(57)【要約】配線基板には、絶縁基板の隣接する２面で構成される角部を亘って連続した配線が位置している。角部に位置する縁部に配置された部位の配線の厚みが、縁部から離れた部位の配線の厚みより大きい。配線の厚みは、縁部から離れた部位から縁部に配置された部位に向かって漸増している。配線は側端面上に対して、電子素子が搭載実装される主面上において厚みが大きく、また勾配が緩やかである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の隣接する２面で構成される角部を亘って連続した配線が位置した電子素子搭載用の配線基板であって、前記２面のうち少なくともいずれか１面において、前記角部に位置する縁部に配置された部位の前記配線の厚みが、前記縁部から離れた部位の前記配線の厚みより大きい配線基板。
【請求項２】
前記配線の厚みは、前記縁部から離れた部位から前記縁部に配置された部位に向かって漸増している請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記２面のそれぞれにおいて、前記角部に位置する縁部に配置された部位の前記配線の厚みが、前記縁部から離れた部位の前記配線の厚みより大きい請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記２面のうち一方が素子搭載部を有する主面とされ、他方が側端面とされた請求項１から請求項３のうちいずれか一に記載の配線基板。
【請求項５】
前記主面上における前記配線の厚みは、前記縁部から離れた部位から前記縁部に配置された部位に向かって漸増し、
前記側端面上における前記配線の厚みは、前記縁部から離れた部位から前記縁部に配置された部位に向かって漸増している請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記漸増の勾配は、前記主面上が前記側端面上に対して緩やかである請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記主面上における前記配線が、前記側端面上における前記配線に対して厚みが大きい請求項４から請求項６のうちいずれか一に記載の配線基板。
【請求項８】
前記絶縁基板は、前記角部に凹状の欠け部が位置し、前記配線は、前記欠け部に位置している請求項１から請求項７のうちいずれか一に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子などを搭載するための配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子などを搭載するための配線基板（サブマウント）が利用され、各種製造方法が提案されている。
このような素子搭載用配線基板としては、素子が搭載される主面から側端面に亘る連続した配線が形成されたものがある（特開２００１−１０２７２２号等）。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示の第一の態様は、絶縁基板の隣接する２面で構成される角部を亘って連続した配線が位置した電子素子搭載用の配線基板であって、前記２面のうち少なくともいずれか１面において、前記角部に位置する縁部に配置された部位の前記配線の厚みが、前記縁部から離れた部位の前記配線の厚みより大きい配線基板である。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】本開示の一実施形態に係る配線基板を模式的に示す斜視図である。
【図２】本開示の一実施形態に係る配線基板を模式的に示す断面図である。
【図３】図２のＡ部の詳細を模式的に示す図である。
【図４】試作品の断面画像を示す。
【図５Ａ】本開示の一実施形態に係る配線基板を製造する一例の方法を説明するための工程図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く工程図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程図である。
【図７Ａ】図６Ｃに続く工程図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程図である。
【図８】傾斜露光方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。
【０００６】
図１に本開示の一実施形態の配線基板１を示す。図１に示すように配線基板１は、絶縁基板１０上に導電性材料からなる配線２０が位置したものである。絶縁基板１０の主面１１と側端面１２とが、隣接する２面となっている。絶縁基板１０には、この隣接する２面である主面１１と側端面１２とで角部１３が構成される。
配線２０は、主面１１上における配線２１と、側端面１２上における配線２２とからなり、角部１３を亘って連続している。配線基板１は電子素子搭載用であり、主面１１上においては配線２１により所定形状の素子接続用のパターンが形成され、素子搭載部が設けられる。但し、図１には単純化したパターンを示す。側端面１２上の配線２２は、ワイバーボンディング領域などの配線接続部に利用される。
【０００７】
図２及び図３に示すように角部１３に位置する縁部に配置された部位の配線２１の厚みをｔ１１とし、その縁部から主面１１内側に離れた部位の配線２１の厚みをｔ１２とする。同様に図２及び図３に示すように角部１３に位置する縁部に配置された部位の配線２２の厚みをｔ２１とし、その縁部から側端面１２内側に離れた部位の配線２２の厚みをｔ２２とする。
ｔ１１＞ｔ１２であり、厚みｔ１２より厚みｔ１１が大きくなっている。
また、配線２１の厚みは、縁部から離れた部位から縁部に配置された部位に向かって漸増している。
より内側の部位の厚みｔ１２より、角部１３に位置する縁部での厚みｔ１１が大きくなることによって、配線２０の角部１３を亘る部位における接続断面積が大きくなるので、同部位の接続信頼性が向上する。
また、厚みｔ１１と厚みｔ１２とに差があっても、配線２１の厚みが角部１３に向かって次第に大きくなることによって、配線断面積の急変部を無くし接続信頼性を向上することができる。
【０００８】
角部１３における配線２０の接続信頼性向上の効果は、主面１１側のみで配線の厚みを上記のように変化させても効果はある。また、側端面１２側で配線の厚みを上記のように変化させても効果はある。いずれにしても配線２０の角部１３を亘る部位における接続断面積が大きくなるからである。本実施形態では、より効果を高めるために側端面１２側も含めて２面１１，１２のそれぞれにおいて同様に配線厚を変化させている。
すなわち、ｔ２１＞ｔ２２であり、厚みｔ２２より厚みｔ２１が大きくなっている。
また、配線２２の厚みは、縁部から離れた部位から縁部に配置された部位に向かって漸増している。
【０００９】
主面１１上の配線２１と、側端面１２上の配線２２との関係では以下の通りである。
主面１１上における配線２１が、側端面１２上における配線２２に対して大きく形成されている。これは全体的にであって、角部１３からの等距離の部位で比較して、配線２１の厚みが配線２２の厚みより必ず大きい。
また、配線２１，２２の厚みの角部１３に向かった漸増の勾配は、主面１１上の配線２１が側端面１２上の配線２２に対して緩やかである。
これにより、側端面１２より広面積にされる主面１１上における配線２１の厚みを確保し、配線２０の接続信頼性を向上することができる。
また、電子素子が搭載実装される配線２１の厚みが大きいことによって、電子素子のボンディング時の金属拡散が抑制される。
さらに、電子素子が搭載実装される配線２１が勾配が緩やかであることによって、電子素子の搭載部の水平度を出せる効果がある。
【００１０】
また、図３に示すように絶縁基板１０は角部１３に凹状の欠け部１４が位置している。そして図３に示すように配線２０は、欠け部１４にも位置している。配線２０が欠け部１４に位置することによるアンカー作用によって、角部１３における配線２０の絶縁基板１０に対する密着度、接合強度が向上し、配線２０の絶縁基板１０からの剥離が抑制できる。その結果、角部１３を亘る部位における配線２０の接続信頼性が向上する。
なお、試作品の断面画像を図４に示す。
図４に示すように側端面１２の表面粗さは、主面１１より粗くなっており、主面１１上の配線２１より薄い配線２２の側端面１２への接合強度を高めている。逆に、主面１１は、表面粗さが側端面１２より細かく精度の良い平滑面に位置し、素子実装性能が高められている。
【００１１】
次に、以上説明した構造の配線基板１を得るための製造方法につき説明する。
まず、配線基板１に使用する絶縁基板１０を複数個分の含んだ母基板に対して処理する。絶縁基板１０における主面１１となる面に相当する母基板の主面を研磨してから、母基板をダイシングして図５Ａに示すような１個分の絶縁基板１０を得る。絶縁基板１０の主面１１は、母基板において研磨した面とし、絶縁基板１０の側端面１２は、母基板をダイシングして現れた面とする。これにより、上述したような表面精度の高い主面１１と、粗い側端面１２を得る。また、ダイシング時のチッピングにより上述の欠け部１４を得る。
【００１２】
次に図５Ｂに示すように絶縁基板１０の主面１１及び側端面１２に下地層としてＣｕ薄膜３１を形成する。
次に図５Ｃに示すようにＣｕ薄膜３１上にレジスト膜３２を形成する。
次にレジスト膜３２を露光、現像して図６Ａに示すようにレジストマスク３３を形成する。その露光にあたっては、図８に示すような傾斜露光方法を適用する。図８に示すように、フォトマスク３４、主面１１及び側端面１２を露光平行光３５に対して傾斜した角度に配置する。その角度は図示するように露光平行光３５に対する垂直面に対しての主面１１の角度をθとして、θを２０度から３０度とすることが適当である。このように主面１１が側端面１２より、露光平行光３５が鉛直に近い角度で当たるようにする。フォトマスク３４は主面１１に正対させる。したがって、側端面１２は、フォトマスク３４に対して略直角に配置される。そのため、側端面１２上において角部１３から離れるに従ってフォトマスク３４から離れる。主面１１上においてはその関係は無い。
この露光方法を適用することにより、主面１１において比較的大きく、主面１１及び側端面１２のそれぞれにおいて角部１３に向かって厚みが漸増する配線２０を結果的に得る。なお、側端面１２上において角部１３から離れるに従ってフォトマスク３４から離れるため、図１に示したように、側端面１２上の配線２２は、角部１３から離れるほど次第に幅が広く形成される。
【００１３】
次に図６Ｂに示すようにレジストマスク３３をマスクとしてＣｕメッキを施し、レジストマスク３３から露出するＣｕ薄膜３１上にＣｕ層３６を形成する。
次に図６Ｃに示すようにレジストマスク３３を除去する。
次に図７Ａに示すようにエッチングによりＣｕ層３６以外の部分の絶縁基板１０を露出させる。
次に図７Ｂに示すようにＣｕ層３６を鋳型として使用し、配線材料となる貴金属膜３７を成膜する。
次に図７Ｃに示すようにＣｕ層３６を除去して絶縁基板１０を露出させ、角部１３を亘る配線２０を含む所望の配線パターン（３７）を得る。なお、配線２０および配線パターン（３７）は、例えば多層膜であり、絶縁基板１０側からＴｉ膜−Ｐｔ膜、Ｔｉ膜−Ｐｔ膜−Ａｕ膜、Ｔｉ膜−Ｐｄ膜、Ｔｉ膜−Ｐｄ膜−Ａｕ膜等が設けられたものが挙げられる。
【００１４】
以上説明したように本実施形態の配線基板１によれば、基板の角部１３を亘り連続した配線２０の、当該角部１３を亘る部位における接続信頼性を向上することができる。
なお、上掲した製造方法は、本開示の配線基板を得るための一例に過ぎず、本開示の配線基板を得るために、どのような製造方法を適用してもよいことは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００１５】
本開示は、配線基板に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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