(57)【要約】  半導体モジュール（１）は、半導体スイッチング素子（Ｔ１‐Ｔ４）と、少なくともいずれかには半導体スイッチング素子（Ｔ１‐Ｔ４）が装着された複数のベース（１１）と、半導体スイッチング素子（Ｔ１‐Ｔ４）および複数のベース（１１）を封止するモールド樹脂（１０）と、複数のベース（１１）のそれぞれと一体的に形成され、モールド樹脂（１０）の外周側面から突出して設けられた複数の端子（Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２）と、複数の端子（Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２）間のモールド樹脂（１０）の外周（９）側面の一部に、複数の端子（Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２）間の沿面距離を確保するような深さまたは高さを有し、複数の端子（Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２）間の対向部分を横切るように形成された凹部（１２）または凸部（１３）と、を備えたものである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体スイッチング素子と、
少なくともいずれかには前記半導体スイッチング素子が装着された複数のベースと、
前記半導体スイッチング素子および前記複数のベースを封止するモールド樹脂と、
前記複数のベースのそれぞれと一体的に形成され、前記モールド樹脂の外周側面から突出して設けられた複数の端子と、
前記複数の端子間の前記モールド樹脂の外周側面の一部に、前記複数の端子間の沿面距離を確保するような深さまたは高さを有し、前記複数の端子間の対向部分を横切るように形成された凹部または凸部と、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記凹部または前記凸部は、前記モールド樹脂と同一材料であり、前記複数の端子と前記凹部または前記凸部とは接することなく隙間を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記凸部は、前記端子の延在方向に形成された山形形状であり、前記端子の厚み方向に対向する第１の部分を有しており、
前記凸部の高さは、前記端子の厚み方向から離れるにしたがって徐々に前記第１の部分よりも低く形成されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記凹部は、前記モールド樹脂の外周側面から半円状に穿かれて形成されており、
前記凹部の深さは、前記端子の厚み方向から離れるにしたがって浅く形成されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記凹部または前記凸部は、傾斜面を有していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記複数の端子は、前記モールド樹脂の外周側面からジグザグ状に配置されて形成されており、
前記複数の端子間の対向部分は、隣接した前記複数の端子の周囲の箇所同士を最短距離で結ぶ複数の線により挟まれた領域であり、
前記領域を分断するように前記凹部または前記凸部が配置されたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体モジュールのパッケージにおいては、トラッキング対策としてパッケージの外周より突出された端子同士の間を凹凸形状とすることにより、端子同士間の沿面距離を長く形成していた。例えば、特許文献１に開示された従来の半導体モジュールのＩＣパッケージにあっては、ＩＣパッケージの側面全面に亘って凹凸を呈する段付き形状とし、外部リードをパッケージ外形の凹部、凸部よりジグザグ配列に引き出して構成したことにより端子同士間の沿面距離を長くするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平１−１１３３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した特許文献１に開示された半導体モジュールのＩＣパッケージにおいては、パッケージの外形と端子は隣同士で異なり、樹脂によりモールドされるパッケージの金型製作が複雑な形状となり、工作性が複雑であるという課題があった。また、金型から離形の際に、金型と樹脂が接する面が広いため、樹脂剥離が発生し半導体モジュールの信頼性を損なうという問題があった。【０００５】
本願は、上述のような課題を解決するための技術を開示するものであり、端子間の沿面距離を確保しつつ、モールド樹脂の工作性を簡略化するとともに信頼性を向上させた半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願に開示される半導体モジュールは、半導体スイッチング素子と、少なくともいずれかには前記半導体スイッチング素子が装着された複数のベースと、前記半導体スイッチング素子および前記複数のベースを封止するモールド樹脂と、前記複数のベースのそれぞれと一体的に形成され、前記モールド樹脂の外周側面から突出して設けられた複数の端子と、前記複数の端子間の前記モールド樹脂の外周側面の一部に、前記複数の端子間の沿面距離を確保するような深さまたは高さを有し、前記複数の端子間の対向部分を横切るように形成された凹部または凸部と、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本願に開示される半導体モジュールによれば、端子間の沿面距離を確保しつつ、モールド樹脂の工作性を簡略化するとともに信頼性を向上させることが可能な半導体モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１による半導体モジュールを示す回路図である。
【図２Ａ】実施の形態１による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。
【図２Ｂ】実施の形態１による半導体モジュールの側面図である。
【図３】実施の形態１による半導体モジュールの部分詳細図である。
【図４】実施の形態１による半導体モジュールの部分詳細図である。
【図５Ａ】実施の形態２による半導体モジュールの部分上面図である。
【図５Ｂ】実施の形態２による半導体モジュールの部分側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面に基づいて実施の形態１による半導体モジュールについて説明する。
なお、各図面中において、同一符号は同一あるいは相当のものであることを示す。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１による半導体モジュールを示す回路図である。半導体モジュール１は、複数の半導体スイッチング素子Ｔ１‐Ｔ４を少なくとも１つは内蔵している。図１は、モータ２を駆動するＨブリッジ回路を示しており、半導体モジュール１は、モータ２、プラス（＋）の電源３、グランド４を備えている。図１において、二重丸印は端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２を示している。半導体スイッチング素子Ｔ１‐Ｔ４は、例えば電界効果トランジスタ（Field effect transistor:ＦＥＴ）である。図１に示すように、半導体モジュール１は、４個のＦＥＴによりブリッジ回路を構成し、上下アームの中間接続位置である小信号用の端子Ｃ５および端子Ｃ６、大電流用の端子Ｍ１および端子Ｍ２にはモータ２が接続される。
【００１１】
また、小信号用の端子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は、ＦＥＴのゲート駆動用制御信号端子であり、小信号用の端子Ｃ５、Ｃ６はモータ２の電圧モニタ端子である。大電流用の端子Ｂ１および端子Ｂ２は、プラス（＋）の電源３に、大電流用の端子Ｇ１および端子Ｇ２はグランド４にそれぞれ接続される。モータ２への出力端子は、大電流用の端子Ｍ１および端子Ｍ２である。
【００１２】
図２Ａは、実施の形態１による半導体モジュールの内部構成を示す平面図であり、図１に示した回路構成を半導体モジュール１として形成したものである。また、図２Ａは半導体モジュール１を透視して示したものであり、モールド樹脂１０の外形を一点鎖線で示している。例えば、銅または銅合金の板状のベース１１は、複数のパターンに分割されている。端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２は、複数のベース１１とそれぞれ一体的に形成されており、このベース１１の上に半導体スイッチング素子Ｔ１‐Ｔ４が装着されて形成されている。半導体モジュール１のモールド樹脂１０の外周９側面には、ベース１１から延長され突出して設けられた大電流用の端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２および小信号用の端子Ｃ２、Ｃ６、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ４が形成される。図２Ａに示すように、図中下側に大電流用の端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２が配列され、図中上側に小信号用の端子Ｃ２、Ｃ６、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ４が順に配列されている。
【００１３】
図１に示すように、Ｈブリッジ回路は上下アームに直列にＦＥＴが接続され、これが対で構成されているので、図２Ａにおける配置も左右同様な配置、つまりミラー配置となっている。そのため、配置および接続については、一方についてのみ説明する。
図２Ａに示すように、大電流用の端子Ｂ１から銅板のベース１１は、半導体モジュール１の内部へ伸びており、半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴが装着されている。半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴのゲート（図示なし）は、ワイヤボンディングによるワイヤＪ３により小信号用の端子Ｃ１に接続されている。銅板のベース１１は、半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴのドレイン（図示なし）と直接接続され、一方、ソース（図示なし）はジャンパ線Ｊ１により電気的に配線されている。このジャンパ線Ｊ１も銅板のベース１１と同様に銅板状で形成され大電流を流すのみならず、伝熱性にも優れている。
【００１４】
ジャンパ線Ｊ１の一方（図中下側）は別のベース１１と接続され、これはモータ２への出力用端子である大電流用の端子Ｍ１へと接続されている。他方、（図中上側）は下アームの半導体スイッチング素子Ｔ２であるＦＥＴのベース１１へ接続されている。半導体スイッチング素子Ｔ２であるＦＥＴも半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴと同様に、ゲートにはワイヤボンディングによるワイヤＪ３で小信号用の端子Ｃ２へ、ソースはジャンパ線Ｊ２を介してグランド端子である大電流用の端子Ｇ１に接続されている。
以上のように、実施の形態１による半導体モジュール１は、半導体スイッチング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、ベース１１、ジャンパ線Ｊ１、Ｊ２等々を配置して接続した後、一点鎖線のモールド樹脂１０で全体を覆われて封止されている。
【００１５】
半導体モジュール１は半導体スイッチング素子Ｔ１‐Ｔ４がオン、オフ駆動され、比較的大電流が制御されている。具体的には、大電流用の端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２は、最大で１００Ａ程度通電する。また、小信号用の端子Ｃ１‐Ｃ６は比較的少電流の信号が制御され、数ｍＡ以下通電する。
各端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２は、装置全体つまり半導体モジュール１の小型化のため近接して配列される。また、装置である半導体モジュール１の設置される環境、又はモールド樹脂１０の材料、塗料等々によりトラッキングが発生する可能性があり、絶縁性の確保は装置である半導体モジュール１の正常な駆動のみならず、この半導体モジュール１を含んだ全体の装置、例えば電力変換装置の信頼性に影響する。
【００１６】
そのため、実施の形態１における半導体モジュール１においては、沿面距離の確保が必要であるが、この距離を取りすぎると装置の小型化の疎外となる。沿面距離は一般にはその材料、汚損度等々で規定されるが、特に動作電圧が重要であり、例えば車両へ装置を装着した場合、電圧は通常バッテリ電圧１４Ｖであるため、比較的低電圧であるので沿面距離は１ｍｍ程度でよい。しかし、電気自動車では３５０Ｖ程度と高電圧であるので動作電圧も３５０Ｖと仮定すると沿面距離は３ｍｍ程度が必要である。
【００１７】
さらに沿面距離は、絶縁樹脂であるモールド樹脂１０に沿って端子同士が対向する最短距離となるので、隣接する端子との対向位置、端子自体の厚みと幅、端子の各辺同士の距離も考慮しなければならない。実施の形態１による半導体モジュール１によれば、端子同士間の半導体モジュール１の外周９の一部に凹部１２または凸部１３を設ける。これにより、端子間の最短距離が凹凸面によって延長される。
【００１８】
図２Ａに示すように、図中上側のモールド樹脂１０の外周９には、小信号用の端子Ｃ１、Ｃ６、Ｃ２が設けられており、小信号用の端子Ｃ１、Ｃ６、Ｃ２の間の外周９には凹部１２が設けられている。一方、図中下側のモールド樹脂１０の外周９には、大電流用の端子Ｍ１、Ｂ１、Ｇ１が設けられており、大電流用の端子Ｍ１、Ｂ１、Ｇ１の間の外周９には凸部１３が設けられている。図２Ａに示すように、この凹部１２、凸部１３が形成されていない場合は、端子間の最短距離は一点鎖線で示した外周９となるが、凹部１２、凸部１３を設けることにより、その外周９に沿った距離は凹部１２の深さまたは凸部１３の高さで任意に距離を稼ぐことが可能となる。また、複数の端子Ｃ１、Ｃ６、Ｃ２と凹部１２または複数の端子Ｍ１、Ｂ１、Ｇ１と凸部１３とは接することなく隙間を有している。
【００１９】
なお、小信号用の端子Ｃ１、端子Ｃ３の間１４ａ、及び大電流用の端子Ｍ１、Ｍ２の間１４ｂは、端子間の長さが大きく広いため、沿面距離が確保されているため、凹部１２または凸部１３を設ける必要がない。図２Ｂは、実施の形態１による半導体モジュールの側面図である。図２Ｂに示すように、凸部１３の形状は端子Ｇ２の延在方向に形成された山形形状（台形も含む）である。また、半導体モジュール１において、モールド樹脂１０の外周９の側面全体に渡って凸部１３を形成しなくてもよい。さらにまた、小信号用の端子Ｃ１‐Ｃ６間に凸部１３を設け、大電流用の端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２間に凹部１２を設ける構成であっても、凹部１２または凸部１３のどちらか１種類を設ける構成であってもよい。
【００２０】
次に、図３、図４を用いてさらに詳細に凹凸部について説明する。図３は、実施の形態１による半導体モジュールの部分詳細図である。図３は、図２Ａに示した半導体モジュール１の端子Ｃ６‐Ｂ１からＣ２‐Ｇ１を見た断面図であり、一点鎖線は半導体モジュール１の外周９を示している。
実施の形態１による半導体モジュール１において、小信号用の端子Ｃ２の近傍に設けた凹部１２は外周９から略半円状に穿かれている。一方、凸部１３は、端子Ｇ１の延在方向に向かって突出して形成されており、台形形状となっている。沿面距離は、端子の端部間の最短距離であるので、実施の形態１の半導体モジュール１では、凸部１３は、大電流用の端子Ｇ１の厚み方向ｔに対向する部分が最も高く、端子の厚み方向ｔから離れるに従って徐々に低くなっている。つまり、凸部１３の凸高さは、端子同士の対向部分８の距離に応じて可変させることも可能である。
【００２１】
端子同士間の対向部分８を横切るように凸部１３を配置し、沿面距離を確保できるようにその高さを可変する。同様に凹部１２であっても、破線１２ａのように端子Ｃ２の厚み方向、つまり端子同士の対向部分８が最も深く、厚み方向ｔから離れるに従って凹部１２を浅くすることもできる。また、この凹部１２または凸部１３を設けることにより、端子同士の対向部分８の空間距離も自ずと伸ばすことができるので、トラッキング防止のみならず、端子からの放電防止にも効果がある。
【００２２】
図４は、実施の形態１による半導体モジュールの部分詳細図であり、凸部１３を部分的に拡大して示す斜視拡大図である。凸部１３は、半導体モジュール１において、大電流用の端子Ｇ１と大電流用の端子Ｂ１との間のモールド樹脂１０の外周９側面（壁面）に配置されている。ここで、大電流用の端子Ｇ１と大電流用の端子Ｂ１との沿面距離をみると、大電流用の端子Ｇ１と大電流用の端子Ｂ１の対向する１つの角から直線的に引かれたラインＬ１は、凸部１３の表面に沿っており、その長さは凸部１３がない場合と比較して、長くなっている。この長さが沿面距離とみなすことができるので、凸部１３の高さを可変することにより、長さを所望の距離に変更できる。
【００２３】
また、ラインＬ２は出発および到着地点である端子の角部がラインＬ１と同一であるが、凸部１３の低い地点を回って引かれている。このラインＬ２のライン長であっても所望の沿面距離を確保するようにしなければならず、凸部１３の頂部から徐々に低くする場合は注意してその傾斜面７を決定する必要がある。つまり、端子同士間の最短距離は直線とは限らず、凹部１２または凸部１３の周囲、さらにはパッケージであるモールド樹脂１０の外周９についても考慮すべきである。
【００２４】
また、凹部１２に関しても奥部から外周９に向かって滑らかな傾斜面７を有するように形成することができる。凹部１２または凸部１３にこの傾斜面７を設けることで、半導体モジュール１の全体のモールド樹脂１０を成形するための型抜きが容易となるメリットもある。
実施の形態１による半導体モジュール１においては、凹部１２または凸部１３のどちらを設けた場合であっても、沿面距離を確保することに対する有意差は少ないが、別の条件によりどちらを設けるのかについて選択できる。例えば、モールド樹脂１０の外周９に近接する位置までベース１１等が設けられている場合は、凹部１２を設ける余地がないため凸部１３を設けた方が信頼性の高い半導体モジュール１が得られる。さらに、沿面距離をさらに伸ばす必要がある場合は、凹部１２および凸部１３を組合せて設けることも可能である。
【００２５】
以上のように、実施の形態１の半導体モジュール１によれば、複数の端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２間のモールド樹脂１０の外周９側面の一部に、複数の端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２間の沿面距離を確保するような深さまたは高さを有し、複数の端子Ｃ１‐Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２間の対向部分８を横切るように形成された凹部１２または凸部１３と、を備えたことにより、半導体モジュール１の信頼性を向上することができる。また、凸部１３は、半導体モジュール１のモールド樹脂１０と一体でなくてもよいが、一体であればモールド時の同一工程で形成することができるので、製造工程が簡略化できる効果を有する。
【００２６】
また、実施の形態１の半導体モジュール１によれば、沿面距離を確保して信頼性を向上すると同時に、端子同士間の空間距離も伸ばすことができる。また、半導体モジュール１において、モールド樹脂１０の外周９の一部において端子同士間が凹凸状となっているので、端子自体の配置、形状には影響しないため、装置である半導体モジュール１の製造のための工作性を低下させることがない。
【００２７】
実施の形態２．
図５Ａは、実施の形態２による半導体モジュールの部分上面図であり、図５Ｂは、実施の形態２による半導体モジュールの部分側面図である。図５Ａおよび図５Ｂは、実施の形態１と回路構成は同じであるが、別構成の半導体モジュール１ａを示す。ここでは、図５Ａおよび図５Ｂを用いて、複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３間の沿面距離の確保について説明する。
【００２８】
図５Ｂに示すように、実施の形態２における半導体モジュール１ａにおいては、複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３が、モールド樹脂１０の外周９側面から千鳥状（ジグザグ状）に配置されて形成されている。さらに、各端子Ｃ１０‐Ｃ１３の対向部分８には、各端子Ｃ１０‐Ｃ１３の厚みのみならず各端子Ｃ１０‐Ｃ１３の幅方向も寄与するものである。このような複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３の配列であっても、沿面距離は、複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３間の対向部分８の最短距離であるので、端子Ｃ１０‐Ｃ１３の各辺からの直線となる。図５Ａおよび図５Ｂでは、破線１８が端子Ｃ１２の角部から端子Ｃ１０の各角部を結んだ複数の線であり、別の破線で示した対向線１７が端子Ｃ１０と端子Ｃ１２の対向部分８に相当するので、この領域の間を横切るように凹凸部を設ける必要がある。つまり、実施の形態２における複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３間の対向部分８は、隣接した複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３の周囲の任意の箇所同士を最短距離で結ぶ複数の線により挟まれて囲まれた面積部分の領域である。
【００２９】
図５Ａおよび図５Ｂにおいては、複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３間の対向部分８に凸部１５を形成する事例を用いて説明する。図５Ｂに示すように、例えば、端子Ｃ１０と端子Ｃ１２の対向部分８は、別の破線で示した対向線１７により挟まれて囲まれた面積部分の領域であり、斜線で示されている。また、端子Ｃ１０と端子Ｃ１３の対向部分８についても、別の破線で示した対向線１７により挟まれて囲まれた面積部分の領域である。図５Ａおよび図５Ｂに示すように、実施の形態２の半導体モジュール１ａでは、別の破線で示した対向線１７により囲まれた対向部分８に凸部１５を設ける。そのため、実施の形態２の半導体モジュール１ａでは、凸部１５が横長形状となる。これにより、実施の形態２の半導体モジュール１ａにおいては、上下の端子同士間に凸部１５を設けたことになる。
さらに横方向に隣接する端子間である、例えば端子Ｃ１０と端子Ｃ１１、端子Ｃ１２と端子Ｃ１３の間にも凸部１６を設けられている。
【００３０】
以上のように、実施の形態２による半導体モジュール１ａによれば、端子同士間の対向部分８に凸部１５または凸部１６を設けることにより、沿面距離を確保するものである。凸部１５または凸部１６は、対向部分８を横切る（分断する）ように設けるもので、特に凸部１５のその図中水平方向位置は対向線１７を分断すればよいので左右方向の配置には自由度がある。また凸部１６は、凸部１５と比較して端子同士間の最短距離が長いので、凸部１６の高さは凸部１５の高さよりも低く形成することができる。
また、実施の形態２による半導体モジュール１ａにおいても、凸部１５または凸部１６は、半導体モジュール１ａのモールド樹脂１０と一体でなくてもよいが、一体であればモールド時の同一工程で形成することができるので、製造工程が簡略化できる効果を有する。また、実施の形態２による半導体モジュール１ａにおいては、端子Ｃ１０‐Ｃ１３同士間の対向部分８を分断するように凹部（図示なし）を設けることもできる。実施の形態２の半導体モジュール１ａでは、凹凸部をできる限りどちらかの形状に１本化して単純な構造とすることが可能である。
【００３１】
実施の形態２において、複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３間の対向部分８は、隣接した複数の端子Ｃ１０‐Ｃ１３の周囲の任意の箇所同士を最短距離で結ぶ複数の線により挟まれて囲まれた面積部分の領域であると規定したが、実施の形態１の半導体モジュール１においても、例えば図４に示す端子Ｇ１と端子Ｂ１の対向部分８は、隣接した複数の端子である例えば端子Ｇ１と端子Ｂ１の周囲の任意の箇所同士を最短距離で結ぶ複数の線により挟まれて囲まれた面積部分の領域であることは言うまでもない。
【００３２】
本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【符号の説明】
【００３３】
１、１ａ  半導体モジュール、２  モータ、３  電源、４  グランド、７  傾斜面、８  対向部分、９  外周、１０  モールド樹脂、１１  ベース、１２  凹部、１２ａ  破線、１３、１５、１６  凸部、１７  対向線、１８  破線、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２  端子、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４  半導体スイッチング素子
【図１】
2020039466.tif 000003
【図２Ａ】
2020039466.tif 000004
【図２Ｂ】
2020039466.tif 000005
【図３】
2020039466.tif 000006
【図４】
2020039466.tif 000007
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2020039466.tif 000009
【国際調査報告】
2020039466.tif 000010
2020039466.tif 000011
2020039466.tif 000012
2020039466.tif 000013