(57)【要約】  量子ドットを均一に分散する技術を必要とすることなく、量子ドットに対して熱の影響を受けにくく、かつ、保護層が不要であるか、又は薄い保護層で酸素を遮断することができる構造を有する発光デバイス、及びその製造方法を提供するものである。本願明細書には、発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、波長変換部位とを備え、前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイスが開示される。
2019216333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を支持する基板と、
前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、
前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、
前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、波長変換部位とを備え、
前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記第一樹脂層及び前記波長変換部位の上に配置される第三樹脂層をさらに含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、請求項１又は２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子を支持する基板と、
前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、
前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、
前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、量子ドットとを備える、発光デバイス。
【請求項５】
前記第一樹脂層の上に配置され、かつ前記量子ドットの周囲及び上に配置される第三樹脂層をさらに含む、請求項４に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記量子ドットから、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、請求項４又は５に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第三樹脂層の上に配置される保護層をさらに含む、請求項２、３、５及び６のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項８】
発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターとを備える発光デバイス部材を準備する工程；
前記発光デバイス部材の空間内部に第一樹脂を導入することにより、前記発光素子を封止するための第一樹脂層を形成する工程；
前記第一樹脂層の上に、量子ドットを含む第二樹脂を導入し、波長変換部位を形成する工程であって、前記波長変換部位は、前記発光素子及び前記リフレクターに接していない工程；
を含む、発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記量子ドットを含む前記第二樹脂を導入する前に、前記発光デバイス部材に導入された前記第一樹脂を硬化させる工程をさらに含む、請求項８に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記波長変換部位の形成後、第三樹脂を導入する工程をさらに含む、請求項８又は９に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１２】
発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターとを備える発光デバイス部材を準備する工程；
前記発光デバイス部材の空間内部に第一樹脂を導入することにより、前記発光素子を封止するための第一樹脂層を形成する工程；
前記第一樹脂層の上に、量子ドットを含む溶媒を導入し、前記量子ドットを前記第一樹脂層の上に配置する工程であって、前記量子ドットは、前記発光素子及び前記リフレクターに接していない工程；
を含む、発光デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記量子ドットを含む前記溶媒を導入する前に、前記発光デバイス部材に導入された第一樹脂を硬化させる工程をさらに含む、請求項１２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記量子ドットを前記第一樹脂層の上に配置した後、第三樹脂を導入する工程をさらに含む、請求項１２又は１３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記量子ドットから、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記第三樹脂を導入する工程の後に、保護層を形成する工程をさらに含む、請求項１０、１１、１４及び１５のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１７】
発光素子と、
前記発光素子を支持する基板と、
前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、
前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなり、カップ状に窪んでいる第一樹脂層と、
前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子と接していない、波長変換部位とを備え、
前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイス。
【請求項１８】
前記波長変換部位の体積は、前記第一樹脂層のカップ状に窪むことにより形成される空間の体積よりも小さい、請求項１７に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記波長変換部位の断面形状が、三日月状である、請求項１７又は１８に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記波長変換部位の断面形状が、ドーム状である、請求項１７又は１８に記載の発光デバイス。
【請求項２１】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、請求項１７乃至２０のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項２２】
第一樹脂層及び前記波長変換部位の上に配置される第三樹脂層をさらに含む、請求項１７乃至２１のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は劣化しにくく、熱に強い発光デバイス、および発光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（発光ダイオード）は、電圧の印加により発光する半導体発光素子であり、高輝度かつ長寿命であることや、不要な紫外線や赤外線を含まない光が得られるといった特徴から広く用いられている。用途としては、照明器具をはじめ、自動車のヘッドライト、電子機器のバックライト及び各種ディスプレイなどに応用されている。【０００３】
ＬＥＤの中でも白色ＬＥＤは、例えば青色光を放出する半導体発光素子と、無機蛍光体、有機蛍光体、半導体等から構成される赤色及び緑色の量子ドットとを組み合わせることにより実現している。【０００４】
量子ドットを用いた白色発光デバイスの光は、光源から放出された青色光の一部が量子ドットにより所定の波長の光に変換され、一部がそのまま放出される。波長が変換された光とそのまま放出された光が組み合わさり、人間の視覚には白色光として認識される。【０００５】
青色光を発光させる発光素子を用いる場合、青色光は半値幅が狭いので色再現性が良いが、赤色光と緑色光を放射する量子ドットは、半値幅が広いので色再現性が悪いため、周辺の色と混合してしまうという問題があった。【０００６】
特許文献１には、発光ダイオードと量子ドット層との間に、発光ダイオードと量子ドット層を離隔させるバッファ層を設けることにより、上記課題を解決する白色光を放出する発光ダイオードユニット等が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１７７６５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１を含めた先行技術における量子ドットを含む層は、ハウジング内の横方向全体にわたって設けられており、広範囲な量子ドット層内に量子ドットを均一に分散する技術が必要となる。【０００９】
さらに、特許文献１の量子ドット層は、ハウジング（リフレクター）に接している。ハウジングは、発光ダイオードへの通電により熱せられるが、ハウジングが熱せられると、リフレクターに近いところの量子ドットの性能が熱により変化してしまう恐れがある。【００１０】
さらに、特許文献１の量子ドットは、表層に近いため、酸素又は水を遮断するためには保護層が必要であり、かつ、保護層を全体的に厚く設ける必要がある。【００１１】
そこで、本発明は、量子ドットを均一に分散する技術を必要とすることなく、量子ドットに対して熱の影響を受けにくく、かつ、保護層が不要であるか、又は薄い保護層で酸素を遮断することができる構造を有する発光デバイス、及びその製造方法を提供することを目的とする。さらには、量子ドットを酸素や水が侵入しにくくさせることができる構造を有する発光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決する本発明は、以下を包含する。
［１］発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、波長変換部位とを備え、前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイス。
［２］前記第一樹脂層及び前記波長変換部位の上に配置される第三樹脂層をさらに含む、［１］に記載の発光デバイス。
［３］前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、［１］又は［２］に記載の発光デバイス。
［４］発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、量子ドットとを備える、発光デバイス。
［５］前記第一樹脂層の上に配置され、かつ前記量子ドットの周囲及び上に配置される第三樹脂層をさらに含む、［４］に記載の発光デバイス。
［６］前記リフレクターまでの距離が最も近い前記量子ドットから、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、［４］又は［５］に記載の発光デバイス。
［７］前記第三樹脂層の上に配置される保護層をさらに含む、［２］、［３］、［５］及び［６］のいずれかに記載の発光デバイス。
［８］発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターとを備える発光デバイス部材を準備する工程；前記発光デバイス部材の空間内部に第一樹脂を導入することにより、前記発光素子を封止するための第一樹脂層を形成する工程；前記第一樹脂層の上に、量子ドットを含む第二樹脂を導入し、波長変換部位を形成する工程であって、前記波長変換部位は、前記発光素子及び前記リフレクターに接していない工程；を含む、発光デバイスの製造方法。
［９］前記量子ドットを含む前記第二樹脂を導入する前に、前記発光デバイス部材に導入された前記第一樹脂を硬化させる工程をさらに含む、［８］に記載の発光デバイスの製造方法。
［１０］前記波長変換部位の形成後、第三樹脂を導入する工程をさらに含む、［８］又は［９］に記載の発光デバイスの製造方法。
［１１］前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、［８］乃至［１０］のいずれかに記載の発光デバイスの製造方法。
［１２］発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターとを備える発光デバイス部材を準備する工程；前記発光デバイス部材の空間内部に第一樹脂を導入することにより、前記発光素子を封止するための第一樹脂層を形成する工程；前記第一樹脂層の上に、量子ドットを含む溶媒を導入し、前記量子ドットを前記第一樹脂層の上に配置する工程であって、前記量子ドットは、前記発光素子及び前記リフレクターに接していない工程；を含む、発光デバイスの製造方法。
［１３］前記量子ドットを含む前記溶媒を導入する前に、前記発光デバイス部材に導入された第一樹脂を硬化させる工程をさらに含む、［１２］に記載の発光デバイスの製造方法。
［１４］前記量子ドットを前記第一樹脂層の上に配置した後、第三樹脂を導入する工程をさらに含む、［１２］又は［１３］に記載の発光デバイスの製造方法。
［１５］前記リフレクターまでの距離が最も近い前記量子ドットから、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、［１２］乃至［１４］のいずれかに記載の発光デバイスの製造方法。
［１６］前記第三樹脂を導入する工程の後に、保護層を形成する工程をさらに含む、［１０］、［１１］、［１４］及び［１５］のいずれかに記載の発光デバイスの製造方法。
［１７］発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなり、カップ状に窪んでいる第一樹脂層と、前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子と接していない、波長変換部位とを備え、前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイス。
［１８］前記波長変換部位の体積は、前記第一樹脂層のカップ状に窪むことにより形成される空間の体積よりも小さい、［１７］に記載の発光デバイス。
［１９］前記波長変換部位の断面形状が、三日月状である、［１７］又は［１８］に記載の発光デバイス。
［２０］前記波長変換部位の断面形状が、ドーム状である、［１７］又は［１８］に記載の発光デバイス。
［２１］前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する、［１７］乃至［２０］のいずれかに記載の発光デバイス。
［２２］第一樹脂層及び前記波長変換部位の上に配置される第三樹脂層をさらに含む、［１７］乃至［２１］のいずれかに記載の発光デバイス。
【発明の効果】
【００１３】
発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層と、前記第一樹脂層の上に位置し、前記発光素子及び前記リフレクターと接していない、波長変換部位とを備え、前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイスは、波長変換部位とリフレクターが離れているため、量子ドットは熱の影響を受けにくく、かつ、保護層が不要であるか、又は薄い保護層で酸素を遮断することができる構造を有する発光デバイスである。波長変換部位は、第二樹脂に量子ドットを含ませたものであるため、取り扱いが容易となり、製造がより容易になる。【００１４】
前記第一樹脂及び前記波長変換部位の上に第三樹脂をさらに含む場合は、さらに、外部からの酸素及び水を遮断することができ、発光デバイス中の発光素子、量子ドットの劣化を防止することができる。【００１５】
前記リフレクターまでの距離が最も近い前記波長変換部位の部分から、前記リフレクターまでの間に前記第一樹脂層が存在する場合は、リフレクターからの熱を防ぐ効果が高くなる場合がある。【００１６】
また、第二樹脂の代わりに溶媒を用いる場合は、第二樹脂を使用しないため、樹脂の使用量を減らすことができ、製造のコストダウンをすることができる。【００１７】
発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターとを備える発光デバイス部材を準備する工程；前記発光デバイス部材の空間内部に第一樹脂を導入することにより、前記発光素子を封止するための第一樹脂層を形成する工程；前記第一樹脂層の上に、量子ドットを含む第二樹脂を導入し、波長変換部位を形成する工程であって、前記波長変換部位は、前記発光素子及び前記リフレクターに接していない工程；を含む、発光デバイスの製造方法は、量子ドットに対して熱の影響を受けにくく、かつ、保護層が不要であるか、又は薄い保護層で水や酸素を遮断することができる構造を有する発光デバイスを製造することができる。また、量子ドットを含む第二樹脂を含ませたものを使用するため、量子ドットの扱いが容易となる。【００１８】
量子ドットを含む第二樹脂を導入する前に、前記発光デバイス部材に導入された第一樹脂を硬化させる工程をさらに含む場合は、確実に第一樹脂を硬化させて、安定した状態で、波長変換部位を形成することができる。【００１９】
発光素子と、前記発光素子を支持する基板と、前記発光素子の周囲を囲うように配置されるリフレクターと、前記基板及び前記リフレクターで形成される空間内部に充填されている、前記発光素子を封止するための第一樹脂からなり、カップ状に窪んでいる第一樹脂層と、前記第一樹脂の上に位置し、前記発光素子と接していない、波長変換部位とを備え、前記波長変換部位は第二樹脂と量子ドットとを含む、発光デバイスは、波長変換部位が、わずかにリフレクターに接する場合があるとしても、波長変換部位の大部分は、第一樹脂層の窪みの中にあり、リフレクターからの熱の影響を受けにくい。また、発光素子の上部外側から距離があるため、酸素や水の影響を受けにくい。【００２０】
前記波長変換部位の体積は、前記第一樹脂層のカップ状に窪むことにより形成される空間の体積よりも小さい場合は、波長変換部位がリフレクターからの熱の影響をさらに受けにくく、また、発光素子の上部外側から距離がさらにあるため、酸素や水の影響を受けにくい。【００２１】
前記波長変換部位の断面形状が三日月状である場合は、発光素子の上部外側からより距離があるため、外部からの酸素及び水の影響を非常に受けにくい。【００２２】
前記波長変換部位の断面形状がドーム状である場合は、波長変換部位の体積が比較的小さい場合であっても、発光デバイスの中心付近に量子ドットを配置することができ、リフレクターからの距離を大きくできるため、熱の影響を受けにくい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の発光デバイスの態様を示す断面図である。図１（ａ）は、第一樹脂層の波長変換部位と接する面が基板に対して平行な態様、図１（ｂ）は第一樹脂層の波長変換部位と接する面が基板に対して平行でなく、中心部分がくぼんでいる態様、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の態様において、保護層を設けた態様、図１（ｄ）は、図１（ｂ）において、第二樹脂を用いずに、溶媒を用いて量子ドットを導入した場合の態様である。
【図２】図２（ｅ）、（ｆ）は、第二樹脂に濡れやすい樹脂を使用した場合の発光デバイスの態様を示す断面図ある。図２（ｇ）は、第二樹脂として、第一樹脂層の第一樹脂に対して濡れにくい樹脂を用いた発光デバイスの態様を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、図１（ｂ）で使用した第一樹脂のみを、発光デバイス部材に入れた時の断面図を示す。図３（ｂ）は、図１（ｂ）で使用した第一樹脂のみを、発光デバイス部材に入れたときの平面図である。
【図４】図４は、実施例１の発光デバイスの断面写真である。
【図５】図５は、実施例３の発光デバイスの断面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、発光デバイスについて説明するが、本発明の発光デバイスは、発明を実施するための形態に限定されるものではない。
尚、本明細書では特に断らない限り、数値範囲を特定するときに用いる「〜」は、上限及び下限のいずれもその範囲に含まれるものとする。
【００２５】
［発光デバイス］
本発明の発光デバイスを、本発明の実施形態である図１（ａ）を用いて説明する。また、必要により、本発明の別の態様である図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、図２（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び図３を用いて説明する。
図１（ａ）で示される発光デバイスは、発光素子１２０と、発光素子１２０を支持する基板１１１と、発光素子１２０の周囲を囲うように配置されるリフレクター１１２と、基板１１１及びリフレクター１１２で形成される空間内部に充填されている、発光素子１２０を封止するための第一樹脂からなる第一樹脂層１３０と、第一樹脂層１３０の上に位置し、発光素子１２０及びリフレクター１１２と接していない、波長変換部位１４０とを備え、波長変換部位１４０は量子ドット１４２を含む発光デバイス１である。
【００２６】
（発光素子）
発光素子１２０は通電することにより、特定の波長を有する光を放出することができる。発光素子１２０は、光を放出できる発光素子であれば特に限定されるものではない。発光素子１２０としては、青色の光を発するもの、その他の波長を有する光を発するものなど、様々な発光素子を用いることができる。本発明の一態様として、青色の光を発光する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を用いることができる。
【００２７】
（基板及びリフレクター）
発光デバイス１は、発光素子１２０を支持する（実装する）基板１１１を備える。基板１１１には、通常ワイヤ（図示せず）が設けられており、発光素子１２０と電気的に接続されている。発光素子１２０はワイヤを経由して、電源（図示せず）と接続されている。発光素子１２０の下部には、発光素子１２０から発生した熱を放出させるための放熱パッド又は放熱板を具備させることもできる。
【００２８】
リフレクター１１２は、基板１１１の端部から上方向に延長されて形成されており、発光素子１２０の周囲を囲うように配置され、ハウジングの側面部を形成している（なお、本明細書において、基板とリフレクターとをあわせてハウジングと称する場合もある）。発光した光の一部がリフレクター１１２に到達した場合は、反射を繰り返すことにより、発光デバイス１の開口部から外に放出される。
【００２９】
基板１１１及びリフレクター１１２の材料は、従来から用いられている材料、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のようなプラスチックやセラミックのような物質で形成が可能である。なかでも、リフレクター１１２の熱伝導率が、第一樹脂及び第二樹脂の熱伝導率よりも小さい材料を選択すると、リフレクター１１２から量子ドット１４２が熱を受けにくく、量子ドット１４２の変質を抑制することができるため、好ましい。
また、基板１１１とリフレクター１１２は、製造の際に一体で成形することができる。例えば、基板１１１とリフレクター１１２が一体である市販のＬＥＤパッケージを使用することができる。なお、市販のＬＥＤパッケージは、発光素子も実装されているものがあり、本発明ではそれを用いることができる（本明細書では市販のＬＥＤパッケージを発光デバイス部材と称する場合もある）。
【００３０】
（第一樹脂層）
第一樹脂層１３０は、発光素子１２０を封止するために、基板１１１及びリフレクター１１２で構成されている内部をある程度充填し、発光素子１２０を封止するものである。第一樹脂層１３０を設けることにより、発光素子１２０への酸素や水の浸入を防ぐことができる。また、第一樹脂層１３０は、発光素子１２０の垂直上部の量子ドット１４２（詳細は後述する）に直接的に、光と熱が到達しないように、光と熱を分散させるバッファ層としての役割も果たす。
【００３１】
また、第一樹脂層１３０は、量子ドット１４２の劣化を抑制させる役割も果たす。量子ドット１４２は光、熱、又は化学物質との反応によって、変性してしまう場合がある。例えば、量子ドット１４２が光に直接的に長時間露出される場合、光酸化（ｐｈｏｔｏｏｘｉｄａｔｉｏｎ）反応が発生して量子ドット１４２が変性してしまい、劣化の原因となってしまう。このような状況を防ぐために、第一樹脂層１３０を設け、直接的に到達する光量を少なくすることができる。
【００３２】
第一樹脂層１３０の樹脂は、光を透過し、一定の硬さに硬化できるものであれば特に限定されるものではないが、光透過性が高く、熱伝導度が低い樹脂を用いることが好ましい。
【００３３】
第一樹脂層１３０に用いられる樹脂としては、光を透過するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができる。中でも、シリコーン樹脂は、耐熱性が高いとの観点から好ましい。具体的には、シリコーン樹脂として、ＪＮＣ株式会社製ＸＶ−２０００を使用することができる。
【００３４】
図１（ｂ）に示される発光デバイス２のように、リフレクター２１２に接している部分が、第一樹脂層２３０の中央部分よりも高い位置にあるもの、すなわち、カップ状に窪んでいるものは、第一樹脂層の形状として好ましい。このような形状を有することにより、中央に配置される後述する波長変換部位２４０又は量子ドット２４２に対するリフレクター２１２からの熱を遮断することができる。
図２（ｅ）に示される発光デバイス５も同様に、リフレクター５１２に接している部分が、第一樹脂層５３０の中央部分よりも高い位置にあり、カップ状に窪んでいる。発光デバイス６も同様である。
【００３５】
図１（ｂ）に示される発光デバイス２の第一樹脂層２３０の形成について図３を用いて詳細に説明する。図３（ａ）、図３（ｂ）には、発光デバイス部材に第一樹脂層２３０を形成する第一樹脂のみを導入した場合を示す。図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は簡略化した平面図である。
図３（ａ）でみられるように、発光デバイス２では、基板２１１から第一樹脂層２３０の中心部Ｘまでの高さＨＸよりも、基板２１１から第一樹脂層２３０のリフレクター２１２に接している部分Ｙまでの高さＨＹの方が大きい。このようにすることで、第一樹脂層２３０の上に配置される量子ドット２４２が、リフレクター２１２からの熱を受けにくくなる。
なお、このように、第一樹脂層の表面が下に凸の状態であることを、本明細書では第一樹脂層がカップ状に窪んでいる、と表現する場合もある。
また、ＨｘとＨｙの比は特に限定されるものではないが、第一樹脂層２３０がカップ状に窪んだ場合は、Ｈｘ：Ｈｙ＝１：１〜１：１０が好ましい。
【００３６】
（量子ドット及び波長変換部位）
本発明の発光デバイス１は、量子ドット１４２を含む。量子ドット１４２は、ナノ物質のうちの一つとして、バンドギャップ（ｂａｎｄ  ｇａｐ）が小さい物質で構成されたコアと、コアを囲むバンドギャップが大きい物質で構成されたシェルと、シェル上に付着されたリガンドとで構成され、実質的に概略直径１０ｎｍ程度の大きさの球形に形成されている。
【００３７】
量子ドット１４２は、発光素子１２０から発光した光を吸収した後、各量子ドット１４２が有するバンドギャップに相当する光を放射する。
【００３８】
量子ドット１４２としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族の量子ドットや、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族の量子ドットなどを使用することができる。
【００３９】
発光素子１２０が青色光を放出する素子である場合、発光素子１２０上の量子ドット１４２は、緑色量子ドット及び赤色量子ドットを含むことができる。このように構成することにより、発光ダイオードユニットの外部に放射される最終的な出射光は白色光になる。
【００４０】
本発明の発光デバイス１において、量子ドット１４２を含む層を、波長変換部位１４０として定義する。波長変換部位１４０は、量子ドット１４２及び第二樹脂１４１から構成されている。
【００４１】
本発明の発光デバイス１の特徴の一つとして、波長変換部位１４０は、発光素子１２０及びリフレクター１１２に接しないようになっている。具体的には、波長変換部位１４０は、第一樹脂層１３０の上において、リフレクター１１２に接しない程度に発光デバイス１の中央に位置している。これにより、リフレクター１１２を伝導する熱が量子ドット１４２まで伝導しにくくなる。
【００４２】
本発明の発光デバイス１では、発光デバイス１の中心付近に量子ドット１４２が密集している。したがって、発光デバイス１の中心付近を通過する青色光は、波長変換され、赤色光又は緑色光になる。波長変換部位１４０の周囲に位置する量子ドット１４２が存在しないところを通過した、波長変換されていない青色光と、波長変換した赤色光及び緑色光とが混ざり合い、白色光が放出されるように見える。
【００４３】
波長変換部位１４０に含ませる第二樹脂１４１は、透過率が高い樹脂であれば、特に限定されるものではないが、熱又は光を含む電子線を照射させることにより、硬化できる樹脂であることが好ましい。第二樹脂１４１としては、例えば、光を透過するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを使用することができ、具体例としては、シリコーン樹脂として、ＪＮＣ株式会社製ＸＶ−２０００等を使用することができる。また、エポキシ樹脂として、株式会社ダイセル製ＣＥＬＶＥＮＵＳ  Ｗ０９２５等を使用することができる。
【００４４】
波長変換部位１４０には、添加成分として、任意選択的に重合開始剤、架橋剤、分散剤等を添加することができる。
【００４５】
第一樹脂層１３０の第一樹脂と第二樹脂１４１は同じ樹脂を用いてもよいし、異なる樹脂を用いてもよい。
【００４６】
発光デバイス４（図１（ｄ））のように、第二樹脂を用いずに、量子ドット４４２のみを第一樹脂層４３０の上に配置してもよい。
【００４７】
その場合は、量子ドット４４２を含む溶媒を第一樹脂層４３０の上に配置させ、その後乾燥させて揮発させることにより、量子ドット４４２のみを第一樹脂層４３０の上に載せることができる。
【００４８】
さらに、発光デバイス２（図１（ｂ））のように、リフレクター２１２までの距離が最も近い前記波長変換部位２４０の部分から、リフレクター２１２までの間に第一樹脂層２３０が存在する場合は、リフレクター２１２からの熱を遮断することができるため、好ましい。
【００４９】
図２（ｅ）に示す発光デバイス５では、波長変化部位５４０が、発光素子５２０には接していないが、リフレクター５１２には、一部接している態様である。
【００５０】
発光デバイス５について詳細に説明すると、第一樹脂層５３０は、発光デバイス２乃至４と同様に、カップ状に窪んでいる状態である。発光デバイス５は、第二樹脂５４１が濡れやすい樹脂を採用した場合であり、第二樹脂５４１が第一樹脂層５３０上で濡れ広がり、波長変換部位５４０が三日月状（下に凸の形状）となる。
【００５１】
なお、発光デバイス５において、波長変換部位５４０の体積は、第一樹脂層５３０がカップ状に窪むことによって形成される空間の体積（第一樹脂層の上層面と、第一樹脂層５３０がリフレクター５１２に接している部分とを通る基板と平行な仮想の面Ｚで構成される体積であり、図３においては、斜線のＶの部分に相当する空間の体積）よりも小さいことが好ましい。これにより、リフレクター５１２からの熱の影響を受けにくくなる。
【００５２】
発光デバイス５（図２（ｅ））では、第二樹脂が濡れやすく、波長変換部位５４０が薄く広がっているため、量子ドット５４２は、発光デイバス５の上部からの距離があり、外部から侵入する酸素や水の影響を受けにくい。
【００５３】
発光デバイス６（図２（ｆ））の態様は、発光デバイス５と類似の構成であるが、発光デバイス６の第二樹脂６４１は、発光デバイス５の第二樹脂５４１よりも濡性が低いものを使用している。その場合、波長変換部位６４０の端は、第一樹脂層６３０の端よりも上には濡れ上がらない。したがって、第二樹脂６４１は、リフレクター６１２に接しないため（リフレクター６１２と波長変換部位６４０の間に第一樹脂層６３０が存在する）、リフレクター６１２からの熱を直接受けにくい。
【００５４】
発光デバイス７（図２（ｇ））の態様も、発光デバイス５，６と同様に、第一樹脂層７３０は、カップ状に窪んでいる状態である。発光デバイス７が、発光デバイス５，６と異なる点は、波長変換部位７４０に含まれている第二樹脂７４１が第一樹脂層７３０に用いられる第一樹脂に対して濡れにくい樹脂を使用しており、波長変換部位７４０は、第一樹脂層７３０のカップ状に窪んでいる部分の上で広がらずに丸まり、断面形状としてはドーム状になっている。このような形状になることにより、量子ドットの多くは発光デバイスの中心付近に配置することができ、リフレクター７１２からの距離も大きくなり、量子ドット７４２への熱の影響を抑制することができる。さらには、発光デバイス７の中心付近に量子ドット７４２を配置しやすくなり、効率が良い。
【００５５】
発光デバイス７においても、波長変換部位７４０の体積は、第一樹脂層７３０がカップ状に窪むことによって形成される空間の体積よりも小さいことが好ましい。
【００５６】
また、発光デバイス７においても、発光デバイス６と同様に、波長変換部位７４０の端は、リフレクター７１２に接しないように調整することが好ましい。
【００５７】
発光デバイス１乃至７のように、第二樹脂を適宜選択することによって、波長変換部位の形状を変更することができる。特に、樹脂が有する固有の表面自由エネルギーの数値が波長変化部位の形状に影響を与えると考えられる。
【００５８】
（第三樹脂層）
発光デバイス１において、第一樹脂層１３０及び波長変換部位１４０の上には、必要に応じて第三樹脂層１５０を設けることができる。第三樹脂層１５０は、波長変換部位１４０を覆うように充填され、第三樹脂層１５０の第三樹脂によりハウジングの上部を満たすものである。第三樹脂層１５０を設けることにより、波長変換部位１４０の量子ドットにより波長が変換した光と、波長が変換していない光とが混合され、発光デバイス１から出される光のどの部分も、バランス良く異なる波長の光が含まれ、白色光となる点で好ましい。
【００５９】
さらには、発光素子１２０又は波長変換部位１４０に外部からの酸素や水の侵入を防ぐ点でも、第三樹脂層１５０を設ける方が好ましい。
【００６０】
第三樹脂層１５０を構成する第三樹脂は、透明な樹脂であれば特に限定されず、例えば、光を透過するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを使用することができる。具体例としては、株式会社ダイセル製ＣＥＬＶＥＮＵＳ  Ｗ０９２５等を使用することができる。エポキシ樹脂は、バリア性が高いとの観点から好ましい。
【００６１】
第三樹脂層１５０を構成する樹脂は、第一樹脂層の樹脂と同一でも異なってもよく、第二樹脂と同一でも異なってもよい。
【００６２】
なお、第二樹脂を用いない発光デバイス４（図１（ｄ））の態様の場合は、第一樹脂層４３０の上に配置され、かつ、量子ドット４４２の周囲及び上に第三樹脂４５０が配置されることになる。
【００６３】
（保護層）
図１（ｃ）に示すように、発光デバイス３には、波長変換部位３４０の上、又は第三樹脂層を設ける場合は、第三樹脂層３５０の上に任意選択的に保護層３６０を設けることができる。
【００６４】
保護層３６０の材料は特に限定されるものではないが、透過率やバリア性の高い樹脂が好ましい。好ましい樹脂として、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
【００６５】
［発光デバイスの製造方法］
（発光素子の実装）
次に、発光デバイス１の製造方法について説明する。まず、基板１１１及びリフレクター１１２から構成されるハウジングを用意する。基板１１１及びリフレクター１１２は別々に用意し、接合してもよいし、基板１１１及びリフレクター１１２を一体成形してもよい。
【００６６】
次に、特定の波長を有する発光する発光素子１２０を基板１１１上に配置する。発光素子１２０は、外部と電気的に接続する金属ワイヤと接続してもよいし、基板１１１に配置される電子回路に直接接続してもよい。なお、発光素子１２０の実装は、すでにハウジングに実装されている商品（本明細書では、発光デバイス部材ともいう）を購入することにより省略してもよい。
【００６７】
（第一樹脂層の形成）
発光素子１２０を実装した後、第一樹脂層１３０の樹脂を、基板１１１及びリフレクター１１２に囲まれた空間に滴下する。
第一樹脂として適切な樹脂を選択して、第一樹脂層１３０を形成することにより、波長変換部位１４０と接する面が基板１１１に対して平行となる第一樹脂層１３０を形成する（図１（ａ）参照）。
第一樹脂としてリフレクターに対して濡れやすい樹脂を用いる場合は、発光デバイス２のような状態となる。すなわち、側壁（リフレクター２１２）に第一樹脂が接触することにより、リフレクター２１２に接している第一樹脂が上昇し、第一樹脂層１３０は波長変換部位２４０と接する面が下にくぼんだ形状（すなわち、第一樹脂層２３０の中心が下に凸の状態、すなわち、カップ状に窪んでいる状態）となる（図１（ｂ）、図２参照）。
図１（ａ）では第一樹脂を滴下後、第一樹脂を硬化する条件にて硬化することにより、第一樹脂層１３０を形成する。
【００６８】
第一樹脂層１３０の硬化条件は、第一樹脂として選択される樹脂によって、適宜調整すればよい。熱による硬化であれば、例えば、６０℃〜２５０℃で３０分〜１２時間程度加熱することにより、硬化することができる。光による硬化の場合は、例えば５００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２（積算露光量）の紫外線を照射することにより、硬化することができる。必要に応じて、段階的に温度を上げて硬化することもできる。また、光硬化する際は、紫外線照射装置を用いて硬化することができる。
【００６９】
（波長変換部位の形成又は量子ドットの配置）
次に、波長変換部位１４０の形成又は量子ドット１４２の配置について説明する。
【００７０】
量子ドット１４２を第一樹脂層１３０の上に配置する方法としては、（ｉ）量子ドット１４２を単純に載せる方法、（ｉｉ）量子ドット１４２を溶媒に分散させて、量子ドット１４２を含む溶液を第一樹脂層１３０の上に載せる方法、（ｉｉｉ）量子ドット１４２（及び必要により溶媒）を第二樹脂と混合させ、量子ドット１４２を含む第二樹脂を第一樹脂層１３０の上に配置し、硬化させる方法などが挙げられる。扱いやすさの観点から、上記（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）の方法が好ましい。
【００７１】
図１（ａ）に示す発光デバイス１の態様においては、波長変換部位１４０は、波長変換部位１４０がリフレクター１１２に接しないように、第一樹脂層１３０の上に形成する。
【００７２】
上記（ｉｉ）の方法を選択した場合は、製造工程中に熱をかけたときに溶媒が蒸発するため、最終的には発光デバイス４の態様になる（図１（ｄ））。発光デバイス４は、第一樹脂層４３０の中心部分が、リフレクター４１２に接している部分よりも低くなっているため、量子ドット４４２を含む溶媒を導入した際、重力の影響により第一樹脂層４３０の上の中心付近に集まり、量子ドット４４２が中心付近に密集することになる。粘度の低い溶媒を用いる場合は、リフレクター４１２と接しないように配置するように注意する。
【００７３】
上記（ｉｉｉ）の方法を選択した場合は、例えば、発光デバイス２のように、第一樹脂層２３０がカップ状に窪んでいる場合は、量子ドット２４２を含む第二樹脂を窪んだ部分に配置することにより、容易にリフレクター２１２と接しないようにすることができる。その際に使用した溶媒は後の乾燥工程により揮発により多くは除去されることになる。
【００７４】
また、上記（ｉｉｉ）の方法の場合は、図１（ａ）のように、第一樹脂層１３０の波長変換部位１４０と接している面が基板１１１に対して略平行である場合は、上記（ｉｉｉ）の方法において、粘性の高い樹脂を用いると、リフレクター１１２に接することなく形成できる。
【００７５】
さらに、上記（ｉｉｉ）において、発光デバイス１乃至３、５乃至７のように、第二樹脂波長変化部位の形状が変わる場合があるため、必要に応じ、第二樹脂を適宜選択し、波長変化部位を所望の形状にすることができる。
【００７６】
上記（ｉｉｉ）の方法を選択する場合は、例えば、発光デバイス１の場合は、量子ドット１４２を含む第二樹脂を、第一樹脂層１３０の上に配置した後、所定の硬化条件で硬化させる。硬化条件は第二樹脂として選択される樹脂によって、適宜調整すればよい。熱による硬化であれば、例えば、６０℃〜２５０℃で３０分〜１２時間程度加熱することにより、硬化することができる。光による硬化の場合は、例えば５００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２（積算露光量）の紫外線を照射することにより、硬化することができる。必要に応じて段階的に温度を上げて硬化することもできる。また、光硬化する際は、紫外線照射装置を用いて硬化することができる。
【００７７】
上記（ｉｉ）の方法において用いられる溶媒は、発光デバイス１中に残らないように、製造工程中に除去できるものであれば（揮発性であれば）、特に限定されず、例えば、トルエン、酢酸エチル、エタノールなどが挙げられる。必要により（ｉｉｉ）の方法においても上記の溶媒を使用できる。
【００７８】
（第三樹脂層の形成）
波長変換部位１４０を形成後、波長変換部位１４０の上に、第三樹脂層１５０を形成する。第三樹脂層１５０は、波長変換部位１４０を覆うように、ハウジング内に未硬化の第三樹脂を導入し、その後、硬化することにより形成される。
【００７９】
波長変換部位１４０を覆うようにハウジング内に第三樹脂を導入した後、所定の硬化条件により硬化する。第三樹脂層１５０の硬化条件は、第三樹脂として選択される樹脂によって、適宜調整すればよい。熱による硬化であれば、例えば、６０℃〜２５０℃で３０分〜１２時間程度加熱することにより、硬化することができる。光による硬化の場合は、例えば５００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２（積算露光量）の紫外線を照射することにより、硬化することができる。必要に応じて、段階的に温度を上げて硬化することもできる。また、光硬化する際は、紫外線照射装置を用いて硬化することができる。
【００８０】
なお、図１（ｄ）に示す発光デバイス４のように、第二樹脂を用いない場合は、量子ドット４４２を含む溶媒を第一樹脂層の上に配置し、乾燥することにより、溶媒を除去した状態で、その上から第三樹脂を導入することができる。そのため、発光デバイス４では、量子ドットの周囲及び上には、第三樹脂が配置する場合がある。
【００８１】
（保護層の形成）
本発明の製造方法は、図１（ｃ）に示す発光デバイス３のように、第三樹脂層３５０の上に、保護層３６０を設ける工程を含むことができる。保護層３６０は使用する樹脂の性状（例えば粘度）により、適切な印刷方法が適用されるが、インクジェット印刷、スクリーン印刷、反転印刷、ディスペンス印刷などを用いて所定の位置に印刷することができる。
【実施例】
【００８２】
以下、実施例により本発明をさらに説明する。本発明は、実施例に限定されるものではない。【００８３】
実施例１乃至６
（１）第一樹脂の調製
シリコーン樹脂、ＸＶ−２０００（Ａ剤）と（Ｂ剤）（製品名：ＪＮＣ株式会社製）を各々２．５ｇ、０．０５ｇを混合する。得られる樹脂は、あわとり練太郎真空タイプＡＲＶ−３１０Ａ（製品名：ＴＨＩＮＫＹ社製）で十分に混合および脱気を行い、第一樹脂Ｉを得た。【００８４】
（２）第二樹脂の調製
（ｉ）赤色の量子ドットを含む第二樹脂の調製
（第二樹脂ＩＲ）
上記（１）第一樹脂の調製で得た第一樹脂Ｉ、２．５５ｇに赤色の量子ドットを分散させたＱＤＯＴ（登録商標）ＩＮＫ  Ｒｅｄ  ＴｙｐｅＩ（ＮＳマテリアルズ株式会社製  以下Ｒｅｄ分散液という）０．０２ｇ添加し、自転公転ミキサーで十分に攪拌混合して赤色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＲを得た。【００８５】
（第二樹脂ＩＩＲ）
第一樹脂Ｉに代えてＰＡ−１１００−０３９（アクリル系紫外線硬化樹脂、ＪＮＣ株式会社製）２．５ｇ用いた以外は同様にして、赤色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＩＲを得た。【００８６】
（第二樹脂ＩＩＩＲ）
第一樹脂Ｉに代えてＣＥＬＶＥＮＵＳ  Ｗ０９２５（エポキシ樹脂、株式会社ダイセル製  以下Ｗ０９２５）のＡ液１．２７ｇとＢ液１．３３ｇ、合わせて２．６０ｇ用いた以外は第二樹脂ＩＲの製造と同様の方法にて調製し、赤色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＩＩＲを得た。【００８７】
（ｉｉ）緑色の量子ドットを含む第二樹脂の調製
（第二樹脂ＩＧ、ＩＩＧ及びＩＩＩＧ）
Ｒｅｄ分散液に代えて緑色の量子ドットを分散させたＱＤＯＴ（登録商標）ＩＮＫ  Ｇｒｅｅｎ  ＴｙｐｅＩ（ＮＳマテリアルズ株式会社製  以下Ｇｒｅｅｎ分散液という）を使用した以外は、第二樹脂ＩＲ、ＩＩＲ及びＩＩＩＲと同様にして緑色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＧ、第二樹脂ＩＩＧ及び第二樹脂ＩＩＩＧを得た。  【００８８】
（３）デバイスの作製
（赤色量子ドットを使用した発光デバイスＩの作製）
市販の青色発光素子が実装された、約３ｍｍ（縦）×約３ｍｍ（横）×約１ｍｍ（高さ）のハウジングを有するパッケージ（ＬＥＤパッケージ）に、第一樹脂ＩをマイクロピペットＭＲ−１０で１．０マイクロリットル量りとって充填した。充填後、熱風循環式オーブンにて８０℃で４０分、次いで１２０℃で４０分、最後に１６０℃で１２０分加熱して硬化させた。ＬＥＤパッケージを室温に戻したのち、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＲを１．０マイクロリットル量りとり、ハウジング内面のリフレクターに接しないようにして、第一樹脂Ｉの層の上に充填し、第一樹脂Ｉと同様の手順で硬化した。そして最後に第三樹脂としてＣＥＬＶＥＮＵＳ  Ｗ０９２５をマイクロピペットで２．０マイクロリットル量りとり、室温に戻したＬＥＤパッケージに充填した。熱風循環式オーブンにて１２０℃で１８０分加熱して硬化させることにより、赤色の発光デバイスＩを得た。【００８９】
（赤色量子ドットを使用した発光デバイスＩＩの作製）
実施例１と同様にして第一樹脂Ｉを充填、硬化して得たＬＥＤパッケージに、赤色の量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＲを１．０マイクロリットル量り、ハウジング内面のリフレクターに接しないようにして充填した。小型紫外線照射装置、ＪＵ−Ｃ１５００（株式会社ジャテック製Ｊ−ｃｕｒｅ）を用いて、積算露光量が２０００ｍＪ／ｃｍ２になるように紫外線を照射して第二樹脂ＩＩＲを硬化させた。さらに実施例１と同様にして第三樹脂として、ＣＥＬＶＥＮＵＳ  Ｗ０９２５を充填したのち、加熱して硬化させることにより赤色の発光デバイスＩＩを得た。【００９０】
（赤色量子ドットを使用した発光デバイスＩＩＩの作製）
実施例１と同様にして第一樹脂Ｉを充填、硬化して得たＬＥＤパッケージに、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＩＲを１．０マイクロリットル充填して、熱風循環式オーブンにて１２０℃で１８０分加熱し硬化した。さらに実施例１と同様にして第三樹脂として、Ｗ０９２５をマイクロピペットで２．０マイクロリットル充填したのち、加熱して硬化させることにより赤色の発光デバイスＩＩＩを得た。【００９１】
（緑色量子ドットを使用した発光デバイスＩＶ、Ｖ及びＶＩの作製）
第二樹脂として赤色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＲ（実施例１で使用）、第二樹脂ＩＩＲ（実施例２で使用）及び第二樹脂ＩＩＩＲ（実施例３で使用）の代わりに、緑色の量子ドットを含む第二樹脂ＩＧ、ＩＩＧ及びＩＩＩＧをそれぞれ用いる以外は、実施例１、２及び３と同様の方法を行い、緑色の発光デバイスＩＶ、Ｖ及びＶＩ（実施例４、５及び６）を得た。【００９２】
比較例１及び２
（第一樹脂を用いない発光デバイスＩＣ及びＩＩＣの作製）
実施例１と異なり、第一樹脂を用いずに、第二樹脂ＩＲおよび第二樹脂ＩＧをそれぞれ４．０マイクロリットル使ってＬＥＤパッケージにそれぞれ充填し、実施例１と同様の方法で硬化させて、赤色の発光デバイスＩＣ（比較例１）および緑色の発光デバイスＩＩＣ（比較例２）を作製した。【００９３】
（波長変換部位の断面形状観察）
発光デバイスＩ乃至ＶＩを市販のエポキシ樹脂によって埋包した。エポキシ樹脂が硬化していることを確認したのち、断面試料作成装置（ライカ製、Ｌｅｉｃａ  ＥＭ  ＴＸＰ）を用いて、発光素子長辺の中央付近で切断、断面を研磨して断面形状観察用サンプルを作製した。得られたサンプルは、デジタルマイクロスコープ（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ＶＨＸ−６０００）にセットして、波長変換部位の断面形状を観察した。結果を表１及び２に示す。なお、発光デバイスＩの断面写真は図４に示し（第一樹脂Ｉ（図４のＡ）と、第二樹脂ＩＲ（図４のＢ）と、第三樹脂Ｃ（図４のＣ）とを含む）、発光デバイスＩＩＩの断面写真を図５（第一樹脂Ｉ（図５のＡ）と、第二樹脂ＩＩＩＲ（図５のＢ’）と、第三樹脂（図５のＣ）とを含む）に示す。【００９４】
実施例７
（１）樹脂の調製
上記（１）第一樹脂の調製で得た第一樹脂Ｉ、２．５５ｇに、予め量りとったＱＤＯＴ（登録商標）ＩＮＫ  Ｇｒｅｅｎ  ＴｙｐｅＩ（ＮＳマテリアルズ株式会社製：以下Ｇｒｅｅｎ分散液）と、Ｒｅｄの量子ドット分散させたＱＤＯＴ（登録商標）ＩＮＫ  Ｒｅｄ  ＴｙｐｅＩ（ＮＳマテリアルズ株式会社製：以下Ｒｅｄ分散液）の各々０．０２ｇを、第一樹脂Ｉに添加し量子ドットを含む第二樹脂ＩＷを得る。得られた量子ドットを含む第二樹脂ＩＷは、あわとり練太郎を用いて十分に攪拌混合する。【００９５】
（２）ＬＥＤパッケージへの充填
第一樹脂ＩをマイクロピペットＭＲ−１０（製品名：ＭＥＴＴＬＥＲ  ＴＯＲＥＤＯ社製）を用いて、ＬＥＤパッケージ（青色光発光素子が実装されたハウジング、約４ｍｍ（縦）×約４ｍｍ（横）×約１ｍｍ（高さ）のハウジング）に１．５マイクロリットル充填する。充填後、加熱オーブンにて８０℃〜１６０℃で加熱し硬化させる。得られたＬＥＤパッケージに、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＷを０．５マイクロリットル量りとり、ＬＥＤパッケージ内ですでに硬化した第一樹脂Ｉ上に、周囲のリフレクターに接しないように充填する。その後、第一樹脂Ｉを硬化した条件と同じ条件で、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＷを硬化させる。さらに第三樹脂として、Ｗ０９２５（ＣＥＬＶＥＮＵＳ：株式会社ダイセル製）をマイクロピペットで１マイクロリットル採取し、ＬＥＤパッケージに充填する。充填したＷ０９２５は、１２０℃で１８０分オーブン中にて硬化させ、白色光の発光デバイスＶＩＩを得る。【００９６】
実施例８
（１）樹脂の調製
ＰＡ−１１００−０３９（ＪＮＣ株式会社製）２．５ｇに、Ｇｒｅｅｎ分散液（ＮＳマテリアルズ株式会社製）と、Ｒｅｄ分散液（ＮＳマテリアルズ株式会社製）の各々０．０２ｇを添加し、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＷを得る。【００９７】
（２）ＬＥＤパッケージへの充填
第一樹脂ＩをマイクロピペットＭＲ−１０（製品名：ＭＥＴＴＬＥＲ  ＴＯＲＥＤＯ社製）を用いて、実施例１と同様のＬＥＤパッケージに１．５マイクロリットル充填する。充填後、加熱オーブンにて８０℃〜１６０℃で加熱し硬化させる。得られたＬＥＤパッケージに、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＷを０．５マイクロリットル量りとり、ＬＥＤパッケージ内ですでに硬化した第一樹脂Ｉ上に、周囲のリフレクターに接しないように充填する。その後、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＷを硬化させるために、小型紫外線照射装置、ＪＵ−Ｃ１５００（Ｊ−ｃｕｒｅ：株式会社ジャテック製）を用いて、積算露光量が２０００ｍＪ／ｃｍ２になるように、ＬＥＤパッケージに照射し、量子ドットを分散させた第二樹脂ＩＩＷを硬化させる。さらに第三樹脂として、Ｗ０９２５（ＣＥＬＶＥＮＵＳ：株式会社ダイセル製）をマイクロピペットで１マイクロリットル採取し、ＬＥＤパッケージに充填する。充填したＷ０９２５は、１２０℃で１８０分オーブン中にて硬化させ、白色光発光デバイス２を得る。【００９８】
実施例１乃至６及び比較例１及び２の結果を表１、２及び３にまとめる。
【表１】
2019216333.tif 000003
【００９９】
【表２】
2019216333.tif 000004
【０１００】
（信頼性評価）
内温６０℃、相対湿度９０％に調整した恒温恒湿槽内に、電気回路付基板へ半田付けされた実施例１、３、４、６、比較例１及び２で作製した発光デバイスを設置した。電気回路に直流の定電流／定電圧電源を接続し、電圧３Ｖ、電流２０ｍＡ印加して発光デバイスを点灯させた。一定時間経過する毎に恒温恒湿槽からサンプルを取出し、積分球を具備した蛍光光度計にてスペクトルを測定した。発光強度の保持率が５０％以下になるまでの時間で評価した。結果を表３に示す。【０１０１】
実施例１、３、４及び６、比較例１及び２の信頼性評価の結果を表３にまとめる。【０１０２】
【表３】
2019216333.tif 000005
【０１０３】
符号の説明
（図１乃至３）
１，２，３，４，５，６，７  発光デバイス
１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１，７１１  基板
１１２，２１２，３１２，４１２，５１２，６１２，７１２  リフレクター
１２０，２２０，３２０、４２０，５２０，６２０，７２０  発光素子
１３０，２３０，３３０，４３０，５３０，６３０，７３０  第一樹脂層
１４０，２４０，３４０，５４０，６４０，７４０  波長変換部位
１４１，２４１，３４１，５４１，６４１，７４１  第二樹脂
１４２，２４２，３４２，４４２，５４２，６４２，７４２  量子ドット
１５０，２５０，３５０，４５０，５５０，６５０，７５０  第三樹脂層
３６０  保護層
（図４及び５）
Ａ：第一樹脂Ｉ
Ｂ：第二樹脂ＩＲ
Ｂ’：第二樹脂ＩＩＩＲ
Ｃ：第三樹脂
【図１】
2019216333.tif 000006
【図２】
2019216333.tif 000007
【図３】
2019216333.tif 000008
【図４】
2019216333.tif 000009
【図５】
2019216333.tif 000010
【国際調査報告】
2019216333.tif 000011
2019216333.tif 000012
2019216333.tif 000013
2019216333.tif 000014