(57)【要約】  電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性を効果的に高めることができる金属被覆粒子を提供する。  本発明に係る金属被覆粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える金属被覆粒子であり、前記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、前記金属部が金属結合を形成する性質を有し、前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される。
2020100992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える金属被覆粒子であり、
前記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、前記金属部が金属結合を形成する性質を有し、
前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される、金属被覆粒子。
【請求項２】
前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、吸熱ピークが観察されない、請求項１に記載の金属被覆粒子。
【請求項３】
前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、４個以下の発熱ピークが観察される、請求項１又は２に記載の金属被覆粒子。
【請求項４】
前記金属部の外表面に突起を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項５】
前記突起の平均高さが、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である、請求項４に記載の金属被覆粒子。
【請求項６】
前記突起の基部の平均径が、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である、請求項４又は５に記載の金属被覆粒子。
【請求項７】
前記金属部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の面積が、１０％以上である、請求項４〜６のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項８】
前記金属部の材料が、金、銀、銅、ニッケル、錫、インジウム、亜鉛、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウム、ビスマス、リン、ホウ素又はこれらの合金を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項９】
１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ２以上６００００Ｎ／ｍｍ２以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項１０】
前記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出したときに、前記（１，１，１）面の強度比の割合が４０％以上であり、前記（２，０，０）面の強度比の割合が３０％以下であり、前記（２，２，０）面の強度比の割合が２０％以下であり、前記（３，１，１）面の強度比の割合が２０％以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項１１】
前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から６００℃まで大気雰囲気下で加熱して熱重量測定を行ったときに、前記金属被覆粒子の熱分解開始温度が１８０℃以上であるか、又は、前記金属被覆粒子が熱分解しない、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項１２】
前記金属部の外表面が、表面処理されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の金属被覆粒子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の金属被覆粒子と、
複数の前記金属被覆粒子を連結する柱状連結部とを備える、粒子連結体。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の金属被覆粒子を、０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の圧力条件、並びに１００℃以上４００℃以下の加熱温度及び０．５分間以上３００分間以下の加熱時間の加熱条件で処理して、粒子連結体を得る処理工程を備え、
前記処理工程において、複数の前記金属被覆粒子を連結する柱状連結部が形成される、粒子連結体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の金属被覆粒子と、バインダーとを含む、接続材料。
【請求項１６】
第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の金属被覆粒子であるか、又は、前記金属被覆粒子とバインダーとを含む接続材料である、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える金属被覆粒子に関する。また、本発明は、上記金属被覆粒子を用いた粒子連結体、粒子連結体の製造方法、接続材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために使用されている。上記異方性導電材料による接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。【０００３】
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。【０００４】
下記の特許文献１には、コアと、該コアの表面を被覆する導電層と、該導電層の表面を被覆する絶縁層とを備える導電粒子が開示されている。上記コアは、融点又は軟化点がＴ１（℃）の材料を主成分とする。上記導電層は、融点がＴ２（℃）の材料を主成分とする。上記絶縁層は、軟化点がＴ３（℃）の樹脂組成物から構成される。上記導電粒子では、上記Ｔ１、上記Ｔ２、及び上記Ｔ３が下記式（１）を満たす。特許文献１の実施例及び比較例では、導電層の材料としてはんだが用いられている。【０００５】
Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３      （１）【０００６】
下記の特許文献２には、芯粒子と、該芯粒子の表面を覆う表層とを有する導電粒子が開示されている。上記芯粒子は、樹脂材料を含む。上記表層は、はんだ材料を含む。上記導電粒子では、上記はんだ材料の融点は、上記樹脂材料の軟化点以下である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１２３６８４号公報
【特許文献２】特開２０１７−２１６３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
導電性粒子を含む導電材料を用いて導電接続を行う際には、上方の複数の電極と下方の複数の電極とが電気的に接続されて、導電接続が行われる。導電性粒子は、上下の電極間に配置されることが望ましく、隣接する横方向の電極間には配置されないことが望ましい。導電接続においては、上下の電極間は電気的に接続されることが望ましく、隣接する横方向の電極間は電気的に接続されないことが望ましい。【０００９】
導電性粒子を含む導電材料は、基板上の特定の位置に配置された後、大気雰囲気下で加熱されて導電接続が行われることがある。導電材料が導電性粒子の融点以上に加熱されることで、導電性粒子が溶融し、電極間にはんだ等の金属が凝集することで、上下の電極間が電気的に接続される。【００１０】
従来のはんだを含む導電性粒子は、大気雰囲気下で放置されたり、大気雰囲気下で加熱されたりすると、はんだの表面が酸化されることがある。はんだの表面が酸化された導電性粒子は、導電接続時に十分に濡れ拡がることができず、上下の電極間を電気的に接続できないことがある。また、電子部品を作製する際には、リフロー等により、電極間を電気的に接続している接合部が繰り返し加熱されることがある。はんだにより形成された接合部が繰り返し加熱されると、該接合部が再溶融することがあり、電極間の電気的な接続を維持することができないことがある。結果として、電極間の導通信頼性を高めることが困難なことがある。【００１１】
また、近年、電子回路の微細化及び狭小化が進行しており、従来のはんだを含む導電性粒子を用いて導電接続すると、はんだの溶融時に、はんだが濡れ拡がることがある。はんだが濡れ拡がることにより、隣接する電極間にブリッジが形成され、隣接する電極間の絶縁信頼性が低くなることがある。【００１２】
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性を効果的に高めることができる金属被覆粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記金属被覆粒子を用いた粒子連結体、粒子連結体の製造方法、接続材料及び接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える金属被覆粒子であり、前記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、前記金属部が金属結合を形成する性質を有し、前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される、金属被覆粒子が提供される。【００１４】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、吸熱ピークが観察されない。【００１５】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、４個以下の発熱ピークが観察される。【００１６】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属部の外表面に突起を有する。【００１７】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記突起の平均高さが、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。【００１８】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記突起の基部の平均径が、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。【００１９】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の面積が、１０％以上である。【００２０】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属部の材料が、金、銀、銅、ニッケル、錫、インジウム、亜鉛、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウム、ビスマス、リン、ホウ素又はこれらの合金を含む。【００２１】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ２以上６００００Ｎ／ｍｍ２以下である。【００２２】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出したときに、前記（１，１，１）面の強度比の割合が４０％以上であり、前記（２，０，０）面の強度比の割合が３０％以下であり、前記（２，２，０）面の強度比の割合が２０％以下であり、前記（３，１，１）面の強度比の割合が２０％以下である。【００２３】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属被覆粒子２０ｍｇを、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から６００℃まで大気雰囲気下で加熱して熱重量測定を行ったときに、前記金属被覆粒子の熱分解開始温度が１８０℃以上であるか、又は、前記金属被覆粒子が熱分解しない。【００２４】
本発明に係る金属被覆粒子のある特定の局面では、前記金属部の外表面が、表面処理されている。【００２５】
本発明の広い局面によれば、上述した金属被覆粒子と、複数の前記金属被覆粒子を連結する柱状連結部とを備える、粒子連結体が提供される。【００２６】
本発明の広い局面によれば、上述した金属被覆粒子を、０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の圧力条件、並びに１００℃以上４００℃以下の加熱温度及び０．５分間以上３００分間以下の加熱時間の加熱条件で処理して、粒子連結体を得る処理工程を備え、前記加熱処理工程において、複数の前記金属被覆粒子を連結する柱状連結部が形成される、粒子連結体の製造方法が提供される。【００２７】
本発明の広い局面によれば、上述した金属被覆粒子と、バインダーとを含む、接続材料が提供される。【００２８】
本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した金属被覆粒子であるか、又は、前記金属被覆粒子とバインダーとを含む接続材料である、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る金属被覆粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える。本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属結合を形成する性質を有する。本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される。本発明に係る金属被覆粒子では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた粒子連結体を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた粒子連結体の変形例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた接続構造体の第１の変形例を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態に係る粒子連結体を用いた接続構造体の第２の変形例を模式的に示す断面図である。
【図９】図９は、実施例４の金属被覆粒子を用いて作製された粒子連結体の画像を示す図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置を用いて検査している様子を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態に係る粒子連結体を用いた触覚フィードバック機能付きタッチパネルを模式的に示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施形態に係る粒子連結体を用いた電子部品装置を模式的に示す断面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示す電子部品装置における接合部部分を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３２】
（金属被覆粒子）
本発明に係る金属被覆粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える。本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属結合を形成する性質を有する。本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される。
【００３３】
本発明に係る金属被覆粒子では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【００３４】
従来のはんだを含む導電性粒子は、大気雰囲気下で放置されたり、大気雰囲気下で加熱されたりすると、はんだの表面が酸化されることがある。はんだの表面が酸化された導電性粒子は十分に濡れ拡がることができず、導電接続時に上下の電極間を電気的に接続できないことがある。また、電子部品を作製する際には、リフロー等により、電極間を電気的に接続している接合部が繰り返し加熱されることがある。はんだにより形成された接合部が繰り返し加熱されると、該接合部が再溶融することがあり、電極間の電気的な接続を維持することができないことがある。結果として、電極間の導通信頼性を高めることが困難なことがある。
【００３５】
また、近年、電子回路の微細化及び狭小化が進行しており、従来のはんだを含む導電性粒子を用いて導電接続すると、はんだの溶融時に、はんだが濡れ拡がることがある。はんだが濡れ拡がることにより、隣接する電極間にブリッジが形成され、隣接する電極間の絶縁信頼性が低くなることがある。ブリッジとは、はんだが隣接する電極まで濡れ拡がることにより形成された導通経路を意味する。
【００３６】
本発明者らは、特定の金属部を備える金属被覆粒子を用いて、金属部を溶融させるのではなく金属拡散又は焼結により金属結合を形成させることで、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性を効果的に高めることができることを見出した。本発明では、金属部を金属拡散又は焼結させることで電極等と金属結合を形成することができるので、大気雰囲気下であっても導電接続が可能となる。また、本発明では、金属拡散又は焼結により電極間を電気的に接続している接合部が形成されるので、該接合部が繰り返し加熱されても再溶融することがなく、電極間の電気的な接続を効果的に維持することができる。さらに、本発明では、金属部を溶融させるのではなく金属拡散させているので、はんだのように濡れ拡がることがなく、隣接する電極間にブリッジが形成されることがない。本発明では、金属部を金属拡散又は焼結させることで電極と金属結合を形成することができるので、電極間を電気的に接続した場合に、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を効果的に高めることができ、接続されてはならない隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【００３７】
なお、本発明において、金属拡散とは、熱、圧力、変形等により金属原子が金属部や電極等の接合部において拡散することをいう。したがって、本発明において、「（１）大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属結合を形成する性質」における該金属結合が、金属拡散によって形成される場合、上記（１）の性質は、以下の（１Ａ）のように言い換えることができる。「（１Ａ）大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が熱、圧力、変形等により金属原子が金属部や電極等の接合部において拡散する性質」
【００３８】
また、本発明において、焼結とは、金属特有の融点より低い温度で金属原子の移動が起こり、金属部間に結合が生じることをいう。したがって、本発明において、「（１）大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属結合を形成する性質」における該金属結合が、焼結によって形成される場合、上記（１）の性質は、以下の（１Ｂ）のように言い換えることができる。「（１Ｂ）大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属特有の融点より低い温度で金属原子の移動が起こり、金属部間に結合が生じる性質」
【００３９】
また、本発明に係る金属被覆粒子では、金属被覆粒子の濃度を調節することによって、隣接する金属被覆粒子同士を焼結により金属結合させることができる。このため、金属被覆粒子は、ダイボンド材料として半導体チップ等を基板に接合する用途（金属接合部を形成する用途）等に用いることができる。加熱温度、加熱時間、及び加熱時の圧力等の金属接合部を形成する条件によって、緻密な金属接合部、又は複数の微小な空隙を有する金属接合部等を形成することができ、金属接合部の状態を制御することができる。複数の微小な空隙を有する金属接合部は、冷熱サイクル等による構成材料間の線膨張係数の差により発生する内部応力を緩和することができ、導通信頼性を高めることができる。また、プリント基板の電極パッド上に、金属被覆粒子を配置して焼結することで、金属被覆粒子と電極パッドとの間に金属結合を形成することができ、金属被覆粒子を電極パッド上に固定することができる。近年、電子機器の小型化及び高機能化が進行しており、電子回路における電極及び配線においても極小化、多ピン化及び微細化が進行している。本発明に係る金属被覆粒子は、コネクターの金属ピン代替材料、及び半導体チップ等を接続するはんだボール代替材料等に用いることができ、電極の狭ピッチ化、及び多ピン化等に対応することができる。加えて、本発明に係る金属被覆粒子を金属接合部に用いることで、電極の薄型化に対応することができ、高周波特性を高めることができる。
【００４０】
本発明に係る金属被覆粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える。上記金属部は、単層構造であってもよく、２層以上の複層構造であってもよい。上記金属部は、導電性を有することが好ましい。上記金属被覆粒子は、導電性を有することが好ましく、導電性粒子であることが好ましい。
【００４１】
本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子を、大気雰囲気下、かつ、温度１００℃以上の加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属結合を形成する性質を有する。本発明では、大気雰囲気下の条件で導電接続を行うことができ、従来のはんだを含む導電性粒子のように導電接続時に窒素置換等の大気雰囲気下以外の条件にする工程を省略することができ、導電接続時のコストを効果的に低減することができる。上記加熱条件における加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３５０℃以下、さらに好ましくは２５０℃以下である。上記加熱温度が上記上限以下であると、得られる接続構造体の熱劣化を抑えることができる。上記金属被覆粒子は、上記加熱条件で加熱することで、上記金属部が金属拡散又は焼結することにより、上記金属部同士や上記金属部と電極等との間で金属結合を形成する性質を有することが好ましい。
【００４２】
本発明に係る金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、１個以上の発熱ピークが観察される。観察される発熱ピークは、金属部の金属拡散又は焼結に由来するものであると考えられる。観察される発熱ピークは、金属部の金属拡散又は焼結に由来するピークであることが好ましい。電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、吸熱ピークが観察されないことが好ましい。一般に、金属等の溶融は吸熱反応であり、示差走査熱量測定では吸熱ピークとして観察される。上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、金属部が溶融しないことが好ましく、金属部の溶融による吸熱反応が起こらないことが好ましい。上記金属被覆粒子が、上記の好ましい態様を満足すると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００４３】
上記金属被覆粒子では、上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行ったときに、４個以下の発熱ピークが観察されることが好ましく、３個以下の発熱ピークが観察されることがより好ましい。観察される発熱ピークは、２個であってもよく、１個であってもよい。上記発熱ピークの個数が、上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００４４】
上記示差走査熱量測定には、示差走査熱量測定装置（日立ハイテクサイエンス社製「ＴＡ７０００」）等が用いられる。
【００４５】
上記金属被覆粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。上記金属被覆粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を接続した場合に、金属被覆粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ金属部を形成する際に凝集した金属被覆粒子が形成され難くなる。また、電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ金属部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、上記金属被覆粒子の粒子径が、１μｍ以上３０μｍ以下であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。
【００４６】
上記金属被覆粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。金属被覆粒子の粒子径は、例えば、任意の金属被覆粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各金属被覆粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの金属被覆粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の金属被覆粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの金属被覆粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記金属被覆粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。
【００４７】
上記金属被覆粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。上記金属被覆粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００４８】
上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。
【００４９】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：金属被覆粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：金属被覆粒子の粒子径の平均値
【００５０】
上記金属被覆粒子の形状は特に限定されない。上記金属被覆粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。
【００５１】
接続信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属被覆粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ２以上、さらに好ましくは３０００Ｎ／ｍｍ２以上、特に好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以上である。接続信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属被覆粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは６００００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは２５０００Ｎ／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以下、特に好ましくは９０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００５２】
上記金属被覆粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。
【００５３】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で金属被覆粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００５４】
１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：金属被覆粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：金属被覆粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：金属被覆粒子の半径（ｍｍ）
【００５５】
上記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出する。この算出をしたときに、上記（１，１，１）面の強度比の割合は、好ましくは４０％以上、より好ましくは４５％以上、さらに好ましくは５５％以上、特に好ましくは５６％以上、最も好ましくは６０％以上である。上記（１，１，１）面の強度比の割合が、上記下限以上であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出したときに、上記（２，０，０）面の強度比の割合は、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、さらに好ましくは２０％以下である。上記（２，０，０）面の強度比の割合が、上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出したときに、上記（２，２，０）面の強度比の割合は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１２％以下、特に好ましくは１０％以下である。上記（２，２，０）面の強度比の割合が、上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記金属被覆粒子をＸ線回折装置で測定し、（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、及び（３，１，１）面のピーク強度値の合計から強度比の割合を算出したときに、上記（３，１，１）面の強度比の割合は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１３％以下、特に好ましくは１０％以下である。上記（３，１，１）面の強度比の割合が、上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００５６】
上記Ｘ線回折装置としては、ＢＲＵＫＥＲ  ＡＸＳ社製「Ｄ８  ＤＩＳＣＯＶＥＲ」等が挙げられる。
【００５７】
上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から６００℃まで大気雰囲気下で加熱して熱重量測定を行ったときに、上記金属被覆粒子の熱分解開始温度が１８０℃以上であるか、又は、上記金属被覆粒子が熱分解しないことが好ましい。上記金属被覆粒子２０ｍｇを、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から６００℃まで大気雰囲気下で加熱して熱重量測定を行ったときに、上記金属被覆粒子の熱分解開始温度が１８０℃以上であることが好ましく、上記金属被覆粒子が熱分解しないことがより好ましい。なお、熱分解開始温度とは、熱重量測定において、金属被覆粒子の重量が１０％減少したとき（金属被覆粒子の重量が１８ｍｇになったとき）の温度を意味する。また、金属被覆粒子が熱分解しないとは、熱重量測定において、金属被覆粒子の重量が１０％減少しないこと（金属被覆粒子の重量が１８ｍｇにならないこと）を意味する。上記金属被覆粒子が、上記の好ましい態様を満足すると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００５８】
上記熱重量測定は、熱重量示差熱分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｕｌｓ  ＥＶＯ０２」）等を用いて測定することができる。
【００５９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態のみに限定されず、本発明の特徴を損なわない程度に、以下の実施形態は適宜変更、改良等されてもよい。
【００６０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【００６１】
図１に示す金属被覆粒子１は、基材粒子１１と、金属部１２とを有する。金属部１２は、基材粒子１１の表面上に配置されている。金属被覆粒子１では、金属部１２は、基材粒子１１の表面に接している。金属部１２は、基材粒子１１の表面を覆っている。金属被覆粒子１は、基材粒子１１の表面が金属部１２により被覆された被覆粒子である。金属被覆粒子１では、金属部１２は、単層の導電層である。
【００６２】
金属被覆粒子１は、後述する金属被覆粒子１Ａ、金属被覆粒子１Ｂとは異なり、芯物質を有しない。金属被覆粒子１は導電性の表面に突起を有さず、金属部１２の外表面に突起を有しない。金属被覆粒子１は球状である。
【００６３】
このように、本発明に係る金属被覆粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよく、導電層の外表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。
【００６４】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【００６５】
図２に示す金属被覆粒子１Ａは、基材粒子１１と、金属部１２Ａと、複数の芯物質１３とを有する。金属部１２Ａは、基材粒子１１の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、基材粒子１１の表面上に配置されている。金属部１２Ａは、基材粒子１１と、複数の芯物質１３とを覆うように、基材粒子１１の表面上に配置されている。金属被覆粒子１Ａでは、金属部１２Ａは、単層の導電層である。
【００６６】
金属被覆粒子１Ａは、外表面に複数の突起１Ａａを有する。金属被覆粒子１Ａでは、金属部１２Ａは外表面に、複数の突起１２Ａａを有する。複数の芯物質１３は、金属部１２Ａの外表面を隆起させている。金属部１２Ａの外表面が複数の芯物質１３によって隆起されていることで、突起１Ａａ及び１２Ａａが形成されている。複数の芯物質１３は金属部１２Ａ内に埋め込まれている。突起１Ａａ及び１２Ａａの内側に、芯物質１３が配置されている。金属被覆粒子１Ａでは、突起１Ａａ及び１２Ａａを形成するために、複数の芯物質１３を用いている。上記金属被覆粒子では、上記突起を形成するために、複数の上記芯物質を用いなくてもよい。上記金属被覆粒子では、複数の上記芯物質を備えていなくてもよい。
【００６７】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る金属被覆粒子を模式的に示す断面図である。
【００６８】
図３に示す金属被覆粒子１Ｂは、基材粒子１１と、金属部１２Ｂと、複数の芯物質１３とを有する。金属部１２Ｂは全体で、基材粒子１１側に第１の金属部１２ＢＡと、基材粒子１１側とは反対側に第２の金属部１２ＢＢとを有する。
【００６９】
金属被覆粒子１Ａと金属被覆粒子１Ｂとでは、金属部のみが異なっている。すなわち、金属被覆粒子１Ａでは、１層構造の金属部１２Ａが形成されているのに対し、金属被覆粒子１Ｂでは、２層構造の第１の金属部１２ＢＡ及び第２の金属部１２ＢＢが形成されている。第１の金属部１２ＢＡと第２の金属部１２ＢＢとは、異なる金属部として形成されていてもよく、同一の金属部として形成されていてもよい。
【００７０】
第１の金属部１２ＢＡは、基材粒子１１の表面上に配置されている。基材粒子１１と第２の金属部１２ＢＢとの間に、第１の金属部１２ＢＡが配置されている。第１の金属部１２ＢＡは、基材粒子１１に接している。第２の金属部１２ＢＢは、第１の金属部１２ＢＡに接している。基材粒子１１の表面上に第１の金属部１２ＢＡが配置されており、第１の金属部１２ＢＡの表面上に第２の金属部１２ＢＢが配置されている。
【００７１】
金属被覆粒子１Ｂは、外表面に複数の突起１Ｂａを有する。金属被覆粒子１Ｂでは、金属部１２Ｂは外表面に、複数の突起１２Ｂａを有する。第１の金属部１２ＢＡは外表面に、突起１２ＢＡａを有する。第２の金属部１２ＢＢは外表面に、複数の突起１２ＢＢａを有する。金属被覆粒子１Ｂでは、金属部１２Ｂは、２層の導電層である。金属部１２Ｂは、３層以上の導電層であってもよい。
【００７２】
以下、金属被覆粒子の他の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリロキシ」は「アクリロキシ」と「メタクリロキシ」との一方又は双方を意味する。また、「（メタ）アクリロ」は、「アクリロ」と「メタクリロ」との双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
【００７３】
（基材粒子）
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有していてもよく、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、金属粒子であってもよい。
【００７４】
電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがさらに好ましい。上記基材粒子は、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。このため、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を効果的に高めることができ、さらに、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【００７５】
上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００７６】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００７７】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、及びα−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、及び無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びイソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、及びグリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、及びステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、及びブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、及びクロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００７８】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、並びに、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、及びビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００７９】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００８０】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００８１】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００８２】
上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。
【００８３】
上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカ、アルミナ、酸化チタンであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【００８４】
上記コアの粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、最も好ましくは２０μｍ以下である。上記コアの粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。例えば、上記金属被覆粒子を用いて２つの接続対象部材を接続した場合に、金属被覆粒子と接続対象部材との接触面積が十分に大きくなり、かつ凝集した金属被覆粒子が形成され難くなる。
【００８５】
上記コアの粒子径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、最大径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒子径測定装置により測定した平均粒子径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析等の原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。
【００８６】
上記シェルの厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記シェルの厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。上記シェルの厚みは、基材粒子１個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。
【００８７】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、鉄、ケイ素、金、白金、チタン、亜鉛、コバルト、アルミニウム、インジウム、錫及びこれらの合金等が挙げられる。上記合金としては、はんだ等の錫合金等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００８８】
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、より一層好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは４００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに一層好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、特により一層好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。例えば、上記金属被覆粒子を用いて２つの接続対象部材を接続した場合に、金属被覆粒子と接続対象部材との接触面積が十分に大きくなり、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００８９】
上記基材粒子の粒子径は、０．５μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、０．５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属被覆粒子を得ることができる。
【００９０】
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００９１】
上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。金属被覆粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。
【００９２】
金属被覆粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、各金属被覆粒子における基材粒子を観察する。各金属被覆粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。
【００９３】
応力負荷時のクラックの発生をより一層抑える観点からは、上記基材粒子は、シリコーン樹脂を含む粒子（シリコーン粒子）であることが好ましい。上記基材粒子の材料は、シリコーン樹脂を含むことが好ましい。
【００９４】
上記シリコーン粒子の材料は、ラジカル重合性基を有するシラン化合物と炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とであるか、ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物であるか、又は、ラジカル重合性基を両末端に有するシラン化合物であることが好ましい。これらの材料を反応させた場合には、シロキサン結合が形成される。得られるシリコーン粒子において、ラジカル重合性基及び炭素数５以上の疎水基は一般に残存する。このような材料を用いることで、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を容易に得ることができ、しかもシリコーン粒子の耐薬品性を高くし、かつ透湿性を低くすることができる。
【００９５】
上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９６】
上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジビニルメトキシビニルシラン、ジビニルエトキシビニルシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、及び１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【００９７】
上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物では、炭素数５以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９８】
上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、ジメチルメトキシフェニルシラン、ジメチルエトキシフェニルシラン、ヘキサフェニルジシロキサン、１，３，３，５−テトラメチル−１，１，５，５−テトラペニルトリシロキサン、１，１，３，５，５−ペンタフェニル−１，３，５−トリメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、フェニルトリス（トリメチルシロキシ）シラン、及びオクタフェニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
【００９９】
上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましく、炭素数５以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１００】
上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルビニルジメトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、フェニルメチルビニルメトキシシラン、フェニルメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルビニルメトキシシラン、ジフェニルビニルエトキシシラン、フェニルジビニルメトキシシラン、フェニルジビニルエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン等が挙げられる。
【０１０１】
シリコーン粒子を得るために、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と、上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とを用いる場合、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と、上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とは重量比で、１：１〜１：２０で用いることが好ましく、１：５〜１：１５で用いることがより好ましい。
【０１０２】
シリコーン粒子を得るためのシラン化合物の全体において、ラジカル重合性基の数と炭素数５以上の疎水基の数とは、１：０．５〜１：２０であることが好ましく、１：１〜１：１５であることがより好ましい。
【０１０３】
耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、硬度を好適な範囲に制御する観点からは、上記シリコーン粒子は、１つのケイ素原子に２つのメチル基が結合したジメチルシロキサン骨格を有することが好ましく、上記シリコーン粒子の材料は、１つのケイ素原子に２つのメチル基が結合したシラン化合物を含むことが好ましい。
【０１０４】
耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、硬度を好適な範囲に制御する観点からは、上記シリコーン粒子は、上述したシラン化合物を、ラジカル重合開始剤により反応させて、シロキサン結合を形成させることが好ましい。一般に、ラジカル重合開始剤を用いて、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることは困難であり、１００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることが特に困難である。これに対して、ラジカル重合開始剤を用いる場合でも、上記シラン化合物を用いることで、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることができ、１００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることもできる。
【０１０５】
上記シリコーン粒子を得るために、ケイ素原子に結合した水素原子を有するシラン化合物を用いなくてもよい。この場合には、金属触媒を用いずに、ラジカル重合開始剤を用いて、シラン化合物を重合させることができる。結果として、シリコーン粒子に金属触媒が含まれないようにすることができ、シリコーン粒子における金属触媒の含有量を少なくすることができ、さらに耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、硬度を好適な範囲に制御することができる。
【０１０６】
上記シリコーン粒子の具体的な製造方法としては、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等でシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン粒子を作製する方法等がある。シラン化合物の重合を進行させてオリゴマーを得た後、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等で重合体（オリゴマー等）であるシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン粒子を作製してもよい。例えば、ビニル基を有するシラン化合物を重合させて、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有するシラン化合物を得てもよい。フェニル基を有するシラン化合物を重合させて、重合体（オリゴマー等）として、側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。ビニル基を有するシラン化合物とフェニル基を有するシラン化合物とを重合させて、重合体（オリゴマー等）として、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有しかつ側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。
【０１０７】
上記シリコーン粒子は、複数の粒子を外表面に有していてもよい。この場合に、上記シリコーン粒子は、シリコーン粒子本体と、シリコーン粒子本体の表面上に配置された複数の粒子とを備えていてもよい。上記複数の粒子としては、シリコーン粒子及び球状シリカ等が挙げられる。上記複数の粒子の存在によって、シリコーン粒子の凝集を抑えることができる。
【０１０８】
（金属部）
本発明では、上記金属被覆粒子は、金属部を有する。上記金属部は、金属を含むことが好ましい。上記金属被覆粒子の全体が金属を含んでいてもよく、上記金属被覆粒子の表面部分のみが金属を含んでいてもよい。上記金属部の材料である金属は特に限定されない。上記金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、リン、ホウ素、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属は、銀、銅、金又はパラジウムを含むことが好ましい。上記金属は、錫を含んでいなくてもよい。
【０１０９】
上記金属部の材料は、金、銀、銅、ニッケル、錫、インジウム、亜鉛、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウム、ビスマス、リン、ホウ素又はこれらの合金を含むことが好ましい。上記金属部の材料は、金、銅、パラジウム、錫、亜鉛又はインジウムを含むことがより好ましく、銀又はニッケルを含むことがさらに好ましい。上記金属部の材料が、上記の好ましい材料を含むことで、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１０】
また、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属部及び上記金属部の外表面部分は銀を含むことが好ましい。銀を含む金属部１００重量％中の銀の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下である。銀を含む金属部１００重量％中の銀の含有量は、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。上記銀を含む金属部１００重量％中の銀の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１１】
また、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属部は銅を含むことが好ましい。銅を含む金属部１００重量％中の銅の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下である。銅を含む金属部１００重量％中の銅の含有量は、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。上記銅を含む金属部１００重量％中の銅の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１２】
また、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属部はニッケルを含むことが好ましい。ニッケルを含む金属部１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上である。ニッケルを含む金属部１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下である。ニッケルを含む金属部１００重量％中のニッケルの含有量は、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。上記ニッケルを含む金属部１００重量％中のニッケルの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１３】
金属被覆粒子１，１Ａのように、上記金属部は、１つの層により形成されていてもよい。金属被覆粒子１Ｂのように、上記金属部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、金属部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。
【０１１４】
上記基材粒子の表面上に金属部を形成する方法は特に限定されない。上記金属部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記金属部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。
【０１１５】
上記金属部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。上記金属部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。また、金属被覆粒子が硬くなりすぎない。
【０１１６】
上記金属部が複数の層により形成されている場合に、最外層の金属部の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．４μｍ以下である。上記最外層の金属部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の金属部が均一になり、耐腐食性が十分に高くなる。また、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１７】
上記金属部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、金属被覆粒子の断面を観察することにより測定できる。
【０１１８】
（表面処理）
金属被覆粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗を低くするために、上記金属被覆粒子では、上記金属部の外表面が、表面処理されていることが好ましい。上記表面処理としては、防錆処理、耐硫化処理及び変色防止処理等が挙げられる。上記表面処理は、１種類の処理のみであってもよく、２種以上の処理が併用されていてもよい。
【０１１９】
上記金属部の外表面が表面処理されている上記金属被覆粒子を用いることで、上記金属部の外表面が表面処理されている上記粒子連結体を容易に得ることができる。上記粒子連結体では、上記金属部の外表面が、表面処理されていることが好ましい。上記表面処理としては、防錆処理、耐硫化処理及び変色防止処理等が挙げられる。上記表面処理は、１種類の処理のみであってもよく、２種以上の処理が併用されていてもよい。
【０１２０】
防錆処理、耐硫化処理及び変色防止処理に用いられる防錆剤、耐硫化剤及び変色防止剤としては、ベンゾトリアゾール化合物及びイミダゾール化合物等の含窒素ヘテロ環化合物、メルカプタン化合物、チアゾール化合物、有機ジスルフィド化合物等の含硫黄化合物、並びに有機リン酸化合物等の含リン化合物等が挙げられる。
【０１２１】
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部の外表面は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記金属部の外表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数６〜２２のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、金属部の外表面に、防錆膜を形成できる。
【０１２２】
上記防錆膜は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記金属部の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、金属部全体で錆がより一層生じ難くなり、特にニッケルにより形成された金属部に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、金属被覆粒子及び粒子連結体の導電性が高くなる。金属被覆粒子及び粒子連結体の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。
【０１２３】
上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、又は炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシランであることが好ましい。上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオール、又は炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドであることが好ましい。すなわち、上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール、又はジアルキルジスルフィドであることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、金属部に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２４】
上記化合物Ａは、上記金属部の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Ａは、後述する絶縁性物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、上記金属部と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁性物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記金属部及び上記絶性縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、上記金属部に錆がより一層生じ難くなり、かつ金属被覆粒子及び粒子連結体の表面から絶縁性物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。
【０１２５】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【０１２６】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【０１２７】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【０１２８】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。
【０１２９】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。
【０１３０】
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部の外表面は、スルフィド化合物若しくはチオール化合物を主成分とする硫黄含有化合物、ベンゾトリアゾール化合物又はポリオキシエチレンエーテル界面活性剤を用いて形成された層により、耐硫化処理されていることが好ましい。上記耐硫化処理により、上記金属部の外表面に、防錆膜を形成できる。
【０１３１】
上記スルフィド化合物としては、ジヘキシルスルフィド、ジヘプチルスルフィド、ジオクチルスルフィド、ジデシルスルフィド、ジドデシルスルフィド、ジテトラデシルスルフィド、ジヘキサデシルスルフィド、ジオクタデシルスルフィド等の炭素数６〜４０程度（好ましくは炭素数１０〜４０程度）の直鎖状又は分岐鎖状のジアルキルスルフィド（アルキルスルフィド）；ジフェニルスルフィド、フェニル−ｐ−トリルスルフィド、４，４−チオビスベンゼンチオール等の炭素数１２〜３０程度の芳香族スルフィド；３，３’−チオジプロピオン酸、及び４，４’−チオジブタン酸等のチオジカルボン酸等が挙げられる。ジアルキルスルフィドが特に好ましい。
【０１３２】
チオール化合物としては、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メチル−２−プロパンチオール及びオクタデシルチオール等の炭素数４〜４０程度（より好ましくは６〜２０程度）の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルチオール等が挙げられる。また、これらの化合物の炭素基に結合している水素原子がフッ素に置換された化合物等が挙げられる。
【０１３３】
上記ベンゾトリアゾール化合物としては、ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール塩、メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体等が挙げられる。
【０１３４】
また、上記変色防止処理には変色防止剤が用いられる。上記変色防止剤としては、銀変色防止剤が挙げられる。上記銀変色防止剤としては、北池産業社製の商品名「ＡＣ−２０」、「ＡＣ−７０」、「ＡＣ−８０」、メルテックス社製の商品名「エンテックＣＵ−５６」、大和化成社製の商品名「ニューダインシルバー」、「ニューダインシルバー  Ｓ−１」、及び千代田ケミカル社製の商品名「Ｂ−１０５７」、「Ｂ−１００９ＮＳ」等が挙げられる。
【０１３５】
上記金属被覆粒子は、バインダー中で上記金属被覆粒子の分散性を向上させるために、分散剤により処理されていてもよい。上記分散剤は、特に限定されない。上記分散剤としては、例えば、脂肪酸、脂肪酸塩、界面活性剤、有機金属、保護コロイド、及びキレート形成剤等が挙げられる。バインダー中での上記金属被覆粒子の分散性をより一層効果的に向上させる観点からは、上記分散剤は、脂肪酸であることが好ましい。上記脂肪酸としては、特に限定されないが、リノール酸、リノシール酸、オレイン酸、ステアリン酸、プロピオン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、アラキドン酸、カプリル酸、ミリスチン酸、ベヘン酸、アクリル酸、及びこれらの混合物等が挙げられる。
【０１３６】
分散剤により処理される前の上記金属被覆粒子１００重量部に対して、上記分散剤の添加量は、好ましくは０．１重量部以上、好ましくは６重量部以下である。
【０１３７】
上記分散剤による処理方法としては、特に限定されず、乾式で上記金属被覆粒子と上記分散剤とを混合してもよく、溶媒とともに上記金属被覆粒子と分散剤とを混合してもよい。
【０１３８】
（芯物質）
上記金属被覆粒子は、上記金属部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましく、上記金属部内において、複数の上記突起を形成するように、上記金属部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることがより好ましい。上記金属被覆粒子は、上記金属部の外表面に突起を有することが好ましい。上記芯物質が上記金属部中に埋め込まれていることによって、上記金属部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、金属被覆粒子及び金属部の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。例えば、無電解めっきにより芯物質を用いずに突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、基材粒子又は金属部の表面に金属核を付着させ、さらに無電解めっきにより金属部を形成する方法等が挙げられる。
【０１３９】
上記金属被覆粒子では、上記金属部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の面積は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上である。上記金属被覆粒子では、上記金属部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の面積の上限は特に限定されない。上記金属部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の面積は、９９％以下であってもよく、９５％以下であってもよい。上記金属被覆粒子が、上記の好ましい態様を満足することで、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１４０】
上記突起がある部分の面積は、金属被覆粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、突起がある部分の面積の金属被覆粒子の投影面積に対する百分率を算出することにより求められる。複数の金属被覆粒子の場合には、上記突起がある部分の面積は、任意の金属被覆粒子１０個を電子顕微鏡又は電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）にて観察し、突起がある部分の面積の金属被覆粒子の投影面積に対する百分率の平均値を算出することが好ましい。
【０１４１】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより金属部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより金属部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより金属部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の金属部を形成した後、該第１の金属部上に芯物質を配置し、次に第２の金属部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に金属部（第１の金属部又は第２の金属部等）を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより金属部を形成した後、金属部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより金属部を形成する方法等を用いてもよい。
【０１４２】
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【０１４３】
上記芯物質が上記金属部中に埋め込まれていることによって、上記金属部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、金属被覆粒子の導電性の表面及び金属部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
【０１４４】
上記芯物質の材料は特に限定されない。上記芯物質の材料としては、例えば、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。導電性をより一層高める観点、及び接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質の材料は、金属であることが好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記金属粒子の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。
【０１４５】
上記芯物質の材料のモース硬度は高いことが好ましい。モース硬度が高い材料としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記芯物質は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましい。上記芯物質は、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがさらに好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、より一層好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【０１４６】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１４７】
上記芯物質の粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１４８】
上記芯物質の粒子径は、数平均粒子径を示す。芯物質の粒子径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【０１４９】
上記金属被覆粒子１個当たりの上記突起の数は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は金属被覆粒子の粒子径及び金属被覆粒子の用途等を考慮して適宜選択できる。
【０１５０】
上記金属被覆粒子１個当たりの上記突起の数は、任意の金属被覆粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【０１５１】
複数の上記突起の平均高さは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上、特に好ましくは３５０ｎｍ以上であり、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１５００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下、特に好ましくは６５０ｎｍ以下である。上記突起の平均高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１５２】
複数の上記突起の平均高さは、以下のようにして測定することができる。
【０１５３】
金属被覆粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を５００００倍に設定し、５０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、各金属被覆粒子における突起を観察する。各金属被覆粒子における突起の高さを計測し、それらを算術平均して突起の平均高さとする。
【０１５４】
複数の上記突起の基部の平均径は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは５０ｎｍ以上、特に好ましくは３５０ｎｍ以上、最も好ましくは５５０ｎｍ以上であり、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１５００ｎｍ以下、さらに好ましくは１１５０ｎｍ以下である。上記突起の基部の平均径が、上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記突起の基部の平均径が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼をより一層効果的に高めることができる。
【０１５５】
複数の上記突起の基部の平均径は、以下のようにして測定することができる。
【０１５６】
金属被覆粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を５００００倍に設定し、５０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、各金属被覆粒子における突起を観察する。各金属被覆粒子における突起の基部径を計測し、それらを算術平均して突起の基部の平均径とする。
【０１５７】
（絶縁性物質）
上記金属被覆粒子は、上記金属部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、絶縁性物質を有する金属被覆粒子を得ることができる。絶縁性物質を有する金属被覆粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止することができる。具体的には、複数の金属被覆粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で金属被覆粒子を加圧することにより、金属被覆粒子の金属部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。金属部が外表面に複数の突起を有していると、金属被覆粒子の金属部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【０１５８】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除する観点からは、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【０１５９】
上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【０１６０】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。
【０１６１】
上記金属部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。絶縁性物質の脱離を防止する観点からは、上記金属部の表面上に絶縁性物質を配置する方法は、上記金属部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法であることが好ましい。
【０１６２】
上記金属部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。金属部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。金属部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。
【０１６３】
上記絶縁性物質の粒子径は、金属被覆粒子の粒子径及び金属被覆粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の粒子径は、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。絶縁性物質の粒子径が、上記下限以上であると、金属被覆粒子がバインダー中に分散されたときに、複数の金属被覆粒子における金属部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の粒子径が、上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と金属被覆粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【０１６４】
上記絶縁性物質の粒子径は、数平均粒子径を示す。絶縁性物質の粒子径は、粒度分布測定装置等を用いて求めたり、任意の絶縁性物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めたりすることができる。
【０１６５】
（粒子連結体）
上記金属被覆粒子は、粒子連結体を得るために用いることができる。上記粒子連結体は、上述した金属被覆粒子と、複数の上記金属被覆粒子を連結する柱状連結部とを備える。上記粒子連結体の製造方法は、上述した金属被覆粒子を、０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の圧力条件、並びに１００℃以上４００℃以下の加熱温度及び０．５分間以上３００分間以下の加熱時間の加熱条件で処理して、粒子連結体を得る処理工程を備える。上記粒子連結体の製造方法では、上記処理工程において、複数の上記金属被覆粒子を連結する柱状連結部が形成されることが好ましい。
【０１６６】
上記粒子連結体の製造方法においては、上記処理工程における上記圧力条件は、好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．１ＭＰａ以上であり、好ましくは１００ＭＰａ以下、より好ましくは５０ＭＰａ以下である。上記処理工程における上記圧力条件は、０ＭＰａであってもよく、無加圧条件であってもよい。上記処理工程における上記圧力条件が、上記の好ましい態様を満足すると、金属被覆粒子同士がより一層接触し易くなり、上記柱状連結部をより一層形成し易くなり、上記粒子連結体をより一層容易に得ることができる。
【０１６７】
上記粒子連結体の製造方法においては、上記処理工程における上記加熱条件の加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは３５０℃以下、より好ましくは３００℃以下である。上記処理工程における上記加熱条件の加熱時間は、好ましくは５分間以上、より好ましくは１０分間以上であり、好ましくは１２０分間以下、より好ましくは９０分間以下である。上記処理工程における上記加熱条件が、上記の好ましい態様を満足すると、金属拡散又は焼結により上記柱状連結部をより一層形成し易くなり、上記粒子連結体をより一層容易に得ることができる。
【０１６８】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた粒子連結体を模式的に示す断面図である。
【０１６９】
図４に示す粒子連結体２１は、金属被覆粒子１と、２個の金属被覆粒子１を連結する柱状連結部２２とを備える。粒子連結体２１は、柱状連結部２２を介して、２個の金属被覆粒子１が連結されている。柱状連結部２２は、一方の金属被覆粒子１と他方の金属被覆粒子１とを連結している。柱状連結部２２は、２個の金属被覆粒子１の間に配置されている。
【０１７０】
金属被覆粒子１は、上述した金属被覆粒子である。金属被覆粒子１は、上述した金属被覆粒子１Ａ又は金属被覆粒子１Ｂであってもよい。上記金属被覆粒子は上記金属部の表面に突起を有していてもよく、芯物質を有していてもよい。上記金属被覆粒子では、上記金属部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記金属部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記粒子連結体では、上記柱状連結部は、一方の上記金属被覆粒子の上記金属部と、他方の上記金属被覆粒子の上記金属部とを連結していることが好ましい。上記金属被覆粒子が上記突起を有する場合には、上記突起により上記柱状連結部が形成されていることが好ましい。上記突起により上記柱状連結部を形成することで、上記粒子連結体を作製する際に、圧力を過剰に負荷する必要がなく、上記粒子連結体をより一層容易に得ることができる。
【０１７１】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた粒子連結体の変形例を模式的に示す断面図である。
【０１７２】
図５に示す粒子連結体２１Ａは、図４に示す粒子連結体２１と比べて、金属被覆粒子１の個数及び柱状連結部２２の個数のみが異なる。粒子連結体２１Ａは、柱状連結部２２を介して、４個の金属被覆粒子が連結されている。粒子連結体２１Ａは、金属被覆粒子１が直列的に連結されている。
【０１７３】
上記粒子連結体は、２個の上記金属被覆粒子が上記柱状連結部により連結されていてもよく、３個以上の上記金属被覆粒子が上記柱状連結部により連結されていてもよい。上記粒子連結体では、上記金属被覆粒子が直列的に連結されていてもよく、上記金属被覆粒子が並列的に連結されていてもよい。上記粒子連結体は、枝分かれ構造を有していてもよい。
【０１７４】
上記柱状連結部の形状は、柱状であれば特に限定されない。上記柱状連結部は、円柱状連結部であってもよく、多角柱状連結部であってもよく、不定形の柱状連結部であってもよい。上記柱状連結部の断面形状は、円形であってもよく、多角形であってもよく、不定形であってもよい。１つ当たりの上記柱状連結部の幅は、均一であってもよく、均一でなくてもよい。上記柱状連結部は、柱状連結部の中央が太くなっていてもよく、柱状連結部の中央が細くなっていてもよい。複数の上記柱状連結部の幅は、均一であってもよく、均一でなくてもよい。
【０１７５】
上記粒子連結体において、上記金属被覆粒子１個当たりの上記柱状連結部の個数は、好ましくは１個以上、より好ましくは２個以上であり、好ましくは１０個以下、より好ましくは９個以下である。上記金属被覆粒子１個当たりの上記柱状連結部の個数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１７６】
１個の金属被覆粒子当たりに連結している上記柱状連結部の個数は、金属被覆粒子５０個の柱状連結部の個数を算術平均して算出することが好ましい。上記柱状連結部の個数は、任意の粒子連結体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、任意の金属被覆粒子５０個の柱状連結部の個数を算術平均して算出することが好ましい。
【０１７７】
上記粒子連結体では、上記柱状連結部の長さは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは３００００ｎｍ以下、より好ましくは２００００ｎｍ以下である。上記柱状連結部の長さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１７８】
上記柱状連結部の長さは、任意の粒子連結体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察することにより算出することができる。上記柱状連結部の長さは、柱状連結部が接触している一方の金属被覆粒子の表面と、柱状連結部が接触している他方の金属被覆粒子の表面とを直線で結んだ距離が最小となる寸法である。
【０１７９】
上記柱状連結部の長さは、任意の粒子連結体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、任意の柱状連結部５０個の柱状連結部の長さを算術平均して算出することが好ましい。
【０１８０】
上記粒子連結体では、上記柱状連結部の幅は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは３００００ｎｍ以下、より好ましくは２００００ｎｍ以下である。上記柱状連結部の幅が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１８１】
上記柱状連結部の幅は、柱状連結部全体での幅の平均値であることが好ましい。上記柱状連結部の幅は、任意の柱状連結部において、柱状連結部の幅を３ヶ所で測定し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。上記柱状連結部の幅は、任意の粒子連結体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、任意の柱状連結部５０個の柱状連結部の幅を算術平均して算出することが好ましい。
【０１８２】
上記粒子連結体では、上記柱状連結部は、上記金属被覆粒子の上記金属部が金属拡散又は焼結することにより形成されていることが好ましい。上記柱状連結部の材料としては、上述した上記金属部の材料等が挙げられる。２層以上の金属部を有する金属被覆粒子を用いて上記粒子連結体を作製する際には、複数の金属被覆粒子の最外表面に配置された金属部が金属拡散又は焼結することにより、上記柱状連結部が形成されることが好ましい。
【０１８３】
金属被覆粒子と柱状連結部との性質を類似させることで、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記柱状連結部の材料は、上記金属被覆粒子における上記金属部の材料を含むことが好ましい。上記柱状連結部は、上記金属部の材料により形成されていることが好ましい。上記柱状連結部の材料は、上記金属部の材料とは異なる材料であってもよい。上記金属被覆粒子における上記金属部と上記柱状連結部とは、一体化していてもよい。電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属被覆粒子と上記柱状連結部との接触部分において、界面がないことが好ましい。上記金属被覆粒子と上記柱状連結部との接触部分において、界面があってもよい。
【０１８４】
複数の上記金属被覆粒子が連結するように、複数の上記金属被覆粒子の間に上記柱状連結部を配置して、上記粒子連結体を作製する方法は特に限定されない。上記粒子連結体を作製する方法としては、以下の方法等が挙げられる。加圧下でリフロー熱処理により焼結する方法。無加圧下でリフロー熱処理により焼結する方法。オーブンで熱処理する方法。上記粒子連結体を作製する方法は、加圧下でリフロー熱処理により焼結する方法であることが好ましい。上記の方法により上記粒子連結体を作製することで、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１８５】
上記粒子連結体を作製する方法では、焼結時の焼結温度は特に限定されない。上記焼結温度は、１００℃以上４００℃以下であることが好ましい。加圧下でリフロー熱処理により焼結する場合には、上記焼結温度は、１５０℃以上３５０℃以下であることが好ましい。無加圧下でリフロー熱処理及びオーブンにより焼結する場合には、上記焼結温度は、２００℃以上４００℃以下であることが好ましい。
【０１８６】
上記粒子連結体を作製する方法では、焼結時の焼結時間は特に限定されない。上記焼結時間は、０．５分以上３００分以下であることが好ましい。加圧下でリフロー熱処理により焼結する場合には、上記焼結時間は、１分以上３０分以下であることが好ましい。無加圧下でリフロー熱処理及びオーブンにより焼結する場合には、上記焼結時間は、３０分以上２５０分以下であることが好ましい。なお、焼結時間は焼結温度に応じて調整すればよく、例えば、焼結温度をより高温にすると焼結時間をより短くすることができ、粒子連結体の製造効率を高めることができる。
【０１８７】
上記粒子連結体を作製する方法では、加圧下で焼結を行ってもよく、無加圧下で焼結を行ってもよい。上記加圧時の圧力は、０．１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、上記粒子連結体を作製する方法では、空気雰囲気下で焼結を行ってもよく、還元ガス雰囲気下で焼結を行ってもよく、不活性ガス雰囲気下で焼結を行ってもよい。上記還元ガスとしては、ギ酸ガス、水素ガス、一酸化炭素ガス、及び炭化水素ガス等が挙げられる。上記不活性ガスとしては、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、及びフォーミングガス等が挙げられる。
【０１８８】
上記粒子連結体を作製する方法は、金属板上に金属被覆粒子を混合した混合物を塗布した状態で、焼結する方法であることが好ましい。上記金属板は特に限定されない。上記金属板としては、銅基板等が挙げられる。上記混合物は特に限定されない。上記混合物としては、金属被覆粒子とバインダーとを含む組成物等が挙げられる。上記バインダーとしては、後述する接続材料に用いられるバインダー等が挙げられる。上記混合物を塗布する方法は特に限定されない。上記混合物を塗布する方法としては、スクリーン印刷法により塗布する方法、及びインクジェット法により塗布する方法等が挙げられる。また、焼結する際には、塗布した混合物の表面に他の金属板を配置して、混合物を金属板で挟み込んだ状態で焼結を行ってもよい。
【０１８９】
（接続材料）
上記接続材料は、２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために用いられる。上記接続材料は、上述した金属被覆粒子と、バインダーとを含む。上記接続材料は、上述した粒子連結体を含んでいてもよい。上記接続材料は、上記金属被覆粒子と、上記粒子連結体と、バインダーとを含んでいてもよい。上記接続材料は、上記粒子連結体と、バインダーとを含んでいてもよい。
【０１９０】
上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーとして、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダーは、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダーとしては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１９１】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１９２】
また、上記バインダーは、溶媒であってもよい。上記溶媒としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。溶媒の除去性をより一層高める観点からは、上記溶媒は、有機溶剤であることが好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール化合物；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン化合物；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素化合物；セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル化合物；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル化合物；オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素化合物；並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。
【０１９３】
接続強度をより一層効果的に高める観点からは、上記接続材料は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【０１９４】
上記接続材料は、上記金属被覆粒子及び上記バインダーの他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１９５】
上記接続材料は、導電接続に用いられることが好ましく、導電接続材料であることが好ましい。上記接続材料は、異方導電接続に用いられることが好ましく、異方導電接続材料であることが好ましい。上記接続材料は、ダイアタッチ接続材料として用いられることがさらに好ましい。上記ダイアタッチ接続材料は、半導体素子を基板上に接着する際に用いられる。上記接続材料は、ペースト及びフィルム等として使用され得る。上記接続材料がフィルムである場合には、金属被覆粒子を含むフィルムに、金属被覆粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記ペーストは、導電ペーストであることが好ましく、異方性導電ペーストであることがより好ましく、ダイアタッチペーストであることがさらに好ましい。上記フィルムは、導電フィルムであることが好ましく、異方性導電フィルムであることがより好ましく、ダイアタッチフィルムであることがさらに好ましい。
【０１９６】
上記接続材料１００重量％中、上記バインダーの含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、より一層好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上、さらに一層好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上である。上記接続材料１００重量％中、上記バインダーの含有量は、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続強度をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１９７】
上記接続材料１００重量％中、上記金属被覆粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上である。上記接続材料１００重量％中、上記金属被覆粒子の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、より一層好ましくは８０重量％以下、さらに好ましくは６０重量％以下、さらに一層好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記金属被覆粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。また、上記金属被覆粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、２つの接続対象部材間に、金属被覆粒子を十分に配置させることができ、金属被覆粒子によって、２つの接続対象部材間の間隔が部分的に狭くなるのをより一層抑制することができる。このため、接続部の放熱性が部分的に低くなるのを抑制することもできる。
【０１９８】
上記接続材料は、金属被覆粒子とは別に、基材粒子を有さない金属原子含有粒子を含んでいてもよい。
【０１９９】
上記金属原子含有粒子としては、金属粒子及び金属化合物粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属原子と、該金属原子以外の原子とを含む。上記金属化合物粒子の具体例としては、金属酸化物粒子、金属の炭酸塩粒子、金属のカルボン酸塩粒子及び金属の錯体粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属酸化物粒子であることが好ましい。例えば、上記金属酸化物粒子は、還元剤の存在下で接続時の加熱で金属粒子となった後に焼結する。上記金属酸化物粒子は、金属粒子の前駆体である。上記金属のカルボン酸塩粒子としては、金属の酢酸塩粒子等が挙げられる。
【０２００】
上記金属粒子及び上記金属酸化物粒子を構成する金属としては、銀、銅、ニッケル及び金等が挙げられる。銀又は銅が好ましく、銀が特に好ましい。従って、上記金属粒子は、好ましくは銀粒子又は銅粒子であり、より好ましくは銀粒子である。上記金属酸化物粒子は、好ましくは酸化銀粒子又は酸化銅粒子であり、より好ましくは酸化銀粒子である。銀粒子及び酸化銀粒子を用いた場合には、接続後に残渣が少なく、体積減少率も非常に小さい。該酸化銀粒子における酸化銀としては、Ａｇ２Ｏ及びＡｇＯが挙げられる。
【０２０１】
上記金属原子含有粒子は、４００℃未満の加熱で焼結することが好ましい。上記金属原子含有粒子が焼結する温度（焼結温度）は、より好ましくは３５０℃以下、好ましくは３００℃以上である。上記金属原子含有粒子が焼結する温度が、上記上限以下又は上記上限未満であると、焼結を効率的に行うことができ、さらに焼結に必要なエネルギーを低減し、かつ環境負荷を小さくすることができる。
【０２０２】
上記金属原子含有粒子を含む接続材料は、平均粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である金属粒子を含む接続材料であるか、又は平均粒子径が１ｎｍ以上５０μｍ以下である金属酸化物粒子と還元剤とを含む接続材料であることが好ましい。このような接続材料を用いると、接続時の加熱で、上記金属原子含有粒子同士を良好に焼結させることができる。上記金属酸化物粒子の平均粒子径は、好ましくは５μｍ以下である。上記金属原子含有粒子の粒子径は、金属原子含有粒子が真球状である場合には、直径を示し、金属原子含有粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【０２０３】
上記金属原子含有粒子が金属酸化物粒子である場合に、還元剤が用いられることが好ましい。上記還元剤としては、アルコール化合物（アルコール性水酸基を有する化合物）、カルボン酸化合物（カルボキシ基を有する化合物）及びアミン化合物（アミノ基を有する化合物）等が挙げられる。上記還元剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２０４】
上記アルコール化合物としては、アルキルアルコールが挙げられる。上記アルコール化合物の具体例としては、例えば、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール及びイコシルアルコール等が挙げられる。また、上記アルコール化合物としては、１級アルコール型化合物に限られず、２級アルコール型化合物、３級アルコール型化合物、アルカンジオール及び環状構造を有するアルコール化合物も使用可能である。さらに、上記アルコール化合物として、エチレングリコール及びトリエチレングリコール等の多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。また、上記アルコール化合物として、クエン酸、アスコルビン酸及びグルコース等の化合物を用いてもよい。
【０２０５】
上記カルボン酸化合物としては、アルキルカルボン酸等が挙げられる。上記カルボン酸化合物の具体例としては、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸及びイコサン酸等が挙げられる。また、上記カルボン酸化合物は、１級カルボン酸型化合物に限られず、２級カルボン酸型化合物、３級カルボン酸型化合物、ジカルボン酸及び環状構造を有するカルボキシル化合物も使用可能である。
【０２０６】
上記アミン化合物としては、アルキルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物の具体例としては、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン及びイコデシルアミン等が挙げられる。また、上記アミン化合物は分岐構造を有していてもよい。分岐構造を有するアミン化合物としては、２−エチルヘキシルアミン及び１，５−ジメチルヘキシルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物は、１級アミン型化合物に限られず、２級アミン型化合物、３級アミン型化合物及び環状構造を有するアミン化合物も使用可能である。
【０２０７】
さらに、上記還元剤は、アルデヒド基、エステル基、スルホニル基又はケトン基等を有する有機物であってもよく、カルボン酸金属塩等の有機物であってもよい。カルボン酸金属塩は金属粒子の前駆体としても用いられる一方で、有機物を含有しているために、金属酸化物粒子の還元剤としても用いられる。
【０２０８】
上記金属原子含有粒子の焼結温度（接合温度）よりも低い融点を有する還元剤を用いると、接合時に凝集し、接合部にボイドが生じやすくなる傾向がある。カルボン酸金属塩の使用により、該カルボン酸金属塩は接合時の加熱により融解しないため、ボイドが生じるのを抑制できる。なお、カルボン酸金属塩以外にも有機物を含有する金属化合物を還元剤として用いてもよい。
【０２０９】
上記還元剤が用いられる場合には、上記接続材料１００重量％中、上記還元剤の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。上記還元剤の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属原子含有粒子をより一層緻密に焼結させることができる。この結果、接合部における放熱性及び耐熱性も高くなる。
【０２１０】
上記接続材料が上記金属原子含有粒子を含む場合には、上記接続材料１００重量％中、上記金属原子含有粒子の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上である。上記接続材料１００重量％中、上記金属原子含有粒子の含有量は、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下、より一層好ましくは９９．５重量％以下、更に好ましくは９９重量％以下、特に好ましくは９０重量％以下、最も好ましくは８０重量％以下である。上記金属原子含有粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接合部における接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、接合部における放熱性をより一層効果的に高めることができる。
【０２１１】
（接続構造体）
本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と、上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した金属被覆粒子であるか、又は、上記金属被覆粒子とバインダーとを含む接続材料である。上記接続部は、上記金属被覆粒子又は上記接続材料により形成されていることが好ましい。上記接続部の材料は、上記粒子連結体を含んでいてもよい。上記接続部は、上記粒子連結体により形成されていてもよい。
【０２１２】
図６は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【０２１３】
図６に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とを接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、金属被覆粒子１とバインダーとを含む接続材料により形成されている。接続部５４の材料は、上記接続材料である。接続部５４は、接続材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。接続構造体５１では、金属被覆粒子１と第１の接続対象部材５２とが接合しており、金属被覆粒子１と第２の接続対象部材５３とが接合している。
【０２１４】
金属被覆粒子１の代わりに、金属被覆粒子１Ａ，１Ｂ等の金属被覆粒子を用いることができる。また、金属被覆粒子１、１Ａ，１Ｂの代わりに、粒子連結体２１，２１Ａ等の粒子連結体を用いてもよい。粒子連結体２１，２１Ａを用いる場合において、柱状連結部２２により連結されている金属被覆粒子１の代わりに、金属被覆粒子１Ａ，１Ｂ等の金属被覆粒子を用いてもよい。
【０２１５】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の金属被覆粒子１により電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とが金属被覆粒子１により電気的に接続されている。接続構造体５１では、金属被覆粒子１と第１の電極５２ａとが接合しており、金属被覆粒子１と第２の電極５３ａとが接合している。
【０２１６】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記接続材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４Ｐａ〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０℃〜５００℃程度である。
【０２１７】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、ＬＥＤチップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ストレッチャブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記金属被覆粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０２１８】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、ＳＵＳ電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０２１９】
図７は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた接続構造体の第１の変形例を模式的に示す断面図である。
【０２２０】
図７に示す接続構造体６１は、第１の接続対象部材６２と、第２の接続対象部材６３，６４と、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４とを接続している接続部６５，６６とを備える。接続部６５，６６は、金属被覆粒子１と金属原子含有粒子とを含む接続材料を用いて形成されている。接続部６５，６６の材料は、上記接続材料である。
【０２２１】
第１の接続対象部材６２の第１の表面（一方の表面）側に接続部６５及び第２の接続対象部材６３が配置されている。接続部６５は、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３とを接続している。
【０２２２】
第１の接続対象部材６２の第１の表面とは反対の第２の表面（他方の表面）側に接続部６６及び第２の接続対象部材６４が配置されている。接続部６６は、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６４とを接続している。
【０２２３】
第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４との間にそれぞれ、金属被覆粒子１と金属原子含有粒子とを含む接続材料が配置されている。本実施形態では、接続部６５，６６において、金属原子含有粒子は焼結した焼結物の状態であり、該焼結物中に金属被覆粒子１が配置されている。金属被覆粒子１は、焼結した焼結物の状態であってもよい。第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４間に、金属被覆粒子１が配置されている。金属被覆粒子１によって、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４とが接続されている。
【０２２４】
第２の接続対象部材６３の接続部６５側とは反対の表面に、ヒートシンク６７が配置されている。第２の接続対象部材６４の接続部６６側とは反対側の表面に、ヒートシンク６８が配置されている。従って、接続構造体６１は、ヒートシンク６７、第２の接続対象部材６３、接続部６５、第１の接続対象部材６２、接続部６６、第２の接続対象部材６４及びヒートシンク６８がこの順で積層された部分を有する。
【０２２５】
第１の接続対象部材６２としては、整流ダイオード、パワートランジスタ（パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ及びトライアック等に用いられるＳｉ，ＳｉＣ，ＧａＮ等が材料であるパワー半導体素子等が挙げられる。このような第１の接続対象部材６２を備える接続構造体６１では、接続構造体６１の使用時に、第１の接続対象部材６２において大きな熱量が発生しやすい。従って、第１の接続対象部材６２から発生した熱量を、ヒートシンク６７，６８等に効率的に放散させる必要がある。このため、第１の接続対象部材６２とヒートシンク６７，６８との間に配置されている接続部６５，６６には、高い放熱性と高い信頼性が求められる。
【０２２６】
第２の接続対象部材６３，６４としては、セラミック、プラスチック等が材料である基板等が挙げられる。
【０２２７】
接続部６５，６６は、上記接続材料を加熱して、上記金属原子含有粒子を焼結させることにより形成されている。
【０２２８】
図８は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた接続構造体の第２の変形例を模式的に示す断面図である。
【０２２９】
図８に示す接続構造体６１Ａは、第１の接続対象部材６２と、第２の接続対象部材６３，６４と、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４とを接続している接続部６５，６６とを備える。接続部６５，６６は、金属被覆粒子１と、他の金属被覆粒子６９と、金属原子含有粒子とを含む接続材料を用いて形成されている。金属被覆粒子１と他の金属被覆粒子６９とでは、金属被覆粒子の大きさのみが異なる。接続部６５，６６の材料は、上記接続材料である。
【０２３０】
図７に示す接続構造体６１と図８に示す接続構造体６１Ａとでは、接続部６５，６６中に、他の金属被覆粒子６９が含まれていることのみが異なる。上記接続部中に含まれる金属被覆粒子は、同一の大きさの金属被覆粒子のみであってもよく、異なる大きさの金属被覆粒子であってもよい。
【０２３１】
（導通検査用部材及び導通検査装置）
本発明に係る金属被覆粒子は、導通検査用部材及び導通検査装置を得るために好適に用いられる。上記導通検査用部材は、貫通孔を有する基体と、導電部とを備える。上記導通検査用部材では、上記貫通孔が、上記基体に複数配置されている。上記導通検査用部材では、上記導電部が、上記貫通孔内に配置されている。上記導通検査用部材では、上記導電部の材料が、上述した金属被覆粒子を含む。上記導電部は、上述した接続材料により形成されていてもよい。上記導電部が、上述した接続材料の硬化物を含んでいてもよい。
【０２３２】
上記導通検査装置は、電流計と、上記導通検査用部材とを備える。
【０２３３】
図１０（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【０２３４】
図１０（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材３１は、貫通孔３２ａを有する基体３２と、基体３２の貫通孔３２ａ内に配置された導電部３３とを備える。導電部３３の材料が、上記金属被覆粒子を含む。導電部３３の材料は、上記接続材料であってもよい。導通検査用部材３１は、導通用部材であってもよい。
【０２３５】
導通検査用部材３１には、電流計（例えば、図１１（ｃ）で示される電流計４３）を電気的に接続することで、導通検査を実施することができる。導通検査においては、上記電流計は、導通検査用部材３１における任意の２個の導電部３３に接続させる。そして、上記電流計が接続された２個の導電部３３に接触するように電子回路デバイスを接続（例えば、図１１（ｃ）で示されるＢＧＡ基板４２のはんだボール４１を導電部１２０に接続）することで、該電子回路デバイスの導通検査を実施することができる。
【０２３６】
上記基体は、上記導通検査用部材の基板となる部材である。上記基体は、絶縁性を有することが好ましく、上記基体は絶縁性の材料によって形成されていることが好ましい。絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。
【０２３７】
上記基体を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれであってもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、及びポリカーボネート樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、シリコーン樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。シリコーン樹脂としては、シリコーンゴム等が挙げられる。
【０２３８】
上記基体が絶縁性樹脂で形成される場合は、上記基体を構成する絶縁性樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２３９】
上記基体は、例えば、板状、シート状等である。シート状には、フィルム状が含まれる。上記基体の厚みは、導通検査用部材の種類に応じて適宜設定することができ、例えば、０．００５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の厚みであってもよい。上記基体の平面視における大きさも目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０２４０】
上記基体は、例えば、上記の絶縁性樹脂等の絶縁性材料を原料として、所望の形状に成形することで得ることができる。
【０２４１】
上記基体の上記貫通孔は、上記基体に複数配置される。上記貫通孔は、上記基体の厚み方向に貫通していることが好ましい。
【０２４２】
上記基体の上記貫通孔は、円柱状に形成され得るが、円柱状に限らず、その他の形状、例えば、多角柱状に形成されていてもよい。また、上記貫通孔は、一方の方向に先細りしているテーパー状に形成されていてもよいし、その他、歪んだ形状に形成されていてもよい。
【０２４３】
上記貫通孔の大きさ、例えば、平面視における上記貫通孔の見かけ面積も適宜の大きさに形成することができ、導電部を収容でき、かつ、保持できる程度の大きさに形成されていればよい。上記貫通孔が、例えば円柱状であれば、上記貫通孔の直径は好ましくは０．０１ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以下である。
【０２４４】
なお、上記基体の上記貫通孔の全てが同じ形状、同じ大きさであってもよいし、上記基体の上記貫通孔の一部の形状又は大きさが、他の貫通孔と異なっていてもよい。
【０２４５】
上記基体の上記貫通孔の個数も適宜の範囲で設定することができ、導通検査が可能な程度の個数を有していればよく、目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。また、上記基体の上記貫通孔の配置場所も目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０２４６】
上記基体の上記貫通孔を形成する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、レーザー加工）で貫通孔を形成することが可能である。
【０２４７】
上記基体の上記貫通孔内の導電部は導電性を有する。上記金属被覆粒子は、上記貫通孔内で密に充填されていることが好ましく、この場合、上記導通検査用部材によって、より確実な導通検査を行うことができる。上記導電部は、導通検査用部材又は導通用部材の表裏にわたって導通可能であるように上記貫通孔内に収容されていることが好ましい。
【０２４８】
上記導電部において、上記金属被覆粒子は、導電部の表面から裏面にわたって連続して上記金属被覆粒子が互いに接触しながら存在していることが好ましい。この場合に、上記導電部の導通性が向上する。
【０２４９】
上記導電部の材料は、上記金属被覆粒子以外の材料を含んでいてもよい。例えば、上記導電部の材料は、上記金属被覆粒子以外にバインダーを含むことができる。上記導電部の材料がバインダーを含むことで、上記金属被覆粒子がより強固に集合し、これにより上記金属被覆粒子が上記貫通孔内に保持されやすくなる。
【０２５０】
上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーとしては、上述した接続材料の材料であるバインダー等が挙げられる。
【０２５１】
上記導電部を、上記貫通孔内に収容する方法は特に限定されない。例えば、上記金属被覆粒子とバインダーとを含む接続材料を上記基体に塗工する方法で、上記金属被覆粒子を上記貫通孔内に充填し、適宜の条件で接続材料を硬化させることで、上記導電部を上記貫通孔内に形成することができる。これにより、上記導電部が上記貫通孔内に収容される。上記接続材料には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
【０２５２】
上記金属被覆粒子とバインダーとを含む接続材料では、上記金属被覆粒子１００重量部に対して、バインダーの含有量は、固形分換算で、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上であり、好ましくは９９重量部以下、より好ましくは５０重量部以下である。
【０２５３】
上記導通検査用部材は、プローブカードとして用いることができる。なお、上記導通検査用部材は、本発明の効果が阻害されない程度であれば、その他の構成要素を備えていてもよい。
【０２５４】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置を用いて検査している様子を模式的に示す図である。
【０２５５】
図１１（ａ）〜（ｃ）では、電子回路デバイスは、ＢＧＡ基板４２（ボールグリッドアレイ基板）である。ＢＧＡ基板４２は、接続パッドが格子状に多層基板４０に配列され、各パッドにはんだボール４１（導通対象部材）が配設された構造を有する基板である。また、図１１（ａ）〜（ｃ）では、導通検査用部材１００は、プローブカードである。導通検査用部材１００は、基体１１０に複数の貫通孔１１０ａが形成されており、貫通孔１１０ａ内には導電部１２０が収容されている。図１１（ａ）に示すように、ＢＧＡ基板４２と、導通検査用部材１００とを準備し、図１１（ｂ）に示すように、ＢＧＡ基板４２を導通検査用部材１００に接触させて圧縮させる。このとき、はんだボール４１は、貫通孔１１０ａ内の導電部１２０と接触する。この状態において図１１（ｃ）に示すように、電流計４３を接続して導通検査を実施し、ＢＧＡ基板４２の合否を判定することができる。
【０２５６】
（電池電極材料）
上述した金属被覆粒子は、電池電極材料を得るために好適に用いられる。上記電池電極材料は、燃料電池用電極を得るために好適に用いられる。上記電池電極材料は、燃料電池用電極の材料であることが好ましい。
【０２５７】
上記電池電極材料は、燃料電池用電極以外の電極を得るために用いられてもよい。燃料電池用電極以外の電極としては、リチウムイオン電池用電極、全固体電池用電極等が挙げられる。
【０２５８】
上記燃料電池は、例えば、第１の電極及び第２の電極（燃料極及び空気極）と、電解質とを備える。上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、上記電池電極材料を用いた上記燃料電池用電極であることが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極の内の一方の電極のみが、上記電池電極材料を用いた上記燃料電池用電極である場合に、他方の電極は特に限定されない。上記他方の電極としては、従来公知の電極が使用可能である。
【０２５９】
上記燃料電池としては、固体高分子形燃料電池（ＰＥＦＣ）、リン酸形燃料電池（ＰＡＦＣ）、溶融炭酸塩形燃料電池（ＭＣＦＣ）、固体酸化物形燃料電池（ＳＯＦＣ）、アルカリ電解質形燃料電池（ＡＦＣ）、及び直接形燃料電池（ＤＦＣ）等が挙げられる。
【０２６０】
（触覚フィードバック機能付きタッチパネル）
上述した金属被覆粒子は、触覚フィードバック機能付きタッチパネルを得るために好適に用いられる。上記触覚フィードバック機能付きタッチパネルは、タッチセンサーと、上記タッチセンサーの第１の表面側に配置された導電層と、触覚フィードバックセンサーとを備える。上記触覚フィードバック機能付きタッチパネルでは、上記導電層が、上述した金属被覆粒子を含むことが好ましい。
【０２６１】
上記触覚フィードバック機能付きタッチパネルの好ましい例では、触覚フィードバック機能付きタッチパネルは、タッチセンサーと、上記タッチセンサーの第１の表面側に配置された導電層と、触覚フィードバックセンサーとを備える。上記触覚フィードバック機能付きタッチパネルの好ましい例では、上記導電層が、複数の金属被覆粒子を含む。上記触覚フィードバック機能付きタッチパネルの好ましい例では、上記金属被覆粒子が、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備え、上記金属部が、銀、パラジウム、又は銅を含む。
【０２６２】
図１２は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた触覚フィードバック機能付きタッチパネルを模式的に示す断面図である。
【０２６３】
図１２に示す触覚フィードバック機能付きタッチパネル７１は、タッチセンサー７２と、導電層７３と、触覚フィードバックセンサー７４とを備える。触覚フィードバックセンサー７４は、適宜の位置に配置することができる。導電層７３は、複数の金属被覆粒子（図示は省略）を含む。導電層７３は、タッチセンサー７２の第１の表面側に配置されている。触覚フィードバック機能付きタッチパネル７１は、導電層７３のタッチセンサー７２側とは反対側に、絶縁層７５を備える。触覚フィードバック機能付きタッチパネル７１は、タッチセンサー７２の上記第１の表面と反対の第２の表面側に、液晶パネル７６を備える。
【０２６４】
触覚フィードバック機能付きタッチパネル７１は、液晶パネル７６を備えるので、液晶表示装置である。
【０２６５】
図１２に示す触覚フィードバック機能付きタッチパネルは一例であり、触覚フィードバック機能付きタッチパネルの具体的な構成は適宜変更され得る。
【０２６６】
（電子部品装置）
上述した金属被覆粒子は、第１のセラミック部材と第２のセラミック部材との外周部において、第１のセラミック部材と第２のセラミック部材との間に配置され、ギャップ制御材及び導電接続材として用いることもできる。
【０２６７】
図１３は、本発明の第１の実施形態に係る金属被覆粒子を用いた電子部品装置を模式的に示す断面図である。図１４は、図１３に示す電子部品装置における接合部部分を拡大して示す断面図である。
【０２６８】
図１３，１４に示す電子部品装置８１は、第１のセラミック部材８２と、第２のセラミック部材８３と、接合部８４と、電子部品８５と、リードフレーム８６とを備える。
【０２６９】
第１，第２のセラミック部材８２，８３はそれぞれ、セラミック材料により形成されている。第１，第２のセラミック部材８２，８３はそれぞれ、例えば、筐体である。第１のセラミック部材８２は、例えば、基板である。第２のセラミック部材８３は、例えば蓋である。第１のセラミック部材８２は、外周部に、第２のセラミック部材８３側（上側）に突出した凸部を有する。第１のセラミック部材８２は、第２のセラミック部材８３側（上側）に、電子部品８５を収納するための内部空間Ｒを形成する凹部を有する。なお、第１のセラミック部材８２は、凸部を有していなくてもよい。第２のセラミック部材８３は、外周部に、第１のセラミック部材８２側（下側）に突出した凸部を有する。第２のセラミック部材８３は、第１のセラミック部材８２側（下側）に、電子部品８５を収納するための内部空間Ｒを形成する凹部を有する。なお、第２のセラミック部材８３は、凸部を有していなくてもよい。
【０２７０】
接合部８４は、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部とを接合している。具体的には、接合部８４は、第１のセラミック部材８２の外周部の凸部と、第２のセラミック部材８３の外周部の凸部とを接合している。
【０２７１】
接合部８４により接合された第１，第２のセラミック部材８２，８３によってパッケージが形成されている。パッケージによって、内部空間Ｒが形成されている。接合部８４は、内部空間Ｒを液密的及び気密的に封止している。接合部８４は、封止部である。
【０２７２】
電子部品８５は、上記パッケージの内部空間Ｒ内に配置されている。具体的には、第１のセラミック部材８２上に、電子部品８５が配置されている。本実施形態では、２つの電子部品８５が用いられている。
【０２７３】
接合部８４は、複数の金属被覆粒子１とガラス８４Ｂとを含む。接合部８４は、ガラス粒子とは異なる複数の金属被覆粒子１とガラス８４Ｂとを含む接合材料を用いて形成されている。この接合材料は、セラミックパッケージ用接合材料である。
【０２７４】
接合材料は、溶剤を含んでいてもよく、樹脂を含んでいてもよい。接合部８４では、ガラス粒子等のガラス８４Ｂが溶融及び結合した後に固化している。
【０２７５】
電子部品としては、センサ素子、ＭＥＭＳ及びベアチップ等が挙げられる。上記センサ素子としては、圧力センサ素子、加速度センサ素子、ＣＭＯＳセンサ素子、ＣＣＤセンサ素子及び上記各種センサ素子の筐体等が挙げられる。
【０２７６】
リードフレーム８６は、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間に配置されている。リードフレーム８６は、パッケージの内部空間Ｒ側と外部空間側とに延びている。電子部品８５の端子とリードフレーム８６とがワイヤーを介して、電気的に接続されている。
【０２７７】
接合部８４は、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部とを部分的に直接に接合しており、部分的に間接に接合している。具体的には、接合部８４は、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間のリードフレーム８６がある部分において、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部とをリードフレーム８６を介して間接に接合している。第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間のリードフレーム８６がある部分において、第１のセラミック部材８２がリードフレーム８６と接しており、リードフレーム８６が第１のセラミック部材８２と接合部８４とに接している。さらに、接合部８４がリードフレーム８６と第２のセラミック部材８３とに接しており、第２のセラミック部材８３が接合部８４と接している。接合部８４は、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間のリードフレーム８６がない部分において、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部とを直接に接合している。第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間のリードフレーム８６がない部分において、接合部８４が、第１のセラミック部材８２と第２のセラミック部材８３とに接している。
【０２７８】
第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との間のリードフレーム８６がある部分において、第１のセラミック部材８２の外周部と第２のセラミック部材８３の外周部との隙間の距離は、接合部８４に含まれる複数の金属被覆粒子１により制御されている。
【０２７９】
接合部は、第１のセラミック部材の外周部と第２のセラミック部材の外周部とを直接又は間接に接合していればよい。なお、リードフレーム以外の電気的接続方法を採用してもよい。
【０２８０】
電子部品装置８１のように、電子部品装置は、例えば、セラミック材料により形成されている第１のセラミック部材と、セラミック材料により形成されている第２のセラミック部材と、接合部と、電子部品とを備えていてもよい。上記電子部品装置では、上記接合部が、上記第１のセラミック部材の外周部と上記第２のセラミック部材の外周部とを直接又は間接に接合していてもよい。上記電子部品装置では、上記接合部により接合された上記第１，第２のセラミック部材によってパッケージが形成されていてもよい。上記電子部品装置では、上記電子部品が、上記パッケージの内部空間内に配置されており、上記接合部が、複数の金属被覆粒子とガラスとを含んでいてもよい。
【０２８１】
また、電子部品装置８１で用いた接合材料のように、上記セラミックパッケージ用接合材料は、上記電子部品装置において、上記接合部を形成するために用いられ、金属被覆粒子と、ガラスとを含む。なお、金属被覆粒子のみを含み、ガラスを含まない電気的接続方法を採用してもよい。
【０２８２】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０２８３】
（実施例１）
（１）金属被覆粒子１の作製
基材粒子（Ｓ１）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３、粒子径３μｍ」）を用意した。
【０２８４】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子（Ｓ１）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１）を得た。
【０２８５】
懸濁液（Ａ１）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１）を得た。
【０２８６】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７５ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｃ１）を用意した。
【０２８７】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ１）を用意した。
【０２８８】
５５℃の粒子混合液（Ｂ１）に銅めっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ１）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ１）を得た。
【０２８９】
その後、粒子混合液（Ｅ１）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ１）を得た。
【０２９０】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｆ１）に銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（金属部全体の厚み：０．２μｍ）を備える金属被覆粒子１を得た。
【０２９１】
（実施例２）
（１）金属被覆粒子２の作製
金属ニッケル粒子（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径２００ｎｍ）を純水に５０重量％となるように分散させたスラリーを用意した。このスラリー１重量部を３分間かけて、金属被覆粒子１の作製時に用いた懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子（Ｓ１）を含む懸濁液（Ａ２）を得た。
【０２９２】
懸濁液（Ａ２）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ２）を得た。
【０２９３】
５５℃の粒子混合液（Ｂ２）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銅めっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ１）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｄ２）を得た。
【０２９４】
その後、粒子混合液（Ｄ２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ２）を得た。
【０２９５】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ２）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える金属被覆粒子２を得た。
【０２９６】
（実施例３）
（１）金属被覆粒子３の作製
金属被覆粒子１の作製時に用いた懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ３）を得た。
【０２９７】
また、無電解ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む混合液を、ｐＨ６．５に調整したニッケルめっき液（Ｃ３）を用意した。
【０２９８】
５０℃の粒子混合液（Ｂ３）にニッケルめっき液（Ｃ３）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ３）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−リン合金を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ３）を得た。
【０２９９】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ３）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（金属部全体の厚み：０．２μｍ）を備える金属被覆粒子３を得た。
【０３００】
（実施例４）
金属被覆粒子２の作製時に用いた懸濁液（Ａ２）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ４）を得た。
【０３０１】
５０℃の粒子混合液（Ｂ４）に、金属被覆粒子３の作製時に用いたニッケルめっき液（Ｃ３）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ３）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−リンが配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ４）を得た。
【０３０２】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ４）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える金属被覆粒子４を得た。
【０３０３】
（実施例５）
金属被覆粒子２の作製時に用いた懸濁液（Ａ２）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ５）を得た。
【０３０４】
また、無電解ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム５ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｃ５）を用意した。
【０３０５】
５０℃の粒子混合液（Ｂ５）にニッケルめっき液（Ｃ５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ５）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−タングステン−ボロンが配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ５）を得た。
【０３０６】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ５）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える金属被覆粒子５を得た。
【０３０７】
（実施例６）
無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む無電解置換金めっき液（Ｇ６）（ｐＨ６．５）を用意した。
【０３０８】
金属被覆粒子２の作製時に用いた粒子混合液（Ｅ２）を用意した。６０℃の粒子混合液（Ｅ２）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ６）を得た。
【０３０９】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｈ６）に無電解置換金めっき液（Ｇ６）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｇ６）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅、銀及び金（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２１μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える金属被覆粒子６を得た。
【０３１０】
（実施例７）
金属被覆粒子２の作製時に用いた懸濁液（Ａ２）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ７）を得た。
【０３１１】
５０℃の粒子混合液（Ｂ７）に、金属被覆粒子３の作製時に用いたニッケルめっき液（Ｃ３）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ３）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−リンが配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ７）を得た。
【０３１２】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ７）に、金属被覆粒子１の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。
【０３１３】
その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ７）を得た。
【０３１４】
次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｈ７）に、金属被覆粒子６の作製時に用いた無電解置換金めっき液（Ｇ６）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｇ６）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル、銀及び金（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２１μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える金属被覆粒子７を得た。
【０３１５】
（実施例８）
金属ニッケル粒子の代わりに、アルミナ粒子（粒子径１５０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子８を得た。
【０３１６】
（実施例９）
金属ニッケル粒子の代わりに、アルミナ粒子（粒子径１５０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子９を得た。
【０３１７】
（実施例１０）
金属ニッケル粒子の代わりに、酸化チタン粒子（粒子径１５０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子１０を得た。
【０３１８】
（実施例１１）
金属ニッケル粒子の代わりに、酸化チタン粒子（粒子径１５０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１１を得た。
【０３１９】
（実施例１２）
基材粒子（Ｓ２）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２」、粒子径２μｍ）を用意した。
【０３２０】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ２）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子１２を得た。
【０３２１】
（実施例１３）
基材粒子（Ｓ２）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２」、粒子径２μｍ）を用意した。
【０３２２】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ２）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１３を得た。
【０３２３】
（実施例１４）
基材粒子（Ｓ３）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２１５」、粒子径１５μｍ）を用意した。
【０３２４】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ３）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子１４を得た。
【０３２５】
（実施例１５）
基材粒子（Ｓ３）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２１５」、粒子径１５μｍ）を用意した。
【０３２６】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ３）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１５を得た。
【０３２７】
（実施例１６）
基材粒子（Ｓ４）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２３０」、粒子径３０μｍ）を用意した。
【０３２８】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ４）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子１６を得た。
【０３２９】
（実施例１７）
基材粒子（Ｓ４）として、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２３０」、粒子径３０μｍ）を用意した。
【０３３０】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ４）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１７を得た。
【０３３１】
（実施例１８）
（１）シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ−トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。
【０３３２】
（２）シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ−ブチル−２−エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコール（重合度：約２０００、けん化度：８６．５〜８９モル％、日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ−２０」）の５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ  Ｐｏｒｏｕｓ  Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比（平均２次粒子径／平均１次粒子径）になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子（Ｓ５））を得た。
【０３３３】
基材粒子（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ５）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１８を得た。
【０３３４】
（実施例１９）
種粒子として平均粒子径０．８５μｍのポリスチレン粒子を用意した。該ポリスチレン粒子３．０ｇと、イオン交換水５００ｇと、５重量％ポリビニルアルコール水溶液１２０ｇとを混合し、超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに添加し、均一に撹拌した。また、内部形成材料（有機化合物Ａ）として、シクロヘキシルメタクリレート４９ｇと、２，２’−アゾビス（イソ酪酸メチル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６０１」）１．５ｇと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン３．０ｇと、エタノール４０ｇとをイオン交換水４００ｇに添加し、乳化液Ａを調製した。種粒子としての上記ポリスチレン粒子が添加されたセパラブルフラスコに、上記乳化液Ａをさらに添加し、４時間撹拌し、種粒子に上記有機化合物Ａを吸収させて、内部形成材料が膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。次に、表面部形成材料（有機化合物Ｂ）として、ジビニルベンゼン（純度９６重量％）４９ｇと、過酸化ベンゾイル（日油社製「ナイパーＢＷ」）１．５ｇと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン３．０ｇと、エタノール４０ｇとをイオン交換水４００ｇに添加し、乳化液Ｂを調製した。上記懸濁液が入ったセパラブルフラスコに、上記乳化液Ｂをさらに添加し、４時間撹拌し、内部形成材料が膨潤した種粒子に上記有機化合物Ｂを吸収させた。その後、ポリビニルアルコールの５重量％水溶液３６０ｇを添加し、加熱を開始して７５℃で５時間、その後８５℃で６時間反応させ、粒子径３μｍの基材粒子（基材粒子（Ｓ６））を得た。
【０３３５】
基材粒子（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ６）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子１９を得た。
【０３３６】
（実施例２０）
基材粒子（Ｓ７）として、金属ニッケル粒子（粒子径３μｍ）を用意した。
【０３３７】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ７）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、金属含被覆子２０を得た。
【０３３８】
（実施例２１）
基材粒子（Ｓ８）として、金属銅粒子（粒子径３μｍ）を用意した。
【０３３９】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ８）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、金属被覆粒子２１を得た。
【０３４０】
（実施例２２）
基材粒子（Ｓ９）として、シリカ粒子（粒子径３μｍ）を用意した。
【０３４１】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ９）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、金属被覆粒子２２を得た。
【０３４２】
（実施例２３）
基材粒子（Ｓ１０）として、アルミナ粒子（粒子径３μｍ）を用意した。
【０３４３】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ１０）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、金属被覆粒子２３を得た。
【０３４４】
（実施例２４）
基材粒子（Ｓ１１）として、窒化ホウ素粒子（粒子径３μｍ）を用意した。
【０３４５】
基材粒子を（Ｓ１）の代わりに、基材粒子（Ｓ１１）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、金属被覆粒子２４を得た。
【０３４６】
（実施例２５）
無電解銀めっき液として、硝酸銀１５０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド３００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド１２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ２５）を用意した。
【０３４７】
無電解銀めっき液（Ｄ１）の代わりに、無電解銀めっき液（Ｄ２５）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子２５を得た。金属被覆粒子２５は、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．３μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える。
【０３４８】
（実施例２６）
無電解銀めっき液（Ｄ１）の代わりに、無電解銀めっき液（Ｄ２５）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子２６を得た。金属被覆粒子２３は、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．３μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える。
【０３４９】
（実施例２７）
無電解銀めっき液として、硝酸銀３００ｇ／Ｌ、コハク酸イミド９００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド３６０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ２７）を用意した。
【０３５０】
無電解銀めっき液（Ｄ１）の代わりに、無電解銀めっき液（Ｄ２７）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子２７を得た。金属被覆粒子２７は、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．５μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える。
【０３５１】
（実施例２８）
無電解銀めっき液として、硝酸銀７５ｇ／Ｌ、ピロリン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド６０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ７．０に調整した銀めっき液（Ｄ２８）を用意した。
【０３５２】
無電解銀めっき液（Ｄ１）の代わりに、無電解銀めっき液（Ｄ２８）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、金属被覆粒子２８を得た。金属被覆粒子２８は、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える。
【０３５３】
（実施例２９）
無電解銀めっき液（Ｄ１）の代わりに、無電解銀めっき液（Ｄ２８）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、金属被覆粒子２９を得た。金属被覆粒子２９は、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．２μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える。
【０３５４】
（実施例３０）
実施例４で得られた金属被覆粒子１０ｇに銀変色防止剤として、大和化成社製「ニューダインシルバー」を用いて耐硫化処理（表面処理）を行った。具体的には、ニューダインシルバー１０重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例４で得られた金属被覆粒子１０ｇを、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、耐硫化処理された金属被覆粒子３０を得た。
【０３５５】
（実施例３１）
実施例４で得られた金属被覆粒子１０ｇに硫化防止剤として、２−メルカプトベンゾチアゾール溶液を用いて耐硫化処理（表面処理）を行った。具体的には、２−メルカプトベンゾチアゾール０．５重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例４で得られた金属被覆粒子１０ｇを、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、耐硫化処理された金属被覆粒子３１を得た。
【０３５６】
（比較例１）
（１）金属被覆粒子Ａの作製
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子（Ｓ１）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１）を得た。
【０３５７】
懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ４）を得た。
【０３５８】
また、無電解ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む混合液を、ｐＨ６．５に調整したニッケルめっき液（Ｃ４）を用意した。
【０３５９】
５０℃の粒子混合液（Ｂ４）にニッケルめっき液（Ｃ４）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ４）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−リン（金属部全体の厚み：０．２μｍ）を備える金属被覆粒子Ａを得た。
【０３６０】
（評価）
（１）示差走査熱量測定
得られた金属被覆粒子２０ｍｇを、１℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２５０℃まで大気雰囲気下で加熱して示差走査熱量測定を行った。示差走査熱量測定には、日立ハイテクサイエンス社製「ＴＡ７０００」を用いた。得られた測定結果から、吸熱ピークが観察されるか否か、及び、発熱ピークが観察されるか否かを確認した。また、発熱ピークが観察された場合には、発熱ピークの個数を算出した。
【０３６１】
（２）金属被覆粒子の金属部の厚み
得られた金属被覆粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出した。
【０３６２】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、それぞれの金属被覆粒子の金属部を観察した。各金属被覆粒子における金属部の厚みを計測し、それを算術平均して金属部の厚みとした。
【０３６３】
（３）金属被覆粒子の粒子径
得られた金属被覆粒子の粒子径を、任意の金属被覆粒子５０個を電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、各金属被覆粒子の粒子径の平均値を算出することにより求めた。
【０３６４】
（４）突起の平均高さ
得られた金属被覆粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製した。検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出した。
【０３６５】
そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を５００００倍に設定し、５０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、各金属被覆粒子における突起を観察した。各金属被覆粒子における突起の高さを計測し、それらを算術平均して突起の平均高さとした。
【０３６６】
（５）突起の基部の平均径
得られた金属被覆粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂を作製した。検査用埋め込み樹脂中に分散した金属被覆粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出した。
【０３６７】
そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を５００００倍に設定し、５０個の金属被覆粒子を無作為に選択し、各金属被覆粒子における突起を観察した。各金属被覆粒子における突起の基部径を計測し、それらを算術平均して突起の基部の平均径とした。
【０３６８】
（６）金属部の外表面の全表面積１００％中の突起がある部分の面積
得られた金属被覆粒子における金属部の外表面の全表面積１００％中の突起がある部分の面積を算出した。具体的には、任意の金属被覆粒子１０個を電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）にて観察し、突起がある部分の面積の金属被覆粒子の投影面積に対する百分率の平均値を求めることにより算出した。
【０３６９】
（７）１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）
得られた金属被覆粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて、以下のようにして測定した。
【０３７０】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で金属被覆粒子を圧縮した。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定した。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により算出した。
【０３７１】
１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：金属被覆粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：金属被覆粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：金属被覆粒子の半径（ｍｍ）
【０３７２】
（８）金属部の面格子
得られた金属被覆粒子における金属部の面格子を、Ｘ線回折装置（ＢＲＵＫＥＲ  ＡＸＳ社製「Ｄ８  ＤＩＳＣＯＶＥＲ」）を用いて、回折角に依存する装置固有の回折線のピーク強度比を算出した。検出された（１，１，１）面、（２，０，０）面、（２，２，０）面、（３，１，１）面のピーク強度値の合計から、（１，１，１）面の強度比の割合、（２，０，０）面の強度比の割合、（２，２，０）面の強度比の割合、及び（３，１，１）面の強度比の割合を算出した。
【０３７３】
（９）熱分解開始温度
得られた金属被覆粒子２０ｍｇを、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から６００℃まで大気雰囲気下で加熱して熱重量測定を行った。得られた測定結果から、金属被覆粒子の熱分解開始温度を算出した。熱重量測定結果において、金属被覆粒子の重量が１０％減少したとき（金属被覆粒子の重量が１８ｍｇになったとき）の温度を、熱分解開始温度とした。また、熱重量測定結果において、金属被覆粒子の重量が１０％減少しない（金属被覆粒子の重量が１８ｍｇにならない）ときは熱分解しないと判断した。上記熱重量測定は、熱重量示差熱分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｕｌｓ  ＥＶＯ０２」）を用いて測定した。
【０３７４】
（１０）金属被覆粒子の金属部の焼結状態
得られた金属被覆粒子を約０．２ｇ秤量した。その後、ガラス基板を２枚用意し、上記金属被覆粒子を一方のガラス基板上に配置し、上記金属被覆粒子を挟み込むように、他方のガラス基板を上方から重ねた。次に、上方から重ねたガラス基板の上面に重量１００ｇの分銅を載置した。５分後、分銅と上方から重ねたガラス基板を取り外した。ガラス基板上に圧密された金属被覆粒子を、２００℃及び６０分間の条件、２５０℃及び６０分間の条件、並びに３００℃及び６０分間の条件で電気炉を用いて加熱処理し、圧密された金属被覆粒子を焼結させて、粒子連結体を得た。得られた粒子連結体を、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて観察することで、金属被覆粒子の金属部が焼結し、柱状連結部を形成しているか否かを確認した。金属被覆粒子の金属部の焼結状態を下記の基準で判定した。なお、図９に、実施例４の金属被覆粒子を用いて作製された粒子連結体の画像を示した。
【０３７５】
［金属被覆粒子の金属部の焼結状態の判定基準］
Ａ：金属部が焼結した後に柱状連結部を形成している
Ｂ：金属部が焼結した後に柱状連結部を形成していない
【０３７６】
（１１）接続構造体における導通信頼性
得られた金属被覆粒子又は粒子連結体を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ−５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
【０３７７】
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。
【０３７８】
上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が２５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を２５０℃及び１０分間の条件で硬化させて、接続構造体を得た。接続構造体を得るために、電極間を０．５ＭＰａの低圧で接続した。
【０３７９】
得られた接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０３８０】
［導通信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗の平均値が１．０Ω以下
○○：接続抵抗の平均値が１．０Ωを超え２．０Ω以下
○：接続抵抗の平均値が２．０Ωを超え３．０Ω以下
△：接続抵抗の平均値が３．０Ωを超え５Ω以下
×：接続抵抗の平均値が５Ωを超える
【０３８１】
（１２）接続構造体における絶縁信頼性
上記の（１１）接続構造体における導通信頼性の評価で得られた接続構造体１５個において、８５℃及び湿度８５％の雰囲気中に１００時間放置後、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定した。接続抵抗の平均値を算出した。絶縁信頼性を以下の基準で判定した。
【０３８２】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が１０７Ω以上
○：接続抵抗の平均値が１０６Ω以上１０７Ω未満
△：接続抵抗の平均値が１０５Ω以上１０６Ω未満
×：接続抵抗の平均値が１０５Ω未満
【０３８３】
（１３）金属部の接合状態
上記の（１１）接続構造体における導通信頼性の評価で得られた接続構造体を、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」を用いて、接続構造体検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の接続構造体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属被覆粒子の断面を切り出した。
【０３８４】
そして、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、得られた接続構造体の断面を観察することで、金属被覆粒子の金属部の接合状態を確認した。金属部の接合状態を下記の基準で判定した。
【０３８５】
［金属部の接合状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属被覆粒子における金属部が焼結し、電極及び他の金属被覆粒子と接合している
Ｂ：接続部中で、金属被覆粒子における金属部が、電極及び他の金属被覆粒子と接合していない
【０３８６】
（１４）導通検査用部材における接触抵抗値
シリコーン系共重合体１０重量部、得られた金属被覆粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤（信越化学工業社製、「ＫＢＥ−３０３」）１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部を配合し、ホモディスパーを用いて１０００ｒｐｍで２０分撹拌した。その後、シンキー社製「練太郎ＡＲＥ２５０」を用いて脱泡することで、金属被覆粒子とバインダーとを含む導電材料を調製した。
【０３８７】
上記のシリコーン系共重合体は、次の方法で重合した。内容量２Ｌの金属混練機内に４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（デグサ社製）１６２ｇ（６２８ｍｍｏｌ）、片末端アミノ基変性ポリジメチルシロキサン（モメンティブ社製「ＴＳＦ４７０９」）（分子量１００００）９００ｇ（９０ｍｍｏｌ）を入れ、７０〜９０℃で溶解後、撹拌を２時間行った。その後、ネオペンチルグリコール（三菱ガス化学社製）６５ｇ（６２５ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、３０分混練し、続けて未反応のネオペンチルグリコールを減圧除去した。得られたシリコーン系共重合体は２０重量％になるようにイソプロピルアルコールに溶解させて使用した。なお、イソシアネート基の消失はＩＲスペクトルにて確認した。得られたシリコーン系共重合体において、シリコーン含有量は８０重量％、重量平均分子量は２５０００であり、ＳＰ値は７．８、極性基を有する構造（ポリウレタン）の繰り返し単位のＳＰ値は１０であった。
【０３８８】
次に、導通検査用部材の基材（絶縁材料により形成されたシート状の基材）として、シリコーンゴムを準備した。シリコーンゴムのサイズは、横幅２５ｍｍ、縦幅２５ｍｍ及び厚み１ｍｍである。シリコーンゴムには、レーザー加工で形成した直径０．５ｍｍの円柱状の貫通孔が縦２０個及び横２０個で総数４００個形成されている。
【０３８９】
上記導電材料を、貫通孔を有するシリコーンゴム上にナイフコーターを用いて塗工し、貫通孔に導電材料を充填した。次に、導電材料が貫通孔に充填されたシリコーンゴムをオーブンにて５０℃で１０分間乾燥した後、更に続けて２００℃で６０分間乾燥し、厚さ１ｍｍの導通検査用部材を得た。
【０３９０】
得られた導通検査用部材の接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。接触抵抗測定は、直径０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで、得られた導通検査用部材の導電部に垂直方向から加圧した。その際に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を測定した接触接続抵抗値の平均値を算出した。接触抵抗値を下記の基準で判定した。
【０３９１】
［接触抵抗値の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が５０．０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が５０．０ｍΩを超え１００．０ｍΩ以下
△：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が５００．０ｍΩを超える
【０３９２】
（１５）導通検査用部材における繰り返し信頼性試験
上記の（１４）導通検査用部材の接触抵抗値の評価の導通検査用部材を用意した。
【０３９３】
得られた導通検査用部材の繰り返し信頼性試験及び接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。繰り返し信頼性試験は、直径０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで、得られたプローブシートの導電部に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した。１０００回繰り返し加圧した後に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を同様に測定した接触抵抗値の平均値を算出した。接触抵抗値を下記の基準で判定した。
【０３９４】
［繰り返し信頼性試験の判定基準］
○○○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩ以下
○○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が５００．０ｍΩを超え１０００．０ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が１０００．０ｍΩを超える
【０３９５】
結果を下記の表１〜６に示す。
【０３９６】
【表１】
2020100992.tif 000003
【０３９７】
【表２】
2020100992.tif 000004
【０３９８】
【表３】
2020100992.tif 000005
【０３９９】
【表４】
2020100992.tif 000006
【０４００】
【表５】
2020100992.tif 000007
【０４０１】
【表６】
2020100992.tif 000008
【符号の説明】
【０４０２】
１，１Ａ，１Ｂ…金属被覆粒子
１Ａａ，１Ｂａ…突起
３…柱状連結部
１１…基材粒子
１２，１２Ａ，１２Ｂ…金属部
１２Ａａ，１２Ｂａ…突起
１２ＢＡ…第１の金属部
１２ＢＢ…第２の金属部
１２ＢＡａ，１２ＢＢａ…突起
１３…芯物質
２１，２１Ａ…粒子連結体
２２…柱状連結部
３１…導通検査用部材
３２…基体
３２ａ…貫通孔
３３…導電部
４０…多層基板
４１…はんだボール（導通対象部材）
４２…ＢＧＡ基板
４３…電流計
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
６１，６１Ａ…接続構造体
６２…第１の接続対象部材
６３，６４…第２の接続対象部材
６５，６６…接続部
６７，６８…ヒートシンク
６９…他の金属被覆粒子
７１…触覚フィードバック機能付きタッチパネル
７２…タッチセンサー
７３…導電層
７４…触覚フィードバックセンサー
７５…絶縁層
７６…液晶パネル
８１…電子部品装置
８２…第１のセラミック部材
８３…第２のセラミック部材
８４…接合部
８４Ｂ…ガラス
８５…電子部品
８６…リードフレーム
１００…導通検査用部材
１１０…基体
１１０ａ…貫通孔
１２０…導電部
Ｒ…内部空間
【図１】
2020100992.tif 000009
【図２】
2020100992.tif 000010
【図３】
2020100992.tif 000011
【図４】
2020100992.tif 000012
【図５】
2020100992.tif 000013
【図６】
2020100992.tif 000014
【図７】
2020100992.tif 000015
【図８】
2020100992.tif 000016
【図９】
2020100992.tif 000017
【図１０】
2020100992.tif 000018
【図１１】
2020100992.tif 000019
【図１２】
2020100992.tif 000020
【図１３】
2020100992.tif 000021
【図１４】
2020100992.tif 000022
【国際調査報告】
2020100992.tif 000023
2020100992.tif 000024
2020100992.tif 000025
2020100992.tif 000026