(57)【要約】  基板を処理する基板処理システムであって、外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、基板の加工面を加工する加工部と、平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、前記第１の搬送部は、前記搬入出部と前記第２の搬送部との間で基板を搬送し、前記第２の搬送部は、前記第１の搬送部と前記加工部との間で基板を搬送し、且つ前記加工部と前記洗浄部との間で基板を搬送する。
2019151041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理システムであって、
外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、
基板の加工面を加工する加工部と、
平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、
平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、
前記第１の搬送部は、前記搬入出部と前記第２の搬送部との間で基板を搬送し、
前記第２の搬送部は、前記第１の搬送部と前記加工部との間で基板を搬送し、且つ前記加工部と前記洗浄部との間で基板を搬送する。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１の搬送部は、
平面視においてリング状に連続的又は断続的に設けられ、側面視において上端から下方に向けてテーパ状に径が小さくなるガイドを備え、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、を有する。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１の搬送部は、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、を有する。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記加工部は、
基板の加工面を研削する研削部と、
前記研削部で研削された基板の加工面を研磨する研磨部と、を有し、
平面視において前記搬入出部と前記研削部の間に、前記研磨部と、積層された前記洗浄部及び前記第１の搬送部とが並べて配置されている。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
前記洗浄部は、
前記研削部で研削された基板の加工面を洗浄する第１の洗浄部と、
前記研磨部で研磨された基板の加工面を洗浄する第２の洗浄部と、を有する。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１の洗浄部と前記第２の洗浄部は積層して設けられている。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
前記洗浄部は、前記研磨部で研磨された基板の加工面を洗浄し、
前記基板処理システムは、前記研削部で研削された基板の加工面を洗浄する他の洗浄部をさらに有し、
前記研削部と前記他の洗浄部は同一装置内に設けられている。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理システムにおいて、
前記前記研削部と前記他の洗浄部に対して基板を搬送する第３の搬送部をさらに有する。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板は、非加工面にデバイスが形成された被処理ウェハと支持ウェハとが接合された重合ウェハであり、
前記加工部は、前記デバイスが形成されていない加工面を加工し、
前記洗浄部は、前記デバイスが形成されていない前記加工面を洗浄する。
【請求項１０】
請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１の搬送部は、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板のノッチ部を検出する検出部と、を有する。
【請求項１１】
請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板は、非加工面にデバイスが形成された被処理ウェハと支持ウェハとが接合された重合ウェハであり、
前記研削部は、前記デバイスが形成されていない加工面を研削し、
前記研磨部は、前記デバイスが形成されていない前記加工面を研磨する。
【請求項１２】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記搬入出部の内部圧力、前記第１の搬送部の内部圧力、及び前記加工部の内部圧力は、この順で小さくなっている。
【請求項１３】
基板処理システムを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理システムは、
外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、
基板の加工面を加工する加工部と、
平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、
平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、
前記基板処理方法は、
前記搬入出部から前記第１の搬送部に基板を搬送する第１の工程と、
その後、前記第１の搬送部によって基板を搬送し前記第２の搬送部に基板を受け渡す第２の工程と、
その後、前記第２の搬送部によって前記加工部に基板を搬送する第３の工程と、
その後、前記加工部で基板の加工面を加工する第４の工程と、
その後、前記第２の搬送部によって前記加工部から前記洗浄部に基板を搬送する第５の工程と、
その後、前記洗浄部で基板の加工面を洗浄する第６の工程と、
その後、前記洗浄部から前記搬入出部に基板を搬送する第７の工程と、を有する。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理方法において、
前記第１の搬送部は、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板のノッチ部を検出する検出部と、を有し、
第１の工程と第３の工程の間で前記ノッチ部の位置を調節する。
【請求項１５】
請求項１３に記載の基板処理方法において、
前記基板は、非加工面にデバイスが形成された被処理ウェハと支持ウェハとが接合された重合ウェハであり、
前記加工部は、前記デバイスが形成されていない加工面を加工し、
前記洗浄部は、前記デバイスが形成されていない前記加工面を洗浄する。
【請求項１６】
基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理システムは、
外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、
基板の加工面を加工する加工部と、
平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、
平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、
前記基板処理方法は、
前記搬入出部から前記第１の搬送部に基板を搬送する第１の工程と、
その後、前記第１の搬送部によって基板を搬送し前記第２の搬送部に基板を受け渡す第２の工程と、
その後、前記第２の搬送部によって前記加工部に基板を搬送する第３の工程と、
その後、前記加工部で基板の加工面を加工する第４の工程と、
その後、前記第２の搬送部によって前記加工部から前記洗浄部に基板を搬送する第５の工程と、
その後、前記洗浄部で基板の加工面を洗浄する第６の工程と、
その後、前記洗浄部から前記搬入出部に基板を搬送する第７の工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１８年２月５日に日本国に出願された特願２０１８−１８３７０号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。【０００２】
本発明は、基板を処理する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削や研磨など加工して、ウェハを薄化することが行われている。【０００４】
ウェハの裏面（加工面）の加工は、例えば特許文献１に記載された平坦化加工装置を用いて行われる。平坦化加工装置は、該平坦化加工装置のロードポートが設けられている前方部より該平坦化加工装置の後方部に向かって、Ｌ字状のウェハ（半導体基板）のローディング／アンローディングステージ室、中間部のウェハの研磨加工ステージ室、及びその奥部のウェハの研削加工ステージ室の３室に区分けされている。ローディング／アンローディングステージ室内には、ロードポート背後の室内に第一の多関節型基板搬送ロボットを設け、その左側に基板洗浄機器を設けるとともに、その基板洗浄機器の後方奥部に第二の移送式多関節型基板搬送ロボットを設けている。研削加工ステージ室内には、第三の多関節型搬送ロボットを設けている。そして、カセットに収納されたウェハは、第一の多関節型基板搬送ロボットと第二の移送式多関節型基板搬送ロボットによって研削加工ステージ室に搬送されて研削加工され、その後、第三の多関節型搬送ロボットによって研磨加工ステージ室に搬送されて研磨加工され、その後、第二の移送式多関節型基板搬送ロボットによって基板洗浄機器に搬送されて洗浄され、その後、第一の多関節型基板搬送ロボットによってカセットに戻される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１２３３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献１の平坦化加工装置のローディング／アンローディングステージ室内には、第二の移送式多関節型基板搬送ロボットと基板洗浄機器が平面視において並べて配置されており、フットプリント（占有面積）が大きくなっている。また、ウェハの洗浄は、例えば研削加工後の洗浄と研磨加工後の洗浄を分けて行う場合があり、あるいは例えば各工程後の洗浄を異なる方法で複数に分けて行う場合もある。かかる場合には、複数の基板洗浄機器が必要になるため、フットプリントがさらに大きくなってしまう。したがって、従来の加工装置には改善の余地がある。【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板の加工処理を適切に行いつつ、フットプリントの小さい基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の一態様は、基板を処理する基板処理システムであって、外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、基板の加工面を加工する加工部と、平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、前記第１の搬送部は、前記搬入出部と前記第２の搬送部との間で基板を搬送し、前記第２の搬送部は、前記第１の搬送部と前記加工部との間で基板を搬送し、且つ前記加工部と前記洗浄部との間で基板を搬送する。【０００９】
別な観点による本発明の一態様は、基板処理システムを用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記基板処理システムは、外部との間で基板を搬入出する搬入出部と、基板の加工面を加工する加工部と、平面視において前記搬入出部と前記加工部との間に設けられ、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する洗浄部と、前記洗浄部に積層して設けられ、基板を搬送する第１の搬送部と、平面視において前記加工部と前記第１の搬送部との間に設けられ、基板を搬送する第２の搬送部と、を有し、前記基板処理方法は、前記搬入出部から前記第１の搬送部に基板を搬送する第１の工程と、その後、前記第１の搬送部によって基板を搬送し前記第２の搬送部に基板を受け渡す第２の工程と、その後、前記第２の搬送部によって前記加工部に基板を搬送する第３の工程と、その後、前記加工部で基板の加工面を加工する第４の工程と、その後、前記第２の搬送部によって前記加工部から前記洗浄部に基板を搬送する第５の工程と、その後、前記洗浄部で基板の加工面を洗浄する第６の工程と、その後、前記洗浄部から前記搬入出部に基板を搬送する第７の工程と、を有する。【００１０】
別な観点による本発明の一態様は、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、基板処理システムは、基板の加工に必要な加工部と洗浄部を備えており、基板の加工処理を適切に行うことができる。しかも、第１の搬送部が洗浄部に積層して設けられているので、基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図２】第１の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す側面図である。
【図３】重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。
【図４】シャトル搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図５】シャトル搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図６】第１の実施形態の変形例にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図７】ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図８】基板処理システム内に生じる気流を示す説明図である。
【図９】第２の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図１０】第２の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
先ず、本発明の第１の実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、第１の実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。図２は、第１の実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１５】
本実施形態の基板処理システム１では、図３に示すように例えば接着剤Ｇを介して、基板としての被処理ウェハＷと支持ウェハＳとが接合された重合ウェハＴを処理し、被処理ウェハＷを薄化する。以下、被処理ウェハＷにおいて、加工される面（接着剤Ｇが接着される面と反対側の面）を「加工面Ｗ１」といい、加工面Ｗ１と反対側の面を「非加工面Ｗ２」という。また、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓ１」といい、接合面Ｓ１と反対側の面を「非接合面Ｓ２」という。なお、本実施形態では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは接着剤Ｇを介して接合されているが、接合方法はこれに限定されるものではない。
【００１６】
被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであって、非加工面Ｗ２に複数のデバイスが形成されている。
【００１７】
支持ウェハＳは、被処理ウェハＷを支持するウェハである。また、支持ウェハＳは接着剤Ｇとともに、被処理ウェハＷの非加工面Ｗ２のデバイスを保護する保護材として機能する。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００１８】
図１に示すように基板処理システム１は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出部としての搬入出ステーション２と、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを接続した構成を有している。
【００１９】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００２０】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸負方向に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム２３、２４を有している。第１の搬送アーム２３は、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を真空引きして吸着保持（バキュームチャック）する搬送パッド（図示せず）を有している。第２の搬送アーム２４は、重合ウェハＴの端部を挟み込んで保持（エッジクランプ）する保持部材（図示せず）を有している。各搬送アーム２３、２４は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３、２４の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。
【００２１】
処理ステーション３には、研削部（加工部）を備える加工装置３０、研磨部（加工部）を備えるＣＭＰ装置３１（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）、洗浄部としての洗浄ブロック３２、第１の搬送部としてのシャトル搬送装置３３、第２の搬送部としてのウェハ搬送装置３４、及びトランジション領域３５が設けられている。処理ステーション３において、Ｘ軸正方向側（搬入出ステーション２側）には、ＣＭＰ装置３１、洗浄ブロック３２及びシャトル搬送装置３３が配置されている。洗浄ブロック３２とシャトル搬送装置３３は、下層からこの順で積層して設けられている。ＣＭＰ装置３１は、積層された洗浄ブロック３２とシャトル搬送装置３３のＹ軸正方向側に設けられている。処理ステーション３において、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２と反対側）には、加工装置３０及びウェハ搬送装置３４が配置されている。ウェハ搬送装置３４は、トランジション領域３５に設けられ、すなわちＣＭＰ装置３１、洗浄ブロック３２及びシャトル搬送装置３３と、加工装置３０及びウェハ搬送装置３４との間に設けられ、重合ウェハＴを受け渡す。
【００２２】
基板処理システム１には、制御部４０が設けられている。制御部４０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部４０にインストールされたものであってもよい。
【００２３】
（加工装置）
加工装置３０は、回転テーブル１００、粗研削ユニット１１０、中研削ユニット１２０、及び仕上研削ユニット１３０を有している。
【００２４】
回転テーブル１００は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル１００上には、重合ウェハＴを吸着保持するチャック１０１が４つ設けられている。チャック１０１は、回転テーブル１００と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック１０１は、回転テーブル１００が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。
【００２５】
本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置である。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット１１０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１２０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１３０が配置される。
【００２６】
チャック１０１はチャックベース１０２に保持されている。チャック１０１及びチャックベース１０２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
【００２７】
粗研削ユニット１１０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。粗研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部１１１を有している。また、粗研削部１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷを粗研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。
【００２８】
中研削ユニット１２０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削する。中研削ユニット１２０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１２１を有している。また、中研削部１２１は、支柱１２２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を中研削する。
【００２９】
仕上研削ユニット１３０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削する。仕上研削ユニット１３０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１３１を有している。また、仕上研削部１３１は、支柱１３２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を仕上研削する。
【００３０】
（ＣＭＰ装置）
ＣＭＰ装置３１は、ウェハ搬送装置３４との重合ウェハＴの受渡部（図示せず）、及び被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を研磨する研磨部（図示せず）を例えば２つ備えている。第１の研磨部で使用される砥粒の粒度は、第２の研磨部で使用される砥粒の粒度より大きい。そして、第１の研磨部において加工面Ｗ１を粗研磨し、第２の研磨部において加工面Ｗ１を仕上研磨する。なお、ＣＭＰ装置３１の構成には、化学研磨処理を行う一般的な構成を採用できる。例えば被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を上方に向けて、いわゆるフェイスアップの状態で処理を行ってもよいし、加工面Ｗ１を下方に向けて、いわゆるフェイスダウンの状態で処理を行ってもよい。
【００３１】
（洗浄ブロック）
洗浄ブロック３２は、第１の洗浄部としての第１の洗浄装置１４０、第２の洗浄部としての第２の洗浄装置１４１及び第３の洗浄装置１４２を有している。第１の洗浄装置１４０は、第２の洗浄装置１４１及び第３の洗浄装置１４２の下層に積層して設けられている。第２の洗浄装置１４１と第３の洗浄装置１４２は、Ｘ軸負方向から正方向に向けて並べて配置されている。このように洗浄装置１４０、１４１（１４２）を積層することで、基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。また、後述するように第１の洗浄装置１４０は研削後の重合ウェハＴを洗浄するものであり、第２の洗浄装置１４１と第３の洗浄装置１４２はそれぞれ研磨後の重合ウェハＴを洗浄するものであるが、洗浄装置１４０、１４１（１４２）を積層することで、研削後の洗浄は下層で行われて、研磨後の洗浄を上層で行われることになる。したがって、洗浄ブロック３２では、工程毎の洗浄を上下層に振り分けて行うことができる。さらに、後述するようにウェハ搬送装置２２は、シャトル搬送装置３３に重合ウェハＴを搬送するとともに、第３の洗浄装置１４２から重合ウェハＴを受け取るが、第３の洗浄装置１４２がシャトル搬送装置３３に鉛直方向に近接して設けられているので、ウェハ搬送装置２２の鉛直方向の移動範囲を小さく抑えることができる。
【００３２】
第１の洗浄装置１４０では、例えば重合ウェハＴの端部を挟み込んで保持する保持部材（図示せず）、及びスクラブ洗浄具（図示せず）を有している。そして、保持部材に保持された重合ウェハＴに対し、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１と支持ウェハＳの非接合面Ｓ２のそれぞれにスクラブ洗浄具を当接させて、当該加工面Ｗ１と非接合面Ｓ２が洗浄される。
【００３３】
第２の洗浄装置１４１も、第１の洗浄装置１４０と同様の構成を有し、例えば重合ウェハＴの端部を挟み込んで保持する保持部材（図示せず）、及びスクラブ洗浄具（図示せず）を有している。そして、保持部材に保持された重合ウェハＴに対し、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１と支持ウェハＳの非接合面Ｓ２のそれぞれにスクラブ洗浄具を当接させて、当該加工面Ｗ１と非接合面Ｓ２が洗浄される。また、第２の洗浄装置１４１は、当該第２の洗浄装置１４１と第３の洗浄装置１４２との間で重合ウェハＴを搬送する搬送装置（図示せず）を備えている。
【００３４】
第３の洗浄装置１４２は、例えば重合ウェハＴを回転保持するスピンチャック（図示せず）、及び被処理ウェハＷの加工面Ｗ１に洗浄液を供給するノズル（図示せず）を有している。そして、スピンチャックに保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１にノズルから洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は加工面Ｗ１上を拡散し、当該加工面Ｗ１が洗浄される。なお、洗浄液には、例えば純水、過酸化水素水、オゾン水、フッ化水素酸水溶液、ＳＣ１液などが用いられる。また、第３の洗浄装置１４２には、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４（重合ウェハＴを搬出する搬送アーム）が入退出する搬入出口（図示せず）が形成されている。
【００３５】
なお、洗浄ブロック３２には、洗浄装置１４０、１４１、１４２以外の他の洗浄装置が設けられていてもよい。
【００３６】
（シャトル搬送装置）
図１及び図４に示すようにシャトル搬送装置３３は、重合ウェハＴを保持するウェハ保持部１５０、搬送路ベース１５１上でＸ軸方向に延伸する搬送路１５２、及び搬送路１５２上でウェハ保持部１５０を移動させる移動部１５３を有している。移動部１５３の駆動は特に限定されるものではないが、例えばモータ駆動やリニア駆動が用いられる。なお、本実施形態では、搬送路１５２と移動部１５３が、本発明の移動機構を構成している。
【００３７】
ウェハ保持部１５０は、基台１５４、及び基台１５４上に設けられたガイド１５５を有している。ガイド１５５は、平面視においてリング状に連続して設けられている。ガイド１５５は、側面視において上端から下方に向けてテーパ状に径が小さくなるテーパ部１５５ａと、テーパ部１５５ａの下端から内周方向に平坦に設けられた段部１５５ｂとから構成されている。具体的には、テーパ部１５５ａの上端の内径Ｄ１は重合ウェハＴの径よりも大きく、テーパ部１５５ａの下端の内径Ｄ２は重合ウェハＴの径とほぼ同じである。そして、重合ウェハＴはガイド１５５の上方から落とし込まれ、テーパ部１５５ａに案内されて段部１５５ｂに載置される。こうして重合ウェハＴは、ガイド１５５によって中心位置を調節（センタリング）されつつ、当該ガイド１５５に保持される。なお、本実施形態では、ガイド１５５はリング状に連続して設けられていたが、これに限定されない。例えばガイド１５５は、リング状に断続的に設けられていてもよく、すなわち複数に設けられていてもよい。
【００３８】
図５に示すようにシャトル搬送装置３３にはさらに、研削前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節するアライメントユニット１６０が設けられていてもよい。かかる場合、例えば移動部１５３と基台１５４の間に、ウェハ保持部１５０を回転させる回転機構１６１が設けられる。また、アライメントユニット１６０は、基台１５４に設けられ、重合ウェハＴのノッチ部を検出する検出部１６２を有する。そして、アライメントユニット１６０は、回転機構１６１によって重合ウェハＴを回転させながら、検出部１６２で重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。アライメントユニット１６０は、ウェハ保持部１５０に保持されて搬送中の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節してもよい。かかる場合には、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００３９】
なお、アライメントユニット１６０は、図６に示すように検出部１６２のみを搬送路ベース１５１上に設け、ウェハ保持部１５０が停止した状態で重合ウェハＴのノッチ部を検出して、当該重合ウェハＴの水平方向の向きを調節してもよい。
【００４０】
（ウェハ搬送装置）
ウェハ搬送装置３４は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム１７０、１７１を有している。第１の搬送アーム１７０は、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を真空引きして吸着保持（バキュームチャック）する搬送パッド（図示せず）を有している。第２の搬送アーム１７１は、重合ウェハＴの端部を挟み込んで保持（エッジクランプ）する保持部材（図示せず）を有している。各搬送アーム１７０、１７１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。そして、かかる構成を備えたウェハ搬送装置３４は、加工装置３０の受渡位置Ａ０、シャトル搬送装置３３、第１の洗浄装置１４０、及び第２の洗浄装置１４１に対して、重合ウェハＴを搬送できる。なお、搬送アーム１７０、１７１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。
【００４１】
（トランジション領域）
トランジション領域３５には、上述したようにウェハ搬送装置３４が設けられる。トランジション領域３５は、例えばＹ軸負方向に引き出すことができ、これにより、加工装置３０、ＣＭＰ装置３１、シャトル搬送装置３３のメンテナンスを容易に行うことができる。また、トランジション領域３５には、ウェハ搬送装置３４で搬送中の、液に濡れた状態（ウェット状態）の重合ウェハＴから液が落下しても良いように、液を受けるドレンパン（図示せず）を設けてもよい。
【００４２】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。
【００４３】
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。
【００４４】
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、シャトル搬送装置３３に搬送される。この際、シャトル搬送装置３３では、ウェハ保持部１５０がＸ軸正方向側（ウェハ搬送領域２０側）に待機している。そして、重合ウェハＴは、第１の搬送アーム２３からウェハ保持部１５０に受け渡され、ガイド１５５によって中心位置が調節されつつ、当該ガイド１５５に保持される（図７のステップＰ１）。
【００４５】
次に、シャトル搬送装置３３では、重合ウェハＴを保持したウェハ保持部１５０は、移動部１５３によってＸ軸負方向側（トランジション領域３５側）に搬送される。この重合ウェハＴの搬送中、アライメントユニット１６０によって、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される（図７のステップＰ２）。
【００４６】
次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３４の第１の搬送アーム１７０により、シャトル搬送装置３３から加工装置３０に搬送される。加工装置３０では、重合ウェハＴは受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック１０１に受け渡される。
【００４７】
次に、チャック１０１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット１１０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が粗研削される（図７のステップＰ３）。
【００４８】
次に、チャック１０１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１２０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が中研削される（図７のステップＰ４）。
【００４９】
次に、チャック１０１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１３０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が仕上研削される（図７のステップＰ５）。
【００５０】
次に、チャック１０１を受渡位置Ａ０に移動させる。その後、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３４の第１の搬送アーム１７０により、受渡位置Ａ０から第１の洗浄装置１４０に搬送される。なお、この搬送は、第２の搬送アーム１７１により行われてもよい。そして、第１の洗浄装置１４０では、スクラブ洗浄具を用いて、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１と支持ウェハＳの非接合面Ｓ２が洗浄される（図７のステップＰ６）。
【００５１】
次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３４の第２の搬送アーム１７１により、第１の洗浄装置１４０からＣＭＰ装置３１に搬送される。この搬送の際、ＣＭＰ装置３１においてフェイスアップの状態で研磨処理を行う場合には、重合ウェハＴはそのままの状態で搬送されるが、フェイスダウンの状態で研磨処理を行う場合には、重合ウェハＴの表裏面が反転される。そして、ＣＭＰ装置３１では、第１の研磨部（図示せず）によって被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研磨（粗ＣＭＰ）され、さらに第２の研磨部（図示せず）によって被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研磨（仕上ＣＭＰ）される（図７のステップＰ７）。
【００５２】
次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３４の第２の搬送アーム１７１により、ＣＭＰ装置３１から第２の洗浄装置１４１に搬送される。この搬送の際、ＣＭＰ装置３１においてフェイスアップの状態で研磨処理を行った場合には、重合ウェハＴはそのままの状態で搬送されるが、フェイスダウンの状態で研磨処理を行った場合には、重合ウェハＴの表裏面が反転される。そして、第２の洗浄装置１４１では、スクラブ洗浄具を用いて、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１と支持ウェハＳの非接合面Ｓ２が洗浄される（図７のステップＰ８）。このステップＰ８における洗浄は、加工面Ｗ１と非接合面Ｓ２上のパーティクルなどを物理的に除去するものであり、粗洗浄である。
【００５３】
次に、重合ウェハＴは第２の洗浄装置１４１の搬送装置（図示せず）により、第３の洗浄装置１４２に搬送される。第３の洗浄装置１４２では、ノズルから供給された洗浄液を用いて、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄される（図７のステップＰ９）。このステップＰ９における洗浄は、最終的な仕上洗浄である。また、このステップＰ９では、重合ウェハＴを回転させて乾燥させる。
【００５４】
その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、カセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
【００５５】
以上の実施形態によれば、一の基板処理システム１が各種処理装置を備えているので、被処理ウェハＷに対して一連の処理（研削処理、研磨処理、洗浄処理）を適切に行うことができる。
【００５６】
また、シャトル搬送装置３３が洗浄ブロック３２に積層して設けられているので、基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。しかも、シャトル搬送装置３３を洗浄ブロック３２に積層することで、シャトル搬送装置３３と洗浄ブロック３２を隔離することができるので、シャトル搬送装置３３で搬送中で研削前の重合ウェハＴが、洗浄ブロック３２からのパーティクルにより汚染されるのを抑制することができる。
【００５７】
なお、本実施形態では、アライメントユニット１６０をシャトル搬送装置３３に設けていたが、例えば加工装置３０の内部に設けてもよい。但し、本実施形態のようにアライメントユニット１６０をシャトル搬送装置３３の内部に設けることで、基板処理システム１のフットプリントをさらに小さくすることができる。
【００５８】
また、本実施形態の例では基板処理システム１において、加工装置３０における研削処理とＣＭＰ装置３１における研磨処理が行われていたが、研磨処理を省略して研削処理のみを行ってもよいし、あるいは洗浄処理のみを行ってもよい。研削処理のみを行う場合、ステップＰ１〜Ｐ５を行った後、研削後の重合ウェハＴを第２の洗浄装置１４１に搬送し、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１と支持ウェハＳの非接合面Ｓ２を洗浄する。その後、重合ウェハＴを第３の洗浄装置１４２に搬送し、重合ウェハＴを回転させて乾燥させる。その後、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、第３の洗浄装置１４２から重合ウェハＴを搬出する。
【００５９】
また、本実施形態の基板処理システム１においてシャトル搬送装置３３は、処理前の重合ウェハＴをウェハ搬送領域２０から加工装置３０に向けて搬送したが、逆に処理中又は処理後の重合ウェハＴをウェハ搬送領域２０に搬送してもよい。例えば基板処理システム１に何らかのトラブルが発生した際に、シャトル搬送装置３３を用いて重合ウェハＴをウェハ搬送領域２０に搬送し、カセットＣに回収してもよい。
【００６０】
次に、以上のように構成された基板処理システム１においてウェハ処理を行う際、当該基板処理システム１内に生じる気流について図８に基づいて説明する。なお、図８中の矢印は気流の方向を示している。
【００６１】
基板処理システム１では、搬入出ステーション２のウェハ搬送領域２０内の圧力が最も高圧であり、加工装置３０内の圧力が最も低圧になっている。そして、ウェハ搬送領域２０内の圧力、シャトル搬送装置３３内の圧力、トランジション領域３５内の圧力、加工装置３０内の圧力が、この順で小さくなっている。また、加工装置３０のトランジション領域３５側の側面には、重合ウェハＴが搬入出される搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口には開閉シャッタ（図せず）が設けられている。
【００６２】
かかる場合、ウェハ搬送領域２０からシャトル搬送装置３３を介してトランジション領域３５に向かう気流が生じる。また、加工装置３０の開閉シャッタを開けると、トランジション領域３５から加工装置３０に向かう気流が生じる。したがって、例えば加工装置３０の内部で発生したパーティクル（例えば研削屑）が、ウェハ搬送領域２０側に流入するのを抑制することができる。また、加工装置３０とウェハ搬送領域２０との間にシャトル搬送装置３３が設けられているので、このシャトル搬送装置３３が、加工装置３０とウェハ搬送領域２０との間の気流の流れを縁切りする機能を果たし、ウェハ搬送領域２０へのパーティクルの流入をさらに抑制することができる。そしてその結果、ウェハ搬送領域２０内の重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）にパーティクルが付着するのを抑制でき、特にすべての処理が終了した重合ウェハＴにパーティクルが付着するのを抑制できるので、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００６３】
なお、基板処理システム１の各装置（ウェハ搬送領域２０、加工装置３０、ＣＭＰ装置３１、洗浄装置１４１〜１４３、シャトル搬送装置３３、トランジション領域３５）の内部には、その上部に例えばＦＦＵ（Ｆａｎ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｕｎｉｔ）が設けられ、下部に排気部が設けられている。かかる構成により、各装置の内部には下降気流（ダウンフロー）が形成され、内部雰囲気が清浄化される。また、かかる構成により装置内の圧力を調整することで、上述した基板処理システム１内の圧力関係を実現できる。
【００６４】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図９は、第２の実施形態にかかる基板処理システム２００の構成の概略を模式的に示す平面図である。図１０は、第２の実施形態にかかる基板処理システム２００の構成の概略を模式的に示す側面図である。以下の説明においては、第１の実施形態と第２の実施形態の相違点を中心に説明し、両実施形態において同一構成を有するものには同一の符号を付す。
【００６５】
第２の実施形態の基板処理システム２００は、第１の実施形態の基板処理システム１の加工装置３０とウェハ搬送装置３４に代えて、それぞれ加工装置２１０とウェハ搬送装置２５０を有している。加工装置２１０は、加工装置３０を平面視において反時計回りに９０度回転させて配置されている。ウェハ搬送装置２５０は、トランジション領域３５に設けられ、且つ平面視において加工装置２１０とシャトル搬送装置３３との間に設けられており、すなわちＸ軸負方向から正方向に向けて加工装置２１０、ウェハ搬送装置２５０、及びシャトル搬送装置３３がこの順で配置されている。
【００６６】
加工装置２１０の内部には、加工装置３０と同様の回転テーブル１００、粗研削ユニット１１０、中研削ユニット１２０、及び仕上研削ユニット１３０に加え、さらに他の洗浄部としての洗浄ユニット２２０、アライメントユニット２３０、及び第３の搬送部としての搬送ユニット２４０を有している。これら洗浄ユニット２２０、アライメントユニット２３０、及び搬送ユニット２４０はそれぞれ、受渡位置Ａ０のＸ軸正方向側に配置されている。
【００６７】
洗浄ユニット２２０は、研削後の重合ウェハＴを洗浄するものであり、第１の実施形態の基板処理システム１において洗浄ブロック３２に設けていた第１の洗浄装置１４０と同様の構成を有している。なお、これに伴い、基板処理システム２００の洗浄ブロック３２には、第１の洗浄装置１４０が省略され、第２の洗浄装置１４１と第３の洗浄装置１４２のみが設けられる。
【００６８】
アライメントユニット２３０は、研削前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節するものである。
【００６９】
搬送ユニット２４０は、複数、例えば３つのアーム２４１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム２４１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム２４１には、重合ウェハＴを吸着保持する搬送パッド２４２が取り付けられている。また、基端のアーム２４１は、アーム２４１を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構２４３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット２４０は、受渡位置Ａ０、洗浄ユニット２２０、及びアライメントユニット２３０に対して、重合ウェハＴを搬送できる。
【００７０】
ウェハ搬送装置２５０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば１本の搬送アーム２５１を有している。搬送アーム２５１の先端には、２つのピック（図示せず）が設けられている。第１のピックは、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を真空引きして吸着保持（バキュームチャック）する搬送パッド（図示せず）を有している。第２のピックは、重合ウェハＴの端部を挟み込んで保持（エッジクランプ）する保持部材（図示せず）を有している。搬送アーム２５１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。そして、かかる構成を備えたウェハ搬送装置２５０は、加工装置２１０のアライメントユニット２３０、ＣＭＰ装置３１、シャトル搬送装置３３、及び第２の洗浄装置１４１に対して、重合ウェハＴを搬送できる。なお、搬送アーム２５１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。
【００７１】
なお、基板処理システム２００のその他の構成は、基板処理システム１の構成と同様である。
【００７２】
かかる場合、基板処理システム２００では、基板処理システム１で行われるステップＰ１〜Ｐ９と同様の処理が行われる。そして、本第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。
【００７３】
なお、上記実施形態の基板処理システム１、２００では、洗浄ブロック３２の上層に１つのシャトル搬送装置３３が積層されていたが、このシャトル搬送装置３３は複数層に積層されていてもよい。
【００７４】
また、上記実施形態の基板処理システム１、２００では、被処理ウェハＷの非加工面Ｗ２のデバイスを保護する保護材として、接着剤Ｇと支持ウェハＳを設けていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えば被処理ウェハＷの非加工面Ｗ２に、デバイスを保護するために保護テープを貼り付けてもよい。
【００７５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７６】
１      基板処理システム
２      搬入出ステーション
３      処理ステーション
３０    加工装置
３１    ＣＭＰ装置
３２    洗浄ブロック
３３    シャトル搬送装置
３４    ウェハ搬送装置
３５    トランジション領域
４０    制御部
１１０  粗研削ユニット
１２０  中研削ユニット
１３０  仕上研削ユニット
１４０  第１の洗浄装置
１４１  第２の洗浄装置
１４２  第３の洗浄装置
１５０  ウェハ保持部
１５１  搬送路ベース
１５２  搬送路
１５３  移動部
１５４  基台
１５５  ガイド
１５５ａ  テーパ部
１５５ｂ  段部
１６０  アライメントユニット
１６１  回転機構
１６２  検出部
２００  基板処理システム
２１０  加工装置
２２０  洗浄ユニット
２３０  アライメントユニット
２４０  搬送ユニット
２５０  ウェハ搬送装置
Ｇ      接着剤
Ｓ      支持ウェハ
Ｔ      重合ウェハ
Ｗ      被処理ウェハ
【図１】
2019151041.tif 000003
【図２】
2019151041.tif 000004
【図３】
2019151041.tif 000005
【図４】
2019151041.tif 000006
【図５】
2019151041.tif 000007
【図６】
2019151041.tif 000008
【図７】
2019151041.tif 000009
【図８】
2019151041.tif 000010
【図９】
2019151041.tif 000011
【図１０】
2019151041.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
処理ステーション３には、研削部（加工部）を備える加工装置３０、研磨部（加工部）を備えるＣＭＰ装置３１（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）、洗浄部としての洗浄ブロック３２、第１の搬送部としてのシャトル搬送装置３３、第２の搬送部としてのウェハ搬送装置３４、及びトランジション領域３５が設けられている。処理ステーション３において、Ｘ軸正方向側（搬入出ステーション２側）には、ＣＭＰ装置３１、洗浄ブロック３２及びシャトル搬送装置３３が配置されている。洗浄ブロック３２とシャトル搬送装置３３は、下層からこの順で積層して設けられている。ＣＭＰ装置３１は、積層された洗浄ブロック３２とシャトル搬送装置３３のＹ軸正方向側に設けられている。処理ステーション３において、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２と反対側）には、加工装置３０及びウェハ搬送装置３４が配置されている。ウェハ搬送装置３４は、トランジション領域３５に設けられ、すなわちＣＭＰ装置３１、洗浄ブロック３２及びシャトル搬送装置３３と、加工装置３０との間に設けられ、重合ウェハＴを受け渡す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図５に示すようにシャトル搬送装置３３にはさらに、研削前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節するアライメントユニット１６０が設けられていてもよい。かかる場合、例えば移動部１５３と基台１５４の間に、ウェハ保持部１５０を回転させる回転機構１６１が設けられる。また、アライメントユニット１６０は、移動部１５３に設けられ、重合ウェハＴのノッチ部を検出する検出部１６２を有する。そして、アライメントユニット１６０は、回転機構１６１によって重合ウェハＴを回転させながら、検出部１６２で重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。アライメントユニット１６０は、ウェハ保持部１５０に保持されて搬送中の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節してもよい。かかる場合には、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019151041.tif 000013
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2019151041.tif 000014
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2019151041.tif 000015
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2019151041.tif 000016
【国際調査報告】
2019151041.tif 000017
2019151041.tif 000018
2019151041.tif 000019