(57)【要約】  本発明は、透過率を部分的に変化できるようにした光透過素子を提供することを目的とする。  本発明の光透過素子（１０）は、光透過素子として機能する光透過領域（２５）を有する。光透過素子（１０）は、表面に透明導電膜（１８，２０）をそれぞれ有する透明基板（１４，１６）を具える。光透過素子（１０）は、透明導電膜（１８，２０）どうしを対向させて、透明基板（１４，１６）どうしを空隙（１２）を介して対向配置し、空隙（１２）に電解液（２２）を充填した構造を有する。電解液（２２）は、金属イオンを含有し、透明導電膜（１８）と透明導電膜（２０）の間の電圧印加状態に応じて、電界析出により透明導電膜（１８または２０）の表面に該金属イオンが可逆的に析出するように調製されている。光透過領域（２５）において、透明導電膜（１８）に分割線（１９）が形成されている。透明導電膜（１８）は、光透過領域（２５）に、分割線（１９）で相互に電気的に絶縁された分割領域（１８−１，１８−２）を有する。
2019188952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過素子として機能する光透過領域を有する光透過素子において、  前記光透過素子は、表面に第１透明導電膜を有する第１透明基板と、表面に第２透明導電膜を有する第２透明基板を、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜どうしを対向させて、空隙を介して対向配置し、前記空隙に電解液を充填した構造を有し、  前記電解液は、金属イオンを含有し、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜の間の電圧印加状態に応じて、電界析出により前記第１透明導電膜または前記第２透明導電膜の表面に前記金属イオンが可逆的に析出するように調製されており、  前記光透過領域において、前記第１透明導電膜に第１分割線が形成され、  前記第１透明導電膜は、前記光透過領域に、前記第１分割線で相互に電気的に絶縁された第１−１分割領域と第１−２分割領域を有する、  そのような構成を有する光透過素子。
【請求項２】
前記光透過領域において、前記光透過素子の前記第１透明基板から前記第２透明基板までの層構造は、前記第１−１分割領域に面する領域と、前記第１−２分割領域に面する領域とで同じ層構造を有する請求項１に記載の光透過素子。
【請求項３】
前記光透過領域において、前記第２透明導電膜は、分割線を有しない連続した領域で構成されている請求項１または２に記載の光透過素子。
【請求項４】
前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、  前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、  前記第２金属電極は前記第２透明導電膜に接続されている、  そのような構成を有する請求項３に記載の光透過素子。
【請求項５】
前記第２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域に面する領域に存在するものとなりかつ前記第１−２分割領域に面する領域に存在しないものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続されている請求項４に記載の光透過素子。
【請求項６】
前記第２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域および前記第１−２分割領域の双方に面する領域に存在するものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続されている請求項４に記載の光透過素子。
【請求項７】
前記第２金属電極は相互に分離された第２−１金属電極と第２−２金属電極を有し、  前記第２−１金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２−１金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域に面する領域に存在するものとなりかつ前記第１−２分割領域に面する領域に存在しないものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続され、  前記第２−２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２−２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域および前記第１−２分割領域の双方に面する領域に存在するものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続されている請求項４に記載の光透過素子。
【請求項８】
前記光透過領域において、前記第２透明導電膜に第２分割線が形成され、  前記第２透明導電膜は、前記光透過領域に、前記第２分割線で相互に電気的に絶縁された第２−１分割領域と第２−２分割領域を有する、  請求項１または２に記載の光透過素子。
【請求項９】
前記光透過領域において、前記第１分割線と前記第２分割線は互いに重なる位置に形成され、  前記第１−１分割領域と前記第２−１分割領域は相互に対向し、前記第１−２分割領域と前記第２−２分割領域は相互に対向するように配置されている、  請求項８に記載の光透過素子。
【請求項１０】
前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、  前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、  前記第２金属電極は前記第２−１分割領域に接続されかつ前記第２−２分割領域に非接続とされている、  請求項９に記載の光透過素子。
【請求項１１】
前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、  前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、  前記第２金属電極は前記第２−１分割領域および前記第２−２分割領域に接続されている、  請求項９に記載の光透過素子。
【請求項１２】
前記第２金属電極は相互に分離された第２−１金属電極と第２−２金属電極を有し、  前記第２−１金属電極は前記第２−１分割領域に接続されかつ前記第２−２分割領域に非接続とされ、  前記第２−２金属電極は前記第２−２分割領域に接続されかつ前記第２−１分割領域に非接続とされている、  請求項１１に記載の光透過素子。
【請求項１３】
前記光透過素子は第１−２金属電極をさらに有し、  前記第１−２金属電極は前記第１−２分割領域に接続されかつ前記第１−１分割領域に非接続とされている、  請求項６、７、１１、１２のいずれか１つに記載の光透過素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  この発明は光透過素子に関し、透過率を部分的に変化できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】  透過率が異なる領域を有する光透過素子が非特許文献１，２に記載されている。非特許文献１に記載の素子は光学素子であり、いわゆるハーフＮＤフィルターである。このハーフＮＤフィルターは、素子全面の一部の領域にクロム等の金属を蒸着させて、高透過率の領域と低透過率の領域を区分けしたものである。このハーフＮＤフィルターには、高透過率の領域と低透過率の領域の境界を明瞭にしたハードタイプと、該境界をぼかした（グラデーションさせた）ソフトタイプがある。【０００３】  非特許文献２に記載の素子は、調光ガラスである。この調光ガラスはエレクトロクロミック特性を持つポリマー（有機／金属ハイブリッドポリマー）を用いて透過率を可変するもので、高透過率の領域と低透過率の領域の範囲を自由に変化させられるようにしたものである。高透過率の領域と低透過率の領域の境界は、ぼかした状態が得られる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「ワンランク上の写真を撮るフィルターの使い方」、［平成３０年３月１４日検索］、インターネット〈URL：http://www.kenko-tokina.co.jp/imaging/filter/kaneko/nd_page_01.html〉
【非特許文献２】「グラデーション変化する調光ガラスの開発に成功」、［平成３０年３月１４日検索］、インターネット〈URL：http://www.nims.go.jp/news/press/2017/10/201710170.html〉
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  非特許文献１に記載の素子は、領域ごとの透過率が固定で、低透過率の領域は低透過率のままであり、高透過率に変化させる（光学濃度を変化させる）ことはできない。非特許文献２に記載の素子は、乗り物やビルの窓としての遮光用途を想定したものであり、光学フィルターとしての用途は想定されていない。また、非特許文献２に記載の素子は、区分けした透明導電膜どうしを極めて細い透明導電膜で繋ぐ構造を用いるため、透明導電膜の配置に微細なパターニングが要求される。【０００６】  この発明は、透明導電膜の微細なパターニングを必要とすることなく透過率を部分的に変化できるようにした光透過素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  この発明は、光透過素子として機能する光透過領域を有する光透過素子において、前記光透過素子は、表面に第１透明導電膜を有する第１透明基板と、表面に第２透明導電膜を有する第２透明基板を、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜どうしを対向させて、空隙を介して対向配置し、前記空隙に電解液を充填した構造を有し、前記電解液は、金属イオンを含有し、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜の間の電圧印加状態に応じて、電界析出により前記第１透明導電膜または前記第２透明導電膜の表面に前記金属イオンが可逆的に析出するように調製されており、前記光透過領域において、前記第１透明導電膜に第１分割線が形成され、前記第１透明導電膜は、前記光透過領域に、前記第１分割線で相互に電気的に絶縁された第１−１分割領域と第１−２分割領域を有するものである。これによれば、第１透明導電膜と第２透明導電膜の間の電圧印加状態により、光透過領域の透過率を部分的に変化させることができる。【０００８】  前記光透過領域において、前記光透過素子の前記第１透明基板から前記第２透明基板までの層構造は、前記第１−１分割領域に面する領域と、前記第１−２分割領域に面する領域とで同じ層構造を有するものとすることができる。これによれば、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域がともに高透過率の状態のときは、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域の透過特性を等しくすることができる。【０００９】  前記光透過領域において、前記第２透明導電膜は、分割線を有しない連続した領域で構成されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１分割領域と第２透明導電膜との間に、または、第１−２分割領域と第２透明導電膜との間に選択的に電圧を印加することにより、光透過領域の透過率を部分的に変化させることができる。また、第１−１分割領域と第２透明導電膜との間、および、第１−２分割領域と第２透明導電膜との間の双方に電圧を印加することにより、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域の双方の透過率を変化させることができる。【００１０】  前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、前記第２金属電極は前記第２透明導電膜に接続されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極と第２金属電極との間に電圧を印加することにより、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域が低透過率で、第１−２分割領域に面する領域が高透過率の状態を得ることができる。また、第１−１金属電極と第２金属電極との間の電圧を解放することにより、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域がともに高透過率の状態を得ることができる。【００１１】  前記第２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域に面する領域に存在するものとなりかつ前記第１−２分割領域に面する領域に存在しないものとなるような位置において、前記��２透明導電膜に接続されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極と第２金属電極との間に電圧を印加したときに、低透過率の領域（第１−１分割領域に面する領域）と高透過率の領域（第１−２分割領域に面する領域）の境界における透過率の変化勾配を急峻にして、該境界を明瞭にする（シャープにする）ことができる。この場合、金属イオンの析出を、分割線を有する第１透明導電膜側に生じさせることにより、低透過率の領域と高透過率の領域の境界を特に明瞭にすることができる。この光透過素子は、例えば、フィルターあり（オン）の状態とフィルターなし（オフ）の状態を電気的に切換可能なハードタイプのハーフＮＤフィルターとして利用することができる。【００１２】  前記第２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域および前記第１−２分割領域の双方に面する領域に存在するものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極と第２金属電極との間に電圧を印加したときに、低透過率の領域と高透過率の領域の境界における透過率の変化勾配を緩やかにして、該境界をぼかすことができる。この場合、金属イオンの析出を第１透明導電膜、第２透明導電膜のいずれの側に生じさせても該境界をぼかすことができる。この光透過素子は、例えば、フィルター機能をオン、オフ切換可能なソフトタイプのハーフＮＤフィルターとしてとして利用することができる。【００１３】  前記第２金属電極は相互に分離された第２−１金属電極と第２−２金属電極を有し、前記第２−１金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２−１金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域に面する領域に存在するものとなりかつ前記第１−２分割領域に面する領域に存在しないものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続され、前記第２−２金属電極は、前記光透過素子の面方向について前記第１−１金属電極と前記第２−２金属電極で挟まれる領域が、前記第１−１分割領域および前記第１−２分割領域の双方に面する領域に存在するものとなるような位置において、前記第２透明導電膜に接続されているものとすることができる。これによれば、電圧印加状態により低透過率の領域と高透過率の領域の境界の明瞭さを切り換えることができる。例えば、第１−１金属電極と第２−１金属電極との間に電圧を印加し、第１−１金属電極と第２−２金属電極との間に電圧を印加しないことにより、低透過率の領域と高透過率の領域の境界を明瞭にすることができる。また、第１−１金属電極と第２−１金属電極との間および第１−１金属電極と第２−２金属電極との間の双方に電圧を印加することにより、低透過率の領域と高透過率の領域の境界をぼかすことができる。この光透過素子は、例えばフィルター機能をオン、オフ切換可能でかつハードタイプとソフトタイプを切換可能なハーフＮＤフィルターとして利用することができる。【００１４】  この発明は、前記光透過領域において、前記第２透明導電膜に第２分割線が形成され、前記第２透明導電膜��、前記光透過領域に、前記第２分割線で相互に電気的に絶縁された第２−１分割領域と第２−２分割領域を有するものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１分割領域、第１−２分割領域のいずれか一方と、第２−１分割領域、第２−２分割領域のいずれか一方との間に選択的に電圧を印加することにより、光透過領域の透過率を部分的に変化させることができる。また、第１−１分割領域および第１−２分割領域と、第２−１分割領域および第２−２分割領域との間に電圧を印加することにより、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域の双方（第２−１分割領域に面する領域および第２−２分割領域に面する領域の双方）の透過率を変化させることができる。【００１５】  前記光透過領域において、前記第１分割線と前記第２分割線は互いに重なる位置に形成され、前記第１−１分割領域と前記第２−１分割領域は相互に対向し、前記第１−２分割領域と前記第２−２分割領域は相互に対向するように配置されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１分割領域と第２−１分割領域との間に、または、第１−２分割領域と第２−２分割領域との間に選択的に電圧を印加することにより、光透過領域の透過率を部分的に変化させることができる。また、第１−１分割領域と第２−１分割領域との間、および、第１−２分割領域と第２−２分割領域との間の双方に電圧を印加することにより、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域の双方（第２−１分割領域に面する領域および第２−２分割領域に面する領域の双方）の透過率を変化させることができる。【００１６】  前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、前記第２金属電極は前記第２−１分割領域に接続されかつ前記第２−２分割領域に非接続とされているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極と第２金属電極との間に電圧を印加したときに、低透過率の領域（第１−１分割領域に面する領域）と高透過率の領域（第１−２分割領域に面する領域）の境界における透過率の変化勾配を急峻にして、該境界を明瞭にすることができる。この場合、金属イオンの析出を第１透明導電膜、第２透明導電膜のいずれの側に生じさせても、低透過率の領域と高透過率の領域の境界を明瞭にすることができる。この光透過素子は、例えば、フィルター機能をオン、オフ切換可能なハードタイプのハーフＮＤフィルターとして利用することができる。【００１７】  前記光透過素子は第１−１金属電極と第２金属電極を有し、前記第１−１金属電極は前記第１−１分割領域に接続されかつ前記第１−２分割領域に非接続とされ、前記第２金属電極は前記第２−１分割領域および前記第２−２分割領域に接続されているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極と第２金属電極との間に電圧を印加したときに、低透過率の領域と高透過率の領域の境界における透過率の変化勾配を緩やかにして、該境界をぼかすことができる。この場合、金属イオンの析出を第１透明導電膜、第２透明��電膜のいずれの側に生じさせても該境界をぼかすことができる。この光透過素子は、例えば、フィルター機能をオン、オフ切換可能なソフトタイプのハーフＮＤフィルターとして利用することができる。【００１８】  前記第２金属電極は相互に分離された第２−１金属電極と第２−２金属電極を有し、前記第２−１金属電極は前記第２−１分割領域に接続されかつ前記第２−２分割領域に非接続とされ、前記第２−２金属電極は前記第２−２分割領域に接続されかつ前記第２−１分割領域に非接続とされているものとすることができる。これによれば、電圧印加状態により低透過率の領域と高透過率の領域の境界の明瞭さを切り換えることができる。例えば、第１−１金属電極と第２−１金属電極との間に電圧を印加し、第１−１金属電極と第２−２金属電極との間に電圧を印加しないことにより、低透過率の領域と高透過率の領域の境界を明瞭にすることができる。また、第１−１金属電極と第２−１金属電極との間および第１−１金属電極と第２−２金属電極との間の双方に電圧を印加することにより、低透過率の領域と高透過率の領域の境界をぼかすことができる。この光透過素子は、例えば、フィルター機能をオン、オフ切換可能でかつハードタイプとソフトタイプを切換可能なハーフＮＤフィルターとして利用することができる。【００１９】  前記光透過素子は第１−２金属電極をさらに有し、前記第１−２金属電極は前記第１−２分割領域に接続されかつ前記第１−１分割領域に非接続とされているものとすることができる。これによれば、例えば、第１−１金属電極および第１−２金属電極と、第２金属電極（または、第２−１金属電極および第２−２金属電極）との間に電圧を印加することにより、第１−１分割領域に面する領域および第１−２分割領域に面する領域の双方を低透過率の状態にすることができる。この光透過素子は、例えば、フィルター機能をオン、オフ切換可能でかつハードタイプとソフトタイプを切換可能なハーフＮＤフィルターと、該ハーフＮＤフィルターと全面ＮＤフィルターを切換可能なＮＤフィルターとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】この発明による光透過素子の実施の形態１を示す模式正面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＡ矢視透視模式図である。
【図１Ｃ】図１ＡのＢ矢視透視模式図である。
【図２Ａ】実施の形態１の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−１を示す模式正面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ矢視透視模式図である。
【図２Ｃ】図２ＡのＢ矢視透視模式図である。
【図３】実施の形態１−１の光透過素子のサンプルを正面から見た写真で、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域を低透過率にした状態を示す。
【図４Ａ】実施の形態１の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−２を示す模式正面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＡ矢視透視模式図である。
【図４Ｃ】図４ＡのＢ矢視透視模式図である。
【図５】実施の形態１−２の光透過素子のサンプルを正面から見た写真で、光透過領域の、第１−１分割領域に面する領域を低透過率にした状態を示す。
【図６】図４に示す実施の形態１−２の光透過素子の変形例を示す図である。この変形例は実施の形態１−２に対し電源の極性を反転させたもので、図４Ｃに対比される形で示す。
【図７】実施の形態１の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−３を示す模式正面図である。
【図８】実施の形態１の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−４を示す模式正面図である。
【図９Ａ】この発明による光透過素子の実施の形態２を示す模式正面図である。
【図９Ｂ】図９ＡのＡ矢視透視模式図である。
【図９Ｃ】図９ＡのＢ矢視透視模式図である。
【図１０】実施の形態２の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−１を示す模式正面図である。
【図１１】実施の形態２の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−２を示す模式正面図である。
【図１２】実施の形態２の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−３を示す模式正面図である。
【図１３】実施の形態２の光透過素子に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−４を示す模式正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】《実施の形態１》  この発明による光透過素子の実施の形態１を図１（図１Ａ〜図１Ｃ）に示す。この実施の形態１は、一方の透明導電膜に分割線が形成されていること以外は、本出願人の出願に係る国際公開ＷＯ２０１５／０９３２９８号パンフレットの図１に記載の光透過素子と同じ構造を有する。電解液の組成も両光透過素子で同じである。電解液の調製方法を含む該光透過素子の製造方法については同国際公開パンフレットに記載されているので、同パンフレットを参照されたい。図１において光透過素子１０は空隙１２を隔てて対向配置された矩形のガラス製または樹脂製の２枚の透明基板１４（第１透明基板），１６（第２透明基板）を有する。透明基板１４，１６の各表裏両面はそれぞれ平滑である。透明基板１４，１６の対向面には電極対を構成する透明導電膜１８（第１透明導電膜），２０（第２透明導電膜）がそれぞれ成膜形成されている。透明導電膜１８，２０は例えばＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）、酸化スズ、酸化亜鉛等で構成される。透明導電膜１８にはレーザーカット、化学エッチング等で分割線１９（第１分割線）が形成されている。分割線１９は平面矩形の透明導電膜１８の、図１Ａにおいて左右方向に対向する２辺間に、該２辺に達して直線状に引かれている。これにより、透明導電膜１８は、適宜の面積比で２つの矩形の分割領域１８−１（第１−１分割領域），１８−２（第１−２分割領域）に分割されている。分割領域１８−１，１８−２は相互に電気的に絶縁である。透明導電膜２０は分割線を有しない連続した単一の領域で構成されている。透明基板１４，１６は、透明導電膜１８，２０を駆動回路に接続するために、図１Ｂに示すように、面に沿った方向（図１Ａ、図１Ｂの左右方向）に相互に位置をずらして配置されている。このずらし配置により、透明導電膜１８の分割領域１８−１，１８−２の各一端部（図１Ａの左端部）および透明導電膜２０の一端部（図１Ａの右端部）は、それぞれ外界に露出している。空隙１２には電解液２２が充填されている。空隙１２の周囲はシール材２４で封止されている。光透過素子１０の全面のうち、シール材２４で包囲された内周側領域全体が光透過素子として機能する光透過領域２５を構成する。光透過領域２５は、透明導電膜１８，２０の間の電圧が解放状態（電圧が印加されていない状態）にあるときは、光透過素子１０の厚み方向全体に亘り透明（高透過率）である。このとき、光透過領域２５はその全域で均一な光学特性（すなわち、透過特性、反射特性）となっている。光透過領域２５は分割線１９を境に、分割領域１８−１に面する領域２５−１と、分割領域１８−２に面する領域２５−２に分割されている。電解液２２として、例えば次の組成を有する電解液を用いることができる。すなわち、溶媒として、メタノールよりも高沸点の非水溶媒および該非水溶媒よりも含有重量が少ないメタノールを含有する、非水溶媒で構成される溶媒を用いる。電解液２２は、該溶媒中に、少なくとも銀イオンおよび該銀イオンよりも含有重量が少ない銅イオンを含む組成を有する。ここでは、電解液２２は炭酸プロピレンを主成分（最も含有重量が多い成分）とし、メタノールを副成分（主成分よりも含有重量が少���い成分）として含有する非水溶媒に、溶質として、ＡｇＮＯ3（硝酸銀）、ＣｕＣｌ2（塩化第二銅）、支持電解質のＬｉＢｒをそれぞれ溶解して構成されている。電解液２２中の硝酸銀の含有重量は塩化第二銅の含有重量よりも多い。電解液２２には増粘剤としてポリプロピレン、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタアクリレート等のポリマーを添加することができる。
【００２２】《実施の形態１−１》  実施の形態１の光透過素子１０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−１を図２（図２Ａ〜図２Ｃ）に示す。この光透過素子１０−１は、光透過領域２５の全域が高透過率の状態と、分割領域１８−１に面する領域２５−１を低透過率に、分割領域１８−２に面する領域２５−２を高透過率に区分けした状態とに切り換えられるようにしたものである。低透過率の領域と高透過率の領域に区分けした状態では、両領域間に明瞭な境界が得られる。光透過素子１０−１は、図１の光透過素子１０に金属電極を装着し、該金属電極に駆動回路を接続して構成されている。図２Ａ、図２Ｂにおいて、透明基板１４の左辺には、透明導電膜１８の分割領域１８−１が露出した箇所に、金属製のクリップ電極２６−１（第１−１金属電極）が挟み付けて装着されている。これにより、クリップ電極２６−１は、分割領域１８−１に導通し、分割領域１８−２に非導通（すなわち、電気的に絶縁）とされている。透明基板１６の右辺には、透明導電膜２０が露出した箇所で、かつ図２Ａの正面視においてクリップ電極２６−１と左右に対向する位置に、金属製のクリップ電極２８（第２金属電極）が挟み付けて装着されている。これにより、クリップ電極２８は透明導電膜２０の全域に導通している。クリップ電極２６−１，２８の長さ（図２Ａにおける縦方向の長さ）は等しい。ここで、クリップ電極２６−１，２８で挟まれる光透過素子１０−１の面方向の領域をＺ１（図２Ａ）とする。この領域Ｚ１は、図２Ａの正面視において、クリップ電極２６−１，２８の上端どうしを繋ぐ直線と、クリップ電極２６−１，２８の下端どうしを繋ぐ直線とで挟まれた領域である。クリップ電極２６−１，２８は、領域Ｚ１が、分割領域１８−１に面する領域に存在するものとなりかつ分割領域１８−２に面する領域に存在しないものとなるような位置に配置されている。クリップ電極２６−１，２８にはリード線３０，３２の一端部がそれぞれ接続されている。リード線３０，３２の他端部間には直流電源３４とスイッチＳＷ１による直列接続回路が接続されている。またリード線３０，３２間にはスイッチＳＷ２が、スイッチＳＷ１と直流電源３４による直列接続回路に対し並列に接続されている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２は相互に連動して互いに逆方向にオン、オフ切り換えされる。スイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフした状態に切り換えることもできる。スイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフすると、透明導電膜２０と分割領域１８−１間は開放される。
【００２３】  以上の構成の光透過素子１０−１の動作を説明する。図２ＡのようにスイッチＳＷ１がオフし、スイッチＳＷ２がオンしているときは、透明導電膜２０と分割領域１８−１間は短絡状態となるので、透明導電膜２０と分割領域１８−１間に電場は生じない。また、分割領域１８−２は無電位（フローティング電位）にあるので、分割領域１８−２と透明導電膜２０間にも電場は生じない。したがって電解液２２中で金属陽イオンＡｇ+、Ｃｕ2+、陰イオンＮＯ3-、Ｃｌ-は分散した状態にある。このとき電解液２２はほぼ無色透明であり、光透過素子１０−１の光透過領域２５はその全域で、透明基板１４から透明基板１６に至るまで厚み方向全体がほぼ無色透明である。
【００２４】  図２Ａの状態から図２Ｂ、図２ＣのようにスイッチＳＷ１をオンし、スイッチＳＷ２をオフすると、直流電源３４の電圧が透明導電膜２０と分割領域１８−１間に印加され（透明導電膜２０が正電極、分割領域１８−１が負電極に設定される）、透明導電膜２０と分割領域１８−１が対向する領域で電場Ｅが生じる。電場Ｅは、図２Ｂ、図２Ｃに示すように、透明導電膜２０から分割領域１８−１に真っ直ぐに（分割領域１８−１の面に直交する向きに）向かうように生じる。この電場Ｅにより電解液２２中の金属陽イオンＡｇ+、Ｃｕ2+は、負電極である分割領域１８−１の表面に移動して還元される。その結果、分割領域１８−１の表面に、銀を主成分とし、副成分として少量の銅が混在する析出層３６が析出して、析出層３６による低透過率面３６ａを出現させる。これにより、光透過素子１０−１は、光透過領域２５のうち、分割領域１８−１に面する領域２５−１が低透過率で、分割領域１８−２に面する領域２５−１が高透過率の光透過素子を構成する。領域２５−１の透過率は通電時間が長くなるに従って低下するが、ある透過率まで低下すると飽和する。透過率が飽和する前に任意の透過率で通電を止める（スイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフする）ことにより、その透過率に保持することができる。スイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフしたままにすると透過率は徐々に上昇するが、スイッチＳＷ１を周期的にオン、オフする（スイッチＳＷ２はオフのままとする）ことにより、所望の透過率を維持することができる。なお、光透過素子１０−１は、表裏いずれの面側を透過光の入射側または出射側としても用いることができる（後述するいずれの実施の形態についても同じ）。
【００２５】  図２Ｂ、図２Ｃの状態から再び図２ＡのようにスイッチＳＷ１をオフし、スイッチＳＷ２をオンすると透明導電膜２０と分割領域１８−１間が短絡し、透明導電膜２０と分割領域１８−１間の電場が消失する。これにより、析出層３６を形成していた銀および銅は酸化されて、分割領域１８−１表面から離脱して、金属陽イオンＡｇ+、Ｃｕ2+となって、再び電解液２２中に分散する。析出層３６が、主成分の銀に銅を混在して構成されているため、このような離脱が可能となる。その結果、分割領域１８−１に面する領域２５−１の透過率が増大して、光透過領域２５の全体が元の透明な状態に戻る。なお透明導電膜２０と分割領域１８−１間を短絡するのに代えて、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフして透明導電膜２０と分割領域１８−１間を開放することもできる。このとき、透明導電膜２０と分割領域１８−１間の電場が消失するので、金属陽イオンＡｇ+、Ｃｕ2+を分割領域１８−１（負電極）から離脱させて、分割領域１８−１に面する領域２５−１を元の透明な状態に戻すことができる。すなわち、図２Ｂ、図２Ｃの状態からスイッチＳＷ１，ＳＷ２を共にオフして透明導電膜２０と分割領域１８−１間を開放すると、分割領域１８−１に面する領域２５−１は、透明導電膜２０と分割領域１８−１間を短絡した場合に比べて緩やかな速度で透過率が増大して元の透明な状態に戻る。
【００２６】  以上のようにして、透明導電膜２０と分割領域１８−１間に電場を印加し、また電場の印加を解除することにより、分割領域１８−１に面する領域２５−１の透過率を可逆的に変化させることができる。
【００２７】  図３は、実施の形態１−１の光透過素子１０−１のサンプルを正面から見た写真である。このサンプルでは分割線１９をレーザーカットでマイクロメートルオーダー幅に形成した。この写真は、クリップ電極２６−１を通して分割領域１８−１を負電極、クリップ電極２８を通して透明導電膜２０を正電極として、該両電極に約２ボルトの電圧を約１０秒間印加して、その結果、光透過領域２５の上側の領域２５−１を低透過率にした状態を示す。領域２５−１の析出層３６は、暗色を呈し、ＮＤフィルターとして利用できる特性を有する。下側の領域２５−２には電圧が印加されていないので、領域２５−２は高透過率のままである。この写真でわかるように、低透過率の領域と高透過率の領域の境界２７は明瞭（シャープ）である。
【００２８】  光透過素子１０−１は例えばカメラ用のハードタイプハーフＮＤフィルター（可変ＮＤフィルター）として利用することができる。すなわち、光透過素子１０−１をカメラ内の光軸上に、分割領域１８−１を上側にし、分割領域１８−２を下側にして配置する。光透過領域２５の全面を高透過率にすればフィルターなしの状態となり、分割領域１８−１を低透過率にすればハードタイプハーフＮＤフィルターとなる。光透過素子１０−１でカメラ用ハーフＮＤフィルターを構成する場合は、透明状態で高い透過率が得られることが望ましい。したがって、この場合は、透明基板１４，１６を透過率が高い光学ガラス（白板ガラス）で構成し、かつ透明基板１４，１６の外表面に反射防止膜を形成するのが望ましい。
【００２９】  また、光透過素子１０−１は建築用調光窓ガラス、自動車用あるいは航空機用調光窓ガラス、その他の用途にも用いることができる。このとき、分割領域１８−１を上側に配置し、分割領域１８−２を下側に配置して用いる。太陽光が眩しいときは分割領域１８−１を低透過率にしてまぶしさを軽減する。それ以外のときは全面を高透過率にする。
【００３０】《実施の形態１−２》  実施の形態１の光透過素子１０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−２を図４（図４Ａ〜図４Ｃ）に示す。この光透過素子１０−２は、実施の形態１−１と同様に、光透過領域２５の全域が高透過率の状態と、分割領域１８−１に面する領域２５−１を低透過率に、分割領域１８−２に面する領域２５−２を高透過率に区分けした状態とに切り換えられるようにしたものである。ただし、光透過素子１０−１とは異なり、低透過率の領域と高透過率の領域に区分けした状態で両領域間にぼやけた境界が得られるようにしている。光透過素子１０−２は、実施の形態１−１（図２Ａ〜図２Ｃ）の光透過素子１０−１のクリップ電極２８（第２金属電極）を長尺のクリップ電極２８Ｌ（第２金属電極）に置き換えた構成を有するものである。ここで、クリップ電極２６−１，２８Ｌで挟まれる光透過素子１０−２の面方向の領域をＺ１２とする。この領域Ｚ１２は、図４Ａの正面視において、クリップ電極２６−１，２８Ｌの上端どうしを繋ぐ直線と、クリップ電極２６−１，２８Ｌの下端どうしを繋ぐ直線とで挟まれた領域である。クリップ電極２８Ｌは、領域Ｚ１２が、分割領域１８−１に面する領域、および分割線１９を越えて、分割領域１８−２に面する領域の双方の領域に存在するものとなるような位置で透明導電膜２０に接続されている。クリップ電極２８Ｌ以外の光透過素子１０−２の構成は実施の形態１−１の光透過素子１０−１と同じである。
【００３１】  図４ＡのスイッチＳＷ１がオフし、スイッチＳＷ２がオンしている状態から図４Ｂ、図４ＣのようにスイッチＳＷ１をオンし、スイッチＳＷ２をオフすると、実施の形態１−１と同様に、分割領域１８−１の表面に析出層３６が析出して、析出層３６による低透過率面３６ａを出現させる。ただし、このとき実施の形態１−１とは異なりクリップ電極２８Ｌが長尺であるため、図４Ｃに示すように、透明導電膜２０と分割領域１８−１間の電場Ｅは、分割領域１８−１と透明導電膜２０とが真っ正面に対向する領域のほか、分割領域１８−１と透明導電膜２０とが斜めに対向する領域でも生じる。分割領域１８−１と透明導電膜２０が真っ正面に対向する領域では、電場Ｅは透明導電膜２０から分割領域１８−１に真っ直ぐに（分割領域１８−１の面に直交する向きに）向かう。これに対し、分割領域１８−１と透明導電膜２０が斜めに対向する領域では、電場Ｅは透明導電膜２０から分割領域１８−１に斜めに向かう。その結果、析出層３６は分割線１９を越えて分割領域１８−２側に少し延びる。ただし、析出層３６の膜厚は薄く、しかも析出層３６の一部は水和物や酸化物になっているため、析出層３６は導体といえるほどの低い抵抗値を持たない。このため、析出層３６が分割線１９を越えて分割領域１８−２側に延びても、分割領域１８−１，１８−２間は析出層３６を介して短絡しない。すなわち、分割領域１８−２は無電位のままである。析出層３６の、分割線１９を越えて分割領域１８−２側に延びた部分は、分割線１９から離れるに従って膜厚が薄くなる。このため、光透過領域２５の上側の低透過率の領域２５−１と下側の低透過率の領域２５−２の境界２７における透過率の変化勾配は緩やかであり、その結果、境界２７はぼやけた状態（グラデーションが付いた状態）となる。
【００３２】  図５は、実施の形態１−２の光透過素子１０−２のサンプルを正面から見た写真である。このサンプルは、クリップ電極２８Ｌの長さが図３の写真のサンプルにおけるクリップ電極２８の長さと異なるほかは、図３の写真のサンプルと同じ構成である。この写真は、クリップ電極２６−１を負電極、クリップ電極２８を正電極として、該両電極に約２ボルトの電圧を約１０秒間印加して、その結果、光透過領域２５の上側の領域２５−１を低透過率にした状態を示す。領域２５−１の析出層３６は、暗色を呈し、ＮＤフィルターとして利用できる特性を有する。下側の領域２５−２には電圧が印加されていないので、領域２５−２は高透過率のままである。図３の写真と比べてわかるように、低透過率の領域と高透過率の領域の境界２７はぼやけた状態となっている。
【００３３】  光透過素子１０−２は例えばカメラ用のソフトタイプハーフＮＤフィルター（可変ＮＤフィルター）として利用することができる。また、光透過素子１０−２は建築用調光窓ガラス、自動車用あるいは航空機用調光窓ガラス、その他の用途にも用いることができる。
【００３４】《実施の形態１−２の変形例》  実施の形態１−２の変形例を図６に示す。この光透過素子１０−２’は、図４の光透過素子１０−２における直流電源３４の極性を反転させたものである。すなわち、分割領域１８−１を正電極、透明導電膜２０を負電極に設定したものである。スイッチＳＷ２をオフしてスイッチＳＷ１をオンすると、透明導電膜２０に析出層３６が析出する。このとき、分割領域１８−１からの電場Ｅは透明導電膜２０に真っ直ぐに（透明導電膜２０の面に直交する向きに）向かうほか、分割線１９を越えて、分割領域１８−１と斜めに対向する透明導電膜２０の領域に向けて斜めに拡がる。その結果、透明導電膜２０の表面の析出層３６は、該析出層３６が分割領域１８−２に対向する側まで延びる。析出層３６のこの延びた部分は、分割線１９から離れるに従って膜厚が薄くなる。このため、光透過領域２５の、上側の低透過率の領域２５−１と下側の低透過率の領域２５−２の境界２７における透過率の変化勾配は緩やかであり、境界２７はぼやけた状態となる。透明導電膜２０は分割線で領域分割されていないので（つまり、透明導電膜２０の全域に負電位が与えられているので）、電圧を印加し続けると析出層３６が図６の下側に向けて拡がっていく。したがって、印加時間によって析出層３６の面積を可変制御するという使い方もできる。
【００３５】《実施の形態１−３》  実施の形態１の光透過素子１０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−３を図７に示す。この光透過素子１０−３は、実施の形態１−１および実施の形態１−２と同様に、光透過領域２５の全域が高透過率の状態と、分割領域１８−１に面する領域２５−１を低透過率に、分割領域１８−２に面する領域２５−２を高透過率に区分けした状態とに切り換えられるものである。また、これに加えて、低透過率の領域と高透過率の領域に区分けする状態について、両領域間の境界が明瞭な状態（図２Ｃ、図３の境界２７と同様の状態）とぼやけた状態（図４Ｃ、図５の境界２７と同様の状態）とに切り換えられるようにしたものである。光透過素子１０−３は、実施の形態１−１（図２Ａ〜図２Ｃ）の光透過素子１０−１に対し、クリップ電極２８−２（第２−２金属電極）とスイッチＳＷ３を追加して構成されている。クリップ電極２８−１（第２−１金属電極）は図２Ａ〜図２Ｃのクリップ電極２８と同じで短尺のものである。透明導電膜２０におけるクリップ電極２８−１の配置位置も図２Ａ〜図２Ｃのクリップ電極２８と同じである。ここで、クリップ電極２６−１，２８−１で挟まれる光透過素子１０−３の面方向の領域をＺ１とする。この領域Ｚ１は、図７の正面視において、クリップ電極２６−１，２８−１の上端どうしを繋ぐ直線と、クリップ電極２６−１，２８−１の下端どうしを繋ぐ直線とで挟まれた領域である。クリップ電極２６−１，２８−１は、領域Ｚ１が、分割領域１８−１に面する領域に存在するものとなりかつ分割領域１８−２に面する領域に存在しないものとなるような位置に配置されている。また、クリップ電極２６−１とクリップ電極２８−２で挟まれる光透過素子１０−３の面方向の領域をＺ２とする。この領域Ｚ２は図７の正面視において、クリップ電極２６−１，２８−２の上端どうしを繋ぐ直線と、クリップ電極２６−１，２８−２の下端どうしを繋ぐ直線とで挟まれた領域である。クリップ電極２８−２は、領域Ｚ２が、分割領域１８−１に面する領域、および分割線１９を越えて、分割領域１８−２に面する領域の双方の領域に存在するものとなるような位置において透明導電膜２０に接続されている。クリップ電極２８−２は、スイッチＳＷ３およびスイッチＳＷ１を介して直流電源３４の正極に接続されている。
【００３６】  光透過素子１０−３によれば、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオン、オフに応じて、次の各状態が得られる。・ＳＷ１がオフ、ＳＷ２がオンのとき：光透過領域２５の全域が高透過率となる。・ＳＷ１がオン、ＳＷ２がオフで、ＳＷ３がオフのとき：上側の領域２５−１が低透過率、下側の領域２５−２が高透過率となる。低透過率領域と高透過率領域の境界は明瞭となる。・ＳＷ１がオン、ＳＷ２がオフで、ＳＷ３がオンのとき：上側の領域２５−１が低透過率、下側の領域２５−２が高透過率となる。低透過率領域と高透過率領域の境界はぼやける。
【００３７】  光透過素子１０−３は、例えばフィルター機能のオン、オフ切換が可能でかつハードタイプとソフトタイプを切換可能なハーフＮＤフィルターとして利用することができる。また、光透過素子１０−３は建築用調光窓ガラス、自動車用あるいは航空機用調光窓ガラス、その他の用途にも用いることができる。
【００３８】《実施の形態１−４》  実施の形態１の光透過素子１０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態１−４を図８に示す。この光透過素子１０−４は、実施の形態１−３に加えて、光透過領域２５の全域が低透過率になる状態が得られるようにしたものである。光透過素子１０−４は、図７の光透過素子１０−３（または、図４の光透過素子１０−２でもよい）に対し、クリップ電極２６−２（第１−２金属電極）とスイッチＳＷ４を追加して構成されている。クリップ電極２６−２は、分割領域１８−２に接続されている。
【００３９】  光透過素子１０−４によれば、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオン、オフに応じて、次の各状態が得られる。・ＳＷ１がオフ、ＳＷ２がオンのとき：光透過領域２５の全域が高透過率となる。・ＳＷ１がオン、ＳＷ２がオフで、ＳＷ３およびＳＷ４がともにオフのとき：上側の領域２５−１が低透過率、下側の領域２５−２が高透過率となる。低透過率領域と高透過率領域の境界は明瞭となる。・ＳＷ１がオン、ＳＷ２がオフで、ＳＷ３がオン、ＳＷ４がオフ（または、ＳＷ３がオフ、ＳＷ４がオン）のとき：上側の領域２５−１が低透過率、下側の領域２５−２が高透過率となる。低透過率領域と高透過率領域の境界はぼやける。・ＳＷ１がオン、ＳＷ２がオフで、ＳＷ３およびＳＷ４がともにオンのとき：光透過領域２５の全域が低透過率になる。
【００４０】  光透過素子１０−４は、例えばフィルター機能のオン、オフ切換が可能でかつハードタイプハーフＮＤフィルターとソフトタイプハーフＮＤフィルターと全面ＮＤフィルターを切換可能なＮＤフィルターとして利用することができる。また、光透過素子１０−４は建築用調光窓ガラス、自動車用あるいは航空機用調光窓ガラス、その他の用途にも用いることができる。
【００４１】《実施の形態２》  この発明による光透過素子の実施の形態２を図９（図９Ａ〜図９Ｃ）に示す。この実施の形態２の光透過素子４０は、対向する透明導電膜の双方に分割線を形成したものである。それ以外の構成は実施の形態１（図１）の光透過素子１０と同じである。実施の形態２（実施の形態２−１乃至２−４を含む）において、実施の形態１（実施の形態１−１乃至１−４を含む）と共通する箇所には相互に同一の符号を用いる。図９において、透明導電膜２０には、透明導電膜１８の分割線１９（第１分割線）と重なる位置に、分割線４２（第２分割線）がレーザーカット、化学エッチング等で形成されている。分割線４２は平面矩形の透明導電膜２０の、図９Ａにおいて左右方向に対向する２辺間に、該２辺に達して直線状に引かれている。これにより、透明導電膜２０は矩形の２つの分割領域２０−１（第２−１分割領域）および分割領域２０−２（第２−２分割領域）に分割されている。分割領域２０−１，２０−２は相互に電気的に絶縁である。
【００４２】《実施の形態２−１》  実施の形態２の光透過素子４０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−１を図１０に示す。この光透過素子４０−１は、透明導電膜２０に分割線４２が形成されていること以外は、実施の形態１−１（図２）の光透過素子１０−１と同じ構成である。この光透過素子４０−１では、直流電源３４の極性を反転させて分割領域２０−１側に析出層を析出させても、分割線４２で分割領域２０−１と分割領域２０−２は相互に非導通（すなわち、電気的に絶縁）とされているので、低透過率の領域と高透過率の領域の間には明瞭な境界が得られる。すなわち、この光透過素子４０−１は、クリップ電極２６−１，２８−１の極性を任意に設定して、いずれの場合でも明瞭な境界を得ることができる。
【００４３】《実施の形態２−２》  実施の形態２の光透過素子４０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−２を図１１に示す。この光透過素子４０−２は、透明導電膜２０に分割線４２が形成されていること以外は、実施の形態１−２（図４）の光透過素子１０−２と同じ構成である。この光透過素子４０−２は長尺のクリップ電極２８Ｌで分割領域２０−１と分割領域２０−２を短絡しているので、実質的に実施の形態１−２の光透過素子１０−２と同様に動作させることができる。低透過率の領域と高透過率の領域に区分けした状態では、両領域間にぼやけた境界が得られる。実施の形態１−２の変形例（図６）と同様に、直流電源３４の極性を反転して使用することもできる。
【００４４】《実施の形態２−３》  実施の形態２の光透過素子４０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−３を図１２に示す。この光透過素子４０−３は、透明導電膜２０に分割線４２が形成されていること以外は、実施の形態１−３（図７）の光透過素子１０−３と同じ構成である。この光透過素子４０−３によれば、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオン、オフに応じて、実施の形態１−３の光透過素子１０−３と同じ状態が得られる。直流電源３４の極性を反転して使用することもできる。
【００４５】《実施の形態２−４》  実施の形態２の光透過素子４０に金属電極と駆動回路を付加したこの発明による光透過素子の実施の形態２−４を図１３に示す。この光透過素子４０−４は、透明導電膜２０に分割線４２が形成されていること以外は、実施の形態１−４（図８）の光透過素子１０−４と同じ構成である。言い換えれば、光透過素子４０−４は、実施の形態２−３（図１２）の光透過素子４０−３にクリップ電極２６−２とスイッチＳＷ４を追加して構成したものである。実施の形態２−２（図１１）の光透過素子４０−２にクリップ電極２６−２とスイッチＳＷ４を追加して構成してもよい。この光透過素子４０−４によれば、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオン、オフに応じて、実施の形態１−４の光透過素子１０−４と同じ状態が得られる。直流電源３４の極性を反転して使用することもできる。
【００４６】  実施の形態２−１乃至２−４の光透過素子４０−１乃至４０−４は、実施の形態１−１乃至１−４の光透過素子１０−１乃至１０−４と同様に、例えばカメラ用ＮＤフィルター、建築用調光窓ガラス、自動車用あるいは航空機用調光窓ガラス、その他の用途に用いることができる。
【００４７】  この発明による光透過素子は、前記実施の形態で示した構成に限らない。例えば、次のような変更が可能である。・前記実施の形態では光透過素子に印加する電圧値を固定としたが、これに限らない。すなわち、対向する透明導電膜間に印加する電圧を段階的にまたは無段階に可変できるようにして、光透過領域の透過率を段階的にまたは無段階に調整可能にすることもできる。あるいは、対向する透明導電膜間に印加する電圧を、直流電圧（所望の最低透過率を実現する大きさの直流電圧）をパルス幅変調した電圧とし、このパルス幅変調のパルスのデューティ比を段階的にまたは無段階に可変できるようにして、光透過領域の透過率を段階的にまたは無段階に調整可能にすることもできる。・この発明で使用される電解液は前記実施の形態で示したものに限らない。電圧の印加に応じて金属イオンが可逆的に析出するように調製された各種の電解液（例えば、本出願人の出願に係る国際公開ＷＯ２０１５／０９３２９８号パンフレットに列挙された先行技術文献に記載された電解液等）を使用することができる。・前記実施の形態では正極性の金属電極と、負極性の金属電極を透明基板の対向辺に配置したが、これに限らず、非対向辺に配置することもできる。また、同一極性の金属電極を透明基板の一辺に限らず、複数辺に配置することもできる。・前記実施の形態では分割線を直線に形成したが、これに限らない。例えば、分割線を円形等に形成することもできる。・前記実施の形態では、片側の透明導電膜に形成する分割線を１本としたが、これに限らない。すなわち、片側の透明導電膜に複数本の分割線を形成して、該透明導電膜を３以上の領域に分割することもできる。
【符号の説明】
【００４８】  １０，１０−１，１０−２，１０−２’，１０−３，１０−４…光透過素子、１２…空隙、１４…透明基板（第１透明基板）、１６…透明基板（第２透明基板）、１８…透明導電膜（第１透明導電膜）、１８−１…分割領域（第１−１分割領域）、１８−２…分割領域（第１−２分割領域）、１９…分割線（第１分割線）、２０…透明導電膜（第２透明導電膜）、２０−１…分割領域（第２−１分割領域）、２０−２…分割領域（第２−２分割領域）、２２…電解液、２４…シール材、２５…光透過領域、２５−１…光透過領域のうち第１−１分割領域に面する領域、２５−２…光透過領域のうち第１−２分割領域に面する領域、２６−１…クリップ電極（第１−１金属電極）、２６−２…クリップ電極（第１−２金属電極）、２７…低透過率の領域と高透過率の領域の境界、２８，２８Ｌ…クリップ電極（第２金属電極）、２８−１…クリップ電極（第２−１金属電極）、２８−２…クリップ電極（第２−２金属電極）、３０，３２…リード線、３４…直流電源、３６…析出層、３６ａ…低透過率面、４０，４０−１，４０−２，４０−３，４０−４…光透過素子、４２…分割線（第２分割線）、Ｚ１，Ｚ１２…第１−１金属電極と第２金属電極で挟まれる光透過素子の面方向の領域、Ｚ１…第１−１金属電極と第２−１金属電極で挟まれる光透過素子の面方向の領域、Ｚ２…第１−１金属電極と第２−２金属電極で挟まれる光透過素子の面方向の領域、Ｅ…電場、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４…スイッチ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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