(57)【要約】発光素子組立体は、発光素子２１、発光素子駆動部３０、発光素子２１に設けられた電極に接続された第１接合部材４１、及び、発光素子駆動部３０に設けられた第２接合部材４２を備えており、第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、合金部材から成る接合部材（第２接合部材４２）は第１の部分４３及び第２の部分４４から構成されており、金属材料から成る接合部材（第１接合部材４１）と第１の部分４３とは接合されており、第２の部分４４は、発光素子２１と発光素子駆動部３０との間に、発光素子駆動部３０に設けられており、且つ、発光素子２１と接して配されている。
2020162142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている発光素子組立体。
【請求項２】
第２の部分は第１の部分に並置されている請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項３】
第２の部分は第１の部分と離間して配置されている請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項４】
第１の部分の高さをＨ1、第２の部分の高さをＨ2としたとき、Ｈ1＜Ｈ2を満足する請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項５】
合金材料は、金属材料を構成する原子を含んでいる請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項６】
第１の部分と、金属材料から成る接合部材とは、金属材料を構成する原子の拡散を伴う共晶に基づき接合されている請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項７】
合金材料は金−スズ半田材料から成り、金属材料は金から成る請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項８】
金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の融点は、第２の部分を構成する合金材料の融点よりも低い請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項９】
金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の組成は、第２の部分を構成する合金材料の組成と異なる請求項８に記載の発光素子組立体。
【請求項１０】
金−スズ半田材料から成り、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料のスズ含有率は、１８質量％乃至２９質量％であり、
金−スズ半田材料から成る第２の部分を構成する合金材料のスズ含有率は、１８質量％未満又は２９質量％を超える請求項６に記載の発光素子組立体。
【請求項１１】
発光素子は、端面から光を出射するレーザ素子から成る請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項１２】
複数の発光素子組立体が並置されたマルチビームレーザチップ組立体であって、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されているマルチビームレーザチップ組立体。
【請求項１３】
第１接合部材及び第２接合部材は、ｎを１以上、Ｎ以下の整数としたとき、（２ｎ−１）番目の発光素子の光出射部と２ｎ番目の発光素子の光出射部との間に配置されており、２ｎ番目の発光素子の光出射部と（２ｎ＋１）番目の発光素子の光出射部との間には配置されていない請求項１２に記載のマルチビームレーザチップ組立体。
【請求項１４】
発光素子の光出射部の間隔は、１０μｍ以上、５０μｍ以下である請求項１２に記載の発光素子組立体。
【請求項１５】
発光素子駆動部はサブマウントから成る請求項１２に記載の発光素子組立体。
【請求項１６】
発光素子駆動部は、発光素子駆動回路が設けられた半導体基板から成る請求項１２に記載の発光素子組立体。
【請求項１７】
マルチビームレーザチップ組立体、及び、
マルチビームレーザチップ組立体から出射された光を集光する集光部材、
を備えており、
マルチビームレーザチップ組立体は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている光造形装置。
【請求項１８】
集光部材は、収束性ロッドレンズから成る請求項１７に記載の光造形装置。
【請求項１９】
第１部材、
第２部材、
第１部材に設けられた第１接合部材、及び、
第２部材に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材は金属材料から成り、
第２接合部材は合金材料から成り、
第２接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
第１接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、第１部材と第２部材との間に、第１部材と接して配置されている部材組立体。
【請求項２０】
金属材料から成る第１接合部材が設けられた第１部材、並びに、第１の部分及び第２の部分から構成され、合金材料から成る第２接合部材が設けられた第２部材を準備し、
第２接合部材の第１の部分と第１接合部材とが接した状態で、第１部材と第２部材との間に圧力を加えながら、第１接合部材及び第２接合部材を加熱し、第１の部分を溶融させて第１接合部材と接合し、第２の部分を第１部材と接触させる部材組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置、並びに、部材組立体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、光造形装置、レーザプリンタ、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種装置において、複数のレーザ素子が並置されたマルチビームレーザチップが広く用いられている（例えば、特開２００３−１５８３３２号公報参照）。そして、複数のレーザ素子は、屡々、サブマウントに接合されている（例えば、特開２００８−２７７４７１号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１５８３３２号公報
【特許文献２】特開２００８−２７７４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、製造時あるいは組立時、マルチビームレーザチップには、屡々、反りが発生する。それ故、特開２００８−２７７４７１号公報に開示された技術にあっては、サブマウントとの接合部であるレーザ素子に設けられた電極の下に空隙や柔らかい素材を含む応力吸収部を設けることで、レーザ素子とサブマウントの熱膨張差によって発生する応力を緩和している。しかしながら、応力吸収部の形成は工程数が多く、形成工程が複雑であり、また、融点の問題からインジウムやフォトレジスト上に金属膜を形成することが難しいという問題がある。【０００５】
従って、本開示の目的は、簡素な構成、構造であるにも拘わらず、反りを抑制することができる発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置、並びに、部材組立体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の発光素子組立体は、
発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている。【０００７】
上記の目的を達成するための本開示のマルチビームレーザチップ組立体は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている。【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の光造形装置は、
マルチビームレーザチップ組立体、及び、
マルチビームレーザチップ組立体から出射された光を集光する集光部材、
を備えており、
マルチビームレーザチップ組立体は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている。【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の部材組立体は、
第１部材、
第２部材、
第１部材に設けられた第１接合部材、及び、
第２部材に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材は金属材料から成り、
第２接合部材は合金材料から成り、
第２接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
第１接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、第１部材と第２部材との間に、第１部材と接して配置されている。【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の部材組立体の製造方法は、
金属材料から成る第１接合部材が設けられた第１部材、並びに、第１の部分及び第２の部分から構成され、合金材料から成る第２接合部材が設けられた第２部材を準備し、
第２接合部材の第１の部分と第１接合部材とが接した状態で、第１部材と第２部材との間に圧力を加えながら、第１接合部材及び第２接合部材を加熱し、第１の部分を溶融させて第１接合部材と接合し、第２の部分を第１部材と接触させる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の模式的な一部断面図であり、図１Ａ及び図１Ｂは、図２Ａ及び図２Ｂの矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った模式的な一部断面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図３】図３は、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の製造方法を説明するための発光素子組立体等の模式的な一部断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、図３に引き続き、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の製造方法を説明するための発光素子組立体等の模式的な一部断面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、実施例１における１つの発光素子の接合後の第１接合部材及び第２接合部材の分析を行った結果を示すグラフ、及び、１６個の発光素子の接合後の第１接合部材の高さＨ1を測定した結果を示すグラフである。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−１及び変形例−２の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−３及び変形例−４の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−５及び変形例−６の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図９】図９は、実施例２の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−１の模式的な一部断面図、及び、実施例２の変形例−１の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図であり、ここで、図１０Ａは、図１０Ｂの矢印Ａ−Ａに沿った模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１は、実施例２の変形例−２の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図である。
【図１２】図１２は、発光素子（レーザ素子）の模式的な斜視図である。
【図１３】図１３は、実施例３の光造形装置を示す側面図である。
【図１４】図１４は、実施例３の光造形装置の電気的なブロック図である。
【図１５】図１５は、実施例３の光造形装置を構成する光検出部の斜視図である。
【図１６】図１６は、実施例３の光造形装置を構成する光源ユニットの分解斜視図である。
【図１７】図１７は、実施例３の光造形装置を構成する光源ユニットにおける発光モジュールの斜視図である。
【図１８】図１８は、実施例３の光造形装置を構成する光源ユニットにおける発光モジュールの一部を拡大した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置、並びに、部材組立体及びその製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の発光素子組立体及びマルチビームレーザチップ組立体、並びに、部材組立体及びその製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（光造形装置）
５．その他
【００１３】
〈本開示の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置、並びに、部材組立体及びその製造方法、全般に関する説明〉
本開示の光造形装置において、集光部材は収束性ロッドレンズから成る形態とすることができる。そして、このような好ましい形態を含む本開示の光造形装置において、集光部材によって集光された光は、光硬化性樹脂に結像され、光硬化性樹脂を硬化させる形態とすることができる。尚、収束性ロッドレンズを構成する各レンズ部は、発光素子の光出射部に対向して配置されている。
【００１４】
本開示のマルチビームレーザチップ組立体において、あるいは又、本開示の光造形装置において（以下、これらを総称して、『本開示のマルチビームレーザチップ組立体等』と呼ぶ場合がある）、
マルチビームレーザチップ組立体を構成する発光素子組立体の数は、２Ｎ個（但し、Ｎは２以上の整数）であり、
第１接合部材及び第２接合部材は、ｎを１以上、Ｎ以下の整数としたとき、（２ｎ−１）番目の発光素子の光出射部と２ｎ番目の発光素子の光出射部との間に配置されており、２ｎ番目の発光素子の光出射部と（２ｎ＋１）番目の発光素子の光出射部との間には配置されていない形態とすることができ、これによって、発光素子の配置の狭ピッチ化を図ることができる。但し、このような形態に限定するものではなく、ｍ番目の発光素子の光出射部と（ｍ＋１）番目［但し、ｍ＝１，２，３・・・（２Ｎ−１）］の発光素子の光出射部との間に、第１接合部材及び第２接合部材を配置する形態とすることもできる。あるいは又、ｍ番目の発光素子の光出射部と（ｍ＋１）番目［但し、ｍ＝１，２，３・・・（２Ｎ−１）］の発光素子の光出射部との間に第１接合部材及び第２接合部材を配置し、しかも、所望のｍ’番目の発光素子の光出射部と（ｍ’＋１）番目［但し、ｍ’は２乃至（２Ｎ−１）の内のいずれかの整数］の発光素子の間には第１接合部材及び第２接合部材を配置しない形態とすることもできる。あるいは又、第１番目の発光素子の光出射部よりも外側の領域、及び、第２Ｎ番目の発光素子よりも外側の領域には、第１接合部材及び第２接合部材を配置せず、第１番目の発光素子の光出射部と第２番目の発光素子の光出射部との間に第１接合部材及び第２接合部材を配置し、第（２Ｎ−１）番目の発光素子の光出射部と第２Ｎ番目の発光素子の光出射部との間に第１接合部材及び第２接合部材を配置する形態とすることもできる。そして、これらによっても、マルチビームレーザチップ組立体全体での発光素子の間隔を等しくしつつ、発光素子の間隔を容易に狭くすることができる。２Ｎ個の発光素子の集合体を、便宜上、『マルチビームレーザチップ』と呼ぶ場合がある。
【００１５】
更には、上記の好ましい形態を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体等において、発光素子の光出射部の間隔は、後述するように、共晶に基づく確実な接合の達成のために、また、解像度の観点から、１０μｍ以上が好ましく、また、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である形態とすることができる。それぞれの発光素子の光出射部の間隔は等しいことが好ましい。更には、以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体において、Ｎ≧２５を満足する形態とすることができる。即ち、マルチビームレーザチップは、５０個以上の発光素子から構成されている形態とすることができる。
【００１６】
更には、以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体等において、発光素子駆動部はサブマウントから成る構成とすることができ、この場合、サブマウントは、マルチビームレーザチップの長手方向に沿って配置されている構成とすることができる。更には、サブマウントには外部入力用電極パッドが備えられており、外部入力用電極パッドは、マルチビームレーザチップの光出射部と反対側であって、マルチビームレーザチップの長手方向の長さを越えない範囲に配置されている構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体において、発光素子駆動部は、発光素子駆動回路が設けられた半導体基板から成る構成とすることができる。
【００１７】
あるいは又、以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体等において、一の発光素子から出射された光の結像中心をＡとし、一の発光素子に隣接する発光素子から出射された光の結像中心をＢとし、結像中心Ａと結像中心Ｂとの二等分点の位置をＣとしたとき、結像中心Ａにおける光密度ＰAと位置Ｃにおける光密度ＰCとは、ＰC≧０．５ＰAの関係を満たすように、発光素子の光出射部の間隔が設定されていてもよい。
【００１８】
発光素子駆動部は、伝熱板上に載置されていてもよいし、冷却部材上に載置されていてもよい。複数の発光素子組立体は筐体の内部に収容されており、筐体には複数の発光素子組立体の発する熱を冷却する冷却機構が設けられていてもよい。
【００１９】
本開示の発光素子組立体において、あるいは又、以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示のマルチビームレーザチップ組立体を構成する発光素子組立体において、あるいは又、以上に説明した各種好ましい形態、構成を含む本開示の光造形装置を構成するマルチビームレーザチップ組立体における発光素子組立体において、あるいは又、本開示の部材組立体において、あるいは又、本開示の部材組立体の製造方法によって得られた部材組立体において（以下、これらを総称して、『本開示の発光素子組立体等』と呼ぶ場合がある）、第２の部分は第１の部分に並置されている形態とすることができる。即ち、第２の部分の側面の一部が第１の部分の側面の一部と接している形態とすることができる。
【００２０】
あるいは又、本開示の発光素子組立体等において、第２の部分は第１の部分と離間して配置されている形態とすることができる。即ち、第２の部分の側面は第１の部分の側面と接していない形態とすることができる。この場合、第２の部分は、発光素子（あるいは発光素子延在部）と発光素子駆動部との間に、発光素子（あるいは発光素子延在部）及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子（あるいは発光素子延在部）及び発光素子駆動部の他方と接して配されている。
【００２１】
以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子組立体等にあっては、第１の部分の高さをＨ1、第２の部分の高さをＨ2としたとき、Ｈ1＜Ｈ2を満足する形態とすることができる。
【００２２】
以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子組立体等において、合金材料は、金属材料を構成する原子を含んでいる構成とすることができる。そして、この場合、第１の部分と、金属材料から成る接合部材とは、金属材料を構成する原子の拡散を伴う共晶に基づき接合されていることが好ましい。更には、これらの場合、合金材料は金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成り、金属材料は金（Ａｕ）から成る構成とすることができる。場合によっては、第２接合部材と対向する第１接合部材の表面（対向面）を含む第１接合部材の一部が金（Ａｕ）から成る構成とすることができる。更には、これらの場合、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の融点は、第２の部分を構成する合金材料の融点よりも低い構成とすることができ、この場合、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の組成は、第２の部分を構成する合金材料の組成と異なる構成とすることができる。更には、これらの場合、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成り、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料のスズ含有率は１８質量％乃至２９質量％であり、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成る第２の部分を構成する合金材料のスズ含有率は１８質量％未満又は２９質量％を超える構成とすることができる。即ち、金属材料から成る接合部材と第１の部分とが接合される前、第２の部分と第１の部分とは同じ組成を有し、金属材料から成る接合部材と第１の部分とが接合された後、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域と第２の部分とは異なる組成を有する形態とすることができる。第２の部分が第１の部分と離間して配置されている形態とする場合、第２の部分と第１の部分とは異なる材料あるいは異なる組成から構成されていてもよい。
【００２３】
更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子組立体において、発光素子は、端面から光を出射するレーザ素子（端面発光型の半導体レーザ素子）から成る形態とすることができるが、このような形態に限定するものではなく、端面発光型のスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）、面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬとも呼ばれる）、発光ダイオード（ＬＥＤ）から成る形態とすることもできる。
【００２４】
更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子組立体において、発光素子駆動部は、サブマウントから成る形態とすることができるし、あるいは又、発光素子駆動回路が設けられた半導体基板から成る形態とすることもできる。
【００２５】
更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子組立体等において、厚さ方向と直交する仮想平面で切断したときの第１の部分の断面積をＳ1、第２の部分の断面積をＳ2としたとき、
Ｓ1／（Ｓ1＋Ｓ2）＜１
望ましくは、
０．５≦Ｓ1／（Ｓ1＋Ｓ2）≦０．９
を満足することが好ましい。厚さ方向と直交する仮想平面で切断したときの金属材料から成る接合部材の断面積をＳ3としたとき、Ｓ1＞Ｓ3の場合もあるし、Ｓ1＝Ｓ3の場合もあるし、Ｓ1＜Ｓ3の場合もある。また、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子組立体において、発光素子が端面発光型の半導体レーザ素子から構成されている場合、光出射部（前端面）の光反射率は、５％以上、９０％以下であることが好ましいし、光出射部と対向する面（後端面）の光反射率は、６０％以上、１００％未満であることが好ましい。
【００２６】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子組立体等において、第１接合部材及び第２接合部材は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）あるいは例えば真空蒸着法やスパッタリング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）から成る成膜方法とパターニング技術との組合せやメッキ法、印刷法等に基づき形成することができる。
【００２７】
発光素子は、第１導電型（例えば、ｎ型）を有する第１化合物半導体層、発光層（活性層）、及び、第１導電型とは異なる第２導電型（例えば、ｐ型）を有する第２化合物半導体層が積層された積層構造体を有し、第１化合物半導体層には第１電極が電気的に接続されており、第２化合物半導体層には第２電極が電気的に接続されている構造とすることができる。発光層（活性層）は、活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいが、量子井戸構造を有することが望ましい。具体的には、発光層（活性層）は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）を有していてもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。第１化合物半導体層、第２化合物半導体層は、第１クラッド層、第２クラッド層とも呼ばれる。第１化合物半導体層、第２化合物半導体層は、単一構造の層であってもよいし、多層構造の層であってもよいし、超格子構造の層であってもよいし、更には、組成傾斜層、濃度傾斜層を備えた層とすることもできる。
【００２８】
発光素子が発光する色として、赤色、緑色、青色、紫色等、任意の色を挙げることができる。赤色を発光する赤色発光素子、緑色を発光する緑色発光素子及び青色を発光する青色発光素子の発光層を構成する材料として、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いるものを挙げることができ、また、赤色発光素子の発光層を構成する材料として、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いるものを挙げることもできる。
【００２９】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶、ＩｎＧａＮ混晶を含む）を例示することができ、更には、これらの化合物半導体に、所望に応じて、ホウ素（Ｂ）原子やタリウム（Ｔｌ）原子、ヒ素（Ａｓ）原子、リン（Ｐ）原子、アンチモン（Ｓｂ）原子が含まれていてもよい。量子井戸構造を有する発光層における（井戸層を構成する化合物半導体，障壁層を構成する化合物半導体）の組合せとして、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＧａＮ）、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＩｎzＧａ(1-z)Ｎ）［但し、ｙ＞ｚ］、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＡｌＧａＮ）を例示することができる。
【００３０】
あるいは又、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体として、例えば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。
【００３１】
第１導電型をｎ型とする場合、第２導電型はｐ型であるし、第１導電型をｐ型とする場合、第２導電型はｎ型である。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。
【００３２】
活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法，Metal Organic-Chemical Vapor Deposition 法、ＭＯＶＰＥ法，Metal Organic-Vapor Phase Epitaxy 法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、プラズマアシステッド物理的気相成長法（ＰＰＤ法）、アトミック・レイヤー・デポジション法（ＡＬＤ法， Atomic Layer Deposition 法、原子層堆積法）、マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー法（ＭＥＥ法， Migration-Enhanced Epitaxy 法、ＭＥＥ法）を挙げることができる。赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子を製造するためには、上記の化合物半導体やその組成を、適宜、選択すればよい。
【００３３】
ここで、積層構造体をＧａＮ系化合物半導体から構成する場合、ＭＯＣＶＤ法における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。ｎ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層の形成においては、例えば、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としてケイ素（Ｓｉ）を添加すればよいし、ｐ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層の形成においては、例えば、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加すればよい。ＧａＮ系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウム（Ａｌ）あるいはインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用いればよいし、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用いればよい。更には、Ｓｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ4ガス）を用いればよいし、Ｍｇ源としてビスシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を用いればよい。尚、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）として、Ｓｉ以外に、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏ、Ｐｄ、Ｐｏを挙げることができるし、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）として、Ｍｇ以外に、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃ、Ｈｇ、Ｓｒを挙げることができる。
【００３４】
第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする場合、第１電極はｎ側電極であり、第２電極はｐ側電極となる。一方、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とする場合、第１電極はｐ側電極であり、第２電極はｎ側電極となる。第１電極や第２電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のＰＶＤ法にて成膜することができる。以下の説明においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする。
【００３５】
第１電極は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ｔｉ（チタン）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、錫（Ｓｎ）及びインジウム（Ｉｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、具体的には、例えば、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／（Ａｕ／）Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／（Ｔｉ／）ＴｉＷ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ｐｄ／ＡｕＧｅ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｔｉを例示することができる。尚、多層構成における「／」の前の層ほど、より活性層側に位置する。
【００３６】
また、第２電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇｅを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、第２電極を、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム−ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ−ＧａＺｎＯ4）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ］、錫系透明導電性材料［具体的には、例えば、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）］、亜鉛系透明導電性材料［具体的には、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯ（ＡＺＯ）やＢドープのＺｎＯを含む）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）］、ＮｉＯといった透明導電材料から構成することもできる。
【００３７】
第１電極の上（表面）に第１パッド部を形成し、第２電極の上（表面）に第２パッド部を形成してもよい。パッド部は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド部を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。第１電極をＡｇ層あるいはＡｇ／Ｐｄ層から構成する場合、第１電極の表面に、例えば、Ｎｉ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｎｉから成るカバーメタル層を形成し、カバーメタル層の上に、例えば、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成あるいはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成から成るパッド部を形成する形態とすることもできる。
【００３８】
積層構造体の側面や露出面を被覆層（絶縁膜）で被覆してもよい。被覆層（絶縁膜）の形成は、周知の方法に基づき行うことができる。被覆層（絶縁膜）を構成する材料の屈折率は、積層構造体を構成する材料の屈折率よりも小さいことが好ましい。被覆層（絶縁膜）を構成する絶縁材料として、ＳｉＯ2を含むＳｉＯX系材料、ＳｉＮX系材料、ＳｉＯYＮZ系材料、ＴａＯX、ＺｒＯX、ＡｌＮX、ＡｌＯX、ＧａＯXを例示することができるし、あるいは又、ポリイミド樹脂等の有機材料を挙げることもできる。被覆層（絶縁膜）の形成方法として、例えば真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を挙げることができるし、塗布法に基づき形成することもできる。
【００３９】
発光素子を製造するための発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。尚、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子を製造するためには、これらの基板から、適宜、選択すればよい。ＧａＮ基板は、成長面によって極性／無極性／半極性と特性が変わることが知られているが、ＧａＮ基板のいずれの主面（第２面）も化合物半導体層の形成に使用することができる。また、ＧａＮ基板の主面に関して、結晶構造（例えば、立方晶型や六方晶型等）によっては、所謂Ａ面、Ｂ面、Ｃ面、Ｒ面、Ｍ面、Ｎ面、Ｓ面等の名称で呼ばれる結晶方位面、あるいは、これらを特定方向にオフさせた面等を用いることもできる。あるいは又、基板を、主面として半極性面である｛２０−２１｝面を有するＧａＮ基板（ｃ面をｍ軸方向に約７５度傾けた面を主面とするＧａＮ基板）から成る構成とすることもできる。
【００４０】
本開示の発光素子組立体における発光素子を構成する積層構造体にあっては、第１化合物半導体層が発光素子製造用基板の一方の面上に形成された状態で、導電性の発光素子製造用基板が残されている場合もあるし、発光素子製造用基板上に発光素子を形成した後、発光素子製造用基板が除去される場合もある。そして、前者の場合、導電性の発光素子製造用基板の他方の面上に第１電極が形成されており、後者の場合、第１化合物半導体層上に第１電極が形成されている。本開示のマルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置にあっては、第１化合物半導体層が発光素子製造用基板の一方の面上に形成された状態で、導電性の発光素子製造用基板が残されている。そして、第１電極は、導電性の発光素子製造用基板の他方の面上に第１電極が形成されており、複数の発光素子組立体において、第１電極は共有（共通化）されている。第２化合物半導体層側を発光素子駆動部と対向させることが、放熱性の観点、電極構成の容易性といった観点から好ましい。そして、この場合、第１接合部材が接続された発光素子に設けられた電極は、第２電極である。
【実施例１】
【００４１】
実施例１は、本開示の発光素子組立体及びマルチビームレーザチップ組立体、並びに、部材組立体及びその製造方法に関する。実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の模式的な一部断面図を図１Ａ及び図１Ｂに示し、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図を図２Ａ及び図２Ｂに示す。尚、図１Ａ及び図１Ｂは、図２Ａ及び図２Ｂの矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った模式的な一部断面図である。また、図２Ａの一部、後述する図９の一部、図１０Ｂの一部及び図１１の一部において、発光素子の領域を一点鎖線で囲んだ。【００４２】
実施例１の発光素子組立体２０は、
発光素子２１、
発光素子駆動部３０（具体的には、後述するサブマウント１６０）、
発光素子２１に設けられた電極（具体的には、後述する第２電極２７）に接続された第１接合部材４１、及び、
発光素子駆動部３０に設けられた第２接合部材４２、
を備えている。そして、
第１接合部材４１及び第２接合部材４２のいずれか一方（実施例１にあっては、具体的には、第２接合部材４２）は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方（実施例１にあっては、具体的には、第１接合部材４１）は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材（第２接合部材４２）は、第１の部分４３及び第２の部分４４から構成されており、
金属材料から成る接合部材（第１接合部材４１）と第１の部分４３とは、接合されており、
第２の部分４４は、発光素子２１と発光素子駆動部３０との間に、発光素子２１及び発光素子駆動部３０の一方（実施例１にあっては、具体的には、発光素子駆動部３０）に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方（実施例１にあっては、具体的には、発光素子２１）と接して配されている。【００４３】
実施例１のマルチビームレーザチップ組立体１１は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、各発光素子組立体は実施例１の発光素子組立体２０から成る。発光素子２１は、具体的には、端面から光を出射するレーザ素子（端面発光型の半導体レーザ素子）から成る。【００４４】
実施例１の部材組立体は、
第１部材２１、
第２部材３０、
第１部材２１に設けられた第１接合部材４１、及び、
第２部材３０に設けられた第２接合部材４２、
を備えており、
第１接合部材４１は金属材料から成り、
第２接合部材４２は合金材料から成り、
第２接合部材４２は、第１の部分４３及び第２の部分４４から構成されており、
第１接合部材４１と第１の部分４３とは、接合されており、
第２の部分４４は、第１部材２１と第２部材３０との間に、第１部材２１と接して配置されている。【００４５】
そして、実施例１の発光素子組立体２０において、第２の部分４４は第１の部分４３に並置されている。即ち、第２の部分４４の側面の一部は第１の部分４３の側面の一部と接している。第１の部分の高さをＨ1、第２の部分の高さをＨ2としたとき、Ｈ1＜Ｈ2を満足する。【００４６】
第２接合部材４２を構成する合金材料は、第１接合部材４１を構成する金属材料を構成する原子を含んでいる。第１の部分４２と、金属材料から成る接合部材（第１接合部材４１）とは、金属材料を構成する原子の拡散を伴う共晶に基づき接合されている。具体的には、合金材料は金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成り、金属材料は金（Ａｕ）から成る。場合によっては、第２接合部材４２と対向する第１接合部材４１の表面（対向面）を含む第１接合部材４１の一部が金（Ａｕ）から成る。更には、第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域を構成する合金材料の融点ＭＰ1は、第２の部分４４を構成する合金材料の融点ＭＰ2よりも低い。第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域を構成する合金材料の組成は、第２の部分４４を構成する合金材料の組成と異なる。具体的には、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成り、第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域を構成する合金材料のスズ含有率は１８質量％乃至２９質量％、より具体的には、例えば２０質量％であり、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田材料から成る第２の部分４４を構成する合金材料のスズ含有率は１８質量％未満又は２９質量％を超え、具体的には、例えば３０質量％である。第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域を構成する合金材料の融点ＭＰ1は２８０゜Ｃであり、第２の部分４４を構成する合金材料の融点ＭＰ2は４００゜Ｃである。第１接合部材４１と第１の部分４３とが接合される前、第２の部分４４と第１の部分４３とは同じ組成を有する。従って、第２の部分４４及び第１の部分４３を構成する合金材料の融点はＭＰ2である。また、第１接合部材４１と第１の部分４３とが接合された後、第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域と第２の部分４４とは、上述したとおり、異なる組成を有する。【００４７】
厚さ方向と直交する仮想平面で切断したときの第１の部分４３の断面積をＳ1、第２の部分４４の断面積をＳ2としたとき、
Ｓ1／（Ｓ1＋Ｓ2）＜１
望ましくは、
０．５≦Ｓ1／（Ｓ1＋Ｓ2）≦０．９
を満足する。具体的には、
Ｓ1／（Ｓ1＋Ｓ2）＝０．８
とした。厚さ方向と直交する仮想平面で切断したときの金属材料から成る接合部材（第１接合部材４１）の断面積をＳ3としたとき、Ｓ1＞Ｓ3の場合もあるし、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、Ｓ1＝Ｓ3の場合もあるし、Ｓ1＜Ｓ3の場合もある。また、発光素子は端面発光型の半導体レーザ素子から構成されている。光出射部（前端面）の光反射率は、５％以上、９０％以下であることが好ましいし、光出射部と対向する面（後端面）の光反射率は、６０％以上、１００％未満であることが好ましい。【００４８】
実施例１のマルチビームレーザチップ組立体１１において、
マルチビームレーザチップ組立体１１を構成する発光素子組立体の数は、２Ｎ個（但し、Ｎは２以上の整数）、例えば、Ｎ≧２５であり、
第１接合部材４１及び第２接合部材４２は、ｎを１以上、Ｎ以下の整数としたとき、（２ｎ−１）番目の発光素子の光出射部と２ｎ番目の発光素子の光出射部との間に配置されており、２ｎ番目の発光素子の光出射部と（２ｎ＋１）番目の発光素子の光出射部との間には配置されておらず、これによって、発光素子の狭ピッチ化を図ることができる。尚、２Ｎ個の発光素子の集合体を、マルチビームレーザチップ１２と呼ぶ場合がある。【００４９】
発光素子２１の光出射部の間隔は、１０μｍ以上、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下、具体的には、２０μｍであり、発光素子２１の光出射部の間隔は等しい。【００５０】
発光素子駆動部３０は、具体的には、サブマウントから成り、あるいは又、発光素子駆動回路が設けられた半導体基板から成る。【００５１】
以下、実施例１の発光素子組立体の製造方法、実施例１の部材組立体の製造方法を説明する。【００５２】
先ず、金属材料から成る第１接合部材４１が設けられた第１部材（具体的には、発光素子）２１、並びに、第１の部分４３及び第２の部分４４から構成され、合金材料から成る第２接合部材４２’が設けられた第２部材（具体的には、発光素子駆動部）３０を準備する（図３の模式的な一部断面図を参照）。【００５３】
そして、第２接合部材４２の第１の部分４３と第１接合部材４１とが接した状態で、第１部材２１と第２部材３０との間に、適切な手段（例えば、コレット）を用いて圧力を加える（図４Ａの模式的な一部断面図を参照）。【００５４】
次いで、第１接合部材４１及び第２接合部材４２を加熱し、第１の部分４３を溶融させて第１接合部材４１と接合し、第２の部分４４を第１部材２１と接触させる。具体的には、コレットを用いて、第１接合部材４１及び第２接合部材４２を（ＭＰ2−ΔＴ）゜Ｃに加熱する。ここで、ΔＴを、１０゜Ｃ乃至１００゜Ｃとすることが好ましい。すると、合金材料は金−スズ半田材料から成り、金属材料は金から成る（場合によっては、第２接合部材４２と対向する第１接合部材４１の表面（対向面）を含む第１接合部材４１の一部が金（Ａｕ）から成る）ので、即ち、合金材料は金属材料を構成する原子を含んでいるので、第１接合部材４１と接している第１の部分４３には、第１接合部材４１から、金属材料を構成する原子の拡散が生じる結果、第１の部分４３の融点が低下する。そして、最終的には、第１接合部材４１に隣接した第１の部分４３の領域と第１接合部材４１とは共晶に基づき接合される（図４Ｂ及び図１Ａ及び図１Ｂの模式的な一部断面図を参照）。前述したとおり、第１接合部材４１と共晶に基づき接合された第１の部分４３の最終的な組成は、金８０質量％、スズ２０質量％である。一方、第２の部分４４の組成は、金７０質量％、スズ３０質量％のままである。【００５５】
接合前の第１接合部材４１の高さ（図示しないパッド部を含む）を１．６５μｍとし、接合前の第２接合部材４２の高さ（図示しないパッド部を含む）を２．４０μｍとした。発光素子２１が１６個、配列されたマルチビームレーザチップ１２を準備した。そして、上述した発光素子組立体の製造方法に基づき発光素子組立体を製造した。１つの発光素子を接合した第１接合部材４１及び第２接合部材４２の分析を行った結果を図５Ａに示す。即ち、図５Ａには、第２の部分４４と第１部材２１との界面、及び、第１の部分４３と第１接合部材４１の界面が示されており、図５Ａの縦軸はこれらの高さ（単位：μｍ）であり、図５Ａの横軸は、Ｘ方向に沿った第２接合部材４２の位置を示す。また、１６個の発光素子２１を接合した後の第１接合部材４１の高さＨ1を測定した結果を、図５Ｂの「Ａ」に示す。参考のために、第２接合部材４２の第１の部分４３と第１接合部材４１とが接した状態で、第１部材２１と第２部材３０との間に圧力を加えない状態で得られた発光素子組立体における第１接合部材４１の高さを測定した結果を、図５Ｂの「Ｂ」に示す。尚、図５Ｂの横軸は１６個の発光素子の並びを示し、図５Ｂの縦軸は、１６個の発光素子２１を接合した後の第１接合部材４１の高さＨ1（単位：μｍ）を示す。また、図５Ｂにおける「Ｂ」に関して、図５Ｂの縦軸は、第１接合部材４１の第２の部分４４への侵入深さを示す。図５Ｂから、第１部材２１と第２部材３０との間に圧力を加えた状態で得られた発光素子組立体における第１接合部材４１の高さＨ1は、均一であり、しかも、第１接合部材４１の高さは接合前後で殆ど変化が無いことが判る。【００５６】
実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−１、変形例−２、変形例−３、変形例−４、変形例−５及び変形例−６の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図を、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂに示す。図２Ｂに示した例では、第１の部分４３と第２の部分４４とはＸ方向に並置されている。一方、図６Ａ、図６Ｂ及び図８Ａに示す変形例−１、変形例−２及び変形例−５では、第１の部分４３と第２の部分４４とはＹ方向に並置されている。また、図７Ａ及び図７Ｂに示す変形例−３及び変形例−４では、第２の部分４４は第１の部分４３及び第１接合部材４１の２つの側面と接しており、図８Ｂに示す変形例−６では、第２の部分４４は第１の部分４３及び第１接合部材４１の３つの側面と接している。【００５７】
上述したとおり、第２の部分の組成に変化はない。即ち、第２の部分の高さはＨ2のままである。従って、このような実施例１の発光素子組立体の製造方法、実施例１の部材組立体の製造方法によって得られたマルチビームレーザチップ組立体にあっては、発光素子組立体における発光素子と発光素子駆動部との間の間隔を第２の部分の高さＨ2によって規定することができる。従って、マルチビームレーザチップの製造時あるいは組立時、マルチビームレーザチップに反りが発生したとしても、マルチビームレーザチップ組立体においてマルチビームレーザチップにおける反りの矯正を図ることができる。即ち、簡素な構成、構造であるにも拘わらず、反りを抑制することができる発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体を提供することができる。【００５８】
しかも、金や金−スズ半田材料のような熱伝導性や通電性の高い材料から第１接合部材及び第２接合部材を構成するので、発光素子から発光素子駆動部への通電性及び発光素子に発生する熱を発光素子駆動部に放熱する際の熱伝導性が良いといった利点を有する。【００５９】
マルチビームレーザチップにおける発光素子（レーザ素子）の模式的な斜視図を図１２に示す。尚、図１Ａや図１Ｂと図１２とでは、発光素子の配置の上下関係が逆になっている。【００６０】
発光素子２１は、例えばＧａＮ基板から成る基板２２、基板２２の一方の面上に形成された積層構造体２３、ＧａＮから成るコンタクト層２３Ｄを備えている。積層構造体２３は、基板側から、例えばＡｌＧａＮから成る第１化合物半導体層２３Ａ、組成比が井戸層と障壁層とで異なるＧａＩｎＮから成る多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する発光層（活性層）２３Ｃ、及び、例えばＡｌＧａＮから成る第２化合物半導体層２３Ｂから構成されている。リッジ部（導光波路）２４が、第２化合物半導体層２３Ｂから突出するように形成されている。リッジ部２４は積層構造体２３（具体的には、第２化合物半導体層２３Ｂ）の一部であり、Ｘ方向における屈折率差を利用してＸ方向の光閉込めが行われ、また、積層構造体２３に注入される電流が狭窄される。発光層２３Ｃの内、リッジ部２４の一端面が発光領域２４Ａである。このように、発光素子（レーザ素子）２１は、Ｚ方向に長い帯状のリッジ部２４が、共振器方向（Ｚ方向）において前端面及び後端面によって挟み込まれた構造とされている。つまり、前述したとおり、発光素子（レーザ素子）２１は、端面発光型の半導体レーザである。【００６１】
発光素子２１の光出射部（前端面２４Ａ）は光が出射される面であり、光出射部には多層反射膜（図示せず）が形成されている。光出射部と対向する面（後端面）は光が反射され面であり、この面にも多層反射膜（図示せず）が形成されている。光出射部（前端面）における多層反射膜の光反射率は、例えば、１０％程度とされる。光出射部と対向する面（後端面）における多層反射膜の反射率は、例えば、９５％程度とされる。【００６２】
基板２２の他方の面には第１電極２６が形成されている。第１電極２６は、複数の発光素子２１で共有（共通化）されている。リッジ部２４の表面（コンタクト層２３Ｄの表面）には、リッジ部２４の全体を覆うように第２電極２７が形成されており、第２電極２７はコンタクト層２３Ｄと接している。尚、コンタクト層２３Ｄを除いた積層構造体２３の上には絶縁層２５が形成されている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＺｒＯ2等から成る。【００６３】
そして、このように、第１接合部材４１及び第２接合部材４２の接合部分が発光領域２４Ａから離れて位置するので、積層構造体２３の内部に応力が生成し難く、このような応力に起因した発光特性の劣化を抑制することができる。
【実施例２】
【００６４】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図を図９に示し、実施例２の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体の変形例−１の模式的な一部断面図を図１０Ａに示し、実施例２の変形例−１の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図を図１０Ｂに示し、更に、実施例２の変形例−２の構成要素の配置状態を模式的に示す部分的配置図を図１１に示す。ここで、図１０Ａは、図１０Ｂの矢印Ａ−Ａに沿った模式的な一部断面図である。【００６５】
実施例２の本開示の発光素子組立体において、第２の部分４６は第１の部分４５と離間して配置されている。即ち、第２の部分４６の側面は第１の部分４５の側面と接していない。図９に示す例では、第１の部分４５と第２の部分４６とは、Ｙ方向において、離間して配置されている。図１０Ａ、図１０Ｂに示す例では、第１の部分４５と第２の部分４６とは、Ｘ方向において、離間して配置されている。図１１に示す例では、第１の部分４５と第２の部分４７とは、Ｙ方向において、離間して配置されている。ここで、図９、図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１１に示す例において、第２の部分４６は、発光素子延在部２１’と発光素子駆動部３０との間に、発光素子駆動部３０に設けられており、且つ、発光素子延在部２１’と接して配されている。図１１に示した例では、ｍ番目の発光素子の光出射部と（ｍ＋１）番目［但し、ｍ＝１，２，３・・・（２Ｎ−１）］の発光素子の光出射部との間に、第１接合部材４１及び第２接合部材４２が配置されている。これらの場合において、接合する前の第２の部分４６と第１の部分４５を構成する材料は、実施例１と同様に、金７０質量％、スズ３０質量％のＡｕ−Ｓｎ半田材料である。但し、これに限定するものではなく、接合する前の第１の部分４５と第２の部分４６とは、異なる材料あるいは異なる組成から構成されていてもよい。【００６６】
以上の点を除き、実施例２の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体は、実施例１の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び部材組立体と同様の構成、構造とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例３】
【００６７】
実施例３は本開示の光造形装置に関する。実施例３の光造形装置１００の概念的な側面図を図１３に示し、光造形装置１００を示す電気的なブロック図を図１４に示す。【００６８】
実施例３の光造形装置１００は、
実施例１〜実施例２において説明したマルチビームレーザチップ組立体１１、及び、
マルチビームレーザチップ組立体１１から出射された光を集光する集光部材１２２、
を備えており、
マルチビームレーザチップ組立体１１は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、
各発光素子組立体は、実施例１〜実施例２において説明した発光素子組立体２０から成る。【００６９】
具体的には、実施例３の光造形装置１００は、
液状の光硬化性樹脂１０１を収容する樹脂槽１０３、
光硬化性樹脂１０１に浸漬され、造形物１０２を支持するステージ１０４、
ステージ１０４を昇降させるステージ昇降機構１１２（図１４参照）
光硬化性樹脂１０１に光を照射する光源ユニット１２０、
光硬化性樹脂１０１の表面を平坦化するブレード１０５、
光源ユニット１２０及びブレード１０５を水平方向（ＸＹ方向）に沿って移動させる光源移動機構１１３（図１４参照）、
光源ユニット１２０に取り付けられた冷却機構１３０、
冷却機構１３０内において水を循環させる循環ポンプ１３４（図１４参照）
光源ユニット１２０から出射される光を検出する光検出部１４０、
光造形装置１００の各部を統括的に制御する制御部１１１（図１４参照）、及び、
制御部１１１の処理に必要な各種のプログラムやデータを記憶する記憶部１１４（図１４参照）、
を備えている。【００７０】
樹脂槽１０３は、上方が開放された容器であり、内部に液状の光硬化性樹脂１０１を収容可能である。光硬化性樹脂１０１として、例えば、エポキシ系、ウレタン系等の紫外線硬化性樹脂が用いられるが、可視光等の他の波長領域の光によって硬化される樹脂であってもよく、光硬化性樹脂１０１の材料は特に限定されない。【００７１】
ステージ１０４は、平板状の部材であり、光源ユニット１２０から照射された光によって硬化されて形成された造形物１０２を下方から支持する。ステージ昇降機構１１２は、上下方向（Ｚ方向）にステージ１０４を移動可能である。造形物１０２が形成されるとき、ステージ昇降機構１１２は、造形物１０２が１層分形成される毎に、ステージ１０４を下方に所定の距離だけ移動させる。ステージ１０４を下方に移動させる距離は、造形物１０２における１層分の厚さＴ0に等しく、また、光源ユニット１２０の光硬化性樹脂１０１に対する露光深さＤ0に等しい。１層分の厚さＴ0及び露光深さＤ0を２０μｍとしたが、これに限定するものではなく、１層分の厚さＴ0及び露光深さＤ0として、例えば、数十μｍ乃至数百μｍの間の範囲内で、適宜、選択することができる。【００７２】
光源ユニット１２０は、光源移動機構１１３により走査方向（Ｙ方向）に移動されながら、光硬化性樹脂１０１の表面（ブレード１０５により平坦化された後の表面）に光を照射することによって、光硬化性樹脂１０１を１層ずつ露光（硬化）させる。光源ユニット１２０は、Ｘ方向に沿って並べられた複数の発光素子（レーザ素子）２１（図１２参照）を有しており、これらの発光素子２１から出射された光によって、光硬化性樹脂１０１はドット状に露光され、硬化される。【００７３】
光源ユニット１２０の下端面（収束性ロッドレンズ１２２の下端面）と、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）との間の距離Ｌ0は、例えば、２ｍｍに設定されている。但し、距離Ｌ0は、適宜、変更可能である。光源ユニット１２０の高さは、光源ユニット１２０から出射される光の焦点位置が、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）又は表面から数μｍ乃至数十μｍの位置となるように、調整されている。光源ユニット１２０の詳細な構成については後述する。【００７４】
ブレード１０５は、光源ユニット１２０の進行方向の前方側（図１３において左側）に配置されており、光源移動機構１１３によって、光源ユニット１２０と一体的に移動可能とされている。ブレード１０５と光源ユニット１２０との間の距離は、例えば、３０ｍｍとされているが、この距離は、適宜、変更可能である。ブレード１０５は、平板状の部材であり、その下面において光硬化性樹脂１０１の表面に接触しつつ、光源移動機構１１３によって移動されて、光硬化性樹脂１０１の表面を平坦化する。【００７５】
光源移動機構１１３は、光源ユニット１２０及びブレード１０５をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の３軸方向に移動可能である。造形物１０２が形成されるとき、光源移動機構１１３は、光源ユニット１２０及びブレード１０５をＹ方向において樹脂槽１０３の一端側（露光開始位置：図１３において右側）に位置させた後、光源ユニット１２０及びブレード１０５を走査方向（Ｙ方向）へ移動させる。また、光源移動機構１１３は、走査方向（Ｙ方向）において樹脂槽１０３の他端側（左側）に移動した光源ユニット１２０及びブレード１０５を、光硬化性樹脂１０１の表面に接触しないよう、Ｚ方向（上方）に移動させた後、再び、樹脂槽１０３の一端側（右側）へと移動させて元の位置へ戻す。尚、光源移動機構１１３は、造形物１０２の幅（Ｘ方向）が大きく、光源ユニット１２０が光硬化性樹脂１０１を硬化させることができる幅を超える場合には、Ｘ方向に光源ユニット１２０及びブレード１０５を移動させる。光源移動機構１１３は、水平方向において、Ｘ方向及びＹ方向の２軸方向に光源ユニット１２０及びブレード１０５を移動可能に構成されていてもよいし、水平方向において、Ｙ方向の１軸方向にのみ光源ユニット１２０及びブレード１０５を移動可能に構成されていてもよい。【００７６】
冷却機構１３０は、光源ユニット１２０の側面に取り付けられており、光源ユニット１２０で発生した熱を受け取ることによって光源ユニット１２０を冷却する。冷却機構１３０は、内部に水を収容可能な筐体１３１と、筐体１３１に接続された２本のチューブ１３２を有している。２本のチューブ１３２の内、１本のチューブ１３２は給水用のチューブであり、他の１本のチューブ１３２は排水用のチューブである。循環ポンプ１３４は冷却機構１３０における水の循環経路内に配置されており、冷却機構１３０によって水を循環させる。【００７７】
図１５は、光検出部１４０を示す斜視図である。光検出部１４０は、光源ユニット１２０の光の出射方向の前方側（図１３において下側）に配置され、光源ユニット１２０から出射された光を検出する。光検出部１４０は、樹脂槽１０３の外面に取り付けられた支持台１４４上に配置されている。光検出部１４０が設けられる位置は、光源ユニット１２０における移動範囲内（ＸＹ方向）であれば、どのような位置であってもよい。【００７８】
光検出部１４０は、光源ユニット１２０と光検出部１４０との間の距離Ｌが異なる状態で光を検出可能に構成されている。具体的には、光検出部１４０は、第１の光検出部１４１と、第１の光検出部１４１とは距離が異なるように配置された第２の光検出部１４２とを有している。即ち、光源ユニット１２０と第１の光検出部１４１との間の距離はＬ1であり、光源ユニット１２０と第２の光検出部１４２との間の距離はＬ2（＞Ｌ1）である。光検出部１４０の数が２つである場合について説明するが、光検出部１４０の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。【００７９】
第１の光検出部１４１及び第２の光検出部１４２は、それぞれ、Ｘ方向（発光素子２１の並び方向）に長い複数のラインセンサ１４３を含む。ラインセンサ１４３は、Ｘ方向に沿って並べられた複数の受光素子を含む。１つのラインセンサ１４３に含まれる受光素子の数は５４００個とされている。また、互いに隣接する受光素子の間の間隔は４μｍとされており、分解能は４μｍである。ここで、ラインセンサ１４３の分解能が４μｍという高い値に設定されているのは、光検出部１４０において狭ピッチの発光素子２１の光量の分布を正確に検出するためである。但し、受光素子の数、受光素子の間隔については、これらの値に限られず、適宜、変更可能である。【００８０】
複数のラインセンサ１４３は、千鳥状に並べられ、且つ、直線状に配置されている。ここで、複数のラインセンサ１４３が千鳥状に配置されている理由について説明する。即ち、１つのウェハから取り出すことができるラインセンサ１４３の長さが、目的とする長さに足りない場合、複数のラインセンサ１４３を直線状に並べる必要がある。一方、上述したように、隣接する受光素子の間の間隔は４μｍという小さい値に設定されている。また、互いに隣接するラインセンサ１４３において、一方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子と、他方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子との間隔も４μｍとする必要がある。しかしながら、複数のラインセンサ１４３が単純に直線状に並べられた場合、一方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子と、他方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子との間隔を４μｍとすることができない。そのため、複数のラインセンサ１４３を千鳥状に並べることによって、一方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子と、他方のラインセンサ１４３の最端部に配置された受光素子との間の間隔を４μｍとしている。【００８１】
第１の光検出部１４１は、結像面の高さが、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）の高さと一致するように、その高さが設定されている。即ち、光源ユニット１２０の下端面から第１の光検出部１４１の結像面までの距離Ｌ1は、光源ユニット１２０の下端面から光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）までの距離Ｌ0と等しい（Ｌ1＝Ｌ0）。【００８２】
一方、第２の光検出部１４２は、結像面の高さが、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）よりも露光深さＤ0分、下の位置となるように、その高さが設定されている。即ち、光源ユニット１２０の下端面から第２の光検出部１４２の結像面までの距離Ｌ2は、光源ユニット１２０の下端面から光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）までの距離Ｌ0に露光深さＤ0を加算した値に等しい（Ｌ2＝Ｌ0＋Ｄ0）。尚、第１の光検出部１４１及び第２の光検出部１４２の結像面の位置は、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）と、表面（平坦化後）から露光深さＤ0分、下がった位置との間の範囲内であれば、適宜変更可能である。つまり、第１の光検出部１４１及び第２の光検出部１４２の結像面の位置は、距離Ｌ0、距離（Ｌ1、Ｌ2）、露光深さＤ0を用いて、
Ｌ0≦Ｌ1＜Ｌ2≦Ｌ0＋Ｄ0
という条件を満たすように、その位置が設定されている。【００８３】
制御部１１１（図１４参照）は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を備えており、光造形装置１００の各部を統括的に制御する。例えば、制御部１１１は、造形データ（３次元ＣＡＤ（Computer Aided Design）データ）に基づいて、造形物１０２を形成する処理を実行する。【００８４】
記憶部１１４は、制御部１１１の処理に必要な各種のプログラムやデータが記憶されている不揮発性のメモリと、制御部１１１の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。プログラムは、光ディスクや半導体メモリ等の可搬性のメモリから読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。【００８５】
次に、光源ユニット１２０の構成について具体的に説明する。図１６は、光源ユニット１２０を示す分解斜視図である。光源ユニット１２０全体のサイズを、幅（Ｘ方向）４２０ｍｍ、奥行き（Ｙ方向）３０ｍｍ、高さ（Ｚ方向）５０ｍｍとしたが、これらの値に限定するものではない。【００８６】
図１６に示すように、光源ユニット１２０は、光源ユニット１２０の各種構成部品を内部に収容する筐体１２１と、発光モジュール１５０と、発光モジュール１５０の光出射側に配置された集光部材（収束性ロッドレンズ）１２２と、コネクタ１２３と、コネクタ１２３が取り付けられたガラスエポキシ基板１２４と、発光モジュール１５０及びガラスエポキシ基板１２４が載置された伝熱板１２５とを備えている。【００８７】
筐体１２１は、Ｘ方向（発光素子２１の並び方向）に長い直方体形状を有しており、第１の基体１２６及び第２の基体１２７を含む。筐体１２１は、各種の金属材料（例えば、ステンレス鋼）から形成されている。但し、筐体１２１に用いられる材料は、一定以上の強度及び熱伝導率を有する材料であれば、どのような材料であってもよい。第１の基体１２６と第２の基体１２７とは螺子止め等によって固定されており、一体化されて筐体１２１を構成している。第１の基体１２６には、収束性ロッドレンズ１２２を嵌め込むための溝部１２６ａや、コネクタ１２３を嵌め込むための溝部（図示せず）等が設けられている。また、第２の基体１２７には、収束性ロッドレンズ１２２を嵌め込むための溝部１２７ａや、発光モジュール１５０と収束性ロッドレンズ１２２との間に形成された溝部１２７ｂ等が設けられている。第２の基体１２７において、伝熱板１２５が配置された位置に対応する外面の位置には、Ｏリング１３３を介して冷却機構１３０が螺子止め等によって固定されている。【００８８】
集光部材（収束性ロッドレンズ）１２２は、発光モジュール１５０の各発光素子２１から出射された光を集光させて、光硬化性樹脂１０１の表面（平坦化後）に結像させる。収束性ロッドレンズ１２２は、第１の基体１２６の溝部１２６ａ及び第２の基体１２７の溝部１２７ａによって形成される筐体１２１の開口部に嵌め込まれて固定されている。収束性ロッドレンズ１２２は、Ｚ方向に長い円柱状の複数のレンズ部（ロッドレンズ部）１２２ａがＸ方向及びＹ方向に並べて構成されている。収束性ロッドレンズ１２２として、日本板硝子社製のセルフォックレンズアレイ（セルフォック：登録商標）を用いた。収束性ロッドレンズ１２２の下端面からの焦点距離は約２ｍｍである。【００８９】
伝熱板１２５は、各種の金属材料（例えば、銅）によって形成されている。尚、伝熱板１２５に用いられる材料は、一定以上の強度及び熱伝導率を有する材料であれば、どのような材料であってもよい。伝熱板１２５には発光モジュール１５０及びガラスエポキシ基板１２４が載置され、これらを載置した伝熱板１２５が、熱伝導率が高い接着剤（例えば、紫外線硬化型の銀ペースト）を介して第２の基体１２７上に仮止めされ、更に、伝熱板１２５と第２の基体１２７とは、第２の基体１２７側から螺子止めによって固定されている。また、伝熱板１２５と第２の基体１２７との螺子止めは、発光モジュール１５０の領域でなく、ガラスエポキシ基板１２４の領域において行われている。尚、このように、伝熱板１２５と第２の基体１２７との螺子止めが、発光モジュール１５０の領域でなく、ガラスエポキシ基板１２４の領域において行われているのは、発光モジュール１５０における発光素子２１間の間隔の精度に影響を与えないようにするためである。【００９０】
コネクタ１２３はガラスエポキシ基板１２４と電気的に接続されており、コネクタ１２３には、光源ユニット１２０を駆動するための電力や各種の信号が入力される。ガラスエポキシ基板１２４と発光モジュール１５０（具体的には、ドライバＩＣ１５１）とは、ワイヤボンディングにより結線されている。【００９１】
第１の基体１２６と第２の基体１２７との間の隙間、筐体１２１と収束性ロッドレンズ１２２との間の隙間、及び、筐体１２１とコネクタ１２３との間の隙間は、光硬化性樹脂１０１の揮発物の侵入を防ぐために、接着剤によって密閉されている。【００９２】
以下、光源ユニット１２０の組み立て工程について簡単に説明する。【００９３】
先ず、発光モジュール１５０と、コネクタ１２３が取り付けられたガラスエポキシ基板１２４とを、伝熱板１２５上に実装する。次に、発光モジュール１５０（ドライバＩＣ１５１）とガラスエポキシ基板１２４とをワイヤボンディングにより結線する。【００９４】
次に、発光モジュール１５０及びガラスエポキシ基板１２４が実装された伝熱板１２５を、熱伝導率が高い接着剤（図示せず）を介して第２の基体１２７上に仮止めし、更に、螺子止めによって固定する。螺子止めを、発光モジュール１５０の領域でなく、ガラスエポキシ基板１２４の領域において行う。【００９５】
次に、第１の基体１２６と第２の基体１２７とを螺子止めによって固定する。そして、第１の基体１２６の溝部１２６ａ及び第２の基体１２７の溝部１２７ａによって形成される筐体１２１の開口部に、収束性ロッドレンズ１２２を固定する。この固定においては、結像位置の精度を向上させるために、収束性ロッドレンズ１２２の発光モジュール１５０に対する位置が調整された上で、収束性ロッドレンズ１２２を紫外線硬化接着剤によって筐体１２１に仮止めする。【００９６】
次に、第１の基体１２６と第２の基体１２７との間の隙間、筐体１２１と収束性ロッドレンズ１２２との間の隙間、並びに、筐体１２１とコネクタ１２３との間の隙間を、接着剤によって密閉する。最後に、冷却機構１３０を筐体１２１（第２の基体１２７）に螺子止めする。【００９７】
以下、発光モジュール１５０の構成について具体的に説明する。図１７は、光源ユニット１２０における発光モジュール１５０を示す斜視図であり、図１８は、発光モジュール１５０の一部を示す拡大斜視図である。【００９８】
これらの図に示すように、発光モジュール１５０は、複数のドライバＩＣ１５１（マウント部材）と、ドライバＩＣ１５１上に実装された複数の発光素子駆動部３０（サブマウント（サブマウント部材）１６０）と、サブマウント１６０上に実装されたマルチビームレーザチップ１２（マルチ発光体）とを有している。尚、図１８では、ドライバＩＣ１５１が１つしか描かれていないが、図１７に示すように、発光モジュール１５０は、ドライバＩＣ１５１がＸ方向に沿って複数個並べられて構成されている。具体的には、ドライバＩＣ１５１の数が１６個とされているが、発光モジュール１５０に含まれるドライバＩＣ１５１の数については特に限定されず、適宜、変更可能である。ドライバＩＣ１５１のサイズは、例えば、幅（Ｘ方向）が２０．４７ｍｍ、奥行き（Ｚ方向）が５ｍｍ、高さ（Ｙ方向）が０．０９ｍｍである。発光モジュール１５０における全体の幅（Ｘ方向）は、例えば、約３３０ｍｍであるし、発光モジュール１５０を搭載する伝熱板１２５のサイズは、例えば、幅（Ｘ方向）が３５０ｍｍ、奥行き（Ｚ方向）が３０ｍｍ、高さ（Ｙ方向）が３ｍｍである。【００９９】
マルチビームレーザチップ１２にあっては、第１番目の発光素子２１の光出射部よりも外側の領域、及び、第２Ｎ番目の発光素子２１よりも外側の領域には、第１接合部材４１及び第２接合部材４２を配置せず、第１番目の発光素子２１の光出射部と第２番目の発光素子２１の光出射部との間に第１接合部材４１及び第２接合部材４２を配置し、第（２Ｎ−１）番目の発光素子２１の光出射部と第２Ｎ番目の発光素子２１の光出射部との間に第１接合部材４１及び第２接合部材４２を配置する。【０１００】
このような配置とすることで、互いに隣接する２つのマルチビームレーザチップ１２の内、一方のマルチビームレーザチップの端部に位置する発光素子２１と、他方のマルチビームレーザチップの端部に位置する発光素子２１との間隔を、同じマルチビームレーザチップ内の発光素子２１の間隔と等しくすることができる。従って、互いに隣接する２つのマルチビームレーザチップにおける発光素子の間隔が、マルチビームレーザチップ内における発光素子の間隔と異なる場合に比べて、造形物を正確に形成することができる。特に、発光素子の間隔が１００μｍ以下とされるような狭い間隔とされても、互いに隣接する２つのマルチビームレーザチップにおける発光素子２１の間隔を、マルチビームレーザチップ内の発光素子の間隔（２０μｍ）と等しくすることができる。【０１０１】
ドライバＩＣ１５１は、例えばシリコン基板から構成されている。また、ドライバＩＣ１５１は、頂面上に、複数の入力用電極パッド１５２及び複数の出力用電極パッド１５３を有している。入力用電極パッド１５２は、ガラスエポキシ基板１２４にワイヤボンディングにより結線されている。一方、出力用電極パッド１５３は、サブマウント１６０に設けられた入力用電極パッド１６２にワイヤボンディングにより結線されている。【０１０２】
ドライバＩＣ１５１は、自身に搭載された複数のサブマウント１６０上のマルチビームレーザチップ１２が有する各発光素子（レーザ素子）２１を駆動するための駆動回路を内部に有している。駆動回路に、制御部１１１から、各発光素子２１を駆動するための発光タイミング及び発光時間を制御するための信号が入力される。駆動回路は、この信号に基づいて、サブマウント１６０におけるスイッチング回路を介して、各発光素子２１を発光させる。発光素子２１における１回の発光時間は１μ秒とされ、単位時間当たりの発光回数を調整することによって、積算光量が調整される。【０１０３】
尚、１６個のドライバＩＣ１５１は、発光の制御を担当する発光素子２１がそれぞれ異なるため、１６個のドライバＩＣ１５１に、それぞれ異なる信号が制御部１１１から入力される。【０１０４】
発光素子駆動部３０（サブマウント１６０）は、１つのドライバＩＣ１５１に、Ｘ方向（発光素子２１の並び方向）に沿って３２個実装されている。尚、１つのドライバＩＣ１５１に実装されるサブマウント１６０の数については、特に限定されず、適宜、変更可能である。サブマウント１６０は、図示しない熱伝導率が高い接着剤（例えば、紫外線硬化型の銀ペースト）を介してドライバＩＣ１５１上に固定されている。サブマウント１６０のサイズは、例えば、幅（Ｘ方向）が６３０μｍ、奥行き（Ｚ方向）が１０００μｍ、高さ（Ｙ方向）が９０μｍである。サブマウント１６０は、例えばシリコン基板から構成されている。サブマウント１６０は、頂面上に複数の接合パッド（図示せず）と、複数の入力用電極パッド１６２と、１つの共通電極用パッド１６３とを有している。また、サブマウント１６０は、頂面上に、複数のアライメントマーク１６４を有している。【０１０５】
図示しない接合パッドは、１０μｍの厚さのＡｕメッキ層によって構成されている。この接合パッドは、マルチビームレーザチップ１２における第２電極２７と電気的に接続されている。接合パッドの位置及び形状は、マルチビームレーザチップ１２における第２電極２７の位置及び形状と同じ位置及び形状とされている。複数の入力用電極パッド１６２は、ドライバＩＣ１５１における出力用電極パッド１５３とワイヤボンディングによって結線されている。入力用電極パッド１６２の数は、４つとされており、入力用電極パッドのサイズは９０μｍ×９０μｍとされている。４つの入力用電極パッド１６２は、例えば、電源用、ＧＮＤ用、第１の切替パルス入力用、及び、第２の切替パルス入力用として使用される。共通電極用パッド１６３は、マルチビームレーザチップ１２において共有（共通化）された第１電極２６とワイヤボンディングによって結線されている。共通電極用パッド１６３のサイズは９０μｍ×９０μｍとされている。【０１０６】
サブマウント１６０は、自身に搭載されたマルチビームレーザチップ１２が有する各発光素子２１を個別に切り替えて発光させるためのスイッチング回路を内部に有している。具体的には、スイッチング回路は、入力用電極パッド１６２を介してドライバＩＣ１５１（駆動回路）から入力された切替パルスに応じて、マルチビームレーザチップ１２における複数の発光素子２１を切り替えて発光させる。【０１０７】
アライメントマーク１６４は、マルチビームレーザチップ１２がサブマウント１６０上に実装されるときに使用され、また、マルチビームレーザチップ１２を実装したサブマウント１６０がドライバＩＣ１５１上に実装されるときに使用される。【０１０８】
マルチビームレーザチップ１２は、１つのサブマウント１６０に１つ実装されている。尚、１つのサブマウント１６０に実装されるマルチビームレーザチップ１２の数は、複数であってもよい。マルチビームレーザチップ１２のサイズは、例えば、幅（Ｘ方向）が６３０μｍ（サブマウント１６０の幅と同じ）、奥行き（Ｚ方向）が２８０μｍ、高さ（Ｙ方向）が９０μｍである。【０１０９】
マルチビームレーザチップ１２は、Ｚ方向に長い形状を有する複数の発光素子（レーザ素子）２１を有している。複数の発光素子２１は、Ｘ方向に所定の間隔を開けて並べて配置されており、Ｚ方向に向けて光を出射する。発光素子（レーザ素子）２１の発振波長は４０５ｎｍである。マルチビームレーザチップ１２は、複数の発光素子２１において共有（共通化）された第１電極２６及びアライメントマーク１３をその頂面上に有しているし、複数の発光素子２１のそれぞれに個別に電力を供給するための複数の第２電極２７をその下面上に有している。【０１１０】
１つのマルチビームレーザチップ１２に含まれる発光素子２１の数は３２個とされているが、この数については、適宜、変更可能である。また、互いに隣接する２つの発光素子２１の間隔（リッジ部２４の間隔）は２０μｍであるが、発光素子２１の間隔についても、適宜、変更可能である。但し、発光素子２１の間隔は、典型的には、１００μｍ以下とされる。【０１１１】
ここで、発光モジュール１５０において、ドライバＩＣ１５１の数を１６個、１つのドライバＩＣ１５１に実装されるサブマウント１６０の数を３２個、１つのサブマウント１６０に対応する発光素子２１の数を３２個とされている。従って、発光モジュール１５０は、合計で１６３８４個（＝１６×３２×３２）の発光素子（レーザ素子）２１を含む。【０１１２】
第１電極２６は、マルチビームレーザチップ１２の頂面において全体に亙って形成されており、サブマウント１６０における共通電極用パッド１６３とワイヤボンディングによって結線されている。第１電極２６は、例えば、Ａｕ及びＧｅの合金、Ｎｉ、Ａｕ等が積層されて成る。アライメントマーク１３は、マルチビームレーザチップ１２がサブマウント１６０上に実装されるときに使用され、また、マルチビームレーザチップ１２を実装したサブマウント１６０がドライバＩＣ１５１上に実装されるときに使用される。【０１１３】
ここで、互いに隣接する２つの発光素子２１のそれぞれに電力を供給する２つの第２電極２７は、互いに隣接する２つの発光素子２１の間の領域（マルチビームレーザチップ１２の下面における領域）に配置されている。【０１１４】
換言すると、互いに隣接する２つの発光素子２１の間の領域が、互いに隣接する２つの発光素子２１のそれぞれに電力を供給する２つの第２電極２７を配置する１つの領域として使用されている。【０１１５】
第２電極２７は、電極本体と、電極本体上に形成されたメッキ部とを含む。電極本体は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ等が積層されて構成されている。電極本体は、発光素子２１を覆うように形成された被覆部と、被覆部から引き出されたベース部とを含む。ベース部は、互いに隣接する２つの発光素子２１の間の領域のサイズに対して、半分程度のサイズとされている。また、この領域に配置される２つのベース部は、一方が前方側（Ｚ方向）に配置され、他方が後方側（Ｚ方向）に配置されている。尚、第２電極２７は、実際には、図１２で描かれているものよりも、Ｚ方向に長い形状を有している。【０１１６】
メッキ部は、２μｍの厚さのＡｕメッキによって構成されている。このＡｕで構成されたメッキ部が、サブマウント１６０における接合パッド（Ａｕから成る）にＡｕ−Ａｕ超音波接合されることによって、マルチビームレーザチップ１２が、サブマウント１６０にフリップチップ実装されている。尚、接合方法については、これに限らず、Ａｕ−Ｓｎ接合やＣｕ−Ｃｕ接合等であってもよい。【０１１７】
ところで、各発光素子（レーザ素子）２１から出射された光は、集光部材（収束性ロッドレンズ）１２２によって収束されて、Ｘ方向でそれぞれ異なる結像位置に結像される。光造形においては、１つの発光素子２１によって１ドット分の領域を露光するが、この１ドット分の領域においては、結像中心が最も光が強く、結像中心から離れるほど光が弱くなる。一方、光造形においては、互いに隣接する２つの発光素子２１によって硬化された２つのドットは、適切に繋がっている必要がある。つまり、互いに隣接する発光素子２１の間隔があまり離れすぎていると、それぞれの発光素子２１の結像中心が離れてしまい、２つのドットを適切に繋げることができない。そのため、前述したとおり、ＰC≧０．５×ＰAの関係を満たすように、互いに隣接する発光素子２１の間隔を設定することが好ましい。尚、ＰCとＰAの関係については、光硬化性樹脂１０１の露光感度等により変わるため、この関係式に限らず、隣接するドットが適切に繋がればよい。【０１１８】
以上、本開示の発光素子組立体、マルチビームレーザチップ組立体及び光造形装置、並びに、部材組立体及びその製造方法を実施例に基づき説明したが、これらは実施例に限定されるものではない。第１接合部材４１を発光素子２１に配し、第２接合部材４２を発光素子駆動部３０に配する代わりに、第１接合部材４１を発光素子駆動部３０に配し、発光素子２１を第２接合部材４２に配してもよい。発光素子は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等、他の発光素子であってもよい。【０１１９】
発光素子の配列として、ｍ番目の発光素子の光出射部と（ｍ＋１）番目［但し、ｍ＝１，２，３・・・（２Ｎ−１）］の発光素子の光出射部との間に第１接合部材及び第２接合部材を配置し、しかも、所望のｍ’番目の発光素子の光出射部と（ｍ’＋１）番目［但し、ｍ’は２乃至（２Ｎ−１）の内のいずれかの整数］の発光素子の間には第１接合部材及び第２接合部材を配置しない形態とすることもできる。【０１２０】
また、マルチビームレーザチップ１２がサブマウント１６０の上側ではなく下側に配置されていてもよいし、サブマウント１６０がワイヤボンディングではなくフリップチップ実装によってドライバＩＣ１５１上に実装されていてもよい。【０１２１】
実施例にあっては、発光モジュール１５０が、光造形装置１００に適用される場合について説明したが、レーザプリンタ、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置に適用可能である。【０１２２】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子組立体》
発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている発光素子組立体。
［Ａ０２］第２の部分は第１の部分に並置されている［Ａ０１］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０３］第２の部分は第１の部分と離間して配置されている［Ａ０１］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０４］第１の部分の高さをＨ1、第２の部分の高さをＨ2としたとき、Ｈ1＜Ｈ2を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０５］合金材料は、金属材料を構成する原子を含んでいる［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０６］第１の部分と、金属材料から成る接合部材とは、金属材料を構成する原子の拡散を伴う共晶に基づき接合されている［Ａ０５］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０７］合金材料は金−スズ半田材料から成り、金属材料は金から成る［Ａ０５］又は［Ａ０６］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０８］金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の融点は、第２の部分を構成する合金材料の融点よりも低い［Ａ０５］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０９］金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料の組成は、第２の部分を構成する合金材料の組成と異なる［Ａ０８］に記載の発光素子組立体。
［Ａ１０］金−スズ半田材料から成り、金属材料から成る接合部材に隣接した第１の部分の領域を構成する合金材料のスズ含有率は、１８質量％乃至２９質量％であり、
金−スズ半田材料から成る第２の部分を構成する合金材料のスズ含有率は、１８質量％未満又は２９質量％を超える［Ａ０６］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ１１］発光素子は、端面から光を出射するレーザ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０１］《マルチビームレーザチップ組立体》
複数の発光素子組立体が並置されたマルチビームレーザチップ組立体であって、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されているマルチビームレーザチップ組立体。
［Ｂ０２］第１接合部材及び第２接合部材は、ｎを１以上、Ｎ以下の整数としたとき、（２ｎ−１）番目の発光素子の光出射部と２ｎ番目の発光素子の光出射部との間に配置されており、２ｎ番目の発光素子の光出射部と（２ｎ＋１）番目の発光素子の光出射部との間には配置されていない［Ｂ０１］に記載のマルチビームレーザチップ組立体。
［Ｂ０３］発光素子の光出射部の間隔は、１０μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０４］発光素子駆動部はサブマウントから成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０５］発光素子駆動部は、発光素子駆動回路が設けられた半導体基板から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０６］発光素子は、［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｃ０１］《光造形装置》
マルチビームレーザチップ組立体、及び、
マルチビームレーザチップ組立体から出射された光を集光する集光部材、
を備えており、
マルチビームレーザチップ組立体は、複数の発光素子組立体が並置されて成り、
各発光素子組立体は、
レーザ素子から成る発光素子、
発光素子駆動部、
発光素子に設けられた電極に接続された第１接合部材、及び、
発光素子駆動部に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材及び第２接合部材のいずれか一方は合金材料から成り、
第１接合部材及び第２接合部材の他方は金属材料から成り、
合金材料から成る接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
金属材料から成る接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、発光素子と発光素子駆動部との間に、発光素子及び発光素子駆動部の一方に設けられており、且つ、発光素子及び発光素子駆動部の他方と接して配されている光造形装置。
［Ｃ０２］集光部材は、収束性ロッドレンズから成る［Ｃ０１］に記載の光造形装置。
［Ｃ０３］発光素子は、［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子から成る［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］のいずれか１項に記載の光造形装置。
［Ｃ０４］《部材組立体》
第１部材、
第２部材、
第１部材に設けられた第１接合部材、及び、
第２部材に設けられた第２接合部材、
を備えており、
第１接合部材は金属材料から成り、
第２接合部材は合金材料から成り、
第２接合部材は、第１の部分及び第２の部分から構成されており、
第１接合部材と第１の部分とは、接合されており、
第２の部分は、第１部材と第２部材との間に、第１部材と接して配置されている部材組立体。
［Ｃ０５］《部材組立体の製造方法》
金属材料から成る第１接合部材が設けられた第１部材、並びに、第１の部分及び第２の部分から構成され、合金材料から成る第２接合部材が設けられた第２部材を準備し、
第２接合部材の第１の部分と第１接合部材とが接した状態で、第１部材と第２部材との間に圧力を加えながら、第１接合部材及び第２接合部材を加熱し、第１の部分を溶融させて第１接合部材と接合し、第２の部分を第１部材と接触させる部材組立体の製造方法。
【符号の説明】
【０１２３】
１１・・・マルチビームレーザチップ組立体、１２・・・マルチビームレーザチップ、１３・・・アライメントマーク、２０・・・発光素子組立体、２１・・・発光素子（第１部材）、２１’・・・発光素子延在部、２２・・・基板、２３・・・積層構造体、２３Ａ・・・第１化合物半導体層、２３Ｂ・・・第２化合物半導体層、２３Ｃ・・・発光層（活性層）、２３Ｄ・・・コンタクト層、２４・・・リッジ部（導光波路）、２４Ａ・・・発光領域、２５・・・絶縁層、２６・・・第１電極、２７・・・第２電極、３０・・・発光素子駆動部（第２部材）、４１・・・第１接合部材、４２・・・第２接合部材、４２’・・・接合前の第２接合部材、４３，４５・・・第１の部分、４４，４６，４７・・・第２の部分、１００・・・光造形装置、１０１・・・光硬化性樹脂、１０２・・・造形物、１０３・・・樹脂槽、１０４・・・ステージ、１０５・・・ブレード、１１１・・・制御部、１１２・・・ステージ昇降機構、１１３・・・光源移動機構、１１４・・・記憶部、１２０・・・光源ユニット、１２１・・・筐体、１２２・・・集光部材（ロッドレンズ）、１２２ａ・・・レンズ部（ロッドレンズ部）、１２３・・・コネクタ、１２４・・・ガラスエポキシ基板、１２５・・・伝熱板、１２６・・・第１の基体、１２７・・・第２の基体、１２６ａ，１２７ａ，１２７ｂ・・・溝部、１３０・・・冷却機構、１３１・・・筐体、１３２・・・チューブ、１３３・・・Ｏリング、１３４・・・循環ポンプ、１４０・・・光検出部、１４１・・・第１の光検出部、１４２・・・第２の光検出部、１４３・・・ラインセンサ、１４４・・・支持台、１５０・・・発光モジュール、１５１・・・ドライバＩＣ、１５２・・・入力用電極パッド、１５３・・・出力用電極パッド、１６０・・・サブマウント（サブマウント部材）、１６２・・・入力用電極パッド、１６３・・・共通電極用パッド、１６４・・・アライメントマーク
【図１】
2020162142.tif 000003
【図２】
2020162142.tif 000004
【図３】
2020162142.tif 000005
【図４】
2020162142.tif 000006
【図５】
2020162142.tif 000007
【図６】
2020162142.tif 000008
【図７】
2020162142.tif 000009
【図８】
2020162142.tif 000010
【図９】
2020162142.tif 000011
【図１０】
2020162142.tif 000012
【図１１】
2020162142.tif 000013
【図１２】
2020162142.tif 000014
【図１３】
2020162142.tif 000015
【図１４】
2020162142.tif 000016
【図１５】
2020162142.tif 000017
【図１６】
2020162142.tif 000018
【図１７】
2020162142.tif 000019
【図１８】
2020162142.tif 000020
【国際調査報告】
2020162142.tif 000021
2020162142.tif 000022
2020162142.tif 000023
2020162142.tif 000024