(57)【要約】本開示に係る配線基板の製造方法は、（ａ）樹脂組成物からなる絶縁層に活性エネルギー線を照射する工程と、（ｂ）絶縁層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、（ｃ）絶縁層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程とをこの順序で含み、（ａ）工程において、活性エネルギー線の照射によって絶縁層の表面から深さ方向に２０ｎｍ以上の厚さを有し且つ絶縁層の表面から連通する空孔を有する改質領域を形成する。
2020130100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）樹脂組成物からなる絶縁層に活性エネルギー線を照射する工程と、
（ｂ）前記絶縁層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
（ｃ）前記絶縁層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
をこの順序で含み、
（ａ）工程において、前記活性エネルギー線の照射によって前記絶縁層の表面から深さ方向に２０ｎｍ以上の厚さを有し且つ前記絶縁層の表面から連通する空孔を有する改質領域を形成する、配線基板の製造方法。
【請求項２】
（ｃ）工程において、無電解銅めっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
（ｃ）工程において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記活性エネルギー線が波長２５４ｎｍ以下の紫外線である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
（ｃ）工程後における前記絶縁層の前記表面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
樹脂組成物からなる絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に設けられた金属配線と、
を備え、
前記絶縁層が前記表面から深さ方向に厚さ２０ｎｍ以上の改質領域を有し、
前記改質領域には前記金属配線に含まれる銅が分散している、配線基板。
【請求項８】
前記金属配線の一部が無電解めっきによって形成されたものであり、
前記改質領域には、無電解めっき用の触媒が分散している、請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記絶縁層の前記表面の平均粗さＲａが１００ｎｍ以下である、請求項７又は８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記樹脂組成物が熱硬化性樹脂組成物の硬化物である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記樹脂組成物が感光性樹脂組成物の硬化物である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能の半導体素子（以下、場合により「チップ」という。）を一つのパッケージに混載する実装形態が提案されている。コストの観点から、チップ間の高密度インターコネクト技術の重要度が増している（特許文献１参照）。【０００３】
スマートフォン及びタブレット端末において、パッケージ・オン・パッケージと称される接続方法が広く採用されている。パッケージ・オン・パッケージは、パッケージ上に異なるパッケージをフリップチップ実装によって接続する方法である（非特許文献１，２参照）。更に高密度で実装するための形態として、高密度配線を有する有機基板を用いたパッケージ技術（有機インターポーザ）、スルーモールドビア（ＴＭＶ）を有するファンアウト型のパッケージ技術（ＦＯ−ＷＬＰ）、シリコン又はガラスインターポーザを用いたパッケージ技術、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いたパッケージ技術、基板に埋め込まれたチップをチップ間伝送に用いるパッケージ技術などが提案されている。特に有機インターポーザ及びＦＯ−ＷＬＰにおいて、半導体チップ同士を並列して搭載する場合には、高密度で導通させるために微細配線層が必要となる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１８５１９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／０２２１０７１号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｍｏｌｄ  Ｖｉａ（ＴＭＶ）  ａｓ  ＰｏＰ  Ｂａｓｅ  Ｐａｃｋａｇｅ，  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＣＴＣ），２００８
【非特許文献２】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｌｏｗ  Ｐｒｏｆｉｌｅ  ＰｏＰ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  ＰｏＰ（ｅＷＬＢ−ＰｏＰ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＥＣＴＣ，２０１２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、デスミア処理液による処理後、無電解めっきによってシード層が形成される。シード層は、配線基板の製造過程において形成される金属層であり、給電層とも称される。すなわち、シード層に給電することによってシード層の表面上に導電部が形成される。シード層の一部は、導電部とともに金属配線を構成する。特許文献１に記載の技術では、湿式デスミア処理を行うことにより、絶縁層の表面を粗化している。絶縁層の表面を適度に粗い状態とすることで、アンカー効果によって、シード層と絶縁層との密着性が向上する。【０００７】
近年、半導体素子は小型化傾向にあり、配線基板も微細化が求められている。上記のようにアンカー効果を得るために絶縁層の表面を粗くすると、その上に微細な配線パターン（特に、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）が１０／１０μｍ以下）を形成することが困難となる。近年、配線基板は高周波帯における伝送損失の低減も求められている。上記のように、絶縁層の表面を粗くすると、表皮効果により伝送損失が大きくなる。つまり、配線基板の製造方法において、絶縁層と金属配線との密着性を担保しつつ、高周波の伝送損失を低減することが課題である。【０００８】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一側面に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）樹脂組成物からなる絶縁層に活性エネルギー線を照射する工程と、
（ｂ）絶縁層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
（ｃ）絶縁層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
をこの順序で含み、（ａ）工程において、活性エネルギー線の照射によって絶縁層の表面から深さ方向に２０ｎｍ以上の厚さを有し且つ絶縁層の表面から連通する空孔を有する改質領域を形成する。【００１０】
本発明者らの検討によると、活性エネルギー線の照射によって上記改質領域が形成された絶縁層に対して無電解めっき用の触媒を吸着させることで、改質領域の空孔に触媒が入り込んだ状態となる。この状態で無電解めっきによって金属層を形成すると、改質領域の空孔内に形成される無電解めっきが植物の根のような役割を果たし、絶縁層と金属層との密着性向上に寄与すると推察される。（ａ）工程における活性エネルギー線の照射は、デスミア処理液による粗化処理とは異なり、絶縁層の表面を過度に粗くするものではない。すなわち、上記製造方法によれば、絶縁層の表面が十分に平坦（例えば、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下）であるにも拘わらず、絶縁層と金属配線との十分な密着性を担保できる。絶縁層の表面が十分に平坦であることで高周波の伝送損失を十分に小さくできる。【００１１】
（ａ）工程において、例えば、波長２５４ｎｍ以下の紫外線を絶縁層に照射することによって上記構成の改質領域を形成することができる。（ｃ）工程において、無電解銅めっき液又は無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて金属層を形成することができる。絶縁層と金属層の密着性及び高周波の伝送損失の低減をより一層高度に実現する観点から、金属層のニッケル含有率は０．２５〜２０質量％であることが好ましい。所定量のニッケルを含有する金属層は、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液又は無電解銅めっき液を用いて形成することができる。【００１２】
本開示の一側面に係る配線基板は、樹脂組成物からなる絶縁層と、絶縁層の表面上に設けられた金属配線とを備え、絶縁層が表面から深さ方向に厚さ２０ｎｍ以上の改質領域を有し、改質領域には金属配線に含まれる銅が分散している。上述のとおり、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液又は無電解銅めっき液を用いて金属層が形成された場合、絶縁層の改質領域には銅が分散した状態で含まれる。この状態は元素マッピングによって確認できる。【００１３】
上記配線基板が備える金属配線の一部が無電解めっきによって形成されたものである場合、改質領域には、無電解めっき用の触媒（例えば、パラジウム）が分散している。これも元素マッピングによって確認できる。【００１４】
絶縁層の表面の平均粗さＲａが１００ｎｍ以下であることで、高周波の伝送損失の低減をより一層高度に実現できる。絶縁層を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物であってもよいし、感光性樹脂組成物の硬化物であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本開示によれば、絶縁層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｄ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｆ）は比較例１又は実施例１に係る積層体の断面を示す画像である。
【図４】図４（ａ）は比較例１に係る断面ＥＤＸライン分析結果を示す画像であり、図４（ｂ）は実施例１に係る断面ＥＤＸライン分析結果を示す画像である。
【図５】実施例及び比較例において高周波の伝送損失を評価するために作製したマイクロストリップ配線を備える配線基板を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１８】
本明細書の記載及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。
【００１９】
図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｃ）は、配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。図２（ｃ）に模式的に示される配線基板１０は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において特に好適であり、特に、異種チップを混載するためのインターポーザが必要なパッケージ形態において好適である。より具体的には、本実施形態に係る製造方法は、ピンの間隔が２００μｍ以下（より微細な場合には例えば３０〜１００μｍ）であり、且つピンの本数が５００本以上（より微細な場合には例えば１０００〜１００００本）のパッケージ形態において好適である。
【００２０】
金属配線４における第１絶縁層１と接する側の領域（シード層２）のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％であることで、第１絶縁層１に対してデスミア処理液による表面粗化を施さなくても、金属配線４が第１絶縁層１に対する優れた密着性を有している。このため、第１絶縁層１の表面上に、微細配線を形成することが可能であるとともに、高周波の伝送損失を十分に低減することができる。
【００２１】
配線基板１０は、大きく分けて以下の工程を経て製造される。
（１）支持基板Ｓ上に第１絶縁層１を形成する工程。
（２）第１絶縁層１の表面に活性エネルギー線を照射する工程。
（３）第１絶縁層１の表面にシード層２（金属層）を形成する工程。
（４）シード層２上に配線部３（導電部）を形成する工程。
（５）金属配線４を覆うように第２絶縁層５を形成する工程。
【００２２】
＜（１）支持基板上に第１絶縁層を形成する工程＞
支持基板Ｓ上に第１絶縁層１を形成する（図１（ａ））。支持基板Ｓは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、ＳＵＳ（ステンレス鋼）板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図１（ａ）に示す支持基板Ｓは、第１絶縁層１が形成される側の表面に導電層Ｓａが形成されている。支持基板Ｓとして、導電層Ｓａが形成されていないもの、あるいは、導電層Ｓａの代わりに配線及び／又はパッドを表面に有するものを使用してもよい。
【００２３】
支持基板Ｓの厚さは０．２ｍｍから２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。０．２ｍｍより薄い場合はハンドリングが困難になる一方、２．０ｍｍより厚い場合は材料費が高くなる傾向にある。支持基板Ｓはウェハ状でもパネル状でも構わない。サイズは特に限定されないが、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ又は直径４５０ｍｍのウェハ、あるいは、一辺が３００〜７００ｍｍの矩形パネルが好ましく用いられる。
【００２４】
第１絶縁層１を構成する材料は、感光性樹脂材料であっても熱硬化性樹脂材料であってもよい。これらの絶縁材料としては、液状又はフィルム状のものが挙げられ、膜厚平坦性とコストの観点からフィルム状の絶縁材料が好ましい。また、微細な配線を形成できる点で、絶縁材料は平均粒径５００ｎｍ以下（より好ましくは５０〜２００ｎｍ）のフィラー（充填材）を含有することが好ましい。絶縁材料のフィラー含有量は、フィラーを除く絶縁材料の質量１００質量部に対して０〜７０質量部が好ましく、１０〜５０質量部がより好ましい。
【００２５】
フィルム状の絶縁材料を使用する場合、そのラミネート工程はなるべく低温で実施することが好ましく、４０〜１２０℃でラミネート可能な絶縁フィルムを採用することが好ましい。ラミネート可能な温度が４０℃を下回る絶縁フィルムは常温（約２５℃）でのタックが強く、取り扱い性が悪化する傾向があり、その温度が１２０℃を上回る感光性絶縁フィルムの場合はラミネート後に反りが大きくなる傾向がある。
【００２６】
第１絶縁層１の硬化後の熱膨張係数は、反り抑制の観点から８０×１０−６／Ｋ（ケルビン）以下であることが好ましく、高信頼性が得られる点で７０×１０−６／Ｋ以下であることがより好ましい。また、絶縁材料の応力緩和性、高精細なパターンが得られる点で２０×１０−６／Ｋ以上であることが好ましい。第１絶縁層１の厚さは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることが更に好ましい。また、絶縁信頼性の観点から第１絶縁層１の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００２７】
配線基板１０の用途又は態様に応じて、例えば、導電層Ｓａに至る開口部（不図示）を第１絶縁層１に設けてもよい。感光性樹脂組成物によって第１絶縁層１が形成される場合、例えば、フォトリソグラフィによって開口部を設ければよい。熱硬化性樹脂組成物によって第１絶縁層１が形成される場合、例えば、レーザー加工によって開口部を設ければよい。
【００２８】
高周波の伝送損失を低減する観点から、第１絶縁層１の表面はなるべく平坦であることが好ましい。すなわち、第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａは１００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以下であり、より好ましくは５５ｎｍ以下である。第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、例えば、５ｎｍであり、１０ｎｍ又は２０ｎｍであってもよい。算術平均粗さＲａはレーザー顕微鏡を使用して測定することができる。第１絶縁層１を含む積層体の断面から第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａを求めるには以下の手法を採用すればよい。すなわち、算術平均粗さＲａの値が判っている複数の試料の面から凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定する。測定されたＲｚ値及び既知のＲａ値に基づいて検量線を作成する。算術平均粗さＲａを求めるべき第１絶縁層１の断面の凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定し、この測定値及び検量線から算術平均粗さＲａを求めることができる。
【００２９】
＜（２）第１絶縁層の表面に活性エネルギー線を照射する工程＞
第１絶縁層１の表面にシード層２を形成するに先立ち、第１絶縁層１の表面に活性エネルギー線を照射し、第１絶縁層１の表面に改質領域（図３（ｄ）〜図（ｆ）参照）を形成する。改質領域は、第１絶縁層１の表面から深さ方向に２０ｎｍ以上の厚さを有する。改質領域は、第１絶縁層１の表面から連通する空孔を有する。
【００３０】
改質領域が形成された第１絶縁層１に対して無電解めっき用の触媒を吸着させることで、改質領域の空孔に触媒が入り込んだ状態となる（図３（ｅ）参照）。この状態で無電解めっきによってシード層２を形成すると、改質領域の空孔内に形成される無電解めっきが植物の根のような役割を果たし、第１絶縁層１とシード層２との密着性向上に寄与すると推察される。活性エネルギー線としては、第１絶縁層１の表面を過度に粗くするものでなければよく、例えば、紫外線、電子線、α線、β線及びγ線が挙げられる。活性エネルギー線の照射量及び強度を調整することで、厚さ２０ｎｍ以上の改質領域を形成できるとともに、第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａを１００ｎｍ以下に維持できる。
【００３１】
第１絶縁層１とシード層２の密着性向上の観点から、改質領域の厚さは２０ｎｍ以上であり、２５ｎｍ以上又は３０ｎｍ以上であってもよい。改質領域の厚さの上限値は、例えば、２００ｎｍであり、１８０ｎｍ又は１５０ｎｍであってもよい。改質領域を過度に厚くするには、過剰量の活性エネルギー線を照射する必要があり、その結果、第１絶縁層１の表面が粗くなり、算術平均粗さＲａが１００ｎｍを超え得る。なお、第１絶縁層１の表面はなるべく平坦であることが好ましいことから、シード層２を形成する前に、第１絶縁層１の表面に対してデスミア処理液による粗化処理を実施しない方がよい。
【００３２】
＜（３）第１絶縁層の表面にシード層を形成する工程＞
第１絶縁層１の表面に、少なくとも銅を含む無電解めっきによりシード層２を形成する（図１（ｂ））。シード層２は以下のステップを経て形成される。まず、第１絶縁層１の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は１〜３０質量％の間で実施される。前処理液への浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は２５〜８０℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３３】
前処理液除去後、第１絶縁層１の表面からアルカリイオンを除去するために、酸性水溶液で浸漬洗浄する。酸性水溶液は硫酸水溶液でよく、濃度は１〜２０質量％、浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。酸性水溶液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３４】
続いて、無電解めっきの触媒となるパラジウムを、浸漬洗浄後の第１絶縁層１の表面に付着させる。パラジウムは、市販のパラジウム−スズコロイド溶液、パラジウムイオンを含む水溶液、パラジウムイオン懸濁液等でよいが、改質層に効果的に吸着するパラジウムイオンを含む水溶液が好ましい。パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬する際、パラジウムイオンを含む水溶液の温度は、２５〜８０℃、吸着させるための浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンを吸着させた後、余分なパラジウムイオンを除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３５】
パラジウムイオン吸着後、パラジウムイオンを触媒として作用させるための活性化を行う。パラジウムイオンを活性化させる試薬は市販の活性化剤（活性化処理液）でよい。パラジウムイオンを活性化させるために浸漬する活性化剤の温度は、２５〜８０℃、活性化させるために浸漬する時間は１〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンの活性化後、余分な活性化剤を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３６】
続いて、第１絶縁層１の表面に対する無電解めっきによってシード層２を形成する。シード層２は、工程（３）で実施される電解めっきのための給電層となる。シード層２の厚さは、２０〜２００ｎｍが好ましく、４０〜２００ｎｍがより好ましく、６０〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００３７】
シード層２のニッケル含有率は、０．２５〜２０質量％であり、例えば、３〜２０質量％又は０．２５〜３質量％であってもよい。シード層２のニッケル含有率は、例えば、無電解めっき液のニッケル含有率を調整することで設定することができる。シード層２のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁層１とシード層２に密着性を十分に確保することができ、他方、２０質量％以下であることで、高周波の伝送損失を十分に小さくするこができる。
【００３８】
無電解めっきとしては、無電解純銅めっき（銅の純度９９質量％以上）、無電解銅ニッケルリンめっき（ニッケル含有率：１〜１０質量％、リン含有量：１〜１３質量％）等が挙げられる。無電解銅ニッケルリンめっき液は市販のめっき液でよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名「ＡＩＳＬ−５７０」）を挙げることができる。無電解銅ニッケルリンめっきは、６０〜９０℃の無電解銅ニッケルリンめっき液中で実施される。
【００３９】
ニッケル含有率が０．１〜１質量％の無電解銅めっき液をシード層２の形成に使用してもよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名「カッパーソリューション  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「スタビライザー  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「ベーシック  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「モデレーター  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１」、「リデューサーＣｕ」）が挙げられる。無電解銅めっきは、２０℃〜５０℃の無電解銅めっき液中で実施される。
【００４０】
無電解めっき後、余分なめっき液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。また、無電解めっき後、シード層２と第１絶縁層１との密着力を高めるため、熱硬化（アニーリング：加熱による時効硬化処理）を行ってもよい。熱硬化温度は、８０〜２００℃で加熱することが好ましい。より反応性を早めるために１２０〜２００℃がより好ましく、１２０〜１８０℃で加熱することが更に好ましい。熱硬化時間は５〜６０分が好ましく、１０〜６０分がより好ましく、２０〜６０分が更に好ましい。
【００４１】
＜（４）シード層上に配線部を形成する工程＞
シード層２の表面上に配線形成用レジストＲをパターニングする（図１（ｃ）参照）。配線形成用レジストＲとして、市販のレジストを使用すればよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト（日立化成株式会社製、Ｐｈｏｔｅｃ  ＲＹ−５１０７ＵＴ）を用いることができる。レジストパターンは、配線形成用の開口部と、必要に応じてその他の開口部とが設けられたものであってもよい。すなわち、ロールラミネータを用いてレジストを成膜し、次いで、パターンを形成したフォトツールを密着させ、露光機を使用して露光を行い、次いで、炭酸ナトリウム水溶液で、スプレー現像を行うことによってレジストパターンを形成することができる。なお、ネガ型の代わりにポジ型の感光性レジストを用いてもよい。
【００４２】
シード層２に給電することによって電解銅めっきを実施し、配線部３を形成する（図１（ｄ）参照）。配線部３の厚さは１〜１０μｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましく、５〜１０μｍが更に好ましい。
【００４３】
電解銅めっき後、配線形成用レジストＲをはく離する（図２（ａ）参照）。配線形成用レジストＲのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。配線形成用レジストＲのはく離によって露出したシード層２を除去する（図２（ｂ）参照）。これにより、第１絶縁層１の表面上に残存するシード層２と、配線部３とによって構成される金属配線４が形成される。シード層２の除去とともに、シード層２の下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液（エッチング液）を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＢＢ−２０、ＰＪ−１０、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）が挙げられる。
【００４４】
＜（５）金属配線を覆うように第２絶縁層を形成する工程＞
金属配線４を覆うように第２絶縁層５を形成する（図２（ｃ）参照）。第２絶縁層５を構成する材料として第１絶縁層と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００４５】
以上、配線基板及びその製造方法について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、一層の配線層（金属配線４と第２絶縁層５とを含む層）を有する配線基板の製造方法を例示したが、配線層の表面上にシード層を設ける工程と、上記（３）及び（４）の一連工程を繰り返すことで、複数の配線層を有する配線基板を製造してもよい。
【実施例】
【００４６】
本開示について以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。【００４７】
（実施例１）
＜感光性樹脂フィルムの作製＞
絶縁層用の感光性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して感光性樹脂組成物を調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂：酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＣＣＲ−１２１９Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名）  ５０質量部
・光重合開始剤成分：２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ダロキュアＴＰＯ、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）及びエタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）（イルガキュアＯＸＥ−０２、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）  ５質量部
・熱硬化剤成分：ビフェノール型エポキシ樹脂（ＹＸ−４０００、三菱ケミカル株式会社製、商品名）  １０質量部
・無機フィラー成分：平均粒径：５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分１００体積部に対し、１０体積部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装株式会社製）を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。【００４８】
上記感光性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２−１６、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。塗膜を熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより、厚さ１０μｍの感光性樹脂フィルムを得た。【００４９】
＜微細配線を有する配線層の形成＞
支持基板として、表面に銅層（厚さ２０μｍ）が形成されたガラスクロス入り基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。【００５０】
・工程（１ａ）
上記支持基板の銅層の表面に第１絶縁層を形成するため、上記感光性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。【００５１】
・工程（１ｂ）
プレス後の感光性樹脂フィルム（第１絶縁層）に露光処理及び現像処理を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。露光は、パターンを形成したフォトツールを第１絶縁層の上に密着させた状態で実施した。i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サーマプレシジョン製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の第１絶縁層の表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製、紫外線主波長：３６５ｎｍ）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。【００５２】
・工程（２）
紫外線照射装置（ＳＳＰ−１６、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長：２５４ｎｍ）を用いて第１絶縁層に紫外線を照射した。紫外線の照射量は、１８５ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、第１絶縁層の表面を改質した。紫外線ランプから第１絶縁層の表面までの距離は４０ｍｍ、紫外線照時間は３０秒とした。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さＲａをレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製）を用いて測定した。表１に結果を示す。【００５３】
・工程（３）
無電解銅めっきにより、第１絶縁層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００５４】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。これにより、支持基板と、絶縁層と、シード層（厚さ：約９０ｎｍ、ニッケル含有率：６質量％）とをこの順序で備える積層体を得た。【００５５】
（実施例２）
工程（２）における紫外線（主波長：２５４ｎｍ）の照射量を１８５ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、４６ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は、実施例１と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さＲａの測定値を表１に示す。【００５６】
（実施例３）
工程（２）における紫外線（主波長：２５４ｎｍ）の照射量を１８５ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、２６ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は、実施例１と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さＲａの測定値を表１に示す。【００５７】
（実施例４）
工程（２）における紫外線（主波長：２５４ｎｍ）の照射量を１８５ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、４ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は、実施例１と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さＲａの測定値を表１に示す。【００５８】
（比較例１）
工程（２）を実施しなかったこと、すなわち、絶縁層に対して紫外線を照射しなかったことの他は、実施例１と同様にして積層体を得た。紫外線が照射されていない絶縁層表面の算術平均粗さＲａの測定値を表１に示す。【００５９】
表１に示された結果から、絶縁層の算術平均粗さＲａの値は紫外線照射量に依存しないのに対し、９０°ピール強度は紫外線照射量に大きく依存するということができる。【００６０】
＜改質領域の厚さの測定＞
実施例１〜４及び比較例１に係る積層体の断面を拡大して観察し、改質領域の厚さを測定した。この測定には以下の二種類の装置を使用した。
・走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）：ＨＤ−２７００（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）
・エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）：Ｏｃｔａｎｅ  Ｔ  Ｕｌｔｒａ  Ｗ  １００ｍｍ２  ＳＤＤ（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）【００６１】
図３（ａ）〜図３（ｆ）は比較例１又は実施例１に係る積層体の断面を示す画像である。図３（ｂ）及び図３（ｅ）はＥＤＸによって得られたパラジウム（無電解めっきの触媒）の元素マッピングである。図３（ｃ）及び図３（ｆ）はＥＤＸによって得られた銅（無電解めっきの主成分）の元素マッピングである。なお、図４（ａ）は比較例１に係る断面ＥＤＸライン分析結果を示す画像であり、図４（ｂ）は実施例１に係る断面ＥＤＸライン分析結果を示す画像である。【００６２】
これらの画像から、改質領域の厚さを目視で特定した。実施例１における改質領域の厚さ（図３（ｅ）及び図３（ｆ）に示す厚さＴ）は４５ｎｍであった。実施例２〜４における改質領域の厚さは２０ｎｍ以上であることを確認した。なお、比較例１においては紫外線照射による改質を実施していないため、改質領域は存在しない。【００６３】
＜絶縁層とシード層の密着性の評価＞
実施例１〜４及び比較例１に係る積層体における絶縁層とシード層の密着性を９０°ピール強度を測定することによって評価した。卓上ピール試験機ＥＺ−ＳＸ（島津製作所製）を使用した。以下の条件で測定を行った。表１に結果を示す。
・試験片幅：１０ｍｍ
・ピール速度：１０ｍｍ／分【００６４】
【表１】
2020130100.tif 000003
【００６５】
＜マイクロストリップ配線の形成＞
（実施例５）
高周波の伝送損失を評価するため、図５に示す配線基板２０と同様の構成の配線基板を作製した。配線基板２０は、マイクロストリップ配線を有する配線基板である。すなわち、配線基板２０は、表面に導電層Ｓａ（銅層）を有する支持基板Ｓと、支持基板Ｓの表面上に設けられた絶縁層１１と、絶縁層１１の表面上に設けられたシード層１２と、シード層１２の表面上に設けられたグランド層１３（導体部）と、グランド層１３の表面上に設けられた導体部１５及び絶縁層１６と、絶縁層１６の表面上に設けられたシード層１７及びシグナル層１８（導体部）とによって構成されている。シード層１２は、グランド層１３を形成する際に給電層として使用される。シード層１７は、シグナル層１８を形成する際に給電層として使用される。配線基板を作製するにあたり、絶縁層１１は実施例１と同じ感光性樹脂フィルムを用いて形成した。シグナル層１８は、厚さ４μｍ、幅２０μｍ、長さ１０ｍｍとした。シード層１２，１７を実施例１と同様の方法でそれぞれ形成する工程を経て実施例５に係る配線基板を作製した。【００６６】
（比較例２）
シード層１２，１７を以下の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例５と同様にして比較例２に係る配線基板を作製した。すなわち、工程（１ｃ）において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて絶縁層の表面を改質（粗面化）したことの他は実施例１と同様にしてシード層１２，１７を形成した。デスミア処理に使用する薬液による処理は以下のように実施した。まず、膨潤処理のため、スウェラ（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で５分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。次いで、粗化処理のため、デスミア液（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：コンパクトＣＰ）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で１０分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。比較例２に係る絶縁層表面の算術平均粗さＲａは４１１ｎｍであった。【００６７】
＜伝送損失の測定＞
実施例５及び比較例２に係るマイクロストリップ配線について、ベクトルネットワークアナライザ（ヒューレットパッカード社製）を用いて、高周波（周波数５０ＧＨｚ）の伝送損失を測定した。特性インピーダンスは５０Ωとした。比較例２の伝送損失に対して実施例５では伝送損失が２２％低減された。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本開示によれば、絶縁層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
【符号の説明】
【００６９】
１…第１絶縁層、２…シード層（金属層）、３…配線部（導電部）、４…金属配線、５…第２絶縁層、１０，２０…配線基板、１１，１６…絶縁層、１２，１７…シード層、１３…グランド層、１５…導体部、１８…シグナル層、Ｓ…支持基板、Ｓａ…導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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