(57)【要約】  組み立て作業を容易にすることができる電力変換装置を提供する。電力変換装置は、ブスバーの通電方向と平行にして前記ブスバーを挟むように対向した一対の磁石部と、前記ブスバーに流れる電流と前記一対の磁石部の磁束とにより前記ブスバーが歪んだ際に当該ブスバーの歪み量を検出する歪み検出部と、を備えた。当該構成によれば、歪み検出部は、ブスバーに流れる電流と一対の磁石部の磁束とによりブスバーが歪んだ際に当該ブスバーの歪み量を検出する。このため、電力変換装置の組み立て作業を容易にすることができる。
2020213082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブスバーの通電方向と平行にして前記ブスバーを挟むように対向した一対の磁石部と、
前記ブスバーに流れる電流と前記一対の磁石部の磁束とにより前記ブスバーが歪んだ際に当該ブスバーの歪み量を検出する歪み検出部と、
を備えた電力変換装置。
【請求項２】
前記歪み検出部は、前記一対の磁石部との間において前記ブスバーの表面に設けられ、当該ブスバーの表面が変形した際の前記歪み量を検出する請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記歪み検出部は、前記ブスバーの周囲に設けられ、前記ブスバーの表面の画像に基づいて非接触により当該ブスバーの表面が変化した際の前記歪み量を検出する請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記一対の前記磁石部と前記歪み検出部とは、一体化された請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記歪み検出部が前記ブスバーの前記歪み量を検出した際、当該歪み量が予め設定された閾値よりも大きい場合に、前記ブスバーに対応したスイッチング素子を開路する過電流保護部、
を備えた請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電力変換装置を開示する。当該電力変換装置において、過電流検出器は、過剰な負荷、短絡等が発生した場合に流れる過電流を検出する。その結果、整流用ダイオード、回生用トランジスタ等を保護し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本特開平１０−２３９３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の過電流検出装置においては、電線に流れる電流により発生した磁界を磁性体コアのギャップ内に配置されたホール素子に検出し、当該磁界の大きさを電圧値に変換する必要がある。この際、電流検出器の磁性体コアに電線を貫通させる必要がある。このため、電力変換装置の組み立て作業が複雑になる。【０００５】
この発明は、上述の課題を解決するためになされた。この発明の目的は、組み立て作業を容易にすることができる電力変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る電力変換装置は、ブスバーの通電方向と平行にしてブスバーを挟むように対向した一対の磁石部と、ブスバーに流れる電流と一対の磁石部の磁束とによりブスバーが歪んだ際に当該ブスバーの歪み量を検出する歪み検出部と、を備えた。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、歪み検出部は、ブスバーに流れる電流と一対の磁石部の磁束とによりブスバーが歪んだ際に当該ブスバーの歪み量を検出する。このため、電力変換装置の組み立て作業を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１における電力変換装置が適用されるエレベータシステムの構成図である。
【図２】実施の形態１における電力変換装置のインバータユニットの構成図である。
【図３】実施の形態１における電力変換装置のインバータユニットの要部の正面図である。
【図４】実施の形態１における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。
【図５】実施の形態１における電力変換装置のインバータユニットの要部の正面図である。
【図６】実施の形態１における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。
【図７】実施の形態２における電力変換装置のインバータユニットの要部の正面図である。
【図８】実施の形態２における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。
【図９】実施の形態３における電力変換装置のインバータユニットの要部の平面図である。
【図１０】実施の形態３における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。
【図１１】実施の形態４における電力変換装置の要部の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
この発明を実施するための形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【００１０】
実施の形態１．
図１は実施の形態１における電力変換装置が適用されるエレベータシステムの構成図である。
【００１１】
図１のエレベータシステムにおいて、図示されない昇降路は、図示されない建築物の各階を貫く。複数の乗場１の各々は、建築物の各階に設けられる。複数の乗場１の各々は、昇降路に対向する。
【００１２】
例えば、巻上機２は、図示されない機械室に設けられる。例えば、巻上機２は、昇降路の上部に設けられる。巻上機２は、昇降路の下部に設けられることもある。主ロープ３は、巻上機２に巻き掛けられる。
【００１３】
かご４は、昇降路の内部に設けられる。かご４は、主ロープ３の一側に吊るされる。釣合おもり５は、昇降路の内部に設けられる。釣合おもり５は、主ロープ３の他側に吊るされる。
【００１４】
例えば、制御盤６は、機械室に設けられる。例えば、制御盤６は、昇降路の上部に設けられる。制御盤６は、昇降路の下部に設けられることもある。制御盤６は、コンバータユニット７とインバータユニット８とを備える。コンバータユニット７とインバータユニット８とは、同様の内部構成を備える。
【００１５】
コンバータユニット７は、交流電源９からの交流電力を直流電力に変換する。インバータユニット８は、コンバータユニット７からの直流電力を交流電力に変換する。
【００１６】
巻上機２は、インバータユニット８からの交流電力により回転する。主ロープ３は、巻上機２の回転に追従して移動する。かご４と釣合おもり５とは、主ロープ３の移動に追従して互いに反対方向に昇降する。
【００１７】
次に、図２を用いて、インバータユニット８を説明する。
図２は実施の形態１における電力変換装置のインバータユニット８の構成図である。
【００１８】
図２に示されるように、インバータユニット８は、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２とＵ相アーム用電流検出部１３とＶ相アーム用電流検出部１４とＷ相アーム用電流検出部１５と主回路入力側電流検出部１６と主回路出力側電流検出部１７とを内蔵する。
【００１９】
ここで、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、電圧駆動型半導体と定義される。ＩＧＢＴは、外部接続用の端子として、コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子とを備える。
【００２０】
Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０は、スイッチング素子として、上アーム用ＩＧＢＴ１０ａと下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂとを内蔵する。３相交流電圧出力のインバータ動作において、上アーム用ＩＧＢＴ１０ａと下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂとは、交互にスイッチング動作する。
【００２１】
Ｖ相用ＩＧＢＴモジュール１１は、スイッチング素子として、上アーム用ＩＧＢＴ１１ａと下アーム用ＩＧＢＴ１１ｂとを内蔵する。３相交流電圧出力のインバータ動作において、上アーム用ＩＧＢＴ１１ａと下アーム用ＩＧＢＴ１１ｂとは、交互にスイッチング動作する。
【００２２】
Ｗ相用ＩＧＢＴモジュール１２は、スイッチング素子として、上アーム用ＩＧＢＴ１２ａと下アーム用ＩＧＢＴ１２ｂとを内蔵する。３相交流電圧出力のインバータ動作において、上アーム用ＩＧＢＴ１１ａと下アーム用ＩＧＢＴ１１ｂとは、交互にスイッチング動作する。
【００２３】
ここで、スイッチング動作は、ＩＧＢＴのコレクタ端子とエミッタ端子との間の電気的な接続に対する閉路または開路を行う動作と定義される。
【００２４】
Ｕ相アーム用電流検出部１３は、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０に流れ込む電流を検出する。例えば、スイッチング動作の過渡状態により上アーム用ＩＧＢＴ１０ａと下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂのコレクタ端子とエミッタ端子とが閉路した場合、Ｕ相アーム用電流検出部１３は、Ｐ側からＮ側に流れる過電流を検出する。
【００２５】
Ｖ相アーム用電流検出部１４は、Ｖ相用ＩＧＢＴモジュール１１に流れ込む電流を検出する。例えば、スイッチング動作の過渡状態により上アーム用ＩＧＢＴ１１ａと下アーム用ＩＧＢＴ１１ｂのコレクタ端子とエミッタ端子とが閉路した場合、Ｖ相アーム用電流検出部１４は、Ｐ側からＮ側に流れる過電流を検出する。
【００２６】
Ｗ相アーム用電流検出部１５は、Ｗ相用ＩＧＢＴモジュール１２に流れ込む電流を検出する。例えば、スイッチング動作の過渡状態により上アーム用ＩＧＢＴ１２ａと下アーム用ＩＧＢＴ１２ｂのコレクタ端子とエミッタ端子とが閉路した場合、Ｗ相アーム用電流検出部１５は、Ｐ側からＮ側に流れる過電流を検出する。
【００２７】
ここで、過渡状態は、ＩＧＢＴにおけるコレクタ端子とエミッタ端子との間の電気的な接続が閉路から開路までの状態となる期間または開路から閉路までの状態となる期間と定義される。
【００２８】
主回路入力側電流検出部１６は、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２とに流れ込む過電流を検出する。主回路出力側電流検出部１７は、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２とから流れ出る過電流を検出する。主回路出力側電流検出部１７は、Ｎ相側に設けられることもある。
【００２９】
次に、図３と図４とを用いて、インバータユニット８の要部を説明する。
図３は実施の形態１における電力変換装置のインバータユニット８の要部の正面図である。図４は実施の形態１における電力変換装置のインバータユニット８の要部の側面図である。
【００３０】
図３と図４とに示されるように、インバータユニット８は、Ｐ側用ブスバー１８とＮ側用ブスバー１９とを備える。ここで、Ｐ側用ブスバー１８とＮ側用ブスバー１９とのように、電力配線用として電流を流すために使用される導体材料は、ブスバーと定義される。
【００３１】
Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２との上アーム用のコレクタ端子は、Ｐ側用ブスバー１８により接続される。Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２との下アーム用のエミッタ端子は、Ｎ側用ブスバー１９により接続される。
【００３２】
Ｕ相アーム用電流検出部１３は、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０の内部の上アーム用ＩＧＢＴ１０ａ（図示されず）のコレクタ端子に接続するＰ側用ブスバー１８に設けられる。Ｖ相アーム用電流検出部１４は、Ｖ相用ＩＧＢＴモジュール１１の内部の上アーム用ＩＧＢＴ１１ａ（図示されず）のコレクタ端子に接続するＰ側用ブスバー１８に設けられる。Ｗ相アーム用電流検出部１５は、Ｗ相用ＩＧＢＴモジュール１２の内部の上アーム用ＩＧＢＴ１２ａ（図示されず）のコレクタ端子に接続するＰ側用ブスバー１８に設けられる。
【００３３】
Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０の内部の上アーム用ＩＧＢＴ１０ａと下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂとが異常な指令により、ＩＧＢＴのコレクタ端子とエミッタ端子との間が閉路した際、Ｐ相からＮ相にＵ相用ＩＧＢＴモジュール１０を通して過電流が流れる。上アーム用ＩＧＢＴ１０ａが閉路から開路し、下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂが開路から閉路した際、スイッチング動作が遅れた場合は、Ｐ相からＮ相にＵ相用ＩＧＢＴモジュール１０を通して過電流が流れる。Ｕ相アーム用電流検出部１３は、Ｐ相からＮ相にＵ相用ＩＧＢＴモジュール１０を通して流れる過電流を検出する。
【００３４】
同様に、Ｖ相アーム用電流検出部１４は、Ｐ相からＮ相にＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１を通して流れる過電流を検出する。同様に、Ｗ相アーム用電流検出部１５は、Ｐ相からＮ相にＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２を通して流れる過電流を検出する。
【００３５】
主回路入力側電流検出部１６は、Ｐ相からＮ相にＵ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１と及びＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２とを通して流れる過電流を検出する。Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０とＶ相用ＩＧＢＴモジュール１１とＷ相用ＩＧＢＴモジュール１２との各相においてそれぞれ過電流を検出する方法に比べて、主回路入力側電流検出部１６が用いられることにより、過電流検出部２６の数量が削減される。
【００３６】
次に、図５と図６とを用いて、インバータユニット８における電流の検出方法を説明する。
図５は実施の形態１におけるエレベータの電力変換装置のインバータユニットの要部の正面図である。図６は実施の形態１におけるエレベータの電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。
【００３７】
図５に示されるように、インバータユニット８は、電流検出部として、上部磁石２０と下部磁石２１と上部絶縁スペーサー２２と下部絶縁スペーサー２３と歪み検出部２４とを備える。
【００３８】
上部磁石２０と下部磁石２１とは、Ｐ側用ブスバー１８を上下から挟む一対の磁石部である。
【００３９】
上部絶縁スペーサー２２は、上部磁石２０とＰ側用ブスバー１８との間に取り付けられる。上部絶縁スペーサー２２は、上部磁石２０と金属製のＰ側用ブスバー１８との接触を防止する機能を持つ材料であればよい。下部絶縁スペーサー２３は、下部磁石２１とＰ側用ブスバー１８との間に取り付けられる。下部絶縁スペーサー２３は、下部磁石２１と金属製のＰ側用ブスバー１８との接触を防止する機能を持つ材料であればよい。
【００４０】
その結果、図６に示されるように、Ｐ側用ブスバー１８は、下側から上側に向かって磁束の影響を受け続ける。この際、図５に示されるように、Ｐ側用ブスバー１８において、電流は、左側から右側に流れる。
【００４１】
図６において、Ｐ側用ブスバー１８の周囲は、右ねじの法則より反時計方向に磁界が発生する。上部磁石２０と下部磁石２１とによる磁界と反時計方向に発生した磁界とにより、Ｐ側用ブスバー１８の右側において、それぞれの磁界は、下側から上側の方向となる。一方、Ｐ側用ブスバー１８の左側において、それぞれの磁界は、互いに逆方向となる。このため、磁界の大きさが小さくなる。なお、右ねじの法則は、電流と磁束の向きに関する法則であり、電流を右ねじが進む方向に直進させると、磁束が右ねじの回転方向に生じる法則である。
【００４２】
その結果、図６において、Ｐ側用ブスバー１８は、右側から左側の方向に応力を受け、側面に応力による歪みが発生する。
【００４３】
Ｐ側用ブスバー１８が受ける応力をＦ［Ｎ］、磁界に対して垂直にある部分のＰ側用ブスバー１８の長さをＬ［ｍ］、Ｐ側用ブスバー１８に流れる電流をＩ［Ａ］、Ｐ側用ブスバー１８が受ける磁束密度をＢ［Ｔ］とすると、Ｆ［Ｎ］＝Ｂ［Ｔ］×Ｌ［ｍ］×Ｉ［Ａ］が成立する。なお、括弧内の記号は、物理量の単位を示す。
【００４４】
Ｐ側用ブスバー１８の長さＬ［ｍ］とＰ側用ブスバー１８が受ける磁束密度Ｂ［Ｔ］とは、予め設定された値となる。このとき、Ｐ側用ブスバー１８が受ける応力Ｆ［Ｎ］は、Ｐ側用ブスバー１８に流れる電流Ｉ［Ａ］との間において相関関係を持つ。
【００４５】
歪み検出部２４は、Ｐ側用ブスバー１８が変形した際の応力Ｆ［Ｎ］に対応した歪み量を検出して、Ｐ側用ブスバー１８に流れる電流を電気信号の出力に変換する。歪み検出部２４から得られる電気信号の出力は、Ｐ側用ブスバー１８に流れる電流と相関関係がある。ここで、歪み検出部２４により検出する応力は、歪み力と定義される。
【００４６】
歪み検出部２４において、Ｐ側用ブスバー１８の表面において、流れる電流に平行なＸ軸方向の応力、Ｘ軸に垂直のＹ軸方向の応力、Ｐ側用ブスバー１８の表面から鉛直方向のＺ軸方向の応力を検出したり、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の合成した応力を利用したりしてもよい。
【００４７】
歪み検出部２４は、材料に加わる外力に比例して材料が伸びたり縮んだりする変形の量を検出して、電気信号として出力する。歪み検出部２４は、表面が電気的に絶縁された被服により覆われた導電材料の金属線を使用すればよい。
【００４８】
金属線の電気抵抗の大きさは、断面積に反比例し、長さに比例する。金属線を引っ張ると断面積は減少し、長さは増加する。このため、電気抵抗は大きくなる。逆に、圧縮すると、電気抵抗は小さくなる。
【００４９】
金属線の伸びまたは縮みは、電気抵抗の変化と一定の定数（ゲージ率）の積により算出される。歪み量を測定したいブスバーに対し、当該金属線を接着すれば、金属体の伸び縮みに従って、金属線も伸び縮みする。このため、当該金属線の電気抵抗の変化を測定することにより伸び縮みにより発生する歪み量が算出される。
【００５０】
Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相、及びＮ側のそれぞれの電流検出部も同様に設けられる。
【００５１】
当該電流検出部は、エレベータの電力変換装置以外に、直流送電などの電力関連分野の過電流検出手段としても活用され得る。
【００５２】
以上で説明した実施の形態１によれば、電力変換装置の部品を組み立てた後に、ブスバーに上部磁石２０と下部磁石２１、及びブスバー側面に歪み検出部２４を組み付けることができる。このため、電流検出器にブスバーを貫通させる必要がない。その結果、電力変換装置を容易に組み立てることができる。さらに、故障に伴う電流検出器の交換作業が容易になる。
【００５３】
実施の形態２．
図７は実施の形態２における電力変換装置のインバータユニットの要部の正面図である。図８は実施の形態２における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
【００５４】
図８において、撮影装置２５は、２次元の画像に加え高さ方向の情報を加えた３次元の画像撮影機能を備える。３次元の画像撮影機能は、２次元を撮影する撮影装置を２個以上用意して、三角測量手段による画像を３次元化して処理する機能でもよい。
【００５５】
撮影装置２５は、歪み検出手段として、Ｐ側用ブスバー１８の周囲に設けられる。撮影装置２５は、Ｐ側用ブスバー１８の側面の凹凸を撮影して、３次元画像により歪み量を測定する。
【００５６】
撮影装置２５は、物体の形状を検出するレーザ距離計でもよい。レーザ距離計は、レーザ出射装置とレーザ検出装置とを備える。例えば、レーザ距離計は、レーザ出射装置からレーザ光をパルス状に照射し、物体に反射して帰ってきたレーザ光をレーザ検出装置により検出する。レーザ距離計は、当該レーザ光が出射後、物体に反射して帰ってくるまでの時間を利用して、レーザ距離計から物体までの距離を計測する。レーザ距離計は、当該距離を用いて物体間の距離を計測して、Ｐ側用ブスバー１８の表面の凹凸を算出する。撮影装置２５は、超音波、磁界、電界等を用いた方式でもよく、物体の表面の凹凸または歪みを検出できればよい。
【００５７】
以上で説明した実施の形態２によれば、実施の形態１と同様に、電力変換装置を容易に組み立てることができる。さらに、故障に伴う電流検出器の交換作業が容易になる。加えて、非接触手段により過電流を検出することができる。
【００５８】
実施の形態３．
図９は実施の形態３における電力変換装置のインバータユニットの要部の平面図である。図１０は実施の形態３における電力変換装置のインバータユニットの要部の側面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
【００５９】
過電流検出部２６は、Ｕ字状に形成される。過電流検出部２６は、歪み検出部２４と上部磁石２０と下部磁石２１とを一体化する。
【００６０】
上部磁石２０と下部磁石２１とは、絶縁材料により固定された一体構造である。絶縁材料は、上部磁石２０と下部磁石２１との磁束を遮蔽しない材料であればよい。絶縁材料は、Ｐ側用ブスバー１８の表面の歪みが歪み検出部２４により検出できる程度に柔軟な材料であればよい。
【００６１】
歪み検出部２４は、過電流検出部２６のＵ字状の内側表面に設けられる。歪み検出部２４は、Ｐ側用ブスバー１８と接触した状態によりＰ側用ブスバー１８の表面の歪みを検出する。
【００６２】
以上で説明した実施の形態３によれば、実施の形態１と同様に、電力変換装置を容易に組み立てることができる。さらに、故障に伴う電流検出器の交換作業が容易になる。
【００６３】
実施の形態４．
図１１は実施の形態４における電力変換装置の要部の回路図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
【００６４】
図１１に示されるように、インバータユニット８は、過電流保護部２７を備える。過電流保護部２７は、ＰＷＭ回路２８と増幅回路２９と比較回路３０とＦＥＴ回路３１とを備える。
【００６５】
ＰＷＭ回路２８は、インバータユニット８のインバータ動作において、Ｕ相側下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂのコレクタ端子とエミッタ端子との間を開路または閉路する信号を出力する。
【００６６】
増幅回路２９は、Ｕ相アーム用電流検出部１３が出力する信号の入力を受け付ける。増幅回路２９は、当該信号を増幅する。
【００６７】
比較回路３０は、基準電圧源３０ａとコンパレータ回路３０ｂとを備える。
【００６８】
基準電圧源３０ａは、基準となる電圧を出力する。ここで、基準電圧源３０ａの基準となる電圧値は、基準電圧値Ｖｒｅｆと定義される。
【００６９】
例えば、コンパレータ回路３０ｂは、オペアンプを使用した回路である。コンパレータ回路３０ｂの入力端子（−）は、基準電圧源３０ａの出力端子に接続される。コンパレータ回路３０ｂの入力端子（＋）は、増幅回路２９の出力端子に接続される。コンパレータ回路３０ｂは、増幅回路２９により増幅された信号の電圧値と基準電圧源３０ａにより出力された基準電圧値Ｖｒｅｆとを比較する。コンパレータ回路３０ｂは、２つの入力電圧を比較して判定する回路であればよい。
【００７０】
なお、基準電圧値Ｖｒｅｆがコンパレータ回路３０ｂの入力端子（＋）に入力され、増幅回路２９により増幅された信号がコンパレータ回路３０ｂの入力端子（−）に入力されてもよい。コンパレータ回路３０ｂの出力回路に、電圧の反転回路を用意してもよい。
【００７１】
増幅回路２９により増幅された信号が基準電圧値Ｖｒｅｆ未満である場合、コンパレータ回路３０ｂは、Ｌ信号を出力する。増幅回路２９により増幅された信号が基準電圧値Ｖｒｅｆ以上である場合、コンパレータ回路３０ｂは、Ｈ信号を出力する。
【００７２】
ＦＥＴ回路３１の外部接続用の端子は、ドレイン端子とソース端子とゲート端子とである。ＦＥＴ回路３１のゲート端子は、コンパレータ回路３０ｂの出力端子に接続される。ＦＥＴ回路３１のドレイン端子は、Ｕ相側下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂのゲート端子とＰＷＭ回路２８との間に接続される。ＦＥＴ回路３１の開路は、ＦＥＴ回路３１のゲート端子がＬ信号である際におけるドレイン端子とソース端子との間の電気的な接続における開路状態と定義される。ＦＥＴ回路３１の閉路は、ＦＥＴ回路３１のゲート端子がＨ信号である際におけるドレイン端子とソース端子の間の電気的な接続における閉路状態と定義される。
【００７３】
コンパレータ回路３０ｂの出力がＨ信号である場合、当該Ｈ信号は、ＦＥＴ回路３１のゲート端子に入力される。このため、ＰＷＭ回路２８の出力がＨ信号でも、Ｕ相側下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂのゲート端子の入力は、Ｌ信号となる。その結果、Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール１０において、Ｕ相側下アーム用ＩＧＢＴ１０ｂのコレクタ端子とエミッタ端子のとの間が閉路する。
【００７４】
以上で説明した実施の形態４によれば、Ｕ相アーム用電流検出部１３からの信号により過電流保護部２７を形成して、電力変換装置を過電流から保護することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
以上のように、この発明に係る電力変換装置は、エレベータシステムに利用できる。
【符号の説明】
【００７６】
１  乗場、  ２  巻上機、  ３  主ロープ、  ４  かご、  ５  釣合おもり、  ６  制御盤、  ７  コンバータユニット、  ８  インバータユニット、  ９  交流電源、  １０  Ｕ相用ＩＧＢＴモジュール、  １０ａ  上アーム用ＩＧＢＴ、  １０ｂ  下アーム用ＩＧＢＴ、  １１  Ｖ相用ＩＧＢＴモジュール、  １１ａ  上アーム用ＩＧＢＴ、  １１ｂ  下アーム用ＩＧＢＴ、  １２  Ｗ相用ＩＧＢＴモジュール、  １２ａ  上アーム用ＩＧＢＴ、  １２ｂ  下アーム用ＩＧＢＴ、  １３  Ｕ相アーム用電流検出部、  １４  Ｖ相アーム用電流検出部、  １５  Ｗ相アーム用電流検出部、  １６  主回路入力側電流検出部、  １７  主回路出力側電流検出部、  １８  Ｐ側用ブスバー、  １９  Ｎ側用ブスバー、  ２０  上部磁石、  ２１  下部磁石、  ２２  上部絶縁スペーサー、  ２３  下部絶縁スペーサー、  ２４  歪み検出部、  ２５  撮影装置、  ２６  過電流検出部、  ２７  過電流保護部、  ２８  ＰＷＭ回路、  ２９  増幅回路、  ３０  比較回路、  ３０ａ  基準電圧源、  ３０ｂ  コンパレータ回路、  ３１  ＦＥＴ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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