(57)【要約】  基板を加工する加工装置は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。表示部は、加工条件を入力するための条件入力画面を有し、条件入力画面では、入力された加工条件を概略図に関連付けて表示する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加工する加工装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、
基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。
【請求項２】
請求項１に記載の加工装置において、
前記表示部は、基板の概略図に加え、少なくとも前記基板保持部又は前記加工部の概略図を表示する。
【請求項３】
請求項１に記載の加工装置において、
前記加工情報は、基板を加工する際に設定される加工条件であって、
前記表示部は、前記加工条件を入力するための条件入力画面を有し、
前記条件入力画面では、入力された前記加工条件を前記概略図に関連付けて表示する。
【請求項４】
請求項３に記載の加工装置において、
前記加工部は複数設けられ、
前記条件入力画面は、複数の前記加工部に共通の前記加工条件を入力するための共通条件入力画面と、前記加工部の個別の前記加工条件を入力するための個別条件入力画面と、を有する。
【請求項５】
請求項３に記載の加工装置において、
前記条件入力画面において、前記概略図に前記加工条件を入力可能である。
【請求項６】
請求項３に記載の加工装置において、
前記条件入力画面において、前記加工条件の入力ミスがあった場合に警告が表示される。
【請求項７】
請求項１に記載の加工装置において、
前記加工情報は、加工中の基板の状態を測定した測定値であって、
前記表示部は、前記測定値を前記概略図に関連付けて表示する状態表示画面を有する。
【請求項８】
請求項７に記載の加工装置において、
前記加工部は、複数のステップで基板の加工面を加工し、
前記状態表示画面は、前記複数のステップ毎に前記測定値を前記概略図に関連付けて表示する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年２月１６日に日本国に出願された特願２０１８−０２５７０２号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。【０００２】
本発明は、基板を加工する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。【０００４】
ウェハの裏面の研削は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えた加工装置で行われる。この加工装置では、チャック（ウェハ）と研削ホイール（研削砥石）を回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に押圧させることによって、当該ウェハの裏面が研削される。【０００５】
また、例えば特許文献１には、加工条件を入力するためのタッチ操作パネルをさらに備えた加工装置が提案されている。このタッチ操作パネルは、加工条件の数値データが入力される一または複数の入力欄を配置した加工条件設定画面を少なくとも表示する。そして、タッチ操作パネル上に表示された、数値データの入力を所望する入力欄をオペレーターがタッチすると、入力欄の近傍に数値入力用の円形画像が表示され、円形画像の外周部をオペレーターがタッチして外周に沿って第一の方向になぞることによって入力欄の数値が増加し、第一の方向と反対の第二の方向になぞることによって入力欄の数値が減少するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本国特開２０１６−１５０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１に記載されたタッチ操作パネルには、入力項目の名称のみが示されており、実際の加工処理との関連が分かり難く、オペレーターは入力欄に誤った条件を入力するおそれがある。しかも、入力項目は複数並べて表示されており、オペレーターによる誤入力の可能性は高い。したがって、従来のタッチ操作パネルには改善の余地がある。【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、加工装置の表示部におけるに視認性を向上させ、加工条件の入力の操作性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一態様は、基板を加工する加工装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、加工装置の表示部において、基板を加工する際の加工情報を、基板の概略図に関連付けて視覚化して表示することができる。このため、加工情報と加工処理の関連が分かりやすくなり、表示部における視認性が向上し、例えば加工条件を入力する際の操作性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態にかかる加工装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図２】ウェハの構成の概略を示す側面図である。
【図３】加工処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図４】共通条件入力画面の一例である。
【図５】共通条件入力画面の一例である。
【図６】共通条件入力画面の一例である。
【図７】共通条件入力画面の一例である。
【図８】個別条件入力画面の一例である。
【図９】全体状態表示画面の一例である。
【図１０】個別状態表示画面の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１３】
先ず、本実施形態にかかる加工装置の構成について説明する。図１は、加工装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１４】
本実施形態の加工装置１では、図２に示す、基板としてのウェハＷを薄化する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハの半導体ウェハであり、シリコン層Ｓ、デバイス層Ｄ、テープ層Ｐがこの順で積層された３層構造を有している。シリコン層Ｓは、ウェハＷの本体をなす層である。デバイス層Ｄは、複数の電子回路等のデバイスを備えた層である。テープ層Ｐは、デバイスを保護するためにデバイス層Ｄに貼り付けられた保護テープの層である。なお、以下の説明においては、ウェハＷにおいて加工される面（すなわちシリコン層Ｓの表面）を「加工面Ｗ１」といい、加工面Ｗ１と反対側の面（すなわちテープ層Ｐの表面）を「非加工面Ｗ２」という。
【００１５】
図１に示すように加工装置１は、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション２と、ウェハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｙ軸方向に並べて配置されている。
【００１６】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００１７】
また、搬入出ステーション２には、例えばカセット載置台１０のＹ軸負方向側の側面において、表示部としての表示パネル２０が設けられている。表示パネル２０は、ウェハＷを加工する際の加工条件（加工レシピ）を入力するための条件入力画面や、加工中のウェハＷの状態を表示する状態表示画面が表示される。
【００１８】
さらに、搬入出ステーション２には、例えばカセット載置台１０のＹ軸正方向に隣接してウェハ搬送領域３０が設けられている。ウェハ搬送領域３０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路３１上を移動自在なウェハ搬送装置３２が設けられている。ウェハ搬送装置３２は、ウェハＷを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク３３と搬送パッド３４を有している。搬送フォーク３３は、その先端が２本に分岐し、ウェハＷを吸着保持する。搬送フォーク３３は、例えば研削処理前のウェハＷを搬送する。搬送パッド３４は、平面視においてウェハＷの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハＷを吸着保持する。搬送パッド３４は、例えば研削処理後のウェハＷを搬送する。そして、これら搬送フォーク３３と搬送パッド３４はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
【００１９】
処理ステーション３では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。処理ステーション３は、回転テーブル４０、搬送ユニット５０、アライメントユニット６０、第１の洗浄ユニット７０、第２の洗浄ユニット８０、加工部としての粗研削ユニット９０、加工部としての中研削ユニット１００、及び加工部としての仕上研削ユニット１１０を有している。
【００２０】
回転テーブル４０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル４０上には、ウェハＷを吸着保持する基板保持部としてのチャック４１が４つ設けられている。チャック４１は、回転テーブル４０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック４１は、回転テーブル４０が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。
【００２１】
本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル４０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット８０、アライメントユニット６０及び第１の洗浄ユニット７０が並べて配置される。アライメントユニット６０と第１の洗浄ユニット７０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル４０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット９０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル４０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１００が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル４０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１１０が配置される。
【００２２】
チャック４１はチャックベース４２に保持されている。チャック４１及びチャックベース４２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
【００２３】
搬送ユニット５０は、複数、例えば３つのアーム５１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム５１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム５１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド５２が取り付けられている。また、基端のアーム５１は、アーム５１を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構５３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット５０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット６０、第１の洗浄ユニット７０、及び第２の洗浄ユニット８０に対して、ウェハＷを搬送できる。
【００２４】
アライメントユニット６０では、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、検出部（図示せず）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの水平方向の向きを調節する。
【００２５】
第１の洗浄ユニット７０では、研削処理後のウェハＷの加工面Ｗ１を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル（図示せず）からウェハＷの加工面Ｗ１に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は加工面Ｗ１上を拡散し、当該加工面Ｗ１が洗浄される。
【００２６】
第２の洗浄ユニット８０では、研削処理後のウェハＷが搬送パッド５２に保持された状態のウェハＷの非加工面Ｗ２、すなわちテープ層Ｐを洗浄するとともに、搬送パッド５２を洗浄する。
【００２７】
粗研削ユニット９０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。粗研削ユニット９０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部９１を有している。また、粗研削部９１は、支柱９２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と粗研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに粗研削砥石を下降させることによって、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
【００２８】
中研削ユニット１００では、ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削する。中研削ユニット１００は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１０１を有している。また、中研削部１０１は、支柱１０２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を中研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と中研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに中研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗ１を中研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
【００２９】
仕上研削ユニット１１０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削する。仕上研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１１１を有している。また、仕上研削部１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに仕上研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗ１を仕上研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
【００３０】
加工装置１には、制御部１２０が設けられている。制御部１２０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、加工装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、加工装置１における後述の加工処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１２０にインストールされたものであってもよい。
【００３１】
なお、処理ステーション３には、ウェハＷのテープ層Ｐの厚みを測定するテープ厚測定ユニット（図示せず）と、ウェハＷの総厚みを測定する総厚測定ユニット（図示せず）とがさらに設けられている。
【００３２】
テープ厚測定ユニットは、例えばアライメントユニット６０と受渡位置Ａ０の間に設けられ、当該アライメントユニット６０から受渡位置Ａ０に搬送中の、搬送ユニット５０の搬送パッド５２に保持されたウェハＷのテープ層Ｐの厚みを測定する。テープ厚測定ユニットには公知の測定器を用いることができ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。
【００３３】
総厚測定ユニットは、例えば各研削ユニット９０、１００、１１０にそれぞれ設けられる。総厚測定ユニットには公知の測定器を用いることができ、例えば接触式の測定器が用いられる。各研削ユニット９０、１００、１１０では、総厚測定ユニットで測定されたウェハＷの総厚みから、テープ厚測定ユニットで測定されたテープ層Ｐの厚みと、予め既知となっているデバイス層Ｄの厚みとを差し引いて、シリコン層Ｓの厚みを算出することができる。なお、各研削ユニット９０、１００、１１０では、例えば非接触式の測定器を用いて、シリコン層Ｓの厚みを直接測定してもよい。
【００３４】
次に、以上のように構成された加工装置１を用いて行われる加工処理について説明する。
【００３５】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、テープ層Ｐが変形するのを抑制するため、当該テープ層Ｐが設けられたウェハＷの非加工面Ｗ２が上側を向くようにウェハＷが収納されている。
【００３６】
次に、ウェハ搬送装置３２の搬送フォーク３３によりカセットＣ内のウェハＷが取り出され、処理ステーション３に搬送される。この際、搬送フォーク３３によりウェハＷの加工面Ｗ１が上側に向くように、表裏面が反転される。
【００３７】
処理ステーション３に搬送されたウェハＷは、アライメントユニット６０に受け渡される。そして、アライメントユニット６０において、ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図３の工程Ｔ１）。
【００３８】
次に、ウェハＷが搬送ユニット５０によって搬送中、テープ厚測定ユニットによって、テープ層Ｐの厚みが測定される。テープ厚測定ユニットの測定結果は、制御部１２０に出力される。
【００３９】
次に、ウェハＷは搬送ユニット５０により、アライメントユニット６０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック４１に受け渡される。その後、チャック４１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット９０によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が粗研削される（図３の工程Ｔ２）。
【００４０】
工程Ｔ２において、粗研削部９１（粗研削砥石）の下降及び当該粗研削部９１による加工面Ｗ１の研削は、複数のステップに分けて行われる。各ステップでは、粗研削砥石の下降速度が異なる。ステップ数は特に限定されるものではないが、例えば１〜５から任意に選択される。例えば第１のステップはいわゆるエアカットを含むステップであり、第２のステップ以降は粗研削砥石の下降速度を変化させて行われる。また、粗研削砥石が下降するこれら複数のステップが行われると、その後、いわゆるスパークアウト（粗研削砥石の下降が停止するが、当該粗研削砥石が回転し続ける状態）とエスケープカット（粗研削砥石が上昇するが、当該粗研削砥石が回転し続ける状態）が続けて行われる。なお、後述する工程Ｔ３の中研削と工程Ｔ４の仕上研削においても、これら複数のステップ、スパークアウト、エスケープカットが行われる。
【００４１】
また、工程Ｔ２では、総厚測定ユニットによってウェハＷの総厚みが測定され、当該総厚測定ユニットの測定結果は制御部１２０に出力される。制御部１２０では、ウェハＷの総厚みと、テープ層Ｐの厚み及びデバイス層Ｄの厚みとに基づいて、シリコン層Ｓの厚みが算出される。なお、後述する工程Ｔ３の中研削と工程Ｔ４の仕上研削においても、ウェハＷの総厚みが測定され、シリコン層Ｓの厚みが算出される。
【００４２】
次に、チャック４１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１００によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が中研削される（図３の工程Ｔ３）。
【００４３】
次に、チャック４１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１１０によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が仕上研削される（図３の工程Ｔ４）。
【００４４】
次に、チャック４１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって粗洗浄される（図３の工程Ｔ５）。この工程Ｔ５では、加工面Ｗ１の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
【００４５】
次に、ウェハＷは搬送ユニット５０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット８０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット８０では、ウェハＷが搬送パッド５２に保持された状態で、ウェハＷの非加工面Ｗ２（テープ層Ｐ）が洗浄し、乾燥される（図３の工程Ｔ６）。
【００４６】
次に、ウェハＷは搬送ユニット５０によって、第２の洗浄ユニット８０から第１の洗浄ユニット７０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット７０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって仕上洗浄される（図３の工程Ｔ７）。この工程Ｔ７では、加工面Ｗ１が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
【００４７】
その後、すべての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置３２の搬送パッド３４によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、加工装置１における一連の加工処理が終了する。
【００４８】
次に、上述した表示パネル２０に表示される条件入力画面と状態表示画面について説明する。
【００４９】
先ず、表示パネル２０に表示される条件入力画面について説明する。条件入力画面は、ウェハＷを加工する際の加工条件を入力するための画面である。本実施形態では、条件入力画面として２種類の画面を備え、すなわち加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）に共通の加工条件を入力するための共通条件入力画面と、各加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）での加工条件を入力するための個別条件入力画面とを備える。
【００５０】
先ず、共通条件入力画面について説明する。図４〜図７に示すように共通条件入力画面には、入力項目の一覧表（画面左側）と、ウェハの概略図（画面右側）とが表示される。なお、表と概略図の入力値は互いにリンクしており、いずれか一方に入力された値は、他方に反映される。すなわち、概略図には、加工条件の入力値が関連付けて表示される。
【００５１】
ウェハ径には、例えば“８”インチ又は“１２”インチを選択（例えばドロップダウン）して入力する。シリコン層厚み基準値、デバイス層厚み基準値、テープ層厚み基準値のそれぞれには、加工前のウェハにおける厚みを入力する。
【００５２】
研削量指定方法には、例えば４つの方法がある。１つ目は、シリコン層の厚みを基準に研削量を指定する方法であり、図４に示すように入力欄には“Ｓｉ厚”と入力する。２つ目は、ウェハの総厚みを基準に研削量を指定する方法であり、図５に示すように入力欄には“総厚”と入力する。３つ目は、シリコン層の上面を基準に研削量を指定する方法であり、図６に示すように入力欄には“Ｓｉ上面”と入力する。４つ目は、研削砥石の送り量を基準に研削量を指定する方法であり、図７に示すように入力欄には“送り量”と入力する。共通条件入力画面では、画面左側の表の入力欄に“Ｓｉ厚”、“総厚”、“Ｓｉ上面”、“送り量”を入力すると、画面右側のウェハの概略図には、研削量指定方法に応じた図４〜図７のいずれかの概略図が表示される。なお、入力は、“Ｓｉ厚”、“総厚”、“Ｓｉ上面”、“送り量”から選択（例えばドロップダウン）できるようになっている。
【００５３】
上述した研削量指定方法によって、仕上げ厚、Ａ１研削量、Ａ２研削量、Ａ３研削量の入力方法が異なる。なお、Ａ１研削量は、第１の加工位置Ａ１で粗研削を行う際の研削量であり、Ａ２研削量は、第２の加工位置Ａ２で中研削を行う際の研削量であり、Ａ３研削量は、第３の加工位置Ａ３で仕上研削を行う際の研削量である。
【００５４】
例えば図４に示すように研削量指定方法を“Ｓｉ厚”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。ここでの仕上げ厚は、加工位置Ａ１〜Ａ３で粗研削〜仕上研削を行った後の、最終的なシリコン層の厚みである。各項目の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右側の概略図の入力欄に行ってもよい。Ａ１研削量は、下記式（１）のとおり、シリコン層厚み基準値みから、仕上げ厚、Ａ２研削量及びＡ３研削量を差し引いて、自動計算される。
Ａ１研削量＝シリコン層厚み基準値−（仕上げ厚＋Ａ２研削量＋Ａ３研削量）  ・・・（１）
【００５５】
例えば図５に示すように研削量指定方法を“総厚”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。ここでの仕上げ厚は、加工位置Ａ１〜Ａ３で粗研削〜仕上研削を行った後の最終的なシリコン層の厚みと、デバイス層の厚み及びテープ層の厚みとを足し合わせたものである。それぞれの入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右側の概略図の入力欄に行ってもよい。Ａ１研削量は、下記式（２）のとおり、シリコン層厚み基準値、デバイス層厚み基準値及びテープ層厚み基準値を足し合わせたウェハの総厚みから、仕上げ厚、Ａ２研削量及びＡ３研削量を差し引いて、自動計算される。
Ａ１研削量＝（シリコン層厚み基準値＋デバイス層厚み基準値＋テープ層厚み基準値）−（仕上げ厚＋Ａ２研削量＋Ａ３研削量）  ・・・（２）
【００５６】
例えば図６に示すように研削量指定方法を“Ｓｉ上面”とした場合、Ａ１研削量、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。これにより、各研削量が設定されるため、仕上げ厚の入力は不要である。
【００５７】
例えば図７に示すように研削量指定方法を“送り量”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。送り量としては、研削砥石のセットアップ位置から何μｍの位置まで、当該研削砥石を下降させるかを指定する。図示の例では、例えば図５に示した“総厚”の場合と同様の方法となる。
【００５８】
次に、個別条件入力画面について説明する。個別条件入力画面は、加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）毎に表示され、例えば図４〜図７に示した共通条件入力画面の右側の概略図における、“Ａ１”、“Ａ２”、“Ａ３”をクリックすることで表示される。
【００５９】
図８は、共通条件入力画面の研削量指定方法を“Ｓｉ層”と指定した場合の、加工位置“Ａ１”の個別条件入力画面を示している。なお、実際には個別条件入力画面として、研削量指定方法（４個）と加工位置（３個）の組み合わせ（合計１２個）毎の画面が表示されるが、これらの画面は図８と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように個別条件入力画面には、入力項目の一覧表（画面左側）と、研削砥石とチャックの回転方向の関係を示す概略図（画面右上側）と、ウェハの概略図（画面右下側）とが表示される。なお、表と概略図の入力値は互いにリンクしており、いずれか一方に入力された値は、他方に反映される。すなわち、概略図には、加工条件の入力値が関連付けて表示される。
【００６１】
ウェハ径には、共通条件入力画面されたウェハ径が自動で表示される。加工予定時間には、後述するステップ１〜３、スパークアウト、エスケープカットの時間を足し合わせて自動計算されて表示される。研削水流量には、研削中の研削水の流量を入力する。この研削水流量の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。研削砥石回転数には、研削砥石の回転数を入力する。研削砥石回転方向には、ＣＷ（時計方向、軸側から見て右回転）又はＣＣＷ（反時計方向、軸側から見て左回転）のいずれかを入力する。この研削砥石回転方向の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右上側の概略図の矢印をクリックすることで行ってもよい。
【００６２】
研削工程では、上述したようにエアカットを含む複数のステップ、スパークアウト、エスケープカットが行われる。個別条件入力画面では、それぞれの条件を入力する。
【００６３】
ステップ数には、例えば１〜５の値を入力する。そして、この入力されたステップ数は、画面右下図の概略図に反映される。図８の例では、ステップ数として“３”が入力されたため、概略図には、ステップ１〜３が図示される。なお、ステップ１は、エアカットを含むステップである。
【００６４】
各ステップ１〜３の条件としては、エアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量をそれぞれ入力する。これらの入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。ステップ１の研削量は、エアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量から自動計算されて、表と概略図に表示される。また、エリアは、シリコン層の下面を０（ゼロ）とした場合の高さ位置を示し、このエリアもエアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量から自動計算されて、表と概略図に表示される。
【００６５】
各ステップ１〜３の条件としては、他に、研削砥石の下降速度、チャック回転数、チャック回転方向を入力する。処理時間は、研削量と下降速度から自動計算される。なお、チャック回転方向には、ＣＷ又はＣＣＷのいずれかを入力する。このチャック回転方向の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右上側の概略図の矢印をクリックすることで行ってもよい。
【００６６】
スパークアウトの条件としては、時間とチャック回転数を入力する。チャック回転数は、時間とチャック回転数から自動計算される。なお、時間とチャック回転数の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。
【００６７】
エスケープカットの条件としては、研削砥石の移動量、研削砥石の上昇速度、チャック回転数を入力する。時間は、移動量と上昇速度から自動計算される。なお、移動量の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。
【００６８】
なお、上述した共通条件入力画面と個別条件入力画面は一例であり、入力する加工条件はこれに限定されるものではない。また、図４〜図８の例においては、概略図における入力欄を一部の加工条件に特定したが、概略図の入力欄はこれに限定されるものではなく、適宜設定することができる。さらに、本実施形態では、共通条件入力画面と個別条件入力画面を別の画面としたが、これらを１つの画面としてもよい。
【００６９】
本実施形態の条件入力画面によれば、入力用の表とともに概略図を表示し、一部の入力値は表と概略図の両方に表示されるようになっている。このため、オペレーターは視覚的に入力された値を確認することができ、加工条件と実際の加工処理の関連が分かりやすくなる。その結果、条件入力画面における視認性が向上し、加工条件を入力する際の操作性を向上させることができ、誤入力を抑制することができる。また、条件入力画面では、概略図の入力欄に加工条件を直接入力することもでき、これにより誤入力をさらに抑制することができる。
【００７０】
なお、条件入力画面において、加工条件の入力ミスがあった場合には、警告が表示されるようにしてもよい。警告としては、例えば入力ミスがあった項目をハイライトするなど強調表示してもよいし、また入力ミスの内容をメッセージ表示してもよい。入力ミスとしては種々考えられるが、例えば研削量の入力では、目標値より多く研削するような値が入力されると、入力ミスと判断される。また、例えば研削砥石とチャックの回転方向の入力では、これら研削砥石とチャックの回転方向が同じ方向であると、入力ミスと判断される。このように警告を表示することで、加工条件の誤入力をさらに抑制することができる。
【００７１】
次に、表示パネル２０に表示される状態表示画面について説明する。状態表示画面は、加工中のウェハＷの状態を表示する画面である。本実施形態では、状態表示画面として２種類の画面を備え、すなわち加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）において、現状どの処理工程が行われているかを示す全体状態表示画面と、各加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）で加工中のウェハＷの状態を表示する個別状態表示画面とを備える。
【００７２】
先ず、全体状態表示画面について説明する。図９に示すように全体状態表示画面には、処理ステーションにおける回転テーブルの各位置Ａ０〜Ａ３を示す概略図と、各加工位置Ａ１〜Ａ３における加工処理の進行度合いを示す一覧表が表示される。各表には、項目としてステップ１〜３、スパークアウト、エスケープカットが表示され、処理が終了した項目には“○”が表示される。図９の例においては、第１の加工位置Ａ１においてステップ１、２に“○”が表示されており、これらステップ１、２が終了したことを示す。
【００７３】
次に、個別状態表示画面について説明する。個別状態表示画面では、各加工位置Ａ１〜Ａ３において、さらに詳細な加工処理の進行度合いを示す。個別状態表示画面は、加工位置Ａ１〜Ａ３（粗研削〜仕上研削）毎に表示され、例えば図９に示した全体状態表示画面の概略図における、“Ａ１”、“Ａ２”、“Ａ３”をクリックすることで表示される。
【００７４】
図１０は、第１の加工位置Ａ１における個別状態表示画面を示している。なお、他の加工位置Ａ２、Ａ３に対しても、同様の個別状態表示画面が表示される。個別状態表示画面には、一覧表（画面左側）とウェハの概略図（画面右側）とが表示される。
【００７５】
表には、ステップ１の研削量、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量、及びエスケープカットにおける研削砥石の移動量のそれぞれについて、設定値（目標値）と測定値が表示される。設定値は、条件入力画面で入力されて設定された値である。測定値は、テープ厚測定ユニットと総厚測定ユニットの測定結果から算出される値である。
【００７６】
ウェハの概略図には、測定値に基づいて各層が表示される。すなわち、研削が進むにしたがって各層の厚みは小さくなるが、その厚みが小さくなる状態がリアルタイムで図示される。図１０の例においては、ステップ１、２が終了しているため、当該ステップ１、２に対応するシリコン層は点線で表示され、ステップ３に対応するシリコン層のうち研削済みの部分は点線で表示され、未研削の部分は実線で表示されている。また、ウェハの概略図には、測定値も関連付けて表示される。
【００７７】
なお、上述した全体状態表示画面と個別状態表示画面は一例であり、表示画面はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では、全体状態表示画面と個別状態表示画面を別の画面としたが、これらを１つの画面としてもよい。
【００７８】
本実施形態の状態表示画面によれば、加工中のウェハの状態（測定値）が、表とともに概略図に表示されるので、表示性が向上する。そしてオペレーターは、視覚的に加工処理の進行度合いを確認することができる。
【００７９】
以上の実施形態では、表示パネル２０において条件入力画面と状態表示画面を表示する場合について説明したが、表示パネル２０では、さらに別の画面を表示するようにしてもよい。例えば表示パネル２０では、条件入力画面で入力された加工条件を確認するための条件確認画面を表示してもよい。条件確認画面は、例えば図４〜図８に示したような画面であればよく、但し編集はできない画面である。
【００８０】
以上の実施形態では、ウェハＷにはデバイス層Ｄを保護するためにテープ層Ｐが設けられていたが、デバイス層Ｄの保護材はこれに限定されない。例えばウェハＷには、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。
【００８１】
また、加工装置１の構成も上記実施形態に限定されない。例えば処理ステーション３の研削ユニットの１つを研磨ユニットに代えてもよい。あるいは、加工装置１には、研削加工後のウェハＷに後処理を行う後処理装置が設けられていてもよい。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８３】
１      加工装置
２      搬入出ステーション
３      処理ステーション
２０    表示パネル
４１    チャック
９０    粗研削ユニット
１００  中研削ユニット
１１０  仕上研削ユニット
１２０  制御部
Ｄ      デバイス層
Ｐ      テープ層
Ｓ      シリコン層
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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