(57)【要約】素子・実装用基板組立体は素子組立体及び実装用基板を備えており、素子組立体は、素子２０、素子２０を被覆したモールド部３０、モールド部３０の下方に設けられ、素子２０と電気的に接続された接合部４１、及び、接合部４１の上又は上方に形成され、モールド部３０の上方からモールド部３０を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層５０を備えており、実装用基板６０は、基板６１、及び、基板６１上に形成された接続部６２を少なくとも備えており、接合部４１は接続部６２に接合されている。
2019188063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えている素子組立体。
【請求項２】
接合部の正射影像は、熱変換層の正射影像に含まれる請求項１に記載の素子組立体。
【請求項３】
熱変換層は、チタン、クロム、ニッケルから選択された少なくとも１種類の材料から成る請求項１に記載の素子組立体。
【請求項４】
熱変換層は、素子と接合部とを電気的に接続する配線を兼ねている請求項１に記載の素子組立体。
【請求項５】
熱変換層は、素子よりも下のレベルに配置されている請求項１に記載の素子組立体。
【請求項６】
モールド部は、波長１．０×１０-6ｍ以下の光に対して透明である請求項１に記載の素子組立体。
【請求項７】
光の波長は８×１０-7ｍ乃至１．０×１０-6ｍである請求項６に記載の素子組立体。
【請求項８】
モールド部は、感光性を有するポリイミド系樹脂から成る請求項１に記載の素子組立体。
【請求項９】
接合部の一部は、ハンダ又は導電性接着剤から成る請求項１に記載の素子組立体。
【請求項１０】
熱変換層の熱抵抗値Ｒth-1は、接合部の熱抵抗値Ｒth-2よりも高い請求項１に記載の素子組立体。
【請求項１１】
素子は、受光素子、発光素子、光反射素子、又は、光変調素子から成る請求項１に記載の素子組立体。
【請求項１２】
素子組立体及び実装用基板を備えた素子・実装用基板組立体であって、
素子組立体は、
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えており、
実装用基板は、
基板、及び、
基板上に形成された接続部、
を少なくとも備えており、
接合部は接続部に接合されている素子・実装用基板組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、素子組立体及び素子・実装用基板組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子や受光素子等、各種の素子を、屡々、ハンダ・ボールやハンダ・バンプ、導電性接着剤を用いて実装用基板に実装する（例えば、特開２００２−１９０６６１号公報参照）。ところで、素子を実装した後、通常、素子の検査を行う。そして、不良素子が発見された場合、ハンダ等を加熱することで実装用基板から不良素子を取り外し、新たな素子を再び実装用基板に実装する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９０６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許公開公報に開示された技術にあっては、不良素子をホットエア、赤外線等のスポット加熱（リペアを必要とする部分のみの加熱）によって加熱し、実装用基板から不良素子を取り外す。しかしながら、上記の特許公開公報には、スポット加熱の具体的な方法に関して言及が無いし、特に微細な不良素子を実装用基板から確実に取り外す具体的な手段に関して、何等、開示されていない。【０００５】
従って、本開示の目的は、実装用基板に実装された素子をリペアのために実装用基板から確実に取り外すことができる構成、構造を有する素子組立体、及び、係る素子組立体を備えた素子・実装用基板組立体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の素子組立体は、
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えている。【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の素子・実装用基板組立体は、素子組立体及び実装用基板を備えた素子・実装用基板組立体であって、
素子組立体は、
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えており、
実装用基板は、
基板、及び、
基板上に形成された接続部、
を少なくとも備えており、
接合部は接続部に接合されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施例１の素子・実装用基板組立体を分解した模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、実施例１の素子・実装用基板組立体の構成要素の一部の配置を模式的に示す図である。
【図３】図３は、実施例２の素子・実装用基板組立体を分解した模式的な一部断面図である。
【図４】図４は、実施例１の素子・実装用基板組立体の変形例を分解した模式的な一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の素子組立体及び素子・実装用基板組立体、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の素子組立体及び素子・実装用基板組立体）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．その他
【００１０】
〈本開示の素子組立体及び素子・実装用基板組立体、全般に関する説明〉
本開示の素子組立体、あるいは又、本開示の素子・実装用基板組立体を構成する素子組立体（以下、これらの素子組立体を、総称して、『本開示の素子組立体等』と呼ぶ場合がある）において、接合部の正射影像は、熱変換層の正射影像に含まれる形態とすることができる。熱変換層の正射影像の面積をＳ1、接合部の正射影像の面積をＳ2としたとき、Ｓ1＞Ｓ2を満足することが好ましい。
【００１１】
但し、これに限定するものはなく、熱変換層の発熱によって生成した熱が接合部に出来るだけ均一に伝達されるように、熱変換層の正射影像の面積Ｓ1、熱変換層の厚さ、熱変換層の平面形状、接合部の正射影像の面積Ｓ2、接合部の厚さ（高さ）、接合部の平面形状等を、各種試験やシミュレーションに基づき決定すればよい。また、素子を実装用基板から取り外すとき、モールド部の上方からモールド部を介して熱変換層に光を照射すると熱変換層において熱が生成し、その結果、接続部に接合された接合部が溶融するが、溶融した接合部を吸引して除去する必要がある。この接合部の吸引・除去を行うとき空気を流すが、この空気の流れが、熱変換層の発熱によって生成した熱の接合部への伝達を阻害しないように、熱変換層の正射影像の面積Ｓ1、熱変換層の厚さ、熱変換層の平面形状、接合部の正射影像の面積Ｓ2、接合部の厚さ（高さ）、接合部の平面形状等を、各種試験やシミュレーションに基づき決定すればよい。
【００１２】
上記の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、熱変換層は、チタン、クロム、ニッケルから選択された少なくとも１種類の材料から成る形態とすることができる。
【００１３】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、熱変換層は、素子と接合部とを電気的に接続する配線を兼ねている形態とすることができる。素子と接合部とを電気的に接続するために、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金、銅、銅合金等の導電材料から成る配線を設けてもよい。
【００１４】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、熱変換層は、素子よりも下のレベルに配置されていることが好ましい。即ち、垂直方向に眺めたとき、下から（即ち、実装用基板側から）、接合部、熱変換層、並びに、素子及びモールド部が配置されている。
【００１５】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、モールド部は、波長１．０×１０-6ｍ以下の光に対して透明であることが好ましく、この場合、光の波長は８×１０-7ｍ乃至１．０×１０-6ｍであることが一層好ましい。尚、このような光源として、レーザ光源を挙げることができる。
【００１６】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、モールド部は、感光性を有するポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂から成る形態とすることができる。
【００１７】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、接合部は、ハンダ（具体的には、ハンダ・ボールあるいはハンダ・バンプ）又は導電性接着剤から成る形態とすることができる。
【００１８】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、熱変換層の熱抵抗値Ｒth-1は、接合部の熱抵抗値Ｒth-2よりも高いことが好ましい。
【００１９】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の素子組立体等において、素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ素子、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子といった発光素子、受光素子、光反射素子、又は、光変調素子から成る形態とすることができるし、ＭＥＭＳ、温度センサー、湿度センサー、圧力センサー等を例示することもできる。あるいは又、素子は、能動素子、能動部品、受動素子、受動部品から構成されている形態とすることもできる。例えば光センサや赤外線センサ、撮像素子（イメージセンサ）を構成する受光素子は、周知の構成、構造のフォトダイオードから成る構成とすることができる。
【００２０】
本開示の素子組立体等は、１つの素子を備えていてもよいし、複数の素子を備えていてもよい。後者の場合、複数の素子、全体を１つのモールド部が被覆するし、後者の場合、それぞれの素子に対して最適な形状や面積等を有する熱変換層を設けることが好ましい。本開示の素子組立体等が備える素子の数や素子の構造に依存して、接合部の数が決定される。
【００２１】
素子と配線とを接続するために、パッド部を設けておくことが好ましい。パッド部、熱変換層、配線及び接合部は、中継基板（インターポーザー）に形成されている形態とすることができる。パッド部は、例えば、銅メッキ法や各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）に基づき形成された導電層から構成することができる。中継基板（インターポーザー）としてガラス基板や石英基板、シリコン基板、リジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板を挙げることができる。即ち、中継基板の第１面に接合部を形成し、第１面と対向する第２面の側に熱変換層、パッド部を形成し、パッド部と接合部を配線によって電気的に接続すればよい。配線は、中継基板の第１面に形成してもよいし、第１面と対向する第２面の側に形成してもよい。
【００２２】
中継基板の第２面の側に熱変換層、パッド部等を形成するためには、中継基板の第２面の側に絶縁層を形成すればよい。絶縁層を構成する材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、窒化シリコン（ＳｉＮY）、酸窒化シリコン（ＳｉＯXＮY）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化バナジウム（ＶＯx）、窒化タンタル（ＴａＮ）を例示することができる。絶縁層の形成は、使用する材料に依存して、各種ＰＶＤ法、各種ＣＶＤ法にて行うことができる。また、パターニングは、リソグラフィ技術及びエッチング技術の組合せに基づき行うことができる。後述する絶縁材料層も、絶縁層と同様の材料を用いて、同様の方法で形成することができる。また、絶縁層を構成する材料として、その他、誘電体多層膜（例えば、ＳｉＯ2等の低屈折率薄膜とＴｉＯ2やＴａ2Ｏ5等の高屈折率薄膜とを交互に積層した構造を有する誘電体多層膜）、又は、ＳｉＯ2層／Ｓｉ層の積層構造（ＳｉＯ2層が下層であり、Ｓｉ層が上層）を挙げることができる。
【００２３】
実装用基板として、銅箔あるいは銅メッキ層から成る接続部が表面に形成されたガラス基板や石英基板、シリコン基板、ポリイミド基板、アクリル基板を挙げることができるし、銅箔あるいは銅メッキ層から成る接続部が表面に形成されたリジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板を挙げることができるし、片面基板、両面基板、多層基板、ビルドアップ基板を含む。リジッドプリント基板を構成する基材の構成は、本質的には任意であり、例えば、紙／フェノール樹脂、紙／エポキシ樹脂、ガラス布／エポキシ樹脂、ガラス不織布／エポキシ樹脂、ガラス布／ガラス不織布／エポキシ樹脂、合成繊維／エポキシ樹脂、ガラス布／ポリイミド樹脂、ガラス布／変性ポリイミド樹脂、ガラス布／エポキシ変性ポリイミド樹脂、ガラス布／ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂、ガラス布／フッ素系樹脂、ガラス布／ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）樹脂、ガラス布／ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂の組合せを例示することができる。
【００２４】
実装用基板の接続部が形成された面は、絶縁材料膜で覆われていることが好ましい。絶縁材料膜を構成する材料として、有機材料（具体的には、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン樹脂等）あるいは無機材料（具体的には、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等）を例示することができる。絶縁材料膜は、保護膜として機能し、また、平坦化膜としても機能する。
【実施例１】
【００２５】
実施例１は、本開示の素子組立体及び素子・実装用基板組立体に関する。実施例１の本開示の素子・実装用基板を分解した模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の素子・実装用基板組立体の構成要素の一部の配置を模式的に図２に示す。【００２６】
実施例１の素子組立体は、
素子（機能素子）２０、
素子２０を被覆したモールド部３０、
モールド部３０の下方に設けられ、素子２０と電気的に接続された接合部４１、及び、
接合部４１の上又は上方に形成され、モールド部３０の上方からモールド部３０を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層５０、
を備えている。【００２７】
また、実施例１の素子・実装用基板組立体は、素子組立体（具体的には、実施例１の素子組立体）及び実装用基板６０を備えており、実装用基板６０は、基板６１、及び、基板６１上に形成された接続部６２を少なくとも備えている。そして、接合部４１は接続部６２に接合されている。【００２８】
尚、図示した例では、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）のそれぞれの上方に形成されている。また、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、素子２０よりも下のレベルに配置されている。即ち、垂直方向に眺めたとき、下から（即ち、実装用基板側から）、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）、並びに、素子２０及びモールド部３０が配置されている。実施例１において、素子２０は、発光素子、具体的には、例えばＬＥＤから成る。【００２９】
そして、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）の正射影像は、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）の正射影像に含まれている。即ち、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）の正射影像の面積をＳ1、接合部の正射影像４１（４１Ａ，４１Ｂ）の面積をＳ2としたとき、Ｓ1＞Ｓ2を満足する。【００３０】
また、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、厚さ０．１μｍのチタン（Ｔｉ）から成る。モールド部３０は、波長１．０×１０-6ｍ以下の光に対して透明である。ここで、光の波長は８×１０-7ｍ乃至１．０×１０-6ｍであることが好ましい。光源として、具体的には、例えば、波長８００ｎｍの近赤外線を出射するレーザ光源を挙げることができる。Ｔｉの波長８００ｎｍの光の吸収率は４６％である。モールド部３０は、感光性を有するポリイミド系樹脂から成る。接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）は、ハンダ（具体的には、ハンダ・バンプ）から成り、配線４２によって構成された接続部６２（６２Ａ，６２Ｂ）に接合されている。【００３１】
そして、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）の熱抵抗値Ｒth-1は、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）を構成するハンダ、具体的には、ハンダ・バンプ）の熱抵抗値Ｒth-2よりも高いことが好ましい。【００３２】
素子２０と配線４２とを接続するために、パッド部４４Ａ，４４Ｂが設けられている。素子２０においては、第１接続端子７１が第１パッド部４４Ａに接続され、第２接続端子７２が第２パッド部４４Ｂに接続されている。パッド部４４Ａ，４４Ｂ、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）、配線４２及び接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）は、中継基板（インターポーザー）４０に形成されている。絶縁層４７の上に、パッド部４４Ａ，４４Ｂが形成されている。パッド部４４Ａ，４４Ｂは、例えば、銅メッキ法に基づき形成された導電層から構成されている。中継基板４０の第１面４０Ａ（光出射側とは反対側の面）に接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）及び配線４２が形成されており、第１面４０Ａと対向する第２面４０Ｂ（光出射側と同じ側の面）の側に熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）及びパッド部４４Ａ，４４Ｂが形成されている。パッド部４４Ａ，４４Ｂと接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）とは、コンタクトホール４３及び配線４２によって電気的に接続されている。中継基板４０の第１面４０Ａの上には、開口部４６を有する絶縁材料層４５が形成されており、開口部４６の底部に露出した配線４２から開口部４６及び絶縁材料層４５の一部の上に亙り、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）が形成されている。また、中継基板４０の第２面４０Ｂの上には、例えば、ＴＥＯＳから成る絶縁層４７が形成されており、絶縁層４７の層間に熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）が形成されている。【００３３】
実装用基板６０として、銅箔あるいは銅メッキ層から成る接続部６２（第１接続部６２Ａ及び第２接続部６２Ｂ）が表面に形成されたガラス基板６１を挙げることができる。第１接続部６２Ａは第１の配線に接続されており、第２接続部６２Ｂは第２の配線に接続されている。複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。第１の配線及び第２の配線の図示は省略した。実装用基板６０の形成方法は、周知の方法とすることができる。【００３４】
リペアのために素子２０を実装用基板６０から取り外すとき、モールド部３０の上方からモールド部３０を介して熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）に光を照射すると熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）において熱が生成し、その結果、接続部６２Ａ，６２Ｂに接合された接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）が溶融する。溶融した接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）を吸引して除去する。このとき、模式的に図２に示すように、空気の流れが生じるが、この空気の流れが、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）の発熱によって生成した熱の接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）への伝達を阻害しないように、熱変換層の正射影像の面積Ｓ1、熱変換層の厚さ、熱変換層の平面形状、接合部の正射影像の面積Ｓ2、接合部の厚さ（高さ）、接合部の平面形状等を、各種試験やシミュレーションに基づき決定すればよい。【００３５】
実施例１の素子組立体及び素子・実装用基板組立体にあっては、熱変換層が設けられているので、素子（例えば、発光素子）を実装用基板から取り外すとき、たとえモールド部が照射される光に対して透明であっても、モールド部の上方からモールド部を介して熱変換層に光を照射すると熱変換層において熱が均一に生成し、その結果、接続部に接合された接合部が均一に溶融するので、接合部を除去したとき接合部が残存する虞が無く、実装用基板に実装された素子（例えば、発光素子）をリペアのために実装用基板から確実に、且つ、容易に、取り外すことができるし、接合部が残存する結果、種々の問題（例えば、新しい素子を再実装することが困難となるといった問題）が発生することを確実に回避することができる。
【実施例２】
【００３６】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の素子・実装用基板組立体を分解した模式的な一部断面図を図３に示すように、実施例２において、熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、素子と接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）とを電気的に接続する配線４２を兼ねている。具体的には、素子２０と配線４２とを接続するために、パッド部４４Ａ，４４Ｂが、中継基板（インターポーザー）４０の第２面４０Ｂの上に形成されている。また、中継基板４０の第１面４０Ａに接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）及び熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）を兼ねた配線４２が形成されている。熱変換層５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）のそれぞれの上に形成されている。パッド部４４Ａ，４４Ｂと接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）とは、コンタクトホール４３及び配線４２によって電気的に接続されている。中継基板４０の第１面４０Ａの上には、開口部４６を有する絶縁材料層４５が形成されており、開口部４６の底部に露出した配線４２から開口部４６及び絶縁材料層４５の一部の上に亙り、接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）が形成されている。【００３７】
以上に説明した点を除き、実施例２の素子組立体及び素子・実装用基板組立体は、実施例１において説明した素子組立体及び素子・実装用基板組立体と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。【００３８】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した素子組立体及び素子・実装用基板組立体の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。【００３９】
図４に示すように、中継基板４０の第１面４０Ａの上に、開口部４６を有する絶縁材料層４５が形成されており、開口部４６の底部に露出した配線４２から開口部４６及び絶縁材料層４５の一部の上に亙り、接合部パッド４１’を形成し、接合部パッド４１’に、例えば、ハンダ・バンプから成る接合部４１（４１Ａ，４１Ｂ）を形成してもよい。尚、このような構造は、実施例２にも適用することができる。【００４０】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《素子組立体》
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えている素子組立体。
［Ａ０２］接合部の正射影像は、熱変換層の正射影像に含まれる［Ａ０１］に記載の素子組立体。
［Ａ０３］熱変換層は、チタン、クロム、ニッケルから選択された少なくとも１種類の材料から成る［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の素子組立体。
［Ａ０４］熱変換層は、素子と接合部とを電気的に接続する配線を兼ねている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ０５］熱変換層は、素子よりも下のレベルに配置されている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ０６］モールド部は、波長１．０×１０-6ｍ以下の光に対して透明である［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ０７］光の波長は８×１０-7ｍ乃至１．０×１０-6ｍである［Ａ０６］に記載の素子組立体。
［Ａ０８］モールド部は、感光性を有するポリイミド系樹脂から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ０９］接合部の一部は、ハンダ又は導電性接着剤から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ１０］熱変換層の熱抵抗値Ｒth-1は、接合部の熱抵抗値Ｒth-2よりも高い［Ａ０１］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ａ１１］素子は、受光素子、発光素子、光反射素子、又は、光変調素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の素子組立体。
［Ｂ０１］《素子・実装用基板組立体》
素子組立体及び実装用基板を備えた素子・実装用基板組立体であって、
素子組立体は、
素子、
素子を被覆したモールド部、
モールド部の下方に設けられ、素子と電気的に接続された接合部、及び、
接合部の上又は上方に形成され、モールド部の上方からモールド部を介して照射された光に基づき発熱する熱変換層、
を備えており、
実装用基板は、
基板、及び、
基板上に形成された接続部、
を少なくとも備えており、
接合部は接続部に接合されている素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０２］接合部の正射影像は、熱変換層の正射影像に含まれる［Ｂ０１］に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０３］熱変換層は、チタン、クロム、ニッケルから選択された少なくとも１種類の材料から成る［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０４］熱変換層は、素子と接合部とを電気的に接続する配線を兼ねている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０５］熱変換層は、素子よりも下のレベルに配置されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０６］モールド部は、波長１．０×１０-6ｍ以下の光に対して透明である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０７］光の波長は８×１０-7ｍ乃至１．０×１０-6ｍである［Ｂ０６］に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０８］モールド部は、感光性を有するポリイミド系樹脂から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ０９］接合部の一部は、ハンダ又は導電性接着剤から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ１０］熱変換層の熱抵抗値Ｒth-1は、接合部の熱抵抗値Ｒth-2よりも高い［Ｂ０１］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
［Ｂ１１］素子は、受光素子、発光素子、光反射素子、又は、光変調素子から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の素子・実装用基板組立体。
【符号の説明】
【００４１】
２０・・・素子、３０・・・モールド部、４０・・・中継基板（インターポーザー）、４１、４１Ａ，４１Ｂ・・・接合部、４２・・・配線、４３・・・コンタクトホール、４４Ａ，４４Ｂ・・・パッド部、４５・・・絶縁材料層、４６・・・開口部、４７・・・絶縁層、５０，５０Ａ，５０Ｂ・・・熱変換層、６０・・・実装用基板、６１・・・基板、６２，６２Ａ，６２Ｂ・・・接続部、７１，７２・・・接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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