(57)【要約】  スイッチ駆動装置は、ゲートドライバと、ブートストラップ回路と、電流制限部と、電流制御部とを備える。前記ゲートドライバは、Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動する。前記ブートストラップ回路は、ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、前記ゲートドライバに電圧を印加する。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する。前記電流制御部は、前記電流制限部の動作を制御する。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている。
2020162389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、
ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、
前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、
前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備え、
前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている、スイッチ駆動装置。
【請求項２】
前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの充電電圧が閾値を超えるとき、前記電流制限部を駆動して前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する、請求項１に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項３】
前記電流制限部は、前記電流制御部からの信号に基づいてＯＮ又はＯＦＦとなるスイッチ素子を含む、請求項２に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項４】
前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの両端間電圧およびその分圧電圧の少なくともいずれかに基づいて、前記ブートキャパシタの充電電圧を検出する、請求項３に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項５】
前記Ｎ型半導体スイッチ素子は、ＳｉＣを原料とする半導体基板を含む、請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板に形成された導電部と、
前記基板に配置された第１リードと、
前記ゲートドライバを有するドライバチップと、
前記ドライバチップと、前記基板の少なくとも一部と、前記第１リードの一部と、を覆う樹脂と、をさらに備えており、
前記第１リードは、前記Ｎ型半導体スイッチ素子を支持し、
前記ブートダイオードおよび前記ドライバチップは、前記導電部に配置されている、請求項１ないし５のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
【請求項７】
前記基板は、第１面を有しており、前記導電部は、前記第１面に形成されている、請求項６に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項８】
前記基板は、前記基板とは反対側の第２面を有しており、
前記第２面は、前記樹脂から露出している、請求項７に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項９】
前記第１リードは、前記基板の前記第１面に配置されている、請求項７または８に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１０】
前記第１リードを前記基板に接合する第１接合材をさらに備える、請求項９に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１１】
前記第１リードから離間する第２リードをさらに備えており、
前記第２リードは、前記導電部に電気的に接続されている、請求項７ないし１０のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１２】
前記第２リードを前記導電部に接合する第１導電性接合材をさらに備える、請求項１１に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１３】
前記導電部は、互いに離間する第１配線部および第２配線部を含み、
前記ブートキャパシタは前記第１配線部に導通接合され、前記第２リードは前記第２配線部に導通接合される、請求項１２に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１４】
複数のワイヤをさらに備えており、前記複数のワイヤは、前記ドライバチップを、前記ブートダイオード、前記第１配線部および前記第２配線部にそれぞれ接続する、請求項１３に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１５】
前記第１配線部は、前記ドライバチップと前記第２リードとの間に配置されている、請求項１４に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１６】
前記第２配線部は、前記第１配線部と並んで位置する部位を有する、請求項１５に記載のスイッチ駆動装置。
【請求項１７】
前記第１配線部は、当該第１配線部以外の前記導電部のいずれの部位からも離間している、請求項１３ないし１６のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、スイッチ駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スイッチングレギュレータやモータドライバとして用いられるスイッチ駆動装置が知られている。このような駆動装置は、たとえば、直列に接続された２つの半導体スイッチ素子（上側スイッチ素子および下側スイッチ素子）を含む出力回路（ハーフブリッジ回路）を備えており、上側スイッチ素子が駆動電源に接続されている。また従来、このような上側スイッチ素子のオン時における十分な駆動電圧を得るために、ハーフブリッジ回路にブートストラップ回路を組み合わせる場合がある（例えば特許文献１参照）。ブートストラップ回路は、ブートキャパシタを備えており、このブートキャパシタの充電電圧により、上側スイッチ素子のゲート・ソース間電圧（ゲート電圧）が確保される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８２２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のスイッチ駆動装置は、構成によっては、ブートキャパシタの充電電圧が、上側スイッチ素子に許容されるゲート電圧（許容ゲート電圧）よりも高くなる（ブートキャパシタが過充電になる）場合がある。しかしながらこのような場合、スイッチ素子のゲートに入力される信号が、許容ゲート電圧よりも大きくなり、スイッチ素子の動作不良等、不具合の発生の原因になる可能性がある。【０００５】
上記した事情に鑑み、本開示は、スイッチ素子を確実かつ安定して駆動可能とするスイッチ駆動装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に基づき提供されるスイッチ駆動装置は、Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備える。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、Ｎ型半導体スイッチ素子を適切に駆動することができる。【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置が用いられたモータ駆動装置を示す概略図である。
【図２】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部のブロック図である。
【図３】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置のドライバ回路の概略構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の出力動作を示すタイミングチャートである。
【図５】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路の一例の回路図である。
【図６】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す斜視図である。
【図７】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す平面図である。
【図８】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す底面図である。
【図９】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す要部平面図である。
【図１０】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す要部拡大平面図である。
【図１１】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の基板を示す平面図である。
【図１２】図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図１４】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の半導体チップを示す要部拡大断面図である。
【図１５】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路を構成する集積回路の概略構成を示す概略図である。
【図１６】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の第１変形例を示す平面図である。
【図１７】第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の第２変形例の上側ドライバ回路の回路図である。
【図１８】第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部のブロック図である。
【図１９】第２実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路の一例の回路図である。
【図２０】第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１１】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【００１２】
＜第１実施形態＞
図１は、本開示の第１実施形態に係るスイッチ駆動装置が用いられたモータ駆動装置を示す概略図である。同図に示されたモータ駆動装置ＭＭＣは、モータＭを駆動する。モータＭは、たとえば、３相交流モータである。モータＭは、後述のＵ相コイルＭＵ、Ｖ相コイルＭＶ及びＷ相コイルＭＷを備える。本実施形態においては、各コイルＭＵ、ＭＶ、ＭＷは、スター結線で結線されているが、これに限定されず、デルタ結線であってもよい。モータ駆動装置ＭＭＣは、モータコントロールユニットＭＣＵと、電力供給部ＰＳとを備える。
【００１３】
モータコントロールユニットＭＣＵは、論理回路（図示略）を含む。モータコントロールユニットＭＣＵは、モータＭからのロータの位置情報に基づいて、モータＭの各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のコイルに適切なタイミングで通電制御を行うための各相の通電制御信号を生成する。また、モータコントロールユニットＭＣＵは、モータＭの回転方向の切り替え時及び回転速度の変更時等のときに、励磁相切替タイミングを変更する。
【００１４】
電力供給部ＰＳは、モータコントロールユニットＭＣＵから受け取った、各相の通電制御信号に基づくタイミングでモータＭ各相のコイルに駆動用の電力（電流）を供給する。
【００１５】
図２は、第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部ＰＳのブロック図である。図１、図２に示すように、電力供給部ＰＳは、スイッチ駆動装置Ａ１と、ブートストラップ回路ＢＴＣとを備える。スイッチ駆動装置Ａ１は、ドライバ回路ＤＲＶと、パワースイッチ回路ＰＳＷとを含む。
【００１６】
図２に示すように、スイッチ駆動装置Ａ１では、ドライバ回路ＤＲＶ、パワースイッチ回路ＰＳＷおよびブートストラップ回路ＢＴＣを構成するダイオード４９Ｕ、４９Ｖ、４９Ｗが、一つのパッケージ７内に含まれている。本実施形態においては、ブートダイオード４９Ｕ、４９Ｖ、４９Ｗは、パッケージ７内に含まれているが、これに限定されず、パッケージ７の外部に設けられてもよい。
【００１７】
図２に示すように、電力供給部ＰＳは、第１電源ＰＷ１と第２電源ＰＷ２とに接続される。第１電源ＰＷ１は、ドライバ回路ＤＲＶの制御電圧ＶＣＣ（例えば１０Ｖ〜２５Ｖ）を供給する。第２電源ＰＷ２は、モータＭを駆動するための駆動電圧ＶＤＣ（３００Ｖ、６００Ｖ等）を供給する。
【００１８】
パワースイッチ回路ＰＳＷは、６個のトランジスタ４Ａ〜４Ｆ（スイッチ素子）を備える。６個のトランジスタ４Ａ〜４Ｆとして、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴが採用される。パワーＭＯＳＦＥＴが作りこまれる半導体基板は、例えば、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用いることができる。本実施形態においては、トランジスタ４Ａ〜４Ｆは、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴである。なお、トランジスタ４Ａ〜４Ｆは、いずれも、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴである。
【００１９】
パワースイッチ回路ＰＳＷでは、トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４Ｄのドレインとが接続されている。トランジスタ４Ａのドレインは、第２電源ＰＷ２と接続される。トランジスタ４Ｄのソースは、接地点に接続されている。なお、トランジスタ４Ｄは、電流検出用の抵抗を介して接地点に接続されていてもよい。トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４Ｄのドレインとの接続点には、モータＭのＵ相コイルＭＵが接続されている。
【００２０】
トランジスタ４Ｂおよびトランジスタ４Ｅは、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄと同様に結線されている。トランジスタ４Ｂのソースとトランジスタ４Ｅのドレインとの接続点には、モータＭのＶ相コイルＭＶが接続されている。トランジスタ４Ｃおよびトランジスタ４Ｆは、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄと同様に結線されている。トランジスタ４Ｃのソースとトランジスタ４Ｆのドレインとの接続点には、モータＭのＷ相コイルＭＷが接続されている。
【００２１】
本開示では、パワースイッチ回路ＰＳＷの第２電源ＰＷ２側のトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃを上側トランジスタ（上側スイッチ素子）と称し、接地点側のトランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆを下側トランジスタ（下側スイッチ素子）と称する。
【００２２】
ドライバ回路ＤＲＶは、上側ドライバチップ４Ｇと、下側ドライバチップ４Ｈとを備える。上側ドライバチップ４Ｇは、上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの各ゲートと接続し、各ゲートに対してそれぞれ、駆動信号ＨＵ，ＨＶ，ＨＷを出力する回路を有する。上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、駆動信号ＨＵ，ＨＶ，ＨＷの電圧レベルがＨレベルのときに、ＯＮになる。下側ドライバチップ４Ｈは、下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆの各ゲートと接続し、各ゲートにそれぞれ、駆動信号ＬＵ，ＬＶ，ＬＷを入力する回路を有する。下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆは、駆動信号ＬＵ、ＬＶ、ＬＷの電圧レベルがＨレベルのときに、ＯＮになる。電圧レベルがＨレベルであるとは、予め決められた電圧よりも高い電圧状態であることを示す。Ｌレベルは、予め決められた電圧よりも低い電圧状態であることを示す。
【００２３】
例えば、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４ＥをＯＮ、他のトランジスタをＯＦＦにすることで、第２電源ＰＷ２の駆動電圧ＶＤＣは、Ｕ相コイルＭＵおよびＶ相コイルＭＶに印加される。すなわち、Ｕ相コイルＭＵからＶ相コイルＭＶに向かう電流が流れる。このように、ドライバ回路ＤＲＶからの駆動信号により、トランジスタ４Ａ〜４ＦのＯＮとＯＦＦのタイミングを切り替える。これにより、各相のコイルＭＵ、ＭＶ、ＭＷに所望のタイミングで電流を通電し、コイルを励磁し、モータＭを回転駆動する。
【００２４】
図２に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、第１電源ＰＷ１からの制御電圧ＶＣＣの供給を受けて動作する。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、モータコントロールユニットＭＣＵと接続されており、モータコントロールユニットＭＣＵから、通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎ，ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎが入力される。通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎ，ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎは、トランジスタ４Ａ〜４Ｆの通電制御を行うための信号である。通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎは、上側ドライバチップ４Ｇに入力し、通電制御信号ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎは下側ドライバチップ４Ｈに入力する。
【００２５】
ドライバ回路ＤＲＶは、トランジスタ４Ａのゲートに駆動信号ＨＵ、トランジスタ４Ｄのゲートに駆動信号ＬＵを入力する。同様に、トランジスタ４Ｂのゲートに駆動信号ＨＶ、トランジスタ４Ｅのゲートに駆動信号ＬＶを入力する。トランジスタ４Ｃのゲートに駆動信号ＨＷ、トランジスタ４Ｆのゲートに駆動信号ＬＷを入力する。
【００２６】
ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側ドライバチップ４Ｇに対して、上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの駆動に必要な電圧を供給する回路である。例えば、第１電源ＰＷ１と上側トランジスタ４Ａのソースとの間をつなぐ回路であり、第１電源ＰＷ１側から、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とが直列に接続されている。上側ドライバチップ４Ｇは、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１の接続点の電圧を上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧として、取得している。ブートストラップ回路ＢＴＣには、第１電源ＰＷ１とブートダイオード４９Ｕとの間に、所定の電流値の電流を発生させるための抵抗が配置されてもよい。
【００２７】
ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側トランジスタ４Ｂに対応するブートダイオード４９ＶとブートキャパシタＢＣ２を備え、上側ドライバチップ４Ｇは、駆動に必要な電圧を取得する。ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側トランジスタ４Ｃに対応するブートダイオード４９ＷとブートキャパシタＢＣ３を備え、上側ドライバチップ４Ｇは、駆動に必要な電圧を取得する。
【００２８】
次に、ドライバ回路の詳細についてさらに説明する。スイッチ駆動装置Ａ１のドライバ回路ＤＲＶには、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄを駆動する回路、トランジスタ４Ｂおよびトランジスタ４Ｅを駆動する回路、トランジスタ４Ｃおよびトランジスタ４Ｆを駆動する回路をそれぞれ備える。これらのトランジスタを駆動する回路は、それぞれ同じ構成を有する。そのため、以下の説明では、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄを駆動する回路部分をドライバ回路ＤＲＶとして説明する。トランジスタ４Ａに対応するブートダイオード４９ＵおよびブートキャパシタＢＣ１を含む回路を、ブートストラップ回路ＢＴＣとして説明する。トランジスタ４Ａを上側トランジスタ４Ａ、トランジスタ４Ｄを下側トランジスタ４Ｄとする。上側トランジスタ４Ａのソースと下側トランジスタ４Ｄのドレインとの接続点を第１点Ｐ１とし、ブートストラップ回路ＢＴＣのブートダイオード４９ＵのカソードとブートキャパシタＢＣ１との接続点を第２点Ｐ２とする。
【００２９】
図３は、ドライバ回路の概略構成を示すブロック図である。図３に示すドライバ回路ＤＲＶは、上側ドライバチップ４Ｇと、下側ドライバチップ４Ｈとを含む。スイッチ駆動装置Ａ１において、下側ドライバチップ４Ｈは、従来公知のスイッチ駆動装置に用いられているドライバ回路と同じ構成である。そのため、下側ドライバチップ４Ｈの構成および動作についての詳細な説明は省略する。
【００３０】
図３に示すように、上側ドライバチップ４Ｇには、上側ゲートドライバ４６３と、入力信号制御回路４６４と、電流制限部４６５と、電流制御部４６６と、高耐圧レベルシフト回路４６７とを備える。
【００３１】
入力信号制御回路４６４は、モータコントロールユニットＭＣＵからの通電制御信号（ここでは、ｈｕｉｎ）を、高耐圧レベルシフト回路４６７を介して、上側ゲートドライバ４６３に入力させる。
【００３２】
上側ゲートドライバ４６３は、入力信号制御回路４６４から入力される信号に基づいて、上側トランジスタ４Ａを駆動する駆動信号ＨＵを生成し、上側トランジスタ４Ａのゲートに対して出力する。
【００３３】
上側ゲートドライバ４６３は、上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧を、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１から成るブートストラップ回路ＢＴＣから取得する。ブートストラップ回路ＢＴＣは、第１電源ＰＷ１から供給される電流で、ブートキャパシタＢＣ１を充電する。ブートキャパシタＢＣ１の両端を、例えば、ゲート閾値電圧と同じかそれよりも大きい電圧に充電する。このようにすることで、第１点Ｐ１の電圧ＶＳにかかわらず、第２点Ｐ２の電圧ＶＢを、第１点Ｐ１の電圧ＶＳよりもブートキャパシタＢＣ１の充電電圧分だけ高い電圧とすることができる。上側ゲートドライバ４６３が第２点Ｐ２の電圧ＶＢを取得することで、上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧を取得できる。
【００３４】
電流制限部４６５は、第１電源ＰＷ１からブートキャパシタＢＣ１に繋がる回路上に設けられる。本実施形態においては、電流制限部４６５は、ブートダイオード４９ＵのカソードとブートキャパシタＢＣ１との間に設けられる。電流制限部４６５は、電流制御部４６６からの信号（電流制限信号）に従って、第１電源ＰＷ１からブートキャパシタＢＣ１に供給される電流を制限する。このように、電流制限部４６５によって、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（充電電圧）を調整（制限）する。電流制限部４６５の詳細な構成については後述する。
【００３５】
スイッチ駆動装置Ａ１の動作について、図４を参照しながら説明する。図４は、スイッチ駆動装置Ａ１のＵ相における出力動作（後述のモード２における挙動）を示すタイミングチャートであり、上から順に、通電制御信号ｈｕｉｎおよびｌｕｉｎと電圧ＶＳが示されている。本図中において、Ｖｓｄは下側トランジスタ４Ｄのソース・ドレイン間電圧を示しており、Ｖｆは下側トランジスタ４Ｄに付随する寄生ダイオードの順方向降下電圧を示している。Ｖ相およびＷ相の出力動作もＵ相と同様であり、本図中の通電制御信号ｈｕｉｎおよびｌｕｉｎを、それぞれ、通電制御信号ｈｖｉｎおよびｌｖｉｎ、または、通電制御信号ｈｗｉｎおよびｌｗｉｎと読み替えれば足りる。なお、本図では、説明を簡単とするために遅延時間が無視されている。
【００３６】
スイッチ駆動装置Ａ１において、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄは相補的に動作するように制御される。時刻ｔ３〜ｔ４や時刻ｔ７〜ｔ８で示したように、上側トランジスタ４ＡがＯＮ（ｈｕｉｎ＝Ｈ）のときには下側トランジスタ４ＤがＯＦＦ（ｌｕｉｎ＝Ｌ）となり、時刻ｔ１〜ｔ２、時刻ｔ５〜ｔ６、および、時刻ｔ９〜ｔ１０で示したように、下側トランジスタ４ＤがＯＮ（ｌｕｉｎ＝Ｈ）のときには上側トランジスタ４ＡがＯＦＦ（ｈｕｉｎ＝Ｌ）となるように制御される。なお、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄとの間に貫通電流が流れると、両トランジスタの劣化や破損の原因となる。そのため、例えば、時刻ｔ２〜ｔ３、時刻ｔ４〜ｔ５、時刻ｔ６〜ｔ７、および、時刻ｔ８〜ｔ９で示したように、上側トランジスタ４ＡがＯＮから下側トランジスタ４ＤがＯＮに切り替わるときには、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄの両方がＯＦＦ（ｈｕｉｎ＝ｌｕｉｎ＝Ｌ）となるデッドタイムが設定される。
【００３７】
以上のように動作するスイッチ駆動装置Ａ１において、上側トランジスタ４ＡをＯＮにし、下側トランジスタ４ＤをＯＦＦにすることで、第２電源ＰＷ２から負荷であるＵ相コイルＭＵに電圧が印加される（すなわち、電流が供給される）。このとき、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、第２電源ＰＷ２の駆動電圧ＶＤＣとほぼ同じ電圧（すなわち、約３００Ｖ）となる場合がある。
【００３８】
ブートストラップ回路ＢＴＣによって、上側ゲートドライバ４６３が接続される第２点Ｐ２の電圧ＶＢは、第１点Ｐ１の電圧ＶＳよりも、ブートキャパシタＢＣ１の充電による両端間電圧（以下、充電電圧ＶＢＳ）分だけ高い電圧になる。例えば、第１点Ｐ１の電圧ＶＳが、０Ｖ−３００Ｖで推移する場合、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧を１８Ｖとすると、第２点Ｐ２の電圧ＶＢは、およそ１８Ｖ−３１８Ｖで推移する。
【００３９】
上側ゲートドライバ４６３は、第２点Ｐ２から電圧ＶＢの供給を受けることで、上側トランジスタ４Ａを駆動可能な電圧を常に取得可能である。この場合、ブートキャパシタＢＣ１は、フローティング電源としての役割を果たす。ブートキャパシタＢＣ１は、ゲート閾値電圧よりも高い電圧まで充電可能な構成を有している。
【００４０】
以下、ブートキャパシタＢＣ１の充電について説明する。まず、本開示のスイッチ駆動装置Ａ１とは異なり、電流制限部４６５を備えないものとして説明する。スイッチ駆動装置Ａ１において、下側トランジスタ４Ｄの順方向にモータ電流が流れる場合をモード１、下側トランジスタ４Ｄのボディダイオードがオンの場合（下回生時の場合）をモード２とする。ブートキャパシタＢＣ１は、モード１およびモード２のときに充電される。
【００４１】
モード１のとき、Ｕ相コイルＭＵには、モータＭの中性点から第１点Ｐ１および下側トランジスタ４Ｄを介して接地端に向かうモータ電流ＩＭが流れる。このとき、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、接地点電位と同じ又は略同じ電圧（０Ｖ）となる。実際には、下側トランジスタ４Ｄのオン抵抗や電流検出抵抗による抵抗成分Ｒがあるので、ＩＭ×Ｒだけ０Ｖよりも高い電圧となる。このため、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧は、第１電源ＰＷ１の制御電圧ＶＣＣと略同じであり、この状態で、ブートキャパシタＢＣ１は、電圧ＶＣＣまで充電される。より正確には、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧をＶＢＳとし、ブートダイオード４９Ｕの順方向降下電圧をＶＦＢＯＯＴとし、下側トランジスタ４Ｄのオン抵抗値をＲｏｎとし、モータ電流をＩＭとすると、ＶＢＳ＝ＶＣＣ−ＶＦＢＯＯＴ−Ｒｏｎ×ＩＭとなる。モード１では、第２点Ｐ２の電圧ＶＢが上述の充電電圧ＶＢＳ以下になった場合に充電される。
【００４２】
次に、モード２について説明する。図３に示したように、上側トランジスタ４Ａ、下側トランジスタ４Ｄは、寄生ダイオード（ボディダイオード）を含む。下側トランジスタ４Ｄの寄生ダイオードによる順方向降下電圧をＶｆとする。モード２でモータＭが回生運転されると、Ｕ相コイルＭＵには、第１点Ｐ１から中性点に向かってモータ電流が流れる。このとき、上側トランジスタ４Ａは、ＯＦＦであるため、第２電源ＰＷ２から電流は流れない。下側トランジスタ４ＤはＯＦＦであるが寄生ダイオードを介して電流が流れる。このため、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、接地電圧よりも低い−Ｖｆとなる。これにより、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧は、ほぼ（ＶＣＣ＋Ｖｆ）となる。正確には、ＶＢＳ＝ＶＣＣ−ＶＦＢＯＯＴ＋Ｖｆまで充電される。このように、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧ＶＢＳは、モード１のときよりもモード２のときの方が大きい。
【００４３】
ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が、上側トランジスタ４Ａにおいて、許容されるゲート・ソース間電圧（許容ゲート電圧とする）よりも高くなる場合がある。ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が許容ゲート電圧よりも高くなると、上側トランジスタ４Ａの劣化や破損の原因になりうる。本開示において、過充電状態とは、たとえば、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧ＶＢＳが、上側トランジスタ４Ａの許容ゲート電圧よりも高い電圧になるまで充電された状態をいう。特に、ＳｉＣベースのトランジスタは、これに付随する寄生ダイオードの順方向降下電圧Ｖｆが高いので、過充電状態を生じやすい。
【００４４】
本実施形態のスイッチ駆動装置Ａ１においては、上側ドライバチップ４Ｇは、ブートダイオード４９ＵからブートキャパシタＢＣ１に到る回路に電流制限部４６５を備えている。電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流を制限して、ブートキャパシタＢＣ１が過充電状態にならないように制御する。
【００４５】
次に、上側ドライバチップ４Ｇについて説明する。図５は、スイッチ駆動装置Ａ１に用いられる上側ドライバチップ４Ｇの一例の回路図である。上述したように、ブートキャパシタＢＣ１の過充電状態は、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が大きくなりすぎるために発生する。接続される第１電源ＰＷ１の制御電圧ＶＣＣが大きくなると、小さい場合に比べてブートキャパシタＢＣ１は過充電になりやすい。そこで、スイッチ駆動装置Ａ１では、上側ドライバチップ４Ｇが、異なる電源電圧の接続された場合でも、ブートキャパシタＢＣ１が過充電にならないような構成を備えている。
【００４６】
次に、上側ドライバチップ４Ｇの詳細について説明する。図５に示すように、上側ドライバチップ４Ｇは、上側ゲートドライバ４６３と、入力信号制御回路４６４と、電流制限部４６５と、電流制御部４６６と、高耐圧レベルシフト回路４６７とを備える。電流制御部４６６は、電流制限部４６５に信号を送り、電流制限部４６５を駆動して、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との間に電圧降下を発生させてブートキャパシタＢＣ１を充電するときの電圧を下げる。換言すると、電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流を制限する。
【００４７】
入力信号制御回路４６４には、モータコントロールユニットＭＣＵ（図１等参照）から、通電制御信号ｈｕｉｎが入力される。図５に示すように、入力信号制御回路４６４は、通電制御信号ｈｕｉｎをＬ信号又はＨ信号に変換するインバータ（シュミットバッファ）４６４１を備える。また、入力信号制御回路４６４は、レベルシフト回路４６４２およびパルスジェネレータ４６４３を備える。レベルシフト回路４６４２は、インバータ４６４１から出力される信号の電圧レベルを上げる機能を有する。これにより、上側ドライバチップ４Ｇでの信号の取り扱いが容易になる。パルスジェネレータ４６４３は、レベルシフト回路４６４２から出力された信号に基づいて、セットパルス信号とリセットパルス信号を出力する機能を有する。
【００４８】
パルスジェネレータ４６４３から出力されるセットパルス信号とリセットパルス信号は、高耐圧レベルシフト回路４６７に入力する。高耐圧レベルシフト回路４６７は、トランジスタ４６７１、トランジスタ４６７２、抵抗４６７３および抵抗４６７４を備える。トランジスタ４６７１およびトランジスタ４６７２は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴであり、高耐圧トランジスタである。トランジスタ４６７１のドレインは、抵抗４６７３を介して第２点Ｐ２又は第２点Ｐ２と同電位の点に接続される。トランジスタ４６７１のソースは、図示しない抵抗を介して接地点に接続され、ゲートには、パルスジェネレータ４６４３からのパルス信号が入力される。トランジスタ４６７２のドレインは、抵抗４６７４を介して第２点Ｐ２又は第２点Ｐ２と同電位の点に接続される。トランジスタ４６７２のソースは、図示しない抵抗を介して接地点に接続され、ゲートには、パルスジェネレータ４６４３からのパルス信号が入力される。トランジスタ４６７１と抵抗４６７３を含む回路（＝セットパルス信号を出力する回路）と、トランジスタ４６７２と抵抗４６７４を含む回路（＝リセットパルス信号を出力する回路）は、それぞれの信号線が互いに対称になるように配置されている。トランジスタ４６７１のドレインと抵抗４６７３との接続点およびトランジスタ４６７２のドレインと抵抗４６７４との接続点は、それぞれ、上側ゲートドライバ４６３の入力段を形成するインバータ（図示略）への入力信号レベルを所定値以下に制限するクランプ回路４６３１（図１５参照）に接続される。
【００４９】
高耐圧レベルシフト回路４６７においては、セットパルス信号とリセットパルス信号それぞれの信号線は、互いに対称になるように敷設されている。例えば、トランジスタ４６７１のドレインと抵抗４６７３との接続点からクランプ回路４６３１までの長さ（例えばセットパルス信号配線の長さ）と、トランジスタ４６７２のドレインと抵抗４６７４との接続点からクランプ回路４６３１までの長さ（例えばリセットパルス信号配線の長さ）は同じ長さ又は略同じ長さである。トランジスタ４６７１および抵抗４６７３のペアと、トランジスタ４６７２および抵抗４６７４のペアは、互いに素子配置も対称とされている。このようにすることで、配線抵抗および寄生容量を同じとして、各配線からの信号のずれを抑制している。
【００５０】
電流制限部４６５は、トランジスタ４６５１を備える。トランジスタ４６５１は、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とを接続する経路に配置されており、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位である領域に配置されている。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ４６５１のソースは、ブートダイオード４９Ｕのカソードに接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、ブートキャパシタＢＣ１に接続される。トランジスタ４６５１のゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。
【００５１】
電流制御部４６６は、第２点Ｐ２の電圧ＶＢを検出する。また、電流制御部４６６は、検出した電圧ＶＢとあらかじめ設定した閾値電圧とを比較する。電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６は、Ｈレベル信号をトランジスタ４６５１のゲートに出力する。これにより、トランジスタ４６５１はＯＦＦになる。一方、電流制御部４６６は、電圧ＶＢが閾値電圧よりも低い場合、Ｌレベル信号をトランジスタ４６５１のゲートに出力する。これにより、トランジスタ４６５１はＯＮになる。電流制御部４６６は、たとえば、従来公知のＯＶＬＯ回路の閾値電圧を変えることで実現可能であり、詳細な説明は省略する。
【００５２】
電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＦＦになる。このため、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路は遮断される。一方、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＮになる。このため、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路が確保される。すなわち、電圧ＶＢが閾値電圧以上である場合、ブートキャパシタＢＣ１には充電されない。逆に、電圧ＶＢが閾値電圧よりも低い場合、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との間に電流が流れ、ブートキャパシタＢＣ１が充電される。
【００５３】
上記構成を採用することにより、ブードダイオードＢＣ１に必要以上に充電することを回避することが可能であり、ブートダイオードＢＣ１の過充電に起因する不具合を抑制することができる。
【００５４】
図６〜図１３は、第１実施形態に係るスイッチ駆動装置Ａ１の構成例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１は、複数のリード１、複数のリード２、基板３、複数のトランジスタ４、複数のドライバチップ４、複数のブートダイオード４９、導電部５、複数の接合部６、複数の第１ワイヤ９１、複数の第２ワイヤ９２およびパッケージ７を備えている。スイッチ駆動装置Ａ１は、例えば空気調和機の室外機の圧縮機を駆動する駆動回路、冷蔵庫のコンプレッサを駆動する駆動回路、ファンを駆動する駆動回路等に用いることができる。駆動回路は、例えば３相交流モータを駆動する。
【００５５】
図６は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す斜視図である。図７は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す平面図である。図８は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す底面図である。図９は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す要部平面図である。図１０は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図１１は、スイッチ駆動装置Ａ１の基板を示す要部拡大平面図である。図１２は、図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、スイッチ駆動装置Ａ１のトランジスタを示す要部拡大断面図である。
【００５６】
これらの図において、ｚ方向は、基板３の厚さ方向に相当する。ｘ方向（第１方向）は、ｚ方向と直角な方向である。ｙ方向は、ｚ方向およびｘ方向と直角な方向である。
【００５７】
＜基板３＞
基板３を構成する材料は、特に限定されない。基板３の材質としては、たとえば、樹脂７の材質よりも熱伝導率が高い材質が好ましい。基板３の材質としては、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックが挙げられる。基板３の厚さは、特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００５８】
基板３の形状は、特に限定されず、種々の形状とすることが可能である。図９〜図１３に示す例では、基板３は、第１面３１、第２面３２、第３面３３、第４面３４、第５面３５および第６面３６を有する。第１面３１は、ｚ方向を向いている。第２面３２は、第１面３１とは反対側を向いている。第３面３３は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第３面３３は、ｘ方向を向いている。第４面３４は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第４面３４は、第３面３３とは反対側を向いている。第５面３５は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第５面３５は、ｙ方向を向いている。第６面３６は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第６面３６は、第５面３５とは反対側を向いている。図示された例においては、基板３は、ｚ方向視において矩形状である。また、基板３は、ｚ方向視においてｘ方向に長状である。
【００５９】
＜導電部５＞
導電部５は、基板３上に形成されている。図に示す例では、導電部５は、基板３の第１面３１上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されないが、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。あるいは、導電部５は、Ａｇ−ＰｔやＡｇ−Ｐｄを含んでいてもよい。導電部５は、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成されるが、本開示がこれに限定されるわけではない。導電部５の厚さは、特に限定されず、たとえば５μｍ〜３０μｍ程度である。
【００６０】
導電部５の形状（パターン）は、特に限定されず、たとえば、少なくとも１つの配線部（第１配線部、第２配線部等）、少なくとも１つの基部、および少なくとも１つの接続部を含んでいる。図１１に示す例では、導電部５は、複数の配線部５０Ａ〜５０Ｐ、複数の配線部５０Ｕ〜５０Ｗ、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７を含んでいる。図に示す例では、配線部５０Ｕ〜５０Ｗが「第１配線部」の一例であり、配線部５０Ａ〜５０Ｃが「第２配線部」の一例である。
【００６１】
第１基部５５の形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１基部５５は、ｘ方向に長状の矩形である。
【００６２】
第２基部５６の形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２基部５６は、ｘ方向に長状の矩形である。
【００６３】
接続部５７は、第１基部５５と第２基部５６との間に介在し、図示された例においては、第１基部５５と第２基部５６とを相互に繋いでいる。接続部５７の形状は、特に限定されず、たとえば、直線状あるいは非直線状（全体として屈曲している、または曲線状である等）のいずれであってもよい。
【００６４】
図１１に示された例においては、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７の各々は、ｙ方向に互いに離間した第１の辺および第２の辺を有している（第２の辺は、第１の辺よりも第６面３６により近い位置にある）。また、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７それぞれの第２の辺（３つの辺）は、ｘ方向に沿って互いに位置合わせされており、１つの直線的な線分を構成している（上記３つの辺は、ｙ方向において同じ位置にある）。
【００６５】
図１１に示すように、配線部５０Ａは、たとえば、第１部５１Ａ、第２部５２Ａおよび第３部５３Ａから構成されている。
【００６６】
第１部５１Ａの形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ａは、ｘ方向に長状の矩形である。第１部５１Ａは、ｘ方向において、第１基部５５から第３面３３側に離間して配置されている。第１部５１Ａは、ｘ方向視において、第１基部５５の一部に重なっている。
【００６７】
第２部５２Ａは、ｙ方向において第１部５１Ａよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ａの形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２部５２Ａは、矩形状であり、ｙ方向に長状である。
【００６８】
第３部５３Ａは、第１部５１Ａと第２部５２Ａとの間に介在しており、図示された例においては、第１部５１Ａと第２部５２Ａとに繋がっている。第３部５３Ａの形状は、特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に長く延びる矩形状（帯状）である。
【００６９】
図１１に示すように、配線部５０Ｂは、第１部５１Ｂおよび第２部５２Ｂから構成されている。
【００７０】
第１部５１Ｂの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ｂは、ｙ方向に長く延びる矩形状である。第１部５１Ｂは、ｙ方向において第１基部５５から第５面３５側に離間して配置されている。第１部５１Ｂは、ｘ方向において第１部５１Ａから第４面３４側に離間して配置されている。
【００７１】
第２部５２Ｂは、ｙ方向において第１部５１Ｂよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ｂは、ｘ方向において第２部５２Ａから第４面３４側に離間して配置されている。第２部５２Ｂの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２部５２Ｂは、ｘ方向に長状の矩形である。第１部５１Ｂと第２部５２Ｂとは、互いに繋がっている。
【００７２】
図１１に示すように、配線部５０Ｃは、第１部５１Ｃおよび第２部５２Ｃから構成されている。
【００７３】
第１部５１Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ｃは、y方向に長く延びる矩形状である。第１部５１Ｃは、ｙ方向において第１基部５５から第５面３５側に離間して配置されている。第１部５１Ｃは、ｘ方向において第１部５１Ｂから第４面３４側に離間して配置されている。第１部５１Ｃは、ｘ方向視において第１部５１Ｂと重なる。
【００７４】
第２部５２Ｃは、ｙ方向において第１部５１Ｃよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ｃは、ｘ方向において第２部５２Ｂから第４面３４側に離間して配置されている。第２部５２Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。第１部５１Ｃと第２部５２Ｃとは、互いに繋がっている。
【００７５】
配線部５０Ｕは、配線部５０Ａと離間しており、かつ配線部５０Ａの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｕの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｕは、矩形状である。配線部５０Ｕは、配線部５０Ａの第１部５１Ａに対して、ｙ方向において第５面３５側に配置されている。
【００７６】
配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂと離間しており、かつ配線部５０Ｂの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｖの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｖは、矩形状である。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂの第１部５１Ｂに対してｘ方向において第３面３３側に配置されている。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｕに対してｘ方向における第４面３４側に離間して配置されている。
【００７７】
配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃと離間しており、かつ配線部５０Ｃの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｗの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｗは、矩形状である。配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃの第１部５１Ｃに対してｘ方向において第４面３４側に配置されている。配線部５０Ｗは、配線部５０Ｖに対してｘ方向において第１部５１Ｂおよび第１部５１Ｃを挟んで第４面３４側に離間して配置されている。
【００７８】
配線部５０Ｄ〜５０Ｇは、配線部５０Ｗに対してｘ方向において第４面３４側に配置されている。図１１において、配線部５０Ｄ〜５０Ｇは、この順に並んでいる。配線部５０Ｄ〜５０Ｇは、各々、２つの矩形状のパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ屈曲形状の帯状部分とを有する。
【００７９】
配線部５０Ｈは、第２基部５６に繋がっており、第２基部５６からｙ方向において第５面３５に向かって延びている。配線部５０Ｈは、パッド状部分を有する。
【００８０】
配線部５０Ｉ〜配線部５０Ｎは、ｘ方向において配線部５０Ｈに対して第４面３４側に配置されており、この順で並んでいる。配線部５０Ｉ〜配線部５０Ｎは、各々、第２基部５６側に位置するパッド状部分と、第５面３５側に位置するパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ帯状部分とを有する。
【００８１】
配線部５０Ｏは、第２基部５６に繋がっており、第２基部５６からｘ方向に対して傾斜した方向に延びている。配線部５０Ｏは、第４面３４側に位置するパッド状部分と、このパッド上部分と第２基部５６とを繋ぐ帯状部分とを有する。
【００８２】
配線部５０Ｐは、配線部５０Ｏに対してｙ方向において第６面３６側に位置しており、第２基部５６に対してｘ方向において第４面３４側に位置している。配線部５０Ｐは、第４面３４側に位置するパッド状部分と、第２基部５６側に位置するパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ帯状部分と、を有する。
【００８３】
図１１に示す基板３は、たとえばｙ方向において互いに隣接する２つの領域、すなわち第１領域３０Ａおよび第２領域３０Ｂを有している。第１領域３０Ａは、第６面３６に近く、第２領域３０Ｂは、第５面３５に近い。上述の配線部５０Ａ〜５０Ｐ，５０Ｕ〜５０Ｗは、第２領域３０Ｂに設けられている。
【００８４】
＜接合部６＞
図１１〜図１３に示すように、複数の接合部６は、基板３上に形成されている。図に示す例においては、複数の接合部６は、基板３の第１面３１上に形成されている。接合部６の材質は特に限定されず、たとえば、基板３とリード１とを接合可能な材料で構成されている。接合部６は、たとえば導電性材料からなる。接合部６を構成する導電性材料は特に限定されない。接合部６の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、接合部６が銀を含む場合を例に説明する。この例における接合部６は、導電部５を構成する導電性材料と同じものを含む。なお、接合部６は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ−ＰｔやＡｇ−Ｐｄを含んでいてもよい。また接合部６の形成手法は限定されず、たとえば導電部５と同様に、これらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。接合部６の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ〜３０μｍ程度である。
【００８５】
図に示す例においては、複数の接合部６は、接合部６Ａ〜接合部６Ｄを含む。
【００８６】
接合部６Ａは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ａは、ｙ方向視において第１基部５５のすべてと重なる。接合部６Ａの形状は特に限定されない。
【００８７】
接合部６Ｂは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｂは、ｘ方向において接合部６Ａよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｂは、ｙ方向視において接続部５７および第２基部５６と重なる。接合部６Ｂの形状は特に限定されない。
【００８８】
接合部６Ｃは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｃは、ｘ方向において接合部６Ｂよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｃは、そのすべてがｙ方向視において第２基部５６と重なる。接合部６Ｃの形状は特に限定されない。
【００８９】
接合部６Ｄは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｄは、ｘ方向において接合部６Ｃよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｄは、ｙ方向視において第２基部５６、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。接合部６Ｄの形状は特に限定されない。
【００９０】
接合部６Ａ〜接合部６Ｄは、基板３のうちｙ方向において導電部５よりも第６面３６側の領域に形成されている。平面視において、基板３内の接合部６が形成された第６面３６側の領域を、第１領域３０Ａと定義する。
【００９１】
＜リード１＞
複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ程度である。
【００９２】
複数のリード１は、図６〜図９に示す例では、複数のリード１Ａ〜１Ｇ，１Ｚを含む。複数のリード１Ａ〜１Ｇは、たとえばトランジスタ４Ａ〜４Ｆへの導通経路を構成している。
【００９３】
リード１Ａ〜１Ｄ（第１リード）は、各々、基板３上に配置されており、図に示す例においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ａは、接合材８１を介して接合部６Ａに接合されている。接合材８１は、リード１Ａを接合部６Ａに接合しうるものであればよい。リード１Ａからの熱を基板３により効率よく伝達する観点から、接合材８１は、熱伝導率がより高いものがこのましく、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。ただし、接合材８１は、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等の絶縁性材料であってもよい。また、基板３に接合部６Ａが形成されていない場合、リード１Ａは、基板３に接合されていてもよい。
【００９４】
リード１Ａの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード１Ａは、第１部１１Ａ、第２部１２Ａ、第３部１３Ａおよび第４部１４Ａから構成されている。
【００９５】
図１２および図１３に示すように、第１部１１Ａは、主面１１１Ａおよび裏面１１２Ａと、複数の凹部１１１１Ａとを有する。
【００９６】
主面１１１Ａは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
【００９７】
裏面１１２Ａは、ｚ方向において主面１１１Ａとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ａは、図１２および図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ａに接合されている。
【００９８】
複数の凹部１１１１Ａは、主面１１１Ａからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ａのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ａは、マトリクス状に配置されている。
【００９９】
第３部１３Ａおよび第４部１４Ａは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ａは、第１部１１Ａと第４部１４Ａとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ａは、第１部１１Ａのうち第４面１２４Ａａおよび第８面１２４Ａｂの間の部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ａは、第６面３６と重なっている。図１２に示すように、第４部１４Ａは、ｚ方向において第１部１１Ａよりも主面１１１Ａが向く側にずれて位置している。第４部１４Ａの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１００】
第２部１２Ａは、第４部１４Ａの端部に繋がり、リード１Ａのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ａは、ｙ方向において第１部１１Ａとは反対側に突出している。第２部１２Ａは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ａは、ｚ方向において主面１１１Ａが向く側に折り曲げられている。
【０１０１】
リード１Ｂは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｂに接合されている。基板３に接合部６Ｂが形成されていない場合には、リード１Ｂは、基板３に接合されていてもよい。
【０１０２】
リード１Ｂの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード１Ｂは、第１部１１Ｂ、第２部１２Ｂ、第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂから構成されている。
【０１０３】
図に示すように、第１部１１Ｂは、主面１１１Ｂおよび裏面１１２Ｂと、複数の凹部１１１１Ｂとを有する。
【０１０４】
主面１１１Ｂは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
【０１０５】
裏面１１２Ｂは、ｚ方向において主面１１１Ｂとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｂは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｂに接合されている。
【０１０６】
複数の凹部１１１１Ｂは、主面１１１Ｂからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｂのｚ方向視形状は特に限定されなず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｂは、マトリクス状に配置されている。
【０１０７】
第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂと第４部１４Ｂとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂのうち第４面１２４Ｂに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｂは、第６面３６と重なっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｂは、ｚ方向において第１部１１Ｂよりも主面１１１Ｂが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｂの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１０８】
第２部１２Ｂは、第４部１４Ｂの端部に繋がり、リード１Ｂのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｂは、ｙ方向において第１部１１Ｂとは反対側に突出している。第２部１２Ｂは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｂは、ｚ方向において主面１１１Ｂが向く側に折り曲げられている。
【０１０９】
リード１Ｃは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｃに接合されている。基板３に接合部６Ｃが形成されていない場合には、リード１Ｃは、基板３に接合されていてもよい。
【０１１０】
リード１Ｃの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｃは、第１部１１Ｃ、第２部１２Ｃ、第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃから構成されている。
【０１１１】
図１３に示すように、第１部１１Ｃは、主面１１１Ｃおよび裏面１１２Ｃと、複数の凹部１１１１Ｃとを有する。
【０１１２】
主面１１１Ｃは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
【０１１３】
裏面１１２Ｃは、ｚ方向において主面１１１Ｃとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｃは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｃに接合されている。
【０１１４】
複数の凹部１１１１Ｃは、主面１１１Ｃからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｃのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｃは、マトリクス状に配置されている。
【０１１５】
第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃと第４部１４Ｃとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃのうち第４面１２４Ｃに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｃは、第６面３６と重なっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｃは、ｚ方向において第１部１１Ｃよりも主面１１１Ｃが向く側にずれて位置しており、第２部１２Ｃに繋がっている。第４部１４Ｃの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１１６】
第２部１２Ｃは、第４部１４Ｃの端部の繋がり、リード１Ｃのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｃは、ｙ方向において第１部１１Ｃとは反対側に突出している。第２部１２Ｃは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｃは、ｚ方向において主面１１１Ｃが向く側に折り曲げられている。
【０１１７】
リード１Ｄは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｄに接合されている。基板３に接合部６Ｄが形成されていない場合には、リード１Ｄは、基板３に接合されていてもよい。
【０１１８】
リード１Ｄの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｄは、第１部１１Ｄ、第２部１２Ｄ、第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄから構成されている。
【０１１９】
図１３に示すように、第１部１１Ｄは、主面１１１Ｄおよび裏面１１２Ｄと、複数の凹部１１１１Ｄとを有する。
【０１２０】
主面１１１Ｄは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
【０１２１】
裏面１１２Ｄは、ｚ方向において主面１１１Ｄとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｄは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｄに接合されている。
【０１２２】
複数の凹部１１１１Ｄは、主面１１１Ｄからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｄのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｄは、マトリクス状に配置されている。
【０１２３】
第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄは、第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄと第４部１４Ｄとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄのうち第４面１２４Ｄに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｄは、第６面３６と重なっている。パッケージ７によって覆われている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｄは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置しており、第２部１２Ｄに繋がっている。第４部１４Ｄの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１２４】
第２部１２Ｄは、第４部１４Ｄの端部に繋がり、リード１Ｄのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｄは、ｙ方向において第１部１１Ｄとは反対側に突出している。第２部１２Ｄは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｄは、ｚ方向において主面１１１Ｄが向く側に折り曲げられている。
【０１２５】
リード１Ｅは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｅは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。
【０１２６】
リード１Ｅの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｅは、第２部１２Ｅおよび第４部１４Ｅから構成されている。
【０１２７】
第４部１４Ｅは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｅは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｅは、ｙ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｅの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１２８】
第２部１２Ｅは、第４部１４Ｅの端部に繋がり、リード１Ｅのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｅは、ｙ方向において第４部１４Ｅとは反対側に突出している。第２部１２Ｅは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｅは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１２９】
リード１Ｆは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｆは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。また、リード１Ｆは、ｘ方向においてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
【０１３０】
リード１Ｆの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｆは、第２部１２Ｆおよび第４部１４Ｆから構成されている。
【０１３１】
第４部１４Ｆは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｆは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｆは、ｙ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｆの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１３２】
第２部１２Ｆは、第４部１４Ｆの端部に繋がり、リード１Ｆのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｆは、ｙ方向において第４部１４Ｆとは反対側に突出している。第２部１２Ｆは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｆは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１３３】
リード１Ｇは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｇは、ｘ方向において基板３よりも第４面３４が向く側に配置されている。また、リード１Ｇは、ｘ方向においてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
【０１３４】
リード１Ｇの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｇは、第２部１２Ｇおよび第４部１４Ｇから構成されている。
【０１３５】
第４部１４Ｇは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｇは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｇは、ｙ方向視において第４部１４Ｆと重なっている。第４部１４Ｇの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１３６】
第２部１２Ｇは、第４部１４Ｇの端部に繋がり、リード１Ｇのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｇは、ｙ方向において第４部１４Ｇとは反対側に突出している。第２部１２Ｇは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｇは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１３７】
リード１Ｚは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｚは、ｘ方向において基板３よりも第３面３３が向く側に配置されている。また、リード１Ｚは、ｘ方向においてリード１Ａよりもリード１Ｂとは反対側に配置されている。
【０１３８】
リード１Ｚの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｚは、第２部１２Ｚおよび第４部１４Ｚから構成されている。また、リード１Ｚは、スイッチ駆動装置Ａ１の回路から絶縁されている。
【０１３９】
第４部１４Ｚは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｚは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に延びる帯状である。第４部１４Ｚの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
【０１４０】
第２部１２Ｚは、第４部１４Ｚの端部に繋がり、リード１Ｚのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｚは、ｙ方向において第４部１４Ｚとは反対側に突出している。第２部１２Ｚは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｚは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１４１】
図９に示すように、第２部１２Ａ、第２部１２Ｂ、第２部１２Ｃおよび第２部１２Ｄは、ｘ方向において間隔Ｇ１１を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ１１は、互いに略同じ長さである。第２部１２Ｄと第２部１２Ｅとは、ｘ方向において間隔Ｇ１２を隔てて配置されている。間隔Ｇ１２は、間隔Ｇ１１と略同じ長さである。第２部１２Ｅ、第２部１２Ｆおよび第２部１２Ｇは、ｘ方向において間隔Ｇ１３を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ１３の長さは、間隔Ｇ１１よりも短い。第２部１２Ａと第２部１２Ｚとは、ｘ方向において間隔Ｇ１４を隔てて配置されている。間隔Ｇ１４は、間隔Ｇ１１よりも大きい。
【０１４２】
＜リード２＞
複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ程度である。複数のリード２は、ｚ方向視において基板３の第２領域３０Ｂと重なるように配置されている。
【０１４３】
複数のリード２は、図６〜図９に示す例では、複数のリード２Ａ〜２Ｐ，２Ｚを含む。複数のリード２Ａ〜２Ｏは、たとえば上側ドライバチップ４Ｇ、下側ドライバチップ４Ｈへの導通経路を構成している。
【０１４４】
リード２Ａ〜２Ｐ，２Ｚの具体的構成は特に限定されない。リード２Ｃについて、図１２を参照して後述する構成は、適宜リード２Ａ〜２Ｐに採用可能である。
【０１４５】
リード２Ｃは、複数のリード１と離間している。リード２Ｃは、導電部５上に配置されている。リード２Ｃは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｃは、「第２リード」の一例である。リード２Ｃは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｃの第２部５２Ｃに接合されている。
【０１４６】
リード２Ｃの構成は特に限定されず、図９および図１２に示す例では、リード２Ｃは、第１部２１Ｃ、第２部２２Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃから構成されている。この具体的構成は、リード２Ａ，２Ｂ，２Ｄ〜２Ｐに適宜採用可能である。
【０１４７】
第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃに接合された部位である。第１部２１Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部２１Ｃは、矩形状であり、ｙ方向を長手方向とする長矩形状である。図示された例においては、第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃとｚ方向視において重なっている。また、第１部２１Ｃは、貫通孔２１１Ｃを有する。貫通孔２１１Ｃは、第１部２１Ｃをｚ方向に貫通している。図１２に示すように、貫通孔２１１Ｃ内は、導電性接合材８２によって充填されている。また、導電性接合材８２は、リード２Ｃの表面に亘って形成されている。ただし、導電性接合材８２は、貫通孔２１１Ｃ内に留まり、リード２Ｃの表面に至らない構成であってもよい。
【０１４８】
第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、パッケージ７によって覆われている。第３部２３Ｃは、第１部２１Ｃと第４部２４Ｃとに繋がっている。図１２に示すように、第４部２４Ｃは、ｚ方向において第１部２１Ｃよりも第１面３１が向く側にずれて位置している。第４部２４Ｃの端部が、樹脂７の第６面７５と面一である。図示された例においては、第１部２１Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、ｙ方向視において略一致している。
【０１４９】
第２部２２Ｃは、第４部２４Ｃの端部に繋がり、リード２Ｃのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｃは、ｙ方向において第１部２１Ｃとは反対側に突出している。第２部２２Ｃは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｃは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１５０】
リード２Ａは、複数のリード１と離間している。リード２Ａは、導電部５上に配置されている。リード２Ａは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ａは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ａは、導電性接合材（第１導電性接合材）８２を介して導電部５の配線部５０Ａに接合されている。導電性接合材８２は、リード２Ａを配線部５０Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８２は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。
【０１５１】
リード２Ａの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ａを有する。
【０１５２】
第２部２２Ａは、リード２Ａのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ａは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ａは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１５３】
リード２Ｂは、複数のリード１と離間している。リード２Ｂは、導電部５上に配置されている。リード２Ｂは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｂは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｂは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｂに接合されている。
【０１５４】
リード２Ｂの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｂを有する。
【０１５５】
第２部２２Ｂは、リード２Ｂのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｂは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｂは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１５６】
リード２Ｄは、複数のリード１と離間している。リード２Ｄは、導電部５上に配置されている。リード２Ｄは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｄは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｄは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｄに接合されている。
【０１５７】
リード２Ｄの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｄを有する。
【０１５８】
第２部２２Ｄは、リード２Ｄのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｄは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｄは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１５９】
リード２Ｅは、複数のリード１と離間している。リード２Ｅは、導電部５上に配置されている。リード２Ｅは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｅは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｅは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｅに接合されている。
【０１６０】
リード２Ｅの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｅを有する。
【０１６１】
第２部２２Ｅは、リード２Ｅのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｅは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｅは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１６２】
リード２Ｆは、複数のリード１と離間している。リード２Ｆは、導電部５上に配置されている。リード２Ｆは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｆは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｆは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｆに接合されている。
【０１６３】
リード２Ｆの構成は特に限定されず、図に示す例においてはリード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｆを有する。
【０１６４】
第２部２２Ｆは、リード２Ｆのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｆは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｆは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１６５】
リード２Ｇは、複数のリード１と離間している。リード２Ｇは、導電部５上に配置されている。リード２Ｇは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｇは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｇは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｇに接合されている。
【０１６６】
リード２Ｇの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｇを有する。
【０１６７】
第２部２２Ｇは、リード２Ｇのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｇは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｇは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１６８】
リード２Ｈは、複数のリード１と離間している。リード２Ｈは、導電部５上に配置されている。リード２Ｈは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｈは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｈは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｈに接合されている。
【０１６９】
リード２Ｈの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｈを有する。
【０１７０】
第２部２２Ｈは、リード２Ｈのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｈは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｈは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１７１】
リード２Ｉは、複数のリード１と離間している。リード２Ｉは、導電部５上に配置されている。リード２Ｉは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｉは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｉは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｉに接合されている。
【０１７２】
リード２Ｉの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｉを有する。
【０１７３】
第２部２２Ｉは、リード２Ｉのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｉは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｉは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１７４】
リード２Ｊは、複数のリード１と離間している。リード２Ｊは、導電部５上に配置されている。リード２Ｊは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｊは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｊは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｊに接合されている。
【０１７５】
リード２Ｊの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｊを有する。
【０１７６】
第２部２２Ｊは、リード２Ｊのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｊは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｊは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１７７】
リード２Ｋは、複数のリード１と離間している。リード２Ｋは、導電部５上に配置されている。リード２Ｋは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｋは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｋは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｋに接合されている。
【０１７８】
リード２Ｋの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｋを有する。
【０１７９】
第２部２２Ｋは、リード２Ｋのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｋは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｋは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１８０】
リード２Ｌは、複数のリード１と離間している。リード２Ｌは、導電部５上に配置されている。リード２Ｌは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｌは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｌは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｌに接合されている。
【０１８１】
リード２Ｌの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｌを有する。
【０１８２】
第２部２２Ｌは、リード２Ｌのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｌは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｌは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１８３】
リード２Ｍは、複数のリード１と離間している。リード２Ｍは、導電部５上に配置されている。リード２Ｍは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｍは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｍは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｍに接合されている。
【０１８４】
リード２Ｍの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｍを有する。
【０１８５】
第２部２２Ｍは、リード２Ｍのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｍは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｍは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１８６】
リード２Ｎは、複数のリード１と離間している。リード２Ｎは、導電部５上に配置されている。リード２Ｎは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｎは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｎは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｎに接合されている。
【０１８７】
リード２Ｎの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｎを有する。
【０１８８】
第２部２２Ｎは、リード２Ｎのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｎは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｎは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１８９】
リード２Ｏは、複数のリード１と離間している。図９および図１０に示すように、リード２Ｏは、導電部５上に配置されている。リード２Ｏは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｏは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｏに接合されている。
【０１９０】
リード２Ｏの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｏを有する。
【０１９１】
第２部２２Ｏは、リード２Ｏのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｏは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｏは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１９２】
リード２Ｐは、複数のリード１と離間している。図９および図１０に示すように、リード２Ｐは、導電部５上に配置されている。リード２Ｐは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｐは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｐに接合されている。
【０１９３】
リード２Ｐの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｐを有する。
【０１９４】
第２部２２Ｐは、リード２Ｐのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。図示された例においては、第２部２２Ｐは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１９５】
リード２Ｚは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード２Ｚは、ｘ方向において基板３よりも第３面３３が向く側に配置されている。また、リード２Ｚは、ｘ方向においてリード２Ａよりもリード２Ｂとは反対側に配置されている。
【０１９６】
リード２Ｚの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード２Ｚは、第２部２２Ｚおよび第４部２４Ｚから構成されている。また、リード２Ｚは、スイッチ駆動装置Ａ１の回路から絶縁されている。
【０１９７】
第４部２４Ｚは、第２部２２Ｚに繋がっており、パッケージ７によって覆われている。リード２Ｃにおける第４部２４Ｃと同様に、第４部２４Ｚは、ｚ方向において第１部２１Ａよりも第１面３１が向く側にずれて位置している。第４部２４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に延びる帯状である。第４部２４Ｚの端部が、樹脂７の第６面７５と面一である。
【０１９８】
第２部２２Ｚは、第４部２４Ｚの端部に繋がり、リード２Ｚのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部２２Ｚは、ｙ方向において第４部２４Ｚとは反対側に突出している。第２部２２Ｚは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｚは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
【０１９９】
図９に示すように、第２部２２Ａ、２２Ｂ、および第２部２２Ｃは、ｘ方向において間隔Ｇ２１を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ２１は、互いに略同じ長さである。第２部２２Ｃと２２Ｄとは、ｘ方向において間隔Ｇ２２を隔てて配置されている。間隔Ｇ２２は、間隔Ｇ２１と略同じ長さである。第２部２２Ｄ〜２２Ｎは、ｘ方向においてそれぞれ間隔Ｇ２３を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ２３の長さは、間隔Ｇ２１よりも短く、複数の間隔Ｇ２３間の互いの長さが略同じである。第２部２２Ａと第２部２２Ｚとは、ｘ方向において間隔Ｇ２４を隔てて配置されている。間隔Ｇ２４は、間隔Ｇ２１と略同じである。
【０２００】
＜トランジスタ４Ａ〜４Ｆ＞
トランジスタ４Ａ〜４Ｆは、複数のリード１上に配置されている。トランジスタ４Ａ〜４Ｆの種類や機能は、特に限定されない。また、図示された例においては、６つのトランジスタ４Ａ〜４Ｆを備えているが、これは一例であり、トランジスタの個数は何ら限定されない。
【０２０１】
トランジスタ４Ａ〜４Ｆは、図示された例においては、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ  ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor））である。トランジスタ４Ａ〜４Ｆは、ＳｉＣ基板に変えてＳｉ（シリコン）基板によるＭＯＳＦＥＴであってもよく、たとえばＩＧＢＴ素子を含んでいてもよい。また、ＧａＮを含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。本実施形態では、トランジスタ４Ａ〜４Ｆはそれぞれ、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。以下では、トランジスタ４Ａについて説明し、他のトランジスタ４Ｂ〜４Ｆの説明を省略する。
【０２０２】
図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ａは、リード１Ａの第１部１１Ａ上に配置されている。トランジスタ４Ａは、ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰを有する。図示された例においては、ソース電極ＳＰおよびゲート電極ＧＰは、トランジスタ４Ａのうち主面１１１Ａと同じ側を向く面に配置されている。ドレイン電極ＤＰは、トランジスタ４Ａのうち主面１１１Ａと対向する面に形成されている。ゲート電極ＧＰおよびソース電極ＳＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等）からなる。ドレイン電極ＤＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等）からなる。ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰの形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、ゲート電極ＧＰよりもソース電極ＳＰが大きい。ゲート電極ＧＰは、ｚ方向視においてトランジスタ４Ａのｙ方向中心よりも基板３の第５面３５側に配置されている。ソース電極ＳＰは、ゲート電極ＧＰのｙ方向の片側およびｘ方向両側に位置する部分を有する。ゲート電極ＧＰのソース電極ＳＰに対する位置は、特に限定されない。ゲート電極ＧＰは、正方形に形成されてもよい。ソース電極ＳＰは、第５面３５と対向する辺に凹部を有し、当該凹部内にゲート電極ＧＰが配置されている。
【０２０３】
図１４は、トランジスタ４Ａを模式的に示す要部拡大断面図である。トランジスタ４Ａは、基板４００、エピタキシャル層４０１、ソース配線４１１、ドレイン配線４１５およびゲート配線４１９を有する。
【０２０４】
基板４００は、ＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）からなり、ｎ型不純物が高濃度（例えば、１ｅ１８〜１ｅ２１ｃｍ-3）にドーピングされている。基板４００は、表面４００Ａおよび裏面４００Ｂを有する。表面４００Ａは、Ｓｉ面であり、裏面４００Ｂは、Ｃ面である。
【０２０５】
エピタキシャル層４０１は、基板４００の表面４００Ａ上に積層されている。エピタキシャル層４０１は、基板４００よりもｎ型不純物が低濃度にドーピングされたＳｉＣからなる、ｎ-型の層である。エピタキシャル層４０１は、基板４００上に、エピタキシャル成長によって形成されている。Ｓｉ面である表面４００Ａ上に形成されるエピタキシャル層４０１は、Ｓｉ面を成長主面として成長させられる。したがって、成長により形成されるエピタキシャル層４０１の表面４０１Ａは、基板４００の表面４００Ａと同様にＳｉ面である。
【０２０６】
エピタキシャル層４０１は、ドレイン領域４０２、ボディ領域４０３、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８を有する。
【０２０７】
ドレイン領域４０２は、表面４０１Ａとは反対側のＣ面側の部分（基層部）である。ドレイン領域４０２は、その全域がエピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型領域である。ドレイン領域４０２のｎ型不純物濃度は、例えば１ｅ１５〜１ｅ１７ｃｍ-3である。
【０２０８】
ボディ領域４０３は、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａ側に形成されている。ボディ領域４０３は、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａ側（Ｓｉ面側）からドレイン領域４０２に接している。ボディ領域４０３のｐ型不純物濃度は、例えば１ｅ１６〜１ｅ１９ｃｍ-3である。
【０２０９】
図１４に示すように、エピタキシャル層４０１には、ゲートトレンチ４０４が形成されている。ゲートトレンチ４０４は、表面４０１Ａから掘り下げられた形態を有するとともに、図１４の紙面に垂直な方向（「ゲート幅に沿う方向」または「ゲート幅方向」）に長く延びている。したがって、平面視では、ゲートトレンチ４０４は、所定の方向に沿って延びる帯状である。図１４では、１つのゲートトレンチ４０４のみが示されているが、実際には、エピタキシャル層４０１には、平面視において互いに平行に延びる複数のゲートトレンチ４０４が形成されており、いわゆるストライプ構造をなしている。
【０２１０】
各ゲートトレンチ４０４は、２つの側面４０４ａおよび底面４０４ｂを有する。２つの側面４０４ａは、互いに間隔を空けて対向し、それぞれが表面４０１Ａに対して直交する。底面４０４ｂは、２つの側面４０４ａに繋がっており、表面４０１Ａに対して平行な部分を有している。ゲートトレンチ４０４は、ボディ領域４０３を厚さ方向（図１４における上下方向）に貫通し、その最深部（底面４０４ｂ）がドレイン領域４０２に達している。
【０２１１】
ゲートトレンチ４０４には、その内面（側面４０４ａおよび底面４０４ｂ）全域を覆うようにゲート絶縁膜４０５が形成されている。図１４に示すように、ゲート絶縁膜４０５の一部は、ゲートトレンチ４０４の外部にあって、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａを部分的に覆っている。ゲート絶縁膜４０５は、窒素（Ｎｉ）を含有する酸化膜（例えば窒素含有ガスを用いた熱酸化により形成される窒化酸化シリコン膜）からなる。ゲート絶縁膜４０５における窒素含有量（窒素濃度）は、例えば０．１〜１０％である。
【０２１２】
ゲート絶縁膜４０５は、絶縁膜側部４０５ａおよび絶縁膜底部４０５ｂを有する。絶縁膜側部４０５ａは、ゲートトレンチ４０４の側面４０４ａを覆う部分である。絶縁膜底部４０５ｂは、ゲートトレンチ４０４の底面４０４ｂを覆う部分である。図示された例においては、絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２は、絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１と同じか、厚さＴ１よりも小さい（Ｔ２≦Ｔ１）。具体的には、絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１に対する絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．３〜１であり、好ましくは、０．５〜１である。絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１は、例えば３００〜１０００Åであり、絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２は、例えば１５０〜５００Å（ただしＴ２≦Ｔ１）である。
【０２１３】
ゲート絶縁膜４０５内には、ゲート電極４０６が埋設されている。ゲート電極４０６は、ゲート絶縁膜４０５の内側を、Ｎ型不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコン材料で埋め尽くすことにより形成されている。
【０２１４】
ソース領域４０７は、ボディ領域４０３の表層部において、ゲートトレンチ４０４に対してゲート幅と直交する方向（図１４における左右方向）の両側に位置している。ソース領域４０７は、ｎ+型の領域である。ソース領域４０７は、ドレイン領域４０２のｎ型不純物濃度よりも高く、ｎ型不純物が高濃度にドーピングされた領域である。ソース領域４０７のｎ型不純物濃度は、例えば１ｅ１８〜１ｅ２１ｃｍ-3である。平面視において、ソース領域４０７は、ゲートトレンチ４０４に隣接し、かつゲート幅方向に延びている。
【０２１５】
図１４に示すように、ボディコンタクト領域４０８は、表面４０１Ａから下方に延びてソース領域４０７を貫通し、ボディ領域４０３に接続されるｐ+型の領域である。また、ボディコンタクト領域４０８は、平面視において、ソース領域４０７の中央線（ゲート幅方向と直交する方向における、ソース領域４０７の中央点を通り直線であって、ゲート幅方向に平行な直線）に沿って延びている。ボディコンタクト領域４０８は、ｐ型不純物が高濃度にドーピングされた領域であり、ｐ型不純物濃度がボディ領域４０３よりも高い。ボディコンタクト領域４０８のｐ型不純物濃度は、例えば１ｅ１８〜１ｅ２１ｃｍ-3である。
【０２１６】
ゲートトレンチ４０４およびソース領域４０７は、ゲート幅方向と直交する方向に交互に設けられ、それぞれゲート幅方向に沿って延びている。ソース領域４０７上には、当該ソース領域４０７に沿ってゲート幅方向と直交する方向に隣接する単位セル間の境界が設定されている。ボディコンタクト領域４０８は、ゲート幅方向と直交する方向に隣接する２つの単位セル間に跨って少なくとも１つ設けられている。またゲート幅方向に沿う方向に隣接する単位セル間の境界は、各単位セルに含まれるゲート電極４０６が一定のゲート幅を有するように設定されている。
【０２１７】
エピタキシャル層４０１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる層間絶縁膜４０９が積層されている。層間絶縁膜４０９およびゲート絶縁膜４０５には、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８の表面を露出させるコンタクトホール４１０が形成されている。
【０２１８】
ソース配線４１１は、層間絶縁膜４０９上に形成されている。ソース配線４１１は、コンタクトホール４１０を介して、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８にコンタクト（電気的に接続）されている。ソース配線４１１は、ポリシリコン層４１２、メタル層４１３および中間層４１４を有する。
【０２１９】
ポリシリコン層４１２は、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８と接する層である。ポリシリコン層４１２は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、例えば、１ｅ１９〜１ｅ２１ｃｍ-3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層であることが好ましい。ポリシリコン層４１２をドープ層（または高濃度ドープ層）として形成するときの不純物としては、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などのＮ型不純物、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を用いることができる。ポリシリコン層４１２は、コンタクトホール４１０を埋め尽くしている。このようなポリシリコン層４１２の厚さは、コンタクトホール４１０の深さにより異なるが、例えば５０００〜１０００Åである。
【０２２０】
メタル層４１３は、ポリシリコン層４１２上に形成されている。メタル層４１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、またはそれらの合金およびそれらを含有するメタル材料から形成されている。メタル層４１３は、ソース配線４１１の最表層をなし、例えば第１ワイヤ９１Ａなどがボンディングされる。メタル層４１３の厚さは、例えば１〜５μｍである。
【０２２１】
中間層４１４は、ポリシリコン層４１２とメタル層４１３との間に介在しており、チタン（Ｔｉ）を含有する。中間層４１４は、チタンを含有する層の単層もしくはその層を有する複数の層からなる。チタンを含有する層は、チタン、窒化チタン（ＴｉＮ）などを用いて形成することができる。中間層４１４の厚さは、例えば２００〜５００ｎｍである。
【０２２２】
このようなポリシリコン層４１２、中間層４１４、およびメタル層４１３を有するソース配線４１１は、ポリシリコン（ポリシリコン層４１２）、チタン（中間層４１４）、窒化チタン（中間層４１４）、およびアルミニウム（メタル層４１３）が順に積層される積層構造（Ｐｏ−Ｓｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ）であることが好ましい。
【０２２３】
ドレイン配線４１５は、基板４００の裏面４００Ｂに形成されている。ドレイン配線４１５は、基板４００にコンタクト（電気的に接続）されている。ドレイン配線４１５は、ポリシリコン層４１６、メタル層４１７および中間層４１８を有する。
【０２２４】
ポリシリコン層４１６は、基板４００と接する。ポリシリコン層４１６は、ポリシリコン層４１２を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。ポリシリコン層４１６の厚さは、例えば１０００〜２０００Åである。
【０２２５】
メタル層４１７は、ポリシリコン層４１６上に形成されている。メタル層４１７は、メタル層４１３を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。メタル層４１７は、ドレイン配線４１５の最表層をなし、例えば基板４００がリード１Ａの第１部１１Ａに実装されるとき、第１部１１Ａに接合される。メタル層４１７の厚さは、例えば０．５〜１μｍである。
【０２２６】
中間層４１８は、ポリシリコン層４１６とメタル層４１７との間に介在しており、チタン（Ｔｉ）を含有する層である。中間層４１８は、中間層４１４を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。
【０２２７】
ゲート配線４１９は、層間絶縁膜４０９に形成されたコンタクトホール（図示略）を介してゲート電極４０６にコンタクト（電気的に接続）されている。ソース配線４１１とドレイン配線４１５との間（ソース−ドレイン間）に所定の電位差を発生させた状態で、ゲート配線４１９に所定の電圧（ゲート閾値電圧以上の電圧）が印加されることにより、ゲート電極４０６からの電界によりボディ領域４０３におけるゲート絶縁膜４０５との界面近傍にチャネルが形成される。これにより、ソース配線４１１とドレイン配線４１５との間に電流が流れ、トランジスタ４Ａがオン状態となる。
【０２２８】
図９、図１２および図１３に示すように、３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃが、リード１Ａの第１部１１Ａの主面１１１Ａ上に配置されている。３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、ｘ方向において互いに離間し、且つｘ方向視において互いに重なっている。図示された例においては、トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ａに接合されている。
【０２２９】
導電性接合材（第２導電性接合材）８３は、トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰを主面１１１Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８３は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだが用いられる。
【０２３０】
図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｄが、リード１Ｂの第１部１１Ｂの主面１１１Ｂ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｄのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｂに接合されている。
【０２３１】
図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｅが、リード１Ｃの第１部１１Ｃの主面１１１Ｃ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｅのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｃに接合されている。
【０２３２】
図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｆが、リード１Ｄの第１部１１Ｄの主面１１１Ｄ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｆのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｄに接合されている。
【０２３３】
＜上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈ＞
上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、トランジスタ４Ａ〜４Ｆのうち少なくとも１つを駆動および制御するためのものである。図９および図１０に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、導電部５とトランジスタ４Ａ〜４Ｆのうち少なくとも１つとに電気的に接続されており、基板３上に配置されている。図に示す例では、上側ドライバチップ４Ｇは、３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃを駆動および制御する。下側ドライバチップ４Ｈは、３つのトランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆを駆動および制御する。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈの形状やサイズは特に限定されない。図示された例においては、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、ｚ方向視において矩形状であり、ｘ方向に長状である。
【０２３４】
上側ドライバチップ４Ｇは、導電部５の第１基部５５に搭載されており、下側ドライバチップ４Ｈは、導電部５の第２基部５６上に配置されている。上側ドライバチップ４Ｇは、導電性接合材８４によって第１基部５５に接合されている。下側ドライバチップ４Ｈは、導電性接合材８４によって第２基部５６に接合されている。
【０２３５】
導電性接合材８４（第３導電性接合材）は、上側ドライバチップ４Ｇを第１基部５５に接合するとともに、下側ドライバチップ４Ｈを第２基部５６に接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８４は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだが用いられる。導電性接合材８４の具体的形状は、何ら限定されない。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、導電性接合材８４に代えて、絶縁性接合材によって第１基部５５に接合されてもよい。
【０２３６】
図９に示すように、上側ドライバチップ４Ｇは、ｘ方向視において、リード２Ｂ〜２Ｏとリード１Ａ〜１Ｇとの間に位置している。下側ドライバチップ４Ｈは、ｘ方向視において、リード２Ｂ〜２Ｏとリード１Ａ〜１Ｇとの間に位置している。上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｂと重なる。図示された例においては、上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視において、トランジスタ４Ａと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視において、トランジスタ４Ｅと重なる。上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｃと重なっていてもよい。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｄ，４Ｆのいずれか一方または両方と重なっていてもよい。
【０２３７】
図１０および図１１に示す例では、上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視において配線部５０Ｂ、配線部５０Ｃ、配線部５０Ｖおよび配線部５０Ｗと重なる。上側ドライバチップ４Ｇは、ｘ方向視において、第２基部５６および下側ドライバチップ４Ｈと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視において、配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊ、配線部５０Ｋおよび配線部５０Ｌと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｘ方向視において、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。
【０２３８】
＜ブートブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ＞
ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、上側ドライバチップ４Ｇと電気的に接続されている。ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、たとえば、上側ドライバチップ４Ｇにより高い電圧を印加する機能を有する。図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｕは、導電部５の配線部５０Ｕに導電性接合材８５を介して接合されている。導電性接合材８５は、たとえば上述した導電性接合材８４と同様の材質である。
【０２３９】
図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｖは、導電部５の配線部５０Ｖに上述した導電性接合材８５を介して接合されている。ブートダイオード４９Ｗは、導電部５の配線部５０Ｗに上述した導電性接合材８５を介して接合されている。
【０２４０】
ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗの具体的な配置形態は特に限定されない。図１０および図１１に示す例では、ブートダイオード４９Ｕのｙ方向における中心は配線部５０Ｕのｙ方向における中心よりも第５面３５側にずれている。ブートダイオード４９Ｖのｘ方向における中心は、配線部５０Ｖのｘ方向における中心よりも配線部５０Ｗ側にずれている。ブートダイオード４９Ｗのｘ方向における中心は、配線部５０Ｗのｘ方向における中心よりも配線部５０Ｄ側にずれている。
【０２４１】
＜第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆ＞
第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆ（第１導電部材）は、トランジスタ４Ａ〜４Ｆのいずれかと、複数のリード１のいずれかとに接続されている。第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆの材質は特に限定されず、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆの太さは特に限定されず、たとえば直径が２５０〜５００μｍ程度である。第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆに代えて、たとえば、Ｃｕからなるリードを用いてもよい。
【０２４２】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ａは、一端がトランジスタ４Ａのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｂの第４部１４Ｂに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｂにおいて、第１ワイヤ９１Ａが接合される位置は特に限定されない。
【０２４３】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｂは、一端がトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｃの第４部１４Ｃに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｃにおいて、第１ワイヤ９１Ｂが接合される位置は特に限定されない。
【０２４４】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｃは、一端がトランジスタ４Ｃのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｄの第４部１４Ｄに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｄにおいて、第１ワイヤ９１Ｃが接合される位置は特に限定されない。
【０２４５】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｄは、一端がトランジスタ４Ｄのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｅの第４部１４Ｅに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｅにおいて、第１ワイヤ９１Ｄが接合される位置は特に限定されない。
【０２４６】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｅは、一端がトランジスタ４Ｅのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｆの第４部１４Ｆに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｆにおいて、第１ワイヤ９１Ｅが接合される位置は特に限定されない。
【０２４７】
図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｆは、一端がトランジスタ４Ｆのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｇの第４部１４Ｇに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｇにおいて、第１ワイヤ９１Ｆが接合される位置は特に限定されない。
【０２４８】
＜第２ワイヤ９２＞
複数の第２ワイヤ（第２導電部材）９２は、図９に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈのいずれかに接続されている。第２ワイヤ９２の材質は特に限定されず、たとえば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等からなる。第２ワイヤ９２の太さは特に限定されず、たとえば、第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆよりも細い。第２ワイヤ９２の太さは、たとえば直径が１０μｍ〜５０μｍ程度である。以降においては、上側ドライバチップ４Ｇに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｇとし、下側ドライバチップ４Ｈに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｈとして説明する。
【０２４９】
図９に示すように、トランジスタ４Ａのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ａのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ａのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｂ側に接続されている。
【０２５０】
図９に示すように、トランジスタ４Ｂのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｃ側に接続されている。
【０２５１】
図９に示すように、トランジスタ４Ｃのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ｃのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｂ側に接続されている。
【０２５２】
図９に示すように、トランジスタ４Ｄのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。トランジスタ４Ｅのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。トランジスタ４Ｆのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。
【０２５３】
図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ａに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｕに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｕに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
【０２５４】
図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｂに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｖに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｖに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
【０２５５】
図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｃに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｗに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｗに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
【０２５６】
図１０および図１１に示すように、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｄに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｅに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｆに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、３本の第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｇに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、２本の第２ワイヤ９２Ｇの一端が接続部５７に接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
【０２５７】
図１０および図１１に示すように、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｉに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｊに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｋに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、２つの第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｌに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｍに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｎに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、２つの第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｏに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。
【０２５８】
＜樹脂７＞
樹脂７は、トランジスタ４Ａ〜４Ｆおよび上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈと、複数のリード１各々の一部および複数のリード２各々の一部と、を少なくとも覆っている。また、図に示す例では、樹脂７は、ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ、複数の第１ワイヤ９１Ａ〜９１Ｆおよび複数の第２ワイヤ９２を覆っている。樹脂７の材質は、特に限定されず、たとえばエポキシ樹脂、シリコーンゲル等の絶縁材料が適宜用いられる。
【０２５９】
樹脂７のｘ方向における寸法ＤＸ（図７参照）は、６０ｍｍ以下であることが好ましい。樹脂７のｙ方向における寸法ＤＹは、３５ｍｍ以下であることが好ましい。樹脂７のｚ方向における寸法ＤＺ（図６参照）は、６ｍｍ以下であることが好ましい。図に示す例では、樹脂７は、寸法ＤＸが約５７ｍｍであり、寸法ＤＹが約３０ｍｍであり、寸法ＤＺが約５ｍｍである。
【０２６０】
樹脂７は、第１面７１、第２面７２、第３面７３、第４面７４、第６面７５、第６面７６、凹部７１０、凹部７２０、凹部７３１、凹部７３２、凹部７３３および凹部７３４を有する。
【０２６１】
第１面７１は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第１面７１は、基板３の第１面３１と同じ側を向いている。第２面７２は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面７２は、第１面７１とは反対側を向いており、基板３の第２面３２と同じ側を向いている。
【０２６２】
第３面７３は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第３面７３は、ｘ方向と交差する面であり、基板３の第３面３３と同じ側を向いている。第４面７４は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第４面７４は、ｘ方向と交差する面であり、第３面７３とは反対側を向いており、基板３の第４面３４と同じ側を向いている。
【０２６３】
第６面７５は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第６面７５は、ｙ方向と交差する面であり、基板３の第５面３５と同じ側を向いている。第６面７６は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第６面７６は、ｘ方向と交差する面であり、第６面７５とは反対側を向いており、第６面３６と同じ側を向いている。
【０２６４】
凹部７１０は、第３面７３からｘ方向に凹んだ部位である。凹部７１０は、第１面７１および第２面７２に到達している。凹部７２０は、第４面７４からｘ方向に凹んだ部位である。凹部７２０は、第１面７１および第２面７２に到達している。
【０２６５】
図９に示すように、凹部７３１、凹部７３２、凹部７３３および凹部７３４は、第６面７５からｙ方向に凹んだ部位である。凹部７３１は、ｙ方向視においてリード２Ｚの第２部２２Ｚとリード２Ａの第２部２２Ａとの間に位置している。凹部７３２は、ｙ方向視においてリード２Ａの第２部２２Ａとリード２Ｂの第２部２２Ｂとの間に位置している。凹部７３３は、ｙ方向視においてリード２Ｂの第２部２２Ｂとリード２Ｃの第２部２２Ｃとの間に位置している。凹部７３４は、ｙ方向視においてリード２Ｃの第２部２２Ｃとリード２Ｄの第２部２２Ｄとの間に位置している。
【０２６６】
図２および図９に示すように、各トランジスタ４Ａ〜４Ｃのドレインは互いに接続され、Ｐ端子（リード１Ａ）に接続されている。トランジスタ４Ａのソースはトランジスタ４Ｄのドレインに接続され、トランジスタ４Ｂのソースはトランジスタ４Ｅのドレインに接続され、トランジスタ４Ｃのソースはトランジスタ４Ｆのドレインに接続されている。トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４ＤのドレインとのノードＮ１は、Ｕ端子（リード１Ｂ）に接続されている。トランジスタ４Ｂのソースとトランジスタ４ＥのドレインとのノードＮ２は、Ｖ端子（リード１Ｃ）に接続されている。トランジスタ４Ｃのソースとトランジスタ４ＦのドレインとのノードＮ３は、Ｗ端子（リード１Ｄ）に接続されている。トランジスタ４Ｄのソースは、ＮＵ端子（リード１Ｅ）に接続され、トランジスタ４Ｅのソースは、ＮＶ端子（リード１Ｆ）に接続され、トランジスタ４Ｆのソースは、ＮＷ端子（リード１Ｇ）に接続されている。
【０２６７】
Ｕ端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルは、たとえば０Ｖ〜６５０Ｖ程度である。一方、ＮＵ端子（リード１Ｅ）、ＮＶ端子（リード１Ｆ）およびＮＷ端子（リード１Ｇ）に印加される電圧レベルは、たとえば、０Ｖ程度であり、端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルよりも低い。トランジスタ４Ａ〜４Ｃは、３相のインバータ回路の高電位側のトランジスタを構成し、トランジスタ４Ｄ〜４Ｆは、３相のインバータ回路の低電位側のトランジスタを構成している。
【０２６８】
トランジスタ４Ａ〜４Ｃのゲートはそれぞれ、上側ドライバチップ４Ｇに接続され、トランジスタ４Ａ〜４３のソースはそれぞれ、上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。トランジスタ４Ｄ〜４６のゲートはそれぞれ、下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。
【０２６９】
上側ドライバチップ４Ｇは、ＶＢＵ端子（リード２Ａ）、ＶＢＶ端子（リード２Ｂ）、ＶＢＷ端子（リード２Ｃ）、第１ＶＣＣ端子（リード２Ｄ）、ＨＩＮＵ端子（リード２Ｅ）、ＨＩＮＶ端子（リード２Ｆ）、ＨＩＮＷ端子（リード２Ｇ）、および第１ＧＮＤ端子（リード２Ｈ）と電気的に接続されている。第１ＶＣＣ端子は、上側ドライバチップ４Ｇに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。ＨＩＮＵ端子、ＨＩＮＶ端子、およびＨＩＮＷ端子には、外部のゲート駆動回路（図示略）からゲート信号電圧が印加される。上側ドライバチップ４Ｇは、これらゲート信号電圧をトランジスタ４Ａ〜４Ｃのゲートに印加するための回路である。第１ＧＮＤ端子（リード２Ｈ）と第２ＧＮＤ端子（リード２Ｏ）は、スイッチ駆動装置Ａ１の内部、より詳細には基板３上の導電部５で互いに接続されている。
【０２７０】
下側ドライバチップ４Ｈは、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）、ＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）、第２ＶＣＣ端子（リード２Ｌ）、ＦＯ端子（リード２Ｍ）、ＣＩＮ端子（リード２Ｎ）、および第２ＧＮＤ端子（リード２Ｏ）と電気的に接続されている。第２ＶＣＣ端子は、下側ドライバチップ４Ｈに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。ＬＩＮＵ端子、ＬＩＮＶ端子、およびＬＩＮＷ端子には、外部のゲート駆動回路からゲート信号電圧が印加される。下側ドライバチップ４Ｈは、これらゲート信号電圧をトランジスタ４Ｄ〜４Ｆのゲートに印加するための回路である。
【０２７１】
ＨＩＮＵ端子（リード２Ｅ）、ＨＩＮＶ端子（リード２Ｆ）およびＨＩＮＷ端子（リード２Ｇ）に与えられる電気信号の第１電圧は、上側ドライバチップ４Ｇを駆動するために第１ＶＣＣ端子（リード２Ｄ）から印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。また、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）およびＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）に与えられる電気信号の第１電圧は、下側ドライバチップ４Ｈを駆動するために第２ＶＣＣ端子（リード２Ｌ）から印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。
【０２７２】
次に、スイッチ駆動装置Ａ１の作用について説明する。
【０２７３】
図４および図５に示すように、電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１とブートダイオード４９Ｕとを導通させる経路に設けられている。このため電流制限部４６５は、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位（電圧ＶＢ）である領域に設けられており、第１電源ＰＷ１から供給される制御電圧ＶＣＣと同電位である領域から隔離される。これにより、電流制限部４６５をより安定した電位の領域において動作させることができる。
【０２７４】
図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗに導通接合されている。配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗは、配線部５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃをはじめとする、導電部５の他のいずれの部位に対しても離間している。仮に、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗを、金属製のリードによって構成する場合、スイッチ駆動装置Ａ１の製造工程において、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗの支持が困難となる事態が想定される。本実施形態においては、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗは、基板３によって支持されている。このため、導電部５の他のいずれの部位に対しても離間した配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗを適切に実現することができる。
【０２７５】
図１６〜図２０は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【０２７６】
＜第１実施形態  第１変形例＞
図１６は、スイッチ駆動装置Ａ１の第１変形例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１１は、基板３の構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１と異なっている。
【０２７７】
本変形例の基板３は、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとが、互いに別体として構成されている。
【０２７８】
第１領域３０Ａは、上述したスイッチ駆動装置Ａ１の基板３と同様の材質からなり、たとえば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックからなる。第１領域３０Ａには、複数の接合部６が形成されている。
【０２７９】
第２領域３０Ｂは、たとえばプリント配線基板からなる。具体的には、第２領域３０Ｂは、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料からなる基材と、当該基材に形成された配線パターンと、を有する。本変形例の導電部５は、プリント配線基板の配線パターンによって構成されている。
【０２８０】
図示された例においては、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとは、連結部材３９によって互いに連結されている。連結部材３９は、たとえば、スイッチ駆動装置Ａ１１の製造工程において、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとの相対位置を固定するためのものである。連結部材３９と第１領域３０Ａおよび第２領域３０Ｂとの固定形態は特に限定されない。たとえば、連結部材３９は、絶縁材料によって構成されていてもよいし、導電性材料から構成されていてもよい。後者の場合、導電部５と複数の接合部６との所定箇所同士を互いに導通させるものであってもよい。
【０２８１】
上記変形例によっても、スイッチ駆動装置Ａ１と同様の作用効果を奏する。また、本変形例から理解されるように、基板３の具体的構成は特に限定されず、上述したトランジスタ４Ａ〜４Ｆによるスイッチ駆動制御を実現しうる回路等を構成可能なものであれば、種々に変更可能である。
【０２８２】
＜第１実施形態  第２変形例＞
図１７は、スイッチ駆動装置Ａ１の第２変形例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１２は、上側ドライバ回路に含まれる電流制限部４６５基板３の構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１と異なっている。
【０２８３】
本変形例においては、電流制限部４６５は、トランジスタ４６５１と抵抗４６５２とを備える。抵抗４６５２は、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とを接続する経路に配置されており、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位である領域に配置されている。抵抗４６５２は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流値を決定する。トランジスタ４６５１は、抵抗４６５２と並列に接続される。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ４６５１ソースは、ブートダイオード４９Ｕのカソードと抵抗４６５２との接続点に接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、抵抗４６５２とブートキャパシタＢＣ１との接続点に接続される。トランジスタ４６５１のゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。
【０２８４】
例えば、抵抗４６５２の抵抗値をＲ１とし、トランジスタ４６５１の抵抗値をＲ２とする。このとき抵抗値Ｒ１＞＞抵抗値Ｒ２である。電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＦＦになる。そのため、電流制限部４６５の抵抗値はＲ１となる。一方、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＮになる。そのため、電流制限部４６５の抵抗値は、並列接続されたトランジスタ４６５１と抵抗４６５２の合成抵抗、すなわち、Ｒ１×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）となる。すなわち、電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制限部４６５の抵抗値が大きくなり、電流制限部４６５による電圧降下は大きくなる。この結果、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流が小さくなる。逆に、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制限部４６５の抵抗値が小さくなり、電流制限部４６５における電圧降下は小さくなる。この結果、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流が大きくなる。
【０２８５】
上記構成を採用することによる利点は、次のとおりである。すなわち、ユーザが制御電圧ＶＣＣを高い電圧に設定する場合には、過充電に対するマージンが少ないために抵抗値を大きくすることができる。一方、ユーザが制御電圧ＶＣＣを低い電圧に設定する場合には、過充電に対するマージンが多いために抵抗値を小さくすることが可能となる。
【０２８６】
本変形例から理解されるように、電流制限部４６５の具体的構成は特に限定されず、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通をＯＮ／ＯＦＦする構成であってもよいし、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路の抵抗値を適宜切り替える構成であってもよい。
【０２８７】
＜第２実施形態＞
図１８〜図２０は、第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ２は、ブートキャパシタＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３への充電抑制制御の具体的構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１，Ａ１１と異なる。
【０２８８】
図１８は、スイッチ駆動装置Ａ２を備えた電力供給部のブロック図である。図１９は、スイッチ駆動装置Ａ２の上側ドライバ回路の一例を示す回路図である。図２０は、スイッチ駆動装置Ａ２を示す平面図である。
【０２８９】
図１８に示すように、本実施形態においては、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）およびＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）に入力された通電制御信号ｌｕｉｎ、ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎが、上側ドライバチップ４Ｇに入力されている。
【０２９０】
図１９を参照して、通電制御信号ｌｕｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ１への充電抑制制御について説明する。通電制御信号ｌｖｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ２への充電抑制制御および通電制御信号ｌｗｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ３への充電抑制制御は、同様の制御であるため説明を省略する。
【０２９１】
図に示す例では、電流制限部４６５のトランジスタ４６５１は、第１電源ＰＷ１とブートダイオード４９Ｕとを接続する回路に配置される。トランジスタ４６５１は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流をＯＮ／ＯＦＦする。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、ソースは第１電源ＰＷ１に接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、ブートダイオード４９Ｕに接続される。ゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。電流制限部４６５の構成は、図示された構成に限定されず、たとえば、図１７を参照して説明したスイッチ駆動装置Ａ１２の電流制限部４６５の構成であってもよい。
【０２９２】
電流制御部４６６には、通電制御信号ｌｕｉｎが入力される。たとえば、電流制御部４６６は、通電制御信号ｌｕｉｎ＝Ｈでトランジスタ４ＤをＯＮさせる場合に、トランジスタ４６５１をＯＦＦ状態とし、ブートキャパシタＢＣ１への充電を抑制する。
【０２９３】
図２０は、スイッチ駆動装置Ａ２の構成例を示している。図示されたように、スイッチ駆動装置Ａ２においては、導電部５の配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋが、第２基部５６付近を経由して、上側ドライバチップ４Ｇ付近に延びた形状である。下側ドライバチップ４Ｈと配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｈが個別に接続されている。上側ドライバチップ４Ｇと配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｇが個別に接続されている。
【０２９４】
ブートダイオード４９Ｕは、配線部５０Ａに導通接合されている。ブートダイオード４９Ｖは、配線部５０Ｂに導通接合されている。ブートダイオード４９Ｗは、配線部５０Ｃに導通接合されている。上側ドライバチップ４Ｇと、配線部５０Ａ、配線部５０Ｂおよび配線部５０Ｃとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｇが個別に接続されている。
【０２９５】
上記構成によっても、上述したモード１，２におけるブートキャパシタＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３の過充電（下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４ＦがＯＮである際に生じる）を抑制することができる。
【０２９６】
本開示に係るスイッチ駆動装置は、上述した実施形態等に限定されるものではない。本開示に係るスイッチ駆動装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である
【０２９７】
付記１．
Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、
ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、
前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、
前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備え、
前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている、スイッチ駆動装置。
付記２．
前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの充電電圧が閾値を超えるとき、前記電流制限部を駆動して前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する、付記１に記載のスイッチ駆動装置。
付記３．
前記電流制限部は、前記電流制御部からの信号に基づいてＯＮ又はＯＦＦとなるスイッチ素子を含む、付記２に記載のスイッチ駆動装置。
付記４．
前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの両端間電圧およびその分圧電圧の少なくともいずれかに基づいて、前記ブートキャパシタの充電電圧を検出する、付記３に記載のスイッチ駆動装置。
付記５．
前記Ｎ型半導体スイッチ素子は、ＳｉＣを原料とする半導体基板を含む、付記１ないし付記４のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
付記６．
基板と、
前記基板に形成された導電部と、
前記基板に配置された第１リードと、
前記ゲートドライバを有するドライバチップと、
前記ドライバチップと、前記基板の少なくとも一部と、前記第１リードの一部と、を覆う樹脂と、をさらに備えており、
前記第１リードは、前記Ｎ型半導体スイッチ素子を支持し、
前記ブートダイオードおよび前記ドライバチップは、前記導電部に配置されている、付記１ないし５のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
付記７．
前記基板は、第１面を有しており、前記導電部は、前記第１面に形成されている、付記６に記載のスイッチ駆動装置。
付記８．
前記基板は、前記第１面とは反対側の第２面を有しており、
前記第２面は、前記樹脂から露出している、付記７に記載のスイッチ駆動装置。
付記９．
前記第１リードは、前記基板の前記第１面に配置されている、付記７または８に記載のスイッチ駆動装置。
付記１０．
前記第１リードを前記基板に接合する第１接合材をさらに備える、付記９に記載のスイッチ駆動装置。
付記１１．
前記第１リードから離間する第２リードをさらに備えており、
前記第２リードは、前記導電部に電気的に接続されている、付記７ないし１０のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
付記１２．
前記第２リードを前記導電部に接合する第１導電性接合材をさらに備える、付記１１に記載のスイッチ駆動装置。
付記１３．
前記導電部は、互いに離間する第１配線部および第２配線部を含み、
前記ブートキャパシタは前記第１配線部に導通接合され、前記第２リードは前記第２配線部に導通接合される、付記１２に記載のスイッチ駆動装置。
付記１４．
複数のワイヤをさらに備えており、前記複数のワイヤは、前記ドライバチップを、前記ブートダイオード、前記第１配線部および前記第２配線部にそれぞれ接続する、付記１３に記載のスイッチ駆動装置。
付記１５．
前記第１配線部は、前記ドライバチップと前記第２リードとの間に配置されている、付記１４に記載のスイッチ駆動装置。
付記１６．
前記第２配線部は、前記第１配線部と並んで位置された部位を有する、付記１５に記載のスイッチ駆動装置。
付記１７．
前記第１配線部は、当該第１配線部以外の前記導電部のいずれの部位からも離間している、付記１３ないし１６のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
【符号の説明】
【０２９８】
Ａ１，Ａ１１，Ａ２：スイッチ駆動装置
１          ：（第１）リード
２          ：（第２）リード
３          ：基板
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ：上側トランジスタ
４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ：下側トランジスタ
４Ｇ        ：上側ドライバチップ
４Ｈ        ：下側ドライバチップ
５          ：導電部
６          ：接合部
７          ：パッケージ
４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ：ブートダイオード
９１        ：第１ワイヤ
９２        ：第２ワイヤ
４６３      ：上側ゲートドライバ
４６４      ：入力信号制御回路
４６５      ：電流制限部
４６６      ：電流制御部
４６７      ：高耐圧レベルシフト回路
４６３１    ：クランプ回路
４６４１    ：インバータ
４６４２    ：レベルシフト回路
４６４３    ：パルスジェネレータ
４６５１    ：トランジスタ
４６５２    ：抵抗
４６７１，４６７２：トランジスタ
４６７３，４６７４：抵抗
ＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３：ブートキャパシタ
ＢＴＣ      ：ブートストラップ回路
Ｍ          ：モータ
ＭＣＵ      ：モータコントロールユニット
ＭＭＣ      ：モータ駆動装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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