(57)【要約】  静電チャックヒータは、ジョンソン・ラーベック型であり、ウエハに導電膜を形成するのに用いられる。この静電チャックヒータは、静電電極と抵抗発熱体とを備えた円板状のセラミック基体と、セラミック基体のウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられた中空シャフトとを備える。凸状リングは、ウエハ載置面に設けられ、その外径はウエハの直径よりも小さい。貫通穴は、中空シャフトの周壁の下端からウエハ載置面のうち凸状リングの内側まで貫通するように設けられている。貫通穴は、ウエハ載置面と凸状リングとウエハ載置面に載置されるウエハとによって囲まれるウエハ下方空間に中空シャフトの下端からガスを供給可能である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに導電膜を形成するのに用いられるジョンソン・ラーベック型の静電チャックヒータであって、
一方の面が前記ウエハを載置するウエハ載置面であり、静電電極と抵抗発熱体とを備えた円板状のセラミック基体と、
前記セラミック基体のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられた中空シャフトと、
前記ウエハ載置面に設けられ、前記ウエハの直径よりも外径が小さい凸状リングと、
前記中空シャフトの周壁の下端から前記ウエハ載置面のうち前記凸状リングの内側まで貫通するように設けられ、前記ウエハ載置面と前記凸状リングと前記ウエハ載置面に載置される前記ウエハとによって囲まれるウエハ下方空間に前記中空シャフトの下端からガスを供給可能な貫通穴と、
を備えた静電チャックヒータ。
【請求項２】
前記ウエハ載置面のうち前記凸状リングの内側には、前記ウエハと当接可能な複数のエンボスが設けられている、
請求項１に記載の静電チャックヒータ。
【請求項３】
前記凸状リングは、前記凸状リングの内外を連通するスリットを備えている、
請求項１又は２に記載の静電チャックヒータ。
【請求項４】
前記貫通穴のうち前記ウエハ載置面における開口部は、前記貫通穴よりも径の小さい複数の小穴で構成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【請求項５】
前記ウエハ下方空間に供給されるガスが前記ウエハを押し上げる力は、前記静電電極に通電することによって発生するウエハチャッキング力と前記ウエハの上方の雰囲気が前記ウエハを押し下げる力との和より小さい、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【請求項６】
前記静電電極は、プラズマ電極としても利用される、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【請求項７】
前記凸状リングの内側にリング状及び／又は放射状の溝を複数有している、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【請求項８】
前記凸状リングの表面粗さＲａは、１μｍ以上である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【請求項９】
前記貫通穴は、前記ウエハ載置面の前記凸状リングの内側であって前記ウエハ載置面の中央部と外周部の両方に開口している、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックヒータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウエハを支持するウエハ支持台が知られている。例えば、特許文献１のウエハ支持台１１０は、図１０に示すように、ウエハＷを載置するセラミック基体１２０と、セラミック基体１２０のうちウエハＷを載置する面とは反対側の面に取り付けられた中空シャフト１４０と、中空シャフト１４０の周壁の下端からセラミック基体１２０の外周面まで貫通するように設けられた貫通穴１４２とを備える。貫通穴１４２に供給されるパージガスは、セラミック基体１２０の外周面に噴き出したあとウエハＷとリング１３０との間を通って上方へ抜けていく（図１０の１点鎖線矢印）。このパージガスは、ＣＶＤによりウエハＷの上面に薄膜を形成する際、ウエハＷの縁に薄膜が形成するのを防止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５３２４６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ウエハＷの外周縁の裏面ではパージガスは外から内へ向かうため、図１１に示すように、ＣＶＤによりウエハＷの上面に導電膜Ｆを形成した場合、セラミック基体１２０のウエハ接触面１２２とウエハＷとの間に導電膜Ｆが入り込むことがあった。ウエハ支持台１１０がウエハＷをジョンソン・ラーベック力によりセラミック基体１２０に吸着保持する機能を有する場合、ウエハ接触面１２２とウエハＷとの間に導電膜Ｆが入り込むと吸着力が低下することがあった。すなわち、ＣＶＤ処理後のウエハＷを取り外して新たなウエハＷに交換すると、新たなウエハＷとセラミック基体１２０のウエハ接触面１２２とが導電膜Ｆを介して同電位になるため十分なジョンソン・ラーベック力が発現しなくなり吸着力が低下することがあった。【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、安定的にウエハをチャッキングすることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電チャックヒータは、
ウエハに導電膜を形成するのに用いられるジョンソン・ラーベック型の静電チャックヒータであって、
一方の面が前記ウエハを載置するウエハ載置面であり、静電電極と抵抗発熱体とを備えた円板状のセラミック基体と、
前記セラミック基体のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられた中空シャフトと、
前記ウエハ載置面に設けられ、前記ウエハの直径よりも外径が小さい凸状リングと、
前記中空シャフトの周壁の下端から前記ウエハ載置面のうち前記凸状リングの内側まで貫通するように設けられ、前記ウエハ載置面と前記凸状リングと前記ウエハ載置面に載置される前記ウエハとによって囲まれるウエハ下方空間に前記中空シャフトの下端からガスを供給可能な貫通穴と、
を備えたものである。【０００７】
この静電チャックヒータの使用時には、凸状リングに載置されたウエハの表面に導電膜が形成されるが、それと同時にウエハ載置面のうち凸状リングの外側の領域にも導電膜が付着する。ここで、凸状リングの外径はウエハの直径よりも小さいため、平面視したときに凸状リングはウエハによって覆い隠された状態になる。そのため、ウエハの裏面と当接する凸状リングの上面には導電膜が付着しにくい。また、ウエハ下方空間にはガスが供給されるため、凸状リングとウエハとの隙間に導電膜になる成分が入り込みにくく、この点でも凸状リングの上面に導電膜が付着しにくい。そのため、ウエハに導電膜を形成した後の凸状リングの上面に新たなウエハを載置したとしても、ウエハは導電膜の付着していない凸状リングの上面と密着する。そのため、ウエハチャッキング力すなわちジョンソン・ラーベック力は当初のまま維持される。したがって、プロセス回数が増加しても安定的にウエハをチャッキングすることができる。【０００８】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記ウエハ載置面のうち前記凸状リングの内側には、前記ウエハと当接可能な複数のエンボスが設けられていてもよい。こうすれば、ウエハとセラミック基体との接触面積がエンボスの面積分だけ大きくなるため、ウエハチャッキング力も大きくなり、より安定的にウエハをチャッキングすることができる。【０００９】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記凸状リングは、前記凸状リングの内外を連通するスリットを備えていてもよい。こうすれば、ウエハ下方空間内のガスがウエハ中央から外周に向かって流れるため、その流れによって凸状リングとウエハとの隙間には導電膜になる成分が一層入り込みにくくなる。【００１０】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記貫通穴のうち前記ウエハ載置面における開口部は、前記貫通穴よりも径の小さい複数の小穴で構成されていてもよい。こうすれば、貫通穴を通過してきたガスはウエハの裏面に分散して当たるため、ガスがウエハの裏面の一点に当たる場合に比べて、より安定的にウエハをチャッキングすることができるし、ガスによるウエハの温度低下を抑制することもできる。【００１１】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記ウエハ下方空間に供給されるガスが前記ウエハを押し上げる力は、前記静電電極に通電することによって発生するウエハチャッキング力と前記ウエハの上方の雰囲気が前記ウエハを押し下げる力との和より小さくなるように設定されていてもよい。こうすれば、ウエハ下方空間に供給されるガスによってウエハが浮き上がるのを防止することができる。【００１２】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記静電電極はプラズマ電極としても利用されるものとしてもよい。静電電極に高周波を印加することにより、静電電極をプラズマ電極としても使用することができ、プラズマＣＶＤプロセスによる成膜を行うこともできる。【００１３】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記凸状リングの内側にリング状及び／又は放射状の溝を複数有していてもよい。凸状リングの内側にこのような溝を設けることにより、ウエハ下方空間内のガス流が均一化するため、凸状リングとウエハとの隙間に導電膜になる成分がより一層入り込みにくくなる。なお、溝の深さは０．１ｍｍ以下、溝の幅は５ｍｍ以下にしてもよい。【００１４】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記凸状リングの表面粗さＲａは、１μｍ以上としてもよい。こうすれば、ウエハ下方空間内のガスがウエハ中央から凸状リングの粗い上面を通って外周に流れ出るため、その流れによって凸状リングとウエハとの隙間には導電膜になる成分が一層入り込みにくくなる。【００１５】
本発明の静電チャックヒータにおいて、前記貫通穴は、前記ウエハ載置面の前記凸状リングの内側であって前記ウエハ載置面の中央部と外周部の両方に開口していてもよい。こうすれば、ウエハ載置面の外周部の開口からウエハ下方空間に入り込んだガスは、凸状リングまでの距離が近いため、凸状リングとウエハとの隙間に導電膜になる成分が入り込むのをより防止しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】静電チャックヒータ１０の斜視図。
【図２】静電チャックヒータ１０の平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図。
【図４】導電膜Ｆを形成したあとの静電チャックヒータ１０の部分断面図。
【図５】スリット２２ａの付いたチャッキングリング２２を備えた静電チャックヒータの平面図。
【図６】プラグ５０の付いた貫通穴４２を備えた静電チャックヒータの部分断面図。
【図７】リング内領域２０ｃに溝２０ｄ，２０ｅを設けた静電チャックヒータの平面図。
【図８】開口４２ａ，４２ｂを有する貫通穴４２を備えた静電チャックヒータの平面図。
【図９】図８のＢ−Ｂ断面図。
【図１０】従来のウエハ載置台１１０の断面図。
【図１１】導電膜Ｆを形成したあとのウエハ載置台１１０の部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は静電チャックヒータ１０の斜視図、図２は静電チャックヒータ１０の平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。
【００１８】
静電チャックヒータ１０は、ＣＶＤなどにより導電膜をウエハＷに形成するのに用いられるものであり、セラミック基体２０と、中空シャフト４０とを備えている。
【００１９】
セラミック基体２０は、窒化アルミニウム製の円板である。セラミック基体２０の直径は特に限定されるものではないが、例えば３００ｍｍ程度である。セラミック基体２０は、ウエハＷを載置するウエハ載置面２０ａと、ウエハ載置面２０ａとは反対側の裏面２０ｂとを有する。セラミック基体２０は、ウエハ載置面２０ａにチャッキングリング２２を有している。チャッキングリング２２は、凸状リングであり、セラミック基体２０と同心円になるように設けられている。チャッキングリング２２は、セラミック基体２０と一体に形成されており、その外径はウエハＷの直径よりも小さい。ウエハ載置面２０ａのうちチャッキングリング２２に囲まれたリング内領域２０ｃには、扁平な円柱形状のエンボス２４が間隔を空けて多数設けられている。エンボス２４は、チャッキングリング２２と共に、ウエハＷの裏面と接触してウエハＷを支持するものである。
【００２０】
セラミック基体２０には、静電電極２６と抵抗発熱体２８とが埋設されている。静電電極２６は、セラミック基体２０よりもやや小径の円形の薄層電極であり、例えば細い金属線を網状に編み込んでシート状にしたメッシュで形成されている。静電電極２６には、図示しない給電棒が接続されており、給電棒は中空シャフト４０の内部空間を経て図示しない外部電源に接続されている。静電電極２６は、外部電源によって電圧が印加されるとウエハ載置面２０ａに載置されたウエハＷを吸着保持する。このときの吸着力は、セラミック基体２０を形成する窒化アルミニウムの体積抵抗率が１×１０8〜１×１０13Ωｃｍであるためジョンソン・ラーベック力である。抵抗発熱体２８は、導電性のコイルをセラミック基体２０の全面にわたって一筆書きの要領で配線したものである。抵抗発熱体２８の両端には、それぞれ図示しない給電棒が接続されており、給電棒は中空シャフト４０の内部空間を経て図示しないヒータ電源に接続されている。抵抗発熱体２８は、ヒータ電源から電力が供給されると発熱してウエハ載置面２０ａに載置されたウエハＷを加熱する。抵抗発熱体２８は、コイルに限定されるものではなく、例えばリボン（細長い薄板）であってもよいし、メッシュであってもよい。
【００２１】
中空シャフト４０は、セラミック基体２０と同じく窒化アルミニウムで形成され、上端面がセラミック基体２０の裏面２０ｂに固相接合又は拡散接合により取り付けられている。中空シャフト４０の周壁には、周方向に沿って等間隔に４つの貫通穴４２が設けられている。貫通穴４２は、中空シャフト４０の下端から上下方向に沿ってセラミック基体２０のリング内領域２０ｃまで貫通している。貫通穴４２は、リング内領域２０ｃのうち、中空シャフト４０の周壁の直上に開口している。貫通穴４２の開口４２ａは、リング内領域２０ｃのうちエンボス２４と干渉しない位置に設けられている。貫通穴４２には、図示しないガス供給源が接続されている。
【００２２】
次に、静電チャックヒータ１０の使用例について説明する。図示しないＣＶＤ用のチャンバ内に静電チャックヒータ１０を配置し、ウエハ載置面２０ａの多数のエンボス２４及びチャッキングリング２２にウエハＷを載置する。このとき、ウエハ載置面２０ａとチャッキングリング２２とウエハＷとによって囲まれる空間を、ウエハ下方空間Ｓと称する。そして、静電電極２６に電圧を印加することにより、ウエハＷをジョンソン・ラーベック力により吸着保持する。また、図示しない熱電対の検出信号に基づいてウエハＷの温度を求め、その温度が目標温度になるように抵抗発熱体２８へ印加する電圧を制御する。更に、ガス供給源から貫通穴４２にガスを供給する。これにより、貫通穴４２に供給されたガスは、リング内領域２０ｃの開口４２ａからウエハ下方空間Ｓに入り込み、エンボス２４とエンボス２４との間を通って外周に向かって流れる（図３の１点鎖線矢印）。この状態で、ＣＶＤによりウエハＷの上面に導電膜Ｆ（図４参照）を形成する。
【００２３】
このとき、ウエハ下方空間Ｓに供給されるガスがウエハＷを押し上げる力は、静電電極２６に通電することによって発生するウエハチャッキング力とウエハＷの上方の雰囲気がウエハＷを押し下げる力との和より小さくなるように設定されている。そのため、ウエハ下方空間Ｓに供給されるガスによってウエハＷが浮き上がるのを防止することができる。
【００２４】
ウエハＷの表面に導電膜Ｆが形成される際、それと同時にセラミック基体２０の表面のうちチャッキングリング２２の外側にも導電膜Ｆが付着する（図４参照）。ここで、チャッキングリング２２の外径はウエハＷの直径よりも小さいため、平面視したときにチャッキングリング２２はウエハＷによって覆い隠された状態になる。そのため、ウエハＷの裏面と当接するチャッキングリング２２の上面には導電膜Ｆが付着しにくい。また、ウエハ下方空間Ｓにはガスが供給されるため、チャッキングリング２２とウエハＷとの隙間に導電膜Ｆになる成分が入り込みにくく、この点でもチャッキングリング２２の上面に導電膜Ｆが付着しにくい。
【００２５】
以上説明した静電チャックヒータ１０によれば、ウエハＷの表面に導電膜Ｆを形成する際、チャッキングリング２２の上面への導電膜Ｆの付着が防止される。そのため、ウエハＷに導電膜Ｆを形成した後のチャッキングリング２２の上面に新たなウエハＷを載置したとしても、新たなウエハＷは導電膜Ｆの付着していないチャッキングリング２２の上面と密着し、ジョンソン・ラーベック力は当初のまま維持される。したがって、プロセス回数が増加しても安定的にウエハＷをチャッキングすることができる。
【００２６】
また、チャッキングリング２２の上面に導電膜Ｆが付着してしまうと、チャッキングリング２２の上面に付着した導電膜Ｆを取り除くためのクリーニングが必要になる。こうしたクリーニングは生産効率を低下させる。本実施形態では、チャッキングリング２２の上面に導電膜Ｆが付着しないため、そのようなクリーニングが不要になり、生産効率が向上する。
【００２７】
更に、リング内領域２０ｃにウエハＷと当接可能なエンボス２４を多数設けたため、ウエハＷとセラミック基体２０との接触面積がエンボス２４の面積分だけ大きくなる。そのため、ウエハチャッキング力も大きくなり、より安定的にウエハをチャッキングすることができる。
【００２８】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００２９】
例えば、上述した実施形態において、チャッキングリング２２の上面の表面粗さＲａを１μｍ以上に粗くしてもよい。こうすれば、ウエハ下方空間Ｓ内のガスがウエハＷの中央からチャッキングリング２２の粗い上面を通って外周に流れ出るため、その流れによってチャッキングリング２２とウエハＷとの隙間には導電膜Ｆになる成分が一層入り込みにくくなる。
【００３０】
上述した実施形態において、図５に示すように、チャッキングリング２２は、チャッキングリング２２の内外を連通するスリット２２ａを備えていてもよい。図５では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。図５では、スリット２２ａをチャッキングリング２２の周方向に沿って等間隔に８つ設けたが、スリット２２ａの数は特に限定されるものではない。こうすれば、ウエハ下方空間Ｓ内のガスがウエハＷの中央からチャッキングリング２２の外周に向かって流れやすくなるため、その流れによってチャッキングリング２２とウエハＷとの隙間には導電膜Ｆになる成分が一層入り込みにくくなる。
【００３１】
上述した実施形態において、図６に示すように、貫通穴４２のうちウエハ載置面２０ａに開口している開口部には、貫通穴４２よりも径の小さい複数の小穴５２を備えたプラグ５０が嵌め込まれていてもよい。その場合、貫通穴４２の開口部は、複数の小穴５２で構成されることになる。こうすれば、貫通穴４２を通過してきたガスは小穴５２によってウエハＷの裏面に分散して当たるため、ガスがウエハＷの裏面に集中して当たる場合に比べて、より安定的にウエハＷをチャッキングすることができるし、ガスによるウエハＷの温度低下を抑制することもできる。
【００３２】
上述した実施形態において、図７に示すように、セラミック基体２０のリング内領域２０ｃ（ウエハ載置面２０ａのうちチャッキングリング２２の内側の領域）に、貫通穴４２の開口４２ａに繋がる放射状の４本の溝２０ｄと、各溝２０ｄの外周端に繋がるリング状の溝２０ｅとを設けてもよい。図７では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付したが、エンボス２４を省略した。こうすれば、溝２０ｄ，２０ｅによりウエハ下方空間Ｓ内のガス流が均一化しやすくなるため、チャッキングリング２２とウエハＷとの隙間に導電膜Ｆになる成分がより一層入り込みにくくなる。なお、溝２０ｄ，２０ｅの深さは０．１ｍｍ以下、溝２０ｄ，２０ｅの幅は５ｍｍ以下にしてもよい。
【００３３】
上述した実施形態において、図８及び図９に示すように、貫通穴４２は、セラミック基体２０の内部で半径外方向に延びる分岐路４６を有していてもよい。図８及び図９では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付したが、エンボス２４は省略した。分岐路４６の外周側の端部は、セラミック基体２０と同心円となるように設けられた円周穴４７に連通している。円周穴４７の外径は、チャッキングリング２２の内径よりもやや小さい。円周穴４７は、周方向に沿って等間隔に設けられた複数（ここでは８つ）の鉛直穴４８と連通している。鉛直穴４８は、リング内領域２０ｃのチャッキングリング２２の脇に開口している。これにより、貫通穴４２は、リング内領域２０ｃのうちウエハ載置面２０ａの中央部に開口する開口４２ａと外周部に開口する開口４２ｂ（鉛直穴４８の開口）の両方を有している。こうすれば、開口４２ｂからウエハ下方空間Ｓに入り込んだガスは、チャッキングリング２２までの距離が近いため、チャッキングリング２２とウエハＷとの隙間に導電膜Ｆになる成分が入り込むのをより防止しやすい。
【００３４】
上述した実施形態において、静電電極２６はプラズマ電極として利用してもよい。静電電極２６に高周波を印加することにより、静電電極２６をプラズマ電極としても使用することができ、プラズマＣＶＤプロセスによる成膜を行うこともできる。
【００３５】
上述した実施形態において、中空シャフト４０の周壁に周方向に沿って等間隔に４つの貫通穴４２を設けたが、貫通穴４２の数は４つに限定されるものではなく、２つでもよいし、３つでもよいし、５つ以上でもよい。
【００３６】
本出願は、２０１８年３月２６日に出願された米国仮出願第６２／６４７，９６５号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、ウエハに導電膜を形成する静電チャックヒータに利用可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  静電チャックヒータ、２０  セラミック基体、２０ａ  ウエハ載置面、２０ｂ  裏面、２０ｃ  リング内領域、２０ｄ，２０ｅ  溝、２２  チャッキングリング、２２ａ  スリット、２４  エンボス、２６  静電電極、２８  抵抗発熱体、４０  中空シャフト、４２  貫通穴、４２ａ，４２ｂ  開口、４６  分岐路、４７  円周穴、４８  鉛直穴、５０  プラグ、５２  小穴、１１０  ウエハ載置台、１２０  セラミック基体、１２２  ウエハ接触面、１３０  リング、１４０  中空シャフト、１４２  貫通穴、Ｆ  導電膜、Ｓ  ウエハ下方空間、Ｗ  ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2019187785.tif 000015
2019187785.tif 000016
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