(57)【要約】電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体層と、第１の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有する。第１の絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆い、導電層は、第１の絶縁層上に位置する。金属酸化物層は、第１の絶縁層と導電層との間に位置し、金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置する。絶縁領域は、金属酸化物層と隣接し、且つ第１の絶縁層と導電層との間に位置する。また、半導体層は、第１の領域と、一対の第２の領域と、一対の第３の領域と、を有する。第１の領域は、金属酸化物層及び導電層と重なる。第２の領域は、第１の領域を挟み、絶縁領域及び導電層と重なる。第３の領域は、第１の領域及び一対の第２の領域を挟み、且つ導電層と重ならない。第３の領域は、第１の領域よりも低抵抗である部分を含むことが好ましい。第２の領域は、第３の領域よりも高抵抗である部分を含むことが好ましい。
2020089726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、第１の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記半導体層の上面及び側面を覆い、
前記導電層は、前記第１の絶縁層上に位置し、
前記金属酸化物層は、前記第１の絶縁層と前記導電層との間に位置し、
前記金属酸化物層の端部は、前記導電層の端部よりも内側に位置し、
前記絶縁領域は、前記金属酸化物層と隣接し、且つ前記第１の絶縁層と前記導電層との間に位置し、
前記半導体層は、第１の領域と、一対の第２の領域と、一対の第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記金属酸化物層及び前記導電層と重なり、
前記第２の領域は、前記第１の領域を挟み、且つ前記絶縁領域及び前記導電層と重なり、
前記第３の領域は、前記第１の領域及び一対の前記第２の領域を挟み、且つ前記導電層と重ならず、
前記第３の領域は、前記第１の領域よりも低抵抗である部分を含み、
前記第２の領域は、前記第３の領域よりも高抵抗である部分を含む半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁領域と、前記第１の絶縁層とは、比誘電率が異なる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁領域は、空隙を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
さらに第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面と接し、
前記絶縁領域は、前記第２の絶縁層を含む半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の絶縁層は、酸化物又は窒化物を含み、
前記第２の絶縁層は、酸化物又は窒化物を含む半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記第１の絶縁層は、シリコン及び酸素を含み、
前記第２の絶縁層は、シリコン及び酸素を含む半導体装置。
【請求項７】
請求項４において、
前記第１の絶縁層は、シリコン及び酸素を含み、
前記第２の絶縁層は、シリコン及び窒素を含む半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
さらに第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層の上面と接し、
前記第３の絶縁層は、窒化物を含む半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の絶縁層は、シリコン及び窒素を含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第３の領域は、第１の元素を含み、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、及びマグネシウムから選ばれる一以上である半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体層及び前記金属酸化物層はそれぞれ、インジウムを含み、
前記半導体層と、前記金属酸化物層とは、インジウムの含有率が概略等しい半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明の一態様は、半導体装置、及びその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置に関する。【０００２】  なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。
【背景技術】
【０００３】  トランジスタに適用可能な半導体材料として、金属酸化物を用いた酸化物半導体が注目されている。例えば、特許文献１では、複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化物半導体層の中で、チャネルとなる酸化物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且つインジウムの割合をガリウムの割合よりも大きくすることで、電界効果移動度（単に移動度、またはμＦＥという場合がある）を高めた半導体装置が開示されている。【０００４】  半導体層に用いることのできる金属酸化物は、スパッタリング法などを用いて形成できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層に用いることができる。また、多結晶シリコンや非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能なため、設備投資を抑えられる。また、金属酸化物を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いた場合に比べて高い電界効果移動度を有するため、駆動回路を設けた高性能の表示装置を実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−７３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  本発明の一態様は、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規の半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規の表示装置を提供することを課題の一とする。【０００７】  なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  本発明の一態様は、半導体層と、第１の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有する半導体装置である。第１の絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆い、導電層は、第１の絶縁層上に位置する。金属酸化物層は、第１の絶縁層と導電層との間に位置し、金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置する。絶縁領域は、金属酸化物層と隣接し、且つ第１の絶縁層と導電層との間に位置する。また、半導体層は、第１の領域と、一対の第２の領域と、一対の第３の領域と、を有する。第１の領域は、金属酸化物層及び導電層と重なる。第２の領域は、第１の領域を挟み、且つ絶縁領域及び導電層と重なる。第３の領域は、第１の領域及び一対の第２の領域を挟み、且つ導電層と重ならない。第３の領域は、第１の領域よりも低抵抗である部分を含むことが好ましい。第２の領域は、第３の領域よりも高抵抗である部分を含むことが好ましい。【０００９】  前述の半導体装置において、絶縁領域と、第１の絶縁層とは、比誘電率が異なることが好ましい。【００１０】  前述の半導体装置において、絶縁領域は、空隙を有することが好ましい。【００１１】  前述の半導体装置において、さらに第２の絶縁層を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の上面と接し、絶縁領域は、第２の絶縁層を含むことが好ましい。【００１２】  前述の半導体装置において、第１の絶縁層は、酸化物又は窒化物を含み、第２の絶縁層は、酸化物又は窒化物を含むことが好ましい。【００１３】  前述の半導体装置において、第１の絶縁層は、シリコン及び酸素を含み、第２の絶縁層は、シリコン及び酸素を含むことが好ましい。【００１４】  前述の半導体装置において、第１の絶縁層は、シリコン及び酸素を含み、第２の絶縁層は、シリコン及び窒素を含むことが好ましい。【００１５】  前述の半導体装置において、さらに第３の絶縁層を有し、第３の絶縁層は、第２の絶縁層の上面と接し、第３の絶縁層は、窒化物を含むことが好ましい。【００１６】  前述の半導体装置において、第３の絶縁層は、シリコン及び窒素を含むことが好ましい。【００１７】  前述の半導体装置において、第３の領域は、第１の元素を含み、第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、及びマグネシウムから選ばれる一以上であることが好ましい。【００１８】  前述の半導体装置において、半導体層及び金属酸化物層はそれぞれ、インジウムを含み、半導体層と、金属酸化物層とは、インジウムの含有率が概略等しいことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】  本発明の一態様によれば、電気特性の良好な半導体装置を提供できる。または、信頼性の高い半導体装置を提供できる。または、電気特性の安定した半導体装置を提供できる。または、新規の半導体装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。または、新規の表示装置を提供できる。【００２０】  なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】図１Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図１Ｂ、図１Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図２Ａ、図２Ｂは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図３Ａ、図３Ｂは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図４Ａ、図４Ｂは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図５Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図５Ｂ、図５Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図６Ａ、図６Ｂは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図７Ａ、図７Ｂは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄ、図８Ｅは、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。
図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃは、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。
図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃは、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。
図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃは、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。
図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃは、表示装置の上面図である。
図１３は、表示装置の断面図である。
図１４は、表示装置の断面図である。
図１５は、表示装置の断面図である。
図１６は、表示装置の断面図である。
図１７Ａは、表示装置のブロック図である。図１７Ｂ、図１７Ｃは、表示装置の回路図である。
図１８Ａ、図１８Ｃ、図１８Ｄは、表示装置の回路図である。図１８Ｂは、表示装置のタイミングチャートである。
図１９Ａ、図１９Ｂは、表示モジュールの構成例である。
図２０Ａ、図２０Ｂは、電子機器の構成例である。
図２１Ａ、図２１Ｂ、図２１Ｃ、図２１Ｄ、図２１Ｅは、電子機器の構成例である。
図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃ、図２２Ｄ、図２２Ｅ、図２２Ｆ、図２２Ｇは、電子機器の構成例である。
図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃ、図２３Ｄは、電子機器の構成例である。
図２４は、断面のＳＴＥＭ像である。
図２５は、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図、及び断面のＳＴＥＭ像である。
図２６は、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図、及び断面のＳＴＥＭ像である。
図２７は、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図、及び断面のＳＴＥＭ像である。
図２８は、トランジスタの信頼性試験結果を示す図である。
図２９は、試料の断面構造を示す図である。
図３０は、試料のシート抵抗を示す図である。
図３１は、断面のＳＴＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】  以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２３】  本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。
【００２４】  本明細書等にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。
【００２５】  本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００２６】  本明細書等において、トランジスタが有するソースとドレインの機能は、トランジスタの極性や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００２７】  なお、本明細書等において、トランジスタのチャネル長方向とは、ソース領域とドレイン領域間を最短距離で結ぶ直線に平行な方向のうちの１つをいう。すなわち、チャネル長方向は、トランジスタがオン状態のときに半導体層を流れる電流の方向のうちの１つに相当する。また、チャネル幅方向とは、当該チャネル長方向に直交する方向をいう。なお、トランジスタの構造や形状によっては、チャネル長方向及びチャネル幅方向は１つに定まらない場合がある。
【００２８】  本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
【００２９】  本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」や「絶縁層」という用語は、「導電膜」や「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。
【００３０】  なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置することや、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。
【００３１】  本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い（ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖｔｈよりも高い）状態をいう。
【００３２】  本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
【００３３】  本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
【００３４】  なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を表示する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどを検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。
【００３５】  タッチパネルは、例えばタッチセンサ付き表示パネル（または表示装置）、タッチセンサ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。
【００３６】  本明細書等では、タッチパネルの基板に、コネクターやＩＣが実装されたものを、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
【００３７】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、およびその作製方法について説明する。特に本実施の形態では、半導体装置の一例として、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタについて説明する。
【００３８】  本発明の一態様は、被形成面上に、チャネルが形成される半導体層と、半導体層上に絶縁層と、絶縁層上に金属酸化物層と、導電層と、を有するトランジスタである。また、本発明の一態様であるトランジスタは、金属酸化物層と隣接する絶縁領域を有することが好ましい。絶縁領域は、ゲート絶縁層と導電層との間に位置する。半導体層は、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を含んで構成されることが好ましい。
【００３９】  金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置するように設けられていることが好ましい。言い換えると、導電層は、金属酸化物層の端部よりも外側に突出した部分を有することが好ましい。金属酸化物層及び導電層の一部は、ゲート電極と機能する。
【００４０】  絶縁領域は、絶縁層と比誘電率が異なることが好ましい。例えば、絶縁領域は、空隙を含んでもよい。また、絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆って設けられることが好ましい。絶縁層及び絶縁領域の一部は、ゲート絶縁層として機能する。
【００４１】  半導体層は、金属酸化物層及び導電層と重なる第１の領域と、絶縁領域及び導電層と重なる第２の領域と、導電層と重ならない第３の領域を有する。第１の領域は、チャネル形成領域として機能する領域である。第３の領域は、第１の領域よりも低抵抗な領域であり、ソース領域またはドレイン領域として機能する領域である。また第２の領域は、第３の領域よりも高抵抗な領域であることが好ましい。
【００４２】  第２の領域は、絶縁領域を挟んでゲート電極として機能する導電層と重なるため、オーバーラップ領域（Ｌｏｖ領域）とも呼ぶことができる。また、第２の領域は、ゲートの電界が掛からない、または第１の領域よりも掛かりにくいバッファ領域として機能する。本発明の一態様であるトランジスタは、半導体層中のチャネル形成領域である第１の領域と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第３の領域との間に、第２の領域を有する。第２の領域を有することにより、トランジスタのソース−ドレイン耐圧を向上させることができ、高電圧で駆動する場合であっても信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【００４３】  以下では、より具体的な例について、図面を参照して説明する。
【００４４】＜構成例１＞
図１Ａは、トランジスタ１００の上面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図に相当し、図１Ｃは、図１Ａに示す一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図に相当する。なお、図１Ａにおいて、トランジスタ１００の構成要素の一部（ゲート絶縁層等）を省略して図示している。また、一点鎖線Ａ１−Ａ２方向はチャネル長方向、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２方向はチャネル幅方向に相当する。また、トランジスタの上面図については、以降の図面においても図１Ａと同様に、構成要素の一部を省略して図示するものとする。
【００４５】  トランジスタ１００は、基板１０２上に設けられ、絶縁層１０３、半導体層１０８、絶縁層１１０、金属酸化物層１１４、導電層１１２、絶縁層１１８等を有する。島状の半導体層１０８は、絶縁層１０３上に設けられる。絶縁層１１０は、絶縁層１０３の上面、半導体層１０８の上面及び側面に接して設けられる。金属酸化物層１１４及び導電層１１２は、絶縁層１１０上にこの順に積層して設けられ、半導体層１０８と重畳する部分を有する。絶縁層１１８は、絶縁層１１０の上面、並びに導電層１１２の上面及び側面を覆って設けられている。図１Ｂ中の一点鎖線で囲った領域Ｐの拡大図を、図２Ａに示す。
【００４６】  図２Ａに示すように、トランジスタ１００は金属酸化物層１１４と隣接する絶縁領域１５０を有する。絶縁領域１５０は、絶縁層１１０と導電層１１２との間に位置する。
【００４７】  金属酸化物層１１４として導電性材料を用いることができる。導電層１１２及び金属酸化物層１１４の一部は、ゲート電極として機能する。絶縁層１１０及び絶縁領域１５０の一部は、ゲート絶縁層として機能する。トランジスタ１００は、半導体層１０８上にゲート電極が設けられた、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。
【００４８】  金属酸化物層１１４の端部は、絶縁層１１０上において、導電層１１２の端部よりも内側に位置する。言い換えると、導電層１１２は、絶縁層１１０上において、金属酸化物層１１４の端部よりも外側に突出した部分を有する。
【００４９】  半導体層１０８は、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を含んで構成される。半導体層１０８は、少なくともインジウムと酸素とを含むことが好ましい。半導体層１０８がインジウムの酸化物を含むことで、キャリア移動度を高めることができ、例えばアモルファスシリコンよりも大きな電流を流すことのできるトランジスタを実現できる。また、半導体層１０８は、これらに加えて亜鉛を含んでいてもよい。また、半導体層１０８は、ガリウムを含んでいてもよい。
【００５０】  半導体層１０８として、代表的には、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などを用いることができる。また、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。なお半導体層１０８に用いることのできる材料の詳細については、後述する。
【００５１】  ここで、半導体層１０８の組成は、トランジスタ１００の電気的特性や、信頼性に大きく影響する。例えば、半導体層１０８中のインジウムの含有量を多くすることで、キャリア移動度が向上し、電界効果移動度の高いトランジスタを実現することができる。
【００５２】  半導体層１０８は、領域１０８Ｃと、領域１０８Ｃを挟む一対の領域１０８Ｌと、その外側に一対の領域１０８Ｎとを有する。
【００５３】  領域１０８Ｃは、導電層１１２及び金属酸化物層１１４と重なり、チャネル形成領域として機能する。
【００５４】  領域１０８Ｌは、導電層１１２及び絶縁領域１５０と重なる。また、領域１０８Ｌは、導電層１１２と重なり、且つ金属酸化物層１１４とは重ならないとも言える。領域１０８Ｌは、導電層１１２にゲート電圧が与えられた場合に、チャネルが形成されうる領域である。しかし、領域１０８Ｌは、絶縁領域１５０を介して導電層１１２と重畳するため、領域１０８Ｌに与えられる電界は、領域１０８Ｃに与えられる電界よりも弱くなる。その結果、領域１０８Ｌは、領域１０８Ｃよりも高抵抗な領域となり、ドレイン電界を緩和させるためのバッファ領域として機能する。さらに、例えば領域１０８Ｌのキャリア濃度が極めて低く、領域１０８Ｃと同程度である場合であっても、導電層１１２の電界によってチャネルが形成されうる。
【００５５】  このように、チャネル形成領域である領域１０８Ｃと、ソース領域またはドレイン領域である領域１０８Ｎとの間に、領域１０８Ｌを設けることにより、高いドレイン耐圧と、高いオン電流とを兼ね備え、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【００５６】  領域１０８Ｎは、導電層１１２及び金属酸化物層１１４のいずれとも重ならず、ソース領域またはドレイン領域として機能する。
【００５７】  図２Ａでは、トランジスタ１００のチャネル長方向における導電層１１２の幅、つまり領域１０８Ｃ及び領域１０８Ｌの幅をＬ１で示している。また、トランジスタ１００のチャネル長方向における絶縁領域の幅、つまり領域１０８Ｌの幅をＬ２で示している。
【００５８】  低抵抗の領域１０８Ｎは、領域１０８Ｃよりもキャリア濃度の高い領域であり、ソース領域、及びドレイン領域として機能する。領域１０８Ｎは、領域１０８Ｃよりも低抵抗な領域、キャリア濃度の高い領域、酸素欠損量の多い領域、水素濃度の高い領域、または、不純物濃度の高い領域とも言うことができる。
【００５９】  領域１０８Ｎの電気抵抗は低いほど好ましく、例えば、領域１０８Ｎのシート抵抗は、１Ω／□以上１×１０３Ω／□未満、好ましくは１Ω／□以上８×１０２Ω／□以下とすることが好ましい。また、チャネルが形成されていない状態における領域１０８Ｃの電気抵抗は高いほど好ましく、例えば領域１０８Ｃのシート抵抗は、１×１０９Ω／□以上、好ましくは５×１０９Ω／□以上、より好ましくは１×１０１０Ω／□以上であることが好ましい。
【００６０】  領域１０８Ｌは、領域１０８Ｃと比較して、抵抗が同程度または低い領域、キャリア濃度が同程度または高い領域、酸素欠陥密度が同程度または高い領域、不純物濃度が同程度または高い領域ともいうことができる。
【００６１】  領域１０８Ｌは、領域１０８Ｎと比較して、抵抗が同程度または高い領域、キャリア濃度が同程度または低い領域、酸素欠陥密度が同程度または低い領域、不純物濃度が同程度または低い領域ともいうことができる。
【００６２】  領域１０８Ｌのシート抵抗は、１×１０３Ω／□以上１×１０９Ω／□以下が好ましく、さらには１×１０３Ω／□以上１×１０８Ω／□以下が好ましく、さらには１×１０３Ω／□以上１×１０７Ω／□以下が好ましい。前述の抵抗の範囲とすることで、電気特性が良好でかつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。なお、シート抵抗は、抵抗の値から算出できる。このような領域１０８Ｌを、領域１０８Ｎと領域１０８Ｃとの間に設けることで、トランジスタ１００のソース−ドレイン耐圧を高めることができる。
【００６３】  なお、領域１０８Ｌ中のキャリア濃度は均一でなくてもよく、領域１０８Ｎ側から領域１０８Ｃ側にかけてキャリア濃度が小さくなるような勾配を有している場合がある。例えば、領域１０８Ｌ中の水素濃度または酸素欠損の濃度のいずれか一方、または両方が、領域１０８Ｎ側から領域１０８Ｃ側にかけて濃度が小さくなるような勾配を有していてもよい。
【００６４】  後述するように、領域１０８Ｌを自己整合的に形成することが可能となるため、領域１０８Ｌを形成するためのフォトマスクを必要とせず、作製コストを低減できる。また、自己整合的に領域１０８Ｌを形成することにより、領域１０８Ｌと導電層１１２の相対的な位置ずれが生じることがないため、半導体層１０８中の領域１０８Ｌの幅を概略一致させることができる。
【００６５】  半導体層１０８中の領域１０８Ｃと領域１０８Ｎの間に、ゲートの電界が掛からない、または領域１０８Ｃよりも掛かりにくいオフセット領域として機能する領域１０８Ｌをばらつきなく安定して形成できる。その結果、トランジスタのソース−ドレイン耐圧を向上させることができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【００６６】  領域１０８Ｌの幅Ｌ２は、５ｎｍ以上２μｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらに１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。領域１０８Ｌを設けることにより、ドレイン付近に電界が集中することが緩和され、特にドレイン電圧が高い状態でのトランジスタの劣化を抑制できる。また、特に、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることで、効果的にドレイン付近への電界集中を抑制することができる。一方、幅Ｌ２が５００ｎｍよりも長いとソース−ドレイン抵抗が高まり、トランジスタの駆動速度が遅くなる場合がある。幅Ｌ２を前述の範囲とすることで、信頼性が高く、かつ駆動速度の速いトランジスタ、半導体装置とすることができる。なお、領域１０８Ｌの幅Ｌ２は、半導体層１０８の厚さ、絶縁層１１０の厚さ、トランジスタ１００を駆動する際のソース−ドレイン間に印加する電圧の大きさに応じて決定することができる。
【００６７】  領域１０８Ｃと領域１０８Ｎの間に領域１０８Ｌを設けることにより、領域１０８Ｃと領域１０８Ｎの境界での電流密度を緩和でき、チャネルとソース又はドレインの境界における発熱が抑制され、信頼性の高いトランジスタ、半導体装置とすることができる。
【００６８】  トランジスタ１００は、絶縁領域１５０が空隙１３０を含んでもよい。または、絶縁領域１５０が空隙１３０及び絶縁層１１８のいずれか一以上を含んでもよい。図２Ａは、絶縁領域１５０が空隙１３０を含み、かつ絶縁層１１８を含まない例を示している。また、図２Ａは、絶縁層１１８が金属酸化物層１１４の側面と接触せずに設けられる例を示している。図２Ｂは、絶縁領域１５０が空隙１３０及び絶縁層１１８を含む例を示している。また、図２Ｂは、絶縁層１１８が金属酸化物層１１４の側面の一部と接触して設けられる例を示している。図３Ａは、絶縁領域１５０が絶縁層１１８を含み、かつ空隙１３０を含まない例を示している。また、図３Ａは、絶縁層１１８が金属酸化物層１１４の側面と接触して設けられる例を示している。
【００６９】  なお、図２Ａ示すように絶縁領域１５０が空隙１３０を含み、かつ絶縁層１１８を含まない場合、絶縁領域１５０は空気を有し、絶縁領域１５０の比誘電率εｒは空気と同じく概ね１となる。これに対し、例えば、絶縁層１１０として用いることができる酸化シリコンの比誘電率εｒは概ね４．０乃至４．５、窒化シリコンの比誘電率εｒは概ね７．０であり、絶縁層１１０の比誘電率εｒは１より大きい。また、図２Ｂに示すように絶縁領域１５０が空隙１３０及び絶縁層１１８を含む場合、断面における空隙１３０及び絶縁層１１８の面積比から絶縁領域１５０の比誘電率εｒを算出でき、絶縁領域１５０の比誘電率εｒは１より大きくなる。したがって、絶縁領域１５０が空隙１３０を含む場合、絶縁領域１５０と絶縁層１１０との比誘電率が異なる。
【００７０】  なお、本明細書等において比誘電率が異なるとは、２つの比誘電率の内、比誘電率が小さい一方の比誘電率に対する比誘電率が大きい他方の比誘電率の比が、２．０以上であることを指す。
【００７１】  図１Ａ及び図１Ｂに示すように、トランジスタ１００は、絶縁層１１８上に導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂを有していてもよい。導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂは、ソース電極またはドレイン電極として機能する。導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂは、それぞれ絶縁層１１８、及び絶縁層１１０に設けられた開口部１４１ａまたは開口部１４１ｂを介して、領域１０８Ｎに電気的に接続される。
【００７２】  導電層１１２として、金属または合金を含む導電膜を用いると、電気抵抗が抑制できるため好ましい。なお、導電層１１２に酸化物導電膜を用いてもよい。
【００７３】  金属酸化物層１１４は、絶縁層１１０中に酸素を供給する機能を有する。また、絶縁層１１０と導電層１１２との間に位置する金属酸化物層１１４は、絶縁層１１０に含まれる酸素が導電層１１２側に拡散することを防ぐバリア膜として機能する。さらに金属酸化物層１１４は、導電層１１２に含まれる水素や水が絶縁層１１０側に拡散することを防ぐバリア膜としても機能する。金属酸化物層１１４は、例えば少なくとも絶縁層１１０よりも酸素及び水素を透過しにくい材料を用いることが好ましい。
【００７４】  金属酸化物層１１４により、導電層１１２にアルミニウムや銅などの酸素を吸引しやすい金属材料を用いた場合であっても、絶縁層１１０から導電層１１２へ酸素が拡散することを防ぐことができる。また、導電層１１２が水素を含む場合であっても、導電層１１２から絶縁層１１０を介して半導体層１０８へ水素が拡散することを防ぐことができる。その結果、半導体層１０８のチャネル形成領域におけるキャリア密度を極めて低いものとすることができる。
【００７５】  金属酸化物層１１４として、金属酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、シリコンを含有したインジウムスズ酸化物（ＩＴＳＯ）等のインジウムを有する酸化物を用いることができる。インジウムを含む導電性酸化物は、導電性が高いため好ましい。また、ＩＴＳＯはシリコンを含有することにより結晶化しづらく、平坦性が高いことから、ＩＴＳＯ上に形成される膜との密着性が高くなる。また、金属酸化物層１１４として、酸化亜鉛、ガリウムを含有した酸化亜鉛等の金属酸化物を用いることができる。金属酸化物層１１４として、これらを積層した構造を用いてもよい。
【００７６】  金属酸化物層１１４として、半導体層１０８と同一の元素を一以上含む酸化物材料を用いることが好ましい。特に、上記半導体層１０８に適用可能な酸化物半導体材料を用いることが好ましい。このとき、金属酸化物層１１４として、半導体層１０８と同じスパッタリングターゲットを用いて形成した金属酸化物膜を適用することで、装置を共通にすることができるため好ましい。
【００７７】  金属酸化物層１１４は、スパッタリング装置を用いて形成することが好ましい。例えば、スパッタリング装置を用いて酸化物膜を形成する場合、酸素ガスを含む雰囲気で形成することで、絶縁層１１０や半導体層１０８中に好適に酸素を添加することができる。
【００７８】  半導体層１０８の領域１０８Ｎは、不純物元素を含む領域である。当該不純物元素として、例えば水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、ヒ素、アルミニウム、または希ガスなどが挙げられる。なお、希ガスの代表例は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノン等がある。特に、ホウ素またはリンを含むことが好ましい。またこれら不純物元素を２以上含んでいてもよい。
【００７９】  後述するように、領域１０８Ｎに不純物を添加する処理は、導電層１１２をマスクとして、絶縁層１１０を介して行うことができる。
【００８０】  領域１０８Ｎは、不純物濃度が、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を含むことが好ましい。
【００８１】  領域１０８Ｎに含まれる不純物の濃度は、例えば二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）や、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等の分析法により分析することができる。ＸＰＳ分析を用いる場合には、表面側または裏面側からのイオンスパッタリングとＸＰＳ分析を組み合わせることで、深さ方向の濃度分布を知ることができる。
【００８２】  領域１０８Ｎにおいて、不純物元素は酸化した状態で存在していることが好ましい。例えば不純物元素としてホウ素、リン、マグネシウム、アルミニウム、シリコンなどの酸化しやすい元素を用いることが好ましい。このような酸化しやすい元素は、半導体層１０８中の酸素と結合して酸化した状態で安定に存在しうるため、後の工程で高い温度（例えば４００℃以上、６００℃以上、または８００℃以上）がかかった場合であっても、脱離することが抑制される。また、不純物元素が半導体層１０８中の酸素を奪うことで、領域１０８Ｎ中に多くの酸素欠損が生成される。この酸素欠損と、膜中の水素とが結合することでキャリア供給源となるため、領域１０８Ｎは極めて低抵抗な状態となる。
【００８３】  例えば、不純物元素としてホウ素を用いた場合、領域１０８Ｎに含まれるホウ素は酸素と結合した状態で存在しうる。このことは、ＸＰＳ分析において、Ｂ２Ｏ３結合に起因するスペクトルピークが観測されることで確認できる。また、ＸＰＳ分析において、ホウ素元素が単体で存在する状態に起因するスペクトルピークが観測されない、または測定下限付近に観測されるバックグラウンドノイズに埋もれる程度にまでピーク強度が極めて小さくなる。
【００８４】  なお、作製工程中にかかる熱の影響などにより、領域１０８Ｎに含まれる上記不純物元素の一部が、領域１０８Ｌ及び領域１０８Ｃに拡散する場合がある。領域１０８Ｌ及び領域１０８Ｃ中の不純物元素の濃度はそれぞれ、領域１０８Ｎ中の不純物元素の濃度の１０分の１以下であることが好ましく、さらには１００分の１以下であることが好ましい。
【００８５】  半導体層１０８のチャネル形成領域に接する絶縁層１０３と絶縁層１１０には、酸化物膜を用いることが好ましい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化物膜を用いることができる。これにより、トランジスタ１００の作製工程における熱処理などで、絶縁層１０３や絶縁層１１０から脱離した酸素を半導体層１０８のチャネル形成領域に供給し、半導体層１０８中の酸素欠損を低減できる。
【００８６】  なお、本明細書等において、酸化窒化物とはその組成として窒素よりも酸素の含有量が多い物質を指し、酸化窒化物は酸化物に含まれる。窒化酸化物とはその組成として酸素よりも窒素の含有量が多い物質を指し、窒化酸化物は窒化物に含まれる。
【００８７】  半導体層１０８と接する絶縁層１１０は、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域を有することがより好ましい。別言すると、絶縁層１１０は、酸素を放出することが可能な絶縁膜を有する。例えば、酸素雰囲気下にて絶縁層１１０を形成すること、成膜後の絶縁層１１０に対して酸素雰囲気下での熱処理、プラズマ処理等を行うこと、または、絶縁層１１０上に酸素雰囲気下で酸化物膜を成膜することなどにより、絶縁層１１０中に酸素を供給することもできる。
【００８８】  例えば、絶縁層１１０は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。また、ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。
【００８９】  特に、絶縁層１１０は、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。
【００９０】  絶縁層１１０は、半導体層１０８上に成膜されるため、出来るだけ半導体層１０８にダメージを与えない条件で成膜された膜であることが好ましい。例えば、成膜速度（成膜レートともいう）が十分に低い条件で成膜することができる。
【００９１】  酸化窒化シリコン膜の成膜に用いる成膜ガスには、例えばシラン、ジシランなどのシリコンを含む堆積性ガスと、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素などの酸化性ガスと、を含む原料ガスを用いることができる。また原料ガスに加えて、アルゴンやヘリウム、窒素などの希釈ガスを含んでもよい。
【００９２】  絶縁層１１０は、半導体層１０８の領域１０８Ｃと接する領域、すなわち導電層１１２及び金属酸化物層１１４と重畳する領域を有する。また、絶縁層１１０は、半導体層１０８の領域１０８Ｌと接し、且つ金属酸化物層１１４と重畳しない領域を有する。また、絶縁層１１０は、半導体層１０８の領域１０８Ｎと接し、且つ導電層１１２と重畳しない領域を有する。
【００９３】  絶縁層１１０の、領域１０８Ｎと重畳する領域１１０ｉには、上述した不純物元素が含まれる場合がある。このとき、領域１０８Ｎと同様に、絶縁層１１０中の不純物元素が酸素と結合した状態で存在することが好ましい。このような酸化しやすい元素は、絶縁層１１０中の酸素と結合して酸化した状態で安定に存在しうるため、後の工程で高い温度がかかった場合でも脱離することが抑制される。また特に絶縁層１１０中に加熱により脱離しうる酸素（過剰酸素ともいう）が含まれる場合には、当該過剰酸素と不純物元素とが結合して安定化するため、絶縁層１１０から領域１０８Ｎへ酸素が供給されることを抑制することができる。また、酸化した状態の不純物元素が含まれる絶縁層１１０の一部は、酸素が拡散しにくい状態となるため、絶縁層１１０よりも上側から当該絶縁層１１０を介して領域１０８Ｎに酸素が供給されることが抑制され、領域１０８Ｎの抵抗が高くなることを抑制できる。
【００９４】  絶縁層１０３は、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、絶縁層１１０と接する界面またはその近傍に、上述した不純物元素を含む領域１０３ｉを有している。また、図２Ａに示すように、領域１０３ｉは、領域１０８Ｎと接する界面またはその近傍にも設けられていてもよい。このとき、領域１０８Ｎと重なる部分の不純物濃度は、絶縁層１１０と接する部分よりも低い濃度となる。
【００９５】  絶縁層１１０及び絶縁層１０３はそれぞれ、積層構造を有してもよい。絶縁層１１０及び絶縁層１０３がそれぞれ積層構造を有する例を、図３Ｂに示す。絶縁層１１０は、半導体層１０８側から絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ、及び絶縁層１１０ｃが積層された積層構造を有する。また、絶縁層１０３は、基板１０２側から絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄが積層された、積層構造を有する。なお、図３Ｂでは、明瞭化のため、領域１１０ｉ及び領域１０３ｉを省略して図示している。
【００９６】  積層構造を有する絶縁層１１０の一例について、説明する。
【００９７】  絶縁層１１０ａは、半導体層１０８と接する領域を有する。絶縁層１１０ｃは、金属酸化物層１１４と接する領域を有する。絶縁層１１０ｂは、絶縁層１１０ａと絶縁層１１０ｃの間に位置する。
【００９８】  絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ、及び絶縁層１１０ｃは、それぞれ酸化物を含む絶縁膜であることが好ましい。このとき、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ及び絶縁層１１０ｃは、それぞれ同じ成膜装置で連続して成膜されることが好ましい。
【００９９】  例えば、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ、及び絶縁層１１０ｃとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を用いることができる。
【０１００】  半導体層１０８と接する絶縁層１１０は、酸化物絶縁膜の積層構造を有することが好ましく、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域を有することがより好ましい。別言すると、絶縁層１１０は、酸素を放出することが可能な絶縁膜を有する。例えば、酸素雰囲気下にて絶縁層１１０を形成すること、成膜後の絶縁層１１０に対して酸素雰囲気下での熱処理、プラズマ処理等を行うこと、または、絶縁層１１０上に酸素雰囲気下で酸化物膜を成膜することなどにより、絶縁層１１０中に酸素を供給することもできる。
【０１０１】  例えば、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ及び絶縁層１１０ｃは、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等を用いて形成することができる。また、ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。
【０１０２】  特に、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｂ及び絶縁層１１０ｃは、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。
【０１０３】  絶縁層１１０ａは、半導体層１０８上に成膜されるため、出来るだけ半導体層１０８にダメージを与えない条件で成膜された膜であることが好ましい。例えば、成膜速度（成膜レートともいう）が十分に低い条件で成膜することができる。
【０１０４】  例えば、絶縁層１１０ａとして、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を形成する場合、低電力の条件で形成することにより、半導体層１０８に与えるダメージを極めて小さくすることができる。本発明の一態様のトランジスタ１００は、半導体層１０８の上面に接する絶縁層１１０ａとして、半導体層１０８に与えるダメージが低減された成膜方法で形成した膜が用いられている。そのため、半導体層１０８と絶縁層１１０の界面における欠陥準位密度が低減され、高い信頼性を有するトランジスタ１００とすることができる。
【０１０５】  酸化窒化シリコン膜の成膜に用いる成膜ガスには、例えばシラン、ジシランなどのシリコンを含む堆積性ガスと、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素などの酸化性ガスと、を含む原料ガスを用いることができる。また原料ガスに加えて、アルゴンやヘリウム、窒素などの希釈ガスを含んでもよい。
【０１０６】  例えば、成膜ガスの全流量に対する堆積性ガスの流量の割合（以下、単に流量比ともいう）を小さくすることで、成膜速度を低くでき、緻密で欠陥の少ない膜を成膜することができる。
【０１０７】  絶縁層１１０ｂは、絶縁層１１０ａよりも成膜速度の高い条件で成膜された膜であることが好ましい。これにより、生産性を向上させることができる。
【０１０８】  例えば絶縁層１１０ｂは、絶縁層１１０ａよりも堆積性ガスの流量比を増やした条件とすることで、成膜速度を高めた条件で成膜することができる。
【０１０９】  絶縁層１１０ｃは、その表面の欠陥が低減され、水などの大気中に含まれる不純物が吸着しにくい、極めて緻密な膜であることが好ましい。例えば、絶縁層１１０ａと同様に、成膜速度が十分に低い条件で成膜することができる。
【０１１０】  絶縁層１１０ｃは絶縁層１１０ｂ上に成膜するため、絶縁層１１０ａと比較して絶縁層１１０ｃの成膜時に半導体層１０８へ与える影響は小さい。そのため、絶縁層１１０ｃは、絶縁層１１０ａよりも高い電力の条件で成膜することができる。堆積性ガスの流量比を減らし、比較的高い電力で成膜することで、緻密で表面の欠陥が低減された膜とすることができる。
【０１１１】  すなわち、成膜速度が高い方から、絶縁層１１０ｂ、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｃの順となるような条件で成膜された積層膜を、絶縁層１１０に用いることができる。また、絶縁層１１０は、絶縁層１１０ｂ、絶縁層１１０ａ、絶縁層１１０ｃの順で、ウェットエッチングまたはドライエッチングに対する同一条件下でのエッチング速度が高い。
【０１１２】  絶縁層１１０ｂは、絶縁層１１０ａ及び絶縁層１１０ｃよりも厚く形成することが好ましい。成膜速度の最も早い絶縁層１１０ｂを厚く形成することで、絶縁層１１０の成膜工程に係る時間を短縮することができる。
【０１１３】  ここで、絶縁層１１０ａと絶縁層１１０ｂの境界、及び絶縁層１１０ｂと絶縁層１１０ｃの境界は不明瞭である場合があるため、図３Ｂでは、これらの境界を破線で明示している。なお、絶縁層１１０ａと絶縁層１１０ｂは、膜密度が異なるため、絶縁層１１０の断面における透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像などにおいて、これらの境界をコントラストの違いとして観察することができる場合がある。同様に、絶縁層１１０ｂと絶縁層１１０ｃの境界も観察することができる場合がある。
【０１１４】  積層構造を有する絶縁層１０３の一例について、説明する。
【０１１５】  絶縁層１０３は、基板１０２側から、絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄが積層された積層構造を有する。絶縁層１０３ａは基板１０２と接する。また、絶縁層１０３ｄは、半導体層１０８と接する。
【０１１６】  第２のゲート絶縁層として機能する絶縁層１０３は、耐圧が高いこと、膜の応力が小さいこと、水素や水を放出しにくいこと、膜中の欠陥が少ないこと、基板１０２に含まれる不純物の拡散を抑制すること、のうち、１つ以上を満たすことが好ましく、これら全てを満たすことが最も好ましい。
【０１１７】  絶縁層１０３が有する４つの絶縁膜のうち、基板１０２側に位置する絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、及び絶縁層１０３ｃには、窒素を含む絶縁膜を用いることが好ましい。一方、半導体層１０８と接する絶縁層１０３ｄには、酸素を含む絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁層１０３が有する４つの絶縁膜は、それぞれプラズマＣＶＤ装置を用いて、大気に触れることなく連続して成膜することが好ましい。
【０１１８】  絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、及び絶縁層１０３ｃとしては、例えば窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化ハフニウム膜などの窒素を含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層１０３ｃとして、上記絶縁層１１０に用いることのできる絶縁膜を援用できる。
【０１１９】  絶縁層１０３ａと絶縁層１０３ｃは、これよりも下側からの不純物の拡散を防止できる、緻密な膜であることが好ましい。絶縁層１０３ａは、基板１０２に含まれる不純物を、絶縁層１０３ｃは、絶縁層１０３ｂに含まれる水素や水を、それぞれブロックできる膜であることが好ましい。そのため、絶縁層１０３ａ及び絶縁層１０３ｃには、絶縁層１０３ｂよりも成膜速度の低い条件で成膜した絶縁膜を適用することができる。
【０１２０】  一方、絶縁層１０３ｂは、応力が小さく、成膜速度の高い条件で成膜された絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁層１０３ｂは、絶縁層１０３ａ及び絶縁層１０３ｃよりも厚く形成されていることが好ましい。
【０１２１】  例えば絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、及び絶縁層１０３ｃのそれぞれに、プラズマＣＶＤ法で成膜した窒化シリコン膜を用いた場合であっても、絶縁層１０３ｂが、他の２つの絶縁膜よりも膜密度が小さい膜となる。したがって、絶縁層１０３の断面における透過型電子顕微鏡像などにおいて、コントラストの違いとして観察することができる場合がある。なお、絶縁層１０３ａと絶縁層１０３ｂの境界、及び絶縁層１０３ｂと絶縁層１０３ｃの境界は不明瞭である場合があるため、図３Ｂでは、これらの境界を破線で明示している。
【０１２２】  半導体層１０８と接する絶縁層１０３ｄは、その表面に水などの不純物が吸着しにくい、緻密な絶縁膜とすることが好ましい。また、可能な限り欠陥が少なく、水や水素などの不純物が低減された絶縁膜を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１０３ｄとして、上記絶縁層１１０が有する絶縁層１１０ｃと同様の絶縁膜を用いることができる。
【０１２３】  このような積層構造を有する絶縁層１０３により、極めて信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【０１２４】  絶縁層１１８は、トランジスタ１００を保護する保護層として機能する。絶縁層１１０として、例えば酸化物または窒化物などの無機絶縁材料を用いることができる。より具体的な例としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネートなどの無機絶縁材料を用いることができる。
【０１２５】  絶縁層１１８は、段差被覆性の高い材料を用いることが好ましい。または、絶縁層１１８は、段差被覆性の高い成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁層１１８の形成には、例えば、ＰＥＣＶＤ法を好適に用いることができる。なお、導電層１１２と絶縁層１１０との段差により、該層の上に設けられる絶縁層１１８の被覆性が低下し、絶縁層１１８の段切れや低密度な領域（鬆ともいう）が形成される場合がある。絶縁層１１８の段切れや低密度な領域（鬆ともいう）が形成されると、外部から水、水素などの不純物が侵入し、トランジスタの信頼性の低下につながる恐れがある。段差被覆性の高い絶縁層１１８を用いることにより、信頼性の高いトランジスタとすることができる。
【０１２６】  導電層１１２及び金属酸化物層１１４を形成する際に、絶縁層１１０の一部の膜厚が薄くなる場合がある。金属酸化物層１１４と重ならない領域の絶縁層１１０の膜厚が、金属酸化物層１１４と重なる領域の絶縁層１１０の膜厚より薄い例を、図４Ａに示す。また、導電層１１２と重ならない領域の絶縁層１１０の膜厚が、導電層１１２と重なる領域の絶縁層１１０の膜厚より薄い例を、図４Ｂに示す。なお、図３Ｂで示したように、絶縁層１１０を積層構造とする場合は、金属酸化物層１１４と重ならない領域に絶縁層１１０ｃが残存することが好ましい。重ならない領域に絶縁層１１０ｃが残存する構成とすることで、絶縁層１１０に水が吸着することを効率良く抑制できる。導電層１１２と重なる領域の絶縁層１１０ｃの厚さは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。
【０１２７】＜構成例２＞
図５Ａは、トランジスタ１００Ａの上面図であり、図５Ｂはトランジスタ１００Ａのチャネル長方向の断面図であり、図５Ｃはトランジスタ１００Ａのチャネル幅方向の断面図である。
【０１２８】  トランジスタ１００Ａは、基板１０２と絶縁層１０３との間に導電層１０６を有する点で、構成例１と主に相違している。導電層１０６は半導体層１０８及び導電層１１２と重なる領域を有する。
【０１２９】  トランジスタ１００Ａにおいて、導電層１１２は、第２のゲート電極（トップゲート電極ともいう）としての機能を有し、導電層１０６は、第１のゲート電極（ボトムゲート電極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁層１１０の一部は、第２のゲート絶縁層として機能し、絶縁層１０３の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。
【０１３０】  半導体層１０８の、導電層１１２及び導電層１０６の少なくとも一方と重なる部分は、チャネル形成領域として機能する。なお以下では説明を容易にするため、半導体層１０８の導電層１１２と重なる部分をチャネル形成領域と呼ぶ場合があるが、実際には導電層１１２と重ならずに、導電層１０６と重なる部分（領域１０８Ｎを含む部分）にもチャネルが形成しうる。
【０１３１】  図５Ｃに示すように、導電層１０６は、金属酸化物層１１４、絶縁層１１０、及び絶縁層１０３に設けられた開口部１４２を介して、導電層１１２と電気的に接続されていてもよい。これにより、導電層１０６と導電層１１２には、同じ電位を与えることができる。
【０１３２】  導電層１０６は、導電層１１２、導電層１２０ａ、または導電層１２０ｂと同様の材料を用いることができる。特に導電層１０６に銅を含む材料を用いると、配線抵抗を低減できるため好ましい。
【０１３３】  図５Ａ及び図５Ｃに示すように、チャネル幅方向において、導電層１１２及び導電層１０６が、半導体層１０８の端部よりも外側に突出していることが好ましい。このとき、図５Ｃに示すように、半導体層１０８のチャネル幅方向の全体が、絶縁層１１０と絶縁層１０３を介して、導電層１１２と導電層１０６に覆われた構成となる。
【０１３４】  このような構成とすることで、半導体層１０８を一対のゲート電極によって生じる電界で、電気的に取り囲むことができる。このとき特に、導電層１０６と導電層１１２に同じ電位を与えることが好ましい。これにより、半導体層１０８にチャネルを誘起させるための電界を効果的に印加できるため、トランジスタ１００Ａのオン電流を増大させることができる。そのため、トランジスタ１００Ａを微細化することも可能となる。
【０１３５】  なお、導電層１１２と導電層１０６とを接続しない構成としてもよい。このとき、一対のゲート電極の一方に定電位を与え、他方にトランジスタ１００Ａを駆動するための信号を与えてもよい。このとき、一方のゲート電極に与える電位により、トランジスタ１００Ａを他方のゲート電極で駆動する際のしきい値電圧を制御することもできる。
【０１３６】  絶縁層１０３は、積層構造を有することが好ましい。例えば、絶縁層１０３を、導電層１０６側から、絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄが積層された積層構造とすることができる（図３Ｂ参照）。導電層１０６と接する絶縁層１０３ａは、導電層１０６に含まれる金属元素をブロックできる膜であることが好ましい。絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄについては前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
【０１３７】  なお、導電層１０６として、絶縁層１０３に拡散しにくい金属膜または合金膜を用いる場合などでは、絶縁層１０３ａを設けずに、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄの３つの絶縁膜が積層された構成としてもよい。
【０１３８】  このような積層構造を有する絶縁層１０３により、極めて信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【０１３９】＜構成例３＞
図６Ａはトランジスタ１００Ｂのチャネル長方向の断面図であり、図６Ｂはトランジスタ１００Ｂのチャネル幅方向の断面図である。トランジスタ１００Ｂの上面図は図５Ａを参照できるため、記載を省略する。
【０１４０】  トランジスタ１００Ｂは、構成例２で例示したトランジスタ１００Ａと比較して、絶縁層１１８上に絶縁層１１６を有する点で、主に相違している。
【０１４１】  絶縁層１１６は、絶縁層１１０の上面を覆って設けられている。絶縁層１１６は、絶縁層１１６より上からの不純物が半導体層１０８に拡散することを抑制する機能を有する。導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂは、それぞれ絶縁層１１６、絶縁層１１８及び絶縁層１１０に設けられた開口部１４１ａまたは開口部１４１ｂを介して、領域１０８Ｎに電気的に接続される。
【０１４２】  絶縁層１１６としては、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの、窒化物を含む絶縁膜を好適に用いることができる。特に窒化シリコンは、水素や酸素に対するブロッキング性を有するため、外部から半導体層への水素の拡散と、半導体層から外部への酸素の脱離の両方を防ぐことができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０１４３】  絶縁層１１６として金属窒化物を用いる場合、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、クロム、またはルテニウムの窒化物を用いることが好ましい。特に、アルミニウムまたはチタンを含むことが特に好ましい。例えば、アルミニウムをスパッタリングターゲットに用い、成膜ガスとして窒素を含むガスを用いた反応スパッタリング法により形成した窒化アルミニウム膜は、成膜ガスの全流量に対する窒素ガスの流量を適切に制御することで、極めて高い絶縁性と、水素や酸素に対する極めて高いブロッキング性とを兼ね備えた膜とすることができる。そのため、このような金属窒化物を含む絶縁膜を半導体層１０８に接して設けることで、半導体層１０８の抵抗を低くするとともに、半導体層１０８から酸素が脱離すること、及び半導体層１０８へ水素が拡散することを好適に防ぐことができる。
【０１４４】  金属窒化物として、窒化アルミニウムを用いた場合、当該窒化アルミニウムを含む絶縁層の厚さを５ｎｍ以上とすることが好ましい。このように薄い膜であっても、水素及び酸素に対する高いブロッキング性と、半導体層の抵抗を低くする機能とを両立することができる。なお、当該絶縁層の厚さはどれだけ厚くてもよいが、生産性を考慮し、５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【０１４５】  絶縁層１１６に窒化アルミニウム膜を用いる場合、組成式がＡｌＮｘ（ｘは０より大きく２以下の実数、好ましくは、ｘは０．５より大きく１．５以下の実数）を満たす膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁性に優れ、且つ熱伝導性に優れた膜とすることができるため、トランジスタ１００Ｂを駆動したときに生じる熱の放熱性を高めることができる。
【０１４６】  絶縁層１１６として、窒化アルミニウムチタン膜、窒化チタン膜などを用いることができる。
【０１４７】  絶縁層１１８上に絶縁層１１６を設ける構成とすることで、オン電流の高いトランジスタとすることができる。また、しきい値電圧を制御することのできるトランジスタとすることができる。また、信頼性の高いトランジスタとすることができる。
【０１４８】＜構成例４＞
図７Ａはトランジスタ１００Ｃのチャネル長方向の断面図であり、図７Ｂはトランジスタ１００Ｃのチャネル幅方向の断面図である。トランジスタ１００Ｃの上面図は図５Ａを参照できるため、記載を省略する。
【０１４９】  トランジスタ１００Ｃは、構成例２で例示したトランジスタ１００Ａと比較して、絶縁層１１８と絶縁層１１０との間に絶縁層１１６を有する点で、主に相違している。
【０１５０】  絶縁層１１６は、絶縁層１１８の上面、並びに導電層の上面及び側面を覆って設けられている。また、絶縁層１１６は金属酸化物層１１４の側面と接触して設けられてもよい。また、絶縁層１１６は金属酸化物層１１４の側面の一部と接触して設けられてもよい。絶縁層１１６は、絶縁層１１６より上からの不純物が半導体層１０８に拡散することを抑制する機能を有する。
【０１５１】  絶縁層１１８と絶縁層１１０との間に絶縁層１１６を設ける構成とすることで、オン電流の高いトランジスタとすることができる。また、しきい値電圧を制御することのできるトランジスタとすることができる。また、信頼性の高いトランジスタとすることができる。
【０１５２】＜作製方法例＞
以下では、本発明の一態様のトランジスタの作製方法の例について説明する。ここでは、構成例２で例示したトランジスタ１００Ａを例に挙げて説明する。
【０１５３】  なお、半導体装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法がある。
【０１５４】  半導体装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【０１５５】  半導体装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
【０１５６】  フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
【０１５７】  フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に代えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【０１５８】  薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【０１５９】  図８Ａ乃至図１１Ｃは、トランジスタ１００Ａの作製工程の各段階におけるチャネル長方向及びチャネル幅方向の断面図を並べて示している。
【０１６０】〔導電層１０６の形成〕
基板１０２上に導電膜を成膜し、これをエッチングにより加工して、ゲート電極として機能する導電層１０６を形成する（図８Ａ）。
【０１６１】  このとき、図８Ａに示すように、導電層１０６の端部がテーパ形状となるように加工することが好ましい。これにより、次に形成する絶縁層１０３の段差被覆性を高めることができる。
【０１６２】  導電層１０６となる導電膜として、銅を含む導電膜を用いることで、配線抵抗を小さくすることができる。例えば大型の表示装置に適用する場合や、解像度の高い表示装置とする場合には、銅を含む導電膜を用いることが好ましい。また、導電層１０６に銅を含む導電膜を用いた場合であっても、絶縁層１０３により銅が半導体層１０８側に拡散することが抑制されるため、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０１６３】〔絶縁層１０３の形成〕
続いて、基板１０２及び導電層１０６を覆って、絶縁層１０３を形成する。絶縁層１０３は、ＰＥＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
【０１６４】  ここでは、絶縁層１０３として、絶縁層１０３ａ、絶縁層１０３ｂ、絶縁層１０３ｃ、及び絶縁層１０３ｄを積層して形成する。
【０１６５】  特に、絶縁層１０３を構成する各絶縁層は、ＰＥＣＶＤ法により形成することが好ましい。絶縁層１０３の形成方法は、上記構成例１の記載を援用できる。
【０１６６】  絶縁層１０３を形成した後に、絶縁層１０３に対して酸素を供給する処理を行ってもよい。例えば、酸素雰囲気下でのプラズマ処理または加熱処理などを行うことができる。または、プラズマイオンドーピング法やイオン注入法により、絶縁層１０３に酸素を供給してもよい。
【０１６７】〔半導体層１０８の形成〕
続いて、絶縁層１０３上に金属酸化物膜１０８ｆを成膜する（図８Ｂ）。
【０１６８】  金属酸化物膜１０８ｆは、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成することが好ましい。
【０１６９】  金属酸化物膜１０８ｆは、可能な限り欠陥の少ない緻密な膜とすることが好ましい。また、金属酸化物膜１０８ｆは、可能な限り水素や水などの不純物が低減され、高純度な膜であることが好ましい。特に、金属酸化物膜１０８ｆとして、結晶性を有する金属酸化物膜を用いることが好ましい。
【０１７０】  金属酸化物膜１０８ｆを成膜する際に、酸素ガスと、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、キセノンガスなど）と、を混合させてもよい。なお、金属酸化物膜１０８ｆを成膜する際の成膜ガス全体に占める酸素ガスの割合（以下、酸素流量比ともいう）が高いほど、金属酸化物膜１０８ｆの結晶性を高めることができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。一方、酸素流量比が低いほど、金属酸化物膜１０８ｆの結晶性が低くなり、オン電流が高められたトランジスタとすることができる。
【０１７１】  金属酸化物膜１０８ｆを成膜する際、基板温度が高いほど、結晶性が高く、緻密な金属酸化物膜とすることができる。一方、基板温度が低いほど、結晶性が低く、電気伝導性の高い金属酸化物膜とすることができる。
【０１７２】  金属酸化物膜１０８ｆの成膜条件は、基板温度を室温以上２５０℃以下、好ましくは室温以上２００℃以下、より好ましくは基板温度を室温以上１４０℃以下とすればよい。例えば基板温度を、室温以上１４０℃未満とすると、生産性が高くなり好ましい。また、基板温度を室温とする、または基板を加熱しない状態で、金属酸化物膜１０８ｆを成膜することにより、結晶性を低くすることができる。
【０１７３】  金属酸化物膜１０８ｆを成膜する前に、絶縁層１０３の表面に吸着した水や水素、有機物等を脱離させるための処理、及び絶縁層１０３中に酸素を供給する処理のいずれか一以上を行うことが好ましい。例えば、減圧雰囲気下にて７０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理を行うことができる。または、酸素を含む雰囲気下におけるプラズマ処理を行ってもよい。または、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）などの酸化性気体を含む雰囲気下におけるプラズマ処理により、絶縁層１０３に酸素を供給してもよい。一酸化二窒素ガスを含むプラズマ処理を行うと、絶縁層１０３の表面の有機物を好適に除去しつつ、酸素を供給することができる。このような処理の後、絶縁層１０３の表面を大気に暴露することなく、連続して金属酸化物膜１０８ｆを成膜することが好ましい。
【０１７４】  なお、半導体層１０８として、複数の半導体層を積層した積層構造とする場合には、先に形成する金属酸化物膜を成膜した後に、その表面を大気に曝すことなく連続して、次の金属酸化物膜を成膜することが好ましい。
【０１７５】  続いて、金属酸化物膜１０８ｆの一部をエッチングすることにより、島状の半導体層１０８を形成する（図８Ｃ）。
【０１７６】  金属酸化物膜１０８ｆの加工には、ウェットエッチング法またはドライエッチング法のいずれか一方、または双方を用いればよい。このとき、半導体層１０８と重ならない絶縁層１０３の一部がエッチングされ、薄くなる場合がある。例えば、絶縁層１０３のうち、絶縁層１０３ｄがエッチングにより消失し、絶縁層１０３ｃの表面が露出する場合もある。
【０１７７】  ここで、金属酸化物膜１０８ｆの成膜後、または半導体層１０８に加工した後に、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、金属酸化物膜１０８ｆまたは半導体層１０８中に含まれる、または表面に吸着した水素または水を除去することができる。また、加熱処理により、金属酸化物膜１０８ｆまたは半導体層１０８の膜質が向上する（例えば欠陥の低減、結晶性の向上など）場合がある。
【０１７８】  加熱処理により、絶縁層１０３から金属酸化物膜１０８ｆ、または半導体層１０８に酸素を供給することもできる。このとき、半導体層１０８に加工する前に加熱処理を行うことがより好ましい。
【０１７９】  加熱処理の温度は、代表的には１５０℃以上基板の歪み点未満、または２００℃以上５００℃以下、または２５０℃以上４５０℃以下、または３００℃以上４５０℃以下とすることができる。
【０１８０】  加熱処理は、希ガス、または窒素を含む雰囲気で行うことができる。または、当該雰囲気で加熱した後、酸素を含む雰囲気で加熱してもよい。または、乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。なお、上記加熱処理の雰囲気に水素、水などができるだけ含まれないことが好ましい。該加熱処理は、電気炉、またはＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、加熱処理時間を短縮することができる。
【０１８１】  なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）などで、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。
【０１８２】〔絶縁層１１０の形成〕
続いて、絶縁層１０３及び半導体層１０８を覆って、絶縁層１１０を形成する（図８Ｄ）。
【０１８３】  特に、絶縁層１１０を構成する各絶縁層は、ＰＥＣＶＤ法により形成することが好ましい。絶縁層１１０を構成する各層の形成方法は、上記構成例１の記載を援用できる。
【０１８４】  絶縁層１１０の成膜前に、半導体層１０８の表面に対してプラズマ処理を行なうことが好ましい。当該プラズマ処理により、半導体層１０８の表面に吸着する水などの不純物を低減することができる。そのため、半導体層１０８と絶縁層１１０との界面における不純物を低減できるため、信頼性の高いトランジスタを実現できる。特に、半導体層１０８の形成から、絶縁層１１０の成膜までの間に半導体層１０８の表面が大気に曝される場合には好適である。プラズマ処理として、例えば酸素、オゾン、窒素、一酸化二窒素、アルゴンなどの雰囲気下で行うことができる。また、プラズマ処理と絶縁層１１０の成膜とは、大気に曝すことなく連続して行われることが好ましい。
【０１８５】  ここで、絶縁層１１０を成膜した後に、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、絶縁層１１０中に含まれる、または表面に吸着した水素または水を除去することができる。また、絶縁層１１０中の欠陥を低減することができる。
【０１８６】  加熱処理の条件は、上記の記載を援用できる。
【０１８７】  なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）などで、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。
【０１８８】〔金属酸化物膜１１４ｆの形成〕
続いて、絶縁層１１０上に、金属酸化物膜１１４ｆを形成する（図８Ｅ）。
【０１８９】  金属酸化物膜１１４ｆは、例えば酸素を含む雰囲気下で成膜することが好ましい。特に、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により形成することが好ましい。これにより、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に絶縁層１１０に酸素を供給することができる。
【０１９０】  金属酸化物膜１１４ｆを、上記半導体層１０８の場合と同様の金属酸化物を含む酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する場合には、上記の記載を援用できる。
【０１９１】  例えば金属酸化物膜１１４ｆの成膜条件として、成膜ガスに酸素を用い、金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により、金属酸化物膜を形成してもよい。金属ターゲットとして、例えばアルミニウムを用いた場合には、酸化アルミニウム膜を成膜することができる。
【０１９２】  金属酸化物膜１１４ｆの膜厚が厚いほど、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を小さくすることができる。金属酸化物膜１１４ｆの膜厚が薄いほど、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることができる。このように、金属酸化物膜１１４ｆの膜厚を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０１９３】  金属酸化物膜１１４ｆの成膜条件を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。例えば、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、成膜装置の成膜室内の圧力が低いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が高くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を小さくすることができる。成膜室内の圧力が高いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が低くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることができる。このように、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の成膜室内の圧力を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０１９４】  金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、電源電力が高いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が高くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を小さくすることができる。電源電力が低いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が低くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることができる。このように、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の電源電力を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０１９５】  金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の基板温度が高いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が高くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を小さくすることができる。基板温度が低いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が低くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることができる。このように、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の基板温度を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０１９６】  金属酸化物層１１４として、半導体層１０８と同一の元素を一以上含む酸化物材料を用いる場合、金属酸化物膜１０８ｆの成膜時の基板温度と、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の基板温度とを同じにすることが好ましい。このとき、金属酸化物膜１１４ｆとして、金属酸化物膜１０８ｆと同じスパッタリングターゲット、同じ基板温度を用いて形成した金属酸化物膜を適用することで、装置を共通にすることができるため好ましい。
【０１９７】  金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、成膜装置の成膜室内に導入する成膜ガスの全流量に対する酸素流量の割合（酸素流量比）、または成膜室内の酸素分圧が高いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が高くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を小さくすることができる。成膜室内の酸素流量比、または成膜室内の酸素分圧が低いほど、金属酸化物膜１１４ｆの結晶性が低くなり、後の金属酸化物層１１４形成時に領域１０８Ｌの幅Ｌ２を大きくすることができる。このように、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時の成膜室内の酸素流量比、または成膜室内の酸素分圧を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０１９８】  なお、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、成膜装置の成膜室内に導入する成膜ガスの全流量に対する酸素流量の割合（酸素流量比）、または成膜室内の酸素分圧が高いほど、絶縁層１１０中に供給される酸素を増やすことができ、好ましい。酸素流量比または酸素分圧は、例えば、０％より高く１００％以下、好ましくは１０％以上１００％以下、より好ましくは２０％以上１００％以下、さらに好ましくは３０％以上１００％以下、さらに好ましくは４０％以上１００％以下とする。特に、酸素流量比を１００％とし、酸素分圧を１００％にできるだけ近づけることが好ましい。
【０１９９】  このように、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により金属酸化物膜１１４ｆを形成することにより、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、絶縁層１１０へ酸素を供給するとともに、絶縁層１１０から酸素が脱離することを防ぐことができる。その結果、絶縁層１１０に極めて多くの酸素を閉じ込めることができる。
【０２００】  前述した金属酸化物膜１１４ｆの膜厚、成膜条件（圧力など）をそれぞれ組み合わせることで、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御することが好ましい。
【０２０１】  金属酸化物膜１１４ｆの成膜後に、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、絶縁層１１０に含まれる酸素を、半導体層１０８に供給することができる。金属酸化物膜１１４ｆが絶縁層１１０を覆った状態で加熱することにより、絶縁層１１０から外部へ酸素が脱離することを防ぎ、半導体層１０８に多くの酸素を供給することができる。その結果、半導体層１０８中の酸素欠損を低減でき、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０２０２】  加熱処理の条件は、上記の記載を援用できる。
【０２０３】  なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）などで、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。
【０２０４】〔開口部１４２、導電膜１１２ｆの形成〕
続いて、金属酸化物膜１１４ｆ、絶縁層１１０、及び絶縁層１０３の一部をエッチングすることで、導電層１０６に達する開口部１４２を形成する。これにより、後に形成する導電層１１２と導電層１０６とを、開口部１４２を介して電気的に接続することができる。
【０２０５】  続いて、金属酸化物膜１１４ｆ上に、導電層１１２となる導電膜１１２ｆを成膜する（図９Ａ）。
【０２０６】  導電膜１１２ｆは、低抵抗な金属または合金材料を用いることが好ましい。また、導電膜１１２ｆとして、水素を放出しにくい材料であり、また水素が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。また、導電膜１１２ｆとして、酸化しにくい材料を用いることが好ましい。
【０２０７】  例えば導電膜１１２ｆは、金属または合金を含むスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜することが好ましい。
【０２０８】  例えば、導電膜１１２ｆとして、酸化しにくく、水素が拡散しにくい導電膜と、低抵抗な導電膜とを積層した積層膜とすることが好ましい。
【０２０９】〔導電層１１２、金属酸化物層１１４の形成１〕
続いて、導電膜１１２ｆ上にレジストマスク１１５を形成する（図９Ｂ）。その後、レジストマスク１１５に覆われていない領域において、導電膜１１２ｆ及び金属酸化物膜１１４ｆを除去し、導電層１１２及び金属酸化物層１１４を形成する（図９Ｃ）。
【０２１０】  導電層１１２及び金属酸化物層１１４の形成には、ウェットエッチング法を好適に用いることができる。ウェットエッチング法には、例えば、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、塩酸又は硫酸の一以上を有するエッチャントを用いることができる。特に、導電層１１２に銅を有する材料を用いる場合は、リン酸、酢酸及び硝酸を有するエッチャントを好適に用いることができる。
【０２１１】  金属酸化物層１１４のエッチング速度が導電層１１２のエッチング速度より速い構成とすることにより、同一の工程で金属酸化物層１１４及び導電層１１２を形成できる。さらに、導電層１１２の端部より、金属酸化物層１１４の端部を内側にすることができる。また、エッチング時間を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。また、同一の工程で形成できることにより、工程を簡略にすることができ、生産性を高められる。
【０２１２】  導電層１１２及び金属酸化物層１１４の形成にウェットエッチング法を用いる場合、図９Ｃに示すように、導電層１１２及び金属酸化物層１１４の端部が、レジストマスク１１５の輪郭よりも内側に位置する場合がある。その場合は、レジストマスク１１５の幅よりも導電層１１２の幅Ｌ１が小さくなるため、所望の導電層１１２の幅Ｌ１となるようにレジストマスク１１５の幅を大きくしておけばよい。
【０２１３】  続いて、レジストマスク１１５を除去する。
【０２１４】  このように、絶縁層１１０をエッチングせずに、半導体層１０８の上面及び側面、並びに絶縁層１０３を覆った構造とすることで、導電層１１２等の形成の際に、半導体層１０８や絶縁層１０３の一部がエッチングされ、薄膜化することを防ぐことができる。
【０２１５】〔導電層１１２、金属酸化物層１１４の形成２〕
図９Ｂ及び図９Ｃに示した導電層１１２、金属酸化物層１１４の形成方法と異なる方法について、説明する。
【０２１６】  導電膜１１２ｆ上にレジストマスク１１５を形成する（図１０Ａ）。
【０２１７】  続いて、異方性エッチングを用いて、導電膜１１２ｆをエッチングし、導電層１１２を形成する（図１０Ｂ）。異方性エッチングとして、ドライエッチングを好適に用いることができる。
【０２１８】  続いて、ウェットエッチングを用いて、金属酸化物膜１１４ｆをエッチングし、金属酸化物層１１４を形成する（図１０Ｃ）。このとき、導電層１１２の端部より、金属酸化物層１１４の端部を内側になるようにエッチング時間を調整する。また、エッチング時間を調整することにより、領域１０８Ｌの幅Ｌ２を制御できる。
【０２１９】  導電層１１２及び金属酸化物層１１４の形成には、異方性のエッチング法を用いて導電膜１１２ｆ及び金属酸化物膜１１４ｆをエッチングした後に、等方性のエッチング法を用いて導電膜１１２ｆ及び金属酸化物膜１１４ｆの側面をエッチングして、端面を後退させてもよい（サイドエッチングともいう）。これにより、平面視において、導電層１１２よりも内側に位置する、金属酸化物層１１４を形成できる。
【０２２０】  なお、導電層１１２及び金属酸化物層１１４の形成には異なるエッチング条件または手法を用いて、少なくとも２回に分けてエッチングしてもよい。例えば、導電膜１１２ｆを先にエッチングし、続いて異なるエッチング条件で金属酸化物膜１１４ｆをエッチングしてもよい。
【０２２１】  導電層１１２及び金属酸化物層１１４の形成の際に、金属酸化物層１１４と接しない領域の絶縁層１１０の膜厚が薄くなる場合がある（図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂ参照）。
【０２２２】  続いて、レジストマスク１１５を除去する。
【０２２３】〔不純物元素の供給処理〕
続いて、導電層１１２をマスクとして、絶縁層１１０を介して半導体層１０８に不純物元素１４０を供給（添加、または注入ともいう）する処理を行う（図１１Ａ）。これにより、半導体層１０８の導電層１１２に覆われない領域に、領域１０８Ｎを形成することができる。このとき、半導体層１０８の導電層１１２と重なる領域には、導電層１１２がマスクとなり、不純物元素１４０は供給されない。
【０２２４】  不純物元素１４０の供給は、プラズマイオンドーピング法、またはイオン注入法を好適に用いることができる。これらの方法は、深さ方向の濃度プロファイルを、イオンの加速電圧とドーズ量等により、高い精度で制御することができる。プラズマイオンドーピング法を用いることで、生産性を高めることができる。また質量分離を用いたイオン注入法を用いることで、供給される不純物元素の純度を高めることができる。
【０２２５】  不純物元素１４０の供給処理において、半導体層１０８と絶縁層１１０との界面、または半導体層１０８中の界面に近い部分、または絶縁層１１０中の当該界面に近い部分が、最も高い濃度となるように、処理条件を制御することが好ましい。これにより、一度の処理で半導体層１０８と絶縁層１１０の両方に、最適な濃度の不純物元素１４０を供給することができる。
【０２２６】  不純物元素１４０としては、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、ヒ素、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、または希ガスなどが挙げられる。なお、希ガスの代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノン等がある。特に、ホウ素、リン、アルミニウム、マグネシウム、またはシリコンを用いることが好ましい。
【０２２７】  不純物元素１４０の原料ガスとして、上記不純物元素を含むガスを用いることができる。ホウ素を供給する場合、代表的にはＢ２Ｈ６ガスやＢＦ３ガスなどを用いることができる。またリンを供給する場合には、代表的にはＰＨ３ガスを用いることができる。また、これらの原料ガスを希ガスで希釈した混合ガスを用いてもよい。
【０２２８】  その他、原料ガスとして、ＣＨ４、Ｎ２、ＮＨ３、ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｆ２、ＨＦ、Ｈ２、（Ｃ５Ｈ５）２Ｍｇ、及び希ガス等を用いることができる。また、イオン源は気体に限られず、固体や液体を加熱して気化させたものを用いてもよい。
【０２２９】  不純物元素１４０の添加は、絶縁層１１０及び半導体層１０８の組成や密度、厚さなどを考慮して、加速電圧やドーズ量などの条件を設定することで制御することができる。
【０２３０】  例えば、イオン注入法またはプラズマイオンドーピング法でホウ素の添加を行う場合、加速電圧は例えば５ｋＶ以上１００ｋＶ以下、好ましくは７ｋＶ以上７０ｋＶ以下、より好ましくは１０ｋＶ以上５０ｋＶ以下の範囲とすることができる。またドーズ量は、例えば１×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下、好ましくは１×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上５×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上、３×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下の範囲とすることができる。
【０２３１】  イオン注入法またはプラズマイオンドーピング法でリンイオンの添加を行う場合、加速電圧は、例えば１０ｋＶ以上１００ｋＶ以下、好ましくは３０ｋＶ以上９０ｋＶ以下、より好ましくは４０ｋＶ以上８０ｋＶ以下の範囲とすることができる。またドーズ量は、例えば１×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下、好ましくは１×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上５×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上、３×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下の範囲とすることができる。
【０２３２】  なお、不純物元素１４０の供給方法はこれに限られず、例えばプラズマ処理や、加熱による熱拡散を利用した処理などを用いてもよい。プラズマ処理法の場合、添加する不純物元素を含むガス雰囲気にてプラズマを発生させて、プラズマ処理を行うことによって、不純物元素を添加することができる。上記プラズマを発生させる装置としては、ドライエッチング装置、アッシング装置、プラズマＣＶＤ装置、高密度プラズマＣＶＤ装置等を用いることができる。
【０２３３】  本発明の一態様では、絶縁層１１０を介して不純物元素１４０を半導体層１０８に供給することができる。そのため、半導体層１０８が結晶性を有する場合であっても、不純物元素１４０の供給の際に半導体層１０８が受けるダメージが軽減され、結晶性が損なわれてしまうことを抑制できる。そのため、結晶性の低下により電気抵抗が増大してしまうような場合には好適である。
【０２３４】〔絶縁層１１８の形成〕
続いて、絶縁層１１０、金属酸化物層１１４、及び導電層１１２を覆って、絶縁層１１８を形成する（図１１Ｂ）。
【０２３５】  絶縁層１１８をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、成膜温度が高すぎると、領域１０８Ｎ等に含まれる不純物が、半導体層１０８のチャネル形成領域を含む周辺部に拡散することや、領域１０８Ｎの電気抵抗が上昇してしまう恐れがあるため、絶縁層１１８の成膜温度は、これらのことを考慮して決定すればよい。
【０２３６】  例えば、絶縁層１１８の成膜温度としては、例えば１５０℃以上４００℃以下、好ましくは１８０℃以上３６０℃以下、より好ましくは２００℃以上２５０℃以下とすることが好ましい。絶縁層１１８を低温で成膜することにより、チャネル長の短いトランジスタであっても、良好な電気特性を付与することができる。
【０２３７】  絶縁層１１８の形成後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、より安定して低抵抗の領域１０８Ｎとすることができる場合がある。例えば、加熱処理を行うことにより、不純物元素１４０が適度に拡散して局所的に均一化され、理想的な不純物元素の濃度勾配を有する領域１０８Ｎが形成されうる。なお、加熱処理の温度が高すぎる（例えば５００℃以上）と、不純物元素１４０がチャネル形成領域内にまで拡散し、トランジスタの電気特性や信頼性の悪化を招く恐れがある。
【０２３８】  加熱処理の条件は、上記の記載を援用できる。
【０２３９】  なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）がある場合には、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。
【０２４０】〔開口部１４１ａ、開口部１４１ｂの形成〕
続いて、絶縁層１１８及び絶縁層１１０の一部をエッチングすることで、領域１０８Ｎに達する開口部１４１ａ及び開口部１４１ｂを形成する。
【０２４１】〔導電層１２０ａ、導電層１２０ｂの形成〕
続いて、開口部１４１ａ及び開口部１４１ｂを覆うように、絶縁層１１８上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂを形成する（図１１Ｃ）。
【０２４２】  以上の工程により、トランジスタ１００Ａを作製することができる。例えば、トランジスタ１００Ａを表示装置の画素に適用する場合には、この後に、保護絶縁層、平坦化層、画素電極、または配線のうち１以上を形成する工程を追加すればよい。
【０２４３】  以上が、作製方法例１についての説明である。
【０２４４】  なお、構成例１で例示したトランジスタ１００を作製する場合には、上記作製方法例１における導電層１０６の形成工程、及び開口部１４２の形成工程を省略すればよい。また、トランジスタ１００とトランジスタ１００Ａとは、同じ工程を経て同一基板上に形成することができる。
【０２４５】＜半導体装置の構成要素＞
以下では、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について説明する。
【０２４６】〔基板〕
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ板、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０２として用いてもよい。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０２として用いてもよい。
【０２４７】  基板１０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、半導体装置を形成してもよい。または、基板１０２と半導体装置の間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１０２より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、半導体装置は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
【０２４８】〔導電膜〕
ゲート電極として機能する導電層１１２及び導電層１０６、並びにソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１２０ａ及び、他方として機能する導電層１２０ｂは、クロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、ニッケル、鉄、コバルトから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
【０２４９】  導電層１１２、導電層１０６、導電層１２０ａ、及び導電層１２０ｂには、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の酸化物導電体または金属酸化物膜を適用することもできる。
【０２５０】  ここで、酸化物導電体（ＯＣ：ＯｘｉｄｅＣｏｎｄｕｃｔｏｒ）について説明を行う。例えば、半導体特性を有する金属酸化物に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加すると、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、金属酸化物は、導電性が高くなり導電体化する。導電体化された金属酸化物を、酸化物導電体ということができる。
【０２５１】  導電層１１２等として、上記酸化物導電体（金属酸化物）を含む導電膜と、金属または合金を含む導電膜の積層構造としてもよい。金属または合金を含む導電膜を用いることで、配線抵抗を小さくすることができる。このとき、ゲート絶縁膜として機能する絶縁層と接する側には酸化物導電体を含む導電膜を適用することが好ましい。
【０２５２】  導電層１１２、導電層１０６、導電層１２０ａ、導電層１２０ｂには、上述の金属元素の中でも、特にチタン、タングステン、タンタル、及びモリブデンの中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好適である。特に、窒化タンタル膜を用いると好適である。当該窒化タンタル膜は、導電性を有し、銅、酸素、または水素に対して高いバリア性を有し、さらに自身からの水素の放出が少ないため、半導体層１０８と接する導電膜、または半導体層１０８の近傍の導電膜として、好適に用いることができる。
【０２５３】〔半導体層〕
半導体層１０８は、金属酸化物を含むことが好ましい。
【０２５４】  例えば半導体層１０８は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特にＭはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。
【０２５５】  半導体層１０８がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。
【０２５６】  スパッタリングターゲットとして、多結晶の酸化物を含むターゲットを用いると、結晶性を有する半導体層１０８を形成しやすくなるため好ましい。なお、成膜される半導体層１０８の原子数比は、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、半導体層１０８に用いるスパッタリングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜される半導体層１０８の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍となる場合がある。
【０２５７】  なお、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍であると記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍であると記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。
【０２５８】  半導体層１０８は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上である。このように、シリコンよりもエネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０２５９】  半導体層１０８には、キャリア濃度の低い金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物のキャリア濃度を低くする場合においては、金属酸化物中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。なお、金属酸化物中の不純物としては、例えば、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【０２６０】  特に、金属酸化物に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、金属酸化物中に酸素欠損を形成する場合がある。金属酸化物中のチャネル形成領域に酸素欠損が含まれていると、トランジスタはノーマリーオン特性となる場合がある。さらに、酸素欠損に水素が入った欠陥はドナーとして機能し、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成する場合がある。従って、水素が多く含まれている金属酸化物を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。
【０２６１】  酸素欠損に水素が入った欠陥は、金属酸化物のドナーとして機能しうる。しかしながら、当該欠陥を定量的に評価することは困難である。そこで、金属酸化物においては、ドナー濃度ではなく、キャリア濃度で評価される場合がある。よって、本明細書等では、金属酸化物のパラメータとして、ドナー濃度ではなく、電界が印加されない状態を想定したキャリア濃度を用いる場合がある。つまり、本明細書等に記載の「キャリア濃度」は、「ドナー濃度」と言い換えることができる場合がある。
【０２６２】  よって、金属酸化物中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、金属酸化物において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。水素などの不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【０２６３】  チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましく、１×１０１７ｃｍ−３未満であることがより好ましく、１×１０１６ｃｍ−３未満であることがさらに好ましく、１×１０１３ｃｍ−３未満であることがさらに好ましく、１×１０１２ｃｍ−３未満であることがさらに好ましい。なお、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア濃度の下限値については、特に限定は無いが、例えば、１×１０−９ｃｍ−３とすることができる。
【０２６４】  半導体層１０８は、非単結晶構造であることが好ましい。非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ構造、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ構造は最も欠陥準位密度が低い。
【０２６５】  以下では、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）について説明する。ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表す。
【０２６６】  ＣＡＡＣ構造とは、複数のナノ結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶領域）を有する薄膜などの結晶構造の一つであり、各ナノ結晶はｃ軸が特定の方向に配向し、かつａ軸及びｂ軸は配向性を有さずに、ナノ結晶同士が粒界を形成することなく連続的に連結しているといった特徴を有する結晶構造である。特にＣＡＡＣ構造を有する薄膜は、各ナノ結晶のｃ軸が、薄膜の厚さ方向、被形成面の法線方向、または薄膜の表面の法線方向に配向しやすいといった特徴を有する。
【０２６７】  ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は結晶性の高い酸化物半導体である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することはできないため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。
【０２６８】  ここで、結晶学において、単位格子を構成するａ軸、ｂ軸、及びｃ軸の３つの軸（結晶軸）について、特異的な軸をｃ軸とした単位格子を取ることが一般的である。特に層状構造を有する結晶では、層の面方向に平行な２つの軸をａ軸及びｂ軸とし、層に交差する軸をｃ軸とすることが一般的である。このような層状構造を有する結晶の代表的な例として、六方晶系に分類されるグラファイトがあり、その単位格子のａ軸及びｂ軸は劈開面に平行であり、ｃ軸は劈開面に直交する。例えば層状構造であるＹｂＦｅ２Ｏ４型の結晶構造をとるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は六方晶系に分類することができ、その単位格子のａ軸及びｂ軸は層の面方向に平行となり、ｃ軸は層（すなわちａ軸及びｂ軸）に直交する。
【０２６９】  微結晶構造を有する酸化物半導体膜（微結晶酸化物半導体膜）は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することができない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、ＴＥＭによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
【０２７０】  ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測され、当該リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
【０２７１】  ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低い。ただし、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。従って、ｎｃ−ＯＳ膜はＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて、キャリア密度が高く、電子移動度が高くなる場合がある。従って、ｎｃ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を示す場合がある。
【０２７２】  ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比較して、成膜時の酸素流量比を小さくすることで形成することができる。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比較して、成膜時の基板温度を低くすることでも形成することができる。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜は、基板温度を比較的低温（例えば１３０℃以下の温度）とした状態、または基板を加熱しない状態でも成膜することができるため、大型のガラス基板や、樹脂基板などを使う場合に適しており、生産性を高めることができる。
【０２７３】  金属酸化物の結晶構造の一例について説明する。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、基板温度を１００℃以上１３０℃以下として、スパッタリング法により形成した金属酸化物は、ｎｃ（ｎａｎｏ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造及びＣＡＡＣ構造のいずれか一方の結晶構造、またはこれらが混在した構造をとりやすい。一方、基板温度を室温（Ｒ．Ｔ．）として形成した金属酸化物は、ｎｃの結晶構造をとりやすい。なお、ここでいう室温（Ｒ．Ｔ．）とは、基板を加熱しない場合の温度を含む。
【０２７４】［金属酸化物の構成］
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０２７５】  なお、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）は結晶構造の一例を表し、ＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）は機能、または材料の構成の一例を表す。
【０２７６】  ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与できる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２７７】  ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２７８】  ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２７９】  ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２８０】  すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２８１】  以上が、金属酸化物の構成についての説明である。
【０２８２】  本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２８３】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２８４】（実施の形態２）
本実施の形態では、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について説明する。
【０２８５】＜構成例＞
図１２Ａに、表示装置７００の上面図を示す。表示装置７００は、シール材７１２により貼り合された第１の基板７０１と第２の基板７０５を有する。また第１の基板７０１、第２の基板７０５、及びシール材７１２で封止される領域において、第１の基板７０１上に画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６が設けられる。また画素部７０２には、複数の表示素子が設けられる。
【０２８６】  第１の基板７０１の第２の基板７０５と重ならない部分に、ＦＰＣ７１６（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）が接続されるＦＰＣ端子部７０８が設けられている。ＦＰＣ７１６によって、ＦＰＣ端子部７０８及び信号線７１０を介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６のそれぞれに各種信号等が供給される。
【０２８７】  ゲートドライバ回路部７０６は、複数設けられていてもよい。また、ゲートドライバ回路部７０６及びソースドライバ回路部７０４は、それぞれ半導体基板等に別途形成され、パッケージされたＩＣチップの形態であってもよい。当該ＩＣチップは、第１の基板７０１上、またはＦＰＣ７１６に実装することができる。
【０２８８】  画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６が有するトランジスタに、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタを適用することができる。
【０２８９】  画素部７０２に設けられる表示素子としては、液晶素子、発光素子などが挙げられる。液晶素子としては、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、半透過型の液晶素子などを用いることができる。また、発光素子としては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＬＥＤ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  ＬＥＤ）、半導体レーザなどの、自発光性の発光素子が挙げられる。また、シャッター方式または光干渉方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子や、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、または電子粉流体（登録商標）方式等を適用した表示素子などを用いることもできる。
【０２９０】  図１２Ｂに示す表示装置７００Ａは、第１の基板７０１に代えて、可撓性を有する樹脂層７４３が適用され、フレキシブルディスプレイとして用いることのできる表示装置の例である。
【０２９１】  表示装置７００Ａは、画素部７０２が矩形形状でなく、角部が円弧状の形状を有している。また、図１２Ｂ中の領域Ｐ１に示すように、画素部７０２、及び樹脂層７４３の一部が切り欠かれた切欠き部を有する。一対のゲートドライバ回路部７０６は、画素部７０２を挟んで両側に設けられる。またゲートドライバ回路部７０６は、画素部７０２の角部において、円弧状の輪郭に沿って設けられている。
【０２９２】  樹脂層７４３は、ＦＰＣ端子部７０８が設けられる部分が突出した形状を有している。また樹脂層７４３のＦＰＣ端子部７０８を含む一部は、図１２Ｂ中の領域Ｐ２で裏側に折り返すことができる。樹脂層７４３の一部を折り返すことで、ＦＰＣ７１６を画素部７０２の裏側に重ねて配置した状態で、表示装置７００Ａを電子機器に実装することができ、電子機器の省スペース化を図ることができる。
【０２９３】  表示装置７００Ａに接続されるＦＰＣ７１６には、ＩＣ７１７が実装されている。ＩＣ７１７は、例えばソースドライバ回路としての機能を有する。このとき、表示装置７００Ａにおけるソースドライバ回路部７０４は、保護回路、バッファ回路、デマルチプレクサ回路等の少なくとも一を含む構成とすることができる。
【０２９４】  図１２Ｃに示す表示装置７００Ｂは、大型の画面を有する電子機器に好適に用いることのできる表示装置である。例えばテレビジョン装置、モニタ装置、パーソナルコンピュータ（ノート型またはデスクトップ型を含む）、タブレット端末、デジタルサイネージなどに好適に用いることができる。
【０２９５】  表示装置７００Ｂは、複数のソースドライバＩＣ７２１と、一対のゲートドライバ回路部７２２を有する。
【０２９６】  複数のソースドライバＩＣ７２１は、それぞれＦＰＣ７２３に取り付けられている。また、複数のＦＰＣ７２３は、一方の端子が第１の基板７０１に、他方の端子がプリント基板７２４にそれぞれ接続されている。ＦＰＣ７２３を折り曲げることで、プリント基板７２４を画素部７０２の裏側に配置して、電子機器に実装することができ、電子機器の省スペース化を図ることができる。
【０２９７】  一方、ゲートドライバ回路部７２２は、第１の基板７０１上に形成されている。これにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
【０２９８】  このような構成とすることで、大型で且つ高解像度の表示装置を実現できる。例えば画面サイズが対角３０インチ以上、４０インチ以上、５０インチ以上、または６０インチ以上の表示装置を実現できる。また、解像度が４Ｋ２Ｋ、または８Ｋ４Ｋなどといった極めて高解像度の表示装置を実現できる。
【０２９９】＜断面構成例＞
以下では、表示素子として液晶素子を用いる構成、及びＥＬ素子を用いる構成について、図１３乃至図１６を用いて説明する。なお、図１３乃至図１５は、それぞれ図１２Ａに示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図である。また図１６は、図１２Ｂに示した表示装置７００Ａ中の一点鎖線Ｓ−Ｔにおける断面図である。図１３及び図１４は、表示素子として液晶素子を用いた構成であり、図１５及び図１６は、ＥＬ素子を用いた構成である。
【０３００】＜表示装置の共通部分に関する説明＞
図１３乃至図１６に示す表示装置は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。引き回し配線部７１１は、信号線７１０を有する。画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９０を有する。ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。図１４では、容量素子７９０が無い場合を示している。
【０３０１】  トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、実施の形態１で例示したトランジスタを適用できる。
【０３０２】  本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ電流を低くできる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くでき、画像信号等の書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくできるため、消費電力を低減する効果を奏する。
【０３０３】  本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、シリコンウェハ等により形成された駆動回路を適用しない構成も可能であり、表示装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【０３０４】  図１３、図１５、及び図１６に示す容量素子７９０は、トランジスタ７５０が有する第１のゲート電極と同一の膜を加工して形成される下部電極と、半導体層と同一の金属酸化物を加工して形成される上部電極と、を有する。上部電極は、トランジスタ７５０のソース領域及びドレイン領域と同様に低抵抗化されている。また、下部電極と上部電極との間には、トランジスタ７５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁膜の一部が設けられる。すなわち、容量素子７９０は、一対の電極間に誘電体膜として機能する絶縁膜が挟持された積層型の構造である。また、上部電極には、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一の膜を加工して得られる配線が接続されている。
【０３０５】  トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容量素子７９０上には平坦化絶縁膜７７０が設けられている。
【０３０６】  画素部７０２が有するトランジスタ７５０と、ソースドライバ回路部７０４が有するトランジスタ７５２とは、異なる構造のトランジスタを用いてもよい。例えば、いずれか一方にトップゲート型のトランジスタを適用し、他方にボトムゲート型のトランジスタを適用した構成としてもよい。なお、上記ゲートドライバ回路部７０６についてもソースドライバ回路部７０４と同様に、トランジスタ７５０と同じ構造のトランジスタを用いてもよいし、異なる構造のトランジスタを用いてもよい。
【０３０７】  信号線７１０は、トランジスタ７５０やトランジスタ７５２のソース電極及びドレイン電極等と同じ導電膜で形成されている。このとき、銅元素を含む材料等の低抵抗な材料を用いると、配線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となるため好ましい。
【０３０８】  ＦＰＣ端子部７０８は、一部が接続電極として機能する配線７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１６を有する。配線７６０は、異方性導電膜７８０を介してＦＰＣ７１６が有する端子と電気的に接続される。ここでは、配線７６０は、トランジスタ７５０やトランジスタ７５２のソース電極及びドレイン電極等と同じ導電膜で形成されている。
【０３０９】  第１の基板７０１及び第２の基板７０５として、例えばガラス基板、またはプラスチック基板等の可撓性を有する基板を用いることができる。第１の基板７０１に可撓性を有する基板を用いる場合には、第１の基板７０１とトランジスタ７５０等との間に、水や水素に対するバリア性を有する絶縁層を設けることが好ましい。
【０３１０】  第２の基板７０５側には、遮光膜７３８と、着色膜７３６と、これらに接する絶縁膜７３４と、が設けられる。
【０３１１】＜液晶素子を用いる表示装置の構成例＞
図１３に示す表示装置７００は、液晶素子７７５と、スペーサ７７８と、を有する。液晶素子７７５は、導電層７７２、導電層７７４、及びこれらの間に液晶層７７６を有する。導電層７７４は、第２の基板７０５側に設けられ、共通電極としての機能を有する。また、導電層７７２は、トランジスタ７５０が有するソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。導電層７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され、画素電極として機能する。
【０３１２】  導電層７７２には、可視光に対して透光性を有する材料、または反射性を有する材料を用いることができる。透光性を有する材料として、例えば、インジウム、亜鉛、スズ等を含む酸化物材料を用いるとよい。反射性を有する材料として、例えば、アルミニウム、銀等を含む材料を用いるとよい。
【０３１３】  導電層７７２に反射性の材料を用いると、表示装置７００は反射型の液晶表示装置となる。一方、導電層７７２に透光性の材料を用いると、透過型の液晶表示装置となる。反射型の液晶表示装置の場合、視認側に偏光板を設ける。一方、透過型の液晶表示装置の場合、液晶素子を挟むように一対の偏光板を設ける。
【０３１４】  図１４に示す表示装置７００は、横電界方式（例えば、ＦＦＳモード）の液晶素子７７５を用いる例を示す。導電層７７２上に絶縁層７７３を介して、共通電極として機能する導電層７７４が設けられる。導電層７７２と導電層７７４との間に生じる電界によって、液晶層７７６の配向状態を制御することができる。
【０３１５】  図１４において、導電層７７４、絶縁層７７３、導電層７７２の積層構造により保持容量を構成することができる。そのため、別途容量素子を設ける必要がなく、開口率を高めることができる。
【０３１６】  図１３及び図１４には図示しないが、液晶層７７６と接する配向膜を設ける構成としてもよい。また、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）、及びバックライト、サイドライトなどの光源を適宜設けることができる。
【０３１７】  液晶層７７６には、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。
【０３１８】  液晶素子のモードとしては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。
【０３１９】  液晶層７７６に高分子分散型液晶や、高分子ネットワーク型液晶などを用いた、散乱型の液晶を用いることもできる。このとき、着色膜７３６を設けずに白黒表示を行う構成としてもよいし、着色膜７３６を用いてカラー表示を行う構成としてもよい。
【０３２０】  液晶素子の駆動方法として、継時加法混色法に基づいてカラー表示を行う、時間分割表示方式（フィールドシーケンシャル駆動方式ともいう）を適用してもよい。その場合、着色膜７３６を設けない構成とすることができる。時間分割表示方式を用いた場合、例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のそれぞれの色を呈する副画素を設ける必要がないため、画素の開口率を向上させることや、精細度を高められることなどの利点がある。
【０３２１】＜発光素子を用いる表示装置＞
図１５に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電層７７２、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。ＥＬ層７８６は、有機化合物、または無機化合物などの発光材料を有する。
【０３２２】  発光材料としては、蛍光材料、燐光材料、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料、無機化合物（量子ドット材料など）などを用いることができる。
【０３２３】  図１５に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０上に導電層７７２の一部を覆う絶縁膜７３０が設けられる。ここで、発光素子７８２は透光性の導電膜７８８を有し、トップエミッション型の発光素子である。なお、発光素子７８２は、導電層７７２側に光を射出するボトムエミッション構造や、導電層７７２側及び導電膜７８８側の双方に光を射出するデュアルエミッション構造としてもよい。
【０３２４】  着色膜７３６は発光素子７８２と重なる位置に設けられている。遮光膜７３８は絶縁膜７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に設けられている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、ＥＬ層７８６を画素毎に島状または画素列毎に縞状に形成する、すなわち塗り分けにより形成する場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
【０３２５】  図１６には、フレキシブルディスプレイに好適に適用できる表示装置の構成を示している。図１６は、図１２Ｂに示した表示装置７００Ａ中の一点鎖線Ｓ−Ｔにおける断面図である。
【０３２６】  図１６に示す表示装置７００Ａは、図１５で示した第１の基板７０１に代えて、支持基板７４５、接着層７４２、樹脂層７４３、及び絶縁層７４４が積層された構成を有する。トランジスタ７５０や容量素子７９０等は、樹脂層７４３上に設けられた絶縁層７４４上に設けられている。
【０３２７】  支持基板７４５は、有機樹脂やガラス等を含み、可撓性を有する程度に薄い基板である。樹脂層７４３は、ポリイミドやアクリルなどの有機樹脂を含む層である。絶縁層７４４は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁膜を含む。樹脂層７４３と支持基板７４５とは、接着層７４２によって貼り合わされている。樹脂層７４３は、支持基板７４５よりも薄いことが好ましい。
【０３２８】  図１６に示す表示装置７００Ａは、図１５で示した第２の基板７０５に代えて保護層７４０を有する。保護層７４０は、封止膜７３２と貼り合わされている。保護層７４０として、ガラス基板や樹脂フィルムなどを用いることができる。また、保護層７４０として、偏光板、散乱板などの光学部材や、タッチセンサパネルなどの入力装置、またはこれらを２つ以上積層した構成を適用してもよい。
【０３２９】  発光素子７８２が有するＥＬ層７８６は、絶縁膜７３０及び導電層７７２上に島状に設けられている。ＥＬ層７８６を、副画素毎に発光色が異なるように作り分けることで、着色膜７３６を用いずにカラー表示を実現することができる。また、発光素子７８２を覆って、保護層７４１が設けられている。保護層７４１は発光素子７８２に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。保護層７４１は、無機絶縁膜を用いることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜をそれぞれ一以上含む積層構造とすることがより好ましい。
【０３３０】  図１６では、折り曲げ可能な領域Ｐ２を示している。領域Ｐ２では、支持基板７４５、接着層７４２のほか、絶縁層７４４等の無機絶縁膜が設けられていない部分を有する。また、領域Ｐ２において、配線７６０を覆って樹脂層７４６が設けられている。折り曲げ可能な領域Ｐ２に無機絶縁膜をできるだけ設けず、且つ、金属または合金を含む導電層と、有機材料を含む層のみを積層した構成とすることで、曲げた際にクラックが生じることを防ぐことができる。また、領域Ｐ２に支持基板７４５を設けないことで、極めて小さい曲率半径で、表示装置７００Ａの一部を曲げることができる。
【０３３１】＜表示装置に入力装置を設ける構成例＞
図１３乃至図１６に示す表示装置７００または表示装置７００Ａに、入力装置を設けてもよい。当該入力装置は、例えば、タッチセンサ等が挙げられる。
【０３３２】  例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。または、これら２つ以上を組み合わせて用いてもよい。
【０３３３】  なお、タッチパネルの構成は、入力装置を一対の基板の間に形成する、所謂インセル型のタッチパネル、入力装置を表示装置７００上に形成する、所謂オンセル型のタッチパネル、または入力装置を表示装置７００に貼り合わせて用いる、所謂アウトセル型のタッチパネルなどがある。
【０３３４】  本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３５】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３６】（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図１７を用いて説明を行う。
【０３３７】  図１７Ａに示す表示装置は、画素部５０２と、駆動回路部５０４と、保護回路５０６と、端子部５０７と、を有する。なお、保護回路５０６は、設けない構成としてもよい。
【０３３８】  画素部５０２や駆動回路部５０４が有するトランジスタに、本発明の一態様のトランジスタを適用することができる。また保護回路５０６にも、本発明の一態様のトランジスタを適用してもよい。
【０３３９】  画素部５０２は、Ｘ行Ｙ列（Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動する複数の画素回路５０１を有する。
【０３４０】  駆動回路部５０４は、ゲート線ＧＬ＿１乃至ゲート線ＧＬ＿Ｘに走査信号を出力するゲートドライバ５０４ａ、データ線ＤＬ＿１乃至データ線ＤＬ＿Ｙにデータ信号を供給するソースドライバ５０４ｂなどの駆動回路を有する。ゲートドライバ５０４ａは、少なくともシフトレジスタを有する構成とすればよい。またソースドライバ５０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ５０４ｂを構成してもよい。
【０３４１】  端子部５０７は、外部の回路から表示装置に電源、制御信号、及び画像信号等を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０３４２】  保護回路５０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。図１７Ａに示す保護回路５０６は、例えば、ゲートドライバ５０４ａと画素回路５０１の間の配線であるゲート線ＧＬ、またはソースドライバ５０４ｂと画素回路５０１の間の配線であるデータ線ＤＬ等の各種配線に接続される。
【０３４３】  ゲートドライバ５０４ａとソースドライバ５０４ｂは、それぞれ画素部５０２と同じ基板上に設けられていてもよいし、ゲートドライバ回路またはソースドライバ回路が別途形成された基板（例えば、単結晶半導体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）をＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、画素部５０２が設けられる基板に実装する構成としてもよい。
【０３４４】  図１７Ａに示す複数の画素回路５０１は、例えば、図１７Ｂまたは図１７Ｃに示す構成とすることができる。
【０３４５】  図１７Ｂに示す画素回路５０１は、液晶素子５７０と、トランジスタ５５０と、容量素子５６０と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ、ゲート線ＧＬ＿ｍ、電位供給線ＶＬ等が接続されている。
【０３４６】  液晶素子５７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子５７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素回路５０１のそれぞれが有する液晶素子５７０の一対の電極の一方に共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路５０１の液晶素子５７０の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【０３４７】  図１７Ｃに示す画素回路５０１は、トランジスタ５５２と、トランジスタ５５４と、容量素子５６２と、発光素子５７２と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ、ゲート線ＧＬ＿ｍ、電位供給線ＶＬ＿ａ、及び電位供給線ＶＬ＿ｂ等が接続されている。
【０３４８】  なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。トランジスタ５５４のゲートに与えられる電位に応じて、発光素子５７２に流れる電流が制御されることにより、発光素子５７２からの発光輝度が制御される。
【０３４９】  本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３５０】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３５１】（実施の形態４）
以下では、画素に表示される階調を補正するためのメモリを備える画素回路と、これを有する表示装置について説明する。実施の形態１で例示したトランジスタは、以下で例示する画素回路に用いられるトランジスタに適用することができる。
【０３５２】＜回路構成＞
図１８Ａに、画素回路４００の回路図を示す。画素回路４００は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、容量Ｃ１、及び回路４０１を有する。また画素回路４００には、配線Ｓ１、配線Ｓ２、配線Ｇ１、及び配線Ｇ２が接続される。
【０３５３】  トランジスタＭ１は、ゲートが配線Ｇ１と、ソース及びドレインの一方が配線Ｓ１と、他方が容量Ｃ１の一方の電極と、それぞれ接続する。トランジスタＭ２は、ゲートが配線Ｇ２と、ソース及びドレインの一方が配線Ｓ２と、他方が容量Ｃ１の他方の電極、及び回路４０１と、それぞれ接続する。
【０３５４】  回路４０１は、少なくとも一の表示素子を含む回路である。表示素子として様々な素子を用いることができるが、代表的には有機ＥＬ素子やＬＥＤ素子などの発光素子、液晶素子、またはＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子等を適用することができる。
【０３５５】  トランジスタＭ１と容量Ｃ１とを接続するノードをノードＮ１、トランジスタＭ２と回路４０１とを接続するノードをノードＮ２とする。
【０３５６】  画素回路４００は、トランジスタＭ１をオフ状態とすることで、ノードＮ１の電位を保持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とすることで、ノードＮ２の電位を保持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とした状態で、トランジスタＭ１を介してノードＮ１に所定の電位を書き込むことで、容量Ｃ１を介した容量結合により、ノードＮ１の電位の変位に応じてノードＮ２の電位を変化させることができる。
【０３５７】  ここで、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２のうちの一方または両方に、実施の形態１で例示した、酸化物半導体が適用されたトランジスタを適用することができる。そのため極めて低いオフ電流により、ノードＮ１またはノードＮ２の電位を長期間に亘って保持することができる。なお、各ノードの電位を保持する期間が短い場合（具体的には、フレーム周波数が３０Ｈｚ以上である場合等）には、シリコン等の半導体を適用したトランジスタを用いてもよい。
【０３５８】＜駆動方法例＞
続いて、図１８Ｂを用いて、画素回路４００の動作方法の一例を説明する。図１８Ｂは、画素回路４００の動作に係るタイミングチャートである。なおここでは説明を容易にするため、配線抵抗などの各種抵抗や、トランジスタや配線などの寄生容量、及びトランジスタのしきい値電圧などの影響は考慮しない。
【０３５９】  図１８Ｂに示す動作では、１フレーム期間を期間Ｔ１と期間Ｔ２とに分ける。期間Ｔ１はノードＮ２に電位を書き込む期間であり、期間Ｔ２はノードＮ１に電位を書き込む期間である。
【０３６０】〔期間Ｔ１〕
期間Ｔ１では、配線Ｇ１と配線Ｇ２の両方に、トランジスタをオン状態にする電位を与える。また、配線Ｓ１には固定電位である電位Ｖｒｅｆを供給し、配線Ｓ２には第１データ電位Ｖｗを供給する。
【０３６１】  ノードＮ１には、トランジスタＭ１を介して配線Ｓ１から電位Ｖｒｅｆが与えられる。また、ノードＮ２には、トランジスタＭ２を介して第１データ電位Ｖｗが与えられる。したがって、容量Ｃ１には電位差Ｖｗ−Ｖｒｅｆが保持された状態となる。
【０３６２】〔期間Ｔ２〕
続いて期間Ｔ２では、配線Ｇ１にはトランジスタＭ１をオン状態とする電位を与え、配線Ｇ２にはトランジスタＭ２をオフ状態とする電位を与える。また、配線Ｓ１には第２データ電位Ｖｄａｔａを供給する。配線Ｓ２には所定の定電位を与える、またはフローティング状態としてもよい。
【０３６３】  ノードＮ１には、トランジスタＭ１を介して第２データ電位Ｖｄａｔａが与えられる。このとき、容量Ｃ１による容量結合により、第２データ電位Ｖｄａｔａに応じてノードＮ２の電位が電位ｄＶだけ変化する。すなわち、回路４０１には、第１データ電位Ｖｗと電位ｄＶを足した電位が入力されることとなる。なお、図１８Ｂでは電位ｄＶが正の値であるように示しているが、負の値であってもよい。すなわち、第２のデータ電位Ｖｄａｔａが電位Ｖｒｅｆより低くてもよい。
【０３６４】  ここで、電位ｄＶは、容量Ｃ１の容量値と、回路４０１の容量値によって概ね決定される。容量Ｃ１の容量値が回路４０１の容量値よりも十分に大きい場合、電位ｄＶは第２データ電位Ｖｄａｔａに近い電位となる。
【０３６５】  このように、画素回路４００は、２種類のデータ信号を組み合わせて表示素子を含む回路４０１に供給する電位を生成することができるため、画素回路４００内で階調の補正を行うことが可能となる。
【０３６６】  画素回路４００は、配線Ｓ１及び配線Ｓ２に接続されるソースドライバが供給可能な最大電位を超える電位を生成することも可能となる。例えば発光素子を用いた場合では、ハイダイナミックレンジ（ＨＤＲ）表示等を行うことができる。また、液晶素子を用いた場合では、オーバードライブ駆動等を実現できる。
【０３６７】＜適用例＞
〔液晶素子を用いた例〕
図１８Ｃに示す画素回路４００ＬＣは、回路４０１ＬＣを有する。回路４０１ＬＣは、液晶素子ＬＣと、容量Ｃ２とを有する。
【０３６８】  液晶素子ＬＣは、一方の電極がノードＮ２及び容量Ｃ２の一方の電極と、他方の電極が電位Ｖｃｏｍ２が与えられる配線と接続する。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍ１が与えられる配線と接続する。
【０３６９】  容量Ｃ２は保持容量として機能する。なお、容量Ｃ２は不要であれば省略することができる。
【０３７０】  画素回路４００ＬＣは、液晶素子ＬＣに高い電圧を供給することができるため、例えばオーバードライブ駆動により高速な表示を実現すること、駆動電圧の高い液晶材料を適用することなどができる。また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、使用温度や液晶素子ＬＣの劣化状態等に応じて階調を補正することもできる。
【０３７１】〔発光素子を用いた例〕
図１８Ｄに示す画素回路４００ＥＬは、回路４０１ＥＬを有する。回路４０１ＥＬは、発光素子ＥＬ、トランジスタＭ３、及び容量Ｃ２を有する。
【０３７２】  トランジスタＭ３は、ゲートがノードＮ２及び容量Ｃ２の一方の電極と、ソース及びドレインの一方が電位ＶＨが与えられる配線と、他方が発光素子ＥＬの一方の電極と、それぞれ接続される。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍが与えられる配線と接続する。発光素子ＥＬは、他方の電極が電位ＶＬが与えられる配線と接続する。
【０３７３】  トランジスタＭ３は、発光素子ＥＬに供給する電流を制御する機能を有する。容量Ｃ２は保持容量として機能する。容量Ｃ２は不要であれば省略することができる。
【０３７４】  なお、ここでは発光素子ＥＬのアノード側がトランジスタＭ３と接続する構成を示しているが、カソード側にトランジスタＭ３を接続してもよい。そのとき、電位ＶＨと電位ＶＬの値を適宜変更することができる。
【０３７５】  画素回路４００ＥＬは、トランジスタＭ３のゲートに高い電位を与えることで、発光素子ＥＬに大きな電流を流すことができるため、例えばＨＤＲ表示などを実現することができる。また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、トランジスタＭ３や発光素子ＥＬの電気特性のばらつきを補正することもできる。
【０３７６】  なお、図１８Ｃ及び図１８Ｄで例示した回路に限られず、別途トランジスタや容量などを追加した構成としてもよい。
【０３７７】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３７８】（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
【０３７９】  図１９Ａに示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６００２との間に、ＦＰＣ６００５が接続された表示装置６００６、フレーム６００９、プリント基板６０１０、及びバッテリー６０１１を有する。
【０３８０】  例えば、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を、表示装置６００６に用いることができる。表示装置６００６により、極めて消費電力の低い表示モジュールを実現することができる。
【０３８１】  上部カバー６００１及び下部カバー６００２は、表示装置６００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０３８２】  表示装置６００６はタッチパネルとしての機能を有していてもよい。
【０３８３】  フレーム６００９は、表示装置６００６の保護機能、プリント基板６０１０の動作により発生する電磁波を遮断する機能、放熱板としての機能等を有していてもよい。
【０３８４】  プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路、バッテリー制御回路等を有する。
【０３８５】  図１９Ｂは、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール６０００の断面概略図である。
【０３８６】  表示モジュール６０００は、プリント基板６０１０に設けられた発光部６０１５及び受光部６０１６を有する。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２により囲まれた領域に一対の導光部（導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂ）を有する。
【０３８７】  表示装置６００６は、フレーム６００９を間に介してプリント基板６０１０やバッテリー６０１１と重ねて設けられている。表示装置６００６とフレーム６００９は、導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂに固定されている。
【０３８８】  発光部６０１５から発せられた光６０１８は、導光部６０１７ａにより表示装置６００６の上部を経由し、導光部６０１７ｂを通って受光部６０１６に達する。例えば指やスタイラスなどの被検知体により、光６０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出することができる。
【０３８９】  発光部６０１５は、例えば表示装置６００６の隣接する２辺に沿って複数設けられる。受光部６０１６は、発光部６０１５と対向する位置に複数設けられる。これにより、タッチ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
【０３９０】  発光部６０１５は、例えばＬＥＤ素子などの光源を用いることができ、特に、赤外線を発する光源を用いることが好ましい。受光部６０１６は、発光部６０１５が発する光を受光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能なフォトダイオードを用いることができる。
【０３９１】  光６０１８を透過する導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂにより、発光部６０１５と受光部６０１６とを表示装置６００６の下側に配置することができ、外光が受光部６０１６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外線を透過する樹脂を用いると、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。
【０３９２】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３９３】（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な、電子機器の例について説明する。
【０３９４】  図２０Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
【０３９５】  電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
【０３９６】  表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０３９７】  図２０Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
【０３９８】  筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリー６５１８等が配置されている。
【０３９９】  保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が図示しない接着層により固定されている。
【０４００】  表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されている。また、当該折り返された部分に、ＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。またＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
【０４０１】  表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイパネルを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリー６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
【０４０２】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４０３】（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を備える電子機器について説明する。
【０４０４】  以下で例示する電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を備えるものである。したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が両立された電子機器とすることができる。
【０４０５】  本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
【０４０６】  電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、ノート型のパーソナルコンピュータ、モニタ装置、デジタルサイネージ、パチンコ機、ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
【０４０７】  本発明の一態様が適用された電子機器は、家屋やビルの内壁または外壁、自動車等の内装または外装等が有する平面または曲面に沿って組み込むことができる。
【０４０８】  図２１Ａは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。
【０４０９】  カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。
【０４１０】  なおカメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。
【０４１１】  カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
【０４１２】  筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
【０４１３】  ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。
【０４１４】  筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。
【０４１５】  ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。
【０４１６】  カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。
【０４１７】  図２１Ｂは、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
【０４１８】  ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリー８２０６が内蔵されている。
【０４１９】  ケーブル８２０５は、バッテリー８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球やまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。
【０４２０】  装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能や、使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能を有していてもよい。
【０４２１】  表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０４２２】  図２１Ｃ、図２１Ｄ及び図２１Ｅは、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
【０４２３】  使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。
【０４２４】  なお、表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置は、極めて精細度が高いため、図２１Ｅのようにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
【０４２５】  図２２Ａ乃至図２２Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
【０４２６】  図２２Ａ乃至図２２Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画や動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０４２７】  図２２Ａ乃至図２２Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０４２８】  図２２Ａは、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９１００は、大画面、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
【０４２９】  図２２Ｂは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。図２２Ｂでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールやＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
【０４３０】  図２２Ｃは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
【０４３１】  図２２Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチとして用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
【０４３２】  図２２Ｅ、図２１Ｆ及び図２１Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２２Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２２Ｇは折り畳んだ状態、図２２Ｆは図２２Ｅと図２２Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０４３３】  図２３Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７５００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０４３４】  図２３Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７５００にタッチパネルを適用し、これに触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、操作ボタンの他に表示部を有していてもよい。
【０４３５】  なお、テレビジョン装置７１００は、テレビ放送の受信機や、ネットワーク接続のための通信装置を有していてもよい。
【０４３６】  図２３Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７５００が組み込まれている。
【０４３７】  図２３Ｃ及び図２３Ｄに、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。
【０４３８】  図２３Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７５００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０４３９】  図２３Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７５００を有する。
【０４４０】  表示部７５００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができ、また人の目につきやすいため、例えば広告の宣伝効果を高める効果を奏する。
【０４４１】  表示部７５００にタッチパネルを適用し、使用者が操作できる構成とすることが好ましい。これにより、広告用途だけでなく、路線情報や交通情報、商用施設の案内情報など、使用者が求める情報を提供するための用途にも用いることができる。
【０４４２】  図２３Ｃ及び図２３Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７５００に表示される広告の情報を情報端末機７３１１の画面に表示させることや、情報端末機７３１１を操作することで、表示部７５００の表示を切り替えることができる。
【０４４３】  デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
【０４４４】  図２３Ａ乃至図２３Ｄにおける表示部７５００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０４４５】  本実施の形態の電子機器は表示部を有する構成としたが、表示部を有さない電子機器にも本発明の一態様を適用することができる。
【０４４６】  本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例１】
【０４４７】  本実施例では、金属酸化物層１１４に用いることができる材料のエッチング速度を評価した。【０４４８】  評価には、ガラス基板上に金属酸化物膜を形成した試料（ｓａｍｐｌｅ  Ａ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ａ４）を用いた。【０４４９】  金属酸化物膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により成膜した。成膜時の基板温度は１００℃とし、成膜ガスとして酸素ガス（酸素流量比１００％）を用いた。ここで、金属酸化物膜の成膜時の電源電力及び圧力を異ならせた４つの試料（ｓａｍｐｌｅ  Ａ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ａ４）を作製した。【０４５０】  ｓａｍｐｌｅ  Ａ１は、電源電力を２．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ａ２は、電源電力を２．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．６Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ａ３は、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ａ４は、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．６Ｐａとした。【０４５１】  エッチング速度は、ウェットエッチング法で評価した。エッチャントとして、シュウ酸（５％以下）、添加剤（濃度非公開）、水（９５％以上）の混合液を用いた。エッチング時のエッチャント温度は４５℃とした。エッチング速度は、光干渉式膜厚測定により得た膜厚から算出した。なお、本実施例で示すエッチング速度は、金属酸化物膜の膜厚方向のエッチング速度を意味する。【０４５２】  各試料のエッチング速度（ＥＲ）を、表１に示す。表１には金属酸化物膜の成膜速度（ＤＲ）も示している。【０４５３】
【表１】
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【０４５４】  表１に示すように、金属酸化物膜の成膜時の電源電力（Ｐｏｗｅｒ）を高くすると、金属酸化物膜のエッチング速度が遅くなる傾向を確認できた。また、金属酸化物膜の成膜時の圧力（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）を低くすると、金属酸化物膜のエッチング速度が遅くなる傾向を確認できた。金属酸化物膜の成膜時の電源電力を高くする、または圧力を低くすることにより金属酸化物膜の結晶性が高まり、エッチング速度が遅くなったと考えられる。なお、金属酸化物膜の成膜時の電源電力を高くすると成膜速度が速くなる傾向を確認できた。金属酸化物膜の成膜時の圧力で、成膜速度に大きな差は見られなかった。
【実施例２】
【０４５５】  本実施例では、図１に示すトランジスタ１００に相当する試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４）を作製し、断面形状を評価した。【０４５６】  評価には、ガラス基板上に絶縁層、金属酸化物層及び導電層を形成した試料を用いた。【０４５７】＜試料の作製＞
まず、ガラス基板上に厚さ１５０ｎｍの絶縁層を成膜した。絶縁層として、厚さ約５ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜、及び厚さ約５ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を、それぞれプラズマＣＶＤ法により成膜した。【０４５８】  第１の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、１８０００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を１３０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４５９】  第２の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２００ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を３００Ｐａ、成膜電力を７５０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４６０】  第３の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２０ｓｃｃｍ、３０００ｓｃｃｍとし、圧力を４０Ｐａ、成膜電力を５００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４６１】  続いて、絶縁層上にスパッタリング法により、厚さ約２０ｎｍの金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により行った。成膜時の基板温度を１００℃とし、成膜ガスとして酸素ガス（酸素流量比１００％）を用いた。ここで、金属酸化物膜の成膜時の電源電力及び圧力を異ならせた４つの試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４）を作製した。【０４６２】  ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１は、電源電力を２．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ｂ２は、電源電力を２．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．６Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ｂ３は、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４は、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．６Ｐａとした。【０４６３】  続いて、窒素を含む雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行なった。【０４６４】  続いて、金属酸化物膜上に導電膜を成膜した。導電膜として、厚さ約１００ｎｍのモリブデン膜をスパッタリング法により成膜した。【０４６５】  続いて、導電膜上にレジストパターンを形成した。【０４６６】  続いて、レジストパターンをマスクとして、導電膜をエッチングし、導電層を得た。エッチングにはドライエッチング法を用い、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用いた。【０４６７】  続いて、金属酸化物膜をエッチングし、金属酸化物層を得た。エッチングにはウェットエッチング法を用いた。エッチャントは実施例１の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。なお、エッチング処理時間は、ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４のいずれも７５秒とした。【０４６８】＜試料の断面観察＞
次に、ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４を集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）により薄片化し、断面を走査透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。【０４６９】  ｓａｍｐｌｅ  Ｂ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｂ４の断面のＳＴＥＭ像を、図２４に示す。図２４は倍率１０万倍の透過電子像（ＴＥ像）であり、縦方向に金属酸化物層の成膜時の電源電力（Ｐｏｗｅｒ）を示しており、横方向に金属酸化物層の成膜時の圧力（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）を示している。また、図２４において、ガラス基板をＧｌａｓｓ、絶縁層をＳｉＯＮ、金属酸化物層をＩＧＺＯ、導電層をＭｏ、断面観察用の帯電防止膜として用いたプラチナコーティングをＰｔ、保護膜として用いたカーボンコーティングをＣと記している。また、導電層（Ｍｏ）の端部と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）の端部の位置の差である幅Ｌ２の値を示している。【０４７０】  図２４に示すように、いずれの試料においても導電層（Ｍｏ）の端部より金属酸化物層（ＩＧＺＯ）の端部が内側に位置することを確認できた。また、金属酸化物膜の成膜時の電源電力を高くすると、幅Ｌ２が小さくなる傾向を確認できた。金属酸化物膜の成膜時の圧力を低くすると、幅Ｌ２が小さくなる傾向を確認できた。なお、実施例１で示した金属酸化物膜のエッチング速度と、幅Ｌ２はほぼ線形の相関関係であることも確認できた。【０４７１】  以上示したように、金属酸化物の成膜条件を異ならせることにより、幅Ｌ２を制御できることが分かった。
【実施例３】
【０４７２】  本実施例では、図５に示すトランジスタ１００Ａに相当する試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３）を作製し、電気特性及び断面形状を評価した。【０４７３】＜試料の作製＞
作製したトランジスタの構成は、実施の形態１で例示したトランジスタ１００Ａを援用できる。【０４７４】  まず、ガラス基板上に厚さ約１００ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成し、これを加工して第１のゲート電極を得た。続いて、第１のゲート絶縁層として厚さ約２４０ｎｍの第１の窒化シリコン膜と、厚さ約６０ｎｍの第２の窒化シリコン膜と、厚さ約３ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により積層して形成した。【０４７５】  第１の窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、窒素ガス、アンモニアガスの流量をそれぞれ２９０ｓｃｃｍ、２０００ｓｃｃｍ、２０００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を３０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４７６】  第２の窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、窒素ガス、アンモニアガスの流量をそれぞれ２００ｓｃｃｍ、２０００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍとし、圧力を１００Ｐａ、成膜電力を２０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４７７】  酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２０ｓｃｃｍ、３０００ｓｃｃｍとし、圧力を４０Ｐａ、成膜電力を３０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４７８】  続いて、第１のゲート絶縁層上に、厚さ４０ｎｍの金属酸化物膜を成膜し、これを加工して半導体層を得た。金属酸化物膜の成膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により行った。成膜時の基板温度は１００℃とした。成膜ガスとして酸素ガス及びアルゴンガスの混合ガスを用い、酸素流量比を５０％とした。また、電源電力を２．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．６Ｐａとした。【０４７９】  半導体層の形成後、窒素ガス雰囲気下にて３５０℃、１時間の加熱処理を行なった後、窒素ガスと酸素ガスの混合雰囲気下にて３５０℃、１時間の加熱処理を行なった。【０４８０】  続いて、第２のゲート絶縁層として、厚さ約５ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜、及び厚さ約５ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を、それぞれプラズマＣＶＤ法により成膜した。【０４８１】  第１の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、１８０００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を１３０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４８２】  第２の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２００ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を３００Ｐａ、成膜電力を７５０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４８３】  第３の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２０ｓｃｃｍ、３０００ｓｃｃｍとし、圧力を４０Ｐａ、成膜電力を５００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４８４】  続いて、第２のゲート絶縁層上にスパッタリング法により、金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により行った。成膜時の基板温度は１００℃とした。成膜ガスとして酸素ガス（酸素流量比１００％）を用いた。��た、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。ここで、金属酸化物膜の厚さを異ならせた３つの試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３）を作製した。【０４８５】  ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１は、金属酸化物膜の厚さを２０ｎｍとした。ｓａｍｐｌｅ  Ｃ２は、金属酸化物膜の厚さを３０ｎｍとした。ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３は、金属酸化物膜の厚さを４０ｎｍとした。【０４８６】  その後、窒素を含む雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行なった。【０４８７】  続いて、導電膜として、金属酸化物膜上に厚さ約１００ｎｍのモリブデン膜をスパッタリング法により成膜した。【０４８８】  続いて、導電膜上にレジストパターンを形成した。【０４８９】  続いて、レジストパターンをマスクとして、導電膜をエッチングし、導電層を得た。エッチングにはドライエッチング法を用い、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用いた。【０４９０】  続いて、金属酸化物膜をエッチングし、金属酸化物層を得た。エッチングにはウェットエッチング法を用いた。エッチャントは実施例１の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。なお、エッチング処理時間は、ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３のいずれも７５秒とした。【０４９１】  続いて、導電層をマスクとして、不純物元素としてホウ素の添加処理を行なった。不純物の添加は、プラズマイオンドーピング装置を用いた。ホウ素を供給するためのガスには、Ｂ２Ｈ６ガスを用いた。【０４９２】  続いて、トランジスタを覆う保護絶縁層として厚さ約３００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により成膜した。【０４９３】  保護絶縁層の成膜は、シランガス、窒素ガスの流量をそれぞれ２９０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を１３３Ｐａ、成膜電力を１０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０４９４】  続いて、保護絶縁層及び第２のゲート絶縁層の一部をエッチングにより開口し、モリブデン膜をスパッタリング法により成膜した後、これを加工してソース電極及びドレイン電極を得た。その後、平坦化層として厚さ約１．５μｍのアクリル膜を形成し、窒素雰囲気下、温度２５０℃、１時間の条件で加熱処理を行った。【０４９５】  以上の工程により、それぞれガラス基板上に形成されたトランジスタを有する、ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３を得た。【０４９６】＜試料の断面観察＞
続いて、上記で作製したｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３を集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）により薄片化し、断面を走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した。【０４９７】＜トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性＞
続いて、上記で作製したトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を測定した。【０４９８】  トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性の測定は、ゲート電極に印加する電圧（以下、ゲート電圧（Ｖｇ）ともいう）を、−１５Ｖから＋２０Ｖまで０．２５Ｖのステップで印加した。また、ソース電極に印加する電圧（以下、ソース電圧（Ｖｓ）ともいう）を０Ｖ（ｃｏｍｍ）とし、ドレイン電極に印加する電圧（以下、ドレイン電圧（Ｖｄ）ともいう）を、０．１Ｖ及び１０Ｖとした。【０４９９】＜トランジスタの信頼性＞
続いて、上記トランジスタを用いて信頼性の評価として、ゲートバイアスストレス試験（ＧＢＴ：Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ｔｅｓｔ）を行った。【０５００】  ここで、ゲートバイアスストレス試験（ＧＢＴ）は、トランジスタの信頼性を評価する指標の１つとして、ゲートに電界を印加した状態で保持し、トランジスタの特性変動を評価する。ゲートバイアスストレス試験（ＧＢＴ）の中でも、ソース電位及びドレイン電位に対して、ゲートに正の電位を与えた状態で、高温下で保持する試験をＰＢＴＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験、ゲートに負の電位を与えた状態で、高温下で保持する試験をＮＢＴＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験と呼ぶ。また、白色ＬＥＤ光などの光を照射した状態で行うＰＢＴＳ試験及びＮＢＴＳ試験を、それぞれＰＢＴＩＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験、ＮＢＴＩＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験と呼ぶ。【０５０１】  特に、酸化物半導体を用いたｎ型のトランジスタにおいては、トランジスタをオン状態（電流を流す状態）とする際にゲートに正の電位が与えられるため、ＰＢＴＳ試験でのしきい値電圧の変動量が、トランジスタの信頼性の指標として着目すべき重要な項目の１つとなる。【０５０２】  本実施例では、ＰＢＴＳ試験及びＮＢＴＩＳ試験について示す。ＰＢＴＳ試験及びＮＢＴＩＳ試験は、トランジスタが形成されている基板を６０℃に保持し、トランジスタのソースとドレインに０Ｖ、ゲートには２０Ｖまたは−２０Ｖの電圧を印加し、この状態を１時間保持した。なお、ＮＢＴＩＳ試験における光の照射は、約１００００ｌｘの白色ＬＥＤ光を用いた。【０５０３】  ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１におけるトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性、及び断面のＳＴＥＭ像を図２５に示す。ｓａｍｐｌｅ  Ｃ２におけるトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性、及び断面のＳＴＥＭ像を図２６に示す。ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３におけるトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性、及び断面のＳＴＥＭ像を図２７に示す。図２５乃至図２７では縦方向にトランジスタのチャネル長が異なる条件のＩｄ−Ｖｇ特性を示しており、チャネル長が２μｍ、３μｍ、チャネル幅が５０μｍの２種類のトランジスタについて示している。図２５乃至図２７のＩｄ−Ｖｇ特性において、横軸にゲート電圧（Ｖｇ）を示し、縦軸にドレイン電流（Ｉｄ）を示す。なお、それぞれの試料で１０個のトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を測定し、図２５乃至図２７では１０個のトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性結果をそれぞれ重ねて示している。また、図２５乃至図２７それぞれの最下段に、断面のＳＴＥＭ像を示している。ＳＴＥＭ像において、窒化シリコン層をＳｉＮ、酸化窒化シリコン層をＳｉＯＮ、金属酸化物層をＩＧＺＯ、導電層をＭｏ、と記している。また、導電層（Ｍｏ）の端部と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）の端部の位置の差である幅Ｌ２の値を示している。【０５０４】  図２５乃至図２７に示すように、金属酸化物層が厚くなると幅Ｌ２が小さくなる傾向となった。つまり、金属酸���物の膜厚を異ならせることにより、幅Ｌ２を制御できることが分かった。【０５０５】  図２５乃至図２７に示すように、いずれの試料においても良好な電気特性が得られることを確認できた。【０５０６】  ｓａｍｐｌｅ  Ｃ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｃ３における、ＰＢＴＳ試験及びＮＢＴＩＳ試験前後でのしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）を図２８に示す。図２８において、横軸に金属酸化物層の厚さを示し、縦軸にしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）を示す。【０５０７】  図２８に示すように、いずれの試料においても、しきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）は小さく、良好な信頼性であることを確認できた。また、金属酸化物層の膜厚でしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）に差は見られなかった。
【実施例４】
【０５０８】  本実施例では、金属酸化物膜の抵抗を評価した。【０５０９】  評価には、ガラス基板上に金属酸化物膜を形成した試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｄ）を用いた。ｓａｍｐｌｅ  Ｄの断面構造を図２９に示す。【０５１０】＜試料の作製＞
まず、ガラス基板２００上に、厚さ１００ｎｍの金属酸化物膜２１４を成膜した。金属酸化物膜２１４の成膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により行った。成膜時の基板温度を１００℃とした。成膜ガスとして酸素ガス（酸素流量比１００％）を用いた。また、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。【０５１１】  その後、窒素を含む雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行なった。【０５１２】  続いて、金属酸化物膜２１４上に、導電膜２１２を成膜した。導電膜２１２として、厚さ約５０ｎｍのモリブデン膜をスパッタリング法により成膜した。【０５１３】  続いて、導電膜２１２上に、絶縁膜２１８を成膜した。絶縁膜２１８として、厚さ約３００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により成膜した。絶縁膜２１８の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２９０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を１３３Ｐａ、成膜電力を１０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５１４】  続いて、絶縁膜２１８及び導電膜２１２をドライエッチング法により除去した。エッチングには、ＳＦ６ガスを用いた。【０５１５】  以上の工程で、ｓａｍｐｌｅ  Ｄを得た。【０５１６】＜抵抗測定＞
本実施例では、金属酸化物膜２１４の膜厚方向の抵抗を評価した。具体的には、金属酸化物膜２１４の膜厚及び抵抗を測定し、その後、金属酸化物膜２１４の表面側を一部エッチングにより除去して膜厚を薄くし、再び膜厚及び抵抗を測定する、を繰り返した。【０５１７】  金属酸化物膜２１４のシート抵抗を、図３０に示す。図３０において、横軸に金属酸化物膜２１４の膜減り量を示し、縦軸にシート抵抗を示す。【０５１８】  図３０に示すように、金属酸化物膜２１４の表面から深さ約８０ｎｍ程度までは、シート抵抗が１×１０３Ω／□以下と抵抗が低いことが分かった。金属酸化物膜２１４を約８０ｎｍ程度に厚くした場合においても、導電膜として機能することを確認できた。
【実施例５】
【０５１９】  本実施例では、図１に示すトランジスタ１００に相当する試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４）を作製し、断面形状を評価した。ここでは、保護絶縁層である絶縁層１１８に相当する絶縁層の膜種、成膜条件を異ならせた。【０５２０】  評価には、ガラス基板上に絶縁層、金属酸化物層、導電層及び保護絶縁層を形成した試料を用いた。【０５２１】＜試料の作製＞
まず、ガラス基板上に厚さ１５０ｎｍの絶縁層を成膜した。絶縁層として、厚さ約５ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜、及び厚さ約５ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を、それぞれプラズマＣＶＤ法により成膜した。【０５２２】  第１の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、１８０００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を１３０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５２３】  第２の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２００ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を３００Ｐａ、成膜電力を７５０Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５２４】  第３の酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２０ｓｃｃｍ、３０００ｓｃｃｍとし、圧力を４０Ｐａ、成膜電力を５００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５２５】  続いて、絶縁層上にスパッタリング法により、厚さ約２０ｎｍの金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いたスパッタリング法により行った。成膜時の基板温度は１００℃とし、成膜ガスとして酸素ガス（酸素流量比１００％）を用いた。また、電源電力を４．５ｋＷ（交流）とし、圧力を０．３Ｐａとした。【０５２６】  続いて、窒素を含む雰囲気下で３５０℃、１時間の加熱処理を行なった。【０５２７】  続いて、金属酸化物膜上に導電膜を成膜した。導電膜として、厚さ約１００ｎｍのモリブデン膜をスパッタリング法により成膜した。【０５２８】  続いて、導電膜上にレジストパターンを形成した。【０５２９】  続いて、レジストパターンをマスクとして、導電膜をエッチングし、導電層を得た。エッチングにはドライエッチング法を用い、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用いた。【０５３０】  続いて、金属酸化物膜をエッチングし、金属酸化物層を得た。エッチングにはウェットエッチング法を用いた。エッチャントは実施例１の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。なお、エッチング処理時間は、ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４のいずれも７５秒とした。【０５３１】  続いて、保護絶縁層として厚さ約３００ｎｍの絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜した。ここで、保護絶縁層の膜種及び成膜条件を異ならせた４つの試料（ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４）を作製した。【０５３２】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１は、保護絶縁層として酸化窒化シリコン膜を成膜した。酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ２９０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍとし、圧力を１３３Ｐａ、成膜電力を１０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５３３】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ２は、保護絶縁層として酸化窒化シリコン膜を成膜した。酸化窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガスの流量をそれぞれ１５０ｓｃｃｍ、１０００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を２０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５３４】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ３は、保護絶縁層として窒化酸化シリコン膜を成膜した。窒化酸化シリコン膜��成膜は、シランガス、一酸化二窒素ガス、窒素ガス、アンモニアガスの流量をそれぞれ１５０ｓｃｃｍ、１０００ｓｃｃｍ、５０００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を２０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５３５】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４は、保護絶縁層として窒化シリコン膜を成膜した。窒化シリコン膜の成膜は、シランガス、窒素ガス、アンモニアガスの流量をそれぞれ１５０ｓｃｃｍ、５０００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍとし、圧力を２００Ｐａ、成膜電力を２０００Ｗ、基板温度を３５０℃とした。【０５３６】  以上の工程により、ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４を得た。【０５３７】＜試料の断面観察＞
次に、ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４を集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）により薄片化し、断面を走査透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。【０５３８】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１乃至ｓａｍｐｌｅ  Ｅ４の断面のＳＴＥＭ像を、図３１に示す。図３１は、倍率１０万倍の透過電子像（ＴＥ像）である。また、図３１では、ガラス基板をＧｌａｓｓ、絶縁層をＳｉＯＮ１、導電層をＭｏ、金属酸化物層をＩＧＺＯと記している。また、保護絶縁層は酸化窒化シリコン膜をＳｉＯＮ２、窒化酸化シリコン膜をＳｉＮＯ、窒化シリコン膜をＳｉＮと記している。【０５３９】  図３１において、導電層（Ｍｏ）と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）との間に観察される淡色の領域は、空隙であることを示す。保護絶縁層として酸化窒化シリコンを用いたｓａｍｐｌｅ  Ｅ１とｓａｍｐｌｅ  Ｅ２において、ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１と比較してｓａｍｐｌｅ  Ｅ２は空隙が小さく、導電層（Ｍｏ）と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）との間に保護絶縁層（ＳｉＯＮ２）が形成されていることが分かった。保護絶縁層の成膜条件を異ならせることで、導電層（Ｍｏ）と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）との間の空隙の大きさを制御できることが分かった。【０５４０】  ｓａｍｐｌｅ  Ｅ１と比較して、保護絶縁層として窒化酸化シリコンを用いたｓａｍｐｌｅ  Ｅ３は空隙が小さい傾向となった。保護絶縁層の膜種を異ならせることで、導電層（Ｍｏ）と金属酸化物層（ＩＧＺＯ）との間の空隙の大きさを制御できることが分かった。【０５４１】  保護絶縁層として窒化シリコンを用いたｓａｍｐｌｅ  Ｅ４では、保護絶縁層に鬆（図３１中の矢印）が観察された。
【符号の説明】
【０５４２】Ｃ１：容量、Ｃ２：容量、ＤＬ＿１：データ線、Ｇ１：配線、Ｇ２：配線、ＧＬ＿１：ゲート線、Ｍ１：トランジスタ、Ｍ２：トランジスタ、Ｍ３：トランジスタ、Ｎ１：ノード、Ｎ２：ノード、Ｐ１：領域、Ｐ２：領域、Ｓ１：配線、Ｓ２：配線、Ｔ１：期間、Ｔ２：期間、１００：トランジスタ、１００Ａ：トランジスタ、１００Ｂ：トランジスタ、１００Ｃ：トランジスタ、１０２：基板、１０３：絶縁層、１０３ａ：絶縁層、１０３ｂ：絶縁層、１０３ｃ：絶縁層、１０３ｄ：絶縁層、１０３ｉ：領域、１０６：導電層、１０８：半導体層、１０８Ｃ：領域、１０８ｆ：金属酸化物膜、１０８Ｌ：領域、１０８Ｎ：領域、１１０：絶縁層、１１０ａ：絶縁層、１１０ｂ：絶縁層、１１０ｃ：絶縁層、１１０ｉ：領域、１１２：導電層、１１２ｆ：導電膜、１１４：金属酸化物層、１１４ｆ：金属酸化物膜、１１５：レジストマスク、１１６：絶縁層、１１８：絶縁層、１２０ａ：導電層、１２０ｂ：導電層、１３０：空隙、１４０：不純物元素、１４１ａ：開口部、１４１ｂ：開口部、１４２：開口部、１５０：絶縁領域、２００：ガラス基板、２１２：導電膜、２１４：金属酸化物膜、２１８：絶縁膜、４００：画素回路、４００ＥＬ：画素回路、４００ＬＣ：画素回路、４０１：回路、４０１ＥＬ：回路、４０１ＬＣ：回路、５０１：画素回路、５０２：画素部、５０４：駆動回路部、５０４ａ：ゲートドライバ、５０４ｂ：ソースドライバ、５０６：保護回路、５０７：端子部、５５０：トランジスタ、５５２：トランジスタ、５５４：トランジスタ、５６０：容量素子、５６２：容量素子、５７０：液晶素子、５７２：発光素子、７００：表示装置、７００Ａ：表示装置、７００Ｂ：表示装置、７０１：基板、７０２：画素部、７０４：ソースドライバ回路部、７０５：基板、７０６：ゲートドライバ回路部、７０８：ＦＰＣ端子部、７１０：信号線、７１１：配線部、７１２：シール材、７１６：ＦＰＣ、７１７：ＩＣ、７２１：ソースドライバＩＣ、７２２：ゲートドライバ回路部、７２３：ＦＰＣ、７２４：プリント基板、７３０：絶縁膜、７３２：封止膜、７３４：絶縁膜、７３６：着色膜、７３８：遮光膜、７４０：保護層、７４１：保護層、７４２：接着層、７４３：樹脂層、７４４：絶縁層、７４５：支持基板、７４６：樹脂層、７５０：トランジスタ、７５２：トランジスタ、７６０：配線、７７０：平坦化絶縁膜、７７２：導電層、７７３：絶縁層、７７４：導電層、７７５：液晶素子、７７６：液晶層、７７８：スペーサ、７８０：異方性導電膜、７８２：発光素子、７８６：ＥＬ層、７８８：導電膜、７９０：容量素子、６０００：表示モジュール、６００１：上部カバー、６００２：下部カバー、６００５：ＦＰＣ、６００６：表示装置、６００９：フレーム、６０１０：プリント基板、６０１１：バッテリー、６０１５：発光部、６０１６：受光部、６０１７ａ：導光部、６０１７ｂ：導光部、６０１８：光、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリー、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７５００：表示部、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリー、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０４：固定具、８３０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１００：テレビジョン装置、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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【図２１Ｅ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２２Ｄ】
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【図２２Ｅ】
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【図２２Ｆ】
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【図２２Ｇ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【国際調査報告】
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