(57)【要約】  荷電粒子線装置（１１０）は、荷電粒子源（１１２）を有する鏡筒（１１１）と、荷電粒子線が照射される試料を設置する試料室（１０１）と、試料室（１０１）に配置され、その内壁よりも低電位に維持される熱放出型電子源（１０２）とを備え、電子源電源（１０３）の電圧印加により加熱電流を発生させて熱放出型電子源（１０２）から放出させた電子（ｅ−）により、試料室（１０１）内のクリーニングを行う。バイアス電源（１０４）により熱放出型電子源（１０２）に負電圧を印加することにより、試料室（１０１）の内壁より低電位に維持する。熱放出型電子源（１０２）に印加する負電圧の大きさは、好ましくは３０−１０００Ｖ、特に好ましくは６０−１２０Ｖ程度とする。
2019155540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源を有する鏡筒に接続されている試料室に配置される第一の熱放出型電子源を備え、前記第一の熱放出型電子源から放出される電子により、前記試料室内のクリーニングを行う、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源は、フィラメントである、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のクリーニング装置であって、前記フィラメントはタングステンフィラメントである、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項４】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源に加熱電流を流す電子源電源を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項５】
請求項４に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源を流れる電流を検出する検出器を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項６】
請求項５に記載のクリーニング装置であって、前記検出器の出力が入力される制御部を更に備え、前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記試料室内の清浄度を出力する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項７】
請求項５に記載のクリーニング装置であって、前記検出器の出力が入力される制御部を更に備え、前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記電子源電源から前記第一の熱放出型電子源に流す前記加熱電流を制御する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項８】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記試料室の真空度を検出する真空計を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項９】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記試料室内に設置される試料台に、前記試料室の内壁よりも低い電圧を印加した状態で、前記第一の熱放出型電子源に電流を供給する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源はアクティブ反射電極またはパッシブ反射電極を備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記鏡筒と前記試料室は、電子顕微鏡の鏡筒と試料室である、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源にバイアス電圧を印加するバイアス電源を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源に印加するバイアス電圧よりも低い電圧を試料台に印加する手段を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源に加熱電流を流す電子源電源を更に備え前記バイアス電源は、前記電子源電源が前記第一の熱放出型電子源に加熱電流を流す前に、前記第一の熱放出型電子源にバイアス電圧を印加する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源に加熱電流を流す電子源電源を更に備え前記バイアス電源は、前記電子源電源が前記第一の熱放出型電子源に加熱電流を流すことを停止した後に、前記第一の熱放出型電子源へのバイアス電圧の印加を停止する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１６】
請求項１２に記載のクリーニング装置であって、前記バイアス電源は、前記第一の熱放出型電子源に３０−１０００Ｖ、より好適には６０−１２０Ｖの電圧を印加する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１７】
請求項１に記載のクリーニング装置であって、更に、第二の熱放出型電子源が前記試料室に配置されていることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のクリーニング装置であって、前記鏡筒の光軸と前記第一の熱放出型電子源及び前記第二の熱放出型電子源との各距離は、いずれも、前記第一の熱放出型電子源と前記第二の熱放出型電子源との距離よりも短いことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載のクリーニング装置であって、前記第一の熱放出型電子源と前記第二の熱放出型電子源は、前記鏡筒の前記試料室内の部分又は前記試料室内に設置される試料台を挟んだ位置に配置されていることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項２０】
請求項１７に記載のクリーニング装置であって、更に、第三の熱放出型電子源が前記試料室に更に配置されていることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項２１】
荷電粒子源を有する鏡筒に接続される試料室内に設置され、前記試料室に対して負電位に保持される電子源を備える、ことを特徴とするクリーニング装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載のクリーニング装置であって、前記電子源からの電子の照射により前記試料室内をクリーニングする、ことを特徴とするクリーニング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、荷電粒子線装置に係り、特にコンタミネーションによる影響を低減させるクリーニング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】  透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ／ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子顕微鏡等に代表される荷電粒子線装置においては、荷電粒子線の照射により、試料などの被照射物に炭化水素などが堆積することによりコンタミネーションが発生する。コンタミネーションが発生した場合、例えば電子顕微鏡像のＳ／Ｎ比が悪化したり、試料表面形状が変化したり、試料情報が失われ、その観察及び分析が困難になるなど種々の問題が生じる。【０００３】  このようなコンタミネーションによる影響を低減させるため、従来技術として、装置本体をヒーターなどの発光源から照射される放射熱を用いて加熱する手法（特許文献１参照）や、エキシマランプから放射される紫外光を照射する手法（特許文献２参照）、プラズマを生成し、活性化された酸素ラジカル及びイオンを用いる手法（特許文献３参照）などが知られている。一方、電子顕微鏡を使って観察する試料表面のコンタミネーションを除去するために、Ｗフィラメントを用いる手法（非特許文献１参照）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０３０７２号公報
【特許文献２】特開２０１５−６９７３４号公報
【特許文献３】特開２０１６−５４１３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】J. T. Fourie,”The elimination of surface-originating contamination in electron microscopes”, Optik, 52(1978/79) No. 5, 421-426
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  上述した従来の多くの手法は、熱によるアウトガスや、プラズマ生成の際のガス導入などの影響で、装置内部を超高真空に保つことが困難であるという課題がある。また、加熱による熱や照射される紫外光に弱い試料などの被照射物には適用が難しい。また、非特許文献では、観察対象である試料の表面のコンタミネーションを観察前に除去することを意図しており、試料室内のコンタミネーション除去を意図していない。【０００７】  本発明の目的は、このような荷電粒子線装置の課題を解決し、試料室内のコンタミネーションによる影響を低減し、高真空に保つことを可能とするクリーニング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記目的を達成するため、本発明においては、荷電粒子源を有する鏡筒と、荷電粒子源からの荷電粒子線が照射される試料が設置される試料室と、試料室内に配置される熱放出型電子源と、を備え、熱放出型電子源から放出される電子により、試料室内の清浄を行うクリーニング装置を提供する。【０００９】  また、上記目的を達成するため、本発明においては、荷電粒子源を有する鏡筒と、荷電粒子源からの荷電粒子線が照射される試料が設置される試料室と、試料室内に設置され、試料室に対して負電位に保持される電子源と、を備え、電子源から放出される電子により、試料室内の清浄を行うクリーニング装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】  本発明によれば、装置を複雑化することなく、装置内部の超高真空を保ったまま、試料室の清浄を行うことが可能なクリーニング装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１に係る、クリーニング装置を備える荷電粒子線装置の全体構成の一例を示す図である。
【図２】照射する電子のエネルギーに対するイオン化傾向の依存性を示す図である。
【図３】照射する電子のエネルギーに対する平均自由工程の依存性を示す図である。
【図４】実施例２に係る、クリーニング装置を備える荷電粒子線装置の全体構成の一例を示す図である。
【図５】実施例３に係る、アクティブ反射電極を備えた熱放出型電子源を用いたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図６】実施例４に係る、独立したパッシブ反射電極を備えた熱放出型電子源を用いたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図７】実施例１−４に係る、荷電粒子線装置に複数配置されたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図８】実施例１−４に係る、荷電粒子線装置に複数配置されたクリーニング装置の一例を、荷電粒子線装置上方向から見た図である。
【図９】実施例５に係る、タイマーを採用したクリーニング装置の処理フローを示す図である。
【図１０】実施例６に係る、真空度読取方式を行うクリーニング装置の処理フローを示す図である。
【図１１】実施例７に係る、クリーニング装置を搭載したＴＥＭ／ＳＴＥＭの概略構成の一例を示す図である。
【図１２】実施例８に係る、クリーニング装置を搭載したＳＥＭの概略構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】  以下、本発明を実施するための形態を、図面に従い説明する。本明細書における電子線とは、電子源から発生される電子の総称であり、アンフォーカスした状態の電子フラッドと、小さい範囲にフォーカスした電子ビームを含むものとする。電子フラッドまたは電子ビーム中の電子は、真空チャンバなどからのガス分子の分離・脱着能力を高めるため、所望のエネルギーに加速され、クリーニング装置で利用される。また、電子源には、加熱型電子源、すなわち熱放出型電子源に加え、電界放出型電子源、ショットキー型電子源、光励起型電子源などを含むものとする。
【実施例１】
【００１３】  実施例１は、クリーニング装置を備えた荷電粒子線装置の実施例である。すなわち、荷電粒子源を有する鏡筒と、荷電粒子源からの荷電粒子線が照射される試料が設置される試料室と、試料室内に配置される熱放出型電子源と、を備え、熱放出型電子源から放出される電子線により、試料室内の清浄を行うクリーニング装置の実施例である。【００１４】  図１は実施例１の荷電粒子線装置の概略構成を示す図である。同図において、荷電粒子線装置１１０は、荷電粒子線源１１２を有する鏡筒１１１と、クリーニング装置１００と、真空チャンバで構成される試料室１０１を備える。試料室１０１は、図示のように接地電位であることが好ましい。クリーニング装置１００は、試料室１０１の内部に備えられた熱電子型の電子源１０２、電子源１０２を加熱するための電流（以下、加熱電流と呼ぶ）を発生させる電子源電源１０３、電子源１０２に電圧を印加するバイアス電源１０４、電子源１０２から放出される電子（ｅ−）の電流（以下、エミッション電流）を測定する電流計１０５、バイアス電源１０４など各種構成要素を制御する制御部１０６、制御部１０６の制御条件や電流量等を記憶する記憶部１０７などを備える。これらの制御部１０６と記憶部１０７としては、所望の機能プログラムの実行が可能な中央処理部（ＣＰＵ）や、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などを用いても良い。なお、熱放出型電子源には、フィラメントのように直接熱されることによる電子放出型のみならず、間接的に熱されることによる電子放出型も含まれ、電子源のエネルギー範囲は、３０−１０００ｅＶであり、システムに合せて調節可能である。【００１５】  電子源１０２は、上述した熱放出型電子源であるフィラメントやその他の部材を選択することができる。その他の部材として、例えば、電界放出型電子源、ショットキー型電子源、又は光励起型電子源などを選択可能である。ただし、構成の簡素さ及び必要なエミッション電流量を考慮すれば、熱放出型電子源であるフィラメントからの熱電子放出によって電子を発生させることが望ましい。【００１６】  フィラメントの材質は、タングステン（Ｗ）又はイリジウム（Ｉｒ）などを選択可能である。ここで、フィラメントがあまりに高温となると、フィラメントの材質が蒸発した後に試料室１０１内に付着し、試料室１０１内が汚染される可能性がある。フィラメントの材質として、トリア（ＴｈＯ２）などを含有した材料、例えばトリエーテッドタングステンなどを選択することで、フィラメントの仕事関数が低下し、フィラメントの動作温度も低下するため、フィラメントによる汚染の可能性を低下させることができる。【００１７】  本実施例のクリーニング装置１００は、従来のクリーニング装置のようにクリーニング時のガス導入や加熱の必要がないため、試料室１０１を、例えば１×１０−３Ｐａ以下の超高真空に保ったままのクリーニングが可能である。一方、前述のように、電子源１０２にフィラメントを採用した場合、フィラメントは１×１０−１Ｐａでも動作可能であるため、このクリーニング装置１００は比較的低い真空度でも動作する。【００１８】  バイアス電源１０４は、電子源１０２から放出される電子のエネルギーを決定する��後述のように、バイアス電源１０４により電子源１０２に印加する電圧は、好ましくは３０−１０００Ｖ、特に好ましくは６０−１２０Ｖ程度である。【００１９】  クリーニング効率が高いほど、必要なクリーニング時間は短くなる。本実施例のクリーニング装置のクリーニング効率は、電子源１０２からの放出電子量（以下、エミッション電流）が多いほどより高くなる。これは、熱放出型電子源１０２にフィラメントを用いる場合、電子源電源１０３の加熱電流を上げ、フィラメントをより加熱することにより容易に実現できる。【００２０】  一方、電子源電源１０３の小容量化及び前述したフィラメント材質の蒸発の観点からフィラメント加熱は、最小限に抑えたい。試料室１０１の容量・清浄度、荷電粒子線装置種によって異なるが、たとえば、走査電子顕微鏡を用いた実験結果から、２〜３ μＡのエミッション電流で１０時間程度、あるいは１０μＡのエミッション電流で２時間程度、クリーニングすることで、試料観察にとって好ましい環境を作ることができることが分かっている。【００２１】  クリーニング効率の高精度制御は、電子源の加熱電流を制御することで可能となる。エミッション電流は、フィラメント温度の安定性や試料室内の真空度などに影響を受けて変動する。このエミッション電流の変化をモニタし、加熱電流にフィードバックすることで、クリーニング効率の安定化を達成できる。この場合は、クリーニング装置１００は、エミッション電流をモニタするための電流計１０５、電流計１０５の出力が入力される制御部１０６、制御部１０６の制御条件などを記憶する記憶部１０７を備えることが望ましい。しかし、クリーニングの原理面からはこれらの構成要素は必須のものではなく、クリーニング装置１００はこれらの構成要素を備えない構成でも構わない。【００２２】  さらに、試料室１０１のクリーニングの進行度を、電流計１０５でモニタしたエミッション電流から読み取ることができると考えられる。後述する通り、本実施例にかかるクリーニング装置は、電子線照射によってガス分子を発生させ、これを真空ポンプで排気することでクリーニングを実現する。したがって、クリーニングが進行するにつれ、試料室内の圧力は低下していく。前述の通り、エミッション電流は、試料室内の真空度に影響される。そのため、エミッション電流と真空度の関係を明確にすることで、制御部１０６は試料室内の清浄度を把握することができる。また、試料室に真空計１１５を設置し、この真空計１１５で試料室内の真空度を直接読み取ることで、電流計１０５を使わなくとも同様に真空室内の清浄度を知ることができる。【００２３】  これらにより、クリーニングの途中であっても試料室内で十分な清浄度が得られているかを確認することができ、必要十分な時間でクリーニングを実施することができる。【００２４】  ここで、コンタミネーションの発生と本実施例のクリーニング装置のクリーニング原理について述べる。特許文献１によれば、真空中の炭化水素分子が荷電粒子線に吸い寄せられ、荷電粒子線とともに試料に堆積していくことで、コンタミネーションが発生すると考えられている。また、試料室内部の部材には炭化水素分子が付着しており、一部の散乱された電子線がその部材に照射されることで、真空中に拡散することも知られている。したがって、コンタミネーションの発生を低減させるためには、試料室内の炭化水素分子の除去が有効な手法だと言える。【００２５】  以上のように、荷電粒子線の照射に先立って、試料室内部の部材に付着している炭化水素分子（以下、付着分子と呼ぶ。）を試料室から除去しておくことが重要である。付着分子を除去するためには、付着分子に何らかのエネルギーを与えて脱離させ、真空ポンプにより試料室から排気する必要がある。従来のクリーニング装置は、部材の加熱や紫外光の照射などによって付着分子を脱離させていた。【００２６】  それに対し、本実施例にかかるクリーニング装置は、以下の２つの原理によって付着分子を排気する。１つは、電子線照射によって付着分子をイオン化して脱離させるもので、もう１つは、電子線照射によって真空内の水分子や酸素分子をイオン化し、それらが付着分子をエッチングするものである。いずれの場合にも分子のイオン化傾向が、クリーニングの効率に影響する。【００２７】  ここで、分子のイオン化効率は、照射される電子のエネルギーに依存する。図２は、電子のエネルギーに対するイオン化傾向の依存性を示した図である。炭化水素の一種であるＣ２Ｈ２は、電子がおよそ６０−１２０ｅＶのエネルギーを持つ際に最もイオン化されやすいことが分かる。また、その他の元素であっても、電子がおよそ３０−１０００ｅＶのエネルギーを持つ際にイオン化されやすい。【００２８】  一方、付着分子との相互作用を考えると、平均自由行程が短いほど、クリーニング効率は上がる。図３は、照射される電子のエネルギーに対する平均自由工程の依存性を示した図である。被照射物によっても異なるが、電子がおおむね３０−６０ｅＶのエネルギーを持つ際に最も電子の平均自由工程が短くなることが解る。したがって、当該エネルギー帯でイオン化効率が向上すると考えられる。その他のエネルギーにおいても、電子がおおむね１０−１０００ｅＶのエネルギーを持つ場合は、付着分子をイオン化できると考えられる。【００２９】  以上の説明の通り、分子のイオン化効率と電子の平均自由工程の観点から、本実施例のクリーニング装置のバイアス電源１０４により電子源１０２に印加する電圧は、好ましくは３０−１０００Ｖ、特に好ましくは６０−１２０Ｖ程度となる。実際の実験結果においても、１００ｅＶ程度のエネルギーで有効なクリーニング効果が得られることを確認した。
【実施例２】
【００３０】  実施例２は、実施例１の構成に加え、試料室内の試料台に負電圧を印加するクリーニング装置を備えた荷電粒子線装置の実施例である。【００３１】  上述の通り、実施例１のクリーニング装置は、試料室１０１内に数μＡの電子線を照射する。したがって、試料室内に電子線照射に対して不都合な試料が設置されている場合、その悪影響を受ける可能性がある。ここで、電子線照射に対して不都合な試料とは、例えば絶縁物を含む試料や電子線照射により破壊される物を含む試料が挙げられる。たとえば荷電粒子線装置の一例である電子顕微鏡の場合、絶縁物を含む試料に電子線を照射すると、絶縁物部分に電荷が蓄積されて電界を生じ、観察像を歪ませる等の影響が考えられる。【００３２】  そこで本実施例では、上述の悪影響を生じさせないために、試料が載置される試料台を電子線が持つエネルギーよりも高い負電位に維持することで、試料近傍への電子線の侵入を防ぐ。【００３３】  図４に本実施例のクリーニング装置の全体構成の一例を示す。実施例１の構成に加えて、試料台１０８に負電圧を印加するリターディング電源１０９を備える。たとえば、バイアス電源１０４が電子源１０２に接地電位の試料室１０１に対して、−１００Ｖの電圧を与えた場合、試料室近傍での電子のエネルギーはおおよそ１００ｅＶとなる。このとき、リターディング電源１０９により試料台１０８に−１５０Ｖを印加すれば、電子線は試料台に到達することができず、試料手前で軌道を曲げられる。かくして、試料への電子線照射を防ぐことができる。【００３４】  なお、荷電粒子線装置の一例である走査電子顕微鏡には、高分解能観察を実現するために、試料台に負電圧を印加する電源を備えている場合がある。このような荷電粒子線装置においては、新たにリターディング電源１０９を導入する必要なく、電子線の照射から試料を守ることができる。
【実施例３】
【００３５】  実施例３は、アクティブ反射電極を備えた電子源を用いたクリーニング装置を備えた荷電粒子線装置の実施例である。本実施例は、クリーニングをより効率的に行う方法として、図５に示すように、アクティブ反射電極１１３を試料室の真空チャンバ内の電子源１０２の背面側に設置する。アクティブ反射電極１１３には試料室１０１に対して負電位となるような電圧が印加される。図５では、電源を増やさない目的でバイアス電源１０４からの出力をアクティブ反射電極１１３に繋いでいるが、別に電源を用意しても良い。【００３６】  電子源１０２から放出される電子は、基本的に全方向に均等に放出される。しかし、例えば図５のように、電子源１０２が試料室１０１の一端に取り付けられる場合、電子源１０２から遠い試料室壁面は、電子源１０２から望める立体角が小さく、その分到達できる電子も少なくなる。アクティブ反射電極１１３の目的は、電子の放出方向に偏りを持たせて、より効率的に試料室１０１に電子を照射することである。【００３７】  試料室１０１に対して負電位に保たれたアクティブ反射電極１１３が形成する電界によって、電子はアクティブ反射電極１１３から試料室側へと軌道を曲げられる。したがって、電子を照射したい方向に対して電子源１０２の背面側にアクティブ反射電極１１３を配置することで、より効率的にクリーニングを実施できる。なお、アクティブ反射電源１１１に接続する電源をバイアス電源１０５とは別に用意する場合には、電子源１０２に対して負電位となるように電圧を印加することで、さらに多くの電子を試料室１０１方向に放出させることができる。
【実施例４】
【００３８】  実施例４は、独立したパッシブ反射電極を備えた電子源を用いたクリーニング装置を備えた荷電粒子線装置の実施例である。図６に示すようにパッシブ反射電極１１４を試料室の真空チャンバ内の電子源１０２の背面側に設置する構成で、実施例３と同様の効果が得ることができる。ここで、パッシブ反射電極１１４は、電子線照射によって負に帯電する電極である。例えば、周囲と電気的に絶縁された金属、あるいは電子線照射によって負電位となる絶縁体を用いることができる。【００３９】  図６に示す構成の場合には、電子源１０２から電子が放出され始めた際には、パッシブ反射電極１１２の電位はほとんど接地電位と同電位であるため、電子源１０２からの電子は、全方向に均等に放出される。放出された電子の一部は、パッシブ反射電極１１４に到達し、負電位を蓄積させていく。この負電位は、放出された電子がパッシブ反射電極１１４に到達し続ける限り、蓄積し続けていく。ある値の負電位になったところで、パッシブ反射電極１１４と試料室１０１との間の電界によって電子が曲げられて、パッシブ反射電極１１４に到達できなくなり、負電位の蓄積は止まる。【００４０】  この状態になると、パッシブ反射電極１１４は一定の負電位に維持されたまま、電子の軌道を試料室方向へと曲げ続ける。したがって、図５のアクティブ反射電極１１３と同様に電子の放出方向に偏りを持たせることができる。【００４１】  本実施例のパッシブ反射電極１１４の場合には、電圧を制御して電子の放出方向を細かく制御することは難しいが、新たな電源や電源との接続が不要であるため、より簡単に反射電極としての機能を実現できる。【００４２】  なお、アクティブ反射電極１１３及びパッシブ反射電極１１４は、クリーニングの効率化のみを目的としているため、クリーニング装置１００が機能する上で必須の構造物ではない。【００４３】  以上説明した各実施例のクリーニング装置の構成において、電子源１０２から放出される電子は、電界や磁界から力を加えられなければ、直進する。したがって、試料室内には、例えば鏡筒鏡筒１１１のような遮蔽物によって、電子源１０２から見て影になり、到達できない箇所が存在してしまう。この不到達領域のクリーニングを効果的に行うためには、複数箇所にクリーニング装置１００を設置することが有効である。【００４４】  当然、不到達領域への電子照射を目的とするならば、クリーニング装置１００は、遮蔽物に対して異なる角度から望むよう配置することが望ましい。例えば、図７に示すように、クリーニング装置１００ａの電子源１０２ａとクリーニング装置１００ｂの電子源１０２ｂが、遮蔽物を挟んで互いに対向するように、荷電粒子線装置１１０に配置されれば、効率的に互いの不到達領域へと電子を照射することができる。【００４５】  あるいは、遮蔽物を挟まずとも不到達領域を補い合うことができる。図８に示す配置は、クリーニング装置１００ａ及びクリーニング装置１００ｂ、クリーニング装置１００ｃが、鏡筒１１１に対して互いに対向していないが、それぞれの不到達領域に電子を照射することができる。【００４６】  以上より、より一般的な解釈としては、図７に示すように鏡筒１１１の中心軸（光軸）と電子源１０２ａ、電子源１０２ｂとのそれぞれの距離をＬａ、Ｌｂ、電子源１０２ａと電子源１０２ｂとの距離をＬａ−ｂとしたとき、Ｌａ−ｂ＞Ｌａ及びＬａ−ｂ＞Ｌｂが成立するような配置であれば、不到達領域への電子照射効率が良くなり、結果クリーニング効率を向上することができる。【００４７】  ここで、遮蔽物の一例として鏡筒１１１を示したが、試料台や試料台を移動させるための機構部など、荷電粒子線装置１１０内の構造物は遮蔽物となりえる。複数の遮蔽物が作る不到達領域を補うために、２つよりも多くのクリーニング装置１００を設置することが有効なこともある。【００４８】  また、遮蔽物や不到達領域を考慮せずに複数のクリーニング装置１００を接地した場合でも、複数の電子源１０２を試料室１０１に設置することで、１つのフィラメントに障害が起こった際にも大気開放せずにクリーニングを続けることができる。
【実施例５】
【００４９】  以上説明した実施例１−４のクリーニング装置１００はタイマー機能を備えることで、使用者にとってより優しい使用方法が提供できる。実施例５は、タイマー方式のクリーニング装置の実施例である。すなわち、制御部は、バイアス電源によるバイアス電圧の印加後、熱放出型電子源に加熱電流を流し、タイマーの設定時間経過後、加熱電流を停止し、バイアス電圧を停止するよう制御する実施例である。本実施例のタイマー方式により、例えば、荷電粒子線装置１１０を使用していない夜間にクリーニング装置１００を稼動して朝に止まるよう設定しておけば、使用者がわざわざクリーニング装置を止める必要がなくなる。【００５０】  図９にタイマーを採用した本実施例のクリーニング装置の動作フロー図を示す。なお、本実施例では実施例１−４の構成の電子源１０２としてタングステンフィラメントを用いることを想定した動作フローについて記載するが、前述の通り電子源として何を用いるかは任意となる。また、以下ではバイアス電圧や加熱電流の数値を一例として記載するが、実際の装置をこれらの数値で稼動させる必要はない。【００５１】  まず、使用者は、事前にクリーニング時間を設定する。その後、制御部１０６の制御により、クリーニング装置１００が始動すると、まず、フィラメントにバイアス電圧を−１００Ｖ印加する（Ｓ７０１）。その後フィラメントの加熱電流を１Ａ流す（Ｓ７０２）。エミッション電流が確認された後、タイマーをスタートさせ、経過時間の取得がなされる（Ｓ７０３、Ｓ７０４）。【００５２】  ここでバイアス電圧は固定値であるが、加熱電流はエミッション電流の変化からフィードバックされる。フィラメントは加熱しないとエミッションしないため、制御部１０６は、まずは初期値として１Ａの加熱電流を流し、電子放出を始めたところで、フィードバック制御に切り替える。例えば、所望のエミッション電流が２ｍＡであって、加熱電流１Ａのときに測定されたエミッション電流が３ｍＡであったら、加熱電流を０．９Ａに下げる等の制御を制御部１０６が行う。【００５３】  制御部１０６は事前に設定した時間が経過したことを認識したら（Ｓ７０５）、加熱電流・バイアス電圧の順に切っていく（Ｓ７０６、Ｓ７０７）。最後にフィラメントを冷却するために３０分待機する（Ｓ７０８）。【００５４】  フィラメントが加熱された状態で大気に晒されると、酸化が進行してフィラメントが破損してしまう可能性がある。待機時間を使用者に通知することで、試料室１０１が大気開放できない状態であることを知らせることができる。また、荷電粒子線装置側に働きかけて、フィラメント加熱中及び冷却中には大気開放をロックすることもできる。【００５５】  以上の手順を実現するために、クリーニング装置１００は、電源を制御する制御部、稼働時間を設定する入力部、残時間を表示するモニタを備える必要があるが、上述したＣＰＵやＰＣを利用すれば簡単に構成できることは言うまでもない。しかし、これらの構成物は本発明が機能する上で必須の構造ではない。【００５６】  ここで、フィラメントの加熱の前にバイアス電圧を印加する目的は、フィラメントの過加熱のリスクを下げることである。フィラメントに線径のばらつき��あった場合、同じ加熱電流を流しても温度にばらつきが生じるが、エミッション電流が一定となるように制御することで、フィラメントの温度を管理することができる。【００５７】  しかし、バイアス電圧の印加の前にフィラメントを加熱してしまうと、バイアス電圧を印加するまで電子放出しないため、フィラメントの過加熱に気付けない可能性がある。フィラメントの過加熱は、フィラメント損傷やフィラメントからのタングステンの蒸発の原因となる。図９で説明した本実施例の手順でクリーニング装置１００を稼動させることで、これらのリスクを低減することができる。また、クリーニングの終了シーケンスにおいてバイアス電圧の前に加熱電流を切る目的も同様である。【００５８】  ここで、フィラメントの過加熱を防ぐことであるためには、フィラメントが高温になるエミッション電流の目標値付近で、加熱電流を正確に制御できれば良い。したがって、フィラメントが低温であることが明確な加熱電流値範囲においては、上記のバイアス電圧を事前に印加する必要がない。【００５９】  例えば、バイアス電圧印加前から少しだけ加熱電流を流しておき、バイアス電圧印加後に加熱電流の電流を目標の値まで上昇させるという使い方でも良い。また、クリーニングを終了する際にも加熱電流を下げてから、バイアス電圧を切り、加熱電流を切るという手順でもよい。
【実施例６】
【００６０】  先に説明した通り、真空度を読み取ることで、クリーニングの途中で試料室内に十分な清浄度が実現されたかを予想できる。実施例６として、クリーニング装置１００の稼働時間を真空度から判断する真空度読取方式の実施例を説明する。本実施例において、制御部は、バイアス電源によるバイアス電圧の印加後、熱放出型電子源に加熱電流を流し、試料室内の真空度の測定を行い、目標真空度に達成した場合、加熱電流を停止し、バイアス電圧を停止するよう制御する実施例である。【００６１】  図１０に本実施例のフロー図を示す。同図において、まず使用者は事前に目標真空度を入力する。その後、制御部１０６の制御により、バイアス電圧、加熱電流の順に操作される（Ｓ７０１、Ｓ７０２）。クリーニング中に試料室中の真空度を上述した方法で測定し（Ｓ８０１）、これが事前に設定した目標真空度以下となれば（Ｓ８０２）、加熱電流、バイアス電圧の順に切り、クリーニングを終了する（Ｓ７０６、Ｓ７０７）。そのあと、フィラメントの冷却時間分待機する（Ｓ７０８）。【００６２】  以上の手順を実現するために、本実施例のクリーニング装置１００は、実施例５と同様、電源を制御する制御部、目標真空度を設定する入力部、真空度を測定する真空計を備える必要がある。しかし、これらの構成物は、本発明が機能する上で必須の構造ではない。
【実施例７】
【００６３】  実施例７は、以上説明した各実施例のクリーニング装置を搭載したＴＥＭもしくはＳＴＥＭの実施例である。図１１は本実施例のクリーニング装置を備えるＴＥＭもしくはＳＴＥＭの全体構成を示す図である。【００６４】  同図において、電子銃２０１から放出された電子線は、電子カラム２０２を通り、試料ステージ２０５の試料を透過し、プロジェクション室２０８で試料像として投影され、カメラ室２０９のカメラで撮影される。実施例１、２で説明したように、試料ステージ２０５近傍の電子カラム２０２には真空排気パイプ２０４を介してクリーニング装置２１４が設置されている。なお、同図において、２０３はイオンポンプ、２０６、２１０は高真空ポンプ、２０７、２１１は粗引きポンプ、２１２はスペクトロメータ、２１３は真空バルブである。本実施例によれば、ＴＥＭもしくはＳＴＥＭ装置内部の超高真空を保ったまま、クリーニング装置２１４により試料ステージのクリーニングを行うことが可能となる。
【実施例８】
【００６５】  実施例８は、上述した各実施例のクリーニング装置を搭載したＳＥＭの実施例である。図１２は本実施例のクリーニング装置を備えるＳＥＭの全体構成を示す図である。【００６６】  同図において、電子銃２０１から放出された電子線は、真空カラム２１５を通り、レンズ２１６を介して、試料室を構成する真空チャンバ２１８の試料ステージ２１７の試料表面を走査する。そして、試料からの二次電子等を検出してＳＥＭ像が生成される。試料室である真空チャンバ２１８には、更には試料ロードロック２２０にも、実施例１、２同様にクリーニング装置２１４が設置されている。本構成において、試料ロードロック２２０に付設されたクリーニング装置２１４によって試料の表面のクリーニングを行うことができる。真空チャンバ２１８や試料表面をクリーニングする場合、それらは接地電位であることが好ましい。なお、同図において、２０３はイオンポンプ、２０６、２１０は高真空ポンプ、２０７、２１１は粗引きポンプ、２１９は真空チャンバ２１８と試料ロードロック２２０間の試料バルブ、２２１は試料ロッドである。本実施例によれば、ＳＥＭ装置内部の超高真空を保ったまま、試料室や試料のクリーニングを行うことが可能となる。【００６７】  なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。本発明のクリーニング装置を適用する荷電粒子線装置として、ＴＥＭ／ＳＴＥＭ、ＳＥＭを例示して説明したが、その他の荷電粒子線装置、例えば、ＣＤＳＥＭ、ＦＩＢ，デュアルビームＦＩＢなどに適用して、装置内の炭化水素量を低減させるために適用しても良いことは言うまでもない。更に、低い炭化水素量が求められる１×１０−１Ｐａ〜１×１０−１２Ｐａ程度の中〜超高真空装置においても、クリーニングシステムとして使用可能である。同時に、クリーニングシステムを適切に調整すれば、試料のクリーニングや、十分に真空引きされた試料ポートのクリーニングにも適用可能である。【００６８】  また、上記した実施例は本発明のより良い理解のために詳細に説明したのであり、必ずしも説明の全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることが可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。例えば、上記の各実施例においては、設置する電子源が一個の場合を例示して説明したが、同一種類、或いは異なる種類の複数の電子源を設置しても良い。すなわち、同時並行で複数のフィラメントを使えば、フラックスを高くできるし、２個以上設けたフィラメントを同時だが独立に使うことで、一つのフィラメントに障害が起こった際にも大気開放せずにクリーニングを続けることができる。更に、種類の異なった複数の電子源を設けて、広い真空度の範囲で用いることができる。【００６９】  更に、上述した各構成、機能、制御部等は、それらの一部又は全部の機能を実行するＣＰＵ、ＰＣのプログラムを利用する例を説明したが、それらの一部又は全部を例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良いことは言うま���もない。すなわち、制御部の全部または一部の機能は、プログラムに代え、例えば、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）などの集積回路などにより実現してもよい。【００７０】  以上の本発明の詳細な説明の中には、請求の範囲に記載した発明以外の種々の発明が含まれているが、その一部を列記すると以下の通りである。【００７１】  ＜列記１＞荷電粒子源を有する鏡筒と、前記荷電粒子源からの荷電粒子線が照射される試料が設置される試料室と、前記試料室内に設置され、前記試料室に対して負電位に保持される第一の電子源と、前記第一の電子源を流れる電流を検出する検出器と、を備え、前記第一の電子源からの電子線の照射により前記試料室内を清浄する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７２】  ＜列記２＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記検出器の出力が入力される制御部を更に備え、前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記試料室内の清浄度を算出する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７３】  ＜列記３＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記試料室内の試料台に前記試料室の内壁よりも低い電圧を印加した状態で、前記第一の電子源に電流を供給する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７４】  ＜列記４＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記試料室の真空度を検出する真空計を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７５】  ＜列記５＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記試料室内に設置される試料台に、前記試料室の内壁よりも低い電圧を印加した状態で、前記第一の電子源に電流を供給する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７６】  ＜列記６＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源はアクティブ反射電極またはパッシブ反射電極を備える、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７７】  ＜列記７＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記鏡筒と前記試料室は、電子顕微鏡の鏡筒と試料室である、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７８】  ＜列記８＞列記１に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源にバイアス電圧を印加するバイアス電源を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。【００７９】  ＜列記９＞列記８に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源に印加するバイアス電圧よりも低い電圧を試料台に印加する手段を更に備える、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８０】  ＜列記１０＞列記８に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源に加熱電流を流す電子源電源を更に備え前記バイアス電源は、前記電子源電源が前記第一の電子源に加熱電流を流す前に、前記第一の電子源にバイアス電圧を印加する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８１】  ＜列記１１＞列記８に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源に加熱電流を流す電子源電源を更に備え前記バイアス電源は、前記電子源電源が前記第一の電子源に加熱電流を流すことを停止した後に、前記第一の電子源へのバイアス電圧の印加を停止す���、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８２】  ＜列記１２＞列記８に記載のクリーニング装置であって、前記バイアス電源は、前記第一の電子源に３０−１０００Ｖの電圧を印加する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８３】  ＜列記１３＞列記８に記載のクリーニング装置であって、前記バイアス電源は、前記第一の電子源に６０−１２０Ｖの電圧を印加する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８４】  ＜列記１４＞列記１に記載のクリーニング装置であって、更に、第二の電子源が前記試料室に配置されている、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８５】  ＜列記１５＞列記１４に記載のクリーニング装置であって、前記鏡筒の光軸と前記第一の電子源及び前記第二の電子源との各距離は、いずれも、前記第一の電子源と前記第二の電子源との距離よりも短い、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８６】  ＜列記１６＞列記１４に記載のクリーニング装置であって、前記第一の電子源と前記第二の電子源は、前記鏡筒の前記試料室内の部分又は前記試料室内に設置される試料台を挟んだ位置に配置されている、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８７】  ＜列記１７＞列記１４に記載のクリーニング装置であって、更に、第三の電子源が前記試料室に配置されている、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８８】  ＜列記１８＞荷電粒子源からの荷電粒子線が照射される試料が設置される試料室と、前記試料室に配置される熱放出型電子源と、前記熱放出型電子源に加熱電流を流す電子源電源と、前記熱放出型電子源に、前記試料室に対して負電位に保持するバイアス電源と、前記熱放出型電子源から放出される電流を検出する検出器と、前記検出器の出力が入力され、前記電子源電源と前記バイアス電源を制御する制御部と、を備え、前記熱放出型電子源から放出される電子により、前記試料室内の清浄を行う、ことを特徴とするクリーニング装置。【００８９】  ＜列記１９＞列記１８に記載のクリーニング装置であって、前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記電子源電源から前記熱放出型電子源に流す前記加熱電流を制御する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００９０】  ＜列記２０＞列記１８に記載のクリーニング装置であって、前記制御部は、前記バイアス電源によるバイアス電圧の印加後、前記熱放出型電子源に前記加熱電流を流し、設定時間経過後、前記加熱電流を停止し、前記バイアス電圧を停止するよう制御する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００９１】  ＜列記２１＞列記１８に記載のクリーニング装置であって、前記制御部は、前記バイアス電源によるバイアス電圧の印加後、前記熱放出型電子源に前記加熱電流を流し、前記試料室内の真空度の測定を行い、目標真空度に達成した場合、前記加熱電流を停止し、前記バイアス電圧を停止するよう制御する、ことを特徴とするクリーニング装置。【００９２】  ＜列記２２＞列記１８に記載のクリーニング装置であって、前記制御部は、前記試料室内の真空度を、前記検出器の出力に基づき測定する、ことを特徴とするクリーニング装置。
【符号の説明】
【００９３】１００  クリーニング装置１０１  試料室１０２  電子線源１０３  電子源電源１０４  バイアス電源１０５  電流計１０６  制御部１０７  記憶部１０８  試料台１０９  リターディング電圧１１０  荷電粒子線装置１１１  鏡筒１１２  荷電粒子線源１１３  アクティブ反射電極１１４  パッシブ反射電極１１５  真空計２０１  電子銃２０２  電子カラム２０３  イオンポンプ２０４  真空排気パイプ２０５、２１７  試料ステージ２０６、２１０  高真空ポンプ２０７、２１１  粗引きポンプ２０８  プロジェクション室２０９  カメラ室２１２  スペクトロメータ２１３  真空バルブ２１４  クリーニング装置２１５  真空カラム２１６  レンズ２１７  ステージ２１８  真空チャンバ２１９  試料バルブ２２０  試料ロードロック２２１  試料ロッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年8月6日(2020.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】実施例１に係る、クリーニング装置を備える荷電粒子線装置の全体構成の一例を示す図である。
【図２】照射する電子のエネルギーに対するイオン化傾向の依存性を示す図である。
【図３】照射する電子のエネルギーに対する平均自由行程の依存性を示す図である。
【図４】実施例２に係る、クリーニング装置を備える荷電粒子線装置の全体構成の一例を示す図である。
【図５】実施例３に係る、アクティブ反射電極を備えた熱放出型電子源を用いたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図６】実施例４に係る、独立したパッシブ反射電極を備えた熱放出型電子源を用いたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図７】実施例１−４に係る、荷電粒子線装置に複数配置されたクリーニング装置の一例を示す図である。
【図８】実施例１−４に係る、荷電粒子線装置に複数配置されたクリーニング装置の一例を、荷電粒子線装置上方向から見た図である。
【図９】実施例５に係る、タイマーを採用したクリーニング装置の処理フローを示す図である。
【図１０】実施例６に係る、真空度読取方式を行うクリーニング装置の処理フローを示す図である。
【図１１】実施例７に係る、クリーニング装置を搭載したＴＥＭ／ＳＴＥＭの概略構成の一例を示す図である。
【図１２】実施例８に係る、クリーニング装置を搭載したＳＥＭの概略構成の一例を示す図である。発明を実施するための形態
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、試料室１０１のクリーニングの進行度を、電流計１０５でモニタしたエミッション電流から読み取ることができると考えられる。後述する通り、本実施例にかかるクリーニング装置は、電子線照射によってガス分子を発生させ、これを真空ポンプで排気することでクリーニングを実現する。したがって、クリーニングが進行するにつれ、試料室内の圧力は低下していく。前述の通り、エミッション電流は、試料室内の真空度に影響される。そのため、エミッション電流と真空度の関係を明確にすることで、制御部１０６は試料室内の清浄度を把握することができる。また、試料室に真空計１１５を設置し、この真空計１１５で試料室内の真空度を直接読み取ることで、電流計１０５を使わなくとも同様に試料室内の清浄度を知ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
一方、付着分子との相互作用を考えると、平均自由行程が短いほど、クリーニング効率は上がる。図３は、照射される電子のエネルギーに対する平均自由行程の依存性を示した図である。被照射物によっても異なるが、電子がおおむね３０−６０ｅＶのエネルギーを持つ際に最も電子の平均自由行程が短くなることが解る。したがって、当該エネルギー帯でイオン化効率が向上すると考えられる。その他のエネルギーにおいても、電子がおおむね１０−１０００ｅＶのエネルギーを持つ場合は、付着分子をイオン化できると考えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上の説明の通り、分子のイオン化効率と電子の平均自由行程の観点から、本実施例のクリーニング装置のバイアス電源１０４により電子源１０２に印加する電圧は、好ましくは３０−１０００Ｖ、特に好ましくは６０−１２０Ｖ程度となる。実際の実験結果においても、１００ｅＶ程度のエネルギーで有効なクリーニング効果が得られることを確認した。
実施例２
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
試料室１０１に対して負電位に保たれたアクティブ反射電極１１３が形成する電界によって、電子はアクティブ反射電極１１３から試料室側へと軌道を曲げられる。したがって、電子を照射したい方向に対して電子源１０２の背面側にアクティブ反射電極１１３を配置することで、より効率的にクリーニングを実施できる。なお、アクティブ反射電極１１３に接続する電源をバイアス電源１０５とは別に用意する場合には、電子源１０２に対して負電位となるように電圧を印加することで、さらに多くの電子を試料室１０１方向に放出させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図６に示す構成の場合には、電子源１０２から電子が放出され始めた際には、パッシブ反射電極１１４の電位はほとんど接地電位と同電位であるため、電子源１０２からの電子は、全方向に均等に放出される。放出された電子の一部は、パッシブ反射電極１１４に到達し、負電位を蓄積させていく。この負電位は、放出された電子がパッシブ反射電極１１４に到達し続ける限り、蓄積し続けていく。ある値の負電位になったところで、パッシブ反射電極１１４と試料室１０１との間の電界によって電子が曲げられて、パッシブ反射電極１１４に到達できなくなり、負電位の蓄積は止まる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上説明した各実施例のクリーニング装置の構成において、電子源１０２から放出される電子は、電界や磁界から力を加えられなければ、直進する。したがって、試料室内には、例えば鏡筒１１１のような遮蔽物によって、電子源１０２から見て影になり、到達できない箇所が存在してしまう。この不到達領域のクリーニングを効果的に行うためには、複数箇所にクリーニング装置１００を設置することが有効である。
【国際調査報告】
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