(57)【要約】  半導体装置の故障解析及びリサイクルを容易にし、半導体装置の生産効率を向上する。また、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する半導体装置を提供する。半導体装置は、外装、半導体チップ、第１の封止材、防水・撥水層及び第２の封止材を備える。外装は、内部空間を有し、内部空間を囲む内面を有する。半導体チップは、内部空間に収容され、内面上に搭載される。第１の封止材は、内部空間に充填され、半導体チップに重ねて内面上に配置され、シリコーンゲルからなる。防水・撥水層は、内部空間に収容され、半導体チップ及び第１の封止材に重ねて内面上に配置され、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂からなる。第２の封止材は、内部空間に充填され、半導体チップ、第１の封止材及び防水・撥水層に重ねて内面上に配置され、シリコーンゲルからなる。
2021033270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有し、前記内部空間を囲む内面を有する外装と、
前記内部空間に収容され、前記内面上に搭載される半導体チップと、
前記内部空間に充填され、前記半導体チップに重ねて前記内面上に配置され、シリコーンゲルからなる第１の封止材と、
前記内部空間に収容され、前記半導体チップ及び前記第１の封止材に重ねて前記内面上に配置され、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂からなる防水・撥水層と、
前記内部空間に充填され、前記半導体チップ、前記第１の封止材及び前記防水・撥水層に重ねて前記内面上に配置され、シリコーンゲルからなる第２の封止材と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記内部空間に収容され、前記半導体チップに接続される導電体ワイヤをさらに備え、
前記第１の封止材は、前記導電体ワイヤの最上部より上方まで充填され、
前記防水・撥水層は、前記導電体ワイヤの最上部より上方に配置される
請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の封止材は、前記第１の封止材の硬度より高い硬度を有する
請求項１又は２の半導体装置。
【請求項４】
前記外装は、
前記内部空間を有し、第１の開口及び第２の開口を有する筐体と、
前記筐体に接合され、前記第１の開口を塞ぎ、前記内面の一部を構成する主面を有する放熱板と、
前記筐体に接合され、前記第２の開口を塞ぐ蓋と、
を備え、
前記半導体チップは、前記主面上に搭載される
請求項１から３までのいずれかの半導体装置。
【請求項５】
前記主面に接合され、絶縁体板と、前記絶縁体板上に配置される導電体パターンと、を備える絶縁基板と、
前記導電体パターンに接合され、前記蓋を貫通する電極と、
をさらに備え、
前記半導体チップは、前記絶縁基板の上面に接合される
請求項４の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップは、ワイドバンドギャップ半導体を備える
請求項１から５までのいずれかの半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかの半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備えた電力変換装置。
【請求項８】
請求項７の電力変換装置を備える移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電力変換装置及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュール等の半導体装置は、半導体チップを備える。また、半導体装置は、絶縁性、耐湿性等を向上するために、半導体チップを封止する封止体を備える。封止体は、多くの場合は、エポキシ樹脂からなる部分を備える。【０００３】
例えば、特許文献１に記載された半導体装置においては、半導体素子が、ケースに囲まれる。また、封止体が、ケースで囲まれた領域に形成される。封止体は、第１の層、第２の層及び第３の層から成る。第１の層には、例えばシリコン系樹脂が用いられる。第２の層は、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）材から成る樹脂板である。第３の層には、例えばエポキシ系樹脂が用いられる（段落００１０−００１９）。【０００４】
また、特許文献２に記載された半導体装置においては、第１層樹脂によってチップの周囲に封止が行われる。次に、第２層樹脂を用いて第１層樹脂の全体が包囲される。また、第３層樹脂で第２層樹脂の上が封止される。第１層樹脂は、例えばシリコーンのような樹脂である。第２層樹脂は、例えばポリイミドのような樹脂である。第３層樹脂は、例えばエポキシのような樹脂である（第２頁第１６行目−第３頁第１４行目）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−２２５４４９号公報
【特許文献２】実開昭５８−９２７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、封止体がエポキシ樹脂からなる部分を備える場合は、半導体装置の故障解析が困難になる。【０００７】
封止体がエポキシ樹脂からなる部分を備える場合に半導体装置の故障解析が困難になる第１の理由は、半導体装置を分解する際に、半導体装置に熱履歴を加えてエポキシ樹脂からなる部分を残余の部分から分離しエポキシ樹脂からなる部分を除去しなければならないか、又は半導体装置を切断しなければならないためである。半導体装置に熱履歴を加えること、及び半導体装置を切断することは、故障個所の特定、損傷痕の調査等を困難にする。【０００８】
封止体がエポキシ樹脂からなる部分を備える場合に半導体装置の故障解析が困難になる第２の理由は、半導体装置が実使用されている間、又は半導体装置が試験された後に、エポキシ樹脂に含まれる不純物が、シリコーンゲル等の要素に浸透してシリコーンゲル等の要素を汚染し、シリコーンゲル等の要素の変色を引き起こすためである。シリコーンゲル等の要素の変色は、半導体装置の解析等を妨害する。【０００９】
また、封止体がエポキシ樹脂からなる部分を備える場合は、半導体装置の故障解析が困難になる理由と同様の理由により、半導体装置のリサイクルが困難になる。【００１０】
また、封止体がエポキシ樹脂からなる部分を備える場合は、エポキシ樹脂の硬化前流動体を充填して硬化させるために、数時間の時間が必要である。このため、半導体装置の生産効率が低下し、半導体装置の製造タクトが圧迫される。【００１１】
また、封止体には、これらの問題を解決することに加えて、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する半導体装置を提供することも求められる。【００１２】
本発明は、これらの問題に鑑みてなされた。本発明は、半導体装置の故障解析及びリサイクルを容易にし、半導体装置の生産効率を向上することを目的とする。また、本発明は、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、半導体装置に向けられる。【００１４】
半導体装置は、外装、半導体チップ、第１の封止材、防水・撥水層及び第２の封止材を備える。【００１５】
外装は、内部空間を有し、内部空間を囲む内面を有する。【００１６】
半導体チップは、内部空間に収容され、内面上に搭載される。【００１７】
第１の封止材は、内部空間に充填され、半導体チップに重ねて内面上に配置され、シリコーンゲルからなる。【００１８】
防水・撥水層は、内部空間に収容され、半導体チップ及び第１の封止材に重ねて内面上に配置され、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂からなる。【００１９】
第２の封止材は、内部空間に充填され、半導体チップ、第１の封止材及び防水・撥水層に重ねて内面上に配置され、シリコーンゲルからなる。【００２０】
本発明は、当該半導体装置を備える電力変換装置、及び当該電力変換装置を備える移動体にも向けられる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体チップが、容易に充填又は収容することができ容易に除去することができる、シリコーンゲル、及びフッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂により覆われる。このため、半導体装置の故障解析及びリサイクルが容易になる。また、半導体装置の生産効率を向上することができる。【００２２】
また、本発明によれば、半導体チップが、第１の封止材及び第２の封止材により封止される。このため、高い絶縁性を有する半導体装置を提供することができる。また、本発明によれば、半導体チップが水分に曝されることが、防水・撥水層により抑制される。このため、高い耐湿性を有する半導体装置を提供することができる。また、本発明によれば、防水・撥水層に異物が混入することが、第２の封止材により抑制される。このため、半導体装置の高い耐湿性が、防水・撥水層に混入する異物により失われることを抑制することができる。これらにより、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する半導体装置を提供することができる。【００２３】
本発明の目的、特徴、局面及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態１の半導体装置を模式的に図示する断面図である。
【図２】実施の形態２の電力変換装置を適用した電力変換システムのブロック図である。
【図３】実施の形態３の移動体を模式的に図示する側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
１  実施の形態１
１．１  半導体装置の構造
図１は、実施の形態１の半導体装置を模式的に図示する断面図である。
【００２６】
図１に図示される実施の形態１の半導体装置１は、複数の半導体チップ１７を備える半導体モジュールである。半導体装置１が、ひとつの半導体チップ１７を備えるディスクリート半導体であってもよい。
【００２７】
半導体装置１は、筐体１１、放熱板１２、蓋１３、シリコーン接着剤１４、シリコーン接着剤１５、絶縁基板１６、半導体チップ１７、Ａｌワイヤ１８、電極１９、第１の封止材２０、防水・撥水層２１及び第２の封止材２２を備える。
【００２８】
筐体１１、放熱板１２、蓋１３、シリコーン接着剤１４及びシリコーン接着剤１５は、外装３０を構成する。このため、半導体装置１は、筐体１１、放熱板１２、蓋１３、シリコーン接着剤１４及びシリコーン接着剤１５を備える外装３０を備える。
【００２９】
筐体１１は、内部空間１１ａを有する。また、筐体１１は、第１の開口１１ｂ及び第２の開口１１ｃを有する。内部空間１１ａは、第１の開口１１ｂ及び第２の開口１１ｃを介して筐体１１の外部に露出する。
【００３０】
放熱板１２は、シリコーン接着剤１４を介して筐体１１に接合される。放熱板１２が、シリコーン接着剤１４以外の接合媒体を介して筐体１１に接合されてもよい。放熱板１２が、接合媒体を介さずに筐体１１に直接的に接合されてもよい。また、放熱板１２は、第１の開口１１ｂを塞ぐ。放熱板１２は、絶縁基板１６及び半導体チップ１７が搭載される主面１２ａを有する。
【００３１】
蓋１３は、シリコーン接着剤１５を介して筐体１１に接合される。蓋１３が、シリコーン接着剤１５以外の接合媒体を介して筐体１１に接合されてもよい。蓋１３が、接合媒体を介さずに筐体１１に直接的に接合されてもよい。また、蓋１３は、第２の開口１１ｃを塞ぐ。
【００３２】
これらにより、半導体装置１は、内部空間１１ａを有し、内部空間１１ａを囲む内面３０ａを有する外装３０を備える。放熱板１２の主面１２ａは、外装３０の内面３０ａの一部を構成する。
【００３３】
絶縁基板１６は、外装３０の内部空間１１ａに収容される。絶縁基板１６は、放熱板１２の主面１２ａ上に配置され、放熱板１２の主面１２ａに接合される。絶縁基板１６は、絶縁体板４１及び導電体パターン４２を備える。導電体パターン４２は、絶縁体板４１上に配置される。
【００３４】
半導体チップ１７は、外装３０の内部空間１１ａに収容される。半導体チップ１７は、放熱板１２の主面１２ａ上に配置され、絶縁基板１６の上面に接合される。半導体チップ１７は、スイッチング素子、還流ダイオード等である。スイッチング素子は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等である。
【００３５】
Ａｌワイヤ１８は、外装３０の内部空間１１ａに収容される。Ａｌワイヤ１８は、半導体チップ１７に接続される。また、Ａｌワイヤ１８は、導電体パターン４２に接続される。これにより、Ａｌワイヤ１８は、半導体チップ１７と導電体パターン４２とを互いに電気的に接続する。Ａｌからなる導電体ワイヤであるＡｌワイヤ１８が、Ａｌ以外の導電体からなる導電体ワイヤに置き換えられてもよい。
【００３６】
電極１９は、導電体パターン４２に接合される。また、電極１９は、蓋１３を貫通する。これにより、外装３０の外部から電極１９を介して導電体パターン４２に信号を入力することができる。また、導電体パターン４２から電極１９を介して外装３０の外部に信号を出力することができる。
【００３７】
第１の封止材２０は、外装３０の内部空間１１ａに充填される。第１の封止材２０は、絶縁基板１６及び半導体チップ１７に重ねて放熱板１２の主面１２ａ上に配置される。第１の封止材２０は、シリコーンゲルからなる。
【００３８】
防水・撥水層２１は、外装３０の内部空間１１ａに収容される。防水・撥水層２１は、第１の封止材２０上に配置され、絶縁基板１６、半導体チップ１７及び第１の封止材２０に重ねて放熱板１２の主面１２ａ上に配置される。防水・撥水層２１は、第１の封止材２０と第２の封止材２２との間に配置される。防水・撥水層２１は、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂からなる。防水・撥水層２１は、筐体１１と蓋１３との隙間、蓋１３と電極１９との隙間等から外装３０の内部空間１１ａに侵入した水分が、防水・撥水層２１の下に配置される絶縁基板１６及び半導体チップ１７に到達することを防止するか、又は防水・撥水層２１の下に配置される絶縁基板１６及び半導体チップ１７に到達することを遅らせる。
【００３９】
第２の封止材２２は、外装３０の内部空間１１ａに充填される。第２の封止材２２は、防水・撥水層２１上に配置され、絶縁基板１６、半導体チップ１７、第１の封止材２０及び防水・撥水層２１に重ねて放熱板１２の主面１２ａ上に配置される。第２の封止材２２は、シリコーンゲルからなる。
【００４０】
半導体装置１においては、絶縁基板１６及び半導体チップ１７が、容易に充填又は収容することができ容易に除去することができる、シリコーンゲル、及びフッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂により覆われる。このため、半導体装置１の故障解析及びリサイクルが容易になる。また、半導体装置１の生産効率を向上することができる。
【００４１】
また、半導体装置１においては、絶縁基板１６及び半導体チップ１７が、第１の封止材２０及び第２の封止材２２により封止される。このため、絶縁基板１６及び半導体チップ１７が、第１の封止材２０及び第２の封止材２２により電気的に絶縁される。また、半導体装置１においては、電極１９の主要部が、第１の封止材２０及び第２の封止材２２により封止される。このため、電極１９が、第１の封止材２０及び第２の封止材２２により互いに電気的に絶縁される。したがって、高い絶縁性を有する半導体装置１を提供することができる。また、半導体装置１においては、絶縁基板１６及び半導体チップ１７が水分に曝されることが、防水・撥水層２１により抑制される。このため、高い耐湿性を有する半導体装置１を提供することができる。また、半導体装置１においては、防水・撥水層２１に異物が混入することが、第２の封止材２２により抑制される。このため、半導体装置１の高い耐湿性が、防水・撥水層２１に混入する異物により失われることを抑制することができる。これらにより、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する半導体装置１を提供することができる。
【００４２】
１．２  第１の封止材の充填量、及び防水・撥水層の位置
第１の封止材２０は、放熱板１２の主面１２ａからみて、望ましくは、Ａｌワイヤ１８の最上部にあるループトップ１８ａの上方まで充填され、さらに望ましくは、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａの直上まで充填される。また、防水・撥水層２１は、放熱板１２の主面１２ａからみて、望ましくは、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａの上方に配置され、さらに望ましくは、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａの直上に配置される。
【００４３】
第１の封止材２０が、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａとＡｌワイヤ１８の導電体パターン４２への接合部との中間までしか充填されず、防水・撥水層２１が、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａとＡｌワイヤ１８の導電体パターン４２への接合部との中間に配置された場合は、平坦な防水・撥水層２１を形成することが困難になり、防水・撥水層２１が水分の侵入を妨げる効果が低下する傾向が現れる。また、第１の封止材２０及び第２の封止材２２からなるふたつのシリコーンゲル層によりＡｌワイヤ１８に熱応力が作用し、Ａｌワイヤ１８が切断しやすくなる傾向が現れる。このため、第１の封止材２０は、望ましくは、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａの上方まで充填される。また、防水・撥水層２１は、望ましくは、Ａｌワイヤ１８のループトップ１８ａの上方に配置される。
【００４４】
１．３  第１の封止材及び第２の封止材の硬さ
第２の封止材２２は、望ましくは、第１の封止材２０の硬度より高い高度を有する。例えば、第１の封止材２０の硬度を表す第１の封止材２０の針入度が６０（ｍｍ／１０）である場合は、第２の封止材２２の硬度を表す第２の封止材２２の針入度がそれよりも小さい４０（ｍｍ／１０）にされる。なお、シリコーンゲルの硬度は、その針入度が小さくなるほど大きくなる。
【００４５】
これにより、半導体装置１が実使用される際に半導体装置１が逆さまになった場合においても、第１の封止材２０及び防水・撥水層２１を保持することができる。これにより、半導体装置１の絶縁性及び耐湿性を向上することができる。また、振動、衝撃等の機械的ストレスに対する半導体装置１の耐量を向上することができる。
【００４６】
１．４  半導体チップを構成する半導体
半導体チップ１７は、シリコン半導体を備える半導体チップであってもよいが、望ましくは、ワイドバンドギャップ半導体を備える半導体チップである。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド（Ｃ）等である。炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド（Ｃ）等のワイドバンドギャップ半導体は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体のバンドギャップより広いバンドギャップを有する。半導体チップ１７がワイドバンドギャップ半導体を備える半導体チップである場合は、高温環境下における半導体チップ１７の絶縁寿命を安定的に維持することができる。また、半導体チップ１７がワイドバンドギャップ半導体を備える半導体チップである場合は、半導体チップ１７が占めるスペースを小さくすることができ、半導体装置１を小型化及び軽量化することができる。
【００４７】
２  実施の形態２
本実施の形態は、上述した実施の形態１にかかる半導体装置を電力変換装置に適用したものである。実施の形態１にかかる半導体装置の適用は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態２として、三相のインバータに実施の形態１にかかる半導体装置を適用した場合について説明する。
【００４８】
図２は、本実施の形態にかかる電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【００４９】
図２に示す電力変換システムは、電源１００、電力変換装置２００、負荷３００から構成される。電源１００は、直流電源であり、電力変換装置２００に直流電力を供給する。電源１００は種々のもので構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成することができるし、交流系統に接続された整流回路やＡＣ／ＤＣコンバータで構成することとしてもよい。また、電源１００を、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するＤＣ／ＤＣコンバータによって構成することとしてもよい。
【００５０】
電力変換装置２００は、電源１００と負荷３００の間に接続された三相のインバータであり、電源１００から供給された直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に交流電力を供給する。電力変換装置２００は、図２に示すように、直流電力を交流電力に変換して出力する主変換回路２０１と、主変換回路２０１を制御する制御信号を主変換回路２０１に出力する制御回路２０３とを備えている。
【００５１】
負荷３００は、電力変換装置２００から供給された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷３００は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機であり、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車、鉄道車両、エレベーター、もしくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
【００５２】
以下、電力変換装置２００の詳細を説明する。主変換回路２０１は、スイッチング素子と還流ダイオードを備えており（図示せず）、スイッチング素子がスイッチングすることによって、電源１００から供給される直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に供給する。主変換回路２０１の具体的な回路構成は種々のものがあるが、本実施の形態にかかる主変換回路２０１は２レベルの三相フルブリッジ回路であり、６つのスイッチング素子とそれぞれのスイッチング素子に逆並列された６つの還流ダイオードから構成することができる。主変換回路２０１の各スイッチング素子や各還流ダイオードは、上述した実施の形態１に相当する半導体モジュール２０２によって構成する。６つのスイッチング素子は２つのスイッチング素子ごとに直列接続され上下アームを構成し、各上下アームはフルブリッジ回路の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）を構成する。そして、各上下アームの出力端子、すなわち主変換回路２０１の３つの出力端子は、負荷３００に接続される。
【００５３】
また、主変換回路２０１は、各スイッチング素子を駆動する駆動回路（図示なし）を備えているが、駆動回路は半導体モジュール２０２に内蔵されていてもよいし、半導体モジュール２０２とは別に駆動回路を備える構成であってもよい。駆動回路は、主変換回路２０１のスイッチング素子を駆動する駆動信号を生成し、主変換回路２０１のスイッチング素子の制御電極に供給する。具体的には、後述する制御回路２０３からの制御信号に従い、スイッチング素子をオン状態にする駆動信号とスイッチング素子をオフ状態にする駆動信号とを各スイッチング素子の制御電極に出力する。スイッチング素子をオン状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以上の電圧信号（オン信号）であり、スイッチング素子をオフ状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以下の電圧信号（オフ信号）となる。
【００５４】
制御回路２０３は、負荷３００に所望の電力が供給されるよう主変換回路２０１のスイッチング素子を制御する。具体的には、負荷３００に供給すべき電力に基づいて主変換回路２０１の各スイッチング素子がオン状態となるべき時間（オン時間）を算出する。例えば、出力すべき電圧に応じてスイッチング素子のオン時間を変調するＰＷＭ制御によって主変換回路２０１を制御することができる。そして、各時点においてオン状態となるべきスイッチング素子にはオン信号を、オフ状態となるべきスイッチング素子にはオフ信号が出力されるよう、主変換回路２０１が備える駆動回路に制御指令（制御信号）を出力する。駆動回路は、この制御信号に従い、各スイッチング素子の制御電極にオン信号又はオフ信号を駆動信号として出力する。
【００５５】
本実施の形態に係る電力変換装置では、主変換回路２０１のスイッチング素子と還流ダイオードとして実施の形態１にかかる半導体モジュールを適用するため、電力変換装置の故障解析及びリサイクルを容易にすること、電力変換装置の生産効率を向上すること、及び、高い絶縁性を有し長期間に渡って高い耐湿性を有する電力変換装置を提供することを実現することができる。
【００５６】
本実施の形態では、２レベルの三相インバータに実施の形態１にかかる半導体装置を適用する例を説明したが、実施の形態１にかかる半導体装置の適用は、これに限られるものではなく、種々の電力変換装置に適用することができる。本実施の形態では、２レベルの電力変換装置としたが３レベルやマルチレベルの電力変換装置であっても構わないし、単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータに実施の形態１にかかる半導体装置を適用しても構わない。また、直流負荷等に電力を供給する場合にはＤＣ／ＤＣコンバータやＡＣ／ＤＣコンバータに実施の形態１にかかる半導体装置を適用することも可能である。
【００５７】
また、実施の形態１にかかる半導体装置を適用した電力変換装置は、上述した負荷が電動機の場合に限定されるものではなく、例えば、放電加工機やレーザー加工機、又は誘導加熱調理器や非接触給電システムの電源装置として用いることもでき、さらには太陽光発電システムや蓄電システム等のパワーコンディショナーとして用いることも可能である。
【００５８】
３  実施の形態３
図３は、実施の形態３の移動体を模式的に図示する側面図である。
【００５９】
図３に図示される移動体３は、列車である。移動体３が列車以外の移動体であってもよい。例えば、移動体３が自動車、船舶、航空機、電動アシスト自転車、電動車いす等であってもよい。
【００６０】
移動体３は、実施の形態２の電力変換装置２００を備える。移動体３は、電力変換装置２００により変換された電力によりモータ等を駆動する。
【００６１】
小型化及び軽量化された半導体装置が実施の形態２の電力変換装置２００に適用された場合は、移動体３の小型化及び軽量化を図ることができ、移動体３の効率を向上することができ、移動体３の性能を向上することができる。
【００６２】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【００６３】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【００６４】
１  半導体装置、１１  筐体、１１ａ  内部空間、１１ｂ  第１の開口、１１ｃ  第２の開口、１２  放熱板、１２ａ  主面、１３  蓋、１６  絶縁基板、１７  半導体チップ、１８  Ａｌワイヤ、１８ａ  ループトップ、１９  電極、２０  第１の封止材、２１  防水・撥水層、２２  第２の封止材、３０  外装、３０ａ  内面、４１  絶縁体板、４２  導電体パターン、１００  電源、２００  電力変換装置、２０１  主変換回路、２０２  半導体モジュール、２０３  制御回路、３００  負荷、３  移動体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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