(57)【要約】  バンプ高さの測定を簡易にできるようにすることにある。光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、  前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを補正する制御装置と、  を備えるバンプ高さ測定装置。
2020004544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、
前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを補正する制御装置と、
を備えるバンプ高さ測定装置。
【請求項２】
光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、
前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得する制御装置と、
を備えるバンプ高さ測定装置。
【請求項３】
請求項１に記載のバンプ高さ測定装置において、
前記誤差は、レシピで設定された前記レジスト層の屈折率を及び厚さを用いて算出される、バンプ高さ測定装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のバンプ高さ測定装置において、
前記光センサは、前記基板の外周部において光を照射し、
前記制御装置は、前記基板の外周部における前記バンプの高さを取得する、バンプ高さ測定装置。
【請求項５】
請求項４に記載のバンプ高さ測定装置において、
前記基板を回転させる基板回転機構、又は、前記光センサを前記基板の周りに回転させるセンサ回転機構により、前記光センサと前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記光センサが前記基板の外周部を走査する、バンプ高さ測定装置。
【請求項６】
基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、
前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、
前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ測定装置と、
前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ測定装置を制御する制御装置と、
を備え、
前記バンプ高さ測定装置は、
光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサを有し、
前記制御装置は、前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを補正する、
基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、
前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、
前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ測定装置と、
前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ測定装置を制御する制御装置と、
を備え、
前記バンプ高さ測定装置は、
光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサを有し、
前記制御装置は、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得する、
基板処理装置。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記誤差は、レシピで設定された前記レジスト層の屈折率及び厚さを用いて算出される、基板処理装置。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れかに記載の基板処理装置において、
前記乾燥装置は、前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構を有する、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９の何れかに記載の基板処理装置において、
前記乾燥装置は、前記基板を乾燥させる乾燥部から前記バンプ高さ測定装置を遮蔽する開閉可能な遮蔽部材を有する、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０の何れかに記載の基板処理装置において、
前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、
前記制御装置は、前記取得された前記バンプの高さに基づいて前記バンプ高さを検査し、前記バンプの高さに異常がある場合に、当該基板を保持する前記基板保持部材及び／又は当該基板にめっき処理を行っためっき槽を不使用とする、基板処理装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１の何れかに記載の基板処理装置において、
前記光センサは、前記基板の外周部において光を照射し、
前記制御装置は、前記基板の外周部における前記バンプの高さを算出する、基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構、又は、前記光センサを前記基板の周りに回転させるセンサ回転機構により、前記光センサと前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記光センサが前記基板の外周部を走査する、基板処理装置。
【請求項１４】
バンプ高さ測定方法であって、
シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、
前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを補正すること、
を含むバンプ高さ測定方法。
【請求項１５】
バンプ高さ測定方法であって、
光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、
前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得すること、
を含むバンプ高さ測定方法。
【請求項１６】
バンプ高さ測定装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、
シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に光源から光を照射し、前記光が前記レジスト層を透過して前記シード層で反射された反射光と、前記光源からの光が前記バンプで反射された反射光とを受光素子で検出すること、
前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを取得すること、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１７】
バンプ高さ測定装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、
シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、
前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得すること、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１８】
請求項６から１３の何れかに記載の基板処理装置において、
前記バンプ高さ測定装置は、前記基板上の複数の測定領域に対してバンプ高さの測定を実施し、
前記制御装置は、前記測定が実施された測定領域ごとにバンプ高さの異常の有無を仮判定し、１の測定領域の仮判定結果と、その測定領域を含む１又は複数の他の測定領域の仮判定結果とを使用して、前記１の測定領域の最終判定を実施する、
基板処理装置。
【請求項１９】
請求項６から１３の何れかに記載の基板処理装置において、
前記バンプ高さ測定装置は、前記基板上の複数の測定領域に対してバンプ高さの測定を実施し、
前記制御装置は、前記測定が実施された測定領域ごとにバンプ高さの異常の有無を判定し、
前記制御装置は、複数の前記測定領域を含む１又は複数の判定エリアを前記基板上に設定し、前記判定エリアごとに、前記判定エリアに含まれる複数の前記測定領域に対する判定結果を使用して、前記判定エリアに対するバンプ高さ検査の判定を実施する、基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の基板処理装置において、
前記制御装置は、複数の前記測定領域を含む１又は複数の判定エリアを前記基板上に設定し、前記判定エリアごとに、前記判定エリアに含まれる複数の前記測定領域に対する仮判定結果又は最終判定結果を使用して、前記判定エリアに対するバンプ高さ検査の判定を実施する、基板処理装置。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載の基板処理装置において、
前記制御装置は、前記基板上の同一の判定エリアかつ同一の径方向位置において異常と判定された測定領域の数に応じて、各判定エリアに対する判定を行う、
基板処理装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至２１何れかに記載の基板処理装置において、
前記制御装置は、前記測定領域で測定されたバンプ高さのうち最大値及び最小値が所定の範囲にあるか否かに基づいて、前記測定領域に対する判定を実施する、基板処理装置。
【請求項２３】
請求項１８乃至２２の何れかに記載の基板処理装置において、
前記制御装置は、前記測定領域で測定されたバンプ高さのうち所定の数値範囲を超えるバンプ高さの値を除外し、除外した後のバンプ高さの値に基づいて前記測定領域に対する判定を実施する、基板処理装置。
【請求項２４】
請求項６乃至１０の何れかに記載の基板処理装置において、
前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、
前記制御装置は、前記取得された前記バンプの高さに基づいて前記基板の前記バンプ高さを検査し、前記基板の前記バンプの高さに異常がある場合に、当該基板を処理した前記基板保持部材及び／又はめっき槽を異常判定し、
前記制御装置は、前記異常判定された前記基板の後続の基板の前記バンプ高さの検査を実施し、前記後続の基板の前記バンプ高さに異常がない場合に、前記基板保持部材及び／又は前記めっき槽に対する異常判定を解除する、基板処理装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の基板処理装置において、
前記異常判定は、前記基板保持部材及び／又は前記めっき槽に関するアラームの発生及び／又は不使用の設定を含む又は伴う、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ高さ測定装置、基板処理装置、バンプ高さ測定方法、及び、バンプ高さ測定装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
めっき装置では、めっき処理後の基板のめっき膜厚を測定し、めっき膜厚に異常があった場合にめっき処理を中止することが行われている。例えば、めっき後の基板からレジストを剥離し、めっき装置外部の膜厚測定機でめっき膜厚を測定する。この場合、めっき膜厚の異常を把握するまでに基板のめっき処理が継続され、膜厚分布に異常のある多数の基板が発生する場合がある。【０００３】
めっき装置内に膜厚測定機を設ける例として、特開２００２−１９０４５５公報（特許文献１）には、めっき前後の膜厚を測定するめっき前後膜厚測定機を備えた半導体製造装置が記載されている。この構成では、めっき前後膜厚測定機によるめっき前後の膜厚測定が必要であるため、スループットの低下をまねくおそれがある。【０００４】
また、特開２００２−１９０４５５公報（特許文献１）には、第１アライナ兼膜厚測定ユニットおよび第２アライナ兼膜厚測定ユニットが記載されているが、第１アライナ兼膜厚測定ユニットによるめっき前の基板の膜厚測定と、第２アライナ兼膜厚測定ユニットによるめっき後の基板の膜厚測定とを必要とするため、スループットの低下をまねくおそれがある、または、膜厚測定ユニットを目的別に設置するため装置コストが大きくなるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９０４５５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上述した課題の少なくとも一部を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、  前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから減算して、前記バンプの高さを補正する制御装置と、  を備えるバンプ高さ測定装置が提供される。【０００８】
本発明の一側面によれば、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、  前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得する制御装置と、  を備えるバンプ高さ測定装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体配置図である。
【図２】一例に係るバンプ高さ測定装置の概略構成図である。
【図３】基板処理装置における処理の全体フローを示す。
【図４】バンプ高さ検査処理における測定段階の処理のフローチャートである。
【図５】バンプ高さ検査処理における検査段階の処理のフローチャートである。
【図６】他の実施形態に係るバンプ高さ検査処理における検査段階の処理のフローチャートである。
【図７】基板に形成されるバンプの高さの相違を説明する説明図である。
【図８】一実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。
【図９】一実施形態に係るバンプ高さの測定原理による測定例を示す。
【図１０】他の実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。
【図１１】他の実施形態に係るバンプ高さの測定原理による測定例を示す。
【図１２】バンプ高さ測定装置による基板面の走査例を示す。
【図１３】測定結果のフィルタリング範囲を説明する説明図。
【図１４】最終判定に使用する測定領域の例である。
【図１５】複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う処理の一例を説明する説明図である。
【図１６】複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う処理のフローチャートである。
【図１７】複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う他の例に係る処理のフローチャートである。
【図１８】基板の各判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、各判定エリアの判定を行う処理の一例を説明する説明図である。
【図１９】各判定エリアの判定を行う処理の一例のフローチャートである。
【図２０】基板の各判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、各判定エリアの判定を行う処理の他の例を説明する説明図である。
【図２１】各判定エリアの判定を行う処理の他の例のフローチャートである。
【図２２】基板処理のタイムチャートである。
【図２３】アラーム解除を説明する基板処理のタイムチャートである。
【図２４】不使用解除を説明する基板処理のタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略する。また、本明細書において「上」、「下」、「左」、「右」等の表現を用いるが、これらは、説明の都合上、例示の図面の紙面上における位置、方向を示すものであり、装置使用時等の実際の配置では異なる場合がある。また、ある部材が他の部材と「基板に対して反対側に位置する」とは、基板のいずれかの基板面に向かい合うように位置する部材と、これと反対側の基板面に向かい合うように他の部材が位置することを意味する。なお、基板において、何れか一方の面に配線が形成される場合、両方の面に配線が形成される場合がある。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体配置図である。この例では、基板処理装置１００は、電解めっき装置である。ここでは、電解めっき装置を例に挙げて説明するが、本発明は、任意のめっき装置に適用可能である。
【００１２】
基板処理装置１００は、基板保持部材としての基板ホルダ１１に被処理物としての基板Ｗをロードし、又は基板ホルダ１１から基板Ｗをアンロードするロード／アンロード部１０１Ａと、基板Ｗを処理する処理部１０１Ｂと、に大きく分けられる。基板Ｗは、円形、角形、その他の任意の形状の被処理物を含む。また、基板Ｗは、半導体ウェハ、ガラス基板、液晶基板、プリント基板、その他の被処理物を含む。基板ホルダ１１は、例えば、第１及び第２保持部材（図示省略）を備え、第１保持部材と第２保持部材とで基板Ｗを挟持して保持する。基板ホルダ１１には、基板Ｗの片面又は両面を露出する開口部が設けられており、基板Ｗの外周部に接触して電流を供給するための電極（コンタクト）が設けられている。
【００１３】
ロード／アンロード部１０１Ａは、複数のカセットテーブル１０２と、アライナ１０４と、基板着脱部１０５と、乾燥装置１０６と、乾燥装置１０６内の基板Ｗを検査するように配置されたバンプ高さ測定装置２００と、を有する。カセットテーブル１０２は、基板Ｗを収納したカセットを搭載する。アライナ１０４は、基板Ｗのオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。基板着脱部１０５は、基板Ｗを基板ホルダ１１に着脱するように構成される１又は複数の基板着脱装置１０５ａを備える。乾燥装置１０６は、めっき処理後の基板Ｗを高速回転させて乾燥させる。これらのユニットの中央には、これらのユニット間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット１０３ａを備える基板搬送装置１０３が配置されている。
【００１４】
処理部１０１Ｂには、基板ホルダ１１の保管及び一時仮置きを行うストッカ１０７と、プリウェット槽１０８と、ブロー槽１０９と、リンス槽１１０と、めっき処理部１１２とを有する。プリウェット槽１０８では、めっき処理前の基板Ｗが純水に浸漬される。リンス槽１１０では、めっき処理後の基板Ｗが基板ホルダ１１と共に洗浄液で洗浄される。ブロー槽１０９では、洗浄後の基板Ｗの液切りが行われる。めっき処理部１１２は、オーバーフロー槽を備えた複数のめっき槽１１２ａを有する。各めっき槽１１２ａは、内部に一つの基板Ｗを収納し、内部に保持しためっき液中に基板Ｗを浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっき処理を行う。ここで、めっき液の種類は、特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が用いられる。本実施形態では、一例として、めっき処理により基板の表面にバンプを形成する場合を説明する。なお、この基板処理装置１００の処理部１０１Ｂの構成は、一例であり、他の構成を採用することが可能である。
【００１５】
基板処理装置１００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で、基板ホルダ１１を搬送する、任意の駆動方式（例えばリニアモータ方式）を採用した基板ホルダ搬送装置１１３を有する。この基板ホルダ搬送装置１１３は、第１トランスポータ１１４と、第２トランスポータ１１５と、を有している。第１トランスポータ１１４及び第２トランスポータ１１５は、レール１１６上を走行する。第１トランスポータ１１４は、基板着脱部１０５とストッカ１０７との間で基板ホルダ１１を搬送する。第２トランスポータ１１５は、ストッカ１０７、プリウェット槽１０８、ブロー槽１０９、リンス槽１１０、及びめっき槽１１２ａの間で、基板ホルダ１１を搬送する。なお、第２トランスポータ１１５を備えることなく、第１トランスポータ１１４のみを備え、第１トランスポータ１１４により上記各部の間の搬送を行うようにしてもよい。
【００１６】
以上のように構成される基板処理装置１００を含むめっき処理システムは、上述した各部を制御するように構成された制御装置１２０を有する。制御装置１２０は、各種の設定データ及び各種のプログラムを格納したメモリ１２０Ｂと、メモリ１２０Ｂのプログラムを実行するＣＰＵ１２０Ａと、ＣＰＵ１２０Ａからの制御指令により上述した各部を制御するように構成されたシーケンサ等からなる装置コントローラ（図示しない）と、を有する。ＣＰＵ１２０Ａは、装置コントローラを介して及び／又は介さずに、基板処理装置１００の各部を制御する。制御装置１２０は、例えば、ＣＰＵ１２０Ａ及びメモリ１２０Ｂを有する装置コンピュータと、装置コントローラとで構成することが可能である。
【００１７】
メモリ１２０Ｂを構成する記憶媒体は、任意の揮発性の記憶媒体、及び／又は、任意の不揮発性の記憶媒体を含むことができる。記憶媒体は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスクなどの任意の記憶媒体の１又は複数を含むことができる。メモリ１２０Ｂは、装置１００外のメモリであってもよい。メモリ１２０Ｂが格納するプログラムは、例えば、基板搬送装置１０３の搬送制御を行うプログラム、基板着脱部１０５における基板の基板ホルダへの着脱制御を行うプログラム、基板ホルダ搬送装置１１３の搬送制御を行うプログラム、めっき処理部１１２におけるめっき処理の制御を行うプログラム、後述するバンプ高さ測定装置２００による処理を制御するプログラムを含む。また、制御装置１２０は、基板処理装置１００及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと有線又は無線により通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをすることができる。
【００１８】
図７は、基板に形成されるバンプの高さの相違を説明する説明図である。基板Ｗにおいて、シード層３０１上には、レジスト層３０２が形成され、バンプ３０３が形成される部分に開口部３０２ａがパターニングされている。このようにパターニングされたレジスト層３０２を有する状態の基板Ｗが基板処理装置１に搬入され、レジスト層３０２の開口部３０２ａにバンプ３０３が電解めっき処理により形成される。バンプ３０３は、突起電極であり、例えば、基板Ｗを個片化して制作される半導体装置（チップ）またはウェハの状態の半導体装置をフリップチップボンディングにより、他の部品に電気的に接続するために使用される。図７中、（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、めっき処理により高さの異なるバンプ３０３が形成された基板Ｗを示す。
【００１９】
図７（ａ）は、正常な高さ範囲を超える高さ（上限値ｈｂ２＜バンプ高さｈｂ）のバンプ３０３が形成された基板Ｗを示す。図７（ｂ）は、正常な高さ範囲（下限値ｈｂ１≦バンプの高さｈｂ≦上限値ｈｂ２）のバンプ３０３が形成された基板Ｗを示す。図７（ｃ）は、正常な高さ範囲未満の高さ（バンプ高さｈｂ＜下限値ｈｂ１）のバンプ３０３が形成された基板Ｗを示す。下限値ｈｂ１及び上限値ｈｂ２は、正常な高さ範囲の下限値及び上限値をそれぞれ示す。正常な高さ範囲は、例えば、バンプ３０２がレジスト層３０１の表面から所定高さだけ低い高さ（下限値ｈｂ１）以上、かつ、レジスト層３０２の表面と面一の高さ（上限値ｈｂ２）以下の範囲である。この場合、上限値ｈｂ２は、レジスト層３０１の膜厚である。なお、下限値ｈｂ１および上限値ｈｂ２は、基板の種類、バンプ高さの設計値等に応じて所望の値に設定することができる。例えば、上限値ｈｂ２は、レジスト層３０２の表面を超える高さとし、下限値ｈｂ１は、レジスト層３０２の表面から所定高さだけ低い高さ、レジスト層３０２の表面と面一の高さ、又はレジスト層３０２の表面を超える高さとすることができる。
【００２０】
図８は、一実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。図９は、一実施形態に係るバンプ高さの測定原理による測定例を示す。
【００２１】
本実施形態では、３Ｄ変位計からなるバンプ高さ測定装置２００によりバンプ３０３の高さを測定する。３Ｄ変位計は、例えば、白色干渉原理により対象物までの距離を測定する装置である。バンプ高さ測定装置２００は、図示しないレーザ光源、ビームスプリッタ、参照ミラー、受光素子を有している。バンプ高さ測定装置２００のレーザ光源から出力される光は、ビームスプリッタにより分割され、図８に示すように基板Ｗの面に照射されるとともに、バンプ高さ測定装置２００内の参照ミラーで反射される。基板Ｗの面で反射された光と、参照ミラーで反射された光とは、干渉光としてバンプ高さ測定装置２００内の受光素子に入力され、干渉光の強度に基づいて、基板面上の高さデータを測定又は算出する。例えば、基板面上に基準面（基準高さ）を設定し、その基準面に対する高さの差として、基板面上の高さデータが測定又は算出される。ここで、レーザ光源の光の波長としては、レジスト層３０２を透過し、シード層３０１で反射される波長が採用される。レーザ光源の光の波長は、赤外線波長領域の波長であり、例えば、７００ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下の範囲である。図８の例では、バンプ高さ測定装置２００により基板面上の各部の高さが測定され、高さプロファイルからなる高さデータが、図９に示すように取得される。図９では、バンプ３０３の表面の高さ、及び、レジスト層３０２に覆われたシード層３０１の表面の高さを示す高さプロファイルが示されている。なお、高さデータは、三次元画像で与えられてもよい。
【００２２】
ここで、レジスト層３０２を介してシード層３０１の表面で反射した反射光ＳＳ（図８）による距離測定では、バンプ高さ測定装置２００（センサヘッド）からレジスト層３０２下のシード層３０１までの距離（光路長）Ｌｓは、レジスト層３０２の屈折率ｎｒに起因して、実際の距離（空気中の光路長）より長く測定される。これは、レジスト層３０２の屈折率ｎｒが空気の屈折率ｎ０（ここでは、ｎ０＝１とする）よりも大きいためである。バンプ高さ測定装置２００（センサヘッド）からシード層３０１までの距離をＬｓ、バンプ３０３までの距離をＬｂとすると、バンプ高さ測定装置２００で測定されるバンプの高さｈｂは、式（１）で表される。
ｈｂ＝Ｌｓ−Ｌｂ・・・（１）
【００２３】
式（１）よりシード層３０１までの距離Ｌｓが長く測定されると、バンプ高さｈｂが実際よりも高く測定されてしまうことが分かる。そこで、バンプ高さ測定装置２００で測定されたバンプ３０３の高さｈｂにおいて、レジスト層３０２の厚み分の距離を屈折率の影響を考慮して補正する必要がある。レジスト層３０２の厚さをｈｒとすると、レジスト層３０２の厚さｈｒに相当する距離は、バンプ高さ測定装置２００により、反射光ＳＢおよび反射光ＳＳに基づいて、ｎｒ＊ｈｒと測定される。そこで、３Ｄ変位計で測定されたバンプ高さｈｂからｎｒ＊ｈｒを減算し、空気の屈折率で測定されるべきレジスト層３０２の厚さｈｒを加算する補正を行う。つまり、以下の式（２）の計算によりレジスト層３０２の屈折率の影響（レジスト層の屈折率に起因する誤差）を除去する補正行う。ｈｂ’は、バンプ高さの測定値の補正後の値である。なお、空気中の屈折率ｎ０を１に近似しない場合は、式（２）においてｎｒをｎｒ／ｎ０に置き換える。
ｈｂ’＝ｈｂ−ｎｒ＊ｈｒ＋ｈｒ＝ｈｂ−（ｎｒ−１）ｈｒ・・・（２）
【００２４】
式（２）からレジスト層３０１の屈折率ｎｒの影響による誤差は、Δ＝（ｎｒ−１）ｈｒと表されることが分かる。この誤差Δ＝（ｎｒ−１）ｈｒを、測定されたバンプ高さｈｂから減算することにより、レジスト層３０１の屈折率ｎｒの影響を除いたバンプ高さｈｂ’を得ることができる。
【００２５】
上記式（２）におけるレジスト層３０３の厚さｈｒとしては、設計値を使用することができる。レジスト層３０３の厚さｈｒ及び屈折率ｎｒは、レシピデータにおいて設定することができる。
【００２６】
図１２は、バンプ高さ測定装置による基板面の走査例を示す。ここでは、基板Ｗの外周部において、基板Ｗの径方向の位置が異なり全周に亘って延びる複数のステップ（同図の例では、５つのＳｔｅｐ１〜５）に分割して走査する例を示す。各ステップは、基板の全周に亘って延びるトラックに対応する。各ステップは、更に、周方向に沿って複数の測定領域４００に分割される。各測定領域４００は、バンプ高さ測定装置２００の１回当たりの測定範囲を示す。
【００２７】
この例では、以下のように、バンプ高さ測定装置２００により基板Ｗの面が走査される。（１）Ｓｔｅｐ−１において、基板Ｗが回転されながら、バンプ高さ測定装置２００により各測定領域４００の高さデータが全周に亘って測定される。（２）バンプ高さ測定装置２００が基板Ｗの径方向内側方向に移動され、バンプ高さ測定装置２００の位置が基板Ｗ上でＳｔｅｐ１からＳｔｅｐ２に変更される。以下、上記同様の処理がＳｔｅｐ２からＳｔｅｐ５まで繰り返され、Ｓｔｅｐ１〜５に含まれる測定領域４００が測定される。なお、測定するステップの数、各ステップに含まれる測定領域４００の数は、制御装置１２０を介して設定できるようにしてもよい。例えば、ステップを追加及び省略できるようにしてもよいし、各ステップの一部の測定領域を省略できるようにしてもよい。測定領域の省略の例としては、全周に亘る測定領域のうち１つおきに測定しない領域とすることができる。このようにすれば、測定に要する時間、測定精度、基板の種類による特徴などを考慮して、所望の測定範囲を設定することができる。
【００２８】
基板Ｗの外周部のパターンのみを撮像する理由は、以下の通りである。基板Ｗが基板ホルダ１１に保持された状態で電解めっきされる場合、基板Ｗの外周部に基板ホルダ１１のコンタクト（電極）が接触し、それらのコンタクトを介して基板Ｗの全領域（外周部及びその内側領域）に電流が供給される。従って、基板Ｗ上のバンプの高さに異常が発生する場合には、基板Ｗの外周部のバンプの高さに異常が発生する場合が多い。そのため、基板Ｗの外周部のパターンを撮像することにより、十分な精度でバンプ高さの検査を行うことができる。また、外周部以外にも基板Ｗの特性によりバンプの高さに異常が発生しやすい個所が特定されている場合は、その特定された箇所を撮像するようにしてもよい。
【００２９】
なお、ここでは、基板Ｗの外周部（例えば、基板外縁から５０ｍｍの範囲）を測定する場合を示すが、内周側を含め、基板Ｗの全領域を測定するようにしてもよい。
【００３０】
図２は、一例に係るバンプ高さ測定装置の概略構成図である。バンプ高さ測定装置２００は、乾燥装置１０６に設けられている。本実施形態では、乾燥装置１０６がスピンリンスドライヤである場合の例を示すが、乾燥装置１０６は、乾燥機能のみのスピンドライヤ等の任意の乾燥装置であってよい。
【００３１】
図２に示すように、乾燥装置１０６は、筐体１３１と、筐体１３１内に配置された基板回転機構１３２と、基板回転機構１３２の上方または近傍に配置されたノズル１３４と、を備えている。筐体１３１内には、筐体１３１の内部空間を外部から遮蔽するためシャッター１３３が設けられている。シャッター１３３は、筐体１３１の内部空間と外部とを遮蔽及び開放するように開閉可能に構成されている。基板回転機構１３２は、その載置面に基板Ｗを載置及び保持し、基板Ｗを回転させる。ノズル１３４は、基板回転機構１３２に保持された基板Ｗに対して、洗浄液及び／又は純水を供給する。乾燥装置１０６において、基板Ｗは、基板回転機構１３２により回転されながら、ノズル１３４から供給される洗浄液及び／又は純水により基板Ｗが洗浄され、ノズル１３４からの洗浄液及び／又は純水の供給停止後、基板回転機構１３２により高速回転されて乾燥される。
【００３２】
ここでは、バンプ高さ検査装置２００が乾燥装置１０６の筐体１３１の外部に配置される場合を例に挙げるが、バンプ高さ検査装置２００の一部又は全部の構成が乾燥装置１０６の筐体１３１内に配置されるようにしてもよい。この場合、バンプ高さ検査装置２００の設置空間と、乾燥処理を行う乾燥処理部とがシャッター１３３で仕切られることが好ましい。バンプ高さ検査装置２００は、乾燥装置１０６内の基板を検査可能に配置されていればよく、乾燥装置１０６の内部及び外部の何れに配置されてもよく、乾燥装置１０６に取り付けられても取り付けられていなくともよい。
【００３３】
バンプ高さ測定装置２００は、光センサ２０１と、光センサ２０１のコントローラ２０２と、を備えている。光センサ２０１及びコントローラ２０２は、３Ｄ変位計を構成する。本実施形態の３Ｄ変位計は、上述したように、白色干渉原理により対象物までの距離を測定する装置である。３Ｄ変位計は、一例として、キーエンス社のＬＫ−Ｇ５０００シリーズのＷＩ−０１０を使用することができる。また、バンプ高さ測定装置２００は、光センサ２０１を上下方向（図２のＺ軸方向）及び水平方向（図２のＸ軸方向）に移動させるためのＺ軸ロボット２０３及びＸ軸ロボット２０４を備えている。Ｚ軸ロボット２０３は上下方向移動機構の一例であり、Ｘ軸ロボット２０４は水平方向移動機構の一例である。Ｚ軸ロボット２０３及びＸ軸ロボット２０４は、コントローラ２０２及び／又は制御装置１２０により制御される。
【００３４】
制御装置１２０及び／又はコントローラ２０２は、バンプ高さ測定装置２００の制御装置を構成する。制御装置１２０は、バンプ高さ検査２００による処理を制御するプログラムを実行することにより、コントローラ２０２を介して及び／又はコントローラ２０２を介さずに、バンプ高さ測定装置２００の各部を制御する。
【００３５】
光センサ２０１は、３Ｄ変位計のセンサヘッドである。光センサ２０１は、図示しないレーザ光源、ビームスプリッタ、参照ミラー、受光素子を有している。光センサ２０１のレーザ光源から出力される光は、ビームスプリッタにより分割され、基板Ｗの面に照射されるとともに、光センサ２０１内の参照ミラーで反射される。基板Ｗの面で反射された光と、参照ミラーで反射された光とは、干渉光として光センサ２０１の受光素子に入力され、干渉光の強度に基づいて、基板面上の高さデータを測定又は算出する。例えば、基板面上に基準面（基準高さ）を設定し、その基準面に対する高さの差として、基板面上の高さデータが測定又は算出される。図８及び図９の例では、レジスト層３０２下のシード層３０１の表面を基準高さとして、バンプ３０３の高さのデータが取得される。光センサ２０１は、図２に示すＺ軸ロボット２０３に取り付けられている。Ｚ軸ロボット２０１は、Ｘ軸ロボット２０４に取り付けられている。これにより、光センサ２０１は、Ｚ軸方向に移動されるとともに、Ｘ軸方向に移動されるようになっている。
【００３６】
シャッター１３３は、筐体１３１の内部と外部との間を遮蔽／開放する。筐体１３１内部において基板Ｗを洗浄乾燥する前または洗浄乾燥した後に、シャッター１３３を開放し、バンプ高さ測定装置２００により基板Ｗ上のバンプ高さを測定、検査する。基板Ｗの洗浄乾燥時には、シャッター１３３により筐体１３１の内部と外部との間が遮蔽され、バンプ高さ測定装置２００を洗浄液等から保護するとともに、洗浄乾燥処理に影響を与えないようにされている。
【００３７】
図３は、基板処理装置における処理の全体フローを示す。この処理は、制御装置１２０及びコントローラ２０２により実行される。なお、この処理は、その他のコンピュータ及び／又はコントローラと協働して実行されてもよい。
【００３８】
ステップＳ１では、カセットテーブル１０２上のカセットから搬送ロボット１０３ａにより基板Ｗを取り出し、基板着脱部１０５の基板着脱装置１０５ａに搬入する。ステップＳ２では、基板着脱装置１０５ａにおいて基板Ｗを基板ホルダ１１に取り付ける。ステップＳ３では、基板ホルダ搬送装置１１３によりプリウェット槽１０８に搬入された基板ホルダ１１を純水に浸漬させる。その後、基板ホルダ搬送装置１１３により基板ホルダ１１をめっき処理部１１２の何れかのめっき処理槽１１２ａに搬入し、基板ホルダ１１に保持された基板Ｗに対してめっき処理を施し、基板Ｗ上にバンプを形成する（ステップＳ４）。めっき処理後、基板ホルダ搬送装置１１３により基板ホルダ１１をリンス槽１１０に搬入し、基板Ｗを基板ホルダ１１とともに洗浄液で洗浄する（ステップＳ５）。洗浄後の基板ホルダ１１を基板ホルダ搬送装置１１３によりブロー槽１０９に搬入し、洗浄後の基板Ｗの液切りを行う（ステップＳ６）。その後、基板ホルダ１１を基板ホルダ搬送装置１１３により基板着脱部１０５の基板着脱装置１０５ａに搬入し、基板Ｗを基板ホルダ１１から取り外す（ステップＳ７）。基板ホルダ１１から取り外された基板Ｗを搬送ロボット１０３ａにより乾燥装置１０６に搬入し、乾燥装置１０６において基板Ｗの洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ８）。また、乾燥装置１０６では、基板Ｗに対してバンプ高さ検査処理を実行する（ステップＳ９）。バンプ高さ検査処理（Ｓ９）は、洗浄及び乾燥処理（Ｓ８）の前または後の何れで実行されてもよい。乾燥装置１０６での処理後、搬送ロボット１０３ａにより基板Ｗがカセットに戻される（ステップＳ１０）。
【００３９】
図４は、ステップＳ９で実行されるバンプ高さ検査処理における測定段階の処理のフローチャートである。
【００４０】
ステップＳ２１では、シャッター１３３が開放され、Ｚ軸ロボット２０３により光センサ２０１が、基板Ｗから所定の距離の範囲内に位置するように、乾燥装置１０６の筐体１３１内に下降されるとともに、Ｘ軸ロボット２０４により光センサ２０１が基板Ｗ上のＳｔｅｐ−１（図１０）の初期位置に移動するように調整される。
【００４１】
ステップＳ２２では、測定ステップを指定するカウンタｎが初期値１に設定される。
【００４２】
ステップＳ２３では、基板Ｗが基板回転機構１３２により回転されることにより、バンプ高さ測定装置２００が、基板Ｗの現在のステップに対応するトラック内の各測定領域４００の高さを全周に亘って順次測定する。測定された高さデータ（図９）は、コントローラ２０２から制御装置１２０に転送され、制御装置１２０において高さデータを使用して、バンプ高さの検査が行われる。なお、基板を基板回転機構１３２により回転することに代えて、例えば、センサ回転機構（図示せず）を介して光センサ２０１をＺ軸ロボット２０３に取り付け、センサ回転機構により光センサ２０１を基板の周方向に沿って回転させるようにしてもよい。
【００４３】
ステップＳ２４では、ｎ＝Ｎとなったか否かを判断することにより、全ステップを測定したか否かが判断される。Ｎは、設定されている全てのステップの数であり、図１２の例ではＮ＝５である。
【００４４】
ステップＳ２４において、ｎがＮ未満である場合には、ｎをカウントアップし（ステップＳ２５）、ステップＳ２６において、Ｘ軸ロボット２０４により光センサ２０１を次のステップに移動させ、ステップ２３に戻る。以下、ステップＳ２４においてｎ＝Ｎとなるまで、ステップＳ２３〜Ｓ２６の処理が繰り返される。ステップＳ２４において、ｎ＝Ｎとなった場合は、バンプ高さ測定処理が終了される。
【００４５】
図５は、ステップＳ９で実行されるバンプ高さ検査処理における検査段階の処理のフローチャートである。図５の処理は、全てのトラック（図１２のＳｔｅｐ１〜５）での高さデータの測定後（図４のステップＳ２４でＹｅｓとなった後）に、測定された全ての高さデータに対して実行する。
【００４６】
ステップＳ３１では、光センサ２０１により測定されたシード層３０１（レジスト層３０２下方）及びバンプ３０３の高さデータ（図９）から各バンプ３０３の高さｈｂを算出又は取得する。ステップＳ３１の処理は、制御装置１２０又はコントローラ２０２で実行される。ステップＳ３２以降の処理は、制御装置１２０で実行される。
【００４７】
ステップＳ３２では、レジスト層３０３の屈折率ｎｒを考慮して、各バンプ３０３の高さｈｂを補正する。一例では、レジスト層３０３の厚さｈｒ及び屈折率ｎｒをレシピデータから取得し、各バンプ３０３の高さｈｂを式（２）により補正し、補正後のバンプ高さｈｂ’を算出する。
ｈｂ’＝ｈｂ−（ｎｒ−１）ｈｒ・・・（２）
【００４８】
ステップＳ３３では、各バンプの高さｈｂ’が正常な高さ範囲内（下限値ｈｂ１以上かつ上限値ｈｂ２以下）にあるか否かが判定される。
【００４９】
ステップＳ３３において、各バンプの高さｈｂ’が正常な高さ範囲内と判定された場合は、ステップＳ３８に移行する。ステップＳ３８では、当該基板Ｗのめっき処理に使用されためっき電流等を制御装置１２０のめっき処理制御プログラム等にフィードバックし、検査段階の処理を終了する。
【００５０】
ステップＳ３３において、バンプ高さｈｂ’が正常な高さ範囲内にないバンプが存在すると判定された場合は、ステップＳ３４に移行する。
【００５１】
ステップＳ３４では、正常な高さ範囲でないと判定された各バンプの高さｈｂ’が、第２下限値ｈｂ１１（＜下限値ｈｂ１）以上かつ第２上限値ｈｂ２２（＞上限値ｈｂ２）以下の範囲内であるか否かが判定される。第２下限値ｈｂ１１及び第２上限値ｈｂ２２は、正常な高さ範囲の外であるが、基板ホルダ及び／又はめっき槽を不使用にする程の誤差ではないアラーム範囲を設定するための値であり、下限値ｈｂ１及び上限値ｈｂ２に近い値に設定される。
【００５２】
ステップＳ３４において、正常な高さ範囲でないと判定された各バンプ高さｈｂ’が、第２下限値ｈｂ１１以上かつ第２上限値ｈｂ２２以下の範囲（アラーム範囲）内であると判定された場合（アラーム判定）は、ステップＳ３５でアラームを発生し、ステップＳ３８に移行する。その後、ステップＳ３８の処理を実行した後に検査段階の処理を終了する。
【００５３】
ステップＳ３４において、正常な高さ範囲でないと判定された各バンプの高さｈｂ’が、第２下限値ｈｂ１１以上かつ第２上限値ｈｂ２２以下の範囲（アラーム範囲）内にないと判定された場合（不使用判定）は、アラームを発生し（Ｓ３６）、当該基板Ｗの処理に使用された基板ホルダ１１及び／又はめっき槽１１２ａを不使用とする（ステップＳ３７）。その後、ステップＳ３８の処理を実行した後に検査段階の処理を終了する。なお、不使用の対象となった基板ホルダ及び／又めっき槽で現在めっき処理中の基板のめっき処理は継続して実行し、当該基板の処理終了後に基板ホルダ及び／又めっき槽を不使用とする。また、複数回連続してバンプ高さに不使用の異常を生じさせた場合に、当該基板ホルダ及び／又めっき槽を不使用とするようにしてもよい。つまり、複数回連続して不使用判定されるまでは、不使用判定された基板ホルダ及び／又めっき槽の使用を継続してもよい。また、アラーム判定又は不使用判定とされた基板ホルダ及び／又めっき槽であっても、次の基板の処理後の測定でバンプ高さが正常と判定されば、アラーム判定又は不使用判定を解除するようにしてもよい。また、現在めっき処理部１１２内にある全ての基板のめっき処理終了後に、めっき装置を停止させてメンテナンスを行ってもよい。すなわち、バンプ高さ検査は基板に対して実行され、判定の結果アラーム判定あるいは不使用判定となったとしても、実際にアラーム発生あるいは基板ホルダ及び／又めっき槽を不使用とする処理を行うかどうかは、所定の条件により決定されうる。
【００５４】
本明細書では、説明の便宜上、アラームを発生する判定（図５のＳ３５）をアラーム判定（Ｌ）と称し、アラームの発生、並びに基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可とする判定（図５のＳ３６、Ｓ３７）を不使用判定（ＬＬ）と称す。なお、バンプ高さの異常としては、上限値ｈｂ２を超える異常、下限値ｈｂ１を下回る異常があるが、記載の簡略化の観点から、「アラーム判定」、「不使用判定」をそれぞれ、Ｌ、ＬＬと表記する。以下の説明においても同様である。具体的には、アラーム判定は、基板ホルダ及び／又めっき槽のメンテナンスを促すアラームを発生させるために行われる。不使用判定は、アラーム発生、並びに／若しくは、基板ホルダ及び／又めっき槽を使用不可とするために行われる。検査及び判定は基板に対して行われ、判定結果は、当該基板の処理情報又は処理履歴として、当該基板の処理に使用した基板ホルダ及び／又はめっき槽と関連付けて、めっき装置（例えば、制御装置、又は制御装置が読み取り可能なメモリ等）に記録される。判定結果に基づく処理（アラームの発生、基板ホルダ及び／又はめっき槽を不使用とする処理など）は、当該基板の処理に使用した基板ホルダ及び／又はめっき槽に対して行われる。一例では、制御装置は、判定結果に基づいて、前記処理を実行するか否かを決定し、所定の条件が満たしたと判断した場合に、前記処理を実行する。なお、アラーム判定または不使用判定といった基板に対する判定は、その基板の処理に用いた基板ホルダ及び／又はめっき槽に関して発生されるアラーム、あるいは当該基板ホルダ及び／又はめっき槽を不使用とする処理につながりうるものであるから、アラーム判定または不使用判定といった判定あるいは関連する評価は、当該基板の処理に使用した基板ホルダ及び／又はめっき槽に対して行われるともいえる。すなわち、基板に対して検査、判定を行うことにより、当該基板の処理に使用した基板ホルダ及び／又はめっき槽に対して判定又は評価を実施するともいえる。
【００５５】
なお、ステップ３１からＳ３８の処理は、１又は複数のトラック（Ｓｔｅｐ１〜５）における測定が終了する毎に、当該トラックで測定された全ての高さデータに対して実行されてもよい。また、ステップＳ３１からＳ３８の処理は、１又は複数の測定領域４００の測定が終了する毎に、当該測定領域で測定された高さデータに対して実行されてもよい。
【００５６】
（他の実施形態）
図１０は、他の実施形態に係るバンプ高さの測定原理を示す。図１１は、他の実施形態に係るバンプ高さの測定原理による測定例を示す。
【００５７】
本実施形態では、バンプ高さ測定装置２００は、図１１に示すように、レジスト層３０２に覆われた領域（図１０の領域Ａ）におけるシード層３０１の表面を基準面（基準高さ）として、バンプ３０３の高さｈｂ、及び、レジスト層３０２に覆われていない露出部分（図１０の領域Ｂ）におけるシード層３０１の高さｈｓを測定し、ｈｂ−ｈｓによりバンプ３０３の高さを算出又は取得する。バンプ高さ測定装置２００の光センサ２０１から基板面上に光を照射した場合において、バンプ３０３、領域Ａのシード層３０１、領域Ｂのシード層３０１から反射される反射光をそれぞれ反射光ＳＢ、ＳＳＡ、ＳＳＢとする。反射光ＳＳＡと反射光ＳＢとに基づいて、領域Ａのシード層３０１までの光路長（Ｌｓ）と、バンプ３０３までの光路長（Ｌｂ）との光路差（Ｌｓ−Ｌｂ）を測定することにより、図１１に示すように、領域Ａのシード層３０１を基準面としたバンプ３０３の高さｈｂが算出又は測定される。反射光ＳＳＡと反射光ＳＳＢとに基づいて、領域Ａのシード層３０１までの光路長（Ｌｓ）と、領域Ｂのシード層３０１までの光路長（Ｌｓ０）との光路差（Ｌｓ−Ｌｓ０）を測定することにより、図１１に示すように、領域Ａのシード層３０１を基準面とした領域Ｂのシード層３０１の高さｈｓが算出又は測定される。
【００５８】
シード層３０１の露出部分である領域Ｂは、基板Ｗの外周領域に存在する。この領域Ｂは、基板ホルダ１１で保持された際に基板ホルダ１１内に密閉され、給電用のコンタクトが接触する領域であり、めっき液に接触せず、めっき処理後においてもシード層が露出した状態にある。
【００５９】
上述した通り、レジスト層３０２は空気中の屈折率ｎ０よりも大きい屈折率ｎｒを有するため、光センサ２０１からの光に対して、レジスト層３０２の膜厚は空気中よりも大きい見かけ上の距離（光路長）を有する。言い換えれば、レジスト層３０２に覆われた領域Ａにおけるシード層３０１は、露出部分のシード層３０１よりも光センサ２０１から遠くにあるように測定される。このため、反射光ＳＳＡ及び反射光ＳＳＢとに基づいて測定される、領域Ａのシード層３０１までの光路長Ｌｓと、領域Ｂのシード層３０１までの光路長Ｌｓ０との間には、図１１に示すように光路差ｈｓが生じる。
【００６０】
実際に測定すべきバンプ３０３の高さは、領域Ａのシード層３０１を基準面としたバンプ３０３の高さｈｂ（光路差）から、領域Ａのシード層３０１を基準面とした領域Ｂのシード層３０１の高さｈｓ（光路差）を減算すること（ｈｂ−ｈｓ）により、算出又は取得することができる。
【００６１】
本実施形態では、図４の測定処理において、バンプ高さ測定装置２００により、領域Ａのシード層３０１を基準面とし、バンプ３０３の高さｈｂ、及び、領域Ｂのシード層３０１の高さｈｓが算出又は測定され、図１１に示すような基板面の高さデータが取得される。その後、図６の検査段階の処理が実行される。
【００６２】
図６は、他の実施形態に係るバンプ高さ検査処理における検査段階の処理のフローチャートである。
【００６３】
ステップＳ４１では、基板面の高さデータ（図１１）から以下の式（３）を用いて、各バンプ３０３の高さを算出又は取得する。
ｈｂ’＝ｈｂ−ｈｓ            （３）
ここで、ｈｂは、領域Ａのシード層３０１を基準面としたバンプ３０３の高さの測定値であり、ｈｓは、領域Ａのシード層３０１を基準面とした領域Ｂのシード層３０１の高さの測定値である。その後、ステップＳ４２〜Ｓ４７の処理が実行される。ステップＳ４２〜Ｓ４７の処理は、図５のステップＳ３３〜Ｓ３８と同様であるので、それらの説明を省略する。
【００６４】
なお、図５のステップＳ３３〜Ｓ３８と同様に、図６の処理は、全てのトラック（図１２のＳｔｅｐ１〜５）での高さデータの測定後（図４のステップＳ２４でＹｅｓとなった後）に、測定された全ての高さデータに対して実行する。なお、ステップＳ４２〜Ｓ４７の処理は、１又は複数のトラック（Ｓｔｅｐ１〜５）における測定が終了する毎に、当該トラックで測定された全ての高さデータに対して実行されてもよい。また、ステップＳ４２〜Ｓ４７の処理は、１又は複数の測定領域４００の測定が終了する毎に、当該測定領域で測定された高さデータに対して実行されてもよい。
【００６５】
図５及び図６の検査段階のフローチャートにおける判定処理において、不使用判定（ＬＬ）のバンプが１つでも存在すれば、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよく、所定の数又は割合以上のバンプが不使用判定（ＬＬ）と判定された場合に、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよい。同様に、アラーム判定（Ｌ）のバンプが１つでも存在すれば、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生してもよく、所定の数又は割合以上のバンプがアラーム判定（Ｌ）と判定された場合に、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生するようにしてもよい。
【００６６】
（測定領域の判定）
図５及び図６の検査段階のフローチャートにおける判定処理は、測定領域４００ごとに実行することが可能である。例えば、判定対象である測定領域４００に含まれる１又は複数のバンプの高さ（図５のＳ３１、Ｓ３２又は図６のＳ４１により算出）のうち最大値ｈｂ’ｍａｘ及び最小値ｈｂ’ｍｉｎｉを決定する。最大値ｈｂ’ｍａｘ及び最小値ｈｂ’ｍｉｎｉが、下限値ｈｂ１以上かつ上限値ｈｂ２以下の範囲（正常範囲）にあれば、この測定領域４００に対する判定を正常とする（図５のＳ３３−Ｓ３８、図６のＳ４２−Ｓ４７）。最大値ｈｂ’ｍａｘ及び最小値ｈｂ’ｍｉｎｉが、正常範囲にはないが、第２下限値ｈｂ１１以上かつ第２上限値ｈｂ２２以下の範囲（アラーム範囲）にあれば、この測定領域４００に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とする（図５のＳ３４−Ｓ３５、図６のＳ４３−Ｓ４４）。最大値ｈｂ’ｍａｘ及び最小値ｈｂ’ｍｉｎｉが、第２下限値ｈｂ１１未満又は第２上限値ｈｂ２２超と判定された場合は、この測定領域４００に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とする（図５のＳ３６−Ｓ３７、図６のＳ４５−Ｓ４６）。
【００６７】
また、各測定領域４００に対して上記のようなバンプ高さの判定を実行し、不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００が１つでも存在すれば、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよく、所定の数又は割合以上の測定領域４００が不使用判定（ＬＬ）と判定された場合に、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよい。同様に、アラーム判定（Ｌ）の測定領域４００が１つでも存在すれば、基板に対する判定をアラーム判定（ＬＬ）とし、実際にアラームを発生してもよく、所定の数又は割合以上の測定領域４００がアラーム判定（Ｌ）と判定された場合に、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生するようにしてもよい。
【００６８】
測定領域ごとに判定すること、及び／又は、測定領域内の最大値及び最小値を使用して判定することにより、バンプ先端の形状や性状によってはバンプで反射した光が十分にセンサに戻らないこと等に起因して光センサの測定値に測定ノイズがある場合にも、基板におけるバンプ高さの評価の精度を向上させることができる。例えば、光センサの測定ノイズのためにアラーム判定や不使用判定と誤検知されるリスクを軽減することができる。
【００６９】
（フィルタリング）
図５及び図６の検査段階のフローチャートにおける判定処理（測定領域ごとに判定する場合を含む）、並びに、以下で説明する判定処理に先立ち、測定されたバンプ高さの値のうち、所定の数値範囲（ｈｂｆ１以上かつｈｂｆ２以下）を超えるバンプ高さの値を判定処理から除外するフィルタリング処理を行うようにしてもよい。フィルタリング通過範囲（ｈｂｆ１以上かつｈｂｆ２以下）は、図１３に示すように、アラーム範囲（ｈｂ１１以上かつｈｂ２２以下）を超える範囲である。フィルタリング処理の数値範囲は、バンプ高さの測定結果のうちノイズを判定処理からカットするように設定される。例えば、バンプ先端の形状や性状によってはバンプで反射した光が十分にセンサに戻らないこと等に起因して光センサの測定値に測定ノイズが生じる場合がある。フィルタリング処理の数値範囲は、このような測定ノイズ、言い換えれば、めっきの結果としては通常あり得ない異常な測定値を判定処理において参照しないように、設けられる。このようなフィルタリング処理後のバンプ高さの値を使用して判定することにより、判定精度を向上させることができる。
【００７０】
（判定例１）
また、光センサにおける測定ノイズによる判定結果への影響を更に抑制するために、複数の測定領域４００における測定結果を考慮して、各測定領域４００のバンプ高さを判定するようにしてもよい。例えば、上述したように各測定領域４００に対して実行したバンプ高さの判定結果を仮判定とし、対象である測定領域４００の仮判定結果と、その測定領域４００に隣接または近接する１又は複数の測定領域４００の仮判定結果とに基づいて、対象である測定領域４００の最終判定を確定するようにしてもよい。例えば、最終判定に使用する測定領域の数（最終判定の対象とする測定領域を含む隣接又は近接する測定領域の数）をＮ（Ｅ）、最終判定のための閾値をＮＮ（Ｅ）とする。そして、最終判定の対象とする測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を検査する。例えば、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）である測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定を不使用判定（ＬＬ）とする。また、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とする。
【００７１】
図１４は、最終判定に使用する測定領域の例である。同図に示すように、最終判定に使用する複数の測定領域４００は、例えば、対象とする測定領域４００と、対象とする測定領域４００に対して基板の半径方向及び／又は周方向（ステップを横切る方向及びステップに沿う方向）に隣接又は近接する測定領域とを含むことができる。また、最終判定に使用する複数の測定領域４００は、連続する測定領域４００であってもよく、不連続な測定領域４００であってもよい。また、他の例では、最終判定に使用する複数の測定領域４００は、最終判定の対象とする測定領域４００を含む規則的又はランダムに選択された測定領域４００（同一又は異なるステップ）であってもよい。一部のステップ及び／又は一部の測定領域に対するバンプ高さの測定を省略する場合には、最終判定に使用する複数の測定領域４００は、実際に測定された測定領域の中で、対象とする測定領域４００に対して、基板の半径方向及び／又は周方向に隣接又は近接する測定領域、連続する測定領域４００、不連続な測定領域４００、規則的又はランダムに選択された測定領域４００等である。
【００７２】
図１５は、複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う処理の一例を説明する説明図である。同図では、特定のステップにおける複数の測定領域４００を示す。各測定領域を区別するため（１）から（１５）の番号を付している。仮判定結果、最終判定結果は、各測定領域の横にアラーム判定（Ｌ）又は不使用判定（ＬＬ）で示されている。なお、Ｌ又はＬＬの表記のない測定領域は正常とする。ここでは、Ｎ（Ｅ）＝５、ＮＮ（Ｅ）＝２とする。そして、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）である測定領域４００の数が２以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定を不使用判定（ＬＬ）とする。また、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の数が２以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とする。
【００７３】
同図において、測定領域（１）の最終判定を行う場合、対象である測定領域（１）を含む隣接するＮ（Ｅ）＝５個の測定領域は、測定領域（１）〜（５）である。測定領域（１）〜（５）のうち、仮判定結果がＬＬの測定領域の数は１個であり、仮判定結果がＬＬ又はＬの測定領域の合計は２個である。この結果、測定領域（１）の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とする。
【００７４】
測定領域（３）の最終判定を行う場合、対象である測定領域（３）を含む隣接する５つの測定領域は、測定領域（３）〜（７）である。測定領域（３）〜（７）のうち、仮判定結果がＬＬの測定領域の数は２個である。この結果、測定領域（３）の最終判定を不使用判定（ＬＬ）とする。
【００７５】
測定領域（９）の最終判定を行う場合、対象である測定領域（９）を含む隣接する５つの測定領域は、測定領域（９）〜（１３）である。測定領域（９）〜（１３）のうち、仮判定結果がＬＬの測定領域の数は０個であり、仮判定結果がＬＬ又はＬの測定領域の合計は１個である。この結果、測定領域（９）の最終判定を正常とする。
【００７６】
なお、仮判定結果が正常である測定領域については、複数の測定領域の仮判定結果を使用した最終判定は行わず、仮判定結果（正常）を最終判定結果とする。他の例では、仮判定結果が正常である測定領域についても、隣接又は近接する測定領域の仮判定結果を使用した最終判定を実施してもよい。
【００７７】
上記例では、最終判定に使用する測定領域として、対象である測定領域から後続する測定領域を選択したが、対象である測定領域の前後の測定領域または先行する測定領域を選択してもよい。
【００７８】
以下、各測定領域の仮判定結果が取得された後に最終判定を行う場合と、各測定領域に対する測定と並行して最終判定を行う場合において、最終判定処理をフローチャートを用いて説明する。
【００７９】
図１６は、複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う処理のフローチャートである。この処理は、各測定領域の仮判定結果が取得された後に実行される。
【００８０】
Ｓ５１では、最終判定に使用する測定領域の数Ｎ（Ｅ）と、最終判定のための閾値ＮＮ（Ｅ）を設定する。
【００８１】
Ｓ５２では、最終判定の対象とする測定領域４００を選択する。
【００８２】
Ｓ５３では、対象である測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）であるか否を判定する。対象である測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）であれば、Ｓ５４に進む。
【００８３】
Ｓ５４では、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮し、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定を不使用判定（ＬＬ）とする（Ｓ５５）。
【００８４】
Ｓ５４において、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上でなければ、Ｓ５７に進む。
【００８５】
Ｓ５７では、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮し、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）またはアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とする（Ｓ５８）。
【００８６】
Ｓ５７において、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上でなければ、対象である測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ５９）。
【００８７】
即ち、Ｓ５３において、対象である測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）であったとしても、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮することにより、対象である測定領域４００の最終判定結果を、不使用判定（ＬＬ）に確定させるか、アラーム判定（Ｌ）又は正常判定に変更する。
【００８８】
Ｓ５３において、対象である測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）でなければ、Ｓ５６に進む。
【００８９】
Ｓ５６では、対象である測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）であるか否を判定する。対象である測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）であれば、Ｓ５７に進む。
【００９０】
Ｓ５７では、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮し、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）またはアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であれば、対象である測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とする（Ｓ５８）。一方、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上でなければ、対象である測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ５９）。
【００９１】
即ち、Ｓ５６において、対象である測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）であったとしても、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮することにより、対象である測定領域４００の最終判定結果を、アラーム判定（Ｌ）に確定させるか、又は正常に変更する。
【００９２】
Ｓ５６において、対象である測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）でなければ、対象である測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ５９）。即ち、対象である測定領域４００の仮判定結果が正常である場合、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮することなく、対象である測定領域４００の最終判定結果を正常（Ｓ５９）とする。なお、対象である測定領域４００の仮判定結果が正常である場合にも、複数の測定領域４００の仮判定結果を考慮して最終判定するようにしてもよい。
【００９３】
その後、対象とする測定領域を変更し（Ｓ５２）、Ｓ５３以降の処理を繰り返す。
【００９４】
上記では、Ｓ５４及びＳ５７のＮＮ（Ｅ）を同じ値としたが、Ｓ５４及びＳ５７のＮＮ（Ｅ）は互いに異なる値であってもよい。
【００９５】
上記では、基板Ｗの測定対象である全領域（ステップ１〜５の測定領域４００）に対してバンプ高さを測定、及び仮判定を実行した後に、最終判定の処理を実行する場合を説明したが、各測定領域４００の測定と並行して仮判定及び最終判定の処理を実行してもよい。例えば、１又は複数の測定領域４００が測定されるごとに仮判定を実行し、１又は複数の組の最終判定に必要な測定領域４００の仮判定結果が算出されるごとに、最終判定を行うようにしてもよい。また、各測定領域４００の測定と並行して仮判定の処理を実行し、全測定領域のバンプ高さ測定及び仮判定処理の後に、最終判定の処理を実行してもよい。
【００９６】
図１７は、複数の測定領域の仮判定結果に基づいて各測定領域の最終判定を行う他の例に係る処理のフローチャートである。この処理では、バンプ高さ測定装置２００による各測定領域に対する測定と並行して仮判定処理及び最終判定処理が各測定領域に対して実行される。
【００９７】
Ｓ６１では、最終判定に使用する測定領域の数Ｎ（Ｅ）と、最終判定のための閾値ＮＮ（Ｅ）を設定する。
【００９８】
Ｓ６２では、測定領域４００のバンプ高さを測定し、仮判定を実行する。各測定領域４００を測定しつつ、バンプ高さデータが取得された測定領域４００に対して順次、仮判定を行い、Ｓ６３以降において最終判定の処理を行う。
【００９９】
Ｓ６３では、最終判定対象の測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）であるか否を判定する。測定された測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）であれば、その測定領域４００に仮フラグを立て、その測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００を設定し、Ｓ６４に進む。
【０１００】
Ｓ６４では、その後の測定において、設定されたＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果が取得されると、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上であれば、最終判定対象の測定領域４００の最終判定を不使用判定（ＬＬ）とし、仮フラグを解除する（Ｓ６５）。
【０１０１】
Ｓ６４において、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち不使用判定（ＬＬ）の測定領域４００の数がＮＮ（Ｅ）以上でなければ、Ｓ６７に進む。
【０１０２】
Ｓ６７では、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）またはアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であれば、最終判定対象の測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とし、仮フラグを解除する（Ｓ６８）。
【０１０３】
Ｓ６７において、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上でなければ、最終判定対象の測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ６９）。
【０１０４】
Ｓ６３において、測定された最終判定対象の測定領域４００の仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）でなければ、Ｓ６６に進む。
【０１０５】
Ｓ６６では、最終判定対象の測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）であるか否を判定する。測定された測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）であれば、測定領域４００に仮フラグを立て、測定された測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００を設定し、Ｓ６７に進む。
【０１０６】
Ｓ６７では、その後の測定において、設定されたＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果が取得されると、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）またはアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であるか否かを判定する。Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上であれば、最終判定対象の測定領域４００の最終判定をアラーム判定（Ｌ）とし、仮フラグを解除する（Ｓ６８）。一方、Ｎ（Ｅ）個の測定領域４００のうち、仮判定結果が不使用判定（ＬＬ）又はアラーム判定（Ｌ）である測定領域４００の合計数が、ＮＮ（Ｅ）以上でなければ、最終判定対象の測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ６９）。
【０１０７】
Ｓ６６において、最終判定対象の測定領域４００の仮判定結果がアラーム判定（Ｌ）でなければ、最終判定対象の測定領域４００の最終判定を正常とする（Ｓ６９）。即ち、対象である測定領域４００の仮判定結果が正常である場合、対象である測定領域４００を含む隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮することなく、対象である測定領域４００の最終判定結果を正常とする。一方、対象である測定領域４００の仮判定結果がＬＬ又はＬである場合、対象である測定領域４００に仮フラグを立て、隣接又は近接するＮ（Ｅ）個の測定領域４００の仮判定結果を考慮して、対象である測定された測定領域４００に対する最終判定を行う。なお、対象である測定領域４００の仮判定結果が正常である場合にも、複数の測定領域４００の仮判定結果を考慮して最終判定するようにしてもよい。
【０１０８】
上記処理では、各測定領域４００のバンプ高さデータが取得されるごとに測定領域４００の仮判定を実施し、仮判定結果がＬＬ又はＬであれば、その都度、その測定領域に対して仮フラグを立て、その測定領域を含む複数の測定領域を設定し、その測定領域の最終判定を複数の測定領域の仮判定結果に基づいて行う。
【０１０９】
上記では、Ｓ６４及びＳ６７のＮＮ（Ｅ）を同じ値としたが、Ｓ６４及びＳ６７のＮＮ（Ｅ）は互いに異なる値であってもよい。
【０１１０】
図１６及び図１７の処理において、各測定領域４００に対して上記のようなバンプ高さの仮判定及び最終判定を実行し、最終判定が不使用判定（ＬＬ）である測定領域４００が１つでも存在すれば、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよく（図５のＳ３７、図６のＳ４６）、最終判定が不使用判定（ＬＬ）である測定領域４００が所定の数又は割合以上である場合に、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよい。同様に、最終判定がアラーム判定（Ｌ）の測定領域４００が１つでも存在すれば、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生してもよく、最終判定がアラーム判定（Ｌ）の測定領域４００が所定の数又は割合以上である場合に、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生するようにしてもよい。このように、複数の測定領域４００における仮判定結果を基に各測定領域の最終判定を実行することにより、上述したような測定ノイズが単発で発生した場合に、基板の判定結果がアラーム判定や不使用判定となってしまうことを避けることができる。
【０１１１】
（判定例２）
図１８は、基板の各判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、各判定エリアの判定を行う処理の一例を説明する説明図である。測定領域の判定結果は、上述した仮判定結果又は最終判定結果とすることができる。判定エリアは、１又は複数の測定領域を含むエリアであり、基板Ｗを所定の回転角ごとに分割して得られるエリアであってもよく、基板Ｗを同一又は異なる長さ又は面積ごとに分割して得られるエリアであってもよく、その他、基板Ｗを任意の方法で分割して得られるエリアであってもよい。同図では、基板Ｗを回転角３０度ごとに分割した判定エリアＡＲ１〜ＡＲ１２の一部である判定エリアＡＲ１〜ＡＲ３を示す。各判定エリア内には、ステップ１−５の複数の測定領域４００が含まれている。各測定領域４００に付されたＬ及びＬＬの表記は、仮判定（又は最終判定）の結果である。Ｌ又はＬＬの表記のない測定領域４００は正常とする。この例では、同一の判定エリア且つ同一ステップにおいて、ＬＬの測定領域の数が、Ｎ（ＬＬ）以上である場合に、不使用判定（ＬＬ）とする。また、同一の判定エリア且つ同一ステップにおいて、Ｌ又はＬＬの測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上である場合に、判定エリアに対する判定をアラーム判定（Ｌ）とする。このように、各判定エリアＡＲに含まれる測定領域４００の仮判定結果（又は最終判定結果）を用いて各判定エリアＡＲの判定を実行する。
【０１１２】
例えば、Ｎ（Ｌ／ＬＬ）＝Ｎ（ＬＬ）＝２とすると、判定エリアＡＲ１において、ステップ２に判定結果ＬＬの測定領域４００が２個（＞＝Ｎ（ＬＬ））あるため、判定エリアＡＲ１の判定をＬＬ（不使用判定）とする。なお、ステップ１に判定結果Ｌの測定領域４００が１個（＜Ｎ（Ｌ／ＬＬ））あり、ステップ４に判定結果Ｌの測定領域４００が１個（＜Ｎ（Ｌ／ＬＬ））あるが、判定エリアＡＲ１に対する判定に影響しない。
【０１１３】
判定エリアＡＲ２において、ステップ１に判定結果Ｌ又はＬＬの測定領域４００が３個（＞＝Ｎ（Ｌ／ＬＬ））あるが、ＬＬの測定領域４００の数が１個（＜Ｎ（ＬＬ））であるため、判定エリアＡＲ２の判定をＬ（アラーム判定）とする。
【０１１４】
判定エリアＡＲ３において、同一ステップにＮ（ＬＬ）以上のＬＬの測定領域がなく、Ｎ（Ｌ／ＬＬ）個以上のＬ又はＬＬの測定領域がないため、判定エリアＡＲ３の判定を正常とする。
【０１１５】
図１９は、基板の各判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、各判定エリアの判定を行う処理の一例を説明する説明図である。この処理は、測定対象である全領域（ステップ１〜５の測定領域４００のうち実際に測定する領域）に対してバンプ高さの測定、及び測定領域の判定処理を実行したのちに、実行される。
【０１１６】
Ｓ７１では、アラーム判定（Ｌ）の判断に使用する閾値Ｎ（Ｌ／ＬＬ）と、不使用判定（ＬＬ）の判断に使用する閾値Ｎ（ＬＬ）とを設定する。
【０１１７】
Ｓ７２では、判定の対象とする判定エリアＡＲを選択する。
【０１１８】
Ｓ７３では、対象とする判定エリアＡＲに含まれる測定領域４００の判定結果を検査し、この判定エリアＡＲ内の各ステップ１から５ごとに判定結果がＬＬである測定領域４００の数がＮ（ＬＬ）以上か否かを判定する。判定結果がＬＬである測定領域４００の数がＮ（ＬＬ）以上であるステップがある場合、この判定エリアＡＲの判定をＬＬ（不使用判定）とする（Ｓ７４）。
【０１１９】
Ｓ７３において、判定結果がＬＬである測定領域４００の数がＮ（ＬＬ）以上であるステップがない場合、Ｓ７５に進む。Ｓ７５では、この判定エリアＡＲ内の各ステップにおいて、判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上か否かを判定する。判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上であるステップがある場合、この判定エリアＡＲの判定をＬ（アラーム判定）とする（Ｓ７６）。
【０１２０】
Ｓ７５において、判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上であるステップがない場合、この判定エリアＡＲの判定を正常とする（Ｓ７７）。
【０１２１】
その後、判定エリアを変更し（Ｓ７２）、Ｓ７３以降の処理を繰り返す。
【０１２２】
上記判定処理によれば、測定領域よりも広い判定エリアを設定し、判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、判定エリア全体に対して評価を行うため、測定ノイズによる影響を更に低減することができる。また、例えば給電電極（コンタクト）に不具合があった場合には、基板上の同一ステップ、即ち同一の径方向位置（同一径の円周上）において、バンプ高さに同様の影響が発生し易い。この形態によれば、同一判定エリアかつ同一の径方向位置にある測定領域に対する判定結果に基づいて、判定エリアに対する判定を行うことにより、判定の精度を更に向上し得る。
【０１２３】
（判定例３）
図２０は、基板の各判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、各判定エリアの判定を行う処理の他の例を説明する説明図である。測定領域の判定結果は、上述した仮判定結果又は最終判定結果とすることができる。この例では、アラーム判定（Ｌ）のための閾値Ｎ（Ｌ／ＬＬ）と、不使用判定（ＬＬ）のための閾値Ｎ（ＬＬ）とを設定する。そして、同一の判定エリアにおいて、Ｌ又はＬＬの測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上である場合に、判定エリアをアラーム判定（Ｌ）とし、同一の判定エリアにおいて、Ｌ又はＬＬの測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）未満である場合に、正常と判定する。また、同一の判定エリアにおいて、Ｌ又はＬＬの測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上であり、かつ、ＬＬの測定領域４００の数がＮ（ＬＬ）以上である場合に、判定エリアを不使用判定（ＬＬ）とする。
【０１２４】
この例において、Ｎ（Ｌ／ＬＬ）＝４、Ｎ（ＬＬ）＝２とすると、判定エリアＡＲ１では、同一判定エリアに判定結果Ｌ又はＬＬの測定領域４００が４個（＞Ｎ（Ｌ／ＬＬ））あるため、判定エリアＡＲ１はＬ（アラーム判定）であり、更に、判定結果ＬＬの測定領域４００が２個（＞＝Ｎ（ＬＬ））ある。よって、判定エリアＡＲ１をＬＬ（不使用判定）とする。
【０１２５】
判定エリアＡＲ２では、同一判定エリアに判定結果Ｌ又はＬＬの測定領域４００が５個（＞＝Ｎ（Ｌ／ＬＬ））あるため、判定エリアＡＲ２はＬ（アラーム判定）であり、判定結果ＬＬの測定領域４００が１個（＜Ｎ（ＬＬ））ある。よって、判定エリアＡＲ１の判定をＬ（アラーム判定）とする。
【０１２６】
判定エリアＡＲ３では、同一判定エリアに判定結果Ｌ又はＬＬの測定領域４００が３個（＜Ｎ（Ｌ／ＬＬ））ある。よって、判定エリアＡＲ３の判定を正常とする。なお、同一判定エリアに判定結果Ｌ又はＬＬの測定領域４００がＮ（Ｌ／ＬＬ）個未満であっても、判定結果ＬＬの測定領域４００がＮ（ＬＬ）以上であれば、その判定エリアをＬＬ（不使用判定）とするようにしてもよい。
【０１２７】
図２１は、各判定エリアの判定を行う処理の他の例のフローチャートである。
【０１２８】
Ｓ８１では、アラーム判定（Ｌ）の判断に使用する閾値Ｎ（Ｌ／ＬＬ）と、不使用判定（ＬＬ）の判断に使用する閾値Ｎ（ＬＬ）とを設定する。
【０１２９】
Ｓ８２では、判定の対象とする判定エリアＡＲを選択する。
【０１３０】
Ｓ８３では、対象とする判定エリアＡＲに含まれる測定領域４００の判定結果を検査し、この判定エリアＡＲ内において判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の合計数が、Ｎ（Ｌ／ＬＬ）以上か否かを判定する。判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上である場合、ステップＳ８４に進む。一方、判定結果がＬ又はＬＬである測定領域４００の合計数がＮ（Ｌ／ＬＬ）以上でない場合、この判定エリアＡＲを正常とする（Ｓ８７）。
【０１３１】
Ｓ８４では、この判定エリアＡＲ内において判定結果がＬＬである測定領域４００の合計数が、Ｎ（ＬＬ）以上か否かを判定する。判定結果がＬＬである測定領域４００の合計数が、Ｎ（ＬＬ）以上である場合、この判定エリアＡＲを不使用判定（ＬＬ）とする（Ｓ８５）。
【０１３２】
一方、判定結果がＬＬである測定領域４００の合計数が、Ｎ（ＬＬ）以上でない場合、この判定エリアＡＲをアラーム判定（Ｌ）とする（Ｓ８６）。
【０１３３】
その後、判定エリアを変更し（Ｓ８２）、Ｓ８３以降の処理を繰り返す。
【０１３４】
上記判定処理によれば、測定領域よりも広い判定エリアを設定し、判定エリア内の複数の測定領域の判定結果に基づいて、判定エリア全体に対して評価を行うため、測定ノイズによる影響を更に低減することができる。また、同一判定エリア内全体の測定領域に基づいて判定するため、同一判定エリア内のステップごとに判定する場合と比較して、判定処理が簡略化される。
【０１３５】
判定例２及び３において、各判定エリアＡＲに対して上記のような判定を実施し、不使用判定（ＬＬ）の判定エリアＡＲが１つでも存在すれば、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、アラームを発生させるとともに、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよく、所定の数又は割合以上の判定エリアＡＲが不使用判定（ＬＬ）と判定された場合に、基板に対する判定を不使用判定（ＬＬ）とし、実際に、アラームを発生させるとともに、当該基板の処理に使用された基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可としてもよい。同様に、アラーム判定（Ｌ）の判定エリアＡＲが１つでも存在すれば、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生してもよく、所定の数又は割合以上の判定エリアＡＲがアラーム判定（Ｌ）と判定された場合に、基板に対する判定をアラーム判定（Ｌ）とし、実際にアラームを発生するようにしてもよい。
【０１３６】
上記では、基板Ｗの測定対象である全領域（ステップ１〜５の測定領域４００のうち実際に測定する領域）に対してバンプ高さの測定、及び測定領域の判定処理を実行した後に、判定エリアの判定処理を実行する場合を説明したが、各測定領域４００の測定と並行して、測定領域の判定処理及び判定エリアの判定処理を実行してもよい。例えば、１又は複数の測定領域４００が測定されるごとに測定領域の判定処理を実行し、１又は複数の判定エリアの判定処理に必要な測定領域４００の判定結果が算出されるごとに、判定エリアの判定処理を行うようにしてもよい。また、各測定領域４００の測定と並行して測定領域の判定処理を実行し、全測定領域のバンプ高さ測定及び測定領域の判定処理の後に、判定エリアの判定処理を実行してもよい。また、各測定領域のバンプ高さの測定と並行して、測定領域の仮判定処理、測定領域の最終判定処理、及び／又は判定エリアの判定処理を適宜、並行して実施してもよい。
【０１３７】
バンプ高さの異常の原因はさまざま考えられるが、バンプ高さの異常は、基板上で散発的に生じるよりも、基板上の特定領域に集中して生じる可能性の方が高い。判定例２及び判定例３の形態では、基板上の分割された判定エリア内の複数の測定領域の判定結果を基づいて、各判定エリアの判定を行うため、散発的な測定ノイズの影響を過度に受けることなく、適切な判定を行うことができる。
【０１３８】
（異常判定処理の解除）
図２２から図２４は、基板処理のタイムチャートである。上述した実施形態は、基板上のバンプ高さを検査することにより、基板ホルダ及び／又はめっき槽の不良を早期に判定することを目的とする。一方、基板のバンプ高さの異常が、基板の異常に起因するものであり、その基板を保持する基板ホルダ及び／又はめっき槽は正常である場合がある。このため、基板に対するバンプ高さ検査の結果が異常であったとしても、同一基板ホルダ及び／又はめっき槽で処理される次の基板に対するバンプ高さ検査の結果に異常がない場合には、基板ホルダ及び／又はめっき槽に対するアラーム判定Ｌ又は不使用判定ＬＬを解除し、基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用できるようにすることが好ましい。そこで、本実施形態では、アラーム判定又は不使用判定と判定された基板の次に処理される基板のバンプ高さ検査の結果に応じて、アラーム判定又は不使用判定を解除できるようにする。
【０１３９】
ここでは、同一基板ホルダ及び／又はめっき槽で処理されるウェハ１から３（基板）を処理する場合を例に挙げて説明する。これらの図において、処理Ａは、乾燥装置１０６における処理以外の基板に対する処理（図３のＳ１からＳ７）を示し、処理Ｂは乾燥装置１０６における洗浄／乾燥処理（図３のＳ８）を示し、処理Ｃはバンプ高さ検査（図３のＳ９）を示す。
【０１４０】
図２２に示すように、ウェハ１に対する処理Ａが終了し、処理Ｂが開始されるタイミングで、ウェハ２に対する処理Ａが開始される。同様に、ウェハ２に対する処理Ａが終了し、処理Ｂが開始されるタイミングで、ウェハ３に対する処理Ａが開始される。処理Ｃのバンプ高さ検査の結果が取得された時点（処理Ｃの終了時）では、ウェハ１を処理した基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用して次のウェハ２の処理（処理Ａ）が開始されている。このため、ウェハ１に対するバンプ高さ検査の結果が不使用判定（ＬＬ）であったとしても、同一の基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用してウェハ２に対する処理は既に開始されており、継続される。従って、ウェハ１に対するバンプ高さ検査の結果が不使用判定（ＬＬ）である場合、次のウェハ２ではなく、２つ後のウェハ３に対して、同一の基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用不可とする処理が適用される（図２４）。
【０１４１】
図２３に示すように、ウェハ１のバンプ高さ検査の結果がアラーム判定（Ｌ）であり、ウェハ２のバンプ高さ検査の結果が正常である場合、当該基板ホルダ及び／又はめっき槽に対するアラーム判定（Ｌ）を解除する。この結果、ウェハ２のバンプ高さ検査後に、アラームの発生が停止される。例えば、ＧＵＩ上に表示されるメンテナンスを促すアラーム表示が消される。なお、連続又は累積で所定回数のアラーム判定がされた後に実際にアラームを発生させる処理を行う場合には、アラーム判定後に後続の基板において正常判定となった場合、その正常判定により、アラーム判定の累積回数をカウントアップしない、カウントダウンする又はリセットするなどの処理を行ってもよい。また、所定回数のアラーム判定の後に実際にアラームを発生させた場合でも、その後の基板において連続又は累積で所定回数（同一又は他の所定回数）だけ正常判定となった場合にアラームを発生させる処理を解除するようにしてもよい。
【０１４２】
なお、めっき装置に基板ホルダの洗浄機構がある場合、アラーム判定（Ｌ）された基板ホルダを洗浄機構に搬送し洗浄し、その後、当該基板ホルダを使用して基板のめっき処理を再開するようにしてもよい。洗浄後の基板ホルダを使用して基板を処理することにより、アラーム判定（Ｌ）が解除される可能性が高くなる。
【０１４３】
図２４に示すように、ウェハ１のバンプ高さ検査の結果が不使用判定（ＬＬ）であり、ウェハ２のバンプ高さ検査の結果が正常である場合、ウェハ２のバンプ高さ検査後に、当該基板ホルダ及び／又はめっき槽に対する不使用判定（ＬＬ）を解除する。この結果、不使用判定（ＬＬ）を解除後に、一度不使用とされた当該基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用して、ウェハ３の処理を再開することができる。
【０１４４】
なお、ウェハ１のバンプ高さ検査の結果が不使用判定（ＬＬ）により、ウェハ３に対する当該基板ホルダ及び／又はめっき槽の使用が禁止されているため、図２４に示すように、ウェハ２に対する処理Ａの終了時点では、当該基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用したウェハ３に対する処理Ａは開始されていない。そのため、ウェハ２のバンプ高さ検査の結果が正常となり不使用判定（ＬＬ）を解除後に、当該基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用してウェハ３の処理が再開される。
【０１４５】
なお、連続又は累積で所定回数の不使用判定がされた後に実際にアラーム及び／又は不使用とする処理を適用する場合には、不使用判定後に後続の基板において正常判定となった場合、その正常判定により、不使用判定の累積回数をカウントアップしない、カウントダウンする又はリセットするなどの処理を行ってもよい。
【０１４６】
通常、不使用判定（ＬＬ）された基板ホルダをめっき処理に使用する場合、基板ホルダのメンテナンス実施後に手動で不使用判定（ＬＬ）を解除する必要があるが、上記のように、一度設定された不使用判定（ＬＬ）を次のウェハの処理結果に応じて解除できるようにすることで、不要なメンテナンスの実施を抑制することができ、スループットの低下を抑制し得る。
【０１４７】
めっき装置に基板ホルダの洗浄機構がある場合、不使用判定（ＬＬ）された基板ホルダを洗浄機構に搬送し洗浄後、基板を１枚だけ処理して、プロセス結果を判定し、判定結果が正常であれば、基板ホルダ及び／又はめっき槽に対する不使用判定（ＬＬ）を解除するようにしてもよい。洗浄後の基板ホルダを使用して基板を処理することにより、不使用判定（ＬＬ）が解除される可能性が高くなる。
【０１４８】
このように、バンプ高さ検査の結果により、基板（その基板を処理した基板ホルダ及び／又はめっき槽）に対してアラーム判定（Ｌ）又は不使用判定（ＬＬ）がなされたとしても、同一基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用する次の基板に対する検査結果が正常であれば、アラーム判定（アラーム発生処理）又は不使用判定（不使用処理）を解除し、その基板ホルダ及び／又はめっき槽を使用して後続の基板に対する処理を継続することができる。これにより、バンプ高さ異常の原因が基板にある場合に、当該基板を処理した基板ホルダ及び／又はめっき槽を他の基板に対して継続して使用することができる。
【０１４９】
上記実施形態から少なくとも以下の形態が把握される。
【０１５０】
第１形態によれば、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、
前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を減算して、前記バンプの高さを補正する制御装置と、  を備えるバンプ高さ測定装置が提供される。
バンプ高さ測定装置は、めっき装置、研磨装置、又はめっき装置及び研磨装置を備えた基板処理装置、又はその他の基板処理装置に設けることができる。バンプ高さ測定装置の制御装置は、バンプ高さ測定装置が基板処理装置に設けられる場合には、基板処理装置の制御装置の機能により構成してもよく、基板処理装置の制御装置と他のコントローラとが協働する構成としてもよい。
【０１５１】
この形態によれば、簡易な構成および処理により、基板上のバンプの高さを測定することができる。また、レジスト層が付いた状態の基板のバンプの高さを測定することができるので、測定前にレジスト層を剥離する必要がなく、バンプ形成処理後の短時間の間にバンプの高さの異常を発見することができる。そのため、異常のある基板を処理した基板処理装置の構成（例えば、基板保持部材、めっき槽）を使用して、異常のある基板を作成することを早期に停止することができる。また、バンプ形成処理前後の両方で基板の膜厚測定を行う必要がないため、スループットの低下を抑制することができる。
【０１５２】
また、レジスト層の屈折率に起因する誤差（レジスト層の屈折率がシード層までの光路長に与える影響）を考慮してバンプ高さを算出するため、バンプ高さの算出精度を向上させることができる。
【０１５３】
第２形態によれば、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサと、  前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得する制御装置と、  を備えるバンプ高さ測定装置が提供される。
【０１５４】
この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。但し、レジスト層の屈折率による影響は、以下のように相殺される。つまり、レジスト層で覆われたシード層を基準の高さとして、バンプ、及び露出部分のシード層の高さを測定し、測定されたバンプ及びシード層の高さの差によりバンプの高さを算出する。これにより、バンプ、及び露出部分のシード層の高さの測定に与えるレジスト層の屈折率による影響を相殺している。この構成によっても、正確なバンプの高さを取得することができる。
【０１５５】
第３形態によれば、第１形態のバンプ高さ測定装置において、  前記誤差は、レシピで設定された前記レジスト層の屈折率及び厚さを用いて算出される。
【０１５６】
この形態によれば、レジスト層の屈折率を及び厚さを用いて、バンプの高さを精度良く補正することができる。
【０１５７】
第４形態によれば、第１乃至３形態の何れかのバンプ高さ測定装置において、  前記光センサは、前記基板の外周部において光を照射し、  前記制御装置は、前記基板の外周部における前記バンプの高さを取得する。
【０１５８】
基板保持部材に保持された基板をめっき処理する場合、基板の外周部に電極が接触され、電極を介して基板全体に電流が供給されるため、めっきされるバンプの高さに異常が発生する場合には、基板の外周部のバンプに高さの異常が発生する場合が多い。そのため、基板の外周部の高さデータを測定し、測定データに基づいて、基板上のバンプの高さの異常を検出することができる。この場合、測定範囲を低減し、測定に要する時間を低減することができる。
【０１５９】
第５形態によれば、第４形態のバンプ高さ測定装置において、  前記基板を回転させる基板回転機構、又は、前記光センサを前記基板の周りに回転させるセンサ回転機構により、前記光センサと前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記光センサが前記基板の外周部を走査する。
【０１６０】
この形態によれば、光センサと基板とを所定角度ずつ相対回転させて基板の外周部を測定するため、１回の測定における測定範囲を低減することができる。
【０１６１】
第６形態によれば、  基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、  前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、  前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ測定装置と、  前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ測定装置を制御する制御装置と、を備え、  前記バンプ高さ測定装置は、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサを有し、  前記制御装置は、前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を減算して、前記バンプの高さを補正する、基板処理装置が提供される。
【０１６２】
基板処理装置は、めっき装置、研磨装置、又はめっき装置及び研磨装置を備えた基板処理装置、又はその他の基板処理装置であることが可能である。１又は複数の基板処理ユニットは、めっき槽、及び／又は、研磨ユニットを含む。制御装置は、１又は複数のコンピュータ及び／又はコントローラから構成されることが可能であり、制御装置が実行する処理は、１又は複数のコンピュータ及び／又はコントローラで分担し、協働して行うことができる。１又は複数のコンピュータ及び／又はコントローラは、基板処理装置の装置コンピュータ及び装置コントローラ、並びに、光センサのコントローラのうち１又は複数を含むことができる。
【０１６３】
この形態によれば、簡易な構成および処理により、基板上のバンプの高さを測定することができる。また、レジスト層が付いた状態の基板のバンプの高さを測定することができるので、測定前にレジスト層を剥離する必要がなく、バンプ形成処理後の短時間の間にバンプの高さの異常を発見することができる。そのため、異常のある基板を処理した基板処理装置の構成（例えば、基板保持部材、めっき槽、研磨ユニット）を使用して、異常のある基板を作成することを早期に停止することができる。また、基板処理前後の両方で基板の膜厚測定を行う必要がないため、スループットの低下を抑制することができる。
【０１６４】
また、レジスト層の屈折率に起因する誤差（レジスト層の屈折率がシード層までの光路長に与える影響）を考慮してバンプ高さを算出するため、バンプ高さの算出精度を向上させることができる。また、乾燥装置においてバンプ高さを検査するため、基板の搬送が複雑になることが防止され、スループットの低下を抑制することができる。
【０１６５】
第７形態によれば、  基板を処理する１又は複数の基板処理ユニットを有する基板処理部と、  前記基板処理後の前記基板を乾燥するための乾燥装置と、  前記乾燥装置に設けられたバンプ高さ測定装置と、  前記基板処理部、前記乾燥装置、及びバンプ高さ測定装置を制御する制御装置と、を備え、  前記バンプ高さ測定装置は、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出する光センサを有し、  前記制御装置は、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得する、  基板処理装置が提供される。
【０１６６】
この形態によれば、第６形態と同様の作用効果を奏する。但し、レジスト層の屈折率による影響は、以下のように相殺される。つまり、レジスト層で覆われたシード層を基準の高さとして、バンプ、及び露出部分のシード層の高さを測定し、測定されたバンプ及びシード層の高さの差によりバンプの高さを算出する。これにより、バンプ、及び露出部分のシード層の高さの測定に与えるレジスト層の屈折率による影響を相殺している。この構成によっても、正確なバンプの高さを取得することができる。
【０１６７】
第８形態によれば、第６形態の基板処理装置において、前記誤差は、レシピで設定された前記レジスト層の屈折率及び厚さを用いて算出される。
【０１６８】
この形態によれば、レジスト層の屈折率を及び厚さを用いて、バンプの高さを精度良く補正することができる。
【０１６９】
第９形態によれば、第８形態の基板処理装置において、  前記乾燥装置は、前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構を有する。
【０１７０】
この形態によれば、基板を回転させることにより乾燥させることができる。また、基板面の高さ測定の際に、基板回転機構により基板を回転させて、基板面の高さ測定を行うことも可能である。
【０１７１】
第１０形態によれば、第６乃至９形態の何れかの基板処理装置において、  前記乾燥装置は、前記基板を乾燥させる乾燥部から前記バンプ高さ測定装置を遮蔽する開閉可能な遮蔽部材を有する。
【０１７２】
この形態によれば、閉鎖状態の遮蔽部材によりバンプ高さ測定装置を乾燥部から遮蔽した状態で基板を乾燥し、遮蔽部材を開放した状態で基板に対してバンプ高さ検査を行うことができる。乾燥部における乾燥処理を妨害することを防止するとともに、バンプ高さ測定装置の保護を行うことができる。
【０１７３】
第１１形態によれば、第６乃至１０形態の何れかの基板処理装置において、  前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、  前記制御装置は、前記取得された前記バンプの高さに基づいて前記バンプ高さを検査し、前記バンプの高さに異常がある場合に、当該基板を保持する前記基板保持部材及び／又は当該基板にめっき処理を行った前記めっき槽を不使用とする。
【０１７４】
この形態によれば、異常のある基板を処理した基板保持部材及び／又は基板処理部（例えば、めっき槽）を使用して、異常のある基板を作成することを早期に停止することができる。
【０１７５】
第１２形態によれば、第６乃至１１形態の何れかの基板処理装置において、  前記光センサは、前記基板の外周部において光を照射し、  前記制御装置は、前記基板の外周部における前記バンプの高さを算出する。
【０１７６】
基板保持部材に保持された基板をめっき処理する場合、基板の外周部に電極が接触され、電極を介して基板全体に電流が供給されるため、めっきされるバンプの高さに異常が発生する場合には、基板の外周部のバンプに高さの異常が発生する場合が多い。そのため、基板の外周部のパターンを測定し、測定データに基づいて、基板上のバンプの高さの異常を検出することができる。この場合、測定範囲を低減し、測定に要する時間を低減することができる。
【０１７７】
第１３形態によれば、第１２形態の基板処理装置において、  前記基板を回転して乾燥させるための基板回転機構、又は、前記光センサを前記基板の周りに回転させるセンサ回転機構により、前記光センサと前記基板とが所定角度ずつ相対的に回転され、前記光センサが前記基板の外周部を走査する。
【０１７８】
この形態によれば、光センサと基板とを所定角度ずつ相対回転させて基板の外周部を測定するため、１回の測定における測定範囲を低減することができる。
【０１７９】
また、乾燥装置に設けられた基板乾燥用の基板回転機構により撮像装置と基板とを相対回転させる場合、元々ある基板乾燥用の基板回転機構を撮像時の基板走査機構として使用することにより、光センサを基板の外周部に沿って回転させる回転機構を省略することができる。
【０１８０】
第１４形態によれば、  バンプ高さ測定方法であって、  シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、  前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を減算して、前記バンプの高さを補正すること、を含むバンプ高さ測定方法が提供される。
この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
【０１８１】
第１５形態によれば、  バンプ高さ測定方法であって、  光源及び受光素子を有する光センサであって、シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、  前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得すること、  を含むバンプ高さ測定方法が提供される。
この形態によれば、第２形態と同様の作用効果を奏する。
【０１８２】
第１６形態によれば、  バンプ高さ測定装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、  シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に光源から光を照射し、前記光が前記レジスト層を透過して前記シード層で反射された反射光と、前記光源からの光が前記バンプで反射された反射光とを受光素子で検出すること、  前記シード層での前記反射光と前記バンプでの前記反射光に基づいて、前記シード層に対する前記バンプの高さを算出し、前記反射光に基づいて算出された前記バンプの高さから、前記レジスト層の屈折率に起因する誤差を減算して、前記バンプの高さを取得すること、  をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体が提供される。
この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
【０１８３】
第１７形態によれば、  バンプ高さ測定装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体であって、  シード層と、前記シード層上に形成されたレジスト層と、前記レジスト層の開口部に形成されたバンプとを有する基板上に前記光源から光を照射し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とを前記受光素子で検出すること、  前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記シード層で直接、反射された反射光とに基づいて前記シード層の高さを測定し、前記レジスト層を介して前記シード層で反射された反射光と、前記バンプで反射された反射光とに基づいて前記バンプの高さを測定し、前記バンプの高さから前記シード層の高さを減算することにより、前記シード層に対する前記バンプの高さを取得すること、  をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体が提供される。
この形態によれば、第２形態と同様の作用効果を奏する。
【０１８４】
第１８形態によれば、第６から１３形態の何れかの基板処理装置において、  前記バンプ高さ測定装置は、前記基板上の複数の測定領域に対してバンプ高さの測定を実施し、  前記制御装置は、前記測定が実施された測定領域ごとにバンプ高さの異常の有無を仮判定し、１の測定領域の仮判定結果と、その測定領域を含む１又は複数の他の測定領域の仮判定結果とを使用して、前記１の測定領域の最終判定を実施する、  基板処理装置が提供される。
【０１８５】
この形態によれば、１の測定領域の判定結果（仮判定結果）に加えて、他の測定領域の判定結果（仮判定結果）を用いて、当該１の測定領域に対する最終判定を実施するため、バンプ先端の形状や性状によってはバンプで反射した光が十分にセンサに戻らないこと等に起因して光学センサの測定値に測定ノイズがある場合にも、基板におけるバンプ高さの評価の精度を向上させることができる。例えば、光学センサの測定ノイズのためにバンプ高さが異常（アラーム判定又は不使用判定）と誤検知されること、及び、誤検知に基づきアラームを発生すること及び／又は使用不可とするリスクを軽減することができる。
【０１８６】
第１９形態によれば、第６から１３形態の何れかの基板処理装置において、  前記バンプ高さ測定装置は、前記基板上の複数の測定領域に対してバンプ高さの測定を実施し、  前記制御装置は、前記測定が実施された測定領域ごとにバンプ高さの異常の有無を判定し、  前記制御装置は、複数の前記測定領域を含む１又は複数の判定エリアを前記基板上に設定し、前記判定エリアごとに、前記判定エリアに含まれる複数の前記測定領域に対する判定結果を使用して、前記判定エリアに対するバンプ高さ検査の判定を実施する。測定領域に対する判定結果は、例えば、上述した仮判定結果又は最終判定結果である。
【０１８７】
この形態によれば、測定領域に対して判定を行うとともに、さらに、測定領域よりも広い判定エリアを設定し、判定エリアに含まれる複数の測定領域に対する判定結果を使用して、判定エリアに対する判定を行うため、測定ノイズによる影響を更に低減することができる。
【０１８８】
第２０形態によれば、第１８形態の基板処理装置において、  前記制御装置は、複数の前記測定領域を含む１又は複数の判定エリアを前記基板上に設定し、前記判定エリアごとに、前記判定エリアに含まれる複数の前記測定領域に対する仮判定結果又は最終判定結果を使用して、前記判定エリアに対するバンプ高さ検査の判定を実施する。
【０１８９】
この形態によれば、さらに、測定領域よりも広い判定エリアを設定し、判定エリアに含まれる複数の測定領域に対する判定結果を使用して、判定エリアに対する判定を行うため、測定ノイズによる影響を更に低減することができる。また、各測定領域の最終判定結果を使用する場合には、測定領域ごとに測定ノイズを低減する効果と、測定ノイズが低減された各測定領域の判定結果を使用して判定エリアにおいて更に測定ノイズを低減する効果とが重畳され、測定ノイズ低減の効果を更に向上させることができる。
【０１９０】
第２１形態によれば、第１９又は２０形態の基板処理装置において、  前記制御装置は、前記基板上の同一の判定エリアかつ同一の径方向位置において異常と判定された測定領域の数に応じて、各判定エリアに対する判定を行う。異常の判定は、例えば、上述したアラーム判定（Ｌ）および不使用判定（ＬＬ）を含む。
【０１９１】
基板が円形である場合、基板上における径方向の位置は給電電極（コンタクト）からの距離に応じて変化するため、給電電極（コンタクト）に不具合があった場合には、基板上の同一の径方向位置（同一径の円周上）において、バンプ高さに同様の影響が発生し易い。この形態によれば、同一判定エリアかつ同一の径方向位置にある測定領域に対する判定結果に基づいて、判定エリアに対する判定を行うことにより、判定の精度を更に向上し得る。この形態によれば、同一判定エリアかつ同一の径方向位置にある測定領域に対する判定結果に基づいて、判定エリアに対する判定を行うことにより、判定の精度を向上し得る。
【０１９２】
第２２形態によれば、第１８乃至２１形態の何れかの基板処理装置において、  前記制御装置は、前記測定領域で測定されたバンプ高さのうち最大値及び最小値が所定の範囲にあるか否かに基づいて、前記測定領域に対する判定を実施する。
【０１９３】
この形態によれば、測定領域で測定されたバンプ高さのうち最大値及び最小値の値に基づいて判定を行うため、測定ノイズによる影響を更に低減することができる。
【０１９４】
第２３形態によれば、第１８乃至２２形態の何れかの基板処理装置において、  前記制御装置は、前記測定領域で測定されたバンプ高さのうち所定の数値範囲を超えるバンプ高さの値を除外し、除外した後のバンプ高さの値に基づいて前記測定領域に対する判定を実施する。
【０１９５】
この形態によれば、通常めっき装置が原因とは言えないような明らかな異常値（めっきの結果としては通常あり得ない異常な測定値、例えば、バンプ先端の形状や性状によってバンプで反射した光が十分にセンサに戻らないこと等に起因して生じる測定ノイズを含む光センサの測定値。）を除外することができ、バンプ高さの判定精度を更に向上させることができる。
【０１９６】
第２４形態によれば、第６乃至１０形態の何れかの基板処理装置において、  前記基板は、基板保持部材に保持された状態でめっき処理され、  前記制御装置は、前記取得された前記バンプの高さに基づいて前記基板の前記バンプ高さを検査し、前記基板の前記バンプの高さに異常がある場合に、当該基板を処理した前記基板保持部材及び／又はめっき槽を異常判定し、  前記制御装置は、前記異常と判定された前記基板の後続の基板の前記バンプ高さの検査を実施し、前記後続の基板の前記バンプ高さに異常がないと場合に、前記基板保持部材及び／又は前記めっき槽に対する異常判定を解除する。
【０１９７】
この形態によれば、基板保持部材及び／又はめっき槽に異常はないものの、基板に起因してバンプ高さの異常が検知された場合に、基板保持部材及び／又はめっき槽に対する異常の判定を解除して、基板保持部材及び／又はめっき槽の使用を継続することができる。基板保持部材は、例えば、基板ホルダである。
【０１９８】
第２５形態によれば、第２４形態の基板処理装置において、前記異常判定処理は、前記基板保持部材及び／又は前記めっき槽に関するアラームの発生及び／又は不使用の設定を含む又は伴う。
【０１９９】
この形態によれば、基板に起因してバンプ高さの異常が検知された場合のアラームの発生及び／又は不使用の設定を解除することが可能である。
【０２００】
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。例えば、上記の発明の実施形態では、バンプ高さ測定装置はめっき装置内の乾燥装置に設置した例で説明したが、必ずしもバンプ高さ測定装置の設置場所は乾燥装置である必要はない。また、上記の発明の実施形態では、基板Ｗの回転方向及び半径方向に沿って測定領域４００が配置される例で説明したが、測定領域がＸ−Ｙ平面上に縦横に配置され、それに沿って撮像されるように光センサ２０１を走査するロボット等を構成してもよい（この構成は、任意の形状の基板に適用可能であるが、特に角形（多角形）基板のような円形ではない基板の場合に採用しやすい）。
【０２０１】
本願は、２０１８年６月２９日提出の日本出願番号特願２０１８−１２５４２７号に基づく優先権を主張する。２０１８年６月２９日提出の日本出願番号特願２０１８−１２５４２７号の明細書、特許請求の範囲、要約書を含む全ての開示内容は、参照により全体として本願に組み込まれる。
【０２０２】
特開２００２−１９０４５５公報（特許文献１）の明細書、特許請求の範囲、要約書を含む全ての開示内容は、参照により全体として本願に組み込まれる。
【符号の説明】
【０２０３】
１００…基板処理装置
１０１Ａ…アンロード部
１０１Ｂ…処理部
１０２…カセットテーブル
１０３…基板搬送装置
１０３ａ…搬送ロボット
１０４…アライナ
１０５…基板着脱部
１０５ａ…基板着脱装置
１０６…乾燥装置
１０７…ストッカ
１０８…プリウェット槽
１０９…ブロー槽
１１０…リンス槽
１１２…処理部
１１２ａ…処理槽
１１３…基板ホルダ搬送装置
１１４…第１トランスポータ
１１５…第２トランスポータ
１１６…レール
１２０…装置コンピュータ
１２０Ａ…ＣＰＵ
１２０Ｂ…メモリ
１３１…筐体
１３２…基板回転機構
１３３…シャッター
１３４…ノズル
２００…バンプ高さ測定装置
２０１…光センサ
２０２…コントローラ
２０３…Ｚ軸ロボット
２０４…Ｘ軸ロボット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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