(57)【要約】  情報処理装置は、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、実行する記録部を備える。第１集合データは、直前の済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である。磁気記録媒体は、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍおよび１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5、Ｓ13.5の差分が３．０ｎｍ以下である
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データおよび前記データに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ
少なくとも１つの前記オブジェクトを記録した後に、前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する記録部を備え、
前記第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの前記第１集合データの記録後に記録された前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合であり、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である記録装置。
【請求項２】
前記差分は１．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である、請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記Ｓ0.5は、５．０〜５０．０ｎｍの範囲である、請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記磁性層は、無機酸化物系粒子を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記無機酸化物系粒子は、無機酸化物とポリマーとの複合粒子である、請求項４に記載の記録装置。
【請求項６】
前記磁性層は、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項７】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項８】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項９】
前記磁気記録媒体が磁気テープである、請求項１から８のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１０】
前記記録部は、少なくとも１つの前記第１集合データを記録した後に、記録済みの前記第１集合データの集合である第２集合データを前記磁気記録媒体に記録する請求項１から９のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１１】
前記記録部は、前記磁気記録媒体に記録済みの前記第２集合データのサイズが所定のサイズ以下の場合で、かつ前記オブジェクトを前記磁気記録媒体に記録する場合に、前記第２集合データに上書きして記録する請求項１０に記載の記録装置。
【請求項１２】
前記磁気記録媒体は、リファレンスパーティションおよび前記オブジェクトが記録されるデータパーティションを含み、
前記記録部は、前記第１集合データおよび前記第２集合データを前記データパーティションに記録し、かつ前記データパーティションに記録された前記第２集合データのサイズが所定のサイズを超える場合は、前記データパーティションに記録された前記第２集合データを、前記リファレンスパーティションに記録する請求項１０または１１に記載の記録装置。
【請求項１３】
前記記録部は、前記データパーティションに記録された前記第２集合データを前記リファレンスパーティションに記録する場合、前記データパーティションに記録された前記第２集合データを削除せずに前記リファレンスパーティションに記録する請求項１２に記載の記録装置。
【請求項１４】
前記メタデータは、システム固有の識別情報、および前記メタデータが含まれるオブジェクト固有の識別情報を含む請求項１から１３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１５】
リファレンスパーティションと、データおよび前記データに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体の前記データパーティションに記録されたオブジェクトの前記磁気記録媒体上の位置を、前記リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、前記データパーティションに記録された前記第２集合データ、前記データパーティションに記録された第１集合データ、および前記データパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定する特定部と、
前記特定部により特定された位置に記録されたオブジェクトを読み取る読取部とを備え、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である読取装置。
【請求項１６】
前記特定部は、前記リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、前記データパーティションに記録された前記第２集合データ、前記データパーティションに記録された第１集合データ、および前記データパーティションに記録されたメタデータの順番で参照して前記位置を特定する請求項１５に記載の読取装置。
【請求項１７】
データおよび前記データに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ
少なくとも１つの前記オブジェクトを記録した後に、前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、前記第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの前記第１集合データの記録後に記録された前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である処理をコンピュータが実行する記録方法であって、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である記録方法。
【請求項１８】
データおよび前記データに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ
少なくとも１つの前記オブジェクトを記録した後に、前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、前記第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの前記第１集合データの記録後に記録された前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である処理をコンピュータに実行させるための記録プログラムであって、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である記録プログラム。
【請求項１９】
リファレンスパーティションと、データおよび前記データに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体の前記データパーティションに記録されたオブジェクトの前記磁気記録媒体上の位置を、前記リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、前記データパーティションに記録された前記第２集合データ、前記データパーティションに記録された第１集合データ、および前記データパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、
特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータが実行する読取方法であって、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である読取方法。
【請求項２０】
リファレンスパーティションと、データおよび前記データに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体の前記データパーティションに記録されたオブジェクトの前記磁気記録媒体上の位置を、前記リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、前記データパーティションに記録された前記第２集合データ、前記データパーティションに記録された第１集合データ、および前記データパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、
特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータに実行させるための読取プログラムであって、
前記磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である読取プログラム。
【請求項２１】
データおよび前記データに関するメタデータを含む複数のオブジェクトが記録され、
少なくとも１つの前記オブジェクトが記録された後に、前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である第１集合データが記録される処理が、所定のタイミング毎に実行される磁気テープであって、前記第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの前記第１集合データの記録後に記録された前記オブジェクトに含まれる前記メタデータの集合である磁気テープであって、
非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、前記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、は３．０ｎｍ以下である磁気テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、記録装置、読取装置、記録方法、記録プログラム、読取方法、読取プログラム、および磁気テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁性層の表面に突起を形成することにより、磁性層表面の形状を制御することが提案されている（特開２０１１−２８８２６号公報および特開２０１７−１６８１７８号公報参照）。【０００３】
一方、磁気テープ等の磁気記録媒体を用いるファイルシステムとして、ＬＴＦＳ（Linear Tape File System）が知られている。このファイルシステムに関する技術として、特開２０１６−４４１３号公報には、複数のファイルを、１つの結合ファイルとなるように連続してテープに書き込む技術が開示されている。この技術では、テープ上の結合ファイルの開始位置およびサイズを含む第１のインデックスをテープに書き込んだ後、テープ上の結合ファイル中の複数のファイルの各々についての開始位置およびサイズを含む第２のインデックスをテープに書き込む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
摺動型の磁気記録再生装置では、磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の再生は、磁気記録媒体の磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させることにより行われる。磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数が高いことは、走行安定性の低下等の原因となる。これに対し、磁性層表面の形状を制御することは、上記の摩擦係数を下げることに寄与し得る。【０００５】
磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の再生のためには、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動が繰り返される。この点に関し、従来提案されていたように磁性層表面の形状を制御することによって摺動初期に低摩擦係数を実現できたとしても、摺動を繰り返すうちに摩擦係数が上昇してしまう現象が発生する場合がある。【０００６】
ところで、図２０に示すように、前述したＬＴＦＳでは、磁気テープの記録領域は、インデックスパーティションおよびデータパーティションに分割される。文書データおよび画像データ等のユーザが保存対象とするデータは、磁気テープのデータパーティションの先頭から記録される。そして、例えば、記録されたデータのサイズの合計が所定のサイズを超えた場合に、記録されたデータ各々の磁気テープ上の位置を表す情報を含むインデックス（図２０中のｉｎｄｅｘ１）がデータパーティションに記録される。【０００７】
また、インデックスが記録された後にデータが所定のサイズを超えて記録されると、新たなインデックス（図２０中のｉｎｄｅｘ２）が記録される。このインデックスには、磁気テープの先頭から記録されたすべてのデータ各々の磁気テープ上の位置を表す情報が含まれる。【０００８】
したがって、磁気テープに多数のデータが記録されるほどインデックスのサイズも大きくなり、磁気テープの実効容量が低下してしまう、という問題点がある。なお、ここでは、実効容量とは、磁気テープにおけるユーザが保存対象とするデータを記録できる容量を意味する。【０００９】
上記特開２０１６−４４１３号公報に記載の技術では、多数の小サイズのデータを磁気テープに記録する場合のデータ転送速度については考慮されているものの、前述したインデックスのサイズの増大に伴う磁気テープの実効容量の低下については考慮されていない。【００１０】
また、上記のようにインデックスのサイズが増大すると、磁気記録媒体からのデータを読み出しする際の、磁気ヘッドと磁気記録媒体との繰り返し摺動回数が増えてしまう。さらに、近年の磁気記録媒体の大容量化に伴い、記録可能なデータ量も多くなる。このため、このような大容量の磁気記録媒体からデータを読み出す際には、繰り返し往復回数がさらに増え、その結果、磁気記録媒体の走行安定性が大きく低下してしまう。【００１１】
本開示は上記事情に鑑みなされたものであり、摩擦係数の上昇を抑制して、磁気記録媒体の走行安定性の低下を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本開示の記録装置は、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する記録部を備え、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合であり、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００１３】
なお、本開示の記録装置は、差分が１．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であってもよい。【００１４】
また、本開示の記録装置は、Ｓ0.5が、５．０〜５０．０ｎｍの範囲であってもよい。【００１５】
ここで、本明細書において、数値の範囲を示す「〜」は、数値の上限および下限を含むものとする。すなわち、５．０〜５０．０ｎｍとは、５．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下を意味するものとする。【００１６】
また、本開示の記録装置は、磁性層が、無機酸化物系粒子を含むものであってもよい。【００１７】
また、本開示の記録装置は、無機酸化物系粒子が、無機酸化物とポリマーとの複合粒子であってもよい。【００１８】
また、本開示の記録装置は、磁性層が、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を含むものであってもよい。【００１９】
また、本開示の記録装置は、非磁性支持体と磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有するものであってもよい。【００２０】
また、本開示の記録装置は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有するものであってもよい。【００２１】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が磁気テープであってもよい。【００２２】
また、本開示の記録装置は、記録部は、少なくとも１つの第１集合データを記録した後に、記録済みの第１集合データの集合である第２集合データを磁気記録媒体に記録してもよい。【００２３】
また、本開示の記録装置は、記録部が、磁気記録媒体に記録済みの第２集合データのサイズが所定のサイズ以下の場合で、かつオブジェクトを磁気記録媒体に記録する場合に、第２集合データに上書きして記録してもよい。【００２４】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が、リファレンスパーティションおよびオブジェクトが記録されるデータパーティションを含み、記録部が、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションに記録し、かつデータパーティションに記録された第２集合データのサイズが所定のサイズを超える場合は、データパーティションに記録された第２集合データを、リファレンスパーティションに記録してもよい。【００２５】
また、本開示の記録装置は、記録部が、データパーティションに記録された第２集合データをリファレンスパーティションに記録する場合、データパーティションに記録された第２集合データを削除せずにリファレンスパーティションに記録してもよい。【００２６】
また、本開示の記録装置は、メタデータが、システム固有の識別情報、およびメタデータが含まれるオブジェクト固有の識別情報を含んでもよい。【００２７】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が、磁気テープであってもよい。【００２８】
一方、上記目的を達成するために、本開示の読取装置は、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定する特定部と、特定部により特定された位置に記録されたオブジェクトを読み取る読取部とを備え、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００２９】
なお、本開示の読取装置は、特定部が、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの順番で参照して上記位置を特定してもよい。【００３０】
また、上記目的を達成するために、本開示の記録方法は、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理をコンピュータが実行する記録方法であって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３１】
また、上記目的を達成するために、本開示の記録プログラムは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理をコンピュータに実行させる記録プログラムであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３２】
また、上記目的を達成するために、本開示の読取方法は、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータが実行する読取方法であって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３３】
また、上記目的を達成するために、本開示の読取プログラムは、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータに実行させる読取プログラムであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３４】
また、上記目的を達成するために、本開示の磁気テープは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトが記録され、少なくとも１つのオブジェクトが記録された後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データが記録される処理が、所定のタイミング毎に実行される磁気テープであって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である磁気テープであって、
非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３５】
また、本開示の他の記録装置は、コンピュータに実行させるための命令を記憶するメモリと、
記憶された命令を実行するよう構成されたプロセッサとを備え、
プロセッサは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理を行うものであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。【００３６】
また、本開示の他の読取装置は、コンピュータに実行させるための命令を記憶するメモリと、
記憶された命令を実行するよう構成されたプロセッサとを備え、
プロセッサは、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理を行うものであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００３７】
本開示によれば、摩擦係数の上昇を抑制して、磁気記録媒体の走行安定性の低下を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】各実施形態に係る記録読取システムの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】各実施形態に係る情報処理装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図３】各実施形態に係る情報処理装置のオブジェクトを記録する場合の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図４】各実施形態に係る磁気テープの初期状態の一例を示す図である。
【図５】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図６】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図７】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図８】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図９】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図１０】各実施形態に係る記録処理の一例を示すフローチャートである。
【図１１】各実施形態に係る情報処理装置のオブジェクトを読み取る場合の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図１２】各実施形態に係るメタデータ記憶処理の一例を示すフローチャートである。
【図１３】各実施形態に係るオブジェクト読取処理の一例を示すフローチャートである。
【図１４】第２実施形態に係る磁気テープを他のシステムで使用する場合の一例を示す模式図である。
【図１５】第２実施形態に係るメタデータに含める識別情報を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態に係るオブジェクト固有の識別情報が重複した場合を説明するための図である。
【図１７】本開示の実施例の結果を示す図である。
【図１８】各磁気テープのデータの記録の態様を模式的に示す図である。
【図１９】本開示の実施例の結果を示す図である。
【図２０】ＬＴＦＳにおけるインデックスの記録処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面を参照して、本開示の技術を実施するための形態例を詳細に説明する。
【００４０】
［第１実施形態］
まず、図１を参照して、本実施形態に係る記録読取システム１０の構成を説明する。図１に示すように、記録読取システム１０は、情報処理装置１２およびテープライブラリ１４を含む。テープライブラリ１４は、情報処理装置１２に接続される。また、情報処理装置１２と複数台の端末１６とは、ネットワークＮに接続され、ネットワークＮを介して通信が可能とされる。
【００４１】
テープライブラリ１４は、複数のスロット（図示省略）および複数のテープドライブ１８を備え、各スロットには磁気テープＴが格納される。磁気テープＴは、シーケンシャルアクセスによりデータの書き込みまたは読み取りが行われる磁気記録媒体の一例である。なお、磁気テープＴの例としては、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）テープが挙げられる。
【００４２】
情報処理装置１２により磁気テープＴに対するデータの書き込みまたは読み取りを行う場合、書き込みまたは読み取り対象の磁気テープＴがスロットから所定のテープドライブ１８にロードされる。テープドライブ１８にロードされた磁気テープＴに対する情報処理装置１２による書き込みまたは読み取りが完了すると、磁気テープＴは、テープドライブ１８から元々格納されていたスロットにアンロードされる。
【００４３】
本実施形態では、磁気テープＴに記録するデータのフォーマットとして、文書データおよび画像データ等のユーザが保存対象とするデータと、そのデータに関するメタデータとを含むオブジェクトを適用した形態例を説明する。なお、このオブジェクトを取り扱うストレージシステムは、オブジェクトストレージシステムと称される。
【００４４】
次に、図２を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２のハードウェア構成を説明する。図２に示すように、情報処理装置１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０、一時記憶領域としてのメモリ２１、および不揮発性の記憶部２２を含む。また、情報処理装置１２は、液晶ディスプレイ等の表示部２３、キーボードとマウス等の入力部２４、ネットワークＮに接続されるネットワークＩ／Ｆ（InterFace）２５、およびテープライブラリ１４が接続される外部Ｉ／Ｆ２６を含む。ＣＰＵ２０、メモリ２１、記憶部２２、表示部２３、入力部２４、ネットワークＩ／Ｆ２５、および外部Ｉ／Ｆ２６は、バス２７に接続される。
【００４５】
記憶部２２は、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、およびフラッシュメモリ等によって実現される。記憶媒体としての記憶部２２には、記録プログラム３０および読取プログラム３２が記憶される。ＣＰＵ２０は、記憶部２２から記録プログラム３０を読み出してからメモリ２１に展開し、展開した記録プログラム３０を実行する。また、ＣＰＵ２０は、記憶部２２から読取プログラム３２を読み出してからメモリ２１に展開し、展開した読取プログラム３２を実行する。なお、情報処理装置１２の例としては、サーバコンピュータ等が挙げられる。また、情報処理装置１２が、磁気テープＴにオブジェクトを記録する記録装置の一例である。また、情報処理装置１２は、磁気テープＴに記録されたオブジェクトを読み取る読取装置の一例でもある。
【００４６】
次に、図３を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴにオブジェクトを記録する場合の機能的な構成について説明する。図３に示すように、情報処理装置１２は、受付部４０および記録部４２を含む。ＣＰＵ２０が記録プログラム３０を実行することにより、受付部４０および記録部４２として機能する。また、記憶部２２の所定の記憶領域には、データキャッシュ４４およびメタデータデータベース（ＤＢ）４６が記憶される。データキャッシュ４４およびメタデータＤＢ４６は磁気テープＴ毎に用意される。
【００４７】
受付部４０は、オブジェクトを取り扱うためのＡＰＩ（Application Programming Interface）を用いて端末１６から送信されたデータおよびそのデータに関するメタデータを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。そして、受付部４０は、受け付けたデータをデータキャッシュ４４に記憶し、メタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。なお、端末１６から送信されたメタデータには、対応するデータのデータ名等の識別情報、データのサイズ、およびタイムスタンプ等のデータの属性を示す属性情報が含まれる。また、受付部４０は、受け付けたデータおよびメタデータを含むオブジェクト固有の識別情報をメタデータに追加する。
【００４８】
図４に、データキャッシュ４４にデータが記憶され、メタデータＤＢ４６にメタデータが記憶された状態の一例を示す。また、図４では、磁気テープＴはフォーマットされた直後で、まだオブジェクトが記録されていない状態である。
【００４９】
図４に示すように、データキャッシュ４４にはデータが記憶され、メタデータＤＢ４６にはデータに対応付けてメタデータが記憶される。また、本実施形態に係る磁気テープＴは、フォーマットされる際に、リファレンスパーティションＲＰと、オブジェクトが記録されるデータパーティションＤＰとの２つのパーティションに分割される。また、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰは、複数本のラップを含んで構成されるガードラップスＧＷによって区分される。また、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰそれぞれの先頭には、ラベルが記録される。このラベルには、磁気テープＴの識別情報、および磁気テープＴへのデータの書き込み形式に関するフォーマット情報等が含まれる。
【００５０】
記録部４２は、テープライブラリ１４を制御し、オブジェクトの記録対象の磁気テープＴを所定のテープドライブ１８にロードする。また、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータ、およびメタデータＤＢ４６に記憶された対応するメタデータを含むオブジェクトを、ロードした磁気テープＴのデータパーティションＤＰに記録する。この際、記録部４２は、メタデータに、対応するオブジェクトが記録される磁気テープＴの識別情報、および磁気テープＴ上の記録位置を表す情報等のオブジェクトを管理するための管理情報を追加する。図５に、２つのオブジェクトがデータパーティションＤＰに記録された状態の一例を示す。
【００５１】
また、記録部４２は、所定のタイミング毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合をデータパーティションＤＰに記録する。なお、以下では、このメタデータの集合を「第１集合データ」という。本実施形態では、記録部４２は、記録したオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。この際、記録部４２は、すでにデータパーティションＤＰに記録済みの第１集合データが存在する場合は、直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。すなわち、記録部４２は、少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する。そして、記録部４２は、第１集合データのそれぞれが、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたすべてのオブジェクトに含まれるメタデータの集合となるように上記処理を実行する。したがって、第１集合データのそれぞれは、直前の第１集合データと自身との間に記録されたすべてのオブジェクトのメタデータの集合となる。以上の処理は、この第１集合データよりも前に記録されたオブジェクトは正常に書き込まれたことを保証するコミット処理に相当する。なお、この場合における上記所定のサイズは、例えば、このコミット処理が長時間行われないことを防止するための値として予め定められている。また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、磁気テープＴの記録容量に所定の割合を乗算して得られたサイズ等、磁気テープＴの記録容量、磁気テープＴの使用環境または使用条件等に応じて実験的に決めたり変更したりしてもよい。
【００５２】
また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、一度の記録指示によってオブジェクトをまとめてデータパーティションＤＰに記録する場合にかかる時間（以下、「記録時間」という）の上限値に応じて定められてもよい。例えば、システムの要求性能としての記録時間の上限値が３５秒の場合で、かつ磁気テープＴへのデータの記録速度が３００ＭＢ／ｓｅｃの場合、記録対象のオブジェクトのサイズの合計値が１０ＧＢ以下であれば、記録時間が３５秒以下になる。したがって、この場合、上記所定のサイズを１０ＧＢとすればよい。
【００５３】
また、記録部４２は、少なくとも１つの第１集合データをデータパーティションＤＰに記録した後に、データパーティションＤＰに記録済みの第１集合データの集合をデータパーティションＤＰに記録する。なお、以下では、この第１集合データの集合を「第２集合データ」という。この際、記録部４２は、すでにデータパーティションＤＰに第２集合データが存在する場合は、直前の第１集合データの集合の後に記録された第１集合データの集合である第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。したがって、第２集合データのそれぞれは、直前の第２集合データと自身との間に記録されたすべての第１集合データの集合となる。
【００５４】
データパーティションＤＰに第１集合データが記録されていない場合、図６に示すように、データパーティションＤＰの先頭から記録済みのメタデータの集合である第１集合データがデータパーティションＤＰに記録される。また、データパーティションＤＰに第２集合データが記録されていない場合、データパーティションＤＰの先頭から記録済みの第１集合データの集合である第２集合データがデータパーティションＤＰに記録される。なお、図６では、第１集合データを「第１集合」と表記し、第２集合データを「第２集合」と表記している。また、この表記は、後述する図７〜図９でも同様である。
【００５５】
また、図６に示すように、記録部４２は、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する場合、第１集合データの前後および第２集合データの前後にファイルマークを記録する。このファイルマークを用いることによって、データパーティションＤＰに記録済みの第１集合データおよび第２集合データを探索することができる。
【００５６】
また、データパーティションＤＰに第１集合データが記録されている場合、図７に示すように、直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データがデータパーティションＤＰに記録される。また、データパーティションＤＰに第２集合データが記録されている場合、直前の第２集合データの後に記録された第１集合データの集合である第２集合データがデータパーティションＤＰに記録される。すなわち、本実施形態では、データパーティションＤＰに記録された複数の第１集合データにメタデータが重複して含まれないため、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。また、本実施形態では、データパーティションＤＰに記録された複数の第２集合データに第１集合データが重複して含まれないため、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。
【００５７】
また、記録部４２は、オブジェクトをデータパーティションＤＰに記録する場合、直前の第２集合データのサイズが所定のサイズ以下の場合は、その第２集合データにオブジェクトを上書きして記録する。図７では、図６の第２集合データが上書きされた例を示している。なお、この場合における上記所定のサイズは、例えば、磁気テープＴの記録速度に応じて予め定められている。また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、磁気テープＴの記録容量に所定の割合を乗算して得られたサイズ等、磁気テープＴの記録容量、磁気テープＴの使用環境または使用条件等に応じて実験的に決めたり変更したりしてもよい。
【００５８】
また、図８に示すように、記録部４２は、データパーティションＤＰに記録した第２集合データのサイズが所定のサイズを超える場合は、その第２集合データを削除せずにリファレンスパーティションＲＰに記録（コピー）する。この際、記録部４２は、リファレンスパーティションＲＰの第２集合データの前後にもファイルマークを記録する。
【００５９】
また、図９に示すように、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータのデータパーティションＤＰへの記録が完了し、磁気テープＴをアンロードする場合も、同様に第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。この場合、記録部４２は、第２集合データをリファレンスパーティションＲＰにも記録する。
【００６０】
次いで、本実施形態の磁気テープＴとして使用される磁気記録媒体について説明する。
【００６１】
［磁気記録媒体］
本実施形態において使用される磁気記録媒体の一態様は、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有する磁気記録媒体であって、上記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、上記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）は３．０ｎｍ以下である磁気記録媒体に関する。
【００６２】
本実施形態において、「ｎ−ヘキサン洗浄」とは、磁気記録媒体から切り出した試料片を液温２０〜２５℃のフレッシュなｎ−ヘキサン（２００ｇ）に浸漬して１００秒間超音波洗浄（超音波出力：４０ｋＨｚ）することをいうものとする。洗浄対象の磁気記録媒体が磁気テープの場合には、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付す。磁気テープの幅および磁気テープから切り出される試料片の幅は、通常、１／２インチである。１インチ＝０．０２５４メートルである。１／２インチ幅以外の磁気テープについても、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付せばよい。洗浄対象の磁気記録媒体が磁気ディスクの場合には、５ｃｍ×１．２７ｃｍのサイズの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付す。以下に詳述するスペーシングの測定は、ｎ−ヘキサン洗浄後の試料片を、温度２３℃相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した後に行うものとする。
【００６３】
本実施形態において、磁気記録媒体の「磁性層（の）表面」とは、磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。
【００６４】
本実施形態において、磁気記録媒体の磁性層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。
【００６５】
磁気記録媒体（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気記録媒体の磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気記録媒体の磁性層側とは反対側から、０．５ａｔｍまたは１３．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付ける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気記録媒体の磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００〜２０００００μｍ2）、磁気記録媒体の磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気記録媒体の磁性層表面と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲に亘り発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００〜７００ｎｍの範囲にあることができる。但し、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気記録媒体に光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
【００６６】
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気記録媒体の磁性層表面と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、スペーシングとする。
【００６７】
同じ磁気記録媒体から試料片を５つ切り出し、各試料片について、ｎ−ヘキサン洗浄後に０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングＳ0.5を求め、さらに１３．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングＳ13.5を求める。そして求められたＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を算出する。５つの試料片について算出された差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）の算術平均を、その磁気記録媒体についての差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）とする。
【００６８】
以上の測定は、例えばMicro Physics社製Tape Spacing Analyzer等の市販のテープスペーシングアナライザー（TSA;Tape Spacing Analyzer）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Micro Physics社製Tape Spacing Analyzerを用いて実施した。
【００６９】
磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数は、磁性層表面に突起を形成して、磁性層表面において磁気ヘッドと接触（いわゆる真実接触）する部分を少なくすることにより低下させることができる。但し、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されることにより磁性層表面の突起の高さが低くなってしまうと、磁性層表面において磁気ヘッドと真実接触する部分が増え、摩擦係数は上昇してしまう。
【００７０】
上記の点に関して、本開示の発明者らは、鋭意検討を重ねる中で、磁気ヘッドとの摺動が繰り返される際に磁性層表面に加わる圧力は一定ではなく、大きな圧力が加わる場合もあり、大きな圧力が加わった際に突起が変形したり磁性層内部に沈み込むことによって突起の高さが低くなることが、磁気ヘッドとの摺動を繰り返すと摩擦係数が上昇することの原因になるのではないかと考えるに至った。上記の大きな圧力が加わる場合とは、例えば磁気ヘッドのエッジ部との接触時が考えられる。これに対し、上記方法により求められるＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）が３．０ｎｍ以下と小さいことは、大きな圧力が加えられても磁性層表面の突起の高さの大きな変化が生じ難いことを示している。そのため、上記差分が３．０ｎｍ以下の上記磁気記録媒体は、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても磁性層表面の突起の高さの変化が少ないと考えられる。このことが、上記磁気記録媒体によれば、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されても摩擦係数の上昇を抑制できる理由であると、本開示の発明者らは推察している。但し、上記推察に本開示は限定されない。
【００７１】
ところで、上記スペーシングの測定における押圧時の圧力に関して、本実施形態では、磁気ヘッドとの摺動時に磁性層表面に主に加わる圧力の例示的な値として０．５ａｔｍを採用し、磁気ヘッドとの摺動時に磁性層表面に加わる大きな圧力の例示的な値として１３．５ａｔｍを採用したものであって、磁気ヘッドとの摺動時に上記磁気記録媒体に加わる圧力は上記圧力に限定されない。上記圧力を採用して求められた上記差分を制御することにより、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されても摩擦係数の上昇を抑制できることは、本開示の発明者らの鋭意検討の結果、新たに見出されたことである。上記差分の制御方法については後述する。
【００７２】
以下、上記磁気記録媒体について、さらに詳細に説明する。以下において、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動を繰り返して摩擦係数が上昇することを、単に「摩擦係数の上昇」とも記載する。
【００７３】
＜磁性層＞
（差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5））
上記磁気記録媒体の差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）は、３．０ｎｍ以下であり、摩擦係数の上昇をより一層抑制する観点から、２．９ｎｍ以下であることが好ましく、２．８ｎｍ以下であることがより好ましく、２．７ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２．６ｎｍ以下であることが一層好ましく、２．５ｎｍ以下であることがより一層好ましい。また、上記差分は、例えば、１．０ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、１．８ｎｍ以上または２．０ｎｍ以上であることができる。但し、上記差分は、摩擦係数の上昇を抑制する観点からは小さいほど好ましいため、上記例示した下限を下回ることも、もちろん可能である。上記差分は、磁性層表面に突起を形成することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）の種類および磁気記録媒体の製造条件によって制御することができる。この点の詳細は後述する。
【００７４】
上記磁気記録媒体のＳ0.5およびＳ13.5は、差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）が３．０ｎｍ以下であれば特に限定されるものではない。電磁変換特性の向上の観点からは、Ｓ0.5は、５０．０ｎｍ以下であることが好ましく４０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０．０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２０．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１６．０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、１５．５ｎｍ以下であることがさらに一層好ましく、１４．５ｎｍ以下であることがさらにより一層好ましい。また、主に磁気ヘッドとの摺動初期の摩擦係数を低く抑える観点からは、Ｓ0.5は、５．０ｎｍ以上であることが好ましく、８．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１０．０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１２．０ｎｍ以上であることが一層好ましい。また、Ｓ13.5は、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても走行安定性を良好に維持する観点からは、５．０ｎｍ以上であることが好ましく、８．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１０．０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても優れた電磁変換特性を発揮する観点からは、Ｓ13.5は、１５．０ｎｍ以下であることが好ましく、１４．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１３．５ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１３．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１２．０ｎｍ以下であることがより一層好ましい。
【００７５】
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において通常用いられる強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、磁気記録媒体の記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることがさらに一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【００７６】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０および特開２０１５−１２７９８５号公報の段落００２９〜００８４を参照できる。六方晶フェライト粉末としては、六方晶バリウムフェライト粉末および六方晶ストロンチウムフェライト粉末が特に好ましい。
【００７７】
強磁性粉末として六方晶ストロンチウムフェライト粉末を用いる場合の好適な態様は以下の通りである。
【００７８】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００〜１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ３以上であり、例えば８５０ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性のさらなる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることがさらに好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【００７９】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本開示および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０−１Ｊ／ｍ３である。  Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ−１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【００８０】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【００８１】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本開示および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０６／４π［Ａ／ｍ］である。
【００８２】
上記磁気テープが磁性層に六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１４ｋＯｅ以上であることが好ましく、１６ｋＯｅ以上であることがより好ましく、１８ｋＯｅ以上であることがさらに好ましい。また、上記磁性層の異方性磁界Ｈｋは、９０ｋＯｅ以下であることが好ましく、８０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７０ｋＯｅ以下であることがさらに好ましい。
【００８３】
本開示および本明細書における異方性磁界Ｈｋとは、磁化困難軸方向に磁界を印加したときに、磁化が飽和する磁界をいう。異方性磁界Ｈｋは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。
【００８４】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、金属粉末を挙げることもできる。金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３７〜０１４１および特開２００５−２５１３５１号公報の段落０００９〜００２３を参照できる。
【００８５】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε−酸化鉄粉末を挙げることもできる。ε−酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲータイト（ｇｏｅｔｈｉｔｅ）から作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε−酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、「J. Jpn. Soc. Powder Metallurgy Vol. 61 Supplement, No. S1, pp. S280-S284, J. Mater. Chem. C, 2013, 1, pp.5200-5206」等を参照できる。但し、上記磁性層において強磁性粉末として使用可能なε−酸化鉄粉末の製造方法は限定されない。
【００８６】
強磁性粉末としてε−酸化鉄粉末を用いる場合の好適な態様は以下の通りである。
【００８７】
ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００〜１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε−酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ３以上であり、例えば５００ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性のさらなる向上の観点から、ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることがさらに好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【００８８】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε−酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、ε−酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【００８９】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε−酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε−酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。
【００９０】
上記磁気テープが磁性層にε−酸化鉄粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１８ｋＯｅ以上であることが好ましく、３０ｋＯｅ以上であることがより好ましく、３８ｋＯｅ以上であることがさらに好ましい。また、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１００ｋＯｅ以下であることが好ましく、９０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７５ｋＯｅ以下であることがさらに好ましい。ε−酸化鉄粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。
【００９１】
本実施形態において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
【００９２】
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
【００９３】
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値である。本開示および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【００９４】
粒子サイズ測定のために磁気記録媒体から試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【００９５】
本実施形態において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（但し、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、すなわち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（但し、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものをいう。
【００９６】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、すなわち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
【００９７】
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【００９８】
磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも結合剤であり、任意に一種以上のさらなる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【００９９】
（結合剤、硬化剤）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、およびポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００４４〜００４５を参照できる。
【０１００】
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本開示および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(Ｉｎｎｅｒ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【０１０１】
また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気記録媒体の製造工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。
【０１０２】
（その他の成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、および酸化防止剤等を挙げることができる。非磁性フィラーとは、非磁性粒子または非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、突起形成剤、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する）を挙げることができる。また、添加剤としては、特開２０１６−０５１４９３号公報の段落００３０〜００８０に記載されている各種ポリマー等の公知の添加剤を用いることもできる。
【０１０３】
非磁性フィラーの一態様である突起形成剤としては、無機物質の粒子を用いることができ、有機物質の粒子を用いることもでき、無機物質と有機物質との複合粒子を用いることもできる。無機物質としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、および金属硫化物等を挙げることができ、無機酸化物が好ましい。一態様では、突起形成剤は、無機酸化物系粒子であることができる。ここで「系」とは、「含む」との意味で用いられる。無機酸化物系粒子の一態様は、無機酸化物からなる粒子である。また、無機酸化物系粒子の他の一態様は、無機酸化物と有機物質との複合粒子であり、具体例としては、無機酸化物とポリマーとの複合粒子を挙げることができる。そのような粒子としては、例えば、無機酸化物粒子の表面にポリマーが結合した粒子を挙げることができる。
【０１０４】
上記のＳ0.5は、主に突起形成剤の粒子サイズにより制御することができる。突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍであり、好ましくは４０〜２００ｎｍである。また、磁気記録媒体の製造条件によって、主にＳ0.5を制御することができる。一方、Ｓ13.5については、突起形成剤の粒子サイズに加えて、突起形成剤の形状によって制御することができる。粒子の形状が真球に近い粒子ほど、大きな圧力が加えられた際に働く押し込み抵抗が小さいため、磁性層内部に押し込まれやすくなり、Ｓ13.5は小さくなりやすい。これに対し、粒子の形状が真球から離れた形状、例えばいわゆる異形と呼ばれる形状であると、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ13.5は大きくなりやすい。また、粒子表面が不均質であり表面平滑性が低い粒子も、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ13.5は大きくなりやすい。そしてＳ0.5およびＳ13.5を制御することにより、差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を３．０ｎｍ以下にすることができる。
【０１０５】
非磁性フィラーの他の一態様である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。これに対し、突起形成剤のモース硬度は、例えば８以下または７以下であることができる。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素、ボロンカーバイド（Ｂ4Ｃ）、ＳｉＯ2、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化鉄、およびダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα−アルミナ等のアルミナ粉末および炭化ケイ素粉末が好ましい。また、研磨剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍの範囲であり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１０６】
また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して、１．０〜４．０質量部であり、より好ましくは１．５〜３．５質量部である。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０〜２０．０質量部であり、より好ましくは３．０〜１５．０質量部であり、さらに好ましくは４．０〜１０．０質量部である。
【０１０７】
研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。また、分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
【０１０８】
磁性層に含まれ得る添加剤の一態様である潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を挙げることができる。上記のＳ0.5およびＳ13.5は、ｎ−ヘキサン洗浄後に測定される値である。スペーシング測定時に押圧される磁性層の表面に潤滑剤の液膜が存在すると、この液膜の厚み分、測定されるスペーシングは狭くなってしまう。これに対し、押圧時に液膜として存在し得る潤滑剤は、ｎ−ヘキサン洗浄によって除去できると推察される。したがって、ｎ−ヘキサン洗浄後にスペーシングを測定することにより、磁性層表面の突起の存在状態（突起の高さ）と良好に対応する値としてスペーシングの測定値を得ることができると考えられる。
【０１０９】
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、およびエライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびパルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
【０１１０】
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、およびエライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、およびステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
【０１１１】
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、およびステアリン酸アミド等を挙げることができる。
【０１１２】
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよびエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することが好ましい。
【０１１３】
磁性層形成用組成物の脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは０．１〜１０.０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物の脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．１〜１０.０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３.０質量部であり、好ましくは０〜２．０質量部であり、より好ましくは０〜１．０質量部である。
【０１１４】
また、上記磁気記録媒体が非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜１０．０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。非磁性層形成用組成物の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１５．０質量部であり、好ましくは０．１〜１０．０質量部である。非磁性層形成用組成物の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０〜１．０質量部である。
【０１１５】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、および金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。
【０１１６】
非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【０１１７】
上記磁気記録媒体の非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【０１１８】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、および芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、予めコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、および加熱処理等を行ってもよい。
【０１１９】
＜バックコート層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤、任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６−３３１６２５号公報の段落００１８〜００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目〜第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【０１２０】
＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、例えば３．０〜８０．０μｍの範囲であり、好ましくは３．０〜５０．０μｍの範囲であり、より好ましくは３．０〜１０．０μｍの範囲である。
【０１２１】
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは、１００ｎｍ以下であることが好ましい。磁性層の厚みは、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは２０〜９０ｎｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
【０１２２】
非磁性層の厚みは、例えば０．１〜１．５μｍであり、０．１〜１．０μｍであることが好ましい。
【０１２３】
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１〜０．７μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【０１２４】
磁気記録媒体の各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気記録媒体の厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。
【０１２５】
＜製造方法＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、およびテトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気記録媒体の製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【０１２６】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
【０１２７】
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【０１２８】
（その他の工程）
上記塗布工程を行った後、通常、磁気記録媒体の表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が施される。カレンダ条件を強化するほど、製造された磁気記録媒体において突起形成剤により形成される磁性層表面の突起の高さは低くなる傾向がある。これにより、例えばＳ0.5を小さくすることができる。カレンダ条件としては、カレンダロールの種類および段数、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度等を挙げることができる。カレンダ圧力は、例えば２００〜５００ｋＮ／ｍ、好ましくは２５０〜３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度は、例えば７０〜１２０℃、好ましくは８０〜１００℃であり、カレンダ速度は、例えば５０〜３００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは８０〜２００ｍ／ｍｉｎである。また、カレンダロールとして表面が硬いロールを使用するほど、また段数を増やすほど、磁性層表面は平滑化する傾向があるためカレンダロールの組み合わせおよび段数によって磁性層表面の突起の高さを調整することもできる。
【０１２９】
磁気記録媒体製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７〜００７０を参照できる。
【０１３０】
（サーボパターンの形成）
上記のように製造された磁気テープには、磁気記録再生装置における磁気ヘッドのトラッキング制御、磁気テープの走行速度の制御等を可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することができる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
【０１３１】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【０１３２】
ＥＣＭＡ（European Computer Manufacturers Association）―３１９に示される通り、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本開示および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【０１３３】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボ信号により構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域は、データバンドと呼ばれる。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【０１３４】
また、一態様では、特開２００４−３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（identification）」または「ＵＤＩＭ（Unique DataBand Identification Method）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【０１３５】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【０１３６】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Longitudinal Position）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【０１３７】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【０１３８】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１〜１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【０１３９】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Direct Current）イレースとＡＣ（Alternating Current）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、さらに２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【０１４０】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２−５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【０１４１】
次に、図１０を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴにオブジェクトを記録する場合の作用を説明する。ＣＰＵ２０が記録プログラム３０を実行することによって、図１０に示す記録処理が実行される。図１０に示す記録処理は、例えば、受付部４０により端末１６から送信されたデータおよびメタデータが受け付けられ、データおよびメタデータがそれぞれデータキャッシュ４４およびメタデータＤＢ４６に記憶された後に実行される。なお、ここでは、記録対象の磁気テープＴは、テープドライブ１８にロードされているものとする。
【０１４２】
図１０のステップＳ１０で、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータ、およびメタデータＤＢ４６に記憶された対応するメタデータを取得する。本ステップＳ１０が繰り返し実行される際は、記録部４２は、それまでに取得していないデータおよびメタデータを取得する。
【０１４３】
ステップＳ１２で、記録部４２は、磁気テープＴのデータパーティションＤＰ上のオブジェクトの記録位置の直前に第２集合データが記録され、かつその第２集合データのサイズが所定のサイズ以下であるか否かを判定する。この判定が肯定判定となった場合は、処理はステップＳ１６に移行し、否定判定となった場合は、処理はステップＳ１４に移行する。
【０１４４】
ステップＳ１４で、記録部４２は、ステップＳ１０の処理により取得されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトをデータパーティションＤＰの第２集合データを削除せずに記録する。一方、ステップＳ１６で、記録部４２は、ステップＳ１０の処理により取得されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトを、所定のサイズ以下の第２集合データに上書きして記録する。
【０１４５】
ステップＳ１８で、記録部４２は、ステップＳ１０からステップＳ１６までの繰り返し処理によりデータパーティションＤＰに記録されたオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超えたか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ１０に戻り、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ２０に移行する。
【０１４６】
ステップＳ２０で、記録部４２は、前述したように、前回のステップＳ２０で記録された直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。ステップＳ２２で、記録部４２は、前述したように、前回のステップＳ２２で記録された直前の第２集合データの後にデータパーティションＤＰに記録された第１集合データの集合である第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。
【０１４７】
ステップＳ２４で、記録部４２は、ステップＳ２２の処理により記録された第２集合データのサイズが所定のサイズを超えているか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ２８に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ２６に移行する。ステップＳ２６で、記録部４２は、ステップＳ２２の処理により記録された第２集合データをリファレンスパーティションＲＰに記録（コピー）する。
【０１４８】
ステップＳ２８で、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたすべてのデータをデータパーティションＤＰに記録したか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ１０に戻り、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ３０に移行する。ステップＳ３０で、記録部４２は、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録し、かつ第２集合データをリファレンスパーティションＲＰに記録する。
【０１４９】
ステップＳ３２で、記録部４２は、テープライブラリ１４を制御し、磁気テープＴをテープドライブ１８からアンロードする。ステップＳ３２の処理が終了すると、記録処理が終了する。
【０１５０】
次に、図１１を参照して、以上説明したようにオブジェクトが記録された磁気テープＴからオブジェクトを読み取る場合の情報処理装置１２の機能的な構成について説明する。図１１に示すように、情報処理装置１２は、読取部５０、受付部５２、特定部５４、および送信部５６を含む。ＣＰＵ２０が読取プログラム３２を実行することにより、読取部５０、受付部５２、特定部５４、および送信部５６として機能する。
【０１５１】
障害からの復旧時等に、情報処理装置１２の管理者は、磁気テープＴをテープドライブ１８にロードさせる。磁気テープＴがテープドライブ１８にロードされると、読取部５０は、以下に示すように、メタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。すなわち、この場合、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのリファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データ、データパーティションＤＰに記録された第２集合データ、データパーティションＤＰに記録された第１集合データ、およびデータパーティションＤＰに記録されたメタデータの順番で参照してメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５２】
具体的には、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに第２集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５３】
また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰに第２集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録された第１集合データを読み取り、読み取った第１集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５４】
また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰに第２集合データおよび第１集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録されたメタデータを読み取り、読み取ったメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。なお、読取部５０は、磁気テープＴ上に記録されているメタデータを読み取る際に、ハッシュ値等の比較によりすでにメタデータＤＢ４６に存在するメタデータは読み取らなくてもよい。
【０１５５】
また、読取部５０は、後述する特定部５４により特定された磁気テープＴ上の位置に記録されたオブジェクトを読み取る。
【０１５６】
受付部５２は、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。この読み取り指示には、オブジェクト固有の識別情報が含まれる。
【０１５７】
特定部５４は、メタデータＤＢ４６を参照し、受付部５２により受け付けられた識別情報を含むメタデータを用いて、その識別情報が示すオブジェクトの磁気テープＴ上の位置を特定する。
【０１５８】
送信部５６は、読取部５０により読み取られたオブジェクトを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して端末１６に送信する。
【０１５９】
次に、図１２および図１３を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴからオブジェクトを読み取る場合の作用を説明する。ＣＰＵ２０が読取プログラム３２を実行することによって、図１２に示すメタデータ記憶処理、および図１３に示すオブジェクト読取処理が実行される。図１２に示すメタデータ記憶処理は、例えば、磁気テープＴがテープドライブ１８にロードされた場合に実行される。また、図１３に示すオブジェクト読取処理は、例えば、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を情報処理装置１２が受信した場合に実行される。
【０１６０】
図１２のステップＳ４０で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのリファレンスパーティションＲＰに、第２集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ４４に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ４２に移行する。ステップＳ４２で、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６１】
ステップＳ４４で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのデータパーティションＤＰに、第２集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ４８に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ４６に移行する。ステップＳ４６で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６２】
ステップＳ４８で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのデータパーティションＤＰに、第１集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ５２に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ５０に移行する。ステップＳ５０で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録された第１集合データを読み取り、読み取った第１集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６３】
ステップＳ５２で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録されたメタデータを読み取り、読み取ったメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。ステップＳ４２、ステップＳ４６、ステップＳ５０、またはステップＳ５２の処理が終了すると、メタデータ記憶処理が終了する。
【０１６４】
図１３のステップＳ６０で、受付部５２は、前述したように、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。ステップＳ６２で、特定部５４は、メタデータＤＢ４６を参照し、ステップＳ６０の処理により受け付けられた識別情報を含むメタデータを用いて、その識別情報が示すオブジェクトの磁気テープＴ上の位置を特定する。
【０１６５】
ステップＳ６４で、読取部５０は、ステップＳ６２の処理により特定された磁気テープＴ上の位置に記録されたオブジェクトを読み取る。ステップＳ６６で、送信部５６は、ステップＳ６４の処理により読み取られたオブジェクトを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して端末１６に送信する。ステップＳ６８で、読取部５０は、テープライブラリ１４を制御し、磁気テープＴをテープドライブ１８からアンロードする。ステップＳ６８の処理が終了すると、オブジェクト読取処理が終了する。
【０１６６】
以上説明したように、本実施形態によれば、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。また、本実施形態によれば、メタデータが、リファレンスパーティションＲＰ内の第２集合データと、データパーティションＤＰ内の第２集合データ、第１集合データ、およびメタデータとに記録されているため、耐障害性を高めることができる。また、本実施形態によれば、第１集合データ間のメタデータの重複、および各パーティション内の第２集合データ間のメタデータの重複を避けることによって、第１集合データおよび第２集合データのサイズの増大を抑制している。したがって、磁気テープＴへの第１集合データおよび第２集合データの記録に費やされる時間の増大を抑制することができる結果、実効記録速度の低下を抑制することができる。さらに、本実施形態によれば、第２集合データが所定のサイズを超えないように分割している。このため、一回に記録される第１集合データおよび第２集合データのサイズの増大が抑制される結果、実効記録速度の低下を抑制することができる。なお、ここでいう実効記録速度とは、ユーザが記録対象とするデータを磁気テープＴに記録を開始してから終了するまでの記録速度（すなわち、メタデータの記録も含む記録速度）を意味する。また、この実効記録速度は、ユーザが記録対象とするデータのサイズを、そのデータを磁気テープＴに記録を開始してから終了するまでの時間で除算することにより求められる速度である。
【０１６７】
［第２実施形態］
本開示の技術の第２実施形態を説明する。なお、本実施形態に係る記録読取システム１０および情報処理装置１２の構成は、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。また、本実施形態に係る情報処理装置１２の作用も、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１６８】
本実施形態では、図１４に示すように、情報処理装置１２によりオブジェクトが記録された磁気テープＴを輸送し、他のシステムで使用することを想定する。第１実施形態では、メタデータにオブジェクト固有の識別情報を含めたが、この場合、システム内で固有の識別情報だと、他のシステムでも同一の識別情報を使用していることが考えられる。なお、図１４では、オブジェクト固有の識別情報を「ＯｂｊｅｃｔＩＤ」と表記している。
【０１６９】
そこで、本実施形態では、図１５に示すように、情報処理装置１２は、端末１６から送信されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトを生成する際に、オブジェクト固有の識別情報に加えて、システム固有の識別情報をメタデータに含める。なお、図１５では、オブジェクト固有の識別情報を「ＯｂｊｅｃｔＩＤ」と表記し、システム固有の識別情報を「ＳｙｓｔｅｍＩＤ」と表記している。
【０１７０】
図１６に示すように、メタデータにシステム固有の識別情報も含めることにより、情報処理装置１２によりオブジェクトが記録された磁気テープＴを他のシステムで使用する場合に、以下に示すようにオブジェクトを識別することができる。すなわち、この場合、オブジェクトの識別情報が重複している場合でも、オブジェクト固有の識別情報に加えて、システム固有の識別情報も用いることにより、オブジェクトを識別することができる。
【０１７１】
なお、上記各実施形態では、記録したオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、記録したオブジェクトの数が所定数を超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する形態としてもよい。また、例えば、最後にオブジェクトを記録してから所定の時間が経過したタイミングで、第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する形態としてもよい。
【０１７２】
また、上記各実施形態では、磁気記録媒体として磁気テープを適用した場合について説明したが、これに限定されない。磁気記録媒体として磁気テープ以外の磁気記録媒体を適用する形態としてもよい。摺動型の磁気記録再生装置において使用される各種磁気記録媒体（磁気テープ、ディスク状の磁気記録媒体（磁気ディスク）等）として、本実施形態の磁気記録媒体は好適である。上記の摺動型の装置とは、磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の読み取りを行う際に磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。
【０１７３】
また、上記実施形態においては、情報処理装置１２とテープライブラリ１４とを別体として説明しているが、これに限定されるものではない。情報処理装置１２とテープライブラリ１４とを備えた磁気記録読取装置として、提供することも可能である。
【０１７４】
また、上記実施形態でＣＰＵがソフトウェア（プログラム）を実行することにより実行した各種処理を、ＣＰＵ以外の各種のプロセッサが実行してもよい。この場合のプロセッサとしては、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）等の製造後に回路構成を変更可能なＰＬＤ（Programmable Logic Device）、およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路等が例示される。また、上記各種処理を、これらの各種のプロセッサのうちの１つで実行してもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡ、およびＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ等）で実行してもよい。また、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造は、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路である。
【０１７５】
また、上記実施形態では、記録プログラム３０および読取プログラム３２が記憶部２２に予め記憶（インストール）されている態様を説明したが、これに限定されない。記録プログラム３０および読取プログラム３２は、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk Read Only Memory）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disk Read Only Memory）、およびＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ等の記録媒体に記録された形態で提供されてもよい。また、記録プログラム３０および読取プログラム３２は、ネットワークを介して外部装置からダウンロードされる形態としてもよい。
【実施例】
【０１７６】
以下に、本開示を実施例に基づき説明する。但し、本開示は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」は、「質量部」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。まず、磁気記録媒体の実施例について説明する。【０１７７】
実施例および比較例の磁気記録媒体の製造のために使用した突起形成剤は、以下の通りである。突起形成剤１および突起形成剤３は、粒子表面の表面平滑性が低い粒子である。突起形成剤２の粒子形状は繭状の形状である。突起形成剤４の粒子形状はいわゆる不定形である。突起形成剤５の粒子形状は真球に近い形状である。
突起形成剤１：キャボット社製ＡＴＬＡＳ（シリカとポリマーとの複合粒子）、平均粒子サイズ１００ｎｍ
突起形成剤２：キャボット社製ＴＧＣ６０２０Ｎ（シリカ粒子）、平均粒子サイズ    １４０ｎｍ
突起形成剤３：日揮触媒化成社製Ｃａｔａｌｏｉｄ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１２０ｎｍ
突起形成剤４：旭カーボン社製旭＃５０（カーボンブラック）、平均粒子サイズ３００ｎｍ
突起形成剤５：扶桑化学工業社製ＰＬ−１０Ｌ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１３０ｎｍ【０１７８】
［実施例１］
＜磁性層形成用組成物＞
（磁性液）
強磁性粉末（六方晶バリウムフェライト粉末）：１００．０部
（保磁力Ｈｃ：１９６ｋＡ／ｍ、平均粒子サイズ（平均板径）２４ｎｍ）
オレイン酸：２．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ−１０４）：１０．０部
ＳＯ3Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
(重量平均分子量７００００、ＳＯ3Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)
添加剤Ａ：１０．０部
メチルエチルケトン：１５０．０部
シクロヘキサノン：１５０．０部
（研磨剤液）
α−アルミナ（平均粒子サイズ：１１０ｎｍ）：６．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ１１０）：０．７部
シクロヘキサノン：２０．０部
（突起形成剤液）
突起形成剤（図１７参照）：１．３部
メチルエチルケトン：９．０部
シクロヘキサノン：６．０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：６．０部
メチルエチルケトン：１１０．０部
シクロヘキサノン：１１０．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部【０１７９】
上記の添加剤Ａは、特開２０１６−０５１４９３号公報の段落０１１５〜０１２３に記載の方法により合成されたポリマーである。【０１８０】
＜非磁性層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α−酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
電子線硬化型塩化ビニル共重合体：１３．０部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ブチルステアレート：２．０部
ステアリン酸：１．０部【０１８１】
＜バックコート層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α−酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１００ｎｍ）：３．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ステアリン酸：３．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート）：５．０部
メチルエチルケトン：４００．０部【０１８２】
＜各層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物は、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の成分をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径０．５ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ2）ビーズ（以下、「Ｚｒビーズ」と記載する）を用い、ビーズ充填率８０体積％およびローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。【０１８３】
研磨剤液は、上記研磨剤液の成分を混合した後、粒径１ｍｍのＺｒビーズとともに縦型サンドミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が６０％になるように調整し、１８０分間サンドミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。【０１８４】
磁性液、研磨剤液、突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。【０１８５】
非磁性層形成用組成物は以下の方法によって調製した。【０１８６】
潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。【０１８７】
バックコート層形成用組成物は以下の方法によって調製した。【０１８８】
潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。【０１８９】
＜磁気テープの作製＞
厚み６．０μｍのポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚みが１．０μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、１２５ｋＶの加速電圧で４０ｋＧｙのエネルギーとなるように電子線を照射した。その上に乾燥後の厚みが５０ｎｍになるように磁性層形成用組成物を塗布し、塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに、磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。さらにバックコート層形成用組成物を支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に乾燥後の厚みが０．５μｍになるように塗布し乾燥させた。【０１９０】
その後、金属ロールのみから構成される７段のカレンダロールを用いて、カレンダ速度８０ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ、および図１７に示すカレンダ温度でカレンダ処理を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後、１／２インチ（１インチ＝０．０２５４メートル）幅にスリットし、スリット品の送り出し、巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性層表面に押し当たるように取り付けたテープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行い、磁気テープを得た。【０１９１】
［実施例２〜７、比較例１〜９］
突起形成剤の種類および／またはカレンダ温度を図１７に示すように変更した点以外、実施例１と同じ方法により磁気テープを得た。なお、図１７において、突起形成剤が「無」は、突起形成剤を使用していないことを表す。また。図１７において、「記録制御」とは、本開示によるデータの記録の制御の有無を表す。【０１９２】
［評価方法］
（１）差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）
ＴＳＡ（Tape Spacing Analyzer（Micro Physics社製））を用いて、以下の方法により、ｎ−ヘキサン洗浄後のスペーシングＳ0.5およびＳ13.5を測定し、測定された値から差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を算出した。【０１９３】
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を５つ切り出し、各試料片を先に記載した方法によりｎ−ヘキサン洗浄を行った後、以下の方法によりＳ0.5およびＳ13.5を測定した。【０１９４】
磁気テープ（すなわち上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Thorlabs,Inc.社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に０．５ａｔｍの圧力で押し付けた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００〜２０００００μｍ2）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Charge-Coupled Device）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。【０１９５】
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムの最頻値をスペーシングＳ0.5として求めた。【０１９６】
同じ試料片をさらに押圧し、１３．５ａｔｍの押圧下で上記と同じ方法によりスペーシングＳ13.5を求めた。【０１９７】
以上により求められたＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を上記の５つの試料片について算出し、算出された値の算術平均を差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）として図１７に示した。【０１９８】
（２）摩擦係数（μ値）
雰囲気温度２３℃相対湿度５０％の環境において、ＩＢＭ社製ＬＴＯ（登録商標）Ｇ５（Linear Tape-Open Generation 5）ドライブから取り外した磁気ヘッドをテープ走行系に取り付け、０．６Ｎ（ニュートン）のテンションをかけながら、後述するデータ読み出しの評価を行い、評価後の磁気テープから２０ｍのテープ長の磁気テープを切り出した。そして、切り出したテープ長２０ｍの磁気テープを、送り出しロールからの送り出しおよび巻き取りロールへの巻き取りを行いつつ、磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させながら走行速度４．０ｍ／ｓで走行させた。１パス目の走行において、走行中に磁気ヘッドに係る摩擦力をひずみゲージを用いて測定し、測定された摩擦力から摩擦係数μ値を求めた。図１７における値は１パス目の走行について求められたμ値であるため、「μ値（１ｐ）」と示す。【０１９９】
［データ読み出しの評価］
データ読み出し評価のための磁気テープを用意した。磁気テープとしては、上記磁気記録媒体の実施例１を用いた。
評価のために、以下の２つの方式Ｒ１、Ｒ２により、磁気テープにインデックスを記録した。方式Ｒ２が本開示の記録方式である。
方式Ｒ１：データを１０個記録する毎にそれまでの全データのインデックスを記録する。
方式Ｒ２：データを１０個記録する毎に１０個分のインデックスを記録する。データおよびインデックスの記録の態様を図１８に示す。【０２００】
なお、方式Ｒ１，Ｒ２のいずれもデータの末尾に全データのインデックスを記録した。また、１つのデータおよびデータ１つ分のインデックスは、１単位サイズを有するものとする。そして、方式Ｒ１，Ｒ２のそれぞれについて、書き込むデータ数毎に、テープ上の総データサイズを求めた。【０２０１】
データ数をｄとした場合の総データサイズは、以下である。但し、ｄ ｍｏｄ １０＝ｂとおくものとする。
方式Ｒ１=(1/20)*(d2+30*d+b2-2*b*d+10*b)
方式Ｒ２=3*d-b【０２０２】
データ数に対する総データサイズの結果を図１９に示す。
図１７に示す結果から、実施例の磁気テープは、比較例の磁気テープと比べてμ値が小さいこと、すなわち磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても摩擦係数の上昇が少ないことが確認できる。また、図１９に示す結果から、データ数１００個の場合、方式Ｒ１に対する方式Ｒ２の総データサイズは約４６％ほどになることが確認できる。この場合において、シーケンシャルに読み出した場合の、ヘッドの総移動量は５４％ほど削減されることとなる。また、データ数が増えるに従い削減率は高くなることが確認できる。また、本開示の実施例は、強磁粉末として六方晶バリウムフェライト粉末を使用したものであるが、強磁粉末として六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε-酸化鉄粉末を使用した場合であっても、六方晶バリウムフェライト粉末を使用した場合と同様に、良好な結果が得られることが確認された。【０２０３】
ここで用いた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁性層の異方性磁界Ｈｋは、２５ｋＯｅであった。同様に、ε−酸化鉄粉末の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。ε−酸化鉄粉末含む磁性層の異方性磁界Ｈｋは、３０ｋＯｅであった。
【符号の説明】
【０２０４】
１０  記録読取システム
１２  情報処理装置
１４  テープライブラリ
１６  端末
１８  テープドライブ
２０  ＣＰＵ
２１  メモリ
２２  記憶部
２３  表示部
２４  入力部
２５  ネットワークＩ／Ｆ
２６  外部Ｉ／Ｆ
２７  バス
３０  記録プログラム
３２  読取プログラム
４０、５２  受付部
４２  記録部
４４  データキャッシュ
４６  メタデータＤＢ
５０  読取部
５４  特定部
５６  送信部
ＤＰ  データパーティション
ＧＷ  ガードラップス
Ｎ  ネットワーク
ＲＰ  リファレンスパーティション
Ｔ  磁気テープ
Ｒ１    方式１
Ｒ２    方式２
【図１】
2020183899.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2020183899.tif 000015
【図１４】
2020183899.tif 000016
【図１５】
2020183899.tif 000017
【図１６】
2020183899.tif 000018
【図１７】
2020183899.tif 000019
【図１８】
2020183899.tif 000020
【図１９】
2020183899.tif 000021
【図２０】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年8月12日(2021.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、記録装置、読取装置、記録方法、記録プログラム、読取方法、読取プログラム、および磁気テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁性層の表面に突起を形成することにより、磁性層表面の形状を制御することが提案されている（特開２０１１−２８８２６号公報および特開２０１７−１６８１７８号公報参照）。
【０００３】
一方、磁気テープ等の磁気記録媒体を用いるファイルシステムとして、ＬＴＦＳ（Linear Tape File System）が知られている。このファイルシステムに関する技術として、特開２０１６−４４１３号公報には、複数のファイルを、１つの結合ファイルとなるように連続してテープに書き込む技術が開示されている。この技術では、テープ上の結合ファイルの開始位置およびサイズを含む第１のインデックスをテープに書き込んだ後、テープ上の結合ファイル中の複数のファイルの各々についての開始位置およびサイズを含む第２のインデックスをテープに書き込む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
摺動型の磁気記録再生装置では、磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の再生は、磁気記録媒体の磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させることにより行われる。磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数が高いことは、走行安定性の低下等の原因となる。これに対し、磁性層表面の形状を制御することは、上記の摩擦係数を下げることに寄与し得る。
【０００５】
磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の再生のためには、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動が繰り返される。この点に関し、従来提案されていたように磁性層表面の形状を制御することによって摺動初期に低摩擦係数を実現できたとしても、摺動を繰り返すうちに摩擦係数が上昇してしまう現象が発生する場合がある。
【０００６】
ところで、図２０に示すように、前述したＬＴＦＳでは、磁気テープの記録領域は、インデックスパーティションおよびデータパーティションに分割される。文書データおよび画像データ等のユーザが保存対象とするデータは、磁気テープのデータパーティションの先頭から記録される。そして、例えば、記録されたデータのサイズの合計が所定のサイズを超えた場合に、記録されたデータ各々の磁気テープ上の位置を表す情報を含むインデックス（図２０中のｉｎｄｅｘ１）がデータパーティションに記録される。
【０００７】
また、インデックスが記録された後にデータが所定のサイズを超えて記録されると、新たなインデックス（図２０中のｉｎｄｅｘ２）が記録される。このインデックスには、磁気テープの先頭から記録されたすべてのデータ各々の磁気テープ上の位置を表す情報が含まれる。
【０００８】
したがって、磁気テープに多数のデータが記録されるほどインデックスのサイズも大きくなり、磁気テープの実効容量が低下してしまう、という問題点がある。なお、ここでは、実効容量とは、磁気テープにおけるユーザが保存対象とするデータを記録できる容量を意味する。
【０００９】
上記特開２０１６−４４１３号公報に記載の技術では、多数の小サイズのデータを磁気テープに記録する場合のデータ転送速度については考慮されているものの、前述したインデックスのサイズの増大に伴う磁気テープの実効容量の低下については考慮されていない。
【００１０】
また、上記のようにインデックスのサイズが増大すると、磁気記録媒体からのデータを読み出しする際の、磁気ヘッドと磁気記録媒体との繰り返し摺動回数が増えてしまう。さらに、近年の磁気記録媒体の大容量化に伴い、記録可能なデータ量も多くなる。このため、このような大容量の磁気記録媒体からデータを読み出す際には、繰り返し往復回数がさらに増え、その結果、磁気記録媒体の走行安定性が大きく低下してしまう。
【００１１】
本開示は上記事情に鑑みなされたものであり、摩擦係数の上昇を抑制して、磁気記録媒体の走行安定性の低下を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本開示の記録装置は、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する記録部を備え、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合であり、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００１３】
なお、本開示の記録装置は、差分が１．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であってもよい。
【００１４】
また、本開示の記録装置は、Ｓ0.5が、５．０〜５０．０ｎｍの範囲であってもよい。
【００１５】
ここで、本明細書において、数値の範囲を示す「〜」は、数値の上限および下限を含むものとする。すなわち、５．０〜５０．０ｎｍとは、５．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下を意味するものとする。
【００１６】
また、本開示の記録装置は、磁性層が、無機酸化物系粒子を含むものであってもよい。
【００１７】
また、本開示の記録装置は、無機酸化物系粒子が、無機酸化物とポリマーとの複合粒子であってもよい。
【００１８】
また、本開示の記録装置は、磁性層が、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を含むものであってもよい。
【００１９】
また、本開示の記録装置は、非磁性支持体と磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有するものであってもよい。
【００２０】
また、本開示の記録装置は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有するものであってもよい。
【００２１】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が磁気テープであってもよい。
【００２２】
また、本開示の記録装置は、記録部は、少なくとも１つの第１集合データを記録した後に、記録済みの第１集合データの集合である第２集合データを磁気記録媒体に記録してもよい。
【００２３】
また、本開示の記録装置は、記録部が、磁気記録媒体に記録済みの第２集合データのサイズが所定のサイズ以下の場合で、かつオブジェクトを磁気記録媒体に記録する場合に、第２集合データに上書きして記録してもよい。
【００２４】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が、リファレンスパーティションおよびオブジェクトが記録されるデータパーティションを含み、記録部が、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションに記録し、かつデータパーティションに記録された第２集合データのサイズが所定のサイズを超える場合は、データパーティションに記録された第２集合データを、リファレンスパーティションに記録してもよい。
【００２５】
また、本開示の記録装置は、記録部が、データパーティションに記録された第２集合データをリファレンスパーティションに記録する場合、データパーティションに記録された第２集合データを削除せずにリファレンスパーティションに記録してもよい。
【００２６】
また、本開示の記録装置は、メタデータが、システム固有の識別情報、およびメタデータが含まれるオブジェクト固有の識別情報を含んでもよい。
【００２７】
また、本開示の記録装置は、磁気記録媒体が、磁気テープであってもよい。
【００２８】
一方、上記目的を達成するために、本開示の読取装置は、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定する特定部と、特定部により特定された位置に記録されたオブジェクトを読み取る読取部とを備え、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００２９】
なお、本開示の読取装置は、特定部が、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの順番で参照して上記位置を特定してもよい。
【００３０】
また、上記目的を達成するために、本開示の記録方法は、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理をコンピュータが実行する記録方法であって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３１】
また、上記目的を達成するために、本開示の記録プログラムは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理をコンピュータに実行させる記録プログラムであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３２】
また、上記目的を達成するために、本開示の読取方法は、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータが実行する読取方法であって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３３】
また、上記目的を達成するために、本開示の読取プログラムは、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理をコンピュータに実行させる読取プログラムであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３４】
また、上記目的を達成するために、本開示の磁気テープは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトが記録され、少なくとも１つのオブジェクトが記録された後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データが記録される処理が、所定のタイミング毎に実行される磁気テープであって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である磁気テープであって、
非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３５】
また、本開示の他の記録装置は、コンピュータに実行させるための命令を記憶するメモリと、
記憶された命令を実行するよう構成されたプロセッサとを備え、
プロセッサは、データおよびデータに関するメタデータを含む複数のオブジェクトを磁気記録媒体に記録し、かつ少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する処理であって、第１集合データのそれぞれは、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたオブジェクトに含まれるメタデータの集合である処理を行うものであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【００３６】
また、本開示の他の読取装置は、コンピュータに実行させるための命令を記憶するメモリと、
記憶された命令を実行するよう構成されたプロセッサとを備え、
プロセッサは、リファレンスパーティションと、データおよびデータに関するメタデータを含むオブジェクトが記録されるデータパーティションとを含む磁気記録媒体のデータパーティションに記録されたオブジェクトの磁気記録媒体上の位置を、リファレンスパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第２集合データ、データパーティションに記録された第１集合データ、およびデータパーティションに記録されたメタデータの少なくとも１つを用いて特定し、特定した位置に記録されたオブジェクトを読み取る処理を行うものであって、
磁気記録媒体が、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分、Ｓ0.5−Ｓ13.5、が３．０ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００３７】
本開示によれば、摩擦係数の上昇を抑制して、磁気記録媒体の走行安定性の低下を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】各実施形態に係る記録読取システムの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】各実施形態に係る情報処理装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図３】各実施形態に係る情報処理装置のオブジェクトを記録する場合の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図４】各実施形態に係る磁気テープの初期状態の一例を示す図である。
【図５】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図６】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図７】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図８】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図９】各実施形態に係る磁気テープの記録状態の一例を示す図である。
【図１０】各実施形態に係る記録処理の一例を示すフローチャートである。
【図１１】各実施形態に係る情報処理装置のオブジェクトを読み取る場合の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図１２】各実施形態に係るメタデータ記憶処理の一例を示すフローチャートである。
【図１３】各実施形態に係るオブジェクト読取処理の一例を示すフローチャートである。
【図１４】第２実施形態に係る磁気テープを他のシステムで使用する場合の一例を示す模式図である。
【図１５】第２実施形態に係るメタデータに含める識別情報を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態に係るオブジェクト固有の識別情報が重複した場合を説明するための図である。
【図１７】本開示の実施例の結果を示す図である。
【図１８】各磁気テープのデータの記録の態様を模式的に示す図である。
【図１９】本開示の実施例の結果を示す図である。
【図２０】ＬＴＦＳにおけるインデックスの記録処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面を参照して、本開示の技術を実施するための形態例を詳細に説明する。
【００４０】
［第１実施形態］
まず、図１を参照して、本実施形態に係る記録読取システム１０の構成を説明する。図１に示すように、記録読取システム１０は、情報処理装置１２およびテープライブラリ１４を含む。テープライブラリ１４は、情報処理装置１２に接続される。また、情報処理装置１２と複数台の端末１６とは、ネットワークＮに接続され、ネットワークＮを介して通信が可能とされる。
【００４１】
テープライブラリ１４は、複数のスロット（図示省略）および複数のテープドライブ１８を備え、各スロットには磁気テープＴが格納される。磁気テープＴは、シーケンシャルアクセスによりデータの書き込みまたは読み取りが行われる磁気記録媒体の一例である。なお、磁気テープＴの例としては、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）テープが挙げられる。
【００４２】
情報処理装置１２により磁気テープＴに対するデータの書き込みまたは読み取りを行う場合、書き込みまたは読み取り対象の磁気テープＴがスロットから所定のテープドライブ１８にロードされる。テープドライブ１８にロードされた磁気テープＴに対する情報処理装置１２による書き込みまたは読み取りが完了すると、磁気テープＴは、テープドライブ１８から元々格納されていたスロットにアンロードされる。
【００４３】
本実施形態では、磁気テープＴに記録するデータのフォーマットとして、文書データおよび画像データ等のユーザが保存対象とするデータと、そのデータに関するメタデータとを含むオブジェクトを適用した形態例を説明する。なお、このオブジェクトを取り扱うストレージシステムは、オブジェクトストレージシステムと称される。
【００４４】
次に、図２を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２のハードウェア構成を説明する。図２に示すように、情報処理装置１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０、一時記憶領域としてのメモリ２１、および不揮発性の記憶部２２を含む。また、情報処理装置１２は、液晶ディスプレイ等の表示部２３、キーボードとマウス等の入力部２４、ネットワークＮに接続されるネットワークＩ／Ｆ（InterFace）２５、およびテープライブラリ１４が接続される外部Ｉ／Ｆ２６を含む。ＣＰＵ２０、メモリ２１、記憶部２２、表示部２３、入力部２４、ネットワークＩ／Ｆ２５、および外部Ｉ／Ｆ２６は、バス２７に接続される。
【００４５】
記憶部２２は、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、およびフラッシュメモリ等によって実現される。記憶媒体としての記憶部２２には、記録プログラム３０および読取プログラム３２が記憶される。ＣＰＵ２０は、記憶部２２から記録プログラム３０を読み出してからメモリ２１に展開し、展開した記録プログラム３０を実行する。また、ＣＰＵ２０は、記憶部２２から読取プログラム３２を読み出してからメモリ２１に展開し、展開した読取プログラム３２を実行する。なお、情報処理装置１２の例としては、サーバコンピュータ等が挙げられる。また、情報処理装置１２が、磁気テープＴにオブジェクトを記録する記録装置の一例である。また、情報処理装置１２は、磁気テープＴに記録されたオブジェクトを読み取る読取装置の一例でもある。
【００４６】
次に、図３を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴにオブジェクトを記録する場合の機能的な構成について説明する。図３に示すように、情報処理装置１２は、受付部４０および記録部４２を含む。ＣＰＵ２０が記録プログラム３０を実行することにより、受付部４０および記録部４２として機能する。また、記憶部２２の所定の記憶領域には、データキャッシュ４４およびメタデータデータベース（ＤＢ）４６が記憶される。データキャッシュ４４およびメタデータＤＢ４６は磁気テープＴ毎に用意される。
【００４７】
受付部４０は、オブジェクトを取り扱うためのＡＰＩ（Application Programming Interface）を用いて端末１６から送信されたデータおよびそのデータに関するメタデータを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。そして、受付部４０は、受け付けたデータをデータキャッシュ４４に記憶し、メタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。なお、端末１６から送信されたメタデータには、対応するデータのデータ名等の識別情報、データのサイズ、およびタイムスタンプ等のデータの属性を示す属性情報が含まれる。また、受付部４０は、受け付けたデータおよびメタデータを含むオブジェクト固有の識別情報をメタデータに追加する。
【００４８】
図４に、データキャッシュ４４にデータが記憶され、メタデータＤＢ４６にメタデータが記憶された状態の一例を示す。また、図４では、磁気テープＴはフォーマットされた直後で、まだオブジェクトが記録されていない状態である。
【００４９】
図４に示すように、データキャッシュ４４にはデータが記憶され、メタデータＤＢ４６にはデータに対応付けてメタデータが記憶される。また、本実施形態に係る磁気テープＴは、フォーマットされる際に、リファレンスパーティションＲＰと、オブジェクトが記録されるデータパーティションＤＰとの２つのパーティションに分割される。また、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰは、複数本のラップを含んで構成されるガードラップスＧＷによって区分される。また、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰそれぞれの先頭には、ラベルが記録される。このラベルには、磁気テープＴの識別情報、および磁気テープＴへのデータの書き込み形式に関するフォーマット情報等が含まれる。
【００５０】
記録部４２は、テープライブラリ１４を制御し、オブジェクトの記録対象の磁気テープＴを所定のテープドライブ１８にロードする。また、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータ、およびメタデータＤＢ４６に記憶された対応するメタデータを含むオブジェクトを、ロードした磁気テープＴのデータパーティションＤＰに記録する。この際、記録部４２は、メタデータに、対応するオブジェクトが記録される磁気テープＴの識別情報、および磁気テープＴ上の記録位置を表す情報等のオブジェクトを管理するための管理情報を追加する。図５に、２つのオブジェクトがデータパーティションＤＰに記録された状態の一例を示す。
【００５１】
また、記録部４２は、所定のタイミング毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合をデータパーティションＤＰに記録する。なお、以下では、このメタデータの集合を「第１集合データ」という。本実施形態では、記録部４２は、記録したオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。この際、記録部４２は、すでにデータパーティションＤＰに記録済みの第１集合データが存在する場合は、直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。すなわち、記録部４２は、少なくとも１つのオブジェクトを記録した後に、オブジェクトに含まれるメタデータの集合である第１集合データを記録する処理を、所定のタイミング毎に実行する。そして、記録部４２は、第１集合データのそれぞれが、直前の記録済みの第１集合データの記録後に記録されたすべてのオブジェクトに含まれるメタデータの集合となるように上記処理を実行する。したがって、第１集合データのそれぞれは、直前の第１集合データと自身との間に記録されたすべてのオブジェクトのメタデータの集合となる。以上の処理は、この第１集合データよりも前に記録されたオブジェクトは正常に書き込まれたことを保証するコミット処理に相当する。なお、この場合における上記所定のサイズは、例えば、このコミット処理が長時間行われないことを防止するための値として予め定められている。また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、磁気テープＴの記録容量に所定の割合を乗算して得られたサイズ等、磁気テープＴの記録容量、磁気テープＴの使用環境または使用条件等に応じて実験的に決めたり変更したりしてもよい。
【００５２】
また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、一度の記録指示によってオブジェクトをまとめてデータパーティションＤＰに記録する場合にかかる時間（以下、「記録時間」という）の上限値に応じて定められてもよい。例えば、システムの要求性能としての記録時間の上限値が３５秒の場合で、かつ磁気テープＴへのデータの記録速度が３００ＭＢ／ｓｅｃの場合、記録対象のオブジェクトのサイズの合計値が１０ＧＢ以下であれば、記録時間が３５秒以下になる。したがって、この場合、上記所定のサイズを１０ＧＢとすればよい。
【００５３】
また、記録部４２は、少なくとも１つの第１集合データをデータパーティションＤＰに記録した後に、データパーティションＤＰに記録済みの第１集合データの集合をデータパーティションＤＰに記録する。なお、以下では、この第１集合データの集合を「第２集合データ」という。この際、記録部４２は、すでにデータパーティションＤＰに第２集合データが存在する場合は、直前の第１集合データの集合の後に記録された第１集合データの集合である第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。したがって、第２集合データのそれぞれは、直前の第２集合データと自身との間に記録されたすべての第１集合データの集合となる。
【００５４】
データパーティションＤＰに第１集合データが記録されていない場合、図６に示すように、データパーティションＤＰの先頭から記録済みのメタデータの集合である第１集合データがデータパーティションＤＰに記録される。また、データパーティションＤＰに第２集合データが記録されていない場合、データパーティションＤＰの先頭から記録済みの第１集合データの集合である第２集合データがデータパーティションＤＰに記録される。なお、図６では、第１集合データを「第１集合」と表記し、第２集合データを「第２集合」と表記している。また、この表記は、後述する図７〜図９でも同様である。
【００５５】
また、図６に示すように、記録部４２は、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する場合、第１集合データの前後および第２集合データの前後にファイルマークを記録する。このファイルマークを用いることによって、データパーティションＤＰに記録済みの第１集合データおよび第２集合データを探索することができる。
【００５６】
また、データパーティションＤＰに第１集合データが記録されている場合、図７に示すように、直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データがデータパーティションＤＰに記録される。また、データパーティションＤＰに第２集合データが記録されている場合、直前の第２集合データの後に記録された第１集合データの集合である第２集合データがデータパーティションＤＰに記録される。すなわち、本実施形態では、データパーティションＤＰに記録された複数の第１集合データにメタデータが重複して含まれないため、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。また、本実施形態では、データパーティションＤＰに記録された複数の第２集合データに第１集合データが重複して含まれないため、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。
【００５７】
また、記録部４２は、オブジェクトをデータパーティションＤＰに記録する場合、直前の第２集合データのサイズが所定のサイズ以下の場合は、その第２集合データにオブジェクトを上書きして記録する。図７では、図６の第２集合データが上書きされた例を示している。なお、この場合における上記所定のサイズは、例えば、磁気テープＴの記録速度に応じて予め定められている。また、例えば、この場合における上記所定のサイズは、磁気テープＴの記録容量に所定の割合を乗算して得られたサイズ等、磁気テープＴの記録容量、磁気テープＴの使用環境または使用条件等に応じて実験的に決めたり変更したりしてもよい。
【００５８】
また、図８に示すように、記録部４２は、データパーティションＤＰに記録した第２集合データのサイズが所定のサイズを超える場合は、その第２集合データを削除せずにリファレンスパーティションＲＰに記録（コピー）する。この際、記録部４２は、リファレンスパーティションＲＰの第２集合データの前後にもファイルマークを記録する。
【００５９】
また、図９に示すように、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータのデータパーティションＤＰへの記録が完了し、磁気テープＴをアンロードする場合も、同様に第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。この場合、記録部４２は、第２集合データをリファレンスパーティションＲＰにも記録する。
【００６０】
次いで、本実施形態の磁気テープＴとして使用される磁気記録媒体について説明する。
【００６１】
［磁気記録媒体］
本実施形態において使用される磁気記録媒体の一態様は、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有する磁気記録媒体であって、上記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ0.5と、上記磁性層の表面においてｎ−ヘキサン洗浄後に光学干渉法により１３．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）は３．０ｎｍ以下である磁気記録媒体に関する。
【００６２】
本実施形態において、「ｎ−ヘキサン洗浄」とは、磁気記録媒体から切り出した試料片を液温２０〜２５℃のフレッシュなｎ−ヘキサン（２００ｇ）に浸漬して１００秒間超音波洗浄（超音波出力：４０ｋＨｚ）することをいうものとする。洗浄対象の磁気記録媒体が磁気テープの場合には、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付す。磁気テープの幅および磁気テープから切り出される試料片の幅は、通常、１／２インチである。１インチ＝０．０２５４メートルである。１／２インチ幅以外の磁気テープについても、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付せばよい。洗浄対象の磁気記録媒体が磁気ディスクの場合には、５ｃｍ×１．２７ｃｍのサイズの試料片を切り出してｎ−ヘキサン洗浄に付す。以下に詳述するスペーシングの測定は、ｎ−ヘキサン洗浄後の試料片を、温度２３℃相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した後に行うものとする。
【００６３】
本実施形態において、磁気記録媒体の「磁性層（の）表面」とは、磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。
【００６４】
本実施形態において、磁気記録媒体の磁性層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。
【００６５】
磁気記録媒体（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気記録媒体の磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気記録媒体の磁性層側とは反対側から、０．５ａｔｍまたは１３．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付ける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気記録媒体の磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００〜２０００００μｍ2）、磁気記録媒体の磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気記録媒体の磁性層表面と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲に亘り発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００〜７００ｎｍの範囲にあることができる。但し、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気記録媒体に光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
【００６６】
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気記録媒体の磁性層表面と透明な板状部材の磁気記録媒体側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、スペーシングとする。
【００６７】
同じ磁気記録媒体から試料片を５つ切り出し、各試料片について、ｎ−ヘキサン洗浄後に０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングＳ0.5を求め、さらに１３．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングＳ13.5を求める。そして求められたＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を算出する。５つの試料片について算出された差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）の算術平均を、その磁気記録媒体についての差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）とする。
【００６８】
以上の測定は、例えばMicro Physics社製Tape Spacing Analyzer等の市販のテープスペーシングアナライザー（TSA;Tape Spacing Analyzer）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Micro Physics社製Tape Spacing Analyzerを用いて実施した。
【００６９】
磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数は、磁性層表面に突起を形成して、磁性層表面において磁気ヘッドと接触（いわゆる真実接触）する部分を少なくすることにより低下させることができる。但し、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されることにより磁性層表面の突起の高さが低くなってしまうと、磁性層表面において磁気ヘッドと真実接触する部分が増え、摩擦係数は上昇してしまう。
【００７０】
上記の点に関して、本開示の発明者らは、鋭意検討を重ねる中で、磁気ヘッドとの摺動が繰り返される際に磁性層表面に加わる圧力は一定ではなく、大きな圧力が加わる場合もあり、大きな圧力が加わった際に突起が変形したり磁性層内部に沈み込むことによって突起の高さが低くなることが、磁気ヘッドとの摺動を繰り返すと摩擦係数が上昇することの原因になるのではないかと考えるに至った。上記の大きな圧力が加わる場合とは、例えば磁気ヘッドのエッジ部との接触時が考えられる。これに対し、上記方法により求められるＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）が３．０ｎｍ以下と小さいことは、大きな圧力が加えられても磁性層表面の突起の高さの大きな変化が生じ難いことを示している。そのため、上記差分が３．０ｎｍ以下の上記磁気記録媒体は、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても磁性層表面の突起の高さの変化が少ないと考えられる。このことが、上記磁気記録媒体によれば、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されても摩擦係数の上昇を抑制できる理由であると、本開示の発明者らは推察している。但し、上記推察に本開示は限定されない。
【００７１】
ところで、上記スペーシングの測定における押圧時の圧力に関して、本実施形態では、磁気ヘッドとの摺動時に磁性層表面に主に加わる圧力の例示的な値として０．５ａｔｍを採用し、磁気ヘッドとの摺動時に磁性層表面に加わる大きな圧力の例示的な値として１３．５ａｔｍを採用したものであって、磁気ヘッドとの摺動時に上記磁気記録媒体に加わる圧力は上記圧力に限定されない。上記圧力を採用して求められた上記差分を制御することにより、磁気ヘッドとの摺動が繰り返されても摩擦係数の上昇を抑制できることは、本開示の発明者らの鋭意検討の結果、新たに見出されたことである。上記差分の制御方法については後述する。
【００７２】
以下、上記磁気記録媒体について、さらに詳細に説明する。以下において、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動を繰り返して摩擦係数が上昇することを、単に「摩擦係数の上昇」とも記載する。
【００７３】
＜磁性層＞
（差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5））
上記磁気記録媒体の差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）は、３．０ｎｍ以下であり、摩擦係数の上昇をより一層抑制する観点から、２．９ｎｍ以下であることが好ましく、２．８ｎｍ以下であることがより好ましく、２．７ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２．６ｎｍ以下であることが一層好ましく、２．５ｎｍ以下であることがより一層好ましい。また、上記差分は、例えば、１．０ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、１．８ｎｍ以上または２．０ｎｍ以上であることができる。但し、上記差分は、摩擦係数の上昇を抑制する観点からは小さいほど好ましいため、上記例示した下限を下回ることも、もちろん可能である。上記差分は、磁性層表面に突起を形成することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）の種類および磁気記録媒体の製造条件によって制御することができる。この点の詳細は後述する。
【００７４】
上記磁気記録媒体のＳ0.5およびＳ13.5は、差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）が３．０ｎｍ以下であれば特に限定されるものではない。電磁変換特性の向上の観点からは、Ｓ0.5は、５０．０ｎｍ以下であることが好ましく、４０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０．０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２０．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１６．０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、１５．５ｎｍ以下であることがさらに一層好ましく、１４．５ｎｍ以下であることがさらにより一層好ましい。また、主に磁気ヘッドとの摺動初期の摩擦係数を低く抑える観点からは、Ｓ0.5は、５．０ｎｍ以上であることが好ましく、８．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１０．０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１２．０ｎｍ以上であることが一層好ましい。また、Ｓ13.5は、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても走行安定性を良好に維持する観点からは、５．０ｎｍ以上であることが好ましく、８．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１０．０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても優れた電磁変換特性を発揮する観点からは、Ｓ13.5は、１５．０ｎｍ以下であることが好ましく、１４．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１３．５ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１３．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１２．０ｎｍ以下であることがより一層好ましい。
【００７５】
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において通常用いられる強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、磁気記録媒体の記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることがさらに一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【００７６】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０および特開２０１５−１２７９８５号公報の段落００２９〜００８４を参照できる。六方晶フェライト粉末としては、六方晶バリウムフェライト粉末および六方晶ストロンチウムフェライト粉末が特に好ましい。
【００７７】
強磁性粉末として六方晶ストロンチウムフェライト粉末を用いる場合の好適な態様は以下の通りである。
【００７８】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００〜１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ３以上であり、例えば８５０ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性のさらなる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることがさらに好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【００７９】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本開示および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０−１Ｊ／ｍ３である。  Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ−１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【００８０】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【００８１】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本開示および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０６／４π［Ａ／ｍ］である。
【００８２】
上記磁気テープが磁性層に六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１４ｋＯｅ以上であることが好ましく、１６ｋＯｅ以上であることがより好ましく、１８ｋＯｅ以上であることがさらに好ましい。また、上記磁性層の異方性磁界Ｈｋは、９０ｋＯｅ以下であることが好ましく、８０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７０ｋＯｅ以下であることがさらに好ましい。
【００８３】
本開示および本明細書における異方性磁界Ｈｋとは、磁化困難軸方向に磁界を印加したときに、磁化が飽和する磁界をいう。異方性磁界Ｈｋは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。
【００８４】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、金属粉末を挙げることもできる。金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３７〜０１４１および特開２００５−２５１３５１号公報の段落０００９〜００２３を参照できる。
【００８５】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε−酸化鉄粉末を挙げることもできる。ε−酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲータイト（ｇｏｅｔｈｉｔｅ）から作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε−酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、「J. Jpn. Soc. Powder Metallurgy Vol. 61 Supplement, No. S1, pp. S280-S284, J. Mater. Chem. C, 2013, 1, pp.5200-5206」等を参照できる。但し、上記磁性層において強磁性粉末として使用可能なε−酸化鉄粉末の製造方法は限定されない。
【００８６】
強磁性粉末としてε−酸化鉄粉末を用いる場合の好適な態様は以下の通りである。
【００８７】
ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００〜１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε−酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ３以上であり、例えば５００ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性のさらなる向上の観点から、ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることがさらに好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【００８８】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε−酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、ε−酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【００８９】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε−酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε−酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。
【００９０】
上記磁気テープが磁性層にε−酸化鉄粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１８ｋＯｅ以上であることが好ましく、３０ｋＯｅ以上であることがより好ましく、３８ｋＯｅ以上であることがさらに好ましい。また、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１００ｋＯｅ以下であることが好ましく、９０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７５ｋＯｅ以下であることがさらに好ましい。ε−酸化鉄粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。
【００９１】
本実施形態において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
【００９２】
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
【００９３】
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値である。本開示および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【００９４】
粒子サイズ測定のために磁気記録媒体から試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【００９５】
本実施形態において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（但し、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、すなわち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（但し、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものをいう。
【００９６】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、すなわち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
【００９７】
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【００９８】
磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも結合剤であり、任意に一種以上のさらなる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【００９９】
（結合剤、硬化剤）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、およびポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００４４〜００４５を参照できる。
【０１００】
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本開示および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(Ｉｎｎｅｒ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【０１０１】
また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気記録媒体の製造工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。
【０１０２】
（その他の成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、および酸化防止剤等を挙げることができる。非磁性フィラーとは、非磁性粒子または非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、突起形成剤、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する）を挙げることができる。また、添加剤としては、特開２０１６−０５１４９３号公報の段落００３０〜００８０に記載されている各種ポリマー等の公知の添加剤を用いることもできる。
【０１０３】
非磁性フィラーの一態様である突起形成剤としては、無機物質の粒子を用いることができ、有機物質の粒子を用いることもでき、無機物質と有機物質との複合粒子を用いることもできる。無機物質としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、および金属硫化物等を挙げることができ、無機酸化物が好ましい。一態様では、突起形成剤は、無機酸化物系粒子であることができる。ここで「系」とは、「含む」との意味で用いられる。無機酸化物系粒子の一態様は、無機酸化物からなる粒子である。また、無機酸化物系粒子の他の一態様は、無機酸化物と有機物質との複合粒子であり、具体例としては、無機酸化物とポリマーとの複合粒子を挙げることができる。そのような粒子としては、例えば、無機酸化物系粒子の表面にポリマーが結合した粒子を挙げることができる。
【０１０４】
上記のＳ0.5は、主に突起形成剤の粒子サイズにより制御することができる。突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍであり、好ましくは４０〜２００ｎｍである。また、磁気記録媒体の製造条件によって、主にＳ0.5を制御することができる。一方、Ｓ13.5については、突起形成剤の粒子サイズに加えて、突起形成剤の形状によって制御することができる。粒子の形状が真球に近い粒子ほど、大きな圧力が加えられた際に働く押し込み抵抗が小さいため、磁性層内部に押し込まれやすくなり、Ｓ13.5は小さくなりやすい。これに対し、粒子の形状が真球から離れた形状、例えばいわゆる異形と呼ばれる形状であると、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ13.5は大きくなりやすい。また、粒子表面が不均質であり表面平滑性が低い粒子も、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ13.5は大きくなりやすい。そしてＳ0.5およびＳ13.5を制御することにより、差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を３．０ｎｍ以下にすることができる。
【０１０５】
非磁性フィラーの他の一態様である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。これに対し、突起形成剤のモース硬度は、例えば８以下または７以下であることができる。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素、ボロンカーバイド（Ｂ4Ｃ）、ＳｉＯ2、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化鉄、およびダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα−アルミナ等のアルミナ粉末および炭化ケイ素粉末が好ましい。また、研磨剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍの範囲であり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１０６】
また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して、１．０〜４．０質量部であり、より好ましくは１．５〜３．５質量部である。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０〜２０．０質量部であり、より好ましくは３．０〜１５．０質量部であり、さらに好ましくは４．０〜１０．０質量部である。
【０１０７】
研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。また、分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
【０１０８】
磁性層に含まれ得る添加剤の一態様である潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を挙げることができる。上記のＳ0.5およびＳ13.5は、ｎ−ヘキサン洗浄後に測定される値である。スペーシング測定時に押圧される磁性層の表面に潤滑剤の液膜が存在すると、この液膜の厚み分、測定されるスペーシングは狭くなってしまう。これに対し、押圧時に液膜として存在し得る潤滑剤は、ｎ−ヘキサン洗浄によって除去できると推察される。したがって、ｎ−ヘキサン洗浄後にスペーシングを測定することにより、磁性層表面の突起の存在状態（突起の高さ）と良好に対応する値としてスペーシングの測定値を得ることができると考えられる。
【０１０９】
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、およびエライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびパルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
【０１１０】
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、およびエライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、およびステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
【０１１１】
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、およびステアリン酸アミド等を挙げることができる。
【０１１２】
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよびエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することが好ましい。
【０１１３】
磁性層形成用組成物の脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは０．１〜１０.０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物の脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．１〜１０.０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３.０質量部であり、好ましくは０〜２．０質量部であり、より好ましくは０〜１．０質量部である。
【０１１４】
また、上記磁気記録媒体が非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜１０．０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。非磁性層形成用組成物の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１５．０質量部であり、好ましくは０．１〜１０．０質量部である。非磁性層形成用組成物の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０〜１．０質量部である。
【０１１５】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、および金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。
【０１１６】
非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【０１１７】
上記磁気記録媒体の非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【０１１８】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、および芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、予めコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、および加熱処理等を行ってもよい。
【０１１９】
＜バックコート層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤、任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６−３３１６２５号公報の段落００１８〜００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目〜第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【０１２０】
＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、例えば３．０〜８０．０μｍの範囲であり、好ましくは３．０〜５０．０μｍの範囲であり、より好ましくは３．０〜１０．０μｍの範囲である。
【０１２１】
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは、１００ｎｍ以下であることが好ましい。磁性層の厚みは、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは２０〜９０ｎｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
【０１２２】
非磁性層の厚みは、例えば０．１〜１．５μｍであり、０．１〜１．０μｍであることが好ましい。
【０１２３】
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１〜０．７μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【０１２４】
磁気記録媒体の各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気記録媒体の厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。
【０１２５】
＜製造方法＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、およびテトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気記録媒体の製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【０１２６】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
【０１２７】
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【０１２８】
（その他の工程）
上記塗布工程を行った後、通常、磁気記録媒体の表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が施される。カレンダ条件を強化するほど、製造された磁気記録媒体において突起形成剤により形成される磁性層表面の突起の高さは低くなる傾向がある。これにより、例えばＳ0.5を小さくすることができる。カレンダ条件としては、カレンダロールの種類および段数、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度等を挙げることができる。カレンダ圧力は、例えば２００〜５００ｋＮ／ｍ、好ましくは２５０〜３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度は、例えば７０〜１２０℃、好ましくは８０〜１００℃であり、カレンダ速度は、例えば５０〜３００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは８０〜２００ｍ／ｍｉｎである。また、カレンダロールとして表面が硬いロールを使用するほど、また段数を増やすほど、磁性層表面は平滑化する傾向があるためカレンダロールの組み合わせおよび段数によって磁性層表面の突起の高さを調整することもできる。
【０１２９】
磁気記録媒体製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７〜００７０を参照できる。
【０１３０】
（サーボパターンの形成）
上記のように製造された磁気テープには、磁気記録再生装置における磁気ヘッドのトラッキング制御、磁気テープの走行速度の制御等を可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することができる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
【０１３１】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【０１３２】
ＥＣＭＡ（European Computer Manufacturers Association）―３１９に示される通り、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本開示および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【０１３３】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボ信号により構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域は、データバンドと呼ばれる。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【０１３４】
また、一態様では、特開２００４−３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（identification）」または「ＵＤＩＭ（Unique DataBand Identification Method）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【０１３５】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【０１３６】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Longitudinal Position）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【０１３７】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【０１３８】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１〜１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【０１３９】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Direct Current）イレースとＡＣ（Alternating Current）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、さらに２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【０１４０】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２−５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【０１４１】
次に、図１０を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴにオブジェクトを記録する場合の作用を説明する。ＣＰＵ２０が記録プログラム３０を実行することによって、図１０に示す記録処理が実行される。図１０に示す記録処理は、例えば、受付部４０により端末１６から送信されたデータおよびメタデータが受け付けられ、データおよびメタデータがそれぞれデータキャッシュ４４およびメタデータＤＢ４６に記憶された後に実行される。なお、ここでは、記録対象の磁気テープＴは、テープドライブ１８にロードされているものとする。
【０１４２】
図１０のステップＳ１０で、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたデータ、およびメタデータＤＢ４６に記憶された対応するメタデータを取得する。本ステップＳ１０が繰り返し実行される際は、記録部４２は、それまでに取得していないデータおよびメタデータを取得する。
【０１４３】
ステップＳ１２で、記録部４２は、磁気テープＴのデータパーティションＤＰ上のオブジェクトの記録位置の直前に第２集合データが記録され、かつその第２集合データのサイズが所定のサイズ以下であるか否かを判定する。この判定が肯定判定となった場合は、処理はステップＳ１６に移行し、否定判定となった場合は、処理はステップＳ１４に移行する。
【０１４４】
ステップＳ１４で、記録部４２は、ステップＳ１０の処理により取得されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトをデータパーティションＤＰの第２集合データを削除せずに記録する。一方、ステップＳ１６で、記録部４２は、ステップＳ１０の処理により取得されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトを、所定のサイズ以下の第２集合データに上書きして記録する。
【０１４５】
ステップＳ１８で、記録部４２は、ステップＳ１０からステップＳ１６までの繰り返し処理によりデータパーティションＤＰに記録されたオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超えたか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ１０に戻り、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ２０に移行する。
【０１４６】
ステップＳ２０で、記録部４２は、前述したように、前回のステップＳ２０で記録された直前の第１集合データの後に記録されたオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する。ステップＳ２２で、記録部４２は、前述したように、前回のステップＳ２２で記録された直前の第２集合データの後にデータパーティションＤＰに記録された第１集合データの集合である第２集合データをデータパーティションＤＰに記録する。
【０１４７】
ステップＳ２４で、記録部４２は、ステップＳ２２の処理により記録された第２集合データのサイズが所定のサイズを超えているか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ２８に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ２６に移行する。ステップＳ２６で、記録部４２は、ステップＳ２２の処理により記録された第２集合データをリファレンスパーティションＲＰに記録（コピー）する。
【０１４８】
ステップＳ２８で、記録部４２は、データキャッシュ４４に記憶されたすべてのデータをデータパーティションＤＰに記録したか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ１０に戻り、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ３０に移行する。ステップＳ３０で、記録部４２は、第１集合データおよび第２集合データをデータパーティションＤＰに記録し、かつ第２集合データをリファレンスパーティションＲＰに記録する。
【０１４９】
ステップＳ３２で、記録部４２は、テープライブラリ１４を制御し、磁気テープＴをテープドライブ１８からアンロードする。ステップＳ３２の処理が終了すると、記録処理が終了する。
【０１５０】
次に、図１１を参照して、以上説明したようにオブジェクトが記録された磁気テープＴからオブジェクトを読み取る場合の情報処理装置１２の機能的な構成について説明する。図１１に示すように、情報処理装置１２は、読取部５０、受付部５２、特定部５４、および送信部５６を含む。ＣＰＵ２０が読取プログラム３２を実行することにより、読取部５０、受付部５２、特定部５４、および送信部５６として機能する。
【０１５１】
障害からの復旧時等に、情報処理装置１２の管理者は、磁気テープＴをテープドライブ１８にロードさせる。磁気テープＴがテープドライブ１８にロードされると、読取部５０は、以下に示すように、メタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。すなわち、この場合、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのリファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データ、データパーティションＤＰに記録された第２集合データ、データパーティションＤＰに記録された第１集合データ、およびデータパーティションＤＰに記録されたメタデータの順番で参照してメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５２】
具体的には、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに第２集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５３】
また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰに第２集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録された第１集合データを読み取り、読み取った第１集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１５４】
また、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰおよびデータパーティションＤＰに第２集合データおよび第１集合データが存在しない場合は、データパーティションＤＰに記録されたメタデータを読み取り、読み取ったメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。なお、読取部５０は、磁気テープＴ上に記録されているメタデータを読み取る際に、ハッシュ値等の比較によりすでにメタデータＤＢ４６に存在するメタデータは読み取らなくてもよい。
【０１５５】
また、読取部５０は、後述する特定部５４により特定された磁気テープＴ上の位置に記録されたオブジェクトを読み取る。
【０１５６】
受付部５２は、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。この読み取り指示には、オブジェクト固有の識別情報が含まれる。
【０１５７】
特定部５４は、メタデータＤＢ４６を参照し、受付部５２により受け付けられた識別情報を含むメタデータを用いて、その識別情報が示すオブジェクトの磁気テープＴ上の位置を特定する。
【０１５８】
送信部５６は、読取部５０により読み取られたオブジェクトを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して端末１６に送信する。
【０１５９】
次に、図１２および図１３を参照して、本実施形態に係る情報処理装置１２の磁気テープＴからオブジェクトを読み取る場合の作用を説明する。ＣＰＵ２０が読取プログラム３２を実行することによって、図１２に示すメタデータ記憶処理、および図１３に示すオブジェクト読取処理が実行される。図１２に示すメタデータ記憶処理は、例えば、磁気テープＴがテープドライブ１８にロードされた場合に実行される。また、図１３に示すオブジェクト読取処理は、例えば、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を情報処理装置１２が受信した場合に実行される。
【０１６０】
図１２のステップＳ４０で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのリファレンスパーティションＲＰに、第２集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ４４に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ４２に移行する。ステップＳ４２で、読取部５０は、リファレンスパーティションＲＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６１】
ステップＳ４４で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのデータパーティションＤＰに、第２集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ４８に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ４６に移行する。ステップＳ４６で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録された第２集合データを読み取り、読み取った第２集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６２】
ステップＳ４８で、読取部５０は、ロードされた磁気テープＴのデータパーティションＤＰに、第１集合データが存在するか否かを判定する。この判定が否定判定となった場合は、処理はステップＳ５２に移行し、肯定判定となった場合は、処理はステップＳ５０に移行する。ステップＳ５０で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録された第１集合データを読み取り、読み取った第１集合データに含まれるメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。
【０１６３】
ステップＳ５２で、読取部５０は、データパーティションＤＰに記録されたメタデータを読み取り、読み取ったメタデータをメタデータＤＢ４６に記憶する。ステップＳ４２、ステップＳ４６、ステップＳ５０、またはステップＳ５２の処理が終了すると、メタデータ記憶処理が終了する。
【０１６４】
図１３のステップＳ６０で、受付部５２は、前述したように、端末１６からネットワークＮを介して送信されたオブジェクトの読み取り指示を、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して受け付ける。ステップＳ６２で、特定部５４は、メタデータＤＢ４６を参照し、ステップＳ６０の処理により受け付けられた識別情報を含むメタデータを用いて、その識別情報が示すオブジェクトの磁気テープＴ上の位置を特定する。
【０１６５】
ステップＳ６４で、読取部５０は、ステップＳ６２の処理により特定された磁気テープＴ上の位置に記録されたオブジェクトを読み取る。ステップＳ６６で、送信部５６は、ステップＳ６４の処理により読み取られたオブジェクトを、ネットワークＩ／Ｆ２５を介して端末１６に送信する。ステップＳ６８で、読取部５０は、テープライブラリ１４を制御し、磁気テープＴをテープドライブ１８からアンロードする。ステップＳ６８の処理が終了すると、オブジェクト読取処理が終了する。
【０１６６】
以上説明したように、本実施形態によれば、磁気テープＴの実効容量の低下を抑制することができる。また、本実施形態によれば、メタデータが、リファレンスパーティションＲＰ内の第２集合データと、データパーティションＤＰ内の第２集合データ、第１集合データ、およびメタデータとに記録されているため、耐障害性を高めることができる。また、本実施形態によれば、第１集合データ間のメタデータの重複、および各パーティション内の第２集合データ間のメタデータの重複を避けることによって、第１集合データおよび第２集合データのサイズの増大を抑制している。したがって、磁気テープＴへの第１集合データおよび第２集合データの記録に費やされる時間の増大を抑制することができる結果、実効記録速度の低下を抑制することができる。さらに、本実施形態によれば、第２集合データが所定のサイズを超えないように分割している。このため、一回に記録される第１集合データおよび第２集合データのサイズの増大が抑制される結果、実効記録速度の低下を抑制することができる。なお、ここでいう実効記録速度とは、ユーザが記録対象とするデータを磁気テープＴに記録を開始してから終了するまでの記録速度（すなわち、メタデータの記録も含む記録速度）を意味する。また、この実効記録速度は、ユーザが記録対象とするデータのサイズを、そのデータを磁気テープＴに記録を開始してから終了するまでの時間で除算することにより求められる速度である。
【０１６７】
［第２実施形態］
本開示の技術の第２実施形態を説明する。なお、本実施形態に係る記録読取システム１０および情報処理装置１２の構成は、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。また、本実施形態に係る情報処理装置１２の作用も、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１６８】
本実施形態では、図１４に示すように、情報処理装置１２によりオブジェクトが記録された磁気テープＴを輸送し、他のシステムで使用することを想定する。第１実施形態では、メタデータにオブジェクト固有の識別情報を含めたが、この場合、システム内で固有の識別情報だと、他のシステムでも同一の識別情報を使用していることが考えられる。なお、図１４では、オブジェクト固有の識別情報を「ＯｂｊｅｃｔＩＤ」と表記している。
【０１６９】
そこで、本実施形態では、図１５に示すように、情報処理装置１２は、端末１６から送信されたデータおよびメタデータを含むオブジェクトを生成する際に、オブジェクト固有の識別情報に加えて、システム固有の識別情報をメタデータに含める。なお、図１５では、オブジェクト固有の識別情報を「ＯｂｊｅｃｔＩＤ」と表記し、システム固有の識別情報を「ＳｙｓｔｅｍＩＤ」と表記している。
【０１７０】
図１６に示すように、メタデータにシステム固有の識別情報も含めることにより、情報処理装置１２によりオブジェクトが記録された磁気テープＴを他のシステムで使用する場合に、以下に示すようにオブジェクトを識別することができる。すなわち、この場合、オブジェクトの識別情報が重複している場合でも、オブジェクト固有の識別情報に加えて、システム固有の識別情報も用いることにより、オブジェクトを識別することができる。
【０１７１】
なお、上記各実施形態では、記録したオブジェクトのサイズの合計が所定のサイズを超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、記録したオブジェクトの数が所定数を超える毎に、記録したオブジェクトのメタデータの集合である第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する形態としてもよい。また、例えば、最後にオブジェクトを記録してから所定の時間が経過したタイミングで、第１集合データをデータパーティションＤＰに記録する形態としてもよい。
【０１７２】
また、上記各実施形態では、磁気記録媒体として磁気テープを適用した場合について説明したが、これに限定されない。磁気記録媒体として磁気テープ以外の磁気記録媒体を適用する形態としてもよい。摺動型の磁気記録再生装置において使用される各種磁気記録媒体（磁気テープ、ディスク状の磁気記録媒体（磁気ディスク）等）として、本実施形態の磁気記録媒体は好適である。上記の摺動型の装置とは、磁気記録媒体への情報の記録および記録された情報の読み取りを行う際に磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。
【０１７３】
また、上記実施形態においては、情報処理装置１２とテープライブラリ１４とを別体として説明しているが、これに限定されるものではない。情報処理装置１２とテープライブラリ１４とを備えた磁気記録読取装置として、提供することも可能である。
【０１７４】
また、上記実施形態でＣＰＵがソフトウェア（プログラム）を実行することにより実行した各種処理を、ＣＰＵ以外の各種のプロセッサが実行してもよい。この場合のプロセッサとしては、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）等の製造後に回路構成を変更可能なＰＬＤ（Programmable Logic Device）、およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路等が例示される。また、上記各種処理を、これらの各種のプロセッサのうちの１つで実行してもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡ、およびＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ等）で実行してもよい。また、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造は、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路である。
【０１７５】
また、上記実施形態では、記録プログラム３０および読取プログラム３２が記憶部２２に予め記憶（インストール）されている態様を説明したが、これに限定されない。記録プログラム３０および読取プログラム３２は、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk Read Only Memory）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disk Read Only Memory）、およびＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ等の記録媒体に記録された形態で提供されてもよい。また、記録プログラム３０および読取プログラム３２は、ネットワークを介して外部装置からダウンロードされる形態としてもよい。
【実施例】
【０１７６】
以下に、本開示を実施例に基づき説明する。但し、本開示は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」は、「質量部」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。まず、磁気記録媒体の実施例について説明する。
【０１７７】
実施例および比較例の磁気記録媒体の製造のために使用した突起形成剤は、以下の通りである。突起形成剤１および突起形成剤３は、粒子表面の表面平滑性が低い粒子である。突起形成剤２の粒子形状は繭状の形状である。突起形成剤４の粒子形状はいわゆる不定形である。突起形成剤５の粒子形状は真球に近い形状である。
突起形成剤１：キャボット社製ＡＴＬＡＳ（シリカとポリマーとの複合粒子）、平均粒子サイズ１００ｎｍ
突起形成剤２：キャボット社製ＴＧＣ６０２０Ｎ（シリカ粒子）、平均粒子サイズ    １４０ｎｍ
突起形成剤３：日揮触媒化成社製Ｃａｔａｌｏｉｄ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１２０ｎｍ
突起形成剤４：旭カーボン社製旭＃５０（カーボンブラック）、平均粒子サイズ３００ｎｍ
突起形成剤５：扶桑化学工業社製ＰＬ−１０Ｌ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１３０ｎｍ
【０１７８】
［実施例１］
＜磁性層形成用組成物＞
（磁性液）
強磁性粉末（六方晶バリウムフェライト粉末）：１００．０部
（保磁力Ｈｃ：１９６ｋＡ／ｍ、平均粒子サイズ（平均板径）２４ｎｍ）
オレイン酸：２．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ−１０４）：１０．０部
ＳＯ3Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
(重量平均分子量７００００、ＳＯ3Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)
添加剤Ａ：１０．０部
メチルエチルケトン：１５０．０部
シクロヘキサノン：１５０．０部
（研磨剤液）
α−アルミナ（平均粒子サイズ：１１０ｎｍ）：６．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ１１０）：０．７部
シクロヘキサノン：２０．０部
（突起形成剤液）
突起形成剤（図１７参照）：１．３部
メチルエチルケトン：９．０部
シクロヘキサノン：６．０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：６．０部
メチルエチルケトン：１１０．０部
シクロヘキサノン：１１０．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部
【０１７９】
上記の添加剤Ａは、特開２０１６−０５１４９３号公報の段落０１１５〜０１２３に記載の方法により合成されたポリマーである。
【０１８０】
＜非磁性層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α−酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
電子線硬化型塩化ビニル共重合体：１３．０部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ブチルステアレート：２．０部
ステアリン酸：１．０部
【０１８１】
＜バックコート層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α−酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１００ｎｍ）：３．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ステアリン酸：３．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート）：５．０部
メチルエチルケトン：４００．０部
【０１８２】
＜各層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物は、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の成分をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径０．５ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ2）ビーズ（以下、「Ｚｒビーズ」と記載する）を用い、ビーズ充填率８０体積％およびローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。
【０１８３】
研磨剤液は、上記研磨剤液の成分を混合した後、粒径１ｍｍのＺｒビーズとともに縦型サンドミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が６０％になるように調整し、１８０分間サンドミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。
【０１８４】
磁性液、研磨剤液、突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
【０１８５】
非磁性層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
【０１８６】
潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
【０１８７】
バックコート層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
【０１８８】
潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
【０１８９】
＜磁気テープの作製＞
厚み６．０μｍのポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚みが１．０μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、１２５ｋＶの加速電圧で４０ｋＧｙのエネルギーとなるように電子線を照射した。その上に乾燥後の厚みが５０ｎｍになるように磁性層形成用組成物を塗布し、塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに、磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。さらにバックコート層形成用組成物を支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に乾燥後の厚みが０．５μｍになるように塗布し乾燥させた。
【０１９０】
その後、金属ロールのみから構成される７段のカレンダロールを用いて、カレンダ速度８０ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ、および図１７に示すカレンダ温度でカレンダ処理を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後、１／２インチ（１インチ＝０．０２５４メートル）幅にスリットし、スリット品の送り出し、巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性層表面に押し当たるように取り付けたテープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行い、磁気テープを得た。
【０１９１】
［実施例２〜７、比較例１〜９］
突起形成剤の種類および／またはカレンダ温度を図１７に示すように変更した点以外、実施例１と同じ方法により磁気テープを得た。なお、図１７において、突起形成剤が「無」は、突起形成剤を使用していないことを表す。また、図１７において、「記録制御」とは、本開示によるデータの記録の制御の有無を表す。
【０１９２】
［評価方法］
（１）差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）
ＴＳＡ（Tape Spacing Analyzer（Micro Physics社製））を用いて、以下の方法により、ｎ−ヘキサン洗浄後のスペーシングＳ0.5およびＳ13.5を測定し、測定された値から差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を算出した。
【０１９３】
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を５つ切り出し、各試料片を先に記載した方法によりｎ−ヘキサン洗浄を行った後、以下の方法によりＳ0.5およびＳ13.5を測定した。
【０１９４】
磁気テープ（すなわち上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Thorlabs,Inc.社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に０．５ａｔｍの圧力で押し付けた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００〜２０００００μｍ2）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Charge-Coupled Device）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
【０１９５】
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムの最頻値をスペーシングＳ0.5として求めた。
【０１９６】
同じ試料片をさらに押圧し、１３．５ａｔｍの押圧下で上記と同じ方法によりスペーシングＳ13.5を求めた。
【０１９７】
以上により求められたＳ0.5とＳ13.5との差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）を上記の５つの試料片について算出し、算出された値の算術平均を差分（Ｓ0.5−Ｓ13.5）として図１７に示した。
【０１９８】
（２）摩擦係数（μ値）
雰囲気温度２３℃相対湿度５０％の環境において、ＩＢＭ社製ＬＴＯ（登録商標）Ｇ５（Linear Tape-Open Generation 5）ドライブから取り外した磁気ヘッドをテープ走行系に取り付け、０．６Ｎ（ニュートン）のテンションをかけながら、後述するデータ読み出しの評価を行い、評価後の磁気テープから２０ｍのテープ長の磁気テープを切り出した。そして、切り出したテープ長２０ｍの磁気テープを、送り出しロールからの送り出しおよび巻き取りロールへの巻き取りを行いつつ、磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させながら走行速度４．０ｍ／ｓで走行させた。１パス目の走行において、走行中に磁気ヘッドに係る摩擦力をひずみゲージを用いて測定し、測定された摩擦力から摩擦係数μ値を求めた。図１７における値は１パス目の走行について求められたμ値であるため、「μ値（１ｐ）」と示す。
【０１９９】
［データ読み出しの評価］
データ読み出し評価のための磁気テープを用意した。磁気テープとしては、上記磁気記録媒体の実施例１を用いた。
評価のために、以下の２つの方式Ｒ１、Ｒ２により、磁気テープにインデックスを記録した。方式Ｒ２が本開示の記録方式である。
方式Ｒ１：データを１０個記録する毎にそれまでの全データのインデックスを記録する。
方式Ｒ２：データを１０個記録する毎に１０個分のインデックスを記録する。データおよびインデックスの記録の態様を図１８に示す。
【０２００】
なお、方式Ｒ１，Ｒ２のいずれもデータの末尾に全データのインデックスを記録した。また、１つのデータおよびデータ１つ分のインデックスは、１単位サイズを有するものとする。そして、方式Ｒ１，Ｒ２のそれぞれについて、書き込むデータ数毎に、テープ上の総データサイズを求めた。
【０２０１】
データ数をｄとした場合の総データサイズは、以下である。但し、ｄ ｍｏｄ １０＝ｂとおくものとする。
方式Ｒ１=(1/20)*(d2+30*d+b2-2*b*d+10*b)
方式Ｒ２=3*d-b
【０２０２】
データ数に対する総データサイズの結果を図１９に示す。
図１７に示す結果から、実施例の磁気テープは、比較例の磁気テープと比べてμ値が小さいこと、すなわち磁気ヘッドとの摺動を繰り返しても摩擦係数の上昇が少ないことが確認できる。また、図１９に示す結果から、データ数１００個の場合、方式Ｒ１に対する方式Ｒ２の総データサイズは約４６％ほどになることが確認できる。この場合において、シーケンシャルに読み出した場合の、ヘッドの総移動量は５４％ほど削減されることとなる。また、データ数が増えるに従い削減率は高くなることが確認できる。また、本開示の実施例は、強磁性粉末として六方晶バリウムフェライト粉末を使用したものであるが、強磁性粉末として六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε-酸化鉄粉末を使用した場合であっても、六方晶バリウムフェライト粉末を使用した場合と同様に、良好な結果が得られることが確認された。
【０２０３】
ここで用いた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁性層の異方性磁界Ｈｋは、２５ｋＯｅであった。同様に、ε−酸化鉄粉末の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。ε−酸化鉄粉末含む磁性層の異方性磁界Ｈｋは、３０ｋＯｅであった。
【符号の説明】
【０２０４】
１０  記録読取システム
１２  情報処理装置
１４  テープライブラリ
１６  端末
１８  テープドライブ
２０  ＣＰＵ
２１  メモリ
２２  記憶部
２３  表示部
２４  入力部
２５  ネットワークＩ／Ｆ
２６  外部Ｉ／Ｆ
２７  バス
３０  記録プログラム
３２  読取プログラム
４０、５２  受付部
４２  記録部
４４  データキャッシュ
４６  メタデータＤＢ
５０  読取部
５４  特定部
５６  送信部
ＤＰ  データパーティション
ＧＷ  ガードラップス
Ｎ  ネットワーク
ＲＰ  リファレンスパーティション
Ｔ  磁気テープ
Ｒ１    方式１
Ｒ２    方式２
【国際調査報告】
2020183899.tif 000023
2020183899.tif 000024
2020183899.tif 000025
2020183899.tif 000026