストを低減できるうえ、水溶液中での攪拌等により、容易に金属粒子３ｂの粒子径を均一にすることができる。金属粒子３ｂは、このように、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造されることによって、例えば平均粒子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に調節される。なお、「平均粒子径」とは、レーザー回折法により測定される粒子径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径を意味する。
【００５０】
金属粒子３ｂを液相還元法で形成する場合、例えば水に金属粒子３ｂを形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と、分散剤及び錯化剤とを溶解させる共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。この液相還元法で製造される金属粒子３ｂは、形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ３）２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ４・４Ｈ２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。
【００５１】
上記還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、還元剤としては３価のチタンイオンが好ましい。なお、３価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、３価のチタンイオンが４価に酸化される際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子３ｂを析出させる。このチタンレドックス法によると、微細かつ均一な粒子径を有する金属ナノ粒子を形成しやすい。
【００５２】
上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等の窒素含有高分子分散剤、ポリアクリル酸等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、カルボキシメチルセルロース等のセルロース系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。
【００５３】
上記錯化剤としては、例えばクエン酸ナトリウム、酒石酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、グルコン酸、チオ硫酸ナトリウム、アンモニア、エチレンジアミン四酢酸等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。中でも、上記錯化剤としてはクエン酸ナトリウムが好ましい。
【００５４】
金属粒子３ｂの粒子径を調節するには、金属化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調節すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調節すればよい。反応系のｐＨの下限としては７が好ましく、反応系のｐＨの上限としては１３が好ましい。反応系のｐＨを上記範囲とすることで、微小な粒子径の金属粒子３ｂを得ることができる。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に容易に調節することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸や、炭酸ナトリウムが好ましい。
【００５５】
なお、液相還元法で金属粒子３ｂを製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた金属粒子３ｂは、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調製することができる。この場合は、粉末状の金属粒子３ｂと、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、金属粒子３ｂを含む導電性インクとすることができる。このとき、金属粒子３ｂを析出させた液相（水溶液）を出発原料としてインクを調製することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子３ｂを含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子３ｂの濃度を調節した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子３ｂを含む導電性インクを調製する。この方法では、金属粒子３ｂの乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一な焼結体層１３を形成しやすい。
【００５６】
インク中の金属粒子３ｂの含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、２０質量％がさらに好ましい。また、インク中の金属粒子３ｂの含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。金属粒子３ｂの含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜１３ａをより緻密な膜に形成することができる。一方、金属粒子３ｂの含有割合が上記上限を超えると、塗膜１３ａの膜厚が不均一になるおそれがある。
【００５７】
〔インクの塗布方法〕
金属粒子３ｂを分散させた導電性インクをベースフィルム２の一方の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム２の一方の面の一部のみに導電性インクを塗布するようにしてもよい。
【００５８】
上記塗膜形成工程では、金属粒子３ｂをベースフィルム２の一方の面に緻密に塗布することが好ましい。塗膜１３ａにおける金属粒子３ｂの厚さに対する蛍光Ｘ線分析による焼結体層１３（後述する焼結体層形成工程によって形成される焼結体層１３）の厚さの比の下限としては、０．３が好ましく、０．４がより好ましい。上記比が上記下限に満たないと、焼結体層１３及びベースフィルム２間の密着力が不十分となるおそれがある。なお、「塗膜における金属粒子の厚さ」とは、ＣＰ加工（Ｃｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ  ｐｏｌｉｓｈｅｒ）で露出させたベースフィルムの厚さ方向の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影し、塗膜の最表層に位置する金属粒子の頂点とベースフィルムの一方の面との距離を任意の１０点で測定し、この測定値を平均した値をいう。
【００５９】
〈乾燥工程〉
上記乾燥工程では、上記塗膜形成工程で形成された塗膜１３ａに含まれる分散媒を乾燥させる。上記乾燥工程では、金属粒子３ｂの凝集が進行する前に上記分散媒を乾燥させることが好ましい。
【００６０】
〈焼結体層形成工程〉
上記焼結体層形成工程では、図６Ｂに示すように、塗膜１３ａの焼成により金属粒子３ｂの焼結体層１３を形成する。この焼結体層１３は、金属粒子３ｂ由来の焼結粒子３ａを有する。
【００６１】
〔焼成〕
上記焼成により金属粒子３ｂ同士が焼結すると共に、焼結粒子３ａがベースフィルム２の一方の面に固着される。なお、導電性インクに含まれ得る分散剤やその他の有機物は、焼成によって一定程度揮発又は分解される。焼結体層１３における窒素原子の含有量の下限としては、０．５ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、０．８ａｔｏｍｉｃ％がより好ましく、１．０ａｔｏｍｉｃ％がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限としては、５．０ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、４．０ａｔｏｍｉｃ％がより好ましく、３．０ａｔｏｍｉｃ％がさらに好ましい。上記含有量が上記下限に満たないと、焼結体層１３のベースフィルム２からの剥離強度が不十分となるおそれがある。一方、上記含有量が上記上限を超えると、金属粒子３ｂ間の接合が不十分となって焼結体層１３の強度や耐食性が不十分となるおそれがある。
【００６２】
焼成雰囲気の酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記上限を超えると、金属粒子３ｂの過度の酸化により焼結体層１３の導電性が低下するおそれがある。一方、上記酸素濃度の下限としては、特に限定されるものではないが、製造設備が不必要に高価になることを抑制する観点から、例えば１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。
【００６３】
上記焼成の温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、上記焼成の温度の上限としては、５００℃が好ましく、４００℃がより好ましい。上記焼成の温度が上記下限に満たないと、ベースフィルム２と焼結体層１３との間の密着力を十分に向上させることができなくなるおそれがある。逆に、上記焼成の温度が上記上限を超えると、ベースフィルム２が変形するおそれがある。なお、焼成時間については、特に限定されないが、例えば３０分以上６００分以下の範囲とすればよい。
【００６４】
（プラズマ処理工程）
上記プラズマ処理工程では、上記積層工程で積層された焼結体層１３の表面にプラズマを照射し、焼結体層１３を構成する焼結粒子３ａをベースフィルム２の表面に食い込ませる。このプラズマ処理工程は、例えば真空チャンバーを用いた真空プラズマ処理によって行う。このプラズマ処理工程により、図６Ｃに示すように、ベースフィルム２の表面に食い込んだ金属粒子３ｂ由来の焼結粒子３ａを有する焼結体層３がベースフィルム２の一方の面に形成される。
【００６５】
上記プラズマ処理工程におけるプラズマ処理で用いるガスとしては、例えば酸素、窒素、空気、フッ素系ガス等が挙げられ、これらを１種単独で、又は２種以上混合して用いることができる。
【００６６】
上記プラズマ処理におけるガス流量の下限としては、１５０ｓｃｃｍが好ましく、２００ｓｃｃｍがより好ましい。一方、上記ガス流量の上限としては、３００ｓｃｃｍが好ましく、２５０ｓｃｃｍがより好ましい。上記ガス流量が上記範囲外であると、プラズマが安定し難くなり、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面への食い込み量を制御し難くなるおそれがある。
【００６７】
上記チャンバー内に導入するガスの線速度の下限としては、１．５ｍ／ｍｉｎが好ましく、１．７ｍ／ｍｉｎがより好ましい。一方、上記線速度の上限としては、３．０ｍ／ｍｉｎが好ましく、２．５ｍ／ｍｉｎがより好ましい。上記線速度が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面への食い込み量が不十分となるおそれがある。逆に、上記線速度が上記上限を超えると、焼結粒子３ａの食い込み量が大きくなり過ぎて、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面からの突出面積が不十分となるおそれがある。
【００６８】
上記プラズマ処理におけるプラズマ出力の下限としては、３００Ｗが好ましく、７００Ｗがより好ましく、１０００Ｗがさらに好ましく、１２５０Ｗが特に好ましい。一方、上記プラズマ出力の上限としては、２０００Ｗが好ましく、１８００Ｗがより好ましい。上記プラズマ出力が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面への食い込み量が不十分となるおそれがある。逆に、上記プラズマ出力が上記上限を超えると、焼結粒子３ａの食い込み量が大きくなり過ぎて、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面からの突出面積が不十分となるおそれがある。
【００６９】
上記プラズマ処理工程におけるプラズマ処理時間の下限としては、３秒が好ましく、６秒がより好ましい。一方、上記プラズマ処理時間の上限としては、４０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記プラズマ処理時間が上記下限に満たないと、焼結粒子３ａをベースフィルム２の表面に十分に食い込ませることができないおそれがある。逆に、上記プラズマ処理時間が上記上限を超えると、焼結粒子３ａの食い込み量が大きくなり過ぎて、焼結粒子３ａのベースフィルム２表面からの突出面積が不十分となるおそれがある。
【００７０】
続いて、図３のプリント配線板用基材１１及び図４のプリント配線板用基材２１の製造方法について説明する。図３のプリント配線板用基材１１の製造方法は、上記プラズマ処理工程後の焼結体層３の表面に無電解めっきする工程（無電解めっき工程）を備える。また、図４のプリント配線板用基材２１の製造方法は、上記無電解めっき工程で形成された無電解めっき層４の表面に電気めっきする工程（電気めっき工程）を備える。
【００７１】
上記無電解めっき工程で用いる金属としては、銅、ニッケル、銀等が挙げられるが、金属粒子３ｂとして銅粒子を用いた場合の焼結体層３との密着力を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。上記電気めっき工程で用いる金属としては、銅、ニッケル、銀等が挙げられる。
【００７２】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００７３】
例えば上記実施形態では、ベースフィルムの一方の面に焼結体層が積層される構成について説明したが、当該プリント配線板用基材は、ベースフィルムの両面に一対の焼結体層が積層されてもよい。また、当該プリント配線板用基材の製造方法は、ベースフィルムの両側の面に一対の金属粒子の焼結体層を積層してもよい。
【００７４】
上述のように、当該プリント配線板用基材はフレキシブルプリント配線板用基材であることによって、曲げ応力が作用した際のベースフィルムからの焼結体層の剥離を抑制しやすいが、当該プリント配線板用基材は可撓性を有しないリジッド基材であってもよい。
【００７５】
上記焼結体層の表面側に他の層（例えばめっき層等の金属層）が積層される場合、上記他の層の具体的な構成は特に限定されるものではない。当該プリント配線板用基材は、例えば上記焼結体層の表面に直接電気めっき層が積層されてもよい。
【実施例】
【００７６】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【００７７】
［実施例］
［Ｎｏ．１］
平均厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（株式会社カネカ製「アピカルＮＰＩ」）からなるベースフィルムを用意した。このベースフィルムを濃度１００ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に４０℃で９０秒間浸漬した後、水洗、濃度１質量％の酢酸水溶液による酸洗、水洗、乾燥をこの順で行い、ベースフィルムの一方の面にアルカリ処理を施した。次に、平均粒子径８０ｎｍの銅ナノ粒子が水中に分散した銅ナノ粒子の導電性インクをベースフィルムの一方の面に塗布し、乾燥及び焼成することで、ベースフィルムの一方の面に銅ナノ粒子の焼結により形成された焼結粒子で構成される焼結体層を積層した（積層工程）。【００７８】
続いて、上記積層工程で積層された焼結体層の表面に、Ｔｏｐ  Ｒａｎｇｅ  Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ社製の真空プラズマ装置を用い、以下の条件でプラズマ処理を施した（プラズマ処理工程）。
プラズマ方式：マイクロ波プラズマ
線速度：２ｍ／ｍｉｎ
ガス：酸素及び四フッ化メタンの混合ガス
ガス流量：酸素２００ｓｃｃｍ、四フッ化メタン２０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：８０Ｐａ
プラズマ出力：５００Ｗ
プラズマ処理時間：７ｓｅｃ【００７９】
上記プラズマ処理工程後の焼結体層の表面に無電解銅めっきを施し（無電解めっき工程）、さらに無電解めっき工程で形成された無電解めっき層の表面に電気銅めっきを施すことで（電気めっき工程）、焼結体層、無電解めっき層及び電気めっき層全体の平均厚さを２０μｍに調節し、Ｎｏ．１のプリント配線板用基材を製造した。【００８０】
［Ｎｏ．２〜Ｎｏ．６］
上記プラズマ処理工程におけるプラズマ出力を表１の通りとした以外、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．２〜Ｎｏ．６のプリント配線板用基材を製造した。【００８１】
［Ｎｏ．７］
上記プラズマ処理工程を行わなかった以外、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．７のプリント配線板用基材を製造した。【００８２】
＜焼結粒子の食い込み深さ＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、ベースフィルム及び焼結体層の界面を含む厚さ方向の断面写真を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影し、観察エリアを上記界面に沿って１．１μｍの範囲として食い込み深さの深い順から５個の焼結粒子を抽出した。この食い込み深さは、焼結粒子の左右に存在する空隙（ベースフィルム及び焼結体層間の空隙）とベースフィルムとの界面を含む仮想直線を基準とし、この仮想直線に対して最もベースフィルム側に食い込んだ点の深さによって求めた（なお、ベースフィルム表面に食い込んだ焼結粒子の数が５に満たない場合、不足分の食い込み深さは０ｎｍとした）。５個の焼結粒子の食い込み深さを平均することで、焼結粒子の食い込み深さを求めた。この測定結果を表１に示す。【００８３】
＜焼結粒子の食い込み率＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、上記食い込み深さの測定で抽出した５個の焼結粒子それぞれについて、最もベースフィルム側に食い込んだ点における焼結粒子の厚さを測定し、厚さに対する食い込み深さの比を求めた。５個の焼結粒子の食い込み深さの比を平均したうえ、１００分率に換算することで焼結粒子の食い込み率を算出した。この算出結果を表１に示す。なお、焼結粒子の厚さを測定するに際し、焼結粒子同士の粒界については上記断面写真の明るさ及びコントラストを調整することで特定した。【００８４】
＜食い込み粒子の存在割合＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってベースフィルム及び焼結体層の界面を含む厚さ方向の断面写真を観察倍率１０万倍で各１０枚撮影した。各断面写真について、観察エリアを１．１μｍとし、ベースフィルムの表面に当接する複数の焼結粒子に対するベースフィルムの表面に食い込んだ焼結粒子の存在割合を算出した。次に、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のそれぞれについて、１０枚の断面写真における上記存在割合を平均し、この平均値を食い込み粒子の存在割合とした。この算出結果を表１に示す。【００８５】
＜単位長さ当たりの食い込み個数＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってベースフィルム及び焼結体層の界面を含む厚さ方向の断面写真を観察倍率１０万倍で各１０枚撮影した。各断面写真について、観察エリアを１．１μｍとし、ベースフィルムの表面に食い込んだ焼結粒子の個数からベースフィルム及び焼結体層間の界面の単位長さ当たりのベースフィルムの表面に食い込んだ焼結粒子の個数を算出した。次に、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のそれぞれについて、１０枚の断面写真における上記個数を平均し、この平均値を単位長さ当たりの食い込み個数とした。この算出結果を表１に示す。【００８６】
＜ベースフィルムと金属粒子の焼結体層の接触面積率＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、銅ナノ粒子の焼結体層を塩化第二銅溶液などの酸性溶液で溶解し、ベースフィルムを露出させ、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）を用いてベースフィルムの表面積Ａおよびベースフィルムの投影表面積Ｂを測定した。接触面積率は、（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００［％］として算出した。原子間力顕微鏡はＶｅｅｃｏ社製のＤｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｉｃｏｎ  ｗｉｔｈ  ＳｃａｎＡｓｙｓｔを用いて、半径１０ｎｍのシリコン製の探針を使用し、Ｔｒａｐｐｉｎｇ  ｍｏｄｅで、横５０μｍ、縦５０μmの２５００μm２の領域を測定して上記接触面積率を算出した。この算出結果を表１に示す。【００８７】
＜剥離強度＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材について、ベースフィルムと焼結体層との間の剥離強度（初期密着力）をＪＩＳ−Ｃ６４７１：１９９５に準拠する１８０°方向引き剥がし試験により測定した。この剥離強度の測定結果を表１に示す。【００８８】
【表１】
2019208077.tif 000003
【００８９】
［評価結果］
表１に示すように、焼結体層の表面をプラズマ処理したＮｏ．１〜Ｎｏ．６は、プラズマ処理を施していないＮｏ．７よりも焼結粒子の食い込み深さ、焼結粒子の食い込み率、食い込み粒子の存在割合、単位長さ当たりの食い込み個数及びベースフィルムと金属粒子の焼結体層の接触面積率が大きくなっている。また、これらの値が大きくなる程、ベースフィルム及び焼結体層間の剥離強度が大きくなる傾向があり、ベースフィルム及び焼結体層の密着力が向上している。これは、焼結粒子の食い込み率等が大きくなるにつれて物理的アンカー効果が高くなることに加え、焼結粒子の食い込み率等を上記範囲程度に抑えることで焼結粒子のベースフィルム表面からの突出面積を十分に確保でき、ベースフィルム表面に食い込んだ焼結粒子と焼結体層を構成する他の焼結粒子との接触面積も十分に確保できるためであると考えられる。
【符号の説明】
【００９０】
１，１１，２１  プリント配線板用基材    ２  ベースフィルム
３，１３  焼結体層    ３ａ  焼結粒子    ３ｂ  金属粒子
４  無電解めっき層    ５  電気めっき層    ６  導電パターン
１３ａ  塗膜    ３１  プリント配線板
【図１】
2019208077.tif 000004
【図２】
2019208077.tif 000005
【図３】
2019208077.tif 000006
【図４】
2019208077.tif 000007
【図５】
2019208077.tif 000008
【図６Ａ】
2019208077.tif 000009
【図６Ｂ】
2019208077.tif 000010
【図６Ｃ】
2019208077.tif 000011
【国際調査報告】
2019208077.tif 000012
2019208077.tif 000013