(57)【要約】  ３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光に対し透過性を有する支持体（６）と、仮接着層（４０）と、被加工部材（２０）とをこの順に有し、仮接着層（４０）は層Ａ（５）と層Ｂ（４）を含む複層であるか又は単層Ｃであり、層Ａ（５）及び単層Ｃは、波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、又は変形する層であって、支持体（６）と少なくとも一部において接する層であり、層Ｂ（４）及び単層Ｃは、被加工部材（２０）と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含み、離型剤は、ケイ素原子及びフッ素原子の少なくとも一方を含み、２５℃１気圧において液体である、積層体。さらに、本発明は、この積層体に関連する組成物、積層体の製造方法、及び部材の製造方法に関する。
2019160073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光に対し透過性を有する支持体と、仮接着層と、被加工部材とをこの順に有し、  前記仮接着層は層Ａと層Ｂを含む複層であるかまたは単層Ｃであり、  前記層Ａおよび前記単層Ｃは、前記波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、または、変形する層であって、前記支持体と少なくとも一部において接する層であり、  前記層Ｂおよび前記単層Ｃは、前記被加工部材と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含み、  前記離型剤は、ケイ素原子およびフッ素原子の少なくとも一方を含み、２５℃１気圧において液体である、積層体。
【請求項２】
前記層Ａおよび前記単層Ｃが光吸収剤とバインダーとを含む層であるか、光吸収剤であるバインダーを含む、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
光吸収剤が紫外線吸収剤である、請求項２に記載の積層体。
【請求項４】
前記層Ａおよび前記単層Ｃが、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、芳香環または複素環を有する化合物、およびフルオロカーボンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の積層体。
【請求項５】
前記光の波長が３５０ｎｍ〜４１０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項６】
前記離型剤が、ポリエーテル変性シリコーンを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項７】
前記離型剤が、フッ素原子を含む化合物を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項８】
前記フッ素原子を含む化合物がフッ素原子を含む基と親水基と親油基を含む化合物である、請求項７に記載の積層体。
【請求項９】
前記層Ｂおよび前記単層Ｃがスチレンに由来する構造を有するエラストマーを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項１０】
前記被加工部材が半導体基板を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項１１】
仮接着層と被加工部材との間の端部にしおり部材を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項１２】
前記層Ａまたは単層Ｃの被加工部材と反対側の表面の少なくとも一部に、さらに、可撓性膜を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項１３】
光照射後に仮接着層を支持体から剥離する用途に用いる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体が有する仮接着層の前記層Ａを形成するための組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体が有する仮接着層の前記層Ｂを形成するための組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体が有する仮接着層をなす前記単層Ｃを形成するための組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体を製造するための製造方法であって、  前記支持体表面に前記層Ａを形成する工程と、  前記被加工部材表面に前記層Ｂを形成する工程と、  前記層Ａと前記層Ｂとを接合する工程と、を含む製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体を製造するための製造方法であって、  前記支持体表面に前記層Ａを形成する工程と、  前記支持体と接していない側の前記層Ａの面上に前記層Ｂを形成する工程と、  前記層Ｂと前記被加工部材を接合する工程と、を含む製造方法。
【請求項１９】
前記層Ａを形成する工程が蒸着工程を含む、請求項１７または１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体を製造するための製造方法であって、  前記支持体表面に前記単層Ｃを形成する工程と、  前記単層Ｃと前記被加工部材を接合する工程と、を含む製造方法。
【請求項２１】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体を製造するための製造方法であって、  前記被加工部材表面に前記単層Ｃを形成する工程と、  前記単層Ｃと前記支持体とを接合する工程と、を含む製造方法。
【請求項２２】
前記単層Ｃを形成する工程が塗布工程を含む、請求項２０または２１に記載の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の積層体の前記被加工部材に加工を施す工程と、  前記支持体を介して前記仮接着層に前記３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を照射する工程と、  前記被加工部材から前記仮接着層を物理的に剥離する工程と、を含む操作を行なう、部材の製造方法。
【請求項２４】
仮接着層と被加工部材との間の端部にしおり部材を配置しておき、仮接着剤の剥離の起点とする、請求項２３に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記物理的に剥離する工程の後に前記被加工部材を洗浄する工程を含む、請求項２３または２４に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記光を照射する工程の前に、被加工部材を吸着ステージに固定する、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は積層体、組成物、積層体の製造方法、部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体素子の製造工程（半導体プロセス）は、シリコンウェハ等の基板をチップまたはデバイス状にするまでの処理過程を含み、ウェハプロセス（wafer processまたはwafer processing）とも呼ばれる。ウェハプロセスにおいて、シリコンウェハ等の基板に対して様々な加工が施される。具体的には、リソグラフィ、不純物原子の拡散、酸化膜除去・形成、ドライエッチング、ウエットエッチング、エッチバック、はんだ付け、めっき、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学蒸着法）、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理蒸着法）、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）、洗浄、ダイシング、ダイボンディグ、実装、アニーリング、パッケージングなどである。このような様々な加工の間に、シリコンウェハ等の基板を加工装置に仮接着する場合がある。すなわち、シリコンウェハやチップ等の被加工部材を仮接着し、必要な加工を施した後に取り外し、別の加工装置の支持体に仮接着するような操作を行うことがある。さらには、被加工部材の仮接着、剥離等を何度も繰り返して加工することもある。【０００３】  このような仮接着の技術として、例えば、特許文献１および特許文献２に記載のものが知られている。  すなわち、特許文献１では、シリコンウェハを支持体から容易に剥離することが可能な積層体の形成を試みている（特許文献１）。また、特許文献２では、シリコンウェハを支持体から分離した後に残存した仮接着剤に関し、これをより速やかに溶剤に溶解して除去できる仮接着剤組成物の提供を試みている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２１４６７５号公報
【特許文献２】国際公開第２０１３／０６５４１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  従来の一般的レーザー剥離工法では、被加工部材表面に残された接着材料を溶剤で溶解して除去しているため、溶剤の使用量が多く、環境的な観点で問題がある。また、溶解に時間がかかるという工程的な問題もある。  これに対し、特許文献１および特許文献２では、被加工部材から接着材料層を容易に除去することが検討されている。しかし、その技術では炭酸ガスレーザーを用いているため被加工部材表面にまでレーザー照射の影響が及ぶという課題や、被加工部材表面にも接着材料の残渣が残るという課題がある。【０００６】  本発明は上記課題を解決することを目的とするものであって、支持体と仮接着層と被加工部材を有する積層体であって、被加工部材および支持体から仮接着層の分離が容易な積層体、ならびに、上記積層体に用いられる仮接着層を形成するための組成物、積層体の製造方法および部材の製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  上記課題のもと、本発明者が検討を行った結果、光に対し透過性を有する支持体を用い、特定の波長の光の照射により、被照射部が変質等する層を有する仮接着層を用いることにより、上記課題を解決しうることを見出した。具体的には、下記手段＜１＞により、好ましくは＜２＞〜＜２６＞により、上記課題は解決された。＜１＞３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光に対し透過性を有する支持体と、仮接着層と、被加工部材とをこの順に有し、  上記仮接着層は層Ａと層Ｂを含む複層であるかまたは単層Ｃであり、  上記層Ａおよび上記単層Ｃは、上記波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、または、変形する層であって、上記支持体と少なくとも一部において接する層であり、  上記層Ｂおよび上記単層Ｃは、上記被加工部材と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含み、  上記離型剤は、ケイ素原子およびフッ素原子の少なくとも一方を含み、２５℃１気圧において液体である、積層体。＜２＞上記層Ａおよび上記単層Ｃが光吸収剤とバインダーとを含む層であるか、光吸収剤であるバインダーを含む、＜１＞に記載の積層体。＜３＞光吸収剤が紫外線吸収剤である、＜２＞に記載の積層体。＜４＞上記層Ａおよび上記単層Ｃが、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、芳香環または複素環を有する化合物、およびフルオロカーボンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞に記載の積層体。＜５＞上記光の波長が３５０ｎｍ〜４１０ｎｍである、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の積層体。＜６＞上記離型剤が、ポリエーテル変性シリコーンを含む、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の積層体。＜７＞上記離型剤が、フッ素原子を含む化合物を含む、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の積層体。＜８＞上記フッ素原子を含む化合物がフッ素原子を含む基と親水基と親油基を含む化合物である、＜７＞に記載の積層体。＜９＞上記層Ｂおよび上記単層Ｃがスチレンに由来する構造を有するエラストマーを含む、＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の積層体。＜１０＞上記被加工部材が半導体基板を含む、＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の積層体。＜１１＞仮接着層と被加工部材との間の端部にしおり部材を有する、＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の積層体。＜１２＞上記層Ａまたは単層Ｃの被加工部材と反対側の表面の少なくとも一部に、さらに、可撓性膜を有する、＜１＞〜＜１１＞のいずれか１つに記載の積層体。＜１３＞光照射後に仮接着層を支持体から剥離する用途に用いる、＜１＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載の積層体。＜１４＞＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体が有する仮接着層の上記層Ａを形成するための組成物。＜１５＞＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体が有する仮接着層の上記層Ｂを形成するための組成物。＜１６＞＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体が有する仮接着層をなす上記単層Ｃを形成するための組成物。＜１７＞上記支持体表面に上記層Ａを形成する工程と、  上記被加工部材表面に上記層Ｂを形成する工程と、  上記層Ａと上記層Ｂとを接合する工程と、を含む、＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載���積層体の製造方法。＜１８＞上記支持体表面に上記層Ａを形成する工程と、  上記支持体と接していない側の上記層Ａの面上に上記層Ｂを形成する工程と、  上記層Ｂと上記被加工部材を接合する工程と、を含む、＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。＜１９＞上記層Ａを形成する工程が蒸着工程を含む、＜１７＞または＜１８＞に記載の製造方法。＜２０＞上記支持体表面に上記単層Ｃを形成する工程と、  上記単層Ｃと上記被加工部材を接合する工程と、を含む、＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。＜２１＞上記被加工部材表面に上記単層Ｃを形成する工程と、  上記単層Ｃと上記支持体とを接合する工程と、を含む、＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。＜２２＞上記単層Ｃを形成する工程が塗布工程を含む、＜２０＞または＜２１＞に記載の製造方法。＜２３＞＜１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の積層体の上記被加工部材に加工を施す工程と、  上記支持体を介して上記仮接着層に上記３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を照射する工程と、  上記被加工部材から上記仮接着層を物理的に剥離する工程と、を含む操作を行なう、部材の製造方法。＜２４＞仮接着層と被加工部材との間の端部にしおり部材を配置しておき、仮接着剤の剥離の起点とする、＜２３＞に記載の製造方法。＜２５＞上記物理的に剥離する工程の後に上記被加工部材を洗浄する工程を含む、＜２３＞または＜２４＞に記載の製造方法。＜２６＞上記光を照射する工程の前に、被加工部材を吸着ステージに固定する、＜２３＞〜＜２５＞のいずれか１つに記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】  本発明により、支持体と仮接着層と被加工部材を有する積層体において、支持体および被加工部材からの仮接着層の分離が容易になる。また、その効果を有する積層体、ならびに、上記積層体に用いられる仮接着層を形成するための組成物、積層体の製造方法および部材の製造方法を提供可能になった。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（１）である。
【図２】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（２）である。
【図３】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（３）である。
【図４】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（４）である。
【図５】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（５）である。
【図６】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（６）である。
【図７】図６の工程を上方から見た平面図である。
【図８】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（７）である。
【図９】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（８）である。
【図１０】本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図（９）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】  以下に記載する本発明における構成要素の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。  本明細書における基（原子団）の表記に於いて、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。  本明細書において「露光」および「照射」とは、特に断らない限り、光を用いた露光および照射のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた描画も露光および照射に含める。また、露光および照射に用いられる光としては、一般的に、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線または放射線が挙げられる。  本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。  本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」および「メタクリレート」の双方、または、いずれかを表し、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」および「メタクリル」の双方、または、いずれかを表し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」の双方、または、いずれかを表す。  本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。  本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定に従い、ポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてガードカラムＨＺ−Ｌ、ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｍ、ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ３０００およびＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（東ソー（株）製）のいずれか１つ以上を用いることによって求めることができる。溶離液は特に述べない限り、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて測定したものとする。また、検出は特に述べない限り、ＵＶ線（紫外線）の波長２５４ｎｍ検出器を使用したものとする。  本明細書において、温度は特に述べない限り２３℃である。  図面において例示した、形状、寸法、数、配置箇所等は任意であり、限定されない。
【００１１】  本発明の積層体は、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光に対し透過性を有する支持体と、仮接着層と、被加工部材とをこの順に有し、上記仮接着層は層Ａと層Ｂを含む複層であるかまたは単層Ｃであり、上記層Ａおよび上記単層Ｃは、上記波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、または、変形する層であって、上記支持体と少なくとも一部において接する層であり、上記層Ｂおよび上記単層Ｃは、上記被加工部材と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含み、上記離型剤は、ケイ素原子およびフッ素原子の少なくとも一方を含み、２５℃１気圧において液体であることを特徴とする。これにより、仮接着層の支持体および被加工部材からの分離が容易となる。さらに、被加工部材の加工処理が容易になる。結果として、高品質かつスループットの高い半導体プロセスが実現可能となる。以下に、本発明について詳細に説明する。
【００１２】＜半導体プロセス＞  図１は、本発明の一実施形態における半導体プロセスの一過程を断面図により模式的に示す工程説明図である。同図に示した工程では、支持体６に仮接着層４０（層Ａ５および層Ｂ４）が配設され積層体１００を構成している。本発明において、支持体は、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの特定波長の光に対し透過性を有する。透過する光の特定波長は、３００ｎｍ〜９００ｎｍであることが好ましく、３３０ｎｍ〜４５０ｎｍであることがより好ましく、３５０ｎｍ〜４１０ｎｍであることがさらに好ましい。具体的に光は紫外線（ＵＶ）であることが好ましい。  本実施形態においては、層Ａ５と層Ｂ４とが仮接着層４０を構成している。本発明の第一の実施形態は、このように、２層が仮接着層を構成している形態である。このとき、層Ａ５が支持体と接しており、層Ｂ４がその逆側に配置され被加工部材（図示せず）と接することになる。本発明の第二の実施形態は、仮接着層が一層で構成されている場合である。この場合の仮接着層を単層Ｃと呼び、上記の層Ａおよび層Ｂの組合せに係る実施形態と区別する。単層Ｃは層Ａと層Ｂの機能を併せ持っていることが好ましい。
【００１３】  図２の工程では、仮接着層４０の支持体６と反対側の面に被加工部材２０が配設されている。図示した実施形態では、層Ｂ４の面に被加工部材２０（部材が板状である場合は被加工基板ということがある）が配置されている。被加工部材２０は、図２では、チップ２とモールド樹脂１で構成されている。この工程においては、例えば、真空加熱ホンディングにより、例えば上下プレートを１７０℃加熱、真空、０．２ＭＰａで５分間加熱して、以下で説明する様々な接合を行うことができる。装置は、ＥＶＧｒｏｕｐ製５４０などを用いることができる。被加工部材２０は、上記被加工部材に限らず、他の被加工部材であってもよい。例えば、FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)が挙げられる。被加工部材の厚さは特に限定されないが、５０〜１０００μｍであることが好ましい。被加工部材は半導体基板またはそれを含む加工物であることが好ましい。  ここで、本実施形態においては、被加工部材２０を配設する前に、支持体表面に層Ａを形成し、支持体と接していない側の層Ａの面に層Ｂを形成しておく形態を採用している。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではなく、例えば、層Ｂと被加工部材を接合し、一方、支持体表面に層Ａを形成し、その後、層Ａ側の部材と層Ｂ側の部材とを層Ａと層Ｂとを対面する形で接合してもよい。あるいは、被加工部材側から層Ｂ、層Ａ、支持体の順に形成する形態としてもよい。第二の実施形態においては、被加工部材表面に単層Ｃを形成し、単層Ｃと支持体を接合してもよい。逆に、支持体表面に単層Ｃを形成し、単層Ｃと被加工部材を接合してもよい。  以下の説明では第一の実施形態（層Ａおよび層Ｂの複層形態）を中心に説明するが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。なお、被加工部材は、半導体基板そのものであってもよいが、本実施形態のようにその加工物を含むものであってもよい。
【００１４】  図３は被加工部材２０が加工され加工済み被加工部材２０ａとされた状態を示している。チップ２は加工済みチップ２ａとなりモールド樹脂１は加工済みモールド樹脂１ａとなっている。被加工部材の加工方法は特に限定されないが、例えば、研磨、洗浄、回路形成、保護層形成といったプロセスが挙げられる。被加工部材２０の厚さは特に限定されないが、５０〜１０００μｍであることが好ましい。加工済み被加工部材２０ａの厚さは１０〜３００μｍであることが好ましい。  被加工部材の加工には様々な手法がある。例えば、（１）ＣＶＤ、スパッタ、めっき、またはこれらの組合せによる膜形成、（２）フォトリソグラフィによるレジストパターンや絶縁膜パターンの形成、（３）ウエットエッチング、ドライエッチング、めっき、またはその組合せによる回路パターンの形成、（４）研磨による薄化、平坦化、レーザーまたはドリルによる穴開け、トリム装置によるエッジ形状加工、モールド装置、またはこれらの組合せによる封止層もしくは封止構造の形成、（５）ＣＶＤ、スパッタ、蒸着、塗布、印刷、インクジェット、およびディスペンスのいずれかの方法による電磁波シールド層の形成、（６）印刷機、実装機、およびめっき装置のいずれかの装置によるはんだ付けまたはその他の金属のバンプの形成等が挙げられる。
【００１５】  図４は、図３で作製した加工済み被加工部材を有する積層体（積層複合体）を吸着ステージ１１に固定した状態を示している。本実施形態においては、積層体を、加工済み被加工部材２０ａの加工面２０ｔ側から吸着ステージ１１に固定する態様を採用している。すなわち、積層体の支持体６の反対側である被加工部材２０ａ側を吸着ステージ１１に固定している。吸着ステージ１１は、多孔質吸着板を用いた真空吸着機構を採用したものが望ましい。ただし、溝式吸着板や穴式吸着板、これらの組合せでもよく、真空の代わりにブロアーでもよい。あるいは、静電吸着ステージでもよい。さらに別の実施形態としては、粘着材を用いた粘着式ステージを用いてもよい。粘着剤として紫外線剥離型や熱剥離型を用いれば、その後に粘着剤を除去することが容易になる。
【００１６】  図５に示した工程では、吸着ステージ１１に固定した積層体に、支持体の側から光７１を照射している。この照射は図示したような垂直方向に限られず、例えば、斜め方向や側方から行ってもよい。本実施形態では、レーザー照射法を採用しており、走査方向７２に向けレーザーを移動させる形態で、積層体に光を照射している。走査によるレーザー照射は選択的なもので、その他の照射方法、例えば一括照射や、分割照射という方法をとってもよい。あるいは、吸着ステージ側を必要により水平移動する形態としてもよい。このときの光の波長の範囲は上記特定波長で述べたことと同様である。上記の光の照射により層Ａ５の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、変形し、支持体６との仮接着力が低下する。その結果、図示したように、支持体６は容易に剥離し、層Ａ５（仮接着層４０）から分離される。具体例を示すと、光の照射は、支持体と仮接着層の界面に焦点を合わせて行うことが好ましい。露光量は、１〜３Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。  すなわち、本発明の積層体は、レーザー照射後に仮接着層を支持体から剥離する用途に用いることもできる。  本発明においては、上述のように、デバイス（被加工部材）を含む積層体をキャリア（支持体）から小さな外力で剥離できる。すなわち、被加工部材を含む積層体がキャリアから容易に分離できるため、被加工部材の部材内部への応力がかからず、歩留まりがよく、高スループットのデバイス製造が可能となる。
【００１７】  図６に示した工程では、上記で露出した層Ａ５（仮接着層４０）の露出面５１に粘着テープ３を仮接着させている。本実施形態では仮接着加工に押付ローラ７３を採用する。図７は図６の工程を上方から見た平面図である。押付ローラを粘着テープに当接させ移動させることで、粘着テープと層Ａとの全面にわたる均一かつ確実な仮接着状態が得られるようにしている。
【００１８】  図８の工程では、仮接着層に対して粘着テープ３とは逆側の加工済み被加工部材２０ａと層Ｂ４の界面またはその近傍にしおり部材７５を挿入している。これは、加工済み被加工部材２０ａと層Ｂ４（仮接着層４０）の剥離が容易に進行するように、剥離の起点となる切り込みを作製するものである。このように、本発明の好ましい実施形態として、仮接着層と加工済み被加工部材との間の端部にしおり部材を有する態様が挙げられる。これにより、加工済み被加工部材と仮接着層との界面における的確な剥離を促すことができる。しおり部材としては、刃（材質：ステンレス、鉄、チタン、タングステンなどの金属、これらの複合材料、これらの表面にフッ素樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂をコーティング加工したもの）、ワイヤ（材質：ステンレス、鉄、チタン、タングステンなどの金属、これらの複合材料、ナイロン、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂）が例示される。
【００１９】  さらに、図９の工程では、引き上げ機構７９により可撓性膜である粘着テープ３を引き上げ、加工済み被加工部材２０ａと仮接着層４０（層Ｂ４）とを物理的に剥離している。引き上げる角度Θは特に限定されないが、略垂直、具体的には７０°〜１１０°が好ましく、８０〜１００°がより好ましく、８５〜９５°がさらに好ましい。この角度は、加工済み被加工部材の加工面の角度を０°としたときの仮接着層４０の引き上げ角度である。上記角度で適切に引き上げられるよう、図９に示す様に、押付部材７８を用いてもよい。引き上げに同期して、引き上げ速度と同じ速度でステージを移動してもよい。このとき、常時、上記剥離角度の範囲になるように維持することが好ましい。本実施形態においては、このようにして、図１０に示した、剥離面２０ｓが露出した加工済み被加工部材２０ａを得ることができる。  なお、ここでの粘着テープの引き上げによる加工済み被加工部材からの仮接着層からの剥離は、本実施形態のように機械装置を用いずに、作業者により手で引き上げて行ってもよい。
【００２０】  本発明の好ましい実施形態によれば、支持体や仮接着層からの分離操作において、過度な応力が被加工部材および加工済み被加工部材にかからないため、部材の割れなどの損傷を抑制することができる。また、剥離面に仮接着層の剥離片（仮接着剤）が残りにくいため、その後の仮接着剤の除去に要する溶剤の使用量を減らすことができ、この点でも部材の品質を良好にすることができる。
【００２１】  本実施形態においてもなお、仮接着層を剥離（ピールオフ）した後に、加工済み被加工部材２０ａの剥離面２０ｓに若干の残渣が残る可能性がある。このような場合には、洗浄液で残渣を溶解除去することが望ましい。洗浄液としては、芳香族炭化水素（例えばメシチレン）と芳香族スルホン酸（例えばトルエンスルホン酸やドデシルベンゼンスルホン酸）との混合溶液が挙げられる。より具体的には、メシチレン１００質量部とｐ−トルエンスルホン酸０．０１〜１質量部（例えば０．１質量部）の混合溶液、メシチレン１００質量部とｐ−ｎ−ドデシルベンゼンスルホン酸０．０１〜１質量部（例えば、０．１質量部）の混合溶液が挙げられる。
【００２２】＜支持体＞  支持体の材料は特に限定されないが、ガラスや石英、アクリル樹脂などの透明材料が挙げられる。支持体の厚さは特に限定されないが、３００〜２０００μｍであることが好ましい。支持体の好ましい材質としては、無アルカリガラスやアルカリガラスが好ましく、表面物性としては、塗布液に対する接触角が小さいことが好ましく、表面処理としては、ＩＰＡなどの溶剤による洗浄や酸素プラズマなどによる親水化処理が好ましく、表面粗さについては、算術表面平均粗さＲａが０．５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。さらに、透過率が５０％以上となる波長が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、３３０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であることがより好ましく、３５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００２３】＜仮接着層＞  仮接着層の厚さ（乾燥後）は特に限定されないが、層Ｂは１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。上限としては、１０００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。  層Ａは塗布膜の場合は０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましく、０．５μｍ以上であることがさらに好ましい。上限としては、１０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。層Ａの厚さは蒸着膜であるとき、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることがより好ましく、０．５μｍ以上であることがさらに好ましい。上限としては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。  単層Ｃの好ましい厚さは上記仮接着層Ｂの厚さと同様である。
【００２４】＜＜層Ａ＞＞  層Ａは、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、または、変形する（以下、「変質等」と言うことがある）層であって、上記支持体と少なくとも一部において接する層であり、変質する層であることが好ましい。
【００２５】  本発明において、部材や物質が変質等することにより、仮接着力が変化し、これにより仮接着力が低下することが好ましい。例えば、所定の外力では仮接着した状態が維持されるが、変質等すると仮接着状態が解かれ剥離するようになる。具体的には、仮接着層の少なくとも一部が光を吸収することによって変質等し、これを受ける前の強度または仮接着性を失うことが挙げられる。  変質等による仮接着層の微視的な変化としては、（１）含有成分の分解、（２）架橋・立体配置の変化、（３）官能基の解離等によるものが挙げられる。系内で進行する化学反応は１種のみならず２種以上の反応が逐次または同時に進行するものでもよい。また、変質等は、仮接着層の少なくとも一部の（４）硬化や、（５）脱ガス、（６）収縮、（７）膨張、（８）変形、（９）飛散等によってもたらされる。さらに、変質等は、仮接着層の少なくとも一部の（１０）液化、（１１）昇華、（１２）液化後の気化のような物理変化によってももたらされる。本発明が上記の機序の説明によって何ら限定して解釈されるものではなく、こうした仮接着層の変質等の種類や態様は、仮接着層を構成する材料の種類に応じて変化しうるものである。なかでも、仮接着層の変質等は、そこに含まれる樹脂の上記（１）〜（１２）等の変化に伴うものであることが好ましい。
【００２６】  層Ａの少なくとも一部（好ましくは、光吸収剤）は、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの１つ以上の波長の光を吸収することが好ましく、３００〜４００ｎｍおよび１０００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの１つ以上の波長の光を吸収することがより好ましい。
【００２７】  層Ａの少なくとも一部（好ましくは、光吸収剤）は、１０℃／分で昇温したときの５０％熱質量減少温度が、１８０℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましく、３００℃以上であることがさらに好ましい。このような構成とすることにより、層Ａが高温処理される場合も、光吸収剤がダメージを受けにくく、適切にレーザーアブレーション加工が可能になる。  上記１０℃／分で昇温したときの５０％熱質量減少温度の上限は特に定めるものではないが、例えば５００℃以下、さらには４５０℃以下、特には４３０℃以下でも十分実用レベルである。
【００２８】  層Ａの少なくとも一部（好ましくは、光吸収剤）は、特に、波長３５５ｎｍにおけるモル吸光係数が５０００以上であることが好ましい。上記範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工を用いた場合の加工性がより向上する傾向にある。上記波長３５５ｎｍにおけるモル吸光係数は、８０００以上であることが好ましく、１００００以上であることがより好ましく、１２０００以上であることがさらに好ましい。上記波長３５５ｎｍにおけるモル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、５００００以下、さらには４５０００以下でも十分に実用レベルである。
【００２９】  層Ａは、第１実施形態として光吸収剤とバインダーとを含む態様が挙げられ、第２実施形態として、光吸収剤としてのバインダーを含む態様が挙げられ、第３の実施形態として変質等を伴う薄膜の態様が挙げられる。光吸収剤やバインダー、薄膜には、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部を変質等させる成分を含んでいることが好ましい。  光吸収剤は、高分子化合物（例えば、分子量１０００以上）であってもよいが、低分子化合物（例えば、分子量１０００未満）であってもよい。  本発明では、層Ａが、熱硬化性樹脂（例えば、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体）、芳香環または複素環を有する化合物（例えば、トリアジン系化合物）、蒸着膜（例えば、フルオロカーボン）のうち、少なくともいずれか１つであることが好ましい。
【００３０】  層Ａの第１実施形態では、光吸収剤とバインダーとを含む。第１実施形態では、光吸収剤がレーザー照射により急激に高温となり、分解・昇華などの変質が発生することにより、仮接着層の接着力が弱まる。  第１実施形態における層Ａは、好ましくは、光吸収剤とバインダーとを含む組成物（仮接着層の層Ａを形成するための組成物）から形成される。層Ａを形成するための組成物は、さらに、溶剤を含んでいることが好ましい。  第１実施形態において、層Ａを構成する樹脂（バインダー）はこの分野で常用されているものを適宜選択して用いることができる。層Ａのバインダーとしては、具体的には、ナイロン系樹脂（ポリアミド樹脂）、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アリル樹脂、アセチルセルロース樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリアリレート樹脂が挙げられ、ナイロン系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が好ましい。  また、層Ａを構成する樹脂（バインダー）は、層Ｂのところで述べる樹脂を適宜使用することができるが、これとは異なるバインダーを用いることが好ましい。  層Ａと層Ｂに異なるバインダーを用いる場合、特定の溶剤１００ｇに対する２３℃における溶解度が２０ｇ以上の樹脂と、上記特定の溶剤に対する２３℃における溶解度が４ｇ未満の樹脂とを用いることが好ましい。上記溶解度の比は、５倍以上であることが好ましく、２０倍以上であることがより好ましい。
【００３１】  第１実施形態において、層Ａにおけるバインダーの含有量は、層Ａを構成する組成物の固形分中、３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましい。上限としては、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることがより好ましく、６０質量％以下であることがさらに好ましい。バインダーは、層Ａを構成する組成物中、１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。
【００３２】  第１実施形態における光吸収剤は、低分子化合物（例えば、分子量１０００未満）が好ましい。また、第１実施形態における光吸収剤は、紫外線吸収剤、可視光吸収剤（着色剤）、赤外線吸収剤が例示され、紫外線吸収剤がより好ましい。光吸収剤について物性の観点から言うと、光の吸収率が高くて高温（２００℃くらい）になる前に短時間（例えば、１０μｓｅｃ以下）で分解してしまうもの以外は、どのようなものでも好適に使用することができる。紫外線吸収剤としては、芳香環または複素環を有する化合物が好ましく、複素環を有する化合物がより好ましく、芳香族複素環を有する化合物がさらに好ましく、トリアジン系化合物が一層好ましい。芳香環としては、ベンゼン環が例示され、複素環としては、アゾール環（特に好ましくはトリアゾール環）またはアジン環（特に好ましくはトリアジン環）が挙げられる。
【００３３】  第１実施形態における紫外線吸収剤として市販されているものが例示される。  具体的には、スミソーブ２００、スミソーブ２５０、スミソーブ３００、スミソーブ３４０、スミソーブ３５０（住友化学社製）、ＪＦ７７、ＪＦ７８、ＪＦ７９、ＪＦ８０、ＪＦ８３（城北化学工業社製）、ＴＩＮＵＶＩＮＰ、ＴＩＮＵＶＩＮ  ＰＳ、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９９−２、ＴＩＮＵＶＩＮ１０９、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３８４−２、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９００、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９２８、ＴＩＮＵＶＩＮ  １１３０（ＢＡＳＦ社製）、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７０、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７１、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７２、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７３、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７４、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７５、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７６、ＥＶＥＲＳＯＲＢ２３４、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７７、ＥＶＥＲＳＯＲＢ７８、ＥＶＥＲＳＯＲＢ８０、ＥＶＥＲＳＯＲＢ８１（台湾永光化学工業社製）、トミソーブ１００、トミソーブ６００（エーピーアイコーポレーション社製）、ＳＥＥＳＯＲＢ７０１、ＳＥＥＳＯＲＢ７０２、ＳＥＥＳＯＲＢ７０３、ＳＥＥＳＯＲＢ７０４、ＳＥＥＳＯＲＢ７０６、ＳＥＥＳＯＲＢ７０７、ＳＥＥＳＯＲＢ７０９（シプロ化成社製）などのベンゾトリアゾール系化合物； スミソーブ１３０（住友化学社製）、ＥＶＥＲＳＯＲＢ１０、ＥＶＥＲＳＯＲＢ１１、ＥＶＥＲＳＯＲＢ１２（台湾永光化学工業社製）、トミソーブ８００（エーピーアイコーポレーション社製）、ＳＥＥＳＯＲＢ１００、ＳＥＥＳＯＲＢ１０１、ＳＥＥＳＯＲＢ１０１Ｓ、ＳＥＥＳＯＲＢ１０２、ＳＥＥＳＯＲＢ１０３、ＳＥＥＳＯＲＢ１０５、ＳＥＥＳＯＲＢ１０６、ＳＥＥＳＯＲＢ１０７、ＳＥＥＳＯＲＢ１５１（シプロ化成社製）などのベンゾフェノン系化合物； スミソーブ４００（住友化学社製）、サリチル酸フェニルなどのベンゾエート系化合物；ＴＩＮＵＶＩＮ  ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４０５、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４６０、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４７７、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４７７ＤＷ、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４７９（ＢＡＳＦ社製）などのトリアジン系化合物；を挙げることができる。
【００３４】  さらに、上記の他、特開２００９−２６５６４２号公報の段落００２２〜００３７（対応する米国特許出願公開第２０１１／００３９１９５号明細書の段落００４０〜００６１）に記載のジエン系化合物が挙げられ、これらの記載は本明細書に組み込まれる。  市販品としては、例えば、ジエチルアミノ−フェニルスルホニル−ペンタジエノエイト系紫外線吸収剤（富士フイルムファインケミカルズ（株）製、商品名：ＤＰＯ）などが挙げられる。
【００３５】  第１実施形態では、光吸収剤が赤外線吸収剤である、例えば、波長１０６４ｎｍにおけるモル吸光係数が５０００以上であることも好ましい。上記範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工を行った場合の加工性がより向上する傾向にある。波長１０６４ｎｍにおけるモル吸光係数は、８０００以上であることが好ましく、１１０００以上であることがより好ましく、１４０００以上であることがさらに好ましい。上記波長１０６４ｎｍにおけるモル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、２４０００以下、さらには１９０００以下でも十分に実用レベルである。
【００３６】  波長１０６４ｎｍにおけるモル吸光係数が５０００以上である光吸収剤は、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジイモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも１種であることが好ましく、ジイモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、アミニウム系化合物から選択される少なくとも１種であることがさらに好ましい。  上記波長１０６４ｎｍにおけるモル吸光係数が５０００以上である光吸収剤としては、赤外線吸収剤として市販されているものが例示される。  具体的には、  ジアニン系化合物（日本化薬（株）製：ＣＹ−２、ＣＹ−４、ＣＹ−９、富士フイルム（株）製：ＩＲＦ−１０６、ＩＲＦ−１０７、山本化成（株）製：ＹＫＲ２９００）；  ジイモニウム系化合物（ナガセケムテックス社製：ＮＩＲ−ＡＭ１、ＮＩＲ−ＩＭ１、日本化薬（株）製：ＩＲＧ−０２２、ＩＲＧ−０２３、日本カーリット（株）製：ＣＩＲ−１０８０、ＣＩＲ−１０８１）；  アミニウム系化合物（日本カーリット（株）製：ＣＩＲ−９６０、ＣＩＲ−９６１、ＣＩＲ−９６３、日本化薬（株）製：ＩＲＧ−００２、ＩＲＧ−００３、ＩＲＧ−００３Ｋ）；  フタロシアニン系化合物（日本触媒（株）製：ＴＸ−３０５Ａ）；  ニッケル錯体化合物（三井化学（株）製：ＳＩＲ−１３０、ＳＩＲ−１３２、みどり化学（株）製：ＭＩＲ−１０１、ＭＩＲ−１０２、ＭＩＲ−１０１１、ＭＩＲ−１０２１、住友精化（株）製：ＢＢＤＴ−ＮＩ）；  アントラキノン系化合物（日本化薬（株）製：ＩＲ−７５０）；  ナフタロシアニン系化合物（山本化成（株）製：ＹＫＲ５０１０）を挙げることができる。
【００３７】  さらに上記の他、ポリメチン系化合物（日本化薬（株）製：ＩＲ−８２０Ｂ）、無機材料系化合物（信越化学工業（株）製：イッテルビウムＵＵ−ＨＰ、住友金属工業（株）製：インジュームチンオキサイド）等が挙げられる。
【００３８】  第１実施形態において、仮接着層を形成する組成物（仮接着剤）における、光吸収剤の量は、光吸収剤とバインダーとを組み合わせて用いる場合、バインダー樹脂１００質量部に対し、下限値が、０．１質量部以上であることが好ましく、１質量部以上であることがより好ましく、４質量部以上であることがさらに好ましく、１０質量部以上であってもよく、２０質量部以上であってもよく、２７質量部以上であってもよく、３０質量部以上であってもよく、４０質量部以上であってもよい。上記光吸収剤の量の上限値は、１２０質量部以下であることが好ましく、１１０質量部以下であることがより好ましく、１０５質量部以下であることがさらに好ましい。  第１実施形態において、層Ａにおける光吸収剤の含有量は、層Ａを構成する組成物の固形分中、１０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。上限としては、９７質量％以下であってもよく、９０質量％以下であってもよく、８０質量％以下であってもよい。  光吸収剤は１種を用いても２種以上用いてもよい。２種以上用いる場合はその合計量が上記の範囲となることが好ましい。
【００３９】  第１実施形態において、層Ａを形成する組成物は溶剤を含んでいてもよい。溶剤は常用されているものを適宜選定して用いることができる。溶剤は、有機溶剤が好ましく、例えば、層Ｂで挙げる溶剤を好適に使用することができるが、層Ａを形成する組成物に用いられる溶剤は、層Ｂを形成する組成物で用いられる溶剤と混和しないものを用いることが好ましい。層Ａを形成する組成物に用いられる溶剤はアルコール類（イソブタノール、ベンジンアルコール、イソプロパノール）の他ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、Ｎ−メチルピロリドン、エチルセロソルブであることが好ましい。  第１実施形態において、溶剤の量は、組成物中の固形分が１質量％以上となる量であることが好ましく、２質量％以上となる量であることがより好ましく、５質量％以上となる量であることがさらに好ましい。上限としては、３０質量％以下となる量であることが実際的である。  第１実施形態において、層Ａは、酸化防止剤や可塑剤などのその他の添加剤を用いてもよい。その化合物の詳細や配合割合などは、層Ｂで規定の内容を参照することができる。
【００４０】  第２実施形態は光吸収剤であるバインダーを含む態様である。例えば、ポリイミド前駆体やポリイミド前駆体などのポリマー前駆体を利用した態様が挙げられる。これらのポリマー前駆体は例えば加熱により環化して硬化する。そこで、本発明では、光の照射による系内の熱上昇に伴ってポリマー前駆体の環化を促し、その硬化によって接着力を低下させる態様が例示される。ポリマー前駆体またはその硬化物の変質等は光の照射により促されるものであってもよい。例えば、酸発生剤や塩基発生剤を共存させて、光の照射によりこれらが酸または塩基を発生することでポリマーの官能基の保護基を脱離させ、樹脂組成物の物理化学的な性質が変化する構成としてもよい。第２の実施形態の樹脂としては、米国特許出願公開第２０１７／０２５５１００号明細書の Composition Example 1等を参照することができ、これらは本明細書に組み込まれる。  第２実施形態において、バインダーの量は、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であってもよく、５質量％以上であってもよい。上限としては、１００質量％であってもよい。  第２実施形態において、溶剤の容量は、配合する場合、固形分が１質量％以上となる量であることが好ましく、５質量％以上となる量であることがより好ましく、１０質量％以上となる量であることがさらに好ましい。上限としては、５０質量％以下となる量であることが実際的である。
【００４１】  第２実施形態において、層Ａを形成する組成物は溶剤を含んでいてもよい。溶剤は常用されているものを適宜選定して用いることができる。溶剤は、有機溶剤が好ましく、例えば、層Ｂで挙げる溶剤を好適に使用することができるが、層Ａを形成する組成物に用いられる溶剤は、層Ｂを形成する組成物で用いられる溶剤と混和しないものを用いることが好ましい。層Ａを形成する組成物に用いられる溶剤はアルコール類（イソブタノール、ベンジンアルコール、イソプロパノール）の他ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、Ｎ−メチルピロリドン、エチルセロソルブであることが好ましい。  第２実施形態において、溶剤の量は、組成物中の固形分が１質量％以上となる量であることが好ましく、２質量％以上となる量であることがより好ましく、５質量％以上となる量であることがさらに好ましい。上限としては、３０質量％以下となる量であることが実際的である。  第２実施形態において、層Ａは、酸化防止剤や可塑剤などのその他の添加剤を用いてもよい。その化合物の詳細や配合割合などは、層Ｂで規定の内容を参照することができる。
【００４２】  第３実施形態は変質等を伴う薄膜で構成された態様であり、膜の主成分が直接光吸収する態様であることが好ましい。具体的には、膜成分が光を吸収することによって、急激に昇温し溶融後の気化や昇華のようなアブレーション現象が発生し、仮接着力が弱まるものが挙げられる。第３実施形態における層Ａは、好ましくは、光吸収物質を主成分（固形分中の６０質量％以上）とする組成物で形成される。上記組成物は、塗布により層状にする場合は、溶剤を含んでいてもよい。蒸着により層状にする場合は、溶剤を実質的に含まなくてもよい。ここで、実質的に含まないとは３質量％以下であることが好ましい。  第３実施形態の薄膜としてはフルオロカーボンを含む蒸着膜が例示される。  フルオロカーボンの膜は、プラズマＣＶＤ法によって好適に成膜され得る。なお、フルオロカーボンの膜は、ＣｘＦｙ（パーフルオロカーボン）およびＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙおよびｚは整数）を含み、これらに限定されないが、例えば、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、Ｃ５Ｆ８等で有り得る。また、フルオロカーボンの膜に対して、必要に応じて窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、アルカン、アルケンなどの炭化水素、および、酸素、二酸化炭素、水素を添加してもよい。また、これらのガスを複数混合して用いてもよい（フルオロカーボン、水素、窒素の混合ガス等）。また、フルオロカーボンの膜は、単１種のフルオロカーボンから構成されていてもよいし、２種以上のフルオロカーボンから構成されていてもよい。フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。フルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光をこの層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、膜における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。フルオロカーボンの膜に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザー、リビーレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＬＤレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザー、色素レーザー等の液体レーザー、ＣＯ２レーザー、エキシマレーザー、Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等の気体レーザー、半導体レーザー、自由電子レーザー等のレーザー光、または、非レーザー光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。
【００４３】＜＜層Ｂ＞＞  層Ｂは、被加工部材と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含む層である。このような構成とすることにより、被加工部材からの剥離を容易にすることができる。  層Ｂの厚さ（乾燥後）は特に限定されないが、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍ以上であることがさらに好ましい。上限としては、１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４４】＜＜＜離型剤＞＞＞  離型剤は、２５℃１気圧において液体である。本発明において、液体とは、２５℃における粘度が１００，０００ｍＰａ・ｓ以下であることをいう。なお、粘度は、東機産業（株）製のＥ型回転粘度計ＲＥ８５Ｌ、標準コーン・ロータ（１°３４’×Ｒ２４）を用い、サンプルカップを２５℃に温度調節して測定した値とする。測定に関するその他の詳細はＪＩＳＺ８８０３：２０１１に準拠する。
【００４５】  また、離型剤はケイ素原子を含む化合物およびフッ素原子を含む化合物からなる群の少なくとも一方である。
【００４６】＜＜＜＜ケイ素原子を含む化合物＞＞＞＞  ケイ素原子を含む化合物としてはシリコーン化合物が好ましい。シリコーン化合物としては、Ｓｉ−Ｏ結合を含む化合物であり、シリコーンオイル、シランカップリング剤、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、環状シロキサンなどが例示され、シリコーンオイルが好ましい。  また、シリコーン化合物は、重合性基などの反応性基を含まないことが好ましい。  シリコーン化合物は、ポリエーテル変性シリコーンであることが好ましい。
【００４７】  ポリエーテル変性シリコーンは、式（Ａ）で表される比率が８０％以上である。  式（Ａ）  ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００  上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％をいう。  上記式（Ａ）で表される比率は、９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましく、９９％以上であることが一層好ましく、１００％がより一層好ましい。
【００４８】  ポリエーテル変性シリコーンの重量平均分子量は、５００〜１０００００が好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、２０００〜４００００がさらに好ましい。
【００４９】  ポリエーテル変性シリコーンは、ポリエーテル変性シリコーンを窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持したときの質量減少率が５０質量％以下となるものが好ましい。このような化合物を用いることにより、加熱を伴う基板の加工後の面性状がより向上する傾向にある。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率は、４５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以下が一層好ましい。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率の下限値は０質量％であってもよいが、１５質量％以上、さらには２０質量％以上でも十分に実用レベルである。
【００５０】  ポリエーテル変性シリコーンの光の屈折率は、１．４４０以下であることが好ましい。下限値については、特に定めるものではないが、１．４００以上であっても十分実用レベルである。
【００５１】  ポリエーテル変性シリコーンは、下記式（１０１）〜式（１０４）のいずれかで表されるポリエーテル変性シリコーンが好ましい。式（１０１）【化１】
2019160073.tif 000003
上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ１１、ｍ１２、ｎ１およびｐ１は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ１およびｙ１は、それぞれ独立に２〜１００の数である。式（１０２）
【化２】
2019160073.tif 000004
上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ２２は、２価の連結基であり、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ２およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ２は、２〜１００の数である。式（１０３）
【化３】
2019160073.tif 000005
上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ３１、ｍ３２、ｎ３およびｐ３は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ３は、２〜１００の数である。  式（１０４）
【化４】
2019160073.tif 000006
上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ４７は、２価の連結基であり、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ４およびｎ４は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ４およびｙ４は、それぞれ独立に２〜１００の数である。
【００５２】  上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基が好ましく、メチル基がより好ましい。  上記式（１０１）中、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、カルボニル基、酸素原子、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数６〜１６のシクロアルキレン基、炭素数２〜８のアルケニレン基、炭素数２〜５のアルキニレン基、および炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましく、酸素原子がより好ましい。  式（１０１）中、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。
【００５３】  上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０２）中、Ｒ２２は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０２）中、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５４】  上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０３）中、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０３）中、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５５】  上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０４）中、Ｒ４７は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。  上記式（１０４）中、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５６】  式（１０１）〜式（１０４）中、式（１０３）または式（１０４）が好ましく、式（１０４）がより好ましい。
【００５７】  ポリエーテル変性シリコーンにおける、ポリオキシアルキレン基の分子中での含有量は特に限定されないが、ポリオキシアルキレン基の含有量が全分子量中１質量％を超えるものが望ましい。  ポリオキシアルキレン基の含有量は、「｛（１分子中のポリオキシアルキレン基の式量）／１分子の分子量｝×１００」で定義される。
【００５８】  シランカップリング剤の例としては、フッ素原子含有シランカップリング剤が挙げられ、トリエトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シランが好ましい。  さらに、シランカップリング剤の例としては、特開昭６２−０３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−０３４５４０号公報、特開平０７−２３０１６５号公報、特開平０８−０６２８３４号公報、特開平０９−０５４４３２号公報、特開平０９−００５９８８号公報、特開２００１−３３０９５３号公報の各公報に記載の界面活性剤も挙げられ、これらの記載は本明細書に組み込まれる。
【００５９】  シリコーン化合物は、市販品を用いることもできる。  例えば、「ＡＤＶＡＬＯＮ  ＦＡ３３」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０３」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０３３」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０５１」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０５３」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０６０」、「ＦＬＵＩＤ  Ｌ０６６」、「ＩＭ２２」、「ＷＡＣＫＥＲ−Ｂｅｌｓｉｌ  ＤＭＣ  ６０３８」（以上、旭化成ワッカーシリコーン（株）製）、「ＫＦ−３５２Ａ」、「ＫＦ−３５３」、「ＫＦ−６１５Ａ」、「ＫＰ−１１２」、「ＫＰ−３４１」、「Ｘ−２２−４５１５」、「ＫＦ−３５４Ｌ」、「ＫＦ−３５５Ａ」、「ＫＦ−６００４」、「ＫＦ−６０１１」、「ＫＦ−６０１１Ｐ」、「ＫＦ−６０１２」、「ＫＦ−６０１３」、「ＫＦ−６０１５」、「ＫＦ−６０１６」、「ＫＦ−６０１７」、「ＫＦ−６０１７Ｐ」、「ＫＦ−６０２０」、「ＫＦ−６０２８」、「ＫＦ−６０２８Ｐ」、「ＫＦ−６０３８」、「ＫＦ−６０４３」、「ＫＦ−６０４８」、「ＫＦ−６１２３」、「ＫＦ−６２０４」、「ＫＦ−６４０」、「ＫＦ−６４２」、「ＫＦ−６４３」、「ＫＦ−６４４」、「ＫＦ−９４５」、「ＫＰ−１１０」、「ＫＰ−３５５」、「ＫＰ−３６９」、「ＫＳ−６０４」、「Ｐｏｌｏｎ  ＳＲ−Ｃｏｎｃ」、「Ｘ−２２−４２７２」、「Ｘ−２２−４９５２」（以上、信越化学工業（株）製）、「８５２６  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「ＦＺ−２２０３」、「ＦＺ−５６０９」、「Ｌ−７００１」、「ＳＦ  ８４１０」、「２５０１  ＣＯＳＭＥＴＩＣ  ＷＡＸ」、「５２００  ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ  ＡＩＤ」、「５７  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８０１９  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８０２９  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８０５４  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「ＢＹ１６−０３６」、「ＢＹ１６−２０１」、「ＥＳ−５６１２  ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ  ＡＩＤ」、「ＦＺ−２１０４」、「ＦＺ−２１０８」、「ＦＺ−２１２３」、「ＦＺ−２１６２」、「ＦＺ−２１６４」、「ＦＺ−２１９１」、「ＦＺ−２２０７」、「ＦＺ−２２０８」、「ＦＺ−２２２２」、「ＦＺ−７００１」、「ＦＺ−７７」、「Ｌ−７００２」、「Ｌ−７６０４」、「ＳＦ８４２７」、「ＳＦ８４２８」、「ＳＨ  ２８  ＰＡＩＮＲ  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「ＳＨ３７４９」、「ＳＨ３７７３Ｍ」、「ＳＨ８４００」、「ＳＨ８７００」（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、「ＢＹＫ−３７８」、「ＢＹＫ−３０２」、「ＢＹＫ−３０７」、「ＢＹＫ−３３１」、「ＢＹＫ−３４５」、「ＢＹＫ−Ｂ」、「ＢＹＫ−３４７」、「ＢＹＫ−３４８」、「ＢＹＫ−３４９」、「ＢＹＫ−３７７」（以上、ビックケミー・ジャパン（株）製）、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７００１」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７００２」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２００」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２１０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２２０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２３０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０５」、「ＴＳＦ４４４５」、「ＴＳＦ４４４６」、「ＴＳＦ４４５２」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｈｙｄｒｏｓｔａｂｌｅ  ６８」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２２」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２８０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７５００」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７５５０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６００」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０２」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０４」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０７」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０８」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６２２」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６５０」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６５７」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７７」、「Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−８５００」、「ＳｉｌｗｅｔＬ−８６１０」、「ＴＳＦ４４４０」、「ＴＳＦ４４４１」、「ＴＳＦ４４４５」、「ＴＳＦ４４５０」、「ＴＳＦ４４６０」（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）が例示される。  また、シリコーン化合物としては、商品名「ＢＹＫ−３００」、「ＢＹＫ−３０６」、「ＢＹＫ−３１０」、「ＢＹＫ−３１５」、「ＢＹＫ−３１３」、「ＢＹＫ−３２０」、「ＢＹＫ−３２２」、「ＢＹＫ−３２３」、「ＢＹＫ−３２５」、「ＢＹＫ−３３０」、「ＢＹＫ−３３３」、「ＢＹＫ−３３７」、「ＢＹＫ−３４１」、「ＢＹＫ−３４４」、「ＢＹＫ−３７０」、「ＢＹＫ−３７５」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ−３５５０」、「ＢＹＫ−ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７００」、「ＢＹＫ−ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７２０」（以上、ビックケミー・ジャパン（株）製）、商品名「ＡＣ  ＦＳ  １８０」、「ＡＣＦＳ  ３６０」、「ＡＣ Ｓ ２０」（以上、Ａｌｇｉｎ Ｃｈｅｍｉｅ製）、商品名「ポリフローＫＬ−４００Ｘ」、「ポリフローＫＬ−４００ＨＦ」、「ポリフローＫＬ−４０１」、「ポリフローＫＬ−４０２」、「ポリフローＫＬ−４０３」、「ポリフローＫＬ−４０４」、「ポリフローＫＬ−７００」（以上、共栄社化学（株）製）、商品名「ＫＰ−３０１」、「ＫＰ−３０６」、「ＫＰ−１０９」、「ＫＰ−３１０」、「ＫＰ−３１０Ｂ」、「ＫＰ−３２３」、「ＫＰ−３２６」、「ＫＰ−３４１」、「ＫＰ−１０４」、「ＫＰ−１１０」、「ＫＰ−１１２」、「ＫＰ−３６０Ａ」、「ＫＰ−３６１」、「ＫＰ−３５４」、「ＫＰ−３５７」、「ＫＰ−３５８」、「ＫＰ−３５９」、「ＫＰ−３６２」、「ＫＰ−３６５」、「ＫＰ−３６６」、「ＫＰ−３６８」、「ＫＰ−３３０」、「ＫＰ−６５０」、「ＫＰ−６５１」、「ＫＰ−３９０」、「ＫＰ−３９１」、「ＫＰ−３９２」（以上、信越化学工業（株）製）、商品名「ＬＰ−７００１」、「ＬＰ−７００２」、「８０３２  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「ＦＺ−２１１０」、「ＦＺ−２１０５」、「６７  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８６１８  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「３  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５６  ＡＤＤＩＴＩＶＥ」（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、「ＴＥＧＯ  ＷＥＴ  ２７０」（エボニック・デグサ・ジャパン（株）製）、「ＮＢＸ−１５」（（株）ネオス製）なども使用することができる。
【００６０】＜＜＜＜フッ素原子を含む化合物＞＞＞＞  フッ素原子を含む化合物は、フッ素原子を含む基を含むことが好ましく、フッ素原子を含む基と親水基を含むことがより好ましく、フッ素原子を含む基と親水基と親油基とを含むことがさらに好ましい。  親水基とは、ｌｏｇＰが１０以下をいい、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基が例示される。  親油基とは、ｌｏｇＰが１０４以上をいい、アルキル基、フェニル基が例示される。
【００６１】  フッ素原子を含む化合物の分子量は、５００〜５００００が好ましく、１０００〜３００００がより好ましく、２５００〜２００００がさらに好ましい。
【００６２】  具体的には、いずれも商品名で、フロリナートＦ−Ｃ４３０、フロリナートＦ−Ｃ４３１（以上、住友スリーエム（株）製）；メガファックＦ−１４２Ｄ、メガファックＦ−１７１、メガファックＦ−１７２、メガファックＦ−１７３、メガファックＦ−１７７、メガファックＦ−１８３、メガファックＦ−４１０、メガファックＦ−４４４、メガファックＦ−４７０、メガファックＦ−４７１、メガファックＦ−４７８、メガファックＦ−４７９、メガファックＦ−４８０、メガファックＦ−４８２、メガファックＦ−４８３、メガファックＦ−４８４、メガファックＦ−４８６、メガファックＦ−４８７、メガファックＦ−４８９、メガファックＦ−５５３、メガファックＦ−５５４、メガファックＦ−５５６、メガファックＦ−５５７、メガファックＦ−５６９、メガファックＦ−５７５、メガファックＦ−７８０Ｆ、メガファックＦ−７８１Ｆ、メガファックＲ３０（以上、ＤＩＣ（株）製）；エフトップＥＦ３０１、エフトップＥＦ３０３、エフトップＥＦ３５１、エフトップＥＦ３５２（以上、新秋田化成（株）製）；サーフロンＳ３８１、サーフロンＳ３８２、サーフロンＳＣ１０１、サーフロンＳＣ１０５（以上、旭硝子（株）製）；Ｅ５８４４（（株）ダイキンファインケミカル研究所製）；ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（ＢＭ  Ｃｈｅｍｉｅ社製）などが挙げられる。
【００６３】  層Ｂにおける離型剤の含有量は、層Ｂを構成する組成物の固形分中、０．００５質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．０２質量％以上であることがさらに好ましい。上限としては、０．５質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以下であることがより好ましく、０．２質量％以下であることがさらに好ましい。離型剤は１種を用いても２種以上用いてもよい。２種以上用いる場合はその合計量が上記の範囲となることが好ましい。
【００６４】＜＜＜バインダー＞＞＞  層Ｂを形成する組成物は、樹脂（バインダー）を少なくとも１種含むことが好ましい。樹脂としては、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体が挙げられ、ブロック共重合体が好ましい。樹脂はエラストマーが好ましい。本明細書において、エラストマーとは、弾性変形を示すポリマーを表す。すなわち外力を加えたときに、その外力に応じて瞬時に変形し、かつ外力を除いたときには、短時間に元の形状を回復する性質を有するポリマーと定義する。
【００６５】  エラストマーの重量平均分子量は、２，０００〜２００，０００が好ましく、１０，０００〜２００，０００がより好ましく、５０，０００〜１００，０００がさらに好ましい。
【００６６】  エラストマーとしては、特に限定されず、スチレンに由来する構造を有するエラストマー（ポリスチレン系エラストマー）、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリアクリル系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ポリイミド系エラストマーなどが使用できる。特に、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーが好ましく、ポリスチレン系エラストマーがさらに好ましい。
【００６７】  エラストマーは、水添物であることが好ましい。特に、ポリスチレン系エラストマーの水添物が好ましい。水添物とは、エラストマーに水が付加した構造の重合体を意味する。
【００６８】  エラストマーは、２５℃から、２０℃／分の昇温速度で昇温した際の５％熱質量減少温度が、２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましく、３５０℃以上であることがさらに好ましく、４００℃以上であることが一層好ましい。また、上限値は特に限定はないが、例えば１０００℃以下が好ましく、８００℃以下がより好ましい。  本発明におけるエラストマーは、元の大きさを１００％としたときに、室温（２０℃）において小さな外力で２００％まで変形させることができ、かつ外力を除いたときに、短時間で１３０％以下に戻る性質を有することが好ましい。
【００６９】  ポリスチレン系エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体（ＳＥＰ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）から選ばれる少なくとも１種のポリスチレン系エラストマーであることが好ましい。
【００７０】  ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の構成単位の割合は９０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、４８質量％以下がさらに好ましく、３５質量％以下が一層好ましく、３３質量％以下がより一層好ましい。上記スチレン由来の構成単位の割合の下限は、０質量％であってもよいが、１０質量％以上とすることもできる。
【００７１】  ポリスチレン系エラストマーの一実施形態として、スチレン由来の構成単位を全構成単位中に１０質量％以上５５質量％以下の割合で含有するエラストマーＡと、スチレン由来の構成単位を全構成単位中に５５質量％を超えて９５質量％以下の割合で含有するエラストマーＢとを組み合わせて用いることが挙げられる。
【００７２】  上記エラストマーＡと上記エラストマーＢを配合する場合の質量比は、エラストマーＡ：エラストマーＢ＝１：９９〜９９：１が好ましく、３：９７〜９７：３がより好ましく、５：９５〜９５：５がさらに好ましく、１０：９０〜９０：１０が一層好ましい。
【００７３】  ポリスチレン系エラストマーは、スチレンと他のモノマーとのブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンブロックであるスチレンブロック共重合体であることがより好ましく、両末端がスチレンブロックであることが特に好ましい。  ポリスチレン系エラストマーの不飽和二重結合量としては、剥離性の観点から、ポリスチレン系エラストマー１ｇあたり、１５ｍｍｏｌ未満であることが好ましく５ｍｍｏｌ未満であることがより好ましく、０．５ｍｍｏｌ未満であることがさらに好ましい。なお、ここでいう不飽和二重結合量は、スチレン由来のベンゼン環内の不飽和二重結合の量を含まない。不飽和二重結合量は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定により算出することができる。
【００７４】  なお、本明細書において「スチレン由来の構成単位」とは、スチレンまたはスチレン誘導体を重合した際に重合体に含まれるスチレン由来の構成単位であり、置換基を有していてもよい。スチレン誘導体としては、例えば、α−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−プロピルスチレン、４−シクロヘキシルスチレン等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、炭素数２〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。
【００７５】  ポリスチレン系エラストマーの市販品としては、例えば、タフプレンＡ、タフプレン１２５、タフプレン１２６Ｓ、ソルプレンＴ、アサプレンＴ−４１１、アサプレンＴ−４３２、アサプレンＴ−４３７、アサプレンＴ−４３８、アサプレンＴ−４３９、タフテックＨ１２７２、タフテックＰ１５００、タフテックＨ１０５２、タフテックＨ１０６２、タフテックＭ１９４３、タフテックＭ１９１１、タフテックＨ１０４１、タフテックＭＰ１０、タフテックＭ１９１３、タフテックＨ１０５１、タフテックＨ１０５３、タフテックＰ２０００、タフテックＨ１０４３（以上、旭化成ケミカルズ（株）製）、エラストマーＡＲ−８５０Ｃ、エラストマーＡＲ−８１５Ｃ、エラストマーＡＲ−８４０Ｃ、エラストマーＡＲ−８３０Ｃ、エラストマーＡＲ−８６０Ｃ、エラストマーＡＲ−８７５Ｃ、エラストマーＡＲ−８８５Ｃ、エラストマーＡＲ−ＳＣ−１５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−５、エラストマーＡＲ−７１０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−６５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−３０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−７５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−４５、エラストマーＡＲ−７２０、エラストマーＡＲ−７４１、エラストマーＡＲ−７３１、エラストマーＡＲ−７５０、エラストマーＡＲ−７６０、エラストマーＡＲ−７７０、エラストマーＡＲ−７８１、エラストマーＡＲ−７９１、エラストマーＡＲ−ＦＬ−７５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−８５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−６０Ｎ、エラストマーＡＲ−１０５０、エラストマーＡＲ−１０６０、エラストマーＡＲ−１０４０（以上、アロン化成（株）製）、クレイトンＤ１１１１、クレイトンＤ１１１３、クレイトンＤ１１１４、クレイトンＤ１１１７、クレイトンＤ１１１９、クレイトンＤ１１２４、クレイトンＤ１１２６、クレイトンＤ１１６１、クレイトンＤ１１６２、クレイトンＤ１１６３、クレイトンＤ１１６４、クレイトンＤ１１６５、クレイトンＤ１１８３、クレイトンＤ１１９３、クレイトンＤＸ４０６、クレイトンＤ４１４１、クレイトンＤ４１５０、クレイトンＤ４１５３、クレイトンＤ４１５８、クレイトンＤ４２７０、クレイトンＤ４２７１、クレイトンＤ４４３３、クレイトンＤ１１７０、クレイトンＤ１１７１、クレイトンＤ１１７３、カリフレックスＩＲ０３０７、カリフレックスＩＲ０３１０、カリフレックスＩＲ０４０１、クレイトンＤ０２４２、クレイトンＤ１１０１、クレイトンＤ１１０２、クレイトンＤ１１１６、クレイトンＤ１１１８、クレイトンＤ１１３３、クレイトンＤ１１５２、クレイトンＤ１１５３、クレイトンＤ１１５５、クレイトンＤ１１８４、クレイトンＤ１１８６、クレイトンＤ１１８９、クレイトンＤ１１９１、クレイトンＤ１１９２、クレイトンＤＸ４０５、クレイトンＤＸ４０８、クレイトンＤＸ４１０、クレイトンＤＸ４１４、クレイトンＤＸ４１５、クレイトンＡ１５３５、クレイトンＡ１５３６、クレイトンＦＧ１９０１、クレイトンＦＧ１９２４、クレイトンＧ１６４０、クレイトンＧ１６４１、クレイトンＧ１６４２、クレイトンＧ１６４３、クレイトンＧ１６４５、クレイトンＧ１６３３、クレイトンＧ１６５０、クレイトンＧ１６５１、クレイ���ンＧ１６５２（Ｇ１６５２ＭＵ−１０００）、クレイトンＧ１６５４、クレイトンＧ１６５７、クレイトンＧ１６６０、クレイトンＧ１７２６、クレイトンＧ１７０１、クレイトンＧ１７０２、クレイトンＧ１７３０、クレイトンＧ１７５０、クレイトンＧ１７６５、クレイトンＧ４６０９、クレイトンＧ４６１０（以上、クレイトンポリマージャパン（株）製）、ＴＲ２０００、ＴＲ２００１、ＴＲ２００３、ＴＲ２２５０、ＴＲ２５００、ＴＲ２６０１、ＴＲ２６３０、ＴＲ２７８７、ＴＲ２８２７、ＴＲ１０８６、ＴＲ１６００、ＳＩＳ５００２、ＳＩＳ５２００、ＳＩＳ５２５０、ＳＩＳ５４０５、ＳＩＳ５５０５、ダイナロン６１００Ｐ、ダイナロン４６００Ｐ、ダイナロン６２００Ｐ、ダイナロン４６３０Ｐ、ダイナロン８６０１Ｐ、ダイナロン８６３０Ｐ、ダイナロン８６００Ｐ、ダイナロン８９０３Ｐ、ダイナロン６２０１Ｂ、ダイナロン１３２１Ｐ、ダイナロン１３２０Ｐ、ダイナロン２３２４Ｐ、ダイナロン９９０１Ｐ（以上、ＪＳＲ（株）製）、デンカＳＴＲシリーズ（電気化学工業（株）製）、クインタック３５２０、クインタック３４３３Ｎ、クインタック３４２１、クインタック３６２０、クインタック３４５０、クインタック３４６０（以上、日本ゼオン（株）製）、ＴＰＥ−ＳＢシリーズ（住友化学（株）製）、ラバロンシリーズ（三菱ケミカル（株）製）、セプトン１００１、セプトン１０２０、セプトン２００２、セプトン２００４、セプトン２００５、セプトン２００６、セプトン２００７、セプトン２０６３、セプトン２１０４、セプトン４０３３、セプトン４０４４、セプトン４０５５、セプトン４０７７、セプトン４０９９、セプトンＨＧ２５２、セプトン８００４、セプトン８００６、セプトン８００７、セプトン８０７６、セプトン８１０４、セプトンＶ９４６１、セプトンＶ９４７５、セプトンＶ９８２７、ハイブラー７３１１、ハイブラー７１２５、ハイブラー５１２７、ハイブラー５１２５（以上、（株）クラレ製）、スミフレックス（住友ベークライト（株）製）、レオストマー、アクティマー（以上、リケンテクノス（株）製）などが挙げられる。
【００７６】  ポリエステル系エラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００４８〜００５１の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  ポリオレフィン系エラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５２および００５３の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  ポリアミド系エラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５４の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  ポリアクリル系エラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５５の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  シリコーン系エラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５６の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  その他のエラストマーとしては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５７の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。  上記以外の高分子化合物としては、国際公開第２０１６／１５２５９９号の段落００５８〜００７６の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【００７７】  上記バインダーとしての樹脂は、２５℃における、ＪＩＳ（日本工業規格）  Ｋ  ７１６１−１：２０１４に準拠した、引張弾性率Ｅｔが１ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以上６０ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、１ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下であることが一層好ましく、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがより一層好ましく、１ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下であることがさらに一層好ましく、３ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることが特に一層好ましい。このような範囲にすることにより、層Ｂの反りをより効果的に抑制することが可能になる。
【００７８】  層Ｂを形成する組成物の全固形分中に、バインダー（樹脂）は、５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％であることがより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％であることが特に好ましい。樹脂の含有量が上記範囲であれば、仮接着性および剥離性に優れる。  樹脂としてエラストマーを用いる場合、エラストマーは、組成物の全固形分中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％であることがより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％であることが特に好ましい。エラストマーの含有量が上記範囲であれば、仮接着性および剥離性に優れる。エラストマーを２種以上使用した場合は、合計が上記範囲であることが好ましい。  また、樹脂としてエラストマーを用いる場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量は、５０〜１００質量％であることが好ましく、７０〜１００質量％であることがより好ましく、８０〜１００質量％であることがさらに好ましく、９０〜１００質量％であることが一層好ましい。また、樹脂は、実質的にエラストマーのみであってもよい。なお、樹脂が、実質的にエラストマーのみである場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量が、９９質量％以上が好ましく、９９．９質量％以上がより好ましく、エラストマーのみからなることが一層好ましい。
【００７９】＜＜＜可塑剤＞＞＞  層Ｂを形成する組成物は、必要に応じて可塑剤を含んでいてもよい。  可塑剤としては、フタル酸エステル、脂肪酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルなどが使用できる。
【００８０】  フタル酸エステルとしては例えば、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、♯１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以上、大八化学工業（株）製）、ＰＬ−２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター（株）製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化（株）製）などが挙げられる。  脂肪酸エステルとしては例えば、ブチルステアレート、ユニスターＭ−９６７６、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ユニスターＨ−４７６、ユニスターＨ−４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油（株）製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学工業（株）製）などが挙げられる。  芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ（大八化学工業（株）製）、モノサイザーＷ−７０５（大八化学工業（株）製）、ＵＬ−８０、ＵＬ−１００（（株）ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。  ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ−１７２０、ポリサイザーＳ−２００２、ポリサイザーＳ−２０１０（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＢＡＡ−１５（大八化学工業（株）製）などが挙げられる。  上記可塑剤の中では、ＤＩＤＰ、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭ、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ポリサイザーＴＤ−１７２０が好ましく、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭがより好ましく、ＴＯＴＭが特に好ましい。  可塑剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【００８１】  可塑剤は、加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、２０℃／分の一定速度の昇温条件のもとで質量変化を測定したとき、その質量が１質量％減少する温度が、２５０℃以上であることが好ましく、２７０℃以上がより好ましく、３００℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、５００℃以下とすることができる。
【００８２】  可塑剤の添加量は、層Ｂを形成する組成物の全固形分に対して、０．０１質量％〜５．０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％〜２．０質量％である。
【００８３】＜＜＜溶剤＞＞＞  層Ｂを形成する組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、公知のものを制限なく使用でき、有機溶剤が好ましい。  有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルキルオキシ酢酸アルキル（例：アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：３−オキシプロピオン酸メチル、３−アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等））、２−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル））、２−アルキルオキシ−２−メチルプロピオン酸メチルおよび２−オキシ−２−メチルプロピオン酸エチル（例えば、２−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−エトキシ−２−メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸メチル、２−オキソブタン酸エチル、１−メトキシ−２−プロピルアセテート等のエステル類；  ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のエーテル類；  メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等のケトン類；  トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、イソアミルベンゼン、（２，２−ジメチルプロピル）ベンゼン、１−フェニルへキサン、１−フェニルヘプタン、１−フェニルオクタン、１−フェニルノナン、１−フェニルデカン、シクロプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、２−エチルトルエン、１，２−ジエチルベンゼン、ｏ−シメン、インダン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、３−エチルトルエン、ｍ−シメン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、４−エチルトルエン、１，４−ジエチルベンゼン、ｐ−シメン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、４−ｔ−ブチルトルエン、１，４−ジ−ｔ−ブチルベンゼン、１，３−ジエチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、４−ｔ−ブチル−ｏ−キシレン、１，２，４−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン、３，５−ジ−ｔ−ブチルトルエン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類；  リモネン、ｐ−メンタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等の炭化水素類などが好適に挙げられる。  これらの中でも、メシチレン、ｔ−ブチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、ｐ−メンタン、γ−ブチロラクトン、アニソール、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが好ましい。
【００８４】  これらの溶剤は、塗布面性状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。この場合、特に好ましくは、メシチレン、ｔ−ブチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、ｐ−メンタン、γ−ブチロラクトン、アニソール、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される２種以上で構成される混合溶液である。
【００８５】  層Ｂを形成する組成物中の溶剤の含有量は、塗布性の観点から、組成物の全固形分濃度が５〜８０質量％になる量が好ましく、１０〜５０質量％であることがさらに好ましく、１５〜４０質量％であることが特に好ましい。  溶剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。溶剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。  なお、乾燥させて得られる層における溶剤の含有量は、１質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましい。
【００８６】＜＜＜酸化防止剤＞＞＞  層Ｂを形成する組成物は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤などが使用できる。  フェノール系酸化防止剤としては例えば、ｐ−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。  硫黄系酸化防止剤としては例えば、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＬ-Ｒ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＳ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＭＢ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。  リン系酸化防止剤としては例えば、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ポリ（ジプロピレングリコール）フェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、２−エチルヘキシルジフェニルホスファイト、トリフェニルホスファイト、Ｉｒｇａｆｏｓ１６８、Ｉｒｇａｆｏｓ３８（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＰ（住友化学（株）製）などが挙げられる。  キノン系酸化防止剤としては例えば、ｐ−ベンゾキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンなどが挙げられる。  アミン系酸化防止剤としては例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。  酸化防止剤は、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０がより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０が特に好ましい。  また、上記酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤またはリン系酸化防止剤とを併用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが最も好ましい。特に、エラストマーとして、ポリスチレン系エラストマーを使用した場合において、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが好ましい。このような組み合わせにすることにより、酸化反応による層Ｂを形成する組成物の劣化を、効率よく抑制できる効果が期待できる。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用する場合、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤との質量比は、フェノール系酸化防止剤：硫黄系酸化防止剤＝９５：５〜５：９５が好ましく、２５：７５〜７５：２５がより好ましい。  酸化防止剤の組み合わせとしては、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、および、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚ���ｒ  ＴＰ−Ｄがより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが特に好ましい。
【００８７】  酸化防止剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、４００以上が好ましく、６００以上がさらに好ましく、７５０以上が特に好ましい。
【００８８】  層Ｂを形成する組成物が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．００１〜２０．０質量％であることが好ましく、０．００５〜１０．０質量％であることがより好ましい。  酸化防止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。酸化防止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
【００８９】  層Ｂを形成する組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、各種添加物、例えば、硬化剤、硬化触媒、充填剤、密着促進剤、凝集防止剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は組成物の全固形分の３質量％以下が好ましい。
【００９０】＜＜単層Ｃ＞＞  単層Ｃは、３００〜１１００ｎｍの範囲のいずれかの波長の光の照射により被照射部の少なくとも一部が変質するか、除去されるか、または、変形する層であって、上記支持体と少なくとも一部において接する層であり、かつ、被加工部材と少なくとも一部において接する層であって、離型剤を含む層である。すなわち、上記層Ａと層Ｂの機能を兼ねる層である。尚、本発明の積層体が、単層Ｃに相当する層を２層以上有する場合もあるが、この場合は、２層の単層Ｃのうち、支持体と接する層を層Ａと、被加工部材と接する層を層Ｂと解釈する。
【００９１】  単層Ｃを形成する組成物には、層Ａについて述べたもの、層Ｂについて述べたものを適宜選定して含有させることができる。単層Ｃの好ましい態様について、第１実施形態（低分子量の光吸収剤を用いる形態）と第２実施形態（高分子量の光吸収剤を用いる形態）に分けて説明する。
【００９２】  単層Ｃにおける第１実施形態においては、単層Ｃを形成する組成物が低分子量の光吸収剤とバインダーと離型剤と溶剤とを含む。本実施形態における低分子量の光吸収剤の分子量は１０００未満であることが好ましい。低分子量の光吸収剤としては、層Ａの第１実施形態で述べた光吸収剤と同義であり、バインダーも、層Ａの第１実施形態で述べた光吸収剤と同義である。また、単層Ｃを形成する組成物における光吸収剤の含有量の好ましい範囲も、層Ａを形成する組成物において規定した範囲と同じである。  単層Ｃにおける第１実施形態において用いられる離型剤としては、層Ｂにおいて例示したものを好適に採用することができる。すなわち、具体的には、フッ素原子を含む化合物またはケイ素原子を含む化合物を用いることが好ましい。また、単層Ｃを形成する組成物における離型剤の含有量の好ましい範囲も、層Ｂを形成する組成物において規定した範囲と同じである。  単層Ｃにおける第１実施形態において用いられる溶剤としては、層Ａにおいて例示したものを好適に採用することができる。すなわち、具体的には、アルコール類（イソブタノール等）を用いることが好ましい。また、単層Ｃを形成する組成物における溶剤の含有量の好ましい範囲も、層Ａを形成する組成物において規定した範囲と同じである。
【００９３】  単層Ｃにおける第２実施形態においては、単層Ｃを形成する組成物が光吸収剤としてのバインダー（例えば、高分子量の光吸収剤）と離型剤と溶剤とを含む。本実施形態における高分子量の光吸収剤の分子量は１０００以上であることが好ましい。高分子量の光吸収剤としては、層Ａの実施形態で例示したものと同じである。また、単層Ｃを形成する組成物における光吸収剤の含有量の好ましい範囲も、層Ａを形成する組成物において規定した範囲と同じである。  単層Ｃにおける第２実施形態において用いられる離型剤としては、層Ｂにおいて例示したものを好適に採用することができる。すなわち、具体的には、フッ素原子を含む化合物またはケイ素原子を含む化合物を用いることが好ましい。また、単層Ｃを形成する組成物における離型剤の含有量の好ましい範囲も、層Ｂを形成する組成物において規定した範囲と同じである。  単層Ｃにおける第２実施形態において用いられる溶剤としては、層Ｂにおいて例示したものを好適に採用することができる。すなわち、具体的には、エステル類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、炭化水素類を用いることが好ましい。また、単層Ｃを形成する組成物における溶剤の含有量の好ましい範囲も、層Ｂを形成する組成物において規定した範囲と同じである。
【００９４】  さらに、単層Ｃを形成する組成物は第３実施形態として、フルオロカーボンを含有する態様としてもよい。
【００９５】  単層Ｃの厚さ（乾燥後）は、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。上限としては、１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００９６】＜＜他の層＞＞  層Ａおよび層Ｂ、あるいは、単層Ｃにより構成される仮接着層は、本発明の効果を奏する範囲で、他の層を有していてもよい。特に、層Ａ、層Ｂの間に他の層や仮接着を補助する薬液を付与する構成は本発明の実施形態として適切に採用しうるものであり、本発明は両層が当接した構成に限定されない。好ましくは、他の層を含まない構成である。また、各層や各部材の間に、例えば離型剤などの、塗布液や散布による薬剤を適用することを妨げるものではない。
【００９７】＜＜不純物＞＞  層Ａ、層Ｂおよび単層Ｃは、金属等の不純物を含まないことが好ましい。これら材料に含まれる不純物の含有量としては、１質量ｐｐｍ以下が好ましく、１００質量ｐｐｔ以下がより好ましく、１０質量ｐｐｔ以下がさらに好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。  各層を形成する組成物から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルタを用いた濾過を挙げることができる。フィルタ孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下がさらに好ましい。フィルタの材質としては、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂、ナイロン６、ナイロン６，６等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレンおよびナイロンが好ましい。フィルタは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルタ濾過工程では、複数種類のフィルタを直列または並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルタを使用する場合は、孔径または材質が異なるフィルタを組み合わせて使用してもよい。また、各種フィルタ材料を用いて複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。  組成物に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、組成物を構成する原料に対してフィルタ濾過を行う、装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各層を形成する組成物を構成する原料に対して行うフィルタ濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。  フィルタ濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルタ濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
【００９８】＜＜各層の形成＞＞  層Ａ、層Ｂおよび単層Ｃを形成する方法は、スピンコート法、スプレー法、スリットコート法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法、ＣＶＤなどによって行うことができる。各層を形成する組成物は通常、溶剤を含むため、加熱を行って溶剤を揮発させることが好ましい。この加熱温度としては、溶剤の沸点よりも高い温度であることが好ましい。また、１１０℃以上であることが好ましく、１３０℃〜２００℃がより好ましく、１６０℃〜１９０℃がさらに好ましい。  各層を形成する方法は特に限定されないが、層Ａは、塗布法、蒸着法（スパッタ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法を含む）、で形成することが好ましい。層Ｂ、単層Ｃについては、塗布法によることが好ましい。
【００９９】＜＜組成物（仮接着剤）の調製＞＞  各層を形成する組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。各成分の混合は、通常、０℃〜１００℃の範囲で行われる。各組成物のろ過は上記の＜不純物＞の項で示したフィルタろ過を好適に利用することができる。
【０１００】  本発明の製造方法および組成物は半導体プロセスを中心に、各種の製造工程に適用しうる。中でも半導体プロセスに適用することが好ましく、様々な半導体デバイスの製造において品質やスループットの向上に寄与しうるものである。
【実施例】
【０１０１】  以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。「部」、「％」は特に述べない限り、質量基準である。【０１０２】＜仮接着層形成用組成物の調製＞  ＣＶＤで製膜する材料以外は、下表に示す割合で配合して均一な溶液とした後、０．８μｍのポアサイズを有するフィルタを用いてろ過して、各実施例、比較例の仮接着層（層Ａ、層Ｂまたは単層Ｃ）を形成するための各組成物を各１００ｇ調製した。なお、層Ａについて、ＣＦ６、ＬＴＣ９３２０−Ｅ０７、ＰＢＯは注釈に記載の製造元または公報に記載の組成物をそのまま用いた。【０１０３】＜積層体の製造＞  透明支持体（ガラス製：旭硝子株式会社製、３１０ＧＬＡＳＳ［商品名］）の表面に、下表に記載の方法（スピンコート、スリットコート、または、ＣＶＤ）で上記各組成物の膜を形成した。  スピンコーター：ＥＶグループ社製、ＥＶＧ１０１  スリットコーター：ＳＣＲＥＥＮ社製、ＬＣ−Ｒ３００Ｇ  ＣＶＤ装置：アプライドマテリアルズ社製、Ｃｅｎｔｕｒａ【０１０４】  スピンコーターまたはスリットコーターで形成した塗膜は、１００℃、５分乾燥させ、約１μｍの層Ａまたは、約４０μｍの層Ｂまたは、約１０μｍの層Ｃを得た。実施例４および実施例５については、層Ａについて、１００℃で５分ベークし、さらに、実施例４の塗膜は２３０℃で２時間、実施例５の塗膜は２５０℃で３時間加熱して硬化させた。  ＣＶＤで形成した膜は、反応ガスＣ４Ｆ８（パーフルオロシクロブタン）を使用し、流量３００ｓｃｃｍ、圧力５０Ｐａ、高周波電力２０００Ｗ、成膜温度２４０℃の条件で形成し、１μｍのフルオロカーボン膜の層Ａを得た。  層Ａおよび層Ｂを使用する実施例では、ガラス基板に対して、層Ａ、層Ｂがこの順となるようにした。単層Ｃは単層でガラス基板に成膜した。  さらに、各試験片のガラス基板とは反対側に被加工部材（シリコンウェハ）を仮接着して仮接着した。仮接着層のボンディングは、上下プレートを、２００℃・０．２ＭＰａで５分間、真空加圧加熱することにより行った。  被加工部材の露出面を、後述する方法によって、バックグラインドし、評価した。【０１０５】  バックグラインド後の被加工部材を加工面の側から吸着ステージに吸引固定させた。その後、支持体を超純水のシャワースピンで６０秒間、洗浄した。次いで、ＹＡＧ−ＴＨＧレーザー（波長：３５５ｎｍ）、５ｎｓパルス、５０Ｈｚ、２Ｊ／ｃｍ２、６０μｍ角ビームで、支持体（ガラス基板）側から光の照射を行った。照射は１．５ｍｍ／ｓの走査により行った。ガラス基板を仮接着層から剥離した。剥離性について、後述の通り評価した。【０１０６】  さらに、吸着テーブルに仮接着層の残ったデバイス（被加工部材）を載せて真空吸着した。仮接着層の全面に仮接着層より大きな粘着テープ（スリーエム製、WSS Peel Tape 3305）を貼りつけた。テープの端部をテーブルに対して垂直に一定速度（１０ｍｍ／ｓ）で引っ張りって仮接着層をピールオフした。ピールオフについて、後述の通り評価した。  ピールオフ��、被加工部材をメシチレン１００質量部とｐ−トルエンスルホン酸０．１質量部の洗浄液で、パドル６０秒、スピン６０秒の条件で洗浄を行った。その後、イソプロパノールの洗浄液で、パドル６０秒、スピン６０秒の条件で洗浄を行った。  但し、比較例３は、レーザー剥離ができなかったため、キャリアを除去できなかったという理由により、ピールオフを実施できず、結果として、ピールオフ後の洗浄もできなかった。  また、比較例１および２は、ピールオフができなかったという理由により、ピールオフ後の洗浄ができなかった。【０１０７】＜＜積層体のバックグラインド（被加工部材の加工性）＞＞  積層体を形成した厚さ９００μｍの被加工部材（直径３００ｍｍのモールドウェハー）を♯２０００のグラインダーで研磨して厚さ１００μｍに薄化した。プロセス中で剥離や割れなどのトラブルが発生したかどうか、積層体５枚全てで確認した。  ５枚とも問題無し：優良  ５枚のうち１枚の一部にチッピング（１ｍｍ以下の割れ）発生：良好  ５枚のうち２枚以上にチッピングまたは１枚以上に１ｍｍ以上の割れが発生：不良【０１０８】＜＜キャリアからのレーザー剥離（仮接着層と支持体の剥離性）＞＞  レーザー照射後、支持体（キャリア）と仮接着層が難なく剥がれた。  ５つとも剥がれた：良好  ５つのうち１つ以上で剥がれなかった：不良【０１０９】＜＜デバイスからのピールオフ（仮接着層と部材の剥離性）＞＞  デバイス（被加工部材）から仮接着層をピールオフ（剥離）できた。  ５つともピールオフできた：良好  ５つのうち１つ以上ピールオフできなかった：不良【０１１０】
【表１】
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【表２】
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【表３】
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表１〜３において単位はいずれも質量部実施できず：仮接着剤が剥がれずその後の試験実験が不可能となった＊１：C4F8ガスでＣＶＤにより形成した膜厚約１μｍのフルオロカーボン膜＊２：富士フイルム製、感光性ポリイミド  LTC9320-E07を塗布後、100℃のホットプレートで5分間ベーク後、窒素充填した230℃のオーブンで2時間加熱して熱硬化した膜厚約１μｍの膜＊３：米国特許出願公開第２０１７／０２５５１００号明細書のCompositionExample 1の処方で調製した組成物を塗布後、100℃のホットプレートで5分間ベーク後、窒素充填した250℃のオーブンで3時間加熱して熱硬化した膜厚約１μｍの膜＊４：東レ製、AQナイロン  P-70（商品名）＊５：BASF製、TINUVIN400(PGMEA含有量10〜20質量%)、紫外線吸収剤＊６：クラレ製、スチレン系エラストマー＊７：クラレ製、スチレン系エラストマー＊８：BASF製、酸化防止剤＊９：住友化学(株)製、酸化防止剤＊１０：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ製、ポリエーテル変性シリコーンオイル＊１１：DIC製、メガファックＦ−５５７、フッ素含有化合物
【０１１１】  表１〜３に示した結果から明らかなとおり、本発明の好ましい実施形態に係る積層体、具体的には、仮接着層の層Ａに光吸収剤を採用し層Ｂに離型剤を採用したもの（実施例１、６、７、１０）、仮接着層にフルオロカーボンの膜を採用し層Ｂに離型剤を採用したもの（実施例３）、仮接着層に変質等を伴うバインダーを採用し層Ｂに離型剤を採用したもの（実施例４、５）、あるいは単層Ｃに光吸収剤および離型剤を採用したもの（実施例２、８、９、１１）では、支持体（キャリア）からの仮接着層のレーザー剥離、被加工部材（デバイス）からの仮接着層のピールオフを難なく行うことができた。さらに、仮接着した被加工部材のバックグラインド加工が適正に実施できた。  これに対し、層Ｂまたは単層Ｃに離型剤を含まない比較例１、２においては、被加工部材から仮接着層を問題なくピールオフすることができなかった。また、層Ａに光吸収剤を含まない比較例３については、光をレーザー照射しても支持体から仮接着層を容易に剥離することができなかった。  以上の結果から、本発明によれば、半導体プロセスにおいて高い効果を発揮し、歩留まりがよく、高品質かつ高スループットの半導体デバイスの製造が可能になることが分かった。【０１１２】（実施例１０１）  実施例１に対して、積層体を形成する順序を変えた以外は同様にして各工程における加工および評価を行った。具体的には、支持体（ガラス基板）表面に層Ａを形成した。次いで、被加工部材（シリコンウェハ）に層Ｂを形成した。その後、層Ａ側の積層体と層Ｂ側の積層体とを層Ａと層Ｂとが当接するように接合して積層体を得た。上記と同様に、積層体のバックグラインド、キャリアからのレーザー剥離およびデバイスからのピールオフについて、評価した。その結果、いずれの項目においても「優良」であることを確認した。【０１１３】（実施例１０２）  実施例２に対して、積層体を形成する順序を変えた以外は同様にして各工程における加工および評価を行った。具体的には、被加工部材（シリコンウェハ）表面に単層Ｃを形成し、次いで単層Ｃと支持体（ガラス基板）とを接合して積層体を得た。上記と同様に、積層体のバックグラインド、キャリアからのレーザー剥離およびデバイスからのピールオフについて、評価した。その結果、いずれの項目においても「良好」または「優良」であることを確認した。
【符号の説明】
【０１１４】１      モールド樹脂１ａ    加工済みモールド樹脂２      チップ２ａ    加工済みチップ２０    被加工部材２０ａ  加工済み被加工部材２０ｔ  加工面２０ｓ  剥離面３      粘着テープ４０    仮接着層（単層Ｃ）４  層Ｂ５  層Ａ６      支持体１１    吸着ステージ７１    光７２    走査方向７３    押付ローラ７５    しおり部材７８    押付部材７９    引き上げ機構１００  積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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