(57)【要約】本開示の表示装置は、基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備える。そして、金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する。また、本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
2019142582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備え、
金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する、
表示装置。
【請求項２】
凹部又は凸部は、カソード電極との接触面に複数設けられている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
凹部又は凸部は、下地面に対して、一定以上のカソード電極の膜厚を維持できる角度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
凹部又は凸部は、下地面に対して６０度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第１の金属層及び第２の金属層を除去することによって下地に達する深さになるように形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
第１の金属層は、第２の金属層よりも接触抵抗が小さい、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
凹部は、下地の層間絶縁層に加工を施すことによって下部配線に達するように形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されており、
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造であり、金属配線の凸部には、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように第２の凹部が形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
凹部は、格子状、数珠繋ぎ状、又は、ギザ繋ぎ状にレイアウトされている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
回路部が形成される基板は、半導体基板から成る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備え、
金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。【０００３】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、一般的に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いて基板上に形成された回路部を覆う状態で絶縁膜が設けられ、この絶縁膜上に有機ＥＬ素子が配列形成された構成となっている。また、有機ＥＬ素子の上には、上部電極としてカソード電極が全画素共通に成膜される。カソード電極については、回路部と電気的に接続する必要がある。【０００４】
カソード電極を回路部と電気的に接続するために、従来は、有効画素領域（表示領域）の外周部にコンタクト領域を設け、当該コンタクト領域にてカソード電極と回路部との電気的接続を行う構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１９９７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、カソード電極と回路部との電気的接続を行う目的で有効画素領域の外周部に設けられるコンタクト領域は、表示パネルの額縁（パネル周縁部）の幅の律速要因となっている。表示パネルの額縁幅が大きいと、理収（理論的収率）が減ることによる製造コストの上昇につながる上、表示装置搭載製品のデザインに制限がかかるため、デバイスとしての商品性を低下させることになる。特に、半導体基板を用いた小型の表示装置の場合、チップサイズに対して有効画面の占める割合が小さくなるため、表示パネルの額縁である画面外周部のサイズの影響が顕著になる。【０００７】
そこで、本開示は、有効画素領域の外周部に、カソード電極と回路部との電気的接続を行うコンタクト領域を設けるに当たって、表示パネルの狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置及び当該有機ＥＬ素子を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備え、
金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する。【０００９】
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、表示パネルの断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】図４Ａは、従来例に係るカソード電極のコンタクト構造の一部を示す平面図であり、図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図５】図５は、実施例１に係るカソード電極のコンタクト構造の一部を示す平面図である。
【図６】図６は、図５のＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図７】図７Ａは、金属配線の凹部のテーパー面のテーパー角度についての説明図であり、図７Ｂは、テーパー角度とカソード膜カバレッジとの関係を示す図である。
【図８】図８は、実施例２に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図９】図９Ａ乃至図９Ｄは、実施例２に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図１０】図１０は、実施例３に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図１１】図１１Ａ乃至図１１Ｄは、実施例３に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図１２】図１２は、実施例４に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図１３】図１３Ａ乃至図１３Ｄは、実施例４に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図１４】図１４は、実施例５に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図１５】図１５Ａ乃至図１５Ｄは、実施例５に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図１６】図１６は、実施例６に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図１７】図１７Ａ乃至図１７Ｄは、実施例６に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図１８】図１８は、実施例７に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図１９】図１９Ａ乃至図１９Ｄは、実施例７に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図２０】図２０は、実施例８に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図２１】図２１Ａ乃至図２１Ｄは、実施例８に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図２２】図２２は、実施例９に係る金属配線の配線構造の概略を示す断面図である。
【図２３】図２３Ａ乃至図２３Ｄは、実施例９に係る金属配線の配線構造の製造工程を示す工程図である。
【図２４】図２４Ａ乃至図２４Ｄは、実施例１０に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その１）を示す工程図である。
【図２５】図２５Ａ乃至図２５Ｃは、実施例１０に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その２）を示す工程図である。
【図２６】図２６Ａ乃至図２６Ｃは、実施例１０に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その３）を示す工程図である。
【図２７】図２７Ａ乃至図２７Ｄは、実施例１１に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その１）を示す工程図である。
【図２８】図２８Ａ乃至図２８Ｃは、実施例１１に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その２）を示す工程図である。
【図２９】図２９Ａ乃至図２９Ｃは、実施例１１に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その３）を示す工程図である。
【図３０】図３０Ａ乃至図３０Ｃは、実施例１２に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その１）を示す工程図である。
【図３１】図３１Ａ乃至図３１Ｃは、実施例１２に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その２）を示す工程図である。
【図３２】図３２Ａ乃至図３２Ｃは、実施例１２に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程（その３）を示す工程図である。
【図３３】図３３Ａ及び図３３Ｂは、金属配線の凹部のレイアウトパターンのパターン例１についての説明図である。
【図３４】図３４Ａ及び図３４Ｂは、金属配線の凹部のレイアウトパターンのパターン例２についての説明図である。
【図３５】図３５Ａ及び図３５Ｂは、金属配線の凹部のレイアウトパターンのパターン例３についての説明図である。
【図３６】図３６Ａ及び図３６Ｂは、金属配線の凹凸構造による作用、効果について説明する図である。
【図３７】図３７Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの正面図であり、図３７Ｂは、その背面図である。
【図３８】図３８は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．表示パネルの断面構造
２−４．カソード電極のコンタクト構造
３．実施形態
３−１．実施例１（本開示に係るカソード電極のコンタクト構造の例）
３−２．実施例２（金属配線の配線構造の例：第１，第２の金属層を同時加工する例）
３−３．実施例３（実施例２の変形例：第２の金属層のみを加工する例）
３−４．実施例４（実施例２の変形例：配線構造が１層構造の例）
３−５．実施例５（金属配線の配線構造が下部配線とのコンタクトを兼ねる例）
３−６．実施例６（実施例５の変形例：金属配線の配線構造が３層構造の例）
３−７．実施例７（実施例５の変形例：２層の配線構造の接触面積を拡大した例）
３−８．実施例８（実施例６の変形例：３層の配線構造の接触面積を拡大した例）
３−９．実施例９（実施例３と実施例６との組み合わせの例）
３−１０．実施例１０（カソード電極に接続するための中間電極を有する例）
３−１１．実施例１１（実施例１０の変形例：中間電極が凹凸構造を有する例）
３−１２．実施例１２（実施例１０の変形例：中間電極が無い例）
３−１３．実施例１３（金属配線の凹部のレイアウトパターンの例）
３−１３−１．パターン例１（格子状のレイアウトの例）
３−１３−２．パターン例２（数珠繋ぎ状のレイアウトの例）
３−１３−３．パターン例３（ギザ繋ぎ状のレイアウトの例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
５−１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
５−２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
【００１２】
＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及び電子機器にあっては、凹部又は凸部について、カソード電極との接触面に複数設けられている構成とすることができる。また、凹部について、格子状、数珠繋ぎ状、又は、ギザ繋ぎ状にレイアウトされている構成とすることができる。
【００１３】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、凹部又は凸部について、下地面に対して、一定以上のカソード電極の膜厚を維持できる角度以下のテーパー角度のテーパー面を有する構成とすることができる。このとき、テーパー角度については、６０度以下であることが好ましい。
【００１４】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、金属配線について、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部について、第１の金属層及び第２の金属層を除去することによって下地に達する深さになるように形成されている構成とすることができる。
【００１５】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、金属配線について、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部について、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように形成されている構成とすることができる。このとき、第１の金属層について、第２の金属層よりも接触抵抗が小さいことが好ましい。
【００１６】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、凹部について、下地の層間絶縁層に加工を施すことによって下部配線に達するように形成されている構成とすることができる。そして、金属配線について、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である構成とすることができる。
【００１７】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、凹部について、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されている構成とすることができる。そして、金属配線について、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である構成とすることができる。
【００１８】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、凹部について、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されている構成とすることができる。そして、金属配線について、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造であり、金属配線の凸部には、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように第２の凹部が形成されている構成とすることができる。
【００１９】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、回路部が形成される基板について、半導体基板から成る構成とすることができる。
【００２０】
＜本開示の表示装置＞
本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor）を例示することができる。
【００２１】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
【００２２】
［システム構成］
図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本開示の有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有する構成となっている。
【００２３】
周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【００２４】
表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
【００２５】
有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２６】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２７】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と駆動線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２８】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1〜３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２９】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３０】
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1〜３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
【００３１】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
【００３２】
信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３３】
［画素回路］
図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
【００３４】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
【００３５】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラスのような絶縁体上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
【００３６】
また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
【００３７】
但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
【００３８】
上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
【００３９】
保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
【００４０】
補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
【００４１】
［表示パネルの断面構造］
表示パネル７０の断面構造の一例を図３に示す。ここで例示する表示パネル７０は、例えば、白色光を発光する白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせによって、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光がパネル上面（基板１０１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（所謂、トップエミッション型）の表示パネルである。
【００４２】
表示パネル７０を構成する基板１０１上の領域は、複数の画素２０がマトリクス状に配置されて成る有効画素領域（表示領域）と、有効画素領域の周辺（外縁側／外周側）に位置する周辺領域とから成る。有効画素領域内には、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６から成る画素駆動回路が設けられる。周辺領域内には、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る周辺回路が設けられる。そして、これらの回路を含む回路層１０２が基板１０１上に形成されている。
【００４３】
表示パネル７０は、回路層１０２上に、例えば、無機絶縁層１０３、層間絶縁層１０４、アノード電極１０５、有機絶縁層１０６、有機ＥＬ層１０７、カソード電極１０８、有機保護層１０９、充填剤層（接着層）１１０、及び、ブラックマトリクス層１１１がこの順に積層された積層構造を有している。尚、ブラックマトリクス層１１１と同じ層には、カラーフィルタ１１２が画素単位で設けられている。また、この積層構造上には封止用基板１１３が貼り合わされており、当該封止用基板１１３によって積層構造が封止されるようになっている。
【００４４】
上記の積層構造において、アノード電極１０５、有機ＥＬ層１０７及びカソード電極１０８は、前述した白色有機ＥＬ素子を構成する積層構造となっている。アノード電極１０５は、有効画素領域内においては各色の画素２０毎に設けられている。カソード電極１０８は、透明電極から成り、有効画素領域内において各画素２０に共通の電極として設けられている。カソード電極１０８は、基板１０１上において、有効画素領域からその外部領域まで延在するように形成されている。
【００４５】
有機ＥＬ層１０７は、アノード電極１０５の側から順に、正孔注入層１０７１、正孔輸送層１０７２、発光層１０７３、電子輸送層１０７４、及び、電子注入層１０７５を積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層１０７３以外の層については必要に応じて設ければよい。
【００４６】
正孔注入層１０７１は、正孔注入効率を高めるとともに、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層１０７２は、発光層１０７３への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１０７３は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１０７４は、発光層１０７３への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１０７５は、電子注入効率を高めるためのものである。
【００４７】
上述したように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、基板１０１上に形成された回路部（画素駆動回路や周辺回路）を覆う状態で層間絶縁層１０４が設けられ、この層間絶縁層１０４上に有機ＥＬ素子２１が形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の下に、下部電極としてアノード電極１０５が画素単位で設けられているのに対し、有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極としてカソード電極１０８が全画素共通に設けられている。
【００４８】
［カソード電極のコンタクト構造］
カソード電極１０８については、基板１０１上に形成された回路部の配線と電気的に接続する必要がある。この電気的接続を実現するために、有機ＥＬ表示装置１０では、有効画素領域（表示領域）の外周部にコンタクト領域を設け、当該コンタクト領域にてカソード電極１０８と回路部の配線との電気的接続を行うようにしている。
【００４９】
図３では、コンタクト領域の構造については図示を省略している。カソード電極１０８のコンタクト領域は、表示パネル７０の額縁（パネル周縁部）の幅の律速要因となっている。従って、有機ＥＬ層１０７の成膜エリアの端面、及び、カソード電極１０８の成膜エリアの端面の製造ばらつきを考慮して、以下の条件１，２を満たす額縁幅にする必要がある。
【００５０】
条件１：有機ＥＬ層１０７が必ず有効画素領域上を被覆し、有機ＥＬ層１０７の成膜エリアの端面がコンタクト領域上に存在する。これは、回路層１０２の段差の影響によって、カソード電極１０８が所謂段切れし、電気的にオープンになることを防止するためである。
条件２：カソード接続用電極としての機能を有する金属配線とカソード電極１０８とのコンタクト抵抗の低抵抗化のために、コンタクト領域が所望の幅（面積）満たす。
【００５１】
ここで、カソード電極のコンタクト構造の従来例について説明する。従来例に係るカソード電極のコンタクト構造の一部の平面図を図４Ａに示し、図４ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図を図４Ｂに示す。
【００５２】
上記の条件１，２を満たす額縁幅にするために、従来例に係るカソード電極のコンタクト構造では、カソード電極１０８を、有機ＥＬ層１０７の成膜エリアよりも大きいサイズで、下地段差による段切れを防止するために、端部がテーパー形状になるように成膜している。そして、有機ＥＬ層１０７の成膜エリアの端面よりも外側のコンタクト領域Ｘにおいて、カソード電極１０８をカソード接続用電極である金属配線１１４と電気的に接続するようにしている。金属配線１１４は、電源に繋がる回路部の配線（以下、「下部配線」と記述する）１１５に、タングステン等のコンタクト用金属材料を用いたコンタクト部１１６を介して電気的に接続されている。
【００５３】
上記の構成のカソード電極のコンタクト構造において、金属配線１１４のカソード電極１０８との接触面は平坦面となっている。そして、カソード電極１０８と金属配線１１４との接続部における接触抵抗を小さくするには、金属配線１１４を幅広い配線でレイアウトする必要がある。しかし、金属配線１１４を幅広い配線でレイアウトするということは、表示パネル７０の額縁幅の律速要因となるコンタクト領域Ｘとして大きい領域を確保するということである。
【００５４】
そして、表示パネル７０の有効画素領域７０Ａの外周部の額縁幅が大きいと、理収が減ることによる製造コストの上昇につながる上、表示装置搭載製品のデザインに制限がかかるため、デバイスとしての商品性を低下させることになる。特に、半導体基板を用いた小型の表示装置の場合、チップサイズに対して有効画面の占める割合が小さくなるため、画面外周部のサイズの影響が顕著になる。
【００５５】
＜実施形態＞
そこで、本実施形態では、有効画素領域７０Ａの外周部に設けられ、カソード電極１０８を回路部（より具体的には、下部配線１１５）と電気的に接続する金属配線１１４について、カソード電極１０８との接続部における接触面に、凹部又は凸部を有する構造とする。これにより、コンタクト領域Ｘの大きさが同じでも、凹部又は凸部の断面（テーパー面）の成分だけ金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大することができる。
【００５６】
そして、金属配線１１４とカソード電極１０８との接触面積を拡大できることで、金属配線１１４とカソード電極１０８との接触抵抗を低減できる。換言すれば、金属配線１１４とカソード電極１０８との接触抵抗を、接触面が平坦面の場合（即ち、従来例の場合）と同じ接触抵抗にするとしたとき、接触面に凹部又は凸部を設けることで、接触抵抗を低減できる分だけコンタクト領域Ｘの大きさを縮小できる。これにより、コンタクト領域Ｘの大きさを縮小できる分だけ、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【００５７】
以下に、コンタクト領域Ｘの面積を縮小し、表示パネル７０の狭額縁化を図るためのカソード電極１０８のコンタクト構造の具体的な実施例について説明する。
【００５８】
以下の各実施例では、金属配線１１４のカソード電極１０８との接続部における接触面に凹部を形成する場合を例に挙げて説明するが、凹部を形成する例に限られるものではない。すなわち、金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大する観点から、テーパー形状の凹部のテーパー面を活用する訳であるから、凹部に代えて凸部とし、当該凸部のテーパー面を活用することによっても同様の作用、効果を得ることができる。
【００５９】
［実施例１］
実施例１は、コンタクト領域Ｘの面積を縮小し、表示パネル７０の狭額縁化を図るためのカソード電極１０８のコンタクト構造の一例である。実施例１に係るカソード電極１０８のコンタクト構造の一部の平面図を図５に示し、図５のＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図を図６に示す。
【００６０】
実施例１に係るカソード電極１０８のコンタクト構造において、カソード電極１０８を回路部の下部配線１１５と電気的に接続する金属配線１１４は、例えば、第１の金属層１１４Ａと第２の金属層１１４Ｂとが積層されて成る２層構造となっている。この２層構造において、第１の金属層１１４Ａは下層の金属層であり、第２の金属層１１４Ｂは上層の金属層である。下層の第１の金属層１１４Ａは、上層の第２の金属層１１４Ｂよりも接触抵抗が小さいことが好ましい。
【００６１】
第１の金属層１１４Ａの材料としては、チタン（Ｔｉ）を例示することができるし、第２の金属層１１４Ｂとしては、アルミニウム・銅合金（ＡｌＣｕ）を例示することができる。但し、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの各材料の組み合わせとしては、チタン及びアルミニウム・銅合金の組み合わせに限られものではない。
【００６２】
第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの他の材料の組み合わせとして、次の組み合わせを例示することができる。第１の金属層１１４Ａの材料として、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タングステン（Ｗ）を挙げることができる。また、第２の金属層１１４Ｂの材料として、チタン（Ｔｉ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：酸化インジウムと酸化スズの無機混合物）を挙げることができる。第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの各材料については、後述する各実施例においても同様である。
【００６３】
実施例１に係るカソード電極１０８のコンタクト構造では、金属配線１１４のカソード電極１０８との接触面に、凹部１１７を好ましくは複数有する構成となっている。すなわち、金属配線１１４のカソード電極１０８との接触面は、複数の凹部１１７を含む凹凸構造となっている。凹部１１７は、カソード電極１０８と金属配線１１４とが接続されるコンタクト領域Ｘにおいて、金属配線１１４と下部配線１１５とを電気的に接続するコンタクト部１１６とコンタクト部１１６との間に位置するように形成されている。
【００６４】
凹部１１７については、図７Ａに示すように、下地面（下地である層間絶縁層１０４の界面）に対して傾斜したテーパー面１１７Ａを有する断面形状（テーパー凹形状）であることが好ましい。この凹部１１７をカソード電極１０８との接触面に有する金属配線１１４の上に、カソード電極１０８が蒸着プロセスにて蒸着膜として形成される。ここで、下地面に対する凹部１１７のテーパー面１１７Ａのテーパー角度θとしては、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できる角度、例えば６０度以下、好ましくは５５度以下の角度であることが望ましい。
【００６５】
尚、ここで例示した６０度や５５度の数値については、厳密にこれらの数値である場合の他、実質的にこれらの数値である場合をも含み、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。図７Ｂに、凹部１１７のテーパー面１１７Ａのテーパー角度θとカソード膜（カソード電極）のカバレッジとの関係を示す。図７Ｂのカソード電極１０８の蒸着膜カバレッジ曲線より、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できる角度として、テーパー角度θが５５度以下であることが好ましいことがわかる。このテーパー角度θの設定により、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できるため、カソード電極１０８自体の高抵抗化を防止することができる。
【００６６】
上述したように、実施例１に係る金属配線１１４のコンタクト構造は、金属配線１１４のカソード電極１０８との接触面が、複数の凹部１１７を含む凹凸構造となっていることで、凹部１１７のテーパー面１１７Ａの成分だけ、金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大できる。これにより、接触面積を拡大できる分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【００６７】
［実施例２］
実施例２は、金属配線１１４の配線構造の例であり、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時に加工して凹部１１７を形成する例である。実施例２に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図８に示す。
【００６８】
実施例２に係る金属配線１１４の配線構造は、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの２層構造から成る金属配線１１４において、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時に加工して除去し、下地である層間絶縁層１０４に達する深さになるように凹部１１７を形成した構造となっている。そして、凹部１１７を含む金属配線１１４の上に、カソード電極１０８を蒸着プロセスにて形成するようにしている。この配線構造については、画素アレイ部３０と同時に加工可能である。
【００６９】
凹部１１７のテーパー面１１７Ａのテーパー角度θについては、先述した理由から、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できる角度（例えば、６０度以下、好ましくは５５度以下の角度）で加工することが好ましい。テーパー面１１７Ａのテーパー角度θについては、後述する各実施例においても同様である。
【００７０】
上述したように、実施例２に係る金属配線１１４の配線構造は、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時に加工して凹部１１７を層間絶縁層１０４に達する深さで形成した構造となっている。このように、凹部１１７を層間絶縁層１０４に達する深さで形成することで、凹部１１７のテーパー面１１７Ａの面積をより広く確保できる。これにより、金属配線１１４とカソード電極との接触面積をより拡大でき、その分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。また、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時に加工して凹部１１７を形成することで、平面的な金属層領域が減り、反射率が低下するために、反射防止効果が上がり、映り込みの低減効果を向上できる。
【００７１】
次に、実施例２に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図９を用いて説明する。
【００７２】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成した後、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図９Ａの工程）。次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４をパターン形成する（図９Ｂの工程）。
【００７３】
このとき、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できるテーパー角度θ（例えば、６０度以下、好ましくは５５度以下の角度）を有するアノード電極１０５及び金属配線１１４とする。その結果、金属配線１１４にはテーパー面１１７Ａを有する凹部１１７が形成される。
【００７４】
次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し（図７Ｃの工程）、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図７Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【００７５】
［実施例３］
実施例３は、実施例２の変形例であり、第２の金属層１１４Ｂのみを加工して凹部１１７を形成する例である。実施例３に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図１０に示す。
【００７６】
実施例３に係る金属配線１１４の配線構造は、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの２層構造から成る金属配線１１４において、第２の金属層１１４Ｂのみを加工して除去し、第１の金属層１１４Ａを残して、凹部１１７の底面が第１の金属層１１４Ａに接するように、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を形成した構造となっている。そして、凹部１１７を含む金属配線１１４の上に、カソード電極１０８を蒸着プロセスにて形成するようにしている。この配線構造については、画素アレイ部３０と異なる加工工程を設けて形成することになる。
【００７７】
上述したように、実施例３に係る金属配線１１４の配線構造は、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残して凹部１１７を形成した構造となっている。これにより、カソード電極１０８と金属配線１１４とは、第２の金属層１１４Ｂの断面及び第１の金属層１１４Ａの上面で電気的に接続することになるため、実施例２のように、第２の金属層１１４Ｂ及び第１の金属層１１４Ａの各断面で接続する場合よりも接触抵抗を下げることができる。特に、第１の金属層１１４Ａの材料がチタンの場合、カソード電極１０８と第１の金属層１１４Ａとの接続について、チタンの還元作用効果により、例えばアルミニウム・銅合金から成る第２の金属層１１４Ｂとの接続の場合よりも低抵抗化を図ることができる。
【００７８】
次に、実施例３に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図１１を用いて説明する。
【００７９】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成し、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜した後、金属配線１１４以外の領域をＰＲ／ＤＥＴでパターン加工する（図１１Ａの工程）。次に、金属配線１１４の領域にＰＲ／ＤＥＴを施し、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できるテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を金属配線１１４に形成する（図１１Ｂの工程）。このとき、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂの２層構造から成る金属配線１１４において、下層の第１の金属層１１４Ａを残す加工を施す。
【００８０】
次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し（図１１Ｃの工程）、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図１１Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【００８１】
［実施例４］
実施例４は、実施例２の変形例であり、コンタクト領域における金属配線１１４の配線構造が１層構造の例である。実施例４に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図１２に示す。
【００８２】
実施例４に係る金属配線１１４の配線構造は、コンタクト領域における第２の金属層１１４Ｂを全て削り、第１の金属層１１４Ａを全面残した構造となっている。すなわち、実施例４に係る金属配線１１４の配線構造は、第１の金属層１１４Ａから成る１層構造となっている。そして、第１の金属層１１４Ａの上に、カソード電極１０８を蒸着プロセスにて形成するようにしている。
【００８３】
上述したように、実施例４に係る金属配線１１４の配線構造は、第１の金属層１１４Ａのみから成る１層構造となっている。これにより、第１の金属層１１４Ａの材料として、例えばチタンを用いた場合、チタンの還元作用効果により、カソード電極１０８と第１の金属層１１４Ａとが部分的に接触する場合よりも、カソード電極１０８と第１の金属層１１４Ａとの接触抵抗の低抵抗化を図ることができる。
【００８４】
次に、実施例４に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図１３を用いて説明する。
【００８５】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成し、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜した後、金属配線１１４以外の領域をＰＲ／ＤＥＴでパターン加工する（図１３Ａの工程）。次に、金属配線１１４の領域にＰＲ／ＤＥＴを施し、上層の第２の金属層１１４Ｂを削り取り、下層の第１の金属層１１４Ａを残す加工を施す（図１３Ｂの工程）。
【００８６】
次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し（図１３Ｃの工程）、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図１３Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【００８７】
［実施例５］
実施例５は、金属配線１１４の配線構造が下部配線１１５とのコンタクトを兼ねる例である。実施例５に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図１４に示す。
【００８８】
実施例５に係る金属配線１１４の配線構造は、下地である層間絶縁層１０４に加工を施して、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を下部配線１１５に達するように形成し、当該凹部１１７内に第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂから成る２層構造の金属配線１１４を設けた構造となっている。層間絶縁層１０４に形成される凹部１１７は、一定以上のカソード電極１０８の膜厚を維持できる角度、例えば６０度以下、好ましくは５５度以下のテーパー角度θを有する。層間絶縁層１０４に形成する凹部１１７のテーパー角度θについては、後述する実施例においても同様である。
【００８９】
実施例５に係る金属配線１１４の配線構造は、層間絶縁層１０４に形成された凹部１１７内に設けられることによって凹凸構造となっている。凹凸構造の金属配線１１４の上には、カソード電極１０８が自己整合的に形成される。そして、アノード電極１０５のコンタクト部が、タングステン等のコンタクト用金属材料から成ることに対し、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造は、下部配線１１５と電気的に接続されることで、下部配線１１５とのコンタクトを兼ねる構造となっている。
【００９０】
上述したように、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造は、層間絶縁層１０４を加工して凹部１１７を下部配線１１５に達する深さで形成した構造となっている。このように、凹部１１７を下部配線１１５に達する深さで形成することで、凹部１１７のテーパー面１１７Ａの面積を、実施例２の場合よりも広く確保できる。これにより、金属配線１１４とカソード電極との接触面積をより拡大でき、その分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【００９１】
次に、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図１５を用いて説明する。
【００９２】
下部配線１１５及びアノード電極１０５のコンタクト部１１６を形成した後、層間絶縁層１０４対してＰＲ／ＥＴを施し、コンタクト開口部に相当するテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を形成する（図１５Ａの工程）。次に、凹部１１７を含む層間絶縁層１０４の全面に、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図１５Ｂの工程）。
【００９３】
次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４についてパターン加工する（図１５Ｃの工程）。次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図１５Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【００９４】
［実施例６］
実施例６は、実施例５の変形例であり、下部配線１１５とのコンタクトを兼ねる金属配線１１４の配線構造が３層構造の例である。実施例６に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図１６に示す。
【００９５】
実施例６に係る金属配線１１４の配線構造は、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造と同様に、層間絶縁層１０４に形成された凹部１１７内に設けられることによって凹凸構造を有し、その上にカソード電極１０８が自己整合的に形成される構造となっている。加えて、実施例６に係る金属配線１１４の配線構造は、凹部１１７において、第３の金属層１１４Ｃと、第１の金属層１１４Ａと、第２の金属層１１４Ｂとがその順に積層された３層構造となっている。尚、第３の金属層１１４Ｃの下には、コンタクト内埋め込み用の金属層１１４Ｄが設けられている。コンタクト内埋め込み用の金属層１１４Ｄの材料としては、チタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げることができる。
【００９６】
第３の金属層１１４Ｃの材料としては、タングステン（Ｗ）を例示することができる。但し、タングステンに限られるものではない。第３の金属層１１４Ｃの他の材料として、銅（Ｃｕ）を挙げることができる。
【００９７】
上述したように、実施例６に係る金属配線１１４の配線構造は、凹部１１７内の構造が３層構造となっている点で、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造と異なっているが、実施例５に係る金属配線１１４の配線構造と同様の作用、効果を得ることができる。すなわち、凹部１１７が下部配線１１５に達する深さで形成されていることで、金属配線１１４とカソード電極との接触面積をより拡大でき、その分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【００９８】
次に、実施例６に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図１７を用いて説明する。
【００９９】
下部配線１１５を形成した後、層間絶縁層１０４にＰＲ／ＥＴを施し、アノード電極１０５用のコンタクト開口部１１８及びテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を形成する（図１７Ａの工程）。尚、アノード電極１０５用のコンタクト開口部１１８については、凹部１１７のテーパー角度θの制限はない。
【０１００】
次に、アノード電極１０５用のコンタクト開口部１１８に金属材料（例えば、タングステン）を埋め込み、凹部１１７内にコンタクト内埋め込み用の金属層１１４Ｄを形成した後、金属材料（例えば、タングステン）によって第３の金属層１１４Ｃを成膜する（図１７Ｂの工程）。尚、凹部１１７と凹部１１７との間における金属層１１４Ｄは加工途中で削られて除去される。この点については後述する実施例においても同様である。
【０１０１】
次に、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを順に成膜した後、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４についてパターン加工する（図１７Ｃの工程）。次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図１７Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【０１０２】
［実施例７］
実施例７は、実施例５の変形例であり、金属配線１１４の２層の配線構造における接触面積を拡大した例である。実施例７に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図１８に示す。
【０１０３】
実施例７に係る金属配線１１４の配線構造は、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５を加工して、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を下部配線１１５の内部に達する深さで形成し、当該凹部１１７内に実施例５に係る金属配線１１４の２層の配線構造を設けた構造となっている。すなわち、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造は、実施例５に係る金属配線１１４の２層の配線構造を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成した構造となっている。
【０１０４】
上述したように、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造は、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５を加工して凹部１１７を下部配線１１５の内部に達する深さで形成した構造となっている。このように、凹部１１７を下部配線１１５の内部に達する深さで形成することで、凹部１１７のテーパー面１１７Ａの面積を、実施例５の場合よりも広く確保できる。これにより、金属配線１１４とカソード電極との接触面積をより拡大でき、その分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【０１０５】
次に、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図１９を用いて説明する。
【０１０６】
下部配線１１５及びアノード電極１０５のコンタクト部１１６を形成した後、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５に対してＰＲ／ＥＴを施し、コンタクト開口部に相当するテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成する（図１９Ａの工程）。次に、凹部１１７を含む層間絶縁層１０４の全面に、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図１９Ｂの工程）。
【０１０７】
次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４についてパターン加工する（図１９Ｃの工程）。次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図１９Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【０１０８】
［実施例８］
実施例８は、実施例６の変形例であり、金属配線１１４の３層の配線構造における接触面積を拡大した例である。実施例８に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図２０に示す。
【０１０９】
実施例８に係る金属配線１１４の配線構造は、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５を加工して、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を下部配線１１５の内部に達する深さで形成し、当該凹部１１７内に実施例６に係る金属配線１１４の３層の配線構造を設けた構造となっている。すなわち、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造は、実施例６に係る金属配線１１４の３層の配線構造を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成した構造となっている。
【０１１０】
上述したように、実施例８に係る金属配線１１４の配線構造は、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造と同様に、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５を加工して凹部１１７を下部配線１１５の内部に達する深さで形成した構造となっている。これにより、実施例７に係る金属配線１１４の配線構造と同様に、金属配線１１４とカソード電極との接触面積をより拡大でき、その分だけ接触抵抗を下げることができるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【０１１１】
次に、実施例８に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図２１を用いて説明する。
【０１１２】
下部配線１１５及びアノード電極１０５のコンタクト部１１６を形成した後、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５に対してＰＲ／ＥＴを施し、コンタクト開口部に相当するテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成する（図２１Ａの工程）。次に、凹部１１７内にコンタクト内埋め込み用の金属層１１４Ｄを形成した後、金属材料（例えば、タングステン）によって第３の金属層１１４Ｃを成膜する（図２１Ｂの工程）。
【０１１３】
次に、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを順に成膜した後、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４についてパターン加工する（図２１Ｃの工程）。次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図２１Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【０１１４】
［実施例９］
実施例９は、実施例３と実施例８との組み合わせの例である。実施例９に係る金属配線１１４の配線構造の断面図を図２２に示す。
【０１１５】
実施例９に係る金属配線１１４の配線構造は、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成し、当該凹部１１７内に実施例８に係る金属配線１１４の３層の配線構造を設けた構造となっている。すなわち、実施例９に係る金属配線１１４の配線構造は、凹凸構造の金属配線１１４において、凹部１１７が第１の金属層１１４Ａ、第３の金属層１１４Ｃ及び第２の金属層１１４Ｂが積層されて成る３層の配線構造となっており、凸部が第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１Ｂが積層されて成る２層構造となっている。
【０１１６】
加えて、実施例９に係る金属配線１１４の配線構造は、凹凸構造の凸部の２層構造において、実施例３の場合のように、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残して、第１の金属層１１４Ａに底面が接するように、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１９を第２の凹部として形成した構造となっている。そして、凹部１１７及び凹部１１９を含む金属配線１１４の上に、カソード電極１０８を蒸着プロセスにて形成するようにしている。
【０１１７】
上述したように、実施例９に係る金属配線１１４の配線構造は、実施例８に係る金属配線１１４の凸部の２層構造において、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残して凹部１１９を形成した構造となっている。これにより、実施例８のように凸部が平坦面である場合に比べて、金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大できる。その結果、実施例８に係る金属配線１１４の配線構造に比べて、金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大できる分だけ接触抵抗を下げることができるため、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
【０１１８】
次に、実施例９に係る金属配線１１４の配線構造の製造工程の概略について、図２３を用いて説明する。
【０１１９】
下部配線１１５及びアノード電極１０５のコンタクト部１１６を形成した後、層間絶縁層１０４及び下部配線１１５に対してＰＲ／ＥＴを施し、コンタクト開口部に相当するテーパー角度θのテーパー形状の凹部１１７を、下部配線１１５の内部に達する深さで形成する（図２３Ａの工程）。次に、凹部１１７内にコンタクト内埋め込み用の金属層１１４Ｄを形成した後、金属材料（例えば、タングステン）によって第３の金属層１１４Ｃを成膜する（図２３Ｂの工程）。
【０１２０】
次に、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを順に成膜した後、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４についてパターン加工する（図２３Ｃの工程）。このとき、テーパー角度θで上層の第２の金属層１１４Ｂを加工し、下層の第１の金属層１１４Ａを残す加工を施す。これにより、金属配線１１４の凹凸構造の凸部に、テーパー角度θのテーパー形状の凹部１１９が形成される。
【０１２１】
次に、最上層の有機絶縁層１０６を成膜し、次いで、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上の有機絶縁層１０６を開口する（図２３Ｄの工程）。その後、アノード電極１０５の上及び金属配線１１４の上に、蒸着プロセスにてカソード電極１０８を形成することになる。
【０１２２】
［実施例１０］
実施例１０は、カソード電極に接続するための中間電極を有する例である。実施例１０に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程の概略について、図２４、図２５、及び、図２６を用いて説明する。
【０１２３】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成した後、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図２４Ａの工程）。次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４をパターン形成する（図２４Ｂの工程）。このとき、金属配線１１４には、テーパー面１１７Ａを有する凹部１１７が形成される。
【０１２４】
次に、ＳｉＯ2，ＳｉＮなどの材料を用いて絶縁層１２０を成膜し（図２４Ｃの工程）、次いで、絶縁層１２０を加工し、アノード電極１０５の上の一部及び金属配線１１４の上を開口する（図２４Ｄの工程）。このとき、ＣＭＰ等による平坦化工程を加えるようにしてもよい。
【０１２５】
次に、後述するカソード電極１０８に接続するための中間電極１２１をＴｉＮなどの材料を用いて形成し（図２５Ａの工程）、次いで、反射電極であるアノード電極１０５上にキャビティ用の第１の絶縁層１２２及び第２の絶縁層１２３をＳｉＯなどの材料を用いて形成する（図２５Ｂの工程）。このとき、図示するように、画素毎に絶縁層の厚さを変えるようにすることも可能である。
【０１２６】
次に、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの材料を用いて、透明電極１２４を形成し（図２５Ｃの工程）、次いで、透明電極１２４の上に、ＳｉＯ，ＳｉＮや有機絶縁膜などの材料を用いて開口部１２５を形成する（図２６Ａの工程）。
【０１２７】
次に、有効画素領域に有機ＥＬ層１０７を蒸着する（図２６Ｂの工程）。有機ＥＬ層１０７の蒸着の際、マスク蒸着、もしくは、パターニングで、周辺部には有機ＥＬ層１０７を形成しないようにする。次に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＭｇＡｇなどの材料を用いて、カソード電極１０８を形成する（図２６Ｃの工程）。
【０１２８】
［実施例１１］
実施例１１は、実施例１０の変形例であり、カソード電極に接続するための中間電極が凹凸構造を有する例である。実施例１１に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程の概略について、図２７、図２８、及び、図２９を用いて説明する。
【０１２９】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成した後、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図２７Ａの工程）。尚、本例の場合、図６のコンタクト領域Ｘに相当する領域の最外周にのみコンタクト部１１６が存在する構成となっている。次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４をパターン形成する（図２７Ｂの工程）。
【０１３０】
次に、ＳｉＯ2，ＳｉＮなどの材料を用いて絶縁層１２０を成膜し（図２７Ｃの工程）、次いで、絶縁層１２０を加工し、アノード電極１０５の上の一部及び金属配線１１４の上を開口する（図２７Ｄの工程）。このとき、ＣＭＰ等による平坦化工程を加えるようにしてもよい。
【０１３１】
次に、後述するカソード電極１０８に接続するための中間電極１２１をＴｉＮなどの材料を用いて形成する（図２８Ａの工程）。図２８Ａの工程では更に、図６のコンタクト領域Ｘに相当する領域の中間電極１２１についてパターニングし、凹凸構造とする。このように、中間電極１２１を凹凸構造とすることで、金属配線１１４とカソード電極１０８との接触面積を拡大できる。
【０１３２】
次に、反射電極であるアノード電極１０５上にキャビティ用の第１の絶縁層１２２及び第２の絶縁層１２３をＳｉＯなどの材料を用いて形成する（図２８Ｂの工程）。このとき、図示するように、画素毎に絶縁層の厚さを変えるようにすることも可能である。
【０１３３】
次に、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの材料を用いて、透明電極１２４を形成し（図２８Ｃの工程）、次いで、透明電極１２４の上に、ＳｉＯ，ＳｉＮや有機絶縁膜などの材料を用いて開口部１２５を形成する（図２９Ａの工程）。
【０１３４】
次に、有効画素領域に有機ＥＬ層１０７を蒸着する（図２９Ｂの工程）。有機ＥＬ層１０７の蒸着の際、マスク蒸着、もしくは、パターニングで、周辺部には有機ＥＬ層１０７を形成しないようにする。次に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＭｇＡｇなどの材料を用いて、カソード電極１０８を形成する（図２９Ｃの工程）。
【０１３５】
［実施例１２］
実施例１２は、実施例１０の変形例であり、カソード電極に接続するための中間電極が無い例である。実施例１２に係る金属配線の配線構造を有する表示パネルの製造工程の概略について、図３０、図３１、及び、図３２を用いて説明する。
【０１３６】
下部配線１１５及びコンタクト部１１６を形成した後、アノード電極１０５及び金属配線１１４を形成するための第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを成膜する（図３０Ａの工程）。次に、ＰＲ／ＤＥＴを施し、アノード電極１０５及び金属配線１１４をパターン形成する（図３０Ｂの工程）。このとき、金属配線１１４には、テーパー面１１７Ａを有する凹部１１７が形成される。
【０１３７】
次に、ＳｉＯ2，ＳｉＮなどの材料を用いて絶縁層１２０を成膜し（図３０Ｃの工程）、次いで、絶縁層１２０を加工し、アノード電極１０５の上の一部及び金属配線１１４の上を開口する（図３１Ａの工程）。このとき、ＣＭＰ等による平坦化工程を加えるようにしてもよい。
【０１３８】
次に、反射電極であるアノード電極１０５上にキャビティ用の第１の絶縁層１２２及び第２の絶縁層１２３をＳｉＯなどの材料を用いて形成する（図３１Ｂの工程）。このとき、図示するように、画素毎に絶縁層の厚さを変えるようにすることも可能である。
【０１３９】
次に、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの材料を用いて、透明電極１２４を形成し（図３１Ｃの工程）、次いで、透明電極１２４の上に、ＳｉＯ，ＳｉＮや有機絶縁膜などの材料を用いて開口部１２５を形成する（図３２Ａの工程）。
【０１４０】
次に、有効画素領域に有機ＥＬ層１０７を蒸着する（図３２Ｂの工程）。有機ＥＬ層１０７の蒸着の際、マスク蒸着、もしくは、パターニングで、周辺部には有機ＥＬ層１０７を形成しないようにする。次に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＭｇＡｇなどの材料を用いて、カソード電極１０８を形成する（図３２Ｃの工程）。
【０１４１】
［実施例１３］
実施例１３は、金属配線１１４の凹部１１７のレイアウトパターンの例である。実施例１３に係るレイアウトパターンのパターン例１乃至パターン例３を図３３乃至図３５に示す。
【０１４２】
パターン例１乃至パターン例３のいずれの場合にも、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時加工する実施例２、及び、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残す実施例３を適用することができる。先述したように、実施例２を適用することで、金属配線１１４とカソード電極との接触面積を拡大することができ、実施例３を適用することで、第１の金属層１１４Ａが例えばチタンから成る場合、金属配線１１４とカソード電極との接触抵抗を下げることができる。
【０１４３】
（パターン例１）
パターン例１は、平面視矩形の凹部１１７を格子状にレイアウトする例である。パターン例１の格子状のレイアウトに対し、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時加工する実施例２を適用した場合を図３３Ａに示し、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残す実施例３を適用した場合を図３３Ｂに示す。
【０１４４】
（パターン例２）
パターン例２は、平面視円形の凹部１１７を数珠繋ぎ状にレイアウトする例である。パターン例２の数珠繋ぎ状のレイアウトに対し、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時加工する実施例２を適用した場合を図３４Ａに示し、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残す実施例３を適用した場合を図３４Ｂに示す。
【０１４５】
（パターン例３）
パターン例３は、側面が鋸の歯のような刻み目、所謂、ギザギザの凹部１１７をギザ繋ぎ状にレイアウトする例である。パターン例３のギザ繋ぎ状のレイアウトに対し、第１の金属層１１４Ａ及び第２の金属層１１４Ｂを同時加工する実施例２を適用した場合を図３５Ａに示し、第２の金属層１１４Ｂのみを加工し、第１の金属層１１４Ａを残す実施例３を適用した場合を図３５Ｂに示す。
【０１４６】
以上では、金属配線１１４について、カソード電極１０８との接続部における接触面をを凹凸構造とすることで、カソード電極１０８との接触面積の拡大に伴う作用、効果について説明したが、凹凸構造によって次のような作用、効果を得ることもできる。具体的には、金属配線１１４や中間電極１２１の凹凸構造により、図３６Ａに示すように、基板１０１と封止用基板１１３との間に介在する充填剤層１１０が周辺にはみ出して外形異常になることを防ぐことができる。また、図３６Ｂに示すように、充填剤層１１０の外周部に設けられるシール材１３１が周辺もしくは内部にはみ出さなくする作用、効果を得ることもできる。
【０１４７】
＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定したが、これに限られるものではなく、ガラス基板のような絶縁体基板上に形成することも可能である。
【０１４８】
また、上記の実施形態では、画素回路として、図２に示した回路構成を例示したが、これに限られるものではなく、必要に応じて、トランジスタを増やしたりすることも可能である。例えば、駆動トランジスタ２２のドレイン電極と電流排出先ノード（例えば、共通電源線３４）との間にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタにより、画素２０の非発光期間に有機ＥＬ素子２１が発光しないように制御するようにすることも可能である。
【０１４９】
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
【０１５０】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器本体の小型化に寄与できる。
【０１５１】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。
【０１５２】
（具体例１）
図３７は、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図３７Ａにその正面図を示し、図３７Ｂにその背面図を示す。
【０１５３】
本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。
【０１５４】
そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１５５】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１５６】
［具体例２］
図３８は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
【０１５７】
本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【０１５８】
本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
【０１５９】
鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。
【０１６０】
上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１６１】
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ−１］基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備え、
金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する、
表示装置。
［Ａ−２］凹部又は凸部は、カソード電極との接触面に複数設けられている、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−３］凹部又は凸部は、下地面に対して、一定以上のカソード電極の膜厚を維持できる角度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−４］凹部又は凸部は、下地面に対して６０度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
上記［Ａ−３］に記載の表示装置。
［Ａ−５］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第１の金属層及び第２の金属層を除去することによって下地に達する深さになるように形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−６］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−７］第１の金属層は、第２の金属層よりも接触抵抗が小さい、
上記［Ａ−６］に記載の表示装置。
［Ａ−８］凹部は、下地の層間絶縁層に加工を施すことによって下部配線に達するように形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−９］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
上記［Ａ−８］に記載の表示装置。
［Ａ−１０］凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−１１］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
上記［Ａ−１０］に記載の表示装置。
［Ａ−１２］凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されており、
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造であり、金属配線の凸部には、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように第２の凹部が形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−１３］凹部は、格子状、数珠繋ぎ状、又は、ギザ繋ぎ状にレイアウトされている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−１２］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−１４］回路部が形成される基板は、半導体基板から成る、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−１３］のいずれかに記載の表示装置。
【０１６２】
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ−１］基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部の配線と電気的に接続する金属配線を備え、
金属配線は、カソード電極との接続部における接触面に凹部又は凸部を有する、
表示装置を有する電子機器。
［Ｂ−２］凹部又は凸部は、カソード電極との接触面に複数設けられている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−３］凹部又は凸部は、下地面に対して、一定以上のカソード電極の膜厚を維持できる角度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−４］凹部又は凸部は、下地面に対して６０度以下のテーパー角度のテーパー面を有する、
上記［Ｂ−３］に記載の電子機器。
［Ｂ−５］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第１の金属層及び第２の金属層を除去することによって下地に達する深さになるように形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−６］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、
凹部は、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−７］第１の金属層は、第２の金属層よりも接触抵抗が小さい、
上記［Ｂ−６］に記載の電子機器。
［Ｂ−８］凹部は、下地の層間絶縁層に加工を施すことによって下部配線に達するように形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−９］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
上記［Ｂ−８］に記載の電子機器。
［Ｂ−１０］凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−１１］金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造である、
上記［Ｂ−１０］に記載の電子機器。
［Ｂ−１２］凹部は、下地の層間絶縁層及び下部配線に加工を施すことによって下部配線の内部に達するように形成されており、
金属配線は、第１の金属層及び第２の金属層がその順に積層されて成り、凹部の配線構造が、第１の金属層と第２の金属層との間に第３の金属層を有する３層構造であり、金属配線の凸部には、第２の金属層を除去することによって底面が第１の金属層に接するように第２の凹部が形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−１３］凹部は、格子状、数珠繋ぎ状、又は、ギザ繋ぎ状にレイアウトされている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−１２］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−１４］回路部が形成される基板は、半導体基板から成る、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−１３］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１６３】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７０Ａ・・・有効画素領域、１０１・・・基板、１０２・・・回路層、１０３・・・無機絶縁層層、１０４・・・層間絶縁層、１０５・・・アノード電極、１０６・・・有機絶縁層、１０７・・・有機ＥＬ層、１０８・・・カソード電極、１０９・・・有機保護層、１１０・・・充填剤層（接着層）、１１１・・・ブラックマトリクス層、１１２・・・カラーフィルタ、１１３・・・封止用基板、１１４・・・金属配線、１１５・・・下部配線、１１６・・・コンタクト部、１１７，１１９・・・凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【国際調査報告】
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