(57)【要約】  半導体形成基板からなる第１基体１１と、赤外線レーザーを透過する支持基板からなる第２基体１２とを、前記第１基体側に設けられた第１接着層１３と、前記第２基体１２側に設けられた第２接着層１４とを介して接合して積層体１０とする際に、前記第１接着層１３を、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層とし、前記第２接着層１４を、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーを透過する接着層とする、第１工程と、前記積層体の前記第２基体側から前記赤外線レーザーを照射し、前記第１接着層と前記第２接着層との間で剥離する第２工程とを含む方法。
2020100965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体形成基板からなる第１基体と、赤外線レーザーを透過する支持基板からなる第２基体とを、前記第１基体側に設けられた第１接着層と、前記第２基体側に設けられた第２接着層とを介して接合して積層体とする際に、
前記第１接着層を、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層とし、
前記第２接着層を、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーを透過する接着層とする、第１工程と、
前記積層体の前記第２基体側から前記赤外線レーザーを照射し、前記第１接着層と前記第２接着層との間で剥離する第２工程と
を含む積層体の剥離方法。
【請求項２】
前記接着剤（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）（前記Ｒ１乃至Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子を表す。）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、
前記ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）（前記Ｒ１’乃至Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、前記Ｒ１’乃至Ｒ６’の少なくとも１つは、前記アルケニル基である。）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種または２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）（前記Ｒ１”乃至Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、前記Ｒ１”乃至Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。）とを含む、
請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項３】
前記赤外線レーザーが、波長が１〜２０μｍのレーザーである、
請求項１又は２に記載の積層体の剥離方法。
【請求項４】
前記波長が、９．２〜１０．８μｍである、
請求項３に記載の積層体の剥離方法。
【請求項５】
半導体形成基板からなる第１基体と、赤外線レーザーを透過する支持基板からなる第２基体とが、前記第１基体側に設けられた第１接着層と、前記第２基体側に設けられた第２接着層とを介して接合されている積層体であって、
前記第１接着層が、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層であり、
前記第２接着層が、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーを透過する接着層である、
積層体。
【請求項６】
前記接着剤（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）（前記Ｒ１乃至Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子を表す。）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、
前記ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）（前記Ｒ１’乃至Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、前記Ｒ１’乃至Ｒ６’の少なくとも１つは、前記アルケニル基である。）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種または２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）（前記Ｒ１”乃至Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、前記Ｒ１”乃至Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。）とを含む、
請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の積層体の製造方法であって、
前記第１基体の表面に前記接着剤（Ａ）を塗布して第１接着剤塗布層を形成する第１工程と、
前記第２基体の表面に前記接着剤（Ｂ）を塗布して第２接着剤塗布層を形成する第２工程と、
前記第１基体の前記第１接着剤塗布層と、前記第２基体の前記第２接着剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、前記積層体とする第３工程と、
を含む積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハーや部品を実装するための配線基板などの機能部材と支持体とを仮接着した積層体の剥離方法、並びに積層体及び積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーが積層される。【０００３】
薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）は、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。
この仮接着の取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり、変形したりすることがある。そのようなことが起きないように、仮接着された支持体は、容易に取り外されなければならない。しかし、その一方で、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって仮接着された支持体が外れたりずれたりすることは好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐えるが、研磨後に容易に取り外されることである。
例えば研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）を持ち、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）を有する性能が求められる。【０００４】
このような事情より、研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）と、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）が仮接着には必要となる。これに関連する方法として、接着層と分離層を持ち、分離層がジメチルシロキサンのプラズマ重合によって形成され、研磨後に機械的に分離する方法（例えば特許文献１，２）、支持基板と半導体ウエハーとを接着性組成物で接着し、半導体ウエハーの裏面を研磨した後に接着剤をエッチング液で除去する方法（例えば特許文献３）が報告されている。また、これに関連する支持体と半導体ウエハーを接着する接着層等としては、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンとヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサンとを白金触媒で重合した重合層と、熱硬化性ポリシロキサンからなる重合層との組み合わせを含むウエハー加工体（例えば特許文献４〜６）が報告されている。さらに、ヒドロシリル化反応の抑制剤として長鎖α−アセチレンアルコールと硬化性シリコーン組成物（例えば特許文献７）が報告されている。しかしながら、昨今の半導体分野における急速な進展に伴い、常に、新技術や改良技術への強い要望が存在し、仮接着に関する新技術や改良技術も求められている。【０００５】
また、上述したような仮接着は、ウエハーの薄化の際だけでなく、半導体部品などの機能性部品を配線基板などの機能性基材に実装する実装プロセスなどにおいても用いられる。すなわち、当初の工程で機能性基材を支持するために仮接着された支持体を用い、部品を実装してモールドした後に支持体を剥離する場合などである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１２−５１０７１５号公報
【特許文献２】特表２０１２−５１３６８４号公報
【特許文献３】特開２０１３−１７９１３５号公報
【特許文献４】特開２０１３−２３２４５９号公報
【特許文献５】特開２００６−５０８５４０号公報
【特許文献６】特開２００９−５２８６８８号公報
【特許文献７】特開平６−３２９９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、支持体の接合時（硬化時）やウエハー裏面の加工時、さらには部品実装プロセスにおける耐熱性に優れ、支持体の剥離時には容易に剥離できるように仮接着した積層体の剥離方法、並びに積層体及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は第１観点として、半導体形成基板からなる第１基体と、赤外線レーザーを透過する支持基板からなる第２基体とを、前記第１基体側に設けられた第１接着層と、前記第２基体側に設けられた第２接着層とを介して接合して積層体とする際に、前記第１接着層を、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層とし、前記第２接着層を、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーを透過する接着層とする、第１工程と、前記積層体の前記第２基体側から前記赤外線レーザーを照射し、前記第１接着層と前記第２接着層との間で剥離する第２工程とを含む積層体の剥離方法、
第２観点として、前記接着剤（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）（前記Ｒ１乃至Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子を表す。）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、前記ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）（前記Ｒ１’乃至Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、前記Ｒ１’乃至Ｒ６’の少なくとも１つは、前記アルケニル基である。）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種または２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）（前記Ｒ１”乃至Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、前記Ｒ１”乃至Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。）とを含む、第１観点に記載の積層体の剥離方法、
第３観点として、前記赤外線レーザーが、波長が１〜２０μｍのレーザーである、第１観点又は第２観点に記載の積層体の剥離方法、
第４観点として、前記波長が、９．２〜１０．８μｍである、第３観点に記載の積層体の剥離方法、
第５観点として、半導体形成基板からなる第１基体と、赤外線レーザーを透過する支持基板からなる第２基体とが、前記第１基体側に設けられた第１接着層と、前記第２基体側に設けられた第２接着層とを介して接合されている積層体であって、前記第１接着層が、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層であり、前記第２接着層が、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーの透過する接着層である、積層体、
第６観点として、前記接着剤（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）（前記Ｒ１乃至Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子を表す。）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、前記ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）（前記Ｒ１’乃至Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、前記Ｒ１’乃至Ｒ６’の少なくとも１つは、前記アルケニル基である。）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種または２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）（前記Ｒ１”乃至Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、前記Ｒ１”乃至Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。）とを含む、第５観点に記載の積層体、
第７観点として、第５観点又は第６観点に記載の積層体の製造方法であって、前記第１基体の表面に前記接着剤（Ａ）を塗布して第１接着剤塗布層を形成する第１工程と、前記第２基体の表面に前記接着剤（Ｂ）を塗布して第２接着剤塗布層を形成する第２工程と、前記第１基体の前記第１接着剤塗布層と、前記第２基体の前記第２接着剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、前記積層体とする第３工程と、を含む積層体の製造方法。【０００９】
本発明の積層体の剥離方法は、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層である第１接着層と、主鎖及び側鎖の少なくともいずれか一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られる、前記赤外線レーザーを透過する接着層である第２接着層とを介して接合した積層体を製造し、前記積層体の前記第２基体側から前記赤外線レーザーを照射し、前記第１接着層と前記第２接着層との間で剥離するようにしたので、容易に剥離可能であるという効果を奏する。【００１０】
また、かかる剥離方法では、通常、レーザー加工に用いられる赤外線レーザーを照射することにより、容易に剥離でき、特別な装置を設備することなく、一般的にレーザー加工に用いられている設備を使用して剥離することができるという効果を奏する。【００１１】
また、本発明の積層体は、第１基体と第２基体とが、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含有する接着剤（Ａ）を硬化して得られる第１接着層と、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて形成される、赤外線レーザーを透過する第２接着層とを介して積層されているので、第２基体側から赤外線レーザーを照射することにより、第２接着層を透過した赤外線レーザーが第１接着層に吸収され、第２接着層との界面で接着力が低下し、容易に剥離可能となる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の積層体の製造方法を説明する概略図である。
【図２】本発明の剥離方法の一例を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の積層体の剥離方法は、まず、半導体形成基板からなる第１基体と、支持基板からなる第２基体とを含む積層体を製造し、その後、積層体を加工等に供した後、第１基体及び第１接着層から第２基体及び第２接着層を取り外すものである。
【００１４】
ここで、半導体形成基板からなる第１基体は、例えば、ウエハーであり、その具体例としては、直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のガラスウエハーやシリコンウエハーが挙げられるが、これらに限定されない。
支持基板からなる第２基体は、第１基体をサポートするために接合される支持体（キャリア）であり、赤外線レーザーを透過する限り特に限定されるものではないが、その透過率は、通常８０％以上、好ましく９０％以上である。その具体例としては、直径３００ｍｍ、厚さ７００μｍ程度のシリコンウエハーを挙げることができるが、これに限定されない。
【００１５】
ここで、赤外線レーザーとは、後述する剥離工程で使用するレーザーであり、例えば、波長が１〜２０μｍの範囲内のレーザーを挙げることができる。より好ましくは、波長が９．２〜１０．８μｍの範囲の赤外線レーザーである。
【００１６】
本発明の積層体は、第１基体と第２基体とを有し、これらの基体が、第１基体側に設けられた第１接着層と、第２基体側に第１接着層と接するように設けられた第２接着層とを介して接合されている。第１接着層は、接着剤（Ａ）を硬化して得られる接着層である。第２接着層は、接着剤（Ｂ）を用いて得られる接着層であり、上述した赤外線レーザーを透過する接着層である。ここで、赤外線レーザーを透過する接着層は、赤外線レーザーを透過する限り特に限定されるものではないが、その透過率は、通常８０％以上、好ましく９０％以上である。
【００１７】
本発明で用いる接着剤（Ａ）は、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含み、第１基体と接するように設けられる第１接着層を形成するために用いられるものであり、ウエハーといった第１基体と、支持体といった第２基体に接するように設けられた第２接着層とをこれらの間で剥離可能に接着し、例えば積層体を用いた加工を可能とするものである。
また、接着剤（Ｂ）は、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有し、それから得られる接着層が赤外線レーザーを透過する高分子系接着剤であり、第２基体と接するように設けられる第２接着層を形成するために用いられるものである。接着剤（Ｂ）は、支持体といった第２基体と、ウエハーといった第１基体に接するように設けられた第１接着層とをこれらの間で剥離可能に接着し、例えば積層体を用いた加工を可能とするものである。
接着剤（Ｂ）は、上述の条件を満たす限り特に限定されず、その具体例としては、ポリカーボネート系接着剤、ポリスチレン系接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。接着剤（Ｂ）は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００１８】
本発明の積層体は、第１基体及び第２基体が、第１接着層と第２接着層とを介して仮接着されたものであるが、この状態で、例えば、ウエハーの回路面とは反対側の裏面が研磨等によって加工されることにより、ウエハーを薄化することができるものである。
一方、このような加工等の後、支持体といった第２基体側から赤外線レーザーを照射することにより、第２接着層とともに第２基体を容易に分離できる。そして、第１基体側に残った第１接着層は、例えば有機溶媒からなるクリーナーを用いて除去できる。
【００１９】
第１接着層は、相対的に高い接着力を有し、第２接着層は、第１接着層より相対的に低い接着力を有する。
また、第１接着層は赤外線レーザーを吸収するが、第２接着層は赤外線レーザーを透過する。よって、第２基体側から赤外線レーザーを照射すると、レーザー光は第２接着層を透過して第１接着層に当たり、第１接着層に吸収される。第１接着層は、所定の組成の接着剤からなるので、レーザー光を吸収することにより、熱分解等が生じて変質し、特に、第１接着層側でその接着強度が低下する。
これにより、第２接着層と第１接着層の界面で剥離が生じ、第２接着層とともに第２基体を容易に分離することができる。
【００２０】
かかる本発明の積層体は、赤外線レーザーの照射により剥離可能な接着層が形成されたものであり、支持体やウエハーなどに剥離のための過度な荷重をかけることなく、剥離可能であるという利点を有するものである。
ここで、剥離可能とは他の剥離箇所よりも接着強度が低く、すなわち、剥離性に優れ、剥離しやすいことを意味するが、本発明で用いる接着剤（Ａ）から得られる硬化膜は、赤外線照射により、照射前により接着強度が低下するものである。
【００２１】
本発明の積層体における第１接着層は、接着剤（Ａ）を硬化させて形成されるものであるが、接着剤（Ａ）は、ヒドロシリル化反応により硬化する成分を含み、更にその他の成分も含むことができる。
本発明の好ましい一態様においては、接着剤（Ａ）は、ヒドロシリル化反応により硬化する成分として、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、前記ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種または２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むものである。
【００２２】
Ｒ１乃至Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子を表す。
Ｒ１’乃至Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、Ｒ１’乃至Ｒ６’の少なくとも１つは、アルケニル基である。
Ｒ１”乃至Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、Ｒ１”乃至Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。
【００２３】
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、好ましくは炭素原子数４０以下、より好ましくは炭素原子数３０以下、より一層好ましくは２０以下、更に好ましくは１０以下である。
【００２４】
直鎖状又は分岐鎖状アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｎ−ヘキシル、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
中でも、メチル基が好ましい。
【００２５】
環状アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、１−メチル−シクロプロピル基、２−メチル−シクロプロピル基、シクロペンチル基、１−メチル−シクロブチル基、２−メチル−シクロブチル基、３−メチル−シクロブチル基、１，２−ジメチル−シクロプロピル基、２，３−ジメチル−シクロプロピル基、１−エチル−シクロプロピル基、２−エチル−シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１−メチル−シクロペンチル基、２−メチル−シクロペンチル基、３−メチル−シクロペンチル基、１−エチル−シクロブチル基、２−エチル−シクロブチル基、３−エチル−シクロブチル基、１，２−ジメチル−シクロブチル基、１，３−ジメチル−シクロブチル基、２，２−ジメチル−シクロブチル基、２，３−ジメチル−シクロブチル基、２，４−ジメチル−シクロブチル基、３，３−ジメチル−シクロブチル基、１−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、１−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、１，２，２−トリメチル−シクロプロピル基、１，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、２，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、１−エチル−２−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−１−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−２−メチル−シクロプロピル、２−エチル−３−メチル−シクロプロピル基等のシクロアルキル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等のビシクロアルキル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２６】
アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、好ましくは炭素原子数４０以下、より好ましくは炭素原子数３０以下、より一層好ましくは炭素原子数２０以下である。
アルケニル基の具体例としては、エテニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチル−１−エテニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ｎ−プロピルエテニル基、１−メチル−１−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、２−エチル−２−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−３−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−３−ブテニル基、１，１−ジメチル−２−プロペニル基、１−ｉ−プロピルエテニル基、１，２−ジメチル−１−プロペニル基、１，２−ジメチル−２−プロペニル基、１−シクロペンテニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−メチル−１−ペンテニル基、１−メチル−２−ペンテニル基、１−メチル−３−ペンテニル基、１−メチル−４−ペンテニル基、１−ｎ−ブチルエテニル基、２−メチル−１−ペンテニル基、２−メチル−２−ペンテニル基、２−メチル−３−ペンテニル基、２−メチル−４−ペンテニル基、２−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、３−メチル−１−ペンテニル基、３−メチル−２−ペンテニル基、３−メチル−３−ペンテニル基、３−メチル−４−ペンテニル基、３−エチル−３−ブテニル基、４−メチル−１−ペンテニル基、４−メチル−２−ペンテニル基、４−メチル−３−ペンテニル基、４−メチル−４−ペンテニル基、１，１−ジメチル−２−ブテニル基、１，１−ジメチル−３−ブテニル基、１，２−ジメチル−１−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−ブテニル基、１，２−ジメチル−３−ブテニル基、１−メチル−２−エチル−２−プロペニル基、１−ｓ−ブチルエテニル基、１，３−ジメチル−１−ブテニル基、１，３−ジメチル−２−ブテニル基、１，３−ジメチル−３−ブテニル基、１−ｉ−ブチルエテニル基、２，２−ジメチル−３−ブテニル基、２，３−ジメチル−１−ブテニル基、２，３−ジメチル−２−ブテニル基、２，３−ジメチル−３−ブテニル基、２−ｉ−プロピル−２−プロペニル基、３，３−ジメチル−１−ブテニル基、１−エチル−１−ブテニル基、１−エチル−２−ブテニル基、１−エチル−３−ブテニル基、１−ｎ−プロピル−１−プロペニル基、１−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、２−エチル−１−ブテニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−エチル−３−ブテニル基、１，１，２−トリメチル−２−プロペニル基、１−ｔ−ブチルエテニル基、１−メチル−１−エチル−２−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−１−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−２−プロペニル基、１−ｉ−プロピル−１−プロペニル基、１−ｉ−プロピル−２−プロペニル基、１−メチル−２−シクロペンテニル基、１−メチル−３−シクロペンテニル基、２−メチル−１−シクロペンテニル基、２−メチル−２−シクロペンテニル基、２−メチル−３−シクロペンテニル基、２−メチル−４−シクロペンテニル基、２−メチル−５−シクロペンテニル基、２−メチレン−シクロペンチル基、３−メチル−１−シクロペンテニル基、３−メチル−２−シクロペンテニル基、３−メチル−３−シクロペンテニル基、３−メチル−４−シクロペンテニル基、３−メチル−５−シクロペンテニル基、３−メチレン−シクロペンチル基、１−シクロヘキセニル基、２−シクロヘキセニル基、３−シクロヘキセニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
中でも、エテニル基、２−プロペニル基が好ましい。
【００２７】
上述の通り、ポリシロキサン（Ａ１）は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）を含むが、ポリオルガノシロキサン（ａ１）に含まれるアルケニル基と、ポリオルガノシロキサン（ａ２）に含まれる水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）とが白金族金属系触媒（Ａ２）によるヒドロシリル化反応によって架橋構造を形成し硬化する。
【００２８】
ポリオルガノシロキサン（ａ１）は、Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ１）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｑ’単位とＭ’単位）、（Ｄ’単位とＭ’単位）、（Ｔ’単位とＭ’単位）、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）、が挙げられるが、これらに限定されない。
また、ポリオルガノシロキサン（ａ１）に包含されるポリオルガノシロキサンを２種以上含まれる場合、（Ｑ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｔ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）と（Ｔ’単位とＭ’単位）との組み合わせが好ましいが、これらに限定されない。
【００２９】
ポリオルガノシロキサン（ａ２）は、Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、前記Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ２）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｍ”単位とＤ”単位）、（Ｑ”単位とＭ”単位）、（Ｑ”単位とＴ”単位とＭ”単位）が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３０】
ポリオルガノシロキサン（ａ１）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又はアルケニル基が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１’乃至Ｒ６’で表される全置換基中におけるアルケニル基の割合は、好ましくは０．１モル％〜５０．０モル％、より好ましくは０．５モル％〜３０．０モル％であり、残りのＲ１’乃至Ｒ６’はアルキル基とすることができる。
【００３１】
ポリオルガノシロキサン（ａ２）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又は水素原子が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１”乃至Ｒ６”で表される全ての置換基及び置換原子中における水素原子の割合は、好ましくは０．１モル％〜５０．０モル％、より好ましくは１０．０モル％〜４０．０モル％であり、残りのＲ１”乃至Ｒ６”はアルキル基とすることができる。
【００３２】
ポリシロキサン（Ａ１）は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むものであるが、本発明の好ましい一態様においては、ポリオルガノシロキサン（ａ１）に含まれるアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）に含まれるＳｉ−Ｈ結合を構成する水素原子とのモル比は、１．０：０．５〜１．０：０．６６の範囲である。
【００３３】
ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の重量平均分子量は、それぞれ、通常５００〜１，０００，０００であるが、好ましくは５，０００〜５０，０００である。
【００３４】
本発明における重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標），ＫＦ−８０３Ｌ、ＫＦ−８０２及びＫＦ−８０１）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．０ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定することができる。
【００３５】
なお、本発明で用いる接着剤（Ａ）に含まれるポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）は、後述の通りに、ヒドロシリル化反応によって、互いに反応して硬化膜となる。従って、その硬化のメカニズムは、例えばシラノール基を介したそれとは異なり、それ故、いずれのシロキサンも、シラノール基や、アルキルオキシ基のような加水分解によってシラノール基を形成する官能基を含む必要は無い。
【００３６】
本発明の好ましい一態様においては、接着剤（Ａ）は、上述のポリシロキサン（Ａ１）ともに、白金族金属系触媒（Ａ２）を含む。
このような白金系の金属触媒は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）のアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）のＳｉ−Ｈ基とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
白金系の金属触媒の具体例としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が挙げられるが、これらに限定されない。
白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられるが、これに限定されない。
白金族金属系触媒（Ａ２）の量は、通常、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して、１．０〜５０．０ｐｐｍの範囲である。
【００３７】
接着剤（Ａ）は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制する目的で、重合抑制剤（Ａ３）を含んでもよい。
重合抑制剤は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制できる限り特に限定されるものではなく、その具体例としては、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等のアルキニルアルキルアルコール等が挙げられるが、これに限定されない。
重合抑制剤の量は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）に対して、通常、その効果を得る観点から１０００．０ｐｐｍ以上であり、ヒドロシリル化反応の過度な抑制を防止する観点から１００００．０ｐｐｍ以下である。
【００３８】
本発明で用いる接着剤（Ａ）は、上述のポリシロキサンの他に、密着性の調整等を目的に、その他のポリシロキサン（ａ３）を更に含んでもよい。
このようなその他のポリシロキサン（ａ３）としては、エポキシ変性ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。その他のポリシロキサン（ａ３）は、２種以上含まれていてもよい。
【００３９】
エポキシ変性ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものが挙げられる。
【００４０】
Ｒ１１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、Ｒ１２は、ケイ素原子に結合する基であり、エポキシ基又はエポキシ基を含む有機基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
エポキシ基を含む有機基におけるエポキシ基は、その他の環と縮合せずに、独立したエポキシ基であってもよく、１，２−エポキシシクロヘキシル基のように、その他の環と縮合環を形成しているエポキシ基であってもよい。
エポキシ基を含む有機基の具体例としては、３−グリシドキシプロピル、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明において、エポキシ変性ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、エポキシ変性ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
【００４１】
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるエポキシ変性ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものであるが、Ｄ１０単位以外に、前記Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでいてもよい。
本発明の好ましい一態様においては、その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるエポキシ変性ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ１０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン等が挙げられる。
【００４２】
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるエポキシ変性ポリオルガノシロキサンは、エポキシ価が０．１〜５であるエポキシ変性ポリジメチルシロキサンが好ましく、その重量平均分子量は、通常１，５００〜５００，０００であるが、接着剤中での析出抑制の観点から、好ましくは１００，０００以下である。
【００４３】
エポキシ変性ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ａ−１）で表される商品名ＣＭＳ−２２７（ゲレスト社製、重量平均分子量２７，０００）、式（Ａ−２）で表される商品名ＥＣＭＳ−３２７（ゲレスト社製、重量平均分子量２８，８００）、式（Ａ−３）で表される商品名ＫＦ−１０１（信越化学工業（株）製、重量平均分子量３１，８００）、式（Ａ−４）で表される商品名ＫＦ−１００１（信越化学工業（株）製、重量平均分子量５５，６００）、式（Ａ−５）で表される商品名ＫＦ−１００５（信越化学工業（株）製、重量平均分子量１１，５００）、式（Ａ−６）で表される商品名Ｘ−２２−３４３（信越化学工業（株）製、重量平均分子量２，４００）、式（Ａ−７）で表される商品名ＢＹ１６−８３９（ダウコーニング社製、重量平均分子量５１，７００）、式（Ａ−８）で表される商品名ＥＣＭＳ−３２７（ゲレスト社製、重量平均分子量２８，８００）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４４】
【化１】
2020100965.tif 000003
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。）
【００４５】
【化２】
2020100965.tif 000004
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。）
【００４６】
【化３】
2020100965.tif 000005
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
【００４７】
【化４】
2020100965.tif 000006
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
【００４８】
【化５】
2020100965.tif 000007
（ｍ、ｎ及びｏはそれぞれ繰り返し単位の数である。Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
【００４９】
【化６】
2020100965.tif 000008
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
【００５０】
【化７】
2020100965.tif 000009
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
【００５１】
【化８】
2020100965.tif 000010
（ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位の数である。）
【００５２】
メチル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ２１０Ｒ２２０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２００単位）、好ましくはＲ２１Ｒ２１ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２０単位）を含むものが挙げられる。
【００５３】
Ｒ２１０およびＲ２２０は、ケイ素原子に結合する基であり、互いに独立して、アルキル基を表すが、少なくとも一方はメチル基であり、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
Ｒ２１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。中でも、Ｒ２１としては、メチル基が好ましい。
本発明において、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
【００５４】
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるメチル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ２００単位又はＤ２０単位）を含むものであるが、Ｄ２００単位及びＤ２０単位以外に、前記Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでいてもよい。
【００５５】
本発明のある一態様においては、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２００単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。 
【００５６】
本発明の好ましい一態様においては、ポリシロキサン（ａ３）として用いられるメチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。 
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられメチル基含有ポリオルガノシロキサンの粘度は、通常１，０００〜２，０００，０００ｍｍ２／ｓであるが、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００ｍｍ２／ｓである。なお、その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられメチル基含有ポリオルガノシロキサンは、典型的には、ポリジメチルシロキサンからなるジメチルシリコーンオイルである。この粘度の値は、動粘度で示され、センチストークス （ｃＳｔ）＝ｍｍ２／ｓである。動粘度は、動粘度計で測定することができる。また、粘度（ｍＰａ・ｓ）を密度（ｇ／ｃｍ３）で割って求めることもできる。すなわち、２５℃で測定したＥ型回転粘度計による粘度と密度から求めることができる。動粘度（ｍｍ２／ｓ）＝粘度（ｍＰａ・ｓ）／密度（ｇ／ｃｍ３）という式から算出することができる。
【００５７】
メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、ワッカー社製  ＷＡＣＫＥＲ（登録商標）  ＳＩＬＩＣＯＮＥ  ＦＬＵＩＤ  ＡＫ  シリーズや、信越化学工業（株）製ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ−９６Ｌ、ＫＦ−９６Ａ、ＫＦ−９６、ＫＦ−９６Ｈ、ＫＦ−６９、ＫＦ−９６５、ＫＦ−９６８）、環状ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ−９９５）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５８】
フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ３１Ｒ３２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものが挙げられる。
【００５９】
Ｒ３１は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基又はアルキル基を表し、Ｒ３２は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができるが、メチル基が好ましい。
【００６０】
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるフェニル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものであるが、Ｄ３０単位以外に、前記Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでいてもよい。
【００６１】
本発明の好ましい一態様においては、その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるフェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ３０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
【００６２】
その他のポリシロキサン（ａ３）として用いられるフェニル基含有ポリオルガノシロキサンの重量平均分子量は、通常１，５００〜５００，０００であるが、接着剤中での析出抑制の観点等から、好ましくは１００，０００以下である。
【００６３】
フェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｃ−１）で表される商品名ＰＭＭ−１０４３（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、重量平均分子量６７，０００、粘度３０，０００ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−２）で表される商品名ＰＭＭ−１０２５（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、重量平均分子量２５，２００、粘度５００ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−３）で表される商品名ＫＦ５０−３０００ＣＳ（信越化学工業（株）製、重量平均分子量３９，４００、粘度３０００ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−４）で表される商品名ＴＳＦ４３１（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製、重量平均分子量１，８００、粘度１００ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−５）で表される商品名ＴＳＦ４３３（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製、重量平均分子量３，０００、粘度４５０ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−６）で表される商品名ＰＤＭ−０４２１（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、重量平均分子量６，２００、粘度１００ｍｍ２／ｓ）、式（Ｃ−７）で表される商品名ＰＤＭ−０８２１（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、重量平均分子量８，６００、粘度１２５ｍｍ２／ｓ）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００６４】
【化９】
2020100965.tif 000011
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００６５】
【化１０】
2020100965.tif 000012
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００６６】
【化１１】
2020100965.tif 000013
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００６７】
【化１２】
2020100965.tif 000014
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００６８】
【化１３】
2020100965.tif 000015
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００６９】
【化１４】
2020100965.tif 000016
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００７０】
【化１５】
2020100965.tif 000017
（ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。）
【００７１】
その他のポリシロキサン（ａ３）の使用量は、本発明の前記効果を損なわない限り特に限定される訳ではないが、接着性を維持する観点から、接着剤（Ａ）中、通常７０質量％以下であり、好ましくは２５質量％以下である。
【００７２】
本発明で用いる接着剤（Ａ）は、粘度の調整等を目的に、溶媒を含んでいてもよく、その具体例としては、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン等が挙げられるが、これらに限定されない。
より具体的には、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、イソドデカン、メンタン、リモネン、トルエン、キシレン、メチシレン、クメン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、酢酸ブチル、ジイソブチルケトン、２−オクタノン、２−ノナノン、５−ノナノン等が挙げられるが、これらに限定されない。このような溶媒は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
本発明で用いる接着剤（Ａ）が溶媒を含む場合、その含有量は、所望の接着剤の粘度、採用する塗布方法、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、接着剤（Ａ）全体に対して、１０〜９０質量％程度の範囲である。
【００７３】
本発明で用いる接着剤（Ａ）は、膜構成成分と溶媒を混合することで製造できる。ただし、溶媒が含まれない場合、膜構成成分を混合することで、本発明で用いる接着剤（Ａ）を製造することができる。
その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく、接着剤（Ａ）を製造できる方法の一例としては、例えば、膜構成成分の全てを溶媒に溶解させる方法や、膜構成成分の一部を溶媒に溶解させ、膜構成成分の残りを溶媒に溶解させ、得られた溶液を混合する方法が挙げられる。この場合において、必要であれば、一部の溶媒や、溶解性に優れる膜構成成分を最後に加えることもできる。
接着剤（Ａ）を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
【００７４】
本発明においては、接着剤（Ａ）は、接着剤中の異物を除去する目的で、接着剤を製造する途中段階でまたは全ての成分を混合した後に、サブマイクロメートルオーダーのフィルター等を用いてろ過してもよい。
【００７５】
積層体の第２接着層は、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤である接着剤（Ｂ）を用いて得られるものである。
このような主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤の具体例としては、ポリカーボネート系接着剤、ポリスチレン系接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。
主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
主鎖及び側鎖の少なくとも一方に芳香環を有する高分子系接着剤は、接着成分である高分子化合物のみで構成された無溶媒系材料でもよく、溶媒を含んだものでもよい。このような溶媒としては、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン等が挙げられ、その具体例としては、前記と同じものが挙げられるが、これらに限定されない。このような溶媒は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００７６】
本発明で用いる接着剤（Ｂ）は、膜構成成分と溶媒を混合することで製造できる。ただし、溶媒が含まれない場合、膜構成成分を混合することで、本発明で用いる接着剤（Ｂ）を製造することができる。
その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく、接着剤（Ｂ）を製造できる方法の一例としては、例えば、膜構成成分の全てを溶媒に溶解させる方法や、膜構成成分の一部を溶媒に溶解させ、膜構成成分の残りを溶媒に溶解させ、得られた溶液を混合する方法が挙げられる。この場合において、必要であれば、一部の溶媒や、溶解性に優れる膜構成成分を最後に加えることもできる。
接着剤（Ｂ）を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
【００７７】
本発明の積層体を製造する方法は、第１基体の表面に接着剤（Ａ）を塗布して第１接着剤塗布層を形成する第１工程と、第２基体の表面に接着剤（Ｂ）を塗布して第２接着剤塗布層を形成する第２工程と、第１基体の第１接着剤塗布層と、第２基体の第２接着剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、積層体とする第３工程と、を含む。
【００７８】
ここで、例えば、第１基体がウエハーであり、第２基体が支持体である本発明の実施例においては、接着剤（Ａ）及び接着剤（Ｂ）は、それぞれ第１基体及び第２基体に塗布及び加熱したが、いずれか一方の基体に両方の接着剤を規定の順序となるようにそれぞれ塗布し、それらを加熱してもよい。
本発明においては、再現性よく剥離性に優れる積層体を得る観点から、第１基体の表面に接着剤（Ａ）を塗布して第１接着剤塗布層を形成し、第２基体の表面に接着剤（Ｂ）を塗布して第２接着剤塗布層を形成する態様が好ましい。
【００７９】
より具体的には、接着剤（Ａ）又は接着剤（Ｂ）を、第１基体であるウエハーの回路面又は第２基体である支持体の表面に塗布して加熱して、それぞれ接着剤塗布層を形成し、ウエハーの回路面と支持体の表面とを２つの接着剤塗布層が接するように合わせ、加熱処理若しくは減圧処理又はこれら両方を実施しながら、前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重をかけて２つの層を密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、積層体を形成することができる。
【００８０】
塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。なお、別途スピンコート法などで塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を貼付する方法を採用してもよく、これも塗布又は塗布膜という。
【００８１】
塗布した接着剤（Ａ）の加熱温度は、ともに用いる接着層（Ｂ）の種類や厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常８０℃以上であり、過度の硬化を防ぐ観点から、好ましくは１５０℃以下であり、その加熱時間は、仮接着能を確実に発現させる観点から、通常３０秒以上であり、好ましくは１分以上であるが、接着層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常５分以下、好ましくは２分以下である。
【００８２】
塗布した接着剤（Ｂ）の加熱温度は、用いる接着層（Ｂ）自体の種類や厚さ、用いる接着層（Ｂ）が硬化性接着剤か否か等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常１２０℃以上であり、過度の硬化を防ぐ観点から、好ましくは２６０℃以下であり、その加熱時間は、仮接着能を確実に発現させる観点から、通常１分以上、好ましくは２分以上であるが、接着層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常１０分以下、好ましくは５分以下である。
加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
【００８３】
前記接着剤（Ａ）を塗布した接着塗布層の膜厚は、通常５〜５００μｍであるが、膜強度を保つ観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、より一層好ましくは３０μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、より一層好ましくは１２０μｍ以下、更に好ましくは７０μｍ以下である。
【００８４】
前記接着剤（Ｂ）を塗布した接着塗布層の膜厚は、通常０．０１μｍ〜１５μｍであるが、剥離性に優れる接着層を再現性よく得る観点から、好ましくは０．１μｍ以上であり、積層体を製造する過程における剥離を防ぎ、再現性よく積層体を製造する観点から、好ましくは５μｍ以下である。
【００８５】
本発明においては、このような接着剤塗布層を互いに接するように合わせ、加熱処理若しくは減圧処理又はこれら両方を実施しながら、前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重をかけて２つの層を密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、本発明の積層体を得ることができる。なお、加熱処理、減圧処理、両者の併用のいずれの処理条件を採用するかは、接着剤（Ａ）の具体的組成、接着剤（Ｂ）の種類や両者の組み合わせ、膜厚、求める接着強度等の各種事情を勘案した上で決定される。
【００８６】
加熱処理は、接着剤塗布層を軟化させて好適に貼り合せを実現する観点、接着塗布層を形成する際の加熱では十分に硬化しない種類の接着剤を好適に硬化させる観点等を考慮して、通常２０〜１５０℃の範囲から適宜決定される。特に、接着剤（Ａ）の過度の硬化や不要な変質を抑制・回避する観点から、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは９０℃以下であり、その加熱時間は、仮接着能を確実に発現させる観点から、通常３０秒以上、好ましくは１分以上であるが、接着層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常１０分以下、好ましくは５分以下である。
【００８７】
減圧処理は、互いに接する２つの接着剤塗布層を１０Ｐａ〜１０，０００Ｐａの気圧下にさらせばよい。減圧処理の時間は、通常１〜３０分である。
【００８８】
本発明の好ましい態様においては、互いに接する２つの接着剤塗布層は、好ましくは減圧処理によって、より好ましくは加熱処理と減圧処理の併用によって、貼り合せられる。
【００８９】
前記第１基体及び前記第２基体の厚さ方向の荷重は、前記第１基体及び前記第２基体とそれらの間の２つの層に悪影響を及ぼさず、且つこれらをしっかりと密着させることができる荷重である限り特に限定されないが、通常１０〜１０００Ｎの範囲内である。
【００９０】
後加熱温度は、十分な硬化速度を得る観点から、好ましくは１２０℃以上であり、基板や接着剤の変質を防ぐ観点から、好ましくは２６０℃以下である。加熱時間は、硬化によるウエハーの好適な接合を実現する観点から、通常１分以上であり、さらに接着剤の物性安定化の観点等から、好ましくは５分以上であり、過度の加熱による接着層への悪影響等を回避する観点から、通常１８０分以下、好ましくは１２０分以下である。加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
なお、後加熱処理の一つの目的は、接着剤（Ａ）をより好適に硬化させることである。
【００９１】
図１には、本発明の積層体の製造方法を説明する概略図を示す。図１に示すように、第１基体１１と第２基体１２を用意し、例えば、第１基体１１の表面に第１接着剤塗布層１３を形成する第１工程と、第２基体１２の表面に接着剤（Ｂ）を塗布して第２接着剤塗布層１４を形成する第２工程を実施する（図１（ａ））。次に、前記第１基体１１と前記第２基体１２とを前記第１接着剤塗布層１３及び第２接着剤塗布層１４を介して密着させ、例えば加熱処理及び減圧処理をしながら、第１基体と第２基体の間に荷重Ｌ１をかけて、両層を密着させ、その後に後加熱処理を行うことによって、最終的に、接着層１３Ａと接着層１４Ａを備える積層体１０とする第３工程を実施する（図１（ｂ））。
【００９２】
本発明の積層体の剥離方法は、前記第２基体側から前記赤外線レーザーを照射し、前記第２接着層を剥離し、前記第２基体とともに前記第２接着層を取り外すものである。通常、剥離は、本発明の積層体を製造し、それに所定の加工等が行われた後に、実施される。
【００９３】
ここで、加工とは、例えば、ウエハーの回路面の反対側の加工であり、ウエハー裏面の研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。その後、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持体に接着された状態で２５０〜３５０℃の熱が負荷されるが、本発明の積層体は、接着層を含め、その負荷に対する耐熱性を有している。
また、加工は上述した加工に限定されず、例えば、半導体部品を実装するための基材をサポートするために支持体と仮接着した場合の半導体部品の実装プロセスの実施なども加工に含まれる。
【００９４】
例えば直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のウエハーは、表面の回路面とは反対の裏面を研磨して、厚さ８０μｍ〜４μｍ程度まで薄化することができる。
【００９５】
図２は、本発明の積層体の剥離方法及びその剥離の後に接着層を除去し、プロセスが施された第１基体を得る方法の一例を説明する概略図である。
図２（ａ）に示すのは加工などのプロセス後の積層体１０Ａであり、積層体１０Ａの第２基体１２側から赤外線レーザー２０を照射する。赤外線レーザー２０は、第２基体１２及び第２接着層１４Ａを透過し、第１接着層１３Ａが赤外線レーザー２０の照射を受けると、第１接着層１３Ａが熱分解等により変質し、接着力が著しく低下し、剥離可能な状態となる。
次に、図２（ｂ）に示すように、第２基体１２を第１基体１１から剥離すると、第２接着層１４Ａが第２基体１２に接着した状態で剥離される。この際、第１接着層１３Ａは変質して接着力が著しく低下した状態であるので、第２基体１２は、例えば、わずかな外力（Ｌ２）を加えて引き上げることによって、第２接着層１４Ａとともに第１基体１１および第１接着層１３Ａから容易に剥離される。
最後に、第１基体１１に残った第１接着層１３Ａを、例えば有機溶媒からなるクリーナーで除去することで、薄化などのプロセスが施された第１基体１１を得ることができる（図２（ｃ））。
【００９６】
以上のように、本発明に係る積層体は、第１基体側のヒドロシリル化反応により硬化する成分を含む接着剤（Ａ）で形成した第１接着層と、第２基体側の芳香環を有する高分子系接着剤で形成した第２接着層とが好適に剥離可能に仮接着されているので、第２基体側から赤外線レーザーを照射した際、第１接着層が赤外線レーザーの照射を受けると、熱分解等によって変質してその接着力が低下し、第１接着層と第２接着層との界面を介して、第１基体及び第１接着層から第２基体及び第２接着層を容易に取り外すことができる。この際、第１接着層の第２接着層との界面で接着力が低下し、また、第２接着層は、元々相対的に第１接着層より接着力が低いので、両者の界面において比較的容易に剥離することが可能となる。
【００９７】
なお、赤外線レーザーの照射は、必ずしも第１接着層の全領域に対してなされる必要はない。赤外線レーザーが照射された領域と照射されていない領域とが混在していても、第１接着層全体としての接着強度が十分に低下していれば、わずかな外力を加えて第２基体を例えば引き上げることによって、第２接着層及び第２基体を第２接着層と第１接着層との界面において、積層体１０から取り外すことができる。赤外線レーザー２０を照射する領域と照射しない領域との比率および位置関係は、第１接着層を形成する接着剤（Ａ）の具体的な組成、第２接着層を形成する接着剤（Ｂ）の種類や具体的な組成、第１接着層１３Ａの厚さ、照射する赤外線レーザーの強度等によって異なるが、当業者であれば、過度の試験を要することなく、適宜条件を設定できる。たとえば、赤外線の描写線幅と同一幅でもって、赤外線レーザーを照射しない領域を、赤外線レーザーを照射する領域の隣に設けるようにしてもよい。
【００９８】
このように、接着層の一部にのみ赤外線レーザーを照射する場合であっても第２接着層１４Ａとともに第２基体１２を分離することができるため、積層体１つ当たりのレーザーの照射時間を短くでき、その結果、剥離に要する総時間を短縮することができる。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）攪拌機：（株）シンキー製  あわとり練太郎
（２）貼り合せ装置：ズースマイクロテック社製  ＸＢＳ３００又はアユミ工業（株）製  ＶＪ−３００
（３）ダイシングマシン：（株）東京精密製  ダイシングマシンＳＳ３０
（４）レーザー加工装置（剥離装置）：トロテック社製  Ｓｐｅｅｄｙ３００［レーザー波長１０．６μｍ、パワー７５Ｗ〕（条件：速度１００ｍｍ／ｓ、１０００ＰＰＩ/Ｈｚ）【０１００】
［１］接着剤（Ａ）の調製
［調製例１］
ポリシロキサン（ａ１）として、Ｍｗ６，９００のビニル基含有のＭＱ樹脂からなるベースポリマー（ワッカーケミ社製）１０．００ｇ、ポリシロキサン（ａ１）として、粘度１０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）７．０１ｇ、ポリシロキサン（ａ２）として、粘度７０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）１．５０ｇおよびポリシロキサン（ａ２）として、粘度４０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）１．０８ｇと、重合抑制剤（Ａ３）として、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（ワッカーケミ社製）０．０４９ｇとを攪拌機で撹拌し、混合物を得た。
この得られた混合物に、白金族金属系触媒（Ａ２）として、白金触媒（ワッカーケミ社製）１．０ｇと、ポリシロキサン（ａ１）として、粘度１０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．０ｇとを攪拌機で５分間撹拌して別途得られた混合物０．１１８ｇを加え、さらに５分間撹拌し、調製例１の接着剤（Ａ）を得た。【０１０１】
［比較調製例１］
ポリスチレンＭｗ２８，０００（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３０．０ｇをメシチレン７０．０ｇに溶解し、０．２μｍのシリンジでろ過し、比較調製例１の比較接着剤（Ａ）を得た。【０１０２】
［２］接着剤（Ｂ）の調製
［調製例２−１］
ポリカーボネートＦＰＣ−２１３６（三菱ガス化学(株)製）７．５ｇをシクロヘキサノン８０．７４ｇに溶解し、得られた混合物を０．２μｍのシリンジでろ過し、調製例２−１の接着剤（Ｂ）を得た。【０１０３】
［調製例２−２］
ポリスチレンＭｗ２８，０００（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）１２．５ｇをメシチレン８７．５ｇに溶解し、０．２μｍのシリンジでろ過し、調製例２−２の接着剤（Ｂ）を得た。【０１０４】
［３］積層体の製造及び剥離試験
［実施例１］
調製例１で得られた接着剤（Ａ）を、３００ｍｍのガラスウエハーに、最終膜厚が４０μｍ程度となるようにスピンコートを行い、１５０℃１分間で加熱し、第１基体であるガラスウエハー上に第１接着剤塗布層を形成した。
一方、調製例２−１で得られた接着剤（Ｂ）を、３００ｍｍのシリコンウエハーに、加熱処理後の膜厚が１μｍ程度となるようにスピンコートを行い、１５０℃１分間で加熱し、第２基体であるシリコンウエハー上に第２接着剤塗布層を形成した。
そして、貼り合せ装置を用いて、ガラスウエハーとシリコンウエハーとを第１接着剤塗布層と第２接着剤塗布層とを挟み込むように貼り合わせ、２００℃１０分間の後加熱処理をすることにより積層体を作製した。なお、貼り合せは、温度２３℃、減圧度１，０００Ｐａで、３０Ｎの荷重をかけて行った。
得られた積層体は、ダイシング装置を用いて１ｃｍ角にダイシングし、ダイシングした積層体を評価用サンプルとした。【０１０５】
［実施例２］
調製例２−１で得られた接着剤（Ｂ）の代わりに、調製例２−２で得られた接着剤（Ｂ）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、積層体および評価用サンプルを得た。【０１０６】
［比較例１］
調製例１で得られた接着剤（Ａ）の代わりに、比較調製例１で得られた比較接着剤（Ａ）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、積層体および評価用サンプルを得た。【０１０７】
レーザー加工器を用いてレーザーを積層体に照射し、剥離を試みた。レーザーは、シリコンウエハー側から全面に走査しながら照射した。その際のレーザーのパワー（出力）とともに、剥離の可否を表１に示す。【０１０８】
【表１】
2020100965.tif 000018
【０１０９】
本発明の積層体を用いた場合、レーザー照射の後に剥離可能であったが、比較例の積層体を用いた場合、そのような剥離は困難であった。なお、剥離後に第１基体上の残った第１接着層、第２基体上に残った第２接着層の厚さを測定した結果、それぞれ４０μｍ程度、１μｍ程度であった。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明の積層体の剥離方法によれば、通常、レーザー加工に用いられる赤外線レーザーを照射することにより、容易に剥離でき、特別な装置を設備することなく、一般的にレーザー加工に用いられている設備を使用して剥離することができるものであり、種々の用途に利用できる。
【符号の説明】
【０１１１】
１０、１０Ａ  積層体
１１  第１基体
１２  第２基体
１３  第１接着剤塗布層
１３Ａ  接着層
１４  第２接着剤塗布層
１４Ａ  接着層
２０  赤外線レーザー
【図１】
2020100965.tif 000019
【図２】
2020100965.tif 000020
【国際調査報告】
2020100965.tif 000021
2020100965.tif 000022
2020100965.tif 000023
2020100965.tif 000024