(57)【要約】  膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を備える基材（Ｙ）と、基材（Ｙ）の両面に、それぞれ、前記膨張性粒子の膨張によって粘着表面に凸部が生じ得る第１粘着剤層（Ｘ１）と、第２粘着剤層（Ｘ２）とを有する粘着シートを用いた、下記工程（１）〜（３）を有する、半導体チップの製造方法。・工程（１）：第１粘着剤層（Ｘ１）を硬質支持体に、第２粘着剤層（Ｘ２）を半導体ウエハの表面に貼付する工程。・工程（２）：複数の半導体チップを得る工程。・工程（３）：膨張性粒子を膨張させて、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える基材（Ｙ）と、
基材（Ｙ）の両面に、それぞれ第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）とを有し、
前記膨張性粒子の膨張によって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ得る、粘着シートを用いた、半導体ウエハから半導体チップを製造する方法であって、
下記工程（１）〜（３）を有する、半導体チップの製造方法。
・工程（１）：第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を硬質支持体に貼付し、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、半導体ウエハの表面に貼付する工程。
・工程（２）：前記半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程。
・工程（３）：前記膨張性粒子を膨張させて、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程。
【請求項２】
前記粘着シートが、前記基材（Ｙ）の前記膨張性基材層（Ｙ１）側に第１粘着剤層（Ｘ１）を有し、該基材（Ｙ）の前記非膨張性基材層（Ｙ２）側に前記第２粘着剤層（Ｘ２）を有する、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記基材（Ｙ）が、前記膨張性基材層（Ｙ１）と、前記膨張性基材層（Ｙ１）の前記第１粘着層（Ｘ１）側に設けられた非膨張性基材層（Ｙ２−１）と、前記膨張性基材層（Ｙ１）の前記第２粘着層（Ｘ２）側に設けられた非膨張性基材層（Ｙ２−２）とを有しており、
前記膨張性粒子が膨張する際における非膨張性基材層（Ｙ２−１）の貯蔵弾性率Ｅ’が、前記膨張性粒子が膨張する際における非膨張性基材層（Ｙ２−２）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも低い、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記非膨張性基材層（Ｙ２）は、前記膨張性基材層（Ｙ１）よりも前記第１粘着剤層（Ｘ１）から離れた位置に存在しており、前記膨張性基材層（Ｙ１）と前記第１粘着剤層（Ｘ１）との間には前記非膨張性基材層（Ｙ２）は存在しておらず、
前記膨張性粒子が膨張する際における前記非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は、前記膨張性粒子が膨張する際における前記膨張性基材層（Ｙ１）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも大きい、請求項１又は２に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
工程（３）において、前記膨張性粒子を膨張させた際、前記粘着シートを構成する各層の層間では分離しない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
さらに下記工程（４）を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
・工程（４）：工程（３）で前記硬質支持体から分離後、複数の半導体チップの回路面とは反対側の裏面を、基材フィルムと、粘着剤層及び／又は接着剤層とを有する転写テープに貼付した後、前記粘着シートを半導体チップから除去する工程。
【請求項７】
前記膨張性粒子が、膨張開始温度（ｔ）が６０〜２７０℃の熱膨張性粒子である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記熱膨張性粒子の膨張を、熱膨張性粒子の「膨張開始温度（ｔ）＋１０℃」〜「膨張開始温度（ｔ）＋６０℃」間で加熱処理により行う、請求項７に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記膨張性基材層（Ｙ１）が前記熱膨張性粒子を含む熱膨張性基材層（Ｙ１−１）であり、２３℃における熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’（２３）が、１．０×１０６Ｐａ以上である、請求項７又は８に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記非膨張性基材層（Ｙ２）の体積変化率（％）が２体積％未満である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
工程（２）が、改質領域を有する半導体ウエハを、回路面とは反対側の回路が形成されていない裏面を研削し、当該半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程では、半導体ウエハを粘着シートを用いて支持体に貼付した状態で、様々な加工が施されることが多い。
この際に使用される粘着シートは、加工時には半導体ウエハを十分に固定することができ、加工後には容易に支持体から剥離することができるといった性質が求められる。
このような要求に対応し得る粘着シートとして、熱膨張性粒子を含有する熱膨張性粘着剤層を有する熱剥離性粘着シートが知られている。【０００３】
例えば、特許文献１には、基材の片面に熱膨張性微小球を含む熱膨張性粘着層、他面に粘着層を設けた熱剥離性両面粘着シートを用いて、熱膨張性粘着層を支持体に貼付し、他方の粘着層にウエハ等の被着体を貼り合せて、被着体を加工する方法について開示されている。
特許文献１によれば、上述の熱剥離性両面粘着シートを用いることで、被着体の加工時には被着体表面の平滑性を保持でき、加工後には、当該両面粘着シートを剥離する際の応力を小さくでき、被着体を損傷させることなく容易に剥離することができる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９２９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の被着体の加工方法では、上述の両面粘着シートの熱膨張性粘着層を支持体に貼付し、他方の粘着剤層に被着体を貼り合せて、当該被着体の加工が施される。
しかしながら、特許文献１の加工方法で用いている両面粘着シートが有する熱膨張性粘着層は、熱膨張性微小球を含有するため、熱膨張性微小球を含有しない粘着層に比べて、支持体との粘着力の低下が懸念される。
支持体との粘着力の低下は、被着体が支持体に十分固定されていないことに起因した様々な弊害が生じる要因となる。例えば、先ダイシング法やステルスダイシング法といった、ウエハの裏面を研削してチップに分断するチップの加工方法では、支持体に十分固定されていないことで、得られるチップの端部が欠ける等の弊害が生じ得る。【０００６】
また、特許文献１では、両面粘着シートを支持体から剥離する際、加熱処理によって、熱膨張性微小球を膨張させて、熱膨張性粘着層の表面に凹凸を形成して、支持体との接触面積を低減することで、粘着力を低下させて剥離している。
しかしながら、上記の剥離方法では、支持体から両面粘着シートを剥離する際に、多少の粘着力が残存することがあるため、剥離し難い場合がある。また、剥離後に、熱膨張性粘着層の一部が、支持体の表面に残存する場合があり、支持体の洗浄工程を要する必要があり、生産性の低下の要因となる。
なお、支持体への汚染を防止するために、熱膨張性粘着層を構成する粘着性樹脂として、低粘着性の樹脂を選択することも考えられるが、その場合には、上述のとおり、被着体の加工時に、被着体が被着体に十分に固定されないといった弊害が生じ得る。【０００７】
本発明は、半導体チップの端部の欠け等を抑制して歩留まりを向上させつつ、支持体と貼付した粘着シートとを分離する際には、一括して容易に分離できると共に、分離後の支持体の汚染を抑制し、支持体の洗浄工程を省略可能とする、半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、半導体ウエハを分断して半導体チップを製造する過程において、膨張性粒子を含む膨張性基材層と非膨張性基材層とを少なくとも備える基材の両面にそれぞれ第１粘着剤層及び第２粘着剤層を有する粘着シートを用いることで、上記課題を解決し得ることを見い出した。【０００９】
すなわち、本発明は、下記［１］〜［１１］に関する。
［１］膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える基材（Ｙ）と、
基材（Ｙ）の両面に、それぞれ第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）とを有し、
前記膨張性粒子の膨張によって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ得る、粘着シートを用いた、半導体ウエハから半導体チップを製造する方法であって、
下記工程（１）〜（３）を有する、半導体チップの製造方法。
・工程（１）：第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を硬質支持体に貼付し、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、半導体ウエハの表面に貼付する工程。
・工程（２）：前記半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程。
・工程（３）：前記膨張性粒子を膨張させて、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程。
［２］前記粘着シートが、前記基材（Ｙ）の前記膨張性基材層（Ｙ１）側に第１粘着剤層（Ｘ１）を有し、該基材（Ｙ）の前記非膨張性基材層（Ｙ２）側に前記第２粘着剤層（Ｘ２）を有する、上記［１］に記載の半導体チップの製造方法。
［３］前記基材（Ｙ）が、前記膨張性基材層（Ｙ１）と、前記膨張性基材層（Ｙ１）の前記第１粘着層（Ｘ１）側に設けられた非膨張性基材層（Ｙ２−１）と、前記膨張性基材層（Ｙ１）の前記第２粘着層（Ｘ２）側に設けられた非膨張性基材層（Ｙ２−２）とを有しており、
前記膨張性粒子が膨張する際における非膨張性基材層（Ｙ２−１）の貯蔵弾性率Ｅ’が、前記膨張性粒子が膨張する際における非膨張性基材層（Ｙ２−２）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも低い、上記［１］に記載の半導体チップの製造方法。
［４］前記非膨張性基材層（Ｙ２）は、前記膨張性基材層（Ｙ１）よりも前記第１粘着剤層（Ｘ１）から離れた位置に存在しており、前記膨張性基材層（Ｙ１）と前記第１粘着剤層（Ｘ１）との間には前記非膨張性基材層（Ｙ２）は存在しておらず、
前記膨張性粒子が膨張する際における前記非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は、前記膨張性粒子が膨張する際における前記膨張性基材層（Ｙ１）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも大きい、上記［１］又は［２］に記載の半導体チップの製造方法。
［５］工程（３）において、前記膨張性粒子を膨張させた際、前記粘着シートを構成する各層の層間では分離しない、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
［６］さらに下記工程（４）を有する、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
・工程（４）：工程（３）で前記硬質支持体から分離後、複数の半導体チップの回路面とは反対側の裏面を、基材フィルムと、粘着剤層及び／又は接着剤層とを有する転写テープに貼付した後、前記粘着シートを半導体チップから除去する工程。
［７］前記膨張性粒子が、膨張開始温度（ｔ）が６０〜２７０℃の熱膨張性粒子である、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
［８］前記熱膨張性粒子の膨張を、熱膨張性粒子の「膨張開始温度（ｔ）＋１０℃」〜「膨張開始温度（ｔ）＋６０℃」間で加熱処理により行う、上記［７］に記載の半導体チップの製造方法。
［９］前記膨張性基材層（Ｙ１）が前記熱膨張性粒子を含む熱膨張性基材層（Ｙ１−１）であり、２３℃における熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’（２３）が、１．０×１０６Ｐａ以上である、上記［７］又は［８］に記載の半導体チップの製造方法。
［１０］前記非膨張性基材層（Ｙ２）の体積変化率（％）が２体積％未満である、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
［１１］工程（２）が、改質領域を有する半導体ウエハを、回路面とは反対側の回路が形成されていない裏面を研削し、当該半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程である、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体チップの製造方法によれば、得られる半導体チップの端部の欠け等を抑制して歩留まりを向上させつつ、支持体と貼付した粘着シートとを分離する際には、一括して容易に分離できると共に、分離後の支持体の汚染を抑制し、支持体の洗浄工程を省略できるため、生産性を向上させ得る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の半導体チップの製造方法で用いる粘着シートの構成の一例を示す、当該粘着シートの断面模式図である。
【図２】本発明の半導体チップの製造方法の工程（１）〜（３）における断面模式図である。
【図３】本発明の半導体チップの製造方法の工程（４）〜（６）における断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書において、対象となる層が「膨張性層」又は「非膨張性層」のどちらであるかの判断は、膨張させるための処理を３分間行った後、当該処理の前後での下記式から算出される体積変化率に基づき判断する。
・体積変化率（％）＝｛（処理後の前記層の体積−処理前の前記層の体積）／処理前の前記層の体積｝×１００
つまり、体積抵抗率が５体積％以上であれば、当該層は「膨張性層」であると判断し、当該体積変化率が５体積％未満であれば、当該層は「非膨張性層」であると判断する。
なお、「膨張させるための処理」としては、例えば、膨張性粒子が熱膨張性粒子である場合には、当該熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）で３分間の加熱処理を行えばよい。
【００１３】
本明細書において、「有効成分」とは、対象となる組成物に含まれる成分のうち、希釈溶媒を除いた成分を指す。
また、質量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される標準ポリスチレン換算の値であり、具体的には実施例に記載の方法に基づいて測定した値である。
【００１４】
本明細書において、例えば、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」と「メタクリル酸」の双方を示し、他の類似用語も同様である。
また、好ましい数値範囲（例えば、含有量等の範囲）について、段階的に記載された下限値及び上限値は、それぞれ独立して組み合わせることができる。例えば、「好ましくは１０〜９０、より好ましくは３０〜６０」という記載から、「好ましい下限値（１０）」と「より好ましい上限値（６０）」とを組み合わせて、「１０〜６０」とすることもできる。
【００１５】
〔本発明の半導体チップの製造方法〕
本発明の半導体チップの製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう）は、膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える基材（Ｙ）と、基材（Ｙ）の両面に、それぞれ第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）とを有し、前記膨張性粒子の膨張によって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ得る、粘着シートを用いた、半導体ウエハから半導体チップを製造する方法である。
そして、本発明の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を有する。
・工程（１）：第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を硬質支持体に貼付し、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、半導体ウエハの表面に貼付する工程。
・工程（２）：前記半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程。
・工程（３）：前記膨張性粒子を膨張させて、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程。
【００１６】
〔本発明の製造方法で用いる粘着シートの構成〕
図１は、本発明の製造方法で用いる粘着シートの構成の一例を示す、当該粘着シートの断面模式図である。
本発明の製造方法で用いる粘着シートは、図１（ａ）に示すような、膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える基材（Ｙ）と、基材（Ｙ）の両面に、それぞれ第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）とを有する粘着シート１ａが挙げられる。
【００１７】
図１（ａ）に示す粘着シート１ａが有する基材（Ｙ）は、膨張性基材層（Ｙ１）と非膨張性基材層（Ｙ２）とが直接積層した構成を有するものであるが、基材（Ｙ）は、これ以外の構成であってもよい。
例えば、図１（ｂ）に示す粘着シート１ｂが有する基材（Ｙ）のように、膨張性基材層（Ｙ１）の両面に第１非熱膨張性基材層（Ｙ２−１）及び第２非熱膨張性基材層（Ｙ２−２）を設けた構成であってもよい。
【００１８】
なお、本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面及び第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面には、さらに剥離材を積層した構成としてもよい。
当該構成において、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の一方の粘着表面に、両面に剥離処理が施された剥離材が積層したものを、ロール状に巻いた構成としてもよい。
これらの剥離材は、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を保護するために設けられたものであり、粘着シートの使用時には除去されるものである。
【００１９】
また、例えば、図１（ａ）に示す粘着シート１ａにおいて、第１粘着剤層（Ｘ１）上に積層した剥離材を剥がす際の剥離力と、第２粘着剤層（Ｘ２）上に積層した剥離材を剥がす際の剥離力とが同程度である場合、双方の剥離材を外側へ引っ張って剥がそうとすることで、粘着シート１ａが、２つの剥離材に伴って分断されて引き剥がされるという弊害が生じることがある。
そのため、第１粘着剤層（Ｘ１）上に積層する剥離材と、第２粘着剤層（Ｘ２）上に積層する剥離材とは、互いに貼付される粘着剤層からの剥離力が異なるように設計された２種の剥離材を用いることが好ましい。
【００２０】
ところで、本発明の製造方法で用いる粘着シートは、前記膨張性粒子の膨張によって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ得るように調整されている。
例えば、図１（ａ）に示す粘着シート１ａでは、膨張性粒子を含有する膨張性基材層（Ｙ１）に第１粘着剤層（Ｘ１）を積層し、非膨張性基材層（Ｙ２）に第２粘着剤層（Ｘ２）を積層した構成を有している。
粘着シート１ａにおいて、膨張性基材層（Ｙ１）中の膨張性粒子が膨張すると、膨張性基材層（Ｙ１）の表面に凹凸が生じて、当該表面と接触している第１粘着剤層（Ｘ１）が、その凹凸によって押し上げられ、結果として、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも凹凸が生じ得る。
本発明の製造方法において、上述の工程（１）のとおり、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面は、硬質支持体に貼付される。
そして、上述の工程（３）において、膨張性粒子を膨張させた際、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ、硬質支持体との接触面積が減少するため、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐでわずかな力で一括して容易に分離することができる。
また、膨張性粒子を膨張させた際、膨張性基材層（Ｙ１）と非膨張性基材層（Ｙ２）との界面においても、わずかな力で一括して容易に分離可能となるように調整してもよい。
【００２１】
一方で、上述の工程（１）のとおり、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面には、半導体ウエハの表面が貼付され、工程（２）において、半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップとする。そして、上述の工程（３）で規定のとおり、膨張性粒子を膨張させた際には、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップは貼付したまま、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離される。
つまり、硬質支持体から分離する際に、複数の半導体チップは、粘着シートの第２粘着剤層（Ｘ２）上に保持されていることを要する。
そのために、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面は、前記膨張性粒子の膨張によっても、粘着力が低減しないように、凹凸の形成が抑制されるように調整されていることが好ましい。
【００２２】
例えば、図１（ａ）に示す粘着シート１ａにおいては、膨張性基材層（Ｙ１）の第１粘着剤層（Ｘ１）とは反対の表面には、非膨張性基材層（Ｙ２）を備えており、この非膨張性基材層（Ｙ２）の表面上に第２粘着剤層（Ｘ２）が積層した構成としている。
粘着シート１ａにおいて、膨張性粒子が膨張した際に、非膨張性基材層（Ｙ２）が存在するため、膨張性粒子が膨張することによる膨張性基材層（Ｙ１）側からの応力は、非膨張性基材層（Ｙ２）が吸収する。その結果、非膨張性基材層（Ｙ２）上に積層した第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面の凹凸の形成は抑制され、当該粘着表面に貼付された半導体チップを保持することができる。
【００２３】
なお、図１（ｂ）に示す粘着シート１ｂにおいては、膨張性粒子が膨張した際に、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面には凹凸が形成されるように、第１非膨張性基材層（Ｙ２−１）の貯蔵弾性率Ｅ’を低く調整することが好ましい。
一方で、膨張性粒子が膨張した際に、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面には凹凸の形成が抑制されるように、第２非熱膨張性基材層（Ｙ２−２）の貯蔵弾性率Ｅ’は高く調整することが好ましい。
すなわち、膨張性粒子が膨張する際における第１非膨張性基材層（Ｙ２−１）の貯蔵弾性率Ｅ’を、膨張性粒子が膨張する際における第２非熱膨張性基材層（Ｙ２−２）の貯蔵弾性率Ｅ’より低く調整することが好ましい。
【００２４】
ところで、特許文献１に記載されたような、膨張性粒子を含む膨張性粘着剤層を有する両面粘着シートを用いて、当該膨張性粘着剤層を硬質支持体に貼付し、他方の粘着剤層上に半導体ウエハを貼付して半導体チップを製造する場合、硬質支持体と貼付する膨張性粘着剤層は、膨張性粒子を含有しているため、粘着力が不十分となり易い。
【００２５】
硬質支持体に対する膨張性粘着剤層の粘着力の低下によって、半導体ウエハが硬質支持体に十分に固定されず、例えば、半導体ウエハを分断して複数の半導体チップを得る際に、得られるチップの端部が欠ける等の弊害が生じ易い。
また、ステルスダイシング（登録商標、以下同じ）法による半導体チップの製造においては、半導体ウエハの内部に改質領域を設ける必要があるが、改質領域の数が増えるほど、半導体ウエハに反りが生じ易くなる。ここで、半導体ウエハが硬質支持体に十分に固定されていないと、半導体ウエハの反りが抑制しきれず、チップ割れ等が生じる要因となる。
【００２６】
一方で、粘着性樹脂を選択して、半導体ウエハを貼り付ける粘着剤層や、膨張性粘着剤層を高粘着力とすることで、上記の弊害を回避することも考えられる。
しかしながら、半導体ウエハを貼り付ける粘着剤層を高粘着力とした場合、得られた複数の半導体チップを当該粘着剤層から剥離し難くなる場合がある。
また、膨張性粘着剤層を高粘着力とした場合は、膨張性粒子を膨張させて硬質支持体から当該両面粘着シートを剥離する際に、硬質支持体の表面に膨張性粘着剤層の一部が残存することがあり、支持体の洗浄工程を要する必要があり、生産性の低下の要因ともなる。また、硬質支持体に貼付している両面粘着シートを剥離する際に、ある程度の力が必要となり、一括して容易に剥離することが難しくなる場合もある。
【００２７】
一方で、本発明の製造方法で用いる粘着シートは、膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える基材（Ｙ）を有し、膨張性粒子が膨張した際には、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面には凹凸が形成されるように調整されている。
そのため、硬質支持体と貼付する第１粘着剤層（Ｘ１）には、膨張性粒子を含む必要がないため、半導体ウエハを硬質支持体に十分に固定することができ、チップの端部が欠ける等の弊害を効果的に抑制でき、歩留まりを向上させることができる。
また、硬質支持体と貼付した粘着シートとを分離する際には、一括して容易に分離することができると共に、分離後の硬質支持体の汚染を抑制して、支持体の洗浄工程を省略可能とし、生産性を向上させ得る。
さらに、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の形成材料である粘着剤組成物の選択の自由度も高い。
【００２８】
〔粘着シートの各種物性〕
本発明の一態様で用いる粘着シートは、膨張性粒子の膨張によって、硬質支持体と貼付している第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで、わずかな力で一括して容易に分離可能となる。
ここで、本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、膨張性粒子を膨張させ、界面Ｐで分離する際の剥離力（Ｆ１）としては、通常０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍ、好ましくは０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍ、より好ましくは０〜１５０ｍＮ／２５ｍｍ、更に好ましくは０〜１００ｍＮ／２５ｍｍ、より更に好ましくは０〜５０ｍＮ／２５ｍｍである。
なお、当該剥離力（Ｆ１）が０ｍＮ／２５ｍｍである場合には、実施例に記載の方法で剥離力を測定しようとしても、剥離力が小さ過ぎるために測定不可となる場合も含まれる。
【００２９】
一方で、膨張性粒子の膨張前においては、半導体ウエハから複数の半導体チップを製造する際に、チップの端部の欠け等の発生を抑制し、歩留まりを向上させる観点から、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着力は高いほど好ましい。
上記観点から、本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、膨張性粒子の膨張前における界面Ｐで分離する際の剥離力（Ｆ０）としては、好ましくは０．０５〜１０．０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましくは０．１〜８．０Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましくは０．１５〜６．０Ｎ／２５ｍｍ、より更に好ましくは０．２〜４．０Ｎ／２５ｍｍである。
なお、上記剥離力（Ｆ０）は、硬質支持体に対する第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着力とみなすこともできる。
【００３０】
本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、剥離力（Ｆ１）と剥離力（Ｆ０）との比〔（Ｆ１）／（Ｆ０）〕は、好ましくは０〜０．９、より好ましくは０〜０．８、更に好ましくは０〜０．５、より更に好ましくは０〜０．２である。
【００３１】
なお、剥離力（Ｆ１）は、膨張性粒子が膨張する際の環境下で測定した値である。例えば、膨張性粒子が熱膨張性粒子である場合、剥離力（Ｆ１）を測定する際の温度条件としては、当該熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）以上であればよい。
一方で、剥離力（Ｆ０）を測定する際の温度条件としては、膨張性粒子が膨張しない温度であればよく、基本的には、室温（２３℃）である。
ただし、剥離力（Ｆ１）及び剥離力（Ｆ０）のより具体的な測定条件及び測定方法は、実施例に記載の方法に基づく。
【００３２】
また、本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、室温（２３℃）における、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力としては、好ましくは０．１〜１０．０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましくは０．２〜８．０Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましくは０．４〜６．０Ｎ／２５ｍｍ、より更に好ましくは０．５〜４．０Ｎ／２５ｍｍである。
本明細書において、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
以下、本発明の一態様で用いる粘着シートを構成する各層について説明する。
【００３３】
＜基材（Ｙ）＞
本発明の一態様で用いる粘着シートが有する基材（Ｙ）は、膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）を少なくとも備える。
また、基材（Ｙ）としては、図１（ａ）に示す粘着シート１ａのように、膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）をそれぞれ一つずつ積層してなるものであってもよく、図１（ｂ）に示す粘着シート１ｂのように、膨張性基材層（Ｙ１）の両面に第１非熱膨張性基材層（Ｙ２−１）及び第２非熱膨張性基材層（Ｙ２−２）を設けた構成であってもよい。
【００３４】
また、本発明の一態様で用いる粘着シートが有する基材（Ｙ）は、膨張性基材層（Ｙ１）と非膨張性基材層（Ｙ２）との間に接着層を設けた構成であってもよい。
例えば、図１（ｂ）に示す粘着シート１ｂの構成の場合は、膨張性基材層（Ｙ１）と、第１非熱膨張性基材層（Ｙ２−１）及び／又は第２非熱膨張性基材層（Ｙ２−２）との間に接着層を設けてもよい。
接着層を設けることで、膨張性基材層（Ｙ１）と非膨張性基材層（Ｙ２）との層間密着性を良好とすることができる。
接着層は、一般的な接着剤や、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の形成材料である粘着剤組成物から形成することができる。
【００３５】
本発明の一態様において、膨張性粒子の膨張によって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸を生じさせる一方、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面には凹凸の形成が抑制されるような粘着シートとする観点から、基材（Ｙ）としては、膨張性基材層（Ｙ１）と非膨張性基材層（Ｙ２）とを少なくとも最表面に備えるものであることが好ましい。
当該態様としては、図１（ａ）に示す粘着シート１ａが有する基材（Ｙ）や、膨張性基材層（Ｙ１）、接着剤層、及び非膨張性基材層（Ｙ２）をこの順で積層してなる基材（Ｙ）等が挙げられる。
当該接着剤層の形成材料としては、後述の転写テープが有する接着剤層の形成材料である接着剤組成物と同じものが挙げられる。
【００３６】
なお、基材（Ｙ）を構成する膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）は、いずれも非粘着性の層である。
本発明において、非粘着性の層か否かの判断は、対象となる層の表面に対して、ＪＩＳ  Ｚ０２３７：１９９１に準拠して測定したプローブタック値が５０ｍＮ／５ｍｍφ未満であれば、当該層を「非粘着性の層」と判断する。
本発明の一態様で用いる粘着シート（Ｉ）が有する膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）の表面におけるプローブタック値は、それぞれ独立に、通常５０ｍＮ／５ｍｍφ未満であるが、好ましくは３０ｍＮ／５ｍｍφ未満、より好ましくは１０ｍＮ／５ｍｍφ未満、更に好ましくは５ｍＮ／５ｍｍφ未満である。
なお、本明細書において、熱膨張性基材の表面におけるプローブタック値の具体的な測定方法は、実施例に記載の方法による。
【００３７】
本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、基材（Ｙ）の厚さとしては、好ましくは１５〜２０００μｍ、より好ましくは２５〜１５００μｍ、更に好ましくは３０〜１０００μｍ、より更に好ましくは４０〜５００μｍである。
【００３８】
膨張性粒子の膨張前における、膨張性基材（Ｙ１）の厚さは、好ましくは１０〜１０００μｍ、より好ましくは２０〜７００μｍ、更に好ましくは２５〜５００μｍ、より更に好ましくは３０〜３００μｍである。
非膨張性基材（Ｙ２）の厚さは、好ましくは１０〜１０００μｍ、より好ましくは２０〜７００μｍ、更に好ましくは２５〜５００μｍ、より更に好ましくは３０〜３００μｍである。
なお、本明細書において、例えば、図１（ｂ）に示す粘着シート１ｂのように、膨張性基材（Ｙ１）又は非膨張性基材（Ｙ２）が、他の層を介して、複数存在する場合には、上記の膨張性基材（Ｙ１）又は非膨張性基材（Ｙ２）の厚さは、それぞれの一層あたりの厚さを意味する。
【００３９】
本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、膨張性粒子の膨張前での、膨張性基材層（Ｙ１）と非熱膨張性基材層（Ｙ２）との厚さ比〔（Ｙ１）／（Ｙ２）〕としては、好ましくは０．０２〜２００、より好ましくは０．０３〜１５０、更に好ましくは０．０５〜１００である。
【００４０】
本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、膨張性粒子の膨張前での膨張性基材層（Ｙ１）と、当該膨張性基材層（Ｙ１）と直接積層する第１粘着剤層（Ｘ１）との厚さ比〔（Ｙ１）／（Ｘ１）〕としては、好ましくは０．２以上、より好ましくは０．５以上、更に好ましくは１．０以上、より更に好ましくは５．０以上であり、また、好ましくは１０００以下、より好ましくは２００以下、更に好ましくは６０以下、より更に好ましくは３０以下である。
【００４１】
また、本発明の一態様で用いる粘着シートにおいて、非膨張性基材層（Ｙ２）と、当該非膨張性基材層（Ｙ２）と直接積層する第２粘着剤層（Ｘ２）との厚さ比〔（Ｙ２）／（Ｘ２）〕としては、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．３以上であり、また、好ましくは２０以下、より好ましくは１０以下、更に好ましくは５以下である。
【００４２】
以下、基材（Ｙ）を構成する、膨張性基材層（Ｙ１）及び非膨張性基材層（Ｙ２）について説明する。
【００４３】
＜膨張性基材層（Ｙ１）＞
基材（Ｙ）を構成する膨張性基材層（Ｙ１）は、膨張性粒子を含有し、所定の膨張処理によって、膨張し得る層である。
膨張性基材層（Ｙ１）中の膨張性粒子の含有量は、膨張性基材層（Ｙ１）の全質量（１００質量％）に対して、好ましくは１〜４０質量％、より好ましくは５〜３５質量％、更に好ましくは１０〜３０質量％、より更に好ましくは１５〜２５質量％である。
【００４４】
なお、膨張性基材層（Ｙ１）と積層する他の層との層間密着性を向上させる観点から、膨張性基材層（Ｙ１）の表面に対して、酸化法や凹凸化法等による表面処理、易接着処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。
酸化法としては、例えば、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸処理（湿式）、熱風処理、オゾン、及び紫外線照射処理等が挙げられ、凹凸化法としては、例えば、サンドブラスト法、溶剤処理法等が挙げられる。
【００４５】
膨張性基材層（Ｙ１）に含まれる膨張性粒子としては、所定の処理を行うことで、膨張する粒子であればよく、例えば、所定の温度以上の加熱によって膨張する熱膨張性粒子や、所定量の紫外線を吸収することで、粒子内部にガスが発生して膨張するＵＶ膨張性粒子等が挙げられる。
【００４６】
膨張性粒子の体積最大膨張率は、好ましくは１．５〜１００倍、より好ましくは２〜８０倍、更に好ましくは２．５〜６０倍、より更に好ましくは３〜４０倍である。
【００４７】
２３℃における膨張前の膨張性粒子の平均粒子径は、好ましくは３〜１００μｍ、より好ましくは４〜７０μｍ、更に好ましくは６〜６０μｍ、より更に好ましくは１０〜５０μｍである。
なお、膨張性粒子の平均粒子径とは、体積中位粒径（Ｄ５０）であり、レーザ回折式粒度分布測定装置（例えば、Ｍａｌｖｅｒｎ社製、製品名「マスターサイザー３０００」）を用いて測定した膨張性粒子の粒子分布において、膨張性粒子の粒径の小さい方から計算した累積体積頻度が５０％に相当する粒径を意味する。
【００４８】
２３℃における膨張前の膨張性粒子の９０％粒子径（Ｄ９０）としては、好ましくは１０〜１５０μｍ、より好ましくは２０〜１００μｍ、更に好ましくは２５〜９０μｍ、より更に好ましくは３０〜８０μｍである。
なお、膨張性粒子の９０％粒子径（Ｄ９０）とは、レーザ回折式粒度分布測定装置（例えば、Ｍａｌｖｅｒｎ社製、製品名「マスターサイザー３０００」）を用いて測定した膨張性粒子の粒子分布において、膨張性粒子の粒径の小さい方から計算した累積体積頻度が９０％に相当する粒径を意味する。
【００４９】
本発明の一態様において、膨張性粒子としては、膨張開始温度（ｔ）が６０〜２７０℃の熱膨張性粒子であることが好ましい。
つまり、膨張性基材層（Ｙ１）としては、膨張開始温度（ｔ）が６０〜２７０℃の熱膨張性粒子を含む熱膨張性基材層（Ｙ１−１）であることが好ましく、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）は、下記要件（１）を満たすことがより好ましい。
・要件（１）：前記熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）における、前記熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’（ｔ）が、１．０×１０７Ｐａ以下である。
なお、本明細書において、所定の温度における熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
【００５０】
上記要件（１）は、熱膨張性粒子が膨張する直前の熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の剛性を示す指標といえる。
つまり、熱膨張性粒子が膨張する際、上記要件（１）を満たす程度に、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）が柔軟性を有していれば、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の表面に凹凸が形成され易くなり、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも凹凸が生じ易くなる。その結果、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐでわずかな力で一括して容易に分離可能とすることができる。
【００５１】
熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の要件（１）で規定する貯蔵弾性率Ｅ’（ｔ）は、上記観点から、好ましくは９．０×１０６Ｐａ以下、より好ましくは８．０×１０６Ｐａ以下、更に好ましくは６．０×１０６Ｐａ以下、より更に好ましくは４．０×１０６Ｐａ以下である。
また、膨張した熱膨張性粒子の流動を抑制し、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の表面に生じる凹凸の形状維持性を向上させ、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも凹凸を生じ易くする観点から、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の要件（１）で規定する貯蔵弾性率Ｅ’（ｔ）は、好ましくは１．０×１０３Ｐａ以上、より好ましくは１．０×１０４Ｐａ以上、更に好ましくは１．０×１０５Ｐａ以上である。
【００５２】
また、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）は、下記要件（２）を満たすことも好ましく、上述の要件（１）と共に、当該要件（２）も満たすことがより好ましい。
・要件（２）：２３℃における、熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’（２３）が、１．０×１０６Ｐａ以上である。
【００５３】
上記要件（２）を満たす熱膨張性基材層（Ｙ１−１）とすることで、半導体ウエハを第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付する際の位置ずれを防止することができ、また、半導体ウエハの第２粘着剤層（Ｘ２）への過度な沈み込みを防止することもできる。
【００５４】
上記観点から、上記要件（２）で規定する熱膨張性基材層（Ｙ１−１）の貯蔵弾性率Ｅ’（２３）は、好ましくは５．０×１０６〜５．０×１０１２Ｐａ、より好ましくは１．０×１０７〜１．０×１０１２Ｐａ、更に好ましくは５．０×１０７〜１．０×１０１１Ｐａ、より更に好ましくは１．０×１０８〜１．０×１０１０Ｐａである。
【００５５】
熱膨張性基材層（Ｙ１−１）中に含まれる熱膨張性粒子としては、膨張開始温度（ｔ）が６０〜２７０℃の熱膨張性粒子であることが好ましい。
なお、本明細書において、熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）は、以下の方法に基づき測定された値を意味する。
［熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）の測定法］
直径６．０ｍｍ（内径５．６５ｍｍ）、深さ４．８ｍｍのアルミカップに、測定対象となる熱膨張性粒子０．５ｍｇを加え、その上からアルミ蓋（直径５．６ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）をのせた試料を作製する。
動的粘弾性測定装置を用いて、その試料にアルミ蓋上部から、加圧子により０．０１Ｎの力を加えた状態で、試料の高さを測定する。そして、加圧子により０．０１Ｎの力を加えた状態で、２０℃から３００℃まで１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱し、加圧子の垂直方向における変位量を測定し、正方向への変位開始温度を膨張開始温度（ｔ）とする。
【００５６】
熱膨張性粒子としては、熱可塑性樹脂から構成された外殻と、当該外殻に内包され、且つ所定の温度まで加熱されると気化する内包成分とから構成される、マイクロカプセル化発泡剤であることが好ましい。
マイクロカプセル化発泡剤の外殻を構成する熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。
【００５７】
外殻に内包された内包成分としては、例えば、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、イソブタン、イソペンタン、イソヘキサン、イソヘプタン、イソオクタン、イソノナン、イソデカン、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ネオペンタン、ドデカン、イソドデカン、シクロトリデカン、ヘキシルシクロヘキサン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ナノデカン、イソトリデカン、４−メチルドデカン、イソテトラデカン、イソペンタデカン、イソヘキサデカン、２，２，４，４，６，８，８−ヘプタメチルノナン、イソヘプタデカン、イソオクタデカン、イソナノデカン、２，６，１０，１４−テトラメチルペンタデカン、シクロトリデカン、ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−オクチルシクロヘキサン、シクロペンタデカン、ノニルシクロヘキサン、デシルシクロヘキサン、ペンタデシルシクロヘキサン、ヘキサデシルシクロヘキサン、ヘプタデシルシクロヘキサン、オクタデシルシクロヘキサン等が挙げられる。
これらの内包成分は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）は、内包成分の種類を適宜選択することで調整可能である。
【００５８】
膨張性基材層（Ｙ１）は、樹脂及び膨張性粒子を含む樹脂組成物（ｙ）から形成することが好ましい。
なお、樹脂組成物（ｙ）には、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、基材用添加剤を含有してもよい。
基材用添加剤としては、例えば、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、着色剤等が挙げられる。
なお、これらの基材用添加剤は、それぞれ単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの基材用添加剤を含有する場合、それぞれの基材用添加剤の含有量は、前記樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１〜２０質量部、より好ましくは０．００１〜１０質量部である。
【００５９】
膨張性基材層（Ｙ１）の形成材料である樹脂組成物（ｙ）に含まれる膨張性粒子については、上述のとおりであり、熱膨張性粒子であることが好ましい。
膨張性粒子の含有量は、樹脂組成物（ｙ）の有効成分の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１〜４０質量％、より好ましくは５〜３５質量％、更に好ましくは１０〜３０質量％、より更に好ましくは１５〜２５質量％である。
【００６０】
膨張性基材層（Ｙ１）の形成材料である樹脂組成物（ｙ）に含まれる樹脂としては、非粘着性樹脂であってもよく、粘着性樹脂であってもよい。
つまり、樹脂組成物（ｙ）に含まれる樹脂が粘着性樹脂であっても、樹脂組成物（ｙ）から膨張性基材層（Ｙ１）を形成する過程において、当該粘着性樹脂が重合性化合物と重合反応し、得られる樹脂が非粘着性樹脂となり、当該樹脂を含む膨張性基材層（Ｙ１）が非粘着性となればよい。
【００６１】
樹脂組成物（ｙ）に含まれる前記樹脂の質量平均分子量（Ｍｗ）としては、好ましくは１０００〜１００万、より好ましくは１０００〜７０万、更に好ましくは１０００〜５０万である。
また、当該樹脂が２種以上の構成単位を有する共重合体である場合、当該共重合体の形態は、特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、及びグラフト共重合体のいずれであってもよい。
【００６２】
樹脂の含有量は、樹脂組成物（ｙ）の有効成分の全量（１００質量％）に対して、好ましくは５０〜９９質量％、より好ましくは６０〜９５質量％、更に好ましくは６５〜９０質量％、より更に好ましくは７０〜８５質量％である。
【００６３】
本発明の一態様において、膨張性粒子の膨張時に、表面に凹凸が形成し易い膨張性基材層（Ｙ１）とする観点から、樹脂組成物（ｙ）に含まれる前記樹脂としては、アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂から選ばれる１種以上を含むことが好ましい。
また、上記アクリルウレタン系樹脂としては、以下の樹脂（Ｕ１）が好ましい。
・ウレタンプレポリマー（ＵＰ）と、（メタ）アクリル酸エステルを含むビニル化合物とを重合してなるアクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）。
【００６４】
［アクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）］
アクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）の主鎖となるウレタンプレポリマー（ＵＰ）としては、ポリオールと多価イソシアネートとの反応物が挙げられる。
なお、ウレタンプレポリマー（ＵＰ）は、更に鎖延長剤を用いた鎖延長反応を施して得られたものであることが好ましい。
【００６５】
ウレタンプレポリマー（ＵＰ）の原料となるポリオールとしては、例えば、アルキレン型ポリオール、エーテル型ポリオール、エステル型ポリオール、エステルアミド型ポリオール、エステル・エーテル型ポリオール、カーボネート型ポリオール等が挙げられる。
これらのポリオールは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明の一態様で用いるポリオールとしては、ジオールが好ましく、エステル型ジオール、アルキレン型ジオール及びカーボネート型ジオールがより好ましく、エステル型ジオール、カーボネート型ジオールが更に好ましい。
【００６６】
エステル型ジオールとしては、例えば、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール等のアルカンジオール；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のアルキレングリコール；等のジオール類から選択される１種又は２種以上と、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、４，４−ジフェニルジカルボン酸、ジフェニルメタン−４，４'−ジカルボン酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘット酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シクロヘキサン−１，３−ジカルボン酸、シクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のジカルボン酸及びこれらの無水物から選択される１種又は２種以上と、の縮重合体が挙げられる。
具体的には、ポリエチレンアジペートジオール、ポリブチレンアジペートジオール、ポリヘキサメチレンアジペートジオール、ポリヘキサメチレンイソフタレートジオール、ポリネオペンチルアジペートジオール、ポリエチレンプロピレンアジペートジオール、ポリエチレンブチレンアジペートジオール、ポリブチレンヘキサメチレンアジペートジオール、ポリジエチレンアジペートジオール、ポリ（ポリテトラメチレンエーテル）アジペートジオール、ポリ（３−メチルペンチレンアジペート）ジオール、ポリエチレンアゼレートジオール、ポリエチレンセバケートジオール、ポリブチレンアゼレートジオール、ポリブチレンセバケートジオール及びポリネオペンチルテレフタレートジオール等が挙げられる。
【００６７】
アルキレン型ジオールとしては、例えば、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール等のアルカンジオール；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のアルキレングリコール；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール等のポリアルキレングリコール；ポリテトラメチレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール；等が挙げられる。
【００６８】
カーボネート型ジオールとしては、例えば、１，４−テトラメチレンカーボネートジオール、１，５−ペンタメチレンカーボネートジオール、１，６−ヘキサメチレンカーボネートジオール、１，２−プロピレンカーボネートジオール、１，３−プロピレンカーボネートジオール、２，２−ジメチルプロピレンカーボネートジオール、１，７−ヘプタメチレンカーボネートジオール、１，８−オクタメチレンカーボネートジオール、１，４−シクロヘキサンカーボネートジオール等が挙げられる。
【００６９】
ウレタンプレポリマー（ＵＰ）の原料となる多価イソシアネートとしては、芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環式ポリイソシアネート等が挙げられる。
これらの多価イソシアネートは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、これらの多価イソシアネートは、トリメチロールプロパンアダクト型変性体、水と反応させたビュウレット型変性体、イソシアヌレート環を含有させたイソシアヌレート型変性体であってもよい。
【００７０】
これらの中でも、本発明の一態様で用いる多価イソシアネートとしては、ジイソシアネートが好ましく、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２，４−トリレンジイソシアネート（２，４−ＴＤＩ）、２，６−トリレンジイソシアネート（２，６−ＴＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、及び脂環式ジイソシアネートから選ばれる１種以上がより好ましい。
【００７１】
脂環式ジイソシアネートとしては、例えば、３−イソシアネートメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネート（イソホロンジイソシアネート、ＩＰＤＩ）、１，３−シクロペンタンジイソシアネート、１，３−シクロヘキサンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，６−シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられるが、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）が好ましい。
【００７２】
本発明の一態様において、アクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）の主鎖となるウレタンプレポリマー（ＵＰ）としては、ジオールとジイソシアネートとの反応物であり、両末端にエチレン性不飽和基を有する直鎖ウレタンプレポリマーが好ましい。
当該直鎖ウレタンプレポリマーの両末端にエチレン性不飽和基を導入する方法としては、ジオールとジイソシアネート化合物とを反応してなる直鎖ウレタンプレポリマーの末端のＮＣＯ基と、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとを反応させる方法が挙げられる。
【００７３】
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００７４】
アクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）の側鎖となる、ビニル化合物としては、少なくとも（メタ）アクリル酸エステルを含む。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、アルキル（メタ）アクリレート及びヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる１種以上が好ましく、アルキル（メタ）アクリレート及びヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを併用することがより好ましい。
【００７５】
アルキル（メタ）アクリレート及びヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを併用する場合、アルキル（メタ）アクリレート１００質量部に対する、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの配合割合としては、好ましくは０．１〜１００質量部、より好ましくは０．５〜３０質量部、更に好ましくは１．０〜２０質量部、より更に好ましくは１．５〜１０質量部である。
【００７６】
当該アルキル（メタ）アクリレートが有するアルキル基の炭素数としては、好ましくは１〜２４、より好ましくは１〜１２、更に好ましくは１〜８、より更に好ましくは１〜３である。
【００７７】
また、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとしては、上述の直鎖ウレタンプレポリマーの両末端にエチレン性不飽和基を導入するために用いられるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートと同じものが挙げられる。
【００７８】
（メタ）アクリル酸エステル以外のビニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン等の芳香族炭化水素系ビニル化合物；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、メタ（アクリルアミド）等の極性基含有モノマー；等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７９】
ビニル化合物中の（メタ）アクリル酸エステルの含有量としては、当該ビニル化合物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは４０〜１００質量％、より好ましくは６５〜１００質量％、更に好ましくは８０〜１００質量％、より更に好ましくは９０〜１００質量％である。
【００８０】
ビニル化合物中のアルキル（メタ）アクリレート及びヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの合計含有量としては、当該ビニル化合物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは４０〜１００質量％、より好ましくは６５〜１００質量％、更に好ましくは８０〜１００質量％、より更に好ましくは９０〜１００質量％である。
【００８１】
本発明の一態様で用いるアクリルウレタン系樹脂（Ｕ１）において、ウレタンプレポリマー（ＵＰ）に由来の構成単位（ｕ１１）と、ビニル化合物に由来する構成単位（ｕ１２）との含有量比〔（ｕ１１）／（ｕ１２）〕としては、質量比で、好ましくは１０／９０〜８０／２０、より好ましくは２０／８０〜７０／３０、更に好ましくは３０／７０〜６０／４０、より更に好ましくは３５／６５〜５５／４５である。
【００８２】
［オレフィン系樹脂］
樹脂組成物（ｙ）に含まれる樹脂として好適なオレフィン系樹脂としては、オレフィンモノマーに由来の構成単位を少なくとも有する重合体が挙げられる。
上記オレフィンモノマーとしては、炭素数２〜８のα−オレフィンが好ましく、具体的には、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、１−ヘキセン等が挙げられる。
これらの中でも、エチレン及びプロピレンが好ましい。
【００８３】
具体的なオレフィン系樹脂としては、例えば、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ、密度：８８０ｋｇ／ｍ３以上９１０ｋｇ／ｍ３未満）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度：９１０ｋｇ／ｍ３以上９１５ｋｇ／ｍ３未満）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ、密度：９１５ｋｇ／ｍ３以上９４２ｋｇ／ｍ３未満）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ、密度：９４２ｋｇ／ｍ３以上）、直鎖状低密度ポリエチレン等のポリエチレン樹脂；ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）；ポリブテン樹脂（ＰＢ）；エチレン−プロピレン共重合体；オレフィン系エラストマー（ＴＰＯ）；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）；エチレン−プロピレン−（５−エチリデン−２−ノルボルネン）等のオレフィン系三元共重合体；等が挙げられる。
【００８４】
本発明の一態様において、オレフィン系樹脂は、さらに酸変性、水酸基変性、及びアクリル変性から選ばれる１種以上の変性を施した変性オレフィン系樹脂であってもよい。
【００８５】
例えば、オレフィン系樹脂に対して酸変性を施してなる酸変性オレフィン系樹脂としては、上述の無変性のオレフィン系樹脂に、不飽和カルボン酸又はその無水物を、グラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記の不飽和カルボン酸又はその無水物としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、グルタコン酸、テトラヒドロフタル酸、アコニット酸、（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水グルタコン酸、無水シトラコン酸、無水アコニット酸、ノルボルネンジカルボン酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物等が挙げられる。
なお、不飽和カルボン酸又はその無水物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８６】
オレフィン系樹脂に対してアクリル変性を施してなるアクリル変性オレフィン系樹脂としては、主鎖である上述の無変性のオレフィン系樹脂に、側鎖として、アルキル（メタ）アクリレートをグラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記のアルキル（メタ）アクリレートが有するアルキル基の炭素数としては、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１６、更に好ましくは１〜１２である。
上記のアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、後述のモノマー（ａ１’）として選択可能な化合物と同じものが挙げられる。
【００８７】
オレフィン系樹脂に対して水酸基変性を施してなる水酸基変性オレフィン系樹脂としては、主鎖である上述の無変性のオレフィン系樹脂に、水酸基含有化合物をグラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記の水酸基含有化合物としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール類等が挙げられる。
【００８８】
（アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂）
本発明の一態様において、樹脂組成物（ｙ）には、本発明の効果を損なわない範囲で、アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂を含有してもよい。
そのような樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニル系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリスチレン；アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体；三酢酸セルロース；ポリカーボネート；アクリルウレタン系樹脂には該当しないポリウレタン；ポリメチルペンテン；ポリスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンスルフィド；ポリエーテルイミド、ポリイミド等のポリイミド系樹脂；ポリアミド系樹脂；アクリル樹脂；フッ素系樹脂等が挙げられる。
【００８９】
ただし、膨張性粒子の膨張時に、表面に凹凸が形成し易い膨張性基材層（Ｙ１）とする観点から、樹脂組成物（ｙ）中のアクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂の含有割合は、少ない方が好ましい。
アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂の含有割合としては、樹脂組成物（ｙ）中に含まれる樹脂の全量１００質量部に対して、好ましくは３０質量部未満、より好ましくは２０質量部未満、より好ましくは１０質量部未満、更に好ましくは５質量部未満、より更に好ましくは１質量部未満である。
【００９０】
［無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）］
樹脂組成物（ｙ）の一態様として、質量平均分子量（Ｍｗ）が５００００以下のエチレン性不飽和基を有するオリゴマーと、エネルギー線重合性モノマーと、上述の熱膨張性粒子を配合してなり、溶剤を配合しない、無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）が挙げられる。
無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）では、溶剤を配合しないが、エネルギー線重合性モノマーが、前記オリゴマーの可塑性の向上に寄与するものである。
無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）から形成した塗膜に対して、エネルギー線を照射することで、膨張性粒子の膨張時に、表面に凹凸が形成し易い膨張性基材層（Ｙ１）を形成し易く、特に、上記要件（１）及び（２）を満たす熱膨張性基材層（Ｙ１−１）を形成し易い。
【００９１】
なお、無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）に配合される、膨張性粒子の種類や形状、配合量（含有量）については、樹脂組成物（ｙ）と同じであり、上述のとおりである。
【００９２】
無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）に含まれる前記オリゴマーの質量平均分子量（Ｍｗ）は、５００００以下であるが、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２０００〜４００００、更に好ましくは３０００〜３５０００、より更に好ましくは４０００〜３００００である。
【００９３】
また、前記オリゴマーとしては、上述の樹脂組成物（ｙ）に含まれる樹脂のうち、質量平均分子量が５００００以下のエチレン性不飽和基を有するものであればよいが、上述のウレタンプレポリマー（ＵＰ）が好ましい。
なお、当該オリゴマーとしては、エチレン性不飽和基を有する変性オレフィン系樹脂も使用し得る。
【００９４】
無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）中における、前記オリゴマー及びエネルギー線重合性モノマーの合計含有量は、無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）の全量（１００質量％）に対して、好ましくは５０〜９９質量％、より好ましくは６０〜９５質量％、更に好ましくは６５〜９０質量％、より更に好ましくは７０〜８５質量％である。
【００９５】
エネルギー線重合性モノマーとしては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート、トリシクロデカンアクリレート等の脂環式重合性化合物；フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレート等の芳香族重合性化合物；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等の複素環式重合性化合物等が挙げられる。
これらのエネルギー線重合性モノマーは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９６】
前記オリゴマーとエネルギー線重合性モノマーの配合比（前記オリゴマー／エネルギー線重合性モノマー）は、好ましくは２０／８０〜９０／１０、より好ましくは３０／７０〜８５／１５、更に好ましくは３５／６５〜８０／２０である。
【００９７】
本発明の一態様において、無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）は、さらに光重合開始剤を配合してなることが好ましい。
光重合開始剤を含有することで、比較的低エネルギーのエネルギー線の照射によっても、十分に硬化反応を進行させることができる。
【００９８】
光重合開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシ−シクロへキシル−フェニル−ケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９９】
光重合開始剤の配合量は、前記オリゴマー及びエネルギー線重合性モノマーの全量（１００質量部）に対して、好ましくは０．０１〜５質量部、より好ましくは０．０１〜４質量部、更に好ましくは０．０２〜３質量部である。
【０１００】
＜非膨張性基材層（Ｙ２）＞
基材（Ｙ）を構成する非膨張性基材層（Ｙ２）の形成材料としては、例えば、紙材、樹脂、金属等が挙げられる。
紙材としては、例えば、薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、コート紙、アート紙、硫酸紙、グラシン紙等が挙げられる。
樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニル系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリスチレン；アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体；三酢酸セルロース；ポリカーボネート；ポリウレタン、アクリル変性ポリウレタン等のウレタン樹脂；ポリメチルペンテン；ポリスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンスルフィド；ポリエーテルイミド、ポリイミド等のポリイミド系樹脂；ポリアミド系樹脂；アクリル樹脂；フッ素系樹脂等が挙げられる。
金属としては、例えば、アルミニウム、スズ、クロム、チタン等が挙げられる。
【０１０１】
これらの形成材料は、１種から構成されていてもよく、２種以上を併用してもよい。
２種以上の形成材料を併用した非膨張性基材層（Ｙ２）としては、紙材をポリエチレン等の熱可塑性樹脂でラミネートしたものや、樹脂を含む樹脂フィルム又はシートの表面に金属膜を形成したもの等が挙げられる。
なお、金属層の形成方法としては、例えば、上記金属を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法により蒸着する方法、又は、上記金属からなる金属箔を一般的な粘着剤を用いて貼付する方法等が挙げられる。
【０１０２】
なお、非膨張性基材層（Ｙ２）と積層する他の層との層間密着性を向上させる観点から、非膨張性基材層（Ｙ２）が樹脂を含む場合、非膨張性基材層（Ｙ２）の表面に対しても、上述の膨張性基材層（Ｙ１）と同様に、酸化法や凹凸化法等による表面処理、易接着処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。
【０１０３】
また、非膨張性基材層（Ｙ２）が樹脂を含む場合、当該樹脂と共に、樹脂組成物（ｙ）にも含有し得る、上述の基材用添加剤を含有してもよい。
【０１０４】
非膨張性基材層（Ｙ２）は、上述の膨張性基材層（Ｙ１）よりも上述の第１粘着剤層（Ｘ１）から離れた位置に存在しており、膨張性基材層（Ｙ１）と第１粘着剤層（Ｘ１）との間には非膨張性基材層（Ｙ２）は存在しておらず、前記膨張性粒子が膨張する際における前記非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は、前記膨張性粒子が膨張する際における前記膨張性基材層（Ｙ１）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも大きいことが好ましい。このように、膨張性基材層（Ｙ１）と第１粘着剤層（Ｘ１）との間に非膨張性基材層（Ｙ２）が存在しないため、膨張性粒子の膨張によって膨張性基材層（Ｙ１）の表面に生じる凹凸が、非膨張性基材層（Ｙ２）を介在させることなく第１粘着剤層（Ｘ１）に伝わることになり、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも凹凸が生じ易くなる。また、膨張性粒子が膨張する際において、非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は膨張性基材層（Ｙ１）の貯蔵弾性率Ｅ’よりも大きいため、膨張性粒子の膨張時に、膨張性基材層（Ｙ１）のうち非膨張性基材層（Ｙ２）側の表面に凹凸が生じることが抑制され、その結果、膨張性基材層（Ｙ１）のうち、第１粘着剤層（Ｘ１）側の表面に凹凸が生じ易くなり、したがって、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも凹凸が生じ易くなる。
前述の膨張性粒子が膨張する際における、非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は、上記のとおり第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸が生じ易くする観点から、好ましくは１．０ＭＰａ以上であり、また、貼付作業及び剥離作業の容易性の観点、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面にも凹凸を生じさせる観点、又はロール形体でのハンドリングのし易さの観点から、好ましくは１．０×１０３ＭＰａ以下である。当該観点から、膨張性粒子が膨張する際における、非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは１．０〜５．０×１０２ＭＰａ、より好ましくは１．０×１０１〜１．０×１０２ＭＰａ、さらに好ましくは５．０×１０１〜１．０×１０３ＭＰａである。
また、上記の観点及び半導体ウエハを第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付する際の位置ずれを防止する観点から、２３℃における、非膨張性基材層（Ｙ２）の貯蔵弾性率Ｅ’（２３）は、好ましくは５．０×１０１〜５．０×１０４ＭＰａ、より好ましくは１．０×１０２〜１．０×１０４ＭＰａ、さらに好ましくは５．０×１０２〜５．０×１０３ＭＰａである。
非膨張性基材層（Ｙ２）は、上述の方法に基づき判断される、非膨張性層である。
そのため、上述の式から算出される非膨張性基材層（Ｙ２）の体積変化率（％）としては、５体積％未満であるが、好ましくは２体積％未満、より好ましくは１体積％未満、更に好ましくは０．１体積％未満、より更に好ましくは０．０１体積％未満である。
【０１０５】
また、非膨張性基材層（Ｙ２）は、体積変化率が上記範囲である限り、熱膨張性粒子を含有してもよい。例えば、非膨張性基材層（Ｙ２）に含まれる樹脂を選択することで、熱膨張性粒子が含まれていたとしても、体積変化率を上記範囲に調整することは可能である。
ただし、非膨張性基材層（Ｙ２）中の熱膨張性粒子の含有量は、少ないほど好ましい。
具体的な熱膨張性粒子の含有量としては、非膨張性基材層（Ｙ２）の全質量（１００質量％）に対して、通常３質量％未満、好ましくは１質量％未満、より好ましくは０．１質量％未満、更に好ましくは０．０１質量％未満、より更に好ましくは０．００１質量％未満である。
【０１０６】
＜第１粘着剤層（Ｘ１）、第２粘着剤層（Ｘ２）＞
本発明の一態様で用いる粘着シートは、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）を有する。
本発明の製造方法においては、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面は、硬質支持体と貼付され、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面は、半導体ウエハと貼付される。
【０１０７】
第１粘着剤層（Ｘ１）は、膨張性基材層（Ｙ１）中に含まれる膨張性粒子の膨張前においては、硬質支持体と密着性が高く、半導体ウエハを硬質支持体に十分に固定し得る性質が求められる。
当該観点から、２３℃における、第１粘着剤層（Ｘ１）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、好ましくは１．０×１０８Ｐａ以下、より好ましくは５．０×１０７Ｐａ以下、更に好ましくは１．０×１０７Ｐａ以下である。
【０１０８】
その一方で、膨張性基材層（Ｙ１）中の膨張性粒子の膨張時には、膨張性基材層（Ｙ１）の表面に生じた凹凸を、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面にも形成し得る程の剛性も要求される。
当該観点から、２３℃における、第１粘着剤層（Ｘ１）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、好ましくは１．０×１０４Ｐａ以上、より好ましくは５．０×１０４Ｐａ以上、更に好ましくは１．０×１０５Ｐａ以上である。
【０１０９】
また、第２粘着剤層（Ｘ２）は、半導体ウエハとの密着性だけでなく、当該半導体ウエハを分断して得られる半導体チップとの密着性も要求される共に、当該半導体チップが第２粘着剤層（Ｘ２）へ過度に沈み込むといった現象も抑制する必要がある。
これらの観点から、２３℃における、第２粘着剤層（Ｘ２）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、好ましくは１．０×１０４〜１．０×１０８Ｐａ、より好ましくは５．０×１０４〜５．０×１０７Ｐａ、更に好ましくは１．０×１０５〜１．０×１０７Ｐａである。
なお、本明細書において、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
【０１１０】
第１粘着剤層（Ｘ１）の厚さは、好ましくは１〜６０μｍ、より好ましくは２〜５０μｍ、更に好ましくは３〜４０μｍ、より更に好ましくは５〜３０μｍである。
【０１１１】
第２粘着剤層（Ｘ２）の厚さは、好ましくは１〜６０μｍ、より好ましくは２〜５０μｍ、更に好ましくは３〜４０μｍ、より更に好ましくは５〜３０μｍである。
【０１１２】
第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）は、粘着性樹脂を含む粘着剤組成物（ｘ）から形成することができる。
また、粘着剤組成物（ｘ）は、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、重合性化合物、重合開始剤等の粘着剤用添加剤を含有してもよい。
以下、粘着剤組成物（ｘ）に含まれる各成分について説明する。
【０１１３】
（粘着性樹脂）
本発明の一態様で用いる粘着性樹脂としては、当該樹脂単独で粘着性を有し、質量平均分子量（Ｍｗ）が１万以上の重合体であればよい。
本発明の一態様で用いる粘着性樹脂の質量平均分子量（Ｍｗ）としては、粘着力の向上の観点から、好ましくは１万〜２００万、より好ましくは２万〜１５０万、更に好ましくは３万〜１００万である。
【０１１４】
具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイソブチレン系樹脂等のゴム系樹脂、ポリエステル系樹脂、オレフィン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂等が挙げられる。
これらの粘着性樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、これらの粘着性樹脂が、２種以上の構成単位を有する共重合体である場合、当該共重合体の形態は、特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、及びグラフト共重合体のいずれであってもよい。
【０１１５】
本発明の一態様で用いる粘着性樹脂は、上記の粘着性樹脂の側鎖に重合性官能基を導入した、エネルギー線硬化型の粘着性樹脂であってもよい。
例えば、第２粘着剤層（Ｘ２）をエネルギー線硬化型の粘着性樹脂を含むエネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成することで、エネルギー線を照射することで粘着力を低下させることができるため、得られた半導体チップを第２粘着剤層（Ｘ２）から容易にピックアップすることができる。
当該重合性官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。
また、エネルギー線としては、紫外線や電子線が挙げられるが、紫外線が好ましい。
なお、エネルギー線を照射して粘着力を低下し得る粘着剤層の形成材料としては、重合性官能基を有するモノマー又はオリゴマーを含有するエネルギー線硬化型粘着剤組成物であってもよい。
【０１１６】
これらのエネルギー線硬化型粘着剤組成物には、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
光重合開始剤を含有することで、比較的低エネルギーのエネルギー線の照射によっても、十分に硬化反応を進行させることができる。
光重合開始剤としては、上述の無溶剤型樹脂組成物（ｙ１）に配合されるものと同じものが挙げられる。
光重合開始剤の含有量は、エネルギー線硬化型の粘着性樹脂１００質量部もしくは重合性官能基を有するモノマー又はオリゴマー１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１０質量部、より好ましくは０．０３〜５質量部、更に好ましくは０．０５〜２質量部である。
【０１１７】
本発明の一態様において、優れた粘着力を発現させる観点から、粘着性樹脂が、アクリル系樹脂を含むことが好ましい。特に、第１粘着剤層（Ｘ１）が、アクリル系樹脂を含む粘着剤組成物から形成することで、第１粘着剤層の表面に凹凸を形成させ易くすることができる。
【０１１８】
粘着性樹脂中のアクリル系樹脂の含有割合としては、粘着剤組成物（ｘ）に含まれる粘着性樹脂の全量（１００質量％）に対して、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％、更に好ましくは７０〜１００質量％、より更に好ましくは８５〜１００質量％である。
【０１１９】
粘着性樹脂の含有量としては、粘着剤組成物（ｘ）の有効成分の全量（１００質量％）に対して、好ましくは３５〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％、更に好ましくは６０〜９８質量％、より更に好ましくは７０〜９５質量％である。
【０１２０】
（架橋剤）
本発明の一態様において、粘着剤組成物（ｘ）が官能基を有する粘着性樹脂を含有する場合、粘着剤組成物（ｘ）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
当該架橋剤は、官能基を有する粘着性樹脂と反応して、当該官能基を架橋起点として、粘着性樹脂同士を架橋するものである。
【０１２１】
架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
これらの架橋剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの架橋剤の中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
【０１２２】
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂が有する官能基の数により適宜調整されるものであるが、官能基を有する粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１０質量部、より好ましくは０．０３〜７質量部、更に好ましくは０．０５〜５質量部である。
【０１２３】
（粘着付与剤）
本発明の一態様において、粘着剤組成物（ｘ）は、粘着力をより向上させる観点から、さらに粘着付与剤を含有してもよい。
本明細書において、「粘着付与剤」とは、上述の粘着性樹脂の粘着力を補助的に向上させる成分であって、質量平均分子量（Ｍｗ）が１万未満のオリゴマーを指し、上述の粘着性樹脂とは区別されるものである。
粘着付与剤の質量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは４００〜１００００、より好ましくは５００〜８０００、更に好ましくは８００〜５０００である。
【０１２４】
粘着付与剤としては、例えば、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、スチレン系樹脂、石油ナフサの熱分解で生成するペンテン、イソプレン、ピペリン、１，３−ペンタジエン等のＣ５留分を共重合して得られるＣ５系石油樹脂、石油ナフサの熱分解で生成するインデン、ビニルトルエン等のＣ９留分を共重合して得られるＣ９系石油樹脂、及びこれらを水素化した水素化樹脂等が挙げられる。
【０１２５】
粘着付与剤の軟化点は、好ましくは６０〜１７０℃、より好ましくは６５〜１６０℃、更に好ましくは７０〜１５０℃である。
なお、本明細書において、粘着付与剤の「軟化点」は、ＪＩＳ  Ｋ  ２５３１に準拠して測定した値を意味する。
粘着付与剤は、単独で用いてもよく、軟化点や構造が異なる２種以上を併用してもよい。
そして、２種以上の複数の粘着付与剤を用いる場合、それら複数の粘着付与剤の軟化点の加重平均が、上記範囲に属することが好ましい。
【０１２６】
粘着付与剤の含有量は、粘着剤組成物（ｘ）の有効成分の全量（１００質量％）に対して、好ましくは０．０１〜６５質量％、より好ましくは０．１〜５０質量％、更に好ましくは１〜４０質量％、より更に好ましくは２〜３０質量％である。
【０１２７】
（粘着剤用添加剤）
本発明の一態様において、粘着剤組成物（ｘ）は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述の添加剤以外にも、一般的な粘着剤に使用される粘着剤用添加剤を含有していてもよい。
このような粘着剤用添加剤としては、例えば、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、防錆剤、顔料、染料、遅延剤、反応促進剤（触媒）、紫外線吸収剤、帯電防止剤等が挙げられる。
なお、これらの粘着剤用添加剤は、それぞれ単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１２８】
これらの粘着剤用添加剤を含有する場合、それぞれの粘着剤用添加剤の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１〜２０質量部、より好ましくは０．００１〜１０質量部である。
【０１２９】
なお、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）は、非膨張性粘着剤層であることが好ましい。そのため、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の形成材料である粘着剤組成物（ｘ）中の膨張性粒子の含有量は極力少ないほど好ましい。
膨張性粒子の含有量としては、粘着剤組成物（ｘ）の有効成分の全量（１００質量％）、もしくは、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の全質量（１００質量％）に対して、好ましくは１質量％未満、より好ましくは０．１質量％未満、更に好ましくは０．０１質量％未満、より更に好ましくは０．００１質量％未満である。
【０１３０】
＜剥離材＞
本発明の一態様で用いる粘着シートは、第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に、さらに剥離材を積層してもよい。
剥離材としては、両面剥離処理をされた剥離シートや、片面剥離処理された剥離シート等が用いられ、剥離材用の基材上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
【０１３１】
剥離材用基材としては、例えば、上質紙、グラシン紙、クラフト紙等の紙類；ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のオレフィン樹脂フィルム等のプラスチックフィルム；等が挙げられる。
【０１３２】
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
【０１３３】
剥離材の厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０〜２００μｍ、より好ましくは２５〜１７０μｍ、更に好ましくは３５〜８０μｍである。
【０１３４】
〔本発明の半導体チップの製造方法の各工程〕
本発明の製造方法は、上述の粘着シートを用いた、半導体ウエハから半導体チップを製造する方法であって、下記工程（１）〜（３）を有する。
・工程（１）：第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を硬質支持体に貼付し、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、半導体ウエハの表面に貼付する工程。
・工程（２）：前記半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程。
・工程（３）：前記膨張性粒子を膨張させて、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程。
【０１３５】
本発明の半導体チップの製造方法は、いわゆるステルスダイシング法に適用することもでき、先ダイシング法にも適用することができる。
【０１３６】
また、本発明の一態様の製造方法は、さらに下記工程（４）を有することが好ましく、下記工程（４）〜（６）を有することがより好ましい。
・工程（４）：工程（３）で前記硬質支持体から分離後、複数の半導体チップの回路面とは反対側の裏面を、基材フィルムと、粘着剤層及び／又は接着剤層とを有する転写テープに貼付した後、前記粘着シートを半導体チップから除去する工程。
・工程（５）：前記転写テープをＭＤ方向に引き伸ばし、複数の半導体チップ同士の間隔を広げる工程。
・工程（６）：複数の半導体チップを、前記転写テープから分離させて、半導体チップを得る工程。
【０１３７】
図２は、本発明の半導体チップの製造方法の工程（１）〜（３）における断面模式図であり、図３は、工程（４）〜（６）における模式断面図である。
以下、図２及び３を適宜参照しながら、工程（１）〜（４）について説明する。
【０１３８】
＜工程（１）＞
図２（ａ）は、図１（ａ）に示す粘着シート１ａを用いて、硬質支持体５０に、半導体ウエハ６０を貼付した状態を示す、工程（１）における断面模式図である。
工程（１）では、粘着シート１ａの第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を硬質支持体５０に貼付し、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、半導体ウエハ６０の回路が形成された回路面６１に貼付することが好ましい。
なお、図２においては、図１（ａ）に示す粘着シート１ａを用いた態様を示しているが、他の構成を有する粘着シートを用いる場合においても、同様に、硬質支持体、粘着シート、及び半導体ウエハをこの順で積層し、粘着シートの第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面は硬質支持体と、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面は半導体ウエハの回路面と貼付されることが好ましい。
【０１３９】
硬質支持体は、粘着シートの第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面の全面に貼付されることが好ましい。そのため、硬質支持体は、板状であることが好ましい。
また、第１粘着剤層（Ｘ１）と貼付される硬質支持体の表面の面積は、図２に示すように、第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面の面積以上であることが好ましい。
【０１４０】
硬質支持体を構成する材質としては、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハが好ましい。
なお、エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。
スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。
【０１４１】
硬質支持体の厚さは、好ましくは２０μｍ以上５０ｍｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以上２０ｍｍ以下である。
【０１４２】
硬質支持体のヤング率とは、チップ割れの防止性能の向上の観点から、好ましくは１．０ＧＰａ以上、より好ましくは５．０ＧＰａ以上、更に好ましくは１０ＧＰａ以上、より更に好ましくは２０ＧＰａ以上である。
なお、本明細書において、硬質支持体のヤング率は、ＪＩＳ  Ｚ２２８０：１９９３の静的ヤング率試験方法に準拠し、室温（２５℃）にて測定した値である。
【０１４３】
第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付される半導体ウエハの表面は、回路が形成された回路面であることが好ましい。
一方、半導体ウエハの当該回路面とは反対側の面（以下「裏面」ともいう）は、次工程で研削処理を行って、半導体ウエハを分断して複数の半導体チップとするため、回路や電極等は形成されていない平坦面であることが好ましい。
第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を半導体ウエハの回路面に貼付することで、当該回路面を保護することができる。
【０１４４】
本発明の製造方法で用いる半導体ウエハは、シリコン、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ガリウム、砒素等から構成された半導体ウエハの一方の表面に、エッチング法、リフトオフ法等によって回路を形成することで得ることができる。
【０１４５】
なお、半導体ウエハには、ステルスダイシング法に適用するための半導体ウエハの内部に改質領域を形成する処理や、先ダイシング法に適用するための半導体ウエハの表面から厚さ方向に溝を形成する処理を行う必要がある。
これらの処理を予め行った半導体ウエハの回路面を、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付してもよい。また、本工程にて、これらの処理を行っていない半導体ウエハの回路面を、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付した後、半導体ウエハの裏面からこれらの処理を行ってもよい。
【０１４６】
特に、ステルスダイシング法に適用するための半導体ウエハの内部に改質領域を形成する処理については、半導体ウエハの回路面を、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付した後に行うことが好ましい。
半導体ウエハの回路面を、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に貼付した後に改質領域の形成処理を行うことで、半導体ウエハが粘着シートを介して硬質支持体に貼付されているため、改質領域を形成後に生じ得る半導体ウエハの反りを効果的に抑制することができる。
【０１４７】
ステルスダイシング法によって半導体チップを製造する場合に、半導体ウエハの内部に改質領域を形成する処理としては、半導体ウエハの裏面をレーザ光入斜射面として、ワークの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、多光子吸収による改質領域を形成する方法が挙げられる。改質領域の形成の際、改質領域から半導体ウエハの厚さ方向に伸びた亀裂ラインも形成する。
【０１４８】
一方で、先ダイシング法に適用するための半導体ウエハの表面から厚さ方向に溝を形成する処理は、半導体ウエハを第２粘着剤層（Ｘ２）に貼付前に行ってもよく、貼付後に行ってもよい。
先ダイシング法によって半導体チップを製造する場合に、半導体ウエハの表面から厚さ方向に溝を形成する処理としては、公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行う方法が挙げられる。
【０１４９】
なお、工程（１）は、膨張性粒子が膨張しない環境下で行うことが好ましい。
例えば、膨張性粒子として、熱膨張性粒子を用いる場合には、工程（１）は、当該熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）未満となる温度条件下で行われればよく、具体的には、０〜８０℃の環境下（膨張開始温度（ｔ）が６０〜８０℃である場合には、膨張開始温度（ｔ）未満の環境下）で行われることが好ましい。
【０１５０】
＜工程（２）＞
工程（２）は、前記半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程である。
半導体ウエハを分断する方法としては、半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する方法が好ましい。
図２（ｂ）は、半導体ウエハ６０の裏面６２を研削して、複数の半導体チップに個片化した際の、模式断面図である。
【０１５１】
例えば、ステルスダイシング法においては、本工程は、改質領域を有する半導体ウエハを、回路面とは反対側の回路が形成されていない裏面を研削し、半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程となる。
ステルスダイシング法では、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であるため、半導体ウエハの裏面の研削により、厚さが薄くなることや、研削による力が加わることで、半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域となる。その結果、半導体ウエハは、改質領域及び亀裂ラインに沿って分断され、複数の半導体チップとして個片化される。
【０１５２】
また、先ダイシング法においては、本工程は、厚さ方向に予め形成された溝を有する半導体ウエハを、回路面とは反対側の回路が形成されていない裏面を研削し、半導体ウエハを分断して、複数の半導体チップを得る工程となる。
先ダイシング法において、半導体ウエハに形成されている溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。ここで、本工程で、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを研削して薄くすることで、当該溝が、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは分断されて、複数の半導体チップに個片化される。
【０１５３】
上述のとおり、本発明の製造方法では、硬質支持体と貼付する第１粘着剤層（Ｘ１）には、膨張性粒子を含む必要がないため、半導体ウエハを硬質支持体に十分に固定した状態で、半導体ウエハを分断するための裏面研削を行うことができる。その結果、得られる半導体チップの端部が欠ける等の弊害を効果的に抑制でき、半導体チップの製造における歩留まりを向上させることができる。
【０１５４】
なお、工程（２）においても、膨張性粒子が膨張しない環境下で行うことが好ましい。
例えば、膨張性粒子として、熱膨張性粒子を用いる場合には、工程（２）は、当該熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）未満となる温度条件下で行われればよく、具体的には、０〜８０℃の環境下（膨張開始温度（ｔ）が６０〜８０℃である場合には、膨張開始温度（ｔ）未満の環境下）で行われることが好ましい。
【０１５５】
＜工程（３）＞
工程（３）は、前記膨張性粒子を膨張させて、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、前記硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離する工程である。
図２（ｃ）は、膨張性基材層（Ｙ１）中の膨張性粒子を膨張させて、硬質支持体５０と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離した状態を示している。
図２（ｃ）に示すように、本工程では、膨張性粒子を膨張させた際、第２粘着剤層（Ｘ２）上の複数の半導体チップを貼付したまま、界面Ｐで硬質支持体５０から分離されるが、さらに、前記粘着シートを構成する各層の層間では分離しないことが好ましい。
【０１５６】
本工程において、膨張性粒子を膨張させる方法としては、膨張性粒子の種類に応じて適宜選択される。
例えば、膨張性粒子として、熱膨張性粒子を用いている場合は、当該熱膨張性粒子の膨張開始温度（ｔ）以上の温度での加熱処理を行い、当該熱膨張性粒子を膨張させる。
この際、上記の「膨張開始温度（ｔ）以上の温度」としては、「膨張開始温度（ｔ）＋１０℃」以上「膨張開始温度（ｔ）＋６０℃」以下であることが好ましく、「膨張開始温度（ｔ）＋１５℃」以上「膨張開始温度（ｔ）＋４０℃」以下であることがより好ましい。
【０１５７】
本発明の製造方法においては、膨張性粒子を含む膨張性基材層（Ｙ１）を有する粘着シートを用いて、当該膨張性粒子の膨張によって、硬質支持体と貼付している第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面に凹凸を形成することで、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで分離できるように調整している。
そのため、分離後に硬質支持体の表面に第１粘着剤層（Ｘ１）の一部が残存するような、硬質支持体の汚染を抑制して、硬質支持体の洗浄工程を省略可能とし、生産性を向上させ得る。
【０１５８】
＜工程（４）＞
工程（４）は、工程（３）で前記硬質支持体から分離後、複数の半導体チップの回路面とは反対側の裏面を、基材フィルムと、粘着剤層及び／又は接着剤層とを有する転写テープに貼付した後、前記粘着シートを半導体チップから除去する工程である。
図３（ａ）は、複数の半導体チップ７０の裏面７２を、転写テープ８０に貼付した後、粘着シート１ａを半導体チップ７０から除去した状態を示している。
【０１５９】
本工程において、粘着シート１ａが有する第２粘着剤層（Ｘ２）が、エネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成された層である場合には、エネルギー線を照射して、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力を低下させ、粘着シート１ａを除去してもよい。
なお、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力を低下させるために照射するエネルギー線は、粘着シート側から照射することが好ましい。
粘着シート１ａを除去後、複数の半導体チップ７０の回路面７１が表出し、裏面７２は転写テープ８０に貼付される。
【０１６０】
転写テープ８０は、ＭＤ方向に引き伸ばすことで伸びるように設計されたものであり、複数の半導体チップ７０同士の間隔を広げることができるように設計された粘着テープである。
本発明の一態様で用いる転写テープは、基材フィルムと、粘着剤層及び／又は接着剤層とを有するものであるが、具体的な構成としては、例えば、以下の（１）〜（３）の態様が挙げられる。
（１）基材フィルム、及び粘着剤層をこの順で積層してなる、転写テープ。
（２）基材フィルム、及び接着剤層をこの順で積層してなる、転写テープ。
（３）基材フィルム、粘着剤層、及び接着剤層をこの順で積層してなる、転写テープ。
【０１６１】
図３においては、上記（１）の態様の転写テープを用いた場合を示しており、基材フィルム８１及び粘着剤層８２をこの順で積層してなる転写テープ８０の粘着剤層８２に、複数の半導体チップ７０の裏面７２を貼付した状態を示している。
【０１６２】
（基材フィルム）
転写テープを構成する基材フィルムとしては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリスチレン樹脂等から選ばれる１種以上の樹脂を含む樹脂フィルムが挙げられる。
また、転写テープを構成する基材フィルムは、熱可塑性エラストマー、ゴム系材料等を含有することが好ましく、熱可塑性エラストマーを含有することがより好ましい。
熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。
【０１６３】
基材フィルムは、単層構成であってもよく、２層以上を積層してなる複層構成であってもよい。
また、基材フィルムは、さらに顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。
転写テープを構成する基材フィルムの厚さとしては、好ましくは２０〜３００μｍ、より好ましくは３０〜２５０μｍ、更に好ましくは４０〜２００μｍである。
【０１６４】
（粘着剤層）
転写テープを構成する粘着剤層としては、上述の第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の形成材料である粘着剤組成物（ｘ）から形成された層であってもよいが、第２粘着剤層（Ｘ２）の形成材料として好適である、上述のエネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成されたエネルギー線硬化型粘着剤層であることが好ましい。
【０１６５】
転写テープを構成する粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘着剤層であると、工程（６）のピックアップ工程の作業性が良好となる。
ただし、工程（４）において粘着シートを除去する際にエネルギー線を照射する場合、転写テープのエネルギー線硬化型粘着剤層の粘着力が低下しないように、粘着シートを除去する際のエネルギー線は、粘着シート側から照射することが好ましい。
【０１６６】
転写テープを構成する粘着剤層の厚さとしては、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍ、更に好ましくは５〜４０μｍである。
【０１６７】
（接着剤層）
転写テープを構成する接着剤層としては、バインダー樹脂及び熱硬化性成分を含む接着剤組成物から形成された層であることが好ましい。
バインダー樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー、フェノキシ樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを含むことが好ましい。
【０１６８】
転写テープを構成する接着剤層の厚さとしては、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは５〜７５μｍ、更に好ましくは５〜５０μｍである。
【０１６９】
＜工程（５）＞
工程（５）は、転写テープをＭＤ方向に引き伸ばし、複数の半導体チップ同士の間隔を広げる工程である。
図３（ｂ）に示すように、転写テープ８０をＭＤ方向に引き伸ばし、複数の半導体チップ７０同士の間隔を広げることで、次工程でのピックアップ性が良好となる。
【０１７０】
＜工程（６）＞
工程（６）は、複数の半導体チップを、前記転写テープから分離させて、半導体チップを得る工程である。
図３（ｃ）は、上記（１）の態様の転写テープを用いて、本工程でピックアップして、複数の半導体チップ７０が得られた状態を示している。
ここで、使用している転写テープがエネルギー線硬化型粘着剤層を有するものである場合、エネルギー線を照射することで、粘着力が低下し、ピックアップ性を良好とすることができる。
なお、この際、エネルギー線は、基材フィルム側から照射することが好ましい。
【０１７１】
転写テープとして、上記（２）及び（３）の態様の転写テープを用いている場合、本工程でのピックアップ時に、接着剤層が半導体チップの裏面に固着残存し、接着剤層付き半導体チップを得ることができ、ボンティング工程を省略することができる。
【実施例】
【０１７２】
本発明について、以下の実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の製造例及び実施例における物性値は、以下の方法により測定した値である。【０１７３】
＜質量平均分子量（Ｍｗ）＞
ゲル浸透クロマトグラフ装置（東ソー株式会社製、製品名「ＨＬＣ−８０２０」）を用いて、下記の条件下で測定し、標準ポリスチレン換算にて測定した値を用いた。
（測定条件）
・カラム：「ＴＳＫ  ｇｕａｒｄ  ｃｏｌｕｍｎ  ＨＸＬ−Ｌ」「ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｇ２５００ＨＸＬ」「ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｇ２０００ＨＸＬ」「ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｇ１０００ＨＸＬ」（いずれも東ソー株式会社製）を順次連結したもの
・カラム温度：４０℃
・展開溶媒：テトラヒドロフラン
・流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ【０１７４】
＜各層の厚さの測定＞
株式会社テクロック製の定圧厚さ測定器（型番：「ＰＧ−０２Ｊ」、標準規格：ＪＩＳ  Ｋ６７８３、Ｚ１７０２、Ｚ１７０９に準拠）を用いて測定した。【０１７５】
＜熱膨張性基材層（Ｙ１）の貯蔵弾性率Ｅ’＞
形成した熱膨張性基材層（Ｙ１）を、縦５ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ２００μｍの大きさとし、剥離材を除去したものを試験サンプルとした。
動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製，製品名「ＤＭＡＱ８００」）を用いて、試験開始温度０℃、試験終了温度３００℃、昇温速度３℃／分、振動数１Ｈｚ、振幅２０μｍの条件で、所定の温度における、当該試験サンプルの貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。【０１７６】
＜第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’＞
形成した第１粘着剤層（Ｘ１）及び第２粘着剤層（Ｘ２）を、直径８ｍｍの円形に切断したものを、剥離材を除去し、重ね合わせて、厚さ３ｍｍとしたものを試験サンプルとした。
粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ  Ｐａａｒ社製、装置名「ＭＣＲ３００」）を用いて、試験開始温度０℃、試験終了温度３００℃、昇温速度３℃／分、振動数１Ｈｚの条件で、ねじりせん断法によって、所定の温度における、試験サンプルの貯蔵せん断弾性率Ｇ’を測定した。【０１７７】
＜プローブタック値＞
測定対象となる基材層を一辺１０ｍｍの正方形に切断した後、２３℃、５０％ＲＨ（相対湿度）の環境下で２４時間静置したものを試験サンプルとした。
２３℃、５０％ＲＨ（相対湿度）の環境下で、タッキング試験機（日本特殊測器株式会社製，製品名「ＮＴＳ−４８００」）を用いて、試験サンプルの表面におけるプローブタック値を、ＪＩＳ  Ｚ０２３７：１９９１に準拠して測定した。
具体的には、直径５ｍｍのステンレス鋼製のプローブを、１秒間、接触荷重０．９８Ｎ／ｃｍ２で試験サンプルの表面に接触させた後、当該プローブを１０ｍｍ／秒の速度で、試験サンプルの表面から離すのに必要な力を測定し、得られた値を、その試験サンプルのプローブタック値とした。【０１７８】
＜第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力の測定＞
剥離フィルム上に形成した第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面上に、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡株式会社製、製品名「コスモシャインＡ４１００」）を積層し、基材付き粘着シートとした。
そして、剥離フィルムを除去し、表出した第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面を、被着体であるステンレス鋼板（ＳＵＳ３０４  ３６０番研磨）に貼付し、２３℃、５０％ＲＨ（相対湿度）の環境下で、２４時間静置した後、同じ環境下で、ＪＩＳ  Ｚ０２３７：２０００に基づき、１８０°引き剥がし法により、引っ張り速度３００ｍｍ／分にて、２３℃における粘着力を測定した。【０１７９】
＜硬質支持体のヤング率＞
ＪＩＳ  Ｚ２２８０：１９９３の静的ヤング率試験方法に準拠し、室温（２５℃）にて測定した。【０１８０】
製造例１（アクリルウレタン系樹脂の合成）
（１）ウレタンプレポリマーの合成）
窒素雰囲気下の反応容器内に、質量平均分子量１，０００のポリカーボネートジオール１００質量部（固形分比）に対して、イソホロンジイソシアネートを、ポリカーボネートジオールの水酸基とイソホロンジイソシアネートのイソシアネート基との当量比が１／１となるように配合し、さらにトルエン１６０質量部を加え、窒素雰囲気下にて、撹拌しながら、イソシアネート基濃度が理論量に到達するまで、８０℃で６時間以上反応させた。
次いで、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２−ＨＥＭＡ）１．４４質量部（固形分比）をトルエン３０質量部に希釈した溶液を添加して、両末端のイソシアネート基が消滅するまで、更に８０℃で６時間反応させ、質量平均分子量２．９万のウレタンプレポリマーを得た。【０１８１】
（２）アクリルウレタン系樹脂の合成
窒素雰囲気下の反応容器内に、製造例１で得たウレタンプレポリマー１００質量部（固形分比）、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１１７質量部（固形分比）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２−ＨＥＭＡ）５．１質量部（固形分比）、１−チオグリセロール１．１質量部（固形分比）、及びトルエン５０質量部を加え、撹拌しながら、１０５℃まで昇温した。
そして、反応容器内に、さらにラジカル開始剤（株式会社日本ファインケム製、製品名「ＡＢＮ−Ｅ」）２．２質量部（固形分比）をトルエン２１０質量部で希釈した溶液を、１０５℃に維持したまま４時間かけて滴下した。
滴下終了後、１０５℃で６時間反応させ、質量平均分子量１０．５万のアクリルウレタン系樹脂の溶液を得た。【０１８２】
製造例２（粘着シートの作製）
以下の粘着シートの作製の際に、各層の形成で使用した粘着性樹脂、添加剤、熱膨張性粒子、基材及び剥離材の詳細は以下のとおりである。
＜粘着性樹脂＞
・アクリル系共重合体（ｉ）：２−エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）＝８０．０／２０．０（質量比）からなる原料モノマーに由来の構成単位を有する、Ｍｗ６０万のアクリル系共重合体。
・アクリル系共重合体（ii）：ｎ−ブチルアクリレート（ＢＡ）／メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）／アクリル酸＝８６．０／８．０／５．０／１．０（質量比）からなる原料モノマーに由来の構成単位を有する、Ｍｗ６０万のアクリル系共重合体。
＜添加剤＞
・イソシアネート架橋剤（ｉ）：東ソー株式会社製、製品名「コロネートＬ」、固形分濃度：７５質量％。
＜熱膨張性粒子＞
・熱膨張性粒子（ｉ）：株式会社クレハ製、製品名「Ｓ２６４０」、膨張開始温度（ｔ）＝２０８℃、平均粒子径（Ｄ５０）＝２４μｍ、９０％粒子径（Ｄ９０）＝４９μｍ。
＜剥離材＞
・重剥離フィルム：リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８２１５０」、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面に、シリコーン系剥離剤から形成した剥離剤層を設けたもの、厚さ：３８μｍ。
・軽剥離フィルム：リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、ＰＥＴフィルムの片面に、シリコーン系剥離剤から形成した剥離剤層を設けたもの、厚さ：３８μｍ。【０１８３】
（１）第１粘着剤層（Ｘ１）の形成
粘着性樹脂である、上記アクリル系共重合体（ｉ）の固形分１００質量部に、上記イソシアネート系架橋剤（ｉ）５．０質量部（固形分比）を配合し、トルエンで希釈し、均一に撹拌して、固形分濃度（有効成分濃度）２５質量％の粘着剤組成物を調製した。
そして、上記重剥離フィルムの剥離剤層の表面に、当該粘着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を１００℃で６０秒間乾燥して、厚さ５μｍの非膨張性粘着剤層である第１粘着剤層（Ｘ１）を形成した。
なお、２３℃における、第１粘着剤層（Ｘ１）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、２．５×１０５Ｐａであった。【０１８４】
（２）第２粘着剤層（Ｘ２）の形成
粘着性樹脂である、上記アクリル系共重合体（ii）の固形分１００質量部に、上記イソシアネート系架橋剤（ｉ）０．８質量部（固形分比）を配合し、トルエンで希釈し、均一に撹拌して、固形分濃度（有効成分濃度）２５質量％の粘着剤組成物を調製した。
そして、上記軽剥離フィルムの剥離剤層の表面に、当該粘着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を１００℃で６０秒間乾燥して、厚さ１０μｍの第２粘着剤層（Ｘ２）を形成した。
なお、２３℃における、第２粘着剤層（Ｘ２）の貯蔵せん断弾性率Ｇ’（２３）は、９．０×１０３Ｐａであった。
また、上記方法に基づき測定した、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着力は、１．０Ｎ／２５ｍｍであった。
なお、第２粘着剤層（Ｘ２）及び前記第１粘着剤層（Ｘ１）は、プローブタック値が５０ｍＮ／５ｍｍφ以上であることが明らかであったため、プローブタック値の測定を省略した。【０１８５】
（３）基材（Ｙ）の作製
製造例１で得たアクリルウレタン系樹脂の固形分１００質量部に、上記イソシアネート系架橋剤（ｉ）６．３質量部（固形分比）、触媒として、ジオクチルスズビス（２−エチルヘキサノエート）１．４質量部（固形分比）、及び上記熱膨張性粒子（ｉ）を配合し、トルエンで希釈し、均一に撹拌して、固形分濃度（有効成分濃度）３０質量％の樹脂組成物を調製した。
なお、得られた樹脂組成物中の有効成分の全量（１００質量％）に対する、熱膨張性粒子（ｉ）の含有量は２０質量％であった。
そして、非膨張性基材である、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡株式会社製、製品名「コスモシャインＡ４１００」、プローブタック値：０ｍＮ／５ｍｍφ）の表面上に、当該樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を１００℃で１２０秒間乾燥して、厚さ５０μｍの膨張性基材層（Ｙ１）を形成した。
ここで、上記ＰＥＴフィルムは、非膨張性基材層（Ｙ２）に相当する。【０１８６】
なお、膨張性基材層（Ｙ１）の物性値を測定するサンプルとして、上記軽剥離フィルムの剥離剤層の表面に、当該樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を１００℃で１２０秒間乾燥して、厚さ５０μｍの膨張性基材層（Ｙ１）を同様に形成した。
そして、上述の測定方法に基づき、膨張性基材層（Ｙ１）の各温度における貯蔵弾性率及びプローブタック値を測定した。当該測定結果は、以下のとおりであった。
・２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２３）＝２．０×１０８Ｐａ
・２０８℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２０８）＝５．０×１０５Ｐａ
・プローブタック値＝０ｍＮ／５ｍｍφ
また、上記ＰＥＴフィルム、すなわち、非膨張性基材層（Ｙ２）の各温度における貯蔵弾性率及びプローブタック値を測定した。当該測定結果は、以下のとおりであった。
・２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２３）＝１．０×１０３ＭＰａ
・２０８℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２０８）＝０．８×１０２ＭＰａ
・プローブタック値＝０ｍＮ／５ｍｍφ【０１８７】
（４）各層の積層
上記（１−３）で作製した基材（Ｙ１）の非膨張性基材層（Ｙ２）と、上記（２）で形成した第２粘着剤層（Ｘ２）とを貼り合わせると共に、熱膨張性基材層（Ｙ１）と、上記（１）で形成した第１粘着剤層（Ｘ１）とを貼り合せた。
そして、重剥離フィルム／第１粘着剤層（Ｘ１）／膨張性基材層（Ｙ１）／非膨張性基材層（Ｙ２）／第２粘着剤層（Ｘ２）／軽剥離フィルムをこの順で積層してなる、粘着シートを作製した。【０１８８】
なお、作製した粘着シートについて、上述の方法に基づき、剥離力（Ｆ０）及び（Ｆ１）を以下の方法に準拠して測定した。
その結果、剥離力（Ｆ０）＝０．２３Ｎ／２５ｍｍ、剥離力（Ｆ１）＝０ｍＮ／２５ｍｍとなり、剥離力（Ｆ１）と剥離力（Ｆ０）との比〔（Ｆ１）／（Ｆ０）〕は０であった。【０１８９】
＜剥離力（Ｆ０）の測定＞
作製した粘着シートを２３℃、５０％ＲＨ（相対湿度）の環境下で、２４時間静置した後、当該粘着シートが有する重剥離フィルムを除去し、表出した第１粘着剤層（Ｘ１）を、シリコンウエハに貼付した。
次いで、粘着シートが貼付されたシリコンウエハの端部を、万能引張試験機（オリエンテック社製，製品名「テンシロン  ＵＴＭ−４−１００」）の下部チャックへ固定し、上部チャックで粘着シートを固定した。
そして、上記と同じ環境下で、ＪＩＳ  Ｚ０２３７：２０００に基づき、１８０°引き剥がし法により、引張速度３００ｍｍ／分で、シリコンウエハと粘着シートの第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで剥離した際に測定された剥離力を「剥離力（Ｆ０）」とした。【０１９０】
＜剥離力（Ｆ１）の測定＞
作製した粘着シートが有する重剥離フィルムを除去し、表出した第１粘着剤層（Ｘ１）をシリコンウエハに貼付し、２４０℃で３分間加熱し、膨張性基材層（Ｙ１）中の熱膨張性粒子を膨張させた。
その後は、上述の剥離力（Ｆ０）の測定と同様にし、上記条件にて、シリコンウエハと粘着シートの第１粘着剤層（Ｘ１）との界面Ｐで剥離した際に測定された剥離力を「剥離力（Ｆ１）」とした。
なお、剥離力（Ｆ１）の測定において、万能引張試験機の上部チャックで、粘着シートを固定しようとした際、シリコンウエハから粘着シート（Ｉ）が完全に分離してしまい、固定ができない場合には、測定を終了し、その際の剥離力（Ｆ１）は「０ｍＮ／２５ｍｍ」とした。【０１９１】
製造例３（転写テープの作製）
ブチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝８５／１５（質量比）を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その２−ヒドロキシエチルアクリレートに対して８０モル％のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）とを反応させて得られた、質量平均分子量（Ｍｗ）６０万のエネルギー線硬化型アクリル系共重合体を、粘着性樹脂として用いた。
当該エネルギー線硬化型アクリル系共重合体の固形分１００質量部に対して、光重合開始剤である１−ヒドロキシシクロフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製、製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤であるトリレンジイソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）０．４５質量部とを溶媒中で混合し、粘着性組成物を得た。
次に、上述の軽剥離フィルム（ｉ）の剥離処理面に、上記粘着性組成物を塗布し塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させて、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
そして、この粘着剤層の表出した表面に、基材フィルムとして、ポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム社製、製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」、厚さ５０μｍ）の片面を貼り合わせた。
以上のようにして、基材フィルム、粘着剤層、及び軽剥離フィルムをこの順で積層してなる転写テープを得た。【０１９２】
実施例１
＜工程（１）＞
製造例２で作製した粘着シートを２３０ｍｍ×２３０ｍｍの正方形の大きさに裁断した。
バックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２」）を用いて、裁断後の粘着シートの重剥離フィルムを剥離して、表出した第１粘着剤層（Ｘ１）の粘着表面を、硬質支持体（材質：シリコン、厚さ：７２５μｍ、ヤング率：３０ＧＰａ）に貼付した。そして、さらに軽剥離フィルムも剥離して、表出した第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面に、一方の表面に回路が形成された回路面を有する半導体ウエハ（直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍの円板状）の当該回路面を貼付した。
その後、ステルスレーザー照射装置（東京精密社製、装置名「ＭＬ３００ＰｌｕｓＷＨ」）を用いて、半導体ウエハの回路面とは反対側の裏面から、ステルスレーザー照射を行って、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。【０１９３】
＜工程（２）＞
ポリッシュ・グラインダ（東京精密社製、装置名「ＰＧ３０００ＲＭ」）を用いて、半導体ウエハの回路が形成されていない裏面に対して、超純水に曝しながら研削を行い、半導体ウエハを分断し、同時にチップの個片化を行い、厚さ２０μｍの複数の半導体チップを得た。【０１９４】
＜工程（３）＞
硬質支持体、粘着シート、及び複数の半導体チップを含む系内の温度を、熱膨張性粒子（ｉ）の膨張開始温度（２０８℃）以上となる２４０℃とし、３分間の加熱処理を行った。
加熱処理後、硬質支持体と第１粘着剤層（Ｘ１）との界面で一括して容易に分離することができた。この際、複数の半導体チップは第２粘着剤層（Ｘ２）と貼付したままであり、粘着シートを構成する各層の層間での分離は生じなかった。
また、硬質支持体から分離後、硬質支持体の表面には、第１粘着剤層（Ｘ１）の一部が残存するようなことは確認されず、汚染は見られなかった。そのため、硬質支持体の表面に対しては、新たに洗浄工程を行う必要がないと考えられる。【０１９５】
＜工程（４）＞
製造例３で得られた転写テープを２１０ｍｍ×２１０ｍｍの正方形の大きさに裁断した。このとき、裁断後の転写テープの各辺が、基材フィルム（Ｙ２）のＭＤ方向と平行又は垂直となるように裁断した。
次に、転写テープから軽剥離フィルムを剥離し、表出した粘着剤層の表面と、工程（３）で硬質支持体から分離後の複数の半導体チップの裏面とを貼付した。
なお、この際、複数の半導体チップの一群が、転写テープの中央部に位置するように貼付すると共に、半導体ウエハから個片化したときのダイシングラインが、転写テープの各辺と平行又は垂直となるように貼付した。そして、複数の半導体チップの一群を、第２粘着剤層（Ｘ２）の粘着表面から剥離し、粘着シートを除去した。【０１９６】
＜工程（５）＞
複数の半導体チップが貼付されている転写テープを、２軸延伸可能なエキスパンド装置に設置した。エキスパンド装置は、互いに直交するＸ軸方向（正の方向を＋Ｘ軸方向、負の方向を−Ｘ軸方向とする。）とＹ軸方向（正の方向を＋Ｙ軸方向、負の方向を−Ｙ軸方向とする。）を有し、各方向（すなわち、＋Ｘ軸方向、−Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向）に延伸するための保持手段を有する。
ここで、転写テープのＭＤ方向を、Ｘ軸又はＹ軸方向と合わせて、エキスパンド装置に設置し、保持手段によって、転写テープの各辺を把持させてから、下記の条件にて、転写テープを引き伸ばし、転写テープ上に貼付されている複数の半導体チップ同士の間隔を広げた。
・保持手段の個数：一辺辺り、５個
・延伸速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
・延伸距離：各辺を６０ｍｍずつ延伸した。【０１９７】
＜工程（６）＞
紫外線照射装置（リンテック株式会社製、製品名「ＲＡＤ−２０００」）を用いて、転写テープの基材フィルム側から、紫外線を照射（光量：５００ｍＪ／ｃｍ２、照度：２２０ｍＷ／ｃｍ２、照射速度：１５ｍｍ／ｓ）し、転写テープが有する粘着剤層の粘着力を低下させた。そして、ピックアップして、半導体チップを得た。
なお、得られた複数の半導体チップのうち、端部の欠け等が見られるものは確認されなかった。
【符号の説明】
【０１９８】
１ａ、１ｂ    粘着シート
（Ｘ１）    第１粘着剤層
（Ｘ２）    第２粘着剤層
（Ｙ）    基材
（Ｙ１）    膨張性基材層
（Ｙ２）    非膨張性基材層
（Ｙ２−１）    第１非膨張性基材層
（Ｙ２−２）    第２非膨張性基材層
５０    硬質支持体
６０    半導体ウエハ
６１    回路面
６２    裏面
７０    半導体チップ
７１    回路面
７２    裏面
８０    転写テープ
８１    基材フィルム
８２    粘着剤層
【図１】
2019216262.tif 000003
【図２】
2019216262.tif 000004
【図３】
2019216262.tif 000005
【国際調査報告】
2019216262.tif 000006
2019216262.tif 000007
2019216262.tif 000008
2019216262.tif 000009