(57)【要約】本開示の表示装置は、発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられている。そして、アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する。本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
2019188416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、
画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられており、
アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する、
表示装置。
【請求項２】
下地絶縁層の表面形状が階段形状であり、
アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
アノード電極の電極面の傾斜角度は、下地絶縁層の階段形状の階段の深さ、段数、及び、ステップ幅によって決まる、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
下地絶縁層の階段形状は、メタル材料で埋め込まれて平滑化されており、
アノード電極は、下地絶縁層の平滑化された上に形成されている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向及び第２の方向で対称である、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向で非対称であり、非対称の一方の電極面側が非発光部側となっている、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
アノード電極は、非発光部側の電極面のメタル材料の有無による反射効果の有無の選択が可能な構造を有する、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に直接形成され、電極面が階段形状を有する、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
アノード電極は、リフレクタ効果を有する電極面形状を有する、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成り、発光部のカソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造を有する場合、
下地絶縁層のアノード電極の形成面に、複数色の副画素毎に段差が設けられている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
複数色の副画素は、赤色、緑色及び青色の３原色の副画素から成り、
赤色の副画素のアノード電極の形成面を基準に、他の副画素のアノード電極の形成面を決定する、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、側面をテーパー形状とする加工が施されている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１３】
下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、角部を削る処理が施されている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１４】
発光部は、有機ＥＬ素子から成る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有する表示装置の製造に当たって、
画素領域内に、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域を設け、
下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度にてアノード電極の電極面を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項１６】
発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、
画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられており、
アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。【０００３】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、画素領域のトランジスタ素子、容量素子及び配線などの下地構造が平坦化され、配線やコンタクト形成時のレジストパターンのフォーカスズレによる寸法変動を抑制した構造となっている。但し、有機ＥＬ素子のアノード電極まで平坦化された構造の場合、有機ＥＬ表示装置と組み合わされて用いられるレンズの光軸設計に対しては、画素領域の端部での光取込み量が弱いため、視野角特性が低下する。【０００４】
この視野角特性を改善するための一例として、有機ＥＬ素子のアノード電極を基板面に対して傾斜させる技術が、例えば特許文献１（米国特許出願公開第２０１６／０２２６０１３号明細書）に開示されている。特許文献１には、有機ＥＬ素子のアノード電極の下層の配線構造を工夫することにより、アノード電極の電極面を基板面に対して傾斜させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０２２６０１３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の特許文献１に記載の従来技術では、有機ＥＬ素子のアノード電極の下層の平坦化層において、画素の各々について、特定の構造物などを形成することによって平坦化層の表面を傾斜させ、その傾斜面上にアノード電極を形成することによって電極面を基板面に対して傾斜させている。このように、従来技術では、画素毎に、特定の構造物などを形成して平坦化層の表面を傾斜させてアノード電極の傾斜角度を設定するようにしている。従って、アノード電極の基板面に対する傾斜角度について、画素毎に任意の傾斜角度を自由に設定することが難しい。【０００７】
本開示は、アノード電極の基板面に対する傾斜角度について、画素毎に任意の傾斜角度を自由に設定することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、
画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられており、
アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する。【０００９】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有する表示装置の製造に当たって、
画素領域内に、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域を設け、
下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度にてアノード電極の電極面を形成する。【００１０】
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本開示の表示装置の一例であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、基本的な画素構造を示す断面図である。
【図４】図４は、画素領域の周縁部の視野角特性が中央部よりも悪くなる理由について説明する図である。
【図５】図５は、実施例１に係る表示パネルの要部の断面構造を示す断面図である。
【図６】図６Ａは、第１具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図７】図７Ａは、第２具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図８】図８Ａは、第３具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。
【図９】図９Ａは、第４具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。
【図１０】図１０は、実施例２の第１具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施例２の第２具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施例２の第３具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施例３の第１具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、実施例３の第２具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１５】図１５は、実施例３の第３具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１６】図１６は、実施例３の第４具体例に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１７】図１７は、実施例４に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１８】図１８は、実施例５に係るアノード電極構造を示す断面図である。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、実施例５に係るアノード電極構造において、各色の画素毎にアノード形成面に段差を形成する手順を説明する図である。
【図２０】図２０Ａ及び図２０Ｂは、実施例６に係る下地絶縁層の階段形状の他の加工例１及び加工例２について説明する図である。
【図２１】図２１Ａは、実施例７の第１具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図であり、図２１Ｂは、図２１ＡのＥ−Ｅ線に沿った電極断面図である。
【図２２】図２２Ａは、実施例７の第２具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図であり、図２２Ｂは、図２２ＡのＦ−Ｆ線に沿った電極断面図である。
【図２３】図２３Ａは、実施例７の第３具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図であり、図２３Ｂは、図２３ＡのＧ−Ｇ線に沿った電極断面図である。
【図２４】図２４Ａは、実施例７の第４具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図であり、図２４Ｂは、図２４ＡのＨ−Ｈ線に沿った電極断面図である。
【図２５】図２５は、実施例８に係る下地絶縁層及びアノード電極の形成工程を示す工程図（その１）である。
【図２６】図２６は、実施例８に係る下地絶縁層及びアノード電極の形成工程を示す工程図（その２）である。
【図２７】図２７は、実施例８に係る下地絶縁層及びアノード電極の形成工程を示す工程図（その３）である。
【図２８】図２８は、本実施形態に係るアノード電極構造によって高い視野角特性を確保できることについて説明する図である。
【図２９】図２９Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの正面図であり、図２９Ｂは、その背面図である。
【図３０】図３０は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．基本的な画素構造
２−４．視野角特性について
３．実施形態の説明
３−１．実施例１（下地絶縁層の表面形状が階段形状の場合の例）
３−２．実施例２（実施例１の変形例：アノード電極の傾斜角度が非対称な例）
３−３．実施例３（実施例１の変形例：アノード電極の電極面が階段形状の場合の例）
３−４．実施例４（実施例１の変形例：アノード電極がリフレクタ効果を有する例）
３−５．実施例５（実施例１の変形例：キャビティー構造に対応する例）
３−６．実施例６（実施例１の変形例：下地絶縁層の階段形状の加工の他の例）
３−７．実施例７（実施例１の変形例：アノード電極の傾斜角度についての設計例）
３−８．実施例８（有機ＥＬ表示装置の製造方法の例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
５−１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
５−２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
【００１３】
＜本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、下地絶縁層の表面形状について、階段形状とすることができる。そして、アノード電極について、下地絶縁層の階段形状の上に形成される構成とすることができる。アノード電極の電極面の傾斜角度については、下地絶縁層の階段形状の階段の深さ、段数、及び、ステップ幅によって決まる構成とすることができる。
【００１４】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、下地絶縁層の階段形状について、メタル材料で埋め込まれて平滑化された構成とすることができる。そして、アノード電極について、下地絶縁層の平滑化された上に形成される構成とすることができる。
【００１５】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、アノード電極の電極面の傾斜角度について、平面視での電極中心に関して第１の方向及び第２の方向で対称である構成とすることができる。
【００１６】
あるいは、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、アノード電極の電極面の傾斜角度について、平面視での電極中心に関して第１の方向で非対称であり、非対称の一方の電極面側が非発光部側となっている構成とすることができる。このとき、アノード電極について、非発光部側の電極面のメタル材料の有無による反射効果の有無の選択が可能な構造を有する構成とすることができる。
【００１７】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、アノード電極について、下地絶縁層の階段形状の上に直接形成され、電極面が階段形状を有する、あるいは、リフレクタ効果を有する電極面形状を有する構成とすることができる。
【００１８】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成り、発光部のカソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造を有する場合、下地絶縁層のアノード電極の形成面に、複数色の副画素毎に段差が設けられている構成とすることができる。このとき、複数色の副画素が、赤色、緑色及び青色の３原色の副画素から成り、赤色の副画素のアノード電極の形成面を基準に、他の副画素のアノード電極の形成面を決定する構成とすることができる。
【００１９】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器にあっては、下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、側面をテーパー形状とする加工が施されている、あるいは、角部を削る処理が施されている構成とすることができる。また、発光部について、有機ＥＬ素子から成る構成とすることができる。
【００２０】
＜本開示の表示装置＞
本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。
【００２１】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
【００２２】
［システム構成］
図１は、本開示の表示装置の一例であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０、及び、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）を有する構成となっている。以下、画素アレイ部３０の領域を、画素領域と記述する場合がある。
【００２３】
画素領域の周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【００２４】
表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
【００２５】
有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２６】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２７】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第１の方向（行方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と駆動線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第２の方向（列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２８】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1〜３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２９】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３０】
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1〜３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
【００３１】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
【００３２】
信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３３】
［画素回路］
図２は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
【００３４】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
【００３５】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラスのような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
【００３６】
また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
【００３７】
但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
【００３８】
上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
【００３９】
保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
【００４０】
補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
【００４１】
［基本的な画素構造］
ここで、画素２０の基本的な画素構造について、図３の断面図を用いて説明する。ここで例示する画素構造を含む表示パネル７０は、例えば、白色光を発光する白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせによって、Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）のいずれかの色光がパネル上面（基板１０１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（所謂、トップエミッション型）の表示パネルである。
【００４２】
表示パネル７０を構成する基板１０１上の領域は、複数の画素２０がマトリクス状に配置されて成る有効画素領域（表示領域）と、有効画素領域の周辺（外縁側／外周側）に位置する周辺領域とから成る。有効画素領域内には、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６から成る画素駆動回路が設けられる。周辺領域内には、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る周辺回路が設けられる。そして、これらの回路を含む回路層１０２が基板１０１上に形成されている。
【００４３】
表示パネル７０は、回路層１０２上に、例えば、無機絶縁層１０３、下地絶縁層１０４、アノード電極１０５、有機絶縁層１０６、有機ＥＬ層１０７、カソード電極１０８、有機保護層１０９、充填剤層（接着層）１１０、及び、ブラックマトリクス層１１１がこの順に積層された積層構造を有している。尚、ブラックマトリクス層１１１と同じ層には、カラーフィルタ１１２が画素単位で設けられている。また、この積層構造上には封止用基板１１３が貼り合わされており、当該封止用基板１１３によって積層構造が封止されるようになっている。
【００４４】
上記の画素構造において、アノード電極１０５、有機ＥＬ層１０７及びカソード電極１０８は、前述した白色有機ＥＬ素子を構成する積層構造となっている。アノード電極１０５は、有効画素領域内においては各色の画素２０毎に設けられている。カソード電極１０８は、透明電極から成り、有効画素領域内において各画素２０に共通の電極として設けられている。
【００４５】
有機ＥＬ層１０７は、アノード電極１０５の側から順に、正孔注入層１０７１、正孔輸送層１０７２、発光層１０７３、電子輸送層１０７４、及び、電子注入層１０７５を積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層１０７３以外の層については必要に応じて設ければよい。
【００４６】
正孔注入層１０７１は、正孔注入効率を高めるとともに、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層１０７２は、発光層１０７３への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１０７３は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１０７４は、発光層１０７３への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１０７５は、電子注入効率を高めるためのものである。
【００４７】
上述したように、有機ＥＬ表示装置１０は、基板１０１上に形成された回路部（画素駆動回路や周辺回路）を覆う状態で下地絶縁層１０４が設けられ、この下地絶縁層１０４上に有機ＥＬ素子２１が形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の下に、下部電極としてアノード電極１０５が画素単位で設けられ、有機ＥＬ素子２１の上に、上部電極としてカソード電極１０８が全画素共通に設けられ、アノード電極１０５まで平坦化された画素構造となっている。
【００４８】
［視野角特性について］
ところで、例えば、表示パネル７０の基板１０１としてシリコン基板等の半導体基板を用いるマイクロディスプレイの場合、図４に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、レンズ（レンズ群）８０との組み合わせで用いられる。この場合、有機ＥＬ表示装置１０は、レンズ８０に対して発散光源となる。そして、有機ＥＬ表示装置１０の画素領域の周縁部（端部）の光量については、レンズ８０の光軸設計によって、斜めに入射する光が主な光成分としてレンズ８０に取り込まれる。このとき、上述した通常の画素構造、即ち、有機ＥＬ素子２１のアノード電極１０５まで平坦化された画素構造の有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ素子２１から斜めに発光する光が弱くなるため、画素領域の周縁部の視野角特性が画素領域の中央部の視野角特性よりも悪くなる（低下する）。
【００４９】
＜実施形態の説明＞
そこで、本実施形態では、視野角特性の改善を目的として、画素領域（画素アレイ部３０の領域）内に、有機ＥＬ素子２１のアノード電極１０５の電極面が、基板面（基板１０１の表面）に対して傾斜した画素構造を有する画素２０を含む領域を設ける。そして、アノード電極１０５の電極面を基板面に対して傾斜させるに当たって、アノード電極１０５を、下地絶縁層１０４の表面形状上に形成し、当該表面形状に応じた傾斜角度にてアノード電極１０５の電極面を形成する。
【００５０】
ここで、下地絶縁層１０４の表面形状については、下地絶縁層１０４を形成する段階で、容易に、任意の形状に形成することができる。そして、下地絶縁層１０４の表面形状上にアノード電極１０５を形成することで、アノード電極１０５の電極面の傾斜角度は、下地絶縁層１０４の表面形状に応じた角度に設定される。これにより、アノード電極１０５の基板面に対する傾斜角度について、画素毎に、下地絶縁層１０４の表面形状に応じて、任意の傾斜角度にて自由に設定できるため、高い視野角特性を確保することができる。特に、レンズ８０との組み合わせで用いられるマイクロディスプレイにあっては、レンズ８０の光取込み光軸に合わせた設計を行うことが可能となるため、高い視野角特性を確保することができる。
【００５１】
以下に、下地絶縁層１０４の表面形状に応じた傾斜角度を有するアノード電極１０５を形成する具体的な実施例について説明する。
【００５２】
［実施例１］
実施例１は、下地絶縁層１０４の表面形状が階段形状の場合の例である。実施例１に係る表示パネル７０の要部の断面図を図５に示す。ここでは、便宜上、画素領域（有効画素領域）が、中央部分の領域Ａ、領域Ａに隣接する領域Ｂ、及び、周縁部側の領域Ｃの３つの領域に区分した場合を例示している。
【００５３】
画素領域の中央部分の領域Ａでは、下地絶縁層１０４は、その表面形状が平坦形状となるように形成されている。これにより、領域Ａにおいて、平坦形状の下地絶縁層１０４上に形成されるアノード電極１０５の電極面は、基板面に対して平行な平坦面となっている。領域Ｂ及び領域Ｃでは、下地絶縁層１０４は、その表面形状が階段形状になるように形成されている。これにより、領域Ｂ及び領域Ｃにおいて、階段形状の下地絶縁層１０４上に形成されるアノード電極１０５の電極面は、基板面に対して傾斜した傾斜面となっている。
【００５４】
下地絶縁層１０４の階段形状の角部については、コンタクト部１１４を形成する過程でメタル材料、例えばタングステン（Ｗ）を埋め込むことによって平滑化される。従って、角部が平滑化された下地絶縁層１０４の階段形状の上にアノード電極１０５を形成することで、アノード電極１０５の電極面が平滑な傾斜面を持つことになる。
【００５５】
ここで、下地絶縁層１０４の階段形状について、領域Ｂと領域Ｃとの間で、階段形状の傾斜角度及びステップ幅を変えることで、領域Ｂにおけるアノード電極１０５の傾斜角度と、領域Ｃにおけるアノード電極１０５の傾斜角度とを異ならせている。具体的には、領域Ｂにおける階段形状の傾斜角度を２０度、ステップ幅を０．２７５μｍに設定し、領域Ｃにおける階段形状の傾斜角度を３０度、ステップ幅を０．１７３μｍに設定している。尚、上記の数値は一例であって、これらの数値に限定されるものでない。
【００５６】
上記の例では、下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度及びステップ幅を設定することで、領域Ｂにおけるアノード電極１０５の傾斜角度よりも、領域Ｃにおけるアノード電極１０５の傾斜角度が大きくなる。すなわち、画素領域全体において、アノード電極１０５の電極面について、中央部の領域Ａでは傾斜のない平坦面であるのに対して、画素領域の周縁部に向かうに従って、アノード電極１０５の電極面の傾斜角度が、本例では領域単位で大きくなる。
【００５７】
下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度については、階段の深さ（高さ）ｄ、段数、及び、ステップ幅ｗなどを変えることで、任意の角度を設定することができる。以下に、階段形状の傾斜角度の設定の具体例を挙げる。ここでは、アノード電極１０５が矩形であって、下地絶縁層１０４の階段形状、即ちアノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して上下左右の各方向で対称な場合を例示する。ここで、図１の画素配列との関係において、左右方向とは第１の方向（行方向）を言い、上下方向とは第２の方向（列方向）を言う。
【００５８】
・第１具体例
図６Ａは、第１具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。第１具体例は、階段の深さｄを０．０５μｍ、段数を２段、ステップ幅ｗを０．５７２μｍに設定した例である。この設定例では、下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度を５度程度の角度に設定することができる。
【００５９】
・第２具体例
図７Ａは、第２具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。第２具体例は、階段の深さｄを０．０５μｍ、段数を３段、ステップ幅ｗを０．２８４μｍに設定した例である。この設定例では、下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度を１０度程度の角度に設定することができる。
【００６０】
・第３具体例
図８Ａは、第３具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。第３具体例は、階段の深さｄを０．１０μｍ、段数を３段、ステップ幅ｗを０．２７５μｍに設定した例である。この設定例では、下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度を２０度程度の角度に設定することができる。
【００６１】
・第４具体例
図９Ａは、第４具体例に係る階段形状の角度設定を示す平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。第４具体例は、階段の深さｄを０．１０μｍ、段数を３段、ステップ幅ｗを０．１７３μｍに設定した例である。この設定例では、下地絶縁層１０４の階段形状の傾斜角度を３０度程度の角度に設定することができる。
【００６２】
上述した第１具体例乃至第４具体例のいずれの場合にも、下地絶縁層１０４の階段形状において、各階段の側面は、基板面（基板１０１の表面）に対して垂直な構造となっている。ここで、「垂直」とは、厳密に垂直の場合の他、実質的に垂直の場合をも含み、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、各具体例における階段の深さｄ、段数、ステップ幅ｗ、及び、傾斜角度についての各数値は一例であって、これらの数値に限定されるものでない。
【００６３】
実施例１によれば、画素領域全体において、アノード電極１０５の電極面について、中央部の領域Ａでは傾斜のない平坦面であるのに対して、画素領域の周縁部に向かうに従って、アノード電極１０５の電極面の傾斜角度が大きくなる（本例では、領域単位で大きくなる）設定となっている。
【００６４】
上述したように、画素領域の任意の領域毎に、傾斜角度やステップ幅、あるいは、階段の位置や段数が異なる設計値の設定の下に、アノード電極１０５の下地絶縁層１０４の加工を行うことで、容易に、表面形状が階段形状の下地絶縁層１０４を画素単位で成膜できる。これにより、下地絶縁層１０４の上には、当該下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有するアノード電極１０５を画素単位で形成することができる。そして、下地絶縁層１０４の表面形状の画素単位での形成が容易であることから、アノード電極１０５について、画素単位で異なる傾斜角度の設計を自由に行うことができる。
【００６５】
［実施例２］
実施例２は、実施例１の変形例であり、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して左右方向（第１の方向／行方向））で非対称な例である。アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して非対称な構造は、下地絶縁層１０４の階段形状における階段の深さｄ、段数、及び、ステップ幅ｗを、平面視での電極中心に関して上下左右方向で変えることによって実現できる。以下に、実施例２の具体例について説明する。
【００６６】
・第１具体例
実施例２の第１具体例に係るアノード電極１０５の構造（以下、「アノード電極構造」と略記する場合がある）の断面図を図１０に示す。ここでは、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して左右方向（第１の方向／行方向）で非対称な構造の場合を例示している。
【００６７】
第１具体例では、下地絶縁層１０４の階段形状における階段のステップ幅ｗを、平面視での電極中心に関して左右方向で変えることで、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して左右方向で非対称な構造を実現している。具体的には、図の右側の階段のステップ幅ｗ1を、図の左側の階段のステップ幅ｗ2よりも広く（ｗ1＞ｗ2）設定することで、アノード電極１０５の右側の電極部分の傾斜角度が、左側の電極部分よりもなだらかな構造となっている。この有機ＥＬ素子２１の構造において、アノード電極１０５の図の右側を有機ＥＬ層１０７の発光部側とし、図の左側を有機ＥＬ層１０７の非発光部側とする。後述する具体例においても同様である。
【００６８】
第１具体例に係るアノード電極構造において、下地絶縁層１０４の階段部分及びコンタクト部１１４には、メタル材料、例えばタングステン（Ｗ）が埋め込まれている。また、アノード電極１０５の裏面にはメタル膜１１５が形成されている。このメタル膜１１５は、アノード電極１０５の図の右側（発光部側）、及び、図の左側（非発光部側）の双方に設けられている。メタル膜１１５の存在により、有機ＥＬ層１０７の非発光部側のメタル膜１１５での光反射による集光効果を得ることができる。また、メタル膜１１５のメタル材料によって集光効果の調整が可能となる。メタル膜１１５については、アルミニウム（Ａｌ）、アルミ系合金（ＡｌＣｕ，ＡｌＮｉ）、タングステン（Ｗ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、チタン（Ｔｉ）、チタン酸化膜（ＴｉＯ）等を選択的に積層することによって形成することができる。
【００６９】
・第２具体例
実施例２の第２具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１１に示す。第２具体例に係るアノード電極構造の場合も、第１具体例に係るアノード電極構造の場合と同様に、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して左右方向で非対称な構造となっている。
【００７０】
但し、第１具体例に係るアノード電極構造では、有機ＥＬ層１０７の発光部側、及び、非発光部側の双方に、メタル膜１１５が形成されているのに対し、第２具体例に係るアノード電極構造は、有機ＥＬ層１０７の非発光部側には、アノード電極１０５が存在せず、従って、メタル膜１１５も存在しない画素構造となっている。
【００７１】
第２具体例に係るアノード電極構造では、有機ＥＬ層１０７の非発光部側において、下地絶縁層１０４の階段形状の階段を埋め込んだタングステン部分の界面での光反射の効果が得られるものの、メタル膜１１５が形成されている第１具体例の場合よりも、光反射による集光効果は低くなる。
【００７２】
・第３具体例
実施例２の第３具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１２に示す。第３具体例に係るアノード電極構造の場合も、第１具体例に係るアノード電極構造の場合と同様に、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して左右方向で非対称な構造となっている。
【００７３】
第３具体例に係るアノード電極構造は、第２具体例に係るアノード電極構造と同様に、有機ＥＬ層１０７の非発光部側には、アノード電極１０５が存在せず、従って、メタル膜１１５も存在しない画素構造となっている。しかも、下地絶縁層１０４の階段部分が存在せず、タングステンも埋め込まれていない。従って、第３具体例に係るアノード電極構造の場合、第２具体例の場合よりも、光反射による集光効果は低くなる。
【００７４】
［実施例３］
実施例３は、実施例１の変形例であり、アノード電極１０５の電極面の形状が階段形状の場合の例である。すなわち、実施例３では、下地絶縁層１０４の階段形状の階段部分をメタル材料（例えば、タングステン）によって埋め込まず、その埋め込みによる平滑化を利用せず、アノード電極１０５の電極面の形状を、下地絶縁層１０４の階段形状としている。アノード電極１０５の電極面が階段形状の画素構造は、光学的散乱効果を大きくできる利点がある。
【００７５】
アノード電極１０５の電極面が階段形状の画素構造は、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して対称な画素構造にも適用できるし、非対称な画素構造にも適用できる。以下に、実施例３の具体例について説明する。
【００７６】
・第１具体例
実施例３の第１具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１３に示す。第１具体例に係るアノード電極構造は、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して非対称な画素構造である。そして、下地絶縁層１０４の階段形状の階段部分のメタル材料による埋め込みがなく、アノード電極１０５の発光部側、及び、非発光部側の双方に、メタル膜１１５が形成された画素構造となっている。
【００７７】
また、第１具体例に係るアノード電極構造は、非発光部側において、アノード電極１０５と有機ＥＬ層１０７との間に、下地絶縁層１０４の一部が介在する画素構造となっている。この第１具体例に係るアノード電極構造によれば、メタル膜１１５の存在により、非発光部側のメタル膜１１５での光反射による集光効果を得ることができる。また、メタル膜１１５のメタル材料によって集光効果の調整が可能となる。
【００７８】
・第２具体例
実施例３の第２具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１４に示す。第２具体例に係るアノード電極構造は、非発光部側には、アノード電極１０５が存在せず、従って、メタル膜１１５も存在しない画素構造となっている。この第２具体例に係るアノード電極構造は、意図的に散乱光を発生させることができる画素構造となっている。
【００７９】
・第３具体例
実施例３の第３具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１５に示す。第３具体例に係るアノード電極構造は、第１具体例に係るアノード電極構造と同様に、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して非対称な画素構造である。そして、下地絶縁層１０４の階段形状の階段部分のメタル材料による埋め込みがなく、アノード電極１０５の発光部側、及び、非発光部側の双方に、メタル膜１１５が形成された画素構造となっている。
【００８０】
但し、第３具体例に係るアノード電極構造は、非発光部側において、アノード電極１０５と有機ＥＬ層１０７との間に、下地絶縁層１０４の一部が介在しない点で、第１具体例に係るアノード電極構造と相違している。この第３具体例に係るアノード電極構造によれば、意図的に散乱光を発生させることができるとともに、メタル膜１１５での光反射による集光効果を得ることができる。
【００８１】
・第４具体例
実施例３の第４具体例に係るアノード電極構造の断面図を図１６に示す。第４具体例に係るアノード電極構造は、アノード電極１０５の傾斜角度が、平面視での電極中心に関して対称な画素構造である。そして、第４具体例に係るアノード電極構造は、基本的に、第３具体例に係るアノード電極構造と同様の画素構造となっている。従って、第４具体例に係るアノード電極構造によれば、第３具体例に係るアノード電極構造と同様に、意図的に散乱効果及び集光効果を得ることができる。
【００８２】
［実施例４］
実施例４は、実施例１の変形例であり、アノード電極１０５の電極面がリフレクタ効果を有する例である。実施例４に係るアノード電極構造の断面図を図１７に示す。
【００８３】
実施例４に係るアノード電極構造は、アノード電極１０５の電極面がリフレクタ効果を有する構造、例えば、平面視での電極中心に関して全方向で断面が湾曲した、所謂お椀形の形状を有する画素構造となっている。リフレクタ効果を有する電極面形状については、下地絶縁層１０４の階段形状の階段の深さ（高さ）、段数、及び、ステップ幅などを調整することによって形成することができる。
【００８４】
実施例４に係るアノード電極構造によれば、アノード電極１０５の電極面がリフレクタ効果を有することで、集光効果を高めることができる。
【００８５】
［実施例５］
実施例５は、実施例１の変形例であり、カソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー（共振器）構造に対応する例である。実施例５に係るアノード電極構造の断面図を図１８に示す。
【００８６】
カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成るカラー表示対応の有機ＥＬ表示装置１０では、色純度向上及び高コントラスト化を図るためにキャビティー構造が採られる場合がある。キャビティー構造では、複数色、例えばＲ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）の３原色の光の波長がそれぞれ異なることから、各色のＥＬスペクトルピーク波長にカソード電極−アノード電極間の光路長を合致させ、各色から最も強い光を取り出すように有機ＥＬ層１０７の膜厚を変えるようにしている。
【００８７】
キャビティー構造に対応するために、実施例５に係るアノード電極構造は、下地絶縁層１０４の階段形状に応じた傾斜角度にてアノード電極１０５の電極面を形成することに加えて、下地絶縁層１０４のアノード電極１０５を形成する面（以下、「アノード形成面」と記述する）に、各色の画素（サブピクセル）毎に段差を設けた構造となっている。具体的には、ＲＧＢの各波長の関係はＲ＞Ｇ＞Ｂの関係にあることから、最も波長の長いＲ画素のアノード形成面を基準として、Ｇ画素のアノード形成面を深さｄ1だけ深く形成し、Ｂ画素のアノード形成面を深さｄ2だけ深く形成することで、各色の画素毎にアノード形成面に段差を形成している。
【００８８】
このように、各色の画素毎にアノード形成面に段差を形成した、実施例５に係るアノード電極構造によれば、色純度向上及び高コントラスト化を目的とした、カソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造にも対応することができる。アノード形成面に対する各色の画素毎の段差の形成は、次の２ステップで実現できる。
【００８９】
・ステップ１
先ず、図１９Ａに示すように、レジスト１１６にＧ画素に対応した開口部１１７Ｇをパターニングし、ドライエッチングによって、Ｒ画素のアノード形成面を基準として、深さｄ1だけＧ画素のアノード形成面を削る。削る深さｄ1については、ドライエッチング量によって調整することができる。Ｇ画素のアノード形成面については、下地絶縁層１０４の階段形状の加工の前でも後でも形成可能である。
【００９０】
・ステップ２
次に、図１９Ｂに示すように、レジスト１１６にＢ画素に対応した開口部１１７Ｂをパターニングし、ドライエッチングによって、Ｒ画素のアノード形成面を基準として、深さｄ2だけＢ画素のアノード形成面を削る。削る深さｄ2については、ドライエッチング量によって調整することができる。Ｂ画素のアノード形成面については、下地絶縁層１０４の階段形状の加工の前でも後でも形成可能である。
【００９１】
下地絶縁層１０４に階段形状を形成しない領域（即ち、図５の領域Ａ）については、ステップ１及びステップ２で同時に形成することができる。この場合の領域Ａの掘り込み量は、下地絶縁層１０４に階段形状を形成する領域（即ち、図５の領域Ｂ及び領域Ｃ）と同じ量、即ち、深さｄ1及び深さｄ2となる。また、ステップ１及びステップ２と別工程にて領域Ａの加工を行うようにすることで、領域Ａの掘り込み量を調整することができる。
【００９２】
［実施例６］
実施例６は、実施例１の変形例であり、アノード電極１０５の下地絶縁層１０４の階段形状の加工の他の例である。
【００９３】
実施例１では、下地絶縁層１０４の階段形状を示す図６の第１具体例乃至図９の第４具体例のいずれの場合にも、階段形状の各階段の側面を、基板面に対して垂直に形成した加工例となっている。これに対し、実施例６では、下地絶縁層１０４の階段形状について他の加工手法を採っている。以下に、実施例５に係る下地絶縁層１０４の階段形状の他の加工例１及び加工例２について説明する。
【００９４】
・他の加工例１
実施例５に係る下地絶縁層１０４の階段形状の他の加工例１を図２０Ａに示す。他の加工例１では、表面形状が階段形状の下地絶縁層１０４を加工する際に、周知のドライエッチングの技術によって、各階段の側面（加工面）をテーパー形状とした加工例である。この他の加工例１によれば、下地絶縁層１０４の階段形状に対して、加工直後に、傾斜した面を持たせることができる、換言すれば、側面のテーパー角に応じた傾斜面とすることができる。これによって、下地絶縁層１０４の表面形状を、予め傾斜面を有する階段形状とすることができる。
【００９５】
・他の加工例２
実施例５に係る下地絶縁層１０４の階段形状の他の加工例２を図２０Ｂに示す。他の加工例２では、表面形状が階段形状の下地絶縁層１０４を加工する際に、階段の側面を基板面に対して垂直に加工し、形成された角部を有する加工形状に対して、逆スパッタリング処理などの角部を削る処理を加える加工例である。この他の加工例２によれば、下地絶縁層１０４の表面形状（階段形状）について、アノード電極１０５の被膜性を向上させる形状とすることができる。
【００９６】
［実施例７］
実施例７は、実施例１の変形例であり、アノード電極１０５の傾斜角度についての設計例である。アノード電極１０５の傾斜角度については、画素毎（サブピクセル毎）に任意に設定することができる。以下に、アノード電極１０５の傾斜角度の設計の具体例について説明する。
【００９７】
・第１具体例
第１具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図を図２１Ａに示し、図２１ＡのＥ−Ｅ線に沿った電極断面図を図２１Ｂに示す。第１具体例に係る傾斜角度の設計は、実施例１に示した下地絶縁層１０４の階段形状（図５参照）に対応している。すなわち、画素領域の中央部分の領域Ａでは、アノード電極１０５の電極面は、基板面に対して平行な面、即ち傾斜なしの面となっている。
【００９８】
また、領域Ｂ及び領域Ｃでは、アノード電極１０５の電極面は、画素領域の左右方向（第１の方向／行方向）において外側を向く傾斜面であって、領域Ｂでは、例えば１０〜２０度程度の傾斜面、領域Ｃでは、例えば２０〜３０度程度の傾斜面となっている。領域Ａ、領域Ｂ及び領域Ｃの各領域を画定する画素の行数や列数については任意に設定することができる。
【００９９】
領域Ａ、領域Ｂ及び領域Ｃの各領域の設定については、同心円状であることが好ましいが、同心円状であることに限定されるものではない。後述する具体例においても同様である。
【０１００】
以下に説明する第２具体例乃至第４具体例に係るアノード電極１０５の傾斜角度の設計については、レンズの光軸設計に合わせた設計となる。ここで言うレンズとは、マイクロディスプレイとの組み合わせで用いられる、図４に示すレンズ（レンズ群）８０のことである。
【０１０１】
・第２具体例
第２具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図を図２２Ａに示し、図２２ＡのＦ−Ｆ線に沿った電極断面図を図２２Ｂに示す。第２具体例では、アノード電極１０５の電極面について、画素領域の中央部分では傾斜なしで、周縁部に向かうに従って、画素領域の左右方向において外側を向く傾斜面の角度が、レンズの光軸設計に合わせて細かく領域単位で段階的に大きくなる設計となっている。すなわち、第２具体例に係る傾斜角度の設計は、アノード電極１０５の電極面が外向きで、領域単位で多段傾斜した構成の設計となっている。
【０１０２】
・第３具体例
第３具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図を図２３Ａに示し、図２３ＡのＧ−Ｇ線に沿った電極断面図を図２３Ｂに示す。第３具体例では、アノード電極１０５の電極面について、画素領域の中央部分では傾斜なしで、周縁部に向かうに従って、画素領域の左右方向において内側を向く傾斜面の角度が、レンズの光軸設計に合わせて細かく（例えば、領域単位で）段階的に大きくなる設計となっている。すなわち、第３具体例に係る傾斜角度の設計は、アノード電極１０５の電極面が内向きで、領域単位で多段傾斜した構成の設計となっている。
【０１０３】
・第４具体例
第４具体例に係る傾斜角度の設計についての電極平面図を図２４Ａに示し、図２４ＡのＨ−Ｈ線に沿った電極断面図を図２４Ｂに示す。第４具体例では、画素領域の左右方向の一方側のアノード電極１０５の電極面を傾斜なしとし、他方側のアノード電極１０５の電極面を最大傾斜角度とする。そして、画素領域の一方側から他方側に向かうに従って、外側を向く傾斜面の角度が、レンズの光軸設計に合わせて細かく（例えば、画素列単位又は複数の画素列単位で）連続的に大きくなる設計となっている。
【０１０４】
すなわち、第４具体例に係る傾斜角度の設計は、アノード電極１０５の電極面が外向きで、画素領域の左右方向において一方向に細かく連続的に傾斜した構成の設計となっている。尚、第４具体例に係る傾斜角度の設計では、アノード電極１０５の電極面の向きを外向きとしているが、内向きであってもよい。
【０１０５】
［実施例８］
実施例８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法の例である。本実施形態に係る製造方法では、有機ＥＬ素子２１を含む画素２０が基板１０１上に配置されて成る画素領域（画素アレイ部３０）を有する有機ＥＬ表示装置１０の製造に当たって、画素領域内に、有機ＥＬ素子２１のアノード電極１０５が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域を設ける。そして、下地絶縁層１０４の表面形状に応じた傾斜角度にてアノード電極１０５の電極面を形成する。
【０１０６】
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の要部の製造工程、特に、下地絶縁層１０４及びアノード電極１０５を形成する工程について、図２５、図２６及び図２７の工程図を用いて説明する。以下では、画素２０の回路素子が形成され、その上に下地絶縁層１０４が積層され、当該下地絶縁層１０４の上面が平坦化された以降の工程について説明する。また、ここでは、下地絶縁層１０４の階段形状として、図５に示す３段の場合を例に挙げて説明する。
【０１０７】
平坦化された下地絶縁層１０４に、画素領域の内外で予め設計された上下左右の階段のレイアウト位置及び階段幅の設計値のリソグラフィー用マスク１１８を用い、階段形状の１段目に対応した開口パターン１１８Ａを通して、１段目の加工段差をドライエッチング工程にて形成する（工程１）。次いで、１段目の加工段差に対して、階段形状の２段目に対応して設計された開口パターン１１８Ｂを通して、２段目の加工段差をドライエッチング工程にて形成する（工程２）。更に、２段目の加工段差に対して、階段形状の３段目に対応して設計された開口パターン１１８Ｃを通して、３段目の加工段差をドライエッチング工程にて形成する（工程３）。
【０１０８】
上記の例では、階段形状について、１段目→２段目→３段目の順に段差を加工するとしたが、この順番に限られるものではなく、３段目→２段目→１段目の順に段差を加工するようにしてもよい。また、各階段の深さ（高さ）については、ドライエッチング工程で削る量によって調整することができる。尚、階段形状の段数が４段以上の場合には、上述した加工段差の形成工程を、階段の設計値に応じて繰り返すことになる。
【０１０９】
階段形状を形成した後、種々の工程を経て、メタル材料、例えばタングステン（Ｗ）を埋め込んでコンタクト部１１４を形成する（工程４）。タングステン（Ｗ）を埋め込むことによって下地絶縁層１０４の階段形状が平滑化され、次いで、例えばＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）による仕上げが行われる。その後、下地絶縁層１０４の平滑化された階段形状の上にアノード電極１０５が形成され、その上に有機ＥＬ層１０７が形成される（工程５）。そして、全体的に絶縁膜１１９が形成され、次いで、当該絶縁膜１１９に対してアノード電極１０５の上に開口部１１９Ａが形成される（工程６）。
【０１１０】
以上説明した工程１乃至工程６を含む各処理工程を経ることにより、例えば図５に示す表面形状が階段形状の下地絶縁層１０４、及び、当該下地絶縁層１０４の表面形状に応じた傾斜角度のアノード電極１０５を有するアノード電極構造を作製することができる。そして、アノード電極１０５の基板面に対する傾斜角度について、画素毎に、下地絶縁層１０４の表面形状に応じて、任意の傾斜角度にて自由に設定できるため、高い視野角特性を確保することができる。特に、図２８に示すように、レンズ８０との組み合わせで用いられるマイクロディスプレイにあっては、レンズ８０の光取込み光軸に合わせた設計を行うことが可能となるため、高い視野角特性を確保することができる。
【０１１１】
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
【０１１２】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、高い視野角特性を確保することができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器の表示部について、高い視野角特性を確保できる。特に、本開示の表示装置が、レンズとの組み合わせで用いられるマイクロディスプレイの場合には、レンズの光取込み光軸に合わせた設計を行うことが可能となるため、高い視野角特性を確保できる。
【０１１３】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。
【０１１４】
（具体例１）
図２９は、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２９Ａにその正面図を示し、図２９Ｂにその背面図を示す。
【０１１５】
本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。
【０１１６】
そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１１７】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１１８】
［具体例２］
図３０は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
【０１１９】
本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【０１２０】
本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
【０１２１】
鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。
【０１２２】
上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１２３】
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
【０１２４】
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ−１］発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、
画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられており、
アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する、
表示装置。
［Ａ−２］下地絶縁層の表面形状が階段形状であり、
アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に形成されている、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−３］アノード電極の電極面の傾斜角度は、下地絶縁層の階段形状の階段の深さ、段数、及び、ステップ幅によって決まる、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−４］下地絶縁層の階段形状は、メタル材料で埋め込まれて平滑化されており、
アノード電極は、下地絶縁層の平滑化された上に形成されている、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−５］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向及び第２の方向で対称である、
上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−６］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向で非対称であり、非対称の一方の電極面側が非発光部側となっている、
上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−７］アノード電極は、非発光部側の電極面のメタル材料の有無による反射効果の有無の選択が可能な構造を有する、
上記［Ａ−６］に記載の表示装置。
［Ａ−８］アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に直接形成され、電極面が階段形状を有する、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−９］アノード電極は、リフレクタ効果を有する電極面形状を有する、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−１０］カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成り、発光部のカソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造を有する場合、
下地絶縁層のアノード電極の形成面に、複数色の副画素毎に段差が設けられている、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−１１］複数色の副画素は、赤色、緑色及び青色の３原色の副画素から成り、
赤色の副画素のアノード電極の形成面を基準に、他の副画素のアノード電極の形成面を決定する、
上記［Ａ−１０］に記載の表示装置。
［Ａ−１２］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、側面をテーパー形状とする加工が施されている、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−１３］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、角部を削る処理が施されている、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−１４］発光部は、有機ＥＬ素子から成る、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−１３］のいずれかに記載の表示装置。
【０１２５】
≪Ｂ．表示装置の製造方法≫
［Ｂ−１］発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有する表示装置の製造に当たって、
画素領域内に、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域を設け、
下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度にてアノード電極の電極面を形成する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ−２］下地絶縁層の表面形状が階段形状であり、
アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に形成されている、
上記［Ｂ−１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−３］アノード電極の電極面の傾斜角度は、下地絶縁層の階段形状の階段の深さ、段数、及び、ステップ幅によって決まる、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−４］下地絶縁層の階段形状は、メタル材料で埋め込まれて平滑化されており、
アノード電極は、下地絶縁層の平滑化された上に形成されている、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−５］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向及び第２の方向で対称である、
上記［Ｂ−４］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−６］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向で非対称であり、非対称の一方の電極面側が非発光部側となっている、
上記［Ｂ−４］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−７］アノード電極は、非発光部側の電極面のメタル材料の有無による反射効果の有無の選択が可能な構造を有する、
上記［Ｂ−６］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−８］アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に直接形成され、電極面が階段形状を有する、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−９］アノード電極は、リフレクタ効果を有する電極面形状を有する、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−１０］カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成り、発光部のカソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造を有する場合、
下地絶縁層のアノード電極の形成面に、複数色の副画素毎に段差が設けられている、
上記［Ｂ−１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−１１］複数色の副画素は、赤色、緑色及び青色の３原色の副画素から成り、
赤色の副画素のアノード電極の形成面を基準に、他の副画素のアノード電極の形成面を決定する、
上記［Ｂ−１０］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−１２］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、側面をテーパー形状とする加工が施されている、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−１３］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、角部を削る処理が施されている、
上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−１４］発光部は、有機ＥＬ素子から成る、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−１３］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【０１２６】
≪Ｃ．電子機器≫
［Ｃ−１］発光部を含む画素が基板上に配置されて成る画素領域を有し、
画素領域内には、発光部のアノード電極が、基板面に対して傾斜した画素を含む領域が設けられており、
アノード電極の電極面は、下地絶縁層の表面形状に応じた傾斜角度を有する、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ−２］下地絶縁層の表面形状が階段形状であり、
アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に形成されている、
上記［Ｃ−１］に記載の電子機器。
［Ｃ−３］アノード電極の電極面の傾斜角度は、下地絶縁層の階段形状の階段の深さ、段数、及び、ステップ幅によって決まる、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−４］下地絶縁層の階段形状は、メタル材料で埋め込まれて平滑化されており、
アノード電極は、下地絶縁層の平滑化された上に形成されている、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−５］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向及び第２の方向で対称である、
上記［Ｃ−４］に記載の電子機器。
［Ｃ−６］アノード電極の電極面の傾斜角度は、平面視での電極中心に関して第１の方向で非対称であり、非対称の一方の電極面側が非発光部側となっている、
上記［Ｃ−４］に記載の電子機器。
［Ｃ−７］アノード電極は、非発光部側の電極面のメタル材料の有無による反射効果の有無の選択が可能な構造を有する、
上記［Ｃ−６］に記載の電子機器。
［Ｃ−８］アノード電極は、下地絶縁層の階段形状の上に直接形成され、電極面が階段形状を有する、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−９］アノード電極は、リフレクタ効果を有する電極面形状を有する、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−１０］カラー画像を形成する単位となる１画素が複数色の副画素から成り、発光部のカソード電極−アノード電極間での光の共振効果を利用するキャビティー構造を有する場合、
下地絶縁層のアノード電極の形成面に、複数色の副画素毎に段差が設けられている、
上記［Ｃ−１］に記載の電子機器。
［Ｃ−１１］複数色の副画素は、赤色、緑色及び青色の３原色の副画素から成り、
赤色の副画素のアノード電極の形成面を基準に、他の副画素のアノード電極の形成面を決定する、
上記［Ｃ−１０］に記載の電子機器。
［Ｃ−１２］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、側面をテーパー形状とする加工が施されている、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−１３］下地絶縁層の階段形状の各階段に対して、角部を削る処理が施されている、
上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−１４］発光部は、有機ＥＬ素子から成る、
上記［Ｃ−１］乃至上記［Ｃ−１３］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１２７】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、８０・・・レンズ（レンズ群）、１０１・・・基板、１０２・・・回路層、１０３・・・無機絶縁層、１０４・・・下地絶縁層、１０５・・・アノード電極、１０６・・・有機絶縁層、１０７・・・有機ＥＬ層、１０８・・・カソード電極
【図１】
2019188416.tif 000003
【図２】
2019188416.tif 000004
【図３】
2019188416.tif 000005
【図４】
2019188416.tif 000006
【図５】
2019188416.tif 000007
【図６】
2019188416.tif 000008
【図７】
2019188416.tif 000009
【図８】
2019188416.tif 000010
【図９】
2019188416.tif 000011
【図１０】
2019188416.tif 000012
【図１１】
2019188416.tif 000013
【図１２】
2019188416.tif 000014
【図１３】
2019188416.tif 000015
【図１４】
2019188416.tif 000016
【図１５】
2019188416.tif 000017
【図１６】
2019188416.tif 000018
【図１７】
2019188416.tif 000019
【図１８】
2019188416.tif 000020
【図１９】
2019188416.tif 000021
【図２０】
2019188416.tif 000022
【図２１】
2019188416.tif 000023
【図２２】
2019188416.tif 000024
【図２３】
2019188416.tif 000025
【図２４】
2019188416.tif 000026
【図２５】
2019188416.tif 000027
【図２６】
2019188416.tif 000028
【図２７】
2019188416.tif 000029
【図２８】
2019188416.tif 000030
【図２９】
2019188416.tif 000031
【図３０】
2019188416.tif 000032
【国際調査報告】
2019188416.tif 000033
2019188416.tif 000034
2019188416.tif 000035
2019188416.tif 000036