(57)【要約】  ＳＡＷ素子において、圧電体層は、支持基板上に重なっている。ＩＤＴ電極は、主領域と、その両側の２つの端部領域とを有している。端部領域は、電極指設計が変調する部位から端部まで続く。反射器電極指の電極指設計で決まる共振周波数は主領域の電極指の電極指設計で決まる共振周波数よりも低い。主領域において電極指の中心間間隔をａとする。端部領域を構成する電極指の数をｍとする。主領域の電極指のうち最も端部領域の側に位置する電極指の中心と、反射器電極指のうち最も端部領域の側に位置する反射器電極指の中心との距離をｘとする。このとき、    ０．５×ａ×（ｍ＋１）＜ｘ＜ａ×（ｍ＋１）が満たされている。
2019198594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に重なる圧電体層と、
該圧電体層の上面に位置し、複数の電極指を有する、弾性波を発生させる励振電極と、
前記圧電体層の上面に位置し、複数の反射器電極指を有し、前記弾性波の伝搬方向において前記励振電極を挟む２つの反射器とを備え、
前記励振電極は、
前記弾性波の伝搬方向の両端部間に位置しており、前記電極指の電極指設計が一様な主領域と、
該主領域とは電極指設計が変調する部位から端部まで続く、前記主領域を挟んで両側に位置する２つの端部領域と、を有し、
前記反射器は、前記反射器電極指の電極指設計で決まる共振周波数が前記主領域の前記電極指の電極指設計で決まる共振周波数よりも低く、
前記主領域において前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔をａとし、前記端部領域を構成する前記電極指の数をｍとし、前記主領域の前記電極指のうち最も前記端部領域の側に位置する前記電極指の中心と、前記反射器の前記反射器電極指のうち最も前記端部領域の側に位置する前記反射器電極指の中心との距離をｘとすると、
０．５×ａ×（ｍ＋１）＜ｘ＜ａ×（ｍ＋１）
を満たしている弾性波素子。
【請求項２】
複数の前記電極指は、複数の第１電極指と複数の第２電極指とを有し、
前記励振電極は、前記複数の第１電極指を持つ第１櫛歯電極と、前記複数の第１電極指と噛み合う前記複数の第２電極指を持つ第２櫛歯電極とを有する
請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記主領域において隣接する２つの前記電極指の隙間である第１ギャップよりも、前記主領域の前記電極指のうち最も前記端部領域の側に位置する前記電極指と、これに隣接する、前記端部領域の前記電極指のうち最も前記主領域の側に位置する前記電極指との隙間である第２ギャップが狭い
請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記反射器は、前記反射器電極指の中心とこれに隣接する前記反射器電極指の中心との間隔が、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に対して、１倍よりも大きく、且つ１．０４倍以下であり、
前記第２ギャップが、前記第１ギャップに対して０．７５倍よりも大きく、且つ１倍よりも小さい
請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記端部領域は、前記電極指の電極指設計で決まる共振周波数が、前記主領域の前記電極指の電極指設計で決まる共振周波数よりも高い、請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記反射器は、前記反射器電極指の中心とこれに隣接する前記反射器電極指の中心との間隔が、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に対して、１倍よりも大きく、且つ１．０４倍以下であり、
前記端部領域は、前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔が、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に対して、０．９８４倍以上であり、且つ０．９９８倍よりも小さい
請求項５に記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記圧電体層の厚さが、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に対して２倍以下である
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波素子。
【請求項８】
前記圧電体層がＬｉＴａＯ３の単結晶からなる
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記反射器は、前記反射器電極指の中心とこれに隣接する前記反射器電極指の中心との間隔が、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に対して、１．０２倍以上、且つ１．０４倍以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波素子。
【請求項１０】
前記端部領域のうち最も前記反射器の側に位置する電極指の中心と、前記反射器のうち最も前記端部領域の側に位置する反射器電極指の中心との間隔と、
前記端部領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔と、は、前記主領域における前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔に等しい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項１１】
ラダー型に接続された１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を有しており、
少なくとも１つの前記並列共振子が請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波素子によって構成されている
弾性波フィルタ。
【請求項１２】
アンテナ端子と、
送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、
前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を備えており、
前記送信フィルタまたは前記受信フィルタは、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波素子を有している
分波器。
【請求項１３】
アンテナと、
該アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１２に記載の分波器と、
該分波器に電気的に接続されているＲＦ−ＩＣと、
を備える通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波素子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）である。
【背景技術】
【０００２】
励振電極としてのＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、その両側に配置された反射器とを有する弾性波共振子が知られている（例えば特許文献１）。ＩＤＴ電極は複数の電極指を有しており、反射器は、複数の反射器電極指を有している。複数の電極指および複数の反射器電極指は、弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びるとともに、弾性波の伝搬方向に配列されている。【０００３】
特許文献１では、弾性波素子の共振子特性が向上する電極指設計を提案している。この電極指設計では、複数の反射器電極指のピッチは、複数の電極指のピッチよりも長くされる。また、ＩＤＴ電極は、主領域と、その両側の端部領域とに分けられる。主領域と反射器との距離は、複数の電極指のピッチがＩＤＴ電極全体に亘って一定（主領域のピッチと同じ）とされる場合に比較して短くされる。例えば、主領域と端部領域との間の電極指間のギャップは、主領域内の電極指間のギャップよりも小さくされる。又は、端部領域の複数の電極指のピッチは、主領域の電極指のピッチよりも小さくされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０８０２７８号
【発明の概要】
【０００５】
本開示の一態様に係る弾性波素子は、支持基板と、前記支持基板上に重なる圧電体層と、弾性波を発生させる励振電極と、２つの反射器とを備える。前記励振電極は、前記圧電体層の上面に位置し、複数の電極指を有する。前記２つの反射器は、前記圧電体層の上面に位置し、複数の反射器電極指を有し、前記弾性波の伝搬方向において前記励振電極を挟む。前記励振電極は、主領域と、２つの端部領域とを有する。前記主領域は、前記弾性波の伝搬方向の両端部間に位置している。前記主領域における前記電極指の電極指設計は一様である。前記２つの端部領域は、前記主領域とは電極指設計が変調する部位から端部まで続き、前記主領域を挟んで両側に位置する。前記反射器は、前記反射器電極指の電極指設計で決まる共振周波数が前記主領域の前記電極指の電極指設計で決まる共振周波数よりも低い。前記主領域において前記電極指の中心とこれに隣接する前記電極指の中心との間隔をａとし、前記端部領域を構成する前記電極指の数をｍとし、前記主領域の前記電極指のうち最も前記端部領域の側に位置する前記電極指の中心と、前記反射器の前記反射器電極指のうち最も前記端部領域の側に位置する前記反射器電極指の中心との距離をｘとすると、
０．５×ａ×（ｍ＋１）＜ｘ＜ａ×（ｍ＋１）
が満たされている。
【０００６】
本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、ラダー型に接続された１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を有している。少なくとも１つの前記並列共振子は、上記の弾性波素子によって構成されている。
【０００７】
本開示の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を備えている。前記送信フィルタまたは前記受信フィルタは、上記の弾性波素子を有している。
【０００８】
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、該アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の分波器と、該分波器に電気的に接続されているＲＦ−ＩＣと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の一実施形態に係る弾性波素子の構成を示す平面図である。
【図２】図１の弾性波素子において、II−II線で切断した一部の断面に相当する。
【図３】図１の弾性波素子において、ＩＤＴ電極の一部を拡大した拡大平面図である。
【図４】図１の弾性波素子において、反射器の一部を拡大した拡大平面図である。
【図５】図１の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器の一部を示す要部拡大図である。
【図６】図５において、ＩＤＴ電極と反射器との距離を変化させる方法の一例を示したものである。
【図７】図６において、弾性波共振の主領域と端部領域の繰り返し配列部の位相の関係を模式的に表したものである。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子における周波数特性の実測値を示す図である。
【図９】図９（ａ）、図９（ｂ）、図９（ｃ）および図９（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に圧電体層の厚さの影響を示している。
【図１０】図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）および図１０（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に圧電体層の厚さの影響を示している。
【図１１】図１１（ａ）、図１１（ｂ）および図１１（ｃ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチの影響を示している。
【図１２】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチの影響を示している。
【図１３】図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）および図１３（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチ毎に第２ギャップの影響を示している。
【図１４】図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）および図１４（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチ毎に第２ギャップの影響を示している。
【図１５】図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）および図１５（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチ毎に第２ピッチの影響を示している。
【図１６】図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）および図１６（ｄ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に反射器電極指のピッチ毎に第２ピッチの影響を示している。
【図１７】図１７（ａ）、図１７（ｂ）および図１７（ｃ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に端部領域の電極指の本数毎に第２ギャップの影響を示している。
【図１８】図１８（ａ）、図１８（ｂ）および図１８（ｃ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ素子についてのシミュレーション結果を示す図であり、特に端部領域の電極指の本数毎に第２ピッチの影響を示している。
【図１９】本開示の一実施形態に係る通信装置を説明する概略図である。
【図２０】本開示の一実施形態に係る分波器を説明する回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態に係る弾性波素子、分波器および通信装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
弾性波素子は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系Ｄ１−Ｄ２−Ｄ３を定義するとともに、Ｄ３方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電体層に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電体層に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電体層に直交するように定義されている。
【００１２】
＜弾性波素子の構成の概要＞
図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波素子としてのＳＡＷ素子１の構成を示す平面図である。図２は図１のII−II切断線における一部の断面図である。ＳＡＷ素子１は、図１に示すように、複合基板２、複合基板２の上面２Ａに設けられた励振電極としてのＩＤＴ電極３および反射器４を有している。
【００１３】
ＳＡＷ素子１は、複合基板２の構成と、ＩＤＴ電極３のうち反射器４側に位置する２つの端部領域３ｂの電極指設計と、反射器４の電極指設計との組み合わせにより、信号の通過帯域の特性を向上させることができる。以下、各構成要件について詳述する。
【００１４】
（複合基板）
複合基板２は、例えば、図２に示すように、支持基板２０と、支持基板２０上に重なっている圧電体層２１とを有している。複合基板２の上面２Ａは、圧電体層２１の上面によって構成されている。
【００１５】
圧電体層２１は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３。以下、「ＬＴ」と略すことがある。）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、ＬＴであれば、３０°以上６０°以下回転ＹカットＸ伝搬、または４０°以上５５°以下回転ＹカットＸ伝搬となるカット角が採用されてよい。確認的に記載すると、このカット角では、Ｘ軸回りにＹ軸からＺ軸へ３０°以上６０°以下（または４０°以上５５°以下）の角度で回転したＹ′軸に上面２Ａが直交する。
【００１６】
圧電体層２１の厚さｔｓは、例えば、一定である。厚さｔｓは、圧電体単体で基板が構成される場合等に比較して薄くされている。例えば、厚さｔｓは、後述する電極指３２の第１ピッチＰｔ１ａの０．１倍以上６倍以下、または０．５倍以上２倍以下である。また、別の観点では、例えば、厚さｔｓは、０．１μｍ以上１０μｍ以下、または０．５μｍ以上５μｍ以下である。
【００１７】
支持基板２０は、例えば、圧電体層２１の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これによって、ＳＡＷ素子１の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板２０は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
【００１８】
支持基板２０の厚みは、例えば、一定であり、厚さの具体的な値は、ＳＡＷ素子１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。ただし、支持基板２０の厚みは、温度補償が好適に行われたり、圧電体層２１の強度を補強したりできるように、圧電体層２１の厚みよりも厚くされている。一例として、支持基板２０の厚みは１００μｍ以上３００μｍ以下である。
【００１９】
なお、圧電体層２１の広さと、支持基板２０の広さとは、同一であってもよいし、異なっていてもよい（支持基板２０が圧電体層２１よりも広くてもよい。）。なお、後者の場合、複合基板２上の導体パターンの一部（例えば、特に図示しないが、入力用または出力用の端子）は、圧電体層２１上ではなく、支持基板２０上に設けられていてもよい。
【００２０】
圧電体層２１および支持基板２０は、直接的に重なっていてもよいし、中間層（不図示）を介して間接的に重なっていてもよい。
【００２１】
直接的に重なる場合、例えば、圧電体層２１となる圧電基板の下面と、支持基板２０の上面とをプラズマまたは中性粒子ビームなどで活性化処理し、両面を直接的に貼り合わせてよい。また、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成法によって、圧電体層２１となる圧電材料を支持基板２０上に成膜してもよい。
【００２２】
中間層が設けられる場合、中間層は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等が挙げられる。また、複数の異なる材料からなる薄層を積層させた積層体を中間層としてもよい。中間層は、圧電体層２１となる圧電基板と支持基板２０とを接着する接着層を含んでもよいし、薄膜形成法で形成される圧電体層２１の下地となるだけであってもよい。また、中間層は、音響的に何らかの効果を奏する層として（例えば反射率を高くする層として）構成されていてもよい。
【００２３】
例えば、支持基板２０をシリコンとした場合に、圧電体層２１との間に中間層として、ＳｉＯ２等、Ｓｉ、ＴａＯｘ層等で例示される密着層や特性調整層があってもよい。
【００２４】
（電極）
ＩＤＴ電極３は、図１に示すように、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを有している。なお、以下の説明では、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを単に「櫛歯電極３０」といい、これらを区別しないことがある。
【００２５】
櫛歯電極３０は、図１に示すように、互いに対向する２本のバスバー３１ａおよび３１ｂ（以下、単に「バスバー３１」ということがある。）と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の第１電極指３２ａまたは第２電極指３２ｂ（以下、単に「電極指３２」ということがある。）とを有している。そして、１対の櫛歯電極３０は、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとが、弾性波の伝搬方向に互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。なお、バスバー３１には、電極指３２と対向するダミー電極が配置されていてもよい。本実施形態は、ダミー電極が配置されていない場合である。
【００２６】
弾性波は、複数の電極指３２に直交する方向に発生し、伝搬する。従って、圧電体層２１の結晶方位を考慮した上で、２本のバスバー３１は、弾性波を伝搬させたい方向に交差する方向において互いに対向するように配置される。複数の電極指３２は、弾性波を伝搬させたい方向に対して直交する方向に延びるように形成される。なお、弾性波の伝搬方向は複数の電極指３２の向き等によって決まるが、本実施形態では、便宜的に、弾性波の伝搬方向を基準として、複数の電極指３２の向き等を説明することがある。
【００２７】
バスバー３１は、例えば、概略、一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。従って、バスバー３１の互いに対向する側の縁部は直線状である。複数の電極指３２は、例えば、概略、一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。
【００２８】
ＩＤＴ電極３には、図１に示すように、弾性波の伝搬方向において、両端間に配置された主領域３ａと両端から主領域３ａまでの２つの端部領域３ｂとが設定されている。ＩＤＴ電極３の主領域３ａを構成する一対の櫛歯電極３０の複数の電極指３２は、隣接する電極指３２の幅の中心間の間隔が第１ピッチＰｔ１ａとなるように設定されている。第１ピッチＰｔ１ａは、主領域３ａにおいて、例えば、共振させたい周波数での弾性波の波長λの半波長と同等となるように設定されている。波長λ（すなわち、２×Ｐｔ１ａ）は、例えば１．５μｍ〜６μｍである。ここで第１ピッチＰｔ１ａは、図３に示すように、弾性波の伝搬方向において、第１電極指３２ａの幅の中心から、当該第１電極指３２ａに隣接する第２電極指３２ｂの幅の中心までの間隔を指すものである。以下、ピッチを説明する際に、「電極指３２の幅の中心」を単に「電極指３２の中心」として説明することがある。
【００２９】
各電極指３２は、弾性波の伝搬方向における幅ｗ１が、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。電極指３２の幅ｗ１は、例えば第１ピッチＰｔ１ａに対して０．３倍〜０．７倍である。
【００３０】
複数の電極指３２の長さ（バスバー３１から先端までの長さ）は、例えば概ね同じ長さに設定される。なお、各電極指３２の長さを変えてもよく、例えば弾性波の伝搬方向に進むにつれて長くしたり、短くなるようにしたりしてもよい。具体的には、各電極指３２の長さを伝搬方向に対して変化させることによってアポダイズ型のＩＤＴ電極３を構成してもよい。この場合には、横モードのスプリアスを低減させたり、耐電力性を向上させたりすることができる。
【００３１】
ＩＤＴ電極３は、例えば金属からなる導電層１５によって構成されている。この金属としては、例えばＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極３は、複数の金属層から構成されてもよい。ＩＤＴ電極３の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。ＩＤＴ電極３の厚み（Ｄ３方向）は、例えば５０ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００３２】
ＩＤＴ電極３は、圧電体層２１の上面２Ａに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して圧電体層２１の上面２Ａに配置されていてもよい。この別の部材は、例えばＴｉ、Ｃｒあるいはこれらの合金等からなる。別の部材を介してＩＤＴ電極３を圧電体層２１の上面２Ａに配置する場合は、この別の部材の厚みはＩＤＴ電極３の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えばＴｉからなる場合は、ＩＤＴ電極３の厚みの５％の厚み）に設定される。
【００３３】
また、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２上には、ＳＡＷ素子１の温度特性を向上させるために、質量付加膜を積層してもよい。質量付加膜としては、例えばＳｉＯ２等を用いることができる。
【００３４】
ＩＤＴ電極３は、電圧が印加されると、圧電体層２１の上面２Ａ付近においてＤ１方向（Ｘ軸方向）に伝搬する弾性波（弾性表面波）を励起する。励起された弾性波は、電極指３２の非配置領域（隣接する電極指３２間の長尺状の領域）との境界において反射する。そして、主領域３ａの電極指３２の第１ピッチＰｔ１ａを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指３２によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、１ポート共振子として機能する。
【００３５】
反射器４は、複数の反射器電極指４２の間がスリット状になるように形成されている。すなわち、反射器４は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する反射器バスバー４１と、これら反射器バスバー４１間において反射器バスバー４１同士を繋ぐように弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の反射器電極指４２とを有している。反射器バスバー４１は、例えば、概略、一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に平行に配置されている。隣接する反射器バスバー４１の間の間隔は、例えば、ＩＤＴ電極３の隣接するバスバー３１の間の間隔と概ね同一に設定することができる。
【００３６】
複数の反射器電極指４２は、ＩＤＴ電極３で励起される弾性波を反射させるピッチＰｔ２に配置されている。ピッチＰｔ２については後述する。ここでピッチＰｔ２は、図４に示すように、伝搬方向において、反射器電極指４２の中心と、これに隣接する反射器電極指４２の中心との間隔を指すものである。
【００３７】
また、複数の反射器電極指４２は、概略、一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。反射器電極指４２の幅ｗ２は、例えば電極指３２の幅ｗ１と概ね同じに設定することができる。反射器４は、例えば、ＩＤＴ電極３と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極３と同等の厚みに形成されている。
【００３８】
保護層５は、図２に示すように、ＩＤＴ電極３および反射器４上を覆うようにして圧電体層２１上に設けられている。具体的には、保護層５は、ＩＤＴ電極３および反射器４の表面を覆うとともに、上面２ＡのうちＩＤＴ電極３および反射器４から露出する部分を覆っている。保護層５の厚みは、例えば１ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００３９】
保護層５は、絶縁性を有する材料からなり、ＩＤＴ電極３および反射器４を腐食等から保護することに寄与する。好適には、保護層５は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるＳｉＯ２などの材料によって形成されており、これによってＳＡＷ素子１の温度の変化による電気特性の変化を小さく抑えることもできる。なお、保護層５は設けられなくてもよい。
【００４０】
このような構成のＳＡＷ素子１において、主領域３ａよりも端部側に位置する端部領域３ｂの電極指設計と、反射器４の電極指設計とが、次の通り設定されている。
【００４１】
（Ｉ）ＩＤＴ電極３の端部領域３ｂについて
ＩＤＴ電極３は、主領域３ａと端部領域３ｂとを備える。主領域３ａの電極指設計は一様であり、その電極指設計はＩＤＴ電極３全体の励振周波数を決定するものである。すなわち、所望の励振周波数に合わせて、電極指３２のピッチ、幅、厚み等の設計パラメーターを一定にした電極指設計をしている。端部領域３ｂは、この主領域３ａの一様な電極指設計から変調する部分から端部まで続く領域を指す。ここで「変調する」とは、電極指３２のピッチ（電極指３２の中心間の間隔）、ギャップ（電極指３２間の隙間）、幅、厚みの設計パラメーターの少なくとも１つを変化させることをいう。主領域３ａを構成する電極指３２の本数と端部領域３ｂを構成する電極指３２の本数とは、主領域３ａの電極指設計による共振周波数がＩＤＴ電極３全体の励振周波数を決定するように適宜設定する。具体的には、主領域３ａを構成する電極指３２の本数を、端部領域３ｂを構成する電極指３２の本数よりも多くすればよい。
【００４２】
図５に、ＩＤＴ電極３と反射器４との要部拡大断面図を示す。ここで、主領域３ａのうち、最も端部領域３ｂの側に位置する電極指３２を電極指Ａとし、これに隣り合う電極指３２であって、端部領域３ｂのうちで最も主領域３ａの側に位置する電極指３２を電極指Ｂとし、反射器４のうちで最もＩＤＴ電極３の側に位置する反射器電極指４２を反射器電極指Ｃとする。また、主領域３ａにおける、電極指３２の幅の中心とこれに隣り合う電極指３２の幅の中心との間隔をａとし（前出の第１ピッチＰｔ１ａ）、端部領域３ｂを構成する電極指３２の本数をｍとし、電極指Ａの幅の中心と反射器電極指Ｃの幅の中心との距離をｘとすると、ｘは０．５×ａ×（ｍ＋１）よりも大きく、ａ×（ｍ＋１）よりも小さい値となっている。
【００４３】
このように構成することで、電極指Ａと反射器電極指Ｃとの距離を、端部領域３ｂが主領域３ａと端部領域３ｂとの間で電極指設計が変調せずに一様となっている場合に比べて小さくすることができる。これにより、端部領域３ｂにおけるＩＤＴ電極３の電極指３２が繰り返し配列された部分（以下、配列部ということがある）を、主領域３ａの側に近付けることができる。
【００４４】
ここで、端部領域３ｂが主領域３ａと端部領域３ｂとの間で電極指設計が変調せずに一様となっている場合には、いわゆる「縦モード」のスプリアスが発生する。縦モードのスプリアスとは、ＩＤＴ電極と反射器との界面の位相のミスマッチにより、表面弾性波の進行方向に高次の振動モードが現れる現象で、共振周波数よりも低周波側のインピーダンス特性のリップルとなる。
【００４５】
これに対して、本開示の構成によれば、端部領域３ｂの配列部を主領域３ａの側に近付けることで、弾性波を発生させるＩＤＴ電極３の境界条件を変化させることができ、縦モードの発生を抑制することができる。
【００４６】
なお、端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍは、例えば、１以上７０未満とされてよい。この範囲であれば、縦モードに起因するスプリアスを低減できる。また、本数ｍは、後述するシミュレーションで用いられた６以上１６以下とされてもよい。
【００４７】
（距離ｘの第１調整方法：ギャップ調整）
このような条件を満足する、電極指Ａと反射器電極指Ｃとの距離を変化させる具体的な一例について説明する。例えば、図６に示すように、隣接する第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂの隙間であるギャップＧｐを変化させることによって、電極指Ａと反射器電極指Ｃとの距離を変化させることができる。具体的に、端部領域３ｂの電極指３２の配列部全体を主領域３ａに対してシフトさせるためには、主領域３ａにおける隣接する電極指３２（第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂ）の隙間である第１ギャップＧｐ１よりも、電極指Ａと電極指Ｂとの隙間である第２ギャップＧｐ２が狭くなるように設定すればよい。この第１ギャップＧｐ１よりも小さい第２ギャップＧｐ２が変化部３００となる。
【００４８】
ここで、ＩＤＴ電極３の繰り返し配列について検討する。図７の線Ｌｐ１およびＬｐ２で示すように、ＩＤＴ電極３の電極指３２の繰り返し配列は、例えば、第１電極指３２ａの中心と、第２電極指３２ｂを挟んで隣に位置する第１電極指３２ａの中心とを１周期として繰り返されたものを指す。この例では、繰り返し配列の周期は、主領域３ａと端部領域３ｂとで等しい。なお、線Ｌｐ１およびＬｐ２は、第２電極指３２ｂの中心を最大の変位となるように設定した一例である。このような繰り返し配列によって生じる繰り返し周期を仮定する。
【００４９】
図７には、主領域３ａのＩＤＴ電極３の繰り返し配列をそのままの周期を保って端部側に延長した線Ｌｐ１と、端部領域３ｂのＩＤＴ電極３の繰り返し配列をそのままの周期を保って主領域３ａ側に延長した線Ｌｐ２とが示されている。この２つの繰り返し配列を比較する。矢印ａｗ１により示すように、端部領域３ｂのＩＤＴ電極３の繰り返し配列によって仮定される繰り返し周期の位相が、主領域３ａにおけるＩＤＴ電極３の繰り返し配列によって仮定される繰り返し周期の位相に比べて、主領域３ａ側にシフトしている。この構成によって、弾性波を発生させるＩＤＴ電極３の境界条件を変化させることができ、縦モードの発生を抑制することができる。
【００５０】
さらに、線Ｌｐ１と線Ｌｐ２との繰り返し間隔が等しいため、両者が異なる場合（ピッチを変更した場合）に起こる微妙な周波数シフトや、プロセスばらつきによる特性ばらつきを低減することができる。
【００５１】
また、図７において、電極指Ｂが最も反射器４側に位置する電極指（電極指Ｄとする）と隣接しておらず、かつ、電極指Ｄと一本内側の電極指との間隔および電極指Ｄと反射電極指Ｃとの間隔とが電極指Ａと電極指Ｂとの間隔よりも大きい。このことから、ＩＤＴ電極３と反射器４との間のＥＳＤ破壊を低減することができる。
【００５２】
特に、電極指Ｄの中心と反射電極指Ｃの中心との間隔、端部領域３ｂにおける電極指の中心の間隔が全て主領域３ａにおける電極指の中心の間隔と等しい場合には、不連続になりやすい反射器とＩＤＴ電極との配置を乱すことがない。また、ＩＤＴ電極の端部領域から反射器にかけて電極指配置が規則的であることから、意図せぬ電界集中を低減し信頼性を高めることができる。
【００５３】
（ＩＩ）反射器の電極指設計について
上記電極指Ａと反射器電極指Ｃと位置関係の設定に加えて、反射器４の電極指設計で決まる共振周波数を、ＩＤＴ電極３の主領域３ａの電極指設計で決まる共振周波数よりも低くする設定がなされる。反射器４の共振周波数は、ピッチＰｔ２を狭くすると高くなり、ピッチＰｔ２を広くすると低くなる。そのため、反射器４の共振周波数をＩＤＴ電極３の主領域３ａの共振周波数よりも低くするには、反射器４の反射器電極指４２のピッチＰｔ２を、ＩＤＴ電極３の主領域３ａにおけるピッチＰｔ（第１ピッチＰｔ１ａ）よりも広くなるように設定すればよい。
【００５４】
ここで、通常は反射器４の電極指設計はＩＤＴ電極の電極指設計と同一にすることが多い。すなわち、ピッチＰｔ２はピッチＰｔ１ａと略同一とすることが多い。しかしながら、この場合には、反射器４のストップバンドがＩＤＴ電極の共振周波数近傍に位置することとなり、共振周波数よりも低周波数側では反射器による閉じ込め効果が低下し、かつ、反射器内で意図せぬモードが発生する。このような反射器に由来して生じるスプリアス（以下、反射器モードのスプリアスと言うこともある）により、共振周波数より低周波数側においてロスが生じることがあった。
【００５５】
これに対して、本開示の構成によれば、反射器電極指４２のピッチＰｔ２を第１ピッチＰｔ１ａよりも広くすることで、反射器４のストップバンドを低周波数側にシフトさせ、共振周波数よりも低周波数側の反射器モードによるロスを抑制することができる。
【００５６】
（距離ｘの第２調整方法：ピッチ調整）
上記（Ｉ）の電極指Ａと反射器電極指Ｃとの距離ｘについての条件は、端部領域３ｂの電極指設計で決まる共振周波数を、主領域３ａの電極指設計で決まる共振周波数よりも高くすることで実現してもよい。
【００５７】
主領域３ａおよび端部領域３ｂに位置するＩＤＴ電極３の共振周波数は、ＩＤＴ電極３のピッチＰｔ１を調整することによって変化させることができる。具体的には、共振周波数を高くするためにはピッチＰｔ１を狭くすればよく、共振周波数を低くするためにはピッチＰｔ１を広くすればよい。そのため、ＩＤＴ電極３において、端部領域３ｂの共振周波数を主領域３ａの共振周波数よりも高くなるように設定するには、端部領域３ｂにおける電極指３２の第２ピッチＰｔ１ｂを主領域３ａにおける電極指３２の第１ピッチＰｔ１ａよりも狭くなるように設定すればよい。
【００５８】
（距離ｘのその他の調整方法）
この他、特に図示しないが、例えば、変化部３００においてＩＤＴ電極３の電極指３２の幅ｗ１を変化させてもよい。具体的には、端部領域３ｂの最も主領域３ａ側の電極指３２（電極指Ｂ）の幅ｗ１を主領域３ａにおける電極指３２の幅ｗ１よりも狭くする。ただし、第２ギャップＧｐ２および端部領域３ｂにおけるギャップＧｐは、主領域３ａにおける第１ギャップＧｐ１と同じに設定される。このように設定することによっても、変化部３００よりも端部の側のＩＤＴ電極３の配列部全体を、主領域３ａにおけるＩＤＴ電極３の配列部の側にシフトさせることができる。この場合には、電極指Ａよりも端部側の領域が端部領域３ｂとなり、端部領域３ｂが変化部３００を含むものとなる。
【００５９】
また、例えば、端部領域３ｂに位置するＩＤＴ電極３のデューティーを変化させてもよい。ＩＤＴ電極３のデューティーは、図３に示すように、第２電極指３２ｂの幅ｗ１を、弾性波の伝搬方向における第２電極指３２ｂの一方側の第１電極指３２ａの端部から第２電極指３２ｂの他方側の端部までの距離Ｄｔ１で割った値である。このように電極指３２のデューティーを変化させて端部領域３ｂの共振周波数を変化させる場合には、ＩＤＴ電極３の共振周波数を高くするにはデューティーを小さくすればよく、ＩＤＴ電極３の共振周波数を低くするにはデューティーを大きくすればよい。そのため、端部領域３ｂに位置するＩＤＴ電極３は、そのデューティーが主領域３ａに位置するＩＤＴ電極３のデューティーよりも小さくなるように設定される。
【００６０】
以上のように、（Ｉ）主領域３ａよりも端部側の変化部３００を含む端部領域３ｂと、（ＩＩ）反射器の共振周波数とを所定の設計とすることによって、反射器モードのスプリアスを低減するとともに、それにより反共振周波数近傍において増大する縦モードのスプリアスを低減することができる。その結果、特に共振周波数よりも低い周波数に発生するスプリアスを低減することができる。
【００６１】
また、反射器４の共振周波数を主領域３ａにおける共振周波数よりも低く設定することにより、反射器４の反射周波数領域を主領域３ａにおける共振周波数よりも低周波側にシフトさせることができる。このため、ＳＡＷ素子１を主領域３ａの共振周波数よりも低い周波数で動作させた時に、主領域３ａで発生した弾性波が反射器４から漏洩することを防ぐことができる。これにより、主領域３ａの共振周波数よりも低い周波数でのロスを低減することができる。
【００６２】
さらに、圧電体層２１が比較的薄いものであることにより、反共振周波数の高周波側におけるスプリアスや損失を低減することができる。このことは、後述する実測およびシミュレーションによって確認された。
【００６３】
（比較例および実施例に係る周波数特性の実測値）
実施例および比較例に係るＳＡＷ素子（ＳＡＷ共振子）を実際に作製し、その周波数特性を調べた。その結果、上記の効果が得られることが確認された。具体的には、以下のとおりである。
【００６４】
図８（ａ）は、比較例ＣＡ１および実施例ＥＡ１に係るＳＡＷ素子の周波数特性を示す図である。横軸は共振周波数で規格化した規格化周波数を示している。縦軸はインピーダンスの位相（°）を示している。
【００６５】
ＳＡＷ共振子においては、インピーダンスが極小値となる共振点と、インピーダンスが極大値となる反共振点が現れる。共振点および反共振点が現れる周波数を共振周波数および反共振周波数とする。ＳＡＷ共振子において、例えば、反共振周波数は共振周波数よりも高い。そして、インピーダンスの位相は、共振周波数と反共振周波数との間においては、９０°に近いほどＳＡＷ共振子の損失が小さいことを示し、その外側においては、−９０°に近いほどＳＡＷ共振子の損失が小さいことを示す。
【００６６】
図８（ａ）の例では、規格化周波数１に共振周波数があり、規格化周波数１．０４付近に反共振周波数がある。比較例ＣＡ１は、上記（Ｉ）および（ＩＩ）の設定を行っていない。すなわち、電極指のピッチは、励振電極および反射器に亘って一定である。それ以外の条件は、実施例ＥＡ１と基本的に同様である。
【００６７】
図８（ａ）に示されているように、比較例ＣＡ１においては、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側（規格化周波数０．９７〜１）にスプリアスが生じている。しかし、実施例ＥＡ１においては、当該スプリアスが低減されている。また、比較例ＣＡ１および実施例ＥＡ１は、反共振周波数付近かつ反共振周波数の高周波側（規格化周波数１．０４〜１．０７）においては、いずれもスプリアスが生じておらず、両者の特性は概ね一致している。
【００６８】
図８（ｂ）は、比較例ＣＡ２、比較例ＣＡ３および比較例ＣＡ４に係るＳＡＷ素子の周波数特性を示す、図８（ａ）と同様の図である。
【００６９】
比較例ＣＡ２〜ＣＡ４は、複合基板２を用いず、圧電体単体からなる圧電基板（すなわち比較的厚い圧電体）を用いている。比較例ＣＡ２は、上記（Ｉ）および（ＩＩ）の設定を行っていない。比較例ＣＡ３およびＣＡ４は、上記（Ｉ）および（ＩＩ）の設定を行っている。比較例ＣＡ３は、第１調整方法（ギャップ調整）により距離ｘを調整している。比較例ＣＡ４は、第２調整方法（ピッチ調整）により距離ｘを調整している。
【００７０】
比較例ＣＡ３およびＣＡ４は、上記（Ｉ）および（ＩＩ）の設定を行っていることから、比較例ＣＡ２に比較して、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるスプリアスが低減されている。一方で、比較例ＣＡ３およびＣＡ４は、比較例ＣＡ２に比較して、反共振周波数付近かつ反共振周波数の高周波側においてインピーダンスの位相が比較例CA2よりも大きくなっており、損失が生じている。
【００７１】
（比較例および実施例に係るシミュレーション計算）
種々の実施例および比較例に係るＳＡＷ素子（ＳＡＷ共振子）の周波数特性をシミュレーション計算によって調べた。その結果、上記の効果が得られることが確認された。また、シミュレーション結果に基づいて、種々のパラメーターの値の範囲の一例を得た。具体的には、以下のとおりである。
【００７２】
（比較例および実施例に共通のシミュレーション条件）
以下の全ての比較例および実施例に共通のシミュレーション条件を以下に示す。
［圧電体：圧電体層２１または圧電基板］
材料：ＬＴ
カット角：４２°回転ＹカットＸ伝播
［ＩＤＴ電極３］
材料：Ａｌ（ただし、圧電体と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層あり。）
厚さ（Ａｌ層）：Ｐｔ１ａ×２の８％
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
本数：１５０本
第１ピッチＰｔ１ａ：１μｍ
デューティー（ｗ１／Ｐｔ１）：０．５
交差幅Ｗ：２０λ
［反射器４］
材料：Ａｌ（ただし、圧電体と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層あり。）
厚さ（Ａｌ層）：Ｐｔ１ａ×２の８％
反射器電極指４２の本数：３０本
なお、交差幅Ｗは、図３に示すように、第１電極指３２ａの先端から第２電極指３２ｂの先端までの距離である。
【００７３】
（実施例に共通のシミュレーション条件）
以下の全ての実施例に共通のシミュレーション条件を以下に示す。
［支持基板］
材料：シリコン（Ｓｉ）
カット角：（１１１）面０°伝搬  オイラー角（−４５°，−５４．７°，０°）
【００７４】
（圧電体層の厚みを変更したシミュレーション）
圧電体層２１の厚みを種々設定してシミュレーション計算を行った。図９（ａ）〜図１０（ｄ）は、その結果を示す図であり、図８（ａ）と同様の図である。
【００７５】
図９（ａ）〜図１０（ｄ）は、圧電体層２１の厚さが互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、圧電体層２１の厚さは、図９（ａ）では２０λ、図９（ｂ）では１０λ、図９（ｃ）では５λ、図９（ｄ）では２．５λ、図１０（ａ）では１．５λ、図１０（ｂ）では１λ、図１０（ｃ）では０．７５λ、図１０（ｄ）では０．５λである。λは第１ピッチＰｔ１ａの２倍であり、本例の場合は２μｍである。
【００７６】
これらの図において、ＣＢ１〜ＣＢ８は比較例に対応し、ＥＢ１〜ＥＢ８は実施例に対応している。ここでの比較例は、実施例に比較して、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定を行っていない点のみが相違する。
【００７７】
実施例に共通の条件は、以下の通りである。
反射器電極指４２のピッチＰｔ２：第１ピッチＰｔ１ａ×１．０１８
距離ｘの調整方法：第１調整方法（ギャップ調整）
端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍ：１０本
第２ギャップＧｐ２：第１ギャップＧｐ１×０．８５
端部領域３ｂにおける第２ピッチＰｔ１ｂ：第１ピッチＰｔ１ａ×１
【００７８】
これらの図に示されているように、いずれの厚さにおいても、実施例は、比較例に比較して、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるスプリアスが低減されている。また、反共振周波数付近および反共振周波数の高周波側においては、圧電体層２１の厚さが１λ以下（図１０（ｂ）〜図１０（ｄ））となると、実施例は比較例と同等以上の特性を示す。なお、特に図示しないが、本願発明者は、圧電体層２１の厚さが０．４λおよび０．３λの場合についてもシミュレーション計算を行い、上記と同様の効果が奏されることを確認している。
【００７９】
（反射器電極指のピッチを変更したシミュレーション）
反射器電極指４２のピッチＰｔ２を種々設定してシミュレーション計算を行った。図１１（ａ）〜図１２（ｂ）は、その結果を示す図であり、図８（ａ）と同様の図である。
【００８０】
図１１（ａ）〜図１２（ｂ）は、反射器電極指４２のピッチＰｔ２が互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、主領域３ａの第１ピッチＰｔ１ａに対するピッチＰｔ２の倍率は、図１１（ａ）では１倍、図１１（ｂ）では１．０１倍、図１１（ｃ）では１．０２倍、図１２（ａ）では１．０３倍、図１２（ｂ）では１．０４倍である。
【００８１】
図１１（ａ）は、反射器４に係る（ＩＩ）の設定がなされていないから、図中のＥＣ０およびＣＣ０のいずれも比較例である。他の図において、ＣＣ１〜ＣＣ３は比較例を示し、ＥＣ１〜ＥＣ４は実施例を示している。ＣＣ０〜ＣＣ３は、圧電体層２１よりも厚い圧電基板が用いられている点のみが、ＥＣ１〜ＥＣ３と相違する。
【００８２】
ＣＣ０〜ＣＣ３およびＥＣ０〜ＥＣ４に共通の条件は、以下の通りである。
距離ｘの調整方法：第１調整方法（ギャップ調整）
端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍ：１０本
端部領域３ｂにおける第２ピッチＰｔ１ｂ：第１ピッチＰｔ１ａ×１
ＥＣ０〜ＥＣ４に共通の条件は、以下のとおりである。
圧電体層２１の厚さ：０．５λ
なお、第２ギャップＧｐ２は、各例において最適値とされている。
【００８３】
比較例ＣＣ０と実施例ＥＣ１〜ＥＣ４との比較（図１１（ａ）と他の図との比較）から、圧電体層２１の厚さが薄い場合においても、反射器電極指４２のピッチＰｔ２が第１ピッチＰｔ１ａの１倍よりも大きくなることによって（（Ｉ）の設定と（ＩＩ）の設定とが組み合わされることによって）、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるスプリアスが低減されることが確認された。
【００８４】
また、ＣＣ０〜ＣＣ３は反射器電極指４２のピッチＰｔ２が大きくなるにつれ、反共振周波数の高周波側のインピーダンス位相が大きくなっており、損失が増加している。これに対し、ＥＣ０〜ＥＣ４はこの位相の増大が抑制されており、損失の増加が抑えられている。このことから、反射器電極指４２のピッチＰｔ２が第１ピッチＰｔ１ａの１．０４倍以下（または１．０４倍未満）の場合、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定と、圧電体層２１の厚さを薄くする設定とを組み合わせることによる効果が得られることが確認された。
【００８５】
ここで、圧電体層２１の厚みが１λを超える場合には、反射器電極指４２のピッチを第１ピッチＰｔ１ａの１．０２倍以上とすると、反共振周波数側の特性が劣化してしまう。すなわち、圧電体層２１の厚みが１λを超える場合には、反射器電極指４２のピッチの調整幅は非常に狭かった。これに対して、本例のように、圧電体層２１の厚みを１λ以下とする場合には、反射器電極指４２のピッチを第１ピッチＰｔ１ａの１．０２倍以上としても反共振周波数近傍の特性を良好な状態に維持することができる。
【００８６】
さらに、圧電体層２１の厚みを１λ以下とする場合には、反射器電極指４２のピッチを第１ピッチＰｔ１ａの１．０２倍以上とすることで、共振周波数よりも低周波数側のスプリアスもさらに低減できることが確認された。以上より、反射器電極指４２のピッチを第１ピッチＰｔ１ａの１．０２倍以上１．０４倍以下としてもよい。
【００８７】
ここで、実施例において反共振周波数の高周波数側におけるスプリアスや損失が少ない理由について考察する。発明者が圧電体層２１の厚みを変化させるとともに、電極指パターンを変化させて周波数特性を実測およびシミレーションした結果、以下のメカニズムが推定される。
【００８８】
すなわち、圧電体層２１の厚みが１λよりも大きいときは、表面波とバルク波との結合が大きくなる傾向がある。このため、電極指に不連続部があると表面波の振動エネルギーがバルク波として放射されやすくなり、ロスが悪化する。これに対し、圧電体層２１の厚みが１λより薄いときは、表面波とバルク波とがほとんど結合しなくなるため、電極指に不連続部があってもバルク波放射が小さく抑えられるため、ロスの悪化を低減できる。以上より、実施例に係るＳＡＷ共振子によれば、悪化すると推測される反共振周波数より高周波数側の減衰特性が悪化することなく、損失の少ないものとすることができる。また、圧電体層２１の厚みが１λより薄い時には共振子内への振動エネルギーの閉じ込めが向上するため電気機械結合係数が大きくなる。従って、Δｆが大きい共振子を得ることができる。
【００８９】
（反射器電極指のピッチ毎に第２ギャップを変更したシミュレーション）
反射器電極指４２のピッチＰｔ２を上記の範囲（第１ピッチＰｔ１ａの１倍よりも大きく、かつ１．０４倍以下）で種々設定し、かつピッチＰｔ２の値毎に、第２ギャップＧｐ２を種々設定してシミュレーション計算を行った。
【００９０】
図１３（ａ）、図１３（ｃ）、図１４（ａ）および図１４（ｃ）は、その結果を示す図であり、図８（ａ）と同様の図である。また、図１３（ｂ）、図１３（ｄ）、図１４（ｂ）および図１４（ｄ）は、図１３（ａ）、図１３（ｃ）、図１４（ａ）および図１４（ｃ）の共振周波数側かつ共振周波数の低周波側における拡大図である。
【００９１】
これらの図は、反射器電極指４２のピッチＰｔ２が互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、主領域３ａの第１ピッチＰｔ１ａに対するピッチＰｔ２の倍率は、図１３（ａ）および図１３（ｂ）では１．０１倍、図１３（ｃ）および図１３（ｄ）では１．０２倍、図１４（ａ）および図１４（ｂ）では１．０３倍、図１４（ｃ）および図１４（ｄ）では１．０４倍である。
【００９２】
これらの図において、ＣＤ０は、比較例を示している。当該比較例は、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定がなされていない点のみが実施例と相違する。他の「Ｇｐ２：ｘ数値」は、基本的に実施例を示しており、また、表記の数値は、第１ギャップＧｐ１に対する第２ギャップＧｐ２の倍率を示している。例えば、「Ｇｐ２：ｘ０．８５」であれば、この実施例の第２ギャップＧｐ２は、第１ギャップＧｐ１の０．８５倍である。なお、図１３（ａ）および図１３（ｂ）における「Ｇｐ２：ｘ１．００」は、距離ｘに係る（Ｉ）の設定がなされていないから、比較例である。
【００９３】
これらの比較例および実施例に共通の条件は、以下の通りである。
圧電体層２１の厚さ：０．５λ
比較例ＣＤ０を除く例（第２ギャップＧｐ２に係る第１調整方法を行った例）に共通の条件は以下のとおりである。
端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍ：１０本
なお、端部領域３ｂの電極指３２の第２ピッチＰｔ１ｂは各例において最適値とした。
【００９４】
これらの図では、第２ギャップＧｐ２が小さすぎても、大きすぎても、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側においてスプリアスが生じることが示されている。この結果から、以下のように、反射器電極指４２のピッチＰｔ２毎に、第２ギャップＧｐ２の値の範囲の一例が見出されてよい。
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０１、または
Ｐｔ１ａ×１．００５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０１５の場合：
Ｇｐ１×０．８５＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×１．００
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０２、または
Ｐｔ１ａ×１．０１５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０２５の場合：
Ｇｐ１×０．８０＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９５
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０３、または
Ｐｔ１ａ×１．０２５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０３５の場合：
Ｇｐ１×０．７５＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９０
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０４、または
Ｐｔ１ａ×１．０３５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０４５の場合：
Ｇｐ１×０．７５＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９０
また、上記の範囲を含む包括的な範囲として、
Ｇｐ１×０．７５＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×１．００
が見出されてよい。
【００９５】
（反射器電極指のピッチ毎に端部領域の第２ピッチを変更したシミュレーション）
反射器電極指４２のピッチＰｔ２を上記と同様に種々設定し、かつピッチＰｔ２の値毎に、端部領域３ｂにおける第２ピッチＰｔ１ｂを種々設定してシミュレーション計算を行った。
【００９６】
図１５（ａ）、図１５（ｃ）、図１６（ａ）および図１６（ｃ）は、その結果を示す図であり、図８（ａ）と同様の図である。また、図１５（ｂ）、図１５（ｄ）、図１６（ｂ）および図１６（ｄ）は、図１５（ａ）、図１５（ｃ）、図１６（ａ）および図１６（ｃ）の共振周波数側かつ共振周波数の低周波側における拡大図である。
【００９７】
これらの図は、反射器電極指４２のピッチＰｔ２が互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、主領域３ａの第１ピッチＰｔ１ａに対するピッチＰｔ２の倍率は、図１５（ａ）および図１５（ｂ）では１．０１倍、図１５（ｃ）および図１５（ｄ）では１．０２倍、図１６（ａ）および図１６（ｂ）では１．０３倍、図１６（ｃ）および図１６（ｄ）では１．０４倍である。
【００９８】
これらの図において、ＣＤ０は、図１３（ａ）等におけるＣＤ０と同一の比較例を示している。すなわち、当該比較例は、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定がなされていない点のみが実施例と相違する。他の「Ｐｔ１ｂ：ｘ数値」は、実施例を示しており、また、表記の数値は、主領域３ａにおける電極指３２の第１ピッチＰｔ１ａに対する端部領域３ｂにおける電極指３２の第２ピッチＰｔ１ｂの倍率を示している。例えば、「Ｐｔ１ｂ：ｘ０．９９０」であれば、この実施例の第２ピッチＰｔ１ｂは、第１ピッチＰｔ１ａの０．９９０倍である。
【００９９】
これらの比較例および実施例に共通の条件は、以下の通りである。
圧電体層２１の厚さ：０．５λ
実施例に共通の条件は以下のとおりである。
端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍ：１０本
なお、第２ギャップＧｐ２は、各例において最適値とした。
【０１００】
これらの図では、第２ピッチＰｔ１ｂが小さすぎても、大きすぎても、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側においてスプリアスが生じることが示されている。この結果から、以下のように、反射器電極指４２のピッチＰｔ２毎に、第２ピッチＰｔ１ｂの値の範囲の一例が見出されてよい。
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０１、または
Ｐｔ１ａ×１．００５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０１５の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９９０＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９８
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０２、または
Ｐｔ１ａ×１．０１５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０２５の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９８６＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９４
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０３、または
Ｐｔ１ａ×１．０２５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０３５の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９８４＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９２
Ｐｔ２＝Ｐｔ１ａ×１．０４、または
Ｐｔ１ａ×１．０３５≦Ｐｔ２＜Ｐｔ１ａ×１．０４５の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９８４≦Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９０
また、上記の範囲を含む包括的な範囲として、
Ｐｔ１ａ×０．９８４≦Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９８
が見出されてよい。
【０１０１】
（端部領域の電極指の本数毎に第２ギャップを変更したシミュレーション）
端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍを種々設定し、かつ本数ｍの値毎に、端部領域３ｂにおける第２ギャップＧｐ２を種々設定してシミュレーション計算を行った。
【０１０２】
図１７（ａ）〜図１７（ｃ）は、その結果を示す図であり、図１３（ｂ）と同様の図である。すなわち、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるインピーダンスの位相を示している。
【０１０３】
これらの図は、本数ｍが互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、本数ｍは、図１７（ａ）では６本、図１７（ｂ）では１０本、図１７（ｃ）では１６本である。
【０１０４】
これらの図において、ＣＤ０は、図１３（ａ）等におけるＣＤ０と同一の比較例を示している。すなわち、当該比較例は、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定がなされていない点のみが実施例と相違する。他の「Ｇｐ２：ｘ数値」は、図１３（ａ）と同様に、実施例の第２ギャップＧｐ２の値を示している。
【０１０５】
これらの比較例および実施例に共通の条件は、以下の通りである。
圧電体層２１の厚さ：０．５λ
実施例に共通の条件は以下のとおりである。
反射器電極指４２のピッチＰｔ２：第１ピッチＰｔ１ａ×１．０１８
なお、端部領域３ｂにおける電極指３２の第２ピッチＰｔ１ｂは、各実施例において最適値とした。
【０１０６】
これらの図では、図１３（ａ）〜図１４（ｄ）と同様に、第２ギャップＧｐ２が小さすぎても、大きすぎても、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側においてスプリアスが生じることが示されている。この結果から、以下のように、本数ｍ毎に、第２ギャップＧｐ２の範囲の一例が見出されてよい。
ｍ＝６またはｍ≦８の場合：
Ｇｐ１×０．８０＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９０
ｍ＝１０または８＜ｍ≦１４の場合：
Ｇｐ１×０．８０＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９５
ｍ＝１６または１４＜ｍ≦２０の場合：
Ｇｐ１×０．８０＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９５
なお、本数ｍが１０本の場合（図１７（ｂ））と１６本の場合（図１７（ｃ））とでは、上記の第２ギャップＧｐ２の範囲は同じである。
また、上記の範囲を含む包括的な範囲として、
Ｇｐ１×０．８０＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×０．９５
が見出されてよい。
上記のいずれの範囲も、種々の反射器電極指４２のピッチＰｔ２に対して第２ギャップＧｐ２を変化させたシミュレーション結果（図１３（ａ）〜図１４（ｄ））から得られた包括的な範囲（Ｇｐ１×０．７５＜Ｇｐ２＜Ｇｐ１×１．００）に含まれている。
【０１０７】
（端部領域の電極指の本数毎に端部領域の第２ピッチを変更したシミュレーション）
上記と同様に、端部領域３ｂにおける電極指３２の本数ｍを種々設定し、かつ本数ｍの値毎に、端部領域３ｂにおける第２ピッチＰｔ１ｂを種々設定してシミュレーション計算を行った。
【０１０８】
図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、その結果を示す図であり、図１３（ｂ）と同様の図である。すなわち、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるインピーダンスの位相を示している。
【０１０９】
これらの図は、本数ｍが互いに異なるシミュレーション結果を示している。具体的には、本数ｍは、図１８（ａ）では６本、図１８（ｂ）では１０本、図１８（ｃ）では１６本である。
【０１１０】
これらの図において、ＣＤ０は、図１３（ａ）等におけるＣＤ０と同一の比較例を示している。すなわち、当該比較例は、（Ｉ）および（ＩＩ）の設定がなされていない点のみが実施例と相違する。他の「Ｐｔ１ｂ：ｘ数値」は、図１５（ａ）と同様に、実施例の第２ピッチＰｔ１ｂの値を示している。
【０１１１】
これらの比較例および実施例に共通の条件は、以下の通りである。
圧電体層２１の厚さ：０．５λ
実施例に共通の条件は以下のとおりである。
反射器電極指４２のピッチＰｔ２：第１ピッチＰｔ１ａ×１．０１８
なお、第２ギャップＧｐ２は、各実施例において最適値とした。
【０１１２】
これらの図では、図１５（ａ）〜図１６（ｄ）と同様に、第２ピッチＰｔ１ｂが小さすぎても、大きすぎても、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側においてスプリアスが生じることが示されている。この結果から、以下のように、本数ｍ毎に、第２ピッチＰｔ１ｂの範囲の一例が見出されてよい。
ｍ＝６またはｍ≦８の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９８４＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９０
ｍ＝１０または８＜ｍ≦１４の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９８８＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９４
ｍ＝１６または１４＜ｍ≦２０の場合：
Ｐｔ１ａ×０．９９２＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９８
また、上記の範囲を含む包括的な範囲として、
Ｐｔ１ａ×０．９８４＜Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９８
が見出されてよい。
上記の包括的な範囲は、種々の反射器電極指４２のピッチＰｔ２に対して第２ギャップＧｐ２を変化させたシミュレーション結果（図１５（ａ）〜図１６（ｄ））から得られた包括的な範囲（Ｐｔ１ａ×０．９８４≦Ｐｔ１ｂ＜Ｐｔ１ａ×０．９９８）に含まれている。
【０１１３】
以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ素子１は、支持基板２０と、圧電体層２１と、ＩＤＴ電極３と、２つの反射器４とを有している。圧電体層２１は、支持基板２０上に重なっている。ＩＤＴ電極３は、圧電体層２１の上面２Ａに位置し、複数の電極指３２を有している。２つの反射器４は、圧電体層２１の上面２Ａに位置し、複数の反射器電極指４２を有し、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）においてＩＤＴ電極３を挟んでいる。ＩＤＴ電極３は、主領域３ａと、２つの端部領域３ｂとを有している。主領域３ａは、ＳＡＷの伝搬方向の両端部間に位置しており、電極指３２の電極指設計が一様である。２つの端部領域３ｂは、主領域３ａとは電極指設計が変調する部位から端部まで続き、主領域３ａを挟んで両側に位置している。反射器４は、反射器電極指４２の電極指設計で決まる共振周波数が主領域３ａの電極指３２の電極指設計で決まる共振周波数よりも低い。主領域３ａにおいて電極指３２の中心とこれに隣接する電極指３２の中心との間隔をａとする。端部領域３ｂを構成する電極指３２の数をｍとする。主領域３ａの電極指３２のうち最も端部領域３ｂの側に位置する電極指３２の中心と、反射器電極指４２のうち最も端部領域３ｂの側に位置する反射器電極指４２の中心との距離をｘとする。このとき、
０．５×ａ×（ｍ＋１）＜ｘ＜ａ×（ｍ＋１）
が満たされている。
【０１１４】
従って、既に述べたように、共振周波数付近かつ共振周波数の低周波側におけるスプリアスを低減するとともに、反共振周波数付近かつ反共振周波数の高周波側における損失を低減することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、電極指設計である設計パラメーター（本数、交差幅、ピッチ、デューティー、電極の厚み、周波数等）が特定の場合のみを示したが、本開示に係る技術はどのようなパラメーターのＳＡＷ素子についても、上記で説明した設計値（ｍ、Ｇｐ２、Ｐｔ１ｂなど）を最適値にすることにより、スプリアスを低減する効果を奏する。
【０１１６】
実施例のシミュレーション条件では、第２ギャップＧｐ２および第２ピッチＰｔ１ｂの一方を所定の値に調整しつつ、他方を最適値にすることについて触れた。この際、第１調整方法（第２ギャップＧｐ２を小さくする）と第２調整方法（第２ピッチＰｔ１ｂを小さくする）とが組み合わされてもよい。
【０１１７】
フィルタや分波器では、さまざまな本数、交差幅の共振子を複数組み合わせて特性を発揮させる。上記複数の共振子に対して、本開示に係るＳＡＷ素子が適用されてよい。この際、設計は従来の弾性波素子を使った場合と同様に行なうことができる。
【０１１８】
また、交差幅以外の設計パラメーター（本数、周波数、電極厚み等）を変更した場合は、変化部３００の位置（端部からの本数ｍ）、ギャップＧｐ等は適宜最適な値に設定すればよい。これには、モード結合法（ＣＯＭ（Coupling-Of-Modes）法）を用いたシミュレーションを用いればよい。具体的には、共振子の設計パラメーターを設定した上で、変化部３００の位置（端部からの本数ｍ）、ギャップＧｐ等を変化させてシミュレーションを行なうことにより、スプリアスが良好に低減される条件を見出すことができる。
【０１１９】
端部領域３ｂを構成する電極指３２の本数ｍは、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２の総本数によって理想的な本数があるが、これはＣＯＭ法を用いたシミュレーションによって決定することができる。また、この理想的な本数から外れてもスプリアスを低減することができる。ＳＡＷ素子１として一般的に設計されるＩＤＴ電極３を構成する電極指３２の総本数（約５０本から５００本）の範囲においては、本数ｍは５本から２０本程度で良好な特性を得ることができる。
【０１２０】
＜通信装置および分波器の構成の概要＞
図１９は、本開示の実施形態に係る通信装置１０１の要部を示すブロック図である。通信装置１０１は、電波を利用した無線通信を行なうものである。分波器７（例えばデュプレクサ）は、通信装置１０１において送信周波数の信号と受信周波数の信号とを分波する機能を有している。
【０１２１】
通信装置１０１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０３によって変調および周波数の引上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１０５によって送信用の通過帯域以外の不要成分が除去され、増幅器１０７によって増幅されて分波器７に入力される。分波器７は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯域以外の不要成分を除去してアンテナ１０９に出力する。アンテナ１０９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号に変換して送信する。
【０１２２】
通信装置１０１において、アンテナ１０９によって受信された無線信号は、アンテナ１０９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器７に入力される。分波器７は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯域以外の不要成分を除去して増幅器１１１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１１１によって増幅され、バンドパスフィルタ１１３によって受信用の通過帯域以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１０３によって周波数の引下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
【０１２３】
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えばアナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯域は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組合せのいずれであってもよい。
【０１２４】
図２０は、本開示の一実施形態に係る分波器７の構成を示す回路図である。分波器７は、図１９において通信装置１０１に使用されている分波器７である。ＳＡＷ素子１は、例えば分波器７における送信フィルタ１１のラダー型フィルタ回路を構成するＳＡＷ素子である。
【０１２５】
送信フィルタ１１は、複合基板２と、複合基板２上に形成された直列共振子Ｓ１〜Ｓ３および並列共振子Ｐ１〜Ｐ３とを有する。
【０１２６】
分波器７は、アンテナ端子８と、送信端子９と、受信端子１０と、アンテナ端子８と送信端子９との間に配置された送信フィルタ１１と、アンテナ端子８と受信端子１０との間に配置された受信フィルタ１２とから主に構成されている。
【０１２７】
送信端子９には増幅器１０７からの送信信号ＴＳが入力され、送信端子９に入力された送信信号ＴＳは、送信フィルタ１１において送信用の通過帯域以外の不要成分が除去されてアンテナ端子８に出力される。また、アンテナ端子８にはアンテナ１０９から受信信号ＲＳが入力され、受信フィルタ１２において受信用の通過帯域以外の不要成分が除去されて受信端子１０に出力される。
【０１２８】
送信フィルタ１１は、例えばラダー型ＳＡＷフィルタによって構成されている。具体的に送信フィルタ１１は、その入力側と出力側との間において直列に接続された３個の直列共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と、直列共振子同士を接続するための配線である直列腕と基準電位部Ｇとの間に設けられた３個の並列共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３とを有する。すなわち、送信フィルタ１１は３段構成のラダー型フィルタである。ただし、送信フィルタ１１においてラダー型フィルタの段数は任意である。
【０１２９】
並列共振子Ｐ１〜Ｐ３と基準電位部Ｇとの間には、インダクタＬが設けられている。このインダクタＬのインダクタンスを所定の大きさに設定することによって、送信信号の通過帯域外に減衰極を形成して帯域外減衰を大きくしている。複数の直列共振子Ｓ１〜Ｓ３および複数の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれＳＡＷ共振子からなる。
【０１３０】
受信フィルタ１２は、例えば、多重モード型ＳＡＷフィルタ１７と、その入力側に直列に接続された補助共振子１８とを有している。なお、本実施形態において、多重モードは２重モードを含むものである。多重モード型ＳＡＷフィルタ１７は平衡−不平衡変換機能を有しており、受信フィルタ１２は平衡信号が出力される２つの受信端子１０に接続されている。受信フィルタ１２は、多重モード型ＳＡＷフィルタ１７によって構成されるものに限られず、ラダー型フィルタによって構成されてもよいし、平衡−不平衡変換機能を有していないフィルタであってもよい。
【０１３１】
送信フィルタ１１、受信フィルタ１２およびアンテナ端子８の接続点と基準電位部Ｇとの間には、インダクタ等からなるインピーダンスマッチング用の回路を挿入してもよい。
【０１３２】
このような分波器７のＳＡＷ共振子として上述したＳＡＷ素子１を用いることにより、分波器７のフィルタ特性を向上させることができる。
【０１３３】
分波器７の送信側フィルタとして用いられる、いわゆるラダー型フィルタでは、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の共振周波数はフィルタ通過帯域の中央付近に設定される。また、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３は、その反共振周波数がフィルタ通過帯域の中央付近に設定される。従って、本開示に係る弾性波素子を直列共振子Ｓ１〜Ｓ３に用いた場合には、フィルタ通過帯域の中央付近および通過帯域の高周波側の境界付近における損失やリップルを改善することができる。また、本開示に係る弾性波素子を並列共振子Ｐ１〜Ｐ３に用いた場合には、フィルタ通過帯域の中央付近および通過帯域の低周波側の境界付近における損失やリップルを改善することができる。
【符号の説明】
【０１３４】
１  弾性波素子（ＳＡＷ素子）
２  複合基板
２Ａ  上面
２０  支持基板
２１  圧電体層
３  励振電極（ＩＤＴ電極）
３ａ  主領域
３ｂ  端部領域
３０  櫛歯電極
３０ａ  第１櫛歯電極
３０ｂ  第２櫛歯電極
３１  バスバー
３１ａ  第１バスバー
３１ｂ  第２バスバー
３２  電極指
３２ａ  第１電極指
３２ｂ  第２電極指
３００  変化部
Ｐｔ１  ピッチ
Ｐｔ１ａ  第１ピッチ
Ｐｔ１ｂ  第２ピッチ
Ｇｐ  ギャップ
Ｇｐ１  第１ギャップ
Ｇｐ２  第２ギャップ
４  反射器
４１  反射器バスバー
４２  反射器電極指
Ｐｔ２  ピッチ
５  保護層
７  分波器
８  アンテナ端子
９  送信端子
１０  受信端子
１１  送信フィルタ
１２  受信フィルタ
１５  導電層
１７  多重モード型ＳＡＷフィルタ
１８  補助共振子
１０１  通信装置
１０３  ＲＦ−ＩＣ
１０５  バンドパスフィルタ
１０７  増幅器
１０９  アンテナ
１１１  増幅器
１１３  バンドパスフィルタ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３  直列共振子
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３  並列共振子
【図１】
2019198594.tif 000003
【図２】
2019198594.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2019198594.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2019198594.tif 000022
【国際調査報告】
2019198594.tif 000023
2019198594.tif 000024
2019198594.tif 000025
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