(57)【要約】  金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の修飾方法、組成物及び重合体の提供を目的とする。本発明は、表層に金属原子を有する基材の表面に第１組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程とを備え、上記第１組成物が、第１重合体と溶媒とを含有し、上記第１重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、下記式（１）で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも１種の第１官能基を有する基材表面の修飾方法である。下記式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。2019167704.tif 000026
2019167704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層に金属原子を有する基材の表面に第１組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程と
を備え、
上記第１組成物が、第１重合体と溶媒とを含有し、
上記第１重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、下記式（１）で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも１種の第１官能基を有する基材表面の修飾方法。
【化１】
2019167704.tif 000023
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲ１は同一又は異なる。）
【請求項２】
上記表層が、上記金属原子を有する第１領域と、この第１領域が有する金属原子を有しない第２領域とを有する請求項１に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項３】
上記第２領域が、実質的に非金属原子のみからなる請求項２に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項４】
上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第２領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程
をさらに備える請求項２又は請求項３に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項５】
上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる工程
をさらに備える請求項４に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項６】
上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程
をさらに備える請求項４に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項７】
上記除去工程後の基材の表面上の上記第１重合体をエッチングにより除去する工程
をさらに備える請求項４に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項８】
上記金属原子が、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドを構成している請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項９】
上記金属原子が、銅原子、鉄原子、亜鉛原子、コバルト原子、アルミニウム原子、チタン原子、スズ原子、タングステン原子、ジルコニウム原子、タンタル原子、ゲルマニウム原子、モリブデン原子、ルテニウム原子、金原子、銀原子、白金原子、パラジウム原子又はニッケル原子である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項１０】
上記第１重合体のポリスチレン換算数平均分子量が、５００以上５０，０００以下である請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項１１】
上記第１重合体が、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、並びに置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有する請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項１２】
上記第１重合体が、上記第１官能基を主鎖の一方の末端に有する請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基材表面の修飾方法。
【請求項１３】
基材表面の修飾方法に用いられる組成物であって、
重合体と溶媒とを含有し、
上記重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、下記式（１）で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有することを特徴とする組成物。
【化２】
2019167704.tif 000024
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲ１は同一又は異なる。）
【請求項１４】
下記式（１）で表される基を主鎖の末端又は側鎖の末端に有する重合体。
【化３】
2019167704.tif 000025
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲ１は同一又は異なる。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材表面の修飾方法、組成物及び重合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのさらなる微細化に伴い、３０ｎｍを切る微細パターンを形成する技術が要求されている。しかし、従来のリソグラフィーによる方法では、このような微細パターンを形成することは、光学的要因等により技術的に困難になってきている。【０００３】
そこで、いわゆるボトムアップ技術を用いて微細パターンを形成することが検討されている。このボトムアップ技術としては、重合体の自己組織化を利用する方法の他、微細な領域を表層に有する基材を選択的に修飾する方法が検討されるようになってきている。この選択的修飾方法には、簡便かつ高選択的に表面領域を修飾することができる材料が必要であり、種々のものが検討されている（特開２０１６−２５３５５号公報、特開２００３−７６０３６号公報、ＡＣＳ  Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５、ＡＣＳ  Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５、Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７及びＬａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２５３５５号公報
【特許文献２】特開２００３−７６０３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】ＡＣＳ  Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５
【非特許文献２】ＡＣＳ  Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５
【非特許文献３】Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７
【非特許文献４】Ｌａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来の材料では、低分子材料ゆえ、既存プロセスでのスピンコート法では塗布できず、効率の悪いＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いる必要があり、耐熱性に劣るという不都合がある。そのため、粘度が大きく、耐熱性を有する高分子材料を用いることが望ましい。一方で、高分子材料は立体障害が大きいため、効率よく基材表面を修飾することはできておらず、また、十分な選択性を簡単に見い出すことができる手法は未だ知られていない。【０００７】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の修飾方法、組成物及び重合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するためになされた発明は、表層に金属原子を有する基材の表面に第１組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程とを備え、上記第１組成物が、第１重合体と溶媒とを含有し、上記第１重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、下記式（１）で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも１種の第１官能基を有する基材表面の修飾方法である。
【化１】
2019167704.tif 000003
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲ１は同一又は異なる。）【０００９】
上記課題を解決するためになされた別の発明は、基材表面の修飾方法に用いられる組成物であって、重合体と溶媒とを含有し、上記重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、上記式（１）で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有することを特徴とする。【００１０】
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記式（１）で表される基を主鎖の末端又は側鎖の末端に有する重合体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基材表面の修飾方法、組成物及び重合体によれば、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の修飾方法、組成物及び重合体は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ストライプ状基材を作製するための基板の断面図である。
【図２】表面修飾方法の評価に用いたストライプ状基材の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、当該基材表面の修飾方法（以下、単に「表面修飾方法」という）の実施の形態について詳説する。
【００１４】
＜表面修飾方法＞
当該表面修飾方法は、表層に金属原子（以下、「金属原子（Ａ）」ともいう）を有する基材を準備する工程（以下、「準備工程」ともいう）と、上記基材の表面に第１組成物（以下、「組成物（Ｉ）」ともいう）を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）とを備える。当該表面修飾方法において、組成物（Ｉ）が、第１重合体（以下、「［Ａ］重合体」ともいう）と溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）とを含有し、［Ａ］重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、後述する式（１）で表される基（以下、「基（Ｉ）」ともいう）、炭素−炭素三重結合を含む基（以下、「基（ＩＩ）」ともいう）及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基（以下、「基（ＩＩＩ）」ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも１種の第１官能基（以下、「官能基（Ｘ）」ともいう）を有する。
【００１５】
当該表面修飾方法においては、上記表層が、上記金属原子（Ａ）を有する第１領域（以下、「領域（Ｉ）」ともいう）と、この領域（Ｉ）が有する金属原子（Ａ）を有しない第２領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）とを有することが好ましい。また、上記領域（ＩＩ）としては、実質的に非金属原子（以下、「非金属原子（Ｂ）」ともいう）のみからなることが好ましい。当該表面修飾方法によれば、基材の表層が領域（Ｉ）と領域（ＩＩ）とを共に有する場合、金属原子（Ａ）を有する領域（Ｉ）を選択的に修飾することができ、基材表面の選択的修飾方法を提供することができる。
【００１６】
当該表面修飾方法は、加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記領域（ＩＩ）上に形成された部分をリンス液により除去する工程（以下、「除去工程」ともいう）をさらに備えることが好ましい。
【００１７】
また、当該表面修飾方法は、例えば上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、オゾン又はプラズマを接触させる工程（以下、「接触工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程（以下、「堆積工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する工程（以下、「エッチング工程」ともいう）等をさらに備えてもよい。
【００１８】
当該表面修飾方法によれば、基材としての基板の表面の選択的修飾を行い、さらに、上記接触工程、上記堆積工程、上記エッチング工程等を行うことにより、上記基板を加工することができ、基板の加工方法を提供することができる。以下、各工程について説明する。
【００１９】
［準備工程］
本工程では、表層に金属原子（Ａ）を有する基材を準備する。
【００２０】
金属原子（Ａ）としては、金属元素の原子であれば特に限定されない。なお、ケイ素原子は、非金属原子であり、金属原子に該当しない。金属原子（Ａ）としては、例えば銅原子、鉄原子、亜鉛原子、コバルト原子、アルミニウム原子、スズ原子、タングステン原子、ジルコニウム原子、チタン原子、タンタル原子、ゲルマニウム原子、モリブデン原子、ルテニウム原子、金原子、銀原子、白金原子、パラジウム原子、ニッケル原子等が挙げられる。これらの中で、銅原子、コバルト原子、タングステン原子又はタンタル原子が好ましい。
【００２１】
表層における金属原子（Ａ）の含有形態としては、例えば金属単体、合金、導電性窒化物、金属酸化物、シリサイド等が挙げられる。
【００２２】
金属単体としては、例えば銅、鉄、コバルト、タングステン、タンタル等の金属の単体等が挙げられる。
合金としては、例えばニッケル−銅合金、コバルト−ニッケル合金、金−銀合金等が挙げられる。
導電性窒化物としては、例えば窒化タンタル、窒化チタン、窒化鉄、窒化アルミニウム等が挙げられる。
金属酸化物としては、例えば酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化銅等が挙げられる。
シリサイドとしては、例えば鉄シリサイド、モリブデンシリサイド等が挙げられる。
これらの中で、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドが好ましく、金属単体又は導電性窒化物がより好ましく、銅単体、コバルト単体、タングステン単体、タンタル単体又は窒化タンタルがさらに好ましい。
【００２３】
基材の表層は、好ましくは金属原子（Ａ）を有する領域（Ｉ）と、金属原子（Ａ）を有さず、好ましくは実質的に非金属原子（Ｂ）のみからなる領域（ＩＩ）とを有する。
【００２４】
領域（ＩＩ）中における非金属原子（Ｂ）の含有形態としては、例えば非金属単体、非金属酸化物、非金属窒化物、非金属酸化物窒化物等が挙げられる。
【００２５】
非金属単体としては、例えばケイ素、炭素等の単体などが挙げられる。
非金属酸化物としては、例えば酸化ケイ素等が挙げられる。
非金属窒化物としては、例えばＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等が挙げられる。
非金属酸化物窒化物としては、例えばＳｉＯＮ等が挙げられる。
これらの中で、非金属酸化物が好ましく、酸化ケイ素がより好ましい。
【００２６】
基材の表層における領域（Ｉ）及び領域（ＩＩ）の存在形状としては特に限定されず、例えば平面視で面状、点状、ストライプ状等が挙げられる。領域（Ｉ）及び領域（ＩＩ）の大きさは特に限定されず、適宜所望の大きさの領域とすることができる。
【００２７】
基材の形状としては、特に限定されず、板状（基板）、球状等、適宜所望の形状とすることができる。
【００２８】
［塗工工程］
本工程では、上記基材の表面に、組成物（Ｉ）を塗工する。
【００２９】
組成物（Ｉ）の塗工方法としては、例えばスピンコート法等が挙げられる。
【００３０】
［組成物（Ｉ）］
組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒を含有する。組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。
【００３１】
（［Ａ］重合体）
［Ａ］重合体は、主鎖の末端又は側鎖の末端に、官能基（Ｘ）を有する重合体である。「主鎖」とは、重合体の原子鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、重合体の原子鎖のうち主鎖以外のものをいう。「側鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する」とは、官能基（Ｘ）が側鎖の全体である場合を含む。
【００３２】
側鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する［Ａ］重合体としては、例えば末端に官能基（Ｘ）を有しかつエチレン性炭素−炭素二重結合を有する単量体に由来する構造単位（以下、「構造単位（Ｉ）」ともいう）を含む重合体等が挙げられる。
【００３３】
表面修飾する［Ａ］重合体の密度をより高める観点から、［Ａ］重合体は官能基（Ｘ）を主鎖の末端に有することが好ましく、主鎖の一方の末端に官能基（Ｘ）を有することがより好ましい。
【００３４】
（官能基（Ｘ））
官能基（Ｘ）は、基（Ｉ）、基（ＩＩ）及び基（ＩＩＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種である。官能基（Ｘ）は、金属原子（Ａ）とより強く結合することができると考えられ、その結果、当該基材表面の修飾方法によれば、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができると考えられる。この結合としては、例えば化学結合であり、共有結合、イオン結合、配位結合等が挙げられる。これらの中で、金属原子−官能基間の結合力がより大きい観点から、配位結合が好ましい。以下、基（Ｉ）、基（ＩＩ）、基（ＩＩＩ）の順に説明する。
【００３５】
（基（Ｉ））
基（Ｉ）は、下記式（１）で表される基である。
【００３６】
【化２】
2019167704.tif 000004
【００３７】
上記式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎは、１〜１０の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲ１は同一又は異なる。
【００３８】
「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。Ｒ１で表される炭素数１〜２０の１価の有機基としては、例えば炭素数１〜２０の１価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素−炭素間又は結合手側の末端に２価のヘテロ原子含有基を含む基（α）、上記炭化水素基又は基（α）が有する水素原子の一部又は全部を１価のヘテロ原子含有基で置換した基等が挙げられる。
【００３９】
炭素数１〜２０の１価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０の１価の鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４０】
「炭化水素基」には、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が含まれる。この「炭化水素基」は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でもよい。「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基をいい、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の両方を含む。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基をいい、単環の脂環式炭化水素基及び多環の脂環式炭化水素基の両方を含む。但し、脂環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基をいう。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環構造を含んでいてもよい。
【００４１】
炭素数１〜２０の１価の鎖状炭化水素基としては、例えば
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基等のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
【００４２】
炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環の脂環式飽和炭化水素基；
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環の脂環式不飽和炭化水素基；
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基等の多環の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環の脂環式不飽和炭化水素基などが挙げられる。
【００４３】
炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
【００４４】
１価又は２価のヘテロ原子含有基を構成するヘテロ原子としては、例えば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００４５】
２価のヘテロ原子含有基としては、例えば−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＣＳ−、−ＮＲ’−、これらのうちの２つ以上を組み合わせた基等が挙げられる。Ｒ’は、水素原子又は１価の炭化水素基である。
【００４６】
１価のヘテロ原子含有基としては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基等が挙げられる。
【００４７】
Ｒ１としては、置換又は非置換の１価の炭化水素基が好ましく、置換又は非置換の１価の芳香族炭化水素基がより好ましく、置換又は非置換のアリール基がさらに好ましく、置換又は非置換のフェニル基が特に好ましい。
【００４８】
Ｒ１における炭化水素基の置換基としては、例えばメチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。
【００４９】
基（Ｉ）としては、例えば下記式で表される基等が挙げられる。
【００５０】
【化３】
2019167704.tif 000005
【００５１】
上記式中、３ｍは３のｍ倍を意味し、−Ｂ−Ｏ−の繰り返し数を示す。ｍは、１〜３の整数である。
【００５２】
（基（ＩＩ））
基（ＩＩ）は、炭素−炭素三重結合を含む基である。
【００５３】
基（ＩＩ）としては、例えば
エチニル基、プロパルギル基、１−ブチン−４−イル基、エチニルフェニル基等のエチニル基を含む基；
１−プロピン−１−イル基、１−ブチン−１−イル基、フェニルエチニル基等の置換エチニル基；
２−ブチン−１−イル基、４−フェニル−２−ブチン−１−イル基等の内部炭素−炭素三重結合を含む基などが挙げられる。
【００５４】
（基（ＩＩＩ））
基（ＩＩＩ）は、芳香族性ヒドロキシ基を含む基である。「芳香族性ヒドロキシ基」とは、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族炭素環の炭素原子に結合する−ＯＨ基をいう。
【００５５】
基（ＩＩＩ）としては、例えば下記式（２）で表される基等が挙げられる。
【００５６】
【化４】
2019167704.tif 000006
【００５７】
上記式（２）中、Ａｒは、炭素数６〜２０のアレーンから芳香環上の（ｐ＋ｑ＋１）個の水素原子を除いた基である。ｐは、０〜１１の整数である。ｐが１の場合、Ｒ２は、炭素数１〜２０の１価の有機基、ハロゲン原子又はニトロ基である。ｐが２以上の場合、複数のＲ２は同一若しくは異なり、炭素数１〜２０の１価の有機基、ハロゲン原子若しくはニトロ基であるか、又は複数のＲ２のうちの２つ以上が互いに合わせられこれらが結合する炭素鎖と共に構成される環員数４〜２０の環構造の一部である。ｑは、１〜１１の整数である。但し、ｐ＋ｑは１１以下である。Ｒ３は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の有機基である。＊は、［Ａ］重合体における上記式（２）で表される基以外の部分と結合する部位を示す。
【００５８】
Ａｒを与える炭素数６〜２０のアレーンとしては、例えばベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、ピレン等が挙げられる。これらの中で、ベンゼン又はナフタレンが好ましい。
【００５９】
Ｒ２で表される炭素数１〜２０の１価の有機基としては、例えば上記式（１）におけるＲ１の１価の有機基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
【００６０】
Ｒ２としては、１価の炭化水素基又はハロゲン原子が好ましく、１価の鎖状炭化水素基、フッ素原子又は塩素原子がより好ましい。
【００６１】
複数のＲ２のうちの２つ以上が構成する環員数４〜２０の環構造としては、例えばシクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造等のシクロアルケン構造などが挙げられる。
【００６２】
ｐとしては、０〜２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
ｑとしては、１〜３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。
【００６３】
Ｒ３で表される炭素数１〜２０の２価の有機基としては、例えば上記式（１）におけるＲ１の１価の有機基として例示した基から１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
【００６４】
Ｒ３としては、単結合、２価の炭化水素基、又は−Ｘ−Ｒ”−で表される２価の基（式中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子である。Ｒ”は２価の炭化水素基である）が好ましく、単結合又はスルファニルアルカンジイル基がより好ましく、単結合又はスルファニルプロパンジイル基がさらに好ましい。
【００６５】
基（ＩＩＩ）としては、例えば下記式で表される基等が挙げられる。
【００６６】
【化５】
2019167704.tif 000007
【００６７】
上記式中、Ｒ３は、上記式（２）と同義である。＊は、［Ａ］重合体における上記基以外の部分に結合する部位を示す。
【００６８】
主鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する［Ａ］重合体は、例えば置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位、架橋性基を含む構造単位等を有する。［Ａ］重合体は、これらの構造単位をそれぞれ１種又は２種以上有していてもよい。なお、「架橋性基」とは、加熱条件下、活性エネルギー線照射条件下、酸性条件下等における反応により、架橋構造を形成する基をいう。
【００６９】
置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｏ−ビニルスチレン、ｍ−ビニルスチレン、ｐ−ビニルスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−クロロメチルスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｐ−ヨードスチレン、ｐ−ニトロスチレン、ｐ−シアノスチレン等が挙げられる。
【００７０】
（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸１−メチルシクロペンチル、（メタ）アクリル酸２−エチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸２−（アダマンタン−１−イル）プロピル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ナフチル等の（メタ）アクリル酸アリールエステル；
（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシアダマンチル、（メタ）アクリル酸３−グリシジルプロピル、（メタ）アクリル酸３−トリメチルシリルプロピル等の（メタ）アクリル酸置換アルキルエステルなどが挙げられる。
【００７１】
置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
エチレン；
プロペン、ブテン、ペンテン等のアルケン；
ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン等のビニルシクロアルカン；
シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン；
４−ヒドロキシ−１−ブテン、ビニルグリシジルエーテル、ビニルトリメチルシリルエーテル等が挙げられる。
【００７２】
置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、及び置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全構造単位に対して、２０モル％が好ましく、４０モル％がより好ましく、６０モル％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、例えば１００モル％である。
【００７３】
架橋性基としては、例えば
ビニル基、ビニロキシ基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基等の重合性炭素−炭素二重結合含有基；
オキシラニル基、オキシラニルオキシ基、オキセタニル基、オキセタニルオキシ基等の環状エーテル基；
シクロブタン環が縮環したフェニル基、シクロブタン環が縮環したナフチル基等のシクロブタン環が縮環したアリール基；
アセトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基等のアシル基又は熱解離性基で保護された芳香族性ヒドロキシ基が結合したアリール基；
アセトキシメチルフェニル基、メトキシメチルフェニル基等のアシル基又は熱解離性基で保護されたメチロール基（−ＣＨ２ＯＨ）が結合したアリール基；
スルファニルメチルフェニル基、メチルスルファニルメチルフェニル基等の置換又は非置換のスルファニルメチル基（−ＣＨ２ＳＨ）が結合したアリール基などが挙げられる。
【００７４】
シクロブタン環が縮環したアリール基同士は、加熱条件下、共有結合を形成する。
【００７５】
「アシル基」とは、カルボン酸からＯＨを除いた基であって、芳香族性ヒドロキシ基又はメチロール基の水素原子を置換して保護する基をいう。「熱解離性基」とは、芳香族性ヒドロキシ基、メチロール基又はスルファニルメチル基の水素原子を置換する基であって、加熱により解離する基をいう。
【００７６】
保護された芳香族性ヒドロキシ基、メチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基におけるアシル基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７７】
保護された芳香族性ヒドロキシ基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の３級アルキル基などが挙げられる。保護されたメチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基などが挙げられる。
【００７８】
架橋性基を含む構造単位としては、例えば架橋性基を有するビニル化合物に由来する構造単位、架橋性基を有する（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位等が挙げられる。
【００７９】
［Ａ］重合体が架橋性基を含む構造単位を含む場合、架橋性基を含む構造単位の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全繰り返し単位に対して、０．１モル％が好ましく、１モル％がより好ましく、３モル％がさらに好ましく、４モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、２０モル％が好ましく、１５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、８モル％が特に好ましい。
【００８０】
側鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する［Ａ］重合体は、上記構造単位（Ｉ）以外に、構造単位（Ｉ）以外の他の構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ）」ともいう）を有していてもよい。
【００８１】
構造単位（ＩＩ）としては、例えば上述の置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位、架橋性基を含む構造単位等が挙げられる。
【００８２】
構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を有する［Ａ］重合体は、ランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体であってもよいが、表面修飾する［Ａ］重合体の密度をより高める観点から、ブロック共重合体が好ましく、１種の構造単位（Ｉ）を主鎖の一端に有するブロック共重合体がより好ましく、１種の構造単位（Ｉ）と１種の構造単位（ＩＩ）とを有するジブロック共重合体がさらに好ましい。
【００８３】
構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を有する［Ａ］重合体における構造単位（Ｉ）の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全構造単位に対して、０．１モル％が好ましく、１モル％がより好ましく、２モル％がさらに好ましく、３モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、５０モル％が好ましく、３０モル％がより好ましく、１５モル％がさらに好ましく、５モル％が特に好ましい。構造単位（Ｉ）の含有割合を上記範囲とすることで、表面修飾する［Ａ］重合体の密度をより高めることができる。
【００８４】
［Ａ］重合体の数平均分子量（Ｍｎ）の下限としては、５００が好ましく、２，０００がより好ましく、４，０００がさらに好ましく、５，０００が特に好ましい。上記Ｍｎの上限としては、５０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましく、１５，０００がさらに好ましく、８，０００が特に好ましい。
【００８５】
［Ａ］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）のＭｎに対する比（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度）の上限としては、５が好ましく、２がより好ましく、１．５がより好ましく、１．３が特に好ましい。上記比の下限としては、通常１であり、１．０５が好ましい。
【００８６】
［Ａ］重合体の含有量の下限としては、組成物（Ｉ）における［Ｂ］溶媒以外の全成分に対して、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、例えば１００質量％である。
【００８７】
（重合体の合成方法）
主鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する［Ａ］重合体は、リビングアニオン重合、リビングラジカル重合等によって合成することができるが、リビングアニオン重合が好ましい。リビングアニオン重合によれば、例えばｓｅｃ−ブチルリチウム等の開始剤を用い、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒中で、スチレン等の単量体を重合し、その重合末端を官能基（Ｘ）を与える末端処理剤で処理することにより、重合体の主鎖の末端に官能基（Ｘ）を導入することができる。上記処理は、末端処理剤と共に１，１−ジフェニルエチレン等を添加して行ってもよい。
【００８８】
基（Ｉ）を与える末端処理剤としては、例えば２，４，６−トリフェニルボロキシン、２，４，６−トリ（メチルフェニル）ボロキシン、２，４，６−トリ（メトキシフェニル）ボロキシン等のボロキシン化合物などが挙げられる。これらの基（Ｉ）を与える末端処理剤による処理の後、さらにメタノール等を用いて重合末端の停止反応を行うことにより、基（Ｉ）を形成させることができる。
基（ＩＩ）を与える末端処理剤としては、例えばプロパルギルブロミド等の炭素−炭素三重結合を含むハロゲン化物などが挙げられる。
基（ＩＩＩ）を主鎖の末端に導入する方法としては、例えばアセトキシフェニルメチルブロミド等の末端処理剤を用いて停止反応を行った後、得られた末端基を脱アセチル化して基（ＩＩＩ）を形成する方法等が挙げられる。
【００８９】
側鎖の末端に官能基（Ｘ）を有する［Ａ］重合体は、例えば末端に官能基（Ｘ）を有しかつエチレン性炭素−炭素二重結合を有する単量体と、必要に応じてその他の単量体とを、ラジカル重合、アニオン重合等により重合させることで、ブロック共重合体、ランダム共重合体等として合成することができる。基（ＩＩＩ）を側鎖の末端に有する［Ａ］重合体は、例えば末端にｔ−ブトキシスチレン、１−エトキシエトキシ−４−ビニルベンゼン等をブロック重合等により導入し、得られた重合体において熱解離反応、酸触媒加水分解反応等を行うことにより基（ＩＩＩ）を生じさせることによって合成することができる。
【００９０】
（［Ｂ］溶媒）
［Ｂ］溶媒としては、少なくとも［Ａ］重合体及び他の成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
【００９１】
［Ｂ］溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
【００９２】
アルコール系溶媒としては、例えば
４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール等の炭素数１〜１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；
シクロヘキサノール等の炭素数３〜１８の脂環式モノアルコール系溶媒；
１，２−プロピレングリコール等の炭素数２〜１８の多価アルコール系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３〜１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
【００９３】
エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒；
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；
ジフェニルエーテル、アニソール（メチルフェニルエーテル）等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
【００９４】
ケトン系溶媒としては、例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２−ヘプタノン（メチル−ｎ−ペンチルケトン）、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒；
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒；
２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
【００９５】
アミド系溶媒としては、例えば
Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
【００９６】
エステル系溶媒としては、例えば
酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒；
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；
γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒；
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
【００９７】
炭化水素系溶媒としては、例えば
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン等の炭素数５〜１２の脂肪族炭化水素系溶媒；
トルエン、キシレン等の炭素数６〜１６の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
【００９８】
これらの中で、エステル系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒がより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがさらに好ましい。組成物（Ｉ）は、［Ｂ］溶媒を１種又は２種以上含有していてもよい。
【００９９】
（他の成分）
組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、例えば界面活性剤等が挙げられる。組成物（Ｉ）は、界面活性剤を含有することで、基材表面への塗工性を向上させることができる。
【０１００】
［組成物（Ｉ）の調製方法］
組成物（Ｉ）は、例えば［Ａ］重合体、［Ｂ］溶媒及び必要に応じて他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは０．４５μｍ程度の細孔を有する高密度ポリエチレンフィルター等で濾過することにより調製することができる。組成物（Ｉ）の濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、０．７質量％がさらに好ましい。上記濃度の上限としては、３０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、３質量％がさらに好ましい。
【０１０１】
［加熱工程］
本工程では、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する。これにより、基材表層の金属原子（Ａ）と、組成物（Ｉ）の［Ａ］重合体の官能基（Ｘ）との結合形成が促進され、基材表面の領域（Ｉ）に、［Ａ］重合体を含む塗膜（以下、「塗膜（Ｉ）」ともいう）が積層される。
【０１０２】
加熱の手段としては、例えばオーブン、ホットプレート等が挙げられる。加熱の温度の下限としては、８０℃が好ましく、１００℃がより好ましく、１３０℃がさらに好ましい。加熱の温度の上限としては、４００℃が好ましく、３００℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、１分がより好ましく、２分がさらに好ましい。加熱の時間の上限としては、１２０分が好ましく、１０分がより好ましく、５分がさらに好ましい。
【０１０３】
形成される塗膜（Ｉ）の平均厚みは、組成物（Ｉ）における［Ａ］重合体の種類及び濃度、並びに加熱工程における加熱温度、加熱時間等の条件を適宜選択することで、所望の値にすることができる。塗膜（Ｉ）の平均厚みの下限としては、０．１ｎｍが好ましく、１ｎｍがより好ましく、３ｎｍがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、例えば２０ｎｍである。
【０１０４】
［除去工程］
本工程では、塗膜（Ｉ）のうち領域（ＩＩ）上に形成された部分をリンス液により除去する。これにより、加熱工程後の金属原子（Ａ）と結合していない［Ａ］重合体を含む部分が除去され、領域（Ｉ）の部分が選択的に修飾された基材が得られる。
【０１０５】
除去工程における除去は、通常、加熱工程後の基材を、リンス液でリンスすることにより行う。リンス液としては、通常、有機溶媒が用いられ、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒、イソプロパノール等のモノアルコール系溶媒などが用いられる。
【０１０６】
以上により、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。得られた基材は、例えば以下の工程を行うことにより、種々処理することができる。
【０１０７】
［接触工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる。これにより、領域（ＩＩ）に形成された空気酸化膜層を除去することができる。この希酸としては、特に限定されないが、例えば希塩酸、希硫酸、希硝酸、希クエン酸、希シュウ酸、希マレイン酸、希酢酸、希イソ酪酸、希２−エチルヘキサン酸等が挙げられる。
【０１０８】
［堆積工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ（化学的気相蒸着）法又はＡＬＤ（原子層堆積）法によりパターンを堆積させる。これにより、［Ａ］重合体で被覆されていない領域（ＩＩ）に、選択的にパターンを形成することができる。
【０１０９】
［エッチング工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する。
【０１１０】
エッチングの方法としては、例えばＣＦ４、Ｏ２ガス等を用い、各層のエッチングレートの差等を利用するケミカルドライエッチング、有機溶媒、フッ酸、酢酸、クエン酸等の酸、アンモニア等のアルカリ、過酸化水素又はこれらの組み合わせの水溶液などの液体のエッチング液を用いたケミカルウェットエッチング（湿式現像）等の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、Ｎ２、Ｈ２、Ｏ２等を用いたガス処理などの物理的エッチングなどの公知の方法が挙げられる。これらの中で、反応性イオンエッチングが好ましく、ケミカルドライエッチング又はケミカルウェットエッチングがより好ましい。
【０１１１】
ケミカルドライエッチングの前に、必要に応じて放射線を照射してもよい。放射線としては、エッチングにより除去する部分がポリメタクリル酸メチルブロックを含む重合体である場合には、ＵＶ照射等を用いることができる。また、酸素プラズマ処理を用いることもできる。上記ＵＶ照射又は酸素プラズマ処理により、ポリメタクリル酸メチルブロックが分解されるため、よりエッチングされ易くなる。
【０１１２】
ケミカルウェットエッチングに用いられる有機溶媒としては、例えば
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等のアルカン；
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン；
酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ペンチルケトン等のケトン；
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、４−メチル−２−ペンタノール等のアルコールなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
【実施例】
【０１１３】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。【０１１４】
［Ｍｗ及びＭｎ］
重合体のＭｗ及びＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により東ソー（株）のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本及び「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、以下の条件により測定した。
溶離液：テトラヒドロフラン（和光純薬工業（株））
流量：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
カラム温度：４０℃
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
［１３Ｃ−ＮＭＲ分析］
１３Ｃ−ＮＭＲ分析は、核磁気共鳴装置（日本電子（株）の「ＪＮＭ−ＥＸ４００」）を使用し、測定溶媒としてＣＤＣｌ３を用いて行った。重合体における各構造単位の含有割合は、１３Ｃ−ＮＭＲで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。【０１１５】
＜［Ａ］重合体の合成＞
［合成例１］（重合体（Ａ−１）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３７ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、２，４，６−トリフェニルボロキシン０．７１８ｇを加えて１５分間撹拌し、ボロキシン環が開環した構造を重合体の主鎖の末端に導入した後、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−１）で表される重合体１２．０ｇを得た。下記式（Ａ−１）中のｍは１〜３の整数である。この重合体（Ａ−１）は、Ｍｗが５，４００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。【０１１６】
【化６】
2019167704.tif 000008
【０１１７】
［合成例２］（重合体（Ａ−２）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．３７ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、２，４，６−トリ（メチルフェニル）ボロキシン０．８１８ｇを加えて１５分間撹拌し、ボロキシン環が開環した構造を重合体の主鎖の末端に導入した後、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−２）で表される重合体１２．１ｇを得た。下記式（Ａ−２）中のｍは１〜３の整数である。この重合体（Ａ−２）は、Ｍｗが５，５００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。【０１１８】
【化７】
2019167704.tif 000009
【０１１９】
［合成例３］（重合体（Ａ−３）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．３７ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、２，４，６−トリ（メトキシフェニル）ボロキシン０．９２９ｇを加えて１５分間撹拌し、ボロキシン環が開環した構造を重合体の主鎖の末端に導入した後、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−３）で表される重合体１２．３ｇを得た。下記式（Ａ−３）中のｍは１〜３の整数である。この重合体（Ａ−３）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。【０１２０】
【化８】
2019167704.tif 000010
【０１２１】
［合成例４］（重合体（Ａ−４）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．２０ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ−ブチルスチレン１３．５ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、２，４，６−トリフェニルボロキシン０．６６７ｇを加え１５分間撹拌し、ボロキシン環が開環した構造を重合体の主鎖の末端に導入した後、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−４）で表される重合体１２．３ｇを得た。下記式（Ａ−４）中のｍは１〜３の整数である。この重合体（Ａ−４）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。【０１２２】
【化９】
2019167704.tif 000011
【０１２３】
［合成例５］（重合体（Ａ−５）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３７ｍＬ注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、１，１−ジフェニルエチレン０．９７１ｍＬ及びプロパルギルブロミド０．２７４ｇにより重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−５）で表される重合体１２．１ｇを得た。この重合体（Ａ−５）は、Ｍｗが５，５００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。【０１２４】
【化１０】
2019167704.tif 000012
【０１２５】
［合成例６］（重合体（Ａ−６）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．２０ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ−ブチルスチレン１３．５ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。次に、１，１−ジフェニルエチレン１．０６ｍＬ及びプロパルギルブロミド０．２９７ｇにより重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入して撹拌し、静置後、下層の水層を取り除き、この操作を４回繰り返した。得られた溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−６）で表される重合体１２．３ｇを得た。この重合体（Ａ−６）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。【０１２６】
【化１１】
2019167704.tif 000013
【０１２７】
［合成例７］（重合体（Ａ−７）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意し、滴下終了後に３０分間撹拌した。次に、末端停止剤としてのメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−７）で表される重合体１１．７ｇを得た。この重合体（Ａ−７）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。【０１２８】
【化１２】
2019167704.tif 000014
【０１２９】
［合成例８］（重合体（Ａ−８）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意し、滴下終了後に３０分間撹拌した。次に、末端停止剤としての４−クロロメチル−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン０．３２ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。次に、１Ｎの塩酸水溶液を１０ｇ加え、６０℃で２時間加熱撹拌を行って加水分解反応を行い、ジオール構造を含む末端基を有する重合体を得た。この反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を濃縮してから溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の下記式（Ａ−８）で表される重合体１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ−８）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。【０１３０】
【化１３】
2019167704.tif 000015
【０１３１】
［合成例９］（重合体（Ａ−９）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ及びｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．４７ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意し、滴下終了後に１２０分間撹拌した。次に、２，４，６−トリフェニルボロキシン０．７４８ｇを加えて１５分間撹拌し，さらにメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−９）１２．３ｇを得た。この重合体（Ａ−９）は、Ｍｗが５，０００、Ｍｎが４，８００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。【０１３２】
【化１４】
2019167704.tif 000016
【０１３３】
［合成例１０］（重合体（Ａ−１０）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ及びｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液２．４７ｍＬを注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬを３０分かけて滴下注入した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意し、滴下終了後に１２０分間撹拌した。次に、プロパルギルブロミド０．２８５ｇを加えて１５分間撹拌し停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１０）１２．３ｇを得た。この重合体（Ａ−１０）は、Ｍｗが５，１００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。【０１３４】
【化１５】
2019167704.tif 000017
【０１３５】
［合成例１１］（重合体（Ａ−１１）の合成）
５００ｍＬのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ＢｕＬｉの１Ｎシクロヘキサン溶液を１．５０ｍＬ注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン９．４ｍＬを２０分かけて滴下注入し、重合系が橙色になることを確認した。さらにｔｅｒｔ−ブトキシスチレン１．１０ｍＬをシリンジより注入し、重合系が濃赤色になることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン注入後に６０分間熟成した。この後、メタノール０．５ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、金属Ｌｉを除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。次に、この重合体にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇとｐ−トルエンスルホン酸１．０ｇとを加えて１６０℃で５時間加熱乾留させた。この重合体をＭＩＢＫ３００ｇで希釈したのち、超純水５００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、ｐ−トルエンスルホン酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収し、６０℃で減圧乾燥させることで白色のブロック共重合体（Ａ−１１）１３．３ｇを得た。このブロック共重合体（Ａ−１１）は、Ｍｗが５２００、Ｍｎが４９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。【０１３６】
【化１６】
2019167704.tif 000018
【０１３７】
［合成例１２］（重合体（Ａ−１２）の合成）
２００ｍＬの三口フラスコへビスベンジルトリチオカーボナート０．２９ｇ、アゾイソブチロニトリル０．０４９ｇ、スチレン１２．０ｇ、アニソール２０ｇを加えて、窒素下、８０℃で５時間加熱撹拌した。次にアゾイソブチロニトリル０．０９８ｇを加え、窒素下、８０℃で３時間加熱撹拌した。次に、メタノール５００ｇへ沈殿精製させたのち、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２０ｇへ溶解させｎ−ブチルアミン０．７４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル２ｇを加えて、窒素下、６０℃で２時間加熱撹拌した。こののち、重合溶液を濃縮させ、テトラヒドロフラン１０ｇで希釈したのち、５００ｇメタノールへ沈殿精製させた。得られた白色固体を減圧乾燥させ、白色固体１０．０ｇを得た。次にこの白色固体をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２０ｇへ溶解させたのち、４−アリルピロカテコール０．１５ｇとアゾイソブチロニトリル０．０４９ｇを加えてエン−チオール反応をおこない、ポリマー末端へ芳香族性ヒドロキシ基を導入し、重合体（Ａ−１２）を得た。この重合体（Ａ−１２）は、Ｍｎが６８００、Ｍｗが８３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２２であった。【０１３８】
【化１７】
2019167704.tif 000019
【０１３９】
＜組成物の調製＞
［調製例１］
［Ａ］重合体としての（Ａ−１）１．２ｇに、［Ｂ］溶媒としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）９８．８ｇを加え、撹拌したのち、０．４５μｍの細孔を有する高密度ポリエチレンフィルターにて濾過することにより、組成物（Ｓ−１）を調製した。【０１４０】
［調製例２〜１２］
下記表１に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、調製例１と同様にして、組成物（Ｓ−１）〜（Ｓ−１２）を調製した。【０１４１】
【表１】
2019167704.tif 000020
【０１４２】
＜基材表面の修飾＞
［比較例１〜６及び実施例１〜２８］
８インチの基板（銅基板、コバルト基板、タングステン基板）を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。酸化ケイ素基板については、イソプロパノールにて表面処理を行った。
次に、トラック（東京エレクトロン（株）の「ＴＥＬＤＳＡ  ＡＣＴ８」）を用いて、下記表２に示す組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基板をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。基板上に形成された選択的表面修飾材は、エリプソメータの膜厚測定の結果、０ｎｍ〜５ｎｍ程度であった。次に、表面の接触角値を、接触角計（協和界面科学（株）の「Ｄｒｏｐ  ｍａｓｔｅｒ  ＤＭ−５０１」）を用いて測定した。さらに、測定された膜厚を元に［Ａ］重合体（ブラシ）の存在密度σ（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２）を下記式（Ｘ）により算出した。
σ＝ｄ×Ｌ×ＮＡ×１０−２１／Ｍｎ・・・（Ｘ）
ｄ：［Ａ］重合体の密度（ｇ／ｃｍ３）、Ｌ：膜の平均厚み（ｎｍ）、ＮＡ：アボガドロ数、Ｍｎ：［Ａ］重合体の数平均分子量
金属基板及び酸化ケイ素基板のそれぞれについて、基板表面に形成された重合体膜の平均厚み（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ（ｎｍ））、接触角値（ＳＣＡ（°））及び重合体（ブラシ）密度（ｂｒｕｓｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２））について下記表２にそれぞれ示す。表２中の「−」は、基材選択性が示されておらず、重合体の存在密度を算出しなかったことを示す。【０１４３】
【表２】
2019167704.tif 000021
【０１４４】
＜銅−シリコンオキサイドからなるストライプ基材表面の選択的修飾＞
［比較例７及び８並びに実施例２９〜３６］
図１に示す８インチ基板（Ｃｕ−ＥＰＣ：１０，０００Å／Ｃｕ−Ｓｅｅｄ：１，０００Å／ＴａＮ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｌａｙｅｒ：２５０Å／シリコンオキサイド（酸化ケイ素）：５，０００Å／シリコンウエハ、０．１８μｍトレンチ）をＣＭＰスラリーにて研磨し、図２のように銅とシリコンオキサイドがストライプ状に並ぶ基材を作成した。次にこの基材を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。
この基材にトラック（東京エレクトロン（株）の「ＴＥＬＤＳＡ  ＡＣＴ８」）を用いて、下記表３に示す組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基材をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。次に、走査型プローブ顕微鏡（（株）日立ハイテクサイエンス、Ｓ−ｉｍａｇｅ（顕微鏡ユニット）及びＮａｎｏＭａｖｉＲｅａｌ（コントロールステーション））にて表面を観察し、凹凸より被覆部の膜厚を算出した。
銅−シリコンオキサイドストライプ基材上の銅、シリコンオキサイドのそれぞれの領域上に形成された重合体の塗膜の平均厚み（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ（ｎｍ））を表３にそれぞれ示す。表３中の「ＮＤ」は、厚みが小さく、検出できなかったことを示す。【０１４５】
【表３】
2019167704.tif 000022
【０１４６】
表２及び表３の結果から、実施例の基材表面の修飾方法によれば、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾できることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の基材表面の修飾方法、組成物及び重合体によれば、金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の修飾方法、組成物及び重合体は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４８】
１  シリコンウエハ
２  Ｃｕ−ＥＰＣ
３  Ｃｕ−Ｓｅｅｄ
４  ＴａＮ
５  シリコンオキサイド
【図１】
2019167704.tif 000027
【図２】
2019167704.tif 000028
【国際調査報告】
2019167704.tif 000029
2019167704.tif 000030
2019167704.tif 000031
2019167704.tif 000032