(57)【要約】  超微細なパターン（例えば、線幅４５ｎｍラインアンドスペースパターン又はホールサイズが４５ｎｍ以下のホールパターンなど）を形成する際の感度及びＥＬに優れ、ＬＷＲ及びＬＥＲが小さく、ＣＤＵに優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに上記組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂を、全固形分に対して３０質量％以上含有し、架橋剤を、全固形分に対して１０質量％以下含有する。レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いる。2020129476.tif 0000742020129476.tif 000075
2020129476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂Ｐを、全固形分に対して３０質量％以上含有し、架橋剤を、全固形分に対して１０質量％以下含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
2020129476.tif 000070
一般式（Ｐ１）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【請求項２】
前記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化２】
2020129476.tif 000071
一般式（Ｐ２）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【請求項３】
前記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ｐ３）で表される繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化３】
2020129476.tif 000072
一般式（Ｐ３）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【請求項４】
前記樹脂Ｐが、酸分解性基を有する繰り返し単位Ｋ１を更に含み、前記繰り返し単位Ｋ１は、前記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記樹脂Ｐが、極性基を有する繰り返し単位Ｋ２を更に含み、前記繰り返し単位Ｋ２は、前記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる繰り返し単位である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記繰り返し単位Ｋ２に含まれる極性基が、エステル基、スルホネート基、スルホンアミド基、カルボン酸基、スルホン酸基、カーボネート基、カーバメート基、アルコール性水酸基、スルホキシド基、スルホニル基、ケトン基、イミド基、アミド基、スルホンイミド基、シアノ基、ニトロ基、及びエーテル基からなる群より選択される少なくとも１つの基である、請求項５に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記繰り返し単位Ｋ２に含まれる極性基が、ラクトン基、スルトン基、スルタム基、カルボン酸基、アルコール性水酸基、及び環状カーボネート基からなる群より選択される少なくとも１つの基である、請求項５に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
光酸発生剤Ａを更に含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項９】
前記光酸発生剤Ａが、発生する酸のｐＫａが−１．４０以上である光酸発生剤Ａｗである、請求項８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１０】
塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、前記光酸発生剤Ａｗから発生する酸よりもｐＫａが１．００以上大きい酸を発生する化合物（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する化合物（ＤＤ）、及びカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）の少なくとも１つを更に含む、請求項９に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１１】
前記一般式（Ｐ１）において、下記一般式（Ｐ１−Ｄ）で表される部位の原子量の総和が３００以下である請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化４】
2020129476.tif 000073
一般式（Ｐ１−Ｄ）中、
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、前記アルケニル基、前記シクロアルケニル基、前記アルキニル基、及び前記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＊はＹｐとの結合位置を示す。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、集積回路）及びＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、化学増幅型レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。【０００３】
例えば、特許文献１には、水酸基含有する繰り返し単位を含むアルカリ可溶性樹脂と、光酸発生剤と、架橋剤とを含むネガ型レジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１５０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、リソグラフィーによって得られるパターンのより一層の微細化が求められており、それに伴い、パターンの線幅、ホール径等に代表されるパターンサイズが、例えば４５ｎｍ以下である超微細パターンの形成においても、ＬＷＲ（Ｌｉｎｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）及びＬＥＲ（Ｌｉｎｅ  Ｅｄｇｅ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が小さく、ＣＤＵ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ  Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）に優れたパターンを形成することが求められている。また、露光ラティチュード（ＥＬ）、及び感度の向上も求められている。【０００６】
本発明は、超微細なパターン（例えば、線幅４５ｎｍラインアンドスペースパターン又はホールサイズが４５ｎｍ以下のホールパターンなど）を形成する際の感度及びＥＬに優れ、ＬＷＲ及びＬＥＲが小さく、ＣＤＵに優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記構成により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下のとおりである。【０００８】
＜１＞
下記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂Ｐを、全固形分に対して３０質量％以上含有し、架橋剤を、全固形分に対して１０質量％以下含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【０００９】
【化１】
2020129476.tif 000003
【００１０】
一般式（Ｐ１）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＜２＞
上記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位である、＜１＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【００１１】
【化２】
2020129476.tif 000004
【００１２】
一般式（Ｐ２）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＜３＞
上記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ｐ３）で表される繰り返し単位である、＜１＞又は＜２＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【００１３】
【化３】
2020129476.tif 000005
【００１４】
一般式（Ｐ３）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＜４＞
上記樹脂Ｐが、酸分解性基を有する繰り返し単位Ｋ１を更に含み、前記繰り返し単位Ｋ１は、上記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる繰り返し単位である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜５＞
上記樹脂Ｐが、極性基を有する繰り返し単位Ｋ２を更に含み、前記繰り返し単位Ｋ２は、上記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる繰り返し単位である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜６＞
上記繰り返し単位Ｋ２に含まれる極性基が、エステル基、スルホネート基、スルホンアミド基、カルボン酸基、スルホン酸基、カーボネート基、カーバメート基、アルコール性水酸基、スルホキシド基、スルホニル基、ケトン基、イミド基、アミド基、スルホンイミド基、シアノ基、ニトロ基、及びエーテル基からなる群より選択される少なくとも１つの基である、＜５＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜７＞
上記繰り返し単位Ｋ２に含まれる極性基が、ラクトン基、スルトン基、スルタム基、カルボン酸基、アルコール性水酸基、及び環状カーボネート基からなる群より選択される少なくとも１つの基である、＜５＞又は＜６＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜８＞
光酸発生剤Ａを更に含む、＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜９＞
上記光酸発生剤Ａが、発生する酸のｐＫａが−１．４０以上である光酸発生剤Ａｗである、＜８＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１０＞
塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、上記光酸発生剤Ａｗから発生する酸よりもｐＫａが１．００以上大きい酸を発生する化合物（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する化合物（ＤＤ）、及びカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）の少なくとも１つを更に含む、＜９＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１１＞
上記一般式（Ｐ１）において、下記一般式（Ｐ１−Ｄ）で表される部位の原子量の総和が３００以下である＜１＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【００１５】
【化４】
2020129476.tif 000006
【００１６】
一般式（Ｐ１−Ｄ）中、
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＊はＹｐとの結合位置を示す。
＜１２＞
＜１＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
＜１３＞
＜１＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
＜１４＞
＜１３＞に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。【００１７】
上記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、Ｙｐ（又は、Ｙｐ及びＬｐ）で表される極性基が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有している。つまり、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、酸の作用により分解して極性が増大する基（以下、「酸分解性基」とも言う）を含む繰り返し単位である。
したがって、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合、ネガ型パターンが好適に形成される。
一般式（Ｐ１）が−Ｘｐ−Ｚｐで表される極性基を有することにより、光酸発生剤から発生した酸の拡散を適度に抑制することが可能となり、ＥＬ性能が向上するものと本発明者らは推察している。
また、−Ｘｐ−Ｚｐで表される基が、レジスト組成物中に典型的に含有される光酸発生剤中のアニオン性基と相互作用をすることで、樹脂Ｐと光酸発生剤との相溶性が向上し、これによりレジスト膜内での光酸発生剤の分布均一性が向上するため、局所的な感度のバラツキが小さくなり、ＬＷＲ及びＬＥＲが小さく、ＣＤＵが向上すると考えられる。
さらに、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、ＹｐとＸｐが２個の炭素原子を介して結合した構造を有しており、転位反応が起こりやすいため、反応性が高い（感度が高い）と考えられる。この転位反応は、ＹｐとＸｐが２個の炭素原子を介して結合した構造に特異的なものであり、ＹｐとＸｐが３個や４個の炭素原子を介して結合した構造では通常起こりにくい。
また、脱離基が−Ｘｐ−Ｚｐで表される極性基を有することにより、ネガ型パターンの形成ではレジスト膜の未露光部の有機溶剤現像液に対する溶解性が適度に下がること、ポジ型パターンの形成では未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が適度に向上することで感度が向上するものと考えられる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、超微細なパターン（例えば、線幅４５ｎｍラインアンドスペースパターン又はホールサイズが４５ｎｍ以下のホールパターンなど）を形成する際の感度及びＥＬに優れ、ＬＷＲ及びＬＥＲが小さく、ＣＤＵに優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
【００２０】
本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表す。
本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう。）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＸＬ−Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｉｎｄｅｘ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。
【００２１】
本明細書においてｐＫａ（酸解離定数ｐＫａ）とは、水溶液中での酸解離定数ｐＫａを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に定義される。酸解離定数ｐＫａの値が低いほど酸強度が大きい。ｐＫａの値は、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。
【００２２】
ソフトウェアパッケージ１：  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）  Ｓｏｆｔｗａｒｅ  Ｖ８．１４  ｆｏｒ  Ｓｏｌａｒｉｓ  （１９９４−２００７  ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。
【００２３】
本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
【００２４】
また、本明細書において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基の種類、置換基の位置、及び置換基の数は特に制限されない。置換基の数は例えば、１つ、２つ、３つ、又はそれ以上であってもよい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基Ｔから選択できる。
【００２５】
（置換基Ｔ）
置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ−ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ−トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２６】
［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物］
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう。）は、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂を、全固形分に対して３０質量％以上含有し、架橋剤を、全固形分に対して１０質量％以下含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。
【００２７】
本発明の組成物は、いわゆるレジスト組成物であり、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。
本発明の組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
以下、本発明の組成物に含まれる成分について詳述する。
【００２８】
〔一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂（樹脂Ｐ）〕
本発明の組成物は、下記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂（以下、「樹脂Ｐ」ともいう）を含む。下記一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は酸分解性基を含む繰り返し単位であり、樹脂Ｐは酸分解性樹脂である。
【００２９】
【化５】
2020129476.tif 000007
【００３０】
一般式（Ｐ１）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【００３１】
一般式（Ｐ１）中、Ｒｐ１及びＲｐ２がそれぞれパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表す場合がなく、また、Ｒｐ３とＲｐ４とが共にパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことがないことで、樹脂Ｐは十分な酸分解反応性を発現する。
【００３２】
一般式（Ｐ１）中、Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｒｐが表すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒｐが表す１価の有機基としては、特に限定されないが、アルキル基が好ましく挙げられる。
Ｒｐがアルキル基を表す場合、上記アルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。上記アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｒｐは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
【００３３】
一般式（Ｐ１）中、Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
Ｌｐが表す多価の連結基としては、特に限定されないが、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキレン基）、２価のヘテロ環基、及びこれらを組み合わせてできる連結基が挙げられる。
Ｌｐは、２価又は３価の連結基であることが好ましく、２価の連結基であることがより好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基）、及びこれらを組み合わせてできる２価の連結基であることがより好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−又は−Ｓ（＝Ｏ）２−であることがさらに好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−であることが特に好ましい。
なお、ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
【００３４】
一般式（Ｐ１）中、Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
ＲＮ１が１価の有機基を表す場合の１価の有機基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２０のアリール基）等が挙げられる。ＲＮ１は、水素原子であることが好ましい。
Ｘｐは、Ｏを表すことが好ましい。
【００３５】
一般式（Ｐ１）中、Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
ＲＮ２が１価の有機基を表す場合の１価の有機基としては、ＲＮ１が１価の有機基を表す場合の１価の有機基が挙げられる。ＲＮ２は、水素原子であることが好ましい。
Ｙｐは、Ｏ又はＮＨを表すことが好ましく、Ｏを表すことがより好ましい。
【００３６】
一般式（Ｐ１）中、Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐが１価の有機基を表す場合の１価の有機基としては、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキルスルホニル基）等が挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）等が挙げられる。
ＸｐがＯ又はＳのとき、Ｚｐは、水素原子であることが好ましい。
ＸｐがＮＲＮ１のとき、Ｚｐは、アルキルスルホニル基であることが好ましい。
【００３７】
一般式（Ｐ１）中、Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
【００３８】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルキル基は置換基を有していてもよい。
【００３９】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルキル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルキル基でも、多環のシクロアルキル基でもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルキル基がより好ましく、シクロヘキシル基が更に好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。
【００４０】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルケニル基としては、特に限定されないが、炭素数２〜１０のアルケニル基が好ましく、炭素数２〜６のアルケニル基がより好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルケニル基は置換基を有していてもよい。
【００４１】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルケニル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルケニル基でも、多環のシクロアルケニル基でもよい。単環のシクロアルケニル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルケニル基が好ましく、多環のシクロアルケニル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルケニル基がより好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルケニル基は置換基を有していてもよい。
【００４２】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルキニル基としては、特に限定されないが、炭素数２〜１０のアルキニル基が好ましく、炭素数２〜６のアルキニル基がより好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアルキニル基は置換基を有していてもよい。
【００４３】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルキニル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルキニル基でも、多環のシクロアルキニル基でもよい。単環のシクロアルキニル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキニル基が好ましく、多環のシクロアルキニル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルキニル基が好ましい。
シクロアルキニル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルキニル基がより好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すシクロアルキニル基は置換基を有していてもよい。
【００４４】
Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアリール基としては、特に限定されないが、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、炭素数６〜１５のアリール基がより好ましく、具体的には、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が更に好ましく、フェニル基が特に好ましい。Ｒｐ１、Ｒｐ２が表すアリール基は置換基を有していてもよい。
【００４５】
上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
【００４６】
Ｒｐ１とＲｐ２は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。形成される環構造としては、炭素数３〜２０の環構造であることが好ましく、炭素数４〜１０の環構造であることがより好ましく、炭素数４〜８の環構造であることが更に好ましい。
【００４７】
Ｒｐ１及びＲｐ２は各々独立にメチル基又はエチル基を表すか、Ｒｐ１とＲｐ２が結合して炭素数４〜８の環構造を形成していることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
【００４８】
一般式（Ｐ１）中、Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
【００４９】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルキル基は置換基を有していてもよい。
【００５０】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルキル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルキル基でも、多環のシクロアルキル基でもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルキル基がより好ましく、シクロヘキシル基が更に好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。
【００５１】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルケニル基としては、特に限定されないが、炭素数２〜１０のアルケニル基が好ましく、炭素数２〜６のアルケニル基がより好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルケニル基は置換基を有していてもよい。
【００５２】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルケニル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルケニル基でも、多環のシクロアルケニル基でもよい。単環のシクロアルケニル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルケニル基が好ましく、多環のシクロアルケニル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルケニル基がより好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルケニル基は置換基を有していてもよい。
【００５３】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルキニル基としては、特に限定されないが、炭素数２〜１０のアルキニル基が好ましく、炭素数２〜６のアルキニル基がより好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアルキニル基は置換基を有していてもよい。
【００５４】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルキニル基としては、特に限定されず、単環のシクロアルキニル基でも、多環のシクロアルキニル基でもよい。単環のシクロアルキニル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキニル基が好ましく、多環のシクロアルキニル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルキニル基が好ましい。
シクロアルキニル基としては、炭素数４〜１０のシクロアルキニル基がより好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すシクロアルキニル基は置換基を有していてもよい。
【００５５】
Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアリール基としては、特に限定されないが、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、炭素数６〜１５のアリール基がより好ましく、具体的には、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が更に好ましく、フェニル基が特に好ましい。Ｒｐ３、Ｒｐ４が表すアリール基は置換基を有していてもよい。
【００５６】
上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
【００５７】
Ｒｐ３とＲｐ４は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。形成される環構造としては、炭素数３〜２０の環構造であることが好ましく、炭素数４〜１０の環構造であることがより好ましく、炭素数４〜８の環構造であることが更に好ましい。
【００５８】
Ｒｐ３及びＲｐ４は各々独立にメチル基又はエチル基を表すか、Ｒｐ３とＲｐ４が結合して炭素数４〜８の環構造を形成していることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
【００５９】
一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、酸の作用により分解する際に生じる分解物の大きさが小さい方が、分解物のレジスト膜中の残存性が下がり、現像バラツキを減少させることができる。したがって、分解物の大きさが小さい方が、ＬＷＲ、ＬＥＲ、ＣＤＵの観点から好ましい。分解物の大きさは、酸分解反応で脱離する部位（分解部位）の原子量の総和と相関があると考えられる。本発明では、一般式（Ｐ１）における分解部位に相当する、下記一般式（Ｐ１−Ｄ）で表される部位（基）の式量（原子量の総和）が３００以下であることが好ましく、２５０以下であることがより好ましく、２００以下であることが更に好ましく、１５０以下であることが一層好ましく、１２０以下であることが特に好ましく、１１０以下であることが最も好ましい。
【００６０】
【化６】
2020129476.tif 000008
【００６１】
一般式（Ｐ１−Ｄ）中、
Ｘｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ１を表す。ＲＮ１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｚｐは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
＊はＹｐとの結合位置を示す。
【００６２】
一般式（Ｐ１−Ｄ）中、Ｘｐ、Ｚｐ、Ｒｐ１〜Ｒｐ４は、一般式（Ｐ１）中のＸｐ、Ｚｐ、Ｒｐ１〜Ｒｐ４と同義であり、好ましい例も同様である。
【００６３】
一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、−Ｘｐ−Ｚｐで表される極性基がヒドロキシ基であることが好ましい。すなわち、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、下記一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
【００６４】
【化７】
2020129476.tif 000009
【００６５】
一般式（Ｐ２）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｌｐは、単結合、又は多価の連結基を表す。
ＲｐとＬｐは結合して環構造を形成していてもよい。
Ｙｐは、Ｏ、Ｓ、又はＮＲＮ２を表す。ＲＮ２は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【００６６】
一般式（Ｐ２）中、Ｒｐ、Ｌｐ、Ｙｐ、及びＲｐ１〜Ｒｐ４は、一般式（Ｐ１）中のＲｐ、Ｌｐ、Ｙｐ、及びＲｐ１〜Ｒｐ４と同義であり、好ましい例も同様である。
【００６７】
さらに、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位は、現像液への適度な溶解性を有することや、原料入手の容易性の観点から、下記一般式（Ｐ３）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。
【００６８】
【化８】
2020129476.tif 000010
【００６９】
一般式（Ｐ３）中、
Ｒｐは、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｒｐ１及びＲｐ２は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ１はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。Ｒｐ２はパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ３及びＲｐ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、又はアリール基を表し、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルケニル基、上記アルキニル基、及び上記シクロアルキニル基は、炭素−炭素結合の間にヘテロ原子を有してもよい。ただし、Ｒｐ３がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表し、かつＲｐ４がパーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基を表すことはない。
Ｒｐ１〜Ｒｐ４のいずれか２つが結合して環構造を形成していてもよい。
【００７０】
一般式（Ｐ３）中、Ｒｐ及びＲｐ１〜Ｒｐ４は、一般式（Ｐ１）中のＲｐ及びＲｐ１〜Ｒｐ４と同義であり、好ましい例も同様である。
【００７１】
以下に一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位の具体例を挙げる。
【００７２】
【化９】
2020129476.tif 000011
【００７３】
【化１０】
2020129476.tif 000012
【００７４】
【化１１】
2020129476.tif 000013
【００７５】
樹脂Ｐは一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。
【００７６】
樹脂Ｐに含まれる一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位の含有量（一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が複数存在する場合はその合計の含有量）は、樹脂Ｐの全繰り返し単位に対して、５〜８０モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましく、１５〜６０モル％が更に好ましい。
【００７７】
＜酸分解性基を有する繰り返し単位Ｋ１＞
樹脂Ｐは、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位に加えて、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる酸分解性基を有する繰り返し単位（「繰り返し単位Ｋ１」ともいう。）を更に含むことが好ましい。
酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を含むことが好ましい。
極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、並びに、アルコール性水酸基等が挙げられる。
【００７８】
なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子等の電子求引性基で置換された脂肪族アルコール基（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基等）は除く。アルコール性水酸基としては、ｐＫａ（酸解離定数）が１２〜２０の水酸基が好ましい。
【００７９】
極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又はスルホン酸基が好ましい。
【００８０】
酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸の作用により脱離する基（脱離基）で置換した基である。
酸の作用により脱離する基（脱離基）としては、例えば、−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、及び−Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）等が挙げられる。
式中、Ｒ３６〜Ｒ３９は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ３６とＲ３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ０１及びＲ０２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
【００８１】
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のアルキル基は、炭素数１〜８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等が挙げられる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１、及びＲ０２のシクロアルキル基は、単環でも、多環でもよい。単環としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。多環としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の１つ以上の炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１、及びＲ０２のアリール基は、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１、及びＲ０２のアラルキル基は、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びナフチルメチル基等が挙げられる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１、及びＲ０２のアルケニル基は、炭素数２〜８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、及びシクロへキセニル基等が挙げられる。
Ｒ３６とＲ３７とが互いに結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環又は多環）が好ましい。単環のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、又はシクロヘキシル基等が好ましく、多環のシクロアルキル基としては、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、又はアダマンチル基等が好ましい。
【００８２】
酸分解性基としては、第３級のアルキルエステル基、アセタール基、クミルエステル基、エノールエステル基、又はアセタールエステル基が好ましく、アセタール基又は第３級アルキルエステル基がより好ましい。
【００８３】
樹脂Ｐは、繰り返し単位Ｋ１として、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
【００８４】
【化１２】
2020129476.tif 000014
【００８５】
一般式（ＡＩ）中、Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−ＣＯＯ−Ｒｔ−、及び−Ｏ−Ｒｔ−等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。
Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−Ｒｔ−が好ましい。Ｒｔは、炭素数１〜５の鎖状アルキレン基が好ましく、−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、又は−（ＣＨ２）３−がより好ましい。
Ｔは、単結合であることがより好ましい。
【００８６】
一般式（ＡＩ）中、Ｘａ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｘａ１は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
Ｘａ１のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｘａ１のアルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｘａ１のアルキル基は、メチル基であることが好ましい。
【００８７】
一般式（ＡＩ）中、Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。
Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３のアルキル基としては、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基等が好ましい。アルキル基の炭素数としては、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が更に好ましい。Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３のアルキル基は、炭素間結合の一部が二重結合であってもよい。
Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３のシクロアルキル基は、単環でも多環でもよい。単環のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等が挙げられる。
【００８８】
Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３の２つが結合して形成する環は単環でも多環でもよい。単環の例としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘプチル環、及びシクロオクタン環等の単環のシクロアルカン環が挙げられる。多環の例としては、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、及びアダマンタン環等の多環のシクロアルキル環が挙げられる。なかでも、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、又はアダマンタン環が好ましい。
また、Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３の２つが結合して形成する環としては、下記に示す環も好ましい。
【００８９】
【化１３】
2020129476.tif 000015
【００９０】
以下に一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げる。
下記の具体例は、一般式（ＡＩ）におけるＸａ１がメチル基である場合に相当するが、Ｘａ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換できる。
【００９１】
【化１４】
2020129476.tif 000016
【００９２】
樹脂Ｐは、繰り返し単位Ｋ１として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３３６＞〜＜０３６９＞に記載の繰り返し単位を有するのも好ましい。
【００９３】
また、樹脂Ｐは、繰り返し単位Ｋ１として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３６３＞〜＜０３６４＞に記載された酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基を含む繰り返し単位を有していてもよい。
【００９４】
樹脂Ｐが繰り返し単位Ｋ１を含む場合、樹脂Ｐに含まれる繰り返し単位Ｋ１の種類は１種でもよく、２種以上でもよい。
【００９５】
樹脂Ｐに含まれる繰り返し単位Ｋ１の含有量（繰り返し単位Ｋ１が複数存在する場合はその合計の含有量）は、樹脂Ｐの全繰り返し単位に対して、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜８０モル％がより好ましく、３０〜７０モル％が更に好ましい。
【００９６】
＜極性基を有する繰り返し単位Ｋ２＞
樹脂Ｐは、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位に加えて、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位とは異なる極性基を有する繰り返し単位（「繰り返し単位Ｋ２」ともいう。
）を更に含むことが好ましい。
【００９７】
繰り返し単位Ｋ２が有する極性基としては、エステル基、スルホネート基、スルホンアミド基、カルボン酸基、スルホン酸基、カーボネート基、カーバメート基、アルコール性水酸基、スルホキシド基、スルホニル基、ケトン基、イミド基、アミド基、スルホンイミド基、シアノ基、ニトロ基、及びエーテル基からなる群より選択される少なくとも１つの基であることが好ましく、ラクトン基、スルトン基、スルタム基、カルボン酸基、アルコール性水酸基、及び環状カーボネート基からなる群より選択される少なくとも１つの基であることがより好ましく、ラクトン基又はスルトン基であることが更に好ましく、ラクトン基であることが特に好ましい。
すなわち、繰り返し単位Ｋ２は、ラクトン構造又はスルトン構造を有することが好ましく、ラクトン構造を有することが特に好ましい。
【００９８】
ラクトン構造又はスルトン構造としては、ラクトン環又はスルトン環を有していればよく、５〜７員環のラクトン環を有するラクトン構造又は５〜７員環のスルトン環を有するスルトン構造が好ましい。
ビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で５〜７員環ラクトン環に他の環が縮環しているラクトン構造も好ましい。ビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で５〜７員環スルトン環に他の環が縮環しているスルトン構造も好ましい。
【００９９】
なかでも、樹脂Ｐは、下記一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−２２）のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記一般式（ＳＬ１−１）〜（ＳＬ１−３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。
なかでも、一般式（ＬＣ１−１）、一般式（ＬＣ１−４）、一般式（ＬＣ１−５）、一般式（ＬＣ１−８）、一般式（ＬＣ１−１６）、一般式（ＬＣ１−２１）、若しくは、一般式（ＬＣ１−２２）で表されるラクトン構造、又は一般式（ＳＬ１−１）で表されるスルトン構造が好ましい。
【０１００】
【化１５】
2020129476.tif 000017
【０１０１】
ラクトン構造又はスルトン構造は、置換基（Ｒｂ２）を有していても、有していなくてもよい。置換基（Ｒｂ２）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、水酸基、又はシアノ基等が好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、又はシアノ基がより好ましい。ｎ２は、０〜４の整数を表す。ｎ２が２以上の場合、複数存在する置換基（Ｒｂ２）は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基（Ｒｂ２）同士が結合して環を形成してもよい。
【０１０２】
ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＬＳ１）で表される繰り返し単位が好ましい。
【０１０３】
【化１６】
2020129476.tif 000018
【０１０４】
上記一般式（ＬＳ１）中、
ＡＬＳは、エステル結合（−ＣＯＯ−で表される基）又はアミド結合（−ＣＯＮＨ−で表される基）を表す。
【０１０５】
ｔは、−ＲＬＳ２−ＲＬＳ３−で表される構造の繰り返し数であり、０〜５の整数を表し、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。ｔが０である場合、（−ＲＬＳ２−ＲＬＳ３−）ｔは、単結合となる。
【０１０６】
ＲＬＳ２は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。ＲＬＳ２が複数存在する場合、複数存在するＲＬＳ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲＬＳ２のアルキレン基又はシクロアルキレン基は置換基を有してもよい。
【０１０７】
ＲＬＳ３は、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を表す。ＲＬＳ３が複数存在する場合、複数存在するＲＬＳ３は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
中でもＲＬＳ３は、エーテル結合又はエステル結合が好ましく、エステル結合がより好ましい。
【０１０８】
ＲＬＳ４は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する１価の有機基を表す。
なかでも、前述の一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−２２）で表される構造、及び一般式（ＳＬ１−１）〜（ＳＬ１−３）で表される構造のいずれかにおいて、ラクトン構造又はスルトン構造を構成する炭素原子１つから、水素原子を１つ除いてなる基であることが好ましい。なお、上記水素原子を１つ除かれる炭素原子は、置換基（Ｒｂ２）を構成する炭素原子ではないことが好ましい。
【０１０９】
ＲＬＳ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
【０１１０】
以下にラクトン構造、及びスルトン構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位に相当するモノマーを例示する。
下記の例示において、ビニル基に結合するメチル基は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に置き換えられてもよい。
【０１１１】
【化１７】
2020129476.tif 000019
【０１１２】
【化１８】
2020129476.tif 000020
【０１１３】
樹脂Ｐは、カーボネート構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。カーボネート構造としては、環状炭酸エステル（環状カーボネート）構造が好ましい。
環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位が好ましい。
【０１１４】
【化１９】
2020129476.tif 000021
【０１１５】
一般式（Ａ−１）中、ＲＡ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
ＲＡ２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＲＡ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｚは、式中の−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。
【０１１６】
樹脂Ｐは、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、及びフッ素化アルコール基（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基）等の極性基を有する繰り返し単位を有していてもよい。上記の極性基を有する繰り返し単位としては、上記極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位が好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造における、脂環炭化水素構造としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、又はノルボルナン基が好ましい。
【０１１７】
以下に、上記の極性基を有する繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に制限されない。
【０１１８】
【化２０】
2020129476.tif 000022
【０１１９】
【化２１】
2020129476.tif 000023
【０１２０】
樹脂Ｐは、繰り返し単位Ｋ２として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３７０＞〜＜０４３３＞に記載の繰り返し単位を有するのも好ましい。
【０１２１】
樹脂Ｐが繰り返し単位Ｋ２を含む場合、樹脂Ｐに含まれる繰り返し単位Ｋ２の種類は、１種でも、２種以上でもよい。
【０１２２】
樹脂Ｐが繰り返し単位Ｋ２を含む場合、樹脂Ｐに含まれる繰り返し単位Ｋ２の含有量（繰り返し単位Ｋ２が複数存在する場合はその合計の含有量）は、樹脂Ｐ中の全繰り返し単位に対して、５〜７０モル％が好ましく、１０〜６５モル％がより好ましく、２０〜６０モル％が更に好ましい。
【０１２３】
＜酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位Ｋ３＞
樹脂Ｐは、更に、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位（「繰り返し単位Ｋ３」ともいう。）を含んでいてもよい。
繰り返し単位Ｋ３は、脂環炭化水素構造を有することが好ましい。繰り返し単位Ｋ３としては、例えば、米国特許出願公開２０１６／００２６０８３Ａ１号明細書の段落［０２３６］〜＜０２３７＞に記載された繰り返し単位が挙げられる。
以下に、繰り返し単位Ｋ３に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。
【０１２４】
【化２２】
2020129476.tif 000024
【０１２５】
この他にも、繰り返し単位Ｋ３の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０４３３＞に開示された繰り返し単位が挙げられる。
樹脂Ｐが繰り返し単位Ｋ３を含む場合、樹脂Ｐに含まれる繰り返し単位Ｋ３の種類は１種でもよく、２種以上でもよい。
樹脂Ｐが繰り返し単位Ｋ３を含む場合、繰り返し単位Ｋ３の含有量（繰り返し単位Ｋ３が複数存在する場合はその合計の含有量）は、樹脂Ｐ中の全繰り返し単位に対して、５〜４０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましく、５〜２５モル％が更に好ましい。
【０１２６】
なお、樹脂Ｐは、その他の繰り返し単位として、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、又は更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し単位を有していてもよい。
このような繰り返し単位としては、所定の単量体に相当する繰り返し単位が挙げられるが、これらに制限されない。
【０１２７】
所定の単量体としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、及びビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等が挙げられる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物を用いてもよい。
樹脂Ｐにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、種々の性能を調節するために適宜設定される。
【０１２８】
本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光の透過性の観点から、樹脂Ｐ中の全繰り返し単位に対して、芳香族基を有する繰り返し単位が１５モル％以下であることが好ましく、１０モル％以下であることがより好ましい。
【０１２９】
本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、樹脂Ｐは、繰り返し単位の全てが（メタ）
アクリレート系繰り返し単位で構成されることが好ましい。この場合、繰り返し単位の全てがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位の全てがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位の全てがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも使用できるが、アクリレート系繰り返し単位が樹脂Ｐの全繰り返し単位に対して５０モル％以下であることが好ましい。
【０１３０】
本発明の組成物がＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用、又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂Ｐは芳香族炭化水素環基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、フェノール性水酸基が酸の作用により分解して脱離する脱離基で保護された構造（酸分解性基）を有する繰り返し単位を含むことがより好ましい。フェノール性水酸基を含む繰り返し単位としては、ヒドロキシスチレン繰り返し単位、及びヒドロキシスチレン（メタ）アクリレート繰り返し単位等が挙げられる。
本発明の組成物がＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用、又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂Ｐに含まれる芳香族炭化水素環基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂Ｐ中の全繰り返し単位に対して、３０モル％以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、例えば１００モル％以下である。なかでも、３０〜１００モル％が好ましく、４０〜１００モル％がより好ましく、５０〜１００モル％が更に好ましい。
【０１３１】
樹脂Ｐの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜２００，０００が好ましく、２，０００〜２０，０００がより好ましく、３，０００〜２０，０００が更に好ましい。分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常１．０〜３．０であり、１．０〜２．６が好ましく、１．０〜２．０がより好ましく、１．１〜２．０が更に好ましい。
【０１３２】
本発明の組成物において、樹脂Ｐは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物中、樹脂Ｐの含有量は、全固形分に対して、３０質量％以上含有する。
樹脂Ｐの含有量は、全固形分に対して、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましい。本発明の組成物中の樹脂Ｐの含有量の上限は特に制限されないが、９８質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましく、９２質量％以下が更に好ましい。
なお、固形分とは、組成物中の溶剤を除いた成分を意図し、溶剤以外の成分であれば液状成分であっても固形分とみなす。
【０１３３】
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、架橋剤を、組成物の全固形分に対して、１０質量％以下含む。架橋剤の含有量は、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。
【０１３４】
〔光酸発生剤Ａ〕
本発明の組成物は、典型的には、光酸発生剤（「光酸発生剤Ａ」ともいう。）を含有することが好ましい。
光酸発生剤Ａは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
光酸発生剤Ａとしては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ−ニトロベンジルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１３５】
光酸発生剤Ａとしては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用できる。光酸発生剤Ａとしては、酸分解性樹脂の脱保護反応を起こすために通常用いられる光酸発生剤を使用することができ、例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０１２５＞〜
＜０３１９＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［００８６］〜＜００９４＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０３２３＞〜＜０４０２＞に開示された公知の化合物を好適に使用できる。
【０１３６】
光酸発生剤Ａとしては、例えば、下記一般式（ＺＩ）、一般式（ＺＩＩ）又は一般式（ＺＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【０１３７】
【化２３】
2020129476.tif 000025
【０１３８】
上記一般式（ＺＩ）において、
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０であり、好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１〜Ｒ２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）及び−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−が挙げられる。
Ｚ−は、アニオン（非求核性アニオンが好ましい。）を表す。
【０１３９】
一般式（ＺＩ）におけるカチオンの好適な態様としては、後述する化合物（ＺＩ−１）、化合物（ＺＩ−２）、一般式（ＺＩ−３）で表される化合物（化合物（ＺＩ−３））及び一般式（ＺＩ−４）で表される化合物（化合物（ＺＩ−４））における対応する基が挙げられる。
なお、光酸発生剤Ａは、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ２０１〜Ｒ２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ２０１〜Ｒ２０３の少なくとも一つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
【０１４０】
まず、化合物（ＺＩ−１）について説明する。
化合物（ＺＩ−１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ２０１〜Ｒ２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ２０１〜Ｒ２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ２０１〜Ｒ２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
また、Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうちの１つがアリール基であり、Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうちの残りの２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、１つ以上のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、及び／又はカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基、又は−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−）が挙げられる。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
【０１４１】
アリールスルホニウム化合物に含まれるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖状アルキル基、炭素数３〜１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３〜１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
【０１４２】
Ｒ２０１〜Ｒ２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。
【０１４３】
次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。
化合物（ＺＩ−２）は、式（ＺＩ）におけるＲ２０１〜Ｒ２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ２０１〜Ｒ２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１〜３０であり、炭素数１〜２０が好ましい。
Ｒ２０１〜Ｒ２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基、更に好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２−オキソアルキル基である。
【０１４４】
Ｒ２０１〜Ｒ２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、及び、炭素数３〜１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が挙げられる。
Ｒ２０１〜Ｒ２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
【０１４５】
次に、化合物（ＺＩ−３）について説明する。
【０１４６】
【化２４】
2020129476.tif 000026
【０１４７】
一般式（ＺＩ−３）中、Ｍは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、環構造を有するとき、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び炭素−炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。Ｒ６ｃ及びＲ７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Ｒ６ｃとＲ７ｃとが結合して環を形成してもよい。Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒｘ及びＲｙが結合して環を形成してもよい。また、Ｍ、Ｒ６ｃ及びＲ７ｃから選ばれる少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよく、上記環構造に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。Ｚ−は、アニオンを表す。
【０１４８】
一般式（ＺＩ−３）中、Ｍで表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１〜１５（好ましくは炭素数１〜１０）の直鎖状アルキル基、炭素数３〜１５（好ましくは炭素数３〜１０）の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３〜１５（好ましくは炭素数１〜１０）のシクロアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基、及びノルボルニル基等が挙げられる。
Ｍで表されるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、及びベンゾチオフェン環等が挙げられる。
【０１４９】
上記Ｍは、更に置換基（例えば、置換基Ｔ）を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｍとしてベンジル基などが挙げられる。
なお、Ｍが環構造を有する場合、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び、炭素−炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。
【０１５０】
Ｒ６ｃ及びＲ７ｃで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。また、Ｒ６ｃとＲ７ｃは、結合して環を形成してもよい。
Ｒ６ｃ及びＲ７ｃで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
【０１５１】
Ｒｘ及びＲｙで表されるアルキル基、及びシクロアルキル基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。
Ｒｘ及びＲｙで表されるアルケニル基としては、アリル基又はビニル基が好ましい。
上記Ｒｘ及びＲｙは、更に置換基（例えば、置換基Ｔ）を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｒｘ及びＲｙとして２−オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルアルキル基などが挙げられる。
Ｒｘ及びＲｙで表される２−オキソアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１５（好ましくは炭素数１〜１０）のものが挙げられ、具体的には、２−オキソプロピル基、及び２−オキソブチル基等が挙げられる。
Ｒｘ及びＲｙで表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１５（好ましくは炭素数１〜１０）のものが挙げられる。また、ＲｘとＲｙは、結合して環を形成してもよい。
ＲｘとＲｙとが互いに連結して形成される環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。
【０１５２】
一般式（ＺＩ−３）中、ＭとＲ６ｃとが結合して環構造を形成してもよく、形成される環構造は、炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。
【０１５３】
上記化合物（ＺＩ−３）は、なかでも、化合物（ＺＩ−３Ａ）であることが好ましい。
化合物（ＺＩ−３Ａ）は、下記一般式（ＺＩ−３Ａ）で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
【０１５４】
【化２５】
2020129476.tif 000027
【０１５５】
一般式（ＺＩ−３Ａ）中、
Ｒ１ｃ〜Ｒ５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
Ｒ６ｃ及びＲ７ｃとしては、上述した一般式（ＺＩ−３）中のＲ６ｃ及びＲ７ｃと同義であり、その好ましい態様も同じである。
Ｒｘ及びＲｙとしては、上述した上述した一般式（ＺＩ−３）中のＲｘ及びＲｙと同義であり、その好ましい態様も同じである。
【０１５６】
Ｒ１ｃ〜Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、ＲｘとＲｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ５ｃ及びＲ６ｃ、Ｒ５ｃ及びＲｘは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ６ｃとＲ７ｃは、各々結合して環構造を形成してもよい。
上記環構造としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環構造としては、３〜１０員環が挙げられ、４〜８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。
【０１５７】
Ｒ１ｃ〜Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ６ｃとＲ７ｃ、及びＲｘとＲｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ５ｃとＲ６ｃ、及びＲ５ｃとＲｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等が挙げられる。
Ｚｃ−は、アニオンを表す。
【０１５８】
次に、化合物（ＺＩ−４）について説明する。
化合物（ＺＩ−４）は、下記一般式（ＺＩ−４）で表される。
【０１５９】
【化２６】
2020129476.tif 000028
【０１６０】
一般式（ＺＩ−４）中、
ｌは０〜２の整数を表す。ｌは０であることが特に好ましい。
ｒは０〜８の整数を表す。
Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
Ｚ−は、アニオンを表す。
【０１６１】
一般式（ＺＩ−４）において、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、又はｔ−ブチル基等がより好ましい。２つのＲ１５は互いに結合して環を形成しても良く、環を形成する場合の環員数は５〜６が好ましい。
２つのＲ１５が互い結合して環を形成する場合の環は置換基を有していてもよい。上記置換基としては特に限定されないが、例えば、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコキシ基が挙げられる。上記ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。上記アルキル基の炭素数は１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。上記アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては特に限定されないが、例えばハロゲン原子が挙げられる。上記アルコキシ基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。上記アルコキシ基の炭素数は１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。上記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。上記アルコキシ基は置換基を有していてもよく、置換基としては特に限定されないが、例えば、アルコキシ基（例えば炭素数１〜６のアルコキシ基）又はシクロアルキル基（例えば炭素数５〜１０のシクロアルキル基）が挙げられる。
【０１６２】
次に、一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）について説明する。
一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ２０４〜Ｒ２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、又は、炭素数３〜１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が好ましい。
【０１６３】
Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。
Ｚ−は、アニオンを表す。
【０１６４】
一般式（ＺＩ）におけるスルホニウムカチオン、及び一般式（ＺＩＩ）におけるヨードニウムカチオンの好ましい例を以下に示す。
【０１６５】
【化２７】
2020129476.tif 000029
【０１６６】
【化２８】
2020129476.tif 000030
【０１６７】
一般式（ＺＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ−の好ましい一態様は、下記一般式（３）で表されるアニオンである。
【０１６８】
【化２９】
2020129476.tif 000031
【０１６９】
一般式（３）中、ｏは、１〜３の整数を表す。ｐは、０〜１０の整数を表す。ｑは、０〜１０の整数を表す。
【０１７０】
Ｘｆは、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。
Ｘｆは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はＣＦ３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが更に好ましい。
【０１７１】
Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５が複数存在する場合、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ４及びＲ５で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１〜４が好ましい。Ｒ４及びＲ５は、好ましくは水素原子である。
少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例及び好適な態様は一般式（３）中のＸｆの具体例及び好適な態様と同じである。
【０１７２】
Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、Ｌは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１５）
、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６）及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。これらの中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−、−ＯＣＯ−アルキレン基−、−ＣＯＮＨ−アルキレン基−又は−ＮＨＣＯ−アルキレン基−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＳＯ２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−又は−ＯＣＯ−アルキレン基−がより好ましい。
【０１７３】
Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。これらの中でも、環状の有機基であることが好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。
【０１７４】
アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。
【０１７５】
上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、及び、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３〜２０が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。
【０１７６】
一般式（３）で表されるアニオンとしては、ＳＯ３−−ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ３−−ＣＦ２−ＣＨＦ−ＣＨ２−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ３−−ＣＦ２−ＣＯＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ３−−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＨ２−ＣＨ２−（Ｌ）ｑ−Ｗ、ＳＯ３−−ＣＦ２−ＣＨ（ＣＦ３）−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗが好ましい。ここで、Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。ｑ’は、０〜１０の整数を表す。
【０１７７】
一態様において、一般式（ＺＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ-としては、下記の一般式（４）で表されるアニオンも好ましい。
【０１７８】
【化３０】
2020129476.tif 000032
【０１７９】
一般式（４）中、
ＸＢ１及びＸＢ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。ＸＢ１及びＸＢ２は、水素原子であることが好ましい。
ＸＢ３及びＸＢ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。ＸＢ３及びＸＢ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、ＸＢ３及びＸＢ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。ＸＢ３及びＸＢ４の両方が、フッ素原子で置換されたアルキル基であることが更に好ましい。
Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。
【０１８０】
一般式（ＺＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ-は、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐鎖状アルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。
【０１８１】
一般式（ＺＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ-としては、下記の一般式（ＳＡ１）で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。
【０１８２】
【化３１】
2020129476.tif 000033
【０１８３】
式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有してもよい置換基としては、フッ素原子及び水酸基等が挙げられる。
【０１８４】
ｎは、０以上の整数を表す。ｎとしては、１〜４が好ましく、２〜３がより好ましく、３が更に好ましい。
【０１８５】
Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等が挙げられる。
【０１８６】
Ｂは、炭化水素基を表す。
【０１８７】
好ましくは、Ｄは単結合であり、Ｂは脂肪族炭化水素構造である。Ｂは、イソプロピル基又はシクロヘキシル基がより好ましい。
【０１８８】
一般式（ＺＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩＩ）におけるアニオンＺ-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ-の好ましい例を以下に示すが、これらに限定されない。
【０１８９】
【化３２】
2020129476.tif 000034
【０１９０】
【化３３】
2020129476.tif 000035
【０１９１】
本発明においては、上記のカチオン及びアニオンを任意に組みわせて光酸発生剤Ａとして使用できる。
【０１９２】
＜光酸発生剤Ａｗ＞
本発明において、光酸発生剤Ａが発生する酸の強さは特に限定されないが、ｐＫａが−１．４０以上であることがＥＬ性能の向上等の観点から特に好ましい。すなわち、本発明の組成物は、光酸発生剤Ａとして、発生する酸のｐＫａが−１．４０以上である光酸発生剤（「光酸発生剤Ａｗ」ともいう。）を用いることが好ましい。光酸発生剤Ａｗから発生する酸のｐＫａの上限値は特に制限されず、例えば、５．００以下である。
光酸発生剤Ａｗから発生する酸のｐＫａとしては、形成されるパターンのＬＷＲ、ＬＥＲ、ＣＤＵがより優れる点、及び／又は膜の膜面均一性がより優れる点で、−１．３８以上が好ましい。また、その上限値は、形成されるパターンのＬＷＲ、ＬＥＲ、ＣＤＵがより優れる点で、２．００以下が好ましく、１．３０以下がより好ましい。
光酸発生剤Ａｗから発生する酸としては、上述したｐＫａを満たせば特に制限されないが、スルホン酸であることが好ましい。
【０１９３】
光酸発生剤Ａｗとしては、前述の一般式（ＺＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ−が、下記一般式（１−１）又は（１−２）で表されることが好ましい。
すなわち、前述の一般式（ＺＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３）におけるＺ−、一般式（ＺＩ−３Ａ）におけるＺｃ−、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ−の特に好ましい態様は、下記一般式（１−１）又は（１−２）で表されるアニオンである。
【０１９４】
【化３４】
2020129476.tif 000036
【０１９５】
一般式（１−１）中、Ｒ１１は、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ１２は、１価の有機基を表し、Ｒｆ１１は、水素原子、フッ素原子、又は１価の有機基を表す。
一般式（１−２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ２４は、１価の有機基を表し、Ｒｆ２１は、フッ素原子、又はフッ素原子を含む１価の有機基を表す。
【０１９６】
一般式（１−１）中、Ｒ１１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ１１で表される１価の有機基としては特に制限されず、炭素数１〜２０の１価の有機基であることが好ましく、例えば、アルキル基又はシクロアルキル基が挙げられ、上記アルキル基は直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。上記アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、炭素数１〜６が更に好ましい。上記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０が好ましく、６〜２０がより好ましい。なお、上記アルキル基又はシクロアルキル基は、更に置換基を有していてもよい。Ｒ１１で表される１価の有機基はフッ素原子を有さないことが好ましい。
Ｒ１１としては、なかでも水素原子が好ましい。
【０１９７】
Ｒ１２は、１価の有機基を表す。Ｒ１２で表される１価の有機基としては特に制限されず、炭素数１〜２０の１価の有機基であることが好ましく、例えば、＊−Ｌ１１−Ｗ１１で表される基が挙げられる。ここで、Ｌ１１は、２価の連結基を表し、Ｗ１１は、環状構造を含む有機基を表し、＊は結合位置を表す。
【０１９８】
Ｌ１１で表される２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）
、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６）、及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。具体的には、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−ＡＬ−、−ＣＯＯ−ＡＬ−、−ＯＣＯ−ＡＬ−、−ＣＯＮＨ−ＡＬ−、−ＮＨＣＯ−ＡＬ−、−ＡＬ−ＯＣＯ−、−ＡＬ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＡＬ−、−ＡＬ−ＣＯ−、−Ｏ−ＡＬ−、−ＡＬ−Ｏ−、及び、−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−等が挙げられる。なお、上記ＡＬは、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）を表す。
【０１９９】
Ｗ１１は、環状構造を含む有機基を表す。これらのなかでも、環状の有機基であることが好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。なかでも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。
【０２００】
アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、及びアントリル基が挙げられる。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。
【０２０１】
上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい。）、シクロアルキル基（単環、多環、及びスピロ環のいずれであってもよく、炭素数３〜２０が好ましい。）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい。）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。
【０２０２】
Ｒｆ１１は、水素原子、フッ素原子、又は１価の有機基を表す。
Ｒｆ１１で表される１価の有機基としては特に制限されないが、フッ素原子を含む１価の有機基が好ましく、例えば、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。）又はシクロアルキル基が挙げられる。上記アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。上記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。少なくとも１つのフッ素原子で置換されたシクロアルキル基としては、パーフルオロシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｆ１１としては、フッ素原子又はフッ素原子を含む１価の有機基が好ましく、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基がより好ましく、フッ素原子又はＣＦ３が更に好ましい。
【０２０３】
光酸発生剤Ａｗのアニオンが一般式（１−１）で表されるアニオンである場合に、発生する酸（ｐＫａが−１．４０以上である酸）の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されない。
【０２０４】
【化３５】
2020129476.tif 000037
【０２０５】
上記一般式（１−２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は１価の有機基を表す。Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３で表される１価の有機基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔに例示する基が挙げられ、なかでも、フッ素原子、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数は１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜６が更に好ましい）、又はシクロアルキル基（炭素数は３〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましい）が好ましい。なお、Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３で表されるアルキル基又はシクロアルキル基は、更に置換基を有していてもよく、例えば、フッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３としては、なかでも、水素原子又はフッ素原子が好ましい。
なお、Ｒ２１とＲ２２は、少なくとも一方はフッ素原子以外の基を表すことが好ましく、いずれもが水素原子であることがより好ましい。
【０２０６】
Ｒ２４は、１価の有機基を表す。
Ｒ２４で表される１価の有機基としては、炭素数１〜２０の１価の有機基が好ましく、例えば、フッ素原子を有さない炭素数１〜２０の１価の有機基が挙げられ、具体的には、一般式（１−１）中のＲ１２で表される１価の有機基と同様のものが挙げられる。
【０２０７】
Ｒｆ２１は、フッ素原子、又はフッ素原子を含む１価の有機基を表す。
Ｒｆ２１で表されるフッ素原子を含む１価の有機基としては、一般式（１−１）中のＲｆ１１で表されるフッ素原子を含む１価の有機基で例示したものが挙げられる。
【０２０８】
光酸発生剤Ａｗのアニオンが一般式（１−２）で表されるアニオンである場合に、発生する酸（ｐＫａが−１．４０以上である酸）の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されない。
【０２０９】
【化３６】
2020129476.tif 000038
【０２１０】
以下に、光酸発生剤Ａｗの具体例を例示するが、これらに限定されない。
【０２１１】
【化３７】
2020129476.tif 000039
【０２１２】
光酸発生剤Ａは、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
光酸発生剤Ａは、低分子化合物の形態であることが好ましい。
光酸発生剤Ａが、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
光酸発生剤Ａが、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂Ｐの一部に組み込まれてもよく、樹脂Ｐとは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
光酸発生剤Ａは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物中、光酸発生剤Ａの含有量（複数種存在する場合はその合計の含有量）は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．１〜３５質量％が好ましく、０．５〜２５質量％がより好ましく、１〜２０質量％が更に好ましい。
【０２１３】
＜酸拡散制御剤＞
本発明の組成物は、酸拡散制御剤を含有することが好ましい。酸拡散制御剤は、露光時に光酸発生剤Ａ等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。例えば、塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）
（「化合物（ＤＢ）」ともいう。）、光酸発生剤Ａに対して相対的に弱酸となる酸を発生する化合物（ＤＣ）（「化合物（ＤＣ）」ともいう。）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する化合物（ＤＤ）（「化合物（ＤＤ）」ともいう。）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）（「化合物（ＤＥ）」ともいう。）等を酸拡散制御剤として使用できる。本発明の組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６２７＞〜＜０６６４＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００９５＞〜＜０１８７＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４０３＞〜＜０４２３＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０２５９＞〜＜０３２８＞に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤として好適に使用できる。
【０２１４】
（塩基性化合物（ＤＡ））
塩基性化合物（ＤＡ）としては、下記式（Ａ）〜（Ｅ）で示される構造を有する化合物が好ましい。
【０２１５】
【化３８】
2020129476.tif 000040
【０２１６】
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中、
Ｒ２００、Ｒ２０１及びＲ２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０）又はアリール基（炭素数６〜２０）を表す。Ｒ２０１とＲ２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５及びＲ２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
【０２１７】
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、置換基を有していても無置換であってもよい。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１〜２０のシアノアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
【０２１８】
塩基性化合物（ＤＡ）としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、又はピペリジン等が好ましく、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造若しくはピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。
【０２１９】
塩基性化合物（ＤＡ）の共役酸のｐＫａと、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａとの差（塩基性化合物（ＤＡ）の共役酸のｐＫａから光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａを引いた値）は、１．００以上が好ましく、１．００〜１４．００がより好ましく、２．００〜１３．００が更に好ましい。
また、塩基性化合物（ＤＡ）の共役酸のｐＫａは、使用する光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）の種類によっても異なるが、例えば、０．００〜１４．００が好ましく、３．００〜１３．００がより好ましく、３．５０〜１２．５０が更に好ましい。
【０２２０】
（活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ））
塩基性化合物（ＤＢ）は、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化する化合物である。
【０２２１】
プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。
【０２２２】
【化３９】
2020129476.tif 000041
【０２２３】
プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１〜３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造等が挙げられる。
【０２２４】
化合物（ＤＢ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失し、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここでプロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＤＢ）とプロトンとからプロトン付加体が生成するとき、その化学平衡における平衡定数が減少することを意味する。
プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認することができる。
【０２２５】
活性光線又は放射線の照射により化合物（ＤＢ）が分解して発生する化合物のｐＫａは、ｐＫａ＜−１を満たすことが好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−１を満たすことがより好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−３を満たすことが更に好ましい。
【０２２６】
化合物（ＤＢ）は、一般式（ｂｄ−１）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ｂｄ−１）：
Ｒｂ１−Ｂｂ１−Ｘｂ１−Ａｂ１−Ｗ１−Ｎ−−Ｗ２−Ｒｆｂ１  ［Ｃｂ１＋］
【０２２７】
一般式（ｂｄ−１）中、
Ｗ１及びＷ２は、それぞれ独立に、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−を表す。
Ｒｆｂ１は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
Ａｂ１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｘｂ１は、単結合、−ＳＯ２−、又は−ＣＯ−を表す。
Ｂｂ１は、単結合、酸素原子、又は−Ｎ（Ｒｂ１ｘ）Ｒｂ１ｙ−を表す。
Ｒｂ１ｘは、水素原子又は有機基を表す。
Ｒｂ１ｙは、単結合又は２価の有機基を表す。
Ｒｂ１は、プロトンアクセプター性官能基を有する１価の有機基を表す。
Ｒｂ１ｘは、Ｒｂ１ｙと結合して環を形成していてもよく、Ｒｂ１と結合して環を形成していてもよい。
［Ｃｂ１＋］は、カウンターカチオンを表す。
【０２２８】
Ｗ１及びＷ２は、少なくとも一方が−ＳＯ２−であることが好ましく、双方が−ＳＯ２−であることがより好ましい。
【０２２９】
Ｒｆｂ１は、炭素数１〜６のフッ素原子を有してもよいアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。
【０２３０】
Ａｂ１における２価の連結基としては、炭素数２〜１２の２価の連結基が好ましく、例えば、アルキレン基、及びフェニレン基等が挙げられる。なかでも、少なくとも１つのフッ素原子を有するアルキレン基が好ましく、炭素数は２〜６が好ましく、２〜４がより好ましい。アルキレン鎖中に酸素原子、又は硫黄原子等の連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子の数の３０〜１００％がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Ｘｂ１またはＷ１と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。なかでも、Ａｂ１における２価の連結基はパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフルオロエチレン基、パーフルオロプロピレン基、又はパーフルオロブチレン基がより好ましい。
【０２３１】
Ｒｂ１ｘにおける１価の有機基としては、炭素数２〜３０が好ましく、例えば、アルキル基、環内に酸素原子を有していてもよいシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。
Ｒｂ１ｘにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜２０の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、及び／又は窒素原子を有していてもよい。
なお、置換基を有するアルキル基として、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基にシクロアルキル基が置換した基（例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、及びカンファー残基等）が挙げられる。
Ｒｂ１ｘにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましい。また、シクロアルキル基の環内に酸素原子を有していてもよい。
Ｒｂ１ｘにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基である。
Ｒｂ１ｘにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられる。
Ｒｂ１ｘにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Ｒｂ１ｘとして挙げたアルキル基の任意の位置に２重結合を有する基が挙げられる。
【０２３２】
Ｂｂ１が−Ｎ（Ｒｂ１ｘ）Ｒｂ１ｙ−を表す場合、Ｒｂ１ｙにおける２価の有機基としては、アルキレン基が好ましい。また、この場合、Ｒｂ１ｘとＲｂ１ｙとが互いに結合して形成し得る環としては、例えば、窒素原子を含む５〜８員の環、特に好ましくは６員の環が挙げられる。環が含む窒素原子は、−Ｎ（Ｒｂ１ｘ）Ｒｂ１ｙ−においてＸｂ１と直接結合する窒素原子以外の窒素原子であってもよい。
【０２３３】
Ｂｂ１が−Ｎ（Ｒｂ１ｘ）Ｒｂ１ｙ−を表す場合、Ｒｂ１とＲｂ１ｘとが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環を形成すれば、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は４〜２０が好ましく、単環でも多環でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、及び／又は窒素原子を含んでいてもよい。環が含む窒素原子は、−Ｎ（Ｒｂ１ｘ）Ｒｂ１ｙ−においてＸｂ１と直接結合する窒素原子以外の窒素原子であってもよい。
【０２３４】
単環としては、窒素原子を含む４員環、５員環、６員環、７員環、及び８員環等が挙げられる。このような環構造としては、例えば、ピペラジン環及びピペリジン環が挙げられる。多環としては、２又は３以上の単環式構造の組み合わせから成る構造が挙げられる。
単環及び多環のそれぞれは、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜１５）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、又はアミノアシル基（好ましくは炭素数２〜２０）等が好ましい。これらの置換基は、可能な場合は更に置換基を有していてもよい。アリール基、及びシクロアルキル基が更に置換基を有する場合の例としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）が挙げられる。アミノアシル基が更に有する置換基の例としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）が挙げられる。
【０２３５】
Ｒｂ１におけるプロトンアクセプター性官能基としては、上記の通りであり、部分構造として、例えば、クラウンエーテル、１〜３級アミン、及び含窒素ヘテロ環（ピリジン、イミダゾール、及びピラジン等）の構造を有することが好ましい。
なお、プロトンアクセプター性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、１〜３級アミノ基を有する基、又は含窒素ヘテロ環基がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが好ましい。また、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子等）が直結していないことが好ましい。
このようなプロトンアクセプター性官能基を含む１価の有機基（基Ｒｂ１）における一価の有機基としては、好ましい炭素数は２〜３０であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等を挙げられ、各基は置換基を有していてもよい。
【０２３６】
Ｒｂ１におけるプロトンアクセプター性官能基を含む、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基における、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基は、それぞれ、Ｒｂ１ｘとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
【０２３７】
上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０。一部がヘテロ原子又はヘテロ原子を有する基（エステル基等）で置換されていてもよい）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）、アシル基（好ましくは炭素数２〜２０）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜１０）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０）、及びアミノアシル基（好ましくは炭素数２〜２０）等が挙げられる。アリール基及びシクロアルキル基等における環状基が有する置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）が挙げられる。アミノアシル基が有する置換基としては、例えば、１又は２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）が挙げられる。
【０２３８】
［Ｃｂ１＋］は、カウンターカチオンとしては、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンが好ましい。スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンとしては、例えば、光酸発生剤Ａが有してもよいカチオンにおけるスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオン（より具体的には、一般式（ＺＩ）で表される化合物におけるカチオン、及び一般式（ＺＩＩ）で表される化合物におけるカチオン等）が同様に使用できる。
【０２３９】
塩基性化合物（ＤＢ）の共役酸のｐＫａと、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａとの差（塩基性化合物（ＤＢ）の共役酸のｐＫａから光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａを引いた値）は、１．００以上が好ましく、１．００〜１４．００がより好ましく、２．００〜１３．００が更に好ましい。
また、塩基性化合物（ＤＢ）の共役酸のｐＫａは、使用する光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）の種類によっても異なるが、例えば、０．００〜１４．００が好ましく、３．００〜１３．００がより好ましく、３．５０〜１２．５０が更に好ましい。
【０２４０】
（光酸発生剤Ａに対して相対的に弱酸となる酸を発生する化合物（ＤＣ））
化合物（ＤＣ）は好ましくは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。以下、化合物（ＤＣ）のうち活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を、「光酸発生剤Ｂ」とも呼ぶ。
光酸発生剤Ｂは、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸よりもｐＫａが１．００以上大きい酸を発生する化合物であることが好ましい。
光酸発生剤Ｂから発生する酸のｐＫａと、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａとの差（光酸発生剤Ｂから発生する酸のｐＫａから光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａを引いた値）は、１．００以上であり、１．００〜１０．００が好ましく、１．００〜５．００がより好ましく、１．００〜３．００が更に好ましい。
また、光酸発生剤Ｂから発生する酸のｐＫａは、使用する光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）の種類によっても異なるが、例えば、０．００〜１０．００が好ましく、０．５０〜５．００がより好ましく、１．００〜５．００が更に好ましい。
【０２４１】
光酸発生剤Ｂは、アニオンとカチオンとからなるオニウム塩化合物が好ましい。このようなオニウム塩化合物としては、一般式（ｄ１−１）〜（ｄ１−３）で表される化合物が好ましい。
【０２４２】
【化４０】
2020129476.tif 000042
【０２４３】
式中、Ｒ５１は置換基（例えば、水酸基）を有していてもよい炭化水素基（例えば、フェニル基等のアリール基）を表す。
Ｚ２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基（ただし、Ｓに隣接する炭素原子にはフッ素原子が置換されない）を表す。
Ｚ２ｃにおける上記炭化水素基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、環状構造を有していてもよい。また、上記炭化水素基における炭素原子（好ましくは、上記炭化水素基が環状構造を有する場合における、環状構造を形成する炭素原子）は、カルボニル炭素（−ＣＯ−）であってもよい。上記炭化水素基としては、例えば、置換基を有していてもよいノルボルニル基を有する基が挙げられる。上記ノルボルニル基を形成する炭素原子は、カルボニル炭素であってもよい。
Ｒ５２は有機基を表し、Ｙ３は直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表し、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基を表す。
また、一般式（ｄ１−２）中の「Ｚ２ｃ−ＳＯ３−」は、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）におけるアニオン（好ましくは前述の一般式（１−１）で表される基又は前述の一般式（１−２）で表される基）とは異なることが好ましい。
Ｍ＋は、それぞれ独立に、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン、又はヨードニウムカチオンである。
スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンとしては、例えば、光酸発生剤Ａが有してもよいカチオンにおけるスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオン（より具体的には、一般式（ＺＩ）で表される化合物、及び一般式（ＺＩＩ）で表される化合物におけるカチオン）が同様に使用できる。
【０２４４】
光酸発生剤Ｂは、カチオン部位とアニオン部位とを同一分子内に有し、かつ、上記カチオン部位と上記アニオン部位とが共有結合により連結している化合物であってもよい。
上記化合物としては、一般式（Ｃ−１）で表される化合物又は一般式（Ｃ−２）で表される化合物が好ましい。
【０２４５】
【化４１】
2020129476.tif 000043
【０２４６】
一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）中、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１以上の置換基を表す。
Ｌ１は、カチオン性基（Ｓ＋、Ｉ＋、又はＮ＋）と−Ｘ−とを連結する２価の連結基又は単結合を表す。
−Ｘ−は、−ＣＯＯ−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、又は−Ｎ−−Ｒ４を表す。
Ｒ４は、隣接するＮ原子との連結部位に、カルボニル基（−ＣＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）、及びスルフィニル基（−Ｓ（＝Ｏ）−）のうち少なくとも１つを有する１価の置換基を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＬ１は、互いに結合して環を形成してもよい。
また、一般式（Ｃ−３）において、Ｒ１〜Ｒ３のうち２つを合わせて１つの２価の置換基を表し、Ｎ原子と２重結合により結合していてもよい。
【０２４７】
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数１以上の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、及びアリールアミノカルボニル基等が挙げられる。なかでも、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましい。
【０２４８】
２価の連結基としてのＬ１は、直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基（好ましくは炭素数６〜１５）、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、及びこれらの２種以上を組み合わせてなる基等が挙げられる。なかでも、アルキレン基、アリーレン基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらの２種以上を組み合わせてなる基が好ましい。
【０２４９】
光酸発生剤Ｂは、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸よりもｐＫａが１．００以上大きい酸を発生する化合物であって、カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物でもよい。カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有することが好ましい。
塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。また、塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子等）が直結していないことが好ましい。
【０２５０】
光酸発生剤Ｂは、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
光酸発生剤Ｂは、低分子化合物の形態であることが好ましい。
光酸発生剤Ｂが、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
【０２５１】
（窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する化合物（ＤＤ））
化合物（ＤＤ）は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体であることが好ましい。
酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
化合物（ＤＤ）は低分子化合物であることが好ましい。
化合物（ＤＤ）の分子量は、１００〜１０００が好ましく、１００〜７００がより好ましく、１００〜５００が更に好ましい。
化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ−１）で表される。
【０２５２】
【化４２】
2020129476.tif 000044
【０２５３】
一般式（ｄ−１）において、
Ｒｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０）、アリール基（好ましくは炭素数３〜３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を表す。Ｒｂは相互に結合して環を形成していてもよい。
Ｒｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
【０２５４】
Ｒｂとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基がより好ましい。
２つのＲｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素及びその誘導体等が挙げられる。
一般式（ｄ−１）で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報ＵＳ２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４６６＞に開示された構造が挙げられるが、これに限定されない。
【０２５５】
化合物（ＤＤ）は、下記一般式（６）で表される構造を有することが好ましい。
【０２５６】
【化４３】
2020129476.tif 000045
【０２５７】
一般式（６）において、
ｌは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。
Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ｒｂは、上記一般式（ｄ−１）におけるＲｂと同義であり、好ましい例も同様である。
一般式（６）において、Ｒａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。
【０２５８】
上記Ｒａのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらの基は、上記基で置換されていてもよい）の具体例としては、Ｒｂについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。
本発明における特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体例としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４７５＞に開示された化合物が挙げられるが、これに限定されない。
【０２５９】
化合物（ＤＤ）の共役酸のｐＫａと、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａとの差（化合物（ＤＤ）の共役酸のｐＫａから光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａを引いた値）は、１．００以上が好ましく、１．００〜１４．００がより好ましく、２．００〜１３．００が更に好ましい。
また、化合物（ＤＤ）の共役酸のｐＫａは、使用する光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）の種類によっても異なるが、例えば、０．００〜１４．００が好ましく、３．００〜１３．００がより好ましく、３．５０〜１２．５０が更に好ましい。
【０２６０】
（カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ））
化合物（ＤＥ）は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有する化合物であることが好ましい。塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが更に好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子等）が直結していないことが好ましい。
化合物（ＤＥ）の好ましい具体例としては、米国特許出願公開２０１５／０３０９４０８Ａ１号明細書の段落＜０２０３＞に開示された化合物が挙げられるが、これに限定されない。
【０２６１】
化合物（ＤＥ）の共役酸のｐＫａと、光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａとの差（化合物（ＤＥ）の共役酸のｐＫａから光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）から発生する酸のｐＫａを引いた値）は、１．００以上が好ましく、１．００〜１４．００がより好ましく、２．００〜１３．００が更に好ましい。
また、化合物（ＤＥ）の共役酸のｐＫａは、使用する光酸発生剤Ａ（好ましくは光酸発生剤Ａｗ）の種類によっても異なるが、例えば、０．００〜１４．００が好ましく、３．００〜１３．００がより好ましく、３．５０〜１２．５０が更に好ましい。
【０２６２】
本発明の組成物は、前述の光酸発生剤Ａｗと、塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、光酸発生剤Ａｗから発生する酸よりもｐＫａが１．００以上大きい酸を発生する化合物（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する化合物（ＤＤ）、及びカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）の少なくとも１つとを含有することが好ましい。
【０２６３】
酸拡散制御剤の好ましい例を以下に示すが、これらに限定されない。
【０２６４】
【化４４】
2020129476.tif 000046
【０２６５】
【化４５】
2020129476.tif 000047
【０２６６】
【化４６】
2020129476.tif 000048
【０２６７】
本発明の組成物において、酸拡散制御剤は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
酸拡散制御剤の本発明の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．０５〜１０質量％が好ましく、０．０５〜５質量％がより好ましい。
【０２６８】
〔疎水性樹脂〕
本発明の組成物は、疎水性樹脂を含んでいてもよい。なお、疎水性樹脂は、樹脂Ｐとは異なる樹脂であり、膜の膜厚均一性により優れる点で、酸の作用により分解して極性が増大する基（酸分解性基）を有する繰り返し単位を実質的に含まないことが好ましい。なお、「酸分解性基を有する繰り返し単位を実質的に含まない」とは、疎水性樹脂中、上記酸分解性基を含む繰り返し単位の含有量が、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対して、０モル％以上５モル％以下を意図し、上限は３モル％以下が好ましく、１モル％以下がより好ましい。
本発明の組成物が疎水性樹脂を含むことで、レジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）の表面における静的、及び／又は動的な接触角を制御しやすい。これにより、現像特性の改善、アウトガスの抑制、液浸露光における液浸液追随性の向上、及び液浸欠陥の低減等が可能となる。
疎水性樹脂は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質を均一に混合するのに寄与しなくてもよい。
【０２６９】
疎水性樹脂は、膜表層への偏在化の観点から、フッ素原子、フッ素原子を有する基、ケイ素原子を有する基、炭素数が６以上の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又はシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基で置換されたアリール基、及び少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換されたアリール基からなる群より選択される１つ以上の基（以下「疎水性基」ともいう。）を有する樹脂であることが好ましい。
また、疎水性樹脂は、上記疎水性基を含む繰り返し単位を含むことが好ましい。
なお、疎水性樹脂が、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含む場合、疎水性樹脂における上記フッ素原子及び／又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
【０２７０】
上記フッ素原子を有する基としては、フッ素原子を有する直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、又はフッ素原子を有するアリール基が好ましい。
上記フッ素原子を有する直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が好ましく、ＣＦ３がより好ましい。
上記フッ素原子を有するシクロアルキル基としては、炭素数３〜２０のパーフルオロシクロアルキル基が好ましい。
フッ素原子を有するアリール基としては、例えば、フッ素原子で置換されたフェニル基が挙げられる。
【０２７１】
上記ケイ素原子を有する基としては、例えば、アルキルシリル基が挙げられる。
上記アルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、及びｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【０２７２】
上記炭素数が６以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基としては、例えば、炭素数６〜２０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基が挙げられ、例えば、２−エチルヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基等が挙げられる。
【０２７３】
上記炭素数が９以上のアリール基としては、例えば、２個以上の５員又は６員の単環芳香族炭化水素環を組み合わせてなる多環構造のアリール基等が挙げられる。
【０２７４】
上記炭素数が１０以上のアラルキル基としては、例えば、炭素数１０〜２０のアラルキル基が好ましく、具体的には、１−ナフチルメチル基、１−（１−ナフチル）エチル基、トリフェニルメチル基、及びピレニルメチル基等が挙げられる。
【０２７５】
上記少なくとも１個の炭素数３以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基で置換されたアリール基としては、例えば、炭素数３〜２０（好ましくは炭素数３〜１０）の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基で置換されたフェニル基が挙げられる。
【０２７６】
上記少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換されたアリール基としては、例えば、炭素数５〜２０（好ましくは炭素数５〜１０）のシクロアルキル基で置換されたフェニル基が挙げられる。
【０２７７】
疎水性樹脂は、なかでも、フッ素原子又はフッ素原子を有する基を含む繰り返し単位を含むことが好ましい。また、膜厚均一性がより優れる点で、疎水性樹脂中に含まれるフッ素原子の個数が、上述した光酸発生剤Ａ中に含まれるフッ素原子の個数よりも多いことが好ましい。
ここで、疎水性樹脂中に含まれるフッ素原子の個数は、上記疎水性樹脂がフッ素原子を含む繰り返し単位を１種のみ含む場合、下記式（１）により求められる。また、上記疎水性樹脂がフッ素原子を含む繰り返し単位を２種以上含む場合、フッ素原子を含む各繰り返し単位毎の下記式（１）により求められる値の総和として求められる。
式（１）：ＹＡ＝ａ×ｂ÷１００
ＹＡ：疎水性樹脂中に含まれるフッ素原子の個数
ａ：フッ素原子を含む繰り返し単位中のフッ素原子の個数
ｂ：疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対するフッ素原子を含む繰り返し単位の含有量（モル％）
【０２７８】
疎水性樹脂は、以下に示す（ｘ）及び（ｙ）から選ばれる基を少なくとも１つ含むことが好ましく、（ｙ）から選ばれる基を含む繰り返し単位を含むことがより好ましい。
また、以下に示す（ｘ）及び（ｙ）が、上述した疎水性基を含んでいてもよい。
（ｘ）酸基
（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（以下、極性変換基ともいう）
【０２７９】
酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボキシ基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。
酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）
、スルホンイミド基、又はビス（アルキルカルボニル）メチレン基が好ましい。
【０２８０】
アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）としては、例えば、ラクトン基、カルボキシエステル基（−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−）、酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、酸イミド基（−ＮＨＣＯＮＨ−）、カルボキシチオエステル基（−ＣＯＳ−、又は−ＳＣＯ−）、炭酸エステル基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）
、硫酸エステル基（−ＯＳＯ２Ｏ−）、及びスルホン酸エステル基（−ＳＯ２Ｏ−、又は−ＯＳＯ２−）等が挙げられ、ラクトン基又はカルボキシエステル基（−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−）が好ましく、カルボキシエステル基（−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−）がより好ましい。
【０２８１】
上記（ｙ）から選ばれる基を含む繰り返し単位としては、例えば、（１）上記（ｙ）から選ばれる基が樹脂の主鎖に直接結合している繰り返し単位（例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等）、及び（２）上記（ｙ）から選ばれる基が、連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位が挙げられる。
なお、ラクトン基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂Ｐの項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様の繰り返し単位が挙げられる。
【０２８２】
上記（ｙ）から選ばれる基を含む繰り返し単位としては、なかでも上述した（２）の形態であることが好ましく、下記一般式（７）で表される繰り返し単位がより好ましい。
【０２８３】
【化４７】
2020129476.tif 000049
【０２８４】
一般式（７）中、Ｚ１は、ハロゲン原子、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｚ１で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、なかでもフッ素原子が好ましい。
Ｚ１で表されるアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が挙げられる。上記アルキル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。上記アルキル基の炭素数は、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。上記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０が好ましく、５〜１５がより好ましい。
【０２８５】
Ｌ１は、（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｌ１で表される（ｎ＋１）価の連結基としては特に制限されず、例えば、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の２価以上の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
上記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。
ヘテロ原子は、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲＡ−、−ＣＯ−、又はこれらを２種以上組み合わせた連結基の形態で含まれていてもよい。なお、上記ＲＡは、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の２価以上の脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、又は分岐鎖状アルキレン基、シクロアルキレン基が挙げられ、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
【０２８６】
Ｘ１は、＊−Ｙ１−Ｒ１で表される基を表す。上記Ｙ１は、−ＣＯ−Ｏ−、又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。上記＊は、結合位置を表す。
【０２８７】
上記Ｒ１は、電子求引性基を表す。
電子求引性基としては特に制限されず、例えば、少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。）又はシクロアルキル基が挙げられ、具体的には、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＨＦＣＦ３、及び−ＣＨ（ＣＦ３）２等が挙げられる。膜厚均一性がより優れる点で、なかでも、電子求引性基としては、−ＣＨ（ＣＦ３）２が好ましい。
【０２８８】
ｎは、正の整数を表す。
ｎは、１以上であれば特に制限されず、その上限値は、例えば１０である。
なお、ｎが２以上である場合、複数のＸ１は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。
【０２８９】
疎水性樹脂が上記（ｙ）から選ばれる基を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対して、１〜１００モル％が好ましく、３〜９８モル％がより好ましく、５〜９５モル％が更に好ましい。
【０２９０】
疎水性樹脂がフッ素原子を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対して、１０〜１００モル％が好ましく、３０〜１００モル％がより好ましく、３０〜９５モル％が更に好ましい。
また、疎水性樹脂がケイ素原子を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対して、１０〜１００モル％が好ましく、２０〜１００モル％がより好ましい。
【０２９１】
疎水性樹脂は、膜面均一性により優れる点で、上述した一般式（７）で表される繰り返し単位と、一般式（７）で表される繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位と、を含むことが好ましい。
上記一般式（７）で表される繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位としては、上記（ｙ）から選ばれる基を含み、且つ、上述した疎水性基を含む繰り返し単位（言い換えると、上述したアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を有する繰り返し単位であって、且つ、上述した疎水性基を含む繰り返し単位）が好ましく、上記（ｙ）から選ばれる基を含み、且つ、炭素数が６以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基で置換されたアリール基、及び少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換されたアリール基からなる群より選択される１つ以上の基を含む繰り返し単位であることが好ましい。
なお、上記一般式（７）で表される繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位としては、フッ素原子を含まないことが好ましい。
疎水性樹脂が、一般式（７）で表される繰り返し単位と、一般式（７）で表される繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位を含む場合、上記一般式（７）で表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対して、９５モル％以下が好ましく、９０モル％以下がより好ましく、８５モル％以下が更に好ましい。なお、下限は特に制限されず、例えば１０モル％以上であり、３０モル％以上がより好ましい。
【０２９２】
疎水性樹脂の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００が好ましく、１，０００〜５０，０００がより好ましい。
【０２９３】
疎水性樹脂に含まれる残存モノマー及び／又はオリゴマー成分の合計含有量は、０．０１〜５質量％が好ましく、０．０１〜３質量％がより好ましい。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましい。
【０２９４】
疎水性樹脂としては、公知の樹脂を、単独又はそれらの混合物として適宜に選択して使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１５／０１６８８３０Ａ１号明細書の段落［０４５１］〜＜０７０４＞、及び米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３４０＞〜＜０３５６＞に開示された公知の樹脂を疎水性樹脂として好適に使用できる。また、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０１７７］〜＜０２５８＞に開示された繰り返し単位も、疎水性樹脂を構成する繰り返し単位として好ましい。
【０２９５】
疎水性樹脂を構成する繰り返し単位に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。
【０２９６】
【化４８】
2020129476.tif 000050
【０２９７】
【化４９】
2020129476.tif 000051
【０２９８】
疎水性樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
表面エネルギーが異なる２種以上の疎水性樹脂を混合して使用するのも、液浸露光における液浸液追随性と現像特性の両立の観点から好ましい。
本発明の組成物が疎水性樹脂を含有する場合、本発明の組成物中の疎水性樹脂の含有量（複数含まれる場合、その合計含有量）は、本発明の組成物中の全固形分に対し、０．１〜１２．０質量％が好ましく、０．２〜１０．０質量％がより好ましく、０．３〜１０．０質量％がより好ましい。
【０２９９】
〔溶剤〕
本発明の組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６６５＞〜＜０６７０＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜０２１０＞〜＜０２３５＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４２４＞〜［０４２６］、及び米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落［０３５７］〜＜０３６６＞に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４〜１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。
【０３００】
有機溶剤として、構造中に水酸基を有する溶剤と、水酸基を有さない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を有する溶剤、及び水酸基を有さない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含む溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を有さない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を有していてもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、又は２−ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を有さない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。
水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９〜９９／１が好ましく、１０／９０〜９０／１０がより好ましく、２０／８０〜６０／４０が更に好ましい。水酸基を有さない溶剤を５０質量％以上含む混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましい。この場合、溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む２種類以上の混合溶剤でもよい。
【０３０１】
本発明の組成物の固形分濃度は、１．０〜１０質量％が好ましく、２．０〜５．７質量％がより好ましく、２．０〜５．３質量％が更に好ましい。つまり組成物が溶剤を含む場合における、組成物中の溶剤の含有量は、上記固形分濃度の好適な範囲を満たせるように調整することが好ましい。なお、固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。
組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性又は製膜性を向上させて、本発明の組成物からなるレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）の膜厚を調整できる。
【０３０２】
〔界面活性剤〕
本発明の組成物は、界面活性剤を含んでもよい。
界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（具体的には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、又はフッ素原子とケイ素原子との両方を有する界面活性剤）が好ましい。
【０３０３】
本発明の組成物が界面活性剤を含む場合、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないパターンを得やすい。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２７６＞に記載の界面活性剤が挙げられる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２８０＞に記載の、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用してもよい。
【０３０４】
界面活性剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
本発明の組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量（複数含まれる場合、その合計含有量）は、組成物の全固形分に対して、０．０００１〜２質量％が好ましく、０．０００５〜１質量％がより好ましい。
一方、界面活性剤の含有量が、組成物の全固形分に対して１０質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｍｉｌｌｉｏｎ）以上とすれば、疎水性樹脂の表面偏在性が上がる。それにより、レジスト膜の表面をより疎水的にでき、液浸露光時の水追随性が向上する。
【０３０５】
〔その他の添加剤〕
本発明の組成物は、更に、上述した以外の樹脂、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤、又は溶解促進剤等を含んでいてもよい。
【０３０６】
＜調製方法＞
本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤（好ましくは上記混合溶剤）に溶解し、これをフィルター濾過した後、所定の支持体（基板）上に塗布して用いることが好ましい。
フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。また、組成物の固形分濃度が高い場合（例えば、２５質量％以上）は、フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは３μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。このフィルターは、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルター濾過においては、例えば日本国特許出願公開第２００２−６２６６７号明細書（特開２００２−６２６６７）に開示されるように、循環的な濾過を行ってもよく、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ってもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理等を行ってもよい。
【０３０７】
＜用途＞
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用できる。
【０３０８】
［パターン形成方法、レジスト膜］
本発明は上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法にも関する。以下、本発明のパターン形成方法について説明する。また、パターン形成方法の説明と併せて、本発明のレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）についても説明する。
【０３０９】
本発明のパターン形成方法は、
（ｉ）上述した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）を支持体上に形成する工程（レジスト膜形成工程（成膜工程））
、
（ｉｉ）上記レジスト膜を露光する（活性光線又は放射線を照射する）工程（露光工程）、及び、
（ｉｉｉ）上記露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程（現像工程）、を有する。
【０３１０】
本発明のパターン形成方法は、上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含んでいれば特に限定されず、更に下記の工程を有していてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程における露光方法が、液浸露光であってもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の前に、（ｉｖ）前加熱（ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の後、かつ、（ｉｉｉ）現像工程の前に、（ｖ）露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｖ）前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｖ）露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
【０３１１】
本発明のパターン形成方法において、上述した（ｉ）レジスト膜形成工程（成膜工程）
、（ｉｉ）露光工程、及び（ｉｉｉ）現像工程は、一般的に知られている方法により行える。
【０３１２】
レジスト膜の膜厚は、解像力向上の観点から、１１０ｎｍ以下が好ましく、９５ｎｍ以下がより好ましい。
また、必要に応じて、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜（例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｃａｒｂｏｎ）、及び、反射防止膜）を形成してもよい。レジスト下層膜を構成する材料としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜使用できる。
レジスト膜の上層に、保護膜（トップコート）を形成してもよい。保護膜としては、公知の材料を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８Ａ号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用できる。保護膜形成用組成物としては、上述した酸拡散制御剤を含むことが好ましい。
上述した疎水性樹脂を含むレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。
【０３１３】
支持体は、特に限定されず、ＩＣ等の半導体の製造工程、又は液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造工程のほか、その他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程等で一般的に用いられる基板を使用できる。支持体の具体例としては、シリコン、ＳｉＯ２、及びＳｉＮ等の無機基板等が挙げられる。
【０３１４】
加熱温度は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、７０〜１３０℃が好ましく、８０〜１２０℃がより好ましい。
加熱時間は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、３０〜３００秒が好ましく、３０〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。
加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行え、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
【０３１５】
露光工程に用いられる光源波長に制限はないが、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光（ＥＵＶ）、Ｘ線、及び電子線等が挙げられる。これらの中でも遠紫外光が好ましく、その波長は２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１〜２００ｎｍが更に好ましい。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、又は電子線等が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、又は電子線がより好ましい。
【０３１６】
（ｉｉｉ）現像工程においては、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含む現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよい。
【０３１７】
アルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、１〜３級アミン、アルコールアミン、及び環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
更に、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び／又は界面活性剤を適当量含んでいてもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０〜１５である。
アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、通常１０〜３００秒である。
アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整できる。
【０３１８】
有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含む現像液であることが好ましい。
【０３１９】
ケトン系溶剤としては、例えば、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等が挙げられる。
【０３２０】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等が挙げられる。
【０３２１】
アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０７１５＞〜＜０７１８＞に開示された溶剤を使用できる。
【０３２２】
上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、実質的に水分を含まないことが特に好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％が更に好ましく、９５〜１００質量％が特に好ましい。
【０３２３】
現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含んでいてもよい。
【０３２４】
界面活性剤の含有量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％であり、０．００５〜２質量％が好ましく、０．０１〜０．５質量％がより好ましい。
【０３２５】
有機系現像液は、酸拡散制御剤を含んでいてもよい。
【０３２６】
現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静置する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、及び一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。
【０３２７】
アルカリ水溶液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）を組み合わせてもよい。これにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、より微細なパターンを形成できる。
【０３２８】
（ｉｉｉ）現像工程の後に、リンス液を用いて洗浄する工程（リンス工程）を含むことが好ましい。
【０３２９】
アルカリ現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、例えば純水を使用できる。純水は、界面活性剤を適当量含んでいてもよい。また、現像工程又はリンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を追加してもよい。更に、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行ってもよい。
【０３３０】
有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含むリンス液を使用することが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明した溶剤と同様の溶剤が挙げられる。
この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含むリンス液がより好ましい。
【０３３１】
リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状の１価アルコールが挙げられる。具体的には、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−ヘキサノール、シクロペンタノール、２−ヘプタノール、２−オクタノール、３−ヘキサノール、３−ヘプタノール、３−オクタノール、４−オクタノール、及びメチルイソブチルカルビノールが挙げられる。
１価アルコールは炭素数５以上であるのも好ましく、このような例としては、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、及びメチルイソブチルカルビノール等が挙げられる。
【０３３２】
各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。
有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすれば、良好な現像特性が得られる。
有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス液は、界面活性剤を適当量含んでいてもよい。
【０３３３】
リンス工程においては、現像を行った基板を、リンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００〜４，０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去する方法が好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）を含むのも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は通常４０〜１６０℃であり、７０〜９５℃が好ましく、加熱時間は通常１０秒〜３分であり、３０秒〜９０秒が好ましい。
【０３３４】
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び本発明のパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、又はトップコート形成用組成物等）は、金属成分、異性体、及び残存モノマー等の不純物を含まないことが好ましい。上記の各種材料に含まれるこれらの不純物の含有量としては、１質量ｐｐｍ以下が好ましく、１００質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下がより好ましく、１０質量ｐｐｔ以下が更に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。
【０３３５】
上記各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したフィルターを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。フィルターとしては、日本国特許出願公開第２０１６−２０１４２６号明細書（特開２０１６−２０１４２６）に開示されるような溶出物が低減されたフィルターが好ましい。
フィルター濾過のほか、吸着材を用いて不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を使用でき、例えば、シリカゲル若しくはゼオライト等の無機系吸着材、又は活性炭等の有機系吸着材を使用できる。金属吸着材としては、例えば、日本国特許出願公開第２０１６−２０６５００号明細書（特開２０１６−２０６５００）に開示される材料が挙げられる。
また、上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、又は装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法が挙げられる。レジスト成分の各種材料（バインダー及び光酸発生剤等）を合成する製造設備の全工程にグラスライニングの処理を施すのも、ｐｐｔオーダーまでメタルを低減するために好ましい。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
【０３３６】
上記の各種材料は、不純物の混入を防止するために、米国特許出願公開第２０１５／０２２７０４９号明細書、日本国特許出願公開第２０１５−１２３３５１号明細書（特開２０１５−１２３３５１）、及び日本国特許出願公開第２０１７−１３８０４号明細書（特開２０１７−１３８０４）等に記載された容器に保存されることが好ましい。
【０３３７】
本発明のパターン形成方法により形成されるパターンに、パターンの表面荒れを改善する方法を適用してもよい。パターンの表面荒れを改善する方法としては、例えば、米国特許出願公開第２０１５／０１０４９５７号明細書に開示された、水素を含むガスのプラズマによってパターンを処理する方法が挙げられる。その他にも、日本国特許出願公開第２００４−２３５４６８号明細書（特開２００４−２３５４６８）、米国特許出願公開第２０１０／００２０２９７号明細書、及びＰｒｏｃ．  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．８３２８  ８３２８０Ｎ−１“ＥＵＶ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｃｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｆｏｒ  ＬＷＲ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｅｔｃｈ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ”に記載されるような公知の方法を適用してもよい。
また、上記の方法によって形成されたパターンは、例えば日本国特許出願公開第１９９１−２７０２２７号明細書（特開平３−２７０２２７）、及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。
【０３３８】
［電子デバイスの製造方法］
また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ  Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。
【実施例】
【０３３９】
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。【０３４０】
＜合成例：モノマーの合成）＞【０３４１】
【化５０】
2020129476.tif 000052
【０３４２】
ピナコール（３７．８ｇ）、テトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を室温で撹拌し、ピナコールを完全に溶解させた後に、０℃に冷却して撹拌した。そこへ、ｎ−ブチルリチウム（ｎＢｕＬｉ）（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）を内温が１５℃を維持しながら滴下し、滴下後さらに３０分間０℃で撹拌することでピナコールテトラヒドロフラン溶液を調製した。
別にメタクリル酸クロリド（３６．８ｇ）、テトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を０℃で撹拌しているところへ、ピナコール―テトラヒドロフラン溶液を内温が１５℃以下を維持するように滴下した。滴下終了後、反応液を室温に昇温した後に３０分撹拌した。
その後反応液を飽和重曹水溶液４００ｍＬに注ぎ、減圧下でテトラヒドロフランを留去した．それにより得られた水溶液を酢酸エチル２５０ｍＬで３回抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、酢酸エチル溶液をろ過し、ろ液を減圧下で濃縮することで、粗生成物を４０．２ｇ得た。
この粗生成物をシリカゲル６００ｇ、展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝６／１（Ｖｏｌ）でカラム精製することで、目的のモノマーを３３．３ｇ（５６％収率）で得た。１Ｈ−ＮＭＲ、４００ＭＨｚ、δ（（ＣＤＣｌ３）ｐｐｍ：１．２４（６Ｈ、ｓ）、１．５４（６Ｈ，ｓ），１．９２−１．９５（３Ｈ，ｍ），３．４４（１Ｈ，ｂｓ），５．５２−５．５８（１Ｈ，ｍ），６．０２−６．０７（１Ｈ，ｍ）．【０３４３】
＜合成例：樹脂の合成）＞
シクロヘキサノン８０．７８質量部を窒素気流下，８０℃に加熱した。この液を攪拌しながら、そこに下記構造式Ｄ−１で表されるモノマー１７．７８質量部、下記構造式Ｄ−２で表されるモノマー１１．１８質量部、下記構造式Ｅ−１で表わされるモノマー１１．７８質量部、シクロヘキサノン１５０．０３質量部、及び、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ−６０１、和光純薬工業（株）製〕２．７６質量部の混合溶液を６時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃で更に２時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のメタノール／水（質量比９：１）で再沈殿、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで酸分解性樹脂である樹脂Ａ−１を２９．３３質量部得た。【０３４４】
【化５１】
2020129476.tif 000053
【０３４５】
得られた樹脂Ａ−１のＧＰＣ（展開溶媒：テトラヒドロフラン）から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は，Ｍｗ＝８０００，分散度はＭｗ／Ｍｎ＝１．６７であった。１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴法）により測定した組成比（モル比；左から順に対応）は４０／３０／３０（ｍｏｌ％）であった。【０３４６】
なお、上記合成例と同様の操作を行うことで、酸分解性樹脂である後掲の樹脂Ａ−２〜Ａ−２２を合成した。【０３４７】
＜酸分解性樹脂＞
使用した酸分解性樹脂（Ａ−１〜Ａ−２２、Ｂ−１及びＢ−２）の構造を以下に示す。
なお、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は前述のとおりＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、１３Ｃ−ＮＭＲ（ｎｕｃｌｅａｒ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により測定した。【０３４８】
【化５２】
2020129476.tif 000054
【０３４９】
【化５３】
2020129476.tif 000055
【０３５０】
【化５４】
2020129476.tif 000056
【０３５１】
【化５５】
2020129476.tif 000057
【０３５２】
【化５６】
2020129476.tif 000058
【０３５３】
【化５７】
2020129476.tif 000059
【０３５４】
なお、上記樹脂の各繰り返し単位の含有比率の単位はモル％である。【０３５５】
上記Ａ−１〜Ａ−２２は、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する。上記Ａ−１〜Ａ−２２における一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位について、酸分解反応によって脱離する部位（分解部位（前述の一般式（Ｐ１−Ｄ）で表される部位））の原子量の総和を下記表１に示す。【０３５６】
【表１】
2020129476.tif 000060
【０３５７】
＜光酸発生剤＞
使用した光酸発生剤（ＰＡＧ−１〜ＰＡＧ−１２）の構造を以下に示す。【０３５８】
【化５８】
2020129476.tif 000061
【０３５９】
【化５９】
2020129476.tif 000062
【０３６０】
＜酸拡散制御剤＞
使用した酸拡散制御剤（Ｎ−１〜Ｎ−６）の構造を以下に示す。【０３６１】
【化６０】
2020129476.tif 000063
【０３６２】
上記ＰＡＧ−１〜ＰＡＧ−１２、Ｎ−５及びＮ−６について、これらから発生する酸（発生酸）のｐＫａを以下に示す。
【表２】
2020129476.tif 000064
【０３６３】
また、上記Ｎ−１〜Ｎ−４について、共役酸のｐＫａを以下に示す。
【表３】
2020129476.tif 000065
【０３６４】
＜疎水性樹脂＞
使用した疎水性樹脂（１ｂ、２ｂ）の構造を以下に示す。
なお、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は前述のとおりＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、１３Ｃ−ＮＭＲにより測定した。【０３６５】
【化６１】
2020129476.tif 000066
【０３６６】
なお、上記樹脂の各繰り返し単位の含有比率の単位はモル％である。【０３６７】
＜界面活性剤＞
使用した界面活性剤を以下に示す。
Ｗ−１：ＰｏｌｙＦｏｘ  ＰＦ−６３２０（ＯＭＮＯＶＡ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  Ｉｎｃ．製；フッ素系）【０３６８】
＜溶剤＞
使用した溶剤を以下に示す。
ＳＬ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
ＳＬ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
ＳＬ−３：シクロヘキサノン
ＳＬ−４：γ−ブチロラクトン【０３６９】
〔レジスト組成物の調製〕
表４及び５に示した各成分を固形分濃度が３質量％となるように混合した。次いで、得られた混合液を孔径０．０３μｍのポリエチレン製フィルターで濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）を調製した。なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。【０３７０】
［パターン形成及び評価］
−ＡｒＦ液浸露光：ポジ型パターンの形成−
シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用組成物ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い、膜厚９５ｎｍの反射防止膜を形成した。得られた反射防止膜上に表４に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベーク（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚８５ｎｍのレジスト膜を形成した。
得られたウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ−Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９００、インナーシグマ０．８１２、ＸＹ偏向）を用い、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を用いた。その後、１００℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で３０秒間パドルして現像し、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンを形成した。【０３７１】
＜感度の評価＞
線幅が４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する最適露光量を感度（Ｅｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ２）とした。【０３７２】
＜露光ラティチュード（ＥＬ）の評価＞
求めた最適露光量（Ｅｏｐｔ）を基準とし、次いでラインの線幅が目的の値である４４ｎｍの±１０％の幅（すなわち、３９．６ｎｍ及び４８．４ｎｍ）となる露光量を求めた。
得られた露光量の値を用いて、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ）を算出した。
ＥＬ（％）＝［〔（ラインの線幅が４８．４ｎｍとなる露光量）−（ラインの線幅が３９．６ｎｍとなる露光量）〕／Ｅｏｐｔ］×１００
ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による線幅の変化が小さく、レジスト膜のＥＬ性能が良好であることを示す。【０３７３】
＜ラフネス性能（ラインウィズスラフネス；ＬＷＲ）の評価＞
得られた線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンについて、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ）にてパターン上部から観察し、ラインパターンの長手方向のエッジ２μｍの範囲について、線幅を５０ポイント測定し、その測定ばらつきについて標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。【０３７４】
【表４】
2020129476.tif 000067
【０３７５】
−ＡｒＦ液浸露光：ネガ型パターンの形成−
シリコンウエハ上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成し、その上に、下記表５に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベークを行い、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。
ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ−Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８、インナーシグマ０．８９、ＸＹ偏向）を用い、Ｘ方向がマスクサイズ４５ｎｍ、ピッチ９０ｎｍ、Ｙ方向がマスクサイズ６０ｎｍ、ピッチ１２０ｎｍのパターン形成用のマスクパターン（６％ハーフトーン）を介して露光した。液浸液としては超純水を使用した。１００℃で６０秒間加熱した後、有機現像液である酢酸ブチルで３０秒間現像し、スピン乾燥してレジストパターン（ホールパターン）を得た。【０３７６】
＜感度の評価＞
測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ）によりホールサイズを観察し、Ｘ方向のホールサイズが平均４５ｎｍのホールパターンを解像する時の最適露光量を感度（Ｅｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ２）とした。【０３７７】
＜露光ラチチュード（ＥＬ）の評価＞
求めた最適露光量（Ｅｏｐｔ）を基準とし、次いでホールサイズが目的の値である４５ｎｍの±１０％（すなわち、４０．５ｎｍ及び４９．５ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ）を算出した。ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である。
［ＥＬ（％）］＝［（ホールサイズが４０．５ｎｍとなる露光量）−（ホールサイズが４９．５ｎｍとなる露光量）］／Ｅｏｐｔ×１００【０３７８】
＜パターン寸法の均一性（ＣＤＵ）の評価＞
最適露光量で露光された１ショット内において、互いの間隔が１μｍの２０箇所の領域において、各領域ごとに任意の２５個（すなわち、計５００個）のＸ方向のホールサイズを測定し、これらの標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。【０３７９】
【表５】
2020129476.tif 000068
【０３８０】
〔レジスト組成物の調製〕
表６に示した各成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度１．６質量％の溶液を調製した。次いで、得られた溶液を０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過することで、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）を調製した。【０３８１】
［レジストパターンの形成方法］
−ＥＵＶ露光：ネガ型パターン又はポジ型パターンの形成−
ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を下層膜として形成したシリコンウエハ上に表６に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベーク（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対してパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ＝２０ｎｍであり、且つ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた。
その後、１０５℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）した。次いで、ネガ型現像液（酢酸ブチル）又はポジ型現像液（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液）で３０秒間パドルして現像し、ネガ型リンス液（ＦＩＲＭ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  １０（ＡＺＥＭ製））又はポジ型リンス液（純水）でリンスした。その後４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、線幅２０ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンを形成した。【０３８２】
＜感度の評価＞
測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（日立ハイテクノロジーズ社製  ＣＧ−４１００））により線幅が２０ｎｍの１：１ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を求め、これを最適露光量Ｅｏｐｔとした。【０３８３】
＜露光ラティチュード（ＥＬ）の評価＞
次いでラインの線幅が目的の値である２０ｎｍの±１０％の幅（つまり、１８ｎｍおよび２２ｎｍ）となる露光量を求めた。
得られた露光量の値を用いて、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ）を算出した。
ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による線幅の変化が小さく、レジスト膜のＥＬ性能が良好であることを示す。
ＥＬ（％）＝［〔（ラインの線幅が２２ｎｍとなる露光量）−（ラインの線幅が１８ｎｍとなる露光量）〕／Ｅｏｐｔ］×１００【０３８４】
＜ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の評価＞
感度評価における最適露光量にて解像したラインアンドスペースのレジストパターンの観測において、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（日立ハイテクノロジーズ社製  ＣＧ−４１００））にてパターン上部から観察する際、パターンの中心からエッジまでの距離を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを３σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。【０３８５】
【表６】
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【０３８６】
表４〜６の結果から分かるように、本発明の組成物は、超微細なパターンを形成する際の感度及びＥＬに優れ、ＬＷＲ及びＬＥＲが小さく、ＣＤＵに優れていた。
【国際調査報告】
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