(57)【要約】  固体電解コンデンサは、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備える。前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有する。前記分離部における前記多孔質部の表面には、第１絶縁材料が配置され、前記多孔質部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部は、第２絶縁材料を含む。
2020153451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部における前記多孔質部の表面には、第１絶縁材料が配置され、
前記多孔質部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部は、第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記多孔質部は、前記第１絶縁材料と前記陰極形成部との間の部分に、前記第２絶縁材料を含む、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記多孔質部は、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の部分に、前記第２絶縁材料を含む、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記多孔質部は、前記陰極形成部に前記第２絶縁材料を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
前記陰極引出層の少なくとも一部は、前記第２絶縁材料を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
前記第１絶縁材料と前記陰極引出層の前記陽極部側の端部との間において、第３絶縁材料が、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記第３絶縁材料が、前記陰極引出層の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
複数の前記コンデンサ素子の積層体を備え、
第４絶縁材料が、前記積層体の表面の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項９】
（i）基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部における前記多孔質部を圧縮または一部除去する工程、
（iii）前記分離部の表面に第１絶縁材料を配置する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部において、前記多孔質部に第２絶縁材料を含浸させる工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１０】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記コンデンサ素子は、さらに、前記分離部の前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサ。
【請求項１１】
前記多孔質部が、前記第２絶縁材料の少なくとも一部を含む、請求項１０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１２】
前記分離部において、前記第１絶縁材料よりも前記陽極部側の領域の少なくとも一部に、第１溝部が形成されており、
前記第１溝部の少なくとも一部の領域に、前記第２絶縁材料が配置されている、請求項１０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１３】
前記第１溝部は、少なくとも前記第１絶縁材料と隣接する位置に形成されている、請求項１２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１４】
前記第１溝部は、少なくとも前記第１絶縁材料から離間して形成されている、請求項１２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１５】
前記多孔質部は、さらに前記第１溝部の周辺の部分に、前記第２絶縁材料を含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１６】
第３絶縁材料が、前記第１絶縁材料の表面の少なくとも一部、および、前記陰極引出層に覆われていない前記固体電解質層の表面の少なくとも一部を覆っている、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１７】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記第１絶縁材料よりも前記陰極形成部側の領域の少なくとも一部が、前記固体電解質層で覆われている、固体電解コンデンサ。
【請求項１８】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項１９】
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、さらに第２絶縁材料が配置されている、請求項１８に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２０】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記陰極形成部の少なくとも一部には、第３溝部が形成されており、
前記第３溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２１】
前記第３溝部は、前記分離部とは離間した位置に形成されている、請求項２０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２２】
基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２３】
（i）基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極部の間の分離部とに区分し、前記分離部の多孔質部の少なくとも一部を圧縮および／または除去する工程、
（iii）前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料を配置または含浸する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部において、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を配置または含浸する工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記工程（vi）において、少なくとも、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部において、前記多孔質部に前記第２絶縁材料を含浸させる、請求項２３に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記工程（ii）以降、前記工程（iv）よりも前に、前記分離部において、前記第１絶縁材料よりも前記陽極部側の領域の少なくとも一部における前記多孔質部を除去することにより第１溝部が形成され、
前記工程（vi）において、前記第１溝部の少なくとも一部の領域に前記第２絶縁材料を配置する、請求項２３または２４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体電解コンデンサは、固体電解質層を備えるコンデンサ素子と、コンデンサ素子と電気的に接続された電極端子と、コンデンサ素子を封止する外装体とを備える。コンデンサ素子は、例えば、表層に多孔質部を備えた陽極箔と、陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを備える。【０００３】
特許文献１では、表面に酸化膜層が形成された弁作用金属からなる陽極部と、該表面の所定の領域に固体電解質層を有して層状に形成され最外層は導電性材料からなる陰極部と、該陽極部と該陰極部とを電気的に絶縁するレジスト部とにより構成されるコンデンサ素子を複数備える固体電解コンデンサが提案されている。【０００４】
特許文献２では、表面に多孔質層を有する固体電解コンデンサ用基材の陽極部領域と陰極部領域を分離する領域に遮蔽層を有する固体電解コンデンサが提案されている。【０００５】
特許文献３では、誘電体皮膜中に浸透しかつ浸透部の上にマスキング層を形成するマスキング材溶液を塗布する工程を有する固体電解コンデンサの製造方法が提案されている。【０００６】
特許文献４では、弁作用金属の表面に形成したエッチング層に、固体電解質材料の浸透を防止するレジスト層を設けることで、陽極部と陰極部を区分するとともに、レジスト層の陰極部側に第一の溝を形成すること、第一の溝よりも陽極部側に第二の溝を形成し、第二の溝にレジスト層を形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１６５７７７号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０６１００５号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２０００／０６７２６７号パンフレット
【特許文献４】特開２００７−３０５６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
固体電解コンデンサでは、電極端子と接続された陽極箔の多孔質部を通じて空気が内部に侵入することがある。侵入した空気中の酸素とコンデンサ素子に含まれる固体電解質層とが接触すると、高温下で固体電解質層に含まれる導電性ポリマーが劣化し、固体電解コンデンサの静電容量が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の第１側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部における前記多孔質部の表面には、第１絶縁材料が配置され、
前記多孔質部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部は、第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサに関する。【００１０】
本開示の第２側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記コンデンサ素子は、さらに、前記分離部の前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサに関する。【００１１】
本開示の第３側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記第１絶縁材料よりも前記陰極形成部側の領域の少なくとも一部が、前記固体電解質層で覆われている、固体電解コンデンサに関する。【００１２】
本開示の第４側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサに関する。【００１３】
本開示の第５側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記陰極形成部の少なくとも一部には、第３溝部が形成されており、
前記第３溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサに関する。【００１４】
本開示の第６側面は、基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている、固体電解コンデンサに関する。【００１５】
本開示の第７側面は、（i）基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部における前記多孔質部を圧縮または一部除去する工程、
（iii）前記分離部の表面に第１絶縁材料を配置する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部において、前記多孔質部の空隙に第２絶縁材料を含浸させる工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法に関する。【００１６】
本開示の第８側面は、（i）基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極部の間の分離部とに区分し、前記分離部の多孔質部の少なくとも一部を圧縮および／または除去する工程、
（iii）前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料を配置または含浸する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部において、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を配置または含浸する工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１７】
高温に晒された後の固体電解コンデンサの静電容量の低下を抑制する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本開示の第１実施形態に係る固体電解コンデンサを模式的に示す断面図である。
【図２】図１の固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図３】本開示の第２実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図４】本開示の第３実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図５】本開示の第４実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図６】本開示の第５実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図７】本開示の第６実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図８】本開示の第７実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図９】本開示の第８実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図１０】本開示の第９実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図１１】本開示の第１０実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図１２】本開示の第１１実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図１３】本開示の第１２実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【図１４】本開示の第１３実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本開示の新規な特徴を添付の請求の範囲に記述するが、本開示は、構成および内容の両方に関し、本開示の他の目的および特徴と併せ、図面を照合した以下の詳細な説明によりさらによく理解されるであろう。
【００２０】
コンデンサ素子の陽極箔は、基材部の表面に設けられた多孔質部を有する。多孔質部は、多くの空隙を含む。陽極箔の固体電解質層が形成されていない陽極部では、電極端子と接続しており、電極端子側から空気が多孔質部の空隙を通じてコンデンサ素子内に侵入し、固体電解質層に含まれる導電性高分子を劣化させることがある。このような導電性高分子の劣化は特に高温環境下で顕著である。
【００２１】
本開示の第１側面に係る固体電解コンデンサでは、コンデンサ素子の陽極箔の陽極部と陰極形成部との間に分離部を設け、この分離部における多孔質部の表面に第１絶縁材料を配置する。なお、分離部において、第１絶縁材料が配置されている領域を第１領域とし、第１絶縁材料（または第１領域）と陰極形成部との間の領域を第２領域とし、第１絶縁材料（または第１領域）より陽極部側の領域を第３領域とする。上記固体電解コンデンサでは、第１領域の多孔質部の第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部が第２絶縁材料を含む。第１領域の多孔質部が第２絶縁材料を含むことで、第１領域からコンデンサ素子内への空気の侵入が抑制される。
【００２２】
上記側面に係る固体電解コンデンサは、分離部の表面に第１絶縁材料を配置したコンデンサ素子を形成した後、第１領域の多孔質部の空隙に第２絶縁材料を含浸させることにより形成できる。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第１領域の多孔質部に（より具体的には、多孔質部の空隙に）第２絶縁材料を充填してもよい。
【００２３】
本開示の第２側面に係る固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の陽極箔の陽極部と陰極形成部との間に分離部を有している。この分離部の少なくとも一部には第１絶縁材料が配置されるか、または含まれる。コンデンサ素子は、分離部において、第１絶縁材料よりも陽極部側の領域（第３領域）の少なくとも一部に第２絶縁材料を含む。これにより、陽極部側からコンデンサ素子内への空気の侵入が抑制される。
【００２４】
第２側面に係る固体電解コンデンサは、分離部の多孔質部の少なくとも一部を圧縮および／または除去し、分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料を配置するか、または含浸させ、固体電解質層および陰極引出層を形成した後、分離部において第２絶縁材料を配置するか、または含浸させることにより製造できる。第２絶縁材料は、第３領域の少なくとも一部に配置または含浸される。
【００２５】
本開示の第３側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の第１絶縁材料（または第１領域）よりも陰極形成部側の領域（つまり、分離部の第２領域）の少なくとも一部が、固体電解質層で覆われている。また、本開示の第４側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の陰極形成部側の第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、第２溝部の少なくとも一部の領域に、固体電解質層が配置されている。第２溝部は第２領域に形成されている。これらの固体電解コンデンサでは、第２領域の少なくとも一部に固体電解質層が配置されることになるため、第２領域からの空気の侵入が抑制される。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第２溝部が固体電解質層で充填されていてもよい。
【００２６】
本開示の第５側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、陰極形成部の少なくとも一部に第３溝部が形成されており、第３溝部の少なくとも一部の領域に、固体電解質層が配置されている。このような固体電解コンデンサでは、第３溝部よりも陽極部側の領域からの空気の侵入が抑制される。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第３溝部が固体電解質層で充填されていてもよい。
【００２７】
本開示の第６側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の陰極形成部側の第１絶縁材料に隣接する位置に第２溝部が形成されており、第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている。第２溝部は第２領域に形成されている。このような固体電解コンデンサでは、第２領域の少なくとも一部に第２絶縁材料が配置されることになるため、第２領域からの空気の侵入が抑制される。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第２溝部に第２絶縁材料が充填されていてもよい。
【００２８】
このように、これらの側面の固体電解コンデンサでは、コンデンサ素子への空気の侵入が抑制される。これにより、固体電解コンデンサが高温に晒された後も固体電解質層に含まれる導電性高分子の劣化を抑制する効果が高まる。よって、耐熱試験後の静電容量の低下を抑制できる。また、固体電解質層の耐熱性が向上することで、ＥＳＲ（等価直列抵抗）および誘電正接（ｔａｎδ）を低減できる。
【００２９】
なお、多孔質部、分離部、またはコンデンサ素子などに絶縁材料が含まれているとは、絶縁材料が、多孔質部、分離部、またはコンデンサ素子（より具体的にはこれらの空隙）に、含浸された状態、および充填された状態で含まれている場合を包含する広い意味で用いる。
【００３０】
以下、必要に応じて図面を参照しながら、本開示の上記側面に係る固体電解コンデンサおよびその製造方法についてより具体的に説明する。
【００３１】
［固体電解コンデンサ］
（コンデンサ素子）
固体電解コンデンサが備えるコンデンサ素子は、陽極箔と、陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有する。陽極箔は、基材部の表面に多孔質部を備える。また、陽極箔は、固体電解質層が形成される陰極形成部と、固体電解質層が形成されていない陽極部と、陽極部と陰極形成部との間の分離部とに区分される。分離部は、例えば、多孔質部の厚みが小さな部分（薄肉部）を有していてもよい。薄肉部は、多孔質部を圧縮したり、一部除去したりすることにより形成される。多孔質部を圧縮した部分を圧縮部と称することがある。多孔質部を圧縮および／または除去することで分離部に形成される凹部を溝部と称することがある。溝部は、基材部上に多孔質部を介して形成されていてもよく、多孔質部を介さずに基材部上に直接形成されていてもよい。溝部が形成されている部分（または薄肉部）ではこの部分以外の部分に比較して空気の通路が少なくなるため、空気の侵入を抑制する観点から溝部を設けると有利である。
【００３２】
図１は、本開示の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの構造を概略的に示す断面図である。図２は、図１の固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す拡大断面図である。
【００３３】
固体電解コンデンサ１は、コンデンサ素子２と、コンデンサ素子２を封止する外装体３と、外装体３の外部にそれぞれ少なくともその一部が露出する陽極リード端子４および陰極リード端子５と、を備えている。外装体３は、ほぼ直方体の外形を有しており、固体電解コンデンサ１もほぼ直方体の外形を有している。
【００３４】
コンデンサ素子２は、陽極箔６と、陽極箔６の表面を覆う誘電体層（図示せず）と、誘電体層を覆う陰極部８とを備える。誘電体層は、陽極箔６の表面の少なくとも一部に形成されていればよい。
【００３５】
陰極部８は、固体電解質層９と、陰極引出層１０とを備える。固体電解質層９は、誘電体層の少なくとも一部を覆うように形成されている。陰極引出層１０は、固体電解質層９の少なくとも一部を覆うように形成されている。陰極引出層１０は、カーボン層１１および金属ペースト層１２を有する。陰極リード端子５は、導電性接着剤により形成される接着層１４を介して、陰極部８と電気的に接続されている。
【００３６】
陽極箔６は、基材部６ａと、基材部６ａの表面に形成された多孔質部６ｂとを備えている。陽極箔６は、固体電解質層９が形成されていない陽極部１６ａと、固体電解質層９（または陰極部８）が形成される陰極形成部１６ｂと、陽極部１６ａと陰極形成部１６ｂとの間の分離部１６ｃとを有する。陽極箔６の陽極部１６ａには、陽極リード端子４が溶接により電気的に接続されている。
【００３７】
分離部１６ｃにおける多孔質部６ｂの表面には第１絶縁材料１３が配置されている。この第１絶縁材料１３により、固体電解質層９を形成する場合の導電性高分子の陽極部１６ａ側への這い上がりが抑制され、陽極部１６ａと陰極部８との接触が規制される。図示例では、分離部１６ｃは、薄肉部２６を有しており、第１絶縁材料１３は、薄肉部２６に配置されている。第１絶縁材料１３は、薄肉部２６の少なくとも一部に配置されていてもよい。ただし、分離部１６ｃは、薄肉部２６を有していなくてもよい。
【００３８】
本実施形態では、第１領域３６ａの多孔質部６ｂの第１絶縁材料１３で覆われている領域の少なくとも一部は第２絶縁材料７を含む。より具体的には、第１領域３６ａの多孔質部６ｂが第２絶縁材料７を含む。多孔質部６ｂは、空隙を含む。そのため、多孔質部６ｂは、この空隙に含浸された状態の第２絶縁材料７を含む。第１領域３６ａの多孔質部６ｂが第２絶縁材料７を含むことにより、第１領域３６ａを通じた空気のコンデンサ素子内への侵入が抑制される。これにより、固体電解質層９に含まれる導電性高分子の酸素による劣化が抑制されるため、固体電解質層９の耐熱性を高めることができる。耐熱試験後の固体電解コンデンサの静電容量の低下を抑制できる。また、ＥＳＲおよび誘電正接を低減することができる。
【００３９】
第２絶縁材料７は、少なくとも第１領域３６ａの多孔質部６ｂに含まれていればよい。第２絶縁材料７は、さらに、少なくとも第１領域３６ａの周辺に含まれていてもよい。この場合、第１領域３６ａの周辺において多孔質部６ｂを通って空気がコンデンサ素子２内に侵入することが抑制される。また、第２絶縁材料７は、陰極引出層１０の少なくとも一部に含まれていてもよい。これにより、陰極引出層１０からコンデンサ素子２内への空気の侵入を抑制できる。
【００４０】
例えば、第１絶縁材料１３と、陰極引出層１０との間の多孔質部６ｂ（換言すれば、多孔質部６ｂの第１絶縁材料１３と陰極引出層１０との間の第２領域３６ｂの多孔質部６ｂ）に第２絶縁材料７が含まれていてもよい。また、第１絶縁材料１３より陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂ（換言すれば、多孔質部６ｂの第１絶縁材料１３より陽極部１６ａ側の第３領域３６ｃの多孔質部６ｂ）に第２絶縁材料７が含まれていてもよい。この場合、第２絶縁材料７が含まれる部分は、第１絶縁材料１３の位置に応じて、陽極部１６ａおよび分離部１６ｃのいずれの多孔質部６ｂでもよい。
【００４１】
第２絶縁材料７は、これらの位置に、含浸された状態で含まれていてもよく、充填された状態で含まれていてもよい。
【００４２】
図３は、第２実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。コンデンサ素子２の陰極部８は複数の層を有し、ある程度の厚みを有するため、陰極部８と分離部１６ｃ（または第１絶縁材料１３）との間には、凹部（ネック）が形成される。図３に示すように、この凹部（ネック）の表面が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。凹部の表面は、少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われていればよく、凹部に、第３絶縁材料１７が充填されていてもよい。第３絶縁材料１７は、少なくとも第１領域３６ａの周辺に付着していてもよい。また、第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０および固体電解質層９の少なくとも一方の少なくとも一部を覆っていてもよい。例えば、図３のように、陰極引出層１０または固体電解質層９の陽極部１６ａ側の端部およびその周辺が、第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０に覆われていない固体電解質層９の表面の少なくとも一部を覆っていてもよい。例えば、陰極引出層１０の陽極部１６ａ側の端部において、固体電解質層９が陰極引出層１０で覆われていない部分が存在する場合がある。このような場合には、第１絶縁材料１３（または第１領域３６ａ）と陰極引出層１０の陽極部１６ａ側の端部との間において、固体電解質層９の少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。図３の場合も、図１や図２の場合と同様、第１領域３６ａ、第２領域３６ｂ、および第３領域３６ｃの多孔質部６ｂに第２絶縁材料が含まれている。図３は、上記凹部（ネック）、陰極引出層１０および／または固体電解質層９の陽極部１６ａ側の端部およびその周辺の少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われている以外は、図２と同じであり、図１および図２の説明を参照できる。
なお、図示しないが、第１絶縁材料１３より陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂの少なくとも一部が第３絶縁材料１７により覆われていてもよい。
【００４３】
図４は、第３実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す拡大断面図である。
図４では、第３絶縁材料１７は、第１絶縁材料１３の表面、第１絶縁材料１３と陰極引出層１０の陽極部１６ａ側の端部との間の多孔質部６ｂの表面、第１絶縁材料１３の陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂの表面を覆っている。また、第２絶縁材料は、第２領域３６ｂおよび第３領域３６ｃの多孔質部６ｂにも含まれている。
【００４４】
金属ペースト層１２は、緻密でなく、層内には隙間が存在する。そのため、陰極引出層１０の表面に絶縁材料を供給すると、金属ペースト層１２に絶縁材料が含浸される。この含浸された絶縁材料は、第２絶縁材料７に相当する。図４では金属ペースト層１２全体に第２絶縁材料７が含浸された状態で含まれている。ただし、第２絶縁材料７は、必ずしも金属ペースト層１２全体に含まれている必要はなく、金属ペースト層１２の少なくとも一部に含まれていればよい。第２絶縁材料が金属ぺースト層１２に含まれることで、金属ペースト層１２からのコンデンサ素子２内への空気の侵入を抑制することができ、固体電解質層９の耐熱性の低下をさらに抑制できる。また、陰極引出層１０の表面に絶縁材料が付着した状態であってもよい。陰極引出層１０の少なくとも一部を覆う絶縁材料は、第３絶縁材料１７に相当する。
【００４５】
分離部１６ｃ、陽極部１６ａ、および陰極引出層１０の少なくともいずれかから供給された第２絶縁材料が多孔質部６ｂに浸透することで、第１領域３６ａ、第２領域３６ｂ、第３領域３６ｃ、および陰極形成部１６ｂの少なくともいずれかにおける多孔質部６ｂに第２絶縁材料が含浸または充填される。陰極引出層１０の表面に供給された第２絶縁材料が、陰極引出層１０、固体電解質層９などに浸透することで、陰極形成部１６ｂにおける多孔質部６ｂに含浸または充填されてもよい。
【００４６】
図５は、第４実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。図５では、３つのコンデンサ素子１０２Ａ、１０２Ｂおよび１０２Ｃが積層されている。図５では、便宜的に、これらのコンデンサ素子の積層体部分のみを記載している。図５では、３つのコンデンサ素子が積層されており、絶縁材料が覆う領域が異なる点で、図２〜図４とは異なるものの、これら以外の構成は、図１〜図４についての説明を参照できる。
【００４７】
図５では、コンデンサ素子１０２Ａ、１０２Ｂおよび１０２Ｃのそれぞれは、図２の場合と同様に、陽極箔６と、陽極箔６を覆う誘電体層と、誘電体層を覆う固体電解質層９と、固体電解質層９を覆う陰極引出層１０とを備えている。陽極箔６は、陽極部１６ａと陰極形成部１６ｂとこれらの間の分離部１６ｃとに区分されている。分離部１６ｃの多孔質部６ｂには、第１絶縁材料１３が配置されている。
【００４８】
第４絶縁材料１１７は、コンデンサ素子１０２Ａ、１０２Ｂおよび１０２Ｃの積層体の表面の一部を覆っている。より具体的には、第４絶縁材料１１７は、第１絶縁材料１３の一部の表面、第１絶縁材料１３と固体電解質層９の陽極部１６ａ側の端部との間の多孔質部６ｂ、および固体電解質層９の一部の表面を覆っている。第４絶縁材料１１７は、陰極引出層１０の少なくとも一部を覆っていてもよい。第４絶縁材料１１７は、積層体の少なくとも一部を覆っていればよい。コンデンサ素子の積層体の場合でも、表面の少なくとも一部が第４絶縁材料１１７で覆われることで、各コンデンサ素子内への空気の侵入が抑制され、固体電解質層９の耐熱性の低下を抑制できる。また、コンデンサ素子の積層体とリードフレームとを接続した後に、第４絶縁材料１１７で積層体およびリードフレームの少なくとも一部の表面を覆ってもよい。積層体における第４絶縁材料１１７の位置は、これらの場合に限定されない。例えば、積層体において、隣接するコンデンサ素子間、隣接するコンデンサ素子の第１絶縁材料１３間、隣接するコンデンサ素子の第３絶縁材料１７間、および積層体の表面全体の少なくともいずれかが、第４絶縁材料１１７で覆われていてもよい。
【００４９】
積層体において、陰極引出層１０（例えば、銀ペースト層）の少なくとも一部に第２絶縁材料が含まれていてもよい。なお、積層体の表面に絶縁材料を供給することで、多孔質部６ｂ内に絶縁材料が浸透し、第１領域、第２領域、および陰極形成部１６ｂの多孔質部６ｂなどにも絶縁材料が含浸または充填される。この含浸または充填された絶縁材料が第２絶縁材料に相当する。また、積層体において、少なくとも第１領域３６ａの周辺、陰極引出層１０、固体電解質層９などの少なくとも一部が絶縁材料（第３絶縁材料に相当）で覆われていてもよい。
【００５０】
以下の図６〜図１４に示す実施形態では、陽極部に溝部が形成されていたり、絶縁材料の位置または固体電解質層が覆う領域などが異なったりする点で、図２〜図４とは異なるものの、これら以外の構成は、図１〜図４についての説明を参照できる。これらの実施形態では、図２〜図４の場合と同様に第１絶縁材料１３が多孔質部６ｂの表面（より具体的には、薄肉部２６）に配置されている場合を示したが、このような場合に限定されない。第１絶縁材料１３は、分離部１６ｃの少なくとも一部に配置されていてもよく、分離部１６ｃの少なくとも一部に含まれていてもよい。第１絶縁材料１３は、薄肉部２６の少なくとも一部に配置されていてもよい。また、分離部１６ｃは、薄肉部２６を有していなくてもよい。第１絶縁材料１３は、必ずしも多孔質部６ｂの表面に配置する必要はなく、多孔質部６ｂを介さずに基材部６ａ上に直接配置してもよい。なお、これらの実施形態に示すコンデンサ素子を図５の積層体を構成するコンデンサ素子として用いてもよい。
【００５１】
図６は、第５実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す拡大断面図である。本実施形態では、分離部１６ｃにおいて、第１絶縁材料１３が配置された第１領域３６ａより陽極部１６ａ側の第３領域３６ｃの少なくとも一部に第２絶縁材料７が含まれている。第３領域３６ｃに第２絶縁材料７が含まれることで、陽極部１６ａ側からコンデンサ素子２内への空気の侵入が抑制される。第２絶縁材料７は、第３領域３６ｃに配置されていてもよく、第２絶縁材料７は、第３領域３６ｃの少なくとも一部の領域に含浸または充填されていてもよい。
【００５２】
図示例では、第３領域３６ｃにも薄肉部２６が形成されており、これにより第１絶縁材料１３に隣接して溝部（第１溝部）１９が形成されている。そして、この第１溝部１９に第２絶縁材料７が充填されている。このように第１溝部１９に第２絶縁材料７が充填されていることで、第３領域３６ｃにおける多孔質部６ｂを通じた空気のコンデンサ素子２内への侵入がさらに抑制される。
【００５３】
第２絶縁材料７は、必ずしも、図６に示すように、第１溝部１９全体を埋めるように充填されている必要はなく、第１溝部１９の少なくとも一部の領域に第２絶縁材料７が配置されていればよい。例えば、第１溝部１９の少なくとも一部の領域を覆うように第２絶縁材料７が配置されてもよい。また、第１溝部１９に第２絶縁材料７が含浸されていてもよい。例えば、第１溝部１９を部分的に埋めるように第２絶縁材料７が充填されていてもよく、第１溝部１９の内側の表面の少なくとも一部に第２絶縁材料７が配置されていてもよい。
【００５４】
第１溝部１９の周辺の多孔質部６ｂには第２絶縁材料７が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。第１溝部１９周辺の多孔質部６ｂを通って空気がコンデンサ素子２内に侵入することを抑制できる。例えば、第３領域３６ｃにおいて、第１溝部１９下に存在する多孔質部６ｂには、第２絶縁材料７が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。また、第２絶縁材料７は、第１領域３６ａにおける多孔質部６ｂの少なくとも一部（第３領域３６ｃ側の部分など）に含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。
【００５５】
また、第２絶縁材料７は、陰極引出層１０の少なくとも一部に含浸または充填された状態で含まれていてもよい。図示しないが、陰極引出層１０の少なくとも一部は、第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。これらの少なくとも一方の場合、陰極引出層１０からコンデンサ素子２内への空気の侵入を抑制できる。
【００５６】
例えば、第１絶縁材料１３と、陰極引出層１０との間の多孔質部６ｂ（換言すれば、多孔質部６ｂの第１絶縁材料１３と陰極引出層１０との間の第２領域３６ｂ）に第２絶縁材料７が含浸または充填された状態で含まれていてもよい。また、陽極部１６ａの分離部１６ｃに隣接する部分の多孔質部６ｂに第２絶縁材料７が含浸または充填された状態で含まれていてもよい。
【００５７】
図６の場合にも、図３の場合のように、凹部（ネック）の表面が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。また、第３絶縁材料１７が少なくとも第１領域３６ａの周辺に付着していてもよい。第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０および固体電解質層９の少なくとも一方の少なくとも一部を覆っていてもよい。第３絶縁材料１７の位置は、図３または図４の説明を参照できる。第１絶縁材料１３の表面の少なくとも一部が、第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。
【００５８】
図７は、第６実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。
図７では、第１溝部１９は、第３領域３６ｃにおける多孔質部６ｂを除去することにより形成されている。つまり、第１溝部１９下には多孔質部６ｂがない。しかし、これ以外は、図６と同じであり、図１および図６の説明を参照できる。図７の場合にも、図６の場合と同様に、第１溝部１９に第２絶縁材料７が充填されていることで、空気の侵入を抑制することができる。また、第２絶縁材料７は、第１領域３６ａにおける多孔質部６ｂの少なくとも一部に含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。
【００５９】
図８は、第７実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。図９は、第８実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。これらの図では、第１溝部１９下の一部に多孔質部６ｂが存在する場合の例を示している。これらの実施形態では、第１溝部１９の構造が異なる以外は、図６と同じであり、図１および図６の説明を参照できる。
【００６０】
図８では、第３領域３６ｃの第１領域３６ａ側の部分において、第１溝部１９下に多孔質部６ｂがある。残る第３領域３６ｃの陽極部１６ａ側の部分においては、第１溝部１９下には多孔質部６ｂがない。多孔質部６ｂが存在しないことで、第１溝部１９の底部において、陽極部１６ａ側には凹部が形成されている。そして、この凹部に第２絶縁材料７が充填されており、これにより空気の侵入を抑制できる。第２絶縁材料は、第３領域３６ｃの第１領域３６ａ側の部分において、第１溝部１９下の多孔質部６ｂに含浸（または充填）されていてもよい。
【００６１】
図９では、第３領域３６ｃの陽極部１６ａ側の部分において、第１溝部１９下に多孔質部６ｂが存在し、残る第３領域３６ｃの第１領域３６ａ側の部分では、第１溝部１９下に多孔質部６ｂが存在しない。第１溝部１９の底部には、第１領域３６ａ側に多孔質部６ｂが存在しないことで凹部が形成されている。つまり、第１溝部１９下の多孔質部６ｂ（または凹部）の位置が図８と異なるだけで、その他は図８と同じである。第１領域３６ａ側の凹部に第２絶縁材料７が充填されており、これにより空気の侵入を抑制できる。第２絶縁材料７は、第３領域３６ｃの陽極部１６ａ側の部分において第１溝部１９下の多孔質部６ｂに含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。
【００６２】
これらの図では、第１溝部１９の底部の凹部に第２絶縁材料７が充填されている状態を示したがこの場合に限られない。例えば、第１溝部１９の少なくとも一部の領域が第２絶縁材料７で覆われていてもよい。第１溝部１９の少なくとも一部に第２絶縁材料７が含浸または充填されていてもよく、第１溝部１９全体に第２絶縁材料７が充填されていてもよい。
【００６３】
図６〜図９では、第１溝部１９が第１絶縁材料１３と隣接する位置に形成されている場合を示したが、この場合に特に限定されない。第１溝部１９は、第１絶縁材料１３と離間して形成されていてもよい。この場合の例を図１０に示す。
【００６４】
図１０は、第９実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。
図１０では、第１溝部１９は、第１絶縁材料１３から離間して形成されている。第１溝部１９には、第２絶縁材料７が充填され、これにより空気の侵入が抑制される。第３領域３６ｃの第１領域３６ａ側の部分には多孔質部６ｂが存在するが、この部分には第２絶縁材料７が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。第１溝部１９下には、多孔質部６ｂが存在しないが、この場合に限定されるものではなく、多孔質部６ｂを設けてもよい。第１溝部１９下の多孔質部６ｂに、第２絶縁材料が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。これら以外は、図６の場合と同じであり、図１および図６の説明を参照できる。
【００６５】
図１１は、第１０実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。図１２は、第１１実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。これらの図では、分離部１６ｃの第１絶縁材料１３よりも陰極形成部１６ｂ側の領域（つまり、第２領域３６ｂ）の少なくとも一部に固体電解質層９が配置された状態の例を示す。分離部１６ｃの第２領域３６ｂの少なくとも一部に固体電解質層９を配置することで、第２領域３６ｂにおける空気の侵入が抑制される。
【００６６】
図１１では、分離部１６ｃにおいて、薄肉部２６が形成されており、薄肉部２６の陽極部１６ａ側の部分の表面に第１絶縁材料１３が配置されている。第２領域３６ｂには第１絶縁材料１３と隣接して、第２溝部２９が設けられている。そして、固体電解質層９が第２溝部２９に侵入した状態で形成されることで、第２領域３６ｂの少なくとも一部に固体電解質層９が配置された状態となる。
【００６７】
図１２では、第２領域３６ｂにおいて、第２溝部２９が、多孔質部６ｂを除去することにより形成されており、第２溝部２９下に多孔質部６ｂが存在しない点で図１１と異なる。しかし、これ以外は図１１と同じであり、図１１の説明を参照できる。
【００６８】
第２領域３６ｂの少なくとも一部の領域に固体電解質層９が配置されていればよい。例えば、固体電解質層９は、第２溝部２９の少なくとも一部に侵入していてもよい。また、固体電解質層９が第２溝部２９の少なくとも一部の領域を覆うように配置されていてもよい。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点からは、第２溝部２９全体に固体電解質層９が侵入した状態（換言すれば、第２溝部２９に固体電解質層９が充填された状態）であることが好ましい。
【００６９】
図１１および図１２において、図示しないが、第２溝部２９の少なくとも一部の領域には、さらに第２絶縁材料７が配置されていてもよい。この場合、固体電解コンデンサの漏れ電流をさらに抑制できる。
【００７０】
図１３は、第１２実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。図１３では、分離部１６ｃにおいて、薄肉部２６が形成されており、薄肉部２６の表面に第１絶縁材料１３が配置されている。図示例では、陰極形成部１６ｂの少なくとも一部において多孔質部６ｂを除去することにより溝部（第３溝部３９）が形成されている。固体電解質層９が第３溝部３９に侵入した状態で形成されることで、第３溝部３９の少なくとも一部の領域に固体電解質層９が配置された状態となる。
【００７１】
固体電解質層９は、第３溝部３９の少なくとも一部に侵入していてもよく、第３溝部３９の少なくとも一部を覆うように配置されていてもよい。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点からは、少なくとも第３溝部３９の周囲の多孔質部６ｂの表面全体（換言すれば、第３溝部３９の内壁全体）を固体電解質層９で覆うようにすることが好ましい。同様の観点から、第３溝部３９全体に固体電解質層９が侵入した状態（換言すれば、第３溝部３９に固体電解質層９が充填されている状態）であることがより好ましい。また、第３溝部３９に固体電解質層９が充填されていることで、固体電解質層９の有効面積を増加させることができる。
【００７２】
第３溝部３９の形状は特に制限されないが、柱状（例えば、円柱状、角柱状）であってもよく、多孔質部６ｂの表面から基材部６ａに向かって縮径する形状（例えば、断面がテーパ形状）であってもよい。第３溝部３９では、径が小さい部分にも、固体電解質層９が入り込み、固体電解質層９が配置されていることが好ましい。
【００７３】
コンデンサ素子２内への空気の侵入を抑制するのに、より高い効果を確保し易い観点からは、第３溝部３９は、陰極形成部１６ｂの長さ方向において分離部１６ｃ側の位置に形成されていることが好ましい。例えば、陰極形成部１６ｂの長さをＬとするとき、分離部１６ｃと陰極形成部１６ｂとの境界から長さ０．３Ｌの位置まで（好ましくは０．２５Ｌの位置まで）に第３溝部３９を設けることが好ましい。
【００７４】
第３溝部３９は、分離部１６ｃと陰極形成部１６ｂとの境界と、この境界から長さ０．３Ｌの位置（好ましくは０．２５Ｌの位置）との間の領域全体に形成してもよく、この領域の一部に形成してもよい。この領域全体に広がる１つの第３溝部３９を形成してもよい。陰極形成部１６ｂには、１つの第３溝部３９が形成されていてもよく、複数の第３溝部３９が形成されていてもよい。第３溝部３９の幅は、例えば、０．０１μｍ以上である。第３溝部３９の幅は、０．１μｍ以上または１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第３溝部３９の幅は、０．３Ｌ以下または０．２５Ｌ以下が好ましく、５０μｍ以下または３０μｍ以下としてもよい。これらの下限値と上限値とは任意に組み合わせることができる。なお、第３溝部３９の幅とは、第３溝部３９の、陰極形成部１６ｂの長さ方向に沿う方向の長さである。
【００７５】
図示例では、第３溝部３９下には、多孔質部６ｂが存在しないが、この場合に限定されるものではなく、多孔質部６ｂを設けてもよい。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点からは、第３溝部３９下の多孔質部６ｂの厚みは小さいことが好ましい。例えば、多孔質部６ｂの厚みをＴとするとき、第３溝部３９の深さは、０．９５Ｔ以上が好ましく、０．９８Ｔ以上としてもよい。第３溝部３９の深さは、例えば、Ｔ以下である。空気の侵入を抑制する効果がさらに高まる観点から、第３溝部３９下には多孔質部６ｂが存在しないことが好ましい。
【００７６】
図１３には、第３溝部３９は、分離部１６ｃから離間した位置に形成した例を示したが、この場合に限定されない。第３溝部３９は、陰極形成部１６ｂの分離部１６ｃと隣接する位置に形成してもよい。
【００７７】
第１０実施形態、第１１実施形態および第１２実施形態では、第５〜第９実施形態におけるように分離部１６ｃが第２絶縁材料７を含むように構成する必要はないが、この場合に限らず、第５〜第９実施形態に示すように、分離部１６ｃが第２絶縁材料７を含むように構成してもよい。図１１〜図１３では、第２領域３６ｂおよび第３領域３６ｃの状態は図６とは異なるが、これ以外は図６と同じであり、図１および図６の説明を参照できる。第１２実施形態では、さらに、第１０実施形態または第１１実施形態のように第２溝部２９を形成して第２溝部２９に固体電解質層９が侵入した状態としてもよい。また、第２溝部２９の少なくとも一部の領域には、さらに、第２絶縁材料７を配置してもよい。なお、第１〜第９実施形態において、第１０実施形態、第１１実施形態または第１２実施形態に示すように第２溝部２９および／または第３溝部３９を形成して、これらの溝部に固体電解質層９が侵入した状態としてもよい。また、第２溝部２９の少なくとも一部の領域には、さらに、第２絶縁材料７を配置してもよい。
【００７８】
図１４は、第１３実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。図１４では、分離部１６ｃにおいて、薄肉部２６が形成されており、薄肉部２６の表面に第１絶縁材料１３が配置されている。図１４では、少なくとも第２領域３６ｂにおいて、多孔質部６ｂを除去することにより第２溝部２９が形成されている。第２溝部２９は、第１絶縁材料１３（または第１領域３６ａ）と隣接する位置に形成されている。第２溝部２９には、第２絶縁材料７が充填され、これにより空気の侵入が抑制される。図示例では、第２溝部２９は、第２領域３６ｂと陰極形成部１６ｂとに跨がるように形成されている。しかし、この場合に限らず、第２溝部２９は、第２領域３６ｂのみに形成されていてもよい。また、第２溝部２９は、第２領域３６ｂの一部に形成されていてもよく、第２領域３６ｂ全体に形成されていてもよい。
【００７９】
第２絶縁材料７は、必ずしも、図１４に示すように、第２溝部２９全体を埋めるように充填されている必要はなく、第２溝部２９の少なくとも一部の領域に配置されていればよい。第２溝部２９の少なくとも一部の領域を覆うように配置してもよい。また、第２溝部２９に第２絶縁材料７が含浸されていてもよい。例えば、第２溝部２９を部分的に埋めるように第２絶縁材料７が充填されていてもよく、第２溝部２９の内側の表面の少なくとも一部に第２絶縁材料７が配置されていてもよい。
【００８０】
陰極形成部１６ｂの第２溝部２９と隣接する部分には多孔質部６ｂが存在するが、この部分には第２絶縁材料７が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。図１４では、第２溝部２９下には、多孔質部６ｂが存在しないが、この場合に限定されるものではなく、多孔質部６ｂを設けてもよい。第２溝部２９下に多孔質部６ｂを設ける場合、この多孔質部６ｂの部分に第２絶縁材料７が含浸（または充填）された状態で含まれていてもよい。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点からは、第２溝部２９下には多孔質部６ｂが存在しないことが好ましい。
【００８１】
図１４の場合にも、図３の場合のように、凹部（ネック）の表面が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。また、第３絶縁材料１７が少なくとも第１領域３６ａの周辺に付着していてもよい。第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０および固体電解質層９の少なくとも一方の少なくとも一部を覆っていてもよい。第３絶縁材料１７の位置は、図３または図４の説明を参照できる。
【００８２】
図１４では、第２領域３６ｂおよび第３領域３６ｃの状態は図６とは異なるが、これ以外は図６と同じであり、図１および図６の説明を参照できる。また、図１４では、第５〜第９実施形態におけるように第３領域３６ｃが第２絶縁材料７を含むように構成する必要はないが、この場合に限らず、第５〜第９実施形態に示すように、第３領域３６ｃが第２絶縁材料７を含むように構成してもよい。第１３実施形態においても、第１０実施形態、第１１実施形態または第１２実施形態に示すように第２溝部２９および／または第３溝部３９を形成して、これらの溝部に固体電解質層９が侵入した状態としてもよい。
【００８３】
以下に、固体電解コンデンサの構成についてより詳細に説明する。
（コンデンサ素子２、１０２Ａ〜１０２Ｃ）
コンデンサ素子２、１０２Ａ〜１０２Ｃは、それぞれ、陽極箔６と、誘電体層と、陰極部８とを備える。陰極部８は、固体電解質層９と、固体電解質層９を覆う陰極引出層１０とを備えている。
【００８４】
固体電解コンデンサは、少なくとも１つのコンデンサ素子２を有していればよく、図５に示すように、複数のコンデンサ素子（コンデンサ素子１０２Ａ〜１０２Ｃなど）を有していてもよい。固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子の数は、用途に応じて決定すればよい。
【００８５】
（陽極箔６）
陽極箔６は、弁作用金属、弁作用金属を含む合金、および弁作用金属を含む化合物などを含むことができる。これらの材料は一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて使用できる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタンが好ましく使用される。基材部６ａの表面に多孔質部６ｂを備える陽極箔６は、例えば、エッチングなどにより弁作用金属を含む金属箔の表面を粗面化することで得られる。
【００８６】
（誘電体層）
誘電体層は、陽極箔６の表面の弁作用金属を、化成処理などにより陽極酸化することで形成される。誘電体層は、陽極箔６の少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。誘電体層は、通常、陽極箔６の表面に形成される。誘電体層は、陽極箔６の多孔質部の表面に形成されるため、陽極箔６の表面の孔や窪み（ピット）の内壁面に沿って形成される。
【００８７】
誘電体層は弁作用金属の酸化物を含む。例えば、弁作用金属としてタンタルを用いた場合の誘電体層はＴａ2Ｏ5を含み、弁作用金属としてアルミニウムを用いた場合の誘電体層はＡｌ2Ｏ3を含む。尚、誘電体層はこれに限らず、誘電体として機能するものであればよい。陽極箔６の表面が多孔質である場合、誘電体層は、陽極箔６の表面（孔の内壁面を含む）に沿って形成される。
【００８８】
（第１絶縁材料１３）
第１絶縁材料１３としては、絶縁性樹脂などが利用される。分離部１６ｃの多孔質部６ｂの表面に配置し易い観点からは、第１絶縁材料１３として、絶縁テープ（レジストテープなど）が好ましいが、これに限定されるものではない。第１絶縁材料１３は、第１絶縁材料１３を含むコーティング剤の被膜であってもよい。第１絶縁材料１３は、熱可塑性樹脂（または熱可塑性樹脂組成物）であってもよく、硬化性樹脂（または硬化性樹脂組成物）またはその硬化物（半硬化物も含む）であってもよい。硬化性樹脂（または硬化性樹脂組成物）は、熱硬化性であってもよく、光硬化性であってもよい。
【００８９】
絶縁性樹脂としては、例えば、硬化性樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミドなど）、フォトレジスト、熱可塑性樹脂（例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、熱可塑性ポリイミドなど）などが挙げられる。硬化性樹脂は、熱硬化性および光硬化性のいずれであってもよい。光硬化性樹脂は、可視光または紫外線により硬化するものであってもよい。絶縁性樹脂として、硬化性樹脂の組成物を用いてもよい。絶縁性樹脂は一種を用いてもよく、二種以上併用してもよい。
【００９０】
（第２絶縁材料７）
第２絶縁材料７としては、絶縁性樹脂などが利用される。多孔質部６ｂ、第１溝部１９、または第２溝部２９への高い浸透性または侵入性を確保し易い観点から、第２絶縁材料７としては、硬化性樹脂またはその組成物の硬化物（半硬化物も含む）が好ましい。硬化性樹脂は、熱硬化性または光硬化性であってもよい。光硬化性樹脂またはその組成物としては、例えば、紫外線または可視光などにより硬化するものが挙げられる。第１溝部１９または第２溝部２９に含浸または充填させ易い観点からは、光硬化性（特に、紫外線硬化性）の樹脂またはその組成物を用いることが好ましい。硬化性樹脂としては、例えば、後述のものが挙げられる。硬化性樹脂組成物は、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒、および添加剤からなる群より選択される少なくとも一種を含んでもよい。
【００９１】
（第３絶縁材料１７）
第３絶縁材料１７としては、絶縁性樹脂などが利用される。第３絶縁材料１７は、熱可塑性樹脂であってもよく、硬化性樹脂またはその組成物の硬化物であってもよい。第３絶縁材料１７は、第２絶縁材料７と同じであってもよく、異なるものであってもよい。硬化性樹脂としては、例えば、第２絶縁材料７について後述で例示されるものが挙げられる。
【００９２】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ビニル樹脂（例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、芳香族ビニル樹脂）、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、熱可塑性ポリイミド、およびポリアミドイミドからなる群より選択される少なくとも一種が挙げられる。芳香族ビニル樹脂としては、例えば、ポリスチレン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）が挙げられる。
【００９３】
（第４絶縁材料１１７）
第４絶縁材料１１７としては、例えば、第３絶縁材料１７として例示されるものから選択できる。薄い被膜が形成され易い観点からは、第４絶縁材料１１７は、硬化性樹脂またはその組成物の硬化物が好ましい。硬化性樹脂は、熱硬化性または光硬化性であってもよい。第４絶縁材料１１７は、第２絶縁材料７と同じであってもよく、異なっていてもよい。第４絶縁材料１１７は、第３絶縁材料１７と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００９４】
（陰極部８）
（固体電解質層９）
陰極部８を構成する固体電解質層９は、導電性高分子を含むが、必要に応じて、さらに、ドーパントや添加剤などを含んでもよい。導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびこれらの誘導体などを用いることができる。固体電解質層９は、例えば、原料モノマーを化学重合および／または電解重合することにより、形成することができる。あるいは、導電性高分子が溶解した溶液、または、導電性高分子が分散した分散液を、誘電体層に接触させることにより、形成することができる。固体電解質層９は、誘電体層の少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。電解重合の場合には、電解重合に先立って導電性のプレコート層を形成してもよい。固体電解質層９は、誘電体層上に、直接形成されていてもよく、プレコート層を介して形成されていてもよい。
【００９５】
（陰極引出層１０）
陰極部８を構成する陰極引出層１０は、カーボン層１１および金属ペースト層１２を備える。カーボン層１１は、導電性を有していればよく、例えば、黒鉛などの導電性炭素材料を用いて構成することができる。金属ペースト層１２は、銀ペースト層であってもよい。銀ペースト層には、例えば、銀粉末とバインダ樹脂（エポキシ樹脂など）を含む組成物を用いることができる。なお、陰極引出層１０の構成は、これに限られず、集電機能を有する構成であればよい。陰極引出層１０は、固体電解質層９の少なくとも一部を覆うように形成される。
【００９６】
（外装体３）
外装体３は、コンデンサ素子２およびリード端子４，５の一部を覆うものである。外装体３内への空気の侵入を抑制する観点からは、コンデンサ素子２およびリード端子４，５の一部が外装体３で封止されていることが望ましい。図１や図２には、外装体３が樹脂外装体である場合を示したが、この場合に限らず、外装体３は、コンデンサ素子２を収容可能なケースなどであってもよい。樹脂外装体は、コンデンサ素子２およびリード端子４，５の一部を樹脂材料で封止することにより形成される。ケースとしては、コンデンサ素子２を収容する容器と、容器の開口部を覆う封止体との組み合わせなどが挙げられる。容器や封止体は、例えば、金属材料や樹脂材料などで形成される。
【００９７】
樹脂外装体は、硬化性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましく、熱可塑性樹脂もしくはそれを含む組成物を含んでもよい。ケースを構成する樹脂材料としては、熱可塑性樹脂もしくはそれを含む組成物などが挙げられる。ケースを構成する金属材料としては、例えば、アルミニウム、銅、鉄などの金属あるいはその合金（ステンレス鋼、真鍮なども含む）が挙げられる。
【００９８】
（リード端子４，５）
リード端子４，５の一端部は、コンデンサ素子２に電気的に接続され、他端部は外装体３の外部に引き出される。固体電解コンデンサ１において、リード端子４，５の一端部側は、コンデンサ素子２とともに外装体３により覆われている。リード端子４，５としては、固体電解コンデンサで使用されるリード端子が特に制限なく利用でき、例えば、リードフレームと呼ばれるものを用いてもよい。リード端子４，５の素材としては、例えば、銅などの金属またはその合金などが挙げられる。
【００９９】
［固体電解コンデンサの製造方法］
固体電解コンデンサは、例えば、コンデンサ素子を準備する工程（第１工程）と、コンデンサ素子にリード端子を電気的に接続する工程（第２工程）と、コンデンサ素子およびリード端子の一部を外装体で覆う工程（第３工程）と、を備える製造方法により製造できる。
以下、各工程についてより詳細に説明する。
【０１００】
（第１工程）
第１工程では、コンデンサ素子２、１０２Ａ〜１０２Ｃを作製する。第１工程は、陽極箔６を準備する工程、誘電体層を形成する工程、分離部１６ｃを形成する工程、第１絶縁材料１３を配置または含浸する工程、固体電解質層９を形成する工程、および陰極引出層１０を形成する工程を含むことができる。第１工程は、第２絶縁材料を分離部１６ｃの少なくとも一部の領域に配置または含浸する工程を含むことができる。第１工程は、第１絶縁材料１３、固体電解質層９、および陰極引出層１０などの少なくとも一部を第３絶縁材料１７で覆う工程、を含んでもよい。
【０１０１】
（陽極箔６を準備する工程）
陽極箔６は、例えば、弁作用金属を含む金属箔の表面を粗面化することにより準備することができる。粗面化により、基材部６ａの表面に多孔質部６ｂが形成される。粗面化は、基材部表面に凹凸を形成できればよく、例えば、金属箔の表面をエッチング（例えば、電解エッチング）することにより行ってもよい。
【０１０２】
（誘電体層を形成する工程）
この工程では、陽極箔６上に誘電体層を形成する。誘電体層は、陽極箔６を陽極酸化することにより形成される。陽極酸化は、公知の方法、例えば、化成処理などにより行うことができる。化成処理は、例えば、陽極箔６を化成液中に浸漬して、陽極箔６をアノードとして、化成液中に浸漬したカソードとの間に電圧を印加することにより行うことができる。化成液としては、例えば、リン酸水溶液などを用いることが好ましい。
【０１０３】
（分離部１６ｃを形成する工程）
誘電体層を形成した陽極箔６を、陽極部１６ａと、陰極形成部１６ｂと、陽極部１６ａおよび陰極形成部１６ｂの間の分離部１６ｃとに区分する。そして、分離部１６ｃの少なくとも一部において、多孔質部６ｂの少なくとも一部を圧縮および／または除去する。例えば、分離部１６ｃの少なくとも一部において、多孔質部６ｂを圧縮したり、一部除去したりすることにより溝部（または薄肉部２６）を形成してもよい。必要に応じて、圧縮と除去とを組み合わせてもよい。圧縮は、プレス加工などにより行うことができる。多孔質部６ｂの除去は、切削加工、レーザー加工などにより行うことができる。
【０１０４】
第３領域３６ｃに第１溝部１９を形成する場合には、本工程において、第１溝部１９を形成してもよい。第１溝部１９は、上記の溝部に準じて、第３領域３６ｃにおいて多孔質部６ｂを圧縮または除去することにより形成できる。第１溝部１９は、第１領域３６ａと連続して形成してもよく、第１領域３６ａから離間して形成してもよい。
【０１０５】
第２領域３６ｂに第２溝部２９を形成する場合には、本工程において、第２溝部２９を形成してもよい。第２溝部２９は、上記の溝部に準じて、第２領域３６ｂにおいて多孔質部６ｂを圧縮または除去することにより形成できる。第２溝部２９は、第１領域３６ａと連続して形成してもよく、第１領域３６ａから離間して形成してもよい。
【０１０６】
陰極形成部１６ｂに第３溝部３９を形成する場合には、本工程において、第３溝部３９を形成してもよい。第３溝部３９は、上記の溝部に準じて、陰極形成部１６ｂにおいて多孔質部６ｂを圧縮または除去することにより形成できる。第３溝部３９は、第２領域３６ｂと連続して形成してもよく、第２領域３６ｂから離間して形成してもよい。
【０１０７】
なお、第１溝部１９および第２溝部２９は、それぞれ、必ずしも本工程で形成する必要はなく、本工程以降でかつ固体電解質層９を形成する工程よりも前に形成すればよい。第３溝部３９は、必ずしも本工程で形成する必要はなく、誘電体層を形成する工程より後で、かつ固体電解質層９を形成する工程よりも前に形成すればよい。
【０１０８】
（第１絶縁材料１３を配置または含浸する工程）
分離部１６ｃの少なくとも一部に第１絶縁材料１３を配置するか、または含浸させる。第１絶縁材料１３は、薄肉部２６の表面に配置することが好ましい。例えば、絶縁テープ（レジストテープなど）を分離部１６ｃの表面に貼り付けることにより第１絶縁材料１３を配置してもよく、第１絶縁材料１３を含むコーティング剤をコーティングすることにより多孔質部６ｂの表面に配置してもよい。第１絶縁材料１３を、固体電解質層９を形成する工程に先立って配置することで、固体電解質層９を形成する際の導電性高分子の陽極部１６ａ側への這い上がりを抑制できる。第１絶縁材料としては、絶縁性樹脂などが挙げられる。
【０１０９】
本開示の第２側面の固体電解コンデンサでは、第１絶縁材料１３を含むコーティング剤を、分離部１６ｃの少なくとも一部に含浸させることにより第１絶縁材料１３を形成してもよい。また、絶縁テープを分離部１６ｃの表面に貼り付けることで、第１絶縁材料１３を配置するとともに、第１絶縁材料１３を含むコーティング剤を分離部１６ｃの少なくとも一部に含浸させてもよい。コーティング剤の含浸と絶縁テープの配置とは、どちらを先に行ってもよい。
【０１１０】
（固体電解質層９を形成する工程）
この工程では、誘電体層上に固体電解質層９を形成する。固体電解質層９は、誘電体層の少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。固体電解質層９は、導電性高分子を含むが、必要に応じて、さらに、ドーパントや添加剤などを含んでもよい。
【０１１１】
導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）など）、ポリアニリンおよびこれらの誘導体などが用いられる。ドーパントには、例えば、パラトルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などが用いられる。
【０１１２】
固体電解質層９は、例えば、原料モノマーを化学重合および／または電解重合することにより、形成することができる。あるいは、導電性高分子が溶解した溶液、または、導電性高分子が液状媒体（溶媒など）溶解または分散した溶液または分散液を、誘電体層に接触させることにより、形成することができる。液状媒体としては、例えば、水、有機溶媒、またはこれらの混合物が挙げられる。特に、電解重合は、固体電解質層の表面側（誘電体層とは反対側）では進行し易くため、固体電解質層９が密に形成され易いが、内部では進行しにくいため、空隙が生じ易い。この空隙を通って空気がコンデンサ素子２内に侵入し易い。そのため、特に電解重合により固体電解質層９を形成する場合に、第２絶縁材料を多孔質部６ｂに充填させる効果が顕著に発揮される。なお、電解重合の場合には、電解重合に先立って誘電体層上にプレコート層を形成してもよい。プレコート層は、例えば、導電性材料（導電性高分子、無機導電性材料など）で形成される。プレコート層を構成する導電性材料としては特に制限されず、例えば公知のものが使用できる。
【０１１３】
分離部１６ｃの第２領域３６ｂの少なくとも一部（例えば、第２溝部２９の少なくとも一部の領域）に固体電解質層９を配置する場合、例えば、第２領域３６ｂを重合液と接触させた状態で化学重合や電解重合を行ったり、導電性高分子を含む溶液や分散液を第２領域３６ｂに接触させたりすることで、第２領域３６ｂに固体電解質層９を形成できる。
【０１１４】
第３溝部３９の少なくとも一部の領域に固体電解質層９を配置する場合、例えば、第３溝部３９を重合液と接触させた状態で化学重合や電解重合を行ったり、導電性高分子を含む溶液や分散液を第３溝部３９に接触させたりすることで、第３溝部３９に固体電解質層９を形成できる。
【０１１５】
（陰極引出層１０を形成する工程）
この工程では、固体電解質層９上に、カーボン層１１と金属ペースト層１２とを順次積層することにより陰極引出層１０を形成する。
【０１１６】
なお、図５に示されるように、複数のコンデンサ素子を積層する場合には、上記のようにして各コンデンサ素子を作製した後で、コンデンサ素子を積層することにより、第１工程でコンデンサ素子の積層体を準備してもよい。
【０１１７】
（第２絶縁材料を配置または含浸させる工程）
第２絶縁材料は、分離部１６ｃの少なくとも一部の領域に配置するかまたは含浸させればよい。分離部１６ｃと陰極形成部１６ｂとに跨がるように第２溝部２９を設ける場合には、第２絶縁材料７を第２溝部２９に含浸させてもよい。この場合、分離部１６ｃの一部に加え、陰極形成部１６ｂの一部にも第２絶縁材料７が含まれる。
【０１１８】
本開示の第１側面の固体電解コンデンサの製造方法は、第２絶縁材料を少なくとも第１領域３６ａの多孔質部６ｂに含浸させる工程を含むことができる。第２絶縁材料は、少なくとも第１領域３６ａの多孔質部６ｂに含浸（または充填）させればよい。第２絶縁材料は、第１絶縁材料１３の周辺に第２絶縁材料を含浸させることにより少なくとも第１領域３６ａの多孔質部６ｂに充填される。このとき、陰極形成部１６ｂ側の第２領域３６ｂおよび陽極部１６ａ側の第３領域３６ｃの少なくともいずれか一方の多孔質部６ｂに第２絶縁材料を含浸（または充填）させてもよい。また、図４の場合のように、金属ペースト層１２に第２絶縁材料が含浸されていてもよい。
【０１１９】
本開示の第２側面の固体電解コンデンサを製造する場合、分離部１６ｃにおいて、第１絶縁材料１３より陽極部１６ａ側の領域（つまり、第３領域３６ｃ）の少なくとも一部に、第２絶縁材料７を配置または含浸してもよい。例えば、第３領域３６ｃの少なくとも一部に第１溝部１９を形成し、この第１溝部１９の少なくとも一部の領域に第２絶縁材料７を配置してもよい。このとき、第１溝部１９の少なくとも一部の領域を第２絶縁材料７で覆うように配置してもよい。また、第３領域３６ｃの少なくとも一部において、多孔質部６ｂに第２絶縁材料７を含浸させてもよい。これらを組み合わせてもよい。
【０１２０】
第２絶縁材料７は、少なくとも第３領域３６ｃに配置または含浸すればよい。第２絶縁材料７は、好ましくは第１溝部１９に含浸または充填される。第２絶縁材料７は、第１領域３６ａおよび／または陰極形成部１６ｂ側の第２領域３６ｂに含浸または充填してもよい。例えば、第１絶縁材料１３の周辺に第２絶縁材料７を含浸させることにより第１領域３６ａに第２絶縁材料７を充填してもよい。第２絶縁材料７は、第３領域３６ｃよりも陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂに含浸または充填してもよい。
【０１２１】
本開示の第５側面の固体電解コンデンサを製造する場合、分離部１６ｃの陰極形成部１６ｂ側の第１絶縁材料１３（または第１領域３６ａ）に隣接する位置に形成された第２溝部２９の少なくとも一部の領域に第２絶縁材料７を配置する。第２溝部２９の少なくとも一部の領域を第２絶縁材料７で覆ってもよい。第２絶縁材料７を第２溝部２９に含浸または充填してもよい。第２溝部２９に第２絶縁材料を含浸することで、陰極形成部１６ｂの、少なくとも第２溝部２９に隣接する部分に第２絶縁材料を含浸または充填してもよい。
【０１２２】
第２絶縁材料７を含浸させる工程は、陰極引出層１０を形成する工程の後に行ってもよい。金属ペースト層１２に第２絶縁材料７が含浸されていてもよい。
【０１２３】
なお、陰極引出層１０を形成する工程の後に、第２絶縁材料７を含浸させる工程を行うと、第２絶縁材料７が固体電解質層９や陰極引出層１０の少なくとも一部を覆うように配置される場合がある。陰極部８と分離部１６ｃ（または第１絶縁材料１３）との間の凹部（ネック）の表面の少なくとも一部を第２絶縁材料７が覆うように配置される場合もある。固体電解質層９、陰極引出層１０、およびネックなどの少なくとも一部を覆うように配置される第２絶縁材料７は、図３または図４では第３絶縁材料１７に相当する。このようにして配置される第３絶縁材料１７は、第２絶縁材料７と同じ材料である。
【０１２４】
第２絶縁材料の、第１領域３６ａ、第２領域３６ｂ、第３領域３６ｃ、多孔質部６ｂやコンデンサ素子２の表面への供給は、公知の塗布方法により行うことができる。第２絶縁材料は、例えば、各種コーターまたはディスペンスを用いるコーティング方法またはディスペンス方法、浸漬、転写（ローラ転写など）などを利用して供給される。
【０１２５】
第１溝部１９、第２溝部２９、または多孔質部６ｂに第２絶縁材料を含浸させ易い観点から、第２絶縁材料としては硬化性樹脂（またはその組成物）を用いることが好ましい。硬化性樹脂は、光硬化性または熱硬化性であってもよい。硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポリイミドなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。硬化性樹脂は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて使用してもよい。硬化性樹脂は、一液硬化型であっても、二液硬化型であってもよい。硬化性樹脂組成物は、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒、および添加剤からなる群より選択される少なくとも一種を含んでもよい。
【０１２６】
第１溝部１９、第２溝部２９、または多孔質部６ｂに第２絶縁材料を含浸させ易い観点からは、多孔質部６ｂに供給される硬化性樹脂（または組成物）は、低粘度であることが好ましい。硬化性樹脂（または組成物）の２５℃における粘度は、例えば、３００ｍＰａ・ｓ以下であり、１００ｍＰａ・ｓ以下がより好ましい。
なお、硬化性樹脂（または組成物）の粘度は、コーンプレート型粘度計を用いて、回転数６０ｒｐｍの条件下で測定できる。
【０１２７】
熱硬化性樹脂（または組成物）は、低粘度であることが望ましいため、溶剤を含んでもよいが、第１溝部１９、第２溝部２９、または多孔質部６ｂに含まれる多くの空隙を第２絶縁材料で効率よく充填し易い観点からは、無溶剤型の硬化性樹脂（または組成物）を用いることが好ましい。
【０１２８】
硬化性樹脂は、例えば、硬化反応に関与する重合性官能基を２つ以上有する多官能化合物、および／または重合性官能基を１つ有する単官能化合物を含む。硬化性樹脂（または組成物）を低粘度化する観点からは、硬化性樹脂（または組成物）は、少なくとも単官能化合物を含むことが好ましい。硬化性樹脂は、単官能化合物と多官能化合物とを含んでもよい。エポキシ樹脂の場合、例えば、単官能のグリシジル化合物（モノヒドロキシ化合物のグリシジルエーテル、グリシジルアミンなど）と、多官能のグリシジル化合物（ポリヒドロキシ化合物のポリグリシジルエーテル、ポリグリシジルアミンなど）とを組み合わせてもよい。多官能化合物は、重合性官能基を、例えば、２〜４個有していてもよく、２個または３個有していてもよい。
【０１２９】
硬化性樹脂に占める単官能化合物の割合は、例えば、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上であってもよい。単官能化合物の割合がこのような範囲である場合、溶剤の含有量が低くても（特に、無溶剤型の硬化性樹脂（または組成物）を用いる場合でも）、硬化性樹脂（または組成物）を低粘度化できる。硬化性樹脂に占める単官能化合物の割合は、例えば、９０質量％以下であり、８５質量％以下であってもよい。これらの下限値と上限値とは任意に組み合わせることができる。
【０１３０】
硬化性樹脂組成物は、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤は、硬化性樹脂の種類に応じて選択される。例えば、エポキシ樹脂の場合には、硬化剤として、アミン化合物、酸無水物、フェノール化合物、重合型触媒、および潜在性硬化剤からなる群より選択される少なくとも一種などが挙げられる。
【０１３１】
硬化剤は、硬化促進剤と組み合わせてもよい。硬化促進剤は、硬化性樹脂の種類に応じて選択される。硬化促進剤としては、例えば、三級アミンまたはその塩、イミダゾール、ホスフィン、ホスホニウム塩、スルホニウム塩などが挙げられる。
【０１３２】
第１溝部１９、第２溝部２９、または多孔質部６ｂに充填した第２絶縁材料やコンデンサ素子２の表面に供給された熱硬化性樹脂（または組成物）は、必要に応じて、本工程、および後続の工程の少なくともいずれかで硬化させてもよい。
【０１３３】
（固体電解質層９または陰極引出層１０などを第３絶縁材料で覆う工程）
第１工程は、第１絶縁材料、固体電解質層９、陰極引出層１０、および上記ネックからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一部を第３絶縁材料１７で覆う工程を含み得る。第３絶縁材料１７は、第２絶縁材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。本工程は、陰極引出層１０を形成する工程の後に行ってもよい。
【０１３４】
第１絶縁材料、固体電解質層９、陰極引出層１０、および上記ネックからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一部の表面に、第３絶縁材料１７を含むコーティング剤をコーティングすることにより、上記の表面を第３絶縁材料で覆ってもよい。第３絶縁材料１７は、例えば、各種コーターまたはディスペンスを用いるコーティング方法またはディスペンス方法、浸漬、転写（ローラ転写など）などを利用して上記の表面に供給される。
【０１３５】
コーティングなどにより上記の表面に配置された硬化性樹脂（または硬化性樹脂組成物）は、必要に応じて、本工程、および後続の工程の少なくともいずれかで硬化させてもよい。
【０１３６】
（第４絶縁材料１１７で積層体の一部を覆う工程）
図５に示されるように、複数のコンデンサ素子を積層する場合には、第１工程は、さらに、積層体の表面の少なくとも一部を第４絶縁材料１１７で覆う工程を含み得る。この場合、第４絶縁材料１１７は、第２絶縁材料７と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、第４絶縁材料１１７は、第３絶縁材料１７と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０１３７】
例えば、第３絶縁材料１７の場合に準じて、第４絶縁材料１１７を含むコーティング剤を、積層体の表面の少なくとも一部にコーティングすることにより第４絶縁材料１１７の被膜が積層体の表面に形成される。
【０１３８】
コーティングなどにより積層体の表面の少なくとも一部を覆うように配置された硬化性樹脂（または硬化性樹脂組成物）は、必要に応じて、本工程、および後続の工程の少なくともいずれかで硬化させてもよい。
【０１３９】
（第２工程）
第２工程では、コンデンサ素子２，１０２Ａ〜１０２Ｃに、陽極リード端子４および陰極リード端子５を電気的に接続する。各リード端子の接続は、第１工程においてコンデンサ素子を作製した後に行ってもよい。陰極リード端子５のコンデンサ素子への接続は、コンデンサ素子を作製した後に行われるが、陽極リード端子４の陽極箔６への接続は、コンデンサ素子を作製する工程の適当な段階で行ってもよい。
【０１４０】
複数のコンデンサ素子の積層体を用いる場合には、陽極リード端子４は上記と同様に陽極箔６に接続できる。陰極リード端子５は、上記と同様にコンデンサ素子に接続してもよく、陰極部８同士を電気的に接続させた複数のコンデンサ素子の積層体に、陰極リード端子５の一端部を接続してもよい。
【０１４１】
（第３工程）
第３工程では、コンデンサ素子２，１０２Ａ〜１０２Ｃおよびリード端子４，５の一部を外装体３で覆うことにより、コンデンサ素子を外装体３で封止する。封止は、外装体３の種類に応じて行うことができる。
例えば、容器と封止体とを備えるケース状の外装体を用いる場合には、容器にコンデンサ素子を収容し、コンデンサ素子に接続したリード端子の他端部を封止体に形成した貫通口から引き出した状態で、容器の開口部を封止体で覆うことにより封止することができる。
【０１４２】
樹脂外装体を採用する場合には、コンデンサ素子２とリード端子４，５とを電気的に接続した後、コンデンサ素子２およびリード端子４，５の一部を、樹脂外装体を構成する樹脂で覆うことにより封止することができる。樹脂外装体は、射出成形、インサート成形、圧縮成形などの成形技術を用いて形成することができる。
【０１４３】
［実施例］
以下、本開示を実施例および比較例に基づいて具体的に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１４４】
《実施例１》
下記の要領で、図２に示されるコンデンサ素子２を７つ積層した積層体を備える固体電解コンデンサＡ１を作製した。
（１）コンデンサ素子２の作製
基材としてアルミニウム箔（厚み１００μｍ）を準備し、アルミニウム箔の表面にエッチング処理を施し、多孔質部６ｂを備える陽極箔６を得た。陽極箔６を濃度０．３質量％のリン酸溶液（液温７０℃）に浸して７０Ｖの直流電圧を２０分間印加することにより、陽極箔６の表面に酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ３）を含む誘電体層を形成した。陽極箔６を、陽極部１６ａと陰極形成部１６ｂとこれらの間の分離部１６ｃとに区分し、分離部１６ｃの一部をプレス加工により圧縮して薄肉部２６を形成した。薄肉部２６に絶縁性のレジストテープ（第１絶縁材料）１３を貼り付けた。
【０１４５】
誘電体層が形成された陽極箔６を、導電性材料を含む液状組成物に浸漬し、プレコート層を形成した。
ピロール（導電性高分子のモノマー）と、ナフタレンスルホン酸（ドーパント）と、水とを含む重合液を調製した。得られた重合液中に、誘電体層およびプレコート層が形成された陽極箔６を浸漬して、印加電圧３Ｖで電解重合を行い、固体電解質層９を形成した。
【０１４６】
固体電解質層９に、黒鉛粒子を水に分散した分散液を塗布した後、乾燥して、固体電解質層９の表面にカーボン層１１を形成した。次いで、カーボン層１１の表面に、銀粒子とバインダ樹脂（エポキシ樹脂）とを含む銀ペーストを塗布した後、加熱してバインダ樹脂を硬化させ、金属ペースト層（銀ペースト層）１２を形成した。このようにして、カーボン層１１と金属ペースト層１２とで構成される陰極引出層１０を形成した。これにより、固体電解質層９と陰極引出層１０とからなる陰極部８を形成した。
【０１４７】
そして、レジストテープの周囲にローラ転写により二液硬化型のエポキシ樹脂（無溶剤型、粘度（２５℃）：１００ｍＰａ・ｓ）を供給して、陽極箔６の多孔質部６ｂに含浸させた。これにより、レジストテープの周囲の多孔質部６ｂ（第２領域３６ｂおよび第３領域３６ｃの多孔質部６ｂ）および第１領域３６ａの多孔質部６ｂのレジストテープで覆われた領域にエポキシ樹脂を含浸させた。そして、含浸させたエポキシ樹脂を硬化させた。
このようにしてコンデンサ素子２を形成した。なお、エポキシ樹脂としては、４−ｔｅｒｔブチルフェニルグリシジルエーテル：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（質量比）＝７５：２５からなるＡ液と、酸無水物系硬化剤およびイミダゾール系硬化促進剤を含むＢ液とを混合して用いた。
【０１４８】
（２）固体電解コンデンサ１の組み立て
（１）で得られたコンデンサ素子２に、さらに、陽極リード端子４、陰極リード端子５、接着層１４を配置した。このようなコンデンサ素子２を７つ積層した積層体を、樹脂で封止することにより外装体３を形成し、これにより、固体電解コンデンサＡ１を完成させた。
【０１４９】
《実施例２》
図４に示すようなコンデンサ素子２を７つ積層した積層体を備える固体電解コンデンサＡ２を作製した。
陰極引出層１０を形成した後、レジストテープ（第１絶縁材料１３）の陽極部１６ａ側の周辺まで、実施例１で用いたエポキシ樹脂と同じエポキシ樹脂にコンデンサ素子２を浸漬させ、取り出した後、エポキシ樹脂を硬化させた。これ以外は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサ１を完成させた。実施例２では、レジストテープの周囲の多孔質部６ｂ（第２領域３６ｂおよび第３領域３６ｃの多孔質部６ｂ）および第１領域３６ａの多孔質部６ｂのレジストテープで覆われた領域にエポキシ樹脂が含浸されている。また、第１絶縁材料と陰極引出層１０の陽極部側の端部との間における固体電解質層や第１絶縁材料の表面がエポキシ樹脂で覆われている。さらにエポキシ樹脂は、金属ペースト層１２にも含浸されている。
【０１５０】
《比較例１》
エポキシ樹脂をレジストテープの周囲やコンデンサ素子の表面に供給しないこと以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＲ１を作製した。
【０１５１】
［評価］
上記で作製した実施例１〜２および比較例１の固体電解コンデンサについて、以下の手順で、静電容量、ＥＳＲおよび誘電正接ｔａｎδの変化率を評価した。
２０℃の環境下で、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、初期静電容量値Ｃ０（μＦ）、固体電解コンデンサの周波数１００ｋＨｚにおける初期のＥＳＲ値Ｘ０（ｍΩ）および１２０ｋＨｚにおける初期のｔａｎδ０をそれぞれ測定した。次に、１４５℃の温度にて、固体電解コンデンサに定格電圧を１０００時間印加した（耐熱試験）。その後、上記と同様の方法で、静電容量値Ｃ１（μＦ）、ＥＳＲ値（Ｘ１）（ｍΩ）およびｔａｎδ１をそれぞれ測定した。そして、各値から初期値を減じた値を初期値で除し、１００倍することにより静電容量、ＥＳＲおよびｔａｎδの変化率（％）を求めた。
結果を表１に示す。
【０１５２】
【表１】
2020153451.tif 000003
【０１５３】
実施例１〜２では、比較例１と比べて、静電容量、ＥＳＲ、およびｔａｎδの変化率が小さくなった。実施例１〜２では、第２絶縁材料（エポキシ樹脂）を第１領域３６ａの多孔質部６ｂ等に含浸することにより、固体電解質層９への空気の接触が抑制され、導電性高分子の劣化が抑制されたことで固体電解コンデンサの耐熱性が向上したと考えられる。
【０１５４】
《実施例３》
下記の要領で、図６に示されるコンデンサ素子２を７つ積層した積層体を備える固体電解コンデンサを作製した。
実施例１の（１）において、薄肉部２６の陰極形成部１６ｂ側の部分に絶縁性のレジストテープ（第１絶縁材料）１３を貼り付けた。レジストテープの陽極部１６ａ側には薄肉部２６とレジストテープにより第１溝部１９が形成される。
そして、第１溝部１９にローラ転写により二液硬化型のエポキシ樹脂（無溶剤型、粘度（２５℃）：１００ｍＰａ・ｓ）を供給して、陽極箔６の多孔質部６ｂに含浸させた。これにより、第１溝部１９にエポキシ樹脂を含浸させるとともに、第１溝部１９周辺の多孔質部６ｂ（第３領域３６ｃの多孔質部６ｂ、第１領域３６ａの多孔質部６ｂの一部、および第３領域３６ｃに隣接する陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂ）にエポキシ樹脂を含浸させた。そして、含浸させたエポキシ樹脂を硬化させた。
これら以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサ（電解コンデンサＡ３）を作製した。
【０１５５】
《比較例２》
エポキシ樹脂をレジストテープの周囲やコンデンサ素子の表面に供給しないこと以外は、実施例３と同様に固体電解コンデンサ（固体電解コンデンサＲ２）を作製した。
【０１５６】
《実施例４》
下記の要領で、図１２に示されるコンデンサ素子２を７つ積層した積層体を備える固体電解コンデンサを作製した。
実施例３の（１）において、薄肉部２６の陰極形成部１６ｂの部分（第２領域３６ｂ）をレーザーエッチングすることにより第２溝部２９を形成した。薄肉部２６の表面全体にレジストテープを貼り付けた。また、エポキシ樹脂のレジストテープの周囲やコンデンサ素子の表面への供給を行わなかった。これら以外は、実施例３と同様に固体電解コンデンサ（固体電解コンデンサＡ４）を作製した。
【０１５７】
実施例３〜４および比較例２について、実施例１の場合と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【０１５８】
【表２】
2020153451.tif 000004
【０１５９】
実施例３〜４では、比較例２と比べて、静電容量、ＥＳＲ、およびｔａｎδの変化率が小さくなった。実施例２では、第２絶縁材料（エポキシ樹脂）を第３領域３６ｃに含浸させることにより、固体電解質層９への空気の接触が抑制され、導電性高分子の劣化が抑制されたことで固体電解コンデンサの耐熱性が向上したと考えられる。また、実施例４では、第２溝部２９に導電性高分子が配置されていることで、第２領域３６ｂを空気が侵入し難くなり、陰極形成部１６ｂ側に形成された固体電解質層９中の導電性高分子の劣化が抑制されたと考えられる。
【０１６０】
本発明を現時点での好ましい実施態様に関して説明したが、そのような開示を限定的に解釈してはならない。種々の変形および改変は、上記開示を読むことによって本発明に属する技術分野における当業者には間違いなく明らかになるであろう。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、すべての変形および改変を包含する、と解釈されるべきものである。
【産業上の利用可能性】
【０１６１】
本開示に係る固体電解コンデンサは、高温雰囲気に晒された場合でも固体電解質層に含まれる導電性高分子の劣化が抑制され、静電容量の低下を抑制できる。また、ＥＳＲの上昇およびｔａｎδの上昇を抑制することもできる。よって、固体電解コンデンサの低いＥＳＲや高い静電容量が求められる用途、熱に晒されるような用途など、様々な用途に利用できる。これらの用途は単なる例示であり、これらに限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１６２】
１：固体電解コンデンサ、２，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ：コンデンサ素子、３：外装体、４：陽極リード端子、５：陰極リード端子、６：陽極箔、６ａ：基材部、６ｂ：多孔質部、７：第２絶縁材料、８：陰極部、９：固体電解質層、１０：陰極引出層、１１：カーボン層、１２：金属ペースト層 、１３：第１絶縁材料（レジストテープ）、１４：接着層、１６ａ：陽極部、１６ｂ：陰極形成部、１６ｃ：分離部、１７：第３絶縁材料、１１７：第４絶縁材料、１９：第１溝部、２６：薄肉部、２９：第２溝部、３６ａ：第１領域、３６ｂ：第２領域、３６ｃ：第３領域、３９：第３溝部
【図１】
2020153451.tif 000005
【図２】
2020153451.tif 000006
【図３】
2020153451.tif 000007
【図４】
2020153451.tif 000008
【図５】
2020153451.tif 000009
【図６】
2020153451.tif 000010
【図７】
2020153451.tif 000011
【図８】
2020153451.tif 000012
【図９】
2020153451.tif 000013
【図１０】
2020153451.tif 000014
【図１１】
2020153451.tif 000015
【図１２】
2020153451.tif 000016
【図１３】
2020153451.tif 000017
【図１４】
2020153451.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月29日(2021.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部における前記多孔質部の表面には、第１絶縁材料が配置され、
前記多孔質部の前記第１絶縁材料で覆われている第１領域の少なくとも一部は、第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記多孔質部の前記第１絶縁材料と前記陰極形成部との間の第２領域に、前記第２絶縁材料が含まれる、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記多孔質部の前記第１絶縁材料より前記陽極部側の第３領域に、前記第２絶縁材料が含まれる、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記陰極形成部における前記多孔質部に、前記第２絶縁材料が含まれる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
前記陰極引出層の少なくとも一部は、前記第２絶縁材料を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
前記第１絶縁材料と前記陰極引出層の前記陽極部側の端部との間において、第３絶縁材料が、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記第３絶縁材料が、前記陰極引出層の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
複数の前記コンデンサ素子が積層された積層体を備え、
第４絶縁材料が、前記積層体の表面の少なくとも一部を覆っている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項９】
（i）基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部における前記多孔質部を圧縮または一部除去する工程、
（iii）前記分離部の表面に第１絶縁材料を配置する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部において、前記多孔質部に第２絶縁材料を含浸させる工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１０】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記コンデンサ素子は、さらに、前記分離部の前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサ。
【請求項１１】
前記多孔質部が、前記第２絶縁材料の少なくとも一部を含む、請求項１０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１２】
前記分離部の前記第１絶縁材料よりも前記陽極部側の前記領域の少なくとも一部に、第１溝部が形成されており、
前記第１溝部の少なくとも一部の領域に、前記第２絶縁材料が配置されている、請求項１０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１３】
前記第１溝部は、前記第１絶縁材料と隣接して形成されている、請求項１２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１４】
前記第１溝部は、前記第１絶縁材料から離間して形成されている、請求項１２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１５】
前記多孔質部の前記第１溝部の周辺の部分に、前記第２絶縁材料が含まれる、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１６】
第３絶縁材料が、前記第１絶縁材料の表面の少なくとも一部、および、前記陰極引出層に覆われていない前記固体電解質層の表面の少なくとも一部を覆っている、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１７】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記第１絶縁材料よりも前記陰極形成部側の領域の少なくとも一部が、前記固体電解質層で覆われている、固体電解コンデンサ。
【請求項１８】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項１９】
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、さらに第２絶縁材料が配置されている、請求項１８に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２０】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記陰極形成部の少なくとも一部には、第３溝部が形成されており、
前記第３溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２１】
前記第３溝部は、前記分離部とは離間した位置に形成されている、請求項２０に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２２】
基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２３】
（i）基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部の多孔質部の少なくとも一部の圧縮および除去の少なくとも一方を行う工程、
（iii）前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料を配置または含浸する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部において、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を配置または含浸する工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記工程（vi）において、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部において、前記多孔質部に前記第２絶縁材料を含浸させる、請求項２３に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記工程（ii）以降、前記工程（iv）よりも前に、前記分離部において、前記第１絶縁材料よりも前記陽極部側の領域の少なくとも一部における前記多孔質部を除去することにより第１溝部が形成され、
前記工程（vi）において、前記第１溝部の少なくとも一部の領域に前記第２絶縁材料を配置する、請求項２３または２４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示の第１側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部における前記多孔質部の表面には、第１絶縁材料が配置され、
前記多孔質部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部は、第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示の第２側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記コンデンサ素子は、さらに、前記分離部の前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を含む、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本開示の第３側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記第１絶縁材料よりも前記陰極形成部側の領域の少なくとも一部が、前記固体電解質層で覆われている、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本開示の第４側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本開示の第５側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記陰極形成部の少なくとも一部には、第３溝部が形成されており、
前記第３溝部の少なくとも一部の領域に、前記固体電解質層が配置されている、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本開示の第６側面は、基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔と、前記陽極箔の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有するコンデンサ素子を備え、
前記陽極箔は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
前記分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれ、
前記分離部の前記陰極形成部側の前記第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、
前記第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている、固体電解コンデンサに関する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本開示の第７側面は、
（i）基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部における前記多孔質部を圧縮または一部除去する工程、
（iii）前記分離部の表面に第１絶縁材料を配置する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部の前記第１絶縁材料で覆われている領域の少なくとも一部において、前記多孔質部に第２絶縁材料を含浸させる工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本開示の第８側面は、
（i）基材部と前記基材部の表面に多孔質部を備えた陽極箔の表面の少なくとも一部に誘電体層を形成する工程、
（ii）前記誘電体層が形成された陽極箔を、陽極部と、陰極形成部と、前記陽極部および前記陰極形成部の間の分離部とに区分し、前記分離部の多孔質部の少なくとも一部の圧縮および除去の少なくとも一方を行う工程、
（iii）前記分離部の少なくとも一部に第１絶縁材料を配置または含浸する工程、
（iv）前記陰極形成部における前記誘電体層の少なくとも一部を固体電解質層で覆う工程、
（v）前記固体電解質層の少なくとも一部を陰極引出層で覆う工程、および
（vi）工程（v）の後、前記分離部において、前記第１絶縁材料より前記陽極部側の領域の少なくとも一部に第２絶縁材料を配置または含浸する工程、を備える、固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本開示の第１側面に係る固体電解コンデンサでは、コンデンサ素子の陽極箔の陽極部と陰極形成部との間に分離部を設け、この分離部における多孔質部の表面に第１絶縁材料を配置する。なお、分離部において、第１絶縁材料が配置されている領域を第１領域とし、第１絶縁材料（または第１領域）と陰極形成部との間の領域を第２領域とし、第１絶縁材料（または第１領域）より陽極部側の領域を第３領域とする。上記固体電解コンデンサでは、多孔質部の第１絶縁材料で覆われている第１領域の少なくとも一部が第２絶縁材料を含む。第１領域の多孔質部が第２絶縁材料を含むことで、第１領域からコンデンサ素子内への空気の侵入が抑制される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本開示の第３側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の第１絶縁材料（または第１領域）よりも陰極形成部側の領域（つまり、分離部の第２領域）の少なくとも一部が、固体電解質層で覆われている。また、本開示の第４側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の陰極形成部側の第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、第２溝部の少なくとも一部の領域に、固体電解質層が配置されている。第２溝部は第２領域に形成されている。これらの固体電解コンデンサでは、第２領域の少なくとも一部に固体電解質層が配置されることになるため、第２領域からの空気の侵入が抑制される。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第２溝部が固体電解質層で充填されていてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本開示の第６側面に係る固体電解コンデンサでは、分離部の少なくとも一部に、第１絶縁材料が配置または含まれており、分離部の陰極形成部側の第１絶縁材料に隣接して第２溝部が形成されており、第２溝部の少なくとも一部の領域に、第２絶縁材料が配置されている。第２溝部は第２領域に形成されている。このような固体電解コンデンサでは、第２領域の少なくとも一部に第２絶縁材料が配置されることになるため、第２領域からの空気の侵入が抑制される。空気の侵入を抑制する効果が高まる観点から、第２溝部に第２絶縁材料が充填されていてもよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このように、これらの側面の固体電解コンデンサでは、コンデンサ素子への空気の侵入が抑制される。これにより、固体電解コンデンサが高温に晒された後も固体電解質層に含まれる導電性高分子の劣化を抑制する効果が高まる。よって、耐熱試験後の静電容量の低下を抑制できる。また、固体電解質層の耐熱性が向上することで、耐熱試験後のＥＳＲ（等価直列抵抗）および誘電正接（ｔａｎδ）の上昇を低減できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［固体電解コンデンサ］
（コンデンサ素子）
固体電解コンデンサが備えるコンデンサ素子は、陽極箔と、陽極箔の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを有する。陽極箔は、基材部と、基材部の表面に多孔質部を備える。また、陽極箔は、固体電解質層が形成される陰極形成部と、固体電解質層が形成されていない陽極部と、陽極部と陰極形成部との間の分離部とに区分される。分離部は、例えば、多孔質部の厚みが小さな部分（薄肉部）を有していてもよい。薄肉部は、多孔質部を圧縮したり、一部除去したりすることにより形成される。多孔質部を圧縮した部分を圧縮部と称することがある。多孔質部を圧縮および／または除去することで分離部に形成される凹部を溝部と称することがある。溝部は、基材部上に多孔質部を介して形成されていてもよく、多孔質部を介さずに基材部上に直接形成されていてもよい。溝部が形成されている部分（または薄肉部）ではこの部分以外の部分に比較して空気の通路が少なくなるため、空気の侵入を抑制する観点から溝部を設けると有利である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
分離部１６ｃにおける多孔質部６ｂの表面には第１絶縁材料１３が配置されている。この第１絶縁材料１３により、固体電解質層９を形成する場合の導電性高分子の陽極部１６ａ側への這い上がりが抑制され、陽極部１６ａと陰極部８との（電気的）接触が規制される。図示例では、分離部１６ｃは、薄肉部２６を有しており、第１絶縁材料１３は、薄肉部２６に配置されている。第１絶縁材料１３は、薄肉部２６の少なくとも一部に配置されていてもよい。ただし、分離部１６ｃは、薄肉部２６を有していなくてもよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本実施形態では、第１領域３６ａの多孔質部６ｂの第１絶縁材料１３で覆われている領域の少なくとも一部は第２絶縁材料７を含む。より具体的には、第１領域３６ａの多孔質部６ｂが第２絶縁材料７を含む。多孔質部６ｂは、空隙を含む。そのため、多孔質部６ｂは、この空隙に含浸された状態の第２絶縁材料７を含む。第１領域３６ａの多孔質部６ｂが第２絶縁材料７を含むことにより、第１領域３６ａを通じた空気のコンデンサ素子内への侵入が抑制される。これにより、固体電解質層９に含まれる導電性高分子の酸素による劣化が抑制されるため、固体電解質層９の耐熱性を高めることができる。耐熱試験後の固体電解コンデンサの静電容量の低下を抑制できる。また、耐熱試験後のＥＳＲおよび誘電正接の上昇を低減することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図３は、第２実施形態に係る固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子２を概略的に示す断面図である。コンデンサ素子２の陰極部８は複数の層を有し、ある程度の厚みを有するため、陰極部８と分離部１６ｃ（または第１絶縁材料１３）との間には、凹部（ネック）が形成される。図３に示すように、この凹部（ネック）の表面が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。凹部の表面は、少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われていればよく、凹部に、第３絶縁材料１７が充填されていてもよい。第３絶縁材料１７は、少なくとも第１領域３６ａの周辺に付着していてもよい。また、第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０および固体電解質層９の少なくとも一方の少なくとも一部を覆っていてもよい。例えば、図３のように、陰極引出層１０または固体電解質層９の陽極部１６ａ側の端部およびその周辺が、第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。第３絶縁材料１７は、陰極引出層１０に覆われていない固体電解質層９の表面の少なくとも一部を覆っていてもよい。例えば、陰極引出層１０の陽極部１６ａ側の端部において、固体電解質層９が陰極引出層１０で覆われていない部分が存在する場合がある。このような場合には、第１絶縁材料１３（または第１領域３６ａ）と陰極引出層１０の陽極部１６ａ側の端部との間において、固体電解質層９の少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われていてもよい。図３の場合も、図１や図２の場合と同様、第１領域３６ａ、第２領域３６ｂ、および第３領域３６ｃの多孔質部６ｂに第２絶縁材料が含まれている。図３のコンデンサ素子２は、上記凹部（ネック）、陰極引出層１０および／または固体電解質層９の陽極部１６ａ側の端部およびその周辺の少なくとも一部が第３絶縁材料１７で覆われている以外は、図２のコンデンサ素子２と同じであり、図１および図２の説明を参照できる。
なお、図示しないが、第１絶縁材料１３より陽極部１６ａ側の多孔質部６ｂの少なくとも一部が第３絶縁材料１７により覆われていてもよい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
固体電解質層９は、例えば、原料モノマーを化学重合および／または電解重合することにより、形成することができる。あるいは、導電性高分子が溶解した溶液、または、導電性高分子が液状媒体（溶媒など）溶解または分散した溶液または分散液を、誘電体層に接触させることにより、形成することができる。液状媒体としては、例えば、水、有機溶媒、またはこれらの混合物が挙げられる。特に、電解重合は、固体電解質層の表面側（誘電体層とは反対側）では進行し易いため、固体電解質層９が密に形成され易いが、内部では進行しにくいため、空隙が生じ易い。この空隙を通って空気がコンデンサ素子２内に侵入し易い。そのため、特に電解重合により固体電解質層９を形成する場合に、第２絶縁材料を多孔質部６ｂに充填させる効果が顕著に発揮される。なお、電解重合の場合には、電解重合に先立って誘電体層上にプレコート層を形成してもよい。プレコート層は、例えば、導電性材料（導電性高分子、無機導電性材料など）で形成される。プレコート層を構成する導電性材料としては特に制限されず、例えば公知のものが使用できる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
本開示の第５側面の固体電解コンデンサを製造する場合、分離部１６ｃの陰極形成部１６ｂ側の第１絶縁材料１３（または第１領域３６ａ）に隣接して形成された第２溝部２９の少なくとも一部の領域に第２絶縁材料７を配置する。第２溝部２９の少なくとも一部の領域を第２絶縁材料７で覆ってもよい。第２絶縁材料７を第２溝部２９に含浸または充填してもよい。第２溝部２９に第２絶縁材料を含浸することで、陰極形成部１６ｂの、少なくとも第２溝部２９に隣接する部分に第２絶縁材料を含浸または充填してもよい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
［評価］
上記で作製した実施例１〜２および比較例１の固体電解コンデンサについて、以下の手順で、静電容量、ＥＳＲおよび誘電正接ｔａｎδの変化率を評価した。
２０℃の環境下で、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、固体電解コンデンサの初期静電容量値Ｃ０（μＦ）、周波数１００ｋＨｚにおける初期のＥＳＲ値Ｘ０（ｍΩ）および１２０ｋＨｚにおける初期の誘電正接ｔａｎδ０をそれぞれ測定した。次に、１４５℃の温度にて、固体電解コンデンサに定格電圧を１０００時間印加した（耐熱試験）。その後、上記と同様の方法で、静電容量値Ｃ１（μＦ）、ＥＳＲ値Ｘ１（ｍΩ）および誘電正接ｔａｎδ１をそれぞれ測定した。そして、静電容量値Ｃ１から初期静電容量値Ｃ０を減じた値を初期静電容量値Ｃ０で除し、１００倍することにより静電容量の変化率（％）を求めた。また、ＥＳＲ値Ｘ１から初期ＥＳＲ値Ｘ０を減じた値を初期ＥＳＲ値Ｘ０で除し、１００倍することによりＥＳＲ値の変化率（％）を求めた。また、誘電正接ｔａｎδ１から初期誘電正接ｔａｎδ０を減じた値を初期誘電正接ｔａｎδ０で除し、１００倍することにより誘電正接ｔａｎδの変化率（％）を求めた。
結果を表１に示す。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
実施例３〜４では、比較例２と比べて、静電容量、ＥＳＲ、およびｔａｎδの変化率が小さくなった。実施例３では、第２絶縁材料（エポキシ樹脂）を第３領域３６ｃに含浸させることにより、固体電解質層９への空気の接触が抑制され、導電性高分子の劣化が抑制されたことで固体電解コンデンサの耐熱性が向上したと考えられる。また、実施例４では、第２溝部２９に導電性高分子が配置されていることで、第２領域３６ｂを空気が侵入し難くなり、陰極形成部１６ｂ側に形成された固体電解質層９中の導電性高分子の劣化が抑制されたと考えられる。
【国際調査報告】
2020153451.tif 000019
2020153451.tif 000020
2020153451.tif 000021
2020153451.tif 000022