(57)【要約】本発明により、有機ＥＬ素子等の有機デバイスに用いられる材料として、式（１）で表される多環芳香族化合物が提供される；2020162600.tif 000271式（１）中、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、置換されていてもよいアリール環または置換されていてもよいヘテロアリール環であり、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、Ｂ等であり、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、等であり、＞Ｎ−ＲのＲは、置換されていてもよいアリール等であり、＞Ｎ−Ｒ等のＲは連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。
2020162600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される多環芳香族化合物；
【化１】
2020162600.tif 000265
（式（１）中、
Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１はそれぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲはアリール、アルキル、またはシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルであり、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルであり、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。）
【請求項２】
Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のジアリールボリル、置換もしくは無置換のアルキル、置換もしくは無置換のシクロアルキル、置換もしくは無置換のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリールオキシ、置換シリル、またはＳＦ５で置換されていてもよく、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアリール、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルであり、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、アルキル、シクロアルキル、またはアルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアリールであり、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−および−Ｓｉ（−Ｒ）２−のＲは、それぞれ独立して、水素、アルキル、またはシクロアルキルである、
請求項１に記載の多環芳香族化合物。
【請求項３】
下記式（２）で表される、請求項１に記載の多環芳香族化合物。
【化２】
2020162600.tif 000266
（式（２）中、
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよく、また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、および／またはｃ３１環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−および−Ｓｉ（−Ｒ）２−のＲは、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、
式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。）
【請求項４】
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリールである）、炭素数１〜２４のアルキル、または炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）、炭素数１〜２４のアルキル、または炭素数３〜２４のシクロアルキルで置換されていてもよく、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、またはＳｉ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、または＞Ｓであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、
請求項３に記載の多環芳香族化合物。
【請求項５】
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１０のアリールである）、炭素数１〜１２のアルキル、または炭素数３〜１６のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、またはＰ＝Ｓであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、または＞Ｃ（−Ｒ）２であり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは水素、炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、
請求項３に記載の多環芳香族化合物。
【請求項６】
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１０のアリール）、炭素数１〜１２のアルキル、または炭素数３〜１６のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１はいずれもＢであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏまたは＞Ｎ−Ｒであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、
請求項３に記載の多環芳香族化合物。
【請求項７】
式（１−１−１）、式（１−１−５）、式（１−１−１０）、式（１−１−６１）、または式（１−１−１０５）で表される、請求項１に記載の多環芳香族化合物。
【化３】
2020162600.tif 000267
（式中、Ｍｅはメチル、ｔＢｕはｔ−ブチル、Ｍｅｓはメシチルを表す。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する、有機デバイス用材料。
【請求項９】
有機電界発光素子用材料、有機電界効果トランジスタ用材料または有機薄膜太陽電池用材料である、請求項８に記載の有機デバイス用材料。
【請求項１０】
陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置されている発光層を有する有機電界発光素子であって、
前記発光層が請求項１〜７のいずれか一項に記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記発光層が前記多環芳香族化合物をドーパント材料として含み、さらにホスト材料の少なくとも一種を含む、請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記ホスト材料が、アントラセン誘導体、ホウ素誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、およびフルオレン系またはトリアリールアミン系高分子化合物からなる群より選択される１つ以上の化合物である、請求項１１に記載に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記ホスト材料が、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物である請求項１１に記載に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2020162600.tif 000268
（式（ＳＰＨ−１）中、
ＭＵはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基であり、ＥＣはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基であり、ｋは２〜５００００の整数である。）
【請求項１４】
前記発光層が、少なくとも一種のアシスティングドーパントを含み、
前記アシスティングドーパントは、電子供与性の置換基と電子受容性の置換基とを有する熱活性化型遅延蛍光体であり、
前記アシスティングドーパントは、一重項エネルギー（Ｓ１）と三重項エネルギー（Ｔ１）のエネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））が０．２ｅＶ以下である、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
下記構造で表される架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有する有機層を有する、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2020162600.tif 000269
（式中、ＲＰＧは、メチレン、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎＰＧは、０〜５の整数を表し、ＲＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、＊Ｇは結合位置を表し、式で表される架橋基はいずれも置換基を有していてもよい。）
【請求項１６】
前記陰極と前記発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、アリールニトリル誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリノール系金属錯体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、シロール誘導体、およびアゾリン誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項１７】
前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１６に記載の有機電界発光素子。
【請求項１８】
請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えた表示装置。
【請求項１９】
請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えた照明装置。
【請求項２０】
ドーパント材料としての請求項１〜７のいずれか一項に記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種、
ホスト材料の少なくとも一種、および
有機溶媒を含む、有機電界発光素子の発光層形成のための発光層形成用組成物。
【請求項２１】
前記ホスト材料が、アントラセン誘導体、ホウ素誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、およびフルオレン系またはトリアリールアミン系高分子化合物からなる群より選択される１つ以上の化合物である、請求項２０に記載に記載の発光層形成用組成物。
【請求項２２】
前記ホスト材料が、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物である請求項２０または２１に記載に記載の発光層形成用組成物。
【化６】
2020162600.tif 000270
（式（ＳＰＨ−１）中、
ＭＵはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基であり、ＥＣはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基であり、ｋは２〜５００００の整数である。）
【請求項２３】
少なくとも一種のアシスティングドーパントを含み、
前記アシスティングドーパントは、電子供与性の置換基と電子受容性の置換基とを有する熱活性化型遅延蛍光体であり、
前記アシスティングドーパントは、一重項エネルギー（Ｓ１）と三重項エネルギー（Ｔ１）のエネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））が０．２ｅＶ以下である、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
【請求項２４】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する、波長変換材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規多環芳香族化合物に関する。本発明はまた、該多環芳香族化合物を用いて作製される有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）等の有機デバイス用材料、ならびに有機電界発光素子を備えた表示装置および照明装置に関する。本発明はさらに、有機電界発光素子の発光層形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電界発光する発光素子を用いた表示装置は、省電力化や薄型化が可能なことから、種々研究され、さらに、有機材料からなる有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）は、軽量化や大型化が容易なことから活発に検討されてきた。特に、光の三原色の１つである青色などの発光特性を有する有機材料の開発、および正孔、電子などの電荷輸送能を備えた有機材料の開発については、高分子化合物、低分子化合物を問わずこれまで活発に研究されてきた。【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送／注入層などがあるが、これらの層に適当な種々の有機材料が開発されている。【０００４】
有機ＥＬ素子の発光機構としては、励起一重項状態からの発光を用いる蛍光発光および励起三重項状態からの発光を用いるりん光発光の主に２つがある。一般的な蛍光発光材料は、励起子利用効率が低く、およそ２５％であり、三重項−三重項フュージョン（ＴＴＦ：Triplet-Triplet Fusion、または、三重項−三重項消滅、ＴＴＡ：Triplet-Triplet Annihilation）を用いても励起子利用効率は６２．５％である。一方、りん光材料は、励起子利用効率が１００％に達する場合もあるが、深い青色発光の実現が困難であり、加えて発光スペクトルの幅が広いため色純度が低いという問題がある。【０００５】
非特許文献１においては熱活性化型遅延蛍光（ＴＡＤＦ: Thermally Assisting Delayed Fluorescence））機構が提案されている。ＴＡＤＦ化合物を利用することで発光の励起子利用効率は１００％に達するようになった。一般的なＴＡＤＦ化合物はその構造に起因して色純度が低い幅広な発光スペクトルを与えるが、逆項間交差の速度が極めて速い。【０００６】
さらに、非特許文献２においては、ＴＡＤＦ化合物をアシスティングドーパント（Assisting Dopant:AD）として利用し、半値幅の狭いドーパントをエミッティングドーパント（Emitting Dopant:ED）として利用するHyper FluorescenceTM（TADF Assisting Fluorescence:TAFとも呼ばれる）が提案され、赤色発光および緑色発光の有機ＥＬ素子において、高効率、高色純度かつ長寿命な素子が開示されている。しかしながら、深い青色の発光はエミッティングドーパントおよびアシスティングドーパントが共に高いエネルギーを必要とするために、効率、色純度および寿命のいずれでも問題があった。【０００７】
非特許文献３においては、ＴＡＤＦ材料の色純度を飛躍的に向上させる新たな分子設計が提案されている。また、特許文献１においては、例えば化合物（１−４０１）の、ホウ素（電子供与性）と窒素（電子吸引性）の多重共鳴効果を利用した堅牢な平面構造により、結果として吸収および発光のピークのストークスシフトが小さい、色純度の高い青色発光スペクトルを得ることに成功している。また、式（１−４２２）のような二量体化合物では、２つのホウ素と２つの窒素が中央のベンゼン環に結合することで、中央のベンゼン環においてさらに多重共鳴効果を増強させており、その結果、極めて狭い発光ピーク幅を有する発光が可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１５／１０２１１８号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Nature 492, 234-238, 2012
【非特許文献２】NATURE COMMUNICATIONS, 5:4016, Published 30 May 2014, DOI: 10.1038/ncomms5016
【非特許文献３】Advanced Materials, Volume28, Issue14, April 13, 2016, 2777-2781
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、発光材料として、新規化合物を提供することを課題とする。本発明はまた、エネルギー効率が高い有機ＥＬ素子等の有機デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、ホウ素原子や窒素原子などで複数の芳香族環を連結した新規な多環芳香族化合物を見出し、その製造に成功した。また、この化合物は色純度の高い発光を高い発光効率で示し、有機ＥＬ素子等の有機デバイスの材料として優れた性質を有することを見出し、さらに検討を重ねて本発明を完成させた。具体的に、本発明は、以下の構成を有する。【００１２】
＜１＞下記式（１）で表される多環芳香族化合物；
【化１】
2020162600.tif 000003
【００１３】
（式（１）中、
Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１はそれぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲはアリール、アルキル、またはシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルであり、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルであり、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。）【００１４】
＜２＞Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のジアリールボリル、置換もしくは無置換のアルキル、置換もしくは無置換のシクロアルキル、置換もしくは無置換のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリールオキシ、置換シリル、またはＳＦ５で置換されていてもよく、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアリール、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルであり、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、アルキル、シクロアルキル、またはアルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアリールであり、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−および−Ｓｉ（−Ｒ）２−のＲは、それぞれ独立して、水素、アルキル、またはシクロアルキルである、
＜１＞に記載の多環芳香族化合物。【００１５】
＜３＞下記式（２）で表される、＜１＞に記載の多環芳香族化合物。
【化２】
2020162600.tif 000004
【００１６】
（式（２）中、
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよく、また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは、炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、また、前記＞Ｎ−Ｒおよび／または前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、および／またはｃ３１環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−および−Ｓｉ（−Ｒ）２−のＲは、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、
式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。）【００１７】
＜４＞Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリールである）、炭素数１〜２４のアルキル、または炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）、炭素数１〜２４のアルキル、または炭素数３〜２４のシクロアルキルで置換されていてもよく、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、またはＳｉ−Ｒであり、前記Ｓｉ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、または＞Ｓであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、＜３＞に記載の多環芳香族化合物。【００１８】
＜５＞Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１０のアリールである）、炭素数１〜１２のアルキル、または炭素数３〜１６のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、またはＰ＝Ｓであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、または＞Ｃ（−Ｒ）２であり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、前記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは水素、炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、＜３＞に記載の多環芳香族化合物。【００１９】
＜６＞Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリール、ジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１０のアリール）、炭素数１〜１２のアルキル、または炭素数３〜１６のシクロアルキルであり、これらのアリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよく、
Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１はいずれもＢであり、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏまたは＞Ｎ−Ｒであり、前記＞Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数１〜４のアルキル、または炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい、＜３＞に記載の多環芳香族化合物。【００２０】
＜７＞式（１−１−１）、式（１−１−５）、式（１−１−１０）、式（１−１−６１）、または式（１−１−１０５）で表される、＜１＞に記載の多環芳香族化合物。
【化３】
2020162600.tif 000005
（式中、Ｍｅはメチル、ｔＢｕはｔ−ブチル、Ｍｅｓはメシチルを表す。）【００２１】
＜８＞＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する、有機デバイス用材料。
＜９＞有機電界発光素子用材料、有機電界効果トランジスタ用材料または有機薄膜太陽電池用材料である、＜８＞に記載の有機デバイス用材料。
＜１０＞陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置されている発光層を有する有機電界発光素子であって、
前記発光層が＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。
＜１１＞前記発光層が前記多環芳香族化合物をドーパント材料として含み、さらにホスト材料の少なくとも一種を含む、＜１０＞に記載の有機電界発光素子。
＜１２＞前記ホスト材料が、アントラセン誘導体、ホウ素誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、およびフルオレン系またはトリアリールアミン系高分子化合物からなる群より選択される１つ以上の化合物である、＜１１＞に記載に記載の有機電界発光素子。【００２２】
＜１３＞前記ホスト材料が、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物である＜１１＞に記載に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2020162600.tif 000006
（式（ＳＰＨ−１）中、
ＭＵはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基であり、ＥＣはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基であり、ｋは２〜５００００の整数である。）
＜１４＞前記発光層が、少なくとも一種のアシスティングドーパントを含み、
前記アシスティングドーパントは、電子供与性の置換基と電子受容性の置換基とを有する熱活性化型遅延蛍光体であり、
前記アシスティングドーパントは、一重項エネルギー（Ｓ１）と三重項エネルギー（Ｔ１）のエネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））が０．２ｅＶ以下である、＜１０＞〜＜１３＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。【００２３】
＜１５＞下記構造で表される架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有する有機層を有する、＜１０＞〜＜１４＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化５】
2020162600.tif 000007
（式中、ＲＰＧは、メチレン、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎＰＧは、０〜５の整数を表し、ＲＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、＊Ｇは結合位置を表し、式で表される架橋基はいずれも置換基を有していてもよい。）【００２４】
＜１６＞前記陰極と前記発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、アリールニトリル誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリノール系金属錯体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、シロール誘導体、およびアゾリン誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、＜１０＞〜＜１５＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
＜１７＞前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、＜１６＞に記載の有機電界発光素子。
＜１８＞＜１０＞〜＜１７＞のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えた表示装置。
＜１９＞＜１０＞〜＜１７＞のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えた照明装置。【００２５】
＜２０＞ドーパント材料としての＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種、
ホスト材料の少なくとも一種、および
有機溶媒を含む、有機電界発光素子の発光層形成のための発光層形成用組成物。
＜２１＞前記ホスト材料が、アントラセン誘導体、ホウ素誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、およびフルオレン系またはトリアリールアミン系高分子化合物からなる群より選択される１つ以上の化合物である、＜２０＞に記載に記載の発光層形成用組成物。【００２６】
＜２２＞前記ホスト材料が、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物である＜２０＞または＜２１＞に記載に記載の発光層形成用組成物。
【化６】
2020162600.tif 000008
（式（ＳＰＨ−１）中、
ＭＵはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基であり、ＥＣはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基であり、ｋは２〜５００００の整数である。）【００２７】
＜２３＞少なくとも一種のアシスティングドーパントを含み、
前記アシスティングドーパントは、電子供与性の置換基と電子受容性の置換基とを有する熱活性化型遅延蛍光体であり、
前記アシスティングドーパントは、一重項エネルギー（Ｓ１）と三重項エネルギー（Ｔ１）のエネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））が０．２ｅＶ以下である、＜２０＞〜＜２２＞のいずれかに記載の発光層形成用組成物。
＜２４＞＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の多環芳香族化合物の少なくとも一種を含有する、波長変換材料。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により、有機ＥＬ素子等の有機デバイス等に用いることができる発光材料として、新規化合物が提供される。本発明の化合物は、高い発光効率で色純度が高い発光を示す。本発明の化合物の使用により、発光特性などの特性が優れた有機ＥＬ素子等の有機デバイスを提供することができる。さらに、発光層用材料や波長変換材料などの有機デバイス用材料の選択肢を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。
【図２】バンクを有する基板にインクジェット法を用いて有機ＥＬ素子を作製する方法を説明する図である。
【図３】化合物（１−１−１）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図である。
【図４】化合物（１−１−１）のトルエン溶液の蛍光スペクトルを示す図である。
【図５】化合物（１−１−１）のトルエン溶液につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【図６】化合物（１−１−６１）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図である。
【図７】化合物（１−１−６１）のＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の吸収スペクトルを示す図である。
【図８】化合物（１−１−６１）のトルエン溶液の蛍光スペクトルを示す図である。
【図９】化合物（１−１−６１）のトルエン溶液につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【図１０】化合物（１−１−６１）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（室温）を示す図である。
【図１１】化合物（１−１−６１）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図１２】化合物（１−１−６１）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板のりん光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図１３】化合物（１−１−６１）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【図１４】化合物（１−１−５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の吸収スペクトルを示す図である。
【図１５】化合物（１−１−５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（室温）を示す図である。
【図１６】化合物（１−１−５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図１７】化合物（１−１−５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板のりん光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図１８】化合物（１−１−５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【図１９】化合物（１−１−１０）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の吸収スペクトルを示す図である。
【図２０】化合物（１−１−１０）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（室温）を示す図である。
【図２１】化合物（１−１−１０）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図２２】化合物（１−１−１０）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板のりん光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図２３】化合物（１−１−１０）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【図２４】化合物（１−１−１０５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の吸収スペクトルを示す図である。
【図２５】化合物（１−１−１０５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（室温）を示す図である。
【図２６】化合物（１−１−１０５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板の蛍光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図２７】化合物（１−１−１０５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板のりん光スペクトル（７７Ｋ）を示す図である。
【図２８】化合物（１−１−１０５）をＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板につき遅延蛍光成分の寿命を測定した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本明細書において構造式の説明における「水素」は「水素原子」を意味する。
【００３１】
本明細書において化学構造や置換基を炭素数で表すことがあるが、化学構造に置換基が置換した場合や、置換基にさらに置換基が置換した場合などにおける炭素数は、化学構造や置換基それぞれの炭素数を意味し、化学構造と置換基の合計の炭素数や、置換基と置換基の合計の炭素数を意味するものではない。例えば、「炭素数Ｘの置換基Ａで置換された炭素数Ｙの置換基Ｂ」とは、「炭素数Ｙの置換基Ｂ」に「炭素数Ｘの置換基Ａ」が置換することを意味し、炭素数Ｙは置換基Ａおよび置換基Ｂの合計の炭素数ではない。また例えば、「置換基Ａで置換された炭素数Ｙの置換基Ｂ」とは、「炭素数Ｙの置換基Ｂ」に「（炭素数限定がない）置換基Ａ」が置換することを意味し、炭素数Ｙは置換基Ａおよび置換基Ｂの合計の炭素数ではない。
【００３２】
１．多環芳香族化合物
本発明の多環芳香族化合物は下記式（１）で表される。
【化７】
2020162600.tif 000009
【００３３】
式（１）中、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環（式（１）で示すように、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、およびＸ３２からなる群より選択される２つまたは３つと結合している、アリール環またはヘテロアリール環）であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換されていてもよい。すなわち、上記アリール環または上記ヘテロアリール環における、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、およびＸ３２からなる群より選択される２つまたは３つと結合している位置以外において置換基を有していてもよい。
【００３４】
Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は少なくともいずれかが、少なくとも１つの置換基を有するアリール環または少なくとも１つの置換基を有するヘテロアリール環であることが好ましく、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環のいずれも少なくとも１つの置換基を有するアリール環または少なくとも１つの置換基を有するヘテロアリール環であることがより好ましく、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環それぞれが１つの置換基を有するアリール環または１つの置換基を有するヘテロアリール環であることがさらに好ましい。
【００３５】
このときの置換基としては、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノ（アリールとヘテロアリールを有するアミノ）、置換もしくは無置換のジアリールボリル（２つのアリールは単結合または連結基を介して結合していてもよい）、置換もしくは無置換のアルキル、置換もしくは無置換のシクロアルキル、置換もしくは無置換のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリールオキシ、置換シリル、またはＳＦ５が好ましい。これらの基が置換基を有する場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ジアリールアミノ、置換シリルが挙げられる。
【００３６】
特に置換基としては、置換もしくは無置換のアルキル（特に、ネオペンチル）、アダマンチルのようなシクロアルキル、メシチルなどが好ましい。また、ターシャリ−アルキル（ｔＲ）が、好ましい。このような嵩高い置換基により分子同士の凝集による失活を防ぎ、発光量子効率（ＰＬＱＹ）が向上するからである。また、置換基としては、置換もしくは無置換のジアリールアミノも好ましい。
【００３７】
上記ターシャリ−アルキルは下記式（ｔＲ）で表される。
【化８】
2020162600.tif 000010
【００３８】
式（ｔＲ）中、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃはそれぞれ独立して炭素数１〜２４のアルキルであり、上記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、式（ｔＲ）で表される基は＊において式（１）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素と置換する。
【００３９】
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃの「炭素数１〜２４のアルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキル、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）が挙げられる。
【００４０】
式（ｔＲ）におけるＲａ、Ｒｂ、およびＲｃの炭素数の合計は炭素数３〜２０が好ましく、炭素数３〜１０が特に好ましい。
【００４１】
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃの具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどが挙げられる。
【００４２】
式（ｔＲ）で表される基としては、例えばｔ−ブチル、ｔ−アミル、１−エチル−１−メチルプロピル、１，１−ジエチルプロピル、１，１−ジメチルブチル、１−エチル−１−メチルブチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１，１，４−トリメチルペンチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，１−ジメチルオクチル、１，１−ジメチルペンチル、１，１−ジメチルヘプチル、１，１，５−トリメチルヘキシル、１−エチル−１−メチルヘキシル、１−エチル−１，３−ジメチルブチル、１，１，２，２−テトラメチルプロピル、１−ブチル−１−メチルペンチル、１，１−ジエチルブチル、１−エチル−１−メチルペンチル、１，１，３−トリメチルブチル、１−プロピル−１−メチルペンチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１，２，２−トリメチルプロピル、１−プロピル−１−メチルブチル、１，１−ジメチルヘキシル基などが挙げられる。これらのうち、ｔ−ブチルおよびｔ−アミルが好ましい。
【００４３】
Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環における置換基の他の好ましい例としては、例えば、式（ｔＲ）の基で置換されたジアリールアミノ、式（ｔＲ）の基で置換されたカルバゾリルまたは式（ｔＲ）の基で置換されたベンゾカルバゾリルが挙げられる。「ジアリールアミノ」については下記「第１の置換基」として説明する基が挙げられる。ジアリールアミノ、カルバゾリルおよびベンゾカルバゾリルへの式（ｔＲ）の基の置換形態としては、これらの基におけるアリール環またはベンゼン環の一部または全ての水素が式（ｔＲ）の基で置換された例が挙げられる。
【００４４】
式（１）中、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１はそれぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、上記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲはアリール、アルキル、またはシクロアルキルである。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅを表す。上記＞Ｎ−ＲのＲは、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルキルまたは置換されていてもよいシクロアルキルを表し、上記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアルキルまたは置換されていてもよいシクロアルキルを表し、また、上記＞Ｎ−Ｒおよび／または上記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよい。式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。
【００４５】
式（１）で表される化合物は下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。
【化９】
2020162600.tif 000011
【００４６】
上記式（２）中、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４はそれぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルで置換されていてもよい。また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよい。形成されたアリール環またはヘテロアリール環はいずれも少なくとも１つの水素がアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、またはアリールオキシで置換されていてもよい。また、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルで置換されていてもよい。Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−ＲまたはＧｅ−Ｒであり、上記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓまたは＞Ｓｅであり、上記＞Ｎ−ＲのＲは、炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリール、炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールまたはヘテロアリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、上記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、炭素数６〜１２のアリール、炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルであり、当該アリールは炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルで置換されていてもよく、また、上記＞Ｎ−Ｒおよび／または上記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、および／またはｃ３１環と結合していてもよく、上記−Ｃ（−Ｒ）２−および−Ｓｉ（−Ｒ）２−のＲは、水素、炭素数１〜６のアルキルまたは炭素数３〜１４のシクロアルキルである。式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置換されていてもよい。
【００４７】
式（１）におけるＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換基で置換されていてもよい。この置換基は、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノ（アリールとヘテロアリールを有するアミノ基）、置換もしくは無置換のジアリールボリル、置換もしくは無置換のアルキル、置換もしくは無置換のシクロアルキル、置換もしくは無置換のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリールオキシ、または置換シリルが好ましい。これらの基が置換基を有する場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、またはアルキルが挙げられる。上記アリール環またはヘテロアリール環であるＡ１１環、Ｂ１１環、およびＣ１１環は、Ｙ１１、Ｘ１１、およびＸ１２から構成される縮合２環構造と結合を共有する５員環または６員環を有することが好ましく、
上記アリール環またはヘテロアリール環であるＡ２１環、Ｂ１１環、およびＢ２１環は、Ｙ２１、Ｘ２１、およびＸ２２から構成される縮合２環構造と結合を共有する５員環または６員環を有することが好ましく、
上記アリール環またはヘテロアリール環であるＡ３１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環は、Ｙ３１、Ｘ３１、およびＸ３２から構成される式の縮合２環構造と結合を共有する５員環または６員環を有することが好ましい。
【００４８】
ここで、「縮合２環構造」とは、式（１）の中央に示した、「Ｙ１１、Ｘ１１、およびＸ１２」、「Ｙ２１、Ｘ２１、およびＸ２２」、「Ｙ３１、Ｘ３１、およびＸ３２」をそれぞれ含んで構成される２つの環が縮合した構造を意味する。また、「縮合２環構造と結合を共有する６員環」とは、例えば、式（２）で示すように縮合２環構造に縮合したａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、およびｃ３１環（ベンゼン環（６員環））を意味する。また、「６員環を有する」とは、この６員環だけでアリール環またはヘテロアリール環が形成されるか、または、この６員環を含むようにこの６員環にさらに他の環などが縮合してアリール環またはヘテロアリール環が形成されることを意味する。言い換えれば、アリール環またはヘテロアリール環の全部または一部を構成する６員環が、上記縮合２環構造に縮合していることを意味する。「５員環」についても同様の説明が当てはまる。
【００４９】
式（１）におけるＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環は、それぞれ式（２）におけるａ１１環とその置換基Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、ａ２１環とその置換基Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、ａ３１環とその置換基Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３に対応し、
式（１）におけるＢ１１環、Ｂ２１環は、それぞれ式（２）におけるｂ１１環とその置換基Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、ｂ２１環とその置換基Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４に対応し、
式（１）におけるＣ１１環、Ｃ３１環は、それぞれ式（２）におけるｃ１１環とその置換基Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、ｃ３１環とその置換基Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４に対応する。
すなわち、式（２）は、式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、Ｃ３１環としてそれぞれ「６員環（ベンゼン環）を含むもの」が選択されたものに対応する。その意味で、式（１）のＡ〜Ｃに対し、式（２）の各環を小文字のａ〜ｃで表した。
【００５０】
式（２）では、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ１１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよい。形成される環としては、例えばベンゼン環、インドール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、シクロペンタジエン環、またはインデン環が挙げられ、それぞれａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ２１環、またはｃ３１環であるベンゼン環と縮合してナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インデン環、またはフルオレン環が形成される。形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、ジアリールボリル、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、または置換シリルで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、またはアルキルで置換されていてもよい。
【００５１】
式（１）におけるＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、それぞれ、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｉ−Ｒ、またはＧｅ−Ｒであり、上記Ｓｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲはアリール、アルキルまたはシクロアルキルである。Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、Ｓｉ−ＲまたはＧｅ−Ｒの場合には、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環と結合する原子はＰ、Ｓｉ、またはＧｅである。Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１は、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、Ｐ＝Ｓ、またはＳｉ−Ｒが好ましく、Ｂが特に好ましい。この説明は式（２）におけるＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１でも同じである。
【００５２】
式（１）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓ、または＞Ｓｅである。上記＞Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルであり、上記＞Ｃ（−Ｒ）２のＲは、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルである。上記＞Ｎ−ＲのＲおよび＞Ｃ（−Ｒ）２のＲはそれぞれ連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合していてもよく、連結基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、または−Ｓｉ（−Ｒ）２−、が好ましい。なお、上記「−Ｃ（−Ｒ）２−」および「−Ｓｉ（−Ｒ）２−」のＲは水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルである。この説明は式（２）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２でも同じである。
【００５３】
ここで、式（１）における「＞Ｎ−ＲのＲおよび＞Ｃ（−Ｒ）２のＲはそれぞれ連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、および／またはＣ３１環と結合している」との規定は、式（２）では「＞Ｎ−ＲのＲおよび＞Ｃ（−Ｒ）２のＲはそれぞれ−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−、−Ｓｉ（−Ｒ）２−、または単結合によりａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、および／またはｃ３１環と結合している」との規定に対応する。この規定は、ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、および／またはｃ３１環が、縮合環に取り込まれた環構造を有する化合物で表現できる。
形成された縮合環は例えば、カルバゾール環、９Ｈアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環である。形成された縮合環はさらにアルキル（具体例は後述するもの）で置換されていてもよい（例えば９，９−ジメチルアクリジン環）。
【００５４】
このような化合物の一例として下記式（２−ｘ−１）で表される化合物を挙げることができる。式（２−ｘ−１）においては、式（２）におけるＸ２２およびＸ３１であるＮ−Ｒ（Ｒが置換基を有していてもよいアリール）が単結合によりそれぞれｂ２１環およびｃ３１環と結合してカルバゾール環を形成している。
【００５５】
【化１０】
2020162600.tif 000012
【００５６】
式（２−ｘ−１）中、Ｒｂ３５、Ｒｃ３５はそれぞれ独立して、Ｒａ２１等と同義であり、アルキルであることが好ましく、メチルまたはｔ−ブチルであることがより好ましい。ｍおよびｎはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、０または１が好ましい。式（２−ｘ−１）のその他の記号は式（２）中の同じ記号とそれぞれ同義である。
【００５７】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環である「アリール環」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリール環が挙げられ、炭素数６〜１６のアリール環が好ましく、炭素数６〜１２のアリール環がより好ましく、炭素数６〜１０のアリール環が特に好ましい。なお、この「アリール環」は、式（２）で規定された「ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、ｃ３１環」または「Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、」形成した「アリール環」に対応し、また、ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、およびｃ３１環がそれぞれすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数９が下限の炭素数となる。
【００５８】
具体的な「アリール環」としては、単環系であるベンゼン環、二環系であるビフェニル環、縮合二環系であるナフタレン環、三環系であるテルフェニル環（ｍ−テルフェニル、ｏ−テルフェニル、ｐ−テルフェニル）、縮合三環系である、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環、縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環、ナフタセン環、縮合五環系であるペリレン環、ペンタセン環などが挙げられる。
【００５９】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環である「ヘテロアリール環」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリール環が挙げられ、炭素数２〜２５のヘテロアリール環が好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリール環がより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリール環がさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリール環が特に好ましい。また、「ヘテロアリール環」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などが挙げられる。なお、この「ヘテロアリール環」は、式（２）で規定された「Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、」形成した「ヘテロアリール環」に対応し、また、ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、またはｃ３１環がすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数６が下限の炭素数となる。
【００６０】
具体的な「ヘテロアリール環」としては、例えば、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環、チアントレン環などが挙げられる。
【００６１】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ２１環、またはＣ３１環である「アリール環」および「ヘテロアリール環」における、式（１）のＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、およびＸ３２からなる群より選択される２つまたは３つとの結合位置は特に限定されないが、環上の隣接する２つの炭素または連続する３つの炭素がそれぞれＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、およびＸ３２からなる群より選択される２つまたは３つと直接結合していればよい。
【００６２】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ２１環、またはＣ３１環である「アリール環」および「ヘテロアリール環」が２つ以上の環が縮合した縮合環である場合、いずれの環でＹ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合していてもよいが、Ｙ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合している環は上述のように、５員環または６員環であることが好ましい。なお、Ａ１１環においてＹ１１と結合している環はＸ１１およびＸ１２とも結合し、Ａ２１環においてＹ２１と結合している環はＸ２１およびＸ２２とも結合し、Ａ３１環においてＹ３１と結合している環はＸ３１およびＸ３２とも結合し、Ｂ２１環においてＹ２１と結合している環はＸ２１とも結合し、Ｃ３１環においてＹ３１と結合している環はＸ３とも結合していればよい（すなわち、Ｙ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合している環が上述の縮合２環構造と結合を共有する）。例えば、式（２）において、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ１１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成した場合は６員環であるベンゼン環でＹ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合しており、好ましい。また、例えば、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環が、それぞれ、５員環であるピロール環、フラン環、チオフェン環でＹ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合していることも好ましい。このような構造の例として、式（２）のｂ２１環およびｃ３１環であるベンゼン環がインドール環、ベンゾフラン環、またはベンゾチオフェン環となった構造に対応する下記式（１−ｙ−１）のような構造が挙げられる。
【００６３】
【化１１】
2020162600.tif 000013
【００６４】
式（１−ｙ−１）中、ＺｂおよびＺｃはそれぞれ独立して、−Ｓ−、−Ｏ−、または＞Ｎ−Ｒ２９であり、Ｒ２９は水素または置換基を有していてもよいアリールである。Ｒ２９はアルキルで置換されていてもよいフェニルであることが好ましく、無置換のフェニルであることがより好ましい。ＺｂおよびＺｃはいずれも同じであることが好ましい。Ｒｂ３５、Ｒｃ３５はそれぞれ独立して、Ｒａ２１等と同義であり、アルキルであることが好ましく、メチルまたはｔ−ブチルであることがより好ましい。ｍおよびｎはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、０または１が好ましい。式（１−ｙ−１）のその他の記号は式（２）中の同じ記号とそれぞれ同義である。
【００６５】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、およびＡ３１環は、いずれもベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、またはインドロカルバゾール（Indolo[3,2,1-jk]carbazole）環であることが好ましく、いずれもベンゼン環であることがより好ましい。
【００６６】
式（１）のＢ２１環およびＣ３１環は、いずれもベンゼン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、またはピリミジン環であることが好ましく、いずれもベンゼン環、インドール環、ベンゾフラン環、またはベンゾチオフェン環であることがより好ましい。
【００６７】
Ｂ１１環である「アリール環」および「ヘテロアリール環」は、いずれの位置において、式（１）のＹ１１、Ｘ２２、Ｙ２１、およびＸ１１と結合していてもよいが、環上の隣接する２つの炭素がＹ１１およびＸ２２と、別の隣接する２つの炭素がＹ２１およびＸ１１と、直接結合していればよい。Ｃ１１環である「アリール環」および「ヘテロアリール環」は、いずれの位置において、式（１）のＹ１１、Ｘ１２、Ｙ３１、およびＸ３２と結合していてもよいが、環上の隣接する２つの炭素がＹ１１およびＸ１２と、別の隣接する２つの炭素がＹ３１およびＸ３２と、直接結合していればよい。また、Ｂ１１環またはＣ１１環である「アリール環」および「ヘテロアリール環」が２つ以上の環が縮合した縮合環である場合、いずれの環でＹ１１、Ｙ２１、またはＹ３１と結合していてもよい。なお、Ｂ１１環中、Ｙ１１と結合している環はＸ１１とも結合し、Ｙ２１と結合している環はＸ２２とも結合し、Ｃ１１環中、Ｙ１１と結合している環はＸ１２とも結合し、Ｙ３１と結合している環はＸ３２とも結合する。Ｂ１１環は単環であり、その単環でＹ１１、Ｙ２１、Ｘ１１、およびＸ２２と結合していることが好ましい。また、Ｃ１１環は単環であり、その単環でＹ１１、Ｙ３１、Ｘ１２、およびＸ３２と結合していることが好ましい。Ｂ１１環およびＣ１１環はいずれも単環であることが好ましい。Ｂ１１環およびＣ１１環は、いずれもベンゼン環またはチオフェン環であることが好ましく、いずれもベンゼン環であることがより好ましい。
【００６８】
式（１）のＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環である「アリール環」または「ヘテロアリール環」における少なくとも１つの水素は、第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」（２つのアリールは互いに単結合または連結基で結合していてもよい。）、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「ジアリールボリル」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「シクロアルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、置換または無置換の「アリールオキシ」、置換シリル、またはＳＦ５で置換されていてもよいが、この第１の置換基としての「アリール」や「へテルアリール」、「ジアリールアミノ」のアリール、「ジヘテロアリールアミノ」のヘテロアリール、「アリールヘテロアリールアミノ」のアリールとヘテロアリール、「ジアリールボリル」のアリール、また「アリールオキシ」のアリールとしては上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の１価の基が挙げられる。
【００６９】
具体的な「アリール」としては、単環系であるフェニル、二環系であるビフェニリル、縮合二環系であるナフチル、三環系であるテルフェニリル（ｍ−テルフェニリル、ｏ−テルフェニリル、ｐ−テルフェニリル）、縮合三環系である、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、縮合四環系であるトリフェニレニル、ピレニル、ナフタセニル、縮合五環系であるペリレニル、ペンタセニルなどが挙げられる。
【００７０】
具体的な「ヘテロアリール」としては、例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサチイニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、インドリジニル、フリル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾチエニル、フラザニル、オキサジアゾリル、チアントレニル、ナフトベンゾフラニル、ナフトベンゾチエニルなどが挙げられる。
【００７１】
また第１の置換基としての「アルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルが挙げられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）が特に好ましい。
【００７２】
具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどが挙げられる。
【００７３】
第１の置換基としての「シクロアルキル」（第１置換基）は、１つの環からなるシクロアルキル、複数の環からなるシクロアルキル、環内で共役しない二重結合を含むシクロアルキルおよび環外に分岐を含むシクロアルキルのいずれでもよく、例えば、炭素数３〜１４のシクロアルキルである。炭素数５〜１０のシクロアルキルが好ましく、炭素数６〜１０のシクロアルキルがより好ましい。
【００７４】
具体的なシクロアルキルとしては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルネニル、ビシクロ［１．０．１］ブチル、ビシクロ［１．１．１］ペンチル、ビシクロ［２．０．１］ペンチル、ビシクロ［１．２．１］ヘキシル、ビシクロ［３．０．１］ヘキシル、ビシクロ［２，２，１］ヘプチル、ビシクロ［２．２．２］オクチル、デカヒドロナフタレニル、アダマンチル（特に、１−アダマンチル）、ジアマンチル、デカヒドロアズレニルなどが挙げられる。なお、後述する第２の置換基で置換されているシクロアルキルとしては、メチルシクロプロピル、メチルシクロブチル、メチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、メチルシクロヘプチル、メチルシクロオクチル、メチルシクロデカニルが特に挙げられる。
【００７５】
また第１の置換基としての「アルコキシ」としては、例えば、炭素数１〜２４の直鎖または炭素数３〜２４の分岐鎖のアルコキシが挙げられる。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分岐鎖のアルコキシ）が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分岐鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分岐鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分岐鎖のアルコキシ）が特に好ましい。
【００７６】
具体的なアルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどが挙げられる。
【００７７】
また第１の置換基としての「置換シリル」としては、例えば、アルキル、シクロアルキル、およびアリールからなる群より選択される３つの置換基で置換されたシリルが挙げられる。例えば、トリアルキルシリル、トリシクロアルキルシリル、ジアルキルシクロアルキルシリル、アルキルジシクロアルキルシリル、トリアリールシリル、ジアルキルアリールシリル、およびアルキルジアリールシリルが挙げられる。
【００７８】
「トリアルキルシリル」としては、シリルにおける３つの水素がそれぞれ独立してアルキルで置換された基があげられ、このアルキルは上述した第１の置換基における「アルキル」として説明した基を引用することができる。置換するのに好ましいアルキルは、炭素数１〜５のアルキルであり、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｔ−アミルなどが挙げられる。
【００７９】
具体的なトリアルキルシリルとしては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、トリｔ−アミルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−アミルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、ｔ−アミルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−アミルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−アミルジｉ−プロピルシリルなどが挙げられる。
【００８０】
「トリシクロアルキルシリル」としては、シリルにおける３つの水素がそれぞれ独立してシクロアルキルで置換された基があげられ、このシクロアルキルは上述した第１の置換基における「シクロアルキル」として説明した基を引用することができる。置換するのに好ましいシクロアルキルは、炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、具体的にはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ビシクロ［１．１．１］ペンチル、ビシクロ［２．０．１］ペンチル、ビシクロ［１．２．１］ヘキシル、ビシクロ［３．０．１］ヘキシル、ビシクロ［２．１．２］ヘプチル、ビシクロ［２．２．２］オクチル、アダマンチル、デカヒドロナフタレニル、デカヒドロアズレニルなどが挙げられる。
【００８１】
具体的なトリシクロアルキルシリルとしては、トリシクロペンチルシリル、トリシクロヘキシルシリルなどが挙げられる。
【００８２】
２つのアルキルと１つのシクロアルキルが置換したジアルキルシクロアルキルシリルと、１つのアルキルと２つのシクロアルキルが置換したアルキルジシクロアルキルシリルの具体例としては、上述した具体的なアルキルおよびシクロアルキルから選択される基が置換したシリルが挙げられる。
【００８３】
２つのアルキルと１つのアリールが置換したジアルキルアリールシリル、１つのアルキルと２つのアリールが置換したアルキルジアリールシリル、および３つのアリールが置換したトリアリールシリルの具体例としては、上述した具体的なアルキルおよびアリールから選択される基が置換したシリルが挙げられる。トリアリールシリルの具体例としては、特にトリフェニルシリルが挙げられる。
【００８４】
ジアリールアミノ中の２つのアリールは単結合または連結基を介して結合していてもよい。連結基としては、＞Ｓｉ（−ＣＨ３）２、＞Ｃ（−ＣＨ３）２、＞Ｏ、または＞Ｓなどが挙げられる。
【００８５】
第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「ジアリールボリル」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「シクロアルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、または、置換または無置換の「アリールオキシ」は、置換または無置換と説明されているとおり、それらにおける少なくとも１つの水素が第２の置換基で置換されていてもよい。この第２の置換基としては、例えば、アリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルが挙げられ、それらの具体的なものは、上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の１価の基、また第１の置換基としての「アルキル」または「シクロアルキル」の説明を参照することができる。また、第２の置換基としてのアリールやヘテロアリールでは、それらにおける少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリール（具体例は上述したもの）やメチルなどのアルキル（具体例は上述したもの）で置換されていてもよい。その一例として、第２の置換基がカルバゾリルの場合には、９位における少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリールやメチルなどのアルキルで置換されていてもよい。
【００８６】
式（２）のＲａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４におけるアリール、へテルアリール、ジアリールアミノのアリール、ジヘテロアリールアミノのヘテロアリール、アリールヘテロアリールアミノのアリールとヘテロアリール、ジアリールボリルのアリール、またはアリールオキシのアリールとしては、式（１）で説明した第１の置換基としての「アリール」または「ヘテロアリール」が挙げられる。また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４におけるアルキル、シクロアルキルまたはアルコキシとしては、上述した式（１）の説明における第１の置換基としての「アルキル」、「シクロアルキル」、「アルコキシ」の説明を参照することができる。さらに、これらの基への置換基としてのアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルも同様である。また、Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３のうちの隣接する基同士が結合してａ１１環と共に、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３のうちの隣接する基同士が結合してａ２１環と共に、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３のうちの隣接する基同士が結合してａ３１環と共に、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４のうちの隣接する基同士が結合してｂ２１環と共に、および／またはＲｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４のうちの隣接する基同士が結合してｃ３１環と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成した場合の、これらの環への置換基であるヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、またはアリールオキシ、および、さらなる置換基であるアリール、ヘテロアリール、またはアルキルについても同様である。
【００８７】
Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４（第１置換基）の構造の立体障害性、電子供与性および電子吸引性により発光波長を調整することができる。Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、Ｒｂ２１、Ｒｂ２２、Ｒｂ２３、Ｒｂ２４、Ｒｃ１１、Ｒｃ１２、Ｒｃ３１、Ｒｃ３２、Ｒｃ３３、Ｒｃ３４として好ましくは以下の置換基群Ｘ中のいずれかの式で表される基であり、より好ましくは、メチル、ｔ−ブチル、ビシクロオクチル、シクロヘキシル、1−アダマンチル、フェニル、ｏ−トリル、ｐ−トリル、２，４−キシリル、２，５−キシリル、２，６−キシリル、メシチル（２，４，６−トリメチルフェニル）、ジフェニルアミノ、ジ−ｐ−トリルアミノ、ビス（ｐ−（ｔ−ブチル）フェニル）アミノ、ジフェニルボリル、ジメシチルボリル、ジベンゾオキサボリニル、フェニルジベンゾジボリニル、カルバゾリル、３，６−ジメチルカルバゾリル、３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾリルおよびフェノキシであり、さらに好ましくは、メチル、ｔ−ブチル、1−アダマンチル、フェニル、ｏ−トリル、２，６−キシリル、メシチル、ジフェニルアミノ、ジ−ｐ−トリルアミノ、ビス（ｐ−（ｔ−ブチル）フェニル）アミノ、カルバゾリル、３，６−ジメチルカルバゾリル、および３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾリルである。合成の容易さの観点からは、立体障害が大きい方が選択的な合成のために好ましく、具体的には、ｔ−ブチル、1−アダマンチル、ｏ−トリル、２，６−キシリル、メシチル、３，６−ジメチルカルバゾリル、および３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾリルが好ましい。
【００８８】
（置換基群Ｘ）
式において、Ｍｅはメチルを表し、ｔＢｕはｔ−ブチルを表し、ｔＡｍはｔ−アミル（１−メチル−２−ブチル）を表し、ｔＯｃｔはターシャリーオクチルを表し、波線は結合位置を表す。
【化１２】
2020162600.tif 000014
【００８９】
【化１３】
2020162600.tif 000015
【００９０】
【化１４】
2020162600.tif 000016
【００９１】
【化１５】
2020162600.tif 000017
【００９２】
【化１６】
2020162600.tif 000018
【００９３】
【化１７】
2020162600.tif 000019
【００９４】
式（１）のＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１におけるＳｉ−ＲおよびＧｅ−ＲのＲはアリールまたはアルキルであるが、このアリールやアルキルとしては上述するものが挙げられる。特に炭素数６〜１０のアリール（例えばフェニル、ナフチルなど）、炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。Ｒの好ましい例としてはシクロヘキシル、１−アダマンチル、フェニル、ｏ−トリル、ｐ−トリル、２，４−キシリル、２，５−キシリル、２，６−キシリル、２，４，６−メシチル、ジフェニルアミノ、ジ−ｐ−トリルアミノ、ビス（ｐ−（ｔ−ブチル）フェニル）アミノ、ジフェニルボリル、ジメシチルボリル、ジベンゾオキサボリニル、フェニルジベンゾジボリニル、カルバゾリル、３，６−ジメチルカルバゾリル、３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾリルおよびフェノキシが挙げられる。この説明は式（２）におけるＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１でも同じである。
【００９５】
式（１）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立して、＞Ｏ、＞Ｎ−Ｒ、＞Ｃ（−Ｒ）２、＞Ｓまたは＞Ｓｅであり、＞Ｏおよび＞Ｎ−Ｒが好ましい。
【００９６】
式（１）のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２における上記Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいシクロアルキルである。このアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルとしては上述するものが挙げられ、また「置換されていてもよい」というときの置換基としては、上述した第２の置換基が挙げられる。特に置換基で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール（例えばフェニル、ナフチルなど）、置換基で置換されていてもよい炭素数２〜１５のヘテロアリール（例えばカルバゾリルなど）、置換基で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）、置換基で置換されていてもよい炭素数５〜１０のシクロアルキル（例えば、シクロヘキシル、ビシクロオクチル、1−アダマンチルなど）が好ましい。Ｒの好ましい例としてはシクロヘキシル、１−アダマンチル、フェニル、ｏ−トリル、ｐ−トリル、２，４−キシリル、２，５−キシリル、２，６−キシリル、メシチル、ジフェニルアミノ、ジ−ｐ−トリルアミノ、ビス（ｐ−（ｔ−ブチル）フェニル）アミノ、ジフェニルボリル、ジメシチルボリル、ジベンゾオキサボリニル、フェニルジベンゾジボリニル、カルバゾリル、３，６−ジメチルカルバゾリル、３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾリルおよびフェノキシが挙げられる。この説明は式（２）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２でも同じである。
【００９７】
Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合によりＡ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環と結合していてもよく、連結基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｃ（−Ｒ）２−が好ましい。式（１）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）２−」のＲは水素、アルキルであることが好ましく、このアルキルとしては上述するものが挙げられる。特に炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。この説明は式（２）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）２−」でも同じである。
【００９８】
また、式（１）または（２）で表される多環芳香族化合物の化学構造中の水素は、その全てまたは一部が重水素であってもよい。
【００９９】
また、式（１）または（２）で表される多環芳香族化合物の化学構造中の水素は、その全てまたは一部がハロゲンであってもよい。例えば、式（１）においては、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環（アリール環またはヘテロアリール環）、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、またはＣ３１環への置換基、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＳｉ−ＲまたはＧｅ−ＲであるときのＲ（＝アルキル、アリール）、ならびに、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＮ−ＲであるときのＲ（＝アルキル、アリール）における水素がハロゲンで置換されうるが、これらの中でもアリールやヘテロアリールにおける全てまたは一部の水素がハロゲンで置換された態様が挙げられる。ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であり、好ましくはフッ素、塩素または臭素、より好ましくはフッ素である。例えば、アリールにフッ素が置換した基（２，６−ジフルオロフェニルなど）やトリフルオロメチルなどが挙げられる。
【０１００】
また、本発明に係る多環芳香族化合物は、有機デバイス用材料として用いることができる。有機デバイスとしては、例えば、有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などが挙げられる。特に、有機電界発光素子においては、発光層のドーパント材料として、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＮ−Ｒである化合物、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ２１、Ｘ３１がＯ、Ｘ１２、Ｘ２２、Ｘ３２がＮ−Ｒである化合物、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＯである化合物が好ましく、発光層のホスト材料として、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ２１、Ｘ３１がＯ、Ｘ１２、Ｘ２２、Ｘ３２がＮ−Ｒである化合物、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＯである化合物が好ましく、電子輸送材料として、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＯである化合物、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＰ＝Ｏ、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＯである化合物が好ましく用いられる。
【０１０１】
また、本発明の多環芳香族化合物は、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環（ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、ｃ３１環）の少なくとも１つにおける、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１に対するパラ位にフェニルオキシ基、カルバゾリルまたはジフェニルアミノを導入することで、Ｔ１エネルギーの向上（およそ０．０１〜０．１ｅＶ向上）が期待できる。特に、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢ（ホウ素）、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２がＯまたはＮ−Ｒ（Ｒは上記説明どおり）の場合に、Ｂ（ホウ素）に対するパラ位にフェニルオキシ基を導入することで、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環（ａ１１環、ａ２１環、ａ３１環、ｂ１１環、ｂ２１環、ｃ１１環、ｃ３１環）であるベンゼン環上のＨＯＭＯがよりホウ素に対するメタ位に局在化し、ＬＵＭＯがホウ素に対するオルトおよびパラ位に局在化するため、Ｔ１エネルギーの向上が特に期待できる。
【０１０２】
次に、具体的な構造を示す。下記式において、Ｍｅはメチルを表し、Ｍｅｓはメシチル（Ｍｅｓｉｔｙｌ）（２，４，６−トリメチルフェニル）を表し、ｔＢｕはそれぞれｔ−ブチルを表し、Ｏ−Ｘｙｌは２，６−ジメチルフェニル（キシリル）を表し、ｔＡｍはｔ―アミル（１―メチル−２−ブチル）を表し、Ｐｈはフェニルを表し、Ｄは重水素を表す。
【０１０３】
【化１８】
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【０１０４】
【化１９】
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【０１０５】
【化２０】
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【０１０６】
【化２１】
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【０１０７】
【化２２】
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【０１０８】
【化２３】
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【０１０９】
【化２４】
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【０１１０】
【化２５】
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【０１１１】
【化２６】
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【０１１２】
【化２７】
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【０１１３】
【化２８】
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【０１１４】
【化２９】
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【０１１５】
【化３０】
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【０１１６】
【化３１】
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【０１１７】
【化３２】
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【０１１８】
【化３３】
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【０１１９】
【化３４】
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【０１２０】
【化３５】
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【０１２１】
【化３６】
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【０１２２】
【化３７】
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【０１２３】
【化３８】
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【０１２４】
【化３９】
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【０１２５】
【化４０】
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【０１２６】
【化４１】
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【０１２７】
【化４２】
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【０１２８】
【化４３】
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【０１２９】
【化４４】
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【０１３０】
【化４５】
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【０１３１】
【化４６】
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【０１３２】
【化４７】
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【０１３３】
【化４８】
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【０１３４】
【化４９】
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【０１３５】
【化５０】
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【０１３６】
【化５１】
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【０１３７】
【化５２】
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【０１３８】
【化５３】
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【０１３９】
【化５４】
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【０１４０】
【化５５】
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【０１４１】
【化５６】
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【０１４２】
【化５７】
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【０１４３】
【化５８】
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【０１４４】
【化５９】
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【０１４５】
【化６０】
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【０１４６】
【化６１】
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【０１４７】
【化６２】
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【０１４８】
【化６３】
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【０１４９】
【化６４】
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【０１５０】
【化６５】
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【０１５１】
【化６６】
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【０１５２】
【化６７】
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【０１５３】
【化６８】
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【０１５４】
【化６９】
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【０１５５】
【化７０】
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【０１５６】
【化７１】
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【０１５７】
【化７２】
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【０１５８】
【化７３】
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【０１５９】
【化７４】
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【０１６０】
【化７５】
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【０１６１】
【化７６】
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【０１６２】
【化７７】
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【０１６３】
【化７８】
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【０１６４】
【化７９】
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【０１６５】
【化８０】
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【０１６６】
【化８１】
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【０１６７】
【化８２】
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【０１６８】
【化８３】
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【０１６９】
【化８４】
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【０１７０】
【化８５】
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【０１７１】
【化８６】
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【０１７２】
【化８７】
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【０１７３】
【化８８】
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【０１７４】
【化８９】
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【０１７６】
【化９１】
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【０１７７】
【化９２】
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【０１７８】
【化９３】
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【０１７９】
【化９４】
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【０１８０】
【化９５】
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【０１８１】
【化９６】
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【０１８２】
【化９７】
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【０１８３】
【化９８】
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【０１８４】
【化９９】
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【０１８５】
【化１００】
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【０１８６】
【化１０１】
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【０１８７】
【化１０２】
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【０１８８】
【化１０３】
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【０１８９】
【化１０４】
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【０１９０】
【化１０５】
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【０１９１】
【化１０６】
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【０１９２】
【化１０７】
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【０１９３】
【化１０８】
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【０１９４】
【化１０９】
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【０１９５】
【化１１０】
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【０１９６】
【化１１１】
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【０１９７】
【化１１２】
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【０１９８】
【化１１３】
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【０１９９】
【化１１４】
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【０２００】
【化１１５】
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【０２０１】
【化１１６】
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【０２０２】
【化１１７】
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【０２０３】
【化１１８】
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【０２０４】
【化１１９】
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【０２０５】
【化１２０】
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【０２０６】
【化１２１】
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【０２０７】
【化１２２】
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【０２０８】
【化１２３】
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【０２０９】
【化１２４】
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【０２１０】
【化１２５】
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【０２１１】
【化１２６】
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【０２１２】
【化１２７】
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【０２１３】
【化１２８】
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【０２１４】
【化１２９】
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【０２１５】
【化１３０】
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【０２１６】
【化１３１】
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【０２１７】
【化１３２】
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【０２１８】
【化１３３】
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【０２１９】
【化１３４】
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【０２２０】
【化１３５】
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【０２２１】
【化１３６】
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【０２２２】
【化１３７】
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【０２２３】
【化１３８】
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【０２２４】
【化１３９】
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【０２２５】
【化１４０】
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【０２２６】
【化１４１】
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【０２２７】
【化１４２】
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【０２２８】
【化１４３】
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【０２２９】
【化１４４】
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【０２３０】
【化１４５】
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【０２３１】
【化１４６】
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【０２３２】
【化１４７】
2020162600.tif 000149
【０２３３】
【化１４８】
2020162600.tif 000150
【０２３４】
【化１４９】
2020162600.tif 000151
【０２３５】
【化１５０】
2020162600.tif 000152
【０２３６】
【化１５１】
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【０２３７】
【化１５２】
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【０２３８】
【化１５３】
2020162600.tif 000155
【０２３９】
上記のうち、式（１）で表される化合物としては、式（１−１−１）、式（１−１−５）、式（１−１−１０）、式（１−１−６１）、または式（１−１−１０５）で表される化合物であることが特に好ましい。
【化１５４】
2020162600.tif 000156
【０２４０】
上述の国際公開第２０１５／１０２１１８号のほか、特開２０１８−４３９８４号公報、国際公開第２０１８／２１２１６９号、国際公開第２０１９／２３５４０２号、国際公開第２０１９／２４００８０号等では、（ｉ）多重共鳴効果を調節する元素を適切な位置に導入する、（ｉｉ）分子を歪ませて平面性を減少させるために適切な位置に置換基を導入する、（ｉｉｉ）平面性の高い構造を適切な位置に導入する、という、３つのアプローチを適切に組み合わせることで、化合物において、発光波長および発光スペクトルの半値幅の調整、高い発光効率および小さなΔＥ（ＳＴ）を化合物において実現してきている。本発明においては、上記の３つのアプローチで、ΔＥ（ＳＴ）がさらに小さく、また遅延蛍光寿命ｔａｕ（Ｄｅｌａｙ）が小さい、優れた熱活性化型遅延蛍光体を見出したものである。
【０２４１】
「熱活性化型遅延蛍光体」とは、熱エネルギーを吸収して励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を起こし、その励起一重項状態から放射失活して遅延蛍光を放射しうる化合物のことを意味する。本明細書においては、「熱活性化型遅延蛍光体」をＴＡＤＦ化合物ということがある。
通常の蛍光発光では電流励起により生じた７５％の三重項励起子は熱失活経路を通るため蛍光として取り出すことはできないが、ＴＡＤＦ化合物の利用により全ての励起子を蛍光発光に利用することができるようになるため、高効率な有機ＥＬ素子が実現できる。
【０２４２】
「熱活性化型遅延蛍光体」としては、励起三重項状態から励起一重項状態への励起過程で高次三重項を経るものも含む。例えば、Durham大学  Monkmanらによる論文（NATURE COMMUNICATIONS，7:13680，DOI: 10.1038/ncomms13680）、産業技術総合研究所  細貝らによる論文（Hosokai et al., Sci. Adv. 2017;3: e1603282）、京都大学  佐藤らによる論文（Scientific Reports，7:4820， DOI:10.1038/s41598-017-05007-7）および、同じく京都大学  佐藤らによる学会発表（日本化学会第９８春季年会、発表番号：2I4-15、DABNAを発光分子として用いた有機ＥＬにおける高効率発光の機構、京都大学大学院工学研究科）などが挙げられる。本発明では、対象化合物を含むサンプルについて、３００Ｋで蛍光寿命を測定したとき、遅い蛍光成分が観測されたことをもって該対象化合物が「熱活性化型遅延蛍光体」であると判定することとする。ここで、遅い蛍光成分とは、蛍光寿命が０．１μｓｅｃ以上であるもののことを言う。蛍光寿命の測定は、例えば蛍光寿命測定装置（浜松ホトニクス社製、Ｃ１１３６７−０１）を用いて行うことができる。
【０２４３】
熱活性化型遅延蛍光体のうち、Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物（Ｄは電子ドナー性の原子団を表し、Ａは電子アクセプター性の原子団を表す）は、アップコンバージョンの速度が速く、発光の半値幅が広くて色純度が低いという特徴がある。一方、本発明の多環芳香族化合物は、多重共鳴効果（ＭＲＥ）型のＴＡＤＦ化合物であり、アップコンバージョンの速度が遅く、発光の半値幅が狭くて色純度が高く、蛍光量子収率（ＰＬＱＹ）が高く、加えて、発光の速度が速いという特徴がある。
【０２４４】
すなわち、本発明の多環芳香族化合物は電気励起下で高効率かつ色純度の高い発光を与える熱活性化型遅延蛍光体であり、有機ＥＬ素子の発光材料として有用である。本発明の多環芳香族化合物は、例えば、４５０ｎｍ〜５００ｎｍに極大値を有する発光を、２５ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以下の半値幅で与えることができる。
【０２４５】
また、本発明の多環芳香族化合物は励起光によって色純度の高い発光を与える蛍光材料として有用である。本発明の多環芳香族化合物は、例えば、波長３００ｎｍ〜４４９ｎｍの励起光により、４５０ｎｍ〜５００ｎｍに極大値を有する発光を２５ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以下の半値幅で与えることができる。
【０２４６】
さらに、本発明の多環芳香族化合物は、例えば、波長３００ｎｍ〜４９９ｎｍの励起光により、５００ｎｍ〜５７０ｎｍに極大値を有する発光を、２５ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以下の半値幅で与えることができる。すなわち、本発明の多環芳香族化合物は、波長変換材料として使用することができ、例えば波長３００ｎｍ〜４３０ｎｍの光を４５０ｎｍ〜５００ｎｍに極大値を有する半値幅の狭い青色発光に変換する波長変換材料または波長３００ｎｍ〜４９９ｎｍの光を５００ｎｍ〜５７０ｎｍに極大値を有する半値幅の狭い緑色発光に変換する波長変換材料として使用することができる。
【０２４７】
２．多環芳香族化合物の製造方法
式（１）や（２）で表される多環芳香族化合物は、基本的には、まず、Ａ１１環、Ａ２１環、Ａ３１環、Ｂ１１環、Ｂ２１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環を結合基（Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ３１、Ｘ３２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、その後に、Ａ１１環、Ｂ１１環、およびＣ１１環、Ａ２１環、Ｂ１１環、およびＢ２１環、ならびにＡ３１環、Ｃ１１環、およびＣ３１環をそれぞれ結合基（Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１を含む基）で結合させて環化させることで所望の多環芳香族化合物およびその多量体を合成できる（第２反応）。下記スキーム中、Ｚはハロゲンまたは水素を表し、その他の符号の定義は上述した定義と同じである。
【０２４８】
【化１５５】
2020162600.tif 000157
【０２４９】
第１反応では、例えばエーテル化反応であれば、求核置換反応、ウルマン反応といった一般的反応が利用でき、アミノ化反応で有ればブッフバルト−ハートウィッグ反応、その他鈴木―宮浦カップリングといった一般的反応が利用できる。また、第２反応では、Ｙが水素の中間体へ三臭化ホウ素や三ヨウ化ホウ素を作用させ、Ｙ１１、Ｙ２１、Ｙ３１へ直接ホウ素原子を導入するタンデムヘテロフリーデルクラフツ反応（連続的な芳香族求電子置換反応、以下同様）が利用できる。
【０２５０】
また別法として、ＺやＯ（酸素）およびＮ（窒素）の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムまたはｔ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させることでも目的物を得ることができる。ここでは、反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。
また、オルトメタル化により所望の位置へリチウムを導入する方法に加えて、リチウムを導入したい位置に臭素原子等のハロゲンを導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる。
【０２５１】
３．有機デバイス用材料
本発明の多環芳香族化合物は、有機デバイス用材料として用いることができる。有機デバイスとしては、例えば、有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などが挙げられる。
本発明の多環芳香族化合物は有機電界発光素子用材料として用いることが好ましい。本発明の多環芳香族化合物は、特に、有機電界発光素子の発光層を形成するための材料として用いられることが好ましい。
【０２５２】
３−１．有機電界発光素子
有機電界発光素子陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置されている発光層を有する。有機電界発光素子は、発光層の他に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層および正孔注入層等を挙げることができ、さらに、その他の有機層を有していてもよい。
図１に、これらの有機層を備えた有機電界発光素子の層構成の一例を示す。
図１に示された有機ＥＬ素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた陰極１０８とを有する。
【０２５３】
なお、有機ＥＬ素子１００は、作製順序を逆にして、例えば、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陰極１０８と、陰極１０８の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた陽極１０２とを有する構成としてもよい。
【０２５４】
上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極１０２と発光層１０５と陰極１０８とからなる構成として、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６、電子注入層１０７は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。
【０２５５】
有機ＥＬ素子を構成する層の態様としては、上述する「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」の構成態様の他に、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子注入層／陰極」の構成態様であってもよい。
【０２５６】
３−１−１．有機電界発光素子における発光層
発光層１０５は、電界を与えられた電極間において、陽極１０２から注入された正孔と、陰極１０８から注入された電子とを再結合させることにより発光するものである。発光層１０５を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物（発光性化合物）であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光（蛍光）効率を示す化合物が好ましい。発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成される。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。また、後述するように、発光層は、ホスト材料とドーパント材料とを含む発光層形成用組成物を用いた湿式成膜法により形成することもできる。
【０２５７】
本発明の多環芳香族化合物は、有機電界発光素子の発光層の形成材料として好ましく用いることができる。本発明の多環芳香族化合物は、発光層にホスト材料として含まれていてもドーパント材料として含まれていてもよい。
本発明の多環芳香族化合物をホスト材料として使用する場合、併用することができるドーパント材料としては、特に限定されるものではなく、既知の化合物を用いることができ、所望の発光色に応じて様々な材料の中から選択することができる。具体的には、例えば、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレン、ルブレンおよびクリセンなどの縮合環誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体（特開平１−２４５０８７号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ（２−メチルフェニル）イソベンゾフラン、ジ（２−トリフルオロメチルフェニル）イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、７−ジアルキルアミノクマリン誘導体、７−ピペリジノクマリン誘導体、７−ヒドロキシクマリン誘導体、７−メトキシクマリン誘導体、７−アセトキシクマリン誘導体、３−ベンゾチアゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾイミダゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンゾアンスラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、１，２，５−チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、デアザフラビン誘導体、フルオレン誘導体およびベンゾフルオレン誘導体などが挙げられる。
【０２５８】
［ホスト材料］
本発明の多環芳香族化合物は、発光層にドーパント材料として含まれていてもよい。特に式（１）のＹ１１、Ｙ２１、Ｙ３１がＢである多環芳香族化合物は、ドーパント材料として、特にエミッティングドーパントとして、使用することが好ましい。
本発明の多環芳香族化合物をドーパント材料として使用する場合、併用することができるホスト材料としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体のほか、フルオレン系またはトリアリールアミン系高分子化合物などが挙げられる。
【０２５９】
後述するように、本発明の多環芳香族化合物（特に、分子中にホウ素原子を有するもの；エミッティングドーパント）を用い、さらにアシスティングドーパントを用いる場合のホスト材料としても、公知のものを用いることができる。この場合のホスト材料の例としては、例えばカルバゾール環およびフラン環の少なくとも一方を有する化合物を挙げることができ、中でも、フラニルおよびカルバゾリルの少なくとも一方と、アリーレンおよびヘテロアリーレンの少なくとも一方とが結合した化合物を用いることが好ましい。
【０２６０】
ホスト材料として用いる化合物のりん光スペクトルのピーク短波長側の肩より求められる励起三重項エネルギー準位Ｅ（１，Ｔ，Ｓｈ）は、発光層内でのＴＡＤＦの発生を阻害せず促進させる観点から、発光層内において最も高い励起三重項エネルギー準位を有するエミッティングドーパントまたはアシスティングドーパントの励起三重項エネルギー準位Ｅ（２，Ｔ，Ｓｈ）、Ｅ（３，Ｔ，Ｓｈ）に比べて高いことが好ましく、具体的には、ホスト材料の励起三重項エネルギー準位Ｅ（１，Ｔ，Ｓｈ）はＥ（２，Ｔ，Ｓｈ）、Ｅ（３，Ｔ，Ｓｈ）に比べて、０．０１ｅＶ以上が好ましく、０．０３ｅＶ以上がより好ましく、０．１ｅＶ以上がさらに好ましい。また、ホスト材料にＴＡＤＦ活性な化合物を用いてもよい。
【０２６１】
例えば、下記式（Ｈ１）、（Ｈ２）および（Ｈ３）のいずれかで表される化合物を用いることができる。
【化１５６】
2020162600.tif 000158
【０２６２】
上記式（Ｈ１）、（Ｈ２）および（Ｈ３）中、Ｌ１は炭素数６〜２４のアリーレン、炭素数２〜２４のヘテロアリーレン、炭素数６〜２４のヘテロアリーレンアリーレンおよび炭素数６〜２４のアリーレンヘテロアリーレンアリーレンであり、炭素数６〜１６のアリーレンが好ましく、炭素数６〜１２のアリーレンがより好ましく、炭素数６〜１０のアリーレンが特に好ましく、具体的には、ベンゼン環、ビフェニル環、テルフェニル環およびフルオレン環などの二価の基が挙げられる。ヘテロアリーレンとしては、炭素数２〜２４のヘテロアリーレンが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリーレンがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリーレンがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリーレンが特に好ましく、具体的には、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環およびチアントレン環などの二価の基が挙げられる。
上記各式で表される化合物における少なくとも１つの水素は、炭素数１〜６のアルキル、シアノ、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。
【０２６３】
好ましい具体例としては、以下に列挙したいずれかの構造式で表される化合物が挙げられる。以下の構造式において、Ｍｅはメチルである。なお、以下に列挙した構造式においては、少なくとも１つの水素が、ハロゲン、シアノ、炭素数１〜４のアルキル（例えばメチルやｔ−ブチル）、フェニルまたはナフチルなどで置換されていてもよい。
【０２６４】
【化１５７】
2020162600.tif 000159
【０２６５】
【化１５８】
2020162600.tif 000160
【０２６６】
【化１５９】
2020162600.tif 000161
【０２６７】
【化１６０】
2020162600.tif 000162
【０２６８】
高分子ホスト材料：式（ＳＰＨ−１）で表される化合物
ホスト材料としては、下記式（ＳＰＨ−１）で表される化合物も好ましい。
特に、発光層を発光層形成用組成物の湿式成膜法により成膜する場合において、発光層形成用組成物はホスト材料として、下記式（ＳＰＨ−１）で表される化合物を含むことが好ましい。
【０２６９】
【化１６１】
2020162600.tif 000163
式（ＳＰＨ−１）において、
ＭＵはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基、ＥＣはそれぞれ独立して芳香族化合物のいずれかの水素を１つ除いて得られる１価の基であり、ｋは２〜５００００の整数である。
より具体的には、ＭＵは、それぞれ独立して、アリーレン、ヘテロアリーレン、ジアリーレンアリールアミノ、ジアリーレンアリールボリル、オキサボリン−ジイル、またはアザボリン−ジイル等であり、ＥＣは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシ等であり、これらの基における少なくとも１つの水素はさらに、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される１個以上の置換基で置換されていてもよい。ｋは２〜５００００の整数である。
【０２７０】
ｋは２０〜５００００の整数であることが好ましく、１００〜５００００の整数であることがより好ましい。ｋ個のＭＵが２種以上の2価の基からなる場合、それらの基は、ランダムに結合していても、同種の２価の基がブロックになっていてもよいが、後者が好ましい。
【０２７１】
式（ＳＰＨ−１）中のＭＵおよびＥＣにおける少なくとも１つの水素は、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、上記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、上記アルキルにおける式（ＳＰＨ−１）中のＥＣに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、上記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。
【０２７２】
１つまたは２つの水素を除いてＭＵまたはＥＣを形成する芳香族化合物としては、例えば、以下の芳香族化合物または以下の芳香族化合物のいずれか２つ以上が直接結合した芳香族化合物が挙げられる。
【化１６２】
2020162600.tif 000164
【０２７３】
より具体的には、ＭＵとしては、下記式（ＭＵ−１−１）〜式（ＭＵ−１−１２）、下記式（ＭＵ−２−１）〜式（ＭＵ−２−２０２）、下記式（ＭＵ−３−１）〜式（ＭＵ−３−２０１）、下記式（ＭＵ−４−１）〜式（ＭＵ−４−１２２）、下記式（ＭＵ−５−１）〜式（ＭＵ−５−１２）、下記式（ＭＵ−６−１）〜式（ＭＵ−６−４）、下記式（ＭＵ−７−１）〜式（ＭＵ−７−４）、下記式（ＭＵ−７−３１）〜式（ＭＵ−７−３８）、下記式（ＭＵ−８−１）〜式（ＭＵ−８−２）および下記式（ＭＵ−９−１）〜式（ＭＵ−９−４）で表される２価の基が挙げられる。
【０２７４】
【化１６３】
2020162600.tif 000165
【０２７５】
【化１６４】
2020162600.tif 000166
【０２７６】
【化１６５】
2020162600.tif 000167
【０２７７】
【化１６６】
2020162600.tif 000168
【０２７８】
【化１６７】
2020162600.tif 000169
【０２７９】
【化１６８】
2020162600.tif 000170
【０２８０】
【化１６９】
2020162600.tif 000171
【０２８１】
【化１７０】
2020162600.tif 000172
【０２８２】
【化１７１】
2020162600.tif 000173
【０２８３】
また、ＥＣとしては、例えば、下記式（ＥＣ−１）〜式（ＥＣ−２９）で表される基が挙げられる。これらにおいて、ＭＵは＊においてＭＵまたはＥＣと結合し、ＥＣは＊においてＭＵと結合する。
【０２８４】
【化１７２】
2020162600.tif 000174
【０２８５】
式（ＳＰＨ−１）で表される化合物は、溶解性および塗布製膜性の観点から、分子中のＭＵ総数（ｎ）の１０〜１００％のＭＵが炭素数１〜２４のアルキルを有することが好ましく、分子中のＭＵ総数（ｎ）の３０〜１００％のＭＵが炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）を有することがより好ましく、分子内のＭＵ総数（ｎ）の５０〜１００％のＭＵが炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）を有することがさらに好ましい。一方、面内配向性および電荷輸送の観点からは、分子中のＭＵ総数（ｎ）の１０〜１００％のＭＵが炭素数７〜２４のアルキルを有することが好ましく、分子中のＭＵ総数（ｎ）の３０〜１００％のＭＵが炭素数７〜２４のアルキル（炭素数７〜２４の分岐鎖アルキル）を有することがより好ましい。
【０２８６】
式（ＳＰＨ−１）および（ＸＬＰ−１）で表される化合物の製造方法
式（ＳＰＨ−１）で表される化合物および後述の（ＸＬＰ−１）で表される化合物は、公知の製造方法を適宜組み合わせて合成することができる。
【０２８７】
反応で用いられる溶媒としては、芳香族溶媒、飽和／不飽和炭化水素溶媒、アルコール溶媒、エーテル系溶媒などが挙げられ、例えば、ジメトキシエタン、２−（２−メトキシエトキシ）エタン、２−（２−エトキシエトキシ）エタン等が挙げられる。
【０２８８】
また、反応は２相系で行ってもよい。２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩等の相間移動触媒を加えてもよい。
【０２８９】
式（ＳＰＨ−１）および（ＸＬＰ−１）を製造する際、一段階で製造してもよいし、多段階を経て製造してもよい。また、原料を反応容器に全て入れてから反応を開始する一括重合法により行ってもよいし、原料を反応容器に滴下し加える滴下重合法により行ってもよいし、生成物が反応の進行に伴い沈殿する沈殿重合法により行ってもよく、これらを適宜組み合わせて合成することができる。例えば、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物を一段階で合成する際、モノマーユニット（ＭＵ）およびエンドキャップユニット（ＥＣ）を反応容器に加えた状態で反応を行うことで目的物を得る。また、式（ＳＰＨ−１）で表される化合物を多段階で合成する際、モノマーユニット（ＭＵ）を目的の分子量まで重合した後、エンドキャップユニット（ＥＣ）を加えて反応させることで目的物を得る。多段階で異なる種類のモノマーユニット（ＭＵ）を加え反応を行えば、モノマーユニットの構造について濃度勾配を有するポリマーを作ることができる。また、前駆体ポリマーを調製した後、あと反応により目的物ポリマーを得ることができる。
【０２９０】
また、モノマーユニット（ＭＵ）の重合性基を選べばポリマーの一次構造を制御することができる。例えば、合成スキーム（２０）の１〜３に示すように、ランダムな一次構造を有するポリマー（合成スキーム（２０）の１）、規則的な一次構造を有するポリマー（合成スキーム（２０）の２および３）などを合成することが可能であり、目的物に応じて適宜組み合わせて用いることができる。
【０２９１】
【化１７３】
2020162600.tif 000175
【０２９２】
本発明で用いることのできるモノマーユニットとしては、特開２０１０−１８９６３０号公報、国際公開第２０１２／０８６６７１号、国際公開第２０１３／１９１０８８号、国際公開第２００２／０４５１８４号、国際公開第２０１１／０４９２４１号、国際公開第２０１３／１４６８０６号、国際公開第２００５／０４９５４６号、国際公開第２０１５／１４５８７１号、特開２０１０−２１５８８６号、特開２００８−１０６２４１号公報、特開２０１０−２１５８８６号公報、国際公開第２０１６／０３１６３９号、特開２０１１−１７４０６２号公報、国際公開第２０１６／０３１６３９号、国際公開第２０１６／０３１６３９号、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に準じて合成することができる。
【０２９３】
また、具体的なポリマー合成手順については、特開２０１２−０３６３８８号公報、国際公開第２０１５／００８８５１号、特開２０１２−３６３８１号公報、特開２０１２−１４４７２２号公報、国際公開第２０１５／１９４４４８号、国際公開第２０１３／１４６８０６号、国際公開第２０１５／１４５８７１号、国際公開第２０１６／０３１６３９号、国際公開第２０１６／１２５５６０号、国際公開第２０１６／０３１６３９号、国際公開第２０１６／０３１６３９号、国際公開第２０１６／１２５５６０号、国際公開第２０１５／１４５８７１号、国際公開第２０１１／０４９２４１号、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に準じて合成することができる。
【０２９４】
［アシスティングドーパント］
発光層は、発光をアシストするアシスティングドーパントを含んでいてもよい。特に、分子中にホウ素原子を有する本発明の多環芳香族化合物を発光層においてエミッティングドーパントとして機能させ、アシスティングドーパントを同時に用いることが好ましい。
アシスティングドーパントとしては、「熱活性化型遅延蛍光体」（ＴＡＤＦ化合物）を用いることが好ましい。
【０２９５】
アシスティングドーパントとして用いられるＴＡＤＦ化合物は、一重項エネルギー（Ｓ１）と三重項エネルギー（Ｔ１）のエネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））が０．２ｅＶ以下であることが好ましい（Hiroki Uoyama, Kenichi Goushi, Katsuyuki Shizu, Hiroko Nomura, Chihaya Adachi, Nature, 492, 234-238 (2012)）。エネルギー差（ΔＥ（ＳＴ））は、より好ましくは０．１５ｅＶ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｅＶ以下であり、特に好ましくは０．０８ｅＶ以下である。
【０２９６】
アシスティングドーパントとして用いられるＴＡＤＦ化合物としては、Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物が好ましい。Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物は、ドナーと呼ばれる電子供与性の置換基とアクセプターと呼ばれる電子受容性の置換基を用いて分子内のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）とＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）を局在化させて、効率的な逆項間交差（reverse intersystem crossing）が起きるようにデザインされたＴＡＤＦ化合物である。
【０２９７】
ここで、本明細書中において「電子供与性の置換基」(ドナー)とは、ＴＡＤＦ化合物分子中でＬＵＭＯ軌道が局在する置換基および部分構造のことを意味し、「電子受容性の置換基」（アクセプター）とは、ＴＡＤＦ化合物分子中でＨＯＭＯ軌道が局在する置換基および部分構造のことを意味することとする。
【０２９８】
一般的に、Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物は、構造に起因してスピン軌道結合（SOC: Spin Orbit Coupling）が大きく、かつ、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの交換相互作用が小さくΔＥ（ＳＴ）が小さいために、非常に速い逆項間交差速度が得られる。一方、Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物は、励起状態での構造緩和が大きくなり（ある分子においては、基底状態と励起状態では安定構造が異なるため、外部刺激により基底状態から励起状態への変換が起きると、その後、励起状態における安定構造へと構造が変化する）、幅広な発光スペクトルを与えるため、発光材料として使うと色純度を低下させる可能性がある。しかし、
Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物をアシスティングドーパントとして用い、この存在下、エミッティングドーパントとして本発明の多環芳香族化合物を用いることで、アシスティングドーパントからエミッティングドーパントへの高いエネルギー移動効率、適切な発光波長および発光スペクトルの半値幅（半値幅の狭い色味の良いスペクトル、）、高い色純度、高い素子効率および小さいロールオフ、および長寿命を実現することができる。
【０２９９】
Ｄ−Ａ型ＴＡＤＦ化合物として、例えばドナーおよびアクセプターが直接またはスペーサーを介して結合している化合物を用いることができる。熱活性化型遅延蛍光体に用いられるドナー性およびアクセプター性の構造としては、例えば、Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963に記載の構造を用いることができる。ドナー性の構造としては、カルバゾール、ジメチルカルバゾール、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾール、ジメトキシカルバゾール、テトラメチルカルバゾール、ベンゾフルオロカルバソール、ベンゾチエノカルバゾール、フェニルジヒドロインドロカルバゾール、フェニルビカルバゾール、ビカルバゾール、ターカルバゾール、ジフェニルカルバゾリルアミン、テトラフェニルカルバゾリルジアミン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、フェノチアジン、ジメチルジヒドロアクリジン、ジフェニルアミン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）アミン、（ジフェニルアミノ）フェニル）ジフェニルベンゼンジアミン、ジメチルテトラフェニルジヒドロアクリジンジアミン、テトラメチル−ジヒドローインデノアクリジンおよびジフェニルージヒドロジベンゾアザシリンなどが挙げられる。アクセプター性の構造としては、スルホニルジベンゼン、ベンゾフェノン、フェニレンビス（フェニルメタノン）、ベンゾニトリル、イソニコチノニトリル、フタロニトリル、イソフタロニトリル、パラフタロニトリル、ベンゼントリカルボニトリル、トリアゾール、オキサゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾビス（チアゾール）、ベンゾオキサゾール、ベンゾビス（オキサゾール）、キノリン、ベンゾイミダゾール、ジベンゾキノキサリン、ヘプタアザフェナレン、チオキサントンジオキシド、ジメチルアントラセノン、アントラセンジオン、シクロヘプタビピリジン、フルオレンジカルボニトリル、トリエフェニルトリアジン、ピラジンジカルボニトリル、ピリミジン、フェニルピリミジン、メチルピリミジン、ピリジンジカルボニトリル、ジベンゾキノキサリンジカルボニトリル、ビス（フェニルスルホニル）ベンゼン、ジメチルチオキサンテンジオキド、チアンスレンテトラオキシドおよびトリス（ジメチルフェニル）ボランが挙げられる。特に、熱活性化型遅延蛍光体は、部分構造として、カルバゾール、フェノキサジン、アクリジン、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、チオキサンテン、ベンゾニトリル、フタロニトリル、イソフタロニトリル、ジフェニルスルホン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールおよびベンゾフェノンを少なくとも一つ有する化合物であることが好ましい。
【０３００】
発光層に用いるアシスティングドーパントとしては、その発光スペクトルがエミッティングドーパントの吸収ピークと少なくとも一部が重なる化合物であることが好ましい。以下、アシスティングドーパントとして用いることができる化合物を例示する。ただし、本発明においてアシスティングドーパントとして用いることができる化合物は、以下の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。下記式において、Ｍｅはメチルを表し、ｔＢｕはｔ−ブチルを表し、Ｐｈはフェニルを表し、波線は結合位置を表す。
【０３０１】
【化１７４】
2020162600.tif 000176
【０３０２】
【化１７５】
2020162600.tif 000177
【０３０３】
【化１７６】
2020162600.tif 000178
【０３０４】
【化１７７】
2020162600.tif 000179
【０３０５】
【化１７８】
2020162600.tif 000180
【０３０６】
【化１７９】
2020162600.tif 000181
【０３０７】
【化１８０】
2020162600.tif 000182
【０３０８】
【化１８１】
2020162600.tif 000183
【０３０９】
【化１８２】
2020162600.tif 000184
【０３１０】
【化１８３】
2020162600.tif 000185
【０３１１】
さらに、アシスティングドーパントとして、下記式（ＡＤ１）、（ＡＤ２）および（ＡＤ３）のいずれかで表される化合物も用いることができる。
【化１８４】
2020162600.tif 000186
【０３１２】
上記式（ＡＤ１）、（ＡＤ２）および（ＡＤ３）中、
Ｍは、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、＞Ｎ−Ａｒおよび＞ＣＡｒ２であり、形成する部分構造のＨＯＭＯの深さおよび励起一重項エネルギー準位および励起三重項エネルギー準位の高さの観点から、好ましくは、単結合、−Ｏ−および＞Ｎ−Ａｒである。Ｊはドナー性の部分構造とアクセプター性の部分構造を分けるスペーサー構造であり、それぞれ独立して、炭素数６〜１８のアリーレンであり、ドナー性の部分構造とアクセプター性の部分構造から染み出す共役の大きさの観点から、炭素数６〜１２のアリーレンが好ましい。より具体的には、フェニレン、メチルフェニレンおよびジメチルフェニレンが挙げられる。Ｑは、それぞれ独立して、＝Ｃ（−Ｈ）−または＝Ｎ−であり、形成する部分構造のＬＵＭＯの浅さおよび励起一重項エネルギー準位および励起三重項エネルギー準位の高さの観点から、好ましくは、＝Ｎ−である。Ａｒは、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜２４のアリール、炭素数２〜２４のヘテロアリール、炭素数１〜１２のアルキルおよび炭素数３〜１８のシクロアルキルであり、形成する部分構造のＨＯＭＯの深さおよび励起一重項エネルギー準位および励起三重項エネルギー準位の高さの観点から、好ましくは、水素、炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１４のヘテロアリール、炭素数１〜４のアルキルおよび炭素数６〜１０のシクロアルキルであり、より好ましくは、水素、フェニル、トリル、キシリル、メシチル、ビフェニル、ピリジル、ビピリジル、トリアジル、カルバゾリル、ジメチルカルバゾリル、ジーｔｅｒｔ−ブチルカルバゾリル、ベンゾイミダゾールおよびフェニルベンゾイミダゾールであり、さらに好ましくは、水素、フェニルおよびカルバゾリルである。なお、式（ＡＤ１）、（ＡＤ２）および（ＡＤ３）において、その結合手がベンゼン環に掛かっているＡｒは、ベンゼン環の各炭素に結合する基を表す。ｍは、１または２である。ｎは、２〜（６−ｍ）の整数であり、立体障害の観点から、好ましくは、４〜（６−ｍ）の整数である。さらに、上記各式で表される化合物における少なくとも１つの水素は、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。
【０３１３】
本発明の発光層のアシスティングドーパントとして用いる化合物は、より具体的に言えば、４ＣｚＢＮ、４ＣｚＢＮ−Ｐｈ、５ＣｚＢＮ、３Ｃｚ２ＤＰｈＣｚＢＮ、４ＣｚＩＰＮ、２ＰＸＺーＴＡＺ、Ｃｚ−ＴＲＺ３、ＢＤＰＣＣ−ＴＰＴＡ、ＭＡ−ＴＡ、ＰＡ−ＴＡ、ＦＡ−ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、ＤＭＡＣ−ＴＲＺ、ＢＣｚＴ、ＤＣｚＴｒｚ、ＤＤＣｚＴＲｚ、ｓｐｉｒｏＡＣ−ＴＲＺ、Ａｃ−ＨＰＭ、Ａｃ−ＰＰＭ、Ａｃ−ＭＰＭ、ＴＣｚＴｒｚ、ＴｍＣｚＴｒｚおよびＤＣｚｍＣｚＴｒｚであることが好ましい。
【０３１４】
［発光層の構成］
発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよい。また、ドーパント材料およびホスト材料などの複数成分は、同一の層内に含まれていてもよく、複数層に少なくとも１成分ずつ含まれていてもよい。例えば、ドーパント材料（エミッティングドーパント、本発明の多環芳香族化合物）、ホスト材料、およびアシスティングドーパントは、同一の層内に含まれていてもよく、複数層に少なくとも１成分ずつ含まれていてもよい。発光層が含むエミッティングドーパント（本発明の多環芳香族化合物）、ホスト材料、アシスティングドーパントおよびは、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。アシスティングドーパントおよびエミッティングドーパントを使用するとき、これらは、マトリックスとしてのホスト材料中に、全体的に含まれていてもよいし、部分的に含まれていてもよい。
【０３１５】
後述のように、発光層は、蒸着法、湿式成膜法等により形成することができる。例えば、アシスティングドーパントおよびエミッティングドーパントがドープされた発光層は、ホスト材料とアシスティングドーパントとエミッティングドーパントを三元共蒸着法によって成膜する方法、ホスト材料とアシスティングドーパントとエミッティングドーパントを予め混合してから同時に蒸着する方法、または、ホスト材料とアシスティングドーパントとエミッティングドーパントを有機溶媒に溶解して調製した塗料（発光層形成用組成物）を塗布する湿式成膜法等により形成することができる。
【０３１６】
本発明の多環芳香族化合物をドーパント材料（エミッティングドーパント）として使用するとき、その使用量は、特に限定されないが、好ましくは発光層用材料全体の０．００１〜３０質量％であり、より好ましくは０．０１〜２０質量％であり、さらに好ましくは０．１〜１０質量％である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。
【０３１７】
ホスト材料の使用量はホスト材料の種類によって異なり、そのホスト材料の特性に合わせて決めればよい。ホスト材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の４０〜９９．９９９質量％であり、より好ましくは５０〜９９．９９質量％であり、さらに好ましくは６０〜９９．９質量％である。上記の範囲であれば、例えば、効率的な電荷の輸送と、ドーパントへの効率的なエネルギーの移動の点で好ましい。
【０３１８】
アシスティングドーパントの使用量はアシスティングドーパントの種類によって異なり、そのアシスティングドーパントの特性に合わせて決めればよい。アシスティングドーパントの使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の１〜６０質量％であり、より好ましくは２〜５０質量％であり、さらに好ましくは５〜３０質量％である。上記の範囲であれば、例えば、効率的にエネルギーをエミッティングドーパントへ移動させられるという点で好ましい。
【０３１９】
エミッティングドーパントの使用量は低濃度である方が濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。アシスティングドーパントの使用量が高濃度であることが熱活性化型遅延蛍光機構の効率の点からは好ましい。さらには、アシスティングドーパントの熱活性化型遅延蛍光機構の効率の点からは、アシスティングドーパントの使用量に比べてエミッティングドーパントの使用量が低濃度であることが好ましい。
【０３２０】
３−１−２．有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層
電子注入層１０７は、陰極１０８から移動してくる電子を、効率よく発光層１０５内または電子輸送層１０６内に注入する役割を果たす。電子輸送層１０６は、陰極１０８から注入された電子または陰極１０８から電子注入層１０７を介して注入された電子を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たす。電子輸送層１０６および電子注入層１０７は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合により形成される。
【０３２１】
電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することを司る層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。
【０３２２】
電子輸送層１０６または電子注入層１０７を形成する材料（電子輸送材料）としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機ＥＬ素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。
【０３２３】
電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香族環もしくは複素芳香族環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香族環誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳族香環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、アリールニトリル誘導体、およびインドール誘導体などが挙げられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などが挙げられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。
【０３２４】
また、他の電子伝達化合物の具体例として、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体（１，３−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなど）、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体（Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなど）、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体（２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなど）、イミダゾピリジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体（トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼンなど）、ベンゾオキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体（１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−テルピリジニル））ベンゼンなど）、ナフチリジン誘導体（ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなど）、アルダジン誘導体、ピリミジン誘導体、アリールニトリル誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体、シロール誘導体およびアゾリン誘導体などが挙げられる。
【０３２５】
また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体、およびベンゾキノリン金属錯体などが挙げられる。
【０３２６】
上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用してもよい。
【０３２７】
上述した材料の中でも、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、アリールニトリル誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリノール系金属錯体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、シロール誘導体およびアゾリン誘導体が好ましい。
【０３２８】
＜ボラン誘導体＞
ボラン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１）で表される化合物であり、詳細には特開２００７−２７５８７号公報に開示されている。
【化１８５】
2020162600.tif 000187
【０３２９】
式（ＥＴＭ−１）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも１つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいシクロアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘは、置換されていてもよいアリーレンであり、Ｙは、置換されていてもよい炭素数１６以下のアリール、置換されているボリル、または置換されていてもよいカルバゾリルであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルなどが挙げられる。
【０３３０】
式（ＥＴＭ−１）で表される化合物の中でも、下記式（ＥＴＭ−１−１）で表される化合物や下記式（ＥＴＭ−１−２）で表される化合物が好ましい。
【化１８６】
2020162600.tif 000188
【０３３１】
式（ＥＴＭ−１−１）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも１つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいシクロアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも１つであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、そして、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルなどが挙げられる。
【０３３２】
【化１８７】
2020162600.tif 000189
【０３３３】
式（ＥＴＭ−１−２）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも１つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいシクロアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルなどが挙げられる。
【０３３４】
Ｘ１の具体的な例としては、下記式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−９）のいずれかで表される２価の基が挙げられる。
【化１８８】
2020162600.tif 000190
（各式中、Ｒａは、それぞれ独立してアルキル、シクロアルキルまたは置換されていてもよいフェニルであり、＊は結合位置を表す。）
【０３３５】
このボラン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化１８９】
2020162600.tif 000191
【０３３６】
このボラン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０３３７】
＜ピリジン誘導体＞
ピリジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−２）で表される化合物であり、好ましくは式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）で表される化合物である。
【化１９０】
2020162600.tif 000192
【０３３８】
φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数である。
【０３３９】
式（ＥＴＭ−２−１）において、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）である。
【０３４０】
式（ＥＴＭ−２−２）において、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）であり、Ｒ１１およびＲ１２は結合して環を形成していてもよい。
【０３４１】
各式において、「ピリジン系置換基」は、下記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−１５）のいずれか（式中の＊は、結合位置を表す。）であり、ピリジン系置換基はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルで置換されていてもよい。具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、またはｔ−ブチルなどがあげられ、メチルが好ましい。また、ピリジン系置換基はフェニレンやナフチレンを介して各式におけるφ、アントラセン環またはフルオレン環に結合していてもよい。
【０３４２】
【化１９１】
2020162600.tif 000193
【０３４３】
ピリジン系置換基は、式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−１５）のいずれかであるが、これらの中でも、下記式（Ｐｙ−２１）〜式（Ｐｙ−４４）のいずれか（式中の＊は、結合位置を表す。）であることが好ましい。
【化１９２】
2020162600.tif 000194
【０３４４】
各ピリジン誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよく、また、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における２つの「ピリジン系置換基」のうちの一方はアリールで置き換えられていてもよい。
【０３４５】
Ｒ１１〜Ｒ１８における「アルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルが挙げられる。好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）である。より好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）である。さらに好ましい「アルキル」は、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）である。特に好ましい「アルキル」は、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）である。
【０３４６】
具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどが挙げられる。
【０３４７】
ピリジン系置換基に置換する炭素数１〜４のアルキルとしては、上記アルキルの説明を引用することができる。
【０３４８】
Ｒ１１〜Ｒ１８における「シクロアルキル」としては、例えば、炭素数３〜１２のシクロアルキルが挙げられる。好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜１０のシクロアルキルである。より好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜８のシクロアルキルである。さらに好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜６のシクロアルキルである。
具体的な「シクロアルキル」としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどが挙げられる。
【０３４９】
Ｒ１１〜Ｒ１８における「アリール」としては、好ましいアリールは炭素数６〜３０のアリールであり、より好ましいアリールは炭素数６〜１８のアリールであり、さらに好ましくは炭素数６〜１４のアリールであり、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【０３５０】
具体的な「炭素数６〜３０のアリール」としては、単環系アリールであるフェニル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどが挙げられる。
【０３５１】
好ましい「炭素数６〜３０のアリール」は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、クリセニルまたはトリフェニレニルなどがあげられ、さらに好ましくはフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルまたはフェナントリルがあげられ、特に好ましくはフェニル、１−ナフチルまたは２−ナフチルが挙げられる。
【０３５２】
式（ＥＴＭ−２−２）におけるＲ１１およびＲ１２は結合して環を形成していてもよく、この結果、フルオレン骨格の５員環には、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、フルオレンまたはインデンなどがスピロ結合していてもよい。
【０３５３】
このピリジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化１９３】
2020162600.tif 000195
【０３５４】
このピリジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０３５５】
＜フルオランテン誘導体＞
フルオランテン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−３）で表される化合物であり、詳細には国際公開第２０１０／１３４３５２号に開示されている。
【化１９４】
2020162600.tif 000196
【０３５６】
式（ＥＴＭ−３）中、Ｘ１２〜Ｘ２１は水素、ハロゲン、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル、直鎖、分岐もしくは環状のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリール、または置換もしくは無置換のヘテロアリールを表す。ここで、置換されている場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルなどが挙げられる。
【０３５７】
このフルオランテン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化１９５】
2020162600.tif 000197
【０３５８】
＜ＢＯ系誘導体＞
ＢＯ系誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−４）で表される多環芳香族化合物、または下記式（ＥＴＭ−４）で表される構造を複数有する多環芳香族化合物の多量体である。
【化１９６】
2020162600.tif 000198
【０３５９】
Ｒ６１〜Ｒ７１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、またはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよい。
【０３６０】
また、Ｒ６１〜Ｒ７１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環、またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルで置換されていてもよい。
【０３６１】
また、式（ＥＴＭ−４）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素がハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。
【０３６２】
式（ＥＴＭ−４）における置換基や環形成の形態の説明については、式（１）または式（２）で表される多環芳香族化合物の説明を引用することができる。
【０３６３】
このＢＯ系誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化１９７】
2020162600.tif 000199
【０３６４】
このＢＯ系誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０３６５】
＜アントラセン誘導体＞
アントラセン誘導体の１つは、例えば下記式（ＥＴＭ−５）で表される化合物である。
【化１９８】
2020162600.tif 000200
【０３６６】
Ａｒ１は、それぞれ独立して、単結合、２価のベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、またはフェナレンである。
【０３６７】
Ａｒ２は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリールであり、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。「炭素数６〜２０のアリール」の具体例としては、単環系アリールであるフェニル、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル、（２，３−，２，４−，２，５−，２，６−，３，４−，３，５−）キシリル、メシチル（２，４，６−トリメチルフェニル）、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）クメニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アントラセン−（１−，２−，９−）イル、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、テトラセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イルなどが挙げられる。「炭素数６〜１０のアリール」の具体例としては、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、テルフェニリル、アントラセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、テトラセニル、ペリレニルなどが挙げられる。
【０３６８】
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、炭素数３から６のシクロアルキル、または炭素数６〜２０のアリールである。
【０３６９】
Ｒ１〜Ｒ４における炭素数１〜６のアルキルについては直鎖および分岐鎖のいずれでもよい。すなわち、炭素数１〜６の直鎖アルキルまたは炭素数３〜６の分岐鎖アルキルである。より好ましくは、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）である。具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、または２−エチルブチルなどがあげられ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、またはｔ−ブチルが好ましく、メチル、エチル、またはｔ−ブチルがより好ましい。
【０３７０】
Ｒ１〜Ｒ４における炭素数３〜６のシクロアルキルの具体例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどが挙げられる。
【０３７１】
Ｒ１〜Ｒ４における炭素数６〜２０のアリールについては、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。「炭素数６〜２０のアリール」の具体例としては、Ａｒ２における「炭素数６〜２０のアリール」の具体例を引用することができる。好ましい「炭素数６〜２０のアリール」は、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリルまたはナフチルであり、より好ましくは、フェニル、ビフェニリル、１−ナフチル、２−ナフチルまたはｍ−テルフェニル−５’−イルであり、さらに好ましくは、フェニル、ビフェニリル、１−ナフチル、または２−ナフチルであり、最も好ましくはフェニルである。
【０３７２】
これらのアントラセン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化１９９】
2020162600.tif 000201
【０３７３】
これらのアントラセン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０３７４】
＜ベンゾフルオレン誘導体＞
ベンゾフルオレン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−６）で表される化合物である。
【化２００】
2020162600.tif 000202
【０３７５】
Ａｒ１は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリールであり、式（ＥＴＭ−５）のＡｒ２における「炭素数６〜２０のアリール」と同じ説明を引用することができる。炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。具体例としては、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、テルフェニリル、アントラセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、テトラセニル、ペリレニルなどが挙げられる。
【０３７６】
Ａｒ２は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）であり、２つのＡｒ２は結合して環を形成していてもよい。
【０３７７】
Ａｒ２における「アルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルが挙げられる。好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）である。より好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）である。さらに好ましい「アルキル」は、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）である。特に好ましい「アルキル」は、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）である。具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシルなどが挙げられる。
【０３７８】
Ａｒ２における「シクロアルキル」としては、例えば、炭素数３〜１２のシクロアルキルが挙げられる。好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜１０のシクロアルキルである。より好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜８のシクロアルキルである。さらに好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜６のシクロアルキルである。具体的な「シクロアルキル」としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどが挙げられる。
【０３７９】
Ａｒ２における「アリール」としては、好ましいアリールは炭素数６〜３０のアリールであり、より好ましいアリールは炭素数６〜１８のアリールであり、さらに好ましくは炭素数６〜１４のアリールであり、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【０３８０】
具体的な「炭素数６〜３０のアリール」としては、フェニル、ナフチル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペリレニル、ペンタセニルなどが挙げられる。
【０３８１】
２つのＡｒ２は結合して環を形成していてもよく、この結果、フルオレン骨格の５員環には、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、フルオレンまたはインデンなどがスピロ結合していてもよい。
【０３８２】
このベンゾフルオレン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化２０１】
2020162600.tif 000203
【０３８３】
このベンゾフルオレン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０３８４】
＜ホスフィンオキサイド誘導体＞
ホスフィンオキサイド誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−７−１）で表される化合物である。詳細は国際公開第２０１３／０７９２１７号および国際公開第２０１３／０７９６７８号にも記載されている。
【化２０２】
2020162600.tif 000204
【０３８５】
Ｒ５は、置換または無置換の、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１６のシクロアルキル、炭素数６〜２０のアリールまたは炭素数５〜２０のヘテロアリールであり、
Ｒ６は、ＣＮ、置換または無置換の、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１６のシクロアルキル、炭素数１〜２０のヘテロアルキル、炭素数６〜２０のアリール、炭素数５〜２０のヘテロアリール、炭素数１〜２０のアルコキシまたは炭素数６〜２０のアリールオキシであり、
Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立して、置換または無置換の、炭素数６〜２０のアリールまたは炭素数５〜２０のヘテロアリールであり、
Ｒ９は酸素または硫黄であり、
ｊは０または１であり、ｋは０または１であり、ｒは０〜４の整数であり、ｑは１〜３の整数である。
ここで、置換されている場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシクロアルキルなどが挙げられる。
【０３８６】
ホスフィンオキサイド誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−７−２）で表される化合物でもよい。
【化２０３】
2020162600.tif 000205
【０３８７】
Ｒ１〜Ｒ３は、同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル、シクロアルキル、アラルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキルチオ、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール、複素環基、ハロゲン、シアノ、アルデヒド、カルボニル、カルボキシル、アミノ、ニトロ、シリル、および隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。
【０３８８】
Ａｒ１は、同じでも異なっていてもよく、アリーレンまたはヘテロアリーレンである。Ａｒ２は、同じでも異なっていてもよく、アリールまたはヘテロアリールである。ただし、Ａｒ１およびＡｒ２のうち少なくとも一方は置換基を有しているか、または隣接置換基との間に縮合環を形成している。ｎは０〜３の整数であり、ｎが０のとき不飽和構造部分は存在せず、ｎが３のときＲ1は存在しない。
【０３８９】
これらの置換基の内、アルキルとは、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換されている場合の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル、アリール、複素環基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキルの炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常、１〜２０の範囲である。
【０３９０】
また、シクロアルキルとは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキル部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３〜２０の範囲である。
【０３９１】
また、アラルキルとは、例えば、ベンジル、フェニルエチルなどの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換されていてもかまわない。脂肪族部分の炭素数は特に限定されないが、通常、１〜２０の範囲である。
【０３９２】
また、アルケニルとは、例えば、ビニル、アリル、ブタジエニルなどの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルケニルの炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。
【０３９３】
また、シクロアルケニルとは、例えば、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセンなどの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。
【０３９４】
また、アルキニルとは、例えば、アセチレニルなどの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキニルの炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。
【０３９５】
また、アルコキシとは、例えば、メトキシなどのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アルコキシの炭素数は特に限定されないが、通常、１〜２０の範囲である。
【０３９６】
また、アルキルチオとは、アルコキシのエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された基である。
【０３９７】
また、シクロアルキルチオとは、シクロアルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された基である。
【０３９８】
また、アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシなどのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。
【０３９９】
また、アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された基である。
【０４００】
また、アリールとは、例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニリル、フェナントリル、テルフェニリル、ピレニルなどの芳香族炭化水素基を示す。アリールは、無置換でも置換されていてもかまわない。アリールの炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。
【０４０１】
また、複素環基とは、例えば、フラニル、チオフェニル、オキサゾリル、ピリジル、キノリニル、カルバゾリルなどの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜３０の範囲である。
【０４０２】
ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。
【０４０３】
アルデヒド、カルボニル、アミノには、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換された基も含むことができる。
【０４０４】
また、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかまわない。
【０４０５】
シリルとは、例えば、トリメチルシリルなどのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリルの炭素数は特に限定されないが、通常、３〜２０の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１〜６である。
【０４０６】
隣接置換基との間に形成される縮合環とは、例えば、Ａｒ１とＲ２、Ａｒ１とＲ３、Ａｒ２とＲ２、Ａｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ３、Ａｒ１とＡｒ２等の間で形成された共役または非共役の縮合環である。ここで、ｎが１の場合、２つのＲ１同士で共役または非共役の縮合環を形成してもよい。これら縮合環は、環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合してもよい。
【０４０７】
このホスフィンオキサイド誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化２０４】
2020162600.tif 000206
【０４０８】
このホスフィンオキサイド誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４０９】
＜ピリミジン誘導体＞
ピリミジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−８）で表される化合物であり、好ましくは下記式（ＥＴＭ−８−１）で表される化合物である。詳細は国際公開第２０１１／０２１６８９号にも記載されている。
【化２０５】
2020162600.tif 000207
【０４１０】
Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。ｎは１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは２または３である。
【０４１１】
「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【０４１２】
具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどが挙げられる。
【０４１３】
「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などが挙げられる。
【０４１４】
具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどが挙げられる。
【０４１５】
また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。
【０４１６】
このピリミジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化２０６】
2020162600.tif 000208
【０４１７】
このピリミジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４１８】
＜アリールニトリル誘導体＞
アリールニトリル誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−９）で表される化合物、またはそれが単結合などで複数結合した多量体である。詳細は米国出願公開第２０１４／０１９７３８６号明細書に記載されている。
【化２０７】
2020162600.tif 000209
【０４１９】
Ａｒｎｉは、速い電子輸送性の観点からは炭素数が多いことが好ましく、高いＴ１の観点からは炭素数が少ないことが好ましい。Ａｒｎｉは、具体的には、発光層に隣接する層に用いるには高いＴ１であることが好ましく、炭素数６〜２０のアリールであり、好ましくは炭素数６〜１４のアリール、より好ましくは炭素数６〜１０のアリールである。また、ニトリル基の置換個数ｎは、高いＴ１の観点からは多いことが好ましく、高いＳ１の観点からは少ないことが好ましい。ニトリル基の置換個数ｎは、具体的には、１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１〜２の整数であり、さらに好ましくは１である。
【０４２０】
Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。高いＳ１および高いＴ１の観点からドナー性のヘテロアリールであることが好ましく、電子輸送層として用いるためドナー性のヘテロアリールは少ないことが好ましい。電荷輸送性の観点からは炭素数の多いアリールまたはヘテロアリールが好ましく、置換基を多く有することが好ましい。Ａｒの置換個数ｍは、具体的には、１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１〜２である。
【０４２１】
「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【０４２２】
具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどが挙げられる。
【０４２３】
「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄、および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などが挙げられる。
【０４２４】
具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどが挙げられる。
【０４２５】
また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。
【０４２６】
アリールニトリル誘導体は、式（ＥＴＭ−９）で表される化合物が単結合などで複数結合した多量体であってもよい。この場合、単結合以外に、アリール環（好ましくは多価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）で結合されていてもよい。
【０４２７】
このアリールニトリル誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化２０８】
2020162600.tif 000210
【０４２８】
このアリールニトリル誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４２９】
＜トリアジン誘導体＞
トリアジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１０）で表される化合物であり、好ましくは下記式（ＥＴＭ−１０−１）で表される化合物である。詳細は米国出願公開第２０１１／０１５６０１３号明細書に記載されている。
【化２０９】
2020162600.tif 000211
【０４３０】
Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。ｎは１〜３の整数であり、好ましくは２または３である。
【０４３１】
「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【０４３２】
具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどが挙げられる。
【０４３３】
「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などが挙げられる。
【０４３４】
具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどが挙げられる。
【０４３５】
また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。
【０４３６】
このトリアジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【化２１０】
2020162600.tif 000212
【０４３７】
このトリアジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４３８】
＜ベンゾイミダゾール誘導体＞
ベンゾイミダゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１１）で表される化合物である。
【化２１１】
2020162600.tif 000213
【０４３９】
φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数であり、「ベンゾイミダゾール系置換基」は、式（ＥＴＭ−２）、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における「ピリジン系置換基」の中のピリジルがベンゾイミダゾリルに置き換わった置換基であり、ベンゾイミダゾール誘導体における少なくとも１つの水素は重水素で置換されていてもよい。
【化２１２】
2020162600.tif 000214
【０４４０】
上記ベンゾイミダゾリルにおけるＲ１１は、水素、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜３０のアリールであり、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）におけるＲ１１の説明を引用することができる。
【０４４１】
φは、さらに、アントラセン環またはフルオレン環であることが好ましく、この場合の構造は式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）での説明を引用することができ、各式中のＲ１１〜Ｒ１８は式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）での説明を引用することができる。また、式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）では２つのピリジン系置換基が結合した形態で説明されているが、これらをベンゾイミダゾール系置換基に置き換えるときには、両方のピリジン系置換基をベンゾイミダゾール系置換基で置き換えてもよいし（すなわちｎ＝２）、いずれか１つのピリジン系置換基をベンゾイミダゾール系置換基で置き換えて他方のピリジン系置換基をＲ１１〜Ｒ１８で置き換えてもよい（すなわちｎ＝１）。さらに、例えば式（ＥＴＭ−２−１）におけるＲ１１〜Ｒ１８の少なくとも１つをベンゾイミダゾール系置換基で置き換えて「ピリジン系置換基」をＲ１１〜Ｒ１８で置き換えてもよい。
【０４４２】
このベンゾイミダゾール誘導体の具体例としては、例えば１−フェニル−２−（４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル）−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（３−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾールなどが挙げられる。
【０４４３】
【化２１３】
2020162600.tif 000215
【０４４４】
このベンゾイミダゾール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４４５】
＜フェナントロリン誘導体＞
フェナントロリン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１２）または式（ＥＴＭ−１２−１）で表される化合物である。詳細は国際公開第２００６／０２１９８２号に記載されている。
【化２１４】
2020162600.tif 000216
【０４４６】
φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数である。
【０４４７】
各式のＲ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）である。また、式（ＥＴＭ−１２−１）においてはＲ１１〜Ｒ１８のいずれかがアリール環であるφと結合する。
【０４４８】
各フェナントロリン誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。
【０４４９】
Ｒ１１〜Ｒ１８におけるアルキル、シクロアルキルおよびアリールとしては、式（ＥＴＭ−２）におけるＲ１１〜Ｒ１８の説明を引用することができる。また、φは上記した例のほかに、例えば、以下の構造式が挙げられる。なお、下記構造式中のＲは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルであり、＊は、結合位置を表す。
【０４５０】
【化２１５】
2020162600.tif 000217
【０４５１】
このフェナントロリン誘導体の具体例としては、例えば４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオロ−ビ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）、バソクプロイン、１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンや下記構造式で表される化合物などが挙げられる。
【化２１６】
2020162600.tif 000218
【０４５２】
このフェナントロリン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４５３】
＜キノリノール系金属錯体＞
キノリノール系金属錯体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１３）で表される化合物である。
【化２１７】
2020162600.tif 000219
式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アラルキル、アルケニル、シアノ、アルコキシまたはアリールであり、ＭはＬｉ、Ａｌ、Ｇａ、ＢｅまたはＺｎであり、ｎは１〜３の整数である。
【０４５４】
キノリノール系金属錯体の具体例としては、８−キノリノールリチウム、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウムなどが挙げられる。
【０４５５】
このキノリノール系金属錯体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４５６】
＜チアゾール誘導体およびベンゾチアゾール誘導体＞
チアゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１４−１）で表される化合物である。
【化２１８】
2020162600.tif 000220
ベンゾチアゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１４−２）で表される化合物である。
【化２１９】
2020162600.tif 000221
【０４５７】
各式のφは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数であり、「チアゾール系置換基」や「ベンゾチアゾール系置換基」は、式（ＥＴＭ−２）、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における「ピリジン系置換基」の中のピリジルが下記のチアゾリルやベンゾチアゾリルに置き換わった置換基であり、チアゾール誘導体およびベンゾチアゾール誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。
【０４５８】
【化２２０】
2020162600.tif 000222
【０４５９】
φは、さらに、アントラセン環またはフルオレン環であることが好ましく、この場合の構造は式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）での説明を引用することができ、各式中のＲ１１〜Ｒ１８は式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）での説明を引用することができる。また、式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）では２つのピリジン系置換基が結合した形態で説明されているが、これらをチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）に置き換えるときには、両方のピリジン系置換基をチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えてもよいし（すなわちｎ＝２）、いずれか１つのピリジン系置換基をチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えて他方のピリジン系置換基をＲ１１〜Ｒ１８で置き換えてもよい（すなわちｎ＝１）。さらに、例えば式（ＥＴＭ−２−１）におけるＲ１１〜Ｒ１８の少なくとも１つをチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えて「ピリジン系置換基」をＲ１１〜Ｒ１８で置き換えてもよい。
【０４６０】
これらのチアゾール誘導体またはベンゾチアゾール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４６１】
＜シロール誘導体＞
シロール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１５）で表される化合物である。詳細は特開平９−１９４４８７号公報に記載されている。
【化２２１】
2020162600.tif 000223
【０４６２】
ＸおよびＹは、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アリール、ヘテロアリールであり、これらは置換されていてもよい。これらの基の詳細については、式（１）および式（２）における説明、さらに式（ＥＴＭ−７−２）における説明を引用できる。また、アルケニルオキシおよびアルキニルオキシは、それぞれアルコキシにおけるアルキル部分がアルケニルまたはアルキニルに置き換わった基であり、これらのアルケニルおよびアルキニルの詳細については式（ＥＴＭ−７−２）における説明を引用できる。
また、ＸとＹが結合してシクロアルキル環（およびその一部が不飽和になった環）を形成していてもよく、このシクロアルキル環の詳細は式（１）および式（２）におけるシクロアルキルの説明を参照することができる。
【０４６３】
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ、アリールカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、スルフィニル、スルフォニル、スルファニル、シリル、カルバモイル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニル、ニトロ、ホルミル、ニトロソ、ホルミルオキシ、イソシアノ、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、または、シアノであり、これらはアルキル、シクロアルキル、アリールまたはハロゲンで置換されていてもよく、隣接置換基との間に縮合環を形成していてもよい。
【０４６４】
Ｒ１〜Ｒ４における、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アリール、ヘテロアリール、アルケニルおよびアルキニルの詳細については、式（１）および式（２）における説明を引用できる。
【０４６５】
Ｒ１〜Ｒ４における、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アリールカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシ中の、アルキル、アリールおよびアルコキシの詳細についても、式（１）および式（２）における説明を引用できる。
【０４６６】
シリルとしては、無置換のシリル、および、シリルの３つの水素の少なくとも１つが、それぞれ独立して、アリール、アルキルまたはシクロアルキルで置換された基があげられ、トリ置換シリルが好ましく、トリアリールシリル、トリアルキルシリル、トリシクロアルキルシリル、ジアルキルシクロアルキルシリルおよびアルキルジシクロアルキルシリル等が挙げられる。これらにおける、アリール、アルキルおよびシクロアルキルの詳細については、式（１）および式（２）における説明を引用できる。
【０４６７】
隣接置換基との間に形成される縮合環とは、例えば、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４等の間で形成された共役または非共役の縮合環である。これら縮合環は、環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合してもよい。
【０４６８】
ただし、好ましくは、Ｒ１およびＲ４がフェニルの場合、ＸおよびＹは、アルキルまたはフェニルではない。また、好ましくは、Ｒ１およびＲ４がチエニルの場合、ＸおよびＹは、アルキルを、Ｒ２およびＲ３は、アルキル、アリール、アルケニルまたはＲ２とＲ３が結合して環を形成するシクロアルキルを同時に満たさない構造である。また、好ましくは、Ｒ１およびＲ４がシリルの場合、Ｒ２、Ｒ３、ＸおよびＹは、それぞれ独立して、水素または炭素数１から６のアルキルではない。また、好ましくは、Ｒ１およびＲ２でベンゼン環が縮合した構造の場合、ＸおよびＹは、アルキルおよびフェニルではない。
【０４６９】
これらのシロール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４７０】
＜アゾリン誘導体＞
アゾリン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１６）で表される化合物である。詳細は国際公開第２０１７／０１４２２６号に記載されている。
【化２２２】
2020162600.tif 000224
【０４７１】
式（ＥＴＭ−１６）中、
φは炭素数６〜４０の芳香族炭化水素に由来するｍ価の基または炭素数２〜４０の芳香族複素環に由来するｍ価の基であり、φの少なくとも１つの水素は炭素数１〜６のアルキル、炭素数３〜１４のシクロアルキル、炭素数６〜１８のアリールまたは炭素数２〜１８のヘテロアリールで置換されていてもよく、
Ｙは、それぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ａｒであり、Ａｒは炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールであり、Ａｒの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールで置換されていてもよく、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、ただし、上記＞Ｎ−ＡｒにおけるＡｒおよび上記Ｒ１〜Ｒ５のうちのいずれか１つはＬと結合する部位であり、
Ｌは、それぞれ独立して、下記式（Ｌ−１）で表される２価の基、および下記式（Ｌ−２）で表される２価の基からなる群から選ばれ、
【０４７２】
【化２２３】
2020162600.tif 000225
【０４７３】
式（Ｌ−１）中、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立して＝ＣＲ６−または＝Ｎ−であり、Ｘ１〜Ｘ６のうちの少なくとも２つは＝ＣＲ６−であり、Ｘ１〜Ｘ６のうちの２つの＝ＣＲ６−におけるＲ６はφまたはアゾリン環と結合する部位であり、それ以外の＝ＣＲ６−におけるＲ６は水素であり、
式（Ｌ−２）中、Ｘ７〜Ｘ１４はそれぞれ独立して＝ＣＲ６−または＝Ｎ−であり、Ｘ７〜Ｘ１４のうちの少なくとも２つは＝ＣＲ６−であり、Ｘ７〜Ｘ１４のうちの２つの＝ＣＲ６−におけるＲ６はφまたはアゾリン環と結合する部位であり、それ以外の＝ＣＲ６−におけるＲ６は水素であり、
Ｌの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１０のアリールまたは炭素数２〜１０のヘテロアリールで置換されていてもよく、
ｍは１〜４の整数であり、ｍが２〜４であるとき、アゾリン環とＬとで形成される基は同一であっても異なっていてもよく、そして、
式（ＥＴＭ−１６）で表される化合物中の少なくとも１つの水素は重水素で置換されていてもよい。
【０４７４】
具体的なアゾリン誘導体は、下記式（ＥＴＭ−１６−１）または式（ＥＴＭ−１６−２）で表される化合物である。
【化２２４】
2020162600.tif 000226
【０４７５】
式（ＥＴＭ−１６−１）および式（ＥＴＭ−１６−２）中、
φは炭素数６〜４０の芳香族炭化水素に由来するｍ価の基または炭素数２〜４０の芳香族複素環に由来するｍ価の基であり、φの少なくとも１つの水素は炭素数１〜６のアルキル、炭素数３〜１４のシクロアルキル、炭素数６〜１８のアリールまたは炭素数２〜１８のヘテロアリールで置換されていてもよく、
式（ＥＴＭ−１６−１）中、Ｙは、それぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ａｒであり、Ａｒは炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールであり、Ａｒの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールで置換されていてもよく、
式（ＥＴＭ−１６−１）中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、ただし、Ｒ１とＲ２は同一であり、またＲ３とＲ４は同一であり、
式（ＥＴＭ−１６−２）中、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、ただし、Ｒ１とＲ２は同一であり、またＲ３とＲ４は同一であり、
式（ＥＴＭ−１６−１）および式（ＥＴＭ−１６−２）中、
Ｌは、それぞれ独立して、下記式（Ｌ−１）で表される２価の基、および下記式（Ｌ−２）で表される２価の基からなる群から選ばれ、
【０４７６】
【化２２５】
2020162600.tif 000227
式（Ｌ−１）中、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立して＝ＣＲ６−または＝Ｎ−であり、Ｘ１〜Ｘ６のうちの少なくとも２つは＝ＣＲ６−であり、Ｘ１〜Ｘ６のうちの２つの＝ＣＲ６−におけるＲ６はφまたはアゾリン環と結合する部位であり、それ以外の＝ＣＲ６−におけるＲ６は水素であり、
式（Ｌ−２）中、Ｘ７〜Ｘ１４はそれぞれ独立して＝ＣＲ６−または＝Ｎ−であり、Ｘ７〜Ｘ１４のうちの少なくとも２つは＝ＣＲ６−であり、Ｘ７〜Ｘ１４のうちの２つの＝ＣＲ６−におけるＲ６はφまたはアゾリン環と結合する部位であり、それ以外の＝ＣＲ６−におけるＲ６は水素であり、
Ｌの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１０のアリールまたは炭素数２〜１０のヘテロアリールで置換されていてもよく、
ｍは１〜４の整数であり、ｍが２〜４であるとき、アゾリン環とＬとで形成される基は同一であっても異なっていてもよく、そして、
式（ＥＴＭ−１６−１）または式（ＥＴＭ−１６−２）で表される化合物中の少なくとも１つの水素は重水素で置換されていてもよい。
【０４７７】
好ましくは、φは、下記式（φ１−１）〜式（φ１−１８）で表される１価の基、下記式（φ２−１）〜式（φ２−３４）で表される２価の基、下記式（φ３−１）〜式（φ３−３）で表される３価の基、および下記式（φ４−１）〜式（φ４−２）で表される４価の基からなる群から選択され、φの少なくとも１つの水素は炭素数１〜６のアルキル、炭素数３〜１４のシクロアルキル、炭素数６〜１８のアリールまたは炭素数２〜１８のヘテロアリールで置換されていてもよい。
【０４７８】
【化２２６】
2020162600.tif 000228
【０４７９】
【化２２７】
2020162600.tif 000229
【０４８０】
【化２２８】
2020162600.tif 000230
【０４８１】
式中のＺは、＞ＣＲ２、＞Ｎ−Ａｒ、＞Ｎ−Ｌ、−Ｏ−または−Ｓ−であり、＞ＣＲ２におけるＲは、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールであり、Ｒは互いに結合して環を形成していてもよく、＞Ｎ−ＡｒにおけるＡｒは炭素数６〜１２のアリールまたは炭素数２〜１２のヘテロアリールであり、＞Ｎ−ＬにおけるＬは式（ＥＴＭ−１６）、式（ＥＴＭ−１６−１）または式（ＥＴＭ−１６−２）におけるＬである。式中の＊は、結合位置を表す。
【０４８２】
好ましくは、Ｌは、ベンゼン、ナフタレン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、ナフチリジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、およびプテリジンからなる群から選択される環の２価の基であり、Ｌの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１０のアリールまたは炭素数２〜１０のヘテロアリールで置換されていてもよい。
【０４８３】
好ましくは、ＹまたはＺとしての＞Ｎ−ＡｒにおけるＡｒは、フェニル、ナフチル、ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、トリアジニル、キノリニル、イソキノリニル、ナフチリジニル、フタラジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、およびプテリジニルからなる群から選択され、Ｙとしての＞Ｎ−ＡｒにおけるＡｒの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールで置換されていてもよい。
【０４８４】
好ましくは、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、ただし、Ｒ１とＲ２は同一であり、Ｒ３とＲ４は同一であり、またＲ１〜Ｒ４の全てが同時に水素になることはなく、そして、ｍは１または２であり、ｍが２であるとき、アゾリン環とＬとで形成される基は同一である。
【０４８５】
アゾリン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。なお、構造式中の「Ｍｅ」はメチルを表す。
【化２２９】
2020162600.tif 000231
【０４８６】
より好ましくは、φは、下記式（φ２−１）、式（φ２−３１）、式（φ２−３２）、式（φ２−３３）および式（φ２−３４）で表される２価の基からなる群から選択され、φの少なくとも１つの水素は炭素数６〜１８のアリールで置換されていてもよく、
【０４８７】
【化２３０】
2020162600.tif 000232
【０４８８】
Ｌは、ベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、およびトリアジンからなる群から選択される環の２価の基であり、Ｌの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキル、炭素数６〜１０のアリールまたは炭素数２〜１４のヘテロアリールで置換されていてもよく、
Ｙとしての＞Ｎ−ＡｒにおけるＡｒは、フェニル、ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、およびトリアジニルからなる群から選択され、当該Ａｒの少なくとも１つの水素は炭素数１〜４のアルキル、炭素数５〜１０のシクロアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールで置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜４のアルキルまたは炭素数５〜１０のシクロアルキルであり、ただし、Ｒ１とＲ２は同一であり、Ｒ３とＲ４は同一であり、またＲ１〜Ｒ４の全てが同時に水素になることはなく、そして、
ｍは２であり、アゾリン環とＬとで形成される基は同一である。
【０４８９】
アゾリン誘導体の他の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。なお、構造式中の「Ｍｅ」はメチルを表す。
【化２３１】
2020162600.tif 000233
【０４９０】
このアゾリン誘導体を規定する上記各式中の、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールの詳細については、式（１）および式（２）における説明を引用できる。
【０４９１】
このアゾリン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。
【０４９２】
＜還元性物質＞
電子輸送層および／または電子注入層は、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを好適に使用することができる。
【０４９３】
好ましい還元性物質としては、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（同２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（同２．１６ｅＶ）またはＣｓ（同１．９５ｅＶ）などのアルカリ金属や、Ｃａ（同２．９ｅＶ）、Ｓｒ（同２．０〜２．５ｅＶ）またはＢａ（同２．５２ｅＶ）などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、Ｋ、ＲｂまたはＣｓのアルカリ金属であり、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性物質として、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫとの組み合わせが好ましい。Ｃｓを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０４９４】
３−１−３．有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層
正孔注入層１０３は、陽極１０２から移動してくる正孔を、効率よく発光層１０５内または正孔輸送層１０４内に注入する役割を果たすものである。正孔輸送層１０４は、陽極１０２から注入された正孔または陽極１０２から正孔注入層１０３を介して注入された正孔を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して層を形成してもよい。
【０４９５】
正孔注入・輸送性材料としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。
【０４９６】
正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機電界発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミノを主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４’，Ｎ４’−テトラ［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体（例えば、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリルなど）、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では上記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。
【０４９７】
また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体が知られている（例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73（6）,729-731（1998）」を参照）。これらは、電子供与型ベース物質（正孔輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体（ＴＰＤなど）またはスターバーストアミン誘導体（ＴＤＡＴＡなど）、あるいは、特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニンＺｎＰｃなど）が知られている（特開２００５−１６７１７５号公報）。また、正孔注入・輸送性材料としては、実施例で示すＰＥＤＰＴ／ＰＳＳとして知られる導電性ポリマーを用いてもよい。
【０４９８】
架橋性高分子材料：式（ＸＬＰ−１）で表される化合物
正孔注入層、正孔輸送層は式（ＸＬＰ−１）で表される化合物を含むことも好ましい。なお、式（ＸＬＰ−１）で表される化合物は有機電界発光素子における他の有機層に含まれていてもよい。特に、有機層を有機層形成用組成物の湿式成膜法により成膜する場合において、有機層形成用組成物は式（ＸＬＰ−１）で表される化合物を含むことが好ましい。
【０４９９】
【化２３２】
2020162600.tif 000234
式（ＸＬＰ−１）において、
ＭＵｘそれぞれ独立して上記ＭＵまたは架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基であり、ＥＣｘはそれぞれ独立して上記ＥＣまたは架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基であり、ただし、架橋性置換基（ＰＧ）を有する１価および２価の芳香族化合物の含有量は、分子中０．１〜８０ｗｔ％であり、ｋは２〜５００００の整数である。
【０５００】
より具体的には、
ＭＵｘにおける架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基は、それぞれ独立して、アリーレン、ヘテロアリーレン、ジアリーレンアリールアミノ、ジアリーレンアリールボリル、オキサボリン−ジイル、またはアザボリン−ジイル等であり、これらの２価の基における少なくとも１つの水素は架橋性置換基（ＰＧ）で置換されており、これらの２価の基における少なくとも１つの水素はさらに、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される１個以上の置換基で置換されていてもよい。ＭＵｘに架橋性置換基（ＰＧ）が２つ以上存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、同一であることが好ましい。
【０５０１】
ＥＣｘにおける架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基は、それぞれ独立して、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらの１価の基における少なくとも１つの水素は架橋性置換基（ＰＧ）で置換されており、これらの１価の基における少なくとも１つの水素はさらに、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される１個以上の置換基で置換されていてもよい。ＥＣｘに架橋性置換基（ＰＧ）が２つ以上存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、同一であることが好ましい。
【０５０２】
架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基および芳香族化合物のいずれか１つの水素を除いて得られる１価の基の含有量は、分子中０．１〜８０ｗｔ％であり、０．５〜５０ｗｔ％が好ましく、１〜２０ｗｔ％がより好ましい。
【０５０３】
ｋは２〜５００００の整数であり、２０〜５００００の整数であることが好ましく、１００〜５００００の整数であることがより好ましい。ｋ個のＭＵｘが２種以上の2価の基からなる場合、それらの基は、ランダムに結合していても、同種の２価の基がブロックになっていてもよいが、後者が好ましい。
【０５０４】
架橋性置換基（ＰＧ）としては、例えば、以下の式（ＰＧ−１）〜（ＰＧ−１８）で表される１価の架橋性部分構造が２価の部分構造中Ｌと結合した１価の基が挙げられる。
【０５０５】
【化２３３】
2020162600.tif 000235
【０５０６】
上記式（ＰＧ−１）〜（ＰＧ−１８）中、ＲＰＧは、メチレン、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎＰＧは、０〜５の整数を表し、ＲＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎＰＧが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、＊Ｇは結合位置（Ｌとの結合位置）を表し、式で表される架橋基はいずれも置換基を有していてもよい。
架橋性置換基（ＰＧ）における上記の２価の部分構造中Ｌとしては、単結合、−Ｏ−、＞Ｃ＝Ｏ、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、炭素数１〜１２のアルキレン、炭素数１〜１２のオキシアルキレンおよび炭素数１〜１２のポリオキシアルキレンが挙げられる。架橋性置換基（ＰＧ）としては、式（ＰＧ−１）、式（ＰＧ−２）、式（ＰＧ−３）、式（ＰＧ−９）、式（ＰＧ−１０）、式（ＰＧ−１０）または式（ＰＧ−１８）が好ましく、式（ＰＧ−１）、式（ＰＧ−３）または式（ＰＧ−１８）がより好ましい。
【０５０７】
式（ＸＬＰ−１）中に複数の架橋性置換基（ＰＧ）が存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
架橋性置換基（ＰＧ）を有する芳香族化合物のいずれか２つの水素を除いて得られる２価の基としては、例えば、以下の２価の基が挙げられる。
【０５０８】
【化２３４】
2020162600.tif 000236
【０５０９】
【化２３５】
2020162600.tif 000237
【０５１０】
【化２３６】
2020162600.tif 000238
【０５１１】
３−１−４．有機電界発光素子における陰極
陰極１０８は、電子注入層１０７および電子輸送層１０６を介して、発光層１０５に電子を注入する役割を果たす。
陰極１０８を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極１０２を形成する材料と同様の物質を用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金（マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム／アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など）などが好ましい。電子注入効率を上げて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されない。
【０５１２】
さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。
【０５１３】
３−１−５．有機電界発光素子における陽極
陽極１０２は、発光層１０５へ正孔を注入する役割を果たすものである。なお、陽極１０２と発光層１０５との間に正孔注入層１０３および／または正孔輸送層１０４が設けられている場合には、これらを介して発光層１０５へ正孔を注入することになる。
【０５１４】
陽極１０２を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物が挙げられる。無機化合物としては、例えば、金属（アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど）、金属酸化物（インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など）、ハロゲン化金属（ヨウ化銅など）、硫化銅、カーボンブラック、ＩＴＯガラスやネサガラスなどが挙げられる。有機化合物としては、例えば、ポリ（３−メチルチオフェン）などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどが挙げられる。その他、有機電界発光素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。
【０５１５】
透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば１００〜５Ω／□、好ましくは５０〜５Ω／□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。
【０５１６】
３−１−６．有機電界発光素子における基板
基板１０１は、有機電界発光素子１００の支持体となるものであり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板１０１は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、０．２ｍｍ以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板１０１には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板１０１として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。
【０５１７】
３−１−７．各層で用いてもよい結着剤
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶媒可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
【０５１８】
３−１−８．有機電界発光素子の作製方法
有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、蒸着用ルツボの加熱温度＋５０〜＋４００℃、真空度１０−６〜１０−３Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚２ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することが好ましい。
【０５１９】
次に、有機電界発光素子を作製する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／本発明の多環芳香族化合物、ホスト材料、およびアシスティングドーパントを含む発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機電界発光素子の作製法について説明する。
【０５２０】
蒸着法
適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上に、本発明の多環芳香族化合物、ホスト材料、およびアシスティングドーパントを共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機電界発光素子が得られる。なお、上述の有機電界発光素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【０５２１】
湿式成膜法
発光層形成用組成物の場合は、湿式成膜法を用いることによって成膜される。
【０５２２】
湿式成膜法は、一般的には、基板に発光層形成用組成物を塗布する塗布工程および塗布された発光層形成用組成物から溶媒を取り除く乾燥工程を経ることで塗膜を形成する。塗布工程の違いにより、スピンコーターを用いる手法をスピンコート法、スリットコーターを用いるスリットコート法、版を用いるグラビア、オフセット、リバースオフセット、フレキソ印刷法、インクジェットプリンタを用いる手法をインクジェット法、霧状に吹付ける手法をスプレー法と呼ぶ。乾燥工程には、風乾、加熱、減圧乾燥などの方法がある。乾燥工程は１回のみ行なってもよく、異なる方法や条件を用いて複数回行なってもよい。また、例えば、減圧下での焼成のように、異なる方法を併用してもよい。
【０５２３】
湿式成膜法とは溶液を用いた成膜法であり、例えば、一部の印刷法（インクジェット法）、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などである。湿式成膜法は真空蒸着法と異なり高価な真空蒸着装置を用いる必要が無く、大気圧下で成膜することができる。加えて、湿式成膜法は大面積化や連続生産が可能であり、製造コストの低減につながる。
【０５２４】
一方で、真空蒸着法と比較した場合には、湿式成膜法は積層化が難しい。湿式成膜法を用いて積層膜を作製する場合、上層の組成物による下層の溶解を防ぐ必要があり、溶解性を制御した組成物、下層の架橋および直交溶媒（Orthogonal solvent、互いに溶解し合わない溶媒）などが駆使される。しかしながら、それらの技術を用いても、全ての膜の塗布に湿式成膜法を用いるのは難しい場合がある。
【０５２５】
そこで、一般的には、幾つかの層だけを湿式成膜法を用い、残りを真空蒸着法で有機ＥＬ素子を作製するという方法が採用される。
【０５２６】
例えば、湿式成膜法を一部適用し有機ＥＬ素子を作製する手順を以下に示す。
（手順１）陽極の真空蒸着法による成膜
（手順２）正孔注入層の湿式成膜法による成膜
（手順３）正孔輸送層の湿式成膜法による成膜
（手順４）本発明の多環芳香族化合物、ホスト材料、およびアシスティングドーパントを含む発光層形成用組成物の湿式成膜法による成膜
（手順５）電子輸送層の真空蒸着法による成膜
（手順６）電子注入層の真空蒸着法による成膜
（手順７）陰極の真空蒸着法による成膜
この手順を経ることで、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子が得られる。
【０５２７】
有機溶媒
湿式成膜法により、発光層またはその他の有機層を形成する場合は、少なくとも一種の有機溶媒を含む有機層形成用組成物（例えば、発光層形成用組成物）とすることが好ましい。成膜時に有機溶媒の蒸発速度を制御することで、成膜性および塗膜の欠陥の有無、表面粗さ、平滑性を制御および改善することができる。また、インクジェット法を用いた成膜時は、インクジェットヘッドのピンホールでのメニスカス安定性を制御し、吐出性を制御・改善することができる。発光層形成時に、発光層形成用組成物を用いて湿式成膜法を行い、膜の乾燥速度および誘導体分子の配向を制御することで、該発光層形成用組成物より得られる発光層を有する有機ＥＬ素子の電気特性、発光特性、効率、および寿命を改善することができる。
【０５２８】
有機溶媒の物性
少なくとも一種の有機溶媒の沸点は、１３０℃〜３００℃であることが好ましく、１４０℃〜２７０℃がより好ましく、１５０℃〜２５０℃がさらに好ましい。沸点が１３０℃より高い場合、インクジェットの吐出性の観点から好ましい。また、沸点が３００℃より低い場合、塗膜の欠陥、表面粗さ、残留溶媒および平滑性の観点から好ましい。第３成分は、良好なインクジェットの吐出性、製膜性、平滑性および低い残留溶媒の観点から、２種以上の有機溶媒を含む構成がより好ましい。一方で、場合によっては、運搬性などを考慮し、発光層形成用組成物中から溶媒を除去することで固形状態とした組成物であってもよい。
【０５２９】
さらに、有機溶媒は溶質の少なくとも一種に対する良溶媒（ＧＳ）と貧溶媒（ＰＳ）とを含み、良溶媒（ＧＳ）の沸点（ＢＰＧＳ）が貧溶媒（ＰＳ）の沸点（ＢＰＰＳ）よりも低い、構成が特に好ましい。
高沸点の貧溶媒を加えることで成膜時に低沸点の良溶媒が先に揮発し、組成物中の含有物の濃度と貧溶媒の濃度が増加し速やかな成膜が促される。これにより、欠陥が少なく、表面粗さが小さい、平滑性の高い塗膜が得られる。
【０５３０】
溶解度の差（ＳＧＳ−ＳＰＳ）は、１％以上であることが好ましく、３％以上であることがより好ましく、５％以上であることがさらに好ましい。沸点の差（ＢＰＰＳ−ＢＰＧＳ）は、１０℃以上であることが好ましく、３０℃以上であることがより好ましく、５０℃以上であることがさらに好ましい。
【０５３１】
有機溶媒は、成膜後に、真空、減圧、加熱などの乾燥工程により塗膜より取り除かれる。加熱を行う場合、塗布製膜性改善の観点からは、第１成分のガラス転移温度（Ｔｇ）＋３０℃以下で行うことが好ましい。また、残留溶媒の削減の観点からは、第１成分のガラス転移点（Ｔｇ）−３０℃以上で加熱することが好ましい。加熱温度が有機溶媒の沸点より低くても膜が薄いために、有機溶媒は十分に取り除かれる。また、乾燥工程は複数回行ってもよく、複数の乾燥方法を併用してもよい。
【０５３２】
有機溶媒の具体例
発光層形成用組成物に用いられる有機溶媒としては、アルキルベンゼン系溶媒、フェニルエーテル系溶媒、アルキルエーテル系溶媒、環状ケトン系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒、単環性ケトン系溶媒、ジエステル骨格を有する溶媒および含フッ素系溶媒などが挙げられ、具体例として、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、テトラデカノール、ヘキサン−２−オール、ヘプタン−２−オール、オクタン−２−オール、デカン−２−オール、ドデカン−２−オール、シクロヘキサノール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、δ−テルピネオール、テルピネオール（混合物）、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレン、２，６−ルチジン、２−フルオロ−ｍ−キシレン、３−フルオロ−ｏ−キシレン、２−クロロベンゾ三フッ化物、クメン、トルエン、２−クロロ−６−フルオロトルエン、２−フルオロアニソール、アニソール、２，３−ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、３−トリフルオロメチルアニソール、メシチレン、１，２，４−トリメチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、２−メチルアニソール、フェネトール、ベンゾジオキソール、４−メチルアニソール、ｓ−ブチルベンゼン、３−メチルアニソール、４−フルオロ−３−メチルアニソール、シメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、２−フルオロベンゾニトリル、４−フルオロベラトロール、２，６−ジメチルアニソール、ｎ−ブチルベンゼン、３−フルオロベンゾニトリル、デカリン（デカヒドロナフタレン）、ネオペンチルベンゼン、２，５−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、３，５−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル、１−フルオロ−３，５−ジメトキシベンゼン、安息香酸メチル、イソペンチルベンゼン、３，４−ジメチルアニソール、ｏ−トルニトリル、ｎ−アミルベンゼン、ベラトロール、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、安息香酸エチル、ｎ−ヘキシルベンゼン、安息香酸プロピル、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、安息香酸ブチル、２−メチルビフェニル、３−フェノキシトルエン、２，２’���ビトリル、ドデシルベンゼン、ジペンチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、トリメトキシトルエン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、１−メチル−４−（プロポキシメチル）ベンゼン、１−メチル−４−（ブチルオキシメチル）ベンゼン、１−メチル−４−（ペンチルオキシメチル）ベンゼン、１−メチル−４−（ヘキシルオキシメチル）ベンゼン、１−メチル−４−（ヘプチルオキシメチル）ベンゼンベンジルブチルエーテル、ベンジルペンチルエーテル、ベンジルヘキシルエーテル、ベンジルヘプチルエーテル、ベンジルオクチルエーテルなどが挙げられるが、それだけに限定されない。また、溶媒は単一で用いてもよく、混合してもよい。
【０５３３】
発光層形成用組成物
発光層形成用組成物は、有機ＥＬ素子の発光層を塗布形成するため組成物である。該組成物は、少なくとも本発明の多環芳香族化合物を含み、さらに有機溶媒を含むことが好ましい。有機溶媒としては、上記の湿式成膜法の項目で説明した有機溶媒を適宜用いることができる。発光層形成用組成物は、本発明の多環芳香族化合物、有機溶媒、およびホスト材料を含むことが好ましく、多環芳香族化合物、有機溶媒、ホスト材料、およびアシスティングドーパントを含むことがより好ましい。
【０５３４】
発光層形成用組成物の成膜化には、上記の湿式成膜法のほか、レーザー加熱描画法（ＬＩＴＩ）を用いることができる。ＬＩＴＩとは基材に付着させた化合物をレーザーで加熱蒸着する方法であり、基材へ塗布される材料に発光層形成用組成物を用いることができる。
【０５３５】
任意の工程
成膜の各工程の前後に、適切な処理工程、洗浄工程および乾燥工程を適宜入れてもよい。処理工程としては、例えば、露光処理、プラズマ表面処理、超音波処理、オゾン処理、適切な溶媒を用いた洗浄処理および加熱処理等が挙げられる。さらには、バンクを作製する一連の工程も挙げられる。
【０５３６】
バンク（隔壁材料）
バンクの作製にはフォトリソグラフィ技術を用いることができる。フォトリソグラフィの利用可能なバンク材としては、無機系材料、および有機系材料を用いることができ、無機系材料としては例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘおよびその混合物、有機系材料としては、例えば、ポジ型レジスト材料およびネガ型レジスト材料を用いることができる。また、スパッタリング法、インクジェット法、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、スクリーン印刷などのパターン可能な印刷法も用いることができる。その際には永久レジスト材料を用いることもできる。また、バンクは多層構造を有していてもよく、異なる種類の材料が用いられていてもよい。
【０５３７】
バンクに用いられる有機系材料としては、多糖類およびその誘導体、ヒドロキシルを有するエチレン性モノマーの単独重合体および共重合体、生体高分子化合物、ポリアクリロイル化合物、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、ポリフェニルエーテル、ポリウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、ポリオレフィン、環状ポリオレフィン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合ポリマー（ＡＢＳ）、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム、ポリフルオロビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等のフッ化ポリマー、フルオロオレフィン−ヒドロカーボンオレフィンの共重合ポリマー、フルオロカーボンポリマー、が挙げられるが、それだけに限定されない。
【０５３８】
以下にバンクのフォトリソグラフィ技術での有機系材料を用いた形成方法の例を示す。電極が形成された素子基板に、発光層形成用組成物などの機能層形成用組成物に対して撥液性を示す材料を塗布し、乾燥することにより、樹脂層を形成する。この樹脂層に対して露光用マスクを用いて露光工程および現像工程を行うことにより、電極が形成された素子基板上にバンクが形成できる。この後、必要であれば、機能層形成用組成物をムラなく広げるため、バンクの表面の不純物を取り除くための、溶媒による洗浄・乾燥工程や紫外線処理等の工程を行ってもよい。
【０５３９】
図２を参考にして、バンクを有する基板にインクジェット法を用いて有機ＥＬ素子を作製する方法を説明する。まず、バンク（２００）は基板（１１０）上の電極（１２０）の上に設けられている。この場合、インクジェットヘッド（３００）より、バンク（２００）間にインクの液滴（３１０）を滴下し、乾燥させることで塗膜（１３０）を作製することができる。これを繰り返し、次の塗膜（１４０）、さらに発光層（１５０）まで作製し、真空蒸着法を用い電子輸送層、電子注入層および電極を成膜すれば、バンク材で発光部位が区切られた有機ＥＬ素子を作製することができる。
【０５４０】
このように作製した有機ＥＬ素子は、水分や酸素から保護するために、封止層（図示省略）によって覆うことが好ましい。例えば、外部から水分や酸素などが浸入すると、発光機能が阻害され、発光効率の低下や、発光しない暗点（ダークスポット）が発生する。また、発光寿命が短くなる可能性がある。封止層としては、例えば、水分や酸素などの透過性が低い、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を用いることができる。また、透明なガラスや不透明なセラミックなどの封止基板を、有機ＥＬ素子が形成された素子基板に接着剤を介して貼り付けることにより、有機ＥＬ素子を封止してもよい。
【０５４１】
３−１−９．有機電界発光素子の応用例
また、本発明は、有機電界発光素子を備えた表示装置または有機電界発光素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機電界発光素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。
【０５４２】
表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光（ＥＬ）ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどが挙げられる（例えば、特開平１０−３３５０６６号公報、特開２００３−３２１５４６号公報、特開２００４−２８１０８６号公報など参照）。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式などが挙げられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
【０５４３】
マトリクスでは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されており、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。
【０５４４】
セグメント方式（タイプ）では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。
【０５４５】
照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどが挙げられる（例えば、特開２００３−２５７６２１号公報、特開２００３−２７７７４１号公報、特開２００４−１１９２１１号公報など参照）。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式が蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。
【０５４６】
３−２．その他の有機デバイス
本発明の多環芳香族化合物は、上述した有機電界発光素子の他に、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などの作製に用いることができる。
【０５４７】
有機電界効果トランジスタは、電圧入力によって発生させた電界により電流を制御するトランジスタのことであり、ソース電極とドレイン電極の他にゲート電極が設けられている。ゲート電極に電圧を印加すると電界が生じ、ソース電極とドレイン電極間を流れる電子（あるいはホール）の流れを任意にせき止めて電流を制御することができるトランジスタである。電界効果トランジスタは、単なるトランジスタ（バイポーラトランジスタ）に比べて小型化が容易であり、集積回路などを構成する素子としてよく用いられている。
【０５４８】
有機電界効果トランジスタの構造は、通常、本発明に係る多環芳香族化合物を用いて形成される有機半導体活性層に接してソース電極およびドレイン電極が設けられており、さらに有機半導体活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。その素子構造としては、例えば以下の構造が挙げられる。
（１）基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層
（２）基板／ゲート電極／絶縁体層／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極
（３）基板／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極
（４）基板／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層／絶縁体層／ゲート電極
このように構成された有機電界効果トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子などとして適用できる。
【０５４９】
有機薄膜太陽電池は、ガラスなどの透明基板上にＩＴＯなどの陽極、ホール輸送層、光電変換層、電子輸送層、陰極が積層された構造を有する。光電変換層は陽極側にｐ型半導体層を有し、陰極側にｎ型半導体層を有している。本発明に係る多環芳香族化合物は、その物性に応じて、ホール輸送層、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、電子輸送層の材料として用いることが可能である。本発明に係る多環芳香族化合物は、有機薄膜太陽電池においてホール輸送材料や電子輸送材料として機能しうる。有機薄膜太陽電池は、上記の他にホールブロック層、電子ブロック層、電子注入層、ホール注入層、平滑化層などを適宜備えていてもよい。有機薄膜太陽電池には、有機薄膜太陽電池に用いられる既知の材料を適宜選択して組み合わせて用いることができる。
【０５５０】
４．波長変換材料
本発明の多環芳香族化合物は、波長変換材料として使用することができる。
現在、色変換方式によるマルチカラー化技術を、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ、照明などへ応用することが盛んに検討されている。色変換とは、発光体からの発光をより長波長の光へと波長変換することであり、例えば、紫外光や青色光を緑色光や赤色発光へと変換することを表す。この色変換機能を有する波長変換材料をフィルム化し、例えば青色光源と組み合わせることにより、青色光源から、青、緑、赤色の３原色を取り出すこと、すなわち白色光を取り出すことが可能となる。このような青色光源と色変換機能を有する波長変換フィルムを組み合わせた白色光源を光源ユニットとし、液晶駆動部分と、カラーフィルターと組み合わせることで、フルカラーディスプレイの作製が可能になる。また、液晶駆動部分が無ければ、そのまま白色光源として用いることができ、例えばＬＥＤ照明などの白色光源として応用できる。また、青色有機ＥＬ素子を光源として、青色光を緑色光および赤色光に変換する波長変換フィルムと組み合わせて用いることでメタルマスクを用いないフルカラー有機ＥＬディスプレイの作製が可能になる。さらに、青色マイクロＬＥＤを光源として、青色光を緑色光および赤色光に変換する波長変換フィルムと組み合わせて用いることで低コストのフルカラーマイクロＬＥＤディスプレイの作製が可能になる。
【０５５１】
本発明の多環芳香族化合物は、この波長変換材料として使用することができる。本発明の多環芳香族化合物を含む波長変換材料を用いて、紫外光やより短波長の青色を生成する光源や発光素子からの光を、表示装置（有機ＥＬ素子を利用した表示装置や液晶表示装置）での利用に適した色純度の高い青色光や緑色光に変換することができる。変換される色の調整は、本発明の多環芳香族化合物の置換基、後述の波長変換用組成物で用いるバインダー樹脂等を適宜選択することにより行うことができる。波長変換材料は本発明の多環芳香族化合物を含む波長変換用組成物として調製することができる。また、この波長変換用組成物を用いて波長変換フィルムを形成してもよい。
【０５５２】
波長変換用組成物は、本発明の多環芳香族化合物のほか、バインダー樹脂、その他の添加剤、および溶媒を含んでいてもよい。バインダー樹脂としては、例えば国際効果２０１６／１９０２８３号の段落０１７３〜０１７６に記載のものを用いることができる。その他の添加剤としては、国際効果２０１６／１９０２８３号の段落０１７７〜０１８１に記載の化合物を用いることができる。溶媒としては、上記の発光層形成用組成物に含まれる溶媒の記載を参照することができる。
【０５５３】
波長変換フィルムは波長変換用組成物の硬化により形成される波長変換層を含む。波長変換用組成物からの波長変換層の作製方法としては公知のフィルム形成方法を参照することができる。波長変換フィルムは本発明の多環芳香族化合物を含む組成物から形成される波長変換層のみからなっていてもよく、他の波長変換層（例えば、青色光を緑色光や赤色光に変換する波長変換層、青色光や緑色光を赤色光に変換する波長変換層）を含んでいてもよい。さらに波長変換フィルムは基材層や、色変換層の酸素、水分、または熱による劣化を防ぐためのバリア層を含んでいてもよい。
【実施例】
【０５５４】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、多環芳香族化合物の合成例について、以下に説明する。【０５５５】
合成例（１）：９，１１，１５，１７−テトラメシチル−Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，２１−オクタフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物（１−１−１））の合成
【化２３７】
2020162600.tif 000239
【０５５６】
窒素雰囲気下、３，５−ジクロロブロモベンゼン（２２．６ｇ、０．１０ｍｏｌ）、ジフェニルアミン（１６．９ｇ、０．１０ｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０））（９１６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、２，２’−ビスジフェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＡＰ；１．２５ｇ、２．０ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（ナトリウムｔ−ブトキシド）（１１．５ｇ、０．１２ｍｏｌ）およびトルエン（５００ｍｌ）の入ったフラスコを９０℃に加熱し、１２時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、トルエンを減圧留去した後、ジクロロメタンで３回抽出した。その後、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン）による精製を行うことで３，５−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（化合物（ｉ−１）２５．２ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。【０５５７】
【化２３８】
2020162600.tif 000240
【０５５８】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝６．８５（ｄ，２Ｈ）、６．８９（ｓ，１Ｈ）、７．０８−７．１３（ｍ，６Ｈ）、７．３０（ｔ，４Ｈ）【０５５９】
窒素雰囲気下、化合物（ｉ−１）（１２．６ｇ、４０ｍｍｏｌ）、２，４，６−トリメチルアニリン（１６．８ｍｌ、０．１２ｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１．４７ｇ、１．６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ；１．３１ｇ、３．２ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（１９．２ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）およびｏ−キシレン（４００ｍｌ）の入ったフラスコを１１０℃に加熱し、１２時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、ジクロロメタンで３回抽出した後、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：酢酸エチル＝２５：１）による精製を行うことで化合物（ｉ−２）（１２．５ｇ、収率６１％）を白色固体として得た。【０５６０】
【化２３９】
2020162600.tif 000241
【０５６１】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝２．２６（ｓ，１２Ｈ）、２．３６（ｓ，６Ｈ）、４．９０（ｓ，２Ｈ）、５．５１（ｔ，１Ｈ）、５．７６（ｄ，２Ｈ）６．９５（ｓ，４Ｈ）、７．０４（ｔ，２Ｈ）、７．１９（ｄ，４Ｈ）、７．２９（ｔ，４Ｈ）【０５６２】
窒素雰囲気下、化合物（ｉ−２）（１１．３ｇ、２２ｍｍｏｌ）、１−クロロ−３−ヨ−ドベンゼン（５．４７ｍｌ、４４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．６０４ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラ−ト（ＰｔＢｕ３ＨＢＦ４；０．３８６ｇ、１．３ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（６．３９ｇ、６７ｍｍｏｌ）およびトルエン（２２２ｍｌ）の入ったフラスコを８０℃に加熱し、１４時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、フロリジルショ−トパスカラム（展開溶媒：トルエン）を用いて濾過し、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン＝８：１）による精製を行うことで化合物（ｉ−３）（９．９０ｇ、収率６１％）を白色固体として得た。【０５６３】
【化２４０】
2020162600.tif 000242
【０５６４】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝１．９０（s，１２Ｈ）、２．２７（ｓ，６Ｈ）、６．１５（t，１Ｈ）、６．２４（ｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄｄ，２Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．８１（ｓ，４Ｈ）、６．８３（ｔ，２Ｈ）、６．９２−７．０３（ｍ，８Ｈ）、７．１８（t，４Ｈ）【０５６５】
窒素雰囲気下、化合物（ｉ−３）（７．３４ｇ、１０ｍｍｏｌ）、２，４，６−トリメチルアニリン（４．２１ｍｌ，３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．３６６ｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ；０．３２８ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（４．８１ｇ、５０ｍｍｏｌ）およびｏ−キシレン（１００  ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃に加熱し、８時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、ジクロロメタンで３回抽出した後、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：酢酸エチル  ＝  ２０：１）による精製を行うことでＮ１，Ｎ３−ジメシチル−Ｎ１，Ｎ３−ビス（３−（メシチルアミノ）フェニル）−Ｎ５，Ｎ５−ジフェニルベンゼン−１，３，５−トリアミン（化合物（ｉ−４））（８．０１ｇ、収率８６％）を橙色固体として得た。【０５６６】
【化２４１】
2020162600.tif 000243
【０５６７】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝１．８９（s，１２Ｈ）、２．０９（ｓ，１２Ｈ）、２．２６（ｓ，６Ｈ）、２．２９（ｓ，６Ｈ）、４．８１（ｓ，２Ｈ）、５．７５（ｄｄ，２Ｈ）、５．９１（ｔ，１Ｈ）、６．１０（ｄｄ，２Ｈ）、６．２５（ｔ，２Ｈ）、６．４４（ｄ，２Ｈ）、６．７５−６．８０（ｍ，６Ｈ）、６．８８−６．９２（ｍ，６Ｈ）、７．０５（ｄ，４Ｈ）、７．１８（ｔ，４Ｈ）【０５６８】
窒素雰囲気下、１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン（１０．８ｇ、４０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン（１３．５ｇ、８０ｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．７３３ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ；０．６５７ｇ、１．６ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（１１．５ｇ、０．１２ｍｏｌ）およびトルエン（４００ｍｌ）の入ったフラスコを８０℃に加熱し、１８時間撹拌した。フロリジルショ−トパスカラム（展開溶媒：トルエン）を用いて濾過し、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン）による精製を行うことで化合物（ｉ−５）（１２．７ｇ、収率７１％）を白色固体として得た。【０５６９】
【化２４２】
2020162600.tif 000244
【０５７０】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５６（ｄ，２Ｈ）、６．６４（ｔ，１Ｈ）、７．００（ｔ，４Ｈ）、７．０５（ｄ，８Ｈ）、７．２２（ｔ，８Ｈ）【０５７１】
窒素雰囲気下、化合物（ｉ−４）（２．２９ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、化合物（ｉ−５）（３．３５g、７．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．１１４ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ；０．１０３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＯＮａ（０．７７１ｇ、７．５ｍｍｏｌ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２５ｍｌ）の入ったフラスコを１６０℃に加熱し、１６時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、ジクロロメタンで３回抽出した後、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：酢酸エチル ＝ ２０：１）による精製を行った。その後，更にシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン ＝ １：１）による精製を行うことで化合物（ｉ−６）（１．２１ｇ、収率２８％）を白色固体として得た。【０５７２】
【化２４３】
2020162600.tif 000245
【０５７３】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝１．６５（s，１２Ｈ）、１．７２（ｓ，１２Ｈ）、２．１７（ｓ，６Ｈ）、２．１９（ｓ，６Ｈ）、５．８２（ｔ，１Ｈ）、６．１８−６．２０（ｍ，１０Ｈ）、６．２５（ｔ，２Ｈ）、６．３６（ｔ，２Ｈ）、６．６１（ｓ，４Ｈ）、６．６３（ｓ，４Ｈ）、６．６９（ｔ，２Ｈ）、６．８２−６．８７（ｍ，１０Ｈ）、６．９２−６．９５（ｍ，２０Ｈ）、７．０６−７．１１（ｍ，２０Ｈ）【０５７４】
Ｎ１, Ｎ１'−（（（５−（ジフェニルアミノ）−１，３−フェニレン）ビス（メシチルアザンジイル））ビス（３，１−フェニレン））ビス（Ｎ１−メシチル−Ｎ３，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ５−テトラフェニルベンゼン−１，３，５−トリアミン）化合物（ｉ−６）（０．３５０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）およびｏ−ジクロロベンゼン（４０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、室温で、三臭化ホウ素（１．２２ｍｌ、１３ｍｍｏｌ）を加えた。滴下終了後、１６０℃まで昇温して１２時間撹拌した。その後，さらに１８０℃まで昇温し、１２時間撹拌した。反応液を室温まで冷やし、減圧下で反応液中の臭化水素を留去した。ジクロロメタン（５０ｍｌ）を加えて反応溶液を薄めた後に、リン酸緩衝溶液（ｐＨ＝７，５０ｍｌ）を０℃で加え、ジクロロメタンで水層を三回抽出した後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン＝２：３）による精製を行うことで９，１１，１５，１７−テトラメシチル−Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，２１−オクタフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン；化合物（１−１−１）（９７．２ｍｇ、収率２７％）を緑色固体として得た。【０５７５】
【化２４４】
2020162600.tif 000246
【０５７６】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝１．７３（ｓ，２４Ｈ）、２．２３（ｓ，１２Ｈ）、５．６７−５．６８（ｍ，６Ｈ）、５．７２（ｓ，２Ｈ）、６．３６（ｔ，２Ｈ）、６．４９（ｄ，２Ｈ）、６．６７（ｓ，８Ｈ）、６．８４−６．９４（ｍ，２０Ｈ）、７．０３−７．０８（ｍ，１２Ｈ）、７．２７（ｄ，４Ｈ）、７．３４（ｔ，２Ｈ）、７．４５（ｔ，４Ｈ）、９．０８（ｄ，２Ｈ）、１０．７（ｓ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（１２６ＭＨｚ，（ＣＤＣｌ３）：１７．２（４Ｃ）、１７．３（４Ｃ）、２１．０（４Ｃ）、９８．３（２Ｃ）、９９．３（２Ｃ）、９９．５（２Ｃ）、１００．１（２Ｃ）、１１５．９（２Ｃ）、１２０．１（２Ｃ）、１２２．５（２Ｃ）、１２２．８（４Ｃ）、１２４．４（４Ｃ）、１２４．８（８Ｃ）、１２８．０（２Ｃ）、１２８．５（４Ｃ）、１２８．６（８Ｃ）、１２９．１（４Ｃ）、１２９．２（４Ｃ）、１３０．２（２Ｃ）、１３０．３（４Ｃ）、１３０．５（４Ｃ）、１３５．７（２Ｃ）、１３６．２（２Ｃ＋２Ｃ）、１３６．３（４Ｃ＋４Ｃ）、１３７．０（２Ｃ＋２Ｃ）、１４２．５（２Ｃ）、１４４．３（２Ｃ）、１４６．２（２Ｃ）、１４６．４（２Ｃ）、１4７．０（４Ｃ）、１４７．１（２Ｃ）、１４７．４（２Ｃ）、１４８．１（２Ｃ）、１４８．８（２Ｃ＋２Ｃ）、１５１．３（２Ｃ）、１５１．６（１Ｃ）、ホウ素が結合しているα位の炭素は観測されず。【０５７７】
合成例（２）：Ｎ７，Ｎ１９，５，９，１１，１５，１７，２１−オクタキス（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９−テトラフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物（１−１−６１））の合成【０５７８】
【化２４５】
2020162600.tif 000247
【０５７９】
Ｎ１, Ｎ１'−（（（５−（ジフェニルアミノ）−１，３−フェニレン）ビス（（２，６−ジフルオロフェニル）アザンジイル））ビス（３，１−フェニレン））ビス（Ｎ１,Ｎ３,Ｎ５−トリス（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ３,Ｎ５−ジフェニルベンゼン−１，３，５−トリアミン）（化合物ｉ−７）（９３．５ｍｇ、０．０５０ｍｍｏｌ）およびo−ジクロロベンゼン（１．０ｍl）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、室温で、三臭化ホウ素（０．３０４ｍl、３．２ｍｍｏｌ）を加えた。滴下終了後、１８０℃まで昇温して１８時間撹拌した。反応液を室温まで冷やし、減圧下で反応液中の臭化水素を留去した。ジクロロメタン（５．０ｍl）を加えて反応溶液を薄めた後に、リン酸緩衝溶液（ｐＨ ＝ ７，５．０ ｍl）を０℃で加え、ジクロロメタンで水層を三回抽出した後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン＝２：３（容積比））による精製を行うことでＮ７，Ｎ１９，５，９，１１，１５，１７，２１−オクタキス（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９−テトラフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（１２．３ｍｇ、収率１３％）（化合物１−１−６１）を黄色固体として得た。【０５８０】
【化２４６】
2020162600.tif 000248
【０５８１】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝５．７０（ｓ，２Ｈ）、５．７４（ｓ，２Ｈ）、５．８６（ｓ，２Ｈ）、５．９７（ｓ，２Ｈ）、６．４９（ｔ，２Ｈ）、６．６６（ｄ，２Ｈ）、７．００−７．１４（ｍ，２０Ｈ）、７．１９−７．４１（ｍ，１８Ｈ）、７．４５−７．６８（ｍ，８Ｈ）、８．９９（ｄ，２Ｈ）、１０．７（ｓ，２Ｈ）
ＭＡＬＤＩ ｍ／ｚ ［Ｍ］＋ 計算値：Ｃ１１４Ｈ６２Ｂ３Ｆ１６Ｎ９ １８９３．５１８７、実測値：１８９３．５３４９【０５８２】
合成例（３）：Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，９，１１，１５，１７，２１−ドデカフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物（１−１−５））の合成【０５８３】
【化２４７】
2020162600.tif 000249
【０５８４】
Ｎ１，Ｎ１’−（（（５−（ジフェニルアミノ）−１，３−フェニレン）ビス（フェニルアザンジイル））ビス（３，１−フェニレン））ビス（Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ５−ペンタフェニルベンゼン−１，３，５−トリアミン）（化合物ｉ−８）（０．１３５ｇ、０．０８５ｍｍｏｌ）および２，４−ジクロロトルエン（１．３ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、室温で、三臭化ホウ素（０．１２９ｍｌ、１．４ｍｍｏｌ）を加えた。滴下終了後、２００℃まで昇温して１８時間撹拌した。反応液を室温まで冷やし、減圧下で反応液中の臭化水素を留去した。ジクロロメタン（５．０ｍｌ）を加えて反応溶液を薄めた後に、リン酸緩衝溶液（ｐＨ＝７，５．０ｍｌ）を０℃で加え、ジクロロメタンで水層を三回抽出した後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン＝３：２（容積比））による精製を行うことでＮ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，９，１１，１５，１７，２１−ドデカフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物１−１−５）（１５．１ｍｇ、収率１１％）を黄色固体として得た。【０５８５】
【化２４８】
2020162600.tif 000250
【０５８６】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝５．６４−５．６５（ｍ，６Ｈ）、５．７４（ｓ，２Ｈ）、６．３５（ｔ，２Ｈ）、６．４８（ｄ，２Ｈ）、６．８５−６．９３（ｍ，２０Ｈ）、７．００−７．０７（ｍ，２０Ｈ）、７．１０−７．２６（ｍ，１６Ｈ）、７．３３（ｔ，２Ｈ）、７．４５（ｔ，４Ｈ）、９．００（ｄ，２Ｈ）、１０．６（ｓ，２Ｈ）
ＭＡＬＤＩ ｍ／ｚ ［Ｍ］＋ 計算値：Ｃ１１４Ｈ７８Ｂ３Ｎ９ １６０５．６６９５、実測値：１６０５．６７５３【０５８７】
合成例（４）：９，１１，１５，１７−テトラキス（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，２１−オクタフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物１−１−１０）の合成【０５８８】
【化２４９】
2020162600.tif 000251
【０５８９】
Ｎ１，Ｎ１’−（（（５−（ジフェニルアミノ）−１，３−フェニレン）ビス（（２，６−ジフルオロフェニル）アザンジイル））ビス（３，１−フェニレン））ビス（Ｎ１−（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ３，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ５−テトラフェニルベンゼン−１，３，５−トリアミン）（化合物（ｉ−９）；８６．４ｍｇ、０．０５０ｍｍｏｌ）およびｏ−ジクロロベンゼン（１．０ｍl）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、室温で、三臭化ホウ素（７６．０μＬ、０．８０ｍｍｏｌ）を加えた。滴下終了後、２００℃まで昇温して１８時間撹拌した。反応液を室温まで冷やし、減圧下で反応液中の臭化水素を留去した。ジクロロメタン（５．０ｍl）を加えて反応溶液を薄めた後に、リン酸緩衝溶液（ｐＨ＝７，５．０ｍｌ）を０℃で加え、ジクロロメタンで水層を三回抽出した後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物に対してシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）による精製を行うことで９，１１，１５，１７−テトラキス（２，６−ジフルオロフェニル）−Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，Ｎ１９，Ｎ１９，５，２１−オクタフェニル−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサヒドロ−５，９，１１，１５，１７，２１−ヘキサアザ−２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ−トリボラナフト［３，２，１−ｄｅ］ナフト［３’，２’，１’：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−７，１３，１９−トリアミン（化合物（１−１−１０）；３０．２ｍｇ、収率３５％）を黄色固体として得た。【０５９０】
【化２５０】
2020162600.tif 000252
【０５９１】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝５．７１（ｓ，２Ｈ）、５．７５（ｓ，２Ｈ）、５．７９（ｓ，２Ｈ）、５．８５（ｓ，２Ｈ）、６．３６（ｔ，２Ｈ）、６．５１（ｄ，２Ｈ）、６．７８（ｔ，８Ｈ）、６．９０（ｔ，８Ｈ）、６．９６−７．１７（ｍ，２８Ｈ）、７．２４（ｄ，４Ｈ）、７．３３（ｔ，２Ｈ）、７．４５（ｔ，４Ｈ）、８．９９（ｄ，２Ｈ）、１０．６（ｓ，２Ｈ）
ＭＡＬＤＩ ｍ／ｚ ［Ｍ］＋ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１１４Ｈ７０Ｂ３Ｆ８Ｎ９ １７４９．５９４１、 ｏｂｓｅｒｖｅｄ １７４９．５９６２【０５９２】
合成例（５）：２，２２，２５，３０−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ６，Ｎ６，Ｎ１２，Ｎ１２，Ｎ１８，Ｎ１８，８，１０，１４，１６−デカキス（３，５−ジメチルフェニル）−８，１０，１４，１６−テトラヒドロ−４ｂ，８，１０，１４，１６，１９ｂ−ヘキサアザ−２６ｂ，２７ｂ，２８ｂ−トリボラナフト［１，２，３−ｄｅ］フルオランテノ［１'，２'，３'：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−６，１２，１８−トリアミン（化合物（１−１−１０５））の合成
【化２５１】
2020162600.tif 000253
【０５９３】
Ｎ１，Ｎ３−ビス（３−（（３−（ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミノ）−５−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾ−ル−９−イル）フェニル）（３，５-ジメチルフェニル）アミノ）フェニル）−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ５−テトラキス（３，５−ジメチルフェニル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（化合物（ｉ−１０）：０．６２５ｇ，０．３０ｍｍｏｌ）およびクロロベンゼン（６．０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、室温で、三臭化ホウ素（０．４５５ ｍｌ，１．６ｍｍｏｌ）を加えた。滴下終了後、１５０℃まで昇温して２０時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷やし、減圧下で反応溶液中の臭化水素を留去した。ジクロロメタン（１０ｍｌ）を加えて反応溶液を薄めた後に，リン酸緩衝溶液（ｐＨ ＝ ７，１０ｍｌ）を０℃で加え，ジクロロメタンで水層を三回抽出した後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物に対してＧＰＣ（溶離液；１，２−ジクロロエタン）による精製を行うことで、２，２２，２５，３０−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ６，Ｎ６，Ｎ１２，Ｎ１２，Ｎ１８，Ｎ１８，８，１０，１４，１６−デカキス（３，５−ジメチルフェニル）−８，１０，１４，１６−テトラヒドロ−４ｂ，８，１０，１４，１６，１９ｂ−ヘキサアザ−２６ｂ，２７ｂ，２８ｂ−トリボラナフト［１，２，３−ｄｅ］フルオランテノ［１'，２'，３'：１０，１１］テトラセノ［１，２，３−ｊｋ］ペンタセン−６，１２，１８−トリアミン（化合物（１−１−１０５））（９７．２ ｍｇ，収率１５％）を黄色固体として得た。
【化２５２】
2020162600.tif 000254
【０５９４】
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝１．４４（ｓ，１８Ｈ），１．５４（ｓ，１８Ｈ）、２．１１-２．２７（ｍ，６０Ｈ），５．７１（ｓ，２Ｈ），５．７３（ｓ，２Ｈ），５．８３（d，２Ｈ），６．５５-６．５６（ｍ，１０Ｈ），６．７３-６．８９（ｍ，２０Ｈ），７．３１（ｄｄ，２Ｈ），７．６２（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄ，２Ｈ），７．８５（ｄ，２Ｈ），８．０２（ｄ，２Ｈ），８．８３（ｄ，２Ｈ），１０．４（ｓ，２Ｈ）．【０５９５】
＜実施例１＞
表１に示す形成材料および膜厚の各層を積層してなる有機ＥＬ素子を下記の手順で作製することができる。
【表１】
2020162600.tif 000255
【０５９６】
表１において、
「ＮＰＤ」はＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、
「ＴｃＴａ」はトリス（４−カルバゾリル−９−イルフェニル）アミン、
「ＣＢＰ」は４，４’−ジ（９Ｈ−カルバゾリル−９−イル）−１，１’−ビフェニル、
「ｍＣＰ」は１，３−ビス（カルバゾリル−９−イル）ベンゼン、
「ｍＣＢＰ」は３，３’−ジ（９Ｈ−カルバゾリル−９−イル）−１，１’−ビフェニル
「ＴＳＰＯ１」はジフェニル−４−トリフェニルシリルフェニルホスフィンオキサイドである。
以下に化学構造を示す。【０５９７】
【化２５３】
2020162600.tif 000256
【０５９８】
スパッタリングにより２００ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とする。この透明支持基板を市販の蒸着装置（長州産業（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＮＰＤ、ＴｃＴａ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、化合物（１−１−１）、およびＴＳＰＯ１をそれぞれ入れたタンタル製蒸着用ボート、ＬｉＦおよびアルミニウムをそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着する。【０５９９】
透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成する。真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧し、まず、ＮＰＤを加熱して膜厚４０ｎｍになるように蒸着し、次に、ＴｃＴａを加熱して膜厚１５ｎｍになるように蒸着して正孔注入層および正孔輸送層をそれぞれ形成する。次に、ｍＣＰを加熱して膜厚１５ｎｍになるように蒸着して電子阻止層を形成する。次に、ｍＣＢＰと化合物（１−１−１）を同時に加熱して膜厚２０ｎｍになるように蒸着して発光層を形成する。ｍＣＢＰと化合物（１−１−１）の質量比が９９対１になるように蒸着速度を調節する。次に、ＴＳＰＯ１を加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成する。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒である。その後、ＬｉＦを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、アルミニウムを加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得られる。このとき、アルミニウムの蒸着速度は１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒になるように調節する。【０６００】
ＩＴＯ電極を陽極、アルミニウム電極を陰極として直流電圧を印加することで、半値幅の狭い深い青色発光が見られる。【０６０１】
＜合成例：高分子ホスト化合物：ＳＰＨ−１０１の合成＞
国際公開第２０１５／００８８５１号に記載の方法に従い、ＳＰＨ−１０１を合成した。Ｍ１に隣にはＭ２またはＭ３が結合した共重合体が得られ、仕込み比より各ユニットは５０：２６：２４（モル比）である。【０６０２】
【化２５４】
2020162600.tif 000257
式中、Ｍｅはメチル、Ｂｐｉｎはピナコラートボリルである。【０６０３】
＜合成例：高分子正孔輸送化合物：ＸＬＰ−１０１の合成＞
特開２０１８−６１０２８号広報に記載の方法に従い、ＸＬＰ−１０１を合成した。Ｍ４，Ｍ５およびＭ６が結合した共重合体が得られた。仕込み比より各ユニットは４０：１０：５０（モル比）である。【０６０４】
【化２５５】
2020162600.tif 000258
式中、Ｂｐｉｎはピナコラートボリルである。【０６０５】
＜ＸＬＰ−１０１溶液の調製＞
キシレンにＸＬＰ−１０１を溶解させ、０．６ｗｔ％ＸＬＰ−１０１溶液を調製した。【０６０６】
＜発光層形成用組成物の調製＞
実施例２に係る発光層形成用組成物を調製できる。組成物の調製に用いた化合物を以下に示す。
＜実施例２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物（１−１−１）                              ０．０４  質量％
ＳＰＨ−１０１                                    １．９６  質量％
キシレン                                        ６９．００  質量％
デカリン                                        ２９．００  質量％
調製した発光層形成用組成物をガラス基板にスピンコートし、減圧加熱乾燥することによって、膜欠陥がなく平滑性に優れた塗布膜が得られる。【０６０７】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
実施例３および実施例４に架橋性正孔輸送材料を用いた有機ＥＬ素子の作製方法を、実施例５に直交溶媒系を用いた有機ＥＬ素子の作製方法を示した。作製する有機ＥＬ素子における。各層の材料構成を表２に示す。
【表２】
2020162600.tif 000259
【０６０８】
表２における、「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」、「ＯＴＰＤ」、「ＰＣｚ」、「ＥＴ１」の構造を以下に示す。
【化２５６】
2020162600.tif 000260
【０６０９】
＜ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液＞
市販のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液（Ｃｌｅｖｉｏｓ（ＴＭ）  Ｐ  ＶＰ  ＡＩ４０８３、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの水分散液、Ｈｅｒａｅｕｓ  Ｈｏｌｄｉｎｇｓ社製）を用いる。【０６１０】
＜ＯＴＰＤ溶液の調製＞
ＯＴＰＤ（ＬＴ−Ｎ１５９、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ社製）およびＩＫ−２（光カチオン重合開始剤、サンアプロ社製）をトルエンに溶解させ、ＯＴＰＤ濃度０．７ｗｔ％、ＩＫ−２濃度０．００７ｗｔ％のＯＴＰＤ溶液を調製する。【０６１１】
＜ＰＣｚ溶液の調製＞
ＰＣｚ（ポリビニルカルバゾール）をジクロロベンゼンに溶解させ、０．７ｗｔ％ＰＣｚ溶液を調製した。【０６１２】
＜実施例３＞
ＩＴＯが１５０ｎｍの厚さに蒸着されたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成し、膜厚４０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜を成膜する（正孔注入層）。次いで、ＯＴＰＤ溶液をスピンコートし、８０℃のホットプレート上で１０分間乾燥する。露光機で露光強度１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、１００℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚３０ｎｍの溶液に不溶なＯＴＰＤ膜を成膜する（正孔輸送層）。次いで、実施例２の発光層形成用組成物をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚２０ｎｍの発光層を成膜する。【０６１３】
作製した多層膜を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＥＴ１を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＬｉＦを入れたモリブデン製蒸着用ボート、アルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着する。真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＥＴ１が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成する。電子輸送層を形成する際の蒸着速度は１ｎｍ／秒とする。その後、ＬｉＦが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着する。次いで、アルミニウムの入ったボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成する。このようにして有機ＥＬ素子を得る。【０６１４】
＜実施例４＞
ＩＴＯが１５０ｎｍの厚さに蒸着されたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成し、膜厚４０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜を成膜する（正孔注入層）。次いで、ＸＬＰ−１０１溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚３０ｎｍのＸＬＰ−１０１膜を成膜する（正孔輸送層）。次いで、実施例２の発光層形成用組成物をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚２０ｎｍの発光層を成膜する。次に、電子輸送層としておよび陰極を実施例３と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６１５】
＜実施例５＞
ＩＴＯが１５０ｎｍの厚さに蒸着されたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成し、膜厚４０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜を成膜する（正孔注入層）。次いで、ＰＣｚ溶液をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚３０ｎｍのＰＣｚ膜を成膜する（正孔輸送層）。次いで、実施例２の発光層形成用組成物をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚２０ｎｍの発光層を成膜する。次に、電子輸送層および陰極を実施例３と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６１６】
＜実施例６＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物１−１−１                                  ０．０２  質量％
ｍＣＢＰ                                          １．９８  質量％
トルエン                                        ９８．００  質量％【０６１７】
＜実施例７＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物１−１−１                                  ０．０２  質量％
ＳＰＨ−１０１                                    １．９８  質量％
キシレン                                        ９８．００  質量％【０６１８】
＜実施例８＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物１−１−１                                  ０．０２  質量％
ＤＯＢＮＡ                                        １．９８  質量％
トルエン                                        ９８．００  質量％【０６１９】
＜有機ＥＬ素子の作製と評価＞
実施例９〜１１に異なるホストを用いた有機ＥＬ素子の作製方法を示した。作製する有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を表３に示す。
【表３】
2020162600.tif 000261
【０６２０】
表３において、「ＤＯＢＮＡ」は３，１１−ジ−ｏ−トリル−５，９−ジオキサ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセンである。
以下に化学構造を示す。【０６２１】
【化２５７】
2020162600.tif 000262
【０６２２】
＜実施例９＞
ＩＴＯが４５ｎｍの厚さに成膜されたガラス基板上に、ＮＤ−３２０２（日産化学（株）製）をスピンコートする。ついで、大気雰囲気下において、５０℃、３分間加熱し、更に２３０℃、１５分間加熱することにより膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成する。ＸＬＰ−１０１溶液を正孔注入層上にスピンコートする。ついで、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、３０分間加熱させることにより膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成する。実施例６で調製した発光層形成用組成物をスピンコートし、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより膜厚２０ｎｍの発光層を形成する。【０６２３】
作製した多層膜を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＴＳＰＯ１を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＬｉＦを入れたモリブデン製蒸着用ボート、アルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着する。真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＴＳＰＯ１が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成する。電子輸送層を形成する際の蒸着速度は１ｎｍ／秒とする。その後、ＬｉＦが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着する。次いで、アルミニウムの入ったボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成する。このようにして有機ＥＬ素子を得る。【０６２４】
＜実施例１０＞
実施例６で調製した発光層形成用組成物のかわりに実施例７で調製した発光層形成用組成物を用いて、実施例９と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６２５】
＜実施例１１＞
実施例６で調製した発光層形成用組成物のかわりに実施例８で調製した発光層形成用組成物を用いて、実施例１１と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６２６】
＜実施例１２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物（１−１−１）                              ０．０２  質量％
２ＰＸＺ−ＴＡＺ                                  ０．１８  質量％
ｍＣＢＰ                                          １．８０  質量％
トルエン                                        ９８．００  質量％【０６２７】
＜実施例１３＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物（１−１−１）                              ０．０２  質量％
２ＰＸＺ−ＴＡＺ                                  ０．１８  質量％
ＳＰＨ−１０１                                    １．８０  質量％
キシレン                                        ９８．００  質量％【０６２８】
＜実施例１４＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製する。
化合物（１−１−１）                              ０．０２  質量％
２ＰＸＺ−ＴＡＺ                                  ０．１８  質量％
ＤＯＢＮＡ                                        １．８０  質量％
トルエン                                        ９８．００  質量％【０６２９】
＜有機ＥＬ素子の作製と評価＞
実施例１５〜１７にアシスティングドーパントを加えた有機ＥＬ素子の作製方法を示した。作製する有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を表４に示す。
【表４】
2020162600.tif 000263
【０６３０】
表４において、「２ＰＸＺ−ＴＡＺ」は１０，１０’−（（４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３，５−ジイル）ビス（４，１−フェニルの））ビス（１０Ｈ−フェノキサジン）である。
以下に化学構造を示す。【０６３１】
【化２５８】
2020162600.tif 000264
【０６３２】
＜実施例１５＞
ＩＴＯが４５ｎｍの厚さに成膜されたガラス基板上に、ＮＤ−３２０２（日産化学（株）製）をスピンコートする。ついで、大気雰囲気下において、５０℃、３分間加熱し、更に２３０℃、１５分間加熱することにより膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成する。ＸＬＰ−１０１溶液を正孔注入層上にスピンコートする。ついで、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、３０分間加熱させることにより膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成する。実施例１２で調製した発光層形成用組成物をスピンコートし、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより２０ｎｍの発光層を形成する。【０６３３】
作製した多層膜を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＴＳＰＯ１を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＬｉＦを入れたモリブデン製蒸着用ボート、アルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着する。真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＴＳＰＯ１が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成する。電子輸送層を形成する際の蒸着速度は１ｎｍ／秒とする。その後、ＬｉＦが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着する。次いで、アルミニウムの入ったボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成する。このようにして有機ＥＬ素子を得る。【０６３４】
＜実施例１６＞
実施例１２で調製した発光層形成用組成物のかわりに実施例１３で調製した発光層形成用組成物を用いて、実施例１５と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６３５】
＜実施例１７＞
実施例１２で調製した発光層形成用組成物のかわりに実施例１４で調製した発光層形成用組成物を用いて、実施例１５と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。【０６３６】
＜基礎物性の評価＞
サンプルの準備
評価対象の化合物の吸収特性と発光特性（蛍光とりん光）を評価する場合、評価対象の化合物を溶媒に溶解して溶媒中で評価する場合と薄膜状態で評価する場合がある。さらに、薄膜状態で評価する場合は、評価対象の化合物の有機ＥＬ素子における使用の態様に応じて、評価対象の化合物のみを薄膜化し評価する場合と評価対象の化合物を適切なマトリックス材料中に分散して薄膜化して評価する場合がある。【０６３７】
マトリックス材料としては、市販のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などを用いることができる。本実施例では、ＰＭＭＡと評価対象の化合物をトルエン中で溶解させた後、スピンコーティング法により石英製の透明支持基板（１０ｍｍ×１０ｍｍ）上に薄膜を形成してサンプルを作製した。【０６３８】
また、マトリックス材料がホスト化合物である場合の薄膜サンプルは、以下のようにして作製した。
石英製の透明支持基板（１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍ）を市販の蒸着装置（長州産業（株）製）の基板ホルダーに固定し、ホスト化合物を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ドーパント材料を入れたモリブデン製蒸着用ボートを装着した後、真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次に、ホスト化合物が入った蒸着用ボートとドーパント材料が入った蒸着用ボートを同時に加熱して、ホスト化合物とドーパント材料を適切な膜厚になるように共蒸着してホスト化合物とドーパント材料の混合薄膜（サンプル）を形成した。ここで、ホスト化合物とドーパント材料の設定質量比に応じて蒸着速度を制御した。【０６３９】
吸収特性と発光特性の評価
サンプルの吸収スペクトルの測定は、紫外可視近赤外分光光度計（（株）島津製作所、ＵＶ−２６００）を用いて行った。また、サンプルの蛍光スペクトルまたはりん光スペクトルの測定は、分光蛍光光度計（日立ハイテク（株）製、Ｆ−７０００）を用いて行った。【０６４０】
蛍光スペクトルの測定に対しては、室温で適切な励起波長で励起しフォトルミネッセンスを測定した。りん光スペクトルの測定に対しては、付属の冷却ユニットを使用して、上記サンプルを液体窒素に浸した状態（温度７７Ｋ）で測定した。りん光スペクトルを観測するため、光学チョッパを使用して励起光照射から測定開始までの遅れ時間を調整した。サンプルは適切な励起波長で励起しフォトルミネッセンスを測定した。【０６４１】
また、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス（株）製、Ｃ９９２０−０２Ｇ）を用いて蛍光量子収率（ＰＬＱＹ）を測定した。【０６４２】
蛍光寿命（遅延蛍光）の評価
蛍光寿命測定装置（浜松ホトニクス（株）製、Ｃ１１３６７−０１）を用いて３００Ｋで蛍光寿命を測定した。具体的には、適切な励起波長で測定される極大発光波長において蛍光寿命の早い発光成分と遅い発光成分を観測した。蛍光を発光する一般的な有機ＥＬ材料の室温における蛍光寿命測定では、熱による３重項成分の失活により、りん光に由来する３重項成分が関与する遅い発光成分が観測されることはほとんどない。評価対象の化合物において遅い発光成分が観測された場合は、励起寿命の長い３重項エネルギーが熱活性化により１重項エネルギーに移動して遅延蛍光として観測されたことを示すことになる。【０６４３】
エネルギーギャップ（Ｅｇ）の算出
前述の方法で得られた吸収スペクトルの長波長末端Ａ（ｎｍ）からＥｇ＝１２４０／Ａで算出した。【０６４４】
Ｅ（Ｓ，Ｓｈ）、Ｅ（Ｔ，Ｓｈ）、Ｅ（Ｓ，ＰＴ）、Ｅ（Ｔ，ＰＴ）およびΔＥ（ＳＴ）の算出
一重項励起エネルギー準位Ｅ（Ｓ，Ｓｈ）は、蛍光スペクトルのピーク短波長側変曲点を通る接線とベースラインとの交点における波長ＢＳｈ（ｎｍ）から、Ｅ（Ｓ，Ｓｈ）＝１２４０／ＢＳｈで算出した。また、三重項励起エネルギー準位Ｅ（Ｔ，Ｓｈ）は、りん光スペクトルのピーク短波長側の変曲点を通る接線とベースラインとの交点における波長ＣＳｈ（ｎｍ）から、Ｅ（Ｔ，Ｓｈ）＝１２４０／ＣＳｈで算出した。
一重項励起エネルギー準位Ｅ（Ｓ，ＰＴ）は、蛍光スペクトルの極大発光波長ＢＰＴ（ｎｍ）からＥ（Ｓ，ＰＴ）＝１２４０／ＢＰＴで算出した。また、三重項励起エネルギー準位Ｅ（Ｔ，ＰＴ）は、りん光スペクトルの極大発光波長ＣＰＴ（ｎｍ）からＥ（Ｔ，ＰＴ）＝１２４０／ＣＰＴで算出した。【０６４５】
ΔＥ（ＳＴ）はＥ（Ｓ，ＰＴ）とＥ（Ｔ，ＰＴ）のエネルギー差であるΔＥ（ＳＴ）＝Ｅ（Ｓ，ＰＴ）−Ｅ（Ｔ，ＰＴ）で定義される。また、ΔＥ（ＳＴ）は、例えば、"Purely organic electroluminescent material realizing 100% conversion from electricity to light", H. Kaji, H. Suzuki, T. Fukushima, K. Shizu, K. Katsuaki, S. Kubo,T. Komino, H. Oiwa, F. Suzuki, A. Wakamiya, Y. Murata, C. Adachi, Nat. Commun. 2015, 6, 8476.に記載の方法でも算出することができる。【０６４６】
＜実施例１８＞
化合物（１−１−１）の基礎物性の評価
［吸収特性］
吸収スペクトルの測定は、化合物（１−１−１）の２．０×１０−５ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４７７ｎｍであった（図３）。【０６４７】
［発光特性］
蛍光スペクトルの測定は、吸収スペクトルで用いた化合物（１−１−１）の２．０×１０−５ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を準備し、室温において励起波長３６５ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は４８３ｎｍ、半値幅は１３ｎｍであった（図４）。また、このときの蛍光量子収率は１００％であった。さらに、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、１．０μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には３．０〜６．２μｓｅｃのデータを用いた（図５）。【０６４８】
＜実施例１９＞
化合物（１−１−６１）の基礎物性の評価
［吸収特性］
吸収スペクトルの測定は、化合物（１−１−６１）の２．０×１０−５ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４５１ｎｍであった（図６）。【０６４９】
加えて、化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４５１ｎｍであった（図７）。【０６５０】
［発光特性］
蛍光スペクトルの測定は、吸収スペクトルで用いた化合物（１−１−６１）の２．０×１０−５ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を準備し、室温において励起波長３６５ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は４５９ｎｍ、半値幅は１３ｎｍであった（図８）。また、このときの蛍光量子収率は９９％であった。さらに、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、１．４μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には４．５〜２２μｓｅｃのデータを用いた（図９）。【０６５１】
加えて、化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、室温および７７Ｋにおいて励起波長４１４ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、室温において、極大発光波長は４５７ｎｍおよび半値幅１６ｎｍ（図１０）、７７Ｋにおいて、極大発光波長は４５９ｎｍおよび半値幅１６ｎｍであった（図１１）。７７Ｋにおける極大発光波長から算出されたＥ（Ｓ，ＰＴ）は２．７０ｅＶであった。また、蛍光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｓ，Ｓｈ）は２．７７ｅＶであった。また、化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を準備し、励起波長４１０ｎｍで励起して蛍光量子収率を測定した結果、８９％と高い値であった。【０６５２】
さらに、りん光スペクトルの測定は、化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、７７Ｋにおいて励起波長４１４ｎｍで励起してりん光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は４６１ｎｍであった（図１２）。この極大発光波長から算出されたＥ（Ｔ，ＰＴ）は２．６９ｅＶであり、高い値を示すことがわかった。また、りん光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｔ，Ｓｈ）は２．７７ｅＶであった。【０６５３】
ΔＥ（ＳＴ，ＰＴ）を算出すると０．０１ｅＶとなった。【０６５４】
化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を用いて、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、０．８μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には０．４〜５．６μｓｅｃのデータを用いた（図１３）。【０６５５】
＜実施例２０＞
化合物（１−１−５）の基礎物性の評価
［吸収特性］
化合物（１−１−５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４７３ｎｍであった（図１４）。【０６５６】
［発光特性］
化合物（１−１−５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、室温および７７Ｋにおいて励起波長４１４ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、室温において、極大発光波長は４８０ｎｍおよび半値幅１８ｎｍ（図１５）、７７Ｋにおいて、極大発光波長は４８２ｎｍおよび半値幅１４ｎｍであった（図１６）。７７Ｋにおける極大発光波長から算出されたＥ（Ｓ，ＰＴ）は２．５７ｅＶであった。また、蛍光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｓ，Ｓｈ）は２．６３ｅＶであった。また、化合物（１−１−６１）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を準備し、励起波長３６０ｎｍで励起して蛍光量子収率を測定した結果、９０％と高い値であった。【０６５７】
さらに、りん光スペクトルの測定は、化合物（１−１−５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、７７Ｋにおいて励起波長３６２ｎｍで励起してりん光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は４８４ｎｍであった（図１７）。この極大発光波長から算出されたＥ（Ｔ，ＰＴ）は２．５６ｅＶであり、高い値を示すことがわかった。また、りん光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｔ，Ｓｈ）は２．６３ｅＶであった。【０６５８】
ΔＥ（ＳＴ，ＰＴ）を算出すると０．０１ｅＶとなった。【０６５９】
化合物（１−１−５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を用いて、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、１．１μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には０．４〜５．６μｓｅｃのデータを用いた（図１８）。【０６６０】
＜実施例２１＞
化合物（１−１−１０）の基礎物性の評価
［吸収特性］
化合物（１−１−１０）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４５８ｎｍであった（図１９）。【０６６１】
［発光特性］
化合物（１−１−１０）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、室温および７７Ｋにおいて励起波長４２４ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、室温において、極大発光波長は４６４ｎｍおよび半値幅１６ｎｍ（図２０）、７７Ｋにおいて、極大発光波長は４６５ｎｍおよび半値幅１６ｎｍであった（図２１）。７７Ｋにおける極大発光波長から算出されたＥ（Ｓ，ＰＴ）は２．６６ｅＶであった。また、蛍光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｓ，Ｓｈ）は２．７６ｅＶであった。また、化合物（１−１−１０）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を準備し、励起波長３６０ｎｍで励起して蛍光量子収率を測定した結果、７６％と高い値であった。【０６６２】
さらに、りん光スペクトルの測定は、化合物（１−１−１０）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、７７Ｋにおいて励起波長４２４ｎｍで励起してりん光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は４６６ｎｍであった（図２２）。この極大発光波長から算出されたＥ（Ｔ，ＰＴ）は２．６６ｅＶであり、高い値を示すことがわかった。また、りん光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｔ，Ｓｈ）は２．７３ｅＶであった。【０６６３】
ΔＥ（ＳＴ，ＰＴ）を算出すると０．０１ｅＶとなった。【０６６４】
化合物（１−１−１０）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を用いて、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、１．６μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には０．４〜５．６μｓｅｃのデータを用いた（図２３）。【０６６５】
＜実施例２２＞
化合物（１−１−１０５）の基礎物性の評価
［吸収特性］
化合物（１−１−１０５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し吸収スペクトルの測定を行った。その結果、可視光領域での極大吸収波長は４８３ｎｍであった（図２４）。【０６６６】
［発光特性］
化合物（１−１−１０５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、室温および７７Ｋにおいて励起波長４４２ｎｍで励起して蛍光スペクトルを観測することで行った。その結果、室温において、極大発光波長は４９２ｎｍおよび半値幅１８ｎｍ（図２５）、７７Ｋにおいて、極大発光波長は４９７ｎｍおよび半値幅２１ｎｍであった（図２６）。７７Ｋにおける極大発光波長から算出されたＥ（Ｓ，ＰＴ）は２．４９ｅＶであった。また、蛍光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｓ，Ｓｈ）は２．５６ｅＶであった。また、化合物（１−１−１０５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を準備し、励起波長３６０ｎｍで励起して蛍光量子収率を測定した結果、８９％と高い値であった。【０６６７】
さらに、りん光スペクトルの測定は、化合物（１−１−１０５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（ガラス製）を準備し、７７Ｋにおいて励起波長４４２ｎｍで励起してりん光スペクトルを観測することで行った。その結果、極大発光波長は５０１ｎｍであった（図２７）。この極大発光波長から算出されたＥ（Ｔ，ＰＴ）は２．４８ｅＶであり、高い値を示すことがわかった。また、りん光ピークの短波長側の変曲点を通る接線とベースラインの交点より求めたＥ（Ｔ，Ｓｈ）は２．５５ｅＶであった。【０６６８】
ΔＥ（ＳＴ，ＰＴ）を算出すると０．０１ｅＶとなった。【０６６９】
化合物（１−１−１０５）を１質量％の濃度でＰＭＭＡに分散した薄膜形成基板（石英製）を用いて、蛍光寿命測定装置を用いて遅延蛍光成分の寿命を測定したところ、１．６μｓｅｃであった。なお、蛍光寿命測定において、発光寿命が１００ｎｓ以下の蛍光を即時蛍光と判定し、発光寿命が０．１μｓ以上の蛍光を遅延蛍光と判定し、蛍光寿命の算出には５．６〜１０．５μｓｅｃのデータを用いた（図２８）。
【符号の説明】
【０６７０】
１００  有機電界発光素子
１０１  基板
１０２  陽極
１０３  正孔注入層
１０４  正孔輸送層
１０５  発光層
１０６  電子輸送層
１０７  電子注入層
１０８  陰極
【図１】
2020162600.tif 000272
【図２】
2020162600.tif 000273
【図３】
2020162600.tif 000274
【図４】
2020162600.tif 000275
【図５】
2020162600.tif 000276
【図６】
2020162600.tif 000277
【図７】
2020162600.tif 000278
【図８】
2020162600.tif 000279
【図９】
2020162600.tif 000280
【図１０】
2020162600.tif 000281
【図１１】
2020162600.tif 000282
【図１２】
2020162600.tif 000283
【図１３】
2020162600.tif 000284
【図１４】
2020162600.tif 000285
【図１５】
2020162600.tif 000286
【図１６】
2020162600.tif 000287
【図１７】
2020162600.tif 000288
【図１８】
2020162600.tif 000289
【図１９】
2020162600.tif 000290
【図２０】
2020162600.tif 000291
【図２１】
2020162600.tif 000292
【図２２】
2020162600.tif 000293
【図２３】
2020162600.tif 000294
【図２４】
2020162600.tif 000295
【図２５】
2020162600.tif 000296
【図２６】
2020162600.tif 000297
【図２７】
2020162600.tif 000298
【図２８】
2020162600.tif 000299
【国際調査報告】
2020162600.tif 000300
2020162600.tif 000301
2020162600.tif 000302
2020162600.tif 000303