(57)【要約】樹脂多層基板（１０１）は、樹脂層（１１ａ，１２ａ，１３ａ）および接着層（２１ａ，２２ａ，２３ａ）が積層されて形成される積層体（３０Ａ）と、樹脂層に形成されるビア導体（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３）と、接着層に形成される接合部（６１，６２，７１，７２）と、を備える。接合部はビア導体に接続される。樹脂層および接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層である。接合部は、有機物を含む、または単位平断面積当たりの空隙率がビア導体よりも高い。接合部（６１，６２，７１，７２）の少なくとも一部はガス高透過層（樹脂層（１１ａ，１２ａ，１３ａ））に接する。
2020122180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、前記ビア導体に接続される接合部と、
を備え、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接する、
樹脂多層基板。
【請求項２】
前記ビア導体の厚みは前記接合部の厚みよりも厚い、
請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項３】
前記接合部のうち前記ガス高透過層に接する部分の厚みは、前記接合部のうち前記ガス低透過層に接する部分の厚みよりも厚い、
請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
前記接合部は前記ガス高透過層のみに接する、
請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
前記ビア導体と前記接合層との界面は、前記ガス高透過層内に位置する、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
前記ガス高透過層の厚みは前記ガス低透過層の厚みよりも厚い、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項７】
前記樹脂層および前記接着層は熱可塑性樹脂からなる、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項８】
前記ガス高透過層の比誘電率は前記ガス低透過層の比誘電率よりも低い、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項９】
前記ガス高透過層はフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートであり、
前記ガス低透過層は液晶ポリマーを主成分とする樹脂シートである、
請求項８に記載の樹脂多層基板。
【請求項１０】
前記ガス高透過層よりもガス透過性の低い保護層をさらに備え、
前記積層体は、前記樹脂層および前記接着層の積層方向に直交する主面と、前記主面に隣接する側面と、を有し、
前記保護層は前記主面に形成され、
前記ガス高透過層は、前記側面に露出している、
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１１】
前記積層体は、厚み方向に直交する一方向に延びる形状であり、延びる方向に曲げ部を有しており、
前記曲げ部に最も近く、前記厚み方向に直交し、前記積層体の外面となる主面に最も近い位置に存在する前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記主面側に配置されている、
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１２】
前記ビア導体と前記接合部との組は、前記積層体の前記厚み方向の両端にそれぞれ配置される第１主面と第２主面とに対して配置され、
前記第１主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記第１主面側に配置され、
前記第２主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記第２主面側に配置されている、
請求項１１に記載の樹脂多層基板。
【請求項１３】
前記ビア導体と前記接合部との位置関係は、前記積層体における平面状の導体の面積が少ない側の主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組に用いられる、
請求項１１に記載の樹脂多層基板。
【請求項１４】
樹脂多層基板と、他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、前記ビア導体に接続される接合部と、
を有し、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接し、
前記樹脂多層基板は、導電性接合材を介して前記他の部材に接合される、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる種類の樹脂層が積層されて形成される樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、互いに異なる材料からなる複数種の樹脂層が積層されて形成される積層体と、この積層体に形成されるビア導体と、を備える樹脂多層基板が知られている。【０００３】
例えば、特許文献１には、複数の樹脂層の間に接着層を介した積層体と、樹脂層に形成されるビア導体（めっきビア）と、上記ビア導体に接合される接合部（例えば、低融点金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性接合材）と、を備える構造の樹脂多層基板が開示されている。この構成によれば、めっきビアであるビア導体を用いるため、（ビア導体を用いず）接合部のみを用いて樹脂多層基板に回路を形成する場合に比べて、回路の導体損を低減できる。また、上記構成によれば、低融点金属材料である接合部を用いてビア導体を他の導体（例えば、平面導体や他のビア導体）に接続できるため、より複雑な回路を樹脂多層基板に形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−５４９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
樹脂層および接合部は樹脂を含むため、所定の温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、ＣＯ２等の気体および水分を生じる。このような気体および水分が積層体中に残っていると、樹脂多層基板を加熱した際（例えば、積層体の形成時、実装時におけるリフロー工程時、ホットバー等を用いた実装時、または加熱を伴う曲げ加工時等）に、ガス（上記気体、および上記水分から生じた気体）が膨張して層間剥離（デラミネーション）や、上記層間剥離に伴う接合部と他の導体との接続不良等が生じやすい。そのため、樹脂多層基板の製造時等に上記ガスを積層体外へ排出させることが重要となる。【０００６】
しかし、樹脂層または接着層のいずれか一方のガス透過性が低い場合、樹脂多層基板の加熱時に生じたガスを効率良く外部に排出することが困難となる。特に、めっきビアであるビア導体に比べて、樹脂材料を含んだ接合部は上記加熱時に生じるガスの量が多いため、接合部が形成される接着層のガス透過性が低い場合には、層間剥離が生じやすい。【０００７】
本発明の目的は、積層体と、この積層体に形成されるビア導体および接合部と、を備える構成において、加熱した際に積層体に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部に排出しやすくすることにより、層間剥離等の発生を抑制した樹脂多層基板、およびそれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の樹脂多層基板は、
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、前記ビア導体に接続される接合部と、
を備え、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接することを特徴とする。【０００９】
この構成によれば、樹脂層および接着層のいずれか一方が、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であるため、樹脂層および接着層のうちガス透過性の低い他方（ガス低透過層）のみが積層されて形成される積層体に比べて、加熱した際に積層体中に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部に排出しやすい。【００１０】
また、この構成によれば、加熱した際にビア導体よりも発生するガス量の多い接合部が、ガス高透過層に接触しているため、加熱した際に積層体中に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部に効率良く排出できる。そのため、加熱した際の樹脂多層基板の層間剥離が抑制される。【００１１】
本発明の電子機器は、
樹脂多層基板と、他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、前記ビア導体に接続される接合部と、
を有し、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接し、
前記樹脂多層基板は、導電性接合材を介して前記他の部材に接合されることを特徴とする。【００１２】
この構成によれば、加熱した際の層間剥離が抑制された樹脂多層基板を備える電子機器を実現できる。また、この構成によれば、加熱した際でも積層体表面の平坦性が確保されるため、他の部材に対する樹脂多層基板の実装不良や、樹脂多層基板に対する他の部材の実装不良が抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、積層体と、この積層体に形成されるビア導体および接合部と、を備える構成において、加熱した際に積層体に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部に排出しやすくすることにより、層間剥離等の発生を抑制した樹脂多層基板、およびそれを備える電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。
【図２】図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。
【図３】図３（Ａ）は樹脂多層基板１０１の断面図であり、図３（Ｂ）は図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における炭素含有率を示す図であり、図４（Ｂ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における単位平断面積当たりの空隙率を示す図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。
【図６】図６は、加熱プレス前の樹脂層１１ａおよび接着層２１ａに、グランド導体５１、ビア導体Ｖ１１および接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。
【図７】図７は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。
【図９】図９は、樹脂多層基板１０１の曲げ加工を順に示す正面図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４、１０４Ｄの部分拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の別の部分拡大断面図である。
【図１４】図１４は、第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の部分拡大断面図である。
【図１５】図１５は、第６の実施形態に係る樹脂多層基板１０６の部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点につてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１６】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。なお、図２では、構造を分かりやすくするため、信号導体４０をドットパターンで示している。
【００１７】
樹脂多層基板１０１は、後に詳述するように、例えば回路基板上に実装される表面実装部品である。樹脂多層基板１０１は、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。第１接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＮ２は、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。第１接続部ＣＮ１には、図１に示す下面（第１主面ＶＳ１）に実装電極Ｐ１およびグランド電極ＰＧ１が露出しており、第２接続部ＣＮ２には、図１に示す下面に実装電極Ｐ２およびグランド電極ＰＧ２が露出している。線路部ＳＬには、後に詳述するように、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐ伝送線路が構成されている。
【００１８】
樹脂多層基板１０１は、積層体３０Ａ、信号導体４０、実装電極Ｐ１，Ｐ２、グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２、グランド導体５１，５２，５３、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３、接合部６１，６２，７１，７２、保護層１，２等を備える。
【００１９】
積層体３０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。積層体３０Ａは、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２と、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に隣接する側面ＳＳとを有する。第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２は、積層方向（Ｚ軸方向）に直交する面である。積層体３０Ａの第１主面ＶＳ１には、保護層１、グランド導体５１および実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。積層体３０Ａの第２主面ＶＳ２には、保護層２およびグランド導体５３が形成されている。また、積層体３０Ａの内部には、信号導体４０、グランド導体５２、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３および接合部６１，６２，７１，７２が形成されている。
【００２０】
積層体３０Ａは、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａが積層されて形成される。具体的には、積層体３０Ａは、樹脂層１１ａ、接着層２１ａ，２２ａ、樹脂層１２ａ、接着層２３ａおよび樹脂層１３ａが、この順番に積層されて形成される。
【００２１】
樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａは、いずれも長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、熱可塑性樹脂からなる。樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａは、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。接着層２１ａ，２２ａ，２３ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とする樹脂シートである。
【００２２】
本実施形態に係る樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａは、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａよりもガス透過性が高い。本実施形態では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａが本発明における「ガス高透過層」に相当し、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａが本発明における「ガス低透過層」に相当する。なお、「物質Ａよりも物質Ｂの方がガス透過性が高い」、とは、例えば、「物質Ａよりも物質Ｂの方がガス透過係数が高い」ということを意味する。その際、ガス透過係数とは、例えば、ＪＩＳ規格で定められる、差圧法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１）や等圧法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−２）などを用いて測定される。
【００２３】
樹脂層１１ａの裏面には、実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体５１が形成されている。実装電極Ｐ１は、樹脂層１１ａの第１端（図２における樹脂層１１ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ２は、樹脂層１１ａの第２端（図２における樹脂層１１ａの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体５１は、樹脂層１１ａの略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。樹脂層１１ａの表面には、樹脂層１１ａと略同じ形状の接着層２１ａが貼り合わされている。
【００２４】
また、樹脂層１１ａには、ビア導体Ｖ１，Ｖ４および複数のビア導体Ｖ１１が形成されている。ビア導体Ｖ１は樹脂層１１ａの第１端付近に配置されており、ビア導体Ｖ４は樹脂層１１ａの第２端付近に配置されている。複数のビア導体Ｖ１１は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ１，Ｖ４，Ｖ１１は、例えば、樹脂層１１ａおよび接着層２１ａに設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。
【００２５】
樹脂層１２ａの表面には、信号導体４０およびグランド導体５２が形成されている。信号導体４０は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体５２は、樹脂層１２ａの略全面に形成される平面状の導体パターンである。信号導体４０およびグランド導体５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。樹脂層１２ａの裏面には、樹脂層１２ａの略同じ形状の接着層２２ａが貼り合わされている。
【００２６】
また、樹脂層１２ａには、ビア導体Ｖ２，Ｖ３および複数のビア導体Ｖ１２が形成されている。ビア導体Ｖ２は樹脂層１２ａの第１端（図２における樹脂層１２ａの左端）付近に配置されており、ビア導体Ｖ３は樹脂層１２ａの第２端（図２における樹脂層１２ａの右端）付近に配置されている。複数のビア導体Ｖ１２は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ１２は、例えば、樹脂層１２ａおよび接着層２２ａに設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。
【００２７】
さらに、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、接着層２１ａ，２２ａには、接合部６１，６２および複数の接合部７１が形成されている。接合部６１はビア導体Ｖ１，Ｖ２に接続され、接合部６２はビア導体Ｖ３，Ｖ４に接続されている。接合部７１はビア導体Ｖ１１，Ｖ１２に接続されている。接合部６１，６２，７１は、例えば、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含んだ低融点の導電性接合材である。
【００２８】
樹脂層１３ａの表面には、グランド導体５３が形成されている。グランド導体５３は、樹脂層１３ａの略全面に形成される平面状の導体パターンである。グランド導体５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。樹脂層１３ａの裏面には、樹脂層１３ａと略同じ形状の接着層２３ａが貼り合わされている。
【００２９】
また、樹脂層１３ａには、複数のビア導体Ｖ１３が形成されている。複数のビア導体Ｖ１３は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ１３は、例えば、樹脂層１３ａおよび接着層２３ａに設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。
【００３０】
さらに、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、接着層２３ａには、複数の接合部７２が形成されている。接合部７２は、グランド導体５２とビア導体Ｖ１３にそれぞれ接続されている。接合部７２は、例えば、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含んだ低融点の導電性接合材である。
【００３１】
保護層１は、樹脂層１１ａの裏面に積層される保護層であり、平面形状が樹脂層１１ａと略同じである。保護層２は、樹脂層１３ａの表面に形成される保護層であり、平面形状が樹脂層１３ａと略同じである。保護層１，２は、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）よりもガス透過性が低い。保護層１，２は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００３２】
図２に示すように、保護層１は、開口ＯＰ１，ＯＰ２および複数の開口ＯＰ１０，ＯＰ２０を有する。開口ＯＰ１は実装電極Ｐ１の位置に応じた位置に形成されており、開口ＯＰ２は実装電極Ｐ２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、樹脂層１１ａの裏面に保護層１が形成された場合でも、開口ＯＰ１から実装電極Ｐ１が外部に露出し、開口ＯＰ２から実装電極Ｐ２が外部に露出する。また、複数の開口ＯＰ１０，ＯＰ２０は、グランド導体５１の位置に応じた位置に形成されている。そのため、樹脂層１１ａの裏面に保護層１が形成された場合でも、開口ＯＰ１０，ＯＰ２０からグランド導体５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口ＯＰ１０から露出するグランド導体５１の一部がグランド電極ＰＧ１であり、複数の開口ＯＰ２０から露出するグランド導体５１の一部がグランド電極ＰＧ２である。
【００３３】
図３（Ａ）等に示すように、実装電極Ｐ１は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２および接合部６１を介して、信号導体４０の一端に接続されている。信号導体４０の他端は、ビア導体Ｖ３，Ｖ４および接合部６２を介して、実装電極Ｐ２に接続されている。このように、実装電極Ｐ１，Ｐ２は互いに電気的に導通する。図３（Ｂ）等に示すように、グランド導体５１（グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）は、ビア導体Ｖ１１，Ｖ１２および接合部７１を介して、グランド導体５２に接続されている。グランド導体５２は、ビア導体Ｖ１３および接合部７２を介して、グランド導体５３に接続されている。
【００３４】
本実施形態では、信号導体４０、グランド導体５１，５３、信号導体４０とグランド導体５１とで挟まれる樹脂層１１ａ，１２ａおよび接着層２１ａ，２２ａ、信号導体４０とグランド導体５３とで挟まれる樹脂層１３ａおよび接着層２３ａを含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。
【００３５】
接合部６１，６２，７１，７２それぞれにおいて少なくとも一部は、ガス高透過層に接する。具体的には、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、接合部６１，６２，７１の少なくとも一部は、樹脂層１１ａ，１２ａ（ガス高透過層）に接している。また、接合部７２の少なくとも一部は、樹脂層１３ａ（ガス高透過層）に接している。
【００３６】
なお、本実施形態では、接合部６１，６２，７１，７２は、金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性接合材であり、有機物（炭素）を含んでいる。接合部６１，６２，７１，７２は、めっき処理によって形成されたビア導体よりも有機物を多く含んでいるため、加熱した際にガスを発生しやすい。そのため、加熱した際に接合部６１，６２，７１，７２に生じるガス量は、加熱した際にビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３に生じるガス量よりも多い。また、接合部６１，６２，７１，７２にはガスが発生した痕跡として空隙が多い（空隙率が高くなる）。そのため、接合部６１，６２，７１，７２の空隙率はビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の空隙率よりも高い。具体的には、接合部６１，６２，７１，７２の単位平断面積当たり（接合部のＸＹ平面における単位面積当たり）の空隙率（ＰＲ１）は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ２）よりも高い（ＰＲ１＞ＰＲ２）。
【００３７】
接合部に用いられる導電性接合材は、融点の低い金属からなる導電性ペーストを固化して形成される。樹脂多層基板が高周波伝送線路のような用途に用いられる場合、配線用導体には導体損の小さなＣｕ等が用いられることが好ましいが、Ｃｕは融点が高い。そこでＣｕよりも融点の低いＣｕペーストやＣｕ−Ｓｎ系の導電性ペーストと、Ｃｕとの間にＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物を形成する手法が用いられる。めっきビアであるビア導体と導電性接合材である接合部との接続部分には、金属間化合物が形成されるため、ビア導体と接合部との界面を正確に定めることは難しい。このような接合部とビア導体との界面は、以下（１）（２）に示すいずれかの方法によって定められる。
【００３８】
図４（Ａ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における炭素含有率を示す図であり、図４（Ｂ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における単位平断面積当たりの空隙率を示す図である。なお、図４（Ａ）および図４（Ｂ）では、Ｚ軸方向にビア導体と接合部とが接合されており、＋Ｚ方向にビア導体および接合部の順に配置されている。すなわち、図４（Ａ）および図４（Ｂ）では、＋Ｚ方向に移動するにつれて「ビア導体」から「接合部」へと組成が変化している。
【００３９】
（１）炭素含有率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部は有機物を含むため、接合部の炭素含有率は高い。そのため、例えば、図４（Ａ）に示す最小値（ＭＰ）から炭素含有率が上昇し始める点ａ１から、最大値（ＰＰ）に達する点ａ２までのＺ軸方向の距離（Ｌ＝ａ２−ａ１）の中間の位置（ＢＰ１）を、ビア導体と接合部との界面と定める（ＢＰ１＝ａ１＋（ａ２−ａ１）／２）。
【００４０】
（２）空隙率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ１）は、ビア導体の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ２）よりも高い（ＰＲ１＞ＰＲ２）。そのため、例えば、図４（Ｂ）に示すように、単位平断面積当たりの空隙率の最大値を１００％とし、＋Ｚ方向に移動していって単位平断面積当たりの空隙率が上記最大値の５％を超えた位置（ＢＰ２）を、ビア導体と接合部との界面と定める。
【００４１】
なお、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）は、積層体３０Ａの側面ＳＳに露出している。また、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）の厚み（Ｔ１：Ｚ軸方向における厚み）は、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ（ガス低透過層）の厚み（Ｔ２）よりも厚い（Ｔ１＞Ｔ２）。
【００４２】
また、本実施形態では、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の厚み（Ｚ軸方向における厚み）（Ｄ１）が、接合部６１，６２，７１，７２の厚み（Ｄ２）よりも厚い（Ｄ１＞Ｄ２）。
【００４３】
さらに、本実施形態では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）の比誘電率（ε１）が、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ（ガス低透過層）の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。さらに、本実施形態では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａの誘電正接（ｔａｎδ１）が、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａの誘電正接（ｔａｎδ２）よりも小さい（ｔａｎδ１＜ｔａｎδ２）。
【００４４】
樹脂多層基板１０１は、例えば次のように用いられる。図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。
【００４５】
電子機器３０１は、樹脂多層基板１０１および回路基板２０１等を備える。なお、電子機器３０１は、上記以外の構成も備えるが、図５では図示省略している。本実施形態では、回路基板２０１が本発明における「他の部材」の一例である。
【００４６】
回路基板２０１の第１面Ｓ１を有する。回路基板２０１の第１面Ｓ１には外部電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＧ１，ＥＧ２が形成されている。回路基板２０１は、例えばガラス・エポキシ基板である。
【００４７】
樹脂多層基板１０１は、ホットバー等を用いて（または、リフロー工程により）回路基板２０１に面実装される。樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１に接続されている。樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ２に接続されている。樹脂多層基板１０１のグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＧ１に接続されている。樹脂多層基板１０１のグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＧ２に接続されている。なお、図示省略するが、回路基板２０１の第１面Ｓ１には他のチップ部品等も実装されている。
【００４８】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。
【００４９】
（ａ）本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａがガス高透過層であるため、ガス低透過層のみを積層されて形成された積層体に比べて、加熱した際（例えば、積層体の形成時、リフロー工程による樹脂多層基板の実装時、ホットバー等を用いた樹脂多層基板の実装時、または加熱を伴う曲げ加工時）に積層体３０Ａ中に生じるガス、または積層体３０Ａ中に残留していたガスを外部に排出しやすい。
【００５０】
なお、樹脂材料を含む接合部６１，６２，７１，７２は、加熱した際にビア導体よりも発生するガスの量が多い。一方、樹脂多層基板１０１では、接合部６１，６２，７１，７２の少なくとも一部が、ガス高透過層（樹脂層）に接触するため、加熱した際に積層体３０Ａに生じるガス、または積層体３０Ａ中に残留しているガスを外部に効率良く排出できる。そのため、加熱した際の樹脂多層基板１０１の層間剥離が抑制され、その結果、加熱した際でも積層体の表面の平坦性が確保される。
【００５１】
（ｂ）本実施形態では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）の厚み（Ｔ１）が、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ（ガス低透過層）の厚み（Ｔ２）よりも厚い（Ｔ１＞Ｔ２）。この構成によれば、樹脂多層基板を加熱した際に積層体３０Ａに生じるガス、または積層体３０Ａ中に残留しているガスを外部に排出しやすくできる。
【００５２】
（ｃ）本実施形態では、ガス高透過層（樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ）よりもガス透過性の低い保護層１，２が、積層体３０Ａの第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２にそれぞれ形成されている。この場合、樹脂多層基板を加熱した際（例えば、リフロー工程による樹脂多層基板の実装時や、ホットバー等を用いた樹脂多層基板の実装時、または加熱を伴う曲げ加工時）に、積層体３０Ａ中に残留しているガスを外部に排出し難くなるが、樹脂多層基板１０１では、ガス高透過層が積層体３０Ａの側面ＳＳに露出している。このため、ガス透過性の低い保護層１，２が、積層体３０Ａの第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２に形成されていても、樹脂多層基板を加熱した際に、積層体３０Ａ中に残留していたガスをガス高透過層の側部から外部に排出できる。
【００５３】
（ｄ）本実施形態では、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき（または、フィルドビアめっき）であり、平面導体（実装電極Ｐ１，Ｐ２、信号導体４０およびグランド導体５１，５２，５３）と同材料である。そのため、ビア導体と平面導体とは一体化される。そのため、金属間化合物がビア導体と平面導体との接続箇所に形成されることは少なく、ビア導体と平面導体との接続箇所の機械的強度が高まる。
【００５４】
（ｅ）本実施形態では、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の厚み（Ｄ１）が、接合部６１，６２，７１，７２の厚み（Ｄ２）よりも厚い（Ｄ１＞Ｄ２）。この構成によれば、接合部の厚みがビア導体の厚みよりも厚い場合に比べて、樹脂多層基板に形成される回路の導体損を低減できる。すなわち、この構成により、加熱した際のガスの発生量を抑制できるとともに、高周波特性に優れた樹脂多層基板を実現できる。
【００５５】
（ｆ）また、本実施形態では、積層体３０Ａが、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａよりも高周波特性に優れる樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを含んで形成されているため、高周波特性に優れる樹脂多層基板を実現できる。具体的に説明すると、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ（ガス高透過層）の比誘電率（ε１）は、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ（ガス低透過層）の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成する場合に、積層体３０Ａに形成される導体パターン（例えば、信号導体４０）の線幅を太くでき、上記回路の導体損を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成した場合に、導体パターンの線幅を細くしなくても樹脂層を薄くでき、積層体３０Ａを薄型化できる。さらに、本実施形態では、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａの誘電正接（ｔａｎδ１）が、接着層２１ａ，２２ａ，２３ａの誘電正接（ｔａｎδ２）よりも小さい（ｔａｎδ１＜ｔａｎδ２）。そのため、相対的に誘電正接の高い層のみが積層されて形成された積層体に比べて、誘電体損を低減できる。
【００５６】
さらに、本実施形態では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）等に示すように、高周波特性に優れる樹脂層１２ａが、信号導体４０に接する位置に配置されている。そのため、樹脂多層基板の高周波特性を向上できる。
【００５７】
（ｇ）本実施形態では、積層体３０Ａを形成する樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａが、いずれも熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａを加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体３０Ａを容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。
【００５８】
（ｈ）また、本実施形態では、接着層に形成される接合部６１，６２，７１，７２に樹脂材料が含まれているため、樹脂を主成分とする接着層（または樹脂層）と高い接合性が得られる。なお、接合部６１，６２，７１，７２に含まれる樹脂材料は、接合部６１，６２，７１，７２に接する接着層（または樹脂層）の樹脂材料と同種であることが好ましい。
【００５９】
（ｉ）また、本実施形態では、ビア導体と接合層の界面が樹脂層、すなわち、ガス高透過層内に位置する。これにより、ビア導体と接合層の界面において発生するガスを効率良く排出できる。
【００６０】
なお、本実施形態では、接合部６１，６２，７１，７２が、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性接合材である例を示したが、本発明の接合部はこれに限定されるものではない。接合部は、例えば、金属粉（Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉）と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストが固化してなる層間導体でもよい。これら層間導体は、積層した樹脂層および接着層を加熱プレス処理（後に詳述する）で同時に形成できるため、形成が容易である。
【００６１】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図６は、加熱プレス前の樹脂層１１ａおよび接着層２１ａに、グランド導体５１、ビア導体Ｖ１１および接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。図９は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。
【００６２】
なお、図６および図７では、説明の都合上、ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれる基板を言う。また、樹脂層１２ａ，１３ａおよび接着層２２ａ，２３ａについては、図６に示す樹脂層１１ａおよび接着層２１ａと同様の工程となるため、説明を省略している。このことは、以降に示す製造方法における断面図でも同様である。
【００６３】
まず、図６中の（１）に示すように、熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１ａを準備し、樹脂層１１ａの裏面にグランド導体５１等を形成する。具体的には、樹脂層１１ａの裏面に金属箔（Ｃｕ箔）をラミネートし、ラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂層１１ａの裏面にグランド導体５１等を形成する。
【００６４】
樹脂層１１ａは、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。
【００６５】
次に、図６中の（２）に示すように、樹脂層１１ａの表面と、熱可塑性樹脂からなる接着層２１ａの裏面とを貼り付ける。接着層２１ａは、樹脂層１１ａよりもガス透過性の低い層（ガス低透過層）である。
【００６６】
接着層２１ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とする樹脂シートである。
【００６７】
次に、図６中の（３）に示すように、貼り合わせた樹脂層１１ａおよび接着層２１ａを貫通する貫通孔ＡＰ１１を設ける。貫通孔ＡＰ１１は、例えば接着層２１ａの表面側からレーザーＬＲを照射して形成される。また、貫通孔ＡＰ１１は、例えばドリル等で研削・研磨・エッチングすることにより設けてもよい。
【００６８】
その後、図６中の（４）に示すように、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも樹脂層１１ａ側に、金属材料（Ｃｕ等）を充填してビア導体Ｖ１１を形成する。具体的には、めっき処理によって貫通孔ＡＰ１１内のグランド導体５１の表面、および貫通孔ＡＰ１１の内壁にめっき膜を形成する。
【００６９】
次に、図６中の（５）に示すように、接合部７１Ｐを、ビア導体Ｖ１１に接するように、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも接着層２１ａ側に配設する。具体的には、ビア導体Ｖ１１の表面（図６中の（４）（５）に示すビア導体Ｖ１１の上面）に接合部７１Ｐを印刷する。接合部７１Ｐは、例えば、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストである。
【００７０】
次に、図７中の（１）に示すように、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａを積層（載置）する。具体的には、樹脂層１１ａ、接着層２１ａ，２２ａ、樹脂層１２ａ、接着層２３ａおよび樹脂層１３ａを、この順に積層する。このとき、接着層２１ａに形成される接合部７１Ｐと、接着層２２ａに形成される接合部７１Ｐとが当接する。また、接着層２３ａに形成される接合部７２Ｐと、樹脂層１２ａに形成されるグランド導体５２とが当接する。
【００７１】
その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、積層した樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａを加熱プレス（一括プレス）することにより、図７中の（２）に示す積層体３０Ａを形成する。加熱プレス時の熱およびその後の冷却により接合部７１Ｐは固化し、接合部７１となる。また、加熱プレス時の熱およびその後の冷却により接合部７２Ｐは固化し、接合部７２となる。
【００７２】
その後、図７中の（３）に示すように、積層体３０Ａの第１主面ＶＳ１に保護層１を形成し、積層体３０Ａの第２主面ＶＳ２に保護層２を形成する。保護層１，２は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００７３】
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、樹脂多層基板１０１を得る。
【００７４】
この製造方法により、加熱した際の積層体に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部に排出しやすく、層間剥離等を抑制した樹脂多層基板を容易に製造できる。
【００７５】
また、この製造方法によれば、樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａおよび接着層２１ａ，２２ａ，２３ａを一括プレスすることにより、積層体３０Ａを容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
【００７６】
なお、上記製造方法では、ビア導体の上面に導電性ペーストを配設することにより、接合部を形成する方法を示したが、この構成に限定されるものではない。接合部は、例えば貫通孔のビア導体の上面に、金属粉（Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉）と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストを配設し、後の加熱プレス（一括プレス）によって上記導電性ペーストを固化させて形成してもよい。
【００７７】
なお、本実施形態では、樹脂多層基板１０１が回路基板上に面実装される例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこの用途に限定されるものではない。樹脂多層基板は、例えば次のように用いられてもよい。図８は、第１の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。
【００７８】
電子機器３０２は、樹脂多層基板１０１Ａ、回路基板２０１Ａ，２０２Ａ等を備える。樹脂多層基板１０１Ａは、積層体３０Ａに曲げ部ＣＲ１，ＣＲ２を有する（曲げ加工されている）点で、樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０１Ａの他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。回路基板２０１Ａ，２０２Ａは、例えばガラス・エポキシ基板である。
【００７９】
回路基板２０１Ａは第１面Ｓ１を有し、回路基板２０２Ａは第２面Ｓ２を有する。図８に示すように、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２は、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面である。
【００８０】
回路基板２０１Ａの第１面Ｓ１には、外部電極ＥＰ１，ＥＧ１が形成されている。回路基板２０２Ａの第２面Ｓ２には、外部電極ＥＰ２，ＥＧ２が形成されている。
【００８１】
樹脂多層基板１０１Ａは、折り曲げられた状態で回路基板２０１Ａ，２０２Ａに実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０１Ａの実装電極Ｐ１は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１Ａの外部電極ＥＰ１に接続されている。樹脂多層基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１Ａの外部電極ＥＧ１に接続されている。樹脂多層基板１０１Ａの実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２Ａの外部電極ＥＰ２に接続されている。樹脂多層基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２Ａの外部電極ＥＧ２に接続されている。なお、図示省略するが、回路基板２０１Ａの第１面Ｓ１、および回路基板２０２Ａの第２面Ｓ２には、他のチップ部品等も実装されている。
【００８２】
このように、樹脂多層基板１０１Ａは、曲げられているため（塑性変形されているため）、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面を有した回路基板２０１Ａ，２０２Ａへの実装が容易となる。
【００８３】
曲げ加工された樹脂多層基板１０１Ａは、例えば次の工程で製造される。図９は、樹脂多層基板１０１の曲げ加工を順に示す正面図である。
【００８４】
まず、図９中の（１）（２）に示すように、樹脂多層基板１０１を準備し、上部金型３および下部金型４を用いて、Ｚ軸方向に積層体３０Ａの第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱加圧する。なお、加熱加圧するする位置は、図９に示すように、積層体３０Ａの長手方向（Ｚ軸方向）の中央付近である。上部金型３および下部金型４は、断面形状がＬ字形の金属構造体である。
【００８５】
熱可塑性樹脂からなる積層体３０Ａが冷えて固化した後、上部金型３および下部金型４から積層体３０Ａを取り外して、図９中の（３）に示すような樹脂多層基板１０１Ａを得る。
【００８６】
このような製造方法により、曲げ加工（塑性変形）されて形状を維持（保持）した樹脂多層基板１０１Ａを得られる。また、本実施形態に係る樹脂多層基板によれば、積層体３０Ａ中にガスが残留することを抑制でき、積層体３０Ａでの空隙の発生を抑制できる。そのため、上記曲げ加工時等に、積層体３０Ａ内の空隙を起点にした層間剥離（デラミネーション）の発生が抑制できる。
【００８７】
なお、樹脂多層基板の加熱時（例えば、リフロー工程や、加熱を伴う曲げ加工など）における接合部の破損を抑制する点において、相対的に脆い接合部６１，６２，７１，７２の少なくとも一部は、相対的に線膨張係数の小さい層（接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ）に形成されていることが好ましい。言い換えると、接合部の少なくとも一部は、相対的に線膨張係数の小さい層に接していることが好ましい。
【００８８】
異種材料（樹脂）からなる複数の層を加熱プレスして積層体を形成する際、低融点材料が用いられる接合部は、ビア導体に比べて脆い材料が多い。そのため、接合部に接する層の線膨張係数が大きい場合には、樹脂多層基板の加熱時に、線膨張係数の大きな層の膨張によって接合部に応力が掛かって、接合部が破損する虞がある。
【００８９】
本実施形態では、接着層２１ａ〜２３ａの線膨張係数（ＣＴ２）が、樹脂層１１ａ〜１３ａの線膨張係数（ＣＴ１）よりも小さい（ＣＴ２＜ＣＴ１）。また、本実施形態では、相対的に脆い接合部６１，６２，７１，７２の少なくとも一部が、相対的に線膨張係数の小さな接着層２１ａ〜２３ａに接している。この構成により、接合部６１，６２，７１，７２が樹脂層１１ａ〜１３ａのみに接している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際の接合部６１，６２，７１，７２に掛かる応力を減少させることができる。そのため、積層体が異種材料（樹脂）からなる複数の層を含んだ構成でも、樹脂多層基板の加熱時における接合部６１，６２，７１，７２の破損を抑制できる。
【００９０】
ここで、接合部がビア導体よりも「脆い」とは、例えば、接合部の押し込み硬さが、ビア導体の押し込み硬さよりも低い場合を言う。押し込み硬さとは、例えばビッカース硬さ（ＨＶ）である。
【００９１】
なお、樹脂多層基板の加熱時における接合部の破損を抑制する点において、接合部は、相対的に線膨張係数の小さな層（接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ）のみに接していることがより好ましい。
【００９２】
さらに、樹脂多層基板に外力（衝撃や曲げ応力等）や熱が加わった際、ビア導体と平面導体との接合箇所（ビア導体と平面導体との境界や、ビア導体に接合される接合部と平面導体との境界）には応力が集中しやすい。そのため、樹脂層および接着層は、ビア導体と平面導体との上記接合箇所の近傍に形成される空隙と、上記ビア導体または上記接合部に接触する接触部と、を有することが好ましい。
【００９３】
ビア導体等（接合部を含む）の側面全体が、樹脂層または接着層に接している場合、樹脂多層基板に外力や熱が加わったときに、上記ビア導体等に直接応力が掛かるため、ビア導体等が破損しやすい。特に、ビア導体と平面導体との接合箇所では剥離が生じやすい。
【００９４】
一方、樹脂層や接着層のうち、上記ビア導体（または上記接合部）の側面全体に空隙が形成されている場合には、樹脂多層基板に外力や熱が加わったときに、上記ビア導体（または上記接合部）に掛かる応力は緩和されるものの、上記接合箇所に応力が集中して、上記接合箇所で破断が生じる虞がある。特に、本実施形態では、形状的・構造的にもビア導体と平面導体とによって形成される角度が鋭角であるため、ビア導体と平面導体との接合箇所において破断が生じやすい。
【００９５】
これに対して、樹脂層または接着層のうち、樹脂多層基板に外力や熱が加わった際に、応力が集中しやすい上記接合箇所の近傍に空隙を形成することにより、上記接合箇所の剥離またはビア導体等（接合部を含む）の破損を抑制できる。また、樹脂層または接着層が、ビア導体等に接触している接触部を有することにより、上記接合箇所、およびビア導体等の側面に掛かる応力を分散できる。
【００９６】
樹脂層または接着層に空隙および接触部が形成された上記樹脂多層基板は、例えば、次のような工程によって容易に形成できる。
【００９７】
平面導体を第１の層（樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ）に形成する（導体形成工程）。次に、第１の層よりも線膨張係数の小さな第２の層（接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ）を貼り合わせる（貼り合わせ工程）。次に、貼り合わせた第１の層および第２の層に孔を形成し、上記孔にビア導体等（接合部を含む）を充填する（層間導体形成工程）。その後、第１の層および第２の層を加熱圧着し、その後冷却して積層体を形成する（積層体形成工程）。
【００９８】
第１の層（樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａ）の線膨張係数は、第２の層（接着層２１ａ，２２ａ，２３ａ）の線膨張係数よりも大きいため、加熱して積層体を形成した後に冷却することにより、第１の層と第２の層との線膨張係数差から、第１の層とビア導体等との間に空隙が形成される。なお、「導体形成工程」および「貼り合わせ工程」の順序は逆であってもよい。
【００９９】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、樹脂層の厚みが接着層の厚みよりも極めて厚い例を示す。
【０１００】
図１０は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。
【０１０１】
樹脂多層基板１０２は、積層体３０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。
【０１０２】
以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。
【０１０３】
積層体３０Ｂは、樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂおよび接着層２１ｂ，２２ｂ，２３ｂが積層されて形成される。具体的には、樹脂層１１ｂ、接着層２１ｂ，２２ｂ、樹脂層１２ｂ、接着層２３ｂおよび樹脂層１３ｂが、この順に積層されて形成される。
【０１０４】
樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂを構成する樹脂材料は、第１の実施形態で説明した樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａと同じものである。接着層２１ｂ，２２ｂ，２３ｂを構成する樹脂材料は、第１の実施形態で説明した接着層２１ａ，２２ａ，２３ａと同じものである。本実施形態では、樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが本発明における「ガス高透過層」に相当し、接着層２１ｂ，２２ｂ，２３ｂが本発明における「ガス低透過層」に相当する。
【０１０５】
本実施形態では、図１０に示すように、樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ（ガス高透過層）の厚み（Ｄ１）が、接着層２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ（ガス低透過層）の厚み（Ｄ２）よりも厚い（Ｄ１＞Ｄ２）。また、本実施形態では、接合部７２のうち樹脂層１３ｂ（ガス高透過層）に接する部分の厚み（ＴＣ１）が、接合部７２のうち接着層（ガス低透過層）に接する部分の厚み（ＴＣ２）よりも厚い（ＴＣ１＞ＴＣ２）。
【０１０６】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
【０１０７】
本実施形態では、樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ（ガス高透過層）の厚み（Ｄ１）が、接着層２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ（ガス低透過層）の厚み（Ｄ２）よりも厚い（Ｄ１＞Ｄ２）。この構成によれば、ガス低透過層がガス高透過層よりも厚い場合に比べて、加熱した際に積層体に生じるガス、または積層体中に残留しているガスを外部にさらに効率良く排出できる。
【０１０８】
本実施形態では、接合部７２のうち樹脂層１３ｂ（ガス高透過層）に接する部分の厚み（ＴＣ１）が、接合部７２のうち接着層２３ｂ（ガス低透過層）に接する部分の厚み（ＴＣ２）よりも厚い（ＴＣ１＞ＴＣ２）。この構成によれば、加熱した際に生じるガスの量の多い接合部７２のうち、ガス低透過層に接する面積よりもガス高透過層に接する面積の方が大きい。このため、接合部７２がガス高透過層およびガス低透過層の両方に接している場合でも、加熱した際に生じたガス、または積層体中に残留しているガスを外部に効率良く排出できる。
【０１０９】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、接合部がガス高透過層のみに接している例を示す。
【０１１０】
図１１は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。
【０１１１】
樹脂多層基板１０３は、積層体３０Ｃ、ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａおよび接合部７１Ａ，７２Ａを備える点で、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０２と実質的に同じである。
【０１１２】
以下、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる部分について説明する。
【０１１３】
積層体３０Ｃは、樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃおよび接着層２１ｃ，２２ｃ，２３ｃが積層されて形成される。具体的には、積層体３０Ｃは、樹脂層１１ｃ、接着層２１ｃ，２２ｃ、樹脂層１２ｃ、接着層２３ｃおよび樹脂層１３ｃが、この順に積層されて形成される。
【０１１４】
樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とする樹脂シートである。接着層２１ｃ，２２ｃ，２３ｃは、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。本実施形態では、接着層２１ｃ，２２ｃ，２３ｃが本発明における「ガス高透過層」に相当し、樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃが本発明における「ガス低透過層」に相当する。
【０１１５】
ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａの厚みは、第１・第２の実施形態で説明したビア導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の厚みよりも厚い。一方、接合部７１Ａ，７２Ａの厚みは、第１・第２の実施形態で説明した接合部７１，７２の厚みよりも薄い。
【０１１６】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０３によれば、第２の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
【０１１７】
本実施形態では、加熱した際に生じるガス量の多い接合部７１Ａ，７２Ａが、ガス高透過層（接着層）に形成されているため、加熱した際に接合部から生じるガスを外部に排出しやすくできる。
【０１１８】
また、本実施形態では、接合部７１Ａ，７２Ａが、ガス低透過層（樹脂層）には接しておらず、ガス高透過層（接着層）のみに接している。この構成により、加熱した際に生じるガス量の多い接合部７１Ａ，７２Ａから生じるガスを外部にさらに効率良く排出できる。
【０１１９】
また、本実施形態では、ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａが、接着層２１ｃ，２２ｃのみに形成される接合部７１Ａを介して、互いに接続されている。樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃおよび接着層２１ｃ，２２ｃ，２３ｃのような異種材料同士の接合面（界面）には、物性差（例えば、線膨張係数差）によって積層する際に位置ずれが生じやすく、これら異種材料の層にそれぞれ形成されるビア導体同士を接続する場合、上記位置ずれにより接続不良が生じやすい。そのため、例えば、樹脂層に形成されたビア導体と接着層に形成されたビア導体とを接続するような場合には、位置ずれを考慮して面積の大きな接続用の導体パターン（例えば、グランド導体５２）を間に挟んで接続する場合がある。一方、接着層２１ｃ，２２ｃのような同一材料同士の接合面では位置ずれが生じ難いため、例えば接合部７１Ａを介してビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａの接合箇所では、接続用の導体パターンを介してビア導体同士を接続する必要はない。
【０１２０】
《第４の実施形態》
第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１に対して、図８のような曲げ部を有する際に、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）に示すように、曲げ部近傍の構造において特徴を有する。以下では、樹脂多層基板１０４の特徴部について説明し、樹脂多層基板１０１と同様の箇所の説明は省略する。
【０１２１】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４、１０４Ｄの部分拡大断面図である。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、曲げ部ＣＲ３を含む所定の範囲を拡大した図である。
【０１２２】
図１２（Ａ）に示すように、樹脂多層基板１０４（積層体３０Ｄ）は、樹脂層１１ｄ、１２ｄ、１３ｄ、接着層２１ｄ、２２ｄ、２３ｄを備え、曲げ部ＣＲ３を有する。曲げ部ＣＲ３の近傍には、グランド導体５３とグランド導体５２とを接続するためのビア導体Ｖ１３および接合部７２が配置されている。この際、ビア導体Ｖ１３は、接合部７２よりも第２主面ＶＳ２に近い位置に配置されている。言い換えれば、ビア導体Ｖ１３は、接合部７２よりも、樹脂多層基板１０４の表層側に配置される。
【０１２３】
曲げ部ＣＲ３を有する場合、曲げ応力は、表層に近いほど大きくなる。しかしながら、樹脂多層基板１０４の構成では、グランド導体５３と同じ材料からなるビア導体Ｖ１３が表層に近い位置に配置されている。したがって、グランド導体５３に接合部７２を直接接合した場合よりも、グランド導体５３とビア導体Ｖ１３との界面の接合強度は、高くなる。
【０１２４】
これにより、曲げ応力によるグランド導体５３とビア導体Ｖ１３との界面の破断やクラックの発生は抑制される。この結果、曲げ部ＣＲ３を有しながら、信頼性の高い樹脂多層基板１０４を実現できる。
【０１２５】
なお、上述のような、樹脂多層基板の厚み方向の異なる位置に配置された複数のグランド導体（例えば、グランド導体５３とグランド導体５２）を接続する構造については、図１２（Ｂ）に示すように、積層体３０ＤＤが、複数の接着層２１ｄ、接着層２２ｄ、および、接着層２３ｄを積層した構造の場合にも適用できる。
【０１２６】
また、上述の樹脂多層基板の厚み方向の異なる位置に配置された複数のグランド導体を接続する構造については、図１３に示すように、第１主面ＶＳ１側、第２主面ＶＳ２側の両方に適用することもできる。図１３は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の別の部分拡大断面図である。
【０１２７】
図１３に示すように、樹脂多層基板１０４の曲げ部ＣＲ３の近傍には、グランド導体５１とグランド導体５２とを接続するためのビア導体Ｖ１１、接合部７１、および、ビア導体Ｖ１２が配置されている。この際、ビア導体Ｖ１１は、接合部７１よりも第１主面ＶＳ１に近い位置に配置されている。言い換えれば、ビア導体Ｖ１１は、接合部７１よりも、樹脂多層基板１０４の表層側に配置される。
【０１２８】
このように、厚み方向の両側の外面に最も近い位置に、それぞれ、ビア導体Ｖ１１、および、ビア導体Ｖ１３が配置されることによって、曲げ部ＣＲ３の外側に係る曲げ応力に対しても、内側に係る曲げ応力に対しても、破断やクラック等の発生を抑制できる。
【０１２９】
なお、樹脂多層基板１０４の曲げ部ＣＲ３の近傍において、内側のみ層間接続導体（ビア導体と接合部との組）を備える場合にも、上述の構成は適用できる。
【０１３０】
また、上述の説明では、グランド導体に接続する層間接続導体（ビア導体と接合部との組）を例に説明したが、グランド導体に限らず、他の導体であっても、上述の構成は適用できる。
【０１３１】
また、上述の構成は、曲げ部ＣＲ３に最も近い層間接続導体（ビア導体と接合部との組）のみに適用してもよいが、他の層間接続導体に対しても適用してもよい。すなわち、少なくとも曲げ部ＣＲ３に最も近い層間接続導体（ビア導体と接合部との組）に、上述の構成を適用することで、上述の作用効果を奏することが可能である。
【０１３２】
《第５の実施形態》
図１４は、第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の部分拡大断面図である。図１４は、曲げ部ＣＲ３を含む所定の範囲を拡大した図である。
【０１３３】
図１４に示すように、第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４に対して、導体の非形成部５３ＳＰを備える点で異なる。樹脂多層基板１０５の他の構成は、樹脂多層基板１０４と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【０１３４】
樹脂多層基板１０５は、グランド導体５３における曲げ部ＣＲ３に対応する位置に、導体の非形成部５３ＳＰを備える。そして、この導体の非形成部５３ＳＰの近傍に、ビア導体Ｖ１３と接合部７２からなる層間接続導体が配置されている。
【０１３５】
このように、曲げ部ＣＲ３における導体の非形成部５３ＳＰがある部分では、より変形が生じ易い。そして、この変形によって、より大きな曲げ応力が生じ易い。しかしながら、上述のように、ビア導体Ｖ１３が接合部７２よりも外面側に配置されていることによって、曲げ応力による破断やクラック等の発生は抑制される。
【０１３６】
《第６の実施形態》
図１５は、第６の実施形態に係る樹脂多層基板１０６の部分拡大断面図である。図１５は、曲げ部ＣＲ３を含む所定の範囲を拡大した図である。
【０１３７】
図１５に示すように、第６の実施形態に係る樹脂多層基板１０６は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４に対して、ビア導体Ｖ１３Ｄの形状において異なる。樹脂多層基板１０６の他の構成は、樹脂多層基板１０４と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【０１３８】
ビア導体Ｖ１３Ｄは、接合部７２への接合面の面積よりも、グランド導体５３との界面の面積の方が大きい。このような構成によって、ビア導体Ｖ１３Ｄとグランド導体５３との接合強度は、さらに向上する。したがって、ビア導体Ｖ１３Ｄとグランド導体５３との界面での破断やクラック等の発生は、さらに抑制される。
【０１３９】
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、回路基板に面実装された電子部品である例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、二つの回路基板同士を接続するケーブル、または回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板の接続部には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。
【０１４０】
なお、以上に示した各実施形態では、伝送方向（Ｘ軸方向）に第１接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＮ２の順に配置された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂多層基板が有する接続部の個数・配置、および線路部の個数・配置は適宜変更可能である。
【０１４１】
以上に示した各実施形態では、積層体が、Ｘ軸方向に長手方向を有する略矩形の平板である例を示したが、積層体の形状はこれに限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば矩形、多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。
【０１４２】
また、以上に示した各実施形態では、３つの樹脂層および３つの接着層が積層されて形成される積層体の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体を形成する樹脂層の層数、および接着層の層数は適宜変更可能である。また、本発明の樹脂多層基板において、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に形成される保護層１，２は必須ではない。また、積層体は、樹脂層および接着層以外の層を含んでいてもよい。
【０１４３】
以上に示した各実施形態では、積層体が熱可塑性樹脂からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は熱硬化性樹脂からなるものでもよい。また、積層体は、異なる樹脂材料の複合積層体であってもよく、例えばガラス・エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体は、積層した樹脂層および接着層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂層間に配置される接着層を塗布して積層体を形成してもよい。
【０１４４】
また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルやインダクタ、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
【０１４５】
以上に示した各実施形態では、１つの伝送線路が構成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂多層基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。
【０１４６】
以上に示した各実施形態では、ビア導体が平面導体（実装電極Ｐ１，Ｐ２、信号導体４０およびグランド導体５１，５２，５３）と同材料（Ｃｕ）である例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体はＣｕである平面導体と異なる材料（例えば、Ｎｉ−Ｓｎめっき）であってもよい。
【０１４７】
また、以上に示した各実施形態では、複数のビア導体Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａが伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａの個数・配置等は適宜変更可能である。
【０１４８】
以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２が、第１主面ＶＳ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極およびグランド電極の形状・個数・配置等は適宜変更可能である。実装電極およびグランド電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。また、実装電極およびグランド電極が、第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２の両方に設けられていてもよい。さらに、樹脂多層基板は、実装電極およびグランド電極以外に、ダミー電極を備えていてもよい。
【０１４９】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１５０】
ＡＰ１１…貫通孔
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＳＬ…線路部
ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＧ１，ＥＧ２…（回路基板の）外部電極
ＬＲ…レーザー
ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ１０，ＯＰ２０…開口
Ｐ１，Ｐ２…実装電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
Ｓ１…（回路基板の）第１面
ＶＳ１…（積層体の）第１主面
ＶＳ２…（積層体の）第２主面
ＳＳ…（積層体の）側面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａ，Ｖ１３Ｄ…ビア導体
１，２…保護層
３…上部金型
４…下部金型
５…導電性接合材
１１ａ，１１ｂ，１１ｄ，１２ａ，１２ｂ，１２ｄ，１３ａ，１３ｂ，１３ｄ…樹脂層（ガス高透過層）
１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ…樹脂層（ガス低透過層）
２１ａ，２１ｂ，２１ｄ，２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２３ａ，２３ｂ，２３ｄ…接着層（ガス低透過層）
２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ…接着層（ガス高透過層）
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０ＤＤ…積層体
４０…信号導体
５１，５２，５３…グランド導体
６１，６２，７１，７１Ａ，７１Ｐ，７２，７２Ａ，７２Ｐ…接合部
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４，１０４Ｄ，１０５，１０６…樹脂多層基板
２０１，２０１Ａ，２０２Ａ…回路基板
３０１，３０２…電子機器
【図１】
2020122180.tif 000003
【図２】
2020122180.tif 000004
【図３】
2020122180.tif 000005
【図４】
2020122180.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2020122180.tif 000013
【図１２】
2020122180.tif 000014
【図１３】
2020122180.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、少なくとも一つの前記ビア導体に接続され、導電性を有する接合部と、
を備え、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接する、
樹脂多層基板。
【請求項２】
前記ビア導体の厚みは前記接合部の厚みよりも厚い、
請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項３】
前記接合部は、二つの前記ビア導体と直接接続している、
請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
前記接合部のうち前記ガス高透過層に接する部分の厚みは、前記接合部のうち前記ガス低透過層に接する部分の厚みよりも厚い、
請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
前記接合部は前記ガス高透過層のみに接する、
請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
前記ビア導体と前記接合部との界面は、前記ガス高透過層内に位置する、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項７】
前記ガス高透過層の厚みは前記ガス低透過層の厚みよりも厚い、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項８】
前記樹脂層および前記接着層は熱可塑性樹脂からなる、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項９】
前記ガス高透過層の比誘電率は前記ガス低透過層の比誘電率よりも低い、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１０】
前記ガス高透過層はフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートであり、
前記ガス低透過層は液晶ポリマーを主成分とする樹脂シートである、
請求項９に記載の樹脂多層基板。
【請求項１１】
前記ガス高透過層よりもガス透過性の低い保護層をさらに備え、
前記積層体は、前記樹脂層および前記接着層の積層方向に直交する主面と、前記主面に隣接する側面と、を有し、
前記保護層は前記主面に形成され、
前記ガス高透過層は、前記側面に露出している、
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１２】
前記積層体は、厚み方向に直交する一方向に延びる形状であり、延びる方向に曲げ部を有しており、
前記曲げ部に最も近く、前記厚み方向に直交し、前記積層体の外面となる主面に最も近い位置に存在する前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記主面側に配置されている、
請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１３】
前記ビア導体と前記接合部との組は、前記積層体の前記厚み方向の両端にそれぞれ配置される第１主面と第２主面とに対して配置され、
前記第１主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記第１主面側に配置され、
前記第２主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組では、前記ビア導体が前記接合部よりも前記第２主面側に配置されている、
請求項１２に記載の樹脂多層基板。
【請求項１４】
前記ビア導体と前記接合部との位置関係は、前記積層体における平面状の導体の面積が少ない側の主面に近い前記ビア導体と前記接合部との組に用いられる、
請求項１３に記載の樹脂多層基板。
【請求項１５】
前記接合部は、施された加熱プレスによって固化している、
請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１６】
樹脂多層基板と、他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
樹脂層および接着層が積層されて形成される積層体と、
前記樹脂層に形成されるビア導体と、
前記接着層に形成され、少なくとも一つの前記ビア導体に接続され、導電性を有する接合部と、
を有し、
前記樹脂層および前記接着層のいずれか一方は、他方よりもガス透過性の高いガス高透過層であり、他方は一方よりもガス透過性の低いガス低透過層であり、
前記接合部は、有機物を含む、または、単位平断面積当たりの空隙率が前記ビア導体よりも高い部分であり、且つ、少なくとも一部が前記ガス高透過層に接し、
前記樹脂多層基板は、導電性接合材を介して前記他の部材に接合される、電子機器。
【国際調査報告】
2020122180.tif 000018
2020122180.tif 000019
2020122180.tif 000020
2020122180.tif 000021