(57)【要約】本開示に係る配線基板は、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、第１絶縁材料層の表面上に設けられた金属配線と、金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層とを備え、上記金属配線は、第１絶縁材料層の表面と接する金属層と、金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である。
2020130101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１絶縁材料層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
（ｂ）前記第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
（ｃ）配線パターン形成用の開口部を有するレジストを前記金属層の表面上に形成する工程と、
（ｄ）前記金属層の表面であって前記レジストから露出している領域に、電解めっきによって導電部を形成する工程と、
をこの順序で含み、
前記第１絶縁材料層の前記表面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下であり、
前記金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である、配線基板の製造方法。
【請求項２】
（ｂ）工程において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
（ａ）工程を実施する前に、前記第１絶縁材料層の表面をデスミア処理液による粗化処理を実施しない、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
（ａ）工程を実施する前に、前記第１絶縁材料層の表面に対して、紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をする工程を更に含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
（ｅ）前記レジストを除去する工程と、
（ｆ）前記レジストの除去によって露出した前記金属層及び当該金属層と前記第１絶縁材料層との間の前記触媒を除去する工程と、
（ｇ）前記第１絶縁材料層上に残存する前記金属層と、前記導電部とによって構成される金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程と、
をこの順序で更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、
前記第１絶縁材料層の前記表面上に設けられた金属配線と、
前記金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層と、
を備え、
前記金属配線は、前記第１絶縁材料層の前記表面と接する金属層と、前記金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、
前記金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である、配線基板。
【請求項７】
前記金属層のニッケル含有率が３〜２０質量％である、請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記金属層のニッケル含有率が０．２５〜３質量％である、請求項６に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１絶縁材料層が熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１絶縁材料層が感光性樹脂組成物の硬化物からなる、請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能の半導体素子（以下、場合により「チップ」という。）を一つのパッケージに混載する実装形態が提案されている。コストの観点から、チップ間の高密度インターコネクト技術の重要度が増している（特許文献１参照）。【０００３】
スマートフォン及びタブレット端末において、パッケージ・オン・パッケージと称される接続方法が広く採用されている。パッケージ・オン・パッケージは、パッケージ上に異なるパッケージをフリップチップ実装によって接続する方法である（非特許文献１，２参照）。更に高密度で実装するための形態として、高密度配線を有する有機基板を用いたパッケージ技術（有機インターポーザ）、スルーモールドビア（ＴＭＶ）を有するファンアウト型のパッケージ技術（ＦＯ−ＷＬＰ）、シリコン又はガラスインターポーザを用いたパッケージ技術、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いたパッケージ技術、基板に埋め込まれたチップをチップ間伝送に用いるパッケージ技術などが提案されている。特に有機インターポーザ及びＦＯ−ＷＬＰにおいて、チップ同士を並列して搭載する場合には、高密度で導通させるために微細配線層が必要となる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１８５１９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／０２２１０７１号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｍｏｌｄ  Ｖｉａ（ＴＭＶ）  ａｓ  ＰｏＰ  Ｂａｓｅ  Ｐａｃｋａｇｅ，  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＣＴＣ），２００８
【非特許文献２】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｌｏｗ  Ｐｒｏｆｉｌｅ  ＰｏＰ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  ＰｏＰ（ｅＷＬＢ−ＰｏＰ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＥＣＴＣ，２０１２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、デスミア処理液による処理後、無電解めっきによってシード層が形成される。シード層は、配線基板の製造過程において形成される金属層であり、給電層とも称される。すなわち、シード層に給電することによってシード層の表面上に導電部が形成される。シード層の一部は、導電部とともに金属配線を構成する。特許文献１に記載の技術では、湿式デスミア処理を行うことにより、絶縁材料層の表面を粗化している。絶縁材料層の表面を適度に粗い状態とすることで、アンカー効果によって、シード層と絶縁材料層との密着性が向上する。【０００７】
近年、半導体素子は小型化傾向にあり、配線基板も微細化が求められている。上記のようにアンカー効果を得るために絶縁材料層の表面を粗くすると、その上に微細な配線パターン（特に、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）が１０／１０μｍ以下）を形成することが困難となる。近年、配線基板は高周波帯における伝送損失の低減も求められている。上記のように、絶縁材料層の表面を粗くすると、表皮効果により伝送損失が大きくなる。つまり、配線基板の製造方法において、絶縁材料層と金属配線との密着性を担保しつつ、高周波の伝送損失を低減することが課題である。【０００８】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一側面に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１絶縁材料層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
（ｂ）第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
（ｃ）配線パターン形成用の開口部を有するレジストを金属層の表面上に形成する工程と、
（ｄ）金属層の表面であって前記レジストから露出している領域に、電解めっきによって導電部を形成する工程と、
をこの順序で含み、第１絶縁材料層の表面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下であり、金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である。【００１０】
本発明者らの検討によると、金属層（上記シード層に相当）のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層の表面が十分に平坦（算術平均粗さＲａ：１００ｎｍ以下）であるにも拘わらず、絶縁材料層と金属配線との十分な密着性を担保できる。これは、第１絶縁材料層に接する金属層に含まれるニッケルが密着性向上に寄与していると推察される。他方、金属層のニッケル含有率が２０質量％以下であり且つ第１絶縁材料層の表面が十分に平坦であることで高周波の伝送損失を十分に小さくできる。所定量のニッケルを含有する金属層は、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて形成することができる。【００１１】
上記のとおり、本開示においては、第１絶縁材料層の表面は平坦であることが好ましいため、（ａ）工程を実施する前に、第１絶縁材料層の表面に対してデスミア処理液による粗化処理を実施しない方がよい。本発明者らの検討によると、第１絶縁材料層の表面は粗化されていないものの、第１絶縁材料層の表面から内部に連通する空孔を有する改質領域が第１絶縁材料層の表層に形成されていることが好ましい。このような改質領域は、（ａ）工程を実施する前に、第１絶縁材料層の表面に対して、紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をすることによって形成してもよい。【００１２】
上記製造方法は、（ｄ）工程後に、（ｅ）レジストを除去する工程と、（ｆ）レジストの除去によって露出した金属層及び当該金属層と第１絶縁材料層との間の触媒を除去する工程と、（ｇ）第１絶縁材料層上に残存する金属層と、導電部とによって構成される金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程とをこの順序で更に含んでもよい。【００１３】
本開示の一側面に係る配線基板は、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、第１絶縁材料層の表面上に設けられた金属配線と、金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層とを備え、上記金属配線は、第１絶縁材料層の表面と接する金属層と、金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、金属層のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％である。【００１４】
上記配線基板は、金属層のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層の表面が十分に平坦（算術平均粗さＲａ：１００ｎｍ以下）であるにも拘わらず、絶縁材料と金属配線との十分な密着性を有する。他方、金属層のニッケル含有率が２０質量％以下であり且つ第１絶縁材料層の表面が十分に平坦であることで高周波の伝送損失を十分に小さい。金属層のニッケル含有率は、例えば、３〜２０質量％であってもよいし、０．２５〜３質量％であってもよい。【００１５】
第１絶縁材料層は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものであってもよいし、感光性樹脂組成物の硬化物からなるものであってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本開示によれば、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｄ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。
【図３】実施例及び比較例において高周波の伝送損失を評価するために作製したマイクロストリップ配線を備える配線基板を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１９】
本明細書の記載及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。
【００２０】
図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｃ）は、配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。図２（ｃ）に模式的に示される配線基板１０は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において特に好適であり、特に、異種チップを混載するためのインターポーザが必要なパッケージ形態において好適である。より具体的には、本実施形態に係る製造方法は、ピンの間隔が２００μｍ以下（より微細な場合には例えば３０〜１００μｍ）であり、且つピンの本数が５００本以上（より微細な場合には例えば１０００〜１００００本）のパッケージ形態において好適である。
【００２１】
金属配線４における第１絶縁材料層１と接する側の領域（シード層２）のニッケル含有率が０．２５〜２０質量％であることで、第１絶縁材料層１に対してデスミア処理液による表面粗化を施さなくても、金属配線４が第１絶縁材料層１に対する優れた密着性を有している。このため、第１絶縁材料層１の表面上に、微細配線を形成することが可能であるとともに、高周波の伝送損失を十分に低減することができる。
【００２２】
配線基板１０は、大きく分けて以下の工程を経て製造される。
（１）支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する工程。
（２）第１絶縁材料層１の表面にシード層２（金属層）を形成する工程。
（３）シード層２上に配線部３（導電部）を形成する工程。
（４）金属配線４を覆うように第２絶縁材料層５を形成する工程。
【００２３】
＜（１）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程＞
支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する（図１（ａ））。支持基板Ｓは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、ＳＵＳ（ステンレス鋼）板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図１（ａ）に示す支持基板Ｓは、第１絶縁材料層１が形成される側の表面に導電層Ｓａが形成されている。支持基板Ｓとして、導電層Ｓａが形成されていないもの、あるいは、導電層Ｓａの代わりに配線及び／又はパッドを表面に有するものを使用してもよい。
【００２４】
支持基板Ｓの厚さは０．２ｍｍから２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。０．２ｍｍより薄い場合はハンドリングが困難になる一方、２．０ｍｍより厚い場合は材料費が高くなる傾向にある。支持基板Ｓはウェハ状でもパネル状でも構わない。サイズは特に限定されないが、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ又は直径４５０ｍｍのウェハ、あるいは、一辺が３００〜７００ｍｍの矩形パネルが好ましく用いられる。
【００２５】
第１絶縁材料層１を構成する材料は、感光性樹脂材料であっても熱硬化性樹脂材料であってもよい。これらの絶縁材料としては、液状又はフィルム状のものが挙げられ、膜厚平坦性とコストの観点からフィルム状の絶縁材料が好ましい。また、微細な配線を形成できる点で、絶縁材料は平均粒径５００ｎｍ以下（より好ましくは５０〜２００ｎｍ）のフィラー（充填材）を含有することが好ましい。絶縁材料のフィラー含有量は、フィラーを除く絶縁材料の質量１００質量部に対して０〜７０質量部が好ましく、１０〜５０質量部がより好ましい。
【００２６】
フィルム状の絶縁材料を使用する場合、そのラミネート工程はなるべく低温で実施することが好ましく、４０〜１２０℃でラミネート可能な絶縁フィルムを採用することが好ましい。ラミネート可能な温度が４０℃を下回る絶縁フィルムは常温（約２５℃）でのタックが強く、取り扱い性が悪化する傾向があり、その温度が１２０℃を上回る感光性絶縁フィルムの場合はラミネート後に反りが大きくなる傾向がある。
【００２７】
第１絶縁材料層１の硬化後の熱膨張係数は、反り抑制の観点から８０×１０−６／Ｋ（ケルビン）以下であることが好ましく、高信頼性が得られる点で７０×１０−６／Ｋ以下であることがより好ましい。また、絶縁材料の応力緩和性、高精細なパターンが得られる点で２０×１０−６／Ｋ以上であることが好ましい。第１絶縁材料層１の厚さは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることが更に好ましい。また、絶縁信頼性の観点から第１絶縁材料層１の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
配線基板１０の用途又は態様に応じて、例えば、導電層Ｓａに至る開口部（不図示）を第１絶縁材料層１に設けてもよい。感光性樹脂組成物によって第１絶縁材料層１が形成される場合、例えば、フォトリソグラフィによって開口部を設ければよい。熱硬化性樹脂組成物によって第１絶縁材料層１が形成される場合、例えば、レーザー加工によって開口部を設ければよい。
【００２９】
高周波の伝送損失を低減する観点から、第１絶縁材料層１の表面はなるべく平坦であることが好ましい。すなわち、第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａは１００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以下であり、より好ましくは５５ｎｍ以下である。第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、例えば、５ｎｍであり、１０ｎｍ又は２０ｎｍであってもよい。算術平均粗さＲａはレーザー顕微鏡を使用して測定することができる。第１絶縁層１を含む積層体の断面から第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａを求めるには以下の手法を採用すればよい。すなわち、算術平均粗さＲａの値が判っている複数の試料の面から凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定する。測定されたＲｚ値及び既知のＲａ値に基づいて検量線を作成する。算術平均粗さＲａを求めるべき第１絶縁層１の断面の凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定し、この測定値及び検量線から算術平均粗さＲａを求めることができる。
【００３０】
＜（２）第１絶縁材料層の表面にシード層を形成する工程＞
第１絶縁材料層１の表面に、少なくとも銅を含む無電解めっきによりシード層２を形成する（図１（ｂ））。上記のとおり、第１絶縁材料層１の表面はなるべく平坦であることが好ましいことから、シード層２を形成する前に、第１絶縁材料層１の表面に対してデスミア処理液による粗化処理を実施しない方がよい。第１絶縁材料層１の表面は粗化されていないものの、第１絶縁材料層１の表面から内部に連通する空孔を有する改質領域（不図示）が第１絶縁材料層１の表層に形成されていることが好ましい。
【００３１】
改質領域が形成された第１絶縁材料層１に対して無電解めっき用の触媒を吸着させることで、改質領域の空孔に触媒が入り込んだ状態となる。この状態で無電解めっきによってシード層２を形成すると、改質領域の空孔内に形成される無電解めっきが植物の根のような役割を果たし、第１絶縁材料層１とシード層２との密着性向上に寄与すると推察される。このような改質領域は、シード層２を形成する前に、第１絶縁材料層１の表面に対して、活性エネルギー線の照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をすることによって形成し得る。活性エネルギー線としては、第１絶縁材料層１の表面を過度に粗くするものでなければよく、例えば、紫外線、電子線、α線、β線及びγ線が挙げられる。活性エネルギー線の照射量及び強度を調整することで、第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａを１００ｎｍ以下に維持できる。
【００３２】
シード層２は以下のステップを経て形成される。まず、第１絶縁材料層１の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は１〜３０質量％の間で実施される。前処理液への浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は２５〜８０℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３３】
前処理液除去後、第１絶縁材料層１の表面からアルカリイオンを除去するために、酸性水溶液で浸漬洗浄する。酸性水溶液は硫酸水溶液でよく、濃度は１〜２０質量％、浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。酸性水溶液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３４】
続いて、無電解めっきの触媒となるパラジウムを、浸漬洗浄後の第１絶縁材料層１の表面に付着させる。パラジウムは、市販のパラジウム−スズコロイド溶液、パラジウムイオンを含む水溶液、パラジウムイオン懸濁液等でよいが、改質層に効果的に吸着するパラジウムイオンを含む水溶液が好ましい。パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬する際、パラジウムイオンを含む水溶液の温度は、２５〜８０℃、吸着させるための浸漬時間は１〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンを吸着させた後、余分なパラジウムイオンを除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３５】
パラジウムイオン吸着後、パラジウムイオンを触媒として作用させるための活性化を行う。パラジウムイオンを活性化させる試薬は市販の活性化剤（活性化処理液）でよい。パラジウムイオンを活性化させるために浸漬する活性化剤の温度は、２５〜８０℃、活性化させるために浸漬する時間は１〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンの活性化後、余分な活性化剤を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
【００３６】
続いて、第１絶縁材料層１の表面に対する無電解めっきによってシード層２を形成する。シード層２は、工程（３）で実施される電解めっきのための給電層となる。シード層２の厚さは、２０〜２００ｎｍが好ましく、４０〜２００ｎｍがより好ましく、６０〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００３７】
シード層２のニッケル含有率は、０．２５〜２０質量％であり、例えば、３〜２０質量％又は０．２５〜３質量％であってもよい。シード層２のニッケル含有率は、例えば、無電解めっき液のニッケル含有率を調整することで設定することができる。シード層２のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層１とシード層２に密着性を十分に確保することができ、他方、２０質量％以下であることで、高周波の伝送損失を十分に小さくするこができる。
【００３８】
無電解めっきとしては、無電解純銅めっき（銅の純度９９質量％以上）、無電解銅ニッケルリンめっき（ニッケル含有率：１〜１０質量％、リン含有量：１〜１３質量％）等が挙げられる。無電解銅ニッケルリンめっき液は市販のめっき液でよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名「ＡＩＳＬ−５７０」）を挙げることができる。無電解銅ニッケルリンめっきは、６０〜９０℃の無電解銅ニッケルリンめっき液中で実施される。
【００３９】
ニッケル含有率が０．１〜１質量％の無電解銅めっき液をシード層２の形成に使用してもよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名「カッパーソリューション  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「スタビライザー  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「ベーシック  プリントガントＭＶ  ＴＰ１」、「モデレーター  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１」、「リデューサーＣｕ」）が挙げられる。無電解銅めっきは、２０℃〜５０℃の無電解銅めっき液中で実施される。
【００４０】
無電解めっき後、余分なめっき液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。また、無電解めっき後、シード層２と第１絶縁材料層１との密着力を高めるため、熱硬化（アニーリング：加熱による時効硬化処理）を行ってもよい。熱硬化温度は、８０〜２００℃で加熱することが好ましい。より反応性を早めるために１２０〜２００℃がより好ましく、１２０〜１８０℃で加熱することが更に好ましい。熱硬化時間は５〜６０分が好ましく、１０〜６０分がより好ましく、２０〜６０分が更に好ましい。
【００４１】
＜（３）シード層上に配線部を形成する工程＞
シード層２の表面上に配線形成用レジストＲをパターニングする（図１（ｃ）参照）。配線形成用レジストＲとして、市販のレジストを使用すればよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト（日立化成株式会社製、Ｐｈｏｔｅｃ  ＲＹ−５１０７ＵＴ）を用いることができる。レジストパターンは、配線形成用の開口部と、必要に応じてその他の開口部とが設けられたものであってもよい。すなわち、ロールラミネータを用いてレジストを成膜し、次いで、パターンを形成したフォトツールを密着させ、露光機を使用して露光を行い、次いで、炭酸ナトリウム水溶液で、スプレー現像を行うことによってレジストパターンを形成することができる。なお、ネガ型の代わりにポジ型の感光性レジストを用いてもよい。
【００４２】
シード層２に給電することによって電解銅めっきを実施し、配線部３を形成する（図１（ｄ）参照）。配線部３の厚さは１〜１０μｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましく、５〜１０μｍが更に好ましい。
【００４３】
電解銅めっき後、配線形成用レジストＲをはく離する（図２（ａ）参照）。配線形成用レジストＲのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。配線形成用レジストＲのはく離によって露出したシード層２を除去する（図２（ｂ）参照）。これにより、第１絶縁材料層１の表面上に残存するシード層２と、配線部３とによって構成される金属配線４が形成される。シード層２の除去とともに、シード層２の下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液（エッチング液）を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＢＢ−２０、ＰＪ−１０、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）が挙げられる。
【００４４】
＜（４）金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程＞
金属配線４を覆うように第２絶縁材料層５を形成する（図２（ｃ）参照）。第２絶縁材料層５を構成する材料として第１絶縁材料層と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００４５】
以上、配線基板及びその製造方法について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、一層の配線層（金属配線４と第２絶縁材料層５とを含む層）を有する配線基板の製造方法を例示したが、配線層の表面上にシード層を設ける工程と、上記（３）及び（４）の一連工程を繰り返すことで、複数の配線層を有する配線基板を製造してもよい。
【実施例】
【００４６】
本開示について以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。【００４７】
（実施例１）
＜感光性樹脂フィルムの作製＞
絶縁材料層用の感光性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して感光性樹脂組成物を調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂：酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＣＣＲ−１２１９Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名）  ５０質量部
・光重合開始剤成分：２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ダロキュアＴＰＯ、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）及びエタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）（イルガキュアＯＸＥ−０２、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）  ５質量部
・熱硬化剤成分：ビフェノール型エポキシ樹脂（ＹＸ−４０００、三菱ケミカル株式会社製、商品名）  １０質量部
・無機フィラー成分：平均粒径：５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分１００体積部に対し、１０体積部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装株式会社製）を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。【００４８】
上記感光性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２−１６、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。塗膜を熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより、厚さ１０μｍの感光性樹脂フィルムを得た。【００４９】
＜微細配線を有する配線層の形成＞
支持基板として、表面に銅層（厚さ２０μｍ）が形成されたガラスクロス入り基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。【００５０】
・工程（１ａ）
上記支持基板の銅層の表面に第１絶縁材料層を形成するため、上記感光性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。【００５１】
・工程（１ｂ）
プレス後の感光性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）に露光処理及び現像処理を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。露光は、パターンを形成したフォトツールを第１絶縁材料層の上に密着させた状態で実施した。i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サーマプレシジョン製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の第１絶縁材料層の表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製、紫外線主波長：３６５ｎｍ）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。【００５２】
・工程（１ｃ）
紫外線照射装置（ＳＳＰ−１６、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長：２５４ｎｍ）を用いて、第１絶縁材料層に紫外線を照射した。これにより、第１絶縁材料層の表面を改質した。紫外線ランプから第１絶縁材料層の表面までの距離は４０ｍｍ、紫外線照時間は３０秒とした。【００５３】
・工程（２）
無電解銅めっきにより、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００５４】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。【００５５】
・工程（３ａ）
真空ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製、Ｖ−１６０）を用いて、無電解銅が成膜された２００ｍｍ×２００ｍｍの基板の上に、配線形成用レジスト（日立化成株式会社製、ＲＹ−５１０７ＵＴ）を真空ラミネートした。ラミネート温度は１１０℃、ラミネート時間は６０秒、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。【００５６】
真空ラミネート後、１日放置し、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サーマプレシジョン製）を用いて、配線形成用レジストを露光した。露光量は１４０ｍＪ／ｃｍ２、フォーカスは−１５μｍとした。露光後、１日放置し、配線形成用レジストの保護フィルムをはく離し、スプレー現像機（ミカサ株式会社製、ＡＤ−３０００）を用いて現像した。現像液は１．０％炭酸ナトリウム水溶液、現像温度は３０℃、スプレー圧は０．１４ＭＰａとした。これにより、以下のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の配線を形成するためのレジストパターンをシード層上に形成した。
・Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ（配線の数：１０本）【００５７】
・工程（３ｂ）
クリーナーとして（奥野製薬工業株式会社製、商品名：ＩＣＰクリーンＳ−１３５）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で１分間浸漬し、純水に５０℃で１分間浸漬、純水に２５℃で１分間浸漬し、１０％硫酸水溶液に２５℃で1分間浸漬した。次に、硫酸銅５水和物の１２０ｇ／Ｌ、９６％硫酸２２０ｇ／Ｌの水溶液７．３Ｌに、塩酸を０．２５ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−３を１０ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−２を１ｍＬ加えた水溶液に、２５℃で電流密度を１．５Ａ／ｄｍ２で１０分間の条件で電解めっきを施した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。【００５８】
・工程（３ｃ）
スプレー現像機（ミカサ株式会社製、ＡＤ−３０００）を用いて、配線形成用レジストをはく離した。はく離液は２．３８％ＴＭＡＨ水溶液、はく離温度は４０℃、スプレー圧力は０．２ＭＰａとした。【００５９】
・工程（３ｄ）
シード層である無電解銅及びパラジウム触媒を除去した。無電解Ｃｕのエッチングとして、エッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）と９８％硫酸と３５％過酸化水素水と硫酸銅・５水和物との水溶液（ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ濃度：５容量％、硫酸濃度：４容量％、過酸化水素濃度：５容量％、硫酸銅・５水和物濃度：３０ｇ／Ｌ）に３５℃で１分間浸漬した。次に、パラジウム触媒の除去としてＦＬ水溶液（株式会社ＪＣＵ製、ＦＬ−Ａ：５００ｍＬ／Ｌ、ＦＬ−Ｂ：４０ｍＬ／Ｌ）に５０℃で１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。これらの工程を経て実施例１に係る配線基板を得た。【００６０】
（実施例２）
工程（２）において、実施例１に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００６１】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：１ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。【００６２】
（実施例３）
工程（２）において、実施例２に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：５ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。【００６３】
（実施例４）
工程（２）において、無電解銅めっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（アトテックジャパン株式会社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）が４０ｍＬ／Ｌ及び水酸化ナトリウムが２０ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、中和として、硫酸水溶液１０ｍＬ／Ｌに２５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、プリディップとして、コンディショニング液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：プリディップネオガントＢ）が２０ｍＬ／Ｌ及び硫酸が１ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：アクチベータネオガント８３４）が４０ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウムが４ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３５℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサネオガントＷＡ）が５ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００６４】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：ベーシック  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１）が１４０ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：カッパーソリューション  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１）が８５ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：モデレーター  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１）が３ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：スタビライザー  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ１）が０．６ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサーＣｕ）が１６ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウムが０．５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。【００６５】
（実施例５）
＜熱硬化性樹脂フィルムの作製＞
第１絶縁材料層用の熱硬化性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して熱硬化性樹脂組成物を調製した。
・エポキシ樹脂：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名ＮＣ−３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）  ７０質量部
・硬化剤：以下のようにして合成した硬化剤Ａ  ３０質量部
・無機フィラー成分：平均粒径が５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分１００質量部に対し、３０質量部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装株式会社製）を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下となっていることを確認した。【００６６】
＜硬化剤Ａの合成＞
温度計、攪拌装置及び還流冷却管を有する水分定量器を備える反応容器（容積：２リットル）を準備した。この反応容器に以下の成分を入れ、１４０℃で５時間反応させた。
・ビス（４−アミノフェニル）スルホン：２６．４０ｇ
・２，２´−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン：４８４．５０ｇ
・ｐ−アミノ安息香酸：２９．１０ｇ
・ジメチルアセトアミド：３６０．００ｇ
これにより、分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ−置換マレイミド基を有する硬化剤Ａの溶液を得た。【００６７】
上記熱硬化性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２−１６、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。それを熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより、厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂フィルムを得た。【００６８】
＜微細配線を有する配線層の形成＞
支持基板として、表面に銅層（厚さ２０μｍ）が形成されたガラスクロス入り基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。
・工程（１ａ）
上記配線基板の銅層の表面に第１絶縁材料層を形成するため、上記熱硬化性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に熱硬化性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度７０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間４０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．５ＭＰａとした。次いで、プレス機を用いて、追加プレスを行った。プレス条件は、プレス時間０〜６０分の間で２２０℃まで昇温、プレス時間６０〜１９０分の間で２２０℃維持、プレス時間１９０〜２２０分の間で２５℃まで降温した。プレス圧力２．０ＭＰａ、気圧４ｋＰａとした。【００６９】
・工程（１ｂ）
プレス後の熱硬化性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）にレーザー加工機（製品名：ＬＣ−２Ｋ２１、ビアメカニクス製）を用いて、ビア加工を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。ビア加工条件は、アパーチャー径の直径６．５ｍｍ、出力６．３Ｗ、パルスピッチ２０μｍ×３回、バーストモードとした。【００７０】
・工程（１ｃ）
紫外線照射装置（ＳＳＰ−１６、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長：２５４ｎｍ）を用いて、第１絶縁材料層に紫外線を照射した。これにより、第１絶縁材料層の表面を改質した。紫外線ランプから第１絶縁材料層の表面までの距離は４０ｍｍ、紫外線照時間は３０秒とした。【００７１】
・工程（２）
無電解銅めっきにより、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（アトテックジャパン株式会社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）が４０ｍＬ／Ｌ及び水酸化ナトリウムが２０ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、中和として、硫酸水溶液１０ｍＬ／Ｌに２５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、プリディップとして、コンディショニング液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：プリディップネオガントＢ）が２０ｍＬ／Ｌ及び硫酸が１ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：アクチベータネオガント８３４）が４０ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウムが４ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３５℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサネオガントＷＡ）が５ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００７２】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：ベーシック  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ1）が１４０ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：カッパーソリューション  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ1）が８５ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：モデレーター  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ1）が３ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：スタビライザー  プリントガント  ＭＶ  ＴＰ1）が０．６ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサーＣｕ）が１６ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウムが０．５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。【００７３】
（実施例６，７）
工程（２）において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００７４】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：１ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例４，５と同様にして配線基板を作製した。【００７５】
（実施例８〜１０）
工程（２）において、実施例７に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いたことの他は、実施例７と同様にして配線基板を作製した。【００７６】
（比較例１）
工程（１ｃ）において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて第１絶縁材料層の表面を改質（粗面化）したこと、及び、無電解銅ニッケルリンめっき液に代えて、無電解純銅めっき液を使用してシード層を形成したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。【００７７】
デスミア処理に使用する薬液による処理は以下のように実施した。まず、膨潤処理のため、スウェラ（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で５分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。次いで、粗化処理のため、デスミア液（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：コンパクトＣＰ）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で１０分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。【００７８】
（比較例２）
工程（２）において、実施例1で使用した無電解銅ニッケルリンめっき液に代えて、無電解ニッケルめっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−１００）の４０ｍＬ／Ｌ水溶液に４０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−２００）の７０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−３００）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−４００Ａ）とアクセラレータ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−４００Ｂ）との混合液（ＥＳ−４００Ａ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＥＳ−４００Ｂ濃度：１４ｇ／Ｌ）に３５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００７９】
次に、無電解ニッケルめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ−５００Ｍ、ＥＳ−５００Ｂ、ＥＳ−５００Ｃ、ＥＳ−５００Ｄ）とアンモニア水と硫酸との混合液（ＥＳ−５００Ｍ濃度：４５ｍＬ／Ｌ、ＥＳ−５００Ｂ濃度：３０ｍＬ／Ｌ、ＥＳ−５００Ｃ濃度：４５ｍＬ／Ｌ、ＥＳ−５００Ｄ濃度：４０ｍＬ／Ｌ、アンモニア水濃度：２４ｍＬ／Ｌ、硫酸濃度：１ｍＬ／Ｌ）に３８℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。【００８０】
（比較例３）
工程（２）において、実施例３に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅めっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂとの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡとの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。【００８１】
次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：２０ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。【００８２】
（比較例４，５）
工程（１ｃ）において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて第１絶縁材料層の表面を改質（粗面化）したことの他は実施例４，５と同様にして配線基板を得た。【００８３】
（比較例６）
工程（２）において、実施例５で使用した無電解銅めっき液に代えて、無電解ニッケルめっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成したことの他は、実施例５と同様にして配線基板を作製した。【００８４】
（比較例７）
第１絶縁材料層の形成に感光性樹脂フィルムの代わりに、熱硬化性樹脂フィルムを使用したことの他は、比較例３と同様にして配線基板を作製した。【００８５】
＜絶縁材料層表面の算術平均粗さＲａの測定＞
実施例１〜１０及び比較例１〜７に係る第１絶縁材料層の表面の算術平均粗さＲａをレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製）を用いて測定した。表１に結果を示す。【００８６】
＜シード層のＮｉ含有率＞
実施例１〜１０及び比較例１〜７に係るシード層のＮｉ含有率（質量％）は、走査電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いてＥＤＸ分析を行い、質量比率に換算して求めた。表１に結果を示す。【００８７】
【表１】
2020130101.tif 000003
【００８８】
＜配線形成性の評価＞
Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍ、３μｍ／３μｍ及び２μｍ／２μｍの配線パターンをそれぞれ１０個ずつ有する配線基板を作製し、配線形成性の評価を行った。各配線パターンの１０個のうち、配線倒れ又は配線はく離が発生しているものが０個の場合を「Ａ」とし、１〜２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表２に評価結果を示す。【００８９】
【表２】
2020130101.tif 000004
【００９０】
表２に示すように、実施例１〜１０は、配線パターン（Ｌ／Ｓ）が微細になっても配線倒れ又は配線はく離が全くみられず、微細配線において優れた配線形成性を有することが分かる。また、比較例２,３，６，７についても、同様に配線成形性に優れていた。それに対して、比較例１は、従来方法に従って無電解純銅めっきによってシード層を形成したものであるが、デスミア処理による絶縁材料層の表面粗化を行っても配線倒れ又は配線はく離が発生した。配線倒れ又は配線はく離は、Ｌ／Ｓが微細になるに伴って顕著になっており、比較例１は配線形成性の点で問題があった。【００９１】
＜マイクロストリップ配線の形成＞
（実施例１１）
高周波の伝送損失を評価するため、図３に示す配線基板２０と同様の構成の配線基板を作製した。配線基板２０は、マイクロストリップ配線を有する配線基板である。すなわち、配線基板２０は、表面に導電層Ｓａ（銅層）を有する支持基板Ｓと、支持基板Ｓの表面上に設けられた絶縁材料層１１と、絶縁材料層１１の表面上に設けられたシード層１２と、シード層１２の表面上に設けられたグランド層１３（導体部）と、グランド層１３の表面上に設けられた導体部１５及び絶縁材料層１６と、絶縁材料層１６の表面上に設けられたシード層１７及びシグナル層１８（導体部）とによって構成されている。シード層１２は、グランド層１３を形成する際に給電層として使用される。シード層１７は、シグナル層１８を形成する際に給電層として使用される。配線基板を作製するにあたり、絶縁材料層１１は実施例１と同じ感光性樹脂フィルムを用いて形成した。シグナル層１８は、厚さ４μｍ、幅２０μｍ、長さ１０ｍｍとした。シード層１２，１７を実施例１と同様の方法でそれぞれ形成する工程を経て実施例１１に係る配線基板を作製した。【００９２】
（実施例１２〜２０）
シード層１２，１７を実施例２〜１０と同様の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例１１と同様にして実施例１２〜２０に係る配線基板をそれぞれ作製した。【００９３】
（比較例８〜１４）
シード層１２，１７を比較例１〜７と同様の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例１１と同様にして比較例８〜１４に係る配線基板をそれぞれ作製した。【００９４】
＜伝送損失の測定＞
実施例１１〜２０及び比較例８〜１４に係るマイクロストリップ配線について、ベクトルネットワークアナライザ（ヒューレットパッカード社製）を用いて伝送損失を測定した。特性インピーダンスは５０Ωとした。周波数が１０ＧＨｚ、２０ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、４０ＧＨｚ及び５０ＧＨｚのときの伝送損失が０〜１ｄＢ／ｃｍ以下の場合を「Ａ」、１〜２ｄＢ／ｃｍの場合を「Ｂ」、２ｄＢ／ｃｍ以上の場合を「Ｃ」とした。表３に評価結果を示す。【００９５】
【表３】
2020130101.tif 000005
【００９６】
表３に示すように、実施例１１〜２０は伝送損失が低く、伝送性に優れることが確認された。それに対して、比較例８，１１，１２は、表２に示すように配線形成性の点で問題があるため、伝送損失が大きくなった。また、比較例９，１０，１３，１４は、シード層に含まれるニッケルの含有率が高いため、その影響により高周波の伝送損失が大きくなった。伝送損失の増大は、シード層に含まれるニッケル含有率が高いなるほど顕著になることが表３から分かる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本開示によれば、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
【符号の説明】
【００９８】
１…第１絶縁材料層、２…シード層（金属層）、３…配線部（導電部）、４…金属配線、５…第２絶縁材料層、１０，２０…配線基板、１１，１６…絶縁材料層、１２，１７…シード層、１３…グランド層、１５…導体部、１８…シグナル層、Ｓ…支持基板、Ｓａ…導電層
【図１】
2020130101.tif 000006
【図２】
2020130101.tif 000007
【図３】
2020130101.tif 000008
【国際調査報告】
2020130101.tif 000009
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