(57)【要約】本開示は、第１基材（１１）、上記第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子（１２）、および上記半導体素子に電気的に接続され、上記第１基材の表裏を電気的に接続する配線（１３）を有する第１部材（１０）と、上記第１基材の上記半導体素子側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材（２１）、および上記第２基材の上記第１基材側の面側に配置され、上記半導体素子を駆動する機能を有し、上記配線に電気的に接続された駆動素子（２２）を有する第２部材（２０）と、を備える、表示装置用配線基板（１）を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材、前記第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続され、前記第１基材の表裏を電気的に接続する配線を有する第１部材と、  前記第１基材の前記半導体素子側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材、および前記第２基材の前記第１基材側の面側に配置され、前記半導体素子を駆動する機能を有し、前記配線に電気的に接続された駆動素子を有する第２部材と、  を備える、表示装置用配線基板。
【請求項２】
前記第１部材および前記第２部材の間に配置され、異方導電性を有し、前記配線および前記駆動素子を電気的に接続する接続部材を有する、請求項１に記載の表示装置用配線基板。
【請求項３】
前記駆動素子が、薄膜トランジスタである、請求項１または請求項２に記載の表示装置用配線基板。
【請求項４】
前記第１基材が貫通孔を有し、前記配線が前記貫通孔に配置された貫通配線である、請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の表示装置用配線基板。
【請求項５】
前記第１基材が前記第２基材よりも小さい、請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の表示装置用配線基板。
【請求項６】
１つの前記第２部材に対して、複数の前記第１部材が配列している、請求項５に記載の表示装置用配線基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の表示装置用配線基板を有する、表示装置。
【請求項８】
複数の前記表示装置用配線基板が配列されている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
第１の基板、  前記第１の基板上の第１の配線、  前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、  前記柱状構造体と前記第１の配線の上に位置し、前記柱状構造体と前記第１の配線と接する導電膜、  前記導電膜の上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、および前記第２の配線上の第２の基板を有する配線基板。
【請求項１０】
前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、請求項９または請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、  前記第１の配線は前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、請求項９から請求項１１までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記第２の基板を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続される第２の貫通電極を有する、請求項９から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記第２の基板上に、液晶素子と発光素子から選択される表示素子をさらに有する、請求項９から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項１５】
前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、請求項１４に記載の配線基板。
【請求項１６】
第１の基板上に第１の配線を形成し、  樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を前記第１の基板上に形成し、  前記柱状構造体上に導電膜を形成し、  第２の基板上に第２の配線を形成し、  前記導電膜と前記第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む、配線基板を作製する方法。
【請求項１７】
第１の基板、  前記第１の基板上の第１の配線、  前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、  前記柱状構造体上の導電膜、  前記導電膜上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、  前記第２の配線上の第２の基板、  前記第２の基板上に位置し、前記第２の配線と電気的に接続される第３の配線、および  前記第２の基板上の表示素子を有し、  前記第３の配線は、表示素子へ信号を伝達するように構成される表示装置。
【請求項１８】
前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、請求項１７または請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、  前記第１の配線は、前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、請求項１７から請求項１９までのいずれかの請求項に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、請求項１７から請求項２０までのいずれかの請求項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、表示装置用配線基板および表示装置、ならびに例えば複数の配線基板を接続するための配線基板、およびこの配線基板を作製するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  例えば発光ダイオード素子等の発光機能を有する半導体素子を画素として用いた表示装置は、自己発色によりに視認性が高いこと、高輝度および高コントラストを実現しやすいこと、全固体ディスプレイであるため耐衝撃性が高いこと、応答速度が速いこと、視野角が大きいこと等の利点を有し、種々の用途への適用が期待されている。なお、以下の説明において発光ダイオードをＬＥＤと称する場合がある。【０００３】  ＬＥＤ表示装置としては、例えば、配線基板上に複数のＬＥＤ素子をマトリックス状に配列した構成が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許３３４２３２２号
【特許文献２】特開２０１７−１３９４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  ＬＥＤ表示装置において、各ＬＥＤ素子の発光制御を可能とする駆動素子としては、例えばＩＣが用いられている。ここで、表示装置においては、高精細化に伴い画素密度を高くすることが求められている。しかし、ＬＥＤ表示装置では、画素密度を高くするためにＬＥＤ素子の数を増やすと、駆動素子の数も増えることになるため、コストが高くなるという問題があった。【０００６】  そこで、コストを削減するために、駆動素子として、薄膜トランジスタを利用することが検討されている。なお、以下の説明において薄膜トランジスタをＴＦＴと称する場合がある。【０００７】  また、ＬＥＤ表示装置においては、配線基板を構成する支持基板としてガラスエポキシ基板が汎用されている。しかし、ガラスエポキシ基板は耐熱性が低いことから、支持基板上にＴＦＴを形成する際の加熱工程に耐えられないという問題がある。【０００８】  そこで、耐熱性の観点から、配線基板を構成する支持基板としてガラス基板を利用することが検討されている。しかし、ガラス基板を用いた場合であっても、下記のような問題が起こる。【０００９】  すなわち、ＬＥＤ表示装置においては、貫通電極を有する配線基板が多く用いられている。この場合、配線基板を構成する支持基板および貫通電極の熱膨張係数が異なるため、貫通電極を有する支持基板上にＴＦＴを形成する際の加熱工程により、支持基板にクラックが生じたり、接続不良が発生したりするという問題がある。また、支持基板上にＴＦＴを形成した後、支持基板に貫通孔を形成して貫通電極を形成することもできるが、この場合には、貫通孔を形成する際の熱や薬液により、あるいは貫通電極を形成する際のめっき工程により、ＴＦＴがダメージを受けてしまい、正常に動作しなくなるという問題がある。さらに、中空部が存在する貫通電極、いわゆるコンフォーマルビアの場合、貫通電極を有する支持基板上にＴＦＴを形成する際には、貫通孔が存在する支持基板を用いることになるため、ＴＦＴを形成するのが困難である。さらに、支持基板上にＬＥＤ素子およびＴＦＴを形成する場合、製造コストが高くなるという問題もある。【００１０】  このように、配線基板において、支持基板上にＬＥＤ素子およびＴＦＴを配置するのは困難である。【００１１】  本開示は、上記問題点に鑑みてなされた発明であり、発光機能を有する半導体素子を画素として用いる表示装置に好適な表示装置用配線基板および表示装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】  上記目的を達成するために、本開示は、第１基材、上記第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子、および上記半導体素子に電気的に接続され、上記第１基材の表裏を電気的に接続する配線を有する第１部材と、上記第１基材の上記半導体素子側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材、および上記第２基材の上記第１基材側の面側に配置され、上記半導体素子を駆動する機能を有し、上記配線に電気的に接続された駆動素子を有する第２部材と、を備える、表示装置用配線基板を提供する。【００１３】  本開示によれば、発光機能を有する半導体素子を有する第１部材と、駆動素子を有する第２部材とが別々であり、発光機能を有する半導体素子および駆動素子が、第１基材の表裏を電気的に接続する配線によって電気的に接続されている。そのため、上述したような貫通電極を有する支持基板上に駆動素子を形成する際の不具合や、駆動素子を有する支持基板に貫通孔および貫通電極を形成する際の不具合を解消することができる。また、発光機能を有する半導体素子を有する第１部材と、駆動素子を有する第２部材とを別々に作製するため、安価な表示装置用配線基板とすることができる。したがって、本開示の表示装置用配線基板は、発光機能を有する半導体素子を画素として用いる表示装置に好適である。【００１４】  本開示の表示装置用配線基板は、上記第１部材および上記第２部材の間に配置され、異方導電性を有し、上記配線および上記駆動素子を電気的に接続する接続部材を有することが好ましい。異方導電性を有する接続部材を用いることにより、発光機能を有する半導体素子および駆動素子の電気的接続を容易に行うことができる。また、発光機能を有する半導体素子および駆動素子の電気的接続、ならびに第１部材および第２部材の接着を同時に行うことができる。さらに、画素密度を高くするために、発光機能を有する半導体素子が高密度に配置されている場合であっても、短絡を起こすことなく電気的接続を行うことができる。【００１５】  本開示においては、上記駆動素子が、薄膜トランジスタであることが好ましい。安価な表示装置用配線基板とすることができるからである。【００１６】  本開示においては、上記第１基材が貫通孔を有し、上記配線が上記貫通孔に配置された貫通配線であることが好ましい。発光機能を有する半導体素子の実装密度を高くすることができるため、画素密度を高め、高精細化が可能となるからである。【００１７】  本開示においては、上記第１基材が上記第２基材よりも小さいことが好ましい。第１基材が第２基材よりも小さいことにより、第２部材において、第２基材の駆動素子側の面側に、外部回路との接続のための引出配線等を配置することができるからである。【００１８】  本開示においては、１つの上記第２部材に対して、複数の上記第１部材が配列していることが好ましい。発光機能を有する半導体素子の実装密度を高くする場合において、発光機能を有する半導体素子に不良があった場合には、第１部材を複数にすることにより、損失を少なくすることができるからである。【００１９】  本開示は、上述の表示装置用配線基板を有する、表示装置を提供する。【００２０】  本開示によれば、上述の表示装置用配線基板を有するため、安価な表示装置とすることができる。【００２１】  本開示においては、複数の上記表示装置用配線基板が配列されていることが好ましい。表示装置を大型化することができるからである。
【発明の効果】
【００２２】  本開示の表示装置用配線基板は、発光機能を有する半導体素子を画素として用いる表示装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図２】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図３】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図４】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図５】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図６】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図７】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図８】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図９】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図１０】本開示の表示装置用配線基板を例示する概略断面図である。
【図１１】本開示の表示装置用配線基板の製造方法を例示する工程図である。
【図１２】本開示の表示装置を例示する概略断面図である。
【図１３】本開示の表示装置を例示する概略断面図である。
【図１４】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図１５】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図１６】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図１７】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図１８】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図１９】実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図である。
【図２０】実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図である。
【図２１】実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図である。
【図２２】実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図である。
【図２３】実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図と底面図である。
【図２４】実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図と底面図である。
【図２５】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図２６】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図２７】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図２８】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図２９】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図３０】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【図３１】実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図である。
【図３２】実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】  下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２５】  本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」、あるいは「下」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。
【００２６】  本開示は、表示装置用配線基板および表示装置に関する態様と、配線基板とその作製方法に関する態様とがある。以下、それぞれについて説明する。
【００２７】Ｉ．表示装置用配線基板および表示装置に関する態様Ａ．表示装置用配線基板  本開示の表示措置用配線基板は、第１基材、上記第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子、および上記半導体素子に電気的に接続され、上記第１基材の表裏を電気的に接続する配線を有する第１部材と、上記第１基材の上記半導体素子側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材、および上記第２基材の上記第１基材側の面側に配置され、上記半導体素子を駆動する機能を有し、上記配線に電気的に接続された駆動素子を有する第２部材と、を備える。
【００２８】  なお、本明細書において、第１部材において、第１基材の表裏を電気的に接続する配線を第１配線と称する場合がある。また、第１部材において、第１基材の発光機能を有する半導体素子側の面側に配置される配線を第２配線と称し、第１基材の発光機能を有する半導体素子側の面とは反対の面側に配置される配線を第３配線と称する場合がある。また、第２部材において、第２基材の駆動素子側の面側に配置される配線を第４配線と称する場合がある。
【００２９】  本開示の表示装置用配線基板について、図を用いて説明する。図１〜図３はそれぞれ本開示の表示装置用配線基板の一例を示す概略断面図である。図１〜図３に示すように、本開示の表示装置用配線基板１は、第１基材１１、第１基材１１の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子１２、および半導体素子１２に電気的に接続され、第１基材１１の表裏を電気的に接続する第１配線１３を有する第１部材１０と、第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材２１、および第２基材２１の第１基材１１側の面側に配置され、半導体素子１２を駆動する機能を有し、第１配線１３に電気的に接続された駆動素子２２を有する第２部材２０と、を備える。
【００３０】  本開示においては、図１および図２に示すように、第１基材１１が貫通孔１１ｈを有し、第１配線１３が貫通孔１１ｈに配置された貫通配線であってもよく、図３に示すように、第１配線１３が第１基材１１の側面に配置されていてもよい。また、第１配線１３が貫通配線である場合、第１配線１３は、図１に示すように、貫通孔１１ｈを充填する貫通配線、いわゆるフィルドビアであってもよく、図２に示すように、貫通孔１１ｈの側壁のみに配置された貫通配線、いわゆるコンフォーマルビアであってもよい。
【００３１】  本開示の表示装置用配線基板１は、図１〜図３に示すように、第１部材１０および第２部材２０の間に配置され、第１配線１３および駆動素子２２を電気的に接続する接続部材３１を有することができる。図１および図２に示す例においては、接続部材３１は、異方導電性を有する接続部材である。
【００３２】  第１部材１０において、半導体素子１２は、図１〜図３に示すように、例えば、赤色半導体素子１２Ｒ、緑色半導体素子１２Ｇおよび青色半導体素子１２Ｂを有することができる。
【００３３】  第１部材１０は、図１〜図３に示すように、第１基材１１の一方の面側に配置され、半導体素子１２および第１配線１３を電気的に接続する第２配線１４を有していてもよく、また、第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に配置され、第１配線１３および接続部材３１を電気的に接続する第３配線１５を有していてもよい。
【００３４】  第２部材２０は、図１〜図３に示すように、第２基材２１の駆動素子２２側の面側に配置され、駆動素子２２および接続部材３１を電気的に接続する第４配線２３を有していてもよい。
【００３５】  本開示の表示装置用配線基板１は、図１〜図３に示すように、第１部材１０および第２部材２０の間に配置され、接続部材３１以外の部分に配置された樹脂膜３２を有していてもよい。
【００３６】  本開示によれば、発光機能を有する半導体素子を有する第１部材と、駆動素子を有する第２部材とが別々であり、発光機能を有する半導体素子および駆動素子が、第１基材の表裏を電気的に接続する配線によって電気的に接続されている。そのため、上述したような貫通電極を有する支持基板上に駆動素子を形成する際の不具合や、駆動素子を有する支持基板に貫通孔および貫通電極を形成する際の不具合を解消することができる。また、発光機能を有する半導体素子を有する第１部材と、駆動素子を有する第２部材とを別々に作製するため、安価な表示装置用配線基板とすることができる。さらに、第２部材としては、駆動素子を有する基板として一般的に用いられているものを使用することもできる。したがって、本開示の表示装置用配線基板は、発光機能を有する半導体素子を画素として用いる表示装置に好適である。
【００３７】  以下、本開示の表示装置用配線基板について構成ごとに説明する。
【００３８】１．第１部材  本開示における第１部材は、第１基材と、上記第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する半導体素子と、上記半導体素子に電気的に接続され、上記第１基材の表裏を電気的に接続する第１配線とを有する。
【００３９】  以下、本開示における第１部材の各構成について説明する。
【００４０】（１）発光機能を有する半導体素子  本開示における発光機能を有する半導体素子は、第１基材の一方の面側に実装され、発光機能を有する部材である。
【００４１】  半導体素子としては、発光機能を有する半導体素子であれば特に限定されないが、ＬＥＤ素子であることが好ましい。
【００４２】  本開示におけるＬＥＤ素子は、通常、赤色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子および青色ＬＥＤ素子の３色のＬＥＤ素子を有する。３色のＬＥＤ素子は、個々のＬＥＤ素子がそれぞれ等間隔に配列されていてもよい。また、３色のＬＥＤ素子は、１つのチップに集積されていてもよい。この場合、第１部材においては、通常、個々のチップがそれぞれ等間隔に配列される。
【００４３】  第１部材においては、通常、上記３色のＬＥＤ素子が１つの発光ユニットとして用いられる。例えば、個々のＬＥＤ素子がそれぞれ等間隔に配列されている場合、３色のＬＥＤ素子が１つの発光ユニットとして用いられる。また、３色のＬＥＤ素子が１つのチップに集積されている場合、１つのチップが１つの発光ユニットとして用いられる。発光ユニットは、本開示の表示装置用配線基板において画素として機能し得る領域を指す。
【００４４】  また、ＬＥＤ素子は、マイクロサイズであることが好ましく、例えば、１０μｍ角以上１００μｍ角以下のサイズを有していてもよく、５０μｍ角以上１００μｍ角以下のサイズを有していてもよい。
【００４５】  また、発光ユニットのピッチは、例えば、０．１ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよい。なお、発光ユニットのピッチは、通常、隣接する発光ユニットにおいて、一方の発光ユニットの中心から他方の発光ユニットの中心までの間の距離をいう。
【００４６】  本開示におけるＬＥＤ素子については、一般的なＬＥＤ素子を用いることができるため、ここでの説明は省略する。
【００４７】  また、ＬＥＤ素子の実装方法としては、一般的なＬＥＤ素子の実装方法を適用することができる。
【００４８】（２）第１配線  本開示における第１配線は、上記半導体素子に電気的に接続され、上記第１基材の表裏を電気的に接続する、導電性を有する部材である。
【００４９】  第１配線としては、第１基材の表裏を電気的に接続することができる配線であればよく、その形態としては特に限定されない。第１配線の形態としては、例えば、図１および図２に示すように、第１基材１１が貫通孔１１ｈを有し、第１配線１３が貫通孔１１ｈに配置された貫通配線であってもよく、図３に示すように、第１配線３が第１基材１１の側面に配置されていてもよい。また、第１配線が貫通配線である場合、例えば、図１に示すように、第１配線１３は貫通孔１１ｈを充填する貫通配線、いわゆるフィルドビアであってもよく、図２に示すように、第１配線１３は貫通孔１１ｈの側壁のみに配置された貫通配線、いわゆるコンフォーマルビアであってもよい。また、第１配線がコンフォーマルビアである場合、例えば、図２に示すように、貫通孔１１ｈ内に中空部が配置されていてもよく、図４に示すように、貫通孔１１ｈ内が樹脂部１６で充填されていてもよい。
【００５０】  第１配線がコンフォーマルビアである場合において、例えば図２に示すように、貫通孔１１ｈ内に中空部が配置されている場合、第１配線１３は、第２配線１４および第３配線１５と一体として形成することができる。
【００５１】  中でも、第１配線は、第１基材の貫通孔に配置された貫通配線であることが好ましい。発光機能を有する半導体素子の実装密度を高くすることができるため、画素密度を高め、高精細化が可能となるからである。
【００５２】  第１配線の材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されず、一般的な配線に用いられる導電性材料を使用することができ、第１配線の形態や形成方法等に応じて適宜選択される。
【００５３】  例えば、第１配線が貫通配線である場合、第１配線の材料としては、具体的には、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロム等の金属、またはこれらの金属を含む合金等を挙げることができる。
【００５４】  上記の場合、第１配線は、単層であってもよく、複数の層が積層された多層であってもよい。例えば、第１配線は、貫通孔の側壁に配置されたシード層と、シード層の貫通孔の側壁側とは反対側の面に配置されためっき層とを有していてもよい。シード層の材料としては、一般的なめっき法におけるシード層に用いられる材料から適宜選択することができる。シード層の材料は、第１基材に対して密着性を有する導電性材料であることが好ましく、例えば、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金等を挙げることができる。めっき層が銅を含む場合、シード層の材料は、銅が第１基材の内部に拡散するのを抑制することができる材料であることが好ましく、例えば、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル等を挙げることができる。めっき層の材料としては、シード層に対して密着性を有する導電性材料であることが好ましく、例えば、上述した第１配線の材料を挙げることができる。
【００５５】  また、第１配線が第１基材の側面に配置されている場合、第１配線の材料としては、例えば、銅、金、銀、ニッケル、クロム、チタン、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む合金、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性酸化物等を挙げることができる。中でも、第１配線の材料は、銅、金、銀、ニッケルであることが好ましく、銅であることがより好ましい。めっき法を用いて第１配線を形成することができるため、簡便な方法で第１配線を形成することができるからである。
【００５６】  上記の場合、第１配線は、単層であってもよく、複数の層が積層された多層であってもよい。例えば、第１配線は、第１基材の側面に配置されたシード層と、シード層の第１基材側とは反対側の面に配置されためっき層とを有していてもよい。シード層の材料およびめっき層の材料としては、上述した通りである。
【００５７】  また、第１配線がコンフォーマルビアである場合において、貫通孔内が樹脂部で充填されている場合、樹脂部の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル等を挙げることができる。
【００５８】  第１配線の形成方法としては、一般的な配線の形成方法を用いることができ、第１配線の形態等に応じて適宜選択される。第１配線の形成方法としては、例えば、蒸着法やスパッタリング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、めっき法等が挙げられる。
【００５９】（３）第１基材  本開示における第１基材は、上記半導体素子が実装される部材であり、上記半導体素子を支持する部材である。
【００６０】  第１基材の材質としては、一般的な表示装置に用いられる材質であれば特に限定されないが、半導体素子が実装されることから、第１基材は平坦性を有することが好ましい。中でも、第１基材は、半導体素子を実装する際の加熱工程、例えばリフロー工程に対して耐熱性を有することが好ましい。このような第１基材としては、例えば、ガラス基材、ポリイミド基材等を挙げることができる。なお、ポリイミド基材の場合、ガラス基板等のキャリア基板上にポリイミド基材層を形成することにより、平坦性を有するポリイミド基材を得ることができる。
【００６１】  ガラス基材は、耐熱性が高いことから好ましい。ガラス基材に用いられるガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等を挙げることができる。
【００６２】  ポリイミド基材は、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化の観点から好ましい。また、ポリイミド基材の場合、第１部材および第２部材を接着部材を介して貼合する際の圧着時に、第１基材にクラックやハマ欠けが発生するのを抑制することができる。具体的には、キャリア基板上にポリイミド基材層が形成された積層基板を用いて第１部材を作製する場合には、第１部材の作製後にレーザリフトオフ（ＬＬＯ）法によりポリイミド基材層からキャリア基板を剥離し、第１基材の半導体素子側の面側に粘着層を介してガラス基板等の仮基板を配置した後、第１部材および第２部材を接着部材を介して貼合することができる。この場合、第１部材および第２部材の貼合後に、仮基板および粘着層は剥離することができる。そのため、仮基板にクラックやハマ欠けが生じたとしても、仮基板は剥離されるため、歩留りの低下を抑制することができる。
【００６３】  第１基材は、貫通孔を有していてもよく、有していなくてもよい。中でも、第１基材は貫通孔を有することが好ましい。上述したように、第１基材が貫通孔を有することで、例えば、上記第１配線を、貫通孔に配置された貫通配線とすることができ、貫通配線を介して第１部材の半導体素子と第２部材の駆動素子とを電気的に接続させることができる。
【００６４】  貫通孔の径の大きさは、表示装置用配線基板の用途に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００６５】  貫通孔の形成方法としては、例えば、プラズマエッチングやウェットエッチング等のエッチング、レーザ照射、またはサンドブラストや超音波ドリル等の機械的な加工法が挙げられる。
【００６６】  第１基材の厚さは、半導体素子を支持することができれば特に限定されず、表示装置用配線基板の用途に応じて適宜選択することができる。第１基材の厚さは、例えば、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以上４００μｍ以下であることが特に好ましい。
【００６７】  本開示においては、上記第１基材が上記第２基材よりも小さいことが好ましい。例えば図５に示すように、第１基材１１が第２基材２１よりも小さいことにより、第２部材２０において、第２基材２１の駆動素子２２側の面側に、駆動素子２２に電気的に接続し、外部回路との接続のための引出配線２４等を配置することができる。なお、本開示の表示装置用配線基板を表示装置に用いる場合、第１部材において、第１基材の半導体素子側の面とは反対の面側に引出配線を配置し、第１部材が有する引出配線とドライバＩＣとを電気的に接続することも可能であるが、設計が複雑になり、また引出配線の長さが長くなるため信頼性が低くなるおそれがある。そのため、第１基材は第２基材よりも小さいことが好ましい。また、後述するように、例えば図６に示すように、第１基材１１が第２基材２１よりも小さいことにより、１つの第２部材２０に対して複数の第１部材１０を配列することができる。この場合、発光機能を有する半導体素子の実装密度を高くする場合において、発光機能を有する半導体素子に不良があった場合には、第１部材を複数にすることにより、損失を少なくすることができる。
【００６８】（４）その他の構成  本開示においては、第１基材の半導体素子側の面側に、半導体素子および第１配線を電気的に接続する第２配線が配置されていてもよい。また、本開示においては、第１基材の半導体素子側の面とは反対の面側に、第１配線および接続部材を電気的に接続する第３配線が配置されていてもよい。
【００６９】  第２配線および第３配線の材料としては、種々の導電性材料を用いることができる。導電性材料としては、例えば、銅、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、金、銀等の０価の金属、これらの金属から選択される少なくとも１つを含む合金、あるいは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性酸化物を用いることができる。導電性が高い銅やアルミニウムを用いることで、抵抗の増大を抑制することができる。また、後述するように、比較的硬度が低い銅を用いることで、より信頼性が高い電気的接続が構築可能な表示装置用配線基板を提供することができる。
【００７０】  第２配線および第３配線の厚さは、例えば０．０５μｍ以上２０μｍ以下、０．１μｍ以上１５μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、十分な導電性を得ることができる。
【００７１】  第２配線および第３配線の形成方法としては、一般的な配線の形成方法を用いることができ、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、めっき法等が挙げられる。
【００７２】（５）第１部材  本開示においては、例えば図６に示すように、１つの第２部材２０に対して、複数の第１部材１０が配列していることが好ましい。発光機能を有する半導体素子の実装密度を高くする場合において、発光機能を有する半導体素子に不良があった場合には、第１部材を複数にすることにより、損失を少なくすることができるからである。また、第１配線が貫通配線である場合、第１基材が大面積であると、貫通孔を形成するのが困難である場合がある。
【００７３】  １つの第２部材に対する第１部材の数としては、１つまたは複数とすることができる。第１部材が複数である場合、第１部材の数としては、本開示の表示装置用配線基板の用途等に応じて適宜選択される。
【００７４】２．第２部材  本開示における第２部材は、上記第１基材の上記半導体素子側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材と、上記第２基材の上記第１基材側の面側に配置され、上記半導体素子を駆動する機能を有し、上記配線に電気的に接続された駆動素子とを有する。
【００７５】  以下、本開示における第２部材の各構成について説明する。
【００７６】（１）駆動素子  本開示における駆動素子は、第２基材の第１基材側の面側に配置され、上記半導体素子を駆動する機能を有する素子である。
【００７７】  駆動素子としては、上記半導体素子を駆動する機能を有するものであり、半導体素子毎に発光を制御することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ＴＦＴ、ＩＣ等が挙げられる。中でも、駆動素子は、ＴＦＴであることが好ましい。安価な表示装置用配線基板とすることができる。また、第２部材として、一般的なＴＦＴ基板を用いることができる。
【００７８】  なお、本開示における駆動素子としてのＩＣは、後述するようなドライバＩＣとは異なるものである。
【００７９】  駆動素子は、例えば、１つまたは複数の半導体素子毎に、あるいは１つまたは複数の発光ユニット毎に、配置することができる。また、１つの半導体素子毎または１つの発光ユニット毎に、複数の駆動素子を配置してもよい。
【００８０】  ＴＦＴおよびＩＣの詳細については、一般的な表示装置に用いられる構成と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００８１】（２）第２基材  本開示における第２基材は、上記駆動素子を支持する部材である。
【００８２】  第２基材の材質としては、一般的な表示装置に用いられる材質であれば特に限定されない。中でも、駆動素子がＴＦＴである場合には、第２基材は、ＴＦＴを形成する際の加熱工程に対して耐熱性を有することが好ましい。このような第２基材としては、例えば、ガラス基材、ポリイミド基材等を挙げることができる。なお、ガラス基材については、上記第１基材の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００８３】  ポリイミド基材は、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化の観点から好ましい。また、ポリイミド基材の場合、第１部材および第２部材を接着部材を介して貼合する際の圧着時に、第２基材にクラックやハマ欠けが発生するのを抑制することができる。具体的には、キャリア基板上にポリイミド基材層が形成された積層基板を用いて第２部材を作製し、第１部材および第２部材を接着部材を介して貼合した後、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）法によりポリイミド基材層からキャリア基板を剥離する場合、キャリア基板にクラックが生じたとしてもキャリア基板は剥離されるため、歩留りの低下を抑制することができる。
【００８４】  第２基材の厚さは、駆動素子を支持することができれば特に限定されず、表示装置用配線基板の用途に応じて適宜選択することができる。第２基材の厚さは、例えば、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以上４００μｍ以下であることが特に好ましい。
【００８５】  上述したように、第２基材は第１基材よりも大きいことが好ましい。
【００８６】（３）その他の構成  本開示においては、第２基材の駆動素子側の面側に、駆動素子および接続部材を電気的に接続する第４配線が配置されていてもよい。
【００８７】  なお、第４配線の材料、厚さおよび形成方法としては、上記第２配線および第３配線と同様とすることができる。
【００８８】  本開示においては、第２基材の駆動素子側の面に、駆動素子に電気的に接続された引出配線や、引出配線に電気的に接続されたドライバＩＣ等が配置されていてもよい。
【００８９】  引出配線およびドライバＩＣの詳細については、一般的な表示装置に用いられる構成と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００９０】３．接続部材  本開示の表示装置用配線基板は、上記第１部材および上記第２部材の間に配置され、上記第１配線および上記駆動素子を電気的に接続する接続部材を有することが好ましい。
【００９１】  接続部材としては、第１配線および駆動素子を電気的に接続することができるものであればよく、例えば、異方導電性を有する接続部材や、柱状構造体と柱状構造体に接する導電膜とを有する接続部材を挙げることができる。以下、それぞれについて説明する。
【００９２】（１）異方導電性を有する接続部材  本開示の表示装置用配線基板は、上記第１部材および上記第２部材の間に配置され、異方導電性を有し、上記第１配線および上記駆動素子を電気的に接続する接続部材を有することが好ましい。異方導電性を有する接続部材を用いることにより、発光機能を有する半導体素子および駆動素子の電気的接続を容易に行うことができる。また、発光機能を有する半導体素子および駆動素子の電気的接続、ならびに第１部材および第２部材の接着を同時に行うことができる。さらに、画素密度を高くするために、発光機能を有する半導体素子が高密度に配置されている場合であっても、短絡を起こすことなく電気的接続を行うことができる。
【００９３】  異方導電性を有する接続部材としては、例えば異方導電性膜（ＡＣＦ）や異方導電性ペースト（ＡＣＰ）等の異方導電性材料を用いることができる。異方導電性材料としては、例えば、導電性粒子が樹脂に分散されたものが挙げられる。異方導電性材料を第１部材および第２部材の間に配置して、加熱しながら圧力を加えるあるいは加熱することで、異方導電性材料に含まれる導電性粒子が第１配線および駆動素子の間を電気的に接続することができる。そして、同時に、第１部材および第２部材を接着することができる。
【００９４】  異方導電性膜および異方導電性ペーストとしては、一般的な配線基板に用いられるものを使用することができる。
【００９５】  異方導電性を有する接続部材は、第１配線および駆動素子を電気的に接続するように、第１部材および第２部材の間に配置されていればよく、例えば、第１部材および第２部材の間の全部に配置されていてもよく、第１部材および第２部材の間に部分的に配置されていてもよい。例えば、図１〜図６に示すように、接続部材３１が、第１部材１０の第３配線１５および第２部材２０の第４配線２３が配置されている領域のみに配置されていてもよく、図７に示すように、接続部材３１が、第１部材１０および第２部材２０の間の全部に配置されていてもよい。
【００９６】  接続部材が第１部材および第２部材の間に部分的に配置されている場合には、第１部材および第２部材の間において、接続部材以外の部分には、樹脂膜が配置されていることが好ましい。
【００９７】  樹脂膜は、接着部材として機能するものである。樹脂膜の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。
【００９８】（２）柱状構造体と柱状構造体に接する導電膜とを有する接続部材  本開示の表示装置用配線基板は、上記第１部材および上記第２部材の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの柱状構造体と、上記柱状構造体に接し、上記第１配線および上記駆動素子を電気的に接続する導電膜と、を有する接続部材を有することができる。
【００９９】  例えば図８（ａ）、（ｂ）において、表示装置用配線基板１は、第１部材１０および第２部材２０の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの柱状構造体３３と、柱状構造体３３に接し、第１配線１３および駆動素子２２を電気的に接続する導電膜３４とを有する接続部材３５を有している。
【０１００】  図８（ａ）においては、第２基材２１の駆動素子２２側の面側に柱状構造体３３が配置され、柱状構造体３３の上面および側面を覆うように導電膜３４が配置されている。導電膜３４は、第４配線２３として機能することができ、また導電膜３４の上面にて第３配線１５と接している。この場合、第２配線１４、第１配線１３、第３配線１５および導電膜３４を介して、半導体素子１２および駆動素子２２が電気的に接続される。そして、第１部材１０および第２部材２０の間には樹脂膜３２が配置されている。
【０１０１】  図８（ｂ）においては、第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に柱状構造体３３が配置され、柱状構造体３３の上面および側面を覆うように導電膜３４が配置されている。導電膜３４は、導電膜３４の上面にて第４配線２３と接している。この場合、第２配線１４、第１配線１３、第３配線１５、導電膜３４および第４配線２３を介して、半導体素子１２および駆動素子２２が電気的に接続される。そして、第１部材１０および第２部材２０の間には樹脂膜３２が配置されている。
【０１０２】  なお、「柱状構造体の上面」とは、柱状構造体が第１基材の面側に配置されている場合には、柱状構造体の第２基材と対向する面をいい、柱状構造体が第２基材の面側に配置されている場合には、柱状構造体の第１基材と対向する面をいう。
【０１０３】  また、「導電膜の上面」とは、導電膜の柱状構造体側の面とは反対側の面をいう。
【０１０４】  柱状構造体は上面に平坦な面を有することができるため、柱状構造体の上面では導電膜も高い平坦性を有する。また、導電膜の上面に接する配線も、第１基材または第２基材の面側に配置されるため平坦性を有する。このため、導電膜および配線間の電気的接続には比較的大きな面積を利用して行うことができるため、接触抵抗の増大を抑制することができるだけでなく、より確実な電気的接続を達成することができる。
【０１０５】  また、柱状構造体の上面が平坦でない場合でも、後述するように、柱状構造体は弾性を示すことができるため、第１部材および第２部材を貼り合わせる際に柱状構造体は変形し、導電膜の上面に接する配線の平坦な面形状が柱状構造体の上面に反映される。このため、導電膜の上面にも平坦な面が形成され、その結果、信頼性の高い電気的接続を達成することができる。
【０１０６】  また、後述するように、柱状構造体は弾性を示すことができるため、第１部材および第２部材を貼り合わせる際に圧力が印加されても柱状構造体が破壊されることは無く、また、第１部材および第２部材の貼り合わせ後において導電膜を配線の方向に押し付けるための応力が内部に発生する。この応力は導電膜および配線を確実に物理的に接触させることに寄与する。また、後述するように、導電膜に銅等の硬度が低い導電性材料を用いる場合には、第１部材および第２部材を貼り合わせる際に柱状構造体が変形しても導電膜が柱状構造体の変形に追従するため、導電膜の破損を抑制することができる。このため、導電膜および配線間が剥離する可能性が大幅に低減され、高い信頼性を有する電気的接続を構築することができる。
【０１０７】  以下、上記接続部材の各構成について説明する。
【０１０８】（ａ）柱状構造体  本開示における接続部材は、上記第１部材および上記第２部材の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの柱状構造体を有する。
【０１０９】  柱状構造体は、有機化合物を含む絶縁体である。有機化合物としては、例えば樹脂が挙げられる。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。このため、柱状構造体は、弾性を示し、外力によって変形することができる。
【０１１０】  柱状構造体の高さは、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下、１μｍ以上８０μｍ以下、または１μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。
【０１１１】  また、柱状構造体の平面視における最大面積は、例えば、２０μｍ２以上３０００μｍ２以下、または１００μｍ２以上１５００μｍ２以下とすることができる。
【０１１２】  接続部材は、少なくとも１つの柱状構造体を有していればよく、例えば複数の柱状構造体を有していてもよい。接続部材が複数の柱状構造体を有する場合、少なくとも１つの柱状構造体が導電膜に接していればよく、例えば図９（ａ）に示すように、すべての柱状構造体３３が導電膜３４に接していてもよく、図９（ｂ）に示すように、一部の柱状構造体３３が導電膜３４に接し、他の柱状構造体３６が導電膜３４に接していなくてもよい。導電膜に接しない柱状構造体は、緩衝材またはスペーサとして機能することができ、第１部材および第２部材間の間隔の維持に寄与することができる。また、図示しないが、すべての柱状構造体が導電膜に接している場合であっても、一部の柱状構造体に接する導電膜から絶縁されるように分離された導電膜に接している他の柱状構造体は、導電膜に接しない柱状構造体と同様に、緩衝材またはスペーサとして機能することができ、第１部材および第２部材間の間隔の維持に寄与することができる。
【０１１３】  柱状構造体は、例えば図８（ｂ）に示すように第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に配置されていてもよく、図８（ａ）に示すように第２基材２１の駆動素子２２側の面側に配置されていてもよい。
【０１１４】  また、柱状構造体は、平面視において、第１配線と重なるように配置されていてもよく、第１配線と重ならないように配置されていてもよい。
【０１１５】  柱状構造体の形状としては、特に限定されるものではなく、その断面形状は、例えば、矩形、台形等とすることができる。例えば図８（ａ）、（ｂ）において、柱状構造体３３の断面形状は矩形であり、図１０（ａ）において、柱状構造体３３の断面形状は台形である。
【０１１６】  また、柱状構造体の断面形状は、例えば図１０（ｂ）に示すように、丸みを帯びた角を有する形状であってもよい。また、柱状構造体の側面は、例えば平面であってもよく、曲面を含んでいてもよい。
【０１１７】  柱状構造体の形成方法としては、例えばフォトリソグラフィ法が挙げられる。
【０１１８】（ｂ）導電膜  本開示における接着部材は、上記柱状構造体に接し、上記第１配線および上記駆動素子を電気的に接続する導電膜を有する。
【０１１９】  導電膜は、第１配線および駆動素子に電気的に接続される。例えば図８（ａ）に示すように、第２基材２１の駆動素子２２側の面側に柱状構造体３３が配置されている場合、導電膜３４はその上面にて第３配線１５に接していることにより、導電膜３４を介して第１配線１３および駆動素子２２が電気的に接続される。また、図８（ｂ）に示すように、第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に柱状構造体３３が配置されている場合、導電膜３４はその上面にて第４配線２３に接していることにより、導電膜３４を介して第１配線１３および駆動素子２２が電気的に接続される。
【０１２０】  導電膜は、柱状構造体に接して配置されており、柱状構造体の上面の少なくとも一部および側面の少なくとも一部を覆うように配置される。
【０１２１】  第２基材の駆動素子側の面側に柱状構造体が配置され、柱状構造体に接して導電膜が配置されている場合において、駆動素子がＴＦＴである場合、導電膜は、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極として機能することもできる。また、この場合、導電膜は、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極上に配置されていてもよい。
【０１２２】  導電膜の材料としては、種々の導電性材料を用いることができる。導電性材料としては、例えば、銅、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、金、銀、錫、鉛の金属、これらの金属から選択される少なくとも１つを含む合金、あるいは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性酸化物を用いることができる。導電性が高い銅やアルミニウムを用いることで、抵抗の増大を抑制することができる。また、後述するように、比較的硬度が低い銅を用いることで、より信頼性が高い電気的接続が構築可能な表示装置用配線基板を提供することができる。
【０１２３】  導電膜の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１５μｍ以下、０．０５μｍ以上１０μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上８μｍ以下とすることができる。導電膜の厚さが上記範囲であれば、導電膜に高い柔軟性を付与することができ、柱状構造体が変形しても導電膜の破損や断線を防ぐことができる。
【０１２４】  導電膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、めっき法等が挙げられる。
【０１２５】（３）その他の構成  第１部材および第２部材の間には、上記接続部材が配置されている部分以外の部分に、樹脂膜が配置されていてもよい。
【０１２６】  樹脂膜は、接着部材として機能するものである。樹脂膜の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。
【０１２７】  また、第１部材および第２部材の間において、上記接続部材が配置されている部分以外の部分は、空間部であってもよい。例えば図９（ｂ）に示すように、第１部材１０および第２部材２０の間に、緩衝材やスペーサとして機能することができる柱状構造体３６が配置されている場合や、図示しないが、画素密度が高く、接続部材の密度が高い場合には、空間部が存在していても、第１部材および第２部材間の間隔を維持することができる。
【０１２８】４．表示装置用配線基板の製造方法  本開示の表示装置用配線基板の製造方法としては、特に限定されず、一般的な配線基板の製造方法と同様とすることができる。
【０１２９】  図１１（ａ）〜（ｄ）は本開示の表示装置用配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１１（ａ）に示すように、第１基材１１と、第１基材１１の一方の面側に実装された、発光機能を有する半導体素子１２と、半導体素子１２に電気的に接続され、第１基材１１の表裏を電気的に接続する第１配線１３とを有する第１部材１０を作製する。第１部材１０の構成については、上述した通りである。次に、図１１（ｂ）に示すように、第１基材１１の半導体素子１２側の面とは反対の面側に対向して配置された第２基材２１と、第２基材２１の第１基材１１側の面側に配置され、半導体素子１２を駆動する機能を有し、第１配線１３に電気的に接続された駆動素子２２とを有する第２部材２０を作製する。第２部材２０の構成については、上述した通りである。次に、図１１（ｃ）に示すように、第２部材２０の第１部材１０に対向する面に異方導電性膜３１ａを貼る。続いて、図１１（ｄ）に示すように、異方導電性膜３１ａの上面に第１部材１０を配置し、加熱しながら圧力をかけて、異方導電性膜３１ａに含まれる導電性粒子により第３配線１５および第４配線２３を導通させる。それと同時に、異方導電性膜３１ａに含まれる樹脂により第１部材１０および第２部材２０を接着する。これにより、第１部材１０および第２部材２０の間に異方導電性を有する接続部材３１が配置される。このようにして、表示装置用配線基板１を得ることができる。
【０１３０】Ｂ．表示装置  本開示の表示装置は、上述の表示装置用配線基板を有する。
【０１３１】  本開示によれば、上述の表示装置用配線基板を有するため、安価な表示装置とすることができる。
【０１３２】  図１２は本開示の表示装置の一例を示す概略断面図である。図１２に示すように、本開示の表示装置１０１は、第１部材１０と、第２部材２０と、第１部材１０および第２部材の間に配置された接続部材３１および樹脂膜３２とを有する表示装置用配線基板１を有する。第２部材２０において、第２基材２１の駆動素子２２側の面側には、駆動素子２２に電気的に接続された引出配線２４が配置されている。また、ＴＡＢ１０２にはドライバＩＣ１０３が実装されており、引出配線２４を介して表示装置用配線基板１とプリント基板１０１とが電気的に接続されている。これにより、外部回路（図示なし）から供給される信号や電源がドライバＩＣ１０３へ与えられ、各半導体素子１２はこれらの信号や電源に基づいて制御され、これにより画像を表示することができる。
【０１３３】  本開示の表示装置において、上述の表示装置用配線基板以外の部材については、一般的な表示装置に用いられる部材と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【０１３４】  本開示においては、複数の表示装置用配線基板が配列されていることが好ましい。例えば図１３において、複数の表示装置用配線基板１が配列されている。表示装置１０１は、複数の表示装置用配線基板１を配列させることにより１つの表示画面を構成する表示装置であり、いわゆるタイリング表示装置である。複数の表示装置用配線基板が配列されていることにより、表示装置を大型化することができる。
【０１３５】  図１３においては、各表示装置用配線基板１では、１つの第２部材２０に対して複数の第１部材１０が配列されているが、これに限定されるものではなく、各表示装置用配線基板は、１つの第１部材と１つの第２部材とを有するものであってもよい。すなわち、タイリング表示装置は、例えば図１３に示すように、１つ以上の第１部材１０および１つの第２部材２０を有するユニット４０を備え、複数のユニット４０がタイリングされていればよい。
【０１３６】  タイリング表示装置は、複数の表示装置用配線基板を少なくとも有していればよく、適宜必要な構成を有することができる。
【０１３７】  表示装置およびタイリング表示装置の製造方法としては、特に限定されるものではなく、一般的な表示装置およびタイリング表示装置の製造方法と同様とすることができる。
【０１３８】  本開示の表示装置は、マイクロＬＥＤディスプレイであることが好ましい。
【０１３９】  なお、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示の技術的範囲に包含される。
【０１４０】ＩＩ．配線基板とその作製方法に関する態様  次に、配線基板とその作成方法に関する態様について説明する。  半導体装置は、半導体基板や絶縁基板などの基板、およびパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、金属膜の積層体を基本的な構成として備える。絶縁膜、半導体膜、金属膜の形状や積層構造を適宜設計することにより、様々な機能を有する半導体装置を提供することができる。通常、このような半導体装置は配線が形成された基板（配線基板）と接続された状態で使用され、この配線基板を介して供給される信号や電力によって半導体装置が制御、駆動される。例えば上記２に開示された半導体装置の一種である表示装置では、表示装置と配線基板とを電気的に接続するための配線パッドが、表示素子が設けられた基板を貫通する貫通配線（貫通電極とも呼ぶ）を介して設けられている。
【０１４１】  本開示は、配線が形成された複数の基板を電気的に接続するための配線構造とそれを含む配線基板、およびこの配線構造を含む配線基板を作製するための方法を提供することを課題の一つとする。 
【０１４２】  本開示の実施形態の一つは配線基板である。この配線基板は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体と第１の配線の上に位置し、柱状構造体と第１の配線と接する導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と電気的に接続される第２の配線と、第２の配線上の第２の基板とを有する。 
【０１４３】  本開示の実施形態の一つは配線基板である。この配線基板は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の配線上に位置し、第１の配線と電気的に接続される導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と接し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体上に位置し、柱状構造体と接する第２の配線と、第２の配線上の第２の基板とを有する。
【０１４４】  本開示の実施形態の一つは配線基板を作製する方法である。この方法は、第１の基板上に第１の配線を形成すること、第１の基板上に樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を形成すること、柱状構造体上に導電膜を形成すること、第２の基板上に第２の配線を形成すること、導電膜と第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む。 
【０１４５】  本開示の実施形態の一つは配線基板を作製する方法である。この方法は、第１の基板上に第１の配線を形成すること、第２の基板上に第２の配線を形成すること、第２の基板上に樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を形成すること、柱状構造体上に導電膜を形成すること、導電膜と第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む。 
【０１４６】  本開示の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体上の導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と電気的に接続される第２の配線と、第２の配線上の第２の基板と、第２の基板上に位置し、第２の配線と電気的に接続される第３の配線と、第２の基板上の表示素子とを有する。第３の配線は、表示素子へ信号を伝達するように構成される。 
【０１４７】  以下、本開示の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。   本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【０１４８】（第１実施形態）１．基本構造  本実施形態では、配線が設けられた二つの基板を電気的に接続するための配線基板１００を説明する。図１４（Ａ）に配線基板１００の断面模式図を示す。図１４（Ａ）に示すように、配線基板１００は第１の基板１０２と第２の基板１０４を有し、第１の基板１０２上には第１の配線１１０が、第２の基板１０４上には第２の配線１１２が設けられる。第１の配線１１０や第２の配線１１２は、図１４（Ａ）に示すようにそれぞれ第１の基板１０２と第２の基板１０４と接するように設けられてもよく、あるいは図示しない絶縁膜を介してそれぞれ第１の基板１０２、第２の基板１０４上に形成されていてもよい。絶縁膜を用いる場合、例えば酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などのケイ素含有無機化合物を含む層を一つ、あるいは複数有する膜を用いることができる。 
【０１４９】  配線基板１００はさらに、第１の基板１０２上に少なくとも一つの柱状構造体１１８を有する。柱状構造体１１８は有機化合物を含む絶縁体であり、有機化合物としては樹脂が挙げられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが例示される。このため、柱状構造体１１８は弾性を示し、外力によって変形することができる。柱状構造体１１８は第１の配線１１０と重ならないように形成されてもよく、あるいは図１４（Ｂ）に示すように第１の配線１１０と重なるように設けられてもよい。柱状構造体１１８の高さは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下、１μｍ以上８０μｍ以下、あるいは１μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。また、第１の基板１０２の上面に平行な面における断面（以下、水平断面と記す）の最大面積は、２０μｍ２以上３０００μｍ２以下、あるいは１００μｍ２以上１５００μｍ２以下とすることができる。
【０１５０】  配線基板１００はさらに、柱状構造体１１８上に位置し、柱状構造体１１８と接する導電膜１１６を有する。導電膜１１６は第１の配線１１０とも接し、これにより導電膜１１６と第１の配線１１０が電気的に接続される。導電膜１１６は柱状構造体の上面の少なくとも一部、および側面の少なくとも一部を覆うように形成される。
【０１５１】  第１の基板１０２と第２の基板１０４は、導電膜１１６が第２の配線１１２と電気的に接続されるよう、互いに貼り合わされる。したがって、第１の配線１１０、柱状構造体１１８、導電膜１１６、および第２の配線１１２は第１の基板１０２と第２の基板１０４に挟まれる。この時、接着材として機能する樹脂膜１３０を第１の基板１０２と第２の基板１０４の間に設けてもよい。樹脂膜１３０には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。図１４（Ａ）や図１４（Ｂ）に示した配線基板１００では、樹脂膜１３０は導電膜１１６の少なくとも一部を覆う。
【０１５２】  上述した第１の配線１１０、第２の配線１１２、および導電膜１１６には導電性を示す種々の材料を用いることができる。例えば銅、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、金、銀などの０価の金属、これらの金属から選択される少なくとも一つを含む合金、あるいはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物を用いることができる。導電性が高い銅やアルミニウムを用いることで、配線基板１００を設置することによる抵抗の増大を抑制することができる。また、後述するように、比較的硬度が低い銅を用いることで、より信頼性が高い電気的接続が構築可能な配線基板１００を提供することができる。第１の配線１１０、第２の配線１１２の厚さは、例えば０．０５μｍ以上２０μｍ以下、０．１μｍ以上１５μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上１０μｍ以下とすればよい。これにより、十分な導電性を得ることができる。導電膜１１６の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１５μｍ以下、０．０５μｍ以上１０μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上８μｍ以下とすることができる。このような厚さで導電膜１１６を形成することで導電膜１１６に高い柔軟性を付与することができ、柱状構造体１１８が変形しても導電膜１１６の破損や断線を防ぐことができる。
【０１５３】  配線が設けられる二つの基板を電気的に接続する場合、異方性導電膜が汎用される。異方性導電膜は、樹脂でコーティングされたニッケルや銀、金などの導電体粒子やはんだ粒子が高分子に分散された構造を有しており、異方性導電膜を基板間に配置して加熱しながら圧力を加えることで、これらの金属やはんだが配線間を電気的に接続する。このため、配線間の電気的接続は粒子状の導電体と平面状の配線との接触によって行われるため、必ずしも電気的接続は安定しない。また、高分子と導電体の間には大きな熱膨張係数の差が存在するため、配線間の接続後の冷却過程で応力が蓄積される。このため、導電体にクラックが発生する、あるいは導電体と配線との剥離が生じ、これは配線基板の信頼性を低下させる要因となる。
【０１５４】  これに対し、詳細は後述するが、本実施形態の配線基板１００は、導電膜１１６が形成された第１の基板１０２と第２の配線１１２が形成された第２の基板１０４を貼り合わせ、樹脂膜１３０を用いて接着することで作製され、これにより第１の配線１１０と第２の配線１１２が導電膜１１６を介して電気的に接続される。図１４（Ａ）や図１４（Ｂ）に示すように、柱状構造体１１８は上面に平坦な面を有することができる。したがって、柱状構造体１１８上では導電膜１１６も高い平坦性を有する。また、第２の配線１１２は第２の基板１０４上に形成されるため、その平坦性も高い。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間の電気的接続には比較的大きな面積を利用して行うことができるため、接触抵抗の増大を抑制することができるだけでなく、より確実な電気的接続を達成することができる。
【０１５５】  柱状構造体１１８を形成した時点でその上面が平坦でない場合でも、柱状構造体１１８は弾性を示すため、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に柱状構造体１１８は変形し、第２の配線１１２の平坦な面形状が柱状構造体１１８の上面に反映される。このため、導電膜１１６の上面にも平坦な面が形成され、その結果、信頼性の高い電気的接続を達成することができる。
【０１５６】  上述したように、柱状構造体１１８は弾性を示すため、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に圧力が印加されても柱状構造体１１８が破壊されることは無く、また、第１の基板１０２と第２の基板１０４の貼り合わせ後において導電膜１１６を第２の配線１１２の方向に押し付けるための応力が内部に発生する。この応力は導電膜１１６と第２の配線１１２を確実に物理的に接触させることに寄与する。また、銅などの硬度が低い導電材料を導電膜１１６に採用することで、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に柱状構造体１１８が変形しても導電膜１１６が柱状構造体１１８の変形に追従するため、導電膜１１６の破損を抑制することができる。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間が剥離する可能性が大幅に低減され、高い信頼性を有する電気的接続を構築することができる。
【０１５７】２．変形例  配線基板１００の構造は上述した構造に限られることは無く、配線基板１００は種々の構造を有することができる。例えば柱状構造体１１８と導電膜１１６との上下関係に制約は無く、図１４（Ｃ）に示すように、導電膜１１６上に柱状構造体１１８が位置するよう、配線基板１００を構成してもよい。この場合、導電膜１１６は第１の配線１１０と柱状構造体１１８の間、あるいは第１の基板１０２と柱状構造体１１８の間に配置され、導電膜１１６は樹脂膜１３０の一部を覆う。第１の配線１１０と第２の配線１１２間の電気的接続は、第１の配線１１０と導電膜１１６が有する平坦な面を介して行われるため、信頼性の高い電気的接続を達成することができる。
【０１５８】  あるいは図１５（Ａ）に示すように、配線基板１００は複数の柱状構造体１１８を有してもよい。複数の柱状構造体１１８を設ける場合、少なくとも１つは導電膜１１６から離れて配置され、導電膜１１６と接しなくてもよい。具体的には図１５（Ｂ）に示すように、配線基板１００は、導電膜１１６と接する柱状構造体１１８−１と共に、上面や側面が導電膜１１６によって覆われない柱状構造体１１８−２を備えてもよい。この場合、柱状構造体１１８−２は緩衝材、あるいはスペーサーとして機能することもでき、第１の基板１０２と第２の基板１０４間の間隔の維持に寄与する。図示しないが、柱状構造体１１８−２は、導電膜１１６から絶縁されるように分離された導電性の膜で表面のすべて、あるいはその一部が覆われていてもよい。
【０１５９】  あるいは図１６（Ａ）から図１６（Ｃ）に示すように、配線基板１００は貫通電極を備えてもよい。例えば図１６（Ａ）に示した例のように、配線基板１００は第１の基板１０２に設けられる貫通孔、およびこの貫通孔を貫通する第１の貫通電極１２０を有することができる。第１の貫通電極１２０は第１の配線１１０と電気的に接続される。この場合、第１の配線１１０の一部は、導電膜１１６と第１の貫通電極１２０を電気的に接続するために十分な面積を提供するためのパッドとしても機能し、その部分はランドとも呼ばれる。任意の構成として、配線基板１００はさらに、第１の基板１０２の下に、第１の貫通電極１２０と電気的に接続される配線（第４の配線）１２２を有してもよい。第４の配線１２２もその一部がランドとして機能し、種々の半導体装置や他の配線基板との接続に利用することができる。
【０１６０】  同様に、第２の基板１０４にも貫通電極を形成してもよい。例えば図１６（Ｂ）に示すように、配線基板１００はさらに、第２の基板１０４に設けられる貫通孔、およびこの貫通孔を貫通する第２の貫通電極１２４を有することができる。第２の貫通電極１２４は第２の配線１１２と電気的に接続される。配線基板１００はさらに、第２の基板１０４の上に、第２の貫通電極１２４と電気的に接続される配線（第３の配線）１２６を有してもよい。第１の配線１１０や第４の配線１２２と同様、第２の配線１１２や第３の配線１２６の一部もランドとしても機能することができ、後者は他の半導体装置や配線基板との接続に供される。なお、柱状構造体１１８は必ずしも貫通電極と重なる必要は無い。例えば図１６（Ｃ）に示すように、第１の貫通電極１２０は柱状構造体１１８と重ならないように形成することができる。図示していないが、第２の貫通電極１２４も柱状構造体１１８と重ならないよう形成してもよい。
【０１６１】  第１の貫通電極１２０は必ずしも貫通孔の全体を埋める必要は無く、図１７（Ａ）に示すように、第１の基板１０２の上面と下面の一部、および貫通孔の側壁を連続的に覆うことで第１の基板１０２の上面と下面の間で電気的接続が可能なように形成されればよい。同様に、第２の貫通電極１２４も第２の基板１０４の貫通孔の全体を埋める必要は無く、図１７（Ｂ）に示すように、第２の基板１０４の上面と下面の一部、および貫通孔の側壁を連続的に覆うことで第２の基板１０４の上面と下面の間で電気的接続が可能なように形成してもよい。このような構造を採用する場合、貫通孔には充填材１３２を充填してもよい。充填材１３２としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステルなどの高分子が挙げられる。なお、貫通孔の全体を第１の貫通電極１２０で埋めない場合、図１７（Ｃ）に示すように、第１の貫通電極１２０が第１の配線１１０としても機能するよう、配線基板１００を構成してもよい。この場合、第１の配線１１０を別途設ける必要は無く、第１の貫通電極１２０は樹脂膜１３０と接する。換言すると、第１の基板１０２を貫通する貫通孔の側壁の全体、あるいは少なくとも一部を覆うように、第１の配線１１０を貫通孔内に第１の貫通電極１２０として形成してもよい。この場合、第１の配線１１０は充填材１３２と側壁の間に位置し、第１の配線１１０が樹脂膜１３０と接する。柱状構造体１１８は充填材１３２と重なるように設けてもよい。
【０１６２】  図示しないが、第２の配線１１２を形成せず、第２の貫通電極１２４が第２の配線１１２としても機能するよう、配線基板１００を構成してもよい。すなわち、第２の基板１０４を貫通する貫通孔の側壁の全体、あるいは少なくとも一部を覆うように、第２の配線１１２を第２の貫通電極１２４として貫通孔内に形成してもよい。この場合、第２の配線１１２は充填材１３２と側壁の間に位置する。柱状構造体１１８は充填材１３２の一部と重なるように設けてもよい。
【０１６３】  柱状構造体１１８の形状に制約は無く、第１の基板１０２の上面に垂直な断面（以下、垂直断面と記す）の形状は、正方形、長方形、台形でもよい。図１４（Ａ）に示すように柱状構造体１１８の垂直断面が長方形になる場合、柱状構造体１１８の底面積と上面の面積は同一、あるいは実質的に同一となる。これに対し図１８（Ａ）に示す例では、垂直断面は、下底（互いに平行な辺のうち、第２の基板１０４よりも第１の基板１０２により近い辺）が上底よりも長くなるように構成される台形である。この場合、柱状構造体１１８の底面積は上面の面積よりも大きい。これに対し、垂直断面において下底が上底よりも短くなるよう柱状構造体１１８を形成してもよい（図１８（Ｂ））。この場合には、柱状構造体１１８の底面積は上面の面積よりも小さい。
【０１６４】  柱状構造体１１８の垂直断面は、必ずしも正確な多角形である必要は無く、図１９（Ａ）に示すように丸みを帯びた角を有していてもよい。また、柱状構造体１１８の側面は直線のみで構成される必要は無く、曲面を含んでもよい。例えば、柱状構造体１１８は、第１の基板１０２の上面に平行な方向においてテーパー形状を有してもよい。すなわち、柱状構造体１１８の側面の第１の基板１０２の上面に対する傾きは、垂直断面において、第１の基板１０２から離れるにしたがって連続的に増大し、上面に近づくにつれて連続的に減少するよう柱状構造体１１８の形状を調整してもよい。このような形状を採用する場合、垂直断面において柱状構造体１１８の側面は複数の変曲点を含む。なお本明細書と請求項において、柱状構造体１１８の垂直断面の角が丸みを帯びる場合、上面の面積とは、柱状構造体１１８の高さ全体の９５％の位置を通る水平断面１１８ｃの面積を指す（図１９（Ｂ）参照）。ここで、柱状構造体１１８の高さとは、柱状構造体１１８の最も高い位置１１８ａから底面までの距離Ｈであり、底面１１８ｂとは柱状構造体１１８が第１の配線１１０、あるいは第１の基板１０２（第１の基板１０２上に絶縁膜を形成する場合には、絶縁膜）と接する面である。
【０１６５】  上述した変形例においても、第１の配線１１０と第２の配線１１２間の電気的接続は、これらが有する平坦な面、および導電膜１１６が有する平坦な面を介して行われる。このため、信頼性の高い電気的接続を構築することが可能となる。
【０１６６】（第２実施形態）  本実施形態では、配線基板１００の作製方法の一例を説明する。ここでは図１８（Ａ）に示した配線基板１００の作製方法を図２０（Ａ）から図２２（Ｂ）に示した断面模式図を用いて述べる。第１実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【０１６７】  まず、第１の基板１０２に貫通孔を形成する（図２０（Ａ））。第１の基板１０２に用いられる材料としては、ガラスや石英などの酸化ケイ素、シリコン、ヒ化ガリウム、窒化ガリウムなどの半導体、セラミックス、高分子などが挙げられる。高分子としては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートを基本骨格として有する高分子や、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが例示される。あるいは第１の基板１０２は、ガラスと樹脂の複合材料を含んでもよく、この場合、樹脂としてはエポキシ樹脂などを用いることができる。第１の基板１０２は可撓性を有していてもよい。
【０１６８】  貫通孔は、プラズマエッチングやウェットエッチングなどのエッチング、レーザ照射、あるいはサンドブラストや超音波ドリルなどの機械的な加工によって形成すればよい。貫通孔の数や大きさは配線基板１００に要求される機能に従って任意に決定される。
【０１６９】  次に、第１の貫通電極１２０を形成する。第１の貫通電極１２０は種々の方法によって形成することができるが、代表的な方法としてめっき法が挙げられる。この場合、まず、シード層１３４を貫通孔の側壁や第１の基板１０２の上面と下面を覆うように形成する（図２０（Ｂ））。シード層１３４はチタン、あるいは銅を含み、スパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法、無電解めっき、蒸着法などによって形成することができる。特にスパッタリング法を適用することで、効率よくシード層１３４が形成される。図示しないが、シード層１３４の形成の前に、貫通孔の側壁や第１の基板１０２の両面にポリイミドやポリアミドなどの有機化合物、あるいは酸化ケイ素や窒化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁膜を一層、あるいは複数層形成してもよい。
【０１７０】  次に、第１の貫通電極１２０を形成しない領域を保護するためのレジストマスク１３６を第１の基板１０２の上面と下面に形成する（図２０（Ｃ））。レジストマスク１３６は、液体のレジストを塗布、硬化することで形成しても良いが、第１の基板１０２が貫通孔を有しているため、フィルム状のレジストを上面と下面に貼り付け、その後露光と現像を行うことで効率よく形成することができる。その後、シード層１３４に給電して電解めっきを行い、レジストマスク１３６に覆われていないシード層１３４上に金属膜を成膜し、第１の貫通電極１２０が形成される（図２０（Ｄ））。
【０１７１】  その後、レジストマスク１３６を除去し（図２０（Ｄ））、第１の貫通電極１２０から露出したシード層１３４をエッチングによって除去する（図２０（Ｅ））。エッチャントとしては、硫酸などの酸を含むエッチャントを使用することができる。必要に応じ、第１の基板１０２の上面と下面に対して平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、例えば例えばダイヤモンドバイトによる物理的な研磨、あるいは研磨剤が分散した研磨液を用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用して行うことができる。
【０１７２】  図１７（Ａ）から図１７（Ｃ）に示す配線基板１００のように、第１の基板１０２の貫通孔の全体を第１の貫通電極１２０で充填しない場合も同様に、シード層１３４を貫通孔の側壁や第１の基板１０２の上面と下面を覆うように形成し（図２１（Ａ））、その後第１の貫通電極１２０を形成しない領域を保護するためのレジストマスク１３６を第１の基板１０２の上面と下面に形成する（図２１（Ｂ））。引き続きシード層１３４に給電して電解めっきを行い、レジストマスク１３６に覆われていないシード層１３４上に金属膜１３５を成膜し、その後レジストマスク１３６の除去、および金属膜１３５から露出したシード層１３４をエッチングによって除去することで、シード層１３４と金属膜１３５の積層を含む第１の貫通電極１２０が形成される（図２１（Ｃ））。第１の貫通電極１２０は第１の配線１１０として機能することができる。この後、上述した高分子を塗布する、あるいは貼り合わせて貫通孔を充填することで、充填材１３２が貫通孔内に配置される（図２１（Ｄ））。
【０１７３】  図２０（Ｅ）の状態が得られた後、第１の貫通電極１２０と電気的に接続されるように第１の配線１１０と第４の配線１２２をそれぞれ第１の基板１０２の上下に形成する（図２２（Ａ））。第１の配線１１０や第４の配線１２２はＣＶＤ法やスパッタリング法、無電解めっき法、電解めっき法などを用いて形成することができる。第１の配線１１０と第４の配線１２２の形成順序に限定は無い。また、第４の配線１２２は、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせたのちに形成してもよい。
【０１７４】  この後、柱状構造体１１８をフォトリソグラフィーを適用して形成する（図２２（Ｂ））。柱状構造体１１８は、柱状構造体１１８を構成する樹脂や高分子の原料であるオリゴマー、あるいは前駆体であるフォトレジストをスピンコート法やインクジェット法、ディップコーティング法などの湿式成膜法を適用して塗布し、その後フォトマスクを介した露光、現像、加熱処理を行うことで形成することができる。オリゴマーや前駆体がシート状である場合には、これを第１の基板１０２上に設置し、その後、フォトマスクを介した露光、現像、加熱処理を行うことで柱状構造体１１８が形成される。
【０１７５】  柱状構造体１１８を形成した後、導電膜１１６を形成する（図２２（Ｂ））。導電膜１１６もＣＶＤ法やスパッタリング法、めっき法などを適用して形成される。
【０１７６】  第２の基板１０４に対しても貫通孔、貫通孔内に設置される第２の貫通電極１２４、第２の配線１１２、第３の配線１２６が形成される。第２の基板１０４も第１の基板１０２で使用可能な材料を含むことができ、第１の基板１０２と第２の基板１０４に可撓性を付与することで、変形可能な配線基板１００を形成することも可能である。第２の基板１０４の貫通孔や第２の貫通電極１２４、第２の配線１１２、第３の配線１２６は、第１の基板１０２に設けられる貫通孔、第１の貫通電極１２０、第１の配線１１０と同様の方法で形成できるため、これらの形成方法の説明は割愛する。第３の配線１２６も、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせたのちに形成してもよい。
【０１７７】  この後、樹脂膜１３０を導電膜１１６上に塗布、あるいは貼り合わせによって形成し、第１の配線１１０、柱状構造体１１８、導電膜１１６、および第２の配線１１２が第１の基板１０２と第２の基板１０４に挟まれるよう、第２の基板１０４を第１の基板１０２上に配置する。この時、導電膜１１６と第２の配線１１２が確実に接するよう、第２の基板１０４、あるいは第１の基板１０２、もしくは両者に対して圧力を加えてもよい。柱状構造体１１８の上面が平坦でない場合、第２の配線１１２が柱状構造体１１８に押し付けられることで第２の配線１１２の平坦性が柱状構造体１１８と導電膜１１６の上面に反映される。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間には比較的広い面積を有する接触面が形成され、その結果、信頼性の高い電気的接続が構築される。その後樹脂膜１３０を硬化させることで第１の基板１０２と第２の基板１０４が固定される（図１８（Ａ））。なお、樹脂膜１３０を第２の配線１１２に塗布し、その上に第１の基板１０２を配置することで貼り合わせを行ってもよい。
【０１７８】  上述したように、柱状構造体１１８はフォトリソグラフィーを適用して形成することができる。詳細は割愛するが、導電膜１１６も汎用半導体プロセス、すなわちフォトリソグラフィーを利用して形成される。したがって、本実施形態の配線基板１００は、半導体プロセスで汎用される工程によって作製することができ、配線基板１００の形成に比較的高価な異方性導電膜を用いる必要は無い。また、リソグラフィーを適用することで、柱状構造体１１８や導電膜１１６を位置精度よく形成することが可能である。このため、本実施形態を実施することにより、低コストで高い信頼性を有する配線構造とそれを有する配線基板を提供することが可能となる。
【０１７９】（第３実施形態）  本実施形態では、第１、第２実施形態で述べた配線基板１００が適用された半導体装置として表示装置を説明する。第１実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。なお、本明細書と請求項において、表示素子は非自発光型表示素子と自発光型表示素子に分類される。非自発光型表示素子は、液晶素子や電気泳動素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子を有する表示素子などを含む。自発光型表示素子は、有機化合物が発光を担う有機電界発光素子、および無機半導体が発光を担う無機電界発光素子を含む。前者をＯＬＥＤと呼び、後者をＬＥＤと呼ぶ。本明細書と請求項では、ＯＬＥＤとＬＥＤを総じて発光素子と記す。
【０１８０】１．構造  本開示の実施形態の一つである表示装置１５０の模式的上面図と底面図をそれぞれ図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）に示す。これらの図から理解されるように、表示装置１５０は第１の基板１５２、および第１の基板１５２上に設けられる第２の基板１５４を有する。第１の基板１５２と第２の基板１５４はそれぞれ、配線基板１００の第１の基板１０２と第２の基板１０４に対応する。
【０１８１】  第２の基板１５４上にはパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、絶縁膜が積層され、これらによって複数の画素１５６が構成される。複数の画素１５６が設けられる領域が表示領域１５８である。後述するように、各画素１５６にはＬＥＤ２００が設けられる。図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）に示した例では、表示装置１５０は第１の基板１５２下に駆動回路（走査線側駆動回路１６０、信号線側駆動回路１６２）が設けられる。ここでは表示装置１５０に二つの走査線側駆動回路１６０と一つの信号線側駆動回路１６２が設けられる例が示されているが、これらの駆動回路の数や配置に制約はない。また、これらの駆動回路は第１の基板１５２の一つの面（下面）上に直接形成されてもよく、半導体基板などの異なる基板上に形成された集積回路を駆動回路として第１の基板１５２下に搭載してもよい。
【０１８２】  図２４（Ａ）と図２４（Ｂ）に表示装置１５０の端部の模式的上面図と底面図をそれぞれ示す。一つの画素１５６の一部と表示装置１５０の端部付近の断面模式図を図２５に示す。各画素１５６は種々の配線と接続されており、図２４（Ａ）にはそのうちの一つの配線１７０とそれに接続される画素１５６が図示されている。図２４（Ａ）に示した例では、配線１７０が延伸する方向において複数の画素１５６が配線１７０と接続される。配線１７０は、各画素１５６に設けられるトランジスタ１８０やＬＥＤ２００（図２５参照）などの半導体素子と電気的に接続され、種々の信号（ゲート信号、リセット信号など）が配線１７０を介して各画素１５６に供給される。
【０１８３】  配線１７０は第２の基板１５４付近で第３の配線１２６に接続される。第２の基板１５４には、貫通孔１７２とそこに配置される第２の貫通電極１２４、および第２の基板１５４の下面に設けられる第２の配線１１２が設けられる。これらの第３の配線１２６、第２の貫通電極１２４、および第２の配線１１２はそれぞれ、配線基板１００の第３の配線１２６、第２の貫通電極１２４、および第２の配線１１２に対応する。
【０１８４】  第１の基板１５２にも貫通孔１７４が設けられ、貫通孔１７４には第１の貫通電極１２０が形成される（図２５参照）。表示装置１５０はさらに、第１の基板１５２上に配置され、第１の貫通電極１２０と電気的に接続される第１の配線１１０、第１の基板１５２上の柱状構造体１１８、および柱状構造体１１８上に形成される導電膜１１６を有する。これらの第１の配線１１０、柱状構造体１１８、および導電膜１１６もそれぞれ、配線基板１００の第１の配線１１０、柱状構造体１１８、および導電膜１１６に対応する。
【０１８５】  第４の配線１２２は第１の基板１５２の下に配置され、走査線側駆動回路１６０と電気的に接続される。したがって走査線側駆動回路１６０は、第４の配線１２２、第１の貫通電極１２０、第１の配線１１０、導電膜１１６、第２の配線１１２、第２の貫通電極１２４、第３の配線１２６、および配線１７０を介し、画素１５６と電気的に接続される。換言すると、表示装置１５０は、その基板端部に配線基板１００を有し、これによって走査線側駆動回路１６０から供給される各種信号が画素１５６に与えられる。
【０１８６】  図２５に示すように、各画素１５６にはＬＥＤ２００とそれに接続されるトランジスタ１８０が設けられる。ただし、画素１５６の構造はこれに限定されない。例えば複数のトランジスタや容量素子が各画素１５６に設けられていてもよい。
【０１８７】  トランジスタ１８０は、例えばゲート電極１８２、ゲート電極１８２上のゲート絶縁膜１８４、ゲート絶縁膜１８４を介してゲート電極１８２と重なる半導体膜１８６、および半導体膜１８６と電気的に接続されるソース／ドレイン電極１８８、１９０などを含む。ＬＥＤ２００は、例えば接続パッド２０２、２０３、接続パッド２０２と電気的に接続される第１の電極２０６、第１の電極２０６の上に位置する積層された半導体膜２０８、半導体膜２０８上の第２の電極２１０、および第２の電極２１０と接続パッド２０３を電気的に接続する引回し配線２０４などを含む。ソース／ドレイン電極１８８、接続パッド２０２、および第１の電極２０６を介してホールが半導体膜２０８に注入され、一方、接続パッド２０３、引回し配線２０４、および第２の電極２１０を介して電子が半導体膜２０８に注入される。注入されたホールと電子は半導体膜２０８内の活性層で再結合し、発光に至る。表示装置１５０にはさらに、封止膜２１２を介して対向基板２１４が設けられ、これらによってトランジスタ１８０やＬＥＤ２００が保護される。
【０１８８】  詳細な説明は割愛するが、走査線側駆動回路１６０と同様、信号線側駆動回路１６２と画素１５６間の接続においても配線基板１００を適用することができ、これにより、映像信号や初期化信号などの各種信号、ならびにＬＥＤ２００の発光に用いられる電力が配線基板１００を介して各画素１５６へ供給される。
【０１８９】２．変形例  表示装置１５０の構造は、上述した構造に限られない。例えば図２６に示すように、各画素１５６中に設けられるトランジスタの全て、あるいは一部は第２の基板１５４の下面に、第１の基板１５２と第２の基板１５４に挟まれるように設けてもよい。例えばＬＥＤ２００と接続されるトランジスタ１８０を第２の基板１５４の下に設けることができる。より具体的には、第２の基板１５４の下に位置し、かつ、第１の基板１５２と比較して第２の基板１５４により近く位置するよう、トランジスタ１８０を設けてもよい。この場合、樹脂膜１３０上にトランジスタ１８０が位置し、第２の貫通電極１２４、および第２の貫通電極１２４の下に設けられ、第２の貫通電極１２４と電気的に接続されるランド１２８によってトランジスタ１８０とＬＥＤ２００が電気的に接続される。画素１５６と接続される配線１７０は第２の基板１５４の下に設けられ、配線基板１００の第２の配線１１２として機能する。
【０１９０】  あるいは図２７に示すように、トランジスタ１８０は、第２の基板１５４と比較して第１の基板１５２により近く位置するように第１の基板１５２の上に配置してもよい。この場合、樹脂膜１３０はトランジスタ１８０の上に位置し、その上に第２の基板１５４が設けられる。この時、トランジスタ１８０とＬＥＤ２００との電気的接続のために配線基板１００の構造を適用することができる。すなわち、柱状構造体１１８を第１の基板１５２上に形成し、その上に配線基板１００の導電膜としてソース／ドレイン電極１８８を設けることができる。第２の基板１５４の下には第２の配線１１２が設けられ、トランジスタ１８０はソース／ドレイン電極１８８として機能する導電膜１１６、第２の配線１１２、第２の貫通電極１２４を介してＬＥＤ２００と電気的に接続される。この時、半導体膜１８６、あるいはもう一方のソース／ドレイン電極１９０が配線基板１００の第１の配線１１０と見做すことができる。トランジスタ１８０はさらに、第１の基板１５２上に設けられる配線１７０と接続され、配線１７０は第１の基板１５２に形成される第１の貫通電極１２０を介して走査線側駆動回路１６０と接続される。なお、図２７に示した例では、ソース／ドレイン電極１８８が導電膜１１６を兼ねる構成が示されているが、ソース／ドレイン電極１８８上にソース／ドレイン電極１８８に接する導電膜１１６を柱状構造体１１８を覆うように設けてもよい。この場合には、ソース／ドレイン電極１８８を配線基板１００の第１の配線１１０と見做すことができる。
【０１９１】  あるいは図２８に示すように、トランジスタ１８０を第１の基板１５２の下に形成してもよい。この場合、図２５に示した表示装置１５０と同様、第１の基板１５２と第２の基板１５４に設けられる配線間の電気的接続に配線基板１００の構造が利用される。すなわち、第１の基板１５２の貫通孔に第１の貫通電極１２０として設けられる第１の配線１１０、第１の配線１１０上の柱状構造体１１８、柱状構造体１１８上の導電膜１１６、および導電膜１１６の上に位置し、導電膜１１６と電気的に接続される第２の配線１１２が配線基板１００に相当し、この構造を介してＬＥＤ２００がトランジスタ１８０と電気的に接続される。トランジスタ１８０を第１の基板１５２の下に設ける場合、表示装置１５０は、トランジスタ１８０を保護する保護膜１３１を任意の構成としてさらに有してもよい。保護膜１３１は、少なくともトランジスタ１８０を覆うように設ければよい。
【０１９２】  上述した表示装置１５０はいわゆるマイクロＬＥＤ表示装置であるが、表示装置１５０に適用可能な表示素子もＬＥＤに限られることはなく、例えば図２９に示すようにＯＬＥＤ２２０を適用することができる。図２９に示した例では、トランジスタ１８０上に平坦化膜２１６が設けられ、その上にＯＬＥＤ２２０が配置される。ＯＬＥＤ２２０は第１の電極２２２、第１の電極２２２上の第２の電極２２６、および第１の電極２２２と第２の電極２２６の間に設けられる電界発光層（以下、ＥＬ層と記す）２２４によって構成される。第１の電極２２２と第２の電極２２６の少なくとも一方は可視光を透過可能なように構成される。第１の電極２２２は、平坦化膜２１６中に設けられる開口を介してソース／ドレイン電極１９０と接続され、開口に起因する凹凸は隔壁２１８によって覆われる。ＥＬ層２２４の構造に制約は無く、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロッキング層などの種々の機能層を適宜組み合わせて形成される。
【０１９３】  同様に、表示素子として液晶素子を利用することも可能である。例えば図３０に示すように、液晶素子２３０を平坦化膜２１６上に形成することができる。液晶素子は第１の電極２３２、第１の電極２３２を覆う第１の配向膜２３４、第１の配向膜２３４上の液晶層２３６、液晶層２３６上の第２の配向膜２３８、第２の配向膜２３８上の第２の電極２４０を基本的な構成として有する。任意の構成として、液晶素子２３０と対向基板２１４の間にカラーフィルタ２４４や遮光膜２４６、およびこれらを覆うオーバーコート２４２を設けてもよい。ここに示した例では、液晶素子２３０はいわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶素子、あるいはＶＡ（Ｖｉｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶素子であるが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶素子を表示装置１５０に適用することも可能である。
【０１９４】  上述したように、表示装置１５０は配線基板１００を含む。また、第１実施形態で述べたように、配線基板１００を適用することで、第１の基板１５２と第２の基板１０４に設けられる配線間において信頼性の高い電気的接続が構築されるため、表示装置１５０の信頼性を向上させることができる。また、配線基板１００では異方性導電膜を使用する必要が無いため、本実施形態を適用することにより、低コストで高信頼性の表示装置を提供することが可能となる。
【０１９５】（第４実施形態）  本実施形態では、表示装置１５０とは異なる構造を有する表示装置２５０に関して説明する。本実施形態では、表示素子としてＯＬＥＤ２２０が各画素１５６に設けられる例を用いて説明を行うが、適用可能な表示素子はＯＬＥＤ２２０に限られず、種々の自発光型表示素子、非自発光型表示素子を適用することができる。第１から第３実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【０１９６】  表示装置２５０の上面模式図を図３１に、画素１５６と表示装置２５０の端部付近の断面模式図を図３２に示す。表示装置２５０と表示装置１５０の相違点として、表示装置２５０では第１の基板１５２上に表示素子が設けられる点、および表示装置１５０の第２の基板１５４に相当する基板がフレキシブル印刷回路基板（以下、ＦＰＣ）２５４である点などが挙げられる。
【０１９７】  具体的には、表示装置２５０は第１の基板１５２を有し、第１の基板１５２上に複数の画素１５６や画素１５６を駆動するための走査線側駆動回路１６０が形成される。走査線側駆動回路１６０は表示領域１５８外に配置される。表示領域１５８や走査線側駆動回路１６０からはパターニングされた導電膜で形成される配線２５６（図３１では図示しない）が第１の基板１５２の一辺へ延び、配線２５６は第１の基板１５２の端部付近で露出されて端子２５２を形成する。端子２５２では、配線２５６上に少なくとも１つの柱状構造体１１８が形成され、さらに柱状構造体１１８の側面と上面の少なくとも一部を覆う導電膜１１６が設けられる。端子２５２を覆うようにＦＰＣ２５４が設けられる。図３１に示した例では信号線側駆動回路１６２はＦＰＣ２５４上に搭載されているが、信号線側駆動回路１６２は第１の基板１５２上に直接形成してもよい。
【０１９８】  ＦＰＣ２５４にはＦＰＣ配線２５８が形成されており、ＦＰＣ配線２５８が導電膜１１６と電気的に接続される。これにより、外部回路（図示しない）から供給される映像信号や電源がＦＰＣ配線２５８、導電膜１１６、配線２５６を介して表示領域１５８、走査線側駆動回路１６０、信号線側駆動回路１６２へ与えられる。各画素１５６はこれらの信号や電源に基づいて制御され、これにより表示領域１５８上に映像を表示することができる。
【０１９９】  表示装置２５０では、第１の基板１５２とＦＰＣ２５４が配線基板１００の第１の基板１０２と第２の基板にそれぞれに対応し、配線２５６とＦＰＣ配線２５８がそれぞれ、配線基板１００の第１の配線１１０と第２の配線１１２に対応する。また、柱状構造体１１８と導電膜１１６はそれぞれ、配線基板１００の柱状構造体１１８と導電膜１１６に対応する。換言すると、表示装置２５０では、端子２５２が設けられる領域に配線基板１００が形成され、この配線基板１００を利用して第１の基板１５２とＦＰＣ２５４との電気的接続が行われる。
【０２００】  通常、表示装置とＦＰＣとの接続には異方性導電膜が用いられるが、第１実施形態で述べたように、異方性導電膜は比較的高価であり、かつ、電気的接続の信頼性は必ずしも高くない。これに対し、本実施形態の表示装置２５０とＦＰＣ２５４の接続には第１実施形態で述べた配線基板１００が適用される。したがって、これらの間の電気的接続の信頼性は高く、かつ、コストの増大を引き起こさない。このため、本実施形態を適用することにより、信頼性の高い表示装置を低コストで製造することが可能となる。
【０２０１】  なお、本開示における配線基板とその作製方法に関する態様は、以下の開示を含むものである。１．第１の基板、前記第１の基板上の第１の配線、前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、前記柱状構造体と前記第１の配線の上に位置し、前記柱状構造体と前記第１の配線と接する導電膜、前記導電膜の上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、および前記第２の配線上の第２の基板を有する配線基板。２．前記柱状構造体は前記第１の配線と重なる、上記１．に記載の配線基板。３．前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、上記１．または２．に記載の配線基板。４．前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、上記１．に記載の配線基板。５．前記柱状構造体を複数有する、上記１．に記載の配線基板。６．前記複数の柱状構造体のうち少なくとも一つは前記導電膜から離れて配置される、上記５．に記載の配線基板。７．前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、前記第１の配線は前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、上記１．に記載の配線基板。８．前記貫通孔内に充填材をさらに有し、前記第１の配線の一部は前記充填材と前記側壁の間に位置する、上記７．に記載の配線基板。９．前記柱状構造体が前記充填材と重なる、上記８．に記載の配線基板。１０．前記第１の基板を貫通し、前記第１の配線と電気的に接続される第１の貫通電極をさらに有する、上記１．に記載の配線基板。
【０２０２】１１．前記第２の基板を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続される第２の貫通電極をさらに有する、上記１．に記載の配線基板。１２．前記柱状構造体の底面積は前記柱状構造体の上面の面積よりも大きい、上記１．に記載の配線基板。１３．前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有する、上記１．に記載の配線基板。１４．前記第２の基板上に、液晶素子と発光素子から選択される表示素子をさらに有する、上記１．に記載の配線基板。１５．前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、上記１４．に記載の配線基板。１６．前記トランジスタは前記第２の基板上に配置される、上記１５．に記載の配線基板。１７．前記トランジスタは前記第２の基板の下に設けられ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置する、上記１５.に記載の配線基板。１８．前記トランジスタは前記第１の基板の上に設けられ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置する、上記１５．に記載の配線基板。１９．前記トランジスタは前記第１の基板の下に位置する、上記１５．に記載の配線基板。２０．第１の基板上に第１の配線を形成し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を前記第１の基板上に形成し、前記柱状構造体上に導電膜を形成し、第２の基板上に第２の配線を形成し、前記導電膜と前記第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む、配線基板を作製する方法。
【０２０３】２１．前記柱状構造体は前記第１の配線を覆うように形成される、上記２０．に記載の方法。２２．前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆うように形成される、上記２０．に記載の方法。２３．前記第１の基板と前記第２の基板は樹脂膜を用いて貼り合わされる、上記２０．に記載の方法。２４．前記柱状構造体は複数形成される、上記２０．に記載の方法。２５．前記導電膜は、少なくとも１つの柱状構造体と離れて配置されるように形成される、上記２４．に記載の方法。２６．前記第１の配線を形成する前に、前記第１の基板を貫通する貫通孔を前記第１の基板に形成することをさらに含み、前記第１の配線は、前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆うように形成される、上記２０．に記載の方法。２７．前記第１の配線の形成後、前記柱状構造体を形成する前に、前記貫通孔内に充填材を形成することをさらに含む、上記２６．に記載の方法。２８．前記柱状構造体は、前記充填材と重なるように形成される、上記２７．に記載の方法。２９．前記第１の基板を貫通する第１の貫通電極を前記第１の配線を形成する前に形成することを含み、前記第１の配線は、前記第１の貫通電極と電気的に接続されるように形成される、上記２０．に記載の方法。３０．前記第２の基板を貫通する第２の貫通電極を前記第２の配線を形成する前に形成することを含み、前記第２の配線は、前記第２の貫通電極と電気的に接続されるように形成される、上記２０．に記載の方法。
【０２０４】３１．前記柱状構造体は、底面積が上面の面積よりも大きくなるように形成される、上記２０．に記載の方法。３２．前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有するように形成される、上記２０．に記載の方法。３３．液晶素子と発光素子から選択される表示素子を前記第２の基板上に形成することをさらに含む、上記２０．に記載の方法。３４．前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタを形成することをさらに含む、上記３３．に記載の方法。３５．前記トランジスタは前記第２の基板上に形成される、上記３４．に記載の方法。３６．前記トランジスタは、前記第２の基板の下に設けられ、かつ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置するように形成される、上記３４．に記載の方法。３７．前記トランジスタは、前記第１の基板の下に設けられ、かつ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置するように形成される、上記３４．に記載の方法。３８．前記トランジスタは、前記第１の基板の下に位置するように形成される、上記３４．に記載の方法。３９．第１の基板、前記第１の基板上の第１の配線、前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、前記柱状構造体上の導電膜、前記導電膜上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、前記第２の配線上の第２の基板、前記第２の基板上に位置し、前記第２の配線と電気的に接続される第３の配線、および前記第２の基板上の表示素子を有し、前記第３の配線は、表示素子へ信号を伝達するように構成される表示装置。４０．前記柱状構造体は前記第１の配線と重なる、上記３９．に記載の表示装置。
【０２０５】４１．前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、上記３９、または４０．に記載の表示装置。４２．前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、上記３９．に記載の表示装置。４３．前記柱状構造体を複数有する、上記３９．に記載の表示装置。４４．前記複数の柱状構造体のうち少なくとも一つは前記導電膜から離れて配置される、上記４３．に記載の表示装置。４５．前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、前記第１の配線は、前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、上記３９．に記載の表示装置。４６．前記貫通孔内に充填材をさらに有し、前記第１の配線の一部は前記充填材と前記側壁の間に位置する、上記４５．に記載の表示装置。４７．前記柱状構造体が前記充填材と重なる、上記４６．に記載の表示装置。４８．前記第１の基板を貫通し、前記第１の配線と電気的に接続される第１の貫通電極をさらに有する、上記３９．に記載の表示装置。４９．前記第２の基板を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続される第２の貫通電極をさらに有する、上記３９．に記載の表示装置。５０．前記柱状構造体の底面積は前記柱状構造体の上面の面積よりも大きい、上記３９．に記載の表示装置。
【０２０６】５１．前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有する、上記３９．に記載の表示装置。５２．前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、上記３９．に記載の表示装置。５３．前記トランジスタは前記第２の基板上に配置される、上記５２．に記載の表示装置。５４．前記トランジスタは前記第２の基板の下に設けられ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置する、上記５２．に記載の表示装置。５５．前記トランジスタは前記第１の基板の上に設けられ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置する、上記５２．に記載の表示装置。５６．前記トランジスタは前記第１の基板の下に設けられる、上記５２．に記載の表示装置。 
【０２０７】  本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。
【０２０８】  また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。 
【符号の説明】
【０２０９】    １：表示装置用配線基板、１０：第１部材、１１：第１基材、１１ｈ：貫通孔、１２：発光機能を有する半導体素子、１２Ｒ：赤色半導体素子、１２Ｇ：緑色半導体素子、１２Ｂ：青色半導体素子、１３：第１配線、１４：第２配線、１５：第３配線、２０：第２部材、２１：第２基材、２２：駆動素子、２３：第４配線、３１、３５：接続部材、３２：樹脂膜、１０１：表示装置、１００：配線基板、１０２：第１の基板、１０４：第２の基板、１１０：第１の配線、１１２：第２の配線、１１６：導電膜、１１８：柱状構造体、１１８−１：柱状構造体、１１８−２：柱状構造体、１２０：第１の貫通電極、１２２：第４の配線、１２４：第２の貫通電極、１２６：第３の配線、１２８：ランド、１３０：樹脂膜、１３１：保護膜、１３２：充填材、１３４：シード層、１３５：金属膜、１３６：レジストマスク、１５０：表示装置、１５２：第１の基板、１５４：第２の基板、１５６：画素、１５８：表示領域、１６０：走査線側駆動回路、１６２：信号線側駆動回路、１７０：配線、１７２：貫通孔、１７４：貫通孔、１８０：トランジスタ、１８２：ゲート電極、１８４：ゲート絶縁膜、１８６：半導体膜、１８８：ソース／ドレイン電極、１９０：ソース／ドレイン電極、２００：ＬＥＤ、２０２：接続パッド、２０３：接続パッド、２０４：引回し配線、２０６：第１の電極、２０８：半導体膜、２１０：第２の電極、２１２：封止膜、２１４：対向基板、２１６：平坦化膜、２１８：隔壁、２２０：ＯＬＥＤ、２２２：第１の電極、２２４：ＥＬ層、２２６：第２の電極、２３０：液晶素子、２３２：第１の電極、２３４：第１の配向膜、２３６：液晶層、２３８：第２の配向膜、２４０：第２の電極、２４２：オーバーコート、２４４：カラーフィルタ、２４６：遮光膜、２５０：表示装置、２５２：端子、２５４：ＦＰＣ、２５６：配線、２５８：ＦＰＣ配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【国際調査報告】
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