(57)【要約】  高周波受動部品は、誘電体によって形成された基板と、前記基板に接する導体層と、前記基板上に形成された誘電体層と、を備える。前記導体層の端部が、前記誘電体層の表面上に配置されている。
2020004345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体によって形成された基板と、
前記基板に接する導体層と、
前記基板上に形成された誘電体層と、を備え、
前記導体層の端部が、前記誘電体層の表面上に配置されている、高周波受動部品。
【請求項２】
前記基板が貫通孔を有し、
前記導体層が前記貫通孔内に配置された貫通電極を有する、請求項１に記載の高周波受動部品。
【請求項３】
前記導体層が、前記誘電体層の上面に位置するパッドを有する、請求項１又は２に記載の高周波受動部品。
【請求項４】
前記導体層の少なくとも一部を封止する、樹脂により形成された封止層をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波受動部品。
【請求項５】
前記基板の両面に形成された広壁及び前記広壁同士を接続する貫通電極により導波領域を囲むように構成される導波路構造を有している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波受動部品。
【請求項６】
少なくとも前記広壁のいずれか一方には第２の誘電体層が積層され、前記第２の誘電体層には第２の導体層が積層されている、請求項５に記載の高周波受動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波受動部品に関する。
本願は、２０１８年６月２８日に日本に出願された特願２０１８−１２３２１７号、２０１８年１２月５日に日本に出願された特願２０１８−２２８４５７号、および２０１９年６月７日に日本に出願された特願２０１９−１０７０３６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ミリ波帯を利用した数Ｇ［ｂｐｓ］の高速大容量通信が提案され、その一部が実現されつつある。小型で安価なミリ波通信モジュールを実現する形態として、例えば、特許文献１には、ポスト壁導波路（Ｐｏｓｔ−ｗａｌｌ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）を利用したモード変換器が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本国特開２０１４−１５８２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電磁界を閉じ込める導波路部分等を設けた配線基板において、外部接続等を行う配線を基板の直上に設けると、使用環境によっては配線層が基板から剥離することがあった。特に、配線層に対する密着性よりも、高周波特性に優れた材質を、優先的に基板として選択する場合に、この課題は顕著になる。【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、配線等の導体層が基板から剥離することを抑制することが可能な高周波受動部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明の一態様に係る高周波受動部品は、誘電体によって形成された基板と、前記基板に接する導体層と、前記基板上に形成された誘電体層とを備え、前記導体層の端部が、前記誘電体層の表面上に配置されている。【０００７】
上記態様の高周波受動部品において、前記基板が貫通孔を有し、前記導体層が前記貫通孔内に配置された貫通電極を有してもよい。【０００８】
また、前記導体層が、前記誘電体層の上面に位置するパッドを有してもよい。【０００９】
また、前記高周波受動部品は、前記導体層の少なくとも一部を封止する、樹脂により形成された封止層をさらに備えていてもよい。【００１０】
また、上記態様の高周波受動部品は、前記基板の両面に形成された広壁及び前記広壁同士を接続する貫通電極により導波領域を囲むように構成される導波路構造を有していてもよい。【００１１】
また、少なくとも前記広壁のいずれか一方には第２の誘電体層が積層され、前記第２の誘電体層には第２の導体層が積層されていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の上記態様に係る高周波受動部品によれば、誘電体層と導体層との配置を工夫することにより、基板から導体層が剥離することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図２】第２実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図３】第３実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図４】第４実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図５】第５実施形態の高周波受動部品を示す斜視図である。
【図６】第６実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図７】第７実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図８】第８実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図９】第９実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図１０】第１０実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図１１】第１１実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図１２】第１２実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【図１３】第１３実施形態の高周波受動部品を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１に、第１実施形態の高周波受動部品１Ａの断面構造を示す。高周波受動部品１Ａは、基板１０と、導体層１１と、誘電体層１２と、を備えている。導体層１１および誘電体層１２は、基板１０の上面に形成されている。
本明細書では、基板１０の厚さ方向に沿う断面を、単に「断面」という。また、基板１０の第１の面を上面といい、第２の面を下面という。
【００１６】
基板１０は、誘電体によって形成されている。基板１０は、ガラス基板、サファイア基板、石英基板等の誘電体基板、単結晶基板、複合基板等であってもよい。基板１０としては、誘電正接が小さい等、高周波特性の優れた材料が好ましい。導体層１１としては、基板１０の表面に接して形成された配線等を含むことができる。配線等は、受動部品として、高周波信号の伝送等に用いることができる。導体層１１は、例えば金属などの導電体の薄膜から構成することができる。
【００１７】
導体層１１は、複数の端部１１ａを有している。導体層１１は、誘電体層１２の上面、誘電体層１２の側面、および基板１０の上面にわたって形成されている。誘電体層１２の上面は基板１０の上面と略平行な面である。誘電体層１２の側面は、基板１０の上面と交差する方向に延びる面である。
【００１８】
基板１０上において、導体層１１の端部１１ａ付近には、誘電体層１２が形成されている。本実施形態では、誘電体層１２が、基板１０の厚さ方向において、導体層１１と基板１０との間に挟まれている。また、誘電体層１２の表面上に導体層１１の端部１１ａが配置されている。誘電体層１２を構成する材料としては、例えば樹脂が挙げられる。
【００１９】
本実施形態によれば、導体層１１と誘電体層１２との配置を工夫することにより、基板１０から導体層１１が剥離することを抑制することができる。この理由については、特に本発明を限定するものではないが、例えば次のような仮説が考えられる。使用環境によっては導体層１１が基板１０から剥離する場合がある。例えば、低温から高温への温度上昇や、高温から低温への温度降下が甚だしいと、導体層１１を構成する材料と、基板１０を構成する材料との熱膨張率の違いから、層間に応力が生じるおそれがある。また、導体層１１の剥離は、導体層１１の端部１１ａを起点として生じやすい。
【００２０】
そこで本実施形態では、基板１０上に誘電体層１２を設け、導体層１１の端部１１ａを誘電体層１２の表面上に配置している。この構成により、導体層１１の端部１１ａが基板１０に接することなく、誘電体層１２を介して応力が緩和される。このため、導体層１１の端部１１ａの基板１０からの剥離が抑制できると考えられる。
【００２１】
図１では、基板１０のうち片面のみに導体層１１及び誘電体層１２が形成されているが、基板１０の両面に導体層１１及び誘電体層１２が形成されてもよい。導体層１１は、少なくとも一部において基板１０の直上、すなわち基板１０の面に接する位置に配置され、端部１１ａにおいて、誘電体層１２の表面上に配置されている。導体層１１の端部１１ａが誘電体層１２の表面上に配置され、それ以外の部分の導体層１１が基板１０に接していてもよい。導体層１１が、誘電体層１２の上面に配置された外部接続用等のパッドを有してもよい。パッドは、配線よりも幅が広い導体パターンで構成することができる。パッドの平面形状は特に限定されず、例えば四角形等の多角形、円形等が挙げられる。
【００２２】
導体層１１の端部１１ａとしては、配線等における長手方向の端部、パッド等の端部、広壁の隅部等が挙げられる。導体層１１の端部１１ａと誘電体層１２との接触面は、基板１０の面方向に対して平行でも垂直でも傾斜してもよい。
【００２３】
第１実施形態の高周波受動部品１Ａの製造方法は、例えば基板１０を準備する工程と、基板１０上に所定のパターンにより誘電体層１２を形成する工程と、誘電体層１２を有する基板１０の面上に、所定のパターンにより導体層１１を構成する工程と、を有してもよい。ただし、高周波受動部品１Ａの製造方法は上記に限定されず、適宜変更可能である。
【００２４】
基板１０を準備する工程において、例えばウエハ状をした大面積の基板１０を準備してもよい。
誘電体層１２の所定のパターンを形成する方法としては、例えばレジストを用いたフォトリソグラフィーが挙げられる。あるいは、マスクを介して所定の材料を基板１０上に積層するマスク蒸着等を用いてもよい。大面積の基板１０を用いて受動部品を作製した場合、受動部品ごとに基板１０を切断する個片化工程を有してもよい。
【００２５】
レジストとしては、例えば、液状ネガレジスト、フィルム状ネガレジスト、液状ポジレジスト、フィルム状ポジレジストが挙げられる。レジストの形成方法としては、例えば、所定のパターンが露光されるようにマスク等を介してレジストにエネルギー線を照射して、露光した部分と露光していない部分とに化学的な差異を生じさせる。その後、露光した部分又は露光していない部分のいずれか一方を選択的に溶媒等で除去する。ネガ型の場合は露光していない部分が溶解除去され、ポジ型の場合は露光した部分が溶解除去される。エネルギー線としては、可視光線、紫外線、Ｘ線等の電磁波、電子線等の粒子線が挙げられる。
【００２６】
レジストを用いて、パターン状の誘電体層１２を形成する方法としては、例えば以下の（１）または（２）が挙げられる。
（１）基板１０上にレジストを形成し、その上に、誘電体層１２として特定の材料層を形成する。その後、レジスト上に積層された材料層をレジストと一緒に除去して、レジストのない領域に材料層を残す（リフトオフ）。
（２）基板１０上に、全面的に特定の材料層を形成し、その上にレジストを形成する。その後、レジストに覆われていない領域の材料層をエッチング等で除去し、さらに必要に応じて不要なレジストを除去する。エッチング法としては、適宜、ドライエッチング、ウェットエッチング等の各種から選択することができる。
【００２７】
導体層１１を形成する方法としては、蒸着、スパッタ、無電解メッキ、電解メッキ、導体ペースト等が挙げられる。２種以上の導体材料又は成膜方法を併用してもよく、２種以上の導体を積層して導体層１１を構成してもよい。例えば、ガラスの表面に薄いシード層を形成した後、シード層の上に所望の厚みのメッキ層を積層してもよい。
【００２８】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００２９】
図２に、第２実施形態の高周波受動部品１Ｂの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｂでは、基板１０の両面（上面および下面）に、導体層１１および誘電体層１２が設けられている。基板１０が貫通孔１３ａを有し、導体層１１が貫通孔１３ａ内に配置された貫通電極１３を有する。貫通電極１３は、貫通孔１３ａ内で中空に構成されてもよく、貫通孔１３ａ内を中実に充填してもよい。貫通電極１３は、導波路、フィルタ、ダイプレクサ、方向性結合器、分配器等の受動部品（パッシブデバイス）を構成してもよい。
【００３０】
例えば、基板１０を構成する誘電体が、両面の導体層１１（２つの広壁１１ｃ）と貫通電極１３とで囲まれる領域を有する場合は、導波管と同様な導波路構造を構成することができる。この導波路構造は、例えばミリ波等の高周波信号（電磁波）が伝搬される高周波デバイスとして利用することができる。周波数は特に限定されないが、例えば３０〜３００ＧＨｚ、６０〜８０ＧＨｚ等が挙げられる。また、上述したように、導体層１１が誘電体層１２の上面に位置する外部接続用等のパッドを有してもよい。
【００３１】
第２実施形態では、誘電体層１２は、基板１０上における貫通孔１３ａから離れた位置に形成されている。上側の導体層１１は、誘電体層１２の上面および側面と、誘電体層１２と貫通孔１３ａとの間の基板１０の上面と、貫通孔１３ａの内面と、にわたって形成されている。下側の導体層１１は、誘電体層１２の下面および側面と、誘電体層１２と貫通孔１３ａとの間の基板１０の下面と、貫通孔１３ａの内面と、にわたって形成されている。上側の導体層１１と下側の導体層１１とは、貫通孔１３ａの内部において接続されている。上側の導体層１１および下側の導体層１１のいずれについても、端部１１ａは、誘電体層１２の表面上に配置されている。これにより、第１実施形態と同様に、基板１０から導体層１１が剥離することを抑制することができる。
【００３２】
基板１０に貫通孔１３ａを形成する方法としては、ドリル等の穿孔機械、レーザ、エッチング等が挙げられる。例えば、レーザの集光照射により、ガラス等の基板１０の材料を局所的に改質した後、改質により溶解性が高くなった部分をウェットエッチングで選択的に除去する方法を用いてもよい。
【００３３】
貫通孔１３ａに貫通電極１３を形成する方法としては、蒸着、スパッタ、無電解メッキ、電解メッキ、導体ペースト等が挙げられる。２種以上の導体材料又は成膜方法を併用してもよく、２種以上の導体を積層して貫通電極１３を構成してもよい。例えば、ガラスの表面に薄いシード層を形成した後、シード層の上に所望の厚みのメッキ層を積層してもよい。貫通電極１３を形成するために、貫通孔１３ａの周囲の基板１０上に、上述のレジストを設けてもよい。
【００３４】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態について説明するが、第２実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００３５】
図３に、第３実施形態の高周波受動部品１Ｃの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｃでは、高周波受動部品１Ｂ（図２）の構成に加えて、導体層１１の上に、樹脂等からなる封止層１４が積層されている。封止層１４は、導体層１１の少なくとも一部を封止している。封止層１４は、例えば外部接続のための開口１４ａを有してもよい。開口１４ａにより露出した導体層１１は、外部接続用等のパッド１１ｂを有してもよい。封止層１４は、例えばオーバーコートにより構成することができる。開口１４ａは、例えばフォトリソグラフィー等のパターニングにより形成することができる。図３では、基板１０の両面に封止層１４が形成されているが、基板１０の片面のみに封止層１４が形成されてもよい。
【００３６】
（第４実施形態）
次に、本発明に係る第４実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００３７】
図４に、第４実施形態の高周波受動部品１Ｄの断面構造を示す。第１実施形態の高周波受動部品１Ａでは、図１に示すように、導体層１１の端部１１ａが、誘電体層１２の上面に配置されていた。一方、第４実施形態の高周波受動部品１Ｄでは、図４に示すように、誘電体層１２の側面に配置されている。誘電体層１２の側面は、基板１０の厚さ方向に沿って延びている。
【００３８】
高周波受動部品１Ｄでも、導体層１１の端部１１ａが、誘電体層１２の表面上に配置されている。このため、第１実施形態と同様に、基板１０から導体層１１が剥離することを抑制することができる。導体層１１の端部１１ａが位置する高さは、誘電体層１２の上面より低くてもよく、誘電体層１２の上面と同等でもよい。
【００３９】
（第５実施形態）
次に、本発明に係る第５実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００４０】
図５に、第５実施形態１Ｅの高周波受動部品の断面構造を含む斜視図を示す。高周波受動部品１Ｅでは、導体層１１の外周部における端部１１ａが、誘電体層１２の上面に配置されている。例えば、導体層１１を構成する配線の幅方向においても、端部１１ａを、誘電体層１２の上面に配置することができる。
【００４１】
（第６実施形態）
次に、本発明に係る第６実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００４２】
図６に、第６実施形態の高周波受動部品１Ｆの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｆでは、第２実施形態において言及した導波路構造と同様の導波路構造２１が基板１０に形成されている。基板１０としては、例えば、ガラス基板、サファイア基板、石英基板等の誘電体基板、単結晶基板、複合基板等が挙げられる。導波路構造２１は、少なくとも、基板１０の両面に形成される導体層１１からなる２つの広壁１１ｃ及び複数の貫通電極１３を備える。各貫通電極１３は、２つの広壁１１ｃ同士を接続している。導波路構造２１の外側の領域２２は、基板１０において導波領域２０を除いた外側の領域である。
【００４３】
上側の導体層１１および下側の導体層１１の少なくとも一方には、誘電体層１５が積層されている。誘電体層１５上には上部導体層１６が設けられてもよい。誘電体層１５は、誘電体層１２とは異なる位置に設けられる第２の誘電体層である。上部導体層１６は、導体層１１とは異なる位置に設けられる第２の導体層である。高周波受動部品１Ｆにおいては、導体層１１の外周部における端部１１ａが誘電体層１２に接していればよい。図６に示す例では、導体層１１の端部１１ａは、誘電体層１２の上面に配置されている。上部導体層１６は、基板１０に接していない。図６に示す例では、誘電体層１５及び上部導体層１６が導波路構造２１の範囲内で形成されている。ただし、特にこれに限定されるものではなく、誘電体層１５及び上部導体層１６が導波路構造２１の外側の領域２２まで形成されてもよい。
【００４４】
（第７実施形態）
次に、本発明に係る第７実施形態について説明するが、第６実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００４５】
図７に、第７実施形態の高周波受動部品１Ｇの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｇでは、高周波受動部品１Ｆ（図６）の構成に加えて、導波領域２０における導体層１１に開口２３が形成されている。これにより、開口２３を通して導波領域２０のモードと外部のモードとを変換することができる。開口２３の位置は、導体層１１に誘電体層１５が積層される部分でもよく、それ以外の位置でもよい。
【００４６】
第７実施形態では、導体層１１の端部１１ａが導波路構造２１の外側の領域２２における外周部及び開口２３の周囲に位置している。いずれの端部１１ａも、誘電体層１２の表面上に配置されている。第７実施形態においても、第１実施形態で説明したのと同様に、導体層１１の端部１１ａを誘電体層１２の表面上に配置することで、導体層１１の端部１１ａが基板１０に接しなくなる。そして、誘電体層１２が応力緩和層として機能し、導体層１１の端部１１ａの剥離が抑制できる。
【００４７】
（第８実施形態）
次に、本発明に係る第８実施形態について説明するが、第７実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００４８】
図８に、第８実施形態の高周波受動部品１Ｈの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｈでは、高周波受動部品１Ｇ（図７）の構成に加えて、導体層１１と上部導体層１６との間を接続するようにビア１７が設けられている。ビア１７は、誘電体層１５を貫通する導体である。ビア１７により、導体層１１と上部導体層１６との間を電気的に接続することができる。ビア１７の形状、個数、位置等は特に限定されず、ビア１７の個数は必要に応じて１つでも２つ以上でもよい。上部導体層１６が２つ以上に分離された導体パターンを有する場合は、導体パターンごとに１つ以上のビア１７を設けてもよい。上部導体層１６が導体層１１との接続を要しない導体パターン（例えばダミーパターン）を有する場合は、その導体パターンに対するビア１７を省略してもよい。
【００４９】
（第９実施形態）
次に、本発明に係る第９実施形態について説明するが、第８実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００５０】
図９に、第９実施形態の高周波受動部品１Ｉの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｉでは、高周波受動部品１Ｈ（図８）の構成に加えて、モード変換部１８を有している。モード変換部１８は、導波領域２０における基板１０を貫通しない導体（ブラインドビア）を含んでいる。モード変換部１８は、ビア１７を介して上部導体層１６と電気的に接続される。これにより、上部導体層１６に電気信号の伝送路を設けた場合に、上部導体層１６の伝送路と導波路構造２１の導波領域２０との間で、信号を伝搬させることができる。
【００５１】
例えば、上部導体層１６から伝搬した信号を、モード変換部１８を介して導波路構造２１の導波領域２０に伝搬させることができる。また、導波路構造２１の導波領域２０を伝搬した信号を、モード変換部１８を介して上部導体層１６の伝送路に伝搬させることができる。モード変換部１８と上部導体層１６とを接続するビア１７は、略円筒状であってもよいし、略円柱状であってもよい。ビア１７を介してモード変換部１８と接続される上部導体層１６と、ビア１７を介して導体層１１と接続される上部導体層１６とは、互いに分離された導体パターンであってもよい。
【００５２】
モード変換部１８を構成する導体層が基板１０の面に沿って延在する部分の端部１８ａは、開口２３における基板１０の上に形成された誘電体層１２に配置されている。これにより、モード変換部１８を構成する導体層が基板１０から剥離することを抑制することができる。モード変換部１８を構成する導体層の平面形状は、例えば円形状が挙げられる。モード変換部１８を構成する導体層の端部１８ａが配置された誘電体層１２と導体層１１の端部１１ａが配置された誘電体層１２との間の開口２３の平面形状は、例えば円環状であってもよい。
【００５３】
（第１０実施形態）
次に、本発明に係る第１０実施形態について説明するが、第７実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００５４】
図１０に、第１０実施形態の高周波受動部品１Ｊの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｊでは、高周波受動部品１Ｇ（図７）と異なり、導波路構造２１の外側の領域２２における導体層１１の外周部１１ｅが基板１０に接するように配置されている。この外周部１１ｅが上部導体層１６に覆われている。上部導体層１６が、広壁１１ｃを構成する導体層１１の外周部１１ｅを覆っているため、導体層１１の外周部１１ｅの剥離も抑制できる。
【００５５】
導波路構造２１の外側の領域２２における上部導体層１６の外周部の端部１６ａは、導体層１１の外側に形成された誘電体層１５に設けられている。図１０に示す例では、上部導体層１６は、導体層１１の外側に形成された誘電体層１５と、導体層１１の外側に形成された誘電体層１５及び導体層１１の間の基板１０上と、導体層１１と、導体層１１上に形成された誘電体層１５と、にわたって形成されている。
【００５６】
導波路構造２１の外側の領域２２における上部導体層１６の端部１６ａを導体層１１の外側に形成された誘電体層１５の表面上に配置することで、端部１６ａが基板１０に接しなくなる。そして、導体層１１の外側に形成された誘電体層１５が応力緩和層として機能し、導波路構造２１の外側の領域２２における上部導体層１６の端部１６ａの剥離を抑制できる。
【００５７】
（第１１実施形態）
次に、本発明に係る第１１実施形態について説明するが、第７実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００５８】
図１１に、第１１実施形態の高周波受動部品１Ｋの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｋでは、高周波受動部品１Ｇ（図７）の構成に加えて、樹脂等からなる封止層１９が積層されている。封止層１９は、例えば外部接続のための開口１９ａを有してもよい。図１１に示す例では、封止層１９の開口１９ａが上部導体層１６の一部に通じている。開口１９ａを通じて露出した上部導体層１６は、外部接続用のパッドであってもよい。
【００５９】
特に図示しないが、導波路構造２１の外側の領域２２において導体層１１の一部に通じる開口を封止層１９に設けてもよく、その開口を通じて露出する導体層１１が、外部接続用のパッドであってもよい。第１１実施形態の封止層１９及び開口１９ａは、第３実施形態の封止層１４及び開口１４ａと同様の方法で形成することができる。
【００６０】
（第１２実施形態）
次に、本発明に係る第１２実施形態について説明するが、第６実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００６１】
図１２に、第１２実施形態の高周波受動部品１Ｌの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｌでは、高周波受動部品１Ｆ（図６）の構成に加えて、導波領域２０における導体層１１に開口２３が形成されている。これにより、開口２３を通して導波領域２０のモードと外部のモードとを変換することができる。また、高周波受動部品１Ｌでは、基板１０の両面に導体層１１及び誘電体層１２が形成され、導体層１１の端部１１ａが誘電体層１２に配置されている。
【００６２】
高周波受動部品１Ｌにおいても、第１実施形態で説明したのと同様に、導体層１１の端部１１ａを誘電体層１２の表面上に配置することで、導体層１１の端部１１ａが基板１０に接しなくなる。そして、誘電体層１２が応力緩和層として機能し、導体層１１の端部１１ａの剥離が抑制できる。また、基板１０の両面の導体層１１が貫通電極１３を通じて接続されている場合に、各導体層１１の端部１１ａを誘電体層１２に配置することで、基板１０の反りを低減するとともに、導体層１１の端部１１ａの剥離を抑制する効果を高めることができる。
【００６３】
（第１３実施形態）
次に、本発明に係る第１３実施形態について説明するが、第１２実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００６４】
図１３に、第１３実施形態の高周波受動部品１Ｍの断面構造を示す。高周波受動部品１Ｍでは、高周波受動部品１Ｌ（図１２）の構成に加えて、樹脂等からなる封止層１９が、基板１０の両面に積層されている。封止層１９は、１つまたは複数の開口１９ａを有している。封止層１９の開口１９ａは、導体層１１の一部に通じる位置と、上部導体層１６の一部に通じる位置とのいずれにも設けることができる。開口１９ａにより露出した導体層１１は、外部接続用等のパッド１１ｂを有してもよい。
【００６５】
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。改変としては、各実施形態における構成要素の追加、置換、省略、その他の変更が挙げられる。また、２以上の実施形態に用いられた構成要素を適宜組み合わせることも可能である。つまり、高周波受動部品１Ａ〜１Ｍの構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００６６】
導体層１１及び貫通電極１３から構成される導波路構造２１として、例えばポスト壁導波路が挙げられる。ポスト壁導波路を構成する基板１０の両面には、例えばグランド電位に接続された広壁１１ｃが設けられてもよい。
【００６７】
また、多数の貫通電極１３を並べることで、導波路構造２１を囲む壁部を構成することができる。貫通電極１３から構成される壁部としては、導波路構造２１の幅方向に対向する狭壁、長手方向の端部に設けられるショート壁、その他の側壁等が挙げられる。壁部を構成する貫通電極１３の形状は、円柱形状等の導体柱（ポスト）に限定されず、例えば、壁部に沿って連続した形状、隅部に沿って連続した形状等を採用することもできる。また、貫通電極１３の配列も、受動部品の機能等に応じて種々の構成が可能である。例えば、貫通電極１３が等間隔に配置された部分、貫通電極１３の間隔が不均等の部分、貫通電極１３が所定の区間に渡り配置されていない部分等を設けてもよい。
【００６８】
上述の実施形態に係る高周波受動部品１Ａ〜１Ｍにおいては、同一の基板１０に複数の部品が構成されてもよい。基板１０に構成される他の部品は、高周波用の受動部品に限らず、他の受動部品や能動部品等を含んでもよい。部品をモジュール化することにより、高周波モジュールを構成することもできる。本実施形態の高周波モジュールは、例えば、上述の高周波受動部品を備えるモジュールである。モジュールには、機能に必要な種々の部品を組み込むことができる。
【符号の説明】
【００６９】
１Ａ〜１Ｍ…高周波受動部品、１０…基板、１１…導体層、１１ａ…導体層の端部、１１ｂ…パッド、１１ｃ…広壁、１２…誘電体層、１３…貫通電極、１３ａ…貫通孔、１４，１９…封止層、１５…第２の誘電体層、１６…上部導体層（第２の導体層）、２０…導波領域、２１…導波路構造
【図１】
2020004345.tif 000003
【図２】
2020004345.tif 000004
【図３】
2020004345.tif 000005
【図４】
2020004345.tif 000006
【図５】
2020004345.tif 000007
【図６】
2020004345.tif 000008
【図７】
2020004345.tif 000009
【図８】
2020004345.tif 000010
【図９】
2020004345.tif 000011
【図１０】
2020004345.tif 000012
【図１１】
2020004345.tif 000013
【図１２】
2020004345.tif 000014
【図１３】
2020004345.tif 000015
【国際調査報告】
2020004345.tif 000016
2020004345.tif 000017
2020004345.tif 000018
2020004345.tif 000019