(57)【要約】【目的】本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関し、基板（１）の裏面のアルミ電極（２）の穴の部分に直接に半田付けすると共にアルミ電極（２）の上に０．１ｍｍ以上はみだしてハンダ付けし、変換効率を高めると共に充分な固定強度を得ることを目的とする。【構成】基板（１）の裏面の全面にアルミ電極（２）を形成した後に電極の一部に穴を形成し、あるいは基板（１）の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極（２）を形成し、穴の内部の基板（１）に半田付けすると共に、併せて該穴の縁からアルミ電極（２）の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、半田付けした穴の内部の基板（１）の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極（２）の部分から電子をそれぞれ流入させ、太陽電池の変換効率を増大せるように構成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に前記領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成して該フィンガー電極を介して前記電子を外部に取り出すと共に、前記基板の裏面から前記電子を流入させて回路を形成する太陽電池において、  前記基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に該電極の一部に穴を形成し、あるいは前記基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、該穴の内部の前記基板に半田付けすると共に、併せて該穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、  前記半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させ、太陽電池の変換効率を増大せることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記アルミ電極の穴を形成した部分は、表面の前記取出線に対応する部分としたことを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
前記半田付けは、超音波半田付けであることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項４】
前記半田付けは、半田のみ、あるいは半田と取り出し線、あるいはプリ半田付けした取り出した線を半田付けすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項５】
前記半田付けは、半田付けされる部分の温度を半田が溶融する温度以下で室温以上に予備加熱した状態で、半田付けすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項６】
前記半田は、錫に亜鉛、アルミ、シリコンの１つ以上を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項７】
請求項６の半田は、Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕを含まないことを特徴とする太陽電池。
【請求項８】
前記穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けとして、アルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上から３．０ｍｍ以下だけはみだして半田付けしたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項９】
基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に前記領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成して該フィンガー電極を介して前記電子を外部に取り出すと共に、前記基板の裏面から前記電子を流入させて回路を形成する太陽電池の製造方法において、  前記基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に該電極の一部に穴を形成し、あるいは前記基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、該穴の内部の前記基板に半田付けすると共に、併せて該穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、  前記半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したらアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させ、太陽電池の変換効率を増大させることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成してフィンガー電極を介して電子を外部に取り出すと共に、基板の裏面のアルミ電極に形成した穴の部分にリード線を半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、変換効率を増大させると共に裏面のリード線の固定強度を向上させる太陽電池および太陽電池の製造棒法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  従来、太陽電池セルの設計では、太陽電池セル内に生成した電子を効率よく接続された外部回路に流すということが肝要である。これを達成するためにセルから外部に連なる部分の抵抗成分を小さくすることと、生成した電子が消失しないようにすることと、表面および裏面の外部端子が強く固定されることとが特に重要である。【０００３】  例えば図６の従来技術に示すように、シリコン基板３１の表面（上面）に窒化膜３２を生成し、この上にフィンガー電極（銀）３３のペースト（鉛ガラス入り）をスクリーン印刷し焼結し、図示のように窒化膜３２に穴を開けて高電子濃度領域から電子を外部に取り出すフィンガー電極３３を形成する。次に、フィンガー電極３３と直交する方向にバスバー電極（銀）３４をスクリーン印刷し焼結して生成する。このバスバー電極（銀）３４の上に半田３６でリボン（リード線）３５を半田付けして強固にシリコン基板３１に該リボン３５を固定していた。【０００４】  また、シリコン基板３１の裏面（下面）にアルミ電極３７を形成してこれにリボン３９を半田付けして固定していた。【０００５】  また、アルミ電極３７を全面に形成していたのではリボン３９の半田付け強度が弱い場合には、このアルミ電極３７の一部に穴（表面のバスバー電極３４に対応する部分に穴）を開けておき、ここに銀ペーストをスクリーン印刷して焼結して銀の部分３７１を形成し、これに半田３８でリボン３９を固定して必要な固定強度を得ていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  しかし、上述した従来のシリコン基板３１の裏面にアルミ電極を全面に形成してその上にリボン３９を半田付けしたのではリボン３９をシリコン基板３１に充分な強度で固定できない場合があるという問題があった。【０００７】  また、これを避けるために、上述した図６に示すように、アルミ電極３７の一部に穴を開けておき、ここに銀ペーストを塗布して焼結し、この上にリボン３９を半田付けして充分な固定強度を得る必要が生じてしまうという問題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  本発明者らは、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接に半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上に若干はみ出して半田付けすることにより、リボンを充分な固定強度で基板に固定かつ高変換効率を得る構成および方法を実験により発見した。【０００９】  そのため、本発明は、基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成してフィンガー電極を介して記電子を外部に取り出すと共に、基板の裏面から電子を流入させて回路を形成する太陽電池において、基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に電極の一部に穴を形成し、あるいは基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、穴の内部の基板に半田付けすると共に、併せて穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させ、太陽電池の変換効率を増大せる太陽電池を実現した。【００１０】  この際、アルミ電極の穴を形成した部分は、表面の取出線に対応する部分とするようにしている。【００１１】  また、半田付けは、超音波半田付けするようにしている。【００１２】  また、半田付けは、半田のみ、あるいは半田と取り出し線、あるいはプリ半田付けした取り出した線を半田付けするようにしている。【００１３】  また、半田付けは、半田付けされる部分の温度を半田が溶融する温度以下で室温以上に予備加熱した状態で、半田付けするようにしている。【００１４】  また、半田は、錫に亜鉛、アルミ、シリコンの１つ以上を含むようにしている。【００１５】  また、半田は、Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕを含まないようにしている。【００１６】  また、穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けとして、アルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上から3．０ｍｍ以下だけはみだして半田付けするようにしている。
【発明の効果】
【００１７】  本発明は、上述したように、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接に半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上に若干はみ出して半田付けし、取出線を充分な固定強度で基板に固定かつ高変換効率を得る構成および方法を実現した。【００１８】  これらにより、本発明は、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接にハンダ付けし、取出線の部分の抵抗値を小さくかつ充分な固定強度で基板に固定できる。【００１９】  また、基板の穴の縁からアルミ電極の上に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、該はみして半田付けしたアルミ電極とそれにつながったアルミ電極から電子を基板に供給して太陽電池の変換効率を向上させることが実験で確認できた（図４、図５参照）。
【実施例１】
【００２０】  図１は本発明の１実施例構成図を示す。【００２１】  図１の（ａ）は全体の側面図を示し、図１の（ｂ）は図１の（ａ）の要部拡大図を示す。【００２２】  図１において、基板（シリコン基板）１は、太陽電池を形成しようとするシリコンの基板（単結晶、多結晶）である。【００２３】  基板裏面（Ａｌ）２は、基板１の裏面であって、裏面の全面にアルミ電極を形成した後に一部に穴を開けたり、あるいは穴のあるアルミ電極を基板１の裏面の全面に形成したりしたものである。【００２４】  基板加熱ヒータ３は、基板１を予備加熱する加熱体であって、基板１に半田付けする際に、半田が溶融する温度以下、室温以上に加熱するものであって、自動温度調整機構付きのものである。【００２５】  ＡＢＳ半田１１は、基板裏面(アルミ電極）２に半田付けする糸、リボン状などの半田を供給するに都合のよい形状を持つ長い半田材料である。半田材料は、錫（Ｓｎ）に、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）の１つ以上を含み、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を含まない材料の合金（ＡＢＳ半田１１という）である。これら半田材料に依存するＡＢＳ半田１１の融点は、通常、１５０℃ないし３５０℃程度の範囲内にあり、材料の配合割合により決まるので、実験により溶融温度を算出し、この溶融温度に対して最適な予備加熱温度（ＡＢＳ半田１１が溶融しない室温以上の温度）を決定し、更に、コテ先２２を加熱して超音波を印加したときに溶融して基板裏面２の穴の内部の基板１の上に半田付けするに適切な温度を実験で決定する。これらにより、後述する図９の（ａ），（ｂ），（ｃ）の写真の通りの超音波半田付けが可能となり、リボン２２を半田付けしたときの引張強度が強く、かつ太陽電池の変換効率をより増大させることができた。尚、ＡＢＳ半田１１の半田材料の組成は、錫（Ｓｎ）が２０ないし９５ｗｔ％、亜鉛（Ｚｎ）が３ないし６０ｗｔ％、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）などの添加材は適量添加する。これら配合割合は、溶融温度、基板やリボンなどのＡＢＳ半田付けする対象に応じて実験により最適な配合割合を決める。【００２６】  ＡＢＳ半田材料供給機構１２は、コテ先２２の基板１に対する移動速度に対応して、ＡＢＳ半田１１を所定速度（所定半田量、後述する）で該コテ先１２に供給する機構である。【００２７】  リボン１３は、基板裏面（アルミ電極）２の穴を開けた基板１の部分あるいはプリ半田した部分に半田付けし、基板１から外部に電流を取り出したりなどするものである。尚、図１の（ａ）のように、ＡＢＳ半田１１を供給したときは基板裏面２の穴の部分の基板１に予備半田付け（超音波半田付け）し、図１の（ｂ）のように，ＡＢＳ半田１１と重ねてリボン１３を供給したときは基板裏面２の穴の部分の基板１にリボン１３が半田付け（超音波半田付け）する。予備半田付けした場合には、後の工程で、予備半田付けした部分にリボンを通常の半田付け（超音波なし半田付け）する。また、ＡＢＳ半田１１とリボン１３とを重ねて供給する代わりに、リボン１３に予めＡＢＳ半田１１を半田付けした半田付きリボンにしてもよい。この場合には、半田付きリボンは、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に���０．１ｍｍ以上の半田がはみだすように半田を十分にリボン１３に予め半田付けしておく必要がある。【００２８】  半田コテ２１は、コテ先２２を所定温度に加熱すると共に超音波を供給するものである。【００２９】  コテ先２２は、半田コテ２１の先端に取り付け、半田付けしようとする部分（基板裏面２の穴の部分等）に対して、超音波を印加すると共に、溶解させたＡＢＳ半田１１を供給し、半田付けするものである。【００３０】  半田コテ加熱電源２３は、コテ先２２が所定温度になるように電源を供給するものであって、コテ先２２の部分の温度を検出して自動温度調整機構を有するものである。【００３１】  半田コテ超音波パワー発生機構２４は、コテ先２２から半田付けしようとする部分（基板裏面２の穴の部分等）に超音波を供給するものである。超音波のパワー（電源パワー）は、１から１０Ｗ程度でよく、弱すぎると超音波半田付けが不良となり、強すぎると超音波により膜（アルミ電極膜など）を破壊したり、逆に半田付け不良となったりするので、実験により最適なパワーを決定する。通常は１ないし数Ｗで行う。【００３２】  移動機構２５は、半田コテ２１を自動的に所定速度で移動、ここでは、右方向に所定速度で移動させる機構である。所定速度は、ＡＢＳ半田１１を自動供給するＡＢＳ半田材料供給機構１２と連動し、ＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の縁から約０．１ｍｍ以上で、通常３ｍｍ以内までの基板裏面２のアルミ電極の上にはみだす程度にＡＢＳ半田１１が半田付けされるように調整（実験により調整、図４とその説明を参照）する。【００３３】  次に、図１の構成の動作を説明する。（１）予備加熱ヒータ３を有する図示外の台の上に基板（１５０ｍｍ程度の矩形の基板）１を裁置し、ＡＢＳ半田１１が溶融するよりも少し低い温度に調整する（実験で温度を決める）。（２）半田コテ加熱電源２３が電源を供給してコテ先２２を所定温度に加熱すると共に、半田コテ超音波パワー発生機構２４が超音波を発生させてコテ先２２に超音波を供給する（加熱温度、超音波パワーはＡＢＳ半田１１の材料により異なるので、材料毎に実験により決める）。（３）図１の（ａ）のように、コテ先２２でＡＢＳ半田１１を溶解しつつ超音波を基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１に供給しつつ（軽く押し当てた状態で）、移動機構２５がコテ先２２を図では右方向に移動させる。同時に、ＡＢＳ半田材料供給機構１２がＡＢＳ半田１１を所定速度で供給し、溶融したＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上を約０．１ｍｍ以上にはみだして半田付けされるように、移動させる（これらの関係となるように実験でコテ先２２の移動速度、ＡＢＳ半田１１の供給量を決める。この際、更に加熱温度、超音波パワーも併せて調整する）。（４）以上により、図１の（ａ）のように，ＡＢＳ半田１１のみを供給した場合には、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１と、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ以上から３ｍｍ程度にはみだしてＡＢＳ半田１１を半田付けする（図４参照）。（５）（４）の予備半田付けした場合には、後の工程で予備半田した部分に、リボンを半田付け（通常の半田付けで、超音波なし半田���け）し、外部への取出線とする。（６）また、（４）と（５）の代わりに、図１の（ｂ）のように、ＡＢＳ半田１１とリボン１３とを合わせて供給した場合あるいは半田付きリボンを供給した場合には、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１と、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に０．１ｍｍ以上から３ｍｍ程度にはみだしてＡＢＳ半田１１を半田付けする。【００３４】  以上によって、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１に直接にＡＢＳ半田１１を予備半田付けしたり、リボン１３をＡＢＳ半田１１で半田付けしたりすることにより、後述するように、太陽電池の効率を良好にすることが可能となると共に、ＡＢＳ半田１１で直接に裏面基板２の穴を介して基板１に半田付けして強固に該基板１にリボンを固定することが可能となる。【００３５】  尚、実際に実施した１例では、基板加熱温度(予備加熱)を１８０℃を標準にして、少なくとも上限温度は２００℃以下（ＡＢＳ半田が溶融しない温度以下）です。これ以上にするとこの基板では損傷しました。この場合の半田コテ温度は４００℃としています。高くでも５００℃程度です。これは、コテ先の移動速度、半田材料供給速度で調整します。速度が速くなれば温度を上げます。超音波出力は、裏面に対しては６ワット以下、表面に対しては３ワット以下としています。以上の条件は、錫と亜鉛の合金を主材料としたもので融点が約２１７℃の半田材料の場合です。半田材料、基板の種類、コテ先の移動速度、半田供給量などに依存し、予備加熱温度、コテ先（半田コテ）温度、コテ先の移動速度、半田供給速度などを実験し、良好な超音波半田付けができるように最適な条件に調整する必要があります。【００３６】  次に、図２のフローチャートの順番に従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。【００３７】  図２は、本発明の動作説明フローチャート（全体）を示す。【００３８】  図２において、Ｓ１は、Ｓｉ基板を用意する。【００３９】  Ｓ２は、表面処理を行う。これは、Ｓ１で用意したシリコン基板（例えばＮ型）上に、窒化膜を形成、更に、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成する。これは、例えば従来の図６と同様に、シリコン基板３１の表側に、窒化膜３２を形成、フィンガー電極３３、バスバー電極３４などのパターンを形成する。【００４０】  Ｓ３は、裏面処理を行う。これは、シリコン基板の裏面にアルミパターンを形成、例えばシリコン基板の裏側の全面に穴の開いたアルミ電極をアルミペーストでスクリーン印刷して形成する。そして、本発明はＳ５に進む。【００４１】  Ｓ５は、焼結する。これは、Ｓ２の表面処理、Ｓ３の裏面処理で形成したパターンを一括して焼結する。【００４２】  以上により、本発明では、Ｓ１からＳ３、Ｓ５で基板の表側にフィンガー電極、バスバー電極、裏側に穴の開いたアルミ電極を形成できたこととなる。【００４３】  Ｓ６は、測定（１）を行う。これは、Ｓ７のＡＢＳ半田付け前に、探針を用いてＡＢＳ半田付けする前の太陽電池の電気的特性を測定する（図５の半田前のデータを参照）。【００４４】  Ｓ７は、ＡＢＳ半田付けを行う。これは、Ｓｉ基板のアルミ電極の穴の開いた部分の基板１に直接にＡＢＳ半田を半田付けすると共に、穴の���からアルミ電極の上に約０．１ｍｍ以上はみだして半田付けする。尚、リボン１３を一緒に半田付けしてもよい（図１の（ｂ）参照）  Ｓ８は、測定（２）を行う。これは、Ｓ７のＡＢＳ半田付け後に、太陽電池の電気的特性を測定する（図５の半田後のデータを参照）。【００４５】  以上のように、Ｓｉ基板の表面に窒化膜を形成、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成、Ｓｉ基板の裏面に穴の開いたアルミ電極のパターンを形成した後、一括焼結してこれらパターンを形成することが可能となる。【００４６】  一方、従来は、Ｓ１からＳ３に続いて、Ｓ４で、さらに銀ペーストをＳｉ基板上に塗布する。これは、Ｓ３の裏面処理で形成した穴の開いたアルミ電極の部分に、さらに銀ペーストをスクリーン印刷して当該アルミ電極の穴の内部のＳｉ基板の上に銀パターンを形成する。そして、本発明と同様に、Ｓ５からＳ８を行うことにより、Ｓｉ基板の表面に窒化膜を形成、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成、Ｓｉ基板の裏面に穴の開いたアルミ電極のパターンの内部に銀パターンが形成され、これにリボンを半田付けして外部取出線とし、該外部取出線を銀パターンを介して基板に強く固定することを実現している。【００４７】  図３は、本発明の詳細動作説明フローチャートを示す。これは、図２のＳ７のＡＢＳ半田付けの詳細フローチャートである。【００４８】  図３において、Ｓ１１は、基板を予備加熱する。これは、図１の基板１を図示外の台に裁置した状態で基板加熱ヒータ３で基板１を予備加熱し、ＡＢＳ半田１１が溶融する温度よりも若干低い温度に加熱する。【００４９】  Ｓ１２は、コテ先を加熱、超音波を印加する。これは、図１の半田コテ加熱電源２３から電源を半田コテ２１に供給し、コテ先２２が所定温度になるように加熱すると共に、半田コテ超音波パワー発生機構２４が所定出力の超音波をコテ先２２に供給する。【００５０】  Ｓ１３は、ＡＢＳ半田を供給する。これは、図１のＡＢＳ半田材料供給機構１２が糸あるいはリボン状のＡＢＳ半田１１を所定速度でコテ先２１と半田付けする部分との間に供給する。ＡＢＳ半田１１の供給量は、基板裏面２の穴の開いた部分と該穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ以上はみだす程度に供給する（図４参照、実験で供給量は決める）。尚、図１の（ｂ）のように、リボン１３を半田付けする場合には、ＡＢＳ半田１１に重ねてリボン１３を供給すればよい。【００５１】  Ｓ１４は、コテ先を移動する。これは、図１のコテ先２２を移動機構２５で移動、図１では右方向に移動する。【００５２】  以上により、ＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の開いた部分と、該穴の縁から基板裏面２の上に約０．１ｍｍ以上はみ出すように、コテ先２２を移動させ、超音波半田付けすることが可能となる。【００５３】  図４は、本発明のサンプル写真例を示す。【００５４】  図４の（ａ）は接触幅約０．１ｍｍのサンプル写真を示し、図４の（ｂ）は接触幅約０．５ｍｍのサンプル写真を示し、図４の（ｃ）は接触幅約１．０ｍｍのサンプル写真を示す。ここで、各写真中の横方向の帯状のものが、裏面基板２の帯状の穴の丁度真上に覆う（はみだし量約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍ）ように、ＡＢＳ半田１１を半田付けした写真例をそれぞれ示す。【００５５】  図４の（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１）は、図４の（ａ），（ｂ），（ｃ）の側面模式図をそれぞれ示す。接触幅は、穴の縁から基板裏面（Ａｌ）２の上へのはみ出し量であって、約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍの例を示す。【００５６】  以上のように、基板（Ｓｉ）１上に形成した裏面基板（アルミ電極）２に帯状の穴を設け、該帯状の穴の部分にＡＢＳ半田１１を超音波半田付けしたり（図１の（ａ）参照）、あるいはＡＢＳ半田１１にリボン１３を重ねて超音波半田付けしたり（図１の（ｂ）参照））すると共に、ＡＢＳ半田１１の供給量あるいはコテ先２２の移動量を調整して穴の縁から裏面基板（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍはみだすように超音波半田付けする。【００５７】  図５は、本発明の測定例を示す。これは、既述した図４の（ａ），（ｂ），（ｃ）のＡＢＳ半田付け前（半田前）と、半田付け後（半田後）との太陽電池の電気的特性の測定例を示す。各測定例は、１０個の測定例の平均値を示す。また、測定は、図４の基板裏面（アルミ電極）２の帯状の穴の中央部分（半田前は穴の中央部分の基板１の部分、半田後は半田付けした穴の中央部分の該半田の部分）に接触端子を接触させて電気的特性を測定した。【００５８】  図５において、測定例の１回、２回、３回は、図４の（ａ）接触幅約０．１ｍｍ，（ｂ）接触幅約０．５ｍｍ，（ｃ）接触幅約１．０ｍｍにそれぞれ対応する。ここで、Ｉｓｃは太陽電池の短絡電流を示し、Ｖｏｃは太陽電池の開放電圧を示し、ＥＦＦは太陽電池の最大効率を示し、ＦＦは太陽電池の最大効率／（ＶｏｃｘＩｓｃ）を示す。「半田前」はＡＢＳ半田を半田付けする前の値を示し、「半田後」はＡＢＳ半田を半田付けした後の値を示し、「変化量」は半田前から半田後の変化量を示す。【００５９】  ここで、最大効率（ＥＦＦ）は、    ・測定例の「１回」（接触幅約０．１ｍｍ）は変化量がー０．４０              「２回」（接触幅約０．５ｍｍ）は変化量がー０．１８              「３回」（接触幅約１．０ｍｍ）は変化量がー０．１３と接触幅が増大するに従い、「半田前」から「半田後」の最大効率の変化量が小さく、つまり、ＡＢＳ半田１１を、アルミ電極（基板裏面）２の穴の縁から当該アルミ電極２の上のはみ出し量が約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍと増大するに伴い、最大効率の「半田前」から「半田後」の変化量が小さくなることが本実験で初めて判明した。【００６０】  即ち、ＡＢＳ半田１１を、アルミ電極（基板裏面）２の穴の縁から当該アルミ電極２の上へのはみ出し量が約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍと増大させることで、はみだしたＡＢＳ半田１１の部分（０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１，０ｍｍ）からアルミ電極を介して基板１に電子が放出される経路が付加（増大）され、この分だけ最大効率が改善されたものである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の１実施例構成図である。
【図２】本発明の動作説明フローチャート（全体）である。
【図３】本発明の詳細動作説明フローチャートである。
【図４】本発明のサンプル写真例である。
【図５】本発明の測定例である。
【図６】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
【００６２】１：基板（シリコン基板）２：基板裏面（Ａｌ）３：基板加熱ヒータ（予備加熱）１１：ＡＢＳ半田１２：ＡＢＳ半田材料供給機構２１：半田コテ２２：コテ先２３：半田コテ加熱電源２４：半田コテ超音波パワー発生機構２５：移動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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