(57)【要約】  式(I)で表される化合物。【化１】2020050127.tif 000226  式(I)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、ｎは、Ｌの数を表し、１または２であり、Ｑは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換若しくは無置換の３−フェニル−６−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基であり、且つｍは、Ｑの数を表し、５−ｎである。
2020050127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)で表される化合物。
【化１】
2020050127.tif 000218
式(I)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、
ｎは、Ｌの数を表し、１または２であり、
Ｑは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換若しくは無置換の３−フェニル−６−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基であり、且つ
ｍは、Ｑの数を表し、５−ｎである。
【請求項２】
式(IIa)で表される請求項１に記載の化合物。
【化２】
2020050127.tif 000219
式(IIa)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項３】
式(IIb)で表される請求項１に記載の化合物。
【化３】
2020050127.tif 000220
式(IIb)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項４】
式(IIc)で表される請求項１に記載の化合物。
【化４】
2020050127.tif 000221
式(IIc)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項５】
式(IIIa)で表される請求項１に記載の化合物。
【化５】
2020050127.tif 000222
式(IIIa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項６】
式(IIIb)で表される請求項１に記載の化合物。
【化６】
2020050127.tif 000223
式(IIIb)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項７】
式(IIIc)で表される請求項１に記載の化合物。
【化７】
2020050127.tif 000224
式(IIIc)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項８】
式(IVa)で表される請求項１に記載の化合物。
【化８】
2020050127.tif 000225
式(IVa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【請求項９】
Ｌが、置換若しくは無置換の含窒素または含酸素の５員環または６員環ヘテロアリールである請求項１〜８のいずれかひとつに記載の化合物。
【請求項１０】
Ｌが、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のアントリル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のフリル基、置換若しくは無置換のチエニル基、置換若しくは無置換のオキサゾリル基、置換若しくは無置換のチアゾリル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のインドリル基、置換若しくは無置換のキノリニル基、置換若しくは無置換のベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のベンゾチエニル基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリル基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリル基、または置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリル基である請求項１〜８のいずれかひとつに記載の化合物。
【請求項１１】
Ｌが置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、または置換若しくは無置換のピリミジニル基である、請求項１〜８のいずれかひとつに記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかひとつに記載の化合物を含む発光材料。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光材料を含有する発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光特性に優れる、２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物、発光材料およびそれを用いた発光素子に関する。
本願は、２０１８年９月５日に、日本に出願された特願２０１８−１６５９５５号、及び、２０１９年２月１日に、日本に出願された特願２０１９−０１７１５６に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
ある種カルバゾール−９−イル置換ベンゾニトリル化合物が発光材料として使用できることが知られている。
例えば、特許文献１は、３，５−ジ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，４，６−トリ（４−シアノフェニル）−ベンゾニトリルなどを開示している。特許文献２は、２，３，５，６−テトラ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−（４−シアノフェニル）−ベンゾニトリルなどを開示している。特許文献３は、２，３，５，６−テトラ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−フェニル−ベンゾニトリルなどを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１６−５３９１８２号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１６／１３８０７７Ａ
【特許文献３】ＷＯ２０１４／１８３０８０Ａ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、発光特性に優れる、２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物（以下、「本発明化合物」と云うことがある。）、発光材料およびそれを用いた発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、以下の態様を含む本発明を完成するに至った。【０００６】
〔１〕  式(I)で表される化合物。
【化１】
2020050127.tif 000003
式(I)中、
Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、
ｎは、Ｌの数を表し、１または２であり、
Ｑは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換若しくは無置換の３−フェニル−６−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基であり、且つ
ｍは、Ｑの数を表し、５−ｎである。【０００７】
〔２〕  式(IIa)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化２】
2020050127.tif 000004
式(IIa)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【０００８】
〔３〕  式(IIb)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化３】
2020050127.tif 000005
式(IIb)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【０００９】
〔４〕  式(IIc)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化４】
2020050127.tif 000006
式(IIc)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【００１０】
〔５〕  式(IIIa)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化５】
2020050127.tif 000007
式(IIIa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【００１１】
〔６〕  式(IIIb)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化６】
2020050127.tif 000008
式(IIIb)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【００１２】
〔７〕  式(IIIc)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化７】
2020050127.tif 000009
式(IIIc)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【００１３】
〔８〕  式(IVa)で表される前記〔１〕に記載の化合物。
【化８】
2020050127.tif 000010
式(IVa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、または置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。【００１４】
〔９〕  Ｌが、置換若しくは無置換の含窒素または含酸素の５員環または６員環ヘテロアリールである前記〔１〕〜〔８〕のいずれかひとつに記載の化合物。
〔１０〕  Ｌが、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のアントリル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のフリル基、置換若しくは無置換のチエニル基、置換若しくは無置換のオキサゾリル基、置換若しくは無置換のチアゾリル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のインドリル基、置換若しくは無置換のキノリニル基、置換若しくは無置換のベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のベンゾチエニル基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリル基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリル基、または置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリル基である前記〔１〕〜〔８〕のいずれかひとつに記載の化合物。
〔１１〕  Ｌが、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、または置換若しくは無置換のピリミジニル基である、前記〔１〕〜〔８〕のいずれかひとつに記載の化合物。【００１５】
〔１２〕  前記〔１〕〜〔１１〕のいずれかひとつに記載の化合物を含む発光材料。
〔１３〕  前記〔１２〕に記載の発光材料を含有する発光素子。
【発明の効果】
【００１６】
本発明化合物は、発光材料として有用である。本発明に係る発光材料には、遅延蛍光を放射するものがある。本発明に係る発光材料を含有する発光素子は、優れた発光効率を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】3Cz-2PBN-A、3BuCz-2PBN-Aおよび3PCz-2PBN-Aの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図２】3Cz-2PBN-A、3BuCz-2PBN-Aおよび3PCz-2PBN-A の輝度−外部量子効率を示す図である。
【図３】3Cz-2PBN-B、3BuCz-2PBN-Bおよび3PCz-2PBN-Bの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図４】3Cz-2PBN-B、3BuCz-2PBN-Bおよび3PCz-2PBN-Bの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図５】4Cz-1PBN-Aおよび4BuCz-1PBN-Aの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図６】4Cz-1PBN-Aおよび4BuCz-1PBN-A の輝度−外部量子効率を示す図である。
【図７】3BuCz-2PBN-C、3PCz-2PBN-C、3BuCz-2PBN-Dおよび3PCz-2PBN-Dの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図８】3BuCz-2PBN-C、3PCz-2PBN-C、3BuCz-2PBN-Dおよび3PCz-2PBN-Dの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図９】4BuCz-1PBN-A、4BuCz-1PBN-B、および4BuCz-1PBN-Cの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図１０】4BuCz-1PBN-A、4BuCz-1PBN-B、および4BuCz-1PBN-Cの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図１１】4X-BCz-PBN-Bu、4X-BCz-PBN-OMe、4X-BCz-PBN-SMe、および4X-BCz-PBN-CNの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図１２】4X-BCz-PBN-Bu、4X-BCz-PBN-OMe、4X-BCz-PBN-SMe、および4X-BCz-PBN-CNの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図１３】4X-BCz-PBN-CO2Me、4X-BCz-PBN-MesBN、および4X-BCz-PBN-IPNの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図１４】4X-BCz-PBN-CO2Me、4X-BCz-PBN-MesBN、および4X-BCz-PBN-IPNの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図１５】4X-BCz-PBN-2Py、4X-BCz-PBN-3Py、4X-BCz-PBN-4Py、および4X-BCz-PBN-5Pmの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図１６】4X-BCz-PBN-2Py、4X-BCz-PBN-3Py、4X-BCz-PBN-4Py、および4X-BCz-PBN-5Pmの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図１７】3Y-BCz-PBN-tBu、3Y-BCz-PBN-OMe、および3Y-BCz-PBN-SMeの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図１８】3Y-BCz-PBN-tBu、3Y-BCz-PBN-OMe、および3Y-BCz-PBN-SMeの輝度−外部量子効率を示す図である。
【図１９】3F-BCz-PBN-tBu、3F-BCz-PBN-OMe、および3F-BCz-PBN-SMeの電圧−電流密度−輝度の特性を示す図である。
【図２０】3F-BCz-PBN-tBu、3F-BCz-PBN-OMe、および3F-BCz-PBN-SMeの輝度−外部量子効率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物は、式(I)で表される化合物である。
【００１９】
【化９】
2020050127.tif 000011
式(I)中、
Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、
ｎは、Ｌの数を表し、１または２であり、
Ｑは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換若しくは無置換の３−フェニル−６−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基であり、且つ
ｍは、Ｑの数を表し、５−ｎである。
【００２０】
本発明の２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物は、好ましくは式(IIa)、式(IIb)、式(IIc)、式(IIIa)、式(IIIb)、式(IIIc)または式(IVa)で表される化合物、より好ましくは式(IIa)で表される化合物である。本発明の２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物は、式(IIId)または式(IIIe)で表される化合物であってもよい。
【００２１】
【化１０】
2020050127.tif 000012
式(IIa)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２２】
【化１１】
2020050127.tif 000013
式(IIb)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２３】
【化１２】
2020050127.tif 000014
式(IIc)中、Ｌは、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２４】
【化１３】
2020050127.tif 000015
式(IIIa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２５】
【化１４】
2020050127.tif 000016
式(IIIb)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２６】
【化１５】
2020050127.tif 000017
式(IIIc)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２７】
【化１６】
2020050127.tif 000018
式(IIId)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２８】
【化１７】
2020050127.tif 000019
式(IIIe)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００２９】
【化１８】
2020050127.tif 000020
式(IVa)中、Ｌは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基であり、且つＱは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基または置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基である。
【００３０】
置換若しくは無置換の３，６−ジ−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基は、好ましくは式(A)で表される基である。
【化１９】
2020050127.tif 000021
【００３１】
置換若しくは無置換の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基は、好ましくは式(B)で表される基である。
【化２０】
2020050127.tif 000022
置換若しくは無置換の３−フェニル−６−t−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル基は、好ましくは式(C)で表される基である。
【化２１】
2020050127.tif 000023
式(A)、(B)および(C)中、Ｒ1、Ｒ2，Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、＊は結合部分である。
【００３２】
本発明において、用語「無置換（unsubstituted）」は、母核となる基のみであることを意味する。母核となる基の名称のみで記載しているときは、別段の断りがない限り「無置換」の意味である。
一方、用語「置換(substituted)」は、母核となる基のいずれかの水素原子が、母核と同一または異なる構造の基で置換されていることを意味する。従って、「置換基」は、母核となる基に結合した他の基である。置換基は１個であってもよいし、２個以上であってもよい。２個以上の置換基は同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
【００３３】
「置換基」は化学的に許容され、本発明の効果を有する限りにおいて特に制限されない。
「置換基」となり得る基の具体例としては、以下の基を挙げることができる。
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基などのハロゲノ基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などのＣ１〜２０アルキル基（好ましくはＣ１〜６アルキル基）；
ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−メチル−２−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基などのＣ２〜１０アルケニル基（好ましくはＣ２〜６アルケニル基）；
【００３４】
エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、２−メチル−３−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−メチル−２−ブチニル基、２−メチル−３−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１，１−ジメチル−２−ブチニル基などのＣ２〜１０アルキニル基（Ｃ２〜６アルキニル基）；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、キュバニル基などのＣ３〜８シクロアルキル基；
２−シクロプロペニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロヘキセニル基、４−シクロオクテニル基などのＣ３〜８シクロアルケニル基；
フェニル基、ナフチル基などのＣ６〜４０アリール基（好ましくはＣ６〜１０アリール基）；
ピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、テトラゾリル基などの５員環のヘテロアリール基；
ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基などの６員環のヘテロアリール基；
インドリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基などの縮合環のヘテロアリール基；
オキシラニル基、テトラヒドロフリル基、ジオキソラニル基、ジオキラニル基などの環状エーテル基；
アジリジニル基、ピロリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、モルホリニル基などの環状アミノ基；
【００３５】
水酸基；  オキソ基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのＣ１〜２０アルコキシ基（好ましくはＣ１〜６アルコキシ基）；
ビニルオキシ基、アリルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基などのＣ２〜６アルケニルオキシ基；
エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基などのＣ２〜６アルキニルオキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基などのＣ６〜１０アリールオキシ基；
チアゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基などの５〜６員環のヘテロアリールオキシ基；
【００３６】
カルボキシル基；
ホルミル基；  アセチル基、プロピオニル基などのＣ１〜６アルキルカルボニル基；
ホルミルオキシ基；  アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのＣ１〜６アルキルカルボニルオキシ基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基などのＣ１〜６アルコキシカルボニル基；
【００３７】
クロロメチル基、クロロエチル基、トリフルオロメチル基、１，２−ジクロロ−ｎ−プロピル基、１−フルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基などのＣ１〜６ハロアルキル基；
２−クロロ−１−プロペニル基、２−フルオロ−１−ブテニル基などのＣ２〜６ハロアルケニル基；
４，４−ジクロロ−１−ブチニル基、４−フルオロ−１−ペンチニル基、５−ブロモ−２−ペンチニル基などのＣ２〜６ハロアルキニル基；
３，３−ジフルオロシクロブチル基などのＣ３〜６ハロシクロアルキル基；
２−クロロ−ｎ−プロポキシ基、２，３−ジクロロブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基などのＣ１〜６ハロアルコキシ基；
２−クロロプロペニルオキシ基、３−ブロモブテニルオキシ基などのＣ２〜６ハロアルケニルオキシ基；
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基などのＣ１〜６ハロアルキルカルボニル基；
【００３８】
シアノ基；  ニトロ基；  アミノ基；
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのＣ１〜２０アルキルアミノ基（好ましくはＣ１〜６アルキルアミノ基）；
アニリノ基、ナフチルアミノ基などのＣ６〜４０アリールアミノ基（好ましくはＣ６〜１０アリールアミノ基）；
ホルミルアミノ基；  アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ−プロピルカルボニルアミノ基などのＣ１〜６アルキルカルボニルアミノ基；
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ−プロポキシカルボニルアミノ基などのＣ１〜６アルコキシカルボニルアミノ基；
Ｓ，Ｓ−ジメチルスルホキシイミノ基などのＣ１〜６アルキルスルホキシイミノ基；
【００３９】
アミノカルボニル基；
メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ｉ−プロピルアミノカルボニル基などのＣ１〜６アルキルアミノカルボニル基；
イミノメチル基、（１−イミノ）エチル基、（１−イミノ）−ｎ−プロピル基などのイミノＣ１〜６アルキル基；
ヒドロキシイミノメチル基、（１−ヒドロキシイミノ）エチル基、（１−ヒドロキシイミノ）プロピル基などのヒドロキシイミノＣ１〜６アルキル基；
メトキシイミノメチル基、（１−メトキシイミノ）エチル基などのＣ１〜６アルコキシイミノＣ１〜６アルキル基；
【００４０】
メルカプト基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基などのＣ１〜２０アルキルチオ基（好ましくはＣ１〜６アルキルチオ基）；
トリフルオロメチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基などのＣ１〜６ハロアルキルチオ基；
ビニルチオ基、アリルチオ基などのＣ２〜６アルケニルチオ基；
エチニルチオ基、プロパルギルチオ基などのＣ２〜６アルキニルチオ基；
メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｔ−ブチルスルフィニル基などのＣ１〜６アルキルスルフィニル基；
トリフルオロメチルスルフィニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル基などのＣ１〜６ハロアルキルスルフィニル基；
アリルスルフィニル基などのＣ２〜６アルケニルスルフィニル基；
プロパルギルスルフィニル基などのＣ２〜６アルキニルスルフィニル基；
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基などのＣ１〜６アルキルスルホニル基；
トリフルオロメチルスルホニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスルホニル基などのＣ１〜６ハロアルキルスルホニル基；
アリルスルホニル基などのＣ２〜６アルケニルスルホニル基；
プロパルギルスルホニル基などのＣ２〜６アルキニルスルホニル基；
【００４１】
アセトアミド基、Ｎ−メチルアミド基、Ｎ−エチルアミド基、Ｎ−（ｎ−プロピル）アミド基、Ｎ−（ｎ−ブチル）アミド基、Ｎ−イソブチルアミド基、Ｎ−（ｓｅｃ−ブチルアミド）基、Ｎ−（ｔ−ブチル）アミド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−プロピル）アミド基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）アミド基、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミド基、Ｎ−メチルアセトアミド基、Ｎ−エチルアセトアミド基、Ｎ−（ｎ−プロピル）アセトアミド基、Ｎ−（ｎ−ブチル）アセトアミド基、Ｎ−イソブチルアセトアミド基、Ｎ−（ｓｅｃ−ブチル）アセトアミド基、Ｎ−（ｔ−ブチル）アセトアミド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−プロピル）アセトアミド基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）アセトアミド基
、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアセトアミド基等のＣ２〜２０アルキルアミド基；
【００４２】
フェニルアミド基、ナフチルアミド基、フェニルアセトアミド基、ナフチルアセトアミド基等のＣ６〜２０アリールアミド基；
【００４３】
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基などのトリＣ１〜１０アルキルシリル基（好ましくはトリＣ１〜６アルキルシリル基）；
トリフェニルシリル基などのトリＣ６〜１０アリールシリル基；
また、これらの「置換基」は、前記置換基中のいずれかの水素原子が、異なる構造の基で置換されていてもよい。
【００４４】
「Ｃ１〜６」などの用語は、母核となる基の炭素原子数が１〜６個などであることを表している。この炭素原子数には、置換基の中に在る炭素原子の数を含まない。例えば、エトキシブチル基は、母核となる基がブチル基であり、置換基がエトキシ基であるので、Ｃ２アルコキシＣ４アルキル基に分類する。
【００４５】
好ましい置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲノ基、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアルキル置換アミノ基、炭素数２〜２０のアシル基、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数３〜４０のヘテロアリール基、炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、炭素数１２〜４０の置換もしくは無置換のカルバゾリル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、アミド基、炭素数２〜１０のアルキルアミド基、炭素数３〜２０のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数５〜２０のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素
数５〜２０のトリアルキルシリルアルキニル基およびニトロ基が挙げられる。
より好ましい置換基としては、ハロゲノ基、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数３〜４０のヘテロアリール基、炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、炭素数１２〜４０のカルバゾリル基を挙げることができる。
さらに好ましい置換基は、フルオロ基、クロロ基、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数３〜１２のヘテロアリール基を挙げることができる。これら置換基のうち、さらに置換可能なものは、前記置換基によって置換されていてもよい。
【００４６】
Ｌにおける置換若しくは無置換のアリール基としては、好ましくは置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のアントリル基、または置換若しくは無置換のフェナントリル基を挙げることができる。これらのうち、置換若しくは無置換のフェニル基がより好ましい。
【００４７】
本発明化合物は、その製造方法によって特に限定されず、例えば、対応する置換基に相当する化合物を出発原料として、特許文献１や特許文献２に記載の方法を適用することによってまたは実施例に記載の方法によって得ることができる。
【００４８】
合成された本発明化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土などによる吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行うことができる。化合物の同定は、ＮＭＲ分析などによって行なうことができる。
【００４９】
本発明化合物は発光材料として用いることができる。本発明の発光材料は、有機フォトルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子を提供することができる。本発明化合物は、他の発光材料（ホスト材料）の発光をアシストする機能を有するので、他の発光材料にドープして用いることができる。
【００５０】
本発明の発光素子のひとつである有機フォトルミネッセンス素子は、基板上に本発明の発光材料を含有する発光層を設けてなる。発光層は、スピンコートなどのような塗布法、インクジェット印刷法などのような印刷法、蒸着法などによって得ることができる。
【００５１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は陽極と陰極との間に有機層を設けてなる。本発明における「有機層」とは、陽極と陰極の間に位置する、実質的に有機物からなる層を意味し、これらの層は本発明の発光素子の性能を損なわない範囲で無機物を含んでいてもよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態における構造としては、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極からなるもの、また、電子輸送層と陰極の間にさらに電子注入層を有するものを挙げることができる。これらの多層構造においては有機層を何層か省略することが可能であり、例えば基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極とすることや、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極とすることもできる。
本発明の発光材料は、発光層のみならず、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、または電子注入層にドープさせてもよい。
【００５２】
基板は発光素子の支持体となるものであり、シリコン板、石英板、ガラス板、金属板、金属箔、樹脂フィルム、樹脂シートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が低すぎると、基板を通過する外気により発光素子が劣化することがある。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保することが好ましい。
【００５３】
基板上には陽極が設けられる。陽極には仕事関数の大きい材料が一般に用いられる。陽極用材料として、例えば、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム酸化物、スズ酸化物、ＩＴＯ、酸化亜鉛、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ、ＩＧＺＯなどの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或は、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などを挙げることができる。陽極の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の
場合は電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成したりすることもできる。
【００５４】
陽極は異なる２種以上の物質を積層して形成することも可能である。陽極の厚さは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。不透明でよい場合、陽極は基板の厚みと同程度でもよい。陽極のシート抵抗は数百Ω／□以上であることが好ましい。
【００５５】
必要に応じて設けられる正孔注入層として、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物のほか、ナフタレンジアミン誘導体、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、分子中にトリフェニルアミン構造を３個以上、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物などのトリフェニルアミン３量体および４量体、ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
【００５６】
必要に応じて設けられる正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができることが好ましい。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が高いことが好ましい。従って、Ｔｇとして７０℃以上の値を有する材料が望ましい。
必要に応じて設けられる正孔輸送層として、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマーなどを挙げることができる。
より具体的に、ｍ−カルバゾリルフェニル基を含有する化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（以後、ＴＰＤと略称する）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン（以後、ＮＰＤと略称する）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体、１，１−ビス［(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン（以後、ＴＡＰＣと略称する）、種々のトリフェニルアミン３量体および４量体やカルバゾール誘導体などを挙げることができる。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。正孔輸送層は、単層構造の膜であってもよいし、積層構造の膜であってもよい。また、正孔の注入・輸送層として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（以後、ＰＥＤＯＴと
略称する）／ポリ（スチレンスルフォネート）（以後、ＰＳＳと略称する）などの塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
【００５７】
また、正孔注入層あるいは正孔輸送層において、前記層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモンをＰドーピングしたものや、ＰＤの構造をその部分構造に有する高分子化合物などを用いることができる。正孔注入・輸送性のホスト材料として、ＰＰＦ、ＰＰＴ、ＣＢＰやＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを用いることができる。
【００５８】
正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物（hi1）〜（hi7）を以下に挙げる。
【００５９】
【化２２】
2020050127.tif 000024
【００６０】
【化２３】
2020050127.tif 000025
【００６１】
【化２４】
2020050127.tif 000026
【００６２】
【化２５】
2020050127.tif 000027
【００６３】
【化２６】
2020050127.tif 000028
【００６４】
【化２７】
2020050127.tif 000029
【００６５】
【化２８】
2020050127.tif 000030
【００６６】
正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物（ht1）〜（ht38）を以下に挙げる。
【００６７】
【化２９】
2020050127.tif 000031
【００６８】
【化３０】
2020050127.tif 000032
【００６９】
【化３１】
2020050127.tif 000033
【００７０】
【化３２】
2020050127.tif 000034
【００７１】
【化３３】
2020050127.tif 000035
【００７２】
【化３４】
2020050127.tif 000036
【００７３】
【化３５】
2020050127.tif 000037
【００７４】
【化３６】
2020050127.tif 000038
【００７５】
【化３７】
2020050127.tif 000039
【００７６】
【化３８】
2020050127.tif 000040
【００７７】
【化３９】
2020050127.tif 000041
【００７８】
【化４０】
2020050127.tif 000042
【００７９】
【化４１】
2020050127.tif 000043
【００８０】
【化４２】
2020050127.tif 000044
【００８１】
【化４３】
2020050127.tif 000045
【００８２】
【化４４】
2020050127.tif 000046
【００８３】
【化４５】
2020050127.tif 000047
【００８４】
【化４６】
2020050127.tif 000048
【００８５】
【化４７】
2020050127.tif 000049
【００８６】
【化４８】
2020050127.tif 000050
【００８７】
【化４９】
2020050127.tif 000051
【００８８】
【化５０】
2020050127.tif 000052
【００８９】
【化５１】
2020050127.tif 000053
【００９０】
【化５２】
2020050127.tif 000054
【００９１】
【化５３】
2020050127.tif 000055
【００９２】
【化５４】
2020050127.tif 000056
【００９３】
【化５５】
2020050127.tif 000057
【００９４】
【化５６】
2020050127.tif 000058
【００９５】
【化５７】
2020050127.tif 000059
【００９６】
【化５８】
2020050127.tif 000060
【００９７】
【化５９】
2020050127.tif 000061
【００９８】
【化６０】
2020050127.tif 000062
【００９９】
【化６１】
2020050127.tif 000063
【０１００】
【化６２】
2020050127.tif 000064
【０１０１】
【化６３】
2020050127.tif 000065
【０１０２】
【化６４】
2020050127.tif 000066
【０１０３】
【化６５】
2020050127.tif 000067
【０１０４】
【化６６】
2020050127.tif 000068
【０１０５】
必要に応じて設けられる電子阻止層として、４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（以後、ＴＣＴＡと略称する）、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（以後、ｍＣＰと略称する）、２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン(以後、Ａｄ−Ｃｚと略称する)などのカルバゾール誘導体、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物などの電子阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。電子阻止層は、単層構造の膜であってもよいし、積層構造の膜であってもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
【０１０６】
電子阻止材料として用いることができる好ましい化合物（es1）〜（es5）を以下に挙げる。
【０１０７】
【化６７】
2020050127.tif 000069
【０１０８】
【化６８】
2020050127.tif 000070
【０１０９】
【化６９】
2020050127.tif 000071
【０１１０】
【化７０】
2020050127.tif 000072
【０１１１】
【化７１】
2020050127.tif 000073
【０１１２】
発光層は、陽極および陰極のそれぞれから注入される正孔および電子が再結合することにより励起子が生成して、発光する機能を有する層である。発光層は本発明の発光材料単独で形成してもよいし、ホスト材料に本発明の発光材料をドープして形成してもよい。ホスト材料の例としては、ＰＰＦ、ＰＰＴ、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以後、Ａｌｑ３と略称する）などのキノリノール誘導体の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ビピリジル基とオルトターフェニル構造を有する化合物、ｍＣＰ、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを挙げることができる。発光層には公知のドーパントが含まれていてもよい。ドーパントとしては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、アントラセン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを挙げることができる。また、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体などの燐光性の発光体を用いてもよい。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。発光層は、単層構造の膜であってもよいし、積層構造の膜であってもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
ホスト材料を用いた場合、発光層に含有させることができる本発明の発光材料の量は、下限が、好ましくは０．１質量％、より好ましくは１質量％であり、上限が、好ましくは５０質量％、より好ましくは２０質量％、さらに好ましくは１０質量％である。
【０１１３】
発光層のホスト材料として用いることができる好ましい化合物（el1）〜（el42）を以下に挙げる。
【０１１４】
【化７２】
2020050127.tif 000074
【０１１５】
【化７３】
2020050127.tif 000075
【０１１６】
【化７４】
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【０１１７】
【化７５】
2020050127.tif 000077
【０１１８】
【化７６】
2020050127.tif 000078
【０１１９】
【化７７】
2020050127.tif 000079
【０１２０】
【化７８】
2020050127.tif 000080
【０１２１】
【化７９】
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【０１２２】
【化８０】
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【０１２３】
【化８１】
2020050127.tif 000083
【０１２４】
【化８２】
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【０１２５】
【化８３】
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【０１２６】
【化８４】
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【０１２７】
【化８５】
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【０１２８】
【化８６】
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【０１２９】
【化８７】
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【０１３０】
【化８８】
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【０１３１】
【化８９】
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【０１３２】
【化９０】
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【０１３３】
【化９１】
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【０１３４】
【化９２】
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【０１３５】
【化９３】
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【０１３６】
【化９４】
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【０１３７】
【化９５】
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【０１３８】
【化９６】
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【０１３９】
【化９７】
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【０１４０】
【化９８】
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【０１４１】
【化９９】
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【０１４２】
【化１００】
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【０１４３】
【化１０１】
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【０１４４】
【化１０２】
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【０１４５】
【化１０３】
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【０１４６】
【化１０４】
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【０１４７】
【化１０５】
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【０１４８】
【化１０６】
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【０１４９】
【化１０７】
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【０１５０】
【化１０８】
2020050127.tif 000110
【０１５１】
【化１０９】
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【０１５２】
【化１１０】
2020050127.tif 000112
【０１５３】
【化１１１】
2020050127.tif 000113
【０１５４】
【化１１２】
2020050127.tif 000114
【０１５５】
【化１１３】
2020050127.tif 000115
【０１５６】
必要に応じて設けられる正孔阻止層として、ビピリジル基とオルトターフェニル構造を有する化合物、バソクプロイン（以後、ＢＣＰと略称する）などのフェナントロリン誘導体や、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（以後、ＢＡｌｑと略称する）などのキノリノール誘導体の金属錯体、各種の希土類錯体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物を挙げることができる。これらの材料は電子輸送層の材料を兼ねてもよい。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。正孔阻止層は、単層構造の膜であってもよいし、積層構造の膜であってもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
【０１５７】
正孔阻止材料として用いることができる好ましい化合物（hs1）〜（hs11）を以下に挙げる。
【化１１４】
2020050127.tif 000116
【０１５８】
【化１１５】
2020050127.tif 000117
【０１５９】
【化１１６】
2020050127.tif 000118
【０１６０】
【化１１７】
2020050127.tif 000119
【０１６１】
【化１１８】
2020050127.tif 000120
【０１６２】
【化１１９】
2020050127.tif 000121
【０１６３】
【化１２０】
2020050127.tif 000122
【０１６４】
【化１２１】
2020050127.tif 000123
【０１６５】
【化１２２】
2020050127.tif 000124
【０１６６】
【化１２３】
2020050127.tif 000125
【０１６７】
【化１２４】
2020050127.tif 000126
【０１６８】
必要に応じて設けられる電子輸送層として、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体のほか、各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。電子輸送層は、単層構造の膜であってもよいし、積層構造の膜であってもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
【０１６９】
必要に応じて設けられる電子注入層として、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの__金属酸化物（単に「金属酸化物」で良いです）などを用いることができるが、電子輸送層と陰極の好ましい選択においては、これを省略することができる。
【０１７０】
電子注入層あるいは電子輸送層において、前記層に通常使用される材料に対し、さらにセシウムなどの金属をＮドーピングしたものを用いることができる。
【０１７１】
電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物（et1）〜（et30）を以下に挙げる。
【０１７２】
【化１２５】
2020050127.tif 000127
【０１７３】
【化１２６】
2020050127.tif 000128
【０１７４】
【化１２７】
2020050127.tif 000129
【０１７５】
【化１２８】
2020050127.tif 000130
【０１７６】
【化１２９】
2020050127.tif 000131
【０１７７】
【化１３０】
2020050127.tif 000132
【０１７８】
【化１３１】
2020050127.tif 000133
【０１７９】
【化１３２】
2020050127.tif 000134
【０１８０】
【化１３３】
2020050127.tif 000135
【０１８１】
【化１３４】
2020050127.tif 000136
【０１８２】
【化１３５】
2020050127.tif 000137
【０１８３】
【化１３６】
2020050127.tif 000138
【０１８４】
【化１３７】
2020050127.tif 000139
【０１８５】
【化１３８】
2020050127.tif 000140
【０１８６】
【化１３９】
2020050127.tif 000141
【０１８７】
【化１４０】
2020050127.tif 000142
【０１８８】
【化１４１】
2020050127.tif 000143
【０１８９】
【化１４２】
2020050127.tif 000144
【０１９０】
【化１４３】
2020050127.tif 000145
【０１９１】
【化１４４】
2020050127.tif 000146
【０１９２】
【化１４５】
2020050127.tif 000147
【０１９３】
【化１４６】
2020050127.tif 000148
【０１９４】
【化１４７】
2020050127.tif 000149
【０１９５】
【化１４８】
2020050127.tif 000150
【０１９６】
【化１４９】
2020050127.tif 000151
【０１９７】
【化１５０】
2020050127.tif 000152
【０１９８】
【化１５１】
2020050127.tif 000153
【０１９９】
【化１５２】
2020050127.tif 000154
【０２００】
【化１５３】
2020050127.tif 000155
【０２０１】
【化１５４】
2020050127.tif 000156
【０２０２】
電子注入材料として用いることができる好ましい化合物（ei1）〜（ei4）を以下に挙げる。
【０２０３】
【化１５５】
2020050127.tif 000157
【０２０４】
【化１５６】
2020050127.tif 000158
【０２０５】
【化１５７】
2020050127.tif 000159
【０２０６】
【化１５８】
2020050127.tif 000160
【０２０７】
安定化材料として用いることができる好ましい化合物（st1）〜（st5）を以下に挙げる。
【０２０８】
【化１５９】
2020050127.tif 000161
【０２０９】
【化１６０】
2020050127.tif 000162
【０２１０】
【化１６１】
2020050127.tif 000163
【０２１１】
【化１６２】
2020050127.tif 000164
【０２１２】
【化１６３】
2020050127.tif 000165
【０２１３】
陰極には仕事関数の小さい材料が一般に用いられる。陰極用材料として、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、スズ、マグネシウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、リチウム／アルミニウム混合物、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金などが用いられる。透明導電性材料を用いることによって透明または半透明な陰極を得ることができる。陰極の厚さは、通常、１０〜５０００ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。陰極のシート抵抗は数百Ω／□以上であることが好ましい。
【０２１４】
低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性を増すため好ましい。また、陰極と、隣接する有機層（例えば電子輸送層や、電子注入層）とのコンタクトを向上させるために、両者の間に陰極界面層を設けてもよい。陰極界面層に用いられる材料としては、芳香族ジアミン化合物、キナクリドン化合物、ナフタセン誘導体、有機シリコン化合物、有機リン化合物、Ｎ−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物、Ｎ−ビニルカルバゾール重合体などを挙げることができる。
【０２１５】
本発明の発光素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０２１６】
以下、本発明化合物の合成の一例を示し、本発明化合物の奏する効果の例を示す。【０２１７】
（実施例１）
〔２，４，６−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3Cz-2PBN-A)の合成〕
【化１６４】
2020050127.tif 000166
【０２１８】
炭酸カリウム（１５．３６ｇ，１１１．１ｍｍｏｌ)、および９Ｈ−カルバゾール（１３．５ｇ，８０．８ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ―メチル−２−ピロリドン１００ｍＬを加えて、１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，４，６−トリフルオロ−３,５−ジフェニルベンゾニトリル（６．２５ｇ，２０．２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２３時間撹拌した。次いで、室温に戻し、メタノールを加え、ろ過により固体を取り除いた。その後、ろ液に水を加え、析出した結晶をアセトンとヘキサンで洗浄し、減圧下乾燥して目的物(3Cz-2PBN-A)の黄色固体を収量１．４０ｇ、収率９．２％で得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δ) : 8.07(d,J=8.0Hz,4H), 7.81-7.78(m,8H), 7.49(td,J=8.0Hz,0.8Hz,4H), 7.37(td,J=7.2Hz,0.8Hz,2H), 7.23(t,J=7.6Hz,4H), 7.06(t,J=8.0Hz,2H), 6.81(dd,J=7.2Hz,1.2Hz,4H), 6.55(tt,J=7.6Hz,1.6Hz,2H), 6.44(t,J=7.6Hz,4H)【０２１９】
〔発光評価〕
膜厚５０ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基板上に１０ｎｍ厚のＨＡＴ−ＣＮ層、４０ｎｍ厚のＴＡＰＣ層、１０ｎｍ厚のＣＣＰ層、１０ｎｍ厚のｍＣＰ層、および２０ｎｍ厚の発光層をこの順で真空蒸着法（５．０×１０-4Ｐａ以下）によって積層させた。
発光層のホスト材料としてＰＰＦを用い、ドープ材料として２，４，６−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3Cz-2PBN-A)を用いた。ドーブ材料濃度を１２．０重量％に設定した。
次いで、１０ｎｍ厚のＰＰＦ層、４０ｎｍ厚のＢ３ＰｙＰＢ層、１ｎｍ厚の８−ヒドロキシキノリトリチウム膜、および１００ｎｍ厚のアルミニウム膜をこの順で真空蒸着法にて積層させることにより陰極を形成させて、有機発光ダイオード（OLED）を得た。結果を図１および２に示す。この有機発光ダイオードは、外部量子効率の最大値（ＥＱＥMax）が１３．１％であった。【０２２０】
（実施例２）
〔２，４，６−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-A)の合成〕
【化１６５】
2020050127.tif 000167
【０２２１】
炭酸カリウム（２．５０ｇ，１７．８ｍｍｏｌ)、および３,６−ジフェニルー９Ｈ−カルバゾール（４．１０ｇ，１２．９ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ―メチル−２−ピロリドン１６．２ｍＬを加えて１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，４，６−トリフルオロー３,５−ジフェニルベンゾニトリル（１．００ｇ，３．２３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１６時間撹拌した。次いで、室温に戻し、メタノールを加え、ろ過により固体を取り除いた。その後、ろ液に水を加え、析出した結晶をアセトンとヘキサンで洗浄し、固体を減圧下乾燥して目的物(3PCz-2PBN-A)の緑色固体を収量１．２０ｇ、収率３０．８％で得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δ): 8.59(d,J=1.6Hz,4H), 8.37(d,J=2.0Hz,2H), 8.02-7.99(m,6H), 7.87-7.75(m,18H), 7.52-7.45(m,12H), 7.37-7.30(m,6H), 7.03(dd,J=7.0Hz,1.2Hz,4H), 6.66-6.58(m,6H)【０２２２】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，４，６−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-A)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１および２に示す。ＥＱＥMaxは２８．１％であった。【０２２３】
（実施例３）
〔２，４，６−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-A)の合成〕
【化１６６】
2020050127.tif 000168
【０２２４】
炭酸カリウム（２．８３ｇ，２０．５ｍｍｏｌ)、および３，６−ジ−ｔ-ブチル−カルバゾール（４．１６ｇ，１４．９ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ―メチル−２−ピロリドン２０ｍＬを加えて１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，４，６−トリフルオロ−３,５−ジフェニルベンゾニトリル（１．１５ｇ，３．７２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で３２時間撹拌した。次いで、室温に戻し、メタノールを加え、ろ過により固体を取り除いた。その後、ろ液に水を加え、析出した結晶をクロロホルムに溶解し、水洗した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/酢酸エチル＝１９/１）にて精製し、目的物(3BuCz-2PBN-A)の淡黄色固体を収量１．２０ｇ、収率２９．７％で得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ) : 7.94(d,J=2.0Hz,4H), 7.73(d,J=1.6Hz,2H), 7.42(dd,J=8.8Hz,1.6Hz,4H), 7.27(dd,J=8.6Hz,2.0Hz,4H), 7.13(d,J=8Hz,4H), 6.98(d,J=8.8Hz,2H), 6.63(d,J=7.8Hz,4H), 6.50(t,J=6.4Hz,2H), 6.38(t,J=7.6Hz,4H), 1.39(s,36H), 1.31(s,18H)【０２２５】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，４，６−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−３，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-A)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１および２に示す。ＥＱＥMaxは２２．６％であった。【０２２６】
同じ２，３−フェニル置換の骨格である、実施例１、実施例２および実施例３を対比すると、本発明化合物（実施例２および実施例３）はＥＱＥMaxが相対的に高く、発光材料として有用であることがわかる。【０２２７】
（実施例４）
〔２，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3Cz-2PBN-B)の合成〕
【化１６７】
2020050127.tif 000169
【０２２８】
炭酸カリウム（２．７６ｇ，２０．０ｍｍｏｌ)、および９Ｈ−カルバゾール（２．４２ｇ，１４．５ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン１８ｍＬを加えて１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，３，５−トリフルオロ−４,６−ジフェニルベンゾニトリル（１．１２ｇ，３．６ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン１８ｍＬに溶解して加え、１００℃で２０時間撹拌した。次いで、室温に戻し、水と酢酸エチルを加え、有機層を分液した。
更に水層を酢酸エチルで２回抽出し、混合した有機層を水で３回洗浄し、次いで飽和食塩水で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、ろ過して、ろ液を濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル）で精製することで粗精製物を得た。さらに、粗精製物にアセトン／ｎ−ヘキサンを加え、超音波照射した。その後、ろ過してｎ−ヘキサンで洗浄することで目的物(3Cz-2PBN-B)の淡黄色固体を２．４６ｇ、収率９０．５％で得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δ): 7.88(d,J=8.0Hz,2H), 7.85(d,J=8.0Hz,2H), 7.82(d,J=8.0Hz,2H), 7.80(d,J=8.0Hz,2H), 7.64(d,J=8.4Hz,2H), 7.60(d,J=7.6Hz,2H), 7.41-7.37(m,2H), 7.35-7.32(m,2H), 7.25-7.21(m,2H), 7.12-7.03(m,9H), 6.89(t,J=7.6Hz,2H), 6.68(d,J=7.2Hz,2H), 6.42(t,J=7.6Hz,1H), 6.27(t,J=7.6Hz,2H)【０２２９】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3Cz-2PBN-B)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図３および４に示す。ＥＱＥMaxは１６．７％であった。【０２３０】
（実施例５）
〔２，３，５−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-B)の合成〕
【化１６８】
2020050127.tif 000170
【０２３１】
炭酸カリウム（０．７４ｇ，５．４ｍｍｏｌ)、および３,６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール（１．１２ｇ，３．５ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン８．０ｍＬを加えて１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，３，５−トリフルオロ−４,６−ジフェニルベンゾニトリル（０．２４ｇ，０．８ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で４日間撹拌した。次いで、室温に戻し、水と酢酸エチルを加え、有機層を分液した。更に水層を酢酸エチルで２回抽出し、混合した有機層を水で３回洗浄し、次いで飽和食塩水で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、ろ過して、ろ液を濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン）で精製するこ
とで粗精製物を得た。さらに、粗精製物にジクロロメタン／ジエチルエーテル／ｎ−ヘキサンを加え、超音波照射した。その後、ろ過してｎ−ヘキサンで洗浄することで目的物(3PCz-2PBN-B)の黄色固体を０．９０ｇ、収率９６．１％で得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δ): 8.44(d,J=2.0Hz,2H), 8.27(d,J=1.6Hz,2H), 8.05(d,J=1.6Hz,2H), 8.00(d,J=8.8Hz,2H), 7.89(d,J=8.8Hz,2H), 7.82-7.79(m,6H), 7.73(d,J=8.8Hz,2H), 7.63(d,J=7.6Hz,4H,), 7.56(d,J=7.2Hz,4H), 7.53-7.47(m,8H), 7.43-7.26(m,16H), 
7.19-7.15(m,3H), 6.97(d,J=7.2Hz,2H), 6.58-6.48(m,3H)【０２３２】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-B)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図３および４に示す。ＥＱＥMaxは３５．１％であった。【０２３３】
（実施例６）
〔２，３，５−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-B)の合成〕
【化１６９】
2020050127.tif 000171
【０２３４】
炭酸カリウム（４．０４ｇ，２９．２ｍｍｏｌ)、および３,６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール（５．４７ｇ，１９．６ｍｍｏｌ）を窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに加え、さらに、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン３２．０ｍＬを加えて１時間室温で撹拌した。これに、窒素気流下で、２，３，５−トリフルオロ−４,６−ジフェニルベンゾニトリル（１．００ｇ，３．２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で３日間撹拌した。次いで、室温に戻し、水と酢酸エチルを加え、有機層を分液した。更に水層を酢酸エチルで２回抽出し、混合した有機層を水で３回洗浄し、次いで飽和食塩水で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、ろ過して、ろ液を濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン）で精製することで粗精製物を得た。さらに、粗精製物にｎ−ヘキサンを加え、超音波照射した。
その後、ろ過してｎ−ヘキサンで洗浄することで目的物(3BuCz-2PBN-B)の淡黄白色固体を２．７９ｇ、収率７９．３％で得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δ): 7.90(d,J=2.0Hz,2H), 7.74(d,J=2.0Hz,2H), 7.58(d,J=8.8Hz,2H), 7.50(d,J=1.6Hz,2H), 7.39(td,J=8.8Hz,2.0Hz,4H), 7.27(d,J=8.4Hz,2H), 7.18(d,J=8.8Hz,2H), 7.11-7.05(m,5H), 6.97(dd,J=8.8Hz,2.0Hz,2H), 6.78(d,7.2Hz,2H), 6.47(t,J=8.0Hz,1H), 6.36(t,J=8.0Hz,2H), 1.35(s,18H), 1.31(s,18H), 1.22(s,18H)【０２３５】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-B)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図３および４に示す。ＥＱＥMaxは２４．４％であった。【０２３６】
同じ１，４フェニル置換の骨格である、実施例４、実施例５および実施例６を対比すると、本発明化合物（実施例５および実施例６）はＥＱＥMaxが相対的に高く、発光材料として有用であることがわかる。【０２３７】
（実施例７）
〔２，３，５，６−テトラ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−フェニル−ベンゾニトリル(4BuCz-1PBN-A)の合成〕
【化１７０】
2020050127.tif 000172
【０２３８】
窒素置換したフラスコに 酢酸パラジウム(II)（０．６４ｇ，２．８５ｍｍｏｌ)、炭酸銀（１５．８ｇ，５７．３ｍｍｏｌ）、およびジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸（１６．０ｇ，３７．２ｍｍｏｌ）を加えて、３回脱気した。その後、２，３，５，６-テトラフルオロベンゾニトリル（５．０ｇ，２８．６ｍｍｏｌ）、ピバル酸（２．９２ｇ, ２８．６ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（２ ｍＬ）、およびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（４０ｍＬ） を加え、１３０℃で１０時間攪拌した。次いで、室温に戻し、セライトを用いて不純物を取り除いた。その後、酢酸エチルを加え抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させて、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル:ヘキサン=１：９）により精製し、白色固体の化合物１ （２．９４ｇ, ４１％）を得た。
1H NMR (400 MHz, CDCL3): δ 7.56-7.52 (m, 3H), 7.48-7.45 (m, 2H).【０２３９】
窒素置換したフラスコに３，６-ジ-tert-ブチルカルバゾール（１．３７ｇ, ４．９０ｍｍｏｌ）、およびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）を加えた。その後、室温でカリウム tert-ブトキシド（０．５５ｇ，４．９０ｍｍｏｌ）を加えたＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（５ｍＬ）を加えて、室温で３０分間攪拌した。その後、化合物１（０．３ｇ,１．１９ｍｍｏｌ）を加えたN,N-ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）を１０分間かけて滴下した。その後８０℃で１０時間攪拌した。室温に戻し、水（２０ｍＬ）を加え、３０分間経過後にクロロホルムを加え抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させて、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル:ヘキサン=１：９）により精製し、黄色い固体の化合物２(4BuCz-1PBN-A)（１．３２ｇ, ８６％）を得た。
1H NMR (400 MHz, DMSO-d6): δ 7.76 (d, J = 1.2Hz, 4H), 7.56 (d, J = 1.2Hz, 4H), 7.46 (d, J = 8.4Hz, 4H), 7.42 (d, J = 8.8Hz, 4H), 7.09 (dd,J =8.8,1.2Hz, 6H), 7.02(dd,J = 8.4, 1.6Hz, 4H), 6.60-6.57(m, 3H), 1.32(s, 36H), 1.26(s, 36H)【０２４０】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５，６−テトラ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−フェニル−ベンゾニトリル(4BuCz-1PBN-A)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図５および６に示す。ＥＱＥMaxは４０．１％であった。【０２４１】
（実施例８）
〔２，３，５，６−テトラ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−フェニル−ベンゾニトリル(4Cz-1PBN-A)の合成〕
【化１７１】
2020050127.tif 000173
【０２４２】
窒素置換したフラスコに、酢酸パラジウム(II)（０．６４ｇ，２．８５ｍｍｏｌ)、炭酸銀（１５．８ｇ，５７．３ｍｍｏｌ）、およびジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸（１６．０ｇ，３７．２ｍｍｏｌ）を加えて、３回脱気した。その後、２，３，５，６−テトラフルオロベンゾニトリル（５．０ｇ，２８．６ｍｍｏｌ）、ピバル酸（２．９２ｇ, ２８．６ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（２ ｍＬ）、およびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（４０ｍＬ）を加え、１３０℃で１０時間攪拌した。次いで、室温に戻し、セライトを用いて不純物を取り除いた。その後、酢酸エチルを加え抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させて、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル:ヘキサン=１：９）により精製し、白色固体の化合物１ （２．９４ｇ, ４１％）を得た。1H NMR (400 MHz, CDCL3): δ 7.56-7.52 (m, 3H), 7.48-7.45 (m, 2H).
窒素置換したフラスコにカルバゾール（１．０９ｇ, ６．５２ｍｍｏｌ）、およびＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）を加えた。その後、室温でカリウムtert-ブトキシド（０．７３ｇ，６．５２ｍｍｏｌ）を加えたN,N-ジメチルホルムアミド（５ｍＬ）を加えて、室温で３０分間攪拌した。その後、化合物１（０．４ｇ,１．５９ｍｍｏｌ）を加えたＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）を１０分間かけて滴下した。その後、８０℃で１０時間攪拌した。次いで、室温に戻し、水（２０ｍＬ）を加え、３０分間経過した後にクロロホルムを加え抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させて、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル:ヘキサン=１：９）により精製し、黄色い固体の化合物２(4Cz-1PBN-A)（１．１８ｇ,８８％）を得た。
1H NMR(400MHz, DMSO-d6): δ 7.92(d,J =8.4Hz,4H),7.89-7.87(m,8H), 7.65 (d,J = 7.2Hz,4H), 7.24(td,J = 7.2,1.2Hz,4H), 7.15-7.08(m,8H), 6.94(td,J =7.4,0.8Hz,4H), 6.72(dd,J =8.4, 1.2Hz,2H), 6.44(tt,J =8.0,1.2Hz,1H), 6.31(t,J = 7.8Hz, 2H).【０２４３】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５，６−テトラ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４−フェニル−ベンゾニトリル(4Cz-1PBN-A)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図５および６に示す。ＥＱＥMaxは２６．１％であった。【０２４４】
同じ４−フェニル置換の骨格である実施例７および実施例８を対比すると、本発明化合物（実施例７）はＥＱＥMaxが相対的に高く、発光材料として有用であることがわかる。【０２４５】
（合成例９）
〔４’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：３’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル(2PBN-C)の合成〕
【化１７２】
2020050127.tif 000174
【０２４６】
２００ｍｌナスフラスコに３，４，５−トリフルオロベンゾニトリル（３．００ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、ブロムベンゼン（６．００ｇ，３８．２ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（２８０ｍｇ，１．９１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（７．９１ｇ，５７．３ｍｍｍｏｌ）、およびキシレン４５ｍｌを加えた。脱気・アルゴン置換を行った。それにトリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液５．１０ｍｌ，２．８７ｍｍｏｌ）、および酢酸パラジウム（２１４ｍｇ，０．９６ｍｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で１８時間撹拌した。室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。ろ液を水洗した。その後、硫酸マグネシウムを加え乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。
濃縮物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝９／１で洗浄し、目的物(2PBN-C)の白色結晶を４．４３ｇ得た。（収率７５．１％）
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ):7.55~7.47(m,10H)【０２４７】
（実施例９）
〔３，４，５−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-C)の合成〕
【化１７３】
2020050127.tif 000175
【０２４８】
１００ｍＬの三口フラスコに４’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：３’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル（０．７５ｇ，２．４３ｍｍｏｌ）、３，６−ジ（ｔ−ブチル）カルバゾール（２．７１ｇ，９．７０ｍｍｏｌ）、カリウムｔ−ブトキシド  （１．３３ｇ，１０．９ｍｍｏｌ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドン１５ｍＬを加えて１００℃で７１時間撹拌した。それに氷水１００ｍｌを加え、析出物をろ過した。ろ物をエーテルに溶解し、水洗した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）にて分離精製を行い、目的物(3BuCz-2PBN-C)を１．２５ｇ（収率４７．３％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl  3,δ): 7.45(d,4H), 7.30(d,2H), 7.28(d,2H), 7.13(d,2H), 7.04(m,6H), 6.88(d,4H), 6.87(d,4H), 6.67(d,2H), 6.49(dd,2H), 1.24(s,36H), 1.17(s,18H)【０２４９】
〔発光評価〕
ドープ材料を３，４，５−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-C)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図７および８に示す。ＥＱＥMaxは１２．０％であった。【０２５０】
（実施例１０）〔３，４，５−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-C)の合成〕
【化１７４】
2020050127.tif 000176
【０２５１】
５０ｍＬの三口フラスコに４’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：３’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル（０．３６ｇ，１．１７ｍｍｏｌ）、３，６−ジフェニルカルバゾール（１．５０ｇ，４．７０ｍｍｏｌ）、カリウムｔ−ブトキシド  （０．６４ｇ，５．２４ｍｍｏｌ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドン８ｍＬを加えて１４０℃で１８．５時間撹拌した。それに氷水１００ｍｌを加え、析出物をろ過した。ろ物をクロロホルムに溶解し、水洗した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン＝２／３）にて分離精製を行い、目的物(3PCz-2PBN-C)を０．７５ｇ（収率５３．２％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl  3,δ): 7.80(s,4H), 7.47-7.41(m,14H), 7.36-7.32(m,8H), 7.28-7.21(m,22H), 7.16-7.14(m,6H), 7.09(d,2H), 6.86(dd,2H)【０２５２】
〔発光評価〕
ドープ材料を３，４，５−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，６−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-C)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図７および８に示す。ＥＱＥMaxは２１．６％であった。【０２５３】
（合成例１１）
〔３’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：４’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル(2PBN-D)の合成〕
【化１７５】
2020050127.tif 000177
【０２５４】
２００ｍｌナスフラスコに２，４，５−トリフルオロベンゾニトリル（３．００ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、ブロムベンゼン（６．００ｇ，３８．２ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（２８０ｍｇ，１．９１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（７．９１ｇ，５７．３ｍｍｍｏｌ）、およびキシレン４５ｍｌを加えた。脱気・アルゴン置換を行った。それにトリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液５．１０ｍｌ，２．８７ｍｍｏｌ）、および酢酸パラジウム（２１４ｍｇ，０．９６ｍｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で１５時間撹拌した。室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。ろ液を水洗した。その後、硫酸マグネシウムを加え乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。
濃縮物にクロロホルム１５０ｍｌを加えて加熱溶解した。それにｎ−ヘキサン３００ｍｌを加えて冷却した。析出した白色固体をろ過し、目的物(2PBN-D)を４．４０ｇ（収率７４．６％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ):7.54~7.47(m,10H)【０２５５】
（実施例１１）
〔３，４，６−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-D)の合成〕
【化１７６】
2020050127.tif 000178
【０２５６】
３，６−ジフェニルカルバゾール（１．７５ｇ，５．５ｍｍｏｌ）を窒素置換した１００ｍＬの二口フラスコに加え、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１０ｍＬに溶解した。それにカリウムｔ−ブトキシド（０．６５ｇ，５．８ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。それに窒素気流下で３’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：４’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル（０．４２ｇ，１．４ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドン１０ｍＬに懸濁して加え、１２０℃で２０時間撹拌した。次いで、室温に戻し、水と酢酸エチルを加え、有機層を分液した。更に水層を酢酸エチルで２回抽出し、混合した有機層を水で３回洗浄し、次いで飽和食塩水で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、ろ過・濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し粗精製物を得た。粗精製物を再度シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／トルエン）で精製することで目的物(3PCz-2PBN-D)を０．９３ｇ、収率５６．７％で得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ): 8.32(d,J=2.0Hz,2H), 7.33-7.70(m,8H), 7.66(d,J=2.0Hz,2H), 7.53-7.26(m,30H), 7.26-7.21(m,5H), 7.13(dd,J=8.4Hz,2.0Hz,2H), 7.05(d,J=8.4Hz,2H), 6.99(d,J=8.8Hz,2H,), 6.91-6.89(m,2H), 6.67-6.57(m,3H)  【０２５７】
〔発光評価〕
ドープ材料を３，４，６−トリ（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3PCz-2PBN-D)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図７および８に示す。ＥＱＥMaxは２０．７％であった。【０２５８】
（実施例１２）
〔３，４，６−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-D)の合成〕
【化１７７】
2020050127.tif 000179
【０２５９】
３，６−ジ−ｔ−ブチルカルバゾール（３．６２ｇ，１３．０ｍｍｏｌ）を窒素置換した３００ｍＬの四口フラスコに加え、Ｎ−メチル−２−ピロリドン６５ｍＬに溶解した。
それにカリウムｔ−ブトキシド（１．５８ｇ，１４．１ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。それに窒素気流下で３’，５’，６’−トリフルオロ−［１，１’：４’，１”−テルフェニル］−２’−カルボニトリル（１．００ｇ，３．２ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃で６時間撹拌した。その後、１３０℃で１４時間撹拌した。次いで、室温に戻し、水と酢酸エチルを加え、有機層を分液した。更に水層を酢酸エチルで２回抽出し、混合した有機層を水で３回洗浄し、次いで飽和食塩水で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、ろ過・濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン、ｎ−ヘキサン／トルエン）で精製することで目的物(3BuCz-2PBN-D)を１．７３ｇ、収率４９．２％で得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ): 8.03(d,J=1.2Hz,2H), 7.44-7.40(m,6H), 7.35(d,J=1.6Hz,2H), 7.17(d,J=8.4Hz,2H), 7.10-7.06(m,3H), 6.83-6.76(m,6H), 6.66(d,J=8.4Hz,2H), 6.62(d,J=8.8Hz,2H), 6.56-6.46(m,3H), 1.43(s,18H), 1.29(s,18H), 1.25(s,18H)【０２６０】
〔発光評価〕
ドープ材料を３，４，６−トリ（３，６−ジ−ｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−２，５−ジフェニル−ベンゾニトリル(3BuCz-2PBN-D)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図７および８に示す。ＥＱＥMaxは１５．６％であった。【０２６１】
（合成例１３）
〔２，４，５，６−テトラフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−３−カルボニトリル(1PBN-C)の合成〕
【化１７８】
2020050127.tif 000180
【０２６２】
３００ｍｌナスフラスコに１，３−ジブロモテトラフロロベンゼン（６．５０ｇ，  ２１．１ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（２．７３ｇ，  ２２．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（８．７４ｇ，  ６３．３ｍｍｏｌ）、水  ２６ｍｌ、およびテトラヒドロフラン  ６５ｍｌを加えた。脱気し、次いでアルゴン置換を行った。その後、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4  （０．５６ｇ，  ０．６３ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下１７時間撹拌した。得られた液を室温に戻し、ジエチルエーテル１００ｍｌを加え抽出した。その後、５０ｍｌの水で２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン）にて分離精製し、３−ブロモ−２，４，５，６−テトラフロロ−１，１’−ビフェニルを２．９３ｇ（収率４５．５％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ):7.50~7.38(m,5H)【０２６３】
２００ｍｌナスフラスコに３−ブロモ−２，４，５，６−テトラフロロ−１，１’−ビフェニル（２．９７ｇ，  ９．７４ｍｍｏｌ）、シアン化銅（１．７４ｇ，  １９．４ｍｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム（０．２９ｇ，  １．９３ｍｍｏｌ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドン３０ｍｌを加え、１５０℃で２２．５時間撹拌した。室温まで冷却した。
これにジエチルエーテル５０ｍｌを加え、１０％アンモニア水で洗浄し、次いで水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン＝２／１）にて分離精製し、目的物２，４，５，６−テトラフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−３−カルボニトリルを２．０５ｇ（収率８３．３％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ):7.51-7.48(m,3H),7.40-7.37(m,2H)【０２６４】
（実施例１３）
〔２，４，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−３−カルボニトリル(4BuCz-1PBN-C)の合成〕
【化１７９】
2020050127.tif 000181
【０２６５】
５０ｍＬのナスフラスコに２，４，５，６−テトラフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−３−カルボニトリル（０．２５ｇ，  １．００ｍｍｏｌ）、３，６−ジｔ−ブチル−カルバゾール（１．２５ｇ，  ４．４７ｍｍｏｌ）、および脱水ＤＭＦ１０ｍｌを加え、氷水バスで冷却した。  ６０％水素化ナトリウム（０．２０ｇ，  ５．００ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。その後、室温で２時間撹拌した。得られた液を氷水に注加し、析出物をろ過した。ろ物をエーテルにて溶解させ、水洗した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いで濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン＝２／１）にて分離精製した。得られた精製物を２−プロパノールで洗浄し、目的物（4BuCz-1PBN-C）を１．１４ｇ（収率８８．９％）得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl  3,δ):8.01(d,2H), 7.59(s,2H), 7.46~7.44(m,4H), 7.18(dd, 4H), 6.98(d,4H), 6.91(dd,4H), 6.67~6.64(m,4H), 6.55~6.52(3H,m), 6.43(dd,2H), 1.43(s,18H), 1.30(s,18H), 1.22(s,18H), 1.21(s,18H)【０２６６】
〔発光評価〕
ドープ材料を２，４，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−３−カルボニトリル(4BuCz-1PBN-C)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図９および１０に示す。
ＥＱＥMaxは２６．０％であった。【０２６７】
（実施例１４）
〔３，４，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−２−カルボニトリル（4BuCz-1PBN-B）の合成〕
【化１８０】
2020050127.tif 000182
【０２６８】
窒素置換したフラスコに  酢酸パラジウム（II）（０．１３  ｇ，０．５８ｍｍｏｌ）、炭酸銀（３．１５ｇ，  １１．４ｍｍｏｌ）、およびジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸（３．１９ｇ，  ７．４２ｍｍｏｌ）を加えて、３回脱気した。その後、２，３，４，５−テトラフルオロベンゾニトリル（１．０  ｇ，  ５．７１ｍｍｏｌ）、ピバル酸（０．５８ｇ，  ５．６８ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（０．５  ｍＬ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（８ｍＬ）  を加えて、１３０℃で１０時間攪拌した。その後、室温に戻し、セライトを用いて不純物を取り除いた。その後、酢酸エチルを加えて、抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させて、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）により精製し、白色固体の化合物１を（０．４９ｇ，  ３４％）得た。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 7.58-7.53 (m, 3H), 7.51-7.45 (m, 3H)【０２６９】
窒素置換したフラスコに３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾール（１．３７ｇ，  ４．９０ｍｍｏｌ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１０  ｍＬ）を加えた。その後、室温でカリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．５５ｇ，  ４．９０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍＬ）との混合物を加えて、室温で３０分間攪拌した。
その後、化合物１（０．３０ｇ，  １．１９ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）との混合物を１０分間かけて滴下した。その後、８０℃で１０時間攪拌した。その後、室温に戻し、水（２０  ｍＬ）を加え、３０分後にクロロホルムを加え抽出を行った。有機層に硫酸ナトリウムを加え乾燥させ、カラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）により精製し、黄色い固体の化合物２（4BuCz-1PBN-B）を（１．２４ｇ，  ８１％）得た。
1H NMR (400 MHz, DMSO-d6): δ 7.73 (d, J = 1.0Hz, 2H), 7.52 (d, J = 6.8Hz, 4H), 7.32-7.27 (m, 4H), 7.21-7.11 (m, 11H), 6.99 (d, J =8.4Hz, 2H), 6.87 (d,J = 8.8Hz, 2H), 6.63-6.59(m, 4H), 1.33 (s, 18H), 1.27 (s, 18H), 1.16 (d, J = 8.0Hz, 36H)【０２７０】
〔発光評価〕
ドープ材料を３，４，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−２−カルボニトリル（4BuCz-1PBN-B）に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図９および１０に示す。ＥＱＥMaxは２２．３％であった。【０２７１】
（実施例１５）
〔２，３，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボニトリル（4BuCz-1PBN-A）の合成〕
実施例７と同様の方法にて目的物（4BuCz-1PBN-A）を得た。
【化１８１】
2020050127.tif 000183
〔発光評価〕
ドープ材料を２，３，５，６−テトラキス（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボニトリル（4BuCz-1PBN-A）に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図９および１０に示す。【０２７２】
（合成例１６）4'-(tert-ブチル)-2,3,5,6-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリルの合成
【化１８２】
2020050127.tif 000184
【０２７３】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.50g,2.86mmol）、4-tert-ブチルブロムベンゼン（0.64g,3.00mmol）、2-エチルヘキサン酸（41.0mg,0.29mmol）、炭酸カリウム（0.59g,4.29mmmol）、キシレン10mlを加えた。脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.45ml,0.25mmol）、酢酸パラジウム（19.2mg,0.09mmmol）を加え、140℃で16時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.50ｇ得た。（収率56.8%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.53(d,2H)、7.40(d,2H)、1.36(s,9H)【０２７４】
(実施例１６)  4'-(tert-ブチル)-2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-Bu)
【化１８３】
2020050127.tif 000185
【０２７５】
100ｍＬのナスフラスコに4'-(tert-ブチル)-2,3,5,6-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル（0.50g, 1.63mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.05ｇ,7.34mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.33g, 8.15mmol)を少しづつ加えた後、室温で５時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物1.66ｇ（収率75.8％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.55(d,4H)、7.42(d,4H)、6.94(dd,4H)、6.88(d, 4H)、6.78(dd,6H)、6.62(d,4H)、6.48(d,2H)、1.35(s,36H)、1.39(s,36H)、0.71(s,9H)【０２７６】
〔発光評価〕
ドープ材料を4'-(tert-ブチル)-2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-Bu)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１１および１２に示す。ＥＱＥMaxは２６．５％であった。【０２７７】
（合成例１７）4'-メトキシ-2,3,5,6-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリルの合成
【化１８４】
2020050127.tif 000186
【０２７８】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.80g,4.57mmol）、4- メトキシブロムベンゼン（0.90g,4.80mmol）、2-エチルヘキサン酸（66.0mg,0.46mmol）、炭酸カリウム（0.95g,6.86mmmol）、キシレン10mlを加えた。  脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.72ml,0.41mmol）、酢酸パラジウム（31.0mg,0.14mmmol）を加え、140℃で17.5時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.63ｇ得た。（収率49.2%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.41(d,2H)、7.03(d,2H)、3.87(s,3H)【０２７９】
(実施例１７)   2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4'-メトキシ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-OMe)
【化１８５】
2020050127.tif 000187
【０２８０】
100ｍＬのナスフラスコに4'-メトキシ-2,3,5,6-テトラフロロ- [1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル（0.50g, 1.78mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.24ｇ,8.01mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.36g, 8.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で３時間さらに80℃で2時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物1.93ｇ（収率82.5％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.54(d,4H)、7.43(d,4H)、6.93(dd,4H)、 6.86(d, 4H)、6.81(dd,6H)、6.63(d,4H)、6.06(d,2H)、3.23(s,3H)、1.34(s,36H)、1.30(s,36H) 【０２８１】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4'-メトキシ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-OMe)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１１および１２に示す。ＥＱＥMaxは２８．５％であった。【０２８２】
（合成例１８）4'-メチルチオ-2,3,5,6-テトラフロロ- [1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリルの合成
【化１８６】
2020050127.tif 000188
【０２８３】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.80g,4.57mmol）、4-メチルチオブロムベンゼン（0.97g,4.80mmol）、2-エチルヘキサン酸（66.0mg,0.46mmol）、炭酸カリウム（0.95g,6.86mmmol）、キシレン10mlを加えた。  脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.72ml,0.41mmol）、酢酸パラジウム（31.0mg,0.14mmmol）を加え、140℃で17.5時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.68ｇ得た。（収率50.0%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.37(d,2H)、7.34(d,2H)、2.53(s,3H)【０２８４】
(実施例１８)   2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4'-メチルチオ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-SMe)
【化１８７】
2020050127.tif 000189
【０２８５】
100ｍＬのナスフラスコに4'-メチルチオ-2,3,5,6-テトラフロロ- [1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル（0.50g, 1.68mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.12ｇ,7.56mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.34g, 8.40mmol)を少しづつ加えた後、室温で４時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/酢酸エチル＝19/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物2.08ｇ（収率92.9％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.56(d,4H)、 7.44(d,4H)、 6.95(dd,4H)、6.85(d, 4H)、6.83(dd,6H)、6.64(d,4H)、6.42(d,2H)、1.96(s,3H)、1.36(s,36H)、1.32(s,36H) 【０２８６】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4'-メチルチオ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボニトリル (4X-BCz-PBN-SMe)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１１および１２に示す。ＥＱＥMaxは２９．０％であった。【０２８７】
（合成例１９）2,3,5,6-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジカルボニトリルの合成
【化１８８】
2020050127.tif 000190
【０２８８】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.80g,4.57mmol）、4- シアノブロムベンゼン（0.87g,4.80mmol）、2-エチルヘキサン酸（66.0mg,0.46mmol）、炭酸カリウム（0.95g,6.86mmmol）、キシレン15mlを加えた。  脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.72ml,0.41mmol）、酢酸パラジウム（31.0mg,0.14mmmol）を加え、140℃で18時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝1/1）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.79ｇ得た。（収率62.7%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.83(d,2H)、7.58(d,2H)【０２８９】
(実施例１９)  2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジカルボニトリル (4X-BCz-PBN-CN)
【化１８９】
2020050127.tif 000191
【０２９０】
50ｍＬのナスフラスコに2,3,5,6-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジカルボニトリル（0.25g, 0.91mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（1.27ｇ,4.55mmol）、脱水DMF10mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.18g, 4.53mmol)を少しづつ加えた後、室温で２時間さらに80℃で５時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝1/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物1.12ｇ（収率94.1％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.57(d,4H)、 7.46(d,4H)、7.03 (d,2H)、 6.96(dd, 4H)、6.87(d,4H)、6.84(dd,6H)、6.59(d,4H)、1.35(s,36H)、1.31(s,36H) 【０２９１】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジカルボニトリル (4X-BCz-PBN-CN)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１１および１２に示す。ＥＱＥMaxは３１．６％であった。【０２９２】
（合成例２０）4'-シアノ-2',3',5',6'-テトラフロロ-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボン酸メチルエステルの合成
【化１９０】
2020050127.tif 000192
【０２９３】
100ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（1.00g,5.71mmol）、4-メトキシカルボニルブロムベンゼン（1.29g,6.00mmol）、2-エチルヘキサン酸（82.0mg,0.57mmol）、炭酸カリウム（1.18g,8.56mmmol）、キシレン20mlを加えた。  脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.90ml,0.51mmol）、酢酸パラジウム（38.5mg,0.17mmmol）を加え、140℃で18時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝1/1）で分離精製を行い、目的物の結晶を1.29ｇ得た。（収率72.9%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.18(d,2H)、7.54(d,2H)、3.96(s,3H)【０２９４】
(実施例２０)   4'-シアノ-2',3',5',6'-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボン酸メチルエステル (4X-BCz-PBN-CO2Me)
【化１９１】
2020050127.tif 000193
【０２９５】
100ｍＬのナスフラスコに4−（4-メトキシカルボニルフェニル）−2,3.5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.50g, 1.78mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.24ｇ,8.01mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.36g, 8.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で３時間さらに80℃で2時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物1.93ｇ（収率82.5％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.54(d,4H)、7.43(d,4H)、6.93(dd,4H)、6.86(d, 4H)、6.81(dd,6H)、6.63(d,4H)、6.06(d,2H)、3.23(s,3H)、1.34(s,36H)、1.30(s,36H) 【０２９６】
〔発光評価〕
ドープ材料を4'-シアノ-2',3',5',6'-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4-カルボン酸メチルエステル (4X-BCz-PBN-CO2Me)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１３および１４に示す。ＥＱＥMaxは３０．４％であった。【０２９７】
（実施例２１）  ４Ｘ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＭｅｓＢＮの合成
【化１９２】
2020050127.tif 000194
【０２９８】
２００ｍＬの三口フラスコに２，４，６−トリメチルフェニルボロン酸（２．６２ｇ，１６．０ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゾニトリル（２．０３ｇ，８．０ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（６．８０ｇ，３２．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．３７ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、ＳＰｈｏｓ（０．６６ｇ，１．６１ｍｍｏｌ）、脱水トルエン１００ｍＬを加え、脱気・窒素置換を行った後、１２０℃で２２時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、トルエンを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し、無色油状物の前駆体を１．０９ｇ得た（収率４６．５％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．０１（ｓ，２Ｈ），２．３５（ｓ，３Ｈ），２．０５（ｓ，６Ｈ）【０２９９】
【化１９３】
2020050127.tif 000195
【０３００】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（２．１２ｇ，７．６ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．８２ｇ，７．３ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．５０ｇ，１．７０ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン５ｍＬに溶解して加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣に酢酸エチルを加え超音波照射し、析出した固体を濾取して溶媒を留去することで淡黄緑色固体の目的物を２．０５ｇ得た（収率９０．３％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．５２（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，４Ｈ），７．３８（ｓ，４Ｈ），６．８９（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２．０Ｈｚ，４Ｈ），６．８１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），６．７３−６．６８（ｍ，８Ｈ），６．２６（ｓ，２Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，３６Ｈ），１．３０（ｓ，３６Ｈ）【０３０１】
〔発光評価〕
ドープ材料を４Ｘ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＭｅｓＢＮに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１３および１４に示す。ＥＱＥMaxは２９．５％であった。【０３０２】
（実施例２２）  ４Ｘ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＩＰＮの合成
【化１９４】
2020050127.tif 000196
【０３０３】
２００ｍＬの三口フラスコに３，５−ジシアノフェニルボロン酸ピナコールエステル（０．５１ｇ，２．０ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゾニトリル（０．６２ｇ，２．４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（１．６９ｇ，８．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（９０．２ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）、ＳＰｈｏｓ（１６２．８ｍｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２５ｍＬを加え、脱気・窒素置換を行った後、１２０℃で２２時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、トルエンを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、前駆体を微黄白色固体として０．１８ｇ得た（収率３０．４％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：８．１２（ｔ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）【０３０４】
【化１９５】
2020050127.tif 000197
【０３０５】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．８４ｇ，６．６ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン２７ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．７１ｇ，６．３ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．４５ｇ，１．４９ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン５ｍＬに溶解して加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/ベンゼン）で精製し、粗精製物を得た。粗精製物にｎ−ヘキサンを加え超音波照射し、析出した固体を濾取して溶媒を留去することで黄色固体の目的物を１．２４ｇ得た（収率６２．０％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．６４（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，４Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．０２−６．９６（ｍ，９Ｈ），６．６７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），１．３６（ｓ，３６Ｈ），１．３２（ｓ，３６Ｈ）【０３０６】
〔発光評価〕
ドープ材料を４Ｘ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＩＰＮに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１３および１４に示す。ＥＱＥMaxは３１．０％であった。【０３０７】
（合成例２３）2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-2-イル)ベンゾニトリルの合成
【化１９６】
2020050127.tif 000198
【０３０８】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.50g,2.86mmol）、2-ブロムピリジン（0.47g,3.0mmol）、2-エチルヘキサン酸（41.0mg,0.29mmol）、炭酸カリウム（0.59g,4.29mmmol）、キシレン10mlを加えた。脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.45ml,0.25mmol）、酢酸パラジウム（19.2mg,0.09mmmol）を加え、140℃で18時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/酢酸エチル＝7/3）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.56ｇ得た。（収率77.8%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.80(d,1H)、7.88(m,1H)、7.51(d,1H)、7.45(m,1H)【０３０９】
(実施例２３)  2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-2-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-2-Py)
【化１９７】
2020050127.tif 000199
【０３１０】
100ｍＬのナスフラスコに2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-2-イル)ベンゾニトリル（0.50g, 1.98mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.49ｇ, 8.91mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.40g, 9.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で5時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/1）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物2.26ｇ（収率89.0％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.84(d,1H)、7.56(d,4H)、7.42(d,4H)、6.98-6.95(m, 5H)、6.92(d,4H)、6.86-6.83(m,5H)、6.77(d,4H)、6.43(dd,1H)、1.36(s,36H)、 1.30(s,36H) 【０３１１】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-2-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-2-Py)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１５および１６に示す。ＥＱＥMaxは２４．４％であった。【０３１２】
（合成例２４）2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-3-イル)ベンゾニトリルの合成
【化１９８】
2020050127.tif 000200
【０３１３】
100ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（1.15g,6.57mmol）、3-ブロムピリジン（1.09g,6.90mmol）、2-エチルヘキサン酸（95mg,0.66mmol）、炭酸カリウム（1.36g,9.86mmmol）、キシレン20mlを加えた。脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液1.04ml,0.59mmol）、酢酸パラジウム（44.0mg,0.18mmmol）を加え、140℃で18時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/酢酸エチル＝7/3）で分離精製を行い、目的物の結晶を1.16ｇ得た。（収率69.9%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.76-8.73(m,2H)、7.80(d,1H)、7.50-7.47(t,1H)【０３１４】
(実施例２４)  2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-3-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-3-Py)
【化１９９】
2020050127.tif 000201
【０３１５】
100ｍＬのナスフラスコに2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-3-イル)ベンゾニトリル（0.50g, 1.98mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.49ｇ, 8.91mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.40g, 9.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で4.5時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/3）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物2.18ｇ（収率85.8％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.22(d,1H)、7.81(d,1H)、7.57(d,4H)、7.45(d, 4H)、7.23(d,1H)、6.96(dd,4H)、6.89(d,4H)、6.84(dd,4H)、6.62(d,4H)、6.49(dd,1H)、  1.36(s,36H)、1.31(s,36H) 【０３１６】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-3-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-3-Py)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１５および１６に示す。ＥＱＥMaxは３３．６％であった。【０３１７】
（合成例２５）2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-4-イル)ベンゾニトリルの合成
【化２００】
2020050127.tif 000202
【０３１８】
50ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（0.80g,4.57mmol）、4-ブロムピリジン塩酸塩（0.93g,4.80mmol）、2-エチルヘキサン酸（66.0mg,0.46mmol）、炭酸カリウム（1.58g,11.4mmmol）、キシレン15mlを加えた。  脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.72ml,0.41mmol）、酢酸パラジウム（31.0mg,0.14mmmol）を加え、140℃で17時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝1/4）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.70ｇ得た。（収率60.9%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.81(d,2H)、7.38(d,2H)【０３１９】
(実施例２５)  2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-4-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-4-Py)
【化２０１】
2020050127.tif 000203
【０３２０】
100ｍＬのナスフラスコに2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリジン-4-イル)ベンゾニトリル（0.50g, 1.98mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.49ｇ, 8.91mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.40g, 9.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で5時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ベンゼン）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物2.24ｇ（収率88.2％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 7.82(d,2H)、7.56(d,4H)、7.45(d,4H)、6.95(dd, 4H)、6.87-6.82(m,10H)、6.62(d,4H)、1.35(s,36H)、1.31(s,36H) 【０３２１】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリジン-4-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-4-Py)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１５および１６に示す。ＥＱＥMaxは３０．９％であった。【０３２２】
（合成例２６）2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリミジン-5-イル)ベンゾニトリルの合成
【化２０２】
2020050127.tif 000204
【０３２３】
100ｍｌナスフラスコに2,3,5,6−テトラフルオロベンゾニトリル（1.00g,5.71mmol）、5-ブロムピリミジン（0.95g,6.00mmol）、2-エチルヘキサン酸（82.0mg,0.57mmol）、炭酸カリウム（1.18g,8.57mmmol）、キシレン20mlを加えた。脱気・アルゴン置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（20%トルエン溶液0.90ml,0.50mmol）、酢酸パラジウム（38.52mg,0.18mmmol）を加え、140℃で18時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥しロータリーエバポレーターで濃縮した。  残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/酢酸エチル＝7/3）で分離精製を行い、目的物の結晶を0.96ｇ得た。（収率66.5%）
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 9.35(s,1H)、8.91(s,2H)【０３２４】
(実施例２６)  2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリミジン-5-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-5-Pm)
【化２０３】
2020050127.tif 000205
【０３２５】
100ｍＬのナスフラスコに2,3,5,6-テトラフロロ-4-(ピリミジン-5-イル)ベンゾニトリル（0.50g, 1.98mmol）、3,6−ジｔ-ブチル−カルバゾール（2.48ｇ, 8.91mmol）、脱水DMF20mlを加え、氷水バスで冷却した。 60%水素化ナトリウム(0.40g, 9.90mmol)を少しづつ加えた後、室温で4時間撹拌した。 反応液を氷水に注加し、析出した結晶をろ過した。結晶をエーテルに溶解し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン/ベンゼン＝2/3）にて分離精製を行った。得られた結晶を2-プロパノールで洗浄し目的物2.23ｇ（収率87.8％）を得た。
1H-NMR(400MHz, CDCl3, δ) ： 8.39(s,1H)、 8.27(s,2H)、7.57(d,4H)、7.47(d, 4H)、6.97(dd,4H)、6.90(d,4H)、6.86(dd,4H)、6.59(d,4H)、1.36(s,36H), 1.31(s,36H)【０３２６】
〔発光評価〕
ドープ材料を2,3,5,6-テトラキス(3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール-9-イル)-4-(ピリミジン-5-イル)ベンゾニトリル  (4X-BCz-PBN-5-Pm)に換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１５および１６に示す。ＥＱＥMaxは３０．３％であった。【０３２７】
（実施例２７）  ３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ｔＢｕの合成
【化２０４】
2020050127.tif 000206
【０３２８】
１００ｍＬナスフラスコに２，４，６−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ｔ−ブチルベンゼン（２．８６ｇ，１３．４ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９３．８ｍｇ，０．６５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６４ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７２．６ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２４時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン）で精製し、淡茶白色固体の前駆体を１．４４ｇ得た（収率５３．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．５１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）【０３２９】
【化２０５】
2020050127.tif 000207
【０３３０】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．１６ｇ，４．２ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン２４ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．４４ｇ，３．９ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．５０ｇ，１．１９ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/酢酸エチル）で精製し、目的物の粗結晶を０．８１ｇ得た。同様の方法により得られた粗結晶３．２８ｇに酢酸エチルを加え、超音波照射して析出した結晶を濾取し、溶媒を留去して淡黄緑色固体の目的物を２．２５ｇ得た（収率５７．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．９４（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，４Ｈ），７．７１（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．３８（ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．２１（ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），６．９３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．４３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），６．３３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），１．３９（ｓ，３６Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），０．７７（ｓ，１８Ｈ）【０３３１】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ｔＢｕに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１７および１８に示す。ＥＱＥMaxは２４．６％であった。【０３３２】
（実施例２８）  ３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＯＭｅの合成
【化２０６】
2020050127.tif 000208
【０３３３】
１００ｍＬナスフラスコに２，４，６−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモアニソール（２．５１ｇ，１３．４ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９２．９ｍｇ，０．６４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６４ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７２．４ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２４時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン）で精製し、白色固体の前駆体を０．５２ｇ得た（収率２２．１％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（400ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．３７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），７．０３−７．００（ｍ，４Ｈ），３．８７（ｓ，６Ｈ）【０３３４】
【化２０７】
2020050127.tif 000209
【０３３５】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．３３ｇ，４．８ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．４４ｇ，３．９ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．５１ｇ，１．３５ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン７ｍＬに溶解して加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/ベンゼン）で精製し、目的物の粗精製物を１．６３ｇ得た。同様の方法により得られた粗精製物３．３３ｇにｎ−ヘキサン／酢酸エチルを加え、超音波照射して析出した結晶を濾取し、溶媒を留去して淡々黄白色固体として目的物を２．３７ｇ得た（収率７４．１％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．９６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．７６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．４１（ｄｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．２７（ｄｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），６．５２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），５．９２（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，４Ｈ），３．２９（ｓ，６Ｈ），１．４０（ｓ，３６Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ）【０３３６】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＯＭｅに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１７および１８に示す。ＥＱＥMaxは２１．５％であった。【０３３７】
（実施例２９）  ３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＳＭｅの合成
【化２０８】
2020050127.tif 000210
【０３３８】
１００ｍＬナスフラスコに２，４，６−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモチオアニソール（２．７１ｇ，１３．３ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９４．３ｍｇ，０．６５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６６ｇ，１９．２ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７５．６ｍｇ，０．３４ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２１時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル）で精製した後、ｎ−ヘキサン／酢酸エチルで洗浄して白色固体の前駆体を１．４３ｇ得た（収率５６．０％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．３５（ｓ，８Ｈ），２．５３（ｓ，６Ｈ）【０３３９】
【化２０９】
2020050127.tif 000211
【０３４０】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．９５ｇ，７．０ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン３２ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．７６ｇ，６．８ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．８０ｇ，２．００ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/ベンゼン）で精製し、目的物の粗精製物を２．２５ｇ得た。粗精製物にｎ−ヘキサンを加え、超音波照射して析出した結晶を濾取し、溶媒を留去して微黄白色固体の目的物を１．５２ｇ得た（収率６４．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．９６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．７７（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．４１（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２．０Ｈｚ，４Ｈ），７．２６（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２．０Ｈｚ，２Ｈ），６．９３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），６．５０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），６．２８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），１．９９（ｓ，６Ｈ），１．４０（ｓ，３６Ｈ），１．３４（ｓ，１８Ｈ）【０３４１】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｙ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＳＭｅに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１７および１８に示す。ＥＱＥMaxは２０．９％であった。【０３４２】
（実施例３０）  ３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ｔＢｕの合成
【化２１０】
2020050127.tif 000212
【０３４３】
１００ｍＬナスフラスコに２，３，５−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ｔ−ブチルベンゼン（２．８５ｇ，１３．４ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９４．７ｍｇ，０．６６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６４ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７２．４ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２２時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン）で精製し白色固体の前駆体を２．５４ｇ得た（収率９４．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．５３（ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ，４Ｈ），７．４５−７．４３（ｍ，４Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）【０３４４】
【化２１１】
2020050127.tif 000213
【０３４５】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．１６ｇ，４．２ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン２４ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．４４ｇ，３．９ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．５０ｇ，１．１９ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/酢酸エチル）で精製し、粗精製物を０．７６ｇ得た。同様の方法により得られた粗結晶１．４４ｇを酢酸エチルに溶かして混合、溶媒を留去して淡黄緑白色固体の目的物を１．４１ｇ得た（収率４９．５％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．８０（ｓ，２Ｈ），７．５４（ｓ，２Ｈ），７．３８（ｓ，２Ｈ），７．２６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．１５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），６．９１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），６．８５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．７６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），６．５９（ｄｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ，８．８Ｈｚ，４Ｈ），６．３８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．３４（ｓ，１８Ｈ），１．２７（ｓ，１８Ｈ），１．０９（ｓ，９Ｈ），０．７３（ｓ，９Ｈ）【０３４６】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ｔＢｕに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１９および２０に示す。ＥＱＥMaxは２６．５％であった。【０３４７】
（実施例３１）  ３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＯＭｅの合成
【化２１２】
2020050127.tif 000214
【０３４８】
１００ｍＬナスフラスコに２，３，５−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモアニソール（２．５０ｇ，１３．４ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９６．５ｍｇ，０．６７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６４ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７２．３ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２２時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン）で精製し白色固体の前駆体を１．５１ｇ得た（収率６４．２％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．４６−７．４２（ｍ，４Ｈ），７．０５−７．０２（ｍ，４Ｈ），３．８７（ｓ，６Ｈ）【０３４９】
【化２１３】
2020050127.tif 000215
【０３５０】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．５１ｇ，５．４ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン２５ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．５８ｇ，５．２ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．５７ｇ，１．５４ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン６ｍＬに溶解して加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体を酢酸エチルに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/ベンゼン）で精製し、粗精製物を０．８０ｇ得た。同様の方法により得られた粗精製物２．０７ｇにｎ−ヘキサン／酢酸エチルを加え超音波照射して析出した結晶を濾取し、溶媒を留去して微黄白色固体として目的物を１．８２ｇ得た（収率６４．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（400ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．８５（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．３１（ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１．６Ｈｚ，２Ｈ），６．８１−６．７７（ｍ，４Ｈ），６．６４−６．５５（ｍ，６Ｈ），５．９４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６２（ｓ，３Ｈ），３．２５（ｓ，３Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ），１．３４（ｓ，１８Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ）【０３５１】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＯＭｅに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１９および２０に示す。ＥＱＥMaxは２５．２％であった。【０３５２】
（実施例３２）  ３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＳＭｅの合成
【化２１４】
2020050127.tif 000216
【０３５３】
１００ｍＬナスフラスコに２，３，５−トリフルオロベンゾニトリル（１．００ｇ，６．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモチオアニソール（２．７２ｇ，１３．４ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（９５．０ｍｇ，０．６６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．６５ｇ，１９．２ｍｍｏｌ）、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。脱気・窒素置換を行った後、トリシクロヘキシルホスフィン（２０％トルエン溶液１．６ｍＬ，０．９５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７３．０ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃で２１時間撹拌した。  反応液を室温に戻し、酢酸エチルを加えセライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を水洗後、硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／ベンゼン）で精製した後、ｎ−ヘキサン／酢酸エチルで洗浄して白色固体として前駆体を２．０５ｇ得た（収率８０．２％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．４２−７．３４（ｍ，８Ｈ），２．５４（ｓ，６Ｈ）【０３５４】
【化２１５】
2020050127.tif 000217
【０３５５】
窒素置換した２００ｍＬの三口フラスコに３，６−ジ−ｔ-ブチルカルバゾール（１．９５ｇ，７．０ｍｍｏｌ）を加え、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン３２ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム（０．７６ｇ，６．８ｍｍｏｌ)を加えて室温で１時間撹拌した。この混合物を氷水冷し、窒素気流下で前駆体（０．８０ｇ，２．００ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で３時間撹拌した。反応液を氷水冷し、冷水を加え析出した固体を濾取した。固体をジクロロメタンに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン/ジクロロメタン）で精製し、粗精製物を得た。粗精製物にｎ−ヘキサン／ジエチルエーテルを加え超音波照射して析出した結晶を濾取し、溶媒を留去して淡黄色固体として目的物を１．８５ｇ得た（収率７８．７％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，δ）：７．８５（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ），７．３１（ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，２Ｈ），７．１８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，４Ｈ），６．８０−６．７７（ｍ，４Ｈ），６．６０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．５７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．２９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），２．３０（ｓ，３Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ），１．３４（ｓ，１８Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ）【０３５６】
〔発光評価〕
ドープ材料を３Ｆ−ＢＣｚ−ＰＢＮ−ＳＭｅに換えた以外は実施例１と同じ方法で発光評価を行った。結果を図１９および２０に示す。ＥＱＥMaxは２２．０％であった。
【産業上の利用可能性】
【０３５７】
発光特性に優れる、２，３，４，５，６−ペンタ置換ベンゾニトリル化合物、発光材料およびそれを用いた発光素子を提供することができる。
【図１】
2020050127.tif 000227
【図２】
2020050127.tif 000228
【図３】
2020050127.tif 000229
【図４】
2020050127.tif 000230
【図５】
2020050127.tif 000231
【図６】
2020050127.tif 000232
【図７】
2020050127.tif 000233
【図８】
2020050127.tif 000234
【図９】
2020050127.tif 000235
【図１０】
2020050127.tif 000236
【図１１】
2020050127.tif 000237
【図１２】
2020050127.tif 000238
【図１３】
2020050127.tif 000239
【図１４】
2020050127.tif 000240
【図１５】
2020050127.tif 000241
【図１６】
2020050127.tif 000242
【図１７】
2020050127.tif 000243
【図１８】
2020050127.tif 000244
【図１９】
2020050127.tif 000245
【図２０】
2020050127.tif 000246
【国際調査報告】
2020050127.tif 000247
2020050127.tif 000248
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