(57)【要約】  ＲＦエネルギー放射装置は、加熱対象物を載置するためのキャビティと、ＲＦ信号発生部と、ＲＦ増幅部と、放射素子と、温度センサと、制御部とを備える。ＲＦ信号発生部は、ＲＦ信号を発振する。ＲＦ増幅部は、ＲＦ信号を増幅してＲＦエネルギーを出力する。放射素子は、キャビティ内にＲＦエネルギーを放射する。温度センサは、ＲＦ増幅部の近傍に配置される。制御部は、温度センサによる検出温度と複数の閾値レベルとに応じてＲＦエネルギーの出力を調整するように、ＲＦ増幅部を制御する。本態様によれば、装置の信頼性を高めることができる。
2020050356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱対象物を載置するように構成されたキャビティと、
ＲＦ信号を発振するように構成されたＲＦ信号発生部と、
前記ＲＦ信号を増幅してＲＦエネルギーを出力するように構成されたＲＦ増幅部と、
前記キャビティ内に前記ＲＦエネルギーを放射するように構成された放射素子と、
前記ＲＦ増幅部の近傍に配置された温度センサと、
前記温度センサによる検出温度と複数の閾値レベルとに応じて前記ＲＦエネルギーの出力値を調整するように、前記ＲＦ増幅部を制御するように構成された制御部と、
を備えたＲＦエネルギー放射装置。
【請求項２】
前記温度センサによる前記検出温度が前記複数の閾値レベルのうちの一つの閾値レベルを超えると、前記ＲＦ増幅部が、前記一つの閾値レベルを超過した温度に応じて、前記ＲＦエネルギーの前記出力値を調整する、請求項１に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項３】
前記温度センサによる前記検出温度が前記一つの閾値レベルより高い他の閾値レベルを超えると、前記制御部が、前記ＲＦエネルギーの前記出力値を低下させるように、前記ＲＦ増幅部を制御する、請求項２に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項４】
前記他の閾値レベルが、前記温度センサによる前記検出温度の上昇速度に応じて変動する、請求項３に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項５】
前記温度センサによる前記検出温度が前記一つの閾値レベルより高い他の閾値レベルを超えると、前記制御部が前記ＲＦ信号発生部を停止させる、請求項２に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項６】
前記複数の閾値レベルが、第一閾値レベルと、前記第一閾値レベルより高い第二閾値レベルと、前記第二閾値レベルより高い第三閾値レベルとを含み、
前記温度センサによる前記検出温度が前記第一閾値レベルを超えると、前記制御部が、前記第一閾値レベルを超過した温度に応じて、前記ＲＦエネルギーの出力を調整するように、前記ＲＦ増幅部を制御し、
前記温度センサによる前記検出温度が前記第二閾値レベルを超えると、前記制御部が、前記ＲＦエネルギーの出力を低下させるように、前記ＲＦ増幅部を制御し、
前記温度センサによる前記検出温度が前記第三閾値レベルを超えると、前記制御部が前記ＲＦ信号発生部を停止させる、請求項１に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項７】
前記第二閾値レベルが、前記温度センサによる前記検出温度の上昇速度に応じて変動する、請求項６に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項８】
前記ＲＦ増幅部を含む半導体素子が、前記半導体素子の底部がベースプレートに接触するように基板に配置され、前記温度センサが、前記基板の前記半導体素子が配置された面と反対の面に配置された、請求項１に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【請求項９】
前記ＲＦ増幅部を含む半導体素子が、前記半導体素子の底部がベースプレートに接触するように基板に配置され、前記温度センサが、前記基板の前記半導体素子が配置された面と同じ面に配置された、請求項１に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はＲＦエネルギー放射装置の信頼性向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子レンジなどのＲＦ（Radio Frequency）エネルギー放射装置は、反射波電力を検出し、反射波電力の大きさに応じて出力電力を調整し、反射波電力の大きさが所定値以上になると出力を停止させる。これにより、従来のＲＦエネルギー放射装置は装置自身を保護する（例えば、特許文献１参照）。特許文献２には、反射波電力の検出に加えて高周波電流の検出を行うことにより、装置の保護を向上させる技術が開示されている。【０００３】
図７は、特許文献１に記載された従来のＲＦエネルギー放射装置を示す。図７に示すように、従来のＲＦエネルギー放射装置は、マグネトロン１と、制御部６と、検出部５とを備える。【０００４】
制御部６は駆動部７を制御する。駆動部７がマグネトロン１に電力を供給すると、マグネトロン１はマイクロ波を発生させる。導波管２は、マイクロ波を給電部４まで伝送する。給電部４は、マイクロ波をキャビティ（Cavity）３内に放射する。【０００５】
検出部５は、キャビティ３から給電部４を介して導波管２に戻る反射波電力を検出する。制御部６は、検出部５により検出された反射波電力に基づいて駆動部７を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２４５１９１号公報
【特許文献２】特開平２−０８７９２９号公報
【発明の概要】
【０００７】
従来のＲＦエネルギー放射装置では、半導体増幅装置のエネルギー効率により、消費エネルギーの３０％〜５０％が熱として放出される。このエネルギー効率は負荷や環境温度に応じて変化し、放出される熱の量も変化する。この発熱と効率との関係は、半導体増幅装置を使用する上での大きな課題である。反射波電力を受ける終端器は、反射電力を吸収して熱を発生させる。このため、反射電力および高周波電流の検出だけでは、必ずしも効果的に装置を保護することができない。
【０００８】
本開示は、上記従来の問題を解決するもので、信頼性の高いＲＦエネルギー放射装置を提供することを目的とする。
【０００９】
本開示の一態様のＲＦエネルギー放射装置は、加熱対象物を載置するためのキャビティと、ＲＦ信号発生部と、ＲＦ増幅部と、放射素子と、温度センサと、制御部とを備える。ＲＦ信号発生部はＲＦ信号を発振する。ＲＦ増幅部は、ＲＦ信号を増幅してＲＦエネルギーを出力する。放射素子は、キャビティ内にＲＦエネルギーを放射する。温度センサは、ＲＦ増幅部の近傍に配置される。制御部は、温度センサによる検出温度と複数の閾値レベルとに応じてＲＦエネルギーの出力を調整するように、ＲＦ増幅部を制御する。
【００１０】
本態様のＲＦエネルギー放射装置は、発熱部品の温度を監視することで、ＲＦエネルギーを調整して、効率よく加熱対象物にＲＦエネルギーを放射することができる。また、本態様のＲＦエネルギー放射装置は、発熱部品の温度を監視することで、実装不良の発生を検出して装置を瞬時に停止させることができる。その結果、装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本開示の実施の形態に係るＲＦエネルギー放射装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施の形態に係る電力増幅器の構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、実施の形態に係るＲＦエネルギー放射装置における動作シーケンスを示す図である。
【図４】図４は、実施の形態に係る加熱対象物の二つの温度上昇直線を示す特性図である。
【図５】図５は、温度センサの一つの実装構造を示す断面図である。
【図６】図６は、温度センサの他の実装構造を示す断面図である。
【図７】図７は、従来のＲＦエネルギー放射装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示の第１の態様のＲＦエネルギー放射装置は、加熱対象物を載置するためのキャビティと、ＲＦ信号発生部と、ＲＦ増幅部と、放射素子と、温度センサと、制御部とを備える。ＲＦ信号発生部はＲＦ信号を発振する。ＲＦ増幅部は、ＲＦ信号を増幅してＲＦエネルギーを出力する。放射素子は、キャビティ内にＲＦエネルギーを放射する。温度センサは、ＲＦ増幅部の近傍に配置される。制御部は、温度センサによる検出温度と複数の閾値レベルとに応じてＲＦエネルギーの出力を調整するように、ＲＦ増幅部を制御する。
【００１３】
本開示の第２の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第１の態様に加えて、温度センサによる検出温度が複数の閾値レベルのうちの一つの閾値レベルを超えると、制御部は、当該一つの閾値レベルを超過した温度に応じて、ＲＦエネルギーの出力値を調整するように、ＲＦ増幅部を制御する。
【００１４】
本開示の第３の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第２の態様に加えて、温度センサによる検出温度が当該一つの閾値レベルより高い他の閾値レベルを超えると、制御部は、ＲＦエネルギーの出力値を低下させるように、ＲＦ増幅部を制御する。
【００１５】
本開示の第４の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第３の態様に加えて、当該他の閾値レベルが、温度センサによる検出温度の上昇速度に応じて変動する。
【００１６】
本開示の第５の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第２の態様に加えて、温度センサによる検出温度が当該一つの閾値レベルより高い他の閾値レベルを超えると、制御部はＲＦ信号発生部を停止させる。
【００１７】
本開示の第６の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第１の態様に加えて、複数の閾値レベルが、第一閾値レベルと、第一閾値レベルより高い第二閾値レベルと、第二閾値レベルより高い第三閾値レベルとを含む。温度センサによる検出温度が第一閾値レベルを超えると、制御部は、第一閾値レベルを超過した温度に応じて、ＲＦエネルギーの出力を調整するように、ＲＦ増幅部を制御する。温度センサによる検出温度が第二閾値レベルを超えると、制御部は、ＲＦエネルギーの出力を低下させるように、ＲＦ増幅部を制御する。温度センサによる検出温度が第三閾値レベルを超えると、制御部はＲＦ信号発生部を停止させる。
【００１８】
本開示の第７の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第６の態様に加えて、第二閾値レベルが、温度センサによる検出温度の上昇速度に応じて変動する。
【００１９】
本開示の第８の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第１の態様に加えて、ＲＦ増幅部を含む半導体素子は、半導体素子の底部がベースプレートに接触するように基板に配置される。温度センサは、基板の半導体素子が配置された面と反対の面に配置される。
【００２０】
本開示の第９の態様のＲＦエネルギー放射装置では、第１の態様に加えて、ＲＦ増幅部を含む半導体素子は、半導体素子の底部がベースプレートに接触するように基板に配置される。温度センサは、基板の半導体素子が配置された面と同じ面に配置される。
【００２１】
以下、本開示の実施の形態に係るＲＦエネルギー放射装置１００について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、ＲＦエネルギー放射装置１００の構成を示すブロック図である。図２は、電力増幅器１０２ａの構成を示すブロック図である。電力増幅器１０２ａ、１０２ｂは同じ構成を有する。従って、電力増幅器１０２ａのみを詳細に説明し、電力増幅器１０２ｂの詳細な説明は省略する。
【００２３】
図１に示すように、ＲＦエネルギー放射装置１００は、発振器１０１ａ、１０１ｂと、電力増幅器１０２ａと、電力増幅器１０２ｂと、検出器１０３ａと、検出器１０３ｂと、サーキュレータ１０４ａと、サーキュレータ１０４ｂと、終端器１０５ａと、終端器１０５ｂと、放射素子１０７ａと、放射素子１０７ｂと、キャビティ１０８とを備える。
【００２４】
発振器１０１ａ、１０１ｂはＲＦ信号を発振する。電力増幅器１０２ａ、１０２ｂは、発振器１０１ａ、１０１ｂにより発振されたＲＦ信号をそれぞれ増幅することで、ＲＦ電力を出力する。検出器１０３ａ、１０３ｂは、ＲＦエネルギー放射装置１００から放射素子１０７ａ、１０７ｂに向かって伝送するＲＦ電力と、放射素子１０７ａ、１０７ｂからＲＦエネルギー放射装置１００に向かって伝送するＲＦ電力とを検出する。
【００２５】
発振器１０１ａ、１０１ｂはＲＦ信号発生部に相当し、発振器１０１ａ、１０１ｂはＲＦ増幅部に相当し、検出器１０３ａ、１０３ｂはＲＦ電力検出部に相当する。
【００２６】
以下、ＲＦエネルギー放射装置１００から放射素子１０７ａ、１０７ｂに向かって伝送するＲＦ電力を進行波と呼び、放射素子１０７ａ、１０７ｂからＲＦエネルギー放射装置１００に向かって伝送するＲＦ電力を反射波と呼ぶ。
【００２７】
サーキュレータ１０４ａは、発振器１０１ａからの進行波を放射素子１０７ａに伝送させ、放射素子１０７ａからの反射波を終端器１０５ａに伝送させる。同様に、サーキュレータ１０４ｂは、発振器１０１ｂからの進行波を放射素子１０７ｂに伝送させ、放射素子１０７ｂからの反射波を終端器１０５ｂに伝送させる。
【００２８】
終端器１０５ａ、１０５ｂは、それぞれサーキュレータ１０４ａ、１０４ｂからの反射波に対する負荷となるインピーダンスを有する。
【００２９】
サーキュレータ１０４ａ、１０４ｂ、終端器１０５ａ、１０５ｂは、キャビティ１０８内に載置された加熱対象物（例えば、食品）の負荷変動に応じて生じる反射波から発振器１０１ａ、１０１ｂを保護する。放射素子１０７ａ、１０７ｂは、キャビティ１０８内にＲＦエネルギーを放射する。
【００３０】
ＲＦエネルギー放射装置１００はさらに、温度センサ１０６ａと、温度センサ１０６ｂと、温度センサ１０６ｃと、温度センサ１０６ｄと、マイクロプロセッサ１０９と、保護回路１１０とを備える。
【００３１】
温度センサ１０６ａ〜１０６ｄは、それぞれ電力増幅器１０２ａ、１０２ｂ、終端器１０５ａ、１０５ｂの近傍に配置される。マイクロプロセッサ１０９は、温度センサ１０６ａ〜１０６ｄによる検出温度に応じてＲＦエネルギー放射装置１００を制御する制御部である。保護回路１１０は、温度センサ１０６ａ〜１０６ｄによる検出温度が所定値を超えた場合、ＲＦエネルギー放射装置１００を保護するように動作する。
【００３２】
図２に示すように、電力増幅器１０２ａ（１０２ｂ）は、可変減衰器３０１と、小信号増幅器３０２と、大信号増幅器３０３とを備える。
【００３３】
可変減衰器３０１は、発振器１０１ａからのＲＦ信号を受信し、ＲＦ信号に対する減衰量を調整する。小信号増幅器３０２は、可変減衰器３０１により出力された信号をある程度まで増幅する。大信号増幅器３０３は、小信号増幅器３０２により出力された信号を、所望のＲＦエネルギーの出力値まで増幅する。
【００３４】
以上のように構成されたＲＦエネルギー放射装置１００の動作、作用について、図３、図４を用いて説明する。図３は、ＲＦエネルギー放射装置１００における動作シーケンスを示す図である。図４は、本実施の形態における加熱対象物の二つの温度上昇直線を示す特性図である。
【００３５】
マイクロプロセッサ１０９は、任意の周波数のＲＦ信号を発振させるように発振器１０１ａ、１０１ｂを制御する。マイクロプロセッサ１０９は、ＲＦエネルギーの出力が目標値になるように電力増幅器１０２ａ、１０２ｂを制御する。ＲＦエネルギー出力の初期の目標値への調整は、可変減衰器３０１の減衰量を調整することにより行われる。
【００３６】
進行波に関しては、マイクロプロセッサ１０９は、検出器１０３ａ、１０３ｂにより検出された電力値に応じて、動作中でもＲＦエネルギーの量が安定するように、可変減衰器３０１の減衰量を調整する。
【００３７】
反射波に関しては、検出器１０３ａ、１０３ｂにより検出された電力値が第一閾値レベルを超えた場合、第一閾値レベルを超えた温度に相当する発熱部品からの放射熱量を低減させるためにＲＦエネルギーの出力を低下させるよう、マイクロプロセッサ１０９が電力増幅器１０２ａ、１０２ｂを制御する。
【００３８】
検出器１０３ａ、１０３ｂにより検出された電力値が許容レベルを超えた場合、保護回路１１０は、ハードウェアによりＲＦエネルギー放射装置１００を瞬時に停止させて、ＲＦエネルギー放射装置１００を保護する。保護回路１１０は、ＲＦエネルギー放射装置１００を停止させたことを、マイクロプロセッサ１０９に報告する。
【００３９】
終端器１０５ａ、１０５ｂは、反射波を受けて発熱する発熱部品である。終端器１０５ａ、１０５ｂにおける温度上昇は大きい。
【００４０】
加熱時における加熱対象物の物性変化による負荷の変化、および、ＲＦエネルギー放射装置１００内の環境温度の上昇により、大信号増幅器３０３の効率は低下する。これにより、大信号増幅器３０３により発生される熱量が増加し、温度センサ１０６ａ、１０６ｂによる検出温度が上昇する。
【００４１】
マイクロプロセッサ１０９は、図３に示す第一閾値レベル（例えば、８５℃）、第二閾値レベル（例えば、１１５℃）、第三閾値レベル（例えば、１２０℃）を記憶する。なお、小信号増幅器３０２は、出力電力が小さいため、発熱による温度上昇が少ない。従って、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂの温度上昇は、大部分が大信号増幅器３０３に起因する。
【００４２】
マイクロプロセッサ１０９は、温度センサ１０６ａ、１０６ｂによる検出温度が第一閾値レベルを超えると、超過した温度に相当する発熱部品からの放射熱量を低減させるためにＲＦエネルギーの出力値を低下させるように、可変減衰器３０１の減衰量Ｄ（ｄＢ）をソフトウェア制御により細かく制御する。例えば、式（１）のように半導体の熱抵抗を用いれば、減衰量Ｄを計算することができる。これにより、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂの温度上昇を防止することができる。
【００４３】
Ｄ＝１０×ｌｏｇ１０Ｐｄｅｔ−１０×ｌｏｇ１０（Ｐｄｅｔ−Ｐｄｏｗｎ）  （１）
Ｐｄｅｔ（Ｗ）：進行波の電力値
Ｐｄｏｗｎ（Ｗ）：（検出温度（℃）−８５（℃））×１／Ｚ
Ｚ（℃／Ｗ）：ジャンクション−ケース間における半導体の熱抵抗
環境温度が大幅に上昇して第二閾値レベルを超える場合、マイクロプロセッサ１０９は、温度を大幅に低下させるために、ＲＦエネルギーの出力値を大幅に低減させるよう可変減衰器３０１を制御する。
【００４４】
図４は、第二閾値レベルが、温度センサ１０６ａ〜１０６ｄによる検出温度の上昇速度に応じて変動することを示す。図４に示すように、温度の上昇速度が速い場合、ソフトウェア制御の一周期中の温度上昇値が大きい。
【００４５】
従って、温度の上昇速度が速い場合、温度の上昇速度が遅い場合に比べて第二閾値レベルを低く設定する。これにより、ソフトウェア制御の一周期中に温度が高くなり過ぎる前に、ＲＦエネルギーの出力値を低減させることが可能になる。
【００４６】
第二閾値レベルは、温度センサ１０６ａ〜１０６ｄによる検出温度の上昇速度と、ハードウェアでＲＦエネルギーの出力を停止する際の応答時間（タイムラグ）とを考慮して、ハードウェアによる装置の停止を回避することが可能なレベルに自動設定される。
【００４７】
はんだクラックなどの実装不良の発生により、温度が急上昇して第三閾値レベルを超えた場合、保護回路１１０は、ハードウェアによりＲＦエネルギー放射装置１００を瞬時に停止させて、ＲＦエネルギー放射装置１００を保護する。
【００４８】
以上のように、本実施の形態では、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂ、終端器１０５ａ、１０５ｂの近傍に、温度センサ１０６ａ〜１０６ｄがそれぞれ配置される。これらの発熱部品の温度を監視してＲＦエネルギーの出力値を制御することで、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂ、終端器１０５ａ、１０５ｂの温度上昇を抑制することができる。これにより、装置の耐用寿命を延ばすことができる。
【００４９】
図５は、温度センサ１０６ａの一つの実装構造を示す断面図である。
【００５０】
ここでは、温度センサ１０６ａの実装構造について説明する。温度センサ１０６ｂ〜１０６ｄの実装構造に関しては、温度センサ１０６ａと同一であるのでその説明は省略する。
【００５１】
図５に示すように、本実装構造では、大信号増幅器３０３を含む半導体素子２０２は、半導体素子２０２の底部がベースプレート２０３に接触するように、基板２０１に配置される。温度センサ１０６ａは、基板２０１の半導体素子２０２が配置された面と反対の面に配置される。
【００５２】
温度センサ１０６ａは、基板２０１のはんだ面に配置されて、銅材やアルミ材のような熱伝導率の高い材料で構成されたベースプレート２０３に接触する。すなわち、温度センサ１０６ａは、半導体素子２０２の発熱部である底部と温度センサ１０６ａとの間の熱抵抗の小さい場所に配置される。
【００５３】
本実装構造によれば、発熱部品の実際の温度に近い温度を検出することができる。熱抵抗が小さいため検出温度の補正も容易である。その結果、高い精度で応答性よく温度を検出することができる。
【００５４】
図６は、温度センサ１０６ａの他の実装構造を示す断面図である。図６に示すように、本実装構造では、大信号増幅器３０３を含む半導体素子２０２は、半導体素子２０２の底部がベースプレート２０３に接触するように、基板２０１に配置される。温度センサ１０６ａは、基板２０１の半導体素子２０２が配置された面と同じ面に配置される。半導体素子２０２の近傍の基板２０１には、貫通孔２０４が設けられる。
【００５５】
本実装構造によれば、図５の実装構造と同様に、発熱部品の実際の温度に近い温度を検出することができる。これにより、ＲＦエネルギー放射装置１００を精度よく制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本開示にかかるＲＦエネルギー放射装置は、解凍機、加熱調理機、乾燥装置などに適用可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１００  ＲＦエネルギー放射装置
１０１ａ、１０１ｂ  発振器
１０２ａ、１０２ｂ  電力増幅器
１０３ａ、１０３ｂ  検出器
１０４ａ、１０４ｂ  サーキュレータ
１０５ａ、１０５ｂ  終端器
１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄ  温度センサ
１０７ａ、１０７ｂ  放射素子
１０８  キャビティ
１０９  マイクロプロセッサ
１１０  保護回路
２０１  基板
２０２  半導体素子
２０３  ベースプレート
２０４  貫通孔
３０１  可変減衰器
３０２  小信号増幅器
３０３  大信号増幅器
【図１】
2020050356.tif 000003
【図２】
2020050356.tif 000004
【図３】
2020050356.tif 000005
【図４】
2020050356.tif 000006
【図５】
2020050356.tif 000007
【図６】
2020050356.tif 000008
【図７】
2020050356.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月8日(2021.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
発振器１０１ａ、１０１ｂはＲＦ信号発生部に相当し、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂはＲＦ増幅部に相当し、検出器１０３ａ、１０３ｂはＲＦ電力検出部に相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
反射波に関しては、温度センサ１０６ａ、１０６ｂにより検出された温度の少なくともいずれか一つが第一閾値レベルを超えた場合、第一閾値レベルを超えた温度に相当する発熱部品からの放射熱量を低減させるためにＲＦエネルギーの出力を低下させるよう、マイクロプロセッサ１０９が電力増幅器１０２ａ、１０２ｂを制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
マイクロプロセッサ１０９は、温度センサ１０６ａ、１０６ｂによる検出温度の少なくとも一つが第一閾値レベルを超えると、超過した温度に相当する発熱部品からの放射熱量を低減させるためにＲＦエネルギーの出力値を低下させるように、可変減衰器３０１の減衰量Ｄ（ｄＢ）をソフトウェア制御により細かく制御する。例えば、式（１）のように半導体の熱抵抗を用いれば、減衰量Ｄを計算することができる。これにより、電力増幅器１０２ａ、１０２ｂの温度上昇を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図６は、温度センサ１０６ａの他の実装構造を示す断面図である。図６に示すように、本実装構造では、図５の実装構造と同様に、大信号増幅器３０３を含む半導体素子２０２は、半導体素子２０２の底部がベースプレート２０３に接触するように、基板２０１に配置される。温度センサ１０６ａは、図５の実装構造とは異なり、基板２０１の半導体素子２０２が配置された面と同じ面に配置される。半導体素子２０２の近傍の基板２０１には、貫通孔２０４が設けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記温度センサによる前記検出温度が前記複数の閾値レベルのうちの一つの閾値レベルを超えると、前記制御部が、前記一つの閾値レベルを超過した温度に応じて、前記ＲＦエネルギーの前記出力値を調整するように、前記ＲＦ増幅部を制御する、請求項１に記載のＲＦエネルギー放射装置。
【国際調査報告】
2020050356.tif 000010
2020050356.tif 000011
2020050356.tif 000012
2020050356.tif 000013