(57)【要約】  マイクロ波デバイスは、グランドビアホール（７０）を有する第１の多層樹脂基板と、第１の多層樹脂基板に設けられる高周波回路を備えた半導体基板と、半導体基板の第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられる導電性のヒートスプレッダ（５）と、を備える。マイクロ波デバイスは、第１の多層樹脂基板に設けられ、ヒートスプレッダ（５）の半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて半導体基板とヒートスプレッダ（５）とを覆う樹脂と、露出面に接触して樹脂とヒートスプレッダ（５）とを覆う導電膜（２）と、を備える。半導体基板は、半導体基板を貫通するグランドスルーホール（７５）が設けられ、導電膜（２）は、ヒートスプレッダ（５）と半導体基板のグランドスルーホール（７５）とを介して、第１の多層樹脂基板のグランドビアホール（７０）に電気的に接続される。
2020054004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記半導体基板を貫通するグランドスルーホールが設けられ、
前記導電膜は、前記ヒートスプレッダと前記半導体基板のグランドスルーホールとを介して、前記第１の多層樹脂基板の前記グランドビアホールに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項２】
グランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第１の半導体基板と、
前記第１の半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第１の半導体基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第２の半導体基板と、
前記第２の半導体基板の前記第１の半導体基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第２の半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記第２の半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記第１の半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記第１の半導体基板を貫通する第１のグランドスルーホールが設けられ、
前記第２の半導体基板は、前記積層方向において前記第２の半導体基板を貫通する第２のグランドスルーホールが設けられ、
前記導電膜は、前記ヒートスプレッダと前記第１のグランドスルーホールと前記第２のグランドスルーホールとを介して、前記第１の多層樹脂基板の前記グランドビアホールに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項３】
前記第２の半導体基板には、窒化ガリウムから形成されるトランジスタが設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項４】
前記第１の半導体基板には、ガリウム砒素から形成される回路が設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項５】
第２の多層樹脂基板と、
前記第２の多層樹脂基板に設けられ、前記第２の多層樹脂基板と電気的に接続される請求項１から請求項４の何れか一項に記載のマイクロ波デバイスと、
前記第２の多層樹脂基板と対向して設けられ、前記マイクロ波デバイスの前記導電膜に接する放熱シートと、
を備えたことを特徴とする空中線。
【請求項６】
前記放熱シートの弾性率は、前記マイクロ波デバイスの弾性率よりも小さいこと、
を特徴とする請求項５に記載の空中線。
【請求項７】
前記放熱シートの前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられ、前記放熱シートに接する放熱板と、
前記放熱板の前記放熱シート側とは反対側に設けられ、前記マイクロ波デバイスと電気的に接続される制御基板と、
を備え、
前記マイクロ波デバイスは、第１のコネクタを介して前記制御基板と相互に接続され、
前記マイクロ波デバイスは、第２のコネクタを介して制御基板と一体化又は別個に設けられた送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の空中線。
【請求項８】
前記第２の多層樹脂基板の前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられる導電性シャーシと、
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側とは反対側に設けられ、複数のアンテナ素子を有するアンテナ基板と、
を備え、
複数の前記アンテナ素子は、前記マイクロ波デバイスを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項７に記載の空中線。
【請求項９】
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側の面には、第２の多層樹脂基板に実装された部品を格納する溝部が形成され、
前記導電性シャーシの前記溝部が形成される側の面は、前記第２の多層樹脂基板のグランド面に接し、
複数の前記アンテナ素子は、前記導電性シャーシに設けられた高周波コネクタと前記マイクロ波デバイスとを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項８に記載の空中線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートスプレッダを有するマイクロ波デバイス及び空中線に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されるマイクロ波デバイスである電力増幅モジュールは、パッケージ基板の上に配置された電力増幅器及び表面弾性波デュプレクサと、電力増幅器及び表面弾性波デュプレクサを覆う絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂の表面を覆う導電性シールドと、を備える。そして、電力増幅器及び表面弾性波デュプレクサにおけるパッケージ基板に対向する面と反対側の面に設けられた金属層が、ワイヤによって導電性シールドと電気的に接続されている。特許文献１に開示される電力増幅モジュールでは、電力増幅器で発生した熱は、金属層を介して放熱されるとともに、金属層からワイヤを介して導電性シールドに伝熱して導電性シールドからも放熱されるため、放熱効果を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１１７１９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら特許文献１に開示される電力増幅モジュールは、電力増幅器で発生する熱に対する対策はなされているが、導電性シールドによって覆われた内部におけるキャビティ共振の対策がなされていないため、動作周波数によっては動作が不安定になる場合がある。【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、安定した動作を実現可能なマイクロ波デバイスを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のマイクロ波デバイスは、グランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、半導体基板の第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、を備える。また、マイクロ波デバイスは、第１の多層樹脂基板の一面上に設けられ、ヒートスプレッダの半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて半導体基板とヒートスプレッダとを覆う樹脂と、露出面に接触して樹脂とヒートスプレッダとを覆う導電膜と、を備える。半導体基板は、第１の多層樹脂基板と半導体基板とヒートスプレッダとが積層される積層方向において半導体基板を貫通するグランドスルーホールが設けられ、導電膜は、ヒートスプレッダと半導体基板のグランドスルーホールとを介して、第１の多層樹脂基板のグランドビアホールに電気的に接続される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、安定した動作を実現可能なマイクロ波デバイスを得ることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイスの断面図
【図２】図１に示すマイクロ波デバイスを図１の矢印Ａの方向から見た断面図
【図３】図１に示すマイクロ波デバイスを図１の矢印Ｂの方向から見た断面図
【図４】図１に示すマイクロ波デバイスを備えた空中線の断面図
【図５】図１に示すマイクロ波デバイスの機能ブロックを示す図
【図６】図１に示すマイクロ波デバイスの変形例を示す図
【図７】図６に示すマイクロ波デバイスを図６の矢印Ｃの方向から見た断面図
【図８】図４に示す空中線の変形例を示す図
【図９】図１に示すマイクロ波デバイスにおける擬似的なキャビティについて説明する模式図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイス及び空中線を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態．
図１は本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイスの断面図である。図２は図１に示すマイクロ波デバイスを図１の矢印Ａの方向から見た断面図である。図３は図１に示すマイクロ波デバイスを図１の矢印Ｂの方向から見た断面図である。図４は図１に示すマイクロ波デバイスを備えた空中線の断面図である。図５は図１に示すマイクロ波デバイスの機能ブロックを示す図である。
【００１１】
図１に示すようにマイクロ波デバイス１００は、デバイス用の第１の多層樹脂基板である多層樹脂基板１と、高発熱性のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）デバイスであるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）４と、ＩＣ４に熱的に接続される導電性のヒートスプレッダ５とを備える。
【００１２】
またマイクロ波デバイス１００は、高発熱性のＲＦデバイスであるＩＣ６と、ＩＣ６に熱的に接続される導電性のヒートスプレッダ７と、多層樹脂基板１に表面実装されるチップ部品８とを備える。
【００１３】
ＩＣ４及びＩＣ６は高周波回路の一例であり、本実施の形態ではＩＣ４は、ドライバ増幅器（Ｄｒｉｖｅｒ  Ａｍｐｒｉｆｉｅｒ：ＤＡ）である。ＩＣ６は、高出力増幅器（Ｈｉｇｈ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＨＰＡ）である。本実施の形態の高周波回路は、多層樹脂基板１の一面に設けられる。高周波回路は、多層樹脂基板１と電気的に接続されるように実装されたＩＣチップに代表される半導体基板上の機能回路として構成される。チップ部品８は、ＲＦ重畳波を抑圧するバイパスキャパシタである。
【００１４】
多層樹脂基板１は、多層樹脂基板１のＹ軸方向の一端側の端面である第１の板面１ａと、多層樹脂基板１のＹ軸方向の他端側の端面である第２の板面１ｂとを有する。図１では、右手系のＸＹＺ座標において、ＩＣ４及びＩＣ６の配列方向がＸ軸方向とされ、多層樹脂基板１の第１の板面１ａ及び第２の板面１ｂの配列方向がＹ軸方向とされ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方に直交する方向がＺ軸方向とされる。
【００１５】
多層樹脂基板１には、多層樹脂基板１の外周寄りに形成された複数のグランドビアホール１１と、多層樹脂基板１の内部に形成された高周波回路接地用のグランドビアホール７０，９０と、信号ビアホール１２と、信号ビアホール１３とが形成される。多層樹脂基板１の第２の板面１ｂ側には、複数のグランドビアホール１１のそれぞれのＹ軸方向における一端と電気的に接続されるグランドパターン１４と、グランドビアホール７０と接続されるグランドパッド７１と、グランドビアホール９０と接続されるグランドパッド９１と、チップ部品８と電気的に接続される信号線路１５と、信号ビアホール１２のＹ軸方向の一端と電気的に接続されるパッド１６と、信号ビアホール１３のＹ軸方向の一端と電気的に接続されるパッド１７と、複数のパッド１８とが設けられている。
【００１６】
多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側には、グランドビアホール１１のＹ軸方向の他端と電気的に接続されるグランドパターン１９と、グランドビアホール７０と接続されるグランド端子７２と、グランドビアホール９０と接続されるグランド端子９２と、信号ビアホール１２のＹ軸方向の他端と電気的に接続される信号入出力端子２０と、信号ビアホール１３のＹ軸方向の他端と電気的に接続される信号入出力端子２１とが設けられている。信号入出力端子２０，２１は、多層樹脂基板１の第１の板面１ａに対向して配置される他の基板に設けられる信号入出力端子に接続される。本実施の形態におけるグランドパターン１９は、多層樹脂基板１の第１の板面１ａの外周縁部に一続きの環状の導体パターンで設けられている。また、本実施の形態におけるグランドパターン１４は、多層樹脂基板１の第２の板面１ｂの外周縁部に一続きの環状の導体パターンで設けられている。なお、グランドパターン１９，１４は、一続きの環状の導体パターンまたは複数の個別グランド端子など、実装形態に応じて変わりうる。
【００１７】
複数のグランドビアホール１１は、多層樹脂基板１の外周面寄りに、信号線路１５と、パッド１６，１７，１８と、信号入出力端子２０，２１等の信号パッドと、信号ビアホール１２，１３とを取り囲むように形成される。
【００１８】
信号線路１５の種類としては、入力ＲＦ線路、ゲートバイアス供給線路、出力ＲＦ線路及びドレインバイアス供給線路である。
【００１９】
ＩＣ４のＹ軸方向の一端面４ａ側には２つの入出力端子４１，４２が設けられている。入出力端子４１は、微細接合材３０を介してパッド１６と電気的に接続される。入出力端子４２は、微細接合材３０を介してパッド１８と電気的に接続される。微細接合材３０としては、導電性の銅ピラー又はソルダーボールを例示できる。
【００２０】
図２に示すように、ＩＣ４には、グランドスルーホール７５が設けられている。すなわち、ＩＣ４は、多層樹脂基板１とＩＣ４とヒートスプレッダ５とが積層される積層方向においてＩＣ４を貫通するグランドスルーホール７５が設けられている。ＩＣ４のＹ軸方向の一端面４ａには、グランドパッド７３が設けられている。ＩＣ４のＹ軸方向の他端面４ｂには、金属層であるベタグランド７７が設けられている。また、多層樹脂基板１には、複数のグランドビアホール７０が形成されている。多層樹脂基板１の第２の板面１ｂには、グランドビアホール７０のＹ軸方向における端部と電気的に接続されるグランドパッド７１が設けられている。
【００２１】
そして、グランドスルーホール７５は、グランドパッド７３とベタグランド７７とに電気的に接続されている。グランドパッド７３は、微細接合材３０、グランドパッド７１およびグランドビアホール７０を介して多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランド端子７２に電気的に接続されている。
【００２２】
ＩＣ４のＹ軸方向の他端面４ｂ側のベタグランド７７上にはヒートスプレッダ５が設けられている。ＩＣ４はヒートスプレッダ５のＹ軸方向の一端面５ａと熱的及び電気的に接続される。すなわち、ヒートスプレッダ５は、ＩＣ４の多層樹脂基板１を向く面とは反対側の面に、ベタグランド７７を介して設けられている。
【００２３】
ＩＣ６のＹ軸方向の一端面６ａ側には２つの入出力端子６１，６２が設けられている。入出力端子６１は、微細接合材３０を介してパッド１８と電気的に接続される。入出力端子６２は、微細接合材３０を介してパッド１７と電気的に接続される。
【００２４】
図３に示すように、ＩＣ６には、グランドスルーホール９５が設けられている。すなわち、ＩＣ６は、多層樹脂基板１とＩＣ６とヒートスプレッダ７とが積層される積層方向においてＩＣ６を貫通するグランドスルーホール９５が設けられている。ＩＣ６のＹ軸方向の一端面６ａには、グランドパッド９３が設けられている。ＩＣ６のＹ軸方向の他端面６ｂには、金属層であるベタグランド９７が設けられている。また、多層樹脂基板１には、複数のグランドビアホール９０が形成されている。多層樹脂基板１の第２の板面１ｂには、グランドビアホール９０のＹ軸方向における端部と電気的に接続されるグランドパッド９１が設けられている。
【００２５】
そして、グランドスル−ホール９５は、グランドパッド９３とベタグランド９７とに電気的に接続されている。グランドパッド９３は、微細接合材３０、グランドパッド９１、グランドビアホール９０を介して多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランド端子９２に電気的に接続されている。
【００２６】
ＩＣ６のＹ軸方向の他端面６ｂ側のベタグランド９７上にはヒートスプレッダ７が設けられている。すなわち、ヒートスプレッダ７は、ＩＣ６の多層樹脂基板１を向く面とは反対側の面に設けられている。ＩＣ６はヒートスプレッダ７のＹ軸方向の一端面７ａと熱的及び電気的に接続される。
【００２７】
ヒートスプレッダ５，７と接触するように設けられたＩＣ４，６は、多層樹脂基板１に接合され、ＩＣ４，６が接合された多層樹脂基板１上にはモールド樹脂５０が成形されている。モールド樹脂５０は、ＩＣ４，６と、ヒートスプレッダ５，７と、チップ部品８と、信号線路１５と、パッド１６，１７，１８とを内部に含むように成形されている。
【００２８】
ＩＣ４の外周面は、ＩＣ４のＹ軸方向の他端面４ｂを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ＩＣ６の外周面は、ＩＣ６のＹ軸方向の他端面６ｂを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ヒートスプレッダ５の外周面は、ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の一端面５ａとヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂとを除き、モールド樹脂５０で覆われている。
【００２９】
ヒートスプレッダ７の外周面は、ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の一端面７ａとヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂとを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂは、モールド樹脂５０で覆われることなく露出している。ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂは、モールド樹脂５０で覆われることなく露出している。すなわち、ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂおよびヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂは、モールド樹脂５０から露出する露出面である。そして、モールド樹脂５０は、多層樹脂基板１の一面上に設けられ、ヒートスプレッダ５，７の露出面を露出させた状態で、ＩＣ４，６とヒートスプレッダ５，７とを覆っている。
【００３０】
モールド樹脂５０の成形方法としては、導電膜２のＹ軸方向の内側面２ａ側の端面に段差が生じないように、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲に樹脂材をモールド成形する方法でもよい。また、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲に樹脂材をモールド成形した後に内側面２ａ側のモールド樹脂５０の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが概ね同一平面になるように研磨され、又は内側面２ａ側のモールド樹脂５０の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが平坦になるように研磨されることで、ヒートスプレッダ５，７の他端面５ｂ，７ｂを露出させてもよい。
【００３１】
モールド樹脂５０及びヒートスプレッダ５，７の表面には、導電膜２が形成されている。すなわち、導電膜２は、ヒートスプレッダ５，７の露出面に接触して、モールド樹脂５０とヒートスプレッダ５，７とを覆っている。導電膜２は、無電解メッキ又は導電性接着剤等の導電性を有する被膜であり、メッキ被膜の材料としては、Ｎｉ（ニッケル）又は銀等を例示でき、導電性接着剤としては、銀粒子を含むエポキシ材料等を例示できる。なお、導電膜２として無電解メッキを用いる場合は、モールド樹脂５０の内側面２ａ側の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが隣接する境界領域の上面に、導電性接着剤又は薄膜導電金属シートを接触させて、モールド樹脂５０の内側面２ａ側の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面との境界領域の電気的接続及び電磁遮蔽（シールド）機能を強化しても良い。符号３で示される領域は、多層樹脂基板１と導電膜２との間に形成され、モールド樹脂５０が充填された空間である。
【００３２】
上述した構成を有することにより、マイクロ波デバイス１００では、導電膜２は、ヒートスプレッダ５とＩＣ４のグランドスルーホール７５とを介して、多層樹脂基板１のグランドビアホール７０に電気的に接続される。また、導電膜２は、ヒートスプレッダ７とＩＣ６のグランドスルーホール９５とを介して、多層樹脂基板１のグランドビアホール９０に電気的に接続される。
【００３３】
すなわち、マイクロ波デバイス１００では、多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランドパターン１９、多層樹脂基板１のグランドビアホール７０、多層樹脂基板１のグランドパッド７１、多層樹脂基板１のグランド端子７２、多層樹脂基板１のグランドビアホール９０、多層樹脂基板１のグランドパッド９１、多層樹脂基板１のグランド端子９２、ＩＣ４のグランドパッド７３、ＩＣ４のグランドスルーホール７５、ＩＣ４のベタグランド７７、ＩＣ６のグランドパッド９３、ＩＣ６のグランドスルーホール９５、ＩＣ６のベタグランド９７、ヒートスプレッダ５、ヒートスプレッダ７および導電膜２が、全て電気的に接続され、グランドパターン１９の電位であるグランド電位と同電位に保たれる。
【００３４】
多層樹脂基板１に設けられた導電膜２の内側面２ａは、ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂと熱的に接続され、ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂと熱的に接続される。また多層樹脂基板１に設けられた導電膜２のＹ軸方向の端部は、グランドパターン１４と電気的に接続される。
【００３５】
このように構成されたマイクロ波デバイス１００では、信号入出力端子２０にＲＦ信号が入力される。信号入出力端子２０に入力された送信信号であるＲＦ信号は、信号ビアホール１２、パッド１６、微細接合材３０及び入出力端子４１を介してＩＣ４に入力される。ＩＣ４に入力されたＲＦ信号は、入出力端子４２、微細接合材３０及びパッド１８を介して、ＩＣ６側に伝送される。入出力端子６１を介してＩＣ６に入力されたＲＦ信号は、入出力端子６２、微細接合材３０、パッド１７及び信号ビアホール１３を介して、信号入出力端子２１に伝送される。
【００３６】
パッド１６、信号ビアホール１２及び信号入出力端子２０は、同軸構造の信号端子部８４を構成する。パッド１７、信号ビアホール１３及び信号入出力端子２１は、同軸構造の信号端子部８５を構成する。
【００３７】
図４に示すように空中線５００は、マイクロ波モジュール２００と、弾性を有する放熱シート１５０と、放熱板１４０と、制御基板１６０とを備える。放熱シート１５０の弾性率は、マイクロ波デバイス１００の導電膜２の弾性率よりも小さい。マイクロ波モジュール２００、放熱シート１５０、放熱板１４０及び制御基板１６０は、Ｙ軸方向にマイクロ波モジュール２００、放熱シート１５０、放熱板１４０、制御基板１６０の順で配列されている。
【００３８】
マイクロ波モジュール２００は、第２の多層樹脂基板であるモジュール用の多層樹脂基板１１０と、複数のマイクロ波デバイス１００と、制御用ＩＣ１２０と、チップ部品１３０と、複数のアンテナ素子２１０とを備える。
【００３９】
複数のマイクロ波デバイス１００と制御用ＩＣ１２０とチップ部品１３０とは、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の一端面１１０ａに設けられている。制御用ＩＣ１２０及びチップ部品１３０は、多層樹脂基板１１０に表面実装されている。チップ部品１３０としては、抵抗又はコンデンサを例示できる。複数のアンテナ素子２１０は、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂに設けられている。
【００４０】
放熱シート１５０は、Ｙ軸方向の一端面が放熱板１４０に接しており、Ｙ軸方向の他端面が複数のマイクロ波デバイス１００の導電膜２に接している。放熱シート１５０は、高い弾力性を有すると共に高い熱伝導性を有するシートである。放熱シート１５０の材料としては、カーボン、銀等の高熱伝導材が埋め込まれたシリコンゴム等を例示できる。
【００４１】
多層樹脂基板１１０及び制御基板１６０は、放熱シート１５０及び放熱板１４０を介して、第１のコネクタである電力／制御コネクタ１７０と、第２のコネクタであるＲＦコネクタ１８０とにより相互に接続されている。
【００４２】
多層樹脂基板１１０は、Ｙ軸方向に圧力が加えられながら放熱板１４０にねじ等で固定されているため、マイクロ波デバイス１００の導電膜２が弾性を有する放熱シート１５０に押し当てられた状態となる。これにより、マイクロ波デバイス１００の導電膜２と放熱シート１５０と放熱板１４０とが熱的に接続される。
【００４３】
多層樹脂基板１１０には、同軸構造の信号端子部１１５，１２１と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１６と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１７とが設けられている。ＲＦコネクタ１８０とマイクロ波デバイス１００は、ＲＦ伝送線路１１６及び信号端子部１１５を介して相互に接続される。アンテナ素子２１０とマイクロ波デバイス１００は、ＲＦ伝送線路１１７及び信号端子部１２１を介して相互に接続される。
【００４４】
制御基板１６０では、マイクロ波モジュール２００に供給される電力と制御信号とが生成され、電力及び制御信号は、電力／制御コネクタ１７０を介して多層樹脂基板１１０上のマイクロ波デバイス１００に入力される。
【００４５】
マイクロ波モジュール２００のＲＦ信号である送信入力信号及び受信出力信号は、ＲＦコネクタ１８０を介して、アンテナ素子２１０と送受信機６００との間で伝送され、又はアンテナ素子２１０と分配合成回路７００との間で伝送される。送受信機６００と分配合成回路７００の接続順は任意である。なお、ここでは、送受信機６００が制御基板１６０と別個に設けられているが、送受信機６００は制御基板１６０と一体化されて構成されてもよい。
【００４６】
送受信機６００から出力されたＲＦ送信信号は、ＲＦコネクタ１８０と、ＲＦ伝送線路１１６と信号端子部１１５とを介して、図１に示す信号入出力端子２０に伝送される。図１に示す信号入出力端子２１から出力されたＲＦ送信信号は、ＲＦ伝送線路１１７を介してアンテナ素子２１０へ伝送され、アンテナ素子２１０から出力される。
【００４７】
アンテナ素子２１０で受信されたＲＦ受信信号は、ＲＦ伝送線路１１７を介して、図１に示す信号入出力端子２１へ伝送され、さらに図１に示す信号入出力端子２０とＲＦコネクタ１８０とを介して、送受信機６００に伝送される。
【００４８】
図５に示すようにマイクロ波モジュール２００には複数のマイクロ波デバイス１００が設けられている。マイクロ波デバイス１００は、前述したＨＰＡ及びＤＡ以外にも、低雑音増幅器（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）、サーキュレータ（ＣＩｒｃｕｌａｔｏＲ：ＣＩＲ）及び移相器（Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔｅｒ：ＰＳ）等を備える。送受信機６００から出力されたＲＦ送信信号は、ＰＳ、ＤＡ、ＨＰＡ及びＣＩＲを介して、アンテナ素子２１０に伝送される。アンテナ素子２１０で受信されたＲＦ受信信号は、ＣＩＲ、ＬＮＡ及びＰＳを介して、送受信機６００に伝送される。ここでアンテナ側の送受切替回路にはＣＩＲの代わりにスイッチを用いてもよい。図５ではスイッチを「ＳＷ」（Ｓｗｉｔｃｈ）と表記している。
【００４９】
図６は図１に示すマイクロ波デバイスの変形例を示す図である。図７は図６に示すマイクロ波デバイスを図６の矢印Ｃの方向から見た断面図である。図８は図４に示す空中線の変形例を示す図である。
【００５０】
図６に示すマイクロ波デバイス１００−１は、複数の基板からなるハイブリッドＩＣである。図６に示すマイクロ波デバイス１００−１と図１に示すマイクロ波デバイス１００との相違点は、マイクロ波デバイス１００−１は、ＩＣ６及びヒートスプレッダ７の代わりに、ヒートスプレッダ７Ａと、トランジスタを含まない第１の半導体基板である低コスト半導体基板３１０と、トランジスタを含む第２の半導体基板である高コスト半導体基板３２０とを備えることである。高コスト半導体基板３２０には、例えば窒化ガリウムを材料とするトランジスタを含む高周波回路が設けられ、低コスト半導体基板３１０には、例えばガリウム砒素を材料とする高周波回路である整合回路が設けられる。すなわち、第１の半導体基板は、多層樹脂基板１の一面に設けられ、多層樹脂基板１と電気的に接続される高周波回路を備える。第２の半導体基板は、低コスト半導体基板３１０の多層樹脂基板１を向く面とは反対側の面に設けられ、低コスト半導体基板３１０と電気的に接続される高周波回路を備える。
【００５１】
高コスト半導体基板３２０に設けられるトランジスタは、高耐電力及び高電圧の電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタであり、高出力マイクロ波信号を増幅出力するため、発熱量が高い。低コスト半導体基板３１０には、トランジスタを実装しても良いが、高コスト半導体基板３２０よりも低電圧のトランジスタが使われるので、高コスト半導体基板３２０に比べて発熱量が低い。
【００５２】
図６に示すように、低コスト半導体基板３１０の信号パッド３４１と、高コスト半導体基板３２０の信号パッド３４２とが互いに対向するように配置され、信号パッド３４１及び信号パッド３４２は、微細接合材３３０によりフリップチップ接合される。これにより、低コスト半導体基板３１０の表面パターン３１３及び表面パターン３１４は、信号パッド３４１及び微細接合材３３０を介して、信号パッド３４２と電気的に接続される。
【００５３】
高コスト半導体基板３２０のＹ軸方向の他端面３２０ｂ側には、ヒートスプレッダ７Ａが設けられている。高コスト半導体基板３２０は、ヒートスプレッダ７ＡのＹ軸方向の一端面７Ａａと熱的及び電気的に接続されている。これにより、ヒートスプレッダ７Ａは、図１に示すヒートスプレッダ７と同様に、導電膜２と熱的及び電気的に接続されている。
【００５４】
また、図７に示すように、低コスト半導体基板３１０には、第１のグランドスルーホールであるグランドスルーホール３７０が設けられている。低コスト半導体基板３１０のＹ軸方向の一端面３１０ａには、金属層であるベタグランド３７７が設けられている。ベタグランド３７７上には、グランドパッド３７２が設けられている。低コスト半導体基板３１０のＹ軸方向の他端面３１０ｂには、グランドパッド３７３が設けられている。
【００５５】
そして、グランドスルーホール３７０は、ベタグランド３７７とグランドパッド３７２とに電気的に接続されている。グランドパッド３７２は、微細接合材３０、グランドパッド９１、グランドビアホール９０を介して多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランド端子９２に電気的に接続されている。
【００５６】
また、図７に示すように、高コスト半導体基板３２０には、第２のグランドスルーホールであるグランドスルーホール３７１が設けられている。高コスト半導体基板３２０のＹ軸方向の一端面３２０ａには、グランドパッド３７４が設けられている。高コスト半導体基板３２０のＹ軸方向の他端面３２０ｂには、金属層であるベタグランド３７８が設けられている。
【００５７】
そして、グランドスルーホール３７１は、グランドパッド３７４とベタグランド３７８とに電気的に接続されている。グランドパッド３７４は、微細接合材３３０、低コスト半導体基板３１０のＹ軸方向の他端面３１０ｂ上のグランドパッド３７３と電気的に接続されている。高コスト半導体基板３２０のＹ軸方向の他端面３２０ｂ上に設けられたベタグランド３７８は、ヒートスプレッダ７ＡのＹ軸方向の一端面７Ａａと熱的及び電気的に接続されている。
【００５８】
上述した構成を有することにより、マイクロ波デバイス１００−１では、導電膜２は、ヒートスプレッダ５とＩＣ４のグランドスルーホール７５とを介して、多層樹脂基板１のグランドビアホール７０に電気的に接続される。また、導電膜２は、ヒートスプレッダ７Ａとグランドスルーホール３７１とグランドスルーホール３７０とを介して、多層樹脂基板１のグランドビアホール９０に電気的に接続される。
【００５９】
すなわち、上述した構成を有することにより、マイクロ波デバイス１００−１では、多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランドパターン１９、多層樹脂基板１のグランドビアホール７０、多層樹脂基板１のグランドパッド７１、多層樹脂基板１のグランド端子７２、多層樹脂基板１のグランドビアホール９０、多層樹脂基板１のグランドパッド９１、多層樹脂基板１のグランド端子９２、低コスト半導体基板３１０のグランドパッド３７２、低コスト半導体基板３１０のベタグランド３７７、低コスト半導体基板３１０のグランドスルーホール３７０、低コスト半導体基板３１０のグランドパッド３７３、高コスト半導体基板３２０のグランドパッド３７４、高コスト半導体基板３２０のグランドスルーホール３７１、高コスト半導体基板３２０のベタグランド３７８、ＩＣ４のグランドパッド７３、ＩＣ４のグランドスルーホール７５、ＩＣ４のベタグランド７７、ヒートスプレッダ５、ヒートスプレッダ７Ａ、および導電膜２が、全て電気的に接続され、グランドパターン１９の電位であるグランド電位と同電位に保たれる。
【００６０】
低コスト半導体基板３１０に設けられた入出力端子３１１は、低コスト半導体基板３１０に形成されたスルーホール３１５を介して、表面パターン３１３と電気的に接続される。また入出力端子３１１は、微細接合材３０を介して、多層樹脂基板１上のパッド１８と電気的に接続される。
【００６１】
低コスト半導体基板３１０に設けられた入出力端子３１２は、低コスト半導体基板３１０に形成されたスルーホール３１６を介して表面パターン３１４と電気的に接続される。また入出力端子３１２は、微細接合材３０を介して、多層樹脂基板１上のパッド１７と電気的に接続される。
【００６２】
入出力端子３１２、微細接合材３０、パッド１７、信号ビアホール１３及び信号入出力端子２１は、同軸構造の信号端子部を構成し、後述するＲＦ伝送線路１１９に接続する。また、入出力端子４１、微細接合材３０、パッド１６、信号ビアホール１２及び信号入出力端子２０は、同様に同軸構造の信号端子部を構成する。
【００６３】
図８に示される空中線５００−１と図４に示される空中線５００との相違点は、空中線５００−１は、マイクロ波モジュール２００の代わりにマイクロ波モジュール２００−１を備えることである。
【００６４】
マイクロ波モジュール２００−１は、アンテナ基板４５０と、導電性シャーシ４２０と、多層樹脂基板１１０とを備える。導電性シャーシ４２０は部品実装部となる溝部４２１が形成される。溝部４２１は、導電性シャーシ４２０を削出し、又は拡散接合、又は金属粉の焼結による３次元造形等によって形成される。アンテナ基板４５０、導電性シャーシ４２０及び多層樹脂基板１１０は、Ｙ軸方向にアンテナ基板４５０、導電性シャーシ４２０、多層樹脂基板１１０の順で配列されている。
【００６５】
多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の一端面１１０ａには、複数のマイクロ波デバイス１００−１と制御用ＩＣ１２０とチップ部品１３０とが設けられている。多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂには、複数のサーキュレータ４００と、制御ＩＣ４１０とが表面実装されている。サーキュレータ４００は、導電性シャーシ４２０の溝部４２１に格納され、多層樹脂基板１１０の他端面１１０ｂ上のグランド面と導電性シャーシ４２０とを電気的に接続することによりシールド構造を形成する。
【００６６】
導電性シャーシ４２０にはＲＦコネクタ４７０が設けられ、アンテナ基板４５０に設けられたアンテナ素子２１０はＲＦコネクタ４７０と電気的に接続される。
【００６７】
多層樹脂基板１１０には、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１８と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１９とが設けられている。サーキュレータ４００は、ＲＦ伝送線路１１８を介してＲＦコネクタ４７０に接続される。またサーキュレータ４００は、ＲＦ伝送線路１１９を介してマイクロ波デバイス１００−１に接続される。
【００６８】
以上に説明したように図４及び図８に示される空中線５００，５００−１では、放熱板１４０、マイクロ波モジュール２００，２００−１及びアンテナ素子２１０が層状に配列されているため、空中線５００，５００−１のＹ軸方向の厚みを低減でき、小型かつ軽量な空中線を実現できる。
【００６９】
また実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、ＩＣ４，６とヒートスプレッダ５，７と導電膜２と放熱板１４０とが熱的に接続され、ヒートスプレッダ５のＸ軸方向の断面積がＩＣ４のＸ軸方向の断面積以上であり、ヒートスプレッダ７のＸ軸方向の断面積が、ＩＣ６のＸ軸方向の断面積以上である。たとえば特開２０１３−２０７１３２号公報に開示される半導体パッケージでは、裏面側キャップ部に設けられた裏面側貫通電極の断面積が、半導体チップに設けられた裏面電極の表面積未満であるため、半導体チップで発生した熱を効果的に半導体パッケージの外部へ放射できない。これに対して実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、広い断面積のヒートスプレッダ５，７が用いられているため、ＩＣ４，６と放熱板１４０との間の熱抵抗が低減され、多層樹脂基板１とＩＣ４，６との間で伝送されるＲＦ信号、電力及び制御信号が互いに干渉することなく、ＩＣ４，６で発生した熱を効果的に放熱板１４０へ伝えることができる。
【００７０】
またマイクロ波デバイス１００では、マイクロ波デバイス１００の高さばらつき、多層樹脂基板１１０の反り、マイクロ波デバイス１００と多層樹脂基板１１０との接合層の高さばらつき等により、複数のマイクロ波デバイス１００のそれぞれの導電膜２のＹ軸方向の高さが異なる場合でも、弾性を有する放熱シート１５０により、導電膜２と放熱シート１５０との熱的な接続を確保することができる。
【００７１】
またモールド樹脂５０の成形方法は従来から採用されている工法であるため、マイクロ波デバイス１００は安価に製造できる。また実施の形態では、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲が樹脂材で固められているため、マイクロ波デバイス１００が放熱シート１５０に押し付けられるようにして固定された場合でも、導電膜２を介してＩＣ４，６に加えられる圧力がモールド樹脂５０にも分散されるため、ＩＣ４，６に設けられた端子に加わる機械的なストレスが軽減される。従って、ＩＣ４，６と放熱シート１５０との間の熱抵抗を低下させるためにマイクロ波デバイス１００が放熱シート１５０に押し付けられるようにして固定された場合でも、多層樹脂基板１とＩＣ４，６との機械的な接続強度の低下が抑制され、マイクロ波デバイス１００の寿命の低下が抑制される。
【００７２】
また実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、モールド樹脂５０及びヒートスプレッダ５，７の周囲が導電膜２で覆われ、多層樹脂基板１のグランドビアホール１１と導電膜２とが電気的に接続され、さらに同軸構造の信号端子部８４，８５が、多層樹脂基板１１０に形成された同軸構造の信号端子部１１５，１２１とそれぞれ接続されている。そのため、ＩＣ４，６から放射された電磁波がマイクロ波デバイス１００の内部に閉じ込められる。従って、マイクロ波モジュール２００の全体をシールドで覆う必要がなく、構造を簡素化できる。
【００７３】
また実施の形態のように、複数のＩＣ４，６がマイクロ波デバイス１００に格納される場合、マイクロ波デバイス１００のサイズは１０［ｍｍ］角程度以上になる。ここで、導電性材料で覆われるパッケージ内に、上述したＩＣ４内に設けられたグランドスルーホール７５を介してグランドパターン１９と短絡されたヒートスプレッダ５およびＩＣ６内に設けられたグランドスル−ホール９５を介してグランドパターン１９と短絡されたヒートスプレッダ７が設けられていない場合、キャビティ共振の周波数はＸ帯（１０ＧＨｚ帯）近くまで低下する。具体例で示すと、モールド寸法すなわちキャビティ寸法を１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］×１［ｍｍ］とし、モールド樹脂の外周の全体を導体で覆い、モールド材の誘電率が３．５であるとき、最低次の共振周波数は１１．３３［ＧＨｚ］である。このとき、信号入出力端子２０，２１間のアイソレーションが不足するため、本デバイスをＸ帯で動作させることができない。実施の形態では、グランド電位の導電性のヒートスプレッダ５，７によりパッケージ内が、ＩＣ４，６及び多層樹脂基板１の内部のグランドビアホール７０，９０を介して、マイクロ波デバイス１００の内部で短絡され、擬似的なキャビティ寸法が小さくなるため、共振周波数を動作周波数よりも十分に高く設定することが可能となり、マイクロ波デバイス１００内部でのＲＦ信号結合による発振、リップル等の所望外特性を抑制できる。
【００７４】
ここで、マイクロ波デバイス１００における擬似的なキャビティ寸法について説明する。図９は、図１に示すマイクロ波デバイス１００における擬似的なキャビティ寸法について説明する模式図である。図９においては、図１に示すマイクロ波デバイス１００を多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側から見た状態を模式的に示している。
【００７５】
グランドパターン１９は、多層樹脂基板１の第１の板面１ａの外周縁部に一続きの環状の導体パターンで設けられている。マイクロ波デバイス１００においては、導電膜２、グランドパターン１４、グランドビアホール１１およびグランドパターン１９によって、第１の電磁シールド構造が構成されている。
【００７６】
ここで、ＸＺ面内、すなわち多層樹脂基板１の第１の板面１ａの面内における第１の電磁シールド構造について考える。ＸＺ面内における第１の電磁シールド構造は、Ｘ軸方向に沿った電磁シールド壁１９ａ、Ｘ軸方向に沿った電磁シールド壁１９ｂ、Ｚ軸方向に沿った電磁シールド壁１９ｃおよびＺ軸方向に沿った電磁シールド壁１９ｄにより構成されている。
【００７７】
一方、上述したグランド端子７２およびグランド端子９２が設けられることにより、Ｘ軸方向に沿った擬似的な電磁シールド壁１９ｅおよびＸ軸方向に沿った擬似的な電磁シールド壁１９ｆが構成される。擬似的な電磁シールド壁１９ｅおよび擬似的な電磁シールド壁１９ｆは、Ｚ軸方向において信号入出力端子２０および信号入出力端子２１を挟み込む。擬似的な電磁シールド壁１９ｅおよび擬似的な電磁シールド壁１９ｆは、電磁シールド壁１９ａおよび電磁シールド壁１９ｂがＺ軸方向において互いに近づいた配置とされる。
【００７８】
このため、ＸＺ面内においては、電磁シールド壁１９ｃ、電磁シールド壁１９ｄ、擬似的な電磁シールド壁１９ｅおよび擬似的な電磁シールド壁１９ｆにより構成される擬似的な電磁シールド構造が構成される。これにより、ＸＺ面内におけるキャビティ寸法が小さくなる。
【００７９】
また、上述したように、グランド端子７２、多層樹脂基板１のグランドビアホール７０、多層樹脂基板１のグランドパッド７１、微細接合材３０、ＩＣ４のグランドパッド７３、ＩＣ４のグランドスルーホール７５、ＩＣ４のベタグランド７７、ヒートスプレッダ５および導電膜２は、電気的に接続しており、グランドパターン１９の電位であるグランド電位と同電位に保たれる。
【００８０】
同様に、グランド端子９２、多層樹脂基板１のグランドビアホール９０、多層樹脂基板１のグランドパッド９１、微細接合材３０、ＩＣ６のグランドパッド９３、ＩＣ６のグランドスルーホール９５、ＩＣ６のベタグランド９７、ヒートスプレッダ７および導電膜２は、電気的に接続しており、グランドパターン１９の電位であるグランド電位と同電位に保たれる。このため、擬似的な電磁シールド壁１９ｅおよび擬似的な電磁シールド壁１９ｆに沿った擬似的な電磁シールド面が図９におけるＹ軸方向において構成されている。
【００８１】
これにより、マイクロ波デバイス１００では、擬似的な電磁シールド壁１９ｅに沿った擬似的な電磁シールド面と、擬似的な電磁シールド壁１９ｆに沿った擬似的な電磁シールド面と、導電膜２と、により構成される擬似的な電磁シールド構造である第２の電磁シールド構造が構成されている。
【００８２】
そして、第２の電磁シールド構造が、第１の電磁シールド構造よりも小さいため、キャビティ寸法が小さくなってキャビティの空間が狭くなり、上述した効果が得られる。
【００８３】
これにより、マイクロ波デバイス１００において導電膜２で覆われている領域内に設けられているＩＣ４，６の動作がキャビティ共振により不安定になることを抑制でき、マイクロ波デバイス１００の動作を安定させることができる。また、同様に、マイクロ波デバイス１００−１において導電膜２で覆われている領域内に設けられた低コスト半導体基板３１０および高コスト半導体基板３２０に実装されている高周波回路の動作がキャビティ共振により不安定になることを抑制でき、マイクロ波デバイス１００の動作を安定させることができる。
【００８４】
またマイクロ波デバイス１００とアンテナ素子２１０との間の損失は最小化する必要があるが、マイクロ波デバイス１００と送受信機６００との間では一定の損失が許容される。このため、空中線５００の製造時においては、ＲＦ線路を多層樹脂基板１１０内に引き回して配線し、放熱性能への影響の小さい位置で複数のＲＦコネクタ１８０をまとめた後に、放熱板１４０に貫通させることができる。これによりヒートスプレッダ５，７の放熱性能を重視した放熱板１４０の設計が可能となる。また空中線５００の仕様によっては、多層樹脂基板１１０内でＲＦ信号の伝送経路を分配及び合成することにより、放熱板１４０に貫通するＲＦコネクタ数を低減させることができる。
【００８５】
また実施の形態では、アンテナ側の送受切替回路にＣＩＲ又はスイッチが用いられるが、これらのＣＩＲ又はスイッチが設けられている多層樹脂基板１１０の裏面にアンテナ素子２１０が設けられているため、アンテナ一体型のマイクロ波モジュール２００を実現でき、部品点数が削減される。
【００８６】
また図６に示されるマイクロ波デバイス１００−１では、高コスト半導体基板３２０にトランジスタのみ実装されているため、チップ面積が最小化される。また低コスト半導体基板３１０に整合回路が構成されているため、高コスト半導体基板３２０にトランジスタ整合回路がモノリシックに製造される図１のＩＣ６と比較して、マイクロ波デバイス１００−１のコストを低減できる。
【００８７】
また図８に示される空中線５００−１では、マイクロ波デバイス１００−１の外部にサーキュレータ４００が用いられている。サーキュレータ４００は、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂ、すなわち多層樹脂基板１１０のアンテナ素子２１０側の面に設けられている。これによりアンテナ面での負荷インピーダンスの変動によるＩＣ４の特性変化を低減できる。
【００８８】
また図８に示される空中線５００−１において、サーキュレータ４００は、導電性シャーシ４２０の溝部４２１に格納されているが、マイクロ波デバイス１００，１００−１と同様のシールド構造をサーキュレータ４００に施すことにより、導電性シャーシ４２０への溝部４２１のシールド構造を簡易化できる。またサーキュレータ４００と制御ＩＣ４１０とをマイクロ波デバイス１００−１と同一面に実装することにより、空中線５００のように多層樹脂基板１１０とアンテナ基板４５０とを一体化できる。
【００８９】
また図８に示された空中線５００−１では、多層樹脂基板１１０のアンテナ素子２１０側とは反対側に放熱板１４０が配置されるため、多層樹脂基板１１０とアンテナ基板４５０との間に放熱板１４０が配置される場合に比べて、ＲＦ配線及びＲＦコネクタ１８０を配置する際の制約が軽減され、冷却性能が向上する。
【００９０】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１，１１０  多層樹脂基板、１ａ  第１の板面、１ｂ  第２の板面、２  導電膜、２ａ  内側面、３  空間、４，６  ＩＣ、４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，７Ａａ，１１０ａ，３１０ａ，３２０ａ  一端面、４ｂ，５ｂ，６ｂ，７ｂ，１１０ｂ，３１０ｂ，３２０ｂ  他端面、５，７，７Ａ  ヒートスプレッダ、８，１３０  チップ部品、１１，７０，９０  グランドビアホール、１２，１３  信号ビアホール、１４，１９  グランドパターン、１５  信号線路、１６，１７，１８  パッド、１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｆ  電磁シールド壁、２０，２１  信号入出力端子、３０，３３０  微細接合材、４１，４２，６１，６２，３１１，３１２  入出力端子、５０  モールド樹脂、７１，７３，９１，９３，３７２，３７３，３７４  グランドパッド、７２，９２  グランド端子、７５，９５，３７０，３７１  グランドスルーホール、７７，９７，３７７，３７８  ベタグランド、８４，８５，１１５，１２１  信号端子部、１００，１００−１  マイクロ波デバイス、１１６，１１７，１１８，１１９  ＲＦ伝送線路、１２０  制御用ＩＣ、１４０  放熱板、１５０  放熱シート、１６０  制御基板、１７０  電力／制御コネクタ、１８０，４７０  ＲＦコネクタ、２００，２００−１  マイクロ波モジュール、２１０  アンテナ素子、３１０  低コスト半導体基板、３４１，３４２  信号パッド、３１３，３１４  表面パターン、３１５，３１６  スルーホール、３２０  高コスト半導体基板、４００  サーキュレータ、４１０  制御ＩＣ、４２０  導電性シャーシ、４２１  溝部、４５０  アンテナ基板、５００，５００−１  空中線、６００  送受信機、７００  分配合成回路。
【図１】
2020054004.tif 000003
【図２】
2020054004.tif 000004
【図３】
2020054004.tif 000005
【図４】
2020054004.tif 000006
【図５】
2020054004.tif 000007
【図６】
2020054004.tif 000008
【図７】
2020054004.tif 000009
【図８】
2020054004.tif 000010
【図９】
2020054004.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記半導体基板を貫通し、前記半導体基板の面内における中央寄りの領域に分散配置された複数のグランドスルーホールが設けられ、
前記第１の多層樹脂基板は、前記一面とは反対側を向く他面の外周縁部および前記他面の面内における中央寄りの領域に設けられたグランドパターンを有し、
複数の前記グランドビアホールは、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面における前記外周縁部に対応する位置に設けられて前記導電膜および前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面の面内における中央寄りの領域に分散配置されて複数の前記グランドスルーホールおよび前記他面の面内における中央寄りの領域の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、
を有し、
前記導電膜は、複数の前記第１のグランドビアホールを介して前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続されるとともに、前記ヒートスプレッダと前記半導体基板の複数の前記グランドスルーホールと複数の前記第２のグランドビアホールとを介して、前記他面の面内における中央寄りの領域の前記グランドパターンに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項２】
複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第１の半導体基板と、
前記第１の半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第１の半導体基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第２の半導体基板と、
前記第２の半導体基板の前記第１の半導体基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第２の半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記第２の半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記第１の半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記第１の半導体基板を貫通し、前記第１の半導体基板の面内における中央寄りの領域に分散配置された複数の第１のグランドスルーホールが設けられ、
前記第２の半導体基板は、前記積層方向において前記第２の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板の面内における中央寄りの領域に分散配置された複数の第２のグランドスルーホールが設けられ、
前記第１の多層樹脂基板は、前記一面とは反対側を向く他面の外周縁部および前記他面の面内における中央寄りの領域に設けられたグランドパターンを有し、
複数の前記グランドビアホールは、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面における前記外周縁部に対応する位置に設けられて前記導電膜および前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面の面内における中央寄りの領域に分散配置されて複数の前記第１のグランドスルーホールおよび前記他面の面内における中央寄りの領域の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、
を有し、
前記導電膜は、複数の前記第１のグランドビアホールを介して前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続されるとともに、前記ヒートスプレッダと前記第１のグランドスルーホールと前記第２のグランドスルーホールと複数の前記第２のグランドビアホールとを介して、前記他面の面内における中央寄りの領域の前記グランドパターンに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項３】
前記外周縁部の前記グランドパターンが、環状に一続きにつながっていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項４】
前記第２の半導体基板には、窒化ガリウムから形成されるトランジスタが設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項５】
前記第１の半導体基板には、ガリウム砒素から形成される回路が設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項６】
第２の多層樹脂基板と、
前記第２の多層樹脂基板に設けられ、前記第２の多層樹脂基板と電気的に接続される請求項１から請求項５の何れか一項に記載のマイクロ波デバイスと、
前記第２の多層樹脂基板と対向して設けられ、前記マイクロ波デバイスの前記導電膜に接する放熱シートと、
を備えたことを特徴とする空中線。
【請求項７】
前記放熱シートの弾性率は、前記導電膜の弾性率よりも小さいこと、
を特徴とする請求項６に記載の空中線。
【請求項８】
前記放熱シートの前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられ、前記放熱シートに接する放熱板と、
前記放熱板の前記放熱シート側とは反対側に設けられ、前記マイクロ波デバイスと電気的に接続される制御基板と、
を備え、
前記マイクロ波デバイスは、第１のコネクタを介して前記制御基板と相互に接続され、
前記マイクロ波デバイスは、第２のコネクタを介して前記制御基板と一体化又は別個に設けられた送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項６又は請求項７に記載の空中線。
【請求項９】
前記第２の多層樹脂基板の前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられる導電性シャーシと、
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側とは反対側に設けられ、複数のアンテナ素子を有するアンテナ基板と、
を備え、
複数の前記アンテナ素子は、前記マイクロ波デバイスを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項８に記載の空中線。
【請求項１０】
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側の面には、前記第２の多層樹脂基板に実装された部品を格納する溝部が形成され、
前記導電性シャーシの前記溝部が形成される側の面は、前記第２の多層樹脂基板のグランド面に接し、
複数の前記アンテナ素子は、前記導電性シャーシに設けられた高周波コネクタと前記マイクロ波デバイスとを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項９に記載の空中線。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のマイクロ波デバイスは、複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、半導体基板の第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、を備える。また、マイクロ波デバイスは、第１の多層樹脂基板の一面上に設けられ、ヒートスプレッダの半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて半導体基板とヒートスプレッダとを覆う樹脂と、露出面に接触して樹脂とヒートスプレッダとを覆う導電膜と、を備える。半導体基板は、第１の多層樹脂基板と半導体基板とヒートスプレッダとが積層される積層方向において半導体基板を貫通し、半導体基板の面内における中央寄りの領域に分散配置された複数のグランドスルーホールが設けられ、第１の多層樹脂基板は、一面とは反対側を向く他面の外周縁部および他面の面内における中央寄りの領域に設けられたグランドパターンを有する。複数のグランドビアホールは、第１の多層樹脂基板において、他面における外周縁部に対応する位置に設けられて導電膜および外周縁部のグランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、第１の多層樹脂基板において、他面の面内における中央寄りの領域に分散配置されて複数のグランドスルーホールおよび他面の面内における中央寄りの領域のグランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、を有する。導電膜は、複数の第１のグランドビアホールを介して外周縁部のグランドパターンに電気的に接続されるとともに、ヒートスプレッダと半導体基板の複数のグランドスルーホールと複数の第２のグランドビアホールとを介して、他面の面内における中央寄りの領域のグランドパターンに電気的に接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ＩＣ４及びＩＣ６は高周波回路の一例であり、本実施の形態ではＩＣ４は、ドライバ増幅器（Ｄｒｉｖｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＤＡ）である。ＩＣ６は、高出力増幅器（Ｈｉｇｈ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＨＰＡ）である。本実施の形態の高周波回路は、多層樹脂基板１の一面に設けられる。高周波回路は、多層樹脂基板１と電気的に接続されるように実装されたＩＣチップに代表される半導体基板上の機能回路として構成される。チップ部品８は、ＲＦ重畳波を抑圧するバイパスキャパシタである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
そして、グランドスルーホール９５は、グランドパッド９３とベタグランド９７とに電気的に接続されている。グランドパッド９３は、微細接合材３０、グランドパッド９１、グランドビアホール９０を介して多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側のグランド端子９２に電気的に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
また実施の形態のように、複数のＩＣ４，６がマイクロ波デバイス１００に格納される場合、マイクロ波デバイス１００のサイズは１０［ｍｍ］角程度以上になる。ここで、導電性材料で覆われるパッケージ内に、上述したＩＣ４内に設けられたグランドスルーホール７５を介してグランドパターン１９と短絡されたヒートスプレッダ５およびＩＣ６内に設けられたグランドスルーホール９５を介してグランドパターン１９と短絡されたヒートスプレッダ７が設けられていない場合、キャビティ共振の周波数はＸ帯（１０ＧＨｚ帯）近くまで低下する。具体例で示すと、モールド寸法すなわちキャビティ寸法を１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］×１［ｍｍ］とし、モールド樹脂の外周の全体を導体で覆い、モールド材の誘電率が３．５であるとき、最低次の共振周波数は１１．３３［ＧＨｚ］である。このとき、信号入出力端子２０，２１間のアイソレーションが不足するため、本デバイスをＸ帯で動作させることができない。実施の形態では、グランド電位の導電性のヒートスプレッダ５，７によりパッケージ内が、ＩＣ４，６及び多層樹脂基板１の内部のグランドビアホール７０，９０を介して、マイクロ波デバイス１００の内部で短絡され、擬似的なキャビティ寸法が小さくなるため、共振周波数を動作周波数よりも十分に高く設定することが可能となり、マイクロ波デバイス１００内部でのＲＦ信号結合による発振、リップル等の所望外特性を抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月26日(2021.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記半導体基板を貫通し、前記半導体基板の面内に配置された複数のグランドスルーホールが設けられ、
前記第１の多層樹脂基板は、前記一面とは反対側を向く他面の外周縁部および前記他面の面内における内部領域に設けられたグランドパターンを有し、
複数の前記グランドビアホールは、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面における前記外周縁部に対応する位置に設けられて前記導電膜および前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面の面内における内部領域に分散配置されて複数の前記グランドスルーホールおよび前記他面の面内における内部領域の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、
を有し、
前記導電膜は、複数の前記第１のグランドビアホールを介して前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続されるとともに、前記ヒートスプレッダと前記半導体基板の複数の前記グランドスルーホールと複数の前記第２のグランドビアホールとを介して、前記他面の面内における内部領域の前記グランドパターンに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項２】
複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第１の半導体基板と、
前記第１の半導体基板の前記第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第１の半導体基板と電気的に接続される高周波回路を備えた第２の半導体基板と、
前記第２の半導体基板の前記第１の半導体基板を向く面とは反対側の面に設けられ、前記第２の半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、
前記第１の多層樹脂基板の前記一面上に設けられ、前記ヒートスプレッダの前記第２の半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとを覆う樹脂と、
前記露出面に接触して前記樹脂と前記ヒートスプレッダとを覆う導電膜と、
を備え、
前記第１の半導体基板は、前記第１の多層樹脂基板と前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板と前記ヒートスプレッダとが積層される積層方向において前記第１の半導体基板を貫通し、前記第１の半導体基板の面内に配置された複数の第１のグランドスルーホールが設けられ、
前記第２の半導体基板は、前記積層方向において前記第２の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板の面内に配置された複数の第２のグランドスルーホールが設けられ、
前記第１の多層樹脂基板は、前記一面とは反対側を向く他面の外周縁部および前記他面の面内における内部領域に設けられたグランドパターンを有し、
複数の前記グランドビアホールは、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面における前記外周縁部に対応する位置に設けられて前記導電膜および前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、
前記第１の多層樹脂基板において、前記他面の面内における内部領域に分散配置されて複数の前記第１のグランドスルーホールおよび前記他面の面内における内部領域の前記グランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、
を有し、
前記導電膜は、複数の前記第１のグランドビアホールを介して前記外周縁部の前記グランドパターンに電気的に接続されるとともに、前記ヒートスプレッダと前記第１のグランドスルーホールと前記第２のグランドスルーホールと複数の前記第２のグランドビアホールとを介して、前記他面の面内における内部領域の前記グランドパターンに電気的に接続されること、
を特徴とするマイクロ波デバイス。
【請求項３】
前記外周縁部の前記グランドパターンが、環状に一続きにつながっていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項４】
前記第２の半導体基板には、窒化ガリウムから形成されるトランジスタが設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項５】
前記第１の半導体基板には、ガリウム砒素から形成される回路が設けられること、
を特徴とする請求項２に記載のマイクロ波デバイス。
【請求項６】
第２の多層樹脂基板と、
前記第２の多層樹脂基板に設けられ、前記第２の多層樹脂基板と電気的に接続される請求項１から請求項５の何れか一項に記載のマイクロ波デバイスと、
前記第２の多層樹脂基板と対向して設けられ、前記マイクロ波デバイスの前記導電膜に接する放熱シートと、
を備えたことを特徴とする空中線。
【請求項７】
前記放熱シートの弾性率は、前記導電膜の弾性率よりも小さいこと、
を特徴とする請求項６に記載の空中線。
【請求項８】
前記放熱シートの前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられ、前記放熱シートに接する放熱板と、
前記放熱板の前記放熱シート側とは反対側に設けられ、前記マイクロ波デバイスと電気的に接続される制御基板と、
を備え、
前記マイクロ波デバイスは、第１のコネクタを介して前記制御基板と相互に接続され、
前記マイクロ波デバイスは、第２のコネクタを介して前記制御基板と一体化又は別個に設けられた送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項６又は請求項７に記載の空中線。
【請求項９】
前記第２の多層樹脂基板の前記マイクロ波デバイス側とは反対側に設けられる導電性シャーシと、
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側とは反対側に設けられ、複数のアンテナ素子を有するアンテナ基板と、
を備え、
複数の前記アンテナ素子は、前記マイクロ波デバイスを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項８に記載の空中線。
【請求項１０】
前記導電性シャーシの前記第２の多層樹脂基板側の面には、前記第２の多層樹脂基板に実装された部品を格納する溝部が形成され、
前記導電性シャーシの前記溝部が形成される側の面は、前記第２の多層樹脂基板のグランド面に接し、
複数の前記アンテナ素子は、前記導電性シャーシに設けられた高周波コネクタと前記マイクロ波デバイスとを介して、前記送受信機と相互に接続されること、
を特徴とする請求項９に記載の空中線。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のマイクロ波デバイスは、複数のグランドビアホールを有する第１の多層樹脂基板と、第１の多層樹脂基板の一面に設けられ、第１の多層樹脂基板と電気的に接続される高周波回路を備えた半導体基板と、半導体基板の第１の多層樹脂基板を向く面とは反対側の面に設けられ、半導体基板に電気的に接続する導電性のヒートスプレッダと、を備える。また、マイクロ波デバイスは、第１の多層樹脂基板の一面上に設けられ、ヒートスプレッダの半導体基板を向く面とは反対側の面である露出面を露出させて半導体基板とヒートスプレッダとを覆う樹脂と、露出面に接触して樹脂とヒートスプレッダとを覆う導電膜と、を備える。半導体基板は、第１の多層樹脂基板と半導体基板とヒートスプレッダとが積層される積層方向において半導体基板を貫通し、半導体基板の面内に配置された複数のグランドスルーホールが設けられ、第１の多層樹脂基板は、一面とは反対側を向く他面の外周縁部および他面の面内における内部領域に設けられたグランドパターンを有する。複数のグランドビアホールは、第１の多層樹脂基板において、他面における外周縁部に対応する位置に設けられて導電膜および外周縁部のグランドパターンに電気的に接続する複数の第１のグランドビアホールと、第１の多層樹脂基板において、他面の面内における内部領域に分散配置されて複数のグランドスルーホールおよび他面の面内における内部領域のグランドパターンに電気的に接続する複数の第２のグランドビアホールと、を有する。導電膜は、複数の第１のグランドビアホールを介して外周縁部のグランドパターンに電気的に接続されるとともに、ヒートスプレッダと半導体基板の複数のグランドスルーホールと複数の第２のグランドビアホールとを介して、他面の面内における内部領域のグランドパターンに電気的に接続される。
【国際調査報告】
2020054004.tif 000012
2020054004.tif 000013
2020054004.tif 000014
2020054004.tif 000015