(57)【要約】本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む半導体ウェハの加工方法において、仮固定材を形成するためのものであり、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）シリコーン化合物とを含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。
2020129917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状の仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、
前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、
加工後の前記半導体ウェハを前記仮固定材から分離する分離工程と、
を含む半導体ウェハの加工方法において、前記仮固定材を形成するための仮固定用樹脂組成物であって、
（Ａ）熱可塑性樹脂と、
（Ｂ）熱硬化性樹脂と、
（Ｃ）シリコーン化合物と、
を含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である、仮固定用樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、１０〜５００質量部である、請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一方を含む、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）硬化促進剤を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項６】
前記反応性基含有（メタ）アクリル共重合体が、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０〜１０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項５に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｃ）シリコーン化合物が、有機基変性シリコーンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項８】
単層又は多層構成の仮固定用樹脂フィルムであって、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物からなる層を少なくとも一層含む、仮固定用樹脂フィルム。
【請求項９】
前記仮固定用樹脂組成物からなる層を二層有する、請求項８に記載の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項１０】
一つの前記仮固定用樹脂組成物からなる層と、他の前記仮固定用樹脂組成物からなる層が直接接している、請求項８又は９に記載の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項１１】
支持体と半導体ウェハの間に介在し、前記支持体に対する前記半導体ウェハの仮固定に使用される、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の仮固定樹脂フィルム。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一項に記載の仮固定樹脂フィルムと、
前記仮固定樹脂フィルムの少なくとも一方の面に設けられた支持フィルムと、
を備える、仮固定用シート。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、
前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、
加工後の前記半導体ウェハを前記仮固定材から分離する分離工程と、
を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層することによって高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装には、ダイボンディング用接着剤としてフィルム状接着剤が広く用いられている。しかし、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式では、データの処理速度に限界があることから、電子機器の動作が遅くなる傾向にある。また、消費電力を低く抑え、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。このような観点から、近年、更なる高速化及び省電力化を目的として、ワイヤボンドではなく貫通電極により半導体素子同士を接続する新しい構造の電子機器装置も開発されてきている。【０００３】
このように新しい構造の電子機器装置が開発されてきているものの、依然として高容量化も求められており、パッケージ構造に関わらず、半導体素子をより多段に積層できる技術の開発が進められている。しかし、限られたスペースに、より多くの半導体素子を積層するためには、半導体素子の安定した薄型化が必要不可欠である。【０００４】
例えば現在、半導体ウェハを裏面側から薄型化する研削工程では、いわゆるＢＧテープ（バックグラインドテープ）と呼ばれるテープを半導体素子に貼り付け、半導体ウェハをサポートした状態で研削工程を実施することが主流となっている。しかし、研削工程に供される半導体ウェハは、表面側に回路が形成されており、その影響により、研削によって薄型化されると反りが生じやすい。ＢＧテープは、変形しやすいテープ素材であるから、薄型化された半導体ウェハを充分にサポートすることができず、半導体ウェハに反りが生じやすい。【０００５】
このような背景から、ＢＧテープよりも硬い素材であるシリコンウェハ又はガラスを支持体として使用し、これによって半導体ウェハを薄型化するプロセスが提案されている。そして、半導体ウェハと支持体（シリコンウェハ又はガラス）との間に介在して両者を粘着させる粘着剤が提案されてきている。このような粘着剤は、研削後の半導体素子を損傷させることなく、支持体から剥離できることが重要な特性として要求される。そのため、これらの特性を満足するための剥離方法が検討されている。剥離方法としては、例えば、溶剤によって粘着剤を溶解させる方法、加熱により粘着性を低下させる方法、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法が挙げられる（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５６５８０４号明細書
【特許文献２】特許第４９３６６６７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、溶剤によって粘着剤を溶解させる方法は時間がかかるため、生産性が低下しやすい。また、加熱により粘着性を低下させる方法は、加熱による半導体素子への影響が懸念されるとともに、貫通電極等を形成するプロセス用途には耐熱性の観点から適用できない。一方、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法は、高価なレーザー設備の導入が必要不可欠であり、このようなプロセスの適用には、かなりの投資が必要不可欠となる。【０００８】
上述のとおり、作業性及び高額な設備投資の必要性という点から、従来の粘着剤は更なる改善の余地がある。特に、このような粘着剤は液状のものがほとんどであり、半導体ウェハ又は支持体にスピンコート等で塗布し、加熱、ＵＶ照射等により成膜して使用されている。しかし、このような場合、塗布時の粘着剤のバラツキにより、個々の半導体ウェハで、加工後の半導体ウェハの厚さにバラツキが生じ易く、またスピンコートでは塗布時の回転で飛散した材料を廃棄する必要がある等の課題がある。【０００９】
また、加工する電子部品は、平滑性が高いものに限らず、回路面にハンダボールを備え、表面に８０μｍを超える凹凸のあるウェハが加工対象である場合も増加傾向にある。このように大きな凹凸を有する部品が加工対象である場合、凹凸に粘着剤を充分に埋め込んだ状態とすると、凹凸を有する表面から粘着剤を剥離することが難しくなる。また、ハンダボールの接着強度が不充分な場合には、粘着剤の剥離時にハンダボールが欠落する等の懸念が生じる。更に、電子部品の製造プロセスにおいては、例えばハンダボール搭載時のリフロー工程、あるいは、再配線層の形成工程など、２００℃を超えるプロセスがあり、粘着剤にはこれらの工程で電子部品をしっかり保持し、且つプロセス通過後に簡単に剥離できる必要がある。【００１０】
更に、光、熱等の外部エネルギーの照射によって硬化する材料を用いる場合、通常の使用環境であるクリーンルーム（ＵＶカット、２５℃）下での保存安定性（「シェルフライフ」と称する場合がある）も重要である。優れた段差埋込性が求められるため、シェルフライフが不充分であると、埋め込み不足が発生してしまい、生産性に大きな影響を及ぼし、好ましくない。【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む半導体ウェハの加工方法において、仮固定材を形成するためのものであり、
（Ａ）熱可塑性樹脂と、
（Ｂ）熱硬化性樹脂と、
（Ｃ）シリコーン化合物と、
を含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。本発明の仮固定用樹脂組成物は（Ｄ）硬化促進剤を更に含んでもよい。【００１３】
仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下（好ましくは１００〜３０００Ｐａ・ｓ）であることで、加工対象の半導体ウェハの表面に凹凸があっても段差埋込性及び加工後の剥離性の両方を十分に高水準とすることができる。これにより、本発明によれば、半導体ウェハを良好に加工することができ、これにより、高い生産性で電子部品を製造することができる。【００１４】
仮固定用樹脂組成物における（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、フィルム形成性の観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、例えば、１０〜５００質量部である。（Ｂ）熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一方を含むものであってもよい。【００１５】
（Ａ）熱可塑性樹脂として、例えば、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である。この反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０〜１０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が挙げられる。【００１６】
（Ｃ）シリコーン化合物として、樹脂成分との相溶性の観点から、例えば、有機基変性シリコーンを採用することができる。【００１７】
本発明は、単層又は多層構成を有し、上記仮固定用樹脂組成物からなる層（以下、場合により「仮固定用樹脂層」という。）を少なくとも一層含む仮固定用樹脂フィルムを提供する。仮固定用樹脂組成物を厚さが十分に均一のフィルム状に予め形成しておくことで、加工後の半導体ウェハに生じ得る厚さのバラツキを十分に抑制できるとともに、効率的に半導体ウェハを加工することができる。本発明の仮固定用樹脂フィルムは、仮固定用樹脂層を二層有するものであってもよい。仮固定用樹脂フィルムが二層構成であることで、より高度に段差埋込性及び加工後の剥離性を両立し得るという利点がある。仮固定用樹脂フィルムにおいて、一つの仮固定用樹脂層と、他の仮固定用樹脂層とが直接接していてもよい。この場合、二つの層が一体化して単層構造となっていてもよいし、二つの層の間に界面が存在して二層構造を維持していてもよい。これらの仮固定樹脂フィルムは、上述のとおり、支持体と半導体ウェハの間に介在し、支持体に対する半導体ウェハの仮固定に使用することができる。【００１８】
本発明は、上記仮固定樹脂フィルムと、この仮固定樹脂フィルムの少なくとも一方の面に設けられた支持フィルムとを備える仮固定用シートを提供する。支持フィルムにおける仮固定樹脂フィルムと接する面は離型性を有することが好ましい。【００１９】
本発明は、上記仮固定用樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。本発明に係る半導体装置の製造方法は、具体的には、仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（Ａ）は仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】図２（Ａ）は二層の仮固定用樹脂層を有する仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】図３（Ａ）は本発明に係る仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図４】図４（Ａ）は本発明に係る仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハの裏面を示す上面図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図７】図７（Ａ）は本発明に係る加工方法を経て製造された半導体素子の一例を模式的に示す断面図であり、図７（Ｂ）は複数の半導体素子が積層された電子機器装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味する。
【００２３】
［仮固定用樹脂組成物］
本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）シリコーン化合物とを含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。この仮固定材樹脂組成物を仮固定材（仮固定用樹脂層）として使用することで、半導体ウェハを良好に加工することができ、これにより、高い生産性で電子部品を製造することができる。
【００２４】
仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度は、上述のとおり、４０００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲であり、３００〜２５００Ｐａ・ｓ又は５００〜２０００Ｐａ・ｓであってもよい。仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であることで、加工対象の半導体ウェハの表面に凹凸があっても優れた段差埋込性を達成できるとともに、仮固定用樹脂組成物からなる層が凹凸を埋め込んだ後において、凹凸を有する面からの優れた剥離性も達成できる。仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であることで、半導体ウェハの加工後において加熱時にフィルムの状態を維持することができる。
【００２５】
仮固定材樹脂組成物を２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率は、上述のとおり、３０％以内であり、好ましくは０〜２５％の範囲であり、０〜２０％又は０〜１５％であってもよい。この変化率が３０％以内であることで、仮固定材樹脂組成物は保存安定性に優れ、これにより、電子部品を高い生産性で製造することができる。なお、ずり粘度の変化率は以下の式で算出される値である。
ずり粘度の変化率（％）＝［（２５℃の雰囲気下に７日放置後における１２０℃でのずり粘度）−（２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度）］／（２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度）×１００
なお、「２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度」は外部の環境になるべく曝されていない仮固定材樹脂組成物を試料として測定することが好ましく、例えば、調製後又は開封後から５時間以内の試料を測定することが好ましい。また、７日間にわたって放置する環境の相対湿度は５５％程度であればよい。
【００２６】
７日放置の前及び後における仮固定材樹脂組成物のずり粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用い、仮固定用樹脂フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【００２７】
硬化後における仮固定材樹脂組成物の貯蔵弾性率は２５℃において２０ＭＰａ以上であることが好ましく、５０ＭＰａ以上であることがより好ましい。この貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であれば、電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とを充分に固定することができる傾向にある。この貯蔵弾性率の上限値は、例えば、６０００ＭＰａ以下である。硬化後における仮固定材樹脂組成物の貯蔵弾性率は動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【００２８】
＜（Ａ）熱可塑性樹脂＞
（Ａ）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
【００２９】
（Ａ）熱可塑性樹脂は、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。上記の樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、あるいは、市販品を用いてもよい。架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。架橋性官能基の中でも、カルボキシル基が好ましい。カルボキシル基は、アクリル酸を用いることによってポリマー鎖に導入することができる。
【００３１】
（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する場合もある）は、−５０℃〜５０℃であることが好ましく、−４０℃〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、タック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、更に硬化後の弾性率をより低くすることができるため、剥離強度が高くなりすぎることをより抑制できる。
【００３２】
Ｔｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、例えば株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」）を用いて熱可塑性樹脂を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記Ｔｇは、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００３３】
（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１０万〜１２０万であり、より好ましくは２０万〜１００万である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することが容易となる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３４】
＜（Ｂ）熱硬化性樹脂＞
（Ｂ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂が挙げられ、これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００３６】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製ｊＥＲ（登録商標）シリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９、「エピコート」は登録商標）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（「ＥＯＣＮ」は登録商標）、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ  １０３１Ｓ、ハンツマン・ジャパン株式会社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる（「アラルダイト」、「デナコール」は登録商標）。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、新日鉄住金化学株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（「ＴＥＴＲＡＤ」は登録商標）、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
【００３８】
（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。以下、エポキシ樹脂硬化剤と硬化剤とを合わせて「熱硬化性成分」という。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
【００３９】
上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲが挙げられる（「フェノライト」、「エピキュア」、「ミレックス」は登録商標）。
【００４０】
仮固定用樹脂組成物における（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部が好ましく、２０〜３００質量部がより好ましい。硬化性成分の配合量が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムは充分な低温貼り付け性、耐熱性、硬化性及び剥離性を兼ね備えることができる。（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が１０質量部以上であれば貼付性及び耐熱性が向上するとともに、バックグラインド時の保持性も向上し、ウェハが割れにくい傾向がある。一方、（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が５００質量部以下であれば、硬化前の粘度が過度に低くなりにくく、比較的短時間で硬化できるとともに、電子部品の支持体への保持性と支持体からの剥離性を両立できる傾向にある。
【００４１】
＜（Ｃ）シリコーン化合物＞
（Ｃ）シリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、シリコーン変性樹脂、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
仮固定用樹脂組成物がシリコーン化合物を含有することで、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材を、半導体チップ及び封止体並びに支持体から剥離する際、１００℃以下の低温であっても、溶剤を用いることなく容易に剥離することが可能となる。
【００４３】
本実施形態で用いるシリコーン化合物がシリコーン変性樹脂である場合、シリコーンで変性された樹脂であれば特に制限はない。シリコーン変性樹脂としては、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。シリコーン変性アルキド樹脂を含有することで、仮固定用樹脂フィルムを電子部品から剥離する際、溶剤を用いることなく一層容易に剥離することが可能となる。
【００４４】
本実施形態で用いるシリコーン化合物が変性シリコーンオイルである場合、ポリエーテル変性シリコーン、アルキル変性シリコーン、エポキシ変性シリコーンが好ましい。
【００４５】
上述のようなシリコーンとしては、高分子量体と相溶するものであれば、特に限定なく用いることができる。シリコーンとしては、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＨ３７７３Ｍ、Ｌ−７００１、ＳＨ−５５０、ＳＨ−７１０、信越化学工業株式会社製のＸ−２２−１６３、ＫＦ−１０５、Ｘ−２２−１６３Ｂ、Ｘ−２２−１６３Ｃ、ＢＹＫ社製のＢＹＫ−ＵＶ３５００等が挙げられる。
【００４６】
仮固定用樹脂組成物における（Ｃ）シリコーン化合物の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部が好ましく、０．０１〜８０質量部がより好ましい。（Ｃ）シリコーン化合物の含有量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とをより高水準で両立させることが可能となる。
【００４７】
＜（Ｄ）硬化促進剤＞
仮固定用樹脂組成物は、（Ｄ）硬化促進剤を含んでいてもよい。（Ｄ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
（Ａ）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、このアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有させることが好ましい。
【００４９】
仮固定用樹脂組成物における（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜５．０質量部が好ましい。（Ｃ）硬化促進剤の含有量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において仮固定用樹脂組成物を充分に硬化させることできるため、電子部品と支持体とをより確実に固定できる。（Ｄ）硬化促進剤の含有量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性が更に良好になる傾向がある。
【００５０】
＜その他の成分＞
仮固定用樹脂組成物は、上記の成分以外の成分として、フィラー（無機フィラー及び／又は有機フィラー）、並びに、シランカップリング剤等を含んでもよい。
【００５１】
無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。金属フィラーは、フィルムにチキソ性を付与する目的で添加することができる。非金属無機フィラーは、フィルムに低熱膨張性及び低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、フィルムを形成するための樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びにフィルムの密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
【００５３】
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ（紫外線）測定、ＩＲ（赤外線）測定、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）測定等で確認することが可能である。
【００５４】
【化１】
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【００５５】
式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００５６】
好ましいシランカップリング剤は、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサンが挙げられる。これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５質量部〜２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部が更に好ましい。
【００５８】
無機フィラーの含有量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、及び低熱膨張性の向上の観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる傾向にある。
【００５９】
有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００６０】
［仮固定用樹脂フィルム及びこれを含む仮固定用シート］
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物が、仮固定用樹脂フィルムである場合、フィルム状の粘着剤であるため、膜厚の制御がより容易であり、個々の電子部品間での厚さのバラツキを軽減することができる。また、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により電子部品又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
【００６１】
仮固定用樹脂フィルムの厚さは、特に限定されず、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定するという観点から、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であれば、塗工時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、電子部品と搬送用の支持体とをより充分に固定することができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、仮固定用樹脂フィルムの厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときの発泡を更に少なくできる。
【００６２】
図１（Ａ）は仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。これらの図に示す仮固定用シート１０は、支持フィルム１と、仮固定用樹脂組成物からなる仮固定用樹脂フィルム２Ａと、保護フィルム３とをこの順に備える。
【００６３】
支持フィルム１としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。支持フィルム１は、柔軟性及び強靭性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド又はポリイミドであることが好ましい。また、樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【００６４】
支持フィルム１の厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが、３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、３５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１の厚さは、５〜２００μｍであることがより好ましく、７〜１５０μｍであることが更に好ましい。
【００６５】
保護フィルム３としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンが挙げられる。保護フィルム３は、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン又はポリプロピレンが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルム３として用いることが好ましい。
【００６６】
保護フィルム３の厚さは、目的とする柔軟性により適宜設定することができ、例えば、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であればフィルム強度がより良好になり、３５０μｍ以下であれば更なる柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３の厚さは、１５〜２００μｍであることがより好ましく、２０〜１５０μｍであることが更に好ましい。
【００６７】
仮固定用樹脂フィルム２Ａは、上述の成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１上に塗布して乾燥する方法により形成することができる。有機溶剤は特に限定されず、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、製膜時にフィルムの硬化を進みにくくする観点から、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンの比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニスにおける固形分濃度は、１０〜８０質量％であることが好ましい。
【００６８】
混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はなく、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行うことができる。加熱乾燥によって支持フィルム１上に仮固定用樹脂フィルム２Ａが形成される。その後、仮固定用樹脂フィルム２Ａを覆うように保護フィルム３を貼り合わせることによって仮固定用シート１０が得られる。
【００６９】
このようにして得られた仮固定用シート１０は、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状の仮固定用シート１０を好適なサイズに切り出した状態で保存することもできる。
【００７０】
図２（Ａ）は二層の仮固定用樹脂層を有する仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。これらの図に示す仮固定用シート２０は、支持フィルム１ａと、第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂからなる仮固定用樹脂フィルム２Ｂと、支持フィルム１ｂとをこの順に備える。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂからなる仮固定用樹脂フィルム２Ｂがずり粘度に関する上記条件を満たす。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂは同一の組成物で構成されていてもよいし、互いに異なる組成物で構成されていてもよい。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂが異なる組成物で構成されている場合、例えば、第二樹脂層２ｂが半導体ウェハの凹凸を有する面と接する側とすると、第二樹脂層２ｂが優れた段差埋込性及び段差を有する面に対する優れた剥離性を有し（図６（Ｂ）参照）する一方、第一樹脂層２ａが加工に先立って貼り付けられる支持体（図５（Ａ）の支持体５０参照）に対する優れた剥離性を有するものとなるように設計することができる。
【００７１】
仮固定用樹脂フィルム２Ｂは、上述の成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、これを支持フィルム１ａ上に塗布して乾燥して作製した積層体と、これと同じ又は別途調製したワニスを支持フィルム１ｂ上に塗布して乾燥して作製した積層体とを貼り合わせことにより形成することができる。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂを同じワニスで形成する場合、比較的厚い仮固定用樹脂フィルムを形成しても、有機溶媒の残存量を十分に低減しやすいという利点がある。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂは一体化して単層構造となっていてもよいし、二つの層の間に界面が存在して二層構造を維持していてもよい。
【００７２】
仮固定用樹脂フィルム２Ａ，２Ｂの支持体（例えばシリコンミラーウェハ）に対する９０°剥離強度（剥離速度：３００ｍｍ／分）は、２５℃において５〜２００Ｎ／ｍであることが好ましく、６〜１８０Ｎ／ｍであることがより好ましい。９０°剥離強度が上記範囲内であれば、加工後の半導体ウェハに糊残りが生じることを十分に抑制でき、加工後の半導体ウェハを支持体から良好に剥離することができる。すなわち、９０°剥離強度が５Ｎ／ｍ以上であれば研削加工工程で電子部品と支持体とをより強固に固定することができ、２００Ｎ／ｍ以下であれば、支持体から仮固定用樹脂フィルムを剥離する際に支持体との間の糊残りを十分に低減でき、支持体上にフィルムが残る可能性を更に低減できる。
【００７３】
９０°剥離強度は以下のように測定できる。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを第二の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置する。これを１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートして測定用サンプルとする。得られた測定用サンプルを硬化させ、１０ｍｍ幅に切り出す。これを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機により、３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とする。
【００７４】
［仮固定用シートの他の実施形態］
図３（Ａ）は仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。図３（Ａ）に示す仮固定用シート３０は、仮固定する部材（例えば、半導体ウェハ）の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２Ａ及び保護フィルム３が予め裁断されていること以外は、仮固定用シート１０と同様の構成を有する。
【００７５】
図４（Ａ）は仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。図４（Ａ）に示す仮固定用シート４０は、仮固定する部材（例えば、半導体ウェハ）の形状に合わせて支持フィルム１ｂ、保護フィルム３及び仮固定用樹脂フィルム２Ｂが予め裁断されていること以外は、仮固定用シート１０と同様の構成を有する。なお、図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示す態様においては、保護フィルム３、支持フィルム１ｂ及び仮固定用樹脂フィルム２Ａ，２Ｂが円形に裁断された態様を例示したが、仮固定する部材の形状に合わせてこれらの部材に切れ込みが設けられていたり、外縁部が残されていたりしていてもよい。
【００７６】
［半導体ウェハの加工方法］
仮固定用樹脂組成物を用いた半導体ウェハの加工方法は、大きく分けて以下の４工程を備える。
（ａ）仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程。
（ｂ）支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程。
（ｃ）加工後の半導体ウェハを支持体及び仮固定材から分離する分離工程。
（ｄ）半導体ウェハに残渣がある場合、半導体ウェハを洗浄する洗浄工程。
【００７７】
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は加工後の半導体ウェハを示す上面図である。なお、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）においては、仮固定材（仮固定用樹脂層）が図２（Ｂ）又は図４（Ｂ）に示す二層構成の仮固定用樹脂フィルム２Ｂである場合を図示したが、仮固定材の構成はこれに限定されない。
【００７８】
＜（ａ）仮固定工程＞
仮固定工程は、支持体５０と半導体ウェハＷとの間に、仮固定材を介在させ、支持体５０に対して半導体ウェハＷを仮固定する工程である（図５（Ａ））。半導体ウェハＷの厚さは、特に制限はないが、３００〜８００μｍとすることができる。半導体ウェハＷの仮固定用樹脂フィルム２Ｂ側の面Ｗａには回路（不図示）が形成され且つ複数の接続端子Ｗｔが形成されている。半導体ウェハＷの面Ｗａから接続端子Ｗｔの頭頂部までに距離（接続端子Ｗｔの高さ）は、例えば、１〜２００μｍであり、５〜１５０μｍ又は１０〜１００μｍであってもよい。
【００７９】
（ａ−１）支持体５０上への仮固定材の形成
図５（Ａ）に示すように、二層構成の仮固定用樹脂フィルム２Ｂを使用する場合、ロールラミネーター及び真空ラミネーター等を使用して支持体５０上に仮固定材を形成することができる。なお、二層構成の仮固定用樹脂フィルムの代わりに、単層の仮固定用樹脂フィルム２Ａを使用してもよい。液状の仮固定用樹脂組成物を使用する場合、スピンコート、印刷及びディスペンス等の手段によって、支持体５０上に仮固定材を形成する。
【００８０】
支持体５０の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ、ＳＵＳ板等の基板が使用可能である。支持体５０には剥離処理を行ってもよく、支持体５０表面の全部又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成してもよい（図５（Ａ）参照）。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されず、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【００８１】
（ａ−２）半導体ウェハＷの貼り付け
支持体５０とその表面上に形成された仮固定材とを有する積層体を、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上にセットする。仮固定材に対して半導体ウェハＷを押圧して貼り付ける（図５（Ａ）参照）。
【００８２】
ウェハ接合装置として、例えば、ＥＶＧ社製真空プレス機ＥＶＧ５２０ＩＳ（商品名）が挙げられる。この装置を使用する場合、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０℃〜２００℃、保持時間１００秒〜３００秒で、半導体ウェハＷと支持体５０とを仮固定材を介して仮固定すればよい。
【００８３】
真空ラミネーターとして、例えば、株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ−５０×５０−Ｓ（商品名）及びニチゴー・モートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）が挙げられる。押圧条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０℃〜１８０℃（好ましくは６０℃〜１５０℃）、ラミネート圧力０．０１〜０．５ＭＰａ（好ましくは０．１〜０．５ＭＰａ）、保持時間１秒〜６００秒（好ましくは３０秒〜３００秒）で、半導体ウェハＷと支持体５０とを仮固定材を介して仮固定すればよい。
【００８４】
（ａ−３）仮固定用樹脂フィルムの硬化
支持体５０に対して半導体ウェハＷを仮固定した後、仮固定材の硬化を行う。硬化方法は特に制限されなく、熱又は放射線照射による方法がある。硬化方法としては、中でも、熱による硬化が好ましい。熱による硬化をする場合、硬化条件は、１００〜２００℃で１０〜３００分（より好ましくは２０〜２１０分）の硬化が好ましい。温度が１００℃以上であれば仮固定材が充分に硬化して加工工程で問題が起きにくく、２００℃以下であれば仮固定材の硬化中にアウトガスが発生しにくく、仮固定材の剥離を更に抑制できる。また、硬化時間が１０分以上であれば加工工程で問題が起きにくく、３００分以下であれば作業効率が悪化しにくい。図５（Ｂ）における仮固定用樹脂フィルム２Ｃは仮固定用樹脂フィルム２Ｂの硬化体を示す。
【００８５】
＜（ｂ）加工工程＞
加工工程は、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は半導体ウェハＷと砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【００８６】
例えば、図５（Ｂ）に示すように、グラインダーＧによって半導体ウェハＷの裏面Ｗｂを研削し、例えば７００μｍ程度の厚さを１００μｍ以下にまで薄化する。研削加工する装置としては、例えば、株式会社ディスコ製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられ、切削条件は所望の半導体ウェハＷの厚さ及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【００８７】
その他の工程は具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、公知のプロセスが挙げられる。
【００８８】
図５（Ｃ）は、薄化した半導体ウェハＷの裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理を行い、貫通電極Ｅｔを形成した例を示している。図５（Ｄ）は加工後の半導体ウェハＷの裏面Ｗｂ側を示す上面図である。なお、半導体ウェハＷは、後述のとおり、図５（Ｄ）に破線で示されたダイシングラインＬに沿って切断するダイシング工程を経て半導体素子に個片化される。
【００８９】
＜（ｃ）分離工程＞
図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、図５（Ｃ）に示す状態から後の工程を示す模式断面図である。分離工程は、仮固定用樹脂フィルムとともに半導体ウェハＷを支持体５０から剥離する第一の剥離工程と（図６（Ａ）参照）、半導体ウェハＷから仮固定材を剥離する第二の剥離工程（図６（Ｂ）参照）とを含む。なお、第一の剥離工程を実施することなく、仮固定用樹脂フィルムから半導体ウェハＷを剥離してもよい。剥離方法としては、半導体ウェハＷ又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、電子部品の研削面に保護フィルムを貼り、電子部品と保護フィルムとをピール方式で支持体５０から剥離する方法等が挙げられる。
【００９０】
第二の剥離工程では、例えば、図６（Ｂ）に示されるように、剥離された半導体ウェハＷ及び仮固定材をダイシングテープ９０上に移して半導体ウェハＷを水平に固定しておき、仮固定材の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された半導体ウェハＷを得ることができる（図６（Ｃ）を参照）。本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いて仮固定材が形成されていることにより、糊残りなどの残渣が充分低減された加工済み半導体ウェハＷを容易に得ることができる。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０〜１００℃程度の電子部品にダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばデボンダー（ズース・マイクロテック株式会社製、ＤＢ１２Ｔ）、Ｄｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置（ＥＶＧ社製、ＥＶＧ８０５ＥＺＤ）等を用いる。
【００９１】
第二の剥離工程では、例えば、図５（Ｂ）に示されるように、電子部品８０を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定材７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された電子部品８０を得ることができ、支持体を回収することができる。
【００９２】
＜（ｄ）洗浄工程＞
半導体ウェハＷの回路形成面（面Ｗａ）は仮固定材の一部が残存しやすい。半導体ウェハＷの回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、半導体ウェハＷを洗浄することにより行うことができる。
【００９３】
洗浄液は、一部残存した仮固定材を除去できるような洗浄液であれば、特に制限はない。このような洗浄液としては、例えば、仮固定用樹脂組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９４】
また、残存した仮固定材が除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類は、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で０．０１〜１０質量％が好ましい。また、洗浄液には、残存物の除去性を向上させるため既存の界面活性剤を添加してもよい。
【００９５】
洗浄方法に特に制限はなく、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の半導体ウェハＷが得られる。
【００９６】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルム組成物によれば、糊残り等の残渣を充分に低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【００９７】
貫通電極Ｅｔが形成された半導体ウェハＷは、更にダイシングラインＬに沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される（図６（Ｄ）参照）。なお、図６（Ｄ）に示す複数の半導体素子１００は、ダイシングテープ９０のエキスパンドによって、互いに離間している。
【００９８】
図７（Ａ）は上記工程を経て製造された半導体素子１００を模式的に示す断面図である。図７（Ｂ）は複数の半導体素子１００が積層された電子機器装置の一例を模式的に示す断面図である。半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層するとともに、半導体素子１００の上に更に半導体素子１００を配置して電気的に接続することにより電子機器装置１２０を得ることができる。
【００９９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、本発明に係る仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに、半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの加工に限定されず、種々の電子部品の加工に適用して電子機器装置の製造方法に利用することができる。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【０１０１】
［アクリルゴムＫ−１の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内において、以下の成分を配合した。
・脱イオン水２００ｇ
・アクリル酸ブチル６０ｇ
・メタクリル酸メチル１０ｇ
・２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ
・グリシジルメタクリレート２０ｇ
・１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ
・ラウリルパーオキサイド０．２ｇ
・ｎ−オクチルメルカプタン０．０８ｇ
続いて、６０分間にわたってＮ２ガスをフラスコに吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＫ−１を得た。アクリルゴムＫ−１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＫ−１の重量平均分子量はポリスチレン換算で３０万であった。アクリルゴムＫ−１のＴｇは−２０℃であった。【０１０２】
［アクリルゴムＫ−２の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内において、以下の成分を配合した。
・脱イオン水２００ｇ
・アクリル酸ブチル７０ｇ
・メタクリル酸メチル１０ｇ
・２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ
・グリシジルメタクリレート１０ｇ
・１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ
・ラウリルパーオキサイド０．２ｇ
・ｎ−オクチルメルカプタン０．０６ｇ
続いて、６０分間にわたってＮ２ガスをフラスコに吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＫ−２を得た。アクリルゴムＫ−２をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＫ−２の重量平均分子量はポリスチレン換算で４０万であった。アクリルゴムＫ−２のＴｇは−２８℃であった。【０１０３】
（実施例１〜５、比較例１〜８）
［仮固定用樹脂フィルムの調製］
表１〜３に示す質量部の組成で実施例及び比較例に係るワニスをそれぞれ調製した。調製したワニスを、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で５分間、１４０℃で５分間加熱乾燥することによって第一樹脂層を形成した。同じワニスを用いて第二樹脂層を形成し、第一樹脂層及び第二樹脂層によって仮固定用樹脂フィルムを得た。その後、仮固定用樹脂フィルム上に保護フィルムを貼り合わせ、保護フィルム及び支持フィルムが付いた仮固定用樹脂フィルムを得た。【０１０４】
【表１】
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【０１０５】
【表２】
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【０１０６】
【表３】
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【０１０７】
表１〜３に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。
・アクリルゴムＫ−１：ＧＰＣによる重量平均分子量３０万、グリシジルメタクリレート２０質量％、Ｔｇ−２０℃のアクリルゴム
・アクリルゴムＫ−２：ＧＰＣによる重量平均分子量４０万、グリシジルメタクリレート１０質量％、Ｔｇ−２８℃のアクリルゴム
・ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ１２℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
・ＹＤＣＮ−７００−１０：クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製）
・ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
・ＨＥ１００−３０：フェノールアラルキル樹脂（エア・ウォーター株式会社製）
・ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社製）
・ＴＡ３１−２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（日立化成株式会社製）
・２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
・２ＰＨＺ−ＰＷ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
・ＳＣ２０５０−ＨＬＧ：エポキシシラン表面処理シリカフィラ（アドマッテクス株式会社製）【０１０８】
調製した実施例及び比較例の仮固定用樹脂フィルムについて、１２０℃におけるずり粘度、段差埋込性、２５０℃での耐熱性評価、硬化後の弾性率（２５℃における貯蔵弾性率）、支持体に対する仮固定用樹脂フィルムの９０°剥離強度及びプロセス性評価を、以下に示す方法にしたがって評価した。２５℃の雰囲気下に７日間放置した前（経時なし）及び後（経時あり）の評価結果を表４〜６に示す。【０１０９】
［ずり粘度測定］
仮固定用樹脂フィルムにおけるずり粘度を下記の方法により評価した。厚さ３０μｍに調整したフィルムを８０℃で８枚ラミネートし２４０μｍとし、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント株式会社製、ＡＲＥＳ）を用いて、ずり粘度を測定した。測定方法は「ｐａｒａｌｌ  ｐｌａｔｅ」、測定冶具は直径８ｍｍの円形の治具、測定モードは「Ｄｙｎａｍｉｃ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｒａｍｐ」、周波数は１Ｈｚで行い、５％の歪みを与えながら３５℃から２０℃／分の昇温速度で２００℃まで昇温し、１２０℃に到達したときの粘度を測定した。【０１１０】
［段差埋込性］
仮固定用樹脂フィルムの段差埋込性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートにて貼り合せ、仮固定用樹脂フィルム付きウェハを得た。次に、厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製した。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、上記で作製した仮固定用樹脂フィルム付きウェハの仮固定用樹脂フィルム面を下にして、段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置した。これを、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。その後、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。埋込性の評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ボイドの割合が５％未満。
Ｂ：ボイドの割合が５％以上。【０１１１】
［２５０℃での耐熱性評価］
仮固定用樹脂フィルムの２５０℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ角に小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ角のスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムの上に８０℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した。更にその後２５０℃で３０分間加熱した。このようにして得られた試料をスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェハで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２５０℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ボイドの割合が５％未満。
Ｂ：ボイドの割合が５％以上。【０１１２】
［２５℃における貯蔵弾性率］
仮固定用樹脂フィルムについて、硬化後の貯蔵弾性率を下記の方法により評価した。厚さ３０μｍに調整したフィルムを８０℃で８枚ラミネートし２４０μｍとし、これを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後２００℃で３０分間加熱した。その後、厚さ方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。切り出したフィルムを動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での貯蔵弾性率を測定した。【０１１３】
［９０°剥離強度］
シリコンミラーウェハ及び仮固定用樹脂フィルムの間の９０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムがシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して硬化させ、これを更に２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とした。【０１１４】
［プロセス性評価］
仮固定用樹脂フィルムのデボンド装置での剥離性を下記の方法により評価した。支持体としてシリコンミラーウェハに仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートにより貼り付けることで、仮固定用樹脂フィルム付き支持体を得た。次に、厚さ７２５μｍのシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製し、表面に段差を有するシリコンウェハを用意した。このシリコンウェハの段差側に、仮固定用樹脂フィルム付き支持体の仮固定用樹脂フィルムが接触するように貼り合わせ、真空ボンディング装置（アユミ工業株式会社製ＶＥ０７−１４）で５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、積層体を得た。このようにして得られた積層体を１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱することにより仮固定用樹脂フィルムを硬化させた。その後、これを２００℃で３０分間加熱した後、シリコンウェハの段差側と仮固定用樹脂フィルムとの間に、先端が鋭利なピンセットを差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。シリコンウェハ及び支持体が割れることなく剥離できたものをＡとし、剥離できなかったもの又は損傷が見られたものはＢとした。【０１１５】
【表４】
2020129917.tif 000007
【０１１６】
【表５】
2020129917.tif 000008
【０１１７】
【表６】
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【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明によれば、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【０１１９】
１，１ａ，１ｂ…支持フィルム、２Ａ，２Ｂ…仮固定材（仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂層、仮固定用樹脂フィルム）、２Ｃ…仮固定材（仮固定用樹脂組成物の硬化体）、２ａ…第一樹脂層（仮固定用樹脂層）、２ｂ…第二樹脂層（仮固定用樹脂層）、３…保護フィルム、１０，２０，３０，４０…仮固定用シート、５０…支持体、１００…半導体素子、１２０…半導体装置、Ｅｔ…貫通電極、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗｔ…接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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