(57)【要約】有機電界発光素子を含む表示パネルと、表示パネル上に配置された円偏光板とを含み、表示パネルおよび円偏光板の少なくとも一方が式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有するか、あるいは、表示パネルと円偏光板との間に式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有する有機電界発光表示装置。式中、Ｒ１１及びＲ１２は各々独立に水素原子またはアルキル基などを表し、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子または脂肪族基などを表し、Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子またはアルキル基などを表す。 2019159570.tif 000011
2019159570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光素子を含む表示パネルと、前記表示パネル上に配置された円偏光板とを含む有機電界発光表示装置であって、
前記表示パネルおよび前記円偏光板の少なくとも一方が式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有するか、あるいは、前記表示パネルと前記円偏光板との間に式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有する、有機電界発光表示装置；
【化１】
2019159570.tif 000010
式中、Ｒ１１及びＲ１２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表し、
Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、
Ｒ１１及びＲ１２は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１３及びＲ１４は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはスルファモイル基を表す。
【請求項２】
前記式（Ｉ）においてＲ１１及びＲ１２が水素原子である、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記式（Ｉ）においてＲ１３及びＲ１４が水素原子またはアルキル基である、請求項１または２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記式（Ｉ）においてＲ１５及びＲ１６が水素原子、アルキル基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、またはアリールオキシカルボニル基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記紫外線吸収層は高分子ポリマーを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記高分子ポリマーが、ポリアクリル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリイミド系ポリマー、ポリアクリルアミド系ポリマー、ポリウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、セルロース系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリビニルアルコール系ポリマー、ポリビニルアルキルエーテル系ポリマーおよびポリビニルピロリドン系ポリマーから選ばれる少なくとも１種である、請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記高分子ポリマーがポリエステル系ポリマーおよびポリアクリル系ポリマーから選ばれる少なくとも１種である、請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記高分子ポリマーは粘着剤である、請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記表示パネルと前記円偏光板との間に前記紫外線吸収層を有し、前記紫外線吸収層の一方の面が前記表示パネルと接し、前記紫外線吸収層の他方の面が前記円偏光板と接している、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記円偏光板が前記紫外線吸収層を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記円偏光板は、偏光子と、位相差フィルムと、前記紫外線吸収層とを有する、請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記表示パネルが前記紫外線吸収層を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記表示パネルは、有機電界発光素子と、キャッピング層と、前記有機電界発光素子および前記キャッピング層の間に配置された前記紫外線吸収層と、を有する、請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記表示パネルは、有機電界発光素子と、キャッピング層とを有し、前記キャッピング層が前記紫外線吸収層である、請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会で表示装置は視覚情報伝達媒体としてその重要性が増大している。表示装置としては、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＰＤ）等が知られている。中でも有機電界発光表示装置は省電力、薄型化、高視認性といった長所があり、注目されている。【０００３】
また、有機電界発光表示装置の有機電界発光素子に用いられている発光層は、紫外線によって劣化し易い。発光層が劣化すると、輝度等の特性の低下につながる。このため、有機電界発光表示装置について、発光層の紫外線による劣化を防止することが検討されている。例えば、特許文献１〜４には、有機電界発光素子を含む表示パネルに用いられる封止剤の隣接層に紫外線吸収剤を含有させることなどが提案されている。また、特許文献５には、表示パネル上に、３８０ｎｍ超４５０ｎｍ以下の波長領域の光を吸収する染料を含む機能層を含む偏光部材を設けた表示装置が記載されている。【０００４】
一方、特許文献６には、特定のベンゾジチオール化合物を含有する紫外線吸収剤に関する発明が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２３２７１号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４５７２号公報
【特許文献３】特開２００９−０３７８０９号公報
【特許文献４】特開２０１６−０７６４４１号公報
【特許文献５】特開２０１７−１９８９９１号公報
【特許文献６】特開２００９−２６３６１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明者の検討によれば、特許文献１〜５に記載されている有機電界発光表示装置では、長期の光照射での輝度などの特性低下を十分に抑制できず、耐光性が不十分であることが分かった。また、有機電界発光表示装置は高温高湿下で使用されることもある。このような環境下で有機電界発光表示装置を使用した場合であっても、輝度等の特性を長期にわたって維持できることが望ましい。【０００７】
また、有機電界発光素子には反射性の高い金属層が用いられているため、外光などが金属層で反射して、背景の映り込みなどが生じて視認性などが低下しやすい。このため、表示パネル上に円偏光板を設けてこれらの問題を防ぐことが検討されている。【０００８】
しかしながら、本発明者の検討によれば、円偏光板を有する有機電界発光表示装置は、長期の高温高湿条件下や光照射での層間はがれや輝度などの特性低下が特に顕著な傾向にあることが分かった。この理由は、湿熱および光によって引き起こされる表示パネルや円偏光板中の有機素材の分解による分子量や親疎水性の変化、分解して生成する低分子有機化合物やガスの滞留による分解促進等によるものであると考えられる。なお、特許文献６には、紫外線吸収剤に関する発明が開示されているが、具体的に有機電界発光表示装置に使用した例の記載はない。【０００９】
よって、本発明の目的は、耐光性および耐湿熱性に優れた有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者の検討によれば、後述する式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有する有機電界発光表示装置は、耐光性および耐湿熱性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。よって、本発明は以下を提供する。
＜１＞  有機電界発光素子を含む表示パネルと、表示パネル上に配置された円偏光板とを含む有機電界発光表示装置であって、
表示パネルおよび円偏光板の少なくとも一方が式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有するか、あるいは、表示パネルと円偏光板との間に式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有する、有機電界発光表示装置；
【化１】
2019159570.tif 000003
式中、Ｒ１１及びＲ１２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表し、
Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、
Ｒ１１及びＲ１２は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１３及びＲ１４は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはスルファモイル基を表す。
＜２＞  式（Ｉ）においてＲ１１及びＲ１２が水素原子である、＜１＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜３＞  式（Ｉ）においてＲ１３及びＲ１４が水素原子またはアルキル基である、＜１＞または＜２＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜４＞  式（Ｉ）においてＲ１５及びＲ１６が水素原子、アルキル基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、またはアリールオキシカルボニル基である、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
＜５＞  上記紫外線吸収層は高分子ポリマーを含む、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
＜６＞  上記高分子ポリマーが、ポリアクリル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリイミド系ポリマー、ポリアクリルアミド系ポリマー、ポリウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、セルロース系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリビニルアルコール系ポリマー、ポリビニルアルキルエーテル系ポリマーおよびポリビニルピロリドン系ポリマーから選ばれる少なくとも１種である、＜５＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜７＞  上記高分子ポリマーがポリエステル系ポリマーおよびポリアクリル系ポリマーから選ばれる少なくとも１種である、＜５＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜８＞  上記高分子ポリマーは粘着剤である、＜５＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜９＞  表示パネルと円偏光板との間に上記紫外線吸収層を有し、上記紫外線吸収層の一方の面が表示パネルと接し、上記紫外線吸収層の他方の面が円偏光板と接している、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
＜１０＞  円偏光板が上記紫外線吸収層を含む、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
＜１１＞  円偏光板は、偏光子と、位相差フィルムと、上記紫外線吸収層とを有する、＜１０＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜１２＞  表示パネルが上記紫外線吸収層を含む、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
＜１３＞  表示パネルは、有機電界発光素子と、キャッピング層と、有機電界発光素子およびキャッピング層の間に配置された上記紫外線吸収層と、を有する、＜１２＞に記載の有機電界発光表示装置。
＜１４＞  表示パネルは、有機電界発光素子と、キャッピング層とを有し、キャッピング層が上記紫外線吸収層である、＜１２＞に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、耐光性および耐湿熱性に優れた有機電界発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】表示パネルに含まれる画素の一つを示した平面図である。
【図２】同画素の回路図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に対応して概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光表示装置の一実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基を包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
【００１４】
＜有機電界発光表示装置＞
本発明の有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子を含む表示パネルと、表示パネル上に配置された円偏光板とを含む有機電界発光表示装置であって、
表示パネルおよび円偏光板の少なくとも一方が式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有するか、あるいは、表示パネルと円偏光板との間に式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を有することを特徴とする。以下、式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を紫外線吸収剤（Ｉ）ともいう。また、式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層を、紫外線吸収層（Ｉ）ともいう。
【００１５】
本発明の有機電界発光表示装置は、上記紫外線吸収層（Ｉ）を有することにより、長期にわたって有機電界発光表示装置に光が照射されても、発光層の性能劣化を抑制して輝度の低下などを抑制できる。紫外線吸収層（Ｉ）に含まれる紫外線吸収剤（Ｉ）は光が長期間照射されても分解されにくい特性を有しているため、発光層への紫外線の照射を長期にわたって遮光できたためであると推測される。このため、本発明の有機電界発光表示装置は、優れた耐光性を有している。また、本発明の有機電界発光表示装置は、上記紫外線吸収層（Ｉ）を有することにより、有機電界発光表示装置が高温高湿下に曝された後も、紫外線による発光層の性能劣化を抑制して輝度の低下などを抑制できる。紫外線吸収層（Ｉ）に含まれる紫外線吸収剤（Ｉ）は高温高湿下でも分解されにくいためであると推測される。このため、本発明の有機電界発光表示装置は、優れた耐湿熱性を有している。また、有機電界発光表示装置が高温高湿下に曝されても紫外線吸収剤（Ｉ）が分解などし難いので、紫外線吸収剤（Ｉ）の分解に伴う紫外線吸収層（Ｉ）の変性などを抑制できる。このため、高温高湿下に曝された後も紫外線吸収層（Ｉ）の強度などの機械特性や、紫外線吸収層（Ｉ）と他の層との接着性などを長期にわたって維持することもできる。例えば、表示パネルと円偏光板との間に紫外線吸収層（Ｉ）を配置した場合においては、表示パネルと円偏光板との接着性を長期にわたって維持することができる。
【００１６】
また、本発明の有機電界発光表示装置は、表示パネル上に円偏光板を有するので、円偏光板によって外光反射などを抑制して背景の映り込みなどを抑制でき、視認性のよい有機電界発光表示装置とすることができる。
【００１７】
また、表示パネルに用いられる発光層は耐光性が低い材料で構成されていることが多い。表示パネルの製造時において、キャッピング層などの発光層の形成後に形成される層は、光硬化性組成物を用い、紫外線などを照射して光硬化性組成物を硬化して形成することが多い。本発明の有機電界発光表示装置における表示パネルが紫外線吸収層（Ｉ）を含む場合（例えば、有機電界発光素子とキャッピング層との間に紫外線吸収層（Ｉ）を有する場合や、キャッピング層が紫外線吸収層（Ｉ）である場合など）においては、表示パネルの製造時に発光層へ紫外線が照射されることを抑制することもできる。このため、より輝度の高い有機電界発光表示装置が得られやすい。
【００１８】
まず、本発明の有機電界発光表示装置に用いられる紫外線吸収層（Ｉ）について説明する。
【００１９】
本発明の有機電界発光表示装置において、紫外線吸収層（Ｉ）は、式（Ｉ）で表される紫外線吸収剤（紫外線吸収剤（Ｉ））を含む。
【化２】
2019159570.tif 000004
式中、Ｒ１１及びＲ１２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表し、
Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、
Ｒ１１及びＲ１２は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１３及びＲ１４は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、またはスルファモイル基を表す。
【００２０】
式（Ｉ）において、Ｒ１１及びＲ１２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表し、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基であることがより好ましく、優れた耐光性および耐湿熱性が得られやすいという理由から水素原子であることが特に好ましい。
【００２１】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基およびアルコキシ基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１５が更に好ましく、１〜１０が特に好ましく、１〜７が最も好ましい。アルキル基およびアルコキシ基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。また、環状のアルキル基、および環状のアルコキシ基のアルキル基部位は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環アルキル基（ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基など）であってもよい。アルキル基およびアルコキシ基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アリール基及びアリールオキシ基の炭素数は６〜４０が好ましく、６〜３０がより好ましく、６〜２０が更に好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリール基及びアリールオキシ基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００２２】
式（Ｉ）において、Ｒ１１及びＲ１２は互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ１１及びＲ１２が結合して形成される環は５または６員の環が好ましい。Ｒ１１及びＲ１２が結合して形成される環は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００２３】
式（Ｉ）において、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表す。
【００２４】
Ｒ１３及びＲ１４が表す脂肪族基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１５が更に好ましく、１〜１０が特に好ましく、１〜７が最も好ましい。脂肪族基の種類としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびアラルキル基が挙げられ、アルキル基またはアルケニル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびアラルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１５が更に好ましく、１〜１０が特に好ましく、１〜７が最も好ましい。アルキル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。
アルケニル基の炭素数は、２〜３０が好ましく、２〜２０がより好ましく、２〜１５が更に好ましく、２〜１０が特に好ましく、２〜７が最も好ましい。アルケニル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。
アルキニル基の炭素数は、２〜３０が好ましく、２〜２０がより好ましく、２〜１５が更に好ましく、２〜１０が特に好ましく、２〜７が最も好ましい。アルキニル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。
アラルキル基の炭素数は、７〜３０が好ましく、７〜２０がより好ましく、７〜１５が更に好ましい。アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。
【００２５】
芳香族基としては、アリール基が挙げられる。芳香族基の炭素数は６〜４０が好ましく、６〜３０がより好ましく、６〜２０が更に好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリール基としてはフェニル基およびナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００２６】
複素環基における複素環は５員または６員の飽和または不飽和複素環を含むことが好ましい。複素環に脂肪族環、芳香族環または他の複素環が縮合していてもよい。複素環の環を構成するヘテロ原子としては、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅが挙げられ、Ｎ、ＯおよびＳが好ましい。複素環はその炭素原子が遊離の原子価（一価）を有する（複素環基は炭素原子において結合する）ことが好ましい。好ましい複素環基の炭素原子数は１〜４０であり、より好ましくは１〜３０であり、更に好ましくは１〜２０である。複素環基における飽和複素環の例として、ピロリジン環、モルホリン環、２−ボラ−１，３−ジオキソラン環および１，３−チアゾリジン環が挙げられる。複素環基における不飽和複素環の例として、イミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン環およびキノリン環が挙げられる。複素環基は置換基を有していても良い。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００２７】
式（Ｉ）において、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に水素原子、脂肪族基または芳香族基であることが好ましく、水素原子または脂肪族基であることがより好ましく、優れた耐光性および耐湿熱性が得られやすいという理由から水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。なかでも、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立に、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１０の直鎖アルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜７の直鎖アルキル基であることが最も好ましい。
【００２８】
式（Ｉ）において、Ｒ１３及びＲ１４は互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ１３及びＲ１４が結合して形成される環は５、６または７員の環が好ましい。Ｒ１３及びＲ１４が結合して形成される環は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００２９】
式（Ｉ）において、Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、またはスルファモイル基を表し、水素原子、アルキル基、アシル基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基、またはアリールオキシカルボニル基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アシル基またはカルバモイル基であることがより好ましく、優れた耐光性および耐湿熱性が得られやすいという理由から水素原子であることが特に好ましい。
【００３０】
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がより好ましく、１〜１０が更に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１５が更に好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリール基としてはフェニル基およびナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
複素環基としては上述したＲ１３及びＲ１４で説明した複素環基が挙げられる。複素環基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アシル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がより好ましく、２〜１０が更に好ましい。アシル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
カルバモイル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がより好ましく、１〜１０が更に好ましい。カルバモイル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１５がより好ましく、２〜１０が更に好ましい。アルコキシカルボニル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。アルコキシカルボニル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基の炭素数は、７〜３０が好ましく、７〜２０がより好ましく、７〜１５が更に好ましく、７〜１２が最も好ましい。アリールオキシカルボニル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アルキルスルホニル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がより好ましく、１〜１０が更に好ましい。アルキルスルホニル基は直鎖、分岐および環状のいずれでもよく、直鎖または分岐であることが好ましく、直鎖であることがより好ましい。アルキルスルホニル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
アリールスルホニル基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１５が更に好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリールスルホニル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
スルファモイル基の炭素数は、０〜２０が好ましく、０〜１５がより好ましく、０〜１０が更に好ましい。スルファモイル基は置換基を有していてもよい。置換基としては後述する置換基Ｔで説明した基が挙げられる。
【００３１】
（置換基Ｔ）
置換基Ｔとしては、以下の基が挙げられる。
ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；
アルキル基［直鎖、分岐、環状のアルキル基。具体的には、直鎖または分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０の直鎖または分岐のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］；
アルケニル基［直鎖、分岐、環状のアルケニル基。具体的には、直鎖または分岐のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の直鎖または分岐のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０のシクロアルケニル基。つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（好ましくは、炭素数５〜３０のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）を包含するものである。］；
アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の直鎖または分岐のアルキニル基。例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基；
【００３２】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０のアリール基。例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基）；
ヘテロ環基（好ましくは５または６員の芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）；
シアノ基；
ヒドロキシル基；
ニトロ基；
カルボキシル基；
アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の直鎖または分岐のアルコキシ基。例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）；
アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０のアリールオキシ基。例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）；
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基。例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）；
ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０のヘテロ環オキシ基。例えば、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）；
アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０のアリールカルボニルオキシ基。例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）；
【００３３】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０のカルバモイルオキシ基。例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）；
アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０のアルコキシカルボニルオキシ基。例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）；
アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０のアリールオキシカルボニルオキシ基。例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）；
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０のアニリノ基。例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）；
アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０のアリールカルボニルアミノ基。例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基）；
【００３４】
アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０のアミノカルボニルアミノ基。例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）；
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０のアルコキシカルボニルアミノ基。例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）；
アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０のアリールオキシカルボニルアミノ基。例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）；
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０のスルファモイルアミノ基。例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）；
アルキル又はアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０のアリールスルホニルアミノ基。例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）；
メルカプト基；
アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０のアルキルチオ基。例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）；
アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０のアリールチオ基。例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）；
ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０のヘテロ環チオ基。例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）；
【００３５】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０のスルファモイル基。例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）；
スルホ基；
アルキル又はアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０のアルキルスルフィニル基、６〜３０のアリールスルフィニル基。例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）；
アルキル又はアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、６〜３０のアリールスルホニル基。例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）；
【００３６】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基。例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基）；
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０のアリールオキシカルボニル基。例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）；
アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０のアルコキシカルボニル基。例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）；
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０のカルバモイル基。例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）；
アリール又はヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０のアリールアゾ基、炭素数３〜３０のヘテロ環アゾ基。例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）；
イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）；
ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０のホスフィノ基。例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）
ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０のホスフィニル基。例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）；
ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０のホスフィニルオキシ基。例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）；
ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０のホスフィニルアミノ基。例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）；
シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０のシリル基。例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）が挙げられる。
【００３７】
上記で挙げた基のうち、水素原子を有する基については、１個以上の水素原子が上記の置換基Ｔで置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。具体例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【００３８】
紫外線吸収剤（Ｉ）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
【化３】
2019159570.tif 000005
【化４】
2019159570.tif 000006
【００３９】
紫外線吸収剤（Ｉ）は、特開２００９−２６３６１７号公報に記載の合成法を参照して合成することができる。
【００４０】
紫外線吸収剤（Ｉ）は、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の光を吸収する化合物であることが好ましく、波長３７０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を吸収する化合物であることがより好ましい。また、紫外線吸収剤（Ｉ）は、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲に極大吸収波長を有する化合物であることが好ましく、波長３７０ｎｍ以上４１０ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物であることがより好ましい。また、紫外線吸収剤（Ｉ）は、吸収極大波長におけるモル吸光係数をＡとした場合、（吸収極大波長＋５０ｎｍ）の波長におけるモル吸光係数が０．１Ａ以下という分光特性を有することが好ましい。
【００４１】
紫外線吸収層（Ｉ）中における紫外線吸収剤（Ｉ）の含有量は、より優れた耐光性が得られやすいという理由から、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることが更に好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）中における紫外線吸収剤（Ｉ）の含有量の上限は、十分な光透過率を確保し易いという理由から５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましい。
【００４２】
紫外線吸収層（Ｉ）は、紫外線吸収剤（Ｉ）を１種のみ含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。紫外線吸収剤（Ｉ）を１種のみ含む場合は、より優れた耐光性や耐湿熱性が得られやすい。紫外線吸収剤（Ｉ）を２種以上含む場合は、より幅広い波長範囲の紫外線を吸収し易いという効果が期待できる。
【００４３】
紫外線吸収層（Ｉ）は、紫外線吸収剤（Ｉ）以外の紫外線吸収剤（以下、他の紫外線吸収剤ともいう）をさらに含んでいてもよい。他の紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、サリチラート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、シンナメート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ポリスチレン系紫外線吸収剤、ポリフェロセニルシラン系紫外線吸収剤、メチン系紫外線吸収剤、アゾメチン系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、ｐ−アミノ安息香酸系紫外線吸収剤、桂皮酸系紫外線吸収剤、ウロカニン酸系紫外線吸収剤が挙げられる。
【００４４】
紫外線吸収層（Ｉ）中における他の紫外線吸収剤の含有量は、５０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）は他の紫外線吸収剤を実質的に含有しないことも好ましい。紫外線吸収層（Ｉ）は他の紫外線吸収剤を実質的に含有しないとは、紫外線吸収層（Ｉ）中における他の紫外線吸収剤の含有量は、０．１質量％以下であることを意味し、０．０５質量％以下であることが好ましく、含有しないことがより好ましい。
【００４５】
紫外線吸収層（Ｉ）は、製膜性等の観点から高分子ポリマーを含有することができる。また、紫外線吸収層（Ｉ）が高分子ポリマーを含有することで、紫外線吸収層（Ｉ）を粘着層などとして好ましく用いることもできる。高分子ポリマーの種類としては、ポリアクリル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリイミド系ポリマー、ポリアクリルアミド系ポリマー、ポリウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、セルロース系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリビニルアルコール系ポリマー、ポリビニルアルキルエーテル系ポリマー、ポリビニルピロリドン系ポリマーなどが挙げられる。これらの高分子ポリマーのうち、ポリエステル系ポリマーやポリアクリル系ポリマーなどは酸性条件下で加水分解されやすい性質を有している。ここで、紫外線吸収剤の加水分解物として酸が生成されることがあるが、紫外線吸収剤（Ｉ）は高温高湿環境下でも分解されにくいため、紫外線吸収剤（Ｉ）を、ポリエステル系ポリマーなどの酸性条件下で加水分解されやすい性質の高分子ポリマーと併用しても、これらの高分子ポリマーの分解などを抑制できる。このため、紫外線吸収層（Ｉ）の機械特性や、接着性等の各種性能を長期にわたって維持できる。
【００４６】
紫外線吸収層（Ｉ）は、高分子ポリマーとして粘着剤を含有することもできる。粘着剤は任意の形態を有し、例えば活性エネルギー線硬化型粘着剤、溶媒型（溶液型）粘着剤、ホットメルト型粘着剤、エマルジョン型粘着剤等が挙げられる。粘着剤の材料種としては上述した高分子ポリマーの種類で説明したものが挙げられる。
【００４７】
紫外線吸収層（Ｉ）中における高分子ポリマーの含有量は、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることが更に好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）中における高分子ポリマーの含有量の上限は１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましい。
【００４８】
紫外線吸収層（Ｉ）は、硬化性化合物由来の硬化物を含むことができる。この態様によれば、製膜性や機械特性に優れた紫外線吸収層（Ｉ）とすることができる。硬化性化合物としては、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、メチロール基を有する化合物、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−構造を有する化合物などが挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。
【００４９】
紫外線吸収層（Ｉ）中における硬化性化合物由来の硬化物の含有量は、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることが更に好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）中における硬化性化合物由来の硬化物の含有量の上限は１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）中における高分子ポリマーと硬化性化合物由来の硬化物との合計の含有量は、１質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることが更に好ましい。また、紫外線吸収層（Ｉ）中における高分子ポリマーと硬化性化合物由来の硬化物との合計の含有量の上限は１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましい。
【００５０】
紫外線吸収層（Ｉ）は、更に、光散乱剤、架橋剤、光安定剤、架橋促進剤、酸化防止剤、シランカップリング剤等の添加剤を含有することができる。これらの添加剤の種類および含有量は、紫外線吸収層（Ｉ）の用途や適用部位に応じて適宜選択することができる。
【００５１】
本発明の有機電界発光表示装置において、紫外線吸収層（Ｉ）は、表示パネルおよび円偏光板の少なくとも一方に含まれるか、あるいは、表示パネルと円偏光板との間に含まれる。紫外線吸収層（Ｉ）は、表示パネルおよび円偏光板の少なくとも一方と、表示パネルと円偏光板との間のそれぞれに含まれていてもよい。
【００５２】
本発明の有機電界発光表示装置において、紫外線吸収層（Ｉ）は、粘着層として用いることも好ましい。本発明の有機電界発光表示装置によれば、有機電界発光表示装置を高温高湿環境下に曝した場合であっても、紫外線吸収剤（Ｉ）の分解などに伴う紫外線吸収層（Ｉ）の変性などを抑制できるので、各種部材や層の接着性などを長期にわたって維持することができる。紫外線吸収層（Ｉ）を粘着層として用いる具体例としては、表示パネルや円偏光板に含まれる各種の部材や各種の層同士を接着する態様や、表示パネルと円偏光板との間に紫外線吸収層（Ｉ）を配置して両者を接着する態様が挙げられ、表示パネルと円偏光板との間に紫外線吸収層（Ｉ）を配置して両者を接着する態様が好ましい。
【００５３】
本発明の有機電界発光表示装置において、紫外線吸収層（Ｉ）は、表示パネルにおける平坦化層、パッシベーション層、キャッピング層などに用いることもできる。
【００５４】
次に、本発明の有機電界発光表示装置に用いられる円偏光板について説明する。本発明の有機電界発光表示装置に用いられる円偏光板は、偏光子と位相差フィルムとを含むことが好ましい。
【００５５】
偏光子は、自然光を特定の直線偏光に変換する機能を有するいわゆる直線偏光子であることが好ましい。偏光子としては、例えば、吸収型偏光子を利用することができる。吸収型偏光子としては、通常用いられている偏光子を利用することができ、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、ポリエン系偏光子、およびワイヤーグリッドを用いた偏光子のいずれも用いることができる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子は、一般に、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸することにより作製することができる。偏光子の好ましい一態様としては、ヨウ素染色ポリビニルアルコール系フィルムを挙げることができる。また、偏光子は、いわゆる塗布型偏光子であってもよい。塗布型偏光子については、特開２０１４−１７０２０２号公報の段落００５２〜００５３を参照できる。偏光子の厚みは、特に限定されず、例えば０．１〜５０μｍであることが好ましい。
【００５６】
位相差フィルムとしては、λ／４板、λ／２板などが挙げられる。本発明で用いられる円偏光板は、位相差フィルムとしてλ／４板を用いることが好ましい。また、λ／４板とλ／２板とを併用してもよい。
【００５７】
ここで、λ／４板とは、入射された光の位相をλ／４遅延させる光学層のことである。例えば、入射された光の波長λが５５０ｎｍである場合、λ／４板を通過した光は１３７．５ｎｍの位相遅延値を有する。また、λ／４板は光学的異方性を有し、λ／４板に入射される光の偏光状態を変化させることができる。具体的には、直線偏光を円偏光に変換させたり、円偏光（楕円偏光）を直線偏光に変換させることができる。また、λ／２板は入射された光の位相をλ／２遅延させる光学層のことである。例えば、入射された光の波長λが５５０ｎｍである場合、λ／２板を通過した光は２７５ｎｍの位相遅延値を有する。また、λ／２板は、λ／２板に入射される光の偏光状態を変化させることができる。具体的には、直線偏光の偏光方向を変えることができる。
【００５８】
λ／４板とλ／２板とを併用する場合、λ／４板の厚さ方向の位相遅延値と、λ／２板の厚さ方向の位相遅延値のうちでいずれか１つは正の値を有し、他の１つは負の値を有することが好ましい。例えば、λ／４板はポジティブＡ−プレート（ｐｏｓｉ  Ａ−Ｐｌａｔｅ）であり、λ／２板はネガティブＡ−プレート（ｎｅｇａ  Ａ−Ｐｌａｔｅ）である態様が好ましい。
【００５９】
本発明で用いられる円偏光板は、偏光子および位相差フィルムのほかに、更に、紫外線吸収層（Ｉ）を含んでいてもよい。
【００６０】
本発明で用いられる円偏光板は、偏光子および位相差フィルムのほかに、更に、保護フィルム、反射防止層、ハードコーティング層、輝度向上フィルム層、粘着層、表面処理層などの各種機能層を含んでいてもよい。これらの機能層は、紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。すなわち、これらの機能層は上述した紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。
【００６１】
本発明で用いられる円偏光板の好ましい一態様として、偏光子と位相差フィルムと粘着層とを含む態様が挙げられる。粘着層は、偏光子と位相差フィルムとの間などに配置して用いることができる。また、偏光子と位相差フィルムとのほかに他の機能層を含む場合においては、偏光子と他の機能層との間、他の機能層同士の間、他の機能層と位相差フィルムとの間に粘着層を配置して用いることができる。また、粘着層は紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。すなわち、粘着層は、紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。また、円偏光板が粘着層を複数有する場合、複数の粘着層のすべてが紫外線吸収層（Ｉ）であってもよく、複数の粘着層のうち少なくとも１層が紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。
【００６２】
本発明で用いられる円偏光板の具体的な態様として、以下の（１）、（２）の態様が挙げられる。
（１）偏光子とλ／４板とを有する態様。この態様において、偏光子とλ／４板との間に粘着層を有していてもよい。また、粘着層は紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。また、偏光子の他方の面側やλ／４板の偏光子とは反対側の面には保護フィルムなどの各種機能層を有していてもよい。
（２）偏光子と、λ／４板と、偏光子とλ／４板との間に配置されたλ／２板と、を有する態様。この態様において、偏光子とλ／２板との間、λ／２板とλ／４との間に粘着層を有していてもよい。また、粘着層は紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。また、偏光子の他方の面側やλ／４板の偏光子とは反対側の面には保護フィルムなどの各種機能層を有していてもよい。
【００６３】
また、円偏光板としては、国際公開ＷＯ２０１３／３８６８４号公報、特開２０１５−１８７７１７号公報に記載された構成の円偏光板を用いることができる。
【００６４】
次に、本発明の有機電界発光表示装置に用いられる表示パネルについて説明する。本発明における表示パネルは、有機電界発光素子を含む。表示パネルの一実施形態について、図１〜３を用いて説明する。図１は、表示パネルに含まれる画素の一つを示した平面図であり、図２は同画素の回路図であり、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に対応して概略的に示した断面図である。
【００６５】
図１、２に示すように、表示パネルに含まれる画素ＰＸは、ゲート配線ＧＬと、データ配線ＤＬと、駆動電圧配線ＤＶＬとで構成された配線部を有する。画素ＰＸの各々は配線部に連結された薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に連結された有機電界発光素子ＯＥＬ、及びキャパシターＣｓｔを含む。なお、本発明の一実施形態では１つの画素が１つのゲート配線、１つのデータ配線及び１つの駆動電圧配線と連結されることを例として図示したが、これに限定されるものではなく、複数の画素ＰＸが１つのゲート配線、１つのデータ配線及び１つの駆動電圧配線と連結されることができる。また、１つの画素は少なくとも１つのゲート配線、少なくとも１つのデータ配線、及び少なくとも１つの駆動電圧配線と連結されてもよい。
【００６６】
ゲート配線ＧＬは第１方向ＤＲ１に延長されている。データ配線ＤＬはゲート配線ＧＬと交差する第２方向ＤＲ２に向かって延長されている。駆動電圧配線ＤＶＬはデータ配線ＤＬと実質的に同一の方向、即ち第２方向ＤＲ２に向かって延長されている。ゲート配線ＧＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に走査信号を伝達し、データ配線ＤＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２にデータ信号を伝達し、駆動電圧配線ＤＶＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に駆動電圧を提供する。
【００６７】
画素ＰＸの各々は特定カラーの光、例えば赤色光、緑色光、青色光のうち１つを出射する。カラー光の種類は上記したものに限定されず、例えば、シアン光、マゼンタ光、イエロー光等が追加されることができる。画素ＰＸの各々が白色光を出射するものであってもよい。
【００６８】
薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２は有機電界発光素子ＯＥＬを制御するための駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２と、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２をスイッチングするスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１を含むことができる。本発明の一実施形態では画素ＰＸの各々が２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２を含むことを説明するが、これに限定されることではなく、画素ＰＸの各々が１つの薄膜トランジスタとキャパシターとを含んでもよく、画素ＰＸの各々が３以上の薄膜トランジスタと２以上のキャパシターとを具備することもあり得る。
【００６９】
スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１は第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレーン電極ＤＥ１を含む。第１ゲート電極ＧＥ１はゲート配線ＧＬに連結され、第１ソース電極ＳＥ１はデータ配線ＤＬに連結される。第１ドレーン電極ＤＥ１は第５コンタクトホールＣＨ５によって第１共通電極ＣＥ１と連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１はゲート配線ＧＬに印加される走査信号にしたがってデータ配線ＤＬに印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２に伝達する。
【００７０】
駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２は第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレーン電極ＤＥ２を含む。第２ゲート電極ＧＥ２は第１共通電極ＣＥ１に連結される。第２ソース電極ＳＥ２は駆動電圧配線ＤＶＬに連結される。第２ドレーン電極ＤＥ２は第３コンタクトホールＣＨ３によって第１電極ＥＬ１と連結される。
【００７１】
第１電極ＥＬ１は駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ドレーン電極ＤＥ２と連結される。第２電極ＥＬ２（図３参照）には共通電圧が印加され、発光層ＥＭＬは駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の出力信号にしたがって光を出射することによって映像を表示する。
【００７２】
キャパシターＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間に連結され、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に入力されるデータ信号を充電し、維持する。キャパシターＣｓｔは第１ドレーン電極ＤＥ１と第６コンタクトホールＣＨ６によって連結される第１共通電極ＣＥ１及び駆動電圧配線ＤＶＬと連結される第２共通電極ＣＥ２を含む。
【００７３】
図３をあわせて参照すると、表示パネル２００はベース基板ＢＳを有する。ベース基板ＢＳの種類としては、無機基板、樹脂基板などが挙げられる。無機基板としては、例えばガラス基板、石英基板、シリコン基板、シリコンナイトライド基板、および、これらの基板上にモリブデン、チタン、アルミニウム、銅などを蒸着した複合基板、モリブデン基板、チタン基板、アルミニウム基板、銅基板などの金属基板が挙げられる。樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリエチレンナフタレート基板、ポリイミド基板、ポリエーテルスルホン基板などが挙げられる。ベース基板ＢＳは機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性、放水性等を考慮して選択される。ベース基板ＢＳは透明なものであることが好ましい。
【００７４】
ベース基板ＢＳの上には基板バッファ層（図示せず）が設けられていてもよい。基板バッファ層を設けることで、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２に不純物が拡散することを防ぐことができる。基板バッファ層の材料としては、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）等が挙げられる。
【００７５】
ベース基板ＢＳの上には第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２とが配置されている。第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２は半導体素材で形成されており、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１と駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２との活性層として動作する。第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２とは各々ソース部ＳＡ、ドレーン部ＤＲＡ、及びソース部ＳＡとドレーン部ＤＲＡとの間に配置されたチャンネル領域ＣＡを含む。ソース部ＳＡ及びドレーン部ＤＲＡにはＮ型不純物又はＰ型不純物がドーピングされている。
【００７６】
第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２の上にはゲート絶縁層ＧＩが配置されている。ゲート絶縁層ＧＩは有機絶縁物又は無機絶縁物で構成されている。
【００７７】
ゲート絶縁層ＧＩの上には第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２とが配置されている。第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２とは各々第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２とのドレーン部ＤＲＡに対応する領域をカバーするように形成されている。
【００７８】
第１ゲート電極ＧＥ１及び第２ゲート電極ＧＥ２の上には絶縁層ＩＬが配置されている。絶縁層ＩＬは第１ゲート電極ＧＥ１及び第２ゲート電極ＧＥ２を覆っている。絶縁層ＩＬは有機絶縁物又は無機絶縁物で構成されている。
【００７９】
絶縁層ＩＬの上には第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレーン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレーン電極ＤＥ２が配置される。第２ドレーン電極ＤＥ２はゲート絶縁層ＧＩ及び絶縁層ＩＬに形成された第１コンタクトホールＣＨ１によって第２半導体パターンＳＭ２のドレーン部ＤＲＡと接触し、第２ソース電極ＳＥ２はゲート絶縁層ＧＩ及び絶縁層ＩＬに形成された第２コンタクトホールＣＨ２によって第２半導体パターンＳＭ２のソース部ＳＡと接触している。第１ソース電極ＳＥ１はゲート絶縁層ＧＩ及び絶縁層ＩＬに形成された第４コンタクトホールＣＨ４によって第１半導体パターンＳＭ１のソース部（図示せず）と接触し、第１ドレーン電極ＤＥ１はゲート絶縁層ＧＩ及び絶縁層ＩＬに形成された第５コンタクトホールＣＨ５によって第１半導体パターンＳＭ１のドレーン部（図示せず）と接触している。
【００８０】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレーン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレーン電極ＤＥ２の上にはパッシベーション層ＰＬが配置されている。パッシベーション層ＰＬはスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２を保護する保護膜の役割を果たし、その上面を平坦化させる平坦化膜の役割を果たすこともあり得る。パッシベーション層ＰＬは上述した紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。すなわち、パッシベーション層ＰＬは上述した紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。
【００８１】
パッシベーション層ＰＬの上には第１電極ＥＬ１が配置されている。第１電極ＥＬ１は、例えば陽極である。第１電極ＥＬ１はパッシベーション層ＰＬに形成される第３コンタクトホールＣＨ３を通じて駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ドレーン電極ＤＥ２に連結される。
【００８２】
パッシベーション層ＰＬの上には画素ＰＸの各々に対応するように発光層ＥＭＬを区画する画素画定膜ＰＤＬが配置されている。画素画定膜ＰＤＬは第１電極ＥＬ１の上面を露出し、ベース基板ＢＳから突出している。
【００８３】
画素画定膜ＰＤＬによって囲まれた領域には有機電界発光素子ＯＥＬが配置される。有機電界発光素子ＯＥＬは第１電極ＥＬ１、有機層ＯＬ、及び第２電極ＥＬ２を含む。有機層ＯＬは発光層ＥＭＬを含む。より具体的に、有機層ＯＬは正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送領域ＥＴＲを含む。有機電界発光素子ＯＥＬは第２電極ＥＬ２上に配置されるキャッピング層ＣＰＬをさらに含む。第１電極ＥＬ１は画素電極又は陽極である。第１電極ＥＬ１は透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極であることが好ましい。第１電極ＥＬ１が透過型電極である場合、第１電極ＥＬ１は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等で構成されていることが好ましい。第１電極ＥＬ１が半透過型電極又は反射型電極である場合、第１電極ＥＬ１はＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の原子を含むことが好ましい。
【００８４】
第１電極ＥＬ１の上には有機層ＯＬが配置されている。有機層ＯＬは発光層ＥＭＬを含む。有機層ＯＬは正孔輸送領域ＨＴＲ及び電子輸送領域ＥＴＲをさらに含む。正孔輸送領域ＨＴＲは第１電極ＥＬ１上に配置される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層、正孔輸送層、バッファ層、及び電子阻止層のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００８５】
正孔輸送領域ＨＴＲは単一物質からなる単一層、複数の互に異なる物質からなる単一層、又は複数の互に異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは、複数の互に異なる物質からなる単一層の構造を有するか、或いは第１電極ＥＬ１から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／バッファ層、正孔注入層／バッファ層、正孔輸送層／バッファ層又は正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の構造を有することができるが、これに限定されない。
【００８６】
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ    Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等のような多様な方法を利用して形成できる。
【００８７】
発光層ＥＭＬは正孔輸送領域ＨＴＲ上に配置されている。発光層ＥＭＬは単一物質からなる単一層、複数の互に異なる物質からなる単一層、又は複数の互に異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。発光層ＥＭＬは通常的に使用する物質であれば、特別に限定されないが、例えば赤色、緑色、及び青色を発光する物質が挙げられる。また、発光層ＥＭＬはホスト及びドーパントを含むことができる。
【００８８】
電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬ上に配置されている。電子輸送領域ＥＴＲは、電子阻止層、電子輸送層、及び電子注入層の中で少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されることではない。
【００８９】
第２電極ＥＬ２は電子輸送領域ＥＴＲ上に配置されている。第２電極ＥＬ２は共通電極又は陰極である。第２電極ＥＬ２は透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極であることが好ましい。第２電極ＥＬ２が透過型電極である場合、第２電極ＥＬ２はＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、ＢａＦ、Ｂａ、Ａｇ又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含むことが好ましい。第２電極ＥＬ２が半透過型の電極又は反射型電極である場合、第２電極ＥＬ２はＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ又はこれらの化合物、或いは混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含むことが好ましい。また、前述の物質で形成された反射膜や、半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等で形成された透明導電膜を含む複数の層構造であってもよい。
【００９０】
図示しないが、第２電極ＥＬ２は補助電極と連結されることができる。例えば、補助電極は第２電極ＥＬ２と連結されて、第２電極ＥＬ２の抵抗値を低くする機能を有する。
【００９１】
有機電界発光素子ＯＥＬが前面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は反射型電極であり、第２電極ＥＬ２は透過型電極又は半透過型電極である。有機電界発光素子ＯＥＬが背面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は透過型電極又は半透過型電極であり、第２電極ＥＬ２は反射型電極である。
【００９２】
有機電界発光素子ＯＥＬで、第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２とに各々電圧が印加されることによって、第１電極ＥＬ１から注入された正孔（ｈｏｌｅ）は、正孔輸送領域ＨＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動され、第２電極ＥＬ２から注入された電子が電子輸送領域ＥＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動される。電子と正孔とは発光層ＥＭＬで再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子が励起状態で基底状態に落ちながら、発光するようになる。
【００９３】
第２電極ＥＬ２上にはキャッピング層ＣＰＬが配置されている。キャッピング層ＣＰＬは有機電界発光素子ＯＥＬの光路長さを調節して光学干渉距離の調整を行う。キャッピング層ＣＰＬは水分及び／又は酸素から有機層ＯＬを保護する機能も有する。キャッピング層ＣＰＬは必要によって、光学的特性が与えられ、例えば光抽出効率を向上させる機能も有することができる。キャッピング層は、例えば、光硬化性組成物を用いて形成することができる。
【００９４】
キャッピング層ＣＰＬは上述した紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。すなわち、キャッピング層ＣＰＬは上述した紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。なお、図示しないが、キャッピング層ＣＰＬと第２電極ＥＬ２との間に紫外線吸収層（Ｉ）を設けてもよい。
【００９５】
キャッピング層ＣＰＬの厚さは特に限定はないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましく、６０〜８０ｎｍであることがより好ましい。
【００９６】
キャッピング層ＣＰＬ上に封止層ＳＬが配置されている。封止層ＳＬは下部に位置した層をカバーする機能を有している。封止層ＳＬは上述した紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいてもよい。すなわち、封止層ＳＬは上述した紫外線吸収層（Ｉ）であってもよい。なお、図示しないが、封止層ＳＬとキャッピング層ＣＰＬとの間や封止層ＳＬの表面に紫外線吸収層（Ｉ）を設けてもよい。
【００９７】
封止層ＳＬは、ガラスなどの無機材料、有機膜、無機膜、無機膜と有機膜との積層膜等で構成することができる。無機膜としては、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、二酸化ケイ素膜、酸化チタン膜などが挙げられる。有機膜としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリエチレン、及びポリアクリレートのうちのいずれか１つで形成される単一膜又は積層膜が挙げられる。
【００９８】
本発明において、表示パネルとしては、国際公開ＷＯ２０１３／０３８６８４号公報、特開２００８−０１６３７９号公報に記載された構成の表示パネルを用いることができる。
【００９９】
次に、本発明の有機電界発光表示装置の一実施形態について、図面を用いて説明する。
【０１００】
図４に示す有機電界発光表示装置１０は、表示パネル２００と、円偏光板１００と、表示パネル２００および円偏光板１００の間に配置された粘着層３００と、を有する。図４に示す有機電界発光表示装置１０は、粘着層３００の一方の面が円偏光板１００と接し、粘着層３００の他方の面が表示パネル２００と接している。
【０１０１】
図４に示す有機電界発光表示装置においては、以下の（Ａ−１）〜（Ａ−３）のいずれかの要件を満たしている。特に、（Ａ−３）を満たしている場合においては、有機電界発光表示装置が高温高湿下に曝された場合であっても円偏光板１００と表示パネル２００との接着性を長期にわたって維持することができるので好ましい態様である。また、（Ａ−３）の態様の場合、粘着層３００の厚さは特に限定されないが１〜１００μｍであることが好ましい。
（Ａ−１）表示パネル２００が紫外線吸収層（Ｉ）を有している。
（Ａ−２）円偏光板１００が紫外線吸収層（Ｉ）を有している。
（Ａ−３）粘着層３００が紫外線吸収剤（Ｉ）を含んでいる（すなわち、粘着層３００が紫外線吸収層（Ｉ）である）。
【０１０２】
本発明の有機電界発光表示装置は、更にタッチセンシングユニットを有していてもよい。タッチセンシングユニットは、表示パネル２００と、円偏光板１００との間に配置されていてもよく、円偏光板１００上（表示パネル２００とは反対側の面側）に配置されていてもよい。
【実施例】
【０１０３】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。また、以下の実施例で紫外線吸収剤（Ｉ）として用いた化合物（Ｉ）−１〜化合物（Ｉ）−６は、それぞれ下記構造の化合物である。これらの化合物は、特開２００９−２６３６１７号公報に記載の合成法を参照して合成した。【０１０４】
【化５】
2019159570.tif 000007
【０１０５】
＜試験例１＞
（実施例１−１）
アクリル酸２−エチルヘキシルの６３質量部、メタクリル酸メチルの９質量部、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの１５質量部、アクリル酸２−ヒドロキシエチルの１３質量部、及び重合溶媒として酢酸エチルの１７５質量部を、セパラブルフラスコに投入し、窒素ガスを導入しながら１時間攪拌した。重合系内の酸素を除去した後、重合開始剤として２，２’−アゾビスイソブチロニトリルの０．２質量部を加えたのち、溶液の温度を６３℃に昇温して１０時間反応させた。その後、酢酸エチルを加え、固形分濃度３６質量％のアクリル系ポリマー溶液を得た。なお、上記アクリル系ポリマー溶液におけるアクリル系ポリマーの重量平均分子量は、８５万であった。【０１０６】
次に、上記アクリル系ポリマー溶液に、上記アクリル系ポリマーの１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤（タケネートＤ１１０Ｎ、三井化学株式会社製、有効成分量７５％）の０．５２８質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３、信越化学工業株式会社製、有効成分量１００％）の０．０５４質量部、紫外線吸収剤（化合物（Ｉ）−１）の２．７００質量部、光安定剤（Ｔｉｎｕｖｉｎ１２３、ＢＡＳＦ社製、有効成分量１００％）の０．３６０質量部を加えて混合し、アクリル系粘着剤組成物を得た。【０１０７】
次に、上記アクリル系粘着剤組成物を、表面が剥離処理されたポリエチレンテレフタレートセパレーター（ＭＲＦ７５、三菱樹脂株式会社製）の剥離処理面上に、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように塗布し、６０℃で１分間の加熱乾燥および１４０℃で１分間の加熱乾燥を行い、さらに、２３℃で１２０時間エージングを行って、粘着シート（アクリル系粘着剤層／剥離フィルムの構成を有する基材レス粘着シート）を得た。【０１０８】
次に、特開２０１５−１８７７１７号公報の段落番号００２５〜００６６の記述に従い円偏光板を製造した後、得られた円偏光板に上記粘着シートを貼合し、粘着剤層付き円偏光板を製造した。【０１０９】
次に、有機電界発光素子を含む表示パネルが搭載されたＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ  ＳＩＩを分解し、表示パネルから円偏光板を剥離した。次いで、上記の粘着剤層付き円偏光板から剥離フィルムを剥がし、この円偏光板を上記表示パネルの前述の円偏光板を剥離した面に貼合して有機電界発光表示装置を製造した。【０１１０】
（実施例１−２〜１−６）
実施例１−１において、紫外線吸収剤として化合物（Ｉ）−１の代わりに同量の化合物（Ｉ）−２〜化合物（Ｉ）−６を用いた以外は実施例１−１と同様にしてアクリル系粘着剤組成物を製造し、このアクリル系粘着剤組成物を用いて実施例１−１と同様にして有機電界発光表示装置を製造した。【０１１１】
（比較例１−１）
実施例１−１において、紫外線吸収剤として化合物（Ｉ）−１の代わりにＴｉｎｕｖｉｎ  １１３０（ＢＡＳＦ社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）の０．１３質量部と、Ｔｉｎｕｖｉｎ  ３２６（ＢＡＳＦ社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）の２．５７質量部を用いた以外は実施例１−１と同様にしてアクリル系粘着剤組成物を製造し、このアクリル系粘着剤組成物を用いて実施例１−１と同様にして有機電界発光表示装置を製造した。【０１１２】
（比較例１−２）
実施例１−１において、紫外線吸収剤として化合物（Ｉ）−１の代わりにＴｉｎｕｖｉｎ  Ｃａｒｂｏｐｒｏｔｅｃｔ（ＢＡＳＦ社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）の０．０５質量部と、Ｔｉｎｕｖｉｎ  １１３０（ＢＡＳＦ社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）の０．１０質量部と、Ｔｉｎｕｖｉｎ  ３２６（ＢＡＳＦ社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）の２．５５質量部とを用いた以外は実施例１−１と同様にしてアクリル系粘着剤組成物を製造し、このアクリル系粘着剤組成物を用いて実施例１−１と同様にして有機電界発光表示装置を製造した。【０１１３】
［評価］
（耐光性）
実施例１−１〜１−６及び比較例１−１、１−２の有機電界発光表示装置の各々を促進耐候性試験機（スガ試験機（株）製、スーパーキセノンウエザーメーターＳＸ７５）に設置し、６０℃、相対湿度５０％の環境下において、５００時間光を照射して耐光性試験を行った。なお、促進耐候性試験機の照射光は屋外における日光に近似したスペクトルを有しており、屋外での使用を模擬した耐光性試験を実施することができる。光照射前の輝度（Ａ０）と、光照射後の輝度（Ａ１）を、輝度計ＣＳ２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定して光照射における輝度低下の割合（Ａ１／Ａ０）を算出した。【０１１４】
（接着性）
実施例１−１〜１−６及び比較例１−１、１−２の有機電界発光表示装置の各々を８０℃、相対湿度９０％の環境下で１０００時間放置して耐湿熱試験を行った。耐湿熱試験後の有機電界発光表示装置について、円偏光板の浮き、剥がれの有無を目視で観察し、３段階で評価した。
Ａ：浮きおよび剥がれが全く認められない。
Ｂ：浮き又は剥がれが若干認められるが、実用上問題がない。
Ｃ：全面的に浮きや剥がれがあり、実用不可である。【０１１５】
【表１】
2019159570.tif 000008
【０１１６】
表１に示すように、紫外線吸収剤として、化合物（Ｉ）−１〜化合物（Ｉ）−６を用いた実施例１−１〜１−６は、比較例１−１、１−２よりも輝度の低下が小さく、耐光性に優れていた。
また、実施例１−１〜１−６は、耐湿熱試験後も表示パネルからの円偏光板の浮きや剥がれが無く、表示パネルと円偏光板との接着性が良好であった。更には、耐湿熱試験後の有機電界発光表示装置を用いて耐光性試験を行ったところ、実施例１−１〜１−６は、比較例１−１、１−２よりも輝度の低下が小さかった。【０１１７】
＜試験例２＞
（実施例２−１〜２−６）
特開２０１６−０７６４４１号公報の実施例３に基づき、特開２０１６−０７６４４１号公報に記載の紫外線吸収層３６中の紫外線吸収剤として、化合物（Ｉ）−１〜（Ｉ）−６を使用した以外は特開２０１６−０７６４４１号公報の実施例３と同様にして表示パネルを製造した。この表示パネルに、特開２０１５−１８７７１７号公報の段落番号００２５〜００６６の記述に従い製造した円偏光板を粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１１８】
（比較例２−１、２−２）
特開２０１６−０７６４４１号公報の実施例３に基づき、特開２０１６−０７６４４１号公報に記載の紫外線吸収層３６中の芳香族化合物もしくはヘテロ環化合物として、アントラセンもしくはカルバゾールを使用して表示パネルを製造した。この表示パネルに、特開２０１５−１８７７１７号公報の段落番号００２５〜００６６の記述に従い製造した円偏光板を粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１１９】
実施例２−１〜２−６、比較例２−１、２−２の有機電界発光表示装置の各々について、上述した耐光性試験を行い、光照射前の輝度（Ａ０）と、光照射後の輝度（Ａ１）を、輝度計ＣＳ２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定して光照射における輝度低下の割合（Ａ１／Ａ０）を算出した。【０１２０】
【表２】
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【０１２１】
表２に示すように、紫外線吸収剤として、化合物（Ｉ）−１〜化合物（Ｉ）−６を用いた実施例２−１〜２−６は、比較例２−１、２−２よりも輝度の低下が小さく、耐光性に優れていた。また、有機電界発光表示装置の各々を８０℃、相対湿度９０％の環境下で１０００時間放置して耐湿熱試験を行った後、耐光性試験を行ったところ、実施例２−１〜２−６は、比較例２−１、２−２よりも輝度の低下が小さく、耐湿熱性に優れていた。【０１２２】
＜試験例３＞
（実施例３−１〜３−６）
特開２００８−０１６３７９号公報の段落番号００３２〜００５２の実施例１に基づき、透明充填層５中の紫外線吸収剤として２−（２’−ヒドロキシ−５’−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾールのかわりに、化合物（Ｉ）−１〜（Ｉ）−６を同質量使用した以外は特開２００８−０１６３７９号公報の実施例１と同様にして表示パネルを製造した。この表示パネルに特開２０１５−１８７７１７号公報の段落番号００２５〜００６６の記述に従い製造した円偏光板を、粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１２３】
（比較例３−１）
特開２００８−０１６３７９号公報の段落番号００３２〜００５２の実施例１に基づき、表示パネルを製造した。この表示パネルの製造にあたり、透明充填層５中の紫外線吸収剤として２−（２’−ヒドロキシ−５’−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾールを使用した。この表示パネルに、特開２０１５−１８７７１７号公報の段落番号００２５〜００６６の記述に従い製造した円偏光板を粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１２４】
実施例３−１〜３−６と比較例３−１の有機電界発光表示装置の各々について、上述した耐光性試験を行い、光照射前の輝度（Ａ０）と、光照射後の輝度（Ａ１）を、輝度計ＣＳ２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定して光照射における輝度低下の割合（Ａ１／Ａ０）を算出した。実施例３−１〜３−６は、比較例３−１よりも輝度の低下が小さく、耐光性に優れていた。また、有機電界発光表示装置の各々を８０℃、相対湿度９０％の環境下で１０００時間放置して耐湿熱試験を行った後、耐光性試験を行ったところ、実施例３−１〜３−６は、比較例３−１よりも輝度の低下が小さく、耐湿熱性に優れていた。【０１２５】
＜試験例４＞
（実施例４−１〜４−６）
紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ  ９２８（ＢＡＳＦ社製）のかわりに、化合物（Ｉ）−１〜（Ｉ）−６を同質量使用した以外は、国際公開ＷＯ２０１３／０３８６８４号公報の段落番号０２３６〜０２６９の円偏光板１０１の製造方法に従い、円偏光板を製造した。次に、有機電界発光素子を含む表示パネルが搭載されたＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ  ＳＩＩを分解し、表示パネルから円偏光板を剥離した。次いで、上記の円偏光板を、上記表示パネルの前述の円偏光板を剥離した面に粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１２６】
（比較例４−１）
国際公開ＷＯ２０１３／０３８６８４号公報の段落番号０２３６〜０２６９の円偏光板１０１の製造方法に従い、円偏光板を製造した。この円偏光板の製造にあたり、紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ  ９２８（ＢＡＳＦ社製）を用いた。次に、有機電界発光素子を含む表示パネルが搭載されたＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ  ＳＩＩを分解し、表示パネルから円偏光板を剥離した。次いで、上記の円偏光板を、上記表示パネルの前述の円偏光板を剥離した面に粘着剤（ＳＫ２０５７、綜研化学社製）を用いて貼付して有機電界発光表示装置を製造した。【０１２７】
実施例４−１〜４−６と比較例４−１の有機電界発光表示装置の各々について、上述した耐光性試験を行い、光照射前の輝度（Ａ０）と、光照射後の輝度（Ａ１）を、輝度計ＣＳ２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定して光照射における輝度低下の割合（Ａ１／Ａ０）を算出した。実施例４−１〜４−６は、比較例４−１よりも輝度の低下が小さく、耐光性に優れていた。また、有機電界発光表示装置の各々を８０℃、相対湿度９０％の環境下で１０００時間放置して耐湿熱試験を行った後、耐光性試験を行ったところ、実施例４−１〜４−６は、比較例４−１よりも輝度の低下が小さく、耐湿熱性に優れていた。
【符号の説明】
【０１２８】
１０：有機電界発光表示装置
１００：円偏光板
２００：表示パネル
ＢＳ：ベース基板
ＣＡ：チャンネル領域
ＣＥ１：共通電極
ＣＥ２：共通電極
ＣＨ１〜ＣＨ６：コンタクトホール
ＣＰＬ：キャッピング層
Ｃｓｔ；キャパシター
ＤＥ１：第１ドレーン電極
ＤＥ２：第２ドレーン電極
ＤＬ：データ配線
ＤＲＡ：ドレーン部
ＤＶＬ：駆動電圧配線
ＥＬ１：第１電極
ＥＬ２：第２電極
ＥＭＬ：発光層
ＥＴＲ：電子輸送領域
ＧＥ１：第１ゲート電極
ＧＥ２：第２ゲート電極
ＧＩ：ゲート絶縁層
ＧＬ：ゲート配線
ＨＴＲ：正孔輸送領域
ＩＬ：絶縁層
ＯＥＬ：有機電界発光素子
ＯＬ：有機層
ＰＤＬ：画素画定膜
ＰＬ：パッシベーション層
ＰＸ：画素
ＳＡ：ソース部
ＳＥ１：第１ソース電極
ＳＥ２：第２ソース電極
ＳＬ：封止層
ＳＭ１：第１半導体パターン
ＳＭ２：第２半導体パターン
ＴＦＴ１：薄膜トランジスタ（スイッチング薄膜トランジスタ）
ＴＦＴ２：薄膜トランジスタ（駆動薄膜トランジスタ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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