(57)【要約】  表面実装部品用のランド（１０）は、それぞれ異なる幅を有する複数のランド領域（１１ａ、１１ｂ）を備える。複数のランド領域に含まれる各ランド領域が、幅に従った順序で幅方向の中心を揃えて組み合わされて１のランドに結合される。１のランドに結合された複数のランド領域において隣接または領域の一部が重複する２のランド領域のうち幅が大きい方のランド領域の、隣接または重複する側に対向する側の幅方向の中央部に切り欠き形状（１２）が設けられる。
2020040067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる幅を有する複数のランド領域を備え、
前記複数のランド領域に含まれる各ランド領域が、前記幅に従った順序で前記幅方向の中心を揃えて組み合わされて１のランドに結合され、
前記１のランドに結合された前記複数のランド領域において隣接または領域の一部が重複する２のランド領域のうち前記幅が大きい方のランド領域の、該隣接または該重複する側に対向する側の前記幅方向の中央部に切り欠き形状が設けられる
表面実装部品用のランド。
【請求項２】
前記切り欠き形状は、
前記幅方向の長さが、前記２のランド領域のうち前記幅が小さい方のランド領域に対応する部品の前記幅方向の長さより短い
請求項１に記載の表面実装部品用のランド。
【請求項３】
前記切り欠き形状は、
前記大きい方のランド領域の導体膜を切り欠くことで設けられる
請求項１に記載の表面実装部品用のランド。
【請求項４】
前記切り欠き形状は、
前記大きい方のランド領域に対して絶縁皮膜を形成することで設けられる
請求項１に記載の表面実装部品用のランド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装部品用のランドに関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板配線の設計において、当該プリント基板に表面実装するチップ部品のサイズなどの仕様が設計後に変更される場合がある。この場合、チップ部品を表面実装するためのランドのサイズ変更を含む配線の修正が必要になる。そこで、この設計後の修正に掛かるコストを削減するために、予め複数の部品サイズに対応可能としたランド形状が提案されている。【０００３】
例えば、異なる２つの部品サイズに対応可能としたランドの場合、２つの部品のうち小さな部品に対応するランドと、大きな部品に対応するランドとを凸状に組み合わせた形状のランドが提案されている。当該形状の１対のランドを、小さな部品に対応する部分が内側、大きな部品に対応する部分が外側になるように対向させて配置する（例えば特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３０８５０３号公報
【特許文献２】特開２００３−２４３８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の形状のランドに対して部品を実装（はんだ付け）する場合、大きな部品を実装する際は、安定したフィレット形状を得ることができる。一方、小さな部品を実装する際は、電極の先端側のはんだ付け部が長くなるため、加熱したはんだの溶解時に働く、電極の外側に向けた力が大きくなり、はんだ未接合、部品立ちなどの不具合が発生するおそれがある。【０００６】
本開示は、複数サイズの部品の実装に対応し、且つ、部品実装の際の不具合を抑制可能な表面実装部品用のランドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本開示の表面実装部品用のランドは、それぞれ異なる幅を有する複数のランド領域を備え、複数のランド領域に含まれる各ランド領域が、幅に従った順序で幅方向の中心を揃えて組み合わされて１のランドに結合され、１のランドに結合された複数のランド領域において隣接または領域の一部が重複する２のランド領域のうち幅が大きい方のランド領域の、隣接または重複する側に対向する側の幅方向の中央部に切り欠き形状が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る表面実装部品用のランドの一例の構成を示す図である。
【図２Ａ】ランドに対して小さいチップ部品を実装した状態を模式的に示す図である。
【図２Ｂ】ランドに対して大きいチップ部品を実装した状態を模式的に示す図である。
【図３】実施形態に係るランドの形成方法を説明するための図である。
【図４】実施形態に係るランドの各部のサイズの例を説明するための図である。
【図５】既存技術による、複数サイズのチップ部品に対応可能としたランドの例を示す図である。
【図６】既存技術によるランドに、対応する大きなサイズのチップ部品を実装した様子を模式的に示す図である。
【図７Ａ】既存技術によるランドに、対応する小さなサイズのチップ部品をはんだ付けした様子を模式的に示す図である。
【図７Ｂ】既存技術によるランドに、対応する小さなサイズのチップ部品をはんだ付けした様子を模式的に示す図である。
【図７Ｃ】既存技術によるランドに、対応する小さなサイズのチップ部品をはんだ付けした様子を模式的に示す図である。
【図８】単一のチップ部品のサイズに適合して形成された一般的なランドにチップ部品を実装した様子を模式的に示す図である。
【図９】実施形態に係るランドに実際にチップ部品を実装した実験例を示す図である。
【図１０】実施形態に係るランドに実際にチップ部品を実装した実験例を示す図である。
【図１１Ａ】実施形態に適用可能な、絶縁皮膜を用いてランドを形成する例を示す図である。
【図１１Ｂ】実施形態に適用可能な、絶縁皮膜を用いてランドを形成する例を示す図である。
【図１１Ｃ】実施形態に適用可能な、絶縁皮膜を用いてランドを形成する例を示す図である。
【図１２】実施形態に係る阻害領域内にスルーホールを設ける例を示す図である。
【図１３】実施形態の変形例に係る３のサイズのチップ部品を実装可能としたランドの一例の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより、重複する説明を省略する。
【００１０】
［実施形態に係るランド形状］
図１は、実施形態に係る表面実装部品用のランドの一例の構成を示す図である。図１において、実施形態に係る表面実装部品用のランド１０および１０’が基板上に配置された様子が示されている。実施形態に係るランド１０は、ランド領域１１ａおよび１１ｂを含み、ランド領域１１ａに対して、切り欠き形状により阻害領域１２が形成されている。ランド領域１１ａおよび１１ｂは、それぞれ、銅、銀、金、アルミニウムなどの表面処理を与えたはんだ付け可能な金属配線用の導体による導体膜により形成される。これに対して、阻害領域１２は、はんだ付けが阻害される領域である。図１の例では、阻害領域１２は、ランド領域１１ａの一部を切り欠くことで形成されている。
【００１１】
ランド領域１１ａは、図１において点線で示される第１の大きさの表面実装部品２０の電極幅に対応する大きさを有する。ここで、ランド領域１１ａの大きさは、阻害領域１２を含んだ大きさを指すものとする。また、ランド領域１１ｂは、同様に図１において点線で示される、第１の大きさよりも小さい、第２の大きさの表面実装部品２１の電極幅に対応する大きさを有する。
【００１２】
ランド領域１１ａおよび１１ｂは、その大きさに従い、ランド１０と、当該ランド１０と対になるランド１０’とが基板上に所定に配置された場合の、ランド１０および１０’の中点３０に向けて、中点３０に近いほど小さいランド領域が配置されるように組み合わせられる。図１の例では、ランド１０において、中点３０に最も近い方からランド領域１１ｂ、ランド領域１１ａの順に、ランド領域１１ａおよび１１ｂが配置され、１のランド１０として結合される。
【００１３】
なお、図１および以降の同様な図において、表面実装部品２０および２１の電極の電極幅は、図における短手方向の長さを指すものとする。また、当該電極の長手方向の長さを、電極長さと呼ぶ。ランド領域１１ａおよび１１ｂは、それぞれ、対応する表面実装部品２０および２１の電極の電極幅および電極長さに対して所定のマージンを持った大きさに設計される。
【００１４】
表面実装部品２０および２１は、図における長手方向の両端側にはんだ付け電極を備える所謂チップ部品であって、具体的には、例えばチップ型積層セラミックコンデンサ、チップ型積層インダクタ、チップフェライトビーズ、チップ型抵抗などである。以下、特に記載の無い限り、表面実装部品２０および表面実装部品２１を、それぞれチップ部品２０およびチップ部品２１と記述する。
【００１５】
ランド１０’は、ランド１０と対をなすもので、ランド１０と同一の構成を有し、基板上において、ランド１０と対向する方向を向けて配置される。ランド１０’において、ランド領域１１ａ’および１１ｂ’は、それぞれ。ランド１０のランド領域１１ａおよび１１ｂに対応する。同様に、阻害領域１２’は、ランド１０の阻害領域１２に対応する。
【００１６】
図１に示されるように、１対のランド１０および１０’を、ランド領域１１ｂとランド領域１１ｂ’とを向かい合わせて基板上に配置する。このとき、ランド１０および１０’の中点３０に各チップ部品２０および２１における部品装着のためのセンター座標を合わせた場合に、チップ部品２０の両端の電極がランド領域１１ａおよび１１ａ’の所定位置にそれぞれ配置され、且つ、チップ部品２１の両端の電極がランド領域１１ｂおよび１１ｂ’の所定位置にそれぞれ配置されるように、ランド１０および１０’を基板上に配置する。
【００１７】
すなわち、ランド１０は、ランド領域１１ａおよび１１ｂが、それぞれの電極幅方向が並行で、且つ、それぞれの電極幅方向の中心が当該電極幅方向に垂直な線３１（以降、中心線３１と呼ぶ）上に乗るように形成される。
【００１８】
図２Ａは、ランド１０および１０’に対して小さいチップ部品２１を実装した状態を模式的に示す図である。チップ部品２１の長手方向の両端の電極部分２０１および２０１’がそれぞれランド領域１１ｂおよび１１ｂ’に乗っているのが分かる。
【００１９】
電極部分２０１および２０１’のはんだ付けの際に、例えばランド１０において、辺ＡおよびＡ’ではハンダ溶融時のチップ部品２１（電極部分２０１）の幅方向の挙動が抑えられ、電極部分２０１をランド領域１１ｂの中央に戻す力が働く。また、例えばランド１０において、阻害領域１２に係る辺Ｂでは、ハンダ溶融時のチップ部品２１（電極部分２０１）の長手方向の挙動が抑えられ、電極部分２０１をランド領域１１ｂの中央に戻す力が働く。これらの挙動は、セルフアライメントと呼ばれる。
【００２０】
図２Ｂは、ランド１０および１０’に対して大きいチップ部品２０を実装した状態を模式的に示す図である。チップ部品２０の長手方向の両端の電極部分２００および２００’がそれぞれランド領域１１ａおよび１１ａ’に乗っているのが分かる。
【００２１】
電極部分２００および２００’のはんだ付けの際に、例えばランド１０において、辺ＣおよびＣ’ではハンダ溶融時のチップ部品２０（電極部分２００）の幅方向の挙動が抑えられ、電極部分２００をランド領域１１ａの中央に戻す力が働く。また、例えばランド１０において、辺Ｄでは、ハンダ溶融時のチップ部品２０（電極部分２００）の長手方向の挙動が抑えられ、電極部分２００をランド領域１１ａの中央に戻す力が働く。
【００２２】
このように、実施形態に係るランド１０は、異なるサイズのチップ部品２０および２１の何れに対しても、電極幅方向および部品の長手方向のはんだ濡れ挙動時の不安定な力を抑制でき、高品質なはんだ付けが可能となる。
【００２３】
図３は、実施形態に係るランド１０の形成方法を説明するための図である。なお、図３において、各ステップＳ１００〜ステップＳ１０４は、ランド１０の形成方法の説明のための便宜上のものであり、ランド１０の実際の形成手順を示すものではない。
【００２４】
ステップＳ１００は、小さいチップ部品２１のためのランド領域１１ｂの例を示している。ランド領域１１ｂは、チップ部品２１の電極部分２０１に対して所定のマージンを持った大きさとする。同様に、ステップＳ１０１は、大きいチップ部品２０のためのランド領域１１ａの例を示している。ランド領域１１ａは、チップ部品２０の電極部分２００に対して所定のマージンを持った大きさとする。
【００２５】
ステップＳ１０２は、ランド領域１１ａおよび１１ｂを組み合わせた状態の例を示している。座標３２ｃは、チップ部品２１のセンター座標３２ｂと、チップ部品２２のセンター座標３２ａとを一致させた座標を示している。この座標３２ｃは、ランド領域１１ａおよび１１ｂを組み合わせたランド１０と、当該ランド１０と対になるランド１０’との中点３０に対応する。
【００２６】
ステップＳ１０２に示すように、ランド領域１１ａおよび１１ｂを、センター座標３２ｂからランド領域１１ｂまでの距離と、センター座標３２ａからランド領域１１ａまでの距離との関係を保ち、且つ、ランド領域１１ａおよび１１ｂの電極幅方向の中心を中心線３１に揃えて、組み合わせる。ランド領域１１ａおよび１１ｂは、隣接、または、一部の領域を重複させて、組み合わせられる。
【００２７】
ステップＳ１０３およびステップＳ１０４は、ランド領域１１ａおよび１１ｂを組み合わせた構成に対して切り欠き形状を設け、当該切り欠き形状により阻害領域１２を形成する様子の例を示している。ステップＳ１０３に示す例では、阻害領域１２は、電極幅方向ではランド領域１１ｂの幅より狭い幅で設けられる。また、阻害領域１２は、チップ部品２０（チップ部品２１）の長手方向では、ランド領域１１ａの座標３２ｃに対向する端（図３上においてランド領域１１ａの左端）から、ランド領域１１ｂの座標３２ｃに対向する端（図３上においてランド領域１１ｂの左端）までの長さで設けられる。ステップＳ１０４において、このようにして、ランド領域１１ａとランド領域１１ｂとが組み合わされた構成に対して阻害領域１２が形成されたランド１０の形状の例を示している。
【００２８】
図４は、実施形態に係るランド１０の各部のサイズの例を説明するための図である。ランド領域１１ａに対する切り欠き形状により形成される阻害領域１２の電極幅方向の幅ａは、ランド領域１１ｂに対応するチップ部品２１の電極幅ｂより短くする。幅ａを電極幅ｂよりも短くすることで、チップ部品２１実装時のはんだ溶融時に余ったはんだの逃げ道を設けることができる。具体的な例としては、幅ａは、電極幅ｂの１／３乃至４／５程度とする。
【００２９】
チップ部品２１の電極幅方向の端とランド領域１１ｂの対応する辺Ａとの間の距離ｃ、および、チップ部品２１の長手方向の端とランド領域１１ｂの対応する辺Ｂとの間の距離ｃ’は、はんだ付け時にチップ部品２１に対してセルフアライメント性を持たせるために好ましいとされる既知の距離（０．１ｍｍなど）とする。ランド領域１１ａに対応するチップ部品２０の電極幅方向の端とランド領域１１ａの対応する辺Ｃとの間の距離ｄ、および、チップ部品２０の長手方向の端とランド領域１１ａの対応する辺Ｄとの間の距離ｄ’も同様に、はんだ付け時にチップ部品２０に対してセルフアライメント性を持たせるために好ましいとされる既知の距離とする。
【００３０】
ランド１０と、当該ランド１０と対になるランド１０’とを、チップ部品２０および２１を実装可能に基板に配置した際の中点３０からチップ部品２０の長手方向の端との間の距離ｅと、当該中点３０からチップ部品２１の長手方向の端との間の距離ｆと、は、それぞれ、チップ部品２０および２１それぞれの長手方向の長さに応じた距離である。したがって、チップ部品２０および２１が決まれば、ランド１０の形状および各部サイズを略一意に決めることができる。
【００３１】
上述では、２種類のサイズのチップ部品２０および２１を、同一のランド１０（およびランド１０’）により実装可能としている。このようなチップ部品２０および２１のサイズの組み合わせの例（１）〜（５）を、以下に示す。なお、各サイズにおいて、「０４０２」、「０６０３」などの４桁の数字は、ＪＩＳ(Japanese  Industrial  Standards)により定められた、チップ部品の標準サイズの略称である。
【００３２】
・組み合わせ例（１）
チップ部品２１：０４０２（０．４×０．２ｍｍ）
チップ部品２０：０６０３（０．６×０．３ｍｍ）
・組み合わせ例（２）
チップ部品２１：０６０３（０．６×０．３ｍｍ）
チップ部品２０：１００５（１．０×０．５ｍｍ）または１１０６（１．１×０．６ｍｍ）
・組み合わせ例（３）
チップ部品２１：１００５（１．０×０．５ｍｍ）または１１０６（１．１×０．６ｍｍ）
チップ部品２０：１６０８（１．６×０．８ｍｍ）
・組み合わせ例（４）
チップ部品２１：１６０８（１．６×０．８ｍｍ）または１７０９（１．７×０．９ｍｍ）
チップ部品２０：２０１２（２．０×１．２５ｍｍ）
・組み合わせ例（５）
チップ部品２１：２０１２（２．０×１．２５ｍｍ）
チップ部品２０：３２１６（３．２×１．６ｍｍ）
【００３３】
なお、チップ部品２０および２１のサイズの組み合わせは、上述の組み合わせ例（１）〜（５）に限定されず、さらに他のサイズの組み合わせも可能である。
【００３４】
［既存技術との対比］
次に、実施形態に係るランド１０を、既存の技術と対比させて、その効果について説明する。図５は、既存技術（例えば特許文献１、２）による、複数サイズのチップ部品に対応可能としたランドの例を示す図である。図５において、ランド１００は、大きなサイズのチップ部品２０に対応するランド領域１１１ａと、小さなサイズのチップ部品２１に対応するランド領域１１１ｂと、それらの中間のサイズのチップ部品２２に対応するランド領域１１１ｃと、を組み合わせた構成を有する。ランド１００と対となるランド１００’も同様である。ランド１００は、実施形態に係るランド１０における阻害領域１２を持たない形状とされている。
【００３５】
この図５に示すランド１００の形状に対してチップ部品を実装する例について、図６、および、図７Ａ〜図７Ｃを用いて説明する。図６は、既存技術によるランド１００および１００’に、対応する大きなサイズのチップ部品２０を実装すなわちはんだ付けした様子を模式的に示す図である。図６に示すように、ランド１００および１００’に対する大きめの部品、例えばチップ部品２０をはんだ付けした場合には、はんだ３０１および３０１’の形状が安定したフィレット形状となる。これは、安定したはんだ付けが行われたことを示している。
【００３６】
図７Ａ〜図７Ｃは、既存技術によるランド１００および１００’に、対応する小さなサイズのチップ部品２１をはんだ付けした様子を模式的に示す図である。図７Ａに示すように、ランド１００および１００’に対する小さめの部品、例えばチップ部品２１をはんだ付けした場合には、チップ部品２１の電極部分２０１および２０１’の先端側のはんだ付け部が、チップ部品のはんだ付けにおいて好ましいとされる既知の距離に対して長くなる。そのため、加熱されたはんだ３０１および３０１’の溶融時に、チップ部品２１の長手方向両端側に向けてはんだを引っ張る力Ｆ１およびＦ２が大きくなる。
【００３７】
ここで、力Ｆ１およびＦ２の差は、実装される部品の挙動が不安定となる要因となる。また、力Ｆ１およびＦ２の差に加えて、はんだ付けを行う際のはんだ供給量のチップ部品両端での体積バラツキ、チップ部品装着時の装着狙い位置からのズレ量のバラツキ、チップ部品両端のランド１００および１００’のはんだ溶融タイミングの差なども、部品挙動が不安定となる要因となる。
【００３８】
はんだ付けにより部品挙動が不安定になると、図７Ｂに示すはんだ未接続や、図７Ｃに示す部品立ちといった接合不良が発生し易くなる。図７Ｂの例では、例えば力Ｆ２が力Ｆ１より大きいために、チップ部品２１がランド１００’の方向に引っ張られ、電極部分２０１がランド１００に十分にはんだ付けされていない状態が発生している。また、図７Ｃの例では、例えば図７Ｂの例よりも力Ｆ２と力Ｆ１との差が大きく、チップ部品２１がランド１００’の方向に大きく引っ張られ、チップ部品２１が基板３００に対して立ち上がってしまっている。
【００３９】
このように、図５に示したランド１００および１００’のようなランド形状は、小さいサイズのチップ部品２１や中間サイズのチップ部品２２を実装する際に、はんだ付けの品質が悪化するおそれがある。図５では、同一のランド１００でサイズが異なる３種類のチップ部品２０、２１および２２に対応可能とした例を示しているが、サイズが異なる２種類のチップ部品に対応可能とした場合であっても同様の問題が発生する。例えばチップ型積層セラミックコンデンサやチップ型抵抗は、１基板当たりの使用点数が多いため、既存技術による複数サイズのチップ部品に対応するランド１００および１００’の形状は、各部品が実装された基板の品質悪化の要因となり得る。
【００４０】
また、図７Ａの例では、図７Ｂおよび図７Ｃに示したような接合不良は発生していない。しかしながら、図７Ａに示されるような、長いはんだ付け寸法は、製品使用時の温度の上昇および下降の繰り返しによるはんだ付け部への応力の影響によるはんだ接合部の破壊も発生し易くなるため、適正なランド形状とはいえない。
【００４１】
図８は、単一のチップ部品２１のサイズに適合して形成された、一般的なランド１０１および１０１’にチップ部品２１を実装した様子を模式的に示す図である。この場合、チップ部品２１の例えば電極部分２０１の端と、ランド１０１の端との距離が短く、ハンダ溶融時のはんだを引っ張る力Ｆ１’およびＦ２’がチップ部品２１の高さからランド１０１の端の方向へと働く。このように、力Ｆ１’およびＦ２’の方向が、図７Ａに示す長いはんだ付け寸法を持つ場合の力Ｆ１およびＦ２の方向と異なるため、図７Ｂおよび図７Ｃに示したような接合不良が発生しにくい。
【００４２】
実施形態に係るランド１０は、異なるサイズのチップ部品２０および２１の電極幅にそれぞれ対応するランド領域１１ａおよび１１ｂを組み合わせて形成されている。このとき、ランド領域１１ａに対してはんだ付けを阻害する阻害領域１２が設けられ、ランド領域１１ｂにおけるはんだ付け寸法が短く抑えられている。そのため、ランド領域１１ｂに実装されたチップ部品２１の状態を、図８に示す、一般的なランド１０１および１０１’に対して実装されたチップ部品２１の状態と同等とすることができ、小さいサイズのチップ部品２１に対する安定したはんだ付けが可能となる。
【００４３】
したがって、一般的なサイズのチップ部品（チップ型積層セラミックコンデンサ、チップ型積層インダクタ、チップフェライトビーズ、チップ型抵抗、チップコンダクタなどの、直方体で２つの対向電極を持った形状の部品）において、異なるサイズの複数のチップ部品２０および２１を、実施形態に係る１つのランド１０により高品質に実装可能となる。
【００４４】
またそのため、例えば、同一の特性を持ちサイズが異なるチップ部品を、同一のランド１０により実装でき、基板設計を変更することなく異部品を使い分けることが可能となる。さらに、阻害領域１２により小さいチップ部品２１に対応するランド領域１１ｂの面積が制限されるため、リフロー方式において印刷するはんだの量を、チップ部品のサイズに関わらず同一の量とすることが可能である。
【００４５】
さらにまた、実施形態に係るランド１０は、対応可能な各サイズのチップ部品２０および２１の電極部分２００および２０１の先端側および側面側に、セルフアライメント性を持たせるための領域を設けている。特に、サイズが小さいチップ部品２１の電極部分２０１の先端側は、阻害領域１２により、セルフアライメントために適切な領域を設けることができる。そのため、チップ部品２０および２１の装着時のズレが発生した場合の接合不良の発生を抑制することが可能である。
【００４６】
また、層型セラミックコンデンサのように、部品の高容量化に伴い、同容量でサイズが異なるチップ部品（標準サイズ「０６０３」と「０７０４」、標準サイズ「１００５」と「１１０６」、標準サイズ「１６０８」と「１７０９」など）が存在する。このような特性が共通でサイズが異なるチップ部品に対しても、実施形態に係るランド１０を用いることで、１つのランド１０で特性が共通でサイズが異なる複数のチップ部品を使い分けることが可能となる。
【００４７】
さらに、コンデンサから抵抗への変更、抵抗からインダクタへの変更など、同一のランドに実装される部品を異なる種類の部品に変更することが有り得る。このような場合であっても、実施形態に係るランド１０を用いることで、実装の変更をより確実に実施可能となり、設計上の制約を緩和することが可能となる。
【００４８】
図９は、実施形態に係るランド１０および１０’に、実際にチップ部品２１を実装した実験例を示す図である。また、図１０は、当該ランド１０および１０’に、実際のチップ部品２０を実装した実験例を示す図である。なお、図９および図１０は、ランド１０の端からランド１０’の端までの長さＬを共通として示されている。また、図９および図１０の例では、ランド１０（および１０’）は、上述した組み合わせ例（２）による、標準サイズ「０６０３」および「１００５」の２種類のサイズに対応するように、ランド領域１１ａおよび１１ｂが形成されている。
【００４９】
図９の実験例では、阻害領域１２に対するはんだ付けが阻害されていることが分かる。また、図９に示すチップ部品２１の実装において、チップ部品２１の両端側におけるはんだ３０１および３０１’の形状が安定したフィレット形状となっていることが分かる。これは、安定したはんだ付けが行われたことを示している。
【００５０】
また、この実験においては、実際にチップ部品２０および２１の電極幅（チップ部品２０においては０．２５ｍｍ、チップ部品２１においては０．１５ｍｍ）相当の装着ズレを起こした状態で加熱してはんだ付けした場合でも、図７Ｃに示したような部品立ちによる接合不良を抑制できることが確認されている。
【００５１】
［実施形態に係るランドの形成方法の他の例］
次に、実施形態に係るランド１０の形成方法の他の例について説明する。上述した図１〜図４に示したランド１０および１０’は、例えば基板面の導体膜のランド１０および１０’以外の部分をエッチングなどにより除去して形成している。これはこの例に限定されず、ランド１０および１０’は、基板面の導体膜に対して、はんだ付けを阻害する絶縁皮膜を設けて形成することも可能である。
【００５２】
図１１Ａ〜図１１Ｃは、実施形態に適用可能な、絶縁皮膜を用いてランド１０を形成する例を示す図である。絶縁被膜としては、ソルダーレジストを用いるのが一般的である。なお、ランド１０と対となるランド１０’については、ランド１０と同一の構成であるため、図１１Ａ〜図１１Ｃにおいて省略されている。
【００５３】
図１１Ａは、矩形の導体膜４０に対して、絶縁皮膜１３によりランド１０の形状を形成した例を示す図である。すなわち、図１１Ａの構成では、ランド１０の領域に絶縁皮膜１３を被覆させないことで、ランド１０においてはんだ付けを行うための露出部１４を形成している。また、図１１Ａの例では、阻害領域１２ｓも、導体膜４０に対して絶縁皮膜１３を被覆させることで形成している。すなわち、図１１Ａの例は、露出部１４側から見た場合、導体膜４０に対して絶縁皮膜１３により切り欠き形状を形成することで、阻害領域１２ｓが形成される。
【００５４】
図１１Ｂは、矩形の導体膜に対して阻害領域１２の部分を切り欠いた状態の導体膜４１に対して、絶縁皮膜１３によりランド１０の形状を形成した例を示す図である。図１１Ｂの例でも、上述した図１１Ａと同様に、ランド１０の領域に絶縁皮膜１３を被覆させないことで、露出部１４を形成している。
【００５５】
図１１Ｃは、予めランド１０の形状になるように導体膜を形成した例である。図１１Ｃの例では、ランド１０の形状に対して、ランド領域１１ａに相当する部分にマージンを持たせた状態で導体膜４２を形成し、当該マージン部分に絶縁皮膜１３を被覆させて、ランド１０の形状を形成している。阻害領域１２は、図１１Ｂの例と同様に、導体膜４２を切り欠いた状態で形成されている。
【００５６】
図１１Ａ〜図１１Ｃのうち、図１１Ａによるランド１０は、阻害領域１２が絶縁皮膜１３により形成されているため、小さいチップ部品に適用させることが難しい。これは、小さいチップ部品をランド領域１１ｂに実装した場合に、阻害領域１２に被覆させた絶縁皮膜１３が剥がれるおそれがあるためである。一方、図１１Ａによるランド１０は、阻害領域１２が絶縁皮膜１３下においてランド１０と一体的に形成されている。そのため、図１２に示されるように、阻害領域１２内にスルーホール１５を設けることができる。これにより、配線の自由度が増し、基板を有効に利用することが可能となる。
【００５７】
また、図１１Ｃに示されるランド１０は、絶縁皮膜１３の面積が小さく、また、阻害領域１２も導体膜を切り欠いて形成されているため、図１１Ａの例のような絶縁皮膜１３の剥がれが起こりにくく、例えば標準サイズ「０６０３」といった小さいチップ部品２１の実装が容易である。
【００５８】
［実施形態の変形例］
次に、実施形態の変形例について説明する。上述した実施形態に係るランド１０は、１つのランド１０で２のサイズのチップ部品２０および２１を実装可能としていたが、これはこの例に限定されない。すなわち、実施形態に係るランドは、１つのランドで３以上のサイズのチップ部品を実装可能とすることもできる。
【００５９】
図１３は、実施形態の変形例に係る、３のサイズのチップ部品を実装可能としたランドの一例の構成を示す図である。図１３において、実施形態の変形例に係るランド１０ａは、大きなサイズ（電極幅）のチップ部品２０に対応するランド領域１１ａと、小さなサイズのチップ部品２１に対応するランド領域１１ｂと、それらの中間のサイズのチップ部品２２に対応するランド領域１１ｃと、を組み合わせた構成を有する。さらに、ランド１０ａは、ランド領域１１ｂに対する切り欠き形状により阻害領域１２ａが形成され、ランド領域１１ｃに対する切り欠き形状により阻害領域１２ｂが形成される。
【００６０】
図１３の例でも、上述した図１と同様に、ランド領域１１ａ、１１ｂおよび１１ｃは、その大きさに従い、ランド１０ａと、当該ランド１０ａと対になるランド１０ａ’とが基板上に所定に配置された場合の、ランド１０ａおよび１０ａ’の中点３０に向けて、中点３０に近いほど小さいランド領域が配置されるように組み合わせられる。図１３の例では、ランド１０ａにおいて、中点３０に最も近い方からランド領域１１ｂ、ランド領域１１ｃ、ランド領域１１ａの順に、各ランド領域１１ａ、１１ｂおよび１１ｃが配置され、１のランド１０ａとして結合される。
【００６１】
ランド１０ａと対になるランド１０ａ’も、ランド１０ａと同様に、それぞれランド領域１１ａ、１１ｂおよび１１ｃに対応するランド領域１１ａ’、１１ｂ’および１１ｃ’を有すると共に、それぞれ阻害領域１２ａおよび１２ｂに対応する阻害領域１２ａ’および１２ｂ’を有する。
【００６２】
例えばランド１０ａにおいて、阻害領域１２ｂのランド領域１１ｃ側の端と、ランド領域１１ｃにチップ部品２２が実装された場合の当該チップ部品２２の長手方向の端と、の間の距離は、はんだ付け時にチップ部品２２に対してセルフアライメント性を持たせるために好ましいとされる既知の距離とする。同様に、ランド領域１１ｃに対応するチップ部品２２の電極幅方向の端と、当該端に対応するランド領域１１ｃの辺との間の距離も、はんだ付け時にチップ部品２２に対してセルフアライメント性を持たせるために好ましいとされる既知の距離とする。
【００６３】
なお、ランド１０ａにおいて、チップ部品２０の各端とランド領域１１ａの各端との間の距離、および、チップ部品２１の各端とランド領域１１ｂの各端との間の距離については、図４を用いて説明した距離と同様であるので、ここでの説明を省略する。
【００６４】
実施形態の変形例に係るランド１０ａおよび１０ａ’は、このような構成を持つため、異なるサイズのチップ部品２０、２１および２２を、１対のランド１０ａおよび１０ａ’により、同様の条件下ではんだ付け可能となる。また、チップ部品２２を実装するためのランド領域１１ｃおよび１１ｃ’に対して阻害領域１２ｂおよび１２ｂ’が設けられているため、上述した実施形態と同様に、チップ部品２２の実装に際して、図７Ｂに示すはんだ未接続や、図７Ｃに示す部品立ちといった接合不良の発生を抑制することができる。
【００６５】
この実施形態の変形例に係るランド１０ａ（および１０ａ’）を用いることで、例えば標準サイズ「０４０２」、「０６０３」および「１００５」など、小型で実装難易度の高いチップ部品を使い分けることが可能となる。
【００６６】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【００６７】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
それぞれ異なる幅を有する複数のランド領域を備え、
前記複数のランド領域に含まれる各ランド領域が、前記幅に従った順序で前記幅方向の中心を揃えて組み合わされて１のランドに結合され、
前記１のランドに結合された前記複数のランド領域において隣接または領域の一部が重複する２のランド領域のうち前記幅が大きい方のランド領域の、該隣接または該重複する側に対向する側の前記幅方向の中央部に切り欠き形状が設けられる
表面実装部品用のランド。
（２）
前記切り欠き形状は、
前記幅方向の長さが、前記２のランド領域のうち前記幅が小さい方のランド領域に対応する部品の前記幅方向の長さより短い
前記（１）に記載の表面実装部品用のランド。
（３）
前記切り欠き形状は、
前記大きい方のランド領域の導体膜を切り欠くことで設けられる
前記（１）または（２）に記載の表面実装部品用のランド。
（４）
前記切り欠き形状は、
前記大きい方のランド領域に対して絶縁皮膜を形成することで設けられる
前記（１）または（２）に記載の表面実装部品用のランド。
【符号の説明】
【００６８】
１０，１０’，１０ａ，１０ａ’，１００，１００’，１０１，１０１’  ランド
１１ａ，１１ａ’，１１ｂ，１１ｂ’，１１ｃ，１１ｃ’，１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ  ランド領域
１２，１２’，１２ａ，１２ｂ，１２ｓ  阻害領域
１３  絶縁皮膜
１４  露出部
１５  スルーホール
２０，２１，２２  チップ部品
４０，４１，４２  導体膜
２００，２００’，２０１，２０１’  電極部分
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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