(57)【要約】  ボンディングワイヤによりシールド部材を形成する際に、弧の高さの異なる複数のボンディングワイヤを用いることにより、任意の位置のボンディングワイヤの配置間隔を小さくしてシールド性能を強化することができる高周波モジュールを提供する。  高周波モジュール１ａは、多層配線基板２と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された部品３ａ〜３ｅと、部品３ａに沿って配置されたシールド部材６と、封止樹脂層４と、シールド膜５とを備え、シールド部材６は、弧の高さの異なる複数のボンディングワイヤ６ａ〜６ｄにより形成される。各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄは、弧の高さの低いものを、弧の高さの高いものが順次入れ子状に跨ぐように配置されることにより、任意の位置のボンディングワイヤの配置間隔を小さくすることができ、シールド性能を強化させることができる。
2019230705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の主面に実装された第１部品と、
複数の弧状のボンディングワイヤで構成された、少なくとも前記第１部品をシールドするためのシールド部材と、
前記配線基板の前記主面に形成され、それぞれ、いずれかの前記ボンディングワイヤの端部が接続される複数の接続電極と、
前記第１部品および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止樹脂層とを備え、
前記複数の接続電極は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続されるものと、他端部が接続されるものとを含めて、前記配線基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品の端縁に沿って一列に配列されており、
前記複数のボンディングワイヤの中には、弧の高さが異なるものがあり、弧の高さの高い方の前記ボンディングワイヤは、弧の高さの低い方の前記ボンディングワイヤを跨いでいる
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記配線基板の前記主面に実装された第２部品をさらに備え、
前記シールド部材は、前記第１部品と前記第２部品とに挟まれている部分と、前記第１部品と前記第２部品とに挟まれていない部分とがあり、
前記複数の接続電極のうち、前記第１部品と前記第２部品に挟まれている部分に配置されるものは、前記第１部品と前記第２部品に挟まれていない部分に配置されるものよりも、隣接する前記接続電極の間隔が狭い、
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記複数の接続電極は、
前記第１部品と前記第２部品に挟まれている部分に配置されるものは、前記ボンディングワイヤの両端部のうち、接合の始点となる端部が接続され、
前記第１部品と前記第２部品に挟まれていない部分に配置されるものは、前記ボンディングワイヤの両端部のうち、接合の終点となる端部が接続される
ことを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記弧の高さが低い方のボンディングワイヤが複数あり、
当該弧の高さが低い方のボンディングワイヤの端部が接続される前記接続電極は、いずれも、前記弧の高さが高い方のボンディングワイヤの一端部が接続される前記接続電極と、他端部が接続される前記接続電極との間に配置されることにより、前記弧の高さが高い方のボンディングワイヤが、当該複数の弧の高さが低い方の前記ボンディングワイヤを跨いでいることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記主面に当接する当接面と、前記当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、
前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを少なくとも被覆するシールド膜をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記弧の高さが高い方のボンディングワイヤは、一部が前記封止樹脂層の前記対向面から露出して、前記シールド膜に接触していることを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記複数のボンディングワイヤは、いずれも少なくとも一端部が前記接続電極を介して、前記配線基板に形成された共通のグランド電極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールドを備える高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
通信端末装置などの電子機器に内蔵されているマザー基板には、種々の高周波モジュールが実装されている。この種の高周波モジュールの中には、配線基板に実装された部品が封止樹脂層で封止されるものがある。また、部品に対するノイズを遮蔽するために、封止樹脂層の表面をシールド膜で被覆する場合もある。配線基板に複数の部品が実装される場合では、特定の部品に対してのみノイズを遮蔽したい場合があるが、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜では、特定の部品に対してのみシールドを行うのが困難であり、設計自由度が低い。そこで、設計自由度が高いシールド部材の配置が可能な高周波モジュールが提案されている。例えば、図１１に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００では、配線基板１０１に部品１０２が実装される。そして、複数のワイヤボンド１０３が部品１０２の周りに配置されており、これらのワイヤボンド１０３により、部品１０２がシールドされる。このようにすると、シールドが必要な箇所のみにワイヤボンド１０３を実装すればよいため、設計自由度が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５２７６１６９号公報（段落００２１〜００２４、図３等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような高周波モジュール１００においては、ワイヤボンド１０３を所定間隔で配列してシールド部材を構成するが、シールド性能を強化させるためにはワイヤボンド１０３が密に配置されるよう、ワイヤボンド１０３の配置間隔を小さくするのがよい。たとえば、ワイヤボンド１０３の始点であるファーストボンド側の端部と、終点であるセカンドボンド側の端部との間隔を小さくすることにより、ワイヤボンド１０３を密に配置することが考えられる。しかしながら、この場合、ワイヤボンド１０３の弧の高さが同じで、ファーストボンド側の端部とセカンドボンド側の端部の間隔が小さくなるため、ワイヤボンド１０３が変形しやすくなり、部品１０２に接触するおそれがある。このため、ワイヤボンド１０３と部品１０２との間に一定の間隔を設ける必要が生じ、その結果、実装面積が大きくなってしまい、モジュールが大型化する、という問題がある。また、セカンドボンド側では、ワイヤの曲げをコントロールすることが難しいため裾引き形状にする必要があり、ファーストボンド側の端部とセカンドボンド側の端部との間隔を小さくするのにも限界がある。【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、ボンディングワイヤの端部同士の間隔を小さくしてシールド性能を向上させつつ、部品とボンディングワイヤとの間隔も小さくして、実装密度を向上させた高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の主面に実装された第１部品と、複数の弧状のボンディングワイヤで構成された、少なくとも前記第１部品をシールドするためのシールド部材と、前記配線基板の前記主面に形成され、それぞれ、いずれかの前記ボンディングワイヤの端部が接続される複数の接続電極と、前記第１部品および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止樹脂層とを備え、前記複数の接続電極は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続されるものと、他端部が接続されるものとを含めて、前記配線基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品の端縁に沿って一列に配列されており、前記複数のボンディングワイヤの中には、弧の高さが異なるものがあり、弧の高さの高い方の前記ボンディングワイヤは、弧の高さの低い方の前記ボンディングワイヤを跨いでいることを特徴としている。【０００７】
この構成によれば、１つのボンディングワイヤのファーストボンド側の端部とセカンドボンド側の端部は、弧の高さが低いボンディングワイヤのほうが、当該端部の間隔を小さくできるため、ボンディングワイヤが変形しにくい。よって、ボンディングワイヤが部品に接触することなく、所望の位置のワイヤの密度を高くしてシールド性能を強化することができる。また、各ボンディングワイヤと部品との間隔も小さくすることができるため、モジュールの実装密度を高くすることができ、設計自由度を向上させることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ボンディングワイヤと部品とを接触させずに、各ボンディングワイヤの配置間隔を小さくすることができる。また、ボンディングワイヤと部品との間隔も小さくすることができるため、モジュールの実装密度を向上させることができ、設計自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図２】図１の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図４】図３の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。
【図５】図３の高周波モジュールのボンディングワイヤ配置の変形例を示す図である。
【図６】図５の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図８】図７の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。
【図９】図７の高周波モジュールのボンディングワイヤ配置の変形例を示す図である。
【図１０】図９の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。
【図１１】従来の高周波モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図１〜図２を参照して説明する。なお、図１は図２のＡ−Ａ矢視断面図、図２は高周波モジュール１ａのシールド膜５を除いた状態の平面図である。
【００１１】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、多層配線基板２（本発明の「配線基板」に相当）と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３ａ〜３ｅと、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜５と、多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数のボンディングワイヤ６ａ〜６ｄからなるシールド部材６と、接続電極７と、各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄの端部が接続される複数の接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄとを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。
【００１２】
多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミック、高温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ〜２ｄが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「配線基板の一方主面」に相当）には、各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄの端部が接続される接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄや部品３ａ〜３ｅの実装電極（図示省略）が形成される。なお、図１、図２に示す４個の接続電極７は、２個ずつが別途ボンディングワイヤにより接続されている。多層配線基板２の下面２０ｂには、外部接続用の複数の外部電極８が形成される。また、隣接する絶縁層２ａ〜２ｄ間それぞれに、各種の内部配線電極９が形成されるとともに、多層配線基板２の内部には、絶縁層２ａ〜２ｄに形成された内部配線電極９同士を接続するための複数のビア導体１０が形成される。なお、各接続電極７、７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄ、各実装電極、各外部電極８および各内部配線電極９は、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１０は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各接続電極７、７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄ、各実装電極、各外部電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。とくに、ボンディングワイヤは通常Ａｕ線であり、ボンディングワイヤと接続電極とがＡｕ−Ａｕ接合となるように、各接続電極７、７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄの最表面はＡｕめっきが形成されている。
【００１３】
部品３ａ〜３ｅは、IＣやＰＡ（パワーアンプ）などの半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成され、半田接合などの一般的な表面実装技術により多層配線基板２に実装される。
【００１４】
封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成され、各部品３ａ〜３ｄを封止する。また、封止樹脂層４は、多層配線基板２に当接する下面４ｂ（本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当）と、該下面４ｂに対向する上面４ａ（本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当）と、側面４ｃとを有する。
【００１５】
シールド部材６は、複数のボンディングワイヤ６ａ〜６ｄで形成され、部品３ａと部品３ｃとの間のコンパートメントシールドとして機能する。各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄは、一般的にワイヤボンディングに利用されるＡｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属ワイヤであり、それぞれ弧の高さが異なっており、弧の高さの低いボンディングワイヤを弧の高さの高いボンディングワイヤが跨ぐように配置されている。具体的には、図１に示すように最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６ａをボンディングワイヤ６ｂが跨ぎ、ボンディングワイヤ６ｂをボンディングワイヤ６ｃが跨ぎ、ボンディングワイヤ６ｃをボンディングワイヤ６ｄが跨ぐように配置されている。すなわち、各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄが入れ子状にそれぞれ１つのボンディングワイヤを跨ぐように配置されている。また、各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄの端部は複数の接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄにそれぞれ接続されている。各接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄは、図２に示すように、部品３ａの一辺に沿って一列に配列されている。なお、ここでいう「一列に配列されている」ことには、製造ばらつきによる接続電極の配置ずれ程度は含まれるものとする。
【００１６】
このように各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄが配置されることにより、シールド部材６は、部品３ａ（本発明の「第１部品」に相当する）と部品３ｃ（本発明の「第２部品」に相当する）との間のコンパートメントシールドとして機能する。なお、最も弧の高さの高いボンディングワイヤ６ｄは、封止樹脂層４の上面４ａから一部が露出してシールド膜５に接触している。ボンディングワイヤ６ｄの一部がシールド膜５に接触することで、シールド性能をより向上させることができる。なお、各接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄは、それぞれ多層配線基板２に形成されたグランド電極（図示省略）に接続されている。ここでは、各接続電極７０ａ〜７０ｄ、および７１ａ〜７１ｄはそれぞれ個別に設けられているが、たとえば、接続電極７０ａ〜７０ｄを共通の電極として、グランド電極に接続してもよい。同様に、接続電極７１ａ〜７１ｄを共通の電極として、グランド電極に接続してもよい。一方、接続電極を共通化すると、各ボンディングワイヤ６ａ〜６ｄは接触してもよいことになるが、これらが接触すると、変形したりして部品に接触してしまうおそれがあるため、当該ボンディングワイヤ同士は接触しないほうがよい。
【００１７】
図２に示すように、シールド部材６は部品３ａと部品３ｃとの間に配置されている。特に部品３ａと部品３ｃとの間のシールド性能を強化させるため、部品３ａと部品３ｃとで挟まれた位置、すなわち、部品３ａと部品３ｃが対向している部分に挟まれた領域、における、ボンディングワイヤ同士の間隔が小さくなるように配置するとよい。例えば、部品３ａと部品３ｃとの間に、弧の高さの低いボンディングワイヤ６ａ、６ｂを配置することにより、両ボンディングワイヤ６ａ、６ｂのファーストボンド（本発明の「接合の始点」に相当する）側の端部とセカンドボンド（本発明の「接合の終点」に相当する）側の端部との間隔を小さくすることができる。弧の高さの高いボンディングワイヤのファーストボンド側端部とセカンドボンド側端部との間隔を小さくすると、ワイヤが変形しやすくなり、部品へ接触する恐れがあるが、本願においては、ファーストボンド側端部とセカンドボンド側端部との間隔が小さい箇所に、弧の高さの低いボンディングワイヤが形成されているため、ワイヤの変形を抑制して部品への接触を防ぎつつ、ワイヤ同士の間隔を狭くすることができる。
【００１８】
図２に示すように、部品３ａと部品３ｃが対向している部分に挟まれた領域に配置された接続電極７０ａ、７０ｂ、７１ａ、７１ｂの配置間隔は、その他の接続電極７０ｃ、７０ｄ、７１ｃ、７１ｄの配置間隔よりも狭くなっている。このように配置することにより、上述したように、部品３ａと部品３ｃとの間のシールド性能を強化することができる。ボンディングワイヤ６ａのファーストボンド側端部が接続された接続電極７０ａと、ボンディングワイヤ６ａのセカンドボンド側端部が接続された接続電極７１ａとの間隔は、ボンディングワイヤ６ａの弧の高さを低くすることにより小さくすることができる。また、ボンディングワイヤ６ａのファーストボンド側端部に接続された接続電極７０ａとボンディングワイヤ６ｂのファーストボンド側端部に接続された接続電極７０ｂとは、ファーストボンド側端部同士であるため配置間隔を小さくすることができる。ボンディングワイヤ６ａを跨ぐようにボンディングワイヤ６ｂを形成することにより、ボンディングワイヤ６ａのセカンドボンド側端部に接続された接続電極７１ａとボンディングワイヤ６ｂのセカンドボンド側端部に接続された接続電極７１ｂとの間隔も小さくすることができる。
【００１９】
一方、ボンディングワイヤ６ｃ、６ｄは弧の高さが高く、それぞれのファーストボンド側端部が接続された接続電極７０ｃ、７０ｄと、それぞれのセカンドボンド側端部が接続された接続電極７１ｃ、７１ｄとは、それぞれ間隔が大きく配置されている。一般的に、ボンディングワイヤは弧の高さが低いほど、また、接続電極（ワイヤの両端部）の間隔が大きいほど変形しにくい性質がある。これは、同じ接続電極の間隔であっても、ワイヤの弧の高さ（ループ高さ）が高くなると、ワイヤ長が長くなり、ワイヤのねじれ量も大きくなるからである。特に、接続電極の間隔が小さい場合には、ワイヤのループ高さを高くすると、ループの頂点での変形がより大きくなり、これにより、ワイヤのねじれが大きくなって変形しやすい。この実施形態では、接続電極の間隔を小さく配置したい部分には弧の高さの低いボンディングワイヤ６ａ、６ｂを配置し、接続電極の間隔が大きくてもかまわない部分には、弧の高さの高いボンディングワイヤ６ｃ、６ｄを配置している。このようにして、シールド性能の向上とボンディングワイヤの変形の防止を両立させることが可能となる。
【００２０】
シールド膜５は、封止樹脂層４の表面（上面４ａ、側面４ｃ）と多層配線基板２の側面２０ｃとを被覆する。また、シールド膜５は、多層配線基板２の側面２０ｃに露出したグランド電極（図示省略）に接続される。
【００２１】
シールド膜５は、封止樹脂層４の上面４ａに積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。ここで、密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳなどの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜５の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。
【００２２】
したがって、上記した実施形態によれば、シールド性能を強化したい部分には、弧の高さの低いボンディングワイヤ６ａ、６ｂを配置することにより、接続電極７０ａ、７０ｂ、７１ａ、７１ｂの配置間隔を小さくすることができる。さらに、ボンディングワイヤ６ａ、６ｂは弧の高さが低いため、部品３ａ、３ｃに接触する恐れがなく、部品３ａ、３ｃとシールド部材６との間の距離を小さくすることができるため、高周波モジュール１ａの実装密度を高めることができる。また、接続電極７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄを一列に配列し、弧の高さの低いボンディングワイヤを弧の高さの高いボンディングワイヤが跨ぐように配置することで、シールド対象の部品の任意の位置にコンパートメントシールドを形成することが可能であり、部品に対するシールド性能を向上させることができる。
【００２３】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図３〜図４を参照して説明する。なお、図３は高周波モジュール１ｂの断面図であって、図４のＢ−Ｂ矢視断面図、図４は高周波モジュール１ｂのシールド膜５を除いた状態の平面図である。
【００２４】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１〜図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図３〜図４に示すように、各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側端部に接続された接続電極７２ａ〜７２ｃの配置間隔がセカンドボンド側端部に接続された接続電極７３ａ〜７３ｃの配置間隔よりも小さくなるように、各接続電極７が配置されている点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００２５】
この実施形態では、部品３ａと部品３ｃとの間のシールド部材６０が、ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃにより形成されている。部品３ａと部品３ｃとの間に各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側端部が接続される接続電極７２ａ〜７２ｃが配置される。多層配線基板２の上面２０ａに垂直な方向において、各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側は高さを出すことが容易であり、セカンドボンド側は高さのコントロールが難しい。このため、シールド性能を強化したい部品３ａと部品３ｃとの間に各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側端部を配置し、配置間隔を小さくすることにより、部品３ａと部品３ｃとの間のボンディングワイヤの密度を高くしてシールド性能を強化させることができる。
【００２６】
したがって、上記した実施形態によれば、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の効果に加えて、各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側端部に接続される接続電極７２ａ〜７２ｃの配置間隔を、セカンドボンド側端部に接続される接続電極７３ａ〜７３ｃの配置間隔よりも小さくすることにより、任意の位置のシールド性能を強化させることができる。
【００２７】
（ボンディングワイヤの変形例）
上記した実施形態では、線状に配置されたシールド部材６０の一方側に、各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのファーストボンド側端部に接続される接続電極７２ａ〜７２ｃが配置され、他方側に、各ボンディングワイヤ６０ａ〜６０ｃのセカンドボンド側端部に接続される接続電極７３ａ〜７３ｃが配置されていたが、図５および図６に示す高周波モジュール１ｃのように、シールド部材６１の中央部に各ボンディングワイヤ６１ａ〜６１ｄのファーストボンド側端部に接続される接続電極７４ａ〜７４ｄが配置され、シールド部材６１の両端部に各ボンディングワイヤ６１ａ〜６１ｄのセカンドボンド側端部に接続される接続電極７５ａ〜７５ｄが配置されていてもよい。このとき、部品３ａと部品３ｃとで挟まれた位置、すなわち、部品３ａと部品３ｃが対向している部分に挟まれた領域に、ファーストボンド側用の接続電極７４ａ〜７４ｄが配置されることになる。このように、各ボンディングワイヤ６１ａ〜６１ｄおよび各接続電極７４ａ〜７４ｄ、７５ａ〜７５ｄの配置を変えることにより、任意の位置のシールド性能を強化させることができる。
【００２８】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｄについて、図７〜図８を参照して説明する。なお、図７は高周波モジュール１ｄの断面図であって、図８のＤ−Ｄ矢視断面図、図８は図７のシールド膜５を除いた状態の平面図である。
【００２９】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｄが、図１〜図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図７および図８に示すように、各ボンディングワイヤ６２ａ〜６２ｄが入れ子状にそれぞれ１つのボンディングワイヤを跨ぐのではなく、ボンディングワイヤ６２ｃが２つのボンディングワイヤ６２ａ、６２ｂを跨ぎ、ボンディングワイヤ６２ｄがボンディングワイヤ６２ｃを跨いでいる点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００３０】
この実施形態では、弧の高さの異なる３種類のボンディングワイヤ６２ａ〜６２ｄによりシールド部材６２が形成されている。これらのボンディングワイヤ６２ａ〜６２ｄのうち、最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６２ａ、６２ｂが２つ配置されて各々の両端が接続電極７６ａ、７７ａ、および接続電極７６ｂ、７７ｂにそれぞれ接続され、これらを跨ぐようにボンディングワイヤ６２ｃが配置されて両端が接続電極７６ｃ、７７ｃに接続されている。なお、最も弧の高さの高いボンディングワイヤ６２ｄの両端が接続電極７６ｄ、７７ｄに接続されている。最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６２ａ、６２ｂのファーストボンド側に接続される接続電極７６ａ、７６ｂとセカンドボンド側端部に接続される接続電極７７ａ、７７ｂは、配置間隔を小さくすることができるため、特にシールド性能を強化したい、部品３ａと部品３ｃとの間に配置されている。
【００３１】
したがって、上記した実施形態によれば、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の効果に加えて、各ボンディングワイヤ６２ａ〜６２ｄおよび各接続電極７６ａ〜７６ｄ、７７ａ〜７７ｄの配置を変えることにより、任意の位置のシールド性能を強化させることができる。
【００３２】
（ボンディングワイヤの変形例）
上記した実施形態では、最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６２ａ、６２ｂが２つ配置されていたが、図９および図１０に示す高周波モジュール１ｅのように、最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６３ａ〜６３ｄが４つ配置され、それらを１つのボンディングワイヤ６３ｅが跨ぐように配置されて、シールド部材６３が形成されていてもよい。最も弧の高さの低いボンディングワイヤ６３ａ〜６３ｄの数を増やすことにより、各ボンディングワイヤ６３ａ〜６３ｄの両端部に接続される接続電極７８ａ〜７８ｄ、７９ａ〜７９ｄの配置間隔を小さくすることができるため、シールド性能を強化したい部分が広い場合にも、シールド性能を落とすことなくシールド部材６３を形成することができる。
【００３３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組み合わせてもよい。
【００３４】
たとえば、上記した実施形態では、各接続電極はそれぞれグランド電極に接続されているが、各ボンディングワイヤの少なくとも一方の端部がそれぞれ共通のグランド電極に接続されていてもよい。この場合、シールド性能をよりいっそう向上させることができる。
【００３５】
また、上記した実施形態では、封止樹脂層４の表面にシールド膜５が形成されているが、シールド膜５が形成されていなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、シールドを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１ａ〜１ｅ    高周波モジュール
２    多層配線基板（配線基板）
３ａ    部品（第１部品）
３ｃ    部品（第２部品）
４    封止樹脂層
５    シールド膜
６、６０〜６３    シールド部材
６ａ〜６ｃ  ボンディングワイヤ
７０ａ〜７０ｄ、７１ａ〜７１ｄ  接続電極
【図１】
2019230705.tif 000003
【図２】
2019230705.tif 000004
【図３】
2019230705.tif 000005
【図４】
2019230705.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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