(57)【要約】  基板上に薄膜を形成する際、基板の表面積や電気特性に合わせて薄膜の面内膜厚分布を制御する技術を提供する。  処理室内の基板に対して、原料ガスと不活性ガスを供給する第１の工程と、原料ガスの供給を止めた状態で、基板に対して不活性ガスを供給して、処理室内に残留する原料ガスを除去する第２の工程と、基板に対して、反応ガスと不活性ガスを供給する第３の工程と、反応ガスの供給を止めた状態で、基板に対して不活性ガスを供給して、処理室内に残留する反応ガスを除去する第４の工程と、を有し、第４の工程では、不活性ガスの流量が、第３の工程で供給する不活性ガスの流量より少なくなるタイミングを有する。
2019188128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の基板に対して、原料ガスと不活性ガスを供給する第１の工程と、
前記原料ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記原料ガスを除去する第２の工程と、
前記基板に対して、反応ガスと前記不活性ガスを供給する第３の工程と、
前記反応ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記反応ガスを除去する第４の工程と、
を有し、
前記第４の工程では、前記不活性ガスの流量が、前記第３の工程で供給する前記不活性ガスの流量より少なくなるタイミングを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程では、
少なくとも最初の前記不活性ガスの供給時には、前記不活性ガスを前記第３の工程で供給する前記不活性ガスの流量よりも少ない流量で供給し、少なくとも最後の前記不活性ガスの供給時には、前記不活性ガスを前記第１の工程で供給する前記不活性ガスの流量と同じ流量で供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程から前記第４の工程を順に複数回行う請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程では、前記不活性ガスの流量が、前記第１の工程で供給する前記不活性ガスの流量と同じ流量になるタイミングを有する請求項２乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４の工程では、前記不活性ガスの供給と真空排気を交互に複数回行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第４の工程では、前記不活性ガスの供給と真空排気を交互に複数回行う際、少なくとも最初の前記不活性ガスの供給時には、前記不活性ガスを、前記第３の工程で供給する前記不活性ガスの流量より少ない流量で供給し、少なくとも最後の前記不活性ガスの供給時には、前記不活性ガスを、前記第１の工程で供給する前記不活性ガスの流量と同じ流量で供給する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第４の工程では、前記不活性ガスを、前記第３の工程で供給する前記不活性ガスの流量より少ない流量で連続して供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程では、前記不活性ガスの流量が、前記第１の工程で供給する前記不活性ガスの流量より多くなるタイミングを有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程では、前記不活性ガスの供給と真空排気を交互に複数回行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、原料ガス、反応ガス、不活性ガスを供給するガス供給系と、
前記処理室に収容された基板に対して、前記原料ガスと前記不活性ガスを供給する第１の処理と、前記原料ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記原料ガスを除去する第２の処理と、前記基板に対して、前記反応ガスと前記不活性ガスを供給する第３の処理と、前記反応ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記反応ガスを除去する第４の処理と、を行わせ、前記第４の処理において、前記不活性ガスの流量が、前記第３の工程で供給する前記不活性ガスの流量より少なくなるタイミングを有するように、前記ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１１】
基板処理装置の処理室内の基板に対して、原料ガスと不活性ガスを供給する第１の手順と、
前記原料ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記原料ガスを除去する第２の手順と、
前記基板に対して、反応ガスと前記不活性ガスを供給する第３の手順と、
前記反応ガスの供給を止めた状態で、前記基板に対して前記不活性ガスを供給して、前記処理室内に残留する前記反応ガスを除去する第４の手順と、
前記第４の手順において、前記不活性ガスの流量が、前記第３の手順で供給する前記不活性ガスの流量より少なくなるタイミングを有するようにならしめる手順と、をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、処理室内に収容された基板上に膜を形成する処理が行われることがある。形成される膜としては、例えば、チタン窒化膜（ＴｉＮ膜）等の薄膜が挙げられる（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−６７８３号公報
【０００４】
基板上に薄膜を形成する際、基板の表面積や電気特性に合わせて薄膜の面内膜厚分布を制御することが要求される場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示一目的は、基板上に薄膜を形成する際、基板の表面積や電気特性に合わせて薄膜の面内膜厚分布を制御する技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様によれば、処理室内の基板に対して、原料ガスと不活性ガスを供給する第１の工程と、
原料ガスの供給を止めた状態で、基板に対して不活性ガスを供給して、処理室内に残留する原料ガスを除去する第２の工程と、
基板に対して、反応ガスと不活性ガスを供給する第３の工程と、
反応ガスの供給を止めた状態で、基板に対して不活性ガスを供給して、処理室内に残留する反応ガスを除去する第４の工程と、
を有し、
第４の工程では、不活性ガスの流量が、第３の工程で供給する不活性ガスの流量より少なくなるタイミングを有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、基板上に薄膜を形成する際、基板の表面積や電気特性に合わせて薄膜の面内膜厚分布を制御する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本開示のコンセプトを表す概略図である。
【図２】図２は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図３】図３は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図２のＸ−Ｘ線断面図で示す図である。
【図４】図４は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
【図５】図５は、本開示の一実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図である。
【図６】図６は、本開示の一実施形態における実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
近年の微細化等に伴い、基板上に薄膜を形成する場合、基板面内の中央部と外周部とにおける薄膜の面内膜厚分布を制御したいという要望がある。例えば、デバイスの微細化が進行し、導体膜、半導体膜、及び絶縁膜等の膜厚が電気的特性に大きく影響を及ぼすため、面内均一性の改善が求められている。また、基板の表面積や電気特性に合わせて、所望の面内均一性となるよう調整したいという要求もある。
【００１０】
基板上に薄膜を形成（堆積）する成膜方法としては、基板を収容した処理室に、（ａ）原料ガスを供給して基板上に吸着させて原料ガスの吸着層を形成し、（ｂ）その後、不活性ガスを供給して処理室に残留する原料ガスを置換（除去）し、（ｃ）次に、原料ガスの吸着層と化学反応を起こす反応ガスを供給して薄膜層を形成し、（ｄ）その後、不活性ガスを供給して処理室に残留する反応ガスを置換し、（ａ）〜（ｄ）を繰り返し行って、基板上に薄膜を形成する方法がある。（ｄ）で、大量の不活性ガスを処理室に供給すると、気相中の反応ガスが、不活性ガスによって基板面内に全体的かつ均一に置換され、面内全体に同じような膜厚の薄膜を形成することができる場合がある。しかし、微細化の進行に伴う基板表面積の増加によって、原料ガスや反応ガスが中央部まで供給されずに外周部の膜厚が厚く、基板中央部の膜厚が薄くなり面内均一性が悪くなってしまったり（ローディングエフェクト）、所望する面内均一性を得られなかったりする場合がある。
【００１１】
そこで、発明者らは鋭意研究を行ったところ、（ｄ）で反応ガスを置換する際、不活性ガスの供給流量を調整して最適化することにより、基板の中央部と外周部とで膜厚分布を変化させることができることを見出した。例えば、図１で、複数の基板（Ｗａｆｅｒ）を配列して処理する際、薄膜を堆積中の基板に反応ガスと不活性ガスを供給すると、基板と基板の間に反応ガスと不活性ガスが混在する。反応ガス供給後の置換ステップで、不活性ガスの供給流量を多くすると反応ガスは排気されやすく、膜厚（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）は面内で平坦（ｆｌａｔ）な面内均一性が良好な膜が得られる。一方、反応ガス供給後の置換ステップで、不活性ガスの供給流量を少なくすると、基板の外周部では不活性ガスが存在するため反応ガスを置換することができるが、基板の中央部では不活性ガスが少なくなるため反応ガスを置換できる割合が少なくなり反応ガスが滞留しやすくなる。基板の外周部では反応ガスを効率よく除去できるが、基板の中央部では不活性ガスが少なく基板上の反応ガスを除去できない。一時的に、基板面内に反応ガスの濃度勾配が発生し、基板の中央部は反応ガスの濃度が高く、基板の外周部は反応ガスの濃度が低い状態となる。その間、基板表面に吸着している原料ガスは基板の中央部では反応しやすく、基板の外周部では反応しにくくなる。この場合、外周部が薄く（膜厚が低く）中央部が厚い（膜厚が高い）凸形状（ｃｏｎｖｅｘ）な膜厚分布を有する薄膜を得ることができる。この効果は、特に、表面積の大きいパターン付基板上に成膜する際に特に顕著となる。以下に、詳細を説明する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞ 
以下、実施形態の例について、主に、図２〜図４を用いて説明する。
【００１３】
（１）処理炉の構成 
処理炉２０２は加熱手段（加熱機構、加熱系）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１４】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は耐熱性材料（例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等）からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状に、マニホールド（インレットフランジ）２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、反応管２０３は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成されている。
【００１５】
処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１６】
処理室２０１内には、ノズル４１０，４２０がマニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０には、ガス供給ラインとしてのガス供給管３１０，３２０が、それぞれ接続されている。
【００１７】
ガス供給管３１０，３２０には上流側から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５１２，５２２および開閉弁であるバルブ３１４，３２４が設けられている。ガス供給管３１０，３２０のバルブ３１４，３２４の下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管５１０，５２０が接続されている。ガス供給管５１０，５２０には、上流側から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ５１２，５２２および開閉弁であるバルブ５１４，５２４が設けられている。
【００１８】
ノズル４１０，４２０は、Ｌ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０の垂直部は、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間に形成される円環状の空間に、反応管２０３の内壁に沿って上方（ウエハ２００の配列方向上方）に向かって立ち上がるように（つまりウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように）設けられている。すなわち、ノズル４１０，４２０は、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。
【００１９】
ノズル４１０，４２０の側面には、ガスを供給するガス供給孔４１０ａ，４２０ａがウエハ２００の配列方向に沿って、ウエハ２００が配列された基板配列領域に対応するように設けられている。ガス供給孔４１０ａ，４２０ａは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔４１０ａ，４２０ａは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれ同一の開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ただし、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａは上述の形態に限定されない。例えば、反応管２０３の下部から上部に向かって開口面積を徐々に大きくしてもよい。これにより、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａから供給されるガスの流量を均一化することが可能となる。
【００２０】
ガス供給管３１０からは、処理ガスとして原料ガスが、ＭＦＣ３１２，バルブ３１４，ノズル４１０を介して処理室２０１内に供給される。原料ガスとしては、例えば、金属元素であるチタン（Ｔｉ）を含む金属含有原料（金属含有ガス）であるチタン含有原料（Ｔｉ含有原料ガス、Ｔｉ含有ガス）としての四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）のガスが用いられる。本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。
【００２１】
ガス供給管３２０からは、処理ガスとして、窒素（Ｎ）を含むＮ含有ガスである反応ガスとしての窒化ガス（窒化剤、窒化原料）、ノズル４２０を介して処理室２０１内に供給される。Ｎ含有ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３ガス）を用いることができる。
【００２２】
ガス供給管５１０，５２０からは、不活性ガスとして、例えば窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれＭＦＣ５１２，５２２、バルブ５１４，５２４、ノズル４１０，４２０を介して処理室２０１内に供給される。
【００２３】
処理ガスとしてＴｉＣｌ４のように常温常圧下で液体状態である化合物を用いる場合は、液体状態のＴｉＣｌ４を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、ＴｉＣｌ４ガスとして処理室２０１内に供給することとなる。
【００２４】
主に、ガス供給管３１０，３２０、ＭＦＣ３１２，３２２、バルブ３１４，３２４により処理ガス供給系が構成される。ノズル４１０，４２０を処理ガス供給系に含めて考えてもよい。処理ガス供給系を、単に、ガス供給系と称することもできる。
【００２５】
主に、ガス供給管３１０、ＭＦＣ３１２、バルブ３１４により原料ガス供給系が構成される。ノズル４１０を原料ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管３１０から金属含有ガスを流す場合、原料ガス供給系を金属含有ガス供給系と称することもできる。ガス供給管３１０からＴｉＣｌ４ガスを流す場合、金属含有ガス供給系をＴｉＣｌ４ガス供給系と称することもできる。
【００２６】
主に、ガス供給管３２０、ＭＦＣ３２２、バルブ３２４により反応ガス供給系が構成される。ノズル４２０を反応ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管３２０からＮ含有ガスである窒化ガスを流す場合、反応ガス供給系をＮ含有ガス供給系や窒化ガス供給系と称することもできる。ガス供給管３２０からＮＨ３ガスを流す場合、Ｎ含有ガス供給系をＮＨ３ガス供給系と称することもできる。
【００２７】
主に、ガス供給管５１０,５２０、ＭＦＣ５１２,５２２、バルブ５１４,５２４により不活性ガス供給系が構成される。
【００２８】
反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５，ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３，真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４３は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行なうことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１，ＡＰＣバルブ２４３，圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。
【００２９】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。
【００３０】
基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７の天頂部には、天板２１５が設けられている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される断熱板２１８が水平姿勢で多段に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。ただし、本実施形態は上述の形態に限定されない。例えば、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
【００３１】
反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電量を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル４１０，４２０と同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
【００３２】
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ，ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ，記憶装置１２１ｃ，Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ，記憶装置１２１ｃ，Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バスを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
【００３３】
記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピや、後述するクリーニング処理の手順や条件等が記載されたクリーニングレシピや、後述するパージ処理の手順や条件等が記載されたパージレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、クリーニングレシピは、後述するクリーニング処理における各手順を、コントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、パージレシピは、後述するパージ処理における各手順を、コントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、クリーニングレシピ単体のみを含む場合、パージレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、プロセスレシピ、クリーニングレシピ、パージレシピおよび制御プログラムのうち任意の組み合わせを含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００３４】
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ３１２，３２２，５１２，５２２、バルブ３１４，３２４，５１４，５２４、ＡＰＣバルブ２４３、圧力センサ２４５、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。
【００３５】
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピ等を読み出すように構成されている。以下、便宜上、これらのレシピを総称して単に「レシピ」とも称することとする。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ３１２，３２２，５１２，５２２による各種ガスの流量調整動作、バルブ３１４，３２４，５１４，５２４の開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉動作およびＡＰＣバルブ２４３による圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。
【００３６】
コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００３７】
（２）成膜処理 
上述の基板処理装置を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図５を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００３８】
図５に示す成膜シーケンスでは、処理室２０１内に収容された基板としてのウエハ２００に対して、原料ガスとしてのＴｉＣｌ４ガスと、反応ガスとしてのＮＨ３ガスと、を供給して、ウエハ２００上にチタン窒化膜（ＴｉＮ膜）を形成する。
【００３９】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００４０】
（ウエハチャージおよびボートロード） 
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）される。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０を介してマニホールド２０９の下端を閉塞した状態となる。
【００４１】
（圧力調整および温度調整） 
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づき、ＡＰＣバルブ２４３がフィードバック制御される（圧力調整）。真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電量がフィードバック制御される（温度調整）。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構２６７によりボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
【００４２】
（ＴｉＮ膜形成ステップ） 
その後、以下のステップを順次実施する。
【００４３】
（原料ガス供給ステップ） 
バルブ３１４を開き、ガス供給管３１０内に原料ガスであるＴｉＣｌ４ガスを流す。ガス供給管３１０内を流れるＴｉＣｌ４ガスは、ＭＦＣ３１２により流量調整され、ノズル４１０のガス供給孔４１０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＴｉＣｌ４ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ５１４を開き、ガス供給管５１０内にＮ２ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管５１０内を流れるＮ２ガスは、ＭＦＣ５１２により流量調整され、ＴｉＣｌ４ガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ノズル４２０内へのＴｉＣｌ４ガスの侵入を防止するために、バルブ５２４を開き、ガス供給管５２０内にＮ２ガス（逆流防止Ｎ２ガス）を流す。Ｎ２ガスは、ガス供給管５２０、ノズル４２０を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
【００４４】
本ステップにおける処理条件としては、
処理室２０１内の圧力：１〜１３３０Ｐａ、好ましくは４０〜１１００Ｐａ   ＴｉＣｌ４ガス供給流量：０．０１〜１．０ｓｌｍ、好ましくは０．１〜０．５ｓｌｍ   ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量：０．５〜５．０ｓｌｍ、好ましくは２．０〜３．０ｓｌｍ   各ガス供給時間：１〜６０秒、好ましくは１〜１０秒   処理温度：２００〜７００℃、好ましくは３００〜６００℃   が例示される。本明細書では、数値の範囲として、例えば１〜１３３０Ｐａと記載した場合は、１Ｐａ以上１３３０Ｐａ以下を意味する。すなわち、数値の範囲内には１Ｐａおよび１３３０Ｐａが含まれる。圧力のみならず、流量、時間、温度等、本明細書に記載される全ての数値について同様である。
【００４５】
上述の条件下でウエハ２００に対してＴｉＣｌ４ガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面に、ＴｉＣｌ４ガスの吸着層であるＴｉＣｌ４吸着層が形成される。ＴｉＣｌ４吸着層はＴｉを含むＴｉ含有層ともいえる。
【００４６】
（残留ガス除去ステップ） 
ＴｉＣｌ４吸着層が形成された後、バルブ３１４を閉じ、ＴｉＣｌ４ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＣｌ４吸着層形成に寄与した後のＴｉＣｌ４ガスを処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ５１４，５２４を制御して、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量を原料ガス供給ステップにおけるＮ２ガスの総供給流量より多くなるよう調整する。Ｎ２ガスは置換ガス（パージガス）として作用し、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＣｌ４吸着層形成に寄与した後のＴｉＣｌ４ガスを処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。また、ウエハ２００上に物理吸着したＴｉＣｌ４ガスをウエハ２００上から除去し（吹き飛ばし）、処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。
【００４７】
本ステップにおける処理条件としては、
ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量：０．１〜１５．０ｓｌｍ、好ましくは７．０〜１３．０ｓｌｍ 
各ガス供給時間：２〜３０秒、好ましくは４〜１０秒が例示される。
【００４８】
ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量が０．１ｓｌｍより少ないと、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＣｌ４吸着層形成に寄与した後のＴｉＣｌ４ガスや、ウエハ２００上に物理吸着したＴｉＣｌ４ガスを、処理室２０１から十分に排除できず、残留してしまう場合がある。ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量が１５．０ｓｌｍより多いと、処理室２０１内の圧力が高くなり過ぎ、次に行う反応ガス供給ステップを行う前に圧力を下げるための時間を要するためスループットが低下する場合がある。
【００４９】
本ステップでは、図５に示すように、Ｎ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）と、真空排気を交互に繰り返し行ってもよい。交互に繰り返し行うことにより、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＣｌ４吸着層形成に寄与した後のＴｉＣｌ４ガスや、ウエハ２００上に物理吸着したＴｉＣｌ４ガスを、より効率的に処理室２０１から排除することが可能となる。その際、ＴｉＣｌ４ガスの供給を停止した直後および後述するＮＨ３ガスの供給を開始する直前は、Ｎ２置換（パージ）を行うと、ＴｉＣｌ４ガスとＮＨ３ガスの乱流を抑制する効果を高めることができる。また、ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量は、ＴｉＣｌ４ガスの供給を停止した直後はＴｉＣｌ４ガスの供給時と同じ流量とすることにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。ＮＨ３ガスの供給を開始する直前は、ＮＨ３ガスの供給時と同じ流量とすることにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。また、真空排気時にもＮ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）は連続して行っていてもよい。連続して行う場合、Ｎ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）のプロセス条件は上述の通りである。
【００５０】
（反応ガス供給ステップ） 
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、バルブ３２４を開き、ガス供給管３２０内に反応ガスであるＮＨ３ガスを流す。ガス供給管３２０内を流れるＮＨ３ガスは、ＭＦＣ３２２により流量調整され、ノズル４２０のガス供給孔４２０ａから処理室２０１内に供給される。処理室２０１内に供給されたＮＨ３ガスは、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して、ＮＨ３ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ５２４を開き、ガス供給管５２０内にＮ２ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管５２０内を流れるＮ２ガスは、ＭＦＣ５２２により流量調整され、ＮＨ３ガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ノズル４１０内へのＮＨ３ガスの侵入を防止するために、バルブ５１４を開き、ガス供給管５１０内にＮ２ガス（逆流防止Ｎ２ガス）を流す。Ｎ２ガスは、ガス供給管５１０、ノズル４１０を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
【００５１】
本ステップにおける処理条件としては、
処理室２０１内の圧力：１〜１３３０Ｐａ、好ましくは５０〜１１１０Ｐａ 
ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量：０．５〜５．０ｓｌｍ、好ましくは１．０〜３．０ｓｌｍ 
各ガス供給時間：１〜１２０秒、好ましくは５〜６０秒 
が例示される。処理温度等の他の処理条件は、原料ガス供給ステップにおける処理条件と同様とする。
【００５２】
このとき処理室２０１内に流しているガスは、ＮＨ３ガスとＮ２ガスのみである。ＮＨ３ガスは、原料ガス供給ステップでウエハ２００上に形成されたＴｉＣｌ４吸着層の少なくとも一部と置換反応する。置換反応の際には、ＴｉＣｌ４吸着層に含まれるＴｉとＮＨ３ガスに含まれるＮとが結合して、ウエハ２００上にＴｉとＮとを含むＴｉＮ層が形成される。
【００５３】
（残留ガス除去ステップ） 
ＴｉＮ層を形成した後、バルブ３２４を閉じて、ＮＨ３ガスの供給を停止する。そして、原料ガス供給ステップの後の残留ガス除去ステップと同様の処理手順により、処理室２０１内に残留するガス等を処理室２０１内から排除する。
【００５４】
このとき、バルブ５１４，５２４を制御して、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量を反応ガス供給ステップにおける総供給流量より少なくなるよう調整する。すなわち、本残留ガス除去ステップにおいて、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量が、反応ガス供給ステップにおけるＮ２ガスの総供給流量より少なくなるタイミングを有するよう調整する。Ｎ２ガスは置換ガス（パージガス）として作用し、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＮ層形成に寄与した後のＮＨ３ガスや副生成物（例えば、ＨＣｌ等）を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。特に、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量を反応ガス供給ステップにおけるＮ２ガスの総供給流量より少なくなるように調整することにより、ウエハ２００の外周部において、よりＮＨ３ガスを排除する効果を高めることができる。また、ウエハ２００上に物理吸着したＮＨ３ガスをウエハ２００の外周部からより多く除去し（吹き飛ばし）、処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。同時に、ウエハ２００の中央部において、未反応又はＴｉＮ層形成に寄与した後のＮＨ３ガスを滞留させ、さらに中央部のＴｉＣｌ４吸着層やＴｉＮ層と反応させることにより、凸形状の分布を有するＴｉＮ層を形成することができる。
【００５５】
本ステップにおける処理条件としては、
ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量：０．１〜５．０ｓｌｍ、好ましくは０．６〜３．０ｓｌｍ 
各ガス供給時間：２〜３０秒、好ましくは４〜１０秒が例示される。
【００５６】
ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量が０．１ｓｌｍより少ないと、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＮ層形成に寄与した後のＮＨ３ガスや副生成物を、処理室２０１から十分に排除できず、残留してしまう場合がある。ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量が１０．０ｓｌｍより多いと、ウエハ２００の外周部と中央部とで、膜厚分布の差を作ることができず、所望の面内均一性を得ることができなくなる場合がある。
【００５７】
本ステップでは、図５に示すように、Ｎ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）と、真空排気を交互に繰り返し行ってもよい。交互に繰り返し行うことにより、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉＮ層形成に寄与した後のＮＨ３ガスや副生成物や、ウエハ２００上に物理吸着したＮＨ３ガスを、より効率的に処理室２０１から排除することが可能となる。その際、ＮＨ３ガスの供給を停止した直後（すなわち最初のＮ２置換、最初の不活性ガス供給時）および次のサイクルのＴｉＣｌ４ガスの供給を開始する直前（すなわち最後のＮ２置換、最後の不活性ガス供給時）のタイミングでは、Ｎ２置換（パージ）を行うと、ＴｉＣｌ４ガスとＮＨ３ガスの乱流を抑制する効果を高めることができる。また、ノズル４１０，４２０から供給するＮ２ガスの総供給流量は、ＮＨ３ガスの供給を停止した直後のタイミングでは反応ガス供給ステップにおける総供給流量と同じ流量となるよう調整することにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。所定回数のＮ２置換を行った後、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量が、反応ガス供給ステップにおける総供給流量より少なくなるよう調整する。その後、ＴｉＣｌ４ガスの供給を開始する直前のタイミングでは、原料ガス供給ステップにおける総供給流量と同じ流量となるよう調整することにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。また、真空排気時にもＮ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）は連続して行っていてもよい。連続して行う場合、Ｎ２ガスの供給によるＮ２置換（パージ）のプロセス条件は上述の通りである。その際、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量を、反応ガス供給ステップにおける総供給流量より少ない流量で連続して供給するよう調整してもよい。あるいは、処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの総供給流量を、ＮＨ３ガスの供給を停止した直後のタイミングでは反応ガス供給ステップにおける総供給流量と同じ流量とし、次のサイクルのＴｉＣｌ４ガスの供給を開始する直前のタイミングでは原料ガス供給ステップにおける総供給流量と同じ流量とし、それ以外のタイミングでは反応ガス供給ステップにおける総供給流量より少ない流量となるよう調整して供給しても良い。
【００５８】
（所定回数実施） 
上記した各ステップを順に時分割して行うサイクルを所定回数（ｎ回、ｎは１以上の整数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定の厚さのＴｉＮ膜を形成する。ｎの値は、最終的に形成されるＴｉＮ膜において必要とされる膜厚に応じて適宜選択される。すなわち、上述の各処理を行う回数は、目標とする膜厚に応じて決定される。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。ＴｉＮ膜の厚さは、例えば０．１〜３００ｎｍ、好ましくは０．８〜２００ｎｍとする。
【００５９】
（パージおよび大気圧復帰） 
バルブ５１４，５２４を開き、ガス供給管５１０，５２０のそれぞれからＮ２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するガスや副生成物が処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００６０】
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ） 
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口される。そして、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態でマニホールド２０９の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。
【００６１】
（３）本実施形態による効果 
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
【００６２】
（ａ）原料ガスと反応ガスとを用いて薄膜を形成するとき、反応ガスを置換する際に、不活性ガスの供給流量を調整して最適化することにより、基板の中央部と外周部とで膜厚分布を変化させて、所望の膜厚分布を得ることが可能となる。
（ｂ）基板の中央部と外周部とで膜厚分布を変化させて、所望の膜厚分布を得ることにより、電気特性の改善を行うことが可能となる。
（ｃ）基板の中央部と外周部とで膜厚分布を変化させて、所望の膜厚分布を得ることにより、表面積の大きなパターン付基板上に成膜する際に顕著になる基板面内のローディングエフェクトに対する対策を行うことが可能となる。
（ｄ）反応ガス供給後の置換ステップで、不活性ガスの供給流量を少なくすることにより、基板の外周部が薄く中央部が厚い凸形状の膜厚分布を有する薄膜を得ることができる。
（ｅ）反応ガスの供給を停止した直後および次のサイクルの原料ガスの供給を開始する直前に、不活性ガスによる置換（パージ）を行うと、乱流を抑制する効果を高めることができる。
（ｆ）反応ガスの供給を停止した直後に供給する不活性ガスの流量を反応ガスの供給時と同じ流量とすることにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。
（ｇ）原料ガスの供給を開始する直前に供給する不活性ガスの流量を、原料ガスの供給時と同じ流量とすることにより、乱流を抑制する効果を高めることができる。
【００６３】
図６に、本実施形態の実験結果として、反応ガス供給後の残留ガス除去ステップにおいて供給する不活性ガスの供給流量を変動して得られた結果を示す。ウエハ２００の中央部からの距離（Ｄｉｓｔａｎｃｅ  ｆｒｏｍ  Ｗａｆｅｒ  ｃｅｎｔｅｒ）に対するウエハ２００の中央部との膜厚比（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｒａｔｉｏ）であって、ウエハ２００の中央部との膜厚比は、ウエハ２００の中央部の値を１００％として換算した補正値である。図６より、不活性ガスの供給流量が少なくなるほど、面内膜厚分布は凸形状へと変動することがわかる。
【００６４】
＜他の実施形態＞ 
以上、実施形態の例を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００６５】
なお、上述の実施形態では、不活性ガスとしてＮ２ガスを例示したが、不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。
【００６６】
また例えば、上述の実施形態では、基板上に形成する膜としてＴｉ元素を用いたＴｉＯ膜を例示したが、ＴｉＯ膜の他、例えば、Ｔｉ以外の元素として、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、イットリウム（Ｙ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）等の元素を含む酸化膜、窒化膜、炭化膜や、それらの複合膜を形成する場合にも好適に適用可能である。
【００６７】
上述の元素を含む膜を形成する場合、原料ガスとしては、例えば、ＴｉＣｌ４の他に、テトラキスジメチルアミノチタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）、五塩化タンタル（ＴａＣｌ５）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、ビス（ターシャリブチルイミノ）ビス（ターシャリブチルアミノ）タングステン（（Ｃ４Ｈ９ＮＨ）２Ｗ（Ｃ４Ｈ９Ｎ）２、）、二塩化コバルト（ＣｏＣｌ２）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）コバルト（Ｃ１４Ｈ１８Ｃｏ）、三塩化イットリウム（ＹＣｌ３）、トリス（ブチルシクロペンタジエニル）イットリウム（Ｙ（Ｃ５Ｈ４ＣＨ２（ＣＨ２）２ＣＨ３）３）、三塩化ルテニウム（ＲｕＣｌ３）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｃ１４Ｈ１８Ｒｕ）、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａｌ）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３］４）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３］４）、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３等のハロゲン化物、有機化合物を含む原料ガスを用いることも可能である。
【００６８】
反応ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）の他に、酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、オゾン（Ｏ３）、酸素（Ｏ２）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、Ｏ２＋Ｈ２の混合ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）等やこれらをプラズマ励起したもの等を用いることも可能である。
【００６９】
上述の実施形態では、反応管が１重管構造を有する例について説明した。しかしながら、反応管は、内部反応管（インナーチューブ）と、その外側に設けられた外部反応管（アウターチューブ）とを有する２重管構造を有していてもよい。
【００７０】
これらの各種薄膜の成膜処理に用いられるプロセスレシピ（成膜処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）や、これらの各種薄膜を含む堆積物の除去に用いられるクリーニングレシピ（クリーニング処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）や、残留ハロゲン元素の除去に用いられるパージレシピ（パージ処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、成膜処理やクリーニング処理やパージ処理の内容（形成、或いは、除去する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚等）に応じて、それぞれ個別に用意する（複数用意する）ことが好ましい。そして、各種処理を開始する際、処理内容に応じて、複数のレシピの中から、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。具体的には、処理内容に応じて個別に用意された複数のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体（外部記憶装置１２３）を介して、基板処理装置が備える記憶装置１２１ｃ内に予め格納（インストール）しておくことが好ましい。そして、成膜処理やクリーニング処理やパージ処理を開始する際、基板処理装置が備えるＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。このように構成することで、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成したり除去したりできるようになる。また、オペレータの操作負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各種処理を迅速に開始できるようになる。
【００７１】
上述のプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。
【００７２】
また、上述の実施形態や変形例等は、適宜組み合わせて用いることができる。また、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０  基板処理装置１２１  コントローラ２００  ウエハ２０１  処理室２０２  処理炉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2019188128.tif 000010
2019188128.tif 000011
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