(57)【要約】  磁気記録テープの寸法変化を抑制又は防止することを目的とする  本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下である、磁気記録テープを提供する。また、本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物からなる補強層が設けられており、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が７０以下である磁気記録テープも提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、
前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下である、
磁気記録テープ。
【請求項２】
前記補強層の厚みが５００ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項３】
前記補強層のヤング率が７０ＧＰａ以上である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項４】
前記補強層のヤング率が前記ベース層のヤング率の１０倍以上である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項５】
前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項６】
前記蒸着膜層の厚みが３５０ｎｍ以下である、請求項５に記載の磁気記録テープ。
【請求項７】
前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層と金属スパッタ層とから形成されており、
前記ベース層と前記蒸着膜層との間に、前記金属スパッタ層が設けられている、
請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項８】
前記金属スパッタ層の厚みが２５ｎｍ以下である、請求項７に記載の磁気記録テープ。
【請求項９】
前記蒸着膜層の厚みが１０ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項７に記載の磁気記録テープ。
【請求項１０】
磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物からなる補強層が設けられており、
前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が７０以下である
磁気記録テープ。
【請求項１１】
前記磁性層のトラック密度が、テープ幅方向で１万本／inchインチ以上である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項１２】
前記ベース層の厚みが３．６μｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項１３】
前記蒸着膜層が、電子ビーム蒸着法により形成されたものである、請求項５に記載の磁気記録テープ。
【請求項１４】
前記磁気記録テープの全厚が５．６μｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録テープ。
【請求項１５】
請求項１に記載の磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録テープカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、磁気記録テープ及び磁気記録テープカートリッジに関する。より詳細には、本技術は、変形（寸法変化）が抑制された磁気記録テープ及び当該磁気記録テープが収容された磁気記録テープカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及、クラウドコンピューティング、並びに、ビッグデータの蓄積及び解析に伴い、長期にわたって記録されるべき情報の量が爆発的に増加している。このため、情報をデータとしてバックアップし又はアーカイブ化するために用いられる記録媒体は、さらなる高記録容量化が求められている。記録媒体のうち、「磁気記録テープ」（以下「テープ」ともいう）は、例えばコスト、省エネルギー、長寿命、信頼性、及び容量など種々の観点から改めて注目されている。【０００３】
磁気記録テープは、磁気層を備える長尺状のテープがリールに巻かれた状態でケース内に収容されている。磁気記録テープは、磁気抵抗型ヘッド（以下、磁気ヘッドともいう）を用いて、該テープが走行する方向に記録又は再生が行われる。２０００年には、オープン規格のＬＴＯ（Linear Tape-Open）が登場し、その後、世代の更新が進んでいる。【０００４】
磁気記録テープの記録容量は、磁気記録テープの表面積（テープ長×テープ幅）とテープの単位面積当たりの記録密度に依存している。該記録密度は、テープ幅方向のトラック密度及び線記録密度（テープ長尺方向の記録密度）に依存している。すなわち、磁気記録テープの高記録容量化は、テープ長及び／又は記録密度（より特にはトラック密度及び／又は線記録密度）をいかに増加させることができるかにかかっている。なお、テープ幅は規格により定められうる。【０００５】
テープ長を増加させるために、テープを薄膜化することが考えられる。テープの薄膜化に関して、例えば下記特許文献１には、「一方の表面ＡのＳＲａ値が２〜２０ｎｍ、他方の表面ＢのＳＲａ値が２〜５０ｎｍであり、長手方向のヤング率が６０００ＭＰａ以上、幅方向のヤング率が６０００ＭＰａ以上であるポリエステルフイルムの、少なくとも前記表面Ｂ上に非磁性金属層又は金属酸化物層を設け、前記表面Ａ側に磁性層を設けて成る磁気記録媒体。」（請求項１）が開示されている。下記特許文献１には、当該磁気記録媒体が、薄膜化が可能であること、高温高湿下長時間保管してもデジタル記録信号が良好に再生できること、及び、ヘリカルスキャン方式によるデジタル記録に好適であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３３９２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
磁気記録テープの記録容量をさらに高めることが求められている。例えば、記録容量（記録面積）を増やすために、磁気記録テープをより薄くして（テープ全厚を低減して）、テープカートリッジ製品１つ当たりのテープ長を増加させることが考えられる。しかしながら、テープの薄膜化によって、トラック幅方向（テープ幅方向）の変形（伸び）が起こり易くなる。当該変形は、例えば、テープ走行の際にテープに負荷されるテンション又は湿度及び温度などの環境変化によりもたらされうる。テープの変形は、テープの走行性を不安定にし又は磁気ヘッドとテープとの間にスペーシングを生じさせ、これらはテープの記録再生特性を低下させうる。【０００８】
また、例えば前記トラック密度を高めると、磁気記録テープが高速走行する際にオフトラック現象がより発生しやすくなる。オフトラック現象は、磁気ヘッドが読み取るべきトラック位置に対象のトラックが存在しないこと、又は、磁気ヘッドが間違ったトラック位置を読み取ることをいう。テープの変形は、オフトラック現象を発生しやすくしうる。【０００９】
そこで、本技術は、磁気記録テープの寸法変化を抑制又は防止することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下である、磁気記録テープを提供する。
前記補強層の厚みは、５００ｎｍ以下であってよい。
前記補強層のヤング率は、７０ＧＰａ以上であってよい。
前記補強層のヤング率が前記ベース層のヤング率の１０倍以上でありうる。
本技術の一つの実施態様に従い、前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層であってよい。
前記蒸着膜層の厚みが３５０ｎｍ以下でありうる。
本技術の他の実施態様に従い、前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層と金属スパッタ層とから形成されており、前記ベース層と前記蒸着膜層との間に、前記金属スパッタ層が設けられていてよい。
前記金属スパッタ層の厚みは２５ｎｍ以下でありうる。
前記蒸着膜層の厚みが１０ｎｍ〜２００ｎｍでありうる。
前記磁性層のトラック密度は、テープ幅方向で１万本／inchインチ以上でありうる。
前記ベース層の厚みは、３．６μｍ以下でありうる。
前記蒸着膜層は、電子ビーム蒸着法により形成されたものであってよい。
前記磁気記録テープの全厚は５．６μｍ以下でありうる。
本技術は、前記磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録テープカートリッジも提供する。【００１１】
また、本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物からなる補強層が設けられており、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が７０以下である磁気記録テープも提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図２】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図３】ベース層の厚み及び補強層の厚みを説明するための図である。
【図４】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図５】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図６】本技術に従う磁気記録テープの製造方法のフローの一例である。
【図７】本技術に従うテープカートリッジの構成例を示す図である。
【図８】補強層を形成するための真空成膜装置の一例の概略図である。
【図９】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図１０】本技術に従う磁気記録テープの層構造の例を示す図である。
【図１１】本技術に従う磁気記録テープの製造方法のフローの一例である。
【図１２】ヤング率と黒色面積との関係を示す図である。
【図１３】ヤング率と黒色領域数の関係を示す図である。
【図１４】補強層画像を二値化処理した後の画像を示す図である。
【図１５】補強層画像を二値化処理した後の画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。例えば、本技術の技術的思想の範囲内で、各種の変形が可能である。例えば以下の実施形態において挙げる構成、方法、工程、形状、材料および数値は例であり、必要に応じてこれらと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値が用いられてよい。
【００１４】
本技術の説明は以下の順序で行う。
１．本技術の第一の実施形態（磁気記録テープ）
（１）第一の実施形態の説明
（２）磁気記録テープを構成する層の構成例（塗布により磁性層が形成される磁気記録テープ）
（２−１）磁性層
（２−２）非磁性層
（２−３）ベース層
（２−４）補強層
（２−４−１）蒸着膜層から構成される補強層
（２−４−２）蒸着膜層及び金属スパッタ層から構成される補強層
（２−５）バック層
（３）本技術に従う磁気記録テープの製造方法の一例（塗布により磁性層が形成される磁気記録テープ）
（３−１）塗料調製工程
（３−２）補強層形成工程
（３−３）塗布工程
（３−４）配向工程
（３−５）カレンダー工程
（３−６）裁断工程
（３−７）組み込み工程
（４）磁気記録テープを構成する層の構成例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）
（４−１）潤滑剤層
（４−２）保護層
（４−３）磁性層
（４−４）中間層
（４−５）下地層
（４−６）シード層
（４−７）ベース層
（４−８）補強層
（４−９）バック層
（４−１０）軟磁性裏打ち層
（５）本技術に従う磁気記録テープの製造方法の一例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）
（５−１）補強層形成工程
（５−２）スパッタ膜形成工程
（５−３）塗布工程
（５−４）裁断工程
（５−５）組み込み工程
２．本技術の第二の実施形態（磁気記録テープカートリッジ）
【００１５】
１．本技術の第一の実施形態（磁気記録テープ）
【００１６】
（１）第一の実施形態の説明
【００１７】
磁気記録テープの寸法安定性を高めるために、金属材料（例えば金属又は金属酸化物）から形成された補強層を設けることが考えられる。本発明者らは、当該補強層のうちから、特に優れた寸法安定性向上効果をもたらす補強層を発見した。当該特に優れた寸法安定性向上効果をもたらす要因を特定するために複数の磁気記録テープの補強層を観察したところ、本発明者らは、前記補強層に存在するボイド（空隙）の面積が寸法安定性の向上効果と関係していることを見出した。さらに検討したところ、本発明者らは、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下であることが、特に優れた寸法安定性向上効果をもたらすことを見出した。
【００１８】
すなわち、本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下である、磁気記録テープを提供する。
【００１９】
また、本発明者らは、前記補強層が有するボイドの数も寸法安定性の向上効果に関係していることも見出した。さらに、本発明者らは、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が１００以下であることが、特に優れた寸法安定性向上効果に寄与していることを見出した。
【００２０】
すなわち、本技術は、磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が１００以下である、磁気記録テープも提供する。
【００２１】
本技術に従う磁気記録テープは、上記で述べたとおり特定の補強層を有する。当該補強層によって、寸法変化（特にはテープ幅方向の寸法変化）の発生を抑制又は防止することができる。例えば、テープ走行時にテープに負荷されるテンションに起因する寸法変化、及び／又は、例えば温度及び／又は湿度などの環境変化に起因する寸法変化を、当該補強層によって抑制又は防止することができる。
また、上記特定の補強層によって、テープの寸法変化の発生を抑制又は防止しつつ、且つ、テープの厚みを減少させることができる。これにより、記録再生特性を維持し且つオフトラック現象の発生を抑制しつつ、１つの磁気記録テープカートリッジ内に収容されるテープ長を増加させることができる。これは、１つの磁気記録テープカートリッジ当たりの記録容量の増加をもたらす。
【００２２】
本技術に従う磁気記録テープは、上記磁性層、ベース層、バック層、及び補強層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録テープの種類に応じて適宜選択されてよい。
【００２３】
例えば、塗布により磁性層が形成される磁気記録テープは、磁性層とベース層との間に非磁性層を含みうる。すなわち、本技術の一つの実施態様に従い、当該磁気記録テープは、磁性層、非磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有し、且つ、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、前記補強層が設けられていてよい。すなわち、前記磁気記録テープは、磁性層、非磁性層、補強層、ベース層、及びバック層がこの順に積層されている積層構造、又は、磁性層、非磁性層、ベース層、補強層、及びバック層がこの順に積層されている積層構造を有しうる。この実施態様について、以下（２）及び（３）において、より詳細に説明する。
【００２４】
また、スパッタリングにより磁性層が形成される磁気記録テープは、磁性層とベース層との間に、下地層及びシード層、又は、中間層、下地層、及びシード層を含みうる。すなわち、本技術の他の実施態様に従い、前記磁気記録テープは、磁性層、下地層、シード層、ベース層、及びバック層をこの順に有し、且つ、前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、上記補強層が設けられていてよい。すなわち、前記磁気記録テープは、磁性層、下地層、シード層、補強層、ベース層、及びバック層がこの順に積層されている積層構造、又は、磁性層、下地層、シード層、ベース層、補強層、及びバック層がこの順に積層されている積層構造を有しうる。この実施態様について、以下（４）及び（５）において、より詳細に説明する。
【００２５】
（２）磁気記録テープを構成する層の構成例（塗布により磁性層が形成される磁気記録テープ）
【００２６】
図１は、本技術に従う磁気記録テープの基本的な層構造の一例を示す図である。図１に示される磁気記録テープＴ１（以下、「テープＴ１」ともいう）は、記録又は再生時のテープの速度が例えば４ｍ／秒以上で高速走行されるものであってよい。すなわち、本技術の磁気記録テープＴ１は、４ｍ／秒以上のテープ速度での記録又は再生のために用いられるものであってよい。このような高速走行が行われた場合、テープＴ１に加わるテンション（張力）が大きくなる。
【００２７】
テープＴ１の全厚は、本技術が高記録容量化された磁気記録テープを対象としている観点から、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．８μ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下であってよい。そして、該テープＴ１は、上から（記録又は再生時に磁気ヘッドに対向する側から）順に、磁性層１、非磁性層２、補強層Ａ、ベース層３、及びバック層４を有する。すなわち、磁性層１の直下に非磁性層２があり、非磁性層２の直下に補強層Ａがあり、補強層Ａの直下にベース層３があり、且つ、ベース層３の直下にバック層４がある。テープＴ１は、計５層から構成されている層構造を有する。なお、これらの５層に加えて、必要に応じて他の層が設けられてもよい。例えば、磁性層１の上にさらに保護膜層及び／又は潤滑剤層が積層されてよい。また、磁性層１とベース層３との間に中間層が設けられてもよい。
以下で、各層についてより詳細に説明する。
本技術の説明において、層構造の上下方向は、図１に示されるように、磁性層１側を「上」、バック層４側を「下」として説明する。
なお、以下のテープＴ１（図１）についての説明のうち、テープＴ２と共通する構成については、テープＴ２（図２）にも当てはまる。
【００２８】
（２−１）磁性層
【００２９】
磁性層１は、表層に位置し、信号記録層として機能する。磁性層１の厚みの好適な範囲は、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。当該厚みの下限値である２０ｎｍは、磁性層１の塗布を均一に且つ安定的に行うことができる限界厚みである。当該厚みが、上限値１００ｎｍを超えることは、高記録密度テープのビット長の設定の観点から望ましくない。
【００３０】
磁性層１の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、テープＴ１を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。装置および観察条件は以下のとおりである。装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）、加速電圧：３００ｋＶ、及び、倍率：１００，０００倍。
【００３１】
次に、得られたＴＥＭ像を用い、テープＴ１の長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１の厚みを測定し、そして、得られた測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１の平均厚みが求められる。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
【００３２】
磁性層１は、複数のサーボバンドと複数のデータバンドとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドは、テープＴ１の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドの間には、データバンドが設けられている。サーボバンドには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドには、ユーザデータが記録される。サーボバンドの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である。サーボバンドの数が５以上であると、テープＴ１の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。
本技術において、磁性層１のトラック密度は、例えばテープ幅方向で１万本／inchインチ以上であってよい。当該トラック密度を有する磁気記録テープは、高い記録密度を有する。
【００３３】
磁性層１は、磁性粉（粉状の磁性粒子）が少なくとも含まれており、この磁性粉が長手配向（面内配向）又は垂直配向されている。磁性層１に対して、磁気によって磁性を変化させることにより信号の記録が行われうる。当該記録は、公知の面内磁気記録方法（磁化の向きがテープ長手方向の方式）又は公知の垂直磁気記録方式（磁化の向きが垂直方向の方式）を用いて行われてよい。
磁性層１のテープ垂直方向の垂直配向度は、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは６５％以上である。また、磁性層１のテープ長手方向の配向度に対するテープ垂直方向の垂直配向度の比は、例えば１．５以上であり、好ましくは１．８以上であり、より好ましくは１．８５以上である。前記数値範囲内の垂直配向度及び／又は前記数値範囲内の比を有する磁気記録テープは、信頼性がより高い。
【００３４】
磁性層１の垂直方向の配向度は、以下のとおりに測定されてよい。
まず、テープＴ１から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いてテープＴ１の垂直方向（厚み方向）に、測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（非磁性層２、磁性層１、およびバック層３）を払拭し、ベース層３及び蒸着膜層Ａのみを残してバックグラウンド補正用サンプルを得る。ＶＳＭを用いて、当該バックグラウンド補正用サンプルの垂直方向（テープの垂直方向）に、当該バックグラウンド補正用サンプルのＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから当該バックグラウンド補正用サンプルのＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式１に代入して、垂直配向度Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループをテープの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
式１：垂直配向度Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
また、長手方向の配向度は、測定サンプル全体のＭ−Ｈループの測定及びバックグラウンド補正用サンプルのＭ−Ｈループの測定がテープの長手方向（走行方向）に測定されること以外は、垂直配向度と同様にして測定される。
【００３５】
前記面内磁気記録方式では、例えば、金属磁性粉を含む磁性層１に対して、テープ長手方向に磁気記録が行われる。前記垂直磁気記録方式では、例えばＢａＦｅ（バリウムフェライト）磁性粉などの磁性粉を含む磁性層１に対して、テープＴ１の垂直方向に磁気記録が行われる。なお、垂直磁気記録方式は、隣り合う磁性体が互いに磁気を強め合い、且つ、面内磁気記録方式と比べて、記録密度をより高めることができる。また、垂直磁気記録方式により磁気記録された磁性層は、磁力を保持する力である保磁力（Ｈｃ）も高い。いずれの方式においても、信号の記録は、磁気ヘッドから磁界が加えられることにより、磁性層１中の磁性粒子が磁化されることによって行われる。
【００３６】
磁性層１の磁性粉をなす磁性粒子として、例えばイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。なお、ε酸化鉄はＧａ及び／又はＡｌを含んでいてもよい。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。
【００３７】
磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、ＢａＦｅは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁性層１は、テープＴ１の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。なお、ＢａＦｅは、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。そのため、ＢａＦｅは、本技術において好適な磁性材料の一つとなりうる。すなわち、本技術において、磁性層１に含まれる磁性粒子は、好ましくはＢａＦｅでありうる。
【００３８】
磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末であってもよい。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を有する。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、テープＴ１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
【００３９】
ε酸化鉄粒子についてさらに詳しく説明する。ε酸化鉄粒子は、球状若しくは略球状を有し、又は、立方体状若しくは略立方体状を有しうる。ε酸化鉄粒子は上記形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、テープＴ１の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。これにより、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。
【００４０】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有しうる。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、当該コア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備えていてよい。当該２層構造のシェル部は、当該コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。当該コア部がε酸化鉄を含む。当該コア部に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ２Ｏ３結晶を主相とするε酸化鉄であることが好ましく、単相のε−Ｆｅ２Ｏ３からなるε酸化鉄であることがより好ましい。
【００４１】
前記第１シェル部は、前記コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、当該第１シェル部は、当該コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、又は、当該コア部の周囲全体を覆っていてもよい。当該コア部と当該第１シェル部の交換結合を十分なものとすることによって磁気特性を向上させるために、当該第１シェル部は、当該コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。
【００４２】
前記第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えばα−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金、又はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α−Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
前記第２シェル部は、酸化防止層として機能する酸化被膜でありうる。当該第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウム、若しくは酸化ケイ素、又はこれらのうちの２以上の組み合わせを含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。前記第１シェル部がα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、当該第１シェル部に含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【００４３】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力（Ｈｃ）を大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力を、記録に適した保磁力（Ｈｃ）に調製できる。
【００４４】
また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、テープＴ１の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、テープＴ１の特性劣化を抑制することができる。
【００４５】
以上でε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子は単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制するために、上述したとおりε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることがより好ましい。
【００４６】
ε酸化鉄粒子は、前記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、前記コアシェル構造を有し且つ添加剤を含んでいてもよい。ε酸化鉄粒子が当該添加剤を含む場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が当該添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力（Ｈｃ）を、記録に適した保磁力（Ｈｃ）に調整できるため、記録容易性を向上することができる。当該添加剤は、例えば鉄以外の金属元素であってよく、好ましくは３価の金属元素であり、より好ましくはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎのうちの少なくとも１種であり、さらにより好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種でありうる。
【００４７】
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ２−ｘＭｘＯ３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
【００４８】
磁性粉は、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末でありうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又は略六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含む。
【００４９】
六方晶フェライトは、具体的には、例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
【００５０】
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍは、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍは、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
【００５１】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
【００５２】
磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を使用してもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
【００５３】
Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば、以下の式（１）で表される平均組成を有する。
ＣｏｘＭｙＦｅ２Ｏｚ  ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。
【００５４】
磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求めることができる。まず、測定対象となるテープＴ１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個の磁性粉を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄmaxを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄmaxの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄmax”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄmaxの粒度分布から最大粒子サイズｄmaxのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。
【００５５】
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上２．５以下、より好ましくは１以上２．１以下、さらにより好ましくは１以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際には、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。すなわち、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
【００５６】
磁性粉の平均アスペクト比は、以下のようにして求めることができる。まず、測定対象となるテープＴ１をＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から、水平方向に対して７５度以上の角度で配向した磁性粉を５０個無作為に選び出し、各磁性粉の最大板厚ＤＡを測定する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。次に、テープＴ１の磁性層１の表面をＴＥＭにより観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の最大板径ＤＢを測定する。ここで、最大板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板径ＤＢを単純に平均（算術平均）して平均最大板径ＤＢaveを求める。次に、平均最大板厚ＤＡave及び平均最大板径ＤＢaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。
【００５７】
また、磁性層１には、磁性粉以外に、例えば磁性層１の強度及び／又は耐久性を高めるために、非磁性の添加剤が配合されてもよい。当該添加剤として、例えば結着剤及び／又は潤滑剤が磁性層１に含まれてよい。必要に応じて、当該添加剤として、分散剤、導電性粒子、研磨剤、及び防錆剤から選ばれる１つ又は２以上の組み合わせが磁性層１にさらに含まれてもよい。磁性層１には、潤滑剤を蓄えるための多数の孔部（図示せず。）を設けてもよい。多数の孔は、磁性層１の表面に垂直方向に延設されていることが好ましい。
【００５８】
磁性層１は、磁性粉と必要に応じて添加剤とを含む磁性塗料を、磁性層１の下の層に塗布することによって形成されてよい。代替的には、磁性層１は、スパッタ法又は蒸着法によって形成されてもよい。
【００５９】
磁性層１に配合される前記結着剤は、例えばポリウレタン系樹脂及び塩化ビニル系樹脂など樹脂を挙げることができ、好ましくは架橋反応性の構造を有する樹脂であることが好ましい。結着剤はこれらに限定されるものではなく、例えばテープＴ１に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂が結着剤として磁性層１に含まれてもよい。磁性層１に含まれる樹脂としては、磁気記録テープにおいて一般的に用いられる樹脂であってよい。
【００６０】
前記結着剤として用いられる樹脂として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムが挙げられる。また、前記結着剤は、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂であってもよく、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例として、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂が挙げられる。
【００６１】
上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、例えば−ＳＯ３Ｍ、−ＯＳＯ３Ｍ、−ＣＯＯＭ、又はＰ＝Ｏ（ＯＭ）２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えばリチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。さらに、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２又は−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ−の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ−の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ−は、弗素、塩素、臭素、又はヨウ素であるハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、及びエポキシ基も挙げられる。
【００６２】
磁性層１は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、及び酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）から選ばれる１つ又は２以上の組み合わせをさらに含んでいてもよい。
【００６３】
磁性層１の潤滑剤は、下記の一般式（２）で示される化合物及び／又は下記の一般式（３）で示される化合物を含むことが好ましい。潤滑剤がこれらの化合物を含むことで、磁性層１の表面の動摩擦係数を特に低減することができる。したがって、テープＴの走行性をさらに向上することができる。
【００６４】
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＣＯＯＨ  ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｐＣＯＯ（ＣＨ２）ｑＣＨ３  ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）
【００６５】
テープＴ１の動摩擦係数は、テープＴ１の安定走行との関係で重要な要素である。テープＴ１に加わる張力が１．２Ｎであるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドＨの間の動摩擦係数μAと、テープＴ１に加わる張力が０．４Ｎであるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドＨの間の動摩擦係数μBとの比率（μＢ／μＡ）が、好ましくは１．０以上で２．０以下であることが好ましい。当該比率がこの数値範囲内にあることによって、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。
【００６６】
テープＴ１に加わる張力が０．６であるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μＡに関して、走行５回目の値μ５と１０００回目の値μ１０００との比率（μ1000／μ5）が、好ましくは１．０以上２．０以下、より好ましくは１．０以上１．７以下である。当該比率が上記数値範囲内であると、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。
【００６７】
（２−２）非磁性層
磁性層１の直下に設けられる（すなわち磁性層１と接している）非磁性層２は、場合により、中間層又は下地層とも称される。非磁性層２は、例えば磁性層１に対する磁力の作用を該磁性層１に留めるため、磁性層１に求められる平坦性を確保するため、又は、磁性層１の配向特性を高めるために設けられる層である。また、非磁性層２は、磁性層１に添加される潤滑剤及び／又は非磁性層２自体に添加される潤滑剤を保持する役割も果たしうる。
【００６８】
非磁性層２は、次に説明する「ベース層３」の上に、例えば、塗布によって形成することができる。この非磁性層２は、目的や必要に応じて複層構造としてもよい。この非磁性層２は、非磁性材料を使用することが重要である。その理由は、磁性層１以外の層が磁化してしまうとノイズの発生源となってしまうからである。
【００６９】
この非磁性層２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性の層である。非磁性層２は、必要に応じて、結着剤、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。非磁性層２に使用する結着剤は、上述の磁性層１と同様である。
【００７０】
非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。
【００７１】
この非磁性層２の平均厚みは、好ましくは０．８μｍ以上２．０μｍ以下であり、より好ましくは０．６μｍ以上１．４μｍ以下である。非磁性層２の平均厚みは、磁性層１の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、非磁性層２の厚みに応じて適宜調製される。磁性層２の平均厚みが０．６μｍ未満であると、磁性層１や非磁性層２自体に配合される添加剤（例えば、潤滑剤）の保持機能が失われてしまい、一方、磁性層２の平均厚みが２．０μｍを超えてしまうと、テープＴ１の全厚が過剰となってしまので、テープＴ１を薄くして高記録容量化を追求する流れに逆行する。
【００７２】
（２−３）ベース層
次に、図１に示されたベース層３は、テープＴ１の土台となる層としての機能を主に果たしている。ベース層３は、ベースフィルム層、基体、あるいは非磁性支持体とも称されることがある。ベース層３は、例えば非磁性層２及び磁性層１などの層を支持する非磁性の支持体として主に機能し、テープＴ１全体に剛性を付与している。ベース層３は、可撓性を備える長尺のフィルム状をなしている。
【００７３】
ベース層３の平均厚みは、例えば４．５μｍ未満、より好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．６μｍ以下、さらにより好ましくは３．３μｍ以下である。本技術の一つの実施態様に従い、ベース層３の平均厚みは３．６μｍ以下である。ベース層３がより薄くなるとテープ全厚も薄くなるので、一つのカートリッジ製品内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。なお、ベース層３の下限の厚みは、例えばフィルムの製膜上の限界又はベース層３の機能などの観点から定められてよい。
【００７４】
ベース層３の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、１／２インチ幅のテープＴ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層３以外の層を、例えばＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸などの溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（ベース層３）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層３の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【００７５】
ベース層３は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。ベース層３が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。ベース層３は、好ましくはポリエステル系樹脂から形成されており、例えばＰＥＮ、ＰＥＴ、又はＰＢＴから形成されていてよい。
【００７６】
このベース層３の材料は、特に狭く限定はされないのであるが、磁気記録テープの規格によって定められる場合がある。例えば、ＬＴＯ規格では、ベース層３の材料としてＰＥＮが指定されている。
【００７７】
（２−４）補強層
【００７８】
図１に示される補強層Ａは、ベース層３の磁性層１側の面に設けられており、且つ、金属又は金属酸化物から形成されている。すなわち、補強層Ａは、ベース層３の２つの面のうちのいずれかに接している。
【００７９】
本技術の一つの好ましい実施態様に従い、テープＴ１は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下であるという構成を有する。当該構成によって、特に優れた寸法安定性向上効果がもたらされる。前記黒色面積は、より好ましくは２８０μｍ２以下、さらにより好ましくは２６０μｍ２以下、さらにより好ましくは２４０μｍ２以下でありうる。前記黒色面積はより小さいことが好ましく、前記黒色面積は例えば０μｍ２以上でありうる。
【００８０】
本技術の他の好ましい実施態様に従い、テープＴ１は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が１００以下であるという構成を有しうる。前記黒色領域の数は、より好ましくは８０以下、さらにより好ましくは６０以下、さらにより好ましくは５０以下でありうる。前記黒色領域の数はより小さいことが好ましく、前記黒色領域の数は例えば０以上でありうる。
【００８１】
本技術の特に好ましい実施態様に従い、テープＴ１は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下であり、且つ、当該画像中の黒色領域の数が１００以下であるという構成を有しうる。
【００８２】
前記黒色面積及び前記黒色領域の数の測定方法の概要は以下のとおりである。すなわち、まず補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を取得する（光学顕微鏡画像の取得工程）。次に当該取得された光学顕微鏡画像を２値化処理して画像を得、得られた画像から黒色面積又は黒色領域の数を測定する（２値化処理による黒色面積又は黒色領域数の測定工程）。以下で、当該測定方法の詳細を説明する。
【００８３】
（光学顕微鏡画像の取得工程）
測定されるべき磁気記録テープＴ１の磁性層１及び非磁性層２を、有機溶剤を含浸した不織布ワイパー（例えばベンコット（商標）など）を用いて剥がす。これにより、補強層Ａが露出する。図１に示されるようにベース層３の磁性層Ａ側の面に補強層Ａが設けられている場合は、補強層Ａが露出した当該テープを、露出した補強層Ａが上になるようにスライドガラスに貼る（すなわち、最下層（バック層４）がスライドガラス面に接触するようにスライドガラスに貼る）。図２に示されるようにベース層３のバック層４側の面に補強層Ａが設けられている場合は、バック層４も上記と同様に有機溶剤を用いて剥がし、そしてバック層４が剥がされた面を上にしてスライドガラスにテープが貼られる（すなわち、ベース層３の磁性層１側の面がスライドガラス面に接触するようにスライドガラスに貼る）。当該スライドガラス上に貼り付けられた当該テープの補強層Ａを、光学顕微鏡として以下の装置を用い、以下の観察条件下で観察する。当該観察は、当該テープを構成する層のうち補強層Ａが対物レンズに最も近くなるように配置されて行われる。当該観察において、前記テープのうちから無作為に５か所を選択し、当該５か所の画像を以下の装置に付属する「MX80-DUV」ソフトウェアを起動させてControl Panelウィンドウを開き、ファイルを保存することによって、画像ファイルとして取得する。
装置：オリンパスＭＸ８０−ＤＵＶ深紫外顕微鏡
対物レンズ：１０ｘ
磁気記録テープのサイズ：１２．５ｍｍ×５０ｍｍ
１画面の観察範囲：６４×４８μｍ
なお、以下「（４）磁気記録テープを構成する層の構成例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）」において説明するスパッタタイプの磁気記録テープの場合は、潤滑剤層Ｌ〜シード層２４は剥がさずに、バック層２６を上記と同様に有機溶剤を用いて剥がし、そして、バック層２６が剥がされた面を上にしてテープがスライドガラスに貼られる。そして、以上で述べたとおりに、補強層Ａの表面が観察される（例えば図９に示されるテープの場合は補強層Ａが対物レンズに最も近くなるようにして観察され、図１０に示されるテープの場合はベース層２５を通して補強層Ａが観察される）。
【００８４】
（２値化処理による黒色面積又は黒色領域数の測定工程）
前記取得工程において取得された前記５か所の画像の画像ファイルを、画像解析ソフトウェアＩｍａｇｅＪ（米国国立衛生研究所から入手可能）を用いて、以下のとおりに処理する。当該処理において、画像処理範囲は６４×４８μｍと設定される。以下の各工程の括弧内には、当該ソフトウェアの具体的な操作手順が示されている。
工程１：画像ファイルを開く。（File→Open）
工程２：寸法を入力する。（Analyze→Set Scale）
寸法は以下のとおりに設定される。
Distance in pixels : 640
Known distance : 64
Pixel aspect ratio : 1.0
Unit of length : um
工程３：画像タイプを８ビットグレイスケール画像に変換する。（Image（画像メニュー）>Type（画像タイプ）>8bit）
工程４：ノイズを除去する。（Prosess（処理メニュー）>Smooth（スムージング））
工程５：二値化する。（Process（処理メニュー）>Binary（二値化）>Make Binary（画像を白黒に作製する））
工程６：解析する。（Analyze（解析メニュー）→Analyze Particles（粒子解析））
当該解析において閾値は以下のとおりに設定される。
Size (Pixel^2) :100-10000
Circularity:0.00-1.00
Show:Masks
当該閾値の設定後、Summarizeをチェックすることで、Summary画面が表示される。当該Summary画面において、Count（粒子数）、Total Area（面積の合計）、Average size（粒子数）、Area Function（粒子の占める面積の割合）、及びMean（平均）が表示される。
工程７：前記取得工程において取得された前記５か所の画像について、以上の工程１〜６を行い、得られたTotal Area（面積の合計）の平均値（単純平均）又は得られたCount（粒子数）の平均値（単純平均）を算出する。これらの平均値が、本技術における「補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積」又は「補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数」である。
【００８５】
補強層ＡをテープＴ１に設けることで、薄く形成されたテープＴ１の剛性を高めることができる。テープカートリッジ製品１巻あたりのテープの記録容量を高めるために、磁性層１のトラック幅をより細くしてトラック密度を高めること、及び、テープＴ１の厚みをより薄くしてテープカートリッジ製品１巻あたりのテープ長をより長くすることが考えられる。テープＴ１の厚みをより薄くした場合、テープ走行時にテープＴ１に加わるテンションの影響又は保管若しくは輸送時の環境条件の変化によって、テープ寸法の変化が生じ易くなる。特に、テープ幅方向の寸法変化、あるいは変形は、記録又は再生時に磁気ヘッドからの磁界がトラックから外れてしまう現象、いわゆる「オフトラック現象」を引き起こし易くする。補強層Ａは、テープＴ１の寸法変化又は変形を抑制し、オフトラック現象の発生を防止し、ひいてはＳＮＲ（シグナルノイズ比）の低下を防止する役割を果たす。
【００８６】
また、テープＴ１が補強層Ａを備えていることによって、４ｍ／秒以上のテープ走行速度でテープＴ１が高速走行されたときの引っ張りテンション（張力）が加わった場合におけるテープ幅方向の寸法変化又は変形を抑制でき、これによりオフトラック現象の発生を防止できる。また、テープＴ１が補強層Ａを備えていることによって、テープ幅方向におけるトラック数が１万本／インチ以上である構成をテープＴ１が有する場合であっても、テープ幅方向の寸法変化又は変形を抑制でき、オフトラック現象の発生を防止することができる。
【００８７】
補強層Ａは、図１に示されるとおり、ベース層３の磁性層１側の面に設けられていてよい。代替的には、補強層Ａは、図２に示されるとおり、ベース層３のバック層４側の面に設けられていてもよい。ベース層３のいずれかの面又は両面に補強層Ａが積層されていることによって、テープＴ１が補強される。
【００８８】
補強層Ａのヤング率は、好ましくは７０ＧＰａ以上であり、より好ましくは７５ＧＰａ以上であり、さらにより好ましくは８０ＧＰａ以上でありうる。補強層Ａが、上記下限値以上のヤング率を有することによって、テープＴ１の強度及び寸法安定性がより高まる。前記ヤング率は、磁気記録テープＴ１の長手方向のヤング率である。前記ヤング率の算出方法は以下のとおりである。
まず、磁気記録テープＴ１の磁性層１、非磁性層２、及びバック層４を有機溶剤で除去して、ベース層３及び補強層Ａのみから形成される積層物を得る。なお、磁気記録テープＴ１が他の層を含む場合は、当該他の層も除去される。前記積層物のテープ長手方向におけるヤング率を測定する。当該測定は、温度２３℃且つ相対湿度６０％の環境下において、引っ張り試験機（ミネベアミツミ株式会社製ＴＣＭ−２００ＣＲ）を用いて行われる。測定された前記積層物のヤング率及びベース層３のヤング率、並びに、積層物、ベース層３、及び補強層の厚みを用いて、以下の式２により、補強層Ａのヤング率は算出される。なお、ベース層３のヤング率は、用いられるベース層３の材料に基づき予め定められていてよい。例えばベース層３として市販入手可能な材料（例えばＰＥＮ又はＰＥＴなど）を用いる場合、当該市販入手可の材料のヤング率は既知であることが多く、当該既知のヤング率が用いられてよい。
式２：ＥＭ＝（Ｅ（Ｍ＋Ｂ）×ｔ（Ｍ＋Ｂ）−ＥＢ×ｔＢ）／ｔＭ
（ここで、ＥＭ：補強層Ａのヤング率、ｔＭ：補強層Ａの厚み、ＥＢ：ベース層３のヤング率、ｔＢ：ベース層３の厚み、Ｅ（Ｍ＋Ｂ）：（ベース層３＋補強層Ａ）のヤング率、ｔ（Ｍ＋Ｂ）：（ベース層＋蒸着膜層）の厚み、である。）
上記式２は、補強層Ａ及びベース層３をそれぞれバネであり且つ、前記積層物がこれら２つのバネの並列バネであるとの仮定に基づくものである。すなわち、これら２つのバネと当該並列バネとの間には以下の式３に表される関係が成立する。以下式３中の補強層Ａの厚みｔＭ、ベース層３の厚みｔＢ、及び（ベース層３＋補強層Ａ）の厚みｔ（Ｍ＋Ｂ）は、図３に示されるとおりの厚みである。以下の式３を変形して、上記式２になる。
式３：Ｅ（Ｍ＋Ｂ）×ｔ（Ｍ＋Ｂ）＝ＥＢ×ｔＢ＋ＥＭ×ｔＭ
補強層Ａのヤング率は、ベース層３の補強の観点から、ベース層３のヤング率の好ましくは１０倍以上であり、より好ましくは１１倍以上であり、さらにより好ましくは１２倍以上でありうる。
【００８９】
補強層Ａによって、磁気記録テープＴ１は、温度、湿度、又は張力による寸法変化が生じにくくなり、すなわち磁気記録テープＴ１の寸法安定性（ＴＤＳ：Transversal Dimensional stability）が向上する。寸法安定性の指標として、例えば、ＴＤＳ（温度、湿度）とＴＤＳ（張力）とを合算して得られる合算ＴＤＳ（ｐｐｍ）が用いられてよい。なお、ＴＤＳ（温度、湿度）は、温度及び湿度の変化に対する寸法安定性（ＴＤＳ）を意味する。ＴＤＳ（張力）は、張力に対する寸法安定性（ＴＤＳ）を意味する。
本技術に従う磁気記録テープは、好ましくは合算ＴＤＳの値が３５０ｐｐｍ以下であり、より好ましくは３４０ｐｐｍ以下である。このような合算ＴＤＳを有する磁気記録テープは、優れた寸法安定性を有する。なお、合算ＴＤＳの具体的な求め方は、後述の実施例において説明する。
ヤング率とＴＤＳ（例えば合算ＴＤＳ）との間には、相関関係があり、例えばヤング率が高いほど、ＴＤＳはより低くなる。本技術に従う磁気記録テープは、上記のとおり補強層Ａによってより高いヤング率を有するため、より低いＴＤＳを有する。
【００９０】
補強層Ａの厚みは、好ましくは６００ｎｍ以下であり、より好ましくは５００ｎｍ以下であり、さらにより好ましくは４００ｎｍ以下、特に好ましくは３５０ｎｍ以下でありうる。補強層Ａの厚みが上記上限値を超える場合、テープＴ１を薄くすることが困難になりうる。また、補強層Ａの厚みが上記上限値を超える場合、補強層Ａの形成における生産性が悪化しうる。
補強層Ａは、補強層Ａによって所望の剛性がもたらされることを条件として、可能な限り薄くてよい。補強層Ａは、例えば５０ｎｍ以上、好ましくは７０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２０ｎｍ以上の厚みを有する。
【００９１】
（２−４−１）蒸着膜層から構成される補強層
【００９２】
本技術の一つの好ましい実施態様に従い、補強層は、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層であってよい。すなわち、補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層のみから構成される層であってよい。例えば図１及び２に示される補強層Ａが、当該蒸着膜層でありうる。
金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層によって、上記で述べた数値範囲内の黒色面積及び／又は黒色領域数を有する補強層を得ることができる。
【００９３】
当該蒸着膜層は、金属又は金属酸化物から形成されている。例えば、前記金属又は金属酸化物の例として、コバルト（Ｃｏ）、酸化コバルト（ＣｏＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、銅（Ｃｕ）、酸化銅（ＣｕＯ）、クロム（Ｃｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、チタン（Ｔｉ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ニッケルチタン（ＴｉＮｉ）、コバルトクロム（ＣｏＣｒ）、タングステン（Ｗ）、及びマンガン（Ｍｎ）を挙げることができる。前記蒸着膜層は、これらの金属材料のうちの１つ又は２つ以上の組み合わせから形成されていてよい。本技術において、前記蒸着膜層は、補強層Ａの効果のより効果的を奏するために、好ましくはＣｏ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ、Ｃｕ、及びＣｒからなる群から選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせから形成されていてよく、より好ましくはＣｏから形成されていてよい。
【００９４】
蒸着膜層から形成されている補強層Ａは、前記金属又は金属酸化物を蒸発させてベース層３に堆積させることにより形成することができる。蒸着方法として、例えば誘導加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法、又は電子ビーム蒸着法などが採用されてよい。これらの蒸着方法のうち、電子ビーム蒸着法が特に好ましい。電子ビーム蒸着法によって、蒸発させることが難しい高融点の金属又は金属酸化物を蒸発させることが可能である。より高い融点を有する材料を用いることによって、より剛性の高い蒸着膜層を形成することができる。また、電子ビーム蒸着法による蒸着において、電子ビームの出力を瞬時に変更することができ且つ加熱の開始及び終了も瞬時に行うことができ、これらは、より精密な膜厚制御を可能とする。さらに、電子ビーム蒸着法は、効率よく成膜できるので、生産性にも優れている。
【００９５】
補強層Ａが、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層のみから形成される場合、当該蒸着膜層の厚みは、好ましくは３５０ｎｍ以下であり、より好ましくは３４５ｎｍ以下でありうる。補強層Ａが、当該上限値を超える厚みを有する場合、前記黒色面積の値が大きくなることがあり、補強層Ａによる寸法安定性向上が妨げられうる。
また、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層のみから形成される場合、当該蒸着膜層の厚みは、当該蒸着膜層によって所望の剛性がもたらされることを条件として、可能な限り薄くてよい。補強層Ａは、例えば２００ｎｍ以上、好ましくは２１０ｎｍ以上の厚みを有する。
【００９６】
（２−４−２）蒸着膜層及び金属スパッタ層から構成される補強層
【００９７】
本技術の他の好ましい実施態様に従い、補強層は、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層と金属スパッタ層とから形成されており、前記ベース層と前記蒸着膜層との間に、前記金属スパッタ層が設けられていてよい。
前記蒸着膜層と前記金属スパッタ層とから構成されている補強層によっても、上記で述べた数値範囲内の黒色面積及び／又は黒色領域数を有する補強層を得ることができる。こ前記金属スパッタ層を設けることによって、蒸着膜層の厚みをさらに小さくすることができ、これは補強層の厚みを小さくすること及び磁気記録テープの全厚を小さくすることにも貢献する。
【００９８】
この実施態様に従う磁気記録テープの構造の例を図４に示す。図４に示されるとおり、磁気記録テープＴ３は、磁性層１、非磁性層２、補強層Ａ、ベース層３、及びバック層４がこの順に積層されている。補強層Ａは、非磁性層２とベース層３との間に配置されており、且つ、蒸着膜層Ａ−１及び金属スパッタ層Ａ−２から構成されている。すなわち、金属スパッタ層Ａ−２は、蒸着膜層Ａ−１とベース層３との間に設けられている。
代替的には図５に示されるとおりの層構造が採用されてもよい。すなわち、磁気記録テープＴ４は、磁性層１、非磁性層２、ベース層３、補強層Ａ、及びバック層４がこの順に積層されている。補強層Ａは、ベース層３とバック層４との間に配置されており、且つ、金属スパッタ層Ａ−２及び蒸着膜層Ａ−１から構成されている。図５においても、金属スパッタ層Ａ−２は、蒸着膜層Ａ−１とベース層３との間に設けられている。
【００９９】
金属スパッタ層Ａ−２を、ベース層３と蒸着膜層Ａ−１との間に設けることで、補強層Ａをより薄くし且つ補強層Ａ中に生じうるボイドの面積及び／又は数をより少なくすることができる。
【０１００】
蒸着膜層Ａ−１は、金属又は金属酸化物から形成されている。蒸着膜層Ａ−１の材料は、上記「（２−４−１）」で述べたとおりの金属材料のうちの１つ又は２つ以上の組み合わせから形成されていてよい。本技術において、蒸着膜層Ａ−１は、補強層Ａの効果をより効果的を奏するために、好ましくはＣｏ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ、Ｃｕ、及びＣｒからなる群から選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせから形成されていてよく、より好ましくはＣｏから形成されていてよい。
【０１０１】
蒸着膜層Ａ−１は、上記「（２−４−１）」において蒸着膜層について述べた方法のいずれかにより形成することができる。これらの蒸着方法のうち、電子ビーム蒸着法が特に好ましい。
【０１０２】
蒸着膜層Ａ−１の厚みは、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜１９０ｎｍであり、さらにより好ましくは１００ｎｍ〜１８０ｎｍでありうる。本実施態様では、前記金属スパッタ層を設けることで、蒸着膜層の厚みをこのように薄くすることができる。
【０１０３】
金属スパッタ層Ａ−２は、金属材料から形成されている。当該金属材料は、好ましくはＴｉ又はＴｉ合金でありうる。Ｔｉ合金の例としてＴｉＣｒを挙げられる。Ｔｉ又はＴｉ合金は、金属スパッタ層を平滑にするために適している。金属スパッタ層が平滑であることによって、補強層中のボイドの面積及び／又は数をより容易に減らすことができる。
【０１０４】
金属スパッタ層Ａ−２は、スパッタリング法により形成することができる。スパッタリング法の例として、例えばマグネトロン方式又はイオンビーム方式のスパッタリング法が採用されてよいが、これらに限定されない。本技術において、金属スパッタ層Ａ−２を形成するために、例えばＤＣ（直流）マグネトロン方式のスパッタリング法が採用されてよい。
【０１０５】
金属スパッタ層Ａ−２の厚みは、好ましくは２５ｎｍ以下であり、より好ましくは２３ｎｍ以下であり、さらにより好ましくは２０ｎｍ以下でありうる。金属スパッタ層Ａ−２の厚みはより厚くてもよいが、金属スパッタ層Ａ−２による前記黒色面積又は前記黒色領域数の低減効果及び金属スパッタ層Ａ−２の成膜プロセスのコストの観点から、上記上限値以下であることが好ましい。また、当該厚みが大きすぎる場合は、磁気記録テープの全厚が大きくなりうる。
金属スパッタ層Ａ−２の厚みは、金属スパッタ層Ａ−２による磁気記録テープの補強効果をもたらす限りにおいて、可能な限り薄くてもよい。金属スパッタ層Ａ−２の厚みは、例えば１ｎｍ以上であり、より好ましくは２ｎｍ以上である。金属スパッタ層Ａ−２は、上記下限値以上の厚みを有することで、前記補強効果をより効果的に発揮することができる。
【０１０６】
（２−５）バック層
図１に示されたバック層４は、例えば記録再生装置内でテープＴ１が高速走行する際に発生する摩擦を制御する役割又は巻き乱れを防止する役割などを担っている。すなわち、バック層４は、テープＴ１を高速で安定走行させるための役割を担っている。
【０１０７】
バック層４は、結着剤及び非磁性粉を含んでいてよい。バック層４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤のうちから選ばれる少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。前記結着剤及び前記非磁性粉は、上述の非磁性層２に関して説明したものが、バック層４についても当てはまる。また、バック層４が前記帯電防止剤を含むことによって、このバック層４にゴミ又は埃が付着することを防止することができる。
【０１０８】
バック層４に含有され得る非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。
【０１０９】
バック層４の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４の平均厚みが０．６μｍ以下であると、テープＴ１の平均厚みが小さい場合（例えば５．６μｍ以下である場合）でも、テープＴ１の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、バック層４の平均厚みは、例えば０．２μｍ以上であってよい。０．２μｍ未満であると、テープＴ１の記録再生装置内での走行安定性に支障をきたす恐れが生じる。
【０１１０】
バック層４の平均厚みは、以下のようにして求められる。
まず、１／２インチ幅のテープＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、テープＴ１の平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【０１１１】
続いて、サンプルのバック層４を、例えばＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸などの溶剤で除去する。その後、上記レーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層４を除去したテープＴの平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【０１１２】
その後、以下の式４によりバック層４の平均厚みｔｂ［μｍ］を求める。
式４：ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］−ｔＢ［μｍ］
【０１１３】
（３）本技術に従う磁気記録テープの製造方法の一例（塗布により磁性層が形成される磁気記録テープ）
【０１１４】
本技術に従う磁気記録テープの製造方法の例を、図６を参照しながら説明する。図６は、上記「（２）磁気記録テープを構成する層の構成例」において説明したテープＴ１の製造方法のフローを示している。
【０１１５】
当該製造方法の概要は以下のとおりである。まず、ベース層３を形成する基体上に塗布によって形成される磁性層１、非磁性層２、及びバック層４のそれぞれの層形成用塗料が調製される（ステップＳ１０１：塗料調製工程）。次に、ベース層３上に補強層Ａが形成されて、ベース層３と補強層Ａとからなる積層物が得られる（ステップＳ１０２：補強層形成工程）。
【０１１６】
前記３つの層形成用塗料が、テープＴ１の層構造を形成するように塗布される（ステップＳ１０３：塗布工程）。例えば、補強層Ａの２つの面のうち露出している面（すなわち、補強層Ａの２つの面のうちベース層と接していない面）に非磁性層形成用塗料を塗布し、そしてこれを乾燥して非磁性層２が形成される。続いて、非磁性層２に磁性層形成用塗料を塗布し、これを乾燥させ且つ磁性粉を配向して磁性層１が形成される。磁性層１の配向が終了したら、ベース層３の２つの面のうち蒸着膜層Ａが積層されていない面に、バック層形成用塗料を塗布し、これを乾燥してバック層４が形成される。このようにして、計５層からなるテープＴ１が製造される。
【０１１７】
続いて、カレンダー工程、硬化工程、裁断工程、切断工程、及び組み込み工程が行われてテープカートリッジ製品（図７参照）が製造される。当該テープカートリッジ製品は、検査工程が行われたのち、出荷されうる。
【０１１８】
上記「（２）磁気記録テープを構成する層の構成例」において説明したテープＴ２は、前記塗布工程が以下のとおりに行われること以外は、以上でテープＴ１について説明した製造方法と同じ方法で製造されてよい。
テープＴ２の製造方法における塗布工程は、前記３つの層形成用塗料が、テープＴ２の層構造を形成するように塗布される。例えば、ベース層３の２つの面のうち蒸着膜層Ａが積層されていない面に非磁性層形成用塗料を塗布し、そしてこれを乾燥して非磁性層２が形成される。続いて、非磁性層２に磁性層形成用塗料を塗布し、これを乾燥させ且つ磁性粉を配向して磁性層１が形成される。磁性層１の配向が終了したら、補強層Ａの２つの面のうち露出している面（すなわち、補強層Ａの２つの面のうちベース層と接していない面）に、バック層形成用塗料を塗布し、これを乾燥してバック層４が形成される。このようにして、計５層からなるテープＴ２が製造される。
【０１１９】
以下で、図６に示されるフロー中の各工程について、さらに詳しく説明する。また、前記層形成用塗料の組成の例についても以下に示す。
【０１２０】
（３−１）塗料調製工程
ステップＳ１０１において、非磁性粉、結着剤、及び潤滑剤を溶剤に混練及び／又は分散させることにより「非磁性層形成用塗料」が調製される。また、磁性粉、結着剤、及び潤滑剤を溶剤に混練及び／又は分散させることにより「磁性層形成用塗料」が調製される。また、結着剤及び非磁性粉を溶剤に混練及び／又は分散させることにより「バック層形成用塗料」が調製される。
【０１２１】
前述した磁性層形成用塗料、非磁性層形成用塗料、及びバック層形成用塗料を調製するために用いられる溶剤の例は以下に記載されている。また、これらの塗料には、必要に応じて、上記「（２）磁気記録テープを構成する層の構成例」において述べた他の添加剤が含まれていてもよい。
【０１２２】
前記塗料を調製するために用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒を挙げることができるが、これらに限定されない。前記塗料を調製するために用いられる溶剤は、これらのうちのいずれか一つであってよく、又は、これらのうちの２種以上の混合物であってもよい。
【０１２３】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を挙げることができるが、これらの装置に限定されるものではない。
【０１２４】
＜磁性層形成用塗料の調製工程＞
「磁性層形成用塗料」は、例えば以下のようにして調製することができる。まず、下記組成を有する第１組成物をエクストルーダで混練する。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記組成を有する第２組成物を加えて予備混合を行なう。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行って、磁性層形成用塗料が調製される。
【０１２５】
（第１組成物）
・バリウムフェライト（ＢａＦｅ１２Ｏ１９）粒子の粉末（六角板状、アスペクト比２．８、粒子体積１９５０ｎｍ３）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
・酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
・カーボンブラック：２質量部（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
【０１２６】
（第２組成物）
・塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・ｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１２１．３質量部
・トルエン：１２１．３質量部
・シクロヘキサノン：６０．７質量部
【０１２７】
最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とが添加される。
【０１２８】
＜非磁性層用塗料の調製工程＞
「非磁性層用塗料」は、例えば、以下のようにして調製することができる。まず、下記組成を有する第３組成物をエクストルーダで混練する。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行う。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行って、非磁性層形成用塗料が調製される。
【０１２９】
（第３組成物）
・針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１５μｍ）
・塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
【０１３０】
（第４組成物）
・ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
・ｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１０８．２質量部
・トルエン：１０８．２質量部
・シクロヘキサノン：１８．５質量部
【０１３１】
最後に、上述のようにして調製した非磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とが添加される。
【０１３２】
＜バック層形成用塗料の調製工程＞
バック層形成用塗料は、例えば、以下のようにして調製することができる。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製する。
・カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）：９０質量部
・カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：１０質量部
・ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
・メチルエチルケトン：５００質量部
・トルエン：４００質量部
・シクロヘキサノン：１００質量部
なお、カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）を８０質量部、同粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：２０質量部としてもよい。
【０１３３】
以上のように、塗布によって形成する各層のそれぞれの塗料が、塗料調製工程において調製される。
【０１３４】
（３−２）補強層形成工程
【０１３５】
ステップＳ１０２の補強層形成工程において、ベース層上に補強層が形成される。例えば、ロールｔｏロール方式の真空成膜装置を用いて、補強層をベース層上に形成することができる。以下で、当該真空成膜装置の例を、図８を参照しながら説明する。図８は、真空成膜装置１００の構成の概略を示す図である。真空成膜装置１００は、真空槽１０１内に、冷却されながら回転する冷却キャン１０２を有する。真空槽１０１の内部は、排気口（図示せず）からの廃棄により真空状態が維持されている。真空槽１０１内には、供給ロール１０３と巻き取りロール１０４とが設けられている。ベース層３を形成する基体は、供給ロール１０３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン１０２の周面を通過し、そして、巻取りロール１０４に巻取られる。
供給ロール１０３と冷却キャン１０２との間及び冷却キャン１０２と巻取りロール１０４との問にはそれぞれガイドロール１０５、１０６、１０７、及び１０８が配設されている。これらガイドロールによって、供給ロール１０３から冷却キャン１０２へ走行するベース層３及び冷却キャン１０２から巻取りロール１０４へ走行するベース層３に所定のテンションがかけられ、ベース層３が円滑に走行する。
【０１３６】
真空槽１０１内には、蒸着膜層形成エリア１１０及び金属スパッタ層形成エリア１２０が備えられている。
上記で述べたテープＴ１及びＴ２を製造する場合には、金属スパッタ層形成エリア１２０において金属スパッタ層の形成は行われないが、蒸着膜層形成エリア１１０において蒸着膜層の形成は行われる。これにより、蒸着膜層のみから構成された補強層が形成される。
また、上記で述べたテープＴ３及びＴ４を製造する場合には、金属スパッタ層形成エリア１２０において金属スパッタ層の形成が行われ、そして、当該金属スパッタ層の形成後に、蒸着膜層形成エリア１１０において当該金属スパッタ層上に蒸着膜層が形成される。これにより、蒸着膜層及び金属スパッタ層から構成された補強層が形成される。
【０１３７】
蒸着膜層形成エリア１１０内には、ルツボ１１１が設けられている。ルツボ１１１内には、蒸着膜層を形成する金属材料（金属又は金属酸化物）１１２が充填されている。ルツボ１１１内の金属材料１１２へと、電子銃（図示せず）から電子ビームを照射することによって、金属材料１１２から金属材料が加熱されて蒸発し、そして、冷却キャン１０２の周面を走行するベース層３上に蒸着膜層が形成される。
【０１３８】
金属スパッタ層形成エリア１２０内には、ターゲット１２１が設けられている。ターゲット１２１は、金属スパッタ層を形成する金属のみからなるターゲットでありうる。ターゲット１２１は、例えばカソード電極（図示せず）を構成するバッキングプレート（図示せず）により支持されていてよい。金属スパッタ層形成エリア１２０内にＡｒガスを導入し、冷却キャン１０２をアノードとし且つ前記バッキングプレートをカソードとして電圧が印加される。当該電圧の印加によって、Ａｒガスがプラズマ化し、そして、電離されたイオンがターゲット１２１に衝突する。当該衝突によって、ターゲット１２１から金属がはじき出される。当該はじき出された金属が、冷却キャン１０２の周面に沿って走行するベース層３に付着して、金属スパッタ層が形成される。
【０１３９】
（３−３）塗布工程
ステップＳ１０３において、前記非磁性層形成用塗料を、補強層Ａの２つの面のうちベース層３に接していない面（すなわち露出している面）に塗布して乾燥させることにより、例えば平均厚み１．０μｍ〜１．１μｍの非磁性層２が形成される。続いて、この非磁性層２上に、前記磁性層形成用塗料を塗布して、例えば平均厚み４０ｎｍ〜１００ｎｍの磁性層１が形成される。そして、磁性層１を塗布により形成した後、この磁性層１について、下記「（３−４）配向工程」にて述べる配向処理を行ない、その直後に磁性層１を乾燥させる。そして、ベース層３の２つの面のうち露出している面（すなわち補強層Ａと接していない面）に、前記バック層形成用塗料を塗布し、乾燥させて、バック層４が形成される。以上により、テープＴ１が形成される。
代替的には、ベース層３の２つの面のうち露出している面（すなわち補強層Ａと接していない面）の直上に、上記と同様に非磁性層２及び磁性層１が形成されてよい。そして、補強層Ａの２つの面のうちベース層３に接していない面（すなわち露出している面）の直上にバック層４が形成されてもよい。これにより、テープＴ２が形成される。
【０１４０】
（３−４）配向工程
ステップＳ１０４において、塗布形成された磁性層１を乾燥する前に、永久磁石を用いて、例えば、磁性層１中の磁性粉の磁場配向を行う。例えば、ソレノイドコイルにより、磁性層１中の磁性粉を垂直方向（即ち、テープ厚み方向）に磁場配向させる（垂直配向）。また、ソレノイドコイルにより、磁性粉をテープ走行方向（テープ長手方向）に磁場配向させるようにしてもよい。なお、磁性層１は、高記録密度化という点で、垂直配向が望ましいのであるが、場合によっては面内配向（長手配向）としてもよい。
配向度（角形比）は、例えばソレノイドコイルから出る磁界の強さ（例えば磁性粉の保磁力の２〜３倍）を調整することにより、磁性層形成用塗料の固形分を調整することにより、若しくは、乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより、又は、これらの調整の組み合わせにより、調整することができる。また、磁場中で磁性粉が配向するための時間を調整することによっても、配向度を調整することができる。例えば、配向度を高くするために、塗料中の磁性粉の分散状態をよくすることが好ましい。また、垂直方向の配向のために、配向器に入る前に事前に磁性粉を磁化させておく方法も有効であり、この方法が用いられてもよい。このような調整を行うことによって、垂直方向（磁気テープの厚み方向）及び／又は長手方向（磁気テープの長さ方向）における配向度を所望の値に設定することができる。
【０１４１】
（３−５）カレンダー工程
ステップＳ１０５において、カレンダー処理を行い、磁性層１の表面を平滑化する。このカレンダー工程は、一般にカレンダーと称される多段式のロール装置を用いて鏡面加工する工程である。対向する金属製ロールにテープＴ１又はＴ２を挟み込みながら、必要な温度と圧力をかけて、磁性層１の表面を平滑に仕上げる。
【０１４２】
（３−６）裁断工程
ステップＳ１０６において、上述のようにして得られた幅広の磁気記録テープＴ１又はＴ２を、例えば、テープの品種の規格に合わせたテープ幅に裁断する。例えば、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、所定のロールに巻き取る。これにより、目的のテープ幅を備える長尺状の磁気記録テープＴ１又はＴ２を得ることができる。この裁断工程で、必要な検査を行ってもよい。
【０１４３】
（３−７）組み込み工程
ステップＳ１０７において、所定の幅に裁断された磁気記録テープＴ（Ｔ１又はＴ２）を品種に合わせた所定の長さ切断し、図７に示したようなカートリッジテープ５の形態とする。具体的には、カートリッジケース５１内に設けられたリール５２に所定長の磁気記録テープを巻き付けて収容する。
【０１４４】
組込工程後に、カートリッジテープ５は、例えば最終の製品検査工程を経て、梱包を行い出荷されうる。検査工程では、例えば電磁変換特性及び走行耐久性などの出荷前検査により、磁気記録テープの品質確認が行われうる。
【０１４５】
（４）磁気記録テープを構成する層の構成例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）
【０１４６】
図９は、本技術に従う磁気記録テープＴ５の層構造を示す断面図である。この磁気記録テープＴ５は、ベース層２５の２つの面のうち、バック層２６側の面に補強層Ａが設けられている。ベース層２５の他方の主面（磁性層側の面）上にシード層２４が設けられ、この一層構造のシード層２４の直上に二層構造の下地層２３（２３−１及び２３−２）が積層されている。
テープ５は、上から順に潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層２１、中間層２２、下地層２３、シード層２４、ベース層２５、補強層Ａ、及びバック層２６を有する。潤滑剤層Ｌの直下に保護層Ｐがあり、保護層Ｐの直下に磁性層２１があり、磁性層２１の直下に中間層２２があり、中間層２２の直下に下地層２３があり、下地層２３の直下にシード層２４があり、シード層２４の直下にベース層２５があり、ベース層２５の直下に補強層Ａがあり、且つ、補強層Ａの直下にバック層２６がある。以下では、各層の構成について説明する。また、本構成例の説明において、ベース層２５を挟んで磁性層２１側を上側、バック層２６側を下側として扱うものとする。
【０１４７】
（４−１）潤滑剤層
図９に示される潤滑剤層Ｌは、潤滑剤が配合された層であり、走行時の磁気記録テープＴ５の摩擦を軽減する役割を主に果たす。潤滑剤層Ｌは、保護層Ｐの上層に積層される。
【０１４８】
潤滑剤層Ｌは、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑剤層Ｌは、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
【０１４９】
【化１】
2020152994.tif 000003
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水
素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
【０１５０】
上記カルボン酸系化合物は、下記の一般化学式（２）または一般化学式（３）で表されるものが好ましい。
【０１５１】
【化２】
2020152994.tif 000004
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
【０１５２】
【化３】
2020152994.tif 000005
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
【０１５３】
潤滑剤は、上記の一般化学式（２）および一般化学式（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。
【０１５４】
一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁性層１または保護層Ｐなどに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
【０１５５】
例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般化学式（４）で表される基であることが望ましい。
【０１５６】
【化４】
2020152994.tif 000006
（但し、一般化学式（４）において、ｌは、８〜３０、より望ましくは１２〜２０の範囲から選ばれる整数である。）
【０１５７】
また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般化学式（５）で表される基であることが望ましい。
【０１５８】
【化５】
2020152994.tif 000007
（但し、一般化学式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２〜２０、ｎ＝３〜１８、より望ましくは、ｍ＝４〜１３、ｎ＝３〜１０である。）
【０１５９】
フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般化学式（６）のように分散していてもよく、−ＣＦ３や−ＣＦ２−ばかりでなく−ＣＨＦ２や−ＣＨＦ−等であってもよい。
【０１６０】
【化６】
2020152994.tif 000008
（但し、一般化学式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）
【０１６１】
一般化学式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
【０１６２】
特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
【０１６３】
上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
【０１６４】
上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
【０１６５】
以下で説明する保護層Ｐが炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層Ｐ上に塗布すると、保護層Ｐ上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑剤層Ｌを形成することができる。
【０１６６】
なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録テープＴ５の表面に潤滑剤層Ｌとして保持されるのみならず、磁気記録テープＴを構成する磁性層２１および保護層Ｐなどの層に含まれ、保有されていてもよい。これは、潤滑剤を保護層Ｐに塗布した場合、保護層Ｐなどの層へ浸透しうるためである。潤滑剤層Ｌの厚みは、例えば０．１ｎｍ程度でありうる。なお、潤滑剤層は、以下で説明するバック層の表面に設けられていてもよく、例えば図９及び図１０に示されるバック層２６の下側の面に積層されうる。
【０１６７】
（４−２）保護層
【０１６８】
図９に示される保護層Ｐは、磁性層２１を保護する役割を果たす層である。この保護層Ｐは、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む。この保護層Ｐの膜強度の観点からは炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：略称ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを挙げることができる。
【０１６９】
（４−３）磁性層
【０１７０】
磁性層２１は、磁性結晶粒子を含む層であり、磁気を用いて、信号を記録したり、あるいは再生をしたりする層として機能する。磁性層２１は、記録密度を向上できる観点などから磁性結晶粒子が垂直配向されていることがより好ましい。さらに、この観点で、磁性層１は、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ構造を有する層であることが好ましい。
【０１７１】
グラニュラ構造を有する磁性層２１は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻くように存在する非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、グラニュラ構造の磁性層２１は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離する非磁性粒界とから構成されている。このようなグラニュラ構造によって、磁性層２１は、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に分離した構造を呈する。
【０１７２】
Ｃｏ系合金は、後述の中間層２２のＲｕと同じく六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造を有しており、そのｃ軸は膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向している。このように、磁性層２１が直下層の中間層２２と同じ六方晶最密充填構造を有することによって、磁性層２１の配向特性がさらに高められている。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を採用することが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に狭く限定されるものではなく、さらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、Ｎｉ、Ｔａなどから選択される一種以上の元素を挙げることができる。
【０１７３】
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物及び金属窒化物の内の少なくとも一つを採用することができ、上記グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。
【０１７４】
非磁性粒界に適する前記金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、Ｂ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ３又はＨｆＯ２などを挙げることができ、特に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含む金属酸化物が好ましい。
【０１７５】
非磁性粒界に適する上記金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮ又はＡｌＮなどを挙げることができる。
【０１７６】
さらに、強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉＯ２とが、以下の式（５）に示す平均原子数比率を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑制し、かつ、充分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性のさらなる向上を実現できるからである。
（ＣｏｘＰｔｙＣｒ100−ｘ−ｙ）100−ｚ−（ＳｉＯ２）ｚ・・・（５）
（但し、式（５）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１０≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
【０１７７】
上記平均原子数比率は、次のようにして求めることができる。磁気記録テープＴ５の保護層Ｐ（図９参照。後述）側からイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による磁性層２１の深さ方向分析（デプスファイル測定）を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ及びＯの平均原子数比率を求める。
【０１７８】
磁性層２１の厚みの好適な範囲は、１０ｎｍ〜２０ｎｍである。下限厚みの１０ｎｍは、磁性粒子体積の低減による熱擾乱の影響という観点での限界厚みであり、上限厚みの２０ｎｍは、高記録密度磁気記録テープのビット長の設定の観点から、この厚みを超える厚みは弊害となる。
【０１７９】
磁性層２１の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、磁気記録テープＴを、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。装置および観察条件は、装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）、加速電圧：３００ｋＶ、倍率：１００，０００倍である。次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録テープＴの長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層２１の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層２１の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
【０１８０】
（４−４）中間層
図９中に示される中間層２２は、中間層２２の直上に形成された磁性層２１の配向特性を高める役割を主に果たす層である。この中間層２２は、該中間層２２と接している磁性層２１の主成分と同様の結晶構造を有していることが好ましい。例えば、磁性層２１がＣｏ（コバルト）系合金を含んでいる場合には、該中間層２２は、このＣｏ系合金と同様の六方晶最密充填構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向していることが好ましい。これにより、磁性層２１の結晶配向特性を一層高め、かつ、中間層２２と磁性層２１との格子定数のマッチングを比較的良好にすることができる。
【０１８１】
中間層２２で採用する六方晶最密充填構造の材料は、Ｒｕ（ルテニウム）単体又はその合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、Ｒｕ-ＳｉＯ２、ＲｕＴｉＯ２、又はＲｕ-ＺｒＯ２などのＲｕ合金酸化物を挙げることができる。しかしながら、Ｒｕ材料は希少金属であり、コスト視点では中間層２２は可能な限り薄くすることが好ましく、６．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは２．０ｎｍ以下の厚みが好ましい。あるいは、同コスト視点では、この中間層２２を有さない層構造が採用されてよい。ベース層２５の上に、後述する下地層２３及びシード層２４を設けているので、この中間層２２の厚さを薄くした場合でも、あるいは、該中間層２が無い層構造が採用された場合でも、良好なＳＮＲの磁気記録テープを得ることができる。例えば、中間層２が無い層構造を有する磁気記録テープは、図９に示される潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層２１、下地層２３、シード層２４、ベース層２５、補強層Ａ、及びバック層２６が、この順に積層されている層構造を有する磁気記録テープであってよく、又は、図１０に示される潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層２１、下地層２３、シード層２４、補強層Ａ、ベース層２５、及びバック層２６が、この順に積層されている層構造を有する磁気記録テープであってよい。
【０１８２】
なお、中間層２２が有する「濡れ性」を利用すると、中間層２２の上に真空成膜にて形成される磁性層２１を構成する材料が結晶化する時の拡散がし易くなり、結晶のカラムサイズを大きくすることができる。例えば、Ｒｕを含有する中間層２２に濡れ性を発揮させるためには、最低でも０．５ｎｍ以上の厚みが必要である。
【０１８３】
（４−５）下地層
図９に示されるテープＴ５において、上記中間層２２の直下に、下地層２３が設けられている。より具体的には、中間層２２の下に、該上側下地層２３−１、さらに該上側下地層２３−１の直下に下側下地層２３−２が設けられている。即ち、下地層２３は、上側下地層２３−１と下側下地層２３−２からなる二層構造を備えている。
【０１８４】
下地層２３を構成する上側下地層２３−１及び下側下地層２３−２の両方が、Ｃｏ系合金で形成されている磁性層２１と同様のＣｏ系合金から形成することが好ましい。その理由は、下地層２３にＣｏ系合金を用いると、上述した磁性層２１や中間層２２と同じ六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造を有する結晶構造を備えることになり、そのｃ軸は膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向する。このように、下地層２３が、磁性層２１や中間層２２と同じ六方晶最密充填構造を有することにより、磁性層２１の配向特性をさらに高めることができる。
【０１８５】
ここで、下地層２３を構成する上側下地層２３−１は、以下の式（６）で示される平均原子数比率を有していることが好ましい。
【０１８６】
Ｃｏ（100−ｙ）Ｃｒｙ・・・（６）
（但し、３７≦ｙ≦４５の範囲内である。）
【０１８７】
ＣｏＣｒ膜については、０≦ｙ≦３６ではｈｃｐ相、５４≦ｙ≦６６ではσ相となる。ＣｏＣｒ膜がｈｃｐ相とσ相の共存状態で場合に、その上に成長する六方晶最密充填構造である金属膜において、良好な垂直方向へのｃ軸配向と孤立したカラム形状を有する膜が形成される。ｙが３７未満であると、ＣｏＣｒ膜はｈｃｐ相のみとなるので、その上に成長する金属膜のカラムの孤立性が低下することから不適であり、一方、ｙが４５を超えると、ＣｏＣｒ膜中のσ相の比率が増えることによりその上に成長する金属膜のｃ軸配向が低下するので不適である。
【０１８８】
上側下地層２３−１は、以下の式（７）で表される平均原子数比率に示す範囲で、二酸化ケイ素を含有していてもよい。
【０１８９】
［Ｃｏ（１００−ｙ）Ｃｒｙ］（１００−ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ・・・（７）
（但し、ｚ≦３０の範囲内である。）
【０１９０】
上記式（７）において、ｚが３０を超える場合は、Ｃｏ系合金の磁性柱状結晶（カラム）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離している非磁性粒界が過剰となり、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に過度に分離した構造を呈してしまうので、好ましくない。なお、この（７）式において、Ｚ＝０の場合は、式（６）が適用されることになる。
【０１９１】
この上側下地層２３−１の厚みは、２０〜５０ｎｍの範囲が好ましい。同厚みが２０ｎｍ未満である場合、グラニュラ形状の鍵であるカラム先頭部の山型形状が取りにくくなり、その上に成長する中間層の十分なグラニュラ性が確保できなくなる。また、同厚みが５０ｎｍを超える場合、カラムが粗大化することにより中間層のカラムサイズが大きくなることにより最終的に磁性層のカラムサイズが大きくなり記録再生特性のノイズが増大する。
【０１９２】
次に、上側下地層２３−１の直下に設けられる下側下地層２３−２についても、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含む組成であって、かつ、上記式（６）、又は式（７）式と同じ平均原子数比率であることが好ましい。該下側下地層２３−２の厚みの好適な範囲は、上記上側下地層２３−１と同様である。
【０１９３】
下地層２３に、上側下地層２３−１と下側下地層２３−２を設けて二層構造とすると、下側下地層２３−２では結晶配向を高める成膜条件とし、上側下地層２３−１をグラニュラ性の高い成膜条件とすることで、結晶配向およびグラニュラ性を同時に実現できるようになるので、この点で好ましい。
【０１９４】
下地層２３は、上側下地層２３−１のみからなる層であってもよい。この場合、以下で述べるシード層２４は、下側シード層のみから形成されてよい。
【０１９５】
（４−６）シード層
図９に示されるシード層２４は、下地層２３の下層に位置し、かつ、ベース層２５（後述）の一方の主面の直上に形成される層である。このシード層２４は、後述する中間層２２が薄く形成された場合、あるいは、該中間層２２が設けられない層構成であっても、良好なＳＮＲ（シグナルノイズ比）を確保するために必要である。また、このシード層２４は、ベース層２５に対して下地層２３以上の上層部、即ち、下地層２３（２３−１及び２３−２）、中間層２２、磁性層２１を密着させる役割も果たす。
【０１９６】
このシード層２４は、Ｔｉ（チタン）とＯ（酸素）の二つの原子を少なくとも含んでおり、次の式（８）で表される平均原子数比率を有することが好ましい。
【０１９７】
Ｔｉ（100−ｘ）Ｏｘ・・・（８）
（但し、Ｘ≦１０である。）
【０１９８】
あるいは、このシード層４は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｏの三つの原子を含んでおり、次の式（９）で表される平均原子数比率を有することが好ましい。シード層４にＣｒが含有すると、同様にＣｒを含有している下地層２３（上側下地層２３−１及び下側下地層２３−２）及び磁性層２１とのマッチングが良くなるので好ましい。
【０１９９】
（ＴｉＣｒ）（100−ｘ）Ｏｘ・・・（９）
（但し、Ｘ≦１０である。）
【０２００】
上記式（８）、式（９）で表されるいずれの平均原子数比率であっても、両式においてＸが１０を超えるとシード層中にＴｉＯ２結晶が生成されるようになり、アモルファス膜としての機能が著しく低下するので好ましくない。
【０２０１】
シード層２４に含有されるＴｉは、Ｃｏ系合金と同様に六方晶最密充填構造を備えているので、磁性層２１、中間層２２、及び下地層２３に結晶構造とのマッチングがよい。
【０２０２】
シード層２４に酸素が含有されている。これは、後述するベース層２５を構成するフィルムに由来又は起因する酸素がシード層２４に入り込むからであり、この点、フィルムからなるベース層２５を使用しないハードディスク（ＨＤＤ）のシード層とは異なった原子構成となっている。なお、シード層２４の全体の厚さは、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２０３】
シード層２４は二層構造であってもよい。例えば、下地層２３に接する層（上側シード層）は、ニッケルタングステン（Ｎｉ９６Ｗ６）で形成されうる。ベース層２５（又は、図１０においては補強層Ａ）に接する層（下側シード層）は、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＯを少なくとも含み、上記式（９）で示される平均原子数比率の組成を有していてよい。
上側シード４１の厚みは、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内にあってよく、且つ、下側下地層４２の厚みは、例えば２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内にあってよい。
【０２０４】
（４−７）ベース層
【０２０５】
図９中に示されたベース層２５は、可撓性を有する長尺状の非磁性支持体であり、磁気記録テープの土台となる層としての機能を主に果たしている。ベース層５は、ベースフィルム層又は基体と称されることがあり、磁気記録テープＴ５全体に適正な剛性を付与するフィルム層である。
【０２０６】
上記「（２−３）ベース層」においてベース層３に関して述べた説明（例えば平均厚み及び材料に関する説明）が、ベース層２５についても当てはまる。そのためベース層２５についての説明は省略する。
【０２０７】
（４−８）補強層
【０２０８】
図９に示される補強層Ａは、ベース層２５の２つの面のうちバック層２６側の面に設けられており、且つ、金属又は金属酸化物から形成されている。代替的には、補強層Ａは、図１０に示されるとおり、ベース層２５の２つの面のうち磁性層２１側の面に設けられていてもよい。
【０２０９】
本技術の一つの好ましい実施態様に従い、テープＴ５は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下であるという構成を有する。当該構成によって、特に優れた寸法安定性向上効果がもたらされる。前記黒色面積は、より好ましくは２８０μｍ２以下、さらにより好ましくは２６０μｍ２以下、さらにより好ましくは２４０μｍ２以下でありうる。前記黒色面積はより小さいことが好ましく、前記黒色面積は例えば０μｍ２以上でありうる。
【０２１０】
本技術の他の好ましい実施態様に従い、テープＴ５は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が１００以下であるという構成を有しうる。前記黒色領域の数は、より好ましくは８０以下、さらにより好ましくは６０以下、さらにより好ましくは５０以下でありうる。前記黒色領域の数はより小さいことが好ましく、前記黒色領域の数は例えば０以上でありうる。
【０２１１】
本技術の特に好ましい実施態様に従い、テープＴ５は、補強層Ａの６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下であり、且つ、当該画像中の黒色領域の数が１００以下であるという構成を有しうる。
【０２１２】
前記黒色面積及び前記黒色領域の数の測定は、上記「（２−４）補強層」において述べた測定方法と同様の方法により行われてよい。
【０２１３】
補強層Ａは、図９に示されるとおり、ベース層２３のバック層２６側の面に設けられていてよい。代替的には、図１０に示されるテープＴ６のように、補強層Ａは、ベース層２３の磁性層２１側の面に設けられていてもよい。ベース層２５のいずれかの面又は両面に補強層Ａが積層されていることによって、テープＴ５が補強される。
【０２１４】
補強層Ａによって、上記「（２−４）補強層」において述べた効果が奏される。
【０２１５】
補強層Ａのヤング率も、上記「（２−４）補強層」において述べたとおりのものであってよい。当該ヤング率の測定も、上記「（２−４）補強層」において述べたように、ベース層２３及び補強層Ａのみから形成される積層物を用いて行われてよい。
テープＴ５についても、上記「（２−４）補強層」においてとおりの合算ＴＤＳを有しうる。
補強層Ａの厚みについても、上記「（２−４）補強層」において述べたとおりのものであってよい。
【０２１６】
本技術の一つの好ましい実施態様に従い、補強層Ａは、上記「（２−４−１）蒸着膜層から構成される補強層」において述べたとおり、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層であってよい。
本技術の他の好ましい実施態様に従い、補強層Ａは、上記「（２−４−２）蒸着膜層及び金属スパッタ層から構成される補強層」において述べたとおり、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層と金属スパッタ層とから形成されており、前記ベース層と前記蒸着膜層との間に、前記金属スパッタ層が設けられていてよい。
前記蒸着膜層及び前記金属スパッタ層は、上記「（２−４−１）蒸着膜層から構成される補強層」及び「（２−４−２）蒸着膜層及び金属スパッタ層から構成される補強層」において述べたとおりであるので、これらについての説明は省略する。
【０２１７】
（４−９）バック層
【０２１８】
図９に示されているバック層２６は、ベース層２５の下側の主面に形成されている。上記「（２−５）バック層」においてバック層４について述べた説明が、バック層２６についても当てはまる。そのため、バック層２６についての説明は省略する。
【０２１９】
（４−１０）軟磁性裏打ち層
【０２２０】
本技術に従う磁気記録テープは、さらに軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、略称ＳＵＬ）を含むものであってよい。
例えば図９に示される層構造の場合は、当該軟磁性裏打ち層は、シード層２４とベース層２５との間に配置されうる。すなわち、図９に示される層構造において当該軟磁性裏打ち層が含まれる場合は、シード層２４、当該軟磁性裏打ち層、ベース層２５、及び補強層Ａがこの順に積層されている。
また、例えば図１０に示される層構造の場合は、当該軟磁性裏打ち層は、シード層２４と補強層Ａとの間に配置されうる。すなわち、図１０に示される層構造において当該軟磁性裏打ち層が含まれる場合は、シード層２４、軟磁性裏打ち層、補強層Ａ、ベース層２５がこの順に積層されている。
【０２２１】
当該軟磁性裏打ち層は、磁性層２１に磁気記録を行う際に、垂直磁気ヘッドから発生する漏れ磁束を、磁性層２１に効率よく引き込むために設けられる層である。当該軟磁性裏打ち層を設けることで、磁気ヘッドからの磁界強度を高めることができ、より高密度に磁気記録を行うことができる。なお、当該軟磁性裏打ち層を備えている磁気記録テープは「二層垂直磁気記録テープ」と称されうる。
【０２２２】
当該軟磁性裏打ち層は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。当該軟磁性裏打ち層は、例えばＣｏ系材料から形成されてよく、より具体的には例えばＣｏＺｒＮｂ合金、ＣｏＺｒＴａ、又はＣｏＺｒＴａＮｂなどから形成されてよい。代替的には、当該軟磁性裏打ち層は、Ｆｅ系材料から形成されてよく、より具体的には例えばＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、又はＦｅＣｏＴａなどから形成されてもよい。
【０２２３】
当該軟磁性裏打ち層は、例えば単層であってよく、より具体的には上記の材料から形成される単層であってよい。
代替的には、当該軟磁性裏打ち層は、複数層から形成されてよく、例えば薄い介在層が二つの軟磁性層により挟まれている三層構造であってもよい。この場合、当該軟磁性裏打ち層は、当該介在層を介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行にした構造を備える、Antiparallel Coupled SUL（ＡＰＣ−ＳＵＬ）として構成されてよい。
【０２２４】
（５）本技術に従う磁気記録テープの製造方法の一例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）
【０２２５】
上記「（４）磁気記録テープを構成する層の構成例（スパッタにより磁性層が形成される磁気記録テープ）」において説明したテープＴ５の製造方法を、図１１を参照しながら以下に説明する。
【０２２６】
ステップＳ２０１において、ベース層２５を形成する基体上に補強層Ａが形成されて、ベース層２５と補強層Ａとからなる積層物が得られる。ステップＳ２０１は、ステップＳ１０２と同じであるので、その説明は省略する。
【０２２７】
ステップＳ２０２において、前記積層物の一方の主面に対して、シード層２４、下地層２３、中間層２２、及び磁性層２１を、この順にスパッタ成膜する（ステップＳ２０２：スパッタ膜形成工程）。スパッタ時の成膜室の雰囲気は、例えば、１×１０−５Ｐａ〜５×１０−５Ｐａ程度に設定する。シード層２４、下地層２３、中間層２２、磁性層２１の膜厚及び特性（例えば、磁気特性）は、前記積層物を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒ（アルゴン）ガスなどの圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御することができる。これら４つの層の成膜条件の例と以下に述べる。
【０２２８】
（シード層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、ベース層２５をなす長尺の高分子フィルムの表面上に、Ｔｉ（100−ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝２である。）からなるシード層が、膜厚１０ｎｍになるようにスパッタ成膜される。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：０．１Ｗ／ｍｍ２
【０２２９】
（下側下地層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、前記シード層上に、Ｃｏ（100−ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝４０内である。）からなる下側下地層が、膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜される。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＣｒターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
【０２３０】
（上側下地層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、前記下側下地層上に、Ｃｏ（１００−ｙ）Ｃｒｙ（１００−ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝０である。）からなる上側下地層を膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
ターゲット：ＣｏＣｒＳｉＯ２ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：６Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
【０２３１】
（中間層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層が、膜厚２ｎｍになるようにスパッタ成膜される。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
【０２３２】
（磁性層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、前記中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ２）からなる磁性層が１４ｎｍ成膜される。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ２）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
【０２３３】
中間層２２を設けない場合は、中間層２２の成膜を行わないようにし、下地層２３の直上に磁性層２１が成膜される。シード層２４が下側シード層及び上側シード層の二層構造を備える場合は、これら２つの層が順に成膜される。下地層３が下側下地層及び上側下地層を備える場合は、これら２つの層がこの順に成膜される。
【０２３４】
ステップＳ２０２において、さらに、配向された磁性層２１上に保護層Ｐを成膜する。保護層Ｐの成膜方法としては、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：略称ＣＶＤ）法、又は物理蒸着（Physical Vapor Depositin：略称ＰＶＤ）法を用いることができる。保護層の成膜条件の例は以下のとおりである。
【０２３５】
（保護層の成膜条件）
以下の成膜条件にて、磁性層２１上にカーボンからなる保護層が、膜厚５ｎｍになるようにスパッタ成膜される。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
【０２３６】
ステップＳ２０３において、バック層２６形成用の塗料を、ベース層２６の他方の主面上に塗工し、これを乾燥させてバック層２６を形成する。当該塗料は、結着剤、無機粒子、及び潤滑剤などを溶剤に混錬及び／又は分散させることにより予め調製されていてよい。例えば、カーボンおよび炭酸カルシウムで構成される非磁性粉とポリウレタン系結着材とから構成されるバック層が、０．３μｍ厚で形成される。
【０２３７】
次に、潤滑剤をすでに成膜されている保護層Ｐの上に塗布し、潤滑剤層Ｌを形成する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を採用することができ、特に限定されない。例えば、潤滑剤塗料は、汎用の溶剤に、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル０．１１質量％、およびフルオロアルキルジカルボン酸誘導体０．０６質量％を混合して作製される。
【０２３８】
以上のとおりの製造方法によって、磁気記録テープＴ５を製造することができる。
なお、製造された磁気記録テープに対して、磁気記録テープのテープ幅方向における反りを調整するために、表面温度が１５０℃〜２３０℃程度に熱せられた金属ロールに原反ロールを接触させて走行させるホットロール処理が施されてもよい。
【０２３９】
ステップＳ２０４において、上述のようにして得られた幅広の磁気記録テープＴ５を、例えば、磁気記録テープの品種の規格に合わせた磁気記録テープ幅に裁断する（裁断工程）。例えば、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、所定のロールに巻き取る。これにより、目的の磁気記録テープ幅を備える長尺状の磁気記録テープを得ることができる。この裁断工程で、必要な検査を行ってもよい。
【０２４０】
ステップＳ２０５において、次に、所定の幅に裁断された磁気記録テープを品種に合わせた所定の長さ切断し、図７に示したようなカートリッジテープ５の形態とする。具体的には、カートリッジケース５１内に設けられたリール５２に所定長の磁気記録テープＴ５を巻き付けて収容する。
【０２４１】
カートリッジテープ５は、例えば最終の製品検査工程を経て、梱包を行い出荷されうる。検査工程では、例えば電磁変換特性及び走行耐久性などの出荷前検査により、磁気記録テープの品質確認が行われうる。
【０２４２】
２．本技術の第二の実施形態（磁気記録テープカートリッジ）
【０２４３】
本技術は、上記「１．本技術の第一の実施形態（磁気記録テープ）」において述べた磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている磁気記録テープカートリッジも提供する。当該磁気記録テープカートリッジの構成の例は上記で説明したとおりであってよい。
当該カートリッジに収容されている磁気記録テープは、上記で述べたとおり寸法安定性に優れている。さらに、当該磁気記録テープの寸法変化を抑制又は防止しつつ、且つ、テープの厚みを減少させることができる。さらに、１つの磁気記録テープカートリッジ内に収容されるテープ長を増加させることができる。そのため、１つの磁気記録テープカートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。
【実施例】
【０２４４】
補強層（図１の符号Ａ）を設けた磁気記録テープが作製された（以下の表１の実施例１〜７及び比較例１〜３）。これらの磁気記録テープの補強層の形成は、上記「（３−２）補強層形成工程」で説明した図８を参照して説明した真空成膜装置を用いて行われた。これらの磁気記録テープのいずれについても、ベース層を形成する基体として、ＰＥＮから形成されており且つ３．２μｍの厚みを有するフィルムを用いた。これらの磁気記録テープのいずれについても、磁性層、非磁性層、及びバック層は、上記「（３−１）塗料調製工程」において述べた組成物を用いて製造された。これらの層は、いずれも塗料を塗布することにより塗布により形成され、図１に示す層構造を有するものであった。【０２４５】
実施例１〜４並びに比較例１及び２の磁気記録テープの補強層は、Ｃｏ蒸着膜層のみから構成される。
実施例５〜７及び比較例３の磁気記録テープの補強層は、金属（Ｔｉ）スパッタ層及びＣｏ蒸着膜層から構成される。
蒸着膜層は、蒸着膜層形成エリア１１０において形成された。電子ビーム発生源から加速出射させた電子ビームを坩堝内の金属材料（Ｃｏ）に照射して、Ｃｏを加熱蒸発させた。加熱蒸発したＣｏが、冷却キャンに沿って走行するフィルムに蒸着されて、蒸着膜層が形成された。図８に示される最大入射角θ１の位置から最小入射角θ２の位置までが、蒸着が行われる位置である。最大入射角と最小入射角とを調整することによって、蒸着膜層の膜厚が制御された。最大入射角は、冷却キャンの中心と蒸着開始点とを結ぶ線及び蒸着開始点と蒸着源とを結ぶ線により形成される角度である。最小入射角は、冷却キャンの中心と蒸着終了点とを結ぶ線及び蒸着終了点と蒸着源とを結ぶ線により形成される角度である。
金属スパッタ層は、金属スパッタ層形成エリア１２０にて形成された。金属スパッタ層形成エリア１２０内には、Ｔｉターゲットが配置されたスパッタカソードがあり、これによりＴｉスパッタ層が形成された。【０２４６】
製造された磁気記録テープのそれぞれについて、上記で述べた黒色面積及び黒色領域の数を、上記で述べた測定方法により測定した。また、製造された磁気記録テープそれぞれの補強層のテープ長手方向のヤング率も、上記で述べた測定方法により測定した。
測定結果を以下の表１に示す。また、補強層の厚み及び金属スパッタ層の厚みも以下の表１に示す。
図１２に、ヤング率と黒色面積との関係を示す。図１３に、ヤング率と黒色領域数との関係を示す。さらに図１４及び１５に、各実施例の磁気記録テープの画像に対して二値化処理を行った後の画像を示す。【０２４７】
【表１】
2020152994.tif 000009
【０２４８】
以上の結果より、実施例１〜７の磁気記録テープは、比較例１〜３の磁気記録テープと比べてヤング率が高かった。実施例１〜７の磁気記録テープの補強層の長手方向ヤング率は８０ＧＰａ以上であった。
また、以上の結果より、前記黒色面積が小さいほど、長手方向ヤング率が高いことが分かる。例えば前記黒色面積が３００μｍ２以下である場合に、特には２４０μｍ２以下である場合に、長手方向ヤング率が８０ＧＰａ以上であることが分かる。また、前記黒色面積が少ないほど、長手方向ヤング率が高いことも分かる。例えば前記黒色領域数が７０以下である場合に、特には５０以下である場合に、長手方向ヤング率が８０ＧＰａ以上であることが分かる。
上記「（２−４）補強層」において述べたとおり、ヤング率と合算ＴＤＳとの間には相関関係があり、ヤング率が高いほどＴＤＳはより低くなる。例えば、本例で用いた３．２μｍの厚みを有するＰＥＮベース層を含む磁気記録テープの合算ＴＤＳは３５０ｐｐｍ以下であることが好ましく、当該合算ＴＤＳを３５０ｐｐｍ以下とするためには補強層のヤング率が８０ＧＰａ以上であることが好ましい。上記のとおり、実施例１〜７の磁気記録テープの補強層の長手方向ヤング率は８０ＧＰａ以上であるので、３．２μｍの厚みを有するＰＥＮベース層を含む磁気記録テープの合算ＴＤＳを３５０ｐｐｍ以下とすることができる。他の厚みを有するベース層又は他の材料から形成されているベース層に対して本技術に従う補強層を積層することによっても、より低い合算ＴＤＳを有する磁気記録テープを得ることができる。
これらの結果より、本技術に従う磁気記録テープは長手方向ヤング率が高いので、特に優れた寸法安定性を有することが分かる。例えば、本技術に従う磁気記録テープは、テープ走行時にテンションが加わった場合、又は、温度及び／若しくは湿度などの変化があった場合でも、テープ寸法の変化を抑制又は防止できる【０２４９】
なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物から形成された補強層が設けられており、且つ、
前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色面積が３００μｍ２以下である、
磁気記録テープ。
〔２〕前記補強層の厚みが５００ｎｍ以下である、〔１〕に記載の磁気記録テープ。
〔３〕前記補強層のヤング率が７０ＧＰａ以上である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録テープ。
〔４〕前記補強層のヤング率が前記ベース層のヤング率の１０倍以上である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔５〕前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔６〕前記蒸着膜層の厚みが３５０ｎｍ以下である、〔５〕に記載の磁気記録テープ。
〔７〕前記補強層が、金属又は金属酸化物から形成された蒸着膜層と金属スパッタ層とから形成されており、
前記ベース層と前記蒸着膜層との間に、前記金属スパッタ層が設けられている、
〔１〕〜〔６〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔８〕前記金属スパッタ層の厚みが２５ｎｍ以下である、〔７〕に記載の磁気記録テープ。
〔９〕前記蒸着膜層の厚みが１０ｎｍ〜２００ｎｍである、〔７〕又は〔８〕に記載の磁気記録テープ。
〔１０〕磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
前記ベース層の前記磁性層側の面及び前記バック層側の面のいずれかに、金属又は金属酸化物からなる補強層が設けられており、
前記補強層の６４μｍ×４８μｍの矩形領域の光学顕微鏡画像を２値化処理して得られる画像中の黒色領域の数が７０以下である
磁気記録テープ。
〔１１〕前記磁性層のトラック密度が、テープ幅方向で１万本／inchインチ以上である、〔１〕〜〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔１２〕前記ベース層の厚みが３．６μｍ以下である、〔１〕〜〔９〕及び〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔１３〕前記蒸着膜層が、電子ビーム蒸着法により形成されたものである、〔５〕に記載の磁気記録テープ。
〔１４〕前記磁気記録テープの全厚が５．６μｍ以下である、〔１〕〜〔９〕及び〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
〔１５〕〔１〕に記載の磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録テープカートリッジ。
【符号の説明】
【０２５０】
Ｔ１  磁気記録テープ
１  磁性層
２  非磁性層
３  ベース層
Ａ  補強層
４  バック層
【図１】
2020152994.tif 000010
【図２】
2020152994.tif 000011
【図３】
2020152994.tif 000012
【図４】
2020152994.tif 000013
【図５】
2020152994.tif 000014
【図６】
2020152994.tif 000015
【図７】
2020152994.tif 000016
【図８】
2020152994.tif 000017
【図９】
2020152994.tif 000018
【図１０】
2020152994.tif 000019
【図１１】
2020152994.tif 000020
【図１２】
2020152994.tif 000021
【図１３】
2020152994.tif 000022
【図１４】
2020152994.tif 000023
【図１５】
2020152994.tif 000024
【国際調査報告】
2020152994.tif 000025
2020152994.tif 000026
2020152994.tif 000027
2020152994.tif 000028