(57)【要約】  本開示の課題は、外部への電気的信号の取出しを容易にする配線埋め込みガラス基板を用いた慣性力センサを提供することである。本開示に係る慣性力センサは、第１の基板、第２の基板及びセンサ基板の積層構造体を有するセンサ素子を備える。第１の基板は、基板本体と、第１の配線と、電極層（３７４）と、シリコン部材（３７６）と、を備える。第１の配線は、基板本体の内部に設けられる。電極層（３７４）は、基板本体に設けられ、第１の配線と電気的に接続される。シリコン部材（３７６）は、基板本体の端部に設けられる。シリコン部材（３７６）は、断面において、曲線部（３７８）と、曲線部（３７８）に接続される直線部（３４０）と、を有する。電極層（３７４）は、曲線部（３７８）と直線部（３４０）とに跨って設けられる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板、第２の基板及びセンサ基板の積層構造体を有するセンサ素子を備え、
前記第１の基板は、
基板本体と、
前記基板本体の内部に設けられる第１の配線と、
前記基板本体に設けられ前記第１の配線と電気的に接続される電極層と、
前記基板本体の端部に設けられるシリコン部材と、を備え、
前記シリコン部材は、断面視において、曲線部と、前記曲線部に接続される直線部と、を有し、
前記電極層は、前記曲線部と前記直線部とに跨って設けられる、
慣性力センサ。
【請求項２】
前記曲線部と前記直線部とは、前記第１の基板、前記第２の基板及び前記センサ基板の積層方向に並んでいる、
請求項１に記載の慣性力センサ。
【請求項３】
前記シリコン部材は、前記曲線部と前記直線部とを形成し断面視においてＬ字状の部分を有する、
請求項１又は２に記載の慣性力センサ。
【請求項４】
第１の基板、第２の基板及びセンサ基板の積層構造体を有するセンサ素子を備え、
前記第１の基板の端部には凹部が設けられており、
前記凹部は、第１の曲面と、前記第１の曲面に接続される第２の曲面と、を有し、
前記第１の曲面は、円筒状の曲面であり、
前記第２の曲面は、前記第１の曲面から離れるほど開口が大きくなるような曲面であり、
前記第１の曲面と前記第２の曲面とに跨って電極層が設けられる、
慣性力センサ。
【請求項５】
前記第１の曲面と前記第２の曲面とは、前記第１の基板、前記第２の基板及び前記センサ基板の積層方向に並んでいる、
請求項４に記載の慣性力センサ。
【請求項６】
前記第２の曲面は、じょうご状である、
請求項４又は５に記載の慣性力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、車両制御などに用いる慣性力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線を埋め込んだガラス基板を用いて配線の引き回しを行う配線埋め込みガラス基板、及びその配線埋め込みガラス基板を用いたセンサが知られている。【０００３】
なお、この発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１が知られている。【０００４】
しかしながら、上記従来の構成は、配線埋め込みガラス基板の上面からしか電気的な引き出しができないため、センサの配置方向が制限されるという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１３１８３０号公報
【発明の概要】
【０００６】
本開示の目的は、センサの配置方向に関する自由度を高めることができる慣性力センサを提供することである。
【０００７】
上記目的を解決するために本開示の一態様に係る慣性力センサは、第１の基板、第２の基板及びセンサ基板の積層構造体を有するセンサ素子を備える。前記第１の基板は、基板本体と、第１の配線と、電極層と、シリコン部材と、を備える。前記第１の配線は、前記基板本体の内部に設けられる。前記電極層は、前記基板本体に設けられ前記第１の配線と電気的に接続される。前記シリコン部材は、前記基板本体の端部に設けられる。前記シリコン部材は、断面視において、曲線部と、前記曲線部に接続される直線部と、を有する。前記電極層は、前記曲線部と前記直線部とに跨って設けられる。
【０００８】
本開示の一態様に係る慣性力センサは、第１の基板、第２の基板及びセンサ基板の積層構造体を有するセンサ素子を備える。前記第１の基板の端部には凹部が設けられている。前記凹部は、第１の曲面と、前記第１の曲面に接続される第２の曲面と、を有する。前記第１の曲面は、円筒状の曲面である。前記第２の曲面は、前記第１の曲面から離れるほど開口が広くなるような曲面である前記電極層は、前記第１の曲面と前記第２の曲面とに跨って設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施の形態１の加速度センサの内部の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、同上の加速度センサを上面から見た図である。
【図３】図３は、同上の加速度センサが備える加速度センサ素子の概略構成を示す分解斜視図である。
【図４】図４Ａは、同上の加速度センサ素子が備える第１の基板の上面図である。図４Ｂは、同上の第１の基板の正面図である。
【図５】図５Ａは、同上の加速度センサ素子が備えるセンサ基板の上面図である。図５Ｂは、同上のセンサ基板の正面図である。
【図６】図６Ａは、同上の加速度センサ素子が備える第２の基板の上面図である。図６Ｂは、同上の第２の基板の正面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、同上の加速度センサ素子の実装後を示す図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、実施の形態２の加速度センサが備える加速度センサ素子の実装後を示す図である。
【図９】図９Ａは、図８Ａの一部を拡大した図である。図９Ｂは、図８Ａの一部をＡ１方向から見た図である。
【図１０】図１０Ａは、シリコン部材をノンボッシュプロセスでエッチング加工する工程を説明する図である。図１０Ｂは、図８Ａで説明したエッチング工程が完了した時点におけるシリコン部材を示す図である。図１０Ｃは、図１０Ｂの破線Ｒ１で囲まれる部分を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下図面を参照して、本開示の実施の形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。
【００１１】
（実施の形態１）
図１を参照して、本実施の形態に係わる加速度センサ１００の概略構成を説明する。
【００１２】
本実施の形態では、慣性力センサの一例としての加速度を検出する加速度センサを説明する。
【００１３】
図１は、加速度センサ１００の内部の構成を示す斜視図である。
【００１４】
図１に示すように、パッケージ基板１０４は外部基板１０６に実装されている。図１では、パッケージの開口部を塞ぐ蓋は、説明を簡単にするため図示していない。
【００１５】
パッケージ基板１０４の上には、加速度センサ素子１０１と、加速度センサ素子１０１からの出力に基づいて各種の演算を行い、物理量を検出する検出回路１０３と、が搭載される。
【００１６】
リード端子１０５は、パッケージ基板１０４から引き出される。パッケージ基板１０４から引き出されたリード端子１０５は外部基板１０６に接続される。
【００１７】
加速度センサ１００は、静電容量型の加速度を検出するセンサである。加速度センサ１００はＭＥＭＳ技術で製造される。
【００１８】
図２は、加速度センサ１００を上面から見た図である。
【００１９】
加速度センサ素子１０１は、図２に示すように、電極層３７４が上面視で露出するように配置される。電極層３７４には、金属ワイヤ３７１が接続される。電極層３７４の詳細については後述する。
【００２０】
図３は、加速度センサ素子１０１の概略構成を示す分解斜視図である。なお図３においては加速度センサ素子１０１の一部の構成が省略され得る。
【００２１】
加速度センサ素子１０１は、図３に示すように、センサ基板１３０と、第１の基板としての基板１３１ａと、第２の基板としての基板１３１ｂと、を積層した構造を有する。別の表現では、センサ基板１３０が基板１３１ａと基板１３１ｂとの間に挟まれた構造を有する。以下の説明では、センサ基板１３０、基板１３１ａ、１３１ｂを積層する方向を積層方向という。つまり、図３では、Ｚ軸方向が積層方向になる。
【００２２】
センサ基板１３０は、Ｘ軸方向の加速度を検出する錘部１１１と、錘部１１１を支持部１１３に支持する梁部１１２ａ、１１２ｂと、を有している。センサ基板１３０は、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。
【００２３】
基板１３１ａは、基板本体１１６と、固定電極１１５ａ、１１５ｃと、固定電極１１５ａ、１１５ｃのそれぞれから得られる電気信号を外部に引き出すための貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃと、を有している。基板本体１１６は、ガラスを含む基板を用いることができる。
【００２４】
各固定電極１１５ａ、１１５ｃは、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜を用いることができる。
【００２５】
基板１３１ｂは、パッケージ基板１０４の上に配置される。基板１３１ｂは、ガラスを含む基板を用いることができる。
【００２６】
貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃは、基板１３１ａを貫通して設けられ、各固定電極１１５ａ、１１５ｃ、あるいは加速度センサ素子１０１と電気的に接続される。図３では省略されているが、貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃの端面には、金属ワイヤ３７１と接続するための電極層３７４が設けられている。以下の説明において、貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを特に区別しない場合には、貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃの各々を「貫通配線１１４」ともいう。
【００２７】
加速度センサ素子１０１では、錘部１１１と固定電極１１５ａ、１１５ｃとの間に、加速度に応じて容量が変化するコンデンサが構成されている。より詳細には、錘部１１１に加速度が加わると、梁部１１２ａ、１１２ｂがねじれて、錘部１１１が変位する。これにより、固定電極１１５ａ、１１５ｃと錘部１１１とが対向する面積及び間隔が変化し、コンデンサの静電容量が変化する。加速度センサ素子１０１は、この静電容量の変化から加速度を検出することができる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、慣性力センサがＸ軸方向の加速度を検出する加速度センサ素子１０１を備える加速度センサ１００である場合を説明したが、これに限らない。慣性力センサは、例えば、Ｙ軸方向やＺ軸方向の加速度を検出する加速度センサ素子を備える加速度センサであってもよい。あるいは、慣性力センサは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸周りの角速度を検出する角速度センサ素子を備える角速度センサであっても構わない。
【００２９】
加速度センサ素子１０１は、金属ワイヤ３７１を介して検出回路１０３に接続されている（図２参照）。
【００３０】
図４Ａは、加速度センサ素子１０１が備える基板１３１ａの上面図、図４Ｂは基板１３１ａの正面図である。図５Ａは、加速度センサ素子１０１が備えるセンサ基板１３０の上面図、図５Ｂはセンサ基板１３０の正面図である。図６Ａは、加速度センサ素子１０１が備える基板１３１ｂの上面図、図６Ｂは基板１３１ｂの正面図である。
【００３１】
基板本体１１６のセンサ基板１３０との接合面側に設けられた固定電極１１５ａは、貫通配線１１４ａと電気的に接合される。基板本体１１６のセンサ基板１３０との接合面側に設けられた固定電極１１５ｃは、貫通配線１１４ｃと電気的に接合される。第１の電極２０４ａおよび第２の電極２０４ｂは、センサ基板１３０の凹部２０６ａ内の絶縁層２０２ａおよび絶縁層２０２ｂの直上に設けられる。
【００３２】
第１の電極２０４ａおよび第２の電極２０４ｂの表面は、センサ基板１３０の表面からわずかに突出している高さが好ましい。その突出高さは概ね１．０ｕｍ以下であることが好ましい。これにより、第１の電極２０４ａおよび第２の電極２０４ｂは、センサ基板１３０と基板１３１ａとの間が接合される時に、より確実に圧接されて、センサ基板１３０と基板１３１ａとの間の接続の信頼性が向上する。
【００３３】
絶縁層（島部）２０２ｃは、センサ基板１３０の凹部２０６ａ内に設けられた、センサ基板１３０と同材料でできた島形状の部分である。絶縁層２０２ｃの直上に設けられた第３の電極２０４ｃは、センサ基板１３０と基板１３１ａの接合後に貫通配線１１４ｂと接続される。すなわち貫通配線１１４ｂはセンサ基板１３０の電位を供給する。
【００３４】
第３の電極２０４ｃの表面はセンサ基板１３０の表面からわずかに突出している高さが好ましい。その突出高さは概ね１．０ｕｍ以下である。第３の電極２０４ｃはセンサ基板１３０と基板１３１ａの接合時に圧接されて、より確実に電気的接続がなされる。
【００３５】
ここで、第１の電極２０４ａ、第２の電極２０４ｂ、第３の電極２０４ｃは、上面視で三角形を構成するように配置している。これにより、センサ基板１３０の対称性が向上するので、加速度センサ素子１０１の温度特性が向上する。
【００３６】
絶縁層２０２ａ〜２０２ｃ、及び第１〜第３の電極２０４ａ〜２０４ｃは凹部２０６ａの中に配置される。センサ基板１３０の凹部２０６ａの外側の部分は基板１３１ａに接続される。
【００３７】
図７Ａ及び図７Ｂは、加速度センサ素子１０１の実装後を示す図である。図７Ａは加速度センサ素子１０１を縦に置く場合、図７Ｂは加速度センサ素子１０１を横に置く場合、をそれぞれ示している。
【００３８】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、加速度センサ素子１０１は、外部基板１０６に対して縦、横のいずれの方向に配置しても、金属ワイヤ３７１を引き出すことができる。その結果、外部への電気的信号の取出しが容易になるので、センサの配置方向に対する自由度を向上することができるという効果を有する。
【００３９】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る加速度センサ１００について、図８Ａ〜図１０Ｃを参照して説明する。
【００４０】
図８Ａ及び図８Ｂは、本実施の形態に係る加速度センサ素子２０１の実装後を示す図である。図８Ａは加速度センサ素子２０１を縦に置く場合、図８Ｂは加速度センサ素子２０１を横に置く場合、をそれぞれ示している。
【００４１】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、加速度センサ素子２０１は、外部基板１０６に対して縦、横のいずれの方向に配置しても、金属ワイヤ３７１を引き出すことができる。その結果、外部への電気的信号の取出しが容易になるので、センサの配置方向に対する自由度を向上することができるという効果を有する。
【００４２】
図９Ａは図８Ａの破線で囲まれた一部Ｘ１を拡大した図、図９Ｂは図８Ａの一部Ｘ１をＡ１方向から見た図である。
【００４３】
加速度センサ素子２０１が備える基板１３１ａはシリコン部材３７６を有する。
【００４４】
シリコン部材３７６は、基板１３１ａの端（図８Ａの右端）に設けられ、基板１３１ａ、１３１ｂ及びセンサ基板１３０の積層方向（図８Ａの上下方向）と交差する方向（図８Ａの紙面に垂直な方向）からの断面視においてＬ字状の形状を有する。さらに、シリコン部材３７６は、曲線部３７８と、曲線部３７８に接続される直線部３４０と、を有する。電極層３７４は、図９Ａに示すように、曲線部３７８と直線部３４０とに跨って設けられている。
【００４５】
加速度センサ素子２０１は以下のようにも説明され得る。
【００４６】
基板１３１ａは、基板本体１１６の端（図８Ａの右端）に設けられた凹部３８２を有している。凹部３８２は、第１の曲面３８６と、第２の曲面３８４と、を有する。第１の曲面３８６と第２の曲面３８４とは、センサ基板１３０及び基板１３１ａ、１３１ｂの積層方向において並んでいる。第１の曲面３８６は、上記積層方向に沿った円筒状の曲面である。本開示でいう「円筒状の曲面」とは、円筒の内周面のうち周方向に沿った一部（例えば、半周分）の内周面をいう。第２の曲面３８４は、第１の曲面３８６から離れるほど開口が大きくなるような曲面である。第２の曲面３８４は、例えばじょうご状の曲面（ｆｕｎｎｅｌ‐ｓｈａｐｅｄ  ｓｕｒｆａｃｅ）である。本開示でいう「じょうご状の曲面」とは、じょうごの内周面のうち周方向に沿った一部（例えば、半周分）の内周面をいう。
【００４７】
加速度センサ素子２０１のシリコン部材３７６を製造する工程は、ノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程と、ボッシュプロセスを用いたエッチング工程と、を含み得る。ノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程では、基板１３１ａに埋めこまれたシリコン部材３７６がエッチング加工される。これにより、シリコン部材３７６の曲線部３７８、別の表現では、凹部３８２の第２の曲面３８４が形成される。
【００４８】
ボッシュプロセスを用いたエッチング工程では、上記のノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程で加工されたシリコン部材３７６が更にエッチングされる。これにより、シリコン部材３７６の曲線部３７８、別の表現では、第２の曲面３８４が形成される。また、シリコン部材３７６の直線部３４０、別の表現では、凹部３８２の第１の曲面３８６が形成される。
【００４９】
ところで、シリコン部材３７６を形成する際に、上述したノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程を省略することもできる。このようにノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程を省略した場合の、シリコン部材３７６を製造する工程を図１０Ａ〜図１０Ｃで説明する。図１０Ａは、基板１３１ａに埋めこまれたシリコン部材３７６をボッシュプロセスでエッチング加工する工程を説明する図である。図１０Ｂは、図１０Ａで説明したエッチング工程が完了した時点におけるシリコン部材３７６を示す図である。図１０Ｃは、図１０Ｂの破線Ｒ１で囲まれる部分を拡大した図である。
【００５０】
図１０Ａに示すように、ボッシュプロセスを用いたエッチング工程でシリコン部材３７６をエッチングしている間（別の表現では、矢印Ｂ１の方向にシリコン部材３７６を削っている間）に、レジストがエッチングされて後退する（別の表現では、矢印Ｃ１の方向にレジスト３８８が後退する）ことが起きる場合がある。これが起きた場合、図１０Ａに示すように、レジスト３８８が後退した分（図１０Ｂの破線Ｐ１で囲まれる領域）だけ、シリコン部材３７６の側面（図１０ＢのＱ１で示す部分）がエッチングされる。この時、シリコン部材３７６の側面にえぐれた部分（図１０Ｃの破線Ｓ１で囲まれる領域）が生じる。このようなえぐれた部分が生じると、その上に電極層３７４をスパッタなどで設けた場合に、このえぐれた部分で電極層３７４が断裂する。図８Ａ及び図８Ｂで説明した様に、電極層３７４は貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃまで電気的に接続される必要がある。しかし、上記のえぐれた部分で電極層３７４が断裂すると、特に図８Ｂの構造を採用した場合、金属ワイヤ３７１と貫通配線１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃとの間の電気的接続ができず、加速度センサ１００として機能しない。これに対して、ボッシュプロセスを用いたエッチング工程の前に、ノンボッシュプロセスを用いたエッチング工程を行い、シリコン部材３７６にアンダーカットを入れておくことで、シリコン部材３７６の側面がえぐれる事を抑制できる。結果、電極層３７４の断裂を抑制することができる。
【００５１】
ところで、ボッシュプロセスを用いたエッチング工程で形成される直線部３４０（あるいは第１の曲面３８６）には、スカロップと呼ばれるホタテ貝の貝殻表面に認められるような波形の形状になることが知られている。このスカロップ上に電極層３７４を設けると、電極の密着性が悪化する。このため、電極層３７４の上にワイヤボンディングにより金属ワイヤを設ける際、ワイヤの剥離などが起きる事がある。そこで、直線部３４０（あるいは第１の曲面３８６）には、ボッシュプロセスを用いたエッチング加工の後に、表面を平滑にするためのＴＭＡＨ処理を実施する事が好ましい。これにより電極の密着性が向上する。このため、電極層３７４の上にワイヤボンディングにより金属ワイヤを設ける際、ワイヤの剥離などを抑制する事ができる。
【００５２】
（まとめ）
以上説明したように、第１の態様に係る慣性力センサ（１００）は、第１の基板（１３１ａ）、第２の基板（１３１ｂ）及びセンサ基板（１３０）の積層構造体を有するセンサ素子（１０１；２０１）を備える。第１の基板（１３１ａ）は、基板本体（１１６）と、基板本体（１１６）の内部に設けられる第１の配線（１１４）と、基板本体（１１６）に設けられ第１の配線（１１４）と電気的に接続される電極層（３７４）と、基板本体（１１６）の端部に設けられるシリコン部材（３７６）と、を備える。シリコン部材（３７６）は、断面視において、曲線部（３７８）と、曲線部（３７８）に接続される直線部（３４０）と、を有する。電極層（３７４）は、曲線部（３７８）と直線部（３４０）とに跨って設けられる。
【００５３】
この態様によれば、電極層（３７４）が曲線部（３７８）と直線部（３４０）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００５４】
第２の態様に係る慣性力センサ（１００）では、第１の態様において、曲線部（３７８）と直線部（３４０）とは、第１の基板（１３１ａ）、第２の基板（１３１ｂ）及びセンサ基板（１３０）の積層方向（例えば、Ｚ軸方向）に並んでいる。
【００５５】
この態様によれば、電極層（３７４）が曲線部（３７８）と直線部（３４０）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００５６】
第３の態様に係る慣性力センサ（１００）では、第１又は２の態様において、シリコン部材（３７６）は、曲線部（３７８）と直線部（３４０）とを形成し断面視においてＬ字状の部分を有する。
【００５７】
この態様によれば、電極層（３７４）が曲線部（３７８）と直線部（３４０）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００５８】
第４の態様に係る慣性力センサ（１００）は、第１の基板（１３１ａ）、第２の基板（１３１ｂ）及びセンサ基板（１３０）の積層構造体を有するセンサ素子（１０１；２０１）を備える。第１の基板（１３１ａ）の端部には凹部（３８２）が設けられている。凹部（３８２）は、第１の曲面（３８６）と、第１の曲面（３８６）に接続される第２の曲面（３８４）と、を有する。第１の曲面（３８６）は、円筒状の曲面である。第２の曲面（３８４）は、第１の曲面（３８６）から離れるほど開口が大きくなるような曲面である。慣性力センサ（１００）では、第１の曲面（３８６）と第２の曲面（３８４）とに跨って電極層（３７４）が設けられる。
【００５９】
この態様によれば、電極層（３７４）が第１の曲面（３８６）と第２の曲面（３８４）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００６０】
第５の態様に係る慣性力センサ（１００）では、第４の態様において、第１の曲面（３８６）と第２の曲面（３８４）とは、第１の基板（１３１ａ）、第２の基板（１３１ｂ）及びセンサ基板（１３０）の積層方向に並んでいる。
【００６１】
この態様によれば、電極層（３７４）が第１の曲面（３８６）と第２の曲面（３８４）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００６２】
第６の態様に係る慣性力センサ（１００）では、第４又は５の態様において、第２の曲面（３８４）は、じょうご状である。
【００６３】
この態様によれば、電極層（３７４）が第１の曲面（３８６）と第２の曲面（３８４）とに跨って設けられているので、金属ワイヤ（３７１）の引出位置の自由度が向上し、これによりセンサの配置方向に関する自由度を高めることができる。
【００６４】
第２、第３、第５、及び第６の態様に係る構成については、慣性力センサ（１００）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本開示は、配線埋め込みガラス基板およびこのガラス基板を用いた慣性力センサとして有用である。
【符号の説明】
【００６６】
１００  加速度センサ（慣性力センサ）
１０１、２０１  加速度センサ素子
１０４  パッケージ基板
１０５  リード端子
１０６  外部基板
１１１  錘部
１１３  支持部
１１２ａ、１１２ｂ  梁部
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ  貫通配線（第１の配線）
１１５ａ、１１５ｃ  固定電極
１１６  基板本体
１３０  センサ基板
１３１ａ  基板（第１の基板）
１３１ｂ  基板（第２の基板）
２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ  絶縁層
２０４ａ  第１の電極
２０４ｂ  第２の電極
２０４ｃ  第３の電極
２０６ａ  凹部
３７１  金属ワイヤ
３７４  電極層
３７６  シリコン部材
３７８  曲線部
３４０  直線部
３８２  凹部
３８４  第２の曲面
３８６  第１の曲面
３８８  レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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