(57)【要約】  実装時に生じる高温環境下において有機ＥＬへの熱の伝達を抑制する。  表示装置は、有機ＥＬ層と、冷却層と、冷却パッドとを備える。有機ＥＬ層は、基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層である。冷却層は、有機ＥＬ層が形成された基板内に設けられて、有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制するための冷却層である。冷却パッドは、冷却層に接続して、外部からの冷却を受ける。これにより、冷却層を冷却して、有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する。
2019187790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層と、
前記基板内に設けられて前記有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する冷却層と、
前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドと
を具備する表示装置。
【請求項２】
前記冷却層は、金属材料からなる
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域内に形成される
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源と前記有機ＥＬ素子の有効画素領域との間に形成される
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子のアノード電極の近傍にさらに形成される
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きい
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ層と接触する部分を備える
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続される
請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記冷却層は、前記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成される
請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子のカソード電極とさらに接続される
請求項８記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層と、前記基板内に設けられて前記有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する冷却層と、前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを備える表示部を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、表示装置に関する。詳しくは、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子による発光により映像を表示する表示装置、および、その表示装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、映像を表示する信号を入力するために、配線実装が必要となる。また、歩留りおよび性能の向上を図るために、他の半導体装置を有機ＥＬ素子の基板上に実装することがある。従来の有機ＥＬ素子では、配線基板や回路基板を実装する場合、実装時の熱の影響により、有機ＥＬが熱変性し、効率の低下や色度の変化を引き起こすおそれがある。従来、有機ＥＬ素子における発熱対策として、例えば、熱抵抗が異なる複数の遮光部分を形成してパネル内部の熱を放熱するものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２３４８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来技術では、有機ＥＬ素子における遮光部分を利用して放熱を図っている。しかしながら、この従来の放熱機構は電流が流れる配線や発光素子自体からの熱の放熱を促すものであり、実装時に生じる高温環境下（例えば２００℃程度）では有機ＥＬへの伝達を抑制することは困難である。【０００５】
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、実装時に生じる高温環境下において有機ＥＬへの熱の伝達を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層と、上記基板内に設けられて上記有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する冷却層と、上記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを具備する表示装置および電子機器である。これにより、冷却パッドを介して冷却層が冷却され、有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制するという作用をもたらす。【０００７】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、金属材料によって形成されることが望ましい。例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料を用いることにより、冷却効果を向上させるという作用をもたらす。【０００８】
また、この第１の側面において、上記有機ＥＬ素子の有効画素領域内に形成されてもよく、また、上記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源と上記有機ＥＬ素子の有効画素領域との間に形成されてもよい。【０００９】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記有機ＥＬ素子のアノード電極の近傍にさらに形成されてもよい。これにより、アノード電極を冷却して、有機ＥＬ層への熱の伝達をさらに抑制するという作用をもたらす。【００１０】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きいものであってもよい。これにより、熱発生源に近いほど冷却効果を高めて、冷却効率を向上させるという作用をもたらす。【００１１】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記有機ＥＬ層と接触する部分を備えるようにしてもよい。これにより、直接的に冷却を行って冷却効果を向上させるという作用をもたらす。【００１２】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記有機ＥＬ素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続されるようにしてもよい。これにより、ダミー画素を介して有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制するという作用をもたらす。【００１３】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成されるものであってもよい。これにより、通常の画素を冷却して、有機ＥＬ層への熱の伝達をさらに抑制するという作用をもたらす。【００１４】
また、この第１の側面において、上記冷却層は、上記有機ＥＬ素子のカソード電極とさらに接続されるようにしてもよい。これにより、ダミー画素の両端を同電位にして、画素間リークを抑制し、混色を低減するという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１５】
本技術によれば、実装時に生じる高温環境下において有機ＥＬへの熱の伝達を抑制するという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本技術の実施の形態における表示装置１０の平面図の一例を示す図である。
【図２】本技術の実施の形態における表示装置１０の概念図の一例を示す図である。
【図３】本技術の第１の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。
【図４】本技術の第１の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【図５】本技術の第２の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。
【図６】本技術の第２の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【図７】本技術の第３の実施の形態における表示装置１０の平面図の一例を示す図である。
【図８】本技術の第３の実施の形態における表示装置１０の断面図の一例を示す図である。
【図９】本技術の第４の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【図１０】本技術の第５の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。
【図１１】本技術の第５の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【図１２】本技術の第６の実施の形態における表示装置１０の断面図の一例を示す図である。
【図１３】本技術の実施の形態の第１の適用例であるスマートフォン４０１の外観を示す図である。
【図１４】本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の前方（被写体側）から眺めた外観を示す図である。
【図１５】本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の後方から眺めた外観を示す図である。
【図１６】本技術の実施の形態の第３の適用例であるＨＭＤ４３１の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（冷却配線の例）
２．第２の実施の形態（冷却配線をアノード電極近傍まで延伸させた例）
３．第３の実施の形態（冷却配線壁の例）
４．第４の実施の形態（アノード電極近傍に面積の広い冷却配線を形成した例）
５．第５の実施の形態（ダミー画素のレイアウトを変化させた例）
６．第６の実施の形態（ダミー画素の両端を同電位にした例）
７．適用例
【００１８】
＜１．第１の実施の形態＞
［概要］
図１は、本技術の実施の形態における表示装置１０の平面図の一例を示す図である。
【００１９】
この実施の形態における表示装置１０は、画素アレイ１００と、画素アレイ１００の両側に配置されるドライバーＩＣ（Driver Integrated Circuit）２００と、冷却パッド３００とを備える。
【００２０】
画素アレイ１００は、有機ＥＬ素子による画素を行列状（アレイ状）に配置したものである。有機ＥＬ素子は、有機材料の膜（有機ＥＬ層）を陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極）とにより挟んだ構造を備えるダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）である。画素アレイ１００は、シリコン基板などの基板１１０の上に形成される。
【００２１】
ドライバーＩＣ２００は、画素を制御および駆動するための集積回路である。この例のように、画素アレイ１００とは独立してドライバーＩＣ２００を設けることにより、歩留りや性能を向上させることが可能になる。
【００２２】
冷却パッド３００は、画素アレイ１００の有効画素領域外において、外部からの冷却を受けるパッドである。この冷却パッド３００は、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。この冷却パッド３００には、後述するように基板１１０内の冷却配線が接続される。ドライバーＩＣ２００を実装する際には、この冷却パッド３００に外部からペルチェ素子などによって冷却を加えながら実装を行う。
【００２３】
図２は、本技術の実施の形態における表示装置１０の概念図の一例を示す図である。
【００２４】
ドライバーＩＣ２００を基板１１０に実装するためには、その接合部２９０の材料には異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）や半田が用いられる。これらを熱圧着するためには、３５０℃程度の温度を有するヒーターにより熱が加えられる。このとき、実装時の基板１１０に加わる温度は、例えば２００℃程度になる。
【００２５】
表示装置１０の基板１１０には、この冷却パッド３００に接続する冷却配線１２０が設けられており、基板１１０内が冷却されるようになっている。ドライバーＩＣ２００を基板１１０に実装する際に基板１１０に加わる温度が例えば２００℃程度であった場合でも、この冷却パッド３００に−１０℃程度の冷却を加えることにより、有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制することができる。
【００２６】
［表示装置の構成］
図３は、本技術の第１の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。
【００２７】
画素アレイ１００において、表示を行うための通常の画素１０１が、行列状に配置される。また、画素１０１の間には、例えば列方向に沿ってダミー画素１０９が形成される。このダミー画素１０９は、表示を目的としない画素であり、外部への発光は遮光される。この第１の実施の形態では、このダミー画素１０９のアノード電極に冷却配線を接続して、冷却を行う。なお、ダミー画素１０９は、行方向に沿って形成されてもよい。
【００２８】
図４は、本技術の第１の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【００２９】
画素アレイ１００において、有機ＥＬ素子のアノード電極１３１が基板１１０の上に配置される。アノード電極１３１の上には有機ＥＬ層１３２が配置され、さらにその上にカソード電極１３３が配置される。すなわち、アノード電極１３１、有機ＥＬ層１３２およびカソード電極１３３により、有機ＥＬ素子のダイオードが構成される。また、画素間には画素同士を隔てる障壁としてウィンドウ１３９が形成される。なお、この例および以下の例においては、便宜上、カソード電極１３３を直線状に示しているが、実際にはウィンドウ１３９の形状に沿った凹凸形状を有する。
【００３０】
カソード電極１３３の上には、接着剤および保護膜１４１が形成され、さらにその上にはカラーフィルター層１４２が形成される。カラーフィルター層１４２は、所定の色を通過させる特性を有する光学フィルターである。
【００３１】
表示を行うための通常の画素１０１においては、カラーフィルター層１４２は、特定の配置規則により、例えば、赤、青、緑などの色を通過させる。このカラーフィルター層１４２は、画素間においてはブラックマトリクスと呼ばれる遮光部分を備える。また、この第１の実施の形態においては、表示を目的としないダミー画素１０９が設けられており、カラーフィルター層１４２は、ダミー画素１０９についてはブラックマトリクスによって遮光する。
【００３２】
カラーフィルター層１４２の上には、対抗基板としてガラス基板１４３が設けられている。
【００３３】
この第１の実施の形態においては、基板１１０に冷却配線１２０が設けられ、この冷却配線１２０はダミー画素１０９のアノード電極に接続する。すなわち、冷却配線１２０は有機ＥＬ層１３２に接触する部分を有する。ダミー画素１０９のアノード電極および冷却配線１２０は、冷却パッド３００と同様に、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。冷却配線１２０は、上述のように、冷却パッド３００に接続されており、ドライバーＩＣ２００等の実装の際には冷却パッド３００を冷却しながら実装することにより、有機ＥＬ層１３２への熱の伝達を抑制することができる。なお、冷却配線１２０は、特許請求の範囲に記載の冷却層の一例である。
【００３４】
このように、本技術の第１の実施の形態によれば、ダミー画素１０９のアノード電極に冷却配線１２０を接続することにより、冷却パッド３００からの冷却を促し、有機ＥＬ層１３２への熱の伝達を抑制することができる。
【００３５】
＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態ではダミー画素１０９のアノード電極に冷却配線１２０を接続していたが、この第２の実施の形態では冷却配線１２０をさらに通常の画素１０１のアノード電極の近傍まで引き回すことにより、冷却効果をさらに向上させる。
【００３６】
［表示装置の構成］
図５は、本技術の第２の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。図６は、本技術の第２の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【００３７】
この第２の実施の形態では、ダミー画素１０９のアノード電極に接続する冷却配線１２０から、通常の画素１０１のアノード電極１３１の近傍までさらに延伸して、冷却配線１２２が形成される。これにより、冷却面積がさらに広がることにより、冷却効果が向上する。
【００３８】
このように、本技術の第２の実施の形態によれば、通常の画素１０１のアノード電極１３１の近傍まで延伸する冷却配線１２２を形成することにより、有機ＥＬ層１３２への熱の伝達をさらに抑制することができる。
【００３９】
＜３．第３の実施の形態＞
上述の第１および第２の実施の形態では、冷却配線１２０を基板１１０の有効画素領域内に設けていたが、同様の冷却層を有効画素領域外に設けてもよい。この第３の実施の形態では、有効画素領域外に冷却層を設けた例について説明する。
【００４０】
［表示装置の構成］
図７は、本技術の第３の実施の形態における表示装置１０の平面図の一例を示す図である。図８は、本技術の第３の実施の形態における表示装置１０の断面図の一例を示す図である。
【００４１】
この第３の実施の形態では、基板１１０の画素アレイ１００とドライバーＩＣ２００との間において、冷却配線壁３１０を設ける。この冷却配線壁３１０は、冷却パッド３００に接続し、基板１１０内において画素アレイ１００とドライバーＩＣ２００とを隔てるように形成される。この冷却配線壁３１０は、冷却配線１２０と同様に、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。なお、冷却配線壁３１０は、特許請求の範囲に記載の冷却層の一例である。
【００４２】
ドライバーＩＣ２００等の実装の際には、上述の第１の実施の形態と同様に、冷却パッド３００を冷却しながら実装することにより、有効画素領域への熱の伝達を遮断することができる。
【００４３】
なお、この冷却配線壁３１０を設けた場合においても、上述の第１および第２の実施の形態により説明した冷却配線１２０をさらに設けるようにしてもよい。
【００４４】
このように、本技術の第３の実施の形態によれば、画素アレイ１００とドライバーＩＣ２００との間に冷却配線壁３１０を設けることにより、有機ＥＬ層１３２が含まれる有効画素領域への熱の伝達を抑制することができる。
【００４５】
＜４．第４の実施の形態＞
上述の第１および第２の実施の形態では、ダミー画素１０９のアノード電極に冷却配線１２０を接続していたが、ダミー画素１０９は必ずしも設ける必要はない。ただし、通常の画素１０１のアノード電極１３１は独立配線であるため、冷却配線１２０を接続することはできない。そこで、この第４の実施の形態では、通常の画素１０１のアノード電極１３１の近傍に、面積の広い冷却配線を設けることにより冷却を行う。
【００４６】
［表示装置の構成］
図９は、本技術の第４の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【００４７】
この第４の実施の形態では、冷却配線１２０に接続する冷却配線１２３を、通常の画素１０１のアノード電極１３１の近傍に設ける。冷却配線１２３は、冷却配線１２０よりもアノード電極１３１に近い位置に配置される。
【００４８】
また、この第４の実施の形態では、ダミー画素１０９を設けずに通常の画素１０１の領域を広く確保している。そして、通常の画素１０１のアノード電極１３１の近傍に、冷却配線１２３が形成される。ダミー画素１０９を設けない分、有効画素領域内の発光面積を広くすることができる。
【００４９】
このように、本技術の第４の実施の形態によれば、有効画素領域内の発光面積をダミー画素によって狭めることなく、有機ＥＬ層１３２への熱の伝達を抑制することができる。
【００５０】
＜５．第５の実施の形態＞
上述の第１および第２の実施の形態では、ダミー画素１０９のサイズは均等なものと想定していたが、ダミー画素１０９のレイアウトはこれに限定されない。この第５の実施の形態では、実装の接合部２９０に近い部分では冷却面積が広くなるように、ダミー画素１０９のサイズを変化させることにより、冷却効率を向上させる。
【００５１】
［表示装置の構成］
図１０は、本技術の第５の実施の形態における画素アレイ１００の平面図の一例を示す図である。図１１は、本技術の第５の実施の形態における画素アレイ１００の断面図の一例を示す図である。
【００５２】
この第５の実施の形態では、実装の接合部２９０に近いほどダミー画素１０９のサイズが大きくなるようにする。ダミー画素１０９のアノード電極には冷却配線１２０が接続されており、冷却が行われる。接合部２９０に近いほどダミー画素１０９のアノード電極の面積が広くなっており、接合部２９０に近いほど冷却効果は高い。一方、接合部２９０に近いほど実装時の温度は高くなる。したがって、実装時の温度が高くなる接合部２９０により近い領域において、冷却効果を高めることにより、全体の冷却効率を向上させることができる。
【００５３】
このように、本技術の第５の実施の形態によれば、実装の接合部２９０に近いほどダミー画素１０９のサイズが大きくなるようにすることにより、有機ＥＬ層１３２への熱の伝達を効率的に抑制することができる。
【００５４】
＜６．第６の実施の形態＞
上述の第１および第２の実施の形態では、ダミー画素１０９のアノード電極に冷却配線１２０を接続して冷却を行っていた。この第６の実施の形態では、さらにダミー画素１０９のカソード電極に冷却配線１２０を接続することにより、ダミー画素１０９のアノード電位とカソード電位を同電位にする。
【００５５】
［表示装置の構成］
図１２は、本技術の第６の実施の形態における表示装置１０の断面図の一例を示す図である。
【００５６】
この第６の実施の形態では、有効画素領域外において、カソード電極１３３と冷却配線１２０とを接続する。このカソード電極１３３と冷却配線１２０との接続部分は、シール材１９０によって封止される。
【００５７】
カソード電極１３３は、共通配線であり、全ての通常の画素１０１およびダミー画素１０９によって共有される。ダミー画素１０９のアノード電極は冷却配線１２０に接続されており、さらにカソード電極１３３と冷却配線１２０とを接続することにより、ダミー画素１０９については、アノード電極とカソード電極１３３が同電位になる。これにより、画素間リークを抑制することができ、混色を低減することができる。したがって、色純度の高い有機ＥＬ素子を構成することができる。
【００５８】
このように、本技術の第６の実施の形態によれば、カソード電極１３３と冷却配線１２０とを接続することにより、ダミー画素１０９のアノード電位とカソード電位を同電位にして、画素間リークを抑制することができる。そして、これにより、混色が低減された、色純度の高い有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００５９】
＜７．適用例＞
以下では、上述の実施の形態の表示装置が適用され得る電子機器の例について説明する。
【００６０】
図１３は、本技術の実施の形態の第１の適用例であるスマートフォン４０１の外観を示す図である。このスマートフォン４０１は、ユーザからの操作入力を受け付ける操作部４０３と、各種の情報を表示する表示部４０５とを備える。この表示部４０５が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【００６１】
図１４は、本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の前方（被写体側）から眺めた外観を示す図である。図１５は、本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の後方から眺めた外観を示す図である。このデジタルカメラ４１１は、本体部（カメラボディ）４１３と、交換式のレンズユニット４１５と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部４１７とを備える。また、このデジタルカメラ４１１は、各種の情報を表示するモニタ４１９と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ（電子ビューファインダ）４２１とを備える。このモニタ４１９およびＥＶＦ４２１が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【００６２】
図１６は、本技術の実施の形態の第３の適用例であるＨＭＤ４３１の外観を示す図である。このＨＭＤ（Head Mounted Display）４３１は、各種の情報を表示する眼鏡型の表示部４３３と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部４３５とを備える。この表示部４３３が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【００６３】
以上、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明した。なお、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は上に例示したものに限定されず、この表示装置は、テレビジョン装置、電子ブック、ＰＤＡ、ノート型ＰＣ、ビデオカメラ、または、ゲーム機器等、外部から入力された画像信号または内部で生成した画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器に搭載される表示装置に適用することが可能である。
【００６４】
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【００６５】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００６６】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層と、
前記基板内に設けられて前記有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する冷却層と、
前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドと
を具備する表示装置。
（２）前記冷却層は、金属材料からなる
前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域内に形成される
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源と前記有機ＥＬ素子の有効画素領域との間に形成される
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（５）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子のアノード電極の近傍にさらに形成される
前記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きい
前記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記冷却層は、前記有機ＥＬ層と接触する部分を備える
前記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続される
前記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記冷却層は、前記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成される
前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記冷却層は、前記有機ＥＬ素子のカソード電極とさらに接続される
前記（８）に記載の表示装置。
（１１）基板上に形成された有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層と、前記基板内に設けられて前記有機ＥＬ層への熱の伝達を抑制する冷却層と、前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを備える表示部を具備する電子機器。
【符号の説明】
【００６７】
１０  表示装置
１００  画素アレイ
１０１  通常の画素
１０９  ダミー画素
１１０  基板
１２０、１２２、１２３  冷却配線
１３１  アノード電極
１３２  有機ＥＬ層
１３３  カソード電極
１３９  ウィンドウ
１４１  保護膜
１４２  カラーフィルター層
１４３  ガラス基板
１９０  シール材
２００  ドライバーＩＣ
２９０  接合部
３００  冷却パッド
３１０  冷却配線壁
４０５  表示部
【図１】
2019187790.tif 000003
【図２】
2019187790.tif 000004
【図３】
2019187790.tif 000005
【図４】
2019187790.tif 000006
【図５】
2019187790.tif 000007
【図６】
2019187790.tif 000008
【図７】
2019187790.tif 000009
【図８】
2019187790.tif 000010
【図９】
2019187790.tif 000011
【図１０】
2019187790.tif 000012
【図１１】
2019187790.tif 000013
【図１２】
2019187790.tif 000014
【図１３】
2019187790.tif 000015
【図１４】
2019187790.tif 000016
【図１５】
2019187790.tif 000017
【図１６】
2019187790.tif 000018
【国際調査報告】
2019187790.tif 000019
2019187790.tif 000020
2019187790.tif 000021
2019187790.tif 000022